(57)【要約】      （修正有）【課題】基板の収容容器内を清浄に保つ容器清掃装置及び清掃方法を提供する。【解決手段】複数の処理部を備えた基板処理システムで用いられる、カセットＣの清浄を行う容器清掃装置であって、乾燥ガスを供給するガス孔を備え、カセットＣ内に進入可能に構成されたパージノズル５０と、パージノズル５０を、カセット内に出し入れするノズル昇降機構５２及びノズルアーム５１と、を有している。パージノズル５０、ノズル昇降機構５２及びノズルアーム５１は、空カセット載置台１４に設けられている。【選択図】図１４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理する処理部と、複数枚の基板を収容する収容容器を載置する容器載置部と、前記容器載置部に載置された収容容器と前記処理部との間で基板の搬送を行う基板搬送部と、を備えた基板処理システムで用いられる、前記収容容器の清浄を行う容器清掃装置であって、
乾燥ガスを供給するガス孔を備え、前記収容容器内に進入可能に構成されたパージノズルと、
前記パージノズルを、前記収容容器内に出し入れするノズル移動機構と、を有し、
前記パージノズル及び前記ノズル移動機構は、前記容器載置部に設けられていることを特徴とする、容器清掃装置。
【請求項２】
前記収容容器内の雰囲気を吸引する吸引孔を備え、前記収容容器内に進入可能に構成された吸引ノズルと、前記吸引ノズルを前記収容容器内に出し入れする他のノズル移動機構が、前記容器載置部にさらに設けられていることを特徴とする、請求項１に記載の容器清掃装置。
【請求項３】
前記パージノズルには、前記収容容器内の雰囲気を吸引する吸引孔がさらに形成されていることを特徴とする、請求項１に記載の容器清掃装置。
【請求項４】
前記容器載置部には、前記処理部との間で基板の受け渡しを行うときに前記収容容器を載置する搬送載置台と、基板が処理部に搬送されて空になった収容容器を一時的に載置する空容器載置台と、前記搬送載置台と前記空容器載置台との間で前記収容容器を搬送する容器搬送機構と、が設けられていることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一項に記載の容器清掃装置。
【請求項５】
前記容器載置部には、前記空容器載置台を覆う隔壁と、当該隔壁内部を排気する排気機構がさらに設けられていることを特徴とする、請求項４に記載の容器清掃装置。
【請求項６】
基板を処理する処理部と、複数枚の基板を収容する収容容器を載置する容器載置部と、前記容器載置部に載置された収容容器と前記処理部との間で基板の搬送を行う基板搬送部と、を備えた基板処理システムにおいて、前記収容容器の清掃を行う容器清掃方法であって、
前記基板搬送部を介して基板が処理部に搬送されて空になった前記収容容器の内部に、乾燥ガスを供給するガス孔を備えたパージノズルを進入させ、
前記収容容器の内部を乾燥ガスでパージして清掃することを特徴とする、容器清掃方法。
【請求項７】
前記基板搬送部を介して基板が処理部に搬送されて空になった前記収容容器の内部に、周囲の雰囲気を吸引する吸引孔を備えた吸引ノズルを進入させ、
前記パージノズルにより前記収容容器の内部を清掃する際に、前記収容容器の内部の雰囲気を前記吸引ノズルにより吸引することを特徴とする、請求項６に記載の容器清掃方法。
【請求項８】
前記パージノズルには、周囲の雰囲気を吸引する吸引孔がさらに形成されており、
前記パージノズルにより前記収容容器の内部を清掃する際に、前記収容容器の内部の雰囲気を前記吸引孔から吸引することを特徴とする、請求項６に記載の容器清掃方法。
【請求項９】
前記容器載置部には、前記処理部との間で基板の受け渡しを行うときに前記収容容器を載置する搬送載置台と、基板が処理部に搬送されて空になった収容容器を一時的に載置する空容器載置台と、前記搬送載置台と前記空容器載置台との間で前記収容容器を搬送する容器搬送機構と、が設けられ、
前記パージノズルによる前記収容容器内部の清掃は、前記空になった収容容器を前記空容器載置台に移動させた後に行われることを特徴とする、請求項６〜８のいずれか一項に記載の容器清掃方法。
【請求項１０】
前記容器載置部には、前記空容器載置台を覆う隔壁と、当該隔壁内部を排気する排気機構がさらに設けられ、
前記パージノズルによる前記収容容器内部の清掃は、前記隔壁内を排気した状態で行われることを特徴とする、請求項９に記載の容器清掃方法。
【請求項１１】
請求項６〜１０のいずれかに記載の容器清掃方法を容器清掃装置によって実行させるように、当該容器清掃装置を制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラム。
【請求項１２】
請求項１１に記載のプログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウェハなどの基板を収容する収容容器の清掃装置及び清掃方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体デバイスの製造プロセスでは、例えば半導体ウェハ（以下、「ウェハ」という）に対してレジスト塗布処理、露光処理、現像処理などの一連のフォトリソグラフィー処理を行う各種処理装置を備えた基板処理システムや、エッチング処理を行うエッチング処理システムが用いられている。これらの処理システムは、清浄度を高く維持されたクリーンルーム内に設置されており、各種処理システム間でのウェハの搬送は、いわゆるＦＯＵＰ（Ｆｒｏｎｔ−Ｏｐｅｎｉｎｇ  Ｕｎｉｆｉｅｄ  Ｐｏｄ）と呼ばれる収容容器に収容した状態で行われる。
【０００３】
この収容容器の内部を高い清浄度に維持するために、その内部には清浄度の高い窒素ガス等が封入されている。これにより、当該収容容器内へのパーティクル等の汚染物質の侵入を防止している。しかしながら、処理システム内でウェハにパーティクル等が付着すると、ウェハと共に当該パーティクルがそのまま収容容器に持ち込まれてしまう。このようなパーティクルの持ち込みは、窒素ガス等の封入のみでは防ぐことができないため、結果として、収容容器内に徐々に付着、堆積してしまう。そうすると、収容容器内に堆積したパーティクルにより他ウェハが汚染され、それにより製品の歩留まりが低下してしまう恐れがある。
【０００４】
そこで従来は、一定期間使用してパーティクルが堆積した収容容器の内部を、例えば特許文献１に開示されるような洗浄方法により洗浄している。特許文献１の方法によれば、例えば基板処理システムとは別に設けられた洗浄装置に収容容器を搬送し、当該洗浄装置内で氷粒と水と空気の混合物が当該収容容器の内部に吹き付けられる。これにより、収容容器内のパーティクルが除去され、当該収容容器の内部が清浄に保たれる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００３−２２４１０３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで近年、半導体デバイスの微細化、高集積化に伴い、ウェハに対するパーティクル汚染の要求レベルが厳しくなってきている。そのため、定期的に収容容器の洗浄を行っていても、収容容器内にわずかに付着しているパーティクルが要因とみられる欠陥の発生が確認されている。
【０００７】
しかしながら、現状は、上述のように内部に清浄度の高い窒素ガス等を封入しても収容容器内へのパーティクル付着を防ぐことができていない。したがって、収容容器内を常に清浄に保つ手法の開発が望まれている。
【０００８】
本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、基板の収容容器内を清浄に保つことを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するため、本発明は、基板を処理する処理部と、複数枚の基板を収容する収容容器を載置する容器載置部と、前記容器載置部に載置された収容容器と前記処理部との間で基板の搬送を行う基板搬送部と、を備えた基板処理システムで用いられる、前記収容容器の清浄を行う容器清掃装置であって、乾燥ガスを供給するガス孔を備え、前記収容容器内に進入可能に構成されたパージノズルと、前記パージノズルを、前記収容容器内に出し入れするノズル移動機構と、を有し、前記パージノズル及び前記ノズル移動機構は、前記容器載置部に設けられていることを特徴としている。
【００１０】
本発明によれば、基板処理システムの容器載置部に、収容容器内に乾燥ガスを供給するパージノズルと、当該パージノズルを収容容器内に出し入れする移動機構が設けられているので、例えば基板搬送部により処理部に対して基板を搬送することにより空になった収容容器内にパージノズルを進入させて当該収容容器内をパージすることで、基板処理システム内で収容容器内のパーティクルを除去することができる。そのため、従来のように基板処理システム外部の洗浄装置で収容容器を洗浄することなく、収容容器の内部を常に清浄な状態に保つことができる。
【００１１】
前記収容容器内の雰囲気を吸引する吸引孔を備え、前記収容容器内に進入可能に構成された吸引ノズルと、前記吸引ノズルを前記収容容器内に出し入れする他のノズル移動機構が、前記容器載置部にさらに設けられていてもよい。
【００１２】
前記パージノズルには、前記収容容器内の雰囲気を吸引する吸引孔がさらに形成されていてもよい。
【００１３】
前記容器載置部には、前記処理部との間で基板の受け渡しを行うときに前記収容容器を載置する搬送載置台と、基板が処理部に搬送されて空になった収容容器を一時的に載置する空容器載置台と、前記搬送載置台と前記空容器載置台との間で前記収容容器を搬送する容器搬送機構と、が設けられていてもよい。
【００１４】
前記容器載置部には、前記空容器載置台を覆う隔壁と、当該隔壁内部を排気する排気機構がさらに設けられていてもよい。
【００１５】
別な観点による本発明は、基板を処理する処理部と、複数枚の基板を収容する収容容器を載置する容器載置部と、前記容器載置部に載置された収容容器と前記処理部との間で基板の搬送を行う基板搬送部と、を備えた基板処理システムにおいて、前記収容容器の清掃を行う容器清掃方法であって、前記基板搬送部を介して基板が処理部に搬送されて空になった前記収容容器の内部に、乾燥ガスを供給するガス孔を備えたパージノズルを進入させ、前記収容容器の内部を乾燥ガスでパージして清掃することを特徴としている。
【００１６】
前記基板搬送部を介して基板が処理部に搬送されて空になった前記収容容器の内部に、周囲の雰囲気を吸引する吸引孔を備えた吸引ノズルを進入させ、前記パージノズルにより前記収容容器の内部を清掃する際に、前記収容容器の内部の雰囲気を前記吸引ノズルにより吸引してもよい。
【００１７】
前記パージノズルには、周囲の雰囲気を吸引する吸引孔がさらに形成されており、前記パージノズルにより前記収容容器の内部を清掃する際に、前記収容容器の内部の雰囲気を前記吸引孔から吸引してもよい。
【００１８】
前記容器載置部には、前記処理部との間で基板の受け渡しを行うときに前記収容容器を載置する搬送載置台と、基板が処理部に搬送されて空になった収容容器を一時的に載置する空容器載置台と、前記搬送載置台と前記空容器載置台との間で前記収容容器を搬送する容器搬送機構と、が設けられ、前記パージノズルによる前記収容容器内部の清掃は、前記空になった収容容器を前記空容器載置台に移動させた後に行われてもよい。
【００１９】
前記容器載置部には、前記空容器載置台を覆う隔壁と、当該隔壁内部を排気する排気機構がさらに設けられ、前記パージノズルによる前記収容容器内部の清掃は、前記隔壁内を排気した状態で行われてもよい。
【００２０】
別な観点による本発明によれば、前記容器清掃方法を容器清掃装置によって実行させるように、当該容器清掃装置を制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラムが提供される。
【００２１】
また、別の観点による本発明によれば、前記プログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体が提供される。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、基板の収容容器内を清浄に保つことができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本実施の形態にかかる清掃装置を備えた基板処理システムの構成の概略を模式的に示した平面図である。
【図２】本実施の形態にかかる清掃装置を備えた基板処理システムの構成の概略を模式的に示した正面図である。
【図３】本実施の形態にかかる清掃装置を備えた基板処理システムの構成の概略を模式的に示した背面図である。
【図４】カセットの側面図である。
【図５】カセット載置台近傍の構成の概略を模式的に示した側面図である。
【図６】空カセット移送機構の構成の概略を示す平面図である。
【図７】空カセット移送機構の構成の概略を示す側面図である。
【図８】隔壁近傍の構成の概略を示す側面図である。
【図９】パージノズルの構成の概略を示す斜視図である。
【図１０】パージノズルの構成の概略を示す縦断面図である。
【図１１】隔壁の内部にカセットを搬送する様子を示す説明図である。
【図１２】載置板上にカセットを載置した状態を示す説明図である。
【図１３】蓋を開放した状態を示す説明図である。
【図１４】パージノズルをカセットの内部に進入させた状態を示す説明図である。
【図１５】ガス供給管に三方弁及びガス排気管を設けた場合のパージノズルの構成の概略を示す斜視図である。
【図１６】他の実施の形態にかかるパージノズルの構成の概略を示す斜視図である。
【図１７】他の実施の形態にかかるパージノズルの構成の概略を示す斜視図である。
【図１８】他の実施の形態にかかるパージノズルの構成の概略を示す斜視図である。
【図１９】他の実施の形態にかかるパージノズルの構成の概略を示す斜視図である。
【図２０】他の実施の形態にかかるパージノズルの構成の概略を示す斜視図である。
【図２１】他の実施の形態にかかるパージノズルの構成の概略を示す斜視図である。
【図２２】他の実施の形態にかかるパージノズルの構成の概略を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、本発明の実施の形態について説明する。図１は、本実施の形態にかかる容器清掃装置を備えた基板処理システム１の構成の概略を模式的に示す平面図である。図２及び図３は、各々基板処理システム１の内部構成の概略を模式的に示す、正面図と背面図である。なお、本実施の形態における基板処理システム１は、例えばウェハＷにフォトリソグラフィー処理を行う塗布現像処理システムである。
【００２５】
基板処理システム１は、図１に示すように複数枚のウェハＷを収容する収容容器としてのカセットＣを外部との間で搬入出するカセットステーション２と、枚葉式にウェハＷに対して所定の処理を施す複数の各種処理装置を備えた処理部としての処理ステーション３と、処理ステーション３に隣接する露光装置４との間でウェハＷの受け渡しを行うインターフェイスステーション５とを一体に接続した構成を有している。なお、本実施の形態におけるカセットＣは、図４に示すようにウェハＷを収容する本体部Ｃ１と、本体部Ｃ１の上面から突出した軸Ｃ２と、軸Ｃ２に支持された係止部Ｃ３と、本体部Ｃ１の側面に設けられた蓋Ｃ４を有している。本体部Ｃ１の内部には図示しない棚が上下方向に複数設けられ、当該棚にウェハＷを載置することで、複数のウェハＷを収容できる。係止部Ｃ３は略方形板形状を有し、その１辺の長さは軸Ｃ２の径よりも長くなっている。
【００２６】
カセットステーション２は、例えば容器載置部としてのカセット載置部１０と基板搬送部としてのウェハ搬送部１１に分けられている。例えばカセット載置部１０は、基板処理システム１のＹ方向負方向（図１の左方向）側の端部に設けられている。カセット載置部１０には、カセット載置台１２が設けられている。カセット載置台１２上には、複数、例えば４つの載置板１３が水平方向のＸ方向に一列に並べて設けられている。載置板１３は、例えばＹ方向にスライド自在あり、載置したカセットＣのウェハ取り出し口をウェハ搬送部１１側のウェハ搬送口１１ｂに接続できる。
【００２７】
図１及び図２に示すようにカセットステーション２のウェハ搬送部１１は、雰囲気制御を行うためのケーシング１１ａにより覆われている。ケーシング１１ａのカセット載置部１０側の壁面には、各載置板１３に対応する位置にウェハ搬送口１１ｂが形成されている。各ウェハ搬送口１１ｂには、載置板１３上のカセットＣの扉を開閉するドアオープナー１１ｃが設けられている。
【００２８】
カセット載置部１０のカセット載置台１２の上方には、図５に示すように、複数段、例えば２段の空容器載置台としての空カセット載置台１４、１５が上下に設けられている。各空カセット載置台１４、１５上には載置板１６が複数、例えば４つずつ設けられている。各載置板１６は、カセット載置台１２の４つの載置板１３に対応するようにＸ方向に並べて設けられている。なお、上段の空カセット載置台１５に設けられた４つの載置板１６は、基板処理システム１の外部との間でカセットＣを搬入出するための、搬入出スペースとして機能する。
【００２９】
空カセット載置台１５の上方には、図５に示すように、レールＲが配設されており、当該レールＲには、基板処理システム１と外部の他の処理装置との間でカセットＣを搬送する、外部カセット搬送装置Ａが設けられている。外部カセット搬送装置Ａは、空カセット載置台１５の上方をＸ方向に沿って移動できる。外部カセット搬送装置Ａは、例えば上下方向に伸縮自在なカセット把持部Ａ１を有しており、空カセット載置台１５との間でカセットＣの受け渡しを行うことができる。
【００３０】
カセット載置部１０には、カセット載置台１２のＹ方向負方向（図１の左方向）側に、未処理のウェハＷを収容したカセットＣ及び処理ステーション３にウェハＷが搬送されて空になったカセットＣをカセット載置台１２と、空カセット載置台１４、１５との間で搬送する、容器搬送機構としてのカセット搬送機構２０が設けられている。カセット搬送機構２０は、例えば図６及び図７に示すように、カセットＣを支持するアーム２１を有している。アーム２１は、カセットＣの軸Ｃ２に干渉することなく、係止部Ｃ３の下面と当接してカセットＣを支持できるように構成されている。
【００３１】
アーム２１は、水平方向（図中のＸ方向）に延びるアーム支持部２２に支持されている。アーム支持部２２は、上下方向（図中のＺ方向）に延びるアーム駆動部２３に支持されている。アーム駆動部２３には、例えば図示しないモータなどが内蔵され、アーム支持部２２及びアーム２１を水平方向（図中のＸ方向及びＹ方向）に移動させると共に、上下方向（図中のＺ方向）に移動させることができる。これにより、カセット搬送機構２０は、カセット載置台１２と空カセット載置台１４、１５との間でカセットＣを自在に搬送することができる。
【００３２】
またカセット載置部１０には、例えば空カセット載置台１４を覆うように隔壁３０が設けられている。隔壁３０の空カセット搬送側の面にはシャッタ３１が設けられている。空カセット載置台１４とカセットＣの受け渡しを行う際にはシャッタ３１が開放され、当該シャッタを閉じることで、隔壁３０内を外部の雰囲気から隔離することができる。
【００３３】
隔壁３０内におけるカセットＣの処理ステーション３側であって、空カセット載置台１４上のカセットよりも下方の位置には、例えば図８に示すように、隔壁３０内の雰囲気を排気する排気室３２が形成されている。排気室３２は、例えば図６に示すように、空カセット載置台１４のカセット搬送機構２０と反対側の端部近傍に形成された貫通口３３を介して隔壁３０内の空間と連通している。
【００３４】
例えば排気室３２の底部には排気管３４が接続されている。排気管３４には排気機構３５及び排気弁３６が設けられており、隔壁３０内の排気を制御することができる。
【００３５】
カセットＣの蓋Ｃ４に対向する位置には、当該蓋Ｃ４を開閉するドアオープナー４０が設けられている。載置板１６は、例えばＹ方向にスライド自在であり、ドアオープナー４０は、蓋Ｃ４をドアオープナー４０に当接（ドック）させることにより、蓋Ｃ４を保持できるように構成されている。ドアオープナー４０は図示しない駆動機構により開閉自在に構成されている。そのため、ドアオープナー４０と蓋Ｃ４を当接させた状態でドアオープナー４０を開閉操作することにより、蓋Ｃ４を開閉することができる。また、載置板１６の例えばドアオープナー４０側と反対側の端部近傍には、載置板１６上に載置されたカセットＣの内部に、清浄な乾燥ガスとして例えば窒素を封入するための開口１６ａが形成されている。開口１６ａには、図示しない乾燥ガスの供給源が接続されている。
【００３６】
ドアオープナー４０と隔壁３０の間であって、カセットＣの蓋Ｃ４の正面には、カセットＣ内に清浄な乾燥ガスを供給して、カセットＣの内部を清掃するためのパージノズル５０が設けられている。パージノズル５０には、例えば図８に示すように、ノズルアーム５１を介して昇降機構５２が接続されている。昇降機構５２は、例えば隔壁３０に沿って上下方向及び水平方向に移動することができる。例えば排気室３２におけるカセット搬送機構２０側の側面には、ドアオープナー４０により蓋Ｃ４を開けた際に、蓋Ｃ４に対して清掃用の清浄な乾燥ガスとして例えば窒素ガスを供給するガス吐出口５３が設けられている。
【００３７】
パージノズル５０は、例えば略矩形状を有しており、例えば長手方向が上下方向を向いた状態でノズルアーム５１により支持されている。また、ノズルアーム５１は、例えば水平方向に伸縮自在で且つパージノズル５０を鉛直方向から水平方向に向けて回転動作させることができる。これにより、パージノズル５０は上下左右前後方向及び回転動作を行うことができる。このパージノズル５０の構成の詳細については後述する。なお、本実施の形態においては、ノズルアーム５１と昇降機構５２によりノズル移動機構が構成されている。ノズル移動機構の構成については本実施の形態の内容に限定されるものではなく、後述するようにパージノズル５０をカセットＣ内に出し入れでき、且つカセットＣ内で移動させることができればその構成は任意に設定が可能であり、例えばドアオープナー４０を支持する図示しない支持体に昇降機構５２及びノズルアーム５１を取り付けてあってもよい。また、本発明の容器清掃装置は、このノズル移動機構とパージノズル５０により構成されている。
【００３８】
図１に示すようにウェハ搬送部１１には、Ｘ方向に延びる搬送路６０上を移動自在なウェハ搬送装置６１が設けられている。ウェハ搬送装置６１は、上下方向及び鉛直軸周り（θ方向）にも移動自在であり、各載置板１３上のカセットＣと、後述する処理ステーション３の第３のブロックＧ３の受け渡し装置との間でウェハＷを搬送できる。
【００３９】
処理ステーション３には、各種装置を備えた複数例えば４つのブロックＧ１、Ｇ２、Ｇ３、Ｇ４が設けられている。例えば処理ステーション３の正面側（図１のＸ方向負方向側）には、第１のブロックＧ１が設けられ、処理ステーション３の背面側（図１のＸ方向正方向側）には、第２のブロックＧ２が設けられている。また、処理ステーション３のカセットステーション２側（図１のＹ方向負方向側）には、第３のブロックＧ３が設けられ、処理ステーション３のインターフェイスステーション５側（図１のＹ方向正方向側）には、第４のブロックＧ４が設けられている。
【００４０】
例えば第１のブロックＧ１には、図３に示すように複数の液処理ユニット、例えばウェハＷを現像処理する現像処理ユニット８０、ウェハＷのレジスト膜の下層に反射防止膜（以下「下部反射防止膜」という）を形成する下部反射防止膜形成ユニット８１、ウェハＷにレジスト液を塗布してレジスト膜を形成するレジスト塗布ユニット８２、ウェハＷのレジスト膜の上層に反射防止膜（以下「上部反射防止膜」という）を形成する上部反射防止膜形成ユニット８３が下から順に４段に重ねられている。
【００４１】
例えば第２のブロックＧ２には、図２に示すようにウェハＷの熱処理を行う熱処理ユニット９０や、ウェハＷを疎水化処理するアドヒージョンユニット９１、ウェハＷの外周部を露光する周辺露光ユニット９２が上下方向と水平方向に並べて設けられている。熱処理ユニット９０は、ウェハＷを載置して加熱する熱板と、ウェハＷを載置して冷却する冷却板を有し、加熱処理と冷却処理の両方を行うことができる。なお、熱処理ユニット９０、アドヒージョンユニット９１及び周辺露光ユニット９２の数や配置は、任意に選択できる。
【００４２】
例えば第３のブロックＧ３には、複数の受け渡しユニット１００、１０１、１０２、１０３、１０４、１０５、１０６が下から順に設けられている。また、第４のブロックＧ４には、複数の受け渡しユニット１１０、１１１、１１２が下から順に設けられている。
【００４３】
第１のブロックＧ１〜第４のブロックＧ４に囲まれた領域には、ウェハ搬送領域Ｄが形成されている。ウェハ搬送領域Ｄには、例えばウェハ搬送装置１２０が配置されている。ウェハ搬送装置１２０は、例えばＹ方向、前後方向、θ方向及び上下方向に移動自在な搬送アームを有している。ウェハ搬送装置１２０は、ウェハ搬送領域Ｄ内を移動し、周囲の第１のブロックＧ１、第２のブロックＧ２、第３のブロックＧ３及び第４のブロックＧ４内の所定のユニットにウェハＷを搬送できる。ウェハ搬送装置１２０は、例えば図２に示すように上下に複数台配置され、例えば各ブロックＧ１〜Ｇ４の同程度の高さの所定のユニットにウェハＷを搬送できる。
【００４４】
ウェハ搬送領域Ｄには、第３のブロックＧ３と第４のブロックＧ４との間で直線的にウェハＷを搬送するシャトル搬送装置１３０が設けられている。シャトル搬送装置１３０は、例えばＹ方向に直線的に移動自在である。シャトル搬送装置１３０は、ウェハＷを支持した状態でＹ方向に移動し、第３のブロックＧ３の受け渡しユニット１０２と第４のブロックＧ４の受け渡しユニット１１２との間でウェハＷを搬送できる。
【００４５】
図１に示すように第３のブロックＧ３のＸ方向正方向側には、ウェハ搬送装置１４０が設けられている。ウェハ搬送装置１４０は、例えば前後方向、θ方向及び上下方向に移動自在な搬送アームを有している。ウェハ搬送装置１４０は、ウェハＷを支持した状態で上下に移動して、第３のブロックＧ３内の各受け渡しユニットにウェハＷを搬送できる。
【００４６】
インターフェイスステーション５には、ウェハ搬送装置１５０と受け渡しユニット１５１が設けられている。ウェハ搬送装置１５０は、例えば前後方向、θ方向及び上下方向に移動自在な搬送アームを有している。ウェハ搬送装置１５０は、例えば搬送アームにウェハＷを支持して、第４のブロックＧ４内の各受け渡しユニットと受け渡しユニット１５１にウェハＷを搬送できる。
【００４７】
次に、パージノズル５０の構成について図９を参照して説明する。なお、図９では、ノズルアーム５１を図８の状態から９０度回転させて、パージノズル５０の長手方向を水平方向に一致させた状態で、２つのパージノズル５０をカセットＣ内に進入させた状態を描図している。
【００４８】
パージノズル５０は、例えば図９に示すように略矩形状を有している。パージノズル５０には、図示しないガス供給源から、清浄な乾燥ガスとして例えば窒素ガスを供給するガス供給管２００が接続されている。なお、ガス供給管２００は、例えば図９に示すように、パージノズル５０をカセットＣ内に進入させた際にカセットＣの蓋Ｃ４側に対応する面に接続される。換言すれば、図９のように略矩形状のパージノズル５０をカセットＣの内部に進入させた際に、後進側の端部となる位置に接続される。
【００４９】
パージノズル５０の本体部５０ａの内部には、例えば図１０に示すように、ガス供給管２００に連通するガス流路２０１が形成されており、パージノズル５０の表面には、ガス流路２０１に連通するガス孔２０２が複数形成されている。したがって、ガス供給管２００を介してガス供給源（図示せず）から乾燥ガスを供給することで、パージノズル５０の各ガス孔２０２から乾燥ガスを噴射することができる。また、ガス供給管２００には、乾燥ガスをイオン化するイオナイザ２０３が設けられている。
【００５０】
ガス孔２０２は、パージノズル５０における、例えばカセットＣの本体部Ｃ１の内面に対向する位置に設けられている。例えば図９に示すように、２つのパージノズル５０が平行に設けられている場合、図９の左側のパージノズル５０では、当該パージノズルの右側の側面及びガス供給管２００が接続された面以外の四面にガス孔２０２が形成される。同様に、図９の右側のパージノズル５０では、当該パージノズルの左側の側面及びガス供給管２００が接続された面以外の四面にガス孔２０２が形成される。なお、図９では、パージノズル５０の先端部分の１箇所に、長手方向に沿ってそれぞれ４箇所にガス孔２０２が設けられた状態を描図しているが、ガス孔２０２の大きさや形状、配置は本実施の形態の内容に限定されるものではなく、任意に設定が可能である。また、図９に示すように、ガス孔２０２をカセットＣの内面に対向する位置にのみ形成しているのは、カセットＣの内面に対向していない面から乾燥ガスを噴射してもカセットＣ内の清掃に寄与しないからであり、カセットＣの内面に対向する位置以外にもガス孔２０２を設けてもよい。
【００５１】
以上の基板処理システム１には、図１に示すように制御部３００が設けられている。制御部３００は、例えばコンピュータであり、プログラム格納部（図示せず）を有している。プログラム格納部には、基板処理システム１におけるウェハＷの処理を制御するプログラムが格納されている。また、プログラム格納部には、上述の各種装置や搬送装置などの駆動系の動作を制御して、基板処理システム１における塗布現像処理を実現させるためのプログラムも格納されている。なお、前記プログラムは、例えばコンピュータ読み取り可能なハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルデスク（ＭＯ）、メモリーカードなどのコンピュータに読み取り可能な記憶媒体Ｈに記録されていたものであって、その記憶媒体Ｈから制御部３００にインストールされたものであってもよい。
【００５２】
本実施の形態にかかる容器清掃装置を備えた基板処理システム１は以上のように構成されており、次に、以上のように構成された基板処理システム１を用いて行われるウェハ処理について説明する。
【００５３】
先ず、１ロット分の未処理のウェハＷを収容したカセットＣが、外部カセット搬送装置Ａにより基板処理システム１のカセット載置部１０の上方まで搬送される。次いで、カセット搬送機構２０により当該カセットＣが載置台１２の所定の載置板１３に載置される。
【００５４】
載置板１３にカセットＣ１が載置された後、当該載置板１３がウェハ搬送部１１側に移動し、カセットＣ１がウェハ搬送口１１ｂにセットされる。そして、ドアオープナー１１ｃによりカセットＣの扉が開けられる。その後、ウェハ搬送装置６１によりカセットＣ１内の各ウェハＷが順に取り出され、処理ステーション３内に搬送され処理される。
【００５５】
カセットＣから１ロット分の全てのウェハＷが搬出された後、当該空になったカセットＣは、カセット搬送機構２０のアーム２１により例えば空カセット載置台１４に搬送される。この際、例えば図１１に示すように、シャッタ３１は解放された状態になっている。また、この際、パージノズル５０からは乾燥ガスが常時供給され、隔壁３０内は陽圧に維持されている。これにより、当該隔壁３０内へのパーティクルの侵入が抑制される。
【００５６】
空のカセットＣが空カセット載置台１４の載置板１６に載置されると、図１２に示すように、シャッタ３１が閉じられ、次に排気管３４を介して排気機構３５により隔壁３０内が排気される。また、載置板１６に載置されたカセットＣの内部には、開口１６ａを介して乾燥ガスが供給され、カセットＣの内部が陽圧に維持される。これにより、例えば隔壁３０内にパーティクルが付着していたとしても、蓋Ｃ４を開放した際に当該パーティクルがカセットＣ内に侵入することを防ぐことができる。この間、パージノズル５０からも引き続き乾燥ガスが供給されており、隔壁３０内は隔壁３０の外部に対して陽圧に維持されているが、カセットＣ内は隔壁３０内に対してさらに陽圧の状態となっている。
【００５７】
次に、カセットＣ内を隔壁３０内に対して陽圧に維持した状態で載置板１６をドアオープナー４０側に移動させ、図１３に示すように、ドアオープナー４０とカセットＣの蓋Ｃ４を当接させる。次いで、ドアオープナー４０により蓋Ｃ４を開放して、蓋Ｃ４を載置板１６より下方に移動させる。この際、ガス吐出口５３から乾燥ガスを吐出し、蓋Ｃ４に付着したパーティクルを除去する。
【００５８】
次いで、図１４に示すようにパージノズル５０をカセットＣ内に進入させ、カセットＣ内に乾燥ガスを噴出することにより、カセットＣ内に付着したパーティクルを除去する。この際、パージノズル５０を前後及び上下方向に移動させ、カセットＣ内が万遍なく清掃される。この際、パージノズル５０から供給される乾燥ガスはイオナイザ２０３によりイオン化されているので、カセットＣ及びパーティクルの帯電を除去し、効率的にパーティクルの除去が行われる。また、この間、隔壁３０内は排気管３４から常時排気されており、清掃により飛散したパーティクルは当該排気管３４から速やかに排気される。
【００５９】
カセットＣ内の清掃が終了すると、パージノズル５０をカセットＣの外部に退避する。次いで、ドアオープナー４０により蓋Ｃ４を上昇させ、カセットＣの蓋Ｃ４を閉操作する。この際、ガス吐出口５３から継続して乾燥ガスを供給することで、蓋Ｃ４の表面のパージを行う。これにより、カセットＣ内部の清掃により飛散したパーティクルが蓋Ｃ４に付着した場合でも、当該パーティクルを除去することができる。
【００６０】
カセットＣの蓋を閉じた後は、シャッタ３１を開放し、カセット搬送機構２０のアーム２１により空カセット載置台１４からカセット載置台１２に搬送される。
【００６１】
一方、処理ステーション３に搬送されたカセットＣ内のウェハＷは、例えば熱処理ユニット９０、下部反射防止膜形成ユニット８１、熱処理ユニット９０、アドヒージョンユニット９１、レジスト塗布ユニット８２、熱処理ユニット９０、上部反射防止膜形成ユニット８３、熱処理ユニット９０、周辺露光ユニット９２等に順次搬送され、各ユニットにおいて所定の処理が施される。その後、ウェハＷは、露光装置４に搬送されて露光処理が施され、その後、処理ステーション３に戻される。その後、ウェハＷは、熱処理ユニット９０、現像処理ユニット８０、熱処理ユニット９０等に順次搬送され、各ユニットにおいて所定の処理が施される。こうして、ウェハＷに対する一連の処理（フォトリソグラフィー処理）が終了する。
【００６２】
ウェハＷの一連の処理が終了すると、各ウェハが清掃を完了してカセット載置台１２に戻された空きカセットＣ内に順次搬送される。その後、当該カセットＣはカセット搬送機構２０により例えば空カセット載置台１５に搬送される。次いで、当該カセットＣは外部カセット搬送装置Ａにより基板処理システム１から搬出される。そして、この一連の処理が繰り返し行われる。
【００６３】
以上の実施の形態によれば、処理ステーション３にウェハＷを搬送して空になったカセットＣを、カセット載置台１２の上方に設けられた空カセット載置台１４に移動させた後、乾燥ガスを供給するガス孔２０２を備えたパージノズル５０をカセットの内部に進入させて当該カセットＣの清掃を行うので、カセットＣを常に清浄な状態に維持することができる。したがって、ウェハ処理の歩留まりを向上させることができる。また、内部が空になり、基板処理システム１内で待機する時間を利用してカセットＣに内部を清掃することで、基板処理システム１の外部に設けられた洗浄装置でカセットＣを洗浄する頻度を低減させ、それにより洗浄に伴うコストや時間を削減することができる。
【００６４】
また、カセット載置台１２の上方に設けられた空カセット載置台１４でカセットＣの清掃を行うので、本実施の形態にかかる容器洗浄装置を設けるにあたり、基板処理システム１のフットプリントが増加することもない。
【００６５】
さらには、乾燥ガスを供給するガス供給管２００にイオナイザ２０３を設けたので、カセットＣ及びパーティクルの除電を行うことができ、それにより効率的にパーティクルの除去を行うことができる。
【００６６】
以上の実施の形態では、パージノズル５０から乾燥ガスの噴出のみを行ったが、例えば図１５に示すように、ガス供給管２００に三方弁２１０及びガス排気管２１１を設け、例えばパージノズル５０から乾燥ガスを噴出した後に三方弁２１０を切り替えることで、ガス排気管２１１からカセットＣ内の雰囲気を排気するようにしてもよい。そうすることで、パージノズル５０からの乾燥ガスの噴出により飛散したパーティクルを直ちに除去し、再飛散したパーティクルが再度カセットＣ内に付着することを防止し、効率的な清掃を行うことができる。かかる場合、ガス供給管２００における三方弁２１０の上流側にイオナイザ２０３を設けてもよい。
【００６７】
また、例えばガス排気管２１１に、当該ガス排気管２１１内を通過するパーティクルモニタを計数するパーティクルモニタ２１２を設け、パーティクルモニタ２１２で計数されるパーティクルが所定の値以下になるまでカセットＣ内の清掃を継続する、或いはパーティクルが所定の値以下なったらカセットＣ内の清掃を停止するようにしてもよい。かかる場合、より確実にカセットＣ内を清掃できると共に、無駄な清掃を行わないようにできる。
【００６８】
また、以上の実施の形態では、並行に設けた２つのパージノズル５０を用いた場合を例にして説明したが、パージノズル５０の形状についても本実施の形態の内容に限定されるものではない。例えば図１６に示すように、例えばカセットＣの蓋Ｃ４に平行に延伸する複数の本体部２２０を一体化して構成したパージノズル２２１を用いてもよい。かかる場合も、カセットＣ内でパージノズル２２１を前後及び上下に移動させることで、カセットＣ内を万遍なく清掃することができる。
【００６９】
また、図１７に示すように、本体部２２０に直交するように他の本体部２３０を設けたパージノズル２３１を用いると共に、本体部２２０にガス供給管２００を、他の本体部２３０にガス排気管２１１を設けるようにしてもよい。そして、本体部２２０からの乾燥ガスの供給と共に、他の本体部２３０からの排気を行うことで、カセットＣ内で飛散したパーティクルを他の本体部２３０から直ちに排気することができる。これにより、より効率的なカセットＣの清掃を行うことができる。なお、ガス供給管２００及びガス排気管２１１は三方弁２１０を介して接続してもよいし、ガス供給管２００にイオナイザ２０３を設けてもよい。また、ガス供給管２００、ガス排気管２１１、三方弁２１０及びイオナイザ２０３にかかる構成については、以下に述べる他の実施の形態にかかるパージノズルにおいても同様である。
【００７０】
また、図１８に示すように、カセットＣの内側面に対応するように、例えば略Ｕ字型の本体部２４０と、本体部２４０の中心の空間に設けられた他の本体部２４１を一体に構成したパージノズル２４２を用いてもよい。本体部２４０には、ガス供給管２００が、他の本体部２４１にはガス排気管２１１がそれぞれ接続される。このパージノズル２４２によれば、例えばパージノズル２４２をカセット内で前後及び上下に移動させることで、パージノズル５０ではパーティクルを除去しにくいカセットＣの中央部近傍のパーティクルを効率よく除去することができる。また、Ｕ字状のパージノズルの中央部近傍の空間、換言すれば、例えば図１５に示すパージノズル５０の間に形成される空間を利用して他の本体部２４１から排気を行うことができるので、より効率的にカセットＣ内の清掃を行うことができる。かかる場合、他の本体部２４１には、例えば図１９に示すように、スリット状に排気口２４３を形成してもよい。
【００７１】
また、図２０に示すように、平行な本体部５０ａ、５０ａと当該本体部５０ａに直交して設けられた他の本体部２５０を一体に構成し、本体部５０ａにガス供給管２００を、他の本体部２５０にガス排気管２１１をそれぞれ接続したパージノズル２５１を用いてもよい。
【００７２】
なお、パージノズルの形状は、矩形状に限定されるものでもなく、例えば図２１に示すように、例えば略円筒形状の本体部２６０の全面にガス孔２６１を形成したパージノズル２６２を用いてもよい。かかる場合、パージノズル２６２から３６０度全域にわたって乾燥ガスの噴射を行うことができ、パージノズル２６２を回転及び前後、上下に移動させることで、カセットＣ内の隅々まで効率的に清掃できる。
【００７３】
また、図２２に示すように、ガス供給管２００に接続したパージノズル２６２とガス排気管２１１に接続したパージノズル２６３をそれぞれ設け、例えばパージノズル２６２とパージノズル２６３を公転させるように移動させながら乾燥ガスの噴出と雰囲気の排気をそれぞれ行うようにしてもよい。かかる場合、パージノズル２６２、２６３を公転させることで、カセットＣの内部で気流がかき混ざり、パーティクル除去の効率を上げることができる。また、カセットＣ内で飛散したパーティクルを速やかにパージノズル２６３から排気できるので、カセットＣの外部へのパーティクルの飛散が少ない、効率的な清掃を行うことができる。
【００７４】
また、カセットＣ内を排気する方法についても本実施の形態の内容に限定されるものではなく、例えば載置板１６に形成された開口１６ａから排気を行うようにしてもよい。かかる場合、例えば蓋Ｃ４を開放してパージノズルをカセットＣの内部に進入させるまでは開口１６ａから乾燥ガスを供給しておき、パージノズルから乾燥ガスを噴出し、カセットＣ内が陽圧に維持される状態になった後に、開口１６ａから排気を行うことが好ましい。
【００７５】
なお、以上の実施の形態では、空カセット載置台１４にパージノズル５０や隔壁３０を設けたが、パージノズルや隔壁３０といった、本実施の形態にかかる容器清掃装置は、例えば空カセット載置台１５にも設けてもよいし、カセット載置台１２に設けてもよい。
【００７６】
以上、本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到しうることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【符号の説明】
【００７７】
１    基板処理システム
２    カセットステーション
３    処理ステーション
４    露光装置
５    インターフェイスステーション
１０  カセット載置部
１１  ウェハ搬送部
１２  カセット載置台
１３、１６  載置板
１４、１５  空カセット載置台
２０  カセット搬送機構
３０  隔壁
３１  シャッタ
４０  ドアオープナー
５０  パージノズル
２００  ガス供給管
２０１  ガス流路
２０２  ガス孔
２０３  イオナイザ
２１０  三方弁
２１１  ガス排気管
２１２  パーティクルモニタ
Ｗ    ウェハ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
2016066689.tif 000022
【図２１】
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【図２２】
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