(57)【要約】【課題】本発明は、電子部品内蔵基板およびその製造方法に関する。【解決手段】本発明は、絶縁層と内部回路層が積層された多層基板と、前記絶縁層に形成され、前記内部回路層を互いに連結して電気的に接続されるビアと、前記多層基板の一面に形成されるキャビティと、前記キャビティに挿入される第１電子部品と、前記第１電子部品と対向するキャビティの表面に形成されたバンプパッドと、で構成され、第１電子部品がキャビティに側面実装された電子部品を提供することにより、プリント回路基板の小型化および多機能化を具現することができる。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層と内部回路層が積層された多層基板と、
前記絶縁層に形成され、前記内部回路層を互いに電気的に連結するビアと、
前記多層基板の一面に形成されるキャビティと、
前記キャビティに挿入される第１電子部品と、
前記第１電子部品と対向する前記キャビティの表面に形成されたバンプパッドと、を含み、
前記バンプパッドは、前記絶縁層および前記ビアが前記キャビティの側壁に露出して形成されている、電子部品内蔵基板。
【請求項２】
前記第１電子部品は、ＲＦ素子、ＩＣ、受動素子または能動素子である、請求項１に記載の電子部品内蔵基板。
【請求項３】
前記第１電子部品を支持するように、前記キャビティの底面に形成される支持台をさらに含む、請求項１または２に記載の電子部品内蔵基板。
【請求項４】
前記キャビティと前記第１電子部品との間の空間を充填する封止材をさらに含む、請求項１〜３のいずれか１項に記載の電子部品内蔵基板。
【請求項５】
前記バンプパッドと前記第１電子部品との間に介在される導電性ボールをさらに含む、請求項１〜４のいずれか１項に記載の電子部品内蔵基板。
【請求項６】
前記導電性ボールは、
環状のコアと、
前記コアの外部を包む伝導性物質の中間層と、
前記中間層上に形成された接着性フィルムと、を含む、請求項５に記載の電子部品内蔵基板。
【請求項７】
前記コアは、温度に比例して体積が増加し、特定の温度で硬化する、請求項６に記載の電子部品内蔵基板。
【請求項８】
前記コアの内部には、エア（ａｉｒ）が充填された空洞が形成されている、請求項６に記載の電子部品内蔵基板。
【請求項９】
前記第１電子部品は、上面に形成された接続パッドを含み、
前記接続パッドと前記バンプパッドはワイヤで連結される、請求項１〜８のいずれか１項に記載の電子部品内蔵基板。
【請求項１０】
前記多層基板の側部に結合する第２電子部品をさらに含む、請求項１〜９のいずれか１項に記載の電子部品内蔵基板。
【請求項１１】
前記第２電子部品は、ＲＦ素子、ＩＣ、受動素子または能動素子である、請求項１０に記載の電子部品内蔵基板。
【請求項１２】
絶縁層と内部回路層が積層された多層基板を準備する段階と、
前記多層基板の一面にキャビティを形成する段階と、
前記キャビティに第１電子部品を実装する段階と、を含み、
前記キャビティを形成する段階は、
前記第１電子部品と対向する前記キャビティの表面にバンプパッドを形成する段階を含む、電子部品内蔵基板の製造方法。
【請求項１３】
前記第１電子部品を実装する段階は、
前記バンプパッドに導電性ボールを付着した後、前記第１電子部品を前記キャビティに挿入する、請求項１２に記載の電子部品内蔵基板の製造方法。
【請求項１４】
前記第１電子部品を実装する段階は、
導電性ボールが付着された前記第１電子部品を前記キャビティに挿入する、請求項１２に記載の電子部品内蔵基板の製造方法。
【請求項１５】
前記第１電子部品を実装する段階は、
前記第１電子部品を前記キャビティに挿入した後、前記バンプパッドと前記第１電子部品をワイヤで連結する、請求項１２に記載の電子部品内蔵基板の製造方法。
【請求項１６】
前記第１電子部品を実装する段階の後、
前記キャビティと前記第１電子部品との間を密封するように前記キャビティに封止材を注入する段階をさらに含む、請求項１２〜１５のいずれか１項に記載の電子部品内蔵基板の製造方法。
【請求項１７】
前記キャビティを形成する段階の後、
前記キャビティの底面に前記第１電子部品を支持する支持台を介在させる段階をさらに含む、請求項１２〜１６のいずれか１項に記載の電子部品内蔵基板の製造方法。
【請求項１８】
前記キャビティに第１電子部品を実装する段階の後、
前記多層基板の側部に第２電子部品を実装する段階をさらに含む、請求項１２〜１７のいずれか１項に記載の電子部品内蔵基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、キャビティが形成された多層基板に電子部品が実装された電子部品内蔵基板およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子製品の小型化、スリム化、および高密度化の傾向に伴い、プリント回路パッケージ基板においても小型化およびスリム化が進められている。
【０００３】
電子製品の多機能化および低コスト化のために、複数の回路層が形成された多層基板に複数のチップを実装している。そのため、パッケージ基板でも、同じサイズ内でより多い実装領域を確保する必要性が生じている。
【０００４】
従来、多層基板の両面の少なくとも一面にバンプパッド（ｂｕｍｐ  ｐａｄ）を形成して、多層基板の両面の少なくとも一面上にＩＣ、受動素子、能動素子などを実装していた。しかし、従来の方式は、実装領域が狭小であるため複数の素子を実装するには限界があり、電子製品の多機能化の具現を妨げていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】韓国公開特許第２０１４‐００７１７６９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、従来の電子部品内蔵基板で提起される前記諸般の欠点と問題点を解決するために導き出されたものであって、多層基板に形成されたキャビティの内部と、多層基板の側面に電子部品が取り付けられることができるようにすることで、電子部品の実装領域が拡張したパッケージ基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の前記目的は、絶縁層と内部回路層が積層された多層基板と、前記絶縁層に形成され、前記内部回路層を互いに連結して電気的に接続されるビアと、前記多層基板の一面に形成されるキャビティと、前記キャビティに挿入される第１電子部品と、前記第１電子部品と対向するキャビティの表面に形成されたバンプパッドと、で構成された電子部品内蔵基板が提供されることにより達成される。
【０００８】
この際、キャビティに挿入される第１電子部品は、導電性ボールにより実装されることができ、導電性ボールは、温度の上昇に伴い体積が増加し、所定の温度で硬化するコアと伝導性物質の中問層および接着性のフィルムで構成され、キャビティと第１電子部品とのギャップに容易に挿入されることができる。
【０００９】
本発明の他の前記目的は、絶縁層と内部回路層が積層された多層基板を準備する段階と、前記多層基板の一面にキャビティを形成する段階と、前記キャビティに第１電子部品を実装する段階と、を含み、第１電子部品が内蔵された基板を製造することができ、多層基板の両側端部に第２電子部品が結合することから電子部品の実装領域が拡張される電子部品内蔵基板の製造方法が提供されることにより達成される。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の一実施形態による電子部品内蔵基板に適用される多層基板を示す図面である。
【図２】本発明の一実施形態による電子部品内蔵基板を示す断面図である。
【図３】本発明の一実施形態による電子部品内蔵基板の変形例を示す図面であって、キャビティに第１電子部品がワイヤ実装された状態を示す断面図である。
【図４】本発明の他の実施形態による電子部品内蔵基板を示す断面図である。
【図５】本発明の他の実施形態による電子部品内蔵基板の変形例を示す図面であって、キャビティに第１電子部品がワイヤ実装された状態を示す断面図である。
【図６Ａ】導電性ボールの断面図であって、３層構造の導電性ボールを示す図面である。
【図６Ｂ】導電性ボールの断面図であって、４層構造の導電性ボールを示す図面である。
【図７】本発明の他の実施形態による電子部品内蔵基板を製造する順序を並べたフローチャートである。
【図８Ａ】本発明の他の実施形態による電子部品内蔵基板の製造方法を示す工程断面図であって、絶縁層と内部回路層が積層された多層基板を準備する段階を示す断面図である。
【図８Ｂ】本発明の他の実施形態による電子部品内蔵基板の製造方法を示す工程断面図であって、キャビティ形成段階を示す断面図である。
【図８Ｃ】本発明の他の実施形態による電子部品内蔵基板の製造方法を示す工程断面図であって、キャビティに第１電子部品を実装する段階を示す断面図である。
【図８Ｄ】本発明の他の実施形態による電子部品内蔵基板の製造方法を示す工程断面図であって、第２電子部品を実装する段階を示す断面図である。
【図９Ａ】ビアをバンプパッドに形成することを示す断面図であって、ビアを形成する段階を示す断面図である。
【図９Ｂ】ビアをバンプパッドに形成することを示す断面図であって、ビアを切断して露出する段階を示す断面図である。
【図９Ｃ】ビアをバンプパッドに形成することを示す断面図であって、ビアが側面に露出したことを示す断面図である。
【図９Ｄ】ビアをバンプパッドに形成することを示す断面図であって、露出したビアをエッチングし、表面処理してバンプパッドを形成することを示す断面図である。
【図１０Ａ】内部回路層をバンプパッドに形成することを示す断面図であって、多層基板の側端を切断して内部回路層を露出することを示す断面図である。
【図１０Ｂ】内部回路層をバンプパッドに形成することを示す断面図であって、側面に内部回路層が露出したことを示す断面図である。
【図１０Ｃ】内部回路層をバンプパッドに形成することを示す断面図であって、露出した内部回路層をエッチングし、表面処理してバンプパッドを形成することを示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
本発明の利点および特徴、そしてそれらを果たす技術などは、添付の図面とともに詳細に後述する実施形態を参照すると明確になるであろう。しかし、本発明は以下に開示される実施形態に限定されず、互いに異なる様々な形態に具現することができる。本実施形態は、本発明の開示を完全にするとともに、本発明が属する技術分野において通常の知識を有する者に発明の範疇を完全に伝達するために提供されることができる。
【００１２】
本明細書で用いられる用語は、実施形態を説明するためのものであり、本発明を限定しようとするものではない。本明細書において、単数型は文章で特に言及しない限り複数型も含む。明細書で用いられる「含む（ｃｏｍｐｒｉｓｅ）」および／または「含んでいる（ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ）」と言及された構成要素、段階、動作および／または素子は一つ以上の他の構成要素、段階、動作および／または素子の存在または追加を排除しない。
【００１３】
まず、図１は本発明の一実施形態による電子部品内蔵基板に適用される多層基板を示す断面図である。図２は本発明の一実施形態による電子部品内蔵基板を示す断面図である。図３は本発明の一実施形態による電子部品内蔵基板の変形例を示す図面であって、キャビティに第１電子部品がワイヤ実装された状態を示す断面図である。
【００１４】
図１〜図３に図示されたように、本発明の一実施形態による電子部品内蔵基板１００は、樹脂絶縁材料を主成分とする絶縁層１１１と内部回路層１１２が交互に積層された多層基板１１０を含む。
【００１５】
絶縁層１１１は、光硬化性または熱硬化性の樹脂絶縁材料、具体的には、光応答性モノマーが含まれた樹脂またはエポキシのような熱硬化性樹脂の硬化物を含むビルドアップ材料で形成されることができる。
【００１６】
絶縁層１１１の少なくとも一面には、金属パターンが印刷されて形成された内部回路層１１２が形成されることができる。図１に図示されたように、多層基板１１０の表面の少なくとも一部は、内部回路層１１２が露出した接続端子を含むことができる。接続端子は、受動素子、能動素子のような各種の電子部品が実装される領域になりうる。
【００１７】
内部回路層１１２は、絶縁層１１１を境界として電気的に絶縁されることができる。この際、絶縁層１１１にビア１１３が形成されることができ、絶縁層１１１の上下にそれぞれ形成される内部回路層１１２がビア１１３を介して電気的に連結されることができる。ビア１１３は、一方向、すなわち、下部にテーパ状の形態に構成されたり、中心に向かってテーパ状に形成されて、臼状の形状を有することができる。
【００１８】
一方、多層基板１１０は、少なくとも一面にキャビティ１３０が形成されることができる。キャビティ１３０は、電子部品が実装される領域として多層基板１１０に陥没形成されることができる。キャビティ１３０が多層基板１１０に陥没形成される場合、キャビティ１３０に挿入された電子部品が多層基板１１０の表面に突出しなかったり、突出してもその突出領域が大きくなく、本実施形態による電子部品内蔵基板の軽薄化に適うことができる。
【００１９】
キャビティ１３０の表面には、電子部品と連結されるバンプパッド１２０を含むことができる。バンプパッド１２０は、第１電子部品１６０に対応して形成されることができ、バンプパッド１２０と第１電子部品１６０との間に導電性ボール１４０が介在されて、両者が電気的に連結されることができる。バンプパッド１２０の形成方法については、電子部品内蔵基板の製造方法について説明するときより詳細に説明する。
【００２０】
第１電子部品１６０は、キャビティ１３０に挿入されるものであって、キャパシタ、抵抗、インダクタ、フィルタなどの受動素子だけでなく、ＩＣ、Ａｍｐなどの能動素子またはＲＦ素子であってもよい。
【００２１】
第１電子部品１６０は、多層基板１１０と電気的に連結される外部電極を含むことができ、外部電極は、接続パッド１６１で構成されることができる。キャビティ１３０の側面に形成されたバンプパッド１２０は、導電性ボール１４０またはワイヤ（ｗｉｒｅ）により、第１電子部品１６０の表面に形成された接続パッド１６１と接続されることができる。
【００２２】
キャビティ１３０の底面には、第１電子部品１６０を支持する支持台をさらに含むことができる。支持台は、キャビティ１３０内に実装される第１電子部品１６０の外部電極とキャビティ１３０に形成されたバンプパッド１２０の位置を整列させることができ、整列された第１電子部品１６０の移動を防止することができる。支持台は、絶縁性を有する公知の材料を含むことができ、第１電子部品１６０の固定のための接着性の物質をさらに含むことができる。
【００２３】
導電性ボール１４０は、第１電子部品１６０とバンプパッド１２０との間に介在される。第１電子部品１６０とキャビティ１３０との間に導電性ボール１４０を介在した後、加熱すると、導電性ボール１４０は、温度の上昇に伴い体積が膨張して、第１電子部品１６０とキャビティ１３０との間の空間に拡張されることができる。これにより、第１電子部品１６０とバンプパッド１２０は互いに電気的に連結される。
【００２４】
一方、第１電子部品１６０の上面に形成された接続パッド１６１は、ワイヤ１４１を媒介としてバンプパッド１２０と接続することができる。ワイヤ１４１は、第１電子部品１６０とキャビティ１３０との間の空間が狭小であるため、キャビティ１３０の側面に形成されたバンプパッド１２０に連結されることがより好ましい。
【００２５】
第１電子部品１６０が実装されてバンプパッド１２０と電気的に連結されると、第１電子部品１６０とキャビティ１３０との間の空間は、封止材１８０を充填して密封することができる。第１電子部品１６０とキャビティ１３０との間の空間に水分が流入されると、多層基板１１０のクラックを誘発することがあり、流入された水分は導電性ボール１４０の電気接続度を低下させることがある。また、他の工程の進行中に流動される第１電子製品１６０は、導電性ボール１４０のクラックまたは断線を誘発することがある。したがって、封止材１８０は、導電性ボール１４０を保護し、第１電子部品１６０を固定して、外部刺激から導電性ボール１４０と第１電子部品１６０を保護することができる。
【００２６】
封止材１８０は、絶縁性の樹脂、ＭＵＦ（Ｍｏｌｄｅｄ  Ｕｎｄｅｒ  Ｆｉｌｌ）などからなることができる。粒子が小さい封止材１８０は、第１電子部品１６０とキャビティ１３０との間に容易に充填されることからキャビティの隙間を密封することができる。また、封止材１８０は、第１電子部品１６０で発生した熱を分散させることもできる。
【００２７】
一方、図４と図５に図示されたように、本発明の他の実施形態として、多層基板１１０の側部には第２電子部品１７０が結合することができる。多層基板１１０の両側部は、多層基板１１０の内部回路層１１２やビア１１３と第２電子部品１７０を電気的に連結する外部パッド１５０をさらに含むことができる。
【００２８】
第２電子部品１７０は、キャパシタ、抵抗、インダクタ、キャパシタ、フィルタなどの受動素子だけでなく、ＩＣ、Ａｍｐなどの能動素子またはＲＦ素子であってもよい。多層基板１１０の側面に実装される第２電子部品１７０は、キャビティ１３０に実装される第１電子部品１６０および多層基板１１０の表面に実装されるその他の電子部品とともに多層基板１１０に実装されることから、本実施形態による電子部品内蔵基板２００が使用される電子製品の高性能化および多機能化を具現することができる。
【００２９】
第２電子部品１７０は、電気伝導性を有する半田（ｓｏｌｄｅｒ）により多層基板１１０に結合することができる。または、第２電子部品１７０は、導電性ボール１４０を媒介として多層基板１１０と結合することができる。
【００３０】
外部パッド１５０の形成方法については、電子部品内蔵基板の製造方法について説明するときより詳細に説明する。
【００３１】
一方、図６Ａ及び図６Ｂは導電性ボールの断面図であって、図６Ａは３層構造の導電性ボールを示す図であり、図６Ｂは４層構造の導電性ボールを示す図である。
【００３２】
導電性ボール１４０は、電気伝導性を有する公知の物質であって、基板と電子部品を連結する媒介体であり、半田（ｓｏｌｄｅｒ）で構成されることができる。
【００３３】
または、導電性ボール１４０は、内側に形成された環状のコア１４０ａと、伝導性物質の中問層１４０ｂと、最外側に形成された接着性フィルム１４０ｃと、で構成されることができる。コア１４０ａは、温度の増減に伴い体積が増減し、圧力が減少すると体積が膨張することができ、所定の温度で硬化されることができる。
【００３４】
一方、コア１４０ａは、内部に空洞１４０ｄが形成された中空構造に形成されることができる。すなわち、コア１４０ａの内部にエア（ａｉｒ）が充填された形態であってもよい。エアは、温度の上昇に伴い膨張しやすいため、導電性ボール１４０の膨張による接触力が向上し、コア１４０ａの原料コストを下げることができる効果がある。
【００３５】
中問層１４０ｂは、伝導性が良好で、軟性を有する物質であってもよく、Ａｕ、Ａｇ、伝導性繊維、グラファイト（ｇｒａｐｈｉｔｅ）などで構成されることができる。
【００３６】
接着性フィルム１４０ｃは、ＡＣＦボンディングフィルムで構成されることができ、ＡＣＦボンディングフィルムは、エポキシ樹脂として、導電性ボール１４０が電子部品またはバンプパッド１２０に接着されるようにすることができる。導電性ボール１４０は、第１電子部品１６０の外部電極に付着された後、第１電子部品１６０がキャビティ１３０に挿入されることで、キャビティ１３０に挿入されることができる。または、導電性ボール１４０は、キャビティ１３０に第１電子部品１６０が挿入される前にキャビティ１３０の表面に形成されたバンプパッド１２０にまず付着されることができる。後者の場合、導電性ボール１４０は、キャビティ１３０と第１電子部品１６０との間の微細空間に予め挿入されることから、導電性ボール１４０の電気接続不良または隣り合う導電性ボール１４０同士の接触による短絡（ｓｈｏｒｔ）を防止することができる。
【００３７】
次に、電子部品内蔵基板の製造方法について説明する。図７は本発明の他の実施形態による電子部品内蔵基板を製造する順序を並べたフローチャートである。図８Ａ〜図８Ｄは本発明の他の実施形態による電子部品内蔵基板の製造方法を示す工程断面図であって、図８Ａは絶縁層と内部回路層が積層された多層基板を準備する段階を示す断面図であり、図８Ｂはキャビティ形成段階を示す断面図であり、図８Ｃはキャビティに第１電子部品を実装する段階を示す断面図であり、図８Ｄは第２電子部品を実装する段階を示す断面図である。
【００３８】
図７および図８Ａ〜図８Ｄに図示されたように、本発明の他の実施形態による電子部品内蔵基板の製造方法は、絶縁層１１１と内部回路層１１２が積層された多層基板１１０を準備する段階（Ｓ１１０）と、キャビティ１３０の形成段階（Ｓ１２０）と、キャビティ１３０に第１電子部品１６０を実装する段階（Ｓ１３０）と、第２電子部品１７０を実装する段階（Ｓ１４０）と、で構成されることができる。
【００３９】
図８Ａに図示されたように、絶縁層１１１の表面に少なくとも一つの金属パターンが印刷されて形成された内部回路層１１２を形成し、異なる層に形成された内部回路層１１２同士の間を電気的に連結するように絶縁層１１１に形成されるビア１１３を有する多層基板１１０を準備する（Ｓ１１０）。
【００４０】
次に、図８Ｂに図示されたように、多層基板１１０の一面にキャビティ１３０を形成して第１電子部品１６０が挿入されることができる領域を形成する（Ｓ１２０）。キャビティ１３０は、ＣＯ２レーザ、ＹＡＧレーザ工法やＣＮＣを用いたドリリング工法により形成することができる。
【００４１】
キャビティ１３０の表面の少なくとも一部には、第１電子部品１６０と電気的に連結されるバンプパッド１２０が形成されることができ、バンプパッド１２０は、内部回路層１１２またはビア１１３がキャビティ１３０の表面に露出して形成されることができる。
【００４２】
次に、図８Ｃに図示されたように、キャビティ１３０に第１電子部品１６０を実装する段階において、導電性ボール１４０は、リフロー工程によりバンプパッド１２０と第１電子部品１６０とを電気的に接続させる（Ｓ１３０）。
【００４３】
導電性ボールのコア１４０ａは、温度の上昇に伴い体積が膨張されるが、コアの体積が所定の方向に拡張されるものではない。したがって、導電性ボール１４０の膨張を水平面の一方向へ制御するために回転工程が必要となりうる。このために、多層基板１１０の下面には、キャビティ１３０の中心軸を基準として多層基板１１０を回転させる手段が存在しうる。回転手段によって多層基板１１０が回転すると、導電性ボール１４０は、遠心力によって水平に移動することができる。この際、キャビティ１３０の側面に接着された導電性ボール１４０は、キャビティ１３０の側面に移動して、第１電子部品１６０とバンプパッド１２０が連結される。
【００４４】
次に、多層基板１１０の側部に第２電子部品１７０を実装する段階が行われる。多層基板１１０の側部には、第２電子部品１７０が実装される外部パッド１５０が備えられる。
【００４５】
一方、バンプパッド１２０と外部パッド１５０の形成方法は、図９Ａ〜図９Ｄと図１０Ａ〜図１０Ｃを参照して説明する。この際、図９Ａ〜図９Ｄはビアをパッドに形成することを示す断面図であって、図９Ａはビア形成する段階を示す断面図であり、図９Ｂはビアを切断して露出する段階を示す断面図であり、図９Ｃはビアが側面に露出したことを示す断面図であり、図９Ｄは露出したビアをエッチングし、表面処理してパッドを形成することを示す断面図である。図１０Ａ〜図１０Ｃは内部回路層をパッドに形成することを示す断面図であって、図１０Ａは多層基板の側端を切断して内部回路層を露出することを示す断面図であり、図１０Ｂは側面に内部回路層が露出したことを示す断面図であり、図１０Ｃは露出した内部回路層をエッチングし、表面処理してパッドを形成することを示す断面図である。
【００４６】
図９Ａ〜図９Ｄに図示されたように、バンプパッド１２０と外部パッド１５０は、ビア１１３を垂直に切断して側部を露出し、後工程を経て形成されることができる。
【００４７】
図９Ａ〜図９Ｄには一字型のビア１１３が図示されているが、ビア１１３は、一方向にテーパが形成された形状または中心に向かってテーパが形成された臼状の形状を有することができる。バンプパッド１２０と外部パッド１５０は、露出面積が大きいほど電気接続度が向上するため、ビア１１３を切断する工程は、ビア１１３の垂直中心軸を基準として切断して露出するビア１１３の面積を極大化することができる。
【００４８】
キャビティ１３０の加工工程などにより外部に露出したビア１１３は、Ｃｕエッチング工程を実施して陥没部が形成されることができる。陥没部は、絶縁層より低く形成されるため、導電性ボール１４０をバンプパッド１２０に接着する際に精巧に位置させることができる。
【００４９】
次に、陥没部に金属層を形成する段階が行われることができる。金属層は、導電性ボール１４０の接着の際に接触度を向上させることができる。金属層は、電解めっき、無電解めっき、その他のスクリーン印刷などにより形成することができるが、特にこれを制限する必要はない。
【００５０】
また、図１０Ａ〜図１０Ｃに図示されたように、バンプパッド１２０と外部パッド１５０は、内部回路層１１２を垂直に切断して側部を露出し、後工程を経て形成されることができる。内部回路層１１２および絶縁層１１１が交互に積層された多層基板１１０の側面が切断されると、側部に内部回路層１１２が露出する。
【００５１】
次に、ビア１１３を用いたバンプパッド１２０と外部パッド１５０の形成方法と同様に、Ｃｕエッチング工程および金属層形成段階を経て形成されることができる。
【００５２】
以上の詳細な説明は、本発明を例示するものである。また、上述の内容は、本発明の好ましい実施形態を示し説明するものに過ぎず、本発明は、様々な他の組み合わせ、変更および環境で使用することができる。すなわち、本明細書に開示された発明の概念の範囲、上述の開示内容と均等な範囲および／または当業界における技術または知識の範囲内で変更または修正が可能である。上述の実施形態は、本発明を実施することにおいて最善の状態を説明するためのものであって、本発明と同様な他の発明を利用するために当業界に公知の他の状態への実施、そして発明の具体的な適用分野および用途で要求される様々な変更も可能である。したがって、以上の発明の詳細な説明は、開示された実施状態で本発明を制限するためのものではない。また、添付の特許請求の範囲は、他の実施状態をも含むものと解釈すべきである。
【符号の説明】
【００５３】
１００、２００  電子部品内蔵基板
１１０  多層基板
１１１  絶縁層
１１２  内部回路層
１１３  ビア
１２０  バンプパッド
１３０  キャビティ
１４０  導電性ボール
１４０ａ  コア
１４０ｂ  中問層
１４０ｃ  接着性フィルム
１４０ｄ  空洞
１４１  ワイヤ
１５０  外部パッド
１６０  第１電子部品
１６１  接続パッド
１７０  第２電子部品
１８０  封止材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図７】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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【図８Ｃ】
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【図８Ｄ】
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【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
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【図９Ｃ】
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【図９Ｄ】
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【図１０Ａ】
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【図１０Ｂ】
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【図１０Ｃ】
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