(57)【要約】      （修正有）【課題】プリント配線板とプリント配線板に搭載される電子部品間の接続信頼性を高くしつつ、電子部品を搭載するためのパッドの狭ピッチ化を可能としたプリント配線板を提供する。【解決手段】プリント配線板１０は実装エリアを有する第２回路基板５５Ｆと実装エリアを露出するための開口２６を有する第１回路基板３０で形成されている。そして、実装エリアに形成されている電子部品搭載用のパッド７３ＳＩはビア導体６０ＦＩのボトムで形成されている。【選択図】図１
2016004889.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
実装エリアを有する第３面と前記第３面と反対側の第４面とを有する第２回路基板と、
前記第２回路基板の第３面上に積層されていて、第１面と前記第１面と反対側の第２面を有し、前記実装エリアを露出するための開口を有する第１回路基板と、からなるプリント配線板であって、
前記第１回路基板の第１面と前記第２回路基板の前記第３面が対向し、前記第１回路基板は補強部材を有している。
【請求項２】
請求項１のプリント配線板であって、
前記第２回路基板は、上面と上面と反対側の下面とを有し、前記下面から前記上面に至る第１ビア導体用の開口を有する第１の樹脂絶縁層と前記第１の樹脂絶縁層の前記下面に形成されている第２回路基板内の第１導体層と前記第１ビア導体用の開口に形成されていて前記第２回路基板内の第１導体層に繋がっている第１導体とを有し、前記第３面と前記上面は同じ面であって、
前記開口から露出する前記第１ビア導体のボトムは電子部品を搭載するためのパッドを形成している。
【請求項３】
請求項２のプリント配線板であって、前記第１ビア導体用の開口は前記裏面から前記表面に向かってテーパーしている。
【請求項４】
請求項３のプリント配線板であって、前記開口は前記第２面から第１面に向かってテーパーしている。
【請求項５】
請求項１のプリント配線板であって、前記第１ビア導体のボトムが、前記第３面から凹んでいる。
【請求項６】
請求項５のプリント配線板であって、前記第１ビア導体は前記第１ビア導体用の開口の側壁上に形成されているシード層と前記シード層上の電解めっき膜で形成されていて、前記ボトムは前記電解めっき膜と前記電解めっき膜を囲む前記シード層で形成されている。
【請求項７】
請求項６のプリント配線板であって、前記シード層は前記電解めっき膜から凹んでいる。
【請求項８】
請求項１のプリント配線板であって、さらに、前記第１回路基板と前記第２回路基板との間に前記開口に繋がる凹部を有する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、実装エリアを有する第２回路基板と実装エリアを露出するための開口を有する第１回路基板とからなるプリント配線板に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１は、特許文献１の図２に電子部品内蔵基板を開示している。特許文献１の図２や特許文献１の図２に関わる開示によれば、特許文献１の電子部品内蔵基板は、コアレス基板と樹脂層を有する。そして、樹脂層に半導体チップを収容するための収容部と貫通ビアが形成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−１２３５２４号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１の図２に開示されている電子部品内蔵基板は、コアレス基板と半導体チップを収容するための収容部を有する樹脂層で形成されている。そのため、特許文献１の図２に開示されている電子部品内蔵基板の強度や剛性は低いと考えられる。リフロー等で特許文献１の図２の電子部品内蔵基板が高温になると、反りが大きいと予想される。そのため、ヒートサイクルで特許文献１の図２の電子部品内蔵基板と電子部品間の接続信頼性が劣化すると考えられる。
【０００５】
本発明の目的は、プリント配線板とプリント配線板に搭載される電子部品間の接続信頼性を高くすることである。本発明の別の目的は、電子部品を搭載するためのパッドのピッチを狭くすることである。さらなる別の目的は、電子部品を実装しやすいプリント配線板を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明のプリント配線板は、実装エリアを有する第３面と前記第３面と反対側の第４面とを有する第２回路基板と、前記第２回路基板の第３面上に積層されていて、第１面と前記第１面と反対側の第２面を有し、前記実装エリアを露出するための開口を有する第１回路基板と、からなる。そして、前記第１回路基板の第１面と前記第２回路基板の前記第３面が対向し、前記第１回路基板は補強部材を有している。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】図１（Ａ）は本発明の実施形態に係るプリント配線板の断面図を示し、図１（Ｂ）、図１（Ｃ）、図１（Ｄ）は第１パッドや実装用ビア導体の例を示す。
【図２】実施形態に係るプリント配線板の応用例の断面図。
【図３】実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図４】実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図５】実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図６】図６（Ａ）は実施形態の改変例のプリント配線板の断面図を示し、図６（Ｂ）は貫通孔の模式図を示し、図６（Ｃ）は接点を示す図であり、図６（Ｄ）は凹部を示す図である。
【図７】図７（Ａ）はプリント配線板の平面図であり、図７（Ｂ）はダミーパターンの平面図であり、図７（Ｃ）、図７（Ｄ）は開口を形成するための方法を示す図であり、図７（Ｅ）は実施形態の第２改変例を示す。
【図８】図８（Ａ）は第１回路基板と第１回路基板の開口から露出する実装エリアを示す平面図であり、図８（Ｂ）、図８（Ｃ）、図８（Ｄ）は第１パッドや実装用ビア導体の例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
[実施形態]
図１（Ａ）は実施形態のプリント配線板の断面を示す。図８（Ａ）は、プリント配線板の平面図であり、第１回路基板３０と第１回路基板の開口２６から露出する実装エリアＳＭＦを示している。図８（Ａ）中のＸ１−Ｘ１間の断面が図１（Ａ）に示されている。図２（Ａ）は、実施形態のプリント配線板１０の第１応用例１０００を示す。第１応用例１０００は、第１のパッケージ基板である。
【０００９】
図１（Ａ）に示されるように、実施形態のプリント配線板１０は、第１面Ｆと第１面Ｆと反対側の第２面Ｓとを有する第１回路基板３０と第３面Ｖと第３面Ｖと反対側の第４面Ｗとを有する第２回路基板５５Ｆを有する。第１回路基板は略中央に開口２６を有する。開口２６は第１回路基板を貫通している。第２回路基板５５Ｆの第３面Ｖは実装エリアＳＭＦを有し、実装エリアは第１回路基板の開口２６により露出されている。第１回路基板３０は、第２回路基板５５Ｆ上に積層されている。
【００１０】
図８（Ａ）に示されるように、プリント配線板１０は、第１回路基板の第２面に形成されているパッド（第２パッド）５３Ｓと第２回路基板の実装エリアＳＭＦに形成されているパッド（第１パッド）７３ＳＩを有する。第１パッド７３ＳＩは、ＩＣチップ等の電子部品９０を実装するためのパッドである。複数のパッド７３ＳＩでパッド群Ｃ４が形成される。パッド群Ｃ４は、図８（Ａ）中の点線内に形成されていて、第２回路基板５５Ｆの略中央に形成されている。
第２パッド５３Ｓは、図２（Ｂ）に示されている第２のパッケージ基板１３０を搭載するためのパッドである。第２パッド５３Ｓはプリント配線板１０の外周に形成されている。
【００１１】
図１（Ａ）に示されるように、第１回路基板３０は、第２回路基板５５Ｆの第３面Ｖ上に積層されている。そして、第１回路基板は、第１面Ｆと第１面Ｆと反対側の第２面Ｓとを有する絶縁基板２０ｚと絶縁基板２０ｚの第１面Ｆ上に形成されている第１導体層３４Ｆと絶縁基板２０ｚの第２面上に形成されている第２導体層３４Ｓを有する。第１回路基板の第１面と絶縁基板の第１面は同じ面であり、第１回路基板の第２面と絶縁基板の第２面は同じ面である。第１回路基板３０はさらに第１導体層３４Ｆと第２導体層３４Ｓとを接続しているスルーホール導体３６を有する。スルーホール導体３６は第１回路基板３０を貫通している貫通孔２８に形成されている。貫通孔２８は、第１回路基板３０の第１面Ｆに第１開口２８ＦＯを有する第１開口部２８Ｆと第２面Ｓに第２開口２８ＳＯを有する第２開口部２８Ｓで形成されている。第１開口部は第１面から第２面に向かってテーパーしている。第２開口部は第２面から第１面に向かってテーパーしている。第１開口部と第２開口部は、接続部２８Ｍで繋がっている。貫通孔の形状は、砂時計形状である。図１（Ａ）に示されている第１回路基板３０は例えば、ＵＳ７７８６３９０に開示されている方法で製造される。ＵＳ７７８６３９０の内容は本明細書に取り込まれる。第１回路基板３０の導体層３４Ｆ、３４Ｓは図示しない複数の導体回路やスルーホール導体３６の周りに形成されているスルーホール導体のランドを含む。
【００１２】
絶縁基板２０ｚは補強部材と樹脂で形成されている。絶縁基板２０ｚは、さらに、無機粒子を含んでも良い。補強部材の例はガラス繊維やガラスクロスやアラミド繊維である。無機粒子の例はシリカやアルミナである。
特許文献１の樹脂層は補強部材を含んでいない。それに対し、第１回路基板３０の絶縁基板２０ｚは補強部材を有するので、第１回路基板の強度や剛性が高い。実施形態のプリント配線板の反りは小さい。実施形態によれば、ヒートサイクルで反りが小さい。そのため、第１回路基板のコーナー部２６Ｅと第２回路基板との接点ＣＭに働くストレスが小さい。接点を起点とするクラックが第２回路基板に発生し難い。接点ＣＭやコーナー部２６Ｅは図１（Ａ）や図６（Ｃ）に示されている。
【００１３】
プリント配線板１０は、第１回路基板３０の第２面Ｓと第２導体層３４Ｓ上に上側のソルダーレジスト層５０Ｓを有してもよい。開口２６は第１回路基板３０と上側のソルダーレジスト層５０Ｓを貫通している。上側のソルダーレジスト層５０Ｓに第２パッド５３Ｓを露出する開口５１Ｓが形成される。絶縁基板２０ｚの第２面Ｓと上側のソルダーレジスト層５０Ｓとの間に樹脂絶縁層を形成することができる。その場合、開口２６は第１回路基板３０と上側のソルダーレジスト層５０Ｓと樹脂絶縁層を貫通する。
【００１４】
図１（Ａ）に示されている第２回路基板５５Ｆは、交互に積層されている導体層５８Ｆ、１５８Ｆ、２５８Ｆと樹脂絶縁層５０Ｆ、１５０Ｆ、２５０Ｆとを有する。さらに、第２回路基板５５Ｆは、各樹脂絶縁層を貫通するビア導体６０Ｆ、１６０Ｆ、２６０Ｆを有する。
第２回路基板は第３面Ｖと第３面Ｖと反対側の第４面Ｗとを有する。第２回路基板の第３面Ｖは第１回路基板の第１面Ｆと対向している面である。第１回路基板の第１面Ｆと第２回路基板の第３面Ｖが接している。第２回路基板の第４面Ｗは第１回路基板から最も離れている樹脂絶縁層の下面である。各樹脂絶縁層の上面は第１回路基板に近い面であり、下面は上面と反対側の面である。図１（Ａ）では、第３面Ｖは樹脂絶縁層（第１の樹脂絶縁層）５０Ｆの上面であり、第４面Ｗは樹脂絶縁層（第３の樹脂絶縁層）２５０Ｆの下面である。第２回路基板が１つの樹脂絶縁層５０Ｆのみを有する場合、第３面Ｖは樹脂絶縁層５０Ｆの上面であり、第４面Ｗは樹脂絶縁層５０Ｆの下面である。
第２回路基板の各樹脂絶縁層は樹脂と無機粒子で形成されている。さらに、各樹脂絶縁層５０Ｆ、１５０Ｆ、２５０Ｆはガラスクロス等の補強部材を含んでも良い。各樹脂絶縁層５０Ｆ、１５０Ｆ、２５０Ｆが補強部材を含むことで第２回路基板のクラックが抑制される。各樹脂絶縁層の開口は、下面から上面に向かってテーパーしている。
各樹脂絶縁層はビア導体用の開口７０Ｓ、１７０Ｓ、２７０Ｓを有し、各開口は第４面Ｗ側から第３面Ｖ側に向かってテーパーしている。
各樹脂絶縁層の開口にビア導体６０Ｆ、１６０Ｆ、２６０Ｆが形成されている。各ビア導体の側壁は第４面Ｗ側から第３面Ｖ側に向かってテーパーしている。各樹脂絶縁層の開口に形成されているビア導体の側壁は下面から上面に向かってテーパーしている。ビア導体により隣接する導体層が接続されている。
【００１５】
第１回路基板３０の第１面Ｆと第１導体層３４Ｆ上に第１の樹脂絶縁層５０Ｆが形成されている。第１の樹脂絶縁層５０Ｆ上に導体層（第２回路基板内の第１導体層）５８Ｆが形成されている。第２回路基板は第１の樹脂絶縁層を貫通する第１ビア導体６０Ｆを有する。第１ビア導体６０Ｆは導体層５８Ｆと第１導体層３４Ｆを接続する接続用ビア導体６０ＦＯと電子部品を搭載するための実装用ビア導体６０ＦＩとを有する。実装用ビア導体６０ＦＩのボトムは、第１回路基板の開口２６と樹脂絶縁層５０Ｆの開口７０ＳＩにより露出される。接続用ビア導体６０ＦＯは第１回路基板のスルーホール導体のランド３６Ｌに直接接続しても良い。スルーホール導体のランドはスルーホール導体を覆っていて第１導体層に含まれる導体回路である。
【００１６】
樹脂絶縁層５０Ｆと導体層５８Ｆ上に第２の樹脂絶縁層１５０Ｆが形成されている。第２の樹脂絶縁層１５０Ｆ上に導体層（第２回路基板内の第２導体層）１５８Ｆが形成されている。導体層１５８Ｆと導体層５８Ｆは、樹脂絶縁層１５０Ｆを貫通する第２ビア導体１６０Ｆで接続されている。樹脂絶縁層１５０Ｆと導体層１５８Ｆ上に第３の樹脂絶縁層２５０Ｆが形成されている。樹脂絶縁層２５０Ｆは最下の樹脂絶縁層である。第３の樹脂絶縁層２５０Ｆ上に導体層（第２回路基板内の第３導体層）２５８Ｆが形成されている。導体層２５８Ｆが最下の導体層である。導体層２５８Ｆと導体層１５８Ｆは、樹脂絶縁層２５０Ｆを貫通する第３ビア導体２６０Ｆで接続されている。樹脂絶縁層５０Ｆ、１５０Ｆ、２５０Ｆと導体層５８Ｆ、１５８Ｆ、２５８Ｆとビア導体６０Ｆ、１６０Ｆ、２６０Ｆで第２回路基板５５Ｆが形成されている。
第２回路基板５５Ｆは、樹脂絶縁層５０Ｆと導体層５８Ｆとビア導体６０Ｆで形成されても良い。
【００１７】
図１や図８に示されるように、樹脂絶縁層（第１の樹脂絶縁層）５０Ｆを貫通する実装用ビア導体６０ＦＩのボトムは露出していて、第１パッド（Ｃ４パッド）７３ＳＩとして機能する。第１パッドは第２回路基板の実装エリアに形成されている。
第１回路基板の開口２６により露出される第１パッド７３ＳＩや実装用ビア導体６０ＦＩの例が以下に示される。
第１例が図１（Ｂ）に示されている。図１（Ｂ）では、実装用ビア導体６０ＦＩは第１ビア導体用の開口７０ＳＩの側壁上に形成されているシード層５２とシード層５２上の電解めっき膜５６で形成されている。そして、シード層５２が開口２６から露出していて、シード層５２が実装用ビア導体のボトムである。シード層が第１パッドとして機能する。第１例では、ボトムは、樹脂絶縁層（第１の樹脂絶縁層）５０Ｆの第３面Ｖと同一平面上に位置する。
【００１８】
第２例が図１（Ｃ）に示されている。図１（Ｃ）では、実装用ビア導体はビア導体用の開口７０ＳＩ内に形成されている金属膜７２０と金属膜７２０上のシード層５２とシード層５２上の電解めっき膜５６で形成されている。シード層５２は金属膜７２０とビア導体用の開口７０ＳＩの側壁上に形成されている。そして、金属膜７２０が開口２６から露出していて、金属膜が実装用ビア導体のボトムである。第２例では、ボトムは、樹脂絶縁層（第１の樹脂絶縁層）５０Ｆの第３面Ｖと同一平面上に位置する。金属膜が第１パッドとして機能する。金属膜はパッドの酸化を防止するための膜であり、ＡｕやＳｎやＰｄなどの金属を含む膜で形成されている。
【００１９】
第３例が図１（Ｄ）に示されている。第３例の実装用ビア導体は、第１例の実装用ビア導体と同様に、シード層５２とシード層上の電解めっき膜５６で形成されている。ただし、第３例では、ボトムが樹脂絶縁層（第１の樹脂絶縁層）５０Ｆの第３面Ｖから凹んでいる。第３例では、シード層が第１パッドとして機能する。第２例に示されているボトムは第３例と同様に、第１の樹脂絶縁層５０Ｆの第３面から凹んでいてもよい。
【００２０】
第４例が図８（Ｂ）と図８（Ｃ）に示されている。図８（Ｂ）は断面図である。図８（Ｃ）は平面図であり、第４例の実装用ビア導体のボトム７３ＳＩが図８（Ｃ）に示されている。図８（Ｂ）に示されているように、実装用ビア導体はシード層５２とシード層上の電解めっき膜５６で形成されている。そして、第４例の実装用ビア導体のボトムは第３面から凹んでいる。また、第４例の実装用ビア導体のボトムは電解めっき膜５６と電解めっき膜５６を囲むシード層５２で形成されている。シード層は第１ビア導体用の開口７０ＳＩの側壁に形成されている。そして、電解めっき膜５６はシード層上に形成されている。第４例では、ボトムを形成しているシード層７３ＳＩ２と電解めっき膜７３ＳＩ１が同一平面上に位置している。
【００２１】
第５例が図８（Ｄ）に示されている。第５例の実装用ビア導体はシード層５２とシード層上の電解めっき膜５６で形成されている。第５例の実装用ビア導体のボトムは、電解めっき膜５６と電解めっき膜５６を囲むシード層５２で形成されている。そして、第５例の実装用ビア導体のボトムは第３面から凹んでいる。さらに、第５例の実装用ビア導体のボトムを形成しているシード層５２のボトム７３ＳＩ２は電解めっき膜５６のボトム７３ＳＩ１から凹んでいる。
第１パッド上に電子部品と接続するための半田バンプ７６ＳＩを形成することができる。
第５例によれば、パッドの表面積が大きい。そのため、第１パッドと第１パッド上の半田バンプ７６ＳＩ間の接続信頼性が高い。
ボトムが第１の樹脂絶縁層５０Ｆの第３面から凹むと、第１の樹脂絶縁層５０Ｆがダムとして機能するので、第１パッド上の半田バンプ７６ＳＩ間で絶縁信頼性が高い。電解めっき膜５６の例は電解銅めっき膜であり、シード層の例は無電解銅めっき膜である。
【００２２】
特許文献１の図２等によれば、特許文献１の電子部品を搭載するためのパッドは樹脂絶縁層上に形成されているビア導体のランドで形成されている。ランドは樹脂絶縁層から突出していて、樹脂絶縁層に埋まっていない。特許文献１のパッドを形成しているランドはビア導体を覆っている。さらに、特許文献１のパッドを形成しているランドのサイズはビア導体のサイズより大きい。それに対し、実施形態では、電子部品９０を実装するためのパッド（第１パッド）７３ＳＩは実装用ビア導体６０ＦＩのボトムである。実施形態のプリント配線板の第１パッドは、電子部品を搭載するためのランドを有していない。実施形態によれば、電子部品を実装するためのパッドのサイズを小さくすることが出来る。そのため、パッドのピッチが狭くなる。実施形態によれば、プリント配線板のサイズが小さくなる。プリント配線板の反りが小さくなる。プリント配線板と電子部品間の接続信頼性が高くなる。電子部品を実装しやすいプリント配線板を提供することが出来る。
【００２３】
実施形態のプリント配線板では、第１ビア導体用の開口は樹脂絶縁層の下面から樹脂絶縁層の上面に向かってテーパーしている。そのため、パッドのサイズをさらに小さくすることができる。第１パッドのピッチをさらに小さくすることができる。プリント配線板のサイズが小さくなる。高機能な電子部品をプリント配線板に実装することができる。
【００２４】
図８（Ａ）中に示されるように、第１パッド７３ＳＩの径ｄ１は４０μｍ〜８０μｍで、ピッチｐ１は１１０μｍ〜１７０μｍである。ピッチｐ１は隣接する第１パッド７３ＳＩの中心間の距離である。ピッチｐ１は隣接するパッド７３ＳＩの重心間の距離である。
【００２５】
特許文献１のパッドを形成しているランドは樹脂絶縁層上に形成されている。特許文献１のパッドを形成しているランドは樹脂絶縁層から突出している。それに対し、実施形態の第１パッドは樹脂絶縁層に埋まっている。特許文献１と実施形態に同じ厚みを有する電子部品が実装される。そして、第１回路基板の第１面Ｆから電子部品の上面までの距離Ｄ１（図２（Ａ）参照）が特許文献１と実施形態で比較されると、実施形態の距離Ｄ１は特許文献１の距離Ｄ１より小さい。実施形態によれば、第１回路基板の厚みを薄くすることができる。従って、実施形態のプリント配線板によれば、プリント配線板の厚みＤ２（図２（Ａ）参照）を薄くすることが出来る。
実装エリアを形成している第３面が第１回路基板の第１面から凹んでいると、さらに、距離Ｄ１を小さくすることができる。プリント配線板の厚みＤ２を薄くできる。
【００２６】
第２回路基板の最下の導体層２５８Ｆと最下の樹脂絶縁層２５０Ｆ上に下側のソルダーレジスト層７０Ｆを形成することができる。下側のソルダーレジスト層７０Ｆは、導体層２５８Ｆとビア導体２６０Ｆを露出する開口７１Ｆを有する。開口７１Ｆから露出する導体はパッド７３Ｆとして機能する。パッド７３Ｆは、例えば、マザーボードと接続する。パッド７３Ｆ上に半田バンプ７６Ｆを形成することができる。
【００２７】
図２（Ａ）に示されるように、第１パッド（Ｃ４パッド）７３ＳＩ上に形成されている半田バンプ７６ＳＩを介してＩＣチップ（ロジックチップ）等の電子部品９０がプリント配線板１０に実装される。第１のパッケージ基板１０００が完成する。電子部品９０は第１回路基板の開口２６内に収容されている。
【００２８】
第１回路基板の第２パッド５３Ｓ上の接続体７６ＳＯを介して第１のパッケージ基板１０００に第２のパッケージ基板１３０を搭載することができる。図２（Ｂ）に示されるＰＯＰ基板２０００が完成する。第２のパッケージ基板１３０は上基板１１０と上基板上に実装されているメモリ等の電子部品１９０有する。第１のパッケージ基板１２０と第２のパッケージ基板１３０との間にモールド樹脂１０２が形成されている。上基板１１０上に電子部品１９０を封止するモールド樹脂２０２が形成されている。図２（Ｂ）では、第１のパッケージ基板と第２のパッケージ基板を接続する接続体７６ＳＯは半田バンプである。半田バンプ以外の接続体の例は、めっきポストやピンなどの金属ポストである。めっきポストやピンの形状は円柱である。直円柱が好ましい。
【００２９】
実施形態のプリント配線板では、第１回路基板の第１面上の樹脂量は第１回路基板の第２面上の樹脂量より多い。このようなプリント配線板上に第２のパッケージ基板を搭載することにより、図２（Ｂ）に示されるＰＯＰ基板２０００が製造される。ＰＯＰ基板では、第１回路基板の第１面上の樹脂量と第１回路基板の第２面上の樹脂量との差が小さくなる。その結果、ヒートサイクルでＰＯＰ基板の反りが小さくなる。実施形態によれば、高い信頼性を有するＰＯＰ基板を提供することができる。
【００３０】
図６（Ａ）に実施形態の改変例が示されている。改変例のプリント配線板では、開口２６は第２面Ｓから第１面Ｆに向かってテーパーしている。開口２６から露出する第１回路基板の側壁２６Ｗは第２面Ｓから第１面Ｆに向かってテーパーしている。それに対し、第２回路基板に形成されているビア導体用の開口は第４面側から第３面側にテーパーしている。各樹脂絶縁層に形成されているビア導体用の開口は下面から上面に向かってテーパーしている。第２回路基板に形成されている開口と第１回路基板に形成されている開口が逆向きのテーパーを有する。第２回路基板と第１回路基板で開口の向きが逆なので、反りが相殺される。第１回路基板と第２回路基板で形成されるプリント配線板の反りが小さくなる。
【００３１】
[実施形態のプリント配線板の製造方法]
実施形態のプリント配線板１０の製造方法が図３〜図５に示される。
出発基板が準備される。出発基板は、絶縁基板２０ｚと絶縁基板２０ｚの両面に積層されている銅箔２２Ｆ、２２Ｓで形成されている（図３（Ａ））。絶縁基板は、補強部材と樹脂と無機粒子を含む。補強部材の例は、ガラスクロスやガラス繊維やアラミド繊維である。樹脂の例は、エポキシ樹脂やＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂である。
絶縁基板は第１面Ｆと第１面と反対側の第２面Ｓを有する。絶縁基板の第１面Ｆに積層されている銅箔２２Ｆは第１銅箔であり、絶縁基板の第２面Ｓに積層されている銅箔２２Ｓは第２銅箔である。
【００３２】
出発基板の第１銅箔２２ＦにＣＯ２レーザが照射される。絶縁基板２０ｚの第１面Ｆ側に第１開口部２８Ｆが形成される。更に、第２銅箔２２ＳにＣＯ２レーザが照射される。第１開口部２８Ｆに繋がる第２開口部２８Ｓが第２面Ｓ側に形成される。第１開口部２８Ｆと第２開口部２８Ｓが接合面２８ＣＦで接続される。接合面２８ＣＦは図６（Ｂ）に示されている。第１開口部の側壁と第２開口部の側壁の交点に接続部２８Ｍが形成される。第１開口部の軸線ＬＬ１と第２開口部の軸線ＬＬ２が一致するようにレーザが照射される。スルーホール導体用の貫通孔２８が形成される（図３（Ｂ））。第１開口部は第１面Ｆから第２面Ｓに向かってテーパーしている。第２開口部は第２面Ｓから第１面Ｆに向かってテーパーしている。第１開口部は第１面に第１開口２８ＦＯを有し、第２開口部は第２面に第２開口２８ＳＯを有する。
【００３３】
第１銅箔と第２銅箔、貫通孔２８の側壁上に無電解めっき膜が形成される。その後、無電解めっき膜上に電解めっき膜が形成される。貫通孔内に無電解めっき膜と無電解めっき膜上の電解めっき膜とからなるめっき膜２４が形成される。同時に、絶縁基板の第１面と第２面上にめっき膜２４が形成される。電解めっき膜で貫通孔２８が充填される。めっき膜２４上にエッチングレジストが形成される。エッチングレジストから露出するめっき膜２４と銅箔２２Ｆ、２２Ｓが除去される。エッチングレジストが除去される。絶縁基板の第１面に第１導体層３４Ｆが形成される。絶縁基板の第２面に第２導体層３４Ｓが形成される。第１導体層３４Ｆは開口２６を形成するためのダミーパターン３４ＦＩを含む。貫通孔２８に第１導体層と第２導体層を接続するスルーホール導体３６が形成される。スルーホール導体は貫通孔の接合部２８Ｍに最も細い部分を有する。貫通孔２８を有する絶縁基板と貫通孔２８に形成されているスルーホール導体３６と絶縁基板の第１面上に形成されている第１導体層３４Ｆと絶縁基板の第２面上に形成されている第２導体層３４Ｓとを有する中間基板３００が得られる（図１（Ｃ））。中間基板３００はＵＳ７７８６３９０に開示されている方法で製造される。中間基板は第１面と第２面を有する。中間基板の第１面と絶縁基板の第１面は同じ面であり、中間基板の第２面と絶縁基板の第２面は同じ面である。
【００３４】
図７（Ａ）に中間基板３００の平面図が示されている。図７（Ａ）は、第１導体層側から中間基板を観察することで得られる平面図である。図７（Ａ）に第１導体層と第１導体層から露出する絶縁基板２０ｚの第１面が示されている。絶縁基板の第１面の略中央にダミーパターン３４ＦＩが形成されている。ダミーパターン３４ＦＩに斜線が描かれている。ダミーパターン３４ＦＩは絶縁基板２０ｚの第１面の所定の領域を覆っている。ダミーパターン３４ＦＩは、所謂、ベタパターンである。ダミーパターンの周りにスルーホール導体３６のランド３６Ｌが示されている。ランド３６Ｌに２種類の斜線が描かれている。図７（Ｂ）に、開口２６とダミーパターン３４ＦＩの位置関係や両者のサイズが示されている。ダミーパターン３４ＦＩの外周は実線で示されていて、開口２６の外周は点線で示されている。点線は、ダミーパターン上に形成される開口２６の外周を示している。図７（Ｂ）に示されるように、ダミーパターン３４ＦＩの大きさは開口２６の大きさより大きい。また、ダミーパターン３４ＦＩの外周は開口２６の外周より外側に位置している。
【００３５】
中間基板３００の第１面Ｆに第１の樹脂絶縁層５０Ｆが加熱プレスにより形成される。中間基板の第２面Ｓに樹脂絶縁層（上側のソルダーレジスト層）５０Ｓが形成される（図３（Ｄ））。第１の樹脂絶縁層５０Ｆと上側のソルダーレジスト層５０Ｓは熱硬化タイプである。樹脂絶縁層５０Ｆ、５０Ｓはエポキシ等の樹脂とシリカ等の無機粒子を含む。樹脂絶縁層５０Ｆ、５０Ｓは、さらに、ガラスクロス等の補強部材を有しても良い。
【００３６】
樹脂絶縁層５０ＳにＰＥＴフィルム８０が貼られる（図３（Ｅ））。
【００３７】
次に、樹脂絶縁層５０Ｆに、第１導体層に至る第１ビア導体用の開口７０Ｓ（７０ＳＩ、７０ＳＯ）が形成される（図４（Ａ））。ビア導体用の開口７０Ｓはダミーパターン３４ＦＩに至る開口７０ＳＩとダミーパターン以外の第１導体層に至る開口７０ＳＯを有する。開口７０ＳＩは、実装用ビア導体を形成するための開口である。開口７０ＳＯは接続用ビア導体を形成するための開口である。開口７０ＳＯは、例えば、スルーホール導体のランド３６Ｌに至る。スルーホール導体のランドはスルーホール導体の直上に形成されている導体とスルーホール導体の周りに形成されている導体で形成される。セミアディティブ法で樹脂絶縁層５０Ｆ上に導体層５８Ｆが形成される。同時に、開口７０Ｓにビア導体６０Ｆが形成される（図４（Ｂ））。開口７０ＳＯにスルーホール導体に繋がる第１ビア導体（接続用ビア導体）６０ＦＯが形成される。開口７０ＳＩにＣ４パッドを形成する第１ビア導体（実装用ビア導体）６０ＦＩが形成される。第１ビア導体６０Ｆはボトムを有する。接続用ビア導体のボトムはスルーホール導体のランドに接している。
実装用ビア導体のボトムはダミーパターン上に形成される。実装用ビア導体のボトムはダミーパターンに接している。
【００３８】
開口７０ＳＩから露出するダミーパターン上に金属膜を形成することができる。金属膜がＣ４パッドとして機能する。金属膜は銅以外の金属で形成されていて、金属膜はＣ４パッド（第１パッド）の酸化を防止する。金属膜の例は金、パラジウム、錫である。金属膜とＣ４パッド間にニッケルを形成することができる。
【００３９】
樹脂絶縁層５０Ｆと導体層５８Ｆ上に第２の樹脂絶縁層１５０Ｆが加熱プレスで形成される。第２の樹脂絶縁層１５０Ｆに第２ビア導体用の開口１７０Ｓが形成される。第２の樹脂絶縁層１５０Ｆは熱硬化タイプである。
第２の樹脂絶縁層１５０Ｆ上に導体層１５８Ｆが形成される。同時に、第２ビア導体用の開口に第２ビア導体１６０Ｆが形成される。導体層１５８Ｆやビア導体１６０Ｆはセミアディティブ法で形成される。
【００４０】
前の段落に示されている方法と同様な方法で第３の樹脂絶縁層２５０Ｆと導体層２５８Ｆと第３ビア導体２６０Ｆが形成される。
第３の樹脂絶縁層２５０Ｆは熱硬化タイプである。第２回路基板に含まれる樹脂絶縁層５０Ｆ、１５０Ｆ、２５０Ｆは熱硬化タイプである。
【００４１】
第３の樹脂絶縁層２５０Ｆと導体層２５８Ｆ上に下側のソルダーレジスト層７０Ｆが形成される（図４（Ｃ））。下側のソルダーレジスト層７０Ｆは光硬化タイプである。下側のソルダーレジスト層７０Ｆは樹脂と無機粒子を含む。下側のソルダーレジスト層７０Ｆはガラスクロス等の補強部材を含まない。
【００４２】
上側のソルダーレジスト層５０Ｓは熱硬化タイプであって、下側のソルダーレジスト層７０Ｆは光硬化タイプである。上側のソルダーレジスト層５０Ｓは補強部材を含み、下側のソルダーレジスト層７０Ｆは補強部材を含まない。第１回路基板の第１面上の樹脂量と第１回路基板の第２面上の樹脂量が異なっても、アンバランスが緩和される。プリント配線板の反りが低減する。
【００４３】
フィルム８０が除去される（図４（Ｄ））。開口２６形成後、フィルム８０を除去することができる。その場合、フィルムと上側のソルダーレジスト層を介して、第１回路基板にレーザが照射される。
【００４４】
図７（Ｃ）、（Ｄ）は平面図であって、ダミーパターン上に絶縁基板の第２面が等倍で投影されている。
図７（Ｄ）に開口２６の形成方法の例が示される。上側のソルダーレジスト層を介して絶縁基板の第２面にレーザが照射される。最初に図７（Ｄ）中のスタート位置にレーザが照射される。レーザは絶縁基板を貫通しダミーパターンに至る。その後、図７（Ｄ）に示される矢印に沿って、隣接する貫通孔が重なるように、レーザの照射位置は順に移動する。ダミーパターン上の絶縁基板が除去される。ダミーパターンを露出する開口２６が形成される（図５（Ａ））。図７（Ｄ）の方法では、複数の貫通孔で開口２６が形成される。重なる部分を多くすることで開口２６の外周は略真っ直ぐになる。開口２６から露出するダミーパターンがエッチングで除去される。開口２６によりＣ４パッドを形成する第１ビア導体６０ＦＩのボトムが露出される（図５（Ｂ））。
【００４５】
実施形態では、ダミーパターンのサイズが開口２６のサイズより大きい。そして、第１回路基板と第２回路基板との間のダミーパターンが除去される。そのため、図５（Ｂ）に示されるように、実装エリアは第１回路基板の第１面から凹む。また、第１回路基板と第２回路基板との間に空間（凹部）５５Ｆｆが形成される。
【００４６】
図７（Ｃ）に開口の形成方法の別例が示される。図７（Ｃ）では、レーザでダミーパターンに至る枠状の開口が形成される。枠状の開口内にエッチング液が入れられる。ダミーパターンが溶解する。この時、絶縁基板と第２回路基板で挟まれるダミーパターンが溶解する。これにより、枠状の開口内の絶縁基板が第２回路基板から剥がれる。枠状の開口内の絶縁基板を第２回路基板から除去することができる。Ｃ４パッドを形成する第１ビア導体６０ＦＩのボトムを露出する開口２６が形成される（図５（Ｂ））。
【００４７】
樹脂絶縁層５０Ｓ上に積層されているＰＥＴなどのフィルムにレーザを照射することで、フィルム８０と樹脂絶縁層５０Ｓと第１回路基板を貫通する開口２６を形成することができる。開口２６形成後、フィルム８０は除去される。
【００４８】
開口２６はルータで形成されてもよい。
【００４９】
開口２６が図７（Ｄ）に示される方法で形成される場合、銅で形成されているダミーパターンがエッチングで除去される。例えば、実装用ビア導体のボトムが金属膜で形成されていると、ダミーパターンがエッチングで除去される時、実装用ビア導体のボトムの溶解が抑制される。
【００５０】
レーザにより、上側のソルダーレジスト層５０Ｓに、パッド５３Ｓを露出する開口５１Ｓが形成される。
下側のソルダーレジスト層７０Ｆに、パッド７３Ｆを露出する開口７１Ｆが露光処理と現像処理により形成される。
【００５１】
パッド７３Ｆ、５３ＳとＣ４パッド７３ＳＩ上に保護膜７２が形成される（図５（Ｃ））。保護膜は、パッドの酸化を防止するための膜である。保護膜は、例えば、Ｎｉ／Ａｕ、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ、Ｐｄ／ＡｕやOＳP（Organic Ｓolderability Preservative）膜で形成される。Ｃ４パッド上の保護膜は描かれない。
【００５２】
各パッド７３Ｆ、７３ＳＩ、５３Ｓ上に半田バンプ７６Ｆ、７６ＳＩ、７６ＳＯを形成することができる。
【００５３】
各樹脂絶縁層は上面と上面と反対側の下面を有する。各樹脂絶縁層の上面は第１回路基板に近い面であり、各樹脂絶縁層の下面は下側のソルダーレジスト層に近い面である。各樹脂絶縁層に形成されているビア導体用の開口は下面から上面に向かってテーパーしている。ビア導体用の開口に形成されているビア導体の側壁も下面から上面に向かってテーパーしている。上面に形成されているビア導体がビア導体のボトムである。
【００５４】
各導体層５８Ｆ、１５８Ｆ、２５８Ｆやビア導体６０Ｆ、１６０Ｆ、２６０Ｆは、無電解銅めっき膜５２と無電解銅めっき膜上の電解銅めっき膜５６で形成されている。
【００５５】
Ｃ４パッド７３ＳＩ上の半田バンプ７６ＳＩを介してプリント配線板上にＩＣチップが実装される。第１のパッケージ基板（第１応用例）が完成する（図２（Ａ））。ＩＣチップは開口内に収容されている。ＩＣチップは開口２６から外にでていない。半田バンプ７６ＳＯを介して第２のパッケージ基板１３０が第１のパッケージ基板１２０に搭載される（図２（Ｂ））。ＰＯＰ基板（第２応用例）２０００が完成する。
【００５６】
図５（Ａ）でダミーパターンの外周と開口２６の外周が一致すると凹部５５Ｆｆを有していないプリント配線板が得られる（図７（Ｅ））。図７（Ｅ）に示されるプリント配線板は第２改変例である。図７（Ｅ）では、側壁５５ｆｗと第１回路基板の側壁２６Ｗがほぼ直線上に位置する。第１回路基板と第２回路基板の接点ＣＭと接点ＣＭに近い第１回路基板と第２回路基板が図６（Ｃ）に示されている。
【００５７】
開口７０ＳＩから露出するダミーパターン３４ＦＩ上に第１金属層が形成され、第１金属層上に実装用ビア導体６０ＦＩが形成される。第１金属層の材質と実装用ビア導体の材質が異なると、第１金属層を選択的に除去することができる。実装用ビア導体６０ＦＩのボトムが樹脂絶縁層５０Ｆの第３面から凹む。第１金属層とシード層５２間に金属膜を形成することができる。その場合、金属膜が露出する。金属膜は樹脂絶縁層の第３面から凹む。金属膜はパッドの酸化を抑制する。金属膜の例はＡｕやＳｎやＰｄである。
【００５８】
実装用ビア導体のボトムが第３面から凹むと、図２（Ａ）に示されているＤ１の距離が小さくなる。図２（Ａ）に示されているプリント配線板の厚みＤ２を薄くすることができる。
【００５９】
開口７０Ｓ１から露出するダミーパターン上にシード層５２と電解めっき５６で形成される実装用ビア導体が形成される。ダミーパターンとシード層間に金属膜を形成することができる。ダミーパターンのみを除去することで、実装用ビア導体６０ＦＩのボトムが露出する。シード層で形成される実装用ビア導体のボトムと樹脂絶縁層５０Ｆの第３面は同じ平面上に位置する。金属膜で形成される実装用ビア導体のボトムと樹脂絶縁層５０Ｆの第３面が同一平面上に位置する。
図１（Ｂ）に示されているシード層（ボトムを形成しているシード層）を除去することで、実装用ビア導体を形成している電解めっき膜が実装用ビア導体のボトムを形成する。実装用ビア導体のボトムは樹脂絶縁層５０Ｆの第３面から凹む。シード層のエッチングスピードが電解めっき膜のエッチングスピードより速いと、電解めっき膜を囲むシード層は電解めっき膜より凹む。例えば、シード層が無電解銅めっき膜で形成され、電解めっき膜が電解銅めっき膜で形成されると、シード層は電解めっき膜から凹み易い。
【符号の説明】
【００６０】
１０  プリント配線板
２０ｚ  絶縁基板
２６  開口
２６Ｗ  側壁
２８  貫通孔
３０  第１回路基板
３６  スルーホール導体
５０Ｆ  樹脂絶縁層
５５Ｆ  第２回路基板
５５Ｆｆ  凹部
５５ｆｗ  側壁
５８Ｆ  導体層
６０ＦＯ  接続用ビア導体
６０ＦＩ  実装用ビア導体
７３ＳＩ  第１パッド
９０  電子部品
【図１】
2016004889.tif 000003
【図２】
2016004889.tif 000004
【図３】
2016004889.tif 000005
【図４】
2016004889.tif 000006
【図５】
2016004889.tif 000007
【図６】
2016004889.tif 000008
【図７】
2016004889.tif 000009
【図８】
2016004889.tif 000010