(57)【要約】      （修正有）【課題】ポジゴーストが抑制された電子写真感光体、ならびに、該電子写真感光体を有するプロセスカートリッジおよび電子写真装置を提供する。【解決手段】支持体と、下引き層と、感光層とをこの順に有する電子写真感光体であって、下引き層が、金属酸化物を含有しないか、含有したとしても金属酸化物の下引き層中における含有量が１０質量％以下であり、特定構想をもつ二種のアントラキノン誘導体の化合物からなる群より選択される少なくとも一種のアントラキノン誘導体を含む組成物の重合物を含有する。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持体と、下引き層と、感光層とをこの順に有する電子写真感光体であって、
該下引き層が、
金属酸化物を含有しないか、含有したとしても該金属酸化物の該下引き層中における含有量が１０質量％以下であり、かつ、
式（１）で示される化合物および式（２）で示される化合物からなる群より選択される少なくとも一種のアントラキノン誘導体を含む組成物の重合物を含有する
ことを特徴とする電子写真感光体。
【化１】
2016191916.tif 000027
（式（１）中、Ｒ１０１〜Ｒ１０２は、それぞれ独立に、酸素原子、Ｃ（ＣＮ）２、Ｃ（ＣＮ）Ｒ１１２、またはＮＲ１１３を示す。Ｒ１１２〜Ｒ１１３は、置換若しくは無置換のアリール基である。
Ｒ１０３〜Ｒ１０４およびＲ１０６〜Ｒ１１０は、それぞれ独立に、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基およびカルボキシル基のうち何れかを有する基、水素原子、置換若しくは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のアリール基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アルコキシ基、またはアルコキシカルボニル基である。
Ｒ１１１は、置換若しくは無置換のアルキレン基、置換若しくは無置換のシクロアルキレン基、置換若しくは無置換のアリーレン基、置換若しくは無置換の複素環基、
該置換若しくは無置換のアルキレン基の主鎖中のメチレン基の一部を、酸素原子、硫黄原子、ＮＨ、ＮＲ１１４、カルボニル基、スルホニル基、置換若しくは無置換のシクロアルキレン基、及び置換若しくは無置換のアリーレン基から選択される少なくとも一種で置き換えて導かれる基、
該置換若しくは無置換のシクロアルキレン基、該置換若しくは無置換のアリーレン基、及び該置換若しくは無置換の複素環基から選択される複数の基を、単結合、酸素原子、硫黄原子、ＮＨ、ＮＲ１１４、カルボニル基及びスルホニル基から選択される少なくとも一種の結合基で結合して得られる２価の基、または
該置換もしくは無置換のアリーレン基または該結合基で結合して得られる２価の基に、酸素原子、硫黄原子、ＮＨ、ＮＲ１１５、カルボニル基およびスルホニル基から選択される少なくとも一種が結合した基である。
Ｒ１１４及びＲ１１５は、それぞれ独立に、アルキル基またはアリール基である。
Ｒ１０３〜Ｒ１０４およびＲ１０６〜Ｒ１１１のうち少なくとも一つは、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基およびカルボキシル基のうち何れかを有する基である。
Ｒ１０５は、メチレン基、カルボニル基、酸素原子、またはＮＨである。）
【化２】
2016191916.tif 000028
（式（２）中、Ｒ２０１〜Ｒ２０２は、それぞれ独立に、酸素原子、Ｃ（ＣＮ）２、Ｃ（ＣＮ）Ｒ２１２、またはＮＲ２１３を示す。Ｒ２１２〜Ｒ２１３は、置換若しくは無置換のアリール基である。
Ｒ２０３〜Ｒ２０５およびＲ２０７〜Ｒ２１０は、それぞれ独立に、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基およびカルボキシル基のうち何れかを有する基、水素原子、置換若しくは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のアリール基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アルコキシ基、またはアルコキシカルボニル基である。
Ｒ２１１は、置換若しくは無置換のアルキレン基、置換若しくは無置換のシクロアルキレン基、置換若しくは無置換のアリーレン基、置換若しくは無置換の複素環基、
該置換若しくは無置換のアルキレン基の主鎖中のメチレン基の一部を、酸素原子、硫黄原子、ＮＨ、ＮＲ２１４、カルボニル基、スルホニル基、置換若しくは無置換のシクロアルキレン基、及び置換若しくは無置換のアリーレン基から選択される少なくとも一種で置き換えて導かれる基、
該置換若しくは無置換のシクロアルキレン基、該置換若しくは無置換のアリーレン基、及び該置換若しくは無置換の複素環基から選択される複数の基を、単結合、酸素原子、硫黄原子、ＮＨ、ＮＲ２１４、カルボニル基及びスルホニル基から選択される少なくとも一種の結合基で結合して得られる２価の基、または
該置換もしくは無置換のアリーレン基または該結合基で結合して得られる２価の基に、酸素原子、硫黄原子、ＮＨ、ＮＲ２１５、カルボニル基およびスルホニル基から選択される少なくとも一種が結合した基である。
Ｒ２１４及びＲ２１５は、それぞれ独立に、アルキル基またはアリール基である。
Ｒ２０３〜Ｒ２０５およびＲ２０７〜Ｒ２１１のうち少なくとも一つは、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基およびカルボキシル基のうち何れかを有する基である。
Ｒ２０６は、メチレン基、カルボニル基、酸素原子、またはＮＨである。） 
【請求項２】
前記式（１）および（２）中、
Ｒ１０５が、メチレン基、カルボニル基、またはＮＨであり、
Ｒ２０６が、メチレン基、カルボニル基、またはＮＨである請求項１に記載の電子写真感光体。
【請求項３】
前記組成物が、さらに架橋剤を含有する、請求項１または２に記載の電子写真感光体。
【請求項４】
前記架橋剤は、イソシアネート基もしくはブロックイソシアネート基を有するイソシアネート化合物、または、Ｎ−メチロール基もしくはアルキルエーテル化されたＮ−メチロール基を有するアミン化合物である請求項３に記載の電子写真感光体。
【請求項５】
前記組成物が、前記架橋剤と重合性官能基を有する樹脂とを含有する請求項３または４に記載の電子写真感光体。
【請求項６】
前記重合性官能基を有する樹脂の重合性官能基が、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、カルボキシル基およびメトキシ基のうち何れかである請求項５に記載の電子写真感光体。
【請求項７】
前記架橋剤と前記アントラキノン誘導体との質量比が、１００：５０から１００：２５０である、請求項３から６の何れか１項に記載の電子写真感光体。
【請求項８】
請求項１から７の何れか１項に記載の電子写真感光体と、帯電手段、現像手段、転写手段およびクリーニング手段からなる群より選択される少なくとも１つの手段とを一体に支持し、電子写真装置本体に着脱自在であるプロセスカートリッジ。
【請求項９】
請求項１から７の何れか１項に記載の電子写真感光体と、帯電手段、露光手段、現像手段および転写手段を有する電子写真装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子写真感光体、電子写真感光体を有するプロセスカートリッジおよび電子写真装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
プロセスカートリッジや電子写真装置に搭載される電子写真感光体として、有機光導電性物質（電荷発生物質）を含有する電子写真感光体が主として用いられている。近年、電子写真画像の品質に対する要求は高まっており、電子写真感光体においても様々な技術課題へ対応するために改善が試みられている。例えば、黒点や地カブリなど、支持体からの正孔の流入によって引き起こされる技術課題に対しては、支持体と感光層との間に下引き層を設けることで、そのブロッキング機能により、支持体からの正孔の流入を抑制する方法が知られている。一方で、下引き層の抵抗が高すぎると、感光層内で発生した電子を、支持体まで輸送することが難しくなるため、ポジゴースト（１枚の画像を形成する中で、光が照射された部分が電子写真感光体の次の回転目にハーフトーン画像になる場合において、光が照射された部分のみの濃度が濃くなる現象）が発生してしまう場合があった。
このポジゴーストを抑制する１つの方法として、導電剤として金属酸化物を用い、抵抗を制御する方法が提案されているが、下引き層自体のブロッキング機能が低くなってしまった。
そこで、金属酸化物を含有しない、または、含有してもその量が少ない（金属酸化物の下引き層中における含有量が１０質量％以下である）場合でも、上述のポジゴーストを抑制する方法に関し、検討がなされている。具体的には、下引き層の電子の輸送能を向上させるために、下引き層中に電子輸送物質を含有させる技術が知られている（特許文献１及び２）。
特許文献１及び２には、下引き層にフルオレノン化合物誘導体やイミド化合物誘導体といった電子輸送物質を含有させる方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００１−８３７２６号公報
【特許文献２】特開２００３−３４５０４４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明者らの検討の結果、このポジゴーストの抑制に関して、上記の従来技術には、まだ改良の余地があることがわかった。
【０００５】
本発明の目的は、下引き層が金属酸化物を含有しないか、含有したとしても金属酸化物の下引き層中における含有量が１０質量％以下である場合であっても、ポジゴーストが抑制された電子写真感光体、該電子写真感光体を有するプロセスカートリッジおよび電子写真装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者らは、鋭意検討を行った結果、特定の構造を有する化合物の重合物を電子写真感光体の下引き層に含有させることで、ポジゴーストの抑制を高いレベルで達成することが可能になることを見出した。
【０００７】
すなわち、本発明は、支持体と、下引き層と、感光層とをこの順に有する電子写真感光体であって、
該下引き層が、金属酸化物を含有しないか、含有したとしても該金属酸化物の該下引き層中における含有量が１０質量％以下であり、かつ、式（１）で示される化合物および式（２）で示される化合物からなる群より選択される少なくとも一種のアントラキノン誘導体を含む組成物の重合物を含有することを特徴とする電子写真感光体である。
【化１】
2016191916.tif 000002
（式（１）中、Ｒ１０１〜Ｒ１０２は、それぞれ独立に、酸素原子、Ｃ（ＣＮ）２、Ｃ（ＣＮ）Ｒ１１２、またはＮＲ１１３を示す。Ｒ１１２〜Ｒ１１３は、置換若しくは無置換のアリール基である。
Ｒ１０３〜Ｒ１０４およびＲ１０６〜Ｒ１１０は、それぞれ独立に、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基およびカルボキシル基のうち何れかを有する基、水素原子、置換若しくは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のアリール基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アルコキシ基、またはアルコキシカルボニル基である。
Ｒ１１１は、置換若しくは無置換のアルキレン基、置換若しくは無置換のシクロアルキレン基、置換若しくは無置換のアリーレン基、置換若しくは無置換の複素環基、
該置換若しくは無置換のアルキレン基の主鎖中のメチレン基の一部を、酸素原子、硫黄原子、ＮＨ、ＮＲ１１４、カルボニル基、スルホニル基（Ｏ＝Ｓ＝Ｏ）、置換若しくは無置換のシクロアルキレン基、及び置換若しくは無置換のアリーレン基から選択される少なくとも一種で置き換えて導かれる基、
該置換若しくは無置換のシクロアルキレン基、該置換若しくは無置換のアリーレン基、及び該置換若しくは無置換の複素環基から選択される複数の基を、単結合、酸素原子、硫黄原子、ＮＨ、ＮＲ１１４、カルボニル基及びスルホニル基から選択される少なくとも一種の結合基で結合して得られる２価の基、または
該置換もしくは無置換のアリーレン基または該結合基で結合して得られる２価の基に、酸素原子、硫黄原子、ＮＨ、ＮＲ１１５、カルボニル基およびスルホニル基から選択される少なくとも一種が結合した基である。
Ｒ１１４及びＲ１１５は、それぞれ独立に、アルキル基またはアリール基である。
Ｒ１０３〜Ｒ１０４およびＲ１０６〜Ｒ１１１のうち少なくとも一つは、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基およびカルボキシル基のうち何れかを有する基である。
Ｒ１０５は、メチレン基、カルボニル基、酸素原子、またはＮＨである。）
【化２】
2016191916.tif 000003
（式（２）中、Ｒ２０１〜Ｒ２０２は、それぞれ独立に、酸素原子、Ｃ（ＣＮ）２、Ｃ（ＣＮ）Ｒ２１２、またはＮＲ２１３を示す。Ｒ２１２〜Ｒ２１３は、置換若しくは無置換のアリール基である。
Ｒ２０３〜Ｒ２０５およびＲ２０７〜Ｒ２１０は、それぞれ独立に、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基およびカルボキシル基のうち何れかを有する基、水素原子、置換若しくは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のアリール基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アルコキシ基、またはアルコキシカルボニル基である。
Ｒ２１１は、置換若しくは無置換のアルキレン基、置換若しくは無置換のシクロアルキレン基、置換若しくは無置換のアリーレン基、置換若しくは無置換の複素環基、
該置換若しくは無置換のアルキレン基の主鎖中のメチレン基の一部を、酸素原子、硫黄原子、ＮＨ、ＮＲ２１４、カルボニル基、スルホニル基、置換若しくは無置換のシクロアルキレン基、及び置換若しくは無置換のアリーレン基から選択される少なくとも一種で置き換えて導かれる基、
該置換若しくは無置換のシクロアルキレン基、該置換若しくは無置換のアリーレン基、及び該置換若しくは無置換の複素環基から選択される複数の基を、単結合、酸素原子、硫黄原子、ＮＨ、ＮＲ２１４、カルボニル基及びスルホニル基から選択される少なくとも一種の結合基で結合して得られる２価の基、または
該置換もしくは無置換のアリーレン基または該結合基で結合して得られる２価の基に、酸素原子、硫黄原子、ＮＨ、ＮＲ２１５、カルボニル基およびスルホニル基から選択される少なくとも一種が結合した基である。
Ｒ２１４及びＲ２１５は、それぞれ独立に、アルキル基またはアリール基である。
Ｒ２０３〜Ｒ２０５およびＲ２０７〜Ｒ２１１のうち少なくとも一つは、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基およびカルボキシル基のうち何れかを有する基である。
Ｒ２０６は、メチレン基、カルボニル基、酸素原子、またはＮＨである。）
【０００８】
また、本発明は、上記電子写真感光体と、帯電手段、現像手段、転写手段およびクリーニング手段からなる群より選択される少なくとも１つの手段とを一体に支持し、電子写真装置本体に着脱自在であるプロセスカートリッジである。
【０００９】
また、本発明は、上記電子写真感光体と、帯電手段、露光手段、現像手段および転写手段を有する電子写真装置である。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、ポジゴーストが抑制された電子写真感光体、該電子写真感光体を有するプロセスカートリッジおよび電子写真装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の電子写真感光体を備えたプロセスカートリッジを有する電子写真装置の概略構成を示す図である。
【図２】ゴースト評価用画像（ゴースト評価用印字）を説明する図である。
【図３】１ドット桂馬パターン画像を説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
本発明の電子写真感光体は、支持体と、下引き層と、感光層とをこの順に有する。そして、下引き層は、金属酸化物を含有しないか、含有したとしても該金属酸化物の該下引き層中における含有量が１０質量％以下であり、かつ、式（１）で示される化合物および式（２）で示される化合物からなる群より選択される少なくとも一種のアントラキノン誘導体を含む組成物の重合物を含有することを特徴とする。以下、各層及び各層に使用する化合物について説明を行う。尚、本発明に使用する化合物等の確認は、以下の方法によって行った。
【００１３】
・質量分析
マトリックス支援レーザー脱離イオン化飛行時間質量分析計（ＭＡＬＤＩ−ＴＯＦ  ＭＳ：ブルカー・ダルトニクス（株）製  ｕｌｔｒａｆｌｅｘ）を用いた。条件としては、加速電圧：２０ｋＶ、モード：Ｒｅｆｌｅｃｔｏｒ、分子量標準品：フラーレンＣ６０であり、得られたピークトップ値で分子量を確認した。
【００１４】
〔支持体〕
支持体としては、導電性を有するもの（導電性支持体）であることが好ましい。例えば、アルミニウム、ニッケル、銅、金、鉄などの金属または合金製の支持体が挙げられる。また、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリイミド、ガラスなどの絶縁性支持体上にアルミニウム、銀、金などの金属の薄膜または酸化インジウム、酸化スズなどの導電性材料の薄膜を形成してなるものが挙げられる。
【００１５】
支持体の表面には、電気的特性の改善や、半導体レーザーなどコヒーレント光照射時に発生しやすい干渉縞の抑制のため、陽極酸化などの電気化学的な処理や、湿式ホーニング、ブラスト、切削などの処理を施してもよい。
【００１６】
〔下引き層〕
感光層と支持体との間に下引き層が設けられる。
本発明において、下引き層は、金属酸化物を含有しないか、含有したとしても該金属酸化物の該下引き層中における含有量が１０質量％以下である。更に、下引き層は、式（１）で示される化合物および式（２）で示される化合物からなる群より選択される少なくとも一種のアントラキノン誘導体（電子輸送物質）を含む組成物の重合物（硬化物）を含有する。また、下引き層は、式（１）で示される化合物および式（２）で示される化合物からなる群より選択される少なくとも一種のアントラキノン誘導体と共に、架橋剤や重合性官能基を有するマクロモノマー（樹脂）を更に含む組成物の重合物（硬化物）を含有することが好ましい。
【００１７】
下引き層は、まず、上記式（１）で示される化合物および上記式（２）で示される化合物からなる群より選択される少なくとも一種のアントラキノン誘導体（更に、その他の材料）を含む組成物を含有する下引き層用塗布液の塗膜を形成する。そして、塗膜を乾燥させることによって形成することができる。下引き層用塗布液の塗膜乾燥時に、上記式（１）で示される化合物や上記式（２）で示される化合物が重合するが、その際に熱や光のエネルギーを印加することで重合反応（硬化反応）が促進される。
下引き層の膜厚は、０．１μｍ以上１．５μｍ以下が好ましく、０．２μｍ以上０．７μｍ以下がより好ましい。
【００１８】
本発明の、下引き層を有する電子写真感光体がポジゴーストの抑制及び連続画像出力前後でのポジゴーストレベルの変動の抑制に優れる理由について、本発明者らは、以下のように推測している。
下引き層に重合する材料を採用すると、耐溶剤性が向上する等の利点も多いが、特に電子輸送物質を用い、分子間ホッピングで電子の輸送を行おうとした場合、分子構造のフレキシビリティーが低下するため、電子の受け渡しが低下しやすい。そのため、構造的に電荷トラップとなる部位を作らないことがより重要になる。
しかし、大きな平板構造を持つ材料を下引き層に含有させる電子輸送物質として用いた場合、平板構造を持つ材料同士が配向し易く、電子輸送物質濃度が低い部位が電荷トラップになり易い。
【００１９】
これに対し、本発明においては、特定の電子輸送物質である式（１）で示される化合物や式（２）で示される化合物を用いている。式（１）や式（２）で示される化合物は、大きな平板構造を持つアントラキノン骨格を電子輸送部位として有しているが、電子輸送部位が電子輸送部位を有していない架橋部位（Ｒ１０５、Ｒ１１１、Ｒ２０６、Ｒ２１１）で連結されている構造である。そのため、本発明においては、電子輸送部位のみが配向することが無く、電子の受け渡しが妨げられないことが推測される。その結果、電子の滞留が原因で起こるポジゴーストを抑制する効果、及び、連続画像出力前後のポジゴーストレベルの変動を抑制する効果が生じると考えている。
【００２０】
以下、組成物が含有し得る、上記アントラキノン誘導体、架橋剤、重合性官能基を有するマクロモノマー、その他の材料についてそれぞれ説明する。
【００２１】
（アントラキノン誘導体）
下引き層中の、式（１）で示される化合物および式（２）で示される化合物からなる群より選択される少なくとも一種のアントラキノン誘導体に由来する構造の含有量は、下引き層を形成する組成物の全質量に対して、３０質量％以上が好ましく、４０質量％以上がより好ましく、５０質量％以上が特に好ましい。また、９０質量％以下が好ましく、８０質量％以下がより好ましい。
本発明の下引き層に用いられる、式（１）で示される化合物および式（２）で示される化合物について説明する。
【００２２】
式（１）で示される化合物
【化３】
2016191916.tif 000004
（式（１）中、Ｒ１０１〜Ｒ１０２は、それぞれ独立に、酸素原子、Ｃ（ＣＮ）２、Ｃ（ＣＮ）Ｒ１１２、またはＮＲ１１３を示す。Ｒ１１２〜Ｒ１１３は、置換若しくは無置換のアリール基である。
Ｒ１０３〜Ｒ１０４およびＲ１０６〜Ｒ１１０は、それぞれ独立に、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基およびカルボキシル基のうち何れかを有する基、水素原子、置換若しくは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のアリール基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アルコキシ基、またはアルコキシカルボニル基である。
Ｒ１１１は、置換若しくは無置換のアルキレン基、置換若しくは無置換のシクロアルキレン基、置換若しくは無置換のアリーレン基、置換若しくは無置換の複素環基、
該置換若しくは無置換のアルキレン基の主鎖中のメチレン基の一部を、酸素原子、硫黄原子、ＮＨ、ＮＲ１１４、カルボニル基、スルホニル基（Ｏ＝Ｓ＝Ｏ）、置換若しくは無置換のシクロアルキレン基、及び置換若しくは無置換のアリーレン基から選択される少なくとも一種で置き換えて導かれる基、
該置換若しくは無置換のシクロアルキレン基、該置換若しくは無置換のアリーレン基、及び該置換若しくは無置換の複素環基から選択される複数の基を、単結合、酸素原子、硫黄原子、ＮＨ、ＮＲ１１４、カルボニル基及びスルホニル基から選択される少なくとも一種の結合基で結合して得られる２価の基、または
該置換もしくは無置換のアリーレン基または該結合基で結合して得られる２価の基に、酸素原子、硫黄原子、ＮＨ、ＮＲ１１５、カルボニル基およびスルホニル基から選択される少なくとも一種が結合した基である。
Ｒ１１４及びＲ１１５は、それぞれ独立に、アルキル基またはアリール基である。Ｒ１０３〜Ｒ１０４およびＲ１０６〜Ｒ１１１のうち少なくとも一つは、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基およびカルボキシル基のうち何れかを有する基である。
Ｒ１０５は、メチレン基、カルボニル基、酸素原子、またはＮＨである。）
【００２３】
式（２）で示される化合物
【化４】
2016191916.tif 000005
（式（２）中、Ｒ２０１〜Ｒ２０２は、それぞれ独立に、酸素原子、Ｃ（ＣＮ）２、Ｃ（ＣＮ）Ｒ２１２、またはＮＲ２１３を示す。Ｒ２１２〜Ｒ２１３は、置換若しくは無置換のアリール基である。
Ｒ２０３〜Ｒ２０５およびＲ２０７〜Ｒ２１０は、それぞれ独立に、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基およびカルボキシル基のうち何れかを有する基、水素原子、置換若しくは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のアリール基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アルコキシ基、またはアルコキシカルボニル基である。
Ｒ２１１は、置換若しくは無置換のアルキレン基、置換若しくは無置換のシクロアルキレン基、置換若しくは無置換のアリーレン基、置換若しくは無置換の複素環基、
該置換若しくは無置換のアルキレン基の主鎖中のメチレン基の一部を、酸素原子、硫黄原子、ＮＨ、ＮＲ２１４、カルボニル基、スルホニル基、置換若しくは無置換のシクロアルキレン基、及び置換若しくは無置換のアリーレン基から選択される少なくとも一種で置き換えて導かれる基、
該置換若しくは無置換のシクロアルキレン基、該置換若しくは無置換のアリーレン基、及び該置換若しくは無置換の複素環基から選択される複数の基を、単結合、酸素原子、硫黄原子、ＮＨ、ＮＲ２１４、カルボニル基及びスルホニル基から選択される少なくとも一種の結合基で結合して得られる２価の基、または
該置換もしくは無置換のアリーレン基または該結合基で結合して得られる２価の基に、酸素原子、硫黄原子、ＮＨ、ＮＲ２１５、カルボニル基およびスルホニル基から選択される少なくとも一種が結合した基である。
Ｒ２１４及びＲ２１５は、それぞれ独立に、アルキル基またはアリール基である。
Ｒ２０３〜Ｒ２０５およびＲ２０７〜Ｒ２１１のうち少なくとも一つは、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基およびカルボキシル基のうち何れかを有する基である。
Ｒ２０６は、メチレン基、カルボニル基、酸素原子、またはＮＨである。）
【００２４】
以下、式（１）及び式（２）中の官能基及び置換基に関して、更に説明をする。
Ｒ１１２、Ｒ１１３、Ｒ２１２やＲ２１３において、置換若しくは無置換のアリール基のアリール基としては、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基等が挙げられる。
【００２５】
Ｒ１１２、Ｒ１１３、Ｒ２１２やＲ２１３において、置換アリール基の置換基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基等のアルキル基、カルボキシル基、フッ素原子等のハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基、ヒドロキシメチル基（メチロール基）やヒドロキシエチル基（エチロール基）等のヒドロキシアルキル基等が挙げられる。
【００２６】
Ｒ１０３〜Ｒ１０４、Ｒ１０６〜Ｒ１１０、Ｒ２０３〜Ｒ２０５や、Ｒ２０７〜Ｒ２１０において、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基およびカルボキシル基のうち何れかを有する基としては、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、カルボキシル基や、ヒドロキシメチル基やヒドロキシエチル基等のヒドロキシアルキル基、カルボキシメチル等のカルボキシアルキル基等が挙げられる。なお、式（１）で示される化合物や式（２）で示される化合物は、それぞれ、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基およびカルボキシル基のうち何れかを有する基を、１個のみ有していても、複数個有していてもよい。
【００２７】
Ｒ１０３〜Ｒ１０４、Ｒ１０６〜Ｒ１１０、Ｒ２０３〜Ｒ２０５や、Ｒ２０７〜Ｒ２１０において、置換若しくは無置換のアルキル基のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基等が挙げられる。
【００２８】
Ｒ１０３〜Ｒ１０４、Ｒ１０６〜Ｒ１１０、Ｒ２０３〜Ｒ２０５や、Ｒ２０７〜Ｒ２１０において、置換若しくは無置換のアリール基のアリール基としては、フェニル基等が挙げられる。
【００２９】
Ｒ１０３〜Ｒ１０４、Ｒ１０６〜Ｒ１１０、Ｒ２０３〜Ｒ２０５や、Ｒ２０７〜Ｒ２１０において、置換アルキル基や置換アリール基の置換基としては、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、カルボキシル基、フッ素原子等のハロゲン原子等が挙げられる。
【００３０】
Ｒ１０３〜Ｒ１０４、Ｒ１０６〜Ｒ１１０、Ｒ２０３〜Ｒ２０５や、Ｒ２０７〜Ｒ２１０において、ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子等が挙げられる。
【００３１】
Ｒ１０３〜Ｒ１０４、Ｒ１０６〜Ｒ１１０、Ｒ２０３〜Ｒ２０５や、Ｒ２０７〜Ｒ２１０において、アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基等が挙げられる。
【００３２】
Ｒ１０３〜Ｒ１０４、Ｒ１０６〜Ｒ１１０、Ｒ２０３〜Ｒ２０５や、Ｒ２０７〜Ｒ２１０において、アルコキシカルボニル基としては、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等が挙げられる。
【００３３】
Ｒ１１１としては、置換若しくは無置換のアルキレン基、置換若しくは無置換のシクロアルキレン基、置換若しくは無置換のアリーレン基、置換若しくは無置換の複素環基が挙げられる。また、Ｒ１１１は、該置換若しくは無置換のアルキレン基の主鎖中のメチレン基の一部を、酸素原子、硫黄原子、ＮＨ、ＮＲ１１４（Ｒ１１４は、アルキル基またはアリール基である。）、カルボニル基、スルホニル基、置換若しくは無置換のシクロアルキレン基及び置換若しくは無置換のアリーレン基から選択される少なくとも一種で置き換えて導かれる基でもよい。また、Ｒ１１１は、上記の置換若しくは無置換のシクロアルキレン基、置換若しくは無置換のアリーレン基及び置換若しくは無置換の複素環基から選択される複数の基を、単結合、酸素原子、硫黄原子、ＮＨ、ＮＲ１１４（Ｒ１１４は、アルキル基またはアリール基である。）、カルボニル基及びスルホニル基から選択される少なくとも一種の結合基で結合して得られる２価の基でもよい。また、該置換もしくは無置換のアリーレン基または該結合基で結合して得られる２価の基に、酸素原子、硫黄原子、ＮＨ、ＮＲ１１５（Ｒ１１５は、アルキル基またはアリール基である。）、カルボニル基およびスルホニル基から選択される少なくとも一種が結合した基でもよい。なお、アルキレン基の主鎖とは、該アルキレン基の炭素鎖のうち、両端の炭素が他の基と結合している炭素鎖を言う。
【００３４】
Ｒ２１１としては、置換若しくは無置換のアルキレン基、置換若しくは無置換のシクロアルキレン基、置換若しくは無置換のアリーレン基、置換若しくは無置換の複素環基が挙げられる。また、Ｒ２１１は、該置換若しくは無置換のアルキレン基の主鎖中のメチレン基の一部を、酸素原子、硫黄原子、ＮＨ、ＮＲ２１４（Ｒ２１４は、アルキル基またはアリール基である。）、カルボニル基、スルホニル基、置換若しくは無置換のシクロアルキレン基及び置換若しくは無置換のアリーレン基から選択される少なくとも一種で置き換えて導かれる基でもよい。また、Ｒ２１１は、上記の置換若しくは無置換のシクロアルキレン基、置換若しくは無置換のアリーレン基及び置換若しくは無置換の複素環基から選択される複数の基を、単結合、酸素原子、硫黄原子、ＮＨ、ＮＲ２１４（Ｒ２１４は、アルキル基またはアリール基である。）、カルボニル基及びスルホニル基から選択される少なくとも一種の結合基で結合して得られる２価の基でもよい。また、該置換もしくは無置換のアリーレン基または該結合基で結合して得られる２価の基に、酸素原子、硫黄原子、ＮＨ、ＮＲ２１５（Ｒ２１５は、アルキル基またはアリール基である。）、カルボニル基およびスルホニル基から選択される少なくとも一種が結合した基でもよい。
【００３５】
Ｒ１１１やＲ２１１において、置換若しくは無置換のアルキレン基のアルキレン基としては、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、へキシレン基、シクロへキシレン基、ヘプチレン基、オクチレン基、ノニレン基、デシレン基、ドデシレン基等が挙げられる。
【００３６】
Ｒ１１１やＲ２１１において、置換若しくは無置換のシクロアルキレン基のシクロアルキレン基としては、シクロへキシレン基等が挙げられる。
【００３７】
Ｒ１１１やＲ２１１において、置換若しくは無置換のアリーレン基のアリーレン基としては、フェニレン基、ビフェニレン基、ナフチレン基等が挙げられる。
【００３８】
Ｒ１１１やＲ２１１において、置換若しくは無置換の複素環基の複素環基としては、トリアゾール環、チオフェン環、ピリジン環等が挙げられる。
【００３９】
Ｒ１１１やＲ２１１において、アルキレン基の主鎖中のメチレン基の一部を置き換える置換若しくは無置換のシクロアルキレン基のシクロアルキレン基としては、シクロへキシレン基等が挙げられる。
【００４０】
Ｒ１１１やＲ２１１において、アルキレン基の主鎖中のメチレン基の一部を置き換える置換若しくは無置換のアリーレン基のアリーレン基としては、フェニレン基、ナフチレン基等が挙げられる。
【００４１】
Ｒ１１１やＲ２１１において、置換アルキレン基、置換シクロアルキレン基、置換アリーレン基、置換複素環基、及び、アルキレン基の主鎖中のメチレン基を置き換える置換シクロアルキレン基や置換アリーレン基の置換基としては、メチル基、エチル基等のアルキル基、フェニル基等のアリール基、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、カルボキシル基、フッ素原子、塩素原子等のハロゲン原子、カルボキシメチル基等のカルボキシアルキル基、メトキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基等が挙げられる。
【００４２】
Ｒ１１１やＲ２１１において、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基およびカルボキシル基のうち何れかを有する基としては、上記置換アルキレン基、置換シクロアルキレン基、置換アリーレン基、アルキレン基の主鎖中のメチレン基を置き換える置換シクロアルキレン基や置換アリーレン基、置換複素環基の置換基が、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、カルボキシル基や、ヒドロキシメチル基やヒドロキシエチル基等のヒドロキシアルキル基や、カルボキシメチル等のカルボキシアルキル基である基が挙げられる。
【００４３】
Ｒ１１４、Ｒ１１５、Ｒ２１４及びＲ２１５において、アルキル基としては、メチル基等が挙げられ、アリール基としてはフェニル基が挙げられる。
【００４４】
アントラキノン誘導体の中で、低湿下におけるポジゴースト抑制効果の観点では、Ｒ１０５若しくはＲ２０６がカルボニル基（Ｃ＝Ｏ）であるものより、メチレン（ＣＨ２）、酸素原子、ＮＨであるものの方が好ましい。Ｒ１０５やＲ２０６は、連結基の中でアントラキノン骨格に最も近く隣接する部位であることから、アントラキノン構造同士のコンフォメーションに影響を与えていることが原因ではないかと予想している。また、高湿下におけるポジゴースト抑制効果の観点では、Ｒ１０５若しくはＲ２０６が酸素原子であるものより、カルボニル基、メチレン、ＮＨであるものの方が好ましい。これは、酸素原子部位の親水性が原因ではないかと予想している。
【００４５】
また、Ｒ１０１及びＲ１０２またはＲ２０１及びＲ２０２がイミノ化されたものより、Ｒ１０１及びＲ１０２またはＲ２０１及びＲ２０２が酸素原子であるものの方が好ましい。また、Ｒ１０１及びＲ１０２またはＲ２０１及びＲ２０２が酸素原子であるものより、Ｒ１０１及びＲ１０２またはＲ２０１及びＲ２０２がシアノ化メチレン修飾されたものの方がより好ましい。Ｒ１０１及びＲ１０２またはＲ２０１及びＲ２０２の電子受容性が、アントラキノン構造全体の電子密度に影響を与えていることが原因で、電子の授受に差異が生じているのではないかと予想している。
【００４６】
式（１）で示される化合物および式（２）で示される化合物の具体例
以下、表１〜表６に、式（１）で示される化合物および式（２）で示される化合物の具体例を示すが、本発明はこれら化合物に限定される訳ではない。なお、表１〜６において、Ｍｅはメチル基、Ｅｔはエチル基、Ｐｈはフェニル基、点線は結合手を示す。
【００４７】
【表１】
2016191916.tif 000006
【００４８】
【表２−１】
2016191916.tif 000007
【００４９】
【表２−２】
2016191916.tif 000008
【００５０】
【表３】
2016191916.tif 000009
【００５１】
【表４】
2016191916.tif 000010
【００５２】
【表５】
2016191916.tif 000011
【００５３】
【表６】
2016191916.tif 000012
【００５４】
式（１）で示される化合物および式（２）で示される化合物を得る方法
式（１）で示される化合物や式（２）で示される化合物は、例えばアントラキノン構造を有する単量体を二量化することで得ることが出来る。
アントラキノン構造を有する単量体は、例えば東海女子短期大学紀要  ７，  １−１１，（１９８０）記載の公知の合成方法を用いて合成することが可能である。また、例えば東京化成工業（株）、シグマアルドリッチジャパン（株）やジョンソン・マッセイ・ジャパン合同株式会社（旧：ジョンソン・マッセイ・ジャパン・インコーポレイテッド社）から購入可能である。
アントラキノン構造を有する単量体にシアノ化メチレン誘導体やアニリン誘導体を作用させて、シアノ化メチレン構造やイミン構造を導入しても良い。
そして、その単量体同士を連結することで、目的とする二量体を得ることが出来る。
単量体同士を連結するためには、官能基が導入された単量体を元に、その官能基と結合可能な官能基を複数個有する化合物を反応させる等、公知の方法を用いることが出来る。例えば、Ａｒｃｈｉｖｅｓ  ｏｆ  Ｐｈａｒｍａｃａｌ  Ｒｅｓｅａｒｃｈ，  Ｖｏｌ３６，  ５，  ５７３−５７８（２０１３）記載の公知の合成方法を用いて合成することが可能であり、その他にも公知の方法を用いることが出来る。
【００５５】
具体的な例として、例えば以下の様な反応で導入可能である。
単量体のハロゲン化物を元に、パラジウム触媒と塩基を使用したクロスカップリング反応を用い、連結基としてアリーレン基を導入する方法が挙げられる。また、ＦｅＣｌ３触媒と塩基を使用したクロスカップリング反応を用い、連結基としてアルキレン基を導入する方法も挙げられる。また、カルボキシル基が導入された単量体を元に、ジオール化合物やジアミノ化合物を反応させ、エステル結合やアミド結合を介して連結基を導入する方法も挙げられる。ヒドロキシ基が導入された単量体を元に、ジカルボキシル化合物やジイソシアネート化合物を反応させ、エステル結合やウレタン結合を介して連結基を導入する方法も挙げられる。また、アミノ基が導入された単量体を元に、ジカルボキシル化合物やジイソシアネート化合物を反応させ、アミド結合やウレア結合を介して連結基を導入する方法も挙げられる。
これらの反応で使用する化合物は、例えば東京化成工業（株）、シグマアルドリッチジャパン（株）やジョンソン・マッセイ・ジャパン合同株式会社（旧：ジョンソン・マッセイ・ジャパン・インコーポレイテッド社）から購入可能である。
【００５６】
また、重合性官能基（ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、カルボキシル基）を導入するためには、２つの方法がある。１つ目は、式（１）で示される化合物や式（２）で示される化合物の誘導体に直接これら重合性官能基若しくは重合性官能基の前駆体と成り得る官能基を有する構造を導入する方法がある。
例えば式（１）で示される化合物や式（２）で示される化合物のハロゲン化物を元に、パラジウム触媒と塩基を使用したクロスカップリング反応を用い、重合性官能基含有アリール基を導入する方法が挙げられる。また、上記パラジウム触媒と塩基を使用したクロスカップリング反応の代わりに、ＦｅＣｌ３触媒と塩基を使用したクロスカップリング反応を用い、重合性官能基含有アルキル基を導入する方法が挙げられる。また、式（１）で示される化合物や式（２）で示される化合物のハロゲン化物を元に、リチオ化を経た後にエポキシ化合物やＣＯ２を作用させ、ヒドロキシアルキル基やカルボキシル基を導入する方法が挙げられる。
２つ目の方法としては、重合性官能基若しくはその前駆体を有するアントラキノン構造を有する単量体を原料として用いるか、若しくは単量体同士を連結させる連結基として重合性官能基若しくはその前駆体を有する化合物を用いる方法がある。
【００５７】
（架橋剤）
架橋剤としては、組成物に含有させる上記式（１）で示される化合物や式（２）で示される化合物と重合（硬化）または架橋する化合物を用いることができる。具体的には、山下晋三，金子東助編「架橋剤ハンドブック」大成社刊（１９８１年）などに記載されている化合物等を用いることができる。
【００５８】
架橋剤の具体例としては、イソシアネート化合物や、アミン化合物が挙げられる。
イソシアネート化合物としては、イソシアネート基またはブロックイソシアネート基を複数個有しているイソシアネート化合物が好ましい。例えば、トリイソシアネートベンゼン、トリイソシアネートメチルベンゼン、トリフェニルメタントリイソシアネート、リジントリイソシアネートの他、トリレンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート、ナフタレンジイソシアネート、ジフェニルメタンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネート、２，２，４−トリメチルヘキサメチレンジイソシアネート、メチル−２，６−ジイソシアネートヘキサノエート、ノルボルナンジイソシアネート等のジイソシアネート、及び該ジイソシアネートのイソシアヌレート変性体、ビウレット変性体、アロファネート変性体、トリメチロールプロパンやペンタエリストールとのアダクト変性体等が挙げられる。これらの中でもイソシアヌレート変性体とアダクト変性体がより好ましい。
【００５９】
ブロックイソシアネート基は、−ＮＨＣＯＸ１（Ｘ１は保護基）という構造を有する基である。Ｘ１は、イソシアネート基に導入可能な保護基であれば何れでも良い。
【００６０】
イソシアネート化合物の中で一般的に購入可能なものとしては、例えば、旭化成社製デュラネートＭＦＫ−６０Ｂ、ＳＢＡ−７０Ｂ、住化バイエルウレタン（新社名：住化コベストロウレタン）社製デスモジュールＢＬ３１７５、ＢＬ３４７５が挙げられる。
【００６１】
アミン化合物としては、例えば、Ｎ−メチロール基またはアルキルエーテル化されたＮ−メチロール基を複数個有しているアミン化合物が好ましい。例えば、メチロール化されたメラミン、メチロール化されたグアナミン、メチロール化された尿素誘導体、メチロール化されたエチレン尿素誘導体、メチロール化されたグリコールウリルおよび、メチロール部位がアルキルエーテル化されたこれら化合物および、これらの誘導体が挙げられる。
【００６２】
一般的に購入可能なアミン化合物としては、例えば、三井化学社製ユーバン２０ＳＥ６０、２２０、ＤＩＣ社製スーパーベッカミンＬ−１２５−６０、Ｇ−８２１−６０等が挙げられる。
【００６３】
また、架橋剤として、イソシアネート化合物やアミン化合物の他にも、例えば、トリグリシジルイソシアヌレート、２，６−ビス（ヒドロキシメチル）−ｐ−クレゾール等、様々な化合物が挙げられる。
【００６４】
架橋剤と上記アントラキノン誘導体との質量比は何れでも良いが、その中でも、架橋剤：アントラキノン誘導体（質量比）が、１００：５０から１００：２５０の範囲内であることが好ましい。
【００６５】
上記の質量比であると、架橋剤同士の凝集が抑制され、その結果、下引き層中の電荷のトラップサイトが減少し、よりゴースト抑制効果が向上すると考えられる。
【００６６】
（重合性官能基を有するマクロモノマー（樹脂））
上記組成物に含有させる樹脂としては、これら架橋剤と重合（硬化）することが可能な重合性官能基を有するマクロモノマー（樹脂）を用いることができる。該マクロモノマー（樹脂）は、熱可塑性でも熱硬化性でもよい。重合性官能基として好ましくは、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、カルボキシル基またはメトキシ基が挙げられる。重合性官能基を有するマクロモノマーとしては、下記式（３）で示される構造単位を有することが好ましい。
【化５】
2016191916.tif 000013
【００６７】
式（３）中、Ｒ３０１は、水素原子またはアルキル基を示す。Ｒ３０２は、単結合、アルキレン基またはフェニレン基を示す。Ｒ３０３は、重合性官能基であり、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、カルボキシル基、またはメトキシ基を示す。
【００６８】
式（３）で示される構造単位を有するマクロモノマー（樹脂）としては、例えば、アセタール樹脂、ポリオレフィン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエーテル樹脂、ポリアミド樹脂、セルロース樹脂が挙げられる。即ち、マクロモノマー（樹脂）は、上記式（３）で示される構造単位以外に、以下に示す（Ｓ−１）〜（Ｓ−６）といった構造単位を更に有してもよい。（Ｓ−１）は、アセタール樹脂の構造単位である。（Ｓ−２）は、ポリオレフィン樹脂の構造単位である。（Ｓ−３）は、ポリエステル樹脂の構造単位である。（Ｓ−４）は、ポリエーテル樹脂の構造単位である。（Ｓ−５）は、ポリアミド樹脂の構造単位である。（Ｓ−６）は、セルロース樹脂の構造単位である。
【化６】
2016191916.tif 000014
【化７】
2016191916.tif 000015
【化８】
2016191916.tif 000016
【化９】
2016191916.tif 000017
【化１０】
2016191916.tif 000018
【化１１】
2016191916.tif 000019
【００６９】
上記式中、Ｒ３０４〜Ｒ３０８は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアリール基、または水素原子を示す。（Ｓ−１）は、Ｒ３０４がＣ３Ｈ７である場合は、ブチラールを示す。Ｒ３０９〜Ｒ３１３は、置換もしくは無置換のアルキレン基、置換もしくは無置換のアリーレン基を示す。Ｒ３１４〜Ｒ３１９は、アセチル基、ヒドロキシエチル基、ヒドロキシプロピル基、または水素原子を示す。
【００７０】
式（３）で示される構造単位を有する樹脂は、例えば、シグマアルドリッチジャパン（株）や東京化成工業（株）から購入可能な、重合性官能基を有するモノマーを重合させることで得られる。
【００７１】
また、式（３）で示される構造単位を有する樹脂は、一般的に購入することも可能である。購入可能な樹脂としては、例えば、日本ポリウレタン工業（株）製ＡＱＤ−４５７、ＡＱＤ−４７３、三洋化成工業（株）製サンニックスＧＰ−４００、ＧＰ−７００などのポリエーテルポリオール系樹脂、日立化成工業（株）製フタルキッドＷ２３４３、ＤＩＣ（株）製ウォーターゾールＳ−１１８、ＣＤ−５２０、ベッコライトＭ−６４０２−５０、Ｍ−６２０１−４０ＩＭ、ハリマ化成（株）製ハリディップＷＨ−１１８８、日本ユピカ社製ＥＳ３６０４、ＥＳ６５３８などのポリエステルポリオール系樹脂、ＤＩＣ（株）製バーノックＷＥ−３００、ＷＥ−３０４などのポリアクリルポリオール系樹脂、（株）クラレ製クラレポバールＰＶＡ−２０３などのポリビニルアルコール系樹脂、積水化学工業（株）製ＢＸ−１、ＢＭ−１などのポリビニルアセタール系樹脂、ナガセケムテックス（株）製トレジンＦＳ−３５０などのポリアミド系樹脂、日本触媒（株）製アクアリック、鉛市（株）製ファインレックスＳＧ２０００などのカルボキシル基含有樹脂、ＤＩＣ（株）製ラッカマイドなどのポリアミン樹脂、東レ（株）製ＱＥ−３４０Ｍなどのポリチオール樹脂などが挙げられる。これらの中でもポリビニルアセタール系樹脂、ポリエステルポリオール系樹脂などが重合性、電子輸送層の均一性の観点からより好ましい。
【００７２】
式（３）で示される構造単位を有する樹脂の重量平均分子量（Ｍｗ）は、６００〜４００，０００の範囲であることがより好ましい。また本発明において、樹脂の重量平均分子量とは、常法に従い、具体的には特開２００７−７９５５５号公報に記載の方法により測定されたポリスチレン換算の重量平均分子量である。
【００７３】
式（３）で示される構造単位を有する樹脂中の重合性官能基の定量法は、以下のような方法が挙げられる。すなわち、水酸化カリウムを用いたカルボキシル基の滴定、亜硝酸ナトリウムを用いたアミノ基の滴定、無水酢酸と水酸化カリウムを用いたヒドロキシ基の滴定、５，５’−ジチオビス（２−ニトロ安息香酸）を用いたチオール基の滴定がある。また、重合性官能基導入比率を変化させた試料のＩＲスペクトルから得られる検量線法がある。
【００７４】
表７に、式（３）で示される構造単位を有する樹脂の具体例（Ｂ１〜Ｂ２３）を示す。表７中、「構造」の欄は、式（３）で示される構造単位における各官能基の種類を示し、「特徴的な部位」の欄は、式（３）で示される構造単位と共に有する構造単位を示しており、上記（Ｓ−１）〜（Ｓ−６）のいずれかで示される構造単位である。
【００７５】
【表７】
2016191916.tif 000020
【００７６】
下引き層中の、重合性官能基を有するマクロモノマー（樹脂）に由来する構造の含有量は、下引き層を形成する組成物の全質量に対して、６０質量％以下が好ましく、２０質量％以下がより好ましく、１０質量％以下が特に好ましい。また、３質量％以上が好ましく、５質量％以上がより好ましい。
【００７７】
（その他の材料）
下引き層は、式（１）で示される化合物や式（２）で示される化合物、及び必要に応じて含有させる架橋剤や重合性官能基を有する樹脂を含む組成物の重合物以外にも、成膜性や電気的特性を高めるために、他の物質を含有しても良い。例えば樹脂、有機粒子、無機粒子、レベリング剤などを含有してもよい。ただし、下引き層におけるそれらの含有量は、下引き層の全質量に対して５０質量％未満であることが好ましく、２０質量％未満であることがより好ましい。
その中でも、金属酸化物は、下引き層の全質量に対して、１０質量％以下であり、１０質量％未満であることが好ましく、５質量％未満であることがより好ましい。
【００７８】
〔感光層〕
下引き層上には、電荷発生物質および正孔輸送物質を含有する感光層が設けられる。
電荷発生物質および正孔輸送物質を含有する感光層には、支持体側から電荷発生物質を含有する電荷発生層と正孔輸送物質を含有する正孔輸送層をこの順に積層してなるもの（以下「積層型感光層」ともいう。）と、電荷発生物質と正孔輸送物質を同一の層に含有させてなるもの（以下「単層型感光層」ともいう。）がある。電荷発生層や正孔輸送層は、それぞれ複数設けてもよい。
【００７９】
電荷発生物質としては、例えば、アゾ顔料、ペリレン顔料、キノン顔料、インジゴイド顔料、フタロシアニン顔料、ペリノン顔料などが挙げられる。これらの中でも、アゾ顔料、フタロシアニン顔料が好ましい。フタロシアニン顔料の中でも、オキシチタニウムフタロシアニン、クロロガリウムフタロシアニン、ヒドロキシガリウムフタロシアニンが好ましい。
【００８０】
感光層が積層型感光層である場合、電荷発生層に用いられる結着樹脂としては、例えば、スチレン、酢酸ビニル、塩化ビニル、アクリル酸エステル、メタクリル酸エステル、フッ化ビニリデン、トリフルオロエチレンなどのビニル化合物の重合体および共重合体や、ポリビニルアルコール、ポリビニルアセタール、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリスルホン、ポリフェニレンオキサイド、ポリウレタン、セルロース樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、ケイ素樹脂、エポキシ樹脂などが挙げられる。これらの中でも、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリビニルアセタールが好ましく、これらの中でも、ポリビニルアセタールがより好ましい。
【００８１】
電荷発生層において、電荷発生物質と結着樹脂との質量比率（電荷発生物質／結着樹脂）は、１０／１〜１／１０の範囲であることが好ましく、５／１〜１／５の範囲であることがより好ましい。
電荷発生層の膜厚は、０．０５μｍ以上５μｍ以下であることが好ましい。
【００８２】
正孔輸送物質としては、例えば、多環芳香族化合物、複素環化合物、ヒドラゾン化合物、スチリル化合物、ベンジジン化合物、トリアリールアミン化合物、トリフェニルアミンなどが挙げられる。また、これらの化合物から誘導される基を主鎖または側鎖に有するポリマーも挙げられる。
【００８３】
感光層が積層型感光層である場合、正孔輸送層に用いられる結着樹脂としては、例えば、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリメタクリル酸エステル、ポリアリレート、ポリサルホン、ポリスチレンなどが挙げられる。これらの中でも、ポリカーボネート、ポリアリレートが好ましい。また、これらの重量平均分子量（Ｍｗ）は、１０，０００〜３００，０００の範囲であることが好ましい。
【００８４】
正孔輸送層において、正孔輸送物質と結着樹脂との質量比率（正孔輸送物質／結着樹脂）は、１０／５〜５／１０の範囲であることが好ましく、１０／８〜６／１０の範囲であることがより好ましい。正孔輸送層の膜厚は、５μｍ以上４０μｍ以下であることが好ましい。
【００８５】
なお、支持体と上記下引き層との間や上記下引き層と感光層との間に、金属酸化物やカーボンブラックなどの導電性粒子を樹脂中に分散してなる導電層や、本発明に使用する上記アントラキノン誘導体を含む組成物の重合体を含有しない第２の下引き層などの別の層を設けてもよい。
【００８６】
また、感光層（または積層型感光層の場合には、正孔輸送層）上には、導電性粒子または正孔輸送物質と結着樹脂とを含有する保護層を設けてもよい。保護層には、潤滑剤などの添加剤をさらに含有させてもよい。また、保護層の樹脂（結着樹脂）自体に導電性や正孔輸送性を有させてもよく、その場合、保護層には、当該樹脂以外の導電性粒子や正孔輸送物質を含有させなくてもよい。また、保護層の結着樹脂は、熱可塑性樹脂でもよいし、熱、光、放射線（電子線など）などにより硬化させてなる硬化性樹脂であってもよい。
【００８７】
下引き層、感光層などの電子写真感光体を構成する各層を形成する方法としては、各層を構成する材料を溶剤に溶解および／または分散させて得られた塗布液を塗布し、得られた塗膜を乾燥および／または硬化させることによって形成する方法が好ましい。塗布液を塗布する方法としては、例えば、浸漬塗布法（浸漬コーティング法）、スプレーコーティング法、カーテンコーティング法、スピンコーティング法などが挙げられる。これらの中でも、効率性および生産性の観点から、浸漬塗布法が好ましい。
【００８８】
〔プロセスカートリッジおよび電子写真装置〕
図１に、本発明の電子写真感光体を備えたプロセスカートリッジを有する電子写真装置の概略構成を示す。
【００８９】
図１において、１はドラム状の本発明の電子写真感光体であり、回転軸２を中心に矢印方向に所定の周速度で回転駆動される。電子写真感光体１の表面（周面）は、回転過程において、帯電手段３（例えば、接触系一次帯電器、非接触系一次帯電器など）により、正または負の所定電位に帯電される。次いで、スリット露光やレーザービーム走査露光などの露光手段（画像露光手段）（不図示）からの露光光（画像露光光）４（例えば、レーザー光）を受ける。こうして電子写真感光体１の表面に静電潜像が順次形成されていく。
形成された静電潜像は、次いで現像手段５（例えば、接触型現像器、非接触型現像機など）のトナーにより現像される。得られたトナー像は、転写材７（例えば、紙）に、転写手段６により順次転写されていく。転写材７は、不図示の転写材供給部から電子写真感光体１の回転と同期して取り出され、電子写真感光体１と転写手段６（例えば、転写帯電器）との間に給送される。
【００９０】
トナー像が転写された転写材７は、電子写真感光体１の表面から分離されて定着手段８へ導入されて像定着を受けることにより複写物（コピー）として電子写真装置外へプリントアウトされる。
【００９１】
トナー転写後の電子写真感光体１の表面は、クリーニング手段９によって転写残りトナーの除去を受けて清浄化され、さらに前露光手段（不図示）からの前露光光により除電処理された後、繰り返し画像形成に使用される。
【００９２】
帯電手段３は、コロナ放電を利用したスコロトロン帯電器やコロトロン帯電器を用いてもよいし、ローラー形状、ブレード形状、ブラシ形状などの帯電部材を備える接触型帯電器を用いてもよい。
【００９３】
本発明においては、電子写真感光体１と、帯電手段３、現像手段５、転写手段６およびクリーニング手段９などの構成要素から選択される少なくとも１つの手段とをプロセスカートリッジとして一体に結合して構成してもよい。そして、このプロセスカートリッジを複写機やレーザービームプリンターなどの電子写真装置本体に対して着脱自在に構成してもよい。例えば、帯電手段３、現像手段５およびクリーニング手段９の少なくとも１つの手段を電子写真感光体１とともに一体に支持してカートリッジ化する。そして、電子写真装置本体のレール１１および１２などの案内手段を用いて電子写真装置本体に着脱自在なプロセスカートリッジ１０とすることができる。
【実施例】
【００９４】
以下、実施例により、本発明をより詳細に説明する。なお、実施例中の「部」は「質量部」を意味する。
【００９５】
まず、式（Ｅ１１１）で示される化合物（アントラキノン誘導体）の合成例を示す。
（合成例）
室温下、窒素気流下３００ｍｌ３つ口フラスコに、２−アミノアントラキノン２２部、２，２−ビス（ブロモメチル）−１，３−プロパンジオール１３部、ジメチルアセトアミド２００部、トリエチルアミン２０部を入れた後、２４時間加熱還流させた。
反応終了後、内容物を氷水に開け、酢酸エチルで抽出した。その後有機層を濃縮後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製した。得られた溶液を乾固させたものを酢酸エチル／ヘキサンにより再結晶し、表１に示す式（Ｅ１１１）で示される化合物１４部を得た。
【００９６】
なお、式（Ｅ１１１）で示される化合物以外の式（１）で示される化合物や式（２）で示される化合物も、その構造に対応した原料を選択し、上述の方法と同様の方法若しくはその他公知の合成法で得ることができ、以下の実施例で用いる化合物を合成した。
【００９７】
（実施例１）
長さ２６０．５ｍｍ、直径３０ｍｍのアルミニウムシリンダー（ＪＩＳ−Ａ３００３、アルミニウム合金）に対して、下記条件にて液体ホーニング処理を行い支持体とした。
＜液体ホーニング条件＞
・研磨剤砥粒＝ジルコニアビーズ    粒径７０〜１２５μｍ（商品名：ジルブラストＢ１２０    マテリアルサイエンス（株）製）
・懸濁媒体＝水
・研磨剤／懸濁媒体＝１／９（体積比）
【００９８】
ホーニング後のシリンダーの表面粗さに関してＪＩＳ  Ｂ  ０６０１（１９９４）に準じ小坂研究所表面粗さ計サーフコーダＳＥ３５００を用い測定した。結果、最大高さ（ＲｍａｘＤ）＝２．０１μｍ、十点平均粗さ（Ｒｚ）＝１．５０μｍ、算術平均粗さ（Ｒａ）＝０．２１μｍであった。
【００９９】
次に、化合物（Ｅ２１８）４部、Ｂ１で示される樹脂１部、ジオクチルスズラウリレート０．００２部を、メトキシプロパノール１５部とテトラヒドロフラン１５部の混合溶媒に溶解した。この溶液に、固形分６部相当の架橋剤１（ブロックイソシアネート樹脂ＢＬ３５７５：住化バイエル製）を加え、下引き層用塗布液を調製した。樹脂Ｂ１の特徴的な部位である上記式（Ｓ−１）のＲ３０４は、Ｃ３Ｈ７である。この下引き層用塗布液を支持体上に浸漬塗布し、得られた塗膜を３０分間１７０℃で加熱し、溶媒を蒸発させるとともに、式（Ｅ２１８）で示される化合物、樹脂Ｂ１及び架橋剤１を重合させて硬化させることによって、膜厚が０．７５μｍの下引き層を形成した。
【０１００】
次に、ＣｕＫα特性Ｘ線回折におけるブラッグ角（２θ±０．２°）の７．５°、９．９°、１２．５°、１６．３°、１８．６°、２５．１°および２８．３°にピークを有する結晶形のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶（電荷発生物質）を用意した。このヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶１０部、ポリビニルブチラール（商品名：エスレックＢＸ−１、積水化学工業（株）製）５部およびシクロヘキサノン２５０部を、直径１ｍｍのガラスビーズを用いたサンドミルに入れ、２時間分散処理した。次に、これに酢酸エチル２５０部を加えることによって、電荷発生層用塗布液を調製した。
この電荷発生層用塗布液を、下引き層上に浸漬塗布して塗膜を形成し、得られた塗膜を１０分間９５℃で乾燥させることによって、膜厚が０．１８μｍの電荷発生層を形成した。
【０１０１】
次に、下記式（４）で示されるアミン化合物（正孔輸送物質）６部、下記式（５）で示されるアミン化合物（正孔輸送物質）２部、ならびに、下記式（６）で示される構造単位を有し重量平均分子量（Ｍｗ）が８０，０００であるポリカーボネート樹脂１０部を、ジメトキシメタン４０部およびオルトキシレン６０部の混合溶剤に溶解させることによって、正孔輸送層用塗布液を調製した。
【化１２】
2016191916.tif 000021
【化１３】
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【化１４】
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【０１０２】
この正孔輸送層用塗布液を、電荷発生層上に浸漬塗布し、得られた塗膜を４０分間１２０℃で乾燥させることによって、膜厚が１５μｍの正孔輸送層を形成した。
【０１０３】
このようにして、支持体上に、下引き層、電荷発生層および正孔輸送層を有する電子写真感光体を作製した。
【０１０４】
作製した電子写真感光体を、温度２３℃、湿度５０％ＲＨの環境下にて、キヤノン（株）製のレーザービームプリンター（商品名：ＬＢＰ−２５１０）の改造機（一次帯電：ローラー接触ＤＣ帯電、プロセススピード１２０ｍｍ／秒、レーザー露光）に装着した。そして、初期及び１５，０００枚画像出力後の表面電位の評価および出力画像の評価を行った。詳しくは以下のとおりである。
【０１０５】
（ポジゴーストの評価）
上記レーザービームプリンターのシアン色用のプロセスカートリッジを改造し、現像位置に電位プローブ（ｍｏｄｅｌ６０００Ｂ−８：トレック・ジャパン（株）製）を装着した。次に、電子写真感光体の中央部の電位を表面電位計（ｍｏｄｅｌ３４４：トレック・ジャパン（株）製）を使用して測定した。また、暗部電位（Ｖｄ）が−６００Ｖ、明部電位（Ｖｌ）が−１５０Ｖになるよう、画像露光の光量を設定した。
【０１０６】
続いて、上記レーザービームプリンターのシアン色用のプロセスカートリッジに、作製した電子写真感光体を装着して、そのプロセスカートリッジをシアンのプロセスカートリッジのステーションに装着し、画像を出力した。
まず、ベタ白画像（１枚）、ゴースト評価用画像（５枚）、ベタ黒画像（１枚）、ゴースト評価用画像（５枚）の順に連続して画像出力を行った。
ゴースト評価用画像は図２に示すように、画像の先頭部の白画像２１中に四角のベタ画像２２を出力した後、図３に示す１ドット桂馬パターンのハーフトーン画像２３を作製したものである。
【０１０７】
ポジゴーストの評価は、１ドット桂馬パターンのハーフトーン画像２３のマクベス濃度と、ゴースト部２４（ポジゴーストが生じうる部分）のマクベス濃度との濃度差（マクベス濃度差）を測定することで行った。分光濃度計（商品名：Ｘ−Ｒｉｔｅ５０４／５０８、Ｘ−Ｒｉｔｅ（株）製）で、１枚のゴースト評価用画像中でマクベス濃度差を１０点測定した。この操作をゴースト評価用画像１０枚すべてで行い、合計１００点の平均をマクベス濃度差として算出した。初期のマクベス濃度差を表８の「初期」の欄に示す。さらに、１５，０００枚の出力後のマクベス濃度差と初期画像出力時のマクベス濃度差との差を表８の「連続画像出力前後（差）」の欄に、その変化率（１５，０００枚の出力後のマクベス濃度差と初期画像出力時のマクベス濃度差との差／初期画像出力時のマクベス濃度差×１００）を表８の「連続画像出力前後（変化率（％））」の欄にそれぞれ示す。マクベス濃度差が小さいほど、ポジゴーストの抑制効果が大きいことを意味する。また、連続画像出力前後のマクベス濃度差の差及び変化率が小さいほど、連続画像出力前後でのポジゴーストの抑制効果が大きいことを意味する。
【０１０８】
（実施例２〜４４）
表８に示すように化合物、架橋剤、樹脂の種類および質量部を変更した以外は、実施例１と同様に電子写真感光体を作製し、同様にゴーストの評価を行った。結果を表８に示す。樹脂Ｂ１１の特徴的な部位である上記式（Ｓ−２）のＲ３０５〜Ｒ３０８はＨである。樹脂Ｂ１６の特徴的な部位である上記式（Ｓ−２）のＲ３０５〜Ｒ３０８はＨである。樹脂Ｂ２３の特徴的な部位である上記式（Ｓ−１）のＲ３０４はＣ３Ｈ７である。
【０１０９】
架橋剤２は、イソシアネート系架橋剤（商品名：デスモジュールＢＬ３１７５、住化バイエル社製（固形分７５％））である。架橋剤３は、イソシアネート系架橋剤（商品名：デスモジュールＢＬ３４７５、住化バイエル社製（固形分７５％））である。架橋剤４は１−メチルベンゼン−２，２，４，６−トリイルトリイソシアナート（シグマアルドリッチ社製）である。架橋剤５は、ブチル化メラミン系架橋剤（商品名：スーパーベッカミンＪ８２１−６０、ＤＩＣ社製（固形分６０％））である。架橋剤６は、ブチル化尿素系架橋剤（商品名：ベッカミンＰ１３８、ＤＩＣ社製（固形分６０％））である。架橋剤７は、２，４，６−トリス［ビス（メトキシメチル）アミノ］−１，３，５−トリアジン（東京化成工業社製）である。
【０１１０】
（実施例４５）
下引き層用塗布液に、酸化チタン（商品名：タイペークＣＲ−ＥＬ、石原産業社製）を０．４質量部含有させた以外は、実施例１と同様に電子写真感光体を作製し、同様に評価を行った。結果を表８に示す。
【０１１１】
（実施例４６）
下引き層用塗布液に、酸化チタン（商品名：タイペークＣＲ−ＥＬ、石原産業社製）を０．９質量部含有させた以外は、実施例２８と同様に電子写真感光体を作製し、同様に評価を行った。結果を表８に示す。
【０１１２】
（比較例１）
実施例１の化合物（Ｅ２１８）の代わりに式（７）で示されるアントラキノン誘導体を用いた以外は実施例１と同様に電子写真感光体を作製し、同様に評価を行った。結果を表８に示す。
【化１５】
2016191916.tif 000024
【０１１３】
（比較例２）
実施例１の化合物（Ｅ２１８）の代わりに式（８）で示されるアントラキノン誘導体を用いた以外は実施例１と同様に電子写真感光体を作製し、同様に評価を行った。結果を表８に示す。
【化１６】
2016191916.tif 000025
【０１１４】
（実施例４７〜５１）
表８に示すように化合物、架橋剤、樹脂の種類および質量部を変更し、高温高湿環境下（温度３２℃、相対湿度８５％）で評価を行った以外は、実施例１と同様に電子写真感光体を作製し、同様に評価を行った。結果を表８に示す。
【０１１５】
（比較例３）
高温高湿環境下（温度３２℃、相対湿度８５％）で評価を行った以外は、比較例１と同様に電子写真感光体を作製し、同様にゴーストの評価を行った。結果を表８に示す。
【０１１６】
【表８】
2016191916.tif 000026
【符号の説明】
【０１１７】
１  電子写真感光体
２  回転軸
３  帯電手段
４  露光光
５  現像手段
６  転写手段
７  転写材
８  定着手段
９  クリーニング手段
１０  プロセスカートリッジ
１１、１２  レール
【図１】
2016191916.tif 000029
【図２】
2016191916.tif 000030
【図３】
2016191916.tif 000031