(57)【要約】【課題】開口率の低下を抑制することが可能な液晶表示装置を提供することを目的とする。【解決手段】薄膜トランジスタ基板２０と、薄膜トランジスタ基板２０の上に設けられた対向基板３０と、薄膜トランジスタ基板２０と対向基板３０との間に設けられた液晶層４０と、を備え、薄膜トランジスタ基板２０は、薄膜トランジスタ５５、第１透光性電極、第１透光性電極との間で電界を発生させる第２透光性電極、カラーフィルタ２６、上方に突出し、対向基板３０に当接するスペーサ４５及びスペーサ４５の少なくとも一部に設けられ、光配向処理された第１の配向膜２８を有し、対向基板３０は、ラビング配向処理された第２の配向膜３８を有する。【選択図】図３
2016191891.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
薄膜トランジスタ基板と、前記薄膜トランジスタ基板の上に設けられた対向基板と、前記薄膜トランジスタ基板と前記対向基板との間に設けられた液晶層と、を備え、
前記薄膜トランジスタ基板は、
薄膜トランジスタ、
第１透光性電極、
前記第１透光性電極との間で電界を発生させる第２透光性電極、
カラーフィルタ、
上方に突出し、前記対向基板に当接するスペーサ及び
前記スペーサの少なくとも一部に設けられ、光配向処理された第１の配向膜を有し、
前記対向基板は、ラビング配向処理された第２の配向膜を有する
液晶表示装置。
【請求項２】
前記第２の配向膜は、前記薄膜トランジスタ基板と対向した平坦面を有し、前記平坦面と前記スペーサとが当接する
請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記第１の配向膜は、前記スペーサの上端に設けられ、
前記第１の配向膜と前記第２の配向膜とが当接している
請求項１又は請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記薄膜トランジスタ基板は、前記薄膜トランジスタに駆動信号を伝達する走査線と、前記第２透光性電極に画像信号を伝達する信号線とを有し、
前記スペーサは、平面視で前記信号線に沿って配置される
請求項１から請求項３までのいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記薄膜トランジスタ基板は、
前記カラーフィルタ上に設けられ、前記第１透光性電極に接触している金属配線と、
前記金属配線上に設けられた光吸収層と、
前記光吸収層上に設けられた光干渉層とを有する
請求項１から請求項４までのいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記薄膜トランジスタ基板は、
絶縁層を有し、
前記光干渉層は、前記絶縁層及び前記第１透光性電極の少なくとも一方である請求項５に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、画像を表示する液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
下記特許文献１は、薄膜トランジスタを備える薄膜トランジスタ基板側に、カラーフィルタ、画素電極及び共通電極が配置された、いわゆるＣＯＡ（Ｃｏｌｏｒ  Ｆｉｌｔｅｒ  Ｏｎ  Ａｒｒａｙ）構造の液晶表示装置が記載されている。また、下記特許文献２は、液晶表示装置（ＬＣＤ：Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ）の駆動方式として、画素電極と共通電極とで基板面内方向に平行方向の電界を含む電界を液晶層に印加する、ＩＰＳ（Ｉｎ  Ｐｌａｎｅ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）又はＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ  Ｆｉｅｌｄ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）等の方式が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１４−４１２６８号公報
【特許文献２】特開２０１２−１８５２３２号公報
【特許文献３】特開２０１０−１３４２４９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
液晶層を挟む薄膜トランジスタ基板と対向基板との間隔を保持するために、薄膜トランジスタ基板と対向基板との両方にスペーサを設けて、薄膜トランジスタ基板側のスペーサと対向基板側のスペーサとを当接させる構造が知られている（特許文献３参照）。この場合、対向基板側のスペーサ近傍において、液晶層のディスクリネーションが発生し易くなる。このため、対向基板側のスペーサと重なる位置に遮光層が設けられて、観察者が表示画像の乱れを視認することを抑制する。また、画素電極及び共通電極が配置される薄膜トランジスタ基板側に、アルミニウム等の金属材料を含む金属配線が設けられる場合、対向基板側に遮光層が設けられて、金属配線からの反射光が視認されることを抑制する。遮光層の面積は、薄膜トランジスタ基板と対向基板との貼り合わせ精度を考慮して、スペーサの面積や金属配線の面積以上に大きくする必要がある。このため、開口率が低下し、表示画像の高精細化に対応することが困難となる可能性がある。
【０００５】
本発明は、開口率の低下を抑制することが可能な液晶表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一態様の液晶表示装置は、薄膜トランジスタ基板と、前記薄膜トランジスタ基板の上に設けられた対向基板と、前記薄膜トランジスタ基板と前記対向基板との間に設けられた液晶層と、を備え、前記薄膜トランジスタ基板は、薄膜トランジスタ、第１透光性電極、前記第１透光性電極との間で電界を発生させる第２透光性電極、カラーフィルタ、上方に突出し、前記対向基板に当接するスペーサ及び前記スペーサの少なくとも一部に設けられ、光配向処理された第１の配向膜を有し、前記対向基板は、ラビング配向処理された第２の配向膜を有する。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】図１は、第１の実施形態に係る液晶表示装置の概略断面構造を示す断面図である。
【図２】図２は、本実施形態の画素電極の平面図である。
【図３】図３は、図２のＩＩＩ−ＩＩＩ´線に沿って切断して矢印方向から見たときの液晶表示装置の模式断面図である。
【図４】図４は、第１の実施形態に係る液晶表示装置の変形例を示す模式断面図である。
【図５】図５は、第２の実施形態に係る液晶表示装置の画素電極の平面図である。
【図６】図６は、図５のＶＩ−ＶＩ´線に沿って切断して矢印方向から見たときの液晶表示装置の模式断面図である。
【図７】図７は、第３の実施形態に係る液晶表示装置の画素電極の平面図である。
【図８】図８は、図７のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ´線に沿って切断して矢印方向から見たときの液晶表示装置の模式断面図である。
【図９】図９は、第４の実施形態に係る液晶表示装置の画素電極の平面図である。
【図１０】図１０は、図９のＩＸ−ＩＸ´線に沿って切断して矢印方向から見たときの液晶表示装置の模式断面図である。
【図１１】図１１は、第４の実施形態に係る金属配線及び反射防止構造体を拡大して示す部分拡大断面図である。
【図１２】図１２は、第５の実施形態に係る液晶表示装置の画素電極の平面図である。
【図１３】図１３は、図１２のＸＩＩＩ−ＸＩＩＩ´線に沿って矢印方向から見たときの液晶表示装置の模式断面図である。
【図１４】図１４は、第１の実施例に係る反射防止構造体が設けられた金属配線からの反射光の輝度Ｙと絶縁層膜厚との関係を示すグラフである。
【図１５】図１５は、反射防止構造体の最適膜厚の一例を示す表である。
【図１６】図１６は、絶縁層の厚さを変化させたときの、色度分布を示すグラフである。
【図１７】図１７は、絶縁層膜厚及び光吸収層膜厚を変えたときの輝度Ｙの値を示す表である。
【図１８】図１８は、絶縁層膜厚及び光吸収層膜厚を変えたときの色度（ｘ、ｙ）の値を示す表である。
【図１９】図１９は、第６の実施形態に係る液晶表示装置の模式断面図である。
【図２０】図２０は、第６の実施形態に係る金属配線及び反射防止構造体を拡大して示す部分拡大断面図である。
【図２１】図２１は、第２の実施例に係る、共通電極膜厚及び光吸収層膜厚を変えたときの輝度Ｙの値を示す表である。
【図２２】図２２は、第２の実施例に係る、共通電極膜厚及び光吸収層膜厚を変えたときの色度（ｘ、ｙ）の値を示す表である。
【図２３】図２３は、第７の実施形態に係る液晶表示装置の模式断面図である。
【図２４】図２４は、第７の実施形態に係る金属配線及び反射防止構造体を拡大して示す部分拡大断面図である。
【図２５】図２５は、第８の実施形態の液晶表示装置に係る、金属配線及び反射防止構造体を拡大して示す部分拡大断面図である。
【図２６】図２６は、第３の実施例に係る反射防止構造体が設けられた金属配線からの反射光の輝度Ｙと絶縁層膜厚との関係を示すグラフである。
【図２７】図２７は、絶縁層の厚さを変化させたときの、色度分布を示すグラフである。
【図２８】図２８は、輝度Ｙの第１極小値の近傍における、絶縁層膜厚及び光吸収層膜厚を変えたときの輝度Ｙの値を示す表である。
【図２９】図２９は、輝度Ｙの第１極小値の近傍における、絶縁層膜厚及び光吸収層膜厚を変えたときの色度（ｘ、ｙ）の値を示す表である。
【図３０】図３０は、輝度Ｙの第２極小値の近傍における、絶縁層膜厚及び光吸収層膜厚を変えたときの輝度Ｙの値を示す表である。
【図３１】図３１は、輝度Ｙの第２極小値の近傍における、絶縁層膜厚及び光吸収層膜厚を変えたときの色度（ｘ、ｙ）の値を示す表である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。
【０００９】
（第１の実施形態）
図１は、第１の実施形態に係る液晶表示装置の概略断面構造を示す断面図である。図１に示すように、液晶表示装置１は、薄膜トランジスタ基板２０と、薄膜トランジスタ基板２０と対向して配置される対向基板３０と、薄膜トランジスタ基板２０と対向基板３０との間に配置される液晶層４０とを有する。
【００１０】
薄膜トランジスタ基板２０は、第１の基板５０の上方に設けられたカラーフィルタ２６と、カラーフィルタ２６の上方に設けられた第１透光性電極である共通電極２３と、共通電極２３の上に接して設けられた絶縁層２４と、絶縁層２４の上に設けられた第２透光性電極である画素電極２２と、薄膜トランジスタ基板２０の最上面側に設けられた第１の配向膜２８とを有する。なお、本明細書において薄膜トランジスタ基板２０から対向基板３０に向かう方向を上方向とする。
【００１１】
対向基板３０は、第２の基板３１と、第２の基板３１の下面に設けられた第２の配向膜３８と、上面に設けられた偏光板３５とを含む。
【００１２】
薄膜トランジスタ基板２０と対向基板３０とはシール部４１によって接着されており、薄膜トランジスタ基板２０、対向基板３０、及びシール部４１によって囲まれた空間に、液晶層４０が封止されている。液晶層４０は、電界に応じて液晶分子の配向方向が変化することにより、光の透過量を制御するものである。本実施形態の液晶表示装置１は、ＩＰＳ又はＦＦＳ等の横電界モードの液晶表示装置であり、液晶層４０に用いられる液晶も当該液晶表示装置に適した液晶である。
【００１３】
本実施形態の液晶表示装置１は、画素電極２２と共通電極２３との間に、薄膜トランジスタ基板２０の面内方向に平行方向の電界を含む電界が発生し、液晶層４０に印加される。液晶層４０の液晶分子の方向が、印加される電界によって変化し、液晶層４０に入射する光の透過と遮蔽とが切り換えられる。
【００１４】
図２は、本実施形態の画素電極の平面図である。図３は、図２のＩＩＩ−ＩＩＩ´線に沿って切断して矢印方向から見たときの液晶表示装置の模式断面図である。図３に示すように、本実施形態の液晶表示装置１において、薄膜トランジスタ基板２０は、薄膜トランジスタ５５、複数の画素電極２２、共通電極２３及びカラーフィルタ２６を備える。さらに、薄膜トランジスタ基板２０は、上方に突出し、対向基板３０に当接するスペーサ４５及び、スペーサ４５の少なくとも一部に設けられ、光配向処理された第１の配向膜２８を有する。また、対向基板３０は、薄膜トランジスタ基板２０と対向する第２の配向膜３８を有する。第２の配向膜３８は、平坦化層３７を介して第２の基板３１に設けられている。
【００１５】
本実施形態において、第１の配向膜２８は光配向膜であり、第２の配向膜３８は、ラビング配向処理されている。第１の配向膜２８と第２の配向膜３８との異方性により、液晶層４０の液晶分子が所定の方向に配向される。
【００１６】
薄膜トランジスタ基板２０は、第１の基板５０の上に薄膜トランジスタ５５が設けられている。薄膜トランジスタ５５は、半導体層５４、走査線（ゲート電極）６５、ソース電極５２、ドレイン電極５３を有している。第１の基板５０は、ガラス基板やシリコン基板等の支持基板である。第１の基板５０に絶縁層５７ａ、５７ｂを介して半導体層５４が設けられている。半導体層５４は、例えばシリコンや酸化物半導体、化合物半導体等の半導体材料が用いられる。ソース電極５２及びドレイン電極５３は、絶縁層５８ａ、５８ｂのコンタクトホールを通して半導体層５４に接続されており、絶縁層５８ａ上の信号線６６と接続される。走査線６５は、絶縁層５８ａ、５８ｂの層間に設けられ半導体層５４と絶縁される。走査線６５、ソース電極５２、ドレイン電極５３は、アルミニウムやモリブデン等の金属材料が用いられる。また、絶縁層５７ａ、５７ｂ、５８ａ、５８ｂは、ＴＥＯＳ（Ｔｅｔｒａ  Ｅｔｈｙｌ  Ｏｒｔｈｏ  Ｓｉｌｉｃａｔｅ）膜やプラズマ窒化シリコン（ＰＳｉＮ）膜等が用いられる。本実施形態において、薄膜トランジスタ５５は、例えば、ｎチャネルのＭＯＳ（Ｍｅｔａｌ  Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）型の薄膜トランジスタ素子である。
【００１７】
図３に示すように、カラーフィルタ２６は、薄膜トランジスタ５５の上に設けられる。本実施形態の液晶表示装置１は、カラーフィルタ２６が薄膜トランジスタ基板２０側に設けられた、いわゆるＣＯＡ構造の液晶表示装置である。カラーフィルタ２６は、着色された樹脂材料が用いられ、例えば赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３色にそれぞれ着色されたフィルタが周期的に配列される。カラー画像を形成する単位となる１つの画素は、例えば、複数の副画素（サブピクセル）を含む。１つの画素は、赤（Ｒ）を表示する副画素（Ｒ）と、青（Ｂ）を表示する副画素（Ｂ）と、緑（Ｇ）を表示する副画素（Ｇ）とを含む。これらの副画素（Ｒ）、副画素（Ｇ）、副画素（Ｂ）のそれぞれに対応して、カラーフィルタ２６が着色される。
【００１８】
カラーフィルタ２６の上に、例えば透光性樹脂等のオーバーコート層２５が設けられている。オーバーコート層２５に、共通電極２３、絶縁層２４、画素電極２２の順に設けられている。共通電極２３はオーバーコート層２５の上に連続して設けられており、画素電極２２は、絶縁層２４を介して共通電極２３と異なる層に複数設けられる。図３に示すように、オーバーコート層２５及びカラーフィルタ２６は、上下面を貫通するコンタクトホール４７を有している。また、画素電極２２はコンタクトホール４７内に突出しており、該コンタクトホール４７の底部に設けられたドレイン電極５３と電気的に接続する。
【００１９】
図２に示すように、画素電極２２は、走査線６５、６５と、信号線６６、６６とで囲まれており、走査線６５、６５と、信号線６６、６６とで囲まれた領域が、副画素６１である。本実施形態において副画素６１は、副画素（Ｒ）、副画素（Ｇ）、副画素（Ｂ）のいずれか１つに対応する。画素電極２２は、平面視でマトリクス状に配列され、走査線６５の延出方向及び信号線６６の延出方向に沿って、複数配列される。
【００２０】
画素電極２２は、信号線６６に沿った方向に延びる複数の電極枝２２ａ、２２ｂを有し、電極枝２２ａ、２２ｂの端部に、それぞれ電極枝２２ａ、２２ｂの延出方向から屈曲する屈曲部２２ｄ、２２ｅを有している。屈曲部２２ｄの端部と、屈曲部２２ｅの端部とは、連結部２２ｃによって接続されている。
【００２１】
図２に示すように、薄膜トランジスタ５５に駆動信号を伝達する走査線６５が延びている。走査線６５を介して伝達される駆動電圧によって、図３に示す薄膜トランジスタ５５のオン、オフ動作が切り替え可能となっている。画素電極２２に画像信号を伝達する信号線６６は、走査線６５と交差する方向に延びている。信号線６６は、全体として、平面視で走査線６５と垂直な方向に延びているが、１画素毎に傾いていてもよい。信号線６６は、図３に示すソース電極５２に接続されており、薄膜トランジスタ５５がオンの状態のとき、画像信号は画素電極２２に伝達される。
【００２２】
図３に示すように、絶縁層２４の上から対向基板３０に向かってスペーサ４５が突出している。スペーサ４５は、断面視で台形状であり、側面が傾斜しており、上端４５ａの面積が下端側の面積よりも小さくなっている。スペーサ４５は、図２に示すように、平面視において信号線６６に沿って配置されている。スペーサ４５は、アクリル樹脂などの透光性樹脂を用いて、例えばフォトリソグラフィ法によって形成される。なお、スペーサ４５の形状は、上記の形状に限られない。スペーサ４５は、例えば平面視で円状をなし、信号線６６に沿って、２本の走査線６５間に、連続して複数配置されていてもよい。
【００２３】
第１の配向膜２８は、画素電極２２及び絶縁層２４の上方に設けられるとともに、スペーサ４５の上端４５ａ及び側面に設けられている。本実施形態において、第１の配向膜２８は光分解型の光配向膜であり、光反応性を有する材料が用いられる。第１の配向膜２８は、例えば特開２００５−３５１９２４号公報、又は特開２００９−７５５６９号公報に例示されているポリアミド酸エステル系の樹脂材料製である。第１の配向膜２８は、所定の方向に紫外線を照射される光配向処理が行われることにより、ポリイミド主鎖中の偏光方向に揃ったシクロブタン骨格が光分解され、ポリイミド鎖が切断される。
【００２４】
図３に示すように、第２の基板３１は、薄膜トランジスタ基板２０と対向する平坦面を有し、第２の基板３１の平坦面に平坦化層３７を介して第２の配向膜３８が設けられている。第２の基板３１は、ガラス基板や、透光性樹脂材料を用いたシート状の基材を用いることができる。第２の配向膜３８は、画素内の全面に亘って、薄膜トランジスタ基板２０と対向する平坦面を有する。このため、本実施形態において、第２の配向膜３８は、ローラー等を用いて異方性を付与するラビング配向処理を容易に行うことができる。
【００２５】
図３に示すように、スペーサ４５の上端４５ａに設けられた第１の配向膜２８が、対向基板３０の第２の配向膜３８の平坦面と当接する。これにより、薄膜トランジスタ基板２０と対向基板３０との間隔がスペーサ４５により保持される。
【００２６】
本実施形態の液晶表示装置１は、薄膜トランジスタ５５、複数の画素電極２２、共通電極２３及びカラーフィルタ２６を備える薄膜トランジスタ基板２０と、液晶層４０を挟んで薄膜トランジスタ基板２０と対向して配置される対向基板３０とを有する。薄膜トランジスタ基板２０は、上方に突出し、薄膜トランジスタ基板２０と対向基板３０との間隔を保持するスペーサ４５と、画素電極２２又は共通電極２３の上に設けられるともに、スペーサ４５の少なくとも一部に設けられる第１の配向膜２８とを有する。対向基板３０は、第２の基板３１の薄膜トランジスタ基板２０と対向する面に設けられ、ラビング配向処理された第２の配向膜３８を有する。
【００２７】
すなわち、本実施形態の液晶表示装置１は、カラーフィルタ２６が薄膜トランジスタ基板２０側に配置されたＣＯＡ構造であり、スペーサ４５は薄膜トランジスタ基板２０側にのみ設けられる。対向基板３０はスペーサが設けられておらず、第２の基板２１の薄膜トランジスタ基板２０と対向する面が平坦である。第２の配向膜３８は、画素内の全面に亘って、薄膜トランジスタ基板２０と対向する平坦面を有する。これにより、第２の配向膜３８のラビング配向処理が容易となる。配向膜に光配向処理を行った場合、光分解反応によりポリイミド鎖が切断され強度が低下する。したがって、第２の配向膜３８は、ラビング配向処理を行った膜を用いることで強度が保たれるので、スペーサ４５の上端４５ａと当接した場合であっても剥離が抑制される。
【００２８】
また、スペーサ４５の上端４５ａに設けられた第１の配向膜２８と、第２の配向膜３８とが当接する箇所の近傍の液晶層４０は、ラビング配向処理された第２の配向膜３８によって配向が制御され、対向基板３０側の液晶層４０のディスクリネーションの発生が抑制される。また、スペーサ４５の少なくとも側面に第１の配向膜２８が設けられており、薄膜トランジスタ基板２０側の液晶層４０のディスクリネーションの発生も抑制される。
【００２９】
スペーサ４５は、信号線６６に沿って配置されているため、隣り合って配列された複数の副画素の間隔を維持して、スペーサ４５を設けることが可能であり、高精細の液晶表示装置に対応可能である。
【００３０】
図４は、第１の実施形態に係る液晶表示装置の第１の変形例を示す模式断面図である。図４に示す変形例の液晶表示装置１は、対向基板３０において、第２の基板３１と第２の配向膜３８との間に平坦化層が介在せず、第２の配向膜３８が第２の基板３１と接触している点が異なる。このように、第２の配向膜３８が第２の基板３１と接触する構成により、対向基板３０の製造工程が簡略化され製造コストが低減する。また、液晶表示装置１の表示面側の部材を削減することで、光の透過率が向上する。
【００３１】
（第２の実施形態）
図５は、第２の実施形態に係る液晶表示装置の画素電極の平面図である。図６は、図５のＶＩ−ＶＩ´線に沿って切断して矢印方向から見たときの液晶表示装置の模式断面図である。図５に示すように、本実施形態の画素電極２２、走査線６５、信号線６６等は第１の実施形態と同様であるが、複数のスペーサ４５、スペーサ４６を備える点が異なる。スペーサ４５は、平面視において、信号線６６に沿って配置され、信号線６６の延出方向に延びている。スペーサ４６は、平面視において、走査線６５に沿って配置されて、走査線６５の延出方向に延びている。
【００３２】
スペーサ４５及びスペーサ４６は、いずれも薄膜トランジスタ基板２０側に設けられており、画素電極２２と共通電極２３との層間を絶縁する絶縁層２４から、上方に突出して、第２の配向膜３８と当接する。本実施形態においても、第２の配向膜３８はラビング配向処理されており、光配向処理された配向膜に比べて機械的強度が強い。そのため、複数のスペーサ４５、スペーサ４６が設けられた場合であっても、第２の配向膜３８の剥離等の発生が防止される。
【００３３】
また、本実施形態の液晶表示装置２において、対向基板３０は、コンタクトホール４７の近傍の領域に遮蔽層４８を有する。図６に示すように、遮蔽層４８は、第２の基板３１の下に設けられており、遮蔽層４８の下に平坦化層３７及び第２の配向膜２８が設けられている。図５に示すように、遮蔽層４８は、平面視においてコンタクトホール４７、スペーサ４５、スペーサ４６と重なって配置されている。遮蔽層４８は、走査線６５の延出方向に延びており、信号線６６の延出方向において、スペーサ４５の長さ以上の幅を有する。
【００３４】
（第３の実施形態）
図７は、第３の実施形態に係る液晶表示装置の画素電極の平面図である。図８は、図７のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ´線に沿って切断して矢印方向から見たときの液晶表示装置の模式断面図である。図７に示すように、スペーサ４５は、平面視で信号線６６に沿って配置されており、画素電極２２を挟む２つの走査線６５と走査線６５との間に位置している。
【００３５】
図８に示すように、カラーフィルタ２６は、副画素（Ｒ）に対応するカラーフィルタ２６Ｒ、副画素（Ｂ）に対応するカラーフィルタ２６Ｂ、副画素（Ｇ）に対応するカラーフィルタ２６Ｇを有する。カラーフィルタ２６Ｒ、２６Ｇ、２６Ｂは周期的に繰り返して配列される。本実施形態の副画素６１は、例えば１つの副画素（Ｇ）に対応している。信号線６６は、カラーフィルタ２６Ｒ、２６Ｇ、２６Ｂの境界と重なる位置に配置されており、スペーサ４５は、カラーフィルタ２６Ｒとカラーフィルタ２６Ｇとの境界と重なる位置に配置される。
【００３６】
本実施形態の液晶表示装置３は、共通電極２３の上に金属配線６８（図７には省略して示す）が設けられている。金属配線６８は、信号線６６と重なる位置に配置されており、信号線６６と等しい幅、若しくは信号線６６よりもわずかに広い幅を有して、信号線６６と同じ方向に延出している。金属配線６８は、カラーフィルタ２６Ｒ、２６Ｇ、２６Ｂの境界に沿って設けられ、複数の副画素に亘って連続して設けられる。また、スペーサ４５は、金属配線６８の上方に配置される。金属配線６８は、アルミニウム、銅、ニッケル等の金属材料製、又はこれらの合金材料製であり、共通電極２３よりも高い導電率を有する。金属配線６８が共通電極２３の上に設けられることにより、共通電極２３のみの抵抗値に比べて、共通電極２３と金属配線６８との合計の抵抗値が低減する。これにより、信号の遅延やクロストークなどの発生が防止される。
【００３７】
（第４の実施形態）
図９は、第４の実施形態に係る液晶表示装置の画素電極の平面図である。図１０は、図９のＩＸ−ＩＸ´線に沿って切断して矢印方向から見たときの液晶表示装置の模式断面図である。図１１は、金属配線及び反射防止構造体を拡大して示す部分拡大断面図である。本実施形態の液晶表示装置４は、薄膜トランジスタ５５よりも上方に設けられ、共通電極２３に接触している金属配線６８と、金属配線６８の上に設けられた反射防止構造体７１とを有する。
【００３８】
金属配線６８は、オーバーコート層２５の上に設けられ、金属配線６８及び反射防止構造体７１は信号線６６の上方に配置される。金属配線６８及び反射防止構造体７１は、信号線６６、６６に沿って同じ方向に延出し、カラーフィルタ２６Ｒ、２６Ｇ、２６Ｂの境界に沿って設けられる。
【００３９】
図１１に示すように、反射防止構造体７１は、金属配線６８の反射光を抑制するための光吸収層７８と、光吸収層７８の上に設けられる光干渉層７７とを含む。光吸収層７８は、入射する光を吸収する機能を有する。上方からの入射光及び金属配線６８からの反射光は、光吸収層７８を通過する際に減衰される。これにより、金属配線６８からの反射光が観察者に視認されることを抑制する。光吸収層７８は、例えばＡｌ−Ｘ−Ｎ（Ｘ＝Ｃｕ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｃｒ等）である。なお、光吸収層７８に用いられる材料はこれに限定されるものではない。光吸収層７８の複素屈折率ＮをＮ＝ｎ−ｉｋで表したときの吸収係数ｋが、可視光領域（３８０ｎｍ以上、７８０ｎｍ以下）において、ｋ≧２の値を有する材料が好ましい。吸収係数ｋが大きいほど、光吸収層７８に入射する光が減衰される。また、吸収係数ｋは、光の波長に依存して変化するため、入射する光の波長に応じて、光吸収層７８の組成や膜厚を異ならせてもよい。本実施形態において、光吸収層７８の厚さは、例えば３０ｎｍ以上、６０ｎｍ以下である。
【００４０】
本実施形態において、光干渉層７７は共通電極２３と、共通電極２３の上に設けられた絶縁層２４とを有する。光干渉層７７は、金属配線６８の上面からの反射光の位相と、光干渉層７７の上面からの反射光の位相とを、互いに反対にして、２つの反射光同士が打ち消し合うようにする。これにより、金属配線６８からの反射光が観察者に視認されることを抑制する。
【００４１】
本実施形態において、共通電極２３は、オーバーコート層２５の上面、金属配線６８の側面、光吸収層７８の側面及び上面に連続して設けられており、金属配線６８と重なる重畳部分２３ａが、反射防止構造体７１に含まれる。これにより、反射防止構造体７１を設けるにあたり、光学機能層の積層数を減らし、製造コストの増大を抑制することが可能である。
【００４２】
また、共通電極２３は、金属配線６８及び光吸収層７８上においては、下面が上側に突出し、凹状をなしている。これにより、オーバーコート層２５の上面が平坦であっても、金属配線６８及び光吸収層７８上に共通電極２３を設けやすくすることができる。加えて、共通電極２３は、金属配線６８及び光吸収層７８上においては、上面が上側に突出し、凸状である。これにより、共通電極２３は、金属配線６８と重なる重畳部分２３ａと、その他の部分との厚さを等しくすることができる。なお、重畳部分２３ａは、重畳部分２３ａ以外の共通電極２３と、厚さを異ならせてもよい。
【００４３】
共通電極２３は、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）やＺｎＯ等の透光性導電材料が用いられる。ＩＴＯやＺｎＯ等の透光性導電材料は、可視光領域において、屈折率ｎ＝１．７以上、２．０以下、吸収係数ｋ＝０の値を有しており、共通電極２３は光の干渉層としての機能を有する。
【００４４】
本実施形態において、共通電極２３の抵抗値の増大を抑制し、かつ、適切に透光するための共通電極２３の膜厚は、例えば２０ｎｍ以上、１５０ｎｍ以下である。また、上記の膜厚の範囲において、可視光の反射を効果的に干渉し、反射を防止することができる。
【００４５】
図１０及び図１１に示すように、画素電極２２と共通電極２３との層間を絶縁するための絶縁層２４は、共通電極２３の上面に設けられており、平面視において金属配線６８と重なる重畳部分２４ａが、反射防止構造体７１に含まれる。
【００４６】
絶縁層２４は、ＳｉＮ（窒化シリコン）等の絶縁材料が用いられる。ＳｉＮは、可視光領域において、屈折率ｎ＝２．０以上、２．１以下、吸収係数ｋ＝０の値を有する。本実施形態において、画素電極２２と共通電極２３との層間絶縁を適切に確保し、かつ、適切に透光するための絶縁層２４の膜厚は、例えば、４０ｎｍ以上、２５０ｎｍ以下である。
【００４７】
本実施形態の液晶表示装置４において、図１１に示すように、金属配線６８の側面が共通電極２３と接触している。これにより、金属配線６８と共通電極２３とが導通し、共通電極２３の抵抗値が低減する。
【００４８】
なお、金属配線６８及び光吸収層７８の側面は、オーバーコート層２５の上面に対して垂直であるが、金属配線６８又は光吸収層７８の側面を傾斜させて、テーパー形状とすることも可能である。
【００４９】
（第５の実施形態）
図１２は、第５の実施形態に係る液晶表示装置の画素電極の平面図である。図１３は、図１２のＸＩＩＩ−ＸＩＩＩ´線に沿って矢印方向から見たときの液晶表示装置の模式断面図である。図１２に示すように、走査線６５に沿って金属配線６８及び反射防止構造体７１が設けられている。図１３に示すように、光干渉層７７及び光吸収層７８で構成される反射防止構造体７１は、走査線６５及び金属配線６８の上方に設けられる。本実施形態の反射防止構造体７１は、第４の実施形態に示す反射防止構造体７１と同様の構成である。これにより、液晶表示装置５は、走査線６５上に設けられた金属配線６８の反射を適切に防止することができる。また、金属配線６８及び反射防止構造体７１は、走査線６５及び信号線６６の上方に設けてもよい。
【００５０】
図１３に示すように、ドレイン電極５３の上に、光吸収層７９が設けられている。光吸収層７９は、Ａｌ−Ｘ−Ｎ（Ｘ＝Ｃｕ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｃｒ等）である。コンタクトホール４７の内部において、光吸収層７９の一部が開口されており、ドレイン電極５３が光吸収層７９から露出する。露出するドレイン電極５３と画素電極２２とが接続される。ドレイン電極５３の上に光吸収層７９を設けることにより、コンタクトホール４７内のドレイン電極５３からの反射光が観察者に視認されることが抑制される。図１３に示すように、光干渉層７７及び光吸収層７８で構成される反射防止構造体７１は、走査線６５上に設けられる。
【００５１】
（第１の実施例）
図１４は、第１の実施例に係る反射防止構造体を有する金属配線からの反射光の輝度Ｙと絶縁層膜厚との関係を示すグラフである。図１５は、第１の実施例に係る反射防止構造体の最適膜厚の一例を示す表である。図１６は、絶縁層の厚さを変化させたときの、色度分布を示すグラフである。図１７は、絶縁層膜厚及び光吸収層膜厚を変えたときの輝度Ｙの値を示す表である。図１８は、絶縁層膜厚及び光吸収層膜厚を変えたときの色度（ｘ、ｙ）の値を示す表である。
【００５２】
本実施例に係る液晶表示装置は、図１１に示す第４の実施形態の液晶表示装置４と同様の構成である。本実施例において、光吸収層７８は、Ａｌ−Ｃｕ−Ｎであり、共通電極２３はＩＴＯである。光吸収層７８、共通電極２３、絶縁層２４の膜厚を異ならせたときの、反射光の輝度Ｙと色度を評価して、反射防止構造体７１の各層の膜厚最適化を図った。なお、光源には標準光源の一つであるＤ６５光源を用いている。本測定においては、一定の距離から、一定の強度のＤ６５光源を照射する。上層に光干渉層７７も光吸収層７８も設けられていない金属配線６８にＤ６５光源を照射した場合、金属配線６８は、約５ｃｄ／ｍ２程度の輝度の反射を生じる。
【００５３】
図１４のグラフは、光吸収層７８の膜厚を４４ｎｍ、共通電極２３の膜厚を１００ｎｍとしたときの、絶縁層２４の膜厚と輝度Ｙとの関係を示している。絶縁層２４の膜厚が１０ｎｍ以上、以下３５０ｎｍの範囲で、輝度Ｙは、絶縁層２４の膜厚が６０ｎｍ付近と、２００ｎｍ付近において、２つの極小値を有する。なお、製造誤差を考慮した場合、反射光の輝度Ｙを抑制する反射防止構造体７１の膜厚は、図１５の表１に示すように、絶縁層２４の膜厚が６１ｎｍ以上、７３ｎｍ以下（中心膜厚６７ｎｍ）であることが望ましい。
【００５４】
次に色度の制約を考慮したときの反射防止構造体７１の各膜厚を示す。図１６は、ＣＩＥ−ＸＹＺ表色系によるｘｙ色度図であり、ＣＩＥシステムあるいはＣＩＥ色度図と呼ばれる。三刺激値Ｘ、Ｙ、ＺのうちＹが輝度を表す数値として用いられる。ｘｙ色度図は国際照明委員会ＣＩＥが作成した国際表示法である。図１６における各点は、光吸収層７８の膜厚を４４ｎｍ、共通電極２３の膜厚を１００ｎｍとし、絶縁層２４の厚さを１００ｎｍ以上、４００ｎｍ以下の範囲で１０ｎｍ毎に変化させた場合の色度を示している。ここで、ｘ＝Ｘ／（Ｘ＋Ｙ＋Ｚ）、ｙ＝Ｙ／（Ｘ＋Ｙ＋Ｚ）の関係にある。
【００５５】
ここで、金属配線６８からの反射光を人の目に視認されにくくすることが、液晶表示装置を高精細化するにあたり重要である。そのためにはまず、反射防止構造体７１により、反射光の輝度を抑制することが望ましい。また、同等の輝度の光の場合、色度（ｘ、ｙ）のｘ及びｙの値が小さい方が視認されにくく、ｘ≦０．３、かつ、ｙ≦０．３であれば、特に視認されにくいことが知られている。したがって、反射防止構造体７１により、反射光の色度におけるｘ及びｙの値が小さくなるよう、反射光が制御されることが望ましい。
【００５６】
図１６により、光吸収層７８の膜厚が４４ｎｍ、共通電極２３の膜厚が１００ｎｍの場合、絶縁層２４が６０ｎｍ以上、１１５ｎｍ以下の範囲、及び１９３ｎｍ以上、２２８ｎｍ以下の範囲で、色度がｘ≦０．３、かつ、ｙ≦０．３を満たす。
【００５７】
図１４及び図１５に示すように、輝度Ｙを最小にする光干渉層７７の膜厚は約１６７ｎｍである。図１７の表２は、共通電極２３の膜厚を１００ｎｍに固定したときの、輝度Ｙの値を示す。図１７に示すように、光吸収層７８の膜厚が４５ｎｍの場合、絶縁層２４の膜厚が６０ｎｍ以上、９０ｎｍ以下の範囲で輝度Ｙが小さくなる。
【００５８】
図１８の表３は、共通電極２３の膜厚を１００ｎｍに固定したときの、色度の値を示す。色度（ｘ、ｙ）が、ｘ≦０．３、かつ、ｙ≦０．３を満たす範囲は、絶縁層２４の膜厚が６５ｎｍ以上、９５ｎｍ以下であり、中心膜厚は８０ｎｍである。したがって、色度（ｘ≦０．３、ｙ≦０．３）、輝度Ｙ、及び製造誤差を考慮した望ましい反射防止構造体７１の膜厚は、絶縁層２４が７２ｎｍ以上、８８ｎｍ以下（中心膜厚８０ｎｍ）、共通電極２３が９０ｎｍ以上、１１０ｎｍ以下（中心膜厚１００ｎｍ）、光吸収層７８が４５ｎｍ以上、５５ｎｍ以下（中心膜厚５０ｎｍ）である。
【００５９】
（第６の実施形態）
図１９は、第６の実施形態に係る液晶表示装置の模式断面図である。図２０は、第６の実施形態に係る金属配線及び反射防止構造体を拡大して示す部分拡大断面図である。本実施形態の液晶表示装置６は、画素電極２２と共通電極２３との積層の順番が異なっている。図１９に示すように、オーバーコート層２５の上に画素電極２２が設けられている。絶縁層２４は、画素電極２２及びオーバーコート層２５の上に設けられている。金属配線６８は、絶縁層２４の上に設けられており、共通電極２３は、金属配線６８及び絶縁層２４の上に連続して設けられている。
【００６０】
図２０に示すように、金属配線６８の上に反射防止構造体７２が設けられている。反射防止構造体７２は、金属配線６８の反射光を抑制するための光吸収層７８と、光吸収層７８の上に設けられた光干渉層７７とを含む。
【００６１】
光吸収層７８の厚さは、例えば３０ｎｍ以上、６０ｎｍ以下である。共通電極２３の膜厚は、例えば２０ｎｍ以上、１５０ｎｍ以下である。
【００６２】
以上のように、本実施形態の液晶表示装置６は、金属配線６８の上に、光吸収層７８、光干渉層７７の順に設けられた反射防止構造体７２を有する。第４の実施形態と異なり、本実施形態は、絶縁層２４は金属配線６８の下方に位置しているので、金属配線６８上における光の干渉に寄与しない。このような態様であっても、反射防止構造体７２により、観察者が金属配線６８からの反射光を視認することが抑制される。
【００６３】
（第２の実施例）
図２１は、第２の実施例に係る、共通電極膜厚及び光吸収層の膜厚を変えたときの輝度Ｙの値を示す表である。図２２は、第２の実施例に係る、共通電極膜厚及び光吸収層の膜厚を変えたときの色度（ｘ、ｙ）の値を示す表である。第２の実施例に係る液晶表示装置は、第６の実施形態の液晶表示装置６である。
【００６４】
図２１の表４より、膜厚範囲は、光吸収層７８の膜厚が４０ｎｍ以上、５０ｎｍ以下（中心膜厚４５ｎｍ）の範囲であり、かつ、共通電極２３の膜厚が３０ｎｍ以上、４０ｎｍ以下（中心膜厚３５ｎｍ）の範囲であれば、輝度Ｙの観点から望ましい。
【００６５】
図２２の表５に示すように、色度（ｘ、ｙ）を考慮した場合、色度（ｘ、ｙ）がｘ≦０．３、かつ、ｙ≦０．３を満たす膜厚範囲は、共通電極２３の膜厚が４５ｎｍ以上であり、製造誤差を考慮すると、共通電極２３の膜厚は４５ｎｍ以上、５５ｎｍ以下（中心膜厚５０ｎｍ）の範囲が好ましい。
【００６６】
以上の結果から、図１９及び図２０に示すように、共通電極２３が金属配線６８の上に設けられ、絶縁層２４が金属配線６８の下方に配置される場合においても、反射光が抑制されることが示された。これにより、金属配線６８と重なる位置において、対向基板３０側に遮蔽層を設ける必要がなく、液晶表示装置６の開口率が向上する。
【００６７】
（第７の実施形態）
図２３は、第７の実施形態に係る液晶表示装置の模式断面図である。図２４は、金属配線及び反射防止構造体を拡大して示す部分拡大断面図である。本実施形態の液晶表示装置７は、オーバーコート層２５の上に、共通電極２３、絶縁層２４、画素電極２２の順に設けられている。図２３及び図２４に示すように、本実施形態の液晶表示装置７は、共通電極２３の上に金属配線６８が設けられている点が、第４から第６の実施形態と異なる。共通電極２３は、平板状であり、金属配線６８と重なる位置及び重ならない位置を通じて平坦である。一方、絶縁層２４は、下面が凹状である。これにより金属配線６８上においても厚さを抑えることができる。また、絶縁層２４の上面を平坦にすることができる。
【００６８】
図２４に示すように、金属配線６８の上に反射防止構造体７３が設けられている。反射防止構造体７３は、金属配線６８の反射光を抑制するための光吸収層７８と、光吸収層７８の上に設けられる光干渉層７７とを含む。画素電極２２と共通電極２３との層間を絶縁するための絶縁層２４は、共通電極２３の上面、金属配線６８の側面、光吸収層７８の側面及び上面に設けられている。
【００６９】
光吸収層７８の膜厚は、例えば３０μｍ以上、６０ｎｍ以下である。絶縁層２４の膜厚は、例えば、４０ｎｍ以上、２５０ｎｍ以下である。
【００７０】
本実施形態の液晶表示装置７は、金属配線６８の上に反射防止構造体７３を設けることにより、金属配線６８からの反射光が観察者に視認されることが抑制される。
【００７１】
（第８の実施形態）
図２５は、第８の実施形態の液晶表示装置に係る、金属配線及び反射防止構造体を拡大して示す部分拡大断面図である。第８の実施形態の液晶表示装置８において、絶縁層２４は、金属配線６８と重なる部分において、上方に向かって凸になっている。絶縁層２４とかさ上げ層２４ｂとは異なる層であってもよいが、同じ層であってもよい。同じ層である場合、製造工程において、絶縁層２４とかさ上げ層２４ｂとを合計した厚さの膜が一度に設けられる。
【００７２】
本実施形態において、絶縁層２４の上にかさ上げ層２４ｂが設けられている。かさ上げ層２４ｂは、絶縁層２４の突出する部分の上、すなわち金属配線６８の上方に設けられている。本実施形態において、かさ上げ層２４ｂは、絶縁層２４と同じ材料であり、例えばＳｉＮ（窒化シリコン）が用いられる。
【００７３】
図２５に示すように、金属配線６８の上に設けられた反射防止構造体７３ａは、光吸収層７８と光干渉層７７とを有する。光干渉層７７は、絶縁層２４と、絶縁層２４の上に設けられたかさ上げ層２４ｂとを含む。絶縁層２４の厚さｔ１とかさ上げ層２４ｂの厚さｔ３との合計膜厚（ｔ１＋ｔ３）が、光干渉層７７の厚さとなる。
【００７４】
本実施形態によれば、かさ上げ層２４ｂを設けることにより、反射防止構造体７３ａの光干渉層７７の厚さを調整することができる。したがって、共通電極２３の上に設けられた絶縁層２４の厚さｔ２を変えずに、かさ上げ層２４ｂの厚さｔ３を変更することにより、光干渉層７７の厚さが調整される。これにより、金属配線６８が設けられていない箇所の共通電極２３は、１層の絶縁層２４により、共通電極２３と画素電極２２との層間絶縁が確保されるとともに良好な透光性が得られる。また、金属配線６８が設けられている箇所は、絶縁層２４及びかさ上げ層２４ｂの合計膜厚で光干渉層７７として適切な膜厚にすることができる。
【００７５】
（第３の実施例）
図２６は、第３の実施例に係る反射防止構造体を有する金属配線からの反射光の輝度Ｙと絶縁層膜厚との関係を示すグラフである。本実施例に係る反射防止構造体は、図２４に示す反射防止構造体７３である。本実施例は、光吸収層７８及び絶縁層２４の膜厚を異ならせたときの、反射光の輝度Ｙと色度を評価して、反射防止構造体７３の各層の膜厚最適化を図った。
【００７６】
図２６のグラフでは、光吸収層７８の膜厚を４４ｎｍとしたときの、絶縁層２４の膜厚と、輝度Ｙとの関係を示している。図２６に示すように、絶縁層２４の膜厚が１０ｎｍ以上、４００ｎｍ以下の範囲で、輝度Ｙは３つの極小値を有する。図２６の点線で囲んで示すように、輝度Ｙは、絶縁層２４の膜厚が３９ｎｍ付近、１７５ｎｍ付近、３３０ｎｍ付近において極小値を示す。上述のように、絶縁層２４の膜厚は、例えば、４０ｎｍ以上、２５０ｎｍ以下の範囲が好ましい。この範囲内で、輝度Ｙは第１極小値（絶縁層２４膜厚が３９ｎｍ付近）と、第２極小値（絶縁層２４膜厚が１７５ｎｍ付近）との２つの極小値を有する。
【００７７】
本実施例において、製造誤差を考慮した場合、第１極小値の近傍での反射光の輝度Ｙを抑制する反射防止構造体７３の膜厚は、絶縁層２４の膜厚が３５ｎｍ以上、４３ｎｍ以下（中心膜厚３９ｎｍ）、光吸収層７８の膜厚が３９ｎｍ以上、５０ｎｍ以下（中心膜厚４４ｎｍ）であることが望ましい。また、第２極小値の近傍での反射光の輝度Ｙを抑制する反射防止構造体７３の膜厚は、絶縁層２４の膜厚が１６０ｎｍ以上、１９０ｎｍ以下（中心膜厚１７５ｎｍ）、光吸収層７８の膜厚が３９ｎｍ以上、５０ｎｍ以下（中心膜厚４４ｎｍ）であることが望ましい。
【００７８】
図２７は、絶縁層の厚さを変化させたときの、ＣＩＥ−ＸＹＺ表色系によるｘｙ色度図である。図２８は、輝度Ｙの第１極小値の近傍における、絶縁層膜厚及び光吸収層膜厚を変えたときの輝度Ｙの値を示す表である。図２９は、輝度Ｙの第１極小値の近傍における、絶縁層膜厚及び光吸収層膜厚を変えたときの色度（ｘ、ｙ）の値を示す表である。
【００７９】
図２７における各点は、光吸収層７８の膜厚を４４ｎｍ、共通電極２３の膜厚を１００ｎｍとし、絶縁層２４の厚さを１００ｎｍ以上、４００ｎｍ以下の範囲で１０ｎｍ毎に変化させた場合の色度を示している。輝度Ｙの値に加えて、色度（ｘ、ｙ）が、ｘ≦０．３、かつ、ｙ≦０．３を満足するように反射防止構造体７３の各膜厚を最適化した。図２７に示すように、絶縁層２４の膜厚の変化に伴って色度（ｘ、ｙ）が変化し、絶縁層２４が３２ｎｍ以上、９０ｎｍ以下、１６７ｎｍ以上、２１６ｎｍ以下、及び３００ｎｍ以上３３７ｎｍ以下の範囲で、色度がｘ≦０．３、かつ、ｙ≦０．３を満たす。絶縁層２４が３２ｎｍ以上、９０ｎｍ以下の範囲で、輝度Ｙの第１極小値を含み、かつ、色度がｘ≦０．３、かつ、ｙ≦０．３を満たす。絶縁層２４が１６７ｎｍ以上、２１６ｎｍ以下の範囲で、輝度Ｙの第２極小値を含み、かつ、色度がｘ≦０．３、かつ、ｙ≦０．３を満たす。
【００８０】
図２９の表７より、光吸収層７８の膜厚が４０ｎｍ以上、６０ｎｍ以下の範囲で、絶縁層２４の膜厚が４５ｎｍ以上の場合に、色度（ｘ、ｙ）がｘ≦０．３、かつ、ｙ≦０．３を満足する。図２６、図２８に示すように、絶縁層２４の膜厚が４５ｎｍ以上、７０ｎｍ以下の範囲で、絶縁層２４の膜厚が大きくなると輝度Ｙが大きくなる傾向を示す。したがって、第１極小値の近傍において、輝度Ｙ、色度（ｘ、ｙ）及び製造誤差を考慮した膜厚範囲は、絶縁層２４の膜厚が４５ｎｍ以上、５５ｎｍ以下（中心膜厚５０ｎｍ）であり、光吸収層７８の膜厚は、４５ｎｍ以上、５５ｎｍ以下（中心膜厚５０ｎｍ）であることが好ましい。輝度Ｙ及び色度（ｘ≦０．３、ｙ≦０．３）を満足する膜厚範囲は、上述の絶縁層２４の膜厚範囲である４０ｎｍ以上、２５０ｎｍ以下に含まれる。
【００８１】
図３０は、輝度Ｙの第２極小値の近傍における、絶縁層膜厚及び光吸収層膜厚を変えたときの輝度Ｙの値を示す表である。図３１は、輝度Ｙの第２極小値の近傍における、絶縁層膜厚及び光吸収層膜厚を変えたときの色度（ｘ、ｙ）の値を示す表である。
【００８２】
図３１の表９に示すように、光吸収層７８の膜厚が４５ｎｍ以上、５５ｎｍ以下の範囲で、かつ、絶縁層２４の膜厚が、１７５ｎｍ以上、２１５ｎｍ以下の範囲で色度（ｘ≦０．３、ｙ≦０．３）を満足する。よって、輝度Ｙの第２極小値の近傍において、輝度Ｙ、色度（ｘ≦０．３、ｙ≦０．３）及び製造誤差を考慮した膜厚範囲は、絶縁層２４の膜厚が１７５ｎｍ以上、２１５ｎｍ以下（中心膜厚１９５ｎｍ）であり、光吸収層７８の膜厚は、４５ｎｍ以上、５５ｎｍ以下（中心膜厚５０ｎｍ）である。図３０の表８に示すように、この範囲において輝度Ｙは０．１４１ｃｄ／ｍ２以上、１．１５ｃｄ／ｍ２以下である。
【００８３】
以上のように本実施例の結果から、反射防止構造体７３によって金属配線６８からの反射光が観察者に視認されることを抑制可能であることが示された。また、絶縁層２４の膜厚が４０ｎｍ以上、２５０ｎｍ以下の範囲において、輝度Ｙが抑制され、かつ色度（ｘ≦０．３、ｙ≦０．３）を満足する膜厚領域が２つ存在することが示された。反射防止可能な最適膜厚の選択範囲が２つ存在するため、設計自由度が大きくなり、反射防止構造体の各膜厚と、画素電極、共通電極、カラーフィルタ等の各膜厚との両立が容易である。
【００８４】
以上、本発明の好適な実施の形態を説明したが、本発明はこのような実施の形態に限定されるものではない。実施の形態で開示された内容はあくまで一例にすぎず、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。本発明の趣旨を逸脱しない範囲で行われた適宜の変更についても、当然に本発明の技術的範囲に属する。
【００８５】
例えば、本実施形態の液晶表示装置は、対向基板が遮蔽層を有するもの、又は遮蔽層を有しないものの両方が含まれる。また、遮蔽層の形状や位置は特に限定されず、適宜変更することができる。例えば、共通電極は、上述した画素電極２２と同様の形状及び配置で設けられていてもよい。この場合、画素電極は、上述した共通電極２３と同様の形状及び配置で設けられる。また、反射防止構造体の光吸収層及び光干渉層は、実施例等に示したものに限定されず、材料、組成、膜厚、積層数等を変更することが可能である。
【００８６】
さらに、上述した各実施形態は、適宜組み合わせることが可能である。例えば、反射防止構造体７１、７２、７３の上にスペーサ４５を設けてもよい。
【符号の説明】
【００８７】
１〜８  液晶表示装置
２０  薄膜トランジスタ基板
２２  画素電極
２２ａ、２２ｂ  電極枝
２２ｃ  連結部
２２ｄ、２２ｅ  屈曲部
２３  共通電極
２３ａ  重畳部分
２４  絶縁層
２４ａ  重畳部分
２４ｂ  かさ上げ層
２５  オーバーコート層
２６、２６Ｒ、２６Ｇ、２６Ｂ  カラーフィルタ
２８  第１の配向膜
３０  対向基板
３１  第２の基板
３５  偏光板
３７  平坦化層
３８  第２の配向膜
４０  液晶層
４１  シール部
４５、４６  スペーサ
４５ａ  上端
４７  コンタクトホール
４８  遮蔽層
５０  第１の基板
５２  ソース電極
５３  ドレイン電極
５５  薄膜トランジスタ
５７ａ、５７ｂ、５８ａ、５８ｂ  絶縁層
６１  副画素
６５  走査線
６６  信号線
６８  金属配線
７１、７２、７３  反射防止構造体
７７  光干渉層
７８、７９  光吸収層
【図１】
2016191891.tif 000003
【図２】
2016191891.tif 000004
【図３】
2016191891.tif 000005
【図４】
2016191891.tif 000006
【図５】
2016191891.tif 000007
【図６】
2016191891.tif 000008
【図７】
2016191891.tif 000009
【図８】
2016191891.tif 000010
【図９】
2016191891.tif 000011
【図１０】
2016191891.tif 000012
【図１１】
2016191891.tif 000013
【図１２】
2016191891.tif 000014
【図１３】
2016191891.tif 000015
【図１４】
2016191891.tif 000016
【図１５】
2016191891.tif 000017
【図１６】
2016191891.tif 000018
【図１７】
2016191891.tif 000019
【図１８】
2016191891.tif 000020
【図１９】
2016191891.tif 000021
【図２０】
2016191891.tif 000022
【図２１】
2016191891.tif 000023
【図２２】
2016191891.tif 000024
【図２３】
2016191891.tif 000025
【図２４】
2016191891.tif 000026
【図２５】
2016191891.tif 000027
【図２６】
2016191891.tif 000028
【図２７】
2016191891.tif 000029
【図２８】
2016191891.tif 000030
【図２９】
2016191891.tif 000031
【図３０】
2016191891.tif 000032
【図３１】
2016191891.tif 000033