(57)【要約】【課題】振動および衝撃に強く、かつ取り付けの自由度が高い熱伝導型センサを提供する。【解決手段】本発明に係る熱伝導型センサ１は、無アルカリガラス、石英またはアルミナからなるパイプ状の基材２と、基材２の外周面に形成された、温度に応じて抵抗値が変化する感応膜３と、感応膜３の一部を覆うように形成された第１電極膜４ａと、感応膜３の別の一部を覆うように形成された第２電極膜４ｂと備えている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
無アルカリガラス、石英またはアルミナからなるパイプ状の基材と、
前記基材の外周面に形成された、温度に応じて抵抗値が変化する感応膜と、
前記感応膜の一部を覆うように形成された第１電極膜と、
前記感応膜の別の一部を覆うように形成された第２電極膜と、
を備えたことを特徴とする熱伝導型センサ。
【請求項２】
前記感応膜が、ＴａＡｌ−Ｎ薄膜、Ｎｉ薄膜またはＰｔ薄膜であることを特徴とする請求項１に記載の熱伝導型センサ。
【請求項３】
前記第１電極膜および前記第２電極膜が、Ａｌ薄膜、Ｃｕ薄膜、Ｎｉ薄膜またはＰｔ薄膜であることを特徴とする請求項１または２に記載の熱伝導型センサ。
【請求項４】
前記感応膜が、前記外周面の全面に形成され、
前記第１電極膜が、前記基材の一端部において前記感応膜上に形成され、
前記第２電極膜が、前記基材の他端部において前記感応膜上に形成され
ていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の熱伝導型センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、真空環境の圧力を測定するために使用される熱伝導型センサに関する。
【背景技術】
【０００２】
熱伝導型センサを利用して真空環境の圧力を測定する従来の圧力測定システムとして、例えば特許文献１に記載のものが知られている。図１１に示すように、この圧力測定システムは、熱伝導型センサ２０と該センサ２０を制御する制御回路２５とからなる。
【０００３】
熱伝導型センサ２０は、円筒状のケース２４と、ケース２４の一端を封止する絶縁体２１と、絶縁体２１を貫いてケース２４の多端近傍まで延びる端子２２ａと、絶縁体２１を貫いて延びる、端子２２ａよりも短い端子２２ｂと、端子２２ａおよび端子２２ｂの間に張られたフィラメント２３とを備えている。また、制御回路２５は、端子２２ａおよび端子２２ｂを介して電力を供給することによりフィラメント２３の温度を設定温度（一例として、２００℃）に維持するとともに、該維持に要した電力に基づいて熱伝導型センサ２０が配置された真空環境の圧力を測定する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特許第３１８８７５２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
従来の熱伝導型センサ２０では、通常、フィラメント２３として、線径数十μｍ、線長数十ｍｍの細長いタングステン（Ｗ）または白金（Ｐｔ）の合金線が使用される。また、粘性流領域で気体の対流の影響を受けたフィラメント２３が振動して測定に悪影響が生じるのを防ぐために、フィラメント２３は、端子２２ａと端子２２ｂとの間で緊張させた状態で張られている。このため、従来の熱伝導型センサ２０は、使用中または運搬中に外部から加えられた振動または衝撃によってフィラメント２３が破損し易かった。使用中にフィラメント２３が破損すると、面倒な交換作業を行う必要がある。
【０００６】
また、従来の熱伝導型センサ２０は、中間流または粘性流領域でフィラメント２３が気体の対流の影響を受けるため、取り付け方向が制限されるという問題や、フィラメント２３の線長を短くすると測定感度が低下するため、小型化して狭小領域に取り付けることができないという問題も有していた。
【０００７】
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであって、その課題とするところは、振動および衝撃に強く、かつ取り付けの自由度が高い熱伝導型センサを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明に係る熱伝導型センサは、無アルカリガラス、石英またはアルミナからなるパイプ状の基材と、前記基材の外周面に形成された、温度に応じて抵抗値が変化する感応膜と、前記感応膜の一部を覆うように形成された第１電極膜と、前記感応膜の別の一部を覆うように形成された第２電極膜とを備えたことを特徴とする。
【０００９】
上記熱伝導型センサは、前記感応膜が、ＴａＡｌ−Ｎ薄膜、Ｎｉ薄膜またはＰｔ薄膜であることが好ましい。
【００１０】
また、上記熱伝導型センサは、前記第１電極膜および前記第２電極膜が、Ａｌ薄膜、Ｃｕ薄膜、Ｎｉ薄膜またはＰｔ薄膜であることが好ましい。
【００１１】
上記熱伝導型センサの具体的な構成としては、例えば、前記感応膜が前記外周面の全面に形成され、前記第１電極膜が前記基材の一端部において前記感応膜上に形成され、前記第２電極膜が前記基材の他端部において前記感応膜上に形成された構成が考えられる。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、振動および衝撃に強く、かつ取り付けの自由度が高い熱伝導型センサを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明に係る熱伝導型センサの斜視図である。
【図２】本発明に係る熱伝導型センサの、（Ａ）正面図および（Ｂ）側面図である。
【図３】本発明に係る熱伝導型センサを利用した圧力測定システムの第１実施例を示すブロック図である。
【図４】第１実施例に係る圧力測定システムの測定フロー図である。
【図５】第１実施例に関する波形図である。
【図６】本発明に係る熱伝導型センサを利用した圧力測定システムの第２実施例を示すブロック図である。
【図７】第２実施例に係る圧力測定システムの測定フロー図である。
【図８】第２実施例に関する波形図である。
【図９】本発明に係る熱伝導型センサを利用した圧力測定システムの第３実施例を示すブロック図である。
【図１０】第３実施例に関する波形図である。
【図１１】従来の熱伝導型センサを利用した圧力測定システムの概略構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、添付図面を参照しつつ、本発明に係る熱伝導型センサの実施例について説明する。
【００１５】
［熱伝導型センサ］
図１および図２に示すように、本発明の実施例に係る熱伝導型センサ１は、パイプ状の基材２と、基材２の外周面に形成された感応膜３と、感応膜３の一部を覆うように形成された第１電極膜４ａと、感応膜３の別の一部を覆うように形成された第２電極膜４ｂとを備えている。
【００１６】
基材２は、無アルカリガラスからなる。図２に示すように、基材２の長さ、直径、肉厚は、それぞれ５ｍｍ、０．２ｍｍ、０．０２ｍｍである。なお、図２では、感応膜３、第１電極膜４ａおよび第２電極膜４ｂが厚みを有さないものとして描かれている。
【００１７】
基材２をパイプ状としたのは、体積あたりの表面積を大きくし、かつ熱容量を小さくするためである。基材２の表面積が大きくなると、熱交換に寄与する感応膜３の表面積を大きくすることができ、感度を高めることができる。また、基材２の熱容量が小さくなると、印加される電圧の変化に対する感応膜３の温度の応答性を高めることができる。
【００１８】
上記の通り、真空装置内における取り付けの自由度を高めるために、基材２は非常にサイズが小さい。実施例では、サイズが小さくても必要な機械的強度を担保することができ、しかも絶縁性を有するという理由から、基材２の材料を無アルカリガラスとした。無アルカリガラスに代わる材料としては、石英、アルミナ等がある。
【００１９】
感応膜３は、温度に応じて抵抗値が大きく変化することが必要とされる。この要求を満足する材料としては、式ＴａｘＡｌｙＮｚ（ただし、０．６７≦ｘ≦０．７、０．０１≦ｙ≦０．０２、０．２８≦ｚ≦０．３２、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）で表されるタンタル−アルミニウム複合窒化物、ＮｉおよびＰｔ等がある。実施例では、感応膜３として、厚さ１００ｎｍのＴａＡｌ−Ｎ薄膜をスパッタリングによって形成した。
【００２０】
第１電極膜４ａおよび第２電極膜４ｂは、電気伝導性が高いことが必要とされる。この要求を満足する材料としては、Ａｌ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｔ等がある。実施例では、第１電極膜４ａおよび第２電極膜４ｂとして、厚さ２００ｎｍのＡｌ薄膜をスパッタリングによって形成した。
【００２１】
感応膜３、第１電極膜４ａおよび第２電極膜４ｂは、化学気相蒸着、塗布等によって形成することもできる。また、感応膜３の膜厚は、５０ｎｍ〜５００ｎｍの範囲内で変更することができ、第１電極膜４ａおよび第２電極膜４ｂの膜厚は、１００ｎｍ〜１０００ｎｍの範囲内で変更することができる。
【００２２】
実施例では、基材２の外周面の全面に感応膜３を形成した後に、基材２の一端部２ａを覆う感応膜３上に第１電極膜４ａを形成し、基材２の他端部２ｂを覆う感応膜３上に第２電極膜４ｂを形成した。図２（Ａ）に示すように、第１電極膜４ａおよび第２電極膜４ｂは３ｍｍ離間している。図示していないが、第１電極膜４ａおよび第２電極膜４ｂには、それぞれ、後述する制御回路に接続するためのリード線が半田等の導電性接合剤によって取り付けられる。
【００２３】
この熱伝導型センサ１によれば、ＷまたはＰｔの合金線からなるフィラメントを使用しないので、振動および衝撃に強いセンサを実現することができる。また、熱伝導型センサ１によれば、体積あたりの表面積が大きく、しかも機械的強度が高い無アルカリガラス、石英またはアルミナからなるパイプ状の基材３を使用するので、小型のセンサを実現することができる。小型になれば、真空装置内における取り付けの自由度が増す。
【００２４】
［圧力測定システム］
続いて、上記熱伝導型センサ１を利用した圧力測定システムの第１〜第３実施例について説明する。
【００２５】
［第１実施例］
図３に示すように、第１実施例に係る圧力測定システムは、真空装置内に配置された熱伝導型センサ１と真空装置外に配置された制御回路１０Ａとを備えている。上記の通り、熱伝導型センサ１は、温度に応じて抵抗値が変化する感応膜３と、第１電極膜４ａと、第２電極膜４ｂとを備えている（図１参照）。また、制御回路１０Ａは、可変電圧源１１と、電流検出部１２と、制御部１３Ａと、電流−温度換算部１４Ａと、温度−圧力換算部１６Ａとを備えている。
【００２６】
可変電圧源１１の正端子は、リード線を介して熱伝導型センサ１の第１電極膜４ａに接続されている。また、可変電圧源１１の負端子は、リード線を介して熱伝導型センサ１の第２電極膜４ｂに接続されている。可変電圧源１１の負端子と第２電極膜４ｂとの間には、電流検出部１２が介装されている。
【００２７】
可変電圧源１１は、電圧パルス発生器である。可変電圧源１１は、制御部１３Ａの制御下で予め設定された電圧ＶＬおよび電圧ＶＨ（ただし、ＶＨ＞ＶＬ）をとるパルス状の電圧Ｖｓを出力する（図５（Ａ）参照）。電圧ＶＬは、感応膜３の温度に実質的に影響を与えない程度のゼロではない微小電圧に設定されている。
【００２８】
電流検出部１２は、感応膜３に流れる電流Ｉｓ（以下、「センサ電流」という）を常時または予め定められた時間おきに検出し、検出したセンサ電流Ｉｓに関する信号を電流−温度換算部１４Ａに送出する。
【００２９】
電流−温度換算部１４Ａは、感応部３の抵抗値Ｒｓと温度Ｔｓ（以下、「センサ温度」という）との対応関係を格納した第１記憶部１５Ａを有する。第１記憶部１５Ａが格納する対応関係は、抵抗値Ｒｓに対応するセンサ温度Ｔｓを求めることができるものであれば、どのような形式でもよい。本実施例では、事前に行った実験の結果に基づいて作成した対応表を対応関係として格納した。
【００３０】
電流−温度換算部１４Ａは、制御部１３Ａからの指令を受け取ったときに、可変電圧源１１の出力電圧Ｖｓ（電圧ＶＬまたは電圧ＶＨ）と電流検出部１２が検出した最新のセンサ電流Ｉｓとに基づいて感応膜３の抵抗値Ｒｓを算出する。具体的には、電流−温度換算部１４Ａは、次式により抵抗値Ｒｓを算出する。
Ｒｓ＝Ｖｓ／Ｉｓ                                      ・・・（２）
続いて、電流−温度換算部１４Ａは、第１記憶部１５Ａを参照して、算出した抵抗値Ｒｓに対応するセンサ温度Ｔｓを求める。以上のようにして、電流−温度換算部１４Ａは、センサ電流Ｉｓをセンサ温度Ｔｓに換算する。電流−温度換算部１４Ａは、電流検出部１２と協働してセンサ温度Ｔｓを測定するとも言える。電流−温度換算部１４Ａは、この換算（測定）によって得たセンサ温度Ｔｓに関する信号を温度−圧力換算部１６Ａに送出する。
【００３１】
温度−圧力換算部１６Ａは、後述する測定時間Δｔを格納した第２記憶部１７Ａを有する。温度−圧力換算部１６Ａは、電流−温度換算部１４Ａから受け取った２つのセンサ温度Ｔｓの差ΔＴと第２記憶部１７Ａに格納された測定時間Δｔとに基づいて、次式により温度変化αを求める。
α＝ΔＴ／Δｔ                                        ・・・（３）
なお、本実施例では、測定時間Δｔが５ｍｓに設定されている。
【００３２】
第２記憶部１７Ａは、さらに、温度変化αと圧力Ｐとの対応関係を格納している。第２記憶部１７Ａが格納する対応関係は、温度変化αに対応する圧力Ｐを求めることができるものであれば、どのような形式でもよい。本実施例では、事前に行った実験の結果に基づいて作成した対応表を対応関係として格納した。
【００３３】
温度−圧力換算部１６Ａは、第２記憶部１７Ａを参照し、（３）式により求めた温度変化αに対応する圧力Ｐを求める。以上のようにして、温度−圧力換算部１６Ａは、電流−温度換算部１４Ａが送出した２つのセンサ温度Ｔｓを圧力Ｐに換算する。温度−圧力換算部１６Ａは、この換算により得た圧力Ｐに関する信号を圧力測定値として出力する。
【００３４】
続いて、図４および図５を参照しつつ、第１実施例に係る圧力測定システムによる圧力測定の具体例について説明する。
【００３５】
最初に実行されるステップＳ１Ａでは、制御部１３Ａの制御下で可変電圧源１１が微小電圧ＶＬを出力する。
【００３６】
ステップＳ１Ａの次に実行されるステップＳ２Ａでは、制御部１３Ａからの指令に基づき、電流検出部１２および電流−温度換算部１４Ａが協働してセンサ温度Ｔｓを測定する。上記の通り、微小電圧ＶＬは、感応膜３の温度に実質的に影響を与えない程度の電圧である。したがって、ステップＳ２Ａにおいて測定される温度ＴＬは、雰囲気温度Ｔ０に実質的に等しい。ステップＳ２Ａは、時刻ｔ０〜ｔ１の間の任意のタイミングで実行すればよい。
【００３７】
時刻ｔ１において実行されるステップＳ３Ａでは、制御部１３Ａの制御下で可変電圧源１１が電圧ＶＨを出力する。これにより、熱伝導型センサ１の感応膜３が加熱され、センサ温度Ｔｓが上昇し始める。図５（Ｂ）および図５（Ｃ）に示すように、センサ温度Ｔｓの上昇時の傾きは、熱伝導型センサ１が配置された真空環境の圧力Ｐによって異なる。すなわち、圧力Ｐが低い場合は、気体分子の衝突により感応膜３から奪われる熱量が少ないので、センサ温度Ｔｓの傾きは大きい。一方、圧力が高い場合は、気体分子の衝突により感応膜３から奪われる熱量が多いので、センサ温度Ｔｓの傾きは小さい。
【００３８】
時刻ｔ１から測定時間Δｔが経過した時刻ｔｄにおいて実行されるステップＳ４Ａでは、制御部１３Ａからの指令に基づき、電流検出部１２および電流−温度換算部１４Ａが協働して上昇中のセンサ温度Ｔｓを測定する。上記の通り、センサ温度Ｔｓの傾きは圧力Ｐによって異なる。したがって、ステップＳ４Ａにおいて測定される温度Ｔｄも圧力Ｐによって異なる。
【００３９】
ステップＳ４Ａの次に実行されるステップＳ５Ａでは、温度−圧力換算部１６Ａが温度差ΔＴ（＝Ｔｄ−ＴＬ）を算出する。図５（Ｂ）および図５（Ｃ）から明らかなように、圧力Ｐが低い場合に算出される温度差ΔＴは、圧力Ｐが高い場合に算出される温度差ΔＴよりも大きい。
【００４０】
ステップＳ５Ａの次に実行されるステップＳ６Ａでは、温度−圧力換算部１６Ａが温度変化α（＝ΔＴ／Δｔ）を算出するとともに、第２記憶部１７Ａを参照して、算出した温度変化αに対応する圧力Ｐを求める。
【００４１】
以上のように、第１実施例に係る圧力測定システムによれば、可変電圧源１１の出力電圧Ｖｓを微小電圧ＶＬから電圧ＶＨに変化させたときに生じる、１０ｍｓという極めて短い時間における熱伝導型センサ１の温度変化αに基づいて圧力Ｐを測定するので、雰囲気温度Ｔ０の影響を実質的に受けることなく、精度の高い測定を行うことができる。
【００４２】
また、第１実施例に係る圧力測定システムによれば、可変電圧源１１が微小電圧ＶＬを出力している期間（時刻ｔ０〜ｔ１、時刻ｔ２〜）の消費電力を低減することができる。
【００４３】
なお、測定時間Δｔを極端に長くすると、その間の雰囲気温度Ｔ０の変化が無視できなくなり、測定誤差が生じる。このため、測定時間Δｔは、１ｓ以下に設定することが必須である。
【００４４】
［第２実施例］
図６に示すように、第２実施例に係る圧力測定システムは、真空装置内に配置された熱伝導型センサ１と真空装置外に配置された制御回路１０Ｂとを備えている。制御回路１０Ｂは、可変電圧源１１と、電流検出部１２と、制御部１３Ｂと、電流−温度換算部１４Ｂと、温度−圧力換算部１６Ｂとを備えている。
【００４５】
電流−温度換算部１４Ｂは、感応部３の抵抗値Ｒｓとセンサ温度Ｔｓとの対応関係を格納した第１記憶部１５Ｂを有する。第１実施例と同様にして、電流−温度換算部１４Ｂは、センサ電流Ｉｓをセンサ温度Ｔｓに換算する。
【００４６】
温度−圧力換算部１６Ｂは、測定時間Δｔおよび温度変化αと圧力ｐとの対応関係を格納した第２記憶部１７Ｂを有する。第１実施例と同様にして、温度−圧力換算部１６Ｂは、電流−温度換算部１４Ｂが送出した２つのセンサ温度Ｔｓを圧力Ｐに換算する。
【００４７】
続いて、図７および図８を参照しつつ、第２実施例に係る圧力測定システムによる圧力測定の具体例について説明する。
【００４８】
最初に実行されるステップＳ１Ｂでは、制御部１３Ｂの制御下で可変電圧源１１が電圧ＶＨを出力する（図８（Ａ）の時刻ｔ１−ｔ２参照）。
【００４９】
ステップＳ１Ｂの次に実行されるステップＳ２Ｂでは、制御部１３Ｂからの指令に基づき、電流検出部１２および電流−温度換算部１４Ｂが協働してセンサ温度Ｔｓを測定する。ステップＳ２Ｂは、センサ温度Ｔｓが電圧ＶＨに対応する温度ＴＨ（本実施例では、２５０℃）まで上昇した後に実行される。
【００５０】
時刻ｔ２において実行されるステップＳ３Ｂでは、制御部１３Ｂの制御下で可変電圧源１１が微小電圧ＶＬを出力する。これにより、感応膜３の加熱が停止され、センサ温度Ｔｓが下降し始める。図８（Ｂ）および図８（Ｃ）に示すように、センサ温度Ｔｓの下降時の傾きは、熱伝導型センサ１が配置された真空環境の圧力Ｐによって異なる。すなわち、圧力Ｐが低い場合は、気体分子の衝突により感応膜３から奪われる熱量が少ないので、センサ温度Ｔｓの傾きは小さい。一方、圧力が高い場合は、気体分子の衝突により感応膜３から奪われる熱量が多いので、センサ温度Ｔｓの傾きは大きい。
【００５１】
時刻ｔ２から測定時間Δｔが経過した時刻ｔｄにおいて実行されるステップＳ４Ｂでは、制御部１３Ｂからの指令に基づき、電流検出部１２および電流−温度換算部１４Ｂが協働して下降中のセンサ温度Ｔｓを測定する。上記の通り、センサ温度Ｔｓの傾きは圧力Ｐによって異なる。したがって、ステップＳ４Ｂにおいて測定される温度Ｔｄも圧力Ｐによって異なる。
【００５２】
ステップＳ４Ｂの次に実行されるステップＳ５Ｂでは、温度−圧力換算部１６Ｂが温度差ΔＴ（＝ＴＨ−Ｔｄ）を算出する。図８（Ｂ）および図８（Ｃ）から明らかなように、圧力Ｐが低い場合に算出される温度差ΔＴは、圧力Ｐが高い場合に算出される温度差ΔＴよりも小さい。
【００５３】
ステップＳ５Ｂの次に実行されるステップＳ６Ｂでは、温度−圧力換算部１６Ｂが温度変化α（＝ΔＴ／Δｔ）を算出するとともに、第２記憶部１７Ｂを参照して、算出した温度変化αに対応する圧力Ｐを求める。
【００５４】
第２実施例に係る圧力測定システムによれば、第１実施例と同じ作用効果が得られる。
【００５５】
［第３実施例］
図９に示すように、第３実施例に係る圧力測定システムは、真空装置内に配置された３つの熱伝導型センサ１Ａ〜１Ｃと真空装置外に配置された制御回路１０Ｃとを備えている。熱伝導型センサ１Ａ〜１Ｃは、図１に示す熱伝導型センサ１と同一の構成を有している。また、制御回路１０Ｃは、可変電圧源１１と、電流検出部１２と、制御部１３Ｃと、電流−温度換算部１４Ｃと、温度−圧力換算部１６Ｃと、切替部１８とを備えている。
【００５６】
切替部１８は、共通端子１８ａと、３つの端子１８ｃ〜１８ｅと、一端が共通端子１８ａに接続された可動片１８ｂとを有する。可動片１８ｂは、制御部１３Ｃの制御下で共通端子１８ａと端子１８ｃ〜１８ｅのいずれか１つとを接続する。
【００５７】
可変電圧源１１の正端子は、リード線によって切替部１８の共通端子１８ａに接続されている。切替部１８の端子１８ｃ〜１８ｅは、リード線によって熱伝導型センサ１Ａ〜１Ｃの第１電極膜４ａに一対一に接続されている。また、可変電圧源１１の負端子は、リード線を介して熱伝導型センサ１Ａ〜１Ｃの第２電極膜４ｂに接続されている。可変電圧源１１の負端子と第２電極膜４ｂとの間には、熱伝導型センサ１Ａ〜１Ｃのいずれかに流れるセンサ電流Ｉｓを検出する電流検出部１２が介装されている。
【００５８】
電流−温度換算部１４Ｃは、感応部３の抵抗値Ｒｓとセンサ温度Ｔｓとの対応関係を格納した第１記憶部１５Ｃを有する。第１実施例または第２実施例と同様にして、電流−温度換算部１４Ｃは、センサ電流Ｉｓをセンサ温度Ｔｓに換算する。
【００５９】
温度−圧力換算部１６Ｃは、測定時間Δｔおよび温度変化αと圧力ｐとの対応関係を格納した第２記憶部１７Ｃを有する。第１実施例または第２実施例と同様にして、温度−圧力換算部１６Ｃは、電流−温度換算部１４Ｃが送出した２つのセンサ温度Ｔｓを圧力Ｐに換算する。
【００６０】
図１０に示すように、制御部１３Ｃの制御下で切替部１８が熱伝導型センサ１Ａを選択しているときに出力電圧Ｖｓが変化すると、熱伝導型センサ１Ａのセンサ温度Ｔｓａが変化する。したがって、熱伝導型センサ１Ａが選択されているときは、熱伝導型センサ１Ａが配置された真空環境の圧力Ｐａを測定することができる。同様に、熱伝導型センサ１Ｂが選択されているときは、センサ温度Ｔｓｂの変化に基づいて熱伝導型センサ１Ｂが配置された真空環境の圧力Ｐｂを測定することができ、熱伝導型センサ１Ｃが選択されているときは、センサ温度Ｔｓｃの変化に基づいて熱伝導型センサ１Ｃが配置された真空環境の圧力Ｐｃを測定することができる。
【００６１】
第３実施例に係る圧力測定システムによれば、複数の熱伝導型センサ１Ａ〜１Ｃを１つの制御回路１０Ｃで制御することができるので、製造コストの低減およびシステムの小型化を図ることができる。また、第３実施例に係る圧力測定システムによれば、第１実施例および第２実施例と同じ作用効果もが得られる。
【００６２】
［変形例］
本発明に係る熱伝導型センサは、上記実施例に限定されるものではなく、種々の変形例が存在する。
【００６３】
（１）本発明に係る熱伝導型センサ１の制御方法は、上記の方法に限定されず、例えば、感応膜３の温度を一定に保つ定温度制御、および供給する電力を一定に保つ定電力制御でもよい。
【００６４】
（２）本発明に係る熱伝導型センサ１の基材２の寸法（長さ，直径，肉厚）は、適宜変更することができる。ただし、体積あたりの表面積を大きくし、熱容量を小さくし、かつ機械的強度を確保するという観点から、基材２の直径および肉厚は、それぞれ、０．１ｍｍ〜０．５ｍｍ、０．０１ｍｍ〜０．０５ｍｍの範囲内であることが好ましい。
【符号の説明】
【００６５】
１，１Ａ，１Ｂ，１Ｃ    熱伝導型センサ
２    基材
３    感応膜
４ａ    第１電極膜
４ｂ    第２電極膜
１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ    制御回路
１１    可変電圧源
１２    電流検出部
１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃ    制御部
１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃ    電流−温度換算部
１５Ａ，１５Ｂ，１５Ｃ    第１記憶部
１６Ａ，１６Ｂ，１６Ｃ    温度−圧力換算部
１７Ａ，１７Ｂ，１７Ｃ    第２記憶部
１８    切替部
【図１】
2016200441.tif 000003
【図２】
2016200441.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2016200441.tif 000009
【図８】
2016200441.tif 000010
【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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