(57)【要約】【課題】動作信頼性を向上させることができる電子デバイスを提供する。【解決手段】加速度スイッチは、中央電極３２と、錘部３４と、梁部３５と、を備え、梁部３５は、錘部３４３の周囲を取り囲む円弧部５１と、円弧部５１の一端である第１接続点Ｐ１を介して錘部３４に接続される錘部側接続部５２と、円弧部５１の他端である第２接続点Ｐ２を介して枠体３１に接続される枠体側接続部５３と、を有し、平面視で、中央電極３２の中心と第１接続点Ｐ１とを通る第１の直線と、中央電極３２の中心と第２接続点Ｐ２とを通る第２の直線と、は角θだけ離間するように構成される。【選択図】図１
2016173951.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
中央電極と、
前記中央電極を内側に収容するとともに、内側面が前記中央電極の外側面に接離可能とされた中空円筒状の錘部と、
前記錘部の周囲を取り囲むとともに、支持部との間で前記錘部を弾性支持する梁部と、を備え、
前記梁部は、前記錘部の周囲を取り囲む円弧状の本体部と、前記本体部の一端である第１接続点を介して前記錘部に接続される錘部側接続部と、前記本体部の他端である第２接続点を介して前記支持部に接続される支持部側接続部と、を有し、
平面視で、前記中央電極の中心と前記第１接続点とを通る第１の直線と、前記中央電極の中心と前記第２接続点とを通る第２の直線と、がなす角θ（ｒａｄ）は、式（１）を満たすθｍｉｎよりも大きいことを特徴とする電子デバイス。
【数３】
2016173951.tif 000006
ここで、ｒは前記本体部の半径（ｍ）、ｗは前記本体部の幅（ｍ）、Ｒは前記錘部の外径（ｍ）、とする。
【請求項２】
前記本体部の内側面と前記錘部の外側面との少なくとも何れか一方の側面には、対向する側面に向かって突出する梁移動制限部が備わることを特徴とする請求項１記載の電子デバイス。
【請求項３】
前記錘部側接続部と前記支持部側接続部の相互に対向する側面のうち少なくとも何れか一方の側面には、対向する側面に向かって突出する突起部が備わることを特徴とする請求項１または請求項２記載の電子デバイス。
【請求項４】
前記錘部側接続部と前記支持部側接続部の相互に対向する側面のうち少なくとも何れか一方の側面は、スティッキング防止膜が被覆されることを特徴とする請求項１から請求項３の何れか一項に記載の電子デバイス。
【請求項５】
前記本体部の内側面と前記錘部の外側面との少なくとも何れか一方の側面は、スティッキング防止膜が被覆されることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の電子デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子デバイスに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
電子デバイスの一つとして、初期状態では接点が開（ＯＦＦ状態）であり、加速度が入力されたときに接点が閉（ＯＮ状態）となる加速度スイッチが知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
以下、図１３に基づいて従来の加速度スイッチについて簡単に説明する。
図１３に示すように、加速度スイッチ２００は、中央電極２０１と、中央電極２０１を内側に収容する収容孔２０２を有するとともに、中央電極２０１に接離可能とされた錘部２０３と、錘部２０３の周囲を取り囲む円弧状とされ、枠体２０４との間で錘部２０３を弾性支持する梁部２０５と、を備えている。
【０００４】
この構成によれば、加速度スイッチ２００に入力される加速度に応じて、中央電極２０１と錘部２０３とが相対移動することで、中央電極２０１と錘部２０３とが接触する。これにより、中央電極２０１及び錘部２０３に形成された電極膜同士が導通し、ＯＮ状態となる。このような加速度スイッチ２００では、ノーマリーオフかつ無指向のスイッチとして使用でき、またＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍｓ）技術を利用して製造することにより、小型化及び大量生産が可能になる等のメリットがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特許第４９９６７７１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上述した従来の加速度スイッチ２００では、図１４に示すように、加速度スイッチ２００に対して入力される加速度の方向や大きさによっては、加速度入力時に梁部２０５が変位することで、梁部２０５のうち、錘部２０３に接続される錘部側接続部２１０と、枠体２０４に接続される枠体側接続部２１１と、が接触する場合がある。そして、梁部２０５をシリコンなどの半導体材料で形成した場合、上記錘部側接続部２１０及び枠体側接続部２１１とが接触した際、双方が貼付するスティッキング現象が生ずることで、加速度スイッチ２００の動作不良を引き起こすおそれがある。
本発明は、このような事情に考慮してなされたもので、その目的は、動作信頼性を向上させることができる電子デバイスを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の課題を解決するため、本発明の電子デバイスは、中央電極と、前記中央電極を内側に収容するとともに、内側面が前記中央電極の外側面に接離可能とされた中空円筒状の錘部と、前記錘部の周囲を取り囲むとともに、支持部との間で前記錘部を弾性支持する梁部と、を備え、前記梁部は、前記錘部の周囲を取り囲む円弧状の本体部と、前記本体部の一端である第１接続点を介して前記錘部に接続される錘部側接続部と、前記本体部の他端である第２接続点を介して前記支持部に接続される支持部側接続部と、を有し、平面視で、前記中央電極の中心と前記第１接続点とを通る第１の直線と、前記中央電極の中心と前記第２接続点とを通る第２の直線と、がなす角θ（rad）は、式（１）を満たすθｍｉｎよりも大きいことを特徴とする。
【０００８】
【数１】
2016173951.tif 000003
【０００９】
ここで、ｒは前記本体部の半径（ｍ）、ｗは前記本体部の幅（ｍ）、Ｒは前記錘部の外径（ｍ）、とする。
この構成によれば、（１）式に示されるように、中央電極の中心と第１接続点とを通る第１の直線と、中央電極の中心と第２接続点とを通る第２の直線と、がなす角θ（ｒａｄ）がθmin以上となるように設定されているので、電子デバイスに入力される加速度の方向や大きさに依らず、錘部側接続部と支持部側接続部との接触を確実に回避することができる。すなわち、この構成によれば、双方のスティッキング現象を防止でき、電子デバイスの動作信頼性を向上させることができる。。
【００１０】
また、本発明の電子デバイスは、前記本体部の内側面と前記錘部の外側面との少なくとも何れか一方の側面には、対向する側面に向かって突出する梁移動制限部が備わることを特徴とする。
この構成によれば、梁移動制限部によって式（１）中のｒ−ｗ／２−Ｒ（すなわち、梁部の最大変位量を表す錘部と本体部との間の間隙）を小さくすることができるので、梁の変位を制限することができ、より小さなθｍｉｎで錘部側接続部と支持部側接続部との接触を回避することができるので、加速度スイッチの等方性を確保しつつ双方のスティッキング現象を防止でき、電子デバイスの動作信頼性を向上させることができる。
【００１１】
また、本発明の電子デバイスは、前記錘部側接続部と前記支持部側接続部の相互に対向する側面のうち少なくとも何れか一方の側面には、対向する側面に向かって突出する突起部が備わることを特徴とする。
この構成によれば、仮に錘部側接続部と支持部側接続部との接触が発生したとしても、対向する側面に向かって突出する突起部と他方の側面とが接触されるように構成されるので、双方の側面が平坦面同士であるような場合に比べて接触面積が低減され、双方のスティッキング現象を防止でき、電子デバイスの動作信頼性を向上させることができる。
【００１２】
また、本発明の電子デバイスは、前記錘部側接続部と前記支持部側接続部の相互に対向する側面のうち少なくとも何れか一方の側面は、スティッキング防止膜が被覆されることを特徴とする。
この構成によれば、仮に錘部側接続部と支持部側接続部との接触が発生したとしても、スティッキング防止膜によって接触時の密着力を低減することで、双方のスティッキング現象を防止でき、電子デバイスの動作信頼性を向上させることができる。
【００１３】
また、本発明の電子デバイスは、前記本体部の内側面と前記錘部の外側面との少なくとも何れか一方の側面は、スティッキング防止膜が被覆されることを特徴とする。
この構成によれば、錘部側接続部と支持部側接続双方のスティッキング現象を防止できるとともに、さらに錘部と梁部とのスティッキング現象も防止できる為、電子デバイスの動作信頼性をさらに向上させることができる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、動作信頼性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】第１実施形態におけるスイッチ本体の平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ´線に相当する加速度スイッチの断面図である。
【図３】加速度スイッチの製造方法を説明するための工程図であって、図２に相当する断面図である。
【図４】加速度スイッチの製造方法を説明するための工程図であって、図２に相当する断面図である。
【図５】加速度スイッチの作用を説明するための説明図であって、図１に相当する平面図である。
【図６】第２実施形態におけるスイッチ本体の平面図である。
【図７】第３実施形態におけるスイッチ本体の平面図である。
【図８】第３実施形態におけるスイッチ本体の平面図である。
【図９】第４実施形態におけるスイッチ本体の平面図である。
【図１０】第４実施形態におけるスイッチ本体の平面図である。
【図１１】第５実施形態におけるスイッチ本体の平面図である。
【図１２】第５実施形態におけるスイッチ本体の平面図である。
【図１３】従来の加速度スイッチの平面図である。
【図１４】図１３のＤ部拡大図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
次に、本発明の実施形態について説明する。
＜第１実施形態＞
［加速度スイッチの構造］
図１は第１実施形態におけるスイッチ本体１１の平面図であり、図２は図１のＡ−Ａ´線に相当する断面図である。
図１、図２に示すように、本実施形態の加速度スイッチ１は、スイッチ本体１１と、スイッチ本体１１を厚さ方向で挟持する第１基板１２及び第２基板１３（図２参照）と、を備えている。
【００１７】
（スイッチ本体）
図２に示すように、スイッチ本体１１は、例えばシリコン等からなる基板２０を用いてＭＥＭＳ技術によって製造されるものである。なお、以下の説明では、基板２０の厚さ方向（図２における上下方向）を単に厚さ方向といい、図２における下側を厚さ方向の下方とし、上側を厚さ方向の上方とする。
【００１８】
図１、図２に示すように、スイッチ本体１１は、枠体（支持部）３１と、枠体３１の内側に配置された中央電極３２と、枠体３１と中央電極３２との間に配置され、中央電極３２を内側に収容する収容孔３３を有する錘部３４と、錘部３４の周囲を取り囲む円弧状とされ、枠体３１との間で錘部３４を弾性支持する梁部３５と、を備えている。なお、以下の説明において、梁部３５の周方向を単に周方向とし、梁部３５の径方向を単に径方向とする。
枠体３１は、厚さ方向から見た平面視で矩形状とされ、その中央部には基板２０を厚さ方向に貫通する円形の貫通孔３１ａが形成されている。
【００１９】
中央電極３２は、枠体３１の中心（貫通孔３１ａの中心）を通り、厚さ方向に沿って延びる円柱状とされている。なお、スイッチ本体１１のうち、少なくとも枠体３１及び中央電極３２の両面には、第１基板１２及び第２基板１３とスイッチ本体１１とをそれぞれ接合するための第１接合膜４１及び第２接合膜４２（例えば、Ａｕ／Ｎｉ等）が形成されている。図示の例において、スイッチ本体１１のうち、厚さ方向における他端側の主面には、錘部３４及び梁部３５上を含む全体に第２接合膜４２が形成されている。
【００２０】
錘部３４は、厚さ方向から見た平面視で円形とされ、その中央部には基板２０を厚さ方向に貫通する収容孔３３が形成されている。なお、錘部３４の外径は、枠体３１の貫通孔３１ａの内径よりも小さく、収容孔３３の内径は中央電極３２の外径よりも大きくなっている。したがって、錘部３４は、その内側面と中央電極３２の外側面との間に径方向におけるギャップが設定されるとともに、加速度スイッチ１への加速度の入力により中央電極３２に対して接離可能とされている。なお、ギャップの径方向における幅（以下、単にギャップ量Ｇという）は、周方向の全周に亘って均一になっていることが好ましい。
【００２１】
また、錘部３４のうち、厚さ方向における上端部は、下端部よりも径方向の内側に張り出した張出部３６を構成している。そして、錘部３４の内側面のうち、少なくとも張出部３６に位置する部分と、中央電極３２の外側面のうち、張出部３６と対向する部分と、には、それぞれ電極膜４５，４６が形成されている。したがって、加速度スイッチ１は、初期状態においてギャップを挟んで電極膜４５，４６同士が対向したＯＦＦ状態となっている。なお、電極膜４５，４６は、上述した第２接合膜４２に各別に接続されている。
【００２２】
梁部３５は、枠体３１及び錘部３４よりも薄く形成され、弾性変形可能とされている。具体的に、梁部３５は、錘部３４の周囲をほぼ全周に亘って取り囲む円弧部５１（本体部）と、円弧部５１の周方向における一端である第１接続点Ｐ１を介して円弧部５１と錘部３４とを接続する錘部側接続部５２と、円弧部５１の周方向における他端である第２接続点Ｐ２を介して円弧部５１と枠体３１とを接続する枠体側接続部５３と、を備えている。
円弧部５１は、錘部３４の周囲を取り囲むように周方向の全周に亘って一定の曲率半径で延在した円弧状の枠体からなる。
【００２３】
錘部側接続部５２は、径方向に沿って延在する平面視矩形状の部材であり、両端に円弧部５１と錘部３４とがそれぞれ接続される。具体的に、錘部側接続部５２は、径方向における内側端部が錘部３４の外側面に連設され、径方向における外側端部が円弧部５１における周方向の一端部に連設されている。なお、錘部側接続部５２における径方向の外側端部が、円弧部５１よりも径方向の外側に突出する突起部を有する構成としてもよい。
【００２４】
枠体側接続部５３は、径方向に沿って延在し、錘部側接続部５２と同形同大の部材からなり、両端に円弧部５１と枠体３１とがそれぞれ接続される。具体的に、枠体側接続部５３は、径方向における外側端部が枠体３１の内側面に連設され、径方向における内側端部が円弧部５１における周方向の他端部に連設されている。ここで、円弧部５１は、図１に示すように、平面視で、中央電極３２の中心Ｐ０と第１接続点Ｐ１とを通る第１の直線Ｌ１と、中央電極３２の中心Ｐ０と第２接続点Ｐ２とを通る第２の直線Ｌ２と、がなす角である角θ（ｒａｄ）分だけ切り欠いた切り欠き円環状からなる。つまり、錘部側接続部５２と枠体側接続部５３とは、静止状態でそれぞれ角θ分傾斜した方向に延在する。
当該角θ（ｒａｄ）は、以下の式（１）を満たすθｍｉｎよりも大きい角度からなる。式（１）は、
【００２５】
【数２】
2016173951.tif 000004
【００２６】
であり、ｒは円弧部５１の半径（ｍ）、ｗは円弧部５１の幅（ｍ）、Ｒは錘部３４の外径（ｍ）、とする。
ここで、θｍｉｎは、加速度スイッチ１に加速度が入力されて、枠体３１及び中央電極３２と、錘部３４と、が梁部３５により相対移動することで錘部側接続部５２と枠体側接続部５３とが接近した場合に、上記入力された加速度の大きさや方向に依らず、錘部側接続部５２と枠体側接続部５３とが接触しないための最小角を表している。換言すると、θｍｉｎは、静止状態から加速度が印可された際の梁部３５の最大移動可能距離と、静止状態における錘部側接続部５２と枠体側接続部５３との間の離間距離との等式を表すものである。
【００２７】
すなわち、角θが上記のような角度範囲となるように錘部側接続部５２と枠体側接続部５３とを離間配置することにより、加速度スイッチ１は、入力される加速度の方向や大きさに依らず、錘部側接続部５２と枠体側接続部５３との接触を確実に回避することができて、双方のスティッキング現象が防止され動作信頼性が向上することが出来る。
ここで、一例として、θｍｉｎ（°）は、それぞれ、ｒを５３０〜７３０（μｍ）、ｗを８〜２０（μｍ）、Ｒをｒ−３０（μｍ）、とした場合、以下の表１の通りとなる。
【００２８】
【表１】
2016173951.tif 000005
【００２９】
なお、錘部側接続部５２と枠体側接続部５３とがなす角θの上限値であるθｍａｘは、加速度スイッチ１の使用態様や設置環境に応じて適宜に定まるものである。すなわち、加速度スイッチ１は、角θが大きければ大きいほど、任意の平面方向から入力される加速度に対する検知精度が低減する（加速度検知の等方性が低下する）。そのため、加速度スイッチ１について、加速度検知の等方性が要求されない場合、θｍａｘは適宜の値を取り得る。一方で、加速度検知の等方性が必要となる場合、θｍａｘは小さいほど好ましいが、たとえば、本実施形態に係る加速度スイッチ１において、θｍａｘ＝π／２としても、８０％以上の精度で任意の平面方向から入力される加速度の入力を検知できることが確認されている。
【００３０】
したがって、加速度スイッチ１は、角θをθｍｉｎ以上且つθｍａｘ＝π／２以下に設定することにより、スティッキング現象を防止して動作信頼性を向上できるとともに、等方性加速度検知用のスイッチとして十分な実用性を確保できているといえる。
【００３１】
（第１基板及び第２基板）
図２に示すように、第１基板１２は、例えばガラス等からなり、平面視外形がスイッチ本体１１と同等の形状を呈し、厚さ方向における下方からスイッチ本体１１を覆っている。また、第１基板１２は、第１接合膜４１を介してスイッチ本体１１の枠体３１及び中央電極３２に接合されている。また、第１基板１２におけるスイッチ本体１１側の主面のうち、枠体３１及び中央電極３２以外に位置する部分は、錘部３４の変位を許容する逃げ部５６が形成されている。
【００３２】
第２基板１３は、第１基板１２と同様の材料からなるとともに、平面視外形がスイッチ本体１１と同等の形状を呈し、厚さ方向における上方からスイッチ本体１１を覆っている。また、第２基板１３は、第２接合膜４２を介してスイッチ本体１１の枠体３１及び中央電極３２に接合されている。これにより、加速度スイッチ１のうち、枠体３１、第１基板１２、及び第２基板１３で画成された内側空間に、中央電極３２、及び梁部３５が封止されている。また、第２基板１３におけるスイッチ本体１１側の主面のうち、枠体３１及び中央電極３２以外に位置する部分は、錘部３４の変位を許容する逃げ部５７が形成されている。
【００３３】
さらに、第２基板１３のうち、中央電極３２上に位置する部分、及び枠体３１上に位置する部分には、それぞれ厚さ方向に貫通して第２接合膜４２を露出させる露出孔５８が形成されている。そして、第２基板１３には、各露出孔５８を通して第２接合膜４２と外部装置とを導通させるための貫通電極５９（例えば、Ａｌ等）が各別に形成されている。すなわち、第２接合膜４２のうち、中央電極３２上及び枠体３１上に位置する部分は、中央電極３２及び錘部３４の各電極膜４５，４６と外部装置との間を接続するための回路としても機能している。
【００３４】
［加速度スイッチの製造方法］
次に、上述した加速度スイッチ１の製造方法について説明する。図３、図４は、加速度スイッチ１の製造方法を説明するための工程図であって、図２に相当する断面図である。
まず、図３（ａ）に示すように、基板２０の厚さ方向における一端側の主面上に、第１接合膜４１を形成する（第１接合膜形成工程）。具体的には、リフトオフ法等を用い、基板２０の厚さ方向における一端側の主面上のうち、枠体３１、及び中央電極３２に相当する部分のみに第１接合膜４１を残存させる。
【００３５】
次に、図３（ｂ）に示すように、図示しないマスクを用いてＤＲＩＥ（深掘り反応性イオンエッチング）等のドライエッチングを、基板２０の厚さ方向における一端側から行い、基板２０のうち、枠体３１、中央電極３２、及び錘部３４以外に相当する部分に、所定深さの凹部６０を形成する（第１エッチング工程）。なお、凹部６０の深さ（エッチング量）は、基板２０の厚さと梁部３５の厚さとの差分に相当している。
その後、図３（ｃ）に示すように、基板２０のうち、枠体３１及び中央電極３２に対して、第１接合膜４１を介して第１基板１２を接合する（第１基板接合工程）。
【００３６】
次に、図４（ａ）に示すように、図示しないマスクを用いてＤＲＩＥ等のドライエッチングを、基板２０の厚さ方向における他端側から行い、基板２０のうち、枠体３１、中央電極３２、錘部３４、及び梁部３５以外に相当する部分を除去する（第２エッチング工程）。これにより、凹部６０が厚さ方向に貫通することで、梁部３５が成形されるとともに、中央電極３２と錘部３４とがギャップを介して離間した状態になる。
【００３７】
続いて、図４（ｂ）に示すように、スパッタ等を用い、基板２０の厚さ方向における他端側の主面全体に亘って第２接合膜４２を成膜する（金属膜形成工程）。なお、第２接合膜４２を形成する際の粒子の回り込みにより、錘部３４の内側面及び中央電極３２の外側面に粒子を堆積させることで、錘部３４の内側面及び中央電極３２の外側面に電極膜４５，４６が形成される。
【００３８】
その後、図４（ｃ）に示すように、基板２０のうち、枠体３１及び中央電極３２に対して、第２接合膜４２を介して第２基板１３を接合する（第２基板接合工程）。
最後に、図２に示すように、第２基板１３に対してＡｌ等からなる金属膜を成膜し、その後パターニングすることで、貫通電極５９を形成する（貫通電極形成工程）。
以上により、上述した加速度スイッチ１が完成する。
【００３９】
［加速度スイッチの動作説明］
図５は、加速度スイッチ１の動作説明図であって、図１に相当する平面図である。
このように構成された加速度スイッチ１では、図５に示すように、初期状態の加速度スイッチ１に対して例えば矢印Ｑ方向に加速度が入力されると、錘部３４を除く加速度スイッチ１全体が矢印Ｑ方向に移動する。
【００４０】
一方、錘部３４は、梁部３５を介して枠体３１に支持されているため、慣性によりその場に留まろうとする。これにより、枠体３１及び中央電極３２と錘部３４とが相対移動するとともに、この相対移動に伴い梁部３５が弾性変位する。そして、中央電極３２と錘部３４との電極膜４５，４６（図２参照）同士が電気的に接触することで、加速度スイッチ１がＯＮ状態となる。そして、外部装置は、貫通電極５９を介して加速度スイッチ１のＯＮ状態を検出信号として検出することで、所定の動作を行う。
ここで、本実施形態では、錘部側接続部５２と枠体側接続部５３とは、静止状態でそれぞれ、θｍｉｎよりも大きい角θ分傾斜した方向に延在する構成とした。
【００４１】
この構成によれば、図５に示すように、錘部側接続部５２及び枠体側接続部５３同士が接近する方向に梁部３５が変位した場合であっても、錘部側接続部５２と枠体側接続部５３とが接触することはない。そのため、加速度スイッチ１は、入力される加速度の方向や大きさに依らず、錘部側接続部５２と枠体側接続部５３との接触を確実に回避することができるので、双方のスティッキング現象が防止され、動作信頼性が向上する。
【００４２】
さらに、本実施形態では、円弧部５１の曲率半径が全体に亘って均一とされているため、スイッチ本体１１の面内方向における反応の等方性を確保して、加速度の入力方向の違いによる感度（梁部３５の変位）のばらつきを抑制できる。
【００４３】
＜第２実施形態＞
以下、本発明に係る第２実施形態における加速度スイッチ１について説明する。なお、加速度スイッチ１において第１実施形態における加速度スイッチ１と同一構成については、同一符号を付してその説明を省略する。
【００４４】
図６は、第２実施形態における加速度スイッチ１の平面図である。本第２実施形態に係る加速度スイッチ１においては、錘部側接続部５２と枠体側接続部５３とが角θ分傾斜した方向に延在することに加えて、梁部３５（円弧部５１）の錘部３４に相対する面の一部に梁移動制限部３７を備える。
【００４５】
梁移動制限部３７は、例えば、図６に示すように、円弧部５１の内面から錘部３４の外面に向かって突出する突起である。梁移動制限部３７は、静止状態における、当該梁移動制限部３７の錘部３４側の端面と錘部３４の外面との間の間隙が、錘部側接続部５２と枠体側接続部５３との間の隙間よりも広くなるように形成される。
【００４６】
これにより、梁部３５の変位を上記間隙以下に抑制することが可能となるので、より錘部側接続部５２及び枠体側接続部５３同士の接近を防ぐことができるので、双方のスティッキング現象を一層確実に防ぎ、動作信頼性を向上させることができる。
【００４７】
なお、この梁移動制限部３７は、第１実施形態における第２エッチング工程において梁部３５と同時に形成することができる。また、当該梁移動制限部３７の形状は、図６に示す平面視矩形状のものに限られず、三角形状や丸みを帯びた形状等の適宜の形状に変更が可能であるが、梁移動制限部３７と錘部３４との接触時におけるスティッキング現象を防止するために、錘部３４側の端面は錘部３４の外縁と異なる形状であることが望ましい。さらに、梁移動制限部３７の設けられる位置は円弧部５１の内面であれば何れであっても良い。加えて、梁移動制限部３７の個数も何個に変更しても良い。また、当該梁移動制限部３７は、円弧部５１の内面に替えて、錘部３４の外面に設けることとしても良い。
【００４８】
＜第３実施形態＞
以下、本発明に係る第３実施形態における加速度スイッチ１について説明する。なお、加速度スイッチ１において第１実施形態における加速度スイッチ１と同一構成については、同一符号を付してその説明を省略する。
【００４９】
図７及び図８は第３実施形態における加速度スイッチ１の平面図である。本第３実施形態に係る加速度スイッチ１においては、錘部側接続部５２と枠体側接続部５３とが角θ分傾斜した方向に延在することに加えて、枠体側接続部５３（図７）と錘部側接続部５２（図８）とのいずれか一方の側壁に突起部６１を設ける。当該突起部６１は、例えば、図７及び図８に示すように、先端（対向する錘部側接続部５２，枠体側接続部５３側の端部）へ向かうにつれて先細りとなる錘状や三角柱状からなる。
【００５０】
これにより仮に錘部側接続部５２と支持部側接続部５３との接触が発生したとしても、突起部６１と錘部側接続部５２又は支持部側接続部５３とが接触することとなるので、接触面積を低減することができるので、双方のスティッキング現象を一層確実に防止でき、電子デバイスの動作信頼性を向上させることができる。
【００５１】
なお、この突起部６１は第１実施形態における第２エッチング工程において梁部３５と同時に形成することができる。また、当該突起部６１の形状は、錘状や三角柱状に限られず、半球状の様な丸みを帯びた形状など、錘部側接続部５２と支持部側接続部５３との接触面積を低減可能な形状であれば適宜の変更が可能である。さらに、図７及び図８ではいずれか一方の側壁にのみ突起部６１を備えたものを示したが、錘部側接続部５２及び支持部側接続部５３の双方に突起部６１を備えることとしても勿論良い。
【００５２】
＜第４実施形態＞
以下、本発明に係る第４実施形態における加速度スイッチ１について説明する。なお、加速度スイッチ１において第１実施形態における加速度スイッチ１と同一構成については、同一符号を付してその説明を省略する。
【００５３】
図９及び図１０は第４実施形態における加速度スイッチ１の平面図である。本第４実施形態に係る加速度スイッチ１においては、錘部側接続部５２と枠体側接続部５３とが角θ分傾斜した方向に延在することに加えて、枠体側接続部５３と錘部側接続部５２とのいずれか一方の側壁にスティッキング防止膜６２を設ける。
【００５４】
スティッキング防止膜６２は、例えば、ＳｉＯ２やダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）のような材料からなる絶縁性の被膜である。
これにより仮に錘部側接続部５２と支持部側接続部５３との接触が発生したとしても、スティッキング防止膜６２により双方の接触時の密着力が低減されるので、双方のスティッキング現象を一層確実に防止でき、電子デバイスの動作信頼性を向上させることができる。
【００５５】
なお、図９及び図１０ではいずれか一方の側壁にのみスティッキング防止膜６２を備えたものを示したが、錘部側接続部５２及び支持部側接続部５３の双方にスティッキング防止膜６２を備えることとしても勿論良い。また、当該スティッキング防止膜６２は、図７及び図８に示す突起部６１を被覆するように設けてもよい。
【００５６】
＜第５実施形態＞
以下、本発明に係る第５実施形態における加速度スイッチ１について説明する。なお、加速度スイッチ１において第１実施形態における加速度スイッチ１と同一構成については、同一符号を付してその説明を省略する。
【００５７】
図１１及び図１２は第５実施形態における加速度スイッチ１の平面図である。本第５実施形態に係る加速度スイッチ１においては、錘部側接続部５２と枠体側接続部５３とが角θ分傾斜した方向に延在することに加えて、錘部３４の外周面全体と円弧部５１の内周面全体の少なくともいずれか一方にスティッキング防止膜６３を設ける。
【００５８】
スティッキング防止膜６３は、スティッキング防止膜６２と同様に、例えば、ＳｉＯ２やダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）のような材料からなる絶縁性の被膜である。
これにより錘部側接続部５２と支持部側接続部５３双方のスティッキング現象の防止に加えて、さらに錘部３４と梁部３５（円弧部５１）とのスティッキング現象も防止できる為、電子デバイスの動作信頼性をさらに向上させることができる。
【００５９】
なお、スティッキング防止膜６３は、錘部３４の外周面の一部，円弧部５１の内周面の一部に設けるものであっても良い。また、スティッキング防止膜６３は、第２実施形態〜第４実施形態（図６〜図１０）における加速度スイッチ１に設けることとしても勿論よい。第２実施形態（図６）における加速度スイッチ１にスティッキング防止膜６３を設ける場合、梁移動制限部３７も覆うように被覆することで一層確実にスティッキング現象を防止することができる。
【符号の説明】
【００６０】
１,２００…加速度スイッチ（電子デバイス）
１１…スイッチ本体（構造体基板）
１２…第１基板（上側封止基板）
１３…第２基板（下側封止基板）
２０…基板
３１、２０４…枠体（支持部）
３２…中央電極
３３…収容孔
３４、２０３…錘部
３５、２０５…梁部
３７…梁移動制限部
４１…第１接合膜
４２…第２接合膜
４５,４６…電極膜
５１…円弧部（本体部）
５２、２１０…錘部側接続部
５３、２１１…枠体側接続部
５６,５７…逃げ部
５８…露出孔
５９…貫通電極
６０…凹部
６１…突起部
６２、６３…スティッキング防止膜
【図１】
2016173951.tif 000007
【図２】
2016173951.tif 000008
【図３】
2016173951.tif 000009
【図４】
2016173951.tif 000010
【図５】
2016173951.tif 000011
【図６】
2016173951.tif 000012
【図７】
2016173951.tif 000013
【図８】
2016173951.tif 000014
【図９】
2016173951.tif 000015
【図１０】
2016173951.tif 000016
【図１１】
2016173951.tif 000017
【図１２】
2016173951.tif 000018
【図１３】
2016173951.tif 000019
【図１４】
2016173951.tif 000020