(57)【要約】【課題】複数のマスクのいずれかで機能変更を行うことができる、半導体装置等を提供すること。【解決手段】半導体装置は、絶縁層３００を介して積層されている第１配線層３１０及び第２配線層３２０、並びに、絶縁層３００に設けられて第１配線層３１０と第２配線層３２０とを電気的に接続するビアホールをそれぞれ備える第１ノード１０、第２ノード２０及び第３ノード３０を有する機能切替回路１００ａを含み、機能切替回路１００ａは、第１ノード１０と第２ノード２０とを接続することによって第１の機能を有効にし、第１ノード１０と第３ノード３０とを接続することによって第２の機能を有効にし、第１ノード１０と第３ノード３０とは、第１配線層３１０、第２配線層３２０及びビアホールを経路として電気的に接続されている。【選択図】図１
2016066713.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層を介して積層されている第１配線層及び第２配線層、並びに、前記絶縁層に設けられて前記第１配線層と前記第２配線層とを電気的に接続するビアホールをそれぞれ備える第１ノード、第２ノード及び第３ノードを有する機能切替回路を含み、
前記機能切替回路は、
前記第１ノードと前記第２ノードとを接続することによって第１の機能を有効にし、
前記第１ノードと前記第３ノードとを接続することによって第２の機能を有効にし、
前記第１ノードと前記第３ノードとは、
前記第１配線層、前記第２配線層及び前記ビアホールを経路として電気的に接続されている、半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記第１ノードと前記第３ノードとは、
前記第１配線層に設けられている第１配線及び第２配線、前記第２配線層に設けられている第３配線、前記第１配線と前記第３配線とを電気的に接続する第１ビアホール、及び、前記第２配線と前記第３配線とを電気的に接続する第２ビアホールを経路として電気的に接続されている、半導体装置。
【請求項３】
請求項２に記載の半導体装置において、
前記第２ノードの前記第１配線層に設けられている第４配線と、前記第３配線とは、平面視において一部が重なるように設けられている、半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置を少ない工数で設計変更を行うために、様々な提案がなされている。また、１度の開発で複数の機種に対応できるように、所謂マスクオプションで機能変更を行うことも行われている。
【０００３】
例えば、特許文献１には、予め定めた１層の配線を変更することで設計変更を可能にした半導体装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−１０１６２０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１の半導体装置では、半導体装置の開発段階で発見された不具合を解消するための設計変更に必要となるマスクと、マスクオプションで機能変更を行うマスクが異なる場合には、２枚のマスクを変更する必要があった。
【０００６】
本発明は、以上のような問題点に鑑みてなされたものであり、本発明のいくつかの態様によれば、複数のマスクのいずれかで機能変更を行うことができる、半導体装置等を提供することができる。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は前述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の態様又は適用例として実現することが可能である。
【０００８】
［適用例１］
本適用例に係る半導体装置は、絶縁層を介して積層されている第１配線層及び第２配線層、並びに、前記絶縁層に設けられて前記第１配線層と前記第２配線層とを電気的に接続するビアホールをそれぞれ備える第１ノード、第２ノード及び第３ノードを有する機能切替回路を含み、前記機能切替回路は、前記第１ノードと前記第２ノードとを接続することによって第１の機能を有効にし、前記第１ノードと前記第３ノードとを接続することによって第２の機能を有効にし、前記第１ノードと前記第３ノードとは、
前記第１配線層、前記第２配線層及び前記ビアホールを経路として電気的に接続されている、半導体装置である。
【０００９】
［適用例２］
上述の半導体装置において、前記第１ノードと前記第３ノードとは、前記第１配線層に設けられている第１配線及び第２配線、前記第２配線層に設けられている第３配線、前記第１配線と前記第３配線とを電気的に接続する第１ビアホール、及び、前記第２配線と前記第３配線とを電気的に接続する第２ビアホールを経路として電気的に接続されていてもよい。
【００１０】
［適用例３］
上述の半導体装置において、前記第２ノードの前記第１配線層に設けられている第４配線と、前記第３配線とは、平面視において一部が重なるように設けられていてもよい。
【００１１】
これらの適用例によれば、第１配線層、第２配線層及びビアホールのいずれかを変更するだけで、第３ノードを第１ノード又は第２ノードのいずれに接続するかを変更できる。したがって、複数のマスクのいずれかで機能変更を行うことができる半導体装置を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】図１（Ａ）〜図１（Ｄ）は、第１実施形態に係る半導体装置を模式的に示す平面図である。
【図２】図１（Ａ）のＡ−Ａ線における断面を模式的に示す断面模式図である。
【図３】図３（Ａ）〜図３（Ｄ）は、第２実施形態に係る半導体装置を模式的に示す平面図である。
【図４】図４（Ａ）〜図４（Ｄ）は、第３実施形態に係る半導体装置を模式的に示す平面図である。
【図５】図５（Ａ）〜図５（Ｄ）は、第４実施形態に係る半導体装置を模式的に示す平面図である。
【図６】図６（Ａ）〜図６（Ｄ）は、第５実施形態に係る半導体装置を模式的に示す平面図である。
【図７】図７（Ａ）〜図７（Ｄ）は、第６実施形態に係る半導体装置を模式的に示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明の好適な実施形態について図面を用いて詳細に説明する。用いる図面は説明の便宜上のものである。なお、以下に説明する実施形態は、特許請求の範囲に記載された本発明の内容を不当に限定するものではない。また以下で説明される構成の全てが本発明の必須構成要件であるとは限らない。
【００１４】
１．第１実施形態
図１（Ａ）〜図１（Ｄ）は、第１実施形態に係る半導体装置を模式的に示す平面図である。図２は、図１（Ａ）のＡ−Ａ線における断面を模式的に示す断面模式図である。なお、半導体装置における配線及びビアホール以外の構成については図示を省略する。
【００１５】
本実施形態に係る半導体装置は、絶縁層３００を介して積層されている第１配線層３１０及び第２配線層３２０、並びに、絶縁層３００に設けられて第１配線層３１０と第２配線層３２０とを電気的に接続するビアホールをそれぞれ備える第１ノード１０、第２ノード２０及び第３ノード３０を有する機能切替回路１００ａを含んで構成されている。機能切替回路１００ａは、第１ノード１０と第２ノード２０とを接続することによって第１の機能を有効にし、第１ノード１０と第３ノード３０とを接続することによって第２の機能を有効にする。例えば、半導体装置が腕時計用である場合には、第１のムーブメントに適合させるための機能を第１の機能、第２のムーブメントに適合させるための機能を第２の機能としてもよい。第１配線層３１０及び第２配線層３２０には、後述される配線が設けられている。各配線は、不図示のトランジスターや端子などの回路要素と電気的に接続される。
【００１６】
図１（Ａ）に示される例では、第１ノード１０と第３ノード３０とは、第１配線層３１０の配線、第２配線層３２０の配線及びビアホールを経路として電気的に接続されている。また、第２ノード２０と第３ノード３０とは、電気的に接続されていない。また、第１ノード１０と第２ノード２０とは、電気的に接続されていない。
【００１７】
より具体的には、第１ノード１０と第３ノード３０とは、第１配線層３１０に設けられている第１配線１０１及び第２配線１０２、第２配線層３２０に設けられている第３配線１０３、第１配線１０１と第３配線１０３とを電気的に接続する第１ビアホール２０１、及び、第２配線１０２と第３配線１０３とを電気的に接続する第２ビアホール２０２を経路として電気的に接続されている。図１（Ａ）に示される例では、第３ノード３０から第１ノード１０に向かって順に、第２配線１０２、第２ビアホール２０２、第３配線１０３、第１ビアホール２０１、第１配線１０１が電気的に接続されている。
【００１８】
また、第２ノード２０の第１配線層３１０に設けられている第４配線１０４と、第３配線１０３とは、平面視において一部が重なるように設けられている。
【００１９】
次に、図１（Ａ）の構成から、第２ノード２０と第３ノード３０とが電気的に接続され、第１ノード１０と第３ノード３０とが電気的に接続されていない構成に変更する例について説明する。
【００２０】
図１（Ｂ）は、第１配線層３１０のみの変更で接続を変更する例である。図１（Ｂ）に示される例では、第１配線１０１は、第１ビアホール２０１から電気的に切り離されている。また、第４配線１０４は、第１ビアホール２０１と電気的に接続されている。図１（Ｂ）に示される例では、第３ノード３０から第２ノード２０に向かって順に、第２配線１０２、第２ビアホール２０２、第３配線１０３、第１ビアホール２０１、第４配線１０４が電気的に接続されている。
【００２１】
図１（Ｃ）は、第２配線層３２０のみの変更で接続を変更する例である。図１（Ｃ）に示される例では、第１ビアホール２０１は、第３配線１０３から電気的に切り離されている。また、第４配線１０４は、第２ビアホール２０２と電気的に接続されている。図１（Ｃ）に示される例では、第３ノード３０から第２ノード２０に向かって順に、第２配線１０２、第２ビアホール２０２、第４配線１０４が電気的に接続されている。
【００２２】
図１（Ｄ）は、絶縁層３００（ビアホールが形成される層）のみの変更で接続を変更する例である。図１（Ｄ）に示される例では、第１ビアホール２０１がなくなり、第１配線１０１は、第３配線１０３から電気的に切り離されている。また、第４配線１０４は、新たに設けられた第３ビアホール２０３を介して第３配線１０３と電気的に接続されている。第３ビアホール２０３は、平面視において第３配線１０３と第４配線１０４とが重なる位置に設けられている。図１（Ｄ）に示される例では、第３ノード３０から第２ノード２０に向かって順に、第２配線１０２、第２ビアホール２０２、第３配線１０３、第３ビアホール２０３、第４配線１０４が電気的に接続されている。
【００２３】
本実施形態によれば、第１配線層３１０、第２配線層３２０及びビアホール（絶縁層３００）のいずれかを変更するだけで、第３ノード３０を第１ノード１０又は第２ノード２０のいずれに接続するかを変更できる。したがって、複数のマスクのいずれかで機能変更を行うことができる半導体装置を実現できる。
【００２４】
２．第２実施形態
図３（Ａ）〜図３（Ｄ）は、第２実施形態に係る半導体装置を模式的に示す平面図である。本実施形態に係る半導体装置は、第１実施形態に係る半導体装置の第１ノード１０の配置と第２ノード２０の配置とを入れ替えた例である。なお、半導体装置における配線及びビアホール以外の構成については図示を省略する。また、第１実施形態と同様の構成には同一の符号を付し、詳細な説明を省略する。
【００２５】
本実施形態に係る半導体装置は、絶縁層３００を介して積層されている第１配線層３１０及び第２配線層３２０、並びに、絶縁層３００に設けられて第１配線層３１０と第２配線層３２０とを電気的に接続するビアホールをそれぞれ備える第１ノード１０、第２ノード２０及び第３ノード３０を有する機能切替回路１００ｂを含んで構成されている。機能切替回路１００ｂは、第１ノード１０と第２ノード２０とを接続することによって第１の機能を有効にし、第１ノード１０と第３ノード３０とを接続することによって第２の機能を有効にする。第１配線層３１０及び第２配線層３２０には、後述される配線が設けられている。
【００２６】
図３（Ａ）に示される例では、第１ノード１０と第３ノード３０とは、第１配線層３１０の配線、第２配線層３２０の配線及びビアホールを経路として電気的に接続されている。また、第２ノード２０と第３ノード３０とは、電気的に接続されていない。また、第１ノード１０と第２ノード２０とは、電気的に接続されていない。
【００２７】
より具体的には、第１ノード１０と第３ノード３０とは、第１配線層３１０に設けられている第１配線１０１及び第２配線１０２、第２配線層３２０に設けられている第３配線１０３、第１配線１０１と第３配線１０３とを電気的に接続する第１ビアホール２０１、及び、第２配線１０２と第３配線１０３とを電気的に接続する第２ビアホール２０２を経路として電気的に接続されている。図３（Ａ）に示される例では、第３ノード３０から第１ノード１０に向かって順に、第２配線１０２、第２ビアホール２０２、第３配線１０３、第１ビアホール２０１、第１配線１０１が電気的に接続されている。
【００２８】
また、第２ノード２０の第１配線層３１０に設けられている第４配線１０４と、第３配線１０３とは、平面視において一部が重なるように設けられている。
【００２９】
次に、図３（Ａ）の構成から、第２ノード２０と第３ノード３０とが電気的に接続され、第１ノード１０と第３ノード３０とが電気的に接続されていない構成に変更する例について説明する。
【００３０】
図３（Ｂ）は、第１配線層３１０のみの変更で接続を変更する例である。図３（Ｂ）に示される例では、第１配線１０１は、第１ビアホール２０１から電気的に切り離されている。また、第４配線１０４は、第１ビアホール２０１と電気的に接続されている。図３（Ｂ）に示される例では、第３ノード３０から第２ノード２０に向かって順に、第２配線１０２、第２ビアホール２０２、第３配線１０３、第１ビアホール２０１、第４配線１０４が電気的に接続されている。
【００３１】
図３（Ｃ）は、第２配線層３２０のみの変更で接続を変更する例である。図３（Ｃ）に示される例では、第１ビアホール２０１は、第３配線１０３から電気的に切り離されている。また、第４配線１０４は、第２ビアホール２０２と電気的に接続されている。図３（Ｃ）に示される例では、第３ノード３０から第２ノード２０に向かって順に、第２配線１０２、第２ビアホール２０２、第４配線１０４が電気的に接続されている。
【００３２】
図３（Ｄ）は、絶縁層３００（ビアホールが形成される層）のみの変更で接続を変更する例である。図３（Ｄ）に示される例では、第１ビアホール２０１がなくなり、第１配線１０１は、第３配線１０３から電気的に切り離されている。また、第４配線１０４は、新たに設けられた第３ビアホール２０３を介して第３配線１０３と電気的に接続されている。第３ビアホール２０３は、平面視において第３配線１０３と第４配線１０４とが重なる位置に設けられている。図３（Ｄ）に示される例では、第３ノード３０から第２ノード２０に向かって順に、第２配線１０２、第２ビアホール２０２、第３配線１０３、第３ビアホール２０３、第４配線１０４が電気的に接続されている。
【００３３】
本実施形態によれば、第１配線層３１０、第２配線層３２０及びビアホール（絶縁層３００）のいずれかを変更するだけで、第３ノード３０を第１ノード１０又は第２ノード２０のいずれに接続するかを変更できる。したがって、複数のマスクのいずれかで機能変更を行うことができる半導体装置を実現できる。
【００３４】
３．第３実施形態
図４（Ａ）〜図４（Ｄ）は、第３実施形態に係る半導体装置を模式的に示す平面図である。なお、半導体装置における配線及びビアホール以外の構成については図示を省略する。また、第１実施形態と同様の構成には同一の符号を付し、詳細な説明を省略する。
【００３５】
本実施形態に係る半導体装置は、絶縁層３００を介して積層されている第１配線層３１０及び第２配線層３２０、並びに、絶縁層３００に設けられて第１配線層３１０と第２配線層３２０とを電気的に接続するビアホールをそれぞれ備える第１ノード１０、第２ノード２０及び第３ノード３０を有する機能切替回路１００ｃを含んで構成されている。機能切替回路１００ｃは、第１ノード１０と第２ノード２０とを接続することによって第１の機能を有効にし、第１ノード１０と第３ノード３０とを接続することによって第２の機能を有効にする。第１配線層３１０及び第２配線層３２０には、後述される配線が設けられている。
【００３６】
図４（Ａ）に示される例では、第１ノード１０と第３ノード３０とは、第１配線層３１０の配線、第２配線層３２０の配線及びビアホールを経路として電気的に接続されている。また、第２ノード２０と第３ノード３０とは、電気的に接続されていない。また、第１ノード１０と第２ノード２０とは、電気的に接続されていない。
【００３７】
より具体的には、第１ノード１０と第３ノード３０とは、第１配線層３１０に設けられている第１配線１０１及び第２配線１０２、第２配線層３２０に設けられている第３配線１０３、第１配線１０１と第３配線１０３とを電気的に接続する第１ビアホール２０１、及び、第２配線１０２と第３配線１０３とを電気的に接続する第２ビアホール２０２を経路として電気的に接続されている。図４（Ａ）に示される例では、第３ノード３０から第１ノード１０に向かって順に、第２配線１０２、第２ビアホール２０２、第３配線１０３、第１ビアホール２０１、第１配線１０１が電気的に接続されている。
【００３８】
また、第２ノード２０の第１配線層３１０に設けられている第４配線１０４と、第３配線１０３とは、平面視において一部が重なるように設けられている。
【００３９】
次に、図４（Ａ）の構成から、第２ノード２０と第３ノード３０とが電気的に接続され、第１ノード１０と第３ノード３０とが電気的に接続されていない構成に変更する例について説明する。
【００４０】
図４（Ｂ）は、第１配線層３１０のみの変更で接続を変更する例である。図４（Ｂ）に示される例では、第１配線１０１は、第１ビアホール２０１から電気的に切り離されている。また、第４配線１０４は、第４ビアホール２０４を介して第３配線１０３と電気的に接続されている。図４（Ｂ）に示される例では、第３ノード３０から第２ノード２０に向かって順に、第２配線１０２、第２ビアホール２０２、第３配線１０３、第４ビアホール２０４、第４配線１０４が電気的に接続されている。
【００４１】
図４（Ｃ）は、第２配線層３２０のみの変更で接続を変更する例である。図４（Ｃ）に示される例では、第１ビアホール２０１は、第３配線１０３から電気的に切り離されている。また、第４配線１０４は、第５ビアホール２０５を介して第３配線１０３と電気的に
接続されている。図４（Ｃ）に示される例では、第３ノード３０から第２ノード２０に向かって順に、第２配線１０２、第２ビアホール２０２、第３配線１０３、第５ビアホール２０５、第４配線１０４が電気的に接続されている。
【００４２】
図４（Ｄ）は、絶縁層３００（ビアホールが形成される層）のみの変更で接続を変更する例である。図４（Ｄ）に示される例では、第１ビアホール２０１がなくなり、第１配線１０１は、第３配線１０３から電気的に切り離されている。また、第４配線１０４は、新たに設けられた第３ビアホール２０３を介して第３配線１０３と電気的に接続されている。第３ビアホール２０３は、平面視において第３配線１０３と第４配線１０４とが重なる位置に設けられている。図４（Ｄ）に示される例では、第３ノード３０から第２ノード２０に向かって順に、第２配線１０２、第２ビアホール２０２、第３配線１０３、第３ビアホール２０３、第４配線１０４が電気的に接続されている。
【００４３】
本実施形態によれば、第１配線層３１０、第２配線層３２０及びビアホール（絶縁層３００）のいずれかを変更するだけで、第３ノード３０を第１ノード１０又は第２ノード２０のいずれに接続するかを変更できる。したがって、複数のマスクのいずれかで機能変更を行うことができる半導体装置を実現できる。
【００４４】
４．第４実施形態
図５（Ａ）〜図５（Ｄ）は、第４実施形態に係る半導体装置を模式的に示す平面図である。本実施形態に係る半導体装置は、第３実施形態に係る半導体装置の第１ノード１０の配置と第２ノード２０の配置とを入れ替えた例である。なお、半導体装置における配線及びビアホール以外の構成については図示を省略する。また、第３実施形態と同様の構成には同一の符号を付し、詳細な説明を省略する。
【００４５】
本実施形態に係る半導体装置は、絶縁層３００を介して積層されている第１配線層３１０及び第２配線層３２０、並びに、絶縁層３００に設けられて第１配線層３１０と第２配線層３２０とを電気的に接続するビアホールをそれぞれ備える第１ノード１０、第２ノード２０及び第３ノード３０を有する機能切替回路１００ｄを含んで構成されている。機能切替回路１００ｄは、第１ノード１０と第２ノード２０とを接続することによって第１の機能を有効にし、第１ノード１０と第３ノード３０とを接続することによって第２の機能を有効にする。第１配線層３１０及び第２配線層３２０には、後述される配線が設けられている。
【００４６】
図５（Ａ）に示される例では、第１ノード１０と第３ノード３０とは、第１配線層３１０の配線、第２配線層３２０の配線及びビアホールを経路として電気的に接続されている。また、第２ノード２０と第３ノード３０とは、電気的に接続されていない。また、第１ノード１０と第２ノード２０とは、電気的に接続されていない。
【００４７】
より具体的には、第１ノード１０と第３ノード３０とは、第１配線層３１０に設けられている第１配線１０１及び第２配線１０２、第２配線層３２０に設けられている第３配線１０３、第１配線１０１と第３配線１０３とを電気的に接続する第１ビアホール２０１、及び、第２配線１０２と第３配線１０３とを電気的に接続する第２ビアホール２０２を経路として電気的に接続されている。図５（Ａ）に示される例では、第３ノード３０から第１ノード１０に向かって順に、第２配線１０２、第２ビアホール２０２、第３配線１０３、第１ビアホール２０１、第１配線１０１が電気的に接続されている。
【００４８】
また、第２ノード２０の第１配線層３１０に設けられている第４配線１０４と、第３配線１０３とは、平面視において一部が重なるように設けられている。
【００４９】
次に、図５（Ａ）の構成から、第２ノード２０と第３ノード３０とが電気的に接続され、第１ノード１０と第３ノード３０とが電気的に接続されていない構成に変更する例について説明する。
【００５０】
図５（Ｂ）は、第１配線層３１０のみの変更で接続を変更する例である。図５（Ｂ）に示される例では、第１配線１０１は、第１ビアホール２０１から電気的に切り離されている。また、第４配線１０４は、第４ビアホール２０４を介して第３配線１０３と電気的に接続されている。図５（Ｂ）に示される例では、第３ノード３０から第２ノード２０に向かって順に、第２配線１０２、第２ビアホール２０２、第３配線１０３、第４ビアホール２０４、第４配線１０４が電気的に接続されている。
【００５１】
図５（Ｃ）は、第２配線層３２０のみの変更で接続を変更する例である。図５（Ｃ）に示される例では、第１ビアホール２０１は、第３配線１０３から電気的に切り離されている。また、第４配線１０４は、第５ビアホール２０５を介して第３配線１０３と電気的に接続されている。図５（Ｃ）に示される例では、第３ノード３０から第２ノード２０に向かって順に、第２配線１０２、第２ビアホール２０２、第３配線１０３、第５ビアホール２０５、第４配線１０４が電気的に接続されている。
【００５２】
図５（Ｄ）は、絶縁層３００（ビアホールが形成される層）のみの変更で接続を変更する例である。図５（Ｄ）に示される例では、第１ビアホール２０１がなくなり、第１配線１０１は、第３配線１０３から電気的に切り離されている。また、第４配線１０４は、新たに設けられた第３ビアホール２０３を介して第３配線１０３と電気的に接続されている。第３ビアホール２０３は、平面視において第３配線１０３と第４配線１０４とが重なる位置に設けられている。図５（Ｄ）に示される例では、第３ノード３０から第２ノード２０に向かって順に、第２配線１０２、第２ビアホール２０２、第３配線１０３、第３ビアホール２０３、第４配線１０４が電気的に接続されている。
【００５３】
本実施形態によれば、第１配線層３１０、第２配線層３２０及びビアホール（絶縁層３００）のいずれかを変更するだけで、第３ノード３０を第１ノード１０又は第２ノード２０のいずれに接続するかを変更できる。したがって、複数のマスクのいずれかで機能変更を行うことができる半導体装置を実現できる。
【００５４】
５．第５実施形態
図６（Ａ）〜図６（Ｄ）は、第５実施形態に係る半導体装置を模式的に示す平面図である。なお、半導体装置における配線及びビアホール以外の構成については図示を省略する。また、第１実施形態と同様の構成には同一の符号を付し、詳細な説明を省略する。
【００５５】
本実施形態に係る半導体装置は、絶縁層３００を介して積層されている第１配線層３１０及び第２配線層３２０、並びに、絶縁層３００に設けられて第１配線層３１０と第２配線層３２０とを電気的に接続するビアホールをそれぞれ備える第１ノード１０、第２ノード２０及び第３ノード３０を有する機能切替回路１００ｅを含んで構成されている。機能切替回路１００ｅは、第１ノード１０と第２ノード２０とを接続することによって第１の機能を有効にし、第１ノード１０と第３ノード３０とを接続することによって第２の機能を有効にする。第１配線層３１０及び第２配線層３２０には、後述される配線が設けられている。
【００５６】
図６（Ａ）に示される例では、第１ノード１０と第３ノード３０とは、第１配線層３１０の配線、第２配線層３２０の配線及びビアホールを経路として電気的に接続されている。また、第２ノード２０と第３ノード３０とは、電気的に接続されていない。また、第１ノード１０と第２ノード２０とは、電気的に接続されていない。
【００５７】
より具体的には、第１ノード１０と第３ノード３０とは、第１配線層３１０に設けられている第１配線１０１及び第２配線１０２、第２配線層３２０に設けられている第３配線１０３、第１配線１０１と第３配線１０３とを電気的に接続する第１ビアホール２０１、及び、第２配線１０２と第３配線１０３とを電気的に接続する第２ビアホール２０２を経路として電気的に接続されている。図６（Ａ）に示される例では、第３ノード３０から第１ノード１０に向かって順に、第２配線１０２、第２ビアホール２０２、第３配線１０３、第１ビアホール２０１、第１配線１０１が電気的に接続されている。
【００５８】
また、第２ノード２０の第１配線層３１０に設けられている第４配線１０４と、第３配線１０３とは、平面視において一部が重なるように設けられている。
【００５９】
次に、図６（Ａ）の構成から、第２ノード２０と第３ノード３０とが電気的に接続され、第１ノード１０と第３ノード３０とが電気的に接続されていない構成に変更する例について説明する。
【００６０】
図６（Ｂ）は、第１配線層３１０のみの変更で接続を変更する例である。図６（Ｂ）に示される例では、第１配線１０１は、第１ビアホール２０１から電気的に切り離されている。また、第４配線１０４は、第４ビアホール２０４を介して第３配線１０３と電気的に接続されている。図６（Ｂ）に示される例では、第３ノード３０から第２ノード２０に向かって順に、第２配線１０２、第２ビアホール２０２、第３配線１０３、第４ビアホール２０４、第４配線１０４が電気的に接続されている。
【００６１】
図６（Ｃ）は、第２配線層３２０のみの変更で接続を変更する例である。図６（Ｃ）に示される例では、第１ビアホール２０１は、第３配線１０３から電気的に切り離されている。また、第４配線１０４は、第５ビアホール２０５を介して第３配線１０３と電気的に接続されている。図６（Ｃ）に示される例では、第３ノード３０から第２ノード２０に向かって順に、第２配線１０２、第２ビアホール２０２、第３配線１０３、第５ビアホール２０５、第４配線１０４が電気的に接続されている。
【００６２】
図６（Ｄ）は、絶縁層３００（ビアホールが形成される層）のみの変更で接続を変更する例である。図６（Ｄ）に示される例では、第１ビアホール２０１がなくなり、第１配線１０１は、第３配線１０３から電気的に切り離されている。また、第４配線１０４は、新たに設けられた第３ビアホール２０３を介して第３配線１０３と電気的に接続されている。第３ビアホール２０３は、平面視において第３配線１０３と第４配線１０４とが重なる位置に設けられている。図６（Ｄ）に示される例では、第３ノード３０から第２ノード２０に向かって順に、第２配線１０２、第２ビアホール２０２、第３配線１０３、第３ビアホール２０３、第４配線１０４が電気的に接続されている。
【００６３】
本実施形態によれば、第１配線層３１０、第２配線層３２０及びビアホール（絶縁層３００）のいずれかを変更するだけで、第３ノード３０を第１ノード１０又は第２ノード２０のいずれに接続するかを変更できる。したがって、複数のマスクのいずれかで機能変更を行うことができる半導体装置を実現できる。
【００６４】
６．第６実施形態
図７（Ａ）〜図７（Ｄ）は、第６実施形態に係る半導体装置を模式的に示す平面図である。本実施形態に係る半導体装置は、第５実施形態に係る半導体装置の第１ノード１０の配置と第２ノード２０の配置とを入れ替えた例である。なお、半導体装置における配線及びビアホール以外の構成については図示を省略する。また、第５実施形態と同様の構成には同一の符号を付し、詳細な説明を省略する。
【００６５】
本実施形態に係る半導体装置は、絶縁層３００を介して積層されている第１配線層３１０及び第２配線層３２０、並びに、絶縁層３００に設けられて第１配線層３１０と第２配線層３２０とを電気的に接続するビアホールをそれぞれ備える第１ノード１０、第２ノード２０及び第３ノード３０を有する機能切替回路１００ｆを含んで構成されている。機能切替回路１００ｆは、第１ノード１０と第２ノード２０とを接続することによって第１の機能を有効にし、第１ノード１０と第３ノード３０とを接続することによって第２の機能を有効にする。第１配線層３１０及び第２配線層３２０には、後述される配線が設けられている。
【００６６】
図７（Ａ）に示される例では、第１ノード１０と第３ノード３０とは、第１配線層３１０の配線、第２配線層３２０の配線及びビアホールを経路として電気的に接続されている。また、第２ノード２０と第３ノード３０とは、電気的に接続されていない。また、第１ノード１０と第２ノード２０とは、電気的に接続されていない。
【００６７】
より具体的には、第１ノード１０と第３ノード３０とは、第１配線層３１０に設けられている第１配線１０１及び第２配線１０２、第２配線層３２０に設けられている第３配線１０３、第１配線１０１と第３配線１０３とを電気的に接続する第１ビアホール２０１、及び、第２配線１０２と第３配線１０３とを電気的に接続する第２ビアホール２０２を経路として電気的に接続されている。図７（Ａ）に示される例では、第３ノード３０から第１ノード１０に向かって順に、第２配線１０２、第２ビアホール２０２、第３配線１０３、第１ビアホール２０１、第１配線１０１が電気的に接続されている。
【００６８】
また、第２ノード２０の第１配線層３１０に設けられている第４配線１０４と、第３配線１０３とは、平面視において一部が重なるように設けられている。
【００６９】
次に、図７（Ａ）の構成から、第２ノード２０と第３ノード３０とが電気的に接続され、第１ノード１０と第３ノード３０とが電気的に接続されていない構成に変更する例について説明する。
【００７０】
図７（Ｂ）は、第１配線層３１０のみの変更で接続を変更する例である。図７（Ｂ）に示される例では、第１配線１０１は、第１ビアホール２０１から電気的に切り離されている。また、第４配線１０４は、第４ビアホール２０４を介して第３配線１０３と電気的に接続されている。図７（Ｂ）に示される例では、第３ノード３０から第２ノード２０に向かって順に、第２配線１０２、第２ビアホール２０２、第３配線１０３、第４ビアホール２０４、第４配線１０４が電気的に接続されている。
【００７１】
図７（Ｃ）は、第２配線層３２０のみの変更で接続を変更する例である。図７（Ｃ）に示される例では、第１ビアホール２０１は、第３配線１０３から電気的に切り離されている。また、第４配線１０４は、第５ビアホール２０５を介して第３配線１０３と電気的に接続されている。図７（Ｃ）に示される例では、第３ノード３０から第２ノード２０に向かって順に、第２配線１０２、第２ビアホール２０２、第３配線１０３、第５ビアホール２０５、第４配線１０４が電気的に接続されている。
【００７２】
図７（Ｄ）は、絶縁層３００（ビアホールが形成される層）のみの変更で接続を変更する例である。図７（Ｄ）に示される例では、第１ビアホール２０１がなくなり、第１配線１０１は、第３配線１０３から電気的に切り離されている。また、第４配線１０４は、新たに設けられた第３ビアホール２０３を介して第３配線１０３と電気的に接続されている。第３ビアホール２０３は、平面視において第３配線１０３と第４配線１０４とが重なる位置に設けられている。図７（Ｄ）に示される例では、第３ノード３０から第２ノード２
０に向かって順に、第２配線１０２、第２ビアホール２０２、第３配線１０３、第３ビアホール２０３、第４配線１０４が電気的に接続されている。
【００７３】
本実施形態によれば、第１配線層３１０、第２配線層３２０及びビアホール（絶縁層３００）のいずれかを変更するだけで、第３ノード３０を第１ノード１０又は第２ノード２０のいずれに接続するかを変更できる。したがって、複数のマスクのいずれかで機能変更を行うことができる半導体装置を実現できる。
【００７４】
上述した各実施形態及び各変形例は一例であって、これらに限定されるわけではない。例えば、各実施形態及び各変形例を適宜組み合わせることも可能である。
【００７５】
本発明は、実施形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び効果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
【符号の説明】
【００７６】
１０…第１ノード、２０…第２ノード、３０…第３ノード、１００ａ，１００ｂ，１００ｃ，１００ｄ，１００ｅ，１００ｆ…機能切替回路、１０１…第１配線、１０２…第２配線、１０３…第３配線、１０４…第４配線、２０１…第１ビアホール、２０２…第２ビアホール、２０３…第３ビアホール、２０４…第４ビアホール、３００…絶縁層、３１０…第１配線層、３２０…第２配線層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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