(57)【要約】【課題】酸性または酸化性液体である被分析液体についても、容易かつ高精度で分析できる不純物分析方法を提供することを目的とする。【解決手段】被分析液体の不純物分析方法であって、  被分析液体である酸性または酸化性液体を、サファイア基板の表面に供給する被分析液体供給工程と、  前記被分析液体を供給した前記サファイア基板を乾燥させる乾燥工程と、  前記乾燥工程後の前記サファイア基板の、前記被分析液体を供給した面の表面の付着元素を全反射蛍光Ｘ線分析装置により測定する測定工程とを有する不純物分析方法を提供する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被分析液体の不純物分析方法であって、
被分析液体である酸性または酸化性液体を、サファイア基板の表面に供給する被分析液体供給工程と、
前記被分析液体を供給した前記サファイア基板を乾燥させる乾燥工程と、
前記乾燥工程後の前記サファイア基板の、前記被分析液体を供給した面の表面の付着元素を全反射蛍光Ｘ線分析装置により測定する測定工程とを有する不純物分析方法。
【請求項２】
前記被分析液体供給工程に供するサファイア基板の前記被分析液体を供給する面を、全反射蛍光Ｘ線分析装置で測定したときのＦｅ濃度が０．４５×１０１０ａｔｏｍｓ／ｃｍ２未満である請求項１に記載の不純物分析方法。
【請求項３】
前記被分析液体供給工程において、前記被分析液体を前記サファイア基板の表面に対して噴射し、前記被分析液体の噴射時間が１２０秒以上である請求項１または２に記載の不純物分析方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項に記載の不純物分析方法により分析し、Ｆｅ濃度が０．４５×１０１０ａｔｏｍｓ／ｃｍ２未満である洗浄液を選択する分析、選択工程と、
前記分析、選択工程で選択した洗浄液を用いてサファイア基板を洗浄する洗浄工程とを有するサファイア基板の洗浄方法。
【請求項５】
前記洗浄液が、フッ化水素酸水溶液である請求項４に記載のサファイア基板の洗浄方法。
【請求項６】
前記洗浄液が、過酸化水素水溶液とアンモニア水溶液の混合溶液であることを特徴とする請求項４のいずれかに記載のサファイア基板の洗浄方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、不純物分析方法、サファイア基板の洗浄方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置製造等の分野において、従来から各種化学薬品が用いられている。
【０００３】
例えば特許文献１には、シリコンインゴットの少なくとも一つの表面に対して表面処理工程を行うことでシリコンインゴットの表面にナノ構造を有する微細構造層を形成するため、フッ化水素酸溶液等の酸性エッチング液を用いることが開示されている。
【０００４】
また、特許文献２には、ＳＯＩウエーハの製造工程で、ＳＯＩウエーハのシリコン薄膜の高ダメージ層をエッチングする際にＳＯＩウエーハをアンモニア過酸化水素水に浸漬させることが開示されている。
【０００５】
半導体装置製造等の分野において用いられる各種化学薬品によっては、歩留まりや、品質を向上させる観点から、目的成分以外の不純物の含有量が少なく高純度であることが好ましい。このため、用いる各種化学薬品について各種分析方法により分析がなされていた。
【０００６】
ただし、特許文献１、２に開示されているような半導体装置を製造する際に用いるエッチング液や洗浄液等の酸性液体や酸化性液体は反応性が高いことから、その分析に使用できる分析方法は限られていた。高純度域の不純物濃度分析には例えば誘導結合プラズマ質量分析等が用いられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特許第５４６２８９３号公報
【特許文献２】特許第５５７２０８５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、誘導結合プラズマ質量分析による分析方法は被分析溶液を調製するために手間と時間を要するという問題があった。
【０００９】
特に近年は半導体装置の微細化が進んでおり、製品の品質や歩留まりを向上させるため、エッチング液等の酸性液体や酸化性液体についても高純度のものが求められており、これらの液体の純度を容易かつ高精度で分析できる不純物分析方法が必要になると考えられる。
【００１０】
そこで、本発明の一側面では、上記従来技術が有する問題に鑑み、酸性または酸化性液体である被分析液体についても、容易かつ高精度で分析できる不純物分析方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記課題を解決するため本発明の一態様によれば、被分析液体の不純物分析方法であって、
被分析液体である酸性または酸化性液体を、サファイア基板の表面に供給する被分析液体供給工程と、
前記被分析液体を供給した前記サファイア基板を乾燥させる乾燥工程と、
前記乾燥工程後の前記サファイア基板の、前記被分析液体を供給した面の表面の付着元素を全反射蛍光Ｘ線分析装置により測定する測定工程とを有する不純物分析方法を提供することができる。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の一態様によれば、酸性または酸化性液体である被分析液体についても、容易かつ高精度で分析できる不純物分析方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】サファイア基板の表面に被分析液体を噴射している状態の模式図。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明を実施するための形態について図面を参照して説明するが、本発明は、下記の実施形態に制限されることはなく、本発明の範囲を逸脱することなく、下記の実施形態に種々の変形および置換を加えることができる。
（不純物分析方法）
本実施形態の不純物分析方法の一構成例について説明する。
【００１５】
本実施形態の不純物分析方法は、被分析液体の不純物分析方法であって、以下の各工程を有することができる。
【００１６】
被分析液体である酸性または酸化性液体を、サファイア基板の表面に供給する被分析液体供給工程。
【００１７】
被分析液体を供給したサファイア基板を乾燥させる乾燥工程。
【００１８】
前記乾燥工程後のサファイア基板の、被分析液体を供給した面の表面の付着元素を全反射蛍光Ｘ線分析装置により測定する測定工程。
【００１９】
各工程について以下に説明する。
【００２０】
まず、被分析液体供給工程について説明する。
【００２１】
被分析液体供給工程においては、被分析液体をサファイア基板の表面に供給することができる。
【００２２】
サファイア基板は、固体材料の中でも安定した材料であり、他の物質との反応性が低いことから、被分析液体としては特に限定されるものではない。特に半導体やその他の基板の洗浄に用いられるフッ酸や過酸化水素等に対しては、サファイアは極めて安定な材料である。
【００２３】
上述のように酸性液体や、酸化性液体は、その反応性から分析する方法は限られていたが、これらの液体との反応性が低いサファイア基板を用いる本実施形態の不純物分析方法によれば、酸性液体や酸化性液体についても正確に分析することが可能となり、特に高い効果を発揮することができる。従って、本実施形態の不純物分析方法における被分析液体は酸性液体や酸化性液体であることが好ましい。特に、被分析液体としては、半導体装置の製造に用いられている、フッ化水素酸、または過酸化水素水溶液とアンモニア水溶液との混合溶液であることがより好ましい。
【００２４】
被分析液体供給工程に供するサファイア基板の形状については特に限定されるものではなく、板状の基板であれば好適に用いることができる。サファイア基板はサファイア単結晶基板であり、略円柱形状のサファイア単結晶のインゴットをスライスして製造することができる。このため、他の形状よりも加工量が少なくて済むことから円板形状のサファイア基板をより好ましく用いることができる。
【００２５】
また、被分析液体供給工程に供するサファイア基板の少なくとも被分析液体を供給する面は、全反射蛍光Ｘ線分析装置で測定したときに測定対象となる成分、元素の濃度が全反射蛍光Ｘ分析装置の検出下限値未満であることが好ましい。
【００２６】
例えば半導体装置の製造においては被分析液体中のＦｅの含有量が特に問題となり易い。このため、被分析液体供給工程に供するサファイア基板の被分析液体を供給する面を全反射蛍光Ｘ線分析装置で測定した時のＦｅ濃度が全反射蛍光Ｘ線分析装置の検出限界未満であることが好ましい。例えば、被分析液体供給工程に供するサファイア基板の被分析液体を供給する面を全反射蛍光Ｘ線分析装置で測定した時のＦｅ濃度が０．４５×１０１０ａｔｏｍｓ／ｃｍ２未満であることが好ましい。
【００２７】
特に被分析液体供給工程に供するサファイア基板の表面全体の、全反射蛍光Ｘ線分析装置で測定した時に測定対象となる成分、元素の濃度が全反射蛍光Ｘ線分析装置の検出下限値未満であることがより好ましい。例えば、被分析液体供給工程に供するサファイア基板の表面全体のＦｅ濃度が全反射蛍光Ｘ線分析装置の検出限界未満であることがより好ましい。具体的には、被分析液体供給工程に供するサファイア基板の表面全体について全反射蛍光Ｘ線分析装置で測定した時のＦｅ濃度が０．４５×１０１０ａｔｏｍｓ／ｃｍ２未満であることがより好ましい。
【００２８】
なお、ここでいう被分析液体供給工程に供するサファイア基板とは、被分析液体を供給する前のサファイア基板のことを意味している。
【００２９】
被分析液体をサファイア基板に供給する方法は特に限定されるものではなく、任意の方法により被分析液体をサファイア基板上に供給することができる。サファイア基板の表面に被分析液体を供給する方法としては、例えばサファイア基板の表面に被分析液体を噴射する方法が挙げられる。
【００３０】
図１にサファイア基板の表面に被分析液体を噴射している状態を模式的に示す。図１に示すようにサファイア基板１１に対して、被分析液体を収容したタンクに接続された被分析液体吐出口１２から被分析液体１３を噴射することによりサファイア基板１１の一方の面上に被分析液体１３を供給することができる。
【００３１】
サファイア基板の表面に被分析液体を噴射する場合の具体的な条件は特に限定されるものではなく、例えば被分析液体吐出口１２のサイズ等により任意に選択することができる。
【００３２】
例えばサファイア基板の表面に対して被分析液体を、１．５Ｌ／ｍｉｎ以上の速度でシャワー状に供給することが好ましい。これは、被分析液体を１．５Ｌ／ｍｉｎ以上の速度でシャワー状に供給することでサファイア基板１１の一方の面上に短時間で十分な量の被分析液体を供給できるからである。ただし、被分析液体の供給速度は５．０Ｌ／ｍｉｎ以下であることが好ましい。これは５．０Ｌ／ｍｉｎより多くの被分析液体を供給しようとすると、被分析液体に印加する圧力が大きくなるため、サファイア基板の表面に適切に被分析液体を供給することが困難になる場合があるからである。
【００３３】
また、例えば被分析液体供給工程において、被分析液体をサファイア基板の表面に対して噴射する場合、被分析液体の噴射時間を１２０秒以上とすることができる。これは被分析液体の噴射時間を１２０秒以上とすることにより、サファイア基板の表面に十分な量の被分析液体を供給することができるためである。なお、被分析液体の供給時間は特に限定されるものではなく、任意に選択することができるが、例えば３００秒以下とすることが好ましい。これは３００秒より長く被分析液体を供給したとしてもサファイア基板の表面にはほとんど留まらないため、被分析液体が無駄になるからである。
【００３４】
サファイア基板の表面に被分析液体を供給する方法として、上述した被分析液体を噴射する方法以外に、例えば、サファイア基板の表面に対して被分析液体を噴霧する方法や、サファイア基板を被分析液体中にディップする方法等も挙げられる。
【００３５】
次に乾燥工程について説明する。
【００３６】
乾燥工程では、被分析液体を供給したサファイア基板を乾燥させ、被分析液体供給工程でサファイア基板上に供給した被分析液体に含まれる溶媒の成分を乾燥させることができる。
【００３７】
乾燥工程で用いる乾燥方法は特に限定されるものではないが、スピン乾燥や、マランゴニ乾燥等、各種乾燥方法を用いることができる。
【００３８】
なお、乾燥工程では、基板表面に新たに別の液体等が接触し、汚染されない様にして実施することが好ましい。具体的には例えばクリーンルーム等清浄度の高い雰囲気下で実施することが好ましい。
【００３９】
乾燥工程における乾燥の程度については特に限定されるものではないが、例えばサファイア基板上に供給した被分析液体中の液体成分がなくなったと目視で確認できる程度に乾燥することが好ましい。
【００４０】
次に測定工程について説明する。測定工程では、サファイア基板の被分析液体を供給した面の表面の付着元素を全反射蛍光Ｘ線分析装置により測定することができる。測定工程における測定条件については特に限定されるものではなく、使用する全反射蛍光Ｘ線分析装置等に応じて任意の条件により測定を行うことができる。
【００４１】
ただし、複数枚のサンプルについて評価を行う場合には、全反射蛍光Ｘ線分析装置にセットしてから評価を実施するまでの間に試料が汚染されないように、乾燥工程後の試料（基板）を清浄な搬送用のカセット内に封入しておくことが好ましい。
【００４２】
そして、予め被分析液体中の被分析元素の量と、サファイア基板上に被分析液体を供給後にサファイア基板表面を全反射蛍光Ｘ線分析装置により分析した値との関係について検量線を作成しておくことで、測定値から被分析液体中の元素量を算出できる。
【００４３】
本実施形態の不純物分析方法においてはさらに任意の工程を有することができる。例えば、被分析液体の評価に用いたサファイア基板と、被分析液体とは反応しないことから、サファイア基板は繰り返し使用することができる。このため、測定工程終了後に使用したサファイア基板を洗浄するサファイア基板洗浄工程を設けることができる。サファイア基板を洗浄する具体的な方法は特に限定されるものではないが、例えば超純水や、本実施形態で説明した不純物分析方法により不純物の含有量が所定値以下であることを確認された溶液等を用いて洗浄を実施することができる。
【００４４】
なお、サファイア基板の洗浄工程は上述のようにサファイア基板を繰り返し用いる場合だけではなく、例えば新品のサファイア基板を被分析液体供給工程に供給する前に実施することもできる。このようにサファイア基板を不純物濃度の低い超純水や、溶液等で洗浄することにより、より高い精度で不純物の分析を行うことができる。
【００４５】
以上に説明した本実施形態の不純物分析方法によれば、用いる被分析液体をサファイア基板の表面に供給し、乾燥後、全反射蛍光Ｘ線分析装置により評価を行うことができる。このため、被分析液体の調製等を実施する必要がなく容易に評価を行うことができる。また、全反射蛍光Ｘ線分析装置を用いているため、高い精度での評価を行うことができる。
（サファイア基板の洗浄方法）
本実施形態のサファイア基板の洗浄方法の一構成例について説明する。
【００４６】
本実施形態のサファイア基板の洗浄方法は、以下の各工程を有することができる。
【００４７】
本実施形態で既述の不純物分析方法により分析し、Ｆｅ濃度が０．４５×１０１０ａｔｏｍｓ／ｃｍ２未満である洗浄液を選択する分析、選択工程。
【００４８】
分析、選択工程で選択した洗浄液を用いてサファイア基板を洗浄する洗浄工程。
【００４９】
各工程について以下に説明する。
【００５０】
まず、分析、選択工程について説明する。
【００５１】
分析、選択工程では、既述の不純物分析方法において、洗浄液を被分析液体として分析を行い、含有するＦｅ濃度が０．４５×１０１０ａｔｏｍｓ／ｃｍ２未満である洗浄液を選択することができる。
【００５２】
本実施形態のサファイア基板の洗浄方法は、例えば上述の不純物分析方法に用いるサファイア基板を洗浄する際や、ＳＯＳ(シリコン・オン・サファイア)基板、青色発光ダイオード等の各種半導体装置の製造時に基板として用いるサファイア基板を洗浄する際に用いることができる。
【００５３】
そして、不純物分析方法において例えば半導体装置の用途に用いる被分析液体を分析する場合、該被分析液体中のＦｅ濃度が問題となる場合が多いため、サファイア基板を洗浄する際に用いる洗浄液はＦｅ濃度が低いことが好ましい。
【００５４】
また、ＳＯＳ(シリコン・オン・サファイア)基板等の各種半導体装置を製造する際に基板として用いるサファイア基板についても該サファイア基板の表面に付着したＦｅ濃度が問題となる場合が多い。このため、該サファイア基板を洗浄する際に用いる洗浄液はＦｅ濃度が低いことが好ましい。
【００５５】
特に上述のような各種用途に用いるサファイア基板を洗浄する洗浄液中のＦｅ濃度が全反射蛍光Ｘ線分析装置の検出限界未満であることが好ましい。具体的には例えば、洗浄液が含有するＦｅ濃度が、既述の不純物分析方法により分析した場合、０．４５×１０１０ａｔｏｍｓ／ｃｍ２未満であることがより好ましい。
【００５６】
このため、分析、選択工程では、本実施形態で既述の不純物分析方法において、洗浄液を被分析液体として、含有するＦｅ濃度が０．４５×１０１０ａｔｏｍｓ／ｃｍ２未満である洗浄液を選択することが好ましい。
【００５７】
次に、洗浄工程では、分析、選択工程で選択した洗浄液を用いてサファイア基板を洗浄することができる。
【００５８】
洗浄工程においてサファイア基板を洗浄する方法は特に限定されるものではなく任意の方法により実施することができる。
【００５９】
例えばサファイア基板を洗浄液に所定時間浸漬させることにより、サファイア基板を洗浄することができる。また、例えばサファイア基板を冶具で保持しておき、サファイア基板に対して洗浄液を噴射することにより、サファイア基板を洗浄することもできる。
【００６０】
分析、選択工程で選択する洗浄液、すなわち洗浄工程で使用する洗浄液の種類については特に限定されるものではなく、洗浄したサファイア基板の用途や、サファイア基板の表面に付着している物質等に応じて任意に選択することができる。
【００６１】
例えば既述の不純物分析方法に用いるサファイア基板の場合、被分析液体と同じ化合物の溶液により洗浄しておくことが好ましい。このため、被分析液体としては酸性または酸化性液体を好ましく用いることができる。
【００６２】
そして、本実施形態の不純物分析方法において既述のように、被分析液体としては、半導体装置の製造に用いられている、フッ化水素酸、または過酸化水素水溶液とアンモニア水溶液との混合溶液であることが好ましい。このため、例えば洗浄液として、フッ化水素酸水溶液を用いることができる。また、洗浄液として、過酸化水素水溶液とアンモニア水溶液の混合溶液を用いることもできる。
【００６３】
以上に説明した本実施形態のサファイア基板の洗浄方法では、既述の不純物分析方法によりＦｅ濃度が十分に低いことを確認した洗浄液を用いてサファイア基板を洗浄している。このため、サファイア基板に洗浄液由来のＦｅ成分が付着することを抑制することが可能になり、より不純物濃度の低いサファイア基板を提供することが可能になる。
（サファイア基板の製造方法）
次にサファイア基板の製造方法について説明する。本実施形態のサファイア基板の製造方法は、ここまで説明した本実施形態のサファイア基板の洗浄方法によりサファイア基板を洗浄する洗浄工程を有することができる。
【００６４】
本実施形態のサファイア基板の製造方法においては、洗浄工程以外に例えば以下の各工程を有することができる。
【００６５】
本実施形態のサファイア基板の製造方法は円柱形状のサファイアインゴットをスライスしてサファイア基板を製造する切断工程を有することができる。
【００６６】
切断工程において円柱形状のサファイアインゴットをスライスする方法は特に限定されるものではないが、例えば、マルチワイヤーソー等によりスライスすることができる。
【００６７】
また、本実施形態のサファイア基板の製造方法は、サファイア基板の端面を面取りする面取り工程を有することができる。
【００６８】
面取り工程では、例えばサファイア基板の主表面と端面との間に面取り部を形成することができる。面取り部の形状は特に限定されるものではなく、例えばサファイア基板の中心軸を通り主表面と垂直な断面において、面取り部の形状を直線形状、または曲線形状とすることができる。
【００６９】
そして、本実施形態のサファイア基板の製造方法は、サファイア基板の主表面を所望の表面粗さとしたり、サファイア基板を所望の反り量とするために、両主表面を同時に研磨する両面研磨工程や、一方の主表面を研磨する片面研磨工程を有することもできる。
【００７０】
具体的には例えばまず、両面研磨工程を実施して両主表面について研磨して所望の反り量とすることができる。そしてその後、主表面について片面ずつ片面研磨工程を実施し、各主表面について所望の表面粗さとすることができる。なお、両面研磨工程と、片面研磨工程とは連続して実施する必要はなく、任意のタイミングで実施することができる。
【００７１】
また、本実施形態のサファイア基板の製造方法は、サファイア基板の熱処理を行う熱処理工程を有することができる。
【００７２】
例えばサファイア基板の一方の主表面を鏡面とし、他方の主表面を梨地状とした場合に、サファイア基板に反りが発生する場合がある。そして、熱処理工程を実施することにより、係る反りを除去、または低減することができる。
【００７３】
熱処理工程の具体的な条件については特に限定されるものではないが、例えば１２００℃以上１６５０℃以下の温度範囲で熱処理を行うことが好ましく、１４００℃以上１６００℃以下の温度範囲で熱処理を行うことがより好ましい。また、この際の雰囲気としては、大気雰囲気または酸素雰囲気とすることが好ましい。
【００７４】
以上に本実施形態のサファイア基板の製造方法が有する工程の例について説明したが、係る工程に限定されるものではない。サファイア基板の製造方法は、例えば端面を研磨する端面研磨工程など、さらに任意の工程を有することもできる。また、本実施形態のサファイア基板の製造方法は上述の全ての工程を実施する必要はなく、必要に応じて上述した工程の一部を実施しないこともできる。そして、各工程は上述の順番に実施する必要はなく任意のタイミングで、任意の回数実施することができる。
【００７５】
そして、既述のように本実施形態のサファイア基板の製造方法において、既述のサファイア基板の洗浄方法によりサファイア基板を洗浄する洗浄工程を有することができる。
【００７６】
洗浄工程を実施するタイミングは特に限定されるものではなく、例えば両面研磨工程や、片面研磨工程を実施した後や、サファイア基板を加工する全ての工程が終了した後に洗浄工程を実施することができる。
【００７７】
洗浄工程は１回のみ実施することもできるが、複数回実施することもできる。なお、サファイア基板の洗浄方法については既述のため、ここでは説明を省略する。
【００７８】
ここまで説明した本実施形態のサファイア基板の製造方法によれば、洗浄工程において、既述の不純物分析方法を用いてＦｅ濃度が十分に低いことを確認した洗浄液により、サファイア基板を洗浄している。このため、サファイア基板に洗浄液由来のＦｅ成分が付着することを抑制することが可能になり、より不純物濃度の低いサファイア基板を提供することが可能になる。
【実施例】
【００７９】
以下に具体的な実施例を挙げて説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【００８０】
以下の手順により、被測定液体中の不純物であるＦｅ濃度についての評価を行った。
【００８１】
直径が６インチのサファイア基板を用意した。事前に該サファイア基板の一方の面の不純物量を全反射蛍光Ｘ線分析装置により評価を行ったところ、Ｆｅ濃度が検出限界未満、すなわち０．４５×１０１０ａｔｏｍｓ／ｃｍ２未満であることを確認した。
【００８２】
次に、該サファイア基板の一方の面に対して、被分析液体であるＳＣ１（過酸化水素水溶液とアンモニア水溶液の混合溶液）を供給する被分析液体供給工程を実施した。
【００８３】
被分析液体であるＳＣ１をサファイア基板の一方の面上に対して、図１に示すようにして供給した。具体的には、被分析液体吐出口１２から、被分析液体１３をシャワー状にしてサファイア基板１１の一方の面上に噴射した。被分析液体の噴射時間は１２０秒、被分析液体の流速は１．５Ｌ／ｍｉｎであった。
【００８４】
次に乾燥工程を実施した。
【００８５】
乾燥工程では、被分析液体を供給後のサファイア基板をスピン乾燥により乾燥させた。なお、乾燥作業中の雰囲気は事前に清浄度の確認を行い、作業雰囲気中での基板汚染が無いことを確認して行った。
【００８６】
なお、スピン乾燥後のサファイア基板は搬送用のカセットに封入した。搬送用カセットは事前に確認を行い、カセット内にて基板汚染が生じないことを確認している。
【００８７】
次に測定工程を実施した。
【００８８】
測定工程では、カセット内に保管したサファイア基板を全反射蛍光Ｘ線分析装置に仕掛けて実施した。
【００８９】
測定結果から、基板表面のＦｅ濃度が０．５０×１０１０ａｔｏｍｓ／ｃｍ２であることが確認できた。そして、予め作成しておいた基板表面のＦｅ濃度の全反射蛍光Ｘ線分析装置よる測定と、被分析液体中のＦｅ濃度との検量線から、被分析液体中のＦｅ濃度は２．５ｐｐｔであることが確認できた。
【００９０】
これは、本実施例で測定したＳＣ１について誘導結合プラズマ質量分析で測定した値と同一であり、容易に高い精度でＦｅ濃度を測定できることを確認できた。
【図１】
2016090529.tif 000003