(57)【要約】【課題】表示品質を向上させることができる位相差板、電気光学装置、及び電子機器を提供する。【解決手段】基板５１と、基板５１の上に設けられた蒸着膜５２と、蒸着膜５２の上に設けられた第１保護膜５３と、第１保護膜５３及び蒸着膜５２を貫通し基板５１に達する溝５４ａの中に充填された第２保護膜５４と、を備え、溝５４ａは、基板５１の辺に沿って設けられている。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の上に設けられた蒸着膜と、
前記蒸着膜の上に設けられた第１保護膜と、
前記第１保護膜及び前記蒸着膜を貫通し前記基板に達する溝の中に充填された第２保護膜と、を備え、
前記溝は、前記基板の辺に沿って設けられていることを特徴とする位相差板。
【請求項２】
請求項１に記載の位相差板であって、
前記第２保護膜は、タングステンを含む材料で構成されていることを特徴とする位相差板。
【請求項３】
請求項１に記載の位相差板であって、
前記第２保護膜は、前記第１保護膜と同じ材料を含んで構成されていることを特徴とする位相差板。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の位相差板と、電気光学パネルと、を備えることを特徴とする電気光学装置。
【請求項５】
請求項４に記載の電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、位相差板、電気光学装置、及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
上記電気光学装置として、例えば、画素電極をスイッチング制御するトランジスターを画素ごとに備えたアクティブ駆動方式の液晶装置が知られている。この液晶装置は、例えば、電子機器としての液晶プロジェクターの液晶ライトバルブとして用いられる。
【０００３】
液晶ライトバルブのコントラストを向上させる技術として、Ｏプレート（Ｏ補償板）などの位相差板を用いて、液晶分子からなる液晶層の光学的な位相差値を補償して、コントラストを高めることが行われている。
【０００４】
位相差板は、斜方蒸着法を用いて得られた蒸着膜を有して構成されている。このような位相差板を用いた場合、蒸着膜が水分を吸収することに起因して位相差板の光学特性（例えば、位相差値など）が変わってしまうことがある。その結果、黒色が浮くなどコントラストが低下するという問題がある。
【０００５】
そこで、例えば、特許文献１には、蒸着膜の上面に保護膜を形成して蒸着膜が水分を吸収しないようにする方法が開示されている。保護膜としては、例えば、二酸化シリコン（ＳｉＯ2）などが挙げられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０００−４７０３３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、保護膜が形成されていない蒸着膜の側面から水分が侵入し、蒸着膜が水分を吸収してしまうという問題がある。これにより、光学特性が変わってしまい、その結果、コントラストが低下するという課題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の態様は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。
【０００９】
［適用例１］本適用例に係る位相差板は、基板と、前記基板の上に設けられた蒸着膜と、前記蒸着膜の上に設けられた第１保護膜と、前記第１保護膜及び前記蒸着膜を貫通し前記基板に達する溝の中に充填された第２保護膜と、を備え、前記溝は、前記基板の辺に沿って設けられていることを特徴とする。
【００１０】
本適用例によれば、蒸着膜の上に設けられた第１保護膜に加えて、基板の辺に沿って蒸着膜を貫通する溝の中に第２保護膜が設けられているので、基板における光が通過する領域（基板の辺より内側の領域）にある蒸着膜の表面及び側面を保護膜（第１保護膜及び第２保護膜）で覆うことができる。よって、蒸着膜に水分が侵入する（蒸着膜が水分を吸着する）ことを抑えることが可能となり、光学特性（位相差値）が変動することを抑えることができる。その結果、コントラストなど表示品質を向上させることができる。
【００１１】
［適用例２］上記適用例に係る位相差板において、前記第２保護膜は、タングステンを含む材料で構成されていることが好ましい。
【００１２】
本適用例によれば、第２保護膜としてタングステンを用いるので、融点が高く（例えば、３０００℃程度）、安定した特性を得ることができる。
【００１３】
［適用例３］上記適用例に係る位相差板において、前記第２保護膜は、前記第１保護膜と同じ材料を含んで構成されていることが好ましい。
【００１４】
本適用例によれば、第１保護膜と第２保護膜とを形成する際、共通の材料を用いることにより、用いる材料を少なくすることが可能となり、効率よく製造することができる。
【００１５】
［適用例４］本適用例に係る電気光学装置は、上記のいずれか一項に記載の位相差板と、電気光学パネルと、を備えることを特徴とする。
【００１６】
本適用例によれば、電気光学パネルに発生する光学的な位相差を、位相差板によって補償することが可能となり、高いコントラストが得られる電気光学装置を提供することができる。
【００１７】
［適用例５］本適用例に係る電子機器は、上記に記載の電気光学装置を備えることを特徴とする。
【００１８】
本適用例によれば、表示品質を向上させることができる電子機器を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】液晶装置を構成する液晶パネルの構成を示す模式平面図。
【図２】図１に示す液晶パネルのＨ−Ｈ’線に沿う模式断面図。
【図３】液晶パネルの電気的な構成を示す等価回路図。
【図４】液晶装置の構成を示す模式断面図。
【図５】液晶装置を構成する位相差板の構成を示す概略図。
【図６】大型基板に複数の位相差板を形成した場合の構成を示す概略図。
【図７】位相差板の製造方法を工程順に示すフローチャート。
【図８】位相差板の製造方法のうち一部の製造方法を示す概略断面図。
【図９】電子機器としてのプロジェクターの構成を示す模式図。
【図１０】プロジェクターの液晶ライトバルブ周辺の構成を示す斜視図。
【図１１】液晶ライトバルブを保持する三角柱ユニットの構造を示す断面図。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している。
【００２１】
なお、以下の形態において、例えば「基板上に」と記載された場合、基板の上に接するように配置される場合、又は基板の上に他の構成物を介して配置される場合、又は基板の上に一部が接するように配置され、一部が他の構成物を介して配置される場合を表すものとする。
【００２２】
本実施形態では、薄膜トランジスター（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）を画素のスイッチング素子として備えたアクティブマトリックス型の液晶装置を例に挙げて説明する。この液晶装置は、例えば、後述する投射型表示装置（液晶プロジェクター）の光変調素子（液晶ライトバルブ）として好適に用いることができるものである。
【００２３】
＜電気光学装置としての液晶装置を構成する液晶パネルの構成＞
図１は、液晶装置を構成する液晶パネルの構成を示す模式平面図である。図２は、図１に示す液晶パネルのＨ−Ｈ’線に沿う模式断面図である。図３は、液晶パネルの電気的な構成を示す等価回路図である。以下、液晶パネルの構成を、図１〜図３を参照しながら説明する。
【００２４】
図１及び図２に示すように、本実施形態の電気光学パネルとしての液晶パネル１００ａは、対向配置された素子基板１０および対向基板２０と、これら一対の基板によって挟持された液晶層１５とを有する。素子基板１０を構成する第１基板１１、および対向基板２０を構成する第２基板１２は、例えば、ガラス基板、石英基板などの透明基板が用いられている。なお、第１基板１１は、シリコン基板を用いるようにしてもよい。
【００２５】
素子基板１０は対向基板２０よりも大きく、両基板は、対向基板２０の外周に沿って配置されたシール材１４を介して接合され、その隙間に負の誘電異方性を有する液晶が封入されて液晶層１５を構成している。シール材１４は、例えば、熱硬化性又は紫外線硬化性のエポキシ樹脂などの接着剤が採用されている。シール材１４には、一対の基板の間隔を一定に保持するためのギャップ材が混入されている。
【００２６】
シール材１４の内側に、複数の画素Ｐが配列された表示領域Ｅを有している。シール材１４と表示領域Ｅとの間に表示領域Ｅを囲むように遮光性の例えば金属あるいは金属酸化物などからなる遮光層１８（見切り部）が配置されている。なお、表示領域Ｅは、表示に寄与する複数の画素Ｐを囲むように配置された複数のダミー画素を含んでいてもよい。
【００２７】
第１基板１１の１辺部と、１辺部に沿ったシール材１４との間にデータ線駆動回路２２が設けられている。また、該１辺部に対向する他の１辺部に沿ったシール材１４の内側に検査回路（図示せず）が設けられている。さらに、該１辺部と直交し互いに対向する他の２辺部には、２つの走査線駆動回路２４が設けられている。該１辺部と対向する他の１辺部には、２つの走査線駆動回路２４を繋ぐ複数の配線２９が設けられている。
【００２８】
これらデータ線駆動回路２２及び走査線駆動回路２４に繋がる配線は、該１辺部に沿って配列した複数の外部接続端子６１に接続されている。以降、該１辺部に沿った方向をＸ方向とし、該１辺部と直交し互いに対向する他の２辺部に沿った方向をＹ方向として説明する。
【００２９】
図２に示すように、第１基板１１の液晶層１５側の表面には、画素Ｐごとに設けられた光反射性を有する画素電極２７およびスイッチング素子としての薄膜トランジスター３０（以降、「ＴＦＴ３０」と称する。）と、信号配線と、これらを覆う第１配向膜２８とが形成されている。
【００３０】
画素電極２７は、光反射性の例えばＡｌ（アルミニウム）やＡｇ（銀）またはこれらの金属の合金や酸化物などの化合物を用いて形成することができる。また、ＴＦＴ３０における半導体層に光が入射してスイッチング動作が不安定になることを防ぐ遮光構造が採用されている。このように素子基板１０は、少なくともＴＦＴ３０と画素電極２７と第１配向膜２８とを有している。
【００３１】
第２基板１２の液晶層１５側の表面には、遮光層１８と、これを覆うように成膜された絶縁層１３と、絶縁層１３を覆うように設けられた共通電極３１と、共通電極３１を覆う第２配向膜３２とが設けられている。
【００３２】
共通電極３１は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明導電膜からなり、絶縁層などを覆うと共に、図１に示すように対向基板２０の四隅に設けられた上下導通部２６により素子基板１０側の配線に電気的に接続している。
【００３３】
画素電極２７を覆う第１配向膜２８および共通電極３１を覆う第２配向膜３２は、無機配向膜であって、液晶パネル１００ａの光学設計に基づいて選定される。例えば、ＳｉＯｘ（酸化シリコン）などの無機材料を気相成長法を用いて成膜して、液晶分子に対して略垂直配向させたものが挙げられる。このように対向基板２０は、少なくとも共通電極３１と第２配向膜３２とを有している。
【００３４】
このような液晶パネル１００ａは反射型であって、画素Ｐが非駆動時に暗表示となるノーマリーブラックモードや、非駆動時に明表示となるノーマリーホワイトモードの光学設計が採用される。光学設計に応じて、光の入射側（射出側）に偏光板が配置されて用いられる。
【００３５】
図３に示すように、液晶パネル１００ａは、少なくとも表示領域Ｅにおいて互いに絶縁されて直交する複数の走査線３ａおよび複数のデータ線６ａと、走査線３ａと並行して延在する容量線３ｂとを有する。走査線３ａが延在する方向がＸ方向であり、データ線６ａが延在する方向がＹ方向である。なお、容量線３ｂはデータ線６ａと並行して延在するように配置することもできる。
【００３６】
走査線３ａとデータ線６ａならびに容量線３ｂと、これらの信号線類により区分された領域に、画素電極２７と、ＴＦＴ３０と、容量素子１６とが設けられ、これらが画素Ｐの画素回路を構成している。
【００３７】
走査線３ａはＴＦＴ３０のゲートに電気的に接続され、データ線６ａはＴＦＴ３０のデータ線側ソース／ドレイン領域に電気的に接続されている。画素電極２７は、ＴＦＴ３０の画素電極側ソース／ドレイン領域に電気的に接続されている。
【００３８】
データ線６ａは、データ線駆動回路２２（図１参照）に接続されており、データ線駆動回路２２から供給される画像信号Ｄ１，Ｄ２，…，Ｄｎを画素Ｐに供給する。走査線３ａは、走査線駆動回路２４（図１参照）に接続されており、走査線駆動回路２４から供給される走査信号ＳＣ１，ＳＣ２，…，ＳＣｍを各画素Ｐに供給する。
【００３９】
データ線駆動回路２２からデータ線６ａに供給される画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、この順に線順次で供給してもよく、互いに隣り合う複数のデータ線６ａ同士に対してグループごとに供給してもよい。走査線駆動回路２４は、走査線３ａに対して、走査信号ＳＣ１〜ＳＣｍを所定のタイミングでパルス的に線順次で供給する。
【００４０】
液晶パネル１００ａは、スイッチング素子であるＴＦＴ３０が走査信号ＳＣ１〜ＳＣｍの入力により一定期間だけオン状態とされることで、データ線６ａから供給される画像信号Ｄ１〜Ｄｎが所定のタイミングで画素電極２７に書き込まれる構成となっている。そして、画素電極２７を介して液晶層１５に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、画素電極２７と液晶層１５を介して対向配置された共通電極３１との間で一定期間保持される。
【００４１】
保持された画像信号Ｄ１〜Ｄｎがリークするのを防止するため、画素電極２７と共通電極３１との間に形成される液晶容量と並列に容量素子１６が接続されている。容量素子１６は、ＴＦＴ３０の画素電極側ソース／ドレイン領域と容量線３ｂとの間に設けられている。
【００４２】
＜液晶装置の構成＞
図４は、液晶装置の構成を示す概略断面図である。図５（ａ）は、位相差板の構成を示す概略平面図である。図５（ｂ）は、位相差板の構成を示す概略断面図である。図６（ａ）は、大型基板に複数の位相差板を形成した場合の構成を示す概略平面図である。図６（ｂ）は、図６（ａ）に示す大型基板のＡ−Ａ’線に沿う拡大断面図である。以下、液晶装置、位相差板、及び大型基板の構成について、図４〜図６を参照しながら説明する。
【００４３】
図４に示すように、液晶装置１００は、液晶パネル１００ａと、液晶パネル１００ａの光の射出側に配置された位相差板５０と、を有している。位相差板５０は、液晶分子の配向状態に起因する液晶層１５の厚み方向における光学的な位相差を補償する目的で配置されている。
【００４４】
画素電極２７と共通電極３１（共に図２参照）との間に駆動電圧を印加して液晶層１５を駆動すると、液晶分子がプレチルトの方位角方向に倒れることにより、高いコントラストが得られる光学的な配置となっている。
【００４５】
＜位相差板の構成＞
図５に示すように、位相差板５０は、例えば、Ｏプレート（Ｏ補償板）であり、二軸の屈折率異方性を有する複屈折体である。
【００４６】
位相差板５０は、基板５１と、基板５１上に形成された蒸着膜５２と、蒸着膜５２上に形成された第１保護膜５３と、を備えている。更に、位相差板５０は、基板５１の辺に沿うと共に、第１保護膜５３及び蒸着膜５２を貫通して基板５１に達する溝５４ａの中に形成されたリング状の第２保護膜５４（ガードリング）が形成されている。
【００４７】
基板５１としては、例えば、石英基板である。蒸着膜５２は、例えば、屈折率異方性媒質などからなる無機材料が斜方蒸着されて形成された膜である。具体的には、蒸着膜５２は、無機材料が斜め方向に沿って成長したカラム（柱状構造体）を有する。
【００４８】
言い換えれば、蒸着膜５２は、屈折率異方性媒質を斜方蒸着して得られたカラムの集合体であり、光学軸が基板５１の厚さ方向に沿った負の二軸性の屈折率異方性を有する。このような構造からなる位相差板５０は、その微細構造に起因して位相差を生じさせる。蒸着膜５２の膜厚は、例えば、数百Å〜１００００Å程度である。
【００４９】
蒸着膜５２の上面を覆う第１保護膜５３としては、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮ）が用いられる。第１保護膜５３の製造方法としては、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法などを用いることができる。この第１保護膜５３には、水分に対しブロッキング効果があり、蒸着膜に対してのカバレッジ、密着性に優れ、屈折率がｎ＝２．０以下で、内部応力少なく蒸着膜にダメージを与えない膜である事、および後述の第２保護膜の製膜工程に耐えられる事が求められる。そのような膜として、たとえば窒化シリコンの他に二酸化シリコン（ＳｉＯ2）、酸化窒化シリコン（ＳｉＯＮ）が挙げられる。
【００５０】
蒸着膜５２ａの側面５２ａ１（光の透過領域を囲む側面５２ａ１）を囲む第２保護膜５４としては、例えば、金属膜として安定した特性を有するタングステン（Ｗ）が用いられる。タングステンは、融点が３０００℃程度と高く安定しているが、ストレスが高い。言い換えれば、酸化シリコン（ＳｉＯ2）のような基板５１上には成膜しにくいという特性もある。
【００５１】
よって、タングステンの下地に窒化チタン（ＴｉＮ）を形成する。これにより、タングステンを基板５１に密着させることができる。つまり、第２保護膜５４は、窒化チタンとタングステンとの積層構造になっている。
【００５２】
なお、溝５４ａの深さは、蒸着膜５２が貫通していればよく、基板５１に若干の溝が形成できる程度が好ましい。溝５４ａの幅としては、例えば、０．５μｍ〜５μｍ程度である。溝５４ａの幅が広すぎると、溝５４ａの中に金属膜（窒化チタン、タングステン）が充填されなくなる恐れがある。
【００５３】
また、基板５１の端部（第１保護膜５３の端部）から溝５４ａまでの寸法は、基板５１上に溝５４ａが形成できればよく、製造工程における加工精度のばらつき分（例えば、フォトリソグラフィ技術における合わせずれ、ブレイクの位置精度など）を考慮できる寸法であればよい。つまり、光を透過する際に、邪魔な位置に溝５４ａがないように、できるだけ外側であることが好ましい。
【００５４】
このように、位相差板５０に第１保護膜５３及び第２保護膜５４を備えることにより、光が透過する領域において、蒸着膜５２ａが大気に晒されることを防ぐことができる。これにより、蒸着膜５２が水分を吸収することを抑えることが可能となり、光学特性が変動することを抑えることができる。
【００５５】
図６は、大型基板５０ａに複数の位相差板５０を形成した場合の構成を示す概略図である。図６に示すように、大型基板５０ａは、上記したように、基板５１上に蒸着膜５２が形成されており、蒸着膜５２の上に第１保護膜５３が形成されている。
【００５６】
大型基板５０ａは、外周の辺の内側に、辺に沿うようにリング状の第３保護膜５５（ガードリング）が形成されている。第３保護膜５５は、図６（ｂ）に示すように、外周の辺に沿うと共に、第１保護膜５３及び蒸着膜５２を貫通して基板５１に達する溝５５ａの中に形成されている。溝５５ａは、リング状であり繋がっている。
【００５７】
また、それぞれの位相差板５０の外周には、図５に示す位相差板５０と同様に、リング状の第２保護膜５４が形成されている。それぞれの位相差板５０は、大型基板５０ａを切断することにより形成することができる。
【００５８】
大型基板５０ａに形成された第３保護膜５５は、位相差板５０を製造する際、水を使用するような工程であっても、大型基板５０ａに形成された蒸着膜５２ｃに水分が侵入することを防ぐことができる。
【００５９】
つまり、第１保護膜５３及び第２保護膜５４によって、位相差板５０をプロジェクターなどに使用した際に、蒸着膜５２ａに水分が侵入することを防ぐことができる。一方、第１保護膜５３及び第３保護膜５５によって、大型基板５０ａを製造する際に、蒸着膜５２ｃに水分が侵入することを防ぐことができる。
【００６０】
＜位相差板の製造方法＞
図７は、位相差板の製造方法を工程順に示すフローチャートである。図８は、位相差板の製造方法のうち一部の製造方法を示す概略断面図である。以下、位相差板の製造方法を、図７及び図８を参照しながら説明する。
【００６１】
図７に示すように、本実施形態の位相差板５０（５０ａ）の製造方法は、蒸着膜形成工程（ステップＳ１１）と、第１保護膜形成工程（ステップＳ１２）と、溝形成工程（ステップＳ１３）と、第２保護膜及び第３保護膜形成工程（ステップＳ１４）と、溝の中以外の第２保護膜及び第３保護膜の除去工程（ステップＳ１５）と、切断工程（ステップＳ１６）と、を備えている。
【００６２】
なお、大型基板５０ａに複数の位相差板５０を製造する方法を説明するが、図８では、１つの位相差板５０を製造する方法を示している。
【００６３】
まず、図７に示すように、ステップＳ１１では、蒸着膜５２を形成する。具体的には、図８（ａ）に示すように、例えば、石英基板などからなる基板５１上に、屈折率異方性媒質などからなる無機材料を、斜方蒸着法を用いて形成する。これにより、石英基板上に、無機材料が斜め方向に沿って成長したカラム（柱状構造体）を有する蒸着膜５２が形成される。
【００６４】
ステップＳ１２では、第１保護膜５３を形成する。具体的には、図８（ｂ）に示すように、蒸着膜５２の上面に、窒化シリコン（ＳｉＮ）などからなる第１保護膜５３を形成する。第１保護膜５３の製造方法としては、ＣＶＤ法などを用いることができる。
【００６５】
第１保護膜５３の厚みは、例えば、１０００Å〜１μｍ程度である。これにより、蒸着膜５２の上面から水分が侵入することを防ぐことができる。
【００６６】
ステップＳ１３では、溝５４ａ，５５ａを形成する。具体的には、図８（ｃ）に示すように、第２保護膜５４及び第３保護膜５５を形成するための溝５４ａ，５５ａを形成する。溝５４ａ，５５ａは、図５及び図６に示すように、大型基板５０ａの辺に沿うリング状（円形）の溝５５ａと、個々の位相差板５０となった場合の辺に沿うリング状（長方形）の溝５４ａと、を形成する。
【００６７】
まず、基板５１（第１保護膜５３）上の全面にフォトレジストを塗布する。次に、フォトリソグラフィ法を用いて、溝５４ａ，５５ａに対応する部分に開口孔を有するレジストパターンを形成する。その後、レジストパターンをマスクとして、ドライエッチング法を用いて溝５４ａ，５５ａを形成する。
【００６８】
溝５４ａ，５５ａは、第１保護膜５３及び蒸着膜５２を貫通して基板５１まで達するように形成する。その後、酸素プラズマを用いたアッシング法により、第１保護膜５３上に形成されたレジストパターンを除去する。
【００６９】
ステップＳ１４では、第２保護膜５４及び第３保護膜５５を形成する。具体的には、図８（ｄ）に示すように、まず、スパッタリング法を用いて窒化チタン（ＴｉＮ）を下地膜として成膜する。次に、ＣＶＤ（ＨＤＰＣＶＤ：High Density Plasma Chemical Vapor Deposition）法を用いて、溝５４ａ，５５ａの中にタングステンを成膜する。
【００７０】
具体的には、６フッ化タングステン（ＷＦ6）をソースガスとして用いて成膜する。下地に窒化チタンを成膜するので、窒化チタンを覆うようにタングステンが成膜される。これにより、溝５４ａ，５５ａの中にタングステンが充填される。
【００７１】
ステップＳ１５では、溝５４ａ，５５ａの中に埋め込まれた保護膜５４，５５を残して、それ以外の部分の保護膜５４，５５を除去する。具体的には、図８（ｅ）に示すように、フッ素系のガス（例えば、ＳＦ6を含むガス）を用いて全面エッチング処理を行う。これにより、溝５４ａ，５５ａのように深い溝の中に充填された保護膜５４（５５）が残り、第１保護膜５３上の窒化チタン及びタングステンが除去される。
【００７２】
ステップＳ１６では、切断する。具体的には、複数の位相差板５０が形成された大型基板５０ａを切断し、個々の位相差板５０に形成する。
【００７３】
このような構造の位相差板５０を用いることにより、耐湿性を向上させることができる。つまり、適正な光学補償を行うことができる。これにより、コントラストが変動することを抑えることができる。その結果、液晶装置１００の表示品質を向上させることができる。
【００７４】
＜電子機器の構成＞
図９は、上記した液晶装置を備えた電子機器としてのプロジェクター（液晶プロジェクター）の構成を示す模式図である。図１０は、プロジェクターの液晶ライトバルブ周辺の構成を示す斜視図である。図１１は、液晶ライトバルブを保持する三角柱ユニットの構造を示す断面図である。以下、電子機器の構成について、図９〜図１１を参照しながら説明する。
【００７５】
図９に示すように、本実施形態の電子機器としてのプロジェクター１５００は、システム光軸Ｌに沿って配置された偏光照明装置１１００と、３つのダイクロイックミラー１１１１，１１１２，１１１５と、２つの反射ミラー１１１３，１１１４と、３つの光変調素子としての反射型の液晶ライトバルブ１２５０，１２６０，１２７０と、クロスダイクロイックプリズム１２０６と、投射レンズ１２０７とを備えている。
【００７６】
偏光照明装置１１００は、ハロゲンランプなどの白色光源からなる光源としてのランプユニット１１０１と、インテグレーターレンズ１１０２と、偏光変換素子１１０３とから概略構成されている。
【００７７】
偏光照明装置１１００から射出された偏光光束は、互いに直交して配置されたダイクロイックミラー１１１１とダイクロイックミラー１１１２とに入射する。光分離素子としてのダイクロイックミラー１１１１は、入射した偏光光束のうち赤色光（Ｒ）を反射する。もう一方の光分離素子としてのダイクロイックミラー１１１２は、入射した偏光光束のうち緑色光（Ｇ）と青色光（Ｂ）とを反射する。
【００７８】
反射した赤色光（Ｒ）は反射ミラー１１１３により再び反射され、液晶ライトバルブ１２５０に入射する。一方、反射した緑色光（Ｇ）と青色光（Ｂ）とは反射ミラー１１１４により再び反射して光分離素子としてのダイクロイックミラー１１１５に入射する。ダイクロイックミラー１１１５は緑色光（Ｇ）を反射し、青色光（Ｂ）を透過する。反射した緑色光（Ｇ）は液晶ライトバルブ１２６０に入射する。透過した青色光（Ｂ）は液晶ライトバルブ１２７０に入射する。
【００７９】
液晶ライトバルブ１２５０は、反射型の液晶パネル１２５１と、位相差板５０と、反射型偏光素子としてのワイヤーグリッド偏光板１２５３とを備えている。
【００８０】
液晶ライトバルブ１２５０は、ワイヤーグリッド偏光板１２５３によって反射した赤色光（Ｒ）がクロスダイクロイックプリズム１２０６の入射面に垂直に入射するように配置されている。また、ワイヤーグリッド偏光板１２５３の偏光度を補う補助偏光板１２５４が液晶ライトバルブ１２５０における赤色光（Ｒ）の入射側に配置され、もう１つの補助偏光板１２５５が赤色光（Ｒ）の射出側においてクロスダイクロイックプリズム１２０６の入射面に沿って配置されている。なお、反射型偏光素子として偏光ビームスプリッターを用いた場合には、一対の補助偏光板１２５４，１２５５を省略することも可能である。
【００８１】
このような反射型の液晶ライトバルブ１２５０の構成と各構成の配置は、他の反射型の液晶ライトバルブ１２６０，１２７０においても同じである。
【００８２】
液晶ライトバルブ１２５０，１２６０，１２７０に入射した各色光は、画像情報に基づいて変調され、再びワイヤーグリッド偏光板１２５３，１２６３，１２７３を経由してクロスダイクロイックプリズム１２０６に入射する。クロスダイクロイックプリズム１２０６では、各色光が合成され、合成された光は投射レンズ１２０７によってスクリーン１３００上に投射され、画像が拡大されて表示される。
【００８３】
本実施形態では、液晶ライトバルブ１２５０，１２６０，１２７０における反射型の液晶パネル１２５１，１２６１，１２７１として上記実施形態における液晶パネル１００ａが適用されている。
【００８４】
このような液晶プロジェクター１５００によれば、反射型の液晶装置１００を液晶ライトバルブ１２５０，１２６０，１２７０に用いているので、位相差補償を行うことが可能となり、高い表示品質を有する反射型の液晶プロジェクター１５００を提供できる。
【００８５】
本実施形態の場合、図１０に示すように、赤色光用画像形成光学系１２５０ａ、緑色光用画像形成光学系１２６０ａ、青色光用画像形成光学系１２７０ａはいずれもユニット化されており、同様の構成になっている。ユニット化された３つの画像形成光学系１２５０ａ，１２６０ａ，１２７０ａは、クロスダイクロイックプリズム１２０６の３つの光入射面に接合されている。ここで、画像形成光学系を代表して、緑色光用画像形成光学系１２６０ａの構成について説明する。
【００８６】
図１１に示すように、緑色光用画像形成光学系１２６０ａは、補助偏光板１２６４と、ワイヤーグリッド偏光板１２６３と、緑色光用液晶ライトバルブ１２６１と、位相差板５０と、補助偏光板１２６５と、を備えている。これら構成要素のうち、補助偏光板１２６４を除いて、ワイヤーグリッド偏光板１２６３、緑色光用液晶ライトバルブ１２６１、位相差板５０、および補助偏光板１２６５は、略三角柱の形状を有する筐体１４００に固定されている。筐体１４００は、例えばアルミニウム等の熱伝導性の高い材料で構成されている。
【００８７】
筐体１４００の３つの側面１４００ａ，１４００ｂ，１４００ｃには、光を通過させる開口部１４００ａｔ，１４００ｂｔ，１４００ｃｔがそれぞれ設けられている。筐体１４００の３つの側面１４００ａ，１４００ｂ，１４００ｃのうち、互いに直角に接する２つの面を第１側面１４００ａ、第２側面１４００ｂとし、第１側面１４００ａおよび第２側面１４００ｂに対して４５°の角度で接する面を第３側面１４００ｃとする。
【００８８】
第１側面１４００ａの外面側には開口部１４００ａｔを塞ぐように緑色光用液晶ライトバルブ１２６１が固定され、第１側面１４００ａの内面側には開口部１４００ａｔを塞ぐように位相差板５０が固定されている。第２側面１４００ｂの外面側には開口部１４００ｂｔを塞ぐように補助偏光板１２６５が固定されている。第３側面１４００ｃの外面側には開口部１４００ｃｔを塞ぐようにワイヤーグリッド偏光板１２６３が固定されている。このような構成により、筐体１４００の内部は密閉された空間となっている。
【００８９】
緑色光用画像形成光学系１２６０ａにおいて、光源光から分離された緑色光ＬＧは補助偏光板１２６４に入射する。補助偏光板１２６４は所定の方向に振動する直線偏光を透過するものであり、次に説明するワイヤーグリッド偏光板１２６３の偏光分離面に対するＰ偏光を透過するように透過軸が設定されている。以下、ワイヤーグリッド偏光板１２６３の偏光分離面に対するＰ偏光を単にＰ偏光と称し、ワイヤーグリッド偏光板１２６３の偏光分離面に対するＳ偏光を単にＳ偏光と称する。上述したように、インテグレーター光学系１４１０（図９参照）を通った光源光は、偏光状態がＰ偏光に揃えられているため、緑色光ＬＧの略全てが補助偏光板１２６４を透過してワイヤーグリッド偏光板１２６３に入射する。
【００９０】
本実施形態のワイヤーグリッド偏光板１２６３は、例えばガラス基板とその上に形成された複数の金属線とにより構成されている（図示略）。複数の金属線は、全てが一方向に延在しており、互いに略平行に離間してガラス基板上に形成されている。複数の金属線が形成されたガラス基板の主面が偏光分離面となり、複数の金属線の延在方向が反射軸方向であり、複数の金属線の配列方向が透過軸方向である。
【００９１】
ワイヤーグリッド偏光板１２６３と緑色光用液晶ライトバルブ１２６１との間の光路上に位相差板５０が配置されている。ワイヤーグリッド偏光板１２６３を透過した緑色光ＬＧは、位相差板５０、緑色光用液晶ライトバルブ１２６１の対向基板２０を順次透過し、液晶層１５に入射した後に素子基板１０上で反射して折り返される。緑色光ＬＧは、液晶層１５を透過する間に変調されて変調光となり、対向基板２０、位相差板５０を再度透過する。
【００９２】
以上詳述したように、本実施形態の位相差板５０、液晶装置１００、及びプロジェクター１５００によれば、以下に示す効果が得られる。
【００９３】
（１）本実施形態の位相差板５０によれば、蒸着膜５２の上に設けられた第１保護膜５３に加えて、基板５１の辺に沿って蒸着膜５２を貫通する溝５４ａの中に第２保護膜５４が設けられているので、位相差板５０における光が通過する領域（基板５１の辺より内側の領域）にある蒸着膜５２の表面及び側面を保護膜（第１保護膜５３及び第２保護膜５４）で覆うことができる。よって、蒸着膜５２に水分が侵入する（蒸着膜５２が水分を吸着する）ことを抑えることが可能となり、光学特性（位相差値）が変動することを抑えることができる。その結果、高コントラストになるなど表示品質を向上させることができる。
【００９４】
（２）本実施形態の液晶装置１００によれば、位相差板５０を液晶装置１００に適用するので、液晶パネル１００ａに発生する光学的な位相差を、位相差板５０によって補償することが可能となり、高いコントラストが得られる液晶装置１００を提供することができる。
【００９５】
（３）本実施形態のプロジェクター１５００によれば、上記に記載の液晶装置１００を備えているので、コントラストの変動が抑えられ、特にコントラストを重視したプロジェクター１５００を提供することができる。
【００９６】
なお、本発明の態様は、上記した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、本発明の態様の技術範囲に含まれるものである。また、以下のような形態で実施することもできる。
【００９７】
（変形例１）
上記したように、溝５４ａの中に埋め込まれた第２保護膜５４を残して、それ以外の部分の第２保護膜５４を除去する方法として、フッ素系のガスを用いてエッチングすることに限定されず、例えば、ＣＭＰ技術を用いて不要な第２保護膜５４を除去するようにしてもよい。これによれば、水を用いた場合でも、蒸着膜５２ａに侵入しようとする水分をガードしながら、第１保護膜５３上の第２保護膜５４を除去することができる。
【００９８】
（変形例２）
上記したように、大型基板５０ａ（大板）から位相差板５０（小板）を製造することに限定されず、最初から位相差板５０の大きさの基板５１から位相差板５０を製造するようにしてもよい。この場合であっても、上記した位相差板５０を用いるので、プロジェクター１５００を使用している際に、コントラストが低下することを抑えることができる。
【００９９】
（変形例３）
上記したように、反射型のプロジェクター１５００に適用することに限定されず、透過型のプロジェクターに適用するようにしてもよい。
【０１００】
（変形例４）
上記したように、蒸着膜５２の上に形成する第１保護膜５３は、窒化シリコン（ＳｉＮ）であることに限定されず、透明な膜であればよく、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ2）を用いるようにしてもよい。また、第２保護膜５４は、タングステンであることに限定されず、例えば、銅とタンタルの合金や、窒化シリコン（ＳｉＮ）を用いるようにしてもよい。
【０１０１】
（変形例５）
上記したように、第２保護膜５４として金属材料を用いることに限定されず、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ2）を用いるようにしてもよい。なお、例えば、第１保護膜５３と第２保護膜５４とを同じ窒化シリコン（ＳｉＮ）で形成する場合でも、膜厚などの成膜条件が異なる場合は、別々の製造工程で成膜することが好ましい。
【０１０２】
（変形例６）
上記したように、位相差板５０と液晶パネル１００ａとを分離して配置していることに限定されず、例えば、液晶パネル１００ａの防塵ガラスとして対向基板２０上に位相差板５０を貼り付けるようにしてもよい。この場合、対向基板２０側から、接着剤、第１保護膜５３、蒸着膜５２、基板５１の順に配置される。なお、第２保護膜５４も同様に形成される。これによれば、蒸着膜５２の耐湿性が向上しているので、蒸着膜５２と対向基板２０とを貼り合せる接着剤に、水分の多い接着剤を用いることができるなど、接着剤の選択肢を増やすことができる。
【符号の説明】
【０１０３】
３ａ…走査線、３ｂ…容量線、６ａ…データ線、１０…素子基板、１１…第１基板、１２…第２基板、１３…絶縁層、１４…シール材、１５…液晶層、１６…容量素子、１８…遮光層、２０…対向基板、２２…データ線駆動回路、２４…走査線駆動回路、２６…上下導通部、２７…画素電極、２８…第１配向膜、２９…配線、３０…ＴＦＴ、３１…共通電極、３２…第２配向膜、５０…位相差板、５０ａ…大型基板、５１…基板、５２，５２ａ，５２ｂ，５２ｃ…蒸着膜、５３…第１保護膜、５４…第２保護膜、５４ａ，５５ａ…溝、５５…第３保護膜、６１…外部接続端子、１００…液晶装置、１００ａ…液晶パネル、１１００…偏光照明装置、１１０１…ランプユニット、１１０２…インテグレーターレンズ、１１０３…偏光変換素子、１１１１，１１１２，１１１５…ダイクロイックミラー、１１１３，１１１４…反射ミラー、１２０６…クロスダイクロイックプリズム、１２０７…投射レンズ、１２５０，１２６０，１２７０…液晶ライトバルブ、１２５０ａ…画像形成光学系、１２５１，１２６１，１２７１…反射型の液晶パネル、１２５３，１２６３，１２７３…ワイヤーグリッド偏光板、１２５４，１２５５…補助偏光板、１２６０ａ…緑色光用画像形成光学系、１２６４，１２６５…補助偏光板、１２７０ａ…青色光用画像形成光学系、１３００…スクリーン、１４００…筐体、１４００ａ…第１側面、１４００ａｔ…開口部、１４００ｂ…第２側面、１４００ｂｔ…開口部、１４００ｃ…第３側面、１４００ｃｔ…開口部、１４１０…インテグレーター光学系、１５００…プロジェクター。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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