(57)【要約】【課題】素体内へのめっき液の浸入を抑制しつつ、基板への内蔵が容易であり、かつ、低ＥＳＬ化が図られた積層コンデンサを提供すること。【解決手段】第一内部電極１１は、主電極部１１ａと、第一側面２ｃに露出する接続部１１ｂと、を有している。第二内部電極１３は、主電極部１３ａと、第一側面２ｄに露出する接続部１３ｂと、を有している。接続部１１ｂ，１３ｂの第三方向Ｄ３の長さＬ１１ｂ，Ｌ１３ｂは、主電極部１１ａ，１３ａの第三方向Ｄ３の長さＬ１１ａ，Ｌ１３ａよりも小さい。内層部３Ａの第一方向Ｄ１の厚みＴ３Ａは、接続部１１ｂ，１３ｂの長さＬ１１ｂ，Ｌ１３ｂよりも小さく、かつ、第三方向Ｄ３での第二側面２ｅ，２ｆから接続部１１ｂ，１３ｂまでのＧ１１ｂ１，Ｇ１１ｂ２，Ｇ１３ｂ１，Ｇ１３ｂ２よりも小さい。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
直方体形状を呈しており、第一方向で互いに対向している一対の主面と、前記一対の主面を連結するように前記第一方向に延びていると共に前記第一方向と直交する第二方向で互いに対向している一対の第一側面と、前記一対の主面を連結するように前記第一方向に延びていると共に前記第一及び第二方向に直交する第三方向で互いに対向している一対の第二側面と、を有している素体と、
前記第一方向で互いに対向するように前記素体内に交互に配置された、それぞれ複数の第一及び第二内部電極と、
前記素体に配置され、前記複数の第一内部電極と接続される第一端子電極と、
前記素体に配置され、前記複数の第二内部電極と接続される第二端子電極と、を備え、
前記素体は、前記複数の第一内部電極と前記複数の第二内部電極とが位置している内層部と、前記内層部を前記第一方向で挟むように位置している一対の外層部と、を有し、
前記素体の前記第一方向の長さは、前記素体の前記第二方向の長さ及び前記素体の前記第三方向の長さよりも小さく、
前記第一端子電極は、前記主面に配置されている第一電極部分と、一方の前記第一側面に配置されている第二電極部分と、を有し、
前記第二端子電極は、前記主面に配置されていると共に該主面上において前記第一電極部分と前記第二方向で離間している第三電極部分と、他方の前記第一側面に配置されている第四電極部分と、を有し、
各前記第一内部電極は、第一主電極部と、前記一方の第一側面に露出し、かつ、前記第一主電極部と前記第二電極部分とを接続する第一接続部と、を有し、
各前記第二内部電極は、前記第一主電極部と前記第一方向で対向する第二主電極部と、前記他方の第一側面に露出し、かつ、前記第二主電極部と前記第四電極部分とを接続する第二接続部と、を有し、
前記第一接続部の前記第三方向の長さは、前記第一主電極部の前記第三方向の長さよりも小さく、
前記第二接続部の前記第三方向の長さは、前記第二主電極部の前記第三方向の長さよりも小さく、
前記内層部の前記第一方向の厚みは、前記第一接続部の前記第三方向の長さ及び前記第二接続部の前記第三方向の長さよりも小さく、かつ、前記第三方向での前記第二側面から前記第一接続部までの間隔及び前記第三方向での前記第二側面から前記第二接続部までの間隔よりも小さい、積層コンデンサ。
【請求項２】
前記第一接続部の前記第三方向の長さは、前記第三方向での一方の前記第二側面から前記第一接続部までの間隔と前記第三方向での他方の前記第二側面から前記第一接続部までの間隔との合計値よりも小さく、
前記第二接続部の前記第三方向の長さは、前記第三方向での一方の前記第二側面から前記第二接続部までの間隔と前記第三方向での他方の前記第二側面から前記第二接続部までの間隔との合計値よりも小さい、請求項１に記載の積層コンデンサ。
【請求項３】
前記第一接続部の前記第三方向の長さは、前記第三方向での前記第二側面から前記第一接続部までの間隔よりも小さく、
前記第二接続部の前記第三方向の長さは、前記第三方向での前記第二側面から前記第二接続部までの間隔よりも小さい、請求項２に記載の積層コンデンサ。
【請求項４】
前記素体の前記第一方向の長さは、前記第一接続部の前記第三方向の長さ及び前記第二接続部の前記第三方向の長さよりも小さく、かつ、前記第三方向での前記第二側面から前記第一接続部までの間隔及び前記第三方向での前記第二側面から前記第二接続部までの間隔よりも小さい、請求項１〜３のいずれか一項に記載の積層コンデンサ。
【請求項５】
前記素体の前記第一方向の長さは、前記第二方向での前記第一電極部分と前記第三電極部分との間隔よりも小さい、請求項１〜４のいずれか一項に記載の積層コンデンサ。
【請求項６】
前記素体の前記第三方向の長さは、前記素体の前記第二方向の長さよりも大きく、請求項１〜５のいずれか一項に記載の積層コンデンサ。
【請求項７】
前記第一端子電極と前記第二端子電極とは、前記素体に形成されていると共にＣｕ又はＮｉを含んでいる焼付導体層と、前記焼付導体層に形成されていると共にＮｉ又はＳｎを含んでいる第一めっき層と、前記第一めっき層に形成されていると共にＣｕ又はＡｕを含んでいる第二めっき層と、をそれぞれ有している、請求項１〜６のいずれか一項に記載の積層コンデンサ。
【請求項８】
前記第二めっき層は、Ｃｕめっき層であって、
前記Ｃｕめっき層の表面には、Ｃｕからなる突起が形成されている、請求項７に記載の積層コンデンサ。
【請求項９】
各前記外層部の前記第一方向の厚みは、前記第一電極部分の前記第一方向の厚み及び前記第三電極部分の前記第一方向の厚みよりも小さい、請求項１〜８のいずれか一項に記載の積層コンデンサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、積層コンデンサに関する。
【背景技術】
【０００２】
直方体形状を呈しており、第一方向で互いに対向している一対の主面と、一対の主面を連結するように第一方向に延びていると共に第一方向と直交する第二方向で互いに対向している一対の第一側面と、一対の主面を連結するように第一方向に延びていると共に第一及び第二方向に直交する第三方向で互いに対向している一対の第二側面と、を有している素体と、第一方向で互いに対向するように素体内に交互に配置された、それぞれ複数の第一及び第二内部電極と、素体に配置され、複数の第一内部電極と接続される第一端子電極と、素体に配置され、複数の第二内部電極と接続される第二端子電極と、を備えている積層コンデンサが知られている（たとえば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平０９−１４８１７５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
近年、情報端末機器などの電子機器では、小型化及び薄型化が進んでいる。それに伴って、電子機器に搭載される基板や基板に搭載される電子部品においても、小型化が進んでおり、高密度実装化も進んでいる。更なる小型化を図るために、基板内に電子部品が埋め込まれている、電子部品内蔵基板も開発されてきている。電子部品内蔵基板では、基板の内部に電子部品が埋め込まれて実装されている。基板に形成される配線と埋め込まれている電子部品とは、確実に、電気的に接続される必要がある。しかしながら、特許文献１に記載された積層コンデンサでは、基板への埋め込み（基板への内蔵）、及び、基板に形成される配線との電気的な接続については考慮されていない。
【０００５】
本発明は、素体内へのめっき液の浸入を抑制しつつ、基板への内蔵が容易であり、かつ、低ＥＳＬ（等価直列インダクタンス）化が図られた積層コンデンサを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係る積層コンデンサは、直方体形状を呈しており、第一方向で互いに対向している一対の主面と、一対の主面を連結するように第一方向に延びていると共に第一方向と直交する第二方向で互いに対向している一対の第一側面と、一対の主面を連結するように第一方向に延びていると共に第一及び第二方向に直交する第三方向で互いに対向している一対の第二側面と、を有している素体と、第一方向で互いに対向するように素体内に交互に配置された、それぞれ複数の第一及び第二内部電極と、素体に配置され、複数の第一内部電極と接続される第一端子電極と、素体に配置され、複数の第二内部電極と接続される第二端子電極と、を備え、素体は、複数の第一内部電極と複数の第二内部電極とが位置している内層部と、内層部を第一方向で挟むように位置している一対の外層部と、を有し、素体の第一方向の長さは、素体の第二方向の長さ及び素体の第三方向の長さよりも小さく、第一端子電極は、主面に配置されている第一電極部分と、一方の第一側面に配置されている第二電極部分と、を有し、第二端子電極は、主面に配置されていると共に該主面上において第一電極部分と第二方向で離間している第三電極部分と、他方の第一側面に配置されている第四電極部分と、を有し、各第一内部電極は、第一主電極部と、一方の第一側面に露出し、かつ、第一主電極部と第二電極部分とを接続する第一接続部と、を有し、各第二内部電極は、第一主電極部と第一方向で対向する第二主電極部と、他方の第一側面に露出し、かつ、第二主電極部と第四電極部分とを接続する第二接続部と、を有し、第一接続部の第三方向の長さは、第一主電極部の第三方向の長さよりも小さく、第二接続部の第三方向の長さは、第二主電極部の第三方向の長さよりも小さく、内層部の第一方向の厚みは、第一接続部の第三方向の長さ及び第二接続部の第三方向の長さよりも小さく、かつ、第三方向での第二側面から第一接続部までの間隔及び第三方向での第二側面から第二接続部までの間隔よりも小さい。
【０００７】
本発明に係る積層コンデンサでは、素体の第一方向の長さが、素体の第二方向の長さ及び素体の第三方向の長さよりも小さい。これにより、積層コンデンサの低背化が図られ、基板への内蔵に適した積層コンデンサを実現することができる。第一端子電極は、素体の主面に配置された第一電極部分を有し、第二端子電極は、素体の主面に配置された第三電極部分を有している。したがって、本発明に係る積層コンデンサは、素体の上記主面側において、基板に形成された配線と電気的に接続可能となり、基板への内蔵が容易である。
【０００８】
第一及び第二端子電極と基板に形成された配線との電気的な接続を確実に行うため、第一及び第二端子電極の最外層は、めっき層とされる。この場合、めっき層を形成する際に、第一及び第二接続部の第一側面への露出端からめっき液が素体内に浸入するおそれがある。めっき液が素体内に浸入すると、絶縁抵抗などの電気的特性が劣化することがある。
【０００９】
本発明では、第三方向での第二側面から第一接続部までの間隔と、第三方向での第二側面から第二接続部までの間隔とは、内層部の第一方向の厚みよりも大きい。このため、たとえば、第三方向での第二側面から第一接続部までの間隔と、第三方向での第二側面から第二接続部までの間隔とが、内層部の第一方向の厚み以下である積層コンデンサに比して、本発明では、第一及び第二接続部の第一側面への露出端にめっき液が到達し難く、素体内へのめっき液の浸入を抑制することができる。また、内層部の第一方向の厚みが、第三方向での第二側面から第一接続部までの間隔及び第三方向での第二側面から第二接続部までの間隔よりも小さいため、積層コンデンサの更なる低背化を実現することも可能である。
【００１０】
内層部の第一方向の厚みは、第一接続部の第三方向の長さよりも小さく、かつ、第二接続部の第三方向の長さよりも小さい。このため、積層コンデンサにおける電流経路が短くなり、ＥＳＬの低減を図ることができると共に、積層コンデンサの更なる低背化を実現することも可能である。また、第一接続部の第三方向の長さ及び第二接続部の第三方向の長さが内層部の第一方向の厚みよりも大きいため、たとえば、第一接続部の第三方向の長さ及び第二接続部の第三方向の長さが内層部の第一方向の厚み以下である積層コンデンサに比して、ＥＳＲ（等価直列抵抗）が高くなること及びＥＳＬが大きくなることを抑制することができる。
【００１１】
第一接続部の第三方向の長さは、第三方向での一方の第二側面から第一接続部までの間隔と第三方向での他方の第二側面から第一接続部までの間隔との合計値よりも小さく、第二接続部の第三方向の長さは、第三方向での一方の第二側面から第二接続部までの間隔と第三方向での他方の第二側面から第二接続部までの間隔との合計値よりも小さくてもよい。この場合、第一及び第二接続部の第一側面への露出端にめっき液がより一層到達し難く、素体内へのめっき液の浸入を更に抑制することができる。
【００１２】
第一接続部の第三方向の長さは、第三方向での第二側面から第一接続部までの間隔よりも小さく、第二接続部の第三方向の長さは、第三方向での第二側面から第二接続部までの間隔よりも小さくてもよい。この場合でも、第一及び第二接続部の第一側面への露出端にめっき液がより一層到達し難く、素体内へのめっき液の浸入を更に抑制することができる。
【００１３】
素体の第一方向の長さは、第一接続部の第三方向の長さ及び第二接続部の第三方向の長さよりも小さく、かつ、第三方向での第二側面から第一接続部までの間隔及び第三方向での第二側面から第二接続部までの間隔よりも小さくてもよい。この場合、積層コンデンサの更なる低背化を実現することができる。また、ＥＳＬの更なる低減を図ることができると共に、ＥＳＲが高くなるのをより一層抑制することができる。
【００１４】
素体の第一方向の長さは、第二方向での第一電極部分と第三電極部分との間隔よりも小さくてもよい。この場合、積層コンデンサの更なる低背化を実現することができると共に、ＥＳＬの更なる低減を図ることができる。
【００１５】
素体の第三方向の長さは、素体の第二方向の長さよりも大きくてもよい。積層コンデンサにおける電流経路が更に短くなり、ＥＳＬの低減をより一層図ることができる。
【００１６】
第一端子電極と第二端子電極とは、素体に形成されていると共にＣｕ又はＮｉを含んでいる焼付導体層と、焼付導体層に形成されていると共にＮｉ又はＳｎを含んでいる第一めっき層と、第一めっき層に形成されていると共にＣｕ又はＡｕを含んでいる第二めっき層と、をそれぞれ有していてもよい。この場合、第一接続部は、第一端子電極の焼付導体層と接続されるので、第一接続部と第一端子電極とが確実に接触する。第二接続部は、第二端子電極の焼付導体層と接続されるので、第二接続部と第二端子電極とが確実に接触する。第二めっき層がＣｕ又はＡｕを含んでいるので、基板に形成される配線と第一及び第二端子電極との接続性を更に確保することができる。第一めっき層は、第二めっき層が形成される工程において、焼付導体層がダメージを受けるのを抑制する。これにより、積層コンデンサの絶縁抵抗が劣化するのを抑制することができる。
【００１７】
第二めっき層は、Ｃｕめっき層であって、Ｃｕめっき層の表面には、Ｃｕからなる突起が形成されていてもよい。積層コンデンサは、基板の収容部に配置された後に、収容部に樹脂が充填されることにより、基板に内蔵される。第二めっき層に突起が形成されていると、当該突起により、第二めっき層の表面には凹凸が形成される。第二めっき層に突起が形成されている構成では、突起が形成されていない構成に比して、第二めっき層の表面積が大きく、かつ、上記凹凸により樹脂との噛み合わせがよい。したがって、積層コンデンサが基板に内蔵される際に、第二めっき層と樹脂との密着性を向上することができる。
【００１８】
各外層部の第一方向の厚みは、第一電極部分の第一方向の厚み及び第三電極部分の第一方向の厚みよりも小さくてもよい。この場合、積層コンデンサの更なる低背化を実現することができる。
【００１９】
積層コンデンサが基板に内蔵された後に、レーザー加工により、第一端子電極及び第二端子電極に到達するビアホールが基板に形成される。このとき、第一端子電極及び第二端子電極にレーザーが照射され、第一端子電極及び第二端子電極がダメージを受けるおそれがある。第一電極部分の第一方向の厚み及び第二電極部分の第一方向の厚みが各外層部の第一方向の厚みよりも大きいため、レーザーの照射によるダメージの影響を低く抑えることができる。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、素体内へのめっき液の浸入を抑制しつつ、基板への内蔵が容易であり、かつ、低ＥＳＬ化が図られた積層コンデンサを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明の実施形態に係る積層コンデンサを示す斜視図である。
【図２】本実施形態に係る積層コンデンサを示す平面図である。
【図３】本実施形態に係る積層コンデンサを示す平面図である。
【図４】図２におけるIV−IV線に沿った断面構成を説明するための図である。
【図５】図２におけるV−V線に沿った断面構成を説明するための図である。
【図６】図２におけるVI−VI線に沿った断面構成を説明するための図である。
【図７】第一及び第二内部電極を示す平面図である。
【図８】第三電極層を示す斜視図である。
【図９】第一及び第二内部電極の変形例を示す平面図である。
【図１０】本実施形態に係る積層コンデンサの実装構造を説明するための図である。
【図１１】本実施形態に係る積層コンデンサの実装構造を説明するための図である。
【図１２】本実施形態に係る積層コンデンサの実装構造を説明するための図である。
【図１３】本実施形態の変形例に係る積層コンデンサを示す斜視図である。
【図１４】本実施形態の変形例に係る積層コンデンサの断面構成を説明するための図である。
【図１５】本実施形態の変形例に係る積層コンデンサの断面構成を説明するための図である。
【図１６】本実施形態の変形例に係る積層コンデンサの断面構成を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、添付図面を参照して、本発明の実施形態について詳細に説明する。なお、説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には、同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。
【００２３】
図１〜図５を参照して、本実施形態に係る積層コンデンサＣ１の構成を説明する。図１は、本実施形態に係る積層コンデンサを示す斜視図である。図２及び図３は、本実施形態に係る積層コンデンサを示す平面図である。図４は、図２におけるIV−IV線に沿った断面構成を説明するための図である。図５は、図２におけるV−V線に沿った断面構成を説明するための図である。図６は、図２におけるVI−VI線に沿った断面構成を説明するための図である。
【００２４】
積層コンデンサＣ１は、図１〜図６に示されるように、直方体形状を呈している素体２と、素体２の外表面に配置される第一端子電極５及び第二端子電極７と、を備えている。第一端子電極５と第二端子電極７とは、離間している。直方体形状には、角部及び稜線部が面取りされている直方体の形状、及び、角部及び稜線部が丸められている直方体の形状が含まれる。
【００２５】
素体２は、その外表面として、互いに対向している略長方形状の一対の主面２ａ，２ｂと、互いに対向している一対の第一側面２ｃ，２ｄと、互いに対向している一対の第二側面２ｅ，２ｆと、を有している。一対の主面２ａ，２ｂが対向している方向が第一方向Ｄ１であり、一対の第一側面２ｃ，２ｄが対向している方向が第二方向Ｄ２であり、一対の第二側面２ｅ，２ｆが対向している方向が第三方向Ｄ３である。本実施形態では、第一方向Ｄ１は、素体２の高さ方向である。第二方向Ｄ２は、素体２の幅方向であり、第一方向Ｄ１と直交している。第三方向Ｄ３は、素体２の長手方向であり、第一方向Ｄ１と第二方向Ｄ２とに直交している。
【００２６】
素体２の第一方向Ｄ１の長さは、素体２の第三方向Ｄ３の長さ及び素体２の第二方向Ｄ２の長さよりも小さい。素体２の第三方向Ｄ３の長さは、素体２の第二方向Ｄ２の長さよりも大きい。素体２の第三方向Ｄ３の長さは、たとえば、０．４〜１．６ｍｍに設定される。素体２の第二方向Ｄ２の長さは、たとえば、０．２〜０．８ｍｍに設定される。素体２の第一方向Ｄ１の長さは、たとえば、０．１〜０．３５ｍｍに設定される。積層コンデンサＣ１は、超低背型の積層コンデンサである。素体２の第三方向Ｄ３の長さは、素体２の第二方向Ｄ２の長さと同等であってもよい。
【００２７】
同等とは、等しいことに加えて、予め設定した範囲での微差又は製造誤差などを含んだ値を同等としてもよい。たとえば、複数の値が、当該複数の値の平均値の±５％の範囲内に含まれているのであれば、当該複数の値は同等であると規定する。
【００２８】
一対の第一側面２ｃ，２ｄは、一対の主面２ａ，２ｂの間を連結するように第一方向Ｄ１に延びている。一対の第一側面２ｃ，２ｄは、第三方向Ｄ３（一対の主面２ａ，２ｂの長辺方向）にも延びている。一対の第二側面２ｅ，２ｆは、一対の主面２ａ，２ｂの間を連結するように第一方向Ｄ１に延びている。一対の第二側面２ｅ，２ｆは、第二方向Ｄ２（一対の主面２ａ，２ｂの短辺方向）にも延びている。
【００２９】
素体２は、一対の主面２ａ，２ｂが対向している方向（第一方向Ｄ１）に複数の誘電体層が積層されて構成されている。素体２では、複数の誘電体層の積層方向（以下、単に「積層方向」と称する。）が第一方向Ｄ１と一致する。各誘電体層は、例えば誘電体材料（ＢａＴｉＯ３系、Ｂａ(Ｔｉ，Ｚｒ)Ｏ３系、又は（Ｂａ，Ｃａ）ＴｉＯ３系などの誘電体セラミック）を含むセラミックグリーンシートの焼結体から構成される。実際の素体２では、各誘電体層は、各誘電体層の間の境界が視認できない程度に一体化されている。
【００３０】
積層コンデンサＣ１は、図４〜図６に示されるように、複数の第一内部電極１１と、複数の第二内部電極１３と、を備えている。第一及び第二内部電極１１，１３は、積層型の電気素子の内部電極として通常用いられる導電性材料（たとえば、Ｎｉ又はＣｕなど）からなる。第一及び第二内部電極１１，１３は、上記導電性材料を含む導電性ペーストの焼結体として構成される。
【００３１】
第一内部電極１１と第二内部電極１３とは、第一方向Ｄ１において異なる位置（層）に配置されている。すなわち、第一内部電極１１と第二内部電極１３とは、素体２内において、第一方向Ｄ１に間隔を有して対向するように交互に配置されている。第一内部電極１１と第二内部電極１３とは、互いに極性が異なる。
【００３２】
各第一内部電極１１は、図７の（ａ）に示されるように、主電極部１１ａと、接続部１１ｂと、を含んでいる。接続部１１ｂは、主電極部１１ａの一辺から延び、第一側面２ｃに露出している。第一内部電極１１は、第一側面２ｃに露出し、一対の主面２ａ，２ｂ、第一側面２ｄ、及び一対の第二側面２ｅ，２ｆには露出していない。主電極部１１ａと、接続部１１ｂとは、一体的に形成されている。
【００３３】
主電極部１１ａは、第三方向Ｄ３を長辺方向とし、第二方向Ｄ２を短辺方向とする矩形形状を呈している。すなわち、各第一内部電極１１の主電極部１１ａは、第三方向Ｄ３の長さが第二方向Ｄ２の長さよりも大きい。接続部１１ｂは、主電極部１１ａの第一側面２ｃ側の端部から第一側面２ｃまで延びている。接続部１１ｂの第三方向Ｄ３の長さＬ１１ｂは、主電極部１１ａの第三方向Ｄ３の長さＬ１１ａよりも小さい。接続部１１ｂの第二方向Ｄ２の長さも、主電極部１１ａの第二方向Ｄ２の長さよりも小さい。接続部１１ｂは、第一側面２ｃに露出した端部で、第一端子電極５に接続されている。
【００３４】
各第二内部電極１３は、図７の（ｂ）に示されるように、主電極部１３ａと、接続部１３ｂと、を含んでいる。主電極部１３ａは、第一方向Ｄ１で素体２の一部（誘電体層）を介して主電極部１１ａと対向している。接続部１３ｂは、主電極部１３ａの一辺から延び、第一側面２ｄに露出している。第二内部電極１３は、第一側面２ｄに露出し、一対の主面２ａ，２ｂ、第一側面２ｃ、及び一対の第二側面２ｅ，２ｆには露出していない。主電極部１３ａと、接続部１３ｂとは、一体的に形成されている。
【００３５】
主電極部１３ａは、第三方向Ｄ３を長辺方向とし、第二方向Ｄ２を短辺方向とする矩形形状を呈している。すなわち、各第二内部電極１３の主電極部１３ａは、第三方向Ｄ３の長さが第二方向Ｄ２の長さよりも大きい。接続部１３ｂは、主電極部１３ａの第一側面２ｄ側の端部から第一側面２ｄまで延びている。接続部１３ｂの第三方向Ｄ３の長さＬ１３ｂは、主電極部１３ａの第三方向Ｄ３の長さＬ１３ａよりも小さい。接続部１３ｂの第二方向Ｄ２の長さも、主電極部１３ａの第二方向Ｄ２の長さよりも小さい。接続部１３ｂは、第一側面２ｃに露出した端部で、第二端子電極７に接続されている。
【００３６】
主電極部１１ａの長さＬ１１ａは、たとえば０．３４〜１．５４ｍｍに設定される。接続部１１ｂの長さＬ１１ｂは、たとえば０．１７〜０．７７ｍｍに設定される。主電極部１３ａの長さＬ１３ａは、たとえば０．３４〜１．５４ｍｍに設定される。接続部１３ｂの長さＬ１３ｂは、たとえば０．１７〜０．７７ｍｍに設定される。
【００３７】
素体２は、図４〜図６に示されるように、内層部３Ａと、一対の外層部３Ｂ，３Ｃとを有している。内層部３Ａには、複数の第一内部電極１１と、複数の第二内部電極１３とが位置している。一対の外層部３Ｂ，３Ｃは、内層部３Ａを第一方向Ｄ１で挟むように位置している。一対の外層部３Ｂ，３Ｃには、第一内部電極１１と第二内部電極１３とは位置していない。
【００３８】
外層部３Ｂの第一方向Ｄ１の厚みＴ３Ｂは、主面２ａと、当該主面２ａに最も近い内部電極（本実施形態では、第一内部電極１１）と、の第一方向Ｄ１での間隔で規定される。外層部３Ｃの第一方向Ｄ１の厚みＴ３Ｃは、主面２ｂと、当該主面２ｂに最も近い内部電極（本実施形態では、第二内部電極１３）と、の第一方向Ｄ１での間隔で規定される。内層部３Ａの第一方向Ｄ１の厚みＴ３Ａは、主面２ａに最も近い内部電極と、主面２ｂに最も近い内部電極と、の第一方向Ｄ１での間隔で規定される。内層部３Ａの厚みＴ３Ａと外層部３Ｂの厚みＴ３Ｂと外層部３Ｃの厚みＴ３Ｃとの合計値は、素体２の第一方向Ｄ１の長さに相当する。各外層部３Ｂ，３Ｃの厚みＴ３Ｂ，Ｔ３Ｃは、内層部３Ａの厚みＴ３Ａよりも小さい。
【００３９】
内層部３Ａの厚みＴ３Ａは、接続部１１ｂの長さＬ１１ｂよりも小さく、かつ、接続部１３ｂの長さＬ１３ｂよりも小さい。また、内層部３Ａの厚みＴ３Ａは、第三方向Ｄ３での第二側面２ｅから接続部１１ｂまでの間隔Ｇ１１ｂ１よりも小さく、かつ、第三方向Ｄ３での第二側面２ｆから接続部１１ｂまでの間隔Ｇ１１ｂ２よりも小さい。内層部３Ａの厚みＴ３Ａは、第三方向Ｄ３での第二側面２ｅから接続部１３ｂまでの間隔Ｇ１３ｂ１よりも小さく、かつ、第三方向Ｄ３での第二側面２ｆから接続部１３ｂまでの間隔Ｇ１３ｂ２よりも小さい。
【００４０】
素体２の第一方向Ｄ１の長さは、接続部１１ｂの長さＬ１１ｂよりも小さく、かつ、接続部１３ｂの長さＬ１３ｂよりも小さい。また、素体２の第一方向Ｄ１の長さは、第三方向Ｄ３での第二側面２ｅから接続部１１ｂまでの間隔Ｇ１１ｂ１よりも小さく、かつ、第三方向Ｄ３での第二側面２ｆから接続部１１ｂまでの間隔Ｇ１１ｂ２よりも小さい。素体２の第一方向Ｄ１の長さは、第三方向Ｄ３での第二側面２ｅから接続部１３ｂまでの間隔Ｇ１３ｂ１よりも小さく、かつ、第三方向Ｄ３での第二側面２ｆから接続部１３ｂまでの間隔Ｇ１３ｂ２よりも小さい。
【００４１】
本実施形態では、間隔Ｇ１１ｂ１と間隔Ｇ１１ｂ２とは、同等に設定されている。すなわち、接続部１１ｂは、第一側面２ｃにおける第三方向Ｄ３での中央領域に露出している。間隔Ｇ１１ｂ１と間隔Ｇ１１ｂ２とは、異なっていてもよい。間隔Ｇ１３ｂ１と間隔Ｇ１３ｂ２とは、同等に設定されている。すなわち、接続部１３ｂは、第一側面２ｄにおける第三方向Ｄ３での中央領域に露出している。間隔Ｇ１３ｂ１と間隔Ｇ１３ｂ２とは、異なっていてもよい。本実施形態では、更に、間隔Ｇ１３ｂ１、間隔Ｇ１３ｂ２、間隔Ｇ１１ｂ１、及び間隔Ｇ１１ｂ２は、同等に設定されている。
【００４２】
接続部１１ｂの長さＬ１１ｂは、間隔Ｇ１１ｂ１と間隔Ｇ１１ｂ２との合計値よりも小さい。接続部１３ｂの長さＬ１３ｂは、間隔Ｇ１３ｂ１と間隔Ｇ１３ｂ２との合計値よりも小さい。
【００４３】
第一端子電極５は、第二方向Ｄ２に見て、素体２における第一側面２ｃ側の端部に位置している。第一端子電極５は、主面２ａに配置されている電極部分５ａ、主面２ｂに配置されている電極部分５ｂ、第一側面２ｃに配置されている電極部分５ｃ、及び、一対の第二側面２ｅ，２ｆに配置されている電極部分５ｄを有している。すなわち、第一端子電極５は、五つの面２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｅ，２ｆに形成されている。互いに隣り合う電極部分５ａ〜５ｄ同士は、素体２の稜線部において接続されており、互いに電気的に接続されている。
【００４４】
第二端子電極７は、第二方向Ｄ２に見て、素体２における第一側面２ｄ側の端部に位置している。第二端子電極７は、主面２ａに配置されている電極部分７ａ、主面２ｂに配置されている電極部分７ｂ、第一側面２ｄに配置されている電極部分７ｃ、及び、一対の第二側面２ｅ，２ｆに配置されている電極部分７ｄを有している。すなわち、第二端子電極７は、五つの面２ａ，２ｂ，２ｄ，２ｅ，２ｆに形成されている。互いに隣り合う電極部分７ａ〜７ｄ同士は、素体２の稜線部において接続されており、互いに電気的に接続されている。
【００４５】
電極部分５ｃは、各接続部１１ｂの第一側面２ｃに露出した部分をすべて覆うように配置されており、接続部１１ｂは、第一端子電極５に直接的に接続される。すなわち、接続部１１ｂは、主電極部１１ａと電極部分５ｃとを接続している。これにより、各第一内部電極１１は、第一端子電極５に電気的に接続される。電極部分７ｃは、各接続部１３ｂの第一側面２ｄに露出した部分をすべて覆うように配置されており、接続部１３ｂは、第二端子電極７に直接的に接続される。すなわち、接続部１３ｂは、主電極部１３ａと電極部分７ｃとを接続している。これにより、各第二内部電極１３は、第二端子電極７に電気的に接続される。
【００４６】
主面２ａに配置されている電極部分５ａと電極部分７ａとは、主面２ａ上において、第二方向Ｄ２で離間している。主面２ｂに配置されている電極部分５ｂと電極部分７ｂとは、主面２ｂ上において、第二方向Ｄ２で離間している。第二側面２ｅに配置されている電極部分５ｄと電極部分７ｄとは、第二側面２ｅ上において、第二方向Ｄ２で離間している。第二側面２ｆに配置されている電極部分５ｄと電極部分７ｄとは、第二側面２ｆ上において、第二方向Ｄ２で離間している。
【００４７】
第一方向Ｄ１から見て、第一端子電極５（電極部分５ａ，５ｂ）の第二方向Ｄ２の長さＬ５１と、第二端子電極７（電極部分７ａ，７ｂ）の第二方向Ｄ２の長さＬ７１と、は同等である。第一方向Ｄ１から見て、第一端子電極５の長さＬ５１と第二端子電極７の長さＬ７１とは、第一端子電極５（電極部分５ａ，５ｂ）と第二端子電極７（電極部分７ａ，７ｂ）との第二方向Ｄ２での間隔Ｇ１よりも大きい。
【００４８】
第一及び第二端子電極５，７は、第一電極層２１、第二電極層２３、及び第三電極層２５をそれぞれ有している。すなわち、電極部分５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄと電極部分７ａ，７ｂ，７ｃ，７ｄとが、第一電極層２１、第二電極層２３、及び第三電極層２５をそれぞれ含んでいる。第三電極層２５は、第一及び第二端子電極５，７の最外層を構成している。
【００４９】
第一電極層２１は、導電性ペーストを素体２の表面に付与して焼き付けることにより形成されている。すなわち、第一電極層２１は、焼付導体層である。本実施形態では、第一電極層２１は、Ｃｕからなる焼付導体層である。第一電極層２１は、Ｎｉからなる焼付導体層であってもよい。このように、第一電極層２１は、Ｃｕ又はＮｉを含んでいる。導電性ペーストには、Ｃｕ又はＮｉからなる粉末に、ガラス成分、有機バインダ、及び有機溶剤を混合したものが用いられている。第一電極層２１の厚みは、たとえば、最大で２０μｍである。
【００５０】
第二電極層２３は、第一電極層２１上にめっき法により形成されている。本実施形態では、第二電極層２３は、第一電極層２１上にＮｉめっきにより形成されたＮｉめっき層である。第二電極層２３は、Ｓｎめっき層であってもよい。このように、第二電極層２３は、Ｎｉ又はＳｎを含んでいる。第二電極層２３の厚みは、たとえば、１〜５μｍである。
【００５１】
第三電極層２５は、第二電極層２３上にめっき法により形成されている。本実施形態では、第三電極層２５は、第二電極層２３上にＣｕめっきにより形成されたＣｕめっき層である。第二電極層２３は、Ａｕめっき層であってもよい。このように、第三電極層２５は、Ｃｕ又はＡｕを含んでいる。第三電極層２５の厚みは、たとえば、１〜１５μｍである。
【００５２】
Ｃｕめっき層である第三電極層２５の表面には、図８にも示されるように、複数の突起２５ａが形成されている。各突起２５ａは、Ｃｕからなる。各突起２５ａの直径は１０〜３０μｍであり、各突起２５ａの高さは１〜１０μｍである。
【００５３】
各電極部分５ａ，５ｂ，７ａ，７ｂの厚みは、当該電極部分５ａ，５ｂ，７ａ，７ｂを構成する第一電極層２１、第二電極層２３、及び第三電極層２５の各厚みの合計値により規定される。各電極部分５ａ，５ｂ，７ａ，７ｂの厚みは、たとえば、５〜４０μｍである。本実施形態では、各外層部３Ｂ，３Ｃの厚みＴ３Ｂ，Ｔ３Ｃは、各電極部分５ａ，５ｂ，７ａ，７ｂの第一方向Ｄ１の厚みよりも大きい。
【００５４】
以上のように、本実施形態では、素体２の第一方向Ｄ１の長さが、素体２の第二方向Ｄ２の長さ及び素体２の第三方向Ｄ３の長さよりも小さい。これにより、積層コンデンサＣ１の低背化が図られ、基板への内蔵に適した積層コンデンサを実現することができる。第一端子電極５は、主面２ａ，２ｂに配置された電極部分５ａ，５ｂを有し、第二端子電極７は、主面２ａ，２ｂに配置された電極部分７ａ，７ｂを有している。したがって、積層コンデンサＣ１は、素体２の主面２ａ側、素体２の主面２ｂ側、又は、素体２の両主面２ａ，２ｂ側において、基板に形成された配線と電気的に接続可能となり、基板への内蔵が容易である。
【００５５】
第一及び第二端子電極５，７は、めっき層である第二及び第三電極層２３，２５を有している。このため、第二及び第三電極層２３，２５を形成する際に、接続部１１ｂの第一側面２ｃへの露出端又は接続部１３ｂの第一側面２ｄへの露出端からめっき液が素体２内に浸入するおそれがある。めっき液が素体２内に浸入すると、積層コンデンサＣ１は、絶縁抵抗などの電気的特性が劣化することがある。
【００５６】
本実施形態では、間隔Ｇ１３ｂ１、間隔Ｇ１３ｂ２、間隔Ｇ１１ｂ１、及び間隔Ｇ１１ｂ２は、内層部３Ａの厚みＴ３Ａよりも大きい。このため、たとえば、間隔Ｇ１３ｂ１、間隔Ｇ１３ｂ２、間隔Ｇ１１ｂ１、及び間隔Ｇ１１ｂ２が内層部３Ａの厚みＴ３Ａ以下である積層コンデンサに比して、積層コンデンサＣ１では、接続部１１ｂ，１３ｂの上記露出端にめっき液が到達し難く、素体２内へのめっき液の浸入を抑制することができる。また、内層部３Ａの厚みＴ３Ａが間隔Ｇ１３ｂ１、間隔Ｇ１３ｂ２、間隔Ｇ１１ｂ１、及び間隔Ｇ１１ｂ２よりも小さいため、積層コンデンサＣ１の更なる低背化を実現することも可能である。
【００５７】
内層部３Ａの厚みＴ３Ａは、接続部１１ｂの長さＬ１１ｂよりも小さく、かつ、接続部１３ｂの長さＬ１３ｂよりも小さい。このため、積層コンデンサＣ１における電流経路が短くなり、ＥＳＬの低減を図ることができると共に、積層コンデンサＣ１の更なる低背化を実現することも可能である。また、接続部１１ｂの長さＬ１１ｂ及び接続部１３ｂの長さＬ１３ｂが内層部３Ａの厚みＴ３Ａよりも大きいため、たとえば、接続部１１ｂの長さＬ１１ｂ及び接続部１３ｂの長さＬ１３ｂが内層部３Ａの厚みＴ３Ａ以下である積層コンデンサに比して、積層コンデンサＣ１では、ＥＳＲが高くなること及びＥＳＬが大きくなることを抑制することができる。
【００５８】
接続部１１ｂの長さＬ１１ｂは、間隔Ｇ１１ｂ１と間隔Ｇ１１ｂ２との合計値よりも小さい。接続部１３ｂの長さＬ１３ｂは、間隔Ｇ１３ｂ１と間隔Ｇ１３ｂ２との合計値よりも小さい。これらにより、接続部１１ｂ，１３ｂの上記露出端にめっき液がより一層到達し難く、素体２内へのめっき液の浸入を更に抑制することができる。
【００５９】
素体２の第一方向Ｄ１の長さは、接続部１１ｂの長さＬ１１ｂ及び接続部１３ｂの長さＬ１３ｂよりも小さく、かつ、間隔Ｇ１３ｂ１、間隔Ｇ１３ｂ２、間隔Ｇ１１ｂ１、及び間隔Ｇ１１ｂ２よりも小さい。これにより、積層コンデンサＣ１の更なる低背化を実現することができる。また、ＥＳＬの更なる低減を図ることができると共に、ＥＳＲが高くなること及びＥＳＬが大きくなることをより一層抑制することができる。
【００６０】
本実施形態では、素体２の第三方向Ｄ３の長さは、素体２の第二方向Ｄ２の長さよりも大きい。すなわち、素体２の第二方向Ｄ２の長さは、素体２の第三方向Ｄ３の長さよりも小さい。これにより、積層コンデンサＣ１における電流経路が更に短くなり、ＥＳＬの低減をより一層図ることができる。
【００６１】
本実施形態では、第一及び第二端子電極５，７は、第一電極層２１、第二電極層２３、及び第三電極層２５をそれぞれ有している。第一及び第二内部電極１１，１３は、焼付導体層である第一電極層２１と接続されるので、第一及び第二内部電極１１，１３と第一電極層２１とが確実に接触する。第三電極層２５がＣｕ又はＡｕを含んでいるので、基板に形成される配線と第一及び第二端子電極５，７との接続性を更に確保することができる。第二電極層２３は、第三電極層２５が形成される工程において、第一電極層２１がダメージを受けるのを抑制する。これにより、積層コンデンサＣ１の絶縁抵抗が劣化するのを抑制することができる。
【００６２】
第三電極層２５は、Ｃｕめっき層であって、第三電極層２５の表面には、Ｃｕからなる突起２５ａが形成されている。積層コンデンサＣ１は、後述するように、基板の収容部に配置された後に、収容部に樹脂が充填されることにより、基板に内蔵される。第三電極層２５に突起２５ａが形成されていると、突起２５ａにより、第三電極層２５の表面には凹凸が形成される。第三電極層２５に突起２５ａが形成されている構成では、突起２５ａが形成されていない構成に比して、第三電極層２５の表面積が大きく、かつ、上記凹凸により樹脂との噛み合わせがよい。したがって、積層コンデンサＣ１が基板に内蔵される際に、第三電極層２５と樹脂との密着性を向上することができる。
【００６３】
図９に示されるように、接続部１１ｂの長さＬ１１ｂは、間隔Ｇ１１ｂ１，Ｇ１１ｂ２よりも小さくてもよい。接続部１３ｂの長さＬ１３ｂは、間隔Ｇ１３ｂ１，Ｇ１３ｂ２よりも小さくてもよい。この場合、接続部１１ｂ，１３ｂの上記露出端にめっき液がより一層到達し難く、素体２内へのめっき液の浸入を更に抑制することができる。
【００６４】
主電極部１１ａ，１３ａの長さＬ１１ａ，Ｌ１３ａは、接続部１１ｂ，１３ｂの長さＬ１１ｂ，Ｌ１３ｂと同等でもよい。この場合、主電極部１１ａ，１３ａのサイズ（面積）が小さくなるので、所望の静電容量を確保するためには、内部電極１１，１３の積層数を増やす必要がある。内部電極１１，１３の積層数が増えると、素体２の第一方向Ｄ１の長さ、すなわち素体２の高さが高くなるため、積層コンデンサＣ１の低背化を阻害する。しかしながら、本実施形態では、主電極部１１ａ，１３ａの長さＬ１１ａ，Ｌ１３ａは、接続部１１ｂ，１３ｂの長さＬ１１ｂ，Ｌ１３ｂよりも大きいので、積層コンデンサＣ１の低背化を阻害することはない。
【００６５】
積層コンデンサＣ１は、図１０〜図１２に示されるように、基板３１に埋め込まれて実装される。すなわち、積層コンデンサＣ１は、基板３１に内蔵される。図１０〜図１２は、本実施形態に係る積層コンデンサの実装構造を説明するための図である。
【００６６】
基板３１は、複数の絶縁層３３が積層されることにより構成されている。絶縁層３３は、セラミック又は樹脂などの絶縁性材料からなり、接着などにより互いに一体化されている。
【００６７】
積層コンデンサＣ１は、基板３１に形成された収容部３１ａに配置されており、収容部３１ａに充填された樹脂３４により、基板３１に固定されている。これにより、積層コンデンサＣ１が、基板３１内に埋め込まれる。積層コンデンサＣ１は、基板３１の表面に配置された電極３５，３７と、ビア導体４５，４７を通して、電気的に接続されている。すなわち、第一端子電極５（電極部分５ａ）は、ビア導体４５を通して電極３５と電気的に接続され、第二端子電極７（電極部分７ａ）は、ビア導体４７を通して電極３７と電気的に接続されている。
【００６８】
ビア導体４５，４７は、基板３１に形成されたビアホール内に導電性金属（たとえば、Ｃｕ又はＡｕなど）を無電解めっきなどにより成長させることにより、形成される。ビアホールは、レーザー加工により、基板３１の表面側から積層コンデンサＣ１の第一及び第二端子電極５，７の電極部分５ａ，７ａに達するように形成される。
【００６９】
第一及び第二端子電極５，７は、上述したように、電極部分５ａ，７ａの両端部側の領域において、電極面積が確保されている。このため、第一及び第二端子電極５，７（電極部分５ａ，７ａ）とビア導体４５，４７とを確実に接続することができる。
【００７０】
積層コンデンサＣ１では、電極部分５ａ，７ａは、めっき層としての第三電極層２５と、を有している。したがって、ビアホールに形成されるビア導体４５，４７と電極部分５ａ，７ａとを確実に接続することができる。特に、ビア導体４５，４７がめっきにより形成される場合、ビア導体４５，４７と電極部分５ａ，７ａとが、より一層確実に接続される。
【００７１】
次に、図１３〜図１６を参照して、本実施形態の変形例に係る積層コンデンサＣ２の構成を説明する。図１３は、本変形例に係る積層コンデンサを示す斜視図である。図１４〜図１６は、本変形例に係る積層コンデンサの断面構成を説明するための図である。
【００７２】
積層コンデンサＣ２も、素体２と、第一端子電極５及び第二端子電極７と、複数の第一内部電極１１と、複数の第二内部電極１３と、を備えている。
【００７３】
積層コンデンサＣ２は、素体２の第一方向Ｄ１の長さ、すなわち素体２の高さ方向の長さが、積層コンデンサＣ１よりも小さい。本変形例では、素体２の第一方向Ｄ１の長さは、第一端子電極５及び第二端子電極７との第二方向Ｄ２での間隔よりも小さい。具体的には、素体２の第一方向Ｄ１の長さは、電極部分５ａ，５ｂと電極部分７ａ，７ｂとの第二方向Ｄ２での間隔Ｇ１よりも小さい。これにより、本変形例では、積層コンデンサＣ２の更なる低背化を実現することができると共に、ＥＳＬの更なる低減を図ることができる。
【００７４】
各外層部３Ｂ，３Ｃの厚みＴ３Ｂ，Ｔ３Ｃは、各電極部分５ａ，５ｂ，７ａ，７ｂの第一方向Ｄ１の厚みＴＥよりも小さい。これによっても、本変形例では、積層コンデンサＣ２の更なる低背化を実現することができる。
【００７５】
上述したように、積層コンデンサＣ２が基板に内蔵された後に、レーザー加工により、第一端子電極５及び第二端子電極７に到達するビアホールが基板に形成される。このとき、第一端子電極５及び第二端子電極７にレーザーが照射され、第一端子電極５及び第二端子電極７がダメージを受けるおそれがある。しかしながら、各電極部分５ａ，５ｂ，７ａ，７ｂの第一方向Ｄ１の厚みＴＥが各外層部３Ｂ，３Ｃの厚みＴ３Ｂ，Ｔ３Ｃよりも大きいため、レーザーの照射によるダメージの影響を低く抑えることができる。
【００７６】
以上、本発明の実施形態について説明してきたが、本発明は必ずしも上述した実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で様々な変更が可能である。
【００７７】
第一及び第二端子電極５，７は、電極部分５ａ，７ａと電極部分５ｂ，７ｂとを有している必要はない。第一及び第二端子電極５，７は、基板に形成される配線と接続される電極部分として、電極部分５ａ，７ａと電極部分５ｂ，７ｂとの少なくとも一方の電極部分を有していればよい。
【００７８】
図９及び図１０では、積層コンデンサＣ１が基板３１に埋め込まれて実装されているが、積層コンデンサＣ２が基板３１に埋め込まれて実装されていてもよい。
【符号の説明】
【００７９】
２…素体、２ａ，２ｂ…主面、２ｃ，２ｄ…第一側面、２ｅ，２ｆ…第二側面、３Ａ…内層部、３Ｂ，３Ｃ…外層部、５…第一端子電極、５ａ〜５ｄ…電極部分、７…第二端子電極、７ａ〜７ｄ…電極部分、１１…第一内部電極、１１ａ…主電極部、１１ｂ…接続部、１３…第二内部電極、１３ａ…主電極部、１３ｂ…接続部、２１…第一電極層、２３…第二電極層、２５…第三電極層、２５ａ…突起、Ｃ１，Ｃ２…積層コンデンサ、Ｄ１…第一方向、Ｄ２…第二方向、Ｄ３…第三方向、Ｇ１１ｂ１，Ｇ１１ｂ２，Ｇ１３ｂ１，Ｇ１３ｂ２…第三方向での第二側面から接続部までの間隔、Ｌ１１ａ，Ｌ１３ａ…主電極部の第三方向の長さ、Ｌ１１ｂ，Ｌ１３ｂ…接続部の第三方向の長さ、Ｔ３Ａ…内層部の第一方向の厚み、Ｔ３Ｂ，Ｔ３Ｃ…外層部の第一方向の厚み。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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