(57)【要約】【課題】円偏光板を用いずに、外光反射による着色が少なく、かつ、光取出効率の高い表示装置を提供する。【解決手段】発光領域を有する複数の画素と、前記複数の画素の光出射面側に設けられた遮光層とを有し、前記遮光層は、前記複数の画素のそれぞれにおいて、前記発光領域を開口する複数の開口部を有することを特徴とする表示装置。本発明の一実施形態において、前記遮光層は、隣接する前記開口部が、線対称に配置されてもよい。本発明の一実施形態において前記遮光層は、隣接する前記開口部が、点対称に配置されてもよい。【選択図】図７
2016173460.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光領域を有する複数の画素と、前記複数の画素の光出射面側に設けられた遮光層とを有し、
前記遮光層は、前記複数の画素のそれぞれにおいて、前記発光領域を開口する複数の開口部を有することを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記遮光層は、隣接する前記開口部が、線対称に配置されることを特徴とする請求項１記載の表示装置。
【請求項３】
前記遮光層は、隣接する前記開口部が、点対称に配置されることを特徴とする請求項１記載の表示装置。
【請求項４】
前記遮光層は、前記開口部が、略四角形の形状であることを特徴とする請求項１記載の表示装置。
【請求項５】
前記遮光層は、前記開口部が、多角形の形状であることを特徴とする請求項１記載の表示装置。
【請求項６】
前記遮光層は、前記開口部が、略円形であることを特徴とする請求項１記載の表示装置。
【請求項７】
前回複数の画素のそれぞれにおいて、前記発光領域を画成するバンクを有し、
前記バンクが画成する領域が、前記開口部と略同一またはそれよりも大きい形状を有することを特徴とする請求項１ないし６のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項８】
前記遮光層は、前記複数の画素間の非発光領域を開口する複数の第２の開口部を有することを特徴とする請求項１ないし６のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項９】
基板と、
発光領域を有する複数の副画素を備え前記基板上に形成された画素と、
前記複数の副画素を区画すると共に、前記発光領域を露出するバンクと、
前記画素の前記基板とは反対の側に位置する遮光層と、を有し、
前記発光領域は略Ｌ字型の形状であり、
前記遮光層は、少なくとも前記略Ｌ字型の形状の屈曲部を覆い、前記発光領域を複数の領域に区分していることを特徴とする表示装置。
【請求項１０】
前記画素は、矩形であると共に、２行２列のマトリクス状に配列した４つの前記副画素を有し、
前記４つの副画素の各々が有する前記発光領域の各々は、前記矩形の角部に前記屈曲部が対向すると共に、前記画素の外周の一部に沿って配置されていることを特徴とする請求項９に記載の表示装置。
【請求項１１】
前記画素は、矩形であると共に、２行２列のマトリクス状に配列した４つの前記副画素を有し、
前記４つの副画素は、
前記画素の第１の対角に位置する第１の副画素及び第２の副画素と、
前記画素の第２の対角に位置する第３の副画素及び第４の副画素と、を有し、
前記第１の副画素の第１の発光領域と、前記第２の副画素の第２の発光領域とは、
第１の副画素と第２の副画素との交点から第１の方向へ延在する第１領域と、
前記第１領域の前記交点とは反対側の端部に位置する前記屈曲部と、
前記屈曲部から前記画素の外周に沿って、前記第１の方向と交差する第２の方向へ延在する第２領域と、を有し、
前記第３の副画素の第３の発光領域と、前記第４の副画素の第４の発光領域とは、
前記交点から前記第２の方向へ延在する第３領域と、
前記第３領域の前記交点とは反対側の端部に位置する前記屈曲部と、
前記屈曲部から前記画素の外周に沿って前記第１の方向へ延在する第４領域と、を有することを特徴とする請求項９に記載の表示装置。
【請求項１２】
前記基板と対向する対向基板を有し、
前記対向基板にはカラーフィルタと前記遮光層とが形成され、
前記遮光層は、前記カラーフィルタと前記対向基板との間に位置していることを特徴とする請求項９ないし１１の何れか１項に記載の表示装置。
【請求項１３】
前記発光領域は、線対称な２つの領域に区分されていることを特徴とする請求項９ないし１２の何れか１項に記載の表示装置。
【請求項１４】
前記遮光層は、前記発光領域と重畳しない位置に開口部を備えることを特徴とする請求項９ないし１３の何れか１項に記載の表示装置。
【請求項１５】
前記副画素は、画素電極と、前記画素電極上に形成された発光層と、前記発光層上に形成された共通電極とを有し、
前記画素電極は、前記遮光層によって区分された前記複数の領域と重畳していることを特徴とする請求項９ないし１４の何れか１項に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は表示装置に関する。本発明の一実施形態は、表示装置における画素の構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネッセンス（以下、有機ＥＬと呼ぶ。）表示装置は、各画素に発光素子が設けられ、個別に発光を制御することで画像を表示する。発光素子は、一方をアノード電極、他方をカソード電極として区別される一対の電極間に有機ＥＬ材料を含む層（以下、「発光層」ともいう）を挟んだ構造を有している。
【０００３】
有機ＥＬ表示装置は、一方の電極が画素ごとに個別画素電極として設けられ、他方の電極は複数の画素に跨がって共通の電位が印加される共通画素電極として設けられている。有機ＥＬ表示装置は、この共通画素電極の電位に対し、個別画素電極の電位を画素ごとに印加することで、画素の発光を制御している。
【０００４】
特に、白色発光素子とカラーフィルタを組み合わせてフルカラーを実現する有機ＥＬ表示装置は、アレイ基板と、カラーフィルタ基板を貼り合わせて構成されるのが一般的である。アレイ基板は、行列状に配列された複数の発光素子を有している。カラーフィルタ基板は、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の三色が並ぶカラーフィルタと、各色のカラーフィルタを区画する遮光層（ブラックマトリックスとも呼ばれる）とが設けられている。
【０００５】
ところで、表示装置では、Ｒ（赤）画素、Ｇ（緑）画素、Ｂ（青）画素をサブ画素とし、これらのサブ画素を一組として一つの画素を構成する場合がある。表示装置では、画質の向上を図るために、サブ画素を含む画素の構造に工夫がされている。例えば、液晶表示装置では、遮光部がシリンドリカルレンズを介して領域として観察者側に投影され、黒く視認される領域ができ、これが断続的に存在することでモアレが発生するという問題を防ぎつつ、画素への信号の書き込み不足を解消するという目的で、画素をブラックマトリックスで分断することが開示されている（特許文献１参照）。また、多彩な画像表示のために、複数のサブ画素を各々、２階調で駆動させ、さらにサブ画素を同面積の２つに分断して、分割されたサブ画素を２階調で独立して駆動させることが開示されている（特許文献２参照）。有機ＥＬ表示装置では、温度の過度な上昇を避けて画素領域の各発光面積を増大させないようにしつつ、黒線の幅を広げて表示性能を低下させないという目的で、サブ画素を同面積の２つに分断することが開示されている（特許文献３参照）。画素の一部を滅点化して欠陥修復する場合に、欠陥の発生した分割領域のみ滅点化することで滅点化を目立たないようにするという目的でサブ画素を同面積の２つに分断することが開示されている（特許文献４参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１２―２１５８３０号公報
【特許文献２】特開２００９−２０４８９８号公報
【特許文献３】特開２００５−０８５７３７号公報
【特許文献４】特開２００９−２８８７３５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、有機ＥＬ表示装置の画素に設けられる発光素子は、個別画素電極及び共通画素電極のうち、光出射面側の電極が透光性の電極であり、その反対側の電極が光反射電極となっている。表示装置の表示領域は、各画素の反射電極により鏡面状となってしまうことが問題となる。
【０００８】
一つの解決方法として表面に円偏光板を設置することで、外光の反射光が出射できない状態とすることが知られている。従来は、円偏光板の構成によって外光の反射光の問題を解決しようと試みられてきた。しかし偏光板を用いた場合、発光輝度も偏光板の光吸収により半減してしまうという問題が発生してしまう。
【０００９】
一方、表示領域にカラーフィルタを設けると、この鏡面状態による外光の映り込みは抑制される。しかし、カラーフィルタは、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、Ｂ（青）の各色が用いられるため、非表示時に外光の反射光が着色する問題がある。
【００１０】
本発明は、外光反射による着色の問題を解決しつつ、光取出し効率の高効率化をも実現する表示装置を提供することを目的の一つとする。
【００１１】
本発明は、外光反射による着色が少なく、かつ、光取出効率の高い表示装置を提供することを目的の一つとする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の一実施形態に係る表示装置は、発光領域を有する複数の画素と、複数の画素の光出射面側に設けられた遮光層とを有し、遮光層は、複数の画素のそれぞれにおいて、発光領域を開口する複数の開口部を有する。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を示す斜視図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を示す平面図である。
【図３】本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を示す断面図である。
【図４】本発明の一実施形態に係る表示装置の等価回路図である。
【図５】本発明の一実施形態に係る表示装置に設けられる画素の配置を示す平面図である。
【図６】本発明の一実施形態に係る表示装置に設けられる画素の配置を示す平面図である。
【図７】本発明の一実施形態に係る表示装置に設けられる画素の配置を示す平面図である。
【図８】本発明の一実施形態に係る表示装置に設けられる画素の配置を示す平面図である。
【図９】本発明の一実施形態に係る表示装置に設けられる画素の配置を示す平面図である。
【図１０】本発明の一実施形態に係る表示装置に設けられる画素の配置を示す平面図である。
【図１１】本発明の一実施形態に係る表示装置に設けられる画素の配置を示す平面図である。
【図１２】本発明の一実施形態に係る表示装置に設けられる画素の配置を示す平面図である。
【図１３】本発明の一実施形態に係る表示装置に設けられる画素の配置を示す平面図である。
【図１４】本発明の一実施形態に係る表示装置に設けられる画素の配置を示す平面図である。
【図１５】本発明の一実施形態に係る表示装置に設けられる画素の配置を示す平面図である。
【図１６】本発明の一実施形態に係る表示装置に設けられる画素の配置を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明の実施の形態を、図面等を参照しながら説明する。但し、本発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、以下に例示する実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。
【００１５】
本明細書において、ある部材又は領域が、他の部材又は領域の「上に（又は下に）」あるとする場合、特段の限定がない限り、これは他の部材又は領域の直上（又は直下）にある場合のみでなく、他の部材又は領域の上方（又は下方）にある場合を含み、すなわち、他の部材又は領域の上方（又は下方）において間に別の構成要素が含まれている場合も含む。
【００１６】
本実施形態に係る表示装置１００の構成を、図１を参照して説明する。表示装置１００は、第１基板１０２に表示領域１０６が設けられている。表示領域１０６は複数の画素１０８が配列することによって構成されている。表示領域１０６の上面には封止材としての第２基板１０４が設けられている。
【００１７】
第２基板１０４は表示領域１０６を囲むシール材１１０によって、第１基板１０２に固定されている。第１基板１０２に形成された表示領域１０６は、封止材である第２基板１０４とシール材１１０によって大気に晒されないように封止されている。このような封止構造により画素１０８に設けられる発光素子の劣化を抑制している。
【００１８】
第１基板１０２は、一端部に端子領域１１４が設けられている。端子領域１１４は第２基板１０４の外側に配置されている。端子領域１１４は、複数の接続端子１１６によって構成されている。接続端子１１６には、映像信号を出力する機器や電源などと表示パネルとを接続する配線基板が配置される。配線基板と接続する接続端子１１６の接点は、外部に露出している。第１基板１０２には端子領域１１４から入力された映像信号を表示領域１０６に出力するドライバ回路１１２が設けられていてもよい。
【００１９】
図２〜図４を参照し、本実施形態に係る表示装置１００の構成について説明する。図２は、本実施形態に係る表示装置１００の構成を示す平面図である。図３は、本実施形態に係る表示装置１００の構成を示す断面図である。図４は、本実施形態に係る表示装置の等価回路図である。
【００２０】
図２に示すように、第１基板１０２上に表示画面を形成する表示領域１０６には複数の画素１０８が行列状に配列されている。第１基板１０２上の周辺部には、他の要素として表示領域１０６に信号を入力する垂直走査回路、水平走査回路等が設けられていてもよい。
【００２１】
図３は、図２に示した一つの画素を通過するＡ―Ｂ間の断面図である。複数の画素１０８の各々は、複数の発光領域を有している。複数の発光領域の各々は、その周辺に設けられたバンク１３０によって、隣接する発光領域と分離されている。複数の発光領域の各々は、選択トランジスタ１１７と、白色光を発する発光素子１２０と、その上部に配置される赤、緑、青又は白のいずれかのカラーフィルタ１２２を有し、各色の光を発するサブピクセルを構成している。
【００２２】
発光素子１２０は、個別画素電極１２４(単に、画素電極とも言う)、発光層１２８、共通画素電極１２６（共通電極とも言う）の順に積層された構造を有している。個別画素電極１２４は各発光素子１２０に個別に設けられ、駆動トランジスタ１１８を介してサブピクセル毎に異なる電位が供給される。共通画素電極は全ての発光素子に共通して設けられる。
【００２３】
個別画素電極１２４は、発光層１２８で発生した光を共通画素電極１２６側に反射させるため、反射率の高い材料（たとえば、金属膜）で形成されていることが好ましい。或いは、個別画素電極１２４を金属膜と透明導電膜との積層構造とし、光反射面が含まれる構造としてもよい。
【００２４】
発光層１２８は複数の画素１０８に共通して設けられ、個別画素電極１２４及びサブピクセル間のバンク１３０を覆うように設けられる。
【００２５】
発光層１２８が、例えば有機ＥＬ層から成る場合、低分子系又は高分子系の有機材料を用いて形成される。低分子系の有機材料を用いる場合、発光層１２８は発光性の有機材料を含む発光層１２８に加え、当該発光層を挟むように正孔注入層や電子注入層、更に正孔輸送層や電子輸送層等を含んで構成される。本実施形態においては、発光層１２８は、白色発光を呈するものを用い、カラーフィルタによってフルカラー発光を実現している。なお、発光層１２８は、複数の発光層（例えば有機ＥＬ層）を重ねた、いわゆるタンデム型の構造を用いても良い。
【００２６】
共通画素電極１２６は、発光層１２８で発光した光を透過させるため、透光性を有しかつ導電性を有するＩＴＯ（酸化スズ添加酸化インジウム）やＩＺＯ（酸化インジウム・酸化亜鉛）等の透明導電膜で形成されていることが好ましい。または、共通画素電極１２６として、出射光が透過できる程度の膜厚で金属層を形成しても良い。
【００２７】
共通画素電極１２６上には、封止膜１３２が設けられる。封止膜１３２は、水分の浸入を遮断できる絶縁膜が好ましい。絶縁膜として無機絶縁膜又は有機絶縁膜を用いることができる。
【００２８】
例えば、絶縁膜として無機絶縁膜を使用する場合、酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）、窒化系ケイ素（ＳｉＮｘ）、酸化窒化ケイ素（ＳｉＯｘＮｙ）、窒化酸化ケイ素（ＳｉＮｘＯｙ）、酸化アルミニウム（ＡｌＯｘ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮｘ）、酸化窒化アルミニウム（ＡｌＯｘＮｙ）、窒化酸化アルミニウム（ＡｌＮｘＯｙ）等の膜を使用することができる（ｘ、ｙは任意）。また、これらの膜を積層した構造を使用してもよい。成膜方法としてはプラズマＣＶＤ法やスパッタリング法を用いることができる。
【００２９】
絶縁膜として有機絶縁膜を使用する場合、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、フッ素樹脂、シロキサン樹脂等の膜を使用することができる。また、これらの材料を積層した構造を使用してもよい。成膜方法としては蒸着法や蒸着重合法を用いることができる。
【００３０】
封止膜１３２としては更に、上記の無機絶縁膜及び有機絶縁膜を組み合わせて積層した構造を使用してもよい。
【００３１】
第１基板１０２には、シール材１１０によって第１基板１０２との間隔を保持された透明な第２基板１０４が被せられている。これら第２基板１０４、シール材１１０及び封止膜１３２によって囲まれた空間には、例えば透明なエポキシ樹脂からなる充填剤１３４が充填されている。
【００３２】
図２には示していないが、表示領域は、複数の開口部を有する第１の遮光層１３６で覆われている。第１の遮光層１３６は、カラーフィルタ１２２の上方に（第２基板１０４の側に）配置され、発光領域を開口する複数の開口部１４２を有している。
【００３３】
画素１０８は、複数の副画素（サブピクセル）１４４を備えている。開口部１４２は、副画素（サブピクセル）１４４に対応して設けられている。尚、副画素（サブピクセル）１４４のことを単に画素ということもある。
【００３４】
図２において画素１０８は、点線で表される領域であり、副画素１４４は、点線で表される領域を４区画に分けた領域のうちの１つである。もちろん、点線で表される領域は４区画に分かれる必要まではなく、２以上の区画に分かれていてもよい。
【００３５】
図４は、図３で示す画素の等価回路図である。選択トランジスタ１１７は、ゲート信号線１５１に選択信号が与えられたとき、この選択信号と同期してデータ信号線１５３から与えられるデータ信号を駆動トランジスタ１１８のゲート電位として与え、容量素子１５２はそのゲート電位を保持する。電源線１５４に接続される駆動トランジスタ１１８は、当該ゲート電位に基づくドレイン電流を発光素子１２０に供給する。発光素子１２０はこのドレイン電流に基づく輝度で発光をする。
【００３６】
なお、図４のレイアウト及び図３で示す画素の等価回路図は一例であり、本発明の表示装置はこのような画素および回路構成に限定されない。例えば、駆動トランジスタ１１８の閾値電圧を補償する回路や、発光素子の発光を強制的に終了させるスイッチングトランジスタをさらに付加してもよい。
【００３７】
図５，６に画素の開口部の形状を示す。図５、６に示した遮光層１３６が有する開口部１４２の形状は、略Ｌ字型の形状をしている。換言すると、隣接する２行２列の４個のサブピクセルが配置され、正方形の隣り合う二辺に、当該正方形と合同な二つの正方形の一辺をそれぞれ接続した形状をしている。もちろん、正方形の態様を示しているが、必ずしもこれに限定されるものではない。
【００３８】
略Ｌ字型の中には、図５のような点対称かつ線対称な場合と、図６のように単に点対称な、いわゆるウィンドミル型のような形とが当然に内包される。
【００３９】
なお、開口部の形状は、本実施形態においては多角形の態様を示しているが、これに限定されるものではないし、頂点が直線同士によって角をなさずとも、一定の曲率を有する曲線であってもよいことは当然である。
【００４０】
以下、本実施形態においては、一画素内に存在する４個の開口部を分割して開口部とすると表記した箇所がある。もっとも、この表現は、一画素内に存在する４以外の複数個の開口部（たとえば、３個の開口部）を分割する場合をも当然に包含する。
【００４１】
（画素の配列例１）
本発明の一実施形態に係る表示装置の画素の配列を、図７を示して説明する。図７は図５で示したサブピクセルを、遮光層でサブピクセルＡとＢとに分割して、発光領域を開口する複数の開口部を有する構造としたものである。尚、サブピクセルを、サブピクセルＡとＢとに分割した本実施形態において、個別画素電極１２４は分割せず、サブピクセルＡとＢとで共通にしてもよい。
【００４２】
サブピクセルＡに存在する一つの開口部１４２ａ、サブピクセルＢに存在する一つの開口部１４２ｂの開口形状自体は非対称であるが、分割により、開口ピッチが小さくなり、反射光に対する空間周波数が増大し、外光反射による虹模様のコントラストが低下し、それが視認されにくくなる。空間周波数とは、視角一度あたりの繰り返し数と定義され、単位はｃｐｄ（ｃｙｃｌｅ  ｐｅｒ  ｄｅｇｒｅｅ）である。本明細書においては、視角一度当たりの開口部の繰り返し数（或いは、単に視角一度当たりの開口部の数）である。また、場所によって開口幅が大きく異なるという状態が低減するため、外光反射による虹模様の視野角依存性を低減できる。尚、図７に示すように、本実施形態においては、サブピクセルの略Ｌ字型の形状をしている発光領域の、少なくとも略Ｌ字型の形状の屈曲部を遮光膜で覆い、発光領域を区分している。これによって、サブピクセルを分割（区分）している。
【００４３】
（画素の配列例２）
本発明の一実施形態に係る表示装置の画素の配列を、図８を示して説明する。図８は、図６で示したサブピクセルを、遮光層でサブピクセルＡとＢとに分割して、発光領域を開口する複数の開口部を有する構造としたものである。
【００４４】
開口部１４２ａ、１４２ｂの開口形状自体は非対称であるが、開口ピッチが小さくなり反射光に対する空間周波数が増大し、この結果、外光反射による虹模様のコントラストが低下し、それが視認されにくくなる。また場所によって開口幅が大きく異なる状態が低減するため、外光反射による虹模様の視野角依存性を低減できる。
【００４５】
（画素の配列例３）
本発明の一実施形態に係る表示装置の画素の配列を、図９を示して説明する。図９は、図５で示したサブピクセルを遮光層で分割して、発光領域を開口する複数の開口部を有する構造としたものである。
【００４６】
本実施形態は、サブピクセルＡに存在する一つの開口部１４２ａ、サブピクセルＢに存在する一つの開口部１４２ｂの開口形状を、ダイヤモンド型の線対称形状としたものである。
【００４７】
本実施形態では、開口形状自体が線対称であることに加え、開口ピッチが小さくなったことにより、反射光に対する空間周波数が増大し外光反射による虹模様のコントラストが低下し、それが視認されにくくなる。また、場所によって開口幅が大きく異なる状態が低減するため、外光反射による虹模様の視野角依存性を低減できる。
【００４８】
（画素の配列例４）
本発明の一実施形態に係る表示装置の画素の配列を、図１０を示して説明する。図１０は、図６で示したサブピクセルを遮光層で分割して、発光領域を開口する複数の開口部を有する構造としたものである。
【００４９】
本実施形態は、サブピクセルＡに存在する一つの開口部１４２ａ、サブピクセルＢに存在する一つの開口部１４２ｂの開口形状を、ダイヤモンド型の線対称形状としたものである。
【００５０】
本実施形態では、開口形状自体が線対称であることに加え、開口ピッチが小さくなり、反射光に対する空間周波数が増大することによって虹模様の発生を更に抑制することができ、外光反射による虹模様のコントラストが低下し、それが視認されにくくなる。また、線対称の配置となるので場所によって開口幅が大きく異なる状態が低減し、外光反射による虹模様の視野角依存性（画質の視野角依存性）を低減できる。
【００５１】
（画素の配列例５）
本発明の一実施形態に係る表示装置の画素の配列を、図１１を示して説明する。図１１は、サブピクセルを遮光層で分割して、発光領域を開口する複数の開口部を有する構造としたものである。
【００５２】
本実施形態は、サブピクセルＡに存在する一つの開口部１４２ａ、サブピクセルＢに存在する一つの開口部１４２ｂの開口形状を、略円形としたものである。
これにより、これにより開口ピッチが小さくなり反射光に対する空間周波数が増大し外光反射による虹模様のコントラストが低下し、それが視認されにくくなる。
【００５３】
さらに、本実施形態によれば開口ピッチが小さくなり、反射光に対する空間周波数が増大することによって虹模様の発生を更に抑制することができ、外光反射による虹模様のコントラストがさらに低下し、それが視認されにくくなる。また、点対称の配置となるので場所によって開口幅が大きく異なる状態が低減し、外光反射による虹模様の視野角依存性（画質の視野角依存性）を低減できる。
【００５４】
本実施例では、円形、略円形などと表現しているが、これは、かならずしも正円に限るものではなく楕円でもよいし、かつ、曲率を含む必要もなく、多角形（たとえば、八角形、十二角形）であってもよい。
【００５５】
（画素の配列例６）
本発明の一実施形態に係る表示装置の画素の配列を、図１２を示して説明する。図１２は、サブピクセルを遮光層で分割して、発光領域を開口する複数の開口部を有する構造としたものである。本実施形態においては、開口部は、略円形の形状である。
【００５６】
本実施形態によれば、開口ピッチが小さくなり、反射光に対する空間周波数が増大することによって虹模様の発生を更に抑制することができ、外光反射による虹模様のコントラストが低下し、それが視認されにくくなる。また、点対称の配置となるので場所によって開口幅が大きく異なる状態が低減し、外光反射による虹模様の視野角依存性（画質の視野角依存性）を低減できる。
【００５７】
本実施例では、円形、略円形などと表現しているが、これは、かならずしも正円に限るものではなく楕円でもよいし、かつ、曲率を含む必要もなく、多角形（たとえば、八角形、十二角形）であってもよい。
【００５８】
（画素の配列例７）
本発明の一実施形態に係る表示装置の画素の配列を、図１３を示して説明する。図１３は、サブピクセルを遮光層で分割して、発光領域を開口する複数の開口部を有する構造としたものである。本実施形態では、３つの四角形開口に分割した構造となっている。
【００５９】
本実施形態によれば、２つの図形に分割する実施例に比べ、さらに開口ピッチを小さくすることが可能であり、反射光に対する空間周波数をより増大させて虹模様の発生を更に抑制することができ、外光反射による虹模様のコントラストが低下し、それが視認されにくくなる。また、点対称の配置となるので場所によって開口幅が大きく異なる状態が低減し、外光反射による虹模様の視野角依存性（画質の視野角依存性）を低減できる。
【００６０】
（画素の配列例８）
本発明の一実施形態に係る表示装置の画素の配列を、図１４を示して説明する。図１４は、サブピクセルを遮光層で分割して、発光領域を開口する複数の開口部を有する構造としたものである。本実施形態では、３つの四角形開口となるように分割した構造となっている。
【００６１】
本実施形態によれば、開口ピッチが小さくなり、反射光に対する空間周波数が増大することによって虹模様の発生を更に抑制することができ、外光反射による虹模様のコントラストが低下し、それが視認されにくくなる。また、点対称の配置となるので場所によって開口幅が大きく異なる状態が低減し、外光反射による虹模様の視野角依存性（画質の視野角依存性）を低減できる。
【００６２】
本実施例では、四角形として表現しているが、四角形のコーナー部を丸くラウンドさせたり面取りさせたりした形状としてもよい。
【００６３】
（画素の配列例９）
本発明の一実施形態に係る表示装置の画素の配列を、図１５を示して説明する。図１５は、サブピクセルを遮光層で分割して、発光領域を開口する複数の開口部を有する構造としたものである。本実施形態では、３つの円形開口で分割した構造となっている。
【００６４】
本実施形態によれば、開口ピッチが小さくなり、反射光に対する空間周波数が増大することによって虹模様の発生を更に抑制することができ、外光反射による虹模様のコントラストが低下し、それが視認されにくくなる。また、点対称の配置となるので場所によって開口幅が大きく異なる状態が低減し、外光反射による虹模様の視野角依存性（画質の視野角依存性）を低減できる。
【００６５】
（画素の配列例１０）
図１６は、サブピクセルを２つの円形開口で分割して、発光領域を開口する複数の開口部を有する構造とし、さらに、開口部とサイズの近いダミー開口を設けた実施例である。
【００６６】
従来、遮光層は、画素間への光漏れや混色を防止するために、非発光領域を遮光するものとして用いられてきたが、本実施形態では、画素間への光漏れや混色を防止する機能だけではなく、空間周波数を増大させる観点から遮光層を用いるものである。
【００６７】
本実施形態によれば、ダミー開口部が存在することによって単に開口部を分割するよりも開口ピッチを小さくすることが可能となるために、反射光に対する空間周波数が増大することによって虹模様の発生を更に抑制することができ、外光反射による虹模様のコントラストが低下し、それが視認されにくくなる。また、点対称の配置であり、開口ピッチを一定に保つこともできるために、場所によって開口幅が大きく異なる状態がさらに低減し、外光反射による虹模様の視野角依存性（画質の視野角依存性）がさらに低減できる。
【００６８】
外光反射による視認性劣化への対策として設けられた複数のダミー開口部１９０は、本変形例では円形の形状を有し、一つのサブピクセル１４４に対して１個、上下左右及び斜めの隣接画素間に１個が配置されている。しかし、ダミー開口部１９０の形状、配置及び個数については、これに限定されるものではない。
【００６９】
本実施形態に係るダミー開口部１９０の態様は、上述した実施形態１乃至９の何れにも適用することができる。
【００７０】
（画素の配列例１１）
本発明による一実施形態によれば、バンクが画成する領域が、遮光層の開口部と略同一またはそれよりも大きい形状を有することを特徴としてもよい。
【００７１】
これにより、発光領域における大部分の領域からの光を取り出すことが出来るので、より高効率の表示装置が実現できるという効果を奏する。
【００７２】
図３で示すように、バンク１３０は個別画素電極１２４の周縁部を覆っている。発光層１２８と共通画素電極１２６は、個別画素電極１２４の上面からバンク１３０の上面に設けられる。発光素子１２０は、個別画素電極１２４、発光層１２８、共通画素電極１２６が重畳する領域が発光領域とみなすことができる。バンク１３０は、個別画素電極１２４の周縁部において、発光層１２８及び共通画素電極１２６を個別画素電極１２４から離隔している。このことから、バンク１３０は、発光領域を画成しているということもできる。
【００７３】
上記バンクには、たとえばアクリル樹脂やポリイミド樹脂等の有機材料、またはＳｉＯ２、ＳｉＮ等の無機材料などを材料として用いてもよい。
【００７４】
本実施形態に係るバンクの態様は、上述した実施形態１乃至９の何れにも適用することができる。
【００７５】
以上、本発明の好ましい実施形態による表示装置１００について説明した。本実施形態によれば、高精細な表示装置１００を提供することができる。
【００７６】
以上の実施形態は単なる例示に過ぎず、本発明の技術的範囲はそれらには限定されない。当業者であれば、本発明の要旨を逸脱することなく、種々の変更が可能であろう。よって、それらの変更も当然に、本発明の技術的範囲に属すると解されるべきである。
【符号の説明】
【００７７】
１００：表示装置
１０２、１０４：基板
１０６：表示領域
１０８：画素
１１０：シール材
１１２：ドライバ回路
１１４：端子領域
１１６：接続端子
１１７：選択トランジスタ
１１８：駆動トランジスタ
１２０：発光素子
１２２：カラーフィルタ
１２４：個別画素電極
１２６：共通画素電極
１２８：発光層
１３０：バンク
１３２：封止膜
１３４：充填材
１３６：遮光層（ＢＭ）
１４２：開口部
１４４：サブピクセル
１５１：ゲート信号線
１５２：容量素子
１５３：データ信号線
１５４：電極線
１９０：ダミー開口部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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