(57)【要約】【課題】放熱性に優れたセラミック基板を提供する。【解決手段】実施形態の発光モジュールは、セラミック基板と、発光素子と、封止部材とを具備する。セラミック基板は、実装面を有する実装部と、実装部の周囲に位置し、実装面に対向する背面からの高さが実装部よりも高い周辺部と、を備え、破壊靱性値が５（ＭＰａ・ｍ＾１／２）以上である。また、発光素子は、セラミック基板の実装面に設けられる。また、封止部材は、実装部および周辺部によって画定された空間の少なくとも一部に、発光素子を覆うように設けられる。【選択図】図１
2016181541.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
実装面を有する実装部と、前記実装部の周囲に位置し、前記実装面に対向する背面からの高さが前記実装部よりも高い周辺部と、を備え、破壊靱性値が５（ＭＰａ・ｍ＾１／２）以上であるセラミック基板と；
前記セラミック基板の前記実装面に設けられた発光素子と；
前記実装部および前記周辺部によって画定された空間の少なくとも一部に、前記発光素子を覆うように設けられた封止部材と；
を具備することを特徴とする発光モジュール。
【請求項２】
前記セラミック基板は、窒化ケイ素を含む材料により形成される
ことを特徴とする請求項１に記載の発光モジュール。
【請求項３】
前記セラミック基板は、曲げ強度値が６００（ＭＰａ）以上である
ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の発光モジュール。
【請求項４】
前記セラミック基板は、前記実装面に連続し前記実装面に交差する方向に延びる前記周辺部の側周面を備え、前記側周面および／または、前記実装部の前記実装面には、全光線反射率が９０（％）以上の第１反射部が設けられ、前記周辺部の表面には、全光線反射率が８５（％）以上の第２反射部が設けられる
ことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の発光モジュール。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の発光モジュール
を具備することを特徴とする照明器具。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、発光モジュール及び照明器具に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、発光モジュールに用いられる基板には、アルミナ基材等の低強度のセラミックが広く用いられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−１８０５２５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上述したように、アルミナ基材等の低強度のセラミックを用いたセラミック基板の場合、セラミック基板に加工を行うことが難しく、経年劣化を抑制することが難しい。そのため、モジュール設計が制限され、放熱性を向上させることが難しい。
【０００５】
本発明は、放熱性に優れた発光モジュール及び照明器具を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本実施形態の発光モジュールは、セラミック基板と、発光素子と、封止部材とを具備する。セラミック基板は、実装面を有する実装部と、実装部の周囲に位置し、実装面に対向する背面からの高さが実装部よりも高い周辺部と、を備え、破壊靱性値が５（ＭＰａ・ｍ＾１／２）以上である。発光素子は、セラミック基板の実装面に設けられる。封止部材は、実装部および周辺部によって画定された空間の少なくとも一部に、発光素子を覆うように設けられる。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、放熱性に優れた発光モジュール及び照明器具を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】図１は、実施形態に係る発光モジュールを示す図２のＡ−Ａ断面図である。
【図２】図２は、実施形態に係る発光モジュールを示す平面図である。
【図３】図３は、実施形態に係る発光モジュールを示す側面図である。
【図４】図４は、実施形態に係る発光モジュールを用いた照明器具を示す斜視図である。
【図５】図５は、変形例１に係る発光モジュールを示す平面図である。
【図６】図６は、変形例２に係る発光モジュールを示す側面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下で説明する実施形態及び変形例１，２に係る発光モジュール１，１Ａ，１Ｂは、実装面１１ａ，１１Ｂａを有する実装部１１，１１Ｂと、実装部１１，１１Ｂの周囲に位置し、実装面１１ａ，１１Ｂａに対向する背面１０ａ，１０Ｂａからの高さが実装部１１，１１Ｂよりも高い周辺部１２，１２Ｂと、を備え、破壊靱性値が５（ＭＰａ・ｍ＾１／２）以上であるセラミック基板１０，１０Ａ，１０Ｂと、セラミック基板１０，１０Ａ，１０Ｂの実装面１１ａ，１１Ｂａに設けられた発光素子２０と、実装部１１ａ，１１Ｂａおよび周辺部１２，１２Ｂによって画定された空間の少なくとも一部に、発光素子２０を覆うように設けられた封止部材４０と、を具備する。
【００１０】
また、以下で説明する実施形態及び変形例１，２に係るセラミック基板１０，１０Ａ，１０Ｂは、窒化ケイ素を含む材料により形成される。
【００１１】
また、以下で説明する実施形態及び変形例１，２に係るセラミック基板１０，１０Ａ，１０Ｂは、曲げ強度値が６００（ＭＰａ）以上である。
【００１２】
また、以下で説明する実施形態及び変形例１，２に係るセラミック基板１０，１０Ａ，１０Ｂは、実装面１１ａ，１１Ｂａに連続し実装面１１ａ，１１Ｂａに交差する方向に延びる周辺部１２，１２Ｂの側周面１２ｂ，１２Ｂｂを備え、側周面１２ｂ，１２Ｂｂおよび／または、実装部１１，１１Ｂの実装面１１ａ，１１Ｂａには、全光線反射率が９０（％）以上の第１反射部３０，３０Ａが設けられ、周辺部１２，１２Ｂの表面（正面１２ａ，１２Ｂａ）には、全光線反射率が８５（％）以上の第２反射部５０が設けられる。
【００１３】
また、以下で説明する実施形態に係る照明器具１００は、発光モジュール１，１Ａ，１Ｂを具備する。
【００１４】
［実施形態］
まず、本発明の実施形態に係る発光モジュール１を図面に基づいて説明する。図１は、実施形態に係る発光モジュールを示す図２のＡ−Ａ断面図である。また、図２は、実施形態に係る発光モジュールを示す平面図である。
【００１５】
本実施形態に係る発光モジュール１は、セラミック基板１０と、発光素子２０とを具備する。以下、図１及び図２を用いて、発光モジュール１の各構成について詳述する。
【００１６】
セラミック基板１０は、実装部１１と、周辺部１２とを具備する。実装部１１は、発光素子２０が実装される実装面１１ａを有する。周辺部１２は、実装部１１の周囲に位置し、実装面１１ａに対向する背面１０ａからの高さ（厚み）が実装部１１よりも高い（厚い）。図１に示す例では、セラミック基板１０は、平面状に形成された背面１０ａを有し、背面１０ａに対向する面において、実装部１１に対応する箇所（図１の中央部）が背面１０ａ側へ窪み、凹部を形成する。ここに、セラミック基板１０は、背面１０ａ側へ窪んだ実装部１１と、実装部１１よりも背面１０ａから離れる方向、すなわち発光素子２０の光出射方向に突出した周辺部１２とを有する。
【００１７】
ここで、セラミック基板１０における実装部１１と周辺部１２との厚みの関係について説明する。上述したように、周辺部１２は、実装面１１ａに対向する背面１０ａからの高さが実装部１１よりも高い。図１に示す例では、実装部１１における実装面１１ａに対向する背面１０ａからの高さは、高さｈ１１である。すなわち、実装部１１の高さｈ１１は、背面１０ａから実装面１１ａまでの高さであり、セラミック基板１０における実装部１１部分の厚みを示す。言い換えると、実装面１１ａは、周辺部１２からｈ１２−ｈ１１だけ凹んだ位置に形成されている。
【００１８】
また、図１に示す例では、周辺部１２における実装面１１ａに対向する背面１０ａからの高さは、高さｈ１２である。以下では、周辺部１２において背面１０ａに対向する表面を正面１２ａとする。すなわち、周辺部１２の高さｈ１２は、背面１０ａから正面１２ａまでの高さであり、セラミック基板１０における周辺部１２部分の厚みを示す。
【００１９】
セラミック基板１０において、実装部１１の高さｈ１１と周辺部１２の高さｈ１２との関係は、高さｈ１１＜高さｈ１２となる。つまり、図１に示す例では、セラミック基板１０は、周辺部１２の厚みの方が実装部１１の厚みよりも厚く形成される。セラミック基板１０は、上記の条件を満たす形状であれば種々の方法により製造されてよく、例えば、セラミック材料を焼き固める（焼結）際に成形されてもよいし、成形後に切削加工されてもよい。
【００２０】
図１に示す例においては、周辺部１２の高さｈ１２がセラミック基板１０のうち最も高い部分になる。すなわち、セラミック基板１０のうち周辺部１２の厚みが最も厚い。図１に示す例では、セラミック基板１０は、周辺部１２の高さｈ１２が０．６３５ｍｍになるように形成される。なお、セラミック基板１０のうち最も高い部分は、高さが０．２〜１．０ｍｍであることが好適である。また、実装部１１の高さｈ１１は、最も高い部分である周辺部１２の高さｈ１２に対して、１０〜８０（％）であることが好適である。例えば、図１に示す例では、セラミック基板１０は、実装部１１の高さｈ１１が約０．３ｍｍになるように形成される。これにより、セラミック基板１０は、実装部１１が厚みを低減することにより放熱性が低下することを抑制することができる。
【００２１】
なお、図１に示す例において、背面１０ａは、実装部１１及び周辺部１２に対応する箇所全域に亘って平面状に形成されるが、背面１０ａは目的に応じて種々の形状であってもよい。例えば、背面１０ａは、周辺部１２に対応する箇所が、実装部１１に対応する箇所よりも実装面１１ａ側へ窪んだ形状に形成されてもよい。言い換えると、背面１０ａは、実装部１１に対応する箇所が、周辺部１２に対応する箇所よりも突出した形状に形成されてもよい。
【００２２】
次に、セラミック基板１０の破壊靱性値について説明する。セラミック基板１０は、破壊靱性値が５（ＭＰａ・ｍ＾１／２）以上である。なお、「ｍ＾１／２」は、ｍの２分の１乗、すなわち、「ｍ１／２」を意味する。破壊靱性値の算出には、例えば、ＩＦ（Indentation-Fracture）法を用いる。ＩＦ法を用いた場合、破壊靱性値は以下の式（１）により算出される。
【００２３】
【数１】
2016181541.tif 000003
【００２４】
上記式（１）のＫｃは、破壊靱性値（ＭＰａ・ｍ＾１／２）を示す。また、上記式（１）のｃは、き裂の長さの半分（ｍ）を示す。また、上記式（１）のａは、圧痕の対角線の長さの半分（ｍ）を示す。また、上記式（１）のＨｖは、ビッカーズ硬さ（Ｐａ）を示す。つまり、本実施形態に係るセラミック基板１０は、上記式（１）により算出された破壊靱性値が５（ＭＰａ・ｍ＾１／２）以上である。なお、破壊靱性値の算出には、上記のＩＦ法に限らず、例えばＳＥＰＢ（Single-Edge-Precracked-Beam）法（ＪＩＳ（日本工業規格）１６０７）を用いてもよい。また、セラミック基板１０は、曲げ強度値が６００（ＭＰａ）以上であることが好適である。これにより、セラミック基板１０は、経年劣化によるクラック等を抑制することができる。なお、破壊靱性値の算出する試験においては、ファインセラミックスの室温破壊靱性試験方法（ＪＩＳ  Ｒ  １６０７）に基づき、ビッカーズ高度計を用いて任意のクラックを作製し、ＳＥＭ（Scanning  Electron  Microscope：走査型電子顕微鏡）を用いてクラック長さを測定した。
【００２５】
なお、成形後の切削加工によりセラミック基板１０の加工を行う場合は、破壊靱性値が高すぎると切削加工が難しい場合があるため、セラミック基板１０の破壊靱性値は、所定の閾値以下であることが好適である。例えば、セラミック基板１０の破壊靱性値は、５〜１０（ＭＰａ・ｍ＾１／２）であることが好適である。これにより、セラミック基板１０は、成形後においても加工可能であり、経年劣化によるクラック等を抑制することができる。
【００２６】
次に、セラミック基板１０の材料について説明する。本実施形態に係るセラミック基板１０の材料には、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）が含まれる。セラミック基板１０は、破壊靱性値が５（ＭＰａ・ｍ＾１／２）以上であれば、目的に応じて種々の材料を含んでもよい。
例えば、セラミック基板１０は、窒化ケイ素とアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）とを含んだ材料により形成され、破壊靱性値が５（ＭＰａ・ｍ＾１／２）以上のセラミック基板であってもよい。また、例えば、セラミック基板１０は、破壊靱性値が５（ＭＰａ・ｍ＾１／２）以上を満たせば、材料として窒化アルミニウム（ＡｌＮ）を含んでもよい。また、例えば、セラミック基板１０は、基板として要求される電気的特性を満たせば金属を含んでもよい。なお、セラミック基板１０は、熱伝導率が２０（Ｗ／（ｍ・Ｋ））以上であることが好適である。これにより、セラミック基板１０は、実装部１１が厚みを低減することにより放熱性が低下することを抑制し、経年劣化によるクラック等を抑制することができる。なお、セラミック基板１０の材料には、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、ジルコニア(ＺｒＯ２)等が含まれてもよい。
【００２７】
図１に示すように、発光素子２０は、実装部１１の実装面１１ａに実装される。発光素子２０には、ＬＥＤ（Light  Emitting  Diode）素子等が用いられる。ここで、セラミック基板１０において、実装面１１ａに連続し実装面１１ａに交差する方向に延びる周辺部１２の側周面１２ｂには、第１反射部３０ａが設けられる。また、セラミック基板１０において、実装部１１の実装面１１ａには、第１反射部３０ｂが設けられる。破壊靱性度の高いセラミック基板、特に窒化ケイ素は反射率が低いため、発光モジュールとしての発光効率を向上させるためには、高反射膜を設けることが望ましい。以下、第１反射部３０ａ及び第１反射部３０ｂを区別しないで説明する場合は、第１反射部３０と記載する。
【００２８】
ここで、第１反射部３０は、可視光線領域（例えば３８０〜７４０ｎｍ）の全光線反射率が９０（％）以上である。ここでいう、全光線反射率とは、平行入射光束に対する反射光束の割合であり、拡散成分を含む光線反射率を意味する。第１反射部３０には、金属膜や金属酸化膜が用いられる。周辺部１２の側周面１２ｂや実装部１１の実装面１１ａの少なくとも一部は、第１反射部３０により被覆される。第１反射部３０には、金属膜や金属酸化膜として、例えばアルミニウム（Ａｌ）や銀（Ａｇ）もしくはこれらを含む合金が用いられる。また、第１反射部３０が金属膜や金属酸化膜である場合、第１反射部３０の膜厚は、０．０１〜１．０（μｍ）であることが好適である。
【００２９】
このように、全光線反射率が９０（％）以上の第１反射部３０を周辺部１２の側周面１２ｂや実装部１１の実装面１１ａに設けることにより、セラミック基板１０外に発光素子２０からの光が効率的に放出されるため、光取り出し効率の低下を抑制することができる。また、第１反射部３０に熱伝導率が高い金属材料が用いられることにより、発光素子２０から放出される熱を、セラミック基板１０の実装部１１や周辺部１２へ効率的に伝熱することができる。そのため、セラミック基板１０は、後述する封止部材４０により発光素子２０が封止された場合であっても、放熱性が低下することを抑制できる。なお、第１反射部３０には、全光線反射率が９０（％）以上を満たせば、金属膜や金属酸化膜に限らず、目的に応じて種々の材料が用いられてもよい。例えば、第２反射部に用いられているような反射率が高く、かつ絶縁性を備えた反射層であっても良い。この場合、後述する配線等に対して絶縁距離を確保しなくても良くなるメリットがある。
【００３０】
また、第１反射部３０が導電性を有する場合、発光素子２０への電力供給に用いられる配線（図示省略）と第１反射部３０との間には、絶縁に必要な間隔が開けられる。例えば、配線には、銀、金、ロジウム（Ｒｈ）、アルミニウムなどの金属、またはこれらと他の金属との合金材料が用いられる。ここで、配線と第１反射部３０との最短距離は、絶縁のために１．０〜１０．０（ｍｍ）であることが好適である。また、実装部１１の実装面１１ａに設けられる第１反射部３０ｂが導電性を有する場合、第１反射部３０ｂは、発光素子２０の配置に応じて、所定の間隔を開けて設けられる。具体的には、第１反射部３０ｂと発光素子２０との間には、絶縁に必要な間隔が開けられる。
【００３１】
また、実装部１１の実装面１１ａには、透光性を有する封止部材４０が設けられる。具体的には、封止部材４０は、実装部１１ａおよび周辺部１２によって画定された空間の少なくとも一部に、発光素子２０を覆うように設けられる。例えば、封止部材４０は、実装部１１の実装面１１ａ及び周辺部１２の側周面１２ｂによって画定された空間に充填される。ここに、封止部材４０により、実装面１１ａに実装された発光素子２０が封止される。例えば、封止部材４０には、シリコン樹脂やガラス（ＳｉＯ２）などの透光性を有する無機材が用いられる。なお、封止部材４０には、透光性を有する材料であれば、目的に応じて種々の材料が用いられてもよい。また、封止部材４０には、波長変換部材を含有させてもよい。波長変換部材には、例えば発光素子２０から出射される青色光を黄色光に波長変換する黄色蛍光体（ＹＡＧ蛍光体）を使用できる。なお、封止部材４０が透光性を有するため、封止部材４０により封止される発光素子２０は外部から視認可能である場合があるが、図２においては、図示を省略する。
【００３２】
また、図１に示すように、周辺部１２の正面１２ａには、第２反射部５０が設けられる。第２反射部５０は、全光線反射率が８５（％）以上である。第２反射部５０には、電気絶縁性の有機系または無機系のレジストが用いられる。例えば、第２反射部５０には、白色のレジストが用いられる。また、第２反射部５０が有機系または無機系のレジストである場合、第２反射部５０の膜厚は、４０〜１００（μｍ）であることが好適である。また、第２反射部５０には、例えば、アルミナ、二酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）、窒化ホウ素（ＢＮ）などのセラミックスフィラー材が添加されてもよい。また、第２反射部５０は、セラミック基板１０と酸素を介した化学結合により接合されることにより、接合強度を高めてもよい。
【００３３】
このように、全光線反射率が８５（％）以上の、第２反射部５０を周辺部１２の正面１２ａに設けることにより、セラミック基板１０外に発光素子２０からの光が効率的に放出されるため、光取り出し効率の低下を抑制することができる。また、第２反射部５０に熱伝導率が高いセラミックスフィラー材が添加されることにより、発光素子２０から放出される熱を、セラミック基板１０の周辺部１２や実装部１１へ効率的に伝熱することができる。なお、第２反射部５０には、全光線反射率が８５（％）以上を満たせば、有機系または無機系のレジストに限らず、目的に応じて種々の材料が用いられてもよい。
【００３４】
また、第２反射部５０は、周辺部１２の正面１２ａに限らず、光取り出し効率に影響を与える箇所であれば、適宜設けてもよい。例えば、第２反射部５０は、実装部１１の実装面１１ａ及び周辺部１２の側周面１２ｂのうち、第１反射部３０が設けられていない箇所に、設けられてもよい。また、実装部１１の実装面１１ａや周辺部１２の側周面１２ｂには、第１反射部３０に代えて、第２反射部５０を設けてもよい。
【００３５】
ここで、図３に基づいて、発光モジュール１へのヒートシンク６０の取付けについて説明する。図３は、実施形態に係る発光モジュールを示す側面図である。図３に示すように、発光モジュール１は、ねじ７０によりヒートシンク６０が取り付けられる。例えば、セラミック基板１０の周辺部１２の正面１２ａには、複数のねじ孔（図示省略）が設けられており、セラミック基板１０のねじ孔とヒートシンク６０のねじ孔（図示省略）とにねじ７０が螺合することにより、発光モジュール１にヒートシンク６０が取り付けられる。これは、セラミック基板１０の破壊靱性度が５（ＭＰａ・ｍ＾１／２）以上であるにより、実現可能である。
【００３６】
また、発光モジュール１において、発光素子２０は、セラミック基板１０において周辺部１２の正面１２ａよりも背面１０ａに窪んだ凹部、すなわち、実装部１１の実装面１１ａに実装される。つまり、発光素子２０は、セラミック基板１０において背面１０ａにより近接する、すなわち、ヒートシンク６０により近接した位置に実装される。したがって、発光モジュール１は、発熱する発光素子２０をヒートシンク６０により近接させることができるため、放熱性を高めることが可能となる。また、従来、封止部材４０を充填するためには、セラミック基板上に樹脂などからなる枠体を設ける必要があったが、この構造では周辺部１２がその枠体の機能を兼ねるため、当該部分からも放熱することができるとともに、枠体を省略したために構造を簡素化できる。
【００３７】
また、発光モジュール１は、例えば、図４に示すような灯光器として使用される照明器具１００の光源として用いられる。図４に示す照明器具１００においては、例えば、複数の発光ユニット１１０の各々に発光モジュール１が設けられる。なお、図４に示す照明器具１００は一例であって、発光モジュール１は目的に応じて種々の照明器具の光源として用いられてもよい。例えば、発光モジュール１は、ダウンライトやスポットライト等の光源として用いられてもよい。
【００３８】
前述した構成の実施形態に係る発光モジュール１は、実装面１１ａを有する実装部１１と、実装部１１の周囲に位置し、実装面１１ａに対向する背面１０ａからの高さが実装部１１よりも高い周辺部１２と、を備え、破壊靱性値が５（ＭＰａ・ｍ＾１／２）以上であるセラミック基板１０と、セラミック基板１０の実装面１１ａに設けられた発光素子２０と、実装部１１ａおよび周辺部１２によって画定された空間の少なくとも一部に、発光素子２０を覆うように設けられた封止部材４０と、を具備する。これにより、発光モジュール１は、発光素子２０で発生する熱を実装部１１から放熱できるとともに、蛍光体による波長変換などにより封止部材４０で発生する熱を実装部１１および周辺部１２から放熱することができる。このように、発光モジュール１は、放熱性に優れる。また、従来のような封止部材４０を堰き止める枠体が不要となるため、部品点数を減らすことができる。
【００３９】
また、前述した構成の実施形態に係るセラミック基板１０は、窒化ケイ素を含む材料により形成される。これにより、セラミック基板１０は、本発明のような構造に加工可能であり、経年劣化を抑制することができる。
【００４０】
また、前述した構成の実施形態に係るセラミック基板１０は、曲げ強度値が６００（ＭＰａ）以上である。これにより、セラミック基板１０は、本発明のような構造に加工可能であり、経年劣化を抑制することができる。
【００４１】
また、前述した構成の実施形態に係るセラミック基板１０は、実装面１１ａに連続し実装面１１ａに交差する方向に延びる周辺部１２の側周面１２ｂを備え、側周面１２ｂおよび／または、実装部１１の実装面１１ａには、全光線反射率が９０（％）以上の第１反射部３０が設けられ、周辺部１２の表面（例えば、正面１２ａ）には、全光線反射率が８５（％）以上の第２反射部５０が設けられる。これにより、セラミック基板１０が反射率の低い材料で構成されていても、光取り出し効率の低下を抑制することができる。
【００４２】
また、前述した構成の実施形態に係る照明器具１００は、発光モジュール１を具備する。これにより、照明器具１００は、放熱性に優れた発光モジュール１を使用することにより、光取り出し効率の低下を抑制することができる。
【００４３】
［変形例１］
次に、変形例１に係る発光モジュール１Ａを図面に基づいて説明する。図５は、変形例１に係る発光モジュールを示す平面図である。具体的には、図５は、実施形態に係る発光モジュール１における発光素子２０へ電力を供給する配線のパターンの一例を示す平面図である。なお、図５において、実施形態に係る発光モジュール１と同一部分には、同一符号を付する。また、図５においては、実装面１１ａに実装される発光素子２０の配線のパターンを説明するため、封止材料の図示を省略する。
【００４４】
図５に示す例において、セラミック基板１０Ａにおける周辺部１２の正面１２ａに設けられた第２反射部５０上に給電部材として一対の配線コネクタ２１が配置される。具体的には、周辺部１２において実装部１１を挟む位置に、一対の配線コネクタ２１が配置される。ここに、発光素子２０は、配線コネクタ２１と配線２２を介して電気的に接続されることにより、電力が供給される。図５に示す例では、配線２２は９個の発光素子２０を直列接続するように配線される。また、配線２２において発光素子２０と接続されていない両端は、各々配線コネクタ２１に接続される。
【００４５】
ここで、周辺部１２の側周面１２ｂ及び実装部１１の実装面１１ａに設けられた第１反射部３０Ａにおいて、第２反射部５０上の配線コネクタ２１から延び発光素子２０へ接続される配線２２が配置される箇所には、切欠部３１が形成される。すなわち、第１反射部３０Ａと配線２２との間には、絶縁に必要な間隔が開けられる。このように、第１反射部３０Ａにおいて配線２２が配置される箇所に切欠部３１を設けることにより、発光モジュール１Ａは、発光素子２０へ電力を供給することができる。
【００４６】
［変形例２］
また、セラミック基板１０の形状は、図１〜３に示した例に限られず、目的に応じ種々の形状に形成されてもよい。この点について、変形例２に係る発光モジュール１Ｂを図面に基づいて説明する。図６は、変形例２に係る発光モジュールを示す側面図である。なお、図６において、実施形態に係る発光モジュール１と同一部分には、同一符号を付する。
【００４７】
図６に示す例において、発光モジュール１Ｂのセラミック基板１０Ｂは、実装部１１Ｂと、周辺部１２Ｂと、周端部１３とを具備する。このように、発光モジュール１Ｂは、周端部１３を有する点で、発光モジュール１と相違する。
【００４８】
実装部１１Ｂは、発光素子２０が実装される実装面１１Ｂａを有する。周辺部１２Ｂは、実装部１１Ｂの周囲に位置し、実装面１１Ｂａに対向する背面１０Ｂａからの高さが実装部１１Ｂよりも高い。また、周辺部１２Ｂは、図１に示す周辺部１２と同様に、正面１２Ｂａや側周面１２Ｂｂを有する。
【００４９】
ここで、周端部１３は、周辺部１２Ｂの周囲に位置し、実装面１１Ｂａに対向する背面１０Ｂａからの高さが周辺部１２Ｂよりも低い。図６に示す例においては、発光モジュール１Ｂは、ねじ７０によりヒートシンク６０が取り付けられる。例えば、セラミック基板１０Ｂの周端部１３には、複数のねじ孔（図示省略）が設けられており、セラミック基板１０Ｂのねじ孔とヒートシンク６０のねじ孔（図示省略）とにねじ７０が螺合することにより、発光モジュール１Ｂにヒートシンク６０が取り付けられる。
【００５０】
また、図６に示す例では、実装部１１Ｂにおける実装面１１Ｂａに対向する背面１０Ｂａからの高さは、高さｈ１１Ｂである。また、周辺部１２Ｂにおける実装面１１Ｂａに対向する背面１０Ｂａからの高さは、高さｈ１２Ｂである。また、周端部１３における実装面１１Ｂａに対向する背面１０Ｂａからの高さは、高さｈ１３である。
【００５１】
セラミック基板１０Ｂにおいて、実装部１１Ｂの高さｈ１１Ｂと周辺部１２Ｂの高さｈ１２Ｂと周端部１３の高さｈ１３との関係は、高さｈ１３＜高さｈ１１Ｂ＜高さｈ１２Ｂとなる。なお、実装部１１Ｂの高さｈ１１Ｂと周辺部１２Ｂの高さｈ１２Ｂと周端部１３の高さｈ１３との関係は、高さｈ１１Ｂ＜高さｈ１２Ｂを満たせば、目的に応じ変更可能である。例えば、周端部１３の高さｈ１３は、実装部１１Ｂの高さｈ１１Ｂと同じであってもよいし、実装部１１Ｂの高さｈ１１Ｂよりも高くてもよい。このように、セラミック基板１０Ｂの形状は、様々な形状を選択可能である。
【００５２】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。
【符号の説明】
【００５３】
１      発光モジュール
１０    セラミック基板
１１    実装部
１１ａ  実装面
１２    周辺部
１２ａ  正面（表面）
１２ｂ  側周面
２０    発光素子
３０（３０ａ，３０ｂ）  第１反射部
４０    封止部材
５０    第２反射部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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