(57)【要約】【課題】発光装置の基板から封止膜を部分的に除去する際に、端子に加わるダメージを少なくする。【解決手段】発光部１４０は基板１００に形成されており、有機層を有している。第１端子１１２は基板１００に形成されており、電気的に発光部１４０に接続している。導電層１９０は第１端子１１２の表層に位置しており、多孔質である。封止膜２００は発光部１４０を覆っており、かつ第１端子１１２の少なくとも一部（例えば全部）を覆っていない。そして、導電層１９０の中には、加熱によって流動性が増加する材料が入り込んでいる。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材と、
前記基材に形成され、有機層を有する発光部と、
前記基材に形成され、前記発光部に電気的に接続する端子と、
前記端子の表層に位置している多孔質の導電層と、
前記発光部を覆い、かつ前記端子の少なくとも一部を覆っていない封止膜と、
を備え、
前記導電層の中には、加熱によって流動性が増加する流動材料が入り込んでいる発光装置。
【請求項２】
請求項１に記載の発光装置において、
前記封止膜は、無機材料を用いて形成されている発光装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の発光装置において、
前記流動材料は有機材料であり、
前記有機層の少なくとも一部は前記有機材料を用いて形成されている発光装置。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか一項に記載の発光装置において、
前記導電層は、金属ナノワイヤ又はカーボンナノチューブを用いて形成されている発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年は、発光部に有機ＥＬ（Organic Electroluminescence）素子を有する発光装置の開発が進んでいる。有機ＥＬ素子は、有機層を、第１電極及び第２電極で挟んだ構成を有している。有機層は水分や酸素に弱いため、発光部は封止される必要がある。発光部を封止する方法の一つに、封止膜を用いる方法がある。封止膜を形成する方法としては、ＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）法、ＣＶＤ法、又はスパッタリング法などの気相成膜法がある。気相成膜法を用いた場合、封止膜は、端子の上など、封止膜を形成すべきでない領域にも形成されてしまう。このため、封止膜を部分的に除去する必要がある。
【０００３】
例えば特許文献１には、封止膜を形成する工程の前に、封止膜を除去すべき領域に、レーザ光を吸収する材料からなるリフトオフ層を形成することが記載されている。特許文献１では、封止膜を形成した後、このリフトオフ層にレーザを照射することにより、リフトオフ層及びその上に位置する封止膜を除去することが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−２３４３１８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１に記載の方法では、発光装置の製造工程において、端子にレーザを照射する必要がある。このため、端子にダメージを与える可能性がある。
【０００６】
本発明が解決しようとする課題としては、発光装置の基板から封止膜を部分的に除去する際に、端子に加わるダメージを少なくすることが一例として挙げられる。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
請求項１に記載の発明は、基材と、
前記基材に形成され、有機層を有する発光部と、
前記基材に形成され、前記発光部に電気的に接続する端子と、
前記端子の表層に位置している多孔質の導電層と、
前記発光部を覆い、かつ前記端子の少なくとも一部を覆っていない封止膜と、
を備え、
前記導電層の中には、加熱によって流動性が増加する流動材料が入り込んでいる発光装置である。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】第１の実施形態に係る発光装置の構成を示す平面図である。
【図２】図１から封止膜及び第２電極を取り除いた図である。
【図３】図２から絶縁層、導電層、及び有機層を取り除いた図である。
【図４】図１のＡ−Ａ断面図である。
【図５】発光装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図６】発光装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図７】発光装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図８】第２の実施形態に係る発光装置の平面図である。
【図９】図８から隔壁、第２電極、有機層、及び絶縁層を取り除いた図である。
【図１０】図８のＢ−Ｂ断面図である。
【図１１】図８のＣ−Ｃ断面図である。
【図１２】図８のＤ−Ｄ断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
【００１０】
（第１の実施形態）
図１は、第１の実施形態に係る発光装置１０の構成を示す平面図である。図２は、図１から封止膜２００及び第２電極１３０を取り除いた図である。図３は、図２から絶縁層１５０、導電層１９０、及び有機層１２０を取り除いた図である。図４は図１のＡ−Ａ断面図である。なお、図１において、説明のため封止膜２００は点線で示されている。
【００１１】
実施形態に係る発光装置１０は、基板１００（基材）、発光部１４０、第１端子１１２、導電層１９０、及び封止膜２００を備えている。発光部１４０は基板１００に形成されており、有機層を有している。第１端子１１２は基板１００に形成されており、電気的に発光部１４０に接続している。導電層１９０は第１端子１１２の表層に位置しており、多孔質である。封止膜２００は発光部１４０を覆っており、かつ第１端子１１２の少なくとも一部（例えば全部）を覆っていない。そして、導電層１９０の中には、加熱によって流動性が増加する材料（以下、流動材料と記載）が入り込んでいる。以下、発光装置１０について詳細に説明する。
【００１２】
発光装置１０が後述のボトムエミッション型である場合、基板１００は、例えばガラスや透光性の樹脂などの透光性の材料で形成されている。ただし、発光装置１０が後述のトップエミッション型である場合、基板１００は透光性を有さない材料で形成されていてもよい。基板１００は、例えば矩形などの多角形である。ここで、基板１００は可撓性を有していてもよい。基板１００が可撓性を有している場合、基板１００の厚さは、例えば１０μｍ以上１０００μｍ以下である。特に基板１００をガラス材料で可撓性を持たせる場合、基板１００の厚さは、例えば２００μｍ以下である。基板１００を樹脂材料で可撓性を持たせる場合は、基板１００の材料として、例えばＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＥＳ（ポリエーテルサルホン）、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタラート）、又はポリイミドを含ませて形成されている。また、基板１００が樹脂材料を含む場合、水分が基板１００を透過することを抑制するために、基板１００の少なくとも発光面（好ましくは両面）に、ＳｉＮｘやＳｉＯＮなどの無機バリア膜が形成されている。
【００１３】
基板１００には発光部１４０が形成されている。発光部１４０は、発光を生じさせるための構造、例えば有機ＥＬ素子を有している。この有機ＥＬ素子は、第１電極１１０、有機層１２０、及び第２電極１３０をこの順に積層させた構成を有している。
【００１４】
第１電極１１０は、光透過性を有する透明電極である。透明電極を構成する透明導電材料は、金属を含む材料、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）、ＩＷＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｕｎｇｓｔｅｎ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）、ＺｎＯ（Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）等の金属酸化物である。第１電極１１０の厚さは、例えば１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である。第１電極１１０は、例えばスパッタリング法又は蒸着法を用いて形成される。なお、第１電極１１０は、カーボンナノチューブ、又はＰＥＤＯＴ／ＰＳＳなどの導電性有機材料であってもよい。
【００１５】
第２電極１３０は、例えば、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｍｇ、Ｓｎ、Ｚｎ、及びＩｎからなる第１群の中から選択される金属又はこの第１群から選択される金属の合金からなる金属層を含んでいる。この場合、第２電極１３０は遮光性を有している。第２電極１３０の厚さは、例えば１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である。ただし、第２電極１３０は、第１電極１１０の材料として例示した材料を用いて形成されていてもよい。第２電極１３０は、例えばスパッタリング法又は蒸着法を用いて形成される。
【００１６】
なお、上記した第１電極１１０及び第２電極１３０の材料は、基板１００を光が透過する場合、すなわち発光装置１０からの発光が基板１００を透過して行われる場合（すなわちボトムエミッション型）の例である。他の場合として、基板１００とは逆側を光が透過する場合がある。すなわち、発光装置１０からの発光が基板１００を透過しないで行われる場合（トップエミッション型）である。トップエミッション型では、逆積型と、順積型との２種類の積層構造のいずれかを採用できる。逆積型では、第１電極１１０の材料と第２電極１３０の材料はボトムエミッション型と逆になる。すなわち第１電極１１０の材料には上記した第２電極１３０の材料が用いられ、第２電極１３０の材料には上記した第１電極１１０の材料が用いられる。他方の順積型では、上記した第２電極１３０の材料の上に第１電極１１０の材料を形成し、更にその上に有機層１２０、さらにその上に薄く成膜した第２電極１３０を形成することで、基板１００とは逆側から光を取出す構造である。なお、薄く成膜する材料は、例えば第２電極１３０の材料として例示した材料やＭｇＡｇ合金などである。ＡｌやＡｇで形成する場合は、第２電極１３０の厚さは、３０ｎｍ以下であるのが好ましい。本実施形態にかかる発光装置１０は、ボトムエミッション型、及び上記した２種類のトップエミッション型のいずれの構造であってもよい。
【００１７】
有機層１２０は、例えば、正孔注入層、発光層、及び電子注入層をこの順に積層させた構成を有している。正孔注入層と発光層との間には正孔輸送層が形成されていてもよい。また、発光層と電子注入層との間には電子輸送層が形成されていてもよい。有機層１２０は蒸着法で形成されてもよい。また、有機層１２０のうち少なくとも一つの層、例えば第１電極と接触する層は、インクジェット法、印刷法、又はスプレー法などの塗布法によって形成されてもよい。なお、この場合、有機層１２０の残りの層は、蒸着法によって形成されている。また、有機層１２０のすべての層が、塗布法を用いて形成されていてもよい。
【００１８】
発光装置１０は、第１端子１１２及び第２端子１３２を有している。第１端子１１２は第１電極１１０に電気的に接続しており、第２端子１３２は第２電極１３０に電気的に接続している。第１端子１１２及び第２端子１３２は、例えば、第１電極１１０と同一の材料で形成された層を有している。なお、第１端子１１２と第１電極１１０の間には引出配線が設けられていてもよい。また、第２端子１３２と第２電極１３０の間にも引出配線が設けられていてもよい。
【００１９】
発光部１４０は、封止膜２００によって封止されている。封止膜２００は、基板１００のうち、少なくとも発光部１４０が形成されている面に形成されており、発光部１４０を覆っている。ただし、第１端子１１２及び第２端子１３２は封止膜２００で覆われていない。封止膜２００は、例えば絶縁材料、さらに具体的には酸化アルミニウムや酸化チタンなどの無機材料によって形成されている。また、封止膜２００の厚さは、好ましくは３００ｎｍ以下である。また封止膜２００の厚さは、例えば５０ｎｍ以上である。
【００２０】
封止膜２００は、例えばＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）法を用いて形成されている。この場合、封止膜２００の段差被覆性は高くなる。またこの場合、封止膜２００は、複数の層を積層した多層構造を有していてもよい。この場合、第１の材料（例えば酸化アルミニウム）からなる第１封止層と、第２の材料（例えば酸化チタン）からなる第２封止層とを繰り返し積層した構造を有していてもよい。最下層は第１封止層及び第２封止層のいずれであってもよい。また、最上層も第１封止層及び第２封止層のいずれであってもよい。また、封止膜２００は第１の材料と第２の材料の混在する単層であってもよい。
【００２１】
ただし、封止膜２００は、他の成膜法、例えばＣＶＤ法やスパッタリング法を用いて形成されていてもよい。この場合、封止膜２００は、ＳｉＯ２又はＳｉＮなど絶縁膜によって形成されており、その膜厚は、例えば１０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下である。
【００２２】
そして、第１端子１１２の上及び第２端子１３２の上には、いずれも導電層１９０が形成されている。導電層１９０は多孔質であり、例えば金属ナノワイヤ（例えば銀ナノワイヤ）やカーボンナノチューブ（ＣＮＴ）を含む塗布材料（例えばインクジェット用又は印刷用のインク）を塗布して乾燥させることにより、形成されている。ただし、導電層１９０は他の方法を用いて形成されていてもよい。導電層１９０の厚さは、例えば１０ｎｍ以上１０μｍ以下であり、好ましくは１００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下である。
【００２３】
導電層１９０が有する孔には、流動材料が入り込んでいる。この流動材料は、後述する被覆層１９２が導電層１９０内に入り込んだものであり、例えば有機層１２０を構成する少なくとも一つの層と同一の有機材料を用いて形成されている。ただし、被覆層１９２を構成する材料には、加熱によって流動性が増加する他の材料（例えばガラス転移点を有する材料）を用いることができる。被覆層１９２を構成する材料のガラス転移温度は、封止膜２００を形成するときの基板１００の温度（例えば９０℃以上１００℃以下）よりも高いのが好ましい。
【００２４】
なお、被覆層１９２の一部は導電層１９０の表面の一部に残っていてもよい。
【００２５】
次に、発光装置１０の製造方法について、図５、図６、及び図７を用いて説明する。これらの図は、図４の点線αで囲んだ領域を拡大した図に対応している。
【００２６】
まず、基板１００上に第１電極１１０を形成する。この工程において、第１端子１１２及び第２端子１３２も形成される。次いで、第１端子１１２の上及び第２端子１３２の上に、導電層１９０を、例えばインクジェット法や印刷法を用いて形成する。次いで、絶縁層１５０、有機層１２０、及び第２電極１３０をこの順に形成する（形成工程）。
【００２７】
次いで、図５に示すように、導電層１９０の上に、被覆層１９２を形成する。なお、被覆層１９２が有機層１２０のいずれかの層と同一の材料を用いて形成されている場合、被覆層１９２は、有機層１２０と同一工程で形成される。言い換えると、被覆層１９２は、絶縁層１５０を形成した後、第２電極１３０を形成する前に形成される。なお、被覆層１９２が有機層１２０とは異なる材料を用いて形成されている場合、被覆層１９２は、有機層１２０とは異なるタイミングで形成される。
【００２８】
次いで、封止膜２００を、例えば、ＣＶＤ法、スパッタリング法、ＡＬＤ法などの成膜法を用いて形成する。このとき、封止膜２００は発光部１４０と重なる領域を含めて、基板１００のほぼ全面に形成される。このため、第１端子１１２及び第２端子１３２も封止膜２００で覆われる。なお、この工程において、第１端子１１２及び第２端子１３２の温度は、被覆層１９２の流動性が増大する温度（例えばガラス転移点よりも高い温度、例えばガラス転移点よりも約２０℃上の温度）未満の温度（例えば２００℃以下）になっている。このため、封止膜２００のうち第１端子１１２（又は第２端子１３２）と重なる部分は、第１端子１１２（又は第２端子１３２）、導電層１９０、及び被覆層１９２の積層体に沿って形成される。
【００２９】
次いで、図６に示すように、封止膜２００のうち第１端子１１２と重なる部分を、加熱装置３００を用いて局所的に加熱する。加熱装置３００は、例えば熱風を送風する装置である。これにより、被覆層１９２の温度は上昇し、被覆層１９２の流動性は増大する。被覆層１９２がガラス転移点を有する材料を用いて形成されていた場合、被覆層１９２は、このガラス転移点より高い温度に加熱される。被覆層１９２の流動性が増大すると、被覆層１９２は、毛細管現象などによって導電層１９０の孔の中に入り込む。その結果、導電層１９０と封止膜２００の間に隙間が生じ、封止膜２００のうち導電層１９０と重なる部分は、封止膜２００の他の部分よりも脆弱になる。また、被覆層１９２と封止膜２００との熱膨張率の差により、加熱装置３００による加熱とその冷却で封止膜２００にクラック（後述する破砕）を生じさせることができる場合もある。なお、ここで加熱装置３００を用いて局所的に加熱するとは、発光部１４０に熱が加わることを抑制する、さらに具体的には第１電極１１０と第２電極１３０との間に形成される有機層１２０への加熱を避けるという意味である。
【００３０】
次いで、図７に示すように、封止膜２００のうち導電層１９０と重なる領域を砕く。加熱装置３００が熱風を送る装置である場合、この風の圧力によって封止膜２００の上記した部分は砕かれ、かつ、導電層１９０と重なる領域から除去される。言い換えると、被覆層１９２の加熱、並びに封止膜２００の破砕及び除去を、同一工程で行うことができる。ここで、異物を吸入する吸入装置を加熱装置３００と併用すると、封止膜２００の除去はさらに効率的に行われる。そしてこの処理により、第１端子１１２上の導電層１９０及び第２端子１３２上の導電層１９０は、露出する。
【００３１】
その後、第１端子１１２上の導電層１９０及び第２端子１３２上の導電層１９０に、導電部材（例えばボンディングワイヤ、リード部材、又はＦＰＣ（Flexible Printed Circuit））が接続される。
【００３２】
なお、図７に示す例において、封止膜２００のうち導電層１９０と基板１００の縁の間に位置する部分は、基板１００の上に残っている。ただし、封止膜２００のこの部分も除去される場合もある。また、加熱装置３００は、局所的に加熱が可能な半田ごてのような接触式の加熱装置が用いられてもよい。
【００３３】
以上、本実施形態によれば、第１端子１１２の上及び第２端子１３２の上には、いずれも、導電層１９０及び被覆層１９２が形成され、その後、封止膜２００が形成される。導電層１９０は多孔質であり、また被覆層１９２は加熱によって流動性が増加する。このため、封止膜２００を形成した後、被覆層１９２を加熱すると、被覆層１９２は導電層１９０内に入り込む。その結果、封止膜２００と導電層１９０の間には隙間が生じる。従って、この隙間を利用して封止膜２００を砕き、導電層１９０を封止膜２００から露出させることができる。
【００３４】
そしてこの工程において、第１端子１１２及び第２端子１３２には熱が加わるのみであるが、この時の導電層１９０の温度は高くはなく、例えば２００℃以下である。従って、第１端子１１２及び第２端子１３２にはダメージが加わりにくい。
【００３５】
また、リフトオフ法を用いて封止膜２００のうち第１端子１１２の上に位置する部分及び第２端子１３２の上に位置する部分を除去する場合、リフトオフ層（犠牲層）の耐熱温度が有機層１２０を蒸着する際の工程温度（例えば蒸着の前処理を行う工程では、ＵＶ工程に加えて３００度の熱負荷がかかる）で変性するため、有機層１２０を形成した後かつ封止膜２００を形成する前に、リフトオフ層を形成する必要がある。前述の前処理工程の前にリフトオフ層を形成した場合でもリフトオフ層としての機能は維持することができるが、変性したリフトオフ層は粉塵やガスを発生させる場合がある。このことにより発光部の黒点（ダークスポット）、電極表面の汚染による電荷注入性の悪化、輝度低下、輝度のムラを引き起こすなど発光の特性を悪化させる。そのため、リフトオフ層は一般的に有機層１２０を形成した後に大気暴露の状態で形成される。このため、リフトオフ法を形成する際に発光部１４０に異物が付着したり、発光部１４０が吸湿する可能性が出てくる。これに対して、被覆層１９２を有機層１２０のいずれかの層と同一の材料で形成した場合、被覆層１９２を有機層１２０と同一工程で形成することができる。この場合、発光部１４０が大気暴露される回数が減るため、発光部１４０に異物が付着したり発光部１４０が吸湿したりすることを抑制できる。
【００３６】
（第２の実施形態）
図８は、第２の実施形態に係る発光装置１０の平面図である。図９は、図８から隔壁１７０、第２電極１３０、有機層１２０、及び絶縁層１５０を取り除いた図である。図１０は図８のＢ−Ｂ断面図であり、図１１は図８のＣ−Ｃ断面図であり、図１２は図８のＤ−Ｄ断面図である。なお、説明のため、図１０、図１１、及び図１２から封止膜２００を除いている。
【００３７】
本実施形態に係る発光装置１０はディスプレイであり、基板１００、第１電極１１０、発光部１４０、絶縁層１５０、複数の開口１５２、複数の開口１５４、複数の引出配線１１４、有機層１２０、第２電極１３０、複数の引出配線１３４、及び複数の隔壁１７０を有している。
【００３８】
第１電極１１０は、第１方向（図８におけるＹ方向）にライン状に延在している。そして第１電極１１０の端部は、引出配線１１４に接続している。
【００３９】
引出配線１１４は、第１電極１１０を第１端子１１２に接続する配線である。本図に示す例では、引出配線１１４の一端側は第１電極１１０に接続しており、引出配線１１４の他端側は第１端子１１２となっている。本図に示す例において、第１電極１１０及び引出配線１１４は一体になっている。そして引出配線１１４の上には、導体層１８０が形成されている。導体層１８０は、第１電極１１０よりも抵抗の低い金属、例えばＡｌ又はＡｇを用いて形成されている。導体層１８０は、複数の層を積層した構成（例えばＭｏ合金層、Ａｌ合金層、及びＭｏ合金層をこの順に積層した構成）を有していてもよい。なお、引出配線１１４の一部は絶縁層１５０によって覆われている。
【００４０】
絶縁層１５０は、図８、及び図１０〜図１２に示すように、複数の第１電極１１０上及びその間の領域に形成されている。絶縁層１５０には、複数の開口１５２及び複数の開口１５４が形成されている。複数の第２電極１３０は、第１電極１１０と交差する方向（例えば直交する方向：図８におけるＸ方向）に互いに平行に延在している。そして、複数の第２電極１３０の間には、詳細を後述する隔壁１７０が延在している。開口１５２は、平面視で第１電極１１０と第２電極１３０の交点に位置している。具体的には、複数の開口１５２は、第１電極１１０が延在する方向（図８におけるＹ方向）に並んでいる。また、複数の開口１５２は、第２電極１３０の延在方向（図８におけるＸ方向）にも並んでいる。このため、複数の開口１５２はマトリクスを構成するように配置されていることになる。
【００４１】
開口１５４は、平面視で複数の第２電極１３０のそれぞれの一端側と重なる領域に位置している。また開口１５４は、開口１５２が構成するマトリクスの一辺に沿って配置されている。そしてこの一辺に沿う方向（例えば図８におけるＹ方向、すなわち第１電極１１０に沿う方向）で見た場合、開口１５４は、所定の間隔で配置されている。開口１５４からは、引出配線１３４の一部分が露出している。そして、引出配線１３４は、開口１５４を介して第２電極１３０に接続している。
【００４２】
引出配線１３４は、第２電極１３０を第２端子１３２に接続する配線であり、第１電極１１０と同一の材料からなる層を有している。引出配線１３４の一端側は開口１５４の下に位置しており、引出配線１３４の他端側は、絶縁層１５０の外部に引き出されている。そして本図に示す例では、引出配線１３４の他端側が第２端子１３２となっている。そして引出配線１３４の上にも、導体層１８０が形成されている。なお、引出配線１３４の一部は絶縁層１５０によって覆われている。
【００４３】
開口１５２と重なる領域には、有機層１２０が形成されている。有機層１２０の正孔注入層は第１電極１１０に接しており、有機層１２０の電子注入層は第２電極１３０に接している。このため、発光部１４０は、開口１５２と重なる領域それぞれに位置していることになる。
【００４４】
なお、図１０及び図１１に示す例では、有機層１２０を構成する各層は、いずれも開口１５２の外側まではみ出している場合を示している。そして図８に示すように、有機層１２０は、隔壁１７０が延在する方向において、隣り合う開口１５２の間にも連続して形成されていてもよいし、連続して形成していなくてもよい。ただし、図１２に示すように、有機層１２０は、開口１５４には形成されていない。
【００４５】
第２電極１３０は、図８、図１０〜図１２に示すように、第１方向と交わる第２方向（図８におけるＸ方向）に延在している。そして隣り合う第２電極１３０の間には、隔壁１７０が形成されている。隔壁１７０は、第２電極１３０と平行すなわち第２方向に延在している。隔壁１７０の下地は、例えば絶縁層１５０である。隔壁１７０は、例えばポリイミド系樹脂などの感光性の樹脂であり、露光及び現像されることによって、所望のパターンに形成されている。なお、隔壁１７０はポリイミド系樹脂以外の樹脂、例えばエポキシ系樹脂やアクリル系樹脂、二酸化珪素等の無機材料で構成されていても良い。
【００４６】
隔壁１７０は、断面が台形の上下を逆にした形状（逆台形）になっている。すなわち隔壁１７０の上面の幅は、隔壁１７０の下面の幅よりも大きい。このため、隔壁１７０を第２電極１３０より前に形成しておくと、蒸着法やスパッタリング法を用いて、第２電極１３０を基板１００の一面側に形成することで、複数の第２電極１３０を一括で形成することができる。また、隔壁１７０は、有機層１２０を分断する機能も有している。
【００４７】
そして本実施形態においても、第１端子１１２の上及び第２端子１３２の上には、導電層１９０が形成されている。導電層１９０には、第１の実施形態と同様に、第１の実施形態に示した被覆層１９２を構成していた流動材料が入り込んでいる。
【００４８】
また、発光装置１０は封止膜２００を有している。封止膜２００の構成及びレイアウトは、第１の実施形態に示した通りである。ただし本実施形態では、第１端子１１２及び第２端子１３２は、基板１００のうち同一の辺に沿って配置されている。そして、封止膜２００のうち第１端子１１２と重なっている部分及び第２端子１３２と重なっている部分には、いずれも開口２０２が形成されている。開口２０２は、封止膜２００のうち第１端子１１２と重なる部分（又は第２端子１３２と重なる部分）が除去されることにより、形成されている。
【００４９】
次に、本実施形態における発光装置１０の製造方法を説明する。まず、基板１００上に第１電極１１０、引出配線１１４，１３４を形成する。これらの形成方法は、第１の実施形態において第１電極１１０を形成する方法と同様である。
【００５０】
次いで、引出配線１１４上及び引出配線１３４上に、導体層１８０を形成する。次いで、絶縁層１５０を形成し、さらに隔壁１７０を形成する。次いで有機層１２０及び第２電極１３０を形成する。また、いずれかのタイミングで導電層１９０及び被覆層１９２が形成される。これらの形成方法及び形成タイミングは、第１の実施形態に示した通りである。
【００５１】
そして、封止膜２００を形成する。次いで、被覆層１９２を加熱して流動させ、導電層１９０の中に入り込ませる。次いで、封止膜２００のうち導電層１９０と重なる部分を砕いて除去する。これらの工程は、第１の実施形態に示した通りである。その後、第１端子１１２及び第２端子１３２に導通部材を接続する。
【００５２】
本実施形態によれば、発光部１４０を用いたディスプレイにおいて、第１の実施形態と同様に、封止膜２００のうち除去すべき領域、例えば封止膜２００のうち第１端子１１２の上に位置する部分及び第２端子１３２の上に位置する部分を除去することができる。また、この除去工程において第１端子１１２及び第２端子１３２にダメージが加わることを抑制できる。
【００５３】
以上、図面を参照して実施形態及び実施例について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。
【符号の説明】
【００５４】
１０  発光装置
１００  基板（基材）
１１０  第１電極
１１２  第１端子
１２０  有機層
１３０  第２電極
１３２  第２端子
１４０  発光部
１９０  導電層
１９２  被覆層
２００  封止膜
３００  加熱装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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