(57)【要約】      （修正有）【課題】ＰＯＰパッケージを構成する第１の半導体パッケージと第２の半導体パッケージの物性が一致しないことにより熱応力が働いても、高い信頼性を有するＰＯＰ基板を製造するための金属ポストを有するプリント配線板を提供する。【解決手段】プリント配線板は第１回路基板１０１と第１回路基板１０１上の金属ポスト７７で形成されている。金属ポスト７７の高さｈ１と第１回路基板１０１の厚みｂとの比（ｈ１／ｂ）は、０．１より大きく１．０より小さい。【選択図】図１
2016021475.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品を搭載するための第１パッドと第２回路基板と電気的に接続するための第２パッドとを有する第１回路基板と、
前記第２パッド上に形成されていて、前記第２回路基板を搭載するためのめっきで形成されている金属ポストと、を有するプリント配線板であって、
前記金属ポストの高さｈ１を前記第１回路基板の厚みｂで割ることで得られる値（ｈ１／ｂ）は、０．１より大きく、１．０より小さい。
【請求項２】
請求項１のプリント配線板であって、前記金属ポストは上面と前記上面と反対側の下面を有し、前記下面が前記第２パッドに対向し、前記金属ポストの前記上面に凹部が形成されている。
【請求項３】
請求項１のプリント配線板であって、前記金属ポストは、シード層と前記シード層上の電解銅めっき膜で形成されている。
【請求項４】
請求項１のプリント配線板であって、隣接する前記第２パッド間のピッチは０．３mm以下である。
【請求項５】
請求項１のプリント配線板であって、前記金属ポストは、上面と前記上面と反対側の下面を有し、前記下面が前記第２パッドに対向し、前記上面と前記下面との間の距離Ｈと前記金属ポストの径ｄ１との比（Ｈ／ｄ１）は０．６より大きく１．５より小さい。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、第２回路基板を搭載するための金属ポストを有するプリント配線板に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１は、ＰＯＰパッケージとその製造方法を開示している。特許文献１の図８によれば、第１の半導体パッケージと第２の半導体パッケージはリードラインで接続されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】ＵＳ７７２３７８３４Ｂ２
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１では、第１の半導体パッケージと第２の半導体パッケージの物性が一致しないと予想される。その場合、リードラインに熱応力が働くと想像される。熱応力により、第１の半導体パッケージと第２の半導体パッケージ間の接続信頼性が低下すると考えられる。
【０００５】
本発明の目的は、高い接続信頼性を有するＰＯＰ基板を提供することである。本発明の別の目的は、高い信頼性を有するＰＯＰ基板を提供するための金属ポストを有するプリント配線板を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係るプリント配線板は、電子部品を搭載するための第１パッドと第２回路基板と電気的に接続するための第２パッドとを有する第１回路基板と、前記第２パッド上に形成されていて、前記第２回路基板を搭載するためのめっきで形成されている金属ポストと、を有する。そして、前記金属ポストの高さｈ１を前記第１回路基板の厚みｂで割ることで得られる値（ｈ１／ｂ）は、０．１より大きく、１．０より小さい。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】図１（Ａ）は本発明の第１実施形態に係るプリント配線板の断面図であり、図１（Ｂ）は第１実施形態のプリント配線板の改変例の断面図である。
【図２】第１実施形態のプリント配線板の応用例の断面図。
【図３】図３（Ａ）は第１回路基板の実装面の平面図であり、図３（Ｂ）はプリント配線板の実装面の平面図である。
【図４】第１実施形態に係るプリント配線板の製造工程図。
【図５】図５（Ａ）、図５（Ｂ）は第１実施形態に係るプリント配線板の製造工程図であり、図５（Ｃ）、図５（Ｄ）は応用例の製造工程図である。
【図６】図６（Ａ）、図６（Ｂ）は第１実施形態の改変例に係るプリント配線板の製造工程図であり、図６（Ｃ）、図６（Ｄ）は第２実施形態に係るプリント配線板の製造工程図である。
【図７】第２実施形態に係るプリント配線板の製造工程図。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
[第１実施形態]
本発明の第１実施形態に係るプリント配線板１０が図１（Ａ）に示され、プリント配線板１０の応用例２００が図２に示されている。
プリント配線板１０は、図４（Ａ）に示される第１回路基板（下基板）１０１と図１（Ａ）に示される金属ポスト７７で形成されている。プリント配線板１０や第１回路基板１０１は、ＩＣチップ等の電子部品９０を実装するためのパッド（第１パッド）７５Ｉと、第２回路基板（上基板）１１０を搭載するためのパッド（第２パッド）７５Ｐを有する。第２回路基板１１０と第２パッドは電気的に繋がっている。第２回路基板１１０にメモリなどの電子部品１９０が実装される。複数のパッド７５Ｉでパッド群Ｃ４（図３（Ａ）参照）が形成されている。パッド群Ｃ４は、プリント配線板１０や第１回路基板１０１の略中央に形成されている。第２パッド７５Ｐは、パッド群Ｃ４の周りの外周領域Ｐ４（図３（Ａ）参照）に形成されている。第２パッド上に金属ポスト７７が形成されている。金属ポストで上基板と下基板が接続される。金属ポスト７７は上面ＵＦを有する。金属ポストは、シード層８４とシード層８４上の電解めっき膜８６で形成されている。シード層８４で形成される空間内に電解めっき膜８６が形成されている。金属ポスト７７を形成している電解銅めっき膜８６の側壁と下面上にシード層が形成されている。電解めっき膜の下面は第２パッド７５Ｐと対向している。ソルダーレジスト層から突出している電解銅めっき膜８６の側壁上にシード層は、形成されている。
【０００９】
高さｈ１は、ソルダーレジスト層７０Ｆの上面から突出している金属ポスト（突出部分の金属ポスト）の長さである。
金属ポストは図１（Ａ）に示されるように、上面ＵＦを有する。また、金属ポストは上面と反対側の下面ＢＦを有する。下面ＢＦは第２パッドと接している。ソルダーレジスト層の上面から突出している部分の金属ポスト７７の形状として、円柱が好ましい。突出部分の金属ポストの形状は直円柱である。金属ポスト７７は、下基板１０１と上基板１１０を電気的に接続する。
金属ポストの長さＨは第２パッドの上面と金属ポストの上面ＵＦとの間の距離である。
【００１０】
図３（Ａ）は第１回路基板１０１の実装面を示している。図３（Ａ）では、上側のソルダーレジスト層７０Ｆとソルダーレジスト層７０Ｆの開口から露出している第１パッド７５Ｉと第２パッド７５Ｐが示されている。隣接する第２パッド間のピッチｐ１は０．３ｍｍ以下である。隣接するパッドの重心間の距離がピッチである。もしくは、隣接するパッドの中心間の距離がピッチである。
【００１１】
ピッチｐ１が０．３ｍｍ以下でも、金属ポスト７７により、下基板１０１と上基板１１０との間の距離が確保される。また、隣接するパッド間で絶縁が確保される。
【００１２】
第１実施形態のプリント配線板１０や第１回路基板１０１は、コア基板を有するプリント配線板であってもコアレス基板であっても良い。コア基板を有するプリント配線板やその製造方法は、例えば、ＪＰ２００７２２７５１２Ａに示されている。コアレス基板やその製造方法は、例えば、ＪＰ２００５２３６２４４Ａに示されている。コアレス基板は、交互に積層されている層間樹脂絶縁層と導体層を有し、全ての層間樹脂絶縁層の厚みが例えば６０μｍ以下である。
上基板はコア基板を有するプリント配線板であっても、コアレス基板であってもよい。
【００１３】
図１（Ａ）や図４（Ａ）に示されるように、第１実施形態のプリント配線板１０や第１回路基板１０１は、コア基板３０を有する。コア基板３０は第１面Ｆとその第１面と反対側の第２面Ｓとを有する絶縁基板２０ｚと絶縁基板の第１面Ｆ上に形成されている第１導体層３４Ｆと絶縁基板の第２面上に形成されている第２導体層３４Ｓを有する。コア基板はさらに、絶縁基板２０ｚに形成されているスルーホール導体用の貫通孔２８をめっき膜で充填しているスルーホール導体３６を有する。スルーホール導体３６は、第１導体層３４Ｆと第２導体層３４Ｓを接続している。コア基板の第１面と絶縁基板の第１面は同じ面であり、コア基板の第２面と絶縁基板の第２面は同じ面である。
【００１４】
コア基板３０の第１面Ｆ上に層間樹脂絶縁層（最上の層間樹脂絶縁層）５０Ｆが形成されている。層間樹脂絶縁層５０Ｆ上に導体層（最上の導体層）５８Ｆが形成されている。導体層５８Ｆと第１導体層３４Ｆやスルーホール導体３６は、層間樹脂絶縁層５０Ｆを貫通するビア導体（最上のビア導体）６０Ｆで接続されている。層間樹脂絶縁層５０Ｆと導体層５８Ｆとビア導体６０Ｆで上側のビルドアップ層５５Ｆが形成されている。第１実施形態では、上側のビルドアップ層は１層である。最上の導体層は、図３（Ａ）や図４（Ａ）に示されるパッド７５Ｉ、７５Ｐを有している。
【００１５】
コア基板３０の第２面Ｓに層間樹脂絶縁層（最下の層間樹脂絶縁層）５０Ｓが形成されている。層間樹脂絶縁層５０Ｓ上に導体層（最下の導体層）５８Ｓが形成されている。導体層５８Ｓと第２導体層３４Ｓやスルーホール導体は、層間樹脂絶縁層５０Ｓを貫通するビア導体（最下のビア導体）６０Ｓで接続されている。層間樹脂絶縁層５０Ｓと導体層５８Ｓとビア導体６０Ｓで下側のビルドアップ層５５Ｓが形成されている。第１実施形態では、下側のビルドアップ層は１層である。最下の導体層はマザーボードと接続するためのＢＧＡパッド７１ＳＰを有している。
【００１６】
上側のビルドアップ層上に上側のソルダーレジスト層７０Ｆが形成され、下側のビルドアップ層上に下側のソルダーレジスト層７０Ｓが形成されている。ソルダーレジスト層７０Ｆは、第１パッド７５Ｉを露出するための開口（第１開口）７１Ｉと、第２パッド７５Ｐを露出するための開口（第２開口）７１Ｐを有する。ソルダーレジスト層７０Ｓは、ＢＧＡパッド７１ＳＰを露出する開口７１Ｓを有する。第１パッド７５ＩやＢＧＡパッド７１ＳＰ上に保護膜７２が形成される。第２パッド７５Ｐ上に保護膜が形成されても良い。保護膜は、パッドの酸化を防止するための膜である。保護膜の例は、Ｎｉ／ＡｕやＮｉ／Ｐｄ／Ａｕ、Ｐｄ／Ａｕ、ＯＳＰである。Ｐｄ／Ａｕが落下衝撃に強い。
図２に示されるように、第１パッド７５ＩやＢＧＡパッド７１ＳＰ上に電子部品９０やマザーボードと接続するための半田バンプやＳｎ膜などの接続部材７６Ｆ、７６Ｓが形成される。
接続部材７６Ｆ、７６Ｓは保護膜７２上に形成される。接続部材はパッド上に直接形成されても良い。保護膜がＯＳＰの場合、ＯＳＰ除去後、接続部材はパッド上に直接形成される。接続部材は無くてもよい。
【００１７】
図４（Ａ）に示されている第１回路基板は、明細書内で第１実施形態のプリント配線板の中間基板１０１とも称される。図４（Ａ）は、中間基板１０１の断面図である。図３（Ａ）は、第１回路基板（中間基板）の実装面を示す。図３（Ａ）は、第１回路基板を上側のソルダーレジスト側から観察することで得られる第１回路基板の平面図である。図３（Ａ）に上側のソルダーレジスト層７０Ｆとソルダーレジスト層の開口７１Ｉ、７１Ｐから露出するパッド７５Ｉ、７５Ｐが示されている。図３（Ａ）のＸ１−Ｘ１間の中間基板１０１の断面が図４（Ａ）に示される。図３（Ａ）に示されるように、電子部品９０を搭載するための第１パッド７５Ｉは第１回路基板１０１の略中央領域に形成されている。全ての第１パッドを含むエリアはＣ４エリアである。Ｃ４エリアの外周に点線が描かれている。
図３（Ａ）に示されるように、第２回路基板１１０を搭載するための第２パッド７５Ｐは、第１パッド７５Ｉの外側に形成されている。第２パッド７５Ｐは第１回路基板１０１の外周領域に形成されている。図３（Ａ）では、第２パッド７５Ｐは第１パッドを囲んでいるが、第１回路基板の２辺に沿って形成されてもよい。第２パッドは、対向する２辺に形成されることが好ましい。
【００１８】
図３（Ｂ）は、図１（Ａ）のプリント配線板の実装面を示す。図３（Ｂ）は、プリント配線板１０を上側のソルダーレジスト側から観察することで得られるプリント配線板の平面図である。図３（Ｂ）に、上側のソルダーレジスト層７０Ｆの上面と第１パッド７５Ｉと第２パッド７５Ｐ上の金属ポスト７７の上面ＵＦが示されている。
図３（Ｂ）のＸ２−Ｘ２間のプリント配線板１０の断面が図１（Ａ）に示される。
【００１９】
金属ポスト７７の径ｄ１は、第２パッド７５Ｐの径ｄ２より大きい。径ｄ１は、図１（Ａ）に示されるように金属ポストの突出部分の径である。金属ポストの径ｄ１とパッド７５Ｐの径ｄ２との比（ｄ２／ｄ１）は、０．５から０．９であることが好ましい。パッド間のピッチを小さくすることができる。ピッチｐ１が０．３ｍｍ以下でも、下基板と上基板との間の接続信頼性が高い。また、金属ポスト間の絶縁信頼性が高い。ピッチｐ１は、１００μｍ〜３００μｍである。ピッチｐ１が１００μｍより小さいと、金属ポスト間の絶縁信頼性が低下しやすい。また、金属ポストが細くなるので、上基板と下基板間の接続信頼性が低下する。ピッチｐ１が３００μｍを越えると、プリント配線板１０のサイズが大きくなる。そのため、金属ポストに働く応力が大きくなるので、上基板と下基板間の接続信頼性が低下する。ピッチｐ１は、図３（Ａ）に示されるように、隣接する第２パッドの中心間の距離である。もしくは、ピッチｐ１は、隣接する第２パッドの重心間の距離である。
【００２０】
図１（Ａ）に示されるように、金属ポストは高さｈ１と長さＨを有する。ピッチｐ１が０．３ｍｍ以下の場合、金属ポスト７７の高さｈ１は５０μｍ〜１５０μｍである。金属ポストの高さｈ１は、図１（Ａ）に示されるように、金属ポストの上面ＵＦと上側のソルダーレジスト層７０Ｆの上面との間の距離である。高さｈ１は１００μｍ未満であることが好ましい。ソルダーレジスト層７０Ｆの上面とパッド７５Ｐの上面との間の距離ｅ１は、１５μｍ〜３０μｍである。
金属ポスト７７の長さＨは、６５μｍ〜１８０μｍである。長さＨは、金属ポスト７７の上面ＵＦと第２パッド７５Ｐの上面との間の距離である。長さＨは、高さｈ１と距離ｅ１の合計に等しい。パッド７５Ｐの厚みｃ１は５μｍ〜２０μｍである。長さＨと厚みｃ１の比（Ｈ／ｃ１）は５以上２０以下である。
【００２１】
金属ポスト７７のアスペクト比（長さＨ／径ｄ１）ＭＲは１．５より小さいことが好ましい。アスペクト比ＭＲが１．５未満であると、金属ポストの重心が低くなる。金属ポストの長さに対する底面積（下面ＢＦとパッド７５Ｐとの接触の面積）が大きくなる。金属ポストの底面（下面）ＢＦと平行な方向に働く力に対し金属ポストは強くなる。
【００２２】
アスペクト比ＭＲが１未満であると、実施形態の金属ポストは太くて短くなる。金属ポストの剛性が高くなる。そのため、ヒートサイクルで金属ポストの変形量が小さい。ＰＯＰ基板の反りが小さくなる。マザーボードに実装しやすいＰＯＰ基板を提供することができる。下基板や上基板が劣化しがたい。下基板と上基板の信頼性が向上する。アスペクト比ＭＲが１未満であると、金属ポストが疲労で劣化し難い。金属ポストに亀裂が入りがたい。
【００２３】
アスペクト比ＭＲが０．６以下となると金属ポストの径が大きくなる。それに従って、第２パッドの径や第２開口の径が大きくなる。そのため、下基板や上基板のサイズが大きくなる。その結果、金属ポストに掛かる熱応力も大きくなる。
金属ポストに掛かる熱応力で金属ポストが劣化する。あるいは、金属ポストと下基板間の接続信頼性や金属ポストと上基板間の接続信頼性が低下する。熱でＰＯＰ基板の変形量が大きくなる。マザーボードとＰＯＰ基板間の接続信頼性が低下する。ＰＯＰ基板をマザーボードに搭載することが難しくなる。
アスペクト比ＭＲが０．６以下となると、上基板の物性と下基板の物性の差に起因する応力が大きくなる。そのため、金属ポストが劣化する。物性の例は熱膨張係数やヤング率である。
【００２４】
下基板に搭載されているＩＣチップからの熱が下基板内の導体回路を介して金属ポストに伝わる。その熱を金属ポストの側面を介して外に逃がすことができる。しかしながら、アスペクト比ＭＲが０．６以下となると、下基板と上基板間の距離が短くなる。金属ポストが太くなるので、金属ポスト内に熱が蓄えられる。下基板１０１やＰＯＰ基板２００の温度が高くなり易い。金属ポストに掛かる熱応力が大きくなる。下基板やＰＯＰ基板の反りが大きくなる。また、ＩＣチップの熱が上基板上のメモリに伝わりやすい。上基板上のメモリが誤動作し易い。
【００２５】
図２に示されるように、下基板１０１と上基板１１０は、高い剛性を有する金属ポスト７７と接合部材１１２で接続される。接合部材は半田が好ましい。接合部材の剛性は金属ポストの剛性より低い。上基板と下基板間の熱応力が接合部材で緩和される。金属ポストで上基板と下基板を有する電子機器の強度が保たれる。
【００２６】
金属ポストの高さｈ１と第１回路基板の厚み（距離）ｂとの比（金属ポストの高さｈ１／距離ｂ）ｈ１／ｂは、０．１より大きく１．０より小さいことが好ましい。第１回路基板の厚みｂは、図１（Ａ）に示されるように、第１回路基板の最上面と最下面との間の距離である。
第２回路基板は、第１回路基板上にリフロー等で金属ポストを介して搭載される。リフローで第１回路基板は高温になる。第１回路基板が高温になると、第１回路基板の剛性は低下する。また、金属ポストは第１回路基板の外周領域に形成されている。従って、金属ポストの重みにより、高温時、第１回路基板に反りが発生しやすい。金属ポストが長くなると、金属ポストの重量は大きくなる。比（ｈ１／ｂ）が１以上になると、金属ポストの重みにより、第１回路基板に第２回路基板を搭載する歩留りが低下する。また、金属ポストと第２回路基板間の接続強度が不十分になる。そのため、熱応力で金属ポストを介する第１回路基板と第２基回路板間の接続信頼性が低下する。
【００２７】
金属ポストの形状が柱状であるので、第１回路基板の物性と第２回路基板の物性の差に起因する熱応力が金属ポストで緩和される。物性は、熱膨張係数やヤング率である。金属ポストが長いと、熱応力に起因する金属ポストの変形量が大きくなる。金属ポストが熱応力を繰り返し受けると、金属ポストは疲労で劣化する。比（ｈ１／ｂ）が１以上になると、金属ポストの劣化が顕著となる。
【００２８】
比（ｈ１／ｂ）が０．１以下になると、金属ポストが短くなる。金属ポストの剛性が高くなる。そのため、金属ポストによる応力緩和の効果が小さくなる。従って、金属ポストを介する第１回路基板と第２回路基板間の接続信頼性が低下する。ＰＯＰ基板の信頼性が低下する。比（ｈ１／ｂ）が０．１以下であると、下基板と上基板間の距離が短くなる。高機能なＩＣチップなどの電子部品の厚みは厚い。そのため、下基板上に高機能な電子部品を搭載することが難しい。
比（ｈ１／ｂ）が０．１より大きく１．０より小さいと、ＰＯＰ基板の信頼性が高くなる。第１回路基板の反りが小さくなる。また、高い信頼性を有するＰＯＰ基板を提供するためのポストを有するプリント配線板を提供することができる。
【００２９】
[第１実施形態の製造方法]
図１（Ａ）に示される第１実施形態に係るプリント配線板１０の製造方法が図４、図５に示されている。第１実施形態では、金属ポストがめっきで形成されている。
図４（Ａ）に中間基板１０１が示される。図４（Ａ）に示されている中間基板はパッド７５Ｐを有し、そのパッド７５Ｐ上に金属ポストが形成される。図４（Ａ）に示されている中間基板は、例えば、特開２０１２−０６９９２６号公報に示される方法で製造される。中間基板のソルダーレジスト層７０Ｆの開口７１Ｉにより露出されるパッド７５Ｉとソルダーレジスト層７０Ｓの開口７１Ｓにより露出されるパッド７１ＳＰにＯＳＰ（Organic Solderability Preservative）膜７２が形成されている。ここで、ＯＳＰ膜の代わりに、ニッケル−金膜、ニッケル−パラジウム−金膜などの保護膜が形成されてもよい。
【００３０】
中間基板１０１の第１パッド７１Ｉ上に半田バンプ７６Ｆが形成される。その後、図４（Ｂ）に示されるように、半田バンプ７６Ｆとソルダーレジスト層７０Ｆ上にめっきレジスト２８２が形成される。めっきレジスト２８２は、第２パッド７５Ｐを露出するための開口２８２Ａを有する。開口２８２Ａの大きさは第２開口７１Ｐの大きさより大きい。開口２８２Ａの大きさと開口７１Ｐの大きさの比（開口２８２Ａの大きさ／開口７１Ｐの大きさ）は、１．２から１．５である。金属ポスト７７とパッド７５Ｐ間の接続信頼性が高くなる。ＢＧＡパッドと下側のソルダーレジスト層は保護シートで覆われている。但し、図に保護シートは描かれない。めっきレジスト２８２上と開口２８２Ａ内と第２パッド７５Ｐ上にスパッタでシード層８４が形成される（図４（Ｃ））。シード層はＴｉ膜とＴｉ膜上のＣｕ膜で形成されている。無電解銅めっきによりシード層を形成することができる。
【００３１】
シード層８４上に電解銅めっき膜８６が形成される。図４（Ｄ）に示されるように、シード層で形成される空間内に電解銅めっき膜８６が形成される。開口２８２Ａ内に電解銅めっき膜８６が充填される。この時、同時に、めっきレジスト２８２上に電解めっき膜８６が形成される（図４（Ｄ））。エッチングによりめっきレジスト２８２上の電解めっき膜８６が除去される（図５（Ａ））。
【００３２】
金属ポスト７７の上面ＵＦに保護膜７９が形成される（図５（Ｂ））。保護膜７９は金属ポスト７７の酸化を防止するための膜である。保護膜の例は、Ｎｉ／Ａｕである。保護膜として、Ｎｉ／Ａｕ以外にＳｎ、半田、ＯＳＰなどを用いることができる。保護膜の厚みは２μｍ程度である。金属ポストの高さや長さに保護膜の厚みは含まれる。めっきレジスト２８２が除去される。金属ポスト７７の側面が露出する。保護シートが除去される。第１実施形態のプリント配線板１０が完成する（図１（Ａ））。第１実施形態の（ｈ１／ｂ）は０．８である。金属ポストはめっきで形成されている。第１実施形態では、保護膜が金属ポストの上面上にのみ形成されている。金属ポストの上面に半田などの接合部材が形成されるとき、接合部材が金属ポストの上面上のみに形成される。金属ポストの側壁に接合部材が濡れ広がらない。そのため、金属ポスト間の間隔を狭くすることができる。第２パッド７５Ｐのピッチを小さくすることが出来る。第１回路基板のサイズが小さくなる。第１回路基板やＰＯＰ基板の反りが小さくなる。ヒートサイクルで金属ポストが劣化しがたい。
【００３３】
[応用例の製造方法]
図２に示される応用例（ＰＯＰ基板）の製造方法が図５（Ｃ）と図５（Ｄ）に示される。
ＩＣチップ９０の電極９２がプリント配線板１０の半田バンプ７６Ｆに接続される。ＩＣチップ９０がプリント配線板１０に実装される。その後、プリント配線板１０の実装面上にモールド樹脂１８０が形成される。モールド樹脂で金属ポスト７７や電子部品はモールドされる（図５（Ｃ））。金属ポスト７７はモールド樹脂１８０内に埋まっている。金属ポスト７７の上面ＵＦ及び上面に繋がっている側壁を露出する開口１８１がモールド樹脂１８０に形成される（図５（Ｄ））。金属ポストの側面は部分的に露出される。開口１８１はレーザで形成される。開口１８１は図５（Ｄ）に示されるように、モールド樹脂の上面から金属ポストに向かってテーパーしている。開口１８１から露出する金属ポスト上に半田等の接合部材１１２が形成される。上基板１１０が半田１１２を介して金属ポスト７７に接合される。上基板がプリント配線板１０に搭載される（図２）。ＰＯＰ（Package on Package）基板が完成する。ＰＯＰ基板はＢＧＡパッド７１ＳＰ上の半田バンプ７６Ｓを有していなくてもよい。
【００３４】
図２のＰＯＰ基板の例では、上基板と金属ポストを繋ぐ半田１１２で開口１８１が充填される。金属ポストの上面と側壁の一部を介して半田と金属ポストが接合される。両者間の接合強度が高くなる。金属ポストを介する接続信頼性が高くなる。図５（Ｃ）、（Ｄ）に示されるように、モールド樹脂の上面１８０Ｔは金属ポストの上面ＵＦより上に位置している。なお、開口１８１形成後、金属ポストに保護膜を形成することで、開口１８１から露出する金属ポストの上面と側壁の一部に保護膜を形成することができる。その場合、半田が、金属ポストの側壁に濡れ広がる。
【００３５】
[第１実施形態の改変例]
図１（Ｂ）に第１実施形態の改変例に係るプリント配線板が示される。
改変例は金属ポスト７７の上面ＵＦに凹部７７Ｃを有する。このため、図２に示される接合部材１１２と金属ポストの上面との密着性が高い。凹部７７Ｃの深さｄｐは５〜３０μｍである。
【００３６】
図６（Ａ）、（Ｂ）に第１実施形態の改変例に係るプリント配線板の製造方法が示される。
第１実施形態と同様に、図５（Ａ）に示される途中基板が製造される。改変例では、めっきレジスト２８２上の電解めっき膜８６が除去される。さらに、開口２８２Ａ内の電解めっき膜８６がエッチング等で除去される。金属ポストの上面に凹部７７Ｃが形成される（図６（Ａ））。凹部７７Ｃの深さはエッチング時間などで調整される。金属ポストの上面に保護膜７９が形成される（図６（Ｂ））。めっきレジスト２８２が除去される。第１実施形態の改変例に係るプリント配線板１０が完成する（図１（Ｂ））。
【００３７】
第１実施形態の改変例で、金属ポストの高さｈ１と第１回路基板の厚み（距離）ｂとの比（ｈ１／ｂ）は、０．１より大きく１．０より小さい。比（ｈ１／ｂ）は０．６である。金属ポストの高さｈ１に保護膜７９の厚みは含まれる。
【００３８】
[第２実施形態]
図７（Ｄ）に第２実施形態のプリント配線板が示される。
第２実施形態のプリント配線板の金属ポストは、第１実施形態と同様に、下面ＢＦにシード層１８４を有する。シード層１８４の上側に電解銅めっき膜８６が形成されている。上側のソルダーレジスト層から突出している部分の金属ポストの側壁は電解銅めっき膜８６が露出している。金属ポストの突出部分にシード層は形成されていない。
【００３９】
以下に第２実施形態のプリント配線板の製造方法が示される。
第１実施形態と同様に下基板１０１が形成される（図６（Ｃ））。そして、上側のソルダーレジスト層７０上と開口７１Ｐ、７１Ｉ内にスパッタでシード層１８４が形成される（図６（Ｄ））。シード層はＴｉ膜とＴｉ膜上のＣｕ膜で形成されている。無電解銅めっきによりシード層を形成することができる。ＢＧＡパッドと下側のソルダーレジスト層は保護シートで覆われている。但し、図に保護シートは描かれていない。
【００４０】
シード層１８４上に、第２パッド７５Ｐ上とパッド７５Ｐの周りのソルダーレジスト層上に形成されているシード層を露出するための開口２８２Ａを有するめっきレジスト２８２が形成される（図７（Ａ））。開口２８２Ａの大きさは第２パッドの大きさより大きい。
【００４１】
シード層１８４を介して電流が流され、開口２８２Ａ内に電解めっき膜８６が形成される（図７（Ｂ））。金属ポスト７７の上面ＵＦに保護膜７９が形成されてもよい（図７（Ｃ））。保護膜は２μｍ程度である。金属ポストの高さｈ１に保護膜の厚みは含まれる。
【００４２】
めっきレジスト２８２が除去される。エッチングにより金属ポストから露出するシード層１８４が除去される。保護シートが除去される。第２実施形態のプリント配線板１０が完成する（図７（Ｄ））。図７（Ｃ）で保護膜が形成されない時、めっきレジスト２８２と金属ポストから露出するシード層が除去される。その後、金属ポストの側壁と金属ポストの上面に保護膜が形成される。
【００４３】
第２実施形態で、金属ポストの高さｈ１と第１回路基板の厚み（距離）ｂとの比（ｈ１／ｂ）は、０．１より大きく１．０より小さい。比（ｈ１／ｂ）は、０．３である。このため、第２実施形態は、第１実施形態と同様な効果を有する。
【符号の説明】
【００４４】
１０  プリント配線板
１１２  接合部材
７０Ｆ、７０Ｓ  ソルダーレジスト層
７１Ｐ  第２開口
７５Ｐ  第２パッド
７７  金属ポスト
９０  電子部品
１１０  第２回路基板
１０１  第１回路基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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