(57)【要約】      （修正有）【課題】全体のフィルム剛性を維持すると共に高い応答性とフレキシブル性とを同時に実現することができる温度センサ及びその製造方法を提供する。【解決手段】絶縁性フィルム２と、絶縁性フィルムの表面側にサーミスタ材料でパターン形成された薄膜サーミスタ部３と、薄膜サーミスタ部の上及び下の少なくとも一方に複数の櫛部４ａを有して互いに対向してパターン形成された一対の櫛型電極４と、一対の櫛型電極に接続され絶縁性フィルムの表面にパターン形成された一対のパターン電極５とを備え、絶縁性フィルムにおける薄膜サーミスタ部の直下の少なくとも一部が、薄膜サーミスタ部の直下以外の部分よりも少なくとも薄く形成されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性フィルムと、
前記絶縁性フィルムの表面側にサーミスタ材料でパターン形成された薄膜サーミスタ部と、
前記薄膜サーミスタ部の上及び下の少なくとも一方に複数の櫛部を有して互いに対向してパターン形成された一対の櫛型電極と、
前記一対の櫛型電極に接続され前記絶縁性フィルムの表面にパターン形成された一対のパターン電極とを備え、
前記絶縁性フィルムにおける前記薄膜サーミスタ部の直下の少なくとも一部が、前記薄膜サーミスタ部の直下以外の部分よりも少なくとも薄く形成されていることを特徴とする温度センサ。
【請求項２】
請求項１に記載の温度センサにおいて、
前記絶縁性フィルムにおける前記薄膜サーミスタ部の直下に貫通孔が形成され、前記薄膜サーミスタ部が前記貫通孔内に露出していることを特徴とする温度センサ。
【請求項３】
請求項１に記載の温度センサにおいて、
少なくとも前記薄膜サーミスタ部を覆って前記絶縁性フィルムの表面にパターン形成された絶縁性の保護膜を備え、
前記絶縁性フィルムにおける前記薄膜サーミスタ部の直下の少なくとも一部が、前記薄膜サーミスタ部上の前記保護膜と同じ厚さとされていることを特徴とする温度センサ。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか一項に記載の温度センサの製造方法であって、
前記絶縁性フィルムの裏面を、前記薄膜サーミスタ部の直下の少なくとも一部を除いてエッチングマスクで覆うマスキング工程と、
前記絶縁性フィルムの裏面において前記エッチングマスクで覆われていない部分をエッチングするエッチング工程と、
前記エッチングマスクを除去するマスク除去工程とを有していることを特徴とする温度センサの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複写機やプリンタ等の加熱ローラの温度を測定することに好適な温度センサ及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、複写機やプリンタに使用されている加熱ローラには、その温度を測定するために温度センサが接触状態に設置されている。このような温度センサとしては、例えば特許文献１に、一対のリードフレームと、これらのリードフレームの間に配設され接続された感熱素子と、一対のリードフレームの端部に形成された保持部と、リードフレーム及び感熱素子の片面に設けられ加熱ローラに接触させる薄膜シートとを有する温度センサが提案されている。このような温度センサは、加熱ローラの表面にリードフレームの弾性力を利用して接触され、温度検知するものである。
【０００３】
上記特許文献１の温度センサでは、感熱素子としてビードサーミスタ等を使用しているが、この場合、約１ｍｍ程度の球状或いは楕円状であるために、加熱ローラに点接触するために、正確な温度検知が難しい。また、感熱素子に比較的大きな体積があるため、応答性が悪いという不都合があった。さらに、点接触であるために、回転するローラ表面に傷を付けてしまうおそれもあった。
【０００４】
このため、特許文献２では、絶縁性フィルムの表面に薄膜サーミスタ部をパターン形成した温度センサが提案されている。この温度センサでは、絶縁性フィルムに直接形成された薄膜サーミスタ部により、全体の厚みが薄くなり、小さい体積によって優れた応答性を得ることができる。また、測定対象物に対する接触部分の平坦性が高く、面接触するために、正確な温度検知が可能であると共に回転する加熱ローラ等の測定対象物の表面を傷つけ難いという優れた特性が得られる。
【０００５】
一方、特許文献３には、空洞部が形成されたシリコン基板に架橋状に電極層が形成され、その電極層に感熱抵抗膜が接着され、感熱抵抗膜を覆うように保護絶縁膜、緩衝膜及びガラス膜が形成された非接触型の赤外線センサである薄膜温度センサが記載されている。この薄膜温度センサでは、感熱抵抗膜が形成された絶縁層を、棒状の電極層及び絶縁膜により空洞部の上方で架橋状に支持している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特公平６−２９７９３号公報
【特許文献２】特開２０１４−７０９５３号公報
【特許文献３】特開平８−２７１３３２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上記従来の技術には、以下の課題が残されている。
すなわち、特許文献２に記載の技術では、特許文献１の技術に比べて高い応答性とフレキシブル性とを得ることができるが、近年、より高速な応答性と高いフレキシブル性とが要望されている。高い応答性及び高いフレキシブル性を得るためには、より薄い絶縁性フィルムを用いる方法も考えられるが、薄くすればするほどフィルム全体の剛性が低下してしまい、ハンドリング性等が悪くなってしまう不都合がある。
また、特許文献３に記載の技術のように、絶縁性フィルムに大きな空洞部を形成し、薄膜サーミスタ部を棒状の電極層や絶縁膜で架橋状に支持する方法も考えられるが、硬いシリコン基板と違い絶縁性フィルムが柔らかいために、やはりフィルム全体の剛性が大幅に低下してしまい、ハンドリング性等が悪くなってしまう。なお、特許文献３の薄膜温度センサは、非接触型のセンサであり、測定対象物に接触させないため、シリコン基板をエッチングして形成した架橋状の支持部で感熱部を支持していても支障がないが、仮にこの構造で感熱部を測定対象物に接触させてしまうと感熱部を架橋状に支持する棒状の支持部が折れてしまう。さらに、特許文献３の薄膜温度センサは、シリコン基板を用いているために、全体を曲げて設置することができず、設置環境が限定されてしまう不都合があった。
【０００８】
本発明は、前述の課題に鑑みてなされたもので、全体のフィルム剛性を維持すると共に高い応答性とフレキシブル性とを同時に実現することができる温度センサ及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、前記課題を解決するために以下の構成を採用した。すなわち、第１の発明に係る温度センサは、絶縁性フィルムと、前記絶縁性フィルムの表面側にサーミスタ材料でパターン形成された薄膜サーミスタ部と、前記薄膜サーミスタ部の上及び下の少なくとも一方に複数の櫛部を有して互いに対向してパターン形成された一対の櫛型電極と、前記一対の櫛型電極に接続され前記絶縁性フィルムの表面にパターン形成された一対のパターン電極とを備え、前記絶縁性フィルムにおける前記薄膜サーミスタ部の直下の少なくとも一部が、前記薄膜サーミスタ部の直下以外の部分よりも少なくとも薄く形成されていることを特徴とする。
【００１０】
この温度センサでは、絶縁性フィルムにおける薄膜サーミスタ部の直下の少なくとも一部が、薄膜サーミスタ部の直下以外の部分よりも少なくとも薄く形成されているので、いわゆるＭＥＭＳ構造のように薄膜サーミスタ部の直下で微細な立体構造を有することで、薄膜サーミスタ部の直下の熱容量がその周囲よりも小さくなり、高い応答性が得られる。また、絶縁性フィルムにおける薄膜サーミスタ部の直下の少なくとも一部が周囲よりも薄くされているので、薄膜サーミスタ部におけるフレキシブル性が向上すると共に、薄膜サーミスタ部の直下以外は厚いために、フィルム全体の剛性を維持することができる。
なお、上記「少なくとも薄く形成されている」との記載は、薄膜サーミスタ部の直下の少なくとも一部にその周囲よりも薄い絶縁性フィルムが残って凹部となっている場合だけでなく、薄膜サーミスタ部の直下の少なくとも一部において完全に絶縁性フィルムが無く貫通孔になっている場合も含むものである。
【００１１】
第２の発明に係る温度センサは、第１の発明において、前記絶縁性フィルムにおける前記薄膜サーミスタ部の直下に貫通孔が形成され、前記薄膜サーミスタ部が前記貫通孔内に露出していることを特徴とする。
すなわち、この温度センサでは、絶縁性フィルムにおける薄膜サーミスタ部の直下に貫通孔が形成され、薄膜サーミスタ部が貫通孔内に露出しているので、薄膜サーミスタ部の直下に絶縁性フィルムが無く、より高い応答性とフレキシブル性が得られる。
【００１２】
第３の発明に係る温度センサは、第１の発明において、少なくとも前記薄膜サーミスタ部を覆って前記絶縁性フィルムの表面にパターン形成された絶縁性の保護膜を備え、前記絶縁性フィルムにおける前記薄膜サーミスタ部の直下の少なくとも一部が、前記薄膜サーミスタ部上の前記保護膜と同じ厚さとされていることを特徴とする。
すなわち、この温度センサでは、絶縁性フィルムにおける薄膜サーミスタ部の直下の少なくとも一部が、薄膜サーミスタ部上の保護膜と同じ厚さとされているので、薄膜サーミスタ部の上下において厚みによる応力バランスが良くなり、曲げ性が向上する。
【００１３】
第４の発明に係る温度センサの製造方法は、第１から第３の発明のいずれかの温度センサの製造方法であって、前記絶縁性フィルムの裏面を、前記薄膜サーミスタ部の直下の少なくとも一部を除いてエッチングマスクで覆うマスキング工程と、前記絶縁性フィルムの裏面において前記エッチングマスクで覆われていない部分をエッチングするエッチング工程と、前記エッチングマスクを除去するマスク除去工程とを有していることを特徴とする。
すなわち、この温度センサの製造方法では、絶縁性フィルムの裏面においてエッチングマスクで覆われていない部分をエッチングするエッチング工程を有しているので、薄膜サーミスタ部の直下の少なくとも一部を高精度にかつ部分的にエッチングすることができ、容易に上記温度センサを作製することができる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、以下の効果を奏する。
すなわち、本発明に係る温度センサ及びその製造方法によれば、絶縁性フィルムにおける薄膜サーミスタ部の直下の少なくとも一部が、薄膜サーミスタ部の直下以外の部分よりも少なくとも薄く形成されるので、高い応答性とフレキシブル性が得られると共に、フィルム全体の剛性を維持することができ、良好なハンドリング性を犠牲にすることがない。
したがって、本発明の温度センサによれば、高い応答性で正確に温度を測定することができると共に、良好なハンドリング性で取り扱いが容易になり、さらに接触時に高いフレキシブル性が得られ、複写機やプリンタ等の加熱ローラの温度用として好適である。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明に係る温度センサ及びその製造方法の第１実施形態を示す平面図（ａ）、Ａ−Ａ線断面図（ｂ）及び裏面図（ｃ）である。
【図２】第１実施形態において、薄膜サーミスタ部形成工程を示す平面図（ａ）及びＢ−Ｂ線断面図（ｂ）である。
【図３】第１実施形態において、電極形成工程を示す平面図（ａ）及びＣ−Ｃ線断面図（ｂ）である。
【図４】第１実施形態において、保護膜形成工程を示す平面図（ａ）及びＤ−Ｄ線断面図（ｂ）である。
【図５】第１実施形態において、エッチング工程を示す裏面図（ａ）及びＥ−Ｅ線断面図（ｂ）である。
【図６】本発明に係る温度センサ及びその製造方法の第２実施形態を示す裏面図（ａ）及びＦ−Ｆ線断面図（ｂ）である。
【図７】第２実施形態において、エッチング工程を示す裏面図（ａ）及びＧ−Ｇ線断面図（ｂ）である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明に係る温度センサ及びその製造方法における第１実施形態を、図１から図５を参照しながら説明する。なお、以下の説明に用いる図面の一部では、各部を認識可能又は認識容易な大きさとするために必要に応じて縮尺を適宜変更している。
【００１７】
本実施形態の温度センサ１は、図１に示すように、絶縁性フィルム２と、絶縁性フィルム２の表面側にサーミスタ材料でパターン形成された薄膜サーミスタ部３と、薄膜サーミスタ部３の上に複数の櫛部４ａを有して互いに対向してパターン形成された一対の櫛型電極４と、一対の櫛型電極４に接続され絶縁性フィルム２の表面にパターン形成された一対のパターン電極５と、少なくとも薄膜サーミスタ部３を覆って絶縁性フィルム２の表面にパターン形成された絶縁性の保護膜６とを備えている。
【００１８】
上記絶縁性フィルム２は、薄膜サーミスタ部３の直下の少なくとも一部が、薄膜サーミスタ部３の直下以外の部分よりも薄く形成されている。すなわち、薄膜サーミスタ部３の直下に凹部２ａが形成されている。なお、本実施形態では、薄膜サーミスタ部３の直下全体が凹部２ａとされているが、薄膜サーミスタ部３の直下の一部が凹部２ａとされていても構わない。
また、絶縁性フィルム２における薄膜サーミスタ部３の直下が、薄膜サーミスタ部３上の保護膜６と同じ厚さとされている。すなわち、凹部２ａにおける絶縁性フィルム２の厚さが、薄膜サーミスタ部３上の保護膜６と同じ厚さとされている。したがって、例えば保護膜６の厚さが２０μｍである場合、凹部２ａにおける絶縁性フィルム２の厚さも２０μｍとなる。なお、図１の（ｂ）では、認識容易な厚さとするために薄膜サーミスタ部３や櫛形電極４の厚さを保護膜６と同じレベルで図示しているが、実際は薄膜サーミスタ部３や櫛形電極４の厚さが例えば２００〜３００ｎｍであるのに対し、保護膜６の厚さは、上述したように例えば２０μｍであって、薄膜サーミスタ部３や櫛形電極４よりも大幅に厚い。このため、成膜された保護膜６の厚さは、下地の薄膜サーミスタ部３や櫛型電極４による段差等の影響をほとんど受けず、ほぼ一定となる。
【００１９】
上記薄膜サーミスタ部３は、矩形状にパターン形成されていると共に絶縁性フィルム２の先端近傍に配されている。また、一対のパターン電極５は、薄膜サーミスタ部３を間に挟んだ状態で絶縁性フィルム２の先端近傍から基端近傍まで延在している。
上記絶縁性フィルム２は、例えば厚さ７．５〜１２５μｍのポリイミド樹脂シートで帯状に形成されている。なお、絶縁性フィルム２としては、他にＰＥＴ：ポリエチレンテレフタレート，ＰＥＮ：ポリエチレンナフタレート等でも作製できるが、加熱ローラの温度測定用としては、最高使用温度が２３０℃と高いためポリイミドフィルムが望ましい。
【００２０】
上記薄膜サーミスタ部３は、絶縁性フィルム２の先端側に配され、ＴｉＡｌＮのサーミスタ材料で形成されている。例えば、薄膜サーミスタ部３は、一般式：ＴｉｘＡｌｙＮｚ（０．７０≦ｙ／（ｘ＋ｙ）≦０．９５、０．４≦ｚ≦０．５、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）で示される金属窒化物からなり、その結晶構造が、六方晶系のウルツ鉱型の単相である。
【００２１】
上記パターン電極５及び櫛型電極４は、薄膜サーミスタ部３上に形成された膜厚５〜１００ｎｍのＣｒ又はＮｉＣｒの接合層と、該接合層上にＡｕ等の貴金属で膜厚５０〜１０００ｎｍで形成された電極層とを有している。
一対の櫛型電極４は、互いに対向状態に配されて交互に櫛部４ａが並んだ櫛型パターンとされている。
【００２２】
なお、櫛部４ａは、絶縁性フィルム２の延在方向（パターン電極５の延在方向）に沿って延在している。すなわち、絶縁性フィルム２の表面側(薄膜サーミスタ部側)を、回転する加熱ローラに押し当てされて温度測定を行うが、この際、絶縁性フィルム２の延在方向に曲率を有して湾曲させられるため、薄膜サーミスタ部３にも同方向に曲げ応力が加わる。このとき、櫛部４ａが同方向に延在しているため、薄膜サーミスタ部３を補強することになり、クラックの発生を抑制することができる。
【００２３】
上記保護膜６は、絶縁性樹脂膜等であり、例えば厚さ２０μｍのポリイミド膜が採用される。この保護膜６は、薄膜サーミスタ部３と共に櫛部４ａを覆って矩形状にパターン形成されている。
【００２４】
次に、本実施形態の温度センサ１の製造方法について、図１から図５を参照して以下に説明する。
本実施形態の温度センサ１の製造方法は、絶縁性フィルム２上に薄膜サーミスタ部３をパターン形成する薄膜サーミスタ部形成工程と、互いに対向した一対の櫛型電極４を薄膜サーミスタ部３上に配して絶縁性フィルム２上に一対のパターン電極５をパターン形成する電極形成工程と、薄膜サーミスタ部３の表面に保護膜６を形成する保護膜形成工程と、絶縁性フィルム２の裏面において薄膜サーミスタ部３の直下の少なくとも一部をエッチングして凹部２ａを形成する凹部形成工程とを有している。
【００２５】
上記凹部形成工程は、絶縁性フィルム２の裏面を、薄膜サーミスタ部３の直下の少なくとも一部を除いてエッチングマスク７で覆うマスキング工程と、絶縁性フィルム２の裏面においてエッチングマスク７で覆われていない部分をエッチングするエッチング工程と、エッチングマスク７を除去するマスク除去工程とを有している。
【００２６】
より具体的な製造方法の例としては、厚さ５０μｍのポリイミドフィルムの絶縁性フィルム２上に、Ｔｉ−Ａｌ合金スパッタリングターゲットを用い、窒素含有雰囲気中で反応性スパッタ法にて、ＴｉｘＡｌｙＮｚ（ｘ＝９、ｙ＝４３、ｚ＝４８）のサーミスタ膜を膜厚２００ｎｍで形成する。その時のスパッタ条件は、到達真空度５×１０−６Ｐａ、スパッタガス圧０．４Ｐａ、ターゲット投入電力（出力）２００Ｗで、Ａｒガス＋窒素ガスの混合ガス雰囲気下において、窒素ガス分率を２０％で作製する。
【００２７】
成膜したサーミスタ膜の上にレジスト液をバーコーターで塗布した後、１１０℃で１分３０秒のプリベークを行い、露光装置で感光後、現像液で不要部分を除去し、さらに１５０℃で５分のポストベークにてパターニングを行う。その後、不要なＴｉｘＡｌｙＮｚのサーミスタ膜を市販のＴｉエッチャントでウェットエッチングを行い、図２に示すように、レジスト剥離にて所望の形状の薄膜サーミスタ部３にする。
【００２８】
次に、薄膜サーミスタ部３及び絶縁性フィルム２上に、スパッタ法にて、Ｃｒ膜の接合層を膜厚２０ｎｍ形成する。さらに、この接合層上に、スパッタ法にてＡｕ膜の電極層を膜厚１００ｎｍ形成する。
次に、成膜した電極層の上にレジスト液をバーコーターで塗布した後、１１０℃で１分３０秒のプリベークを行い、露光装置で感光後、現像液で不要部分を除去し、１５０℃で５分のポストベークにてパターニングを行う。その後、不要な電極部分を市販のＡｕエッチャント及びＣｒエッチャントの順番でウェットエッチングを行い、図３に示すように、レジスト剥離にて所望の櫛型電極４及びパターン電極５を形成する。
【００２９】
さらに、その上にポリイミドワニスを印刷法により薄膜サーミスタ部３上に塗布して、２５０℃、３０分でキュアを行い、図４に示すように、２０μｍ厚のポリイミド保護膜６をパターン形成する。
【００３０】
次に、絶縁性フィルム２の裏面に、図５に示すように、メタルマスクであるエッチングマスク７を密着させて合わせる。このエッチングマスク７には、薄膜サーミスタ部３の直下に対応した所望の形状（本実施形態では四角形状）の孔７ａが形成されている。この孔７ａを薄膜サーミスタ部３の直下に位置合わせしてエッチングマスク７を絶縁性フィルム２の裏面に密着させる。
【００３１】
この状態でリアクティブイオンエッチング法により孔７ａに露出した絶縁性フィルム２の部分を除去していく。なお、このリアクティブイオンエッチング法は、例えば出力２００Ｗ、酸素ガス流量５０ｓｃｃｍ、真空度０．１Ｐａの条件で７５分間のエッチングを行い、厚さ５０μｍのポリイミドフィルムである絶縁性フィルム２を、孔７ａ内において厚さ２０μｍまで薄くエッチングする。
【００３２】
このエッチング後にエッチングマスク７を絶縁性フィルム２の裏面から取り外すことで、絶縁性フィルム２の裏面には、薄膜サーミスタ部３の直下に矩形状の凹部２ａが形成される。この凹部２ａ内の絶縁性フィルム２は厚さ２０μｍと薄く、この厚さは保護膜６の厚さと同じである。このようにして、ＭＥＭＳ構造的な微細な立体的構造を薄膜サーミスタ部３の直下に有した図１に示す温度センサ１が作製される。
【００３３】
なお、複数の温度センサ１を同時に作製する場合、絶縁性フィルム２の大判シートに複数の薄膜サーミスタ部３、櫛型電極４、パターン電極５、保護膜６及び凹部２ａを上述のように形成した後に、大判シートから各温度センサ１に切断する。
【００３４】
また、上記エッチング工程では、薄膜サーミスタ部３の直下において絶縁性フィルム２の一部を残してエッチングを行っているが、薄膜サーミスタ部３の直下において絶縁性フィルム２をエッチングで一度全部除去した後、保護膜６と同様の厚さのポリイミドを露出した薄膜サーミスタ部３の裏面に印刷し、薄い絶縁性フィルム２を薄膜サーミスタ部３の直下に形成して凹部２ａとしてもよい。
【００３５】
このように本実施形態の温度センサ１では、絶縁性フィルム２における薄膜サーミスタ部３の直下の少なくとも一部が、薄膜サーミスタ部３の直下以外の部分よりも少なくとも薄く形成されているので、いわゆるＭＥＭＳ構造のように薄膜サーミスタ部３の直下で微細な立体構造を有することで、薄膜サーミスタ部３の直下の熱容量がその周囲よりも小さくなり、高い応答性が得られる。また、絶縁性フィルム２における薄膜サーミスタ部３の直下の少なくとも一部が周囲よりも薄くされているために、薄膜サーミスタ部３におけるフレキシブル性が向上すると共に、薄膜サーミスタ部３の直下以外は厚いために、フィルム全体の剛性を維持することができる。
【００３６】
また、絶縁性フィルム２における薄膜サーミスタ部３の直下の少なくとも一部が、薄膜サーミスタ部３上の保護膜６と同じ厚さとされているので、薄膜サーミスタ部３の上下において厚みによる応力バランスが良くなり、曲げ性が向上する。
さらに、この温度センサ１の製造方法では、絶縁性フィルム２の裏面においてエッチングマスク７で覆われていない部分をエッチングするエッチング工程を有しているので、薄膜サーミスタ部３の直下を高精度にかつ部分的にエッチングすることができ、容易に本実施形態の温度センサ１を作製することができる。
【００３７】
次に、本発明に係る温度センサ及びその製造方法の第２実施形態について、図６及び図７を参照して以下に説明する。なお、以下の実施形態の説明において、上記実施形態において説明した同一の構成要素には同一の符号を付し、その説明は省略する。
【００３８】
第２実施形態と第１実施形態との異なる点は、第１実施形態では、絶縁性フィルム２における薄膜サーミスタ部３の直下に凹部２ａが形成され、この部分だけ絶縁性フィルム２が薄くされているのに対し、第２実施形態の温度センサ２１では、図６に示すように、絶縁性フィルム２における薄膜サーミスタ部３の直下に貫通孔２２ａが形成され、薄膜サーミスタ部３が貫通孔２２ａ内に露出している点である。
【００３９】
すなわち、第２実施形態では、上記エッチング工程において、図７に示すように、薄膜サーミスタ部３の直下における絶縁性フィルム２を完全に除去する。例えば出力２００Ｗ、酸素ガス流量５０ｓｃｃｍ、真空度０．１Ｐａの条件で１２５分間のリアクティブイオンエッチングを行い、厚さ５０μｍのポリイミドフィルムである絶縁性フィルム２を、孔７ａ内において完全に除去することで、貫通孔２２ａを形成する。これよって、貫通孔２２ａ内に薄膜サーミスタ部３の裏面側が露出した状態となる。
【００４０】
なお、薄膜サーミスタ部３の直下の絶縁性フィルム２を全て除去して薄膜サーミスタ部３が露出するため、サンドブラスト等による場合に比べて上記リアクティブイオンエッチングによれば薄膜サーミスタ部３に対してダメージを与え難い。
このように第２実施形態の温度センサ２１では、絶縁性フィルム２における薄膜サーミスタ部３の直下に貫通孔２２ａが形成され、薄膜サーミスタ部３が貫通孔２２ａ内に露出しているので、薄膜サーミスタ部３の直下に絶縁性フィルム２が無く、より高い応答性とフレキシブル性が得られる。
【００４１】
なお、本発明の技術範囲は上記各実施形態及び実施例に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
【００４２】
例えば、上記各実施形態では、櫛部を薄膜サーミスタ部の上にパターン形成しているが、薄膜サーミスタ部の下（絶縁性フィルムの上面）にパターン形成しても構わない。
また、上記各実施形態では、薄膜サーミスタ部の直下の絶縁性フィルムをリアクティブイオンエッチングでエッチングしているが、他のエッチング方法を用いても構わない。例えば、ポリイミドエッチング液によりポリイミド製の絶縁性フィルムをエッチングしても構わない。
【符号の説明】
【００４３】
１，２１…温度センサ、２…絶縁性フィルム、２ａ…凹部、３…薄膜サーミスタ部、４…櫛型電極、４ａ…櫛部、５…パターン電極、６…保護膜、７…エッチングマスク、２２ａ…貫通孔
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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