(57)【要約】    【課題】  プリント配線板の反り    【解決手段】  実施形態のプリント配線板は、コア基板と上側のビルドアップ層と下側のビルドアップ層を有し、コア基板の各導体層の厚みは上側のビルドアップ層内の各導体層の厚みより厚い。そして、コア基板内の導体層の厚みの和は上側のビルドアップ層内の導体層の厚みの和より大きい。【選択図】  図５
2016066732.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１面と前記第１面と反対側の第２面を有し、前記第１面から前記第２面に到る電子部品内蔵用の開口を有するコア材と、
前記第１面上に形成されている第１導体層と、
前記第２面上に形成されている第２導体層と、
前記電子部品内蔵用の開口に内蔵されている前記電子部品と、
前記第１面と前記第１導体層と前記電子部品上に形成されている上側の第１樹脂絶縁層と、
前記上側の第１樹脂絶縁層上に形成されている上側の第１導体層と、
前記上側の第１樹脂絶縁層と前記上側の第１導体層上に形成されている上側の第２樹脂絶縁層と、
前記上側の第２樹脂絶縁層上に形成されている上側の第２導体層と、
前記上側の第２樹脂絶縁層と前記上側の第２導体層上に形成されている上側の第３樹脂絶縁層と、
前記上側の第３樹脂絶縁層上に形成されている上側の第３導体層と、
前記上側の第３樹脂絶縁層と前記上側の第３導体層上に形成されている上側のソルダーレジスト層と、
前記第２面と前記第２導体層と前記電子部品上に形成されている下側の樹脂絶縁層と、
を有するプリント配線板であって、
前記第１導体層の厚みは、前記上側の第１導体層の厚みと前記上側の第２導体層の厚みと前記上側の第３導体層の厚みより厚く、前記第２導体層の厚みは、前記上側の第１導体層の厚みと前記上側の第２導体層の厚みと前記上側の第３導体層の厚みより厚く、前記第１導体層の厚みと前記第２導体層の厚みの和は、前記上側の第１導体層の厚みと前記上側の第２導体層の厚みと前記上側の第３導体層の厚みの和より大きい。
【請求項２】
請求項１のプリント配線板であって、前記第１導体層の面積と前記第２導体層の面積の和（Ｓｕｍ１）は、前記上側の第１導体層の面積と前記上側の第２導体層の面積と前記上側の第３導体層の面積の和（Ｓｕｍ２）より大きい。
【請求項３】
請求項１のプリント配線板であって、前記１導体層の厚み（ｔ４）と前記上側の第１導体層の厚み（ｔ１）との比（ｔ４／ｔ１）は１．７から３であり、前記第２導体層の厚み（ｔ５）と前記上側の第１導体層の厚み（ｔ１）との比（ｔ５／ｔ１）は１．７から３である。
【請求項４】
請求項１のプリント配線板であって、前記１導体層の厚みと前記第２導体層の厚みは１２μｍ〜２５μｍであり、前記上側の第１導体層の厚みと前記上側の第２導体層の厚みと前記上側の第３導体層の厚みは７〜１２μｍである。
【請求項５】
請求項２のプリント配線板であって、前記和（Ｓｕｍ１）と前記和（Ｓｕｍ２）との比（Ｓｕｍ１／Ｓｕｍ２）は１．４〜１．９である。
【請求項６】
請求項１のプリント配線板であって、前記第１導体層の面積を前記第１面の面積で割ることで得られる値は０．５５から０．７５であり、前記第２導体層の面積を前記第２面の面積で割ることで得られる値は０．５５から０．７５であり、前記上側の第１導体層の面積を前記上側の第１樹脂絶縁層の面積で割ることで得られる値は０．４から０．５５であり、前記上側の第２導体層の面積を前記上側の第２樹脂絶縁層の面積で割ることで得られる値は０．４から０．５５であり、前記上側の第３導体層の面積を前記上側の第３樹脂絶縁層の面積で割ることで得られる値は０．４から０．５５である。
【請求項７】
請求項１のプリント配線板であって、前記第１面上に形成される樹脂絶縁層は、前記上側の第１樹脂絶縁層と前記上側の第２樹脂絶縁層と前記上側の第３樹脂絶縁層のみであり、前記第１面上に形成される導体層は、前記第１導体層と前記上側の第１導体層と前記上側の第２導体層と前記上側の第３導体層のみであり、前記第２面上に形成される樹脂絶縁層は前記下側の樹脂絶縁層のみであり、前記第２面上に形成される導体層は前記下側の第２導体層のみである。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品を内蔵しているプリント配線板に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１は電子部品を内蔵する配線基板を開示している。特許文献１の図１に示される配線基板は、表面と裏面を有すると共に裏面側に形成されている凹部を有するコア基板とコア基板の凹部に内蔵されている電子部品とコア基板の表面上に形成されている絶縁層とコア基板の裏面上に形成されているソルダーレジスト層とを有する。そして、特許文献の図１によれば、コア基板の表面上に形成されている絶縁層の数は３層であり、コア基板の裏面上に形成されている絶縁層の数は１層である。そして、コア基板の裏面上に形成されている絶縁層はコア基板の凹部や電子部品上に形成されていない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００３−４６２５５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１の図１に示される配線基板では、コア基板の表面上に形成されている絶縁層の数とコア基板の裏面上に形成されている絶縁層の数が異なる。そのため、配線基板の反りが大きくなると考えられる。
【０００５】
本発明の目的は、プリント配線板の反りを小さくすることである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係るプリント配線板は、第１面と前記第１面と反対側の第２面を有し、前記第１面から前記第２面に到る電子部品内蔵用の開口を有するコア材と、前記第１面上に形成されている第１導体層と、前記第２面上に形成されている第２導体層と、前記電子部品内蔵用の開口に内蔵されている前記電子部品と、前記第１面と前記第１導体層と前記電子部品上に形成されている上側の第１樹脂絶縁層と、前記上側の第１樹脂絶縁層上に形成されている上側の第１導体層と、前記上側の第１樹脂絶縁層と前記上側の第１導体層上に形成されている上側の第２樹脂絶縁層と、前記上側の第２樹脂絶縁層上に形成されている上側の第２導体層と、前記上側の第２樹脂絶縁層と前記上側の第２導体層上に形成されている上側の第３樹脂絶縁層と、前記上側の第３樹脂絶縁層上に形成されている上側の第３導体層と、前記上側の第３樹脂絶縁層と前記上側の第３導体層上に形成されている上側のソルダーレジスト層と、前記第２面と前記第２導体層と前記電子部品上に形成されている下側の樹脂絶縁層と、を有する。そして、前記第１導体層の厚みは、前記上側の第１導体層の厚みと前記上側の第２導体層の厚みと前記上側の第３導体層の厚みより厚く、前記第２導体層の厚みは、前記上側の第１導体層の厚みと前記上側の第２導体層の厚みと前記上側の第３導体層の厚みより厚く、前記第１導体層の厚みと前記第２導体層の厚みの和は、前記上側の第１導体層の厚みと前記上側の第２導体層の厚みと前記上側の第３導体層の厚みの和より大きい。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本発明の第１実施形態に係るプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図２】第１実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図３】第１実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図４】第１実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図５】図５（Ａ）、図５（Ｃ）は第１実施形態のプリント配線板の断面を示し、図５（Ｂ）は第１実施形態のプリント配線板の一部を示す断面図を示す。
【図６】第１実施形態のプリント配線板の応用例を示す図。
【図７】図７（Ａ）は第２実施形態のプリント配線板の断面を示し、図７（Ｂ）はスルーホール導体用の貫通孔の模式図を示す。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
[第１実施形態]
図５（Ａ）は本発明の第１実施形態のプリント配線板１０の断面図である。図５（Ｂ）は第１実施形態のプリント配線板１０の一部を示す。プリント配線板１０は、コア基板３０を有する。コア基板３０は、第１面Ｆと第１面と反対側の第２面Ｓとを有するコア材（絶縁基板）２０ｚを有する。絶縁基板２０ｚの第１面とコア基板３０の第１面は同じ面であり、コア基板の第２面と絶縁基板の第２面は同じ面である。絶縁基板２０ｚは電子部品８０を内蔵するための開口２６を有する。さらに、絶縁基板２０ｚはスルーホール導体３６用の貫通孔２８を有する。図１（Ｂ）に示されるように、貫通孔２８は、第１面側に形成されている第１開口部２８Ｆと第２面側に形成されている第２開口部２８Ｓで形成されている。貫通孔の形状は、砂時計形状である。開口２６と貫通孔２８は絶縁基板２０ｚを貫通し、第１面Ｆから第２面に到る。
【０００９】
コア基板３０は、絶縁基板２０ｚの第１面Ｆ上に形成されている第１導体層３４Ｆと絶縁基板２０ｚの第２面上に形成されている第２導体層３４Ｓを有する。コア基板３０はさらに第１導体層３４Ｆと第２導体層３４Ｓとを接続しているスルーホール導体３６を有する。スルーホール導体３６は貫通孔２８に形成されている。貫通孔２８やスルーホール導体３６は、例えば、ＵＳ７７８６３９０に開示されている方法で製造される。ＵＳ７７８６３９０の内容は本明細書に取り込まれる。
第１導体層や第２導体層は図示されていない複数の導体回路やスルーホール導体３６上に形成されている導体とスルーホール導体３６の周りに形成されている導体で形成されるスルーホール導体のランドを含む。また、図５（Ｂ）に示されるように、第１導体層３４Ｆは厚みｔ４を有し、第２導体層３４Ｓは厚みｔ５を有する。
【００１０】
プリント配線板１０は、開口２６内に収容されている電子部品８０を有する。電子部品８０は、絶縁基板２０ｚに充填剤２６αで固定されている。充填剤２６αは、開口２６により露出される絶縁基板の側壁と電子部品８０との間の隙間を充填している。電子部品８０の例は、ＩＣチップや積層セラミックコンデンサである。
【００１１】
コア基板３０の第１面Ｆと第１導体層３４Ｆと電子部品８０上に上側の樹脂絶縁層５０Ｆ、１５０Ｆ、２５０Ｆと上側の導体層５８Ｆ、１５８Ｆ、２５８Ｆが交互に積層されている。
上側の樹脂絶縁層５０Ｆは、上側の第１樹脂絶縁層５０Ｆであり、絶縁基板の第１面Ｆと第１導体層３４Ｆと電子部品８０上に形成されている。上側の第１樹脂絶縁層５０Ｆはコア基板３０と電子部品８０を覆っている。
上側の導体層５８Ｆは、上側の第１導体層５８Ｆであり、上側の第１樹脂絶縁層５０Ｆ上に形成されている。図５（Ｂ）に示されるように上側の第１導体層５８Ｆは厚みｔ１を有する。
上側の樹脂絶縁層１５０Ｆは、上側の第２樹脂絶縁層１５０Ｆであり、上側の第１樹脂絶縁層５０Ｆと上側の第１導体層５８Ｆ上に形成されている。
上側の導体層１５８Ｆは、上側の第２導体層１５８Ｆであり、上側の第２樹脂絶縁層１５０Ｆ上に形成されている。図５（Ｂ）に示されるように上側の第２導体層１５８Ｆは厚みｔ２を有する。
上側の樹脂絶縁層２５０Ｆは、上側の第３樹脂絶縁層２５０Ｆであり、上側の第２樹脂絶縁層１５０Ｆと上側の第２導体層１５８Ｆ上に形成されている。また、上側の樹脂絶縁層２５０Ｆは、最上の樹脂絶縁層である。
上側の導体層２５８Ｆは、上側の第３導体層２５８Ｆであり、上側の第３樹脂絶縁層２５０Ｆ上に形成されている。また、上側の導体層２５８Ｆは、最上の導体層であり、上側のパッド７６Ｐを含む。上側のパッド７６Ｐは、プリント配線板の中央部分に形成されている複数の第１パッド（Ｃ４パッド）７６Ｐ１とプリント配線板の外周部分に形成されている複数の第２パッド７６Ｐ２を有する。第１パッド７６Ｐ１はＩＣチップなどの電子部品を搭載するためのパッドであり、第２パッド７６Ｐ２は第２のパッケージ基板を搭載するためのパッドである。
図５（Ｂ）に示されるように上側の第３導体層２５８Ｆは厚みｔ３を有する。
各上側の樹脂絶縁層５０Ｆ、１５０Ｆ、２５０Ｆは、エポキシ等の樹脂とシリカ等の無機粒子で形成されている。各上側の樹脂絶縁層５０Ｆ、１５０Ｆ、２５０Ｆは、さらに、ガラスクロス等の補強材を有しても良い。
【００１２】
各上側の樹脂絶縁層５０Ｆ、１５０Ｆ、２５０Ｆは上側のビア導体６０Ｆ、１６０Ｆ、２６０Ｆ用の開口を有する。各上側の樹脂絶縁層に形成されている開口はそれぞれの上側の樹脂絶縁層を貫通している。
上側のビア導体６０Ｆは上側の第１ビア導体６０Ｆであり、上側の第１樹脂絶縁層５０Ｆを貫通している。ビア導体６０Ｆは第１導体層３４Ｆと上側の第１導体層５８Ｆを接続している。さらに、ビア導体６０Ｆは上側の第１導体層５８Ｆと電子部品８０の電極８２を接続している。
上側のビア導体１６０Ｆは上側の第２ビア導体１６０Ｆであり、上側の第２樹脂絶縁層１５０Ｆを貫通している。ビア導体１６０Ｆは上側の第１導体層５８Ｆと上側の第２導体層１５８Ｆを接続している。
上側のビア導体２６０Ｆは上側の第３ビア導体２６０Ｆであり、上側の第３樹脂絶縁層２５０Ｆを貫通している。ビア導体２６０Ｆは上側の第２導体層１５８Ｆと上側の第３導体層２５８Ｆを接続している。
【００１３】
上側の樹脂絶縁層５０Ｆ、１５０Ｆ、２５０Ｆと上側の導体層５８Ｆ、１５８Ｆ、２５８Ｆと上側のビア導体６０Ｆ、１６０Ｆ、２６０Ｆで上側のビルドアップ層５５Ｆが形成される。
上側のビルドアップ層５５Ｆは、３つの上側の導体層５８Ｆ、１５８Ｆ、２５８Ｆのみを含むことが好ましい。
上側のビルドアップ層５５Ｆは、３つの上側の樹脂絶縁層５０Ｆ、１５０Ｆ、２５０Ｆのみを含むことが好ましい。
【００１４】
上側の樹脂絶縁層２５０Ｆと上側の導体層２５８Ｆ上に上側のソルダーレジスト層３５０Ｆが形成されている。上側のソルダーレジスト層３５０Ｆは、電子部品や第２のパッケージ基板を搭載するためのパッド７６Ｐ（７６Ｐ１、７６Ｐ２）を露出する開口７１Ｆ（７６Ｆ１、７６Ｆ２）を有する。
【００１５】
コア基板３０の第２面Ｓと第２導体層３４Ｓと電子部品８０上に下側の樹脂絶縁層５０Ｓが積層されている。第１実施形態では、下側の樹脂絶縁層の数は１である。下側の樹脂絶縁層の数は１つのみであることが好ましい。その場合、プリント配線板はコア基板の第２面上に下側のビルドアップ層を有しない。下側の樹脂絶縁層５０Ｓはコア基板３０と電子部品８０を内蔵する開口２６上に形成されていて、下側の樹脂絶縁層はコア基板と電子部品を内蔵する開口２６を覆っている。下側の樹脂絶縁層５０Ｓは、エポキシ等の樹脂とシリカ等の無機粒子で形成されている。下側の樹脂絶縁層５０Ｓは、さらに、ガラスクロス等の補強材を有しても良い。
【００１６】
下側の樹脂絶縁層５０Ｓは下側のソルダーレジスト層として機能する。下側のソルダーレジスト層は開口７１Ｓを有する。下側のソルダーレジスト層の開口７１Ｓにより第２導体層３４Ｓが露出する。下側のソルダーレジスト層の開口により露出する第２導体層は下側のパッド７１ＳＰとして機能する。下側のパッドを介してプリント配線板はマザーボードに搭載される。下側の樹脂絶縁層５０Ｓは電子部品の電極８２を露出する開口７１Ｓを有しても良い。
【００１７】
図５（Ｃ）に示されるように、上側のソルダーレジスト層３５０Ｆの開口７１Ｆから露出している上側のパッド７６Ｐに半田バンプ７６Ｆ（７６ＦＩ、７６ＦＯ）を形成することができる。下側のソルダーレジスト層の開口７１Ｓから露出するパッド７１ＳＰや電子部品の電極８２に半田バンプ７６Ｓを形成することができる。
【００１８】
第１導体層３４Ｆの厚みｔ４は上側の第１導体層５８Ｆの厚みｔ１より厚い。第１導体層３４Ｆの厚みｔ４は上側の第２導体層１５８Ｆの厚みｔ２より厚い。第１導体層３４Ｆの厚みｔ４は上側の第３導体層２５８Ｆの厚みｔ３より厚い。
第２導体層３４Ｓの厚みｔ５は上側の第１導体層５８Ｆの厚みｔ１より厚い。第２導体層３４Ｓの厚みｔ５は上側の第２導体層１５８Ｆの厚みｔ２より厚い。第２導体層３４Ｓの厚みｔ５は上側の第３導体層２５８Ｆの厚みｔ３より厚い。
第２導体層３４Ｓの厚みｔ５は第１導体層３４Ｆの厚みｔ４より厚い。
絶縁基板２０ｚの厚みＣは、絶縁基板２０ｚの厚みと上側の樹脂絶縁層５０Ｆ、１５０Ｆ、２５０Ｆの厚みと上側のソルダーレジスト層３５０Ｆの厚みと下側の樹脂絶縁層５０Ｓの厚みと第１導体層３４Ｆの厚みと第２導体層３４Ｓの厚みと上側の導体層５８Ｆ、１５８Ｆ、２５８Ｆの厚みの内、最も厚い。絶縁基板２０ｚは反りを抑制する。そして、絶縁基板２０ｚ上の導体層３４Ｆ、３４Ｓの厚みが上側の導体層５８Ｆ、１５８Ｆ、２５８Ｆの厚みより厚い。そのため、導体層３４Ｆ、３４Ｓにより、コア基板３０の強度が補強される。プリント配線板１０の反りが小さくなる。厚みｔ５は２０μｍ以上であり、厚みｔ４は２０μｍ未満であってもよい。
第１導体層３４Ｆの厚みｔ４と第２導体層３４Ｓの厚みｔ５は、１２μｍ〜２５μｍである。上側の第１導体層５８Ｆの厚みｔ１と上側の第２導体層１５８Ｆの厚みｔ２と上側の第３導体層２５８Ｆの厚みｔ３は、７μｍ〜１２μｍである。各導体層がこれらの値の厚みを有すると、プリント配線板１０が上側のビルドアップ層を有し、下側のビルドアップ層を有していなくても、プリント配線板１０の反りが低減する。
実施形態のプリント配線板１０では、絶縁基板２０ｚの第１面Ｆ上に第１導体層３４Ｆと３つの上側の導体層５８Ｆ、１５８Ｆ、２５８Ｆが形成され、絶縁基板２０ｚの第２面Ｓ上に第２導体層３４Ｓが形成されている。従って、プリント配線板１０の導体層は、絶縁基板２０ｚに対し非対称に形成されている。しかしながら、プリント配線板１０では、第１導体層３４Ｆの厚みｔ４と第２導体層３４Ｓの厚ｔ５みの和（ＳｕｍＸ）は、上側の第１導体層５８Ｆの厚みｔ１と上側の第２導体層１５８Ｆの厚みｔ２と上側の第３導体層２５８Ｆの厚みｔ３の和（ＳｕｍＹ）より大きいことが望ましい。導体層が非対称に形成されても、非対称に起因する応力が小さくなるので、プリント配線板１０の反りが小さくなる。プリント配線板１０は、コア基板上に上側のビルドアップ層５５Ｆのみ有している。しかしながら、非対称に起因する応力が小さくなるので、プリント配線板１０の反りが小さくなる。特に、ＳｕｍＸとＳｕｍＹとの比（ＳｕｍＸ／ＳｕｍＹ）が１．７〜３．０であることが望ましい。ヒートサイクル中のプリント配線板の反りが小さくなる。
【００１９】
上側の樹脂絶縁層５０Ｆ、１５０Ｆ、２５０Ｆが補強材を有さず、下側の樹脂絶縁層５０Ｓが補強材を有すると、非対称に起因する応力が小さくなるので、プリント配線板１０反りが小さくなる。
【００２０】
実施形態のプリント配線板では、第１導体層３４Ｆの面積Ｓ４と絶縁基板の第１面Ｆの面積ｓ４との比（Ｓ４／ｓ４）は、０．５５から０．７５である。第２導体層３４Ｓの面積Ｓ５と絶縁基板の第２面Ｓの面積ｓ５との比（Ｓ５／ｓ５）は、０．５５から０．７５である。上側の第１導体層５８Ｆの面積Ｓ１と上側の第１樹脂絶縁層５０Ｆの面積ｓ１との比（Ｓ１／ｓ１）は、０．４から０．５５である。上側の第２導体層１５８Ｆの面積Ｓ２と上側の第２樹脂絶縁層１５０Ｆの面積ｓ２との比（Ｓ２／ｓ２）は、０．４から０．５５である。上側の第３導体層２５８Ｆの面積Ｓ３と上側の第３樹脂絶縁層２５０Ｆの面積ｓ３との比（Ｓ３／ｓ３）は、０．４から０．５５である。絶縁基板２０ｚ上の導体層３４Ｆ、３４Ｓの面積が上側の導体層５８Ｆ、１５８Ｆ、２５８Ｆの面積より大きい。そのため、導体層３４Ｆ、３４Ｓにより、コア基板３０の強度が補強される。プリント配線板１０の反りが小さくなる。
面積Ｓ４と面積Ｓ５の和（Ｓｕｍ１）は、面積Ｓ１と面積Ｓ２と面積Ｓ３の和（Ｓｕｍ２）より大きいことが望ましい。導体層が非対称に形成されても、非対称に起因する応力が小さくなるので、プリント配線板１０の反りが小さくなる。プリント配線板１０は、コア基板上に上側のビルドアップ層５５Ｆのみ有している。しかしながら、非対称に起因する応力が小さくなるので、プリント配線板１０反りが小さくなる。特に、Ｓｕｍ１とＳｕｍ２との比（Ｓｕｍ１／Ｓｕｍ２）が１．４〜１．９であると、ヒートサイクル中のプリント配線板の反りが小さくなる。
【００２１】
絶縁基板２０ｚは、ガラスクロス等の補強材とシリカ等の無機粒子と樹脂で形成されている。絶縁基板の厚みＣは、１００μｍ〜２００μｍである。上側の樹脂絶縁層５０Ｆ、１５０Ｆ、２５０Ｆは、樹脂と無機粒子とからなり、補強材を含まないことが好ましい。上側の樹脂絶縁層５０Ｆ、１５０Ｆ、２５０Ｆの厚みＢは１０μｍ〜２０μｍである。図７（Ａ）に示されるように、厚みＢは導体層の上面と樹脂絶縁層の上面との間の距離である。
図７（Ａ）に示されるように、上側のソルダーレジスト層３５０Ｆの厚みＤは１０μｍ〜２０μｍである。厚みＤは、上側の第３導体層２５８Ｆの上面と上側のソルダーレジスト層３５０Ｆの上面との間の距離である。プリント配線板の厚みＥは、２６０μｍ〜３８０μｍである。図７（Ａ）に示されるように、厚みＥは上側のソルダーレジスト層３５０Ｆの上面と下側の樹脂絶縁層５０Ｓの上面との間の距離である。上側のソルダーレジスト層３５０Ｆは樹脂と無機粒子とからなり、補強材を含まないことが好ましい。
【００２２】
実施形態では、下側の樹脂絶縁層５０Ｓの厚みＨは２０μｍ〜６０μｍである。図７（Ａ）に示されるように、厚みＨは第２導体層３４Ｓの上面と下側の樹脂絶縁層５０Ｓの上面との間の距離である。
厚みＨは厚みＢや厚みＤより厚いことが好ましい。
下側の樹脂絶縁層５０Ｓは樹脂と無機粒子と補強材を含むことが好ましい。プリント配線板１０がコア基板３０の第２面上にビルドアップ層を有していなくても、非対称に起因する応力の影響が小さくなる。プリント配線板１０の反りが小さくなる。また、下側の樹脂絶縁層５０Ｓは補強材を含み、上側の樹脂絶縁層５０Ｆ、１５０Ｆ、２５０Ｆは補強材を含まないので、下側の樹脂絶縁層５０Ｓ中の樹脂量は、上側の樹脂絶縁層５０Ｆ、１５０Ｆ、２５０Ｆ中の樹脂量より少ない。下側の樹脂絶縁層５０Ｓの樹脂量は６０vol％〜８０vol％であり、上側の樹脂絶縁層の樹脂量は４０vol％〜９５vol％である。ヒートサイクル中のプリント配線板の反りが小さくなる。
【００２３】
下側の樹脂絶縁層５０Ｓの熱膨張係数は５ｐｐｍ／Ｋ〜４０ｐｐｍ／Ｋであり、上側の樹脂絶縁層５０Ｆ、１５０Ｆ、２５０Ｆの熱膨張係数は１０ｐｐｍ／Ｋ〜５０ｐｐｍ／Ｋであり、上側のソルダーレジスト層３５０Ｆの熱膨張係数は３０ｐｐｍ／Ｋ〜７０ｐｐｍ／Ｋである。上側の樹脂絶縁層５０Ｆ、１５０Ｆ、２５０Ｆの熱膨張係数は上側のソルダーレジスト層３５０Ｆの熱膨張係数より小さい。下側の樹脂絶縁層５０Ｓの熱膨張係数が上側の樹脂絶縁層５０Ｆ、１５０Ｆ、２５０Ｆの熱膨張係より小さい。尚、これらの熱膨張係数はコア基板の第１面に平行な面での値である。また、これらの熱膨張係数は１００度での値である。反りが小さくなる。
【００２４】
図６は、第１実施形態のプリント配線板１０の応用例１０００を示す。応用例１０００は、ＰＯＰ（Package on Package）基板である。
第１実施形態のプリント配線板１０の第１パッド７６Ｐ１に半田バンプ７６ＦＩが形成される。プリント配線板１０の第２パッド７６Ｐ２に半田バンプ７６ＦＯが形成される。図５（Ｃ）に示される半田バンプ７６ＦＩ、７６ＦＯを有するプリント配線板が得られる。半田バンプ７６ＦＩを介してプリント配線板１０にＩＣチップ（ロジックチップ）等の電子部品９０が実装される。第１のパッケージ基板１２０が完成する。そして、応用例では、第１のパッケージ基板１２０に半田バンプ７６ＦＯを介して第２のパッケージ基板１３０が搭載されている。第２のパッケージ基板１３０は上基板１１０と上基板上に実装されているメモリ等の電子部品１９０有する。
第１のパッケージ基板１２０と第２のパッケージ基板１３０との間にモールド樹脂１０２が形成されている。
上基板１１０上に電子部品１９０を封止するモールド樹脂２０２が形成されている。
図６では、第１のパッケージ基板と第２のパッケージ基板を接続する接続体は半田バンプ７６ＦＯである。半田バンプ以外に、接続体として、めっきポストやピンなどの金属ポストを例示することができる。めっきポストやピンの形状は円柱である。直円柱が好ましい。
また、プリント配線板１０は下側のパッド７１ＳＰや電極８２にマザーボードと接続するための半田バンプ７６Ｓを有しても良い。半田バンプ７６Ｓは下側のソルダーレジスト層５０Ｓの開口７１Ｓから露出する電子部品８０の電極８２やパッド７１ＳＰ上に形成される。
【００２５】
図１（Ｄ）や図２（Ａ）等に示されるように、プリント配線板１０の絶縁基板２０ｚは、電子部品収容用の開口２６を有する。開口２６は絶縁基板を貫通している。実施形態のプリント配線板の絶縁基板（コア材）２０ｚは開口２６を有するので、プリント配線板の強度が低下する。実施形態のプリント配線板では、コア基板の第１面上に積層されている樹脂絶縁層の数とコア基板の第２面上に積層されている樹脂絶縁層の数が異なる。そのため、実施形態のプリント配線板は反りやすい。しかしながら、実施形態では、プリント配線板１０が上述の導体層の厚みの関係や上述の導体層の厚みの和の関係や上述の導体層の面積の関係や上述の導体層の面積の和の関係や上述の比を満足するので、実施形態のプリント配線板１０の反りは小さくなる。
【００２６】
第１実施形態のプリント配線板では、上側のソルダーレジスト層３５０Ｆと下側のソルダーレジスト層（下側の樹脂絶縁層）５０Ｓの材質が異なる。上側のソルダーレジスト層は光硬化タイプの樹脂絶縁層であり、下側のソルダーレジスト層は熱硬化タイプの樹脂絶縁層である。そのため、樹脂絶縁層の数が異なっても、実施形態のプリント配線板の反りが小さくなる。上側のソルダーレジスト層は樹脂と無機粒子で形成され、下側のソルダーレジスト層は樹脂と無機粒子と補強材（ガラスクロス）で形成されている。上側のソルダーレジスト層は補強材を有していない。
【００２７】
[第１実施形態のプリント配線板の製造方法]
第１実施形態のプリント配線板１０の製造方法が図１〜図４に示される。
第１面Ｆと第２面Ｓとを有する絶縁基板（コア材）２０ｚが準備される。出発基板は、絶縁基板２０ｚと絶縁基板２０ｚの両面に積層されている銅箔２２Ｆ、２２Ｓで形成されている（図１（Ａ））。補強材の例は、ガラスクロスやガラス繊維やアラミド繊維等である。樹脂は、エポキシ樹脂やＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂などである。
【００２８】
第１面Ｆ上の銅箔２２ＦにＣＯ２レーザが照射される。絶縁基板２０ｚの第１面Ｆ側にスルーホール導体用の貫通孔を形成するための第１開口部２８Ｆが絶縁基板２０ｚに形成される。更に、第２面Ｓ上の銅箔２２ＳにＣＯ２レーザが照射される。第１開口部２８Ｆに繋がる第２開口部２８Ｓが形成される。図１（Ｂ）に示されるように、第１開口部の軸線ＬＬ１と第２開口部の軸線ＬＬ２が一致するようにレーザが照射される。スルーホール導体用の貫通孔２８が形成される（図１（Ｂ））。第１開口部２８Ｆは第１面Ｆから第２面Ｓに向かってテーパーしている。第２開口部２８Ｓは第２面Ｓから第１面Ｆに向かってテーパーしている。第１開口部の側壁と第２開口部の側壁の交点で囲まれる面は接合面ＣＰである。接合面は図７（Ｂ）に示されている。接合面ＣＰに斜線が描かれている。
【００２９】
第１銅箔２２Ｆと第２銅箔２２Ｓ、貫通孔２８の側壁上に無電解めっき膜が形成される。その後、無電解めっき膜上に電解めっき膜が形成される。貫通孔内に無電解めっき膜と無電解めっき膜上の電解めっき膜とからなるめっき膜２４が形成される。同時に、絶縁基板の第１面と第２面上にめっき膜２４が形成される。電解めっき膜で貫通孔２８が充填される。めっき膜２４上にエッチングレジストが形成される。エッチングレジストから露出するめっき膜２４と銅箔２２Ｆ、２２Ｓが除去される。エッチングレジストが除去される。絶縁基板の第１面に第１導体層３４Ｆが形成される。絶縁基板の第２面に第２導体層３４Ｓが形成される。第１導体層３４Ｆの厚みｔ４と第２導体層３４Ｓの厚みｔ５は、１２μｍ〜２５μｍである。厚みｔ５が厚みｔ４より厚いことが好ましい。そして、第１導体層３４Ｆの面積Ｓ４と第１面Ｆの面積ｓ４との比（Ｓ４／ｓ４）は０．５５から０．７５であり、第２導体層３４Ｓの面積Ｓ５と第２面Ｓの面積ｓ５との比は０．５５から０．７５である。比（Ｓ４／ｓ４）は比（Ｓ５／ｓ５）より小さいことが好ましい。プリント配線板１０の反りが小さくなる。貫通孔２８に第１導体層と第２導体層を接続するスルーホール導体３６が形成される。スルーホール導体は図７（Ｂ）に示される貫通孔内に形成されている。従って、スルーホール導体は接合面に最も細い部分を有する。貫通孔２８を有する絶縁基板と貫通孔２８に形成されているスルーホール導体３６と絶縁基板の第１面上に形成されている第１導体層３４Ｆと絶縁基板の第２面上に形成されている第２導体層３４Ｓとを有する回路基板４００が得られる（図１（Ｃ））。回路基板４００はＵＳ７７８６３９０に開示されている方法で製造される。
【００３０】
回路基板４００にＣＯ2ガスレーザにより電子部品収容用の開口２６が形成される（図１（Ｄ））。開口２６は第１導体層または第２導体層に含まれるアライメントマークを用い形成される。アライメントマークは図に示されていない。回路基板４００に電子部品収容用の開口２６を形成することでコア基板３０が完成する。コア基板３０の第１面と絶縁基板２０ｚの第１面は同じ面であり、コア基板３０の第２面と絶縁基板２０ｚの第２面は同じ面である。
【００３１】
コア基板が反転され、コア基板３０の第１面にＰＥＴフィルム９８が貼られる（図１（Ｅ））。ＰＥＴフィルム９８で開口２６が塞がれる。
【００３２】
電子部品収容用の開口２６により露出するＰＥＴフィルム上に積層セラミックコンデンサ８０が置かれる。積層セラミックコンデンサ８０が開口２６内に収容される（図２（Ａ））。積層セラミックコンデンサ８０は、ＰＥＴフィルム９８の粘着力により、ＰＥＴフィルム９８上に保持される。コア基板３０の第１導体層３４Ｆの上面と電子部品８０の電極８２の上面は略同一平面上に位置する。
【００３３】
コア基板３０の第２面と電子部品上に下側の樹脂絶縁層用のプリプレグが積層される。下側の樹脂絶縁層用のプリプレグはエポキシ等の樹脂とシリカ等の無機粒子とガラスクロス等の補強材を有する。
プリプレグ上に銅箔等の金属箔４８Ｓが積層される。金属箔４８Ｓの厚みは３μｍ〜５μｍである。
【００３４】
加熱プレスを行うことで、下側の樹脂絶縁層用のプリプレグから下側の樹脂絶縁層５０Ｓがコア基板３０の第２面Ｓと電子部品８０上に形成される。同時に、下側の樹脂絶縁層５０Ｓ上に銅箔４８Ｓが接着される（図２（Ｂ））。この際、プリプレグに含まれる樹脂と無機粒子が開口２６の側壁と積層セラミックコンデンサ８０との間の隙間に流れ込む。隙間中の樹脂を硬化することで隙間を充填する充填剤２６αが形成される。充填剤により電子部品はコア基板に内蔵される。充填剤により電子部品はコア基板に固定される。充填剤２６αと下側の樹脂絶縁層５０Ｓは同時に形成される。下側の樹脂絶縁層は樹脂と無機粒子と補強材を含む。充填剤は樹脂と無機粒子を含む。充填剤に含まれる樹脂と下側の樹脂絶縁層に含まれる樹脂は同じである。充填剤に含まれる無機粒子と下側の樹脂絶縁層に含まれる無機粒子は同じである。
下側の樹脂絶縁層５０Ｓは熱硬化タイプの樹脂絶縁層である。
【００３５】
コア基板３０からＰＥＴフィルム９８が除去される（図２（Ｃ））。コア基板３０とコア基板３０に内蔵されている電子部品８０と電子部品とコア基板間の隙間を充填している充填剤２６αとコア基板の第２面と電子部品上に形成されている下側の樹脂絶縁層５０Ｓと下側の樹脂絶縁層５０Ｓ上の銅箔４８Ｓとからなる中間基板３００が得られる（図２（Ｃ））。
【００３６】
２つの中間基板３００が準備される。１つの中間基板３００の銅箔４８Ｓと別の中間基板３００の銅箔４８Ｓが向かい合うように、２つの中間基板が重ねられる（図３（Ａ））。この時、１つの中間基板の外周と別の中間基板の外周が接着剤で接着されている。２つの中間基板のコア基板の第１面が外を向いている。外周の接着箇所ＡＰで２つの中間基板が接着されている。接着箇所より内側に位置する中間基板は接着されていない。接着剤は図に示されていない。
【００３７】
中間基板のコア基板の第１面と電子部品上に上側の第１樹脂絶縁層用の樹脂フィルムが積層される。上側の樹脂絶縁層５０Ｆ、１５０Ｆ、２５０Ｆ用の樹脂フィルム（上側の樹脂フィルム）はエポキシ等の樹脂とシリカ等の無機粒子を含む。上側の樹脂フィルムは、ガラスクロス等の補強材を有しない。
加熱プレスにより、上側の樹脂フィルムから上側の第１樹脂絶縁層５０Ｆが形成される（図３（Ｂ））。上側の第１樹脂絶縁層５０Ｆは熱硬化タイプの樹脂絶縁層である。
【００３８】
次に、ＣＯ２ガスレーザで上側の第１樹脂絶縁層５０Ｆにビア導体用の開口５１Ｆが形成される。開口５１Ｆは電子部品８０の電極８２と第１導体層３４Ｆに至る。上側の第１樹脂絶縁層５０Ｆ上と開口５１Ｆの内壁に無電解銅めっき層５２が形成される。無電解銅めっき層５２上にめっきレジストが形成される。めっきレジストから露出する無電解銅めっき層５２上に、電解銅めっき層５６が形成される。めっきレジストが除去される。電解銅めっき層５６間の無電解銅めっき層５２がエッチングで除去される。上側の第１樹脂絶縁層５０Ｆ上に上側の第１導体層５８Ｆが形成される。同時に、上側の第１樹脂絶縁層を貫通し、第１導体層３４Ｆや電極８２に至る上側の第１ビア導体６０Ｆが形成される（図３（Ｃ））。上側の第１導体層５８Ｆの厚みｔ１は７〜１２μｍである。上側の第１導体層５８Ｆの面積Ｓ１と上側の第１樹脂絶縁層５０Ｆの面積ｓ１との比は０．４から０．５５である。
【００３９】
上側の第１樹脂絶縁層５０Ｆと上側の第１導体層５８Ｆ上に上側の第２樹脂絶縁層１５０Ｆが形成される。上側の第２樹脂絶縁層に上側の第２ビア導体用の開口が形成される。上側の第２樹脂絶縁層の形成方法は、上側の第１樹脂絶縁層の形成方法と同様である。上側の第２樹脂絶縁層は上側の第２ビア導体用の開口を有する。上側の第２樹脂絶縁層１５０Ｆは熱硬化タイプの樹脂絶縁層である。
上側の第２樹脂絶縁層上に上側の第２導体層１５８Ｆが形成される。上側の第２導体層の形成方法は、上側の第１導体層の形成方法と同様である。
上側の第２ビア導体用の開口に上側の第２ビア導体１６０Ｆが形成される。上側の第２ビア導体の形成方法は、上側の第１ビア導体の形成方法と同様である。
【００４０】
前の段落に示されている方法と同様な方法で上側の第３樹脂絶縁層（最上の樹脂絶縁層）２５０Ｆと上側の第３導体層（最上の導体層）２５８Ｆと上側の第３ビア導体（最上のビア導体）２６０Ｆが形成される。上側の第２導体層の厚みｔ２と上側の第３導体層２５８Ｆの厚みｔ３は、７〜１２μｍである。上側の導体層５８Ｆ、１５８Ｆ、２５８Ｆの中で、最上の導体層２５８Ｆの厚みが最も厚い。そして、上側の第２導体層１５８Ｆの面積Ｓ２と上側の第２樹脂絶縁層の面積ｓ２との比（Ｓ２／ｓ２）は０．４から０．５５である。上側の第３導体層２５８Ｆの面積Ｓ３と上側の第３樹脂絶縁層２５０Ｆの面積ｓ３との比は０．４０〜０．５５である。
【００４１】
最上の樹脂絶縁層２５０Ｆと最上の導体層２５８Ｆ上に上側のソルダーレジスト層３５０Ｆが形成される。上側のソルダーレジスト層は光硬化タイプの樹脂絶縁層である。上側のソルダーレジスト層に露光処理と現像処理により開口７１Ｆ（７１Ｆ１、７１Ｆ２）が形成される（図４（Ａ））。開口７１Ｆにより最上の導体層が露出される。開口７１Ｆにより露出される導体部分は上側のパッド７６Ｐ（７６Ｐ１、７６Ｐ２）として機能する。また、以上のプロセスにより、図４（Ａ）に示される積層体ＬＢが形成される。
【００４２】
接着箇所ＡＰより内側で積層体ＬＢが切断される。切断により１つの積層体ＬＢから２つの中間の回路基板ＭＣＢが得られる。中間の回路基板ＭＣＢが図４（Ｂ）に示される。中間の回路基板ＭＣＢはコア基板とコア基板の第１面上に形成されている上側のビルドアップ層５５Ｆと上側のソルダーレジスト層３５０と下側の樹脂絶縁層５０Ｓと金属箔４８Ｓを有する。
【００４３】
下側の樹脂絶縁層上の金属箔４８Ｓがエッチングにより除去される（図４（Ｃ））。この時、上側のパッドがエッチングで溶解されないように、上側のソルダーレジスト層上に保護フィルムが貼られている。上側のパッドが露出しない。保護フィルムは図に示されていない。また、金属箔４８Ｓの除去により、金属箔の粗面が下側のソルダーレジスト層に転写される。下側のソルダーレジスト層は粗面を有する。
【００４４】
下側の樹脂絶縁層５０Ｓにレーザで開口７１Ｓが形成される（図４（Ｃ））。金属箔４８Ｓにレーザを照射することで、開口７１Ｓが形成されてもよい。開口７１Ｓにより、下側のパッド７１ＳＰが露出される。下側のパッドは第２導体層３４Ｓに含まれる。下側の樹脂絶縁層５０Ｓは下側のソルダーレジスト層（下側の保護層）として機能する。電子部品の電極８２を露出する開口７１Ｓを下側のソルダーレジスト層に形成することができる。
上述では、２つの中間の回路基板が分離される前に上側のソルダーレジスト層に開口７１Ｆが形成されている。
２つの中間の回路基板が分離される前に上側のソルダーレジスト層に開口７１Ｆを形成することは必須でない。分離後、下側の樹脂絶縁層上の金属箔４８Ｓがエッチングにより除去される。その後、上側のソルダーレジスト層と下側のソルダーレジスト層に開口７１Ｆ、７１Ｓが形成される。金属箔４８Ｓがエッチングにより除去される時、上側のパッドを保護するための保護フィルムが不要になる。
【００４５】
上側のパッド７６Ｐ（７６Ｐ１、７６Ｐ２）と下側のパッド７１ＳＰ上に保護膜７２を形成することができる（図５（Ａ））。開口７１Ｓから露出している電子部品の電極８２上に保護膜を形成することができる。保護膜は、パッドや電極の酸化を防止するための膜である。保護膜は、例えば、Ｎｉ／Ａｕ、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ、Ｐｄ／ＡｕやOＳP（Organic Ｓolderability Preservative）膜で形成される。
【００４６】
上側のパッド上に半田バンプ７６ＦＩ、７６ＦＯが形成される。半田バンプを有するプリント配線板が完成する（図５（Ｃ））。半田バンプ７６ＦＩはＣ４パッド７６Ｐ１上に形成されていて、半田バンプ７６ＦＯは第２パッド７６Ｐ２上に形成されている。
図５（Ａ）に示されるプリント配線板は３つの上側の樹脂絶縁層と１つの下側の樹脂絶縁層を有する。
【００４７】
プリント配線板の下側のパッド７１ＳＰに半田バンプ７６Ｓを形成することができる（図５（Ｃ））。
【００４８】
プリント配線板の半田バンプ７６ＦＩを介してＩＣチップ９０が実装される。第１のパッケージ基板１２０が完成する。半田バンプ７６ＦＯを介して第２のパッケージ基板１３０が第１のパッケージ基板１２０に搭載される。プリント配線板１０と第２のパッケージ基板１３０との間にモールド樹脂１０２が形成される。ＰＯＰ基板が完成する（図６）。
【００４９】
第１実施形態のプリント配線板の製造方法では、２つの中間基板３００が貼り合わされている。そのため、製造過程で反りが生じ難い。高い精度で導体層を形成することが出来る。上側の樹脂絶縁層の数と下側の樹脂絶縁層の数をそれぞれ必要最小限にすることで、インピーダンスや寄生容量を減らすことができる。
【００５０】
第１実施形態では、上側の樹脂絶縁層や上側の導体層が形成される時、金属箔の粗面を介して下側のソルダーレジスト層と金属箔４８Ｓは強固に接着されている。そのため、上側の樹脂絶縁層の数と下側の樹脂絶縁層の数が異なっても、下側のソルダーレジスト層と金属箔との間で剥がれが発生しない。
【００５１】
[第２実施形態]
図７（Ａ）は第２実施形態のプリント配線板の一部を示す。
第２実施形態のプリント配線板では、コア基板３０の電子部品８０を収容するための開口２６は、テーパーを有する。それ以外、第２実施形態のプリント配線板と第１実施形態のプリント配線板は同様である。
図７（Ａ）に示されるように、開口２６は、第２面Ｓから第１面Ｆに向けてテーパーしている。第１面上の開口２６のサイズは第２面上の開口２６のサイズより小さい。開口の側壁は図７（Ａ）に示されるように、第２面Ｓから第１面Ｆに向かってテーパーしている。開口２６のサイズは第２面から第１面に向かって小さくなっている。
絶縁基板２０ｚは補強材を有するので、絶縁基板２０ｚの剛性は高い。そのため、絶縁基板２０ｚは、絶縁基板２０ｚ上に形成されている樹脂絶縁層の変形を抑えることができる。
第２実施形態によれば、上側の第１樹脂絶縁層５０Ｆとコア基板３０の第１面との接触面積は、下側の樹脂絶縁層５０Ｓとコア基板３０の第２面Ｓとの接触面積より大きい。
第２実施形態では、コア基板の第１面上の上側の樹脂絶縁層の数はコア基板の第２面上の下側の樹脂絶縁層の数より多い。そのため、上側の樹脂絶縁層がコア基板に与える力は、下側の樹脂絶縁層がコア基板に与える力より大きい。
コア基板の第１面の面積は大きく、コア基板の第１面に働く力は大きい。それに対し、コア基板の第２面の面積は小さく、コア基板の第２面に働く力は小さい。そのため、コア基板の第１面と第２面で単位面積当たりの力が比較されると、両者の差は小さくなる。もしくは、両者は略同等である。従って、コア基板に形成されている電子部品収容用の開口が、第２面から第１面に向かうテーパーを有し、さらに、コア基板の表裏で樹脂絶縁層の数が異なっても、反りの小さなプリント配線板やＰＯＰ基板を提供することができる。電子部品を内蔵するプリント配線板の接続信頼性が高くなる。
【００５２】
[第２実施形態のプリント配線板の製造方法]
第２実施形態では、絶縁基板の第２面側から絶縁基板にレーザを照射することで電子部品収容用の開口２６が形成される。それ以外、第２実施形態の製法は第１実施形態の製法と同様である。
レーザで開口２６が形成されるため、開口の側壁は図７（Ａ）に示されるように第２面から第１面に向かってテーパーしている。レーザの例はＵＶレーザやＣＯ２レーザである。
【符号の説明】
【００５３】
１０  プリント配線板
２０ｚ  絶縁基板
２８  貫通孔
３０  コア基板
３４Ｆ  第１導体層
３４Ｓ  第２導体層
５０Ｆ、１５０Ｆ、２５０Ｆ  上側の樹脂絶縁層
５０Ｓ  下側の樹脂絶縁層
５８Ｆ  上側の第１導体層
６０Ｆ、１６０Ｆ、２６０Ｆ  ビア導体
８０  電子部品
８２  電極
１５８Ｆ  上側の第２導体層
２５８Ｆ  上側の第３導体層
３５０Ｆ  上側のソルダーレジスト層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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