(57)【要約】【課題】上部電極への導通を確保し、かつ額縁領域が狭小化された有機発光装置を提供する。【解決手段】有機化合物層２２が下部電極２１を被覆し、上部電極２３が有機化合物層２２を被覆し、基板１０が、上部電極２３へ送電するための配線と電気接続される上部電極用電極パッド部２４を有し、下部電極２１と上部電極用電極パッド部２４との間の領域に設けられる有機化合物層の膜端２２ａの断面の傾きと基板１０の表面とがなす角度をθ1としたときに、下記式（１）及び（２）が満たされ、下部電極２１と上部電極用電極パッド部２４との間の領域以外の少なくとも一部の領域に設けられる有機化合物層の膜端２２ｂの断面の傾きと基板１０の表面とがなす角度をθ3としたときに、下記式（３）及び（４）が満たされる。（１）ｔａｎ（θ1）＝ｄ1／ｄ2（２）ｔａｎ（θ1）＜０．２（３）ｔａｎ（θ3）＝ｄ3／ｄ4（４）ｔａｎ（θ3）≧０．２【選択図】図１
2016004910.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の上に配置されている下部電極と、上部電極と、前記下部電極と前記上部電極との間に配置されている発光層を含む有機化合物層と、を有する有機発光装置であって、
前記有機化合物層が前記下部電極を被覆し、
前記上部電極が前記有機化合物層を被覆し、
前記基板が、前記上部電極へ送電するための配線と電気接続される上部電極用電極パッド部を有し、
前記下部電極と前記上部電極用電極パッド部との間の領域に設けられる前記有機化合物層の膜端の断面の傾きと前記基板の表面とがなす角度をθ1としたときに、下記式（１）及び（２）が満たされ、
前記下部電極と前記上部電極用電極パッド部との間の領域以外の少なくとも一部の領域に設けられる前記有機化合物層の膜端の断面の傾きと前記基板の表面とがなす角度をθ3としたときに、下記式（３）及び（４）が満たされることを特徴とする、有機発光装置。
（１）ｔａｎ（θ1）＝ｄ1／ｄ2
（２）ｔａｎ（θ1）＜０．２
（３）ｔａｎ（θ3）＝ｄ3／ｄ4
（４）ｔａｎ（θ3）≧０．２
（式（１）において、ｄ1は、有機化合物層の膜厚を表し、ｄ2は、有機化合物層の膜端の断面のテーパー幅を表す。式（３）において、ｄ3は、有機化合物層の膜厚を表し、ｄ4は、有機化合物層の膜端断面のテーパー幅を表す。）
【請求項２】
前記上部電極の膜端の断面の傾きと前記基板の表面とがなす角度をθ2としたときに、下記式（５）及び（６）が満たされることを特徴とする、請求項１に記載の有機発光装置。
（５）ｔａｎ（θ2）＝ｄ5／ｄ6
（６）ｔａｎ（θ2）≧０．２
（式（５）において、ｄ5は、上部電極の膜厚を表し、ｄ6は、上部電極の膜端断面のテーパー幅を表す。）
【請求項３】
前記下部電極と前記上部電極用電極パッド部との間の領域以外の全ての領域に設けられる前記有機化合物層の膜端の断面の傾きと前記基板の表面とがなす角度をθ3としたときに、前記式（３）及び前記式（４）が満たされることを特徴とする、請求項１又は２に記載の有機発光装置。
【請求項４】
さらに前記上部電極を被覆するように封止層が設けられ、
前記封止層が、前記基板に設けられる外部接続端子部を開口するようにパターニングがなされていることを特徴とする、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の有機発光装置。
【請求項５】
前記有機化合物層の膜端が、前記上部電極又は前記封止層によって被覆されることを特徴とする、請求項１乃至３のいずれか一項に記載の有機発光装置。
【請求項６】
前記有機化合物層の膜端の断面のテーパー幅、又は前記上部電極の膜端の断面のテーパー幅が、５μｍ以内であることを特徴とする、請求項１乃至５のいずれか一項に記載の有機発光装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項に記載の有機発光装置と、前記有機発光装置に接続されている能動素子と、を有することを特徴とする、表示装置。
【請求項８】
画像情報を入力する入力部と、前記画像情報を処理する情報処理部と、画像を表示する表示部とを有し、前記表示部が、請求項７に記載の表示装置であることを特徴とする、画像情報処理装置。
【請求項９】
請求項１乃至６のいずれか一項に記載の有機発光装置と、前記有機発光装置に駆動電圧を供給するＡＣ／ＤＣコンバーターと、を有することを特徴とする、照明装置。
【請求項１０】
請求項１乃至６のいずれか一項に記載の有機発光装置と、放熱板と、を有する照明装置であって、
前記放熱板は、前記照明装置内の熱を外部へ放出する放熱板であることを特徴とする、照明装置。
【請求項１１】
感光体と、前記感光体を帯電させる帯電部と、前記感光体を露光する露光部と、前記感光体に現像材を供給する現像部と、を有する電子写真方式の画像形成装置であって、
前記露光部は、請求項１乃至６のいずれか一項に記載の有機発光装置を有することを特徴とする、画像形成装置。
【請求項１２】
感光体を露光する露光装置であって、
前記露光装置は、複数の有機発光装置を有し、前記複数の有機発光装置のうち少なくとも一つは、請求項１乃至６のいずれか一項に記載の有機発光装置であり、
前記複数の有機発光装置は、前記感光体の長軸方向に沿って、一列に設けられていることを特徴とする、露光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機発光装置は、基材あるいは基板の上に複数の有機発光素子をライン状あるいはマトリクス状に配列してなる装置である。ここで、互いに異なる色、例えば、赤、緑、青のいずれかの色を発光する有機発光素子を１個ずつ組み合わせて１組の画素を形成するように配置すると、多色表示が可能になる。
【０００３】
有機発光装置を構成する有機発光素子は、一対の電極と、当該一対の電極の間に配置された有機発光層と、を有している。ここで有機発光素子の発光色は、有機発光層に含まれる発光材料を適宜選択することによって変えることができる。
【０００４】
ところで、有機化合物層及び有機化合物層の上に設けられる上部電極を形成する方法としては、メタルマスクを用いた真空蒸着法が広く用いられている。しかし、メタルマスクを用いた真空蒸着法では、メタルマスクと被成膜基板とのアライメント精度の低さやメタルマスクの熱膨張等に起因して成膜精度が低く、高精細な表示装置を作製するのには適さない。また、メタルマスクの端部に相当する領域に形成される有機化合物層等の膜厚は、設定膜厚付近から０になるまで緩やかに変化して、この領域は非有効領域としてレイアウト上の無駄になってしまう。
【０００５】
特許文献１には、高精細のメタルマスクを用いずに、フォトリソグラフィ法を用いて有機化合物層を高い精度で選択的に形成する方法が記載されている。具体的には、基板の全体に、有機化合物層、上部電極及び保護層を形成した後、有機化合物層、上部電極層、保護層をまとめて所望の形状にてパターニングを行う。また、必要に応じて、ＲＧＢの３色に相当する「有機化合物層、上部電極層、保護層」の組み合わせをそれぞれパターニングすることが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平９−２９３５８９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし、特許文献１に記載の方法、即ち、フォトリソグラフィ法によってパターニングされた有機化合物層となる膜の端面は外部環境に露出した状態となる。また有機化合物層にはガスバリア性がないため、有機化合物層となる膜の端部が外部環境に露出した状態であると、当該端面から浸透する水や酸素によって有機化合物層自体が劣化してしまう。また、特許文献１では有機化合物層及び上部電極のパターニングがなされているが、上部電極と基板側に設けられた給電パッド部分との接続をどう形成するのか開示されていないため、装置を構成する有機発光素子への通電ができない可能性がある。
【０００８】
本発明は、上述した課題を解決するためになされるものであり、その目的は、上部電極への導通を確保し、かつ額縁領域が狭小化された有機発光装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明に有機発光装置は、基板と、
前記基板の上に配置されている下部電極と、上部電極と、前記下部電極と前記上部電極との間に配置されている発光層を含む有機化合物層と、を有する有機発光装置であって、
前記有機化合物層が前記下部電極を被覆し、
前記上部電極が前記有機化合物層を被覆し、
前記基板が、前記上部電極へ送電するための配線と電気接続される上部電極用電極パッド部を有し、
前記下部電極と前記上部電極用電極パッド部との間の領域に設けられる前記有機化合物層の膜端の断面の傾きと前記基板の表面とがなす角度をθ1としたときに、下記式（１）及び（２）が満たされ、
前記下部電極と前記上部電極用電極パッド部との間の領域以外の少なくとも一部の領域に設けられる前記有機化合物層の膜端の断面の傾きと前記基板の表面とがなす角度をθ3としたときに、下記式（３）及び（４）が満たされることを特徴とする。
（１）ｔａｎ（θ1）＝ｄ1／ｄ2
（２）ｔａｎ（θ1）＜０．２
（３）ｔａｎ（θ3）＝ｄ3／ｄ4
（４）ｔａｎ（θ3）≧０．２
（式（１）において、ｄ1は、有機化合物層の膜厚を表し、ｄ2は、有機化合物層の膜端の断面のテーパー幅を表す。式（３）において、ｄ3は、有機化合物層の膜厚を表し、ｄ4は、有機化合物層の膜端断面のテーパー幅を表す。）
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、上部電極への導通を確保し、かつ額縁領域が狭小化された有機発光装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の有機発光装置における実施形態の例を示す断面模式図であり、（ａ）が平面図であり、（ｂ）が（ａ）中のＸＸ’断面を示す断面図である。
【図２】本発明の有機発光装置を構成する発光画素の配置例を示す平面模式図である。
【図３】図１の有機発光装置を構成する膜の膜端断面を示す断面模式図である。
【図４】本発明の有機発光装置の製造方法における第一の実施形態を示す断面模式図である。
【図５】本発明の有機発光装置の製造方法における第二の実施形態を示す断面模式図である。
【図６】本発明に係る有機発光装置を有する画像形成装置の例を示す模式図である。
【図７】（ａ）及び（ｂ）は、図７の画像形成装置を構成する露光光源（露光器）の具体例を示す平面概略図であり、（ｃ）は、図７の画像形成装置を構成する感光体の具体例を示す概略図である。
【図８】本発明に係る有機発光素子を有する照明装置の例を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
［有機発光装置］
本発明は、基板と、前記基板の上に配置されている下部電極と、上部電極と、前記下部電極と前記上部電極との間に配置される発光層を含む有機化合物層と、を有する有機発光装置に関する。本発明において、有機化合物層は下部電極を被覆し、上部電極は有機化合物層を被覆する。本発明において、基板は、上部電極へ送電するための配線と電気接続される上部電極用電極パッド部を有している。
【００１３】
本発明においては、下部電極と上部電極用電極パッド部との間の領域に設けられる有機化合物層の膜端の断面の傾きと基板の表面とがなす角度をθ1としたときに、下記式（１）及び（２）が満たされる。
（１）ｔａｎ（θ1）＝ｄ1／ｄ2
（２）ｔａｎ（θ1）＜０．２
（式（１）において、ｄ1は、有機化合物層の膜厚を表し、ｄ2は、有機化合物層の膜端の断面のテーパー幅を表す。）
【００１４】
また本発明においては、下部電極と上部電極用電極パッド部との間の領域以外の少なくとも一部の領域に設けられる有機化合物層の膜端の断面の傾きと基板の表面とがなす角度をθ3としたときに、下記式（３）及び（４）が満たされる。
（３）ｔａｎ（θ3）＝ｄ3／ｄ4
（４）ｔａｎ（θ3）≧０．２
（式（３）において、ｄ3は、有機化合物層の膜厚を表し、ｄ4は、有機化合物層の膜端断面のテーパー幅を表す。）
【００１５】
尚、上記式（１）乃至（４）の詳細については、後述する。
【００１６】
以下、適宜図面を参照しながら本発明の実施形態について詳細に説明するが、本発明は以下に説明する実施形態に限定されるものではない。また以下の説明において特段説明されていなかったり、図面において特段図示されなかったりした部分に関しては、当該技術分野の周知或いは公知の技術を適用することができる。
【００１７】
図１は、本発明の有機発光装置における実施形態の例を示す断面模式図であり、（ａ）が平面図であり、（ｂ）が（ａ）中のＸＸ’断面を示す断面図である。図１の有機発光装置１は、層間絶縁層１１と画素分離膜１２とを有する基板１０と、この基板１０の上であって発光画素２０に相当する領域に有機発光素子が設けられている。この有機発光素子は、下部電極２１と、有機化合物層２２と、上部電極２３と、を有する。
【００１８】
図１の有機発光装置１において図示されていないが、基板１０は、層間絶縁層１１の下方に下地基板を有している。また本発明においては、層間絶縁層１１と下地基板との間に有機発光素子を駆動させるための駆動回路や配線を設けてもよい。このように、層間絶縁層１１と下地基板との間に駆動回路や配線が設けられている場合、層間絶縁層１１の所定の領域（例えば、下部電極２１や上部電極用電極パッド２４を設ける領域）にコンタクトホール１３を設ける。そして、このコンタクトホール１３には、層間絶縁層１１の上に設けられる電極（２１、２４）と駆動回路・配線とを電気接続させるための導電部材が充填されている。
【００１９】
図１の有機発光装置１において、基板１０を構成する画素分離膜１２には、下部電極２１及び上部電極用電極パッド部２４を設ける領域に開口が設けられている。ここで、下部電極２１を設ける領域に設けられている画素分離膜１２の開口は、発光画素２０となる領域になっている。このため、画素分離膜１２は、発光領域を制限する部材（発光領域制限部材）である。本発明において、発光領域２０の平面形状を制御する手段としては、下部電極２１の上方に画素分離膜１２を所定の形状でパターニングして設ける方法があるが、下部電極２１を予めフォトリソグラフィ等でパターニングする方法等もある。尚、発光領域は、画素分離膜１２がある場合には、画素分離膜１２の開口領域になり、画素分離膜１２がない場合には、下部電極２１の領域が発光領域となる。即ち、発光領域は、下部電極２１のうち、画素分離膜１２ではない有機化合物層２２に被覆されている部分を指す。
【００２０】
図１の有機発光装置１において、有機発光素子を構成する下部電極２１は、基板１０を構成する層間絶縁層１１の上に設けられる電極であり、その端部は、画素分離膜１２で被覆されている。
【００２１】
図１の有機発光装置１において、有機発光素子を構成する有機化合物層２２は、発光領域２０及びその周辺の領域に選択的に設けられている部材である。本発明において、有機化合物層２２は、所定のフォトマスクを用いたパターニングを利用して形成されている。尚、このパターニングの具体的手法については、後述する。
【００２２】
図１の有機発光装置１において、有機化合物層２２の上に設けられている上部電極２３は、上部電極用電極パッド部２４と電気的に接続されている。
【００２３】
図１の有機発光装置１は、少なくとも有機化合物層を覆い保護する目的で封止層３０が形成されている。ただし、本発明において、有機発光素子を保護するための保護部材は、図１中の封止層３０に限定されるものではない。尚、図１に示されるように、発光画素２０及び上部電極用電極パッド部２４は封止層３０内に設けられる。
【００２４】
尚、図１には図示されていないが、封止層３０の外側には外部接続端子部が設けられている。外部接続端子は、外部からの信号や電源電圧を回路（不図示）に供給する端子である。本発明において、封止層３０は、基板１０の第１主面側に形成される外部接続端子部を開口するようにパターニングされているのが好ましい。
【００２５】
本発明の有機発光装置は、基板の上に、少なくとも一つの有機発光素子が設けられている。ここで有機発光装置が有する有機発光素子が二つ以上である場合、各有機発光素子の発光色は同じであっても異なっていてもよい。また有機発光装置が有する有機発光素子が二つ以上である場合、各有機発光素子の配列態様として、例えば、複数の有機発光素子を組み合わせてなる画素をライン状あるいはマトリクス状に配列してなる態様があるが、本発明においては、この態様に限定されない。また本発明の有機発光装置は、有機化合物層２２を構成する発光層から出力された光を取り出す電極が、上部電極２３であってもよいし、下部電極２１であってもよい。また発光層から出力された光を取り出す態様としては、上部電極２３又は下部電極２１から択一的に取り出す態様に限定されず、両電極（２１、２３）から取り出す態様も含まれる。尚、発光層から出力された光を取り出す電極は、半透明もしくは透明の電極とすることで、有機発光装置を構成する有機発光素子の内部から光を取り出すことができる。
【００２６】
図２は、本発明の有機発光装置を構成する発光画素の配置例を示す平面模式図である。本発明において、発光画素２０の配置に関しては、ライン状（図２（ａ））、千鳥ライン状（図２（ｂ））、２次元配置のマトリックス状（図２（ｃ）、（ｄ））等の例があるが、これに限定されるものではない。プリントヘッド用のライン光源として本発明の有機発光装置を用いる場合は、ライン状（図２（ａ））、千鳥ライン状（図２（ｂ））が好ましい。一方、ディスプレイとして本発明の有機発光装置を用いる場合は、２次元配置のマトリックス状（図２（ｃ）、（ｄ））が適用できる。特に、発光画素２０が複数種類の副画素（２０ａ、２０ｂ、２０ｃ）から構成される図２（ｄ）の形式では、各副画素について発光材料を適宜選択することでフルカラー表示が可能である。
【００２７】
次に、有機発光装置を構成する有機化合物層２２や上部電極２３となる薄膜について説明する。本発明においては、有機化合物層２２の膜端の断面の傾きと基板１０の表面とがなす角度に関する要件が、有機化合物層２２を設ける領域によって異なる。具体的には、下部電極と上部電極用電極パッド部との間の領域とこの領域以外の領域とで要件が異なる。
【００２８】
より具体的には、下部電極２１と上部電極用電極パッド部２４との間の領域に設けられる有機化合物層の膜端（符号２２ａ）の断面の傾きと基板の表面とがなす角度をθ1としたときに、下記式（１）及び（２）が満たされる。
（１）ｔａｎ（θ1）＝ｄ1／ｄ2
（２）ｔａｎ（θ1）＜０．２
【００２９】
式（１）において、ｄ1は、有機化合物層の膜厚を表し、ｄ2は、有機化合物層の膜端の断面のテーパー幅を表す。
【００３０】
一方、下部電極２１と上部電極用電極パッド部２４との間の領域以外の少なくとも一部の領域に設けられる有機化合物層の膜端（符号２２ｂ）の断面の傾きと基板の表面とがなす角度をθ3としたときに、下記式（３）及び（４）が満たされる。
（３）ｔａｎ（θ3）＝ｄ3／ｄ4
（４）ｔａｎ（θ3）≧０．２
【００３１】
式（３）において、ｄ3は、有機化合物層の膜厚を表し、ｄ4は、有機化合物層の膜端断面のテーパー幅を表す。
【００３２】
図３は、図１の有機発光装置を構成する膜の膜端断面を示す断面模式図である。尚、図３は、所定の膜における膜厚傾斜領域の形状を説明した図でもある。また図３に示される膜は、有機化合物層２２又は上部電極２３となる膜である。
【００３３】
図３に示されるように、有機化合物層２２あるいは上部電極２３となる膜の端部は、膜の中央部分等の他の部分と比較して膜厚が薄くなっている。図３に示される他の部分と比較して膜厚が薄くなる領域は、膜厚傾斜領域と呼ばれる領域である。有機化合物層２２となる膜を例にとると、基板１０の端部と、表示領域（発光領域２０）の最外周部にある発光領域制御手段と、の間にある有機化合物層は、特に膜の端部において膜厚傾斜領域が形成されている。
【００３４】
ここで所定の膜において、当該膜の成膜誤差（−Δｔ）よりも薄くなったところを符号４１で、膜厚が０ｎｍになったところを符号４２で、それぞれ表す。ここで符号４２の地点から符号４１の基板直下に下した点（Ｘ点）までの距離、即ち、符号４３で表される距離は、所定の膜の膜端テーパー幅として定義される。尚、所定の膜が有機化合物層２２である場合は、符号４３で表される距離は、式（１）中のｄ2又は式（３）中のｄ4である。一方、符号４１の地点における膜の膜厚は、符号４４で表される、符号４１と符号Ｘとの距離に相当するが、対象となる膜が有機化合物層２２である場合は、符号４４で表される距離は、式（１）中のｄ1又は式（３）中のｄ3である。また図３において、符号４５は、膜端断面の傾きと基板表面とがなす角度、即ち、式（１）及び（２）中のθ1又は式（３）及び（４）中のθ3である。
【００３５】
本発明では、ｄ1及びｄ2によって式（１）で求められるｔａｎ（θ1）の値が０．２未満であることで、上部電極用電極パッド部２４と発光領域２０との間における上部電極２３の断線を抑制させることができる。
【００３６】
また本発明では、ｄ3及びｄ4によって式（３）で求められるｔａｎ（θ3）の値が０．２以上であることで、有機化合物層２２となる膜の端部において生じる膜厚の傾斜領域を縮小することができる。そして膜厚の傾斜領域の縮小により、有機発光装置における額縁領域（発光画素群で形成される表示領域の外側であって、表示領域から基板端までの領域）を縮小させることが可能となる。特に、本発明では、発光画素が形成されている短手方向の幅を小さくすることができるので、発光装置の幅が小さい場合は特に有用である。
【００３７】
また本発明において、好ましくは、上部電極２３の膜端の断面の傾きと基板の表面とがなす角度をθ2としたときに、下記式（５）及び（６）が満たされる。
（５）ｔａｎ（θ2）＝ｄ5／ｄ6
（６）ｔａｎ（θ2）≧０．２
【００３８】
式（５）において、ｄ5は、上部電極層の膜厚を表す。また式（５）において、ｄ6は、上部電極の膜端断面のテーパー幅を表す。
【００３９】
ｄ5及びｄ6によって式（５）で求められるｔａｎ（θ2）の値が０．２以上であることで、有機化合物層２２の場合と同様に、上部電極２３となる膜の端部において生じる膜厚傾斜領域を縮小することができる。本発明において、ｔａｎ（θ2）の値は、好ましくは、０．４以上である。
【００４０】
以上説明したように、所定の層（２２、２３）を構成する膜の膜端の形状を制御することで、少なくとも有機化合物層２２や上部電極２３の成膜端で額縁領域が制限される発光装置において額縁領域の狭小化が可能となる。またこの額縁領域の狭小化は、一方で一枚のマザーガラスから取れる有機発光装置の取り個数を増加させるため、生産性の向上をももたらす。
【００４１】
また図１の有機発光装置１においては、有機化合物層２２の膜端が上部電極２３に被覆されている。これにより、有機化合物層２２となる膜の膜端から水や酸素の侵入を抑制することができるため、膜の横方向（基板面に対して平行方向）から水や酸素等が浸透することによる有機化合物層２２の劣化を改善することができる。
【００４２】
さらに、本発明の有機発光装置では、有機化合物層２２となる膜の膜端の断面のテーパー幅が５μｍ以内であることが好ましい。より好ましくは１μｍ以内である。
【００４３】
尚、有機化合物層２２となる膜の膜端は、少なくとも封止層３０にて被覆されていることで、膜の端部からの水や酸素の侵入を抑制することが可能である。
【００４４】
［有機発光装置の製造方法（第一の実施形態）］
次に、本発明の有機発光装置の製造方法について説明する。図４は、本発明の有機発光装置の製造方法における第一の実施形態を示す断面模式図である。
【００４５】
（１−１）基板の形成工程（図４（ａ））
まず有機発光装置を作製するために用いられる基板を作製する（図４（ａ））。本実施形態（第一の実施形態）で用いられる基板１０は、少なくとも層間絶縁層１１と、画素分離膜１２と、を備える。ここで図４（ａ）に示される基板１０において、層間絶縁膜１１の上には下部電極２１及び上部電極用電極パッド部２４がそれぞれ所定の位置・領域に設けられ、下部電極２１及び上部電極用電極パッド部２４の端部は、画素分離膜１２に被覆されている。また画素分離膜１２は、発光画素２０に相当する領域及び上部電極用電極パッド２４と上部電極層との接触位置においてそれぞれ開口１２ａが設けられている。尚、図４（ａ）には図示されていないが、基板１０には、有機発光装置の駆動を制御する制御回路が設けられていてもよい。ここで基板１０に当該制御回路が含まれている場合、当該制御回路と下部電極２１又は上部電極用電極パッド部２４との電気接続を確保する目的で層間絶縁層１１の一部にコンタクトホール１３を設けておく。
【００４６】
図４（ａ）に示される基板１０を構成する層間絶縁層１１の構成材料としては、特に規定されるものではないが、絶縁性に優れた窒化珪素（ＳｉＮ）や酸化珪素（ＳｉＯ）からなる材料が好ましい。
【００４７】
層間絶縁層１１の上に設けられる下部電極２１の構成材料は、発光層から出力された光に対する下部電極２１の機能（光を透過するか、光を反射するか）に応じて適宜選択される。下部電極２１において発光層から出力された光を反射させたい場合、下部電極２１は、光反射性を有する電極層にする。係る場合、下部電極２１の構成材料としては、アルミニウム（Ａｌ）や銀（Ａｇ）等の光反射性が高い金属材料が挙げられる。ただし、係る場合では、下部電極２１の構成としては、上述した光反射性を有する金属材料からなる層のみの場合に限定されない。光反射性を有する金属材料からなる層とＩＴＯ、インジウム亜鉛酸化物等の透明導電性材料からなる層とからなる積層電極膜も下部電極２１として採用できる。下部電極２１において発光層から出力された光を透過させたい場合、下部電極２１は、光透過性を有する電極層にする。係る場合、下部電極２１の構成材料としては、ＩＴＯ、インジウム亜鉛酸化物等の透明導電性材料が挙げられる。
【００４８】
下部電極２１と同時に上部電極用電極パッド部２４を形成する場合、上部電極用電極パッド２４の構成材料は、下部電極２１と同一となる。一方、本発明においては、下部電極２１と上部電極用電極パッド部２４とをそれぞれ別個のプロセスで形成することができる。係る場合、上部電極用電極パッド部２４の構成材料は、下部電極２１の構成材料と異なってもよい。
【００４９】
層間絶縁層１１の所定の領域に設けられるコンタクトホール１３は、層間絶縁層１１より下方にある配線又は回路（不図示）と下部電極２１又は上部電極用電極パッド部２４とを電気接続するための接続配線部材が充填されている。この接続配線部材としては、導電性が高い材料が挙げられるが、本発明は特に規定されない。
【００５０】
画素分離膜１２の構成材料としては、絶縁性のある材料であれば特に規定されないが、有機物であればポリイミドを主成分とする材料が好ましく、無機物であれば窒化珪素（ＳｉＮ）あるいは酸化珪素（ＳｉＯ）等が好ましい。
【００５１】
（１−２）有機化合物層の成膜工程（図４（ｂ））
次に、下部電極２１の上に、有機化合物層２２となる膜を成膜する（図４（ｂ））。本工程で下部電極２１等の上に形成される有機化合物層２２は、少なくとも発光層を含む一層あるいは複数の層からなる積層体である。ここで有機化合物層２２が複数の層からなる場合、発光層以外の層として、具体的には、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層、正孔ブロック層、電子輸送層、電子注入層等が挙げられる。また有機化合物層２２の層構成は、後の工程で形成される上部電極２３の特性にもよるが、特に限定されない。ここでいう上部電極２３の特性とは、主に上部電極２３から注入されるキャリアである。上部電極２３が正孔（正電荷のキャリア）を注入する場合は、下部電極２１と発光層との間の層は電子を注入・輸送する層であり、上部電極２３と発光層との間の層は、正孔を注入・輸送する層である。上部電極２３が電子（負電荷のキャリア）を注入する場合は、下部電極２１と発光層との間の層は正孔を注入・輸送する層であり、上部電極２３と発光層との間の層は、電子を注入・輸送する層である。
【００５２】
本発明において、有機化合物層２２の成膜方法としては、従来一般的に用いられる成膜手法（真空蒸着法、塗布法等）を利用することができる。ただし、本発明においては、有機化合物層２２の成膜の際に下記要件を満たすことを要する。
［要件１］有機化合物層２２が上部電極用電極パッド部２４を被覆しないようにすること
［要件２］上部電極用電極パッド２４と発光領域２０との間の領域に設けられる有機化合物層２２の膜端２２ｂのテーパー角をθorgとしたときにｔａｎ（θorg）が０．２未満であること
【００５３】
上記要件１を満たすことで、後の工程で上部電極２３を形成する際に、有機化合物層２２が上部電極２３と上部電極用電極パッド部２４との電気接続の支障とならない。また上記要件２を満たすことで、有機化合物層２２の膜の端部の勾配によって生じるリスクである有機化合物層２２の膜端の上に配置される上部電極２３の断線のリスクを小さくすることができる。つまり、有機化合物層２２の膜の端部の勾配が急であると、有機化合物層２２の膜端の上に配置される上部電極２３の断線が起こりやすくなるため、上記要件２が課せられている。
【００５４】
上記の２つの要件を満たすには、有機化合物層２２の成膜の際に実績の多い蒸着法を用いるのが好適である。具体的には、所定の領域に開口を有するマスクを用いた蒸着法を採用することで、有機化合物層２２を所望の領域に成膜することができる。また、蒸着法によって形成された有機化合物層２２の膜端のテーパー角θorgは、ｔａｎ（θorg）が０．２未満となる傾向にある。ここで蒸着法によって形成された有機化合物層２２の膜端テーパー幅ｄは、基板とマスクとの距離Ｄと、蒸着源の最大放射角αから、下記式（７）で求められる。
ｄ＝Ｄ×ｓｉｎα                                                    （７）
【００５５】
式（７）より、Ｄ（基板とマスクとの距離）が小さいと、ｄ（膜端テーパー幅）も小さくなるが、Ｄが小さいと、マスクに付着し得る異物の基板１０への転写や、マスクと基板１０が接触することで生じる基板１０の損傷といったリスクが生じる。
【００５６】
また、α（蒸着源の最大放射角）を小さくすると、蒸着レートが落ちるという短所がある。従って、マスクを用いた蒸着によって成膜された膜は、一般的には２μｍ乃至２０μｍ程度の膜端テーパー幅を有することになる。よって、一般的な有機化合物層の膜厚である４００ｎｍ以下においてｔａｎ（θorg）は最大でも０．２であるが、本発明においては０．２未満とする。
【００５７】
ここで有機化合物層２２を構成する各層について説明する。正孔注入層は、正孔輸送層と正孔注入用の電極（アノード）との間に設けられ、正孔注入性を向上することで、有機発光装置を構成する有機発光素子の低電圧化や長寿命化に寄与する役割を果たす。また本発明において、正孔注入層は、電子吸引性置換基を有する有機化合物を有する層である。さらに、本発明において、有機化合物層２２を構成する層のうち少なくとも一層は、正孔注入層の端部を被覆して正孔注入層を保護する層として機能させるのが好ましい。
【００５８】
正孔輸送層は、主に正孔を輸送する機能を有する材料からなる層である。
【００５９】
電子ブロック層は、発光層と正孔輸送層との間に設けられ、発光層から陽極側へ漏れる電子をブロックして発光層に閉じ込める機能を有する層であって有機発光装置を構成する有機発光素子の高効率化を担う層である。
【００６０】
発光層は、主に正孔と電子とを再結合させて発光を得るための層であり、一般的にはホストとゲストとの２種類の材料から構成される。ここでゲストとは、発光材料であり、発光層全体に対するゲストの含有量（重量比率）は、１０％以下程度である。尚、素子特性の観点から、発光層にはホスト、ゲスト以外の別の材料をさらに加えてもよい。
【００６１】
正孔ブロック層は、電子輸送層と発光層との間にあり、発光層から陰極側へ漏れる正孔をブロックして発光層に閉じ込める機能を有する層であって有機発光装置を構成する有機発光素子の高効率化を担う層である。
【００６２】
電子輸送層は、主に電子を輸送するための層である。
【００６３】
電子注入層は、電子輸送層と電子注入用の電極（カソード）との間に設けられ、主に電子注入性を向上させることで、有機発光装置を構成する有機発光素子の低電圧化や長寿命化に寄与する層である。
【００６４】
尚、以上説明した積層構成は、どれかが欠けたとしても、あるいは重複したとしても、得られる有機化合物層２２になる膜の端部の構成に影響しないので、本発明の作用効果は、有機化合物層の積層構成に影響されるものではない。また有機化合物層２２を構成する各層の積層順については、下部電極２１がアノードかカソードかによって順番が決まるが、本発明においては、各層の積層順は限定されない。
【００６５】
本実施形態において、後述する上部電極及び有機化合物層のパターニング工程では、少なくとも水等の溶媒を用いるため、有機化合物層２２を構成する各層の構成材料としては、少なくとも水に対して不溶な材料とすることが好ましい。特に、電子注入層には電子注入性の観点からアルカリ金属やアルカリ土類金属を用いることが一般的であるが、アルカリ金属やアルカリ土類金属は水と接触したときに反応・溶解してしまう恐れがある。このため、電子注入層の構成材料としては、水溶性が低い有機金属錯体等の電子注入性材料が用いられる。尚、電子注入層は、単層であってもよいし、複数の層からなる積層体であってもよい。
【００６６】
（１−３）上部電極の形成工程（図４（ｃ））
次に、有機化合物層２２の上に上部電極２３となる導電膜を形成する（図４（ｃ））。本実施形態において、上部電極２３となる導電膜を成膜する際には、蒸着やスパッタといった公知の手法を用いることができる。
【００６７】
上部電極２３の構成材料は、発光層から出力された光に対する上部電極２３の機能（光を透過するか、光を反射するか）に応じて適宜選択される。上部電極２３において発光層から出力された光を反射させたい場合、上部電極２３は、光反射性を有する電極層にする。係る場合、上部電極２３の構成材料としては、アルミニウム（Ａｌ）や銀（Ａｇ）等の光反射性が高い金属材料が挙げられる。ただし、係る場合では、上部電極２３の構成としては、上述した光反射性を有する金属材料からなる層のみの場合に限定されない。光反射性を有する金属材料からなる層とＩＴＯ、インジウム亜鉛酸化物等の透明導電性材料からなる層とからなる積層電極膜も上部電極２３として採用できる。上部電極２３において発光層から出力された光を透過させたい場合、上部電極２３は、光透過性を有する電極層にする。係る場合、上部電極２３の構成材料としては、ＩＴＯ、インジウム亜鉛酸化物等の透明導電性材料が挙げられる。またこれらの材料からなる層は、有機化合物層２２よりも、ずっと緻密でガス透過性が低いことが知られている。このため、第１の上部電極層２３まで設けた段階で、有機化合物層２２の膜端を上部電極２３で覆うことで、上部電極２３の下にある有機化合物層２２は、水や酸素のガス透過から保護される。
【００６８】
尚、マスク蒸着を用いて上部電極２３となる導電膜を形成した場合、その膜厚とテーパー幅の比は有機化合物層２２と同様に０．２未満になるが、スパッタ法を用いた場合は、蒸着を用いるよりも成膜物の回り込みが激しいため、膜厚とテーパー幅の比はさらに小さくなる。
【００６９】
（１−４）上部電極及び有機化合物層のパターニング工程（図４（ｄ）〜（ｇ））
上部電極２３となる導電膜を形成した後、上部電極２３及び有機化合物層２２のパターニングを行う。本工程の目的の１つは、加工された膜の端部（パターニング端）の傾斜を大きくすることで、狭額縁化を達成することにある。従来用いられるマスク蒸着では、膜厚とテーパー幅との比が０．２未満である。このため、フォトリソグラフィ法等を用いてパターニング端の傾斜を急勾配にし、具体的には、膜厚とテーパー幅との比を０．２以上とすることで狭額縁化が達成される。尚、フォトリソグラフィ法を用いたパターニングでは、テーパー幅が１μｍ以内に収まるため、有機化合物層２２の一般的な膜厚（４００ｎｍ以下）において、膜厚とテーパー幅との比を０．４以上とすることが可能であり、好適である。
【００７０】
以下、フォトリソグラフィ法を用いた、上部電極２３及び有機化合物層２２のパターニングについて説明する。
【００７１】
まず、ポジレジストからなるレジスト層５０を塗布・成膜し（図４（ｄ））、エッチング除去する領域を、フォトマスク５１を通して、露光光５２による露光（図４（ｅ））及び現像を行い、レジストパターンを形成する。次に、レジストパターンを保護膜とし、このレジストパターンに被覆されずに露出した上部電極層２３及び有機化合物層２２を、それぞれエッチングによって除去する（図４（ｆ））。エッチングに関しては、ウェットエッチング、ドライエッチング等の既存の方法を用いることができる。ただし、溶媒によるサイドエッチングの懸念がないドライエッチングが好ましい。次に、レジストパターンを除去して洗浄・乾燥を行うことで、有機化合物層２２及び上部電極２３のパターニングが完了する（図４（ｇ））。尚、上記乾燥は、レジストパターンを除去した後で実施される洗浄工程の水分が有機化合物層２２あるいは下地回路の絶縁層に吸着した水分を脱離させるためである。
【００７２】
以上説明したフォトリソプロセスによって有機化合物層２２及び上部電極２３の加工を行うと、加工された有機化合物層２２及び上部電極２３の膜の端部について、図３にて説明されたｔａｎ（θ）が０．２以上となる。このため、レイアウトにおける不要な領域を少なくすることができる。またｔａｎ（θ）が０．２以上である構成は、封止工程を経た後は高い耐久性を得ることが可能である。
【００７３】
本発明において、上部電極２３は、主に、スパッタ膜やＥＢ蒸着膜等の態様で形成されるが、この場合、有機化合物層２２を成膜するときと比べてさらに真空度が低くなり材料の回り込みがさらに大きくなる。このため、本工程によって上部電極２３となる導電膜の加工を行うことで、ｔａｎ（θ）の値が０．２以上とすることによって額縁領域をより縮小することが可能である。
【００７４】
尚、本工程においては、レジスト層５０を形成する前に上部電極２３の上に保護層を配置してもよい。また、上部電極２３は、最終的にはフォトリソグラフィ等を用いたパターニングを行うため、上部電極２３の成膜範囲は、上部電極２３を設けるべき領域に上部電極２３となる導電膜が成膜できていれば、基板１０の全面でもよいし、プロセス上成膜可能な最小範囲でもよい。
【００７５】
（１−５）封止工程（図４（ｈ））
本発明の有機発光装置を構成する有機発光素子は、水や酸素に弱いため、封止工程が必要である。上部電極２３を形成した後、有機発光装置を構成する有機発光素子や上部電極用電極パッド部２４は、ガラスキャップ等で封止されてもよいし、無機材料からなる封止薄膜で封止されてもよい。一枚のマザーガラスから得られる有機発光装置の取り個数の向上の観点から、好ましくは、封止額縁を狭くすることができる無機材料からなる封止薄膜で有機発光素子や上部電極用電極パッド部２４を封止する。本実施形態では、上部電極２３の上に封止層３０（封止薄膜）を形成する（図４（ｌ））。封止層３０の構成材料としては、防湿性の高い無機材料、例えば、窒化珪素（ＳｉＮ）や酸化珪素（ＳｉＯ）、酸化アルミニウム（ＡｌＯ）等があるが、本発明では薄膜による封止が可能であればよく、材料自体は特に限定されない。
【００７６】
また本発明においては、封止層３０を形成した後、外部回路との接続のための外部接続用の電極パッドを露出させる等の目的で、この封止層３０のパターニングを行ってもよい（図４（ｏ））。また本発明においては、上部電極２３の端部が全て封止層３０によって被覆されていることが好ましい。こうすることで、上部電極２３の端面からの水や酸素の浸透成分をより防ぐことが可能になるため、有機発光装置を構成する素子の耐久性がさらに向上する効果が期待できる。
【００７７】
また本発明においては、パターニングされた有機化合物層２２と上部電極２３の端部が全て薄膜状の封止層３０によって覆われているのが好ましい。本工程においては、パターニング後に有機化合物層２２の端面が露出された状態であるため、水や酸素から有機発光素子を守るために、有機化合物層２２の端面を封止層３０で覆うことが好適である。
【００７８】
［有機発光装置の製造方法（第二の実施形態）］
図５は、本発明の有機発光装置の製造方法における第二の実施形態を示す断面模式図である。以下、第一の実施形態との相違点を中心に説明する。
【００７９】
（２−１）基板（図５（ａ））
本実施形態で有機発光装置を作製する場合であっても、第一の実施形態にて作製した基板１０（電極付基板）を用いることができる。
【００８０】
（２−２）リフトオフ層及びフォトレジストの成膜工程（図５（ｂ））
本実施形態では、まず基板１０の全面にわたってリフトオフ層５３を成膜する。リフトオフ層５３を形成する際に用いる材料としては、有機化合物層２２を溶解させない溶剤に対して溶解性を有する材料であり、例えば、水溶性高分子材料等が好ましい。リフトオフ層５３の構成材料として水溶性高分子を用いる場合、リフトオフ層５３の成膜方法としては、スピンコートや、ディップコート等の塗布方式が採用され、容易に成膜可能である。
【００８１】
さらにリフトオフ層５３の上に、感光性材料を含んでなるレジスト層５０を成膜・形成する（図５（ｂ））。レジスト層５０は塗布法等の湿式成膜法により形成されるが、成膜の際に使用される溶剤としては、下層（リフトオフ層５３）を溶かさない溶剤であれば特に限定されない。尚、レジスト層５０を成膜・形成する際に、使用する溶剤によってリフトオフ層５３が侵食される可能性がある場合は、窒化珪素や酸化珪素等の無機化合物からなる保護層（不図示）を、リフトオフ層５３とレジスト層５０との間に挿入してもよい。また本実施形態では、ポジ型のフォトレジストを用いたフォトリソプロセスを採用しているが、ネガ型フォトレジストを用いたフォトリソプロセスでも構わない。
【００８２】
（２−３）リフトオフ層のパターニング工程（図５（ｃ）〜（ｆ））
次に、パターニングされた有機化合物層２２及び上部電極２３を設けたい領域（発光画素２０を設けたい領域）について、レジスト層５０及びリフトオフ層５３を選択的に除去する。例えば、レジスト層５０がポジ型のレジストである場合、図５（ｃ）に示されるように、有機化合物層２２を設けたい領域に開口を有するマスク５１で露光５２することで、発光画素２０を少なくとも囲むように露光されたレジスト層５０ａが形成される。一方、ネガ型のレジストでレジスト層５０形成した場合は、開口パターンが反転したマスクを使用すれば同じ形の露光されたレジスト層５０ａを形成することができる。
【００８３】
次に、露光されたレジスト層５０ａを現像液で現像することで除去した後に、パターニングされたレジスト層５０をマスクとして、ドライエッチングを行う。ドライエッチングの具体的手法は、リフトオフ層５３がエッチングできるガスを用いる限り特に限定されない。ドライエッチングによるリフトオフ層５３の加工が終わった後は、剥離液等を用いて残存するレジスト層５０を除去してもよいし、ドライエッチをさらに行ってレジスト層５０を除去してもよい。あるいは、そのままレジスト層５０を残しておいてもよい。尚、リフトオフ層５３上に設けられているレジスト層５０を適正な厚さで形成すると、リフトオフ層５３のドライエッチングの際にレジスト層５０も除去させることもできるので、好ましい。
【００８４】
レジスト層５０を除去した後は、洗浄工程が実施されることがあるが、この洗浄工程で生じた水分が下地回路の絶縁層に吸着することがあるため、この水分を脱離させるために洗浄工程の後に乾燥工程を入れることがある。
【００８５】
本工程により、下部電極２１が露出されるが、次の工程（有機化合物層２２の形成工程）を行う前に、基板１０の前処理を行うのが好ましい。具体的には、アルゴンプラズマ処理、酸素プラズマ、ＵＶ照射処理、加熱処理等を基板１０に施す。この前処理により、下部電極２１の電荷注入性を整えるとともに、下部電極２１の上に生じ得る汚染物等を除去することができる。
【００８６】
（２−４）有機化合物層及び上部電極の形成、並びにパターニング工程（図５（ｇ）、（ｈ））
次に、有機化合物層２２と、上部電極２３と、を順次形成する（図５（ｇ））。有機化合物層２２及び上部電極２３となる膜は、いずれも基板１０の全面にわたって成膜されるが、各膜の成膜方法については、第一の実施形態と同様の方法を採用することができる。
【００８７】
次に、リフトオフを行い、リフトオフ層５３、並びにその上部にある有機化合物膜２２及び第１の上部電極層２３を除去する。リフトオフの際には、有機材料への溶解度が小さい水を用いることが好ましい。リフトオフの方法としては水中に浸漬してもよいし、さらに超音波を照射してもよいし、基板１０の上に二流体ノズルで水を吹き付けてもよい。
【００８８】
（２−５）封止工程
この後、封止層３０を形成することで有機発光装置が完成するが、封止層３０の具体的な形成方法としては、第一の実施形態にて説明した方法を採用することができる。
【００８９】
本発明に係る有機発光装置は、装置を構成する有機発光素子の発光の制御のための能動素子をさらに有していてもよい。能動素子はトランジスタ、ＭＩＭ素子等のスイッチング素子が挙げられる。
【００９０】
［能動素子］
有機発光素子に接続される能動素子は、その活性領域に酸化物半導体を有してもよい。また能動素子の構成材料である酸化物半導体は、アモルファス状のものであってもよいし、結晶状のものであってもよいし、両者の混在しているものであってもよい。尚、ここでいう結晶とは、単結晶、微結晶、あるいはＣ軸等の特定軸が配向している結晶のいずれかであるが、これに限定されず、これら複数種類の結晶のうちの少なくとも２種類が混合されたものであってもよい。
【００９１】
［有機発光装置の用途］
次に、本発明の有機発光装置の用途について説明する。本発明の有機発光装置は、表示装置や照明装置の構成部材として用いることができる。他にも、電子写真方式の画像形成装置の露光光源や液晶表示装置のバックライト、白色光源にカラーフィルターを有する発光装置等の用途がある。カラーフィルターは例えば赤、緑、青の３つの色が透過するフィルターが挙げられる。
【００９２】
本発明の表示装置は、本発明の有機発光装置を表示部に有する。尚、この表示部は複数の画素を有する。
【００９３】
そしてこの画素は、本発明の有機発光装置と、発光輝度を制御するための能動素子（スイッチング素子）又は増幅素子の一例であるトランジスタとを有し、この有機発光素子の陽極又は陰極とトランジスタのドレイン電極又はソース電極とが電気接続されている。ここで表示装置は、ＰＣ等の画像表示装置として用いることができる。上記トランジスタとして、例えば、ＴＦＴ素子が挙げられ、このＴＦＴ素子は、例えば、基板の絶縁性表面に設けられている。
【００９４】
表示装置は、エリアＣＣＤ、リニアＣＣＤ、メモリーカード等からの画像情報を入力する画像入力部と、この画像情報を処理する情報処理部と、を有し、入力された画像を表示部に表示する画像情報処理装置でもよい。
【００９５】
また、撮像装置やインクジェットプリンタが有する表示部は、タッチパネル機能を有していてもよい。このタッチパネル機能の駆動方式は特に限定されない。
【００９６】
また表示装置はマルチファンクションプリンタの表示部に用いられてもよい。
【００９７】
照明装置は例えば室内を照明する装置である。照明装置は白色（色温度が４２００Ｋ）、昼白色（色温度が５０００Ｋ）、その他青から赤のいずれの色を発光するものであってもよい。
【００９８】
本発明の照明装置は、本発明の有機発光装置と、この有機発光装置と接続し駆動電圧を供給するＡＣ／ＤＣコンバーター回路（交流電圧を直流電圧に変換する回路）とを有している。尚、この照明装置は、カラーフィルターをさらに有してもよい。また本発明の照明装置は、照明装置内の熱を外部へ放出する放熱板を有していてもよい。
【００９９】
本発明の画像形成装置は、感光体と、この感光体の表面を帯電させる帯電部と、感光体を露光して靜電潜像を形成するための露光部と、感光体に現像材を供給し感光体の表面に形成された静電潜像を現像するための現像部とを有する画像形成装置である。ここで画像形成装置に備える露光手段は、本発明の有機発光装置を含んでいる。
【０１００】
また本発明の有機発光装置は、感光体を露光するための露光装置の構成部材として使用することができる。本発明の有機発光装置を有する露光装置は、例えば、本発明の有機発光装置を構成する有機発光素子を所定の方向に沿って列を形成して配置されている露光装置がある。
【０１０１】
図６は、本発明に係る有機発光装置を有する画像形成装置の例を示す模式図である。図７の画像形成装置６は、感光体６１と、露光光源６２と、帯電部６４と、現像器６５と、転写器６６と、搬送ローラー６７と、定着器６９と、を有している。
【０１０２】
図６の画像形成装置６は、露光光源６２から感光体６１へ向けて光６３が照射され、感光体６１の表面に静電潜像が形成される。図６の画像形成装置６において、露光光源６２は、本発明に係る有機発光装置である。また図６の画像形成装置６において、現像器６５は、トナー等を有している。図６の画像形成装置６において、帯電部６４は、感光体６１を帯電させるために設けられている。図６の画像形成装置６において、転写器６６は、現像された画像を紙等の記録媒体６８に転写するために設けられている。尚、記録媒体６８は、搬送ローラー６７によって転写機６６へ搬送される。図６の画像形成装置６において、定着器６９は、記録媒体６８に形成された画像を定着させるために設けられている。
【０１０３】
図７（ａ）及び図７（ｂ）は、図６の画像形成装置６を構成する露光光源（露光器）の具体例を示す平面概略図であり、図７（ｃ）は、図６の画像形成装置６を構成する感光体の具体例を示す概略図である。尚、図７（ａ）及び図７（ｂ）は、露光光源６２に有機発光素子を含む発光部６２ａが長尺状の基板６２ｃの長軸方向に沿って、一列に複数配置されている点で共通している。また符合６２ｂの矢印は、発光部６２ａが配列されている列方向を表わす。この列方向は、感光体６１が回転する軸の方向と同じである。
【０１０４】
ところで図７（ａ）では、発光部６２ａは、感光体６１の軸方向に沿って配置した形態である。一方、図７（ｂ）では、第一の列αと第二の列βとのそれぞれにおいて発光部６２ａが列方向に交互に配置されている形態である。図７（ｂ）において、第一の列α及び第二の列βは、それぞれ行方向に異なる位置に配置されている。
【０１０５】
また図７（ｂ）において、第一の列αは、複数の発光部６２αが一定の間隔を空けて配置される一方で、第二の列βは、第一の列αに含まれる発光部６２α同士の間隔に対応する位置に発光部６２βを有する。即ち、図８（ｂ）の露光光源は、行方向にも、複数の発光部が一定の間隔を空けつつ配置されている。
【０１０６】
尚、図７（ｂ）の露光光源は、露光光源を構成する発光部（６２α、６２β）を、例えば、格子状、千鳥格子、あるいは市松模様に配置されている状態と言い換えることもできる。
【０１０７】
図８は、本発明に係る有機発光素子を有する照明装置の例を示す模式図である。図８の照明装置７は、基板（不図示）の上に設けられる有機発光素子７１と、ＡＣ／ＤＣコンバーター回路７２と、を有している。図８の照明装置７において、装置を構成する有機発光素子７１は、本発明の有機発光装置あるいは本発明の有機発光装置の構成部材である。また図９の照明装置は、装置内の熱を外部へ放出する放熱部に相当する放熱板（不図示）を、例えば、有機発光素子７１が載置されている側とは反対側の基板面に有していてもよい。
【０１０８】
以上説明の通り、本発明の有機発光装置を駆動することにより、例えば、良好な画質で、長時間安定な表示が可能である。
【実施例】
【０１０９】
以下、実施例により、本発明を詳細に説明する。尚、後述する基板の形成工程ではシリコン基板を出発材料として用いているが、代わりにガラス等の透明基板を用いてもよい。また実施例にて作製する有機発光装置は、特定の色を出力する発光層（例えば、青色発光層）が含まれているが、本発明において発光層の発光色はこれに限定されない。また、有機発光装置の表示領域内から出力される光の色（発光色）は、１種類（単一色）であってもよいし２種類以上（複数色）であってもよい。また、発光画素の配置についても特に限定されない。
【０１１０】
（実施例１）
図４に示される製造プロセスに従って、図１の有機発光装置１を作製した。尚、発光層は青色発光層としているが、本発明はこれに限定されない。また、発光画素の配置についても限定されない。
【０１１１】
（１）基板の形成工程（図４（ａ））
図４に示される製造プロセスに従って、図１の有機発光装置１を作製した。
【０１１２】
ｎ形シリコン半導体基板を出発材料として、以下の代表的な工程を経て下地駆動回路が形成された回路付基板（以下、基板１０という。）を作製した。尚、ここで作製した回路付基板は、Ａｌ配線を有する基板であり、またこの回路付基板の作製フローは通常の半導体プロセスに則って実施できる。さらにこの回路付基板の作製フローにおいて、Ｃｕ配線を用いたり、トランジスタにダブルゲート等を採用したり、ソース・ドレインとチャネルとの間に低濃度不純物層を挿入したり、というような通常採用される半導体プロセスは適用できるものとする。
１）酸化によるＬＯＣＯＳ（Ｌｏｃａｌ  Ｏｘｉｄａｔｉｏｎ  ＯＦ  Ｓｉｌｉｃｏｎ）の形成
２）イオン注入によるＰ型ウェル構造の形成
３）酸化によるゲート酸化膜の形成
４）ポリＳｉゲート電極の形成
５）イオン注入によるソース・ドレイン構造の形成
６）層間絶縁膜の形成及びＣＭＰ
７）コンタクトホールの形成
８）タンクステンでコンタクトホールの穴埋め及びＣＭＰ
９）Ａｌ配線形成
１０）６）〜９）を繰り返す
１１）層間絶縁膜１の形成及びＣＭＰ
１２）コンタクトホールの形成
１３）タンクステン３でコンタクトホールの穴埋め及びＣＭＰ
１４）下部電極２を形成
１５）必要な場合には、下部電極の周辺を覆うバンク５を形成
【０１１３】
本実施例において、下部電極２１は、光反射機能を有する電極とした。具体的には、まず層間絶縁層１１（コンタクトホール１３が形成されている部分を含む）の全面に、Ａｇを１００ｎｍの膜厚で成膜し、次いでＡｇからなる膜の上にインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）を２５ｎｍの膜厚で成膜したことで、積層電極膜を形成した。次に、公知のフォトリソグラフィ法を用いてとＡｇからなる膜（Ａｇ膜）とＩＴＯからなる膜（ＩＴＯ膜）とからなる積層電極膜をパターニングした。これにより、下部電極２１と共に、下部電極２１と同一の積層構成である上部電極用電極パッド部２４を形成した。尚、これら電極は、コンタクトホール１３に充填されるタングステン配線によって基板１０の下層にある駆動回路にそれぞれ接続された（不図示）。
【０１１４】
次に、ＣＶＤ成膜により、基板１０の全面（下部電極２１、上部電極用電極パッド２５及び層間絶縁層１２の上）に、窒化珪素を膜厚１００ｎｍで成膜した。さらに窒化珪素からなる膜の上にフォトレジストを成膜してレジスト層を形成した。次に、形成したレジスト層をフォトリソグラフィにより所定の形状にパターニングし、次いでパターニングしたレジスト層をマスクとしてＣＦ4ガスを用いたドライエッチングにより、図４（ａ）に示すように、下部電極２１を設ける領域及び上部電極用電極パッド部２４を設ける領域にそれぞれ開口部１２ａを設けた。次に、このドライエッチングを行う際に画素分離膜１２の上に残ったレジスト残渣を酸素ガスによるドライエッチングによって除去した。次に、画素分離膜１２まで形成した基板１０について、市販の枚様式洗浄機を用いて、二流体あるいはメガソニックを使った純水洗浄を用いた洗浄を行い、その表面を洗浄した。これにより図４（ａ）に記載されている基板１０を作製した。尚、本実施例にて作製した基板１０は、図２（ｂ）に示されるように、複数の発光画素２０が千鳥ラインで配置されていた。
【０１１５】
（２）有機化合物層の形成（図４（ｂ））
少なくとも上部電極用電極パッド部２４を設ける領域に開口がないマスクを用いた真空蒸着法により、基板１０及び下部電極２１の上に有機化合物層２２を形成した。ここで、本実施例にて使用した有機化合物を以下に列挙する。
【０１１６】
【化１】
2016004910.tif 000003
【０１１７】
まず、露出した下部電極２１に対して、ＵＶオゾン処理を行った。次に、下部電極２１の上に、化合物１を膜厚３ｎｍで成膜して正孔注入層を形成した。次に、正孔注入層の上に、化合物２を膜厚１００ｎｍで成膜して正孔輸送層を形成した。次に、正孔輸送層の上に、化合物３を膜厚１０ｎｍで成膜して電子ブロック層を形成した。
【０１１８】
次いで、電子ブロック層の上に、化合物４（ホスト）と化合物５（ゲスト・発光材料）とを共蒸着して発光層を膜厚２０ｎｍで形成した。尚、発光層を形成する際に、化合物５が発光層全体に対して１重量％含まれるようにした。さらに、発光層の上に、化合物６を膜厚１０ｎｍで成膜して正孔ブロック層を形成した。次に、正孔ブロック層の上に、化合物７を膜厚４０ｎｍで成膜して電子輸送層を形成した。次に、電子輸送層の上に、化合物７と化合物８とを共蒸着して電子注入層を膜厚１５ｎｍで形成した。尚、電子注入層を形成する際に、化合物７と化合物８との重量濃度比が１：１になるようにした。
【０１１９】
以上により、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層、発光層、正孔ブロック層、電子輸送層及び電子注入層がこの順で積層されてなる有機化合物層２２を形成した（図４（ｂ））。
【０１２０】
（３）上部電極の形成（図４（ｃ））
次に、真空蒸着あるいはスパッタにより、有機化合物層２２の上に、Ａｌを膜厚５ｎｍで成膜して半透過層を形成した。次に、スパッタにより、半透過層の上に、インジウム亜鉛酸化物を膜厚２００ｎｍで成膜して透明電極層を形成した。尚、半透過層と透明電極層とがこの順で積層されてなる積層電極は、上部電極２３として機能する（図４（ｃ））。
【０１２１】
（４）有機化合物層及び上部電極の加工（パターニング）（図４（ｄ）〜（ｇ））
次に、上部電極２３の上にポジタイプのフォトレジスト（例えば、ＡＺエレクトロニックマテリアルズ製、製品名「ＡＺ１５００」）を塗布しレジスト膜を成膜した。その後このレジスト膜に含まれる溶剤を飛ばすことでレジスト層５０を形成した（図４（ｄ））。このときレジスト層５０の膜厚は１０００ｎｍであった。
【０１２２】
次に、レジスト層５０まで形成した基板１０を、露光装置にセットし、フォトマスク５１を介して露光光５２を４０秒間照射し、露光されたレジスト層５０ａを得た（図４（ｅ））。露光後、現像液（例えば、ＡＺエレクトロニックマテリアルズ製、製品名「３１２ＭＩＦ」を水で希釈し濃度を５０％としたもの）を用いて１分間現像した。これにより露光されたレジスト層５０ａを除去した。次に、パターニングされたレジスト層５０をマスクとした部分的なドライエッチングにより、レジスト層５０に被覆されていない上部電極２３及び有機化合物層２２を除去した（図４（ｆ））。このときインジウム亜鉛酸化物（透明電極層）のエッチングの際は、ＣＨ4＋Ｈ2のプラズマエッチングで２０分処理した。また、半透過層のエッチングの際は、ＢＣｌ3＋Ｃｌ2のプラズマエッチングで１０秒処理した。さらに有機化合物層２２のエッチングの際は、Ｏ2のプラズマエッチングで１０分処理した。
【０１２３】
これにより、有機化合物層２２と上部電極２３とが、上部電極用電極パッド部２４と発光領域２０との間の領域以外の領域においてほぼ同一のレイアウトにパターンニングされた（図４（ｇ））。
【０１２４】
（５）封止工程（図４（ｈ））
次に、窒化珪素（ＳｉＮ）からなる薄膜を用いて有機発光装置を構成する有機発光素子の封止を行った。具体的には、反応ガスとしてＳｉＨ4及びＮ2を用いたＣＶＤ成膜により、所定の形状にてパターニングされた第２の上部電極層２４まで形成された基板１０上に、窒化珪素を膜厚２μｍで成膜して封止膜３０になる窒化珪素膜を形成した。この後、フォトリソグラフィによって窒化珪素膜をパターニングして外部接続用のパッド電極を露出させた（不図示）。また、このとき、上記（４）にて加工された有機化合物層２２及び上部電極２３の端部は、全て窒化珪素からなる封止膜３０によって覆われていた（図４（ｈ））。
【０１２５】
以上の工程により、図１の有機発光装置１を作製した。
【０１２６】
（実施例２）
図５に示される製造プロセスに従って、図１の有機発光装置１を作製した。尚、本実施例では、発光層が青色発光層である有機発光装置を作製したが、本発明はこれに限定されない。また本実施例にて作製された有機発光装置には発光画素が複数設けられているが、本発明においては、各発光画素の配置についても特に限定されない。
【０１２７】
（１）基板の形成工程（図５（ａ））
実施例１と同様の方法により、電極付基板（基板１０）を作製した（図５（ａ））。
【０１２８】
（２）リフトオフ層の形成及び加工（パターニング）（図５（ｂ））
次に、水溶性高分子材料であるポリビニルピロリドン（ＰＶＰ）と水とを混合してＰＶＰ水溶液を調製した。次に、スピンコート法により、基板１０の上に、調製したＰＶＰ水溶液を塗布・成膜した。次に、成膜したＰＶＰ膜を１１０℃でベークして乾燥させることで、膜厚５００ｎｍのリフトオフ層５３を形成した。次に、スピンコート法により、リフトオフ層５３の上に、市販のフォトレジスト材料（ＡＺエレクトロニックマテリアルズ製、製品名「ＡＺ１５００」）を成膜してレジスト膜を形成した。その後、このレジスト膜に含まれる溶剤を飛ばすことでレジスト層を形成した。このときレジスト層の膜厚は１０００ｎｍであった。
【０１２９】
次に、レジスト層まで形成した基板１０を露光装置にセットし、上部電極２３を形成する領域に開口を有するフォトマスクを介して露光光を４０秒間照射して、露光されたフォトレジストを得た。露光後、現像液（ＡＺエレクトロニックマテリアルズ製、製品名「３１２ＭＩＦ」を水で希釈し濃度を５０％としたもの）を用いて１分間現像した（図５（ｄ））。これにより露光されたレジスト層が除去された。次に、所定の形状にパターニングされたレジスト層をマスクとして、ドライエッチングにより、レジスト層に被覆されていないリフトオフ層５３を除去した。このときエッチングガス（反応ガス）と酸素とし、エッチングガスの流量を２０ｓｃｃｍとし、装置内の圧力を８Ｐａとし、出力を１５０Ｗとし、処理時間を１０分とした。尚、このドライエッチングにより、レジスト層も除去されていた（図５（ｂ））。
【０１３０】
（３）有機化合物層の形成（図５（ｃ））
次に、露出した下部電極２１の上に、有機化合物層２２を形成した（図５（ｃ））。本実施例において、有機化合物層２２を形成する際には、有機化合物層２２の層構成及び各層の形成方法を、実施例１（２）と同様とした。
【０１３１】
（４）上部電極層の形成（図５（ｃ））
次に、有機化合物層２２の上に、上部電極２３を形成した（図５（ｃ））。本実施例において、上部電極２３を形成する際には、上部電極２３の層構成及び各層の形成方法を、実施例１（３）と同様とした。
【０１３２】
（５）リフトオフ工程（図５（ｄ））
次に、基板１０の表面を純水で洗浄してリフトオフ層５３等の除去を行った。リフトオフを行う際には、窒素ガス（３０Ｌ／ｍｉｎ）と純水（１Ｌ／ｍｉｎ）とからなる二流体ノズルを使用した。本工程によって、リフトオフ層５３の上にある有機化合物層２２及び第１の上部電極層２３は、リフトオフ層５３ごと選択的に除去された。これにより、有機化合物層２２は、発光画素を囲むようにパターニングされ、層を構成する膜の端面のｔａｎ（θ）の値は０．８であった。同時に、この工程によって、上部電極用電極パッド部２４の表面が露出した。続いて、基板１０を、真空中１００℃でベークを行って乾燥させた。
【０１３３】
（６）封止工程
実施例１（６）と同様の方法により、上部電極２３の上に、所定の形状を有す封止層３０を形成した。以上により、図１の有機発光装置１を得た。
【０１３４】
（実施例３）
実施例１（１）において、画素分離膜１２を設ける代わりに、フォトリソグラフィによって下部電極２１を各画素のそれぞれにパターニング形成した以外は、実施例１と同様の方法により有機発光装置１を作製した。尚、本実施例において、
下部電極２１は発光領域制限手段の役割を果たす。
【０１３５】
（実施例４）
実施例１において、有機化合物層２２を形成する際に、電子輸送層の膜厚を５５ｎｍとし、電子注入層として、銀と炭酸セシウムとを、炭酸セシウムが銀中に１０重量％の濃度で含まれるように共蒸着した膜を膜厚４ｎｍで成膜した。また上部電極２３を形成する際に、銀を膜厚１６ｎｍで成膜し、さらにスパッタにより、インジウム亜鉛酸化物を膜厚３００ｎｍで成膜してなる積層電極膜を形成した。さらに、二酸化窒素（ＮＯ2）及びアンモニア（ＮＨ3）からなるエッチングガスを用いて、エッチングレートを８２ｎｍ／ｍｉｎに設定し、１０秒間エッチングすることで上記積層電極膜を構成するＡｇをドライエッチングした。以上を除いては、実施例１と同様の方法により有機発光装置を作製した。
【０１３６】
（実施例５）
実施例１において、シリコン半導体基板の替わりに、ガラス・樹脂等の透明基板を用いた。またトランジスタを形成する層として、多結晶Ｓｉ、非晶質Ｓｉあるいは酸化物半導体（例えば、ＩＧＺＯ）を用いた。さらに、下部電極２１として、ＩＴＯからなる層のみからなる透明導電膜とした。また上部電極２３として、Ａｌからなる反射電極膜とし、具体的には、真空蒸着法によりＡｌを膜厚３００ｎｍで成膜した。また上部電極２３を形成する際に行われる反射電極膜のドライエッチング条件として、塩化ホウ素（ＢＣｌ3）及び塩素（Ｃｌ2）からなるエッチングガスを使用し、エッチングレートを１０ｎｍ／ｓｅｃの条件とし、エッチング時間を３０秒間とした。以上を除いては、実施例１と同様の方法により有機発光装置を作製した。
【０１３７】
（実施例６）
実施例１において、基板１０に配置される発光画素２０の配置態様が、２次元配置のマトリックス状（図２（ｃ））となるように、電極付基板（基板１０）を形成した以外は、実施例１と同様の方法により、有機発光装置１を作製した。
【０１３８】
（実施例７）
実施例１において、基板１０に配置される発光画素２０が、第１副画素２０ａ、第２副画素２０ｂ及び第３副画素２０ｃから構成され、発光画素２０の配置態様が、２次元配置のマトリックス状（図３（ｄ））となるように、電極付基板（基板１０）を形成した。またマスクを用いた真空蒸着成膜により、有機化合物層を構成する各層の膜厚や発光層の構成材料を副画素単位で適宜変更しながら各副画素（２０ａ、２０ｂ、２０ｃ）を構成する有機化合物層を形成した。以上を除いては、実施例１と同様の方法により有機発光装置を作製した。尚、本実施例において、第１副画素２０ａは青色副画素として機能し、第２副画素２０ｂは緑色副画素として機能し、第３副画素２０ｃは赤色副画素として機能する。
【０１３９】
（比較例１）
実施例１において、上部電極２３を、マスクを用いたスパッタ成膜により所定の形状で形成したこと以外は実施例１と同様の方法により有機発光装置１を作製した。
【０１４０】
（評価結果）
上記の実施例１〜４、６及び７では上部電極側から、実施例５では下部電極側からそれぞれ光を取り出す有機発光装置が得られた。また実施例７では、三色の発光画素（Ｒ、Ｇ、Ｂ）からなるフルカラーディスプレイが得られた。ここで各実施例にて作製された有機発光装置１を構成する有機化合物層２２になる膜の、上部電極用電極パッド部２４と発光領域２０との間の領域以外の領域における膜端部分の断面形状の指標となるｔａｎ（θ）は０．９であった。また上部電極２３となる膜の、上部電極用電極パッド部２４と発光領域２０との間の領域以外の領域における膜端部分の断面形状の指標となるｔａｎ（θ）も０．９であった。即ち、両者ともｔａｎ（θ）は、０．２０以上であった。さらに、有機化合物層２２の、上部電極用電極パッド部２４と発光領域２０との間の領域以外の領域における膜端部分の膜端テーパー幅は０．７μｍであった。また、上部電極２３の、上部電極用電極パッド部２４と発光領域２０との間の領域以外の領域における膜端部分の膜端テーパー幅もまた０．７μｍであった。
【０１４１】
また、上部電極用電極パッド部２４と発光領域２０との間の領域における有機化合物層２２の膜端部分の断面形状の指標となるｔａｎ（θ3）の値は０．０３６であり、０．２未満の傾きの小さい膜端形状であることがわかった。これにより、上部電極用電極パッド部２４と発光領域２０との間の領域における上部電極２３の断線可能性を抑制することができる。尚、当該領域における有機化合物層の膜端テーパー幅は５．５μｍであった。
【０１４２】
各実施例（実施例１〜７）でそれぞれ作製された有機発光装置において、額縁領域に影響を及ぼす膜端テーパー幅は、有機化合物層２２及び上部電極２３のテーパー幅を合わせても１．４μｍであった。一方、比較例１の有機発光装置において、膜端テーパー幅は、有機化合物層２２が５．５μｍであり、上部電極２３が２５０μｍであったため、合計で２５５．５μｍであった。ここで上部電極２３の膜端テーパー幅が大きいのは、緻密な膜が得られやすいスパッタ成膜では材料の回り込みが起こりやすくなるからである。従って、比較例１の有機発光装置において、膜端テーパー幅は、実施例の有機発光装置と比較して１辺あたり２５４．１μｍ大きくなる。
【０１４３】
また各実施例の有機発光装置は、有機化合物層２２の膜端が上部電極２３もしくは封止層３０によって覆われているために、水分や酸素の横浸透による発光画素部の劣化は防止され、長寿命の発光装置が得られた。
【符号の説明】
【０１４４】
１：有機発光装置、１０：基板、１１：層間絶縁層、１２：画素分離膜、１３：コンタクトホール（配線）、２０：発光画素、２０ａ：第１副画素、２０ｂ：第２副画素、２０ｃ：第３副画素、２１（２１ａ、２１ｂ、２１ｃ）：下部電極、２２（２２ａ、２２ｂ、２２ｃ）：有機化合物層、２３（２３ａ、２３ｂ、２３ｃ）：第１の上部電極層、２４：第２の上部電極層、２５：上部電極用電極パッド部、３０：封止層、４１：膜上で成膜誤差−Ｄｔよりも薄くなった点、４２：膜厚０の点、４３：膜厚、４４：膜端断面のテーパー幅、４５：膜端断面の傾きと基板表面のなす角度（θ）、５０：レジスト層、５１：フォトマスク、５２：露光光、５３：リフトオフ層
【図１】
2016004910.tif 000004
【図２】
2016004910.tif 000005
【図３】
2016004910.tif 000006
【図４】
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【図５】
2016004910.tif 000008
【図６】
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【図７】
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【図８】
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