(57)【要約】【課題】耐光性寿命の更なる向上を図りつつ、耐湿性及び配向安定性に優れた液晶装置の製造方法を提供する。【解決手段】一対の基板間に液晶層が挟持された液晶装置の製造方法であって、一対の基板の少なくとも一方の液晶層と対向する側の面に、無機配向膜を形成する工程Ｓ１０１と、第１のシランカップリング材を用いて、無機配向膜を液相で処理することにより、無機配向膜の表面よりも内部において第１のシランカップリング材の存在割合が大きい第１の有機シラン膜を形成する工程Ｓ１０２と、第１のシランカップリング材よりも分子量が大きい第２のシランカップリング材を用いて、無機配向膜を気相で処理することにより、無機配向膜の内部よりも表面において第２のシランカップリング材の存在割合が大きい第２の有機シラン膜を形成する工程Ｓ１０３とを、この順で含む。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の基板間に液晶層が挟持された液晶装置の製造方法であって、
前記一対の基板の少なくとも一方の前記液晶層と対向する側の面に、無機配向膜を形成する工程と、
第１のシランカップリング材を用いて、前記無機配向膜を液相で処理することにより、前記無機配向膜の表面よりも内部において前記第１のシランカップリング材の存在割合が大きい第１の有機シラン膜を形成する工程と、
前記第１のシランカップリング材よりも分子量が大きい第２のシランカップリング材を用いて、前記無機配向膜を気相で処理することにより、前記無機配向膜の内部よりも表面において前記第２のシランカップリング材の存在割合が大きい第２の有機シラン膜を形成する工程とを、この順で含むことを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項２】
有機官能基がＣ６以下の前記第１のシランカップリング材を用い、
有機官能基がＣ１０以上の前記第２のシランカップリング材を用いることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置の製造方法。
【請求項３】
斜方蒸着法を用いて柱状の組織体の間に空孔が形成されたカラム構造の前記無機配向膜を形成することを特徴とする請求項１又は２に記載の液晶装置の製造方法。
【請求項４】
前記無機配向膜を液相で処理する際に、前記無機配向膜の面上に、前記第１のシランカップリング材を含む塗液を塗布し、前記塗液を前記無機配向膜の内部に浸透させた状態で塗膜を形成し、高温環境下で前記第１のシランカップリング剤と無機配向膜とを反応させることによって、前記第１の有機シラン膜を形成することを特徴とする請求項１〜３の何れか一項に記載の液晶装置の製造方法。
【請求項５】
前記無機配向膜を気相で処理する際に、容器内で前記第２のシランカップリング剤を揮発させ、前記無機配向膜と前記第２のシランカップリング剤とを反応させることによって、前記第２の有機シラン膜を形成することを特徴とする請求項１〜４の何れか一項に記載の液晶装置の製造方法。
【請求項６】
一対の基板間に液晶層が挟持された液晶装置であって、
前記一対の基板の少なくとも一方の前記液晶層と対向する側の面に、無機配向膜と、第１のシランカップリング材により形成された第１の有機シラン膜と、前記第１のシランカップリング材よりも分子量が大きい第２のシランカップリング材により形成された第２の有機シラン膜と、を備え、
前記第１の有機シラン膜は、前記無機配向膜の表面よりも内部において前記第１のシランカップリング材の存在割合が大きく、
前記第２の有機シラン膜は、前記無機配向膜の内部よりも表面において前記第２のシランカップリング材の存在割合が大きいことを特徴とする液晶装置。
【請求項７】
請求項１〜５の何れか一項に記載の方法を用いて製造された液晶装置又は請求項６に記載の液晶装置を備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶装置の製造方法、液晶装置、及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ディスプレイ用途の液晶表示素子（液晶装置）において、デジタルサイネージ（電子看板）用途の拡大に伴い、耐光性寿命の向上が望まれている。このような課題を解決するためには、有機物からなる配向膜に代えて、無機物からなる配向膜（以下、無機配向膜という。）を用いることが有効である。
【０００３】
しかしながら、無機配向膜を用いると、その表面に分極した水酸基が多数存在していることや、表面がポーラス状でありシール材との密着性が低くなること等に起因して、防湿性が低くなってしまう一面が存在する。そこで、耐光性寿命向上と共に防湿性を高める観点から、無機物と有機物とからなるハイブリッド型の配向膜も提案されている（例えば、特許文献１〜４を参照。）。
【０００４】
具体的に、特許文献１に記載の発明では、無機配向膜を形成した後に、その表面をシランカップリング剤で表面処理することにより、無機配向膜の表面にアルキル基（有機物）を結合させている。また、特許文献１に記載の発明では、分子量が異なる２種類のシランカップリング剤を用いて、分子量が大きい方のアルキル基の立体障害による間隙を、分子量が小さい方のアルキル基を有するシランカップリング材で埋めることで、無機配向膜の表面が緻密な有機膜で覆われるため、無機配向膜の耐光性寿命向上と共に、耐湿性が高くなる。
【０００５】
一方、特許文献２に記載の発明では、特許文献１に記載の発明のように、分子量の異なる２種類のシランカップリング剤で無機配向膜の表面を処理すると、耐湿性、高温環境下における液晶層の配向安定性にも影響が及ぶため、１回目のシランカップリング材による表面処理後に、ＵＶ／オゾンやプラズマ雰囲気に曝露することで、１回目のシランカップリング材の被覆した箇所を部分的に除去し、その被覆率を調整した後に、２回目のシランカップリング材による表面処理を行う。この場合、１回目のシランカップリング材と、２回目のシランカップリング材との比率を調整することで、耐湿性、耐光性、配向安定性を調整できる。
【０００６】
一方、特許文献３に記載の発明では、無機配向膜を長鎖シランカップリング剤で表面処理した後、画素電極と平面視で重なる領域に紫外線（ＵＶ光）を照射し、その後、短鎖シランカップリング剤で表面処理することによって、画素電極と重なる領域に対応する無機配向膜に短鎖アルキル基を付与する。この場合、長鎖シランカップリング剤による表面処理の後に、短鎖シランカップリング剤による表面処理を行う。
【０００７】
一方、特許文献４に記載の発明では、斜方蒸着膜（無機配向膜）を長鎖シランカップリング剤で表面処理した後に短鎖シランカップリング剤で表面処理し、画素電極の内側に対応する部分に紫外線（ＵＶ光）を照射することにより、画素電極の外側に対応する部分にシランカップリング剤層を設ける。この場合も、長鎖シランカップリング剤による表面処理の後に、短鎖シランカップリング剤による表面処理を行う。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００７−１２７７５７号公報
【特許文献２】特開２０１０−２００９３号公報
【特許文献３】特開２０１４−７７８１８号公報
【特許文献４】特開２０１２−２２０５９６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
ところで、上述した分子量が異なる複数のシランカップリング材を用いて、無機配向膜の表面を処理した場合には、実際に用いる順序や処理条件等によって、耐湿性及び配向安定性において単一のシランカップリング材で表面処理した場合よりも特性が劣ることがあった。
【００１０】
本発明の一つの態様は、このような従来の事情に鑑みて提案されたものであり、耐光性寿命の更なる向上を図りつつ、耐湿性及び配向安定性に優れた液晶装置の製造方法、液晶装置、及び電子機器を提供することを目的の一つとする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の一つの態様に係る液晶装置の製造方法は、一対の基板間に液晶層が挟持された液晶装置の製造方法であって、一対の基板の少なくとも一方の液晶層と対向する側の面に、無機配向膜を形成する工程と、第１のシランカップリング材を用いて、無機配向膜を液相で処理することにより、無機配向膜の表面よりも内部において第１のシランカップリング材の存在割合が大きい第１の有機シラン膜を形成する工程と、第１のシランカップリング材よりも分子量が大きい第２のシランカップリング材を用いて、無機配向膜を気相で処理することにより、無機配向膜の内部よりも表面において第２のシランカップリング材の存在割合が大きい第２の有機シラン膜を形成する工程とを、この順で含むことを特徴とする。
【００１２】
この製造方法によれば、第２のシランカップリング材よりも分子量が小さい第１のシランカップリング材を用いて、無機配向膜を液相で処理することにより、無機配向膜の表面よりも内部において、第１の有機シラン膜を形成する第１のシランカップリング材の存在割合を大きくことができる。その後、第１のシランカップリング材よりも分子量が大きい第２のシランカップリング材を用いて、無機配向膜を気相で処理することにより、無機配向膜の内部よりも表面において、第２の有機シラン膜を形成する第２のシランカップリング材の存在割合を大きくことができる。これにより、無機配向膜の内部及び表面を第１の有機シラン膜及び第２の有機シラン膜により十分に被覆することができる。したがって、この製造方法によれば、耐光性寿命の更なる向上を図りつつ、耐湿性及び配向安定性に優れた液晶装置を得ることが可能である。
【００１３】
また、上記製造方法において、有機官能基がＣ６以下の前記第１のシランカップリング材を用い、有機官能基がＣ１０以上の前記第２のシランカップリング材を用いることが好ましい。
【００１４】
この製造方法によれば、無機配向膜の表面よりも内部において、第１のシランカップリング材の存在割合を大きくことができ、無機配向膜の内部よりも表面において、第２のシランカップリング材の存在割合を大きくことができる。
【００１５】
また、上記製造方法において、斜方蒸着法を用いて柱状の組織体の間に空孔が形成されたカラム構造の無機配向膜を形成することが好ましい。
【００１６】
この製造方法によれば、無機配向膜が形成される面に対して柱状の組織体が傾斜した状態で形成されるため、この柱状の組織体に沿って液晶層の液晶分子を配向させることができる。
【００１７】
また、上記製造方法において、無機配向膜を液相で処理する際に、無機配向膜の面上に、第１のシランカップリング材を含む塗液を塗布し、高温環境下で前記第１のシランカップリング剤と無機配向膜とを反応させることによって、第１の有機シラン膜を形成することが好ましい。
【００１８】
この製造方法によれば、無機配向膜の内部に第１のシランカップリング材を十分に浸透させることができる。
【００１９】
また、上記製造方法において、無機配向膜を気相で処理する際に、容器内で前記第２のシランカップリング剤を揮発させ、前記無機配向膜と前記第２のシランカップリング剤とを反応させることによって、第２の有機シラン膜を形成することが好ましい。
【００２０】
この製造方法によれば、無機配向膜の表面に第２のシランカップリング材を十分に固着させることができる。
【００２１】
また、本発明の一つの態様に係る液晶装置は、一対の基板間に液晶層が挟持された液晶装置であって、一対の基板の少なくとも一方の液晶層と対向する側の面に、無機配向膜と、第１のシランカップリング材により形成された第１の有機シラン膜と、第１のシランカップリング材よりも分子量が大きい第２のシランカップリング材により形成された第２の有機シラン膜と、を備え、第１の有機シラン膜は、無機配向膜の表面よりも内部において第１のシランカップリング材の存在割合が大きく、第２の有機シラン膜は、無機配向膜の内部よりも表面において第２のシランカップリング材の存在割合が大きいことを特徴とする。
【００２２】
この構成によれば、無機配向膜の内部及び表面を第１の有機シラン膜及び第２の有機シラン膜により十分に被覆することができるため、耐光性寿命の更なる向上を図りつつ、優れた耐湿性及び配向安定性を得ることが可能である。
【００２３】
また、本発明の一つの態様に係る電子機器は、上記何れかの製造方法を用いて製造された液晶装置又は上記液晶装置を備えることを特徴とする。
【００２４】
この構成によれば、耐光性寿命の更なる向上を図りつつ、耐湿性及び配向安定性に優れた液晶装置を備える電子機器を提供することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】本発明の一実施形態に係る液晶装置の素子構造を示す等価回路図である。
【図２】図１に示す液晶装置が備えるＴＦＴアレイ基板の画素群の構成を示す平面図である。
【図３】図１に示す液晶装置の素子構造を示す断面図である。
【図４】図１に示す液晶装置の画素領域の構成を示す断面図である。
【図５】図１に示す液晶装置の配向層の構造を模式的に示す断面図である。
【図６】無機配向膜を第１のシランカップリング材及び第２のシランカップリング材で処理する工程を示す工程図である。
【図７】図６示す各工程における無機配向膜の状態を模式的に示す断面図である。
【図８】無機配向膜の表面から深さ方向に存在する第１のシランカップリング材と第２のシランカップリング材との割合を示すグラフである。
【図９】本発明の一実施形態に係る電子機器の例を示す斜視図である。
【図１０】本発明の一実施形態に係る投射型液晶表示装置の一例を示す模式図である。
【図１１】実施例１における無機配向膜の表面から深さ方向に存在する第１のシランカップリング材と第２のシランカップリング材との割合を示すグラフである。
【図１２】実施例２における無機配向膜の表面から深さ方向に存在する第１のシランカップリング材と第２のシランカップリング材との割合を示すグラフである。
【図１３】比較例１における無機配向膜の表面から深さ方向に存在するシランカップリング材の割合を示すグラフである。
【図１４】比較例２における無機配向膜の表面から深さ方向に存在するシランカップリング材の割合を示すグラフである。
【図１５】比較例３における無機配向膜の表面から深さ方向に存在するシランカップリング材の割合を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
以下、本発明に係る実施形態について図面を参照しつつ説明する。なお、各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせてある。
【００２７】
［液晶装置］
先ず、本発明の一実施形態に係る液晶装置について、図１〜図４を参照して説明する。
本実施形態の液晶装置は、スイッチング素子としてＴＦＴ（Thin-Film Transistor）素子を用いたアクティブマトリクス方式の透過型液晶装置である。
【００２８】
なお、図１は、本実施形態の透過型液晶装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に配置された複数の画素におけるスイッチング素子、信号線等の等価回路図である。図２は、データ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の構造を示す平面図である。図３は、本実施形態の透過型液晶装置について素子領域の断面図であって、図２中に示すＡ−Ａ’線断面図である。図４は、本実施形態の透過型液晶装置について複数の画素領域を模式的に示す断面図である。また、図３及び図４においては、紙面上側が光入射側、紙面下側が視認側（観察者側）である場合について図示している。また、図４では、スイッチング素子等の一部の構成要素を図面の視認性を考慮して省略してある。
【００２９】
本実施形態の透過型液晶装置は、図１に示すように、画像表示領域を構成するマトリクス状に配置された複数の画素を有している。各画素には、画素電極９と当該画素電極９への通電制御を行うためのスイッチング素子であるＴＦＴ素子３０がそれぞれ形成されている。また、画像信号が供給されるデータ線６ａがＴＦＴ素子３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給されるか、若しくは相隣接する複数のデータ線６ａに対してグループ毎に供給される。
【００３０】
また、走査線３ａがＴＦＴ素子３０のゲートに電気的に接続されており、複数の走査線３ａに対して走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍが所定のタイミングでパルス的に線順次で印加される。また、画素電極９は、ＴＦＴ素子３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ素子３０を一定期間だけオンすることにより、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを所定のタイミングで書き込む。
【００３１】
画素電極９を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、後述する共通電極との間で一定期間保持される。液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能にする。ここで、保持された画像信号がリークすることを防止するために、画素電極９と共通電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０が付加されている。
【００３２】
本実施形態の透過型液晶装置は、図２に示すように、ＴＦＴアレイ基板上に、インジウム錫酸化物（以下、ＩＴＯという。）等の透明導電性材料からなる矩形状の画素電極９（点線部９Ａにより輪郭を示す）が、マトリクス状に複数並んで設けられている。また、各画素電極９の縦横の境界に各々沿って、データ線６ａ、走査線３ａ及び容量線３ｂが設けられている。本実施形態において、各画素電極９及び各画素電極９を囲むように配設されたデータ線６ａ、走査線３ａ及び容量線３ｂ等が形成された領域が画素であり、マトリクス状に配置された各画素毎に表示を行うことが可能な構造になっている。
【００３３】
データ線６ａは、ＴＦＴ素子３０を構成する、例えばポリシリコン膜からなる半導体層１ａのうち、後述するソース領域にコンタクトホール５を介して電気的に接続されている。画素電極９は、半導体層１ａのうち、後述するドレイン領域にコンタクトホール８を介して電気的に接続されている。また、半導体層１ａのうち、後述するチャネル領域（図２中の左上がりの斜線の領域）に対向するように走査線３ａが配置されている。走査線３ａは、チャネル領域に対向する部分でゲート電極として機能する。
【００３４】
容量線３ｂは、走査線３ａに沿って略直線状に伸びる本線部（すなわち、平面視で走査線３ａに沿って形成された第１領域）と、データ線６ａと交差する箇所からデータ線６ａに沿って前段側（図２中の上向き）に突出した突出部（すなわち、平面視でデータ線６ａに沿って延設された第２領域）とを有する。そして、図２中の右上がりの斜線で示した領域には、複数の第１遮光膜１１ａが設けられている。
【００３５】
本実施形態の透過型液晶装置は、図３及び図４に示すように、ＴＦＴアレイ基板（液晶装置用基板）１０と、これに対向配置される対向基板（液晶装置用基板）２０との間に液晶層５０が挟持されている。液晶層５０は、初期配向状態が垂直配向を呈する誘電異方性が負の液晶からなる。なお、本実施形態の透過型液晶装置は、垂直配向モードの表示装置である。
【００３６】
ＴＦＴアレイ基板１０は、例えば石英等の透光性材料からなる基板本体１０Ａと、その液晶層５０側表面に形成された画素電極９及び配向層４０とを主体として構成されている。対向基板２０は、例えばガラスや石英等の透光性材料からなる基板本体２０Ａと、その液晶層５０側表面に形成された共通電極２１及び配向層６０とを主体として構成されている。また、ＴＦＴアレイ基板１０において、基板本体１０Ａの液晶層５０側の表面（内面）には、画素電極９が設けられ、各画素電極９に隣接する位置に、各画素電極９をスイッチング制御する画素スイッチング用ＴＦＴ素子３０が設けられている。
【００３７】
画素スイッチング用ＴＦＴ素子３０は、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有している。具体的には、走査線３ａと、走査線３ａからの電界によりチャネルが形成される半導体層１ａのチャネル領域１ａ’と、走査線３ａ及び半導体層１ａを絶縁するゲート絶縁膜２と、データ線６ａと、半導体層１ａの低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃ、半導体層１ａの高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅとを有している。
【００３８】
また、走査線３ａ及びゲート絶縁膜２を含む基板本体１０Ａの上には、高濃度ソース領域１ｄへと通じるコンタクトホール５、及び高濃度ドレイン領域１ｅへと通じるコンタクトホール８が開孔した第２層間絶縁膜４が形成されている。すなわち、データ線６ａは、第２層間絶縁膜４を貫通するコンタクトホール５を介して高濃度ソース領域１ｄに電気的に接続されている。
【００３９】
さらに、データ線６ａ及び第２層間絶縁膜４を含む基板本体１０Ａの上には、高濃度ドレイン領域１ｅへと通じるコンタクトホール８が開孔した第３層間絶縁膜７が形成されている。すなわち、高濃度ドレイン領域１ｅは、第２層間絶縁膜４及び第３層間絶縁膜７を貫通するコンタクトホール８を介して画素電極９に電気的に接続されている。
【００４０】
また、本実施形態では、ゲート絶縁膜２を走査線３ａに対向する位置から延設して誘電体膜として用い、半導体膜１ａを延設して第１蓄積容量電極１ｆとし、さらに、これらに対向する容量線３ｂの一部を第２蓄積容量電極とすることにより、蓄積容量７０が構成されている。
【００４１】
ＴＦＴアレイ基板１０の基板本体１０Ａの液晶層５０側の表面（内面）のうち、各画素スイッチング用ＴＦＴ素子３０が形成された領域には、第１遮光膜１１ａが設けられている。第１遮光膜１１ａは、ＴＦＴアレイ基板１０を透過し、ＴＦＴアレイ基板１０の図示下面（ＴＦＴアレイ基板１０と空気との界面）で反射されて、液晶層５０側に戻る戻り光が、少なくとも半導体層１ａのチャネル領域１ａ’及び低濃度ソース、ドレイン領域１ｂ、１ｃに入射することを防止する。
【００４２】
また、第１遮光膜１１ａと画素スイッチング用ＴＦＴ素子３０との間には、画素スイッチング用ＴＦＴ素子３０を構成する半導体層１ａを第１遮光膜１１ａから電気的に絶縁するための第１層間絶縁膜１２が形成されている。
【００４３】
さらに、ＴＦＴアレイ基板１０に第１遮光膜１１ａを設けるのに加えて、この第１遮光膜１１ａは、コンタクトホール１３を介して前段又は後段の容量線３ｂに電気的に接続するように構成されている。
【００４４】
また、ＴＦＴアレイ基板１０の液晶層５０側、すなわち、画素電極９及び第３層間絶縁膜７上には、配向層４０が形成されている。配向層４０は、電圧無印加時における液晶層５０内の液晶分子の配向を制御するものである。
【００４５】
一方、対向基板２０において、基板本体２０Ａの液晶層５０側の表面（表面）には、第２遮光膜２３が設けられている。第２遮光膜２３は、データ線６ａ、走査線３ａ、及び画素スイッチング用ＴＦＴ素子３０の形成領域に対向する領域、すなわち各画素部の開口領域以外の領域を覆うことによって、入射光が画素スイッチング用ＴＦＴ素子３０の半導体層１ａのチャネル領域１ａ’や低濃度ソース領域１ｂ、低濃度ドレイン領域１ｃに侵入することを防止する。
【００４６】
さらに、第２遮光膜２３が形成された基板本体２０Ａの液晶層５０側には、その略全面に亘って、例えばＩＴＯ等からなる共通電極２１が形成されている。また、共通電極２１の液晶層５０側には、配向層６０が形成されている。配向層６０は、電圧無印加時における液晶層５０内の液晶分子の配向を制御するものである。
【００４７】
ここで、上記配向層４０（６０）の構造について、図５を参照して説明する。なお、図５は、上記配向層４０（６０）の構造を模式的に示す断面図である。なお、本実施形態では、ＴＦＴアレイ基板１０側の配向層４０と、対向基板２０側の配向層６０とが、互いに同一の構造を有する場合を例示している。したがって、図５では、配向層４０を例に挙げて説明するものとする。
【００４８】
本実施形態の液晶装置では、図５に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０の液晶層５０側の面に、配向層４０として、分子量の異なる複数（本実施形態では２つ）のシランカップリング材ＳＣ１，ＳＣ２によって表面処理が施された無機配向膜４１が設けられている。
【００４９】
具体的に、無機配向膜４１は、複数の空孔４２を有する無機酸化物（無機多孔質膜）からなる。無機酸化物としては、例えば、ＳｉＯ２、ＳｎＯ２、ＧｅＯ２、ＺｒＯ２、ＴｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３などを挙げることができる。また、無機配向膜４１は、斜方蒸着法を用いて柱状の組織体（以下、カラムという。）４３の間に空孔（隙間）４２が形成されたカラム構造の斜方蒸着膜からなる。カラム構造を有する無機酸化膜（斜方蒸着膜）の場合、カラム４３が傾斜した状態で形成されるため、このカラム４３に沿って液晶層５０の液晶分子を配向させることができる。
【００５０】
無機配向膜４１は、有機官能基がＣ６以下の第１のシランカップリング材ＳＣ１により形成された第１の有機シラン膜４４ａと、有機官能基がＣ１０以上の第２のシランカップリング材ＳＣ２により形成された第２の有機シラン膜４４ｂとで被覆されている。
【００５１】
なお、以下の説明では、第２のシランカップリング材ＳＣ２よりも分子量が小さい第１のシランカップリング材ＳＣ１を、単に“分子量が小さい第１のシランカップリング材ＳＣ１”と称し、第１のシランカップリング材ＳＣ１よりも分子量が大きい第２のシランカップリング材ＳＣ２を、単に“分子量が大きい第２のシランカップリング材ＳＣ２”と称する場合がある。
【００５２】
第１の有機シラン膜４４ａは、無機配向膜４１の表面よりも内部において、分子量の小さい第１のシランカップリング材ＳＣ１の存在割合が大きくなっている。これに対して、第２の有機シラン膜４４ｂは、無機配向膜４１の内部よりも表面において、分子量の大きい第２のシランカップリング材ＳＣ２の存在割合が大きくなっている。
【００５３】
以上のように、本実施形態の液晶装置では、無機配向膜４１の内部及び表面を第１の有機シラン膜４４ａ及び第２の有機シラン膜４４ｂにより十分に被覆することができるため、耐光性寿命の更なる向上を図りつつ、優れた耐湿性及び配向安定性を得ることが可能である。
【００５４】
［液晶装置の製造方法］
次に、本実施形態の液晶装置の製造方法について図６及び図７を参照して説明する。なお、図６は、本製造方法の特徴部分として、無機配向膜４１を第１のシランカップリング材ＳＣ１及び第２のシランカップリング材ＳＣ２で処理する工程を示す工程図である。図７は、図６示す各工程における無機配向膜４１の状態を模式的に示す断面図である。
【００５５】
本実施形態の液晶装置を製造する際は、先ず、上記ＴＦＴアレイ基板１０を作製する。具体的には、ガラス等からなる透光性の基板本体１０Ａを用意し、この基板本体１０Ａの面上に、上述した第１遮光膜１１ａと、第１層間絶縁膜１２と、半導体層１ａ、各種配線３ａ，３ｂ，６ａ、絶縁膜４，７、画素電極９等を公知の方法で形成する。続いて、画素電極９を含む第３層間絶縁膜７上に配向層４０を形成し、上記ＴＦＴアレイ基板１０を得る。
【００５６】
次に、上述したＴＦＴアレイ基板１０とは別に、上記対向基板２０を作製する。具体的には、ガラス等からなる透光性の基板本体２０Ａを用意した後、上記ＴＦＴアレイ基板１０の作製する場合と同様の方法を用いて、この基板本体２０Ａの面上に、第２遮光膜２３や共通電極２１を形成すると共に、上述した配向層４０を形成する場合と同様の方法を用いて、配向層６０を形成し、上記対向基板２０を得る。
【００５７】
次に、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とをシール剤を介して貼り合わせる。さらに、シール剤に形成した液晶注入口から誘電異方性が負の液晶を注入して液晶パネルとした後、所定の配線を接続する。これにより、本実施形態の液晶装置を製造することができる。
【００５８】
本実施形態の製造方法は、上記配向層４０を形成する際に、図６に示すように、無機配向膜４１を形成する工程（無機配向膜形成工程）Ｓ１０１と、分子量の小さい第１のシランカップリングＳＣ１を用いて無機配向膜４１を液相で処理する工程（液相処理工程）Ｓ１０２と、分子量の大きい第２のシランカップリングＳＣ２を用いて無機配向膜４１を気相で処理する工程（気相処理工程）Ｓ１０３とを、この順で含む。
【００５９】
具体的に、無機配向膜形成工程Ｓ１０１では、図７（ａ）に示すように、斜方蒸着法を用いて柱状の組織体の間に空孔が形成されたカラム構造の無機配向膜４１を形成する。
【００６０】
次に、液相処理工程Ｓ１０２では、図７（ｂ）に示すように、無機配向膜４１の面上に、第１のシランカップリング材ＳＣ１を含む塗液を塗布し、塗液を無機配向膜４１の内部に浸透させた状態で塗膜を形成した後、高温環境下に配置することによって、第１の有機シラン膜４４ａを形成する。また、第１のシランカップリング材ＳＣ１を含む塗液については、比較的低粘度のものを用いることが好ましい。具体的には、塗液の粘度を１０Ｐａ・ｓ以下とすることが好ましい。
【００６１】
これにより、無機配向膜４１の内部に第１のシランカップリング材ＳＣ１を十分に浸透させることができる。その結果として、無機配向膜４１の表面よりも内部において第１のシランカップリング材ＳＣ１の存在割合を大きい第１の有機シラン膜４４ａを形成することが可能である。
【００６２】
次に、気相処理工程Ｓ１０３では、図７（ｃ）に示すように、無機配向膜４１の面上に、第２のシランカップリング材ＳＣ２を蒸着させることによって、第２の有機シラン膜４４ｂを形成する。具体的には、加熱したチャンバー内において、液状の第２のシランカップリング材ＳＣ２の入った容器から気化した第２のシランカップリング材ＳＣ２を無機配向膜４１の表面と反応させる。この場合、チャンバー内の温度については、１００〜２００℃とし、処理時間としては、１〜４時間とすることが好ましい。
【００６３】
これにより、無機配向膜４１の表面に第２のシランカップリング材を十分に反応させることができる。その結果として、無機配向膜４１の内部よりも表面において第２のシランカップリング材ＳＣ２の存在割合を大きい第２の有機シラン膜４４ｂを形成することが可能である。
【００６４】
ここで、無機配向膜４１の表面から深さ方向に存在する第１のシランカップリング材ＳＣ１と第２のシランカップリング材ＳＣ２との割合を測定した結果を図８に示す。なお、図８では、上述した第１のシランカップリングＳＣ１を用いて無機配向膜４１を液相で処理した場合の第１のシランカップリングＳＣ１の存在割合と、第２のシランカップリングＳＣ２を用いて無機配向膜４２を気相で処理した場合の第２のシランカップリングＳＣ２の存在割合とを、別々に測定したものを示している。
【００６５】
したがって、上述した第１のシランカップリングＳＣ１による液相処理後に、第２のシランカップリングＳＣ２による気相処理を施した無機配向膜について、同様の測定を行った場合には、無機配向膜４１の表面から深さ方向に存在する第１のシランカップリング材ＳＣ１及び第２のシランカップリング材ＳＣ２の割合が同時に測定されることになる。
【００６６】
また、無機配向膜４１の深さ方向における第１のシランカップリング材ＳＣ１及び第２のシランカップリング材ＳＣ２の存在割合を測定する方法としては、以下の方法を用いることができる。すなわち、対象となる無機配向膜が形成された基板を高精度斜め切断により切断し、その切断面を多く露出させた状態で、飛行時間型二次イオン質量分析法（ＴＯＦ−ＳＩＭＳ：Time-of-Flight Secondary Ion Mass Spectrometry）を用いて、その切断面に対する定量分析を行う。これにより、無機配向膜４１の表面から深さ方向に存在する第１のシランカップリング材ＳＣ１と第２のシランカップリング材ＳＣ２との割合を測定することができる。
【００６７】
図８に示すように、分子量の小さい第１のシランカップリング材ＳＣ１は、無機配向膜４１の表面付近には存在せず、無機配向膜４１の内部に多く存在していることがわかる。また、分子量の小さい第１のシランカップリング材ＳＣ１は、無機配向膜４１の内部において最も多く存在する位置を挟んで、その存在割合が無機配向膜４１の上層及び下層に向かって減少していることがわかる。
【００６８】
一方、分子量の大きい第２のシランカップリング材ＳＣ２は、無機配向膜４１の表面に最も多く存在し、その存在割合が無機配向膜４１の表面から下層に向かって減少していることがわかる。
【００６９】
また、第１のシランカップリング材ＳＣ１の存在割合と第２のシランカップリング材ＳＣ２の存在割合とが逆転する位置は、無機配向膜４１の全厚に対して無機配向膜４１の表面から下層に向かって約２０％の位置であった。
【００７０】
以上のように、本実施形態の製造方法では、無機配向膜４１の内部に分子量の小さい第１のシランカップリング材ＳＣ１が多く存在する状態で、分子量の大きいシランカップリング材ＳＣ２により無機配向膜４１の表面を処理する。これにより、無機配向膜４１の内部及び表面を第１の有機シラン膜４４ａ及び第２の有機シラン膜４４ｂにより十分に被覆することができる。したがって、本実施形態の製造方法によれば、耐光性寿命の更なる向上を図りつつ、耐湿性及び配向安定性に優れた液晶装置を得ることが可能である。
【００７１】
なお、上記実施形態では、上述した第１のシランカップリングＳＣ１による液相処理後に、第２のシランカップリングＳＣ２による気相処理を施す場合に限らず、第１のシランカップリングＳＣ１による液相処理後に、第２のシランカップリングＳＣ２による液相処理を施す場合や、第１のシランカップリングＳＣ１による気相処理後に、第２のシランカップリングＳＣ２による気相処理を施す場合についても、本発明を適用することが可能である。
【００７２】
すなわち、本発明では、無機配向膜４１の内部に分子量の小さい第１のシランカップリング材ＳＣ１が多く存在する状態で、分子量の大きいシランカップリング材ＳＣ２により無機配向膜４１の表面をその好ましい処理条件にて処理すればよい。
【００７３】
例えば、無機配向膜４１の内部に分子量の小さい第１のシランカップリング材ＳＣ１が多く存在する状態で、第２のシランカップリングＳＣ２による液相処理を施す場合、第２のシランカップリング材ＳＣ２を含む塗液については、比較的高粘度のものを用いることが好ましい。具体的には、この塗液の粘度を１０〜３０Ｐａ・ｓとすることが好ましい。これにより、無機配向膜４１の内部及び表面を第１の有機シラン膜４４ａ及び第２の有機シラン膜４４ｂにより十分に被覆することができる。
【００７４】
なお、本発明は、上記実施形態のものに必ずしも限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
例えば、本実施形態では、ＴＦＴ素子を用いたアクティブマトリクス型液晶装置についてのみ説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば、ＴＦＤ（Thin-Film Diode）素子を用いたアクティブマトリクス型液晶装置や、パッシブマトリクス型液晶装置等にも適用可能である。また、本実施形態では、透過型液晶装置についてのみ説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、反射型の液晶装置や、半透過反射型の液晶装置にも適用可能である。このように、本発明は、いかなる構造の液晶装置にも適用することができる。
【００７５】
［電子機器］
次に、上記実施形態の液晶装置を備えた電子機器の例について説明する。
図９（ａ）は、携帯電話の一例を示す斜視図である。図９（ａ）に示す携帯電話は、携帯電話本体５００を備え、携帯電話本体５００は、上記実施形態の液晶装置を用いた液晶表示部５０１を有している。
【００７６】
図９（ｂ）は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置６００の一例を示す斜視図である。情報処理装置６００は、図９（ｂ）に示すように、キーボードなどの入力部６０１と、上記実施形態の液晶装置を用いた液晶表示部６０２を有する情報処理装置本体６０３とを備えている。
【００７７】
図９（ｃ）は、腕時計の一例を示す斜視図である。図９（ｃ）に示す腕時計は、時計本体７００を備え、時計本体７００は、上記実施形態の液晶装置を用いた液晶表示部７０１を有している。
【００７８】
以上のように、図９（ａ）〜（ｃ）に示す各電子機器では、表示部に上記実施形態の液晶装置を適用したものであるので、焼き付きの発生を抑制し、表示品質を長期に渡って維持することが可能である。
【００７９】
なお、上記実施形態の液晶装置は、図９（ａ）〜（ｃ）に示す電子機器以外にも、例えばデジタルサイネージ（電子看板）やプロジェクター（投射型液晶表示装置）などの耐光性寿命の向上が望まれる電子機器に対して好適に用いることができる。また、液晶レンズやそれを用いた光ピックアップ素子などの液晶デバイスに対しても、本発明を好適に用いることができる。
【００８０】
［投射型液晶表示装置］
次に、上記実施形態の液晶装置を光変調手段として備えた投射型液晶表示装置（プロジェクター）の構成について、図１０を参照して説明する。なお、図１０は、上記実施形態の液晶装置を光変調装置として用いた投射型表示装置の要部を示す概略構成図である。
【００８１】
図１０に示す投射型液晶表示装置は、光源８１０と、ダイクロイックミラー８１３，８１４と、反射ミラー８１５，８１６，８１７と、入射レンズ８１８と、リレーレンズ８１９と、出射レンズ８２０と、液晶光変調装置８２２，８２３，８２４と、クロスダイクロイックプリズム８２５と、投写レンズ８２６とを備えている。
【００８２】
光源８１０は、メタルハライド等のランプ８１１と、ランプの光を反射するリフレクタ８１２とからなる。青色光、緑色光反射のダイクロイックミラー８１３は、光源８１０からの光束のうちの赤色光を透過させると共に、青色光と緑色光とを反射する。透過した赤色光は反射ミラー８１７で反射されて、上記実施形態の液晶装置を備えた赤色光用液晶光変調装置８２２に入射される。
【００８３】
一方、ダイクロイックミラー８１３で反射された色光のうち緑色光は、緑色光反射のダイクロイックミラー８１４によって反射され、上述の本発明の一例たる液晶装置を備えた緑色光用液晶光変調装置８２３に入射される。なお、青色光は、第２のダイクロイックミラー８１４も透過する。青色光に対しては、光路長が緑色光及び赤色光とは異なるのを補償するために、入射レンズ８１８、リレーレンズ８１９、出射レンズ８２０を含むリレーレンズ系からなる導光手段８２１が設けられ、これを介して青色光が上述の本発明の一例たる液晶装置を備えた青色光用液晶光変調装置８２４に入射される。
【００８４】
各光変調装置により変調された３つの色光は、クロスダイクロイックプリズム８２５に入射する。このプリズムは４つの直角プリズムが貼り合わされ、その内面に赤光を反射する誘電体多層膜と青光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されている。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が形成される。合成された光は、投写光学系である投写レンズ８２６によってスクリーン８２７上に投写され、画像が拡大されて表示される。
【００８５】
以上のような構造を有する投射型表示装置は、上記実施形態の液晶装置を液晶光変調装置８２２，８２３，８２４に適用することによって、焼き付きの発生を抑制し、表示品質を長期に渡って維持することが可能である。
【実施例】
【００８６】
以下、実施例により本発明の効果をより明らかなものとする。なお、本発明は、以下の実施例に限定されるものではなく、その要旨を変更しない範囲で適宜変更して実施することができる。
【００８７】
（実施例１）
実施例１では、先ず、ＴＦＴアレイ基板側の基板本体（以下、単に基板という。）上に、真空斜方蒸着法によりＳｉＯ２を７０ｎｍの厚みで蒸着させながら、カラム構造の無機配向膜を形成した。
【００８８】
次に、第１のシランカップリング材としてｎ−プロピルトリメトキシシラン（Ｃ３）と、溶媒としてイソプロピルアルコールとを含む粘度１．７７の溶液を調製し、この塗液をスピンコート法を用いて無機配向膜上に塗布して塗膜を形成した後、１００℃に加熱する。これにより、無機配向膜の表面と第１のシランカップリング材のシラノール基との反応を促進し、第１のシランカップリング材を用いた液相処理を行った。
【００８９】
次に、チャンバー内に液相処理後の基板を配置した後、第２のシランカップリング材としてオクタデシルトリメトキシシラン（Ｃ１８）を用いて、チャンバー内の温度を１００〜２００℃とし、１〜４時間程度、気化した第２のシランカップリング材を無機配向膜の表面に反応させることによって、第２のシランカップリング材を用いた気相処理を行った。
【００９０】
以上のように作製された実施例１の基板については、上記図８に示す場合と同様の方法を用いて、無機配向膜の深さ方向における第１のシランカップリング材及び第２のシランカップリング材の存在割合を測定した。具体的には、ダイヤモンド刃のような鋭利な切刃を用いて基板を非常に緩やかな勾配で斜めに切断した後、その切断面に対してＴＯＦ−ＳＩＭＳを用いた定量分析を行った。その測定結果を図１１に示す。
【００９１】
図１１に示すように、分子量の小さい第１のシランカップリング材（Ｃ３）は、無機配向膜の表面付近には存在せず、無機配向膜の内部に多く存在（アルキル鎖長の短いＣ３のｎ−プロピル基に起因するフラグメントピークが存在）していることがわかる。また、分子量の小さい第１のシランカップリング材（Ｃ３）は、無機配向膜の内部において最も多く存在する位置を挟んで、その存在割合が無機配向膜の上層及び下層に向かって減少していることがわかる。
【００９２】
一方、分子量の大きい第２のシランカップリング材（Ｃ１８）は、無機配向膜の表面に最も多く存在（アルキル鎖長の長いＣ１８のオクタデシル基に起因するフラグメントピークが存在）し、その存在割合が無機配向膜の表面から下層に向かって減少していることがわかる。特に、深さ１０〜２０ｎｍの付近で第２のシランカップリング材（Ｃ１８）が急激に少なくなり、それ以上の深さでは第１のシランカップリング材（Ｃ３）のみが存在していることがわかる。
【００９３】
次に、上記基板と同様に作製した対向基板を貼り合わせ、その間に液晶を注入した後、封止することで、液晶装置を作製した。この液晶装置の初期液晶配向状態は良好であり、垂直配向（約３°のプレチルト角）を示した。また、信頼性評価試験として、液晶装置を相対湿度９０％、８０℃環境下で、１０００時間保持したが、初期配向状態に変化は見られなかった。
【００９４】
また、液晶装置の耐光性寿命を評価する加速評価試験を行った。本試験では、光源として水銀キセノンランプを用い、その光強度を２０ｍＷとした。また、バンドパスフィルタを用いて、波長が２５０〜４００ｎｍの範囲の光を液晶装置に照射し続けた。このとき、光照射中における液晶装置の表面温度が常に一定（３５℃）となるように、温度センサーで測定しながら冷却ファンにて温度調整を行った。そして、光照射時間の経過に伴う液晶装置の透過率の変化を測定し、液晶装置の透過率が一定基準を下回った時点を液晶装置の耐光性寿命とした。
【００９５】
その結果、実施例１の液晶装置は、オクタデシルトリメトキシシラン（Ｃ１８）を用いた気相処理のみを無機配向膜に施した以外は、実施例１と同様の方法で作製した液晶装置に比べて、約１．２倍の耐光性寿命を示した。
【００９６】
（実施例２）
実施例２では、実施例１と同様の方法を用いて、基板上に無機配向膜を形成し、第１のシランカップリング材（Ｃ３）を用いた液相処理を行った後、第２のシランカップリング材として、デシルトリメトキシシラン（Ｃ１０）を用いて気相処理を行った以外は、実施例１と同様の方法を用いて基板を作製した。
【００９７】
以上のように作製された実施例２の基板については、上記図８に示す場合と同様の方法を用いて実施例１の場合と同様の条件にて、無機配向膜の深さ方向における第１のシランカップリング材及び第２のシランカップリング材の存在割合を測定した。その測定結果を図１２に示す。
【００９８】
図１２に示すように、分子量の小さい第１のシランカップリング材（Ｃ３）は、無機配向膜の表面付近には存在せず、無機配向膜の内部に多く存在（アルキル鎖長の短いＣ３のｎ−プロピル基に起因するフラグメントピークが存在）していることがわかる。また、分子量の小さい第１のシランカップリング材（Ｃ３）は、無機配向膜の内部において最も多く存在する位置を挟んで、その存在割合が無機配向膜の上層及び下層に向かって減少していることがわかる。
【００９９】
一方、分子量の大きい第２のシランカップリング材（Ｃ１０）は、無機配向膜の表面に最も多く存在（アルキル鎖長の長いＣ１０のデシル基に起因するフラグメントピークが存在）し、その存在割合が無機配向膜の表面から下層に向かって減少していることがわかる。特に、深さ１０〜２０ｎｍの付近で第２のシランカップリング材（Ｃ１０）が急激に少なくなり、それ以上の深さでは第１のシランカップリング材（Ｃ３）のみが存在していることがわかる。
【０１００】
次に、上記基板と同様に作製した対向基板を貼り合わせ、その間に液晶を注入した後、封止することで、液晶装置を作製した。この液晶装置の初期液晶配向状態は良好であり、垂直配向（約３．５°のプレチルト角）を示した。また、信頼性評価試験として、液晶装置を相対湿度９０％、８０℃環境下で、１０００時間保持したが、初期配向状態に変化は見られなかった。
【０１０１】
また、実施例１と同様の方法を用いて、液晶装置の耐光性寿命を評価する加速評価試験を行った。その結果、実施例２の液晶装置は、デシルトリメトキシシラン（Ｃ１０）を用いた気相処理のみを無機配向膜に施した以外は、実施例２と同様の方法で作製した液晶装置に比べて、約１．３倍の耐光性寿命を示した。
【０１０２】
（比較例１）
比較例１では、実施例１と同様の方法を用いて、基板上に無機配向膜を形成し、シランカップリング材として、オクタデシルトリメトキシシラン（Ｃ１８）を用いた気相処理のみを無機配向膜に施した以外は、実施例１と同様の方法を用いて基板を作製した。
【０１０３】
以上のように作製された比較例１の基板については、上記図８に示す場合と同様の方法を用いて実施例１の場合と同様の条件にて、無機配向膜の深さ方向におけるシランカップリング材の存在割合を測定した。その測定結果を図１３に示す。
【０１０４】
図１３に示すように、シランカップリング材（Ｃ１８）は、無機配向膜の表面に最も多く存在（アルキル鎖長の長いＣ１８のオクタデシル基に起因するフラグメントピークが存在）し、その存在割合が無機配向膜の表面から下層に向かって減少していることがわかる。特に、深さ１０〜２０ｎｍの付近でシランカップリング材（Ｃ１８）が急激に少なくなり、それ以上の深さでは（フラグメントピークが）存在しないことがわかる。
【０１０５】
次に、上記基板と同様に作製した対向基板を貼り合わせ、その間に液晶を注入した後、封止することで、液晶装置を作製した。そして、実施例１と同様の方法を用いて、液晶装置の耐光性寿命を評価する加速評価試験を行った。その結果、比較例１の液晶装置は、実施例１の液晶装置に比べて、約０．８倍の耐光性寿命を示した。
【０１０６】
（比較例２）
比較例２では、実施例２と同様の方法を用いて、基板上に無機配向膜を形成し、シランカップリング材として、デシルトリメトキシシラン（Ｃ１０）を用いた気相処理のみを無機配向膜に施した以外は、実施例２と同様の方法を用いて基板を作製した。
【０１０７】
以上のように作製された比較例２の基板については、上記図８に示す場合と同様の方法を用いて実施例２の場合と同様の条件にて、無機配向膜の深さ方向におけるシランカップリング材の存在割合を測定した。その測定結果を図１４に示す。
【０１０８】
図１４に示すように、シランカップリング材（Ｃ１０）は、無機配向膜の表面に最も多く存在（アルキル鎖長の長いＣ１０のデシル基に起因するフラグメントピークが存在）し、その存在割合が無機配向膜の表面から下層に向かって減少していることがわかる。特に、深さ１０〜２０ｎｍの付近でシランカップリング材（Ｃ１０）が急激に少なくなり、それ以上の深さでは（フラグメントピークが）存在しないことがわかる。
【０１０９】
次に、上記基板と同様に作製した対向基板を貼り合わせ、その間に液晶を注入した後、封止することで、液晶装置を作製した。そして、実施例２と同様の方法を用いて、液晶装置の耐光性寿命を評価する加速評価試験を行った。その結果、比較例２の液晶装置は、実施例２の液晶装置に比べて、約０．７倍の耐光性寿命を示した。
【０１１０】
（比較例３）
比較例３では、実施例１と同様の方法を用いて、基板上に無機配向膜を形成し、シランカップリング材として、ｎ−プロピルトリメトキシシラン（Ｃ３）液相処理のみを無機配向膜に施した以外は、実施例１と同様の方法を用いて基板を作製した。
【０１１１】
以上のように作製された比較例３の基板については、上記図８に示す場合と同様の方法を用いて実施例１の場合と同様の条件にて、無機配向膜の深さ方向におけるシランカップリング材の存在割合を測定した。その測定結果を図１５に示す。
【０１１２】
図１５に示すように、シランカップリング材（Ｃ３）は、無機配向膜の表面付近には存在せず、無機配向膜の内部に多く存在（アルキル鎖長の短いＣ３のｎ−プロピル基に起因するフラグメントピークが存在）していることがわかる。また、分子量の小さいシランカップリング材（Ｃ３）は、無機配向膜の内部において最も多く存在する位置を挟んで、その存在割合が無機配向膜の上層及び下層に向かって減少していることがわかる。
【０１１３】
次に、上記基板と同様に作製した対向基板を貼り合わせ、その間に液晶を注入した後、封止することで、液晶装置を作製した。そして、実施例１と同様の方法を用いて、液晶装置の耐光性寿命を評価する加速評価試験を行った。その結果、比較例１の液晶装置は、実施例１の液晶装置に比べて、約０．８倍の耐光性寿命を示した。また、比較例１の液晶装置を相対湿度９０％、８０℃の環境下に配置すると、１００時間程度で液晶配向の一部が垂直配向から水平配向へと変化する配向不良が発生した。
【符号の説明】
【０１１４】
９…画素電極  １０…ＴＦＴアレイ基板  ２０…対向基板  １０Ａ，２０Ａ…基板本体  ２１…共通電極  ４０，６０…配向層  ４１…無機配向膜  ４２…空孔  ４３…カラム  ４４ａ…第１の有機シラン膜  ４４ｂ…第２の有機シラン膜  ５０…液晶層  ＳＣ１…第１のシランカップリング材  ＳＣ２…第２のシランカップリング材
【図１】
2016191847.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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