(57)【要約】【課題】本明細書は、半導体素子を封止したパワーカードと冷却部材が積層されているとともに積層方向に荷重が加えられている半導体装置において簡易にグリス抜けを抑制する技術を提供する。【解決手段】本明細書が開示する半導体装置は、パワーカード１０の冷却部材６と対向する面に設けられている放熱板１６ａと放熱板１６ａと冷却部材６の間に挟まれているグリスを備えている。放熱板１６ａは、平面視したときに直交する２方向で長さが異なる。そして、放熱板１６ａの冷却部材６と対向する面に残っている研磨痕４６ａが、放熱板１６ａの長手方向に沿って伸びている。【選択図】図５Ａ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子を封止したパワーカードと冷却部材が積層されているとともに積層方向に荷重が加えられている半導体装置において、
前記パワーカードの前記冷却部材と対向する面に設けられており、平面視したときに直交する２方向で長さが異なる放熱板と、
前記放熱板と前記冷却部材の間に挟まれているグリスと、
を備えており、
前記放熱板の冷却部材と対向する面に残っている研磨痕が、前記放熱板の長手方向に沿って伸びている、
ことを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置に関する。特に、半導体素子を封止したパワーカードがグリスを挟んで冷却部材に接している半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
上記したタイプの半導体装置の一例が特許文献１に開示されている。特許文献１の半導体装置では、半導体素子を封止したパワーカードに放熱板が備えられており、放熱板と冷却部材の互いに対向する接合面の少なくとも一方に溝が設けられている。そして、放熱板若しくは冷却部材のどちらか一方に放熱板と冷却部材との間へのグリス注入用孔が設けられる。注入されたグリスは、放熱板と冷却部材の間の全面に溝に沿って拡がり易くなる。
【０００３】
また、特許文献２にも、上記したタイプの半導体装置が開示されている。特許文献２の半導体装置は、発熱体を収めた素子モジュール（パワーカード）と素子モジュールを収める筐体が備えられており、素子モジュールは筐体にグリスを挟んで固定されている。そして、素子モジュールに対向する筐体面にはグリスを溜めるために複数の平行な線条溝が設けられている。特許文献２の図面には、素子モジュールの長手方向に沿って設けられる線条溝が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−１０１２５９号公報
【特許文献２】特開２０１３−１６５２０２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１や特許文献２に開示されるような半導体装置では、グリスの層が薄いほどパワーカードに対する冷却能力が高まる。それゆえ、パワーカードと冷却部材の積層体にはその積層方向に荷重が加えられ、グリスの層が薄く延ばされる。グリスの厚みは１００ミクロン以下（サブミリオーダ）であることが好ましい。グリスの厚みがサブミリオーダになると、半導体素子の発熱と冷却の繰り返し（熱サイクル）で生じるブリードアウトやポンピングと呼ばれる現象によりグリスが流出する虞がある。ブリードアウトやポンピングの詳細については実施例にて説明する。なお、一般に、パワーカードと冷却部材の間からグリスが流出することを「グリスが抜ける」と表現することがある。本明細書でもそのような表現を用いる。
【０００６】
本明細書は、特許文献１や２のような溝をわざわざ形成することなく、ブリードアウトやポンピングによるグリス抜けを抑制する技術を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
放熱板の面上には、研磨痕（ツールマーク）が残っている。研磨痕は、高さが数ミクロンから数十ミクロン程度の平行な突条である。発明者らは、グリスの層の厚みがサブミリオーダになると、研磨痕によってグリスの移動方向が制限され、グリスは研磨痕に沿って移動し易くなることに気が付いた。本明細書が開示する技術は、この研磨痕を利用する。本明細書が開示する半導体装置では、放熱板は、パワーカードの冷却部材と対向する面に設けられている。放熱板は、平面視したときに直交する２方向で長さが異なる。放熱板の冷却部材と対向する面に残っている研磨痕が、放熱板の長手方向に沿って伸びているようにする。そうすることで、グリスが拡がる方向を放熱板の長手方向に制御する。研磨痕が放熱板の短手方向に伸びている場合と比較すると、研磨痕が放熱板の長手方向に伸びている方がグリスが移動できる距離が長くなる。グリスが拡がる方向を長手方向に制御することにより、グリスが放熱板上で移動可能な距離を伸ばし、グリスを放熱板上に維持しやすくすることができる。本明細書が開示する技術は、特許文献１の溝や特許文献２の線条溝を設けることなく、グリスを放熱板上に維持し易くする。
【発明の効果】
【０００８】
本明細書が開示する技術によれば、間にグリスを挟んでパワーカードと冷却部材が積層されている半導体装置において、放熱板上に残っている研磨痕を活用して、ブリードアウトやポンピングによるグリス抜けを抑制することができる。本明細書が開示する技術の詳細とさらなる改良は以下の「発明を実施するための形態」にて説明する。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】実施例の半導体装置の斜視図である。
【図２】パワーカードを裏面からみた斜視図である。
【図３】図１の座標系におけるＸＹ平面でカットした半導体装置の断面図である。
【図４】図１の座標系におけるＸＺ平面でカットした半導体装置の断面図である。
【図５Ａ】パワーカードの正面図である。
【図５Ｂ】パワーカードの裏面図である。
【図６】放熱板の図５ＢのVI−VI線における部分断面図である。
【図７】変形例におけるパワーカードの正面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
図面を参照して実施例の半導体装置を説明する。図１は、第１実施例の半導体装置２の斜視図である。半導体装置２は、複数のパワーカード１０と複数の冷却器３が積層されたユニットである。なお、図１では、一つのパワーカードだけに符号１０を付し、他のパワーカードには符号を省略している。同様に一つの冷却器だけに符号３を付し、他の冷却器には符号を省略している。また、半導体装置２の全体が見えるように、半導体装置２を収容するケース３１は仮想線で描いてある。なお、パワーカード１０と絶縁板６の間、及び、絶縁板６と冷却器３の間にはグリスが塗布されているが、図１と図２ではグリスの図示は省略している。
【００１１】
一つのパワーカード１０には４個の半導体素子が収容されている。４個の半導体素子は、具体的には、２個のトランジスタＴａ、Ｔｂと、２個のダイオードＤａ、Ｄｂである。パワーカード１０の内部構造は後に詳しく説明する。冷却器３を通る冷媒により、半導体素子が冷却される。冷媒は液体であり、典型的には水である。
【００１２】
パワーカード１０と冷却器３は、共に平板型であり、複数の側面のうち最大面積の平坦面が対向するように積層されている。パワーカード１０と冷却器３は交互に積層されており、ユニットの積層方向の両端には冷却器が位置している。パワーカード１０と冷却器３の間には絶縁板６が挟まれている。各パワーカード１０は、積層方向の両面の夫々に、絶縁板６を挟んで冷却器３が対向している。
【００１３】
複数の冷却器３は、連結パイプ５ａ、５ｂで連結されている。積層方向の一端の冷却器３には、冷媒供給管４ａと冷媒排出管４ｂが連結されている。冷媒供給管４ａを通じて供給される冷媒は、連結パイプ５ａを通じて全ての冷却器３に分配される。冷媒は各冷却器３を通る間に隣接するパワーカード１０から熱を吸収する。各冷却器３を通った冷媒は連結パイプ５ｂを通り、冷媒排出管４ｂから排出される。
【００１４】
半導体装置２はケース３１に収容される際、積層方向の一端側に板バネ３２が挿入される。その板バネ３２により、パワーカード１０と絶縁板６と冷却器３の積層ユニットには、積層方向の両側から荷重が加えられる。その荷重は、例えば３［ｋＮ］である。後述するように絶縁板６とパワーカード１０の間にはグリスが塗布されるが、３［ｋＮ］という高い荷重は、グリスの層を薄く引き延ばし、パワーカード１０から冷却器３への伝熱効率を高める。パワーカード１０は、直接的には絶縁板６に熱を奪われる。それゆえ、絶縁板６は、冷却部材に相当する。半導体装置２は、半導体素子（２個のトランジスタＴａ、Ｔｂと２個のダイオードＤａ、Ｄｂ）を収容したパワーカード１０にグリスを挟んで絶縁板６（冷却部材）が接しているとともに、パワーカード１０と絶縁板６が密着するようにそれらの積層方向に荷重が加えられているデバイスである。
【００１５】
パワーカード１０を説明する。パワーカード１０において、絶縁板６と対向する一方の平坦面１０ａには、放熱板１６ａ、１６ｂが露出している。放熱板１６ａ、１６ｂにはグリスを挟んで絶縁板６が接しており、その絶縁板６にはグリスを挟んで冷却器３が接している。説明の便宜上、平坦面１０ａが位置する側をパワーカード１０の正面と称する。パワーカード１０を裏面（Ｘ軸の負方向）からみた図を図２に示す。平坦面１０ａとは反対側の平坦面１０ｂには、別の放熱板１７が露出している。放熱板１７にはグリスを挟んで別の絶縁板６が接しており、その絶縁板６にはグリスを挟んで別の冷却器３が接している。パワーカード１０の上面（図中Ｚ軸の正方向を向く面）からは３本の電極端子７ａ、７ｂ、７ｃが伸びており、下面（図中Ｚ軸方向の負方向を向く面）からは制御端子２９が伸びている。
【００１６】
ここからは、図１、図２とともに図３と図４を参照してパワーカード１０の内部構造を説明する。図３は、図１のパワーカード１０を図中の座標系のＸＹ面に平行な平面であってトランジスタＴａとＴｂを横切る平面でカットした断面図である。図４は、図１のパワーカード１０を図中の座標系のＸＺ面に平行な平面でカットした断面図であってトランジスタＴａとダイオードＤａを横切る平面でカットした断面図である。別言すれば、図４は、図３のIV−IV線に沿った断面図であり、図３は図４のIII−III線に沿った断面図である。
【００１７】
４個の半導体素子（トランジスタＴａ、Ｔｂ、ダイオードＤａ、Ｄｂ）は、樹脂製の筐体１３に封止されている。筐体１３は、射出成形により半導体素子を封止する。いずれの半導体素子も平坦なチップであり、その平坦面が筐体１３の平坦面（パワーカード１０の平坦面１０ａ、１０ｂ）と平行になるように配置されている。なお、以下では、パワーカード１０の平坦面１０ａ、１０ｂを筐体１３の平坦面１０ａ、１０ｂと称する場合がある。
【００１８】
トランジスタＴａ、ＴｂはＩＧＢＴである。トランジスタＴａ、Ｔｂはコレクタ電極、エミッタ電極、ゲート電極を有している。トランジスタＴａ（Ｔｂ）のチップの一方の平坦面にはコレクタ電極が露出しており、他方の平坦面にはエミッタ電極が露出している。トランジスタＴａ（Ｔｂ）のゲートは、チップの一方の平坦面の端に設けられている。トランジスタＴａの一方の平坦面の電極はハンダ１５により放熱板１６ａの裏面に接合している。放熱板１６ａのおもて面は、筐体１３の平坦面１０ａに露出している。なお、放熱板において、筐体１３から露出している側の面を「おもて面」と称し、反対側の面を「裏面」と称する。一方、トランジスタＴａの他方の平坦面の電極は、ハンダ１５と導電部材（スペーサ１４）を介して放熱板１７の裏面に接合している。放熱板１７のおもて面は、筐体１３の平坦面１０ｂに露出している。トランジスタＴａの他方の平坦面の端にはゲートが位置しており、そのゲートはワイヤを介して制御端子２９に接続されている。図４では、ワイヤは破線で描いてある。トランジスタＴｂも同様の構成を有しており、トランジスタＴｂのコレクタ電極、エミッタ電極は夫々放熱板１６ａ、１７に接続されている。
【００１９】
図４によく示されているように、放熱板１６ａは、電極端子７ａの一部である。筐体内部で放熱板１６ａの側縁から延設部が伸びており、その延設部は筐体１３の内部を通り、筐体１３の上面（図中の座標系のＺ軸正方向を向く面）から外部へ伸びている。即ち、トランジスタＴａの電極を外部の他のデバイスと接続するための電極端子７ａにおいて、筐体１３の平坦面１０ａに露出している部位が放熱板１６ａに相当する。電極端子７ａはトランジスタＴａの電極と接しているので、トランジスタＴａの内部の熱を伝えやすい。その電極端子７ａの一部が放熱板１６ａとして筐体１３から露出しているので、放熱板１６ａにはトランジスタＴａの内部の熱がよく伝わる。一方、冷却器３はアルミニウム（導電性の金属）で作られているので、放熱板１６ａと絶縁する必要がある。それゆえ、半導体装置２は、冷却器３と放熱板１６ａ（パワーカード１０）との間に絶縁板６を挟んでいる。絶縁板６は、薄くて絶縁性が高く、伝熱性も良いセラミックスで作られている。放熱板１６ａ（電極端子７ａ）は、導電性と伝熱性に優れた銅で作られている。スペーサ１４も、導電性と伝熱性に優れた銅で作られている。
【００２０】
ダイオードＤａ、Ｄｂも平坦なチップであり、一方の平坦面にアノード電極が露出しており、他方の平坦面にカソード電極が露出している。ダイオードＤａの一方の平坦面に露出している電極は、トランジスタＴａと同様に、ハンダ１５を介して放熱板１６ａの裏面に接続している。ダイオードＤａの他方の平坦面に露出している電極も、トランジスタＴａと同様に、ハンダ１５とスペーサ１４を介して放熱板１７の裏面に接続している。即ち、トランジスタＴａとダイオードＤａは、放熱板１６ａ（即ち電極端子７ａ）と放熱板１７の間で並列（逆並列）に接続されている。放熱板１７も、放熱板１６ａと同様に電極端子７ｃの一部である。
【００２１】
トランジスタＴｂとダイオードＤｂの組も、トランジスタＴａとダイオードＤａの組と同様の構造を有している。トランジスタＴａとダイオードＤｂの一方の面の電極はハンダ１５を介して放熱板１６ｂの裏面に接続されており、他方の面の電極はハンダ１５とスペーサ１４を介して放熱板１７の裏面に接続している。トランジスタＴｂとダイオードＤｂも、筐体１３の内部で並列（逆並列）に接続されている。放熱板１６ｂも、放熱板１６ａと同様に、電極端子７ｂの一部である。
【００２２】
放熱板１６ａ、１６ｂは、平板型のパワーカード１０（筐体１３）の最大面積の一方の平坦面１０ａに露出しており、放熱板１７は、パワーカード１０（筐体１３）の最大面積の他方の平坦面１０ｂに露出している。図３、及び、図４によく示されているように、絶縁板６と放熱板１６ａとの間にはグリス９ａが塗布されている。同様に、絶縁板６と放熱板１６ｂ、１７の間にもグリス９ａが塗布されている。絶縁板６と冷却器３の間の夫々にもグリス９ｂが塗布されている。グリス９ａとグリス９ｂは、同じ種類のグリスである。
【００２３】
放熱板のおもて面について、図５Ａ、５Ｂを参照して説明する。図５Ａに、パワーカード１０の正面図を示し、図５Ｂに、パワーカード１０の裏面図を示す。図５Ａは、パワーカード１０をＸ軸の正方向から見た図であり、図５Ｂは、パワーカード１０をＸ軸の負方向からみた図である。図５Ａ、図５Ｂでは、絶縁板６が仮想線で描かれている。トランジスタＴａ、Ｔｂ及びダイオードＤａ、Ｄｂは破線で描かれている。図５Ａに示すように、放熱板１６ａは、平面視したとき、直交する２方向で長さが異なっている。放熱板１６ａのＺ軸方向の長さをＬ１と称し、Ｙ軸方向の長さをＬ２と称する。放熱板１６ａはＬ１＞Ｌ２である。即ち、Ｚ軸方向が放熱板１６ａの長手方向となり、Ｙ軸方向が放熱板１６ａの短手方向となる。放熱板１６ｂも放熱板１６ａと同様である。また、図５Ｂに示すように、放熱板１７も平面視したときに直交する２方向で長さが異なっている。放熱板１７のＹ軸方向の長さをＬ３と称し、Ｚ軸方向の長さをＬ４と称する。放熱板１７はＬ３＞Ｌ４である。即ち、Ｙ軸方向が放熱板１７の長手方向となり、Ｚ軸方向が放熱板１７の短手方向となる。放熱板１６ａ、１６ｂの長手方向と放熱板１７の長手方向は、互いに直交する。
【００２４】
放熱板１６ａのおもて面（筐体１３の平坦面１０ａに露出している面）は、平面に研磨される。これは、放熱板１６ａと絶縁板６の間のグリスにおける熱抵抗を、放熱板１６ａの全面で均一になるように管理するためである。放熱板１６ａのおもて面には、研磨時における研磨痕（ツールマーク）が複数残っている。ツールマークは、高さが数ミクロンから数十ミクロン程度の平行な突条である。図５Ａに示すように、複数のツールマーク４６ａが放熱板１６ａの長手方向（Ｚ軸方向）に沿って平行に伸びている。別言すれば、ツールマーク４６ａが放熱板１６ａの長手方向に沿って平行に伸びるように放熱板１６ａのおもて面が研磨される。ツールマーク４６ａは直線状であり、ツールマーク４６ａは、放熱板１６ａの長手方向の一端から他端に向かって伸びている。放熱板１６ｂのおもて面にも、放熱板１６ａと同様のツールマーク４６ｂが残っている。また、放熱板１７のおもて面も研磨される。図５Ｂに示すように、複数のツールマーク４７が放熱板１７の長手方向（Ｙ軸方向）に沿って平行に伸びている。ツールマーク４７も直線状であり、ツールマーク４７は、放熱板１７の長手方向の一端から他端に向かって伸びている。
【００２５】
ツールマークの形状について説明する。図６は、図５ＡのVI−VI線における放熱板１６ａの部分断面図である。図６では、強調してツールマーク４６ａを大きく描いている。ツールマーク４６ａは、放熱板１６ａのおもて面から、その直交する方向に突出している。また、ツールマーク４６ａは、先に述べたように、放熱板１６ａの長手方向に伸びる突条である。その高さＨ１は、１ミクロンから１０ミクロンである。図中では、一つのツールマーク４６ａの高さについてだけ符号Ｈ１を付しているが、他のツールマーク４６ａについても同様にその高さはＨ１である。また、平行に伸びる複数のツールマーク４６ａの間隔Ｗは、ツールマーク４６ａの高さＨ１よりも十分に広くなっている。その間隔Ｗは、５００ミクロンから７００ミクロンである。図中では、ツールマーク４６ａの一つの間隔にだけ符号Ｗを付しているが、ツールマーク４６ａの他の間隔についても同様にその間隔はＷである。
【００２６】
半導体装置２では、グリスの層が薄いほどパワーカードに対する冷却能力が高まる。上述したように、半導体装置２では、パワーカード１０と絶縁板６と冷却器３の積層ユニットに板ばね３２により積層方向に荷重が加えられ、グリス９ａ、９ｂの層が薄く延ばされる。グリスの厚みは１００ミクロン以下（サブミリオーダ）であることが好ましい。グリスの厚みがサブミリオーダになると、半導体素子の発熱と冷却の繰り返し（熱サイクル）で生じるポンピングやブリードアウトと呼ばれる現象によりグリスが流出する虞がある。
【００２７】
ポンピングとは、パワーカードの熱変形により、パワーカードと冷却部材の間の隙間幅が局所的に狭まったり元に戻ったりする現象である。隙間幅が狭まるとグリスがパワーカードと冷却部材に圧縮され、グリスは放熱板の周囲へと拡がる。隙間幅が元に戻る際にグリスは隙間に吸い込まれる。ここで、隙間幅が元に戻る際に放熱板の外まで拡がったグリスの一部が放熱板の外に流出したままの状態になる場合がある。グリスの一部が放熱板の外に流出したままの状態になると、流出したグリスの一部が千切れることにより生じた隙間に空気が入り込む。空気はグリスよりも熱伝導率が低い。隙間に空気が入り込むことにより放熱板と冷却部材の間の熱抵抗が上昇する。また、ブリードアウトは、グリス自体の熱膨張収縮によりパワーカードと冷却部材の隙間からグリスが抜ける現象である。グリスが膨張すると、グリスは放熱板の周囲へと拡がる。膨張した際に放熱板の外まで拡がったグリスの一部が放熱板の外に流出したままの状態になる場合がある。これにより、ポンピングと同様に、流出したグリスの一部が千切れることにより生じた隙間に空気が入り込み、放熱板と冷却部材の間の熱抵抗が上昇する。
【００２８】
筐体１３の平坦面１０ａは樹脂製であり、その面粗度は、放熱板１６ａ、１６ｂの面粗度よりも大きい。パワーカード１０を平面視すると、放熱板１６ａ、１６ｂの周りには、放熱板１６ａ、１６ｂより面粗度が高い筐体１３の平坦面１０ａが位置している。ポンピングやブリードアウトによりグリス抜けが生じるとグリスの一部が面粗度の高い平坦面１０ａに流出することになる。グリスは面粗度が高くなるほど移動し難くなる。よって、面粗度が高い平坦面１０ａに流出したグリスの一部は平坦面１０ａに留まりやすい。
【００２９】
発明者らは、グリスの層の厚みがサブミリオーダになると、ツールマークによってグリスの移動方向が制限され、グリスはツールマークに沿って移動し易くなることに気が付いた。特に、複数のツールマークが平行に伸びているほど、そのツールマークに沿ってグリスが移動しやすくなる。実施例の放熱板１６ａのおもて面には平行に伸びる複数のツールマーク４６ａが残っている。そして、実施例では、ツールマーク４６ａは放熱板１６ａの長手方向に沿って伸びている。このような構成によれば、ツールマーク４６ａが放熱板１６ａの短手方向に伸びている場合と比較すると、ツールマーク４６ａが放熱板１６ａの長手方向に伸びている方がグリス９ａが移動できる距離が長くなる。グリス９ａが拡がる方向を放熱板１６ａの長手方向に制御することにより、グリス９ａが放熱板１６ａ上で移動可能な距離を伸ばし、グリス９ａを放熱板１６ａ上に維持しやすくすることができる。即ち、ブリードアウトやポンピングによるグリス抜けを抑制することができる。
【００３０】
また、ツールマークは放熱板を研磨する工程で生じる痕である。即ち、別の工程を追加する必要が無い。研磨機は通常、研磨粉が塗布された回転円板を有する。ツールマークが放熱板の長手方向に伸びるようにするには、回転円板の周方向が放熱板の長手方向に一致するように研磨機を放熱板に当てればよい。そうすることで、ブリードアウトやポンピングによるグリス抜けを抑制するようにツールマークを残すことができる。
【００３１】
放熱板１６ｂ（１７）のおもて面に残っているツールマーク４６ｂ（４７）も、放熱板１６ｂ（１７）の長手方向に伸びている。ツールマーク４６ｂ（４７）も、グリス抜けの抑制に貢献する。
【００３２】
図７を参照して変形例の半導体装置について説明する。変形例の半導体装置は、放熱板のツールマーク以外の構成は、上述の実施例と同じである。変形例の放熱板のツールマークについて説明する。図７は、変形例のパワーカード１１０の正面図を示す。パワーカード１１０の放熱板１１６ａのおもて面には、複数の平行に伸びるツールマーク５６ａが残っている。ツールマーク５６ａは実施例と同様に放熱板１１６ａの長手方向に沿って伸びており、ツールマーク５６ａは短手方向に湾曲している。放熱板１１６ｂのおもて面にも、放熱板１１６ａと同様のツールマーク５６ｂが残っている。このような構成でも、実施例と同様に、グリスが拡がる方向を放熱板の長手方向に制御することができる。即ち、グリスを放熱板上に維持しやすくすることができ、ブリードアウトやポンピングによるグリス抜けを抑制することができる。
【００３３】
以下、実施例で示した技術に関する留意点を述べる。半導体装置に使用される半導体素子（トランジスタ）は、ＩＧＢＴに限らない。例えば、ＭＯＳＦＥＴでもよい。その場合、「コレクタ電極」は「ソース電極」、「エミッタ電極」は「ドレイン電極」と呼ばれる。また、ツールマークの間隔は同一でなくても良い。図７の変形例で示したように、ツールマークは湾曲していてもよい。また、ツールマークは、放熱板の長手方向に平行でなくともよい。
【００３４】
平面視したときの放熱板の形状は、長手方向と短手方向の区別がつけばよい。例えば、平面視したときの放熱板の形状は楕円であってもよい。
【００３５】
以上、本発明の具体例を詳細に説明したが、これらは例示に過ぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組合せに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成し得るものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。
【符号の説明】
【００３６】
２：半導体装置
３：冷却器
４ａ、４ｂ：冷媒供給管
５ａ、５ｂ：連結パイプ
６：絶縁板
７ａ、７ｂ、７ｃ：電極端子
９ａ、９ｂ：グリス
１０、１１０：パワーカード
１３：筐体
１４：スペーサ
１５：ハンダ
１６ａ、１６ｂ、１７、１１６ａ、１１６ｂ：放熱板
２９：制御端子
３１：ケース
３２：板バネ
４６ａ、４６ｂ、４７、５６ａ、５６ｂ：ツールマーク（研磨痕）
Ｔａ、Ｔｂ：トランジスタ
Ｄａ、Ｄｂ：ダイオード
【図１】
2016066660.tif 000003
【図２】
2016066660.tif 000004
【図５Ａ】
2016066660.tif 000005
【図５Ｂ】
2016066660.tif 000006
【図６】
2016066660.tif 000007
【図７】
2016066660.tif 000008
【図３】
2016066660.tif 000009
【図４】
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