(57)【要約】      （修正有）【課題】高速応答特性及び低粘度などを実現するための液晶組成物及びこれを含む液晶表示装置の提供。【解決手段】第１部類の液晶化合物、および第２部類の極性液晶化合物を含み、前記第１部類の液晶化合物が含酸素複素環とシクロヘキシレン環と１個のフッ素原子とを有し、２環式化合物あるいは３環式化合物のうちいずれか一つ以上を含み、前記第２部類の極性化合物が２個の酸素を含む複素環と２，３−ジフルオロフェニレンとを含む、ジ又はトリフェニレンとからなる４環式化合物を含む、誘電率異方性（Δε）が約５〜１７であり、屈折率（Δｎ）が約０．０８〜０．１５である液晶組成物、及び液晶表示装置。【選択図】図１
2016089166.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１部類の液晶化合物、および
第２部類の極性液晶化合物を含み、
前記第１部類の液晶化合物は、
下記の化学式（１）乃至（８）で示される化合物のうちのいずれか一つ以上を含む液晶組成物：
【化１】
2016089166.tif 000040
上記化学式（１）乃至（８）において、ＸおよびＹは、互いに独立して、炭素数１乃至５のアルキル基である。
【請求項２】
前記第２部類の極性液晶化合物が、下記の化学式（９）乃至（１３）で示される化合物のうちのいずれか一つ以上を含む請求項１に記載の液晶組成物：
【化２】
2016089166.tif 000041
上記化学式（９）乃至（１３）において、ＸおよびＹは、互いに独立して、炭素数１乃至７のアルキル基である。
【請求項３】
下記の化学式（１４）乃至化学式（１６）のうちのいずれか一つ以上をさらに含む請求項１又は２に記載の液晶組成物：
【化３】
2016089166.tif 000042
上記化学式（１４）乃至（１６）において、ＸおよびＹは、互いに独立して、炭素数１乃至７のアルキル基である。
【請求項４】
前記第１部類の液晶化合物が、下記の化学式（１７）乃至化学式（２０）で示される化合物のうちのいずれか一つ以上をさらに含む請求項１〜３のいずれか一項に記載の液晶組成物：
【化４】
2016089166.tif 000043
上記化学式（１７）乃至化学式（２０）において、ＸおよびＹは、互いに独立して、炭素数１乃至７のアルキル基である。
【請求項５】
前記第２部類の極性液晶化合物が、下記の化学式（２１）乃至（２６）で示される化合物のうちのいずれか一つ以上をさらに含む請求項１〜４のいずれか一項に記載の液晶組成物：
【化５】
2016089166.tif 000044
上記化学式（２１）乃至化学式（２６）において、ＸおよびＹは、互いに独立して、炭素数１乃至７のアルキル基である。
【請求項６】
前記第１部類の液晶化合物が、液晶組成物の全質量に対して約１０ｗｔ％乃至４５ｗｔ％で含まれ、
前記第２部類の極性液晶化合物が、液晶組成物の全質量に対して約５乃至１５ｗｔ％で含まれる請求項１〜５のいずれか一項に記載の液晶組成物。
【請求項７】
誘電率異方性（Δε）が約５乃至１７であり、屈折率（Δｎ）が約０．０８乃至０．１５である請求項１〜６のいずれか一項に記載の液晶組成物。
【請求項８】
前記第１部類の液晶化合物が、前記液晶組成物の全質量の約２ｗｔ％乃至２０ｗｔ％で含まれる請求項１〜７のいずれか一項に記載の液晶組成物。
【請求項９】
下記の化学式（２７）乃至（３３）で示される化合物のうちのいずれか一つ以上をさらに含む請求項１〜８のいずれか一項に記載の液晶組成物：
【化６】
2016089166.tif 000045
上記化学式（２７）乃至化学式（３３）において、ＸおよびＹは、互いに独立して、炭素数１乃至７のアルキル基である。
【請求項１０】
前記第１部類の液晶化合物が、下記の化学式（３４）乃至化学式（３８）で示される化合物のうちのいずれか一つ以上をさらに含み、
前記第２部類の極性液晶化合物が、下記の化学式（３９）乃至化学式（５０）で示される化合物のうちのいずれか一つ以上をさらに含む請求項１〜９のいずれか一項に記載の液晶組成物：
【化７】
2016089166.tif 000046
2016089166.tif 000047
上記化学式（３４）乃至（５０）において、ＸおよびＹは、互いに独立して、炭素数１乃至７のアルキル基である。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶組成物およびこれを含む液晶表示装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置（ｌｉｑｕｉｄ  ｃｒｙｓｔａｌ  ｄｉｓｐｌａｙ、ＬＣＤ）は現在最も広く使用されている平板表示装置（ｆｌａｔ  ｐａｎｅｌ  ｄｉｓｐｌａｙ）の一つである。液晶表示装置は、電場生成電極に電圧を印加して液晶層に電場を生成することによって液晶層の液晶分子の方向を決定し液晶層を通過する光の透過率を調節する。
【０００３】
液晶表示装置で液晶組成物は光の透過率を調節して所望の画像を得るのに非常に重要である。特に、液晶表示装置の用途が多様化されることによって、低電圧駆動、高い電圧保持率（ｖｏｌｔａｇｅ  ｈｏｌｄｉｎｇ  ｒａｔｉｏ、ＶＨＲ）、広い視野角特性、広い動作温度範囲および高速応答性などの多様な特性が要求される。
【０００４】
液晶表示装置の高速応答特性などを有するために液晶組成物が有する回転粘度、屈折率、および弾性係数などの物性を改善する研究が行われている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明が解決しようとする課題は、高速応答特性および低粘度などを実現するための液晶組成物およびこれを含む液晶表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一実施形態による液晶組成物は、第１部類の液晶化合物、および第２部類の極性液晶化合物を含み、前記した第１部類の液晶化合物は下記の化学式（１）乃至（８）で示される化合物のうちのいずれか一つ以上を含む。
【０００７】
【化１】
2016089166.tif 000003
【０００８】
上記化学式（１）乃至（８）において、ＸおよびＹは、互いに独立して、炭素数１乃至５のアルキル基である。
【０００９】
前記した第２部類の極性液晶化合物は、下記の化学式（９）乃至（１３）で示される化合物のうちのいずれか一つ以上を含むことができる。
【００１０】
【化２】
2016089166.tif 000004
【００１１】
上記化学式（９）乃至（１３）において、ＸおよびＹは、互いに独立して、炭素数１乃至７のアルキル基である。
【００１２】
液晶組成物の誘電率異方性（Δε）は約−５．５乃至−２．８であってもよい。
【００１３】
液晶組成物は、下記の化学式（１４）乃至化学式（１６）のうちのいずれか一つ以上をさらに含むことができる。
【００１４】
【化３】
2016089166.tif 000005
【００１５】
上記化学式（１４）乃至（１６）において、ＸおよびＹは、互いに独立して、炭素数１乃至７のアルキル基である。
【００１６】
第１部類の液晶化合物は、下記の化学式（１７）乃至化学式（２０）で示される化合物のうちのいずれか一つ以上をさらに含むことができる。
【００１７】
【化４】
2016089166.tif 000006
【００１８】
上記化学式（１７）乃至化学式（２０）において、ＸおよびＹは、互いに独立して、炭素数１乃至７のアルキル基である。
【００１９】
第２部類の極性液晶化合物は、下記の化学式（２１）乃至（２６）で示される化合物のうちのいずれか一つ以上をさらに含むことができる。
【００２０】
【化５】
2016089166.tif 000007
【００２１】
上記化学式（２１）乃至化学式（２６）において、ＸおよびＹは、互いに独立して、炭素数１乃至７のアルキル基である。
【００２２】
液晶組成物の屈折率（Δｎ）は約０．０８乃至０．１２であってもよい。
【００２３】
第１部類の液晶化合物は、液晶組成物の全質量に対して約１０ｗｔ％乃至４５ｗｔ％で含まれてもよい。
【００２４】
前記第２部類の極性液晶化合物は、液晶組成物の全質量に対して約５乃至１５ｗｔ％で含まれてもよい。
【００２５】
液晶組成物の誘電率異方性（Δε）は約５乃至１７であり、液晶組成物の屈折率（Δｎ）は約０．０８乃至０．１５であってもよい。
【００２６】
第１部類の液晶化合物は、液晶組成物の全質量の約２ｗｔ％乃至２０ｗｔ％で含まれてもよい。
【００２７】
液晶組成物は、下記の化学式（２７）乃至（３３）で示される化合物のうちのいずれか一つ以上をさらに含むことができる。
【００２８】
【化６】
2016089166.tif 000008
【００２９】
上記化学式（２７）乃至化学式（３３）において、ＸおよびＹは、互いに独立して、炭素数１乃至７のアルキル基である。
【００３０】
第１部類の液晶化合物は、下記の化学式（３４）乃至化学式（３８）で示される化合物のうちのいずれか一つ以上をさらに含むことができる。
【００３１】
【化７】
2016089166.tif 000009
【００３２】
上記化学式（３４）乃至（３８）において、ＸおよびＹは、互いに独立して、炭素数１乃至７のアルキル基である。
【００３３】
第２部類の極性液晶化合物は、下記の化学式（３９）乃至化学式（５０）で示される化合物のうちのいずれか一つ以上をさらに含むことができる。
【００３４】
【化８】
2016089166.tif 000010
2016089166.tif 000011
【００３５】
上記化学式（３９）乃至（５０）において、ＸおよびＹは、互いに独立して、炭素数１乃至７のアルキル基である。
【００３６】
本発明の一実施形態による液晶表示装置は、第１絶縁基板、前記第１絶縁基板の上に位置する薄膜トランジスタ、この薄膜トランジスタと接続された画素電極、前記した第１絶縁基板と対向する第２絶縁基板、この第２絶縁基板の上に位置する共通電極、およびこの共通電極および前記した画素電極の間に位置する液晶層を含み、この液晶層は第１部類の液晶化合物、および第２部類の極性液晶化合物を含み、前記した第１部類の液晶化合物は、下記の化学式（１）乃至（８）で示される化合物のうちのいずれか一つ以上を含む。
【００３７】
【化９】
2016089166.tif 000012
【００３８】
上記化学式（１）乃至（８）において、ＸおよびＹは、互いに独立して、炭素数１乃至７のアルキル基である。
【００３９】
前記した第２部類の極性液晶化合物は、下記の化学式（９）乃至（１３）で示される化合物のうちのいずれか一つ以上を含むことができる。
【００４０】
【化１０】
2016089166.tif 000013
【００４１】
上記化学式（９）乃至化学式（１３）において、ＸおよびＹは、互いに独立して、炭素数１乃至７のアルキル基である。
【００４２】
液晶組成物の誘電率異方性（Δε）は、約−５．５乃至−２．８であってもよい。
【００４３】
液晶組成物は、下記の化学式（１４）乃至化学式（１６）のうちのいずれか一つ以上をさらに含むことができる。
【００４４】
【化１１】
2016089166.tif 000014
【００４５】
上記化学式（１４）乃至（１６）において、ＸおよびＹは、互いに独立して、炭素数１乃至７のアルキル基である。
【００４６】
第１部類の液晶化合物は、下記の化学式（１７）乃至化学式（２０）で示される化合物のうちのいずれか一つ以上をさらに含むことができる。
【００４７】
【化１２】
2016089166.tif 000015
【００４８】
上記化学式（１７）乃至化学式（２０）において、ＸおよびＹは、互いに独立して、炭素数１乃至７のアルキル基である。
【００４９】
第２部類の極性液晶化合物は、下記の化学式（２１）乃至（２６）で示される化合物のうちのいずれか一つ以上をさらに含むことができる。
【００５０】
【化１３】
2016089166.tif 000016
【００５１】
上記化学式（２１）乃至化学式（２６）において、ＸおよびＹは、互いに独立して、炭素数１乃至７のアルキル基である。
【００５２】
液晶層は、反応性メソゲン（ＲＭ、Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｍｅｓｏｇｅｎ）をさらに含むことができる。
【００５３】
液晶組成物の屈折率（Δｎ）は、約０．０８乃至０．１２であってもよい。
【００５４】
第１部類の液晶化合物は、液晶組成物の全質量に対して約１０乃至４５ｗｔ％で含まれてもよい。
【００５５】
第２部類の極性液晶化合物は、液晶組成物の全質量に対して約５乃至１５ｗｔ％で含まれてもよい。
【００５６】
本発明の他の実施形態による液晶表示装置は、第１絶縁基板、この第１絶縁基板の上に位置する薄膜トランジスタ、この薄膜トランジスタと接続された画素電極、この画素電極と絶縁され、前記した第１絶縁基板の上に位置する共通電極、前記した第１絶縁基板と対向する第２絶縁基板、および前記した第１絶縁基板と前記した第２絶縁基板の間に位置する液晶層を含み、この液晶層は第１部類の液晶化合物、および第２部類の極性液晶化合物を含み、前記した第１部類の液晶化合物は、下記の化学式（１）乃至８で示される化合物のうちのいずれか一つ以上を含む。
【００５７】
【化１４】
2016089166.tif 000017
【００５８】
上記記化学式（１）乃至（８）において、ＸおよびＹは、互いに独立して、炭素数１乃至７のアルキル基である。
【００５９】
液晶組成物の誘電率異方性（Δε）は約５乃至１７であり、屈折率（Δｎ）は約０．０８乃至０．１５であってもよい。
【００６０】
液晶組成物は、下記の化学式（２７）乃至（３３）で示される化合物のうちのいずれか一つ以上をさらに含むことができる。
【００６１】
【化１５】
2016089166.tif 000018
【００６２】
上記化学式（２７）乃至化学式（３３）において、ＸおよびＹは、互いに独立して、炭素数１乃至７のアルキル基である。
【００６３】
第１部類の液晶化合物は、前記液晶層の全質量の約２乃至２０ｗｔ％で含まれてもよい。
【００６４】
第１部類の液晶化合物は、下記の化学式（３４）乃至化学式（３８）で示される化合物のうちのいずれか一つ以上をさらに含むことができる。
【００６５】
【化１６】
2016089166.tif 000019
【００６６】
上記化学式（３４）乃至３８において、ＸおよびＹは、互いに独立して、炭素数１乃至７のアルキル基である。
【００６７】
前記した第２部類の極性液晶化合物は、下記の化学式（３９）乃至化学式（５０）で示される化合物のうちのいずれか一つ以上をさらに含むことができる。
【００６８】
【化１７】
2016089166.tif 000020
2016089166.tif 000021
【００６９】
上記化学式（３９）乃至（５０）において、ＸおよびＹは、互いに独立して、炭素数１乃至７のアルキル基である。
【発明の効果】
【００７０】
本発明の一実施形態は、高誘電率と低粘度特性を有する液晶組成物を用いて液晶表示装置を形成することによって高速応答特性を有し得る。また、信頼性が劣る問題があるアルケニル化合物を本発明の実施形態による液晶組成物に置き換えるため、液晶層の信頼性が劣るのを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００７１】
【図１】本発明の一実施形態による液晶表示装置の概略的な断面図である。
【図２】本発明の一実施形態による液晶表示装置の一画素領域に対する配置図である。
【図３】図２のＩＩＩ−ＩＩＩ線による断面図である。
【図４】図２に示された画素電極の基本構造を示した図である。
【図５】本発明の一実施形態による液晶表示装置の一画素領域に対する等価回路図である。
【図６】本発明の他の実施形態による液晶表示装置の一画素領域に対する配置図である。
【図７】図６のＶＩＩ−ＶＩＩ線による断面図である。
【図８】実施例１と比較例１に対する電圧保持率グラフである。
【図９】実施例１と比較例１に対する応答時間グラフである。
【発明を実施するための形態】
【００７２】
添付した図面を参照して本発明の好ましい実施形態を詳しく説明する。しかし、本発明はここで説明される実施形態に限定されず、他の形態に具体化することもできる。むしろ、ここで紹介される実施形態は、開示された内容が徹底且つ完全になり得るように、そして当業者に本発明の思想が十分に伝達されるようにするために提供されるものである。
【００７３】
図面において、層および領域の厚さは明確性を期するために誇張されることがある。また、層が他の層または基板の“上”にあると言及される場合に、それは他の層または基板の上に直接形成されるかまたはそれらの間に第３の層が介されてもよい。明細書全体にわたって同一の参照番号で表示された部分は同一の構成要素を意味する。
【００７４】
以下、図１と共に図２乃至図５を参照して、本発明の一実施形態による液晶組成物およびこれを含む液晶表示装置を説明する。図１は本発明の一実施形態による表示装置の概略的な断面図であり、図２は本発明の一実施形態による液晶表示装置の一画素領域に対する配置平面度であり、図３は図２のＩＩＩ−ＩＩＩ線による断面図であり、図４は図２に示された画素電極の基本構造を示した図であり、図５は本発明の一実施形態による液晶表示装置の一画素領域に対する等価回路図である。
【００７５】
まず、図１に示すように、本発明の一実施形態による液晶表示装置は、第１絶縁基板１１０を含む下部表示板１００と第２絶縁基板２１０を含む上部表示板２００および、下部表示板１００と上部表示板２００の間に位置する液晶層３を含む。下部表示板１００と上部表示板２００は互いに対向している。
【００７６】
この時、液晶層３は液晶組成物で構成される液晶分子３１を含み、以下、本発明の一実施形態によって液晶層３を形成する液晶組成物について具体的に説明する。
【００７７】
本発明の一実施形態による液晶組成物は、第１部類の液晶化合物および第２部類の極性液晶化合物を含む。なお、第１部類の液晶化合物は中性（ｎｅｕｔｒａｌ）な液晶化合物である。
【００７８】
この時、第１部類の液晶化合物は、下記の化学式（１）乃至（８）で示される化合物のうちのいずれか一つ以上を含む。
【００７９】
【化１８】
2016089166.tif 000022
【００８０】
上記化学式（１）乃至（８）において、ＸおよびＹは、互いに独立して、炭素数１乃至７のアルキル基であってもよい。前記化学式（１）乃至化学式（５）はテトラヒドロピラン（ｔｅｔｒａｈｙｄｒｏｐｙｒａｎ）を含んでいる（中性）液晶化合物であり、前記化学式（６）乃至（８）は１，３−ジオキサン（１，３−ｄｉｏｘａｎｅ）を含む（中性）液晶化合物である。
【００８１】
前記化学式（１）の屈折率（Δｎ）は約０．０６であり、誘電率異方性（Δε）は約−１．０である。前記化学式（２）の屈折率（Δｎ）は約０．０３であり、誘電率異方性（Δε）は約０．８である。前記化学式（３）の屈折率（Δｎ）は約０．０３であり、誘電率異方性（Δε）は約０．８である。前記化学式（４）の屈折率（Δｎ）は約０．０３であり、誘電率異方性（Δε）は約２．３である。前記化学式（５）の屈折率（Δｎ）は約０．０３であり、誘電率異方性（Δε）は約２．２である。前記化学式（６）の屈折率（Δｎ）は約０．０３であり、誘電率異方性（Δε）は約２．２である。前記化学式（７）の屈折率（Δｎ）は約０．０３であり、誘電率異方性（Δε）は約１．５である。前記化学式（８）の屈折率（Δｎ）は約０．０３であり、誘電率異方性（Δε）は約−１．０である。
【００８２】
第１部類の液晶化合物は、液晶組成物の全質量に対して約１０乃至４５ｗｔ％で含まれてもよい。
【００８３】
本発明の一実施形態による第２部類の極性液晶化合物は、下記の化学式（９）乃至（１３）で示される化合物のうちのいずれか一つ以上を含むことができる。
【００８４】
【化１９】
2016089166.tif 000023
【００８５】
上記化学式（９）乃至（１３）において、ＸおよびＹは、互いに独立して、炭素数１乃至７のアルキル基である。前記化学式（９）乃至化学式（１３）は１，３−ジオキサン（１，３−ｄｉｏｘａｎｅ）を含む極性液晶化合物である。
【００８６】
前記化学式（９）の屈折率（Δｎ）は約０．２８であり、誘電率異方性（Δε）は約−３．６である。前記化学式（１０）の屈折率（Δｎ）は約０．２７であり、誘電率異方性（Δε）は約−３．４である。前記化学式（１１）の屈折率（Δｎ）は約０．１７であり、誘電率異方性（Δε）は約−３．２である。前記化学式（１２）の屈折率（Δｎ）は約０．１７であり、誘電率異方性（Δε）は約−２．８である。前記化学式（１３）の屈折率（Δｎ）は約０．２６であり、誘電率異方性（Δε）は約−２．９である。
【００８７】
第２部類の極性液晶化合物は、前記液晶組成物の全体含量対比約５乃至１５ｗｔ％で含まれてもよい。
【００８８】
また、本発明の一実施形態による液晶組成物は、下記の化学式（１４）乃至化学式（１６）のうちのいずれか一つ以上をさらに含むことができる。
【００８９】
【化２０】
2016089166.tif 000024
【００９０】
上記化学式（１４）乃至（１６）において、前記ＸおよびＹは、互いに独立して、炭素数１乃至７のアルキル基である。前記化学式（１４）乃至化学式（１６）で示される化合物は、液晶組成物の全体に対して約２０ｗｔ％乃至約４０ｗｔ％で含むことができる。
【００９１】
また、第１部類の液晶化合物は、下記の化学式（１７）乃至化学式（２０）で示される化合物のうちのいずれか一つ以上をさらに含むことができる。
【００９２】
【化２１】
2016089166.tif 000025
【００９３】
上記化学式（１７）乃至（２０）において、ＸおよびＹは、互いに独立して、炭素数１乃至７のアルキル基である。前記化学式（１７）乃至化学式（２０）で示される化合物は、液晶組成物の全体に対して約１５ｗｔ％乃至約４３ｗｔ％で含むことができる。
【００９４】
また、第２部類の極性液晶化合物は、下記の化学式（２１）乃至（２６）で示される化合物のうちのいずれか一つ以上をさらに含むことができる。
【００９５】
【化２２】
2016089166.tif 000026
【００９６】
上記化学式（２１）乃至（２６）において、ＸおよびＹは、互いに独立して、炭素数１乃至７のアルキル基である。前記化学式（２１）乃至化学式（２６）で示される化合物は、液晶組成物の全質量に対して約５０ｗｔ％乃至約６５ｗｔ％で含むことができる。
【００９７】
以上のような液晶化合物を含む液晶組成物の屈折率（Δｎ）は約０．０８乃至０．１２であってもよく、誘電率異方性（Δε）は約−５．５乃至−２．８であってもよく、回転粘度（γ１）は約７０乃至１４０であってもよい。
【００９８】
以上のような液晶化合物は新規な構造の（中性）液晶化合物および極性液晶化合物を含み、これを通じてより安定的な液晶組成物の提供が可能である。
【００９９】
以下、図２乃至図５を参照して、以上で説明した液晶組成物を含む液晶表示装置の構成要素について具体的に説明する。
【０１００】
まず、図２および図３に示すように、一実施形態による液晶表示装置は互いに対向する下部表示板１００と上部表示板２００、これら二つの表示板１００、２００の間に入っている液晶層３および表示板１００、２００外側面に付着されている一対の偏光子（図示せず）を含む。
【０１０１】
まず、下部表示板１００について説明する。
【０１０２】
透明なガラスまたはプラスチックなどで製造された第１絶縁基板１１０の上に、ゲート線１２１と分圧基準電圧線１３１を含むゲート導電体が位置する。
【０１０３】
ゲート線１２１は、第１ゲート電極１２４ａ、第２ゲート電極１２４ｂ、第３ゲート電極１２４ｃおよび他の層または外部駆動回路との接続のための広い端部（図示せず）を含む。
【０１０４】
分圧基準電圧線１３１は、第１維持電極１３５、１３６、そして基準電極１３７を含む。分圧基準電圧線１３１に接続されてはいないが、第２副画素電極１９１ｂと重畳する第２維持電極１３８、１３９がある。
【０１０５】
ゲート線１２１および分圧基準電圧線１３１の上には、ゲート絶縁膜１４０が位置する。ゲート絶縁膜１４０の上には、第１半導体層１５４ａ、第２半導体層１５４ｂおよび第３半導体層１５４ｃが位置する。半導体層１５４ａ、１５４ｂ、１５４ｃの上には、複数の抵抗性接触部材１６３ａ、１６５ａ、１６３ｂ、１６５ｂ、１６３ｃ、１６５ｃが位置する。
【０１０６】
抵抗性接触部材１６３ａ、１６５ａ、１６３ｂ、１６５ｂ、１６３ｃ、１６５ｃおよびゲート絶縁膜１４０の上には、第１ソース電極１７３ａおよび第２ソース電極１７３ｂを含む複数のデータ線１７１、第１ドレイン電極１７５ａ、第２ドレイン電極１７５ｂ、第３ソース電極１７３ｃおよび第３ドレイン電極１７５ｃを含むデータ導電体が位置する。
【０１０７】
データ導電体およびその下に位置している半導体および抵抗性接触部材は、一つのマスクを用いて同時に形成することができ、実質的に同一な平面形状を有する。
【０１０８】
データ線１７１は、他の層または外部駆動回路との接続のための広い端部（図示せず）を含む。
【０１０９】
第１ゲート電極１２４ａ、第１ソース電極１７３ａおよび第１ドレイン電極１７５ａは第１島状半導体層１５４ａと共に一つの第１薄膜トランジスタ（ｔｈｉｎ  ｆｉｌｍ  ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ、ＴＦＴ）Ｑａを形成し、薄膜トランジスタのチャンネル（ｃｈａｎｎｅｌ）は第１ソース電極１７３ａと第１ドレイン電極１７５ａの間の半導体層１５４ａに形成される。同様に、第２ゲート電極１２４ｂ、第２ソース電極１７３ｂおよび第２ドレイン電極１７５ｂは第２島状半導体層１５４ｂと共に一つの第２薄膜トランジスタＱｂを形成し、チャンネルは第２ソース電極１７３ｂと第２ドレイン電極１７５ｂの間の半導体層１５４ｂに形成され、第３ゲート電極１２４ｃ、第３ソース電極１７３ｃおよび第３ドレイン電極１７５ｃは第３島状半導体層１５４ｃと共に一つの第３薄膜トランジスタＱｃを形成し、チャンネルは第３ソース電極１７３ｃと第３ドレイン電極１７５ｃの間の第３半導体層１５４ｃに形成される。
【０１１０】
第２ドレイン電極１７５ｂは第３ソース電極１７３ｃと接続されており、広く拡張された拡張部１７７を含む。
【０１１１】
データ導電体１７１、１７３ｃ、１７５ａ、１７５ｂ、１７５ｃおよび露出された半導体層１５４ａ、１５４ｂ、１５４ｃ部分の上には第１保護膜１８０ｐが位置する。第１保護膜１８０ｐは窒化ケイ素または酸化ケイ素などの無機絶縁膜を含むことができる。第１保護膜１８０ｐは、カラーフィルタ２３０の顔料が露出された半導体層１５４ａ、１５４ｂ、１５４ｃ部分に流入するのを防止することができる。
【０１１２】
第１保護膜１８０ｐの上にはカラーフィルタ２３０が位置する。カラーフィルタ２３０は互いに隣接した二つのデータ線に沿って縦方向に伸びている。第１保護膜１８０ｐ、カラーフィルタ２３０の縁、そしてデータ線１７１の上には第１遮光部材２２０が位置する。
【０１１３】
第１遮光部材２２０はブラックマトリックス（Ｂｌａｃｋ  Ｍａｔｒｉｘ、ＢＭ）とも言う。第１遮光部材２２０は、データ線１７１に沿って伸びて、隣接した二つのカラーフィルタ２３０の間に配置されてもよい。
【０１１４】
このように、第１遮光部材２２０の幅をデータ線１７１の幅より広く形成することによって、外部から入射された光が、金属のデータ線１７１表面で反射されるのを第１遮光部材２２０が防止することができる。したがって、データ線１７１表面で反射された光が液晶層３を通過した光と干渉されることによって、液晶表示装置のコントラスト比が低下するのを防止することができる。
【０１１５】
カラーフィルタ２３０および第１遮光部材２２０の上には第２保護膜１８０ｑが位置する。
【０１１６】
第２保護膜１８０ｑは、窒化ケイ素または酸化ケイ素などの無機絶縁膜を含むことができる。第２保護膜１８０ｑはカラーフィルタ２３０が浮き上がることを防止し、カラーフィルタ２３０から流入する溶剤（ｓｏｌｖｅｎｔ）のような有機物による液晶層３の汚染を抑制して画面駆動時に招かれる残像のような不良を防止する。
【０１１７】
第１保護膜１８０ｐおよび第２保護膜１８０ｑには、第１ドレイン電極１７５ａおよび第２ドレイン電極１７５ｂを露出する第１接触孔（ｃｏｎｔａｃｔ  ｈｏｌｅ、コンタクトホール）１８５ａおよび第２接触孔１８５ｂが形成されている。
【０１１８】
第１保護膜１８０ｐおよび第２保護膜１８０ｑ、そしてゲート絶縁膜１４０には基準電極１３７の一部と第３ドレイン電極１７５ｃの一部を露出する第３接触孔１８５ｃが形成されており、第３接触孔１８５ｃは連結部材１９５が覆っている。連結部材１９５は第３接触孔１８５ｃを通じて露出されている基準電極１３７と第３ドレイン電極１７５ｃを電気的に接続する。
【０１１９】
第２保護膜１８０ｑの上には複数の画素電極（ｐｉｘｅｌ  ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）１９１が位置する。各画素電極１９１はゲート線１２１を挟んで互いに分離され、ゲート線１２１を中心に列方向に隣接の第１副画素電極１９１ａと第２副画素電極１９１ｂを含む。
【０１２０】
画素電極１９１はＩＴＯおよびＩＺＯなどの透明物質から形成できる。画素電極１９１はＩＴＯまたはＩＺＯなどの透明な導電物質やアルミニウム、銀、クロムまたはその合金などの反射性金属で製造されてもよい。
【０１２１】
第１副画素電極１９１ａと第２副画素電極１９１ｂは、それぞれ図５に示した基本電極１９１またはその変形を一つ以上含んでいる。
【０１２２】
第１副画素電極１９１ａおよび第２副画素電極１９１ｂは、第１接触孔１８５ａおよび第２接触孔１８５ｂを通じてそれぞれ第１ドレイン電極１７５ａおよび第２ドレイン電極１７５ｂと物理的、電気的に接続されており、第１ドレイン電極１７５ａおよび第２ドレイン電極１７５ｂからデータ電圧の印加を受ける。この時、第２ドレイン電極１７５ｂに印加されたデータ電圧のうちの一部は第３ソース電極１７３ｃを通じて分圧され、第１副画素電極１９１ａに印加される電圧の大きさは第２副画素電極１９１ｂに印加される電圧の大きさより大きくなる。
【０１２３】
データ電圧が印加された第１副画素電極１９１ａおよび第２副画素電極１９１ｂは、上部表示板２００の共通電極２７０と共に電場を生成することによって二つの電極１９１、２７０の間の液晶層３の液晶分子の方向を決定する。このように決定された液晶分子の方向によって液晶層３を通過する光の輝度が変わる。
【０１２４】
画素電極１９１の上には第２遮光部材３３０が位置している。第２遮光部材３３０は第１トランジスタＱａ、第２トランジスタＱｂおよび第３トランジスタＱｃ、そして第１乃至第３接触孔１８５ａ、１８５ｂ、１８５ｃが位置する領域を全て覆うように形成されており、ゲート線１２１と同一の方向に伸びて、データ線１７１の一部と重畳するように位置する。第２遮光部材３３０は一つの画素領域の両側に位置する二つのデータ線１７１と少なくとも一部重畳するように位置し、データ線１７１とゲート線１２１の近所で発生することがある光漏れを防止し、第１トランジスタＱａ、第２トランジスタＱｂ、そして第３トランジスタＱｃが位置する領域での光漏れを防止することができる。
【０１２５】
第２遮光部材３３０が形成される前まで、第１トランジスタＱａ、第２トランジスタＱｂおよび第３トランジスタＱｃ、そして第１乃至第３接触孔１８５ａ、１８５ｂ、１８５ｃが位置する領域内には第１保護膜１８０ｐ、カラーフィルタ２３０、そして第２保護膜１８０ｑが位置し、第１トランジスタＱａ、第２トランジスタＱｂおよび第３トランジスタＱｃ、そして第１乃至第３接触孔１８５ａ、１８５ｂ、１８５ｃの位置を容易に区分することができる。
【０１２６】
以上説明した第２遮光部材３３０の変形例として、第２遮光部材３３０は第１遮光部材２２０と同一層に配置することができる。この時、第２遮光部材３３０は第１トランジスタＱａ、第２トランジスタＱｂおよび第３トランジスタＱｃが位置する領域を覆うように位置しゲート線１２１と同一の方向に伸びてもよく、第１遮光部材２２０と同時形成されてもよい。
【０１２７】
第２遮光部材３３０の上には第１配向膜１１が位置する。第１配向膜１１は垂直配向膜であってもよい。
【０１２８】
配向膜１１、２１はポリアミック酸（Ｐｏｌｙａｍｉｃ  ａｃｉｄ）またはポリイミド（Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）などの液晶配向膜であり、一般に使用される物質のうちの少なくとも一つを含んで形成されてもよい。
【０１２９】
以下、上部表示板２００について説明する。
【０１３０】
絶縁基板２１０の上に共通電極２７０が形成されている。共通電極２７０の上には第２配向膜２１が形成されている。第２配向膜２１は垂直配向膜であってもよく、前述の第１配向膜１１と同一物質であってもよい。
【０１３１】
本明細書はカラーフィルタ２３０および遮光部材２２０が下部表示板１００に位置する実施形態を説明したが、これに制限されず、カラーフィルタ２３０および遮光部材２２０が上部表示板２００に位置するか、いずれか一つは下部表示板１００に位置し残りの一つは上部表示板２００に位置する実施形態も可能であるのはもちろんである。
【０１３２】
液晶層３は負の誘電率異方性を有し、前述の負の誘電率異方性を有する液晶組成物を含むことができる。液晶層３の液晶分子３１は、電場がない状態でその長軸が両表示板１００、２００の表面に対して垂直になるように配向されている。
【０１３３】
一方、本発明の一実施形態による表示装置の液晶層３は、紫外線などの光による重合反応（ｐｏｌｙｍｅｒｉｚａｔｉｏｎ）によって硬化される単量体（ｍｏｎｏｍｅｒ）などの化合物を含むことができる。前記化合物は、紫外線などの光によって重合反応が行われる反応性メソゲン（ｒｅａｃｔｉｖｅ  ｍｅｓｏｇｅｎ）であってもよい。
【０１３４】
このような反応性メソゲンは、製造工程によって重合反応を行って重合体を形成することができ、液晶分子３１は重合体によって先傾斜を有するように配向される。
【０１３５】
以下、図４を参照して、基本電極１９１について説明する。
【０１３６】
図４に示したように、基本電極１９１の全体的な形状は四角形であり、横幹部１９３およびこれと直交する縦幹部１９２からなる十字形幹部を含む。また、基本電極１９１は横幹部１９３と縦幹部１９２を基準に区分される第１副領域Ｄａ、第２副領域Ｄｂ、第３副領域Ｄｃ、そして第４副領域Ｄｄを含み、各副領域Ｄａ−Ｄｄには複数の第１微細枝部１９４ａ、複数の第２微細枝部１９４ｂ、複数の第３微細枝部１９４ｃ、そして複数の第４微細枝部１９４ｄが位置する。
【０１３７】
第１微細枝部１９４ａは横幹部１９３または縦幹部１９２から左側上方に斜めに伸びており、第２微細枝部１９４ｂは横幹部１９３または縦幹部１９２から右側上方に斜めに伸びている。また、第３微細枝部１９４ｃは横幹部１９３または縦幹部１９２から左側下方に伸びており、第４微細枝部１９４ｄは横幹部１９３または縦幹部１９２から右側下方に斜めに伸びている。
【０１３８】
この時、第１乃至第４微細枝部１９４ａ、１９４ｂ、１９４ｃ、１９４ｄの辺は電場を歪曲して液晶分子３１の傾斜方向を決定する水平成分を作り出す。電場の水平成分は第１乃至第４微細枝部１９４ａ、１９４ｂ、１９４ｃ、１９４ｄの辺にほぼ水平である。したがって、図４に示したように、液晶分子３１は微細枝部１９４ａ、１９４ｂ、１９４ｃ、１９４ｄの長さ方向に平行な方向に傾く。一画素電極１９１は微細枝部１９４ａ、１９４ｂ、１９４ｃ、１９４ｄの長さ方向が互いに異なる四つの副領域Ｄａ−Ｄｄを含むので、液晶分子３１が傾く方向はほぼ４方向になり、液晶分子３１の配向方向が異なる四つの領域が液晶層３に形成される。このように液晶分子が傾く方向を多様にすれば、液晶表示装置の基準視野角が大きくなる。
【０１３９】
以上のような表示装置は図５のような回路図を有するところ、以下で説明する。
【０１４０】
本発明の一実施形態による液晶表示装置は、ゲート信号を伝達するゲート線ＧＬおよびデータ信号を伝達するデータ線ＤＬ、分圧基準電圧を伝達する分圧基準電圧線ＲＬを含む複数の信号線、そして複数の信号線に接続されている第１、第２および第３スイッチング素子Ｑａ、Ｑｂ、Ｑｃ、第１および第２液晶キャパシタＣｌｃａ、Ｃｌｃｂを含む。
【０１４１】
第１および第２スイッチング素子Ｑａ、Ｑｂはそれぞれゲート線ＧＬおよびデータ線ＤＬに接続されており、第３スイッチング素子Ｑｃは第２スイッチング素子Ｑｂの出力端子および分圧基準電圧線ＲＬに接続されている。
【０１４２】
第１スイッチング素子Ｑａおよび第２スイッチング素子Ｑｂは薄膜トランジスタなどの三端子素子であって、その制御端子はゲート線ＧＬと接続されており、入力端子はデータ線ＤＬと接続されており、第１スイッチング素子Ｑａの出力端子は第１液晶キャパシタＣｌｃａに接続されており、第２スイッチング素子Ｑｂの出力端子は第２液晶キャパシタＣｌｃｂおよび第３スイッチング素子Ｑｃの入力端子に接続されている。
【０１４３】
第３スイッチング素子Ｑｃも薄膜トランジスタなどの三端子素子であって、制御端子はゲート線ＧＬと接続されており、入力端子は第２液晶キャパシタＣｌｃｂと接続されており、出力端子は分圧基準電圧線ＲＬに接続されている。
【０１４４】
ゲート線ＧＬにゲートオン信号が印加されると、これに接続された第１スイッチング素子Ｑａ、第２スイッチング素子Ｑｂ、そして第３スイッチング素子Ｑｃがターンオンされる。これにより、データ線ＤＬに印加されたデータ電圧は、ターンオンされた第１スイッチング素子Ｑａおよび第２スイッチング素子Ｑｂを通じて第１副画素電極ＰＥａおよび第２副画素電極ＰＥｂに印加される。この時、第１副画素電極ＰＥａおよび第２副画素電極ＰＥｂに印加されたデータ電圧は互いに同一であり、第１液晶キャパシタＣｌｃａおよび第２液晶キャパシタＣｌｃｂは共通電圧とデータ電圧の差だけ同一な値で充電される。これと同時に、第２液晶キャパシタＣｌｃｂに充電された電圧は、ターンオンされた第３スイッチング素子Ｑｃを通じて分圧される。これによって、第２液晶キャパシタＣｌｃｂに充電された電圧値は、共通電圧と分圧基準電圧の差によって低くなる。即ち、第１液晶キャパシタＣｌｃａに充電された電圧は、第２液晶キャパシタＣｌｃｂに充電された電圧よりさらに高くなる。
【０１４５】
このように、第１液晶キャパシタＣｌｃａに充電された電圧と第２液晶キャパシタＣｌｃｂに充電された電圧は互いに異なるようになる。第１液晶キャパシタＣｌｃａの電圧と第２液晶キャパシタＣｌｃｂの電圧が互いに異なるので、第１副画素と第２副画素で液晶分子が傾いた角度が異なるようになり、これによって二つの副画素の輝度が異なるようになる。したがって、第１液晶キャパシタＣｌｃａの電圧と第２液晶キャパシタＣｌｃｂの電圧を適切に調節すれば、側面から見る映像が正面から見る映像にできる限り近くなるようにすることができ、このようにすることによって側面視認性を向上することができる。
【０１４６】
図示した実施形態では第１液晶キャパシタＣｌｃａに充電された電圧と第２液晶キャパシタＣｌｃｂに充電された電圧を異なるようにするために、第２液晶キャパシタＣｌｃｂと分圧基準電圧線ＲＬに接続された第３スイッチング素子Ｑｃを含んだが、本発明の他の一実施形態による液晶表示装置の場合、第２液晶キャパシタＣｌｃｂを減圧（ｓｔｅｐ−ｄｏｗｎ）キャパシタに接続してもよい。
【０１４７】
具体的に、減圧ゲート線に接続された第１端子、第２液晶キャパシタＣｌｃｂに接続された第２端子、そして減圧キャパシタに接続された第３端子を含む第３スイッチング素子を含み、第２液晶キャパシタＣｌｃｂに充電された電荷量の一部を減圧キャパシタに充電されるようにして、第１液晶キャパシタＣｌｃａと第２液晶キャパシタＣｌｃｂの間の充電電圧を異なるように設定してもよい。また、本発明の他の一実施形態による液晶表示装置の場合、第１液晶キャパシタＣｌｃａと第２液晶キャパシタＣｌｃｂがそれぞれ互いに異なるデータ線に接続され、互いに異なるデータ電圧の印加を受けるようにすることによって、第１液晶キャパシタＣｌｃａと第２液晶キャパシタＣｌｃｂの間の充電電圧を異なるように設定してもよい。それ以外に、他の多様な方法によって、第１液晶キャパシタＣｌｃａと第２液晶キャパシタＣｌｃｂの間の充電電圧を異なるように設定してもよい。
【０１４８】
本明細書は図５を参照して一画素領域に対する回路図を説明したが、これに制限されず、多様な回路図を有し得るのはもちろんである。
【０１４９】
以上で説明した液晶表示装置は負の誘電率異方性を有し、１，３−ジオキサン基またはテトラヒドロピラン基を含む液晶組成物を含み、これによって高速応答特性を得ることができる。また、信頼性が劣る問題があるアルケニル化合物を実施形態による液晶組成物に置き換えることができるので液晶表示装置の信頼性が劣るのを防止することができる。
【０１５０】
以下、下部表示板１００と上部表示板２００の間に位置する液晶層３を形成する液晶組成物の他の実施形態について具体的に説明する。
【０１５１】
本発明の他の実施形態による液晶組成物は、第１部類の液晶化合物および第２部類の極性液晶化合物を含む。
【０１５２】
この時、第１部類の液晶化合物は、下記の化学式（１）乃至（８）で示される化合物のうちのいずれか一つ以上を含む。
【０１５３】
【化２３】
2016089166.tif 000027
【０１５４】
上記化学式（１）乃至（８）において、ＸおよびＹは、互いに独立して、炭素数１乃至７のアルキル基である。前記化学式（１）乃至化学式（５）はテトラヒドロピラン（ｔｅｔｒａｈｙｄｒｏｐｙｒａｎ）を含んでいる（中性）液晶化合物であり、前記化学式（６）乃至（８）は１，３−ジオキサン（１，３−ｄｉｏｘａｎｅ）を含む（中性）液晶化合物である。
【０１５５】
前記化学式（１）の屈折率（Δｎ）は約０．０６であり、誘電率異方性（Δε）は約−１．０である。前記化学式（２）の屈折率（Δｎ）は約０．０３であり、誘電率異方性（Δε）は約０．８である。前記化学式（３）の屈折率（Δｎ）は約０．０３であり、誘電率異方性（Δε）は約０．８である。前記化学式（４）の屈折率（Δｎ）は約０．０３であり、誘電率異方性（Δε）は約２．３である。前記化学式（５）の屈折率（Δｎ）は約０．０３であり、誘電率異方性（Δε）は約２．２である。前記化学式（６）の屈折率（Δｎ）は約０．０３であり、誘電率異方性（Δε）は約２．２である。前記化学式（７）の屈折率（Δｎ）は約０．０３であり、誘電率異方性（Δε）は約１．５である。前記化学式（８）の屈折率（Δｎ）は約０．０３であり、誘電率異方性（Δε）は約−１．０である。
【０１５６】
第１部類の液晶化合物は、液晶組成物の全質量に対して約２乃至２０ｗｔ％で含まれてもよい。
【０１５７】
また、本発明の他の実施形態による液晶組成物は、下記の化学式（２７）乃至（３３）で示される化合物のうちのいずれか一つ以上をさらに含むことができる。
【０１５８】
【化２４】
2016089166.tif 000028
【０１５９】
上記化学式（２７）乃至（３３）において、ＸおよびＹは、互いに独立して、炭素数１乃至７のアルキル基である。この時、前記化学式（２７）乃至化学式（３３）は液晶組成物の全質量に対して約３５ｗｔ％乃至約７０ｗｔ％で含まれてもよい。
【０１６０】
また、本発明の他の実施形態によれば、第１部類の液晶化合物は、下記の化学式（３４）乃至化学式（３８）で示される化合物のうちのいずれか一つ以上をさらに含むことができる。
【０１６１】
【化２５】
2016089166.tif 000029
【０１６２】
上記化学式（３４）乃至（３８）において、ＸおよびＹは、互いに独立して、炭素数１乃至７のアルキル基である。この時、前記化学式（３４）乃至化学式（３８）は液晶組成物の全質量に対して約２ｗｔ％乃至約２０ｗｔ％が含まれてもよい。
【０１６３】
また、本発明の他の実施形態による第２部類の極性液晶化合物は、下記の化学式（３９）乃至化学式（５０）で示される化合物のうちのいずれか一つ以上をさらに含むことができる。
【０１６４】
【化２６】
2016089166.tif 000030
2016089166.tif 000031
【０１６５】
上記化学式（３９）乃至（５０）において、ＸおよびＹは、互いに独立して、炭素数１乃至７のアルキル基である。前記化学式（３９）乃至化学式（５０）は液晶組成物の全質量に対して約１８ｗｔ％乃至約５０ｗｔ％で含まれてもよい。
【０１６６】
前述のような液晶化合物を含む液晶組成物の誘電率異方性（Δε）は約５乃至１７であってもよく、屈折率（Δｎ）は約０．０８乃至０．１５であってもよく、回転粘度（γ１）は約５０乃至１００であってもよい。即ち、本発明の他の実施形態による液晶組成物は正の誘電率異方性を有してもよい。
【０１６７】
このような液晶組成物は、１，３−ジオキサン基を含むかテトラヒドロピラン基を含む中性液晶化合物を含み、パネルの信頼性および応答速度を向上させる利点がある。
【０１６８】
以上で説明した正の誘電率異方性を有する液晶組成物を含む液晶表示装置について図６乃至図７を参照して説明する。図６は本発明の一実施形態による表示装置の画素領域の一部を示した配置図であり、図７は本発明の一実施形態による表示装置のゲート駆動部の接触孔の断面図および図６の配置図をＶＩＩ−ＶＩＩ断面線によって切断した断面図である。
【０１６９】
本発明の他の実施形態による液晶表示装置の薄膜トランジスタ表示板は、透明なガラスまたはプラスチックなどからなる第１絶縁基板１１０の上にゲート電極１２４を含むゲート線１２１が位置する。
【０１７０】
ゲート導電体は、アルミニウム（Ａｌ）やアルミニウム合金などのアルミニウム系金属、銀（Ａｇ）や銀合金などの銀系金属、銅（Ｃｕ）や銅合金などビ銅系金属、モリブデン（Ｍｏ）やモリブデン合金などビモリブデン系金属、クロム（Ｃｒ）、タンタル（Ｔａ）およびチタニウム（Ｔｉ）などから形成することができる。
【０１７１】
ゲート導電体の上には窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）および／または酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）などからなるゲート絶縁膜１４０が位置する。ゲート絶縁膜１４０は、物理的性質の異なる少なくとも二つの絶縁層を含む多層膜構造を有してもよい。
【０１７２】
ゲート絶縁膜１４０の上には半導体層１５４が位置し、半導体層１５４およびゲート絶縁膜１４０の上にはソース電極１７３とドレイン電極１７５を含むデータ線１７１が位置する。
【０１７３】
データ線１７１は他の層または外部駆動回路との接続のための広い端部（図示せず）を含む。データ線１７１はデータ信号を伝達し、主に縦方向にのびてゲート線１２１と交差する。
【０１７４】
この時、データ線１７１は液晶表示装置の最大透過率を得るために曲げられた形状を有する第１屈曲部を有してもよく、屈曲部は画素領域の中間領域で互いに接してＶ字形態になってもよい。画素領域の中間領域には第１屈曲部と所定の角度をなすように曲げられた第２屈曲部をさらに含むことができる。
【０１７５】
ソース電極１７３はデータ線１７１の一部であり、データ線１７１と同一線上に配置される。ドレイン電極１７５はソース電極１７３と平行に伸びるように形成されている。したがって、ドレイン電極１７５はデータ線１７１の一部と平行である。
【０１７６】
ゲート電極１２４、ソース電極１７３およびドレイン電極１７５は半導体層１５４と共に一つの薄膜トランジスタ（ｔｈｉｎ  ｆｉｌｍ  ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ、ＴＦＴ）を形成し、薄膜トランジスタのチャンネル（ｃｈａｎｎｅｌ）はソース電極１７３とドレイン電極１７５の間の半導体層１５４に形成される。
【０１７７】
本発明の他の実施形態による液晶表示装置は、データ線１７１と同一線上に位置するソース電極１７３と、データ線１７１と平行に伸びているドレイン電極１７５を含むため、データ導電体が占める面積を広げなくても薄膜トランジスタの幅を広げることができるようになり、これにより、液晶表示装置の開口率が増加する。
【０１７８】
データ線１７１を含むデータ導電体はモリブデン、クロム、タンタルおよびチタニウムなど耐火性金属（ｒｅｆｒａｃｔｏｒｙ  ｍｅｔａｌ）またはこれらの合金から形成されるのが好ましく、耐火性金属膜（図示せず）と低抵抗導電膜（図示せず）を含む多重膜構造を有してもよい。
【０１７９】
多重膜構造の例としては、クロムまたはモリブデン（合金）下部膜とアルミニウム（合金）上部膜の二重膜、モリブデン（合金）下部膜とアルミニウム（合金）中間膜とモリブデン（合金）上部膜の三重膜が挙げられる。しかし、データ線１７１とドレイン電極１７５はこの他にも様々の多様な金属または導電体から形成することができる。
【０１８０】
データ導電体１７１、１７３、１７５、ゲート絶縁膜１４０、そして半導体層１５４の露出された部分の上には第１保護膜１８０ｐが配置されている。第１保護膜１８０ｐは有機絶縁物質または無機絶縁物質などから形成されてもよい。
【０１８１】
第２保護膜１８０ｑは、第１保護膜１８０ｐの上に位置する。第２保護膜１８０ｑは省略可能である。
【０１８２】
第２保護膜１８０ｑはカラーフィルタであってもよい。第２保護膜１８０ｑがカラーフィルタである場合、第２保護膜１８０ｑは基本色（ｐｒｉｍａｒｙ  ｃｏｌｏｒ）のうちの一つを固有に表示することができ、基本色の例としては赤色、緑色、青色など三原色または黄色（ｙｅｌｌｏｗ）、青緑色（ｃｙａｎ）、紫紅色（ｍａｇｅｎｔａ）などが挙げられる。図示してはいないが、カラーフィルタは基本色以外に基本色の混合色または白色（ｗｈｉｔｅ）を表示するカラーフィルタをさらに含むことができる。
【０１８３】
第２保護膜１８０ｑの上には共通電極（ｃｏｍｍｏｎ  ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）２７０が位置する。共通電極２７０は面型形態であって、基板１１０の前面の上に一つの板で形成されていてもよく、ドレイン電極１７５周辺に対応する領域に配置されている開口部（図示せず）を有してもよい。即ち、共通電極２７０は板形態の平面形態を有してもよい。
【０１８４】
隣接の画素に位置する共通電極２７０は互いに接続され、表示領域外部から供給される一定の大きさの共通電圧の伝達を受けることができる。
【０１８５】
共通電極２７０の上には第３保護膜１８０ｒが配置されている。第３保護膜１８０ｒは有機絶縁物質または無機絶縁物質などから形成することができる。
【０１８６】
画素電極１９１は第３保護膜１８０ｒの上に位置する。画素電極１９１はデータ線１７１の第１屈曲部および第２屈曲部とほぼ平行な屈曲辺（ｃｕｒｖｅｄ  ｅｄｇｅ）を含む。画素電極１９１は複数の切開部を有し、複数の切開部によって定義される複数のスリットを含む。
【０１８７】
第１保護膜１８０ｐ、第２保護膜１８０ｑ、そして第３保護膜１８０ｒにはドレイン電極１７５を露出する接触孔１８５が位置する。画素電極１９１は接触孔１８５を通じてドレイン電極１７５と物理的、電気的に接続され、ドレイン電極１７５から電圧の印加を受ける。
【０１８８】
図示してはいないが、画素電極１９１と第３保護膜１８０ｒの上には配向膜（ａｌｉｇｎｍｅｎｔ  ｌａｙｅｒ）が塗布されている。配向膜は水平配向膜であってもよく、一定の方向にラビングされている。
【０１８９】
以下、上部表示板２００について説明する。
【０１９０】
絶縁基板２１０の上に遮光部材２２０が位置し、平坦膜２５０が遮光部材２２０の上に位置する。
【０１９１】
本発明の他の実施形態はカラーフィルタが下部表示板に位置し、遮光部材２２０が上部表示板に位置する実施形態を説明したが、これに制限されない。即ち、カラーフィルタと遮光部材の両方とも下部表示板に位置するか、カラーフィルタと遮光部材の両方とも上部表示板に位置するか、カラーフィルタと遮光部材の位置が変更されてもよい。
【０１９２】
本発明の他の実施形態による液晶層３は正の誘電率異方性を有し、具体的に前述の正の誘電率異方性を有する液晶組成物を含むことができる。液晶層３の液晶分子３１は電場がない状態でその長軸が二つの表示板１００、２００の表面に対して水平に配向される。
【０１９３】
本明細書は共通電極２７０の上に画素電極１９１が位置する実施形態について説明したが、これに制限されず、画素電極１９１の上に共通電極２７０が位置する実施形態も可能であることはもちろんである。
【０１９４】
以上で説明した液晶表示装置は正の誘電率異方性を有し、１，３−ジオキサン基またはテトラヒドロピラン基を有する液晶組成物を含み、これによって高速応答特性を得ることができる。また、ラジカル反応などによって信頼性が劣る問題が除去された液晶組成物を含むので、信頼性が劣るのを防止することができる。
【実施例】
【０１９５】
以下、本発明の実施形態による液晶組成物およびその物性について説明する。
【０１９６】
【表１】
2016089166.tif 000032
【０１９７】
上記表１で示した実施例１は本発明の実施形態による化学式（３）、化学式（７）および化学式（１０）を含む実施例である。
【０１９８】
これに対して物性評価を行った結果、屈折率（Δｎ）は約０．１０９であり、誘電率異方性（Δε）は約−３．３であり、回転粘度（γ１）は約１０６である。これは化学式（１４）乃至化学式（１５）の含量を減少させ、本発明の実施形態による液晶化合物である化学式（３）、化学式（７）および化学式（１０）を含む液晶組成物が表示装置に対して要求される物性を満足させるのを示す。
【０１９９】
【表２】
2016089166.tif 000033
【０２００】
上記表２で示した実施例２は本発明の実施形態による化学式（３）および化学式（７）を含む実施例である。
【０２０１】
これに対して物性評価を行った結果、屈折率（Δｎ）は約０．１０９であり、誘電率異方性（Δε）は約−３．０であり、回転粘度（γ１）は約１１４である。実施例２は化学式（１４）乃至（１６）を含まない液晶組成物であり、このような組成も表示装置が要求する物性を有するのを確認した。
【０２０２】
【表３】
2016089166.tif 000034
【０２０３】
上記表３で示した実施例３は本発明の実施形態による化学式（３）、化学式（７）および化学式（１０）を含む実施例である。
【０２０４】
これに対して物性評価を行った結果、屈折率（Δｎ）は約０．１１２であり、誘電率異方性（Δε）は約−３．１であり、回転粘度（γ１）は約１１７である。実施例３は化学式（１４）乃至（１６）を含まない液晶組成物であり、本発明の実施形態による液晶化合物を含む液晶組成物は表示装置に要求される物性を有するのを確認した。
【０２０５】
【表４】
2016089166.tif 000035
【０２０６】
上記表４で示した実施例４は本発明の実施形態による化学式（３）、化学式（７）および化学式（１０）を含む実施例である。
【０２０７】
これに対して物性評価を行った結果、屈折率（Δｎ）は約０．１０７であり、誘電率異方性（Δε）は約−５．１であり、回転粘度（γ１）は約１４０である。つまり、実施例４は負の誘電率異方性を有する液晶組成物であり、特に高誘電率を有するのを確認した。
【０２０８】
【表５】
2016089166.tif 000036
【０２０９】
上記表５で示した実施例５は本発明の実施形態による化学式（３）および化学式（７）を含む実施例である。
【０２１０】
これに対して物性評価を行った結果、屈折率（Δｎ）は約０．１４５であり、誘電率異方性（Δε）は約１７．８であり、回転粘度（γ１）は約９７である。つまり、実施例５は正の誘電率異方性を有する液晶組成物であり、本発明の実施形態による液晶化合物を含む場合にも、表示装置が要求する所定の物性を示すのを確認した。
【０２１１】
【表６】
2016089166.tif 000037
【０２１２】
上記表６で示した比較例１は本発明の実施形態で提供する液晶組成物を含まず、前記化学式（Ａ−１）乃至（Ａ−９）を含む。このような比較例１に対して物性評価を行った結果、屈折率（Δｎ）は約０．１０８であり、誘電率異方性（Δε）は約−３．０であり、回転粘度（γ１）は約９７である。
【０２１３】
以下、図８乃至図９を参照して、実施例１と比較例１による物性を説明する。図８は実施例１と比較例１に対する電圧保持率グラフであり、図９は実施例１と比較例１に対する応答速度グラフである。
【０２１４】
まず、図８および表７に示すように、実施例１と比較例１に対してＵＶを照射し、時間経過による電圧保持率（Ｖｏｌｔａｇｅ  Ｈｏｌｄｉｎｇ  Ｒａｔｉｏ、ＶＨＲ）を確認した。
【０２１５】
【表７】
2016089166.tif 000038
【０２１６】
このような結果によれば、０分、４０分、６０分および８０分が経過するほど、比較例１および実施例１の両方とも電圧保持率が低くなる傾向を示した。しかし、本発明の実施例１による液晶の電圧保持率が比較例による電圧保持率に比べて常に高く示されるのが分かる。つまり、本発明の実施形態による液晶化合物を含む液晶は信頼性が向上しより高い電圧保持率を示すのが分かる。
【０２１７】
その次に、数式１を参照すれば、液晶の応答特性（τｏｆｆ）は液晶の物性、特にγ１／Ｋｅｆｆによる影響を受ける。つまり、同一なセルギャップ（ｃｅｌｌ  ｇａｐ）を有する表示装置では液晶の物性によって応答特性が変わる。
【０２１８】
【数１】
2016089166.tif 000039
【０２１９】
比較例１のγ１／Ｋｅｆｆは約６．１８であり、実施例１のγ１／Ｋｅｆｆは約６．５８を示した。これを同一のセルギャップを有する所定の表示装置に適用した結果、図９のように、比較例は約３．１１ｍｓの応答速度を示し、実施例１は約３．２０ｍｓの応答速度を示すのを確認した。
【０２２０】
つまり、本発明の実施形態による液晶化合物を含む液晶層は応答特性が向上するのが分かる。
【０２２１】
整理すれば、前述の実施例１乃至５を通じて、本発明の実施形態による液晶化合物を含む液晶組成物が表示装置に要求される液晶物性を有し得るのを確認した。また、本発明による液晶組成物は他の液晶組成物で発生するラジカル反応などの制御が可能であるところ、パネル信頼性が向上した液晶組成物を提供することができる。
【０２２２】
以上で本発明の好ましい実施形態について詳細に説明したが、本発明の権利範囲はこれに限定されるのではなく、次の請求範囲で定義している本発明の基本概念を利用した当業者の様々な変形および改良形態も本発明の権利範囲に属する。
【符号の説明】
【０２２３】
３：液晶層
３１：液晶分子
１００：下部表示板
２００：上部表示板
１２１：ゲート線
１４０：ゲート絶縁膜
２３０：カラーフィルタ
２７０：共通電極
３１０：液晶分子
【図１】
2016089166.tif 000048
【図２】
2016089166.tif 000049
【図３】
2016089166.tif 000050
【図４】
2016089166.tif 000051
【図５】
2016089166.tif 000052
【図６】
2016089166.tif 000053
【図７】
2016089166.tif 000054
【図８】
2016089166.tif 000055
【図９】
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