(57)【要約】【課題】トランジスタの半導体などに適用可能な酸化物を提供する。特に、均質な酸化物を提供する。【解決手段】インジウムと、元素Ｍと、亜鉛と、を有する酸化物であって、酸化物は、第１の領域を有し、第１の領域は、Ｘ線によって結晶構造に起因した回折強度のピークが観測されない領域であり、酸化物は、第２の領域を有し、第２の領域は、プローブ径が０．３ｎｍ以上３ｎｍ以下である電子線が透過することで、リング状に輝度の高い第３の領域と、第３の領域内のスポットと、を有する電子回折パターンが観測される領域であり、酸化物は、透過電子顕微鏡で観察した場合において、結晶部を有し、結晶部は、長手方向に第１の長さを有し、第１の長さは、酸化物に対して電子を照射した場合において、電子の累積照射量が１×１０８ｅ−／ｎｍ２以上４×１０８ｅ−／ｎｍ２以下である場合に、１０％未満の変化量を有する酸化物である。【選択図】図１
2016066778.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
インジウムと、元素Ｍ（元素Ｍはアルミニウム、ガリウム、イットリウムまたはスズ）と、亜鉛と、を有する酸化物であって、
前記酸化物は、第１の領域を有し、
前記第１の領域は、Ｘ線によって結晶構造に起因した回折強度のピークが観測されない領域であり、
前記酸化物は、第２の領域を有し、
前記第２の領域は、プローブ径が０．３ｎｍ以上３ｎｍ以下である電子線が透過することで、リング状に輝度の高い第３の領域と、前記第３の領域内のスポットと、を有する電子回折パターンが観測される領域であり、
前記酸化物は、透過電子顕微鏡で観察した場合において、結晶部を有し、
前記結晶部は、長手方向に第１の長さを有し、
前記第１の長さは、前記酸化物に対して電子を照射した場合において、前記電子の累積照射量が１×１０８ｅ−／ｎｍ２以上４×１０８ｅ−／ｎｍ２以下である場合に、１０％未満の変化量を有することを特徴とする酸化物。
【請求項２】
請求項１に記載の酸化物を有する半導体と、
絶縁体と、
導電体と、を有し、
前記絶縁体は前記半導体と接する領域を有し、
前記導電体は、前記絶縁体を介して、前記導電体と、前記半導体と、が互いに重なる領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項２に記載の半導体装置と、
プリント基板と、
を有することを特徴とするモジュール。
【請求項４】
請求項２に記載の半導体装置、または請求項３に記載のモジュールと、
スピーカー、操作キー、または、バッテリーと、
を有することを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば、酸化物、トランジスタおよび半導体装置、ならびにそれらの製造方法に関する。または、本発明は、例えば、酸化物、表示装置、発光装置、照明装置、蓄電装置、記憶装置、プロセッサ、電子機器に関する。または、酸化物、表示装置、液晶表示装置、発光装置、記憶装置、電子機器の製造方法に関する。または、半導体装置、表示装置、液晶表示装置、発光装置、記憶装置、電子機器の駆動方法に関する。
【０００２】
なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する発明の一態様の技術分野は、物、方法、または、製造方法に関するものである。または、本発明の一態様は、プロセス、マシン、マニュファクチャ、または、組成物（コンポジション・オブ・マター）に関するものである。
【０００３】
なお、本明細書等において半導体装置とは、半導体特性を利用することで機能しうる装置全般を指す。表示装置、発光装置、照明装置、電気光学装置、半導体回路および電子機器は、半導体装置を有する場合がある。
【背景技術】
【０００４】
絶縁表面を有する基板上の半導体を用いて、トランジスタを構成する技術が注目されている。当該トランジスタは集積回路や表示装置のような半導体装置に広く応用されている。トランジスタに適用可能な半導体としてシリコンが知られている。
【０００５】
トランジスタの半導体に用いられるシリコンは、用途によって非晶質シリコンと多結晶シリコンとが使い分けられている。例えば、大型の表示装置を構成するトランジスタに適用する場合、大面積基板への成膜技術が確立されている非晶質シリコンを用いると好適である。一方、駆動回路と画素回路とを同一基板上に形成するような高機能の表示装置を構成するトランジスタに適用する場合、高い電界効果移動度を有するトランジスタを作製可能な多結晶シリコンを用いると好適である。多結晶シリコンは、非晶質シリコンに対し高温での熱処理、またはレーザ光処理を行うことで形成する方法が知られる。
【０００６】
近年は、非晶質酸化物半導体、および微結晶を有する非晶質酸化物半導体を用いたトランジスタが開示されている（特許文献１参照。）。酸化物半導体は、スパッタリング法などを用いて成膜できるため、大型の表示装置を構成するトランジスタの半導体に用いることができる。また、酸化物半導体を用いたトランジスタは、高い電界効果移動度を有するため、駆動回路と画素回路とを同一基板上に形成するような高機能の表示装置を実現できる。また、非晶質シリコンを用いたトランジスタの生産設備の一部を改良して利用することが可能であるため、設備投資を抑えられるメリットもある。
【０００７】
なお、１９８５年には、結晶Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物の合成が報告されている（非特許文献１参照。）。また、１９９５年には、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物がホモロガス構造をとり、ＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍは自然数。）という組成式で記述されることが報告されている（非特許文献２参照。）。
【０００８】
また、２０１４年には、非晶質Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物を用いたトランジスタと比べ、優れた電気特性および信頼性を有する、結晶性Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物を用いたトランジスタについて報告されている（非特許文献３参照。）。ここでは、ＣＡＡＣ−ＯＳ（Ｃ−Ａｘｉｓ  Ａｌｉｇｎｅｄ  Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ  Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）を有するＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物は、結晶粒界が明確に確認されないことが報告されている。
【０００９】
また、酸化物半導体を用いたトランジスタは、非導通状態において極めてリーク電流が小さいことが知られている。例えば、酸化物半導体を用いたトランジスタのリーク電流が低いという特性を応用した低消費電力のＣＰＵなどが開示されている（特許文献２参照。）。また、酸化物半導体からなる活性層で井戸型ポテンシャルを構成することにより、高い電界効果移動度を有するトランジスタが得られることが開示されている（特許文献３参照。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開２００６−１６５５２８号公報
【特許文献２】特開２０１２−２５７１８７号公報
【特許文献３】特開２０１２−５９８６０号公報
【非特許文献】
【００１１】
【非特許文献１】Ｎ．  Ｋｉｍｉｚｕｋａ，  ａｎｄ  Ｔ．  Ｍｏｈｒｉ：  Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｓｏｌｉｄ  Ｓｔａｔｅ  Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ  １９８５  ｖｏｌ．６０  ｐｐ．３８２−３８４
【非特許文献２】Ｎ．  Ｋｉｍｉｚｕｋａ，  Ｍ．  Ｉｓｏｂｅ，  ａｎｄ  Ｍ．  Ｎａｋａｍｕｒａ：  Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｓｏｌｉｄ  Ｓｔａｔｅ  Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ  １９９５  ｖｏｌ．１１６  ｐ１７０−ｐ１７８
【非特許文献３】Ｓ．  Ｙａｍａｚａｋｉ，  Ｈ．  Ｓｕｚａｗａ，  Ｋ．  Ｉｎｏｕｅ，  Ｋ．  Ｋａｔｏ，  Ｔ．  Ｈｉｒｏｈａｓｈｉ，  Ｋ．  Ｏｋａｚａｋｉ，  ａｎｄ  Ｎ．  Ｋｉｍｉｚｕｋａ：  Ｊａｐａｎｅｓｅ  Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ａｐｐｌｉｅｄ．  Ｐｈｙｓｉｃｓ  ２０１４  ｖｏｌ．５３  ０４ＥＤ１８
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
トランジスタの半導体などに適用可能な酸化物を提供することを課題の一とする。特に、均質な酸化物を提供することを課題の一とする。
【００１３】
または、酸化物を半導体に用いた半導体装置を提供することを課題の一とする。または、酸化物を半導体に用いた半導体装置を有するモジュールを提供することを課題の一とする。または、酸化物を半導体に用いた半導体装置、または酸化物を半導体に用いた半導体装置を有するモジュールを有する電子機器を提供することを課題の一とする。
【００１４】
電気特性の良好なトランジスタを提供することを課題の一とする。または、電気特性の安定したトランジスタを提供することを課題の一とする。または、高い周波数特性を有するトランジスタを提供することを課題の一とする。または、オフ時の電流の小さいトランジスタを提供することを課題の一とする。または、該トランジスタを有する半導体装置を提供することを課題の一とする。または、該半導体装置を有するモジュールを提供することを課題の一とする。または、該半導体装置、または該モジュールを有する電子機器を提供することを課題の一とする。または、新規な半導体装置を提供することを課題の一とする。または、新規なモジュールを提供することを課題の一とする。または、新規な電子機器を提供することを課題の一とする。
【００１５】
なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、これら以外の課題は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
（１）
本発明の一態様は、インジウムと、元素Ｍ（元素Ｍはアルミニウム、ガリウム、イットリウムまたはスズ）と、亜鉛と、を有する酸化物であって、酸化物は、第１の領域を有し、第１の領域は、Ｘ線によって結晶構造に起因した回折強度のピークが観測されない領域であり、酸化物は、第２の領域を有し、第２の領域は、プローブ径が０．３ｎｍ以上３ｎｍ以下である電子線が透過することで、リング状に輝度の高い第３の領域と、第３の領域内のスポットと、を有する電子回折パターンが観測される領域であり、酸化物は、透過電子顕微鏡で観察した場合において、結晶部を有し、結晶部は、長手方向に第１の長さを有し、第１の長さは、酸化物に対して電子を照射した場合において、電子の累積照射量が１×１０８ｅ−／ｎｍ２以上４×１０８ｅ−／ｎｍ２以下である場合に、１０％未満の変化量を有する酸化物である。
【００１７】
（２）
または、本発明の一態様は、（１）に記載の酸化物を有する半導体と、絶縁体と、導電体と、を有し、絶縁体は半導体と接する領域を有し、導電体は、絶縁体を介して、導電体と、半導体と、が互いに重なる領域を有する半導体装置である。
【００１８】
（３）
または、本発明の一態様は、（２）に記載の半導体装置と、プリント基板と、を有するモジュールである。
【００１９】
（４）
または、本発明の一態様は、（２）に記載の半導体装置、または（３）に記載のモジュールと、スピーカー、操作キー、または、バッテリーと、を有する電子機器である。
【発明の効果】
【００２０】
トランジスタの半導体などに適用可能な、酸化物を提供することができる。特に、結晶粒界などの欠陥の少ない酸化物を作製する方法を提供することができる。
【００２１】
または、酸化物を半導体に用いた半導体装置を提供することができる。または、酸化物を半導体に用いた半導体装置を有するモジュールを提供することができる。または、酸化物を半導体に用いた半導体装置、または酸化物を半導体に用いた半導体装置を有するモジュールを有する電子機器を提供することができる。
【００２２】
電気特性の良好なトランジスタを提供することができる。または、電気特性の安定したトランジスタを提供することができる。または、高い周波数特性を有するトランジスタを提供することができる。または、オフ時の電流の小さいトランジスタを提供することができる。または、該トランジスタを有する半導体装置を提供することができる。または、該半導体装置を有するモジュールを提供することができる。または、該半導体装置、または該モジュールを有する電子機器を提供することができる。または、新規な半導体装置を提供することができる。または、新規なモジュールを提供することができる。または、新規な電子機器を提供することができる。
【００２３】
なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】酸化物の評価方法を示すフローチャート。
【図２】Ｘ線回折による解析方法を説明する断面図。
【図３】酸化物のＸ線回折による解析結果を示す図。
【図４】酸化物の電子回折パターンを示す図。
【図５】酸化物の電子照射による結晶部の変化を示す図。
【図６】本発明の一態様に係るトランジスタを示す上面図および断面図。
【図７】本発明の一態様に係るトランジスタを示す断面図。
【図８】本発明の一態様に係るトランジスタを示す上面図および断面図。
【図９】本発明の一態様に係るトランジスタを示す上面図および断面図。
【図１０】本発明の一態様に係るトランジスタを示す上面図および断面図。
【図１１】本発明の一態様に係るトランジスタを示す上面図および断面図。
【図１２】本発明の一態様に係るトランジスタを示す断面図。
【図１３】本発明の一態様に係る半導体装置の回路図。
【図１４】本発明の一態様に係る記憶装置の回路図。
【図１５】本発明の一態様に係るＣＰＵを示すブロック図。
【図１６】本発明の一態様に係る記憶素子の回路図。
【図１７】本発明の一態様に係る表示装置の回路図。
【図１８】本発明の一態様に係る電子機器を示す図。
【図１９】酸化物の高分解能ＴＥＭ像を示す図。
【図２０】非晶質ＩｎＧａＺｎＯ４の構造モデルを説明する図。
【図２１】ナノ結晶を有するＩｎＧａＺｎＯ４の構造モデルを説明する図。
【図２２】計算によるＸＲＤの解析結果を示す図。
【図２３】酸化物の電子回折パターンを示す図。
【図２４】酸化物の電子回折パターンを示す図。
【図２５】ＣＡＡＣ−ＯＳの成膜モデルを説明する図。
【図２６】ｎｃ−ＯＳの成膜モデルを説明する図。
【図２７】酸化物のＸ線回折による解析結果を示す図。
【図２８】酸化物のＸ線回折による解析結果を示す図。
【図２９】ＨＡＡＤＦ−ＳＴＥＭおよびＡＢＦ−ＳＴＥＭを説明する図。
【図３０】ＩｎＧａＺｎＯ４のＨＡＡＤＦ−ＳＴＥＭ像およびＡＢＦ−ＳＴＥＭ像。
【図３１】ＩｎＧａＺｎＯ４のＡＢＦ−ＳＴＥＭ像および輝度プロファイル。
【図３２】ＩｎＧａＺｎＯ４の薄膜のＡＢＦ−ＳＴＥＭ像。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
本発明の実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。ただし、本発明は以下の説明に限定されず、その形態および詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。また、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、図面を用いて発明の構成を説明するにあたり、同じものを指す符号は異なる図面間でも共通して用いる。なお、同様のものを指す際にはハッチパターンを同じくし、特に符号を付さない場合がある。
【００２６】
なお、図において、大きさ、膜（層）の厚さ、または領域は、明瞭化のために誇張されている場合がある。
【００２７】
また、電圧は、ある電位と、基準の電位（例えば接地電位（ＧＮＤ）またはソース電位）との電位差のことを示す場合が多い。よって、電圧を電位と言い換えることが可能である。
【００２８】
なお、第１、第２として付される序数詞は便宜的に用いるものであり、工程順または積層順を示すものではない。そのため、例えば、「第１の」を「第２の」または「第３の」などと適宜置き換えて説明することができる。また、本明細書などに記載されている序数詞と、本発明の一態様を特定するために用いられる序数詞は一致しない場合がある。
【００２９】
なお、「半導体」と表記した場合でも、例えば、導電性が十分低い場合は「絶縁体」としての特性を有する場合がある。また、「半導体」と「絶縁体」は境界が曖昧であり、厳密に区別できない場合がある。したがって、本明細書に記載の「半導体」は、「絶縁体」と言い換えることができる場合がある。同様に、本明細書に記載の「絶縁体」は、「半導体」と言い換えることができる場合がある。
【００３０】
また、「半導体」と表記した場合でも、例えば、導電性が十分高い場合は「導電体」としての特性を有する場合がある。また、「半導体」と「導電体」は境界が曖昧であり、厳密に区別できない場合がある。したがって、本明細書に記載の「半導体」は、「導電体」と言い換えることができる場合がある。同様に、本明細書に記載の「導電体」は、「半導体」と言い換えることができる場合がある。
【００３１】
なお、半導体の不純物とは、例えば、半導体層を構成する主成分以外をいう。例えば、濃度が０．１原子％未満の元素は不純物である。不純物が含まれることにより、例えば、半導体にＤＯＳ（Ｄｅｎｓｉｔｙ  ｏｆ  Ｓｔａｔｅ）が形成されることや、キャリア移動度が低下することや、結晶性が低下することなどが起こる場合がある。半導体が酸化物半導体である場合、半導体の特性を変化させる不純物としては、例えば、第１族元素、第２族元素、第１４族元素、第１５族元素、主成分以外の遷移金属などがあり、特に、例えば、水素（水にも含まれる）、リチウム、ナトリウム、シリコン、ホウ素、リン、炭素、窒素などがある。酸化物半導体の場合、例えば水素などの不純物の混入によって酸素欠損を形成する場合がある。また、半導体がシリコン層である場合、半導体の特性を変化させる不純物としては、例えば、酸素、水素を除く第１族元素、第２族元素、第１３族元素、第１５族元素などがある。
【００３２】
なお、本明細書において、Ａが濃度Ｂの領域を有する、と記載する場合、例えば、Ａのある領域における深さ方向全体の濃度がＢである場合、Ａのある領域における深さ方向の濃度の平均値がＢである場合、Ａのある領域における深さ方向の濃度の中央値がＢである場合、Ａのある領域における深さ方向の濃度の最大値がＢである場合、Ａのある領域における深さ方向の濃度の最小値がＢである場合、Ａのある領域における深さ方向の濃度の収束値がＢである場合、測定上Ａそのものの確からしい値の得られる領域における濃度がＢである場合などを含む。
【００３３】
また、本明細書において、Ａが大きさＢ、長さＢ、厚さＢ、幅Ｂまたは距離Ｂの領域を有する、と記載する場合、例えば、Ａのある領域における全体の大きさ、長さ、厚さ、幅、または距離がＢである場合、Ａのある領域における大きさ、長さ、厚さ、幅、または距離の平均値がＢである場合、Ａのある領域における大きさ、長さ、厚さ、幅、または距離の中央値がＢである場合、Ａのある領域における大きさ、長さ、厚さ、幅、または距離の最大値がＢである場合、Ａのある領域における大きさ、長さ、厚さ、幅、または距離の最小値がＢである場合、Ａのある領域における大きさ、長さ、厚さ、幅、または距離の収束値がＢである場合、測定上Ａそのものの確からしい値の得られる領域での大きさ、長さ、厚さ、幅、または距離がＢである場合などを含む。
【００３４】
なお、チャネル長とは、例えば、トランジスタの上面図において、半導体（またはトランジスタがオン状態のときに半導体の中で電流の流れる部分）とゲート電極とが互いに重なる領域、またはチャネルが形成される領域における、ソース（ソース領域またはソース電極）とドレイン（ドレイン領域またはドレイン電極）との間の距離をいう。なお、一つのトランジスタにおいて、チャネル長が全ての領域で同じ値をとるとは限らない。即ち、一つのトランジスタのチャネル長は、一つの値に定まらない場合がある。そのため、本明細書では、チャネル長は、チャネルの形成される領域における、いずれか一の値、最大値、最小値または平均値とする。
【００３５】
チャネル幅とは、例えば、半導体（またはトランジスタがオン状態のときに半導体の中で電流の流れる部分）とゲート電極とが互いに重なる領域、またはチャネルが形成される領域における、ソースとドレインとが向かい合っている部分の長さをいう。なお、一つのトランジスタにおいて、チャネル幅がすべての領域で同じ値をとるとは限らない。即ち、一つのトランジスタのチャネル幅は、一つの値に定まらない場合がある。そのため、本明細書では、チャネル幅は、チャネルの形成される領域における、いずれか一の値、最大値、最小値または平均値とする。
【００３６】
なお、トランジスタの構造によっては、実際にチャネルの形成される領域におけるチャネル幅（以下、実効的なチャネル幅と呼ぶ。）と、トランジスタの上面図において示されるチャネル幅（以下、見かけ上のチャネル幅と呼ぶ。）と、が異なる場合がある。例えば、立体的な構造を有するトランジスタでは、実効的なチャネル幅が、トランジスタの上面図において示される見かけ上のチャネル幅よりも大きくなり、その影響が無視できなくなる場合がある。例えば、微細かつ立体的な構造を有するトランジスタでは、半導体の上面に形成されるチャネル領域の割合に対して、半導体の側面に形成されるチャネル領域の割合が大きくなる場合がある。その場合は、上面図において示される見かけ上のチャネル幅よりも、実際にチャネルの形成される実効的なチャネル幅の方が大きくなる。
【００３７】
ところで、立体的な構造を有するトランジスタにおいては、実効的なチャネル幅の、実測による見積もりが困難となる場合がある。例えば、設計値から実効的なチャネル幅を見積もるためには、半導体の形状が既知という仮定が必要である。したがって、半導体の形状が正確にわからない場合には、実効的なチャネル幅を正確に測定することは困難である。
【００３８】
そこで、本明細書では、トランジスタの上面図において、半導体とゲート電極とが互いに重なる領域における、ソースとドレインとが向かい合っている部分の長さである見かけ上のチャネル幅を、「囲い込みチャネル幅（ＳＣＷ：Ｓｕｒｒｏｕｎｄｅｄ  Ｃｈａｎｎｅｌ  Ｗｉｄｔｈ）」と呼ぶ場合がある。また、本明細書では、単にチャネル幅と記載した場合には、囲い込みチャネル幅または見かけ上のチャネル幅を指す場合がある。または、本明細書では、単にチャネル幅と記載した場合には、実効的なチャネル幅を指す場合がある。なお、チャネル長、チャネル幅、実効的なチャネル幅、見かけ上のチャネル幅、囲い込みチャネル幅などは、断面ＴＥＭ像などを取得して、その画像を解析することなどによって、値を決定することができる。
【００３９】
なお、トランジスタの電界効果移動度や、チャネル幅当たりの電流値などを計算して求める場合、囲い込みチャネル幅を用いて計算する場合がある。その場合には、実効的なチャネル幅を用いて計算する場合とは異なる値をとる場合がある。
【００４０】
なお、本明細書において、ＡがＢより迫り出した形状を有すると記載する場合、上面図または断面図において、Ａの少なくとも一端が、Ｂの少なくとも一端よりも外側にある形状を有することを示す場合がある。したがって、ＡがＢより迫り出した形状を有すると記載されている場合、例えば上面図において、Ａの一端が、Ｂの一端よりも外側にある形状を有すると読み替えることができる。
【００４１】
＜酸化物＞
以下では、本発明の一態様に係る酸化物について図１を用いて説明する。
【００４２】
まず、酸化物に対してＸ線を照射し、Ｘ線回折（ＸＲＤ：Ｘ−Ｒａｙ  Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ）を測定する（図１ステップＳ１０１参照。）。なお、ＸＲＤの測定は、薄膜法を用いると酸化物を形成する基板などに起因したノイズを低減できるため好ましい。
【００４３】
以下では、薄膜法について説明する。まず、図２に示すように、基板１００上に酸化物１０６を有する試料を準備する。薄膜法では、試料の上面に対してＸ線源１７０を極小さい角度ωに配置する。Ｘ線源１７０としては、例えば、ＣｕＫα線または放射光Ｘ線を用いればよい。角度ωを小さくするほど、基板１００に起因したノイズは小さくなる。角度ωは、例えば、０．０１°以上２°以下、好ましくは０．０５°以上１．５°以下、さらに好ましくは０．０８°以上１°以下とすればよい。また、酸化物１０６を厚くするほど、基板１００に起因したノイズは小さくなる。例えば、酸化物１０６の厚さを５０ｎｍ以上、好ましくは１００ｎｍ以上、さらに好ましくは５００ｎｍ以上、より好ましくは１０００ｎｍ以上とする。
【００４４】
そして、試料の上面に対する検出部１７２の角度２θを変化させる。例えば、角度２θを、２°以上１４０°以下、３°以上１３０°以下、または３°以上１００°以下の範囲で変化させればよい。こうして、角度２θに対するＸ線回折強度を取得する。このとき、Ｘ線回折の測定時間を長くすることで、Ｘ線回折強度の積算値を大きくすることができる。例えば、２θを０．０１°刻みでステップさせて測定する場合、一点につき１秒以上２０秒以下、または３秒以上１５秒以下掛ければよい。
【００４５】
ここで、結晶構造に起因したピークが観測されるか否かを判定する（図１ステップＳ１０２参照。）。結晶構造に起因したピークが観測される場合、酸化物の構造は分類Ａであると判定する（図１ステップＳ１０３参照。）。分類Ａである酸化物は、結晶構造を有し、特定の結晶面に対して配向性を有する。例えば、単結晶構造、多結晶構造、ＣＡＡＣ構造、微結晶構造を有する酸化物の中には、分類Ａと判定される酸化物もある。例えば、試料３で表されるＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物のＸＲＤの解析結果を図２７に示す。
【００４６】
また、結晶構造に起因したピークが観測されない場合は図１ステップＳ１０４に移る。なお、結晶構造に起因したピークが観測されない場合でも、近接原子に起因した干渉を観測することができる場合がある。例えば、試料１および試料２で表されるＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物のＸＲＤの解析結果を、図３（Ａ）に示す。
【００４７】
ここで、Ｘ線回折強度は、下式（１）で表されることが知られている。
【００４８】
【数１】
2016066778.tif 000003
【００４９】
Ｉｎｏｒｍは規格化Ｘ線回折強度、ｆは原子散乱因子、ρ０は平均数密度、ρ（ｒ）は数密度、Ｑは散乱ベクトル、ｒは距離を示す。
【００５０】
なお、Ｉｎｏｒｍは、下式（２）で表すことができる。
【００５１】
【数２】
2016066778.tif 000004
【００５２】
Ｉｏｂｓは、測定されたＸ線回折強度、ＩＣｏｍｐｔｏｎは非干渉性のコンプトン散乱の強度、Ｐは偏光補正因子（（１＋ｃｏｓ２θ２）／２）、ａは規格化因子、ｃは散乱ベクトルＱに依存しないバックグラウンドを仮定したモデルにおけるパラメータを示す。
【００５３】
なお、ａおよびｃをともにフィッティングにより算出する。フィッティングは、ｒ＜０．１５ｎｍで二体分布関数が０、かつ原子数密度が膜密度の測定値からの計算結果と一致する条件で行えばよい。ただし、ａはＫｒｏｇｈ−Ｍｏｅ−Ｎｏｒｍａｎ法によって算出し、ｃはフィッティングにより算出しても構わない。
【００５４】
また、干渉関数ｉ（Ｑ）は下式（３）で表すことができる。
【００５５】
【数３】
2016066778.tif 000005
【００５６】
そして、Ｑ・ｉ（Ｑ）のフーリエ変換から、二体分布関数を求めることができる。このようにして、図３（Ａ）から図３（Ｂ）を作成することができる。
【００５７】
図３（Ｂ）によると、試料１および試料２のいずれも、距離ｒが０．２ｎｍ程度の位置にピークが見られる。これは、酸化物１０６の金属原子と酸素原子との距離に相当する。また、距離ｒが０．３５ｎｍ程度の位置にもピークが見られる。これは、酸化物１０６の金属原子と金属原子との距離に相当する。一方、距離ｒが大きくなっていくほど、二体分布関数が１に近づいていくことがわかる。即ち、試料１および試料２は、長距離秩序性を有さないことがわかる。
【００５８】
以下に、ＸＲＤの測定によって結晶構造に起因したピークが観測されない例について説明する。
【００５９】
図２０は、古典分子動力学計算によるｍｅｌｔ−ｑｕｅｎｃｈ法を用いて作製した非晶質ＩｎＧａＺｎＯ４の構造モデルの一例である。具体的には、４０００ＫでＩｎＧａＺｎＯ４を溶融させた後、０．２ナノ秒ごとに、２００Ｋずつ階段状に降温させて３００Ｋとした。なお、最終的に３００Ｋになるよう、４００Ｋの次の降温では１００Ｋだけ降温させた。古典分子動力学計算ソフトとしては、ＳＣＩＧＲＥＳＳ  ＭＥ２．０を用いた。また、ポテンシャルには、Ｂｏｒｎ−Ｍａｙｅｒ−Ｈｕｇｇｉｎｓポテンシャルを使用した。
【００６０】
非晶質ＩｎＧａＺｎＯ４の構造モデルに対し、シミュレーションソフトｊｅｍｓを用いて構造解析を行うと、図２２（Ａ）に示すＸＲＤの解析結果が得られる。なお、計算には、Ｘ線源として波長０．１５４１７８ｎｍのＣｕＫα線を用いた。また、直径５７．３ｍｍのＤｅｂｙｅ−Ｓｃｈｅｒｒｅｒカメラを用いた。
【００６１】
また、例えば、非晶質ＩｎＧａＺｎＯ４の構造モデル（図２１（Ａ）参照。）中に、複数の単結晶ＩｎＧａＺｎＯ４の構造モデル（図２１（Ｂ１）および図２１（Ｂ２）参照。）を規則性なく配置したナノ結晶を有する構造モデルの一例を図２１（Ｃ）に示す。なお、図２１（Ｂ２）に示す構造モデルは、図２１（Ｂ１）に示した構造モデルより、単結晶ＩｎＧａＺｎＯ４の構造モデルを視認しやすくしたものである。即ち、図２１（Ｂ１）は、図２１（Ｂ２）と同じ構造モデルである。
【００６２】
ナノ結晶を有する構造モデルに対し、シミュレーションソフトｊｅｍｓを用いて構造解析を行うと、図２２（Ｂ）に示すＸＲＤの解析結果が得られる。なお、計算の条件は上述した通りである。
【００６３】
図２２（Ａ）および図２２（Ｂ）より、非晶質ＩｎＧａＺｎＯ４の構造モデルのＸＲＤの解析結果と、ナノ結晶を有する構造モデルのＸＲＤの解析結果と、は２θが２０°以上４０°以下の極大値、および２θが４０°以上８０°以下の極大値を有する点などが共通している。なお、図２２（Ｂ）では、２θが１０°以下においてピークが観測される。該ピークは、有限の構造モデルの周期構造に起因するため、構造モデル自体の違いに起因するものではない。
【００６４】
上述した２θが２０°以上４０°以下の極大値、および２θが４０°以上８０°以下の極大値は、近接原子に起因した干渉によるものである。
【００６５】
以上に示したように、非晶質ＩｎＧａＺｎＯ４の構造モデル、およびナノ結晶を有する構造モデルは、ＸＲＤの測定によって、結晶構造に起因したピークを有さず、近接原子に起因した干渉を有することがわかる。
【００６６】
次に、試料１および試料２に対し、プローブ径が０．３ｎｍ以上３ｎｍ以下の電子線を透過させ、ナノビーム電子回折（ＮＢＥＤ：Ｎａｎｏ  Ｂｅａｍ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ）パターンを測定する（図１ステップＳ１０４参照。）。
【００６７】
ここで、結晶構造に起因したスポットが観測されない（ハローパターンが観測される）か、結晶構造に起因したスポットが観測されるかを判定する（図１ステップＳ１０５参照。）。結晶構造に起因したスポットが観測されない場合、酸化物の構造は分類Ｂであると判定する（図１ステップＳ１０６参照。）。分類Ｂである酸化物は、結晶構造を有さない。例えば、非晶質構造を有する酸化物の中には、分類Ｂと判定される酸化物もある。
【００６８】
また、結晶構造に起因したスポットが観測される場合は図１ステップＳ１０７に移る。なお、結晶構造に起因したスポットが観測される場合でも、特定の結晶構造を同定できない場合がある。例えば、複数の結晶部を有し、これらの結晶部がそれぞれ特定の結晶面に対して配向性を有さない場合、様々な結晶面に起因したスポットが重なったような電子回折パターンが観測される。例えば、試料１および試料２で表されるＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物の電子回折パターンを、それぞれ図４（Ａ）および図４（Ｂ）に示す。なお、電子回折パターンの測定は、プローブ径が１ｎｍの電子線を用いて行った。
【００６９】
図４（Ａ）および図４（Ｂ）より、試料１および試料２は、円を描くように（リング状に）輝度の高い領域を有する電子回折パターンが観測される。また、リング状の領域内に複数のスポットを有する電子回折パターンが観測される。試料２は、試料１よりもスポットが明瞭であることがわかる。したがって、試料２は、試料１よりも結晶性が高い可能性がある。
【００７０】
なお、電子回折の方法によっては、結晶構造を有する試料でも結晶構造に起因したスポットが観測される場合と、観測されない場合と、がある。また、観測方法によっては、結晶構造に起因したスポットの配置が異なる場合がある。ここでは、その例について試料２を用いて説明する。例えば、図２３（Ａ）、図２３（Ｂ）、図２３（Ｃ）、図２３（Ｄ）、図２３（Ｅ）および図２３（Ｆ）は、それぞれプローブ径が１ｎｍ、５ｎｍ、１０ｎｍ、２５ｎｍ、５０ｎｍおよび１００ｎｍの電子線を用いて観測した電子回折パターンである。なお、試料２の厚さは３４ｎｍとする。
【００７１】
図２３より、電子線のプローブ径が１０ｎｍ、５ｎｍ、１ｎｍと小さくなるほど、結晶構造に起因したスポットが明瞭になることがわかる。一方、２５ｎｍ、５０ｎｍ、１００ｎｍと大きくなるほど、結晶構造に起因したスポットが不明瞭になることがわかる。したがって、試料２は、プローブ径が５ｎｍ以下の電子線を用いて観察した電子回折パターンにおいて、結晶構造に起因したスポットが確認されるが、プローブ径が２５ｎｍ以上の電子線を用いて観測した電子回折パターンにおいては、結晶構造に起因したスポットが観測されないことがわかる。即ち、結晶構造の解析には、適切なプローブ径を選択するべきである。
【００７２】
また、厚さが１０ｎｍ未満、および４５ｎｍの試料２に対し、プローブ径が１ｎｍの電子線を用いると、それぞれ図２４（Ａ）および図２４（Ｂ）に示す電子回折パターンを観測することができる。図２４（Ａ）に示すように、厚さが１０ｎｍ未満の試料２において、スポットが略正六角状に配置された電子回折パターンが観測される。これは、厚さが１０ｎｍ未満の範囲において、試料２が少なくとも一の結晶構造を有することを示す。また、図２４（Ｂ）に示すように、厚さが４５ｎｍの試料２においては、スポットの配置に秩序性は見られない。これは、試料２は４５ｎｍの厚さの中に、複数の結晶構造を有することを示す。また、複数の結晶構造の向きがばらばらであることを示す。即ち、結晶構造の詳細な解析には、適切な厚さの試料を選択するべきである。ただし、厚さが４５ｎｍの試料２においても、結晶構造に起因したスポットを有することは明らかである。
【００７３】
次に、試料１および試料２の明視野像および回折パターンの複合解析像（高分解能ＴＥＭ像ともいう。）を観察する（図１９（Ａ）および図１９（Ｂ）参照。）。試料１および試料２は、上述のとおり、結晶構造に起因した電子回折パターンが観測されるため、高分解能ＴＥＭ像によって結晶部（図１９（Ｂ）参照。）を確認することができる。
【００７４】
試料１および試料２に含まれる結晶部の大きさは、高分解能ＴＥＭ像を用いて計測することができる。例えば、ＩｎＧａＺｎＯ４の結晶は層状構造を有し、Ｉｎ−Ｏ層の間に、Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ層を２層有する。ＩｎＧａＺｎＯ４の結晶の単位格子は、Ｉｎ−Ｏ層を３層有し、またＧａ−Ｚｎ−Ｏ層を６層有する、計９層がｃ軸方向に層状に重なった構造を有する。よって、これらの近接する層同士の間隔は、（００９）面の格子面間隔（ｄ値ともいう。）と同程度であり、結晶構造解析からその値は０．２９ｎｍと求められている。そのため、高分解能ＴＥＭ像における格子縞に着目し、格子縞の間隔が０．２８ｎｍ以上０．３０ｎｍ以下である箇所においては、それぞれの格子縞がＩｎＧａＺｎＯ４の結晶のａ−ｂ面に対応すると見なせる。その格子縞の観察される領域のおける最大長を、酸化物の結晶部の大きさとする。なお、結晶部の大きさは、０．８ｎｍ以上のものを選択的に評価する。
【００７５】
図５は、高分解能ＴＥＭ像により、試料１および試料２の結晶部（２０箇所から４０箇所）の平均の大きさの変化を調査した例である。ここで、電子照射により結晶サイズが大きくなるか否かを判定する（図１ステップＳ１０８参照。）。なお、結晶部の大きさは、結晶部の長手方向の長さを測定した。図５より、試料１は、電子の累積照射量に応じて結晶部が大きくなっていくことがわかる。具体的には、ＴＥＭによる観察初期においては１．２ｎｍ程度の大きさだった結晶部が、累積照射量が４．２×１０８ｅ−／ｎｍ２においては２．６ｎｍ程度の大きさまで成長していることがわかる。一方、試料２は、電子照射開始時から電子の累積照射量が４．２×１０８ｅ−／ｎｍ２になるまでの範囲で、電子の累積照射量によらず結晶部の大きさに変化が見られないことがわかる。具体的には、結晶部の大きさの変化が１０％未満、より詳細には７％未満となることがわかる。
【００７６】
また、図５に示す、試料１および試料２の結晶部の大きさの変化を線形近似して、電子の累積照射量０ｅ−／ｎｍ２まで外挿すると、結晶部の平均の大きさが正の値をとることがわかる。そのため、試料１および試料２の結晶部が、ＴＥＭによる観察前から存在していることがわかる。
【００７７】
ここで、電子照射で結晶サイズが大きくなる試料１を、分類Ｃと判定する（図１ステップＳ１０９参照。）。分類Ｃである酸化物は、結晶構造を有し、特定の結晶面に対して配向性を有さない。例えば、非晶質構造と微結晶構造との間の物性を有する酸化物の中には、分類Ｃと判定される酸化物もある。分類Ｃと判定される酸化物は、電子照射で結晶成長が起こるだけの空間（鬆ともいう。）を有する場合がある。したがって、安定性が低く、トランジスタの半導体などには適さない可能性がある。
【００７８】
また、電子照射で結晶サイズが大きくならない試料２を、分類Ｄと判定する（図１ステップＳ１１０参照。）。分類Ｄである酸化物は、結晶構造を有し、特定の結晶面に対して配向性を有さない。例えば、微結晶構造を有する酸化物の中には、分類Ｄと判定される酸化物もある。また、試料２に含まれる結晶部が数ｎｍ程度であることから、ｎｃ（ｎａｎｏ  ｃｒｙｓｔａｌ）構造を有する酸化物と呼ぶこともできる。分類Ｄと判定される酸化物は、電子照射で結晶成長が起こらないことから、結晶部と結晶部との間の隙間が小さい、またはほとんどない可能性がある。したがって、分類Ｃと判定される酸化物と比べて安定性が高く、トランジスタの半導体などに好適である。
【００７９】
分類Ｃと分類Ｄとは、酸化物の密度を測定することでも区別できる場合がある。例えば、ある酸化物の組成がわかれば、該組成と同じ組成における単結晶酸化物の密度と比較することにより、その酸化物の構造を推定することができる。例えば、単結晶酸化物の密度に対し、分類Ｃと判定される酸化物の密度は７８．６％以上９２．３％未満となる。また、例えば、単結晶酸化物の密度に対し、分類Ｄと判定される酸化物の密度は９２．３％以上１００％未満となる。
【００８０】
上記について、具体例を用いて説明する。例えば、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１［原子数比］を満たす酸化物において、菱面体晶構造を有する単結晶ＩｎＧａＺｎＯ４の密度は６．３５７ｇ／ｃｍ３となる。よって、例えば、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１［原子数比］を満たす酸化物において、分類Ｃと判定される酸化物の密度は５．０ｇ／ｃｍ３以上５．９ｇ／ｃｍ３未満となる。また、例えば、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１［原子数比］を満たす酸化物において、分類Ｄと判定される酸化物の密度は５．９ｇ／ｃｍ３以上６．３ｇ／ｃｍ３未満となる。
【００８１】
なお、同じ組成の単結晶酸化物が存在しない場合がある。その場合、任意の割合で組成の異なる単結晶酸化物を組み合わせることにより、所望の組成の単結晶酸化物に相当する密度を算出することができる。所望の組成の単結晶酸化物の密度は、組成の異なる単結晶酸化物を組み合わせる割合に対して、加重平均を用いて算出すればよい。ただし、密度は、可能な限り少ない種類の単結晶酸化物を組み合わせて算出することが好ましい。
【００８２】
＜成膜モデル＞
以下では、ＣＡＡＣ−ＯＳおよびｎｃ−ＯＳの成膜モデルについて説明する。
【００８３】
図２５（Ａ）は、スパッタリング法によりＣＡＡＣ−ＯＳが成膜される様子を示した成膜室内の模式図である。
【００８４】
ターゲット２３０は、バッキングプレート上に接着されている。ターゲット２３０およびバッキングプレート下には、複数のマグネットが配置される。該複数のマグネットによって、ターゲット２３０上には磁場が生じている。マグネットの磁場を利用して成膜速度を高めるスパッタリング法は、マグネトロンスパッタリング法と呼ばれる。
【００８５】
ターゲット２３０は、多結晶構造を有し、いずれかの結晶粒には劈開面が含まれる。なお、劈開面の詳細については後述する。
【００８６】
基板２２０は、ターゲット２３０と向かい合うように配置しており、その距離ｄ（ターゲット−基板間距離（Ｔ−Ｓ間距離）ともいう。）は０．０１ｍ以上１ｍ以下、好ましくは０．０２ｍ以上０．５ｍ以下とする。成膜室内は、ほとんどが成膜ガス（例えば、酸素、アルゴン、または酸素を５０体積％以上の割合で含む混合ガス）で満たされ、０．０１Ｐａ以上１００Ｐａ以下、好ましくは０．１Ｐａ以上１０Ｐａ以下に制御される。ここで、ターゲット２３０に一定以上の電圧を印加することで、放電が始まり、プラズマが確認される。なお、ターゲット２３０上の磁場によって、高密度プラズマ領域が形成される。高密度プラズマ領域では、成膜ガスがイオン化することで、イオン２０１が生じる。イオン２０１は、例えば、酸素の陽イオン（Ｏ＋）やアルゴンの陽イオン（Ａｒ＋）などである。
【００８７】
イオン２０１は、電界によってターゲット２３０側に加速され、やがてターゲット２３０と衝突する。このとき、劈開面から平板状またはペレット状のスパッタ粒子であるペレット２００ａおよびペレット２００ｂが剥離し、叩き出される。なお、ペレット２００ａおよびペレット２００ｂは、イオン２０１の衝突の衝撃によって、構造に歪みが生じる場合がある。
【００８８】
ペレット２００ａは、三角形、例えば正三角形の平面を有する平板状またはペレット状のスパッタ粒子である。また、ペレット２００ｂは、六角形、例えば正六角形の平面を有する平板状またはペレット状のスパッタ粒子である。なお、ペレット２００ａおよびペレット２００ｂなどの平板状またはペレット状のスパッタ粒子を総称してペレット２００と呼ぶ。ペレット２００の平面の形状は、三角形、六角形に限定されない、例えば、三角形が２個以上６個以下合わさった形状となる場合がある。例えば、三角形（正三角形）が２個合わさった四角形（ひし形）となる場合もある。
【００８９】
ペレット２００は、成膜ガスの種類などに応じて厚さが決定する。理由は後述するが、ペレット２００の厚さは、均一にすることが好ましい。また、スパッタ粒子は厚みのないペレット状である方が、厚みのあるサイコロ状であるよりも好ましい。
【００９０】
ペレット２００は、プラズマを通過する際に電荷を受け取ることで、側面が負または正に帯電する場合がある。ペレット２００は、側面に酸素原子を有し、当該酸素原子が負に帯電する可能性がある。側面が同じ極性の電荷を帯びることにより、電荷同士の反発が起こり、平板状の形状を維持することが可能となる。なお、ＣＡＡＣ−ＯＳが、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物である場合、インジウム原子と結合した酸素原子が負に帯電する可能性がある。または、インジウム原子、ガリウム原子または亜鉛原子と結合した酸素原子が負に帯電する可能性がある。
【００９１】
図２５（Ａ）に示すように、例えば、ペレット２００は、プラズマ中を凧のように飛翔し、ひらひらと基板２２０上まで舞い上がっていく。ペレット２００は電荷を帯びているため、ほかのペレット２００が既に堆積している領域が近づくと、斥力が生じる。ここで、基板２２０の上面では、基板２２０の上面に平行な向きの磁場が生じている。また、基板２２０およびターゲット２３０間には、電位差が与えられているため、基板２２０からターゲット２３０に向けて電流が流れている。したがって、ペレット２００は、基板２２０の上面において、磁場および電流の作用によって、力（ローレンツ力）を受ける。このことは、フレミングの左手の法則によって理解できる。なお、ペレット２００に与える力を大きくするためには、基板２２０の上面において、基板２２０の上面に平行な向きの磁場が１０Ｇ以上、好ましくは２０Ｇ以上、さらに好ましくは３０Ｇ以上、より好ましくは５０Ｇ以上となる領域を設けるとよい。または、基板２２０の上面において、基板２２０の上面に平行な向きの磁場が、基板２２０の上面に垂直な向きの磁場の１．５倍以上、好ましくは２倍以上、さらに好ましくは３倍以上、より好ましくは５倍以上となる領域を設けるとよい。
【００９２】
また、基板２２０は加熱されており、ペレット２００と基板２２０との間で摩擦などの抵抗が小さい状態となっている。その結果、ペレット２００は、基板２２０の上面を滑空するように移動する。ペレット２００の移動は、平板面を基板２２０に向けた状態で起こる。その後、既に堆積しているほかのペレット２００の側面まで到達すると、側面同士が結合する。このとき、ペレット２００の側面にある酸素原子が脱離する。脱離した酸素原子によって、ＣＡＡＣ−ＯＳ中の酸素欠損が埋まる場合があるため、欠陥準位密度の低いＣＡＡＣ−ＯＳとなる。なお、酸化物半導体の酸素欠損は、環状明視野走査透過電子顕微鏡法（ＡＢＦ−ＳＴＥＭ：Ａｎｎｕｌａｒ  Ｂｒｉｇｈｔ−Ｆｉｅｌｄ  Ｓｃａｎ  Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ）によって評価できる場合がある。ＡＢＦ−ＳＴＥＭによる酸素欠損の評価については後述する。
【００９３】
また、ペレット２００が基板２２０上で加熱されることにより、原子が再配列し、イオン２０１の衝突で生じた構造の歪みが緩和される。歪みの緩和されたペレット２００は、ほぼ単結晶となる。ペレット２００がほぼ単結晶となることにより、ペレット２００同士が結合した後に加熱されたとしても、ペレット２００自体の伸縮はほとんど起こり得ない。したがって、ペレット２００間の隙間が広がることで結晶粒界などの欠陥を形成し、クレバス化することがない。また、隙間には、伸縮性のある金属原子などが敷き詰められ、向きのずれたペレット２００同士を高速道路のように繋いでいると考えられる。
【００９４】
以上のようなモデルにより、ペレット２００が基板２２０上に堆積していくと考えられる。したがって、エピタキシャル成長とは異なり、被形成面が結晶構造を有さない場合においても、ＣＡＡＣ−ＯＳの成膜が可能であることがわかる。例えば、基板２２０の上面（被形成面）の構造が非晶質構造であっても、ＣＡＡＣ−ＯＳを成膜することは可能である。
【００９５】
また、ＣＡＡＣ−ＯＳは、被形成面である基板２２０の上面に凹凸がある場合でも、その形状に沿ってペレット２００が配列することがわかる。例えば、基板２２０の上面が原子レベルで平坦な場合、図２５（Ｂ）に示すようにペレット２００はａｂ面と平行な平面である平板面を下に向けて並置するため、厚さが均一で平坦、かつ高い結晶性を有する層が形成される。そして、当該層がｎ段（ｎは自然数。）積み重なることで、ＣＡＡＣ−ＯＳを得ることができる。
【００９６】
一方、基板２２０の上面が凹凸を有する場合でも、ＣＡＡＣ−ＯＳは、ペレット２００が凸面に沿って並置した層がｎ段（ｎは自然数。）積み重なった構造となる。基板２２０が凹凸を有するため、ＣＡＡＣ−ＯＳは、ペレット２００間に隙間が生じやすい場合がある。ただし、ペレット２００間で分子間力が働き、凹凸があってもペレット間の隙間はなるべく小さくなるように配列する。したがって、凹凸があっても高い結晶性を有するＣＡＡＣ−ＯＳとすることができる。
【００９７】
したがって、ＣＡＡＣ−ＯＳは、レーザ結晶化が不要であり、大面積のガラス基板などであっても均一な成膜が可能である。
【００９８】
このようなモデルによってＣＡＡＣ−ＯＳが成膜されるため、スパッタ粒子が厚みのないペレット状である方が好ましい。なお、スパッタ粒子が厚みのあるサイコロ状である場合、基板２２０上に向ける面が一定とならず、厚さや結晶の配向を均一にできない場合がある。
【００９９】
以上に示した成膜モデルにより、非晶質構造を有する被形成面上であっても、高い結晶性を有するＣＡＡＣ−ＯＳを得ることができる。
【０１００】
同様に、ｎｃ−ＯＳは、図２６に示す成膜モデルによって理解することができる。なお、図２６と図２５との違いは、基板２２０の加熱の有無のみである。
【０１０１】
したがって、基板２２０は加熱されておらず、ペレット２００と基板２２０との間で摩擦などの抵抗が大きい状態となっている。その結果、ペレット２００は、基板２２０の上面を滑空するように移動することができないため、不規則に降り積もっていくことでｎｃ−ＯＳを得ることができる。
【０１０２】
＜酸化物半導体の酸素欠損＞
以下では、酸化物半導体の構造を解析し、酸素欠損を評価した例を示す。
【０１０３】
球面収差補正（Ｓｐｈｅｒｉｃａｌ  Ａｂｅｒｒａｔｉｏｎ  Ｃｏｒｒｅｃｔｏｒ）機能を用いた高分解能走査透過電子顕微鏡によって、原子構造の解析が可能となっている。例えば、絞った電子線を走査させ、高角度（例えば、図２９に示す角度β２が６８ｍｒａｄから２８０ｍｒａｄの範囲）で散乱した電子を選択的に環状検出器で検出する高角散乱環状暗視野走査透過顕微鏡法（ＨＡＡＤＦ−ＳＴＥＭ：Ｈｉｇｈ−Ａｎｇｌｅ  Ａｎｎｕｌａｒ  Ｄａｒｋ−Ｆｉｅｌｄ  Ｓｃａｎ  Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ）がある。原子番号（Ｚ）が大きいほど高角度に電子線が散乱される割合が増加するため、ＨＡＡＤＦ−ＳＴＥＭでは、原子番号の二乗に比例して明るいコントラスト（Ｚコントラストともいう。）を得ることができる。
【０１０４】
一方、低角度（例えば、図２９に示す角度β１が１０ｍｒａｄから３４ｍｒａｄの範囲）で散乱した電子、または透過した電子を選択的に環状検出器で検出するＡＢＦ−ＳＴＥＭがある。ＡＢＦ−ＳＴＥＭにおいて電子線を走査させる際、奥行き方向に軽元素の列（カラムともいう。）がある場合、電子線が広がらないまま試料を透過するため、環状検出器の内孔（非検出部）に到達する電子の割合は高くなる。また、原子番号が小さいため、散乱される電子が環状検出器まで到達する割合は低くなる。一方、重元素カラムがある場合、高角度に散乱される電子の割合が高いため、環状検出器に到達する電子の割合は相対的に低くなる。また、軽元素カラムおよび重元素カラムがない場合、電子線が試料中を広がりながら透過するため、環状検出器まで到達する電子の割合は高くなる。このように、軽元素カラムまたは重元素カラムを有する場合、環状検出器に入射する電子の割合が低くなるため、それぞれにおいて暗いコントラストを得ることができる。
【０１０５】
観察した試料は、ＩｎＧａＺｎＯ４の結晶である。図３０（Ａ）がＨＡＡＤＦ−ＳＴＥＭ像であり、図３０（Ｂ）が同じ場所のＡＢＦ−ＳＴＥＭ像である。理解を助けるため、それぞれの図の右下の囲み部に模式的な原子配列を示す。なお、観察には、日本電子株式会社製原子分解能分析電子顕微鏡ＪＥＭ−ＡＲＭ２００Ｆを用いた。
【０１０６】
図３０（Ａ）より、ＨＡＡＤＦ−ＳＴＥＭ像では、インジウムカラム、ならびにガリウムおよび亜鉛カラム（ガリウムと亜鉛とが混在するカラム）を観察することができる。このように、ＨＡＡＤＦ−ＳＴＥＭ像では、重元素であるインジウムカラム、ならびにガリウムおよび亜鉛カラムが非常に明るいコントラストを示すのに対し、軽元素である酸素カラムのコントラストは明瞭ではない。
【０１０７】
一方、図３０（Ｂ）より、ＡＢＦ−ＳＴＥＭ像では、インジウムカラム、ならびにガリウムおよび亜鉛カラムに加えて、酸素カラムを観察することができる。
【０１０８】
このように、ＡＢＦ−ＳＴＥＭを用いることにより、ＩｎＧａＺｎＯ４の酸素カラムを明瞭に観察することができる。次に、酸素カラム中に、酸素欠損または配置の揺らぎがある場合について説明する。
【０１０９】
例えば、図３１の左右のＡＢＦ−ＳＴＥＭ像は、窒素雰囲気下において４５０℃１時間の加熱処理前後の比較を示している。また、図３１の下には、Ａ−Ａ’およびＢ−Ｂ’における輝度プロファイルを示す。なお、Ａ−Ａ’は酸素カラムを含む輝度プロファイルであり、Ｂ−Ｂ’はインジウムカラムを含む輝度プロファイルである。図３１の左右では、Ｂ−Ｂ’に示す輝度プロファイルにおいて、最大輝度と最低輝度との高低差が同じになるよう輝度を調整している。
【０１１０】
ここで、図３１の左右において、Ａ−Ａ’における輝度プロファイルを比較すると、左側（加熱処理前）と比べて右側（加熱処理後）の輝度プロファイルの最大輝度と最低輝度との高低差が小さくなっていることがわかる。即ち、加熱処理によって、酸素カラム中に、酸素欠損または酸素原子の配置の揺らぎが生じたことを示唆している。
【０１１１】
また、酸素欠損を有するＩｎＧａＺｎＯ４薄膜のＡＢＦ−ＳＴＥＭ像を図３２に示す。図中の１、２、３および４で示した酸素カラムのうち、１で示した酸素カラムは、他の酸素カラムよりもコントラストが低いため、酸素欠損を高い割合で有することが示唆される。
【０１１２】
以上に示したように、ＡＢＦ−ＳＴＥＭを用いることで、酸化物半導体の酸素欠損を評価することができる。
【０１１３】
＜トランジスタ＞
以下では、本発明の一態様に係るトランジスタについて説明する。
【０１１４】
なお、本発明の一態様に係るトランジスタは、上述した分類Ｄと判定される酸化物を有すると好ましい。
【０１１５】
＜トランジスタ構造１＞
図６（Ａ）および図６（Ｂ）は、本発明の一態様のトランジスタの上面図および断面図である。図６（Ａ）は上面図であり、図６（Ｂ）は、図６（Ａ）に示す一点鎖線Ａ１−Ａ２、および一点鎖線Ａ３−Ａ４に対応する断面図である。なお、図６（Ａ）の上面図では、図の明瞭化のために一部の要素を省いて図示している。
【０１１６】
図６（Ａ）および図６（Ｂ）に示すトランジスタは、基板４００上の導電体４１３と、基板４００上および導電体４１３上の凸部を有する絶縁体４０２と、絶縁体４０２の凸部上の半導体４０６ａと、半導体４０６ａ上の半導体４０６ｂと、半導体４０６ｂの上面および側面と接し、間隔を開けて配置された層４０９ａおよび層４０９ｂと、層４０９ａ上の導電体４１６ａと、層４０９ｂ上の導電体４１６ｂと、半導体４０６ｂ上、層４０９ａ上、層４０９ｂ上、導電体４１６ａ上および導電体４１６ｂ上の半導体４０６ｃと、半導体４０６ｃ上の絶縁体４１２と、絶縁体４１２上の導電体４０４と、導電体４１６ａ上、導電体４１６ｂ上および導電体４０４上の絶縁体４０８と、絶縁体４０８上の絶縁体４１８と、を有する。なお、ここでは、導電体４１３をトランジスタの一部としているが、これに限定されない。例えば、導電体４１３がトランジスタとは独立した構成要素であるとしてもよい。
【０１１７】
なお、半導体４０６ｃは、Ａ３−Ａ４断面において、少なくとも半導体４０６ｂの上面および側面と接する。また、導電体４０４は、Ａ３−Ａ４断面において、半導体４０６ｃおよび絶縁体４１２を介して半導体４０６ｂの上面および側面と面する。また、導電体４１３は、絶縁体４０２を介して半導体４０６ｂの下面と面する。また、絶縁体４０２が凸部を有さなくても構わない。また、半導体４０６ｃを有さなくても構わない。また、絶縁体４０８を有さなくても構わない。また、絶縁体４１８を有さなくても構わない。また、層４０９ａを有さなくても構わない。また、層４０９ｂを有さなくても構わない。
【０１１８】
なお、半導体４０６ｂは、トランジスタのチャネル形成領域としての機能を有する。また、導電体４０４は、トランジスタの第１のゲート電極（フロントゲート電極ともいう。）としての機能を有する。また、導電体４１３は、トランジスタの第２のゲート電極（バックゲート電極ともいう。）としての機能を有する。また、導電体４１６ａおよび導電体４１６ｂは、トランジスタのソース電極およびドレイン電極としての機能を有する。また、絶縁体４０８は、バリア層としての機能を有する。絶縁体４０８は、例えば、酸素または／および水素をブロックする機能を有する。または、絶縁体４０８は、例えば、半導体４０６ａまたは／および半導体４０６ｃよりも、酸素または／および水素をブロックする能力が高い。
【０１１９】
なお、絶縁体４０２は過剰酸素を含む絶縁体であると好ましい。
【０１２０】
例えば、過剰酸素を含む絶縁体は、加熱処理によって酸素を放出する機能を有する絶縁体である。例えば、過剰酸素を含む酸化シリコン層は、加熱処理などによって酸素を放出することができる酸化シリコン層である。したがって、絶縁体４０２は膜中を酸素が移動可能な絶縁体である。即ち、絶縁体４０２は酸素透過性を有する絶縁体とすればよい。例えば、絶縁体４０２は、半導体４０６ａよりも酸素透過性の高い絶縁体とすればよい。
【０１２１】
過剰酸素を含む絶縁体は、半導体４０６ｂ中の酸素欠損を低減させる機能を有する場合がある。半導体４０６ｂ中で酸素欠損は、ＤＯＳを形成し、正孔トラップなどとなる。また、酸素欠損のサイトに水素が入ることによって、キャリアである電子を生成することがある。したがって、半導体４０６ｂ中の酸素欠損を低減することで、トランジスタに安定した電気特性を付与することができる。
【０１２２】
ここで、加熱処理によって酸素を放出する絶縁体は、ＴＤＳ分析にて、１００℃以上７００℃以下または１００℃以上５００℃以下の表面温度の範囲で１×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上、１×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上または１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上の酸素（酸素原子数換算）を放出することもある。
【０１２３】
ここで、ＴＤＳ分析を用いた酸素の放出量の測定方法について、以下に説明する。
【０１２４】
測定試料をＴＤＳ分析したときの気体の全放出量は、放出ガスのイオン強度の積分値に比例する。そして標準試料との比較により、気体の全放出量を計算することができる。
【０１２５】
例えば、標準試料である所定の密度の水素を含むシリコン基板のＴＤＳ分析結果、および測定試料のＴＤＳ分析結果から、測定試料の酸素分子の放出量（ＮＯ２）は、下に示す式で求めることができる。ここで、ＴＤＳ分析で得られる質量電荷比３２で検出されるガスの全てが酸素分子由来と仮定する。ＣＨ３ＯＨの質量電荷比は３２であるが、存在する可能性が低いものとしてここでは考慮しない。また、酸素原子の同位体である質量数１７の酸素原子および質量数１８の酸素原子を含む酸素分子についても、自然界における存在比率が極微量であるため考慮しない。
【０１２６】
ＮＯ２＝ＮＨ２／ＳＨ２×ＳＯ２×α
【０１２７】
ＮＨ２は、標準試料から脱離した水素分子を密度で換算した値である。ＳＨ２は、標準試料をＴＤＳ分析したときのイオン強度の積分値である。ここで、標準試料の基準値を、ＮＨ２／ＳＨ２とする。ＳＯ２は、測定試料をＴＤＳ分析したときのイオン強度の積分値である。αは、ＴＤＳ分析におけるイオン強度に影響する係数である。上に示す式の詳細に関しては、特開平６−２７５６９７公報を参照する。なお、上記酸素の放出量は、電子科学株式会社製の昇温脱離分析装置ＥＭＤ−ＷＡ１０００Ｓ／Ｗを用い、標準試料として、例えば１×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ２の水素原子を含むシリコン基板を用いて測定する。
【０１２８】
また、ＴＤＳ分析において、酸素の一部は酸素原子として検出される。酸素分子と酸素原子の比率は、酸素分子のイオン化率から算出することができる。なお、上述のαは酸素分子のイオン化率を含むため、酸素分子の放出量を評価することで、酸素原子の放出量についても見積もることができる。
【０１２９】
なお、ＮＯ２は酸素分子の放出量である。酸素原子に換算したときの放出量は、酸素分子の放出量の２倍となる。
【０１３０】
または、加熱処理によって酸素を放出する絶縁体は、過酸化ラジカルを含むこともある。具体的には、過酸化ラジカルに起因するスピン密度が、５×１０１７ｓｐｉｎｓ／ｃｍ３以上であることをいう。なお、過酸化ラジカルを含む絶縁体は、ＥＳＲにて、ｇ値が２．０１近傍に非対称の信号を有することもある。
【０１３１】
または、過剰酸素を含む絶縁体は、酸素が過剰な酸化シリコン（ＳｉＯＸ（Ｘ＞２））であってもよい。酸素が過剰な酸化シリコン（ＳｉＯＸ（Ｘ＞２））は、シリコン原子数の２倍より多い酸素原子を単位体積当たりに含むものである。単位体積当たりのシリコン原子数および酸素原子数は、ラザフォード後方散乱法（ＲＢＳ：Ｒｕｔｈｅｒｆｏｒｄ  Ｂａｃｋｓｃａｔｔｅｒｉｎｇ  Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）により測定した値である。
【０１３２】
図６（Ｂ）に示すように、半導体４０６ｂの側面は、層４０９ａおよび層４０９ｂと接する。また、導電体４０４の電界によって、半導体４０６ｂを電気的に取り囲むことができる（導電体から生じる電界によって、半導体を電気的に取り囲むトランジスタの構造を、ｓｕｒｒｏｕｎｄｅｄ  ｃｈａｎｎｅｌ（ｓ−ｃｈａｎｎｅｌ）構造とよぶ。）。そのため、半導体４０６ｂの全体（バルク）にチャネルが形成される場合がある。ｓ−ｃｈａｎｎｅｌ構造では、トランジスタのソース−ドレイン間に大電流を流すことができ、導通時の電流（オン電流）を高くすることができる。
【０１３３】
高いオン電流が得られるため、ｓ−ｃｈａｎｎｅｌ構造は、微細化されたトランジスタに適した構造といえる。トランジスタを微細化できるため、該トランジスタを有する半導体装置は、集積度の高い、高密度化された半導体装置とすることが可能となる。例えば、トランジスタは、チャネル長が好ましくは４０ｎｍ以下、さらに好ましくは３０ｎｍ以下、より好ましくは２０ｎｍ以下の領域を有し、かつ、トランジスタは、チャネル幅が好ましくは４０ｎｍ以下、さらに好ましくは３０ｎｍ以下、より好ましくは２０ｎｍ以下の領域を有する。
【０１３４】
また、導電体４１３に、ソース電極よりも低い電圧または高い電圧を印加し、トランジスタのしきい値電圧をプラス方向またはマイナス方向へ変動させてもよい。例えば、トランジスタのしきい値電圧をプラス方向に変動させることで、ゲート電圧が０Ｖであってもトランジスタが非導通状態（オフ状態）となる、ノーマリーオフが実現できる場合がある。なお、導電体４１３に印加する電圧は、可変であってもよいし、固定であってもよい。導電体４１３に印加する電圧を可変にする場合、電圧を制御する回路を導電体４１３と電気的に接続してもよい。
【０１３５】
次に、半導体４０６ａ、半導体４０６ｂ、半導体４０６ｃなどに適用可能な半導体について説明する。
【０１３６】
半導体４０６ｂは、例えば、インジウムを含む酸化物半導体である。半導体４０６ｂは、例えば、インジウムを含むと、キャリア移動度（電子移動度）が高くなる。また、半導体４０６ｂは、元素Ｍを含むと好ましい。元素Ｍは、好ましくは、アルミニウム、ガリウム、イットリウムまたはスズなどとする。そのほかの元素Ｍに適用可能な元素としては、ホウ素、シリコン、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、イットリウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステンなどがある。ただし、元素Ｍとして、前述の元素を複数組み合わせても構わない場合がある。元素Ｍは、例えば、酸素との結合エネルギーが高い元素である。例えば、酸素との結合エネルギーがインジウムよりも高い元素である。または、元素Ｍは、例えば、酸化物半導体のエネルギーギャップを大きくする機能を有する元素である。また、半導体４０６ｂは、亜鉛を含むと好ましい。酸化物半導体は、亜鉛を含むと結晶化しやすくなる場合がある。
【０１３７】
ただし、半導体４０６ｂは、インジウムを含む酸化物半導体に限定されない。半導体４０６ｂは、例えば、亜鉛スズ酸化物、ガリウムスズ酸化物などの、インジウムを含まず、亜鉛を含む酸化物半導体、ガリウムを含む酸化物半導体、スズを含む酸化物半導体などであっても構わない。
【０１３８】
半導体４０６ｂは、例えば、エネルギーギャップが大きい酸化物を用いる。半導体４０６ｂのエネルギーギャップは、例えば、２．５ｅＶ以上４．２ｅＶ以下、好ましくは２．８ｅＶ以上３．８ｅＶ以下、さらに好ましくは３ｅＶ以上３．５ｅＶ以下とする。
【０１３９】
例えば、半導体４０６ａおよび半導体４０６ｃは、半導体４０６ｂを構成する酸素以外の元素一種以上、または二種以上から構成される酸化物半導体である。半導体４０６ｂを構成する酸素以外の元素一種以上、または二種以上から半導体４０６ａおよび半導体４０６ｃが構成されるため、半導体４０６ａと半導体４０６ｂとの界面、および半導体４０６ｂと半導体４０６ｃとの界面において、界面準位が形成されにくい。
【０１４０】
半導体４０６ａ、半導体４０６ｂおよび半導体４０６ｃは、少なくともインジウムを含むと好ましい。なお、半導体４０６ａがＩｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物のとき、ＩｎおよびＭの和を１００ａｔｏｍｉｃ％としたとき、好ましくはＩｎが５０ａｔｏｍｉｃ％未満、Ｍが５０ａｔｏｍｉｃ％より高く、さらに好ましくはＩｎが２５ａｔｏｍｉｃ％未満、Ｍが７５ａｔｏｍｉｃ％より高いとする。また、半導体４０６ｂがＩｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物のとき、ＩｎおよびＭの和を１００ａｔｏｍｉｃ％としたとき、好ましくはＩｎが２５ａｔｏｍｉｃ％より高く、Ｍが７５ａｔｏｍｉｃ％未満、さらに好ましくはＩｎが３４ａｔｏｍｉｃ％より高く、Ｍが６６ａｔｏｍｉｃ％未満とする。また、半導体４０６ｃがＩｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物のとき、ＩｎおよびＭの和を１００ａｔｏｍｉｃ％としたとき、好ましくはＩｎが５０ａｔｏｍｉｃ％未満、Ｍが５０ａｔｏｍｉｃ％より高く、さらに好ましくはＩｎが２５ａｔｏｍｉｃ％未満、Ｍが７５ａｔｏｍｉｃ％より高くする。なお、半導体４０６ｃは、半導体４０６ａと同種の酸化物を用いても構わない。ただし、半導体４０６ａまたは／および半導体４０６ｃがインジウムを含まなくても構わない場合がある。例えば、半導体４０６ａまたは／および半導体４０６ｃが酸化ガリウムであっても構わない。
【０１４１】
半導体４０６ｂは、半導体４０６ａおよび半導体４０６ｃよりも電子親和力の大きい酸化物を用いる。例えば、半導体４０６ｂとして、半導体４０６ａおよび半導体４０６ｃよりも電子親和力の０．０７ｅＶ以上１．３ｅＶ以下、好ましくは０．１ｅＶ以上０．７ｅＶ以下、さらに好ましくは０．１５ｅＶ以上０．４ｅＶ以下大きい酸化物を用いる。なお、電子親和力は、真空準位と伝導帯下端のエネルギーとの差である。
【０１４２】
なお、インジウムガリウム酸化物は、小さい電子親和力と、高い酸素ブロック性を有する。そのため、半導体４０６ｃがインジウムガリウム酸化物を含むと好ましい。ガリウム原子割合［Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｇａ）］は、例えば、７０％以上、好ましくは８０％以上、さらに好ましくは９０％以上とする。
【０１４３】
このとき、ゲート電圧を印加すると、半導体４０６ａ、半導体４０６ｂ、半導体４０６ｃのうち、電子親和力の大きい半導体４０６ｂにチャネルが形成される。
【０１４４】
ここで、半導体４０６ａと半導体４０６ｂとの間には、半導体４０６ａと半導体４０６ｂとの混合領域を有する場合がある。また、半導体４０６ｂと半導体４０６ｃとの間には、半導体４０６ｂと半導体４０６ｃとの混合領域を有する場合がある。混合領域は、界面準位密度が低くなる。そのため、半導体４０６ａ、半導体４０６ｂおよび半導体４０６ｃの積層体は、それぞれの界面近傍において、エネルギーが連続的に変化する（連続接合ともいう。）バンド構造となる。
【０１４５】
このとき、電子は、半導体４０６ａ中および半導体４０６ｃ中ではなく、半導体４０６ｂ中を主として移動する。上述したように、半導体４０６ａおよび半導体４０６ｂの界面における界面準位密度、半導体４０６ｂと半導体４０６ｃとの界面における界面準位密度を低くすることによって、半導体４０６ｂ中で電子の移動が阻害されることが少なく、トランジスタのオン電流を高くすることができる。
【０１４６】
トランジスタのオン電流は、電子の移動を阻害する要因を低減するほど、高くすることができる。例えば、電子の移動を阻害する要因のない場合、効率よく電子が移動すると推定される。電子の移動は、例えば、チャネル形成領域の物理的な凹凸が大きい場合にも阻害される。
【０１４７】
トランジスタのオン電流を高くするためには、例えば、半導体４０６ｂの上面または下面（被形成面、ここでは半導体４０６ａ）の、１μｍ×１μｍの範囲における二乗平均平方根（ＲＭＳ：Ｒｏｏｔ  Ｍｅａｎ  Ｓｑｕａｒｅ）粗さが１ｎｍ未満、好ましくは０．６ｎｍ未満、さらに好ましくは０．５ｎｍ未満、より好ましくは０．４ｎｍ未満とすればよい。また、１μｍ×１μｍの範囲における平均面粗さ（Ｒａともいう。）が１ｎｍ未満、好ましくは０．６ｎｍ未満、さらに好ましくは０．５ｎｍ未満、より好ましくは０．４ｎｍ未満とすればよい。また、１μｍ×１μｍの範囲における最大高低差（Ｐ−Ｖともいう。）が１０ｎｍ未満、好ましくは９ｎｍ未満、さらに好ましくは８ｎｍ未満、より好ましくは７ｎｍ未満とすればよい。ＲＭＳ粗さ、ＲａおよびＰ−Ｖは、エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社製走査型プローブ顕微鏡システムＳＰＡ−５００などを用いて測定することができる。
【０１４８】
または、例えば、チャネルの形成される領域中の欠陥準位密度が高い場合にも、電子の移動は阻害される。
【０１４９】
例えば、半導体４０６ｂが酸素欠損（ＶＯとも表記。）を有する場合、酸素欠損のサイトに水素が入り込むことでドナー準位を形成することがある。以下では酸素欠損のサイトに水素が入り込んだ状態をＶＯＨと表記する場合がある。ＶＯＨは電子を散乱するため、トランジスタのオン電流を低下させる要因となる。なお、酸素欠損のサイトは、水素が入るよりも酸素が入る方が安定する。したがって、半導体４０６ｂ中の酸素欠損を低減することで、トランジスタのオン電流を高くすることができる場合がある。
【０１５０】
半導体４０６ｂの酸素欠損を低減するために、例えば、絶縁体４０２に含まれる過剰酸素を、半導体４０６ａを介して半導体４０６ｂまで移動させる方法などがある。この場合、半導体４０６ａは、酸素透過性を有する層（酸素を通過または透過させる層）であることが好ましい。
【０１５１】
なお、トランジスタがｓ−ｃｈａｎｎｅｌ構造を有する場合、半導体４０６ｂの全体にチャネルが形成される。したがって、半導体４０６ｂが厚いほどチャネル領域は大きくなる。即ち、半導体４０６ｂが厚いほど、トランジスタのオン電流を高くすることができる。例えば、２０ｎｍ以上、好ましくは４０ｎｍ以上、さらに好ましくは６０ｎｍ以上、より好ましくは１００ｎｍ以上の厚さの領域を有する半導体４０６ｂとすればよい。ただし、半導体装置の生産性が低下する場合があるため、例えば、３００ｎｍ以下、好ましくは２００ｎｍ以下、さらに好ましくは１５０ｎｍ以下の厚さの領域を有する半導体４０６ｂとすればよい。
【０１５２】
また、トランジスタのオン電流を高くするためには、半導体４０６ｃの厚さは小さいほど好ましい。例えば、１０ｎｍ未満、好ましくは５ｎｍ以下、さらに好ましくは３ｎｍ以下の領域を有する半導体４０６ｃとすればよい。一方、半導体４０６ｃは、チャネルの形成される半導体４０６ｂへ、隣接する絶縁体を構成する酸素以外の元素（水素、シリコンなど）が入り込まないようブロックする機能を有する。そのため、半導体４０６ｃは、ある程度の厚さを有することが好ましい。例えば、０．３ｎｍ以上、好ましくは１ｎｍ以上、さらに好ましくは２ｎｍ以上の厚さの領域を有する半導体４０６ｃとすればよい。また、半導体４０６ｃは、絶縁体４０２などから放出される酸素の外方拡散を抑制するために、酸素をブロックする性質を有すると好ましい。
【０１５３】
また、信頼性を高くするためには、半導体４０６ａは厚く、半導体４０６ｃは薄いことが好ましい。例えば、１０ｎｍ以上、好ましくは２０ｎｍ以上、さらに好ましくは４０ｎｍ以上、より好ましくは６０ｎｍ以上の厚さの領域を有する半導体４０６ａとすればよい。半導体４０６ａの厚さを、厚くすることで、隣接する絶縁体と半導体４０６ａとの界面からチャネルの形成される半導体４０６ｂまでの距離を離すことができる。ただし、半導体装置の生産性が低下する場合があるため、例えば、２００ｎｍ以下、好ましくは１２０ｎｍ以下、さらに好ましくは８０ｎｍ以下の厚さの領域を有する半導体４０６ａとすればよい。
【０１５４】
例えば、半導体４０６ｂと半導体４０６ａとの間に、例えば、二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ：Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ  Ｉｏｎ  Ｍａｓｓ  Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）において、１×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満、好ましくは５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満、さらに好ましくは２×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満のシリコン濃度となる領域を有する。また、半導体４０６ｂと半導体４０６ｃとの間に、ＳＩＭＳにおいて、１×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満、好ましくは５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満、さらに好ましくは２×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満のシリコン濃度となる領域を有する。
【０１５５】
また、半導体４０６ｂは、ＳＩＭＳにおいて、２×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、好ましくは５×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、より好ましくは１×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、さらに好ましくは５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下の水素濃度となる領域を有する。また、半導体４０６ｂの水素濃度を低減するために、半導体４０６ａおよび半導体４０６ｃの水素濃度を低減すると好ましい。半導体４０６ａおよび半導体４０６ｃは、ＳＩＭＳにおいて、２×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、好ましくは５×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、より好ましくは１×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、さらに好ましくは５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下の水素濃度となる領域を有する。また、半導体４０６ｂは、ＳＩＭＳにおいて、５×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満、好ましくは５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、より好ましくは１×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、さらに好ましくは５×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下の窒素濃度となる領域を有する。また、半導体４０６ｂの窒素濃度を低減するために、半導体４０６ａおよび半導体４０６ｃの窒素濃度を低減すると好ましい。半導体４０６ａおよび半導体４０６ｃは、ＳＩＭＳにおいて、５×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満、好ましくは５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、より好ましくは１×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、さらに好ましくは５×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下の窒素濃度となる領域を有する。
【０１５６】
上述の３層構造は一例である。例えば、半導体４０６ａまたは半導体４０６ｃのない２層構造としても構わない。または、半導体４０６ａの上もしくは下、または半導体４０６ｃ上もしくは下に、半導体４０６ａ、半導体４０６ｂおよび半導体４０６ｃとして例示した半導体のいずれか一を有する４層構造としても構わない。または、半導体４０６ａの上、半導体４０６ａの下、半導体４０６ｃの上、半導体４０６ｃの下のいずれか二箇所以上に、半導体４０６ａ、半導体４０６ｂおよび半導体４０６ｃとして例示した半導体のいずれか一を有するｎ層構造（ｎは５以上の整数）としても構わない。
【０１５７】
基板４００としては、例えば、絶縁体基板、半導体基板または導電体基板を用いればよい。絶縁体基板としては、例えば、ガラス基板、石英基板、サファイア基板、安定化ジルコニア基板（イットリア安定化ジルコニア基板など）、樹脂基板などがある。また、半導体基板としては、例えば、シリコン、ゲルマニウムなどの単体半導体基板、または炭化シリコン、シリコンゲルマニウム、ヒ化ガリウム、リン化インジウム、酸化亜鉛、酸化ガリウムなどの化合物半導体基板などがある。さらには、前述の半導体基板内部に絶縁体領域を有する半導体基板、例えばＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板などがある。導電体基板としては、黒鉛基板、金属基板、合金基板、導電性樹脂基板などがある。または、金属の窒化物を有する基板、金属の酸化物を有する基板などがある。さらには、絶縁体基板に導電体または半導体が設けられた基板、半導体基板に導電体または絶縁体が設けられた基板、導電体基板に半導体または絶縁体が設けられた基板などがある。または、これらの基板に素子が設けられたものを用いてもよい。基板に設けられる素子としては、容量素子、抵抗素子、スイッチ素子、発光素子、記憶素子などがある。
【０１５８】
また、基板４００として、可とう性基板を用いてもよい。なお、可とう性基板上にトランジスタを設ける方法としては、非可とう性の基板上にトランジスタを作製した後、トランジスタを剥離し、可とう性基板である基板４００に転置する方法もある。その場合には、非可とう性基板とトランジスタとの間に剥離層を設けるとよい。なお、基板４００として、繊維を編みこんだシート、フィルムまたは箔などを用いてもよい。また、基板４００が伸縮性を有してもよい。また、基板４００は、折り曲げや引っ張りをやめた際に、元の形状に戻る性質を有してもよい。または、元の形状に戻らない性質を有してもよい。基板４００の厚さは、例えば、５μｍ以上７００μｍ以下、好ましくは１０μｍ以上５００μｍ以下、さらに好ましくは１５μｍ以上３００μｍ以下とする。基板４００を薄くすると、半導体装置を軽量化することができる。また、基板４００を薄くすることで、ガラスなどを用いた場合にも伸縮性を有する場合や、折り曲げや引っ張りをやめた際に、元の形状に戻る性質を有する場合がある。そのため、落下などによって基板４００上の半導体装置に加わる衝撃などを緩和することができる。即ち、丈夫な半導体装置を提供することができる。
【０１５９】
可とう性基板である基板４００としては、例えば、金属、合金、樹脂もしくはガラス、またはそれらの繊維などを用いることができる。可とう性基板である基板４００は、線膨張率が低いほど環境による変形が抑制されて好ましい。可とう性基板である基板４００としては、例えば、線膨張率が１×１０−３／Ｋ以下、５×１０−５／Ｋ以下、または１×１０−５／Ｋ以下である材質を用いればよい。樹脂としては、例えば、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド（ナイロン、アラミドなど）、ポリイミド、ポリカーボネート、アクリルなどがある。特に、アラミドは、線膨張率が低いため、可とう性基板である基板４００として好適である。
【０１６０】
導電体４１３としては、例えば、ホウ素、窒素、酸素、フッ素、シリコン、リン、アルミニウム、チタン、クロム、マンガン、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛、ガリウム、イットリウム、ジルコニウム、モリブデン、ルテニウム、銀、インジウム、スズ、タンタルおよびタングステンを一種以上含む導電体を、単層で、または積層で用いればよい。例えば、合金や化合物であってもよく、アルミニウムを含む導電体、銅およびチタンを含む導電体、銅およびマンガンを含む導電体、インジウム、スズおよび酸素を含む導電体、チタンおよび窒素を含む導電体などを用いてもよい。
【０１６１】
絶縁体４０２としては、例えば、ホウ素、炭素、窒素、酸素、フッ素、マグネシウム、アルミニウム、シリコン、リン、塩素、アルゴン、ガリウム、ゲルマニウム、イットリウム、ジルコニウム、ランタン、ネオジム、ハフニウムまたはタンタルを含む絶縁体を、単層で、または積層で用いればよい。例えば、絶縁体４０２としては、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、酸化ガリウム、酸化ゲルマニウム、酸化イットリウム、酸化ジルコニウム、酸化ランタン、酸化ネオジム、酸化ハフニウムまたは酸化タンタルを用いればよい。
【０１６２】
絶縁体４０２は、基板４００からの不純物の拡散を防止する役割を有してもよい。また、半導体４０６ｂが酸化物半導体である場合、絶縁体４０２は、半導体４０６ｂに酸素を供給する役割を担うことができる。
【０１６３】
層４０９ａおよび層４０９ｂとしては、例えば、透明導電体、酸化物半導体、窒化物半導体または酸化窒化物半導体を用いればよい。層４０９ａおよび層４０９ｂとしては、例えば、インジウム、スズおよび酸素を含む層、インジウムおよび亜鉛を含む層、インジウム、タングステンおよび亜鉛を含む層、スズおよび亜鉛を含む層、亜鉛およびガリウムを含む層、亜鉛およびアルミニウムを含む層、亜鉛およびフッ素を含む層、亜鉛およびホウ素を含む層、スズおよびアンチモンを含む層、スズおよびフッ素を含む層またはチタンおよびニオブを含む層などを用いればよい。または、これらの層が水素、炭素、窒素、シリコン、ゲルマニウムまたはアルゴンを含んでも構わない。
【０１６４】
層４０９ａおよび層４０９ｂは、可視光線を透過する性質を有しても構わない。または、層４０９ａおよび層４０９ｂは、可視光線、紫外線、赤外線もしくはＸ線を、反射もしくは吸収することで透過させない性質を有しても構わない。このような性質を有することで、迷光によるトランジスタの電気特性の変動を抑制できる場合がある。
【０１６５】
また、層４０９ａおよび層４０９ｂは、半導体４０６ｂなどとの間にショットキー障壁を形成しない層を用いると好ましい場合がある。こうすることで、トランジスタのオン特性を向上させることができる。
【０１６６】
導電体４１６ａおよび導電体４１６ｂとしては、例えば、ホウ素、窒素、酸素、フッ素、シリコン、リン、アルミニウム、チタン、クロム、マンガン、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛、ガリウム、イットリウム、ジルコニウム、モリブデン、ルテニウム、銀、インジウム、スズ、タンタルおよびタングステンを一種以上含む導電体を、単層で、または積層で用いればよい。例えば、合金や化合物であってもよく、アルミニウムを含む導電体、銅およびチタンを含む導電体、銅およびマンガンを含む導電体、インジウム、スズおよび酸素を含む導電体、チタンおよび窒素を含む導電体などを用いてもよい。
【０１６７】
なお、層４０９ａおよび層４０９ｂは、導電体４１６ａおよび導電体４１６ｂよりも高抵抗の層を用いると好ましい場合がある。また、層４０９ａおよび層４０９ｂは、トランジスタのチャネルよりも低抵抗の層を用いると好ましい場合がある。例えば、層４０９ａおよび層４０９ｂの抵抗率を、０．１Ωｃｍ以上１００Ωｃｍ以下、０．５Ωｃｍ以上５０Ωｃｍ以下、または１Ωｃｍ以上１０Ωｃｍ以下とすればよい。層４０９ａおよび層４０９ｂの抵抗率を上述の範囲とすることにより、チャネルとドレインとの境界部における電界集中を緩和することができる。そのため、トランジスタの電気特性の変動を低減することができる。また、ドレインから生じる電界に起因したパンチスルー電流を低減することができる。そのため、チャネル長の短いトランジスタにおいても、飽和特性を良好にすることができる。なお、ソースとドレインとが入れ替わらない回路構成であれば、層４０９ａまたは層４０９ｂのいずれか一方のみ（例えば、ドレイン側）を配置するほうが好ましい場合がある。
【０１６８】
絶縁体４１２としては、例えば、ホウ素、炭素、窒素、酸素、フッ素、マグネシウム、アルミニウム、シリコン、リン、塩素、アルゴン、ガリウム、ゲルマニウム、イットリウム、ジルコニウム、ランタン、ネオジム、ハフニウムまたはタンタルを含む絶縁体を、単層で、または積層で用いればよい。例えば、絶縁体４１２としては、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、酸化ガリウム、酸化ゲルマニウム、酸化イットリウム、酸化ジルコニウム、酸化ランタン、酸化ネオジム、酸化ハフニウムまたは酸化タンタルを用いればよい。
【０１６９】
導電体４０４としては、例えば、ホウ素、窒素、酸素、フッ素、シリコン、リン、アルミニウム、チタン、クロム、マンガン、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛、ガリウム、イットリウム、ジルコニウム、モリブデン、ルテニウム、銀、インジウム、スズ、タンタルおよびタングステンを一種以上含む導電体を、単層で、または積層で用いればよい。例えば、合金や化合物であってもよく、アルミニウムを含む導電体、銅およびチタンを含む導電体、銅およびマンガンを含む導電体、インジウム、スズおよび酸素を含む導電体、チタンおよび窒素を含む導電体などを用いてもよい。
【０１７０】
絶縁体４０８としては、例えば、ホウ素、炭素、窒素、酸素、フッ素、マグネシウム、アルミニウム、シリコン、リン、塩素、アルゴン、ガリウム、ゲルマニウム、イットリウム、ジルコニウム、ランタン、ネオジム、ハフニウムまたはタンタルを含む絶縁体を、単層で、または積層で用いればよい。絶縁体４０８は、好ましくは酸化アルミニウム、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、酸化ガリウム、酸化イットリウム、酸化ジルコニウム、酸化ランタン、酸化ネオジム、酸化ハフニウムまたは酸化タンタルを含む絶縁体を、単層で、または積層で用いればよい。
【０１７１】
絶縁体４１８としては、例えば、ホウ素、炭素、窒素、酸素、フッ素、マグネシウム、アルミニウム、シリコン、リン、塩素、アルゴン、ガリウム、ゲルマニウム、イットリウム、ジルコニウム、ランタン、ネオジム、ハフニウムまたはタンタルを含む絶縁体を、単層で、または積層で用いればよい。例えば、絶縁体４１８としては、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、酸化ガリウム、酸化ゲルマニウム、酸化イットリウム、酸化ジルコニウム、酸化ランタン、酸化ネオジム、酸化ハフニウムまたは酸化タンタルを用いればよい。
【０１７２】
なお、図６では、トランジスタの第１のゲート電極である導電体４０４と第２のゲート電極である導電体４１３とが、電気的に接続しない例を示したが、本発明の一態様に係るトランジスタの構造はこれに限定されない。例えば、図７（Ａ）に示すように、導電体４０４と導電体４１３とが電気的に接続する構造であっても構わない。このような構成とすることで、導電体４０４と導電体４１３とに同じ電位が供給されるため、トランジスタのスイッチング特性を向上させることができる。または、図７（Ｂ）に示すように、導電体４１３を有さない構造であっても構わない。
【０１７３】
また、図８（Ａ）は、トランジスタの上面図の一例である。図８（Ａ）の一点鎖線Ｆ１−Ｆ２および一点鎖線Ｆ３−Ｆ４に対応する断面図の一例を図８（Ｂ）に示す。なお、図８（Ａ）では、理解を容易にするため、絶縁体などの一部を省略して示す。
【０１７４】
また、図６などではソース電極およびドレイン電極として機能する導電体４１６ａおよび導電体４１６ｂが、それぞれ層４０９ａおよび層４０９ｂを介して半導体４０６ｂの上面および側面、絶縁体４０２の上面などと接する例を示したが、本発明の一態様に係るトランジスタの構造はこれに限定されない。例えば、図８に示すように、導電体４１６ａおよび導電体４１６ｂが、それぞれ層４０９ａおよび層４０９ｂを介して半導体４０６ｂの上面のみと接する構造であっても構わない。
【０１７５】
また、図８（Ｂ）に示すように、絶縁体４１８上に絶縁体４２８を有してもよい。絶縁体４２８は、上面が平坦な絶縁体であると好ましい。なお、絶縁体４２８は、例えば、ホウ素、炭素、窒素、酸素、フッ素、マグネシウム、アルミニウム、シリコン、リン、塩素、アルゴン、ガリウム、ゲルマニウム、イットリウム、ジルコニウム、ランタン、ネオジム、ハフニウムまたはタンタルを含む絶縁体を、単層で、または積層で用いればよい。例えば、絶縁体４２８としては、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、酸化ガリウム、酸化ゲルマニウム、酸化イットリウム、酸化ジルコニウム、酸化ランタン、酸化ネオジム、酸化ハフニウムまたは酸化タンタルを用いればよい。絶縁体４２８の上面を平坦化するために、化学機械研磨（ＣＭＰ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）法などによって平坦化処理を行ってもよい。
【０１７６】
または、絶縁体４２８は、樹脂を用いてもよい。例えば、ポリイミド、ポリアミド、アクリル、シリコーンなどを含む樹脂を用いればよい。樹脂を用いることで、絶縁体４２８の上面を平坦化処理しなくてもよい場合がある。また、樹脂は短い時間で厚い膜を成膜することができるため、生産性を高めることができる。
【０１７７】
また、図８（Ａ）および図８（Ｂ）に示すように、絶縁体４２８上に導電体４２４ａおよび導電体４２４ｂを有してもよい。導電体４２４ａおよび導電体４２４ｂは、例えば、配線としての機能を有する。また、絶縁体４２８が開口部を有し、該開口部を介して導電体４１６ａと導電体４２４ａとが電気的に接続しても構わない。また、絶縁体４２８が別の開口部を有し、該開口部を介して導電体４１６ｂと導電体４２４ｂとが電気的に接続しても構わない。このとき、それぞれの開口部内に導電体４２６ａ、導電体４２６ｂを有しても構わない。
【０１７８】
導電体４２４ａおよび導電体４２４ｂとしては、例えば、ホウ素、窒素、酸素、フッ素、シリコン、リン、アルミニウム、チタン、クロム、マンガン、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛、ガリウム、イットリウム、ジルコニウム、モリブデン、ルテニウム、銀、インジウム、スズ、タンタルおよびタングステンを一種以上含む導電体を、単層で、または積層で用いればよい。例えば、合金や化合物であってもよく、アルミニウムを含む導電体、銅およびチタンを含む導電体、銅およびマンガンを含む導電体、インジウム、スズおよび酸素を含む導電体、チタンおよび窒素を含む導電体などを用いてもよい。
【０１７９】
図８に示すトランジスタは、層４０９ａおよび層４０９ｂは、半導体４０６ｂの側面と接しない。したがって、第１のゲート電極として機能する導電体４０４から半導体４０６ｂの側面に向けて印加される電界が、層４０９ａおよび層４０９ｂなどによって遮蔽されにくい構造である。また、層４０９ａおよび層４０９ｂは、絶縁体４０２の上面と接しない。そのため、絶縁体４０２から放出される過剰酸素（酸素）が層４０９ａおよび層４０９ｂを酸化させるために消費されない。したがって、絶縁体４０２から放出される過剰酸素（酸素）を、半導体４０６ｂの酸素欠損を低減するために効率的に利用することのできる構造である。即ち、図８に示す構造のトランジスタは、高いオン電流、高い電界効果移動度、低いサブスレッショルドスイング値、高い信頼性などを有する優れた電気特性のトランジスタである。
【０１８０】
図９（Ａ）および図９（Ｂ）は、本発明の一態様のトランジスタの上面図および断面図である。図９（Ａ）は上面図であり、図９（Ｂ）は、図９（Ａ）に示す一点鎖線Ｇ１−Ｇ２、および一点鎖線Ｇ３−Ｇ４に対応する断面図である。なお、図９（Ａ）の上面図では、図の明瞭化のために一部の要素を省いて図示している。
【０１８１】
トランジスタは、図９に示すように、層４０９ａ、層４０９ｂ、導電体４１６ａおよび導電体４１６ｂを有さず、導電体４２６ａおよび導電体４２６ｂと、半導体４０６ｂとが接する構造であっても構わない。この場合、半導体４０６ｂまたは／および半導体４０６ａの、少なくとも導電体４２６ａおよび導電体４２６ｂと接する領域に低抵抗領域４２３ａ（低抵抗領域４２３ｂ）を設けると好ましい。低抵抗領域４２３ａおよび低抵抗領域４２３ｂは、例えば、導電体４０４などをマスクとし、半導体４０６ｂまたは／および半導体４０６ａに不純物を添加することで形成すればよい。なお、導電体４２６ａおよび導電体４２６ｂが、半導体４０６ｂの孔（貫通しているもの）または窪み（貫通していないもの）に設けられていても構わない。導電体４２６ａおよび導電体４２６ｂが、半導体４０６ｂの孔または窪みに設けられることで、導電体４２６ａおよび導電体４２６ｂと、半導体４０６ｂとの接触面積が大きくなるため、接触抵抗の影響を小さくすることができる。即ち、トランジスタのオン電流を大きくすることができる。
【０１８２】
＜トランジスタ構造２＞
図１０（Ａ）および図１０（Ｂ）は、本発明の一態様のトランジスタの上面図および断面図である。図１０（Ａ）は上面図であり、図１０（Ｂ）は、図１０（Ａ）に示す一点鎖線Ｊ１−Ｊ２、および一点鎖線Ｊ３−Ｊ４に対応する断面図である。なお、図１０（Ａ）の上面図では、図の明瞭化のために一部の要素を省いて図示している。
【０１８３】
図１０（Ａ）および図１０（Ｂ）に示すトランジスタは、基板６００上の導電体６０４と、導電体６０４上の絶縁体６１２と、絶縁体６１２上の半導体６０６ａと、半導体６０６ａ上の半導体６０６ｂと、半導体６０６ｂ上の半導体６０６ｃと、半導体６０６ａ、半導体６０６ｂおよび半導体６０６ｃと接し、間隔を開けて配置された層６０９ａおよび層６０９ｂと、層６０９ａ上の導電体６１６ａと、層６０９ｂ上の導電体６１６ｂと、半導体６０６ｃ上、導電体６１６ａ上および導電体６１６ｂ上の絶縁体６１８と、を有する。なお、導電体６０４は、絶縁体６１２を介して半導体６０６ｂの下面と面する。また、絶縁体６１２が凸部を有しても構わない。また、基板６００と導電体６０４の間に絶縁体を有しても構わない。該絶縁体は、絶縁体４０２や絶縁体４０８についての記載を参照する。また、半導体６０６ａを有さなくても構わない。また、絶縁体６１８を有さなくても構わない。また、層６０９ａを有さなくても構わない。また、層６０９ｂを有さなくても構わない。
【０１８４】
なお、半導体６０６ｂは、トランジスタのチャネル形成領域としての機能を有する。また、導電体６０４は、トランジスタの第１のゲート電極（フロントゲート電極ともいう。）としての機能を有する。また、導電体６１６ａおよび導電体６１６ｂは、トランジスタのソース電極およびドレイン電極としての機能を有する。
【０１８５】
なお、絶縁体６１８は過剰酸素を含む絶縁体であると好ましい。
【０１８６】
なお、基板６００は、基板４００についての記載を参照する。また、導電体６０４は、導電体４０４についての記載を参照する。また、絶縁体６１２は、絶縁体４１２についての記載を参照する。また、半導体６０６ａは、半導体４０６ｃについての記載を参照する。また、半導体６０６ｂは、半導体４０６ｂについての記載を参照する。また、半導体６０６ｃは、半導体４０６ａについての記載を参照する。また、層６０９ａおよび層６０９ｂは、層４０９ａおよび層４０９ｂついての記載を参照する。また、導電体６１６ａおよび導電体６１６ｂは、導電体４１６ａおよび導電体４１６ｂについての記載を参照する。また、絶縁体６１８は、絶縁体４０２についての記載を参照する。
【０１８７】
なお、絶縁体６１８上には、表示素子が設けられていてもよい。例えば、画素電極、液晶層、共通電極、発光層、有機ＥＬ層、陽極、陰極などが設けられていてもよい。表示素子は、例えば、導電体６１６ａなどと接続されている。
【０１８８】
また、図１１（Ａ）は、トランジスタの上面図の一例である。図１１（Ａ）の一点鎖線Ｋ１−Ｋ２および一点鎖線Ｋ３−Ｋ４に対応する断面図の一例を図１１（Ｂ）に示す。なお、図１１（Ａ）では、理解を容易にするため、絶縁体などの一部を省略して示す。
【０１８９】
なお、半導体の上に、チャネル保護膜として機能させることができる絶縁体を配置してもよい。例えば、図１１に示すように、層６０９ａおよび層６０９ｂと、半導体６０６ｃとの間に、絶縁体６２０を配置してもよい。その場合、層６０９ａ（層６０９ｂ）と半導体６０６ｃとは、絶縁体６２０中の開口部を介して接続される。絶縁体６２０は、絶縁体６１８についての記載を参照すればよい。
【０１９０】
なお、図１０（Ｂ）や図１１（Ｂ）において、絶縁体６１８の上に、導電体６１３を配置してもよい。その場合の例を図１２（Ａ）および図１２（Ｂ）に示す。なお、導電体６１３については、導電体４１３についての記載を参照する。また、導電体６１３には、導電体６０４と同じ電位や同じ信号が供給されてもよいし、異なる電位や信号が供給されてもよい。例えば、導電体６１３に、一定の電位を供給して、トランジスタのしきい値電圧を制御してもよい。つまり、導電体６１３は、第２のゲート電極としての機能を有することができる。また、導電体６１３などによってｓ−ｃｈａｎｎｅｌ構造を形成していても構わない。
【０１９１】
＜半導体装置＞
以下では、本発明の一態様に係る半導体装置を例示する。
【０１９２】
＜回路＞
以下では、本発明の一態様に係るトランジスタを利用した回路の一例について説明する。
【０１９３】
〔ＣＭＯＳインバータ〕
図１３（Ａ）に示す回路図は、ｐチャネル型のトランジスタ２２００とｎチャネル型のトランジスタ２１００を直列に接続し、かつそれぞれのゲートを接続した、いわゆるＣＭＯＳインバータの構成を示している。
【０１９４】
〔ＣＭＯＳアナログスイッチ〕
また図１３（Ｂ）に示す回路図は、トランジスタ２１００とトランジスタ２２００のそれぞれのソースとドレインを接続した構成を示している。このような構成とすることで、いわゆるＣＭＯＳアナログスイッチとして機能させることができる。
【０１９５】
〔記憶装置の例〕
本発明の一態様に係るトランジスタを用いた、電力が供給されない状況でも記憶内容の保持が可能で、かつ、書き込み回数にも制限が無い半導体装置（記憶装置）の一例を図１４に示す。
【０１９６】
図１４（Ａ）に示す半導体装置は、第１の半導体を用いたトランジスタ３２００と第２の半導体を用いたトランジスタ３３００、および容量素子３４００を有している。なお、トランジスタ３３００としては、上述したトランジスタを用いることができる。
【０１９７】
トランジスタ３３００は、酸化物半導体を用いたトランジスタである。トランジスタ３３００のオフ電流が小さいことにより、半導体装置の特定のノードに長期にわたり記憶内容を保持することが可能である。つまり、リフレッシュ動作を必要としない、またはリフレッシュ動作の頻度が極めて少なくすることが可能となるため、消費電力の低い半導体装置となる。
【０１９８】
図１４（Ａ）において、第１の配線３００１はトランジスタ３２００のソースと電気的に接続され、第２の配線３００２はトランジスタ３２００のドレインと電気的に接続される。また、第３の配線３００３はトランジスタ３３００のソース、ドレインの一方と電気的に接続され、第４の配線３００４はトランジスタ３３００のゲートと電気的に接続されている。そして、トランジスタ３２００のゲート、およびトランジスタ３３００のソース、ドレインの他方は、容量素子３４００の電極の一方と電気的に接続され、第５の配線３００５は容量素子３４００の電極の他方と電気的に接続されている。
【０１９９】
図１４（Ａ）に示す半導体装置は、トランジスタ３２００のゲートの電位が保持可能という特性を有することで、以下に示すように、情報の書き込み、保持、読み出しが可能である。
【０２００】
情報の書き込みおよび保持について説明する。まず、第４の配線３００４の電位を、トランジスタ３３００が導通状態となる電位にして、トランジスタ３３００を導通状態とする。これにより、第３の配線３００３の電位が、トランジスタ３２００のゲート、および容量素子３４００の電極の一方と電気的に接続するノードＦＧに与えられる。即ち、トランジスタ３２００のゲートには、所定の電荷が与えられる（書き込み）。ここでは、異なる二つの電位レベルを与える電荷（以下Ｌｏｗレベル電荷、Ｈｉｇｈレベル電荷という。）のどちらかが与えられるものとする。その後、第４の配線３００４の電位を、トランジスタ３３００が非導通状態となる電位にして、トランジスタ３３００を非導通状態とすることにより、ノードＦＧに電荷が保持される（保持）。
【０２０１】
トランジスタ３３００のオフ電流は極めて小さいため、ノードＦＧの電荷は長期間にわたって保持される。
【０２０２】
次に情報の読み出しについて説明する。第１の配線３００１に所定の電位（定電位）を与えた状態で、第５の配線３００５に適切な電位（読み出し電位）を与えると、第２の配線３００２は、ノードＦＧに保持された電荷量に応じた電位をとる。これは、トランジスタ３２００をｎチャネル型とすると、トランジスタ３２００のゲートにＨｉｇｈレベル電荷が与えられている場合の見かけ上のしきい値電圧Ｖｔｈ＿Ｈは、トランジスタ３２００のゲートにＬｏｗレベル電荷が与えられている場合の見かけ上のしきい値電圧Ｖｔｈ＿Ｌより低くなるためである。ここで、見かけ上のしきい値電圧とは、トランジスタ３２００を「導通状態」とするために必要な第５の配線３００５の電位をいうものとする。したがって、第５の配線３００５の電位をＶｔｈ＿ＨとＶｔｈ＿Ｌの間の電位Ｖ０とすることにより、ノードＦＧに与えられた電荷を判別できる。例えば、書き込みにおいて、ノードＦＧにＨｉｇｈレベル電荷が与えられていた場合には、第５の配線３００５の電位がＶ０（＞Ｖｔｈ＿Ｈ）となれば、トランジスタ３２００は「導通状態」となる。一方、ノードＦＧにＬｏｗレベル電荷が与えられていた場合には、第５の配線３００５の電位がＶ０（＜Ｖｔｈ＿Ｌ）となっても、トランジスタ３２００は「非導通状態」のままである。このため、第２の配線３００２の電位を判別することで、ノードＦＧに保持されている情報を読み出すことができる。
【０２０３】
なお、メモリセルをアレイ状に配置する場合、読み出し時には、所望のメモリセルの情報を読み出さなくてはならない。ほかのメモリセルの情報を読み出さないためには、ノードＦＧに与えられた電荷によらずトランジスタ３２００が「非導通状態」となるような電位、つまり、Ｖｔｈ＿Ｈより低い電位を第５の配線３００５に与えればよい。または、ノードＦＧに与えられた電荷によらずトランジスタ３２００が「導通状態」となるような電位、つまり、Ｖｔｈ＿Ｌより高い電位を第５の配線３００５に与えればよい。
【０２０４】
図１４（Ｂ）に示す半導体装置は、トランジスタ３２００を有さない点で図１４（Ａ）に示した半導体装置と異なる。この場合も図１４（Ａ）に示した半導体装置と同様の動作により情報の書き込みおよび保持動作が可能である。
【０２０５】
図１４（Ｂ）に示す半導体装置における、情報の読み出しについて説明する。トランジスタ３３００が導通状態になると、浮遊状態である第３の配線３００３と容量素子３４００とが導通し、第３の配線３００３と容量素子３４００の間で電荷が再分配される。その結果、第３の配線３００３の電位が変化する。第３の配線３００３の電位の変化量は、容量素子３４００の電極の一方の電位（または容量素子３４００に蓄積された電荷）によって、異なる値をとる。
【０２０６】
例えば、容量素子３４００の電極の一方の電位をＶ、容量素子３４００の容量をＣ、第３の配線３００３が有する容量成分をＣＢ、電荷が再分配される前の第３の配線３００３の電位をＶＢ０とすると、電荷が再分配された後の第３の配線３００３の電位は、（ＣＢ×ＶＢ０＋ＣＶ）／（ＣＢ＋Ｃ）となる。したがって、メモリセルの状態として、容量素子３４００の電極の一方の電位がＶ１とＶ０（Ｖ１＞Ｖ０）の２つの状態をとるとすると、電位Ｖ１を保持している場合の第３の配線３００３の電位（＝（ＣＢ×ＶＢ０＋ＣＶ１）／（ＣＢ＋Ｃ））は、電位Ｖ０を保持している場合の第３の配線３００３の電位（＝（ＣＢ×ＶＢ０＋ＣＶ０）／（ＣＢ＋Ｃ））よりも高くなることがわかる。
【０２０７】
そして、第３の配線３００３の電位を所定の電位と比較することで、情報を読み出すことができる。
【０２０８】
この場合、メモリセルを駆動させるための駆動回路に上記第１の半導体が適用されたトランジスタを用い、トランジスタ３３００として第２の半導体が適用されたトランジスタを駆動回路上に積層して配置する構成とすればよい。
【０２０９】
以上に示した半導体装置は、酸化物半導体を用いたオフ電流の極めて小さいトランジスタを適用することで、長期にわたって記憶内容を保持することが可能となる。つまり、リフレッシュ動作が不要となるか、またはリフレッシュ動作の頻度を極めて低くすることが可能となるため、消費電力の低い半導体装置を実現することができる。また、電力の供給がない場合（ただし、電位は固定されていることが好ましい）であっても、長期にわたって記憶内容を保持することが可能である。
【０２１０】
また、該半導体装置は、情報の書き込みに高い電圧が不要であるため、素子の劣化が起こりにくい。例えば、従来の不揮発性メモリのように、フローティングゲートへの電子の注入や、フローティングゲートからの電子の引き抜きを行わないため、絶縁体の劣化といった問題が生じない。即ち、本発明の一態様に係る半導体装置は、従来の不揮発性メモリで問題となっている書き換え可能回数に制限はなく、信頼性が飛躍的に向上した半導体装置である。さらに、トランジスタの導通状態、非導通状態によって、情報の書き込みが行われるため、高速な動作が可能となる。
【０２１１】
＜ＣＰＵ＞
以下では、上述したトランジスタや上述した記憶装置などの半導体装置を含むＣＰＵについて説明する。
【０２１２】
図１５は、上述したトランジスタを一部に用いたＣＰＵの一例の構成を示すブロック図である。
【０２１３】
図１５に示すＣＰＵは、基板１１９０上に、ＡＬＵ１１９１（ＡＬＵ：Ａｒｉｔｈｍｅｔｉｃ  ｌｏｇｉｃ  ｕｎｉｔ、演算回路）、ＡＬＵコントローラ１１９２、インストラクションデコーダ１１９３、インタラプトコントローラ１１９４、タイミングコントローラ１１９５、レジスタ１１９６、レジスタコントローラ１１９７、バスインターフェース１１９８、書き換え可能なＲＯＭ１１９９、およびＲＯＭインターフェース１１８９を有している。基板１１９０は、半導体基板、ＳＯＩ基板、ガラス基板などを用いる。ＲＯＭ１１９９およびＲＯＭインターフェース１１８９は、別チップに設けてもよい。もちろん、図１５に示すＣＰＵは、その構成を簡略化して示した一例にすぎず、実際のＣＰＵはその用途によって多種多様な構成を有している。例えば、図１５に示すＣＰＵまたは演算回路を含む構成を一つのコアとし、当該コアを複数含み、それぞれのコアが並列で動作するような構成としてもよい。また、ＣＰＵが内部演算回路やデータバスで扱えるビット数は、例えば８ビット、１６ビット、３２ビット、６４ビットなどとすることができる。
【０２１４】
バスインターフェース１１９８を介してＣＰＵに入力された命令は、インストラクションデコーダ１１９３に入力され、デコードされた後、ＡＬＵコントローラ１１９２、インタラプトコントローラ１１９４、レジスタコントローラ１１９７、タイミングコントローラ１１９５に入力される。
【０２１５】
ＡＬＵコントローラ１１９２、インタラプトコントローラ１１９４、レジスタコントローラ１１９７、タイミングコントローラ１１９５は、デコードされた命令に基づき、各種制御を行なう。具体的にＡＬＵコントローラ１１９２は、ＡＬＵ１１９１の動作を制御するための信号を生成する。また、インタラプトコントローラ１１９４は、ＣＰＵのプログラム実行中に、外部の入出力装置や、周辺回路からの割り込み要求を、その優先度やマスク状態から判断し、処理する。レジスタコントローラ１１９７は、レジスタ１１９６のアドレスを生成し、ＣＰＵの状態に応じてレジスタ１１９６の読み出しや書き込みを行なう。
【０２１６】
また、タイミングコントローラ１１９５は、ＡＬＵ１１９１、ＡＬＵコントローラ１１９２、インストラクションデコーダ１１９３、インタラプトコントローラ１１９４、およびレジスタコントローラ１１９７の動作のタイミングを制御する信号を生成する。例えばタイミングコントローラ１１９５は、基準クロック信号ＣＬＫ１を元に、内部クロック信号ＣＬＫ２を生成する内部クロック生成部を備えており、内部クロック信号ＣＬＫ２を上記各種回路に供給する。
【０２１７】
図１５に示すＣＰＵでは、レジスタ１１９６に、メモリセルが設けられている。レジスタ１１９６のメモリセルとして、上述したトランジスタや記憶装置などを用いることができる。
【０２１８】
図１５に示すＣＰＵにおいて、レジスタコントローラ１１９７は、ＡＬＵ１１９１からの指示に従い、レジスタ１１９６における保持動作の選択を行う。即ち、レジスタ１１９６が有するメモリセルにおいて、フリップフロップによるデータの保持を行うか、容量素子によるデータの保持を行うかを、選択する。フリップフロップによるデータの保持が選択されている場合、レジスタ１１９６内のメモリセルへの、電源電圧の供給が行われる。容量素子におけるデータの保持が選択されている場合、容量素子へのデータの書き換えが行われ、レジスタ１１９６内のメモリセルへの電源電圧の供給を停止することができる。
【０２１９】
図１６は、レジスタ１１９６として用いることのできる記憶素子１２００の回路図の一例である。記憶素子１２００は、電源遮断で記憶データが揮発する回路１２０１と、電源遮断で記憶データが揮発しない回路１２０２と、スイッチ１２０３と、スイッチ１２０４と、論理素子１２０６と、容量素子１２０７と、選択機能を有する回路１２２０と、を有する。回路１２０２は、容量素子１２０８と、トランジスタ１２０９と、トランジスタ１２１０と、を有する。なお、記憶素子１２００は、必要に応じて、ダイオード、抵抗素子、インダクタなどのその他の素子をさらに有していてもよい。
【０２２０】
ここで、回路１２０２には、上述した記憶装置を用いることができる。記憶素子１２００への電源電圧の供給が停止した際、回路１２０２のトランジスタ１２０９のゲートにはＧＮＤ（０Ｖ）、またはトランジスタ１２０９がオフする電位が入力され続ける構成とする。例えば、トランジスタ１２０９のゲートが抵抗等の負荷を介して接地される構成とする。
【０２２１】
スイッチ１２０３は、一導電型（例えば、ｎチャネル型）のトランジスタ１２１３を用いて構成され、スイッチ１２０４は、一導電型とは逆の導電型（例えば、ｐチャネル型）のトランジスタ１２１４を用いて構成した例を示す。ここで、スイッチ１２０３の第１の端子はトランジスタ１２１３のソースとドレインの一方に対応し、スイッチ１２０３の第２の端子はトランジスタ１２１３のソースとドレインの他方に対応し、スイッチ１２０３はトランジスタ１２１３のゲートに入力される制御信号ＲＤによって、第１の端子と第２の端子の間の導通または非導通（つまり、トランジスタ１２１３の導通状態または非導通状態）が選択される。スイッチ１２０４の第１の端子はトランジスタ１２１４のソースとドレインの一方に対応し、スイッチ１２０４の第２の端子はトランジスタ１２１４のソースとドレインの他方に対応し、スイッチ１２０４はトランジスタ１２１４のゲートに入力される制御信号ＲＤによって、第１の端子と第２の端子の間の導通または非導通（つまり、トランジスタ１２１４の導通状態または非導通状態）が選択される。
【０２２２】
トランジスタ１２０９のソースとドレインの一方は、容量素子１２０８の一対の電極のうちの一方、およびトランジスタ１２１０のゲートと電気的に接続される。ここで、接続部分をノードＭ２とする。トランジスタ１２１０のソースとドレインの一方は、低電源電位を供給することのできる配線（例えばＧＮＤ線）に電気的に接続され、他方は、スイッチ１２０３の第１の端子（トランジスタ１２１３のソースとドレインの一方）と電気的に接続される。スイッチ１２０３の第２の端子（トランジスタ１２１３のソースとドレインの他方）はスイッチ１２０４の第１の端子（トランジスタ１２１４のソースとドレインの一方）と電気的に接続される。スイッチ１２０４の第２の端子（トランジスタ１２１４のソースとドレインの他方）は電源電位ＶＤＤを供給することのできる配線と電気的に接続される。スイッチ１２０３の第２の端子（トランジスタ１２１３のソースとドレインの他方）と、スイッチ１２０４の第１の端子（トランジスタ１２１４のソースとドレインの一方）と、論理素子１２０６の入力端子と、容量素子１２０７の一対の電極のうちの一方と、は電気的に接続される。ここで、接続部分をノードＭ１とする。容量素子１２０７の一対の電極のうちの他方は、一定の電位が入力される構成とすることができる。例えば、低電源電位（ＧＮＤ等）または高電源電位（ＶＤＤ等）が入力される構成とすることができる。容量素子１２０７の一対の電極のうちの他方は、低電源電位を供給することのできる配線（例えばＧＮＤ線）と電気的に接続される。容量素子１２０８の一対の電極のうちの他方は、一定の電位が入力される構成とすることができる。例えば、低電源電位（ＧＮＤ等）または高電源電位（ＶＤＤ等）が入力される構成とすることができる。容量素子１２０８の一対の電極のうちの他方は、低電源電位を供給することのできる配線（例えばＧＮＤ線）と電気的に接続される。
【０２２３】
なお、容量素子１２０７および容量素子１２０８は、トランジスタや配線の寄生容量等を積極的に利用することによって省略することも可能である。
【０２２４】
トランジスタ１２０９のゲートには、制御信号ＷＥが入力される。スイッチ１２０３およびスイッチ１２０４は、制御信号ＷＥとは異なる制御信号ＲＤによって第１の端子と第２の端子の間の導通状態または非導通状態を選択され、一方のスイッチの第１の端子と第２の端子の間が導通状態のとき他方のスイッチの第１の端子と第２の端子の間は非導通状態となる。
【０２２５】
トランジスタ１２０９のソースとドレインの他方には、回路１２０１に保持されたデータに対応する信号が入力される。図１６では、回路１２０１から出力された信号が、トランジスタ１２０９のソースとドレインの他方に入力される例を示した。スイッチ１２０３の第２の端子（トランジスタ１２１３のソースとドレインの他方）から出力される信号は、論理素子１２０６によってその論理値が反転された反転信号となり、回路１２２０を介して回路１２０１に入力される。
【０２２６】
なお、図１６では、スイッチ１２０３の第２の端子（トランジスタ１２１３のソースとドレインの他方）から出力される信号は、論理素子１２０６および回路１２２０を介して回路１２０１に入力する例を示したがこれに限定されない。スイッチ１２０３の第２の端子（トランジスタ１２１３のソースとドレインの他方）から出力される信号が、論理値を反転させられることなく、回路１２０１に入力されてもよい。例えば、回路１２０１内に、入力端子から入力された信号の論理値が反転した信号が保持されるノードが存在する場合に、スイッチ１２０３の第２の端子（トランジスタ１２１３のソースとドレインの他方）から出力される信号を当該ノードに入力することができる。
【０２２７】
また、図１６において、記憶素子１２００に用いられるトランジスタのうち、トランジスタ１２０９以外のトランジスタは、酸化物半導体以外の半導体でなる膜または基板１１９０にチャネルが形成されるトランジスタとすることができる。例えば、シリコン膜またはシリコン基板にチャネルが形成されるトランジスタとすることができる。また、記憶素子１２００に用いられるトランジスタ全てを、チャネルが酸化物半導体で形成されるトランジスタとすることもできる。または、記憶素子１２００は、トランジスタ１２０９以外にも、チャネルが酸化物半導体で形成されるトランジスタを含んでいてもよく、残りのトランジスタは酸化物半導体以外の半導体でなる層または基板１１９０にチャネルが形成されるトランジスタとすることもできる。
【０２２８】
図１６における回路１２０１には、例えばフリップフロップ回路を用いることができる。また、論理素子１２０６としては、例えばインバータやクロックドインバータ等を用いることができる。
【０２２９】
本発明の一態様に係る半導体装置では、記憶素子１２００に電源電圧が供給されない間は、回路１２０１に記憶されていたデータを、回路１２０２に設けられた容量素子１２０８によって保持することができる。
【０２３０】
また、酸化物半導体にチャネルが形成されるトランジスタはオフ電流が極めて小さい。例えば、酸化物半導体にチャネルが形成されるトランジスタのオフ電流は、結晶性を有するシリコンにチャネルが形成されるトランジスタのオフ電流に比べて著しく低い。そのため、当該トランジスタをトランジスタ１２０９として用いることによって、記憶素子１２００に電源電圧が供給されない間も容量素子１２０８に保持された信号は長期間にわたり保たれる。こうして、記憶素子１２００は電源電圧の供給が停止した間も記憶内容（データ）を保持することが可能である。
【０２３１】
また、スイッチ１２０３およびスイッチ１２０４を設けることによって、プリチャージ動作を行うことを特徴とする記憶素子であるため、電源電圧供給再開後に、回路１２０１が元のデータを保持しなおすまでの時間を短くすることができる。
【０２３２】
また、回路１２０２において、容量素子１２０８によって保持された信号はトランジスタ１２１０のゲートに入力される。そのため、記憶素子１２００への電源電圧の供給が再開された後、容量素子１２０８によって保持された信号を、トランジスタ１２１０の状態（導通状態、または非導通状態）に変換して、回路１２０２から読み出すことができる。それ故、容量素子１２０８に保持された信号に対応する電位が多少変動していても、元の信号を正確に読み出すことが可能である。
【０２３３】
このような記憶素子１２００を、プロセッサが有するレジスタやキャッシュメモリなどの記憶装置に用いることで、電源電圧の供給停止による記憶装置内のデータの消失を防ぐことができる。また、電源電圧の供給を再開した後、短時間で電源供給停止前の状態に復帰することができる。よって、プロセッサ全体、もしくはプロセッサを構成する一つ、または複数の論理回路において、短い時間でも電源停止を行うことができるため、消費電力を抑えることができる。
【０２３４】
記憶素子１２００をＣＰＵに用いる例として説明したが、記憶素子１２００は、ＤＳＰ（Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｓｉｇｎａｌ  Ｐｒｏｃｅｓｓｏｒ）、カスタムＬＳＩ、ＰＬＤ（Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ  Ｌｏｇｉｃ  Ｄｅｖｉｃｅ）等のＬＳＩ、ＲＦ−ＩＤ（Ｒａｄｉｏ  Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ  Ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ）にも応用可能である。
【０２３５】
＜表示装置＞
以下では、本発明の一態様に係る表示装置の構成例について説明する。
【０２３６】
［構成例］
図１７（Ａ）には、本発明の一態様に係る表示装置の上面図を示す。また、図１７（Ｂ）には、本発明の一態様に係る表示装置の画素に液晶素子を用いた場合における画素回路を示す。また、図１７（Ｃ）には、本発明の一態様に係る表示装置の画素に有機ＥＬ素子を用いた場合における画素回路を示す。
【０２３７】
画素に用いるトランジスタは、上述したトランジスタを用いることができる。ここでは、ｎチャネル型のトランジスタを用いる例を示す。なお、画素に用いたトランジスタと、同一工程を経て作製したトランジスタを駆動回路として用いても構わない。このように、画素や駆動回路に上述したトランジスタを用いることにより、表示品位が高い、または／および信頼性の高い表示装置となる。
【０２３８】
アクティブマトリクス型表示装置の一例を図１７（Ａ）に示す。表示装置の基板５０００上には、画素部５００１、第１の走査線駆動回路５００２、第２の走査線駆動回路５００３、信号線駆動回路５００４が配置される。画素部５００１は、複数の信号線によって信号線駆動回路５００４と電気的に接続され、複数の走査線によって第１の走査線駆動回路５００２、および第２の走査線駆動回路５００３と電気的に接続される。なお、走査線と信号線とによって区切られる領域には、それぞれ表示素子を有する画素が配置されている。また、表示装置の基板５０００は、ＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ  Ｐｒｉｎｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）等の接続部を介して、タイミング制御回路（コントローラ、制御ＩＣともいう）に電気的に接続されている。
【０２３９】
第１の走査線駆動回路５００２、第２の走査線駆動回路５００３および信号線駆動回路５００４は、画素部５００１と同じ基板５０００上に形成される。そのため、駆動回路を別途作製する場合と比べて、表示装置を作製するコストを低減することができる。また、駆動回路を別途作製した場合、配線間の接続数が増える。したがって、同じ基板５０００上に駆動回路を設けることで、配線間の接続数を減らすことができ、信頼性の向上、または／および歩留まりの向上を図ることができる。
【０２４０】
〔液晶表示装置〕
また、画素の回路構成の一例を図１７（Ｂ）に示す。ここでは、ＶＡ型液晶表示装置の画素などに適用することができる画素回路を示す。
【０２４１】
この画素回路は、一つの画素に複数の画素電極を有する構成に適用できる。それぞれの画素電極は異なるトランジスタに接続され、各トランジスタは異なるゲート信号で駆動できるように構成されている。これにより、マルチドメイン設計された画素の個々の画素電極に印加する信号を、独立して制御できる。
【０２４２】
トランジスタ５０１６のゲート配線５０１２と、トランジスタ５０１７のゲート配線５０１３には、異なるゲート信号を与えることができるように分離されている。一方、データ線として機能するソース電極またはドレイン電極５０１４は、トランジスタ５０１６とトランジスタ５０１７で共通に用いられている。トランジスタ５０１６とトランジスタ５０１７は上述したトランジスタを適宜用いることができる。これにより、表示品位が高い、または／および信頼性の高い液晶表示装置を提供することができる。
【０２４３】
また、トランジスタ５０１６には、第１の画素電極が電気的に接続され、トランジスタ５０１７には、第２の画素電極が電気的に接続される。第１の画素電極と第２の画素電極とは分離されている。なお、第１の画素電極及び第２の画素電極の形状としては、特に限定は無い。例えば、第１の画素電極は、Ｖ字状とすればよい。
【０２４４】
トランジスタ５０１６のゲート電極はゲート配線５０１２と電気的に接続され、トランジスタ５０１７のゲート電極はゲート配線５０１３と電気的に接続されている。ゲート配線５０１２とゲート配線５０１３に異なるゲート信号を与えてトランジスタ５０１６とトランジスタ５０１７の動作タイミングを異ならせ、液晶の配向を制御することができる。
【０２４５】
また、容量配線５０１０と、誘電体として機能するゲート絶縁体と、第１の画素電極または第２の画素電極と電気的に接続する容量電極とで容量素子を形成してもよい。
【０２４６】
マルチドメイン構造は、一画素に第１の液晶素子５０１８と第２の液晶素子５０１９を備える。第１の液晶素子５０１８は第１の画素電極と対向電極とその間の液晶層とで構成され、第２の液晶素子５０１９は第２の画素電極と対向電極とその間の液晶層とで構成される。
【０２４７】
なお、本発明の一態様に係る表示装置は、図１７（Ｂ）に示す画素回路に限定されない。例えば、図１７（Ｂ）に示す画素回路に新たにスイッチ、抵抗素子、容量素子、トランジスタ、センサー、または論理回路などを追加してもよい。
【０２４８】
〔有機ＥＬパネル〕
画素の回路構成の他の一例を図１７（Ｃ）に示す。ここでは、有機ＥＬ素子を用いた表示装置の画素構造を示す。
【０２４９】
有機ＥＬ素子は、発光素子に電圧を印加することにより、有機ＥＬ素子が有する一対の電極の一方から電子が、他方から正孔がそれぞれ発光性の有機化合物を含む層に注入され、電流が流れる。そして、電子および正孔が再結合することにより、発光性の有機化合物が励起状態を形成し、その励起状態が基底状態に戻る際に発光する。このようなメカニズムから、このような発光素子は、電流励起型の発光素子と呼ばれる。
【０２５０】
図１７（Ｃ）は、画素回路の一例を示す図である。ここでは１つの画素にｎチャネル型のトランジスタを２つ用いる例を示す。なお、ｎチャネル型のトランジスタには、上述したトランジスタを用いることができる。また、当該画素回路は、デジタル時間階調駆動を適用することができる。
【０２５１】
適用可能な画素回路の構成およびデジタル時間階調駆動を適用した場合の画素の動作について説明する。
【０２５２】
画素５０２０は、スイッチング用トランジスタ５０２１、駆動用トランジスタ５０２２、発光素子５０２４および容量素子５０２３を有する。スイッチング用トランジスタ５０２１は、ゲート電極が走査線５０２６に接続され、第１電極（ソース電極、ドレイン電極の一方）が信号線５０２５に接続され、第２電極（ソース電極、ドレイン電極の他方）が駆動用トランジスタ５０２２のゲート電極に接続されている。駆動用トランジスタ５０２２は、ゲート電極が容量素子５０２３を介して電源線５０２７に接続され、第１電極が電源線５０２７に接続され、第２電極が発光素子５０２４の第１電極（画素電極）に接続されている。発光素子５０２４の第２電極は共通電極５０２８に相当する。共通電極５０２８は、同一基板上に形成される共通電位線と電気的に接続される。
【０２５３】
スイッチング用トランジスタ５０２１および駆動用トランジスタ５０２２は上述したトランジスタを用いることができる。これにより、表示品位の高い、または／および信頼性の高い有機ＥＬ表示装置となる。
【０２５４】
発光素子５０２４の第２電極（共通電極５０２８）の電位は低電源電位に設定する。なお、低電源電位とは、電源線５０２７に供給される高電源電位より低い電位であり、例えばＧＮＤ、０Ｖなどを低電源電位として設定することができる。発光素子５０２４の順方向のしきい値電圧以上となるように高電源電位と低電源電位を設定し、その電位差を発光素子５０２４に印加することにより、発光素子５０２４に電流を流して発光させる。なお、発光素子５０２４の順方向電圧とは、所望の輝度とする場合の電圧を指しており、少なくとも順方向しきい値電圧を含む。
【０２５５】
なお、容量素子５０２３は駆動用トランジスタ５０２２のゲート容量を代用することにより省略できる場合がある。駆動用トランジスタ５０２２のゲート容量については、チャネル形成領域とゲート電極との間で容量が形成されていてもよい。
【０２５６】
次に、駆動用トランジスタ５０２２に入力する信号について説明する。電圧入力電圧駆動方式の場合、駆動用トランジスタ５０２２がオンまたはオフの二つの状態となるようなビデオ信号を、駆動用トランジスタ５０２２に入力する。なお、駆動用トランジスタ５０２２を線形領域で動作させるために、電源線５０２７の電圧よりも高い電圧を駆動用トランジスタ５０２２のゲート電極に与える。また、信号線５０２５には、電源線電圧に駆動用トランジスタ５０２２のしきい値電圧Ｖｔｈを加えた値以上の電圧をかける。
【０２５７】
アナログ階調駆動を行う場合、駆動用トランジスタ５０２２のゲート電極に発光素子５０２４の順方向電圧に駆動用トランジスタ５０２２のしきい値電圧Ｖｔｈを加えた値以上の電圧をかける。なお、駆動用トランジスタ５０２２が飽和領域で動作するようにビデオ信号を入力し、発光素子５０２４に電流を流す。また、駆動用トランジスタ５０２２を飽和領域で動作させるために、電源線５０２７の電位を、駆動用トランジスタ５０２２のゲート電位より高くする。ビデオ信号をアナログとすることで、発光素子５０２４にビデオ信号に応じた電流を流し、アナログ階調駆動を行うことができる。
【０２５８】
なお、本発明の一態様に係る表示装置は、図１７（Ｃ）に示す画素構成に限定されない。例えば、図１７（Ｃ）に示す画素回路にスイッチ、抵抗素子、容量素子、センサー、トランジスタまたは論理回路などを追加してもよい。
【０２５９】
図１７で例示した回路に上述したトランジスタを適用する場合、低電位側にソース電極（第１の電極）、高電位側にドレイン電極（第２の電極）がそれぞれ電気的に接続される構成とする。さらに、制御回路等により第１のゲート電極の電位を制御し、第２のゲート電極にはソース電極に与える電位よりも低い電位など、上記で例示した電位を入力可能な構成とすればよい。
【０２６０】
＜電子機器＞
本発明の一態様に係る半導体装置は、表示機器、パーソナルコンピュータ、記録媒体を備えた画像再生装置（代表的にはＤＶＤ：Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ  Ｄｉｓｃ等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうるディスプレイを有する装置）に用いることができる。その他に、本発明の一態様に係る半導体装置を用いることができる電子機器として、携帯電話、携帯型を含むゲーム機、携帯データ端末、電子書籍端末、ビデオカメラ、デジタルスチルカメラ等のカメラ、ゴーグル型ディスプレイ（ヘッドマウントディスプレイ）、ナビゲーションシステム、音響再生装置（カーオーディオ、デジタルオーディオプレイヤー等）、複写機、ファクシミリ、プリンタ、プリンタ複合機、現金自動預け入れ払い機（ＡＴＭ）、自動販売機などが挙げられる。これら電子機器の具体例を図１８に示す。
【０２６１】
図１８（Ａ）は携帯型ゲーム機であり、筐体９０１、筐体９０２、表示部９０３、表示部９０４、マイクロフォン９０５、スピーカー９０６、操作キー９０７、スタイラス９０８等を有する。なお、図１８（Ａ）に示した携帯型ゲーム機は、２つの表示部９０３と表示部９０４とを有しているが、携帯型ゲーム機が有する表示部の数は、これに限定されない。
【０２６２】
図１８（Ｂ）は携帯データ端末であり、第１筐体９１１、第２筐体９１２、第１表示部９１３、第２表示部９１４、接続部９１５、操作キー９１６等を有する。第１表示部９１３は第１筐体９１１に設けられており、第２表示部９１４は第２筐体９１２に設けられている。そして、第１筐体９１１と第２筐体９１２とは、接続部９１５により接続されており、第１筐体９１１と第２筐体９１２の間の角度は、接続部９１５により変更が可能である。第１表示部９１３における映像を、接続部９１５における第１筐体９１１と第２筐体９１２との間の角度にしたがって、切り替える構成としてもよい。また、第１表示部９１３および第２表示部９１４の少なくとも一方に、位置入力装置としての機能が付加された表示装置を用いるようにしてもよい。なお、位置入力装置としての機能は、表示装置にタッチパネルを設けることで付加することができる。または、位置入力装置としての機能は、フォトセンサーとも呼ばれる光電変換素子を表示装置の画素部に設けることでも、付加することができる。
【０２６３】
図１８（Ｃ）はノート型パーソナルコンピュータであり、筐体９２１、表示部９２２、キーボード９２３、ポインティングデバイス９２４等を有する。
【０２６４】
図１８（Ｄ）は電気冷凍冷蔵庫であり、筐体９３１、冷蔵室用扉９３２、冷凍室用扉９３３等を有する。
【０２６５】
図１８（Ｅ）はビデオカメラであり、第１筐体９４１、第２筐体９４２、表示部９４３、操作キー９４４、レンズ９４５、接続部９４６等を有する。操作キー９４４およびレンズ９４５は第１筐体９４１に設けられており、表示部９４３は第２筐体９４２に設けられている。そして、第１筐体９４１と第２筐体９４２とは、接続部９４６により接続されており、第１筐体９４１と第２筐体９４２の間の角度は、接続部９４６により変更が可能である。表示部９４３における映像を、接続部９４６における第１筐体９４１と第２筐体９４２との間の角度にしたがって切り替える構成としてもよい。
【０２６６】
図１８（Ｆ）は自動車であり、車体９５１、車輪９５２、ダッシュボード９５３、ライト９５４等を有する。
【実施例１】
【０２６７】
本実施例では、ＣＡＡＣ−ＩＧＺＯ、ｎｃ−ＩＧＺＯおよびａ−ｌｉｋｅ  ＩＧＺＯのＸＲＤを測定した。
【０２６８】
ＣＡＡＣ−ＩＧＺＯは、石英基板上に、スパッタリング法により、厚さ１００ｎｍのＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物を成膜する。ターゲットは、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物（Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１［原子数比］）を用いた。成膜ガスは、酸素ガスを３０ｓｃｃｍとした。また、電力は２００Ｗ（ＤＣ）とした。また、成膜時の基板温度は３００℃とした。成膜圧力は０．４Ｐａとした。
【０２６９】
第１のｎｃ−ＩＧＺＯ（１）は、石英基板上に、スパッタリング法により、厚さ１００ｎｍのＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物を成膜する。ターゲットは、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物（Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１［原子数比］）を用いた。成膜ガスは、アルゴンガスを３０ｓｃｃｍとした。また、電力は２００Ｗ（ＤＣ）とした。また、成膜時の基板温度は室温とした。成膜圧力は０．４Ｐａとした。
【０２７０】
第２のｎｃ−ＩＧＺＯ（２）は、石英基板上に、スパッタリング法により、厚さ１００ｎｍのＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物を成膜する。ターゲットは、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物（Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１［原子数比］）を用いた。成膜ガスは、アルゴンガスを２０ｓｃｃｍおよび酸素ガスを１０ｓｃｃｍとした。また、電力は２００Ｗ（ＤＣ）とした。また、成膜時の基板温度は室温とした。成膜圧力は０．４Ｐａとした。
【０２７１】
第３のｎｃ−ＩＧＺＯ（３）は、石英基板上に、スパッタリング法により、厚さ１００ｎｍのＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物を成膜する。ターゲットは、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物（Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１［原子数比］）を用いた。成膜ガスは、アルゴンガスを２０ｓｃｃｍおよび酸素ガスを１０ｓｃｃｍとした。また、電力は２００Ｗ（ＲＦ）とした。また、成膜時の基板温度は室温とした。成膜圧力は０．４Ｐａとした。
【０２７２】
第１のａ−ｌｉｋｅ  ＩＧＺＯ（１）は、石英基板上に、スパッタリング法により、厚さ１００ｎｍのＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物を成膜する。ターゲットは、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物（Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１［原子数比］）を用いた。成膜ガスは、アルゴンガスを３０ｓｃｃｍとした。また、電力は５０Ｗ（ＤＣ）とした。また、成膜時の基板温度は室温とした。成膜圧力は１．０Ｐａとした。
【０２７３】
第２のａ−ｌｉｋｅ  ＩＧＺＯ（２）は、石英基板上に、スパッタリング法により、厚さ１００ｎｍのＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物を成膜する。ターゲットは、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物（Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１［原子数比］）を用いた。成膜ガスは、アルゴンガスを２０ｓｃｃｍおよび酸素ガスを１０ｓｃｃｍとした。また、電力は５０Ｗ（ＤＣ）とした。また、成膜時の基板温度は室温とした。成膜圧力は１．０Ｐａとした。
【０２７４】
第３のａ−ｌｉｋｅ  ＩＧＺＯ（３）は、石英基板上に、スパッタリング法により、厚さ１００ｎｍのＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物を成膜する。ターゲットは、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物（Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１［原子数比］）を用いた。成膜ガスは、アルゴンガスを２０ｓｃｃｍおよび酸素ガスを１０ｓｃｃｍとした。また、電力は１００Ｗ（ＤＣ）とした。また、成膜時の基板温度は室温とした。成膜圧力は１．０Ｐａとした。
【０２７５】
次に各試料のＸＲＤを測定した。ＸＲＤの測定には、薄膜法を用いた。結果を図２８に示す。
【０２７６】
図２８より、ＣＡＡＣ−ＩＧＺＯは、結晶性を示す２θが３１°近傍のピークが観察された。また、ｎｃ−ＩＧＺＯおよびａ−ｌｉｋｅ  ＩＧＺＯは、２θが３３°近傍などに近接原子に起因した干渉が観測された。
【０２７７】
本実施例からも、ｎｃ−ＩＧＺＯとａ−ｌｉｋｅ  ＩＧＺＯとは、ＸＲＤによって区別できないことがわかった。
【符号の説明】
【０２７８】
１００    基板
１０６    酸化物
１７０    Ｘ線源
１７２    検出部
２００    ペレット
２００ａ    ペレット
２００ｂ    ペレット
２０１    イオン
２２０    基板
２３０    ターゲット
４００    基板
４０２    絶縁体
４０４    導電体
４０６ａ    半導体
４０６ｂ    半導体
４０６ｃ    半導体
４０８    絶縁体
４０９ａ    層
４０９ｂ    層
４１２    絶縁体
４１３    導電体
４１６ａ    導電体
４１６ｂ    導電体
４１８    絶縁体
４２３ａ    低抵抗領域
４２３ｂ    低抵抗領域
４２４ａ    導電体
４２４ｂ    導電体
４２６ａ    導電体
４２６ｂ    導電体
４２８    絶縁体
６００    基板
６０４    導電体
６０６ａ    半導体
６０６ｂ    半導体
６０６ｃ    半導体
６０９ａ    層
６０９ｂ    層
６１２    絶縁体
６１３    導電体
６１６ａ    導電体
６１６ｂ    導電体
６１８    絶縁体
６２０    絶縁体
９０１    筐体
９０２    筐体
９０３    表示部
９０４    表示部
９０５    マイクロフォン
９０６    スピーカー
９０７    操作キー
９０８    スタイラス
９１１    筐体
９１２    筐体
９１３    表示部
９１４    表示部
９１５    接続部
９１６    操作キー
９２１    筐体
９２２    表示部
９２３    キーボード
９２４    ポインティングデバイス
９３１    筐体
９３２    冷蔵室用扉
９３３    冷凍室用扉
９４１    筐体
９４２    筐体
９４３    表示部
９４４    操作キー
９４５    レンズ
９４６    接続部
９５１    車体
９５２    車輪
９５３    ダッシュボード
９５４    ライト
１１８９    ＲＯＭインターフェース
１１９０    基板
１１９１    ＡＬＵ
１１９２    ＡＬＵコントローラ
１１９３    インストラクションデコーダ
１１９４    インタラプトコントローラ
１１９５    タイミングコントローラ
１１９６    レジスタ
１１９７    レジスタコントローラ
１１９８    バスインターフェース
１１９９    ＲＯＭ
１２００    記憶素子
１２０１    回路
１２０２    回路
１２０３    スイッチ
１２０４    スイッチ
１２０６    論理素子
１２０７    容量素子
１２０８    容量素子
１２０９    トランジスタ
１２１０    トランジスタ
１２１３    トランジスタ
１２１４    トランジスタ
１２２０    回路
２１００    トランジスタ
２２００    トランジスタ
３００１    配線
３００２    配線
３００３    配線
３００４    配線
３００５    配線
３２００    トランジスタ
３３００    トランジスタ
３４００    容量素子
５０００    基板
５００１    画素部
５００２    走査線駆動回路
５００３    走査線駆動回路
５００４    信号線駆動回路
５０１０    容量配線
５０１２    ゲート配線
５０１３    ゲート配線
５０１４    ドレイン電極
５０１６    トランジスタ
５０１７    トランジスタ
５０１８    液晶素子
５０１９    液晶素子
５０２０    画素
５０２１    スイッチング用トランジスタ
５０２２    駆動用トランジスタ
５０２３    容量素子
５０２４    発光素子
５０２５    信号線
５０２６    走査線
５０２７    電源線
５０２８    共通電極
【図１】
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【図２】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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