(57)【要約】【課題】照射部とステージとの相対位置を計測する計測部の光軸の調整を容易に行うために有利な技術を提供する。【解決手段】パターンを基板に形成するリソグラフィ装置の製造方法であって、前記リソグラフィ装置は、ベースと、前記ベースに支持され、前記基板を保持して前記ベースに対して移動可能なステージと、前記ベースおよび前記ステージを収容するチャンバと、前記チャンバに固定された計測対象部材と、前記ベースに支持され、前記計測対象部材の位置を計測するためのヘッド部とを含み、前記製造方法は、前記ベースと前記計測対象部材との位置関係を規定するための位置決め部材を用いて、前記計測対象部材を前記ベースに対して位置決めする第１工程と、前記第１工程で位置決めされた前記計測対象部材に対して前記ヘッド部の計測軸を調整する第２工程と、前記第２工程の後、前記チャンバに前記ベースを収容する第３工程とを含む。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
パターンを基板に形成するリソグラフィ装置の製造方法であって、
前記リソグラフィ装置は、
ベースと、
前記ベースに支持され、前記基板を保持して前記ベースに対して移動可能なステージと、
前記ベースおよび前記ステージを収容するチャンバと、
前記チャンバに固定された計測対象部材と、
前記ベースに支持され、前記計測対象部材の位置を計測するためのヘッド部と、を含み、
前記製造方法は、
前記ベースと前記計測対象部材との位置関係を規定するための位置決め部材を用いて、前記計測対象部材を前記ベースに対して位置決めする第１工程と、
前記第１工程で位置決めされた前記計測対象部材に対して前記ヘッド部の計測軸を調整する第２工程と、
前記第２工程の後、前記チャンバに前記ベースを収容する第３工程と、
を含むことを特徴とする製造方法。
【請求項２】
前記リソグラフィ装置は、前記パターンを形成するためのビームを前記基板に照射する照射部を含み、
前記製造方法は、
前記第３工程の後、前記照射部を前記位置決め部材に対して位置決めして前記チャンバに固定する第４工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】
前記第４工程の後、前記位置決め部材を前記チャンバから取り除く第５工程を含むことを特徴とする請求項２に記載の製造方法。
【請求項４】
前記製造方法は、前記第３工程の前において、前記ステージに対する前記ヘッド部の計測軸を調整する工程を含む、ことを特徴とする請求項１乃至３のうちいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項５】
前記ベースは、前記位置決め部材を位置決めするための基準部材を有し、
前記第１工程は、前記位置決め部材を前記基準部材に対して位置決めして固定する工程を含むことを特徴とする請求項１乃至４のうちいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項６】
前記第３工程は、前記計測対象部材を取り外した状態で前記チャンバに前記ベースを収容することを特徴とする請求項１乃至５のうちいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項７】
前記リソグラフィ装置は、前記計測対象部材と前記ベースとの間の相対位置を計測する計測部と、前記チャンバに対する前記ベースの位置を調整する調整部とを含み、
前記第２工程は、前記ヘッド部の計測軸の調整がなされた状態での前記相対位置を前記計測部に計測させ、
前記製造方法は、
前記第３工程の後、前記位置決め部材を取り外した状態で前記計測対象部材またはそれに代わる計測対象部材を前記チャンバに固定する第６工程と、
前記第６工程の後、前記第２工程での計測結果に基づいて、前記調整部による調整を行う第７工程と、
を含むことを特徴とする請求項１に記載の製造方法。
【請求項８】
パターンを基板に形成するリソグラフィ装置であって、
ベースと、
前記ベースに支持され、前記基板を保持して前記ベースに対して移動可能なステージと、
前記パターンを形成するためのビームを前記基板に照射する照射部と、
前記ベースおよび前記ステージを収容し、前記照射部を支持するチャンバと、
前記照射部に固定された計測対象部材と、
前記ベースに支持され、前記計測対象部材の位置を計測するためのヘッド部と、
を含み、
前記ベースは、前記計測対象部材を位置決めするための基準部材を含むことを特徴とするリソグラフィ装置。
【請求項９】
前記基準部材は、前記計測対象部材を前記ベースに対して位置決めするための位置決め部材を位置決めするための基準面を含むことを特徴とする請求項８に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１０】
請求項８又は９に記載のリソグラフィ装置を用いてパターンを基板に形成する工程と、
前記工程でパターンを形成された前記基板を処理する工程と、
を含むことを特徴とする物品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、リソグラフィ装置の製造方法、リソグラフィ装置、および物品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体集積回路における回路パターンの微細化および高集積化に伴い、荷電粒子線などのビームを用いて基板にパターンを形成するリソグラフィ装置（描画装置）が注目されている。例えば、描画装置では、真空中において荷電粒子線を基板に照射する必要がある。そのため、特許文献１に記載された描画装置のように、基板を保持して移動可能なステージが真空チャンバに収容されうる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特許第４２０５３９０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
描画装置では、基板にパターンを高精度に形成するため、荷電粒子線を基板に照射する照射部と基板を保持するステージとの相対位置を正確に計測することが好ましい。特許文献１には、照射部によって支持された干渉計（ヘッド部）を用いて照射部とステージとの相対位置を計測する描画装置が記載されている。しかしながら、特許文献１に記載された構成の描画装置の製造時にあたっての干渉計の光軸（計測軸）の調整は、ステージを真空チャンバに収容し且つ照射部を真空チャンバに固定した後でないと行うことができないため、困難となりうる。
【０００５】
そこで、本発明は、ヘッド部の計測軸の調整に有利な技術を提供することを例示的目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するために、本発明の一側面としてのリソグラフィ装置の製造方法は、パターンを基板に形成するリソグラフィ装置の製造方法であって、前記リソグラフィ装置は、ベースと、前記ベースに支持され、前記基板を保持して前記ベースに対して移動可能なステージと、前記ベースおよび前記ステージを収容するチャンバと、前記チャンバに固定された計測対象部材と、前記ベースに支持され、前記計測対象部材の位置を計測するためのヘッド部と、を含み、前記製造方法は、前記ベースと前記計測対象部材との位置関係を規定するための位置決め部材を用いて、前記計測対象部材を前記ベースに対して位置決めする第１工程と、前記第１工程で位置決めされた前記計測対象部材に対して前記ヘッド部の計測軸を調整する第２工程と、前記第２工程の後、前記チャンバに前記ベースを収容する第３工程と、を含むことを特徴とする。
【０００７】
本発明の更なる目的又はその他の側面は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施形態によって明らかにされるであろう。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、例えば、ヘッド部の計測軸の調整に有利な技術を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】第１実施形態の描画装置を示す概略図である。
【図２】第１実施形態に係る描画装置の製造方法を示すフローチャートである。
【図３】位置決め部材によってプレートを位置決めした状態を示す図である。
【図４】プレートおよび照射部をチャンバの上壁に固定した状態を示す図である。
【図５】第２実施形態の描画装置を示す概略図である。
【図６】第２実施形態に係る描画装置の製造方法を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施の形態について説明する。なお、各図において、同一の部材ないし要素については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。また、以下の実施形態では、ビームとして荷電粒子線（電子線）を基板に照射して基板にパターンを形成する描画装置について説明するが、それに限られるものではない。例えば、ビームとしての光（光ビーム）を用いて基板を露光する露光装置などのリソグラフィ装置においても、本発明を適用することができる。
【００１１】
＜第１実施形態＞
本発明の第１実施形態の描画装置１００について、図１を参照しながら説明する。図１は、第１実施形態の描画装置１００を示す概略図である。描画装置１００は、例えば、基板Ｗにパターンを形成するために荷電粒子線（ビーム）を基板Ｗに照射する照射部ＣＬと、基板Ｗを保持してベース上を移動可能なステージＦＳと、照射部ＣＬとステージＦＳとの相対位置を計測する計測部ＰＬとを含みうる。また、描画装置１００は、例えばＣＰＵやメモリなどを有し、基板Ｗへの描画処理を制御する（描画装置１００の各部を制御する）制御部ＣＮＴを含みうる。描画装置１００では、一般に、真空中において荷電粒子線を基板Ｗに照射する必要がある。そのため、第１実施形態の描画装置１００では、ベースＢＳおよびステージＦＳがチャンバＶＣの内部に収容され、照射部ＣＬがチャンバＶＣの上壁によって支持されうる。これにより、描画装置１００は、チャンバＶＣの内部を真空状態にして、真空中において荷電粒子線を基板Ｗに照射することができる。ここで、チャンバＶＣは、例えば、描画装置１００が配置される床からの振動を低減するためのマウントＭＴを介して当該床によって支持されうる。また、描画装置１００には、チャンバＶＣに対するベースＢＳの位置を調整する調整部ＰＤが、ベースＢＳとチャンバＶＣの底壁との間に設けられうる。調整部ＰＤは、例えば、描画装置１００の電源を落とした後においてもベースＢＳの位置を維持することができるようなアクチュエータを含みうる。
【００１２】
照射部ＣＬ（カラム）は、例えば、チャンバＶＣの上壁によって支持され、基板Ｗにパターンを形成するように荷電粒子線（ビーム）を基板Ｗに照射する。照射部ＣＬは、例えば、荷電粒子線を射出する荷電粒子源や、荷電粒子線の基板Ｗへの照射と非照射とを切り換えるためのブランカ、荷電粒子線を基板上で走査するための偏向器などを含み、１本もしくは複数の荷電粒子線を基板Ｗに照射する。
【００１３】
ステージＦＳは、ベースＢＳによって支持される。ステージＦＳは、基板Ｗを保持し、基板Ｗの面と平行な方向（例えばＸＹ方向）においてベースＢＳに対して移動可能に構成されている。例えば、図１に示す描画装置１００では、第１スライダＸＳと第２スライダＹＳとが設けられている。第１スライダＸＳは、ベース上において第２スライダＹＳをＸ方向に移動させることができ、第２スライダＹＳは、第１スライダ上においてステージＦＳをＹ方向に移動させることができる。このように第１スライダＸＳと第２スライダＹＳとをベース上に設けることにより、基板Ｗを保持するステージＦＳをベース上でＸＹ方向に移動可能に構成することができる。また、ステージＦＳは、Ｚ方向やθ方向（Ｚ軸周りの回転方向）における基板Ｗの位置を調整する機能や、基板Ｗの傾き（チルト）を補正する機能などを有していてもよい。
【００１４】
計測部ＰＬ（ヘッド部）は、ベースＢＳによって支持される。計測部ＰＬは、チャンバＶＣ（或いは照射部ＣＬ）に固定されたプレートＭＰ（計測対象部材）およびステージＦＳにそれぞれ光を照射し、プレートＭＰで反射された光とステージＦＳで反射された光とを用いて照射部ＣＬとステージＦＳとの相対位置を計測する。第１実施形態では、計測部ＰＬが、第１計測部ＰＬＹ、第２計測部ＰＬＸおよび第３計測部ＰＬＺを含み、第１計測部ＰＬＹ、第２計測部ＰＬＸおよび第３計測部ＰＬＺのそれぞれがベースＢＳによって支持されている。
【００１５】
第１計測部ＰＬＹは、Ｙ方向におけるステージＦＳの位置をそれぞれ計測する２つの干渉計と、Ｙ方向におけるプレートＭＰの位置をそれぞれ計測する２つの干渉計とを含みうる。ステージＦＳの位置を計測する２つの干渉計の各々は、ステージＦＳの−Ｙ方向側の面に光（ＢＳＹ１、ＢＳＹ２）を照射し、当該面で反射された光を用いて、Ｙ方向におけるステージＦＳの位置を計測する。これら２つの干渉計は、Ｚ方向に沿って配置されうる。また、プレートＭＰの位置を計測する２つの干渉計の各々は、プレートＭＰの−Ｙ方向側の面に光（ＢＣＹ１、ＢＣＹ２）を照射し、当該面で反射された光を用いて、Ｙ方向におけるプレートＭＰの位置を計測する。これら２つの干渉計は、Ｚ方向に沿って配置されうる。このように第１計測部ＰＬＹを構成することにより、第１計測部ＰＬＹは、Ｙ方向およびωＸ方向におけるステージＦＳの位置と、Ｙ方向およびωＸ方向におけるプレートＭＰの位置とをそれぞれ計測することができる。即ち、第１計測部ＰＬＹは、Ｙ方向およびωＸ方向における照射部ＣＬ（プレートＭＰ）とステージＦＳとの相対位置を計測することができる。
【００１６】
第２計測部ＰＬＸは、Ｘ方向におけるステージＦＳの位置をそれぞれ計測する３つの干渉計と、Ｘ方向におけるプレートＭＰの位置をそれぞれ計測する３つの干渉計とを含みうる。ステージＦＳの位置を計測する３つの干渉計の各々は、ステージＦＳのＸ方向側の面に光（ＢＳＸ１、ＢＳＸ２、ＢＳＸ３）を照射し、当該面で反射された光を用いて、Ｘ方向におけるステージＦＳの位置を計測する。これら３つの干渉計は、光ＢＳＸ１を射出する干渉計と光ＢＳＸ２を射出する干渉計とがＺ方向に沿って並び、かつ光ＢＳＸ１を射出する干渉計と光ＢＳＸ３を射出する干渉計とがＹ方向に沿って並ぶように配置されうる。また、プレートＭＰの位置を計測する３つの干渉計の各々は、プレートＭＰのＸ方向側の面に光（ＢＣＸ１、ＢＣＸ２、ＢＣＸ３）を照射し、当該面で反射された光を用いて、Ｘ方向におけるプレートＭＰの位置を計測する。これら３つの干渉計は、光ＢＣＸ１を射出する干渉計と光ＢＣＸ２を射出する干渉計とがＺ方向に沿って並び、かつ光ＢＣＸ１を射出する干渉計と光ＢＣＸ３を射出する干渉計とがＹ方向に沿って並ぶように配置されうる。このように第２計測部ＰＬＸを構成することにより、第２計測部ＰＬＸは、Ｘ方向、ωＹ方向およびωＺ方向におけるステージＦＳの位置と、Ｘ方向、ωＹ方向およびωＺ方向におけるプレートＭＰの位置とをそれぞれ計測することができる。即ち、第２計測部ＰＬＸは、Ｘ方向、ωＹ方向およびωＺ方向における照射部ＣＬ（プレートＭＰ）とステージＦＳとの相対位置を計測することができる。
【００１７】
第３計測部ＰＬＺは、ステージＦＳとプレートＭＰとのＺ方向における相対位置を計測する干渉計を含みうる。当該干渉計は、ビームスプリッタＢＤを介して、ステージＦＳのＺ方向側の面およびプレートＭＰの−Ｚ方向側の面にそれぞれ光（ＺＳ、ＺＣ）を照射し、それらの面で反射された光を用いて、ステージＦＳとプレートＭＰとのＺ方向における相対位置を計測する。即ち、第３計測部ＰＬＺは、Ｚ方向における照射部ＣＬ（プレートＭＰ）とステージＦＳとの相対位置を計測することができる。
【００１８】
このように構成された描画装置１００では、照射部ＣＬとステージＦＳとの相対位置を正確に計測するため、描画装置１００の製造時において計測部ＰＬ（干渉計）の光軸（計測軸）が調整されうる。しかしながら、ベースＢＳおよびステージＦＳをチャンバＶＣに収容し、プレートＭＰをチャンバＶＣに固定した後で計測部ＰＬの光軸を調整することは、チャンバ内のスペースの点で困難になりうる。そのため、ベースＢＳおよびステージＦＳをチャンバＶＣに収容する前において、計測部ＰＬの光軸を調整することが好ましい。一方で、ベースＢＳおよびステージＦＳをチャンバＶＣに収容する前ではプレートＭＰがベースＢＳに対して位置決めされていないため、プレートＭＰが位置決めされていない状態では、計測部ＰＬの光軸を調整することはできない。そこで、第１実施形態の描画装置１００では、ベースＢＳおよびステージＦＳをチャンバＶＣに収容する前において、位置決め部材ＫＢによってプレートＭＰがベースＢＳに対して位置決めされる。そして、位置決め部材ＫＢによって位置決めされたプレートＭＰに対する計測部ＰＬの光軸が調整される。
【００１９】
以下に、第１実施形態に係る描画装置１００の製造方法について、図２を参照しながら説明する。図２は、描画装置１００の製造方法を示すフローチャートである。ここで、以下では、実際に照射部ＣＬに固定されるプレートＭＰを用いて、ベースＢＳおよびステージＦＳをチャンバＶＣに収容する前（Ｓ１０１〜Ｓ１０３の工程）に計測部ＰＬの光軸の調整を行う例について説明する。しかしながら、それに限られるものではなく、例えば、計測部ＰＬの光軸の調整の際に、計測部ＰＬからの光が照射される面を有し、かつプレートＭＰより軽い仮プレートをプレートＭＰの代わりに用いてもよい。このようにプレートＭＰより軽い仮プレートを用いることにより、計測部ＰＬの光軸を調整している間において、プレートＭＰの重さでベースＢＳが歪むことなどを低減させることができる。
【００２０】
Ｓ１０１では、ベースＢＳおよびステージＦＳをチャンバＶＣに収容する前において、ステージＦＳに対する計測部ＰＬからの光の入射角度が許容範囲に収まるように、計測部ＰＬの光軸（ステージＦＳの位置を計測するための干渉計の光軸）を調整する。例えば、第１計測部ＰＬＹからの光を反射するステージＦＳの面をＹ方向に対して垂直に配置し、ステージＦＳをＹ方向に移動させたときの第１計測部ＰＬにおける受光強度の変化が許容範囲に収まるように、第１計測部ＰＬＹの光軸を調整する。また、第２計測部ＰＬＸからの光を反射するステージＦＳの面をＸ方向に対して垂直に配置し、ステージＦＳをＸ方向に移動させたときの第２計測部ＰＬＸにおける受光強度の変化が許容範囲に収まるように、第２計測部ＰＬＸの光軸を調整する。同様に、第３計測部ＰＬＺからの光を反射するステージＦＳの面をＸＹ方向に対して平行に配置し、ステージＦＳをＺ方向に移動させたときの第３計測部ＰＬＺにおける受光強度の変化が許容範囲に収まるように、第３計測部ＰＬＺの光軸を調整する。
【００２１】
Ｓ１０２では、プレートＭＰを位置決めするための位置決め部材ＫＢをベースＢＳに固定し、ベースＢＳに固定された位置決め部材ＫＢによってプレートＭＰを位置決めする（第１工程）。例えば、ベースＢＳは、図１に示すように、位置決め部材ＫＢを配置すべきベース上の位置を規定する、即ち、位置決め部材ＫＢをベースＢに対して位置決めするための基準部材ＲＢを有する。基準部材ＲＢには、位置決め部材ＫＢのＸ方向における位置を規定するための基準面（Ｙ−Ｚ面）、Ｙ方向における位置を規定するための基準面（Ｚ−Ｘ面）、およびＺ方向における位置を規定するための基準面（Ｘ−Ｙ面）が設けられている。そして、基準部材ＲＢにおけるそれらの基準面に位置決め部材ＫＢを押し当てた状態で当該位置決め部材ＫＢをベースＢＳに固定する。これにより、位置決め部材ＫＢをベース上の所望の位置に配置することができる。また、図３に示すように、ベースＢＳに固定された位置決め部材ＫＢにプレートＭＰを押し当てることによって、プレートＭＰをベースＢＳに対して位置決めし、当該プレートＭＰを位置決め部材ＫＢに固定する。
【００２２】
Ｓ１０３では、位置決めされたプレートＭＰに対する計測部ＰＬからの光の入射角度が許容範囲に収まるように、計測部ＰＬの光軸（プレートＭＰの位置を計測するための干渉計の光軸）を調整する（第２工程）。例えば、第１計測部ＰＬＹからの光を反射するプレートＭＰの面に対する当該光の入射角度が許容範囲に収まるように、第１計測部ＰＬＹの光軸（第１計測部ＰＬＹから射出される光の方向）を調整する。このとき、第１計測部ＰＬＹからの光がプレートＭＰの面に垂直に入射するように第１計測部ＰＬＹの光軸を調整することが好ましい。また、第２計測部ＰＬＸからの光を反射するプレートＭＰの面に対する当該光の入射角度が許容範囲に収まるように、第２計測部ＰＬＸの光軸を調整する。同様に、第３計測部ＰＬＺからの光を反射するプレートＭＰの面に対する当該光の入射角度が許容範囲に収まるように、第３計測部ＰＬＺの光軸を調整する。
【００２３】
Ｓ１０４では、ベースＢＳおよびステージＦＳをチャンバＶＣに収容する（第３工程）。このとき、Ｓ１０１〜Ｓ１０３において仮プレートを用いた場合では、仮プレートを取り外した状態で、ベースＢＳおよびステージＦＳをチャンバＶＣに収容する。また、プレートＭＰを取り外した状態で、ベースＢＳおよびステージＦＳをチャンバＶＣに収容してもよい。この場合、ベースＢＳおよびステージＦＳがチャンバＶＣに収容された後、位置決め部材ＫＢにより位置決めして（例えば位置決め部材ＫＢに押し当てて）プレートＭＰが取り付けられうる。Ｓ１０５では、図４に示すように、照射部ＣＬをプレートＭＰに対して位置決めし、プレートＭＰおよび照射部ＣＬをチャンバＶＣの上壁に固定する（第４工程）。Ｓ１０６では、位置決め部材ＫＢをチャンバＶＣから取り除く（第５工程）。
【００２４】
上述したように、第１実施形態に係る描画装置１００の製造方法では、ベースＢＳおよびステージＦＳをチャンバＶＣに収容する前において、位置決め部材ＫＢを用いてプレートＭＰをベースＢＳに対して位置決めする。これにより、ベースＢＳおよびステージＦＳをチャンバＶＣに収容したり、プレートＭＰおよび照射部ＣＬをチャンバＶＣに固定したりする前であっても、照射部ＣＬとステージＦＳとの相対位置を計測する計測部ＰＬの光軸を調整することができる。
【００２５】
ここで、Ｓ１０５においてプレートＭＰをチャンバＶＣに固定するとき、ベースＢＳとプレートＭＰとの相対位置が少しずれることがある。そのため、プレートＭＰをチャンバＶＣに固定し、位置決め部材ＫＢをチャンバＶＣから取り除いた後、プレートＭＰに対する計測部ＰＬからの光の入射角度が許容範囲に収まるように、調整部ＰＤによって相対位置を調整するとよい。例えば、計測部ＰＬにおける受光強度が許容範囲に収まるように、好ましくは受光強度が最も大きくなるように、調整部ＰＤによって相対位置を調整するとよい。
【００２６】
＜第２実施形態＞
第２実施形態の描画装置２００には、図５に示すように、プレートＭＰとベースＢＳとの間の相対位置を計測する第２計測部ＤＴが更に設けられている。第２計測部ＤＴは、例えば、ベース上に配置されうる。そして、第２実施形態の描画装置２００の製造方法では、ベースＢＳをチャンバＶＣに収容した後、位置決め部材ＫＢを用いずに、第２計測部ＤＴによる計測結果に基づいてベースＢＳとプレートＭＰとの相対位置が調整部ＰＤによって調整される。以下に、第２実施形態に係る描画装置２００の製造方法について、図６を参照しながら説明する。図６は、第２実施形態に係る描画装置２００の製造方法を示すフローチャートである。ここで、図６のフローチャートにおけるＳ２０１〜Ｓ２０３の工程は、図２のフローチャートにおけるＳ１０１〜Ｓ１０３の工程と同様であるため、ここでは説明を省略する。また、Ｓ２０２（第１工程）では、位置決め部材ＫＢによってプレートＭＰを位置決めすることに加えて、ヘッド部ＰＬの光軸の調整がなされた状態でプレートＭＰとベースＢＳとの間の相対位置が第２計測部ＤＴによって計測される。
【００２７】
Ｓ２０４では、位置決め部材ＫＢをベースＢＳから取り外し、ベースＢＳおよびステージＦＳをチャンバＶＣに収容する。ここで、Ｓ２０１〜Ｓ２０３において仮プレートを用いた場合では、仮プレートを取り外した状態で、ベースＢＳおよびステージＦＳをチャンバＶＣに収容する。また、プレートＭＰを取り外した状態で、ベースＢＳおよびステージＦＳをチャンバＶＣに収容してもよい。Ｓ２０５では、位置決め部材ＫＢをベースＢＳから取り外した状態で、照射部ＣＬ（上記のように前もってプレートＭＰを取り外した場合には、さらにプレートＭＰも）をチャンバＶＣの上壁に固定する（第６工程）。Ｓ２０６では、Ｓ２０２の工程（第２工程）での第２計測部ＤＴによる計測結果に基づいて、ベースＢＳとプレートＭＰとの相対位置を調整部ＰＤによって調整する（第７工程）。例えば、ベースＢＳとプレートＭＰとの相対位置を第２計測部ＤＴに計測させ、第２計測部ＤＴによって計測された相対位置が、Ｓ２０２の工程での計測結果に近づくように調整部ＰＤを制御する。これにより、チャンバＶＣに収容されたベースＢＳとプレートＭＰとの位置関係を、計測部ＰＬの光軸の調整を行ったときのベースＢＳとプレートＭＰとの位置関係に近づけることができる。即ち、計測部ＰＬからの光のプレートＭＰに対する入射角度を許容範囲に収めることができる。
【００２８】
＜物品の製造方法の実施形態＞
本発明の実施形態における物品の製造方法は、例えば、半導体デバイス等のマイクロデバイスや微細構造を有する素子等の物品を製造するのに好適である。本実施形態の物品の製造方法は、基板に塗布された感光剤に上記のリソグラフィ装置（描画装置）を用いて潜像パターンを形成する工程（基板に描画を行う工程）と、かかる工程で潜像パターンが形成された基板を処理（例えば現像）する工程とを含む。更に、かかる製造方法は、他の周知の工程（酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等）を含む。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも１つにおいて有利である。なお、リソグラフィ装置は、ビーム（荷電粒子線またはＥＵＶ光等）を用いてパターン形成（パターニング）を基板に行う装置に限られず、インプリント装置であってもよい。その場合、上記の現像工程は、形成されたレジストパターンにおける残膜を除去する周知のエッチング工程またはその他の周知の工程に置換されうる。
【００２９】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形および変更が可能である。
【符号の説明】
【００３０】
ＣＬ：照射部、ＭＰ：プレート、ＦＳ：ステージ、ＢＳ：ベース、ＶＣ：チャンバ、ＰＬ：計測部、１００：描画装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
2016164941.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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