(57)【要約】【課題】簡便なシステム構成で板状製品の検査を自動化可能な検査装置、検査方法、検査プログラム、およびそのような検査装置に組み込まれる容量測定装置を提供する。【解決手段】平板状の第１電極と、上記第１電極に沿って配置される板状の測定対象をその第１電極との間に挟んで位置し該第１電極よりも小さい第２電極と、上記第２電極を上記測定対象の表面に沿って移動させる移動器と、上記測定対象の表面に沿った各位置について、上記第１電極と上記第２電極との間で生じる容量を測定する測定回路と、上記測定回路によって測定された各位置の容量に基づいて上記測定対象の不良箇所を判定する判定器と、を備える。【選択図】図４
2016038200.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
平板状の第１電極と、
前記第１電極に沿って配置される板状の測定対象を該第１電極との間に挟んで位置し該第１電極よりも小さい第２電極と、
前記第２電極を前記測定対象の表面に沿って移動させる移動器と、
前記測定対象の表面に沿った各位置について、前記第１電極と前記第２電極との間で生じる容量を測定する測定回路と、
前記測定回路によって測定された各位置の容量に基づいて前記測定対象の不良箇所を判定する判定器と、
を備えたことを特徴とする検査装置。
【請求項２】
前記第２電極として、移動方向に重ならない複数の第２電極を備えたことを特徴とする請求項１記載の検査装置。
【請求項３】
前記測定回路が、
前記測定対象の表面に沿った各位置で前記第１電極と前記第２電極との間に複数回の充放電を行う充放電回路と、
前記充放電回路によって生じる前記第１電極と前記第２電極との間での充放電波形を積分する積分回路と、
前記積分回路によって積分された充放電波形の電圧値を測定する電圧測定回路と、
を備えたものであることを特徴とする請求項１記載の検査装置。
【請求項４】
前記積分回路がＣＲ積分回路であることを特徴とする請求項３記載の検査装置。
【請求項５】
前記電圧測定回路が、正常な測定対象における積分された充放電波形の電圧値を参照電圧とする差動アンプであることを特徴とする請求項３記載の検査装置。
【請求項６】
平板状の第１電極に沿って配置される板状の測定対象を該第１電極との間に挟んで位置し該第１電極よりも小さい第２電極を該測定対象の表面に沿って移動させる移動過程と、
前記測定対象の表面に沿った各位置について、前記第１電極と前記第２電極との間で生じる容量を測定する測定過程と、
前記測定過程で測定された各位置の容量に基づいて前記測定対象の不良箇所を判定する判定過程と、
を経ることを特徴とする検査方法。
【請求項７】
コンピュータに、
平板状の第１電極に沿って配置される板状の測定対象を該第１電極との間に挟んで位置し該第１電極よりも小さい第２電極を該測定対象の表面に沿って移動させる移動過程と、
前記測定対象の表面に沿った各位置について、前記第１電極と前記第２電極との間で生じる容量を測定する測定過程と、
前記測定過程で測定された各位置の容量に基づいて前記測定対象の不良箇所を判定する判定過程と、
を実行させることを特徴とする検査プログラム。
【請求項８】
平板状の第１電極と、
前記第１電極に沿って配置される板状の測定対象を該第１電極との間に挟んで位置し該第１電極よりも小さい第２電極と、
前記第２電極を前記測定対象の表面に沿って移動させる移動器と、
前記測定対象の表面に沿った各位置について、前記第１電極と前記第２電極との間で生じる容量を測定する測定回路と、を備え、
前記測定回路が、
前記測定対象の表面に沿った各位置で前記第１電極と前記第２電極との間に複数回の充放電を行う充放電回路と、
前記充放電回路によって生じる前記第１電極と前記第２電極との間での充放電波形を積分する積分回路と、
前記積分回路によって積分された充放電波形の電圧値を測定する電圧測定回路と、
を備えたものであることを特徴とする容量測定装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、検査装置、検査方法、検査プログラム、および容量測定装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、パワーエレクトロニクスやその他の分野でセラミック基板が用いられている。このセラミック基板は、装置の小型化などの要求によって薄型化が進んでおり、その結果としてひび割れなどの発生がないか基板作成後に検査することが必須となっている。
現在のところ、コスト的に安価な検出装置が無く、労働集約的な目視検査により実体顕微鏡でセラミック基板全体をくまなく検査するのが主流の検査方法となっている。
このような現状に対し、例えば画像処理を用いた検査装置が特許文献１に開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１１−２２０７３８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、画像検査、超音波検査、Ｘ線検査などといったいずれの方式でも、コストパフォーマンス的には人海戦術的な目視検査に見合う検査方法が見当たらないのが現状である。
【０００５】
例えば画像処理による検査の場合には、検出するセラミック基板のひび割れのサイズが数ミクロン幅という極めて微細なサイズであるため、画像によるひび割れの認識は数十倍に拡大して初めて認識できるということがコストアップの原因となっていると考えられる。即ち、基板全体の検査のためには膨大な枚数の画像を採取し各画像についてひび割れを検査する必要があるので時間がかかり、また各種ソフトウエアの処理等を考えると、システム化すれば高価なシステムとなって、人間のコストパフォーマンスが圧倒的に勝る結果になると考えられる。
【０００６】
一方、人間による労働集約的な目視検査は、作業によって疲れや集中力の欠如などが生じる虞が回避できず、欠陥の見逃しを防ぐためには慎重な運用が必要である。
【０００７】
また、セラミック基板のみに限らず、同様に微細な欠陥を生じ得る板状の製品で同様な事情が存在する。
【０００８】
上記事情に鑑み、本発明は、簡便なシステム構成で板状製品の検査を自動化可能な検査装置、検査方法、検査プログラム、およびそのような検査装置に組み込まれる容量測定装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成する本発明の検査装置は、平板状の第１電極と、上記第１電極に沿って配置される板状の測定対象をその第１電極との間に挟んで位置し該第１電極よりも小さい第２電極と、上記第２電極を上記測定対象の表面に沿って移動させる移動器と、上記測定対象の表面に沿った各位置について、上記第１電極と上記第２電極との間で生じる容量を測定する測定回路と、上記測定回路によって測定された各位置の容量に基づいて上記測定対象の不良箇所を判定する判定器と、を備えたことを特徴とする。
【００１０】
このような本発明の検査装置によれば、簡易な回路で実現可能な容量測定を用いて板状の測定対象の検査を自動化する事ができる。また、本発明の検査装置は容量測定を利用するため、測定対象の内部に隠れた不良箇所であっても発見することができる。
【００１１】
このような検査装置において、上記第２電極として、移動方向に重ならない複数の第２電極を備えることが好適である。このような複数の第２電極によって一度に複数箇所の測定を実行する事ができ測定時間の短縮化が図られる。
【００１２】
また、上記測定回路が、上記測定対象の表面に沿った各位置で上記第１電極と上記第２電極との間に複数回の充放電を行う充放電回路と、上記充放電回路によって生じる上記第１電極と上記第２電極との間での充放電波形を積分する積分回路と、上記積分回路によって積分された充放電波形の電圧値を測定する電圧測定回路と、を備えたものであることも好適である。
【００１３】
このような好適な検査装置は、充放電波形の積分によって複数回測定の平均化と同様の結果を得ることができ、測定値の精度が向上する。
【００１４】
この好適な検査装置において、上記積分回路がＣＲ積分回路であることが更に好適である。ＣＲ積分回路が用いられることで回路が簡素化される。
【００１５】
また、上記電圧測定回路が、正常な測定対象における積分された充放電波形の電圧値を参照電圧とする差動アンプであることも好適である。微細な欠陥による微小な容量変化で生じる微少な電圧値変化が差動アンプによって容易に測定できる。
【００１６】
また、上記目的を達成する本発明の検査方法は、平板状の第１電極に沿って配置される板状の測定対象を該第１電極との間に挟んで位置しその第１電極よりも小さい第２電極をその測定対象の表面に沿って移動させる移動過程と、上記測定対象の表面に沿った各位置について、上記第１電極と上記第２電極との間で生じる容量を測定する測定過程と、上記測定過程で測定された各位置の容量に基づいて上記測定対象の不良箇所を判定する判定過程と、を経ることを特徴とする。
【００１７】
また、上記目的を達成する本発明の検査プログラムは、コンピュータに、平板状の第１電極に沿って配置される板状の測定対象をその第１電極との間に挟んで位置しその第１電極よりも小さい第２電極を該測定対象の表面に沿って移動させる移動過程と、上記測定対象の表面に沿った各位置について、上記第１電極と上記第２電極との間で生じる容量を測定する測定過程と、上記測定過程で測定された各位置の容量に基づいて上記測定対象の不良箇所を判定する判定過程と、を実行させることを特徴とする。
【００１８】
さらに、上記目的を達成する本発明の容量測定装置は、平板状の第１電極と、上記第１電極に沿って配置される板状の測定対象をその第１電極との間に挟んで位置しその第１電極よりも小さい第２電極と、上記第２電極を上記測定対象の表面に沿って移動させる移動器と、上記測定対象の表面に沿った各位置について、上記第１電極と上記第２電極との間で生じる容量を測定する測定回路と、を備え、上記測定回路が、上記測定対象の表面に沿った各位置で上記第１電極と上記第２電極との間に複数回の充放電を行う充放電回路と、上記充放電回路によって生じる上記第１電極と上記第２電極との間での充放電波形を積分する積分回路と、上記積分回路によって積分された充放電波形の電圧値を測定する電圧測定回路と、を備えたものであることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、簡便なシステム構成で板状製品の検査を自動化することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】セラミック基板に生じたひび割れの構造を概略的に示す図である。
【図２】ひび割れの検出原理を示す図である。
【図３】検査装置の構成を概括的に示す図である。
【図４】測定棒の構造を示す図である。
【図５】充放電波形を示す図である。
【図６】測定制御装置のハードウェア構成を概念的に示す図である。
【図７】測定制御装置の機能構成を示すブロック構成図である。
【図８】測定制御装置の動作を表すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
本発明の具体的な実施形態について、以下図面を参照して説明する。
まず、検査装置において典型的な検出目標となるひび割れが有している構造について説明する。
【００２２】
図１は、セラミック基板に生じたひび割れ(クラック)の構造を概略的に示す図である。
【００２３】
図１には、一例として０．６５ｍｍの厚さを有するセラミック基板１について１ｍｍ平方の領域を切り出した様子が示されている。
【００２４】
ひび割れ２はセラミック基板１の表面に約１μｍの幅で露出し、セラミック基板１の内部にもひび割れ２は深く続いているが、セラミック基板１の表裏面を貫通しているとは限らない。セラミック基板１の表裏の片面のみにひび割れ２が露出している場合もあるし、セラミック基板１の内部に空洞のようにひび割れ２が隠れている場合もまれに存在する。セラミック基板１の内部に隠れたひび割れ２については従来の目視検査や画像処理による検査では発見することができない。
【００２５】
ここで示したセラミック基板１のひび割れ２は、本発明の検出装置における検出目標の典型例であって、本発明の検出装置では、セラミック基板以外の板状の測定対象（例えば樹脂製基板など）にも対応可能であるし、ひび割れ以外の不良（例えば異物の埋没など）にも対応可能である。但し、以下では説明の便宜上、典型例であるセラミック基板のひび割れを検出目標として説明を続ける。このようなセラミック基板のひび割れは、典型的な検出目標ではあるが、決して容易な検出目標では無く、むしろ本発明で対応可能な不良のうちでは最高難度に近い検出を要する検出目標である。
【００２６】
このような検出目標を検出する原理について、次に説明する。
【００２７】
図２は、ひび割れの検出原理を示す図である。
【００２８】
本発明では、上述した検出目標を検出するために、平板状の裏面電極１０と棒状の測定電極２０との間で生じる静電容量を測定回路３０で測定する。裏面電極１０は、本発明にいう第１電極の一例に相当する。また、測定電極２０は、本発明にいう第２電極の一例に相当し、測定回路３０は、本発明にいう測定回路の一例に相当する。
【００２９】
裏面電極１０はセラミック基板１の裏面全体に亘って広がり、測定電極２０は１ｍｍ平方の先端でセラミック基板１の表面に接触している。なお、静電容量を測定する目的としては測定電極２０がセラミック基板１の表面に接触している必要は無く、測定電極２０がセラミック基板１の表面から離れて裏面電極１０と一定距離を保っている状態であっても良い。
【００３０】
測定電極２０をセラミック基板１の表面に沿って移動させると、ひび割れ２が生じている箇所では他の箇所に較べて、誘電体であるセラミック材料が少ないので静電容量が低下する。その低下量を見積もると、１ｍｍ平方の測定電極２０に対してひび割れ２は上述したように約１ミクロンの幅を有するので、静電容量としては１／１０００程度の変化を生じることとなる。この１／１０００程度の変化は、測定のオーダーとしてはアトファラッドのオーダーであり、このような容量変化の検出によってセラミック基板１の不良箇所が検出される。なお、ひび割れ以外の例えば異物の埋没等と言った不良の場合には、異物のサイズがサブミリのオーダーであることも多く、その場合の容量変化はひび割れによる容量変化よりも大きいと予想されるので、ひび割れよりも検出が容易である。また、ひび割れが基板の表面に露出していない場合であっても容量変化は生じるので、容量測定を使った本発明の検査方法によれば、従来の目視検査や画像処理による検査などでは検出できなかった不良も検出可能となる。均質に出来ているはずの（均質なことが望ましい）板状の検査対象の一部に、静電容量を変える不均質な部分が存在すると不良箇所として検出されるということである。
【００３１】
次に、このような検出原理を用いた具体的な検査装置の実施形態について説明する。
【００３２】
図３は、検査装置の構成を概括的に示す図である。
【００３３】
図３には、本発明の一実施形態である検査装置１００が示されている。
【００３４】
この検査装置１００には、図２に示した測定電極２０と測定回路３０が組み込まれた測定棒４０が多数（ここでは一例として３×６＝１８）配備された測定部１１０が備えられ、測定対象のセラミック基板１が載置される裏面電極１０も備えられている。
【００３５】
また、この検査装置１００には、図示を省略したステッピングモータで測定部１１０を案内レール５０に沿って駆動することで、図に矢印で示された走査方向に測定部１１０を移動させる駆動機構１２０が備えられている。このように駆動機構１２０で測定部１１０が駆動されることにより、測定部１１０に設けられた各測定電極２０がセラミック基板１の表面に沿って走査方向に移動する。この駆動機構１２０が本発明にいう移動器の一例に相当する。
【００３６】
測定部１１０に配備された多数の測定棒４０（および各測定電極２０）は、走査方向には並んでおらず、互いに位置がずれた別々の走査線上を移動する。図３に一例として示した３×６に配備された測定棒４０のうち、６つ並んだ一列分の測定棒４０は、走査方向に直交する方向に、図に示す間隔を開けて並んでいる。また、３つ並んだ一行分の測定棒４０は、走査方向に対して少し斜めにずれた方向に並んでおり、走査方向から見ると、互いに測定電極２０の幅程度（即ち１ｍｍ程度）ずれている。このような配置の３×６＝１８の測定棒４０によって、全幅で１８ｍｍの範囲がくまなく一度に走査されて検査されることとなる。このように、異なる走査線上を移動する（即ち移動方向には互いに重ならない）複数の測定電極を備えることにより、検査の効率が向上する。
【００３７】
図３に示す検査装置１００には、測定部１１０の各測定棒４０と駆動機構１２０に接続され、測定部１１０による測定と駆動機構１２０による駆動を制御する測定制御装置１３０も備えられている。測定制御装置１３０は、本発明にいう判定器の一例としての機能を有する装置である。そして、図３に示す検査装置１００のうち、この測定制御装置１３０を除いた部分が、本発明の容量測定装置の一実施形態に相当する。
【００３８】
次に、各測定棒４０に組み込まれている測定回路３０の詳細について説明する。
【００３９】
図４は、測定棒４０の構造を示す図である。
【００４０】
上述したように各測定棒４０には測定回路３０と測定電極２０が組み込まれており、図３では図示を省略したが、測定部１１０には、一定周期の矩形波を発生する発振器６０が備えられている。１つの発振器６０が多数の測定棒４０に対して共用される。
【００４１】
測定回路３０には、測定電極２０と発振器６０とを繋ぐ充放電回路３１が備えられている。この充放電回路３１は、発振器６０から発生される矩形波とダイオードスイッチとの作用で測定電極２０に対して電圧の周期的な印加と開放とを繰り返し、その結果、裏面電極と測定電極との間に生じる容量に対して充電と放電を繰り返す。図４に示す充放電回路３１は、本発明にいう充放電回路の一例に相当する。
【００４２】
図５は、充放電波形を示す図である。
【００４３】
図５の横軸は時間、縦軸は測定電極２０の電位を表している。
【００４４】
充放電回路３１による充電と放電の繰り返しによって図５に示すような充放電波形７０が生じる。充電期と放電期は発振器６０からの矩形波の周期と同じ周期で繰り返され、充電期には電位が上昇し、放電期の開始とともに瞬時に電位がゼロとなる。発振器６０で発生される矩形波の周期が充分に短いため、充電期における電位上昇は線形的な上昇を示す。そして、電位上昇の角度は、裏面電極１０と測定電極２０との間に生じる容量の大きさに依存するので、容量が変化すると電位上昇の角度が変化して、放電直前における電位（即ち充放電波形７０の波高）も変化する。
【００４５】
このような充放電波形７０における充電と放電の繰り返しは、多数回の測定を繰り返すことと同等の結果となるので、充電と放電の繰り返しができるだけ多い（即ち発振器６０で発生される矩形波の周期ができるだけ短い）ことが好ましい。
【００４６】
図４に戻って説明を続ける。
【００４７】
測定回路３０には、測定電極２０接続されたＣＲ積分回路３２が備えられていて、上述した充放電波形がＣＲ積分回路３２によって積分される。その結果、ＣＲ積分回路３２からは、裏面電極１０と測定電極２０との間に生じる容量の大きさを表した一定電圧値が出力される。ＣＲ積分回路３２は、本発明にいう積分回路の好適な一例に相当する。図４に示すように積分回路としてＣＲ積分回路３２が備えられている場合には回路構造が簡素化され、測定棒４０のような小さな構造にも容易に組み込むことができる。
【００４８】
更に測定回路３０には、ＣＲ積分回路３２の出力側に接続された差動アンプ３３が備えられている。
【００４９】
この差動アンプ３３には参照電圧として、ひび割れ２などの無い正常なセラミック基板１においてＣＲ積分回路３２から出力される電圧値が入力される。この参照電圧は、何らかの記憶手段から差動アンプ３３に付与されても良いし、測定部１１０に備えられている多数の測定棒４０のうち、一番端に位置する測定棒４０などから得られる電圧値が付与されても良い。この差動アンプ３３は、本発明にいう電圧測定回路の好適な一例に相当する。
【００５０】
差動アンプ３３は、ＣＲ積分回路３２から出力される積分された電圧値（即ち、裏面電極１０と測定電極２０との間に生じる容量を反映した電圧値）を測定する役目を有するが、この測定に際し参照電圧との差分を増幅するので、ひび割れ２によって生じる微細な容量変化を表す電圧変化が拡大されて測定されることとなる。これにより、上述したようなアトファラッドのオーダーの測定を実現している。
【００５１】
このように、本発明では、容量測定を利用した検出原理でひび割れの検出を行うので、図４に一例として示すような簡便な測定回路によって検査を実現することができる。また、そのように測定回路が簡便であることにより、図３に一例を示すような構成によって多数箇所での測定を同時並行で行い、検査効率の向上を図ることができる。
【００５２】
差動アンプ３３の出力が測定回路３０の出力であり、この出力の電圧値が、各測定棒４０における測定値である。この測定値は、図３に示す測定制御装置１３０によって、各測定位置毎に取り込まれる。
【００５３】
以下、測定制御装置１３０の詳細について説明する。
【００５４】
図６は、測定制御装置のハードウェア構成を概念的に示す図である。
【００５５】
測定制御装置１３０は、ハードウェアとしてはいわゆるパーソナルコンピュータが用いられており、ＣＰＵ８１とＲＡＭ８２とＲＯＭ８３とＨＤＤ８４と入出力（Ｉ／Ｏ）インタフェース８５と入力デバイス８６と表示デバイス８７とを備えている。そして、これらの要素がバス８８を介して相互接続されている。
【００５６】
ＨＤＤ８４には、パーソナルコンピュータを測定制御装置１３０として動作させる、本発明の測定制御プログラムの一実施形態が記憶されていて、この測定制御プログラムがＣＰＵ８１に読み出されて実行される。
【００５７】
ＲＡＭ８２は測定制御プログラムの作業領域などに用いられるメモリであり、各測定棒４０から取り込まれる測定値も一時的に保管される。この測定値は最終的にＨＤＤ８４内にデータファイルとして保存される。
【００５８】
Ｉ／Ｏインタフェース８５は、各測定棒４０や駆動機構１２０との間で制御信号や測定値などをやりとりするものである。
【００５９】
入力デバイス８６は、具体的にはマウスやキーボードであり、検査装置１００が検査の開始や終了、設定などを指示する場合に操作される。
【００６０】
表示デバイス８７は、具体的にはディスプレイやプリンタであり、検査の進行状況などを表示してユーザに提示する。
【００６１】
図７は、測定制御装置の機能構成を示すブロック構成図である。
【００６２】
測定制御装置１３０は、機能構成として見ると、駆動制御部９１と測定値取得部９２とひび判定部９３と結果出力部９４とを備えている。これらの機能は、上述した測定制御プログラムが実行されることによりパーソナルコンピュータ上に構築される機能であり、図７に示す機能構成は、その測定制御プログラムの構成とも観念される。
【００６３】
駆動制御部９１は、図３に示す駆動機構１２０に制御信号を送って制御することにより、測定部１１０の走査方向への移動を制御するものである。このように駆動機構１２０を制御することによって駆動制御部９１は、走査方向における測定位置を認識しており、その測定位置の情報は結果出力部９４へと送られる。
【００６４】
測定値取得部９２は、各測定棒４０から測定値を取得するものであって、各測定棒４０からの測定値を取り込むタイミングを制御することにより、各測定回路３０による電圧値の測定タイミングを実質的に制御している。また、測定値がどの測定棒４０から取り込まれたかを認識することによって、走査方向に直交する方向における測定位置を認識する。この認識された測定位置の情報も結果出力部９４へと送られる。
【００６５】
ひび判定部９３は、測定値取得部９２によって取り込まれた各測定値が、ひび割れなどの存在を示す測定値であるか否かを判定するものである。本実施形態の場合には、各測定棒４０に組み込まれた差動アンプ３３によって、ひび割れの無い正常な場合の測定値との差分が測定値取得部９２によって取り込まれていることになるので、この取り込まれた測定値の絶対値が所定の閾値を超えている場合には、ひび割れや異物の埋没などの何らかの不良が生じていると判定される。このような判定は簡易な判定であり高速な実行が可能である。このひび判定部９３の機能が、本発明にいう判定器の一例としての機能に相当する。
【００６６】
結果出力部９４は、ひび判定部９３による判定結果と測定位置の情報とを対応づけて、ディスプレイなどに表示するとともにＨＤＤにもデータファイルとして記録するものである。
【００６７】
図８は、測定制御装置の動作を表すフローチャートである。
【００６８】
測定制御装置１３０による制御動作が開始されると、まず、ステップＳ１０１で、駆動制御部９１から駆動機構１２０に制御信号が送られて、測定部１１０の走査方向への移動が制御される。具体的な制御例としては、例えば、測定電極２０の幅（即ち１ｍｍ）だけ測定部１１０を走査方向へ移動させた後、測定に必要な時間はその位置に静止させ、その後さらに１ｍｍだけ測定部１１０を走査方向へ移動させると言う動作を繰り返す制御が考えられる。このステップＳ１０１の動作が、本発明にいう移動過程の一例に相当する。
【００６９】
次に、ステップＳ１０２では、測定値取得部９２によって測定値が取得される。測定値取得部９２による測定値の取得タイミングは、例えば上記に例示した駆動制御で測定位置に静止しているタイミングである。そして、本実施形態の場合にはこのような取得タイミングが測定タイミングと同義であるので、このステップＳ１０２が、本発明にいう測定過程の一例に相当する。
【００７０】
このようにステップＳ１０２で得られた測定値に基づいて、ステップＳ１０３でひび判定部９３が、上述したように、ひび割れなどの存在を示す測定値であるか否かを判定する。
【００７１】
そして、ステップＳ１０４では、結果出力部９４によって判定結果が位置情報と対応づけられて出力され、その後、制御動作が終了する。
【００７２】
このような制御動作によってセラミック基板のひび割れが効率よく自動的に検査される。
【００７３】
なお、上記説明では、実施形態として多数の測定電極を有する検査装置を例示したが、本発明の検出装置や容量測定装置は測定電極（即ち第２電極）を１つだけ有するものであっても良い。
【００７４】
また、複数の測定電極が配備される場合であっても、本発明の検出装置や容量測定装置では、全ての測定電極が別の走査線上を移動することは必須では無く、一部の測定電極が互いに同一の走査線上を移動することも許容される。あるいは、１つの走査線上での測定回数を増やす目的であれば、全ての測定電極が同一の走査線上を移動することも許容される。
【符号の説明】
【００７５】
１    セラミック基板
２    ひび割れ
１０    裏面電極
２０    測定電極
３０    測定回路
３１    充放電回路
３２    ＣＲ積分回路
３３    差動アンプ
４０    測定棒
６０    発振器
１００    検査装置
１１０    測定部
１２０    駆動機構
１３０    測定制御装置
９１    駆動制御部
９２    測定値取得部
９３    ひび判定部
９４    結果出力部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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