(57)【要約】      （修正有）【課題】独立して制御可能であり、その処理中に半導体基板を支持する基板支持アセンブリの温度制御板に位置する複数の熱制御素子の配列の中で、少なくとも１つの動作不良熱制御素子があった時の自動修正方法を提供する。【解決手段】プロセッサを含む制御装置１１６によって、熱制御素子１１４ａ〜１１４ｄの配列のうち少なくとも１つの熱制御素子が正常に動作していないことを検出することと、少なくとも１つの動作不良熱制御素子を停止させることと、温度制御板における少なくとも１つの機能している熱制御素子の電力レベルを修正し、動作不良熱制御素子の位置における所望の温度出力に対する動作不良熱制御素子の影響を最小限にすることと、を実行する。【選択図】図１
2016006875.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
独立して制御可能であり、その処理中に半導体基板を支持する基板支持アセンブリの温度制御板に位置する複数の熱制御素子の配列の中で、少なくとも１つの動作不良熱制御素子の自動修正のための方法であって、
プロセッサを含む制御装置によって、前記熱制御素子の配列のうち少なくとも１つの熱制御素子が正常に動作していないことを検出することと、
前記制御装置によって、前記少なくとも１つの動作不良熱制御素子を停止させることと、
前記制御装置によって、前記温度制御板における少なくとも１つの機能している熱制御素子の電力レベルを修正し、前記少なくとも１つの動作不良熱制御素子の位置における所望の温度出力に対する前記動作不良熱制御素子の影響を最小限にすることと、
を含む方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、前記配列は少なくとも５０個の熱制御素子を含み、前記温度制御板は、温度制御されたベースプレートと、少なくとも１つの静電クランプ電極を含む誘電体層と、の間に位置する、方法。
【請求項３】
請求項１に記載の方法であって、前記少なくとも１つの動作不良熱制御素子は、温度検出器によって検出される、方法。
【請求項４】
請求項１に記載の方法であって、前記少なくとも１つの動作不良熱制御素子は、前記少なくとも１つの動作不良熱制御素子の開回路、閉回路、または変更状態を感知する電気モニタリングを実施することによって検出される、方法。
【請求項５】
請求項１に記載の方法であって、前記停止させることは、前記少なくとも１つの動作不良熱制御素子への電力供給を停止することによって実施される、方法。
【請求項６】
請求項１に記載の方法であって、修正された前記少なくとも１つの機能している熱制御素子は、前記少なくとも１つの動作不良熱制御素子に隣接する熱制御素子である、方法。
【請求項７】
請求項１に記載の方法であって、前記修正中に、熱制御素子の電力入力を前記熱制御素子の温度出力に関係付ける行列が用いられる、方法。
【請求項８】
請求項７に記載の方法であって、前記行列はベクトルを含む、方法。
【請求項９】
請求項１に記載の方法であって、さらに、
所望の温度出力と、前記熱制御素子の電力入力を前記熱制御素子の温度出力に関係付ける行列と、に基づいて、前記温度制御板の熱制御素子の電力入力を計算することを含む、方法。
【請求項１０】
請求項１に記載の方法であって、前記修正中に単位応答行列が用いられる、方法。
【請求項１１】
プロセッサによって実行された場合に、独立して制御可能な複数の熱制御素子であって、その処理中に半導体基板を支持する基板支持アセンブリの温度制御板に位置する複数の熱制御素子の配列の中で、少なくとも１つの動作不良熱制御素子のために自動修正を実施する方法を実行する、命令を記憶する非一時的コンピュータ可読記憶媒体であって、
前記熱制御素子の配列のうち少なくとも１つの熱制御素子が正常に動作していないことを検出することと、
前記少なくとも１つの動作不良熱制御素子を停止させることと、
静電チャックにおける少なくとも１つの機能している熱制御素子の電力レベルを修正し、前記少なくとも１つの動作不良熱制御素子の位置における所望の温度出力に対する前記動作不良熱制御素子の影響を最小限にすることと、
を備える非一時的コンピュータ可読記憶媒体。
【請求項１２】
請求項１１に記載の非一時的コンピュータ可読記憶媒体であって、前記配列は少なくとも５０個の熱制御素子を含み、前記温度制御板は、温度制御されたベースプレートと、少なくとも１つの静電クランプ電極を含む誘電体層と、の間に位置する、非一時的コンピュータ可読記憶媒体。
【請求項１３】
請求項１１に記載の非一時的コンピュータ可読記憶媒体であって、前記少なくとも１つの動作不良熱制御素子は温度検出器によって検出される、非一時的コンピュータ可読記憶媒体。
【請求項１４】
請求項１１に記載の非一時的コンピュータ可読記憶媒体であって、前記少なくとも１つの動作不良熱制御素子は、前記少なくとも１つの動作不良熱制御素子の開回路、閉回路、または変更状態を感知する電気モニタリングを実施することによって検出される、非一時的コンピュータ可読記憶媒体。
【請求項１５】
請求項１１に記載の非一時的コンピュータ可読記憶媒体であって、前記停止させることは、前記少なくとも１つの動作不良熱制御素子への電力供給を停止することによって実施される、非一時的コンピュータ可読記憶媒体。
【請求項１６】
請求項１１に記載の非一時的コンピュータ可読記憶媒体であって、修正された前記少なくとも１つの機能している熱制御素子は、前記少なくとも１つの動作不良熱制御素子に隣接する熱制御素子である、非一時的コンピュータ可読記憶媒体。
【請求項１７】
請求項１１に記載の非一時的コンピュータ可読記憶媒体であって、前記修正中に、熱制御素子の電力入力を前記熱制御素子の温度出力に関係付ける行列が用いられる、非一時的コンピュータ可読記憶媒体。
【請求項１８】
請求項１７に記載の非一時的コンピュータ可読記憶媒体であって、前記行列はベクトルを含む、非一時的コンピュータ可読記憶媒体。
【請求項１９】
請求項１１に記載の非一時的コンピュータ可読記憶媒体であって、さらに、
所望の温度出力と、前記熱制御素子の電力入力を前記熱制御素子の温度出力に関係付ける行列と、に基づいて、前記基板支持アセンブリの熱制御素子の電力入力を計算することを含む、非一時的コンピュータ可読記憶媒体。
【請求項２０】
請求項１１に記載の非一時的コンピュータ可読記憶媒体であって、前記修正中に、単位応答行列が用いられる、非一時的コンピュータ可読記憶媒体。
【請求項２１】
請求項１に記載の方法によって自動修正された前記熱制御素子の配列を含む前記熱制御板を有する前記基板支持アセンブリに半導体基板が支持される処理チャンバで半導体基板を処理する方法であって、
前記半導体基板全体の径方向および方位角方向の温度プロファイルを制御しつつ前記半導体基板を処理することを含む、方法。
【請求項２２】
請求項２１に記載の方法であって、前記処理はプラズマエッチング関連処理を含む、方法。
【請求項２３】
請求項２１に記載の方法であって、前記処理は堆積処理を含む、方法。
【請求項２４】
請求項２１に記載の方法であって、前記処理は洗浄処理を含む、方法。
【請求項２５】
独立して制御可能であり、その処理中に半導体基板を支持する基板支持アセンブリの温度制御板に位置する複数の熱制御素子の配列の中で、少なくとも１つの動作不良熱制御素子の自動修正方法であって、
プロセッサを含む制御装置によって、前記熱制御素子の配列のうち少なくとも１つの熱制御素子が異常に動作していることを検出することと、
前記制御装置によって、前記少なくとも１つの動作不良熱制御素子を停止させることと、
前記制御装置によって、前記温度制御板における全ての機能している熱制御素子の電力レベルを維持し、前記少なくとも１つの動作不良熱制御素子の位置における前記所望の温度出力に対する前記動作不良熱制御素子の影響を最小限にすることと、
を含む方法。
【請求項２６】
請求項１に記載の方法であって、前記基板支持アセンブリに対する前記動作不良熱制御素子の影響を示す通知が装置に送られる、方法。
【発明の詳細な説明】
【背景技術】
【０００１】
次々と半導体技術が生み出されるたびに、基板の直径は拡大し、トランジスタのサイズは縮小する傾向があり、その結果、基板処理においてこれまで以上に高い正確性および再現性が必要となっている。
【０００２】
現在利用可能なプラズマ処理システムは、正確性および再現性の向上への必要性が高まっている半導体製造装置の１つである。プラズマ処理システムの１つの評価基準は高い均一性であり、それには半導体基板面上での処理結果の均一性とともに、名目上同じ入力パラメータで処理された基板の連続した処理結果の均一性も含まれる。基板上の均一性は、継続して向上することが望ましい。とりわけ、均一性、整合性、および自己診断性が向上したプラズマチャンバが求められる。半導体チップウエハのエッチングおよび／または堆積処理中に基板支持アセンブリの温度を制御することは、ウエハからの装置の歩留まりを制御するために重要である。
【発明の概要】
【０００３】
一つの実施形態によれば、独立して制御可能であり、その処理中に半導体基板を支持する基板支持アセンブリの温度制御板に位置する熱制御素子の配列の中で、少なくとも１つの動作不良熱制御素子の自動修正のための方法は、プロセッサを含む制御装置が、熱制御素子の配列のうち少なくとも１つの熱制御素子が正常に動作していないことを検出することと、制御装置が、少なくとも１つの動作不良熱制御素子を停止させることと、制御装置が、温度制御板における少なくとも１つの機能している熱制御素子の電力レベルを修正し、少なくとも１つの動作不良熱制御素子の位置における所望の温度出力に対する動作不良熱制御素子の影響を最小限にすることと、を含む。
【０００４】
別の実施形態によれば、命令を記憶する非一時的コンピュータ可読記憶媒体は、プロセッサによって実行された場合に、独立して制御可能であり、その処理中に半導体基板を支持する基板支持アセンブリの温度制御板に位置する熱制御素子の配列の中で、少なくとも１つの動作不良熱制御素子のために自動修正を実施する方法を実行する。命令は、以下のステップを実行させる：（１）熱制御素子の配列のうち少なくとも１つの熱制御素子が正常に動作していないことを検出すること、（２）少なくとも１つの動作不良熱制御素子を停止させること、（３）静電チャックにおける少なくとも１つの機能している熱制御素子の電力レベルを修正し、少なくとも１つの動作不良熱制御素子の位置における所望の温度出力に対する動作不良熱制御素子の影響を最小限にすること。
【０００５】
さらなる実施形態によれば、独立して制御可能であり、その処理中に半導体基板を支持する基板支持アセンブリの温度制御板に位置する熱制御素子の配列の中で、少なくとも１つの動作不良熱制御素子の自動修正方法は、プロセッサを含む制御装置が、熱制御素子の配列のうち少なくとも１つの熱制御素子が異常に動作していることを検出することと、制御装置が、少なくとも１つの動作不良熱制御素子を停止させることと、制御装置が、温度制御板における全ての機能している熱制御素子の電力レベルを維持し、少なくとも１つの動作不良熱制御素子の位置における所望の温度出力に対する動作不良熱制御素子の影響を最小限にすることと、を含む。
【０００６】
熱制御素子の配列の中で少なくとも１つの動作不良熱制御素子の自動修正のための方法の特定の実施形態のこれらおよび他の例示的な特徴および利点は、それらが限定されない例示的な実施形態によってここで説明される。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
本開示の範囲は、添付図面とともに以下の例示的な実施形態の詳細を読むことで、最もよく理解されるだろう。図面には以下の図が含まれる。
【０００８】
【図１】例示的な実施形態に従って用いられうるシステムアーキテクチャ。
【０００９】
【図２】例示的な実施形態において使用される基板支持アセンブリ。
【００１０】
【図３Ａ】例示的な実施形態において使用される基板支持アセンブリの熱画像。
【図３Ｂ】例示的な実施形態において使用される基板支持アセンブリの熱画像。
【図３Ｃ】例示的な実施形態において使用される基板支持アセンブリの熱画像。
【００１１】
【図４】例示的な基板支持アセンブリの平面図。
【００１２】
【図５Ａ】補正が行われない場合の欠陥熱制御素子に関連する温度データを含む例示的な表。
【００１３】
【図５Ｂ】補正が行われた場合の欠陥熱制御素子に関連する温度データを含む例示的な表。
【００１４】
【図６】実施形態の例示的な方法を説明するフローチャート。
【００１５】
【図７】例示的な実施形態に従って用いられうる例示的な単位応答行列。
【００１６】
【図８Ａ】例示的な実施形態に従って用いられうる例示的な単位応答行列。
【図８Ｂ】例示的な実施形態に従って用いられうる例示的な単位応答行列。
【００１７】
【図９】実施形態の例示的な方法を示すフローチャート。
【００１８】
本開示のさらなる適用領域は、以下に述べる詳細な説明から明らかになろう。例示的な実施形態の詳細な説明は、例示目的のみを意図しているため、必ずしも開示の範囲を制限することを意図していないことを理解されたい。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
図１は、上部シャワーヘッド電極１０８を有するチャンバ１２２および、加熱板を内蔵する基板支持アセンブリ１１２を備えるプラズマ処理チャンバの例示的な概略図を示す。基板支持アセンブリ１１２は、チャックまたは静電チャック（ＥＳＣ）とも呼ばれる。基板１１０は、ロードポート（図示せず）によって基板支持アセンブリ１１２の上に装填される。ガスライン１０４は、上部シャワーヘッド電極１０８に処理ガスを供給し、上部シャワーヘッド電極１０８は処理ガスをチャンバに送り込む。ガス源１０２（例えば、適した混合ガスを供給するマスフローコントローラ）は、ガスライン１０４に接続される。高周波（ＲＦ）電源１０６は、上部シャワーヘッド電極１０８に接続される。基板１１０と上部シャワーヘッド電極１０８との間の空間において処理ガスをプラズマに励起するため、動作中に、チャンバは真空ポンプによって真空化され、ＲＦ電力は上部シャワーヘッド電極１０８と基板支持アセンブリ１１２内の下部電極との間に容量的に結合される。プラズマは、基板１１０上の複数の層にデバイス・ダイ・フィーチャをエッチングするために使用されうる。基板支持アセンブリ１１２は、基板支持アセンブリ１１２を所望の温度に加熱できる少なくとも１つの熱制御素子（ＴＣＥ）１１４（１１４ａ、１１４ｂ、１１４ｃ、１１４ｄなど）を備えてもよい。非限定的実施形態において、基板支持アセンブリ１１２は、高い空間解像度で基板支持アセンブリの表面温度を制御するため、ダイごとの熱制御素子を備える。特定の熱制御素子１１４の電源出力は、所定の温度要求によって計算および最適化され、電源出力と温度の関係は、行列（例えば、詳細は後述する単位応答行列（ＵＲＭ））によってもたらされる。
【００２０】
各熱制御素子１１４は制御装置１１６に接続される。制御装置は、データを記憶する記憶装置１１８（ハードドライブ、読み取り専用メモリ（ＲＯＭ）、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、光学ドライブ、フラッシュメモリ、磁気テープ装置など）を含む。ＲＦ／電力制御などを有さないチャンバ１２２を用いてもよい。
【００２１】
制御装置１１６は、コンピュータプロセッサなどのコンピュータデバイス１２０も含みうる。１つの制御装置１１６ではなく、複数の制御装置を用いてもよい。制御装置１１６は、コンピュータにコンパイルされたコンピュータ可読コードとして実装され、専用コンピュータとなりうる。例えば、制御装置１１６は、ハードウェア、ソフトウェア、ファームウェア、命令が記憶された非一時的コンピュータ可読媒体、またはその組み合わせを用いてコンピュータシステムにおいて実装されてよく、また１つ以上のコンピュータシステムまたはその他の処理システムにおいて実装されてよい。ハードウェア、ソフトウェア、またはその組み合わせは、図６および図９の例示的な方法を実施するために用いるモジュールおよびコンポーネントを例示している。
【００２２】
プログラマブルロジックが用いられた場合は、かかるロジックは、市販の処理プラットフォームまたは専用装置において実行されうる。本明細書に開示する実施形態が、様々なコンピュータシステム構成（マルチコアマルチプロセッサシステム、ミニコンピュータ、メインフレームコンピュータ、分散機能に連動またはクラスタリングされたコンピュータ、および事実上どのデバイスにも埋め込まれうる普及型のコンピュータまたは小型コンピュータなど）によって実行されうることは、当業者であれば理解するであろう。例えば、少なくとも１つのプロセッサ装置およびメモリは、上記の実施形態を実施するために用いられてよい。
【００２３】
本明細書で述べるプロセッサ装置は、単一のプロセッサ、複数のプロセッサ、またはその組み合わせであってよい。プロセッサ装置は、１つ以上のプロセッサ「コア」を有してよい。本明細書で述べる「コンピュータプログラム媒体」、「非一時的コンピュータ可読媒体」、および「コンピュータ使用可能媒体」は通常、リムーバブルストレージ装置またはハードディスクドライブにインストールされるハードディスクなどの有形媒体を示す。
【００２４】
例示的な制御装置１１６という観点から様々な実施例を述べる。本明細書を読んだ後は、他のコンピュータシステムおよび／またはコンピュータアーキテクチャを用いてかかる実施形態を実施する方法が関連技術分野の当業者には明らかになるであろう。動作は逐次処理として述べられるかもしれないが、実際にはいくつかの動作は、単一または複数のプロセッサマシンによるアクセスのために局部的または遠隔的に格納されたプログラムコードによって、平行に、同時に、および／または分散環境において実行されてよい。さらに、いくつかの実施形態では動作の順序は変更されてよい。
【００２５】
プロセッサ装置１２０は、専用または汎用のプロセッサ装置であってよい。プロセッサ装置１２０は、バスなどの通信インフラ、メッセージキュー、ネットワーク、マルチコアメッセージパッシング機構などに接続されてよい。ネットワークは、本明細書に述べる機能を実行するのに適したネットワークであってよく、ローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）、広域ネットワーク（ＷＡＮ）、無線ネットワーク（例えば、ＷｉＦｉ）、移動通信ネットワーク、衛星ネットワーク、インターネット、光ファイバ、同軸ケーブル、赤外線、高周波（ＲＦ）、またはその組み合わせを含んでよい。その他の適したネットワークタイプおよび構成は、関連技術分野の当業者には明らかであろう。
【００２６】
プラズマ処理チャンバの詳細な設計は変更されてもよいが（例えば、チャンバは、誘導結合型プラズマ処理チャンバ、ヘリコン、マイクロ波、または他のタイプのチャンバであってよく、シャワーヘッド電極はＲＦアンテナと交換されうる）、ＲＦ電力は基板支持アセンブリ１１２によってプラズマと結合することも理解すべきである。
【００２７】
例示的な実施形態では、基板支持アセンブリ１１２は、基板支持アセンブリの表面温度（およびその結果としてのウエハ基板１１０の温度）が熱制御素子１１４の配列によって制御されるように制御されうる。例えば、その配列は、任意の数の熱制御素子１１４（例えば、少なくとも５０個、４００個までなど）を含みうる。例示的な実施形態では、各熱制御素子１１４は、ウエハ温度、その結果としてプラズマエッチング処理、堆積、または洗浄処理が、ウエハからの装置の歩留まりが最大となるようにデバイスダイ位置ごとに制御されうるように、ウエハ上のデバイスダイのものと同様の大きさであってよい。堆積処理は、例えば、化学気相堆積法（ＣＶＤ）、プラズマ増強化学気相堆積法（ＰＥＣＶＤ）、気相エピタキシ（ＶＰＥ）、物理気相堆積法（ＰＶＤ）、電気化学堆積法（ＥＣＤ）、分子線エピタキシ（ＭＢＥ）、原子層堆積法（ＡＬＤ）などであってよい。洗浄処理は、例えば、プラズマストリッピング、プラズマ洗浄、化学エッチング、化学洗浄、ウェット洗浄などであってよい。
【００２８】
熱制御素子１１４は、基板支持アセンブリ１１２における唯一の熱制御素子または、複数のコンポーネント（より多くのまたは異なる熱制御素子、冷却流体、および／または冷却ガスなど）を備える温度調整システムの一部であってよい。熱制御素子１１４は、例えば、ポリイミド熱制御素子、シリコンゴム、マイカ熱制御素子、金属熱制御素子（例えばＷ、Ｎｉ／Ｃｒ合金、ＭｏまたはＴａ）、セラミック熱制御素子、半導体熱制御素子、炭素熱制御素子、加熱と冷却両方が可能なペルチェ装置、その他の温度を変更できる素子などの抵抗素子であってよい。
【００２９】
例示的な実施形態では、温度検出器１２４（例えば、赤外線カメラ）は、基板支持アセンブリ１１２および／またはウエハ基板１１０の表面温度を検出する。基板支持アセンブリ１１２における熱制御素子１１４の数が増えるほど、１つまたは複数の熱制御素子１１４の故障の危険性が増す。
【００３０】
例示的な実施形態では、制御装置１１６またはその他の制御装置は、例示的な実施形態で述べたような独立して制御可能な熱制御素子の配列の中で、少なくとも１つの動作不良（例えば、異常動作しているまたは故障した）熱制御素子１１４の自動修正を行うアルゴリズムを作成／実行する。自動修正方法の利点は、熱制御素子１１４が故障した場合の基板支持アセンブリ１１２の所有コストの削減である。自動修正によって、動作する熱制御素子１１４の数が少なくなった基板支持アセンブリ１１２が、まだ目標とする温度プロファイルの仕様内にあることが可能になる。コストの低減は２つの要因によって引き起こされる。第１の要因は、ハードウェアのコスト（すなわち、新しい基板支持アセンブリ１１２を購入するコスト）および、基板支持アセンブリ１１２が交換されている間、処理チャンバを作動させないコストでの低減である。また、故障を検出してパラメータを修正する全ての工程を自動化することで、人間が原因のエラーの導入を防ぐ。
【００３１】
図２は、２つの電気絶縁層１１１Ａおよび１１１Ｂに組み込まれる平面熱領域１０１の配列を含む温度制御板の一実施形態を含む基板支持アセンブリ１１２を示す。各平面熱領域１０１は、１つ以上の熱制御素子１１４を含む。電気絶縁層は、ポリマ材、無機材料、セラミック（酸化シリコン、アルミナ、イットリア、窒化アルミニウムなど）、またはその他の適した材料であってよい。基板支持アセンブリ１１２はさらに、（ａ）ＤＣまたはＡＣ電圧によって基板をセラミック層１０３の表面に静電的にクランプするため電極１０９（例えば、単極または双極）が埋め込まれたセラミック層１０３（静電クランピング層）を有する静電チャックと、（ｂ）熱バリア層１０７と、（ｃ）冷却液流動のための導管１１３を含む冷却板１０５とを備える。
【００３２】
例示的な実施形態では、平面熱領域１０１のそれぞれは、電源供給ラインおよび電源帰還ラインに接続される。２つの平面熱領域１０１が、同一対の電源供給ラインと電源帰還ラインを共有することはない。適した電気スイッチ装置によって一対の電源供給および電源帰還ラインを電源に接続することが可能で、それによりこの一対のラインに接続された平面熱領域１０１のみがオンになる。各平面熱領域１０１の時間平均化された加熱／冷却電源は、時間制御方式でシステムをオンとオフに切り替えることによって個別に調整されうる。
【００３３】
基板支持アセンブリ１１２は温度制御板の実施形態を含むことができ、温度制御板の各平面熱領域１０１は、基板温度、およびその結果としてのプラズマエッチング処理が、ウエハからの装置の歩留まりが最大となるようにデバイスダイ位置ごとに制御されうるように、基板上の１つのデバイスダイまたはデバイスダイの集合より小さいまたは同様の大きさである。温度制御板は、１０−１００個、１００−２００個、２００−３００個またはそれ以上の平面熱領域１０１を含みうる。温度制御板のスケーラブル・アーキテクチャは、ダイごとの基板温度制御に要求される多数の平面熱領域（一般に、直径３００ｍｍの基板上には１００個以上のダイがあるため、１００個以上の熱領域）に、最小数の電源供給ライン、電源帰還ライン、冷却板１０５内のフィードスルーで容易に対応できるため、基板温度、製造コスト、および基板支持アセンブリ１１２の複雑さの変動を低減する。図示されていないが、基板支持アセンブリ１１２は、基板１１０を持ち上げるリフトピン、ヘリウムバック冷却、温度フィードバック信号を提供する温度センサ、加熱電源フィードバック信号を提供する電圧および電流センサ、熱制御素子１１４および／またはクランプ電極用の給電、および／またはＲＦフィルタなどの機能を備えうる。
【００３４】
図３Ａは、例示的な実施形態で用いられる基板支持アセンブリ１１２の熱画像である。図３Ａでは、全ての熱制御素子１１４は正常に機能しており、基板支持アセンブリ１１２が均一な温度を有するように動作する。温度は任意単位（ａ．ｕ．）で示される。これらの単位は、温度変化を最も良く表現するように測定される。これらの任意単位は、ケルビン、摂氏、および華氏として基準温度単位に変換しうるが、これらに限定されない。非限定的実施形態では、熱制御素子の全温度範囲は、２℃、５℃、または２０℃であってよい。図３Ｂは、図３Ａと同じ基板支持アセンブリの熱画像を示すが、１つの熱制御素子１１４が故障し、その故障した熱制御素子１１４が修正によって補正されていない場合に、基板支持アセンブリ１１２全体の温度プロファイルがどのように変化するかを示している。図３Ｂは、故障した熱制御素子１１４が全体の温度分布および局所的な温度変化に与える影響を示す。例えば、故障した熱制御素子１１４周辺の温度は、図３Ａのようなおよそ０．８２ａ．ｕ．ではなく約０．５ａ．ｕ．である。図３Ｂに示すように、熱制御素子１１４が完全に故障した場合、故障した熱制御素子１１４の位置周辺の局所熱均一性は低下する。熱劣化は、点欠陥を引き起こし、ウエハごとのチップ歩留まりを低下させる。本明細書で述べる自動修正方法以前は、歩留まり損失を受け入れ、熱制御素子１１４を修理するか、基板支持アセンブリ１１２全体を交換するしかなかった。これに対し、本明細書で述べる方法は、故障した熱制御素子１１４または故障した熱制御素子１１４の集合の検出を可能にし、自動修正処理が故障した熱制御素子１１４または故障した熱制御素子１１４の集合を修正するために用いられる。
【００３５】
図４は、例示的な基板支持アセンブリ１１２の平面図を示す。図４の基板支持アセンブリは、熱制御素子１１４の配列を含み、各熱制御素子１１４は、固有の識別子によって識別される。図４に示す非限定的実施形態では、熱制御素子１１４は数字によって一意に識別される。しかし、熱制御素子１１４は任意のその他の方法（例えば、固有の文字など）によって識別されうる。図４の非限定的実施形態では、１、３、および５（それぞれ１１４ａ、１１４ｂ、１１４ｃ）と識別された熱制御素子は正常に動作していない、すなわちそれらの動作は失敗している。
【００３６】
図３Ｂは、故障した熱制御素子が修正によって補正（補償）されない場合の、基板支持アセンブリ１１２の熱均一性に対する、故障した熱制御素子１１４ｃ（すなわち、５）の影響を示す熱画像である。
【００３７】
図５Ａは、故障した熱制御素子１１４ａ、１１４ｂ、および１１４ｃへの補正が行われない場合の、それら故障した熱制御素子に関連する温度データを含む例示的な表である。図５Ａにおける表の１列目は、全ての熱制御素子が正常に機能している場合、すなわち故障した熱制御素子がない場合の基板支持アセンブリ１１２の温度データを示す。故障した熱制御素子がない場合は、基板支持アセンブリ１１２上の最低温度は０．７５ａ．ｕ．であり、基板支持アセンブリ１１２全体の平均温度は０．８２ａ．ｕ．であり、基板支持アセンブリ１１２全体の最高温度は０．８９ａ．ｕ．であり、標準偏差は０．０１ａ．ｕ．である。
【００３８】
図５Ａにおける表の２列目は、熱制御素子１１４ａが故障した場合の基板支持アセンブリ１１２の温度データを示す。この状況では、基板支持アセンブリ１１２上の最低温度は０．００ａ．ｕ．であり、基板支持アセンブリ１１２全体の平均温度は０．８０ａ．ｕ．であり、基板支持アセンブリ１１２全体の最高温度は０．８８ａ．ｕ．であり、標準偏差は０．０８ａ．ｕ．である。
【００３９】
図５Ａにおける表の３列目は、熱制御素子１１４ｂが故障した場合の基板支持アセンブリ１１２の温度データを示す。この状況では、基板支持アセンブリ１１２の最低温度は０．３３ａ．ｕ．であり、基板支持アセンブリ１１２全体の平均温度は０．８０ａ．ｕ．であり、基板支持アセンブリ１１２全体の最高温度は０．８９ａ．ｕ．であり、標準偏差は０．０５ａ．ｕ．である。
【００４０】
図５Ａにおける表の４列目および最後の列は、熱制御素子１１４ｃが故障した場合の基板支持アセンブリ１１２の温度データを示す。この状況では、基板支持アセンブリ１１２の最低温度は０．５０ａ．ｕ．であり、基板支持アセンブリ１１２全体の平均温度は０．８１ａ．ｕ．であり、基板支持アセンブリ１１２全体の最高温度は０．８９ａ．ｕ．であり、標準偏差は０．０４ａ．ｕ．である。
【００４１】
図３Ｃは、故障した熱制御素子が修正によって補正された場合の、基板支持アセンブリ１１２の熱均一性に対する故障した熱制御素子１１４ｃ（すなわち、５）の影響を示す熱画像である。補正は、他の機能している熱制御素子の温度を調整することによって生じるが、詳細は後述される。
【００４２】
図５Ｂは、故障した熱制御素子１１４ａ、１１４ｂへの補正が行われた場合の、それら故障した熱制御素子に関連する温度データを含む例示的な表である。図５Ｂにおける表の１列目は、全ての熱制御素子が正常に機能している場合、すなわち故障した熱制御素子がない場合の基板支持アセンブリ１１２の温度データを示す。故障した熱制御素子がない場合は、基板支持アセンブリ１１２上の最低温度は０．７５ａ．ｕ．であり、基板支持アセンブリ１１２全体の平均温度は０．８２ａ．ｕ．であり、基板支持アセンブリ１１２全体の最高温度は０．８９ａ．ｕ．であり、標準偏差は０．０１ａ．ｕ．である。
【００４３】
図５Ｂにおける表の２列目は、熱制御素子１１４ａの故障を修正する補正が行われた場合の基板支持アセンブリ１１２の温度データを示す。この状況では、基板支持アセンブリ１１２上の最低温度は０．４５ａ．ｕ．であり、基板支持アセンブリ１１２全体の平均温度は０．８１ａ．ｕ．であり、基板支持アセンブリ１１２全体の最高温度は１．００ａ．ｕ．であり、標準偏差は０．０２ａ．ｕ．である。
【００４４】
図５Ｂにおける表の３列目は、熱制御素子１１４ｂの故障を修正する補正が行われた場合の基板支持アセンブリ１１２の温度データを示す。この状況では、基板支持アセンブリ１１２の最低温度は０．６２ａ．ｕ．であり、基板支持アセンブリ１１２全体の平均温度は０．８３ａ．ｕ．であり、基板支持アセンブリ１１２全体の最高温度は０．９２ａ．ｕ．であり、標準偏差は０．０２ａ．ｕ．である。
【００４５】
図５Ｂにおける表の４列目および最後の列は、熱制御素子１１４ｃの故障を修正する補正が行われた場合の基板支持アセンブリ１１２の温度データを示す。この状況では、基板支持アセンブリ１１２の最低温度は０．７１ａ．ｕ．であり、基板支持アセンブリ１１２全体の平均温度は０．８３ａ．ｕ．であり、基板支持アセンブリ１１２全体の最高温度は０．８９ａ．ｕ．であり、標準偏差は０．０１ａ．ｕ．である。
【００４６】
上述のように、特定の熱制御素子の電力出力は、所定の温度要求によって計算および最適化され、電力出力と温度の関係は、行列（例えば、図７、図８Ａ、および図８Ｂに示す単位応答行列）によってもたらされる。電力出力と温度の関係は、行列以外の方法（例えば、公式、表、リストなど）で表されてよい。
【００４７】
例示的な実施形態では、故障した熱制御素子１１４または故障した熱制御素子１１４の集合の補正は、故障した熱制御素子１１４またはその集合を検知して停止させることによって、および基板支持アセンブリ１１２における熱制御素子１１４の温度に動力を提供しその温度を調整するために用いられる行列（例えば、単位応答行列）のパラメータを修正することによって達成される。周囲の熱制御素子１１４に対応する行列のパラメータは、温度出力全体に対する故障した熱制御素子の影響を最小限にするよう調整される。本明細書で述べる自動修正方法は、故障した熱制御素子１１４の影響を著しく最小化できる。自動修正は、近接した熱制御素子１１４の数がより多く、最も近い近接した熱制御素子１１４への距離がより小さいと、より良く動作する。
【００４８】
図７は、１つの熱制御素子の例示的な単位応答行列を示す。単位応答行列は、熱制御素子１１４ごとの所定の電力入力のために二次元温度出力を提供する。つまり、単位応答行列は、熱制御素子１１４の電力入力（ｐ）と温度応答（Ｔ）の関係を示す関数行列であり、例えば、数式ｐ＝ｆ（ＵＲＭ，Ｔ）によって示される。
【００４９】
単位応答行列は、以下の情報を含む：１）検討中の特定の熱制御素子１１４を識別する情報（例えば、識別子、指数など）、２）熱制御素子１１４の空間的位置を識別する情報（列およびカラム番号、極座標（すなわち、ｒ、θ）など）、３）その空間的位置における温度を含む情報。空間的位置は、基板支持アセンブリ１１２の表面上における任意の密度の全ての点にわたる配列である。例えば、３００ｍｍの基板支持アセンブリ１１２のうち、測定密度が何かによって、千の地点、二千の地点、または五万の地点がありうる。非限定的実施形態では、線形重畳は、単位応答行列から完全な空間マップを再現するために用いられうる。
【００５０】
図７では、図の左側の電力入力行列は、複数の電力値ｐ１、ｐ２、・・・ｐｋを含み、ｋは基板支持アセンブリ１１２の配列における熱制御素子１１４の数である。例えば、基板支持アセンブリ１１２が１００の熱制御素子を有する場合は、ｋ＝１００である。電力入力行列における各電力値ｐ１、ｐ２、・・・ｐｋは、電力レベルに関連する。非限定的実施形態では、電力レベルはデジタル化され、０からｘの電力レベルが存在しうる（ｘが整数の場合）。例えば、ｘ＝１００のとき、熱制御素子１１４が設定されうる１００の個別の電力レベル（例えば、０、１、２、３、・・・、１００）が存在しうる。電力レベル０は最も低い可能な電力レベルで、電力レベル１００は最も高い可能な電力レベルであってよく、その逆にもなりうる。すなわち、電力レベル１００は１００パーセントの電力に対応し、電力レベル０は０パーセントの電力に対応しうる。上記の電力レベルは例示であり、上記以外の方法で表しうる。
【００５１】
図７の中央部は、１つの熱制御素子の電力入力に対する温度応答を示す３次元グリッドを示す。図７では、温度はｚ軸に、位置はｘおよびｙ軸に示される。例示的な実施形態では、全ての熱制御素子は、直接計測によって計測／計算／モデル化される。例示的な実施形態では、計測グリッドは、熱制御素子１１４の位置から独立している。また、例示的な実施形態では、熱制御素子１１４の温度の高濃度計測は、熱結合（ＴＣ）、抵抗温度検出器（ＲＴＤ）、赤外線（ＩＲ）カメラ、またはその他の任意の温度を計測する装置を用いて実施される。
【００５２】
図７では、図の右側の温度出力行列は、基板支持アセンブリ１１２内の様々な位置における複数の温度計測を含む。例えば、図７では、Ｔ１１は基板支持アセンブリ１１２内のｘ＝１およびｙ＝１の位置における温度値であり、Ｔｍｎは基板支持アセンブリ１１２内のｘ＝ｍおよびｙ＝ｎの位置における温度値である。つまり、図７に示す温度行列は、基板支持アセンブリ１１２の表面上の様々な位置において検出される温度値を含む。
【００５３】
図８Ａは３次元表示での例示的な単位応答行列を示し、図８Ｂは２次元表示での例示的な単位応答行列を示す。単位応答行列は、２次元または３次元で表すことができる。３次元単位応答行列では、図８Ａに示すように、全てのｋ２次元サブマトリクスは３次元行列に合算される。ここで、ｋは基板支持アセンブリ１１２における熱制御素子１１４の数である。２次元行列では、各２次元サブマトリクスはベクトル化され（２Ｄから１Ｄへ）、ベクトル化された１次元行列は２次元行列に合算される。
【００５４】
例示的な実施形態では、単位応答行列は、故障した熱制御素子１１４に対応するカラムをゼロに設定し、所定の温度（例えば、均一の０．８２ａ．ｕ．）に等しい素子によってベクトルＴを定義することによって修正される。一次方程式ｐ＝ｆ（ＵＲＭ，Ｔｉｎ）は、単位応答行列を用いてベクトル電力レベルｐ（例えば、１００の素子）を求め、ｐは可能な数字の電力レベル（例えば、１００）によってデジタル化される。新しいベクトルｐは、真の温度出力であるＴｏｕｔ＝ｆ（ＵＲＭ，ｐ）を計算するために用いられる。
【００５５】
図６は、実施形態の例示的な自動修正方法を示すフローチャートである。ステップＳ１０１では、基板支持アセンブリ１１２における各熱制御素子１１４は、１つ以上の異常に動作しているまたは故障した熱制御素子１１４があるかどうか確認される。例示的な実施形態では、１つ以上の異常に動作しているまたは故障した熱制御素子１１４が温度検出器１２４によって検出される。温度検出器１２４は、例えば、サーマルカメラまたはその他の任意の温度を検出できる装置であってよい。例示的な実施形態では、少なくとも１つの異常に動作しているまたは故障した熱制御素子１１４は、少なくとも１つの異常に動作しているまたは故障した熱制御素子１１４の開回路、閉回路、または変更状態を感知する電気モニタリングを実施することによって検出される。例えば、熱制御素子１１４の電力は、数式Ｐ＝Ｉ２＊Ｒ（Ｐは電力、Ｉは電流、Ｒは抵抗）を用いて監視されうる。監視された熱制御素子１１４の電力が予想外に変化した、または所定の範囲外となった場合は、それは異常に動作しているまたは故障した熱制御素子１１４であると決定されうる。また、制御装置１１６は、基板支持アセンブリ１１２における各熱制御素子１１４を監視し、熱制御素子１１４が開回路故障状態または閉回路故障状態かどうか、または予測された電力出力に対してその他の任意の変化が起きたかどうかを決定することができる（例えば、電力を制御する例示的な方法では、その実施は定電流制御というよりもオン状態とオフ状態との間で時間ベース制御された切り替えであってよく、この結果、システムが望ましい状態にないかどうか（例えば、いつオフ状態になるべきか）検出されうる）。熱制御素子１１４は、各熱制御素子１１４に流れる電流を計測する、抵抗計で抵抗を計測する、またはジュールメータを用いることによって監視されうる。
【００５６】
ステップＳ１０１で故障した熱制御素子１１４が検出されると、当該方法はステップＳ１０３に進む。ステップＳ１０１で故障した熱制御素子１１４が検出されなかったときは、当該方法はステップＳ１０７に進む。
【００５７】
ステップＳ１０３では、故障した熱制御素子は、故障した熱制御素子の単位応答行列における電力レベルをゼロに設定することによって停止する。次に、故障した熱制御素子は、単位応答行列におけるその他の熱制御素子の電力レベルを修正し、修正単位応答行列（ｍＵＲＭ）を作成することによって補正される。任意温度プロファイルの解は、修正されたパラメータを用いて最適な個々の熱制御素子出力を解析するだろう。例示的な実施形態では、故障した熱制御素子またはその集合がない電力出力を計算する同一の確立された大域的最適化ルーチンは、修正単位応答行列を作成するために用いられる。修正単位応答行列として同一のルーチンを単位応答行列に用いることの利点は、ルーチンが既に十分に分析され、十分に動作する熱制御素子アレイによる結果が顧客の期待に沿っていることである。第２の利点は、１つのコードベースのみを維持すればよいことである。２つのコードベースを維持する代わりに、任意の今後の改善および／またはバグ修正をプログラムし１度テストすればよい。
【００５８】
パラメータを修正して同一の大域的最適化ルーチンを使用するもう１つの利点は、そのルーチンの堅牢性である。全ての電力出力計算のために開発され使用されるためである。
【００５９】
代わりとなるアプローチは局所的最適化ルーチンである。それは、基板支持アセンブリ１１２における全ての熱制御素子１１４を用いるのではなく、最も近い近接した熱制御素子１１４のみを用いて故障した熱制御素子１１４を補正する（すなわち、大域的最適化ルーチン）。基板支持アセンブリ材は限定された熱伝導率を有するため、故障した熱制御素子１１４の補正への主な貢献は、最も近い近接する熱制御素子１１４によってもたらされる。最も近い近接補正に別の最適化アルゴリズムが用いられた場合は、発展させてテストする必要がある。これは、故障の場合には利点のみを得る一方で、基板支持アセンブリ１１２に関連する全てのコストを増加させる可能性がある。このコストの差は、ルーチンが今後最適化された場合はさらに増加する可能性がある。
【００６０】
単位応答行列における修正されたパラメータは、熱制御素子１１４を動作させるために最初のパラメータの代わりに記憶されて用いられる。最初のパラメータのコピーも同様に、例えば制御装置１１６のメモリ１１８に記憶され、１つの故障した熱制御素子１１４または故障した熱制御素子１１４の集合が再動作、修理、または交換されうる場合に再生する。動作中の熱制御素子１１４の数が減少すると、全ての範囲および／または汎用性が縮小した大域的空間温度プロファイルになる可能性がある。
【００６１】
複数の故障した熱制御素子１１４を補正する能力は、故障した熱制御素子１１４の位置に依存する。例えば、最も近い近接するもの同士の熱制御素子１１４が同時に故障すると、温度プロファイルに対してより大きな影響をもたらすと同時に、修正の大部分はこの最も近い近接した熱制御素子１１４同士によって行われるため、この影響の補正には柔軟性を欠くだろう。しかし、空間的に離れた複数の熱制御素子１１４が故障した場合は、大域的温度プロファイルへの影響はそれほど大きくない。
【００６２】
例示的な実施形態では、故障した熱制御素子１１４の影響は数学的方法で得られ、ユーザ（例えば、プロセスオペレータ）に通信できる。例えば、ユーザは予期されるエラーについて通知され、その変化を受け入れることを求められ、仕様が修正される。例示的な実施形態では、ユーザは特定のプロファイルが元々定義された仕様の範囲を超えるたびに通知されるのみで、彼女／彼は仕様範囲外の毎ケースごとに受け入れまたは拒否することができる。例示的な実施形態では、基板支持アセンブリに対する故障したまたは異常な熱制御素子の影響を示す通知は、デバイスに送られる。例示的な実施形態では、デバイスは、例えば、スマートフォン、ノートパソコン、タブレットなどであってよい。デバイスは、基板支持アセンブリの独立制御機構（例えば、コンピュータシステム）であってもよい。例示的な実施形態では、コンピュータシステムは、その影響が受け入れ可能かどうか、または仕様が変更のために修正されるべきかどうか、および仕様が変更の結果どのように変わったかを決定するコンピュータアルゴリズムを含みうる。
【００６３】
修正単位応答行列が作成されると、熱制御素子１１４の電力レベルは、ステップＳ１０５において、修正単位応答行列および求められた温度（Ｔ）を入力として用いて、例えば、数式ｐ＝ｆ（ｍＵＲＭ，Ｔ）を用いて計算される。ステップＳ１０５の後は、熱制御素子１１４は、ステップＳ１０９において、ステップＳ１０５で計算された熱制御素子１１４の電力レベルを用いて、制御装置１１６によって制御される。
【００６４】
ステップＳ１０１の後に故障した熱制御素子１１４が検出されなかった場合は、熱制御素子１１４の電力レベルは、ステップＳ１０７において、（修正されなかった）単位応答行列および求められた温度（Ｔ）を入力として用いて計算される。ステップＳ１０７の後は、熱制御素子１１４は、ステップＳ１０９において、ステップＳ１０７で計算された熱制御素子１１４の電力レベルを用いて、制御装置１１６によって制御される。
【００６５】
図９は、独立して制御可能であり、その処理中に半導体基板１１０を支持する基板支持アセンブリ１１２の温度制御板に位置する熱制御装置１１４の配列の中で、少なくとも１つの異常に動作しているまたは故障した熱制御素子１１４の例示的な自動修正方法を示す。例示的な実施形態では、配列は少なくとも５０個の熱制御素子１１４を含み、温度制御板は、図２に示すように、温度制御されたベースプレート１０５と少なくとも１つの静電クランプ電極１０９を備える誘電体層１０３との間に位置する。
【００６６】
ステップＳ２０１では、当該方法は、プロセッサ１２０を含む制御装置１１６によって、熱制御素子１１４の配列のうち少なくとも１つの熱制御素子１１４ａが異常に動作している、またはその動作が失敗したことを検出することを含む。上述のように、異常に動作しているまたは故障した熱制御素子１１４ａは、例えば温度検出器１２４、電気モニタリングなどによって検出されうる。
【００６７】
ステップＳ２０３は、制御装置１１６によって、少なくとも１つの異常に動作しているまたは故障した熱制御素子１１４ａを停止させることを含む。例示的な実施形態では、停止させる工程は、少なくとも１つの異常に動作しているまたは故障した熱制御素子１１４ａへの電力供給を停止することによって、例えば、異常に動作しているまたは故障した熱制御素子１１４ａに対応する単位応答行列において可変な電力をゼロ電力レベルに調整することによって、実施される。あるいは、異常に動作している熱制御素子が常にオンである閉回路状態に固着した場合、これもまた基板支持アセンブリ１１２におけるその他の熱制御素子１１４を調整することによって補正されうる。
【００６８】
ステップＳ２０５は、制御装置１１６によって、温度制御板における少なくとも１つの機能している熱制御素子１１４の電力レベルを修正し、少なくとも１つの異常に動作しているまたは故障した熱制御素子１１４ａの位置における所望の温度出力に対する少なくとも１つの異常に動作しているまたは故障した熱制御素子１１４ａの影響を、最小限にすることを含む。例示的な実施形態では、修正された少なくとも１つの機能している熱制御素子１１４は、少なくとも１つの異常に動作しているまたは故障した熱制御素子１１４ａに隣接する熱制御素子である。例示的な実施形態では、修正された少なくとも１つの機能している熱制御素子１１４は、少なくとも１つの異常に動作しているまたは故障した熱制御素子まで所定の距離の半径内にある複数の熱制御素子１１４である。
【００６９】
例示的な実施形態では、Ｓ２０５の修正ステップ中に、熱制御素子１１４の電力入力を熱制御素子１１４の温度出力に関係付ける行列が用いられる。行列は、例えばベクトルを含みうる。例示的な実施形態では、Ｓ２０５の修正ステップ中に、単位応答行列が用いられる。例えば、図７、８Ａ、および８Ｂに示すような単位応答行列が用いられうる。
【００７０】
例示的な実施形態では、ステップＳ２０５において、温度制御板における少なくとも１つの機能している熱制御素子１１４の電力レベルを修正する代わりに、制御装置１１６は、温度制御板におけるいずれの機能している熱制御素子１１４の電力レベルも修正しないことによって温度を最適化し、異常に動作しているまたは故障した熱制御素子１１４の位置における所望の温度出力に対する、異常に動作しているまたは故障した熱制御素子１１４の影響を、最小限にする。つまり、故障した熱制御素子１１４またはその集合が開回路状態にあり、システムにいかなる熱も供給していない場合に、機能している熱制御素子１１４の電力レベルを維持する（変えない）ことが最適解となりうる場合がある。
【００７１】
例示的な実施形態では、図９の方法は、所望の温度出力および熱制御素子の電力入力を熱制御素子１１４の温度出力に関係付ける行列に基づいて、温度制御板の熱制御素子１１４の電力入力を計算することを含む。
【００７２】
例示的な方法は、プラズマ処理チャンバ１２２内で半導体基板１１０を処理することを含み、プラズマ処理チャンバ１２２では、上述した図９に示す方法によって自動修正された熱制御素子１１４の配列を含む熱制御板を有する基板支持アセンブリ１１２の上に半導体基板１１０が支持される。例示的な方法はまた、半導体基板１１０全体の径方向および方位角方向の温度プロファイルを制御しながら半導体基板１１０をプラズマ処理することも含む。例示的な実施形態では、プラズマ処理はプラズマエッチングを含む。
【００７３】
例示的な実施形態では、プロセッサ（ＣＰＵなど）によって実行された場合に、非一時的コンピュータ可読媒体（例えば、ＲＡＭ、ＲＯＭ、ＤＶＤ、ブルーレイディスクなど）は命令を記憶し、上述した自動修正方法を実行する。
【００７４】
基板支持アセンブリは、熱制御素子１１４によって加熱／冷却されるヒータ／クーラ領域の様々な配置を有してよい。例えば、全てその内容全体が参考のため本明細書に組み込まれる、本発明の譲渡人に譲渡された米国出願公開第２０１１／００９２７０２、２０１２／０１１５２５４、２０１２／００６８７５０、２０１３／００７２０３５、２０１３／０２２０９８９、２０１３／０２７０２５０、２０１４／００４８５２９、２０１４／０１１００６０、および２０１４／００４７７０５参照。
【００７５】
開示された方法の様々な例示的実施形態が上述されてきたが、これらは、単に例示のみを目的として提供されたのであり、限定を目的としていないことを理解されたい。それは網羅的ではなく、また開示を正確なものに限定するものではない。修正および変更は、上記の教示に照らして可能であり、あるいは開示の幅または範囲を逸脱することなく開示内容を実行することから得ることができる。
【図１】
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【図２】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図６】
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【図７】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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【図９】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
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【図４】
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【外国語明細書】
2016006875000001.pdf