(57)【要約】      （修正有）【課題】高精度メタルマスク（ＦＭＭ）の開口を増大するとともに、仮想画素密度（ＰＰＩ）を増加する有機発光ダイオード表示パネル及び表示パネルの画素配列構造を提供する。【解決手段】表示パネル１３は、第１方向１１、第１方向１１に垂直する第２方向１２、及び表示パネル１３に分布する複数のサブ画素領域１４を備え、複数のサブ画素領域１４は、それぞれ第１方向１１と第２方向１２に沿って配列され、各サブ画素領域１４内にＲ、Ｇ、Ｂサブ画素１５が設置され、第１方向１１に、Ｒ、Ｇ、Ｂサブ画素１５が順次配列され、第２方向１２に、Ｒ、Ｇ、Ｂサブ画素１５が順次配列され、且つ、複数のサブ画素領域１４の長軸が第２方向１２に平行し、Ｒ、Ｇ、Ｂサブ画素１５の長軸が第１方向１１に平行し、且つ各サブ画素は２つの互いに隣接するサブ画素領域１４を被覆する。【選択図】図３
2016038570.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１方向、第１方向に垂直する第２方向、及び前記表示パネルに分布する複数のサブ画素領域を備え、前記複数のサブ画素領域はそれぞれ前記第１方向と前記第２方向に沿って配列され、前記各サブ画素領域内にＲ、Ｇ、Ｂサブ画素が設置された表示パネルの画素配列構造であって、
前記第１方向に、前記Ｒ、Ｇ、Ｂサブ画素が順次配列され、
前記第２方向に、前記Ｒ、Ｇ、Ｂサブ画素が順次配列され、
且つ、前記複数のサブ画素領域の長軸が第２方向に平行し、前記Ｒ、Ｇ、Ｂサブ画素の長軸が第１方向に平行し、且つ前記各サブ画素が２つの互いに隣接するサブ画素領域を被覆することを特徴とする表示パネルの画素配列構造。
【請求項２】
前記第１方向がゲート線方向であることを特徴とする請求項１に記載の表示パネルの画素配列構造。
【請求項３】
前記第２方向がデータ線方向であることを特徴とする請求項１に記載の表示パネルの画素配列構造。
【請求項４】
前記各サブ画素の長軸方向が前記表示パネルの長軸方向に平行することを特徴とする請求項１に記載の表示パネルの画素配列構造。
【請求項５】
前記第１方向に沿って配列された３つの隣接のサブ画素領域に１つのサブ画素Ｒ、１つのサブ画素Ｂ及び２つのサブ画素Ｇが被覆され、２つの仮想ＲＧＢ画素を構成することを特徴とする請求項２に記載の表示パネルの画素配列構造。
【請求項６】
前記第１方向に沿って配列された３つの隣接のサブ画素領域に、１つのサブ画素Ｂ、１つのサブ画素Ｇ及び２つのサブ画素Ｒが被覆され、２つの仮想ＲＧＢ画素を構成することを特徴とする請求項２に記載の表示パネルの画素配列構造。
【請求項７】
前記第１方向に沿って配列された３つの隣接のサブ画素領域に、１つのサブ画素Ｒ、１つのサブ画素Ｇ及び２つのサブ画素Ｂが被覆され、２つの仮想ＲＧＢ画素を構成することを特徴とする請求項２に記載の表示パネルの画素配列構造。
【請求項８】
前記有機発光ダイオード表示パネルの第１方向に沿って分布された複数本のゲート線と、
前記有機発光ダイオード表示パネルの前記第１方向に垂直する第２方向に沿って分布された複数本のデータ線と、
前記有機発光ダイオード表示パネルの前記第１方向と前記第２方向に沿って配列された画素構造と、を備え、
前記画素構造は、
長軸が第２方向に平行する複数のサブ画素領域と、
それぞれ前記複数のサブ画素領域内に分布するとともに、第１サブ画素、第２サブ画素及び第３サブ画素を備え、長軸が第１方向に平行し、且つそれぞれが２つの互いに隣接するサブ画素領域を被覆する複数のサブ画素と、を備えることを特徴とする前記有機発光ダイオード表示パネル。
【請求項９】
前記第１サブ画素、第２サブ画素及び第３サブ画素は、それぞれＲサブ画素、Ｇサブ画素及びＢサブ画素であることを特徴とする請求項８に記載の有機発光ダイオード表示パネル。
【請求項１０】
前記第１方向に沿って配列された３つの隣接のサブ画素領域に、１つのサブ画素Ｒ、１つのサブ画素Ｇ及び２つのサブ画素Ｂが被覆され、２つの仮想ＲＧＢ画素を構成することを特徴とする請求項８に記載の有機発光ダイオード表示パネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機発光ダイオード表示パネル及び表示パネルの画素配列構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
図１は従来の表示パネルのＲＧＢ画素配列構造であり、表示パネルは、第１方向に沿って配置されたゲート線、第２方向に沿って配置されたデータ線、及び表示パネルに緊密に配置された複数のサブ画素領域２１を備え、第１方向と第２方向が互いに垂直し、複数のサブ画素領域２１はそれぞれ第１方向と第２方向に沿って配列され、各サブ画素領域２１内にいずれも１つのＲ、Ｇ、Ｂサブ画素２２が設置され、図２に示すように、隣接する１つのサブ画素Ｒ、１つのサブ画素Ｇ及び１つのサブ画素Ｂで１つのＲＧＢ画素２３を構成し、複数のＲＧＢ画素２３で表示パネルの表示を構成する。しかしながら、従来の画素配列構造には、第１方向であるゲート線方向のみに、Ｒ、Ｇ、Ｂという３つのサブ画素を順次配列して複数のＲＧＢ画素２３を構成し、第２方向であるデータ線方向に配列されたサブ画素が同じであり、このため、このような画素配列構造は、第１方向であるゲート線方向のみに沿って複数のＲＧＢ画素を形成し、表示パネルのインチあたりに所有するＲＧＢ画素数、即ち画素密度（Ｐｉｘｅｌｓ  Ｐｅｒ  Ｉｎｃｈ，ＰＰＩと略称する）が小さく、画面の表示精度が高くない。ＰＰＩの数値が高くするほど、表示画面が高い密度で画像を表示することを表し、勿論、表示の密度が高くするほど、迫真性が高くし、４．３インチの４８０ＲＧＢ×８００表示画面を例として、そのＰＰＩが２１７である。表示パネルの解像度に対する要求の向上に従って、高精度メタルマスク（Ｆｉｎｅ  Ｍｅｔａｌ  Ｍａｓｋ，ＦＭＭと略称する）の開口がより小さいことを要求するが、高精度メタルマスクの蒸着精度の影響により、従来の画素配列方法の表示パネルはＦＭＭの開口に対する要求を満たすことができなく、低解像度の製品しかを製造することができなく、表示パネルの解像度の向上を制限する。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
本発明が解決しようとする技術問題は、ＦＭＭの開口を増大するとともに、仮想ＰＰＩを増加する有機発光ダイオード表示パネル及び表示パネルの画素配列構造を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
上記技術効果を達成するために、本発明は、第１方向、第１方向に垂直する第２方向、及び前記表示パネルに分布する複数のサブ画素領域を備え、前記複数のサブ画素領域は、それぞれ前記第１方向と前記第２方向に沿って配列され、前記各サブ画素領域内にＲ、Ｇ、Ｂサブ画素が設置された表示パネルの画素配列構造であって、
前記第１方向に、前記Ｒ、Ｇ、Ｂサブ画素が順次配列され、
前記第２方向に、前記Ｒ、Ｇ、Ｂサブ画素が順次配列され、
且つ、前記複数のサブ画素領域の長軸が第２方向に平行し、前記Ｒ、Ｇ、Ｂサブ画素の長軸が第１方向に平行し、且つ前記各サブ画素は２つの互いに隣接するサブ画素領域を被覆する表示パネルの画素配列構造を開示する。
【０００５】
前記表示パネルの画素配列構造の更なる改良は、前記第１方向がゲート線方向であることにある。
【０００６】
前記表示パネルの画素配列構造の更なる改良は、前記第２方向がデータ線方向であることにある。
【０００７】
本発明は、以上の技術案を採用したので、以下の利益な効果を有する。もとのサブ画素領域に１対１に対応するＲ、Ｇ、Ｂサブ画素を９０度回転し、且つＲ、Ｇ、Ｂサブ画素の配列方法を調整することにより、もとのゲート線又はデータ線の中の１つの方向のみに沿って順次配置されてＲＧＢ画素を構成するＲ、Ｇ、Ｂサブ画素を、現在、それぞれゲート線とデータ線の方向に沿って同時に順次配列し、且つ各Ｒ、Ｇ、Ｂさぶ画素は２つの互いに隣接するサブ画素領域を被覆することにより、表示パネルでのＲＧＢ画素の数を増加し、表示パネルのサイズが変わらないうえに、ＲＧＢ画素の画素密度を増大し、画素密度の増大によりさらに表示パネルの解像度を向上させ、画面の品質を向上させる。また、Ｒ、Ｇ、Ｂという３つのサブ画素を９０度回転した後、高精度メタルマスク（Ｆｉｎｅ  Ｍｅｔａｌ  Ｍａｓｋ，ＦＭＭと略称する）の最小開口のサイズを増大させ、表示画面の輝度を向上させるとともに、同じサブ画素の間の間隔を増大し、表示パネルの解像度を確保するうえにＦＭＭの製作を簡素化する。
【０００８】
前記表示パネルの画素配列構造の更なる改良は、前記各サブ画素の長軸方向が、前記表示パネルの長軸方向に平行することにある。
【０００９】
前記表示パネルの画素配列構造の更なる改良は、前記第１方向に沿って配列された３つの隣接のサブ画素領域に１つのサブ画素Ｒ、１つのさぶ画素Ｂ及び２つのサブ画素Ｇが被覆され、２つの仮想ＲＧＢ画素を構成することにある。
【００１０】
前記表示パネルの画素配列構造の更なる改良は、前記第１方向に沿って配列された３つの隣接のサブ画素領域に１つのサブ画素Ｂ、１つのサブ画素Ｇ及び２つのサブ画素Ｒが被覆され、２つの仮想ＲＧＢ画素を構成することにある。
【００１１】
前記表示パネルの画素配列構造の更なる改良は、前記第１方向に沿って配列された３つの隣接のサブ画素領域に１つのサブ画素Ｒ、１つのサブ画素Ｇ及び２つのサブ画素Ｂが被覆され、２つの仮想ＲＧＢ画素を構成することにある。
【００１２】
本発明は、
前記有機発光ダイオード表示パネルの第１方向に沿って分布された複数本のゲート線と、
前記有機発光ダイオード表示パネルの前記第１方向に垂直する第２方向に沿って分布された複数本のデータ線と、
前記有機発光ダイオード表示パネルの前記第１方向と前記第２方向に沿って配列された画素構造と、を備え、
前記画素構造は、
長軸が第２方向に平行する複数のサブ画素領域と、
それぞれ前記複数のサブ画素領域内に分布するとともに、第１サブ画素、第２サブ画素及び第３サブ画素を備え、長軸が第１方向に平行し、且つそれぞれが２つの互いに隣接するサブ画素領域を被覆する複数のサブ画素と、
を備えることを特徴とする有機発光ダイオード表示パネルをさらに開示する。
【００１３】
前記有機発光ダイオード表示パネルの更なる改良は、前記第１サブ画素、第２サブ画素及び第３サブ画素がそれぞれＲサブ画素、Ｇサブ画素及びＢサブ画素であることにある。
【００１４】
前記有機発光ダイオード表示パネルの更なる改良は、前記第１方向に沿って配列された３つの隣接のサブ画素領域に１つのサブ画素Ｒ、１つのサブ画素Ｇ及び２つのサブ画素Ｂが被覆され、２つの仮想ＲＧＢ画素を構成することにある。本発明は、第１方向に沿って配置されたゲート線、第２方向に沿って配置されたデータ線及び前記表示パネルに緊密に配置された複数のサブ画素領域を備え、前記第１方向と前記第２方向は互いに垂直し、前記複数のサブ画素領域はそれぞれ前記第１方向と前記第２方向に沿って配列され、前記サブ画素は、第１サブ画素、第２サブ画素及び第３サブ画素を備える他の表示パネルの画素配列構造であって、 
第１サブ画素と隣接する４つのサブ画素には、２つの第２サブ画素及び２つの第３サブ画素を備え、且つ第１サブ画素、第２サブ画素及び第３サブ画素の色は異なる他の表示パネルの画素配列構造をさらに開示する。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】図１は従来の表示パネルの断面構造図である。
【図２】図２は図１の一部拡大模式図である。
【図３】図３は本発明による表示パネルの画素配列構造の第１実施例の断面構造図である。
【図４】図４は図３の一部拡大模式図である。
【図５】図５は本発明による表示パネルの画素配列構造の第１実施例のＰＰＩ変化を詳しく説明する模式図である。
【図６】図６は本発明による表示パネルの画素配列構造の第２実施例の断面構造図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、図面及び具体的な実施形態を参照しながら、本発明をさらに詳しく説明する。
【００１７】
まず、図３〜図５に示すように、本発明による表示パネルの画素配列構造において、表示パネル１３は、第１方向１１、第１方向１１に垂直する第２方向１２、及び表示パネル１３に分布する複数のサブ画素領域１４を備え、本実施例において、表示パネル１３の第１方向１１に沿って複数本のゲート線（ゲート線を図示しない）が分布され、表示パネル１３の第２方向１２に沿って複数本のデータ線（データ線を図示しない）が分布される。複数のサブ画素領域１４は、それぞれ第１方向１１と第２方向１２に沿って配列され、各サブ画素領域１４内にＲ、Ｇ、Ｂサブ画素１５が設置され、本発明は、もとのサブ画素領域と１対１に対応するＲ、Ｇ、Ｂサブ画素を９０度回転することにより、各Ｒ、Ｇ、Ｂサブ画素１５の長軸方向が表示パネル１３の長軸方向に平行し、且つＲ、Ｇ、Ｂサブ画素１５の配列方法を調整し、それにより第１方向１１には、Ｒ、Ｇ、Ｂサブ画素１５が順次配列され、複数のＲＧＢ画素を構成し、第２方向１２には、Ｒ、Ｇ、Ｂサブ画素１５も順次配列され、複数のＲＧＢ画素を構成し、Ｒ、Ｇ、Ｂサブ画素１５の長軸方向は、サブ画素の長辺方向であり、表示パネルの長軸方向は、表示パネルの長辺方向であり、サブ画素とパネルはそれぞれ長辺と短辺を有し、もとに表示パネルの長辺がサブ画素の長辺に垂直するが、現在、改良された表示パネルの長辺がサブ画素の長辺に平行する。本実施形態において、表示パネルの長軸方向は第１方向１１（即ちゲート線方向）である。
【００１８】
さらに、図３に示すように、各サブ画素１５は、２つの第１方向１１（即ちゲート線方向）に沿って互いに隣接する２つのサブ画素領域１４を被覆することにより、表示パネルのサイズが変わらない場合に、もとのゲート線又はデータ線の中の１つの方向のみに沿って配列されてＲＧＢ画素を構成する画素配列方法に比べて、本発明の画素配列構造は第１方向１１であるゲート線方向にＲＧＢ画素を構成することができるだけでなく、第２方向１２であるデータ線方向にＲＧＢ画素を構成することができ、大幅にＲＧＢ画素の数を増加するとともに、表示パネル１３の画素密度を増大し、表示パネルの表示効果を向上させる。
【００１９】
さらに、図４に示すように、第１方向１１に沿って、図３に示す画素配列構造において、左下隅における隣接する３つのサブ画素領域１４ａ、１４ｂ、１４ｃ及び該３つのサブ画素領域に被覆された１つのサブ画素Ｒ、１つのサブ画素Ｂ及び２つのサブ画素Ｇを取ってさらに検討し、サブ画素Ｒは、同時にサブ画素領域１４ａとサブ画素領域１４ｂという２つの領域を被覆し、左側のサブ画素Ｇも同時にサブ画素領域１４ａとサブ画素領域１４ｂという２つの領域を被覆することにより、該３つのサブ画素領域に４つのサブ画素が被覆され、各サブ画素のデータ線はいずれも独立に制御されたものであるので、図４に示す画素配列構造において、独立に左、右両側のサブ画素Ｇの輝度を調整することによりグレースケールが異なる２つのサブ画素Ｇを取得することができ、このグレースケールが異なる２つのサブ画素Ｇはサブ画素Ｒとサブ画素Ｂを共用し、グレースケールが異なる２つのＲＧＢ仮想画素を取得し、１つはサブ画素Ｒ、左側のサブ画素Ｇ、サブ画素Ｂで構成されたものであり、もう１つは、サブ画素Ｒ、右側のサブ画素Ｇ、サブ画素Ｂで構成されたものである。同様に、図５に示すように、サブ画素Ｇ、Ｂを共用して独立的なサブ画素Ｒの輝度を調整する方法により、グレースケールが異なる２つの仮想画素を取得してもよく、又はサブ画素Ｒ、Ｇを共用して独立的なサブ画素Ｂの輝度を調整する方法により、グレースケールが異なる２つの仮想画素を取得してもよく、その原理は、図４に示したサブ画素Ｒ、Ｂを共用することと同じである。
【００２０】
従来の画素配列構造に比べて、図１に示すように、ＲＧＢ画素２３を構成する第１方向に沿って図１の左下隅から３つの隣接するサブ画素領域２１を取って、図２に示すように、隣接する３つのサブ画素領域２１に１つのサブ画素Ｒ、１つのサブ画素Ｇ、１つのサブ画素Ｂという３つのサブ画素が１対１に対応するように被覆され、各サブ画素が１つのサブ画素領域２１のみを被覆し、該３つのサブ画素領域２１内に１つのＲＧＢ画素しかを構成することができない。
【００２１】
このため、本発明による表示パネルの画素配列構造を採用することにより、サブ画素の総数が変わらず、プロセスの難しさを増加しないうえに、表示パネルの行列の２つの方向に沿うＲ、Ｇ、Ｂサブ画素を同時に順次配列することにより画素密度を増加することができるだけでなく、さらに行列の２つの方向での仮想画素を増加することにより仮想画素密度を増加することができ、さらに表示パネルの解像度を向上させ、画面の品質を向上させる。
【００２２】
同時に、Ｒ、Ｇ、Ｂという３つのサブ画素を９０度回転した後、ＦＭＭ  ＭＡＳＫの最小開口のサイズも増大させ、表示画面の輝度を向上させるとともに、同じサブ画素の間の間隔を増大させ、ＦＭＭ  ＭＡＳＫの製作を簡素化する。
【００２３】
さらに、図６に示すように、本発明による表示パネルの画素配列構造において、各サブ画素１５は２つの第２方向１２（即ちデータ線方向）に沿って互いに隣接する２つのサブ画素領域１４を被覆することもでき、同様に、仮想ＰＰＩを増加し、ＦＭＭ  ＭＡＳＫの開口のサイズを増大させ、ＦＭＭ  ＭＡＳＫの製作を簡素化し、表示画面の輝度を向上させ、画面の品質を向上させる効果に達することもできる。
【００２４】
以上、図面と実施例を参照しながら本発明を詳しく説明し、当業者は、上記の説明に基づいて本発明に対して種々の変形例を作ることができる。このため、実施例におけるいくつかの細部は本発明を限定すべきではなく、本発明は、添付の特許請求の範囲で定義された範囲を請求範囲とする。
【図１】
2016038570.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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