(57)【要約】【課題】放熱性能の向上を図ることが可能なフレックスリジッド配線板１０の提供を目的とする。【解決手段】本発明のフレックスリジッド配線板１０は、可撓性を有するフレックス部１１と、フレックス部１１の側方に位置して、フレックス部１１に接続される非可撓性の主リジッド部１２Ａと、を備えるフレックスリジッド配線板１０であって、可撓性基材１５と、可撓性基材１５の側方に並べて配置される非可撓性基材３０と、可撓性基材１５及び非可撓性基材３０の表裏の両面に積層されて主リジッド部１２Ａを形成すると共に、可撓性基材１５の一部をフレックス部１１として露出させるビルドアップ絶縁層５１Ｆ，５１Ｓと、を有し、非可撓性基材３０の一部が、ビルドアップ絶縁層５１Ｆ，５１Ｓよりも熱伝導率の高い材料からなる放熱基材７５で構成されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
可撓性を有するフレックス部と、
前記フレックス部の側方に位置して、前記フレックス部に接続される非可撓性のリジッド部と、を備えるフレックスリジッド配線板であって、
可撓性基材と、
前記可撓性基材の側方に並べて配置される非可撓性基材と、
前記可撓性基材及び前記非可撓性基材の表裏の両面に積層されて前記リジッド部を形成すると共に、前記可撓性基材の一部を前記フレックス部として露出させる絶縁層と、を有し、
前記非可撓性基材の一部又は全部が、前記絶縁層よりも熱伝導率の高い材料からなる放熱材で構成されている。
【請求項２】
請求項１に記載のフレックスリジッド配線板において、
前記放熱材は、シート状をなして、前記非可撓性基材の厚さ方向の中間部を構成している。
【請求項３】
請求項１又は２に記載のフレックスリジッド配線板において、
前記放熱材の側面が外側に露出している。
【請求項４】
請求項１又は２に記載のフレックスリジッド配線板において、
前記放熱材の端部が前記非可撓性基材から側方に突出している。
【請求項５】
請求項１に記載のフレックスリジッド配線板において、
前記非可撓性基材は、非可撓性を有する中間基材と、前記放熱材とを備え、
前記放熱材は、ブロック状をなして、前記中間基材に形成される開口部に内蔵されている。
【請求項６】
請求項１乃至５のうち何れか１の請求項に記載のフレックスリジッド配線板において、
前記放熱材は、グラファイト等のカーボン材料、又は、銅等の金属材料からなる。
【請求項７】
請求項１乃至６のうち何れか１の請求項に記載のフレックスリジッド配線板において、
前記リジッド部の表裏の一方側の面である第１面に形成される電子部品実装用の第１パッドを有し、
前記放熱材と前記第１パッドとが、前記第１面側の前記絶縁層を貫通する第１ビア導体を介して接続されている。
【請求項８】
請求項７に記載のフレックスリジッド配線板において、
前記絶縁層は、前記リジッド部の前記第１面側に複数形成され、
前記放熱材と前記第１パッドとは、複数の前記第１ビア導体を直線状に重ねてなる第１スタックビアで接続されている。
【請求項９】
請求項７又は８に記載のフレックスリジッド配線板において、
前記リジッド部の表裏の他方側の面である第２面に形成される電子部品実装用の第２パッドを有し、
前記放熱材と前記第２パッドとが、前記第２面側の前記ビルドアップ層を貫通する第２ビア導体を介して接続されている。
【請求項１０】
請求項９の発明に記載のフレックスリジッド配線板において、
前記絶縁層は、前記リジッド部の前記第２面側に複数形成され、
前記放熱材と前記第２パッドとは、複数の前記第２ビア導体を直線状に重ねてなる第２スタックビアで接続されている。
【請求項１１】
請求項９又は１０に記載のフレックスリジッド配線板において、
前記リジッド部を貫通して、前記第１パッドと前記第２パッドとを接続する全層スタックビアを有し、
前記放熱材は、前記非可撓性基材のうち前記全層スタックビアが貫通する部分を避けた位置に配置されている。
【請求項１２】
請求項７乃至１１のうち何れか１の請求項に記載のフレックスリジッド配線板において、
前記リジッド部には、前記フレックス部を挟むように配置される主リジッド部と副リジッド部が設けられると共に、前記第１パッド及び前記第２パッドは、前記主リジッド部に形成されている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、可撓性を有するフレックス部と、フレックス部の側方に位置してフレックス部に接続される非可撓性のリジッド部と、を備えるフレックスリジッド配線板に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、この種のフレックスリジッド配線板として、可撓性基材の一部に非可撓性のビルドアップ絶縁層が積層されて、可撓性基材が露出する部分によりフレックス部が形成されると共に、ビルドアップ絶縁層が積層されている部分によりリジッド部が形成されるものが知られている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１２−１３４４９０号公報（［００１５］、図９）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上述した従来のフレックスリジッド配線板では、放熱性能が低いという問題が考えられる。
【０００５】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、放熱性能の向上を図ることが可能なフレックスリジッド配線板の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するためになされた本発明に係るフレックスリジッド配線板は、可撓性を有するフレックス部と、フレックス部の側方に位置して、フレックス部に接続される非可撓性のリジッド部と、を備えるフレックスリジッド配線板であって、可撓性基材と、可撓性基材の側方に並べて配置される非可撓性基材と、可撓性基材及び非可撓性基材の表裏の両面に積層されてリジッド部を形成すると共に、可撓性基材の一部をフレックス部として露出させる絶縁層と、を有し、非可撓性基材の一部又は全部が、絶縁層よりも熱伝導率の高い材料からなる放熱材で構成されている。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本発明の第１実施形態に係るフレックスリジッド配線板の断面図
【図２】フレックスリジッド配線板の平面図
【図３】第１パッドとフレックス部を接続する配線の取り回しを示す図
【図４】半導体モジュールの側面図
【図５】フレックスリジッド配線板の製造工程を示す図
【図６】フレックスリジッド配線板の製造工程を示す図
【図７】フレックスリジッド配線板の製造工程を示す図
【図８】フレックスリジッド配線板の製造工程を示す図
【図９】フレックスリジッド配線板の製造工程を示す図
【図１０】フレックスリジッド配線板の製造工程を示す図
【図１１】フレックスリジッド配線板の製造工程を示す図
【図１２】フレックスリジッド配線板の製造工程を示す図
【図１３】フレックスリジッド配線板の製造工程を示す図
【図１４】本発明の第２実施形態に係るフレックスリジッド配線板の断面図
【図１５】フレックスリジッド配線板の製造工程を示す図
【図１６】フレックスリジッド配線板の製造工程を示す図
【図１７】フレックスリジッド配線板の製造工程を示す図
【図１８】変形例に係るフレックスリジッド配線板の製造工程を示す図
【図１９】変形例に係るフレックスリジッド配線板の断面図
【図２０】変形例に係るフレックスリジッド配線板の断面図
【図２１】変形例に係るフレックスリジッド配線板の断面図
【図２２】変形例に係るフレックスリジッド配線板の断面図
【図２３】変形例に係るフレックスリジッド配線板の断面図
【図２４】変形例に係るフレックスリジッド配線板の平面図
【発明を実施するための形態】
【０００８】
［第１実施形態］
以下、本発明の第１実施形態を図１〜図１３に基づいて説明する。図１に示すように、本実施形態のフレックスリジッド配線板１０は、可撓性基材１５と、厚さ方向から見たときに可撓性基材１５を挟むように配置される非可撓性基材３０，３０とを備えている。可撓性基材１５及び非可撓性基材３０，３０の表裏の両面には、ビルドアップ層５０Ｆ，５０Ｓが積層されている。
【０００９】
ビルドアップ層５０Ｆ，５０Ｓは、可撓性基材１５の両側部を覆い、可撓性基材１５の中央部を露出させる。そして、可撓性基材１５の露出部分によって、可撓性を有するフレックス部１１が形成され、フレックス部１１の両側に、非可撓性基材３０とビルドアップ層５０Ｆ，５０Ｓとを含む主リジッド部１２Ａ及び副リジッド部１２Ｂが形成される。主リジッド部１２Ａと副リジッド部１２Ｂとは、本発明の「リジッド部」を構成し、フレックス部１１を介して折り曲げ可能に接続されている。なお、可撓性基材１５の両側部は、主リジッド部１２Ａ及び副リジッド部１２Ｂに若干入り込んでいる。
【００１０】
可撓性基材１５は、例えば、ポリイミドフィルム等の樹脂フィルム２５Ｋの両面に接着層２５Ａを積層してなる可撓性中間基材２５と、可撓性中間基材２５の表裏の一方側の面である第１面２５Ｆ上に形成される第１配線層２４Ｆと、可撓性中間基材２５の表裏の他方側の面である第２面２５Ｓ上に形成される第２配線層２４Ｓと、を備える。第１配線層２４Ｆ及び第２配線層２４Ｓは、主リジッド部１２Ａと副リジッド部１２Ｂとを連絡する直線状に複数形成されている（図２参照。同図には、第１配線層２４Ｆのみが示されている。）。詳細には、第１配線層２４Ｆ及び第２配線層２４Ｓの両端部は、可撓性中間基材２５から側方に突出して非可撓性基材３０内に入り込んでいる。なお、第１配線層２４Ｆと第２配線層２４Ｓとは、可撓性中間基材２５を貫通するビアを介して接続されていてもよい。
【００１１】
第１配線層２４Ｆ上には、接着層８１Ｆが形成され、この接着層８１Ｆ上にカバーレイ（被覆層）８０Ｆが形成されている。また、第２配線層２４Ｓ上には、接着層８１Ｓが形成され、この接着層８１Ｓ上にカバーレイ（被覆層）８０Ｓが形成されている。カバーレイ８０Ｆ，８０Ｓは、ソルダーレジスト層８４Ｆ，８４Ｓにて被覆されている。なお、カバーレイ８０Ｆ，８０Ｓは、ポリイミド等の絶縁膜から構成されている。
【００１２】
非可撓性基材３０は、例えば、プリプレグ（心材を樹脂含浸してなるＢステージの樹脂シート）等の絶縁性材料からなる非可撓性中間基材３１と、非可撓性中間基材３１を構成する材料より熱伝導率の高い材料からなる放熱基材７５（本発明の「放熱材」に相当する。）と、を有している。本実施形態では、放熱基材７５は、非可撓性基材３０の一端部に配置され、放熱基材７５の端面が外部に露出している。なお、放熱基材７５は構成する材料としては、例えば、グラファイト等のカーボン材料、又は、銅等の金属材料が挙げられる。
【００１３】
非可撓性中間基材３１の表裏の一方側の面である第１面３１Ｆ上には、第１中間導体層３２Ｆが形成され、他方側の面である第２面３１Ｓ上には、第２中間導体層３２Ｓが形成されている。第１中間導体層３２Ｆ及び第２中間導体層３２Ｓは、放熱基材７５を避けた部分に配置されている。
【００１４】
第１中間導体層３２Ｆ及び放熱基材７５の上には、ビルドアップ絶縁層５１Ｆと、ビルドアップ導体層５３Ｆと、が交互に積層されている。また、第２中間導体層３２Ｓ上には、ビルドアップ絶縁層５１Ｓと、ビルドアップ導体層５３Ｓと、が交互に積層されている。そして、ビルドアップ絶縁層５１Ｆとビルドアップ導体層５３Ｆとによって上述のビルドアップ層５０Ｆが形成され、ビルドアップ絶縁層５１Ｓとビルドアップ導体層５３Ｓとによって上述のビルドアップ層５０Ｓが形成されている。ビルドアップ絶縁層５１Ｆ，５１Ｓは、非可撓性中間基材３１と同じ材質で構成され、本発明の「絶縁層」に相当する。
【００１５】
最も外側に配置されるビルドアップ導体層５３Ｆ，５３Ｓ（以下、適宜、「最外ビルドアップ導体層５３ＦＡ，５３ＳＡ」という。）の上には、ソルダーレジスト層６７Ｆ，６７Ｓが積層されている。ソルダーレジスト層６７Ｆは、フレックスリジッド配線板１０の表裏の一方側の第１面１０Ｆを構成し、ソルダーレジスト層６７Ｓは、フレックスリジッド配線板１０の表裏の他方側の第２面１０Ｓを構成する。
【００１６】
フレックスリジッド配線板１０の第１面１０Ｆ側のソルダーレジスト層６７Ｆには、最外ビルドアップ導体層５３ＦＡの一部を露出させる開口６８Ｆが複数形成されている。そして、それら複数の開口６８Ｆによって、主リジッド部１２Ａの表裏の一方側の第１面１２ＡＦに、最外ビルドアップ導体層５３ＦＡの一部を露出させてなる電子部品実装用の第１パッド４１Ｆが複数形成され、副リジッド部１２Ｂの表裏の一方側の第１面１２ＢＦに、最外ビルドアップ導体層５３ＦＡの一部を露出させてなる実装パッド４３Ｆが複数形成される。また、フレックスリジッド配線板１０の第２面１０Ｓ側のソルダーレジスト層６７Ｓには、最外ビルドアップ導体層５３ＳＡの一部を露出させる開口６８Ｓが複数形成されている。そして、それら複数の開口６８Ｓによって、主リジッド部１２Ａの表裏の他方側の第２面１２ＡＳに、最外ビルドアップ導体層５３ＳＡの一部を露出させてなる電子部品実装用の第２パッド４１Ｓが複数形成され、副リジッド部１２Ｂの表裏の他方側の第２面１２ＢＳに、最外ビルドアップ導体層５３ＳＡの一部を露出させてなる実装パッド４３Ｓが複数形成される。
【００１７】
図２に示すように、主リジッド部１２Ａの表裏の両面に形成される複数の第１パッド４１Ｆ及び第２パッド４１Ｓは、グリッド状に配列されている（図２には、第１パッド４１Ｆのみが示されている。）。第１パッド４１Ｆのピッチ及び第２パッド４１Ｓのピッチは共に、２５０〜５００μｍになっている。ここで、上述したように、可撓性基材１５の両側部は、主リジッド部１２Ａ及び副リジッド部１２Ｂに入り込んでいる（図２では、可撓性基材１５の両側部が点線で示されている。）。そして、主リジッド部１２Ａを厚さ方向から見たときに、可撓性基材１５の主リジッド１２Ａ側の端部は、第１パッド４１Ｆが配列されている配列領域Ｒ１の外側に配置されている。
【００１８】
図１に示すように、フレックスリジッド配線板１０の第１面１０Ｆ側の第１パッド４１Ｆの一部は、可撓性基材１５の第１配線層２４Ｆを介して、副リジッド部１２Ｂに接続される。具体的には、図１及び図２に示すように、第１パッド４１Ｆのうち配列領域Ｒ１の外周部に配置される外側パッド４１ＦＡが、副リジッド部１２Ｂに接続され、複数の第１パッド４１Ｆのうち外側パッド４１ＦＡよりも配列領域Ｒ１の内側に配置される内側パッド４１ＦＢが、主リジッド部１２Ａの第２面１２ＡＳ側の第２パッド４１Ｓに接続される。ここで、本実施形態では、内側パッド４１ＦＢが配列される配列領域Ｒ２（図２参照）は、第２パッド４１Ｓが配列される配列領域Ｒ３（図１参照）に一致する。なお、図２の例では、第１パッド４１Ｆが配列される配列領域Ｒ１と、内側パッド４１ＦＢが配列される内側領域Ｒ２とが、共に、四角形状に示されている。
【００１９】
図１に示すように、外側パッド４１ＦＡと第１配線層２４Ｆとの間を接続する配線４５は、ビルドアップ導体層５３Ｆの一部に配線パターンを形成することで構成される。図３に示すように、配線４５は、内側パッド４１ＦＢが配列される内側領域Ｒ２の外側に配置され、内側パッド４１ＦＢ同士の間を通らないようになっている。これにより、内側パッド４１ＦＢのピッチを小さくすることが可能となり、内側パッド４１ＦＢの高密度化が図られる。
【００２０】
一部の内側パッド４１ＦＢは、第１スタックビア４７Ｆを介して放熱基材７５に接続されている。第１スタックビア４７Ｆは、複数のビルドアップ絶縁層５１Ｆを貫通する複数のビア導体５４Ｆを直線状に積み重ねて形成されている。なお、本実施形態では、ビア導体５４Ｆが本発明の「第１ビア導体」に相当する。
【００２１】
また、一部の第２パッド４１Ｓは、第２スタックビア４７Ｓを介して放熱基材７５に接続されている。第２スタックビア４７Ｓは、複数のビルドアップ絶縁層５１Ｓを貫通する複数のビア導体５４Ｓを直線状に積み重ねて形成されている。なお、本実施形態では、ビア導体５４Ｓが本発明の「第２ビア導体」に相当する。
【００２２】
また、一部の第１パッド４１Ｆと一部の第２パッド４１Ｓとは、主リジッド部１２Ａを貫通する全層スタックビア４２を介して接続される。全層スタックビア４２は、非可撓性基材３０（詳細には、非可撓性中間基材３１）を貫通するビア導体３３と、ビルドアップ絶縁層５１Ｆを貫通するビア導体５４Ｆと、ビルドアップ絶縁層５１Ｓを貫通するビア導体５４Ｓと、を直線状に積み重ねて形成されている。
【００２３】
図１及び図４に示すように、第１パッド４１Ｆには、能動部品９０が実装され、第２パッド４１Ｓには、受動部品９１が実装される。そして、フレックスリジッド配線板１０と、能動部品９０と、受動部品９１とで、半導体モジュール１００が構成される。能動部品９０は、第１パッド４１Ｆの内側パッド４１ＦＢ（図１参照）を介して、受動部品９１に接続される。また、能動部品９０は、第１パッド４１の外側パッド４１ＦＡ（図１参照）を介して、副リジッド部１２Ｂに接続され、さらに、副リジッド部１２Ｂ内に形成される配線（図示せず）によって実装パッド４３Ｆ，４３Ｓに接続される。なお、実装パッド４３Ｆ，４３Ｓには、コネクタ等の電子部品９３が実装されてもよい。能動部品９０の例としては、半導体素子やＩＣ等が挙げられるが、本実施形態では、ＩＣである。受動部品９１の例としては、チップコンデンサ、インダクタ、抵抗、圧電素子等が挙げられる。
【００２４】
フレックスリジッド配線板１０の構造に関する説明は以上である。次に図５〜図１３に基づいて、フレックスリジッド配線板１０の製造方法について説明する。
【００２５】
フレックスリジッド配線板１０は、以下のように製造される。
（１）図５（Ａ）に示すように、絶縁基材２１Ｋの上面に銅箔２１Ｃが積層されたキャリア２１が、支持基板２３上に積層される。なお、絶縁基材２１Ｋと銅箔２１Ｃとの間、及び、キャリア２１（絶縁基材２１Ｋ）と支持基板２３との間には、図示しない接着層が形成され、絶縁基材２１Ｋと銅箔２１Ｃとの間の接着力は、キャリア２１（絶縁基材２１Ｋ）と支持基板２３との間の接着力よりも弱くなっている。
【００２６】
（２）銅箔２１Ｃ上に、レジスト処理、電解めっき処理が行われて、銅箔２１Ｃ上に、所定パターンの第１配線層２４Ｆと第１中間導体層３２Ｆとが形成される（図５（Ｂ）参照）。このとき、第１中間導体層３２Ｆは、キャリア２１の両端部の上に配置され、第１配線層２４Ｆは、キャリア２１の中央寄り部分の上に配置される。
【００２７】
（３）図５（Ｃ）に示すように、樹脂フィルム２５Ｋの両面に接着層２５Ａを積層してなる可撓性中間基材２５が準備されると共に、非可撓性中間基材３１，３１が、可撓性中間基材２５を受容可能な隙間を空けて配置される。
【００２８】
（４）図６（Ａ）に示すように、キャリア２１上に、可撓性中間基材２５が第１面２５Ｆ側から積層されると共に、非可撓性中間基材３１，３１が第１面３１Ｆ側から積層され、さらに、非可撓性中間基材３１，３１の第２面３１Ｓ，３１Ｓ上と、可撓性中間基材２５の第２面２５Ｓ上とに銅箔３４が積層されて、プレスが行われる。このとき、可撓性中間基材２５は、第１配線層２４Ｆ上に配置され、非可撓性中間基材３１，３１は、水平方向で可撓性中間基材２５を挟むように配置される。また、第１配線層２４Ｆ及び第１中間導体層３２Ｆは、可撓性中間基材２５及び非可撓性中間基材３１，３１にめり込む。
【００２９】
（５）レーザ加工によって、非可撓性中間基材３１，３１及び銅箔３４に第１中間導体層３２Ｆを露出させる開口３５が形成される。そして、無電解めっき処理、めっきレジスト処理、電解めっき処理が行われ、図６（Ｂ）に示すように、めっきレジストの非形成部分に第２配線層２４Ｓ及び第２中間導体層３２Ｓが形成されると共に、開口３５内にビア導体３３が形成される。なお、第２配線層２４Ｓは、非可撓性中間基材３１，３１同士を連絡する線状に複数形成され（図２参照）、第２配線層２４Ｓの両端部は、非可撓性中間基材３１，３１の第２面３１Ｓ，３１Ｓ上に配置される。
【００３０】
（６）図７（Ａ）に示すように、キャリア２１の絶縁基材２１Ｋと、支持基板２３とが剥離され、非可撓性中間基材３１の第１面３１Ｆ側に銅箔２１Ｃが露出する。
【００３１】
（７）図７（Ｂ）に示すように、エッチング処理によって、銅箔２１Ｃ及び銅箔３４が除去される。このとき、第２配線層２４Ｓ及び第２中間導体層３２Ｓは、可撓性中間基材２５の第２面２５Ｓ及び非可撓性中間基材３１の第２面３１Ｓから突出し、第１配線層２４Ｆ及び第１中間導体層３２Ｆは、可撓性中間基材２５及び非可撓性中間基材３１内に埋設される。
【００３２】
（８）図７（Ｃ）に示すように、放熱基材７５が準備されると共に、非可撓性中間基材３１に放熱基材７５を収容可能な大きさの開口３１Ａが形成される。なお、詳細には、開口３１Ａは、放熱基材７５より若干大きいサイズに形成される。
【００３３】
（９）第１配線層２４Ｆの中間部に接着層８１Ｆを介してカバーレイ８０Ｆが積層されると共に、第２配線層２４Ｓの中間部に接着層８１Ｓを介してカバーレイ８０Ｓが積層される。また、非可撓性中間基材３１の開口３１Ａに放熱基材７５が収容されると共に、非可撓性中間基材３１の第１面３１Ｆ側と第１配線層２４Ｆの両端部とに、プリプレグからなるビルドアップ絶縁層５１Ｆが積層される。また、非可撓性中間基材３１の第２面３１Ｓ側と第２配線層２４Ｓの両端部とに、ビルドアップ絶縁層５１Ｓが積層される。そして、カバーレイ８０Ｆ，８０Ｓとビルドアップ絶縁層５１Ｆ，５１Ｓの上に銅箔５２Ｆ，５２Ｓが積層される（図８（Ａ）参照）。なお、このとき、開口３１Ａと放熱基材７５との間の隙間には、非可撓性中間基材３１を構成する絶縁性材料、又は、ビルドアップ絶縁層５１Ｆ，５１Ｓを構成する絶縁性材料が充填される。
【００３４】
（１０）レーザ加工によって、ビルドアップ絶縁層５１Ｆに、第１配線層２４Ｆ、第１中間導体層３２Ｆ及び放熱基材７５を露出させる開口５５Ｆが形成されると共に、ビルドアップ絶縁層５１Ｓに、第２配線層２４Ｓ及び第２中間導体層３２Ｓを露出させる開口５５Ｓが形成される。そして、上記（５）の工程と同様にして、ビア導体５４Ｆ，５４Ｓと、ビルドアップ導体層５３Ｆ，５３Ｓが形成され、エッチング処理によって銅箔５２Ｆ，５２Ｓが除去される（図８（Ｂ）参照）。なお、このとき、一部のビア導体５４Ｆ，５４Ｓは、放熱基材７５に接続される。
【００３５】
（１１）図９（Ａ）に示すように、カバーレイ８０Ｆ上にソルダーレジスト層８４Ｆが形成されると共に、ソルダーレジスト層８４Ｆ上に剥離層８６Ｆが形成され、さらに、カバーレイ８０Ｓ上にソルダーレジスト層８４Ｓが形成されると共に、ソルダーレジスト層８４Ｓ上に剥離層８６Ｓが形成される。
【００３６】
（１２）図９（Ｂ）に示すように、ソルダーレジスト層８４Ｆ及び剥離層８６Ｆの水平方向両側にビルドアップ絶縁層５１Ｆが形成されると共に、ソルダーレジスト層８４Ｓ及び剥離層８６Ｓの水平方向両側にビルドアップ絶縁層５１Ｓが形成され、それらビルドアップ絶縁層５１Ｆ，５１Ｓ上に銅箔６２Ｆ，６２Ｓが積層される。
【００３７】
（１３）上記（１０）の工程と同様にして、ビルドアップ絶縁層５１Ｆ，５１Ｓに開口５５Ｆ，５５Ｓが形成されると共に、ビルドアップ絶縁層５１Ｆ，５１Ｓを貫通するビア導体５４Ｆ，５４Ｓが形成され、ビルドアップ絶縁層５１Ｆ，５１Ｓ上にビルドアップ導体層５３Ｆ，５３Ｓが形成される。また、剥離層８６Ｆ，８６Ｓ上には、端部に銅箔６２Ｆ，６２Ｓを露出させた状態で剥離用導体６１Ｆ，６１Ｓが形成される（図１０参照）。
【００３８】
（１４）ビルドアップ導体層５３Ｆ，５３Ｓ上と、剥離用導体６１Ｆ．６１Ｓ上とに、ビルドアップ絶縁層５１Ｆ，５１Ｓと、銅箔６４Ｆ，６４Ｓが積層される。そして、レーザ加工によって、ビルドアップ絶縁層５１Ｆ，５１Ｓに、ビルドアップ導体層５３Ｆ，５３Ｓを露出させる開口５５Ｆ，５５Ｓが形成されると共に、剥離用導体６１Ｆ，６１Ｓの外周の銅箔６２Ｆ，６２Ｓを露出させるスリット６６Ｆ，６６Ｓが形成される（図１１参照）。
【００３９】
（１５）上記（１０）の工程と同様に、ビルドアップ絶縁層５１Ｆ，５１Ｓを貫通するビア導体５４Ｆ，５４Ｓが形成され、ビルドアップ絶縁層５１Ｆ，５１Ｓ上にビルドアップ導体層５３Ｆ，５３Ｓが形成される。なお、これらビルドアップ導体層５３Ｆ，５３Ｓが最外ビルドアップ導体層５３ＦＡ，５３ＳＡとなる。また、スリット６６Ｆ，６６Ｓの底部から剥離層８６Ｆ，８６Ｓの外側にはみ出す銅箔６２Ｆ，６２Ｓが除去される（図１２参照）。なお、このとき、可撓性中間基材２５に対して左右方向の一方側（図１２の例では左側）に位置するビア導体３３には、複数のビア導体５４Ｆと複数のビア導体５４Ｓとが厚さ方向に重ねて接続され、それらビア導体３３，５４Ｆ，５４Ｓによって全層スタックビア４２が形成される。また、非可撓性中間基材３１の第１面３１Ｆ側と第２面３１Ｓ側とには、放熱基材７５上に、複数のビア導体５４Ｆが重ねて接続されて第１スタックビア４７Ｆが形成されると共に、複数のビア導体５４Ｓが重ねて接続されて第２スタックビア４７Ｓが形成される。
【００４０】
（１６）図１３に示すように、ソルダーレジスト層８４Ｆ，８４Ｓ上の剥離層８６Ｆ，８６Ｓ及びスリット６６Ｆ，６６Ｓの内側に位置するビルドアップ絶縁層５１Ｓ，５１Ｆが除去される。このとき、可撓性中間基材２５、カバーレイ８０Ｆ，８０Ｓ及びソルダーレジスト層８４Ｆ，８４Ｓを備える可撓性基材１５の一部が露出し、その露出部分によってフレックス部１１が形成される。
【００４１】
（１７）ビルドアップ絶縁層５１Ｆ，５１Ｓ上にソルダーレジスト層６７Ｆ，６７Ｓ（図１参照）が形成されて、フレックス部１１に対して左右方向の一方側に、放熱基材７５を有する主リジッド部１２Ａが形成されると共に、フレックス部１１を挟んで主リジッド部１２Ａと反対側に、副リジッド部１２Ｂが形成される。そして、ソルダーレジスト層６７Ｆ，６７Ｓに開口６８Ｆ，６８Ｓが形成されて、主リジッド部１２Ａにおける最外ビルドアップ導体層５３ＦＡ，５３ＳＡの一部が第１パッド４１Ｆ及び第２パッド４１Ｓとして露出し、副リジッド部１２Ｂにおける最外ビルドアップ導体層５３ＦＡ，５３ＳＡの一部が実装パッド４３Ｆ，４３Ｓとして露出する。以上により、図１に示したフレックスリジッド配線板１０が完成する。
【００４２】
本実施形態のフレックスリジッド配線板１０の構造及び製造方法に関する説明は以上である。次に、フレックスリジッド配線板１０の作用効果について説明する。
【００４３】
本実施形態のフレックスリジッド配線板１０によれば、放熱基材７５によって放熱性能の向上を図ることが可能となる。また、放熱基材７５は、可撓性基材１５の側方に並べた配置される非可撓性基材３０の一部を構成するので、ビルドアップ絶縁層５１Ｆ，５１Ｓの一部が放熱基材７５で構成される場合と比較して、フレックス部１１の側方のスペースを有効に活用し、フレックスリジッド配線板１０のコンパクト化を図ることが可能となる。
【００４４】
また、本実施形態のフレックスリジッド配線板１０では、主リジッド部１２Ａの第１面１２ＡＦに形成される第１パッド４１Ｆと放熱基材７５とが、ビア導体５４Ｆを介して接続されているので、第１パッド４１Ｆに実装される電子部品（能動部品９０）からの熱を放熱することが可能となる。しかも、放熱基材７５と第１パッド４１Ｆとは、複数の第１ビア導体５４Ｆを直線状に重ねてなる第１スタックビア４７Ｆで接続されているので、第１パッド４１Ｆから放熱基材７５への放熱経路を短くして、放熱性能の向上を図ることが可能となる。しかも、放熱基材７５の端面は外部に露出しているので、放熱基材７５の放熱性能の向上を図ることが可能となる。
【００４５】
さらに、本実施形態では、主リジッド部１２Ｂの第２面１２ＡＳに形成される第２パッド４１Ｓと放熱基材７５とが、ビア導体５４Ｓを介して接続されているので、第２パッドに実装される電子部品（受動部品９１）からの熱を放熱することが可能となる。しかも、放熱基材７５と第２パッド４１Ｓとは、複数の第１ビア導体５４Ｓを直線状に重ねてなる第２スタックビア４７Ｓで接続されているので、第２パッド４１Ｓから放熱基材７５への放熱経路を短くして、放熱性能の向上を図ることが可能となる。
【００４６】
［第２実施形態］
以下、本発明の第２実施形態を図１４〜図１７に基づいて説明する。図１４に示すように、本実施形態のフレックスリジッド配線板１０Ｖは、非可撓性基材３０の厚さ方向の中間部、即ち、芯部全体が放熱基材７５で構成されている点が、主として上記第１実施形態と異なっている。
【００４７】
非可撓性基材３０は、シート状の放熱基材７５の表裏の両面に非可撓性中間基材３１が積層された構造になっていて、放熱基材７５を貫通するビア挿通孔７５Ａには、非可撓性中間基材３１を構成する樹脂が充填されている。放熱基材７５の側面は、非可撓性基材３０の外側面の一部を構成し、外側に露出している。なお、放熱基材７５は、例えば、グラファイトシート等で構成されている。
【００４８】
上記第１実施形態と同様に、第１パッド４１Ｆは、第１スタックビア４７Ｆを介して放熱基材７５に接続され、第２パッド４１Ｓは、第２スタックビア４７Ｓを介して放熱基材７５に接続されている。また、第１パッド４１Ｆと第２パッド４１Ｓとは、ビア挿通孔７５Ａを貫通する全層スタックビア４２によって接続されている。
【００４９】
また、本実施形態のフレックスリジッド配線板１０Ｖでは、第１配線層２４Ｆ及び第２配線層２４Ｓが可撓性中間基材２５上にのみ配置されると共に、最内のビルドアップ導体層５３Ｆ，５３Ｓが可撓性中間基材２５に重なるように配置されている。そして、最内のビルドアップ絶縁層５１Ｆ，５１Ｓを貫通するビア導体１５４Ｆ，１５４Ｓによって、ビルドアップ導体層５３Ｆ，５３Ｓと第１配線層２４Ｆ及び第２配線層２４Ｓとが接続されている。なお、本実施形態では、非可撓性基材３０の厚さと可撓性中間基材２５の厚さとがほぼ同じになっている。
【００５０】
フレックスリジッド配線板１０Ｖのその他の構成は、上記第１実施形態のフレックスリジッド配線板１０と同様になっているので、同一符号を付すことで説明を省略する。
【００５１】
フレックスリジッド配線板１０Ｖは、以下のようにして製造される。
（１）図１５（Ａ）に示すように、シート状の放熱基材７５が準備される。
【００５２】
（２）図１５（Ｂ）に示すように、ドリル加工等によって放熱基材７５にビア挿通孔７５Ａが形成される。
【００５３】
（３）図１５（Ｃ）に示すように、放熱基材７５の表裏の両面に非可撓性中間基材３１が積層され、プレスされることで、非可撓性基材３０が形成される。このとき、ビア挿通孔７５には、非可撓性中間基材３１を構成する樹脂が充填される。
【００５４】
（４）図１６（Ａ）に示すように、非可撓性基材３０に開口３０Ａが形成されると共に、可撓性基材１５が準備される。可撓性基材１５は、上記第１実施形態における工程（１）〜（１１）と同様の工程によって形成され、可撓性中間基材２５の第１面２５Ｆに、第１配線層２４Ｆ、接着層８１Ｆ、カバーレイ８０Ｆ及びソルダーレジスト層８４Ｆが積層されると共に、第２面２５Ｓに、第２接着層２４Ｓ、接着層８１Ｓ、カバーレイ８０Ｓ及びソルダーレジスト層８４Ｓが積層されてなる。
【００５５】
（５）図１６（Ｂ）に示すように、非可撓性基材３０の開口３０Ａ内に可撓性基材１５が収容される。このとき、開口３０Ａの縁部と可撓性基材１５との間には、若干隙間が生じる。次いで、非可撓性基材３０の表裏の両面にビルドアップ絶縁層５１Ｆ，５１Ｓが積層される。このとき、可撓性基材１５の両端部にビルドアップ絶縁層５１Ｆ，５１Ｓが積層され、可撓性基材１５の中間部が露出する。
【００５６】
（６）可撓性基材１５の露出部分に剥離層８６Ｆ，８６Ｓが積層される。そして、ビルドアップ絶縁層５１Ｆと剥離層８６Ｆとの上に銅箔５２Ｆが積層されると共に、ビルドアップ絶縁層５１Ｓと剥離層８６Ｓとの上に銅箔５２Ｓが積層され、プレスされる（図１７（Ａ）参照）。このとき、非可撓性基材３０の開口３０Ａの縁部と可撓性基材１５（可撓性中間基材２５）との間の隙間は、非可撓性中間基材３１又はビルドアップ絶縁層５１Ｆ，５１Ｓを構成する樹脂によって充填される。
【００５７】
（７）レーザ加工によって、ビルドアップ絶縁層５１Ｆ，５１Ｓに開口が形成される。次いで、無電解めっき処理、めっきレジスト処理、電解めっき処理が行われることで、開口内にビア導体５４Ｆ，５４Ｓ，１５４Ｆ，１５４Ｓが形成されると共に、ビルドアップ絶縁層５１Ｆ，５１Ｓ上にビルドアップ導体層５３Ｆ，５３Ｓが形成される（図１７（Ｂ）参照）。なお、このとき、ビア導体５４Ｆ及びビア導体５４Ｓは、放熱基材７５のビア挿通孔７５Ａの内側に挿通されて、結合される。また、剥離層８６Ｆ，８６Ｓ上には、端部に銅箔６２Ｆ，６２Ｓを露出させた状態で剥離用導体６１Ｆ，６１Ｓが形成される。
【００５８】
（８）次いで、上記第１実施形態における工程（１４）〜（１７）と同様の工程が行われ、フレックスリジッド配線板１０Ｖが完成する。
【００５９】
本実施形態のフレックスリジッド配線板１０Ｖの構造及び製造方法に関する説明は以上である。本実施形態のフレックスリジッド配線板１０Ｖによれば、上記第１実施形態のフレックスリジッド配線板１０と同様の効果を奏することが可能となる。なお、本実施形態のレックスリジッド配線板１０Ｖによれば、放熱基材７５が非可撓性基材３０の面内方向全体に亘って配置されているので、放熱量の向上を図ることが可能となる。
【００６０】
［他の実施形態］
本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、例えば、以下に説明するような実施形態も本発明の技術的範囲に含まれ、さらに、下記以外にも要旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施することができる。
【００６１】
（１）上記第１実施形態では、放熱基材７５が非可撓性基材３０の端部に配置されて、放熱基材７５の側面が外側に露出する構成であったが、図１８に示すフレックスリジッド配線板１０Ｗのように、非可撓性基材３０の内部に埋設されて、放熱基材７５の側面が外側に露出しない構成であってもよい。
【００６２】
（２）上記第１実施形態では、非可撓性基材３０が、非可撓性中間基材３１と放熱基材７５とで構成されていたが、図１９に示すように、非可撓性基材３０のうち全層スタックビア４２が貫通する部分を、ビルドアップ絶縁層１５より熱膨張率の低い材料からなる低熱膨張率基材７０で構成してもよい。本構成によれば、フレックス部１１の側方のスペースを有効に活用しつつ、全層スタックビア４２にかかる応力を緩和することが可能となる。
【００６３】
（３）上記第１実施形態において、図２０に示すように、副リジッド部１２Ｂにおける非可撓性基材３０の一部又は全部を、放熱基材７５で構成してもよい。なお、図２０の例では、非可撓性基材３０の一部が放熱基材７５で構成されている。
【００６４】
（４）上記第１実施形態では、フレックスリジッド配線板１０が、２つのリジッド部（主リジッド部１２Ａと副リジッド部１２Ｂ）を備える構成であったが、リジッド部を１つのみ備える構成であってもよい。具体的には、上記実施形態における主リジッド部１２Ａのみを備える構成であってもよい（図２１参照）。
【００６５】
（５）上記第１実施形態において、図２２に示すように、非可撓性基材３０の第１面３０Ｆ側に積層されるビルドアップ絶縁層５１Ｆの数と、第２面３０Ｓ側に積層されるビルドアップ絶縁層５１Ｓの数が異なる構成であってもよい。
【００６６】
（６）上記第２実施形態において、図２３に示すように、放熱基材７５が非可撓性中間基材３１の側面よりも外側に突出する構成としてもよい。また、本構成を、上記（３）の構成に適用してもよい。
【００６７】
（７）上記実施形態では、フレックスリジッド配線板１０が、主リジッド部１２Ａの側方にフレックス部１１と副リジッド部１２Ｂを１つずつ備える構成であったが、図２４の例に示すフレックスリジッド配線板１０Ｘのように、フレックス部１１と副リジッド部１２Ｂを複数ずつ備える構成であってもよい（図２４の例では、フレックス部１１及び副リジッド部１２Ｂを２つずつ備えている。）。
【符号の説明】
【００６８】
１０，１０Ｖ，１０Ｗ，１０Ｘ    フレックスリジッド配線板
１１    フレックス部
１２Ａ    主リジッド部
１２Ｂ    副リジッド部
１５    可撓性基材
３０    非可撓性基材
４１Ｆ    第１パッド
４１Ｓ    第２パッド
４２    全層スタックビア
４７Ｆ    第１スタックビア
４７Ｓ    第２スタックビア
５１Ｆ，５１Ｓ    ビルドアップ絶縁層（絶縁層）
５４Ｆ    ビア導体（第１ビア導体）
５４Ｓ    ビア導体（第２ビア導体）
７５    放熱基材（放熱材）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
2016066711.tif 000021
【図２０】
2016066711.tif 000022
【図２１】
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【図２２】
2016066711.tif 000024
【図２３】
2016066711.tif 000025
【図２４】
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