(57)【要約】【課題】光半導体装置用硬化性組成物を成型した成型体を備える光半導体装置を得たときに、得られた光半導体装置において成型体に接触している封止剤の剥離を抑制することができ、光半導体装置から発せられる光度の低下を抑制できる半導体装置用硬化性組成物を提供する。【解決手段】本発明に係る光半導体装置用硬化性組成物は、エポキシ化合物と、硬化剤と、酸化チタンと、酸化チタンとは異なる充填材と、硬化促進剤と、フェノール系酸化防止剤とを含み、前記フェノール系酸化防止剤の分子量が９００未満であり、前記フェノール系酸化防止剤の融点℃が、前記エポキシ化合物の融点℃＋２０℃未満である。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
エポキシ化合物と、硬化剤と、酸化チタンと、酸化チタンとは異なる充填材と、硬化促進剤と、フェノール系酸化防止剤とを含み、
前記フェノール系酸化防止剤の分子量が９００未満であり、
前記フェノール系酸化防止剤の融点℃が、前記エポキシ化合物の融点℃＋２０℃未満である、光半導体装置用硬化性組成物。      
【請求項２】
前記硬化剤が、酸無水物硬化剤である、請求項１に記載の光半導体装置用硬化性組成物。   
【請求項３】
前記エポキシ化合物が、複素環式エポキシ化合物を含む、請求項１又は２に記載の光半導体装置用硬化性組成物。  
【請求項４】
光半導体装置において光半導体素子の側方に配置される枠部を有する成型体であって、
請求項１〜３のいずれか１項に記載の光半導体装置用硬化性組成物を硬化させることにより得られる、光半導体装置用成型体。    
【請求項５】
リードフレームと、 
前記リードフレーム上に搭載された光半導体素子と、      
前記リードフレーム上に配置されており、かつ前記光半導体素子の側方に配置されている枠部を有する成型体とを備え、   
前記成型体が、請求項１〜３のいずれか１項に記載の光半導体装置用硬化性組成物を硬化させることにより得られる、光半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光半導体装置に用いられる光半導体装置用硬化性組成物に関する。また、本発明は、上記光半導体装置用硬化性組成物を用いた光半導体装置用成型体及び光半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
発光ダイオード（ＬＥＤ）装置などの光半導体装置の消費電力は低く、かつ寿命は長い。また、光半導体装置は、過酷な環境下でも使用され得る。従って、光半導体装置は、携帯電話用バックライト、液晶テレビ用バックライト、自動車用ランプ、照明器具及び看板などの幅広い用途で使用されている。
【０００３】
光半導体装置に用いられている発光素子である光半導体素子（例えばＬＥＤ）が大気と直接触れると、大気中の水分又は浮遊するごみ等により、光半導体素子の発光特性が急速に低下する。このため、上記光半導体素子は、通常、光半導体装置用封止剤により封止されている。また、該封止剤を充填するために、上記光半導体素子が搭載されるリードフレーム上に、枠部を有する成型体が配置されている。該枠部を有する成型体の内側に、上記封止剤が充填されている。該成型体は、リフレクター、ケース材又はハウジングと呼ばれることがある。
【０００４】
上記成型体を得るための成型材料の一例として、下記の特許文献１には、エポキシ樹脂と、硬化剤と、硬化促進剤と、無機充填材と、カップリング剤と、酸化防止剤とを含む硬化性組成物が開示されている。特許文献２の実施例では、リン系酸化防止剤が用いられている。
【０００５】
また、下記の特許文献２には、トリアジン誘導体エポキシ樹脂を含むエポキシ樹脂と、酸無水物と、酸化防止剤と、硬化触媒と、反射部材と、無機充填材とを含む硬化性組成物が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００７−２９７６０１号公報
【特許文献２】ＷＯ２００７／０１５４２６Ａ１
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
特許文献１，２に記載のような従来の硬化性組成物を用いて、枠部を有する成型体を作製し、該成型体の内側に封止剤を充填して光半導体装置を得たときに、得られた光半導体装置を通電して長期間使用すると、成型体と封止剤の界面において剥離が生じ、隙間が生じることがある。隙間が生じると、光半導体装置から発せられる光度（光の明るさ）が低下するという問題がある。
【０００８】
本発明の目的は、光半導体装置用硬化性組成物を成型した成型体を備える光半導体装置を得たときに、得られた光半導体装置において成型体に接触している封止剤の剥離を抑制することができ、光半導体装置から発せられる光度の低下を抑制できる光半導体装置用硬化性組成物を提供することである。
【０００９】
また、本発明は、上記光半導体装置用硬化性組成物を用いた光半導体装置用成型体及び光半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の広い局面によれば、エポキシ化合物と、硬化剤と、酸化チタンと、酸化チタンとは異なる充填材と、硬化促進剤と、フェノール系酸化防止剤とを含み、前記フェノール系酸化防止剤の分子量が９００未満であり、前記フェノール系酸化防止剤の融点℃が、前記エポキシ化合物の融点℃＋２０℃未満である、光半導体装置用硬化性組成物が提供される。  
【００１１】
本発明に係る光半導体装置用硬化性組成物のある特定の局面では、前記硬化剤は、酸無水物硬化剤である。
【００１２】
本発明に係る光半導体装置用硬化性組成物のある特定の局面では、前記エポキシ化合物が、複素環式エポキシ化合物を含む。
【００１３】
本発明の広い局面によれば、光半導体装置において光半導体素子の側方に配置される枠部を有する成型体であって、上述した光半導体装置硬化性組成物を硬化させることにより得られる、光半導体装置用成型体が提供される。
【００１４】
本発明の広い局面によれば、リードフレームと、前記リードフレーム上に搭載された光半導体素子と、前記リードフレーム上に配置されており、かつ前記光半導体素子の側方に配置されている枠部を有する成型体とを備え、前記成型体が、上述した光半導体装置用硬化性組成物を硬化させることにより得られる、光半導体装置が提供される。
【発明の効果】
【００１５】
本発明に係る光半導体装置用硬化性組成物は、エポキシ化合物と、硬化剤と、酸化チタンと、酸化チタンとは異なる充填材と、硬化促進剤と、フェノール系酸化防止剤とを含み、上記フェノール系酸化防止剤の分子量が９００未満であり、上記フェノール系酸化防止剤の融点℃が、上記エポキシ化合物の融点℃＋２０℃未満であるので、本発明に係る光半導体装置用硬化性組成物を成型した成型体を備える光半導体装置において、成型体に接触している封止剤の剥離を抑制することができ、光半導体装置から発せられる光度の低下を抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】図１（ａ）及び（ｂ）は、本発明の一実施形態に係る光半導体装置用硬化性組成物を用いた成型体を備える光半導体装置の一例を模式的に示す断面図及び斜視図である。
【図２】図２は、図１に示す光半導体装置の変形例を模式的に示す断面図である。
【図３】図３は、図２に示す光半導体装置の変形例を模式的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明を詳細に説明する。
【００１８】
（光半導体装置用硬化性組成物）
本発明に係る光半導体装置用硬化性組成物（以下、硬化性組成物と記載することがある）は、光半導体装置において光半導体素子の側方に配置される枠部を有する成型体を得るために好適に用いられる。
【００１９】
本発明に係る硬化性組成物は、エポキシ化合物（Ａ）と、硬化剤（Ｂ）と、酸化チタン（Ｃ）と、酸化チタンとは異なる充填材（Ｄ）と、硬化促進剤（Ｅ）と、酸化防止剤（Ｆ）とを含む。本発明に係る硬化性組成物では、上記酸化防止剤（Ｆ）として、フェノール系酸化防止剤（Ｆ１）が用いられる。すなわち、本発明に係る硬化性組成物は、上記フェノール系酸化防止剤（Ｆ１）を含む。本発明に係る硬化性組成物では、上記フェノール系酸化防止剤（Ｆ１）の分子量は９００未満である。本発明に係る硬化性組成物では、上記フェノール系酸化防止剤（Ｆ１）の融点℃が、上記エポキシ化合物（Ａ）の融点℃＋２０℃未満である。
【００２０】
例えば、本発明に係る硬化性組成物を成型して上記成型体を作製し、上記成型体の内側に封止剤を充填することにより光半導体装置を得ることができる。本発明に係る硬化性組成物の上記の構成を採用することで、本発明に係る光半導体装置用硬化性組成物を成型した成型体を備える光半導体装置において、成型体に接触している封止剤の剥離を抑制することができ、更に光半導体装置から発せられる光度の低下を抑制できる。このため、光半導体装置の信頼性を高めることができる。本発明では、成型体と封止剤との密着性を向上させることで、成型体と封止剤との界面での剥離を抑えることができる。また、成型体と封止剤との界面において剥離が生じ難く、隙間が形成され難いため、光半導体装置から発せられる光度（光の明るさ）の低下を抑制でき、高い光度を維持することができる。
【００２１】
上記成型体を得るための硬化性組成物において、上述した組成を採用することにより、特に、特定の上記エポキシ化合物（Ａ）と特定の上記フェノール系酸化防止剤（Ｆ１）との使用により、従来酸化防止剤の配合による効果として知られていない新たな効果として、成型体と封止剤の密着力とを高め、該成型体に接している封止剤の剥離を効果的に抑制できることを、本発明者らは見出した。
【００２２】
以下、本発明に係る硬化性組成物に用いることができる各成分の詳細を説明する。
【００２３】
［エポキシ化合物（Ａ）］
上記硬化性組成物は、熱の付与によって硬化可能であるように、上記エポキシ化合物（Ａ）を含む。上記エポキシ化合物（Ａ）はエポキシ基を有する。熱硬化性化合物として上記エポキシ化合物（Ａ）を用いることにより、成型体の耐熱性及び絶縁信頼性が高くなる。上記エポキシ化合物（Ａ）は１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００２４】
上記エポキシ化合物（Ａ）の具体例としては、ビスフェノール型エポキシ化合物、ノボラック型エポキシ化合物、多塩素酸化合物とエピクロロヒドリンとを反応させて得られるグリシジルエステル型エポキシ化合物、ポリアミン化合物とエピクロロヒドリンとを反応させて得られるグリシジルアミン型エポキシ化合物、グリシジルエーテル型エポキシ化合物、脂肪族エポキシ化合物、水添型芳香族エポキシ化合物、脂環式骨格を有するエポキシ化合物、及び複素環式エポキシ化合物などが挙げられる。上記多塩素酸化合物としては、フタル酸及びダイマー酸等が挙げられる。上記ポリアミン化合物としては、ジアミノジフェニルメタン及びイソシアヌル酸等が挙げられる。
【００２５】
上記ビスフェノール型エポキシ化合物としては、ビスフェノールＡ型エポキシ化合物、ビスフェノールＦ型エポキシ化合物、ビスフェノールＳ型エポキシ化合物、及びアルキル置換ビスフェノールなどのジグリシジルエーテル等が挙げられる。上記ノボラック型エポキシ化合物としては、フェノールノボラック型エポキシ化合物、及びオルソクレゾールノボラック型エポキシ化合物等が挙げられる。上記複素環式エポキシ化合物としては、ジグリシジルイソシアヌレート及びトリグリシジルイソシアヌレート等が挙げられる。上記複素環式エポキシ化合物は、複素環式骨格を有する。
【００２６】
封止剤の剥離を効果的に抑制し、光度の低下をより一層抑える観点からは、上記エポキシ化合物（Ａ）は、複素環式エポキシ化合物を含むことが好ましく、トリグリシジルイソシアヌレートを含むことがより好ましい。また、複素環式エポキシ化合物の使用により、硬化性組成物の黄変を抑制し、かつ経過劣化の少ない半導体発光装置を得ることができる。
【００２７】
上記複素環式エポキシ化合物は、１，３，５−トリアジン核誘導体エポキシ樹脂であることがより好ましい。特にイソシアヌレート環を有するエポキシ樹脂は、耐光性及び電気絶縁性に優れている。上記複素環式エポキシ化合物は、１つのイソシアヌレート環に対して、１価の、より好ましくは２価の、更に好ましくは３価のエポキシ基を有することが望ましい。具体的には、１−グリシジル−３，５−ジアリルイソシアヌレート、１−アリル−３，５−ジグリシジルイソシアヌレート、トリグリシジルイソシアヌレート、トリス（α−メチルグリシジル）イソシアヌレート等が好ましい。
【００２８】
上記エポキシ化合物（Ａ）のエポキシ当量は、好ましくは５０以上、より好ましくは１００以上、好ましくは５００以下、より好ましくは３００以下である。上記エポキシ化合物（Ａ）のエポキシ当量は、３００以下であることが特に好ましい。上記エポキシ当量が上記下限以上及び上記上限以下であると、上記硬化性組成物の連続成型性、及び成型体の密着対象物に対する密着性がより一層高くなる。    
【００２９】
上記エポキシ化合物（Ａ）の配合量は、熱の付与により適度に硬化するように適宜調整され、特に限定されない。上記硬化性組成物１００重量％中、上記エポキシ化合物（Ａ）の含有量及び上記複素環式エポキシ化合物の含有量はそれぞれ、好ましくは１重量％以上、より好ましくは３重量％以上、更に好ましくは５重量％以上、好ましくは９９重量％以下、より好ましくは９５重量％以下、更に好ましくは８０重量％以下である。上記エポキシ化合物（Ａ）及び上記複素環式エポキシ化合物の含有量が上記下限以上であると、加熱により硬化性組成物がより一層効果的に硬化する。上記エポキシ化合物（Ａ）及び上記複素環式エポキシ化合物の含有量が上記上限以下であると、成型体の耐熱性がより一層高くなる。      
【００３０】
［硬化剤（Ｂ）］
上記硬化性組成物は、熱の付与によって効率的に硬化可能であるように、上記硬化剤（Ｂ）を含む。上記硬化剤（Ｂ）は、上記エポキシ化合物（Ａ）を硬化させる。硬化剤（Ｂ）として、エポキシ化合物（Ａ）の硬化剤として使用される公知の硬化剤が使用可能である。上記硬化剤（Ｂ）は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００３１】
上記硬化剤（Ｂ）としては、酸無水物、ジシアンジアミド、フェノール化合物、ヒドラジド化合物、イミダゾール化合物、トリアジン環を有する化合物、メチル（メタ）アクリレート樹脂又はスチレン樹脂等により形成されたシェルにより、トリフェニルホスフィン（硬化剤）が被覆されている潜在性硬化剤（例えば、日本化薬社製「ＥＰＣＡＴ−Ｐ」及び「ＥＰＣＡＴ−ＰＳ」）、ポリウレア系重合体又はラジカル重合体により形成されたシェルにより、アミンなどの硬化剤が被覆されている潜在性硬化剤（特許第３０３１８９７号公報及び特許第３１９９８１８号公報に記載）、変性イミダゾールなどの硬化剤をエポキシ樹脂中に分散させて閉じ込め、粉砕することにより得られた潜在性硬化剤（旭化成イーマテリアルズ社製「ノバキュアＨＸＡ３７９２」及び「ＨＸＡ３９３２ＨＰ」）、熱可塑性高分子内に硬化剤を分散させ、含有させた潜在性硬化剤（特許第３０９８０６１号公報に記載）、並びにテトラキスフェノール類化合物などにより被覆されたイミダゾール潜在性硬化剤（例えば、日本曹達社製「ＴＥＰ−２Ｅ４ＭＺ」及び「ＨＩＰＡ−２Ｅ４ＭＺ」）等が挙げられる。これら以外の硬化剤（Ｂ）を用いてもよい。 
【００３２】
上記硬化性組成物は、酸無水物硬化剤を含むことが好ましい。上記硬化剤（Ｂ）は酸無水物硬化剤であることが好ましい。該酸無水物硬化剤の使用によって、成型体と封止剤やリードフレームなどの部材との密着性が高くなる。また、上記酸無水物硬化剤の使用により、硬化性を高く維持して、成型体の成型むらをより一層抑制できる。
【００３３】
上記酸無水物硬化剤としては、芳香族骨格を有する酸無水物及び脂環式骨格を有する酸無水物の内のいずれも使用可能である。
【００３４】
好ましい上記酸無水物硬化剤としては、無水フタル酸、無水マレイン酸、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、無水メチルナジック酸、無水ナジック酸、無水グルタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸及びメチルテトラヒドロ無水フタル酸等が挙げられる。
【００３５】
上記酸無水物硬化剤は、二重結合を有さないことが好ましい。二重結合を有さない好ましい酸無水物硬化剤としては、ヘキサヒドロ無水フタル酸及びメチルヘキサヒドロ無水フタル酸等が挙げられる。  
【００３６】
上記エポキシ化合物（Ａ）と上記硬化剤（Ｂ）との配合比率は特に限定されない。上記エポキシ化合物（Ａ）１００重量部に対して、上記硬化剤（Ｂ）の含有量及び上記酸無水物硬化剤の含有量はそれぞれ、好ましくは０．５重量部以上、より好ましくは１重量部以上、更に好ましくは２重量部以上、特に好ましくは３重量部以上、好ましくは５００重量部以下、より好ましくは３００重量部以下、更に好ましくは２００重量部以下、特に好ましくは１５０重量部以下である。上記硬化剤（Ｂ）及び上記酸無水物硬化剤が上記下限以上及び上記上限以下であると、硬化性組成物を良好に硬化させることができる。
【００３７】
上記硬化性組成物中で、上記エポキシ化合物（Ａ）全体のエポキシ当量と上記硬化剤（Ｂ）全体の硬化剤当量との当量比（エポキシ当量：硬化剤当量）は、０．３：１〜３：１であることが好ましく、１．３：１〜２：１であることがより好ましい。上記当量比（エポキシ当量：硬化剤当量）が上記範囲を満足すると、成型体の耐熱性及び耐候性がより一層高くなる。
【００３８】
［酸化チタン（Ｃ）］      
上記硬化性組成物は酸化チタン（Ｃ）を含むので、光の反射率が高い成型体を得ることができる。また、上記酸化チタン（Ｃ）の使用によって、酸化チタンとは異なる充填材（Ｄ）のみを用いた場合と比較して、光の反射率が高い成型体が得られる。上記硬化性組成物に含まれている酸化チタン（Ｃ）は特に限定されない。酸化チタン（Ｃ）は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００３９】
上記酸化チタン（Ｃ）は、ルチル型酸化チタン又はアナターゼ型酸化チタンであることが好ましく、ルチル型酸化チタンであることがより好ましい。ルチル型酸化チタンの使用により、耐熱性及び耐光性により一層優れた成型体が得られ、光半導体装置が過酷な環境下で使用されても、品質が低下し難くなる。上記アナターゼ型酸化チタンは、ルチル型酸化チタンよりも、硬度が低い。このため、アナターゼ型酸化チタンの使用により、上記硬化性組成物の成型性がより一層高くなる。
【００４０】
上記酸化チタン（Ｃ）は、アルミニウム酸化物により表面処理されたルチル型酸化チタンを含むことが好ましい。上記酸化チタン（Ｃ）１００重量％中、上記アルミニウム酸化物により表面処理されたルチル型酸化チタンの含有量は好ましくは１０重量％以上、より好ましくは３０重量％以上、１００重量％以下である。上記酸化チタン（Ｃ）の全量が、上記アルミニウム酸化物により表面処理されたルチル型酸化チタンであってもよい。
【００４１】
上記アルミニウム酸化物により表面処理されたルチル型酸化チタンとしては、例えば、ルチル塩素法酸化チタンである石原産業社製「ＣＲ−９０−２」、ルチル塩素法酸化チタンである石原産業社製「ＣＲ−５８」、ルチル塩素法酸化チタンであるデュポン社製「Ｒ−９００」、並びにルチル硫酸法酸化チタンである石原産業社製「Ｒ−６３０」等が挙げられる。
【００４２】
上記硬化性組成物１００重量％中、上記酸化チタン（Ｃ）の含有量は、好ましくは３重量％以上、より好ましくは５重量％以上、更に好ましくは７重量％以上、特に好ましくは１０重量％以上、最も好ましくは１５重量％以上、好ましくは９５重量％以下、より好ましくは９０重量％以下、更に好ましくは８５重量％以下である。酸化チタン（Ｃ）の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、成型体の光の反射率がより一層高くなり、更に成型体の耐熱性が高くなって、成型体が高温に晒されたときに黄変し難くなる。
【００４３】
［充填材（Ｄ）］   
上記充填材（Ｄ）は、酸化チタンとは異なる充填材である。上記充填材（Ｄ）は１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００４４】
上記充填材（Ｄ）として、無機充填材及び有機充填材の内のいずれも用いることができる。上記充填材（Ｄ）の具体例としては、シリカ、アルミナ、マイカ、ベリリア、チタン酸カリウム、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、酸化ジルコニウム、酸化アンチモン、ホウ酸アルミニウム、水酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、炭酸アルミニウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸アルミニウム、ケイ酸マグネシウム、リン酸カルシウム、硫酸カルシウム、硫酸バリウム、窒化ケイ素、窒化ホウ素、焼成クレー等のクレー、タルク、炭化ケイ素、架橋アクリルの樹脂粒子及びシリコーン粒子等が挙げられる。上記充填材（Ｄ）は、無機充填材であることが好ましい。上記充填材（Ｄ）は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。   
【００４５】
上記硬化性組成物の成型性、並びに成型体と密着対象物との密着性をより一層良好にする観点からは、上記充填材（Ｄ）はシリカを含むことが好ましく、シリカであることがより好ましい。また、シリカの使用により、成型体の強度がより一層高くなる。
【００４６】
上記充填材（Ｄ）は、球状充填材を含んでいてもよく、破砕充填材を含んでいてもよく、球状充填材と破砕充填材との双方を含んでいてもよい。  
【００４７】
上記硬化性組成物１００重量％中、上記充填材（Ｄ）の含有量及び上記シリカの含有量はそれぞれ、好ましくは５重量％以上、より好ましくは１０重量％以上、更に好ましくは２０重量％以上、好ましくは９５重量％以下、より好ましくは９０重量％以下、更に好ましくは８５重量％以下である。上記充填材（Ｄ）の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、硬化性組成物の成型性がより一層高くなる。上記充填材（Ｄ）の含有量が上記上限以下であると、成型体の光の反射率がより一層高くなる。
【００４８】
上記硬化性組成物１００重量％中、上記酸化チタン（Ｃ）と上記充填材（Ｄ）との合計の含有量は、好ましくは２０重量％以上、より好ましくは５０重量％以上、更に好ましくは６０重量％以上、好ましくは９５重量％以下、より好ましくは９０重量％以下、更に好ましくは８５重量％以下である。上記酸化チタン（Ｃ）と上記充填材（Ｄ）との合計の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、硬化性組成物の成型性及び成型体の光の反射率がより一層高くなり、硬化性組成物の流動性がより一層適度になる。また、上記酸化チタン（Ｃ）と上記充填材（Ｄ）との合計の含有量が５０重量％以上であると、成型体の強度がより一層高くなり、硬化性組成物の流動性がより一層適度になる。
【００４９】
［硬化促進剤（Ｅ）］      
上記硬化性組成物は、硬化促進剤（Ｅ）を含む。上記硬化促進剤（Ｅ）の使用により、硬化性組成物の硬化性を高めることができ、更に成型体の耐熱性を高めることができる。上記硬化促進剤（Ｅ）は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００５０】
上記硬化促進剤（Ｅ）としては、例えば、ウレア化合物、オニウム塩化合物、イミダゾール化合物、リン化合物、アミン化合物及び有機金属化合物等が挙げられる。
【００５１】
上記ウレア化合物としては、ウレア、脂肪族ウレア化合物及び芳香族ウレア化合物等が挙げられる。上記ウレア化合物の具体例としては、ウレア、メチルウレア、１，１−ジメチルウレア、１，３−ジメチルウレア、１，１，３，３−テトラメチルウレア、１，３−ジフェニルウレア及びトリ−ｎ−ブチルチオウレア等が挙げられる。これら以外のウレア化合物を用いてもよい。
【００５２】
上記オニウム塩化合物としては、アンモニウム塩、ホスホニウム塩及びスルホニウム塩化合物等が挙げられる。
【００５３】
上記イミダゾール化合物としては、２−ウンデシルイミダゾール、２−ヘプタデシルイミダゾール、２−メチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール、１，２−ジメチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾリウムトリメリテイト、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−ウンデシルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−エチル−４’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジンイソシアヌル酸付加物、２−フェニルイミダゾールイソシアヌル酸付加物、２−メチルイミダゾールイソシアヌル酸付加物、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール及び２−フェニル−４−メチル−５−ジヒドロキシメチルイミダゾール等が挙げられる。
【００５４】
上記リン化合物は、リンを含有し、リン含有化合物である。上記リン化合物としては、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム−ｏ，ｏ−ジエチルホスホロジチオエート、テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム−テトラフルオロボレート、及びテトラ−ｎ−ブチルホスホニウム−テトラフェニルボレート等が挙げられる。これら以外のリン化合物を用いてもよい。  上記アミン化合物としては、ジエチルアミン、トリエチルアミン、ジエチレンテトラミン、トリエチレンテトラミン、４，４−ジメチルアミノピリジン、ジアザビシクロアルカン、ジアザビシクロアルケン、第４級アンモニウム塩、トリエチレンジアミン、及びトリ−２，４，６−ジメチルアミノメチルフェノールが挙げられる。これらの化合物の塩を用いてもよい。フェニルホスフィン、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム−ｏ，ｏ−ジエチルホスホロジチオエート、テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム−テトラフルオロボレート、テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム−テトラフェニルボレートが挙げられる。
【００５５】
上記有機金属化合物としては、アルカリ金属化合物及びアルカリ土類金属化合物等が挙げられる。上記有機金属化合物の具体例としては、ナフテン酸亜鉛、ナフテン酸コバルト、オクチル酸スズ、オクチル酸コバルト、ビスアセチルアセトナートコバルト（ＩＩ）及びトリスアセチルアセトナートコバルト（ＩＩＩ）等が挙げられる。
【００５６】
上記硬化性組成物の硬化性をより一層高め、更に成型体の耐熱性をより一層高める観点からは、上記硬化促進剤（Ｅ）は、ウレア化合物、オニウム塩化合物又はリン化合物であることが好ましい。上記硬化促進剤（Ｅ）は、ウレア化合物であることが好ましく、オニウム塩化合物であることも好ましく、リン化合物であることも好ましい。
【００５７】
上記エポキシ化合物（Ａ）と上記硬化促進剤（Ｅ）との配合比率は特に限定されない。上記エポキシ化合物（Ａ）１００重量部に対して、上記硬化促進剤（Ｅ）の含有量は、好ましくは０．０１重量部以上、より好ましくは０．１重量部以上、好ましくは１００重量部以下、より好ましくは１０重量部以下、更に好ましくは５重量部以下である。
【００５８】
［酸化防止剤（Ｆ）］      
上記硬化性組成物は、酸化防止剤（Ｆ）として、フェノール系酸化防止剤（Ｆ１）を含む。フェノール系酸化防止剤（Ｆ１）の分子量は９００未満である。さらに、本発明では、上記フェノール系酸化防止剤（Ｆ１）の融点は、上記エポキシ化合物（Ａ）の融点と上述した関係にある。上記フェノール系酸化防止剤（Ｆ１）は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００５９】
上記フェノール系酸化防止剤（Ｆ１）の分子量が９００未満であると、光半導体装置の使用時に、成型体と封止剤との密着性が低下し難くなり、剥離が生じにくくなる。成型体と封止剤との密着性をより高める観点からは、上記フェノール系酸化防止剤（Ｆ１）の分子量は、好ましくは６５０以下、より好ましくは５５０以下である。上記フェノール系酸化防止剤（Ｆ１）の分子量の下限は特に限定されない。上記フェノール系酸化防止剤（Ｆ１）の分子量は、好ましくは２５０以上、より好ましくは３００以上である。
【００６０】
上記フェノール系酸化防止剤（Ｆ１）の融点℃は、上記エポキシ化合物（Ａ）の融点と上述した関係にあればよいが、上記エポキシ化合物（Ａ）の融点℃−２０℃未満であることが好ましく、上記エポキシ化合物（Ａ）の融点℃−４０℃未満であることがより好ましい。上記フェノール系酸化防止剤（Ｆ１）の融点℃の下限は特に限定されないが、上記フェノール系酸化防止剤（Ｆ１）の融点℃は、上記エポキシ化合物（Ａ）の融点℃−１００℃以上であることが好ましく、上記エポキシ化合物（Ａ）の融点℃−８０℃以上であることがより好ましく、上記エポキシ化合物（Ａ）の融点℃−６０℃以上であることが更に好ましい。
【００６１】
なお、本明細書において、「分子量」とは、上記フェノール系酸化防止剤（Ｆ１）の構造式から算出される分子量を意味する。
【００６２】
上記フェノール系酸化防止剤（Ｆ１）とは、分子構造中にフェノール骨格を有する。封止剤の剥離を効果的に抑制し、光度の低下をより一層抑える観点からは、上記フェノール系酸化防止剤（Ｆ１）は、構成元素としてリン原子を有さないことが好ましく、硫黄原子有さないことが好ましい。封止剤の剥離を効果的に抑制し、光度の低下をより一層抑える観点からは、上記フェノール系酸化防止剤（Ｆ１）は、炭素原子、酸素原子及び水素原子のみから構成されていることが好ましい。
【００６３】
上記フェノール系酸化防止剤（Ｆ１）の市販品としては、ＩＲＧＡＮＯＸ  １０３５（分子量６４３、融点６３℃以上、硫黄原子を含む）、ＩＲＧＡＮＯＸ  １０７６（分子量５３１、融点５３℃）、ＩＲＧＡＮＯＸ  １０９８（分子量６３７、融点１５９℃、窒素原子を含む）、ＩＲＧＡＮＯＸ  １１３５（分子量３９０、融点１０℃以下）、ＩＲＧＡＮＯＸ  １３３０（分子量７７５、融点２４３℃）、ＩＲＧＡＮＯＸ  ２４５（分子量５８７、融点７８℃）、ＩＲＧＡＮＯＸ  ２５９（分子量６３９、融点１０６℃）、及びＩＲＧＡＮＯＸ  ３１１４（分子量７８４、融点２２３℃、窒素原子を含む）（以上、いずれもＢＡＳＦ社製）、アデカスタブ  ＡＯ−３０（分子量５４５、融点１８４℃）、アデカスタブ  ＡＯ−４０（分子量３８３、融点２１２℃）、アデカスタブ  ＡＯ−５０（分子量５３１、融点５３℃）、アデカスタブ  ＡＯ−８０（分子量７４１、融点１１５℃）、及びアデカスタブ  ＡＯ−３３０（分子量７７５、融点２４４℃）（以上、いずれもＡＤＥＫＡ社製）、Ｓｕｍｉｌｉｚｅｒ  ＧＡ−８０（分子量７４１、融点１１０℃以上）、Ｓｕｍｉｌｉｚｅｒ  ＭＤＰ−Ｓ（分子量３４１、融点１２８℃以上）、Ｓｕｍｉｌｉｚｅｒ  ＢＢＭ−Ｓ（分子量３８３、融点２０９℃以上）、Ｓｕｍｉｌｉｚｅｒ  ＧＭ（Ｆ）（分子量３９５、融点１３０℃以上）、及びＳｕｍｉｌｉｚｅｒ  ＧＳ（Ｆ）（分子量５４９、融点１１５℃以上）（以上、いずれも住友化学工業社製）、ＨＯＳＴＡＮＯＸ  Ｏ１０、ＨＯＳＴＡＮＯＸ  Ｏ１６、ＨＯＳＴＡＮＯＸ  Ｏ１４、ＨＯＳＴＡＮＯＸ  ２４５、ＨＯＳＴＡＮＯＸ  Ｏ３１０、及びＨＯＳＴＡＮＯＸ  Ｏ３（分子量７９４、融点１７９℃）（以上、いずれもクラリアント社製）、アンテージ  ＢＨＴ（分子量２２０、融点６９℃以上）、アンテージ  Ｗ−３００（分子量３８３、融点２０５℃以上）、アンテージ  Ｗ−４００（分子量３４１、融点１２０℃）、及びアンテージ  Ｗ５００（分子量３６９、融点１２０℃）（以上、いずれも川口化学工業社製）、並びにＳＥＥＮＯＸ  ２２４Ｍ（分子量３４１、融点１３１℃）、及びＳＥＥＮＯＸ  ３２６Ｍ（分子量７７５、融点２４５℃）（以上、いずれもシプロ化成社製）等が挙げられる。 
【００６４】
上記硬化性組成物は、必要に応じて、上記酸化防止剤（Ｆ）として、上記分子量及び上述した融点の関係を満たさないフェノール系酸化防止剤を含んでいてもよい。上記硬化性組成物は、フェノール系酸化防止剤以外の酸化防止剤を含んでいてもよい。上記硬化性組成物がこのような酸化防止剤を含む場合でも、本発明の効果を備えるか否かで、本発明の効果に差異がある。
【００６５】
上記フェノール系酸化防止剤以外の酸化防止剤としては、リン系酸化防止剤及びアミン系酸化防止剤等が挙げられる。
【００６６】
上記リン系酸化防止剤としては、シクロヘキシルフォスフィン及びトリフェニルホスフィン等が挙げられる。上記リン系酸化防止剤の市販品としては、アデカスタブ  ＰＥＰ−４Ｃ、アデカスタブ  ＰＥＰ−８、アデカスタブ  ＰＥＰ−２４Ｇ、アデカスタブ  ＰＥＰ−３６、アデカスタブ  ＨＰ−１０、アデカスタブ  ２１１２、アデカスタブ  ２６０、アデカスタブ  ５２２Ａ、アデカスタブ  １１７８、アデカスタブ  １５００、アデカスタブ  Ｃ、アデカスタブ  １３５Ａ、アデカスタブ  ３０１０、及びアデカスタブ  ＴＰＰ（以上、いずれもＡＤＥＫＡ社製）、サンドスタブ  Ｐ−ＥＰＱ、及びホスタノックス  ＰＡＲ２４（以上、いずれもクラリアント社製）、並びにＪＰ−３１２Ｌ、ＪＰ−３１８−０、ＪＰＭ−３０８、ＪＰＭ−３１３、ＪＰＰ−６１３Ｍ、ＪＰＰ−３１、ＪＰＰ−２０００ＰＴ、及びＪＰＨ−３８００（以上、いずれも城北化学工業社製）等が挙げられる。
【００６７】
上記アミン系酸化防止剤としては、トリエチルアミン、メラミン、エチルジアミノ−Ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−Ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−トリル−Ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−キシリル−Ｓ−トリアジン及び第四級アンモニウム塩誘導体等が挙げられる。
【００６８】
上記エポキシ化合物（Ａ）１００重量部に対して、上記フェノール系酸化防止剤（Ｆ１）の含有量は好ましくは０．１重量部以上、より好ましくは５重量部以上、好ましくは５０重量部以下、より好ましくは３０重量部以下である。上記フェノール系酸化防止剤（Ｆ１）の含有量が上記下限以上及び上限以下であると、光半導体装置において成型体と封止剤との密着性がより一層向上し、光半導体装置から発せられる光度の低下をより一層抑制できる。さらに、上記フェノール系酸化防止剤（Ｆ１）の含有量が上記下限以上及び上限以下であると、耐熱性により一層優れた成型体が得られる。
【００６９】
［カップリング剤（Ｇ）］
上記硬化性組成物は、カップリング剤（Ｇ）をさらに含んでいてもよい。カップリング剤（Ｇ）の使用により、成型体において熱硬化性成分と酸化チタン（Ｃ）と充填材（Ｄ）との接着性が良好になる。上記カップリング剤（Ｇ）は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００７０】
上記カップリング剤（Ｇ）としては特に限定されないが、例えば、シランカップリング剤及びチタネート系カップリング剤が挙げられる。該シランカップリング剤としては、一般にエポキシシラン系カップリング剤、アミノシラン系カップリング剤、カチオニックシラン系カップリング剤、ビニルシラン系カップリング剤、アクリルシラン系カップリング剤、メルカプトシラン系カップリング剤及びこれらの複合系カップリング剤が挙げられる。上記カップリング剤（Ｇ）は、シランカップリング剤であることが好ましい。
【００７１】
上記硬化性組成物１００重量％中、上記カップリング剤（Ｇ）の含有量は好ましくは０．０１重量％以上、好ましくは５重量％以下である。
【００７２】
［他の成分］
上記硬化性組成物は、必要に応じて、離型剤、樹脂改質剤、着色剤、希釈剤、表面処理剤、難燃剤、粘度調節剤、分散剤、分散助剤、表面改質剤、可塑剤、抗菌剤、防黴剤、レベリング剤、安定剤、タレ防止剤又は蛍光体等を含んでいてもよい。上記希釈剤は、反応性希釈剤であってもよく、非反応性希釈剤であってもよい。
【００７３】
上記着色剤としては特に限定されず、フタロシアニン、アゾ化合物、ジスアゾ化合物、キナクリドン、アントラキノン、フラバントロン、ペリノン、ペリレン、ジオキサジン、縮合アゾ化合物、アゾメチン化合物、赤外線吸収剤及び紫外線吸収剤などの各種有機系色素、並びに硫酸鉛、クロムエロー、ジンクエロー、クロムバーミリオン、弁殻、コバルト紫、紺青、群青、カーボンブラック、クロムグリーン、酸化クロム及びコバルトグリーン等の無機顔料等が挙げられる。    
【００７４】
（光半導体装置用硬化性組成物の他の詳細及び光半導体装置用成型体）
上記硬化性組成物は、光半導体装置において光半導体素子の側方に配置される枠部を有する成型体を得るために好適に用いられる。上記硬化性組成物は、金型を用いて成型体を得るために用いられることが好ましい。上記硬化性組成物は、光半導体装置において光半導体素子の側方に配置される枠部を有し、かつ該枠部の内面で囲まれた領域内に上記光半導体素子を封止するように封止剤が充填されて用いられる成型体を得るために用いられることが好ましい。上記硬化性組成物は、光半導体素子から発せられた光が外部に取り出される開口を有する成型体を得るために用いられることが好ましい。      
【００７５】
上記硬化性組成物は、光半導体装置において、光半導体素子が搭載されるリードフレーム上に配置される成型体を得るために用いられる硬化性組成物であることが好ましい。上記リードフレームは、例えば、光半導体素子を支持しかつ固定し、光半導体素子の電極と外部配線との電気的な接続を果たすための部品である。上記成型体は、光半導体装置用成型体であり、光半導体素子搭載用基板であることが好ましい。
【００７６】
光の反射率が高い成型体が得られるので、上記硬化性組成物は、光半導体装置において、光半導体素子が搭載されるリードフレーム上にかつ上記光半導体素子の側方に配置され、上記光半導体素子から発せられた光を反射する光反射部を有する成型体を得るために用いられる硬化性組成物であることが好ましい。
【００７７】
光の反射率が高い成型体が得られるので、上記硬化性組成物は、半導体装置において、光半導体素子が搭載されるリードフレーム上にかつ上記光半導体素子を取り囲むように配置され、上記光半導体素子から発せられた光を反射する光反射部を内面に有する成型体を得るために用いられる硬化性組成物であることが好ましい。上記成型体は、上記光半導体素子を取り囲む枠部を有することが好ましく、上記光半導体素子を取り囲む外壁部材であることが好ましい。上記成型体は、枠状部材であることが好ましい。なお、上記成型体は、光半導体装置において、光半導体素子を接合（ダイボンディング）するためのダイボンド材とは異なることが好ましい。上記成型体は、上記ダイボンド材を含まないことが好ましい。      
【００７８】
上記硬化性組成物は、複数の成型体が連なった分割前成型体を得た後に、該分割前成型体を分割して個々の成型体を得るために用いられることが好ましい。上記硬化性組成物は、複数の成型体がリードフレームを介して連なった分割前成型体を得た後に、上記リードフレームを切断して上記分割前成型体を分割して個々の成型体を得るために用いられることが好ましい。      
【００７９】
上記硬化性組成物は、エポキシ化合物（Ａ）と硬化剤（Ｂ）と酸化チタン（Ｃ）と充填材（Ｄ）と硬化促進剤（Ｅ）とフェノール系酸化防止剤（Ｆ１）と必要に応じて配合される他の成分とを、従来公知の方法で混合することにより得られる。上記硬化性組成物を作製する一般的な方法としては、各成分を押出機、ニーダー、ロール、エクストルーダー等によって混練した後、混練物を冷却し、粉砕、タブレット化する方法が挙げられる。分散性を向上する観点からは、各成分の混練は、溶融状態で行うことが好ましい。混練の条件は、各成分の種類及び配合量により適宜決定される。１５〜１５０℃で５〜１００分間混練することが好ましく、１５〜１５０℃で５〜６０分間混練することがより好ましく、５〜１５０℃で５〜４０分間混練することが更に好ましく、２０〜１００℃で１０〜３０分間混練することが特に好ましい。 
【００８０】
本発明に係る光半導体装置用成型体は、上述した硬化性組成物を硬化させることにより得られる。上記硬化性組成物は所定の形状に成型される。上記硬化性組成物を硬化させることにより得られる成型体は、光半導体装置において、光半導体素子から発せられた光を反射するために好適に用いられる。
【００８１】
上記硬化性組成物を用いて上記光半導体装置用成型体を得る方法としては、圧縮成型法、トランスファー成型法、積層成型法、射出成型法、押出成型法及びブロー成型法等が挙げられる。なかでも、トランスファー成型法が好ましい。
【００８２】
成型体の製造を容易にし、かつ圧縮強度が高いタブレットを得ることができることから、上記硬化性組成物は、トランスファー成型するためのタブレットであることが好ましい。
【００８３】
トランスファー成型法では、例えば、成型温度１００〜２００℃、成型圧力５〜２０ＭＰａ及び成型時間６０〜３００秒の条件で、上記硬化性組成物をトランスファー成型することにより、成型体が得られる。 
【００８４】
（光半導体装置の詳細及び光半導体装置の実施形態）
本発明に係る光半導体装置は、リードフレームと、該リードフレーム上に搭載された光半導体素子と、上記リードフレーム上に配置されており、かつ上記光半導体素子の側方に配置されている枠部を有する成型体とを備える。上記光半導体装置における上記成型体が、上記光半導体装置用白色硬化性組成物を成型しかつ硬化させることにより得られる。上記光半導体装置用白色硬化性組成物は、上記硬化性組成物を用いて形成される。
【００８５】
なお、本発明に係る光半導体装置において、封止剤としては、シリコーン系の封止剤やエポキシ系の封止剤等が挙げられる。に本発明において、封止剤は、シリコーン系の封止剤であることが好ましい。
【００８６】
本発明に係る光半導体装置では、上記成型体の内面が上記光半導体素子から発せられた光を反射する光反射部であることが好ましい。     
【００８７】
図１（ａ）及び（ｂ）に、本発明の一実施形態に係る光半導体装置の一例を模式的に断面図及び斜視図で示す。    
【００８８】
本実施形態の光半導体装置１は、リードフレーム２と光半導体素子３と第１の成型体４と第２の成型体５とを有する。光半導体素子３は発光ダイオード（ＬＥＤ）であることが好ましい。第１の成型体４と第２の成型体５とは一体的に形成されておらず、別の２つの部材である。第１の成型体４と第２の成型体５とは一体的に形成されていてもよい。第１の成型体４は、枠部である。第２の成型体５は、底部である。光半導体装置１では、成型体は、枠部（第１の成型体４）と、底部（第２の成型体５）とを有する。第１の成型体４である枠部は、外壁部である。第１の成型体４である枠部は、環状である。
【００８９】
なお、成型体は、底部を有さない成型体であってもよい。上記硬化性組成物を硬化させることにより得られる枠部を有する成型体と、他の底部材とを組み合わせて用いてもよい。上記成型体は、枠部のみの枠状の成型体であってもよい。上記底部材は、成型体であってもよい。
【００９０】
リードフレーム２上に、光半導体素子３が搭載され、配置されている。また、リードフレーム２上に、第１の成型体４（枠部）が配置されている。また、複数のリードフレーム２間とリードフレーム２の下方とには、第２の成型体５（底部）が配置されている。なお、リードフレームの下方に、成型体又は底部材が配置されておらず、リードフレームが露出していてもよい。第１の成型体４の内側に光半導体素子３が配置されている。光半導体素子３の側方に第１の成型体４が配置されており、光半導体素子３を取り囲むように第１の成型体４が配置されている。第１，第２の成型体４，５（枠部及び底部を有する成型体）は、上述した硬化性組成物の硬化物であり、上述した硬化性組成物を硬化させることにより得られる。従って、第１の成型体４は、光反射性を有し、内面４ａに光反射部を有する。すなわち、第１の成型体４の内面４ａは光反射部である。従って、光半導体素子３の周囲は、第１の成型体４の光反射性を有する内面４ａにより囲まれている。第１の成型体４のみが、上述した硬化性組成物の硬化物であってもよい。
【００９１】
第１の成型体４（枠部）は、光半導体素子３から発せられた光が外部に取り出される開口を有する。第１，第２の成型体４，５は、白色である。第１の成型体４の内面４ａは、内面４ａの径が開口端に向かうにつれて大きくなるように形成されている。従って、光半導体素子３から発せられた光のうち、内面４ａに到達した矢印Ｂで示す光が内面４ａにより反射され、光半導体素子３の前方側に進行する。
【００９２】
光半導体素子３は、リードフレーム２上に、ダイボンド材６を用いて接続されている。ダイボンド材６は、導電性を有する。光半導体素子３に設けられたボンディングパッド（図示せず）とリードフレーム２とが、ボンディングワイヤー７により電気的に接続されている。光半導体素子３及びボンディングワイヤー７を封止するように、第１の成型体４の内面４ａで囲まれた領域内には、封止剤８が充填されている。
【００９３】
光半導体装置１では、光半導体素子３を駆動すると、破線Ａで示すように光が発せられる。光半導体装置１では、光半導体素子３からリードフレーム２の上面とは反対側すなわち上方に照射される光だけでなく、第１の成型体４の内面４ａに到達した光が矢印Ｂで示すように反射される光も存在する。従って、光半導体装置１から取り出される光は明るい。
【００９４】
図２に、図１に示す光半導体装置１の変形例を示す。図１に示す光半導体装置１と図２に示す光半導体装置２１とでは、ダイボンド材６，２２及びボンディングワイヤー７，２３による電気的な接続構造のみが異なる。光半導体装置１におけるダイボンド材６は導電性を有する。これに対し、光半導体装置２１はダイボンド材２２を有し、ダイボンド材２２は導電性を有さない。光半導体装置１では、光半導体素子３に設けられたボンディングパッド（図示せず）とリードフレーム２（図１（ａ）において右側に位置するリードフレーム）とが、ボンディングワイヤー７により電気的に接続されている。光半導体装置２１は、ボンディングワイヤー７に加えて、ボンディングワイヤー２３を有する。光半導体装置２１では、光半導体素子３に設けられたボンディングパッド（図示せず）とリードフレーム２（図２において右側に位置するリードフレーム）とが、ボンディングワイヤー７により電気的に接続されており、更に、光半導体素子３に設けられたボンディングパッド（図示せず）とリードフレーム２（図２において左側に位置するリードフレーム）とが、ボンディングワイヤー２３により電気的に接続されている。  
【００９５】
図３に、図２に示す光半導体装置２１の変形例を示す。図３に示す光半導体装置３１は、図１に示す光半導体装置１の変形例でもある。図２に示す光半導体装置２１と、図３に示す光半導体装置３１とでは、第１，第２の成型体４，５及び成型体３２の構造のみが異なる。光半導体装置２１では、第１，第２の成型体４，５が用いられており、第１の成型体４は、リードフレーム２上に配置されており、第２の成型体５は、複数のリードフレーム２間とリードフレーム２の下方とに配置されている。これに対し、光半導体装置３１では、１つの成型体３２が用いられている。成型体３２は、リードフレーム２上に配置された枠部３２ａと、複数のリードフレーム２間に配置された充填部３２ｂとを有する。枠部３２ａと充填部３２ｂとは一体的に形成されている。このように、光半導体装置は、光半導体装置において光半導体素子の側方に配置される枠部を有していればよい。リードフレームの下方に、成型体は配置されていなくてもよい。成型体は、リードフレームの下方に配置された底部を有していなくてもよい。リードフレームの裏面は、露出していてもよい。
【００９６】
なお、図１〜３に示す構造は、本発明に係る光半導体装置の一例にすぎず、成型体の構造及び光半導体素子の実装構造等には適宜変形され得る。  
【００９７】
以下、本発明の具体的な実施例及び比較例を挙げることにより、本発明を明らかにする。本発明は以下の実施例に限定されない。実施例及び比較例では、以下の材料を用いた。
【００９８】
（エポキシ化合物（Ａ））
１）ＴＥＰＩＣ（トリグリシジルイソシアヌレート、日産化学社製、エポキシ当量１００、融点１００℃）
【００９９】
（硬化剤（Ｂ））   
１）リカシッドＭＨ（４−メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、新日本理化社製）
２）リカシッドＨＨ（ヘキサヒドロ無水フタル酸、新日本理化社製）
３）リカシッドＴＨ（１，２，３，６−テトラヒドロ無水フタル酸、新日本理化社製）
【０１００】
（酸化チタン（Ｃ））      
１）Ｒ−９００（ルチル型酸化チタン、Ａｌにより表面処理されている、平均粒径０．４１μｍ、デュポン社製）
２）ＣＲ−９０−２（ルチル型酸化チタン、Ａｌ及びＳｉにより表面処理されている、有機物により表面処理されている、平均粒径０．２５μｍ、石原産業社製）
【０１０１】
（充填材（Ｄ））   
１）ＭＳＲ−３５１２（球状シリカ、平均粒径３０μｍ、龍森社製）
２）ＸＪ−７（破砕シリカ、平均粒径６μｍ、龍森社製）
【０１０２】
（硬化促進剤（Ｅ））      
１）ＳＡ１０２（ＤＢＵ−オクチル酸塩、サンアプロ社製）
２）ＰＸ−４ＥＴ（テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム−ｏ，ｏ−ジエチルホスホロジオネート、日本化学工業社製）
【０１０３】
（フェノール系酸化防止剤（Ｆ１））      
１）Ｉｒｇａｎｏｘ２５９（フェノール系酸化防止剤、分子量６３９、融点１０６℃、ＢＡＳＦ社製）     
２）Ｉｒｇａｎｏｘ１０７６（フェノール系酸化防止剤、分子量５３１、融点５３℃、ＢＡＳＦ社製）     
３）Ｉｒｇａｎｏｘ１１３５（フェノール系酸化防止剤、分子量３９０、融点１０℃以下、ＢＡＳＦ社製）
４）Ｉｒｇａｎｏｘ２４５（フェノール系酸化防止剤、分子量５８７、融点７８℃、ＢＡＳＦ社製）
【０１０４】
（その他の酸化防止剤（分子量が９００以上であるフェノール系酸化防止剤も含む））
１）Ｉｒｇａｎｏｘ１０１０（フェノール系酸化防止剤、分子量１１７８、融点１１８℃、ＢＡＳＦ社製）
２）亜リン酸トリフェニル（リン系酸化防止剤、分子量３１０、融点２３℃、和光純薬工業社製）
【０１０５】
（実施例１〜１１及び比較例１，２）      
下記表１に示す各成分を下記表１に示す配合量で配合し、混合機（加圧式ニーダーＴＤ１−５Ｍ、トーシン社製）にて１５分間混合し、溶融混練物（硬化性組成物）を得た。溶融混練物を常温で粉砕した後、タブレット化して、タブレットを得た。
【０１０６】
（評価）
（１）成型体と封止剤との密着力   
銅素材（ＴＡＭＡＣ  １９４）にエッチングにより回路を形成した後、銀メッキを施し、厚み０．２ｍｍのリードフレームを得た。トランスファー成型（成型温度１８０℃、成型時間３分）により上記リードフレーム上に、底面と側面と持つ凹部を有する成型体を得た。得られた成型体を１７０℃で２時間アフターキュアした。
【０１０７】
アフターキュア後の成型体の平滑部に、封止剤（シリコーン系封止剤、ダウコーニング社製「ＯＥ−６６５０」）を塗布した３ｍｍ角のシリコンウエハを張り付け、１２０℃で１時間加熱した後、１５０℃で２時間加熱し封止剤を硬化させた。これにより、成型体と封止剤との密着力を評価する評価試料を得た。
【０１０８】
得られた評価試料において、成型体と封止剤との密着力を、ボンドテスター（デイジ・ジャパン社製「万能型ボンドテスターシリーズ４０００」）を用いて測定した。    
【０１０９】
（２）耐熱性（光度保持率（％））
上記（１）成型体と封止剤との密着力の評価と同様に、硬化性組成物を用いた成型体を作製した。アフターキュア後の成型体に、ＩｎＧａＮを発光層とするサファイヤ基板の青色発光の発光素子を、シリコーン樹脂接着剤を用いて載せた。発光素子とリードフレームとを直径３０μｍの金線ワイヤを用いて電気的に接続した。発光素子が底面に載せられた成型体の凹部にそれぞれ封止剤を滴下した。封止剤は、シリコーン樹脂１００重量部とＹＡＧ蛍光体３０重量部とを含む。滴下後に、１５０℃で３時間封止剤を硬化させた。最後にリードフレームより切り出しを行い、白色発光の光半導体装置を得た。
【０１１０】
得られた光半導体装置の光度（耐熱試験前の光度）を、ＯＬ７７０（オプトロニックラボラトリーズ社製）を用いて測定した。その後、リフロー炉（最高温度２６０℃）に３回通し、光半導体装置の光度（耐熱試験後の光度）を測定した。耐熱試験前後の光度から光度保持率を求めた。
【０１１１】
光度保持率は、下記式で表される。
【０１１２】
光度保持率（％）＝（耐熱試験前の光度）／（耐熱試験後の光度）×１００
【０１１３】
結果を下記の表１に示す。
【０１１４】
【表１】
2016089157.tif 000003
【符号の説明】
【０１１５】
１…光半導体装置
２…リードフレーム
３…光半導体素子
４…第１の成型体
４ａ…内面
５…第２の成型体
６…ダイボンド材
７…ボンディングワイヤー
８…封止剤
２１…光半導体装置
２２…ダイボンド材
２３…ボンディングワイヤー
３１…光半導体装置 
３２…成型体
３２ａ…枠部
３２ｂ…充填部
【図１】
2016089157.tif 000004
【図２】
2016089157.tif 000005
【図３】
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