(57)【要約】      （修正有）【課題】光導波路に対する光学部品の位置ずれを抑制し、光結合効率の良好な光学モジュールを提供する。【解決手段】光トランシーバ４０は、光導波路４２ｂと、光導波路４２ｂの端面側に設けられた凹部４２ｅとを有する光導波路チップ４２と、その凹部４２ｅに設けられた樹脂４７と、樹脂４７上に設けられたレンズ４６を含む。光トランシーバ４０は更に、光導波路チップ４２上に接合され、凹部４２ｅとの対向面に、光導波路４２ｂの端面に対応する溝４８ａを有するガイド基板４８を含む。レンズ４６は、光導波路チップ４２の凹部４２ｅに設けられた樹脂４７と、ガイド基板４８に設けられた溝４８ａとの間に設けられる。【選択図】図５
2016004224.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光導波路と、前記光導波路の端面側に設けられた第１凹部とを有する第１基板と、
前記第１凹部に設けられた樹脂と、
前記樹脂上に設けられた光学部品と、
前記第１基板上に接合され、前記第１凹部との対向面に、前記端面に対応する第２凹部を有する第２基板と
を含み、
前記光学部品は、前記樹脂と前記第２凹部の間に設けられることを特徴とする光学モジュール。
【請求項２】
前記第２凹部は、前記端面の光軸方向に延在する第１溝を含み、
前記光学部品は、前記第１溝に設けられることを特徴とする請求項１に記載の光学モジュール。
【請求項３】
前記第２凹部は、前記第１溝の直交方向に延在する第２溝を更に含み、
前記光学部品は、前記第１溝の、前記第２溝との交差位置に、設けられることを特徴とする請求項２に記載の光学モジュール。
【請求項４】
前記樹脂の一部は、前記端面と前記光学部品の間に設けられることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の光学モジュール。
【請求項５】
前記第２基板は、前記第１基板と電気的に接続された半導体チップであることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の光学モジュール。
【請求項６】
光導波路と、前記光導波路の端面側に設けられた第１凹部とを有する第１基板を準備する工程と、
前記端面に対応する第２凹部を有する第２基板を準備する工程と、
前記第１凹部に樹脂を設ける工程と、
前記樹脂上に光学部品を設ける工程と、
前記第１基板上に、前記第２基板を、前記第２凹部で前記光学部品を前記樹脂側に押圧して、接合する工程と
を含むことを特徴とする光学モジュールの製造方法。
【請求項７】
前記樹脂上に前記光学部品を設ける工程は、前記樹脂上に配置した前記光学部品を前記端面側に寄せると共に、前記端面を前記樹脂の一部で被覆する工程を含むことを特徴とする請求項６に記載の光学モジュールの製造方法。
【請求項８】
光導波路と、前記光導波路の端面側に設けられた第１凹部とを有する第１基板と、
前記第１凹部に設けられた樹脂と、
前記樹脂上に設けられた第１光学部品と、
前記第１基板上に接合され、前記第１凹部との対向面に、前記端面に対応する第２凹部を有する第２基板と
を含み、
前記第１光学部品が、前記樹脂と前記第２凹部の間に設けられる光学モジュールと、
前記光学モジュールの側方に設けられ、前記端面に前記第１光学部品を介して光結合された第２光学部品と
を含むことを特徴とする光学装置。
【請求項９】
前記第２基板は、前記第２基板の外面に設けられた第３凹部を有し、
前記第２光学部品は、前記第３凹部に係合される係合部を有することを特徴とする請求項８に記載の光学装置。
【請求項１０】
前記第２光学部品は、前記係合部が前記第３凹部に係合された前記第２基板に当接する突起部を有することを特徴とする請求項９に記載の光学装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光学モジュール、光学モジュールの製造方法及び光学装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
光導波路を設ける基板に、その光導波路の光軸方向に溝を形成し、その溝に光学部品を樹脂で接着して、光学モジュールを得る技術が知られている。例えば、基板としてシリコン基板を用い、異方性エッチングで溝を形成し、その溝にレンズ等の光学部品を樹脂で接着する手法が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００６−１０９５９号公報
【特許文献２】特開２００５−２３４０５２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記のような技術を用いる光学モジュールでは、光学部品を接着する基板に形成する溝の寸法、光学部品の接着に用いる樹脂の量、光学モジュール使用時の加熱による樹脂の熱膨張等が、所定の光軸からの光学部品の位置ずれを招く一因となり得る。光学部品の位置ずれが生じた光学モジュールでは、十分な光結合効率が得られない恐れがある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一観点によれば、光導波路と、前記光導波路の端面側に設けられた第１凹部とを有する第１基板と、前記第１凹部に設けられた樹脂と、前記樹脂上に設けられた光学部品と、前記第１基板上に接合され、前記第１凹部との対向面に、前記端面に対応する第２凹部を有する第２基板とを含み、前記光学部品は、前記樹脂と前記第２凹部の間に設けられる光学モジュールが提供される。
【０００６】
また、本発明の一観点によれば、光導波路と、前記光導波路の端面側に設けられた第１凹部とを有する第１基板を準備する工程と、前記端面に対応する第２凹部を有する第２基板を準備する工程と、前記第１凹部に樹脂を設ける工程と、前記樹脂上に光学部品を設ける工程と、前記第１基板上に、前記第２基板を、前記第２凹部で前記光学部品を前記樹脂側に押圧して、接合する工程とを含む光学モジュールの製造方法が提供される。
【０００７】
また、本発明の一観点によれば、光学モジュールを含む光学装置が提供される。
【発明の効果】
【０００８】
開示の技術によれば、光学部品の位置ずれを抑制し、十分な光結合効率を有する光学モジュールを実現することが可能になる。また、そのような光学モジュールを含む光学装置を実現することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】光学装置の構成例を示す図である。
【図２】光トランシーバの説明図である。
【図３】光導波路チップの別例を示す図である。
【図４】第１の実施の形態に係る光学装置の一例を示す図である。
【図５】第１の実施の形態に係る光トランシーバの一例の説明図である。
【図６】第１の実施の形態に係る光導波路チップの一例の説明図である。
【図７】第１の実施の形態に係るガイド基板の一例の説明図である。
【図８】第１の実施の形態に係る組み立て工程の説明図（その１）である。
【図９】第１の実施の形態に係る組み立て工程の説明図（その２）である。
【図１０】第１の実施の形態に係る組み立て工程の説明図（その３）である。
【図１１】第１の実施の形態に係る組み立て工程の説明図（その４）である。
【図１２】第２の実施の形態に係る光トランシーバの一例の説明図である。
【図１３】第２の実施の形態に係る光トランシーバの別例の説明図である。
【図１４】第３の実施の形態に係る光トランシーバの一例の説明図である。
【図１５】第４の実施の形態に係る光学装置の一例を示す図である。
【図１６】第５の実施の形態に係る光トランシーバの一例の説明図である。
【図１７】第６の実施の形態に係る光学装置の一例の説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
まず、光学モジュールを含む光学装置の一例について述べる。
例えば、サーバやスーパーコンピュータ等の分野では、システムの演算速度の高速化に伴い、インターコネクトの高速化が求められている。電気信号を伝送する配線（電気配線）では、帯域、密度及び電力の観点から、高速化に十分に対応できないことも起こり得る。電気配線によるインターコネクションに替わる技術として、ＬＳＩ（Large Scale Integration）等の半導体素子間の低消費電力、広帯域の伝送を光配線によって実現する、光インターコネクションが注目されている。光インターコネクションでは、光トランシーバと呼ばれる、電気信号を光信号に変換する、或いは、光信号を電気信号に変換する、光学モジュールが用いられる。
【００１１】
光トランシーバを用いた光インターコネクト用パッケージ（光学装置）の一例を図１に示す。図１は光学装置の構成例を示す図である。ここで、図１（Ａ）は光学装置の一例の要部平面模式図、図１（Ｂ）及び図１（Ｃ）はそれぞれ図１（Ａ）のＬ１−Ｌ１断面模式図の一例である。
【００１２】
図１に示す光学装置１Ａは、ボード１０、パッケージ基板２０、半導体装置３０、光トランシーバ４０Ａ、光ファイバ５０及び放熱体６０を含む。
ボード１０は、例えば、その表面及び内部に、所定の導体パターン（配線、ビア等）が設けられたプリント板等の回路基板である。
【００１３】
パッケージ基板２０は、例えば、その表面２０ａ、裏面２０ｂ及び内部に、所定の導体パターン（配線、ビア等）が設けられたプリント板等の回路基板（インターポーザ）である。パッケージ基板２０上に、半導体装置３０及び光インターコネクト用の光トランシーバ４０Ａが実装される。
【００１４】
半導体装置３０は、例えば、ＬＳＩ等の半導体素子（半導体チップ）、又は、ＬＳＩ等の半導体チップをパッケージ基板に実装した半導体パッケージである。ここでは一例として、パッケージ基板２０上に、１つの半導体装置３０が実装された構成を図示している。
【００１５】
光トランシーバ４０Ａは、例えば、パッケージ基板２０上の半導体装置３０の周囲に複数、設けられる。光トランシーバ４０Ａは、図１では図示を省略するが、例えば、光変調器、光検出器、光導波路、及びレンズ等の光学部品を含む。光変調器、光検出器、光導波路は、例えば、シリコンフォトニクス技術を用いて実現することができる。光トランシーバ４０Ａの構成例については後述する。
【００１６】
半導体装置３０及び光トランシーバ４０Ａは、例えば、半田等のバンプ７０を用いてパッケージ基板２０に実装される。これにより、半導体装置３０及び光トランシーバ４０Ａがそれぞれ、バンプ７０を介して、パッケージ基板２０に電気的に接続される。また、半導体装置３０と光トランシーバ４０Ａとが、バンプ７０及びパッケージ基板２０を介して、電気的に接続される。
【００１７】
半導体装置３０及び光トランシーバ４０Ａが実装されたパッケージ基板２０は、例えば、半田等のバンプ８０を用いてボード１０に実装され、ボード１０と電気的に接続される。
【００１８】
光ファイバ５０は、光信号の伝送路（光配線）であって、そのコアが光導波路となる。光ファイバ５０は、その一端が、図１に示す光トランシーバ４０Ａに光学的に接続される。光ファイバ５０の他端は、他の光トランシーバに光学的に接続され、その光トランシーバに電気的に接続された他の半導体装置、或いは、メモリやストレージに接続される。光トランシーバ４０Ａは、半導体装置３０から受信した電気信号を光信号に変換し、光ファイバ５０を通じて他の装置に伝送する。或いは、光トランシーバ４０Ａは、他の装置から光ファイバ５０を通じて伝送される光信号を電気信号に変換し、半導体装置３０に送信する。
【００１９】
放熱体６０は、半導体装置３０上、或いは更に光トランシーバ４０Ａ上に、設けられる。放熱体６０は、ここでは図示を省略するが、例えば、ＴＩＭ（Thermal Interface Material）、サーマルグリース、導電性ペースト等、一定の熱伝導性を示す熱伝導材を介して、半導体装置３０等の上に接合され、半導体装置３０等と熱的に接続される。放熱体６０は、空冷式の場合には、図１（Ｂ）に示すような、多数のフィン６１ａ（ピン状やプレート状）を設けたヒートシンク６１とすることができる。また、液冷式の場合には、図１（Ｃ）に示すような、冷媒（冷却水）が循環する配管６２ａを設けたクーリングプレート６２とすることができる。
【００２０】
上記のような光学装置１Ａに用いられる光トランシーバ４０Ａについて更に述べる。
図２は光トランシーバの説明図である。ここで、図２（Ａ）は光トランシーバの一例の実装構造を示す要部断面模式図、図２（Ｂ）は光トランシーバの一例の要部平面模式図、図２（Ｃ）は光トランシーバの一例の要部断面模式図である。
【００２１】
光トランシーバ４０Ａは、図２（Ａ）に示すように、半導体装置３０と共に、バンプ７０を用いて、パッケージ基板２０上に実装される。
光トランシーバ４０Ａは、図２（Ａ）及び図２（Ｂ）に示すように、サブパッケージ基板４１、並びに、サブパッケージ基板４１上に実装された光導波路チップ４２Ａ、ドライバチップ４３及び光源４４を有する。
【００２２】
サブパッケージ基板４１は、例えば、アルミナ、シリコン又は有機材料を用いたインターポーザであり、その表裏面及び内部に、所定の導体パターン（配線、ビア等）が設けられる。この導体パターンにより、光導波路チップ４２Ａ及びドライバチップ４３と、サブパッケージ基板４１との半田等のバンプ４５を用いた電気的な接続、サブパッケージ基板４１とパッケージ基板２０とのバンプ７０を用いた電気的な接続が行われる。
【００２３】
光導波路チップ４２Ａは、シリコン基板等の基板４２ａ（ベンチ）の表面４２ａａに設けられた光導波路４２ｂ、ここでは一例として４本の光導波路４２ｂを有する基板（光導波路基板）である。光導波路チップ４２Ａは更に、光導波路４２ｂを伝播する光の位相や強度を変調する光変調器（リング光変調器、マッハツェンダ光変調器等）、及び光導波路４２ｂを伝播する光を検出する光検出器を含む素子領域４２ｃを有する。光導波路チップ４２Ａは、サブパッケージ基板４１上に、バンプ４５を用いて実装され、電気的に接続される。
【００２４】
ドライバチップ４３は、光導波路チップ４２Ａを制御するドライバ回路を含む。ドライバチップ４３は、サブパッケージ基板４１上に、バンプ４５を用いて実装され、電気的に接続される。尚、ドライバチップ４３には、ドライバ回路のほか、アンプ回路が含まれ得る。
【００２５】
光源４４は、サブパッケージ基板４１上に実装され、光導波路チップ４２Ａに光学的に接続される。
光トランシーバ４０Ａの、光導波路チップ４２Ａの光導波路４２ｂの光軸方向には、レンズ４６、ここでは一例として４本の光導波路４２ｂに対応して４つの球状のレンズ４６が設けられる。レンズ４６には、例えば、光導波路４２ｂの端面が焦点となるコリメートレンズが用いられる。光ファイバ５０（多芯テープファイバ等）が、レンズ４６を介して光導波路４２ｂに光結合されることで（図２（Ｃ））、光トランシーバ４０Ａを含む光学装置１Ａと、これに光ファイバ５０で光学的に接続された他の装置との間の光伝送が実現される。
【００２６】
光ファイバ５０の先端部には、例えば、図２（Ａ）〜図２（Ｃ）に示すように、その端面の光軸方向に位置するレンズ５１ａを有するコネクタ５１が設けられる。レンズ５１ａには、例えば、コリメートレンズが用いられる。コネクタ５１では、レンズ５１ａの焦点位置に光ファイバ５０の端面が配置される。レンズ５１ａは、屈折率、光ファイバ５０の開口数に合わせて、光導波路チップ４２Ａ側のコリメート光を光ファイバ５０に結合できる曲率半径で形成される。コネクタ５１のレンズ５１ａと、光トランシーバ４０Ａのレンズ４６とを対向させて、光ファイバ５０、レンズ５１ａ、レンズ４６及び光導波路４２ｂの光結合が行われる。
【００２７】
光導波路チップ４２Ａの光導波路４２ｂ、並びに、素子領域４２ｃの光変調器及び光検出器は、例えば、シリコンフォトニクス技術を用いて形成される。光導波路チップ４２Ａの、光導波路４２ｂの端面の光軸方向には、図２（Ａ）〜図２（Ｃ）に示すように、溝（凹部）４２ｄが設けられ、この凹部４２ｄに樹脂４７を用いてレンズ４６が接着され、固定される。この例では、四角錐状の凹部４２ｄを設け、レンズ４６を樹脂４７で接着している。凹部４２ｄは、例えば、光導波路チップ４２Ａのシリコン基板（基板４２ａ）に異方性エッチングを施すことで形成される。
【００２８】
ところで、広帯域、長距離伝送を行うためには、波長多重技術のほか、シングルモードファイバが用いられ得るが、シングルモードファイバを用いる場合には、マルチモードファイバを用いる場合に比べて、光結合のために、より高い位置合わせ精度が要求される。上記光導波路チップ４２Ａのような光導波路４２ｂのサイズは、例えばサブミクロンオーダーであり、スポットサイズコンバータやグレーティングカプラを用いても、光導波路４２ｂと光ファイバ５０の間の位置ずれにより、光結合損失が大きくなり得る。また、この場合、光ファイバ５０の位置合わせに、光の強度をモニタしながら行う手法を用いると、工数が増大し、製造コストの増大を招き得る。
【００２９】
これに対し、上記のようなレンズ５１ａを有するコネクタ５１を用いる手法では、レンズ５１ａとレンズ４６を対向させ、光を拡大し、平行光にして接続する。この手法では、光が拡大平行光となるため、レンズ５１ａとレンズ４６の間の接続は、角度ずれには比較的弱いものの、位置ずれの精度は比較的許容される。光導波路チップ４２Ａとコネクタ５１の位置ずれの許容度は、数十μｍ程度まで緩和される。そのため、より簡便に、また製造コストの増大を抑えて、光トランシーバ４０Ａ及びそれを備える光学装置１Ａを実現することが可能になる。更に、光ファイバ５０のコネクタ５１が、光導波路チップ４２Ａと非接触で配置されるため、光導波路チップ４２Ａの損傷を抑えることが可能になる。
【００３０】
但し、光導波路チップ４２Ａの光導波路４２ｂと、レンズ４６との位置合わせには、高い精度が要求される。
光導波路チップ４２Ａ上へのレンズ４６の配置は、例えば上記のように、シリコン基板等の基板４２ａに異方性エッチングを施し、四角錐の凹部４２ｄを設け、そこに樹脂４７でレンズ４６を接着する手法が用いられる。
【００３１】
しかしながら、例えば、基板４２ａに異方性エッチングで形成される凹部４２ｄの深さ、凹部４２ｄの間口とレンズ４６のサイズ関係によっては、凹部４２ｄに接着されるレンズ４６の位置が、光導波路４２ｂの端面の光軸に対してずれることが起こり得る。更に、凹部４２ｄへのレンズ４６の接着に用いる樹脂４７の種類や量によっては、樹脂４７の硬化時に生じる体積収縮等のために、レンズ４６の位置ずれが生じることも起こり得る。
【００３２】
また、上記光導波路チップ４２Ａのように、複数の光導波路４２ｂに対応して複数のレンズ４６を設ける場合、各レンズ４６を設ける凹部４２ｄ間に深さ等のばらつきが生じると、接着する各レンズ４６の位置にばらつきが生じ得る。その結果、光導波路４２ｂとレンズ４６の間の位置ずれが生じることが起こり得る。或いは、位置にばらつきのあるレンズ４６に対してそれぞれ光ファイバ５０（その光軸方向のレンズ５１ａ）を位置合わせして光結合することが難しくなり得る。複数の光ファイバ５０を含む多芯テープファイバを用いる場合には、このような位置にばらつきのあるレンズ４６に対する位置合わせが、より難しくなる。
【００３３】
図３は光導波路チップの別例を示す図である。ここで、図３（Ａ）は光導波路チップの別例の要部平面模式図、図３（Ｂ）は光導波路チップの別例の要部断面模式図である。
図３に示す光導波路チップ４２Ｂは、シリコン基板等の基板４２ａの表面４２ａａに、半導体レーザ１００が設けられ、その光軸方向にレンズ４６が設けられた構造を有する。レンズ４６は、基板４２ａの、異方性エッチング等で形成された凹部４２ｄに、樹脂４７で接着される。レンズ４６に対向して、光ファイバ５０の先端部に設けられた、レンズ５１ａを有するコネクタ５１が配置される。
【００３４】
このような光導波路チップ４２Ｂでは、基板４２ａ上に、一定の厚みを有する半導体レーザ１００が設けられるため、光軸位置が、基板４２ａの表面４２ａａから一定の高さの位置になる。そのため、上記図２の光導波路チップ４２Ａのように、基板４２ａの表面４２ａａに光導波路４２ｂが設けられるものに比べると、より浅い凹部４２ｄを形成すれば足りる。
【００３５】
このように光導波路チップ４２Ａでは、比較的深い凹部４２ｄを形成するため、上記のような凹部４２ｄの寸法又はそのばらつきによるレンズ４６の位置ずれ、樹脂４７の量や種類によるレンズ４６の位置ずれが、より生じ易くなり得る。
【００３６】
尚、基板４２ａにシリコン基板を用いる場合、シリコンは赤外光に対しては透明であるが、屈折が発生し得る。そのため、シリコンに対する赤外光の入出射を避けるため、凹部４２ｄを光導波路チップ４２Ａの縁部に設け、更にその凹部４２ｄの端を部分的に除去することが行われる場合がある。しかし、この場合には、凹部４２ｄの形成に要する工数の増大、加工（凹部４２ｄの端の部分的除去）に伴う凹部４２ｄの破損を招き得る。
【００３７】
また、光学装置１Ａにおいて、光導波路チップ４２Ａを含む光トランシーバ４０Ａは、半導体装置３０との間の電気配線長を短縮するため、パッケージ基板２０上の、半導体装置３０の近傍に配置され得る。半導体装置３０は、その動作時に発熱するが、その発熱により、光トランシーバ４０Ａの光導波路チップ４２Ａに用いられている樹脂４７に熱膨張が生じ得る。このような樹脂４７の熱膨張により、レンズ４６の位置ずれが生じることも起こり得る。
【００３８】
光学装置１Ａでは、以上のようなレンズ４６の位置ずれによって、光導波路４２ｂとレンズ４６の間の光軸ずれが生じ、十分な光結合効率が得られない場合がある。
そこで、以下では、光導波路とその端面の光軸方向に設けるレンズ等の光学部品との間の位置ずれを抑制することのできる光学装置及びその製造方法の例を、実施の形態として詳細に説明する。
【００３９】
まず、第１の実施の形態について説明する。
図４は第１の実施の形態に係る光学装置の一例を示す図である。ここで、図４（Ａ）は第１の実施の形態に係る光学装置の一例の要部平面模式図、図４（Ｂ）は図４（Ａ）のＬ２−Ｌ２断面模式図である。
【００４０】
図４（Ａ）及び図４（Ｂ）に示す光学装置１は、パッケージ基板２０、並びに、パッケージ基板２０上にバンプ７０を用いて実装された半導体装置３０及び光トランシーバ４０を有する。パッケージ基板２０上には更に、先端部にコネクタ５１を設けた光ファイバ５０が実装される。半導体装置３０、光トランシーバ４０及び光ファイバ５０が実装されたパッケージ基板２０は、ここでは図示を省略するが、上記図１の例と同様に、バンプ８０を用いてボード１０に実装される。
【００４１】
光トランシーバ４０は、サブパッケージ基板４１、並びに、サブパッケージ基板４１上にバンプ４５を用いて実装された光導波路チップ４２、及びそれを制御するドライバ回路を含むドライバチップ４３を有する。尚、ドライバチップ４３には、アンプ回路が含まれ得る。サブパッケージ基板４１上には更に、光源４４が実装され、光導波路チップ４２に光学的に接続される。
【００４２】
光トランシーバ４０の光導波路チップ４２は、シリコン基板等の基板４２ａ（ベンチ）の表面４２ａａに設けられた光導波路４２ｂ（ここでは一例として４本）を有する基板（光導波路基板）である。光導波路チップ４２は更に、光導波路４２ｂを伝播する光の位相を変調する光変調器、及び光導波路４２ｂを伝播する光を検出する光検出器を含む素子領域４２ｃを有する。光導波路４２ｂ、並びに、素子領域４２ｃの光変調器及び光検出器は、例えば、シリコンフォトニクス技術を用いて形成される。
【００４３】
光導波路チップ４２の基板４２ａには、光導波路４２ｂの、素子領域４２ｃと反対の端面側に、基板４２ａの側端面まで達する溝（凹部）４２ｅが設けられる。この凹部４２ｅに、樹脂４７が設けられ、球状のレンズ４６が接着される。レンズ４６には、例えば、コリメートレンズが用いられる。光導波路チップ４２の上方には、その基板４２ａの凹部４２ｅに対向して、ガイド基板４８が設けられる。ガイド基板４８は、光導波路チップ４２の凹部４２ｅに設けられた樹脂４７上のレンズ４６を、所定の位置、例えば、光導波路４２ｂの端面の光軸上であってその端面が焦点となるような位置に、ガイドする機能を有する。
【００４４】
このような光トランシーバ４０の光導波路チップ４２及びガイド基板４８について、更に説明する。
図５は第１の実施の形態に係る光トランシーバの一例の説明図、図６は第１の実施の形態に係る光導波路チップの一例の説明図、図７は第１の実施の形態に係るガイド基板の一例の説明図である。
【００４５】
ここで、図５（Ａ）は第１の実施の形態に係る光トランシーバの一例の要部平面模式図、図５（Ｂ）は図５（Ａ）のＬ３−Ｌ３断面模式図、図５（Ｃ）は図５（Ａ）のＬ４−Ｌ４断面模式図である。図５（Ａ）〜図５（Ｃ）には便宜上、光トランシーバ４０の要素のうち、サブパッケージ基板４１上の光導波路チップ４２、その凹部４２ｅに設けられた樹脂４７及びその上のレンズ４６、並びにガイド基板４８を図示している。
【００４６】
図６（Ａ）は第１の実施の形態に係る光導波路チップの一例の要部平面模式図、図６（Ｂ）は図６（Ａ）のＬ５−Ｌ５断面模式図、図６（Ｃ）は図６（Ａ）のＬ６−Ｌ６断面模式図である。
【００４７】
図７（Ａ）は第１の実施の形態に係るガイド基板の一例の光導波路チップとの対向面側から見た要部平面模式図、図７（Ｂ）は図７（Ａ）のＬ７−Ｌ７断面模式図、図７（Ｃ）は第１の実施の形態に係るガイド基板の一例の光導波路チップとの対向面と反対の面側から見た要部平面模式図、図７（Ｄ）は図７（Ａ）のＬ８−Ｌ８断面模式図、図７（Ｅ）は図７（Ａ）のＬ９−Ｌ９断面模式図である。
【００４８】
上記図５（Ａ）〜図５（Ｃ）に示すように、光トランシーバ４０は、サブパッケージ基板４１上にバンプ４５を用いて実装された光導波路チップ４２を含む。光導波路チップ４２の凹部４２ｅに、シリコーン系等の樹脂４７が設けられ、その樹脂４７上に、球状のコリメートレンズ等のレンズ４６が設けられる。光導波路４２ｂの端面と、レンズ４６の間には、樹脂４７の一部が設けられる。凹部４２ｅの上方に設けられるガイド基板４８は、光導波路４２ｂの端面に対応して設けられた溝（凹部）４８ａを有し、この溝４８ａの位置に、レンズ４６が配置される。ガイド基板４８は、メタル層４９を用いて光導波路チップ４２に接合される。レンズ４６は、光導波路チップ４２に接合されたガイド基板４８の溝４８ａで樹脂４７側に押さえ付けられている。
【００４９】
一例として、樹脂４７に屈折率１．５５の接着剤を用い、レンズ４６に直径２００μｍの球状レンズを用い、レンズ４６の端から光導波路４２ｂの端面までの距離を４００μｍ、レンズ４６から出射する光ビームの直径を１００μｍ程度に設定する。
【００５０】
光トランシーバ４０の光導波路チップ４２及びガイド基板４８について、それぞれ図６及び図７を参照して説明する。
光導波路チップ４２は、図６（Ａ）〜図６（Ｃ）に示すように、光導波路４２ｂの一端面（素子領域４２ｃと反対の端面）側に、側端面に達する凹部４２ｅを有する。凹部４２ｅは、例えば、図６（Ａ）に示すように、光導波路４２ｂの端面の光軸を挟むように基板４２ａに設けられている一対の側壁４２ａｂ間の領域４２ｅｂを有している。レンズ４６は、後述のように、その側方（光導波路４２ｂの端面の光軸と直交する方向）を側壁４２ａｂに接触又は非接触でガイドされ、領域４２ｅｂに樹脂４７を介して配置される。
【００５１】
凹部４２ｅの領域４２ｅｂの幅（一対の側壁４２ａｂ間の幅）は、例えば、レンズ４６のサイズ（径）よりも大きなサイズとされ、各光導波路４２ｂに対して配置するレンズ４６のピッチを維持できる程度の幅とされる。凹部４２ｅの領域４２ｅｂは、例えば、平面視で、光導波路４２ｂの端面から離れるにつれて幅が広くなるような形状とすることができる。凹部４２ｅの深さ、各レンズ４６を配置する領域４２ｅｂの深さは、ガイド基板４８でレンズ４６を樹脂４７側に押さえた時にレンズ４６と光導波路４２ｂの光軸が合わせられる深さがあればよく、領域４２ｅｂ間の深さにばらつきがあってもよい。
【００５２】
光導波路チップ４２の、ガイド基板４８が対向して配置される領域に、メタル層４９ａ（図５に示すメタル層４９の一部）が設けられる。ここでは一例として、図６（Ａ）に示すように、平面視で基板４２ａ上の４箇所に、メタル層４９ａを設けた場合を図示している。メタル層４９ａは、例えば、金（Ａｕ）層とすることができる。メタル層４９ａと基板４２ａの間の密着強度を高めるため、基板４２ａ上にスズ（Ｓｎ）層、チタン（Ｔｉ）層、ニッケル（Ｎｉ）層、クロム（Ｃｒ）層のいずれか又は積層体を設け、その最表面にＡｕ層を設けてもよい。メタル層４９ａの膜厚は、例えば、０．１μｍとすることができる。
【００５３】
光導波路チップ４２は、例えば、次のようにして形成される。
まず、ダイシングによって各光導波路チップ４２に個片化する前段階のウェハ（ダイシング前の基板４２ａ）の、各光導波路チップ４２の形成領域に、光変調器及び光検出器（素子領域４２ｃ）並びに光導波路４２ｂを形成する。次いで、各光導波路チップ４２の形成領域の所定箇所に、メタル層４９ａを形成する。素子領域４２ｃ、光導波路４２ｂ、メタル層４９ａは、フォトリソグラフィ技術、エッチング技術、成膜技術、リフトオフ技術等を用いて、形成することができる。
【００５４】
メタル層４９ａの形成まで行った後、フォトリソグラフィ技術、エッチング技術を用いて、凹部４２ｅを形成する。例えば、ＢＯＳＣＨプロセスで用いられる深掘り反応性イオンエッチング（Reactive Ion Etching；ＲＩＥ）の手法を用い、基板４２ａを６５μｍ程度まで深く掘り込む。ドライエッチングでは、凹部４２ｅ（領域４２ｅｂ）の深さにばらつきが生じ得るが、ここでは問題がなく、形成する凹部４２ｅは、上記のような一定の寸法条件を満足する比較的ラフな精度で構わない。
【００５５】
その後、ウェハのダイシングを行い、個々の光導波路チップ４２に個片化する。個々の光導波路チップ４２の凹部４２ｅは、このように個片化した際、図６（Ａ）及び図６（Ｂ）に示すような、光導波路チップ４２の側端面まで達する開口パターンとなるように、形成される。これは、光導波路４２ｂから出射又は光導波路４２ｂに入射する光、レンズ４６を通過する光、光ファイバ５０に入射又は光ファイバ５０から出射される光が、光導波路チップ４２の側端面と干渉し、それによって光の屈折が生じないようにするためである。
【００５６】
例えば上記のような方法によって、光導波路チップ４２を形成することができる。
また、ガイド基板４８は、図７（Ａ）に示すように、光導波路チップ４２に設けたメタル層４９ａに対応する箇所に、メタル層４９ｂ（図５に示すメタル層４９の一部）を有する。メタル層４９ｂは、上記メタル層４９ａと同様に、Ａｕ層とすることができるほか、Ｓｎ層、Ｔｉ層、Ｎｉ層、Ｃｒ層のいずれか又は積層体の最表面にＡｕ層を設けた構造としてもよい。メタル層４９ｂの膜厚は、例えば、０．１μｍとすることができる。
【００５７】
ガイド基板４８は更に、図７（Ａ）〜図７（Ｅ）に示すように、光導波路チップ４２と対向するようになる面側に、溝４８ａを有する。溝４８ａは、光導波路チップ４２の光導波路４２ｂの端面に対応して設けられる。
【００５８】
溝４８ａは、光導波路４２ｂの端面の光軸方向、即ち図７に示す方向Ｘに延在する第１溝４８ａａと、方向Ｘに直交する方向Ｙに延在する第２溝４８ａｂとを有する。方向Ｘに延在する第１溝４８ａａは、図７（Ａ）及び図７（Ｅ）に示すように、方向Ｙに沿った断面における形状（断面形状）がＶ字状となるように設けられる。方向Ｙに延在する第２溝４８ａｂは、図７（Ａ）及び図７（Ｂ）に示すように、方向Ｙに沿った断面における形状（断面形状）がＶ字状となるように設けられる。
【００５９】
このように方向Ｘに延在する第１溝４８ａａと、方向Ｙに延在する第２溝４８ａｂとの交差領域Ｐが、ガイド基板４８を光導波路チップ４２に接合した時に、その凹部４２ｅに配置されるレンズ４６を樹脂４７側に押さえる領域となる。第１溝４８ａａ及び第２溝４８ａｂは、その交差領域Ｐの中央にレンズ４６が配置された時に、レンズ４６の焦点が光導波路４２ｂの端面の位置となるように（光導波路４２ｂの端面に対応して）、設けられる。
【００６０】
ガイド基板４８は、例えば、次のようにして形成される。
まず、ガイド基板４８となる基板材料（基材）を準備する。ガイド基板４８の基材には、例えば、シリコン基板、石英基板、パイレックス（登録商標）等のガラス基板を用いることができる。このような基材の、光導波路チップ４２のメタル層４９ａに対応する箇所に、メタル層４９ｂを形成する。メタル層４９ｂは、フォトリソグラフィ技術、エッチング技術、成膜技術、リフトオフ技術等を用いて、形成することができる。
【００６１】
メタル層４９ｂの形成後、例えば、そのメタル層４９ｂの位置を基準にして、切削技術を用い、溝４８ａを形成する。溝４８ａは、Ｖ字状のブレードを持つダイシングソーを用いて形成する。この例では、上記のように、光導波路チップ４２の４本の光導波路４２ｂに対して４個のレンズ４６を実装する。このような場合は、各光導波路４２ｂに対応する４本の第１溝４８ａａが方向Ｘに延在するように、ダイシングソーによる切削が行われる。更に、第１溝４８ａａに配置されることとなるレンズ４６と、光導波路４２ｂの端面の位置に基づき（レンズ４６の焦点位置に基づき）、１本の第２溝４８ａｂが、４本の第１溝４８ａａに直交する方向Ｙに延在するように、ダイシングソーによる切削が行われる。
【００６２】
上記のようにレンズ４６は、ガイド基板４８を光導波路チップ４２に接合した時に、第１溝４８ａａと第２溝４８ａｂの交差領域Ｐに配置され、レンズ４６の位置は、光導波路４２ｂとの光結合効率に影響する。そのため、ガイド基板４８の形成時には、第１溝４８ａａ及び第２溝４８ａｂを、高い位置精度の切削プロセスによって形成することが望ましい。
【００６３】
例えば上記のような方法によって、ガイド基板４８を形成することができる。
続いて、組み立て方法について説明する。
図８〜図１１は第１の実施の形態に係る組み立て工程の説明図である。
【００６４】
ここで、図８（Ａ）は樹脂配置工程の要部平面模式図、図８（Ｂ）は図８（Ａ）のＬ１０−Ｌ１０断面模式図である。図９（Ａ）はレンズ配置工程の要部平面模式図、図９（Ｂ）は図９（Ａ）のＬ１１−Ｌ１１断面模式図である。図１０（Ａ）はレンズ再配置工程の要部断面模式図、図１０（Ｂ）は図１０（Ａ）のＬ１２−Ｌ１２断面模式図である。図１１（Ａ）はガイド基板接合工程の要部断面模式図、図１１（Ｂ）は図１１（Ａ）のＬ１３−Ｌ１３断面模式図である。
【００６５】
まず、図８（Ａ）及び図８（Ｂ）に示すように、例えば上記図６のような構成を有する光導波路チップ４２の凹部４２ｅに、樹脂４７を設ける。樹脂４７は、ディスペンサ等を用いて一定量、凹部４２ｅに設けられる。樹脂４７には、その硬化後、レンズ４６を通過する光に対して透明性を有し、且つ、一定の弾力性を有するものが用いられる。樹脂４７には、例えば、シリコーン系の樹脂を用いることができる。樹脂４７には、シリコーン系のほか、エポキシ系、アクリル系の樹脂を用いることもできる。
【００６６】
凹部４２ｅに樹脂４７を設けた後は、図９（Ａ）及び図９（Ｂ）に示すように、樹脂４７上にレンズ４６を設ける。レンズ４６には、球状のコリメートレンズが用いられる。レンズ４６は、光導波路チップ４２の基板４２ａの側壁４２ａｂに挟まれた、凹部４２ｅの領域４２ｅｂに配置されれば、即ち各光導波路４２ｂにつき１個のレンズ４６が配置されれば、比較的ラフな精度で樹脂４７上に設けることができる。
【００６７】
樹脂４７上にレンズ４６を設けた後は、図１０（Ａ）及び図１０（Ｂ）に示すように、樹脂４７上のレンズ４６を光導波路４２ｂ側に寄せる。例えば、スキージやドクターブレードを用いて、樹脂４７上のレンズ４６を光導波路４２ｂの端面側に寄せる。この時には、後述のようにガイド基板４８を光導波路チップ４２上に接合した時に、ガイド基板４８の第１溝４８ａａと第２溝４８ａｂの交差領域Ｐに、レンズ４６の全体又は一部が入るような位置に、レンズ４６が配置されることが望ましい。
【００６８】
樹脂４７上のレンズ４６を光導波路４２ｂの端面側に寄せる際には、例えば、樹脂４７を凹部４２ｅの領域４２ｅｂの最細部へと押しやり、凹部４２ｅから溢れさせることで、光導波路４２ｂの端面を樹脂４７で被覆する。これにより、光導波路４２ｂの端面とレンズ４６の間を樹脂４７の一部で充填することが可能になる。
【００６９】
樹脂４７上のレンズ４６を光導波路４２ｂの端面側に寄せた状態で、樹脂４７を、加熱或いは紫外線照射等、樹脂４７の種類に応じた方法で硬化する。これにより、光導波路チップ４２の凹部４２ｅに樹脂４７でレンズ４６を接着する。樹脂４７は、この接着後も、透明性、弾力性を有する。
【００７０】
樹脂４７上にレンズ４６を接着した後は、図１１（Ａ）及び図１１（Ｂ）に示すように、光導波路チップ４２にガイド基板４８を接合する。例えば、ガイド基板４８を、チップボンダーを用いて、光導波路チップ４２上に搭載し、ガイド基板４８のメタル層４９ｂ（図７）と、光導波路チップ４２のメタル層４９ａ（図６）とを固着する。
【００７１】
ガイド基板４８と光導波路チップ４２とは、例えば、加熱を行いながら、メタル層４９ｂとメタル層４９ａの、互いの最表面のＡｕ層同士を接合（Ａｕ−Ａｕ接合）することで、接合することができる。尚、ガイド基板４８と光導波路チップ４２とは、互いのメタル層４９ｂとメタル層４９ａを半田や導電性ペースト等の接合材を介在させて固着することで、接合することもできる。
【００７２】
このようなガイド基板４８と光導波路チップ４２との接合時には、ガイド基板４８を光導波路チップ４２側に近付けていく際、レンズ４６は、ガイド基板４８で樹脂４７側に押圧される。この間、レンズ４６は、ガイド基板４８の溝４８ａに接触し、また、樹脂４７は、レンズ４６で押されて変形する。
【００７３】
レンズ４６は、ガイド基板４８で樹脂４７側に押圧されながら、その第１溝４８ａａ及び第２溝４８ａｂによってガイドされ、樹脂４７上の初期位置（図１０）から、最終位置（図１１及び図５）へと矯正されていく。即ち、レンズ４６は、ガイド基板４８の光導波路チップ４２側への移動に伴い、交差領域Ｐ付近の、Ｖ字状の第１溝４８ａａ又は第２溝４８ａｂの幅広の間口から入り込み、内部に向かって幅狭となる傾斜面に沿って、位置を矯正されていく。この矯正に伴い、弾力性を有する樹脂４７が変形する。そして、レンズ４６は最終的に、上記のようにガイド基板４８と光導波路チップ４２とがメタル層４９ａ，４９ｂ（４９）で接合された時に、第１溝４８ａａと第２溝４８ａｂの交差領域Ｐの中央に位置するように矯正される。レンズ４６は、ガイド基板４８の交差領域Ｐによって樹脂４７側に押し付けられ、また、樹脂４７の弾力によってガイド基板４８の交差領域Ｐ側に押し付けられる。一旦交差領域Ｐに収まったレンズ４６は、その後、容易には交差領域Ｐ外に移動しない。
【００７４】
ガイド基板４８の第１溝４８ａａ及び第２溝４８ａｂは、ガイド基板４８が光導波路チップ４２上に接合され、交差領域Ｐにレンズ４６が配置された時に、光導波路４２ｂの端面がレンズ４６の焦点位置となるように、予め設けられる。そのため、上記のガイド基板４８及び光導波路チップ４２によれば、ガイド基板４８を光導波路チップ４２上に接合することで、レンズ４６を樹脂４７側に押し付けながら、所期の位置に高精度に配置することができる。更に、上記のガイド基板４８及び光導波路チップ４２によれば、複数のレンズ４６を一括で、所期の位置に高精度に配置することができる。
【００７５】
光導波路チップ４２及びガイド基板４８（これらを含む光トランシーバ４０）は、動作時に発熱する半導体装置３０から比較的近い領域に配置されるため、半導体装置３０の発熱により、レンズ４６を接着している樹脂４７に熱膨張が生じ得る。上記のガイド基板４８及び光導波路チップ４２によれば、そのような樹脂４７の熱膨張が生じても、樹脂４７の弾性的な変形によって応力を吸収し、樹脂４７上のレンズ４６をガイド基板４８の第１溝４８ａａと第２溝４８ａｂの交差領域Ｐに保持することができる。従って、樹脂４７の熱膨張に起因したレンズ４６の位置ずれを効果的に抑制することができる。
【００７６】
また、上記のように樹脂４７上のレンズ４６を光導波路４２ｂの端面側に寄せる（図１０）等して、光導波路４２ｂの端面とレンズ４６の間に樹脂４７を設けるようにすることで、空気による反射光の影響を抑制することができる。
【００７７】
ガイド基板４８を接合した光導波路チップ４２をサブパッケージ基板４１上に実装し、或いは、サブパッケージ基板４１上に実装した光導波路チップ４２にガイド基板４８を接合する。例えば、このようなサブパッケージ基板４１上に更にドライバチップ４３及び光源４４を実装し、光トランシーバ４０（図４）を得る。そして、光トランシーバ４０及び半導体装置３０をパッケージ基板２０上に実装し、更に光ファイバ５０が接続されたコネクタ５１を搭載し、光学装置１（図４）を得る。
【００７８】
レンズ４６の接着に用いる樹脂４７には、所定の耐熱性を有する樹脂を用いることができる。樹脂４７に耐熱性を有する樹脂を用いることで、バンプ４５やバンプ７０に半田を用いる場合、その半田リフロー温度（例えば約２６０℃）で数分保持しても、伝播光に対する透明性、変形時の弾力性を維持することができる。
【００７９】
第１の実施の形態に係る光トランシーバ４０によれば、光導波路チップ４２の光導波路４２ｂの端面側に設けるレンズ４６の位置ずれを抑制し、光導波路４２ｂとレンズ４６の間の光軸ずれを効果的に抑制することができる。これにより、光導波路４２ｂとレンズ４６の間で十分な光結合効率を実現することが可能になる。また、レンズ４６を比較的簡便に、精度良く、配置することができるため、光トランシーバ４０の製造コストを抑えることが可能になる。
【００８０】
このように光トランシーバ４０では、光導波路４２ｂに対して精度良くレンズ４６が配置される。そのため、外部光配線である光ファイバ５０を、レンズ４６に対向させるレンズ５１ａを有しており内部光配線の光導波路４２ｂに対して比較的位置ずれが許容されるコネクタ５１を用いて、接続することができる。これにより、光ファイバ５０を、位置合わせの工数増大、それによる製造コスト増大を抑えて、簡便に接続することが可能になる。
【００８１】
尚、上記の組み立て方法の説明では、切り出した個々の光導波路チップ４２に対し、その凹部４２ｅにディスペンサ等で樹脂４７を設け（図８）、樹脂４７上にレンズ４６を設け（図９）、レンズ４６を光導波路４２ｂ側に寄せる（図１０）方法を例示した。
【００８２】
このほか、多数の樹脂供給口を備えたディスペンサ等を用い、複数の光導波路チップ４２（例えば個片化後に並べた或いは個片化前の光導波路チップ４２群）の凹部４２ｅに一括で樹脂４７を設けることもできる。このようにして樹脂４７を設けた後、光導波路チップ４２群の、各々の凹部４２ｅの樹脂４７上にレンズ４６を設け、それらレンズ４６を一括で、対応する光導波路４２ｂ側に寄せるようにする。このような方法を用いることで、レンズ４６の配置に要する工数の削減、それによる光トランシーバ４０の製造コストの削減を図ることが可能になる。
【００８３】
次に、第２の実施の形態について説明する。
図１２は第２の実施の形態に係る光トランシーバの一例の説明図である。ここで、図１２（Ａ）は第２の実施の形態に係る光トランシーバの一例の要部平面模式図、図１２（Ｂ）は図１２（Ａ）のＬ１４−Ｌ１４断面模式図、図１２（Ｃ）は図１２（Ａ）のＬ１５−Ｌ１５断面模式図である。
【００８４】
図１２（Ａ）〜図１２（Ｃ）に示す光トランシーバ１４０は、光導波路チップ１４２の各光導波路４２ｂに対応した複数のレンズ１４６ａを有するレンズアレイ１４６と、このレンズアレイ１４６の位置を規定するガイド基板１４８とを有する。光導波路チップ１４２には、レンズアレイ１４６が配置可能な平面矩形状の凹部１４２ｅが設けられる。
【００８５】
第２の実施の形態に係る光トランシーバ１４０は、このような点で、上記第１の実施の形態に係る光トランシーバ４０と相違する。その余の構成は、上記第１の実施の形態に係る光トランシーバ４０と同様とすることができる。
【００８６】
尚、図１２（Ａ）〜図１２（Ｃ）には便宜上、光トランシーバ１４０の要素のうち、サブパッケージ基板４１上の光導波路チップ１４２、その凹部１４２ｅに設けられた樹脂４７及びその上のレンズアレイ１４６、並びにガイド基板１４８を図示している。
【００８７】
レンズアレイ１４６のレンズ１４６ａは、例えば、コリメートレンズとされる。レンズアレイ１４６は、ガラスの射出成型等により、高精度に形成することができる。また、レンズアレイ１４６は、耐熱性を有する透明プラスチックを用いて形成したり、シリコン基板を加工して形成したりすることもできる。レンズアレイ１４６は、その形成時又は形成後、その上面側の縁、即ちガイド基板１４８と対向する面側の縁が、所定角度の傾斜面１４６ｂとなるように、高精度に面取りした形状とされる。
【００８８】
ガイド基板１４８は、光導波路チップ１４２の光導波路４２ｂの端面に対応して設けられた溝（凹部）１４８ａを有する。溝１４８ａは、切削技術を用いて、高精度に形成することができる。溝１４８ａは、レンズアレイ１４６の縁の傾斜面１４６ｂと同じ角度の傾斜面１４８ｂを有するように、形成される。このようなガイド基板１４８の溝１４８ａに、レンズアレイ１４６が、溝１４８ａの傾斜面１４８ｂに傾斜面１４６ｂを接触させて、配置される。ガイド基板１４８には、傾斜面１４８ｂと傾斜面１４６ｂとが接触してレンズアレイ１４６が配置された時に、光導波路４２ｂの端面がレンズ１４６ａの焦点位置となるように（光導波路４２ｂの端面に対応して）、溝１４８ａが設けられる。
【００８９】
光導波路チップ１４２とガイド基板１４８の接合は、上記第１の実施の形態で述べたような手順の例に従って、行うことができる。
即ち、まず上記のような光導波路チップ１４２、レンズアレイ１４６及びガイド基板１４８がそれぞれ準備される。
【００９０】
準備された光導波路チップ１４２の凹部１４２ｅに、ディスペンサ等を用いて樹脂４７を設け、その樹脂４７上に、レンズアレイ１４６を設ける。そして、そのレンズアレイ１４６を、光導波路４２ｂの端面側に寄せる。これにより、例えば、後述のようにガイド基板１４８を光導波路チップ１４２上に接合した時に、ガイド基板１４８の溝１４８ａにレンズアレイ１４６が全体的に入るような位置に、レンズアレイ１４６を配置する。また、例えば、樹脂４７を光導波路４２ｂへと押しやり、凹部１４２ｅから溢れさせ、光導波路４２ｂの端面を樹脂４７で被覆し、光導波路４２ｂの端面とレンズアレイ１４６の間を樹脂４７の一部で充填する。
【００９１】
このように樹脂４７上のレンズアレイ１４６を光導波路４２ｂの端面側に寄せた状態で、樹脂４７を、加熱或いは紫外線照射等、樹脂４７の種類に応じた方法で硬化することで、光導波路チップ１４２の凹部１４２ｅに樹脂４７でレンズアレイ１４６を接着する。樹脂４７は、この接着後も、透明性、弾力性を有する。
【００９２】
樹脂４７上にレンズアレイ１４６を接着した後は、例えばチップボンダーを用いて、光導波路チップ１４２に、準備されたガイド基板１４８を接合する。その際は、光導波路チップ１４２に設けられたメタル層４９ａと、ガイド基板１４８に設けられたメタル層４９ｂとを固着し、光導波路チップ１４２とガイド基板１４８とをメタル層４９で接合する。
【００９３】
光導波路チップ１４２とガイド基板１４８との接合時には、ガイド基板１４８を光導波路チップ１４２側に近付けていく際、レンズアレイ１４６が、ガイド基板１４８で樹脂４７側に押圧される。レンズアレイ１４６は、ガイド基板１４８で樹脂４７側に押圧されながら、その傾斜面１４８ｂでガイドされて位置が矯正されていく。この矯正に伴い、弾力性を有する樹脂４７が変形する。レンズアレイ１４６は最終的に、ガイド基板１４８と光導波路チップ１４２とがメタル層４９で接合されて、傾斜面１４６ｂと傾斜面１４８ｂとが面接触する位置に、矯正される。レンズアレイ１４６は、ガイド基板１４８の溝１４８ａによって樹脂４７側に押し付けられ、また、樹脂４７の弾力によってガイド基板１４８の溝１４８ａ側に押し付けられる。
【００９４】
溝１４８ａは、ガイド基板１４８が光導波路チップ１４２上に接合され、溝１４８ａにレンズアレイ１４６が傾斜面１４８ｂと傾斜面１４６ｂが面接触して配置された時に、光導波路４２ｂの端面がレンズ１４６ａの焦点位置となるように、予め設けられる。そのため、上記のガイド基板１４８及び光導波路チップ１４２によれば、ガイド基板１４８を光導波路チップ１４２上に接合することで、レンズアレイ１４６を樹脂４７側に押し付けながら、レンズ１４６ａを所期の位置に高精度に配置することができる。
【００９５】
ガイド基板１４８を接合した光導波路チップ１４２をサブパッケージ基板４１上に実装し、或いは、サブパッケージ基板４１上に実装した光導波路チップ１４２にガイド基板１４８を接合する。更に、上記図４の例に従い、サブパッケージ基板４１上にドライバチップ４３及び光源４４を実装し、光トランシーバ１４０を得る。そして、図４の例に従い、光トランシーバ１４０及び半導体装置３０をパッケージ基板２０上に実装し、更に光ファイバ５０が接続されたコネクタ５１を搭載し、光学装置を得る。レンズアレイ１４６の接着には、所定の耐熱性を有する樹脂４７を用いることで、半田リフローを経ても、樹脂４７の、伝播光に対する透明性、変形時の弾力性を維持することができる。
【００９６】
光トランシーバ１４０では、その付近に配置される半導体装置３０の発熱で樹脂４７に熱膨張が生じても、樹脂４７の弾性的な変形によって応力を吸収し、レンズ１４６ａの位置ずれを抑制することができる。また、光トランシーバ１４０では、光導波路４２ｂの端面とレンズアレイ１４６の間に樹脂４７を設けるようにすることで、空気による反射光の影響を抑制することができる。
【００９７】
第２の実施の形態に係る光トランシーバ１４０によれば、レンズアレイ１４６及びそのレンズ１４６ａの位置ずれを抑制し、光導波路４２ｂとレンズ１４６ａの間の光軸ずれを効果的に抑制し、十分な光結合効率を実現することが可能になる。また、レンズアレイ１４６を比較的簡便に、精度良く、配置することができ、光トランシーバ１４０の製造コストを抑えることが可能になる。更にまた、光導波路４２ｂに対して比較的位置ずれが許容されるコネクタ５１を用いて光ファイバ５０を接続することができ、その位置合わせの工数増大、それによる製造コスト増大を抑えることが可能になる。
【００９８】
尚、ここでは、レンズアレイ１４６の縁に傾斜面１４６ｂを設ける場合を例示したが、レンズアレイ１４６の縁には、湾曲面（Ｒ面）を設けることもできる。
図１３は第２の実施の形態に係る光トランシーバの別例の説明図である。ここで、図１３（Ａ）及び図１３（Ｂ）は第２の実施の形態に係る光トランシーバの別例の要部断面模式図である。
【００９９】
レンズアレイ１４６は、図１３（Ａ）及び図１３（Ｂ）に示すように、その縁を湾曲面１４６ｃとしてもよい。このような湾曲面１４６ｃとしても、光導波路チップ１４２の凹部１４２ｅの樹脂４７上に設けたレンズアレイ１４６を、ガイド基板１４８で樹脂４７側に押圧する際、その湾曲面１４６ｃでガイドされてレンズアレイ１４６の位置が矯正されていく。レンズアレイ１４６は最終的に、ガイド基板１４８と光導波路チップ１４２とがメタル層４９で接合されて、湾曲面１４６ｃと傾斜面１４８ｂとが線接触する位置に、矯正される。
【０１００】
このようにレンズアレイ１４６の縁を湾曲面１４６ｃとしても、レンズアレイ１４６を樹脂４７側に押し付けながら、レンズ１４６ａを所期の位置に高精度に配置することができる。
【０１０１】
上記のようにレンズアレイ１４６の縁を傾斜面１４６ｂや湾曲面１４６ｃとすることで、縁を角型とした場合に比べて、ガイド基板１４８による押圧時におけるレンズアレイ１４６の縁の破損、それによるレンズアレイ１４６の位置ずれを抑制することができる。
【０１０２】
次に、第３の実施の形態について説明する。
図１４は第３の実施の形態に係る光トランシーバの一例の説明図である。ここで、図１４（Ａ）は第３の実施の形態に係る光トランシーバの一例の要部平面模式図、図１４（Ｂ）は図１４（Ａ）のＬ１６−Ｌ１６断面模式図、図１４（Ｃ）は図１４（Ａ）のＬ１７−Ｌ１７断面模式図である。
【０１０３】
図１４（Ａ）〜図１４（Ｃ）に示す光トランシーバ２４０は、光導波路チップ２４２の各光導波路４２ｂに対応した複数の光ファイバ２５０と、これらの光ファイバ２５０の位置を規定するガイド基板２４８とを有する。光導波路チップ２４２には、光ファイバ２５０が配置可能な平面矩形状の凹部２４２ｅが設けられる。光ファイバ２５０には、被覆が剥離された光ファイバ（ピグテイル又はピグテールファイバ）が用いられ、凹部２４２ｅとガイド基板２４８の間に、樹脂４７、或いは更に別の樹脂２４７を用いて接着固定される。光ファイバ２５０の、樹脂４７等で接着される側と反対の端部には、レンズ２５１ａを有するコネクタ２５１が設けられる。
【０１０４】
第３の実施の形態に係る光トランシーバ２４０は、このような点で、上記第１の実施の形態に係る光トランシーバ４０と相違する。その余の構成は、上記第１の実施の形態に係る光トランシーバ４０と同様とすることができる。
【０１０５】
尚、図１４（Ａ）〜図１４（Ｃ）には便宜上、光トランシーバ２４０の要素のうち、サブパッケージ基板４１上の光導波路チップ２４２、その凹部２４２ｅに設けられた樹脂４７及び樹脂２４７、光ファイバ２５０、並びにガイド基板２４８を図示している。
【０１０６】
ガイド基板２４８は、光導波路チップ２４２の光導波路４２ｂの端面に対応して設けられた溝（凹部）２４８ａを有する。溝２４８ａは、各光導波路４２ｂの端面の光軸方向、即ち図１４に示す方向Ｘに延在するように設けられ、また、方向Ｘに直交する方向Ｙに沿った断面形状がＶ字状となるように設けられる。溝２４８ａは、例えば、Ｖ字状のブレードを持つダイシングソーを用いた切削により、高精度に設けることができる。
【０１０７】
光導波路チップ２４２とガイド基板２４８との接合は、次のようにして行うことができる。
即ち、まず上記のような光導波路チップ２４２、コネクタ２５１を設けた光ファイバ２５０、及びガイド基板２４８がそれぞれ準備される。
【０１０８】
準備された光導波路チップ２４２の凹部２４２ｅに、ディスペンサ等を用いて樹脂４７を設け、その樹脂４７上に、光ファイバ２５０（この例では４本）の、被覆を剥離した端部（ピグテイル側の端部）を設ける。その後、樹脂４７を紫外線照射等の方法で硬化し、光導波路チップ２４２の凹部２４２ｅに樹脂４７で光ファイバ２５０を接着する。樹脂４７は、この接着後も、透明性、弾力性を有する。
【０１０９】
樹脂４７上に光ファイバ２５０を接着した後は、例えばチップボンダーを用いてガイド基板２４８を接合する。その際は、光導波路チップ２４２に設けられたメタル層４９ａと、ガイド基板２４８に設けられたメタル層４９ｂとを固着し、光導波路チップ２４２とガイド基板２４８とをメタル層４９で接合する。
【０１１０】
この接合時には、ガイド基板２４８を光導波路チップ２４２側に近付けていく際、光ファイバ２５０が、ガイド基板２４８で樹脂４７側に押圧されながら、Ｖ字状の溝２４８ａの傾斜面でガイドされて位置が矯正されていく。この矯正に伴い、弾力性を有する樹脂４７が変形する。光ファイバ２５０は最終的に、ガイド基板２４８と光導波路チップ２４２とがメタル層４９で接合された時に、溝２４８ａの位置に矯正される。光ファイバ２５０は、ガイド基板２４８の溝２４８ａによって樹脂４７側に押し付けられ、また、樹脂４７の弾力によってガイド基板２４８の溝２４８ａ側に押し付けられる。このようにガイド基板２４８を光導波路チップ２４２上に接合することで、光ファイバ２５０が、樹脂４７側に押し付けられながら、所期の位置に高精度に配置される。
【０１１１】
ガイド基板２４８を接合した光導波路チップ２４２をサブパッケージ基板４１上に実装し、或いは、サブパッケージ基板４１上に実装した光導波路チップ２４２にガイド基板２４８を接合する。更に、上記図４の例に従い、サブパッケージ基板４１上にドライバチップ４３及び光源４４を実装し、光トランシーバ２４０を得る。
【０１１２】
そして、図４の例に従い、光トランシーバ２４０及び半導体装置３０をパッケージ基板２０上に実装し、光学装置を得る。但し、上記光ファイバ２５０として、凹部２４２ｅとの接着部のみ被覆を剥離した形態の光ファイバを用いる場合には、半田バンプではなく、ＬＧＡ（Land Grid Array）型デバイスの実装に用いるような接続部材を用い、比較的低温で実装可能なプロセスを採用することが望ましい。ＢＧＡ（Ball Grid Array）型デバイス同様、半田バンプを用いて実装を行う場合には、光ファイバ２５０の被覆を耐熱化しておく必要がある。
【０１１３】
第３の実施の形態に係る光トランシーバ２４０によれば、光ファイバ２５０の位置ずれを抑制し、光導波路４２ｂと光ファイバ２５０の間の光軸ずれを効果的に抑制し、十分な光結合効率を実現することが可能になる。また、光ファイバ２５０を比較的簡便に、精度良く、配置することができ、光トランシーバ２４０及びそれを備える光学装置の製造工数、製造コストの増大を抑えることが可能になる。
【０１１４】
尚、上記の説明では、光ファイバ２５０を樹脂４７で接着し、ガイド基板２４８で押圧する方法を例示した。このほか、樹脂４７の硬化後に光ファイバ２５０を配置し、ガイド基板２４８をその溝２４８ａで光ファイバ２５０を押圧して光導波路チップ２４２に接合し、その後、接着剤となる別の樹脂２４７（図１４（Ｂ））で光ファイバ２５０を接着することも可能である。
【０１１５】
また、上記の説明では、光ファイバ２５０に、レンズ２５１ａが対向して設けられるレンズ対向型のコネクタ２５１を例示した。光ファイバ２５０に設けるコネクタの形態は、この例に限定されるものではなく、ＭＴ（Mechanically Tranferable）コネクタのようなバットジョイントで接続するコネクタ等、各種形態のコネクタを採用することが可能である。
【０１１６】
また、上記の説明では、ピグテイル型の光ファイバ２５０を例にした。このほか、光をコリメートする光学部品の１つであるＧＲＩＮ（Gradient Index）レンズと呼ばれるファイバ形状のレンズでも、上記同様にして、光導波路チップ２４２とガイド基板２４８の間に設けることが可能である。
【０１１７】
次に、第４の実施の形態について説明する。
図１５は第４の実施の形態に係る光学装置の一例を示す図である。ここで、図１５（Ａ）は第４の実施の形態に係る光学装置の一例の要部平面模式図、図１５（Ｂ）は図１５（Ａ）のＬ１８−Ｌ１８断面模式図である。
【０１１８】
図１５（Ａ）及び図１５（Ｂ）に示す光学装置１ａは、パッケージ基板２０上にバンプ７０を用いて実装された半導体装置３０及び光トランシーバ３４０、並びに、レンズ５１ａを有するコネクタ３５１を設けた光ファイバ５０を有する。光トランシーバ３４０の光導波路チップ４２の上方には、凹部４２ｅとの対向面に溝４８ａを有し且つ側面に凹部３４８ｂを有するガイド基板３４８が設けられる。光ファイバ５０の先端部のコネクタ３５１には、ガイド基板３４８の凹部３４８ｂに係合される係合部（爪部）３５１ｂ、及び、ガイド基板３４８に当接する突起部３５１ｃが設けられる。
【０１１９】
第４の実施の形態に係る光学装置１ａは、このような点で、上記第１の実施の形態に係る光学装置１と相違する。その余の構成は、上記第１の実施の形態に係る光学装置１と同様とすることができる。半導体装置３０、光トランシーバ３４０及び光ファイバ５０が実装されたパッケージ基板２０は、上記図１の例と同様に、バンプ８０を用いてボード１０に実装される。
【０１２０】
光学装置１ａでは、光ファイバ５０の先端部のコネクタ３５１を、その係合部３５１ｂをガイド基板３４８の凹部３４８ｂに係合させて配置することで、コネクタ３５１側のレンズ５１ａと、光導波路チップ４２側のレンズ４６とが光結合されるようになっている。更に、このようにコネクタ３５１を配置する際、その突起部３５１ｃをガイド基板３４８に当接させることで、レンズ５１ａとレンズ４６の間の角度ずれを低減し、それらの光結合効率を高めることができるようになっている。
【０１２１】
第４の実施の形態に係る光トランシーバ３４０によれば、上記光トランシーバ４０について述べたようにレンズ４６の位置ずれを抑制することができるほか、そのレンズ４６に対向させるレンズ５１ａを、適正な位置に、簡便に配置することができる。パッケージ基板２０上にコネクタ保持用の部品を別途設けることを要しない。更に、ＢＧＡ実装時でもファイバ被覆への耐熱性付与が不要になる。上記構成によれば、光トランシーバ３４０及びそれを備える光学装置１ａの製造工数、製造コストの増大を抑えることが可能になる。
【０１２２】
尚、この第４の実施の形態で述べたようなコネクタ３５１は、上記第２の実施の形態に係る光学装置にも同様に適用可能である。
次に、第５の実施の形態について説明する。
【０１２３】
図１６は第５の実施の形態に係る光トランシーバの一例の説明図である。ここで、図１６は第５の実施の形態に係る光トランシーバの一例の要部断面模式図である。
図１６に示す光トランシーバ４４０は、メタル層４９ａに電気的に接続された導体パターン４２ｆを有する光導波路チップ４４２、並びに、メタル層４９ｂに電気的に接続された電極４８ｄを備えるガイド基板４４８を有する。
【０１２４】
第５の実施の形態に係る光トランシーバ４４０は、このような点で、上記第１の実施の形態に係る光トランシーバ４０と相違する。その余の構成は、上記第１の実施の形態に係る光トランシーバ４０と同様とすることができる。このような光トランシーバ４４０がパッケージ基板２０上に実装され、そのパッケージ基板２０が、上記図１の例と同様に、バンプ８０を用いてボード１０に実装される。
【０１２５】
光導波路チップ４４２の導体パターン４２ｆは、例えば、メタル層４９ａと同時に、フォトリソグラフィ技術、エッチング技術、成膜技術、リフトオフ技術等を用いて、形成される。導体パターン４２ｆは、例えば、光変調器及び光検出器が設けられる素子領域４２ｃに電気的に接続される。
【０１２６】
ガイド基板４４８の電極４８ｄは、メタル層４９ｂに対応する位置に、ガイド基板４４８の材料に応じ、ＴＳＶ（Through Silicon Via）技術、孔開け技術、導体充填技術等を用いて、形成される。
【０１２７】
ガイド基板４４８は、例えば、ＬＳＩ等の半導体チップである。この場合、半導体チップに用いられる半導体基板の、光導波路チップ４４２と対向される面側に、レンズ４６を押さえる溝（４８ａ）が設けられ、その面と反対の面側に、所定の電気的処理機能を有する、トランジスタ及び配線層等を含んだ回路が形成される。このような回路が、電極４８ｄ、メタル層４９ａ，４９ｂ（４９）及び導体パターン４２ｆを通じて、光導波路チップ４４２に電気的に接続される。ガイド基板４４８とする半導体チップには、例えば、光導波路チップ４４２を制御するドライバ回路を含むドライバチップを用いることができる。
【０１２８】
上記のような光導波路チップ４４２及びガイド基板４４８を用いた光トランシーバ４４０の組み立ては、上記第１の実施の形態で述べた光導波路チップ４２とガイド基板４８を用いた光トランシーバ４０の組み立ての例（図８〜図１１）と同様にして、行うことができる。
【０１２９】
上記光トランシーバ４４０のように、レンズ４６を押さえるガイド基板４４８を、所定の電気的処理機能を有する半導体チップとすることもできる。
例えば、ガイド基板４４８を半導体チップとすることで、光トランシーバ４４０の高機能化を図ることが可能になる。ガイド基板４４８の半導体チップは、光導波路チップ４４２を通じてサブパッケージ基板４１と電気的に接続されてもよい。また、例えば、ドライバチップ４３を省略し、その処理機能をガイド基板４４８の半導体チップに持たせた場合には、サブパッケージ基板４１上の部品搭載面積の縮小化を図ることが可能になる。
【０１３０】
尚、この第５の実施の形態で述べたような、ガイド基板４４８を所定の電気的処理機能を有する半導体チップとする手法は、上記第２〜第４の実施の形態で述べたガイド基板１４８、ガイド基板２４８、ガイド基板３４８にも同様に適用可能である。
【０１３１】
次に、第６の実施の形態について説明する。
図１７は第６の実施の形態に係る光学装置の一例の説明図である。ここで、図１７は第６の実施の形態に係る光学装置の一例の要部断面模式図である。
【０１３２】
図１７に示す光学装置１ｂは、パッケージ基板２０上に、複数の半導体チップ３２ａを積層した半導体装置３２が実装されている点で、上記第１の実施の形態に係る光学装置１と相違する。その余の構成は、上記第１の実施の形態に係る光学装置１と同様とすることができる。
【０１３３】
半導体装置３２は、所謂３次元積層（３Ｄ）デバイスであり、ここでは一例として、積層された３つの半導体チップ３２ａを含む半導体装置３２を図示している。３つの半導体チップ３２ａには、ＤＲＡＭ（Dynamic Random Access Memory）等のメモリチップが含まれてもよい。例えば半導体チップ３２ａのうち、下層及び中層の半導体チップ３２ａには、ＴＳＶ技術等を用いて、それらの表裏面間を導通させる導通部３２ａａが設けられる。上下に積層される半導体チップ３２ａ同士は、半田バンプや銅（Ｃｕ）ピラー等のバンプ９０ａ、及び導通部３２ａａを通じて、電気的に接続される。
【０１３４】
尚、パッケージ基板２０上には、上記第１の実施の形態で述べた半導体装置３０に替えて、このような３Ｄ構造の半導体装置３２を設けることができるほか、半導体装置３０と共に、このような３Ｄ構造の半導体装置３２を設けることもできる。
【０１３５】
このようにパッケージ基板２０上には、複数の半導体チップ３２ａを積層した構造を有する半導体装置３２が実装されてもよい。
上記のような光学装置１ｂでは、半導体装置３２が積層された複数の半導体チップ３２ａを含むため、その積層（上下）方向に電気信号が伝送される。半導体装置３２の過熱を抑える冷却機構を、例えば、その半導体装置３２の上、或いは上下の半導体チップ３２ａ間に配置する場合、光インターコネクション用Ｉ／Ｏを含む光トランシーバ４０は、半導体装置３２の側方に設けられる。
【０１３６】
この場合、半導体装置３２と光トランシーバ４０の間の電気配線を短縮する観点から、光トランシーバ４０を半導体装置３２の近傍に配置することが好ましいが、近傍に配置するほど、半導体装置３２の発熱の影響が光トランシーバ４０に及び易くなる。前述のように、光トランシーバ４０では、このような近傍の発熱に起因した樹脂４７の熱膨張によるレンズ４６の位置ずれが、ガイド基板４８によって効果的に抑制される。
【０１３７】
また、前述のように、光トランシーバ４０では、ガイド基板４８によってレンズ４６を適正に位置決めし、更にその位置ずれを抑制し、そのレンズ４６を用いた光ファイバ５０との光結合を簡便に、コスト増大を抑えて、行うことが可能になっている。
【０１３８】
尚、この第６の実施の形態で述べたような３Ｄ構造の半導体装置３２は、上記第２〜第５の実施の形態で述べたパッケージ基板２０上にも、半導体装置３０に替えて、或いは半導体装置３０と共に、実装することが可能である。
【０１３９】
以上、第１〜第６の実施の形態について説明した。上記第１〜第６の実施の形態では、ガイド基板により、レンズや光ファイバが適正に位置決めされ且つ位置ずれが抑制される。上記第１〜第６の実施の形態で述べたような手法は、レンズや光ファイバのほか、ミラー、プリズム、カプラ等、各種光学部品の配置に同様に適用可能である。光導波路チップに光学部品を配置するために設ける溝（凹部）は、光導波路チップ端に限らず、配置する光学部品の種類、光導波路チップの基板材料、伝送する光の波長等に基づき、設ける箇所を適宜変更することが可能である。
【０１４０】
また、上記第１〜第６の実施の形態で述べた手法は、シリコンフォトニクス技術を用いて形成される光導波路チップに限らず、石英等の無機系材料を用いた光導波路チップ、ポリイミド等の有機系材料を用いた光導波路チップにも同様に適用可能である。更に、光導波路として、シングルモードの光導波路、マルチモードの光導波路を用いることが可能である。
【０１４１】
以上説明した実施の形態に関し、更に以下の付記を開示する。
（付記１）  光導波路と、前記光導波路の端面側に設けられた第１凹部とを有する第１基板と、
前記第１凹部に設けられた樹脂と、
前記樹脂上に設けられた光学部品と、
前記第１基板上に接合され、前記第１凹部との対向面に、前記端面に対応する第２凹部を有する第２基板と
を含み、
前記光学部品は、前記樹脂と前記第２凹部の間に設けられることを特徴とする光学モジュール。
【０１４２】
（付記２）  前記光学部品は、前記第２凹部に接し、前記光学部品の光軸が前記端面の光軸上に位置することを特徴とする付記１に記載の光学モジュール。
（付記３）  前記第２凹部は、前記端面の光軸方向に延在する第１溝を含み、
前記光学部品は、前記第１溝に設けられることを特徴とする付記１又は２に記載の光学モジュール。
【０１４３】
（付記４）  前記第２凹部は、前記第１溝の直交方向に延在する第２溝を更に含み、
前記光学部品は、前記第１溝の、前記第２溝との交差位置に、設けられることを特徴とする付記３に記載の光学モジュール。
【０１４４】
（付記５）  前記第１凹部は、前記端面の光軸方向に延在する一対の側壁部に挟まれた領域を有し、
前記樹脂及び前記光学部品は、前記領域に設けられることを特徴とする付記１乃至４のいずれかに記載の光学モジュール。
【０１４５】
（付記６）  前記樹脂の一部は、前記端面と前記光学部品の間に設けられることを特徴とする付記１乃至５のいずれかに記載の光学モジュール。
（付記７）  前記樹脂は、弾力性を有することを特徴とする付記１乃至６のいずれかに記載の光学モジュール。
【０１４６】
（付記８）  前記第２基板は、前記第１基板と電気的に接続された半導体チップであることを特徴とする付記１乃至７のいずれかに記載の光学モジュール。
（付記９）  光導波路と、前記光導波路の端面側に設けられた第１凹部とを有する第１基板を準備する工程と、
前記端面に対応する第２凹部を有する第２基板を準備する工程と、
前記第１凹部に樹脂を設ける工程と、
前記樹脂上に光学部品を設ける工程と、
前記第１基板上に、前記第２基板を、前記第２凹部で前記光学部品を前記樹脂側に押圧して、接合する工程と
を含むことを特徴とする光学モジュールの製造方法。
【０１４７】
（付記１０）  前記樹脂上に前記光学部品を設ける工程は、前記樹脂上に配置した前記光学部品を前記端面側に寄せると共に、前記端面を前記樹脂の一部で被覆する工程を含むことを特徴とする付記９に記載の光学モジュールの製造方法。
【０１４８】
（付記１１）  前記第１基板上に前記第２基板を接合する工程は、前記第２凹部で前記光学部品を前記樹脂側に押圧し、前記樹脂を変形させ、前記光学部品の光軸を前記端面の光軸上に位置させる工程を含むことを特徴とする付記９又は１０に記載の光学モジュールの製造方法。
【０１４９】
（付記１２）  前記樹脂は、弾力性を有し、
前記第１基板上に前記第２基板を接合する工程では、前記第２凹部で前記光学部品を前記樹脂の弾力に抗して前記樹脂側に押圧することを特徴とする付記９乃至１１のいずれかに記載の光学モジュールの製造方法。
【０１５０】
（付記１３）  光導波路と、前記光導波路の端面側に設けられた第１凹部とを有する第１基板と、
前記第１凹部に設けられた樹脂と、
前記樹脂上に設けられた第１光学部品と、
前記第１基板上に接合され、前記第１凹部との対向面に、前記端面に対応する第２凹部を有する第２基板と
を含み、
前記第１光学部品が、前記樹脂と前記第２凹部の間に設けられる光学モジュールと、
前記光学モジュールの側方に設けられ、前記端面に前記第１光学部品を介して光結合された第２光学部品と
を含むことを特徴とする光学装置。
【０１５１】
（付記１４）  前記第２基板は、前記第２基板の外面に設けられた第３凹部を有し、
前記第２光学部品は、前記第３凹部に係合される係合部を有することを特徴とする付記１３に記載の光学装置。
【０１５２】
（付記１５）  前記第２光学部品は、前記係合部が前記第３凹部に係合された前記第２基板に当接する突起部を有することを特徴とする付記１４に記載の光学装置。
（付記１６）  前記光学モジュールが搭載された回路基板と、
前記回路基板上に搭載され、前記回路基板を通じて前記光学モジュールに電気的に接続された半導体装置と
を含むことを特徴とする付記１３乃至１５のいずれかに記載の光学装置。
【０１５３】
（付記１７）  前記第２基板は、前記第１基板と電気的に接続された半導体チップであることを特徴とする付記１３乃至１６のいずれかに記載の光学装置。
【符号の説明】
【０１５４】
１Ａ，１，１ａ，１ｂ  光学装置
１０  ボード
２０  パッケージ基板
２０ａ  表面
２０ｂ  裏面
３０，３２  半導体装置
３２ａ  半導体チップ
３２ａａ  導通部
４０Ａ，４０，１４０，２４０，３４０，４４０  光トランシーバ
４１  サブパッケージ基板
４２Ａ，４２Ｂ，４２，１４２，２４２，４４２  光導波路チップ
４２ａ  基板
４２ａａ  表面
４２ａｂ  側壁
４２ｂ  光導波路
４２ｃ  素子領域
４２ｄ，４２ｅ，１４２ｅ，２４２ｅ，３４８ｂ  凹部
４２ｅｂ  領域
４２ｆ  導体パターン
４３  ドライバチップ
４４  光源
４５，７０，８０，９０ａ  バンプ
４６，５１ａ，１４６ａ，２５１ａ  レンズ
４７，２４７  樹脂
４８，１４８，２４８，３４８，４４８  ガイド基板
４８ａ，１４８ａ，２４８ａ  溝
４８ａａ  第１溝
４８ａｂ  第２溝
４８ｄ  電極
４９，４９ａ，４９ｂ  メタル層
５０，２５０  光ファイバ
５１，２５１，３５１  コネクタ
６０  放熱体
６１  ヒートシンク
６１ａ  フィン
６２  クーリングプレート
６２ａ  配管
１００  半導体レーザ
１４６  レンズアレイ
１４６ｂ，１４８ｂ  傾斜面
１４６ｃ  湾曲面
３５１ｂ  係合部
３５１ｃ  突起部
【図１】
2016004224.tif 000003
【図２】
2016004224.tif 000004
【図３】
2016004224.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2016004224.tif 000009
【図８】
2016004224.tif 000010
【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
2016004224.tif 000015
【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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