(57)【要約】【課題】湾曲耐性を向上させることが可能な電子デバイスおよび電子機器を提供する。【解決手段】本技術の電子デバイスは、可撓性を有する機能層と、機能層に設けられると共に、一方向に延伸する１または複数のスリットと、スリットの少なくとも一方の端部に設けられると共に、スリット幅よりも広く、且つ、少なくとも一部に曲率を有する拡幅部とを備えたものであり、拡幅部は、曲率の異なる第１領域および第２領域を含む。【選択図】図１Ａ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
可撓性を有する機能層と、
前記機能層に設けられると共に、一方向に延伸する１または複数のスリットと、
前記スリットの少なくとも一方の端部に設けられると共に、スリット幅よりも広く、且つ、少なくとも一部に曲率を有する拡幅部とを備え、
前記拡幅部は、曲率の異なる第１領域および第２領域を含む
電子デバイス。
【請求項２】
前記第２領域は、前記スリットに連続する２つの第１領域の間に設けられると共に、前記第２領域の曲率は、前記第１領域よりも小さい、請求項１に記載の電子デバイス。
【請求項３】
前記第２領域の曲率は０である、請求項１に記載の電子デバイス。
【請求項４】
前記第１領域および前記第２領域は連続している、請求項１に記載の電子デバイス。
【請求項５】
前記機能層は対向する第１辺および第２辺を有し、前記スリットは、前記第１辺および前記第２辺から交互に延伸している、請求項１に記載の電子デバイス。
【請求項６】
前記機能層は前記複数のスリットによって形成された複数の細長い短冊部と、複数の前記短冊部の少なくとも一端を互いに連結する連結部を有し、
前記連結部の幅は、前記短冊部の幅よりも小さい、請求項１に記載の電子デバイス。
【請求項７】
前記機能層の前記拡幅部を含む位置に補強部が配設されている、請求項１に記載の電子デバイス。
【請求項８】
前記補強部は、前記機能層の上層あるいは下層の少なくとも一方に設けられている、請求項７に記載の電子デバイス。
【請求項９】
前記機能層は可撓性を有する一対の基板の間に設けられると共に、第１層および第２層によって挟持されている、請求項１に記載の電子デバイス。
【請求項１０】
前記補強部は、前記第１層あるいは前記第２層を介して積層されている、請求項９に記載の電子デバイス。
【請求項１１】
前記補強部は、前記機能層を構成する材料よりもヤング率の高い材料によって形成されている、請求項７に記載の電子デバイス。
【請求項１２】
前記機能層は導電層であり、前記第１層および前記第２層は絶縁層である、請求項９に記載の電子デバイス。
【請求項１３】
前記導電層は、薄膜トランジスタを構成するゲート電極、半導体層およびソース・ドレイン電極、容量素子あるいは表示素子を構成する一対の電極のいずれかである、請求項１２に記載の電子デバイス。
【請求項１４】
電子デバイスを有し、
前記電子デバイスは、
可撓性を有する機能層と、
前記機能層に設けられると共に、一方向に延伸する１または複数のスリットと、
前記スリットの少なくとも一方の端部に設けられると共に、スリット幅よりも広く、且つ、少なくとも一部に曲率を有する拡幅部とを備え、
前記拡幅部は、曲率の異なる第１領域および第２領域を含む
電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、可撓性を有する電子デバイスおよびこれを備えた電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、樹脂基板等の柔らかい基板上に電子回路を実装したフレキシブル電子デバイスが提案されている。一例として、フレキシブルディスプレイやフレキシブルセンサが挙げられる。これらは湾曲した状態で使用することが提案されている。
【０００３】
一般的に、フレキシブル電子デバイスは、基板上に設けられた複数のレイヤにパターンが形成されている。パターンは、無機材料あるいは有機材料によって構成されており、材料力学的性質が大きく異なる材料がレイヤ間で接する場合が多い。また、パターンはレイヤによってパターン密度が異なり、さらに、同一レイヤ内でもその機能に応じて異なる。このように、レイヤ間およびレイヤ内においてパターン密度の異なるレイヤが積層されたフレキシブル電子デバイスを湾曲した場合、パターン内に応力が集中する箇所が生じ、その応力集中箇所が破壊されるという問題があった。
【０００４】
この問題を解決する方法として、例えば、特許文献１では、端部が円形状に加工されたスリットが形成されたフレキシブルプリント配線基板が開示されている。フレキシブルプリント配線基板にこのようなスリットを設けることによって、フレキシブルプリント配線基板を湾曲した際に単一のレイヤ内に発生する応力集中が緩和される。また、例えば、特許文献２では、フレキシブル電子デバイスの少なくとも１つの導電層のレイヤにスリットを形成することで、積層構造を有するフレキシブル電子デバイスの湾曲耐性を向上させた電子デバイスが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平９−２０５２５７号公報
【特許文献２】特開２００７−２８８０８０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１のように、円形状の端部を有するスリットを設けたフレキシブルプリント配線基板では、十分な応力緩和効果が得られないことが曲げ実験と応力シミュレーションにより確認されている。また、電子デバイスを湾曲した際の応力分布は同一のレイヤ内のパターンだけでなく、積層レイヤ間のパターンにも依存する。このため、特許文献２のように、複数のレイヤが積層されたフレキシブル電子デバイスのあるレイヤ（少なくとも１つの導電層）にスリットを設け、そのレイヤ内のパターンを最適化して応力を緩和しただけでは、フレキシブル電子デバイス全体では不十分な場合があった。
【０００７】
本開示はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、湾曲耐性を向上させることが可能な電子デバイスおよび電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本技術による電子デバイスは、可撓性を有する機能層と、機能層に設けられると共に、一方向に延伸する１または複数のスリットと、スリットの少なくとも一方の端部に設けられると共に、スリット幅よりも広く、且つ、少なくとも一部に曲率を有する拡幅部とを備えたものであり、拡幅部は、曲率の異なる第１領域および第２領域を含む。
【０００９】
本技術による電子機器は、上記本技術による電子デバイスを備えたものである。
【００１０】
本技術の電子デバイスおよび電子機器では、可撓性を有する機能層にスリットを設けると共に、このスリットの先端に、スリット幅よりも広く、且つ、少なくとも一部に曲率を有する拡幅部を設けると共に、この拡幅部が曲率の異なる第１領域および第２領域を含むようにした。これにより、機能層を湾曲した際にスリットの先端に印加される応力が分散される。
【００１１】
本技術の電子デバイスおよび電子機器によれば、可撓性を有する機能層に設けられたスリットの先端に、スリット幅よりも広く、且つ、少なくとも一部に曲率を有する拡幅部を設けると共に、この拡幅部が曲率の異なる第１領域および第２領域を含むようにした。これにより、機能層を湾曲した際にスリットの先端に印加される応力が分散され、機能層およびこれを備えた電子デバイスの湾曲耐性を向上させることが可能となる。よって、信頼性の向上した電子機器を提供することができる。なお、ここに記載された効果は必ずしも限定されるものではなく、本開示中に記載されたいずれの効果であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１Ａ】本開示の実施の形態に係る電子デバイスの平面図である。
【図１Ｂ】図１Ａに示した電子デバイスの断面図である。
【図２】図１Ａに示した拡幅部の拡大図である。
【図３】図１Ａおよび図１Ｂに示した電子デバイスを備えた表示装置の断面図である。
【図４Ａ】本開示の変形例１に係る電子デバイスの平面図である。
【図４Ｂ】図４Ａに示した電子デバイスの断面図である。
【図５】本開示の変形例２に係る電子デバイスの平面図である。
【図６】本開示の変形例３に係る電子デバイスの平面図である。
【図７Ａ】本開示の適用例に係る電子機器（電子ブック）の開いた状態を表す斜視図である。
【図７Ｂ】図７Ａに示した電子ブックの閉じた状態を表わす斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本開示の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
１．実施の形態（スリット端部に曲率の変化する拡幅部を設けた例）
１−１．電子デバイスの構成
１−２．表示装置の構成
１−３．作用・効果
２．変形例
２−１．変形例１（スリット端部に補強部を設けた例）
２−２．変形例２（円形状の拡幅部と共に、補強部を設けた例）
２−３．変形例３（一定幅のスリットと補強部を組み合わせた例）
３．適用例（電子機器：電子ブック）
【００１４】
＜１．実施の形態＞
図１Ａは、本開示の一実施の形態に係る電子デバイス（電子デバイス１）の平面構成を表したものであり、図１Ｂは、図１Ａに示したＩ−Ｉ線における電子デバイス１の断面構成を表したものである。この電子デバイス１は、対向する一対の基板（支持基板１１および対向基板１５）の間に、例えば、可撓性を有する、いわゆるフレキシブルディスプレイやフレキシブルセンサ等に用いられるものである。本実施の形態では、支持基板１１と対向基板１５との間にこの順に設けられた絶縁層１２，導電層１３および絶縁層１４うち導電層１３を機能層とし、この導電層１３に、先端に曲率の異なる第１領域（第１領域Ａ）および第２領域（第２領域Ｂ）とからなる拡幅部１６Ａを有するスリット１６が設けられた構成を有する。
【００１５】
（１−１．電子デバイスの構成）
電子デバイス１は、上記のように、対向配置された支持基板１１および対向基板１５の間に、複数のスリット１６が設けられた導電層１３と、この導電層１３を挟持する絶縁層１２および絶縁層１４とが積層されたものである。
【００１６】
支持基板１１および対向基板１５は、可撓性を有すると共に、絶縁層１２，１４および導電層１３を挟持するものである。支持基板１１および対向基板１５の材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート，ポリエチレンナフタレート，ポリエーテルスルホン，ポリエーテルイミド，ポリエーテルエーテルケトン，ポリフェニレンスルフィド，ポリスルホン，ポリアリレート，ポリイミド，ポリアミド，ポリカーボネート，セルローストリアセテート，ポリオレフィン，ポリスチレン，ポリエチレン，ポリプロピレン，ポリメチルメタクリレート，アラミド，ポリ塩化ビニル，ポリ塩化ビニリデン，エポキシ樹脂，フェノール樹脂，ユリア樹脂，メラミン樹脂，シリコン樹脂またはアクリル樹脂等のプラスチック材料が挙げられる。なお、薄層ガラスあるいは薄層セラミックス等を、可撓性を示す程度まで薄くして使用することも可能である。
【００１７】
機能層は、例えば、ＴＦＴや各種配線等が形成された電子回路層（ＴＦＴ層２０）および有機層や封止層、あるいはカラーフィルタ等を含む表示層（表示層３０）等のデバイス用の機能を有する層である（図３参照）。
【００１８】
絶縁層１２，１４は、例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＯX）、シリコン窒化物（ＳｉＮX）、シリコン窒化酸化物（ＳｉＯＮ）および酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ2）等の絶縁性を有する無機材料によって形成されている。この他、例えば、ポリビニルフェノール（ＰＶＰ），パリレン，ポリスチレン等の絶縁性を有する有機材料によって形成されていてもよい。
【００１９】
導電層１３は、例えば、白金（Ｐｔ），チタン（Ｔｉ），ルテニウム（Ｒｕ），モリブデン（Ｍｏ），Ｃｕ，タングステン（Ｗ），ニッケル（Ｎｉ），Ａｌおよびタンタル（Ｔａ）等の金属単体または合金あるいは、ＩＴＯ，ＩＺＯ，ＩＧＺＯ等の透明導電材料によって形成されている。
【００２０】
本実施の形態では、図１Ａに示したように、導電層１３の対向する一対の辺Ｓ１，Ｓ２から一方向に交互に延伸するスリット１６が複数設けられている。このスリット１６の延伸方向は、例えば、後述する電子機器（電子ブック６）において想定される湾曲軸に対して略平行となるように設けられている。即ち、本実施の形態の電子デバイス１では、例えば、湾曲軸をＹ軸とし、このＹ軸に略平行に延伸する複数のスリット１６が導電層１３に設けられている。なお、ここで湾曲方向は、湾曲軸の周りの回転方向とする。複数のスリットは、辺Ｓ１から対向するＳ２に向かって延伸する複数のスリット１６Ｘと、辺Ｓ２から辺Ｓ１に向かって延伸する複数のスリット１６Ｙとが、互いに独立して形成されている。これにより、導電層１３は、電子デバイス１の面内（ＸＹ平面内）において、例えば、Ｙ軸方向に蛇行した形状となっている。
【００２１】
図２は、図１Ａに示したスリット１６の先端およびその周辺を拡大して表したものである。複数のスリット１６（スリット１６Ｘ，１６Ｙ）は、それぞれ、先端にスリット幅Ｗ１よりも広い拡幅部１６Ａを有する。拡幅部１６Ａを設けることによって、電子デバイス１を湾曲した際にスリット１６の端部に印加される応力を分散させることが可能となる。
【００２２】
拡幅部１６Ａは、少なくとも一部に曲率を有し、ここでは、一方向に延伸するスリット１６を構成するスリット面１６ａ，１６ｂにそれぞれ連続する第１領域Ａと、スリット面１６ａ，１６ｂにそれぞれ繋がる２つの第１領域Ａを繋ぐ第２領域Ｂとから構成されている。第１領域Ａおよび第２領域Ｂの曲率はそれぞれ異なり、具体的には、第２領域Ｂの曲率は、第１領域Ａの曲率よりも小さく、例えば、曲率が十分小さい（曲率０）直線状になっていることが好ましい。具体的には、第１領域Ａの曲率ρ１は、第２領域Ｂの曲率ρ２よりも大きければよく、例えば、１（５Ｗ５）以上２／（Ｗ２−Ｗ５）以下であることが好ましい。ここで、５Ｗは、第２領域ＢのＸ方向の寸法である。この条件は、応力集中を効果的に抑制するためのものであり、応力シミュレーションによって求められる。第１領域Ａおよび第２領域Ｂは、互いに連続して設けられていることが好ましい。拡幅部１６ＡのＸ軸方向の幅Ｗ２は、スリット幅Ｗ１よりも広ければよく、好ましくは、Ｗ１＜Ｗ２≦（Ｗ３−Ｗ４）×２＋Ｗ１である。Ｗ２が取り得る上限値は、Ｗ１，Ｗ３，Ｗ４のデザインルールによって決定される。
【００２３】
以下に、スリット１６の拡幅部１６Ａの形状の条件について説明する。前提として、Ｗ１，Ｗ３，Ｗ４の寸法は固定であり、Ｗ１およびＷ４には下限値が、Ｗ３については上限値が存在する。これは、Ｗ１は絶縁性を保つためであり、Ｗ４は電流性を保つためである。Ｗ３はデザインルールによって決定される。まず、第１領域Ａの曲率ρ１の範囲について説明する。第２領域Ｂの幅Ｗ５を小さくしていくと、第２領域Ｂに印加される応力の範囲が徐々に縮小され、第２領域Ｂ内に、例えば、２つの応力ピークがあった場合には、その応力ピークが徐々に近づいていく。Ｗ５＝０、即ち、拡幅部１６Ａの形状が円形状になると、２つの応力ピーク（ダブルピーク）はシングルピークとなり、応力値が増大してしまう。この応力のシングルピークの発生を避けるため、Ｗ５は、シミュレーションより、Ｗ５≧１／（５ρ１）を満たすことが好ましいことがわかった。即ち、Ｗ５は、第１領域Ａの曲率半径１／ρ１の１／５以上であればよいといえる。これを書きなおすと、１／（５Ｗ５）≦ρ１・・・（１）となる。一方、曲率半径１／ρ１が大きくなると、第２領域Ｂに印加される応力ピーク値が大きくなるため、最大でも（Ｗ２−Ｗ５）／２以下にすることが好ましい。よって、ρ１≦２／（Ｗ２−Ｗ５）・・・（２）となる。この（１）および（２）をまとめると、１（５Ｗ５）≦ρ１≦２／（Ｗ２−Ｗ５）となる。
【００２４】
また、導電層１３は、上記のように、ＸＹ平面内においてＹ軸方向に蛇行したパターンとなっている。換言すると、導電層１３には、複数のスリット１６によって、対向する一対の辺Ｓ１，Ｓ２から交互に分割されることにより細長い短冊状になった複数の部分（短冊部１３Ａ）と、この短冊部１３Ａを連結する連結部（連結部１３Ｂ）とが設けられている。連結部１３Ｂは、図１に示したように、例えば、電子デバイスの面内において並列する短冊部１３Ａを交互に、即ち、導電層１３がＹ軸方向に蛇行するように短冊部１３Ａの一端および他端に交互に形成されている。なお、連結部１３の幅Ｗ３は、短冊部１３Ａの幅Ｗ３よりも狭いことが好ましい。これにより、スリット１６の端部における導電層１３の剛性が低減され、湾曲時にスリット１６の端部に印加される応力が分散される。
【００２５】
なお、連結部１３Ｂの形成位置はこれに限らず、例えば、導電層１３の平面パターンが、いわゆる櫛歯状となるように短冊部１３Ａの一端に連続して設けてもよい。
【００２６】
（１−２．表示装置の構成）
上述したように、本実施の形態の電子デバイス１は、例えば、図３に示した表示装置（表示装置２）のＴＦＴ層２０あるいは表示層３０を構成する各層に適用できる。
【００２７】
図３は、上記電子デバイス１を薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor；ＴＦＴ）１０に適用した表示装置２の断面構成を表したものである。この表示装置２は、対向する一対の基板である支持基板１１および対向基板１５との間に、例えば、ボトムゲート・トップコンタクト型のＴＦＴ１０が設けられたＴＦＴ層２０と、表示素子として、例えば、有機ＥＬ（Electro Luminescence）素子３１が設けられた表示層３０とが設けられている。なお、表示層３０を構成する表示素子は、有機ＥＬ素子のほかに、液晶表示素子あるいは電気泳動素子等であってもよい。ＴＦＴ層２０は、例えば、支持基板１１上に、ゲート電極２１，ゲート絶縁膜２２，チャネル領域を形成する半導体層２４および一対のソース・ドレイン電極２６がこの順に設けられている。本実施の形態の先端に曲率の変化する拡幅部１６Ａを有するスリット１６は、上記ＴＦＴ層２０を構成するいずれの層に形成されていてもよい。
【００２８】
以下に、表示装置２を構成する各部材について説明する。なお、上記電子デバイス１と同様の構成要素については同一の符号を付し、適宜その説明を省略する。
【００２９】
ゲート電極２１は、ＴＦＴ１０にゲート電圧を印加し、このゲート電圧により半導体層２４中のキャリア密度を制御する役割を有するものである。ゲート電極２１は基板１１上の選択的な領域に設けられ、例えば、白金（Ｐｔ），チタン（Ｔｉ），ルテニウム（Ｒｕ），モリブデン（Ｍｏ），Ｃｕ，タングステン（Ｗ），ニッケル（Ｎｉ），Ａｌおよびタンタル（Ｔａ）等の金属単体または合金により構成されている。また、これらのうちの２種以上を積層させて用いるようにしてもよい。
【００３０】
ゲート絶縁膜２２，２３は、例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＯX）、シリコン窒化物（ＳｉＮX）、シリコン窒化酸化物（ＳｉＯＮ）および酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ2）等のうちの１種よりなる単層膜、またはこれらのうちの２種以上よりなる積層膜である。この他、例えば、ＰＶＰ，パリレン，ポリスチレン等のうちの少なくとも１種よりなる単層膜、あるいは、これらのうち２種以上よりなる積層膜であってもよい。ここでは、ゲート絶縁膜２２が例えばＳｉＯ2、ゲート絶縁膜２３が例えばＳｉ3Ｎ4によりそれぞれ構成されている。ゲート絶縁膜２２，２３の総膜厚は、例えば２００ｎｍ〜３００ｎｍである。
【００３１】
半導体層２４はゲート絶縁膜２２上に島状に設けられ、一対のソース・ドレイン電極２６の間のゲート電極２１に対向する位置にチャネル領域を有している。半導体層２４は、例えば、peri-Xanthenoxanthene(ＰＸＸ)誘導体等の有機半導体材料、あるいは、例えば、インジウム（Ｉｎ），ガリウム（Ｇａ），亜鉛（Ｚｎ），スズ（Ｓｎ），Ａｌ，Ｔｉのうちの少なくとも１種の酸化物を主成分として含む酸化物半導体によって形成されている。半導体層２４の厚みは例えば、５ｎｍ〜１００ｎｍである。
【００３２】
チャネル保護膜２５は、半導体層２４上に形成され、ソース・ドレイン電極２６を形成する際のチャネルの損傷を防止するものである。このチャネル保護膜２５は、例えばシリコン（Ｓｉ）と酸素（Ｏ2）とフッ素（Ｆ）とを含有する絶縁膜により構成され、厚みは例えば１０〜３００ｎｍである。
【００３３】
ソース・ドレイン電極２６は、ソースまたはドレインとして機能するものであり、例えばモリブデン（Ｍｏ），アルミニウム（Ａｌ），銅（Ｃｕ），チタン，ＩＴＯおよび酸化チタン（ＴｉＯ）等のうち１種よりなる単層膜またはこれらのうちの２種以上よりなる積層膜である。例えば、Ｍｏ，Ａｌ，Ｍｏの順に、５０ｎｍ，５００ｎｍ，５０ｎｍの膜厚で積層した３層膜や、ＩＴＯおよび酸化チタン等の酸素を含む金属化合物のような酸素との結びつきの弱い金属または金属化合物を用いることが望ましい。
【００３４】
平坦化層２７は、例えばポリイミド、ノボラック等の有機材料により構成されている。この平坦化層２７の厚みは、例えば１０ｎｍ〜１００ｎｍであり、好ましくは５０ｎｍ以下である。平坦化層２７上には、有機ＥＬ素子２のアノード電極１２が形成されている。
【００３５】
なお、平坦化層２７にはコンタクトホールＨが設けられており、このコンタクトホールＨを通じてソース・ドレイン電極２６と、有機ＥＬ素子３１の各画素電極３２とが電気的に接続されている。画素電極３２は、隔壁３３によって画素毎に電気的に分離されており、画素電極３２上には、後述する各色発光層を含む有機層３４および対向電極３５が積層されている。
【００３６】
有機ＥＬ素子３１はそれぞれ、例えば、上面発光型（トップエミッション型）の素子構造を有している。但し、このような構成に限定されることはなく、例えば基板１１０側から光を取り出す透過型、即ち、下面発光型（ボトムエミッション型）であってもよい。
【００３７】
有機ＥＬ素子３１は、隔壁３３の開口部３３Ａに形成され、例えば、画素電極３２上に、有機層３４として、例えば、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層および電子注入層がこの順に積層されている（いずれも図示せず）。有機層３４上には、複数の有機ＥＬ素子に共通の対向電極３５が設けられている。
【００３８】
画素電極３２は、例えばアノードとして機能し、表示装置１が上面発光型である場合には、例えばアルミニウム，チタン，クロム（Ｃｒ）等の高反射材料から構成されている。なお、下面発光型である場合には、例えばＩＴＯ，ＩＺＯ，ＩＧＺＯ等の透明導電膜が用いられる。
【００３９】
隔壁３３は、上述したように、有機ＥＬ素子３１の各素子間を電気的に絶縁すると共に、各画素の発光領域を区画するものである。隔壁３３によって形成される複数の開口部３３Ａには有機ＥＬ素子３１のいずれかが形成されている。この隔壁３３は、例えばポリイミド、ノボラック樹脂あるいはアクリル樹脂等の有機材料により構成されている。あるいは、この隔壁３３は、有機材料と無機材料とが積層されて構成されていてもよい。無機材料としては、例えばＳｉＯ2，ＳｉＯ，ＳｉＣ，ＳｉＮが挙げられる。
【００４０】
有機層３４は、上記のように、例えば、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層および電子注入層が積層された構成を有する。
【００４１】
正孔注入層は、発光層への正孔注入効率を高めると共に、リークを防止するためのバッファ層である。正孔注入層１３Ｂの構成材料としては、電極等の隣接する層の材料との関係で適宜選択されればよいが、例えばポリアニリン，ポリチオフェン，ポリピロール，ポリフェニレンビニレン，ポリチエニレンビニレン，ポリキノリン，ポリキノキサリンおよびそれらの誘導体、芳香族アミン構造を主鎖又は側鎖に含む重合体等の導電性高分子，金属フタロシアニン（銅フタロシアニン等），カーボン等が挙げられる。導電性高分子の具体例としては、オリゴアニリン，オリゴアニリンおよびポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）（ＰＥＤＯＴ）等のポリジオキシチオフェンが挙げられる。この他、エイチ・シー・スタルク製の商品名Nafion（商標）および商品名Liquion（商標）、日産化学製の商品名エルソース（商標）および綜研化学製の導電性ポリマーベラゾール等を用いてもよい。
【００４２】
正孔輸送層は、発光層への正孔輸送効率を高めるためのものである。正孔輸送層１３Ａを構成する材料としては、有機溶媒に可溶な高分子材料、例えば、ポリビニルカルバゾール，ポリフルオレン，ポリアニリン，ポリシランまたはそれらの誘導体、側鎖または主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体，ポリチオフェンおよびその誘導体，ポリピロール，または４，４’−ビス（Ｎ−１−ナフチル−Ｎ−フェニルアミノ）ビフェニル（α−ＮＰＤ）により構成されている。
【００４３】
発光層は、電界がかかることにより電子と正孔との再結合を生じ発光するものであり、例えば、各色画素に対応する色光を発する発光材料によって構成されている。発光層を構成する材料としては、それぞれの発光色に応じたものであればよく、高分子材料（分子量が例えば５０００以上）であってもよいし、低分子材料（分子量が例えば５０００以下）であってもよい。低分子材料の場合には、例えば、ホスト材料とドーパント材料の２種類以上の混合材料が用いられる。高分子材料の場合には、例えば有機溶媒に溶かしたインクの状態で使用される。また、これらの低分子材料および高分子材料の混合材料が用いられてもよい。
【００４４】
電子輸送層は、発光層への電子輸送効率を高めるためのものである。電子輸送層の構成材料としては、例えば、キノリン，ペリレン，フェナントロリン，ビススチリル，ピラジン，トリアゾール，オキサゾール，フラーレン，オキサジアゾール，フルオレノンまたはこれらの誘導体や金属錯体が挙げられる。具体的には、トリス（８−ヒドロキシキノリン）アルミニウム（略称Ａｌｑ３），アントラセン，ナフタレン，フェナントレン，ピレン，アントラセン，ペリレン，ブタジエン，クマリン，Ｃ６０，アクリジン，スチルベン，１，１０−フェナントロリンまたはこれらの誘導体や金属錯体が挙げられる。この他、優れた電子輸送性能を有する有機材料を用いることが好ましい。
【００４５】
電子注入層は、各色発光層への電子注入効率を高めるためのものである。電子注入層１５Ｂの構成材料としては、例えばアルカリ金属，アルカリ土類金属，希土類金属およびその酸化物，複合酸化物，フッ化物，炭酸塩等が挙げられる。
【００４６】
対向電極３５は、例えば、上面発光型（トップエミッション型）の場合には、光透過性を有する導電膜材料、例えばＩＴＯ，ＩＺＯ，ＺｎＯ，ＩｎＳｎＺｎＯ，ＭｇＡｇ，Ａｇ等の単層膜あるいはこれらのうちの２種以上を含む積層膜からなる。下面発光型（ボトムエミッション型）の場合には、例えばアルミニウム，ＡｌＳｉＣ，チタン，クロム等の高反射率材料が用いられる。
【００４７】
封止層３６は、有機ＥＬ素子３１への水分の浸入を防止するためのものであり、透過性および透水性の低い材料により構成され、厚みは例えば２〜３μｍである。封止層３６は、絶縁性材料および導電性材料のいずれにより構成されていてもよい。絶縁性材料としては、無機アモルファス性の絶縁性材料、例えばアモルファスシリコン（α−Ｓｉ），アモルファス炭化シリコン（α−ＳｉＣ），アモルファス窒化シリコン（α−Ｓｉ1-xＮx），アモルファスカーボン（α−Ｃ）等が挙げられる。このような無機アモルファス性の絶縁性材料は、グレインを構成しないため透水性が低く、良好な保護膜となる。
【００４８】
（１−３．作用・効果）
前述したように、電子デバイスの湾曲耐性を向上させるために、先端が円形状のスリットをフレキシブルプリント配線基板に設けたり、積層薄膜からなるフレキシブル電子デバイスの少なくとも１つの導電層レイヤにスリットを設ける方法が開示されている。しかしながら、複数の層からなる電子デバイスでは、複数の層を連続して貫通するスリットを設けることは難しく、また、任意のレイヤ内にスリットを形成してそのレイヤに設けられたパターンを最適化しただけでは、湾曲時に印加される応力を十分に緩和することは難しかった。
【００４９】
これに対して、本実施の形態の電子デバイスでは、例えば、ＴＦＴを構成するゲート電極、半導体層およびソース・ドレイン電極、容量素子あるいは表示素子を構成する一対の電極等の一対の可撓性を有する基板の間に設けられた機能層に、少なくとも一部に曲率を有する拡幅部が先端に設けられたスリットを形成するようにした。具体的には、例えば、対向配置された支持基板１１および対向基板１５の間に配設された導電層１３に、一方向に延伸するスリット１６を設け、このスリット１６の先端に、曲率が互いに異なる第１領域Ａおよび第２領域Ｂを有する拡幅部１６Ａを形成するようにした。これにより、電子デバイス１を湾曲した際に、スリット１６の先端に印加させる応力が分散される。
【００５０】
以上のように、本実施の形態の電子デバイス１によれば、一対の基板（支持基板１１および対向基板１５）の間に設けられた導電層１３に、曲率が互いに異なる第１領域Ａおよび第２領域Ｂを有する拡幅部１６Ａを先端に有するスリット１６を設けるようにした。これにより、電子デバイス１を湾曲した際にスリット１６の先端に集中する応力が分散され、電子デバイス１の湾曲耐性を向上させることが可能となる。よって、信頼性の向上した可撓性を有する電子機器を提供することができる。
【００５１】
また、例えば、電子デバイス１を備えた電子機器（例えば、電子ブック）を折り曲げて使用する際の限界曲率半径を小さく（例えば、２ｍｍ）することができる。よって、電子ブックのみならず、例えば、腕時計のベルトやストラップ等の湾曲部分への搭載等、様々な分野において用いることが可能となる。
【００５２】
＜２．変形例＞
以下、上記実施の形態の変形例（変形例１〜３）について説明する。以降の説明において上記実施の形態と同一構成部分については同一符号を付してその説明は適宜省略する。
【００５３】
（２−１．変形例１）
図４Ａは、上記実施の形態の変形例（変形例１）に係る電子デバイス３の平面構成を表したものであり、図４Ｂは、図４Ａに示した電子デバイス３のＩＩ−ＩＩ線における断面構成を表したものである。本変形例の電子デバイス３は、絶縁層１２，１４に挟持された導電層１３に、端部に上記実施の形態において説明した拡幅部１６Ａを有するスリット１６が設けられたものであり、この拡幅部１６Ａに対応する領域に補強部３１が設けられた点が上記実施の形態とは異なる。
【００５４】
補強部３１は、導電層１３内に設けられた複数のスリットの端部に設けられた拡幅部１６Ａに対応する位置に設けられたものである。ここで、「対応する位置」とは、少なくとも拡幅部１６Ａのうち湾曲時に応力が集中しやすい領域、具体的には、図２に示した連結部１３Ｂの内側の第２領域Ｂを含む領域である。好ましくは、拡幅部１６Ａと共に、スリット１６によって分割された導電層１３の短冊部１３Ａをそれぞれ接続する連結部１３Ｂ全体を含む領域である。これにより、湾曲耐性が向上した導電層１４の面内において、湾曲時に比較的応力が集中しやすいスリット１６の端部をより補強することが可能となる。
【００５５】
補強部３１は、導電層１３以外の層、ここでは、絶縁層１２，１４を構成する材料よりもヤング率の高い材料を用いることが好ましく、導電層１３と同等のナング率の材料を用いてもよい。具体的には、例えば、導電層１３にも用いられるＭｏ／Ａｌ／Ｍｏが挙げられる。補強部３１の膜厚は、例えば、数ｎｍあれば一定の効果が得られるが、好ましくは、１００ｎｍ以上５００ｎｍ以下である。
【００５６】
なお、補強部３１は、スリット１６および拡幅部１６Ａが設けられた導電層１３の下層および上層のいずれに形成してもよく、あるいは、絶縁層１２あるいは絶縁層１４を介して配設するようにしてもよい。このように、補強部３１を絶縁層１２あるいは絶縁層１４を介して設ける場合には、補強部３１を別途設けてもよいし、既存の層を補強部３１として用いるようにしてもよい。具体的には、例えば、図３に示した表示装置において、例えば、ゲート電極２１の層にスリットおよび拡幅部が設けられている場合には、例えば、半導体層２４やソース・ドレイン電極２６の層を利用して、ゲート電極２１の層の拡幅部の補強部を形成するようにしてもよい。
【００５７】
本変形例の電子デバイス３では、スリット１６の先端に設けられた拡幅部１６Ａに対応する位置に補強部３１を設けるようにした。具体的には、スリット１６および拡幅部１６Ａが設けられた導電層１３の下層あるいは上層の少なくとも一方に、直接あるいは、他の層を介して積層するようにした。これにより、電子デバイス３を湾曲した際に、スリット１６の端部に印加される応力が、導電層１３から補強部３１に分散される。よって、電子デバイス３の応力耐性をより向上させることが可能となる。
【００５８】
（２−２．変形例２）
図５は、上記実施の形態の変形例（変形例２）に係る電子デバイス４の平面構成を表したものである。この電子デバイス４は、スリット４６の端部にスリット４６の幅よりも大きな直径を有する円形状の拡幅部４６Ａを設け、この拡幅部４６Ａに対応する領域に補強部３１を設けるようにしたものである。
【００５９】
（２−３．変形例３）
図６は、上記実施の形態の変形例（変形例３）に係る電子デバイス５の平面構成を表したものである。この電子デバイス５は、端部を含むスリット全体が一定の幅を有すると共に、スリット５６の端部に補強部３１を設けたものである。
【００６０】
上記変形例２，３のように、導電層４４（，５４）に設けたスリット４６（，５６）の端部に、導電層４４（，５４）に直接あるいは、他の層を介して補強部３１を配設することにより、電子デバイス４（，５）を湾曲した際に、スリット４６（，５６）の端部に印加される応力を分散させ、湾曲耐性を向上させることが可能となる。
【００６１】
＜３．適用例＞
上記実施の形態および変形例１〜３に示した電子デバイスは、例えば、以下に説明する電子機器に適用することができる。図７Ａは、本開示の適用例１に係る電子機器（電子ブック６）の斜視構成を模式的に表したものである。図Ｂは、この電子ブック６の片側の一部を分解して表したものである。
【００６２】
電子ブック６は、柔らかい素材をコンポーネント化して形成された薄型のフレキシブルディスプレイである。この電子ブック６では、複数枚の紙（頁）を綴じて作られる実際の本のように、装置全体を閉じたり（折り畳んだり）、あるいは開いたりすることができるようになっている。ユーザは実際に本を読んでいるかのような感覚で、電子ブック６に表示された内容（例えば書籍の頁等）を閲覧することが可能である。
【００６３】
電子ブック６は、支持基板６０上に、表示部材を含む電子デバイス６１を備えたものであり、本における「背」の部分（背７Ａ）には、ヒンジ部６２を有している。この電子ブック６の下面（閉じたときに外側になる面）側にはカバー６３が設けられ、上面（閉じたときに内側になる面）側は、保護シート６４により覆われている。
【００６４】
支持基板６０は、電子ブック６の基材として電子デバイス６１を支持すると共に、可撓性を有するものである。この支持基板６０は、上記実施の形態の表示装置１における支持部材２０を適用することができる。
【００６５】
ヒンジ部６２は、支持基板６０の背７Ａに対応する部分に設けられ、例えば、支持基板６０（あるいは電子ブック６）の折り曲げ角度に拘わらず一定の曲率を維持可能な曲率規制ヒンジであることが望ましい。
【００６６】
カバー６３は、電子ブック６の外装部材であり、柔らかい樹脂フィルムにより構成されている。
【００６７】
保護シート６４は、表示部材４５を保護すると共に、電子ブック６の表示面を形成するものである。この保護シート６４は、支持基板６０にその全面を覆うように貼り合わせられており、柔らかく、かつ表示光に対して透明性を有する樹脂フィルムにより構成されている。
【００６８】
この電子ブック６では、支持基板６０、電子デバイス６１、カバー６３および保護シート６４が柔らかい素材により構成され（可撓性を有し）、背７Ａにヒンジ部６２が設けられていることにより、ユーザは、実際の紙からなる本を扱うときと同じように、電子ブック６を開いたり、閉じたりすることができる。例えば、図７Ａに示した開いた状態において、表示部材４５に画像（例えば書籍の１ページを示す画像）が表示されると、ユーザは電子ブック６を両手または片手に持ちながら、あるいは台等の上に広げ（置き）ながら、そのページを読むことができる。
【００６９】
以上、実施の形態、変形例１〜３および適用例を挙げて本開示を説明したが、本開示は上記実施の形態等に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。また、例えば、上記実施の形態において表示装置１および電子ブック６の構成を具体的に挙げて説明したが、全ての構成要素を備える必要はなく、また、他の構成要素を更に備えていてもよい。
【００７０】
また、上記適用例では、支持基板６０の面形状が矩形状である場合を例示したが、支持基板６０の面形状はこれに限らず、他の形状、例えば正方形状や他の多角形状、円形状、楕円形状等様々な形状を取り得る。
【００７１】
更に、上記適用例では、電子ブック６の背７Ａに対応する領域が、支持基板６０を２分するように延在形成されている場合を例示したが、電子ブック６の背７Ａはこれに限定されるものではない。例えば、電子ブック６の背７Ａが支持基板６０の右寄りまたは左寄りの領域に延在して形成されていてもよい。すなわち、折り畳み時において、支持基板の一方の側が他方の側から露出するような構成であってもよい。また、電子ブック６の背７Ａの数も１つに限らず複数であってもよい。
【００７２】
更にまた、図示はしないが、上述したような折り畳み型あるいはタブレット型の表示装置または電子機器に、他の機器、例えばキーボード等を接続可能に構成してもよい。
【００７３】
加えて、上記実施の形態等では、本開示の電子機器の一例として、電子ブックを例に挙げたが、本開示の表示装置または電子機器は、他にも、各種モバイル機器（ノート型ＰＣ（Personal computer），携帯オーディオプレーヤ，携帯電話，ＰＤＡ（Personal Digital Assistant）等の電子機器に用いられてもよい。また、ブックリーダとしてだけでなく、音楽プレーヤ，動画プレーヤ，写真ビューア，地図アプリ，ウエブブラウザ等を閲覧可能な表示装置および電子機器全般に使用することができる。
【００７４】
なお、本明細書中に記載された効果はあくまで例示であって限定されるものではなく、また、他の効果があってもよい。
【００７５】
なお、本技術は以下のような構成を取ることも可能である。
（１）可撓性を有する機能層と、前記機能層に設けられると共に、一方向に延伸する１または複数のスリットと、前記スリットの少なくとも一方の端部に設けられると共に、スリット幅よりも広く、且つ、少なくとも一部に曲率を有する拡幅部とを備え、前記拡幅部は、曲率の異なる第１領域および第２領域を含む電子デバイス。
（２）前記第２領域は、前記スリットに連続する２つの第１領域の間に設けられると共に、前記第２領域の曲率は、前記第１領域よりも小さい、前記（１）に記載の電子デバイス。
（３）前記第２領域の曲率は０である、前記（１）または（２）に記載の表示装置。
（４）前記第１領域および前記第２領域は連続している、前記（１）乃至（３）のいずれか１つに記載の電子デバイス。
（５）前記機能層は対向する第１辺および第２辺を有し、前記スリットは、前記第１辺および前記第２辺から交互に延伸している、前記（１）乃至（４）のいずれか１つに記載の電子デバイス。
（６）前記機能層は前記複数のスリットによって形成された複数の細長い短冊部と、複数の前記短冊部の少なくとも一端を互いに連結する連結部を有し、前記連結部の幅は、前記短冊部の幅よりも小さい、前記（１）乃至（５）のいずれか１つに記載の電子デバイス。
（７）前記機能層の前記拡幅部を含む位置に補強部が配設されている、前記（１）乃至（６）のいずれか１つに記載の電子デバイス。
（８）前記補強部は、前記機能層の上層あるいは下層の少なくとも一方に設けられている、前記（７）に記載の電子デバイス。
（９）前記機能層は可撓性を有する一対の基板の間に設けられると共に、第１層および第２層によって挟持されている、前記（１）乃至（８）のいずれか１つに記載の電子デバイス。
（１０）前記補強部は、前記第１層あるいは前記第２層を介して積層されている、前記（９）に記載の電子デバイス。
（１１）前記補強部は、前記機能層を構成する材料よりもヤング率の高い材料によって形成されている、前記（７）乃至（１０）のいずれか１つに記載の電子デバイス。
（１２）前記機能層は導電層であり、前記第１層および前記第２層は絶縁層である、前記（９）乃至（１１）のいずれか１つに記載の電子デバイス。
（１３）前記導電層は、薄膜トランジスタを構成するゲート電極、半導体層およびソース・ドレイン電極、容量素子あるいは表示素子を構成する一対の電極のいずれかである、前記（１２）に記載の電子デバイス。
（１４）電子デバイスを有し、前記電子デバイスは、可撓性を有する機能層と、前記機能層に設けられると共に、一方向に延伸する１または複数のスリットと、前記スリットの少なくとも一方の端部に設けられると共に、スリット幅よりも広く、且つ、少なくとも一部に曲率を有する拡幅部とを備え、前記拡幅部は、曲率の異なる第１領域および第２領域を含む電子機器。
【符号の説明】
【００７６】
１，３，４，５…電子デバイス、２…表示装置、６…電子ブック、１０…ＴＦＴ、１１…支持基板、１２，１４…絶縁層、１３…導電層、１５…対向基板、１６…スリット、１６Ａ…拡幅部、２０…ＴＦＴ層、２１…ゲート電極、２２，２３…ゲート絶縁膜、２４…半導体層、２５…チャネル保護膜、２６…ソース・ドレイン電極、２７…平坦化層、３０…表示層、３１…有機ＥＬ素子、３２…画素電極、３３…隔壁、３４…有機層、３５…対向電極、３６…封止層。
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図２】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５】
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【図６】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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