(57)【要約】【課題】フィトリソグラフィ法により、ガラス基板の両面に同一のパターンを簡単且つ確実に形成する。【解決手段】フォトリソグラフィ法によりガラス基板１の両面に同一のパターンを形成するガラス基板両面のパターニング方法であって、ガラス基板１の両面１ａ，１ｂに透明導電酸化物層５，６と、レジスト層４，７を順に形成した後、ガラス基板１の一方の面１ａ側のみからマスク２を介して紫外線３を照射することにより、ガラス基板１の一方の面１ａ側と他方の面１ｂ側のそれぞれのレジスト層４，７を同時に露光する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
フォトリソグラフィ法によりガラス基板の両面に同一のパターンを形成するガラス基板両面のパターニング方法であって、
前記ガラス基板の両面に、パターニングされる透明導電酸化物層を形成する工程と、
前記ガラス基板の両面に、レジスト層を形成する工程と、
前記ガラス基板、前記透明導電酸化物層及び前記レジスト層を透過可能な光を、前記ガラス基板の片面側のみからマスクを介して照射し、前記ガラス基板の両面の前記レジスト層を同時に露光する工程とを、この順で含むことを特徴とするガラス基板両面のパターニング方法。
【請求項２】
前記レジスト層を露光する工程の後に、
前記ガラス基板の両面の前記レジスト層の一部を現像液で除去する工程と、
前記ガラス基板の両面で、前記レジスト層の除去部から露出した前記透明導電酸化物層をエッチング液で除去する工程と、
前記ガラス基板の両面の前記レジスト層の残部をレジスト剥離液で除去する工程とを、この順で更に含むことを特徴とする請求項１に記載のガラス基板両面のパターニング方法。
【請求項３】
前記ガラス基板が、前記現像液、前記エッチング液および前記レジスト剥離液のそれぞれに浸漬されることを特徴とする請求項２に記載のガラス基板両面のパターニング方法。
【請求項４】
前記透明導電酸化物層を形成する工程、前記レジスト層を形成する工程および前記レジスト層を露光する工程のうち、少なくとも一つの工程において、
前記ガラス基板を支持ガラスに載置した状態で、前記ガラス基板を処理することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のガラス基板両面のパターニング方法。
【請求項５】
前記レジスト層を形成する工程が、
前記ガラス基板の第１の面を上にして、前記ガラス基板を前記支持ガラスに載置する工程と、
前記ガラス基板を前記支持ガラスに載置した状態で、前記第１の面にレジストを塗布する工程と、
前記ガラス基板を前記支持ガラスに載置した状態で、前記第１の面の前記レジストを加熱する工程と、
前記ガラス基板と前記支持ガラスを分離する工程と、
前記ガラス基板の第２の面を上にして、前記ガラス基板を前記支持ガラスに載置する工程と、
前記ガラス基板を前記支持ガラスに載置した状態で、前記第２の面にレジストを塗布する工程と、
前記ガラス基板と前記支持ガラスを分離する工程と、
前記第２の面の前記レジストを加熱する工程とを、この順で含むことを特徴とする請求項４に記載のガラス基板両面のパターニング方法。
【請求項６】
前記第２の面の前記レジストを加熱する工程は、前記ガラス基板を立てた状態で行うことを特徴とする請求項５に記載のガラス基板両面のパターニング方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ガラス基板両面に同一のパターンを形成するための製造技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶ディスプレイや、タッチパネルなどの種々の電子機器には、透明電極などの所定のパターンが両面に形成されたガラス基板が組み込まれている。ガラス基板にパターニングする方法としては、パターン精度や量産性を考慮し、フォトリソグラフィ法が多く用いられている。
【０００３】
そして、電子機器によっては、ガラス基板の両面に同一のパターン（面対称なパターン）を形成することが必要となる場合がある。
【０００４】
ガラス基板の両面に同一のパターンをフォトリソグラフィ法により形成する方法としては、例えば、特許文献１の従来技術の欄に記載された方法が挙げられる。すなわち、同文献には、フォトリソグラフィ法を用いて、ガラス基板の第１の面のパターニングと、第２の面のパターニングとを別々に行う方法が開示されている。
【０００５】
上記方法では、まず初めに、ガラス基板の両面に薄膜（一方が金属薄膜、他方が透明導電膜）を形成し、ガラス基板の第１の面側の薄膜上にレジストを塗布する。次に、レジスト上にマスクを重ねて露光する。その後、露光したレジストの感光部を現像液で除去する。そして、ガラス基板の第２の面側の薄膜に保護膜を塗布した後、エッチングにより、ガラス基板の第１の面側において、除去した感光部から露出した薄膜を除去する。このようにして、ガラス基板の第１の面において、薄膜からなる所定のパターンを形成する。そして、ガラス基板の第２の面の薄膜についても、第１の面と同様の工程を繰り返し、薄膜からなる所定のパターンを形成する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特公平６−３６４６７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特許文献１に開示のパターニング方法の場合、ガラス基板の第２の面に重ねるマスクの位置が、ガラス基板の第１の面に重ねたマスクの位置に対してずれるおそれがある。この場合、ガラス基板の両面に形成されるパターンの位置がずれるという問題がある。
【０００８】
一方、マスクの位置ずれをなくすためには、マスクの位置合わせ作業に時間と熟練を要する。したがって、ガラス基板の両面におけるマスクの位置ずれを簡単になくすことはできず、上記のパターン不良の問題は少なからず生じ得る。
【０００９】
なお、特許文献１には、フォトリソグラフィ法に代えて、レーザ光によって、ガラス基板の両面に形成された薄膜を同時にパターニングすることも開示されているが、パターン精度や量産性を考慮した場合に、実用化が難しいと考えられる。したがって、フォトリソグラフィ法によって、上記の問題を解決することが望まれる。
【００１０】
以上の実情に鑑み、本発明は、フィトリソグラフィ法により、ガラス基板の両面に同一のパターンを簡単且つ確実に形成することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記課題を解決するために創案された本発明は、フォトリソグラフィ法によりガラス基板の両面に同一のパターンを形成するガラス基板両面のパターニング方法であって、（１）ガラス基板の両面に、パターニングされる透明導電酸化物層を形成する工程と、（２）ガラス基板の両面に、レジスト層を形成する工程と、（３）ガラス基板、透明導電酸化物層及びレジスト層を透過可能な光を、ガラス基板の片面側のみからマスクを介して照射し、ガラス基板の両面のレジスト層を同時に露光する工程とを、（１）から（３）の順で含むことを特徴とする。
【００１２】
このような構成によれば、ガラス基板の片面側のみにマスクを配置した状態で、ガラス基板の両面のレジスト層の露光を同時に行うことができる。この際、ガラス基板の片面側に配置されたマスクを用いて、ガラス基板の両面のレジスト層が露光されるため、それぞれのレジスト層には同一の感光部が形成される。したがって、このように形成された感光部に基づいて、現像やエッチングなどの各種処理を行えば、ガラス基板の両面に透明導電酸化物からなる同一のパターンを簡単且つ確実に形成することができる。
【００１３】
上記の構成において、レジスト層を露光する工程の後に、（１）ガラス基板の両面のレジスト層の一部を現像液で除去する工程と、（２）ガラス基板の両面で、レジスト層の除去部から露出した透明導電酸化物層をエッチング液で除去する工程と、（３）ガラス基板の両面のレジスト層の残部をレジスト剥離液で除去する工程とを、（１）から（３）の順で更に含むことが好ましい。
【００１４】
このようにすれば、ガラス基板の両面に対して、現像、エッチング、レジスト剥離の各処理を同時に進めていくことができる。そのため、ガラス基板の一方の面に対して、現像、エッチング、レジスト剥離の各処理を行った後に、ガラス基板の他方の面に対して、現像、エッチング、レジスト剥離の各処理を行う場合に比べて、作業時間を大幅に短縮することができる。
【００１５】
この場合、ガラス基板は、現像液、エッチング液およびレジスト剥離液のそれぞれに浸漬されることが好ましい。
【００１６】
このようにすれば、ガラス基板の両面に対して、現像液、エッチング液及びレジスト剥離液の各液を同時に接触させるのが簡単になる。
【００１７】
上記の構成において、透明導電酸化物層を形成する工程、レジスト層を形成する工程およびレジスト層を露光する工程のうち、少なくとも一つの工程において、ガラス基板を支持ガラスに載置した状態で、ガラス基板を処理してもよい。
【００１８】
このようにすれば、ガラス基板が支持ガラスによってしっかりと支持されるため、ガラス基板が薄い場合であっても、ガラス基板の取り扱いが容易になる。
【００１９】
この場合、レジスト層を形成する工程が、（１）ガラス基板の第１の面を上にして、ガラス基板を支持ガラスに載置する工程と、（２）ガラス基板を支持ガラスに載置した状態で、第１の面にレジストを塗布する工程と、（３）ガラス基板を支持ガラスに載置した状態で、第１の面のレジストを加熱する工程と、（４）ガラス基板と支持ガラスを分離する工程と、（５）ガラス基板の第２の面を上にして、ガラス基板を支持ガラスに載置する工程と、（６）ガラス基板を支持ガラスに載置した状態で、第２の面にレジストを塗布する工程と、（７）ガラス基板と支持ガラスを分離する工程と、（８）第２の面のレジストを加熱する工程とを、（１）〜（８）の順で含んでいることが好ましい。
【００２０】
ここで、ガラス基板にレジストを塗布した後に加熱（プリベーク）すると、ガラス基板にレジストが密着し、強固なレジスト層が形成される。そのため、プリベークが行われるのが通例である。また、ガラス基板が薄い場合には、各工程で、支持ガラスの上にガラス基板を載置した状態でガラス基板を取り扱うことが好ましい。しかしながら、レジスト層が形成されたガラス基板の第１の面を支持ガラスと接触させた状態で、第２の面にレジストが塗布されたガラス基板を加熱（プリベーク）すると、第１の面と支持ガラスがレジスト層によって接着し、分離できなくなるおそれがある。そこで、上記の構成のように、２回目のプリベーク時（上記の（８）の工程）には、ガラス基板と支持ガラスを分離して、第２の面のレジストを加熱することが好ましい。このようにすれば、ガラス基板が支持ガラスと接着するという不具合を回避することができる。
【００２１】
この場合、第２の面のレジストを加熱する工程は、ガラス基板を立てた状態で行うことが好ましい。
【００２２】
このようにすれば、ガラス基板の第１の面と第２の面が他部材と接触する範囲を最小限に抑えた状態で加熱することができる。すなわち、第１の面や第２の面のレジスト層を介してガラス基板が他部材と接着するのを容易に防止することができる。
【発明の効果】
【００２３】
以上のように本発明によれば、フィトリソグラフィ法により、ガラス基板の両面に同一のパターンを簡単且つ確実に形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本発明の第１の実施形態に係るガラス基板両面のパターニング方法のフローを示す図である。
【図２】第１の実施形態のパターニング方法に含まれる露光工程を示す図である。
【図３】第１の実施形態のパターニング方法に含まれる現像工程を示す図である。
【図４】第１の実施形態のパターニング方法に含まれるエッチング工程を示す図である。
【図５】第１の実施形態のパターニング方法に含まれるレジスト層剥離工程を示す図である。
【図６】本発明の第２の実施形態に係るガラス基板両面のパターニング方法に含まれるレジスト層形成工程のフローを示す図である。
【図７】第２の実施形態のパターニング方法に含まれる第１のプリベークを示す図である。
【図８】第２の実施形態のパターニング方法に含まれる第２のプリベークを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下、本発明の実施形態を添付図面を参照して説明する。
【００２６】
＜第１の実施形態＞
図１に示すように、本発明の第１の実施形態に係るガラス基板両面のパターニング方法は、ガラス基板の両面にパターニング対象の電極層を形成する電極層形成工程Ｓ１と、ガラス基板の両面にレジスト層を形成するレジスト層形成工程Ｓ２と、ガラス基板の両面のレジスト層を露光する露光工程Ｓ３と、ガラス基板の両面のレジスト層の感光部を現像液で溶解除去する現像工程Ｓ４と、ガラス基板の両面で除去された感光部（除去部）から露出した電極層をエッチング液で溶解除去するエッチング工程Ｓ５と、ガラス基板の両面のレジスト層の非感光部（残部）をレジスト剥離液で除去するレジスト層剥離工程Ｓ６と、ガラス基板を洗浄する洗浄工程Ｓ７とを、この順で含んでいる。以下、各工程について順に説明する。
【００２７】
（１）電極層形成工程
電極層形成工程Ｓ１では、ガラス基板の第１の面に電極層としての透明導電酸化物層を形成した後に、ガラス基板の第２の面に電極層としての透明導電酸化物層を形成する。なお、ガラス基板の第１の面と第２の面に、透明導電酸化物層を同時に形成してもよい。
【００２８】
透明導電酸化物層を形成する方法としては、スパッタリング、蒸着、塗布、スピンコート、スプレー法などが利用される。透明導電酸化物層は、例えば、ＩＴＯやＡＺＯなどから構成される。
【００２９】
ここで、ガラス基板は、厚みが０．０４〜３ｍｍであることが好ましい。また、本実施形態では、後述する露光工程Ｓ３で用いる紫外線の透過率を高めるために、ガラス基板において、ガラス組成中の鉄成分の含有量が制限されている。例えば、ガラス組成中の鉄成分は、好ましくは１０００ｐｐｍ以下であり、更に好ましくは５００ｐｐｍ以下であり、最も好ましくは４００ｐｐｍ以下である。
【００３０】
（２）レジスト層形成工程
レジスト層形成工程Ｓ２では、ガラス基板の第１の面を上にした状態で、第１の面にレジストを塗布し、その後、第１の面のレジストを加熱する（第１のプリベーク）。次に、ガラス基板を反転して、ガラス基板の第２の面を上にした状態で、第２の面にレジストを塗布した後、第２の面のレジストを加熱する（第２のプリベーク）。このようなプリベークにより、レジストがガラス基板の表面に密着し、強固なレジスト層が形成される。プリベーク時の加熱温度は、例えば、７０〜１５０℃である。
【００３１】
レジストとしては、例えば、東京応化工業製の液状フォトレジストなどが挙げられる。第１の面と第２の面に塗布するレジストは、異種であってもよいが、本実施形態では同種とする。なお、レジストの塗布は、例えばスピンコートによって行う。レジストは、塗布タイプの代わりに、ドライフィルムレジストを用いてもよい。
【００３２】
（３）露光工程
露光工程Ｓ３では、ガラス基板、透明導電酸化物層及びレジスト層を透過可能な紫外線を用いる。ここで、この実施形態では、ガラス基板の紫外線の透過率が２０％以上であれば、紫外線は「ガラス基板を透過可能な光」とする。透過率は、露光工程Ｓ３で使用される紫外線の波長の値とする。ガラス基板の紫外線の透過率は、好ましくは３０％以上であり、更に好ましくは５０％以上であり、最も好ましくは７５％以上である。一方、この実施形態では、レジスト層及び透明導電酸化物層の紫外線の透過率が１０％以上であれば、紫外線は「レジスト層及び透明導電酸化物層を透過可能な光」とする。透過率は、露光工程Ｓ３で使用される紫外線の波長の値とする。レジスト層や透明導電酸化物層の紫外線の透過率は、２０％以上であることが好ましい。
【００３３】
詳細には、露光工程Ｓ３では、図２に示すように、ガラス基板１の第１の面１ａの上方にマスク２を配置する。マスク２は、紫外線３を遮断する遮断層２ａを、紫外線３を透過するガラス基板２ｂ上に所定のパターンで形成したものである。マスク２の遮断層２ａ側を、ガラス基板１の第１の面１ａに対向させた状態で、マスク２を介して、ガラス基板１の第１の面１ａ側から紫外線３を照射する。照射された紫外線３の一部は、まず、マスク２の遮断層２ａが形成されてない部分を透過し、ガラス基板１の第１の面１ａに形成されたレジスト層４に照射される。その後、照射された紫外線３の一部は、第１の面１ａ側のレジスト層４、透明導電酸化物層５を順に透過して、ガラス基板１に至る。更に、照射された紫外線３の一部は、ガラス基板１、第２の面１ｂ側の透明導電酸化物層６を順に透過して、第２の面１ｂ側のレジスト層７に至る。これにより、第１の面１ａ側のレジスト層４と、第２の面１ｂ側のレジスト層７が、同時に露光され、それぞれのレジスト層４，７の一部に感光部（図中でクロスハッチングを付した部分）４ａ，７ａが形成される。そして、これら感光部４ａ，７ａは、第１の面１ａの上方に配置されたマスク２を透過した紫外線３によって同時に形成されるので、実質的に位置ずれのない同一のパターン形状となる。したがって、この感光部４ａ，７ａに基づいて、後述するように、透明導電酸化物層５，６を加工すれば、ガラス基板１の両面に同一の電極パターンを簡単且つ確実に形成することができる。
【００３４】
ここで、好ましい紫外線の照射条件の一例を以下に示す。
・紫外線の波長：ｉ線（波長３６５ｎｍ）、ｈ線（波長４０５ｎｍ）又はｇ線（波長４３６ｎｍ）
・紫外線の照射エネルギー：２００〜４００ｍＪ
・紫外線の照射時間：６〜１２秒
【００３５】
なお、図示例のように、ガラス基板１とマスク２は接触していてもよいが、ガラス基板１とマスク２が接触しないようにすることが好ましい。この場合、ガラス基板１とマスク２との間隔が一定となるように、露光すべき領域の範囲外（例えば、ガラス基板１の周縁部）において、ガラス基板１とマスク２との間にスペーサを配置することが好ましい。また、第２の面１ｂ側のレジスト層７を透過した紫外線３が反射して戻り光を形成しないように、レジスト層７の下方に紫外線吸収板（図示せず）を配置することが好ましい。
【００３６】
（４）現像工程
現像工程Ｓ４では、図３に示すように、ガラス基板１を現像液８に浸漬し、第１の面１ａのレジスト層４の感光部４ａ（図２を参照）と、第２の面１ｂのレジスト層７の感光部７ａ（図２を参照）を同時に溶解除去する。これにより、レジスト層４，７のうち、露光されていない非感光部４ｂ，７ｂだけが残る。現像液８としては、例えば、水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液や水酸化カリウム水溶液などが挙げられる。
【００３７】
（５）エッチング工程
エッチング工程Ｓ５では、まず、ガラス基板をエッチング液に浸漬する前に、ガラス基板を加熱する（ポストベーク）。これにより、ガラス基板とレジスト層を密着させ、エッチング液が、ガラス基板とレジスト層の間に入り込むのを抑制することができる。ポストベーク時の加熱温度は、例えば、１００〜２００℃である。
【００３８】
次に、図４に示すように、ガラス基板１をエッチング液９に浸漬し、第１の面１ａの透明導電酸化物層５と第２の面１ｂの透明導電酸化物層６のうち、レジスト層４，７の非感光部４ｂ，７ｂで覆われていない露出部分（図２の感光部４ａ，７ａに対応する部分）を溶解除去する。
【００３９】
エッチング液としては、例えば、フッ酸水溶液、硝酸水溶液、塩酸水溶液、塩化第二鉄水溶液、シュウ酸水溶液およびこれらの混合溶液などが挙げられる。なお、エッチングの方法としては、エッチング液に浸漬する方法以外にも、ブラシ・刷毛・ローラ・スプレーなどでエッチング液を部分的に塗布してエッチングしたり、フッ素含有化合物（例えば、４フッ化炭素）などのプラズマ中でエッチング（ドライエッチング）したりする方法を採用してもよい。
【００４０】
（６）レジスト層剥離工程
レジスト層剥離工程Ｓ６では、図５に示すように、ガラス基板１をレジスト剥離液１０に浸漬し、第１の面１ａのレジスト層４の非感光部４ｂ（図４を参照）と、第２の面のレジスト層７の非感光部７ｂ（図４を参照）とを同時に除去し、パターニングされた透明導電酸化物層５，６を露出させる。
【００４１】
レジスト剥離液としては、例えば、水酸化カリウム水溶液などが挙げられる。
【００４２】
（７）洗浄工程
そして、最後に、洗浄工程Ｓ７において、ガラス基板を洗浄することで、透明導電酸化物からなる同一の電極パターンが両面に形成されたガラス基板が完成する。
【００４３】
なお、現像工程Ｓ４やエッチング工程Ｓ５の後に、ガラス基板を洗浄する洗浄工程を追加してもよい。
【００４４】
＜第２の実施形態＞
本発明の第２の実施形態に係るパターニング方法が、第１の実施形態に係るパターニング方法と異なる点は、レジスト層形成工程Ｓ２及び露光工程Ｓ３工程において、ガラス基板を支持ガラスに載置した状態で処理を行うところにある。特に、ガラス基板の厚みが薄い場合（例えば、厚みが５００μｍ以下）に有効である。なお、後述する図６〜図８において、ガラス基板の両面に形成された透明導電酸化物層の図示は省略している。
【００４５】
詳細には、図６に示すように、レジスト層形成工程Ｓ２において、まず、第１の面１ａを上にしたガラス基板１を支持ガラス１１の上に載置した状態で、第１の面１ａにレジスト層４を形成する（Ｓ２１）。この状態のまま、第１の面１ａのレジスト層４を加熱し、第１のプリベークを行う（Ｓ２２）。第１のプリベークの後、ガラス基板１と支持ガラス１１を分離する（Ｓ２３）。分離したガラス基板１を反転させ、第２の面１ｂを上にしたガラス基板１を、支持ガラス１１の上に再び載置する（Ｓ２４）。この状態のまま、第２の面１ｂにレジスト層７を形成する（Ｓ２５）。その後、ガラス基板１と支持ガラス１１を再び分離する（Ｓ２６）。分離したガラス基板１の第２の面１ｂのレジスト層７を加熱し、第２のプリベークを行う（Ｓ２７）。このようにすれば、ガラス基板１の両面にレジスト層が形成された状態となる第２のプリベーク時には、ガラス基板１と支持ガラス１１が分離されている。そのため、第２のプリベーク時の加熱に伴って、ガラス基板１と支持ガラス１１が、レジスト層４，７によって接着するという事態を回避することができる。
【００４６】
ここで、ガラス基板の合わせ面（支持ガラスと接触させる側の面）と、支持ガラスの合わせ面（ガラス基板と接触させる側の面）の表面粗さＲａは、それぞれ２．０ｎｍ以下とされている。この実施形態では、ガラス基板の合わせ面は、第２の面に形成される透明導電酸化物層の表面および第１の面に形成されるレジスト層の表面となり、支持ガラスの合わせ面は、支持ガラスの表面（上面）となる。なお、Ｒａの値としては、好ましくは１．０ｎｍ以下であり、より好ましくは０．５ｎｍ以下であり、最も好ましくは０．２ｎｍ以下である。このＲａの値を小さくするほど、重ね合わされたガラス基板と支持ガラスとを強固に密着させることができる。
【００４７】
また、支持ガラスの厚みは、ガラス基板の厚みよりも大きい方が好ましい。具体的には、支持ガラスの厚みは、例えば、０．４〜２．０ｍｍである。さらに、支持ガラスの合わせ面の面積は、ガラス基板の合わせ面の面積よりも大きい方が好ましい。なお、支持ガラスの合わせ面の面積は、ガラス基板の合わせ面の面積と同じであってもよいし、ガラス基板の合わせ面の面積よりも小さくてもよい。
【００４８】
本実施形態では、第１のプリベークと第２のプリベークを次のように行っている。すなわち、図７に示すように、第１のプリベークでは、支持ガラス１１に載置されたガラス基板１をホットプレート１２で加熱している。一方、図８に示すように、第２のプリベークでは、支持ガラス１１から分離された複数枚のガラス基板１を、間隔を置いてバスケット１３内に立てた状態で収容し、クリーンオーブン１４内で加熱している。なお、バスケット１３は、図示しないが、ガラス基板１の両側辺と下辺を保持する複数の保持溝を有している。各ガラス基板１は、両側辺と下辺が保持溝に嵌め込まれた状態で保持されている。なお、ガラス基板１の下辺を平面で保持し、両側辺のみを保持溝で保持してもよい。
【００４９】
第２のプリベークの後の露光工程Ｓ３では、上記のレジスト層形成工程Ｓ２と同様に、第１の面（又は第２の面）を上にしたガラス基板を支持ガラスの上に載置する。この状態で、第１の面（又は第２の面）の上方にマスクを配置し、露光を行う。露光後はガラス基板と支持ガラスを分離する。
【００５０】
露光工程Ｓ３の後は、支持ガラスから分離したガラス基板に対して、第１の実施形態で説明したように、現像工程Ｓ４、エッチング工程Ｓ５、レジスト層剥離工程Ｓ６、洗浄工程Ｓ７の各工程を実行する。すなわち、支持ガラスから分離したガラス基板を、現像液、エッチング液、レジスト剥離液に順次浸漬し、透明導電酸化物からなる同一の電極パターンが両面に形成されたガラス基板を製造する。
【００５１】
なお、本発明は、上記の実施形態に限定されるものではなく、種々の形態で実施することができる。
【００５２】
上記の実施形態（第２の実施形態）では、レジスト層形成工程Ｓ２及び露光工程Ｓ３工程において、ガラス基板を支持ガラスに載置した状態で処理する場合を説明したが、電極層形成工程Ｓ１において、ガラス基板を支持ガラスの上に載置した状態で処理を行ってもよい。すなわち、第１の面を上にしたガラス基板を支持ガラスの上に載置した状態で、第１の面に透明導電酸化物層を形成する。その後、ガラス基板と支持ガラスを分離して、第２の面を上にしたガラス基板を支持ガラスの上に再び載置し、この状態で、第２の面に透明導電酸化物層を形成する。
【００５３】
また、上記の実施形態（第２の実施形態）では、第２のプリベークの加熱時に、複数枚のガラス基板を立てた状態でバスケットに収容し、バッチ処理する場合を説明したが、ポストベークの加熱時や、現像液・エッチング液・レジスト剥離液の各液中に浸漬する時に、複数枚のガラス基板を立てた状態でバスケットに収容し、バッチ処理するようにしてもよい。
【００５４】
また、上記の実施形態では、レジストとして、露光された部分が現像液により除去されるポジ型のものを用いる場合を説明したが、露光されていない部分が現像液により除去されるネガ型のものを用いてもよい。
【符号の説明】
【００５５】
１      ガラス基板
２      マスク
３      紫外線
４，７  レジスト層
５，６  透明導電酸化物層
８      現像液
９      エッチング液
１０    レジスト剥離液
１１    支持ガラス
１２    ホットプレート
１３    バスケット
１４    クリーンオーブン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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