(57)【要約】【課題】処理液の回収率を向上する。【解決手段】基板処理装置では、基板支持部およびトッププレート１２３がチャンバの内部に収容され、基板回転機構１５により基板９が基板支持部およびトッププレート１２３と共に回転する。基板支持部の周囲には液受け部１６が配置され、回転する基板９から径方向外方に飛散する処理液を受ける。液受け部１６にて受けられた処理液は回収ポート１６６により回収される。基板処理装置は、また、回収ポート１６６とは独立して設けられる排出ポートと、基板９を加熱する複数の加熱ノズル１８０と、トッププレート１２３の外周部近傍において雰囲気を冷却する冷却部５１とを備える。基板処理装置では、基板９とトッププレート１２３との間の空間から周囲へと拡がるガス状の処理液が、冷却部５１により冷却されて液化し、回収ポート１６６により回収される。これにより、処理液の回収率を向上することができる。【選択図】図１０
2016066685.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理する基板処理装置であって、
水平状態で基板を支持する基板支持部と、
前記基板の上面に対向して配置される遮蔽板と、
前記基板支持部および前記遮蔽板を内部に収容するチャンバと、
上下方向を向く中心軸を中心として前記基板を前記基板支持部と共に回転する基板回転機構と、
前記基板支持部の周囲に配置され、回転する前記基板から径方向外方に飛散する処理液を受ける液受け部と、
前記液受け部にて受けられた処理液を回収する回収ポートと、
前記回収ポートとは独立して設けられて前記チャンバ内のガスを排出する排出ポートと、
前記基板を加熱する加熱部と、
前記遮蔽板の外周部近傍において雰囲気を冷却する冷却部と、
を備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の基板処理装置であって、
前記加熱部が、前記基板に前記基板よりも高温の流体を供給する流体供給部であることを特徴とする基板処理装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の基板処理装置であって、
前記遮蔽板の前記外周部に、前記基板の前記上面よりも上方に位置するとともに周方向に拡がる外周開口部が設けられ、
前記冷却部が、前記外周開口部近傍において前記外周開口部に沿って周方向に設けられることを特徴とする基板処理装置。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記冷却部が、前記遮蔽板の前記外周部よりも上方から下方に向けて冷却ガスを供給する冷却ガス供給部であることを特徴とする基板処理装置。
【請求項５】
請求項４に記載の基板処理装置であって、
前記加熱部が、前記基板を加熱する加熱ガスを供給する加熱ガス供給部であり、
前記加熱ガス供給部および前記冷却ガス供給部が、加熱ガスおよび冷却ガスを生成するボルテックスチューブ型のガス供給源に接続されることを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板を処理する基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、半導体基板（以下、単に「基板」という。）の製造工程では、多種類の基板処理装置を用いて基板に対して様々な処理が施される。例えば、表面上にレジストのパターンが形成された基板に薬液を供給することにより、基板の表面に対してエッチング等の処理が行われる。また、エッチング処理の終了後、基板上のレジストを除去したり基板を洗浄する処理も行われる。
【０００３】
特許文献１の基板処理装置では、基板の上面を覆う略円板状の遮蔽板であるトッププレートが設けられる。トッププレートは、基板に薬液を供給して処理を行う際に、基板支持部に係合された状態で基板支持部と共に回転する。基板に供給された薬液は、基板の回転により径方向外方へと飛散し、カップ部により受けられて回収される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１４−４９６０５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、特許文献１のような基板処理装置では、基板を加熱しつつ薬液処理を行う場合がある。この場合、基板に供給された薬液の一部が気化またはミスト化することにより、カップ部へと飛散せず、薬液の回収率が低下する可能性がある。また、気化等した薬液が、トッププレートの外周縁から上昇してトッププレートの裏側（すなわち、上面側）へと回り込み、洗浄が難しい位置にて装置内面に付着する可能性もある。
【０００６】
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、処理液の回収率を向上することを主な目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
請求項１に記載の発明は、基板を処理する基板処理装置であって、水平状態で基板を支持する基板支持部と、前記基板の上面に対向して配置される遮蔽板と、前記基板支持部および前記遮蔽板を内部に収容するチャンバと、上下方向を向く中心軸を中心として前記基板を前記基板支持部と共に回転する基板回転機構と、前記基板支持部の周囲に配置され、回転する前記基板から径方向外方に飛散する処理液を受ける液受け部と、前記液受け部にて受けられた処理液を回収する回収ポートと、前記回収ポートとは独立して設けられて前記チャンバ内のガスを排出する排出ポートと、前記基板を加熱する加熱部と、前記遮蔽板の外周部近傍において雰囲気を冷却する冷却部とを備える。
【０００８】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の基板処理装置であって、前記加熱部が、前記基板に前記基板よりも高温の流体を供給する流体供給部である。
【０００９】
請求項３に記載の発明は、請求項１または２に記載の基板処理装置であって、前記遮蔽板の前記外周部に、前記基板の前記上面よりも上方に位置するとともに周方向に拡がる外周開口部が設けられ、前記冷却部が、前記外周開口部近傍において前記外周開口部に沿って周方向に設けられる。
【００１０】
請求項４に記載の発明は、請求項１ないし３のいずれかに記載の基板処理装置であって、前記冷却部が、前記遮蔽板の前記外周部よりも上方から下方に向けて冷却ガスを供給する冷却ガス供給部である。
【００１１】
請求項５に記載の発明は、請求項４に記載の基板処理装置であって、前記加熱部が、前記基板を加熱する加熱ガスを供給する加熱ガス供給部であり、前記加熱ガス供給部および前記冷却ガス供給部が、加熱ガスおよび冷却ガスを生成するボルテックスチューブ型のガス供給源に接続される。
【発明の効果】
【００１２】
本発明では、処理液の回収率を向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】一の実施の形態に係る基板処理装置の断面図である。
【図２】基板処理装置の断面図である。
【図３】トッププレートの底面図である。
【図４】チャンバ蓋部およびトッププレートの断面図である。
【図５】チャンバ蓋部およびトッププレートの底面図である。
【図６】気液供給部および気液排出部を示すブロック図である。
【図７】基板処理装置における処理の流れを示す図である。
【図８】基板処理装置の断面図である。
【図９】基板処理装置の断面図である。
【図１０】基板処理装置の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
図１は、本発明の一の実施の形態に係る基板処理装置１を示す断面図である。基板処理装置１は、略円板状の半導体基板９（以下、単に「基板９」という。）に処理液を供給して基板９を１枚ずつ処理する枚葉式の装置である。図１では、基板処理装置１の一部の構成の断面には、平行斜線の付与を省略している（他の断面図においても同様）。
【００１５】
基板処理装置１は、チャンバ１２と、トッププレート１２３と、チャンバ開閉機構１３１と、基板支持部１４１と、基板回転機構１５と、液受け部１６と、カバー１７と、冷却部５１とを備える。カバー１７は、チャンバ１２の上方および側方を覆う。
【００１６】
チャンバ１２は、チャンバ本体１２１と、チャンバ蓋部１２２とを備える。チャンバ１２は、上下方向を向く中心軸Ｊ１を中心とする略円筒状である。チャンバ本体１２１は、チャンバ底部２１０と、チャンバ側壁部２１４とを備える。チャンバ底部２１０は、略円板状の底中央部２１１と、底中央部２１１の外縁部から下方へと拡がる略円筒状の底内側壁部２１２と、底内側壁部２１２の下端から径方向外方へと拡がる略円環板状の環状底部２１３と、環状底部２１３の外縁部から上方へと拡がる略円筒状の底外側壁部２１５と、底外側壁部２１５の上端部から径方向外方へと拡がる略円環板状のベース部２１６とを備える。
【００１７】
チャンバ側壁部２１４は、中心軸Ｊ１を中心とする略円筒状である。チャンバ側壁部２１４は、ベース部２１６の内縁部から上方へと突出する。チャンバ側壁部２１４を形成する部材は、後述するように、液受け部１６の一部を兼ねる。以下の説明では、チャンバ側壁部２１４と底外側壁部２１５と環状底部２１３と底内側壁部２１２と底中央部２１１の外縁部とに囲まれた空間を下部環状空間２１７という。下部環状空間２１７の底部には、チャンバ１２内のガスおよび液体を排出する排出ポート２１８が設けられる。
【００１８】
基板支持部１４１に基板９が支持された場合、基板９の下面９２は、チャンバ底部２１０の底中央部２１１の上面と対向する。以下の説明では、チャンバ底部２１０の底中央部２１１を「下面対向部２１１」と呼ぶ。
【００１９】
チャンバ蓋部１２２は中心軸Ｊ１に垂直な略有蓋円筒状であり、チャンバ１２の上部を含む。チャンバ蓋部１２２は、略円板状の天蓋部２２７と、天蓋部２２７の外縁部から下方に拡がる略円筒状の蓋下筒部２２８とを備える。チャンバ蓋部１２２は、チャンバ本体１２１の上部開口を閉塞する。図１では、チャンバ蓋部１２２がチャンバ本体１２１から上方に離間した状態を示す。図２に示すように、チャンバ蓋部１２２がチャンバ本体１２１の上部開口を閉塞する際には、蓋下筒部２２８の下端部がチャンバ側壁部２１４の上部と接する。
【００２０】
図１に示すチャンバ開閉機構１３１は、チャンバ１２の可動部であるチャンバ蓋部１２２を、チャンバ１２の他の部位であるチャンバ本体１２１に対して上下方向に相対的に移動する。チャンバ開閉機構１３１は、チャンバ蓋部１２２を昇降する蓋部昇降機構である。チャンバ開閉機構１３１によりチャンバ蓋部１２２が上下方向に移動する際には、トッププレート１２３もチャンバ蓋部１２２と共に上下方向に移動する。基板処理装置１では、図２に示すように、チャンバ蓋部１２２がチャンバ本体１２１と接して上部開口を閉塞し、さらに、チャンバ蓋部１２２がチャンバ本体１２１に向かって押圧されることにより、チャンバ１２の内部空間であるチャンバ空間１２０が密閉される。
【００２１】
図１に示す基板支持部１４１は、中心軸Ｊ１を中心とする略円環状の部材である。基板支持部１４１は、チャンバ蓋部１２２とチャンバ本体１２１との間の空間であるチャンバ空間１２０に配置され、基板９の外周縁部（すなわち、外周縁を含む外周縁近傍の部位）を水平状態で下側から支持する。すなわち、基板９は、上面９１を中心軸Ｊ１に垂直に上側を向く状態で基板支持部１４１により支持される。基板支持部１４１の径方向内側には、上述の下面対向部２１１が配置される。
【００２２】
基板支持部１４１は、支持部ベース４１３と、複数の第１接触部４１１と、複数の第１係合部２４１とを備える。支持部ベース４１３は、中心軸Ｊ１を中心とする略円環板状の部材である。複数の第１接触部４１１は、中心軸Ｊ１を中心として周方向に配置される。各第１接触部４１１は、支持部ベース４１３の上面から上向きに突出する略円柱状の部材（すなわち、支持ピン）である。複数の第１接触部４１１は、基板９の外縁部を下側から支持する複数の基板支持要素である。
【００２３】
複数の第１係合部２４１は、基板９の外周縁よりも径方向外側にて、中心軸Ｊ１を中心として周方向に配置される。各第１係合部２４１は、支持部ベース４１３の上面から上向きに突出する略円柱状の部材（すなわち、係合ピン）である。複数の第１係合部２４１は、後述するように、トッププレート１２３と基板支持部１４１との連結に利用される。複数の第１係合部２４１は、トッププレート１２３と基板支持部１４１とを連結する複数の連結要素である。複数の第１係合部２４１は、複数の第１接触部４１１と周方向において異なる位置に配置される。図１に示す例では、６個の第１接触部４１１と、３個の第１係合部２４１とが支持部ベース４１３上に設けられる。
【００２４】
図３は、トッププレート１２３を示す底面図である。図３では、基板９を二点鎖線にて併せて示し、また、後述する外周開口部２３６に平行斜線を付す。図１ないし図３に示すように、トッププレート１２３は、中心軸Ｊ１に垂直な略円環板状である。トッププレート１２３は、密閉空間であるチャンバ空間１２０に収容され、チャンバ蓋部１２２の下方、かつ、基板支持部１４１の上方に配置される。トッププレート１２３は中央に開口を有する。図２に示すように、基板支持部１４１に支持された基板９の上面９１は、チャンバ空間１２０において、中心軸Ｊ１に垂直なトッププレート１２３の下面３１２と対向する。トッププレート１２３は、基板９の上方を遮蔽する遮蔽板である。トッププレート１２３の直径は、基板９の直径よりも大きく、トッププレート１２３の外周縁は、基板９の外周縁よりも全周に亘って径方向外側に位置する。
【００２５】
図４は、チャンバ蓋部１２２およびトッププレート１２３の一部を拡大して示す断面図である。図４では、後述する第２係合部２４２および第２接触部４２１が配置されていない断面を示す。図１、図３および図４に示すように、トッププレート１２３は、プレート本体部２３４と、プレート庇部２３５と、基板押さえ部１４２と、連結部２３３と、被保持部２３７とを備える。プレート本体部２３４は、中心軸Ｊ１に略垂直な略円環板状の部材であり、基板９の上面９１の上方を覆う上述の下面３１２を有する。
【００２６】
プレート庇部２３５は、プレート本体部２３４の外周縁から径方向外方かつ下方に向かって拡がる環状かつ板状の傾斜部である。すなわち、プレート庇部２３５はトッププレート１２３の外周部である。プレート庇部２３５の外側面および内側面は、中心軸Ｊ１から径方向に離れるに従って下方に向かう傾斜面であり、中心軸Ｊ１を中心とする略円錐面の一部である。プレート本体部２３４とプレート庇部２３５とは一繋がりの部材である。プレート本体部２３４およびプレート庇部２３５は、例えば、比較的高い耐薬品性を有する樹脂により形成される。プレート本体部２３４およびプレート庇部２３５は、例えば、テフロン（登録商標）等のフッ素系樹脂により形成される。
【００２７】
図３および図４に示すように、プレート庇部２３５には、複数の外周開口部２３６が設けられる。各外周開口部２３６は、中心軸Ｊ１を中心とする周方向に拡がるスリット状である。複数の外周開口部２３６は、中心軸Ｊ１を中心とする周方向の略全周に亘って設けられる。複数の外周開口部２３６は、好ましくは、プレート庇部２３５の上端部（すなわち、プレート庇部２３５とプレート本体部２３４との境界近傍）に設けられる。図３に示す例では、プレート庇部２３５の上端部に３つの外周開口部２３６が設けられる。トッププレート１２３では、周方向に隣接する各２つの外周開口部２３６の間にて、プレート本体部２３４とプレート庇部２３５とが連続する。プレート本体部２３４とプレート庇部２３５との当該連続部は、例えば、複数の第２係合部２４２（後述）と径方向において重なる位置に設けられる。
【００２８】
基板押さえ部１４２は、図２に示すように、基板９の外周縁部（すなわち、外周縁を含む外周縁近傍の部位）にて基板９を上側から押さえる。図１ないし図３に示すように、基板押さえ部１４２は、複数の第２接触部４２１を備える。複数の第２接触部４２１は、中心軸Ｊ１を中心として周方向に配置される。各第２接触部４２１は、プレート本体部２３４の下面３１２から下向きに突出する略円柱状の部材（すなわち、押さえピン）である。複数の第２接触部４２１は、基板９の外周縁部を上側から押さえる複数の基板押さえ要素である。図１および図２では、図示の都合上、第２接触部４２１と第１接触部４１１とを同一断面上に描いているが、実際には、複数の第２接触部４２１は、複数の第１接触部４１１と周方向において異なる位置に配置される。以下の説明では、基板支持部１４１と基板押さえ部１４２とを合わせて「基板保持部」とも呼ぶ。
【００２９】
連結部２３３は、図２に示すように、基板９の外周縁よりも径方向外側にて基板支持部１４１に連結される。これにより、トッププレート１２３が基板支持部１４１に連結される。図１ないし図３に示すように、連結部２３３は、複数の連結要素である第２係合部２４２を備える。複数の第２係合部２４２は、基板９の外周縁よりも径方向外側にて、中心軸Ｊ１を中心として周方向に配置される。各第２係合部２４２は、プレート本体部２３４の下面３１２から下向きに突出する略円柱状の部材（すなわち、係合ピン）である。各第２係合部２４２の下端面には、上方に向かって窪む凹部が設けられる。図２に示すように、第２係合部２４２の当該凹部に第１係合部２４１の上端部が嵌合することにより、トッププレート１２３が基板支持部１４１に連結される。複数の第２係合部２４２は、複数の第２接触部４２１と周方向において異なる位置に配置される。図３に示す例では、１２個の第２接触部４２１と、第２接触部４２１よりも少ない３個の第２係合部２４２とがトッププレート１２３に設けられる。
【００３０】
図４に示すように、被保持部２３７は、プレート本体部２３４の上面３１１から上向きに突出する。図４に示す状態では、トッププレート１２３は、被保持部２３７がチャンバ蓋部１２２により吊り下げられることにより支持される。チャンバ蓋部１２２は、中央部に略環状のプレート保持部２２２を有する。プレート保持部２２２は、中心軸Ｊ１を中心とする略円筒状の筒部２２３と、中心軸Ｊ１を中心とする略円環板状のフランジ部２２４とを備える。フランジ部２２４は、筒部２２３の下端から径方向内方へと拡がる。
【００３１】
被保持部２３７は、複数の被保持要素２３７ａを備える。複数の被保持要素２３７ａは、中心軸Ｊ１を中心とする周方向に略等角度間隔にて配置される。各被保持要素２３７ａは、プレート本体部２３４から上側に延びる支柱部２３８と、支柱部２３８の上端から径方向外方に延びるフランジ部２３９とを備える。支柱部２３８は、プレート保持部２２２の筒部２２３の径方向内側に位置する。フランジ部２３９は、プレート保持部２２２のフランジ部２２４の上方に位置し、フランジ部２２４と上下方向に対向する。被保持部２３７のフランジ部２３９の下面が、プレート保持部２２２のフランジ部２２４の上面に接することにより、トッププレート１２３が、チャンバ蓋部１２２から吊り下がるようにチャンバ蓋部１２２に取り付けられる。
【００３２】
図５は、トッププレート１２３およびチャンバ蓋部１２２を示す底面図である。図４および図５に示すように、トッププレート１２３のプレート庇部２３５の上方では、冷却部５１がチャンバ蓋部１２２の天蓋部２２７に取り付けられる。冷却部５１は、チャンバ空間１２０において、プレート庇部２３５よりも上方から下方に向けて冷却されたガス（以下、「冷却ガス」という。）を供給する冷却ガス供給部である。冷却部５１は、例えば、各外周開口部２３６に沿ってチャンバ蓋部１２２に固定された複数の冷却ガスノズル５２を備える。図４および図５に示す例では、３個の外周開口部２３６に沿って、１８個の冷却ガスノズル５２が周方向のおよそ全周に亘って略等角度間隔にて配列される。基板処理装置１では、外周開口部２３６近傍において外周開口部２３６に沿って周方向に設けられる冷却部５１から冷却ガスが供給されることにより、トッププレート１２３のプレート庇部２３５近傍（すなわち、外周開口部２３６近傍）における雰囲気が冷却される。
【００３３】
図１に示す基板回転機構１５は、いわゆる中空モータである。基板回転機構１５は、中心軸Ｊ１を中心とする環状のステータ部１５１と、環状のロータ部１５２とを備える。ロータ部１５２は、略円環状の永久磁石を含む。永久磁石の表面は、例えば、ＰＴＦＥ樹脂にてモールドされる。ロータ部１５２は、チャンバ１２のチャンバ空間１２０において下部環状空間２１７内に配置される。ロータ部１５２の上部には、接続部材を介して基板支持部１４１の支持部ベース４１３が取り付けられる。支持部ベース４１３は、ロータ部１５２の上方に配置される。
【００３４】
ステータ部１５１は、チャンバ１２外においてロータ部１５２の周囲に配置される。換言すれば、ステータ部１５１は、チャンバ空間１２０の外側においてロータ部１５２の径方向外側に配置される。本実施の形態では、ステータ部１５１は、チャンバ底部２１０の底外側壁部２１５およびベース部２１６に固定され、液受け部１６の下方に位置する。ステータ部１５１は、中心軸Ｊ１を中心とする周方向に配列された複数のコイルを含む。
【００３５】
ステータ部１５１に電流が供給されることにより、ステータ部１５１とロータ部１５２との間に、中心軸Ｊ１を中心とする回転力が発生する。これにより、ロータ部１５２が、中心軸Ｊ１を中心として水平状態で回転する。ステータ部１５１とロータ部１５２との間に働く磁力により、ロータ部１５２は、チャンバ１２内において直接的にも間接的にもチャンバ１２に接触することなく浮遊し、中心軸Ｊ１を中心として基板９を基板支持部１４１と共に浮遊状態にて回転する。図２に示すように、トッププレート１２３が基板支持部１４１に連結されている状態では、基板回転機構１５により、基板９が基板支持部１４１およびトッププレート１２３と共に中心軸Ｊ１を中心として回転する。
【００３６】
図１に示すように、液受け部１６は、カップ部１６１と、カップ部移動機構１６２と、カップ対向部１６３と、外側壁部１６４とを備える。カップ部１６１は中心軸Ｊ１を中心とする環状であり、チャンバ１２の径方向外側に全周に亘って位置する。カップ部移動機構１６２はカップ部１６１を上下方向に移動する。換言すれば、カップ部移動機構１６２は、カップ部１６１をチャンバ本体１２１に対して上下方向に相対的に移動する。カップ部移動機構１６２は、カップ部１６１の径方向外側に配置される。カップ部移動機構１６２は、上述のチャンバ開閉機構１３１と周方向に異なる位置に配置される。カップ対向部１６３は、カップ部１６１の下方に位置し、カップ部１６１と上下方向に対向する。カップ対向部１６３は、チャンバ側壁部２１４を形成する部材の一部である。カップ対向部１６３は、チャンバ側壁部２１４の径方向外側に位置する環状の液受け凹部１６５を有する。液受け凹部１６５の底部には、液受け部１６のカップ部１６１等にて受けられた処理液を回収する回収ポート１６６が設けられる。上述の排出ポート２１８は、当該回収ポート１６６とは独立して設けられる。
【００３７】
カップ部１６１は、カップ側壁部６１１と、カップ上面部６１２とを備える。カップ側壁部６１１は、中心軸Ｊ１を中心とする略円筒状である。カップ上面部６１２は、中心軸Ｊ１を中心とする略円環板状であり、カップ側壁部６１１の上端部から径方向内方および径方向外方へと拡がる。図１に示す状態では、カップ側壁部６１１の下部は、カップ対向部１６３の液受け凹部１６５内に位置する。
【００３８】
外側壁部１６４は、中心軸Ｊ１を中心とする略円筒状であり、上下方向に伸縮可能である。図１に示す例では、外側壁部１６４は、それぞれが周状の複数の山折り線とそれぞれが周状の複数の谷折り線とが上下方向に交互に並ぶベローズである。以下の説明では、外側壁部１６４を「ベローズ１６４」と呼ぶ。ベローズ１６４は、チャンバ側壁部２１４およびカップ側壁部６１１の径方向外側に位置し、チャンバ側壁部２１４およびカップ側壁部６１１の周囲に全周に亘って設けられる。ベローズ１６４は、気体や液体を通過させない材料にて形成される。
【００３９】
ベローズ１６４の上端部は、カップ部１６１のカップ上面部６１２の外縁部下面に全周に亘って接続される。換言すれば、ベローズ１６４の上端部は、カップ上面部６１２を介してカップ側壁部６１１に間接的に接続される。ベローズ１６４とカップ上面部６１２との接続部はシールされており、気体や液体の通過が防止される。ベローズ１６４の下端部は、カップ対向部１６３を介してチャンバ本体１２１に間接的に接続される。ベローズ１６４の下端部とカップ対向部１６３との接続部でも、気体や液体の通過が防止される。ベローズ１６４は、カップ部移動機構１６２によるカップ部１６１の移動（すなわち、カップ部１６１のチャンバ本体１２１に対する相対移動）に追随して変形し、上下方向の高さが変更される。
【００４０】
チャンバ蓋部１２２の中央には、中心軸Ｊ１を中心とする略円柱状の上部ノズル１８１が取り付けられる。上部ノズル１８１は、基板９の上面９１の中央部に対向してチャンバ蓋部１２２に固定される。上部ノズル１８１は、トッププレート１２３の中央の開口に挿入可能である。チャンバ底部２１０の下面対向部２１１の中央には、下部ノズル１８２が取り付けられる。下部ノズル１８２は、中央に液吐出口を有し、基板９の下面９２の中央部と対向する。
【００４１】
下面対向部２１１には、複数の加熱ノズル１８０がさらに取り付けられる。複数の加熱ノズル１８０は、例えば、中心軸Ｊ１を中心とする周方向におよそ等角度間隔にて配置される。複数の加熱ノズル１８０は、基板９に向けて基板９よりも高温の流体を供給する流体供給部であり、基板９を加熱する加熱部でもある。図１に示す例では、加熱ノズル１８０から基板９に向けて加熱されたガス（以下、「加熱ガス」という。）が供給される。換言すれば、加熱ノズル１８０は、基板９を加熱する加熱ガスを供給する加熱ガス供給部である。加熱ノズル１８０からは、例えば、加熱された液体、または、加熱されたガスと液体との混合流体が供給されてもよい。
【００４２】
図６は、気液供給部１８および気液排出部１９を示すブロック図である。気液供給部１８は、上述の上部ノズル１８１、下部ノズル１８２、加熱ノズル１８０および冷却部５１の複数の冷却ガスノズル５２に加えて、薬液供給源１８３と、純水供給源１８４と、ＩＰＡ供給源１８５と、第１ガス供給源１８８と、第２ガス供給源１８７とを備える。これらの供給源は、基板処理装置１に設けられてもよく、基板処理装置１の外部に設けられてもよい。
【００４３】
薬液供給源１８３は、弁を介して上部ノズル１８１に接続される。純水供給源１８４およびＩＰＡ供給源１８５も、それぞれ弁を介して上部ノズル１８１に接続される。第１ガス供給源１８８も、弁を介して上部ノズル１８１に接続される。下部ノズル１８２は、弁を介して純水供給源１８４に接続される。複数の加熱ノズル１８０は、弁を介して第２ガス供給源１８７に接続される。複数の冷却ガスノズル５２も、弁を介して第２ガス供給源１８７に接続される。
【００４４】
液受け部１６の液受け凹部１６５に設けられた回収ポート１６６には第１排出路１９１が接続され、第１排出路１９１は気液分離部１９３に接続される。気液分離部１９３は、外側排気部１９４、薬液回収部１９５および排液部１９６にそれぞれ弁を介して接続される。チャンバ本体１２１に設けられた排出ポート２１８には第２排出路１９２が接続され、第２排出路１９２は気液分離部１９７に接続される。気液分離部１９７は、内側排気部１９８および排液部１９９にそれぞれ弁を介して接続される。気液供給部１８および気液排出部１９の各構成は、制御部１０により制御される。チャンバ開閉機構１３１、基板回転機構１５およびカップ部移動機構１６２（図１参照）も制御部１０により制御される。
【００４５】
薬液供給源１８３から上部ノズル１８１に供給された薬液は、上部ノズル１８１の先端の吐出口から基板９の上面９１の中央部に向けて吐出される。薬液供給源１８３から上部ノズル１８１を介して基板９に供給される薬液は、例えば、化学反応を利用して基板を処理する処理液であり、ポリマー除去液、あるいは、フッ酸や水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液等のエッチング液である。
【００４６】
純水供給源１８４は、上部ノズル１８１および下部ノズル１８２を介して基板９に純水（ＤＩＷ：deionized water）を供給する。純水供給源１８４から上部ノズル１８１に供給された純水は、上部ノズル１８１の先端の吐出口から、基板９の上面９１の中央部に向けて吐出される。純水供給源１８４から下部ノズル１８２に供給された純水は、下部ノズル１８２の先端の吐出口から基板９の下面９２の中央部に向けて吐出される。ＩＰＡ供給源１８５から上部ノズル１８１に供給されたイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）は、上部ノズル１８１の先端の吐出口から基板９の上面９１の中央部に向けて吐出される。
【００４７】
上述の薬液、純水およびＩＰＡをまとめて処理液と呼ぶと、薬液供給源８１３、純水供給源８１４、ＩＰＡ供給源８１５および上部ノズル１８１は、基板９の上面９１に処理液を供給する処理液供給部に含まれる。基板処理装置１では、上記薬液、純水およびＩＰＡ以外の処理液を供給する他の供給源が、当該処理液供給部に含まれてもよい。
【００４８】
第１ガス供給源１８８は、上部ノズル１８１を介して基板９の上面９１にガスを供給する。図６に示す例では、例えば、窒素（Ｎ２）ガスのような不活性ガスが、上部ノズル１８１の先端の噴出口から供給される。当該噴出口は、例えば、上述の上部ノズル１８１の吐出口の周囲に配置される。
【００４９】
第２ガス供給源１８７は、ボルテックスチューブ型のガス供給源である。第２ガス供給源１８７では、ボルテックスチューブ内に供給された圧縮ガスが高速回転することにより、当該圧縮ガスが比較的低温の冷却ガスと比較的高温の加熱ガスとに分離される。第２ガス供給源１８７では、例えば、約−１０℃（約摂氏−１０度）の冷却ガスと、約１２８℃（約摂氏１２８度）の加熱ガスとが生成される。第２ガス供給源１８７にて生成された冷却ガスは、冷却部５１の複数の冷却ガスノズル５２へと供給され、複数の冷却ガスノズル５２から、プレート庇部２３５および複数の外周開口部２３６（図３および図４参照）に向けて噴出される。第２ガス供給源１８７にて生成された加熱ガスは、加熱部である複数の加熱ノズル１８０へと供給され、複数の加熱ノズル１８０から基板９の下面９２に向けて噴出される。図６に示す例では、例えば、窒素（Ｎ２）ガスのよう不活性ガスが、冷却ガスノズル５２および加熱ノズル１８０から供給される。なお、加熱ノズル１８０から加熱された不活性ガスを供給する場合、基板処理装置１における防爆対策は簡素化可能または不要である。
【００５０】
図７は、基板処理装置１における基板９の処理の流れを示す図である。基板処理装置１では、図１に示すように、チャンバ蓋部１２２がチャンバ本体１２１から離間して上方に位置し、カップ部１６１がチャンバ蓋部１２２から離間して下方に位置する状態にて、基板９が外部の搬送機構によりチャンバ１２内に搬入され、基板支持部１４１により下側から支持される（ステップＳ１１）。以下、図１に示すチャンバ１２およびカップ部１６１の状態を「オープン状態」と呼ぶ。チャンバ蓋部１２２とチャンバ側壁部２１４との間の開口は、中心軸Ｊ１を中心とする環状であり、以下、「環状開口８１」という。基板処理装置１では、チャンバ蓋部１２２がチャンバ本体１２１から離間することにより、基板９の周囲（すなわち、径方向外側）に環状開口８１が形成される。ステップＳ１１では、基板９は環状開口８１を介して搬入される。
【００５１】
基板９が搬入されると、カップ部１６１が、図１に示す位置から図８に示す位置まで上昇し、環状開口８１の径方向外側に全周に亘って位置する。以下の説明では、図８に示すチャンバ１２およびカップ部１６１の状態を「第１密閉状態」という。また、図８に示すカップ部１６１の位置を「液受け位置」といい、図１に示すカップ部１６１の位置を「退避位置」という。カップ部移動機構１６２は、カップ部１６１を、環状開口８１の径方向外側の液受け位置と、液受け位置よりも下方の退避位置との間で上下方向に移動する。図８に示すように、液受け位置では、液受け部１６のカップ部１６１は、基板９および基板支持部１４１の周囲に全周に亘って配置される。
【００５２】
液受け位置に位置するカップ部１６１では、カップ側壁部６１１が、環状開口８１と径方向に対向する。また、カップ上面部６１２の内縁部の上面が、チャンバ蓋部１２２の外縁部下端のリップシール２５２に全周に亘って接する。チャンバ蓋部１２２とカップ部１６１のカップ上面部６１２との間には、気体や液体の通過を防止するシール部が形成される。これにより、チャンバ本体１２１、チャンバ蓋部１２２および液受け部１６（具体的には、カップ部１６１、ベローズ１６４およびカップ対向部１６３）により囲まれる密閉された空間（以下、「拡大密閉空間１００」という。）が形成される。拡大密閉空間１００は、チャンバ蓋部１２２とチャンバ本体１２１との間のチャンバ空間１２０と、カップ部１６１とカップ対向部１６３との間の側方空間１６０とが、環状開口８１を介して連通することにより形成された１つの空間である。
【００５３】
第１密閉状態では、基板押さえ部１４２の複数の第２接触部４２１が基板９の外縁部に接触する。トッププレート１２３の下面３１２、および、基板支持部１４１の支持部ベース４１３上には、上下方向にて対向する複数対の磁石（図示省略）が設けられる。以下、各対の磁石を「磁石対」ともいう。基板処理装置１では、複数の磁石対が、周方向において第１接触部４１１、第２接触部４２１、第１係合部２４１および第２係合部２４２とは異なる位置に、等角度間隔にて配置される。基板押さえ部１４２が基板９に接触している状態では、磁石対の間に働く磁力（引力）により、トッププレート１２３に下向きの力が働く。これにより、基板押さえ部１４２が基板９を基板支持部１４１へと押圧する。
【００５４】
基板処理装置１では、基板押さえ部１４２が、トッププレート１２３の自重、および、磁石対の磁力により基板９を基板支持部１４１へと押圧することにより、基板９を基板押さえ部１４２と基板支持部１４１とで上下から挟んで強固に保持することができる。基板９を強固に保持できるのであれば、上記磁石対は省略されてもよい。
【００５５】
第１密閉状態では、被保持部２３７のフランジ部２３９が、プレート保持部２２２のフランジ部２２４の上方に離間しており、プレート保持部２２２と被保持部２３７とは接触しない。換言すれば、プレート保持部２２２によるトッププレート１２３の保持が解除されている。このため、トッププレート１２３は、チャンバ蓋部１２２から独立して、基板保持部（すなわち、基板支持部１４１および基板押さえ部１４２）に保持された基板９および基板保持部と共に、基板回転機構１５により回転する。
【００５６】
また、第１密閉状態では、第２係合部２４２の下端部の凹部に第１係合部２４１の上端部が嵌合する。これにより、トッププレート１２３は、中心軸Ｊ１を中心とする周方向において基板支持部１４１の支持部ベース４１３と係合する。換言すれば、第１係合部２４１および第２係合部２４２は、トッププレート１２３の基板支持部１４１に対する回転方向における相対位置を規制する（すなわち、周方向における相対位置を固定する）位置規制部材である。チャンバ蓋部１２２が下降する際には、第１係合部２４１と第２係合部２４２とが嵌合するように、基板回転機構１５により支持部ベース４１３の回転位置が制御される。
【００５７】
図９は、図８の基板処理装置１の一部を拡大して示す図である。図９に示すように、トッププレート１２３のプレート本体部２３４は、基板支持部１４１に支持された基板９の上面９１を覆い、プレート庇部２３５は、基板９の外周縁部近傍において基板９の上面９１よりも上方に位置する。したがって、プレート庇部２３５に設けられた複数の外周開口部２３６も、基板９の上面９１よりも上方に位置する。
【００５８】
続いて、基板回転機構１５により一定の回転数（比較的低い回転数であり、以下、「定常回転数」という。）での基板９の回転が開始される。次に、回転する基板９の下面９２に向けて、複数の加熱ノズル１８０から加熱ガスが噴出される。これにより、基板９が加熱される。また、冷却部５１の複数の冷却ガスノズル５２から冷却ガスが噴出される。これにより、トッププレート１２３のプレート庇部２３５近傍において雰囲気が冷却される。さらに、外側排気部１９４および内側排気部１９８（図６参照）により、回収ポート１６６および排出ポート２１８を介して、拡大密閉空間１００内のガスの排出が開始される。
【００５９】
そして、回転する基板９の上面９１の中央部に向けて上部ノズル１８１から薬液の供給が開始される（ステップＳ１２）。基板９の上面９１への薬液吐出は、基板９の中央部にのみ行われ、中央部以外の部位には行われない。上部ノズル１８１からの薬液は、回転する基板９の上面９１に、例えば連続的に供給される。上面９１上の薬液は、基板９の回転により基板９の外周部へと拡がり、上面９１全体が薬液により被覆される。
【００６０】
上部ノズル１８１からの薬液の供給中は、加熱ノズル１８０からの加熱ガスの噴出が継続される。これにより、基板９をおよそ所望の温度に加熱しつつ、薬液による上面９１に対する薬液処理（例えば、ポリマー除去処理やエッチング処理）が行われる。その結果、基板９に対する薬液処理の均一性を向上することができる。トッププレート１２３の下面３１２は基板９の上面９１に近接しているため、基板９に対する薬液処理は、トッププレート１２３の下面３１２と基板９の上面９１との間の極めて狭い空間において行われる。当該空間には、上部ノズル１８１から不活性ガスが供給されている。このため、基板９に対する薬液処理を低酸素雰囲気にて行うことができる。
【００６１】
拡大密閉空間１００では、図１０に示すように、回転する基板９の上面９１から径方向外方に飛散する薬液９３が、環状開口８１を介して液受け部１６へと流入する。図１０では図示を省略するが、基板９から径方向外方に飛散して液受け部１６へと流入する薬液９３の一部は、カップ部１６１の内周面にて受けられる。液受け部１６にて受けられた薬液９３は、液受け凹部１６５へと導かれる。液受け凹部１６５へと導かれた薬液９３は、回収ポート１６６により回収されて気液分離部１９３（図６参照）に流入する。気液分離部１９３に流入した薬液９３は、薬液回収部１９５により回収され、フィルタ等を介して不純物等が除去された後、再利用される。
【００６２】
上述のように、基板９は加熱ノズル１８０から供給される加熱ガスにより加熱されているため、基板９の上面９１上の薬液９３も加熱され、当該薬液９３の一部が気化する。ガス状の薬液は、基板９とトッププレート１２３との間の空間において、上部ノズル１８１から供給される不活性ガスと共に径方向外方へと移動する。そして、複数の外周開口部２３６、および、プレート庇部２３５の外周縁（すなわち、トッププレート１２３の外周縁）からトッププレート１２３の周囲へと拡がる。なお、液状の薬液は外周開口部２３６には到達せず、外周開口部２３６よりも下方を通過する。トッププレート１２３の周囲に拡がったガス状の薬液は、冷却部５１の複数の冷却ガスノズル５２から供給される冷却ガスにより冷却されることにより、凝縮して液状となる（すなわち、液化する。）。当該液状の薬液は、基板９から径方向外方に飛散する液状の薬液９３と共に液受け部１６へと流入して回収ポート１６６により回収される。
【００６３】
また、基板９とトッププレート１２３との間の空間では、薬液の一部がミスト状になって雰囲気中を浮遊する。ミスト状の薬液も、上部ノズル１８１から供給される不活性ガスと共に径方向外方へと移動する。そして、複数の外周開口部２３６、および、プレート庇部２３５の外周縁からトッププレート１２３の周囲へと拡がる。トッププレート１２３の周囲に拡がったミスト状の薬液は、複数の冷却ガスノズル５２により上方から下方に向けて供給される冷却ガスにより、下方へと移動する。当該ミスト状の薬液も、基板９から径方向外方に飛散する液状の薬液９３と共に液受け部１６へと流入して回収ポート１６６により回収される。
【００６４】
上部ノズル１８１からの薬液の供給開始から所定時間（例えば、６０〜１２０秒）経過すると、上部ノズル１８１からの薬液の供給、冷却ガスノズル１９０からの冷却ガスの供給、および、加熱ノズル１８０からの加熱ガスの供給が停止される。そして、基板回転機構１５により、所定時間（例えば、１〜３秒）だけ基板９の回転数が定常回転数よりも高くされ、基板９から薬液が除去される。
【００６５】
続いて、チャンバ蓋部１２２およびカップ部１６１が同期して下方へと移動する。そして、図２に示すように、チャンバ蓋部１２２の外縁部下端のリップシール２５１が、チャンバ側壁部２１４の上部と接することにより、環状開口８１が閉じられ、チャンバ空間１２０が、側方空間１６０と隔絶された状態で密閉される。カップ部１６１は、図１と同様に、退避位置に位置する。以下、図２に示すチャンバ１２およびカップ部１６１の状態を「第２密閉状態」という。第２密閉状態では、基板９は、チャンバ１２の内壁と直接対向し、これらの間に他の液受け部は存在しない。
【００６６】
第２密閉状態でも、第１密閉状態と同様に、基板押さえ部１４２が基板９を基板支持部１４１へと押圧することにより、基板９が、基板押さえ部１４２と基板支持部１４１とで上下から挟まれて強固に保持される。また、プレート保持部２２２によるトッププレート１２３の保持が解除されており、トッププレート１２３は、チャンバ蓋部１２２から独立して基板支持部１４１に連結され、基板支持部１４１および基板９と共に回転する。
【００６７】
チャンバ空間１２０が密閉されると、外側排気部１９４（図６参照）によるガスの排出が停止され、排出ポート２１８を介した内側排気部１９８によるチャンバ空間１２０内のガスの排出は維持される。そして、純水供給源１８４から基板９への純水の供給が開始される（ステップＳ１３）。
【００６８】
純水供給源１８４からの純水は、上部ノズル１８１から基板９の上面９１の中央部に連続的に供給される。また、純水供給源１８４からの純水は、下部ノズル１８２から基板９の下面９２の中央部にも連続的に供給される。上部ノズル１８１および下部ノズル１８２から吐出される純水は、洗浄液として基板９に供給される。
【００６９】
純水は、基板９の回転により上面９１および下面９２の外周部へと拡がり、基板９の外周縁から径方向外方へと飛散する。基板９から飛散する純水は、チャンバ１２の内壁（すなわち、チャンバ蓋部１２２およびチャンバ側壁部２１４の内壁）にて受けられ、排出ポート２１８、第２排出路１９２、気液分離部１９７および排液部１９９（図６参照）を介して廃棄される（後述する基板９の乾燥処理においても同様）。これにより、チャンバ空間１２０において、純水による基板９に対する洗浄処理と共に、チャンバ１２内の洗浄も実質的に行われる。
【００７０】
純水の供給開始から所定時間経過すると、純水供給源１８４からの純水の供給が停止される。そして、複数の加熱ノズル１８０から、基板９の下面９２に向けて、加熱ガスが噴出される。これにより、基板９が加熱される。
【００７１】
続いて、上部ノズル１８１から基板９の上面９１上にＩＰＡが供給され、上面９１上において純水がＩＰＡに置換される（ステップＳ１４）。ＩＰＡの供給開始から所定時間経過すると、ＩＰＡ供給源１８５からのＩＰＡの供給が停止される。その後、加熱ノズル１８０からの加熱ガスの噴出が継続された状態で、基板９の回転数が定常回転数よりも十分に高くされる。これにより、ＩＰＡが基板９上から除去され、基板９の乾燥処理が行われる（ステップＳ１５）。基板９の乾燥開始から所定時間経過すると、基板９の回転が停止される。基板９の乾燥処理は、内側排気部１９８によりチャンバ空間１２０が減圧され、大気圧よりも低い減圧雰囲気にて行われてもよい。
【００７２】
その後、チャンバ蓋部１２２とトッププレート１２３が上昇して、図１に示すように、チャンバ１２がオープン状態となる。ステップＳ１５では、トッププレート１２３が基板支持部１４１と共に回転するため、トッププレート１２３の下面３１２に液体はほとんど残存しない。このため、チャンバ蓋部１２２の上昇時にトッププレート１２３から液体が基板９上に落下することはない。基板９は外部の搬送機構によりチャンバ１２から搬出される（ステップＳ１６）。
【００７３】
以上に説明したように、基板処理装置１では、基板支持部１４１および遮蔽板であるトッププレート１２３がチャンバ１２の内部に収容され、基板回転機構１５により基板９が基板支持部１４１と共に回転する。基板支持部１４１の周囲には液受け部１６が配置され、回転する基板９から径方向外方に飛散する処理液を受ける。液受け部１６にて受けられた処理液は回収ポート１６６により回収される。基板処理装置１は、また、回収ポート１６６とは独立して設けられる排出ポート２１８と、基板９を加熱する加熱部である複数の加熱ノズル１８０と、トッププレート１２３の外周部近傍において雰囲気を冷却する冷却部５１とを備える。
【００７４】
基板処理装置１では、基板９とトッププレート１２３との間の空間から周囲へと拡がるガス状の処理液が、冷却部５１により冷却されて液化し、回収ポート１６６により回収される。これにより、ガス状の処理液が排出ポート２１８により排出されて回収率が低下することを防止し、処理液の回収率を向上することができる。また、ガス状の処理液が、トッププレート１２３の裏側（すなわち、トッププレート１２３の上方）へと回り込んで、トッププレート１２３の上面３１１やチャンバ蓋部１２２に付着することを抑制することができる。
【００７５】
上述のように、冷却部５１は、トッププレート１２３の外周部よりも上方から下方に向けて冷却ガスを供給する冷却ガス供給部である。このため、トッププレート１２３の周囲に冷却雰囲気を容易に生成することができ、ガス状の処理液を効率良く凝縮することができる。また、ガス状の処理液を冷却ガスと共に下方に導くことができるため、ガス状の処理液がトッププレート１２３の上方へと回り込むことを、より一層抑制することができる。さらに、ミスト状の処理液が、基板９とトッププレート１２３との間の空間から周囲へと拡がる場合、ミスト状の処理液を冷却ガスと共に下方に導き、回収ポート１６６により回収することができる。これにより、処理液の回収率をさらに向上することができるとともに、ミスト状の処理液がトッププレート１２３の上方へと回り込むことを抑制することができる。
【００７６】
基板処理装置１では、周方向に拡がる外周開口部２３６がトッププレート１２３の外周部に設けられ、冷却部５１が、外周開口部２３６近傍において外周開口部２３６に沿って周方向に設けられる。これにより、基板９とトッププレート１２３との間の空間から、ガス状の処理液を、液状の処理液から分離して取り出すことができる。その結果、ガス状の処理液を効率良く冷却することができ、処理液の回収率をさらに向上することができる。
【００７７】
基板処理装置１では、基板９を加熱する加熱部として、基板９よりも高温の流体を基板９に供給する流体供給部である複数の加熱ノズル１８０が設けられる。これにより、基板９を容易かつ効率良く加熱することができる。また、上述のように、複数の加熱ノズル１８０と冷却部５１の複数の冷却ガスノズル５２とは、加熱ガスおよび冷却ガスを生成するボルテックスチューブ型の第２ガス供給源１８７に接続される。これにより、加熱ガスおよび冷却ガスの供給に係る構造を簡素化することができる。
【００７８】
基板処理装置１では、様々な変更が可能である。
【００７９】
例えば、複数の加熱ノズル１８０および複数の冷却ガスノズル５２は、必ずしもボルテックスチューブ型の第２ガス供給源１８７に接続される必要はなく、他の種類のガス供給部に接続されてもよい。例えば、複数の加熱ノズル１８０が加熱ガス供給源に接続され、複数の冷却ガスノズル５２が、加熱ガス供給源とは独立して設けられる冷却ガス供給源に接続されてもよい。
【００８０】
冷却部５１では、周方向に配置された複数の冷却ガスノズル５２に代えて、プレート庇部２３５の上方にて周方向に延びるスリット状の冷却ガス供給口が設けられてもよい。冷却部５１は、必ずしも、冷却ガスを供給する冷却ガス供給部である必要はない。例えば、冷媒が流れる冷却管、または、ペルチェ素子等を利用した冷却プレートが、冷却部５１としてチャンバ蓋部１２２の内面に設けられてもよい。
【００８１】
トッププレート１２３では、プレート庇部２３５が省略され、略円環板状のプレート本体部２３４の外周部に、上述の外周開口部２３６が設けられてもよい。トッププレート１２３では、必ずしも外周開口部２３６は設けられる必要はない。外周開口部２３６が設けられない場合、トッププレート１２３の外周縁からトッププレート１２３の周囲へと拡がるガス状の処理液が冷却部５１により冷却されて液化する。これにより、上述のように、回収ポート１６６による処理液の回収率を向上することができる。
【００８２】
基板処理装置１では、基板９を加熱する加熱部として、複数の加熱ノズル１８０以外の様々な構成が設けられてもよい。例えば、基板９に光を照射して基板９を加熱する機構が、当該加熱部として設けられてもよい。
【００８３】
チャンバ開閉機構１３１は、必ずしもチャンバ蓋部１２２を上下方向に移動する必要はなく、チャンバ蓋部１２２が固定された状態で、チャンバ本体１２１を上下方向に移動してもよい。チャンバ１２は、必ずしも略円筒状には限定されず、様々な形状であってよい。
【００８４】
基板回転機構１５のステータ部１５１およびロータ部１５２の形状および構造は、様々に変更されてよい。ロータ部１５２は、必ずしも浮遊状態にて回転する必要はなく、チャンバ１２内にロータ部１５２を機械的に支持するガイド等の構造が設けられ、当該ガイドに沿ってロータ部１５２が回転してもよい。基板回転機構１５は、必ずしも中空モータである必要はなく、軸回転型のモータが基板回転機構として利用されてもよい。
【００８５】
基板処理装置１では、薬液供給源１８３から供給される薬液により、上述のポリマー除去処理やエッチング処理以外の様々な処理、例えば、基板上の酸化膜の除去や現像液による現像等が行われてよい。
【００８６】
基板処理装置１では、半導体基板以外に、液晶表示装置、プラズマディスプレイ、ＦＥＤ（field emission display）等の表示装置に使用されるガラス基板の処理に利用されてもよい。あるいは、基板処理装置１は、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板および太陽電池用基板等の処理に利用されてもよい。
【００８７】
上記実施の形態および各変形例における構成は、相互に矛盾しない限り適宜組み合わされてよい。
【符号の説明】
【００８８】
１    基板処理装置
９    基板
１２    チャンバ
１５    基板回転機構
１６    液受け部
５１    冷却部
９１    上面
９３    薬液
１２３    トッププレート
１４１    基板支持部
１６６    回収ポート
１８０    加熱ノズル
１８７    第２ガス供給源
２１８    排出ポート
２３６    外周開口部
Ｊ１    中心軸
Ｓ１１〜Ｓ１６    ステップ
【図１】
2016066685.tif 000003
【図２】
2016066685.tif 000004
【図３】
2016066685.tif 000005
【図４】
2016066685.tif 000006
【図５】
2016066685.tif 000007
【図６】
2016066685.tif 000008
【図７】
2016066685.tif 000009
【図８】
2016066685.tif 000010
【図９】
2016066685.tif 000011
【図１０】
2016066685.tif 000012