(57)【要約】【課題】小径ビアホールが簡便に形成され、小径ビアホールのデスミア処理時における絶縁層表面の粗化を防ぎ、電気特性、微細配線形成に優れた絶縁樹脂表面を持つ多層プリント配線板の製造方法を提供する。【解決手段】多層プリント配線板の製造方法は、配線層と、前記配線層が設けられた回路配線面に積層形成された絶縁層とを含む配線基板の当該絶縁層上に、剥離層を除去可能に積層形成する工程と、剥離層上の所定箇所に、レーザをレーザビームスポットの軌跡の一部が重なるようにずらしながら照射して、剥離層及び絶縁層を貫いて配線層の一部が露出した開口部を形成する工程と、開口部に残る残渣をエッチングにより除去する工程と、配線基板上の剥離層を除去し、絶縁層に形成された開口部である小径ビアホールを形成する工程と、絶縁層の表面を粗化する工程と、小径ビアホール及び、絶縁層の表面に導電材料を密着させる工程とを含む。【選択図】図１
2016021483.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線層と、前記配線層が設けられた回路配線面に積層形成された絶縁層とを含む配線基板の当該絶縁層上に、剥離層を除去可能に積層形成する工程と、
前記剥離層上の所定箇所に、レーザをレーザビームスポットの軌跡の一部が重なるようにずらしながら照射して、前記剥離層及び前記絶縁層を貫いて前記配線層の一部が露出した開口部を形成する工程と、
前記開口部に残る残渣をエッチングにより除去する工程と、
前記配線基板上の前記剥離層を除去し、前記絶縁層に形成された前記開口部である小径ビアホールを形成する工程と、
前記絶縁層の表面を粗化する工程と、
前記小径ビアホール及び、前記絶縁層の表面に導電材料を密着させる工程とを含む、多層プリント配線板の製造方法。
【請求項２】
前記絶縁層の厚みは、５μｍ以上４０μｍ以下である、請求項１に記載の多層プリント配線板の製造方法。
【請求項３】
前記剥離層の厚みは、５μｍ以上４０μｍ以下である、請求項１または２に記載の多層プリント配線板の製造方法。
【請求項４】
前記配線層の配線パターンは、レーザ加工機により形成され、
前記レーザは、前記レーザ加工機により照射する、請求項１〜３のいずれかに記載の多層プリント配線板の製造方法。
【請求項５】
前記レーザビームスポットの直径は、１０μｍ以上１００μｍ以下である、請求項１〜４のいずれかに記載の多層プリント配線板の製造方法。
【請求項６】
前記開口部を形成する工程において、前記レーザを、レーザビームスポットの直径の１０分の１以上２分の１以下の直径で描かれる円形領域を、レーザビームスポットの照射範囲に含めながら位置をずらして照射する、請求項１〜５のいずれかに記載の多層プリント配線板の製造方法。
【請求項７】
前記小径ビアホールの直径は１μｍ以上５０μｍ以下である、請求項１〜６のいずれかに記載の多層プリント配線板の製造方法。
【請求項８】
前記開口部に残る残渣を除去する工程において、ドライエッチング処理を用いる、請求項１〜７のいずれかに記載の多層プリント配線板の製造方法。
【請求項９】
前記絶縁層の表面を粗化する工程において、ウエットエッチング処理を用いる、請求項１〜８のいずれかに記載の多層プリント配線板の製造方法。
【請求項１０】
配線パターンが形成された配線層と、前記配線層に積層形成された絶縁層と、前記絶縁層に形成された開口部である小径ビアホールとを含む多層プリント配線板であって、
前記絶縁層の厚みは、５μｍ以上４０μｍ以下であり、
前記絶縁層の表面粗さは、算術平均粗さ４００ｎｍ以上５００ｎｍ以下であり、
前記小径ビアホールの直径は、１μｍ以上５０μｍ以下である、多層プリント配線板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ビルドアップ基板などの多層プリント配線基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の半導体素子は、更なる高集積化、高密度化の傾向にあり、それに伴い、半導体素子に設けられる入出力用のピンについては、更なる多ピン化、ファインピッチ化の傾向にある。例えば、半導体素子を搭載するための多層プリント配線板ないし多層配線基板については、このようなピンの多ピン化およびファインピッチ化に対応すべく、かつ、半導体素子の電気的特性の向上を図るべく、配線の更なる高密度化、微細化および多層化が強く求められている。
【０００３】
半導体素子を搭載するための多層プリント配線板ないし多層配線基板の積層構造は、主として、パターン化された複数の配線層と、各配線層を電気的に隔絶するための複数の絶縁層と、所定の配線層を電気的に接続するための絶縁層を貫通する複数のビアとによって構成されている。
【０００４】
これらのビアは、近年における高密度実装化に応じるため、小径であることが求められる。このようなことから、紫外線レーザ（例えば、ＵＶ−ＹＡＧレーザ）、炭酸ガスレーザなどを照射してビアホールを形成する方法（特許文献１）、または紫外線吸収剤を含有する硬化性組成物からなる絶縁層を形成するなどレーザ加工しやすい材料を設ける方法（特許文献２）が小径ビア形成可能な方法として提案されている。
【０００５】
レーザ照射により絶縁層に対してビアホールを形成する際、蒸発・飛散するに至らなかった炭化あるいは溶解した樹脂が残渣としてビアホールの底部に残留する。そのため、この状態でビアホールにビアを形成すると、ビアと配線層との間に残渣が介在することになり、残渣が接続不良や低信頼性の原因となる。一方、蒸発・飛散した樹脂は、その少なくとも一部がビアホール周辺の絶縁膜上に堆積する。そのため、この状態で絶縁層上に配線層を形成すると、配線層と絶縁層との間の密着力不足の原因となる。そこで、残渣を除去するために、一般的にデスミア処理が施されるが、デスミア処理は、残渣の除去とともに、絶縁層表面を粗化（凹凸を形成）してしまう問題がある。そこで、絶縁層表面の粗化を防ぐ技術として、ビアホール形成時に生じる残渣を除去するためのデスミア処理を行う前に、絶縁層上に保護層として無電解めっき層を形成する技術が公知となっている（例えば、特許文献３を参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平１１−３４２４８５号公報
【特許文献２】特開２００２−１１１２２９号公報
【特許文献３】特開２００４−２３５２０２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特許文献１、２において直径５０μｍ以下の小径ビアを形成しようとすると、ビーム径をより絞れるものにレーザ加工機を改良するか、加工対象物である絶縁層を薄くする必要がある。レーザ加工機のビーム径を改良するには光学部品であるレンズ、ミラーを変更するなど、多額の投資が必要となる問題がある。また、絶縁層を薄くすると層間の絶縁確保が難しくなる問題があった。特許文献３において開示されている技術は比較的膜厚が薄い無電解めっき層を保護層とするものであり、レーザによるビアホール形成性に優れたビア製造方法を提供することを目的とするものであるが、保護層を除去するために酸によるエッチングなどの処理が必要となり、工程が煩雑になる問題があった。
【０００８】
本発明は、このような事情のもとで考え出されたものであって、穴径５０μｍ以下の小径ビアホールが簡便に作製可能であり、小径ビアホールのデスミア処理時における絶縁層表面の粗化を防ぎ、電気特性、微細配線形成に優れた絶縁樹脂表面を持つ多層プリント配線板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するための本発明の一局面は、配線層と、配線層が設けられた回路配線面に積層形成された絶縁層とを含む配線基板の当該絶縁層上に、剥離層を除去可能に積層形成する工程と、剥離層上の所定箇所に、レーザをレーザビームスポットの軌跡の一部が重なるようにずらしながら照射して、剥離層及び絶縁層を貫いて配線層の一部が露出した開口部を形成する工程と、開口部に残る残渣をエッチングにより除去する工程と、配線基板上の剥離層を除去し、絶縁層に形成された開口部である小径ビアホールを露出させる工程と、絶縁層の表面を粗化する工程と、小径ビアホール及び、絶縁層の表面に導電材料を密着させる工程とを含む、多層プリント配線板の製造方法である。
【００１０】
また、絶縁層の厚みは、５μｍ以上４０μｍ以下であってもよい。
【００１１】
また、剥離層の厚みは、５μｍ以上４０μｍ以下であってもよい。
【００１２】
また、配線層は、レーザ加工機により形成され、上述のレーザは、このレーザ加工機により照射してもよい。
【００１３】
また、レーザビームスポットの直径は、１０μｍ以上１００μｍ以下であってもよい。
【００１４】
また、開口部を形成する工程において、レーザを、レーザビームスポットの直径の１０分の１以上２分の１以下の直径で描かれる円形領域を、レーザビームスポットの照射範囲に含めながら、位置をずらして照射してもよい。
【００１５】
また、小径ビアホールの直径は１μｍ以上５０μｍ以下であってもよい。
【００１６】
また、開口部に残る残渣を除去する工程において、ドライエッチング処理を用いてもよい。
【００１７】
また、絶縁層の表面を粗化する工程において、ウエットエッチング処理を用いてもよい。
【００１８】
本発明の他の局面は、配線パターンが形成された配線層と、配線層に積層形成された絶縁層と、絶縁層に形成された開口部である小径ビアホールとを含む多層プリント配線板であって、絶縁層の厚みは、５μｍ以上４０μｍ以下であり、絶縁層の表面粗さは、算術平均粗さ４００ｎｍ以上５００ｎｍ以下であり、小径ビアホールの直径は、１μｍ以上５０μｍ以下である。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によると、穴径５０μｍ以下の小径ビアホールが簡便に作製可能であり、小径ビアホールのデスミア処理時における絶縁層表面の粗化を防ぎ、電気特性、微細配線形成に優れた絶縁樹脂表面を持つ多層プリント配線板の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明に係る多層プリント配線板の製造方法の一実施形態における一連の工程を表す要部断面図
【図２】本発明に係る多層プリント配線板の製造方法の一実施形態を表す上面図
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、本発明の好ましい実施の形態について、図面を参照しつつ具体的に説明する。
【００２２】
図１は、本実施形態に係る製造方法における各工程を説明する図である。まず、図１の（ａ）に示すように、プリント配線基材３と、配線パターン化された配線層４と、配線層４を覆う絶縁層２とを含む配線基板１上に剥離層５を積層形成する。なお、図中において、配線パターンの形成された様子は発明の特徴ではないので示していない。また、本実施形態では、配線基板１の片側のみにビアを形成する方法について説明する。
【００２３】
絶縁層２は、フィルム状の絶縁材料を貼り付けることにより形成してもよいし、液状の絶縁材料をスピンコート法などで塗布した後、加熱硬化させることにより形成してもよい。絶縁層２を構成する絶縁材料としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイソシアネート樹脂、ポリエステル樹脂、ポリフェニルエーテル樹脂などが挙げられる。絶縁層２の厚みは、５μｍ以上４０μｍ以下であるのが好ましい。絶縁層２の厚みが５μｍ未満では配線間の絶縁を確保することが困難となる可能性がある。また、絶縁層２の厚みが４０μｍを超えると、レーザ照射により絶縁層２に作製される小径ビアホール９の形成が困難となるためである。
【００２４】
剥離層５の材料は、炭酸ナトリウム水溶液等で容易に溶解するものであるプリント配線板の回路形成に用いられる感光性樹脂、ポリエチレンテレフタレートフィルム（ＰＥＴフィルム）、ポリエステルフィルムなどが挙げられる。剥離層５は、ＰＥＴフィルム、ポリエステルフィルムなどをラミネートすることにより形成してもよいし、フィルム状の感光材料をラミネートすることにより形成してもよい。また液状の感光材料をスピンコート法などで塗布した後、加熱硬化させることにより形成してもよい。剥離層５はアルカリ溶解性のポリマーおよび光重合性モノマーで構成され、弱アルカリ水溶液で容易に溶解・除去されるものであることが好ましい。また、剥離層５の材料はプリント配線板の回路形成で用いられるものを用いてもよく、例えば、酸発生剤とノボラック樹脂やポリヒドロキシスチレンなどのアルカリ可溶性樹脂とメラミン樹脂や尿素樹脂などのアミノ樹脂との組合せを含む化学増幅型のネガ型レジスト組成物などがある。剥離層５の厚みは、５μｍ以上４０μｍ以下であるのが好ましい。剥離層５の厚みが５μｍ未満ではレーザ照射、プラズマによるドライエッチングから絶縁層５を保護することが困難となる可能性がある。また、剥離層５の厚みが４０μｍを超えると、レーザ照射による絶縁層２への開口部６の形成が困難となるためである。
【００２５】
一般的に、配線基板における配線層を形成する際、無電解めっき層上にドライフィルムレジストのパターンが形成される。そのため、剥離層５をドライフィルムレジストにすれば、配線層４形成時においてドライフィルムレジスト層を形成する際に使用される装置や薬液などを本発明の剥離層の形成に流用することができ、経済的である。
【００２６】
次に、図１の（ｂ）に示すように、剥離層５および絶縁層２における所定のビア形成箇所にレーザＬ１を照射することにより剥離層５および絶縁層２に開口部６を形成する。このとき、レーザＬ１を、レーザ照射軌跡Ｌ２のように小径ビアホール９形成箇所を中心にして円を描くように照射する。図２に、レーザビームスポットＬ３とその中心点の軌跡Ｌ４を示す。レーザＬ１は、図２のように小型ビアホール９形成箇所を中心にしてレーザビームスポットＬ３の中心点の軌跡Ｌ４が円を描くように照射位置を移動させながら照射される。好ましくはレーザビームスポットＬ３の直径は、１０μｍ以上１００μｍ以下である。レーザビームスポットＬ３の直径が１０μｍ未満では一般的なプリント配線板形成用のレーザ加工機で照射することが困難となる可能性がある。また、レーザビームスポットＬ３の直径が１００μｍを超えると、小径ビアホール９を形成することが困難となる。好ましくは、レーザＬ１は、レーザビームスポットＬ３の直径の１０分の１以上２分の１以下の直径で描かれる円形領域（小径ビアホール９形成箇所に相当）が、レーザビームスポットＬ３の照射範囲に含まれるように、照射位置を移動しながら照射する。このようにレーザビームＬ１を照射することでレーザビームスポットＬ３の直径の１０分の１以上２分の１以下の直径の開口部６を絶縁層２に形成することが可能となる。重なる領域が、レーザビームスポットＬ３の直径の１０分の１未満では絶縁層２に開口部６を形成する加工が困難となる可能性がある。また、重なる領域が、レーザビームスポットＬ３の直径の２分の１以上となると、小径ビアホール９を形成することが困難となる。またレーザビームスポットＬ３の照射軌跡が重なることで形成される小径ビアホール９の直径は、１μｍ以上５０μｍ以下となるようにする。１μｍ未満であれば、多層プリント配線板のビアとしての機能を満たさない可能性がある。また小径ビアホール９の径が５０μｍを超えると、一般的なプリント配線板のビア径の大きさになるため、本発明に係る製造方法を用いる理由がなくなる。好ましくはレーザビームＬ１を発生するレーザ装置としては、炭酸ガスレーザやＵＶ−ＹＡＧレーザ、エキシマレーザなどが挙げられるが、中でも微細加工性や生産性、経済性などの観点からＵＶ−ＹＡＧレーザが望ましい。
【００２７】
このような構成にすると、レーザビームスポットＬ３の照射軌跡が多数重なった円形領域のみ、剥離層５および絶縁層２が加工され、配線層４に達するまで除去される。それ以外の箇所は剥離層５により絶縁層２の除去加工を防ぐことが可能となる。したがって、小径ビアホール９を形成したい剥離層５および絶縁層２上にレーザビームスポットＬ３の照射軌跡が重なるようにレーザ照射を行えば、レーザビームスポットＬ３の照射軌跡を重ねた箇所のみ剥離層５および絶縁層２が除去され、小径ビアホール９が形成可能となる。
【００２８】
また、配線層４をレーザ加工機により形成する場合には、レーザＬ１は、配線層４の形成に用いるレーザ加工機により照射してもよい。配線層４の形成に用いるレーザ加工機を小径ビアホール９の形成に流用することができ、経済的である。配線層４形成に用いるレーザ加工機としては、エネルギーの大きい炭酸ガスレーザ、熱影響の少ないＵＶ−ＹＡＧレーザ、エキシマレーザなどが挙げられる。中でも微細加工性や生産性、経済性などの観点からＵＶ−ＹＡＧレーザを用いることが好ましい。
【００２９】
次に、図１の（ｃ）に示したように、ドライエッチング処理８により開口部６に残る樹脂残渣７を除去するデスミア処理を行う。ドライエッチングを用いることで、絶縁層２の表面を剥離層５で保護しながら、小径ビアホール９に残る樹脂残渣７を除去することが可能となる。一般的なデスミア工程で使用するアルカリエッチング溶液による樹脂残渣７の除去は剥離層５を剥離してしまう可能性があり、絶縁層２の表面を必要以上に荒らし、配線層４の伝送特性が悪くなる。エッチングによるデスミア処理としてプラズマエッチングを行なう場合には、主反応ガスとして例えば酸素が用いられ、電極面上に置かれた基板に対してほぼ垂直方向に酸素イオンが衝突する物理効果と、酸素イオンラジカルと有機基板材料中の酸素および水素原子とが結合して炭酸ガスおよび水に変化する化学作用によって樹脂残渣７が除去される。このように剥離層５を絶縁層２上に残したままエッチングすることで、絶縁層２の表面形状を気にすることなく、樹脂残渣７を除去することができ、絶縁層２表面が過剰に荒れることを防ぎ、伝送特性に優れた配線層４の形成が可能となる。
【００３０】
次に、図１の（ｄ）に示したように、剥離層５を除去して、絶縁層２に形成された開口部である小径ビアホール９を露出させる。剥離層５の除去方法は、剥離液に剥離層５の積層された基板１を浸して剥離層５を溶かす、もしくは離型処理が施されたフィルムを引き剥がすことで除去できる。剥離層５を溶かす場合には、１％の炭酸ソーダ水溶液などの弱アルカリ水溶液、有機アミンを主成分とする有機アルカリ溶液で剥離され、除去が行なわれる。剥離層５が除去されると剥離層５に形成された開口部６は除去され、絶縁層２に形成された開口部である小径ビアホール９が現れる。
【００３１】
次に、図１の（ｅ）に示したように、絶縁層２の表面をウエットエッチングにより粗化する。具体的には、まず配線基板１を所定温度（例えば、６０〜９０℃）に昇温したアルカリエッチング液１０中に所定時間（例えば、５〜１５分間）浸漬することにより行う。アルカリエッチング液１０としては、過マンガン酸塩を含む溶液などが挙げられる。この後、アルカリエッチング液１０中から配線基板１を取り出すと、絶縁層２の表面は粗化されている。小径ビアホール９の樹脂残渣７はエッチングにより除去されているため、アルカリエッチング液１０に浸漬する時間を絶縁層２の表面粗化形状により決めることにより、絶縁層２の表面を好適に粗化できる。また、ウエットエッチング処理にすれば、一般的なデスミア工程で使用される装置や薬液などを本実施形態の剥離層５の形成に流用することができ、経済的である。なお、絶縁層２の表面粗さは、後述のアンカー効果を好適に得るため、Ｒａ（算術平均粗さ）で４００ｎｍ以上６００ｎｍ以下が好ましい。
【００３２】
次に、小径ビアホール９及び、絶縁層２の表面に導電材料を密着させる（図示しない）。導電材料は、絶縁層２にセミアディティブ法により形成されることが好ましい。絶縁層２は表面粗化処理が行われているため、小径ビアホール９の壁面と絶縁層２表面に接触形成される導電材料との間には十分なアンカー効果が得られる。
【００３３】
以上のことから、本発明によれば、レーザ加工機のビーム径を特に絞ることなく、またレーザ加工に適した材料を積層することなく容易に小径ビアホールが形成可能となる。さらに絶縁層の表面が平滑であるため、伝送特性に優れた配線層を形成することが可能となる。これにより配線の更なる高密度化や微細化、電気伝導性の向上を図ることができる。
【実施例】
【００３４】
次に、本発明の実施例について説明する。
【００３５】
厚さ０．８ｍｍであってサイズ３４０×５１０ｍｍのＦＲ−４材の両面に厚さ１８μｍの銅箔が貼着されている両面銅張積層板（商品名：ＭＣＬ−Ｅ−６７、日立化成工業株式会社製）の銅表面に、絶縁層としての半硬化状態の熱硬化性エポキシ樹脂フィルム（膜厚：４０μｍ、商品名：ＡＢＦ−ＧＸ１３、味の素株式会社製）を積層した後、大気圧下にて１８０℃で３０分加熱し、絶縁層を硬化させた。
【００３６】
次に絶縁層上にＤＦＲをラミネートすることにより剥離層を形成した。剥離層は感光層の厚さ２５μｍのＤＦＲ（ＲＹ−３５２５、日立化成工業社製）を１０５℃で絶縁樹脂層上にラミネートした。
【００３７】
次に、ＵＶ−ＹＡＧレーザ加工装置を用いて剥離層および絶縁層における所定位置にＵＶ−ＹＡＧレーザ（平均出力１．０Ｗ）を照射した。レーザのビーム直径は１００μｍとし、剥離層上の円形開口部の直径の設計値を１７０μｍ、小径ビアホールの直径の設計値を３０μｍとした。このようにして剥離層上に直径１７０μｍの円形開口部を、円形開口部内に直径３０μｍの配線層が露出した開口を形成した。
【００３８】
次に、プラズマ表面処理装置を用いて、配線層が露出した開口部に残る樹脂残渣を除去した。ガス種にＣＦ４を用い、Ｇｘ１３のアッシング量１．５μｍとなる条件でドライデスミアを行なった。
【００３９】
次に、レーザ加工後の基板を１％の炭酸ソーダ水溶液に２５℃で１分間浸漬処理し、剥離層を剥離し、直径３０μｍのビアホールを形成した。
【００４０】
次に、絶縁樹脂層表面を荒らすウエットエッチング処理を施した。ウエットエッチング処理は、デスミア処理システム（商品名：サーキュポジット２００ＭＬＢ、シプレイ・ファーイースト株式会社製）を用いて行った。具体的には、まず残渣の膨潤処理としてサーキュポジットＭＬＢコンディショナ２１１およびサーキュポジットＺの混合水溶液（水：７０ｖｏｌ％、コンディショナ２１１：２０ｖｏｌ％、サーキュポジットＺ：１０ｖｏｌ％）により７０℃で３分間浸漬処理した。次に、除去処理としてサーキュポジットＭＬＢプロモータ２１３ＡおよびサーキュポジットＭＬＢプロモータ２１３Ｂの混合水溶液（水：７５ｖｏｌ％、プロモータ２１３Ａ：１０ｖｏｌ％、プロモータ２１３Ｂ：１５ｖｏｌ％）により７０℃で７分間浸漬処理した。次に、中和処理としてサーキュポジットＭＬＢニュートラライザ２１６−４（水：８０ｖｏｌ％、ニュートラライザ２１６−４：２０ｖｏｌ％）により４０℃で５分間浸漬処理した。以上のようにして、絶縁樹脂表面に粗面を形成した。
【００４１】
以上のようにして形成されたビアホールの底部において残渣が除去されていること、樹脂残渣除去後も小径ビアホールの状態（直径３５μｍ）を維持していること、絶縁樹脂表面の粗さが適切な範囲（Ｒａで４００ｎｍ以上６００ｎｍ以下）であること（Ｒａ：５００ｎｍ）を確認した。
【００４２】
＜比較例＞
次に、従来の多層プリント配線板の製造方法について説明する。
【００４３】
厚さ０．８ｍｍであってサイズ３４０×５１０ｍｍのＦＲ−４材の両面に厚さ１８μｍの銅箔が貼着されている両面銅張積層板（商品名：ＭＣＬ−Ｅ−６７、日立化成工業株式会社製）の銅表面に、絶縁層としての半硬化状態の熱硬化性エポキシ樹脂フィルム（膜厚：４０μｍ、商品名：ＡＢＦ−ＧＸ１３、味の素株式会社製）を積層した後、大気圧下にて１８０℃で３０分加熱し、絶縁層を硬化させた。
【００４４】
次に、ＵＶ−ＹＡＧレーザ加工装置を用いて絶縁層における所定位置にＵＶ−ＹＡＧレーザ（平均出力１．０Ｗ）を照射した。レーザのビーム直径は４０μｍとし、絶縁層に直径５０μｍの円形開口部を形成した。
【００４５】
次に、ビアホール形成時に生じた残渣を除去するために、また絶縁樹脂表面を荒らして無電解銅めっきの密着を向上させるためにデスミア処理を施した。デスミア処理は、デスミア処理システム（商品名：サーキュポジット２００ＭＬＢ、シプレイ・ファーイースト株式会社製）を用いて行った。具体的には、まず残渣の膨潤処理としてサーキュポジットＭＬＢコンディショナ２１１およびサーキュポジットＺの混合水溶液（水：７０ｖｏｌ％、コンディショナ２１１：２０ｖｏｌ％、サーキュポジットＺ：１０ｖｏｌ％）により７０℃で３分間浸漬処理した。次に、除去処理としてサーキュポジットＭＬＢプロモータ２１３ＡおよびサーキュポジットＭＬＢプロモータ２１３Ｂの混合水溶液（水：７５ｖｏｌ％、プロモータ２１３Ａ：１０ｖｏｌ％、プロモータ２１３Ｂ：１５ｖｏｌ％）により７０℃で７分間浸漬処理した。次に、中和処理としてサーキュポジットＭＬＢニュートラライザ２１６−４（水：８０ｖｏｌ％、ニュートラライザ２１６−４：２０ｖｏｌ％）により４０℃で５分間浸漬処理した。以上のようにして、残渣の除去（デスミア処理）を行った。
【００４６】
以上のようにして形成されたビアホールの底部において残渣が除去されていること、樹脂残渣除去後にビアホールの直径が５５μｍ程度となること、絶縁樹脂表面の粗さが（Ｒａ：７００ｎｍ）であることを確認した。ビアホールの樹脂残渣を除去したときに、直径５０μｍ以下の小径ビアホール、絶縁樹脂ＧＸ１３のメーカー推奨表面粗さ（Ｒａ：５００ｎｍ）を形成することが困難であることがわかった。
【産業上の利用可能性】
【００４７】
本発明によると、レーザ加工機ビーム径よりも小さいビアホールを簡便に形成することができる。また、絶縁樹脂の表面を平滑にできるため、伝送特性に有利な配線層を形成できる。これにより多層プリント配線板の高密度化や微細化、電気特性の向上を図ることができる。
【符号の説明】
【００４８】
１    配線基板
２    絶縁層
３    プリント配線板基材
４    配線層
５    剥離層
６    開口部
７    樹脂残渣
８    ドライエッチング処理
９    小径ビアホール
１０  アルカリエッチング液
Ｌ１    レーザ
Ｌ２    レーザ照射軌跡
Ｌ３    レーザビームスポット
Ｌ４    レーザビームスポットの中心点の軌跡
【図１】
2016021483.tif 000003
【図２】
2016021483.tif 000004