(57)【要約】【課題】対向電極の側面を容易且つ高精度に金属化できる電子デバイスの製造方法を提供する。【解決手段】加速度スイッチ１の製造方法であって、スイッチ本体１１の一面に、中央電極３２の外側面と錘部３４の内側面とに相当する位置であって、ギャップ相当量の間隙を隔てた箇所にそれぞれ凹部６０を形成する凹部形成工程と、それぞれの凹部６０に金属材を埋設する埋設工程と、スイッチ本体１１の間隙に相当する箇所をエッチングにより除去し、埋設されたそれぞれの金属材を、ギャップを隔てた状態で露出して対向させるギャップ形成工程と、を備える。【選択図】図４
2016114510.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
柱状の中央電極と、前記中央電極と所定のギャップを隔てた状態で当該中央電極を内側に収容し、内側面が前記中央電極の外側面に接離可能とされる錘部と、を含み、前記中央電極と前記錘部の接触に基づいて加速度を検知する電子デバイスの製造方法において、
前記中央電極及び前記錘部の基材となる半導体基板の一面に、前記中央電極の外側面と前記錘部の内側面とに相当する位置であって、前記ギャップ相当量の間隙を隔てた箇所にそれぞれ凹部を形成する凹部形成工程と、
前記それぞれの凹部に金属材を埋設する埋設工程と、
前記半導体基板のうち前記間隙に相当する箇所をエッチングにより除去し、前記埋設されたそれぞれの金属材を、前記ギャップを隔てた状態で露出して対向させるギャップ形成工程と、
を備えることを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【請求項２】
前記埋設工程は、電鋳法により前記凹部に電鋳体を形成することで前記金属材を埋設することを特徴とする請求項１に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項３】
前記埋設工程の前に、前記凹部の表面へ前記金属材と前記半導体基板とを密着させる密着膜を形成する密着膜形成工程を備えることを特徴とする請求項１又は２に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項４】
前記凹部形成工程において、前記錘部の内側面に相当する位置に形成される凹部は、平面視で外周面に凹状または凸状のフック部を有することを特徴とする請求項１〜３の何れか一項に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項５】
前記ギャップ形成工程の後、前記中央電極と前記錘、及び前記金属材の前記一面側に導電膜を成膜する成膜工程を有することを特徴とする請求項１〜４の何れか一項に記載の電子デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子デバイスの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、電子デバイスの一つとして、初期状態では接点が開（ＯＦＦ状態）であり、加速度が印加されたときに接点が閉（ＯＮ状態）となることで加速度の印可を検知する加速度スイッチが知られている（例えば、特許文献１等参照）。
【０００３】
以下、従来の加速度スイッチ２００について簡単に説明する。
図１１、図１２に示すように、加速度スイッチ２００は、中心部に配置された中央電極２０１と、中央電極２０１を内側に収容するとともに、その内側面が中央電極２０１の外側面に接離可能とされた錘部２０２と、錘部２０２の周囲を取り囲む円弧状とされ、枠体２０３との間で錘部２０２を弾性支持する梁部２０４と、を備えた本体部が、上下を基板２０５，２０６で固定された構造からなる。
【０００４】
この構成によれば、加速度スイッチ２００に印加される加速度に応じて、錘部２０２が水平方向に相対移動することで、低抵抗シリコンから構成される中央電極２０１と錘部２０３との側面同士が接触する。これにより、中央電極２０１及び錘部２０２の接触する側面が対向電極として機能して導通し、ＯＮ状態となる。このような加速度スイッチ２００では、ノーマリーオフかつ無指向のスイッチとして使用できる。
【０００５】
上記従来構成の加速度スイッチでは、中央電極２０１と錘部２０３が半導体材料により形成されており、電極間の接触抵抗が比較的大きくなる傾向にある。そこで、例えば、特許文献２に示すように、固定電極と錘との接触面（対向側面）である対向電極を導電膜により形成して、接触抵抗を低減させることが提案されている。
【０００６】
ここで、特許文献２における対向電極の形成方法では、検出ギャップを含む周辺領域に梁部の形成と同時に溝を形成し、その形成した溝に金や銀などの金属材を埋設し、その埋設した金属材のうち検出ギャップに相当する部分をエッチングにより除去することで、検出ギャップを形成している。また当該文献の別の対向電極の形成方法として、検出ギャップに相当する部分にシリコンのエッチングで侵されない材料を犠牲層として埋め込み、検出ギャップを含む周辺領域に溝を形成し、その溝に金属材を埋め込み、最後に犠牲層を除去することにより、検出ギャップを形成している。
【０００７】
このような方法によると、固定電極と錘とは形成した検出ギャップを挟んで対向面に金属材が残存するので、金属化された対向電極として機能し、接触抵抗の低減が図られる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特許第４９９６７７１号公報
【特許文献２】特許第４１２６７３９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、上記の形成方法によっては、極めて微小な検出ギャップ（数ミクロン程度）を精度よく加工することは容易ではない。ここで、上記の金属材をエッチング除去する方法では、溝に埋め込む導電材料として、腐食等に強く、経時変化の少ない金や銀等が用いられるが、金や銀等をエッチングする場合、反応性イオンエッチングを適用することが困難である。すなわち、金や銀をドライ環境でエッチングするには、アルゴンミリングなどの物理的なスパッタリングを応用した手段を用いるしかない。ただし、アルゴンミリングでは、弾き飛ばした粒子は再付着をおこすため、狭く深い溝を垂直にエッチングすることが困難である。また、上記犠牲層を用いる形成方法は、工程が複雑であるうえ、細い溝に金属を埋設する必要があり、きれい（巣が入らず）に埋設できる可能性が低く、金属と基材のシリコンとの密着性にも問題が残る可能性がある。
【００１０】
本発明は、このような事情に考慮してなされたもので、その目的は、対向電極の側面を容易且つ高精度に金属化できる電子デバイスの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記課題を解決すために、本発明は、柱状の中央電極と、前記中央電極と所定のギャップを隔てた状態で当該中央電極を内側に収容し、内側面が前記中央電極の外側面に接離可能とされる錘部と、を含み、前記中央電極と前記錘部の接触に基づいて加速度を検知する電子デバイスの製造方法において、前記中央電極及び前記錘部の基材となる半導体基板の一面に、前記中央電極の外側面と前記錘部の内側面とに相当する位置であって、前記ギャップ相当量の間隙を隔てた箇所にそれぞれ凹部を形成する凹部形成工程と、前記それぞれの凹部に金属材を埋設する埋設工程と、前記半導体基板のうち前記間隙に相当する箇所をエッチングにより除去し、前記埋設されたそれぞれの金属材を、前記ギャップを隔てた状態で露出して対向させるギャップ形成工程と、を備えることを特徴とする。
本発明によれば、検出ギャップ（所定のギャップ）に相当する部分（間隙）に基材である半導体材料を残したまま、面対向する中央電極と錘部の対向する側面位置に凹部を形成する。そしてその凹部に金属材を埋設し、間隙に相当する半導体材料をエッチングにより除去することによって、中央電極および錘部の対向電極となる側面を金属材料で形成することができる。この製法では、金属材からなる対向電極を形成する上で、金属材自体のエッチングが必要で無くなり、かつ犠牲層を形成すること必要もないため、側面を金属材料で覆われ、微小な検出ギャップを隔てた対向電極を容易且つ高精度に製造することができるようになる。そのため、本発明に係る電子デバイスの製造方法によると、工程の簡略化、歩留まりの向上、および小型化を実現することができる。
【００１２】
また、本発明は、前記埋設工程は、電鋳法により前記凹部に電鋳体を形成することで前記金属材を埋設することを特徴とする。
本発明によれば、容易かつ高精度に凹部へ金属材を埋設することができる。
【００１３】
また、本発明は、前記埋設工程の前に、前記凹部の表面へ前記金属材と前記半導体基板とを密着させる密着膜を形成する密着膜形成工程を備えることを特徴とする。
本発明によれば、対向電極を構成する金属材と凹部の母材である半導体基板との密着性が悪い場合でも、密着膜を形成しておくことで、密着力を強化することができる。
【００１４】
また、本発明は、前記凹部形成工程において、前記錘部の内側面に相当する位置に形成される凹部は、平面視で外周面に凹状または凸状のフック部を有することを特徴とする。
本発明によれば、錘部の内側面の凹部が平面視でフック部を有することで、凹部に埋設される金属材の突部は錘部（半導体基板）と嵌合状態を構成するので、アンカー効果が働き、金属材（対向電極）の錘部からの剥離を防止できる。
【００１５】
また、本発明は、前記ギャップ形成工程の後、前記中央電極と前記錘、及び前記金属材の前記一面側に導電膜を成膜する成膜工程を有することを特徴とする。
本発明によれば、金属材（対向電極）の上層にさらに導電膜が製膜されるので、対向電極の接触抵抗を確実に低減させることができる。
【発明の効果】
【００１６】
したがって、本発明は、対向電極の側面を容易且つ高精度に金属化できる電子デバイスの製造方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の第１実施形態に係る加速度スイッチの縦断面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線に沿った加速度スイッチ（スイッチ本体）の平面図である。
【図３】加速度スイッチの動作説明図であり、図２に相当する断面図である。する断面図である。
【図４】本発明の加速度スイッチの製造方法を説明するための工程図であって、図１に相当する断面図である。
【図５】本発明の加速度スイッチの製造方法を説明するための工程図であって、図１に相当する断面図である。
【図６】本発明の加速度スイッチの製造方法を説明するための工程図であって、図１に相当する断面図である。
【図７】本発明の加速度スイッチの製造方法を説明するための工程図であって、図１に相当する断面図である。
【図８】本発明の加速度スイッチの変形例を説明するための縦断面図である。
【図９】本発明の加速度スイッチの変形例を説明するための縦断面図である。
【図１０】本発明の加速度スイッチの変形例を説明するための平面図である。
【図１１】従来の加速度スイッチを説明するための平面図である。
【図１２】従来の加速度スイッチを説明するための縦断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
次に、本発明に係る電子デバイスとしての加速度スイッチの実施形態について説明する。なお、以下の説明では、電子デバイスとして加速度スイッチを例示するが、加速度センサ等であっても勿論良い。
【００１９】
＜第１実施形態＞
［加速度スイッチ］
図１は第１実施形態における加速度スイッチ１の縦断面図であり、図２は図１のＡ−Ａ線に相当する平面図である。
【００２０】
図１、図２に示すように、本実施形態の加速度スイッチ１は、加速度スイッチ１に印可された加速度を検知するスイッチ本体１１と、スイッチ本体１１を厚さ方向で挟持する第１基板１２及び第２基板１３と、スイッチ本体１１と第１基板１２，第２基板１３とをそれぞれ接合する第１接合膜４１，第２接合膜４２と、を備えている。
【００２１】
（スイッチ本体）
スイッチ本体１１は、枠体（支持部）３１と、枠体３１の内側に配置された円柱状の中央電極３２と、枠体３１と中央電極３２との間に配置され、中央電極３２を内側に収容する収容孔３３を有する錘部３４と、錘部３４の周囲を取り囲む円弧状とされ、枠体３１との間で錘部３４を弾性支持する梁部３５と、を備えている。なお、以下の説明において、梁部３５の周方向を単に周方向とし、梁部３５の径方向を単に径方向とする。
【００２２】
ここで、上述したスイッチ本体１１は、ＭＥＭＳ技術を用いて製造されるとともに、スイッチ本体１１のうち、少なくとも枠体３１、錘部３４、及び梁部３５は、例えばシリコン等からなる基板を用いて一体的に形成されている。なお、以下の説明では、スイッチ本体１１の厚さ方向を単に厚さ方向といい、図１における下側を厚さ方向の一端側とし、上側を厚さ方向の他端側とする。
【００２３】
図１、図２に示すように、枠体３１は、厚さ方向から見た平面視で矩形状とされ、その中央部にはスイッチ本体１１を厚さ方向に貫通する円形の貫通孔３１ａが形成されている。
【００２４】
また、スイッチ本体１１のうち、厚さ方向における他端側の主面において、錘部３４及び梁部３５上を含む全体に亘って、例えば、Ａｕ／Ｎｉ、Ａｕ／Ｃｒ、Ａｕ／Ｔａ、Ａｕ／Ｔｉ、Ａｕ／Ｐｔ／Ｔｉ等から形成される導電膜４３が形成される。
【００２５】
さらに、中央電極３２および錘部３４のうち電極として機能する側面（対向面）には、当該中央電極３２および錘部３４の一部に金属を埋め込んだ形でそれぞれ対向電極４４が形成される。当該対向電極４４は、Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ等の金属材から形成される。なお、導電膜４３と対向電極４４とは同じ金属材を用いることとしても良いし、異なる金属材を用いることとしても良い。また、中央電極３２に形成される対向電極４４の構成材と、錘部３４に形成される対向電極４４の構成材と、をそれぞれ異なる金属材としても良い。このようにそれぞれの対向電極４４を異なる異種材で構成することにより、加速度スイッチ１に対して加速度が入力され、中央電極３２と錘部３４とが当接した際に、双方が貼付することによるスティッキング現象の低減／加速度スイッチ１の動作不良の未然防止が期待できる。
【００２６】
また、当該枠体３１及び中央電極３２の両面には、第１基板１２及び第２基板１３とスイッチ本体１１とをそれぞれ接合するための第１接合膜４１及び第２接合膜４２が形成される。
中央電極３２は、図１、図２に示すように、枠体３１の中心（貫通孔３１ａの中心）を通り、厚さ方向に沿って延在している。
【００２７】
錘部３４は、厚さ方向から見た平面視で円形とされ、その中央部にはスイッチ本体１１を厚さ方向に貫通する収容孔３３が形成されている。なお、錘部３４の外径は、枠体３１の貫通孔３１ａの内径よりも小さく、収容孔３３の内径は中央電極３２の外径よりも大きくなっている。また、錘部３４は、中央電極３２との対向側面（内側面）の上部（対向電極４４及び導電膜４３が備わる高さ部分）が中央電極３２に向かって突出した形状からなる。したがって、錘部３４は、その内側面の上部と中央電極３２の外側面の上部との間に径方向における検出ギャップが設定されるとともに、その両側面には対向電極４４が設置されるので、加速度スイッチ１への加速度の入力により中央電極３２に対して接離可能とされ、接触時にＯN状態を構成する。なお、加速度スイッチ１は、初期状態において検出ギャップを挟んで錘部３４と中央電極３２とが離間したＯＦＦ状態となっている。
【００２８】
梁部３５は、図２に示すように、枠体３１及び錘部３４よりも薄く形成され、弾性変形可能とされている。具体的に、梁部３５は、錘部３４の周囲をほぼ全周に亘って取り囲む円弧部５１と、円弧部５１における周方向の一端部と錘部３４との間を接続する錘部側接続部５２と、円弧部５１における周方向の他端部と枠体３１との間を接続する枠体側接続部５３と、を備えている。
【００２９】
円弧部５１は、周方向の全周に亘って一定の曲率半径で延在しており、その周方向の両端部が近接した状態で対向している。
錘部側接続部５２は、径方向に沿って延在するとともに、径方向における内側端部が錘部３４の外側面に連設され、径方向における外側端部が円弧部５１における周方向の一端部に連設されている。
【００３０】
枠体側接続部５３は、径方向に沿って錘部側接続部５２と平行に延在するとともに、径方向における外側端部が枠体３１の内側面に連設され、径方向における内側端部が円弧部５１における周方向の他端部に連設されている。
【００３１】
（第１及び第２基板）
図１に示すように、第１基板１２は、例えばガラス等からなり、平面視外形がスイッチ本体１１と同等の形状を呈し、厚さ方向における一端側（図中下側）からスイッチ本体１１を覆っている。また、第１基板１２は、第１接合膜４１を介してスイッチ本体１１の枠体３１及び中央電極３２に接合されている。
【００３２】
第２基板１３は、第１基板１２と同様の材料からなるとともに、平面視外形がスイッチ本体１１と同等の形状を呈し、厚さ方向における他端側（図中上側）からスイッチ本体１１を覆っている。また、第２基板１３は、第２接合膜４２を介してスイッチ本体１１の枠体３１及び中央電極３２に接合されている。これにより、加速度スイッチ１のうち、枠体３１、第１基板１２、及び第２基板１３で画成された内側空間に、中央電極３２、及び梁部３５が封止されている。
【００３３】
さらに、第２基板１３のうち、中央電極３２上に位置する部分、及び枠体３１上に位置する部分には、それぞれ厚さ方向に貫通して第２接合膜４２を露出させる露出孔５８が形成されている。そして、第２基板１３には、各露出孔５８を通して第２接合膜４２と外部装置とを導通させるための貫通電極５９（例えば、Ａｌ等）が各別に形成されている。すなわち、第２接合膜４２のうち、中央電極３２上及び枠体３１上に位置する部分は、中央電極３２及び錘部３４の電極膜４５と外部装置との間を接続するための回路としても機能している。
【００３４】
（第１接合膜及び第２接合膜）
第１接合膜４１，第２接合膜４２は、それぞれ、スイッチ本体１１と第１基板１２，スイッチ本体１１と第２基板１３との界面に配置された接合膜である。
【００３５】
（加速度スイッチの検知動作について）
次いで、本実施形態に係る加速度スイッチ１の検知動作について説明する。
図３は、加速度スイッチ１の動作説明図であって、図２に相当する平面図である。
このように構成された加速度スイッチ１では、図３に示すように、初期状態の加速度スイッチ１に対して例えば矢印Ｑ方向に加速度が入力されると、錘部３４を除く加速度スイッチ１全体が矢印Ｑ方向に移動する。
【００３６】
一方、錘部３４は、梁部３５を介して枠体３１に支持されているため、慣性によりその場に留まろうとする。これにより、枠体３１及び中央電極３２と錘部３４とが相対移動するとともに、この相対移動に伴い梁部３５が弾性変位する。
【００３７】
そして、上記中央電極３２と錘部３４との相対移動によって中央電極３２と錘部３４とがそれぞれの対向面に埋設された対向電極４４を介して接触し、電気的導通を得ることで上記加速度の入力を検知することができる。
【００３８】
［加速度スイッチの製造方法］
次に、上述した加速度スイッチ１の製造方法について説明する。
図４〜図７は、加速度スイッチ１の製造方法を説明するための工程図であって、図１に相当する断面図である。
【００３９】
まず、図４（ａ）に示すように、シリコン等の基板材からなる板状のスイッチ本体１１を用意する。
次に、図４（ｂ）に示すように、検出ギャップに相当する部分を間に残し、中央電極３２と錘部３４それぞれの対向電極４４に相当する部分に所定深さの凹部６０を形成する（凹部形成工程）。
【００４０】
具体的には、図４（ｂ）に示すように、図示しないマスクを用いてＤＲＩＥ（深掘り反応性イオンエッチング）等のドライエッチングを、スイッチ本体１１における厚さ方向の他端側から行う。なお、図１では、凹部６０の深さ（エッチング量）は、梁部３５の厚さと同等になっているが、必ずしも同等である必要はない。すなわち、凹部６０は、中央電極３２と錘部３４の離接において影響が出ない範囲で梁部３５の厚さよりも薄くすることができる。
【００４１】
次に、図４（ｃ）に示すように、凹部６０に電鋳体を形成する電鋳工程を行う（埋設工程）。
具体的には、電鋳液が貯留された電鋳槽内に、電鋳材料からなる電極と、スイッチ本体１１と、を浸漬させた後、電極とスイッチ本体１１との間に電圧を印加する。すると、電極を構成する電鋳材料が電鋳液内を移動することで、スイッチ本体１１上に析出し、電鋳体（導体）が形成される。なお、本実施形態の電鋳工程では、少なくとも凹部内が埋まるまで電鋳体６１を成長させる。
【００４２】
その後、図４（ｄ）に示すように、スイッチ本体１１の他端面が露出するまで、スイッチ本体１１の他端面側を研磨する。これにより、電鋳体が基板の他端面と面一の状態で凹部６０内に埋設され、対向電極４４が形成される（埋設工程）。
【００４３】
次いで、図５（ａ）に示すように、スイッチ本体の１１の厚さ方向における一端側の主面のうち、枠体３１と中央電極３２とに相当する部分に第１接合膜４１を形成する（膜形成工程）。
【００４４】
次に、図５（ｂ）に示すように、スイッチ本体１１のうち、枠体３１、中央電極３２、及び錘部３４以外に相当する部分に所定深さの凹部を形成する（成形工程）。
具体的には、図５（ｂ）に示すように、図示しないマスクを用いてＤＲＩＥ（深掘り反応性イオンエッチング）等のドライエッチングを、スイッチ本体１１における厚さ方向の一端側から行い、凹部７０を形成する。なお、凹部７０の深さ（エッチング量）は、スイッチ本体１１の厚さと梁部３５の厚さとの差分に相当している。
【００４５】
その後、図５（ｃ）に示すように、枠体３１及び中央電極３２に、第１接合膜４１を介して第１基板１２を合わせ、荷重を掛けながら、加熱することにより接合する（接合工程）。
【００４６】
次に、図６（ａ）に示すように、図示しないマスクを用いてＤＲＩＥ等のドライエッチングを、スイッチ本体１１の他端側から行い、スイッチ本体１１のうち、枠体３１、錘部３４、及び梁部３５以外に相当する部分を除去する（第２エッチング工程）。これにより、凹部７０が厚さ方向に貫通することで、梁部３５が成形されるとともに、中央電極３２と錘部３４とが検出ギャップを介して離間した状態になる。このとき、電鋳体（対向電極４４）の外側面が露出するように基板を除去する（ギャップ形成工程）。
【００４７】
続いて、図６（ｂ）に示すように、スパッタ等を用い、スイッチ本体１１及び中央電極３２の厚さ方向における他端側に導電膜４３を成膜する（成膜工程）。
次いで、図７（ａ）に示すように、枠体３１及び中央電極３２に、第２接合膜４２を介して第２基板１３を接合する。
【００４８】
最後に、図７（ｂ）に示すように、第２基板１３に対してＡｌ等からなる金属膜を成膜し、その後パターニングすることで、貫通電極５９を形成する。以上により、上述した加速度スイッチ１が完成する。
【００４９】
以上、本実施形態に係る加速度スイッチ１では、中央電極３２および錘部３４の側面に金属を埋め込んだ形で対向電極４４が形成され、加速度スイッチが動作した際の接点が金属で形成され、接触抵抗を低減させることができる。
【００５０】
（変形例）
なお、本発明は、図面を参照して説明した上記各実施形態に限定されるものではなく、その技術的範囲において様々な変形例が考えられる。
例えば、上記実施形態では、錘部３４に備わる対向電極４４の幅は錘部３４の側面の突出部分の幅より広くなっているが、図８に示すように、側面の突出部分の幅より狭くすることも可能である。ここで図８（ａ）は、上部に窪みを有する錘部３４の、当該窪みに対向電極４４が埋設された状態を、図８（ｂ）は、上部に突出部を有する錘部３４の、当該突出部の側面に対向電極４４が接続された状態を、それぞれ示す。
【００５１】
また、対向電極４４を構成する金属と錘部３４や中央電極３２を構成する母材である半導体基板との密着性が悪い場合、金属を埋設する前に、半導体基板表面にスパッタリング等で膜を堆積させ、図９に示すように対向電極４４の下層に密着膜４５を形成しておくことで、密着力を強化することができる。具体的には、図４（ｂ）にてスイッチ本体１１へ金属を埋設するための凹部６０を形成した後、凹部６０の表面にＡｕ／Ｎｉ、Ａｕ／Ｃｒ、Ａｕ／Ｔａ、Ａｕ／Ｔｉ、Ａｕ／Ｐｔ／Ｔｉ等の密着膜４５を堆積し（密着膜形成工程）、その上に図４（ｃ）に示す電鋳工程により金属の電鋳を行うことにより、対向電極４４と錘部３４及び中央電極３２との密着力を強化することができる。
【００５２】
また、対向電極４４と錘部３４の側面における密着力を強化する必要がある場合、対向電極４４は、上面視で、図２の様な環状に替えて図１０に示すような形状にすればよい。具体的には、図１０（ａ）に示すように、上面視で錘部３４の内面に凹凸を、対向電極４４に当該錘部３４の凹凸へ嵌合するように環の外面側へ凹凸を、それぞれ有するように予め凹部６０へ凹凸を形成しておくことにより、接触面積が増大し、対向電極４４の剥離を予防できる。また、図１０（ｂ）に示すように、上面視で錘部３４の内面に鍵穴状の凹部を一又は複数設けておき、対向電極４４が当該錘部３４の鍵穴へ嵌合するように環の外面側へ鍵状の突起を有するように形成することによっても、アンカー効果が働き、図１０（ａ）以上の剥離防止効果が得られる。なお、図１０（ｂ）では錘部３４に凹部を形成しているが、反対に鍵状などの凸部を形成してもよい。この場合、図４（ｂ）に示す凹部形成工程にて、平面視で外周面に図１０（ａ）（ｂ）の対向電極４４に相当する凹凸（フック部）を形成しておけばよい。
【００５３】
さらに、上述した実施形態に係る加速度スイッチ１では、錘部３４が中央電極３２と同軸状に配置される構成について説明したが、これに限らず、中央電極３２の中心に対して偏心して配置されるような構成であっても構わない。
【００５４】
また、上述した実施形態に係る加速度スイッチ１では、梁部３５が円弧状である構成について説明したが、これに限らず、矩形状等、適宜設計変更が可能である。また、これに伴い、中央電極３２や錘部３４の平面視形状についても、矩形状等、適宜設計変更が可能である。すなわち、梁部３５は、錘部３４の周囲を取り囲んでいれば構わない。
【００５５】
また、梁部３５の周方向における長さについても適宜設計変更が可能である。
また、錘部３４の重さや、梁部３５のばね定数（幅や厚さ等）、錘部３４と中央電極３２，１０１との間の検出ギャップ量等については、要求される感度に基づいて適宜設計変更が可能である。
【００５６】
さらに、上述した実施形態では、本発明の電子デバイスを加速度スイッチ１に適用した場合について説明したが、これに限らず、加速度センサ等に本発明を適用しても構わない。
【００５７】
その他、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、上述した実施形態における構成要素を周知の構成要素に置き換えることは適宜可能であり、また、上述した各変形例を適宜組み合わせても構わない。
【符号の説明】
【００５８】
１…加速度スイッチ
１１…スイッチ本体
１２…第一基板
１３…第二基板
２０…基板（基材）
３１…枠体（支持部）
３２…中央電極
３４…錘部
３５…梁部
４１…下部接合膜
４２…上部接合膜
４３…導電膜
５１…収容部
５８…貫通穴
５９…外部電極
６０…凹部
【図１】
2016114510.tif 000003
【図２】
2016114510.tif 000004
【図３】
2016114510.tif 000005
【図４】
2016114510.tif 000006
【図５】
2016114510.tif 000007
【図６】
2016114510.tif 000008
【図７】
2016114510.tif 000009
【図８】
2016114510.tif 000010
【図９】
2016114510.tif 000011
【図１０】
2016114510.tif 000012
【図１１】
2016114510.tif 000013
【図１２】
2016114510.tif 000014