(57)【要約】【課題】シンチレータ部材の境界部でのシンチレーション光の光量の低下を抑制し、該シンチレーション光の光量を均一化するのに有利な技術を提供する。【解決手段】基台上に配列された複数のセンサユニットであって各々が基板と該基板上に配列された複数のセンサとを含む複数のセンサユニットと、前記複数のセンサユニットの上に前記複数のセンサを覆うように配列された複数のシンチレータ部材と、を備え、前記複数のシンチレータ部材のうちの互いに隣接する２つのシンチレータ部材は、１以上のセンサの上にわたって形成された互いに平行な傾斜面を有している。【選択図】図１
2016038342.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基台上に配列された複数のセンサユニットであって各々が基板と該基板上に配列された複数のセンサとを含む複数のセンサユニットと、
前記複数のセンサユニットの上に前記複数のセンサを覆うように配列された複数のシンチレータ部材と、を備え、
前記複数のシンチレータ部材のうちの互いに隣接する２つのシンチレータ部材は、１以上のセンサの上にわたって形成された互いに平行な傾斜面を有している
ことを特徴とする放射線撮像装置。
【請求項２】
前記２つのシンチレータ部材の間に前記傾斜面に沿って配された透光性の膜をさらに備える
ことを特徴とする請求項１に記載の放射線撮像装置。
【請求項３】
前記複数のシンチレータ部材は、それらの上面が平坦になるように配列されている
ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の放射線撮像装置。
【請求項４】
前記２つのシンチレータ部材は、１行分以上のセンサまたは１列分以上のセンサの上に前記傾斜面を有している
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の放射線撮像装置。
【請求項５】
前記２つのシンチレータ部材は、５乃至１０行分のセンサまたは５乃至１０列分のセンサの上に前記傾斜面を有している
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の放射線撮像装置。
【請求項６】
前記複数のシンチレータ部材は前記複数のセンサユニットにそれぞれ対応しており、
前記基板上に配列された前記複数のセンサの行方向または列方向での断面において、前記２つのシンチレータ部材の少なくとも一方は、前記傾斜面とは反対の側に前記傾斜面と平行な他の傾斜面をさらに有している
ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の放射線撮像装置。
【請求項７】
前記複数のセンサユニットは、互いに隣接する第１のセンサユニットと第２のセンサユニットとを含み、
前記複数のシンチレータ部材のうち、
第１のシンチレータ部材は、前記第１のセンサユニットの上に配され、
第２のシンチレータ部材は、前記第２のセンサユニットの上に配され、
第３のシンチレータ部材は、前記第１のセンサユニットおよび前記第２のセンサユニットの上且つ前記第１のシンチレータ部材と前記第２のシンチレータ部材との間に配されており、
前記第１のシンチレータ部材および前記第３のシンチレータ部材は、１以上のセンサの上にわたって形成された互いに平行な第１の傾斜面を有し、
前記第２のシンチレータ部材および前記第３のシンチレータ部材は、１以上のセンサの上にわたって形成された互いに平行な第２の傾斜面であって前記第１の傾斜面とは傾斜角が異なる第２の傾斜面を有している
ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の放射線撮像装置。
【請求項８】
前記基板の上面と前記傾斜面とが形成する角度は２０度から８５度の範囲内である
ことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の放射線撮像装置。
【請求項９】
前記基板の上面と前記傾斜面とが形成する角度は２５度から６５度の範囲内である
ことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の放射線撮像装置。
【請求項１０】
前記複数のシンチレータ部材は柱状結晶構造である
ことを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の放射線撮像装置。
【請求項１１】
放射線撮像装置の製造方法であって、
前記放射線撮像装置は、
基台上に配列された複数のセンサユニットであって各々が基板と該基板上に配列された複数のセンサとを含む複数のセンサユニットと、
前記複数のセンサユニットのそれぞれの前記複数のセンサの上に配列された複数のシンチレータ部材と、を備えており、
前記放射線撮像装置の製造方法は、
前記複数のシンチレータ部材を、前記複数のシンチレータ部材のうちの互いに隣接する２つのシンチレータ部材が、１以上のセンサの上にわたって形成された互いに平行な傾斜面を有するように形成する工程を有する
ことを特徴とする放射線撮像装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、放射線撮像装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
放射線撮像装置（以下、単に「撮像装置」）は、例えば、センサパネルを備えうる。センサパネルは、例えば、基板と該基板上に配列された複数のセンサとを各々が含む複数のセンサユニットを基台上に配列することによって形成され、この構造によると、大規模画面用の撮像装置を形成することができる。
【０００３】
撮像装置のなかには、放射線を光に変換した後に光電変換することによって該放射線を検出する間接変換型のものがある。間接変換型の撮像装置の場合、上述の複数のセンサユニットの各々の上には、例えば、放射線を光に変換するためのシンチレータ部材が配されうる。
【０００４】
互いに隣接する２つのセンサユニット（以下、単に「隣接センサユニット」）について、一方のセンサユニット上のシンチレータ部材と、他方のセンサユニット上のシンチレータ部材との間にはギャップが形成されうる。そのため、これらの境界部では、シンチレータ部材の発光光（シンチレーション光）の光量が少なくなってしまう。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００２−４８８７０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
例えば、特許文献１には、隣接センサユニットに対応する２つのシンチレータ部材が互いに近接するように形成された構造が開示されている。各シンチレータ部材は、湿気による潮解を防ぐため保護膜で覆われるため、該２つのシンチレータ部材の間には、保護膜の膜厚に相当するギャップが依然として形成される。そのため、これらの境界部では、このギャップに相当する分だけシンチレーション光の光量が局所的に低下してしまう。
【０００７】
本発明の目的は、シンチレータ部材の境界部でのシンチレーション光の光量の局所的な低下を抑制し、該シンチレーション光の光量を均一化するのに有利な技術を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一つの側面は放射線撮像装置にかかり、前記放射線撮像装置は、基台上に配列された複数のセンサユニットであって各々が基板と該基板上に配列された複数のセンサとを含む複数のセンサユニットと、前記複数のセンサユニットの上に前記複数のセンサを覆うように配列された複数のシンチレータ部材と、を備え、前記複数のシンチレータ部材のうちの互いに隣接する２つのシンチレータ部材は、１以上のセンサの上にわたって形成された互いに平行な傾斜面を有していることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、シンチレーション光の光量を均一化するのに有利である。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】放射線撮像装置の構成の例を説明するための模式図。
【図２】隣接センサユニット間の境界部の例を説明するための模式図。
【図３】シンチレータの形成方法の例を説明するための模式図。
【図４】試作されたシンチレータの結晶構造の例を説明するための図。
【図５】放射線撮像装置の製造方法の例を説明するための模式図。
【図６】放射線撮像装置の構成の例を説明するための模式図。
【図７】放射線撮像装置の製造方法の例を説明するための模式図。
【図８】放射線撮像装置の構成の例を説明するための模式図。
【図９】放射線検査装置の構成の例を説明するための模式図。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
（第１実施形態）
図１〜５を参照しながら第１実施形態を説明する。図１（ａ）及び（ｂ）は、本実施形態にかかる放射線撮像装置１０（以下、単に「装置１０」という。）の構成例を説明するための模式図である。図１（ａ）は装置１０の上面図を示しており、図１（ｂ）はカットラインＡ−Ａ’の断面構造を示している。装置１０は、例えば、基台１００の上に配列された複数のセンサユニット１１０と、複数のセンサユニット１１０の上に配された複数のシンチレータ部材１２０とを備える。
【００１２】
各センサユニット１１０は、例えば、基板１１１と、基板１１１上に複数のセンサが配列されたセンサアレイ１１２とを含む。基板１１１は、例えばガラス基板や耐熱プラスチック基板等の絶縁性の基板を含み、センサは、該基板上に例えばアモルファスシリコンで形成されたＰＩＮセンサやＭＩＳセンサ等を含む。なお、センサアレイ１１２には、該複数のセンサに対応し且つ該複数のセンサの信号を出力するための複数のスイッチ素子（不図示）が配されうる。スイッチ素子には、例えば薄膜トランジスタが用いられうる。
【００１３】
複数のシンチレータ部材１２０は、複数のセンサユニット１１０の上にセンサアレイ１１２を覆うように均一に（それらの上面が平坦になるように）配されており、装置１０に対して照射された放射線を光に変換する。シンチレータ部材１２０には、ハロゲン化アルカリを主成分とする材料が用いられ、例えば、ＣｓＩ：Ｔｌ、ＣｓＩ：Ｎａ、ＣｓＢｒ：Ｔｌ、ＮａＩ：Ｔｌ、ＬｉＩ：Ｅｕ、ＫＩ：Ｔｌ等、柱状結晶構造のものが好適に用いられうる。
【００１４】
なお、センサは、放射線を検知するための検知素子であり、本構成では、シンチレータ部材１２０からのシンチレーション光を光電変換する光電変換素子である。ここではＰＩＮセンサやＭＩＳセンサをセンサの例として挙げたが、これらに限られるものではなく、他の実施形態として、例えば、シリコン基板上に形成されたＣＭＯＳイメージセンサが用いられてもよい。
【００１５】
また、各センサユニット１１０は、基板１１１上に配された複数の電極（パッド）である電極群１１３をさらに含む。電極は、センサアレイ１１２からのセンサ信号を読み出すための電極を含み、例えば、各センサからのセンサ信号を出力するための電極の他、各センサに制御信号を供給するための電極、センサアレイ１１２に電圧を供給するための電極等を含みうる。
【００１６】
複数のセンサユニット１１０は２行かつＮ列（Ｎは２以上の整数）を形成するように配列されている。また、センサユニット１１０の配列方向と、各センサユニット１１０のセンサアレイ１１２の配列方向とは実質的に一致している。各センサユニット１１０は、該センサユニット１１０のセンサアレイ１１２と、該センサユニット１１０と列方向で隣接するセンサユニット１１０のセンサアレイ１１２とが、互いに近接するように配列されている。そして、列方向で互いに隣接する２つのセンサユニット１１０のセンサアレイ１１２間の距離と、行方向で互いに隣接する２つのセンサユニット１１０のセンサアレイ１１２間の距離とは、互いに略等しい。
【００１７】
なお、各センサユニット１１０の電極群１１３は、該センサユニット１１０と列方向で隣接するセンサユニット１１０に対して遠い方の側に位置している。
【００１８】
複数のシンチレータ部材１２０は複数のセンサユニット１１０に対応しており、各シンチレータ部材１２０は、対応するセンサユニット１１０の上に配されている。シンチレータ部材１２０の個々は、例えば行方向での断面において、略平行四辺形の形状を有している。具体的には、図１（ｂ）に例示されるように、シンチレータ部材１２０は所定の傾斜角の傾斜面Ｆを有している。なお、本明細書では、基板１１１の上面と傾斜面Ｆとが形成する角を傾斜角とする。
【００１９】
図２は、互いに隣接する２つのシンチレータ部材１２０（それぞれ「１２０１」及び「１２０２」とする）の境界部Ｋの拡大図を示している。シンチレータ部材１２０１とシンチレータ部材１２０２とは、互いに平行な傾斜面Ｆにおいて近接しており、それらの間には、透光性の膜１２０ｆが配されていてもよい。膜１２０ｆには、シンチレータの湿気による潮解を防ぐための材料が用いられ、例えば、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂等、水分透過率の低い樹脂が用いられうる。膜１２０ｆとシンチレータ部材１２０との界面でのシンチレーション光の散乱を防ぐため、膜１２０ｆは、その屈折率がシンチレータ部材１２０の屈折率と等しくなるように形成されてもよい。膜１２０ｆは、シンチレータ部材１２０の他、センサユニット１１０の側面の全体または一部を覆っていてもよい。
【００２０】
ここで、シンチレータ部材１２０の厚さをｔとし、傾斜面Ｆの傾斜角をθとし、隣接センサユニット１１０間の距離をｄとし、センサアレイ１１２におけるセンサＳのピッチをｐとする。このとき、ｉを１以上の整数として、
ｔ×ｔａｎ（９０°−θ）＞（ｄ＋ｐ×ｉ）                    ・・・式（１）
が成立するとよい。即ち、傾斜面Ｆは、１以上のセンサＳの上にわたって形成され、本構造では、１列分以上（又は１行分以上）のセンサＳの上にわたって形成される。
【００２１】
なお、上記式（１）では、基板１１１の外縁からセンサアレイ１１１までの距離（最も外側のセンサＳまでの距離）は、距離ｄおよびピッチｐに対して極めて小さいものとしたが、該距離が更に考慮されてもよい。
【００２２】
例えば、シンチレータ部材が傾斜面Ｆを有しない構造（即ち、θ＝９０°の構造）では、隣接シンチレータ部材間の境界部ではシンチレーション光の光量が局所的に低下してしまう。これに対して、シンチレータ部材１２０が傾斜面Ｆを有する本構造によると、境界部Ｋにおけるシンチレーション光の光量の局所的な低下を抑制することができる。そのため、装置１０に対して一様な強度の放射線が照射された場合には、複数のシンチレータ部材１２０でのシンチレーション光が均一化される。よって、一様な強度の放射線が照射された場合には、境界部Ｋ近傍のセンサＳからのセンサ信号の信号レベルと、それ以外の領域のセンサＳからのセンサ信号の信号レベルとが互いに略等しくなり、その結果、装置１０の放射線検知感度が均一化される。
【００２３】
傾斜面Ｆは、より多くのセンサＳの上にわたって形成されることにより、一様な強度の放射線が照射された場合の装置１０の放射線検知感度がさらに均一化される。よって、シンチレータ部材１２０の厚さｔを大きくしながら傾斜面Ｆの傾斜角θを小さくするとよい。ここで、シンチレータ部材１２０は、基板１１１の上面に対する平面視（以下、単に「平面視」）において、センサユニット１１０の外縁よりも外側に突出している。そのため、厚さｔを大きくし過ぎると、センサユニット１１０上にシンチレータ部材１２０を形成した後に該センサユニット１１０を基台１００上に配列する際、（例えば、ハンドリングを誤る等によって）シンチレータ部材１２０を損傷させてしまう虞がある。傾斜角θを小さくし過ぎた場合についても同様である。よって、傾斜面Ｆは、例えば、５乃至１０列分（又は５乃至１０行分）のセンサＳの上に形成されるとよい。
【００２４】
例えば、上記式（１）によると、ｔ＝６００［μｍ］、ｄ＝１０［μｍ］、ｐ＝８０［μｍ］としたときに、傾斜面Ｆが１列分以上のセンサＳの上に形成されるためには、θ＜８２°とすればよい。また、例えば、傾斜面Ｆが５列分以上のセンサＳの上に形成されるためには、θ＜４６°とすればよい。
【００２５】
図３（ａ）及び（ｂ）は、センサユニット１１０の上にシンチレータ部材１２０を形成する方法を説明するための模式図である。シンチレータ部材１２０は、例えば、蒸着装置を用いて蒸着法により形成されうる。蒸着装置は、例えば、蒸着処理を行うための真空槽２００と、真空槽２００を所定の圧力よりも小さくして略真空状態にするための真空ポンプ（不図示）と、蒸着対象物を保持するためのホルダ２１０と、を具備する。
【００２６】
ホルダ２１０が保持する蒸着対象物に対する蒸着処理は、ホルダ２１０を回転させながら為される。中心軸２１０ｃはホルダ２１０の回転中心を示している。蒸発源２２０は、ホルダ２１０に保持された蒸着対象物の下に配置され、蒸発源２２０にはシンチレータ材料が充填されうる。例えば、ＣｓＩ（ヨウ化セシウム）やＮａＩ（ヨウ化ナトリウム）等がシンチレータ材料として用いられ、Ｔｌ（タリウム）やＮａ（ナトリウム）等がドープ剤（付活剤）として用いられうる。
【００２７】
まず、図３（ａ）に例示されるように、センサユニット１１０をホルダ２１０に設置する。ここで、ホルダ２１０は、その保持面の垂線と中心軸２１０ｃとが交差するように傾いており、該ホルダ２１０に保持されたセンサユニット１１０は、シンチレータが形成される面が蒸発源２２０に対して傾いた状態になる。ホルダ２１０の保持面と中心軸２１０ｃとが成す角を角度αとすると、前述の傾斜角θは角度αと実質的に等しくなるため、所望の傾斜角θになるように角度αを調節するとよい。角度α（即ち、傾斜角θ）を小さくし過ぎると柱状結晶構造のシンチレータが形成されにくいため、角度αは、例えば２０°〜８５°の範囲内に設定され、好適には２５°〜６５°の範囲内に設定されうる。
【００２８】
その後、図３（ｂ）に例示されるように、いわゆる斜方蒸着法による蒸着処理を行うことにより、センサユニット１１０上に傾斜角θのシンチレータ部材１２０が形成される。図４（ａ）及び（ｂ）は、上述の斜方蒸着法によって試作されたシンチレータの側面図および上面図をそれぞれ示している。
【００２９】
なお、図３（ａ）及び（ｂ）では、ホルダ２１０の一方の側に１つのセンサユニット１１０が設置され、他方の側に他の１つのセンサユニット１１０が設置された態様を例示しているが、各側に２以上のセンサユニット１１０が設置されてもよい。
【００３０】
なお、センサユニット１１０上にはセンサアレイ１１２の各センサを保護するための保護層（不図示）が形成されていてもよいし、該保護層の上にはシンチレータを適切に形成するための下地層（不図示）がさらに形成されてもよい。該保護層および該下地層には、シンチレータ部材１２０からのシンチレーション光に対して高い透光率を有するものが用いられるとよい。また、該下地層には、シンチレータの形成工程での熱処理（例えば２００℃以上）に耐えられるものが用いられるとよい。
【００３１】
上記保護層には、例えば、窒化シリコン、ＴｉＯ２、ＬｉＦ、Ａｌ２Ｏ３、ＭｇＯ等が好適に用いられうる。或いは、ポリフェニレンサルファイド樹脂、フッ素樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、液晶ポリマー、ポリエーテルニトリル樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリエーテルサルホン樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂等が用いられてもよい。また、上記下地層には、例えば、ポリアミドイミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂等が好適に用いられうる。
【００３２】
図５（ａ）及び（ｂ）は、上面にシンチレータ部材１２０が形成されたセンサユニット１１０の配列方法を説明するための模式図である。
【００３３】
まず、図５（ａ）に例示されるように、基台１００を準備し、センサユニット１１００〜１１０３（及び、不図示のセンサユニット１１０４以降）を該基台１００上に順に配置する。このとき、隣接する２つのセンサユニット１１０は、互いに近接する傾斜面Ｆよりも下のシンチレータ部材１２０が形成された一方が先に基台１００上に配置され、その後、他方が該一方の隣に配置されるように配列されるとよい。例えば、センサユニット１１０１及び１１０２の場合、センサユニット１１０１が先に基台１００上に配置され、その後、センサユニット１１０２がセンサユニット１１０１の隣に配置される。同様にして、センサユニット１１０３がセンサユニット１１０２の隣に配置される。
【００３４】
上面にシンチレータ部材１２０が形成されたセンサユニット１１０が基台１００上に配列された後、図５（ｂ）に例示されるように、シンチレータ部材１２０の上には、例えば保護膜として膜１３０が配されてもよい。膜１３０には、例えば、パラキシリレン樹脂、エポキシ樹脂、塩化ビニリデン樹脂、フッ素樹脂、アクリル樹脂、オレフィン系樹脂等が用いられうる。膜１３０は、さらに、シンチレータ部材１２０からのシンチレーション光をセンサアレイ１１２側に向かって反射するための反射膜としての機能を有していてもよい。
【００３５】
以上のようにして装置１０が製造され、その後、各センサユニット１１０の電極群１１３は実装基板等に電気的に接続されうる。
【００３６】
以上、本実施形態によると、シンチレータ部材１２０が傾斜面Ｆを有しており、境界部Ｋにおけるシンチレーション光の光量の局所的な低下を抑制することができる。そのため、装置１０に対して一様な強度の放射線が照射された場合には、複数のシンチレータ部材１２０でのシンチレーション光が均一化され、装置１０の放射線検知感度が均一化される。よって、本実施形態によると、境界部Ｋでのシンチレーション光の光量の局所的な低下を抑制し、該シンチレーション光の光量を均一化するのに有利である。
【００３７】
なお、本実施形態では、柱状結晶構造のシンチレータ部材１２０が用いられた構造を典型例として例示したが、酸硫化ガドリニウム（ＧＯＳ）等、粒子状結晶構造のシンチレータが用いられた構造についても同様である。
【００３８】
（第２実施形態）
図６〜７を参照しながら第２実施形態を説明する。前述の第１実施形態では、各シンチレータ部材１２０の断面形状が略平行四辺形である構造を例示したが、傾斜面Ｆが１以上のセンサの上にわたって形成されていればよく、他の構造が採られてもよい。本実施形態は、各シンチレータ部材の断面形状が略台形である、という点で第１実施形態と異なる。本実施形態によると、シンチレータ部材が、平面視におけるセンサユニット１１０の外縁より外側に突出していない（内側である）ため、ハンドリングを誤る等によるシンチレータ部材の損傷を防ぐことができる。
【００３９】
図６は、本実施形態にかかる放射線撮像装置（「放射線撮像装置１０’」とし、以下、単に「装置１０’」と示す。）の断面構造を、図１（ｂ）と同様に示している。前述のシンチレータ部材１２０は、シンチレータ部材１２０’とシンチレータ部材１２０”とを含み、他の観点では、装置１０’は、複数のシンチレータ部材１２０’と複数のシンチレータ部材１２０”とを備える。
【００４０】
複数のシンチレータ部材１２０’は複数のセンサユニット１１０に対応しており、各シンチレータ部材１２０’は、対応するセンサユニット１１０の上に配されている。シンチレータ部材１２０’の個々は、例えば行方向での断面において、略台形の形状を有している。具体的には、図６に例示されるように、シンチレータ部材１２０’は、対辺関係の２つの辺（ある辺およびその反対の側の辺）の双方において、外側から内側に向かって厚さが大きくなるように側面が傾斜した傾斜面Ｆ’を有する。
【００４１】
一方、シンチレータ部材１２０”は、互いに隣り合う２つのシンチレータ部材１２０’の間に、その隙間を補填するように配されている。シンチレータ部材１２０”は、例えば行方向での断面において略台形（シンチレータ部材１２０’とは上下が逆）の形状を有しており、傾斜面Ｆ”を有する。傾斜面Ｆ’と傾斜面Ｆ”とは互いに実質的に平行である。このような構造により、シンチレータ部材１２０’とシンチレータ部材１２０”とは、傾斜面Ｆ’及び傾斜面Ｆ”で対面して互いに近接している。
【００４２】
装置１０’は、シンチレータ部材１２０’及び１２０”からのシンチレーション光をセンサアレイ１１２側に向かって反射するための反射部１４０をさらに備えていてもよい。各シンチレータ部材１２０”は、例えば、反射部１４０を構成する基材１４０ｂに固定されている。
【００４３】
図７（ａ）及び（ｂ）は、センサユニット１１０の上にシンチレータ部材１２０’を形成する方法を、図３（ａ）及び（ｂ）と同様に示している。センサユニット１１０はホルダ２１０’で保持され、ホルダ２１０’は、センサユニット１１０の一部に対してシンチレータが形成されるのを制限するための凸部（例えば、ツメ状の突起部）を有している。そして、一部のシンチレータの形成を制限しながらセンサユニット１１０に対して蒸着処理を行うこと（マスク蒸着法）により、センサユニット１１０上に、端部において傾斜面Ｆ’を有するシンチレータ部材１２０’を形成する。なお、傾斜面Ｆ’の傾斜角は、ホルダ２１０’の凸部の形状に従うため、該凸部は傾斜面Ｆ’が所望の傾斜角になるように構成されればよい。
【００４４】
シンチレータ部材１２０”についても同様にして、基材１４０ｂ上にシンチレータ部材１２０”を形成すればよい。シンチレータ部材１２０”は、その傾斜面Ｆ”の傾斜角がシンチレータ部材１２０’の傾斜面Ｆ’の傾斜角と互いに同じになるように、形成されればよい。
【００４５】
図７（ｃ）は、上面にシンチレータ部材１２０’が形成されたセンサユニット１１０と、上面にシンチレータ部材１２０”が形成された基材１４０ｂとの配置方法を説明するための模式図である。まず、上面にシンチレータ部材１２０’が形成されたセンサユニット１１０が基台１００上に配列する。その後、上面にシンチレータ部材１２０”が形成された複数の基材１４０ｂを、各基材１４０ｂを上側かつシンチレータ部材１２０”を下側にしながらシンチレータ部材１２０’間の隙間をシンチレータ部材１２０”で補填するように配置する。
【００４６】
以上のようにして装置１０’が製造され、その後、各センサユニット１１０の電極群１１３は実装基板等に電気的に接続されうる。
【００４７】
本実施形態によると、シンチレータ部材１２０’が、平面視におけるセンサユニット１１０の外縁より外側に突出していないため、ハンドリングを誤る等によるシンチレータ部材１２０’の損傷を防ぐことができる。よって、本実施形態によると、第１実施形態と同様の効果が得られる他、装置１０の高品質化にも有利である。なお、このことは、粒子状結晶構造のシンチレータが用いられた構造についても同様である。
【００４８】
（その他）
以上、いくつかの好適な実施形態を例示したが、本発明はこれらに限られるものではなく、目的等に応じて、その一部を変更してもよいし、各実施形態の各特徴を組み合わせてもよい。
【００４９】
例えば、図８に例示されるように、シンチレータ部材１２０’（断面形状が台形）が上面に形成されたセンサユニット１１０を配置した後、その両側に、シンチレータ部材１２０（断面形状が平行四辺形）が上面に形成されたセンサユニット１１０を配置してもよい。本構造によっても、第１実施形態と同様の効果が得られる。なお、このことは、粒子状結晶構造のシンチレータが用いられた構造についても同様である。
【００５０】
（放射線撮像システムへの適用例）
図９に例示されるように、上記各実施形態で述べた放射線撮像装置は、放射線検査装置等に代表される撮像システムに適用されうる。放射線は、Ｘ線、α線、β線、γ線等を含む。ここでは、代表例としてＸ線を用いる場合を述べる。
【００５１】
Ｘ線チューブ６１０（放射線源）で発生したＸ線６１１は、被検者６２０の胸部６２１を透過し、放射線撮像装置６３０に入射する。該入射したＸ線６１１には患者６２０の体内の情報が含まれており、装置６３０により該Ｘ線６１１に応じた電気的情報が得られる。この電気的情報は、ディジタル信号に変換された後、例えばイメージプロセッサ６４０等の信号処理部により所定の信号処理が為される。医師等のユーザは、該電気的情報に応じた放射線画像を、例えばコントロールルームのディスプレイ６５０等の表示部で観察することができる。ユーザは、放射線画像ないしそのデータを、所定の通信手段６６０により遠隔地へ転送することができ、該放射線画像を、例えばドクタールーム等の他の場所のディスプレイ６５１で観察することもできる。また、ユーザは、該放射線画像ないしそのデータを、光ディスク等の所定の記録媒体に記録することもでき、例えば、フィルムプロセッサ６７０によってフィルム６７１に記録することもできる。
【符号の説明】
【００５２】
１０：放射線撮像装置、１００：基台、１１０：センサユニット、１１１：基板、１１２：センサアレイ、１２０：シンチレータ部材。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図４】
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