(57)【要約】【課題】他の記憶容量の大きい不揮発性の記憶部を用いずに、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリーが寿命を迎えるまでの時間が急速に短くならないよう予防する。【解決手段】画像処理装置に、複数のブロックを備えたＮＡＮＤ型フラッシュメモリーと、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリーよりも記憶容量が小さい揮発性メモリーと、複数のブロックのうちデータが記憶されていない空きブロックを用いて各ブロックのデータの書き換え回数を均一化するウェアレベリング処理を実行する均一化処理部と、画像データが表す画像に所定の画像処理を行う画像処理部と、空きブロックの記憶容量の総和が予め定められた閾値以上の場合は、画像処理の実行中に一時的に記憶する必要がある一時画像データをＮＡＮＤ型フラッシュメモリーに記憶する一方、総和が閾値未満の場合は、一時画像データを揮発性メモリーに記憶する記憶制御部と、を備える。【選択図】図１
2016066275.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のブロックを備えたＮＡＮＤ型フラッシュメモリーと、
前記ＮＡＮＤ型フラッシュメモリーよりも記憶容量が小さい揮発性メモリーと、
前記複数のブロックのうちデータが記憶されていない空きブロックを用いて各ブロックのデータの書き換え回数を均一化するウェアレベリング処理を実行する均一化処理部と、
画像データが表す画像に所定の画像処理を行う画像処理部と、
前記空きブロックの記憶容量の総和が予め定められた閾値以上の場合は、前記画像処理の実行中に一時的に記憶する必要がある一時画像データを前記ＮＡＮＤ型フラッシュメモリーに記憶する一方、前記総和が前記閾値未満の場合は、前記一時画像データを前記揮発性メモリーに記憶する記憶制御部と、
を備える画像処理装置。
【請求項２】
前記総和が前記閾値未満の場合に、前記ＮＡＮＤ型フラッシュメモリーに記憶されているデータを整理する旨の警告を報知する警告報知部を更に備える請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
表示部と、
前記画像処理の実行指示を受け付ける指示受付部と、
前記指示受付部により前記実行指示が受け付けられた場合に、前記総和が前記閾値未満のときは、前記空きブロックの記憶容量の総和が少ないために前記実行指示が示す前記画像処理が制限されることを許諾するか否かをユーザーに選択させるための操作画面を前記表示部に表示する表示制御部と、
前記操作画面においてユーザーにより前記許諾することが選択された場合は、前記実行指示が示す前記画像処理を前記画像処理部に実行させる一方、前記操作画面においてユーザーにより前記許諾しないことが選択された場合は、前記実行指示が示す前記画像処理を前記画像処理部に実行させない実行制御部と、
を更に備える請求項１又は２に記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記記憶制御部は、
入力されたデータを前記ＮＡＮＤ型フラッシュメモリーに書き込む第一書込部と、
入力されたデータを前記揮発性メモリーに書き込む第二書込部と、
前記総和が前記閾値以上である第一状態か前記総和が前記閾値未満である第二状態かを示す判定情報を出力する監視部と、
前記判定情報と前記一時画像データとが入力され、入力された前記判定情報が前記第一状態を示す場合は、入力された前記一時画像データを前記第一書込部へ出力する一方、入力された前記判定情報が前記第二状態を示す場合は、入力された前記一時画像データを前記第二書込部へ出力する選択部と、
を備える請求項１から３の何れか一項に記載の画像処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリーを備えた画像処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、複写機、スキャナー、及び複合機等の画像処理装置において、画像データを記憶するためのデータ記憶装置として、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリーを備えたＳＳＤ（Ｓｏｌｉｄ  Ｓｔａｔｅ  Ｄｒｉｖｅ）等の利用が普及してきている。
【０００３】
ＮＡＮＤ型フラッシュメモリーは、複数のブロックを備え、ブロック単位でデータの書き換えが可能である。各ブロックは一ビットのデータを記憶可能なセルを所定数備えている。各ブロックは、セルの特性上、データの書き換え回数が制限されている。このため、データの書き換え回数が制限に達したブロックが増大し、データの書き換え可能なブロックがなくなると、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリーに対するデータの書き換えができなくなり、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリーは寿命を迎えることになる。
【０００４】
そこで、ＳＳＤでは、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリーの各ブロックの状態を管理するメモリコントローラーを設け、当該メモリコントローラーにウェアレベリング処理を実行させている。ウェアレベリング処理とは、データが記憶されていない空きブロックを用いて各ブロックのデータの書き換え回数を均一化する処理である。これにより、データの書き換える対象のブロックが特定のブロックに偏らないようにし、データの書き換えができない不良ブロックの数が急速に増大しないようにしている。
【０００５】
また、例えば下記特許文献１には、ＮＡＮＤフラッシュデバイスのブロックのうち、書き込み回数が制限数に達した不良ブロックが所定数に達すると、画像処理条件や印刷速度を変更する等して、書き込む画像データのデータ量を低減することが記載されている。
【０００６】
また、下記特許文献２には、データを記憶するための不揮発性の記憶部を予め複数設けておき、特定の記憶部にアクセスが集中しないよう、寿命が最も多く残っている記憶部にデータを記憶し、複数の記憶部の寿命を平準化することが記載されている。また、下記特許文献３には、書き換え回数に制御のあるＳＳＤと、書き換え回数に制限のないＨＤＤとを予め設けておき、ＳＳＤの寿命が所定の寿命レベルに達していれば、ＳＳＤを用いて実行させる処理を、ＨＤＤを用いる処理に切り替えることが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００９−５５４５７号公報
【特許文献２】特開２０１２−１１８５８７号公報
【特許文献３】特開２０１４−３２５８２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかし、上記特許文献１に記載の技術では、不良ブロックが所定数に達した後から、書き込む画像データのデータ量を低減する対処的な処置が行われる。このため、ウェアレベリング処理によって各ブロックの書き換え回数が均一化されていると、不良ブロックではないブロックも近いうちに不良ブロック化することになる。つまり、当該処置を行ったとしても、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリーは近いうちに寿命を迎える虞があった。また、上記特許文献２及び３に記載の技術を採用するには、データを記憶するための不揮発性の記憶部を予め複数備えておく必要があった。
【０００９】
本発明は、上記の問題を解決するためになされたものであり、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリーとは他の記憶容量の大きい不揮発性の記憶部を用いずに、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリーが寿命を迎えるまでの時間が急速に短くならないよう予防することができる画像処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明による画像処理装置は、複数のブロックを備えたＮＡＮＤ型フラッシュメモリーと、前記ＮＡＮＤ型フラッシュメモリーよりも記憶容量が小さい揮発性メモリーと、前記複数のブロックのうちデータが記憶されていない空きブロックを用いて各ブロックのデータの書き換え回数を均一化するウェアレベリング処理を実行する均一化処理部と、画像データが表す画像に所定の画像処理を行う画像処理部と、前記空きブロックの記憶容量の総和が予め定められた閾値以上の場合は、前記画像処理の実行中に一時的に記憶する必要がある一時画像データを前記ＮＡＮＤ型フラッシュメモリーに記憶する一方、前記総和が前記閾値未満の場合は、前記一時画像データを前記揮発性メモリーに記憶する記憶制御部と、を備える。
【００１１】
本構成によれば、空きブロックの記憶容量が上記閾値以上であり、ウェアレベリング処理によって各ブロックのデータの書き換え回数を十分に均一化可能な場合、一時画像データを、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリーに記憶する。一方、空きブロックの記憶容量が上記閾値未満であり、ウェアレベリング処理によって各ブロックのデータの書き換え回数を十分には均一化できない場合、一時画像データを、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリーへは記憶せず、揮発性メモリーに記憶する。
【００１２】
このため、各ブロックのデータの書き換え回数を十分には均一化できない場合に、一時画像データをＮＡＮＤ型フラッシュメモリーに記憶することを繰り返すことにより、特定のブロックのデータの書き換え回数が急速に増大し、データの書き換えが行えない不良ブロックが急速に増大する虞を低減することができる。これにより、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリーが寿命を迎えるまでの時間が急速に短くならないよう予防することができる。
【００１３】
このように、上記実施形態の構成によれば、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリーとは他の記憶容量の大きい不揮発性の記憶部を用いずに、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリーが寿命を迎えるまでの時間が急速に短くならないよう予防することができる。
【００１４】
また、前記総和が前記閾値未満の場合に、前記ＮＡＮＤ型フラッシュメモリーに記憶されているデータを整理する旨の警告を報知する警告報知部を更に備えることが好ましい。
【００１５】
本構成によれば、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリーの記憶容量が上記閾値未満であり、各ブロックのデータの書き換え回数を十分には均一化できない場合に、ユーザーは、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリーに記憶されているデータを整理する必要があることに気付き易くなる。
【００１６】
これにより、各ブロックのデータの書き換え回数を十分には均一化できなくなった後、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリーに記憶されている不要なデータを消去する等のデータの整理を早めにユーザーに行わせて、空きブロックの記憶容量の総和を増大させることができる。その結果、ウェアレベリング処理によって各ブロックのデータの書き換え回数を十分に均一化できる状態に早く戻すことができる。
【００１７】
また、表示部と、前記画像処理の実行指示を受け付ける指示受付部と、前記指示受付部により前記実行指示が受け付けられた場合に、前記総和が前記閾値未満のときは、前記空きブロックの記憶容量の総和が少ないために前記実行指示が示す前記画像処理が制限されることを許諾するか否かをユーザーに選択させるための操作画面を前記表示部に表示する表示制御部と、前記操作画面においてユーザーにより前記許諾することが選択された場合は、前記実行指示が示す前記画像処理を前記画像処理部に実行させる一方、前記操作画面においてユーザーにより前記許諾しないことが選択された場合は、前記実行指示が示す前記画像処理を前記画像処理部に実行させない実行制御部と、を更に備えることが好ましい。
【００１８】
本構成によれば、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリーの記憶容量が上記閾値未満であり、各ブロックのデータの書き換え回数を十分に均一化できない場合に、ユーザーは、上記操作画面を視認することができ、空きブロックの記憶容量の総和が少ないために画像処理が制限されることに気付くことができる。
【００１９】
尚、一時画像データをＮＡＮＤ型フラッシュメモリーに記憶するようにして画像処理を実行する場合、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリーの記憶容量が揮発性メモリーの記憶容量よりも大きいので、一時画像データを揮発性メモリーに記憶するようにして画像処理を実行する場合に比して、画像処理の実行中に記憶可能な一時画像データのデータ量が制限されることによって画像処理が制限される可能性が低い。
【００２０】
そこで、ユーザーは、画像処理が制限されることを回避したい場合は、上記操作画面を用いて許諾しないことを選択することにより、画像処理の実行を止めて、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリーに記憶されている不要なデータを消去する等のデータの整理を迅速に行うことができ、空きブロックの記憶容量の総和を増大するための対処を迅速に行うことができる。
【００２１】
当該対処によって空きブロックの記憶容量の総和が上記閾値以上にまで増大すると、一時画像データをＮＡＮＤ型フラッシュメモリーに記憶するようにして画像処理を実行することが可能となる。その結果、一時画像データを揮発性メモリーに記憶するようにして画像処理を実行するときに比して、画像処理が制限される可能性を低減することができる。
【００２２】
一方、ユーザーは、画像処理が制限されても画像処理を行うことを優先したい場合は、上記操作画面を用いて許諾することを選択することにより、一時画像データを揮発性メモリーに記憶するようにして画像処理を実行させることができる。
【００２３】
この場合、一時画像データをＮＡＮＤ型フラッシュメモリーに記憶するようにして画像処理を実行する場合に比して、画像処理が制限される可能性が高い。しかし、ユーザーによって上記許諾が選択された後に当該画像処理が実行されるので、ユーザーによって上記許諾が選択されずに当該画像処理が実行される場合に比して、ユーザーが画像処理が制限されることに煩わしさを感じる虞を低減することができる。
【００２４】
また、前記記憶制御部は、入力されたデータを前記ＮＡＮＤ型フラッシュメモリーに書き込む第一書込部と、入力されたデータを前記揮発性メモリーに書き込む第二書込部と、前記総和が前記閾値以上である第一状態か前記総和が前記閾値未満である第二状態かを示す判定情報を出力する監視部と、前記判定情報と前記一時画像データとが入力され、入力された前記判定情報が前記第一状態を示す場合は、入力された前記一時画像データを前記第一書込部へ出力する一方、入力された前記判定情報が前記第二状態を示す場合は、入力された前記一時画像データを前記第二書込部へ出力する選択部と、を備えることが好ましい。
【００２５】
本構成によれば、選択部は、監視部から入力された判定情報が第一状態を示すか第二状態を示すかに応じて、入力された一時画像データを第一書込部を介してＮＡＮＤ型フラッシュメモリーに書き込むか、第二書込部を介して揮発性メモリーに書き込むかを切り替える。
【００２６】
このため、画像処理部が行う画像処理においては、一時画像データを第一書込部を介してＮＡＮＤ型フラッシュメモリーに書き込むか、第二書込部を介して揮発性メモリーに記憶するかを、監視部が出力した判定情報に応じて判断する必要がない。これにより、画像処理の内容を簡素化することができる。
【発明の効果】
【００２７】
この発明によれば、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリーとは他の記憶容量の大きい不揮発性の記憶部を用いずに、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリーが寿命を迎えるまでの時間が急速に短くならないよう予防することができる画像処理装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】本発明に係る画像処理装置の一実施形態に係る複写機の電気的構成を示すブロック図である。
【図２】コピー条件の入力操作画面を示す図である。
【図３】許諾選択画面を示す図である。
【図４】コピー機能の実行時の動作を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
以下、本発明に係る画像処理装置の一実施形態を図面に基づいて説明する。尚、本実施形態では、画像処理装置として複写機を例に説明するが、これに限定する趣旨ではなく、画像処理装置は、例えば、プリンター、ファクシミリ装置、スキャナー、又は、複合機であってもよい。
【００３０】
図１は、本発明に係る画像処理装置の一実施形態に係る複写機１の電気的構成を示すブロック図である。例えば、図１に示すように、複写機１は、画像読取部３０と、画像形成部４０と、操作部５０と、ＳＳＤ６０と、制御部１０と、を備えている。
【００３１】
画像読取部３０は、ＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｄｅｖｉｃｅ）ラインセンサーや露光ランプ等を有する不図示の光学系ユニットを備えている。光学系ユニットは、制御部１０による制御の下、不図示の原稿台に載置された原稿の画像を走査しつつ取得した画像データを制御部１０へ出力する。
【００３２】
画像形成部４０は、制御部１０による制御の下、用紙に画像を形成する。具体的には、画像形成部４０は、感光体ドラム、感光体ドラムの周面に対向して配設された帯電部、帯電部の下流側であって感光体ドラムの周面に対向して配設された露光部、露光部の下流側であって感光体ドラムの周面に対向して配設された現像部、現像部の下流側であって感光体ドラムの周面に対向して配設されたクリーニング部等を備えた周知の構成を有する。
【００３３】
操作部５０は、情報を表示するための表示部５１と、ユーザーによって各種指示の操作を行わせるための操作キー部５２と、を備えている。表示部５１は、例えばタッチパネル機能を有する液晶ディスプレイ等であり、各種情報を表示する。操作キー部５２は、例えば、コピー機能等の機能の実行開始を指示するためのスタートキーや、数値や記号を入力するためのテンキー等の各種キーを含む。
【００３４】
ＳＳＤ６０は、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリー６１と、メモリー管理コントローラー６２（均一化処理部）と、を備えている。
【００３５】
ＮＡＮＤ型フラッシュメモリー６１には、画像形成部４０や画像読取部３０等の各動作部を制御するためのプログラム等の各種データが記憶されている。
【００３６】
また、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリー６１には、一時画像データと出力画像データとが記憶される。一時画像データとは、後述するように、画像処理部１４による所定の画像処理の実行中に一時的に記憶する必要がある画像データである。出力画像データとは、画像形成部４０によって用紙に形成される対象の画像を表す画像データである。
【００３７】
出力画像データは、当該出力画像データが表す画像が用紙に形成された後も、再びＮＡＮＤ型フラッシュメモリー６１から読み出して利用することができる。また、出力画像データは、ユーザーによる操作部５０の操作によって、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリー６１から消去することもできる。つまり、ユーザーは、操作部５０の操作によってＮＡＮＤ型フラッシュメモリー６１に記憶されている出力画像データを消去することにより、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリー６１に記憶されているデータの整理を行うことができる。
【００３８】
ＮＡＮＤ型フラッシュメモリー６１は、具体的には、所定の複数バイトのデータを記憶可能なブロックを複数備えている。各ブロックは、１ビットのデータを蓄積可能なセルを、上記複数バイトのデータを表すビット列のビット数分備えている。
【００３９】
メモリー管理コントローラー６２は、不図示のＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｕｎｉｔ）、不図示のＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）、及び、後述のストレージ制御部２１との間で後述するコマンド等を入出力する入出力回路等を備えている。
【００４０】
例えば、データの読み出し指示を示すコマンドとブロックアドレスとが上記入出力回路を介してメモリー管理コントローラー６２に入力されたとする。この場合、メモリー管理コントローラー６２は、ＣＰＵに、当該ブロックアドレスを用いて当該コマンドを実行させる。これにより、メモリー管理コントローラー６２は、当該ブロックアドレスが示すブロックからデータを読み出し、当該読み出したデータを上記入出力回路を介してストレージ制御部２１へ出力する。
【００４１】
また、データの書き換え指示を示すコマンドとブロックアドレスと更新データとがメモリー管理コントローラー６２に入力されたとする。この場合、メモリー管理コントローラー６２は、ＣＰＵに、当該ブロックアドレスと当該更新データとを用いて当該コマンドを実行させる。これにより、メモリー管理コントローラー６２は、当該ブロックアドレスが示すブロックに記憶されているデータを消去した後、当該更新データを当該ブロックに書き込む。
【００４２】
また、データの書き込み指示を示すコマンドと書き込み対象のデータがメモリー管理コントローラー６２に入力されたとする。この場合、メモリー管理コントローラー６２は、ＣＰＵに、当該書き込み対象のデータを用いて当該コマンドを実行させる。これにより、メモリー管理コントローラー６２は、当該書き込み対象のデータを後述する空きブロックに書き込み後、当該空きブロックを示すブロックアドレスをストレージ制御部２１へ出力する。
【００４３】
また、データの消去指示を示すコマンドとブロックアドレスとがメモリー管理コントローラー６２に入力されたとする。この場合、メモリー管理コントローラー６２は、ＣＰＵに、当該ブロックアドレスを用いて当該コマンドを実行させる。これにより、メモリー管理コントローラー６２は、当該ブロックアドレスが示すブロックに記憶されているデータを消去する。
【００４４】
このようにして、メモリー管理コントローラー６２は、ストレージ制御部２１から入力されたコマンド等に基づき、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリー６１に対するデータの読み出し、書き換え、書き込み及び消去を行う。
【００４５】
また、メモリー管理コントローラー６２は、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリー６１の各ブロックに設けられた所定の第一の記憶領域、第二の記憶領域、及び第三の記憶領域を用いて、当該各ブロックの状態を管理する。
【００４６】
具体的には、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリー６１の各ブロックは、セルを構成する酸化膜の特性上、データの書き換えを正常に行うことができる制限回数が１０万回程度に制限されている。そこで、メモリー管理コントローラー６２は、各ブロックに記憶されているデータの書き換え時に、当該各ブロックの上記第一の記憶領域に記憶されている書き換え回数をカウントアップし、当該カウントアップ後の書き換え回数に書き換える。
【００４７】
そして、メモリー管理コントローラー６２は、各ブロックに記憶されているデータの書き換え後、上記第一の記憶領域に記憶した書き換え回数が予め定められた制限回数を超えた場合は、当該各ブロックが正常にデータを書き換えできない不良状態になったことを示す不良ブロック情報を、当該各ブロックの上記第二の記憶領域に記憶する。
【００４８】
尚、メモリー管理コントローラー６２は、複写機１の起動時等の所定のタイミングで、ストレージ制御部２１から制限回数の書込み指示と制限回数とが入力されると、当該入力された制限回数をメモリー管理コントローラー６２内の不図示のＲＡＭに記憶する。
【００４９】
このように、メモリー管理コントローラー６２は、各ブロックの上記第二の記憶領域に不良ブロック情報が記憶されているか否かによって、各ブロックが不良状態であるか、正常状態であるかを管理する。正常状態のブロックとは、上記第一の記憶領域に記憶されている書き換え回数が上記制限回数を超えていず、正常にデータを書き換え可能な状態のブロックを示す。以下、不良状態のブロックを不良ブロックと記載し、正常状態のブロックを正常ブロックと記載する。
【００５０】
また、メモリー管理コントローラー６２は、データが記憶されていない正常ブロックの上記第三の記憶領域に、当該正常ブロックがデータを記憶していない空き状態であることを示す空きブロック情報を記憶する。以下、空き状態の正常ブロックを空きブロックと記載する。このように、メモリー管理コントローラー６２は、正常ブロックの上記第三の記憶領域に空きブロック情報が記憶されているか否かによって、正常ブロックが空きブロックであるか否かを管理する。
【００５１】
メモリー管理コントローラー６２は、後述する監視部２３から、空きブロック容量情報の出力指示が入力されると、空きブロックの記憶容量の総和を算出する。そして、メモリー管理コントローラー６２は、当該算出した空きブロックの記憶容量の総和を示す情報を空きブロック容量情報として監視部２３へ出力する。
【００５２】
また、メモリー管理コントローラー６２は、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリー６１に対するデータの読み書きを行っていない所定の時期にウェアレベリング処理を実行する。ウェアレベリング処理とは、空きブロックを用いて各ブロックのデータの書き換え回数を均一化する処理である。
【００５３】
例えば、メモリー管理コントローラー６２は、ウェアレベリング処理において、上記第一の記憶領域に記憶されている書き換え回数が最も多い正常ブロックに記憶されているデータを、上記第一の記憶領域に記憶されている書き換え回数が最も少ない空きブロックに移動させることにより、各ブロックのデータの書き換え回数を均一化する。ただし、ウェアレベリング処理の内容をこれに限定する趣旨ではない。
【００５４】
尚、メモリー管理コントローラー６２は、ウェアレベリング処理においてデータを移動させた場合、当該移動前にデータが記憶されていたブロックを示す旧ブロックアドレスと、当該移動後にデータが記憶されたブロックを示す新ブロックアドレスと、を対応付けて、所定の管理用のブロックに記憶する。
【００５５】
メモリー管理コントローラー６２は、データの読み出し指示、データの書き換え指示、又はデータの消去指示を示すコマンドとともに旧ブロックアドレスが入力された場合、当該旧ブロックアドレスを、当該旧ブロックアドレスに対応付けて上記管理用のブロックに記憶されている新ブロックアドレスに変換する。そして、メモリー管理コントローラー６２は、当該変換後の新ブロックアドレスが示すブロックに記憶されているデータの読み出し、書き換え、又は消去を行う。
【００５６】
制御部１０は、複写機１の各部の動作を制御する。具体的には、制御部１０は、所定の演算処理を実行する不図示のＣＰＵと、所定の制御プログラムや、上記の制限回数等の各種初期設定データが記憶されたＥＥＰＲＯＭ等の不図示の不揮発性メモリーと、データを一時的に記憶するためのＤＲＡＭ１１と、これらの周辺回路等とを備えている。
【００５７】
ＤＲＡＭ１１の記憶容量は、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリー６１の記憶容量よりも小さい。例えば、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリー６１の記憶容量が１２８ＧＢ以上であるのに対し、ＤＲＡＭ１１の記憶容量は１６ＧＢ未満である。
【００５８】
制御部１０は、不揮発性メモリー等に記憶された制御プログラムをＣＰＵに実行させることにより、例えば、ストレージ制御部２１（第一書込部）、メモリー制御部２２（第二書込部）、監視部２３、選択部２４、指示受付部１２、実行制御部１３、画像処理部１４、警告報知部１５、及び表示制御部１６として動作する。
【００５９】
ストレージ制御部２１は、読取指示とブロックアドレスとが入力されると、当該入力されたブロックアドレスが示すＮＡＮＤ型フラッシュメモリー６１のブロックからデータを読み出す。また、ストレージ制御部２１は、書換指示とブロックアドレスと更新データとが入力されると、当該入力されたブロックアドレスが示すＮＡＮＤ型フラッシュメモリー６１のブロックに記憶されているデータを、当該入力された更新データに書き換える。
【００６０】
また、ストレージ制御部２１は、書込指示と書き込み対象のデータとが入力されると、当該入力された書き込み対象のデータをＮＡＮＤ型フラッシュメモリー６１に書き込む。また、ストレージ制御部２１は、消去指示とブロックアドレスとが入力されると、当該入力されたブロックアドレスが示すＮＡＮＤ型フラッシュメモリー６１のブロックに記憶されているデータを消去する。
【００６１】
具体的には、ストレージ制御部２１は、入力されたブロックアドレスが示すブロックからデータを読み出す場合、データの読み出し指示を示すコマンドと当該入力されたブロックアドレスとをメモリー管理コントローラー６２へ出力する。その結果、上述のように、メモリー管理コントローラー６２によって、当該ブロックアドレスが示すＮＡＮＤ型フラッシュメモリー６１のブロックからデータが読み出され、当該読み出されたデータがストレージ制御部２１へ出力される。
【００６２】
ストレージ制御部２１は、入力されたブロックアドレスが示すブロックに記憶されているデータを、入力された更新データに書き換える場合、データの書き換え指示を示すコマンドと当該入力されたブロックアドレスと当該入力された更新データとをメモリー管理コントローラー６２へ出力する。その結果、上述のように、メモリー管理コントローラー６２によって、当該ブロックアドレスが示すＮＡＮＤ型フラッシュメモリー６１のブロックに記憶されているデータが消去された後、当該入力された更新データが当該ブロックに書き込まれる。
【００６３】
ストレージ制御部２１は、入力された書き込み対象のデータをＮＡＮＤ型フラッシュメモリー６１に書き込む場合、データの書き込み指示を示すコマンドと当該入力された書き込み対象のデータとをメモリー管理コントローラー６２へ出力する。その結果、上述のように、メモリー管理コントローラー６２によって、当該入力された書き込み対象のデータがＮＡＮＤ型フラッシュメモリー６１の空きブロックに書き込まれ、当該書き込み対象のデータが書き込まれたブロックのブロックアドレスがストレージ制御部２１へ出力される。
【００６４】
ストレージ制御部２１は、入力されたブロックアドレスが示すブロックに記憶されているデータを消去する場合、データの消去指示を示すコマンドと当該入力されたブロックアドレスとをメモリー管理コントローラー６２へ出力する。その結果、上述のように、メモリー管理コントローラー６２によって、当該ブロックアドレスが示すＮＡＮＤ型フラッシュメモリー６１のブロックに記憶されているデータが消去される。
【００６５】
また、ストレージ制御部２１は、複写機１の起動時等の所定のタイミングで、不揮発性メモリーに記憶されている上記の制限回数を読み出す。そして、ストレージ制御部２１は、制限回数の書込み指示と、当該読み出した制限回数と、をメモリー管理コントローラー６２へ出力する。
【００６６】
メモリー制御部２２は、読取指示と、ＤＲＡＭ１１の記憶領域を識別するためのアドレスと、が入力されると、当該入力されたアドレスが示すＤＲＡＭ１１の記憶領域からデータを読み出す。また、メモリー制御部２２は、書換指示とアドレスとが入力されると、当該入力されたアドレスが示すＤＲＡＭ１１の記憶領域に記憶されているデータを、当該入力された更新データに書き換える。
【００６７】
また、メモリー制御部２２は、書込指示と書き込み対象のデータとが入力されると、当該入力された書き込み対象のデータを、ＤＲＡＭ１１の記憶領域のうちデータが記憶されていない記憶領域に書き込み、当該書き込み対象のデータが書き込まれた記憶領域のアドレスを出力する。また、メモリー制御部２２は、消去指示とアドレスとが入力されると、当該入力されたアドレスが示すＤＲＡＭ１１の記憶領域に記憶されているデータを消去する。
【００６８】
監視部２３は、複写機１の起動後、定期的に（例えば５分毎に）、空きブロック容量情報の出力指示をメモリー管理コントローラー６２へ出力する。その結果、上述のように、メモリー管理コントローラー６２によって空きブロック容量情報が監視部２３へ出力される。監視部２３は、入力された空きブロック容量情報が示す、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリー６１の空きブロックの記憶容量の総和が、予め定められた閾値以上である場合、ビット値「１」（第一状態を示す判定情報）を出力する。一方、監視部２３は、上記総和が上記閾値未満の場合は、ビット値「０」（第二状態を示す判定情報）を出力する。
【００６９】
上記閾値は、制御部１０内の不揮発性メモリーに予め記憶されている。上記閾値は、例えば、ウェアレベリング処理において、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリー６１に記憶される電子ファイルのうち最もデータ容量が大きい電子ファイルを示すデータを移動させるために必要な空きブロックの記憶容量の総和に定められている。例えば、上記最もデータ容量が大きい電子ファイルのデータが２ＧＢであった場合、上記閾値は、２ＧＢ以上に定められている。ただし、閾値の定め方をこれに限定する趣旨ではない。
【００７０】
選択部２４には、監視部２３が出力したビット値と、後述の画像処理部１４が出力した書込指示と一時画像データとが入力される。選択部２４は、書込指示が入力された場合、入力されたビット値が「１」のときは、当該入力された書込指示と当該入力された一時画像データとをストレージ制御部２１へ出力する。一方、選択部２４は、入力されたビット値が「０」のときは、当該入力された書込指示と当該入力された一時画像データとをメモリー制御部２２へ出力する。その結果、選択部２４は、ストレージ制御部２１又はメモリー制御部２２が出力しブロックアドレス又はアドレスを、画像処理部１４へ出力する。
【００７１】
また、選択部２４には、監視部２３が出力したビット値と、後述の画像処理部１４が出力した読取指示とブロックアドレス又はアドレスとが入力される。選択部２４は、読取指示が入力された場合、入力されたビット値が「１」のときは、当該入力された読取指示と当該入力されたブロックアドレス又はアドレスをストレージ制御部２１へ出力する。一方、選択部２４は、入力されたビット値が「０」のときは、当該入力された読取指示と当該入力されたブロックアドレス又はアドレスとをメモリー制御部２２へ出力する。その結果、選択部２４は、ストレージ制御部２１又はメモリー制御部２２が出力した一時画像データを、画像処理部１４へ出力する。
【００７２】
また、選択部２４には、監視部２３が出力したビット値と、後述の画像処理部１４が出力した書換指示とブロックアドレス又はアドレスと更新データとが入力される。選択部２４は、書換指示が入力された場合、入力されたビット値が「１」のときは、当該入力された書換指示と当該入力されたブロックアドレス又はアドレスと当該入力された更新データとをストレージ制御部２１へ出力する。一方、選択部２４は、入力されたビット値が「０」のときは、当該入力された書換指示と当該入力されたブロックアドレス又はアドレスと当該入力された更新データとをメモリー制御部２２へ出力する。
【００７３】
また、選択部２４には、監視部２３が出力したビット値と、後述の画像処理部１４が出力した消去指示とブロックアドレス又はアドレスとが入力される。選択部２４は、消去指示が入力された場合、入力されたビット値が「１」のときは、当該入力された消去指示と当該入力されたブロックアドレス又はアドレスをストレージ制御部２１へ出力する。一方、選択部２４は、入力されたビット値が「０」のときは、当該入力された消去指示と当該入力されたブロックアドレス又はアドレスとをメモリー制御部２２へ出力する。
【００７４】
尚、ストレージ制御部２１、メモリー制御部２２、監視部２３、及び選択部２４は、記憶制御部２０を構成する。即ち、記憶制御部２０は、監視部２３が選択部２４へビット値「１」を出力した場合、つまり、空きブロックの記憶容量の総和が上記閾値以上である場合、選択部２４が後述の画像処理部１４から入力された書込指示と一時画像データとをストレージ制御部２１へ出力することにより、当該一時画像データをＮＡＮＤ型フラッシュメモリー６１に記憶する。
【００７５】
一方、記憶制御部２０は、監視部２３が選択部２４へビット値「０」を出力した場合、つまり、空きブロックの記憶容量の総和が上記閾値未満である場合、選択部２４が後述の画像処理部１４から入力された書込指示と一時画像データとをメモリー制御部２２へ出力することにより、当該一時画像データをＤＲＡＭ１１に記憶する。
【００７６】
指示受付部１２は、ユーザーによる操作部５０の操作により入力された各種指示を受け付ける。実行制御部１３は、指示受付部１２により受け付けられた指示に従って、複写機１の各部を動作させる。画像処理部１４は、実行制御部１３による指示に従って、画像データが表す画像に対し、指示された画像処理（所定の画像処理）を行う。
【００７７】
具体的には、指示受付部１２は、ユーザーによる操作部５０の操作により、コピー機能の実行指示が入力されると、当該コピー機能の実行指示を受け付ける。コピー機能の実行指示には、ユーザーにより入力された、コピー機能を実行するときに用いられる実行条件であるコピー条件が含まれる。当該コピー条件には、例えば、用紙のサイズや、部数や、画像処理情報等が含まれる。
【００７８】
画像処理情報とは、画像処理部１４に実行させる画像処理を示す情報である。つまり、指示受付部１２は、画像処理情報を含むコピー機能の実行指示を受け付けることにより、画像処理部１４による画像処理の実行指示を受け付ける。画像処理情報には、例えば、集約印刷処理情報や、小冊子印刷処理情報や、画像補正処理情報等が含まれる。
【００７９】
集約印刷処理情報とは、複数枚の原稿の画像を一枚の用紙に集約して形成するための画像処理を示す情報である。以下、当該画像処理を第一画像処理と記載する。集約印刷情報には、一枚の用紙に集約する画像の枚数を示す集約枚数や、集約する画像を配置するときのレイアウト等、第一画像処理の実行時に用いる情報も含まれる。
【００８０】
第一画像処理は、画像読取部３０が複数枚の原稿の画像を読み取ることにより順次出力する画像データを、上記集約枚数分ずつ一時画像データとして一時的にＮＡＮＤ型フラッシュメモリー６１又はＤＲＡＭ１１に記憶する処理と、当該記憶された集約枚数分の一時画像データがそれぞれ表す画像を上記レイアウトに従って配置した画像を、一枚の用紙に収まるサイズに縮小した画像を生成する処理と、当該生成した画像を表す画像データを出力画像データとしてＮＡＮＤ型フラッシュメモリー６１に記憶する処理とを含む。
【００８１】
小冊子印刷処理情報とは、出力した複数枚の用紙を、週刊誌やパンフレットのような小冊子として綴じることが可能なように、複数枚の原稿の画像を複数枚の用紙に形成するための画像処理を示す情報である。以下、当該画像処理を第二画像処理と記載する。小冊子印刷情報には、出力した複数枚の用紙の綴じ方（右綴じ、左綴じ、上綴じ、下綴じ等）等、第二画像処理の実行時に用いる情報も含まれる。
【００８２】
第二画像処理は、画像読取部３０が複数枚の原稿の画像を読み取ることにより順次出力する画像データを、一時画像データとして当該出力順にＮＡＮＤ型フラッシュメモリー６１又はＤＲＡＭ１１に記憶する処理と、当該出力順に記憶されている一時画像データを上記綴じ方に応じた並び順に並び替える処理と、当該並び替えた一時画像データを順次出力画像データとしてＮＡＮＤ型フラッシュメモリー６１に記憶する処理とを含む。
【００８３】
画像補正処理情報とは、用紙に形成する対象の画像の濃度や彩度等を補正する各種画像処理を示す情報である。以下、当該画像処理を補正画像処理と記載する。画像補正処理情報には、例えば、濃度を２０パーセント濃くする画像補正処理や、彩度を２０パーセント強くする画像補正処理等、画像に対して行う各種画像補正処理を示す情報が含まれる。
【００８４】
画像補正処理情報に複数の画像補正処理を示す情報が含まれている場合、画像処理部１４は、先ず、画像読取部３０が出力した画像データを一時画像データとしてＮＡＮＤ型フラッシュメモリー６１又はＤＲＡＭ１１に記憶する。その後、画像処理部１４は、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリー６１又はＤＲＡＭ１１に記憶した一時画像データが表す画像に、複数の画像補正処理のうちの一の画像補正処理を行う処理と、当該一の画像補正処理を行った後の画像を表す画像データによって、先に記憶した一時画像データを書き換える処理と、を繰り返す。そして、画像処理部１４は、複数の画像補正処理を終えると、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリー６１又はＤＲＡＭ１１に記憶されている一時画像データを、出力画像データとしてＮＡＮＤ型フラッシュメモリー６１に記憶する。
【００８５】
実行制御部１３は、上記のように、指示受付部１２によりコピー機能の実行指示が受け付けられた場合、先ず、当該受け付けられたコピー機能の実行指示に含まれるコピー条件を取得する。そして、実行制御部１３は、当該取得したコピー条件に画像処理情報が含まれている場合には、当該画像処理情報が示す画像処理を画像処理部１４に実行させる。
【００８６】
画像処理部１４は、各画像処理の実行中に、一時画像データをＮＡＮＤ型フラッシュメモリー６１又はＤＲＡＭ１１に記憶する処理を行う場合には、書込指示と当該一時画像データとを選択部２４へ出力する。これにより、監視部２３が選択部２４へビット値「１」を出力している場合には、当該書込指示と当該一時画像データとがストレージ制御部２１へ出力され、当該一時画像データがＮＡＮＤ型フラッシュメモリー６１に書き込まれる。一方、監視部２３が選択部２４へビット値「０」を出力している場合には、当該書込指示と当該一時画像データとがメモリー制御部２２へ出力され、当該一時画像データがＤＲＡＭ１１に書き込まれる。
【００８７】
画像処理部１４は、一時画像データをＮＡＮＤ型フラッシュメモリー６１又はＤＲＡＭ１１に記憶した後、当該一時画像データを読み出す場合には、読取指示と、当該一時画像データを書き込んだときに選択部２４が出力したブロックアドレス又はアドレスと、を選択部２４へ出力する。その結果、画像処理部１４は、選択部２４が出力した当該一時画像データを取得する。
【００８８】
画像処理部１４は、一時画像データをＮＡＮＤ型フラッシュメモリー６１又はＤＲＡＭ１１に記憶した後、当該一時画像データを更新データに書き換える場合には、書換指示と、当該一時画像データを書き込んだときに選択部２４が出力したブロックアドレス又はアドレスと、当該更新データと、を選択部２４へ出力する。
【００８９】
また、画像処理部１４は、各画像データを出力画像データとしてＮＡＮＤ型フラッシュメモリー６１に記憶する処理を行う場合、ストレージ制御部２１に、書込指示と、当該出力画像データとして記憶させる各画像データと、をストレージ制御部２１へ出力する。そして、画像処理部１４は、ストレージ制御部２１が出力した、当該出力画像データが記憶されたブロックを示すブロックアドレスを、実行制御部１３へ出力する。
【００９０】
また、画像処理部１４は、全ての画像処理を終了したときには、消去指示と、一時画像データを書き込んだときに選択部２４が出力したブロックアドレス又はアドレスと、を選択部２４へ出力する。これにより、画像処理部１４は、画像処理の実行中に記憶した一時画像データを、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリー６１又はＤＲＡＭ１１から消去する。
【００９１】
実行制御部１３は、画像処理部１４による全ての画像処理の実行が終了すると、読込指示と、画像処理部１４が出力した、出力画像データが記憶されているブロックを示すブロックアドレスと、をストレージ制御部２１へ出力する。これにより、実行制御部１３は、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリー６１に記憶されている出力画像データを読み出す。そして、実行制御部１３は、画像形成部４０を制御して、上記取得したコピー条件のうち画像処理情報とは他のコピー条件を用いて、当該読み出した出力画像データが表す画像を用紙に形成させる。
【００９２】
一方、実行制御部１３は、取得したコピー条件に画像印刷情報が含まれていない場合には、書込指示と、画像読取部３０が出力した画像データと、をストレージ制御部２１へ出力することにより、当該画像データを出力画像データとしてＮＡＮＤ型フラッシュメモリー６１に記憶する。そして、実行制御部１３は、読込指示と、ストレージ制御部２１が出力した、出力画像データが記憶されているブロックを示すブロックアドレスとをストレージ制御部２１へ出力する。これにより、実行制御部１３は、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリー６１に記憶されている出力画像データを読み出す。そして、実行制御部１３は、画像形成部４０を制御して、上記取得したコピー条件を用いて、当該読み出した出力画像データが表す画像を用紙に形成させる。
【００９３】
警告報知部１５には、監視部２３が出力したビット値が入力される。警告報知部１５は、入力されたビット値が「０」の場合、つまり、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリー６１の空きブロックの記憶容量の総和が上記閾値未満の場合、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリー６１に記憶されているデータを整理する旨の警告を報知する。
【００９４】
図２は、コピー条件の入力操作画面Ｗ１を示す図である。警告報知部１５は、入力されたビット値が「０」の場合、例えば、図２に示すように、表示部５１に表示されているコピー条件の入力操作画面Ｗ１の最下部に設けられた状況表示欄に、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリー６１に記憶されているデータを整理する旨の警告メッセージＭ１を表示する。これにより、警告報知部１５は、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリー６１に記憶されているデータを整理する旨の警告を報知する。
【００９５】
表示制御部１６には、監視部２３が出力したビット値が入力される。表示制御部１６は、指示受付部１２により上記実行指示が受け付けられた場合に、入力されたビット値が「０」のとき、つまり、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリー６１の空きブロックの記憶容量の総和が上記閾値未満のときは、許諾選択画面を表示部５１に表示する。許諾選択画面とは、空きブロックの記憶容量の総和が少ないために画像処理が制限されることを許諾するか否かをユーザーに選択させるための操作画面である。
【００９６】
以下、空きブロックの記憶容量の総和が少ないときに画像処理が制限される具体例について説明する。例えば、指示受付部１２が、小冊子印刷処理情報を含むコピー機能の実行指示を受け付けたとする。そして、実行制御部１３が、画像処理部１４に上述の第二画像処理を実行させるとする。また、この場合に、原稿の枚数が多く、且つ、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリー６１の空きブロックの記憶容量の総和が少ないために、第二画像処理において、全ての原稿の画像を表す画像データを一時画像データとしてＮＡＮＤ型フラッシュメモリー６１に記憶できないとする。
【００９７】
この場合、実行制御部１３は、画像処理部１４に、用紙一枚に形成するのに必要な数の画像データのみを一時画像データとして画像読取部３０からの出力順にＮＡＮＤ型フラッシュメモリー６１に記憶する処理と、当該出力順に記憶された一時画像データを指示された綴じ方に応じた並び順に並び替える処理と、当該並び替えた一時画像データを順次出力画像データとしてＮＡＮＤ型フラッシュメモリー６１に記憶する処理と、を行わせた後、画像形成部４０を制御して、用紙一枚に形成するのに必要な数の出力画像データが表す画像を一枚の用紙に形成することを、順次繰り返す。
【００９８】
このように、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリー６１の空きブロックの記憶容量の総和が少ないときには、第二画像処理は、用紙一枚に形成するのに必要な数の画像データのみを一時画像データとして記憶するように制限される虞がある。
【００９９】
図３は、許諾選択画面Ｗ２を示す図である。表示制御部１６は、例えば、指示受付部１２により上記コピー機能の実行指示が受け付けられた場合に、入力されたビット値が「０」のときは、図３に示すように、表示部５１に表示されているコピー条件の入力操作画面Ｗ１に重ねて許諾選択画面Ｗ２を表示する。
【０１００】
許諾選択画面Ｗ２は、コピー機能の実行中に行われる画像処理が制限されることを許諾するか否かをユーザーに選択させるための操作画面である。許諾選択画面Ｗ２は、キャンセルボタンＫ１と、ＯＫボタンＫ２と、を含んでいる。
【０１０１】
キャンセルボタンＫ１は、コピー機能の実行中に行われる画像処理が制限されることを許諾しないことを示すキャンセル指示を入力するためのボタンである。ＯＫボタンＫ２は、コピー機能の実行中に行われる画像処理が制限されることを許諾することを示す許諾指示を入力するためのボタンである。キャンセルボタンＫ１又はＯＫボタンＫ２が押下されたときの動作については後述する。
【０１０２】
以下では、コピー機能の実行時の動作について説明する。図４は、コピー機能の実行時の動作を示すフローチャートである。
【０１０３】
複写機１が起動すると、監視部２３は、定期的に、空きブロック容量情報の出力指示をメモリー管理コントローラー６２へ出力する処理を開始する（Ｓ１）。
【０１０４】
そして、監視部２３がビット値「０」を出力したとする。つまり、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリー６１の空きブロックの記憶容量の総和が上記閾値未満であったとする（Ｓ２；ＹＥＳ）。この場合、警告報知部１５は、図２を用いて上述したように、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリー６１に記憶されているデータを整理する旨の警告を報知する（Ｓ３）。
【０１０５】
その後、指示受付部１２によってコピー機能の実行指示が受け付けられると（Ｓ４）、実行制御部１３は、当該コピー機能の実行指示に含まれるコピー条件を取得し、当該取得したコピー条件に画像処理情報が含まれているか否かを判定する（Ｓ５）。
【０１０６】
実行制御部１３は、ステップＳ５において、画像処理情報が含まれていないと判定した場合（Ｓ５；ＮＯ）、書込指示と、画像読取部３０が出力した画像データと、をストレージ制御部２１へ出力することにより、当該画像データを出力画像データとしてＮＡＮＤ型フラッシュメモリー６１に記憶する（Ｓ６）。
【０１０７】
一方、ステップＳ５において、実行制御部１３により、画像処理情報が含まれていると判定された場合に（Ｓ５；ＹＥＳ）、監視部２３がビット値「０」を出力しているとする。つまり、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリー６１の空きブロックの記憶容量の総和が上記閾値未満であるとする（Ｓ７；ＹＥＳ）。
【０１０８】
この場合、表示制御部１６は、図３を用いて上述したように、許諾選択画面Ｗ２を表示部５１に表示する。そして、ユーザーによってキャンセルボタンＫ１が押下され、キャンセル指示が入力されたとする（Ｓ８；ＮＯ）。この場合、表示制御部１６は、許諾選択画面Ｗ２を非表示にし、実行制御部１３は、ステップＳ４で受け付けられたコピー機能の実行指示に従わず、コピー機能を実行しない。この場合、ステップＳ２以降の処理が繰り返される。
【０１０９】
一方、ユーザーによってＯＫボタンＫ２が押下され、許諾指示が入力されたとする（Ｓ８；ＹＥＳ）。この場合、実行制御部１３は、ステップＳ５で取得したコピー条件に含まれる画像処理情報が示す画像処理を画像処理部１４に実行させる（Ｓ９）。この場合、監視部２３がビット値「０」を出力しているので（Ｓ７；ＹＥＳ）、画像処理部１４は、ステップＳ９における画像処理の実行中に、書込指示と一時画像データとを選択部２４へ出力することによって、当該一時画像データをＤＲＡＭ１１に記憶する。
【０１１０】
または、ステップＳ５において、実行制御部１３により、画像処理情報が含まれていると判定された場合に（Ｓ５；ＹＥＳ）、監視部２３がビット値「１」を出力しているとする。つまり、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリー６１の空きブロックの記憶容量の総和が上記閾値以上であるとする（Ｓ７；ＮＯ）。
【０１１１】
この場合も、実行制御部１３は、ステップＳ５で取得したコピー条件に含まれる画像処理情報が示す画像処理を画像処理部１４に実行させる（Ｓ１０）。この場合、監視部２３がビット値「１」を出力しているので（Ｓ７；ＮＯ）、画像処理部１４は、ステップＳ１０における画像処理の実行中に、書込指示と一時画像データとを選択部２４へ出力することによって、当該一時画像データをＮＡＮＤ型フラッシュメモリー６１に記憶する。
【０１１２】
尚、画像処理部１４は、ステップＳ９及びステップＳ１０において、上述のように、画像処理の最後の処理において、各画像データを出力画像データとしてＮＡＮＤ型フラッシュメモリー６１に記憶する処理を行う。そして、画像処理部１４は、全ての画像処理を終了すると、上述のように、画像処理の実行中に記憶した一時画像データを、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリー６１又はＤＲＡＭ１１から消去する。
【０１１３】
ステップＳ６、ステップＳ９又はステップＳ１０の終了後、実行制御部１３は、上述のように、読込指示と、出力画像データが記憶されているブロックを示すブロックアドレスと、をストレージ制御部２１へ出力する。これにより、実行制御部１３は、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリー６１に記憶されている出力画像データを読み出す。そして、実行制御部１３は、画像形成部４０を制御して、ステップＳ５において取得したコピー条件のうち画像処理情報とは他のコピー条件を用いて、当該読み出した出力画像データが表す画像を用紙に形成させる（Ｓ１１）。その後は、ステップＳ２以降の処理が繰り返される。
【０１１４】
このように、上記実施形態の構成では、空きブロックの記憶容量が上記閾値以上であり（Ｓ７；ＹＥＳ）、ウェアレベリング処理によって各ブロックのデータの書き換え回数を十分に均一化可能な場合、一時画像データを、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリー６１に記憶する（Ｓ９）。一方、空きブロックの記憶容量が上記閾値未満であり（Ｓ７；ＮＯ）、ウェアレベリング処理によって各ブロックのデータの書き換え回数を十分には均一化できない場合、一時画像データを、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリー６１へは記憶せず、ＤＲＡＭ１１に記憶する（Ｓ１０）。
【０１１５】
このため、各ブロックのデータの書き換え回数を十分には均一化できない場合に、一時画像データをＮＡＮＤ型フラッシュメモリー６１に記憶することを繰り返すことにより、特定のブロックのデータの書き換え回数が急速に増大し、データの書き換えが行えない不良ブロックが急速に増大する虞を低減することができる。これにより、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリー６１が寿命を迎えるまでの時間が急速に短くならないよう予防することができる。
【０１１６】
このように、上記実施形態の構成によれば、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリー６１とは他の記憶容量の大きい不揮発性の記憶部を用いずに、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリー６１が寿命を迎えるまでの時間が急速に短くならないよう予防することができる。
【０１１７】
また、上記実施形態の構成では、空きブロックの記憶容量の総和が上記閾値未満の場合には（Ｓ２；ＹＥＳ）、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリー６１に記憶されているデータを整理する旨の警告を報知する（Ｓ３）。
【０１１８】
このため、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリー６１の記憶容量が上記閾値未満であり、各ブロックのデータの書き換え回数を十分には均一化できない場合に、ユーザーは、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリー６１に記憶されているデータを整理する必要があることに気付き易くなる。
【０１１９】
これにより、各ブロックのデータの書き換え回数を十分には均一化できなくなった後、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリー６１に記憶されている不要なデータを消去する等のデータの整理を早めにユーザーに行わせて、空きブロックの記憶容量の総和を増大させることができる。その結果、ウェアレベリング処理によって各ブロックのデータの書き換え回数を十分に均一化できる状態に早く戻すことができる。
【０１２０】
また、上記実施形態の構成では、指示受付部１２により、画像処理情報を含むコピー機能の実行指示が受け付けられた場合に（Ｓ４、Ｓ５；ＹＥＳ）、空きブロックの記憶容量の総和が上記閾値未満のときは（Ｓ７；ＹＥＳ）、許諾選択画面Ｗ２（図３）を表示部５１に表示する（Ｓ８）。そして、許諾選択画面Ｗ２においてユーザーにより許諾指示が入力された場合は（Ｓ８；ＹＥＳ）、画像処理を実行する一方（Ｓ９）、許諾選択画面Ｗ２においてユーザーによりキャンセル指示が入力された場合は（Ｓ８；ＮＯ）、画像処理を実行しない。
【０１２１】
このため、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリー６１の記憶容量が上記閾値未満であり、各ブロックのデータの書き換え回数を十分に均一化できない場合に、ユーザーは、許諾選択画面Ｗ２を視認することができ、空きブロックの記憶容量の総和が少ないために画像処理が制限されることに気付くことができる。
【０１２２】
尚、一時画像データをＮＡＮＤ型フラッシュメモリー６１に記憶するようにして画像処理を実行する場合、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリー６１の記憶容量がＤＲＡＭ１１の記憶容量よりも大きいので、一時画像データをＤＲＡＭ１１に記憶するようにして画像処理を実行する場合に比して、画像処理の実行中に記憶可能な一時画像データのデータ量が制限されることによって画像処理が制限される可能性が低い。
【０１２３】
そこで、ユーザーは、画像処理が制限されることを回避したい場合は、許諾選択画面Ｗ２を用いてキャンセル指示を入力することにより、画像処理の実行を止めて、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリー６１に記憶されている不要なデータを消去する等のデータの整理を迅速に行うことができ、空きブロックの記憶容量の総和を増大するための対処を迅速に行うことができる。
【０１２４】
当該対処によって空きブロックの記憶容量の総和が上記閾値以上にまで増大すると、一時画像データをＮＡＮＤ型フラッシュメモリー６１に記憶するようにして画像処理を実行することが可能となる。その結果、一時画像データをＤＲＡＭ１１に記憶するようにして画像処理を実行するときに比して、画像処理が制限される可能性を低減することができる。
【０１２５】
一方、ユーザーは、画像処理が制限されても画像処理を行うことを優先したい場合は、許諾選択画面Ｗ２を用いて許諾指示を入力することにより、一時画像データをＤＲＡＭ１１に記憶するようにして画像処理を実行させることができる。
【０１２６】
この場合、一時画像データをＮＡＮＤ型フラッシュメモリー６１に記憶するようにして画像処理を実行する場合に比して、画像処理が制限される可能性が高い。しかし、ユーザーによって上記許諾指示が入力された後に当該画像処理が実行されるので、ユーザーによって上記許諾指示が入力されずに当該画像処理が実行される場合に比して、ユーザーが画像処理が制限されることに煩わしさを感じる虞を低減することができる。
【０１２７】
また、上記実施形態の構成では、記憶制御部２０は、ストレージ制御部２１と、メモリー制御部２２と、監視部２３と、選択部２４と、により構成されている。選択部２４は、監視部２３から入力されたビット値に応じて、画像処理部１４から入力された一時画像データをストレージ制御部２１を用いてＮＡＮＤ型フラッシュメモリー６１に記憶するか、メモリー制御部２２を用いてＤＲＡＭ１１に記憶するかを切り替える。
【０１２８】
このため、画像処理部１４が行う画像処理においては、一時画像データを、ストレージ制御部２１を用いてＮＡＮＤ型フラッシュメモリー６１に記憶するか、メモリー制御部２２を用いてＤＲＡＭ１１に記憶するかを、監視部２３が出力したビット値に応じて判断する必要がない。これにより、画像処理の内容を簡素化することができる。
【０１２９】
尚、上記実施形態は、本発明に係る実施形態の例示に過ぎず、本発明を上記実施形態に限定する趣旨ではない。例えば、以下に示す変形実施形態であってもよい。
【０１３０】
（１）制御部１０が、表示制御部１６として動作しないようにして、ステップＳ８を省略してもよい。
【０１３１】
（２）また、制御部１０が、警告報知部１５として動作しないようにして、ステップＳ２とステップＳ３とを省略してもよい。
【０１３２】
（３）また、上記実施形態では、選択部２４は、制御部１０のＣＰＵが制御プログラムを実行することによって動作するソフトウェアとして構成されていたが、これに代えて、選択部２４をハードウェアとして構成してもよい。つまり、選択部２４を、監視部２３から入力されたビット値に応じて、画像処理部１４から入力された各種指示（読取指示、書換指示、書込指示、及び消去指示）や一時画像データ等の出力先を、ストレージ制御部２１又はメモリー制御部２２に切り替えるスイッチ素子を備えた制御回路として構成してもよい。
【０１３３】
（４）また、操作部５０が音声を出力するスピーカーを含むように構成してもよい。そして、警告報知部１５は、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリー６１に記憶されているデータを整理する旨を示す所定の警告音を当該スピーカに出力させることで、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリー６１に記憶されているデータを整理する旨の警告を報知してもよい。
【符号の説明】
【０１３４】
１  複写機（画像処理装置）
１１  ＤＲＡＭ（揮発性メモリー）
１２  指示受付部
１３  実行制御部
１４  画像処理部
１５  警告報知部
１６  表示制御部
２０  記憶制御部
２１  ストレージ制御部（第一書込部）
２２  メモリー制御部（第二書込部）
２３  監視部
２４  選択部
５１  表示部
６１  ＮＡＮＤ型フラッシュメモリー
６２  メモリー管理コントローラー（均一化処理部）
Ｗ２  許諾選択画面（操作画面）
【図１】
2016066275.tif 000003
【図４】
2016066275.tif 000004
【図２】
2016066275.tif 000005
【図３】
2016066275.tif 000006