(57)【要約】【課題】実施形態は、光干渉リソグラフィにおける露光パターンの均一性を向上させるパターン形成方法を提供する。【解決手段】実施形態に係るパターン形成方法は、露光時に光回折を生じさせる回折マスクの複数の第１光通過部を通過した少なくとも２つの露光光を相互に干渉させる基板上の第１領域に第１膜を選択的に形成し、前記２つの露光光を干渉させた干渉光により前記第１膜を露光する。【選択図】図１
2016173427.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
露光時に光回折を生じさせる回折マスクの複数の第１光通過部を通過した少なくとも２つの露光光を相互に干渉させる基板上の第１領域に第１膜を選択的に形成し、
前記少なくとも２つの露光光を干渉させた干渉光により前記第１膜を露光するパターン形成方法。
【請求項２】
前記第１膜を形成する前記第１領域のサイズは、前記基板上における前記少なくとも２つの露光光が干渉する領域全体よりも小さい請求項１記載のパターン形成方法。
【請求項３】
前記複数の第１光通過部は、前記回折マスク上の第１方向に等間隔に設けられる請求項１または２に記載のパターン形成方法。
【請求項４】
前記第１膜は、インクジェット印刷法、グラビア印刷法、スクリーン印刷法、およびマイクロコンタクト印刷法のいずれか１つを用いて形成される請求項１〜３のいずれか１つに記載のパターン形成方法。
【請求項５】
前記基板上において前記第１領域から離間した第２領域に第２膜を選択的に形成し、前記回折マスクの第２光通過部を通過した露光光により前記第２膜を露光する請求項１〜４のいずれか１つに記載のパターン形成方法。
【請求項６】
前記第２光通過部のサイズは、前記第２領域のサイズよりも大きい請求項５記載のパターン形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
実施形態は、パターン形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置やMEMS（Micro Electro Mechanical Systems）などの製造過程において、微細なパターンを形成するためにフォトリソグラフィ技術が用いられる。フォトリソグラフィ技術の１つとして、例えば、光の干渉により形成される光学像を用いる光干渉リソグラフィがある。光干渉リソグラフィを用いることにより、例えば、低ラフネスのパターンを形成できる。しかしながら、露光領域の全面に渡る均一な光学像を光の干渉により得ることは難しい。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１３−１６６９６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
実施形態は、光干渉リソグラフィにおける露光パターンの均一性を向上させるパターン形成方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
実施形態に係るパターン形成方法は、露光時に光回折を生じさせる回折マスクの複数の第１光通過部を通過した少なくとも２つの露光光を相互に干渉させる基板上の第１領域に第１膜を選択的に形成し、前記２つの露光光を干渉させた干渉光により前記第１膜を露光する。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】実施形態に係るパターン形成方法に用いられる感光膜を示す模式図である。
【図２】実施形態に係る光干渉リソグラフィを表す模式断面図である。
【図３】実施形態に係るパターン形成方法を示すフローチャートである。
【図４】実施形態に係る感光膜の形成方法を示す模式断面図である。
【図５】実施形態に係る転写パターン、回折マスクおよび感光膜を示す模式平面図である。
【図６】実施形態に係る別の干渉露光方法を示す模式断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下、実施の形態について図面を参照しながら説明する。図面中の同一部分には、同一番号を付してその詳しい説明は適宜省略し、異なる部分について説明する。なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
【０００８】
さらに、各図中に示すＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を用いて各部分の配置および構成を説明する。Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸は、相互に直交し、それぞれＸ方向、Ｙ方向、Ｚ方向を表す。また、Ｚ方向を上方、その反対方向を下方として説明する場合がある。
【０００９】
図１および図２を参照して、実施形態に係るパターン形成方法を説明する。  
図１（ａ）は、基板１上に形成された感光膜１０を示す模式平面図である。  
図１（ｂ）は、感光膜１０と、露光光の照射範囲と、の関係を示す模式平面図である。
図２は、回折マスク２０と、回折マスク２０を通過した露光光を示す模式断面図である。
【００１０】
図１（ａ）に示すように、基板１上に、複数の第１膜（以下、感光膜１０）が選択的に形成される。基板１は、例えば、シリコン基板である。感光膜１０は、例えば、ネガ型のフォトレジスト膜である。
【００１１】
感光膜１０は、例えば、基板１に形成されるデバイス上の所定の領域、もしくは、デバイスが設けられるであろう領域に形成される。感光膜１０は、基板１の表面に平行な第１方向（以下、Ｘ方向）および第２方向（以下、Ｙ方向）に等間隔で形成される。感光膜１０の配置ピッチは、基板１上におけるデバイスパターンのピッチと一致する。
【００１２】
実施形態に係るパターン形成方法では、回折マスク２０を用いて露光光を干渉させる。回折マスク２０は、複数の第１光通過部（以下、光通過部２６）を有し、光通過部２６を通過した少なくとも２つの露光光を基板１上において相互に干渉させる（図２参照）。そして、基板上において、少なくとも２つの露光光が干渉する第１領域に感光膜１０を選択的に形成する。すなわち、感光膜１０は、光通過部を通過した少なくとも２つの露光光を干渉させた干渉光により露光される。その結果、感光膜１０には、少なくとも２つの露光光を干渉させた干渉パターンが転写される。
【００１３】
図１（ｂ）に示すように、感光膜１０は、干渉領域１３の内側に位置するサイズに設けられる。すなわち、感光膜１０のサイズは、基板１上の干渉領域１３のサイズよりも小さい。ここで、干渉領域１３は、例えば、回折マスク２０の光通過部２６を通過した少なくとも２つの露光光が干渉する領域全体を示す。また、干渉領域１３には、露光時において、例えば、Ｘ方向に延びるストライプ状の高輝度領域１５と低輝度領域１７とを含む干渉パターンが形成される。感光膜１０には、例えば、高輝度領域１５と低輝度領域１７とがＹ方向に交互に生成されたラインアンドスペースパターンが転写される。
【００１４】
図２に示すように、回折マスク２０は、例えば、透明基板２２と、遮光膜２４と、を備える。Ｙ方向に並設された遮光膜２４の間には、光通過部２６が設けられる。透明基板２２は、例えば、石英ガラス板である。遮光膜２４は、例えば、金属クロム膜または酸化クロム膜である。
【００１５】
透明基板２２は、第１面２２ａと、第１面とは反対側の第２面２２ｂと、を有する。遮光膜２４は、第１面２２ａ上において、例えば、Ｙ方向に等間隔で形成される。光通過部２６は、隣接する遮光膜２４の間に形成される。遮光膜２４および光通過部２６は、例えば、Ｘ方向に延在する。
【００１６】
図２に示すように、露光光ＬＥＸを回折マスク２０の第２面２２ｂに照射する。露光光ＬＥＸには、例えば、コヒーレント光を用いることが好ましい。露光光ＬＥＸには、例えば、レーザ光を用いる。
【００１７】
露光光ＬＥＸは、回折マスク２０の光通過部２６を通過し、第１面２２ａ側に配置された基板１に照射される。光通過部２６を通過した露光光ＬＥＸは、例えば、０次光ＬＤ０と、＋１次光ＬＤＡと、−１次光ＬＤＢと、を含む。０次光ＬＤ０は、光通過部２６を通過した後、−Ｚ方向に直進する。＋１次光ＬＤＡは、Ｙ方向に回折され、−１次光ＬＤＢは、−Ｙ方向に回折される。
【００１８】
図２に示すように、０次光ＬＤ０と、＋１次光ＬＤＡと、−１次光ＬＤＢと、が重なる位置に自己結像ＩＭが生じる。また、＋１次光ＬＤＡと、−１次光ＬＤＢと、が重なる位置に反転像ＩＭＲが生じる。
【００１９】
自己結像ＩＭは、光通過部２６に対応する位置に現れる光強度の高い結像のことをいう。例えば、図２中に破線で示す仮想面Ｐ１およびＰ２において、自己結像ＩＭは、Ｙ方向に等間隔で並ぶ。Ｙ方向における自己結像ＩＭのピッチは、光通過部２６のＹ方向のピッチｐと同じである。例えば、仮想面Ｐ１もしくはＰ２に感光膜１０が位置するように基板１を配置すると、感光膜１０を自己結像ＩＭにより露光することができる。すなわち、回折マスク２０に形成されたパターンに対応する干渉パターンにて露光することができる。
【００２０】
自己結像ＩＭは、−Ｚ方向にも周期的に現れる。その周期は、Ｐ１とＰ２との間隔Ｚｔである。Ｚｔは、所謂タルボ距離であり、式（１）および（２）で表される。ここで、露光光の波長をλ、光通過部２６のピッチをｐとする。  
回折マスク２０に照射される露光光の波長λと、ピッチｐと、が近いときは、Ｚｔは式（１）で表される。
【数１】
2016173427.tif 000003
また、ピッチｐが露光光の波長λの２倍以上であるときは、Ｚｔは近似的に式（２）で表される。
【数２】
2016173427.tif 000004
そして、感光膜１０と、回折マスク２０と、の間隔がＺｔの整数倍となるように基板１を配置することにより、感光膜１０を所定の干渉パターンで露光することができる。
【００２１】
一方、反転像ＩＭＲは、仮想面Ｐ１とＰ２との中間に位置する。また、反転像ＩＭＲは、遮光膜２４の中心に対応した位置に生成される高光強度像である。そして、Ｘ方向に並ぶ反転像ＩＭＲにより生じる光強度分布は、自己結像ＩＭにより生じる光強度分布を反転させたものとなる。すなわち、感光膜１０をＰ１とＰ２の中間位置に配置することにより、回折マスク２０に形成されたパターンを反転させた干渉パターンにより露光することができる。
【００２２】
上述の回折マスク２０を用いた光干渉リソグラフィでは、例えば、等間隔で配置された光通過部の終端付近において、光干渉の周期性が失われる。このため、自己結像ＩＭの終端付近において、干渉パターンに乱れが生じる。言い換えれば、回折マスク２０の終端において、光強度分布が変化し、露光パターンの均一性が劣化する。
【００２３】
本実施形態では、感光膜１０を基板１上に選択的に配置し、感光膜１０のサイズを干渉領域１３のサイズよりも小さくする。これにより、回折マスク２０の終端における干渉パターンの乱れを除いた均一な干渉露光を実現できる。
【００２４】
図３〜図５を参照して、実施形態に係るパターン形成方法を説明する。図３は、実施形態に係るパターン形成方法を示すフローチャートである。図４は、実施形態に係る感光膜１０の形成方法を示す模式断面図である。図５は、実施形態に係る転写パターン１１０、回折マスク１２０および感光膜１０を示す模式平面図である。
【００２５】
図３に示すように、本実施形態に係るパターン形成方法では、例えば、ステップＳ２０１〜Ｓ２０６を実行する。以下、図３に従って各ステップを順に説明する。
【００２６】
ステップＳ２０１：干渉露光に用いる回折マスク１２０を作製する。回折マスク１２０は、例えば、透明基板２２と、透明基板２２の第１面２２ａ上に形成される遮光膜２４と、を有する。
【００２７】
ステップＳ２０２：感光膜１０を基板１の上に形成する方法を選択する。感光膜１０は、様々な方法を用いることができる。ここでは、例えば、有版印刷法を用いるか否かを判断する。有版印刷法を用いる場合には、ステップＳ２０３に進む。有版印刷法を用いない場合には、ステップＳ２０４に進む。
【００２８】
ステップＳ２０３：印刷版を作成する。印刷法には、例えば、グラビア印刷法、マイクロコンタクト印刷法およびスクリーン印刷法などがある。各印刷法では、下地上に所定のパターンを形成するための印刷版が必要となる。そこで、所望のパターンを含む印刷版を作成する。
【００２９】
ステップＳ２０４：選択した方法を用いて感光膜１０を基板上に形成する。  
ここで、図４（ａ）〜図４（ｄ）を参照して、印刷版および印刷方法を説明する。図４（ａ）〜図４（ｃ）は、それぞれ、印刷版を用いる印刷方法の具体例を示す。
【００３０】
図４（ａ）は、グラビア印刷法を例示する模式断面図である。この方法では、印刷版４０、感光材５０およびスキージ６０を用いる。印刷版４０は、円形シリンダ４２の表面にセットされる。印刷版４０は、その表面に彫り込まれた複数の凹部４４を有する。凹部４４は、その開口が感光膜１０の形状となるように形成される。各凹部４４は、そのピッチが感光膜１０のピッチに一致するように形成される。
【００３１】
例えば、凹部４４を基板１上の所定の領域に位置合わせした後、円形シリンダ４２を回転させながら印刷版上に感光材５０を塗布し、スキージ６０により表面の感光材を除去する。これにより、各凹部４４は、感光材５０で満たされる。続いて、基板１をＡ１方向に移動させながら凹部４４から基板１の表面に感光材５０を転写する。さらに、基板１をベークし、感光材５０の溶媒を蒸発させる。これにより、基板１の上に感光膜１０が形成される。
【００３２】
図４（ｂ）は、マイクロコンタクト印刷法を例示する模式断面図である。この方法では、感光材５０および印刷版７０を用いる。印刷版７０は、その表面に複数の凸部７４を有する。凸部７４の表面７４ａは、感光膜１０の形状を有する。凸部７４のピッチは、感光膜１０の配置ピッチと同じである。
【００３３】
例えば、凸部７４の各先端に感光材５０を塗布する。続いて、凸部７４を基板１上の所定の領域に位置合わせし、凸部７４の先端を基板１の表面に接触させて感光材５０を転写する。次に、基板１をベークして感光材５０の溶媒を蒸発させ、感光膜１０を形成する。
【００３４】
図４（ｃ）は、スクリーン印刷法を例示する模式断面図である。この方法では、感光材５０、印刷版８０およびスキージ９０を用いる。基板１の上方に、印刷版８０を配置する。印刷版８０は、複数の貫通孔８２を有する。貫通孔８２の開口は、感光膜１０の形状を有する。貫通孔８２のピッチは、感光膜１０のピッチと同じである。
【００３５】
まず、貫通孔８２を基板１の所定の領域に位置合わせする。続いて、感光材５０を印刷版８０の上に供給し、スキージ９０を用いて、感光材５０を各貫通孔８２から押し出し、基板１の上に転写する。基板１をベークして感光材５０の溶媒を蒸発させ、感光膜１０を形成する。
【００３６】
図４（ｄ）は、インクジェット印刷法を例示する模式断面図である。この方法では、印刷版を用いない。すなわち、ステップＳ２０２において有版印刷法を選択しない場合、この方法を用いて感光膜１０を形成することができる。すなわち、インクジェット印刷法では、ノズル１００を用いて感光材５０を基板１上の所定の領域に塗布する。
【００３７】
ノズル１００を基板１上の所定領域に位置合わせし、ノズル１００の吐出部１００ａから感光材５０を吐出させる。続いて、基板１をスライドさせ、別の位置に感光材５０を吐出させる。感光材５０の印刷を完了した後、基板１をベークして感光材５０の溶媒を蒸発させ、感光膜１０を形成する。
【００３８】
図５（ａ）は、印刷版に形成される転写パターン１１０を例示する模式平面図である。転写パターン１１０は、例えば、グラビア印刷法の凹部４４もしくはスクリーン印刷法の貫通孔８２を例示している。
【００３９】
転写パターン１１０は、第１開口部１１２と、第２開口部１１４と、を有し、例えば、第１感光材および第２感光材を基板１上に転写することを可能とする。第１感光材は、例えば、感光膜１０であり、第１開口部１１２を介して転写される。第２感光材は、第２開口１１４を介して第１感光材から離間した領域に転写される。第１感光材は、基板１上の第１領域に転写され、第２感光材は、第１領域から離間した第２領域に転写される。第１開口部１１２のサイズは、干渉領域１３よりも小さく形成される（図１（ｂ）参照）。第２開口部１１４は、例えば、アライメントマーク１８（図５（ｃ）参照）の形状を有する。第２開口部１１４は、例えば、第１開口部１１２の四隅に近接して形成される。第２開口部１１４は、例えば、十字形である。
【００４０】
ステップＳ２０５：回折マスク１２０を用いて感光膜１０を干渉露光する。例えば、図５（ｂ）は、回折マスク１２０を例示する模式平面図である。回折マスク１２０は、回折パターン１２２と、露光光ＬＥＸを基板１上に直接照射できる開口部１２４と、を有する。
【００４１】
回折パターン１２２は、遮光部１２２ａと、光通過部１２２ｂを有する。遮光部１２２ａおよび光通過部１２２ｂは、例えば、Ｘ方向に延びるストライプ状に設けられる。遮光部１２２ａおよび光通過部１２２ｂ（第１光通過部）は、Ｙ方向に交互に配置される。すなわち、遮光部１２２ａは、Ｙ方向に等間隔に配置される。回折パターン１２２のサイズは、転写パターン１１０の第１開口部１１２のサイズよりも大きい。
【００４２】
開口部１２４（第２光通過部）は、例えば、回折パターン１２２の四隅に近接して配置される。開口部１２４は、転写パターン１１０の第２開口部１１４に重なる位置に設けられる。開口部１２４のサイズは、第２開口部１１４のサイズよりも大きい。すなわち、基板１上の第２領域よりも広い。
【００４３】
次に、回折マスク１２０を用いて第１感光材（第１膜：感光膜１０）および第２感光材（第２膜）を露光する手順を説明する。まず、基板１上に転写された第１感光材上に回折パターン１２２を位置合わせする。例えば、転写パターン１１０の第２開口１１４により基板上に形成された第２感光材（以下、アライメントマーク１８）が回折マスク１２０の開口１２４の内側に位置するように、回折マスク１２０の位置を合わせる。続いて、回折マスク１２０の第２面側に露光光ＬＥＸを照射する（図２参照）。
【００４４】
例えば、回折マスク１２０と感光膜１０との間隔をＺｔの整数倍とした場合には、自己結合した回折パターン１２２が感光膜１０に転写される。また、回折マスク１２０と感光膜１０との間隔をＺｔの整数倍＋Ｚｔ／２とした場合には、回折パターン１２２の反転像が感光膜１０に転写される。
【００４５】
ステップＳ２０６：干渉露光された感光膜１０を現像する。例えば、図５（ｃ）は、現像後の感光膜１０およびアライメントマーク１８を表す模式平面図である。
【００４６】
図５（ｃ）に示すように、感光膜１０には、回折パターン１２２に対応した現像パターンが形成される。例えば、感光材５０がネガレジストであり、自己結像ＩＭを転写した場合、感光膜１０には、光通過部１２２ｂに対応したパターンが残る。例えば、図５（ｃ）中に示すように、ラインパターン１２およびスペースパターン１４を含むラインアンドスペースパターンが形成される。
【００４７】
アライメントマーク１８は、回折マスク１２０の開口１２４を介して露光光ＬＥＸにより直接露光され、基板１の上に残る。また、反転像ＩＭＲを転写した場合には、遮光部１２２ａに対応したパターンが感光膜１０に残る。
【００４８】
実施形態のパターン形成方法によれば、干渉領域１３の内側に感光膜１０を形成するので、例えば、回折パターンの終端における干渉パターンの乱れた部分が転写されることはない。これにより、感光膜１０に均一な干渉パターンを転写することができる。
【００４９】
また、本実施形態に示すように、干渉露光の過程において、アライメントマーク１８を基板１上に形成することができる。これにより、感光膜１０とアライメントマーク１８との間の位置ずれを回避できるため、後続の工程におけるマスクアライメントの精度を向上させ、デバイスの製造歩留りを向上させることができる。
【００５０】
次に、図６（ａ）および図６（ｂ）を参照して、実施形態に係る別の干渉露光方法を説明する。図６（ａ）は、二光束干渉を用いた干渉露光方法を例示する模式断面図である。図６（ｂ）は、二光束干渉を用いた別の干渉露光方法を例示する模式断面図である。
【００５１】
図６（ａ）に示す例では、感光膜１０を形成した基板１の表面と、回折マスク１３０と、を向かい合わせて配置する。回折マスク１３０は、２つのグレーティング１３２（以下、グレーティング１３２ａおよびグレーティング１３２ｂ）を有する。グレーティング１３２ａおよびグレーティング１３２ｂは、Ｘ方向に並設される。グレーティング１３２は、例えば、Ｙ方向に延びるストライプ状の複数のスリットを含む。
【００５２】
露光光ＬＥＸを、回折マスク１３０に照射する。露光光ＬＥＸは、例えば、ＥＵＶレーザ光であり、コヒーレント光である。露光光ＬＥＸは、例えば、波長１３．５ｎｍ付近の極端紫外線である。露光光ＬＥＸは、グレーティング１３２ａおよびグレーティング１３２ｂの各スリットを通過し、基板１上に照射される。
【００５３】
グレーティング１３２ａのスリットを通過した露光光ＬＥＸは、例えば、０次光ＬＤ０と、＋１次光ＬＤａと、−１次光ＬＤｂと、を含む。０次光は、スリットにおいて回折されることなく、基板１に向かって直進する。１次光ＬＤａおよびＬＤｂは、スリットにおいてそれぞれ＋Ｘ方向および−Ｘ方向に回折される。
【００５４】
グレーティング１３２ｂのスリットを通過した露光光ＬＥＸは、例えば、０次光ＬＤ０と、＋１次光ＬＤｅと、−１次光ＬＤｆと、を含む。
【００５５】
図６（ａ）に示すように、基板１上において、グレーティング１３２ａを通過した−１次光ＬＤｂと、グレーティング１３２ｂを通過した＋１次光ＬＤｅと、が重なり、光干渉が生じる。そして、この位置（以下、干渉位置Ｐ３）に感光膜１０を配置することにより干渉露光を行うことができる。干渉位置Ｐ３の近傍には、他の露光光、例えば、０次光ＬＤ０が照射されるが、感光膜１０を干渉位置Ｐ３に選択的に形成することにより、これらの影響を回避できる。また、この例では、グレーティング１３２のスリットを、そのＸ方向のピッチの半分のピッチを有する干渉パターンとして転写することができる。
【００５６】
図６（ｂ）に示す例では、図示しない露光光源と基板１との間に、第１回折マスク１４０と、第２回折マスク１５０と、を配置する。基板１の感光膜１０が形成された表面は、第２回折マスク１５０と向かい合う。
【００５７】
第１回折マスク１４０は、グレーティング１４２を有する。第２回折マスク１５０は、２つのグレーティング１５２（以下、グレーティング１５２ａおよびグレーティング１５２ｂ）を有する。グレーティング１５２ａおよびグレーティング１５２ｂは、Ｘ方向に並設される。グレーティング１５２ａおよびグレーティング１５２ｂは、例えば、Ｙ方向に延びるストライプ状の複数のスリットを有する。
【００５８】
第１回折マスク１４０に照射された露光光ＬＥＸは、グレーティング１４２を通過して第２回折マスク１５０に照射される。グレーティング１４２を通過した露光光ＬＥＸは、０次光ＬＤ０と、＋１次光ＬＤｇと、−１次光ＬＤｈと、を含む。
【００５９】
＋１次光ＬＤｇおよび−１次光ＬＤｈは、それぞれ、第２回折マスク１５０のグレーティング１５２ａおよび１５２ｂに照射される。０次光ＬＤ０は、第２回折マスク１５０に遮られ、基板１に到達しない。そこで、図６（ｂ）では、０次光ＬＤ０を省略している。
【００６０】
＋１次光ＬＤｇは、グレーティング１５２ａを通過し、例えば、０次光ＬＤｉ、＋１次光ＬＤｊおよび−１次光ＬＤｋとなる。また、−１次光ＬＤｈは、グレーティング１５２ｂを通過し、例えば、０次光ＬＤｌ、＋１次光ＬＤｍ、−１次光ＬＤｎとなる。
【００６１】
図６（ｂ）に示すように、グレーティング１５２ａおよび１５２ｂを通過した露光光のうちの−１次光ＬＤｋと＋１次光ＬＤｍとは、基板１上の干渉位置Ｐ４に照射される。したがって、感光膜１０を干渉位置Ｐ４に位置合わせすることにより、−１次光ＬＤｋと＋１次光ＬＤｍとの干渉パターンを転写することができる。図６（ｂ）に示す干渉露光方法では、図６（ａ）に示す例よりも干渉パターンの解像度を高くすることができる。
【００６２】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００６３】
１・・・基板、  １０・・・感光膜、  １２・・・ラインパターン、  １３・・・干渉領域、  １４・・・スペースパターン、  １５・・・高輝度領域、  １７・・・低輝度領域、  １８・・・アライメントマーク、  ２０、１２０、１３０、１４０、１５０・・・回折マスク、  ２２・・・透明基板、  ２２ａ・・・第１面、  ２２ｂ・・・第２面、  ２４・・・遮光膜、  ２６、１２２ｂ・・・光通過部、  ４０、７０、８０、１１０・・・印刷版、  ４２・・・円形シリンダ、  ４４・・・凹部、  ５０・・・感光材、  ６０、９０・・・スキージ、  ７４・・・凸部、  ７４ａ・・・表面、  ８２・・・貫通孔、  １００・・・ノズル、  １００ａ・・・吐出部、  １１０・・・転写パターン、  １１２、１１４、１２４・・・開口部、  １２２・・・回折パターン、  １２２ａ・・・遮光部、  １３２ａ、１３２ｂ、１４２、１５２ａ、１５２ｂ・・・グレーティング
【図１】
2016173427.tif 000005
【図３】
2016173427.tif 000006
【図４】
2016173427.tif 000007
【図５】
2016173427.tif 000008
【図２】
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【図６】
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