(57)【要約】【解決課題】  本発明は、柔軟性や復元性を保持しつつも低分子量成分の滲出による種々の不具合を低減し、さらに耐熱性にも優れた半導体製造工程用粘着フィルムに使用する基材フィルムを提供すること。【解決手段】  ポリオレフィン系樹脂（Ａ）を含有し、引張弾性率が２００ＭＰａ以下であるフィルムであって、前記ポリオレフィン系樹脂（Ａ）は、少なくとも１４０〜１７０℃の間に融解ピーク温度（Ｔｍ）を有し、結晶融解熱量（ΔＨｍ）が２５Ｊ／ｇ以下であることを特徴とする半導体製造工程用粘着フィルムに使用する基材フィルム。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリオレフィン系樹脂（Ａ）を含有し、引張弾性率が２００ＭＰａ以下であるフィルムであって、前記ポリオレフィン系樹脂（Ａ）は、少なくとも１４０〜１７０℃の間に融解ピーク温度（Ｔｍ）を有し、結晶融解熱量（ΔＨｍ）が２５Ｊ／ｇ以下であることを特徴とする半導体製造工程用粘着フィルムに使用する基材フィルム。
【請求項２】
前記ポリオレフィン系樹脂（Ａ）は、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）が３以下であることを特徴とする請求項１に記載の半導体製造工程用粘着フィルムに使用する基材フィルム。
【請求項３】
復元率が７２％以上であることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体製造工程用粘着フィルムに使用する基材フィルム。
【請求項４】
前記ポリオレフィン系樹脂（Ａ）は、基材フィルム全体に対して５０質量％以上含有することを特徴とする請求項１〜３のいずれか1項に記載の半導体製造工程用粘着フィルムに使用する基材フィルム。
【請求項５】
前記ポリオレフィン系樹脂（Ａ）は、プロピレン成分とエチレン成分のモル分率の比が４：１〜１９：１であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか1項に記載の半導体製造工程用粘着フィルムに使用する基材フィルム。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載の基材フィルムを少なくとも1つ備える、半導体製造工程用粘着フィルムに使用する基材フィルム。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の基材フィルムの少なくとも片面側に、粘着剤層を積層してなる半導体製造工程用粘着フィルム。
【請求項８】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の基材フィルムの少なくとも片面側に、粘着剤層を積層してなるダイシング用粘着フィルム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体製造工程で使用する粘着フィルムにおいて使用される基材フィルムに関し、さらに詳しくは、耐汚染性、柔軟性、復元性に優れ、さらにレーザー加工等に適した耐熱性を有する基材フィルム、及びそれを用いてなる半導体製造工程用の粘着フィルムに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体を製造する工程には、様々な工程があるが、たとえば、シリコンやガリウム砒素等の半導体ウェハの製造工程において、半導体ウェハを個々のチップに切断分離するダイシングが行われる。この際、ウェハを固定するために粘着フィルムを貼り付けて切断し、その後に粘着フィルムを放射状にエキスパンドして個々のチップをピックアップするなどの工程がある。
【０００３】
このような半導体ウェハは、近年の電子機器の小型化に伴い薄型化が進んでおり、ウェハの強度が低下しているため、製造工程において破損しやすくなっている。このため、エキスパンド時やピックアップ時に発生する半導体ウェハへの負荷を軽減しチップの破損を防止するため、粘着フィルムには柔軟性や応力緩和性が求められている。
【０００４】
柔軟な粘着フィルムを得るため、オレフィン系熱可塑性エラストマー等を粘着フィルムの基材フィルムとして用いる方法が知られている。
【０００５】
例えば、特許文献１には、基材フィルムの少なくとも片面に粘着剤層が設けられてなり、当該基材フィルムが、プロピレン並びにエチレンおよび／または炭素数４〜８のα−オレフィンを重合成分として含有し、かつ融解ピーク温度が１２０℃以上であるオレフィン系熱可塑性エラストマーを含有してなるダイシング用粘着シートが開示されている。
【０００６】
また、特許文献２には、密度０．９１０〜０．９３５の直鎖状低密度ポリエチレンからなる層と、特定の融点、重量平均分子量（Ｍｗ）、及びクロス分別法による一定の範囲の組成を有するポリプロピレン系樹脂組成物からなる層を積層させた粘着フィルム基材が開示されている。
【０００７】
このような柔軟な樹脂フィルムの材料として用いられるオレフィン系熱可塑性エラストマーは、一般的に低分子量成分を多く含むことによりフィルムに柔軟性を付与している。
しかしながら、特許文献１または２に開示されたオレフィン系熱可塑性エラストマーは、低温における樹脂溶出量、すなわち低分子量成分が多いことにより良好な柔軟性を付与できるものの、このような成分はフィルム表面へ滲出しやすいため製品の保管中にブロッキングを引き起こすといった不具合が生じるという問題がある。更に、保管中に樹脂が溶出することにより基材フィルムが硬くなり、エキスパンド時の伸び性が悪くなるほか、ピックアップもしにくくなるという問題がある。
【０００８】
また、近年においては、レーザーダイシングを用いた技術やダイシングフィルムに高機能層を設ける技術が活用されている。
【０００９】
レーザーダイシングは、ブレードダイシングに比べてウェハの切削幅が小さく、より高精度の加工が可能である上、ウェハへのダメージが小さい等の利点がある。一方、レーザー照射時に発生する熱によりダイシングフィルムの基材が溶融し、チャックテーブルに融着するなどの問題があるため、基材フィルムに耐熱性を付与することが要望されている。
【００１０】
ダイシングフィルム上に様々な高機能層を形成する多機能ダイシングフィルムにおいては、機能層を形成するための工程で加熱処理される場合があるため、基材には柔軟性や応力緩和性に加えて耐熱性が求められている。
【００１１】
これらレーザーダイシングを用いた技術やダイシングフィルムに高機能層を形成する技術の要望によって、基材フィルムには耐熱性の要求が高まりつつある。
【００１２】
例えば、特許文献３には、基材フィルムの裏面に金属層を形成し、溶融保護層とすることで基材フィルムが熱により溶融することを防止する技術が開示されている。
【００１３】
また、特許文献４には、エキスパンドが可能で基材が耐熱性を備えた保護膜形成付ダイシングシートが開示され、基材フィルムにポリプロピレンフィルムまたはポリブチレンテレフタレートフィルムを使用し、この基材フィルムは、融点が１３０℃を超えるか、もしくは融点を持たない、かつＭＤ方向およびＴＤ方向の破断伸度が１００％以上、２５％応力が１００ＭＰａ以下である基材フィルムが開示されている。
【００１４】
しかしながら、特許文献３の方法では、基材の柔軟性や応力緩和性が損なわれるためダイシング後にエキスパンドを行えないおそれがある。また、特許文献４の方法では、基材フィルムは耐熱性を有しているものの、基材フィルムの強度が高いため、エキスパンド性能が不十分であるという問題がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１５】
【特許文献１】特開２００３―７６５４号公報
【特許文献２】特開２００５−２９７２４７号公報
【特許文献３】特開２００８−４９３４６号公報
【特許文献４】特許第５３６３６６２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
本発明は、上記のような従来技術に伴う問題を解決しようとするものであり、柔軟性や復元性を保持しつつも低分子量成分の滲出による種々の不具合を低減し、さらに耐熱性にも優れた半導体製造工程用粘着フィルムに使用する基材フィルムを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
本発明は、以下のダイシングフィルム基材用樹脂フィルムである。
［１］ポリオレフィン系樹脂（Ａ）を含有し、引張弾性率が２００ＭＰａ以下であるフィルムであって、前記ポリオレフィン系樹脂（Ａ）は、少なくとも１４０〜１７０℃の間に融解ピーク温度（Ｔｍ）を有し、結晶融解熱量（ΔＨｍ）が２５Ｊ／ｇ以下であることを特徴とする半導体製造工程用粘着フィルムに使用する基材フィルム。
［２］前記ポリオレフィン系樹脂（Ａ）は、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）が３以下であることを特徴とする［１］に記載の半導体製造工程用粘着フィルムに使用する基材フィルム。
［３］復元率が７２％以上であることを特徴とする［１］または［２］に記載の半導体製造工程用粘着フィルムに使用する基材フィルム。
［４］前記ポリオレフィン系樹脂（Ａ）は、基材フィルム全体に対して５０質量％以上含有することを特徴とする［１］〜［３］のいずれか1項に記載の半導体製造工程用粘着フィルムに使用する基材フィルム。
［５］前記ポリオレフィン系樹脂（Ａ）は、プロピレン成分とエチレン成分のモル分率の比が４：１〜１９：１であることを特徴とする［１］〜［４］のいずれか1項に記載の半導体製造工程用粘着フィルムに使用する基材フィルム。
［６］［１］〜［５］のいずれか１項に記載の基材フィルムを少なくとも1つ備える、半導体製造工程用粘着フィルムに使用する基材フィルム。
［７］［１］〜［６］のいずれか１項に記載の基材フィルムの少なくとも片面側に、粘着剤層を積層してなる半導体製造工程用粘着フィルム。
［８］［１］〜［６］のいずれか１項に記載の基材フィルムの少なくとも片面側に、粘着剤層を積層してなるダイシング用粘着フィルム。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、柔軟性や復元性を保持しつつも低分子量成分の滲出による種々の不具合を低減し、耐熱性にも優れた半導体製造工程用粘着フィルムに使用する基材フィルムを提供することが出来る。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
本発明の半導体製造工程用粘着フィルムに使用する基材フィルムは、ポリオレフィン系樹脂（Ａ）を含有し、引張弾性率が２００ＭＰａ以下であるフィルムであり、前記ポリオレフィン系樹脂（Ａ）は、少なくとも１４０〜１７０℃の間に融解ピーク温度（Ｔｍ）を有することが重要であり、１４５〜１７０℃の間に融解ピーク温度（Ｔｍ）を有することが好ましく、１４５〜１６５℃の間に融解ピーク温度（Ｔｍ）を有することがより好ましい。ポリオレフィン系樹脂（Ａ）の融解ピーク温度（Ｔｍ）を１４０℃以上とすることで、レーザー光を用いたダイシング加工において、基材フィルムが溶融しチャックテーブルへ融着することを抑制することができる。また、基材フィルムに接着剤層や熱硬化性樹脂等の機能層を加熱硬化する工程においても、基材フィルムが溶融や融着を起こすことを抑制することができる。
また、融解ピーク温度（Ｔｍ）を１７０℃以下とすることで、基材フィルムの成形加工性が好ましくなる。
【００２０】
また、本発明に使用するポリオレフィン系樹脂（Ａ）は、融解ピーク温度（Ｔｍ）が複数個存在しても良く、少なくとも１４０〜１７０℃の間に融解ピーク温度（Ｔｍ）が一つ存在すればよく、前記ポリオレフィン系樹脂（Ａ）の最も高い温度の融解ピーク温度（Ｔｍ）が、１４０〜１７０℃の間に存在することが好ましい。
なお、本発明における融解ピーク温度（Ｔｍ）は、示差走査熱量計（ＤＳＣ）を用い、試料５ｍｇを２３０℃まで昇温した後、２５℃まで１０℃／分の降温速度で結晶化させ、再度１０℃／分の昇温速度で融解させたときに描かれるＤＳＣチャート（溶融曲線）のピークが現れる位置の温度のことをいう。
【００２１】
本発明に使用するポリオレフィン系樹脂（Ａ）は、結晶融解熱量（ΔＨｍ）が２５Ｊ／ｇ以下であることが重要であり、２０Ｊ／ｇ以下であることが好ましい。結晶融解熱量を２５Ｊ／ｇ以下とすることで、結晶化度が高くなり過ぎることなく、基材フィルムに柔軟性を持たせることができ、エキスパンド工程において不具合を生じるおそれを抑制することができる。
なお、本発明における結晶融解熱量（ΔＨｍ）は、示差走査熱量計（ＤＳＣ）を用い、試料５ｍｇを２３０℃まで昇温した後、２５℃まで１０℃／分の降温速度で結晶化させ、再度１０℃／分の昇温速度で融解させたときに描かれるＤＳＣチャート（溶融曲線）から求めることができる。すなわち、ＤＳＣチャートの吸熱開始温度と吸熱終了温度を直線で結んだベースラインと、溶融曲線とに囲まれた部分の面積により決定される。
【００２２】
結晶融解熱量（ΔＨｍ）が上記範囲を満たすようなポリオレフィン系樹脂（Ａ）は、プロピレンとエチレンの重合条件を適宜設定し、ポリオレフィンの結晶性を低下させることで得ることができる。例えば、重合温度を高くする、重合圧力を低くする、適当な触媒を選択する等の公知の方法を用いることができる。また、重合体としてホモポリプロピレンを選択することによって、融解ピーク温度（Ｔｍ）を上記範囲とすることが可能である。この結果、融解ピーク温度（Ｔｍ）と結晶融解熱量（ΔＨｍ）がともに上記範囲を満たすポリオレフィン系樹脂（Ａ）を得ることができる。このようなポリオレフィン系樹脂（Ａ）を用いることにより、本発明の半導体製造工程用粘着フィルムに使用する基材フィルムは、ダイシングなどの加工の際に必要な耐熱性と柔軟性の両方に優れたフィルムを得ることができる。
【００２３】
本発明に使用するポリオレフィン系樹脂（Ａ）は、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）が３以下であることが好ましく、２．５以下であることがより好ましい。分子量分布を３以下とすることで、低分子量成分の滲出が抑制され、フィルムの成形時に冷却ロールが低分子量成分で汚染されたりすることを抑制し成形性に優れる。さらに、低分子量成分の滲出によって引き起こされる保管中の不具合、たとえば、基材フィルムをロール状に巻き取った後に低分子量成分の滲出によって起こるブロッキングや基材フィルムの巻出し不良、フィルムに粘着剤を塗布しダイシングフィルムとした際に低分子量成分が粘着剤に移行することで起こる粘着剤汚染や半導体ウェハへの糊残りなど、種々の不具合を抑制することができるため長期保管性にも優れる。
【００２４】
本発明に使用するポリオレフィン系樹脂（Ａ）は、プロピレン成分とエチレン成分のモル分率の比が４：１〜１９：１であることが好ましく、５：１〜１４：１であることがより好ましい。プロピレン成分とエチレン成分のモル分率の比を上記とすることで柔軟性が低下するおそれを抑制することができ、また耐熱性が好ましいものとなる。
【００２５】
本発明に使用するポリオレフィン系樹脂（Ａ）は、基材フィルム全体に対して５０質量％以上含有することが好ましく、５５質量％以上含有することがより好ましく、６０質量％以上含有することが更に好ましい。ポリオレフィン系樹脂（Ａ）を５０質量％以上とすることで、耐汚染性、柔軟性、復元性に優れ、さらには耐熱性にすぐれた基材フィルムとすることができる。
【００２６】
［他の成分］
本発明の基材フィルムは、前記ポリオレフィン系樹脂（Ａ）の他に、必要に応じて他の樹脂や各種添加剤を含有することができる。このような樹脂としては、ポリプロピレンやポリエチレン等のポリオレフィン、ポリエチレンテレフタレートやポリブチレンテレフタレート等のポリエステル、ポリ塩化ビニル、ポリウレタン、ポリアミド、エチレン・ビニルアルコール共重合体、オレフィン系エラストマー、スチレン系エラストマーなどが挙げられる。また、添加剤としては、例えば、熱安定剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤、滑剤、アンチブロッキング剤及び着色剤等が挙げられる。
【００２７】
［ポリマー型帯電防止剤］
本発明の基材フィルムに帯電防止性を付与する場合は、ポリマー型帯電防止剤を添加することもできる。ポリマー型帯電防止剤は、一般的な低分子型帯電防止剤に比べてブリードアウトが発生しにくいことで知られているが、中でもポリエーテル−ポリオレフィン共重合体を構成成分とするポリマー型帯電防止剤はオレフィン系樹脂との相溶性がよく、本発明の基材フィルムから帯電防止剤がブリードアウトしにくくなる。したがって、本発明の特徴である耐ブロッキング性および粘着剤非汚染性を損なうことなく優れた帯電防止性能を持たせることができる。
【００２８】
また前記ポリマー型帯電防止剤のＭＦＲ（ＪＩＳ  Ｋ７２１０、１９０℃、２．１６ｋｇｆ）は１０以上であることが好ましい。より好ましくは１５以上である。ポリマー型帯電防止剤は成型時のせん断により筋状に配向することによって導電ネットワークを形成するが、この際、成型温度が低すぎると導電ネットワークが上手く配向しないため、帯電防止性能を十分に発揮できない。しかしながら、ポリマー型帯電防止剤はオレフィン系熱可塑性エラストマーやスチレン系熱可塑性エラストマーに比べて熱安定性が劣るため、成型温度が高すぎると熱劣化による炭化異物が発生しやすくなる。ＭＦＲが１０以上のポリマー型帯電防止剤を用いることによって、熱劣化の生じない低温成型においても導電ネットワークを上手く配向させることができる。
【００２９】
ポリマー型帯電防止剤を添加する場合は、フィルムの全質量に対して、ポリマー型帯電防止剤を５〜３０質量％含有することが好ましい。より好ましくは１０〜２５質量％である。含有量を５質量％以上とすることで、ピックアップ時における静電気障害を効果的に抑制することができる。また、３０質量％以下とすることで、フィルムの製膜時に厚み精度不良などの不具合の発生を抑制することができ、生産性が良好となる。
【００３０】
本発明の半導体製造工程用粘着フィルムに使用する基材フィルムは、引張弾性率が２００ＭＰａ以下であることが重要であり、１５０ＭＰａ以下が好ましく、１２０ＭＰａ以下が更に好ましく、１０５ＭＰａ以下であることが特に好ましい。引張弾性率を２００ＭＰａ以下とすることで、柔軟性が必要とされる半導体の製造工程において好適に使用することができ、例えば、ウェハ表面にパターン面を形成する工程ではパターン面への追従性が良好であり、また、ダイシング工程においてはエキスパンド性に優れる。
【００３１】
また、本発明の半導体製造工程用粘着フィルムに使用する基材フィルムの復元率は、７２％以上であることが好ましく、７５％以上がより好ましく、７９％以上が更に好ましい。復元率を７５％以上とすることで、復元性が必要とされる半導体の製造工程において、エキスパンドされた後も弛んだままになることなく形状が復元しやすく、カセット回収性に優れるなど、好適に使用することができる。
【００３２】
［基材フィルムの層構成］
本発明の半導体製造工程用粘着フィルムに使用する基材フィルムは、単層フィルムでも多層フィルムでもよい。多層フィルムとする場合は、少なくとも１層が前記ポリオレフィン系樹脂（Ａ）を含有し、引張弾性率が２００ＭＰａ以下であるフィルムを用いていればよく、表裏層からなる２種２層の積層フィルムおよび／または表裏層と中間層からなる２種３層の積層フィルムとすることもできる。
本発明の基材フィルムは、上記の単層フィルム又は多層フィルムを少なくとも１つ備えていればよい。また、本発明の基材フィルムには、上記の単層フィルム又は多層フィルムが２以上積層されたフィルムも含まれる。単層フィルム又は多層フィルムが２以上積層されている場合は、各フィルムの間に接着剤層を備えることができる。
【００３３】
［フィルムの厚み］
本発明の好ましい態様においては、基材フィルムの厚みは、３０μｍ〜５００μｍであり、更に好ましくは、５０μｍ〜３００μｍである。上記の値の範囲内であれば、柔軟性を保持しつつも半導体製造工程用粘着フィルムに使用する基材フィルムとして十分な強度を保ち、また成形加工性にも優れる。
【００３４】
［基材フィルムの製法］
本発明の基材フィルムを製造する工程においては、Ｔダイ押出し成形法等の押出し成形法、インフレーション成形法及びカレンダー成形法等の一般的なポリオレフィン系樹脂フィルムの成形方法が用いられるが、特に本発明においては押出し成形法が適している。尚、押出しの際の樹脂組成物のメルトフローレートは、１〜２０ｇ／１０分、好ましくは、５〜１５ｇ／１０分である。樹脂組成物のメルトフローレートが１ｇ／１０分以上であれば溶融粘度が高くなり過ぎることがなく押出加工性が良好であり、２０ｇ／１０分以下であれば溶融粘度が低くなり過ぎることがなく流動性が良好で加工性に優れる。
【００３５】
［粘着フィルム］
本発明の粘着フィルムは、本発明で得られる単層または多層の基材フィルムが少なくとも１つ含まれていればよい。本発明の粘着フィルムは、基材フィルムの少なくとも片面側に、粘着剤層を積層してなる。
粘着剤層として用いられる粘着剤は特に限定されないが、例えば、天然ゴム系樹脂、アクリル系樹脂、スチレン系樹脂、シリコン系樹脂、ポリビニルエーテル系樹脂等の各種粘着剤が用いられる。また粘着剤層の上にさらに接着剤層や熱硬化性樹脂層等の機能層を設けても良い。
【００３６】
本発明の基材フィルムの少なくとも片面側は、プラズマ処理やコロナ処理、オゾン処理および火炎処理等の方法により表面処理されてもよい。また、基材フィルムと粘着層の間には、必要によりプライマー層を設けてもよい。また、本発明の目的を損ねない限り、基材フィルムの粘着層が設けられた側の反対面に更に樹脂層を設けても良い。
【００３７】
本発明の半導体製造工程用粘着フィルムは、シリコンやガリウム砒素等の半導体の他、ガラスおよび水晶、ＢＧＡやＱＦＮ等のパッケージ基板をダイシングする際に用いることもできる。ダイシングの方法としては特に限定されないが、特にレーザーダイシングに好適に用いることができる。
【実施例】
【００３８】
以下、本発明の実施形態について実施例を用いて詳述するが、本発明はその要旨を越えない限り、以下の実施例に限定されるものではない。なお、実施例に使用した各ポリオレフィン系樹脂の分析方法は以下の通りである。
【００３９】
［融解ピーク温度（Ｔｍ）、結晶融解熱量（ΔＨｍ）］
示差走査熱量測定装置（メトラー・トレド製  ＤＳＣ８２３ｅ）を用い、試料約５ｍｇを、昇温速度１０℃／分で２５℃から２３０℃まで昇温した後、冷却速度１０℃／分で２５℃まで降温し、再度、昇温速度１０℃／分で２３０℃まで昇温した際に測定されたＤＳＣチャートから、融解ピーク温度（Ｔｍ）および結晶融解熱量（ΔＨｍ）を求めた。
【００４０】
［分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）］
高温ＧＰＣ装置（日本ウォーターズ製  ＡｌｌｉａｎｃｅＧＰＣＶ−２０００）を用い、ｏ−ジクロロベンゼンを溶媒として、測定温度１４０℃にて重量平均分子量（Ｍｗ）および数平均分子量（Ｍｎ）を測定し、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）を算出した。
【００４１】
［モル分率］
核磁気共鳴装置（ブルカー・バイオスピン製  ＡＶＡＮＣＥ４００）を用い、試料７０ｍｇに対しｏ−ジクロロベンゼン１ｍｌおよび重ベンゼン０．２ｍｌの割合で調製した溶液を、測定温度１３０℃にて１３Ｃ−ＮＭＲスペクトルを測定した。得られたピークを帰属し、ピークの積分値から各成分およびトリアッドのモル分率を算出し、プロピレン成分とエチレン成分の比を求めた。
【００４２】
［使用した材料］
・樹脂Ａ−１：ポリプロピレン系熱可塑性エラストマー（Ａ−１）
（Ｔｍ：１５９℃、ΔＨｍ：６Ｊ／ｇ、Ｍｗ／Ｍｎ：２．１、プロピレン成分／エチレン成分：８９／１１）
・樹脂Ａ−２：ポリプロピレン系熱可塑性エラストマー（Ａ−２）
（Ｔｍ：１５２℃、ΔＨｍ：１９Ｊ／ｇ、Ｍｗ／Ｍｎ：２．１、プロピレン成分／エチレン成分：９１／９）
・樹脂Ｂ：日本ポリプロ社製「ウェルネクスＲＦＧ４ＶＡ」
（Ｔｍ：１２９℃、ΔＨｍ：２８Ｊ／ｇ、Ｍｗ／Ｍｎ：２．２、プロピレン成分／エチレン成分：９４／６）
・樹脂Ｃ：プライムポリマー社製「Ｆ３９００」
（Ｔｍ：１６０℃、ΔＨｍ：４３Ｊ／ｇ、Ｍｗ／Ｍｎ：３．３、プロピレン成分／エチレン成分：１００／０）
・樹脂Ｄ：三菱化学社製「ゼラス５０５３」
（Ｔｍ：１６１℃、ΔＨｍ：３６Ｊ／ｇ、Ｍｗ／Ｍｎ：３．７、プロピレン成分／エチレン成分：７９／２１）
【００４３】
［基材フィルムの作製］
ポリオレフィン系樹脂を表１に記載する配合にて、単軸押出機（東洋精機製作所製Ｄ２０２０）を使用し、Ｔダイ（東洋精機製作所製Ｔ１２０Ｃ）を用いて押出成形した。押出した溶融樹脂をフィルム引取装置（東洋精機製作所製ＦＴ２Ｗ２０）にて、押出し条件をＣ１温度：２１０℃、Ｃ２温度：２３０℃、Ｃ３温度：２３０℃、Ｔダイ温度：２３０℃、冷却ロール温度：２３℃、スクリュ回転数：２０ｒｐｍとし、巻取速度１．５〜１．７ｍ／分で巻取り、厚み８０μｍの単層の基材フィルムを得た。
【００４４】
得られた各フィルムについて、以下の評価項目について評価を行った。結果を表１に示す。
【００４５】
［耐汚染性］
各フィルムの成形の際、冷却ロールに汚染が認められなかったものを○、油膜状のロール汚染が発生したものを×とした。
【００４６】
［耐熱性］
得られた基材フィルムを使用し、５ｃｍ×５ｃｍの試験片を採取し、試験片の上下をステンレス板（ＳＵＳ３０４ＢＡ）にて挟み、東洋精機製ギアオーブンＳＴＤ６０−Ｐを使用し１８０℃下で１５分間加熱した。加熱後ギアオーブンから取り出し、ステンレス板から基材フィルムを剥がした際、フィルムに破損が認められなかったものを○、フィルムに破損が発生したものを×とした。
【００４７】
［柔軟性（引張弾性率）］
得られた基材フィルムを使用し、ＪＩＳＫ７１２７に準拠し、１号ダンベル試験片を採取し、２３℃・６０％ＲＨの雰囲気下、島津製作所製オートグラフＡＧＳ−Ｘを用いて、引張速度５０ｍｍ／分にて引張弾性率を測定した。
【００４８】
［復元性］
得られた基材フィルムを使用し、ＪＩＳＫ７１２７の１号ダンベル試験片の形状で採取し、２３℃・６０％ＲＨの雰囲気下、島津製作所製オートグラフＡＧＳ−Ｘを用いて、引張速度５０ｍｍ／分にて５０％延伸し１分間保持した後、試験機から外して５分間放置して復元させ、下記の計算式により復元率を測定した。
復元率（％）＝（引張直後の長さ−復元後の長さ）÷（引張直後の長さ−引張前の長さ）×１００
なお、引張直後の長さとは、オートグラフで５０％延伸した状態の長さを言う。
【００４９】
［総合評価］
耐汚染性、柔軟性、復元性を勘案し、総合的な実用性を以下の基準で評価した。
Ａ：特に好ましい
Ｂ：好ましい
Ｃ：実用上使用可能な範囲
Ｄ：劣る
評価結果を表２に示した。
【００５０】
【表１】
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【００５１】
表１から、実施例１〜６の半導体製造工程用粘着フィルムに使用する基材フィルムは耐汚染性、柔軟性、復元性に優れており、更に耐熱性にも優れることが認められる。特に、実施例１〜３は、柔軟性、復元性の観点から優れており、特に好ましい性能を有している結果が得られた。
【００５２】
この結果から、本発明の半導体製造工程用粘着フィルムに使用する基材フィルムによれば、特にダイシング工程におけるエキスパンド時やピックアップ時に必要な柔軟性および復元性に優れ、さらには生産時のロール汚染やフィルム巻出し時のブロッキング、および粘着剤の凝集力低下といった低分子量成分の滲出による不具合を防止できるダイシング用粘着フィルムを提供できる。
【００５３】
更に、本発明の半導体製造工程用粘着フィルムに使用する基材フィルムをレーザーダイシング用に使用した場合は、基材フィルムが溶融しチャックテーブルへ融着する事態を防ぐことができる。また、ダイシングフィルム用の粘着フィルム上に接着剤層や熱硬化性樹脂等の機能層を加熱硬化する工程においても、基材フィルムが溶融や融着を起こす等の不具合を抑制するダイシング用粘着フィルムを提供できる。