(57)【要約】【課題】各画素の発光素子の輝度が他の画素の発光素子に流れる電流から受ける影響が低減される表示装置の駆動方法を提供する。【解決手段】第１の発光素子、及び、第１の階調信号に応じた第１の電流を第１の発光素子に供給するための第１の駆動トランジスタ２０２を有するサブ画素２０Ｒ、並びに、第２の発光素子、及び、第２の階調信号に応じた第２の電流を第２の発光素子に供給するための第２の駆動トランジスタ２０２を有するサブ画素２０Ｇを備える表示部２と、サブ画素２０Ｒ及びサブ画素２０Ｇに共通する電流経路を介して、各サブ画素に電源電圧を印加する電源部３とを備える表示装置１の駆動方法であって、当該駆動方法は、前記第２の発光素子の発光による前記第１の発光素子の輝度の低下度合いを測定により求めた補正情報を参照することにより、第１の階調信号及び第２の階調信号に基づいて、第１の階調信号を補正するステップを含む。【選択図】図６
2016090893.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の階調信号及び第２の階調信号を出力する制御回路と、
電流駆動型発光素子である第１の発光素子、及び、前記第１の階調信号に応じた第１の電流を前記第１の発光素子に供給するための第１の駆動トランジスタを有する第１の画素、並びに、電流駆動型発光素子である第２の発光素子、及び、前記第２の階調信号に応じた第２の電流を前記第２の発光素子に供給するための第２の駆動トランジスタを有する第２の画素を備える表示部と、
前記第１の画素及び前記第２の画素に共通する電流経路を介して、前記第１の画素及び前記第２の画素に電源電圧を印加する電源部と、を備える表示装置の駆動方法であって、
前記駆動方法は、
前記第１の電流及び前記第２の電流が、それぞれ前記第１の発光素子及び前記第２の発光素子に同時に供給される場合に生じる前記第１の発光素子の輝度の低下度合いを測定により求めた補正情報を参照することにより、前記第１の階調信号及び前記第２の階調信号に基づいて、前記第１の階調信号を補正するステップを含む
表示装置の駆動方法。
【請求項２】
前記補正するステップは、
前記第１の階調信号及び前記第２の階調信号に基づいて、前記電流経路において生じる電圧降下による前記第１の発光素子の輝度低下量を求めるステップと、
前記輝度低下量に基づいて、前記第１の階調信号を補正する量を求めるステップとを含む
請求項１に記載の表示装置の駆動方法。
【請求項３】
前記輝度低下量は、前記第１の発光素子を前記第１の階調信号に従って発光させたときの輝度が、前記第２の階調信号に応じて、前記第２の階調信号が最小輝度を示す場合の輝度から低下する度合いを表す
請求項２に記載の表示装置の駆動方法。
【請求項４】
前記制御回路は、さらに第３の階調信号を出力し、
前記表示部は、電流駆動型発光素子である第３の発光素子、及び、前記第３の階調信号に応じた第３の電流を前記第３の発光素子に供給するための第３の駆動トランジスタを有する第３の画素をさらに備え、
前記電源部は、前記第１の画素、前記第２の画素及び前記第３の画素に共通する前記電流経路を介して、前記第１の画素、前記第２の画素及び前記第３の画素に前記電源電圧を印加し、
前記第１の発光素子、前記第２の発光素子及び前記第３の発光素子は、それぞれ、赤色表示用発光素子、緑色表示用発光素子及び青色表示用発光素子であり、
前記補正するステップは、前記第１の電流、前記第２の電流及び前記第３の電流が、それぞれ前記第１の発光素子、前記第２の発光素子及び前記第３の発光素子に同時に供給される場合に生じる前記第１の発光素子の輝度の低下度合いを測定により求めた補正情報を参照することにより、前記第１の階調信号、前記第２の階調信号及び前記第３の階調信号に基づいて、前記第１の階調信号を補正するステップを含む
請求項１に記載の表示装置の駆動方法。
【請求項５】
第１の階調信号及び第２の階調信号を出力する制御回路と、
電流駆動型発光素子である第１の発光素子、及び、前記第１の階調信号に応じた第１の電流を前記第１の発光素子に供給するための第１の駆動トランジスタを有する第１の画素、並びに、電流駆動型発光素子である第２の発光素子、及び、前記第２の階調信号に応じた第２の電流を前記第２の発光素子に供給するための第２の駆動トランジスタを有する第２の画素を備える表示部と、
前記第１の画素及び前記第２の画素に共通する電流経路を介して、前記第１の画素及び前記第２の画素に電源電圧を印加する電源部と、を備える表示装置に用いられる補正情報の生成方法であって、
レベルが固定された前記第１の階調信号で前記第１の発光素子を駆動しながら、レベルが変動する前記第２の階調信号で前記第２の発光素子を駆動するステップと、
前記第２の階調信号のレベルに応じて変化する前記第１の発光素子の輝度の低下度合いを測定するステップと、
前記第２の階調信号のレベルと測定された前記第１の発光素子の輝度の低下度合いとの対応を表す情報を、前記補正情報として記憶するステップとを含む
補正情報の生成方法。
【請求項６】
前記制御回路は、さらに第３の階調信号を出力し、
前記表示部は、電流駆動型発光素子である第３の発光素子、及び、前記第３の階調信号に応じた第３の電流を前記第３の発光素子に供給するための第３の駆動トランジスタを有する第３の画素をさらに備え、
前記電源部は、前記第１の画素、前記第２の画素及び前記第３の画素に共通する前記電流経路を介して、前記第１の画素、前記第２の画素及び前記第３の画素に前記電源電圧を印加し、
前記第１の発光素子、前記第２の発光素子及び前記第３の発光素子は、それぞれ、赤色表示用発光素子、緑色表示用発光素子及び青色表示用発光素子であり、
前記補正情報の生成方法は、さらに、
レベルが固定された前記第１の階調信号で前記第１の発光素子を駆動しながら、レベルが変動する前記第３の階調信号で前記第３の発光素子を駆動するステップと、
前記第３の階調信号のレベルに応じて変化する前記第１の発光素子の輝度の低下度合いを測定するステップと、
前記第３の階調信号のレベルと測定された前記第１の発光素子の輝度の低下度合いとの対応を表す情報を、前記補正情報として、さらに記憶するステップとを含む
請求項５に記載の補正情報の生成方法。
【請求項７】
第１の階調信号及び第２の階調信号を出力する制御回路と、
電流駆動型発光素子である第１の発光素子、及び、前記第１の階調信号に応じた第１の電流を前記第１の発光素子に供給するための第１の駆動トランジスタを有する第１の画素、並びに、電流駆動型発光素子である第２の発光素子、及び、前記第２の階調信号に応じた第２の電流を前記第２の発光素子に供給するための第２の駆動トランジスタを有する第２の画素を備える表示部と、
前記第１の画素及び前記第２の画素に共通する電流経路を介して、前記第１の画素及び前記第２の画素に電源電圧を印加する電源部と、を備え、
前記制御回路は、
前記第１の電流及び前記第２の電流が、それぞれ前記第１の発光素子及び前記第２の発光素子に同時に供給される場合に生じる前記第１の発光素子の輝度の低下度合いを測定により求めた補正情報を参照することにより、前記第１の階調信号及び前記第２の階調信号に基づいて、前記第１の階調信号を補正する
表示装置。
【請求項８】
前記制御回路は、
前記第１の階調信号及び前記第２の階調信号に基づいて、前記電流経路において生じる電圧降下による前記第１の発光素子の輝度低下量を求め、かつ、前記輝度低下量に基づいて、前記第１の階調信号を補正する量を求める
請求項７に記載の表示装置。
【請求項９】
前記輝度低下量は、前記第１の発光素子を前記第１の階調信号に従って発光させたときの輝度が、前記第２の階調信号に応じて、前記第２の階調信号が最小輝度を示す場合の輝度から低下する度合いを表す
請求項８に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記制御回路は、さらに第３の階調信号を出力し、
前記表示部は、電流駆動型発光素子である第３の発光素子、及び、前記第３の階調信号に応じた第３の電流を前記第３の発光素子に供給するための第３の駆動トランジスタを有する第３の画素をさらに備え、
前記電源部は、前記第１の画素、前記第２の画素及び前記第３の画素に共通する前記電流経路を介して、前記第１の画素、前記第２の画素及び前記第３の画素に前記電源電圧を印加し、
前記第１の発光素子、前記第２の発光素子及び前記第３の発光素子は、それぞれ、赤色表示用発光素子、緑色表示用発光素子及び青色表示用発光素子であり、
前記制御回路は、
前記第１の電流、前記第２の電流及び前記第３の電流が、それぞれ前記第１の発光素子、前記第２の発光素子及び前記第３の発光素子に同時に供給される場合に生じる前記第１の発光素子の輝度の低下度合いを測定により求めた補正情報を参照することにより、前記第１の階調信号、前記第２の階調信号及び前記第３の階調信号に基づいて、前記第１の階調信号を補正する
請求項７に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、表示装置及びその駆動方法に関し、特に、電流駆動型の発光素子を用いた表示装置及びその駆動方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、自発光、広視野角、高速応答性を有する有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、「有機ＥＬ素子」と記す）を用いたアクティブマトリクス方式などの表示装置が注目されている。
【０００３】
上記表示装置は、有機ＥＬ素子が配置された表示パネルと、当該有機ＥＬ素子を駆動する駆動回路から構成されている。そして、表示パネルは、ガラスなどの基板上に、Ａｌなどの第１電極とそれに対向するＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、及び、マグネシウム、アルミニウム、銀などの金属薄膜などの第２電極と、それらの間に発光層を設けた有機ＥＬ素子を、マトリクス状に配置して構成されている。また、駆動回路は、基板と上記第１電極との間に設けられ、有機ＥＬ素子を個別に駆動する薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）などで構成されている。
【０００４】
また、表示装置として、有機ＥＬ素子の発光した光を、基板を介して外部に取り出す下面発光方式と、基板と対向する第２電極側から取り出す上面発光方式が検討されている。しかし、アクティブマトリクス方式の下面発光方式の表示装置では、駆動回路の薄膜トランジスタが基板に形成されるため、十分な開口率を確保することが困難となっている。
【０００５】
一方、上面発光方式は、薄膜トランジスタなどにより開口率が制限されないため、下面発光方式に比べて発光した光の利用効率を高めることができる。この場合、上面発光方式は、発光層の上面に形成した第２電極を介して光が外部に取り出されるため、第２電極に高い導電性とともに高い光透過性が要求される。しかし、一般に第２電極に用いられる透明導電性材料として、ＩＴＯなどの金属酸化物、及び、マグネシウム、アルミニウム、銀などの金属薄膜が用いられるが、金属酸化物及び薄膜金属は、配線などに使用される金属層に比べて抵抗率が高い。そのため、表示パネルが大面積化されるほど、発光画素間で第２電極の配線長に差異が生じ、電源供給部の端とパネルの中央の間で大きな電圧降下が発生し、それに応じて輝度に差が出るため、中央が暗くなる。つまり、表示パネル面の有機ＥＬ素子の配置位置によって輝度がばらつき、表示品質の低下を生じるという問題がある。
【０００６】
これを避けるためには、画素ごとに下部の低抵抗配線から上部透明電極に給電する構造が有効である。
【０００７】
特許文献１に開示された表示装置では、基板上に、抵抗率の低い導電材料からなる第１電極と補助配線とが分離して設けられ、第１電極上に発光層である光変調層が設けられ、その上に透明導電性材料からなる第２電極が設けられている。また、補助配線上に設けられたバッファー層を介して、補助配線と第２電極とが接続されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００７−７３４９９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、特許文献１に記載された表示装置では、補助配線と第２電極とが、比較的抵抗が高いバッファー層を介して接続されているため、第２電極と補助配線との間に比較的大きな電圧降下が発生する。そして、当該電圧降下によって、有機ＥＬ素子に電流を供給するための駆動トランジスタにおいて、ソース又はドレインの電位が変動する。これに伴い、駆動トランジスタにおいて、ゲートの電位が変動するブートストラップが発生する。ここで、補助配線及び第２電極からなる電流経路が複数の有機ＥＬ素子によって共有される場合には、当該電圧降下の量は、当該複数の有機ＥＬ素子に同時に流れる電流の和によって定まる。すなわち、ブートストラップ量を、駆動トランジスタのゲート・ソース間に印加された電圧に応じて変動するソース電極の電圧変動として定義すると、データ書込み完了時から発光期間開始に至るまでの、有機ＥＬ素子に接続された駆動トランジスタのブートストラップ量は、補助配線及び第２電極からなる電流経路を共有する他の有機ＥＬ素子に流れる電流の影響を受ける。そのため、特許文献１に記載された表示装置では、各有機ＥＬ素子に所望の電流を流すこと、つまり各有機ＥＬ素子を所望の輝度で発光させることができない。例えば、表示装置における一つの画素内の、赤色、緑色及び青色表示用の各サブ画素の有機ＥＬ素子が、補助配線及び第２電極からなる電流経路を共有する場合を検討する。この場合、上述のブートストラップによって、各有機ＥＬ素子に所望の電流が流れず、当該画素が表示する色バランスが所望の色バランスと異なることがある。すなわち、表示装置全体の色表現力が劣化する場合があり得る。
【００１０】
本発明は上記問題を解決するためになされたものであり、各画素の発光素子の発光輝度が他の画素の発光素子に流れる電流から受ける影響が低減される表示装置及びその駆動方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的を達成するために、本発明の一態様に係る表示装置の駆動方法は、第１の階調信号及び第２の階調信号を出力する制御回路と、電流駆動型発光素子である第１の発光素子、及び、前記第１の階調信号に応じた第１の電流を前記第１の発光素子に供給するための第１の駆動トランジスタを有する第１の画素、並びに、電流駆動型発光素子である第２の発光素子、及び、前記第２の階調信号に応じた第２の電流を前記第２の発光素子に供給するための第２の駆動トランジスタを有する第２の画素を備える表示部と、前記第１の画素及び前記第２の画素に共通する電流経路を介して、前記第１の画素及び前記第２の画素に電源電圧を印加する電源部と、を備える表示装置の駆動方法であって、前記駆動方法は、前記第１の電流及び前記第２の電流が、それぞれ前記第１の発光素子及び前記第２の発光素子に同時に供給される場合に生じる前記第１の発光素子の輝度の低下度合いを測定により求めた補正情報を参照することにより、前記第１の階調信号及び前記第２の階調信号に基づいて、前記第１の階調信号を補正するステップを含む。
【発明の効果】
【００１２】
本発明に係る表示装置によれば、各画素の発光素子の発光輝度が他の画素の発光素子に流れる電流から受ける影響が低減される表示装置及びその駆動方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】実施の形態に係る表示装置の全体構成を示す機能ブロック図である。
【図２】実施の形態に係る表示部を説明する部分平面図である。
【図３】図２のＡ−Ａ’線に沿って切断した断面図である。
【図４】図２のＢ−Ｂ’線に沿って切断した断面図である。
【図５】実施の形態に係る画素の回路構成の一例を示す図である。
【図６】実施の形態に係る制御回路において階調信号を補正する演算方法を示すブロック線図である。
【図７Ａ】Ｇ階調及びＢ階調の各々とＲ輝度比の関係を示すグラフである。
【図７Ｂ】Ｒ階調及びＢの階調の各々とＧ輝度比の関係を示すグラフである。
【図７Ｃ】Ｒ階調及びＧ階調の各々とＢ輝度比の関係を示すグラフである。
【図８】補正情報の生成方法の一例を示すフローチャートである。
【図９】実施の形態に係る表示装置を内蔵した薄型フラットＴＶの外観図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、表示装置の一実施の形態について、図面を用いて説明する。なお、以下に説明する実施の形態は、いずれも本開示における好ましい一具体例を示すものである。したがって、以下の実施の形態で示される、数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置位置及び接続形態、工程、並びに、工程の順序などは、一例であって本発明を限定する主旨ではない。よって、以下の実施の形態における構成要素のうち、本発明における最上位概念を示す独立請求項に記載されていない構成要素については、任意の構成要素として説明される。
【００１５】
なお、各図は、模式図であり、必ずしも厳密に図示されたものではない。また、各図において、実質的に同一の構成に対しては同一の符号を付しており、重複する説明は省略又は簡略化する。
【００１６】
（実施の形態）
実施の形態における表示装置１について、図面を用いて説明する。
【００１７】
図１は、本実施の形態に係る表示装置の全体構成を示す機能ブロック図である。
【００１８】
［表示装置の全体構成］
本実施の形態に係る表示装置１は、表示部２と、電源部３と、データ線駆動回路４０と、走査線駆動回路５０と、制御回路６１とを備える。
【００１９】
表示部２は、有機ＥＬ素子及び当該有機ＥＬ素子を発光駆動するための回路素子を有する画素２０が行列状に配置された表示パネルである。
【００２０】
電源部３は、表示部２の外周領域に配置された給電線３０から各画素２０に電源電圧を給電する。なお、給電線３０は、正電源電圧を伝達する正電圧給電線と、当該正電源電圧よりも低電位である負電源電圧を伝達する負電圧給電線とを有している。
【００２１】
制御回路６１は、本実施の形態に係る表示装置１の要部であり、外部から入力された映像信号に基づいて各有機ＥＬ素子の発光強度に対応する階調信号を生成し、生成した階調信号をデータ線駆動回路４０へ出力する。また、制御回路６１は、入力される同期信号に基づいて走査線駆動回路５０を制御するための制御信号Ｓ５を生成し、当該生成した制御信号Ｓ５を走査線駆動回路５０へ出力する。なお、制御回路６１については、後で詳述する。
【００２２】
データ線駆動回路４０は、制御回路６１で生成された階調信号に基づいて、表示部２のデータ線を駆動する。より具体的には、データ線駆動回路４０は、映像信号及び水平同期信号に基づいて、各画素回路に映像信号を反映したデータ電圧を出力する。
【００２３】
走査線駆動回路５０は、制御回路６１で生成された制御信号Ｓ５に基づいて、表示部２の走査線を駆動する。より具体的には、走査線駆動回路５０は、垂直同期信号及び水平同期信号に基づいて、各画素回路に走査信号などを、少なくとも表示ライン単位で出力する。
【００２４】
［画素構造］
図２は、本実施の形態に係る表示部２を説明する部分平面図である。また、図３は、図２のＡ−Ａ’線に沿って切断した断面図であり、図４は、図２のＢ−Ｂ’線に沿って切断した断面図である。図２には、１つの画素２０を含む表示部２の一部が表されている。画素２０は、図２に示されるように、例えば、赤色表示用のサブ画素２０Ｒと、緑色表示用のサブ画素２０Ｇと、青色表示用のサブ画素２０Ｂと、接続部２０Ｃとを有している。また、図２には、サブ画素ごとに離間して配置された陽極１２１と、サブ画素列ごとに配置して設けられ、サブ画素を区画するバンク１２２と、画素２０ごとに配置された補助配線１３１と、駆動回路層と陽極１２１とを電気接続するビア１２０とが表されている。
【００２５】
以下、図３及び図４を用いて、画素２０の積層構造を説明する。図３に示されるように、サブ画素２０Ｇは、基板１０と、基板１０上に設けられた駆動回路層１１と、駆動回路層１１上に設けられた有機ＥＬ層１２とで構成されている。
【００２６】
基板１０は、例えば、ガラス基板、石英基板などが用いられる。また、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルサルホンなどのプラスチック基板を用いて、表示装置１に曲げ性を付与することもできる。特に本実施の形態のように、上面発光方式の場合、不透明プラスチック基板やセラミック基板を用いることができる。
【００２７】
駆動回路層１１は、有機ＥＬ素子を発光駆動するための回路素子が形成された層であり、当該回路素子としては、例えば、薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと記す）が挙げられる。駆動回路層１１は、例えば、ゲート電極１１１と、ゲート絶縁層１１２と、半導体層１１３と、ソース電極１１４と、ドレイン電極１１５と、層間絶縁層１１６と、ビア１２０とを備える。
【００２８】
有機ＥＬ層１２は、陽極１２１と、バンク１２２と、正孔注入層１２３と、正孔輸送層１２４と、有機発光層１２５と、電子輸送層１２６と、透明陰極１２７とを備える。
【００２９】
陽極１２１は、層間絶縁層１１６の上であって、サブ画素ごとに離間して形成された第１電極である。また、陽極１２１は、駆動トランジスタのソース電極１１４と接続するためのビア１２０と一体形成されている。陽極１２１及びビア１２０としては、特に限定されないが、電気抵抗率が小さい材料を用いることが好ましい。例えば、陽極１２１及びビア１２０としては、銀、アルミニウム、ニッケル、クロム、モリブデン、銅、鉄、白金、タングステン、鉛、錫、アンチモン、ストロンチウム、チタン、マンガン、インジウム、亜鉛、バナジウム、タンタル、ニオブ、ランタン、セリウム、ネオジウム、サマリウム、ユーロピウム、パラジウム、銅、コバルト、のうちのいずれかの金属、これらの金属の合金、又はそれらを積層したものを用いることができる。
【００３０】
バンク１２２は、サブ画素列ごとに配置して設けられ、サブ画素を区画する隔壁である。バンク１２２としては、ポリイミド樹脂などの樹脂材料を用いることができる。このとき、有機発光層１２５で発生する光が隣接サブ画素へ透過することを防止するために、例えばカーボン粒子などを樹脂中に含有させてもよい。
【００３１】
正孔注入層１２３は、陽極１２１の上であって、バンク１２２によりサブ画素ごとに離間されて形成されている。正孔注入層１２３は、正孔注入性の材料を主成分とする層であり、正孔注入性の材料とは、陽極１２１側から注入された正孔を安定的に、又は正孔の生成を補助して有機発光層１２５へ注入する機能を有する材料である。正孔注入層１２３としては、例えばＰＥＤＯＴ（ポリエチレンジオキシチオフェン）などを用いることができる。
【００３２】
正孔輸送層１２４は、正孔注入層１２３上であって、バンク１２２によりサブ画素ごとに離間されて形成されている。正孔輸送層１２４は、正孔注入層１２３から注入された正孔を有機発光層１２５内へ輸送する機能を有する。正孔輸送層１２４としては、正孔輸送性の有機材料を用いることができる。正孔輸送性の有機材料とは、生じた正孔を分子間の電荷移動反応により伝達する性質を有する有機物質である。これは、ｐ−型の有機半導体と呼ばれることもある。正孔輸送層１２４は、高分子材料でも低分子材料であってもよいが、湿式印刷法で製膜できることが好ましく、上層である有機発光層１２５を形成する際に、これに溶出しにくいよう、架橋剤を含むことが好ましい。正孔輸送性の材料の例としては、特に限定されるものではないが、芳香族アミンを用いることができ、好ましくはトリフェニルアミンの誘導体及びトリアリールアミン誘導体が用いられる。架橋剤の例としては、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレートなどを用いることができる。
【００３３】
正孔輸送層１２４を形成する製膜法としては、特に限定されるものではないが、インクジェット法に代表されるノズルジェット法や、ディスペンサー法を用いることができる。この場合、インクジェット法は、インク化した有機成膜材料をノズルから噴射して、正孔輸送層１２４を形成する方法である。
【００３４】
有機発光層１２５は、正孔輸送層１２４上であって、バンク１２２によりサブ画素ごとに離間されて形成されている。有機発光層１２５は、陽極１２１及び透明陰極１２７の間に電圧が印加されることにより発光する層であり、有機発光層１２５としては、低分子系又は高分子系の有機発光材料を用いることができる。高分子系の発光材料としては、例えばポリパラフェニレンビニレン（ＰＰＶ）、ポリフルオレンなどのポリマー発光材料などを用いることができる。また、低分子系の発光材料としては、Ａｌｑ３やＢｅ−ベンゾキノリノール（ＢｅＢｑ２）の他に、２，５−ビス（５，７−ジ−ｔ−ペンチル−２−ベンゾオキサゾリル）−１，３，４−チアジアゾール、４，４’−ビス（５，７−ベンチル−２−ベンゾオキサゾリル）スチルベン、４，４’−ビス〔５，７−ジ−（２−メチル−２−ブチル）−２−ベンゾオキサゾリル〕スチルベン、２，５−ビス（５，７−ジ−ｔ−ベンチル−２−ベンゾオキサゾリル）チオフィン、２，５−ビス（〔５−α，α−ジメチルベンジル〕−２−ベンゾオキサゾリル）チオフェン、２，５−ビス〔５，７−ジ−（２−メチル−２−ブチル）−２−ベンゾオキサゾリル〕−３，４−ジフェニルチオフェン、２，５−ビス（５−メチル−２−ベンゾオキサゾリル）チオフェン、４，４’−ビス（２−ベンゾオキサイゾリル）ビフェニル、５−メチル−２−〔２−〔４−（５−メチル−２−ベンゾオキサイゾリル）フェニル〕ビニル〕ベンゾオキサイゾリル、２−〔２−（４−クロロフェニル）ビニル〕ナフト〔１，２−ｄ〕オキサゾールなどのベンゾオキサゾール系、２，２’−（ｐ−フェニレンジビニレン）−ビスベンゾチアゾールなどのベンゾチアゾール系、２−〔２−〔４−（２−ベンゾイミダゾリル）フェニル〕ビニル〕ベンゾイミダゾール、２−〔２−（４−カルボキシフェニル）ビニル〕ベンゾイミダゾールなどのベンゾイミダゾール系などの蛍光増白剤や、トリス（８−キノリノール）アルミニウム、ビス（８−キノリノール）マグネシウム、ビス（ベンゾ〔ｆ〕−８−キノリノール）亜鉛、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）アルミニウムオキシド、トリス（８−キノリノール）インジウム、トリス（５−メチル−８−キノリノール）アルミニウム、８−キノリノールリチウム、トリス（５−クロロ−８−キノリノール）ガリウム、ビス（５−クロロ−８−キノリノール）カルシウム、ポリ〔亜鉛−ビス（８−ヒドロキシ−５−キノリノニル）メタン〕などの８−ヒドロキシキノリン系金属錯体やジリチウムエピンドリジオンなどの金属キレート化オキシノイド化合物や、１，４−ビス（２−メチルスチリル）ベンゼン、１，４−（３−メチルスチリル）ベンゼン、１，４−ビス（４−メチルスチリル）ベンゼン、ジスチリルベンゼン、１，４−ビス（２−エチルスチリル）ベンゼン、１，４−ビス（３−エチルスチリル）ベンゼン、１，４−ビス（２−メチルスチリル）２−メチルベンゼンなどのスチリルベンゼン系化合物や、２，５−ビス（４−メチルスチリル）ピラジン、２，５−ビス（４−エチルスチリル）ピラジン、２，５−ビス〔２−（１−ナフチル）ビニル〕ピラジン、２，５−ビス（４−メトキシスチリル）ピラジン、２，５−ビス〔２−（４−ビ��ェニル）ビニル〕ピラジン、２，５−ビス〔２−（１−ピレニル）ビニル〕ピラジンなどのジスチルピラジン誘導体や、ナフタルイミド誘導体や、ペリレン誘導体や、オキサジアゾール誘導体や、アルダジン誘導体や、シクロペンタジエン誘導体や、スチリルアミン誘導体や、クマリン系誘導体や、芳香族ジメチリディン誘導体などが用いられる。さらに、アントラセン、サリチル酸塩、ピレン、コロネンなども用いられる。あるいは、ファク−トリス（２−フェニルピリジン）イリジウムなどの燐光発光材料を用いることもできる。
【００３５】
電子輸送層１２６は、有機発光層１２５の上であってバンク１２２を跨り、図４にて後述する補助配線１３１の上方に延設までされた、電子輸送性の材料を主成分とする中間層である。電子輸送性の材料とは、電子アクセプター性を有し陰イオンになりやすい性質と、発生した電子を分子間の電荷移動反応により伝達する性質を併せ持ち、透明陰極１２７から有機発光層１２５までの電荷輸送に対して適性を有する材料のことである。電子輸送層１２６としては、例えば、１，３−ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル−１，３，４−オキサジアゾリル）フェニレン（ＯＸＤ−７）などのオキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、シロール誘導体からなるポリマー材料など、あるいは、ビス（２−メチル−８−キノリノレート）−（パラ−フェニルフェノレート）アルミニウム（ＢＡｌｑ）、バソフプロイン（ＢＣＰ）などが用いられる。
【００３６】
なお、補助配線１３１の上方に延設された電子輸送層１２６と、陽極１２１上の電子輸送層１２６とは、必ずしも連続である必要はない。連続形成されていない電子輸送層１２６としては、連続高精細マスクを使用せずとも発光部と接続部とで、同じ製膜プロセスで分離形成可能な電子輸送層１２６であって、例えば、塗布製膜された段階でバンク１２２により分離形成されるものが挙げられる。
【００３７】
透明陰極１２７は、電子輸送層１２６の上であってバンク１２２を跨り、図４にて後述する補助配線１３１の上方に延設され、全ての画素２０にわたり全面形成された第２電極であり、各画素２０に連続して設けられた透明電極である。透明陰極１２７は、特に限定されないが、上面発光方式の場合、インジウムスズ酸化物やインジウム亜鉛酸化物、マグネシウムやアルミニウムや銀などの金属の薄膜を用いることが好ましい。
【００３８】
なお、電子輸送層１２６と透明陰極１２７との間に、電子注入層が形成されていてもよい。ここで、電子注入層は、電子注入性の材料を主成分とする層である。電子注入性の材料とは、透明陰極１２７から注入された電子を安定的に、又は電子の生成を補助して有機発光層１２５へ注入する機能を有する材料である。
【００３９】
上記構成により、表示部２は、有機発光層１２５に注入された電子と正孔の再結合により発生する光を透明陰極１２７側から放出する。
【００４０】
また、画素２０は、図４に示されるように、サブ画素２０Ｒに隣接した領域であって、当該サブ画素２０Ｒと他の画素２０が備えるサブ画素との間に、補助配線１３１が配置された接続部２０Ｃを備える。補助配線１３１は、駆動回路層１１の上に、陽極１２１と離間して形成されている。補助配線１３１の上には、陽極１２１の上方から延設された電子輸送層１２６及び透明陰極１２７が形成されている。
【００４１】
つまり、本実施の形態に係る表示部２では、陽極１２１及び有機発光層１２５は、サブ画素ごとに離間して設けられ、補助配線１３１は、画素列ごとに配置されている。これにより、給電線３０からの距離に依存する配線抵抗を低減して、画素駆動電圧の変動を抑制している。
【００４２】
なお、補助配線１３１は、画素列ごとではなく画素行ごとに配置されていてもよいし、また、画素列ごと及び画素行ごとの双方に配置されていてもよい。
【００４３】
図４に示される補助配線１３１、電子輸送層１２６及び透明陰極１２７の積層構造により、駆動回路層１１の駆動トランジスタから、陽極１２１、正孔注入層１２３、正孔輸送層１２４、有機発光層１２５、及び電子輸送層１２６を経由して透明陰極１２７へ流れる画素電流Ｉｐｉｘ（Ｒ）、Ｉｐｉｘ（Ｇ）及びＩｐｉｘ（Ｂ）は、さらに、図４において矢印で示されるように、補助配線１３１上の電子輸送層１２６及び補助配線１３１へと流れこむ。図４に示される画素電流Ｉｐｉｘ（Ｒ）、Ｉｐｉｘ（Ｇ）及びＩｐｉｘ（Ｂ）の和Ｉｐｉｘに対応する電圧降下が、透明陰極１２７から補助配線１３１の間の接続部２０Ｃにおいて発生する。
【００４４】
補助配線１３１としては、特に限定されないが、陽極１２１の形成と同時プロセスにて形成することが可能となるため、陽極１２１と同じ材料であることが好ましい。
【００４５】
なお、図４に示される補助配線１３１と透明陰極１２７とで挟まれる中間層は、電子輸送層１２６に限られない。補助配線１３１と透明陰極１２７との間の中間層の構成として、正孔注入層１２３、正孔輸送層１２４、有機発光層１２５、電子輸送層１２６、及び電子注入層（図示せず）の少なくともいずれかを含んでいることが想定できる。ただし、この場合、画素電流の流れる方向に対して、当該電流の流れを阻止しない層構成であることが望ましい。
【００４６】
［画素回路構成］
図５は、本実施の形態に係る画素の回路構成の一例を示す図である。同図に示されるサブ画素２０Ｒは、駆動回路層１１と、有機ＥＬ層１２とを備える。駆動回路層１１は、データ線２１２と、走査線２１１と、正電源配線２２１と、スイッチトランジスタ２０３と、駆動トランジスタ２０２と、保持容量素子２０４とを有する。また、有機ＥＬ層１２は、有機ＥＬ素子２０１を有する。なお、図５に示されるサブ画素２０Ｇ及び２０Ｂも、サブ画素２０Ｒと同様の回路構成を有するが、図５においては、サブ画素２０Ｇ及び２０Ｂの駆動回路層１１の回路構成の記載は省略されている。サブ画素２０Ｒ、サブ画素２０Ｇ及びサブ画素２０Ｂを含む画素２０は、表示部２に、行列状に配置されている。
【００４７】
スイッチトランジスタ２０３は、ソース及びドレインの一方がデータ線２１２に接続され、ソース及びドレインの他方が駆動トランジスタ２０２のゲート及び保持容量素子２０４の一端に接続された、例えば、ｎ型ＴＦＴである。
【００４８】
駆動トランジスタ２０２は、ドレインが正電源配線２２１に接続され、ソースが有機ＥＬ素子２０１のアノードに接続され、ゲートが保持容量素子２０４の一端に接続された、例えば、ｎ型ＴＦＴである。これにより、駆動トランジスタ２０２は、保持容量素子２０４に保持された電圧に応じた電流を有機ＥＬ素子２０１に供給する。すなわち、駆動トランジスタ２０２は、階調信号（及びデータ電圧）に応じた電流を有機ＥＬ素子２０１に供給する。
【００４９】
保持容量素子２０４は、他端が駆動トランジスタ２０２のソースに接続され、データ線２１２から供給されたデータ電圧に対応した電圧を保持する。
【００５０】
データ線２１２は、データ線駆動回路４０（図示せず）とスイッチトランジスタ２０３のソース及びドレインの一方とを接続し、データ線駆動回路４０により映像信号に対応したデータ電圧が印加される。
【００５１】
走査線２１１は、走査線駆動回路５０とスイッチトランジスタ２０３のゲートとを接続し、走査線駆動回路５０により印加される電圧に応じて、スイッチトランジスタ２０３を導通及び非導通にする。
【００５２】
有機ＥＬ素子２０１は、上記有機ＥＬ層１２に形成された発光素子である。有機ＥＬ素子２０１のアノード（陽極１２１）がビア１２０を経由して駆動トランジスタ２０２のソースに接続され、カソード（透明陰極１２７）が中間層（電子輸送層１２６）を経由して補助配線１３１に接続されている。この接続構成により、有機ＥＬ素子２０１は、アノード−カソード間に流れる電流値に応じた輝度で発光する。ここで、有機ＥＬ素子２０１のカソード電極である透明陰極１２７は、全ての画素２０に共通して設けられており、表示部２の外周領域に設けられた給電線３０から負電源電圧ＶＥＬが印加されるように、給電線３０を介して電源部３と電気的に接続されている。
【００５３】
電源部３が供給する電源電圧は、駆動トランジスタ２０２のドレインに供給される正電源電圧ＶＤＤと、有機ＥＬ素子２０１のカソードに供給される負電源電圧ＶＥＬとを含む。駆動トランジスタ２０２のドレインが接続される陽極１２１及び正電源配線２２１には、給電線３０（正電圧給電線）を介して電源部３から正電源電圧ＶＤＤが供給される。一方、有機ＥＬ素子２０１のカソードである透明陰極１２７には、画素２０が備える各サブ画素に共通する電流経路である補助配線１３１及び給電線３０（負電圧給電線）を介して電源部３から負電源電圧ＶＥＬが供給される。なお、電源部３が供給する電源電圧を正電源電圧ＶＤＤ及び負電源電圧ＶＥＬと定義したが、正電源電圧ＶＤＤは、負電源電圧ＶＥＬよりも電位が高い電圧を意味し、負電源電圧ＶＥＬは、正電源電圧ＶＤＤよりも電位が低い電圧であることを意味する。つまり、正電源電圧ＶＤＤ及び負電源電圧ＶＥＬは、それぞれ、正の電圧値及び負の電圧値を有することに限定されない。
【００５４】
ここで、本実施の形態に係る画素回路構成では、有機ＥＬ素子２０１のカソードと補助配線１３１との間に電子輸送層１２６なる中間層の抵抗Ｒｉｐが直列挿入されている。図５に示されるように、サブ画素２０Ｒ、２０Ｇ及び２０Ｂの各々において、画素電流Ｉｐｉｘ（Ｒ）、Ｉｐｉｘ（Ｇ）及びＩｐｉｘ（Ｂ）は、駆動回路層１１の駆動トランジスタ２０２から、陽極１２１、有機ＥＬ素子２０１を経由して共通の透明陰極１２７へ流れる。さらに、画素電流Ｉｐｉｘ（Ｒ）、Ｉｐｉｘ（Ｇ）及びＩｐｉｘ（Ｂ）は、共通の電流経路である抵抗Ｒｉｐ及び補助配線１３１へと流れこむ。したがって、透明陰極１２７と補助配線１３１との間において発生する電圧降下量Ｖｄｒｏｐは、画素電流Ｉｐｉｘ（Ｒ）、Ｉｐｉｘ（Ｇ）及びＩｐｉｘ（Ｂ）の和Ｉｐｉｘ及び抵抗Ｒｉｐに対応する量となる。当該電圧降下量Ｖｄｒｏｐの変動に伴って、サブ画素２０Ｒ、２０Ｇ及び２０Ｂの各駆動トランジスタ２０２におけるブートストラップ量が変動するため、各有機ＥＬ素子２０１に流れる電流量が変動する。
【００５５】
［制御回路］
以下、本実施の形態の要部である制御回路６１の構成について説明する。本実施の形態に係る制御回路６１においては、透明陰極１２７と補助配線１３１との間において発生する電圧降下量Ｖｄｒｏｐの変動に伴う各有機ＥＬ素子２０１での発光輝度の変動を抑制するために階調信号を補正する構成を備える。
【００５６】
図６は、本実施の形態に係る制御回路６１において階調信号を補正する演算方法を示すブロック線図である。図６においては、一つの画素２０内のサブ画素２０Ｒ、２０Ｇ及び２０Ｂに印加される各データ電圧Ｖｄａｔａ（Ｒ）、Ｖｄａｔａ（Ｇ）及びＶｄａｔａ（Ｂ）に対応する階調信号ＧＬＲ、ＧＬＧ及びＧＬＢを補正する演算方法を示す。
【００５７】
図６に示されるように、制御回路６１は、機能的には、輝度低下量演算部４１０と、補正量演算部５１０と、加算部６１０とを備える。
【００５８】
輝度低下量演算部４１０は、１つの画素に含まれるサブ画素のうち、１つのサブ画素が発光する輝度の、他のサブ画素を駆動する階調信号のレベルに応じた低下量を求める演算部である。前記低下量は、前記１つのサブ画素を一定の階調信号に従って発光させたとき、前記１つのサブ画素の輝度が、前記他のサブ画素を駆動する階調信号が最小輝度を示す場合の輝度から低下する度合いを表す。以下、階調信号ＧＬＲ、ＧＬＧ及びＧＬＢで表される階調レベルを、それぞれＲ階調、Ｇ階調及びＢ階調と呼んで説明する。
【００５９】
図７Ａは、Ｇ階調及びＢ階調の各々とＲ輝度比との関係の一例を示すグラフである。図７Ａには、Ｇ階調及びＢ階調を何れも最小輝度を示す０階調として、Ｒサブ画素を固定のＲ階調（例えば、最大の２５５階調）で発光させた場合の輝度Ｒを１００％とし、Ｇ階調を増やしたときのＲサブ画素の輝度ＲＧ、及びＢ階調を増やしたときのＲサブ画素の輝度ＲＢが輝度Ｒに対する比で示されている。
【００６０】
Ｒサブ画素の輝度比ＲＧ、ＲＢは、予め実際の表示装置を用いて特性を測定することにより取得される。ＬＵＴ３１１には、階調信号ＧＬＧと輝度Ｒ、ＲＧの差分との関係を表す補正情報Ｒｄｒｏｐ（ＧＬＧ）が記憶される。ＬＵＴ３１２には、階調信号ＧＬＢと輝度Ｒ、ＲＢの差分との関係を表す補正情報Ｒｄｒｏｐ（ＧＬＢ）が記憶される。
【００６１】
図７Ｂは、Ｒ階調及びＢ階調の各々とＧ輝度比との関係の一例を示すグラフである。図７Ｂには、Ｒ階調及びＢ階調を何れも最小輝度を示す０階調として、Ｇサブ画素を固定階調（例えば、最大の２５５階調）で発光させた場合の輝度Ｇを１００％とし、Ｒ階調のみを増やしたときのＧサブ画素の輝度ＧＲ、及びＢ階調のみを増やしたときのＧサブ画素の輝度ＧＢが輝度Ｇに対する比で示されている。
【００６２】
Ｇサブ画素の輝度比ＧＲ、ＧＢは、予め実際の表示装置を用いて特性を測定することにより取得される。ＬＵＴ３１３には、階調信号ＧＬＲと輝度Ｇ、ＧＲの差分との関係を表す補正情報Ｇｄｒｏｐ（ＧＬＲ）が記憶される。ＬＵＴ３１４には、階調信号ＧＬＢと輝度Ｇ、ＧＢの差分との関係を表す補正情報Ｇｄｒｏｐ（ＧＬＢ）が記憶される。
【００６３】
図７Ｃは、Ｒ階調及びＧ階調の各々とＢ輝度比との関係の一例を示すグラフである。図７Ｃには、Ｒ階調及びＧ階調を何れも最小輝度を示す０階調として、Ｂサブ画素を固定階調（例えば、最大の２５５階調）で発光させた場合の輝度Ｂを１００％とし、Ｒ階調のみを増やしたときのＢサブ画素の輝度ＢＲ、及びＧ階調のみを増やしたときのＢサブ画素の輝度ＢＧが輝度Ｂに対する比で示されている。
【００６４】
Ｂサブ画素の輝度比ＢＲ、ＢＧは、予め実際の表示装置を用いて特性を測定することにより取得される。ＬＵＴ３１５には、階調信号ＧＬＲと輝度Ｂ、ＢＲの差分との関係を表す補正情報Ｂｄｒｏｐ（ＧＬＲ）が記憶される。ＬＵＴ３１６には、階調信号ＧＬＧと輝度Ｂ、ＢＧの差分との関係を表す補正情報Ｂｄｒｏｐ（ＧＬＧ）が記憶される。
【００６５】
輝度低下量演算部４１０では、ＬＵＴ３１１、３１２を参照することにより、階調信号ＧＬＧ、ＧＬＢに対応するＲサブ画素の輝度低下量ＲｄｒｏｐＧ、ＲｄｒｏｐＢが算出される。また、ＬＵＴ３１３、３１４を参照することにより、階調信号ＧＬＲ、ＧＬＢに対応するＧサブ画素の輝度低下量ＧｄｒｏｐＲ、ＧｄｒｏｐＢが算出される。また、ＬＵＴ３１５、３１６を参照することにより、階調信号ＧＬＲ、ＧＬＧに対応するＢサブ画素の輝度低下量ＢｄｒｏｐＲ、ＢｄｒｏｐＧが算出される。
【００６６】
補正量演算部５１０は、各階調信号の補正量を演算する演算部である。当該補正量は、透明陰極１２７と補助配線１３１との間において発生する電圧降下による各画素の輝度の低下を補うための補正量である。
【００６７】
補正量演算部５１０は、階調信号ＧＬＲと輝度低下量演算部４１０で求められた輝度低下量ＲｄｒｏｐＧ及びＲｄｒｏｐＢのそれぞれとを乗算する。これにより、輝度信号ＧＬＧ及びＧＬＢのそれぞれに応じた階調信号ＧＬＲの補正量ＲｃｏｍｐＧ及びＲｃｏｍｐＢが求められる。
【００６８】
補正量演算部５１０は、同様に、階調信号ＧＬＧと輝度低下量演算部４１０で求められた輝度低下量ＧｄｒｏｐＲ及びＧｄｒｏｐＢのそれぞれとを乗算する。これにより、輝度信号ＧＬＲ及びＧＬＢのそれぞれに応じた階調信号ＧＬＧの補正量ＧｃｏｍｐＲ及びＧｃｏｍｐＢが求められる。
【００６９】
補正量演算部５１０は、同様に、階調信号ＧＬＢと輝度低下量演算部４１０で求められた輝度低下量ＢｄｒｏｐＲ及びＢｄｒｏｐＧのそれぞれとを乗算する。これにより、輝度信号ＧＬＲ及びＧＬＧのそれぞれに応じた階調信号ＧＬＢの補正量ＢｃｏｍｐＲ及びＢｃｏｍｐＧが求められる。
【００７０】
加算部６１０は、補正量演算部５１０で求められた階調信号の補正量を補正前の階調信号ＧＬＲ、ＧＬＧ及びＧＬＢに加算する演算部である。
【００７１】
加算部６１０は、階調信号ＧＬＲに補正量ＲｃｏｍｐＧ及びＲｃｏｍｐＢを加算することにより、補正後の階調信号ＧＬ’Ｒを算出する。
【００７２】
加算部６１０は、同様に、階調信号ＧＬＧに補正量ＧｃｏｍｐＲ及びＧｃｏｍｐＢを加算することにより、補正後の階調信号ＧＬ’Ｇを算出する。
【００７３】
加算部６１０は、同様に、階調信号ＧＬＢに補正量ＢｃｏｍｐＲ及びＢｃｏｍｐＧを加算することにより、補正後の階調信号ＧＬ’Ｂを算出する。
【００７４】
以上のように、本実施の形態に係る制御回路６１は、階調信号ＧＬＲ、ＧＬＧ及びＧＬＢをＧＬ’Ｒ、ＧＬ’Ｇ及びＧＬ’Ｂにそれぞれ補正する。当該補正後の階調信号がデータ線駆動回路４０に入力されることによって、補正されたデータ電圧が各データ線２１２に印加され、当該補正されたデータ電圧に対応して増量された画素電流が流れる。これにより、電圧降下量の変動による各サブ画素の発光輝度の変動が抑制される。
【００７５】
（効果など）
以上のように、本実施の形態に係る表示装置１の駆動方法の一態様は、階調信号ＧＬＲ、ＧＬＧ及びＧＬＢを出力する制御回路６１と、有機ＥＬ素子２０１、及び、階調信号ＧＬＲに応じた電流Ｉｐｉｘ（Ｒ）を有機ＥＬ素子２０１に供給するための駆動トランジスタ２０２を有するサブ画素２０Ｒ、有機ＥＬ素子２０１、及び、階調信号ＧＬＧに応じた電流Ｉｐｉｘ（Ｇ）を有機ＥＬ素子２０１に供給するための駆動トランジスタ２０２を有するサブ画素２０Ｇ、並びに、有機ＥＬ素子２０１、及び、階調信号ＧＬＢに応じた電流Ｉｐｉｘ（Ｂ）を有機ＥＬ素子２０１に供給するための駆動トランジスタ２０２を有するサブ画素２０Ｂを備える表示部２と、サブ画素２０Ｒ、２０Ｇ及び２０Ｂに共通する電流経路を介して、サブ画素２０Ｒ、２０Ｇ及び２０Ｂに電源電圧を印加する電源部３と、を備える表示装置の駆動方法である。そして当該駆動方法は、電流Ｉｐｉｘ（Ｒ）、Ｉｐｉｘ（Ｇ）及びＩｐｉｘ（Ｂ）が、それぞれ各有機ＥＬ素子２０１に同時に供給される場合に、上記共通する電流経路において生じる電圧降下によるサブ画素２０Ｒ、２０Ｇ及び２０Ｂでの輝度の低下を補うように、階調信号ＧＬＲ、ＧＬＧ及びＧＬＢに基づいて、階調信号ＧＬＲ、ＧＬＧ及びＧＬＢを補正するステップを含む。
【００７６】
これによれば、各サブ画素の有機ＥＬ素子２０１が発光する輝度が他のサブ画素の有機ＥＬ素子２０１に流れる電流から受ける影響が低減される。すなわち、各サブ画素の有機ＥＬ素子２０１に本来の階調信号に対応した所望の輝度で発光させることができる。したがって、サブ画素２０Ｒ、２０Ｇ及び２０Ｂを備える画素２０における、上記影響による色表現力の劣化が低減される。
【００７７】
また、上記補正するステップは、階調信号ＧＬＲ、ＧＬＧ及びＧＬＢに基づいて、上記電流経路である接続部２０Ｃにおいて生じる電圧降下によるサブ画素２０Ｒの輝度低下量ＲｄｒｏｐＧ、ＲｄｒｏｐＢを求めるステップと、輝度低下量ＲｄｒｏｐＧ、ＲｄｒｏｐＢに基づいて、階調信号ＧＬＲを補正する量を求めるステップとを含んでもよい。
【００７８】
これにより、階調信号ＧＬＧ及びＧＬＢに応じてサブ画素２０Ｇ、２０Ｂに流れる電流により接続部２０Ｃにおいて生じる電圧降下の影響によるサブ画素２０Ｒの輝度低下量ＲｄｒｏｐＧ、ＲｄｒｏｐＢを求めて、輝度低下量ＲｄｒｏｐＧ、ＲｄｒｏｐＢに基づいて階調信号ＧＬＲを補正するため、階調信号を適切に補正することができる。
【００７９】
なお、サブ画素の階調信号は、階調信号ＧＬＲ、ＧＬＧ及びＧＬＢに従ってサブ画素２０Ｒ、２０Ｇ及び２０Ｂに流れる電流を特定し、接続部２０Ｃの抵抗値又は接続部２０Ｃにおいて生じる電圧降下量を媒介として補正することもできる。ただし、接表示装置の内部に封止されている接続部２０Ｃで生じる電圧降下量や抵抗値は直接的に測定できないことから、そのような方法でサブ画素の階調信号の補正量を高い精度で決定することが難しい。
【００８０】
これに対し、サブ画素の輝度低下量は表示装置の外部から高い精度で測定することができる。そこで、１つのサブ画素の輝度の他のサブ画素の階調信号に応じた低下量を予め表示装置で測定して補正情報を生成しておき、当該補正情報を参照して前記１つのサブ画素の階調信号を補正することで、より高い精度で階調信号を補正することが可能になる。
【００８１】
以下では、ＬＵＴ３１１、３１２、３１３、３１４、３１５及び３１６にそれぞれ記憶される補正情報Ｒｄｒｏｐ（ＧＬＧ）、Ｒｄｒｏｐ（ＧＬＢ）、Ｇｄｒｏｐ（ＧＬＲ）、Ｇｄｒｏｐ（ＧＬＢ）、Ｂｄｒｏｐ（ＧＬＲ）及びＢｄｒｏｐ（ＧＬＧ）の生成方法について説明する。
【００８２】
図８は、補正情報の生成方法の一例を示すフローチャートである。この生成方法では、表示部２の各部で接続部２０Ｃの抵抗値がばらつく可能性を考慮して、表示部２に複数の測定エリアを設定し、測定エリアごとに補正情報が生成される。
【００８３】
測定エリアを選択し（Ｓ１１）、選択された測定エリアに位置するＲ、Ｇ、Ｂの各サブ画素について次の処理を行う。
【００８４】
Ｇ、Ｂの各サブ画素を最小輝度を示す階調信号ＧＬＧ、ＧＬＢでそれぞれ駆動しながら、Ｒサブ画素を、レベルが固定された（例えば、最大レベルの）階調信号ＧＬＲで駆動し、Ｒサブ画素の基準輝度を測定する。
【００８５】
そして、階調信号ＧＬＢを最小輝度を示すレベルに維持しかつ階調信号ＧＬＧのレベルを増やしながらＲサブ画素の輝度変化を測定することにより、階調信号ＧＬＧのレベルと測定されたＲサブ画素の輝度の前記基準輝度からの低下率との対応を表す補正情報Ｒｄｒｏｐ（ＧＬＧ）が取得される。補正情報Ｒｄｒｏｐ（ＧＬＧ）がＬＵＴ３１１に記憶される。
【００８６】
また、階調信号ＧＬＧを最小輝度を示すレベルに維持しかつ階調信号ＧＬＢのレベルを増やしながらＲサブ画素の輝度変化を測定することにより、階調信号ＧＬＢのレベルと測定されたＲサブ画素の輝度の前記基準輝度からの低下率との対応を表す補正情報Ｒｄｒｏｐ（ＧＬＢ）が取得される。補正情報Ｒｄｒｏｐ（ＧＬＢ）がＬＵＴ３１２に記憶される。
【００８７】
このとき、例えば、Ｇ、Ｂの各サブ画素のマスキング、カラーフィルタの使用、測定装置の測定視野の調整などの適宜の方法を用いて、Ｇ、Ｂの各サブ画素の輝度が除外された、Ｒサブ画素のみの輝度が測定される（Ｓ１２）。
【００８８】
同様の手順で補正情報Ｇｄｒｏｐ（ＧＬＲ）及びＧｄｒｏｐ（ＧＬＢ）が取得され、ＬＵＴ３１３及び３１４に記憶される（Ｓ１３）。
【００８９】
同様の手順で補正情報Ｂｄｒｏｐ（ＧＬＲ）及びＢｄｒｏｐ（ＧＬＧ）が取得され、ＬＵＴ３１５及び３１６に記憶される（Ｓ１４）。
【００９０】
以上の処理が全ての測定エリアについて行われ、測定エリアごとの補正情報が記憶される（Ｓ１５）。
【００９１】
このように、複数の測定エリアの各々に対応して補正情報が記憶されている場合、輝度低下量演算部４１０では、当該サブ画素が含まれる測定エリアの補正情報か、又は当該サブ画素との距離が最も小さい測定エリアの補正情報が参照される。
【００９２】
（他の実施の形態）
以上、本発明の表示装置及びその駆動方法について、実施の形態に基づいて説明してきたが、本発明に係る表示装置は、上記実施の形態に限定されるものではない。実施の形態における任意の構成要素を組み合わせて実現される別の実施の形態や、実施の形態に対して本発明の主旨を逸脱しない範囲で当業者が思いつく各種変形を施して得られる変形例や、本実施の形態に係る表示装置を内蔵した各種機器も本発明に含まれる。
【００９３】
例えば、上記実施の形態においては、画素２０内のサブ画素２０Ｒ、２０Ｇ及び２０Ｂが備える各有機ＥＬ素子２０１に流れる電流の他のサブ画素が備える有機ＥＬ素子２０１に流れる電流による影響を抑制する例を示したが、本発明はこれに限られない。本発明は、表示装置の画素が有する有機ＥＬ素子に流れる電流の、当該画素と共通する抵抗成分を有する電流経路を介して電源電圧が印加される任意の画素又はサブ画素の有機ＥＬ素子に流れる電流の影響を抑制する場合に適用できる。
【００９４】
また、上記実施の形態では、発光素子として、有機ＥＬ素子を用いる例を示したが、他の電流駆動型の発光素子を用いてもよい。
【００９５】
また、上記実施の形態では、サブ画素の輝度低下の原因となる電圧降下が、透明陰極１２７から補助配線１３１の間の接続部２０Ｃで発生する例を示したが、電圧降下が他の電流経路部分で発生してもよい。例えば、給電線などの抵抗成分で電圧降下が発生してもよい。
【００９６】
また、上記実施の形態では、有機ＥＬ層１２の構成として、陽極／正孔注入層／正孔輸送層／有機発光層／電子輸送層／陰極を例に説明したが、これに限られない。例えば、有機ＥＬ層の構成として、少なくとも有機発光層、陽極及び陰極を含む構成であればよい。また、例えば、有機発光層、陽極及び陰極以外に、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層及び電子注入層の少なくとも１層を含む構成であってもよい。
【００９７】
また、上記実施の形態では、透明陰極１２７と補助配線１３１との間に電子輸送層１２６が形成される例を示したが、電子輸送層１２６は形成されなくてもよい。例えば、補助配線１３１の表面が酸化して高抵抗化する場合であっても、透明陰極１２７と補助配線１３１との間において電圧降下が発生する。
【００９８】
また、上記実施の形態では、表示部２に連続形成された透明陰極１２７における負電源電圧ＶＥＬの電圧降下（上昇）の変動による影響を低減する構成を例示した。しかし、本発明の構成はこれに限られず、回路構成、発光方式及び有機ＥＬ層の積層構造などにより、例えばアノードコモンのトップエミッションにおいて、陽極１２１による正電源電圧ＶＤＤの電圧降下の変動によるサブ画素の輝度変動を低減する構成も本発明に含まれる。
【００９９】
また、上記実施の形態では、画素２０を、３つのサブ画素２０Ｒ、２０Ｇ及び２０Ｂで構成されているものとして説明したが、画素構成はこれに限られない。例えば、画素２０が複数のサブ画素を有さず、１つの画素で構成されていても、複数の画素が電源部３から共通する電流経路を介して電源電圧を印加される場合には、本発明を適用することができる。
【０１００】
また、上記実施の形態では、駆動トランジスタ２０２としてｎ型ＴＦＴを用いる構成を示したが、ｐ型ＴＦＴを用いて、他の回路構成をそれに合わせて適宜変更してもよい。
【０１０１】
また、上記実施の形態においては、階調信号を補正する際に、ＬＵＴを用いたが、ＬＵＴ以外の補正関数などを予め用意して、当該補正関数によって階調信号を補正してもよい。
【０１０２】
また、上記実施の形態においては、制御回路６１において階調信号を補正する構成を示したが、データ電圧を補正する構成としてもよい。
【０１０３】
なお、上記実施の形態において、中間層は、発光部を構成する層の一部として説明してきたが、接続部を構成する中間層は、発光部を構成する層と連続している必要はない。高精細マスクを使用せずとも発光部と接続部とで分離形成可能な中間層であって、例えば、塗布製膜された段階でバンク１２２により分離形成されるものであってもよい。
【０１０４】
また、例えば、本実施の形態に係る表示装置１は、図９に示されるような薄型フラットＴＶに内蔵される。本実施の形態に係る表示装置１により、高度な色表現力を有する薄型フラットＴＶが実現される。
【産業上の利用可能性】
【０１０５】
本発明は、有機ＥＬフラットパネルディスプレイに有用であり、色表現力が要求されるディスプレイとして用いるのに最適である。
【符号の説明】
【０１０６】
１    表示装置
２    表示部
３    電源部
１０    基板
１１    駆動回路層
１２    有機ＥＬ層
２０    画素
２０Ｂ、２０Ｇ、２０Ｒ    サブ画素
２０Ｃ    接続部
３０    給電線
４０    データ線駆動回路
５０    走査線駆動回路
６１    制御回路
１１１    ゲート電極
１１２    ゲート絶縁層
１１３    半導体層
１１４    ソース電極
１１５    ドレイン電極
１１６    層間絶縁層
１２０    ビア
１２１    陽極
１２２    バンク
１２３    正孔注入層
１２４    正孔輸送層
１２５    有機発光層
１２６    電子輸送層
１２７    透明陰極
１３１    補助配線
２０１    有機ＥＬ素子
２０２    駆動トランジスタ
２０３    スイッチトランジスタ
２０４    保持容量素子
２１１    走査線
２１２    データ線
２２１    正電源配線
３００    電流演算部
３１１〜３１６  ＬＵＴ
４１０    輝度低下量演算部
５１０    補正量演算部
６１０    加算部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図７Ｃ】
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【図８】
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【図９】
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