(57)【要約】【課題】貫通孔を有する絶縁層の上下面に設けた配線導体に凹みの発生がない配線基板の製造方法を提供すること。【解決手段】絶縁層１に貫通孔２を設ける第１の工程と、貫通孔２内およびその周囲の絶縁層１上下面に、貫通孔２を充填する第１のめっき導体３を形成する第２の工程と、第１のめっき導体３をエッチングして上下面の第１のめっき導体３を除去するとともに、貫通孔２の上下方向の中央部を充填するように第１のめっき導体３を残す第３の工程と、貫通孔２内の第１のめっき導体３よりも外側の部分を充填するとともに絶縁層１の上下面で配線導体７を形成する第２のめっき導体６をセミアディティブ法により形成する第４工程とを行なう配線基板の製造方法であって、第３の工程において、第１のめっき導体３の一部が貫通孔２の径方向の中央部において絶縁層１の上下面から突出する突出部３ａを有して残るようにエッチングする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
上下面を有する絶縁層に前記上下面間を貫通する貫通孔を設ける第１の工程と、少なくとも前記貫通孔内およびその周囲の前記上下面に前記貫通孔を充填する第１のめっき導体を形成する第２の工程と、前記第１のめっき導体をエッチングして前記上下面の前記第１のめっき導体を除去するとともに、少なくとも前記貫通孔の上下方向の中央部を充填するように前記第１のめっき導体を残す第３の工程と、前記貫通孔内の前記第１のめっき導体よりも外側の部分を充填するとともに前記上下面で配線導体を形成する第２のめっき導体をセミアディティブ法により形成する第４工程とを行なう配線基板の製造方法であって、前記第３の工程において、前記第１のめっき導体の一部が前記貫通孔の径方向の中央部において前記上下面から突出する突出部を有して残るようにエッチングすることを特徴とする配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、薄型の配線基板として、薄い絶縁層に例えばテーパ状の複数の貫通孔を設け、これらの貫通孔内をめっき導体で充填するとともに絶縁層の上下面にめっき導体から成る配線導体を形成した配線基板が知られている。
【０００３】
このような配線基板において、絶縁層の上下面に高密度配線を形成する従来の配線基板の製造方法を図２（ａ）〜（ｅ）を基にして説明する。まず、図２（ａ）に示すように、絶縁層１１に貫通孔１２を形成する。次に図２（ｂ）に示すように、貫通孔１２内および絶縁層１１の上下面に第１のめっき導体１３を析出させる。これにより、貫通孔１２の内部を第１のめっき導体１３で完全に充填するとともに、絶縁層１１の上下面に第１のめっき導体１３を被着する。次に、図２（ｃ）に示すように、第１のめっき導体１３をエッチングする。これにより、絶縁層１１上下面の第１のめっき導体１３を除去するとともに、貫通孔１２の中央部を充填するようにして第１のめっき導体１３を残す。このとき、貫通孔１２内に残った第１のめっき導体１３は、その上下端が絶縁層１１の上下面から凹んだ状態となる。次に、図２（ｄ）に示すように、絶縁層１１の上下面にめっきレジスト１４を形成するとともに、めっきレジスト１４から露出する絶縁層１１の表面および第１のめっき導体１３の表面に第２のめっき導体１５を析出させる。これにより貫通孔１２内が完全に充填されるとともに、絶縁層１１の上下面に配線導体１６のパターンが形成される。最後に図２（ｅ）に示すように、めっきレジスト１４を除去することにより、貫通孔１２内部が第１のめっき導体１３および第２のめっき導体１５で充填されているとともに絶縁層１１の上下面に第２のめっき導体１５から成る配線導体１６を有する配線基板が完成する。
【０００４】
しかしながら、この従来の配線基板の製造方法によると、めっきレジスト１４のから露出する絶縁層１１の表面および第１のめっき導体１３の表面に第２のめっき導体１５を析出させる際、貫通孔１２の直上、直下の第２のめっき導体１５に凹みＤが発生することがあった。このような凹みＤは、第１のめっき導体１３をエッチングした際に、貫通孔１２内に残った第１のめっき導体１３の上下端が絶縁層１１の上下面から大きく凹みすぎることに起因する。このような凹みＤが発生した場合、例えばこの凹みＤ上に電子部品を搭載しようとすると、電子部品と配線導体１６とを良好に接続できなくなる。あるいは、配線基板上にさらにビルドアップ絶縁層およびビルドアップ配線導体を形成して多層化しようとする場合に、この凹みＤにより配線導体１６とビルドアップ配線導体とを良好に接続することができなくなる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１２−４４０８１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、貫通孔を有する絶縁層の上下面に設けた配線導体に凹みが発生することがなく、電子部品や他のビルドアップ配線導体との接続が良好な配線基板の製造方法を提供することを課題とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の配線基板の製造方法は、上下面を有する絶縁層に前記上下面間を貫通する貫通孔を設ける第１の工程と、少なくとも前記貫通孔内およびその周囲の前記上下面に前記貫通孔を充填する第１のめっき導体を形成する第２の工程と、前記第１のめっき導体をエッチングして前記上下面の前記第１のめっき導体を除去するとともに、少なくとも前記貫通孔の上下方向の中央部を充填するように前記第１のめっき導体を残す第３の工程と、前記貫通孔内の前記第１のめっき導体よりも外側の部分を充填するとともに前記上下面において配線導体を形成する第２のめっき導体をセミアディティブ法により形成する第４工程とを行なう配線基板の製造方法であって、前記第３の工程において、前記第１のめっき導体の一部が前記貫通孔の径方向の中央部において前記上下面から突出する突出部を有して残るようにエッチングすることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の配線基板の製造方法によれば、第１のめっき導体が貫通孔内の上下方向の中央部を充填するとともに径方向の中央部において絶縁層の上下面から突出する突出部を有して残るように第１のめっき導体をエッチングした後、貫通孔内の第１のめっき導体よりも外側の部分を充填するとともに絶縁層の上下面で配線導体を形成する第２のめっき導体をセミアディティブ法により形成することから、絶縁層の上下面から突出する突出部の表面に第２のめっき導体が析出することで、貫通孔の上下端部が第２のめっき導体により良好に充填されるとともに、貫通孔の直上および直下に凹みのない配線導体を形成することができる。したがって、この配線基板上に電子部品を搭載する場合であれば、電子部品と配線導体とを良好に接続することが可能な配線基板を提供することができる。また、この配線基板上にさらにビルドアップ絶縁層およびビルドアップ配線導体を形成して多層化する場合であれば、配線導体とビルドアップ配線導体とを良好に接続することが可能な配線基板を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】図１（ａ）〜（ｉ）は、本発明の配線基板の製造方法における実施形態の一例を説明するための工程毎の要部概略断面図である。
【図２】図２（ａ）〜（ｅ）は、従来の配線基板の製造方法を説明するための工程毎の要部概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
次に、本発明の配線基板の製造方法における実施形態の一例を添付の図１（ａ）〜（ｉ）を基に説明する。なお、図１（ａ）〜（ｉ）は、配線基板となる領域の一部のみを示している。
【００１１】
まず、図１（ａ）に示すように、上面および下面を有する絶縁層１の上面から下面にかけて貫通孔２を形成する。絶縁層１は、例えばガラスクロスにエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させた電気絶縁材料から成る。絶縁層１の厚みは１５０〜２５０μｍ程度である。このような絶縁層１は、ガラスクロスにエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させて半硬化させたプリプレグの両面に厚みが２〜１８μｍ程度の金属箔を被着させたものを熱硬化させた後、両面の金属箔をエッチング除去することにより得られる。このとき、金属箔の絶縁層１側の面に微細な凹凸を設けておくと、絶縁層１の露出面にも微細な凹凸を形成することができ、それにより絶縁層１の上下面にめっき導体を極めて強固に被着させることができる。
【００１２】
貫通孔２は、レーザ加工により形成される。レーザ加工では、貫通孔２におけるレーザの入射側の開口径が出射側の開口径よりも大きくなる。貫通孔２の開口径は、レーザの入射側で８０〜１００μｍ程度、出射側で３０〜６０μｍ程度である。したがって、貫通孔２はテーパ形状となる。貫通孔２がこのようにテーパ形状であると、貫通孔２の内部をめっき導体で良好に充填することが容易となる。なお、貫通孔２を形成した後には、デスミア処理をすることが好ましい。
【００１３】
次に、絶縁層１の上下面および貫通孔２内壁に厚みが０．１〜１μｍ程度の薄い無電解めっき層（不図示）を被着させた後、図１（ｂ）に示すように、貫通孔２内および絶縁層１の上下面に電解めっき法により第１のめっき導体３を析出させる。これにより、貫通孔２の内部を第１のめっき導体３で完全に充填するとともに、絶縁層１の上下面に厚みが４０μｍ程度の第１のめっき導体３が被着される。なお、第１のめっき導体３としては、電解銅めっきが好適に用いられる。
【００１４】
次に、図１（ｃ）に示すように、第１のめっき導体３をエッチングしてその厚みを薄くする。薄くなった第１のめっき導体３の厚みは、絶縁層１上下面において５〜２０μｍ程度とする。
【００１５】
次に、図１（ｄ）に示すように、厚みが薄くなった第１のめっき導体３における貫通孔２の直上直下の表面にエッチングレジスト４を形成する。エッチングレジスト４は、貫通孔２よりも直径が０〜４０μｍ程度小さな円形のパターンで構成する。貫通孔２の開口とエッチングレジスト４のパターンとは、その中心同士が互いに１０μｍ以下ずれていてもよい。
【００１６】
次に、図１（ｅ）に示すように、エッチングレジスト４から露出する第１のめっき導体３をエッチングして絶縁層１上下面の第１のめっき導体３を除去する。このとき、第１のめっき導体３が貫通孔２の上下方向の中央部を充填するとともに、その一部が貫通孔２の径方向の中央部において絶縁層１の上下面から突出する突出部３ａを有して残るようにエッチングする。なお、第１のめっき導体３における突起部３ａの周囲は、絶縁層１の上下面から５〜４０μｍ程度凹んだ状態となる。
【００１７】
次に、図１（ｆ）に示すように、エッチングレジスト４を除去した後、その表面に、厚みが０．１〜１μｍ程度の薄い無電解めっき層（不図示）を被着させる。この無電解めっき層は後述する第２のめっき導体６の下地金属として機能し、例えば、無電解銅めっき層が好適に用いられる。
【００１８】
次に、図１（ｇ）に示すように、絶縁層１の上下面に配線導体のパターンに対応する開口パターンを有するめっきレジスト５を形成する。
【００１９】
次に、図１（ｈ）に示すように、めっきレジスト５から露出する絶縁層１および第１のめっき導体３の表面に、電解めっき法により第２のめっき導体６を析出させる。この第２のめっき導体６は、貫通孔２の第１のめっき導体３よりも外側の部分を充填するとともに絶縁層１の上下面で１０〜２０μｍ程度の厚みとなるように形成する。この場合、貫通孔２の厚み方向の中央部は既に第１のめっき導体３により充填されているので、第２のめっき導体６は、貫通孔２の上下端部のみを充填する厚みに被着させればよいので、絶縁層１の上下面に厚みが１０〜２０μｍの薄い第２のめっき導体６を形成することができる。さらに、第１のめっき導体３は、その径方向の中央部に絶縁層１の上下面から突出する突出部３ａを有していることから、この突出部３ａの表面に第２のめっき導体６が析出することで、貫通孔２の上下端部が第２のめっき導体６により良好に充填されるとともに、貫通孔２の直上および直下に凹みのない配線導体７を形成することができる。なお、第２のめっき導体６としては、電解銅めっきが好適に用いられる。
【００２０】
最後に、図１（ｉ）に示すように、絶縁層１の上下面からめっきレジスト５を除去するとともに第２のめっき導体６から露出する無電解めっき層（不図示）をエッチング除去する。これによって、貫通孔２内が第１のめっき導体３および第２のめっき導体６で充填されているとともに絶縁層１の上下面に第２のめっき導体６から成る配線導体７が形成された配線基板が完成する。この場合、上述したように、この第２のめっき導体６から成る配線導体７の形成方法は、セミアディティブ法と呼ばれるものであり、下地金属である無電解めっき層の上に、配線導体７に対応したパターンの第２のめっき導体６を選択的に析出させた後、第２のめっき導体６から露出する下地の無電解めっき層をエッチング除去することにより配線導体７を形成するので、配線導体７を形成する第２のめっき導体６が大きくエッチングされることがない。したがって、セミアディティブ法によれば、微細な幅および間隔の配線導体７であっても形成可能である。
【００２１】
また、上述したように、貫通孔２の直上および直下に凹みのない配線導体７を形成することができる。したがって、本発明の配線基板の製造方法によれば、この配線基板上に電子部品を搭載する場合であれば、電子部品と配線導体７とを良好に接続することが可能な配線基板を提供することができる。また、この配線基板上にさらにビルドアップ絶縁層およびビルドアップ配線導体を形成して多層化する場合であれば、配線導体７とビルドアップ配線導体とを良好に接続することが可能な配線基板を提供することができる。
【符号の説明】
【００２２】
１    絶縁層
２    貫通孔
３    第１のめっき導体
３ａ  突出部
６    第２のめっき導体
７    配線導体
【図１】
2016181573.tif 000003
【図２】
2016181573.tif 000004