(57)【要約】【課題】導電性樹脂接着剤を用いて高い実装強度で実装基板に実装し得る電子部品を提供する。【解決手段】電子部品１は、電子部品本体１０と、外部電極１３とを備える。外部電極１３は、電子部品本体１０の上に設けられている。外部電極１３は、Ｐｄめっき層１３ｃと、Ｎｉめっき層１３ｂとを有する。Ｐｄめっき層１３ｃは、最外層を構成している。Ｎｉめっき層１３ｂは、Ｐｄめっき層１３ｃの内側に設けられている。Ｎｉめっき層１３ｂの一部が、Ｐｄめっき層１３ｃから露出している。【選択図】図３
2016136614.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品本体と、
前記電子部品本体の上に設けられた外部電極と、
を備え、
前記外部電極は、
最外層を構成しているＰｄめっき層と、
前記Ｐｄめっき層の内側に設けられたＮｉめっき層と、
を有し、
前記Ｎｉめっき層の一部が、前記Ｐｄめっき層から露出している、電子部品。
【請求項２】
前記Ｎｉめっき層の露出部の少なくとも一部が酸化されている、請求項１に記載の電子部品。
【請求項３】
前記Ｐｄめっき層が、前記Ｎｉめっき層に臨むピンホールを有する、請求項１又は２に記載の電子部品。
【請求項４】
前記Ｐｄめっき層の厚みが、０．０２μｍ以下である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の電子部品。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか一項に記載の電子部品と、
前記電子部品が実装された実装基板と、
前記外部電極と前記実装基板とを接着している導電性樹脂接着部と、
を備え、
前記導電性樹脂接着部は前記Ｎｉめっき層に接触している、電子部品の実装構造体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品及び電子部品の実装構造体に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器内部に搭載された配線基板上に、セラミック電子部品などの電子部品が多数実装されるようになってきている。従来、これらの電子部品の配線基板への実装には、Ｐｂを含む半田等が一般的に使用されてきた。近年、環境負荷を軽減する観点から、Ｐｂフリー半田を用いて電子部品の実装を行う試みが盛んになされている。しかしながら、Ｐｂフリー半田の融点は比較的高い。このため、Ｐｂフリー半田を用いた場合は、半田付け時に高温での処理が必要である。その結果、セラミック電子部品のセラミック素体と外部端子電極との熱膨張係数差により、セラミック素体においてクラックが生じがちである。また、近年、自動車の電子化が進み、併せて車内の居住空間の拡大のため、エンジンルームが縮小する中、自動車のＥＣＵ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ  Ｃｏｎｔｒｏｌ  Ｕｎｉｔ）がエンジンやトランスミッションなどのより近傍に設置されるようになってきている。そのため、より高温環境下で電子部品が用いられるようになっており、このような環境下での温度変化による端子電極や半田の膨張収縮の変位量から機械的なストレスが発生し、半田自体にクラックが生じることがある。
【０００３】
そこで、半田に代えて、導電性接着剤が注目されている。この種の用途に用いられる導電性接着剤では、エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂にＡｇなどからなる金属フィラーが添加されている。導電性接着剤の熱硬化温度は、Ｐｂフリー半田の融点に比べて低い。従って、セラミック電子部品の実装に導電性接着剤を用いた場合、セラミック素体に加わる熱応力を低減することができる。また、導電性接着剤は弾性に富む樹脂を含むため、接合材自体へのクラックの問題を解消できる。このような導電性接着剤による実装に対応し得るセラミック電子部品の一例が、下記の特許文献１に開示されている。
【０００４】
例えば、特許文献１には、導電性接着剤を用いて実装できるセラミック電子部品として、外部電極が、Ｃｕを含む導電性ペーストを塗布し、焼き付けることによって形成された第１の金属層、第１の金属層の上に形成されたＮｉめっき層、Ｎｉめっき層の上に形成されたＰｄめっき層を有する積層コンデンサが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０００−２９９２４３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
電子部品を導電性樹脂接着剤を用いて実装した際の、電子部品と実装基板との実装強度を高めたいという要望がある。
【０００７】
本発明の主な目的は、導電性樹脂接着剤を用いて高い実装強度で実装基板に実装し得る電子部品を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明に係る電子部品は、電子部品本体と、外部電極とを備える。外部電極は、電子部品本体の上に設けられている。外部電極は、Ｐｄめっき層と、Ｎｉめっき層とを有する。Ｐｄめっき層は、最外層を構成している。Ｎｉめっき層は、Ｐｄめっき層の内側に設けられている。Ｎｉめっき層の一部が、Ｐｄめっき層から露出している。
【０００９】
本発明に係る電子部品では、導電性樹脂接着剤に対する親和性が高いＮｉめっき層の一部が、Ｐｄめっき層から露出している。このため、本発明に係る電子部品は、導電性樹脂接着剤を用いて高い実装強度で実装基板に実装し得る。
【００１０】
本発明に係る電子部品では、Ｎｉめっき層の露出部の少なくとも一部が酸化されていることが好ましい。この場合、Ｎｉめっき層の導電性接着剤に対する親和性をより高めることができる。よって、導電性樹脂接着剤を用いた場合の実装強度をより高めることができる。
【００１１】
本発明に係る電子部品では、Ｐｄめっき層が、Ｎｉめっき層に臨むピンホールを有していてもよい。
【００１２】
本発明に係る電子部品では、Ｐｄめっき層の厚みが、０．０２μｍ以下であることが好ましい。この場合、電子部品の製造コストを低減することができる。
【００１３】
本発明に係る電子部品の実装構造体は、本発明に係る電子部品と、実装基板と、導電性樹脂接着剤とを備える。実装基板には、電子部品が実装されている。導電性樹脂接着剤は、外部電極と実装基板とを接着している。導電性樹脂接着部は、Ｎｉめっき層に接触している。
【００１４】
本発明に係る電子部品の実装構造体では、導電性樹脂接着剤に対する親和性が高いＮｉめっき層の一部が、Ｐｄめっき層から露出している。このため、電子部品の実装強度が高い。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、導電性樹脂接着剤を用いて高い実装強度で実装基板に実装し得る電子部品を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の一実施形態に係る電子部品の模式的斜視図である。
【図２】図１におけるＩＩ−ＩＩ線で切り出した部分の模式的断面図である。
【図３】本発明の一実施形態における電子部品の実装構造体の模式的断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明を実施した好ましい形態の一例について説明する。但し、下記の実施形態は、単なる例示である。本発明は、下記の実施形態に何ら限定されない。
【００１８】
また、実施形態等において参照する各図面において、実質的に同一の機能を有する部材は同一の符号で参照することとする。また、実施形態等において参照する図面は、模式的に記載されたものである。図面に描画された物体の寸法の比率などは、現実の物体の寸法の比率などとは異なる場合がある。図面相互間においても、物体の寸法比率等が異なる場合がある。具体的な物体の寸法比率等は、以下の説明を参酌して判断されるべきである。
【００１９】
以下、電子部品１の構成について説明する。
【００２０】
図１は、本実施形態に係る電子部品の模式的斜視図である。図２は、図１におけるＩＩ−ＩＩ線で切り出した部分の模式的断面図である。
【００２１】
図１及び図２に示す電子部品１は、セラミックコンデンサであってもよいし、圧電部品、サーミスタまたはインダクタ等であってもよい。
【００２２】
電子部品１は、直方体状の電子部品本体（セラミック素体）１０を備える。この電子部品本体１０は、第１及び第２の主面１０ａ、１０ｂと、第１及び第２の側面１０ｃ、１０ｄ（図２を参照）と、第１及び第２の端面１０ｅ、１０ｆ（図２を参照）とを有する。第１及び第２の主面１０ａ、１０ｂは、長さ方向Ｌ及び幅方向Ｗに沿って延びている。第１及び第２の側面１０ｃ、１０ｄは、厚み方向Ｔ及び長さ方向Ｌに沿って延びている。第１及び第２の端面１０ｅ、１０ｆは、厚み方向Ｔ及び幅方向Ｗに沿って延びている。長さ方向Ｌ、幅方向Ｗ及び厚み方向Ｔは、それぞれ直交している。
【００２３】
なお、本発明において、「直方体状」には、角部や稜線部が丸められた直方体が含まれるものとする。すなわち、「直方体状」の部材とは、第１及び第２の主面、第１及び第２の側面並びに第１及び第２の端面とを有する部材全般を意味する。また、主面、側面、端面の一部または全部に凹凸などが形成されていてもよい。
【００２４】
電子部品本体１０の寸法は特に限定されない。例えば電子部品本体１０の厚み寸法は０．２ｍｍ以上３．０ｍｍ以下であることが好ましく、長さ寸法は０．４ｍｍ以上５．７ｍｍ以下であることが好ましく、幅寸法は０．２ｍｍ以上５．０ｍｍ以下であることが好ましい。
【００２５】
電子部品本体１０は、電子部品１の機能に応じた適宜のセラミックスからなる。具体的には、電子部品１がコンデンサである場合は、電子部品本体１０を誘電体セラミックスにより形成することができる。誘電体セラミックスの具体例としては、例えば、ＢａＴｉＯ３、ＣａＴｉＯ３、ＳｒＴｉＯ３、ＣａＺｒＯ３などが挙げられる。電子部品本体１０には、電子部品１に要求される特性に応じて、例えばＭｎ化合物、Ｍｇ化合物、Ｓｉ化合物、Ｆｅ化合物、Ｃｒ化合物、Ｃｏ化合物、Ｎｉ化合物、希土類化合物などの副成分が適宜添加されていてもよい。
【００２６】
電子部品１が圧電部品である場合は、電子部品本体を圧電セラミックスにより形成することができる。圧電セラミックスの具体例としては、例えばＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛）系セラミックスなどが挙げられる。
【００２７】
電子部品１が例えばサーミスタである場合は、電子部品本体を半導体セラミックスにより形成することができる。半導体セラミックスの具体例としては、例えばスピネル系セラミックなどが挙げられる。
【００２８】
電子部品１が例えばインダクタである場合は、電子部品本体を磁性体セラミックスにより形成することができる。磁性体セラミックスの具体例としては、例えばフェライトセラミックなどが挙げられる。
【００２９】
以下、本実施形態では、電子部品１が、積層セラミックコンデンサである例について説明する。
【００３０】
図２に示すように、電子部品本体１０の内部には、内部電極が設けられている。具体的には、電子部品本体１０の内部には、複数の第１の内部電極１１と、複数の第２の内部電極１２とが設けられる。
【００３１】
第１の内部電極１１は矩形状である。第１の内部電極１１は、第１及び第２の主面１０ａ、１０ｂ（図１を参照）と平行に設けられている。すなわち、第１の内部電極１１は、長さ方向Ｌ及び幅方向Ｗに沿って設けられている。第１の内部電極１１は、第１の端面１０ｅに露出しており、第１及び第２の主面１０ａ、１０ｂ、第１及び第２の側面１０ｃ、１０ｄ並びに第２の端面１０ｆには露出していない。
【００３２】
第２の内部電極１２は矩形状である。第２の内部電極１２は、第１及び第２の主面１０ａ、１０ｂ（図１を参照）と平行に設けられている。すなわち、第２の内部電極１２は、長さ方向Ｌ及び幅方向Ｗに沿って設けられている。よって、第２の内部電極１２と第１の内部電極１１とは互いに平行である。第２の内部電極１２は、第２の端面１０ｆに露出しており、第１及び第２の主面１０ａ、１０ｂ、第１及び第２の側面１０ｃ、１０ｄ並びに第１の端面１０ｅには露出していない。
【００３３】
第１及び第２の内部電極１１、１２は、厚み方向Ｔに沿って交互に設けられている。厚み方向Ｔにおいて隣り合う第１の内部電極１１と第２の内部電極１２とは、セラミック部１０ｇを介して対向している。セラミック部１０ｇの厚みは、例えば、０．５μｍ以上１０μｍ以下程度とすることができる。
【００３４】
第１及び第２の内部電極１１、１２は、適宜の導電材料により構成することができる。第１及び第２の内部電極１１、１２は、例えばＮｉ，Ｃｕ，Ａｇ，Ｐｄ及びＡｕからなる群から選ばれた金属、またはＮｉ，Ｃｕ，Ａｇ，Ｐｄ及びＡｕからなる群から選ばれた一種以上の金属を含む合金（例えば、Ａｇ−Ｐｄ合金など）により構成することができる。
【００３５】
第１及び第２の内部電極１１、１２の厚みは、例えば、０．２μｍ以上２．０μｍ以下程度であることが好ましい。
【００３６】
図１及び図２に示すように、電子部品１は、第１及び第２の外部電極１３、１４を備えている。第１の外部電極１３は、第１の端面１０ｅにおいて第１の内部電極１１に電気的に接続されている。一方、第２の外部電極１４は、第２の端面１０ｆにおいて第２の内部電極１２に電気的に接続されている。
【００３７】
第１の外部電極１３は、第１の端面１０ｅから、第１及び第２の主面１０ａ、１０ｂ並びに第１及び第２の側面１０ｃ、１０ｄに至るように形成されている。一方、第２の外部電極１４は、第２の端面１０ｆから、第１及び第２の主面１０ａ、１０ｂ並びに第１及び第２の側面１０ｃ、１０ｄに至るように形成されている。なお、第１及び第２の外部電極１３、１４は、第１及び第２の主面１０ａ、１０ｂのみに至るように形成されていてもよいし、一主面及び側面に至ってなくともよい。
【００３８】
第１の外部電極１３は、焼成電極層１３ａと、第１のめっき層１３ｂと、第２のめっき層１３ｃとを有する。焼成電極層１３ａと、第１のめっき層１３ｂと、第２のめっき層１３ｃとは、電子部品本体１０側から、この順番で積層されている。第２の外部電極１４は、焼成電極層１４ａと、第１のめっき層１４ｂと、第２のめっき層１４ｃとを有する。焼成電極層１４ａと、第１のめっき層１４ｂと、第２のめっき層１４ｃとは、電子部品本体１０側から、この順番で積層されている。
【００３９】
焼成電極層１３ａ、１４ａは、電子部品本体１０の上に設けられている。焼成電極層１３ａ、１４ａは、電子部品本体１０と接触している。
【００４０】
ここで、「焼成電極層」とは、金属粉末を含むペーストを焼成することにより形成された電極層である。従って、焼成電極層１３ａ、１４ａは、金属を含んでいる。焼成電極層１３ａ、１４ａは、金属に加え、ガラス成分を含むことが好ましい。焼成電極層１３ａ、１４ａがガラス成分を含む場合、ガラス成分が接着剤の役割を果たし、焼成電極層１３ａ、１４ａと電子部品本体１０の密着性を確保することができる。従って、電子部品本体１０の内部に水分が侵入することを抑制することができる。
【００４１】
焼成電極層１３ａ、１４ａは、例えば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｄ合金及びＡｕの少なくとも一種を含むことが好ましく、Ｃｕを含むことがより好ましい。
【００４２】
焼成電極層１３ａ、１４ａの厚みは、１μｍ以上１５μｍ以下であることが好ましい。焼成電極層１３ａ、１４ａの厚みは、例えば、電子部品１が実装基板上に実装されている場合は、実装基板側の主面の上に位置する部分の長さ方向Ｌ及び幅方向Ｗのそれぞれの中央における位置において測定することができる。
【００４３】
第１のめっき層１３ｂは、焼成電極層１３ａの上に設けられている。第１のめっき層１４ｂは、焼成電極層１４ａの上に設けられている。第１のめっき層１３ｂ、１４ｂは、Ｎｉめっき層により構成されている。第１のめっき層１３ｂ、１４ｂの厚みは、３μｍ以上８μｍ以下である。
【００４４】
第２のめっき層１３ｃは、第１のめっき層１３ｂの上に設けられている。第２のめっき層１３ｃは、第１の外部電極１３の最外層を構成している。第２のめっき層１４ｃは、第１のめっき層１４ｂの上に設けられている。第２のめっき層１４ｃは、第２の外部電極１４の最外層を構成している。第２のめっき層１３ｃ、１４ｃは、Ｐｄめっき層により構成されている。第２のめっき層１３ｃ、１４ｃの厚みは、０．０１μｍ以上０．０４μｍ以下であることが好ましく、０．０１μｍ以上０．０２μｍ以下であることがより好ましい。なお、第２のめっき層１３ｃ、１４ｃの厚みは、第２のめっき層１３ｃ、１４ｃの表面に蛍光Ｘ線を照射することにより測定することができる。
【００４５】
電子部品１では、第１のめっき層１３ｂ、１４ｂの一部が、第２のめっき層１３ｃ、１４ｃから露出している。具体的には、第２のめっき層１３ｃ、１４ｃには、複数のピンホール１５が設けられている。各ピンホール１５は、第１のめっき層１３ｂ、１４ｂに臨んでいる。なお、各ピンホール１５は、外部電極１３，１４の表面をＸＰＳ分析した場合に、Ｎｉ元素が検出された領域とＰｄ元素が検出された領域との面積比率（Ｎｉ元素が検出された領域／Ｐｄ元素が検出された領域）が０．０１〜０．２の範囲となるように形成されていることが好ましい。これにより、本発明の効果をより一層高めることができる。
【００４６】
なお、本発明において、「ピンホール」とは、第１のめっき層１３ｂ、１４ｂ上に第２のめっき層１３ｃ、１４ｃが存在しない部分を指す。なお、第２のめっき層１３ｃ、１４ｃが１０ｎｍ以上存在する場合を「第２のめっき層１３ｃ、１４ｃが存在する」と判断する。また、各ピンホールは、実装面において存在していることが好ましく、外部電極全面に存在していてもよい。
【００４７】
第１のめっき層１３ｂ、１４ｂの第２のめっき層１３ｃ、１４ｃからの露出部の少なくとも一部は、酸化されている。換言すれば、第１のめっき層１３ｂ、１４ｂの第２のめっき層１３ｃ、１４ｃからの露出部の表面の少なくとも一部は酸化ニッケルにより構成されている。このことは、外部電極１３，１４の表面をＸＰＳ分析によって観察し、ニッケルの状態を分析することで確認することができる。
【００４８】
図３は、本実施形態における電子部品の実装構造体の模式的断面図である。図３に示すように、電子部品の実装構造体２は、電子部品１と、実装基板２０とを備える。電子部品１は、実装基板２０に実装されている。電子部品１と、実装基板２０とは、導電性樹脂接着剤を用いて接着されている。具体的には、外部電極１３，１４と、実装基板２０とが、導電性樹脂接着剤を用いて接着されている。
【００４９】
なお、導電性樹脂接着剤はピンホール１５の中に入り込み、Ｎｉを含む第１のめっき層１３ｂ、１４ｂに接触している。
従って、外部電極１３，１４と、実装基板２０とは、導電性樹脂接着剤が硬化した導電性樹脂接着部３０により接着されている。
【００５０】
以上説明したように、本実施形態では、Ｎｉめっき層により構成された第１のめっき層１３ｂ、１４ｂの一部が、Ｐｄめっき層により構成された第２のめっき層１３ｃ、１４ｃから露出している。導電性樹脂接着剤と、Ｎｉめっき層との親和性は、導電性樹脂接着剤と、Ｐｄめっき層との親和性よりも高い。このため、Ｎｉめっき層により構成された第１のめっき層１３ｂ、１４ｂの一部が露出している本実施形態では、電子部品１と、実装基板２０との接合強度が高い。これは、導電性樹脂接着剤３０は、外部電極の金属と直接反応することはなく、金属表面のＯやＯＨ基と反応して接着する。よって、ＯやＯＨ基の少ないＰｄめっき層により構成された第２のめっき層１３ｃ、１４ｃよりもＯやＯＨ基の多いＮｉめっき層により構成された第１のめっき層１３ｂ、１４ｂの一部が露出していることにより、導電性樹脂接着剤３０との反応が向上するためである。
【００５１】
Ｎｉめっき層により構成された第１のめっき層１３ｂ、１４ｂの露出部の少なくとも一部が、酸化されていることが好ましい。この場合、第１のめっき層１３ｂ、１４ｂの露出部と、導電性樹脂接着部３０との接着強度がより高くなる。従って、電子部品１と、実装基板２０との接合強度をより高めることができる。
【００５２】
電子部品１の製造方法は特に限定されない。電子部品１は、例えば以下の要領で製造することができる。
【００５３】
まず、第１及び第２の内部電極１１、１２を有する電子部品本体１０を準備する。具体的には、セラミック粉末を含むセラミックペーストを、例えばスクリーン印刷法などによりシート状に塗布し乾燥させることにより、セラミックグリーンシートを作製する。
【００５４】
次に、上記セラミックグリーンシートの上に、内部電極形成用の導電ペーストを、例えばスクリーン印刷法などにより所定のパターンに塗布し、内部電極形成用導電パターンが形成されたセラミックグリーンシートと、内部電極形成用導電パターンが形成されていないセラミックグリーンシートとを用意する。なお、セラミックペーストや内部電極形成用の導電ペーストには、例えば公知のバインダーや溶媒が含まれていてもよい。
【００５５】
続いて、内部電極形成用導電パターンが形成されていないセラミックグリーンシートを所定枚数積層し、その上に、内部電極形成用導電パターンが形成されたセラミックグリーンシートを順次積層し、さらに、内部電極形成用導電パターンが形成されていないセラミックグリーンシートを所定枚数積層することにより、マザー積層体を作製する。なお必要に応じて、静水圧プレスなどの手段により、マザー積層体を積層方向にプレスしてもよい。
【００５６】
マザー積層体を所定の形状寸法にカットし、生のセラミック素体を複数作製する。このとき、生のセラミック素体に対してバレル研磨等を施し、稜線部や角部を丸めてもよい。
【００５７】
次いで、生のセラミック素体を焼成する。これにより、電子部品本体１０が完成する。なお、生のセラミック素体の焼成温度は、用いたセラミックスや導電材料に応じて適宜設定することができる。生のセラミック素体の焼成温度は、例えば９００℃以上１３００℃以下程度とすることができる。
【００５８】
次に、焼成後の電子部品本体１０の両端面に導電性ペーストを塗布して焼き付けを行うことにより、焼成電極層１３ａ、１４ａを形成する。なお、焼き付け温度は、例えば７００℃以上１０００℃以下であることが好ましい。なお、焼成電極層１３ａ、１４ａは、生のセラミック素体と同時に焼成してもよい。
【００５９】
次いで、焼成電極層１３ａ、１４ａの上に、Ｎｉを含む第１のめっき層１３ｂ、１４ｂと、Ｐｄを含む第２のめっき層１３ｃ、１４ｃとをこの順番で形成する。以上の工程により、電子部品１を完成させることができる。
【００６０】
なお、ここで、Ｐｄを含む第２のめっき層１３ｃ、１４ｃの膜厚やＰｄを含む第２のめっき層１３ｃ、１４ｃの加時間などの工条件を調整することにより、Ｎｉを含む第１のめっき層１３ｂ、１４ｂの一部を、Ｐｄを含む第２のめっき層１３ｃ、１４ｃから露出させることができる。
【００６１】
以下、本発明について、具体的な実施例に基づいて、さらに詳細に説明するが、本発明は以下の実施例に何ら限定されるものではなく、その要旨を変更しない範囲において適宜変更して実施することが可能である。
【００６２】
（実施例１）
以下の構成の電子部品（積層セラミックコンデンサ）を、上記実施形態に記載の方法で作製した。形成されたＰｄめっき層の膜厚は、０．０２μｍであった。
【００６３】
（Ｎｉめっき層の形成条件）
バレル：径６７ｍｍφ−幅１１０ｍｍ
メディア材質：ソルダーショット  ０．７ｍｍφ
メディア量：６０ｍｌ
チップ：長さ方向に沿った寸法：１．０ｍｍ  幅方向に沿った寸法：０．５ｍｍ  厚み方向に沿った寸法：０．５ｍｍ
バレル回転数：６０ｒｐｍ
めっき液：組成
硫酸ニッケル  ３６５ｇ／Ｌ
塩化ニッケル  ６５ｇ／Ｌ
ホウ酸  ４０ｇ／Ｌ
温度：６０℃
ｐＨ：４．２
電流：８Ａ
時間：１６７分（５μｍ狙い）
【００６４】
（Ｐｄめっき層の形成条件）
バレル：径６７ｍｍφ−幅１１０ｍｍ
メディア材質：ソルダーショット  ０．７ｍｍφ
メディア量：６０ｍｌ
チップ：長さ方向に沿った寸法：１．０ｍｍ  幅方向に沿った寸法：０．５ｍｍ  厚み方向に沿った寸法：０．５ｍｍ
バレル回転数：６０ｒｐｍ
めっき液：パラデックスＬＦ５（日本エレクトロプレイティング・エンジニヤース製）  アノード：Ｔｉ／Ｐｔ不溶性アノード
温度：５５℃
ｐＨ：８．８
電流：１Ａ
時間：５分
【００６５】
（比較例１）
Ｐｄめっき層の形成時間を２０分としたこと以外は、実施例１と同様にしてサンプルを作製した。形成されたＰｄめっき層の膜厚は、０．０９μｍであった。
【００６６】
（比較例２）
Ｐｄめっき層の形成時間を１００分としたこと以外は、実施例１と同様にしてサンプルを作製した。形成されたＰｄめっき層の膜厚は、０．５０９μｍであった。
【００６７】
実施例１及び比較例１，２のそれぞれにおいて作製したサンプルの外部電極を、下記の条件でＸＰＳ分析することにより、外部電極の表面におけるＮｉ／Ｐｄ比を測定した。その結果、実施例１では、Ｎｉ／Ｐｄ比は、０．０３以上０．０６以下であった。比較例１，２では、Ｎｉ／Ｐｄ比は、０であった。この結果から、実施例１においてのみ、Ｐｄめっき層にピンホールが形成されており、Ｎｉめっき層が露出していることが分かった。比較例１，２では、Ｎｉ／Ｐｄ比が０であったため、Ｐｄめっき層に、ピンホールが形成されていなかったことが分かる。
【００６８】
ＸＰＳ分析条件：
装置：ＰＨＹＳＩＣＡＬ  ＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＳ社製  Ｑｕａｎｔｕｍ２０００  
測定箇所：電子部品のＰｄめっき層表面測定領域：１００μｍφ
スキャン範囲：０ｅＶ以上１２００ｅＶ以下
【００６９】
（接合強度評価）
実施例１及び比較例１，２のそれぞれにおいて作製したサンプル（各１００個）をアルミナ基板の上にエポキシ系導電性樹脂接着剤を用いて実装した。硬化温度は１４０℃とした。硬化時間は３０分以上６０分以下とした。
【００７０】
次に、実装したサンプルを１５０℃で１０００時間放置した後に、第２の端面に長さ方向に沿ってアルミナ基板からサンプルが外れるまで荷重をかけた。
【００７１】
次に、基板から外れた外部電極の第２の主面上に位置する部分を観察し、外部電極の第２の主面上に位置する部分の面積に対する導電性接着部が残存している部分の面積の比（（導電性接着部が残存している部分の面積）／（外部電極の第２の主面上に位置する部分の面積））を確認した。その結果、実施例１のサンプルでは、比（（導電性接着部が残存している部分の面積）／（外部電極の第２の主面上に位置する部分の面積））が６０％強であった。それに対し、比較例１のサンプルでは、比（（導電性接着部が残存している部分の面積）／（外部電極の第２の主面上に位置する部分の面積））が約１０％であった。比較例２のサンプルでは、比（（導電性接着部が残存している部分の面積）／（外部電極の第２の主面上に位置する部分の面積））が約０％であった。以上の結果から、Ｐｄめっき層にピンホールが形成された実施例１においては、外部電極と導電性樹脂接着部との接着強度が高いことが分かる。
【００７２】
なお、比（（導電性接着部が残存している部分の面積）／（外部電極の第２の主面上に位置する部分の面積））は、以下の要領で求めた。まず、サンプルの第２の主面に白色ＬＥＤランプから光を照射し、外部電極の表面と、導電性樹脂接着部の表面との間に輝度の差が生じるように、ランプの光量を調整した後に、撮像した。得られた画像を２値化することにより、外部電極の表面が露出した部分と、導電性樹脂接着部が残存した部分とを区別した。そして、各部分の面積を求めることにより、比（（導電性接着部が残存している部分の面積）／（外部電極の第２の主面上に位置する部分の面積））を算出した。
【符号の説明】
【００７３】
１  電子部品
２  実装構造体
１０  電子部品本体
１０ａ  第１の主面
１０ｂ  第２の主面
１０ｃ  第１の側面
１０ｄ  第２の側面
１０ｅ  第１の端面
１０ｆ  第２の端面
１０ｇ  セラミック部
１１  第１の内部電極
１２  第２の内部電極
１３  第１の外部電極
１４  第２の外部電極
１３ａ，１４ａ  焼成電極層
１３ｂ，１４ｂ  第１のめっき層
１３ｃ，１４ｃ  第２のめっき層
１５  ピンホール
２０  実装基板
３０  導電性樹脂接着部
【図１】
2016136614.tif 000003
【図２】
2016136614.tif 000004
【図３】
2016136614.tif 000005