(57)【要約】【課題】一体の梁同士の接触が引き起こすスティッキング現象を防止した動作信頼性の高い電子デバイスを提供する。【解決手段】加速度スイッチは、中央電極３２と、錘部３４と、梁部３５と、を備え、梁部３５は、錘部３４の周囲を取り囲む円弧部５１と、円弧部５１の一端と錘部３４とを接続する錘部側接続部５２と、円弧部５１の他端と枠体３１とを接続する枠体側接続部５３と、を有し、枠体側接続部５３にはスティッキング防止膜５４が被覆される。【選択図】図１
2016173316.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
中央電極と、
前記中央電極を内側に収容するとともに、内側面が前記中央電極の外側面に接離可能に構成された錘部と、
前記錘部の周囲を取り囲むとともに、支持部との間で前記錘部を弾性支持する梁部と、を備え、
前記梁部は、前記錘部の周囲を取り囲む円弧状の本体部と、前記本体部の一端と前記錘部とを接続する錘部側接続部と、前記本体部の他端と前記支持部とを接続する支持部側接続部と、を有し、
前記錘部側接続部と前記支持部側接続部の相互に対向する側面のうち少なくとも何れか一方の側面は、スティッキング防止膜が被覆されることを特徴とする電子デバイス。
【請求項２】
前記スティッキング防止膜は、絶縁性の材料で形成されることを特徴とする請求項１に記載の電子デバイス。
【請求項３】
前記絶縁性の材料は、ＳｉＯ２であることを特徴とする請求項２に記載の電子デバイス。
【請求項４】
前記錘部側接続部と前記支持部側接続部の相互に対向する側面のうち少なくとも何れか一方の側面は、対向する側面に向かって突出する突起部を有し、
前記スティッキング防止膜は、前記突起部の表面を覆うように被覆されることを特徴とする請求項１〜３の何れか一項に記載の電子デバイス。
【請求項５】
前記スティッキング防止膜は、さらに、前記本体部の側面を被覆することを特徴とする請求項１〜４の何れか一項に記載の電子デバイス。
【請求項６】
前記スティッキング防止膜は、さらに、錘部の外側面と、支持部の内側面と、を被覆することを特徴とする請求項１〜５の何れか一項に記載の電子デバイス。
【請求項７】
前記スティッキング防止膜は、前記錘部側接続部と前記支持部側接続部の相互に対向する側面をそれぞれ被覆し、
それぞれを被覆するスティッキング防止膜は、対向面側が同じ磁極に磁化された磁性材からなることを特徴とする請求項１に記載の電子デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子デバイスに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
電子デバイスの一つとして、初期状態では接点が開（ＯＦＦ状態）であり、加速度が入力されたときに接点が閉（ＯＮ状態）となる加速度スイッチが知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
以下、図１１に基づいて従来の加速度スイッチについて簡単に説明する。
図１１に示すように、加速度スイッチ２００は、中央電極２０１と、中央電極２０１を内側に収容する収容孔２０２を有するとともに、中央電極２０１に接離可能とされた錘部２０３と、錘部２０３の周囲を取り囲む円弧状とされ、枠体２０４との間で錘部２０３を弾性支持する梁部２０５と、を備えている。
【０００４】
この構成によれば、加速度スイッチ２００に入力される加速度に応じて、中央電極２０１と錘部２０３とが相対移動することで、中央電極２０１と錘部２０３とが接触する。これにより、中央電極２０１及び錘部２０３に形成された電極膜同士が導通し、ＯＮ状態となる。このような加速度スイッチ２００では、ノーマリーオフかつ無指向のスイッチとして使用でき、またＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍｓ）技術を利用して製造することにより、小型化及び大量生産が可能になる等のメリットがある。
【０００５】
ここで、上述した加速度スイッチ２００では、シリコン等の半導体基材で形成した場合、加速度印加時に当接する各部が貼付するスティッキング現象が生ずることで、加速度スイッチ２００の動作不良を引き起こすおそれがある。そこで、例えば、外力が印加された際に、対向する可動電極と固定電極との面接触を回避するように、各々の対向面に凹凸構造や突起を設けることでスティッキング現象の防止を図った静電容量式の物理量センサ等が知られている（例えば、特許文献２、３等参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特許第４９９６７７１号公報
【特許文献２】特開２０１３−１０４８６８号公報
【特許文献３】特開２０１４−１０２８５８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上述した加速度スイッチ２００では、上述の通り中央電極２０１（固定電極）と錘部２０３（可動電極）とが接触してはじめて加速度の印加を検知する構造を採用しているため、上記従来技術に係るスティッキング現象の防止構造は用いられない。即ち、上述の構造からなる加速度スイッチ２００では、中央電極２０１と錘部２０３との接触を許容しつつ、例えば、錘部２０３と梁部２０５、梁部２０５と枠体２０４、等の接触によるスティッキング現象を防止する必要がある。特に、図１２に示すように、加速度スイッチ２００に対して入力される加速度の方向や大きさによっては、加速度入力時に梁部２０５が変位することで、錘部２０３に接続される錘部側接続部２１０と、枠体２０４に接続される枠体側接続部２１１と、による梁部２０５同士の接触が生じる場合がある。そして、これら錘部２０３を平行に支持するための梁部２０５同士の接触によるスティッキング現象が生ずると、錘部２０３の平行性が損なわれる／梁部２０５のバネ定数が変化する等、他の構造体によるスティッキング現象以上に、加速度スイッチ２００へ強い動作不良性を招くおそれがある。
【０００８】
そこで、本発明の目的は、一体の梁同士の接触が引き起こすスティッキング現象を防止した動作信頼性の高い電子デバイスを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記の課題を解決するため、本発明の電子デバイスは、中央電極と、前記中央電極を内側に収容するとともに、内側面が前記中央電極の外側面に接離可能に構成された錘部と、前記錘部の周囲を取り囲むとともに、支持部との間で前記錘部を弾性支持する梁部と、を備え、前記梁部は、前記錘部の周囲を取り囲む円弧状の本体部と、前記本体部の一端と前記錘部とを接続する錘部側接続部と、前記本体部の他端と前記支持部とを接続する支持部側接続部と、を有し、前記錘部側接続部と前記支持部側接続部の相互に対向する側面のうち少なくとも何れか一方の側面は、スティッキング防止膜が被覆されることを特徴とする。
この構成によれば、電子デバイスに外力が印加されて、相互に対向する錘部側接続部と前記支持部側接続部とが接触した場合であっても、一方の側面にスティッキング防止膜が形成されているので、双方の側面の密着力が緩和されてスティッキング現象の発生を防止できるので、電子デバイスとしての動作信頼性を向上させることができる。
【００１０】
また、本発明の電子デバイスは、前記スティッキング防止膜は、絶縁性の材料で形成されることを特徴とする。
この構成によれば、スティッキング防止膜が絶縁性の材料で形成されるので、梁部が半導体などの導電性を有する材料から構成される場合でも、確実にスティッキング現象の軽減を図ることができる。
【００１１】
また、本発明の電子デバイスは、前記絶縁性の材料は、ＳｉＯ２であることを特徴とする。
この構成によれば、絶縁性の材料としてＳｉＯ２を用いることができる。
【００１２】
また、本発明の電子デバイスは、前記錘部側接続部と前記支持部側接続部の相互に対向する側面のうち少なくとも何れか一方の側面は、対向する側面に向かって突出する突起部を有し、前記スティッキング防止膜は、前記突起部の表面を覆うように被覆されることを特徴とする。
この構成によれば、相互に対向する錘部側接続部と前記支持部側接続部とが接触する場合、突起部の表面に被覆されたスティッキング防止膜が対向する側面と接触することとなるので、平坦面の表面にスティッキング防止膜が形成された場合に比べて双方の接触時における接触面積を低減することができる。その結果、双方の側面の密着力が一層緩和されてスティッキング現象の発生を防止できるので、電子デバイスとしての動作信頼性をさらに向上させることができる。
【００１３】
また、本発明の電子デバイスは、前記スティッキング防止膜は、さらに、前記本体部の側面を被覆することを特徴とする。
また、本発明の電子デバイスは、前記スティッキング防止膜は、さらに、錘部の外側面と、支持部の内側面と、を被覆することを特徴とする。
これらの構成によれば、錘部側接続部と支持部側接続双方のスティッキング現象を防止できるとともに、例えば、錘部と梁部や支持部と梁部など、他のスティッキング現象が発生し得る箇所でのスティッキング現象も防止できる為、電子デバイスの動作信頼性をさらに向上させることができる。
【００１４】
また、本発明の電子デバイスは、前記スティッキング防止膜は、前記錘部側接続部と前記支持部側接続部の相互に対向する側面をそれぞれ被覆し、それぞれを被覆するスティッキング防止膜は、対向面側が同じ磁極に磁化された磁性材からなることを特徴とする。
これらの構成によれば、相互に対向する錘部側接続部と前記支持部側接続部とが接触する場合、各々に被覆されたスティッキング防止膜同士が密着しても、同じ磁極に磁化されたスティッキング防止膜同士の斥力（反発力）により、双方が貼付することを防止出来るので、スティッキング現象の発生を抑止でき、動作信頼性の向上を図ることが可能となる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、一体の梁同士の接触が引き起こすスティッキング現象を防止した動作信頼性の高い電子デバイスを提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】第１実施形態におけるスイッチ本体の平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ´線に相当する加速度スイッチの断面図である。
【図３】加速度スイッチの製造方法を説明するための工程図であって、図２に相当する断面図である。
【図４】加速度スイッチの製造方法を説明するための工程図であって、図２に相当する断面図である。
【図５】加速度スイッチの作用を説明するための説明図であって、図１に相当する平面図である。
【図６】図１に示すスイッチ本体の変形例を表す平面図である。
【図７】図１に示すスイッチ本体の変形例を表す平面図である。
【図８】図１に示すスイッチ本体の変形例を表す平面図である。
【図９】第２実施形態におけるスイッチ本体の平面図である。
【図１０】第３実施形態におけるスイッチ本体の平面図である。
【図１１】従来の加速度スイッチの平面図である。
【図１２】図１１のＤ部拡大図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
次に、本発明の実施形態について説明する。
＜第１実施形態＞
［加速度スイッチの構造］
図１は第１実施形態におけるスイッチ本体１１の平面図であり、図２は図１のＡ−Ａ´線に相当する断面図である。
図１、図２に示すように、本実施形態の加速度スイッチ１は、スイッチ本体１１と、スイッチ本体１１を厚さ方向で挟持する第１基板１２及び第２基板１３（図２参照）と、を備えている。
【００１８】
（スイッチ本体）
図２に示すように、スイッチ本体１１は、例えばシリコン等からなる基板２０を用いてＭＥＭＳ技術によって製造されるものである。なお、以下の説明では、基板２０の厚さ方向（図２における上下方向）を単に厚さ方向といい、図２における下側を厚さ方向の下方とし、上側を厚さ方向の上方とする。
【００１９】
図１、図２に示すように、スイッチ本体１１は、枠体（支持部）３１と、枠体３１の内側に配置された中央電極３２と、枠体３１と中央電極３２との間に配置され、中央電極３２を内側に収容する収容孔３３を有する錘部３４と、錘部３４の周囲を取り囲む円弧状とされ、枠体３１との間で錘部３４を弾性支持する梁部３５と、を備えている。なお、以下の説明において、梁部３５の周方向を単に周方向とし、梁部３５の径方向を単に径方向とする。
枠体３１は、厚さ方向から見た平面視で矩形状とされ、その中央部には基板２０を厚さ方向に貫通する円形の貫通孔３１ａが形成されている。
【００２０】
中央電極３２は、枠体３１の中心（貫通孔３１ａの中心）を通り、厚さ方向に沿って延びる円柱状とされている。なお、スイッチ本体１１のうち、少なくとも枠体３１及び中央電極３２の両面には、第１基板１２及び第２基板１３とスイッチ本体１１とをそれぞれ接合するための第１接合膜４１及び第２接合膜４２（例えば、Ａｕ／Ｎｉ等）が形成されている。図示の例において、スイッチ本体１１のうち、厚さ方向における他端側の主面には、錘部３４及び梁部３５上を含む全体に第２接合膜４２が形成されている。
【００２１】
錘部３４は、厚さ方向から見た平面視で円形とされ、その中央部には基板２０を厚さ方向に貫通する収容孔３３が形成されている。なお、錘部３４の外径は、枠体３１の貫通孔３１ａの内径よりも小さく、収容孔３３の内径は中央電極３２の外径よりも大きくなっている。したがって、錘部３４は、その内側面と中央電極３２の外側面との間に径方向におけるギャップが設定されるとともに、加速度スイッチ１への加速度の入力により中央電極３２に対して接離可能とされている。なお、ギャップの径方向における幅（以下、単にギャップ量Ｇという）は、周方向の全周に亘って均一になっていることが好ましい。
【００２２】
また、錘部３４のうち、厚さ方向における上端部は、下端部よりも径方向の内側に張り出した張出部３６を構成している。そして、錘部３４の内側面のうち、少なくとも張出部３６に位置する部分と、中央電極３２の外側面のうち、張出部３６と対向する部分と、には、それぞれ電極膜４５，４６が形成されている。したがって、加速度スイッチ１は、初期状態においてギャップを挟んで電極膜４５，４６同士が対向したＯＦＦ状態となっている。なお、電極膜４５，４６は、上述した第２接合膜４２に各別に接続されている。
【００２３】
梁部３５は、枠体３１及び錘部３４よりも薄く形成され、弾性変形可能とされている。具体的に、梁部３５は、錘部３４の周囲をほぼ全周に亘って取り囲む円弧部５１（本体部）と、円弧部５１の一端と錘部３４とを接続する錘部側接続部５２と、円弧部５１の他端と枠体３１とを接続する枠体側接続部５３と、を備えている。
円弧部５１は、錘部３４の周囲を取り囲むように周方向の全周に亘って一定の曲率半径で延在した円弧状の枠体からなる。
【００２４】
錘部側接続部５２は、径方向に沿って延在する平面視矩形状の部材であり、両端に円弧部５１と錘部３４とがそれぞれ接続される。具体的に、錘部側接続部５２は、径方向における内側端部が錘部３４の外側面に連設され、径方向における外側端部が円弧部５１における周方向の一端部に連設されている。なお、錘部側接続部５２における径方向の外側端部が、円弧部５１よりも径方向の外側に突出する突起部を有する構成としてもよい。
【００２５】
枠体側接続部５３は、径方向に沿って延在し、錘部側接続部５２と同形同大の部材からなり、両端に円弧部５１と枠体３１とがそれぞれ接続される。具体的に、枠体側接続部５３は、径方向における外側端部が枠体３１の内側面に連設され、径方向における内側端部が円弧部５１における周方向の他端部に連設されている。また、枠体側接続部５３は、錘部側接続部５２との対向面側の側壁にスティッキング防止膜５４を有する。
【００２６】
スティッキング防止膜５４は、例えば、ＳｉＯ2やＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）のような材料からなる絶縁性の被膜であり、枠体側接続部５３の側壁に成膜されてなる。当該スティッキング防止膜５４は、枠体側接続部５３の側壁全体に成膜されたものであってもよいし、枠体側接続部５３の側壁の一部のみに形成されたものであってもよい。このような枠体側接続部５３の側壁にスティッキング防止膜５４が設けられることにより、加速度スイッチ１に加速度が入力され、錘部側接続部５２と枠体側接続部５３とが接触した場合であっても、接触時の密着力が低減されるので、スティッキング現象の発生を未然に防止することができる。
【００２７】
（第１基板及び第２基板）
図２に示すように、第１基板１２は、例えばガラス等からなり、平面視外形がスイッチ本体１１と同等の形状を呈し、厚さ方向における下方からスイッチ本体１１を覆っている。また、第１基板１２は、第１接合膜４１を介してスイッチ本体１１の枠体３１及び中央電極３２に接合されている。また、第１基板１２におけるスイッチ本体１１側の主面のうち、枠体３１及び中央電極３２以外に位置する部分は、錘部３４の変位を許容する逃げ部５６が形成されている。
【００２８】
第２基板１３は、第１基板１２と同様の材料からなるとともに、平面視外形がスイッチ本体１１と同等の形状を呈し、厚さ方向における上方からスイッチ本体１１を覆っている。また、第２基板１３は、第２接合膜４２を介してスイッチ本体１１の枠体３１及び中央電極３２に接合されている。これにより、加速度スイッチ１のうち、枠体３１、第１基板１２、及び第２基板１３で画成された内側空間に、中央電極３２、及び梁部３５が封止されている。また、第２基板１３におけるスイッチ本体１１側の主面のうち、枠体３１及び中央電極３２以外に位置する部分は、錘部３４の変位を許容する逃げ部５７が形成されている。
【００２９】
さらに、第２基板１３のうち、中央電極３２上に位置する部分、及び枠体３１上に位置する部分には、それぞれ厚さ方向に貫通して第２接合膜４２を露出させる露出孔５８が形成されている。そして、第２基板１３には、各露出孔５８を通して第２接合膜４２と外部装置とを導通させるための貫通電極５９（例えば、Ａｌ等）が各別に形成されている。すなわち、第２接合膜４２のうち、中央電極３２上及び枠体３１上に位置する部分は、中央電極３２及び錘部３４の各電極膜４５，４６と外部装置との間を接続するための回路としても機能している。
【００３０】
［加速度スイッチの製造方法］
次に、上述した加速度スイッチ１の製造方法について説明する。図３、図４は、加速度スイッチ１の製造方法を説明するための工程図であって、図２に相当する断面図である。
まず、図３（ａ）に示すように、基板２０の厚さ方向における一端側の主面上に、第１接合膜４１を形成する（第１接合膜形成工程）。具体的には、リフトオフ法等を用い、基板２０の厚さ方向における一端側の主面上のうち、枠体３１、及び中央電極３２に相当する部分のみに第１接合膜４１を残存させる。
【００３１】
次に、図３（ｂ）に示すように、図示しないマスクを用いてＤＲＩＥ（深掘り反応性イオンエッチング）等のドライエッチングを、基板２０の厚さ方向における一端側から行い、基板２０のうち、枠体３１、中央電極３２、及び錘部３４以外に相当する部分に、所定深さの凹部６０を形成する（第１エッチング工程）。なお、凹部６０の深さ（エッチング量）は、基板２０の厚さと梁部３５の厚さとの差分に相当している。
その後、図３（ｃ）に示すように、基板２０のうち、枠体３１及び中央電極３２に対して、第１接合膜４１を介して第１基板１２を接合する（第１基板接合工程）。
【００３２】
次に、図４（ａ）に示すように、図示しないマスクを用いてＤＲＩＥ等のドライエッチングを、基板２０の厚さ方向における他端側から行い、基板２０のうち、枠体３１、中央電極３２、錘部３４、及び梁部３５以外に相当する部分を除去する（第２エッチング工程）。これにより、凹部６０が厚さ方向に貫通することで、梁部３５が成形されるとともに、中央電極３２と錘部３４とがギャップを介して離間した状態になる。
【００３３】
続いて、図４（ｂ）に示すように、スパッタ等を用い、基板２０の厚さ方向における他端側の主面全体に亘って第２接合膜４２を成膜する（金属膜形成工程）。なお、第２接合膜４２を形成する際の粒子の回り込みにより、錘部３４の内側面及び中央電極３２の外側面に粒子を堆積させることで、錘部３４の内側面及び中央電極３２の外側面に電極膜４５，４６が形成される。
【００３４】
次に、図１に示すように、形成された梁部３５のうち枠体側接続部５３の、錘部側接続部５２との対向面側の側壁に相当する箇所には、スパッタリング法や蒸着法、ＣＶＤ（化学気相蒸着）法によってＳｉＯ２からなるスティッキング防止膜５４を成膜する（スティッキング防止膜形成工程）。
その後、図４（ｃ）に示すように、基板２０のうち、枠体３１及び中央電極３２に対して、第２接合膜４２を介して第２基板１３を接合する（第２基板接合工程）。
【００３５】
最後に、図２に示すように、第２基板１３に対してＡｌ等からなる金属膜を成膜し、その後パターニングすることで、貫通電極５９を形成する（貫通電極形成工程）。
以上により、上述した加速度スイッチ１が完成する。
【００３６】
［加速度スイッチの動作説明］
図５は、加速度スイッチ１の動作説明図であって、図１に相当する平面図である。
このように構成された加速度スイッチ１では、図５に示すように、初期状態の加速度スイッチ１に対して例えば矢印Ｑ方向に加速度が入力されると、錘部３４を除く加速度スイッチ１全体が矢印Ｑ方向に移動する。
【００３７】
一方、錘部３４は、梁部３５を介して枠体３１に支持されているため、慣性によりその場に留まろうとする。これにより、枠体３１及び中央電極３２と錘部３４とが相対移動するとともに、この相対移動に伴い梁部３５が弾性変位する。そして、中央電極３２と錘部３４との電極膜４５，４６（図２参照）同士が電気的に接触することで、加速度スイッチ１がＯＮ状態となる。そして、外部装置は、貫通電極５９を介して加速度スイッチ１のＯＮ状態を検出信号として検出することで、所定の動作を行う。
【００３８】
ここで、本実施形態では、枠体側接続部５３の錘部側接続部５２との対向面にスティッキング防止膜５４を備える構成とした。
この構成によれば、図５に示すように、錘部側接続部５２及び枠体側接続部５３同士が接近する方向に梁部３５が変位して、錘部側接続部５２及び枠体側接続部５３の対向面が当接した場合、錘部側接続部５２とスティッキング防止膜５４とが接触することとなる。この場合、錘部側接続部５２はシリコン材等の半導体材料からなる一方、スティッキング防止膜５４はＳｉＯ2のような材料からなる絶縁性の被膜で形成されるので、双方が接触しても密着力は十分に軽減する。その結果、加速度スイッチ１は、梁部におけるスティッキング現象の発生を抑止でき、動作信頼性を向上させることが可能となる。
【００３９】
さらに、本実施形態では、円弧部５１の曲率半径が全体に亘って均一とされているため、スイッチ本体１１の面内方向における反応の等方性を確保して、加速度の入力方向の違いによる感度（梁部３５の変位）のばらつきを抑制できる。
【００４０】
＜変形例＞
以下、第１実施形態における加速度スイッチ１の変形例について説明する。なお、加速度スイッチ１において第１実施形態における加速度スイッチ１と同一構成については、同一符号を付してその説明を省略する。
【００４１】
第１実施形態における加速度スイッチ１では、枠体側接続部５３の錘部側接続部５２との対向面にスティッキング防止膜５４を備える構成としたが、図６に示すように、錘部側接続部５２の枠体側接続部５３との対向面にスティッキング防止膜５４を形成するようにしても勿論良い。また、図７に示すように、錘部側接続部５２と枠体側接続部５３との双方の対向面にスティッキング防止膜５４を形成するようにすれば、一層確実に梁部におけるスティッキング現象の発生を抑止でき、動作信頼性の更なる向上を図ることが可能となる。
【００４２】
また、第１実施形態における加速度スイッチ１では、枠体側接続部５３の錘部側接続部５２との対向面にのみスティッキング防止膜５４を備える構成としたが、図８に示すように、円弧部５１（を含む梁部３５全体）の側面を覆うようにスティッキング防止膜５４を設ける構成としても良い。この場合の加速度スイッチ１は、梁部３５におけるスティッキング現象のみならず、錘部３４と梁部３５、梁部３５と枠体３１、等の接触によるスティッキング現象の発生も抑止でき、動作信頼性の更なる向上を図ることが可能となる。また、スティッキング防止膜５４は、円弧部５１の側面に替えて、梁部３５の外側面と枠体の内側面に形成されても良いし、円弧部５１の側面、梁部３５の外側面、枠体の内側面、それぞれに形成されても良い。
【００４３】
＜第２実施形態＞
以下、本発明に係る第２実施形態における加速度スイッチ１について説明する。なお、加速度スイッチ１において第１実施形態における加速度スイッチ１と同一構成については、同一符号を付してその説明を省略する。
【００４４】
図９は第３実施形態における加速度スイッチ１の平面図である。本第３実施形態に係る加速度スイッチ１において、枠体側接続部５３は、図９に示すように、錘部側接続部５２との対向面側が錘部側接続部５２に向けて突出する突起部５３ａを有し、当該突起部５３ａを覆うようにスティッキング防止膜５４が形成される。
【００４５】
突起部５３ａは、例えば、平面視で先端側（錘部側接続部５２側）に向かうにつれて先細りとなる三角形状等からなる。当該突起部５３ａは、例えば、シリコン材等を用いて枠体側接続部５３と一体的に形成される。
【００４６】
スティッキング防止膜５４は、ＳｉＯ2のような材料からなる絶縁性の被膜であり、突起部５３ａの平面形状に沿って（すなわち、外部との接触面が突起状となるように）突起部５３ａの表面へ成膜される。
【００４７】
そのため、本実施形態に係る加速度スイッチ１によると、加速度スイッチ１に対して加速度が入力され、枠体側接続部５３と錘部側接続部５２とが接触する場合、スティッキング防止膜５４が突起状に形成されているので、スティッキング防止膜５４が平坦面状に形成された場合に比べて、錘部側接続部５２との接触面積を低減させることが可能となる。      
【００４８】
その結果、本実施形態に係る加速度スイッチ１では、枠体側接続部５３と錘部側接続部５２との接触時における密着力をさらに低減させることが可能となるので、一層確実に梁部におけるスティッキング現象の発生を抑止でき、動作信頼性の更なる向上を図ることが可能となる。
【００４９】
なお、突起部５３ａの形状は、錘部側接続部５２との接触面積を低減可能なものであれば、台形状やテーパ形状等の他の形状へ適宜変更可能である。また、第１実施形態の変形例で述べたように、突起部は、錘部側接続部へ設けることとしても良いし、枠体側接続部５３と錘部側接続部５２の双方に設けることとしても勿論良い。
【００５０】
＜第３実施形態＞
以下、本発明に係る第３実施形態における加速度スイッチ１について説明する。なお、加速度スイッチ１において第１実施形態における加速度スイッチ１と同一構成については、同一符号を付してその説明を省略する。
【００５１】
図１０は第４実施形態における加速度スイッチ１の平面図である。本第３実施形態に係る加速度スイッチ１においては、枠体側接続部５３と錘部側接続部５２の双方の対向面に、それぞれ、磁性を帯びたスティッキング防止膜５４ａ，５４ｂを設ける。
【００５２】
スティッキング防止膜５４ａ，５４ｂは、例えば、鉄、コバルト、ニッケルのような磁性を帯びた金属やそれらの合金からなる金属膜である。当該スティッキング防止膜５４ａ，５４ｂは、相互に対向する面が同じ磁極となるように磁化されている。
【００５３】
そのため、本実施形態に係る加速度スイッチ１によると、加速度スイッチ１に対して加速度が入力され、枠体側接続部５３と錘部側接続部５２とが接触する場合、スティッキング防止膜５４ａ，５４ｂ同士が密着しても、同じ磁極に磁化されたスティッキング防止膜５４ａ，５４ｂ同士の斥力（反発力）により、双方が貼付することを防止出来るので、スティッキング現象の発生を抑止でき、動作信頼性の向上を図ることが可能となる。
【符号の説明】
【００５４】
１,２００…加速度スイッチ（電子デバイス）
１１…スイッチ本体（構造体基板）
１２…第１基板（上側封止基板）
１３…第２基板（下側封止基板）
２０…基板
３１、２０４…枠体（支持部）
３２…中央電極
３３…収容孔
３４、２０３…錘部
３５、２０５…梁部
３７…梁移動制限部
４１…第１接合膜
４２…第２接合膜
４５,４６…電極膜
５１…円弧部（本体部）
５２、２１０…錘部側接続部
５３、２１１…枠体側接続部
５３ａ…突起部
５４、５４ａ、５４ｂ…スティッキング防止膜
５６,５７…逃げ部
５８…露出孔
５９…貫通電極
６０…凹部
６１…突起部
６２、６３…スティッキング防止膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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