(57)【要約】【課題】寄生容量を低減させた半導体装置を提供する。【解決手段】実施形態の半導体装置は、第１導電形の第１半導体領域と、前記第１半導体領域の表面に選択的に設けられた第２導電形の第２半導体領域と、前記第１半導体領域の上および前記第２半導体領域の上に設けられ、前記第２半導体領域の一部を開口する第１開口を有する絶縁層と、前記絶縁層の上に設けられ、前記第１開口を経由して前記第２半導体領域に電気的に接続された配線層と、前記絶縁層の下に設けられ、前記第１半導体領域に接する第２導電形の第３半導体領域と、を備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電形の第１半導体領域と、
前記第１半導体領域の表面に選択的に設けられた第２導電形の第２半導体領域と、
前記第１半導体領域の上および前記第２半導体領域の上に設けられ、前記第２半導体領域の一部を開口する第１開口を有する絶縁層と、
前記絶縁層の上に設けられ、前記第１開口を経由して前記第２半導体領域に電気的に接続された配線層と、
前記絶縁層の下に設けられ、前記第１半導体領域に接する第２導電形の第３半導体領域と、
を備えた半導体装置。
【請求項２】
前記第３半導体領域は、第２導電形の複数の領域を含む請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記複数の領域は、前記絶縁層に接している請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記複数の領域は、前記第２半導体領域内に設けられている請求項２に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第２半導体領域とによって前記第１半導体領域を挟む第２導電形の第４半導体領域と、
前記第１半導体領域と前記第４半導体領域との間に設けられ、前記第１半導体領域の不純物濃度よりも高い不純物濃度を有する第１導電形の第５半導体領域と、
前記第１半導体領域と前記第４半導体領域との間に設けられ、前記第４半導体領域の不純物濃度よりも低い不純物濃度を有する第２導電形の第６半導体領域と、
前記第６半導体領域とによって前記第１半導体領域を挟み、前記第１半導体領域の不純物濃度よりも高い不純物濃度を有し、前記絶縁層に設けられた第２開口を経由して前記配線層に接続された第１導電形の第７半導体領域と、
をさらに備えた請求項１〜４のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第３半導体領域の電位は、浮遊している請求項１〜５のいずれか１つに記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子機器、電子システム等に搭載される半導体装置として、外部からの信号端子に印加される静電気に対して内部回路を保護するＥＳＤ（Electro Static Discharge）保護ダイオードがある。保護される内部回路の伝送ラインに流れる信号の高周波化が進むにつれ、ＥＳＤ保護ダイオードの低容量化が求められている。また、小型化に伴い、半導体装置の表面に設けられる電極パッドの占める割合が大きくなっている。電極パッドと半導体層との間には、層間絶縁膜が設けられている。電極パッドは、層間絶縁膜に設けられた開口を経由して半導体層に接続されている。
【０００３】
しかし、電極パッドと半導体層との間に設けられた層間絶縁膜は、寄生容量を発生させる一要因になっている。寄生容量を下げる方法として、層間絶縁膜の厚さを厚くする方法がある。しかし、層間絶縁膜の厚さを厚くすると、層間絶縁膜の開口のアスペクト比も高くなり、開口内に形成する電極端子の段差被覆性が悪くなってしまう。従って、層間絶縁膜の厚さを厚くする方法に依らず、半導体装置の寄生容量を下げる技術が求められている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特許第５１６２１８６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明が解決しようとする課題は、寄生容量を低減させた半導体装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
実施形態の半導体装置は、第１導電形の第１半導体領域と、前記第１半導体領域の表面に選択的に設けられた第２導電形の第２半導体領域と、前記第１半導体領域の上および前記第２半導体領域の上に設けられ、前記第２半導体領域の一部を開口する第１開口を有する絶縁層と、前記絶縁層の上に設けられ、前記第１開口を経由して前記第２半導体領域に電気的に接続された配線層と、前記絶縁層の下に設けられ、前記第１半導体領域に接する第２導電形の第３半導体領域と、を備える。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】図１（ａ）は、第１実施形態に係る半導体装置の要部を表す模式的断面図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）の破線Ｐで囲まれた領域の拡大図である。
【図２】図２は、参考例に係る半導体装置の要部を表す模式的断面図である。
【図３】図３（ａ）は、第２実施形態に係る半導体装置の要部を表し、図３（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）のＡ−Ａ’線における模式的断面図であり、図３（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）は、図３（ａ）のＢ−Ｂ’線における切断面を上面視した模式的平面図である。
【図４】図４は、第３実施形態に係る半導体装置の要部を表す模式的断面図である。
【図５】図５（ａ）は、第４実施形態に係る半導体装置の要部を表す模式的平面図であり、図５（ｂ）は、第４実施形態に係る半導体装置の等価回路図であり、図５（ｃ）は、第４実施形態に係る半導体装置の要部を表し、図５（ａ）におけるＤ−Ｄ’線断面を表す模式的断面図である。
【図６】図６は、第４実施形態に係る半導体装置の絶縁層の下部を拡大させた模式的断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、図面を参照しつつ、実施形態について説明する。以下の説明では、同一の部材には同一の符号を付し、一度説明した部材については適宜その説明を省略する。
【０００９】
（第１実施形態）  
図１（ａ）は、第１実施形態に係る半導体装置の要部を表す模式的断面図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）の破線Ｐで囲まれた領域の拡大図である。
【００１０】
第１実施形態に係る半導体装置１は、その表面側に、比較的広い面積を有する電極パッド（以下、例えば、配線層１０）を備えたＬＧＡ（Land Grid Array）型の半導体チップである。
【００１１】
半導体装置１は、Ｎ形の第１半導体領域（以下、例えば、半導体領域３０）と、Ｐ形の第２半導体領域（以下、例えば、半導体領域３２）と、Ｐ＋形の第３半導体領域（以下、例えば、半導体領域４０Ａ）と、第１開口（以下、例えば、開口７０ｈ１）を有する絶縁層７０と、配線層１０と、を備える。
【００１２】
半導体領域３２は、半導体領域３０の表面に選択的に設けられている。半導体領域３０は、半導体領域３２に接している。半導体装置１には、Ｐ形の半導体領域３２とＮ形の半導体領域３０とによってＰＮダイオードが設けられている。絶縁層７０は、半導体領域３０の上および半導体領域３２の上に設けられている。第１実施形態では、Ｎ形の半導体領域３０を例示し、半導体装置１が説明される。第１実施形態では、Ｐ形の半導体領域３２を例示し、半導体装置１が説明される。
【００１３】
絶縁層７０は、半導体領域３２の一部を開口する開口７０ｈ１を有している。配線層１０は、絶縁層７０の上に設けられている。配線層１０は、絶縁層７０の開口７０ｈ１を経由して半導体領域３２に接続されている。配線層１０は、例えば、スパッタリング法によって形成される。半導体領域３２は、配線層１０にオーミック接触をしている。
【００１４】
半導体領域４０Ａは、絶縁層７０の下に設けられている。半導体領域４０Ａは、半導体領域３０に接している。半導体領域４０Ａは、絶縁層７０に接している。半導体領域４０Ａの電位は、例えば、浮遊している。半導体領域４０Ａには、半導体領域３０の電位よりも低い電位を印加してもよい。半導体領域３０の電位よりも低い電位を印加した場合は、ＰＮ接合に逆バイアスが印加され、Ｐ形の半導体領域３２とＮ形の半導体領域３０との接合により生じる空乏層の延びを、この電位によって調整することができる。
【００１５】
半導体装置１の作用を説明する。  
半導体装置１には、Ｐ形の半導体領域３２とＮ形の半導体領域３０との接合により生じる拡散電位によって空乏層ＤＬ１が形成される（図１（ａ）の破線の内側の領域）。半導体装置１は、半導体領域３２／空乏層ＤＬ１／半導体領域３０によって接合容量Ｃ１を有する。この接合容量は、半導体装置１における寄生容量となる。
【００１６】
また、半導体装置１には、配線層１０の下に半導体領域４０Ａが設けられている。従って、半導体領域４０ＡとＮ形の半導体領域３０との接合により生じる拡散電位によっても、空乏層ＤＬ２が形成される（図１（ｂ）の破線の内側の領域）。
【００１７】
従って、半導体領域４０Ａが設けられた領域では、配線層１０／絶縁層７０／半導体領域４０Ａによって形成される寄生容量Ｃ２と、半導体領域４０Ａ／空乏層ＤＬ２／半導体領域３０によって形成される接合容量Ｃ３とが直列に接続された容量が寄生容量になる。
【００１８】
ここで、半導体領域４０Ａの不純物濃度または半導体領域３０の不純物濃度を調整することにより、空乏層ＤＬ２の厚さを絶縁層７０の厚さよりも厚くさせる。これにより、寄生容量Ｃ３は、接合容量Ｃ２より小さくなる。従って、寄生容量Ｃ２と接合容量Ｃ３とが直列に接続された寄生容量ＣＬは、  
１／ＣＬ＝（１／Ｃ２）＋（１／Ｃ３）・・・・（１）  
の式（１）から、ほぼＣ３に近似できる。つまり、寄生容量ＣＬは、実質的に容量が小さいＣ３になる。従って、半導体装置１における寄生容量は、接合容量Ｃ１と、小さい寄生容量ＣＬとを並列に接続した容量になる。
【００１９】
このように、配線層１０の下に半導体領域４０Ａを設けることにより、半導体装置１の寄生容量を下げることができる。
【００２０】
図２は、参考例に係る半導体装置の要部を表す模式的断面図である。  
半導体装置の寄生容量を下げる方法として、絶縁層７０の厚さを厚くする方法がある。図２にその方法を例示する。
【００２１】
参考例に係る半導体装置１００においても、半導体領域３２／空乏層ＤＬ１／半導体領域３０によって接合容量Ｃ１が発生している。但し、参考例に係る半導体装置１００の絶縁層７１の厚さは、半導体装置１の絶縁層７０の厚さよりも厚い。従って、配線層１０／絶縁層７１／半導体領域３０によって形成される寄生容量Ｃ１００は、半導体装置１の寄生容量Ｃ２に比べて小さくなる。このような構造によっても半導体装置の寄生容量を下げることができる。従って、半導体装置１００における寄生容量は、接合容量Ｃ１と、小さい寄生容量Ｃ１００とを並列に接続した容量になる。
【００２２】
しかし、絶縁層７１の厚さが厚くなると、絶縁層７１の開口７１ｈのアスペクト比が高くなる。これにより、開口７１ｈ内における配線層１０の段差被覆性が低下する。その結果、配線層１０が断線してオープン不良を引き起こす可能性がある。
【００２３】
これに対し、第１実施形態に係る半導体装置１においては、絶縁層７０の厚さを厚くすることなく、半導体装置の寄生容量を下げることができる。
【００２４】
（第２実施形態）  
図３（ａ）は、第２実施形態に係る半導体装置の要部を表し、図３（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）のＡ−Ａ’線における模式的断面図であり、図３（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）は、図３（ａ）のＢ−Ｂ’線における切断面を上面視した模式的平面図である。なお、図３（ａ）は、第１実施形態で示された図１（ａ）の破線Ｐで囲まれた領域に対応している。第２実施形態では、この領域の断面図を示し、その特徴を説明する。
【００２５】
第２実施形態に係る半導体装置２においては、Ｐ＋形の複数の半導体領域４０Ｂが絶縁層７０の下に設けられている。Ｐ＋形の半導体領域４０Ｂは、複数の領域を含む。複数の領域は、例えば、一定の間隔で並んでいる。半導体領域４０Ｂは、Ｎ形の半導体領域３０に接している。半導体領域４０Ｂは、絶縁層７０に接している。半導体領域４０Ｂの電位は、例えば、浮遊している。または、半導体領域４０Ｂには、半導体領域３０の電位よりも低い電位を印加してもよい。
【００２６】
半導体装置２においては、Ｐ＋形の半導体領域４０Ｂのそれぞれと、Ｎ形の半導体領域３０と、の接合により生じる拡散電位によっても、空乏層ＤＬ２が形成される。また、複数の半導体領域４０Ｂの不純物濃度または半導体領域３０の不純物濃度は、それぞれの空乏層ＤＬ２同士が繋がるように調整されている。
【００２７】
従って、半導体領域４０Ｂが設けられた領域Ａ−１では、配線層１０／絶縁層７０／半導体領域４０Ｂによって形成される寄生容量Ｃ２と、半導体領域４０Ｂ／空乏層ＤＬ２／半導体領域３０によって形成される接合容量Ｃ３とが直列に接続された容量が寄生容量の一部になる。
【００２８】
ここで、空乏層ＤＬ２の厚さは、絶縁層７０の厚さよりも厚く調整される。従って、寄生容量Ｃ３は、接合容量Ｃ２より小さくなり、寄生容量Ｃ２と接合容量Ｃ３とが直列に接続された寄生容量ＣＬは、実質的に容量が小さいＣ３になる。
【００２９】
さらに、隣り合う半導体領域４０Ｂ同士によって挟まれた領域Ａ−２では、配線層１０／絶縁層７０および空乏層ＤＬ２／半導体領域３０によって寄生容量Ｃ４が形成される。ここで、絶縁層７０の厚さと、空乏層ＤＬ２の厚さと、を足し合わせた厚さｄ２は、半導体領域４０Ｂの下に形成される空乏層ＤＬ２の厚さｄ１よりも長い。従って、隣り合う半導体領域４０Ｂ同士によって挟まれた領域における寄生容量Ｃ４は、寄生容量Ｃ２よりも小さくなる。
【００３０】
このように、第２実施形態に係る半導体装置２においても、絶縁層７０の厚さを厚くすることなく、半導体装置の寄生容量を下げることができる。
【００３１】
半導体領域４０Ｂの平面構造は、図３（ｂ）〜図３（ｄ）に表されている。例えば、複数の半導体領域４０Ｂのそれぞれは、図３（ｂ）のように、Ｘ方向に延在し、Ｘ方向と交差するＹ方向に配列されてもよい。また、複数の半導体領域４０Ｂのそれぞれは、図３（ｃ）のように、Ｘ方向およびＹ方向に、ドット状に配列されてもよい。また、半導体領域４０Ｂは、図３（ｄ）のように、メッシュ状であってもよい。
【００３２】
（第３実施形態）  
図４は、第３実施形態に係る半導体装置の要部を表す模式的断面図である。
【００３３】
第３実施形態に係る半導体装置３においては、Ｐ＋形の複数の半導体領域４０ＢがＮ形の半導体領域３０内に設けられている。このような構造によれば、半導体領域４０Ｂの下側に空乏層ＤＬ２が拡がりとともに、半導体領域４０Ｂの上側にも空乏層ＤＬ２が拡がる。
【００３４】
従って、半導体領域４０Ｂと半導体領域３０とが接合することによって形成される接合容量Ｃ３は、接合容量Ｃ３−１と接合容量Ｃ３−２とが直列に繋がれた容量になる。すなわち、半導体装置３の接合容量Ｃ３は、半導体装置２の接合容量Ｃ３に比べてさらに低下する。
【００３５】
第３実施形態に係る半導体領域４０Ｂの平面構造（図４のＢ−Ｂ’線における切断面）は、例えば、図３（ｂ）〜図３（ｄ）に表す構造と同じであってもよい。
【００３６】
（第４実施形態）  
図５（ａ）は、第４実施形態に係る半導体装置の要部を表す模式的平面図であり、図５（ｂ）は、第４実施形態に係る半導体装置の等価回路図であり、図５（ｃ）は、第４実施形態に係る半導体装置の要部を表し、図５（ａ）におけるＤ−Ｄ’線断面を表す模式的断面図である。
【００３７】
第４実施形態に係る半導体装置４においては、配線層１０が配線層１０Ａと配線層１０Ｂに分離されている。例えば、半導体装置４においては、図５（ａ）、（ｃ）に表すように、Ｐ＋＋形の第４半導体領域（以下、例えば、半導体領域３４）と、半導体領域３２と、によって半導体領域３０の一部が挟まれている。ここで、半導体領域３４は、半導体基板である。半導体領域３０は、半導体領域３４上にエピタキシャル成長させた半導体層である。半導体領域３０の導電形は、Ｎ−形である。半導体領域３２は、半導体領域３０に接している。
【００３８】
半導体領域３０と半導体領域３４との間には、Ｎ＋形の第５半導体領域（以下、例えば、半導体領域３３）が設けられている。半導体領域３３の不純物濃度は、半導体領域３０の不純物濃度よりも高い。半導体領域３３は、半導体領域３４に接している。
【００３９】
半導体領域３０と半導体領域３４との間には、Ｐ＋形の第６半導体領域（以下、例えば、半導体領域３５）が設けられている。半導体領域３５の不純物濃度は、半導体領域３４の不純物濃度よりも低い。半導体領域３５は、半導体領域３０に接している。
【００４０】
また、半導体装置４においては、Ｎ＋形の第７半導体領域（以下、例えば、半導体領域３６）と、半導体領域３５とによって半導体領域３０の一部が挟まれている。半導体領域３６の不純物濃度は、半導体領域３０の不純物濃度よりも高い。半導体領域３６は、絶縁層７０に設けられた第２開口（以下、例えば、開口７０ｈ２）を経由して配線層１０Ａ（または、配線層１０Ｂ）に接続されている。半導体領域３６は、配線層１０Ａ（または、配線層１０Ｂ）にオーミック接触をしている。
【００４１】
また、半導体装置４においては、Ｎ＋形の半導体領域３７が半導体領域３３の上に設けられている。半導体領域３７は、半導体領域３３の上の半導体領域３０に接している。半導体領域３２は、半導体領域３７によって囲まれている。半導体領域３７は、半導体領域３３に接している。また、半導体装置４においては、Ｐ＋形の半導体領域３８は、半導体領域３５の上に設けられている。半導体領域３８は、半導体領域３５の上の半導体領域３０に接している。半導体領域３６は、半導体領域３８によって囲まれている。半導体領域３８は、半導体領域３５に接している。なお、半導体領域３２、３３、３５、３６、３７、３８は、高加速度イオン注入またはエピタキシャル成長によって形成される。
【００４２】
半導体装置４においては、Ｐ＋形の半導体領域３５とＮ−形の半導体領域３０とによって、ＰＮダイオードＤ１が設けられている。Ｐ＋形の半導体領域３２とＮ−形の半導体領域３０とによって、ＰＮダイオードＤ２が設けられている。Ｐ＋＋形の半導体領域３４とＮ＋形の半導体領域３３とによってツェナーダイオードＤ３が設けられている。半導体装置４においては、ＰＮダイオードＤ１、ＰＮダイオードＤ２、およびツェナーダイオードＤ３によってクローバ型の回路が構成されている。
【００４３】
半導体装置４においては、半導体領域３４上に設けられた半導体領域３０、３２、３３、３５、３６、３７、３８を含む領域がＹ方向に繰り返し設けられている。つまり、半導体装置４は、ＰＮダイオードＤ１、ＰＮダイオードＤ２、およびツェナーダイオードＤ３を有する２組の回路ユニットＵ１を備える。２組の回路ユニットＵ１のノードＮ１は、半導体領域３４を経由して電気的に接続される。
【００４４】
これにより、半導体装置４においては、配線層１０Ａまたは配線層１０Ｂのいずれかに、正の過渡電圧が印加された場合、過度電流が電流ＩＡまたは電流ＩＢとして流れる。一方、配線層１０Ａまたは配線層１０Ｂのいずれかに、負の過渡電圧が印加された場合には、過度電流の向きが図中の電流ＩＡの向きまたは電流ＩＢの向きと逆になる。つまり、半導体装置４は、ＥＳＤ保護ダイオードとして機能する。
【００４５】
図６は、第４実施形態に係る半導体装置の絶縁層の下部を拡大させた模式的断面図である。
【００４６】
半導体装置４においては、Ｎ＋形の半導体領域３７と絶縁層７０との間に複数のＰ＋形の半導体領域４０Ｂが設けられている。複数の半導体領域４０Ｂは、絶縁層７０の下に設けられている。複数の半導体領域４０Ｂは、絶縁層７０に接している。
【００４７】
また、半導体装置４においては、Ｐ＋形の半導体領域３８と絶縁層７０との間に複数のＮ＋形の半導体領域４１Ｂが設けられている。複数の半導体領域４１Ｂは、絶縁層７０の下に設けられている。複数の半導体領域４１Ｂは、絶縁層７０に接している。
【００４８】
このような構造であれば、半導体領域４０Ｂと半導体領域３７との接合により生じる拡散電位によって空乏層ＤＬ２が形成され、半導体領域４１Ｂと半導体領域３８との接合により生じる拡散電位によって空乏層ＤＬ２が形成される。従って、半導体装置４の寄生容量は、半導体領域４０Ｂ、４１Ｂを設けない場合に比べて低減する。なお、半導体領域４０Ｂは、半導体領域３７内に設けてもよく、半導体領域４１Ｂは、半導体領域３８内に設けてもよい。
【００４９】
また、上述した半導体領域のそれぞれの主成分は、例えば、ケイ素（Ｓｉ）である。また、半導体領域のそれぞれの主成分は、シリコン炭化物（ＳｉＣ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）等でもよい。また、実施形態では、特に断らない限り、Ｎ＋形、Ｎ形、Ｎ−形の順でＮ形（第２導電形）の不純物濃度が低くなることを表す。また、Ｐ＋＋形、Ｐ＋形、Ｐ形の順でＰ形（第１導電形）の不純物濃度が低くなることを表す。
【００５０】
Ｎ形不純物元素としては、例えば、リン（Ｐ）、ヒ素（Ａｓ）等が適用される。Ｐ＋形、Ｐ形不純物元素としては、例えば、ホウ素（Ｂ）等が適用される。また、実施形態に係る半導体装置において、Ｐ形とＮ形の導電形を入れ替えても同様な効果が得られる。
【００５１】
配線層１０、１０Ａ、１０Ｂの材料は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、金（Ａｕ）等の群から選ばれる少なくとも１つを含む金属である。また、絶縁層、層間絶縁膜の材料は、例えば、シリコン酸化物、シリコン窒化物等を含む。
【００５２】
上記の実施形態では、「部位Ａは部位Ｂの上に設けられている」と表現された場合の「の上に」とは、部位Ａが部位Ｂに接触して、部位Ａが部位Ｂの上に設けられている場合の他に、部位Ａが部位Ｂに接触せず、部位Ａが部位Ｂの上方に設けられている場合との意味で用いられる場合がある。また、「部位Ａは部位Ｂの上に設けられている」は、部位Ａと部位Ｂとを反転させて部位Ａが部位Ｂの下に位置した場合や、部位Ａと部位Ｂとが横に並んだ場合にも適用される場合がある。これは、実施形態に係る半導体装置を回転しても、回転前後において半導体装置の構造は変わらないからである。
【００５３】
以上、具体例を参照しつつ実施形態について説明した。しかし、実施形態はこれらの具体例に限定されるものではない。すなわち、これら具体例に、当業者が適宜設計変更を加えたものも、実施形態の特徴を備えている限り、実施形態の範囲に包含される。前述した各具体例が備える各要素およびその配置、材料、条件、形状、サイズなどは、例示したものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。
【００５４】
また、前述した各実施形態が備える各要素は、技術的に可能な限りにおいて複合させることができ、これらを組み合わせたものも実施形態の特徴を含む限り実施形態の範囲に包含される。その他、実施形態の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例および修正例に想到し得るものであり、それら変更例および修正例についても実施形態の範囲に属するものと了解される。
【００５５】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００５６】
１、２、３、４、１００  半導体装置、  １０、１０Ａ、１０Ｂ  配線層、  ３０  第１半導体領域、  ３２  第２半導体領域、  ３３  第５半導体領域、  ３４  第４半導体領域、  ３５  第６半導体領域、  ３６  第７半導体領域、  ３７  半導体領域、  ３８  半導体領域、  ４０Ａ、４０Ｂ  第３半導体領域、  ４１Ｂ  半導体領域、  ７０、７１  絶縁層、  ７０ｈ１  第１開口、  ７０ｈ２  第２開口、  ７１ｈ  開口、  Ｕ１  ユニット
【図１】
2016066706.tif 000003
【図２】
2016066706.tif 000004
【図３】
2016066706.tif 000005
【図４】
2016066706.tif 000006
【図５】
2016066706.tif 000007
【図６】
2016066706.tif 000008