(57)【要約】【課題】ネジとリードとの短絡が抑制された半導体装置。【解決手段】モールドＩＣ１０が固定部３０にネジ５０によってネジ止めされた半導体装置である。モールドＩＣは、リード１１、リードに搭載された電子素子１２、および、リードの一部と電子素子を被覆する絶縁性の被覆部１３を有し、固定部における被覆部が搭載される搭載面３０ａには、局所的にへこんだ凹部３１が形成され、被覆部における凹部と対向する対向面１３ｃから凹部へと突起する突起部１６が被覆部に形成され、凹部、突起部、および、被覆部における突起部よりも上方に位置する部位それぞれに、ネジをネジ止めするためのネジ穴９０が形成され、突起部が凹部に設けられた状態において、ネジ穴にネジがネジ止めされている。【選択図】図１
2016004820.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
モールドＩＣ（１０）と、
所定電位に固定された固定部（３０）と、
前記モールドＩＣを前記固定部にネジ止めするネジ（５０）と、を有する半導体装置であって、
前記モールドＩＣは、導電性のリード（１１）、前記リードに搭載された電子素子（１２）、および、前記リードの一部と前記電子素子を被覆する絶縁性の被覆部（１３）を有し、
前記固定部における前記被覆部が搭載される搭載面（３０ａ）には、局所的にへこんだ凹部（３１）が形成され、
前記被覆部における前記凹部と対向する対向面（１３ｃ）から前記凹部へと突起する突起部（１６）が前記被覆部に形成され、
前記凹部、前記突起部、および、前記被覆部における前記突起部よりも上方に位置する部位それぞれに、前記ネジをネジ止めするためのネジ穴（９０）が形成され、
前記突起部が前記凹部に設けられた状態において、前記ネジ穴に前記ネジがネジ止めされていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記固定部は前記モールドＩＣを冷却する機能を果たしており、
前記モールドＩＣと前記固定部との間に設けられる、熱伝導性と非導電性を有する伝熱シート（７０）を有し、
前記リードの一面（１１ａ）が、放熱性を向上するべく前記被覆部から露出されており、
前記リードの一面と前記固定部の前記搭載面の間に前記伝熱シートが設けられることで、前記リードと前記固定部とが前記伝熱シートを介して熱的に接続されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記突起部は、前記凹部の底面と対向する先端（１７）と、前記先端と前記対向面とを連結する連結部（１８）と、を有しており、
前記連結部と前記凹部の側面（３１ｂ）とは、空間放電によって前記連結部が炭化されることを抑制するために所定距離離れていることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記連結部と前記凹部の側面とは、１ｍｍ以上離れていることを特徴とする請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記被覆部における前記固定部側の下面（１３ｂ）から前記リードの一面が露出され、前記被覆部の前記対向面は前記下面に含まれており、
前記伝熱シートは、前記リードの一面と前記固定部の前記搭載面との沿面距離を長くするべく、前記リードの一面の全面だけではなく、前記下面とも接触していることを特徴とする請求項３または請求項４に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記突起部は、前記凹部の底面と対向する先端（１７）と、前記先端と前記対向面とを連結する連結部（１８）と、を有しており、
前記搭載面に平行な規定平面における、前記突起部の前記先端の外側面（１７ａ）の成す外形輪郭線、および、前記凹部の側面（３１ｂ）の成す輪郭線それぞれは真円とは異なる環状形状を成し、
前記突起部の前記先端の外側面と前記凹部の側面とが全周に渡って接触していることを特徴とする請求項１〜５いずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記固定部は、導電性を有する導電部（３２）と、絶縁性を有する絶縁部（３３）と、を有し、
前記凹部の底面は前記絶縁部によって形成され、
前記凹部の側面は前記導電部によって形成され、
前記固定部の成す前記ネジ穴は前記絶縁部に形成されていることを特徴とする請求項１〜６いずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記固定部は、導電性を有する導電部（３２）と、絶縁性を有する絶縁部（３３）と、を有し、
前記凹部の成す前記ネジ穴は前記絶縁部に形成されていることを特徴とする請求項１〜６いずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記固定部は、導電性を有する導電部（３２）と、絶縁性を有する絶縁部（３３）と、を有し、
前記導電部は、前記搭載面を有する第１導電部（３２ａ）と、前記凹部の成す前記ネジ穴が形成された第２導電部（３２ｂ）と、を有し、
前記第１導電部と前記第２導電部とが前記絶縁部を介して機械的に連結されていることを特徴とする請求項１〜６いずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記ネジは、ネジ溝が側面に刻まれた導電性の軸部（５１）と、前記軸部の表面を被覆する絶縁性の被覆膜（５４）と、を有することを特徴とする請求項１〜９いずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記リードには、前記ネジ穴を前記被覆部に形成するための開口部（１１ｂ）が形成されており、
前記被覆部における前記リードの前記開口部を構成する壁面を被覆する部位が、前記ネジ穴の一部を構成していることを特徴とする請求項１〜１０いずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１２】
前記ネジは、ネジ溝が側面に刻まれた軸部（５１）と、前記軸部における前記凹部とは反対側の端部に固定された頭部（５２）と、を有し、
前記頭部と前記被覆部との間に設けられる座金（５３）を有し、
前記リードは前記被覆部よりも剛性が高い材料から成っており、
前記搭載面に平行な規定平面における、前記座金の外径（ａ）は、前記リードの前記開口部の内径（ｂ）、および、前記凹部の側面間最大距離（ｃ）それぞれよりも長くなっていることを特徴とする請求項１１に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、モールドＩＣが固定部にネジ止めされた半導体装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１に示されるように、半導体モジュールが金属製のネジによって冷却器に固定されて成る半導体装置が知られている。半導体モジュールは、半導体チップと、半導体チップの電極面に接合されたバスバーと、隣接するバスバー同士を固定するモールド部と、を有する。半導体モジュールは、その周囲を樹脂枠によって囲まれており、樹脂枠の四隅にはネジを差し込むための貫通穴が形成されている。そして冷却器には、ネジをねじ込むための取り付け穴が設けられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００９−１３０１６８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に示される半導体装置では、バスバーを有する半導体モジュールが樹脂枠によって囲まれ、樹脂枠に形成された貫通穴にネジが差し込まれ、冷却器に設けられた取り付け穴にネジがねじ込まれることで半導体モジュールが冷却器に固定される。この構成の場合、ネジと冷却器とが電気的に接続されるので、ネジとバスバー（リード）とが短絡すると、リードと冷却器とが電気的に接続される虞がある。
【０００５】
そこで本発明は上記問題点に鑑み、ネジとリードとの短絡が抑制された半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記した目的を達成するために本願の第１発明は、モールドＩＣ（１０）と、所定電位に固定された固定部（３０）と、モールドＩＣを固定部にネジ止めするネジ（５０）と、を有する半導体装置であって、モールドＩＣは、導電性のリード（１１）、リードに搭載された電子素子（１２）、および、リードの一部と電子素子を被覆する絶縁性の被覆部（１３）を有し、固定部における被覆部が搭載される搭載面（３０ａ）には、局所的にへこんだ凹部（３１）が形成され、被覆部における凹部と対向する対向面（１３ｃ）から凹部へと突起する突起部（１６）が被覆部に形成され、凹部、突起部、および、被覆部における突起部よりも上方に位置する部位それぞれに、ネジをネジ止めするためのネジ穴（９０）が形成され、突起部が凹部に設けられた状態において、ネジ穴にネジがネジ止めされていることを特徴とする。
【０００７】
このように本発明では固定部（３０）に凹部（３１）が形成され、その凹部（３１）に突起部（１６）が設けられている。そして絶縁性の突起部（１６）によってネジ（５０）における固定部（３０）側の端部が囲まれている。これによれば固定部に凹部が形成されず、被覆部に突起部が形成されない構成と比べて、ネジ（５０）とリード（１１）との絶縁性が向上される。したがってネジ（５０）とリード（１１）とが短絡することが抑制される。
【０００８】
本願の第２発明では、固定部はモールドＩＣを冷却する機能を果たしており、モールドＩＣと固定部との間に設けられる、熱伝導性と非導電性を有する伝熱シート（７０）を有し、リードの一面（１１ａ）が、放熱性を向上するべく被覆部から露出されており、リードの一面と固定部の搭載面の間に伝熱シートが設けられることで、リードと固定部とが伝熱シートを介して熱的に接続されている。
【０００９】
これによればリードと固定部とが伝熱シートだけではなく被覆部も介して熱的に接続された構成と比べて、リード（１１）（モールドＩＣ（１０））から固定部（３０）へと効率よく伝熱することができる。また上記したように絶縁性の突起部（１６）によってネジ（５０）における固定部（３０）側の端部が囲まれているので、ネジ（５０）における固定部（３０）側の端部と被覆部（１３）から露出されたリード（１１）との沿面距離が長くなり、ネジ（５０）とリード（１１）との絶縁性が向上される。したがってネジ（５０）とリード（１１）とが短絡することが抑制される。
【００１０】
本願の第３発明では、突起部は、凹部の底面と対向する先端（１７）と、先端と対向面とを連結する連結部（１８）と、を有しており、連結部と凹部の側面（３１ｂ）とは、空間放電によって連結部が炭化されることを抑制するために所定距離離れている。これによれば炭化した連結部（１８）を介してネジ（５０）とリード（１１）とが短絡することが抑制される。
【００１１】
なお、特許請求の範囲に記載の請求項、および、課題を解決するための手段それぞれに記載の要素に括弧付きで符号をつけているが、この括弧付きの符号は実施形態に記載の各構成要素との対応関係を簡易的に示すためのものであり、実施形態に記載の要素そのものを必ずしも示しているわけではない。括弧付きの符号の記載は、いたずらに特許請求の範囲を狭めるものではない。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】第１実施形態に係る半導体装置の概略構成を示す断面図である。
【図２】図１に示すモールドＩＣの概略構成を示す上面図である。
【図３】図１に示すモールドＩＣの概略構成を示す下面図である。
【図４】図１に示す破線で囲った領域Ａの拡大断面図である。
【図５】図１に示す一点鎖線で囲った領域Ｂの拡大断面図である。
【図６】半導体装置の変形例を示す断面図である。
【図７】半導体装置の変形例を示す断面図である。
【図８】半導体装置の変形例を示す断面図である。
【図９】半導体装置の変形例を示す断面図である。
【図１０】モールドＩＣの変形例を示す下面図である。
【図１１】モールドＩＣの変形例を示す下面図である。
【図１２】モールドＩＣの変形例を示す下面図である。
【図１３】モールドＩＣの変形例を示す下面図である。
【図１４】モールドＩＣの変形例を示す下面図である。
【図１５】半導体装置の変形例を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明の実施形態を図に基づいて説明する。
（第１実施形態）
図１〜図５に基づいて、本実施形態に係る半導体装置を説明する。なお図２および図３のＩ−Ｉ線に沿うモールドＩＣの断面形状を図１に示し、図３に後述する連結部１８を破線で示す。そして図１に示す破線で囲った領域Ａを図４に示し、図１に示す一点鎖線で囲った領域Ｂを図５に示す。
【００１４】
以下においては互いに直交の関係にある３方向を、ｘ方向、ｙ方向、ｚ方向と示す。そしてｘ方向とｙ方向とによって規定される平面を規定平面と示す。
【００１５】
図１に示すように半導体装置１００は、モールドＩＣ１０と、冷却部３０と、ネジ５０と、伝熱シート７０と、を有する。モールドＩＣ１０はリード１１と電子素子１２とが被覆部１３によって被覆されて成り、この被覆部１３と冷却部３０それぞれにｚ方向に沿ったネジ穴９０が形成されている。このネジ穴９０のネジ溝（図示略）に沿ってネジ穴９０内にネジ５０を回転しつつ挿入することで、モールドＩＣ１０が冷却部３０にネジ止めされている。モールドＩＣ１０と冷却部３０との間には上記した伝熱シート７０が設けられており、モールドＩＣ１０にて発生した熱が伝熱シート７０を介して冷却部３０へと伝熱される。
【００１６】
モールドＩＣ１０は、上記したリード１１、電子素子１２、および、被覆部１３を有する。図２および図３に示すように本実施形態においてモールドＩＣ１０は３つのリード１１を有し、この３つのリード１１の内の１つに電子素子１２が搭載されている。電子素子１２は導電部材１４を介して３つのリード１１の内の１つと電気的および機械的に接続され、残り２つのリード１１とワイヤ１５を介して電気的に接続されている。リード１１は銅やアルミニウムなどの金属材料から成り、被覆部１３よりも剛性が高くなっている。
【００１７】
電子素子１２はパワーＭＯＳＦＥＴなどの能動素子であり、駆動によって熱を発生するものである。この電子素子１２で発生した熱が、自身が搭載されたリード１１、導電部材１４、および、伝熱シート７０を介して冷却部３０へと伝熱される。
【００１８】
被覆部１３は絶縁性の樹脂材料から成り、３つのリード１１と電子素子１２とを一体的に連結しつつ被覆するものである。図１〜図３に示すように３つのリード１１それぞれが有する２つの端部の内の一方が被覆部１３から外部に露出され、この端部が外部接続端子としての機能を果たしている。なお、上記した導電部材１４とワイヤ１５も被覆部１３によって被覆されている。
【００１９】
図１〜図３に示すように、被覆部１３には上面１３ａから下面１３ｂに向かってネジ穴９０の一部が形成されている。そして下面１３ｂにおける後述する凹部３１との対向面１３ｃから凹部３１へと突起する突起部１６が被覆部１３に形成されている。この突起部１６および被覆部１３における突起部１６よりも上方の部位それぞれにネジ穴９０の一部が形成されている。この突起部１６およびそれに関わる構造については後で詳説する。
【００２０】
図１および図３に示すように、電子素子１２を搭載するリード１１の一面１１ａが下面１３ｂから外部に露出されている。この一面１１ａは下面１３ｂとともに規定平面に対して平行となっており、その一面１１ａと下面１３ｂとに伝熱シート７０が接触されている。図１に示すように電子素子１２を搭載するリード１１には、ネジ穴９０を被覆部１３に形成するための開口部１１ｂが形成されている。この開口部１１ｂを構成する壁面も被覆部１３によって被覆されており、この壁面を被覆する被覆部１３の部位によってネジ穴９０の一部が構成されている。図５に示すように開口部１１ｂを構成する壁面と一面１１ａとが交わる縁部１１ｃも伝熱シート７０によって覆われている。以下においては記述が煩雑と成ることを避けるために、電子素子１２が搭載されたリード１１を単にリード１１と示す。
【００２１】
冷却部３０はモールドＩＣ１０の熱を放熱することで、モールドＩＣ１０を冷却するものである。冷却部３０は導電性材料から成り、所定電位に固定されている。冷却部３０におけるモールドＩＣ１０が搭載される搭載面３０ａは規定平面に面しており、搭載面３０ａと上記した一面１１ａおよび下面１３ｂとの間に伝熱シート７０が設けられている。モールドＩＣ１０と冷却部３０とのｚ方向における離間距離はｚ方向における伝熱シート７０の長さ（厚さ）とネジ５０のネジ止め具合によって定められる。また上記したように搭載面３０ａには局所的にへこんだ凹部３１が形成されており、この凹部３１の底面３１ａにネジ穴９０の一部が形成されている。凹部３１に形成されたネジ穴９０にネジ５０の先端がネジ止めされる。したがってネジ５０は冷却部３０と同電位となっている。本実施形態において冷却部３０はグランド電位に固定されている。そして図３に示すように、規定平面における凹部３１の側面３１ｂの成す輪郭線は真円となっている。冷却部３０が特許請求の範囲に記載の固定部に相当する。
【００２２】
ネジ５０は金属材料から成り、ネジ溝（図示略）が側面に刻まれた軸部５１と、軸部５１における冷却部３０から離れた端部に固定された頭部５２と、を有する。本実施形態に係る半導体装置１００は環状の座金５３を有し、この座金５３が頭部５２と被覆部１３との間に設けられている。上記したようにネジ穴９０は被覆部１３と冷却部３０に形成されている。したがって軸部５１における冷却部３０側の端部（ネジ５０の先端）が冷却部３０のネジ穴９０に設けられ、軸部５１の残りが被覆部１３のネジ穴９０に設けられる。ネジ５０のネジ穴９０へのネジ止めによって座金５３が頭部５２と被覆部１３とによって挟持され、座金５３から冷却部３０へとモールドＩＣ１０を押し付ける力が作用される。図４に示すように、規定平面における座金５３の外径ａは、リード１１の開口部１１ｂの内径ｂ、および、凹部３１の側面３１ｂ間最大距離（直径）ｃそれぞれよりも長くなっている。したがってｚ方向において被覆部１３の一部を介して座金５３とリード１１の一部とが対向している。これにより、座金５３から冷却部３０へとモールドＩＣ１０を押し付ける力がリード１１を介して冷却部３０に作用される。
【００２３】
伝熱シート７０は熱伝導性と非導電性とを有し、上記したようにモールドＩＣ１０と冷却部３０との間に設けられている。図１に示すように伝熱シート７０は一面１１ａおよび下面１３ｂよりも規定平面における面積が広くなっており、伝熱シート７０の端が下面１３ｂよりも外側に位置している。これによりリード１１の一面１１ａおよび下面１３ｂにおける対向面１３ｃを除く部位それぞれの全面が伝熱シート７０によって覆われている。また伝熱シート７０には上記した突起部１６を通すための穴７１が形成されており、図５に破線で囲って示すように、この穴７１を縁取る環状部７２がリード１１の縁部１１ｃよりも突起部１６側に位置している。したがって対向面１３ｃの一部も一面１１ａとともに伝熱シート７０によって覆われている。これにより、リード１１の縁部１１ｃと凹部３１の側面３１ｂとの沿面距離が長くなり、両者が絶縁されている。以上示したように伝熱シート７０が一面１１ａの全面だけではなく下面１３ｂとも接触することで、一面１１ａと搭載面３０ａとの沿面距離が長くなっている。
【００２４】
次に、突起部１６およびそれに関わる構造について説明する。上記したように冷却部３０の搭載面３０ａに凹部３１が形成され、対向面１３ｃから凹部３１へと突起する突起部１６が被覆部１３に形成されている。図１に示すように突起部１６は管状を成しており、その内環面１６ａによってネジ穴９０の一部が構成され、ネジ５０における冷却部３０側の端部が覆われている。したがってネジ５０におけるネジ穴９０から外部に露出された部位とリード１１の一面１１ａ（縁部１１ｃ）との沿面距離が、突起部１６の表面と対向面１３ｃとによって定められている。
【００２５】
突起部１６は、底面３１ａと所定距離を置いて対向する先端１７と、先端１７と対向面１３ｃとを連結する連結部１８と、を有する。本実施形態に係る先端１７および連結部１８それぞれは円環状を成し、外径が先端１７よりも連結部１８の方が短くなっている。図３に示すように規定平面における先端１７の外側面１７ａの成す外形輪郭線は、凹部３１の側面３１ｂと同様にして真円となっている。そして図１に示すように先端１７の外側面１７ａと凹部３１の側面３１ｂとが全周に渡って接触している。これに対して連結部１８と凹部３１の側面３１ｂとは、冷却部３０の空間放電によって連結部１８が炭化されることを抑制するため、図５に示すように所定距離離れている。連結部１８と凹部３１との離間距離ｋとしては１ｍｍ以上を採用することができ、本実施形態では１ｍｍを採用している。なお、本実施形態では図５に示すように、連結部１８とリード１１の縁部１１ｃとが離間距離ｋ程度離れている。したがってリード１１の空間放電によって連結部１８が炭化されることも抑制されている。
【００２６】
次に、本実施形態に係る半導体装置１００の作用効果を説明する。上記したように冷却部３０の搭載面３０ａに凹部３１が形成され、対向面１３ｃから凹部３１へと突起部１６が突起している。そして絶縁性の突起部１６によってネジ５０における冷却部３０側の端部が覆われている。これによれば冷却部に凹部が形成されず、被覆部に突起部が形成されない構成と比べて、ネジ５０とリード１１との絶縁性が向上される。したがってネジ５０とリード１１とが短絡することが抑制される。より具体的に言えば、本実施形態に記載の構成の場合、ネジ５０におけるネジ穴９０から外部に露出された部位とリード１１の一面１１ａ（縁部１１ｃ）との沿面距離が、突起部１６の表面と対向面１３ｃとによって定められる。これに対して上記した比較構成の場合、ネジ５０におけるネジ穴９０から外部に露出された部位と縁部１１ｃとの沿面距離は、対向面１３ｃのみによって定められる。したがって本実施形態で示した構成の場合、上記した比較構成と比べてネジ５０におけるネジ穴９０から外部に露出された部位と縁部１１ｃとの沿面距離が長くなり、ネジ５０とリード１１との絶縁性が向上される。したがってネジ５０とリード１１とが短絡することが抑制される。
【００２７】
リード１１の一面１１ａが被覆部１３から外部に露出され、一面１１ａに伝熱シート７０が接触されている。これにより伝熱シート７０を介してリード１１と冷却部３０とが熱的に接続されている。これによればリードと冷却部とが伝熱シートだけではなく被覆部も介して熱的に接続された構成と比べて、リード１１（モールドＩＣ１０）から冷却部３０へと効率よく伝熱することができる。
【００２８】
連結部１８と凹部３１の側面３１ｂとは、冷却部３０の空間放電によって連結部１８が炭化されることを抑制するため、離間距離ｋだけ離れている。これによれば炭化した連結部１８を介してネジ５０とリード１１とが短絡することが抑制される。また連結部１８とリード１１の縁部１１ｃとは、リード１１の空間放電によって連結部１８が炭化されることを抑制するため、離間距離ｋ程度離れている。これによっても炭化した連結部１８を介してネジ５０とリード１１とが短絡することが抑制される。
【００２９】
伝熱シート７０は、一面１１ａの全面だけではなく、対向面１３ｃを含む下面１３ｂとも接触している。これにより、伝熱シートが一面だけと接触した構成と比べて、リード１１の一面１１ａと冷却部３０の搭載面３０ａとの沿面距離が長くなっている。したがってリード１１と冷却部３０とが短絡することが抑制される。より具体的に言えば、一面１１ａと搭載面３０ａとの沿面距離が伝熱シート７０の厚さ以上となるので、両者の短絡が抑制される。
【００３０】
規定平面における座金５３の外径ａは、リード１１の開口部１１ｂの内径ｂ、および、凹部３１の側面３１ｂ間最大距離ｃそれぞれよりも長くなっている。これによれば、座金の外径ａがリードの開口部の内径ｂと凹部の側面間最大距離ｃそれぞれよりも短い構成とは異なり、被覆部１３よりも剛性の高いリード１１を介して、ネジ５０止めによって座金５３に加わる力を冷却部３０に伝えることができる。この結果、モールドＩＣ１０と冷却部３０との接触状態が安定化され、モールドＩＣ１０と冷却部３０との熱的接続が安定化される。
【００３１】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は上記した実施形態になんら制限されることなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々変形して実施することが可能である。
【００３２】
本実施形態では半導体装置１００が伝熱シート７０を有する例を示した。しかしながら被覆部１３から露出されたリード１１と冷却部３０とが電気的に接続されず、両者の熱的な接続が確保されるのであれば、伝熱シート７０は無くとも良い。
【００３３】
本実施形態ではモールドＩＣ１０が３つのリード１１を有する例を示した。しかしながらモールドＩＣ１０が有するリード１１の数としては上記例に限定されず、１つでも２つでも、４以上であってもよい。
【００３４】
本実施形態では電子素子１２がパワーＭＯＳＦＥＴである例を示した。しかしながら電子素子１２としては上記例に限定されず、例えばＩＧＢＴなどの駆動によって発熱する能動素子を採用することもできる。
【００３５】
本実施形態では冷却部３０がグランド電位に固定される例を示した。しかしながら冷却部３０が固定される電位としては上記例に限定されない。
【００３６】
本実施形態では冷却部３０がモールドＩＣ１０を冷却する機能を果たす例を示した。しかしながら冷却部３０の機能としては、モールドＩＣ１０を冷却せず、単にモールドＩＣ１０が固定される土台としての機能を果たすだけでもよい。
【００３７】
本実施形態ではリード１１の開口部１１ｂの内径ｂと凹部３１の側面３１ｂ間最大距離ｃ（直径ｃ）の関係について特に記述していなかった。しかしながらリード１１の開口部１１ｂと凹部３１の側面３１ｂとの沿面距離を長くするためには、リード１１の開口部１１ｂの内径ｂが凹部３１の直径ｃよりも長い構成が好ましい。
【００３８】
本実施形態では半導体装置１００が座金５３を有する例を示した。しかしながら半導体装置１００は座金５３を有していなくともよい。
【００３９】
本実施形態では冷却部３０全体が導電性を有する材料から成る例を示した。しかしながら図６〜図８に示すように、冷却部３０が導電性を有する導電部３２と絶縁性を有する絶縁部３３とを有する構成を採用することもできる。図６では凹部３１の底面３１ａが絶縁部３３によって形成され、凹部３１の側面３１ｂが導電部３２によって形成されている。そして冷却部３０の成すネジ穴９０が絶縁部３３に形成されている。これによりネジ５０と冷却部３０とが絶縁される。図７では凹部３１が絶縁部３３によって形成され、冷却部３０の成すネジ穴９０は絶縁部３３に形成されている。これによりネジ５０と冷却部３０とが絶縁される。図８では導電部３２が、搭載面３０ａを有する第１導電部３２ａと、凹部３１の成すネジ穴９０が形成された第２導電部３２ｂと、を有する。そして第１導電部３２ａと第２導電部３２ｂとが絶縁部３３を介して機械的に連結されている。これによれば伝熱シート７０を介してリード１１の一面１１ａと対向する第２導電部３２ｂとネジ５０とが絶縁される。
【００４０】
本実施形態ではネジ５０が金属材料から成り、軸部５１と頭部５２を有する例を示した。しかしながら図９に示すようにネジ５０は、軸部５１および頭部５２に加えて、軸部５１の表面を被覆する絶縁性の被覆膜５４を有する構成を採用することもできる。これによれば軸部が被覆部によって被覆されていない構成と比べて、軸部５１（ネジ５０）とリード１１とが短絡することが抑制される。なお、ネジ５０の材料として樹脂材料を採用することもできる。
【００４１】
本実施形態では規定平面における凹部３１の側面３１ｂの成す輪郭線、および、先端１７の外側面１７ａの成す外形輪郭線それぞれが真円であり、外側面１７ａと側面３１ｂとが全周に渡って接触している例を示した。しかしながら図１０〜図１２に示すように、側面３１ｂの成す輪郭線、および、外側面１７ａの成す外形輪郭線それぞれが真円ではなく、外側面１７ａと側面３１ｂとが全周に渡って接触している構成を採用することもできる。図１０では側面３１ｂの成す輪郭線と外側面１７ａの成す外形輪郭線それぞれが楕円であり、図１１では側面３１ｂの成す輪郭線と外側面１７ａの成す外形輪郭線それぞれが真円に矩形が連結された形状を成している。また図１２では側面３１ｂの成す輪郭線と外側面１７ａの成す外形輪郭線それぞれが矩形を成している。これによればモールドＩＣ１０を冷却部３０にネジ止めする際に突起部１６の先端１７と凹部３１とが引っ掛かるため、モールドＩＣ１０が冷却部３０に対して回転することが抑制される。そのためモールドＩＣ１０と冷却部３０との配置位置がずれることが抑制される。
【００４２】
本実施形態では電子素子１２を搭載するリード１１にネジ穴９０を被覆部１３に形成するための開口部１１ｂが形成された例を示した。しかしながら図１３および図１４に示すように、リード１１にネジ穴９０を被覆部１３に形成するための開口部１１ｂが形成されない構成を採用することもできる。図１３ではリード１１がネジ穴９０を被覆部１３に形成するために一部が切欠いた形状を成し、図１４ではリード１１が被覆部１３におけるネジ穴９０が形成されない部位に設けられている。
【００４３】
本実施形態では外径が先端１７よりも連結部１８の方が短くなっており、連結部１８と凹部３１の側面３１ｂとは、空間放電によって連結部１８が炭化されることを抑制するため、離間距離ｋだけ離れている例を示した。しかしながら図１５に示すように突起部１６の外径が一定の構成を採用することもできる。図１５では先端１７と連結部１８とに形状の差異がないので、これらの符号の記載を省略している。そして対向面１３ｃを破線で示している。
【符号の説明】
【００４４】
１０…モールドＩＣ、１１…リード、１２…電子素子、１３…被覆部、１３ｃ…対向面、１６…突起部、３０…冷却部、３０ａ…搭載面、３１…凹部、５０…ネジ、９０…ネジ穴、１００…半導体装置
【図１】
2016004820.tif 000003
【図２】
2016004820.tif 000004
【図３】
2016004820.tif 000005
【図４】
2016004820.tif 000006
【図５】
2016004820.tif 000007
【図６】
2016004820.tif 000008
【図７】
2016004820.tif 000009
【図８】
2016004820.tif 000010
【図９】
2016004820.tif 000011
【図１０】
2016004820.tif 000012
【図１１】
2016004820.tif 000013
【図１２】
2016004820.tif 000014
【図１３】
2016004820.tif 000015
【図１４】
2016004820.tif 000016
【図１５】
2016004820.tif 000017