(57)【要約】【課題】マスク製造工程にかかる時間を短くすること、マスク上に決められた位置精度測定用のモニターマークの配置を必要とすることなく位置精度測定をすることのいずれか、又は、双方を可能にする。【解決手段】マスクの光学画像を取得する光学画像取得部と、前記マスクの設計データから参照画像を生成する参照画像生成部と、前記光学画像取得部が取得した光学画像と参照画像生成部が生成した参照画像とから欠陥の検出を行う欠陥検出部と、前記光学画像取得部が取得した光学画像と参照画像生成部が生成した参照画像とから位置精度の情報として位置ずれ量を算出する位置精度測定部とを備え、  前記参照画像生成部は、参照画像中の任意のパターンを位置精度モニターパターンとして選択及び登録させ、  前記位置精度測定部は、位置精度モニターパターンを含む参照画像とマスクの光学画像とを比較することで前記位置ずれ量を算出することを特徴とするマスク検査装置。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
マスクの光学画像を取得する光学画像取得部と、前記マスクの設計データから参照画像を生成する参照画像生成部と、前記光学画像取得部が取得した光学画像と参照画像生成部が生成した参照画像とから欠陥の検出を行う欠陥検出部と、前記光学画像取得部が取得した光学画像と参照画像生成部が生成した参照画像とから位置精度の情報として位置ずれ量を算出する位置精度測定部とを備え、
前記参照画像生成部は、参照画像中の任意のパターンを位置精度モニターパターンとして選択及び登録させ、
前記位置精度測定部は、位置精度モニターパターンを含む参照画像とマスクの光学画像とを比較することで前記位置ずれ量を算出することを特徴とするマスク検査装置。
【請求項２】
前記欠陥検出部が欠陥の検出を行うと同時に前記位置精度測定部が前記位置ずれ量の算出を行うことを特徴とする請求項１に記載のマスク検査装置。
【請求項３】
前記参照画像生成部は、前記設計データを描画用グリッドデータに合わせて変形し、変形した設計データから参照画像を生成し、参照画像の全パターンの中から任意のパターンを位置精度測定用のモニターパターンとして選択させ、参照画像上に存在する同一パターンもしくは任意のパターンを１または２箇所以上モニターパターンとして登録させることを特徴とする請求項１又は２に記載したマスク検査装置。
【請求項４】
前記位置精度測定部は、参照画像上で選択及び登録された位置精度モニターパターンを光学画像上で抽出し、光学画像上のパターン位置座標に基づき前記位置ずれ量を算出することを特徴とする請求項1〜３のいずれか１項に記載したマスク検査装置。
【請求項５】
前記位置精度測定部は、算出した位置ずれ量の情報を、マスク描画装置、又はウェハ露光装置の少なくとも一方で使用可能なファイル形式で出力する事を特徴とする請求項１〜4のいずれか1項に記載のマスク検査装置。
【請求項６】
前記位置精度測定部は、算出した位置ずれ量の情報をマップ化することを特徴とする請求項1〜５のいずれか1項に記載のマスク検査装置。
【請求項７】
請求項1〜６のいずれか1項に記載のマスク検査装置の位置精度測定部が算出した位置ずれ量の情報に基づき、マスク描画装置のステージ系、光学系を制御して描画を行うことを特徴とするマスク描画方法。
【請求項８】
請求項1〜６のいずれか1項に記載のマスク検査装置の位置精度測定部が算出した位置ずれ量の情報に基づき、ウェハ露光装置のステージ系、光学系を制御して露光を行うことを特徴とするウェハ露光方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レチクルもしくはフォトマスク（以下「マスク」という）の欠陥の検査、及びパターン位置精度の測定を行うマスク検査装置と、このマスク検査装置又は方法を用いたマスク描画方法及びウェハ露光方法とに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの製造過程において、基板上にパターンを形成するためにマスクが用いられている。このマスクに欠陥が存在すると、その欠陥がパターンに転写されるため、マスクに存在する欠陥を検出する欠陥検査が行われている。
マスクの検査方法としては、ダイ・トゥ・ダイ（Ｄｉｅ  ｔｏ  Ｄｉｅ）検査とダイ・トゥ・データベース（Ｄｉｅ  ｔｏ  Ｄａｔａｂａｓｅ）検査、及び異物検査が知られている。
【０００３】
ダイ・トゥ・ダイ検査では、マスク上に規則的に配置された同一パターンの光学画像同士が比較されるのに対し、ダイ・トゥ・データベース検査ではマスク作成時に使用した設計データ（ＣＡＤデータ）から作られる参照画像と、マスクに描画されたパターンとが比較される。
マスク検査装置においては、マスクを検査装置内のステージに保持した状態でＸ方向、Ｙ方向に移動させながら光学画像を取得する手法が一般的である。この際、ステージはレーザー干渉計などにより位置を制御されているため、取得するマスクの光学画像と参照画像とは常にアライメントが取られている。
【０００４】
マスクに存在する欠陥を検出するマスク用欠陥検査装置は欠陥の位置情報を、Ｘ座標、Ｙ座標を用いて出力するようになっており、この情報を参照することで欠陥の修正が行われる。
図７は従来のマスク製造工程およびウェハ露光工程を示す図である。
マスク製造工程１はマスク描画装置（電子ビーム描画装置や、レーザー描画装置）によるパターン描画工程３、位置精度測定装置による位置精度測定工程４、マスク用欠陥検査装置による欠陥検査工程５ａを含んでいる。また、ウェハ露光工程２は、ウェハ露光装置（ステッパーやスキャナと呼ばれる）によるウェハテスト露光工程６およびウェハ本露光工程８、ウェハ位置精度測定装置によるウェハ位置精度測定工程７を含んでいる。
【０００５】
図７に示すマスク製造工程１において、具体的には、以下のような工程を経てマスクは製造されるのが一般的である（特許文献１参照）。
ガラス基板にＣｒ膜やＭｏＳｉ膜といった遮光膜が形成され、その上にレジストが塗布されたマスクブランクスは、マスク描画装置のステージにロードされる。マスク描画装置では、設計データから作成された描画データをレーザーや電子ビームによってマスクブランクス上に描画する（パターン描画工程３）。描画が完了したマスクブランクス上にはレジストパターンが形成されており、あらかじめマスク上の所定位置に形成されたモニターマークの位置ずれ量を位置精度測定装置で測定することで、マスクパターンの位置精度を測定する。測定されたモニターマークの位置が位置精度のスペックを満たさない場合には、そのマスクは不良と判定される（位置精度測定工程４）。
【０００６】
位置精度測定工程４にて良品と判定されたマスクは、マスク用欠陥検査装置で欠陥検査が行われる（欠陥検査工程５ａ）。マスク用欠陥検査装置では、マスクの光学画像が取得され、ダイ・トゥ・ダイ検査であれば同一マスク上の画像同士を比較し、ダイ・トゥ・データベース検査であれば、マスクの光学画像を、設計データから作られる参照画像と比較することでマスク上の欠陥を検出する。つまり、マスク用欠陥検査装置では光学画像と参照画像の形状の一致度が悪い所が欠陥として判定される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２０１０−９７１６８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
欠陥検査工程５ａで用いられるマスク用欠陥検査装置は、マスクパターン上に存在する欠陥を検出するためのものであるため、マスクの仕様に基づいて全てのパターンの検査を行う。また、位置精度測定工程４で使用される位置精度測定装置は、マスクパターン上に形成されたモニターマークの位置を全て測定する。従って、これらの検査及び測定工程は１回あたり数時間と長く、また、これらを精度よく短時間で検査及び測定することが困難であった。
【０００９】
一方で、位置精度測定装置は、マスク上の所定位置に形成されたモニターマークの位置を測定するのみとなっているため、モニターマークとその隣に配置されたモニターマークとの間に存在するパターンの位置精度に関しては測定することができない。
また、近年の半導体のパターンの微細化、高密度化に伴い、モニターパターンを配置する場所が少なくなってきている上、デバイス用のパターンではないモニターマークの測定ではなく、実際にデバイスとして機能するメインパターンにおいても位置精度を測定したいという要望がある。
【００１０】
本発明は、マスク製造工程にかかる時間を短くすること、マスク上に決められた位置精度測定用のモニターマークの配置を必要とすることなく位置精度測定をすることのいずれか、又は、双方を可能にすることを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明において上記課題を解決するために、まず請求項１の発明では、マスクの光学画像を取得する光学画像取得部と、前記マスクの設計データから参照画像を生成する参照画像生成部と、前記光学画像取得部が取得した光学画像と参照画像生成部が生成した参照画像とから欠陥の検出を行う欠陥検出部と、前記光学画像取得部が取得した光学画像と参照画像生成部が生成した参照画像とから位置精度の情報として位置ずれ量を算出する位置精度測定部とを備え、
前記参照画像生成部は、参照画像中の任意のパターンを位置精度モニターパターンとして選択及び登録させ、
前記位置精度測定部は、位置精度モニターパターンを含む参照画像とマスクの光学画像とを比較することで前記位置ずれ量を算出することを特徴とするマスク検査装置としたものである。
【００１２】
ここで、参照画像生成部は参照画像上の任意のパターンを位置精度測定用のモニターパターンとして選択し参照画像上に登録することが可能であり、同時に欠陥検査に使用する参照画像を生成することができる。
また、例えば、光学画像取得部により取得されたマスクの光学画像は、欠陥検出部で該当する箇所の参照画像と比較され、閾値を超えるような差が見られる場合にはその箇所を欠陥として出力する。
また、例えば、参照画像に位置精度測定用モニターパターンとして登録された箇所に関しては、光学画像取得部にて光学画像を取得し、位置精度測定部によってモニターマーク
の参照画像上での座標と、光学画像上での座標との間の位置ずれ量を算出する。
【００１３】
また請求項２の発明では、前記欠陥検出部が欠陥の検出を行うと同時に前記位置精度測定部が前記位置ずれ量の算出を行うことを特徴とする請求項１に記載のマスク検査装置としたものである。
【００１４】
また請求項３の発明では、前記参照画像生成部は、前記設計データを描画用グリッドデータに合わせて変形し、変形した設計データから参照画像を生成し、参照画像の全パターンの中から任意のパターンを位置精度測定用のモニターパターンとして選択させ、参照画像上に存在する同一パターンもしくは任意のパターンを１または２箇所以上モニターパターンとして登録させることを特徴とする請求項１又は２に記載したマスク検査装置としたものである。
【００１５】
また請求項４の発明では、前記位置精度測定部は、参照画像上で選択及び登録された位置精度モニターパターンを光学画像上で抽出し、光学画像上のパターン位置座標に基づき前記位置ずれ量を算出することを特徴とする請求項1〜３のいずれか１項に記載したマスク検査装置としたものである。
【００１６】
また請求項５の発明では、前記位置精度測定部は、算出した位置ずれ量の情報を、マスク描画装置、又はウェハ露光装置の少なくとも一方で使用可能なファイル形式で出力する事を特徴とする請求項１〜4のいずれか1項に記載のマスク検査装置としたものである。
【００１７】
また請求項５の発明では、前記位置精度測定部は、算出した位置ずれ量の情報をマップ化することを特徴とする請求項1〜５のいずれか1項に記載のマスク検査装置としたものである。
【００１８】
また請求項７の発明では、請求項1〜６のいずれか1項に記載のマスク検査装置の位置精度測定部が算出した位置ずれ量の情報に基づき、マスク描画装置のステージ系、光学系を制御して描画を行うことを特徴とするマスク描画方法としたものである。
【００１９】
また請求項８の発明では、請求項1〜６のいずれか1項に記載のマスク検査装置の位置精度測定部が算出した位置ずれ量の情報に基づき、ウェハ露光装置のステージ系、光学系を制御して露光を行うことを特徴とするウェハ露光方法としたものである。
【００２０】
例えば、マスク検査装置の位置精度測定部が算出した位置ずれ量の情報を、位置精度補正パラメータファイルとして出力し、このファイルを、マスク描画装置、又はウェハ露光装置に入力し、入力された位置ずれ量の情報に基づいて装置のステージ系、光学系を制御して描画、又は露光を行うことが好ましい。
【発明の効果】
【００２１】
従来の位置精度測定においては、予めマスク上に描画された位置精度測定専用モニターパターンの位置ずれ量を測定することで位置精度を測定していたが、請求項１に係る発明によれば、マスク上に所定のモニターパターンを配置する必要は無く、任意の場所、任意のパターン、任意の測定点密度で位置精度を測定することができる。
また、上述のように従来はモニターパターンの位置ずれ量を測定していたため、モニターパターンとその隣のモニターパターンの間にあるパターンの位置精度に関しては不明であったが、請求項１に係る発明によれば、参照画像生成部にて任意の測定点密度でモニターマークを選択し、登録できるため、実際にウェハデバイスで使用されるパターンの位置精度を測定することができる。
【００２２】
また、一般に、マスク製造工程においては、レジストブランクス上にマスク描画装置にてパターンを描画した後、位置精度測定機にて位置精度が測定され、位置精度の規格を満たしたマスクに対しては欠陥検査が行われ、それぞれの工程で数時間ずつ要する。これに対し、請求項２に係る発明によれば、欠陥検査と位置精度測定を同時に行うことができるため、マスク製造工程にかかる時間を短縮することができる。
【００２３】
また、請求項３に係る発明によれば、ウェハ露光装置の収差を補正したマスクに対しても、位置精度測定を正確に行える。
【００２４】
また、請求項４に係る発明によれば、参照画像上で選択及び登録された位置精度モニターパターンについて、参照画像と光学画像との間の位置ずれを算出することが容易にできる。
【００２５】
また、請求項５に係る発明によれば、位置ずれの量の情報を、マスク描画装置、又はウェハ露光装置に容易に入力することができる。
【００２６】
また、請求項６に係る発明によれば、マスク全体で位置ずれが一目で理解できる。
【００２７】
また、請求項７に係る発明によれば、位置精度測定部によって得られる位置精度測定結果をマスク描画装置にフィードバックすることで、マスク描画装置では位置精度測定結果を補正してマスクを作成するため、位置精度を改善したマスクを作成することができる。
【００２８】
また、従来、ウェハ露光工程において、予め位置ずれ量を求めるためにテスト露光を行い、ウェハ上での位置ずれ量をウェハ露光装置にフィードバックする事で補正を行っていたが、請求項８に係る発明によれば、位置ずれ量を求めるために行っていたテスト露光、及び位置ずれ量の確認作業が不要となるため、本露光を行うまでの時間を大幅に短縮する事ができる。
【００２９】
以上、本発明は、マスク製造工程にかかる時間を短くすること、マスク上に決められた位置精度測定用のモニターマークの配置を必要とすることなく位置精度測定をすることのいずれか、又は、双方を可能にすることができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】本発明に係る実施形態のマスク検査装置の概念図。
【図２】本発明に係る実施形態によるマスク製造工程及びウェハ露光工程の概念図。
【図３】位置精度測定用モニターマークの選択及び登録方法の概念図。
【図４】本発明に係る実施形態の位置精度測定方法のフローチャート。
【図５】参照画像とマスク画像との位置ずれ量の測定方法を説明する概念図。
【図６】（ａ）は、マスク全体の位置精度測定方法の概念図、（ｂ）は、位置精度測定結果の出力形態の例を示す図。
【図７】従来のマスク製造工程及びウェハ露光工程の簡略図。
【発明を実施するための形態】
【００３１】
次に本発明に係る実施形態について図面を参照しながら説明する。
【００３２】
上述のように、従来の一般的なマスク製造工程１、及びウェハ露光工程２の構成は、図７のような構成となっている。すなわち、マスク製造工程１は、マスク描画装置（電子ビーム描画装置やレーザー描画装置）によるパターン描画工程３、位置精度測定装置による位置精度測定工程４、マスク用欠陥検査装置による欠陥検査工程５ａを含んでいる。また、ウェハ露光工程２は、ウェハ露光装置によるウェハテスト露光工程６及びウェハ本露光工程８、及びウェハ位置精度測定装置によるウェハ位置精度測定工程７を含んでいる。
【００３３】
これに対し、本発明に係る実施形態によるマスク製造工程１、及びウェハ露光工程２の構成は、図２のような、従来に比べて簡略化した構成となっている。
すなわち、マスク製造工程１は、マスク描画装置（電子ビーム描画装置やレーザー描画装置）によるパターン描画工程３、本発明のマスク検査装置による欠陥検査及び位置精度測定工程５ｂとを含み、位置精度測定工程と欠陥検査工程とが、欠陥検査及び位置精度測定工程５ｂとして、同じ工程で処理できるため、図７に存在していた位置精度測定工程４及び欠陥検査工程５ａとが不要となる。
また、欠陥検査及び位置精度測定工程５ｂを行う本発明のマスク検査装置で得られる位置精度結果はウェハ露光装置に入力され、ウェハ露光装置にて補正が可能となるため、図７中のウェハ露光工程２にて行っていたウェハテスト露光工程６とウェハ位置精度測定工程７とが不要となり、直接ウェハ本露光工程８を開始することが可能となって、ウェハ露光工程２は、ウェハ本露光工程８のみを含む。
【００３４】
次に本発明に係る実施形態のマスク検査装置について説明する。図１は本発明に係る実施形態におけるマスク検査装置１００の構成を示す概念図である。マスク検査装置１００は、検査対象であるマスク９を保持するステージ１０を備えている。ステージ１０はモーター等のアクチュエータ（不図示）によりＸ軸方向、Ｙ軸方向へ駆動が可能である。ステージ１０の位置はＸ軸位置センサー１１、Ｙ軸位置センサー１２によりモニターされると共に、装置制御部１３によりアクチュエータを介して駆動制御される。
【００３５】
また、マスク検査装置１００はレーザーなどの光源１４を備えている。光源１４からの光は、光学系１５を介してマスク９に照射される。
マスク９を透過した光は対物レンズ１６を通り、受光部１７に結像される。受光部１７はＣＣＤやＴＤＩなどの画像センサーである。
受光部１７で捉えられたマスクの光学画像（以下「マスク画像」ともいう）の画像情報は画像処理部１８に送られる。この際、Ｘ軸位置センサー１１とＹ軸位置センサー１２から得られる位置情報が欠陥検出部１９によって検出される欠陥、また、位置精度測定部２０によって算出される位置精度測定点の座標と関連付けられる。
【００３６】
また、マスク検査装置１００は、参照画像生成部２１を備えている。参照画像生成部２１には外部にあるデータサーバー２２からマスク９の設計データ、及び描画グリッドデータが転送される。そして参照画像生成部２１は転送されたデータから、検査に使用される参照画像を生成する。すなわち、参照画像生成部２１は、設計データを描画グリッドに合わせるためにデータの補正を行って、補正された設計データから参照画像を生成する。
一般的にパターン描画工程３においてマスク描画装置によってマスク上にパターンを作成する際には、ウェハ本露光で使用されるウェハ露光装置の収差を補正することを目的として、特定の描画グリッドにパターンを合わせて変形させて描画する必要がある。従って、マスク上のパターンは完全に規則正しい格子状のグリッド上に配置されているわけではなく、ウェハ露光装置に合わせて変形されたグリッド上に配置されている。そこで、参照画像生成部２１においては、設計データを特定の描画グリッドデータに合わせて変形する。
【００３７】
また、参照画像生成部２１では、生成された参照画像において、マスク検査装置のユーザーは位置精度測定のためのモニターパターンを任意の位置の任意のパターンで、任意の密度で前記参照画像上で選択し、登録することができる。なお、モニターパターンの選択及び登録に関しては、予め各マスク毎にモニターパターン情報を書き込んだセットアップファイルやレシピファイルを用意して参照画像生成部２１読み込ませることにより、自動的にモニターパターンの選択及び登録を行うことも可能である。
【００３８】
検査が開始されると、参照画像生成部２１は、画像処理部１８が受光部１７から入力されたマスク画像（マスクの光学画像）に対応する参照画像を、当該画像処理部１８へ出力する。
画像処理部１８は、欠陥検出部１９と位置精度測定部２０から構成されている。欠陥検出部１９は、マスク画像と参照画像を比較し、例えば、閾値を越えるような差が見られる場合にはその箇所を欠陥として、マスクに欠陥が存在するか否かを判定して欠陥を検出する。また、位置精度測定部２０は、参照画像上に登録された位置精度モニターパターンと該当するマスク画像上のモニターパターンを、参照画像上の座標（モニターパターン登録時の座標）と、マスク上のモニターパターン位置座標とのずれ量を位置ずれ量として算出する。なお、モニターパターンは、１又は２箇所以上選択及び登録されている。
【００３９】
欠陥検出部１９による欠陥検査結果、及び、位置精度測定部２０の位置ずれ量の算出結果は、検査結果格納部２３に送られ、検査結果として格納される。検査結果格納部２３に格納されたデータは、必要に応じて結果出力部２４を通して出力が可能である。位置精度測定結果に関しては、パターン描画工程３を行うマスク描画装置に結果をフィードバックするための書式、又はウェハ本露光工程８を行うウェハ露光装置にフィードフォワードするための書式で出力することが可能である。
【００４０】
次に参照画像生成部２１で実施する前記位置精度モニターマークの生成方法について説明する。
【００４１】
従来の位置精度測定４を行う位置精度測定装置においては、マスク上の所定位置に形成された位置精度測定専用のモニターマークの位置を測定するのみであり、測定ポイントはこのモニターマークの位置のみとなっているため、モニターマークと隣のモニターマークの間に存在するパターンの位置精度に関しては測定することができない。また、半導体の微細化が進んでおり、モニターマークを配置する領域を確保することが困難になってきているため、測定ポイントの密度が低くなる傾向がある。しかし、ウェハ上でのパターンが小さくなり、パターンの重ね合わせ精度には厳しい規格が要求されるようになっており、マスク上でのパターン位置精度の保証が困難になってきている。
【００４２】
そのため、本発明においては、マスク上に配置されたモニターマークがなくても位置精度を測定できる手法を提供する。
【００４３】
図３に参照画像への位置精度モニターパターンの選択及び登録方法の概念図を示す。例として、マスク上に図３（ａ）のようなパターン２５が存在した場合を挙げる。参照画像上にて、位置精度を測定したいパターン２６を選択する。この時、もしもパターンがマスク上に周期性を持って存在する場合、測定したいパターンを選択し、さらにそのパターンが現れる周期を入力すれば、一定間隔で位置精度モニターパターンの登録が可能となる。
また、周期性がないマスクデザインの場合においては、データ閲覧ソフト等によって同一形状のパターンを抽出することで、それら全てのパターンを位置精度モニターパターンとして登録することが可能となる。
位置精度モニターパターンの選択に関しては、後述するように位置精度測定にあたり、モニターパターンの重心を用いてパターンの位置ずれ量を計算するため、辺で囲まれた閉パターンを選択することが望ましい。
このようにして、図３（ｂ）のように、マスクパターン領域２７の任意のパターンに対して、モニターパターン２６を参照画像上に登録することで、任意のパターンの位置精度を測定するための参照画像が作成される。図３（ｂ）中、丸印中の点、及び面内の点は選択及び登録されたモニターパターンを表す。
【００４４】
ステージ１０上の座標系に関しては、マスクパターンの座標系とは必ずしも一致していない。特に倍率、回転に関しては両者の合わせこみを行う必要がある。そのため、検査開始前に、マスク上の既知のパターンを用いて、ステージ上の座標系をマスクパターンの座標系に補正しておく必要がある。これにより、検出されたモニターパターンの位置座標がマスク上の座標系で出力されることになる。
【００４５】
次に、位置精度測定部２０における位置精度測定の処理を、図４を参照して説明する。
ここで、図４に示すフローは欠陥検査と同時に装置制御部１３によって制御され、位置精度測定部２０によって実行される。
まず、検査を開始すると、マスク検査装置１００はマスク画像を取得する（ステップＳ１）。取得されたマスク画像は画像処理部１８へと送られる。
マスク検査装置１００で取得されたマスク画像に対応する参照画像が参照画像生成部２１から送られ、位置精度測定部２０にて参照画像とマスク画像の比較を行う（ステップＳ２）。
【００４６】
位置精度測定の方法については、位置精度測定部２０がマスク画像と参照画像との間の位置ずれ量を算出することで行う。具体的には、図５に示すように、参照画像２６とマスク画像２８とが検査中に常に重ね合わせられ、アライメントがとられているが、モニターパターンとして登録された参照画像２６を認識する際（ステップＳ３）、モニターパターンの重心座標Ｇに対し、マスク画像２８はモニターパターン以外の箇所で重ね合わせが最適になるように画像位置を何らかの公知の手法によって補正する必要がある。
【００４７】
位置精度測定部２０は、参照画像上のモニターパターン２６の重心位置Ｇの座標と、マスク９上のモニターパターン２８の重心位置Ｇの座標の位置ずれ量を算出する（ステップＳ４）。
この位置ずれ測定を図６（ａ）に示すように、参照画像上で登録した全てのモニターパターンに対して行うことでマスクパターン面内の位置精度を測定する。
なお、図６においては、簡略化のため位置精度測定点を１５点にしているが、実際のマスクの位置精度測定に関しては測定点数は任意であるため、必要な点数に対して測定が可能である。また、位置精度測定結果は、図６（ｂ）に示すように、測定された位置ずれ量を記述した位置精度マップとして出力することが好ましい。
測定結果は欠陥検査結果と合わせて検査結果格納部２３に格納されて、結果出力部２４から出力される（ステップＳ５）。結果出力部２４は欠陥検査結果や位置精度測定結果を必要に応じた形態で出力できるだけでなく、位置精度測定部２０により測定された位置精度測定結果をマスク描画装置やウェハ露光装置に出力する機能を備えている。
【００４８】
位置精度測定結果をマスク描画装置にフィードバックする場合、フィードバックした結果を基準に、パターン描画工程３を行うマスク描画装置は、ステージ、光学系等を制御することで位置精度が向上したマスクを描画することができる。制御の手法に関しては各マスク描画装置によって任意の手法が取られる。
位置精度測定結果をウェハ本露光工程８を行うウェハ露光装置にフィードフォワードする場合、ウェハ露光装置は入力されたマスク位置精度測定結果に応じて光学系、ステージ駆動系統を制御することで、入力されたマスクの位置ずれ量を低減することができる。
【符号の説明】
【００４９】
１    マスク製造工程
２    ウェハ露光工程
３    パターン描画工程
４    位置精度測定工程
５ａ  欠陥検査工程
５ｂ  欠陥検査及び位置精度測定工程
６    ウェハテスト露光工程
７    ウェハ位置精度測定工程
８    ウェハ本露光工程
９    マスク
１０  ステージ
１１  Ｘ軸位置センサー
１２  Ｙ軸位置センサー
１３  装置制御部
１４  光源
１５  光学系
１６  対物レンズ
１７  受光部
１８  画像処理部
１９  欠陥検出部
２０  位置精度測定部
２１  参照画像生成部
２２  データサーバー
２３  検査結果格納部
２４  結果出力部
２５  任意のパターン
２６  参照画像上の位置精度モニターパターン
２７  マスクパターン領域
２８  マスク画像上の位置精度モニターパターン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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