(57)【要約】    【課題】  信頼性の高いプリント配線板の提供。    【解決手段】  実施形態のプリント配線板は実装エリアを有する第２回路基板と実装エリアを露出する開口を有する第１回路基板で形成されている。そして、第１回路基板は補強部材を有し、第１回路基板の厚みＨ１と第２回路基板の厚みｈ１との比（Ｈ１／ｈ１）は０．７５より大きく２．４より小さい。【選択図】  図１
2016004888.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
実装エリアを有する第３面と前記第３面と反対側の第４面とを有する第２回路基板と、
前記第２回路基板の前記第３面上に積層されていて、前記実装エリアを露出するための開口と補強部材とを有する第１回路基板と、からなるプリント配線板であって、
前記第１回路基板は、第１面と前記第１面と反対側の第２面と前記第１面から第２面に至るスルーホール導体用の貫通孔と前記開口とを有する絶縁基板と前記絶縁基板の第１面上に形成されている第１導体層と前記絶縁基板の第２面上に形成されている第２導体層と前記貫通孔に形成され前記第１導体層と前記第２導体層とを接続している前記スルーホール導体とを有し、
前記貫通孔は、前記第１面に第１開口を有する第１開口部と前記第２面に第２開口を有する第２開口部と前記第１開口部と前記第２開口部の接続箇所に形成されている接合面とを有し、
前記第１回路基板の前記第１面は前記第２回路基板の前記第３面と接し、
前記第１回路基板の厚みＨ１と前記第２回路基板の厚みｈ１との比（Ｈ１／ｈ１）は、０．７５より大きく２．４より小さい。
【請求項２】
請求項１のプリント配線板であって、
前記第１開口部は前記第１面から前記第２面に向かってテーパーしていて、前記第２開口部は前記第２面から前記第１面に向かってテーパーしていて、
前記第１回路基板は、前記第２面上に最上の導体層を有し、
前記第２回路基板は、前記第４面上に最下の導体層を有し、
前記最上の導体層の上面から前記接合面との間の距離Ｈ２と前記最下の導体層の上面と前記接合面との間の距離ｈ２との比（Ｈ２／ｈ２）は、０．３５より大きく０．７より小さい。
【請求項３】
第１面と前記第１面と反対側の第２面とを有し、樹脂と補強部材とを含む絶縁基板を準備することと、
前記絶縁基板の前記第２面に第２導体層を形成することと、
前記絶縁基板の前記第１面にダミーパターンを含む第１導体層を形成することと、
前記絶縁基板の前記第１面と前記第１導体層上に実装エリアを有する第３面と前記第３面と反対側の第４面とを有する第２回路基板を前記第３面が前記第１面と対向するように形成することと、
前記絶縁基板を貫通し、前記ダミーパターンを露出する開口を前記絶縁基板に形成することと、
前記ダミーパターンを除去することで前記実装エリアを露出すること、とを有するプリント配線板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、実装エリアを有する第２回路基板と第２回路基板の実装エリアを露出するための開口を有する第１回路基板とから成るプリント配線板、及び、そのプリント配線板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１は、特許文献１の図２に電子部品内蔵基板を開示している。特許文献１の図２や特許文献１の図２に関わる開示によれば、特許文献１の電子部品内蔵基板は、コアレス基板と樹脂層を有する。そして、樹脂層に半導体チップを収容するための収容部と貫通ビアが形成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−１２３５２４号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１の図２に開示されている電子部品内蔵基板は、コアレス基板と半導体チップを収容するための収容部を有する樹脂層で形成されている。そのため、特許文献１の図２に開示されている電子部品内蔵基板の強度や剛性は低いと考えられる。リフロー等で特許文献１の図２の電子部品内蔵基板が高温になると、反りが大きいと予想される。特許文献１の図２の電子部品内蔵基板に電子部品を実装することが難しいと考えられる。また、ヒートサイクルで特許文献１の図２の電子部品内蔵基板と電子部品間の接続信頼性が劣化すると考えられる。特許文献１の図２の電子部品内蔵基板がヒートサイクルを受けると、反り等により特許文献１の樹脂層の角とコアレス基板の接点に応力が集中すると予想される。その応力によりコアレス基板にクラック等の不具合が発生すると予想される。
【０００５】
本発明の目的は、電子部品を収容するための開口を有するプリント配線板の反りを小さくすることである。別の目的は、高い信頼性を有するプリント配線板を提供することである。その他の目的は、電子部品を収容するための開口を有するプリント配線板の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明のプリント配線板は、実装エリアを有する第３面と前記第３面と反対側の第４面とを有する第２回路基板と、前記第２回路基板の前記第３面上に積層されていて、前記実装エリアを露出するための開口と補強部材とを有する第１回路基板と、からなる。そして、前記第１回路基板は、第１面と前記第１面と反対側の第２面と前記第１面から第２面に至るスルーホール導体用の貫通孔と前記開口とを有する絶縁基板と前記絶縁基板の第１面上に形成されている第１導体層と前記絶縁基板の第２面上に形成されている第２導体層と前記貫通孔に形成され前記第１導体層と前記第２導体層とを接続している前記スルーホール導体とを有し、前記貫通孔は、前記第１面に第１開口を有する第１開口部と前記第２面に第２開口を有する第２開口部と前記第１開口部と前記第２開口部の接続箇所に形成されている接合面とを有し、前記第１回路基板の前記第１面は前記第２回路基板の前記第３面と接し、前記第１回路基板の厚みＨ１と前記第２回路基板の厚みｈ１との比（Ｈ１／ｈ１）は、０．７５より大きく２．４より小さい。
【０００７】
本発明のプリント配線板の製造方法は、第１面と前記第１面と反対側の第２面とを有し、樹脂と補強部材とを含む絶縁基板を準備することと、前記絶縁基板の前記第２面に第２導体層を形成することと、前記絶縁基板の前記第１面にダミーパターンを含む第１導体層を形成することと、前記絶縁基板の前記第１面と前記第１導体層上に実装エリアを有する第３面と前記第３面と反対側の第４面とを有する第２回路基板を前記第３面が前記第１面と対向するように形成することと、前記絶縁基板を貫通し、前記ダミーパターンを露出する開口を前記絶縁基板に形成することと、前記ダミーパターンを除去することで前記実装エリアを露出すること、とを有する。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】図１（Ａ）は本発明の実施形態に係るプリント配線板の断面図であり、図１（Ｂ）は第１回路基板と第１回路基板の開口から露出する実装エリアを示す平面図である。
【図２】実施形態に係るプリント配線板の応用例の断面図。
【図３】実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図４】実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図５】実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図６】図６（Ａ）は実施形態の改変例のプリント配線板の断面図を示し、図６（Ｂ）は貫通孔の模式図を示し、図６（Ｃ）は接点を示す図であり、図６（Ｄ）は凹部を示す図である。
【図７】図７（Ａ）は中間基板の平面図であり、図７（Ｂ）はダミーパターンを示し、図７（Ｃ）と図７（Ｄ）は開口の形成方法を示す図であり、図７（Ｅ）は実施形態の第２改変例を示す。
【図８】実装用ビア導体や第１パッドの例を示す図。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
[実施形態]
図１（Ａ）は実施形態のプリント配線板１０を示す。実施形態のプリント配線板１０は、第１面Ｆと第１面と反対側の第２面Ｓとを有する第１回路基板３０と第３面Ｖと第３面と反対側の第４面Ｗとを有する第２回路基板５５Ｆを有する。
【００１０】
図１（Ａ）に示されている第２回路基板５５Ｆは、交互に積層されている導体層５８Ｆ、１５８Ｆ、２５８Ｆと樹脂絶縁層５０Ｆ、１５０Ｆ、２５０Ｆとで形成されている。第２回路基板５５Ｆは第１回路基板３０の第１面Ｆ上に積層されている。第２回路基板の第３面Ｖと第１回路基板の第１面Ｆが対向している。第２回路基板の第３面Ｖと第１回路基板の第１面Ｆは接している。
第２回路基板の樹脂絶縁層は樹脂と無機粒子で形成されている。さらに、樹脂絶縁層５０Ｆ、１５０Ｆ、２５０Ｆはガラスクロス等の補強部材を含んでも良い。樹脂絶縁層５０Ｆ、１５０Ｆ、２５０Ｆが補強部材を含むことで第２回路基板のクラックが抑制される。
各樹脂絶縁層はビア導体用の開口を有し、各開口は第４面Ｗ側から第３面Ｖ側に向かってテーパーしている。
各樹脂絶縁層の開口にビア導体６０Ｆ、１６０Ｆ、２６０Ｆが形成されている。各ビア導体の側壁は第４面Ｗ側から第３面Ｖ側に向かってテーパーしている。ビア導体により隣接する導体層が接続されている。
第２回路基板５５Ｆは第３面Ｖの略中央部分に図１（Ｂ）に示される実装面エリアＳＭＦを有する。実装エリアは第１回路基板の開口２６により露出されている。実装エリア上にＩＣチップ等の電子部品が実装される。
【００１１】
図１（Ａ）に示されている第１回路基板は、樹脂と補強部材を含む絶縁基板２０ｚと第１導体層３４Ｆと第２導体層３４Ｓとスルーホール導体３６で形成されている。絶縁基板は第１面Ｆと第１面Ｆと反対側の第２面Ｓを有する。絶縁基板の第１面と第１回路基板の第１面は同じ面であり、絶縁基板の第２面と第１回路基板の第２面は同じ面である。絶縁基板は、さらに、無機粒子を含んでも良い。第１導体層３４Ｆは第１面上に形成されていて、第２導体層３４Ｓは第２面上に形成されている。第１導体層と第２導体層はスルーホール導体で接続されている。第１回路基板は、さらに、第２回路基板の実装エリアＳＭＦを露出するための開口２６を有している。図１（Ａ）では、第２導体層上に導体層を有していない。その場合、第２導体層は最上の導体層である。
【００１２】
図１（Ａ）に示されるように、第１回路基板３０の第１面Ｆと第１導体層３４Ｆ上に第１の樹脂絶縁層５０Ｆが形成されている。第１の樹脂絶縁層５０Ｆに樹脂絶縁層５０Ｆを貫通する第１ビア導体６０Ｆ（６０ＦＩ、６０ＦＯ）用の開口７０Ｓ（７０ＳＩ、７０ＳＯ）が形成されている。
第１の樹脂絶縁層５０Ｆ上に第２回路基板内の第１導体層５８Ｆが形成されている。
第１ビア導体６０Ｆ用の開口７０Ｓに第１ビア導体６０Ｆが形成されている。第１ビア導体６０Ｆは、導体層（第２回路基板内の第１導体層）５８Ｆと第１導体層３４Ｆを接続している接続用ビア導体６０ＦＯと電子部品を実装するための実装用ビア導体６０ＦＩを有する。接続用ビア導体６０ＦＯは第１回路基板内のスルーホール導体のランド３６Ｌに直接接続されることが好ましい。ランド３６Ｌはスルーホール導体を覆っている導体とスルーホール導体の周りの導体で形成されていて、第１導体層に含まれる。
実装用ビア導体は実装エリアＳＭＦ内に形成されている。実装用ビア導体６０ＦＩは、樹脂絶縁層５０Ｆのビア導体用の開口７０ＳＩ内に形成されている。実装用ビア導体６０ＦＩのボトム（Ｃ４パッド）７３ＳＩは開口７０ＳＩにより露出される。また、ボトム７３ＳＩは、第１回路基板の開口２６により露出される。実装用ビア導体のボトム（Ｃ４パッド）は、開口２６と開口７０ＳＩにより露出される。
接続用ビア導体６０ＦＯは、樹脂絶縁層５０Ｆの開口７０ＳＯ内に形成されている。接続用ビア導体６０ＦＯのボトム７３ＳＯはスルーホール導体のランド３６Ｌに直接接続している。
【００１３】
図１や図８に示されるように、樹脂絶縁層（第１の樹脂絶縁層）５０Ｆを貫通する実装用ビア導体６０ＦＩのボトムは露出していて、第１パッド（Ｃ４パッド）７３ＳＩとして機能する。第１パッドは第２回路基板の実装エリアに形成されている。
第１回路基板の開口２６により露出される第１パッド７３ＳＩや実装用ビア導体の例が以下に示される。
第１例が図８（Ａ）に示されている。図８（Ａ）では、実装用ビア導体６０ＦＩは第１ビア導体用の開口７０ＳＩの側壁上に形成されているシード層５２とシード層５２上の電解めっき膜５６で形成されている。そして、シード層５２が開口２６から露出していて、シード層５２が実装用ビア導体のボトムである。シード層が第１パッドとして機能する。第１例では、ボトムは、樹脂絶縁層（第１の樹脂絶縁層）５０Ｆの第３面Ｖと同一平面上に位置する。
【００１４】
第２例が図８（Ｂ）に示されている。図８（Ｂ）では、実装用ビア導体はビア導体用の開口７０ＳＩ内に形成されている金属膜７２０と金属膜７２０上のシード層５２とシード層５２上の電解めっき膜５６で形成されている。シード層５２は金属膜７２０とビア導体用の開口７０ＳＩの側壁上に形成されている。そして、金属膜が開口２６から露出していて、金属膜が実装用ビア導体のボトムである。第２例では、ボトムは、樹脂絶縁層（第１の樹脂絶縁層）５０Ｆの第３面Ｖと同一平面上に位置する。金属膜が第１パッドとして機能する。金属膜はパッドの酸化を防止するための膜であり、ＡｕやＳｎやＰｄなどの金属を含む膜で形成されている。
【００１５】
第３例が図８（Ｃ）に示されている。第３例の実装用ビア導体は、第１例の実装用ビア導体と同様に、シード層とシード層上の電解めっき膜で形成されている。ただし、第３例では、ボトムが樹脂絶縁層（第１の樹脂絶縁層）５０Ｆの第３面Ｖから凹んでいる。第３例では、シード層が第１パッドとして機能する。第２例に示されているボトムは第３例と同様に、第１の樹脂絶縁層５０Ｆの第３面から凹んでいてもよい。
【００１６】
第４例が図８（Ｄ）と図８（Ｅ）に示されている。図８（Ｄ）は断面図である。図８（Ｅ）は平面図であり、第４例の実装用ビア導体のボトム７３Ｉが図８（Ｅ）に示されている。図８（Ｄ）に示されているように、実装用ビア導体はシード層５２とシード層上の電解めっき膜５６で形成されている。そして、第４例の実装用ビア導体のボトムは第３面から凹んでいる。また、第４例の実装用ビア導体のボトムは電解めっき膜５６と電解めっき膜５６を囲むシード層５２で形成されている。シード層は第１ビア導体用の開口の側壁に形成されている。そして、電解めっき膜５６はシード層上に形成されている。第４例では、ボトムを形成しているシード層７３Ｉ２と電解めっき膜７３Ｉ１が同一平面上に位置している。
【００１７】
第５例が図８（Ｆ）に示されている。第５例の実装用ビア導体はシード層５２とシード層上の電解めっき膜５６で形成されている。第５例の実装用ビア導体のボトムは、電解めっき膜５６と電解めっき膜５６を囲むシード層５２で形成されている。そして、第５例の実装用ビア導体のボトムは第３面から凹んでいる。さらに、第５例の実装用ビア導体のボトムを形成しているシード層５２のボトム７３ＳＩ２は電解めっき膜５６のボトム７３ＳＩ１から凹んでいる。
第１パッド上に電子部品と接続するための半田バンプ７６ＳＩを形成することができる。
第５例によれば、パッドの表面積が大きい。そのため、第１パッドと第１パッド上の半田バンプ７６ＳＩ間の接続信頼性が高い。
ボトムが第１の樹脂絶縁層５０Ｆの第３面から凹むと、第１の樹脂絶縁層５０Ｆがダムとして機能するので、第１パッド上の半田バンプ７６ＳＩ間で絶縁信頼性が高い。電解めっき膜５６の例は電解銅めっき膜であり、シード層の例は無電解銅めっき膜である。
【００１８】
特許文献１の図２等によれば、特許文献１の電子部品を搭載するためのパッドは樹脂絶縁層上に形成されているビア導体のランドで形成されている。ランドは樹脂絶縁層から突出していて、樹脂絶縁層に埋まっていない。特許文献１のパッドを形成しているランドはビア導体を覆っている。さらに、特許文献１のパッドを形成しているランドのサイズはビア導体のサイズより大きい。それに対し、実施形態では、電子部品９０を実装するためのパッド（第１パッド）７３ＳＩは実装用ビア導体６０ＦＩのボトムである。実施形態のプリント配線板の第１パッドは、電子部品を搭載するためのランドを有していない。実施形態によれば、電子部品を実装するためのパッドのサイズを小さくすることが出来る。そのため、パッドのピッチが狭くなる。実施形態によれば、プリント配線板のサイズが小さくなる。プリント配線板の反りが小さくなる。プリント配線板と電子部品間の接続信頼性が高くなる。電子部品を実装しやすいプリント配線板を提供することが出来る。
【００１９】
実施形態のプリント配線板では、第１ビア導体用の開口は樹脂絶縁層の下面から樹脂絶縁層の上面に向かってテーパーしている。そのため、パッドのサイズをさらに小さくすることができる。第１パッドのピッチをさらに小さくすることができる。プリント配線板のサイズが小さくなる。高機能な電子部品をプリント配線板に実装することができる。
【００２０】
図１（Ａ）に示されるように、樹脂絶縁層５０Ｆと導体層５８Ｆ上に第２の樹脂絶縁層１５０Ｆが形成されている。第２の樹脂絶縁層１５０Ｆに樹脂絶縁層１５０Ｆを貫通する第２ビア導体１６０Ｆ用の開口１７０Ｓが形成されている。
第２の樹脂絶縁層１５０Ｆ上に第２回路基板内の第２導体層１５８Ｆが形成されている。
第２ビア導体１６０Ｆ用の開口１７０Ｓに第２ビア導体１６０Ｆが形成されている。第２ビア導体１６０Ｆは、導体層（第２回路基板内の第２導体層）１５８Ｆと導体層５８Ｆを接続している。
樹脂絶縁層１５０Ｆと導体層１５８Ｆ上に第３の樹脂絶縁層２５０Ｆが形成されている。第３の樹脂絶縁層２５０Ｆに樹脂絶縁層２５０Ｆを貫通する第３ビア導体２６０Ｆ用の開口２７０Ｓが形成されている。
第３の樹脂絶縁層２５０Ｆ上に第２回路基板内の第３導体層２５８Ｆが形成されている。
第３ビア導体用の開口２７０Ｓに第３ビア導体２６０Ｆが形成されている。第３ビア導体２６０Ｆは、導体層（第２回路基板内の第３導体層）２５８Ｆと導体層１５８Ｆを接続している。第３導体層２５８Ｆはプリント配線板１０の最下の導体層である。
【００２１】
プリント配線板は第２回路基板の樹脂絶縁層（最下の樹脂絶縁層）２５０Ｆと導体層（最下の導体層）２５８Ｆ上にソルダーレジスト層（下側のソルダーレジスト層）７０Ｆを有することができる。ソルダーレジスト層７０Ｆに導体層（最下の導体層）２５８Ｆを露出する開口７１Ｆが形成されている。開口７１Ｆにより露出される導体層２５８Ｆはマザーボードと接続するパッド７３Ｆとして機能する。
パッド７３Ｆ上に保護膜７２を形成することができる。保護膜は、パッドの酸化を防止するための膜である。保護膜は、例えば、Ｎｉ／Ａｕ、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ、Ｐｄ／ＡｕやOＳP（Organic Ｓolderability Preservative）膜で形成される。
実装用ビア導体６０ＦＩのボトム（Ｃ４パッド）上に保護膜を形成することができる。
【００２２】
図３（Ｂ）に示されるように貫通孔２８は、絶縁基板２０zの第１面Ｆに第１開口２８ＦＯを有する第１開口部２８Ｆと第２面Ｓに第２開口２８ＳＯを有する第２開口部２８Ｓで形成されている。貫通孔２８は接合面を有し、第１開口部と第２開口部は接合面２８ＣＦで繋がっている。接合面２８ＣＦは図６（Ｂ）に示されている。接合面２８ＣＦに斜線が描かれている。第１開口部の側壁と第２開口部の側壁が交わっている箇所は接続部２８Ｍである。接合面のサイズは第１開口のサイズより小さいことが好ましい。接合面のサイズは第２開口のサイズより小さいことが好ましい。第１開口部２８Ｆは第１面から第２面に向かってテーパーしていることが好ましい。第２開口部２８Ｆは第２面から第１面に向かってテーパーしていることが好ましい。このような形状を有する貫通孔２８内にスルーホール導体３６が形成されている。図１（Ａ）に示されているスルーホール導体３６は例えば、ＵＳ７７８６３９０に開示されている方法で製造される。ＵＳ７７８６３９０の内容は本明細書に取り込まれる。第１回路基板３０の導体層３４Ｆ、３４Ｓは図示されていない複数の導体回路やスルーホール導体３６の周りに形成されているランド３６Ｌを含む。
【００２３】
図１（Ａ）や図６（Ａ）に示されるように、開口２６は第２回路基板の実装エリアＳＭＦを露出する。開口２６により、第１回路基板に接している樹脂絶縁層５０Ｆを貫通するビア導体（実装用ビア導体）６０ＦＩのボトムが露出される。
【００２４】
図６（Ａ）に実施形態の改変例が示されている。改変例のプリント配線板では、開口２６は第２面Ｓから第１面Ｆに向かってテーパーしている。開口２６から露出する第１回路基板の側壁２６Ｗは第２面Ｓから第１面Ｆに向かってテーパーしている。それに対し、第２回路基板に形成されているビア導体用の開口は第４面側から第３面側にテーパーしている。各樹脂絶縁層に形成されているビア導体用の開口は下面から上面に向かってテーパーしている。第２回路基板に形成されている開口と第１回路基板に形成されている開口が逆向きのテーパーを有する。第２回路基板と第１回路基板で開口の向きが逆なので、反りが相殺される。第１回路基板と第２回路基板で形成されるプリント配線板の反りが小さくなる。
【００２５】
絶縁基板２０ｚは補強部材と樹脂で形成されている。絶縁基板２０ｚは、さらに、無機粒子を含んでも良い。補強部材の例はガラス繊維やガラスクロスやアラミド繊維である。無機粒子の例はシリカやアルミナである。
特許文献１の樹脂層は補強部材を含んでいない。それに対し、第１回路基板３０の絶縁基板２０ｚは補強部材を有するので、第１回路基板の強度や剛性が高い。実施形態のプリント配線板の反りは小さい。実施形態によれば、ヒートサイクルで反りが小さい。そのため、第１回路基板のコーナー部２６Ｅと第２回路基板との接点ＣＭに働くストレスが小さい。接点を起点とするクラックが第２回路基板に発生し難い。接点ＣＭやコーナー部２６Ｅは図１（Ａ）や図６（Ｃ）に示されている。
【００２６】
プリント配線板は、第１回路基板３０の第２面Ｓと第２導体層３４Ｓ上にソルダーレジスト層（上側のソルダーレジスト層）５０Ｓを有することができる。ソルダーレジスト５０Ｓに第２導体層３４Ｓを露出する開口５１Ｓが形成されている。開口５１Ｓにより露出される第２導体層３４Ｓは第２のパッケージ基板１３０を搭載するためのパッド（第２パッド）５３Ｓとして機能する。第２パッド上に保護膜７２を形成することができる。第２のパッケージ基板１３０は図２（Ｂ）に示されている。
【００２７】
実施形態のプリント配線板は、第１回路基板の厚みＨ１と第２回路基板の厚みｈ１を有する。図１（Ａ）に示されるように、厚みＨ１は、第１導体層３４Ｆの上面と第２導体層３４Ｓの上面との間の距離である。厚みｈ１は、第１の樹脂絶縁層の第３面Ｖと最下の導体層２５８Ｆの上面との間の距離である。あるいは、厚みｈ１は、第１回路基板の第１面Ｆと最下の導体層２５８Ｆとの間の距離である。比（Ｈ１／ｈ１）は、０．７５より大きく２．４より小さい。
図１（Ａ）にＸ軸とＹ軸とＺ軸が示されている。Ｘ軸とＹ軸は第１回路基板の第１面と平行であり、Ｚ軸は回路基板の第１面と垂直である。
絶縁基板２０ｚは補強部材を有するため、第１回路基板のＸＹ方向の強度や剛性は高い。しかしながら、絶縁基板のＺ方向の熱膨張係数は大きいので、ヒートサイクルで第１回路基板のＺ方向の伸縮は大きい。従って、比（Ｈ１／ｈ１）が大きいと、第１回路基板のＺ方向の伸縮により接点ＣＭから第２回路基板にクラックが発生しやすい。それ故、比（Ｈ１／ｈ１）は２．４より小さい。
絶縁基板２０ｚの厚みが薄いと、プリント配線板の強度や剛性が低下する。そのため、ヒートサイクルでプリント配線板は凸の反りと凹の反りを繰り返しやすい。反りに起因するストレスが接点ＣＭに集中すると予想される。従って、比（Ｈ１／ｈ１）が小さいと、反りにより接点ＣＭから第２回路基板にクラックが発生しやすい。それ故、比（Ｈ１／ｈ１）は０．７５より大きい。
【００２８】
特許文献１の図２では、樹脂層に貫通孔が形成されている。特許文献１の貫通孔の形状はストレートである。それに対し、実施形態の第１回路基板に形成されている貫通孔は接続部２８Ｍを有する。接続部は変化点なので、接続部２８Ｍはストレスを受けやすい。そのため、実施形態では、ストレスが接点ＣＭと接続部２８Ｍに分散されると考えられる。従って、接点ＣＭから第２回路基板にクラックが発生しがたい。また、接合面２８ＣＦにめっき膜で形成されている金属が形成されている。金属は樹脂よりストレスに強い。そのため、接合面２８ＣＦにストレスが集中しても、接続部２８Ｍや接合面２８ＣＦからスルーホール導体にクラックが発生しがたい。絶縁基板２０zは補強部材を有するので、第１回路基板にクラックが発生し難い。
それに対し、特許文献１の図２の電子部品内蔵基板は接続部２８Ｍを有していない。そのため、樹脂層の角とコアレス基板の接点のみにストレスが集中すると考えられる。接点からコアレス基板にクラックが入りやすい。
【００２９】
図２（Ａ）は、実施形態のプリント配線板１０の第１応用例１２０を示す。第１応用例１２０は、パッケージ基板（第１のパッケージ基板）である。
パッケージ基板１２０では、第１回路基板３０の開口２６内にＩＣチップなどの電子部品９０が収容されている。ＩＣチップ９０は、開口２６から露出するＣ４パッド７３ＳＩに半田バンプ７６ＳＩにより実装される。
【００３０】
図２（Ｂ）は、実施形態のプリント配線板１０の第２応用例（ＰＯＰ基板）２０００を示す。第２応用例では、第１のパッケージ基板１２０に接続体７６ＳＯを介して第２のパッケージ基板１３０が搭載されている。第２のパッケージ基板１３０は上基板１１０と上基板上に実装されているメモリ等の電子部品１９０有する。接続体７６ＳＯは、上側のソルダーレジスト層５０Ｓの開口５１Ｓにより露出される第２導体層（第２パッド）５３Ｓ上に形成されている。図２（Ｂ）では、接続体７６ＳＯは、半田バンプ７６ＳＯである。半田バンプ以外の接続体の例はめっきポストやピンなどの金属ポストである。めっきポストやピンの形状は円柱である。直円柱が好ましい。
第１のパッケージ基板１２０と第２のパッケージ基板１３０との間にモールド樹脂１０２が形成されている。上基板１１０上に電子部品１９０を封止するモールド樹脂２０２が形成されている。
【００３１】
第１回路基板は、絶縁基板２０ｚの第２面と第２導体層上に交互に積層されている樹脂絶縁層と導体層を有することができる。その場合、樹脂絶縁層と導体層上に上側のソルダーレジスト層５０Ｓが形成される。その場合、ソルダーレジスト層５０Ｓの直下の導体層が最上の導体層である。
【００３２】
プリント配線板１０は、下側のソルダーレジスト層７０Ｆの開口７１Ｆから露出されるパッド７３Ｆに、マザーボードと接続するための半田バンプ７６Ｆを有しても良い。
【００３３】
実施形態のプリント配線板では、絶縁基板２０zに電子部品収容用の開口２６が形成される。もし、第１回路基板の両面に第２回路基板が形成されると、第１回路基板を中心に対称な構造が得られる。そのため、接点ＣＭに働くストレスは小さい。しかしながら、実施形態のプリント配線板では、第２回路基板が第１回路基板の第１面上のみに形成されている。そのため、ストレスの集中を避けるため、実施形態のプリント配線板に凹部５５Ｆｆを形成することができる。凹部５５Ｆｆを有するプリント配線板（実施形態のプリント配線板の第１改変例）が図６（Ｄ）、図５（Ｃ）に示される。凹部５５Ｆｆは第１回路基板３０と第２回路基板５５Ｆの間に形成されている空間であって、開口２６に繋がっている。凹部の上面は第１回路基板の第１面である。凹部の下面は第２回路基板の第３面である。凹部の側壁５５ｆｗは第１回路基板と接している樹脂絶縁層５０Ｆの側面である。凹部５５Ｆｆの側壁５５ｆｗは開口２６により露出される絶縁基板２０ｚの側壁２６Ｗより後退している。凹部５５Ｆｆにより、高い剛性を有する第１回路基板３０のコーナー部２６Ｅが、第２回路基板に接しない。熱収縮に起因する応力がコーナー部２６Ｅに集中しても、コーナー部から第２回路基板にストレスが至らない。第２回路基板にクラックが発生し難い。凹部５５Ｆｆを有するプリント配線板の信頼性が低下しない。第１改変例のプリント配線板では、開口２６から露出する第２回路基板の第３面ＴＳは第１回路基板の第１面から凹んでもよい。その場合、開口２６から露出する第３面ＴＳは第１回路基板の第１面より下に位置している。凹部５５Ｆｆの下面（凹部内の樹脂絶縁層５０Ｆの上面）は開口２６から露出する第３面ＴＳに繋がっている。凹部の下面と第３面ＴＳは同一平面に位置する。凹部５５Ｆｆを有するプリント配線板では、樹脂絶縁層５０Ｆの上面は第１回路基板と接する面Ｖと開口２６から露出する面ＴＳと面Ｖと面ＴＳを繋ぐ側壁５５ｆｗで形成されている。面Ｖと面ＴＳは同一平面上に位置しないため、側壁５５ｆｗが存在する。側壁５５ｆｗは凹部５５Ｆｆから露出する面である。プリント配線板が面ＴＳを有すると、距離Ｄ１は小さくなる。プリント配線板の厚みＤ２を薄くすることができる。
【００３４】
図１（Ａ）に示されるように、プリント配線板は厚みＨ２と厚みｈ２を有する。厚みＨ２は、第１回路基板の第２導体層３４Ｓの上面と接合面の重心との間の距離である。あるいは、厚みＨ２は、最上の導体層の上面と接合面の重心との間の距離である。距離ｈ２は、最下の導体層２５８Ｆの上面と接合面の重心との間の距離である。プリント配線板の２つの対角線の交点に最も近いスルーホール導体用の貫通孔とプリント配線板の各コーナーに最も近いスルーホール導体用の貫通孔でＨ２とｈ２が測定される。そして、５つのＨ２の平均値がプリント配線板のＨ２に相当する。５つのｈ２の平均値がプリント配線板のｈ２に相当する。比（Ｈ２／ｈ２）が所定の範囲内の値であると、接合面に働く応力が小さくなる。熱ストレスに起因するプリント配線板の反りが小さくなる。
比（Ｈ１／ｈ１）は、０．７５より大きく２．４より小さい。そして、比（Ｈ２／ｈ２）が０．３５より大きく０．７より小さい。プリント配線板の反りを小さくすることができる。
【００３５】
特許文献１の電子部品を搭載するためのパッドを形成しているランドはビア導体が貫通している樹脂絶縁層上に形成されている。それに対し、実施形態の第１パッドは樹脂絶縁層に埋まっている。特許文献１と実施形態に同じ厚みを有する電子部品が実装される。そして、第１回路基板の第１面から電子部品の上面までの距離Ｄ１が特許文献１と実施形態で比較されると、実施形態の距離Ｄ１は特許文献１の距離Ｄ１より小さい。従って、実施形態のプリント配線板によれば、プリント配線板の厚みＤ２を薄くすることが出来る。
【００３６】
[実施形態のプリント配線板の製造方法]
実施形態のプリント配線板１０の製造方法が図３〜図５に示される。
出発基板が準備される。出発基板は、絶縁基板２０ｚと絶縁基板２０ｚの両面に積層されている銅箔２２Ｆ、２２Ｓで形成されている（図３（Ａ））。絶縁基板は、補強部材と樹脂と無機粒子を含む。補強部材の例は、ガラスクロスやガラス繊維やアラミド繊維である。樹脂の例は、エポキシ樹脂やＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂である。
絶縁基板は第１面Ｆと第１面と反対側の第２面Ｓを有する。絶縁基板の第１面Ｆに積層されている銅箔２２Ｆは第１銅箔であり、絶縁基板の第２面Ｓに積層されている銅箔２２Ｓは第２銅箔である。
【００３７】
出発基板の第１銅箔２２ＦにＣＯ２レーザが照射される。絶縁基板２０ｚの第１面Ｆ側に第１開口部２８Ｆが形成される。更に、第２銅箔２２ＳにＣＯ２レーザが照射される。第１開口部２８Ｆに繋がる第２開口部２８Ｓが第２面Ｓ側に形成される。第１開口部２８Ｆと第２開口部２８Ｓが接合面２８ＣＦで接続される。接合面２８ＣＦは図６（Ｂ）に示されている。第１開口部の側壁と第２開口部の側壁の交点に接続部２８Ｍが形成される。第１開口部の軸線ＬＬ１と第２開口部の軸線ＬＬ２が一致するようにレーザが照射される。スルーホール導体用の貫通孔２８が形成される（図３（Ｂ））。第１開口部は第１面Ｆから第２面Ｓに向かってテーパーしている。第２開口部は第２面Ｓから第１面Ｆに向かってテーパーしている。第１開口部は第１面に第１開口２８ＦＯを有し、第２開口部は第２面に第２開口２８ＳＯを有する。
【００３８】
第１銅箔と第２銅箔、貫通孔２８の側壁上に無電解めっき膜が形成される。その後、無電解めっき膜上に電解めっき膜が形成される。貫通孔内に無電解めっき膜と無電解めっき膜上の電解めっき膜とからなるめっき膜２４が形成される。同時に、絶縁基板の第１面と第２面上にめっき膜２４が形成される。電解めっき膜で貫通孔２８が充填される。めっき膜２４上にエッチングレジストが形成される。エッチングレジストから露出するめっき膜２４と銅箔２２Ｆ、２２Ｓが除去される。エッチングレジストが除去される。絶縁基板の第１面に第１導体層３４Ｆが形成される。絶縁基板の第２面に第２導体層３４Ｓが形成される。第１導体層３４Ｆは開口２６を形成するためのダミーパターン３４ＦＩを含む。貫通孔２８に第１導体層と第２導体層を接続するスルーホール導体３６が形成される。スルーホール導体は貫通孔の接合部２８Ｍに最も細い部分を有する。貫通孔２８を有する絶縁基板と貫通孔２８に形成されているスルーホール導体３６と絶縁基板の第１面上に形成されている第１導体層３４Ｆと絶縁基板の第２面上に形成されている第２導体層３４Ｓとを有する中間基板３００が得られる（図１（Ｃ））。中間基板３００はＵＳ７７８６３９０に開示されている方法で製造される。中間基板は第１面と第２面を有する。中間基板の第１面と絶縁基板の第１面は同じ面であり、中間基板の第２面と絶縁基板の第２面は同じ面である。
【００３９】
図７（Ａ）に中間基板３００の平面図が示されている。図７（Ａ）は、第１導体層側から中間基板を観察することで得られる平面図である。図７（Ａ）に第１導体層と第１導体層から露出する絶縁基板２０ｚの第１面が示されている。絶縁基板の第１面の略中央にダミーパターン３４ＦＩが形成されている。ダミーパターン３４ＦＩに斜線が描かれている。ダミーパターン３４ＦＩは絶縁基板２０ｚの第１面の所定の領域を覆っている。ダミーパターン３４ＦＩは、所謂、ベタパターンである。ダミーパターンの周りにスルーホール導体３６のランド３６Ｌが示されている。ランド３６Ｌに２種類の斜線が描かれている。図７（Ｂ）に、開口２６とダミーパターン３４ＦＩの位置関係や両者のサイズが示されている。ダミーパターン３４ＦＩの外周は実線で示されていて、開口２６の外周は点線で示されている。点線は、ダミーパターン上に形成される開口２６の外周を示している。図７（Ｂ）に示されるように、ダミーパターン３４ＦＩの大きさは開口２６の大きさより大きい。また、ダミーパターン３４ＦＩの外周は開口２６の外周より外側に位置している。
【００４０】
中間基板３００の第１面Ｆに第１の樹脂絶縁層５０Ｆが加熱プレスにより形成される。中間基板の第２面Ｓに樹脂絶縁層（上側のソルダーレジスト層）５０Ｓが形成される（図３（Ｄ））。第１の樹脂絶縁層５０Ｆと上側のソルダーレジスト層５０Ｓは熱硬化タイプである。樹脂絶縁層５０Ｆ、５０Ｓはエポキシ等の樹脂とシリカ等の無機粒子を含む。樹脂絶縁層５０Ｆ、５０Ｓは、さらに、ガラスクロス等の補強部材を有しても良い。
【００４１】
樹脂絶縁層５０ＳにＰＥＴフィルム８０が貼られる（図３（Ｅ））。
【００４２】
次に、樹脂絶縁層５０Ｆに、第１導体層に至る第１ビア導体用の開口７０Ｓ（７０ＳＩ、７０ＳＯ）が形成される（図４（Ａ））。ビア導体用の開口７０Ｓはダミーパターン３４ＦＩに至る開口７０ＳＩとダミーパターン以外の第１導体層に至る開口７０ＳＯを有する。開口７０ＳＩは、実装用ビア導体を形成するための開口である。開口７０ＳＯは接続用ビア導体を形成するための開口である。開口７０ＳＯは、例えば、スルーホール導体のランド３６Ｌに至る。スルーホール導体のランドはスルーホール導体の直上に形成されている導体とスルーホール導体の周りに形成されている導体で形成される。セミアディティブ法で樹脂絶縁層５０Ｆ上に導体層５８Ｆが形成される。同時に、開口７０Ｓにビア導体６０Ｆ形成される（図４（Ｂ））。開口７０ＳＯにスルーホール導体に繋がる第１ビア導体（接続用ビア導体）６０ＦＯが形成される。開口７０ＳＩにＣ４パッドを形成する第１ビア導体（実装用ビア導体）６０ＦＩが形成される。第１ビア導体６０Ｆはボトムを有する。接続用ビア導体のボトムはスルーホール導体のランド３６Ｌに接している。
実装用ビア導体のボトムはダミーパターン上に形成される。実装用ビア導体のボトムはダミーパターンに接している。
【００４３】
開口７０ＳＩから露出するダミーパターン上に金属膜を形成することができる。金属膜がＣ４パッドとして機能する。金属膜は銅以外の金属で形成されていて、金属膜はＣ４パッド（第１パッド）の酸化を防止する。金属膜の例は金、パラジウム、錫である。金属膜とＣ４パッド間にニッケルを形成することができる。
【００４４】
樹脂絶縁層５０Ｆと導体層５８Ｆ上に第２の樹脂絶縁層１５０Ｆが加熱プレスで形成される。第２の樹脂絶縁層１５０Ｆに第２ビア導体用の開口１７０Ｓが形成される。第２の樹脂絶縁層１５０Ｆは熱硬化タイプである。
第２の樹脂絶縁層１５０Ｆ上に導体層１５８Ｆが形成される。同時に、第２ビア導体用の開口に第２ビア導体１６０Ｆが形成される。導体層１５８Ｆやビア導体１６０Ｆはセミアディティブ法で形成される。
【００４５】
前の段落に示されている方法と同様な方法で第３の樹脂絶縁層２５０Ｆと導体層２５８Ｆと第３ビア導体２６０Ｆが形成される。
第３の樹脂絶縁層２５０Ｆは熱硬化タイプである。第２回路基板に含まれる樹脂絶縁層５０Ｆ、１５０Ｆ、２５０Ｆは熱硬化タイプである。
【００４６】
第３の樹脂絶縁層２５０Ｆと導体層２５８Ｆ上に下側のソルダーレジスト層７０Ｆが形成される（図４（Ｃ））。下側のソルダーレジスト層７０Ｆは光硬化タイプである。下側のソルダーレジスト層７０Ｆは樹脂と無機粒子を含む。下側のソルダーレジスト層７０Ｆはガラスクロス等の補強部材を含まない。
【００４７】
上側のソルダーレジスト層５０Ｓは熱硬化タイプであって、下側のソルダーレジスト層７０Ｆは光硬化タイプである。上側のソルダーレジスト層５０Ｓは補強部材を含み、下側のソルダーレジスト層７０Ｆは補強部材を含まない。第１回路基板の第１面上の樹脂量と第１回路基板の第２面上の樹脂量が異なっても、アンバランスが緩和される。プリント配線板の反りが低減する。
【００４８】
フィルム８０が除去される（図４（Ｄ））。開口２６形成後、フィルム８０を除去することができる。その場合、フィルムと上側のソルダーレジスト層を介して、第１回路基板にレーザが照射される。
【００４９】
図７（Ｃ）、（Ｄ）は平面図であって、ダミーパターン上に絶縁基板の第２面が等倍で投影されている。
図７（Ｄ）に開口２６の形成方法の例が示される。上側のソルダーレジスト層を介して絶縁基板の第２面にレーザが照射される。最初に図７（Ｄ）中のスタート位置にレーザが照射される。レーザは絶縁基板を貫通しダミーパターンに至る。その後、図７（Ｄ）に示される矢印に沿って、隣接する貫通孔が重なるように、レーザの照射位置は順に移動する。ダミーパターン上の絶縁基板が除去される。ダミーパターンを露出する開口２６が形成される（図５（Ａ））。図７（Ｄ）の方法では、複数の貫通孔で開口２６が形成される。重なる部分を多くすることで開口２６の外周は略真っ直ぐになる。開口２６から露出するダミーパターンがエッチングで除去される。開口２６によりＣ４パッドを形成する第１ビア導体６０ＦＩのボトムが露出される（図５（Ｂ））。
【００５０】
実施形態では、ダミーパターンのサイズが開口２６のサイズより大きい。そして、第１回路基板と第２回路基板との間のダミーパターンが除去される。そのため、図５（Ｂ）に示されるように、実装エリアは第１回路基板の第１面から凹む。また、第１回路基板と第２回路基板との間に空間（凹部）５５Ｆｆが形成される。
【００５１】
図７（Ｃ）に開口の形成方法の別例が示される。図７（Ｃ）では、レーザでダミーパターンに至る枠状の開口が形成される。枠状の開口内にエッチング液が入れられる。ダミーパターンが溶解する。この時、絶縁基板と第２回路基板で挟まれるダミーパターンが溶解する。これにより、枠状の開口内の絶縁基板が第２回路基板から剥がれる。枠状の開口内の絶縁基板を第２回路基板から除去することができる。Ｃ４パッドを形成する第１ビア導体６０ＦＩのボトムを露出する開口２６が形成される（図５（Ｂ））。
【００５２】
樹脂絶縁層５０Ｓ上に積層されているＰＥＴなどのフィルムにレーザを照射することで、フィルム８０と樹脂絶縁層５０Ｓと第１回路基板を貫通する開口２６を形成することができる。開口２６形成後、フィルム８０は除去される。
【００５３】
開口２６はルータで形成されてもよい。
【００５４】
開口２６が図７（Ｄ）に示される方法で形成される場合、銅で形成されているダミーパターンがエッチングで除去される。例えば、実装用ビア導体のボトムが金属膜で形成されていると、ダミーパターンがエッチングで除去される時、実装用ビア導体のボトムの溶解が抑制される。
【００５５】
レーザにより、上側のソルダーレジスト層５０Ｓに、パッド５３Ｓを露出する開口５１Ｓが形成される。
下側のソルダーレジスト層７０Ｆに、パッド７３Ｆを露出する開口７１Ｆが露光処理と現像処理により形成される。
【００５６】
パッド７３Ｆ、５３ＳとＣ４パッド７３ＳＩ上に保護膜７２が形成される（図５（Ｃ））。保護膜は、パッドの酸化を防止するための膜である。保護膜は、例えば、Ｎｉ／Ａｕ、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ、Ｐｄ／ＡｕやOＳP（Organic Ｓolderability Preservative）膜で形成される。Ｃ４パッド上の保護膜は描かれない。
【００５７】
各パッド７３Ｆ、７３ＳＩ、５３Ｓ上に半田バンプ７６Ｆ、７６ＳＩ、７６ＳＯを形成することができる。
【００５８】
各樹脂絶縁層は上面と上面と反対側の下面を有する。各樹脂絶縁層の上面は第１回路基板に近い面であり、各樹脂絶縁層の下面は下側のソルダーレジスト層に近い面である。各樹脂絶縁層に形成されているビア導体用の開口は下面から上面に向かってテーパーしている。ビア導体用の開口に形成されているビア導体の側壁も下面から上面に向かってテーパーしている。上面に形成されているビア導体がビア導体のボトムである。
【００５９】
各導体層５８Ｆ、１５８Ｆ、２５８Ｆやビア導体６０Ｆ、１６０Ｆ、２６０Ｆは、無電解銅めっき膜５２と無電解銅めっき膜上の電解銅めっき膜５６で形成されている。
【００６０】
Ｃ４パッド７３ＳＩ上の半田バンプ７６ＳＩを介してプリント配線板上にＩＣチップが実装される。第１のパッケージ基板（第１応用例）が完成する（図２（Ａ））。ＩＣチップは開口内に収容されている。ＩＣチップは開口２６から外にでていない。半田バンプ７６ＳＯを介して第２のパッケージ基板１３０が第１のパッケージ基板１２０に搭載される（図２（Ｂ））。ＰＯＰ基板（第２応用例）２０００が完成する。
【００６１】
図５（Ａ）でダミーパターンの外周と開口２６の外周が一致すると凹部５５Ｆｆを有していないプリント配線板が得られる（図７（Ｅ））。図７（Ｅ）に示されるプリント配線板は第２改変例である。図７（Ｅ）では、側壁５５ｆｗと第１回路基板の側壁２６Ｗがほぼ直線上に位置する。第１回路基板と第２回路基板の接点ＣＭと接点ＣＭに近い第１回路基板と第２回路基板が図６（Ｃ）に示されている。
【００６２】
開口７０ＳＩから露出するダミーパターン３４ＦＩ上に第１金属層が形成され、第１金属層上に実装用ビア導体６０ＦＩが形成される。第１金属層の材質と実装用ビア導体の材質が異なると、第１金属層を選択的に除去することができる。実装用ビア導体６０ＦＩのボトムが樹脂絶縁層５０Ｆの第３面から凹む。第１金属層とシード層５２間に金属膜を形成することができる。その場合、金属膜が露出する。金属膜は樹脂絶縁層の第３面から凹む。金属膜はパッドの酸化を抑制する。金属膜の例はＡｕやＳｎやＰｄである。
【００６３】
実装用ビア導体のボトムが第３面から凹むと、図２（Ａ）に示されているＤ１の距離が小さくなる。図２（Ａ）に示されているプリント配線板の厚みＤ２を薄くすることができる。
【００６４】
開口７０Ｓ１から露出するダミーパターン上にシード層５２と電解めっき５６で形成される実装用ビア導体が形成される。ダミーパターンとシード層間に金属膜を形成することができる。ダミーパターンのみを除去することで、実装用ビア導体６０ＦＩのボトムが露出する。シード層で形成される実装用ビア導体のボトムと樹脂絶縁層５０Ｆの第３面は同じ平面上に位置する。金属膜で形成される実装用ビア導体のボトムと樹脂絶縁層５０Ｆの第３面が同一平面上に位置する。
シード層を除去することで、実装用ビア導体を形成している電解めっき膜が実装用ビア導体のボトムを形成する。実装用ビア導体のボトムは樹脂絶縁層５０Ｆの第３面から凹む。シード層のエッチングスピードが電解めっき膜のエッチングスピードより速いと、電解めっき膜を囲むシード層は電解めっき膜より凹む。例えば、シード層が無電解銅めっき膜で形成され、電解めっき膜が電解銅めっき膜で形成されると、シード層は電解めっき膜から凹み易い。
【符号の説明】
【００６５】
１０  プリント配線板
２６  開口
２６Ｗ  側壁
２８  貫通孔
２８Ｍ  接続部
３０  第１回路基板
３６  スルーホール導体
５０Ｆ  樹脂絶縁層
５５Ｆ  第２回路基板
５５Ｆｆ  凹部
５５ｆｗ  側壁
５８Ｆ  導体層
６０Ｆ  ビア導体
９０  ＩＣチップ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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