(57)【要約】【課題】単一化された集積デバイスの側部に対する損傷を低減させる、薄い半導体基板をダイシングする方法を提供することを模索する。【解決手段】本発明は、  半導体基板に含まれる複数の集積デバイスを、レーザーエネルギーを用いてダイシングする方法であって、ダイシングされる切断線に沿って位置する前記基板の部分を除去するために第１のレーザー光線を前記基板に沿って前記切断線に向ける段階であって、除去される前記基板の部分が、ダイシングされている前記基板の切断線に隣接する改鋳材料を形成する段階を含む方法である。第２のレーザー光線は、前記切断線に隣接して形成される前記改鋳材料の熱処理を行うために前記切断線に隣接する前記基板の他の部分に向けられる。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板に含まれる複数の集積デバイスを、レーザーエネルギーを用いてダイシングする方法であって、
ダイシングされる切断線に沿って位置する前記基板の部分を除去するために第１のレーザー光線を前記基板に沿って前記切断線に向ける段階であって、除去される前記基板の部分が、ダイシングされている前記基板の切断線に隣接する改鋳材料を形成する段階と、
前記切断線に隣接して形成される前記改鋳材料の熱処理を行うために前記切断線に隣接する前記基板の他の部分に第２のレーザー光線を向ける段階と、
を含む方法。
【請求項２】
前記第２のレーザー光線がそれの熱処理を行うために向けられる前に、前記第１のレーザー光線によって形成される前記改鋳材料が、凝固するために十分な時間が許容される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第２のレーザー光線が、その強度を低下させるために焦点がぼかされている前記第１のレーザー光線を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記第１及び第２のレーザー光線が、同時に前記基板に向けられる、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記第１及び第２のレーザー光線が、回折光学素子によって前記基板の異なる部分で同時に形成されるように配される、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記第１のレーザー光線が、前記第２のレーザー光線の前に位置し、前記第２のレーザー光線を、前記第１及び第２のレーザー光線が前記基板に対して移動する方向に導き、前記第１のレーザー光線が、前記第２のレーザー光線より高いエネルギーを有する、請求項４に記載の方法。
【請求項７】
前記第２のレーザー光線ではなく前記第１のレーザー光線が、前記基板をダイシングするために十分な溶融及び蒸発を生成するために十分なエネルギーレベルを有するように構成される、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記第２のレーザー光線が前記切断線の両側に形成される改鋳材料の熱処理を行うように向けられる側部の反対側にある前記切断線の側部にある前記切断線に隣接する前記基板の部分に第３のレーザー光線を向ける段階をさらに含む、請求項４に記載の方法。
【請求項９】
前記第１、第２及び第３のレーザー光線が、同時に前記基板のそれぞれの部分に向けられる、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記第１、第２及び第３のレーザー光線が、Ｖ形状の配置で共に配される、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記第１、第２及び第３のレーザー光線が、回折光学素子によってパターニングされ、第２の切断線のダイシングが、前記回折光学素子を回転させる段階、及び前記第２の切断線に沿って前記基板をダイシングするように、第１の切断線に沿ってダイシングする際に移動する方向と反対の方向において前記回折光学素子に対して前記基板を移動させる段階をさらに含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
前記レーザー光線が、３つを超えるレーザー光線を含み、前記複数のレーザー光線が、前記リーディングレーザー光線より低いエネルギーレベルをそれぞれ有する前記切断線の対向側部に配される多数のトレーリングレーザー光線の前に位置するリーディングレーザー光線を有して配される、請求項８に記載の方法。
【請求項１３】
Ｘ形状の配置を形成するために前記第１、第２及び第３のレーザー光線に対して配される追加のレーザー光線をさらに含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１４】
前記レーザー光線のエネルギーレベル分布が、前記切断線に位置する中心レーザー光線のエネルギーレベルが、前記切断線から離れて位置するレーザー光線のエネルギーレベルより高いようなものである、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記第１のレーザー光線に加えて前記基板の切断線に１つ又はそれ以上のレーザー光線を向けることによってダイシングされる前記切断線に沿って位置する前記基板の部分をさらに溶融する段階をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、典型的には半導体ウエハの形態の半導体基板の切断又はダイシングに関連し、特に、薄い半導体基板のダイシングに関連する。
【背景技術】
【０００２】
ウエハの形態の半導体基板は、単一化された集積デバイス又はチップを形成するためにダイシングされる。そのようなものとして、半導体基板は、ずっと小さな最終製品に使用される薄い半導体ダイの製造において、より薄くなり、薄い半導体基板を切断する試みが益々増加しており、現在では、１００μｍ程度以下で製造される。
【０００３】
薄い半導体基板は、機械的な鋸刃を用いてダイシングされ、又は、機械的な鋸刃を用いて、より厚い半導体基板を部分的にダイシングすることによってダイシングされ、次いで半導体ダイが分離されるまで半導体基板を研磨することによってダイシングされ得る。しかしながら、鋸刃を用いた機械的な力を加えることが、単一化された半導体ダイスのクラック及び／又は破壊を引き起こすことが見られている。収率損失は、典型的には、１００μｍ未満の厚さの半導体基板において３０％を超える。このことは、それを大量生産において魅力のないプロセスにする。一方で、二段階の研削前ダイシング（dice−before−grind）手法は、遅く、大量生産には理想的ではない。
【０００４】
機械的な鋸刃を用いることに加えて、レーザー光線が半導体基板の表面に投射される通常のレーザーダイシングプロセスがまた行われ得る。これは、集積デバイスが分離されるまで、溶融及び蒸発を通して半導体基板の材料の除去をもたらす。
【０００５】
半導体基板を単一化するために通常のレーザーダイシングを用いるとき、基板材料の溶融又は蒸発が開始する点に達する相対的に高いレーザーエネルギーレベルが要求される。このような高いレーザー強度のマイナスの副作用は、単一化された集積デバイスの側部に熱が損傷を与えることである。この熱損傷は、集積デバイスのダイ強度の大幅な低下をもたらし、それは、薄い半導体基板の場合に特に問題である。ダイ強度が原則的に処理後のエッチング段階で少なくとも部分的に修復され得る一方で、エッチングプロセスは、半導体基板が載置されるキャリア（通常、粘着テープ）に加えて、半導体ダイの能動部品を損傷し得る攻撃的な化学薬品を必要とする。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
それによって単一化される集積デバイスのダイ強度を保持するように、従来のレーザーダイシングプロセスと比較して、単一化された集積デバイスの側部に対する損傷を低減させる、薄い半導体基板をダイシングする方法を提供することを模索することが本発明の目的である。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
従って、本発明は、半導体基板に含まれる複数の集積デバイスを、レーザーエネルギーを用いてダイシングする方法であって、ダイシングされる切断線に沿って位置する前記基板の部分を除去するために第１のレーザー光線を前記基板に沿って前記切断線に向ける段階であって、除去される前記基板の部分が、ダイシングされている前記基板の切断線に隣接する改鋳材料を形成する段階と、前記切断線に隣接して形成される前記改鋳材料の熱処理を行うために前記切断線に隣接する前記基板の他の部分に第２のレーザー光線を向ける段階と、を含む方法を提供する。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明を実施するための適用可能であるレーザーダイシング装置の正面図である。
【図２】基板ホルダーに支持される複数の切断線を含む基板の平面図を示し、本発明の第１の好ましい実施形態によるダイシング方法を示す。
【図３】基板のダイシング中に形成される改鋳材料を示す。
【図４】本発明の第２の好ましい実施形態によるダイシング方法を用いてダイシングされる半導体基板の平面図である。
【図５】本発明の第３の好ましい実施形態による他のダイシング方法を用いてダイシングされる半導体基板の平面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
添付の図面を参照して、さらに具体的に本発明を以下に記載する。図面及び関連する詳細な説明は、特許請求の範囲で特定される本発明の広い同一の範囲を限定するものと解釈してはならない。
【００１０】
本発明による薄い半導体基板のダイシング方法の実施例は、添付の図面を参照して以下に記載される。
【００１１】
図１は、本発明を実施するために適用可能であるレーザーダイシング装置の一部の正面実施例である。レーザーダイシング装置は、レーザーエネルギーを用いて基板１の標的表面３の少なくとも１つの切断線に沿って実質的に平坦な半導体基板１を放射状にダイシングすることができる。
【００１２】
具体的に、図１は、ダイシング中に基板１を支持するための、テーブル又はチャックの形態であり得る基板ホルダーＨを示す。照明器Ｉは、１つ又はそれ以上のレーザー光線を含み得るレーザー光線出力Ｂを生成するために基板ホルダーＨの上に位置する。投射系Ｐは、基板１が基板ホルダーＨに支持されるときに基板１の標的表面３にレーザー光線出力Ｂの焦点を合わせるために照明器Ｉの下に位置する。基板１上におけるレーザー光線出力Ｂの衝突の領域は、Ｔで示される。さらに、ステージアセンブリ等のアクチュエータ系Ａは、ＸＹ平面に平行な平面におけるレーザー光線出力Ｂに関する基板ホルダーＨの相対的な移動を引き起こす。
【００１３】
より詳細には、照明器Ｉは、さらにレーザー光源４を備え、それは、投射系Ｐの光軸６にも共通である光軸６に沿ってパルスレーザー放射を出力し得る。レーザー光源４は、他の機能のうち、前記レーザー放射のパルス持続期間、繰り返し周波数、及び出力又は流束量等のパラメータを制御するために使用され得るコントローラ４Ｃに接続される。図１において、制御ライン又は制御バスは、斜線又は点線を用いて示される。
【００１４】
ビームスプリッタ８は、１つ又はそれ以上のレーザー光線を含むレーザー光線出力Ｂに前記レーザー放射をパターニングする。この特有の実施例において、ビームスプリッタ８は、回転可能なテーブル８２に載置される回折光学素子（Diffractive Optical Element（ＤＯＥ））８を備え、それは、ＤＯＥが垂直なＺ軸に対して回転されることを可能にする。回転可能なテーブル８２のこのような回転は、コントローラ８２Ｃによって制御される。ＤＯＥは、使用者によって望まれるようなレーザー光線出力Ｂの種々の配置を生成するために設計され得る。
【００１５】
典型的には、ダイシングを経る基板１は、初めに、円周状のフレーム（図示されない）に取り付けられるテープ又はフォイルに載置され、円周状のフレームに取り付けられるテープ又はフォイルに載置される基板１のこの複合構造体は、次に、一般的には周囲のクランピングによって基板ホルダーＨに載置される。
【００１６】
所望の構成において基板１にレーザー光線出力Ｂの要素の焦点を合わせることに加えて、投射系Ｐはまた、例えば、収差及び／又はひずみ補正等の他の機能を行い得る。
【００１７】
図１に示されるレーザーダイシング装置は、さらに、照明器Ｉ及び基板ホルダーＨの間に位置する調整可能な空間フィルターＦを示す。この空間フィルターＦは、複数の電動プレートＰ１、Ｐ２を備え、これらの電動プレートＰ１、Ｐ２の位置は、レーザー光線出力Ｂの選択可能なレーザー光線を少なくとも部分的に遮蔽し、所望するようにレーザー光線出力Ｂを形付けるように調整され得る。
【００１８】
電動プレートＰ１、Ｐ２は、コントローラＦＣに接続されるそれぞれのモーターＭ１、Ｍ２を用いてＹ方向に平行に前後に可動可能である。コントローラＦＣに接続されるそれぞれのモーターを用いてＸ方向に平行に前後に可動可能なプレートの他の対（図示されない）は、同様に含まれ得る。
【００１９】
上述の種々のコントローラ４Ｃ、８２Ｃ、ＡＣ、ＦＣは、マスターコントローラＣに接続される。
【００２０】
図１に示されるように、ＤＯＥ８を去って投射系Ｐに入るレーザー光線出力Ｂは、必須的に平行ビームを含む。この特定の構成において、中間焦点面は、第１及び第２のレンズ１０ａ、１０ｂを用いて生成され、それは、この平面内にあり、又は、電動プレートＰ１、Ｐ２が配置される面に隣接する面に接近している。このように、電動プレートＰ１、Ｐ２の覆い隠す端部は、レーザー光線出力Ｂと共に標的表面３に効果的に焦点合わせされる。
【００２１】
図２は、基板ホルダーＨに支持される複数の切断線２を含む基板１の平面図を示す、本発明による第１の好ましい実施形態によるダイシング方法を示す。様々な切断線２は、標的表面３に示される。
【００２２】
これらの切断線２は、標的表面３にマトリクス配置で分布される集積デバイス２３の間に略水平な平面にＸ−Ｙグリッドパターンで走る。通常、典型的な半導体基板１に多くのこのような集積デバイス２３があり得るが、明確性及び簡潔性のために、ここでは、数個のみが示されている。図２は、長軸方向のスキャンを示し、それに続いて、特定の方向（この場合、±Ｙ）において多くの連続的な切断線２に沿って基板１をダイシングする側方ステップ手法が続く。
【００２３】
以下は、ダイシングが行われ得るダイシングプロセスの一例である。基板１は、−Ｙ方向においてビームアレイＢをスキャンすることによって切断線２ａに沿ってダイシングされる。実際に、このような相対移動は、＋Ｙ方向において基板ホルダーをスキャンするためにアクチュエータ系Ａ（図１参照）を用いることによって達成され得る。
【００２４】
切断線２ａに沿って走るダイシングを完了した後に、アクチュエータ系Ａは、作動し、量ΔＸだけ＋Ｘ方向において基板ホルダーＨをステップする。結果として、レーザー光線出力Ｂは、量−ΔＸだけ標的表面３に対して効果的にシフトされる。この基板１は、ここでは、＋Ｙ方向においてビームアレイＢをスキャンすることによって切断線２ｂに沿ってダイシングされる。実際に、この相対移動は、−Ｙ方向において基板ホルダーＨをスキャンするためにアクチュエータ系Ａを操作することによって達成され得る。
【００２５】
参考までに、図２はまた、多くの切断線２の長手方向の中心軸２’を示す。図２に概略的に示される装置において、２つの別個のリニアモーター（示されない）は、Ｘ軸及びＹ軸に対して４５°の角度で傾いた、直交するＤ１及びＤ２軸に沿って基板ホルダーＨを独立的に駆動するように作動できる。そのようなものとして、Ｘ及び／又はＹ軸における基板ホルダーＨの動きは、Ｄ１及びＤ２軸に沿った同時駆動を含む。
【００２６】
典型的には、基板ホルダーＨは、例えば、空気ベアリング又は磁気ベアリング（図示されない）を用いて、ＸＹ平面に平行な参照表面（研磨された石の表面など）に対して平坦に浮くようにされる。基板ホルダーＨの正確な位置は、干渉計又はリニアエンコーダ等のポジショニング装置を用いて監視され制御され得る。さらに、基板１の標的表面３が、投射系Ｐに関して所望のレベルで維持されることを保証するように、焦点制御又はレベルセンシングは、典型的には採用される。
【００２７】
図３ａ及び図３ｂは、半導体基板１のダイシング中に形成される改鋳材料２ｃ、２ｄを示す。図３ａにおいて、レーザー光線出力Ｂは、基板１の切断線２に沿って基板１をダイシングしている。図３ｂにおいて、溶融され蒸発されたある程度の基板材料が、集積デバイス２３の側壁に沿って凝固し、改鋳材料２ｃ、２ｄを形成する。このような改鋳材料２ｃ、２ｄは、集積デバイス２３のダイ強度を増加させるために、それを除去し、低減し、又は弱体化するために加熱によって処理されるべきである。
【００２８】
例えば、改鋳材料の熱処理は、改鋳材料を除去するように作用し得、それによって低減し、又は完全に除去する。さらに又は代替的に、改鋳材料の熱処理は、改鋳材料を弱体化し、ダイ強度を増加させるために再びそれを溶融し得る。
【００２９】
本発明の第１の好ましい実施形態によれば、切断線２に沿って基板１のダイシングの完了後に、切断線２に隣接して形成される溶融された又は蒸発された基板の形態の改鋳材料は、レーザーエネルギーを用いた加熱によって処理される。従って、第１のレーザー光線を用いた切断線２に沿ったダイシングの後に、第２のレーザー光線は、その後、切断線２に隣接する基板１に形成される改鋳材料２ｃ、２ｄを含む基板の各部分に向けられ得る。
【００３０】
さらに、第３のレーザー光線は、切断線２の両側に形成される改鋳材料２ｃ、２ｄの熱処理を行うために、第２のレーザー光線が向けられている側部に対向する切断線２に隣接する基板１の部分に向けられ得る。第１、第２及び／又は第３のレーザー光線は、順々に別個に、又はより速い出力が望まれる場合に同時に（ＤＯＥを利用して）基板の部分に向けられ得る。第１、第２及び／又は第３のレーザー光線のそれぞれが同一のレーザー出力源で形成され得ることは、さらには望ましい。
【００３１】
第２及び／又は第３のレーザー光線として第１のレーザー光線と同一のレーザー出力源を使用するとき、レーザー光線の焦点のぼかしを適用することによって改鋳層の熱処理を行うために同一のレーザー光線を使用することが可能である。焦点をぼかす作用は、通常、レーザースポットサイズを増加させ、基板１におけるレーザー光線の影響を低下させる。正味の効果は、前記の熱処理の使用のように、それを処理するために低出力レーザー光線Ｂが改鋳領域に向けられることである。
【００３２】
切断線に及び切断線に隣接する改鋳材料に同時に向けられる多数のレーザー光線を利用する本発明の他の好ましい実施形態は、以下に記載される。
【００３３】
図４は、本発明の第２の好ましい実施形態によるダイシング方法を用いてダイシングされる半導体基板１の平面図である。ダイシングプロセスは、集積デバイス２３を分離するために十分な溶融及び蒸発を生成する、焦点を合された高強度のレーザー光線に基づく。熱衝撃の影響を低減させるために、切断線２に沿って向けられる内部光線がダイシングのために使用され、切断線２から離された外部光線がさらに、ダイシング中に形成される改鋳材料の熱処理を行うために使用される特別な光線の配置が適用される。
【００３４】
説明目的で、レーザー光線３０、３２は、より大きな直径を有して示されるより大きなエネルギー強度を有するレーザー光線等の、それらのそれぞれのエネルギーレベルに相当するサイズを有して示されることに留意すべきである。しかしながら、実際に、多数のレーザー光線は、実質的に同様の直径を有しそうである。
【００３５】
示された実施形態において、リーディング光線３０は、それの後を追う幾つかの低強度のトレーリング光線３２の間の中心に位置する。リーディング光線３０は、最も高い出力を有し、半導体基板１の切断線２に沿って切断線３６を形成するために使用される。リーディング光線３０及びトレーリング光線３０は、Ｖ形状の配置３４を形成し得る。
【００３６】
横方向における個々のリーディング光線３０及びトレーリング光線３２の間の距離は、基板厚さに対して最適化される必要がある。これが、結果として生じる改鋳材料の量に影響を与えるからである。切断方向に垂直な個々の光線の間の横方向の距離は、０．５μｍから４．０μｍであり得る。切断方向に平行な個々の光線の側方距離は、改鋳材料が冷却され、固化することを可能にするために十分なものでなければならない。これは、使用されるレーザー光線のエネルギーレベルに依存するが、通常、１０から１００μｍ程度である。ポジショニングテーブル１８の移動速度は、典型的には、１００ｍｍ／秒から５００ｍｍ／秒の範囲であり得る。特に、次のレーザー光線が改鋳材料２ｃ、２ｄの熱処理を行うために作動するように、先のレーザー光線３０、３２によって溶融される改鋳材料２ｃ、２ｄが、凝固するために十分な時間を有することを保証するようにこれらのパラメータは、調整されるべきである。
【００３７】
本発明に適用可能なリーディングレーザー光線３０及びトレーリングレーザー光線３２の適切な数は、固定されないが、レーザー光線の典型的な数は、約１１であり得、それは、１つのリーディングレーザー光線３０、及び切断線２に沿ってリーディングレーザー光線３０の各側に配置される５つのトレーリングレーザー光線３２を含む。この配置において、リーディングレーザー光線３０の各々の側部の５つのトレーリングレーザー光線の各組における強度分布は、それぞれ５０％、３０％、２０％、１０％及び５％である。
【００３８】
横方向における個々のリーディングレーザー光線３０及びトレーリングレーザー光線３２の間の空間が必ずしも一定である必要はないので、スポットパターンはまた、図３に示されるようにＶ形状の配置３４の代わりにＵ形状の配置を形成し得る。切断線２の端部において、ＤＯＥは、半導体基板１が反対方向に移動しながら、隣接する切断線２に対する同一のプロセスを行うために１８０°回転されるだろう。あるいは、ＤＯＥの回転の代わりに、半導体基板１自体が、基板ホルダーＨを回転することによって回転され得る。
【００３９】
さらに、リーディングレーザー光線３０が、基板１をダイシングするために使用される、唯一の光線又は単一の光線ではないかもしれないことが評価されるべきである。特に、単一のリーディングレーザー光線３０が基板１をダイシングするために十分なエネルギーを有しない場合、切断線２に沿って位置する高エネルギーレベルを有する複数の同様のレーザー光線は、同一の切断線２に沿って基板１を連続して切断するために使用され得る。このような実施において、Ｖ形状の配置３４のリーディングレーザー光線３０は、その代わりに、Ｙ形状の配置になるために切断線２に沿って配置される一列のリーディングレーザー光線を含み得る。
【００４０】
上記の手法は、ほとんど改鋳がないという結果をもたらす低下した熱衝撃を実現することができ、それは、逆に改善されたダイ強度をもたらす。
【００４１】
それにもかかわらず、上記手法を用いた起こり得る欠点は、Ｖ形状の配置３４に関して、Ｖ形状の配置３４の前に半導体基板１を初めにダイシングするレーザー光線３０を維持するために各切断線２をダイシングした後にＤＯＥを回転することが必要であるということである。さらに、ｌｏｗ−Ｋの半導体基板は、ダイシングされ、トレンチ段階は、層間剥離を避けるために切断線２から集積デバイス２３を分離するために導入されなければならない。１つの解決方法は、図５に示されるように、Ｖ形状の配置３４をＸ形状の配置３８にさらに延長することである。
【００４２】
図５は、本発明の第３の好ましい実施形態による他のダイシング方法を用いてダイシングされる半導体基板１の平面図である。利用可能な出力が十分である場合、Ｖ形状の配置３４は、Ｘ形状の配置３８に延長され得、それは、切断のために主に使用される中心光線４０、及び、切断線２に沿って中心線４０の対向側部に分布される第２の光線４２を含む。このように、単一パスは、ダイシング及び改鋳材料除去又は低減を行うだけではなく、トレンチは、切断線２から各集積デバイス２３を分離する同一のパス中に行われる。上述のように、これは、特に、トレンチが半導体基板１の上部層の層間剥離を避けることが要求されるｌｏｗ−Ｋの上部層を有する半導体基板に重要である。さらに、“Ｘ形状”の配置３８は、ＤＯＥを回転するための回転機構の必要性を取り除く。
【００４３】
本発明の好ましい実施形態によるダイシング方法において、改鋳材料のレーザー熱処理が集積デバイス２３の分離後に行われることが評価されるべきである。このレーザー処理は、ダイ強度の低減を避けるためにも機能する、初期の切断リーディングレーザー光線３０又は中心レーザー光線４０から、改鋳材料を低減し、除去し又は弱体化する。処理速度を維持するために、分離及び改鋳材料熱処理段階は、ここに記載されるようにＤＯＥを使用することによってワンパスで組み合わされ得る。
【００４４】
従って、単一化された集積デバイス２３のダイ強度は、増加する。そのため、収率の相当の利得があり、それは、生産性の損失を回避する。
【００４５】
本明細書に記載される発明は、具体的に記載されたもの以外に変形、修正及び／又は付加が可能であり、本発明が、上記の説明の精神及び範囲に含まれる全てのこのような変形、修正及び／又は付加を含むことが理解されるべきである。
【符号の説明】
【００４６】
１  半導体基板
２  切断線
２ｃ  改鋳材料
２ｄ  改鋳材料
３  標的表面
４  レーザー光源
４Ｃ  コントローラ
６  光軸
８  ビームスプリッタ
１０ａ  第１レンズ
１０ｂ  第２レンズ
１８  ポジショニングテーブル
２３  集積デバイス
３０  リーディング光線
３２  トレーリング光線
３４  Ｖ形状配置
３６  切断線
３８  Ｖ形状配置
４０  中心光線
４２  切断光線、第２光線
８２  回転可能なテーブル
８２Ｃ  コントローラ
ＡＣ  コントローラ
Ｃ  マスターコントローラ
ＦＣ  コントローラ
Ｐ１  電動プレート
Ｐ２  電動プレート
【図１】
2016021567.tif 000003
【図２】
2016021567.tif 000004
【図３】
2016021567.tif 000005
【図４】
2016021567.tif 000006
【図５】
2016021567.tif 000007
【外国語明細書】
2016021567000001.pdf