(57)【要約】      （修正有）【課題】基板の可撓性、および基板の表面とシールド材との間の絶縁性の両方を確保することができるシールド材、シールド材付基板およびシールド材付基板の製造方法を提供することである。【解決手段】シールド材１は、プラスチックフィルム２と、プラスチックフィルム２の片面に形成された第１接着層３と、第１接着層３上に接着された金属箔４とを備える。金属箔４は、厚み０．３μｍ以上９．９μｍ以下の、電解金属箔または圧延金属箔からなる。金属箔４の第１接着層３に面する側の表面粗さ（Ｒｚ）は、０．０１μｍ以上１．５０μｍ以下である。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラスチックフィルムと、
前記プラスチックフィルムの片面に形成された第１接着層と、
前記第１接着層上に接着された金属箔とを備え、
前記金属箔は、厚み０．３μｍ以上９．９μｍ以下の、電解金属箔または圧延金属箔からなり、
前記金属箔の前記第１接着層に面する側の表面粗さ（Ｒｚ）は、０．０１μｍ以上１．５０μｍ以下であることを特徴とするシールド材。
【請求項２】
前記第１接着層がアクリル樹脂、エポキシ樹脂およびウレタン樹脂から選ばれる少なくとも１種以上の樹脂を含むことを特徴とする請求項１に記載のシールド材。
【請求項３】
前記第１接着層のガラス転移温度は、前記プラスチックフィルムのガラス転移温度よりも低いことを特徴とする請求項１または２に記載のシールド材。
【請求項４】
前記第１接着層の厚みは０．１μｍ以上１０．０μｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のシールド材。
【請求項５】
前記第１接着層の２５℃における弾性率が１０００．０ＧＰａ以下であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のシールド材。
【請求項６】
基板と、
前記基板の表面に形成された第２接着層と、
前記第２接着層上に接着され、前記基板を覆う請求項１乃至５のいずれか１項に記載のシールド材とを備え、
前記シールド材は前記プラスチックフィルムが前記基板側になるように配置されていることを特徴とするシールド材付基板。
【請求項７】
プラスチックフィルムの片面に第１接着層を介して金属箔が接着されたシールド材を準備する工程と、
前記シールド材の前記プラスチックフィルムと、基板とを第２接着層形成用の接着剤により貼り付けて、第２接着層を形成する工程とを含み、
前記金属箔は、厚み０．３μｍ以上９．９μｍ以下の、電解金属箔または圧延金属箔からなり、
前記金属箔の前記第１接着層に面する側の表面粗さ（Ｒｚ）は、０．０１μｍ以上１．５０μｍ以下であり、
前記シールド材は前記プラスチックフィルムが前記基板側になるように配置されていることを特徴とするシールド材付基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、シールド材、シールド材付基板およびシールド材付基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子応用機器の目覚ましい発展に伴い、薄くて可撓性のあるテープ状の基板が広く用いられている。ここで、基板とは、フラットケーブル、フレキシブル基板の双方を含む。
【０００３】
特にＶＴＲ、ＣＤ又はＤＶＤプレーヤーなどのＡＶ機器、コピー機、スキャナ、プリンタなどのＯＡ・パソコン周辺機器、及びその他の電子・電気機器などにおいては、ノイズ防止の観点から、基板に電磁波シールド特性が要請されることが多い。
【０００４】
従来、基板に電磁波シールド特性を付与する方法として、銅箔の表面にポリエステルフィルムを貼り合わせた複合テープをフラットケーブルに貼り付ける方法（特許文献１）や、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）などの絶縁性プラスチックを最外層、ＣｕやＡｌなどの導電性金属を中間層、導電性接着剤を最内層としたシールド材をフラットケーブルの両面に貼り合わせる方法（特許文献２および３）が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平０２−１６８５１２号公報
【特許文献２】特開２００４−０３１１４１号公報
【特許文献３】特開２００７−２９９７０４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、銅箔の表面にポリエステルフィルムを貼り合わせた複合テープをフラットケーブルに貼り付けた場合、フラットケーブル全体の厚みが厚くなってフラットケーブルの可撓性が阻害される可能性がある。
【０００７】
また、絶縁性プラスチックを最外層、導電性金属を中間層、導電性接着剤を最内層としたシールド材をフラットケーブルの両面に貼り合わせる方法は、基板の表面とシールド材との間に絶縁性を確保することが必要な場合には適さない可能性がある。
【０００８】
本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、基板の可撓性、および基板の表面とシールド材との間の絶縁性の両方を確保することができるシールド材、シールド材付基板およびシールド材付基板の製造方法を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明に係るシールド材は、プラスチックフィルムと、前記プラスチックフィルムの片面に形成された第１接着層と、前記第１接着層上に接着された金属箔とを備える。前記金属箔は、厚み０．３μｍ以上９．９μｍ以下の、電解金属箔または圧延金属箔からなる。前記金属箔の前記第１接着層に面する側の表面粗さ（Ｒｚ）は、０．０１μｍ以上１．５０μｍ以下である。
【００１０】
前記シールド材において、前記第１接着層がアクリル樹脂、エポキシ樹脂およびウレタン樹脂から選ばれる少なくとも１種以上の樹脂を含むのが好ましい。
【００１１】
前記シールド材において、前記第１接着層のガラス転移温度は、前記プラスチックフィルムのガラス転移温度よりも低いことが好ましい。
【００１２】
前記シールド材において、前記第１接着層の厚みは０．１μｍ以上１０．０μｍ以下であることが好ましい。
【００１３】
前記シールド材において、前記第１接着層の２５℃における弾性率が１０００．０ＧＰａ以下であることが好ましい。
【００１４】
本発明に係るシールド材付基板は、基板と、前記基板の表面に形成された第２接着層と、前記第２接着層上に接着され、前記基板を覆う前記シールド材とを備える。前記シールド材は前記プラスチックフィルムが前記基板側になるように配置されている。
【００１５】
本発明に係るシールド材付基板の製造方法は、プラスチックフィルムの片面に第１接着層を介して金属箔が接着されたシールド材を準備する工程と、前記シールド材の前記プラスチックフィルムと、基板とを第２接着層形成用の接着剤により貼り付けて、第２接着層を形成する工程とを含む。前記金属箔は、厚み０．３μｍ以上９．９μｍ以下の、電解金属箔または圧延金属箔からなり、前記金属箔の前記第１接着層に面する側の表面粗さ（Ｒｚ）は、０．０１μｍ以上１．５０μｍ以下である。前記シールド材は前記プラスチックフィルムが前記基板側になるように配置されている。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、金属箔は厚み０．３μｍ以上９．９μｍ以下の電解金属箔または圧延金属箔からなり、金属箔の第１接着層に面する側の表面の表面粗さ（Ｒｚ）は０．０１μｍ以上１．５０μｍ以下であるので、市販の銅箔（表面粗さ（Ｒｚ）が２．０μｍ以上、更には７．０μｍ以上）を用いた同じ構成のシールド材（厚さが５０μｍ以上）より、シールド材全体の厚みを薄くすることができる。そのため、従来よりも薄いシールド材で基板を覆うことができ、基板の厚膜化を防止し、基板の可撓性を確保することができる。さらに、シールド材のプラスチックフィルムが基板側となるように、基板とシールド材とを貼り合わせれば、金属箔はプラスチックフィルムを介して基板に接着されるので、基板の表面とシールド材との間の絶縁性を確保することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の一実施形態に係るシールド材の層構成を説明するための断面図である。
【図２】本発明の一実施形態に係るシールド材付基板の構成を説明するための一部断面図である。
【図３】本発明の一実施形態に係るシールド材付基板の使用状態を示す断面図である。
【図４】図４Ａ，図４Ｂは，金属箔を製造するための装置を説明するための断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明を実施形態によって具体的に説明する。
【００１９】
［シールド材１］
図１は、本発明の一実施形態に係るシールド材１の層構成を説明するための断面図である。
【００２０】
シールド材１は、図１に示すように、プラスチックフィルム２と、プラスチックフィルム２の片面に形成された第１接着層３と、第１接着層３上に接着された金属箔４とを備える。そして、金属箔４は、厚み０．３μｍ以上９．９μｍ以下の、電解金属箔または圧延金属箔からなり、金属箔４の第１接着層３に面する側の表面粗さ（Ｒｚ）、すなわち第１接着層３が接着された金属箔の面の表面粗さ（Ｒｚ）は、０．０１μｍ以上１．５０μｍ以下である。これにより、市販の銅箔（表面粗さ（Ｒｚ）が２．０μｍ以上、更には７．０μｍ以上）を用いた同じ構成のシールド材（厚さが５０μｍ以上）より、シールド材１全体の厚みを薄くすることができる。そのため、従来よりも薄いシールド材１で基板２０を覆うことができ、基板２０の厚膜化を防止し、基板２０の可撓性を確保することができる。さらに、シールド材１のプラスチックフィルム２が基板２０側となるように、すなわちシールド材１のプラスチックフィルム２が基板２０と向き合うように、基板２０とシールド材１とを貼り合わせれば、金属箔４はプラスチックフィルム２を介して基板２０に接着されるので、基板２０の表面とシールド材１との間の絶縁性を確保することができる。
【００２１】
ここで、表面粗さ（Ｒｚ）とは、ＪＩＳ  Ｂ  ０６０１−２０１３に規定されている十点平均粗さ（ＲＺＪＩＳ）であって、粗さ曲線からその平均線の方向に基準長さだけを抜き取り、この抜取り部分の平均線から縦倍率の方向に測定した、最も高い山頂から５番目までの山頂の標高（Ｙｐ）の絶対値の平均値と、最も低い谷底から５番目までの谷底の標高（Ｙｖ）の絶対値の平均値との和を求め、この値をマイクロメートル（μｍ）で表したものをいう。
【００２２】
シールド材１の厚さは、好ましくは１０μｍ以上５０μｍ以下、より好ましくは２０μｍ以上４０μｍ以下である。
【００２３】
（プラスチックフィルム２）
プラスチックフィルム２を構成する材料としては、絶縁性、屈曲性を有する材料であれば特に限定されず、例えば、ＰＥＴ、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリフェニレンスルファイド（ＰＰＳ）などを用いることができる。
【００２４】
プラスチックフィルム２の厚みは、好ましくは１０μｍ以上４５μｍ以下、より好ましくは２０μｍ以下３０μｍ以上である。
【００２５】
（第１接着層３）
第１接着層３を構成する材料としては、プラスチックフィルム２と金属箔４との密着性に優れ、絶縁性、耐湿性、耐老化性、機械的特性を有するものであれば特に限定されず、例えば、アクリル樹脂、エポキシ樹脂およびウレタン樹脂から選ばれる少なくとも１種以上の樹脂を含むのが好ましい。
【００２６】
第１接着層３のガラス転移温度（Ｔｇ）は、プラスチックフィルム２のガラス転移温度（Ｔｇ）より低いことが好ましい。これにより、第１接着層３の弾性率を小さくすることができ、第１接着層３が、プラスチックフィルム２と金属箔４との間の応力緩和層としてより機能するようになる。そのため、得られるシールド材付基板１０において、シールド材付基板１０の屈曲による回路２２の断線がより発生しにくくなる。第１接着層３のガラス転移温度（Ｔｇ）をプラスチックフィルム２のガラス転移温度（Ｔｇ）より低くするには、例えば、プラスチックフィルム２を構成する材料に応じて、第１接着層３を構成する材料を適宜選択するなどすればよい。
【００２７】
ガラス転移温度（Ｔｇ）は、例えば、セイコーインスツルメンツ（株）製の粘弾性スペクトロメータ「ＤＭＳ１００」を用いて、動的粘弾性測定（ＤＭＡ）を行い、ｔａｎαが極大を示す温度として求めることができる。
【００２８】
第１接着層３の２５℃における弾性率は、好ましくは１０００．０ＧＰａ以下、より好ましくは０．１ＧＰａ以上１００．０ＧＰａ以下、さらに好ましくは０．６ＧＰａ以上６０.０ＧＰａ以下である。第１接着層３の２５℃における弾性率が上記範囲内であれば、第１接着層３が、プラスチックフィルム２と金属箔４との間の応力緩和層として機能しやすくなる。これにより、得られるシールド材付基板１０において、シールド材付基板１０の屈曲による回路２２の断線がより発生しにくくなる。第１接着層３の２５℃における弾性率を１０００．０ＧＰａ以下とするには、例えば、アクリル樹脂、エポキシ樹脂およびウレタン樹脂等の接着剤に含まれる樹脂の種類や配合比率を調整するなどすればよい。
【００２９】
弾性率の測定には、例えば、曲げ弾性率（ＪＩＳ  Ｋ７１７１）や引張弾性率（ＪＩＳ  Ｋ７１６２）の測定に使われる市販の測定装置を用いることができる。第１接着層３の厚みが１０μｍ以下であり、第１接着層３の弾性率の直接的な測定が難しい場合には、ビッカース硬度計、またはマイクロビッカース硬度計を用いることができる。また、被測定物となる第１接着層３に、顕微鏡下でそれぞれマイクロビッカース硬度計の四角錐圧子（あるいは測定ヘッド）を、所定圧力（例えば、ミツトヨ製の微小硬さ試験機「ＨＭ−２１１」の場合、試験力発生範囲が０．４９０３〜１９６１０ｍＮ）で押し当て、得られた測定値を、比較用に用意した厚み１ｍｍ以上の弾性率評価用ゴムシート（例えば、市販のシリコンゴムシート等）での測定値と置き換え、この弾性率評価用ゴムシートの弾性率を、そのまま第１接着層３の弾性率とすることもできる。
【００３０】
第１接着層３の厚みは、好ましくは０．１μｍ以上１０．０μｍ以下、より好ましくは０．５μｍ以上５μｍ以下、さらに好ましくは１μｍ以上３μｍ以下である。
【００３１】
（金属箔４）
金属箔４を構成する材料としては、基板に電磁波シールド特性を付与することができる材料であれば特に限定されず、例えば、銅、アルミニウム、ニッケル、ステンレス、軟鋼、Ｆｅ-Ｎｉ合金、洋白などを用いることができる。
【００３２】
金属箔４は、電解金属箔または圧延金属箔からなる。以下、金属箔４が電解金属箔からなる場合は電解金属箔４と称し、金属箔４が圧延金属箔からなる場合は圧延金属箔４と称する場合がある。ここで、電解金属箔とは、電解法により得られる金属箔である。また、圧延金属箔とは、圧延法により得られる金属箔である。また、金属箔４の第１接着層３に面する側の表面には粗化膜が形成されていてもよい。粗化膜としては、例えば、めっき皮膜などが挙げられる。めっき皮膜は、例えば、Ｎｉ、硫黄、Ｃｏ、Ｗ、Ａｌ等の少なくとも１種類以上を、それぞれ０．０１以上１０．０％以下の割合で含めてもよい。粗化膜は、例えば、後述する粗化処理により形成される。
【００３３】
金属箔４の厚みは、０．３μｍ以上９．９μｍ以下、好ましくは０．５μｍ以上５μｍ以下、より好ましくは１μｍ以上３μｍ以下である。金属箔の厚みが０．３μｍ未満であると、シールド材付基板１０に十分な電磁波シールド特性を付与することができない可能性がある。一方、金属箔の厚みが９．９μｍを超えると、シールド材付基板１０の可撓性が低下する可能性がある。ここで、金属箔４の第１接着層３に面する側の表面に粗化膜が形成されている場合には、金属箔４の厚みは粗化膜の厚みを含んだものである。粗化膜の厚みは好ましくは０．０１μｍ以上１．５０μｍ以下である。
【００３４】
金属箔４の第１接着層３に面する側の表面の表面粗さ（Ｒｚ）は、０．０１μｍ以上１．５０μｍ以下、好ましくは０．０５μｍ以上１．００μｍ以下、より好ましくは０．１０μｍ以上０．５０μｍ以下である。表面粗さ（Ｒｚ）が０．０１μｍ未満であると、金属箔４と第１接着層３との密着強度が十分ではない可能性がある。一方、表面粗さ（Ｒｚ）が１．５０μｍを超えると、シールド材付基板１０を屈曲させて使用する場合などにプラスチックフィルム２と金属箔４の一部とが接触しないように第１接着層の厚みを従来の厚み（例えば、２０μｍ以上）と同等に調整する必要があり、従来の市販の銅箔（表面粗さ（Ｒｚ）が２．０μｍ以上、更には７．０μｍ以上）を用いた同じ構成のシールド材に比べて、シールド材１全体の厚みを薄くすることができない可能性がある。ここで、表面粗さ（Ｒｚ）は、実施例と同様にして測定した値である。
【００３５】
金属箔４の第１接着層３に面しない側の表面の表面粗さ（Ｒｚ）は、特に限定されず、好ましくは、０．１μｍ以上７．０μｍ以下である。
【００３６】
なお、金属箔４の表面粗さ（Ｒｚ）の値は、金属箔４の厚みの値よりも小さい。
【００３７】
［シールド材付基板１０］
図２は、本発明の一実施形態に係るシールド材付基板１０の構成を説明するための一部断面図である。
【００３８】
シールド材付基板１０は、基板２０と、基板２０の表面に形成された第２接着層３０と、第２接着層３０上に接着され、基板２０を覆うシールド材１とを備え、シールド材１はプラスチックフィルム２が基板２０側になるように配置されている。シールド材付基板１０は、その一端部にメイン基板などと電気的に接続するための接続部（非可動部）１０Ａと、屈曲自在な可動部１０Ｂとを有する。接続部１０Ａにおいて、第２接着層３０は基板２０の基板などと電気的に接続される面とは反対側の面の全面に形成され、シールド材１は第２接着層３０を覆うように第２接着層３０上に接着されている。また、可動部１０Ｂにおいて、第２接着層３０は基板２０の両面の全面に形成され、シールド材１は第２接着層３０を覆うように第２接着層３０上に接着されている。ここで、可動部とは、捻りや折り曲げをできる部位をいう。
【００３９】
このようにシールド材付基板１０は、可動部１０Ｂにおいて、その両面が従来よりも薄いシールド材１で基板２０が覆われているので、基板２０の厚膜化をすることなく基板２０に電磁波シールド特性を付与し、同時に基板２０の可撓性を確保することができる。さらにシールド材１はプラスチックフィルム２が基板２０側になるように配置されているので、金属箔４はプラスチックフィルム２を介して基板２０に接着されることになる。そのため、金属箔４と基板２０表面との間の絶縁性を確保することができる。
【００４０】
シールド材付基板１０の外形は、特に限定されず、シールド材付基板１０の使用用途等に応じて適宜調整すればよい。接続部１０Ａはシールド材付基板１０の一端部のみに形成されていてもよいし、シールド材付基板１０の両端部に形成されていてもよく、シールド材付基板１０の使用用途に応じ適宜調整すればよい。また、必要に応じてシールド材付基板１０には半導体デバイス、チップ部品、コネクタなどが実装されていてもよい。
【００４１】
基板２０は、ベースフィルム２１と、ベースフィルム２１の両面に設けられた回路２２とを備える。基板２０は、ベースフィルム２１と回路２２とがエポキシ系、アクリル系の公知の接着剤を介して張り合わせた接着剤タイプの基板であってもよいし、ベースフィルム２１と回路２２との間に接着剤が存在しない無接着剤タイプの基板であってもよい。なかでも、基板２０の可撓性等を確保する等の観点から、無接着剤タイプであるのが好ましい。なお、本発明における基板は、ベースフィルムの片面に回路が形成された基板であってもよい。
【００４２】
ベースフィルム２１を構成する材料は、耐熱性、絶縁性、可撓性、屈曲性を有する材料であればよく、例えば、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂などを用いることができる。ベースフィルム２１の厚みは、好ましくは１０μｍ以上３００μｍ以下、より好ましくは３０μｍ以上１００μｍ以下である。回路２２を構成する材料としては、例えば、銅、アルミニウム、ニッケル、ステンレス、軟鋼、Ｆｅ-Ｎｉ合金、洋白などを用いることができる。回路２２の厚みは、好ましくは１μｍ以上３５μｍ以下、より好ましくは３μｍ以上１８μｍ以下である。
【００４３】
第２接着層３０は、第２接着層形成用の接着剤（以下、第２接着剤という場合がある）を用いて形成される。
【００４４】
第２接着剤を構成する材料としては、シールド材１と基板２０との密着性に優れ、絶縁性、耐湿性、耐老化性、機械的特性を有するものであれば特に限定されず、例えば、エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂を主成分として用いることができる。特に、ガラス転移温度（Ｔｇ）が２００℃以下（下限は８０℃）であるエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂が好ましい。これにより、例えば、後述するように、シールド材付基板１０を製造する際、シールド材１上または基板２０上に第２接着剤を半硬化状態として形成すれば、熱圧着の温度を１８０℃以下にすることができる。
【００４５】
第２接着層３０の厚みは、好ましくは２μｍ以上５０μｍ以下、より好ましくは５μｍ以上２０μｍ以下である。
【００４６】
シールド材付基板１０は、携帯電話、スマートフォン等の移動体電子機器に代表される各種電子機器などに有用である。
【００４７】
図３は、本発明の一実施形態に係るシールド材付基板１０の使用状態を示す断面図である。シールド材付基板１０は、例えば、図３に示すように、絶縁樹脂層と内層回路とが交互に積層され、絶縁樹脂層の最外層上に外層回路３１０を備えるメイン基板３００と電気的に接続され、使用される。外層回路３１０のうちシールド材付基板１０と電気的接続するために形成された接続用外層回路３１０Ａと、回路２２のうちメイン基板３００と電気的接続するために形成された接続用回路２２Ａとの間に導電性接着剤層４００が介在することで、シールド材付基板１０およびメイン基板３００は電気的に接続されている。
【００４８】
メイン基板３００には、必要に応じて、外層回路３１０と内層回路や、内層回路とこの内層回路の表面又は裏面に絶縁樹脂層を介して位置する内層回路を電気的に接続するためのスルーホールやブラインドバイアホールなどが形成されていてもよい。
【００４９】
絶縁樹脂層としては、例えば、ガラス繊維にエポキシ樹脂を含浸させてなる基板（ＦＲ−４基板）などを用いることができる。内層回路を構成する材料としては、例えば、銅、アルミニウム、ニッケル、ステンレス、軟鋼、Ｆｅ-Ｎｉ合金、洋白などを用いることができる。
【００５０】
導電性接着剤層４００は、例えば、半田樹脂および熱硬化性樹脂を含む熱硬化性樹脂組成物を硬化させたものである。シールド材付基板１０とメイン基板３００とを電気的に接続するにあたっては、まず半田粒子を散在させたペースト状の熱硬化性樹脂組成物を、シリンジ等を用いて導電性接着剤層４００上に塗布する。次いで接続用回路２２Ａと接続用外層回路３１０Ａとを位置合わせし、接続用回路２２Ａおよび接続用外層回路３１０Ａの間に熱硬化性樹脂組成物を介在させた状態で加熱する。この加熱の際、熱硬化性樹脂は硬化が進行すると同時に半田粒子が溶融する。これにより、シールド材付基板１０とメイン基板３００との接続領域は硬化した熱硬化性樹脂組成物で接着され、同時に接続用回路２２Ａと接続用外層回路３１０Ａとは溶融した半田粒子で融着し、シールド材付基板１０とメイン基板３００とは電気的に接続される。
【００５１】
なお、この使用状態では、接続用回路２２Ａおよび接続用外層回路３１０Ａの間に導電性接着剤層４００を介在させているが、例えば、接続用回路２２Ａと接続用外層回路３１０Ａとを直接半田付けしてもよいし、導電性接着剤層４００の代わりに、はんだ、銅、ニッケル、金や、これらの複合体などを含むバンプなどを用いてもよい。接続用回路２２Ａおよび接続用外層回路３１０Ａの間にバンプを介在させる場合、シールド材付基板１０とメイン基板３００との重なり部位の隙間にアンダーフィルを形成し、シールド材付基板１０とメイン基板３００とを接着してもよい。また、接続用回路２２Ａと接続用外層回路３１０Ａとが同じパターンである場合には、シールド材付基板１０に固定用ビスが螺着可能な螺子孔を形成しておき、接続用回路２２Ａと接続用外層回路３１０Ａと位置合わせをして、メイン基板３００、シールド材付基板１０、固定具をこの順に配置し、固定用ビスを固定具上から螺入して、シールド材付基板１０をメイン基板３００および固定具の間に挟み込んで圧着固定してもよい。
【００５２】
［シールド材付基板１０の製造方法］
シールド材付基板１０の製造方法は、シールド材１を準備する工程（ａ）と、第２接着層３０を形成する工程（ｂ）とを含む。
【００５３】
（シールド材１を準備する工程（ａ））
工程（ａ）では、例えば、金属箔４を製造するステップ（ａ１）、プラスチックフィルム２の片面に第１接着層３を介して金属箔４を接着するステップ（ａ２）を含む。
【００５４】
ステップ（ａ１）では、金属箔４を製造する。金属箔４の製造方法としては、例えば、電解法により未処理電解金属箔を析出させ、析出させた未処理電解金属箔の表面を粗化処理する方法；金属シートを圧延加工し、圧延加工した未処理圧延金属箔の表面を粗化処理する方法などが挙げられる。粗化処理する方法としては、例えば、表面を酸化処理することによって粗化処理する黒色酸化処理法、黒色酸化処理法により処理された面を還元することによって粗化処理する化学還元処理法、表面を例えば無電解銅めっきによって粗化処理する無電解銅めっき処理法などが挙げられる。
【００５５】
金属箔４の厚みを０．３μｍ以上９．９μｍ以下とするには、電解金属箔４の場合、例えば、後述するように導電支持体２４０に印加する電圧を調整するなどすればよい。また、金属箔４の第１接着層３に面する側の表面の表面粗さ（Ｒｚ）を０．０１μｍ以上１．５０μｍ以下とするには、粗化処理を電解粗化処理法により行う場合は、未処理電解金属箔や未処理圧延金属箔を粗化液に浸漬する粗化処理時間、粗化液の濃度、粗化液の液温等を調整すればよい。
【００５６】
ステップ（ａ２）では、プラスチックフィルム２の片面に第１接着層３を介して金属箔４を接着する。具体的には、上述した第１接着層３を構成する材料を主成分とする第１接着剤をプラスチックフィルム２の片面又は金属箔４の片面に塗布して塗膜（以下、第１塗膜という場合がある）を形成し、プラスチックフィルム２、第１塗膜、金属箔４がこの順になるように積層し、熱圧着することで積層一体化する。この際、金属箔４の表面粗さ（Ｒｚ）が、０．０１μｍ以上１．５０μｍ以下である面が第１塗膜側となるように、金属箔４を配置する。工程（ａ２）を経て、図１に示す、プラスチックフィルム２と、プラスチックフィルム２の片面に形成された第１接着層３と、第１接着層３上に接着された金属箔４とを備えるシールド材１が得られる。
【００５７】
熱圧着する方法としては、例えば、金型プレス、ラミネーターなどを用いることができる。熱圧着時の温度は好ましくは１００〜１５０℃であり、処理時間は好ましくは１〜１０分程度であり、雰囲気は好ましくは０．０５〜０．２０ＭＰａである。
【００５８】
以下、電解金属箔４の製造方法の一例について具体的に説明する。
【００５９】
図４Ａ，図４Ｂは，金属箔４を製造するための装置を説明するための断面図である。
【００６０】
まず、不溶性陽極２１０および導電支持体２４０に電源２００を接続し、処理槽２３０内の電解液２２０中に不溶性陽極２１０および導電支持体２４０を浸漬して、導電支持体２４０の表面に未処理電解金属箔１５０を析出させる。
【００６１】
この際、導電支持体２４０に加える電圧の印加方法等を最適化することで、厚み０．３μｍ以上９．９μｍ以下の金属箔１５０とすることができる。また、導電支持体２４０の表面に未処理電解金属箔１５０を連続的に析出させることで、厚みバラツキが低減された未処理電解金属箔１５０が得られる。
【００６２】
電解液２２０としては、金属箔４と同等の純度をもつ未処理電解金属箔１５０を電解析出させることができる溶液であれば、金属箔４を構成する材料に応じて適宜選択すればよく、金属箔４を構成する材料が銅である場合は例えば硫酸銅溶液などを用いることができる。処理槽２３０はバッチ式の水槽であるが、ドラム式の水槽やドラム式の長尺対応の設備を用いることができる。長尺対応の設備を用いることで、長尺の金属箔４の、品質の安定化が可能となる。導電支持体２４０としては、例えば、銅板、長尺の銅箔、ＳＵＳ板などの金属板であり、例えば厚み１８μｍの電解銅箔等の市販の金属箔を用いることができる。
【００６３】
なお、導電支持体２４０の表面に導電性の剥離層（図示していない）を形成し、次いでこの剥離層の表面に未処理電解金属箔１５０を析出させるのが好ましい。これにより、導電支持体２４０から金属箔４を剥離する作業性を高めることができる。剥離層としては、導電性を有していればよく、例えば、厚み１μｍ以下のニッケルを主体とした金属層などが挙げられる。
【００６４】
また、導電支持体２４０が電解銅箔からなる場合、電解銅箔からなる導電支持体２４０の光沢面（あるいは表面粗さの小さい面）に、未処理電解金属箔１５０を析出させることで、極薄であって厚みバラツキの小さい未処理電解金属箔１５０を析出させることができる。また電解銅箔からなる導電支持体２４０の表面粗さが、導電性の剥離層を介して、未処理電解金属箔１５０の表面粗さとして転写されることを利用することで、未処理電解金属箔１５０の表面粗さを調整することができる。
【００６５】
その後、図４Ｂに示すように、得られた導電支持体２４０付の未処理電解金属箔１５０を処理槽２５０内の粗化液２６０中に浸漬させて、未処理電解金属箔１５０の導電支持体２４０が付いていない側の表面に粗化処理を施す。これにより、導電支持体２４０付の金属箔４が得られる。
【００６６】
この際、未処理電解金属箔１５０を粗化液２６０に浸漬する粗化処理時間、粗化液２６０の濃度、粗化液２６０の液温等を最適化することで未処理電解金属箔１５０の表面粗さ（Ｒｚ）を０．０１μｍ以上１．５０μｍ以下とすることができる。
【００６７】
処理槽２５０はバッチ式の水槽である。粗化液２６０としては、例えば、一般に銅箔表面を粗化処理に使用されるブラックオキサイド処理液や、ブラウンオキサイド処理液などを用いることができる。
【００６８】
プラスチックフィルム２の片面に第１接着剤を塗布して第１塗膜を形成し、プラスチックフィルム２、第１塗膜、金属箔４および導電支持体２４０がこの順になるように配置し、熱圧着することで積層一体化する。次いで、得られた積層体から導電支持体２４０を剥離、除去することで、プラスチックフィルム２と、プラスチックフィルム２の片面に形成された第１接着層３と、第１接着層３上に接着された金属箔４とを備えるシールド材１が得られる。
【００６９】
（第２接着層を形成する工程（ｂ））
工程（ｂ）では、例えば、基板２０の製造するステップ（ｂ１）と、シールド材１および基板２０を第２接着剤により貼り付けるステップ（ｂ２）と、第２接着層３０を形成するステップ（ｂ３）とを含む。
【００７０】
ステップ（ｂ１）では、基板２０を製造する。基板２０の製造方法としては、例えば、両面金属箔積層板の両面の金属箔の一部を、サブトラクティブ法等を使用してエッチング除去して所定の回路を形成する方法などが挙げられる。両面金属箔積層板の製造方法としては、接着剤タイプの場合には、例えば、ドライラミネーション方式、熱プレス方式などの公知の製造方法が挙げられ、無接着剤タイプの場合には、例えば、キャスティング方式、スパッタリング方式、めっき方式などの公知の製造方法が挙げられる。
【００７１】
ステップ（ｂ２）では、シールド材１と、基板２０とを第２接着剤により貼り付ける。この際、シールド材１はプラスチックフィルム２が基板２０側になるように配置する。
【００７２】
第２接着剤により貼り付ける方法としては、例えば、シールド材１のプラスチックフィルム２の表面に第２接着剤を塗布して塗膜（以下、第２塗膜という場合がある）を形成した後、基板２０の片面とシールド材１とを重ね合わせ、次いで同様にして基板２０の残りの面とシールド材１とを重ね合わせる方法や、基板２０の片面に第２接着剤を塗布して第２塗膜を形成した後、この第２塗膜上にプラスチックフィルム２が第２塗膜側となるようにシールド材１を重ね合わせ、次いで同様にして基板２０の残りの面にシールド材１を重ね合わせる方法など挙げられる。
【００７３】
ステップ（ｂ３）では、第２接着層３０を形成する。これにより、図２に示すように、基板２０と、基板２０の表面に形成された第２接着層３０と、第２接着層３０上に接着され、基板２０を覆うシールド材１とを備え、シールド材１はプラスチックフィルム２が基板２０側になるように配置されたシールド材付基板１０が得られる。
【００７４】
第２接着層３０を形成する方法としては、例えば、ステップ（ｂ２）で重ね合わせた積層体を熱圧着して、第２塗膜を硬化させて積層一体化する方法などが挙げられる。
【００７５】
熱圧着時の温度は好ましくは１５０〜１８０℃であり、処理時間は好ましくは３０〜６０分であり、雰囲気は好ましくは０．０５〜０．２０ＭＰａである。
【実施例】
【００７６】
以下、本発明を実施例によって具体的に説明する。尚、本発明は、下記の実施例に限定されるものではない。
【００７７】
実施例において、表面粗さ（Ｒｚ）、厚み、ガラス転移温度および弾性率の測定方法は下記のとおりである。
【００７８】
（表面粗さ（Ｒｚ））
株式会社東京精密製の表面粗さ計測器「ＳＵＲＦＣＯＭ１５００ＳＤ表面粗さ計測器」を用いて、ＪＩＳ  Ｂ  ０６０１−２０１３で定義される十点平均粗さ（ＲＺＪＩＳ）を求めた。
【００７９】
（厚み）
被測定物を厚み方向に断面研磨し、ＯＬＹＭＰＵＳ製の計測器付光学顕微鏡「ＬＥＸＴＯＬＳ４１００」を用いて、厚みを測定した。
【００８０】
（ガラス転移温度）
ガラス転移温度（Ｔｇ）は、セイコーインスツルメンツ（株）製の粘弾性スペクトロメータ「ＤＭＳ１００」を用いて測定した。このとき、曲げモジュールで周波数を１０Ｈｚとして測定を行い、昇温速度５℃／分の条件で室温から２８０℃まで昇温した際にｔａｎδが極大を示す温度をガラス転移温度（Ｔｇ）とした。
【００８１】
（弾性率）
動的粘弾性測定装置（セイコーインスツル社製「ＤＭＳ２１０」）を用いて、２５℃における弾性率を測定した。
【００８２】
[実施例１]
プラスチックフィルム２、第１接着剤は下記のものを用いた。また、金属箔４は下記のようにして作製したものを用いた。
【００８３】
（プラスチックフィルム２）
・東洋紡株式会社製のＰＥＴフィルム「コスモシャインＡ４３００」（厚み：２５μｍ、ガラス転移温度：８０℃）を用いた。
（第１接着剤）
・三菱化学株式会社製の「ｊＥＲ  ＳＴ１１」を用いた。
【００８４】
（金属箔４の作製）
電解銅膜４を図４Ａおよび図４Ｂに示す装置を用いて作製した。不溶性陽極２１０、電解液２２０、導電支持体２４０および粗化液２６０は下記のものを用いた。
＜不溶性陽極２１０＞
ＴＤＫ株式会社製の「Ｋ−５００」を用いた。
＜電解液２２０＞
硫酸銅５水和物１５０ｇ／Ｌ、硫酸１００ｇ／Ｌ、３−Ｍｅｒｃａｐｔｏ−１−ｐｒｏｐａｎｓｕｌｆｏｎｉｃ  Ａｃｉｄ  Ｓｏｄｉｕｍ  Ｓａｌｔ（ＭＰＳ）５ｐｐｍ、ポリエチレングリコール（重量平均分子量：２０００）１５ｐｐｍ、塩素イオン１０ｐｐｍからなる硫酸銅溶液（ｐＨ：７）を用いた。
＜導電支持体２４０＞
電解銅箔（厚さ：１２μｍ、光沢面の表面粗さＲｚ：０．８μｍ）を用いた。
＜粗化液２６０＞
硫酸ニッケル２８０ｇ／Ｌ、塩化ニッケル４５ｇ／Ｌ、クエン酸２１ｇ／Ｌの組成で調製したクエン酸ニッケルめっき浴（ｐＨ：５）を用いた。
【００８５】
まず、導電支持体２４０を、１０％硫酸中、温度：３０℃、電流密度：５Ａ／ｄｍ２、処理時間：２０秒の条件で陰極処理により表面を清浄化した後、純水で２０秒洗浄した。次いで、硫酸ニッケル６水和物３０ｇ／Ｌ、Ｎａ２ＭｏＯ４２水和物３ｇ／Ｌ、クエン酸ナトリウム４０ｇ／Ｌ、の組成で調製した剥離層形成用の電解液（ｐＨ：６）で、温度：３０℃、電流密度：２Ａ／ｄｍ２、処理時間：２０秒の条件で電解することにより、光沢面にＮｉ成分を有する剥離層を導電支持体２４０の表面に形成した。次いで、導電支持体２４０を流水で２０秒洗浄した後、ピロリン酸銅めっき浴により温度：３０℃、ｐＨ：６．０、電流密度：０．５Ａ／ｄｍ２、処理時間：２０秒の条件で陰極処理を行った後、純水で２０秒洗浄した。
【００８６】
さらに電解液２２０の中で、温度：４０℃、電流密度：７Ａ／ｄｍ２、電解処理時間：６０秒の条件で電解することにより、導電支持体２４０の表面に未処理電解銅箔１５０を析出した。未処理電解銅箔１５０の厚みは２μｍであった。その後、未処理電解銅箔１５０を流水で２０秒洗浄した後、公知の方法で防錆処理とシランカップリング剤処理を行った。
【００８７】
その後、防錆処理を兼ねて、クエン酸ニッケルめっき浴粗化液２６０の中で、温度：５０℃、電流密度：３．０Ａ／ｄｍ２、粗化処理時間：５秒の条件で未処理電解銅箔１５０の表面の粗化処理を行うことで、未処理電解銅箔１５０の表面に薄Ｎｉ層（粗化膜）を形成し、導電支持体２５０付きの電解銅箔４を得た。得られた電解銅箔４の粗化処理を施した表面の表面粗さ（Ｒｚ）は、１．３０μｍであった。
【００８８】
＜シール材１の作製＞
まず、プラスチックフィルム２の片面に、第１接着層３を構成する接着剤を塗布して第１塗膜を形成した。次いで、導電支持体２５０付きの電解銅箔４を粗化処理された面が第１塗膜側となるように、プラスチックフィルム２、第１塗膜、金属箔４および導電支持体２４０を重ね合わせた。次いで、真空引き（５０Ｔｏｒｒ以下）しながら１５０℃、１．３ＭＰａの圧力で貼合し、６０℃×７日間エージングした。この後、導電支持体２５０を剥離し、シール材１を得た。
【００８９】
シール材１の厚みは、３５μｍであった。第１接着層３の厚みは、８μｍであった。
第１接着層３の２５℃における弾性率は５００ＧＰａであった。第１接着層３のガラス転移温度は７０℃であった。
【００９０】
［実施例２］
実施例１において、電解処理時間を２４０秒とすることにより、８μｍの厚みの電解銅箔４を得た。また第１接着剤として、三菱化学株式会社製の「ｊＥＲ １０３２Ｈ６０」を用いた。その他の条件は実施例１と同じとした。
【００９１】
シール材１の厚みは、４１μｍであった。第１接着層３の２５℃における弾性率は５０ＧＰａであった。
【００９２】
［実施例３］
実施例１において、粗化処理時間を２秒とすることにより、表面粗さ（Ｒｚ）が、０．２μｍの電解銅箔４を得た。また第１接着層３の厚みは、２μｍとした。その他の条件は実施例１と同じとした。シール材１の厚みは、２９μｍであった。
【００９３】
［実施例４］
実施例１において、接着剤として、ＤＩＣ株式会社製の「ＥＸＡ−８３０ＬＶＰ 」を用いた。その他の条件は実施例１と同じとした。第１接着層３の２５℃における弾性率は１５００ＧＰａであった。
【００９４】
［比較例１］
実施例１において、電解処理時間を４８０秒とすることにより、１５μｍの厚みの電解銅箔４を得た。また、粗化処理時間を２０秒とすることにより、表面粗さ（Ｒｚ）が、７．０μｍの電解銅箔４を得た。第１接着層３の厚みは、１５μｍとした。その他の条件は実施例１と同じとした。シール材１の厚みは、５５μｍであった。
【００９５】
得られたシール材を用いてシールド材付基板を作製し、下記の評価を行った。
【００９６】
＜シールド材付基板の作製＞
基板２０、第２接着層形成用の接着剤は下記のものを用いた。
（基板２０）
パナソニック株式会社製の「Ｒ−Ｆ７７５」を用いた。
（第２接着層形成用の接着剤）
三菱化学株式会社製の「ｊＥＲ  ＳＴ１１」を用いた。
【００９７】
まず、基板２０の片面に第２接着剤を塗布して第２塗膜を形成した後、この第２塗膜上に、プラスチックフィルム２が第２塗膜側となるようにシールド材１を重ね合わせた。次いで、同様にして基板２０の残りの面に第２接着剤を塗布して第２塗膜を形成した後、この第２塗膜上に、プラスチックフィルム２が第２塗膜側となるようにシールド材１を重ね合わせた。その後、温度：１２０℃、圧力：０．１ＭＰａ、処理時間：１０分の圧力の条件で、熱圧着して積層一体化した。これにより、シールド材付基板１０を得た。
【００９８】
（可撓性評価）
２００ｍｍ×５ｍｍのシールド材付基板１０を用い、ＪＩＳ  Ｃ  ５０１６に規定される耐屈曲性試験を行った。屈曲性試験条件は、屈曲半径５ｍｍ、ストローク５０ｍｍ、往復回数１００回とした。シールド材付基板１０の可撓性を下記の判断基準で評価した。
「◎」：シールド材付基板１０に割れ、欠け、ひびが全く発生しない。
「○」：シールド材付基板１０に割れ、欠けが発生しないが、わずかなひびが発生している。
「×」：シールド材付基板１０の一部に割れ、欠け、が発生している。
【００９９】
（絶縁性評価）
シールド材付基板１０を、６０℃、９０％Ｒｈの環境下に９６時間放置した後に、基板２０の表面の導体とシールド材１表面の金属箔との間に、ＤＣ５００Ｖの電圧を印加し、絶縁性を下記の判断基準で評価した。
「○」：基板２０の表面の回路２２とシールド材１表面の金属箔４の絶縁抵抗が１０６Ω以上である。
「×」：基板２０の表面の回路２２とシールド材１表面の金属箔４の絶縁抵抗が１０６Ω未満である。
【０１００】
（断線評価）
２００ｍｍ×５ｍｍの基板２０の表面に、導体幅／導体間隙が１００μｍ／１００μｍの配線パターンを形成したシールド材付基板１０を用い、ＪＩＳ  Ｃ  ５０１６に規定される耐屈曲性試験を行った。屈曲性試験条件は、屈曲半径５ｍｍ、ストローク５０ｍｍ、往復回数１００回とした。シールド材付基板１０について下記の判断基準で断線評価した。
「○」：断線なし。
「×」：断線あり。
【０１０１】
評価結果を表１に示す。
【０１０２】
【表１】
2016181615.tif 000003
【符号の説明】
【０１０３】
１      シール材
２      プラスチックフィルム
３      第１接着層
４      金属箔
１０    シールド材付基板
２０    基板
２１    ベースフィルム
２２    回路
３０    第２接着層
１５０  未処理電解金属箔
２００  電源
２１０  不溶性陽極
２２０  電解液
２３０  処理槽
２４０  導電支持体
２５０  処理槽
２６０  粗化液
３００  メイン基板
３１０  外層回路
４００  導電性接着剤層
【図１】
2016181615.tif 000004
【図２】
2016181615.tif 000005
【図３】
2016181615.tif 000006
【図４】
2016181615.tif 000007