(57)【要約】【課題】筐体、セラミック基板、及び半導体チップが積層された構成において、筐体から熱歪を半導体チップに伝わりにくくすることができる半導体装置を提供する。【解決手段】セラミック基板２０は、一面２１と一面２１とは反対側の他面２２とを有する板状であり、他面２２が第１接着剤４０を介して筐体１０の実装面１１に固定されている。半導体チップ３０は、表面３１と表面３１とは反対側の裏面３２とを有する板状であり、裏面３２が第２接着剤６０を介してセラミック基板２０に固定されている。そして、セラミック基板２０のうち半導体チップ３０の裏面３２に対向する部位を第１基部２５とし、その他の部位を第２基部２６とすると、第１基部２５は第２基部２６よりも軟質である。これにより、第１基部２５によって筐体１０から伝わる熱歪を第２基部２６よりも緩和することができる。【選択図】図３
2016200432.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
実装面（１１）を有する筐体（１０）と、
一面（２１）と前記一面（２１）とは反対側の他面（２２）とを有する板状であって、前記他面（２２）が第１接着剤（４０）を介して前記筐体（１０）の前記実装面（１１）に固定されたセラミック基板（２０）と、
表面（３１）と前記表面（３１）とは反対側の裏面（３２）とを有する板状であって、前記裏面（３２）が第２接着剤（６０）を介して前記セラミック基板（２０）に固定された半導体チップ（３０）と、
を備え、
前記セラミック基板（２０）のうち前記半導体チップ（３０）の前記裏面（３２）に対向する部位を第１基部（２５）とし、その他の部位を第２基部（２６）とすると、前記第１基部（２５）は前記第２基部（２６）よりも軟質であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記半導体チップ（３０）は、前記表面（３１）にボンディングワイヤ（５０）が接合されるパッド（３４）を有し、
前記第１基部（２５）は、前記半導体チップ（３０）の前記裏面（３２）に対向する部位のうち前記パッド（３４）に対応する位置に当該第１基部（２５）よりも硬い第３基部（２７）を有していることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第２接着剤（６０）は、ビーズ（６１）を含んでおり、
前記第３基部（２７）は、前記セラミック基板（２０）の前記一面（２１）から突出した突出部（２７ａ）を有しており、
前記第２接着剤（６０）の厚みをＡとし、前記ビーズ（６１）の径をＢとし、前記一面（２１）を基準とした前記突出部（２７ａ）の高さをＣとすると、Ａ＜（Ｂ＋Ｃ）の関係を満たしていることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記セラミック基板（２０）の前記一面（２１）から前記他面（２２）までの厚みは、前記筐体（１０）において前記実装面（１１）を基準とした厚みの１／２以上であることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第２接着剤（６０）は、ビーズ（６１）を含んでいることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項６】
前記筐体（１０）は、圧力媒体を導入する圧力導入孔（１２）を有し、
前記セラミック基板（２０）は、前記圧力導入孔（１２）を介して前記圧力媒体を前記半導体チップ（３０）側に導く貫通孔（２３）を有しており、
前記半導体チップ（３０）は、薄肉状のダイヤフラム（３３）を有する圧力センサとして構成されており、前記ダイヤフラム（３３）のうち前記表面（３１）側と前記セラミック基板（２０）の前記貫通孔（２３）側との差圧を検出することを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１つに記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、筐体の上にセラミック基板が実装され、さらにセラミック基板の上に半導体チップが実装された半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、筐体の上に基板が設置されていると共に、基板の上に半導体チップが搭載された構成が、例えば特許文献１で提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１４−１１９３９１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ここで、上記の構成が適用される環境に対応するため、基板としてセラミック基板を用いる構成が知られている。しかしながら、筐体が外部から熱を受けることにより筐体に熱歪が発生する。そして、熱歪がセラミック基板を介して半導体チップに伝達してしまうという問題がある。
【０００５】
本発明は上記点に鑑み、筐体、セラミック基板、及び半導体チップが積層された構成において、筐体から熱歪を半導体チップに伝わりにくくすることができる半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、実装面（１１）を有する筐体（１０）を備えている。また、一面（２１）と一面（２１）とは反対側の他面（２２）とを有する板状であって、他面（２２）が第１接着剤（４０）を介して筐体（１０）の実装面（１１）に固定されたセラミック基板（２０）を備えている。
【０００７】
さらに、表面（３１）と表面（３１）とは反対側の裏面（３２）とを有する板状であって、裏面（３２）が第２接着剤（６０）を介してセラミック基板（２０）に固定された半導体チップ（３０）を備えている。
【０００８】
そして、セラミック基板（２０）のうち半導体チップ（３０）の裏面（３２）に対向する部位を第１基部（２５）とし、その他の部位を第２基部（２６）とすると、第１基部（２５）は第２基部（２６）よりも軟質であることを特徴とする。
【０００９】
これによると、セラミック基板（２０）の第１基部（２５）が第２基部（２６）よりも軟らかいので、第１基部（２５）によって筐体（１０）から伝わる熱歪が第２基部（２６）よりも緩和される。すなわち、第１基部（２５）では第２基部（２６）よりも熱歪が吸収されやすくすることができる。したがって、筐体（１０）からセラミック基板（２０）を介して熱歪を半導体チップ（３０）に伝わりにくくすることができる。
【００１０】
なお、この欄及び特許請求の範囲で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の第１実施形態に係る圧力センサの平面図である。
【図２】図１のII−II断面図である。
【図３】図２のＺ部拡大図である。
【図４】本発明の第２実施形態に係る圧力センサの断面図である。
【図５】本発明の第３実施形態に係る圧力センサの断面図である。
【図６】本発明の第４実施形態に係る圧力センサの断面図である。
【図７】本発明の第５実施形態に係る圧力センサの断面図である。
【図８】本発明の第６実施形態に係る圧力センサの断面図である。
【図９】本発明の第７実施形態に係る圧力センサの断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、図中、同一符号を付してある。
【００１３】
（第１実施形態）
以下、本発明の第１実施形態について図を参照して説明する。本実施形態に係る半導体装置は、例えばエンジンから排出される排気ガスを浄化するＤＰＦシステム（Diesel particulate filter；ＤＰＦ）に適用される圧力センサとして構成されている。すなわち、フィルタとして機能するＤＰＦを通過する排気ガスの通過前と通過後との差圧を検出することでＤＰＦの目詰まりの診断する際に用いられる。
【００１４】
図１及び図２に示されるように、圧力センサ１は、筐体１０、セラミック基板２０、及び半導体チップ３０を備えている。なお、圧力センサ１はＤＰＦの上流側と下流側との圧力を測定するため、筐体１０を共通として図示しない別のセラミック基板２０及び半導体チップ３０を備えている。
【００１５】
筐体１０は、セラミック基板２０及び半導体チップ３０を収容するケースである。図２では筐体１０の一部を示している。筐体１０は、例えばＰＰＳ（ポリフェニレンサルファイド）等の樹脂材料が型成形されたものである。筐体１０は、セラミック基板２０が実装される実装面１１を有している。
【００１６】
また、筐体１０は圧力媒体を導入する圧力導入孔１２を有している。なお、圧力導入孔１２はＤＰＦの上流側と下流側とにそれぞれ対応して筐体１０に設けられており、各圧力導入孔１２はそれぞれ別空間として構成されている。そして、各圧力導入孔１２のうちの一方がＤＰＦの上流側に接続され、他方がＤＰＦの下流側に接続されている。
【００１７】
さらに、筐体１０は、半導体チップ３０で検出された圧力値の信号を外部に出力するための図示しないコネクタ部を有している。コネクタ部は、例えばワイヤハーネス等の配線部材が接続されることで圧力センサ１が外部ＥＣＵ等の外部回路に電気的に接続される。
【００１８】
セラミック基板２０は、一面２１と、一面２１とは反対側の他面２２と、を有する板状の部品である。セラミック基板２０は、例えばアルミナを材料として構成されたものであり、プリント基板等と比較して高い材料強度を持ち、樹脂材料と比較して熱劣化が小さいという特徴を有している。そして、セラミック基板２０は、他面２２が第１接着剤４０を介して筐体１０の実装面１１に固定されている。
【００１９】
また、セラミック基板２０は、貫通孔２３及びパッド２４を有している。貫通孔２３は、筐体１０の圧力導入孔１２に繋がる部分であり、圧力媒体を半導体チップ３０側に導く部分である。パッド２４は、セラミック基板２０の一面２１に形成されていると共に、ボンディングワイヤ５０が接合される部分である。パッド２４はセラミック基板２０の一面２１に形成された図示しない配線を介してコネクタ部の端子に電気的に接続されている。
【００２０】
半導体チップ３０は、表面３１とこの表面３１とは反対側の裏面３２とを有する板状の部品である。半導体チップ３０は、例えばシリコン基板を元に構成されている。また、半導体チップ３０は、圧力を検出してその圧力に応じた電気信号を発生するように構成されている。このため、半導体チップ３０は薄肉状のダイヤフラム３３を有している。
【００２１】
ダイヤフラム３３は、半導体チップ３０の一部が裏面３２側から除去されて薄肉状にされた部分である。ダイヤフラム３３のうち半導体チップ３０の表面３１側には図示しない複数のゲージ抵抗がホイートストンブリッジ回路を構成するように形成されている。各ゲージ抵抗は、シリコン基板に対するイオン注入により形成された拡散抵抗である。これにより、各ゲージ抵抗のピエゾ抵抗効果を利用して、ダイヤフラム３３の歪みに応じた電圧を圧力として検出することができる。
【００２２】
本実施形態では、ダイヤフラム３３は、半導体チップ３０の表面３１側の受圧面と裏面３２側の受圧面とで圧力媒体の圧力を受けて変位する。したがって、半導体チップ３０は表面３１側と裏面３２側との差圧を検出する。なお、半導体チップ３０は、ＤＰＦの上流側と下流側とに対応してそれぞれ異なる圧力検出範囲が設定されている。
【００２３】
そして、半導体チップ３０は、裏面３２が第２接着剤６０を介してセラミック基板２０に固定されている。第２接着剤６０は、同じサイズのビーズ６１を複数含んでいる。ビーズ６１は、セラミック基板２０の一面２１と半導体チップ３０の裏面３２との距離すなわち第２接着剤６０の厚みを一定に保つものである。ビーズ６１は、例えば低弾性の樹脂材料で形成されている。つまり、ビーズ６１は熱歪等の応力を緩和して応力を伝えにくくする役割を果たす。
【００２４】
ここで、ＤＰＦ用の圧力センサ１は、排気ガスという腐食性の高い圧力媒体にさらされる厳しい環境に置かれるため、半導体チップ３０のうちゲージ抵抗が設けられていない裏面３２側で受圧するように半導体チップ３０の裏面３２がセラミック基板２０に固定される。
【００２５】
さらに、半導体チップ３０は、表面３１に形成されたパッド３４を有している。パッド３４にはボンディングワイヤ５０が接合されている。したがって、半導体チップ３０は、ボンディングワイヤ５０を介してセラミック基板２０の配線に電気的に接続されている。以上が、本実施形態に係る圧力センサ１のおおまかな構成である。
【００２６】
次に、セラミック基板２０の具体的な構成について説明する。図２に示されるように、セラミック基板２０は第１基部２５及び第２基部２６を有して構成されている。第１基部２５は、セラミック基板２０のうち半導体チップ３０の裏面３２に対向する部位であり、一面２１のうち半導体チップ３０の裏面３２が投影された範囲に対応する部位である。第２基部２６は、第１基部２５を囲んだ部位である。上述の貫通孔２３は、第１基部２５の中央部に形成されている。
【００２７】
第１基部２５及び第２基部２６は同じ材料で構成されている。しかしながら、第１基部２５は第２基部２６よりも軟質である。言い換えると、第１基部２５は第２基部２６よりもヤング率が低くなっている。第１基部２５の線膨張係数は半導体チップ３０の材料であるシリコンの線膨張係数に近くなっており、第２基部２６の線膨張係数は筐体１０の材料である樹脂の線膨張係数に近くなっている。このような第１基部２５と第２基部２６の硬さの違いは、例えばアルミナに含まれる他の材料の配合量によって調整可能である。
【００２８】
さらに、第１基部２５は、半導体チップ３０の裏面３２に対向する部位のうちパッド３４に対応する位置に第３基部２７を有している。第３基部２７は第１基部２５よりも硬い部位である。本実施形態では、第３基部２７は第２基部２６と同じ硬さ（ヤング率）で形成されている。つまり、第３基部２７は、アルミナに含まれる他の材料の配合量が第１基部２５と同じになっている。
【００２９】
このように、セラミック基板２０は、第１基部２５の周囲に第２基部２６が設けられた構成になっているが、第１基部２５を内側と外側とで２分割するように第３基部２７が設けられている。すなわち、第１基部２５は第３基部２７の内側に設けられた部分と第３基部２７の外側に設けられた部分とで構成されている。そして、第３基部２７を囲む第１基部２５の周囲に第２基部２６が位置している。したがって、本実施形態では、セラミック基板２０は各基部２５〜２７がドーナツ状に４層構造になっている。
【００３０】
そして、図２及び図３に示されるように、第３基部２７はセラミック基板２０の一面２１から突出した突出部２７ａを有している。突出部２７ａはワイヤボンディング時に荷重を確実に受け止める役割を果たす。
【００３１】
上述のように、第２接着剤６０にはビーズ６１が含まれているので、第３基部２７の突出部２７ａの上にビーズ６１が位置する場合にビーズ６１が第３基部２７の突出部２７ａと半導体チップ３０の裏面３２とに挟まれて潰されないようにする必要がある。
【００３２】
そこで、第２接着剤６０の厚みをＡとし、ビーズ６１の径をＢとし、セラミック基板２０の一面２１を基準とした突出部２７ａの高さをＣと定義する。そして、第２接着剤６０、ビーズ６１、及び突出部２７ａは、Ａ＜（Ｂ＋Ｃ）の関係を満たすように各々のサイズが決められている。これにより、第２接着剤６０のうち突出部２７ａと半導体チップ３０の裏面３２との間に位置するビーズ６１が潰されずに済む。すなわち、第２接着剤６０の厚みの精度を確保することができる。
【００３３】
次に、圧力センサ１の製造方法について説明する。まず、セラミック基板２０の製造方法について説明する。図示しないが、セラミック基板２０の全体サイズに対応したドーナツ状の型を用意する。また、第１基部２５と第３基部２７とを隔てる仕切り板、及び第１基部２５と第２基部２６とを隔てる仕切り板を用意し、各仕切り板を型に設置する。各仕切り板には複数の孔が設けられており、仕切り板で隔てられた空間が繋がっている。
【００３４】
そして、型と仕切り板で区切られたドーナツ状の空間のうち最も内側の空間から順に第１基部２５となるセラミック材料、第３基部２７となるセラミック材料、第１基部２５となるセラミック材料、第２基部２６となるセラミック材料を流し込む。第３基部２７となるセラミック材料を型に流し込む際には、セラミック基板２０の一面２１から突出部２７ａが突出するようにセラミック材料の量を調整する。
【００３５】
この後、仕切り板を外してセラミック材料を焼成することでセラミック基板２０を形成する。したがって、第１基部２５と第３基部２７との接合部、及び第１基部２５と第２基部２６との接合部は分子レベルで結合しており、各接合部は一体化している。セラミック基板２０の焼成後にセラミック基板２０の第２基部２６にパッド２４や配線を形成する。
【００３６】
なお、別の製造方法としては、各基部２５〜２７をそれぞれ用意し、第２基部２６に第１基部２５を嵌め込み、この第１基部２５に第３基部２７を嵌め込み、さらにこの第３基部２７に第１基部２５を嵌め込むことで１枚のセラミック基板２０を製造しても良い。すなわち、各基部２５〜２７はそれぞれ別体になっていても良い。
【００３７】
続いて、筐体１０及び半導体チップ３０を用意する。そして、ビーズ６１を含んだ第２接着剤６０を用いてセラミック基板２０の一面２１に半導体チップ３０を実装する。また、筐体１０を用意し、第１接着剤４０を用いて筐体１０の実装面１１にセラミック基板２０を実装する。この後、半導体チップ３０のパッド３４とセラミック基板２０のパッド２４をボンディングワイヤ５０で繋ぐ。なお、ワイヤボンディングを行うタイミングは、セラミック基板２０を筐体１０に実装する前でも良い。最後に、半導体チップ３０を覆うように筐体１０に蓋部を設置することで圧力センサ１が完成する。
【００３８】
次に、セラミック基板２０を上記の構成としたことによる効果について説明する。本実施形態では、セラミック基板２０のうち半導体チップ３０が実装される部分に対応した第１基部２５が、当該第１基部２５の周囲の第２基部２６よりも軟質に形成されているので、第１基部２５は第２基部２６よりも熱歪を吸収しやすくなっている。このため、筐体１０が外部から熱の影響を受けることで熱歪を発生させた場合、筐体１０からセラミック基板２０に伝わる熱歪を第１基部２５によって緩和することができる。すなわち、第１基部２５に伝わる熱歪を第２基部２６よりも緩和することができる。また、第２接着剤６０にはビーズ６１が含まれているので、ビーズ６１によっても熱歪を緩和することができる。したがって、筐体１０からセラミック基板２０を介して熱歪を半導体チップ３０に伝わりにくくすることができる。
【００３９】
さらに、第１基部２５のうち半導体チップ３０のパッド３４に対応した位置が第１基部２５よりも硬い第３基部２７に置き換えられている。このため、半導体チップ３０のパッド３４にボンディングワイヤ５０が接合される際にパッド３４に掛かる荷重を第３基部２７で受け止めることができる。つまり、ワイヤボンディング時のセラミック基板２０の強度を確保することができる。したがって、ワイヤボンディング時にボンディングツールがパッド３４を押さえ付けても位置ずれが起こらないようにすることができる。
【００４０】
（第２実施形態）
本実施形態では、第１実施形態と異なる部分について説明する。本実施形態では、図４に示されるように、セラミック基板２０の一面２１から他面２２までの厚みが筐体１０において実装面１１を基準とした厚みの１／２以上になっている。これによると、筐体１０から半導体チップ３０までの第１基部２５の距離を長くすることができるので、第１基部２５による熱歪の吸収の効果を高めることができる。
【００４１】
（第３実施形態）
本実施形態では、第１実施形態と異なる部分について説明する。本実施形態では、図５に示されるように、第３基部２７は、第１基部２５のうちの半導体チップ３０側の表層部に設けられている。言い換えると、第３基部２７はセラミック基板２０の一面２１から他面２２までの全体に設けられていない。このため、第３基部２７の下部すなわち筐体１０側には第１基部２５の一部が位置している。第３基部２７は、半導体チップ３０のパッド３４に対応してパッド３４毎の島状に設けられていても良いし、ドーナツ状に設けられていても良い。
【００４２】
以上のように、第３基部２７は、セラミック基板２０の厚み方向の全体に設けられていない構成でも良い。このような構成でも、ワイヤボンディング時の荷重は第３基部２７によって受け止められるので、ボンディングツールの位置ずれを抑制することができる。
【００４３】
（第４実施形態）
本実施形態では、第３実施形態と異なる部分について説明する。本実施形態では、図６に示されるように、第１基部２５はセラミック基板２０の一面２１から他面２２までの全体に設けられていない。すなわち、セラミック基板２０のうち半導体チップ３０の裏面３２に対向する部位において、筐体１０側は第２基部２６で構成され、半導体チップ３０側は第１基部２５で構成されている。
【００４４】
このように、セラミック基板２０のうち半導体チップ３０の裏面３２に対向する部位において、第１基部２５が第２基部２６の上に配置されていても、筐体１０から第２基部２６に伝達した熱歪は第１基部２５によって吸収される。したがって、筐体１０から半導体チップ３０に熱歪を伝わりにくくすることができる。
【００４５】
（第５実施形態）
本実施形態では、上記各実施形態と異なる部分について説明する。本実施形態では、図７に示されるように、第３基部２７に突出部２７ａが設けられていない。すなわち、第３基部２７のうち半導体チップ３０側の表面はセラミック基板２０の一面２１と同じ面に位置している。すなわち、本実施形態では、第１実施形態で示されたサイズの関係を満たさなくても良い。つまり、単純に、第２接着剤６０の厚みはビーズ６１によって制御される。
【００４６】
そして、第３基部２７に突出部２７ａが設けられていなくても、第３基部２７はワイヤボンディング時の荷重を受け止めるので、半導体チップ３０に対するワイヤボンディング時にボンディングツールの位置ずれが起こらないようにすることができる。
【００４７】
（第６実施形態）
本実施形態では、上記各実施形態と異なる部分について説明する。本実施形態に係る圧力センサ１は、半導体チップ３０と筐体１０の配線とをボンディングワイヤ５０を用いずに電気的に接続する構成になっている。例えば半導体チップ３０の裏面３２と第１基部２５に設けられたパッド２４とを第２接着剤６０として導電性接着剤を用いて電気的に接続する構成である。第２接着剤６０の厚みはビーズ６１によって制御されている。
【００４８】
このため、図８に示されるように、半導体チップ３０にはパッド３４が設けられていない。これに対応してセラミック基板２０には第３基部２７が設けられていない。したがって、セラミック基板２０は半導体チップ３０の裏面３２に対応した部位の第１基部２５と、この第１基部２５を囲んだ第２基部２６と、で構成されている。このように、ボンディングワイヤ５０を用いない構成では、セラミック基板２０において第３基部２７を不要とすることができる。
【００４９】
（第７実施形態）
本実施形態では、上記各実施形態と異なる部分について説明する。本実施形態では、図９に示されるように、第１基部２５は、セラミック基板２０の一面２１のうち半導体チップ３０の裏面３２が投影された範囲を超えて設けられている。すなわち、第１基部２５がセラミック基板２０に設けられる範囲は、セラミック基板２０の一面２１のうち半導体チップ３０の裏面３２が投影された範囲が最大の範囲ではない。このように、セラミック基板２０のうち第１基部２５が設けられる範囲を広くすることもできる。
【００５０】
（他の実施形態）
上記各実施形態に示された各構成を適宜組み合わせることができる。また、上記各実施形態で示された圧力センサ１の構成は本発明に係る半導体装置の一例であり、上記で示した構成に限定されることなく、本発明を実現できる他の構成とすることもできる。
【００５１】
例えば、半導体チップ３０はセンシング機能を有さないＩＣチップとして構成されていても良い。すなわち、半導体装置は、筐体１０の上にセラミック基板２０が実装され、このセラミック基板２０の上に半導体チップ３０が実装された積層構造になっていれば良い。したがって、半導体装置の用途によっては圧力導入孔１２や貫通孔２３は不要である。
【００５２】
上記各実施形態では、筐体１０は樹脂材料で形成されていたが、これは一例である。例えば筐体１０は金属材料を元に形成されていても良い。同様に、半導体チップ３０はシリコン基板に限らず他の半導体材料を元に形成されていても良い。
【００５３】
上記各実施形態では、母体となるセラミック材料に対する他の材料の配合量の調整によって調整する方法が示されていたが、これは一例である。例えば、各基部２５〜２７の軟らかさの違いは、母体となるセラミック材料そのものを異ならせることで調整しても良い。
【００５４】
上記各実施形態では、第３基部２７は第２基部２６と同じ硬さに設定されていたが、これは一例である。第３基部２７は第１基部２５よりも硬くなっていれば良く、第２基部２６よりも硬くても良い。
【００５５】
上記各実施形態では、第２接着剤６０の厚みを一定にするために第２接着剤６０にビーズ６１が含まれていたが、これは構成の一例である。したがって、ビーズ６１が不要であれば第２接着剤６０にビーズ６１が含まれていなくても良い。
【符号の説明】
【００５６】
１０  筐体
１１  実装面
２０  セラミック基板
２５  第１基部
２６  第２基部
３０  半導体チップ
４０  第１接着剤
６０  第２接着剤
【図１】
2016200432.tif 000003
【図２】
2016200432.tif 000004
【図３】
2016200432.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
2016200432.tif 000008
【図７】
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【図８】
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【図９】
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