(57)【要約】【課題】発熱部品を搭載する回路基板の薄型化を図りつつ、発熱部品の放熱又は冷却が可能な電子回路装置及びその製造方法の提供を目的とする。【解決手段】本発明に係る電子回路装置１０は、回路基板２０と、回路基板２０に搭載される発熱部品１１と、回路基板２０の内層の一部を構成すると共に、回路基板２０の側面から突出して外部に露出する金属板１５と、その金属板１５の露出部分に接続されるヒートパイプ１３と、を有している。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路基板と、
前記回路基板に搭載される発熱部品と、
前記回路基板の内層の一部を構成すると共に、前記回路基板の側面から突出して外部に露出する金属板と、
前記金属板の露出部分に接続される外部放熱部材又は外部冷却部材と、を有する電子回路装置。
【請求項２】
請求項１に記載の電子回路装置において、
前記金属板は、前記外部冷却部材としてのヒートパイプに接続される。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の電子回路装置において、
前記金属板は、前記回路基板の内層のうち前記半導体素子の下方位置を含む一部の領域に配置されている。
【請求項４】
請求項３に記載の電子回路装置において、
前記回路基板には、前記発熱部品の下方位置で前記回路基板の厚さ方向に延びて前記金属板に導通接続される伝熱ビアが形成されている。
【請求項５】
請求項１乃至４のうち何れか１の請求項に記載の電子回路装置において、
前記回路基板を搭載する支持基板と、
前記支持基板に支持されて前記回路基板をシールドするシールド部材と、をさらに備えている。
【請求項６】
請求項５に記載の電子回路装置において、
前記シールド部材は、前記回路基板の四方を囲むように配置され、
前記金属板が、前記シールド部材を貫通している。
【請求項７】
請求項１乃至４のうち何れか１の請求項に記載の電子回路装置において、
前記回路基板に搭載されて、前記発熱部品を実装する中継回路基板と、
前記回路基板に支持されて前記中継回路基板をシールドするシールド部材と、をさらに備えている。
【請求項８】
請求項１乃至７のうち何れか１の請求項に記載の電子回路装置において、
前記金属板は、前記回路基板の厚さ方向の中心より前記発熱部品に近い側に配置されている。
【請求項９】
電子回路装置の製造方法であって、
絶縁層と導体層を交互に積層され金属板を内蔵する回路基板と、外部放熱部品又は外部冷却部品と、発熱部品とをそれぞれ準備することと、
前記回路基板の一部を除去して前記金属板の端部を側面から露出させることと、
前記金属板の端部に前記外部放熱部品又は前記外部冷却部品を接続することと、
前記回路基板に前記発熱部品を搭載すること、とを有する。
【請求項１０】
請求項９に記載の電子回路装置の製造方法において、
前記回路基板を準備するにあたり、前記絶縁層に前記導体層と前記金属板とを接続する伝熱ビアを形成する。
【請求項１１】
請求項９又は１０に記載の電子回路装置の製造方法において、
前記回路基板を準備するにあたり、前記絶縁層のうち厚さ方向の中心より前記発熱部品に近い側に配置される前記絶縁層に前記金属板を内蔵する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路基板に発熱部品が搭載されている電子回路装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、この種の電子回路装置として、発熱部品を搭載する回路基板にヒートパイプが内蔵されているものが知られている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０００−１３８４８５号公報（［０００２］、図１）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上述した従来の電子回路装置では、回路基板の薄型化が困難になるという問題が考えられる。
【０００５】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、発熱部品を搭載する回路基板の薄型化を図りつつ、発熱部品の放熱又は冷却が可能な電子回路装置及びその製造方法の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するためになされた本発明に係る電子回路装置は、回路基板と、回路基板に搭載される発熱部品と、回路基板の内層の一部を構成すると共に、回路基板の側面から突出して外部に露出する金属板と、金属板の露出部分に接続される外部放熱部材又は外部冷却部材と、を有する。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本発明の第１実施形態に係る電子回路装置を内蔵する電子機器の内部構造を示す平面図
【図２】電子回路装置の（Ａ）平面図、（Ｂ）Ａ−Ａ断面図
【図３】回路基板の断面図
【図４】回路基板の製造工程を示す断面図
【図５】回路基板の製造工程を示す断面図
【図６】回路基板の製造工程を示す断面図
【図７】回路基板の製造工程を示す断面図
【図８】回路基板の製造工程を示す断面図
【図９】回路基板の製造工程を示す断面図
【図１０】回路基板の製造工程を示す断面図
【図１１】回路基板の製造工程を示す断面図
【図１２】回路基板の製造工程を示す断面図
【図１３】第２実施形態に係る電子回路装置の（Ａ）平面図、（Ｂ）Ｂ−Ｂ断面図
【図１４】回路基板の断面図
【図１５】回路基板の製造工程を示す断面図
【図１６】回路基板の製造工程を示す断面図
【図１７】回路基板の製造工程を示す断面図
【図１８】回路基板の製造工程を示す断面図
【図１９】回路基板の製造工程を示す断面図
【図２０】回路基板の製造工程を示す断面図
【図２１】回路基板の製造工程を示す断面図
【発明を実施するための形態】
【０００８】
［第１実施形態］
以下、本発明の第１実施形態を図１〜図１２に基づいて説明する。本実施形態の電子回路装置１０は、図１に示される電子機器９０に内蔵される。電子機器９０は、例えば、携帯電話やノート型ＰＣ等であって、電子回路装置１０のほか、バッテリー９１、液晶表示装置９２等を備えている。
【０００９】
図２（Ａ）に示すように、電子回路装置１０は、回路基板２０と、回路基板２０を支持する支持基板６０とを有している。回路基板２０は、チップと同じ大きさのＣＳＰ（Ｃｈｉｐ  Ｓｉｚｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）になっていて、この回路基板２０の上に本発明の「発熱部品」としての半導体素子１１が実装されている。支持基板６０は、マザーボードになっていて、回路基板２０と支持基板６０とは、半田によって接続されている。
【００１０】
図２（Ｂ）に示すように、回路基板２０は、本発明の「シールド部材」に相当するシールドカン１２によってシールドされている。シールドカン１２は、回路基板２０及び半導体素子１１の上方を覆う天井壁１２Ｔと、回路基板２０の四方を囲む包囲壁１２Ｈとを有し、包囲壁２０Ｈの脚部が支持基板６０に固定されている。詳細には、天井壁１２Ｔの一部は、回路基板２０及び支持基板６０の側方にはみ出している。シールドカン１２は、例えば、厚さ約０．２ｍｍの板金を加工してなる。
【００１１】
図１に示すように、電子回路装置１０は、支持基板６０及び回路基板２０の側方に本発明の「外部冷却部材」としてのヒートパイプ１３を備えている。ヒートパイプ１３は、作動液が封入された中空管の内壁にメッシュが敷設された構造になっていて、ヒートパイプ１３の一端部が回路基板２０の側方に位置している。
【００１２】
図３に示すように、回路基板２０は、コア基板２１の表裏の両面にビルドアップ絶縁層２５とビルドアップ導体層２６が交互に積層されると共に、最外のビルドアップ導体層２６がソルダーレジスト層２９で覆われている多層構造になっている。コア基板２１の厚さは、約１５０μｍになっていて、コア基板２１の表裏の両面には、コア導体層２２が形成されている。ビルドアップ絶縁層２５は、絶縁性材料で構成され、その厚さは約２５μｍとなっている。ビルドアップ導体層２６は、金属（例えば、銅）で構成され、その厚さは約１５μｍとなっている。ソルダーレジスト層２９の厚さは、約１５μｍになっている。
【００１３】
表側のコア導体層２２と裏側のコア導体層２２とは、コア基板２１を貫通するスルーホール導体２３によって接続されている。ビルドアップ絶縁層２５には、導電ビア４０Ａ，４３Ａが形成されていて、導電ビア４０Ａによってコア基板２１に最も近い最内のビルドアップ導体層２６とコア導体層２２とが接続されると共に、導電ビア４３Ａによって積層方向で隣り合うビルドアップ導体層２６，２６同士が接続されている。
【００１４】
図３に示すように、本実施形態の回路基板２０では、コア基板２１が金属板１５を内蔵する金属板内蔵絶縁層３０となっている。詳細には、金属板１５の一部が、コア基板２１のうち半導体素子１１の下方に位置する部分からヒートパイプ１３に近い側の縁部までの領域を構成し、金属板１５の残り部分が、図１（Ｂ）に示すように、回路基板２０の側面から張り出して外側に露出している。金属板１５の厚さは、コア基板２１の厚さとほぼ同じになっていていて、約１５０μｍとなっている。
【００１５】
ビルドアップ絶縁層２５のうち金属板１５に重なる部分には、伝熱ビア４０Ｂ，４３Ｂが形成されていて、伝熱ビア４０Ｂによって最内のビルドアップ導体層２６と金属板１５とが接続されると共に、伝熱ビア４３Ｂによって積層方向で隣り合うビルドアップ導体層２６，２６同士が接続されている。
【００１６】
図２（Ｂ）に示すように、金属板１５のうち回路基板２０の外側に露出した部分は、シールドカン１２の包囲壁１２Ｈを貫通し、例えば、半田付けによって、ヒートパイプ１３に接続されている。なお、金属板１５は、導電テープによりヒートパイプ１３に接続されてもよいし、機械的に電子機器９０の筐体とヒートパイプ１３との間に挟みこまれることによりヒートパイプ１３との接触が図られてもよい。
【００１７】
次に、電子回路装置１０の製造方法について説明する。電子回路装置１０の製造方法では、まず、回路基板２０としてのＣＳＰに半導体素子１１が実装されると共に、このＣＳＰが支持基板６０としてのマザーボードに半田接続される。そして、シールドカン１２が支持基板６０に固定されると共に、回路基板２０から突出する金属板１５がシールドカン１２を貫通してヒートパイプ１３に接続されることにより製造される。
【００１８】
回路基板２０は、以下のようにして製造される。
（１）図４（Ａ）に示すように、まず、コア基板２１が準備される。コア基板２１は、エポキシ樹脂又はＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂とガラスクロスなどの補強材からなる絶縁性基材２１Ｋの表裏の両面に、銅箔２１Ｃがラミネートされている。
【００１９】
（２）図４（Ｂ）に示すように、コア基板２１に表側と裏側とから、例えば、ＣＯ２レーザが照射されてコア貫通孔３１が穿孔される。
【００２０】
（３）無電解めっき処理が行われ、銅箔２１Ｃ上とコア貫通孔３１の内面とに無電解めっき膜（図示せず）が形成される。
【００２１】
（４）図４（Ｃ）に示すように、銅箔２１Ｃ上の無電解めっき膜上に、所定パターンのめっきレジスト３２が形成される。
【００２２】
（５）図５（Ａ）に示すように、電解めっき処理が行われ、電解めっきがコア貫通孔３１内に充填されてスルーホール導体２３が形成される。また、コア基板２１の表裏両面の無電解めっき膜（図示せず）のうちめっきレジスト３２から露出している部分に電解めっき膜３３が形成される。
【００２３】
（６）めっきレジスト３２が５％ＮａＯＨで剥離されると共に、めっきレジスト３２の下方の無電解めっき膜（図示せず）及び銅箔２１Ｃが除去され、図５（Ｂ）に示すように、残された電解めっき膜３２、無電解めっき膜及び銅箔２１Ｃ（図５（Ａ）を参照。図５（Ｂ）では省略して示されている。）により、コア基板２１の表裏の両面にコア導体層２２が形成される。
【００２４】
（７）図５（Ｃ）に示すように、ルータ加工等によってコア基板２１の中央部が切除されて、収容孔３５が形成される。
【００２５】
（８）収容孔３５に金属板１５が収容されると共に、コア基板２１の表裏の両側からビルドアップ絶縁層２５としてのプリプレグ（心材を樹脂含浸してなるＢステージの樹脂シート）が積層される。その際、ビルドアップ絶縁層２５に形成されている開口部２５Ａに仮接着層３７が形成される。この仮接着層３７は金属板１５上に配置され、金属板１５の外縁部は仮接着層３７より外側にはみ出す。そして、図６（Ａ）に示すように、ビルドアップ絶縁層２５と仮接着層３７の上に銅箔２５Ｃが積層されてから、加熱プレスが行われる。その際、金属板１５と収容孔３５の内周面との間の隙間３６がビルドアップ絶縁層２５，２５を構成する樹脂で充填される。
【００２６】
（９）図６（Ｂ）に示すように、コア基板２１の表側と裏側からビルドアップ絶縁層２５及び銅箔２５Ｃに、例えば、ＣＯ２レーザが照射されて、導電ビア形成孔３８Ａと伝熱ビア形成孔３８Ｂとが形成される。その際、導電ビア形成孔３８Ａによりコア導体層２２が露出され、伝熱ビア形成孔３８Ｂにより金属板１５が露出される。
【００２７】
（１０）無電解めっき処理が行われ、銅箔２５Ｃ上と、導電ビア形成孔３８Ａの内面及び伝熱ビア形成孔３８Ｂの内面とに無電解めっき膜（図示せず）が形成される。
【００２８】
（１１）図６（Ｃ）に示すように、銅箔２５Ｃの無電解めっき膜上に、所定パターンのめっきレジスト３９が形成される。
【００２９】
（１２）図７（Ａ）に示すように、電解めっき処理が行われ、電解めっきが導電ビア形成孔３８Ａ内と伝熱ビア形成孔３８Ｂ内に充填されて導電ビア４０Ａと伝熱ビア４０Ｂが形成される。また、ビルドアップ絶縁層２５上の無電解めっき膜（図示せず）のうちめっきレジスト３９から露出している部分に電解めっき膜４１が形成される。
【００３０】
（１３）めっきレジスト３９が除去されると共に、めっきレジスト３９の下方の無電解めっき膜（図示せず）が除去され、図７（Ｂ）に示すように、残された電解めっき膜４１、無電解めっき膜及び銅箔２５Ｃ（図７（Ａ）を参照。図７（Ｂ）では省略して示されている。）により、ビルドアップ絶縁層２５上にビルドアップ導体層２６が形成されると共に、仮接着層３７上にストッパー層３７Ｓが形成される。なお、詳細には、ストッパー層３７Ｓは、仮接着層３７より若干外側にはみ出る大きさに形成される。
【００３１】
（１４）図７（Ｃ）に示すように、コア基板２１の表側と裏側から、ビルドアップ導体層２６とストッパー層３７Ｓの上に、ビルドアップ絶縁層２５と銅箔２５Ｃが積層される。
【００３２】
（１５）図８（Ａ）に示すように、最外に位置するビルドアップ絶縁層２５及び銅箔２５Ｃに、例えば、ＣＯ２レーザが照射されて、導電ビア形成孔４２Ａと伝熱ビア形成孔４２Ｂが形成されると共に、仮接着層３７の外縁部に沿ってスリット４２Ｓが形成され、ストッパー層３７Ｓが露出する。
【００３３】
（１６）無電解めっき処理が行われ、銅箔２５Ｃ上と、導電ビア形成孔４２Ａ及び伝熱ビア形成孔４２Ｂの内面と、スリット４２Ｓの内面とに無電解めっき膜（図示せず）が形成される。
【００３４】
（１７）図８（Ｂ）に示すように、銅箔２５Ｃの無電解めっき膜上に、所定パターンのめっきレジスト３９が形成される。
【００３５】
（１８）電解めっき処理が行われ、図９（Ａ）に示すように、電解めっきが導電ビア形成孔４２Ａ及び伝熱ビア形成孔４２Ｂ内に充填されて導電ビア４３Ａ及び伝熱ビア４３Ｂが形成されると共に、スリット４２Ｓ内にスリット内めっき膜４４が形成され、さらには、銅箔２５Ｃ上の無電解めっき膜（図示せず）のうちめっきレジスト３９から露出している部分に電解めっき膜４５が形成される。
【００３６】
（１９）めっきレジスト３９が除去されると共に、めっきレジスト３９の下方の無電解めっき膜（図示せず）及び銅箔２５Ｃが除去され、図９（Ｂ）に示すように、残された電解めっき膜４５、無電解めっき膜及び銅箔２５Ｃにより、ビルドアップ導体層２６が形成される。
【００３７】
（２０）図１０（Ａ）に示すように、コア基板２１の表側と裏側の両方からビルドアップ導体層２６，２６上にソルダーレジスト層２９，２９が積層される。
【００３８】
（２１）図１０（Ｂ）に示すように、ソルダーレジスト層２９の所定箇所にテーパー状のパッド用孔が形成されてビルドアップ導体層２６の一部がソルダーレジスト層２９から露出してパッドになると共に、最外のビルドアップ導体層２６及び最外のビルドアップ絶縁層２５のうち仮接着層３７に重ねられる部分を露出させる取出孔４７が形成される。
【００３９】
（２２）マスキング処理及びエッチング処理が行われて、図１１（Ａ）に示すように、ソルダーレジスト層２９上に所定パターンのマスクレジスト層４９が形成され、取出孔４７内の電解めっき膜４５とスリット４２Ｓ内のスリット内めっき膜４４及びストッパー層３７Ｓとが除去される。
【００４０】
（２３）図１１（Ｂ）に示すように、マスクレジスト層４９が除去されると共に、仮接着層３７と、仮接着層３７上に積層されたビルドアップ絶縁層２５と取出孔４７から取り出されて、金属板１５の一部が露出する。
【００４１】
（２４）図１２に示すように、金属板１５の露出部分が切断される。以上で回路基板２０が完成する。なお、詳細には、同図に示すように、金属板１５が露出する側のビルドアップ絶縁層２５の間には、ストッパー層３７Ｓの一部が残ることになるが、図３では、当該ストッパー層３７Ｓの一部が省略して示されている。
【００４２】
本実施形態の電子回路装置１０の構造及び製造方法に関する説明は以上である。次に、電子回路装置１０の作用効果について説明する。
【００４３】
本実施形態の電子回路装置１０では、回路基板２０が内層の一部を構成する金属板１５が回路基板２０の側方に突出してヒートパイプ１３に接続されているので、金属板１５を介して半導体素子１１からの熱をヒートパイプ１３へ伝達することが可能であるとともに、従来のようにヒートパイプ１３を内蔵する回路基板よりも、回路基板２０の薄型化が図られる。しかも、回路基板２０の内部も放熱経路として使うことで電子回路装置１０全体での放熱効率を高めることが可能になる。
【００４４】
また、本実施形態では、金属板１５は、回路基板２０のうち半導体素子１１の下方位置を含む一部の領域にのみ配置されているので、半導体素子１１から金属板１５への熱伝達経路を短くして熱伝達効率の向上が図られる。しかも、回路基板２０に半導体素子１１の下方位置で厚さ方向に延びて金属板１５に導通接続される伝熱ビア４３Ｂを有しているので、半導体素子１１から金属板１５への熱伝達効率のさらなる向上が図られる。
【００４５】
［第２実施形態］
以下、本発明の第２実施形態を図１３〜図２１に基づいて説明する。図１３（Ａ）に示すように、本実施形態の電子回路装置１０Ｖは、回路基板２０Ｖと、回路基板２０Ｖの上に搭載される中継回路基板７０とを有している。本実施形態では、回路基板２０Ｖがマザーボードになっていて、中継回路基板７０が、チップと同じ大きさのＣＳＰ（Ｃｈｉｐ  Ｓｉｚｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）になっている。そして、中継回路基板７０上に本発明の「発熱部品」としての半導体素子１１が実装されている。
【００４６】
図１３（Ｂ）に示すように、中継回路基板７０は、上記第１実施形態で説明したシールドカン１２によってシールドされている。シールドカン１２の包囲壁１２Ｈは、中継回路基板７０の四方を囲むように配置され、包囲壁１２Ｈの脚部が回路基板２０Ｖに固定されている。
【００４７】
図１４に示すように、回路基板２０Ｖは、上記第１実施形態と同様に、コア基板２１Ｖの表裏の両面に、ビルドアップ絶縁層２５Ｖ、ビルドアップ導体層２６Ｖ及びソルダーレジスト層２９Ｖを積層してなる多層構造になっている。ビルドアップ絶縁層２５Ｖとビルドアップ導体層２６Ｖは交互に積層され、最外のビルドアップ導体層２６Ｖがソルダーレジスト層２９Ｖで覆われている。各層の厚さについては、コア基板２１Ｖが約１００μｍ、ビルドアップ絶縁層２５Ｖの厚さが約５０μｍ、ビルドアップ導体層２６Ｖの厚さが約２０〜２５μｍ、ソルダーレジスト層２９が約１５μｍになっている。
【００４８】
ビルドアップ絶縁層２５Ｖには、導電ビア４０Ａ，４３Ａ，５１Ａ，５４Ａが形成されていて、導電ビア４０Ａによってコア基板２１に最も近い最内のビルドアップ導体層２６とコア導体層２２とが接続されると共に、導電ビア４３Ａ，５１Ａ，５４Ａによって積層方向で隣り合うビルドアップ導体層２６，２６同士が接続されている。
【００４９】
本実施形態の回路基板２０Ｖでは、ビルドアップ絶縁層２５Ｖが金属板１５を内蔵する金属板内蔵絶縁層３０Ｖとなっている。詳細には、金属板１５Ｖの一部が、ビルドアップ絶縁層２５Ｖのうち半導体素子１１の下方に位置する部分からヒートパイプ１３に近い側の縁部までの領域を構成し、金属板１５Ｖの残りの部分が、回路基板２０の側面から突出して外側に露出している。そして、金属板１５Ｖのうち回路基板２０の外側に露出した部分が、例えば、半田付けによって、ヒートパイプ１３と熱的に接続されている。なお、金属板１５Ｖの厚さは、ビルドアップ絶縁層２５Ｖの厚さとほぼ同じであって、約５０μｍとなっている。
【００５０】
金属板内蔵絶縁層３０Ｖは、回路基板２０Ｖの厚さ方向の中心より表側に配置されている。図１４に示す例では、ビルドアップ絶縁層２５Ｖは、コア基板２１の表裏の両側に４つずつ積層され、最外のビルドアップ絶縁層２５Ｖより１つ内側のビルドアップ絶縁層２５Ｖが金属板内蔵絶縁層３０Ｖになっている。また、最外のビルドアップ絶縁層２５Ｖのうち金属板内蔵絶縁層３０Ｖの上に重なる部分には、伝熱ビア５４Ｂが形成されていて、伝熱ビア４０Ｂによって最外のビルドアップ導体層２６と金属板１５とが接続されている。
【００５１】
本実施形態の電子回路装置１０Ｖのその他の構成については、上記第１実施形態と同様になっているので、同一符号を付すことで説明を省略する。次に、電子回路装置１０Ｖの製造方法について説明する。
【００５２】
上記第１実施形態と同様に、電子回路装置１０Ｖの製造方法では、まず、公知の方法により、中継回路基板７０としてのＣＳＰに半導体素子１１が実装されると共に、このＣＳＰが回路基板２０Ｖとしてのマザーボードに半田接続される。そして、シールドカン１２が回路基板２０Ｖに固定されると共に、回路基板２０Ｖから突出する金属板１５がシールドカン１２を貫通してヒートパイプ１３に接続されることにより電子回路装置１０Ｖが得られる。
【００５３】
回路基板２０Ｖは、以下のようにして製造される。
（１）まず、図１５（Ａ）に示すように、まず、コア基板２１Ｖが準備される。コア基板２１Ｖは、エポキシ樹脂又はＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂とガラスクロスなどの補強材からなる絶縁性基材２１Ｋの表裏の両面に、銅箔２１Ｃがラミネートされている。
【００５４】
（２）コア基板２１Ｖに表側と裏側とから、例えば、ＣＯ２レーザが照射されてコア貫通孔３１が穿孔される。次いで、無電解めっき処理が行われ、銅箔２１Ｃ上とコア貫通孔３１の内面とに無電解めっき膜（図示せず）が形成される。そして、図１５（Ｂ）に示すように、銅箔２１Ｃ上の無電解めっき膜上に、所定パターンのめっきレジスト３２が形成される。
【００５５】
（３）電解めっき処理が行われ、電解めっきがコア貫通孔３１内に充填されてスルーホール導体２３が形成される。また、コア基板２１Ｖの表裏両面の無電解めっき膜（図示せず）のうちめっきレジスト３２から露出している部分に電解めっき膜３３，３３が形成される。次いで、めっきレジスト３２が剥離されると共に、めっきレジスト３２の下方の無電解めっき膜（図示せず）及び銅箔２１Ｃが除去され、図１５（Ｃ）に示すように、残された電解めっき膜３２、無電解めっき膜及び銅箔２１Ｃ（図１５（Ｂ）を参照。図１５（Ｃ）では省略して示されている。）により、コア基板２１Ｖの表裏の両面にコア導体層２２Ｖが形成される。
【００５６】
（３）図１５（Ｄ）に示すように、コア基板２１Ｖの表側と裏側の両方からコア導体層２２Ｖ上にビルドアップ絶縁層２５Ｖとしてのプリプレグ（心材を樹脂含浸してなるＢステージの樹脂シート）と銅箔２５Ｃが積層されてから、加熱プレスされる。その際、コア導体層２２Ｖが形成されていない部分がプリプレグにて埋められる。なお、ビルドアップ絶縁層２５Ｖとしてプリプレグの代わりに心材を含まない樹脂フィルムを用いてもよい。その場合は、銅箔を積層することなく、樹脂フィルムの表面に、直接、セミアディティブ法で導体層を形成することができる。
【００５７】
（４）コア基板２１Ｖの表側と裏側から銅箔２５ＣにＣＯ２レーザが照射されて、銅箔２５Ｃ及びビルドアップ絶縁層２５Ｖを貫通する導電ビア形成孔３８Ａが形成される。そして、無電解めっき処理が行われ、銅箔２５Ｃ上と導電ビア形成孔３８Ａの内面とに無電解めっき膜（図示せず）が形成される。次いで、図１６（Ａ）に示すように、銅箔２５Ｃ上の無電解めっき膜上に、所定パターンのめっきレジスト３９が形成される。
【００５８】
（５）電解めっき処理が行われ、電解めっきが導電ビア形成孔３８Ａ内に充填されて導電ビア４０Ａが形成されると共に、銅箔２５Ｃ上の無電解めっき膜（図示せず）のうちめっきレジスト３９から露出している部分に電解めっき膜４１が形成される。次いで、めっきレジスト３９が５％ＮａＯＨで除去されると共に、めっきレジスト３９の下方の無電解めっき膜（図示せず）及び銅箔２５Ｃが除去され、図１６（Ｂ）に示すように、残された電解めっき膜４１、無電解めっき膜及び銅箔２５Ｃ（図１６（Ａ）を参照。図１６（Ｂ）では省略して示されている。）により、ビルドアップ絶縁層２５Ｖ上にビルドアップ導体層２６Ｖが形成される。その際、表側のビルドアップ絶縁層２５Ｖ上には、電解めっき膜４１、無電解めっき膜及び銅箔２５Ｃにより、ストッパー層３７Ｓも形成される。
【００５９】
（６）図１６（Ｃ）に示すように、コア基板２１Ｖの表側（図１６（Ｃ）の上側）からビルドアップ導体層２６Ｖ上に開口部２５Ａを有するビルドアップ絶縁層２５Ｖが積層されると共に、開口部２５Ａに仮接着層３７が充填され、それらビルドアップ絶縁層２５及び仮接着層３７の上に銅箔２５Ｃが積層される。その際、仮接着層３７は、ストッパー層３７Ｓ上に配置される。また、コア基板２１の裏側からビルドアップ導体層２６Ｖ上にビルドアップ絶縁層２５Ｖと銅箔２５Ｃが積層される。
【００６０】
（７）コア基板２１Ｖの表側と裏側から銅箔２５ＣにＣＯ２レーザが照射されて、銅箔２５Ｃ及びビルドアップ絶縁層２５Ｖを貫通する導電ビア形成孔４２Ａが形成される。そして、無電解めっき処理が行われ、銅箔２５Ｃ上と導電ビア形成孔４２Ａの内面とに無電解めっき膜（図示せず）が形成される。次いで、図１７（Ａ）に示すように、銅箔２５Ｃ上の無電解めっき膜上に、所定パターンのめっきレジスト３９が形成される。
【００６１】
（８）電解めっき処理が行われ、電解めっきが導電ビア形成孔４２Ａ内に充填されて導電ビア４３Ａが形成されると共に、銅箔２５Ｃ上の無電解めっき膜（図示せず）のうちめっきレジスト３９から露出している部分に電解めっき膜４５が形成される。次いで、めっきレジスト３９が５％ＮａＯＨで除去されると共に、めっきレジスト３９の下方の無電解めっき膜（図示せず）及び銅箔２５Ｃが除去され、図１７（Ｂ）に示すように、残された電解めっき膜４５、無電解めっき膜及び銅箔２５Ｃ（図１７（Ａ）を参照。図１７（Ｂ）では省略して示されている。）により、ビルドアップ絶縁層２５Ｖ上にビルドアップ導体層２６Ｖが形成される。
【００６２】
（９）図１７（Ｃ）に示すように、コア基板２１Ｖの表側（図１７（Ｃ）の上側）からビルドアップ導体層２６Ｖ上に収容孔３５Ｖを有するビルドアップ絶縁層２５Ｖが積層されると共に、収容孔３５Ｖに金属板１５Ｖが充填されて金属板内蔵絶縁層３０Ｖが形成され、さらに、その金属板内蔵絶縁層３０Ｖの上に銅箔２５Ｃが積層される。また、コア基板２１Ｖの裏側からビルドアップ導体層２６Ｖ上にビルドアップ絶縁層２５Ｖと銅箔２５Ｃが積層される。
【００６３】
（１０）図１６（Ｃ）〜図１７（Ｂ）と同様の処理によって、図１８（Ａ）に示すように、コア基板２１Ｖの表側と裏側からビルドアップ絶縁層２５Ｖ上にビルドアップ導体層２６Ｖが積層される。具体的には、コア基板２１Ｖの表側と裏側から銅箔２５ＣにＣＯ２レーザが照射されて、銅箔２５Ｃ及びビルドアップ絶縁層２５Ｖを貫通する導電ビア形成孔５０Ａが形成される。そして、無電解めっき処理が行われ、銅箔２５Ｃ上と導電ビア形成孔５０Ａの内面とに無電解めっき膜（図示せず）が形成される。次いで、銅箔２５Ｃ上の無電解めっき膜上に所定パターンのめっきレジストが形成される。その後、電解めっき処理によって、導電ビア形成孔５０Ａ内に導電ビア５１Ａが形成されると共に、めっきレジストから露出している部分に電解めっき膜５２が形成され、残された電解めっき膜５２、無電解めっき膜及び銅箔２５Ｃ（図１７（Ｃ）を参照。図１８（Ａ）では省略して示されている。）により、ビルドアップ絶縁層２５Ｖ上にビルドアップ導体層２６Ｖが形成される。
【００６４】
（１１）図１７（Ｂ）と同様の処理によって、図１８（Ｂ）に示すように、コア基板２１の表側からビルドアップ導体層２６Ｖ上に開口部２５Ａを有するビルドアップ絶縁層２５Ｖが積層されると共に、開口部２５Ａに仮接着層３７が充填され、それらビルドアップ絶縁層２５及び仮接着層３７の上に銅箔２５Ｃが積層される。また、コア基板２１の裏側からビルドアップ導体層２６Ｖ上にビルドアップ絶縁層２５Ｖと銅箔２５Ｃが積層される。
【００６５】
（１２）図１９（Ａ）に示すように、コア基板２１Ｖの表側からビルドアップ絶縁層２５Ｖ及び銅箔２５ＣにＣＯ２レーザが照射されて、導電ビア形成孔５３Ａと伝熱ビア形成孔５３Ｂが形成される。また、コア基板２１Ｖの裏側からビルドアップ絶縁層２５Ｖ及び銅箔２５ＣにＣＯ２レーザが照射されて、導電ビア形成孔５３Ａが形成されると共に、仮接着層３７の外縁部に沿ってスリット５３Ｓが形成され、ストッパー層３７Ｓが露出する。次いで、無電解めっき処理が行われ、銅箔２５Ｃ上と、導電ビア形成孔５３Ａ及び伝熱ビア形成孔５３Ｂの内面と、スリット５３Ｓの内面とに無電解めっき膜（図示せず）が形成される。その後、銅箔２５Ｃの無電解めっき膜上に、所定パターンのめっきレジスト３９が形成される。
【００６６】
（１３）電解めっき処理が行われ、電解めっきが導電ビア形成孔５３Ａ及び伝熱ビア形成孔５３Ｂ内に充填されて導電ビア５４Ａ及び伝熱ビア５４Ｂが形成されると共に、スリット５３Ｓ内にスリット内めっき膜５５が形成され、さらには、銅箔２５Ｃ上の無電解めっき膜（図示せず）のうちめっきレジスト３９から露出している部分に電解めっき膜５６が形成される。次いで、めっきレジスト３９が除去されると共に、めっきレジスト３９の下方の無電解めっき膜（図示せず）及び銅箔２５Ｃが除去され、図１９（Ｂ）に示すように、残された電解めっき膜５６、無電解めっき膜及び銅箔２５Ｃにより、ビルドアップ導体層２６Ｖが形成される。
【００６７】
（１４）図２０（Ａ）に示すように、コア基板２１Ｖの表側と裏側とからビルドアップ導体層２６Ｖ上にソルダーレジスト層２９Ｖが積層される。
【００６８】
（１５）図２０（Ｂ）に示すように、ソルダーレジスト層２９Ｖの所定箇所にテーパー状のパッド用孔が形成されて最外のビルドアップ導体層２６Ｖの一部がソルダーレジスト層２９Ｖから露出してパッドになると共に、最外のビルドアップ絶縁層２５Ｖのうち仮接着層３７に重ねられている部分を露出させる取出孔４７Ｖがソルダーレジスト層２９Ｖに形成される。
【００６９】
（１６）マスキング処理及びエッチング処理が行われて、図２１（Ａ）に示すように、ソルダーレジスト層２９Ｖ上に所定パターンのマスクレジスト層４９が形成され、取出孔４７Ｖ内の電解めっき膜５６とスリット５３Ｓ内のスリット内めっき膜５５及びストッパー層３７Ｓとが除去される。
【００７０】
（１７）図２１（Ｂ）に示すように、仮接着層３７と、仮接着層３７上に積層されたビルドアップ絶縁層２５Ｖを取出孔４７から取り出されて、金属板１５Ｖの一部が露出する。
【００７１】
（１８）金属板１５Ｖの露出部分が切断される。以上で回路基板２０Ｖが完成する。
【００７２】
本実施形態の電子回路装置１０Ｖの構造及び製造方法に関する説明は以上である。次に、電子回路装置１０Ｖの作用効果について説明する。
【００７３】
本実施形態の電子回路装置１０Ｖでは、上記第１実施形態と同様に、回路基板２０Ｖの薄型化を図りつつ、金属板１５Ｖを介して半導体素子１１からの熱をヒートパイプ１３へ伝達することができる。
【００７４】
また、本実施形態では、金属板１５Ｖが回路基板２０Ｖの厚さ方向の中心より半導体素子１１に近い側に配置されているので、半導体素子１１から金属板１５Ｖまでの距離を短くして熱伝達効率の向上が図られる。
【００７５】
［他の実施形態］
本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、例えば、以下に説明するような実施形態も本発明の技術的範囲に含まれ、さらに、下記以外にも要旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施することができる。
【００７６】
（１）上記第１実施形態では、金属板１５が回路基板２０の厚さ方向の中心に配置される構成であったが、回路基板２０の厚さ方向の中心より半導体素子１１に近い側に配置される構成であってもよい。なお、本構成は、上記第２実施形態と同様にして、ビルドアップ絶縁層２５の一部を金属板１５で構成することにより実現可能である。
【００７７】
（２）上記第２実施形態及び上記（１）の構成において、回路基板２０，２０Ｖがコア基板２１を有さない、所謂、コアレス基板であってもよい。
【００７８】
（３）上記実施形態では、本発明の「外部冷却部材」として、ヒートパイプ１３を例示したが、ヒートシンクであってもよい。また、「外部冷却部材」の代わりに、本発明の「外部放熱部材」としてのアルミ部材、グラファイト部材等を用いてもよい。
【符号の説明】
【００７９】
１０，１０Ｖ    電子回路装置
１１    半導体素子（発熱部品）
１２    シールドカン（シールド部材）
１３    ヒートパイプ（外部冷却部材）
１５，１５Ｖ    金属板
２０，２０Ｖ    回路基板
６０    支持基板
７０    中継回路基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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