(57)【要約】【課題】特に帯電ローラとして使用画像形成を繰り返した際に、外添剤等の堆積による横スジや縦スジの画像不良を生じにくい半導電性ローラを提供する。【解決手段】半導電性ゴム層２の外周面５に、その回転方向の前方Ｆ側に頂点７を有し、それより回転方向の後方Ｒ側の縁部８、８が回転方向に対して傾斜させて形成されて軸方向の幅ｗが頂点７から後方Ｒ側へ向けて徐々に大きくなる末広がり状とされた、多数の微小な突起６を、周方向および軸方向共に不連続に設けた。【選択図】図１
2016004078.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導電性ゴム組成物によって筒状に形成されて周方向の一方向に回転される少なくとも１層の半導電性ゴム層を備え、前記半導電性ゴム層の外周面には、当該外周面に沿う面形状が、前記回転方向の前方側に頂点を有するとともに、当該頂点より回転方向の後方側の軸方向両側の縁部が前記回転方向に対して傾斜させて形成されて、当該軸方向の幅が、前記頂点から後方側へ向けて徐々に大きくなる末広がり状とされた、多数の微小な突起が、前記周方向および軸方向共に不連続に設けられている半導電性ローラ。
【請求項２】
前記突起を形成する前の半導電性ゴム層を一方向に回転させ、かつ液体を供給しながら、前記外周面に、砥粒の粒度が２０μｍ以上、４０μｍ以下の耐水研磨ペーパーを接触させるとともに、当該耐水研磨ペーパーを前記半導電性ゴム層の軸方向に微小往復運動させつつ当該半導電性ゴム層の軸方向の全幅に亘って相対移動させて前記外周面を湿式研磨することにより、前記多数の突起が形成されている請求項１に記載の半導電性ローラ。
【請求項３】
前記外周面に酸化膜を備えている請求項１または２に記載の半導電性ローラ。
【請求項４】
電子写真法を利用した画像形成装置に組み込んで、感光体の表面を帯電させる帯電ローラとして用いる請求項１ないし３のいずれか１項に記載の半導電性ローラ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子写真法を利用した画像形成装置において特に帯電ローラ等として好適に使用される半導電性ローラに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
例えばレーザープリンタ、静電式複写機、普通紙ファクシミリ装置、あるいはこれらの複合機などの、電子写真法を利用した画像形成装置においては、概略下記の工程を経て紙やプラスチックフィルムなどの用紙の表面に画像が形成される。
まず光導電性を有する感光体の表面を一様に帯電させた状態で露光して、当該表面に形成画像に対応する静電潜像を形成する（帯電工程→露光工程）。
【０００３】
次いで、微小な着色粒子であるトナーをあらかじめ所定の電位に帯電させた状態で感光体の表面に接触させる。そうするとトナーが静電潜像の電位パターンに応じて感光体の表面に選択的に付着されて当該静電潜像がトナー像に現像される（現像工程）。
次いでトナー像を用紙の表面に転写し（転写工程）、さらに定着させることにより（定着工程）、当該用紙の表面に画像が形成される。
【０００４】
またトナー像を転写後の感光体は、その表面に残留したトナーが例えばクリーニングブレード等によって除去されて次の画像形成に使用する準備とされる（クリーニング工程）。
上記のうち帯電工程では、感光体の表面を一様に帯電させるべく、当該感光体の表面と接触させた帯電ローラが用いられる。
【０００５】
帯電ローラとしては、少なくとも感光体の表面と接触する外周面が半導電性ゴム組成物の架橋物からなる半導電性ローラが普及している。
かかる半導電性ローラのもとになる半導電性ゴム組成物としては、例えばエピクロルヒドリンゴム等のイオン導電性ゴムを少なくとも含むゴム分に、前記ゴム分を架橋させるための架橋剤成分その他を配合したもの等が一般的に用いられる。
【０００６】
トナーには、当該トナーの流動性や帯電性その他の特性を調整するために、シリカや酸化チタン等の微小粒子が外添される。
しかしこれら外添剤や、あるいは画像形成を繰り返した際に発生する、トナー粒子が微粉砕された破片など（以下「外添剤等」と総称する場合がある）は、クリーニングブレード等では感光体の表面からきれいに除去することができず、画像形成を繰り返すうちに、除去しきれなかった外添剤等が当該感光体の表面と常時接触している帯電ローラの外周面に徐々に堆積する。
【０００７】
堆積した外添剤等は感光体の帯電特性等に影響を及ぼしたり形成画像に付着したりして画像不良の原因となる。
特に上記半導電性ゴム組成物を筒状に成形するとともに架橋させたのち、外周面を所定の表面粗さに仕上げるべく乾式研磨する等して帯電ローラを形成した場合には当該外周面の軸方向に沿ってスジ状に研磨目が発生し、画像形成を繰り返した際に、この研磨目に沿って外添剤等がスジ状に堆積して、形成画像に横スジの画像不良が発生する（特許文献１等）。
【０００８】
ちなみに特許文献１に記載の発明は主として現像ローラに関するものであり、現像ローラでは、かかる微細な研磨目は形成画像に殆ど影響を及ぼさないため問題とはならない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特許第５０８６４１８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
乾式研磨後の外周面を、さらに湿式トラバース研磨等によって鏡面に仕上げることも検討されている。しかしその場合には外周面の周方向に沿ってスジ状に研磨目が発生し、画像形成を繰り返した際に、この研磨目に沿って外添剤等がスジ状に堆積して、形成画像に今度は縦スジの画像不良が発生してしまう。
本発明の目的は、特に帯電ローラとして使用画像形成を繰り返した際に、外添剤等の堆積による横スジや縦スジの画像不良を生じにくい半導電性ローラを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は、半導電性ゴム組成物によって筒状に形成されて周方向の一方向に回転される少なくとも１層の半導電性ゴム層を備え、前記半導電性ゴム層の外周面には、当該外周面に沿う面形状が、前記回転方向の前方側に頂点を有するとともに、当該頂点より回転方向の後方側の軸方向両側の縁部が前記回転方向に対して傾斜させて形成されて、当該軸方向の幅が、前記頂点から後方側へ向けて徐々に大きくなる末広がり状とされた、多数の微小な突起が、前記周方向および軸方向共に不連続に設けられている半導電性ローラである。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば外添剤等は、半導電性ローラの回転に伴い、上記特定の面形状を有し、周方向および軸方向共に不連続に設けられた各突起の末広がり形状に沿って当該半導電性ローラの外周面の略全面にほぼ均一に拡散されて、各突起間の凹部に収容されるため、画像形成を繰り返した際に、当該外添剤等の局部的な堆積による横スジや縦スジの画像不良が生じるのを防止できる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】同図(a)は本発明の半導電性ローラの一例を示す斜視図、同図(b)は外周面に形成される突起の一例を拡大して示す平面図である。
【図２】図１の例の半導電性ローラの外周面に突起を形成する工程を説明する図である。
【図３】本発明の実施例１で製造した半導電性ローラの外周面を拡大して示す顕微鏡写真である。
【図４】比較例２で製造した半導電性ローラの外周面を拡大して示す顕微鏡写真である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
《半導電性ローラ》
図１(a)を参照して、この例の半導電性ローラ１は、半導電性ゴム組成物によって非多孔質の筒状に形成された単層の半導電性ゴム層２を備えるとともに、当該半導電性ゴム層２の中心の通孔３にシャフト４が挿通されて固定されたものである。
シャフト４は、例えばアルミニウム、アルミニウム合金、ステンレス鋼等の金属によって一体に形成されている。
【００１５】
シャフト４は、例えば導電性を有する接着剤を介して半導電性ゴム層２と電気的に接合されるとともに機械的に固定されるか、あるいは通孔３の内径よりも外径の大きいものを通孔３に圧入することで、半導電性ゴム層２と電気的に接合されるとともに機械的に固定されて一体に回転される。
図３を参照して、半導電性ゴム層２の外周面５には、多数の微小な突起が設けられている。
【００１６】
図１(b)を参照して、各々の突起６は、上記外周面５に沿う面形状が、図１(a)(b)中に実線の矢印で示す半導電性ゴム層２の回転方向の前方Ｆ側に頂点７を有するとともに、当該頂点７より回転方向の後方Ｒ側の軸方向両側の縁部８、８が、いずれも前記回転方向に対して傾斜させて形成されて、当該軸方向の幅ｗが、頂点７から後方Ｒ側へ向けて徐々に大きくなる末広がり状とされている。
【００１７】
かかる突起６を備えた半導電性ローラ１を帯電ローラとして使用して上記回転方向に回転させると、感光体の表面に残留して半導電性ローラ１に転移した外添剤等は、図中に一点鎖線の矢印で示すように、上記特定の面形状を有し周方向および軸方向共に不連続に設けられた各突起６の、末広がり形状とされた縁部８、８に沿って当該突起６の左右に次々と分けられ、そして半導電性ゴム層２の外周面５の略前面にほぼ均一に拡散されて各突起６間の凹部に収容される。
【００１８】
そのため外添剤等の局部的な堆積による横スジや縦スジの画像不良が生じるのを防止できる。
なお上記半導電性ゴム層２の外周面５には、図１(a)中に拡大して示すように酸化膜９を設けてもよい。
酸化膜９を形成すると、当該酸化膜９が誘電層として機能して半導電性ローラ１の誘電正接を低減できる。また帯電ローラとして使用した際に酸化膜９が低摩擦層となることで外添剤等の付着を抑制できる。そのため外添剤等の局部的な堆積による横スジや縦スジの画像不良が生じるのをさらに確実に防止できる。
【００１９】
しかも酸化膜９は、例えば酸化性雰囲気中で紫外線の照射等をするだけで簡単に形成できるため、半導電性ローラ１の生産性が低下したり製造コストが高くついたりするのを抑制できる。ただし酸化膜９は形成しなくてもよい。
半導電性ローラ１を製造するには、まず所定の半導電性ゴム組成物を、押出成形機を用いて筒状に押出成形し、加硫缶内で加圧、加熱して架橋させて半導電性ゴム層２を形成する。
【００２０】
次いで形成した半導電性ゴム層２を、オーブン等を用いて加熱して二次架橋させ、冷却したのち所定の長さにカットするとともに所定の外径となるように研磨する。
シャフト４は架橋後から研磨後までの任意の時点で通孔３に挿通して固定できる。
ただし架橋後、まず通孔３にシャフト４を挿通した状態で二次架橋〜研磨をするのが好ましい。これにより二次架橋時の膨張収縮による半導電性ゴム層２の反りや変形を防止できる。また、シャフト４を中心として回転させながら研磨することで当該研磨の作業性を向上し、なおかつ外周面５のフレを抑制できる。
【００２１】
シャフト４は、先に説明したように通孔３の内径よりも外径の大きいものを通孔３に圧入するか、あるいは導電性を有する熱硬化性接着剤を介して、二次架橋前の半導電性ゴム層２に挿通すればよい。
後者の場合は、オーブン中での加熱によって半導電性ゴム層２が二次架橋されるのと同時に熱硬化性接着剤が硬化して、シャフト４が半導電性ゴム層２に電気的に接合されるとともに機械的に固定される。
【００２２】
また前者の場合は、圧入と同時に電気的な接合と機械的な固定が完了する。
研磨の工程では、まず従来同様に乾式トラバース研磨等によって、半導電性ゴム層２のおおよその外径、および表面性状を整える。
次いで半導電性ゴム層２の外周面５をいわゆる湿式オシレーション研磨すると、当該外周面５に、先に説明した上記特定の面形状を有する多数の突起６が、周方向および軸方向共に不連続に形成される。
【００２３】
すなわち図２を参照して、突起６を形成する前の半導電性ゴム層２を一方向に回転させ、かつ図示しない湿式研磨用の液体を供給しながら、耐水研磨ペーパー１０を例えばバックアップローラによって後方から支持した状態で、半導電性ゴム層２の外周面５に接触させる。
そして外周面５に接触させた耐水研磨ペーパー１０を、図中に白抜きの矢印で示すように半導電性ゴム層２の軸方向に微小往復運動させつつ、黒矢印で示すように当該半導電性ゴム層２の軸方向の全幅に亘って相対移動させて、その外周面５を湿式研磨する。
【００２４】
そうすると半導電性ゴム層２の外周面５に、研磨目として先に説明した所定の面形状を有する多数の突起６が、周方向および軸方向共に不連続に形成される。
使用する耐水研磨ペーパー１０は、例えば長尺帯状のものを図中に破線の矢印で示すようにその長さ方向に少しずつ送って、常に新しい面を研磨に使用するようにするのが好ましい。
【００２５】
かかる耐水研磨ペーパー１０は、砥粒の粒度が２０μｍ以上、４０μｍ以下とされる。
砥粒の粒度がこの範囲未満では、半導電性ゴム層２の外周面５に形成される突起６の、当該突起６間の凹部からの突出高さが不十分になって、突起６を設けることによる先に説明した効果が十分に得られない。すなわち突起６間の凹部が浅いため十分な量の外添剤等を収容することができず、画像形成を繰り返すうちに凹部から溢れた外添剤等によって形成画像に画像不良が発生する。
【００２６】
一方、砥粒の粒度が上記の範囲を超える場合には突起６の突出高さが高くなりすぎる結果、外周面５の表面性状が粗くなりすぎて、画像形成初期に感光体の表面を均一に帯電させることができず、形成画像に画像不良が発生する。
これに対し、砥粒の粒度が２０μｍ以上、４０μｍ以下の耐水研磨ペーパーを使用することで、半導電性ゴム層２の外周面５に適度の突出高さを有する多数の突起６を形成して、画像形成初期に良好な画像を形成できるとともに、画像形成を繰り返しても外添剤の堆積による画像不良が発生しない良好な半導電性ローラ１を形成できる。
【００２７】
なお半導電性ゴム層２の外周面５に形成される突起６の突出高さをどの程度にすればよいかは特に限定されないが、後述する実施例、比較例の結果から明らかなように、日本工業規格ＪＩＳ  Ｂ０６０１−１９９４において規定された十点平均粗さで表して、上記外周面５の、半導電性ゴム層２の軸方向の十点平均粗さＲｚ１が５μｍ以上であるのが好ましく、１０μｍ以下であるのが好ましい。また半導電性ゴム層２の周方向の十点平均粗さＲｚ２が４μｍ以上であるのが好ましく、６μｍ以下であるのが好ましい。
【００２８】
軸方向および周方向の十点平均粗さＲｚ１、Ｒｚ２を上記の範囲とすることにより、半導電性ゴム層２の外周面５に形成される多数の突起６の突出高さを適度の範囲に調整して、画像形成初期に良好な画像を形成できるとともに、画像形成を繰り返しても外添剤の堆積による画像不良が発生しない良好な半導電性ローラ１を形成できる。
軸方向および周方向の十点平均粗さＲｚ１、Ｒｚ２を上記の範囲とするためには、先述した湿式オシレーション研磨に使用する耐水研磨ペーパー１０の砥粒の粒度を前述した範囲で調整したり、湿式オシレーション研磨の条件、例えば半導電性ゴム層２の回転速度、耐水研磨ペーパー１０の外周面５への切り込み設定、耐水研磨ペーパー１０の微小往復運動の幅や速度、そして耐水研磨ペーパー１０の半導電性ゴム層２の軸方向への送り速度等を調整したりすればよい。
【００２９】
具体的には、例えば半導電性ゴム層２の回転速度を１５００ｒｐｍ以上、３０００ｒｐｍ以下、耐水研磨ペーパー１０の外周面５への切り込み設定を両者の接触位置から０．３〜１．０ｍｍの間で、乾式研磨による研磨目が消えるところまで、耐水研磨ペーパーの微小往復運動の幅を４ｍｍ以上、８ｍｍ以下、速度を３０００ｍｍ／秒以上、５０００ｍｍ／秒以下、そして耐水研磨ペーパー１０の半導電性ゴム層２の軸方向への送り速度（トラバース速度）を１００ｍｍ／分以上、２００ｍｍ／分以下に設定するのが好ましい。
【００３０】
湿式研磨に使用する液体としては水や、水に水溶性の研磨剤等を配合した研磨液などが使用可能である。またバックアップローラとしては、例えば発泡ウレタンローラ等が好ましい。
酸化膜９は、先に説明したように半導電性ゴム層２の外周面５に紫外線を照射して形成するのが、簡単で効率よく形成できるため好ましい。すなわち半導電性ゴム層２の外周面５を構成する半導電性ゴム組成物それ自体を、所定波長の紫外線を所定時間照射して酸化させることで酸化膜９が形成される。
【００３１】
しかも酸化膜９は、上記のように半導電性ゴム層２の外周面５を構成する半導電性ゴム組成物それ自体が紫外線の照射によって酸化されて形成されるため、従来の塗剤を塗布して形成される被覆層のような問題を生じることがなく、厚みや表面形状等の均一性に優れている。
照射する紫外線の波長は、半導電性ゴム組成物を効率よく酸化させて、先に説明した機能に優れた酸化膜９を形成することを考慮すると１００ｎｍ以上であるのが好ましく、４００ｎｍ以下、特に３００ｎｍ以下であるのが好ましい。また照射の時間は３０秒間以上、特に１分間以上であるのが好ましく、３０分間以下、特に１５分間以下であるのが好ましい。
【００３２】
ただし酸化膜９は他の方法で形成してもよいし、場合によっては省略してもよい。
非多孔質でかつ単層の半導電性ゴム層２のショアＡ硬さは６０°以下、特に５５°以下であるのが好ましい。
ショアＡ硬さがこの範囲を超える半導電性ゴム層２は柔軟性が不足し、広いニップ幅を確保して感光体を良好に効率よく帯電できないおそれがある。また感光体の表面を傷つけたりするおそれもある。
【００３３】
なおショアＡ硬さを、本発明では日本工業規格ＪＩＳ  Ｋ６２５３−３：２０１２に記載の測定方法に則って温度２３℃の条件で、高分子計器(株)製のマイクロゴム硬度計ＭＤ−１を用いて測定した値でもって表すこととする。
本発明の半導電性ローラは、以上で説明した単層の半導電性ゴム層２を備えた単層構造（酸化膜９を除く）のものには限定されず、外周面５側の外層とシャフト４側の内層の２層のゴム層を備えた積層構造に形成してもよい。
【００３４】
本発明の半導電性ローラは、帯電ローラのほか、例えば現像ローラ、転写ローラ、クリーニングローラ等としてレーザープリンタ、静電式複写機、普通紙ファクシミリ装置、あるいはこれらの複合機等の、電子写真法を利用した画像形成装置に用いることができる。
《半導電性ゴム組成物》
半導電性ゴム層２のもとになる半導電性ゴム組成物としては、半導電性ローラ１に１０８Ω以下程度の半導電性を付与できる種々のゴム組成物がいずれも使用可能である。
【００３５】
特にエピクロルヒドリンゴム等のイオン導電性ゴムを含みイオン導電性が付与された半導電性ゴム組成物が好ましい。
また半導電性ゴム組成物の例としては、例えばゴム分として上記エピクロルヒドリンゴムと他のゴムとを併用し、さらにイオン導電剤や、上記ゴム分を架橋させるための架橋成分等を所定の割合で配合したもの等が挙げられる。
【００３６】
〈エピクロルヒドリンゴム〉
ゴム分のうちエピクロルヒドリンゴムとしては、エピクロルヒドリン単独重合体、エピクロルヒドリン−エチレンオキサイド二元共重合体（ＥＣＯ）、エピクロルヒドリン−プロピレンオキサイド二元共重合体、エピクロルヒドリン−アリルグリシジルエーテル二元共重合体、エピクロルヒドリン−エチレンオキサイド−アリルグリシジルエーテル三元共重合体（ＧＥＣＯ）、エピクロルヒドリン−プロピレンオキサイド−アリルグリシジルエーテル三元共重合体、およびエピクロルヒドリン−エチレンオキサイド−プロピレンオキサイド−アリルグリシジルエーテル四元共重合体等の１種または２種以上が挙げられる。
【００３７】
中でもエチレンオキサイドを含む共重合体、特にＥＣＯおよび／またはＧＥＣＯが好ましい。
両共重合体においてエチレンオキサイド含量は、いずれも３０モル％以上、特に５０モル％以上であるのが好ましく、８０モル％以下であるのが好ましい。
エチレンオキサイドは、半導電性ゴム層の全体でローラ抵抗値を下げる働きをする。しかしエチレンオキサイド含量がこの範囲未満ではかかる働きが十分に得られないため、ローラ抵抗値を十分に低下できないおそれがある。
【００３８】
一方、エチレンオキサイド含量が範囲を超える場合には、エチレンオキサイドの結晶化が起こり分子鎖のセグメント運動が妨げられるため、逆にローラ抵抗値が上昇する傾向がある。また架橋後の半導電性ゴム層が硬くなりすぎたり、架橋前の半導電性ゴム組成物の、加熱溶融時の粘度が上昇したりするおそれもある。
ＥＣＯにおけるエピクロルヒドリン含量は、エチレンオキサイド含量の残量である。すなわちエピクロルヒドリン含量は２０モル％以上であるのが好ましく、７０モル％以下、特に５０モル％以下であるのが好ましい。
【００３９】
またＧＥＣＯにおけるアリルグリシジルエーテル含量は０．５モル％以上、特に２モル％以上であるのが好ましく、１０モル％以下、特に５モル％以下であるのが好ましい。
アリルグリシジルエーテルは、それ自体が側鎖として自由体積を確保するために機能することにより、エチレンオキサイドの結晶化を抑制して、半導電性ローラのローラ抵抗値を低下させる働きをする。しかしアリルグリシジルエーテル含量がこの範囲未満では、かかる働きが得られないため、ローラ抵抗値を十分に低下できないおそれがある。
【００４０】
一方、アリルグリシジルエーテルは、ＧＥＣＯの架橋時に架橋点として機能するため、アリルグリシジルエーテル含量が範囲を超える場合には、ＧＥＣＯの架橋密度が高くなりすぎて分子鎖のセグメント運動が妨げられるため、却ってローラ抵抗値が上昇する傾向がある。
ＧＥＣＯにおけるエピクロルヒドリン含量は、エチレンオキサイド含量、およびアリルグリシジルエーテル含量の残量である。すなわちエピクロルヒドリン含量は１０モル％以上、特に１９．５モル％以上であるのが好ましく、６９．５モル％以下、特に６０モル％以下であるのが好ましい。
【００４１】
なおＧＥＣＯとしては、上記３種の単量体を共重合させた狭義の意味での共重合体のほかに、エピクロルヒドリン−エチレンオキサイド共重合体（ＥＣＯ）をアリルグリシジルエーテルで変性した変性物も知られており、本発明ではいずれのＧＥＣＯも使用可能である。
エピクロルヒドリンゴムの配合割合は、ゴム分の総量１００質量部中の４０質量部以上、特に５０質量部以上であるのが好ましく、８０質量部以下、特に７０質量部以下であるのが好ましい。
【００４２】
〈他のゴム〉
他のゴムとしては、例えばスチレンブタジエンゴム（ＳＢＲ）、クロロプレンゴム（ＣＲ）、アクリロニトリルブタジエンゴム（ＮＢＲ）、ブタジエンゴム（ＢＲ）、アクリルゴム（ＡＣＭ）、およびＥＰＤＭからなる群より選ばれた少なくとも１種が挙げられる。
（ＳＢＲ）
このうちＳＢＲとしては、スチレンと１，３−ブタジエンとを乳化重合法、溶液重合法等の種々の重合法によって共重合させて合成される種々のＳＢＲがいずれも使用可能である。またＳＢＲとしては、伸展油を加えて柔軟性を調整した油展タイプのものと加えない非油展タイプのものとがあるが、このいずれも使用可能である。
【００４３】
さらにＳＢＲとしては、スチレン含量によって分類される高スチレンタイプ、中スチレンタイプ、および低スチレンタイプのＳＢＲがいずれも使用可能である。
これらＳＢＲの１種または２種以上を使用できる。
（ＣＲ）
ＣＲは、例えばクロロプレンを乳化重合させて合成され、その際に用いる分子量調整剤の種類によって硫黄変性タイプと非硫黄変性タイプに分類されるが、本発明ではこのいずれのＣＲも使用可能である。
【００４４】
硫黄変性タイプのＣＲは、クロロプレンと分子量調整剤としての硫黄とを共重合させたポリマをチウラムジスルフィド等で可塑化し、所定の粘度に調整して得られる。
また非硫黄変性タイプのＣＲはメルカプタン変性タイプ、キサントゲン変性タイプ等に分類される。
このうちメルカプタン変性タイプのＣＲは、例えばｎ−ドデシルメルカプタン、ｔｅｒｔ−ドデシルメルカプタン、オクチルメルカプタン等のアルキルメルカプタン類を分子量調整剤として使用して、硫黄変性タイプのＣＲと同様にして合成される。またキサントゲン変性タイプのＣＲは、アルキルキサントゲン化合物を分子量調整剤として使用して、硫黄変性タイプのＣＲと同様にして合成される。
【００４５】
またＣＲは、その結晶化速度に基づいて当該結晶化速度が遅いタイプ、中程度であるタイプ、および速いタイプに分類される。
本発明ではいずれのタイプのＣＲを用いてもよいが、中でも非硫黄変性タイプでかつ結晶化速度が遅いタイプのＣＲの１種または２種以上が好ましい。
さらにＣＲとしては、クロロプレンと他の共重合成分との共重合ゴムを用いてもよい。
【００４６】
かかる他の共重合成分としては、例えば２，３−ジクロロ−１，３−ブタジエン、１−クロロ−１，３−ブタジエン、スチレン、アクリロニトリル、メタクリロニトリル、イソプレン、ブタジエン、アクリル酸、アクリル酸エステル、メタクリル酸、およびメタクリル酸エステル等の１種または２種以上が挙げられる。
（ＮＢＲ）
ＮＢＲとしては、アクリロニトリル含量によって分類される低ニトリルＮＢＲ、中ニトリルＮＢＲ、中高ニトリルＮＢＲ、高ニトリルＮＢＲ、および極高ニトリルＮＢＲがいずれも使用可能である。
【００４７】
またＮＢＲとしては、伸展油を加えて柔軟性を調整した油展タイプのものと加えない非油展タイプのものとがあるが、このいずれも使用可能である。
これらＮＢＲの１種または２種以上を使用できる。
（ＢＲ）
ＢＲとしては、架橋性を有する種々のＢＲがいずれも使用可能である。
【００４８】
特に低温特性に優れ、低温、低湿での硬度が低く良好な柔軟性を発現しうる、シス−１，４結合の含量が９５％以上の高シスＢＲが好ましい。
またＢＲとしては、伸展油を加えて柔軟性を調整した油展タイプのものと加えない非油展タイプのものとがあるが、このいずれも使用可能である。
これらＢＲの１種または２種以上を使用できる。
【００４９】
（ＡＣＭ）
ＡＣＭとしては、アクリル酸エチル、アクリル酸ブチル等のアクリル酸アルキルエステルを主成分とし、さらにアクリロニトリル、２−クロロエチルビニルエーテル等の含ハロゲン系モノマーやグリシジルアクリレート、アリルグリシジルエーテル、エチリデンノルボルネン等を共重合させて合成される種々のＡＣＭが使用可能である。
【００５０】
これらＡＣＭの１種または２種以上を使用できる。
（ＥＰＤＭ）
ＥＰＤＭとしては、エチレンとプロピレンに少量の第３成分（ジエン分）を加えることで主鎖中に二重結合を導入した種々のＥＰＤＭが、いずれも使用可能である。ＥＰＤＭとしては、第３成分の種類や量の違いによる様々な製品が提供されている。代表的な第３成分としては、例えばエチリデンノルボルネン（ＥＮＢ）、１，４−ヘキサジエン（１，４−ＨＤ）、ジシクロペンタジエン（ＤＣＰ）等が挙げられる。重合触媒としてはチーグラー触媒を使用するのが一般的である。
【００５１】
またＥＰＤＭとしては、伸展油を加えて柔軟性を調整した油展タイプのものと加えない非油展タイプのものとがあるが、このいずれも使用可能である。
これらＥＰＤＭの１種または２種以上を使用できる。
〈イオン導電剤〉
イオン導電剤としては、例えば分子中にフルオロ基およびスルホニル基を有する陰イオンの塩（以下「イオン塩」と略記する場合がある。）が挙げられる。
【００５２】
イオン塩のもとになる、分子中にフルオロ基およびスルホニル基を有する陰イオンとしては、例えばフルオロアルキルスルホン酸イオン、ビス（フルオロアルキルスルホニル）イミドイオン、トリス（フルオロアルキルスルホニル）メチドイオン等の１種または２種以上が挙げられる。
このうちフルオロアルキルスルホン酸イオンとしては、例えばＣＦ３ＳＯ３−、Ｃ４Ｆ９ＳＯ３−等の１種または２種以上が挙げられる。
【００５３】
またビス（フルオロアルキルスルホニル）イミドイオンとしては、例えば(ＣＦ３ＳＯ２)２Ｎ−、(Ｃ２Ｆ５ＳＯ２)２Ｎ−、(Ｃ４Ｆ９ＳＯ２)(ＣＦ３ＳＯ２)Ｎ−、(ＦＳＯ２Ｃ６Ｆ４)(ＣＦ３ＳＯ２)Ｎ−、(Ｃ８Ｆ１７ＳＯ２)(ＣＦ３ＳＯ２)Ｎ−、(ＣＦ３ＣＨ２ＯＳＯ２)２Ｎ−、(ＣＦ３ＣＦ２ＣＨ２ＯＳＯ２)２Ｎ−、(ＨＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２ＯＳＯ２)２Ｎ−、[(ＣＦ３)２ＣＨＯＳＯ２]２Ｎ−等の１種または２種以上が挙げられる。
【００５４】
さらにトリス（フルオロアルキルスルホニル）メチドイオンとしては、例えば(ＣＦ３ＳＯ２)３Ｃ−、(ＣＦ３ＣＨ２ＯＳＯ２)３Ｃ−等の１種または２種以上が挙げられる。
また、上記陰イオンとともにイオン塩を構成する陽イオンとしては、例えばナトリウム、リチウム、カリウム等のアルカリ金属の陽イオン、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム等の第２族元素の陽イオン、遷移元素の陽イオン、両性元素の陽イオン、下記式(１)で表される第４級アンモニウム陽イオン、および下記式(２)で表される陽イオン等の１種または２種以上が挙げられる。
【００５５】
【化１】
2016004078.tif 000003
【００５６】
〔式中、Ｒ１〜Ｒ４は同一または異なって炭素数１〜２０のアルキル基またはその誘導体を示す。〕
特にＲ１〜Ｒ４のうちの３つがメチル基、その他の１つが炭素数４〜２０、好ましくは６〜２０のアルキル基またはその誘導体からなるトリメチルタイプの第４級アンモニウム陽イオンが好ましい。
【００５７】
かかる陽イオンによれば、電子供与性の強い３つのメチル基によって窒素原子上の正電荷を安定化できるとともに、他のアルキル基またはその誘導体によってゴム分との相容性を向上できる。そのため窒素原子上の正電荷を安定化させて陽イオンとしての安定度を高め、解離度を高くして導電性付与性能に優れたイオン塩を形成できる。
【００５８】
【化２】
2016004078.tif 000004
【００５９】
〔式中、Ｒ５、Ｒ６は同一または異なって炭素数１〜２０のアルキル基またはその誘導体を示す。〕
中でもＲ５、Ｒ６としては、電子供与性を有するため窒素原子上の正電荷を安定化しやすいメチル基あるいはエチル基が好ましい。これにより陽イオンとしての安定度を高め、解離度を高くして導電性付与性能に優れたイオン塩を形成できる。
【００６０】
なおイオン塩としては、陽イオンとしてリチウムイオンを用いたリチウム塩や、陽イオンとしてカリウムイオンを用いたカリウム塩が特に好ましい。
特に好ましいイオン塩としては、例えば(ＣＦ３ＳＯ２)２ＮＬｉ〔リチウム・ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド〕、(ＣＦ３ＳＯ２)２ＮＫ〔カリウム・ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド〕等が挙げられる。
【００６１】
イオン塩の配合割合は、ゴム分の総量１００質量部あたり０．０５質量部以上であるのが好ましく、５質量部以下であるのが好ましい。
〈架橋成分〉
架橋成分としては架橋剤、促進剤、促進助剤等が挙げられる。
このうち架橋剤としては、例えば硫黄系架橋剤、チオウレア系架橋剤、トリアジン誘導体系架橋剤、過酸化物系架橋剤、各種モノマー等の１種または２種以上が挙げられる。
【００６２】
また硫黄系架橋剤としては、粉末硫黄等の硫黄や有機含硫黄化合物等が挙げられる。また有機含硫黄化合物等としては、テトラメチルチウラムジスルフィド、Ｎ，Ｎ−ジチオビスモルホリン等が挙げられる。
チオウレア系架橋剤としては、例えばテトラメチルチオウレア、トリメチルチオウレア、エチレンチオウレア、(ＣｎＨ２ｎ＋１ＮＨ)２Ｃ＝Ｓ〔式中、ｎは１〜１０の数を示す。〕で表されるチオウレア等の１種または２種以上が挙げられる。
【００６３】
さらに過酸化物架橋剤としては、例えばベンゾイルペルオキシド等が挙げられる。
なお架橋剤としては、硫黄とチオウレア類とを併用するのが好ましい。
かかる併用系において硫黄の配合割合は、ゴム分の総量１００質量部あたり０．２質量部以上、特に０．５質量部以上であるのが好ましく、３質量部以下、特に２質量部以下であるのが好ましい。
【００６４】
またチオウレア類の配合割合は、ゴム分の総量１００質量部あたり０．２質量部以上、特に０．５質量部以上であるのが好ましく、３質量部以下、特に１質量部以下であるのが好ましい。
促進剤としては、例えば消石灰、マグネシア（ＭｇＯ）、リサージ（ＰｂＯ）等の無機促進剤や、下記の有機促進剤等の１種または２種以上が挙げられる。
【００６５】
また有機促進剤としては、例えば１，３−ジ−ｏ−トリルグアニジン、１，３−ジフェニルグアニジン、１−ｏ−トリルビグアニド、ジカテコールボレートのジ−ｏ−トリルグアニジン塩等のグアニジン系促進剤；２−メルカプトベンゾチアゾール、ジ−２−ベンゾチアゾリルジスルフィド等のチアゾール系促進剤；Ｎ−シクロへキシル−２−ベンゾチアジルスルフェンアミド等のスルフェンアミド系促進剤；テトラメチルチウラムモノスルフィド、テトラメチルチウラムジスルフィド、テトラエチルチウラムジスルフィド、ジペンタメチレンチウラムテトラスルフィド等のチウラム系促進剤；チオウレア系促進剤等の１種または２種以上が挙げられる。
【００６６】
促進剤は種類によって機能が異なっているため、２種以上の促進剤を併用するのが好ましい。
個々の促進剤の配合割合は種類によって任意に設定できるが、通常は個別に、ゴム分の総量１００質量部あたり０．１質量部以上、特に０．２質量部以上であるのが好ましく、５質量部以下、特に２質量部以下であるのが好ましい。
【００６７】
促進助剤としては、亜鉛華等の金属化合物；ステアリン酸、オレイン酸、綿実脂肪酸等の脂肪酸、その他従来公知の促進助剤の１種または２種以上が挙げられる。
促進助剤の配合割合は、個別に、ゴム分の総量１００質量部あたり０．１質量部以上、特に０．５質量部以上であるのが好ましく、７質量部以下、特に５質量部以下であるのが好ましい。
【００６８】
〈その他〉
半導電性ゴム組成物には、さらに必要に応じて各種の添加剤を配合してもよい。添加剤としては、例えば受酸剤、可塑剤、加工助剤、劣化防止剤、充填剤、スコーチ防止剤、滑剤、顔料、帯電防止剤、難燃剤、中和剤、造核剤、共架橋剤等が挙げられる。
このうち受酸剤は、ゴム分の架橋時にエピクロルヒドリンゴムやＣＲから発生する塩素系ガスが半導電性ゴム層内に残留したり、それによって架橋阻害や感光体の汚染等を生じたりするのを防止するために機能する。
【００６９】
受酸剤としては、酸受容体として作用する種々の物質を用いることができるが、中でも分散性に優れたハイドロタルサイト類またはマグサラットが好ましく、特にハイドロタルサイト類が好ましい。
また、ハイドロタルサイト類等を酸化マグネシウムや酸化カリウムと併用するとより高い受酸効果を得ることができ、感光体の汚染をより一層確実に防止できる。
【００７０】
受酸剤の配合割合は、ゴム分の総量１００質量部あたり０．５質量部以上、特に１質量部以上であるのが好ましく、６質量部以下、特に４質量部以下であるのが好ましい。
可塑剤としては、例えばジブチルフタレート（ＤＢＰ）、ジオクチルフタレート（ＤＯＰ）、トリクレジルホスフェート等の各種可塑剤や、極性ワックス等の各種ワックス等が挙げられる。また加工助剤としてはステアリン酸等の脂肪酸などが挙げられる。
【００７１】
可塑剤および／または加工助剤の配合割合は、ゴム分の総量１００質量部あたり５質量部以下であるのが好ましい。例えば画像形成装置への装着時や運転時に感光体の汚染を生じたりするのを防止するためである。かかる目的に鑑みると、可塑剤のうち極性ワックスを使用するのが特に好ましい。
劣化防止剤としては、各種の老化防止剤や酸化防止剤等が挙げられる。
【００７２】
このうち酸化防止剤は、半導電性ローラのローラ抵抗値の環境依存性を低減するとともに、連続通電時のローラ抵抗値の上昇を抑制する働きをする。酸化防止剤としては、例えばジエチルジチオカルバミン酸ニッケル〔大内新興化学工業(株)製のノクラック（登録商標）ＮＥＣ−Ｐ〕、ジブチルジチオカルバミン酸ニッケル〔大内新興化学工業(株)製のノクラックＮＢＣ〕等が挙げられる。
【００７３】
充填剤としては、例えば酸化亜鉛、シリカ、カーボン、カーボンブラック、クレー、タルク、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、水酸化アルミニウム等の１種または２種以上が挙げられる。
充填剤を配合することにより、半導電性ゴム層の機械的強度等を向上できる。
充填剤の配合割合は、ゴム分の総量１００質量部あたり５質量部以上であるのが好ましく、２５質量部以下、特に２０質量部以下であるのが好ましい。
【００７４】
また充填剤として導電性カーボンブラック等の導電性充填剤を配合して、半導電性ゴム層に電子導電性を付与してもよい。
導電性カーボンブラックとしてはＨＡＦが好ましい。ＨＡＦは半導電性ゴム組成物中に均一に分散できるため、半導電性ゴム層にできるだけ均一な電子導電性を付与できる。
導電性カーボンブラックの配合割合は、ゴム分の総量１００質量部あたり１質量部以上、特に３質量部以上であるのが好ましく、８質量部以下、特に６質量部以下であるのが好ましい。
【００７５】
スコーチ防止剤としては、例えばＮ−シクロへキシルチオフタルイミド、無水フタル酸、Ｎ−ニトロソジフエニルアミン、２，４−ジフエニル−４−メチル−１−ペンテン等の１種または２種以上が挙げられる。特にＮ−シクロへキシルチオフタルイミドが好ましい。
スコーチ防止剤の配合割合は、ゴム分の総量１００質量部あたり０．１質量部以上であるのが好ましく、５質量部以下、特に１質量部以下であるのが好ましい。
【００７６】
共架橋剤とは、それ自体が架橋するとともにゴム分とも架橋反応して全体を高分子化する働きを有する成分を指す。
共架橋剤としては、例えばメタクリル酸エステルや、あるいはメタクリル酸またはアクリル酸の金属塩等に代表されるエチレン性不飽和単量体、１，２−ポリブタジエンの官能基を利用した多官能ポリマ類、あるいはジオキシム等の１種または２種以上が挙げられる。
【００７７】
このうちエチレン性不飽和単量体としては、例えば
(a)  アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸などのモノカルボン酸類、
(b)  マレイン酸、フマル酸、イタコン酸などのジカルボン酸類、
(c)  (a)(b)の不飽和カルボン酸類のエステルまたは無水物、
(d)  (a)〜(c)の金属塩、
(e)  １，３−ブタジエン、イソプレン、２−クロル−１，３−ブタジエンなどの脂肪族共役ジエン、
(f)  スチレン、α−メチルスチレン、ビニルトルエン、エチルビニルベンゼン、ジビニルベンゼンなどの芳香族ビニル化合物、
(g)  トリアリルイソシアヌレート、トリアリルシアヌレート、ビニルピリジンなどの、複素環を有するビニル化合物、
(h)  その他、（メタ）アクリロニトリルもしくはα−クロルアクリロニトリルなどのシアン化ビニル化合物、アクロレイン、ホルミルステロール、ビニルメチルケトン、ビニルエチルケトン、ビニルブチルケトン
等の１種または２種以上が挙げられる。
【００７８】
また(c)の不飽和カルボン酸類のエステルとしては、モノカルボン酸類のエステルが好ましい。
モノカルボン酸類のエステルとしては、例えば
メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、ｎ−プロピル（メタ）アクリレート、ｉ−プロピル（メタ）アクリレート、ｎ−ブチル（メタ）アクリレート、ｉ−ブチル（メタ）アクリレート、ｎ−ぺンチル（メタ）アクリレート、ｉ−ぺンチル（メタ）アクリレート、ｎ−へキシル（メタ）アクリレート、シクロへキシル（メタ）アクリレート、２−エチルへキシル（メタ）アクリレート、オクチル（メタ）アクリレート、ｉ−ノニル（メタ）アクリレート、ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキシル（メタ）アクリレート、デシル（メタ）アクリレート、ドデシル（メタ）アクリレート、ヒドロキシメチル（メタ）アクリレート、ヒドロキシエチル（メタ）アクリレートなどの、（メタ）アクリル酸のアルキルエステル；
アミノエチル（メタ）アクリレート、ジメチルアミノエチル（メタ）アクリレート、ブチルアミノエチル（メタ）アクリレートなどの、（メタ）アクリル酸のアミノアルキルエステル；
べンジル（メタ）アクリレート、ベンゾイル（メタ）アクリレート、アリル（メタ）アクリレートなどの、芳香族環を有する（メタ）アクリレート；
グリシジル（メタ）アクリレート、メタグリシジル（メタ）アクリレート、エポキシシクロヘキシル（メタ）アクリレートなどの、エポキシ基を有する（メタ）アクリレート；
Ｎ−メチロール（メタ）アクリルアミド、γ−（メタ）アクリルオキシプロピルトリメトキシシラン、テトラハイドロフルフリルメタクリレートなどの、各種官能基を有する（メタ）アクリレート；
エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、エチレンジメタクリレート（ＥＤＭＡ）、ポリエチレングリコールジメタクリレート、イソブチレンエチレンジメタクリレートなどの多官能（メタ）アクリレート；
等の１種または２種以上が挙げられる。
【００７９】
以上で説明した各成分を含む半導電性ゴム組成物は従来同様に調製できる。まずゴム分を所定の割合で配合して素練りし、次いでイオン塩と、架橋成分以外の各種添加剤とを加えて混練した後、最後に架橋成分を加えて混練することで半導電性ゴム組成物が得られる。混練には、例えばニーダ、バンバリミキサ、押出機等を用いることができる。
【実施例】
【００８０】
〈実施例１〉
（半導電性ゴム組成物の調製）
ゴム分としてＥＣＯ〔ダイソー(株)製のエピクロマー（登録商標）Ｄ、エチレンオキサイド含量：６１モル％〕６０質量部、ＮＢＲ〔ＪＳＲ(株)製のＪＳＲ  Ｎ２５０  ＳＬ、低ニトリルＮＢＲ、アクリロニトリル含量：２０％〕３０質量部、およびＣＲ〔昭和電工(株)製のショウプレン（登録商標）ＷＲＴ〕１０質量部を配合した。ゴム分の総量１００質量部中のＧＥＣＯの配合割合は６０質量部であった。
【００８１】
上記ゴム分合計１００質量部を、９Ｌニーダを用いて素練りしながら、イオン塩としてのカリウム・ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド〔Ｋ−ＴＦＳＩ、三菱マテリアル電子化成(株)製のＥＦ−Ｎ１１２〕１質量部と、下記表１に示す各成分とを加えてさらに混練して半導電性ゴム組成物を調製した。
【００８２】
【表１】
2016004078.tif 000005
【００８３】
表１中の各成分は下記のとおり。なお表中の質量部は、ゴム分の総量１００質量部あたりの質量部である。
粉末硫黄：架橋剤〔鶴見化学工業(株)製〕
チオウレア系架橋剤：エチレンチオウレア〔２−メルカプトイミダゾリン、川口化学工業(株)製のアクセル（登録商標）２２−Ｓ〕
促進剤ＤＭ：ジ−２−ベンゾチアゾリルジスルフィド〔チアゾール系促進剤、大内新興化学工業(株)製のノクセラー（登録商標）ＤＭ〕
促進剤ＴＳ：テトラメチルチウラムモノスルフィド〔チウラム系促進剤、大内新興化学工業(株)製のノクセラーＴＳ〕
促進剤ＤＴ：１，３−ジ−ｏ−トリルグアニジン〔グアニジン系促進剤、大内新興化学工業(株)製のノクセラーＤＴ〕
酸化亜鉛２種：促進助剤〔三井金属鉱業(株)製〕
受酸剤：ハイドロタルサイト類〔協和化学工業(株)製のＤＨＴ−４Ａ（登録商標）−２〕
（半導電性ローラの製造）
調製した半導電性ゴム組成物をφ６０の押出成形機に供給して外径φ１３．０ｍｍ、内径φ５．５ｍｍの筒状に押出成形し、架橋用の仮のシャフトに装着して加硫缶内で１６０℃×３０分間架橋させたて半導電性ゴム層を形成した。
【００８４】
次いで形成した半導電性ゴム層を、外周面に導電性の熱硬化性接着剤（ポリアミド系）を塗布した外径φ６ｍｍのシャフトに装着し直してオーブン中で１５０℃×６０分間加熱して当該シャフトに接着させたのち両端をカットし、広幅研磨機を用いて外径がφ１２．０ｍｍになるまで外周面を乾式研磨した。
次いで上記半導電性ゴム層を、シャフトを中心として２５００ｒｐｍで一方向に回転させるとともに研磨液を継続的に供給しながら、また砥粒の粒度が４０μｍの長尺帯状の耐水研磨ペーパーを長さ方向に送りながら、当該耐水研磨ペーパーをバックアップローラによって後方から支持した状態で、上記半導電性ゴム層の外周面に接触させた。
【００８５】
耐水研磨ペーパーの外周面への切り込み設定は、両者の接触位置から０．３〜１．０ｍｍの間で、乾式研磨による研磨目が消えるところまで切り込んで実施した。また耐水研磨ペーパーの送り速度は１０ｍｍ／分とした。
研磨液としては、蒸留水に研磨剤〔ユシロ化学工業(株)製のユシローケン（登録商標）ＳＣ−５２５〕を１質量％添加したものを用いた。
【００８６】
またバックアップローラとしては、アスカーＡ型硬さが３０°のウレタンローラを使用した。
そして外周面に接触させた耐水研磨ペーパーを、半導電性ゴム層の軸方向に微小往復運動させつつ、当該半導電性ゴム層の軸方向の全幅に亘って相対移動させて、その外周面を湿式オシレーション研磨した。
【００８７】
微小往復運動の幅は６ｍｍ、速度は４０００ｍｍ／秒、耐水研磨ペーパーの半導電性ゴム層の軸方向への送り速度（トラバース速度）は１５０ｍｍ／分とした。
研磨後の外周面をアルコール拭きしたのち、ＵＶ光源から外周面までの距離を５０ｍｍとしてＵＶ処理装置にセットし、３０ｒｐｍで回転させながら紫外線を１５分間照射することで酸化膜を形成して半導電性ローラを製造した。
【００８８】
製造した実施例１の半導電性ローラの、半導電性ゴム層の外周面の顕微鏡写真を図３に示す。
図３より実施例１の半導電性ローラの、半導電性ゴム層の外周面には、当該外周面に沿う面形状が、半導電性ゴム層の回転方向の一方側（図では上側）に頂点を有するとともに、当該頂点より回転方向の後方側（下側）の軸方向両側の縁部が前記回転方向に対して傾斜させて形成されて、当該軸方向の幅が、前記頂点から後方側へ向けて徐々に大きくなる末広がり状とされた、多数の微小な突起が形成されていることが確認された。
【００８９】
〈比較例１〉
半導電性ゴム層の外周面を乾式研磨したのち、湿式オシレーション研磨をせずに酸化膜を形成したこと以外は実施例１と同様にして半導電性ローラを製造した。
〈比較例２〉
半導電性ゴム層の外周面を乾式研磨し、次いで耐水研磨ペーパーを半導電性ゴム層の軸方向に微小往復運動させない通常の湿式トラバース研磨をしたのち酸化膜を形成したこと以外は実施例１と同様にして半導電性ローラを製造した。
【００９０】
製造した比較例２の半導電性ローラの、半導電性ゴム層の外周面の顕微鏡写真を図４に示す。
図４より比較例２の半導電性ローラの、半導電性ゴム層の外周面には、実施例１のような面形状を有する突起は形成されておらず、外周面の周方向に沿ってスジ状に研磨目が発生していることが確認された。
【００９１】
〈実施例２、３、比較例３、４〉
耐水研磨ペーパーとして、砥粒の粒度が５０μｍ（比較例３）、３０μｍ（実施例２）、２０μｍ（実施例３）、および１５μｍ（比較例４）であるものを用いたこと以外は実施例１と同様にして半導電性ローラを製造した。
それぞれの半導電性ローラの、半導電性ゴム層の外周面を顕微鏡で観察したところ、いずれも図３に示す実施例１のものと同様の面形状を有する多数の突起が形成されていることが確認された。
【００９２】
〈十点平均粗さ測定〉
実施例、比較例で製造した半導電性ローラの、外周面の軸方向および周方向の十点平均粗さＲｚ１、Ｒｚ２を、(株)東京精密製のサーフコム（登録商標）１３０Ａを使用して、日本工業規格ＪＩＳ  Ｂ０６０１−１９９４に準拠して測定した。
〈実機試験〉
実施例、比較例で製造した半導電性ローラを、感光体と、当該感光体の表面に常時接触させて配設された帯電ローラとを備えカラーレーザープリンタ〔(株)沖データ製のＣ５９００ｄｎ〕に着脱自在とされたイメージドラム〔同社製のＩＤ−Ｃ４ＤＣ〕の、純正の帯電ローラに代えて帯電ローラとして組み込んだ。
【００９３】
そして組み立てたイメージドラムを、直後に上記カラーレーザープリンタに装填し、直ちにハーフトーン画像、ベタ画像を印刷して、初期画像として評価した。
評価は、何らかの画像不良が見られたものを「×」、見られなかったものを「○」とした。
また装填して２０００枚／日の通紙を７日間実施した後にハーフトーン画像、ベタ画像を各５枚ずつ連続印刷して、通紙後画像として評価した。
【００９４】
評価は、連続印刷の間に何らかの画像不良が見られたものを「×」、見られなかったものを「○」とした。
なお初期画像に不良が見られたものは、通紙後画像の評価はしなかった。
また実施例１〜３、比較例３、４の半導電性ローラについては外周面の突起の頂点を、帯電ローラの回転方向の前方側に向けて組み込んだ状態（順方向）と、上記頂点を帯電ローラの回転方向の後方側に向けて組み込んだ状態（逆方向）の２つの状態についてそれぞれ実機試験を実施した。
【００９５】
以上の結果を表２、表３に示す。
【００９６】
【表２】
2016004078.tif 000006
【００９７】
【表３】
2016004078.tif 000007
【００９８】
表３の比較例１の結果より、半導電性ゴム層の外周面を乾式研磨のみで仕上げた場合には、通紙後に外添剤等の堆積による画像不良を生じることが判った。
また比較例２の結果より、乾式研磨後にオシレーションを伴わない通常の湿式トラバース研磨をして仕上げた場合には、外周面の軸方向、および周方向の十点平均粗さが大きすぎるため感光体の表面を均一に帯電させることができず、画像形成初期に画像不良を生じることが判った。
【００９９】
これに対し表２、表３の実施例１〜３の結果より、半導電性ゴム組成物の外周面を乾式研磨後に湿式オシレーション研磨をして仕上げることにより、前述した特定の面形状を有する多数の突起を形成すると初期画像、および通紙後画像のいずれも画像不良のない良好な画像を形成できることが判った。ただしかかる効果を得るためには、上記突起の頂点を、帯電ローラの回転方向の前方側（順方向）に向けて組み込む必要があることが判った。
【０１００】
また表２、表３の実施例１〜３、比較例３、４の結果より、半導電性ゴム層の外周面に、上記の効果が得られる適度な突出高さを有する凸部を形成するためには、湿式オシレーション研磨に使用する耐水研磨ペーパーの、砥粒の粒度が２０μｍ以上、４０μｍ以下である必要があることが判った。
【符号の説明】
【０１０１】
１     半導電性ローラ
２     半導電性ゴム層
３     通孔
４     シャフト
５     外周面
６     突起
７     頂点
８     縁部
９     酸化膜
１０   耐水研磨ペーパー
Ｆ     前方
Ｒ     後方
ｗ     幅
【図１】
2016004078.tif 000008
【図２】
2016004078.tif 000009
【図３】
2016004078.tif 000010
【図４】
2016004078.tif 000011