(57)【要約】【課題】金属膜又は樹脂膜を処理する際の形状異常の抑制を可能にする処理装置を提供する。【解決手段】実施形態の処理装置は、試料を載置可能なステージと、ステージを回転させる回転機構と、試料に物質を噴射するノズルと、ステージとノズルをステージの回転軸に垂直な方向に相対移動させる移動機構と、移動機構を制御する制御部と、を備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
試料を載置可能なステージと、
前記ステージを回転させる回転機構と、
前記試料に物質を噴射するノズルと、
前記ステージと前記ノズルを前記ステージの回転軸に垂直な方向に相対移動させる移動機構と、
前記移動機構を制御する制御部と、
を備える処理装置。
【請求項２】
前記制御部が、前記相対移動の速度を、前記ステージの回転軸からの前記ノズルの距離が大きくなるほど遅くするよう制御する請求項１記載の処理装置。
【請求項３】
前記ノズルが前記ステージの表面に対し、９０度未満の傾斜角を有する請求項１又は請求項２記載の処理装置。
【請求項４】
前記ノズルの前記ステージの表面に対する傾斜角を変化させる傾斜機構を有する請求項１又は請求項２記載の処理装置。
【請求項５】
前記ステージと前記ノズルを内蔵する筐体と、前記筐体に設けられる吸気口と、前記筐体に設けられる排気口とを、更に備える請求項１乃至請求項４いずれか一項記載の処理装置。
【請求項６】
前記筐体内を冷却する冷却機構を、更に備える請求項５記載の処理装置。
【請求項７】
前記物質は二酸化炭素を含有する粒子である請求項１乃至請求項６いずれか一項記載の処理装置。
【請求項８】
前記物質によって前記試料に設けられる金属膜又は樹脂膜を除去する請求項１乃至請求項７いずれか一項記載の処理装置。
【請求項９】
前記ステージの表面が凹形状である請求項１乃至請求項８いずれか一項記載の処理装置。
【請求項１０】
試料を載置可能なステージと、
前記試料に前記試料に設けられる金属膜又は樹脂膜を除去する物質を噴射して、前記試料を分離するノズルと、
を備える処理装置。
【請求項１１】
前記物質は二酸化炭素を含有する粒子である請求項１０記載の処理装置。
【請求項１２】
前記ステージの表面が凹形状である請求項１０又は請求項１１記載の処理装置。
【請求項１３】
前記ステージと前記ノズルを前記ステージの表面と平行方向に相対移動させる制御部を備えている請求項１０乃至請求項１２いずれか一項記載の処理装置。
【請求項１４】
試料に前記試料に設けられる金属膜又は樹脂膜を除去する物質を噴射して、前記試料を分離するノズル。
【請求項１５】
前記物質は二酸化炭素を含有する粒子である請求項１４記載のノズル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、処理装置およびノズルに関する。
【背景技術】
【０００２】
ウェハ等の半導体基板上に形成された複数の半導体素子は、半導体基板に設けられたダイシング領域に沿ってダイシングすることによって、複数の半導体チップに分割される。半導体基板の一方の面に、半導体素子の電極となる金属膜や、ダイボンディングフィルム等の樹脂膜が形成されている場合、ダイシングの際にダイシング領域の金属膜や樹脂膜も除去する必要がある。
【０００３】
金属膜や樹脂膜を除去する方法として、例えば、半導体基板と、金属膜又は樹脂膜を同時にブレードダイシングにより除去する方法がある。この場合、金属膜又は樹脂膜に突起（バリ）等の形状異常が生じやすい。金属膜や樹脂膜の形状異常が生ずると、半導体チップの外観検査不良と判定されたり、ベッドと半導体チップの接合不良が生じたりすることで製品歩留りが低下するため問題となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−１４１１３５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明が解決しようとする課題は、金属膜又は樹脂膜を処理する際の形状異常の抑制を可能にする処理装置およびノズルを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
実施形態の処理装置は、試料を載置可能なステージと、前記ステージを回転させる回転機構と、前記試料に物質を噴射するノズルと、前記ステージと前記ノズルを前記ステージの回転軸に垂直な方向に相対移動させる移動機構と、前記移動機構を制御する制御部と、を備える。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】第１の実施形態の処理装置の模式図。
【図２】第１の実施形態のデバイスの製造方法を示す模式工程断面図。
【図３】第２の実施形態の処理装置の作用の説明図。
【図４】第３の実施形態の処理装置の模式図。
【図５】第４の実施形態の処理装置の模式図。
【図６】第５の実施形態の処理装置の模式図。
【図７】第６の実施形態の処理装置の模式図。
【図８】第７の実施形態の処理装置の模式図。
【図９】第８の実施形態の処理装置の模式図。
【図１０】第９の実施形態の処理装置の模式図。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、図面を参照しつつ本発明の実施形態を説明する。なお、以下の説明では、同一の部材等には同一の符号を付し、一度説明した部材等については適宜その説明を省略する。
【０００９】
（第１の実施形態）
本実施形態の処理装置は、試料を載置可能なステージと、ステージを回転させる回転機構と、試料に物質を噴射するノズルと、ステージとノズルをステージの回転軸に垂直な方向に相対移動させる移動機構と、移動機構を制御する制御部と、を備える。本実施形態の処理装置は、試料を載置可能なステージと、試料に、試料に設けられる金属膜又は樹脂膜を除去する物質を噴射して、試料を分離するノズルと、を備える
【００１０】
本実施形態の処理装置は、例えば、半導体基板のダイシングに用いられる半導体製造装置である。例えば、半導体基板の一方の面に設けられ、半導体素子の電極等となる金属膜をダイシング時に除去する場合に用いられる。
【００１１】
また、本実施形態では、金属膜に噴射する物質が、二酸化炭素を含む粒子である場合を例に説明する。なお、二酸化炭素を含有する粒子（以下、単に二酸化炭素粒子とも記述する）とは、二酸化炭素を主成分とする粒子である。二酸化炭素に加え、例えば、不可避的な不純物が含有されていても構わない。
【００１２】
図１は、本実施形態の処理装置の模式図である。図１（ａ）は、装置の断面構造を含む模式図、図１（ｂ）はステージの上面図である。
【００１３】
本実施形態の半導体製造装置は、ステージ１０、支持軸１２、回転機構１４、ノズル１６、移動機構１８、制御部２０、処理室２２を備える。
【００１４】
ステージ１０は、処理する試料Ｗを載置可能に構成されている。ステージ１０は、例えば、ダイシングフレームに固定されたダイシングシートに接着された半導体ウェハを載置する。
【００１５】
ステージ１０は、支持軸１２に固定される。回転機構１４は、ステージ１０を回転させる。回転機構１４は、例えば、モータと、支持軸１２を回転可能に保持するベアリングを備える。回転機構１４により、ステージ１０は、回転軸Ｃを中心に回転する。
【００１６】
ノズル１６からは、金属膜を除去する二酸化炭素粒子が噴射される。二酸化炭素粒子が噴射して金属膜を除去することにより、例えば、試料Ｗが分離される。二酸化炭素粒子は、固体状態の二酸化炭素である。二酸化炭素粒子は、いわゆるドライアイスである。二酸化炭素粒子の形状は、例えば、ペレット状、粉末状、球状、又は、不定形状である。
【００１７】
ノズル１６は、例えば、図示しない液化炭酸ガスのボンベに接続される。ボンベ内の液化炭酸ガスを断熱膨張により固体化して、二酸化炭素粒子が生成される。ノズル１６は、例えば、図示しない窒素ガスの供給源に接続される。生成された二酸化炭素粒子を、例えば、窒素ガスと共にステージ１０に載置された試料Ｗに向けてノズル１６から噴射する。
【００１８】
ノズル１６の径は、例えば、φ１ｍｍ以上φ３ｍｍ以下である。また、ノズル１６と試料Ｗの表面との距離は、例えば、１０ｍｍ以上２０ｍｍ以下に設定される。
【００１９】
移動機構１８は、図１に矢印で示すように、ステージ１０とノズル１６をステージ１０の回転軸Ｃに垂直な方向に直線的に相対移動させる。例えば、ステージ１０の回転軸Ｃと試料Ｗの端部との間を繰り返し走査するようにノズル１６を移動させる。図１では、移動機構１８によりステージ１０ではなく、ノズル１６を移動させる場合を示す。
【００２０】
移動機構１８は、ノズル１６をステージ１０に対して直線的に往復移動できる機構であれば、特に限定されるものではない。例えば、ベルト、プーリ、及びプーリを回転させるモータを組み合わせたベルト駆動シャトル機構を用いる。また、例えば、ラックピニオン機構とモータとの組み合わせを用いる。また、例えば、リニアモータを用いる。
【００２１】
なお、移動機構１８は、ノズル１６ではなく、固定されたノズル１６に対し、ステージ１０を移動させる機構であっても構わない。
【００２２】
制御部２０は、移動機構１８を制御する。例えば、ステージ１０に対するノズル１６の走査範囲、ステージ１０に対するノズル１６の相対速度等を所望の値に制御する。制御部２０は、例えば、回路基板等のハードウェアであっても、ハードウェアとメモリに記憶される制御プログラム等のソフトウェアとの組み合わせであっても構わない。制御部２０は、回転機構１４と同期させて移動機構１８を制御する構成であっても構わない。また、例えば、制御部２０は、ステージ１０とノズル１６をステージ１０の表面と平行方向に相対移動させる。
【００２３】
筐体２２は、ステージ１０、ノズル１６、移動機構１８等を内蔵する。筐体２２は、ステージ１０、ノズル１６、移動機構１８等を保護するとともに、試料Ｗへの処理が外部環境からの影響を受けることを防止する。
【００２４】
次に、本実施形態の半導体製造装置を用いた半導体デバイスの製造方法の一例を示す。以下、製造する半導体デバイスが、半導体デバイスの両面に金属電極を備えるシリコン（Ｓｉ）を用いた縦型のパワーＭＯＳＦＥＴ（Ｍｅｔａｌ  Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  Ｆｉｅｌｄ  Ｅｆｆｅｃｔ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）である場合を例に説明する。
【００２５】
図２は、本実施形態のデバイスの製造方法を示す模式工程断面図である。
【００２６】
まず、第１の面（以下、表面とも称する）と第２の面（以下、裏面とも称する）を備えるシリコン基板（半導体基板）３０の表面側に縦型のＭＯＳＦＥＴ（半導体素子）のベース領域、ソース領域、ゲート絶縁膜、ゲート電極、ソース電極等のパターンを形成する。その後、最上層に保護膜を形成する。保護膜は、例えば、ポリイミド等の樹脂膜、シリコン窒化膜やシリコン酸化膜等の無機絶縁膜である。表面側に設けられたダイシング領域の表面には、シリコン基板３０が露出していることが望ましい。
【００２７】
次に、シリコン基板３０の表面側に支持基板３２を貼りあわせる（図２（ａ））。支持基板３２は、例えば、石英ガラスである。
【００２８】
次に、シリコン基板３０の裏面側を研削により除去し、シリコン基板３０を薄膜化する。その後、シリコン基板３０の裏面側に金属膜３４を形成する（図２（ｂ））。
【００２９】
金属膜３４は、ＭＯＳＦＥＴのドレイン電極である。金属膜３４は、例えば、異種の金属の積層膜である。金属膜３４は、例えば、シリコン基板３０の裏面側から、アルミニウム／チタン／ニッケル／金の積層膜である。金属膜３４は、例えば、スパッタ法により形成される。
【００３０】
次に、シリコン基板３０の裏面側に樹脂シート３６を貼りつける。樹脂シート３６は、いわゆる、ダイシングシートである。樹脂シート３６は、例えば、金属のフレーム３８に固定されている。樹脂シート３６は、金属膜３４の表面に接着される。その後、シリコン基板３０から支持基板３２を剥離する（図２（ｃ））。
【００３１】
次に、シリコン基板３０の表面側に設けられたダイシング領域に沿って、表面側から裏面側の金属膜３４が露出するようにシリコン基板３０に溝４０を形成する（図２（ｄ））。ここで、ダイシング領域とは、半導体チップをダイシングにより分割するための所定の幅を備える予定領域であり、シリコン基板３０の表面側に設けられる。ダイシング領域には、半導体素子のパターンは形成されない。ダイシング領域は、例えば、シリコン基板３０表面側に、格子状に設けられる。
【００３２】
溝４０は、例えば、プラズマエッチングにより形成する。プロズマエッチングは、例えば、Ｆ系ラジカルを用いた等方性エッチングステップ、ＣＦ４系ラジカル用いた保護膜形成ステップ、Ｆ系イオンを用いた異方性エッチングを繰り返す、いわゆるボッシュプロセスである。
【００３３】
溝４０は、シリコン基板３０の表面側の保護膜をマスクに、全面エッチングにより形成することが望ましい。この方法によれば、リソグラフィーを用いないため、製造工程の簡略化及び低コスト化が可能である。
【００３４】
次に、シリコン基板３０の表面側に樹脂シート４２を貼りつける。樹脂シート４２は、いわゆる、ダイシングシートである。樹脂シート４２は、例えば、金属のフレーム４４に固定されている。樹脂シート４２は、表面側の保護膜や金属電極の表面に接着される。その後、裏面側の樹脂シート３６を剥離する（図２（ｅ））。
【００３５】
次に、図１の半導体製造装置を用いて、シリコン基板３０の裏面側から金属膜３４に二酸化炭素粒子を吹き付ける（図２（ｆ））。まず、樹脂シート４２がステージ１０（図１）の表面にくるように、フレーム４４をステージ１０上に載置する。そして、回転駆動機構１４によりステージ１０を回転させる。ノズル１６を移動機構１８により、ステージ１０の回転軸に垂直な方向に直線往復運動させながら、ノズル１６から二酸化炭素粒子を噴射する。
【００３６】
二酸化炭素粒子を吹き付けることにより、溝４０の裏面側の金属膜３４を除去する。金属膜３４が除去されることで、シリコン基板３０が複数のＭＯＳＦＥＴに分離される。金属膜３４は二酸化炭素粒子により物理的に空洞部である溝４０に削ぎ落とされることで除去される（図２（ｇ））。
【００３７】
二酸化炭素粒子は、固体状態の二酸化炭素である。二酸化炭素粒子は、いわゆるドライアイスである。二酸化炭素粒子の形状は、例えば、ペレット状、粉末状、球状、又は、不定形状である。
【００３８】
二酸化炭素粒子は、窒素ガスとともにノズルから噴射され、金属膜３４に吹き付けられる。二酸化炭素粒子の平均粒径が１０μｍ以上２００μｍ以下であることが望ましい。また、二酸化炭素粒子が金属膜３４に吹き付けられる際の金属膜３４表面でのスポット径は、例えば、φ３ｍｍ以上φ１０ｍｍ以下であることが望ましい。
【００３９】
二酸化炭素粒子を吹き付けて、金属膜３４を除去する際に、図２（ｆ）に示すように、樹脂シート４２の領域をマスク４６で覆うことが望ましい。樹脂シート４２の領域をマスク４６で覆うことで、例えば、樹脂シート４２が、二酸化炭素粒子による衝撃でフレーム４４から剥がれることを抑制できる。マスク４６は、例えば、金属である。
【００４０】
その後、シリコン基板３０の表面側の樹脂シート４２を剥離することにより、分割された複数のＭＯＳＦＥＴが得られる。
【００４１】
以下、本実施形態の処理装置の作用及び効果について説明する。
【００４２】
縦型のＭＯＳＦＥＴのように、シリコン基板３０の裏面側にも金属膜３４が形成される場合、ダイシングの際にダイシング領域の裏面側の金属膜３４も除去する必要がある。例えば、ブレードダイシングにより半導体基板３０と、金属膜３４とを表面側から同時に除去する場合、ダイシング領域の溝４０端部の金属膜３４が裏面側に捲れあがり、いわゆるバリが発生する。
【００４３】
金属膜３４のバリが発生すると、例えば、半導体チップが外観検査不良となり製品化できない恐れがある。また、例えば、半導体チップとベッドとをはんだ等の接合材により接合する際に、バリの部分で密着性が悪くなることで、接合不要が生じる恐れがある。
【００４４】
本実施形態の半導体製造装置を用いたダイシングでは、シリコン基板３０のダイシング領域に沿って溝４０を形成した後、金属膜３４に裏面側から二酸化炭素粒子を吹き付け、溝部４０に跨っている部分の金属膜３４を除去する。除去された金属膜３４は、空洞となっている溝部４０に削ぎ落とされるため、バリの発生が抑制される。また、溝部４０の金属膜３４のみを自己整合的に除去することが可能である。
【００４５】
溝部４０に跨っている部分の金属膜３４の除去は、主に二酸化炭素粒子の物理的衝撃により生じているものと考えられる。加えて、金属膜３４が低温の二酸化炭素粒子により急冷されること、及び、金属膜３４に衝突した二酸化炭素が気化膨張する力が加わることにより、物理衝撃による金属膜３４の除去効果を促進するものと考えられる。
【００４６】
さらに、本実施形態の半導体製造装置では、回転するステージ１０上の試料に二酸化炭素粒子を噴射する。したがって、固定されたステージ上の試料に二酸化炭素粒子を噴射する場合に比べて、試料表面にむらなく二酸化炭素粒子を噴射することが可能となる。したがって、金属膜３４を均一性良く除去することが可能となる。
【００４７】
また、回転する試料に二酸化炭素粒子を噴射するため、二酸化炭素粒子の衝突速度に試料の速度が加算される。したがって、二酸化炭素粒子が金属膜３４に衝突する際の速度が大きくなる。よって、金属膜３４を効率良く除去することが可能となる。
【００４８】
なお、シリコン基板３０の裏面側に金属膜にかえて、樹脂膜を備える半導体デバイスを製造する場合にも、本実施形態の半導体製造装置を用いることが可能である。この場合には、二酸化炭素粒子を吹き付けることにより、金属膜にかえて樹脂膜を除去する。
【００４９】
以上、本実施形態の処理装置によれば、ダイシングの際の金属膜又は樹脂膜の形状異常の抑制が可能になる。また、ダイシングの際の金属膜又は樹脂膜の除去を均一且つ効率良く行うことが可能となる。
【００５０】
（第２の実施形態）
本実施形態の処理装置は、制御部が、ステージとノズルの相対移動の速度を、ステージの回転軸からのノズルの距離が大きくなるほど遅くするよう制御する以外は、第１の実施形態と同様である。したがって、第１の実施形態と重複する内容については、記述を省略する。
【００５１】
図３は、本実施形態の処理装置の作用の説明図である。図３（ａ）は、ステージ１０の回転軸Ｃからのノズル１６の距離が小さい場合、図３（ｂ）は、ステージ１０の回転軸Ｃからのノズル１６の距離が大きい場合の図である。
【００５２】
本実施形態では、図３（ａ）に示すようにステージ１０の回転軸Ｃからのノズル１６の距離が小さい場合は、ノズル１６の移動速度を速くする。一方、図３（ｂ）に示すようにステージ１０の回転軸Ｃからのノズル１６の距離が大きい場合は、ノズル１６の移動速度を遅くする。図３中の矢印の長さが、相対的な移動速度の違いを示している。
【００５３】
仮に、ステージ１０の回転軸Ｃからのノズル１６の距離に関わらず、ノズル１６の移動速度を一定とすると、回転軸Ｃから遠い領域の試料Ｗの単位面積あたりに噴射される二酸化炭素粒子の量が、回転軸Ｃから近い領域の試料Ｗの単位面積あたりに噴射される二酸化炭素粒子の量よりも少なくなる恐れがある。
【００５４】
本実施形態によれば、回転軸Ｃからの距離に関わらず、試料Ｗに噴射される二酸化炭素粒子の単位面積あたりの量を同程度にすることが可能である。したがって、試料Ｗの加工の均一性をより高めることが可能となる。具体的には、例えば、金属膜や樹脂膜除去の均一性が向上する。
【００５５】
（第３の実施形態）
本実施形態の処理装置は、ノズルのステージの表面に対する傾斜角を変化させる傾斜機構を有する以外は、第１の実施形態と同様である。したがって、第１の実施形態と重複する内容については、記述を省略する。
【００５６】
図４は、本実施形態の処理装置の模式図である。図４（ａ）は、装置の断面構造を含む模式図、図４（ｂ）は、図４（ａ）と垂直な方向の断面構造を含む模式図である。
【００５７】
本実施形態の半導体製造装置は、傾斜機構２４を備える。傾斜機構２４は、ノズル１６のステージ１０の表面に対する傾斜角を変化させる。傾斜機構２４の傾斜角は、例えば、制御部２０により制御される。  
【００５８】
傾斜機構２４は、例えば、回転軸とステッピングモータを組み合わせた回転傾斜機構である。ノズル１６の傾斜角が、回転する試料Ｗ表面への二酸化炭素粒子の衝突速度が、傾斜角が９０度の場合に比較して、増大する方向に制御されることが望ましい。具体的には、噴出する二酸化炭素粒子の試料Ｗ表面における向きが、試料Ｗ表面の回転移動の向きと逆向きになるようノズル１６の傾斜角を設定することが望ましい。
【００５９】
本実施形態の半導体製造装置を用いた製造方法では、ノズル１６のステージ１０の表面に対する傾斜角を９０度未満にした状態、例えば、１５度以上４５度以下の状態で、試料Ｗに二酸化炭素粒子を吹き付ける。
【００６０】
本実施形態によれば、二酸化炭素粒子の噴射が、試料Ｗ表面に対し、水平方向成分を備える。このため、二酸化炭素粒子により除去された金属膜や樹脂膜が、ダイシングの溝内に入り込みにくくなる。したがって、除去された金属膜や樹脂膜が溝内の残渣となることを抑制できる。また、二酸化炭素粒子の試料Ｗへの衝突速度を増大させることができるため、更に、金属膜３４を効率良く除去することが可能となる。また、傾斜角を所望の値に設定することが可能となり、試料Ｗに応じた最適な処理条件を設定できる。
【００６１】
なお、ノズル１６がステージ１０の表面に対し、９０度未満の傾斜角を有するよう固定された構成とすることも可能である。この構成によっても、二酸化炭素粒子により除去された金属膜や樹脂膜が、ダイシングの溝内に入り込み残渣となることを抑制できる。また、二酸化炭素粒子の試料Ｗへの衝突速度を増大させることができるため、更に、金属膜３４を効率良く除去することが可能となる。
【００６２】
（第４の実施形態）
本実施形態の処理装置は、筐体に設けられる吸気口と、筐体に設けられる排気口とを備える以外は、第１の実施形態と同様である。したがって、第１の実施形態と重複する内容については、記述を省略する。
【００６３】
図５は、本実施形態の処理装置の模式図である。図５は、装置の断面構造を含む模式図である。
【００６４】
本実施形態の半導体製造装置は、筐体２２に設けられる吸気口４８と、筐体２２に設けられる排気口５０とを備える。吸気口４８は、例えば、筐体２２の上部に設けられ、排気口５０は、例えば、筐体２２の下部に設けられる。
【００６５】
空気や窒素ガス等の気体が、吸気口４８から筐体２２内に供給され、排気口５０から排出される。排気口５０には、例えば、図示しないポンプが接続され筐体２２内の気体を排気する。気体は、筐体２２内を上部から下部へ向かって流れる。筐体２２内にいわゆるダウンフローを形成できる。
【００６６】
本実施形態によれば、二酸化炭素粒子により除去された金属膜や樹脂膜が、筐体２２内の気体の流れで排気口５０から排出される。したがって、除去された金属膜や樹脂膜が試料Ｗに再付着したり、ダイシングの溝内に入り込み残渣となったりすることを抑制できる。
【００６７】
（第５の実施形態）
本実施形態の処理装置は、ステージの表面が、重力方向に垂直な面に対し傾斜する以外は、第１の実施形態と同様である。したがって、第１の実施形態と重複する内容については、記述を省略する。
【００６８】
図６は、本実施形態の処理装置の模式図である。図６は、装置の断面構造を含む模式図である。
【００６９】
本実施形態の半導体製造装置は、ステージ１０の表面が、重力方向に垂直な面に対し傾斜する。言い換えれば、ステージ１０の表面が、水平面に対し傾斜する。図６では、ステージ１０の表面が、重力方向に垂直な面に対し９０度の傾斜角で傾斜する場合を示している。
【００７０】
本実施形態によれば、二酸化炭素粒子により除去された金属膜や樹脂膜が、筐体２２内を重力方向、すなわち、下方へ落下しやすくなる。したがって、除去された金属膜や樹脂膜が試料Ｗに再付着したり、ダイシングの溝内に入り込み残渣となったりすることを抑制できる。
【００７１】
なお、除去された金属膜や樹脂膜が試料Ｗに再付着することを抑制する観点から、ステージ１０の表面が、重力方向を向くように傾斜することがより望ましい。
（第６の実施形態）
本実施形態の処理装置は、筐体内の雰囲気を冷却する冷却機構を備える以外は、第１の実施形態と同様である。したがって、第１の実施形態と重複する内容については、記述を省略する。
【００７２】
図７は、本実施形態の処理装置の模式図である。図７は、装置の断面構造を含む模式図である。
【００７３】
本実施形態の半導体製造装置は、筐体内２２の雰囲気を冷却する冷却機構５２を備える。冷却機構５２は、例えば、ヒートポンプを用いる。
【００７４】
本実施形態によれば、筐体内２２の温度を下げることにより、ノズルから噴出する二酸化炭素粒子の気化を抑制する。したがって、金属膜や樹脂膜の除去の効率が向上する。
【００７５】
（第７の実施形態）
本実施形態の処理装置は、ノズルを複数備える以外は、第１の実施形態と同様である。したがって、第１の実施形態と重複する内容については、記述を省略する。
【００７６】
図８は、本実施形態の処理装置の模式図である。図８は、装置の断面構造を含む模式図である。
【００７７】
図８に示すように、本実施形態の半導体製造装置は、３本のノズル１６を備えている。ノズル１６は２本以上であれば、３本に限られるものではない。
【００７８】
本実施形態によれば、複数のノズル１６を備えることにより、処理の生産性を向上させることが可能となる。
【００７９】
（第８の実施形態）
本実施形態の処理装置は、ステージとノズルをステージの回転軸方向に相対移動させる移動機構を備える以外は、第１の実施形態と同様である。したがって、第１の実施形態と重複する内容については、記述を省略する。
【００８０】
図９は、本実施形態の処理装置の模式図である。図９は、装置の断面構造を含む模式図である。
【００８１】
図９に示すように、本実施形態の半導体製造装置は、ステージ１０とノズル１６をステージの回転軸方向に相対移動させる移動機構１８を備える。ここでは、移動機構１８は、ステージ１０とノズル１６をステージ１０の回転軸Ｃに垂直な方向にも相対移動させる機能を備える。ステージ１０とノズル１６をステージの回転軸方向に相対移動させる移動機構を、ステージ１０とノズル１６をステージ１０の回転軸Ｃに垂直な方向に移動させる移動機構と異なる別の移動機構として設けても構わない。
【００８２】
本実施形態によれば、ステージ１０とノズル１６との距離を所望の値に設定することが可能となり、試料Ｗに応じた最適な処理条件を設定できる。
【００８３】
（第９の実施形態）
本実施形態の処理装置は、ステージの表面が凹形状であること以外は、第１の実施形態と同様である。したがって、第１の実施形態と重複する内容については、記述を省略する。
【００８４】
図１０は、本実施形態の処理装置の模式図である。図１０は、装置の断面構造を含む模式図である。
【００８５】
図１０に示すように、本実施形態の半導体製造装置は、ステージ１０の表面が凹形状である。このため、ステージ１０に試料Ｗを載置した際に、ステージ１０と試料Ｗとの間に空間６０が形成される。
【００８６】
本実施形態によれば、ステージ１０と試料Ｗとの間に空間６０が形成されるため、例えば、シリコン基板３０をダイシングする際に、ダイシングにより分割された複数のＭＯＳＦＥＴをステージの凹部で受けることが可能となる。したがって、表面側及び裏面側のダイシングシートを貼りつける工程を省略することが可能となる。よって、処理の生産性を向上させることが可能となる。
【００８７】
以上、実施形態では、半導体素子が、縦型のＭＯＳＦＥＴである場合を例に説明したが、半導体素子は縦型のＭＯＳＦＥＴに限定されるものではない。
【００８８】
また、実施形態では、ダイシングの際の金属膜又は樹脂膜の除去を例に説明したが、実施形態の処理装置を、例えば、半導体基板表面の洗浄に適用することも可能である。
【００８９】
また、実施形態では、噴射する物質が、二酸化炭素を含む粒子である場合を例に説明したが、噴射する物質は、例えば、加圧された水、砥粒を含む加圧された水、二酸化炭素粒子以外の粒子等、その他の物質であってもかまわない。例えば、ノズルからの噴射時には固体で、常温等の基板が置かれた雰囲気中では気化するその他の粒子を適用することも可能である。例えば、窒素粒子やアルゴン粒子を適用することも可能である。
【００９０】
また、実施形態では、半導体製造装置を例に説明したが、本発明をＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍｓ）製造装置に適用することも可能である。
【００９１】
また、実施形態では、ノズルが試料の一部の領域に物質を噴射し、ステージとノズルとを相対移動させることで試料の全域を処理する場合を例に説明した。しかしながら、例えば、試料全域にノズルから物質を同時に噴射可能に構成し、試料全域を一括して処理することもできる。例えば、ノズル径を試料のサイズと同等以上としたり、多数のノズルを組み合わせたりすることで、試料全域を一括して処理するノズルが構成できる。
【００９２】
本発明のいくつかの実施形態及び実施例を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。例えば、一実施形態の構成要素を他の実施形態の構成要素と置き換え又は変更してもよい。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００９３】
１０      ステージ
１４      回転機構
１６      ノズル
１８      移動機構
２０      制御部
２２      筐体
２４      傾斜機構
４８      吸気口
５０      排気口
５２      冷却機構
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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