(57)【要約】【課題】より高い精度で蒸着による成膜を行う有機ＥＬ表示装置の製造方法を提供する。【解決手段】有機ＥＬ表示装置の製造方法は、絶縁材料からなる基板２０上の表示領域の外側に、導電材料からなる１対の測定電極５０を形成する測定電極形成工程と、前記１対の測定電極５０間で測定される電気物理量に基づいて、蒸着により成膜される薄膜６０の膜厚を測定し、前記薄膜６０を成膜する成膜工程と、を備える。【選択図】図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁材料からなる基板上の表示領域の外側に、導電材料からなる１対の測定電極を形成する測定電極形成工程と、
前記１対の測定電極間で測定される電気物理量に基づいて、蒸着により成膜される薄膜の膜厚を測定し、前記薄膜を成膜する成膜工程と、
を備えることを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項２】
前記成膜工程において成膜される前記薄膜は、
有機材料及びアルカリ金属の共蒸着により成膜される
ことを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項３】
前記成膜工程における成膜は、
０．００１ｎｍ／ｓ乃至１ｎｍ／ｓの成膜レートで行われる
ことを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項４】
前記成膜工程において成膜される前記薄膜は、
電子注入層である
ことを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項５】
前記測定電極形成工程は、
さらに、前記表示領域にマトリクス状に配置される画素毎に配置される前記導電材料からなる導電層を形成する
ことを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項６】
前記成膜工程における蒸着は、
前記表示領域の内側に設けられた表示領域開口部と、前記測定電極間に設けられた電極間開口部と、を有する蒸着マスクを用いて行われる
ことを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項７】
前記測定電極形成工程は、
前記基板上に、前記１対の測定電極を複数形成し、
前記成膜工程は、
複数形成された前記１対の測定電極間で測定される複数の電気物理量に基づいて、前記薄膜の膜厚を測定し、前記薄膜を成膜する
ことを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項８】
前記測定電極形成工程は、
さらに、複数の有機ＥＬパネルが１枚の前記基板上に形成される多面取り基板上に、前記１対の測定電極を形成する
ことを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項９】
前記測定電極形成工程は、
前記多面取り基板上に、前記１対の測定電極を複数対形成する
ことを特徴とする請求項８に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項１０】
薄膜トランジスタ及び金属配線を含む回路を形成する薄膜トランジスタ回路形成工程と、
絶縁材料からなる封止基板を前記基板に貼り付け、有機ＥＬパネルを形成する有機ＥＬパネル形成工程と、をさらに備える
ことを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項１１】
絶縁材料からなる基板上の表示領域の外側に形成され、導電材料からなる１対の測定電極と、
前記表示領域の内側と、前記１対の測定電極間とに成膜され、有機材料及びアルカリ金属からなる電子注入層と、
を備えることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ表示装置の製造方法及び有機ＥＬ表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ：Organic Light Emitting Diode）と呼ばれる自発光体を用いた画像表示装置（以下、「有機ＥＬ（Electro-luminescent）表示装置」という。）が実用化されている。この有機ＥＬ表示装置は、従来の液晶表示装置と比較して、自発光体を用いているため、視認性、応答速度の点で優れているだけでなく、バックライトのような補助照明装置を要しないため、更なる薄型化が可能となっている。
【０００３】
下記特許文献１には、成膜中の膜の抵抗を測定するための抵抗測定手段を設け、抵抗を測定しながら、酸化物超電導膜を製造する方法が記載されている。
【０００４】
また、特許文献２には、成膜中の薄膜の物理量を測定し、成膜条件等を制御する成膜装置が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平０６−０８０４９８
【特許文献２】特開２０１０−２３６０４０
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上述したような有機ＥＬ表示装置の製造においては、蒸着法により成膜が行われることがあり、基板上の位置により成膜された膜厚にばらつきが生じることがある。
【０００７】
膜厚のばらつきは、例えば、有機発光ダイオードの駆動電力のばらつきや増加に繋がり、結果として有機ＥＬ表示装置全体の消費電力を増加させてしまうおそれがある。
【０００８】
そこで、本発明は、より高い精度で蒸着による成膜を行う有機ＥＬ表示装置の製造方法の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の有機ＥＬ表示装置の製造方法は、絶縁材料からなる基板上の表示領域の外側に、導電材料からなる１対の測定電極を形成する測定電極形成工程と、前記１対の測定電極間で測定される電気物理量に基づいて、蒸着により成膜される薄膜の膜厚を測定し、前記薄膜を成膜する成膜工程と、を備えることを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法である。
【００１０】
また、本発明の有機ＥＬ表示装置の製造方法において、前記成膜工程において成膜される前記薄膜は、有機材料及びアルカリ金属の共蒸着により成膜されてもよい。
【００１１】
また、本発明の有機ＥＬ表示装置の製造方法において、前記成膜工程における成膜は、０．００１ｎｍ／ｓ乃至１ｎｍ／ｓの成膜レートで行われてもよい。
【００１２】
また、本発明の有機ＥＬ表示装置の製造方法において、前記成膜工程において成膜される前記薄膜は、電子注入層であってもよい。
【００１３】
また、本発明の有機ＥＬ表示装置の製造方法において、前記測定電極形成工程は、さらに、前記表示領域にマトリクス状に配置される画素毎に配置される前記導電材料からなる導電層を形成してもよい。
【００１４】
また、本発明の有機ＥＬ表示装置の製造方法において、前記成膜工程における蒸着は、前記表示領域の内側に設けられた表示領域開口部と、前記測定電極間に設けられた電極間開口部と、を有する蒸着マスクを用いて行われてもよい。
【００１５】
また、本発明の有機ＥＬ表示装置の製造方法において、前記測定電極形成工程は、前記基板上に、前記１対の測定電極を複数形成し、前記成膜工程は、複数形成された前記１対の測定電極間で測定される複数の電気物理量に基づいて、前記薄膜の膜厚を測定し、前記薄膜を成膜してもよい。
【００１６】
また、本発明の有機ＥＬ表示装置の製造方法において、前記測定電極形成工程は、さらに、複数の有機ＥＬパネルが１枚の前記基板上に形成される多面取り基板上に、前記１対の測定電極を形成してもよい。
【００１７】
また、本発明の有機ＥＬ表示装置の製造方法において、前記測定電極形成工程は、前記多面取り基板上に、前記１対の測定電極を複数対形成してもよい。
【００１８】
また、本発明の有機ＥＬ表示装置の製造方法において、薄膜トランジスタ及び金属配線を含む回路を形成する薄膜トランジスタ回路形成工程と、絶縁材料からなる封止基板を前記基板に貼り付け、有機ＥＬパネルを形成する有機ＥＬパネル形成工程と、をさらに備えてもよい。
【００１９】
本発明の有機ＥＬ表示装置は、絶縁材料からなる基板上の表示領域の外側に形成され、導電材料からなる１対の測定電極と、前記表示領域の内側と、前記１対の測定電極間とに成膜され、有機材料及びアルカリ金属からなる電子注入層と、を備えることを特徴とする有機ＥＬ表示装置である。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法により得られる有機ＥＬ表示装置の概略図である。
【図２】本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法により得られる有機ＥＬパネルの概略図である。
【図３】本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法により得られる有機ＥＬパネルの断面図である。
【図４】本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法を示すフローチャートである。
【図５】本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法におけるＴＦＴ基板形成工程を示すフローチャートである。
【図６】本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法における有機層成膜工程で用いられる蒸着マスクを示す図である。
【図７】本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法における成膜工程を示す断面図である。
【図８】本発明の第２の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法におけるＴＦＴ基板形成工程を示すフローチャートである。
【図９】本発明の第３の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法により得られる有機ＥＬパネルの概略図である。
【図１０】本発明の第４の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法により得られる多面取り基板の概略図である。
【図１１】本発明の第５の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法により得られる多面取り基板の概略図である。
【図１２】水晶振動子を用いた成膜センサの使用例を示す図である。
【図１３】水晶振動子を用いた成膜センサの動作原理を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下に、本発明の各実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。
【００２２】
図１２は、本発明の実施形態の比較例に係る水晶振動子を用いた成膜センサ４００の使用例を示す図である。図１２に示すように、有機材料の成膜は蒸着法で行われる場合がある。蒸着法では、蒸発源３００を加熱等して蒸発物２００を放ち、絶縁基板２０に蒸発物２００を堆積させる。ここで、成膜センサ４００は、蒸発源３００から放たれる蒸発物２００の一部を受け止め、膜厚の時間変化を計測することで、絶縁基板２０上での膜厚を制御するためのデータを提供する。
【００２３】
図１３は、水晶振動子を用いた成膜センサ４００の動作原理を示す図である。成膜センサ４００は、交流電源が接続された水晶振動子４５０からなる。水晶振動子４５０上には、有機材料の蒸発物２００が堆積し、有機層６０が形成される。成膜センサ４００は、有機層６０の堆積による水晶振動子４５０の発振周波数の変化を測定する。水晶振動子４５０の発振周波数の変化は、水晶振動子４５０上に堆積した有機層６０の膜厚に読み替えられ、さらに絶縁基板２０上の膜厚に読み替えられることになる。
【００２４】
有機ＥＬ表示装置の製造においては、蒸着法による有機層の成膜が行われる場合がある。特に低い成膜レートで成膜が行われる場合には、水晶振動子４５０に堆積する有機層６０が少なくなる。そのため、高い精度で膜厚測定を行うには、成膜センサ４００を蒸発源３００に近付け、水晶振動子４５０に堆積する有機層６０を増やす必要がある。
【００２５】
しかし、膜厚センサ４００を蒸発源３００に近付けると蒸発源３００からの輻射熱により膜厚センサ４００の温度が上昇し、そのことに起因する発振周波数の変化が生じてしまう恐れがあった。そのため、成膜センサ４００を蒸発源３００に近づけられる距離には限界があり、特に低い成膜レートで成膜が行われる場合に、水晶振動子４５０を用いた成膜センサ４００による膜厚測定を適用することは難しい。
【００２６】
［第１の実施形態］
図１は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１の製造方法により得られる有機ＥＬ表示装置１の概略図である。有機ＥＬ表示装置１は、上フレーム２及び下フレーム３に挟まれるように固定された有機ＥＬパネル１０から構成されている。
【００２７】
図２は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１の製造方法により得られる有機ＥＬパネル１０の概略図である。有機ＥＬパネル１０は、表示領域５内にマトリクス状に並べられた個々の画素を制御して画像を表示する。各画素は、ＴＦＴ（Thin Film Transistor：薄膜トランジスタ）や発光層を含む有機層等で構成される。絶縁基板２０には、駆動回路３０及び接続端子４０が形成される。駆動回路３０は、各画素に繋がるゲート線、信号線及び電位供給線等に加える信号を制御するＩＣ（Integrated Circuit）である。また、接続端子４０は、電源電圧や映像信号等を外部から受け取るための端子である。
【００２８】
絶縁基板２０上には、測定電極５０が形成される。測定電極５０は、表示領域５の外側に形成される。本実施形態では、測定電極５０は平行な２本の直線電極であり、電極間隔は、例えば数μｍのオーダーである。ただし、測定電極５０は必ずしも平行に並ぶ２本の直線電極である必要はなく、湾曲した２本の電極や２つの点電極等でもよい。また、本実施形態においては、測定電極５０の形成箇所は、有機ＥＬ表示装置１の表示領域の外側に位置する絶縁基板２０上とするが、表示領域の内側に形成されるものであってもよい。
【００２９】
測定電極５０を覆うように、有機層６０のうち少なくとも電子注入層となる有機材料が成膜される。有機層６０は、成膜される順に表すと、ホール注入層、ホール輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層を積層することで構成される。ただし、各層は必ずしも別の材料で形成されなくてもよい。また、各層の別が明確でなくてもよい。有機層６０は、表示領域５内に成膜されるとともに、表示領域外に形成された測定電極５０の間にも成膜される。なお、次図によってより明らかとなるが、有機層６０は測定電極５０を覆っており、有機層６０は透明材料によって覆われている。
【００３０】
図３は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１の製造方法により得られる有機ＥＬパネル１０の断面図である。図３は、図２のＩＩＩ−ＩＩＩ断面のうち単位画素部分（図面左側）と測定電極５０部分（図面右側）を拡大して示した図である。単位画素部分は、ガラス等の透明な絶縁基板２０上に形成されるＴＦＴ回路等を含む。ＴＦＴ回路は、駆動回路３０から発信される各画素の階調値等の信号に基づいて、各画素の発光量の制御を行う回路である。
【００３１】
絶縁基板２０の上にはＳｉＮ等からなる絶縁層２１が形成され、絶縁層２１の上にはＴＦＴの構成要素であるドレイン電極層２２、ソース電極層２３、及びチャネル層２４が形成される。チャネル層２４等の上にはゲート絶縁膜２５が形成され、チャネル層２４の上方にゲート電極層２６が形成される。さらに、ゲート電極層２６を覆うように第１の層間絶縁膜２７が形成され、ドレイン電極層２２とソース電極層２３のそれぞれに達するスルーホールが設けられ、ソース電極層２３と電気的に接続されるようにソース電極２８が形成され、ドレイン電極層２２と電気的に接続されるようにドレイン電極２９が形成される。ここで、ＴＦＴを形成する半導体としては、アモルファスシリコン、低温ポリシリコンその他の半導体を用いることができる。また、ソース電極２８及びドレイン電極２９は、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｌ、導電性有機材料等の導電材料で形成することができる。
【００３２】
ソース電極２８及びドレイン電極２９の上には、第２の層間絶縁膜５１が形成され、ソース電極２８に達するスルーホールが形成される。そして、ソース電極２８と電気的に接続されるように下部電極５２が形成される。本実施形態では、下部電極５２を陽極とする。さらに、下部電極５２の一部を覆って、発光領域を規定する画素分離膜５３が絶縁材料で形成される。発光領域は、下部電極５２と有機層６０が接する領域である。下部電極５２と画素分離膜５３の上には、有機層６０が形成され、有機層６０の上には透明な上部電極７０が形成される。上部電極７０は、下部電極５２と対となる陰極であり、有機層６０に電流を供給する。下部電極５２から注入されるホールと上部電極７０から注入される電子は有機層６０に含まれる発光層で再結合し、発光層を形成する有機材料が励起される。励起状態にある有機材料は、基底状態や他の低エネルギー準位に遷移する際に光を放出する。本実施形態では、そのようにして発生した光が上部電極７０を透過し、紙面上方側から観察されることになる。
【００３３】
上部電極７０の上には、有機層６０に水分や空気が侵入することを防ぐ透明な封止膜７１が形成される。また、封止基板７３は、封止膜７１と封止基板７３の間に樹脂や窒素等の充填剤７２を詰めた上で、有機ＥＬパネル１０の縁で接着される。カラーフィルタ方式の有機ＥＬ表示装置の場合、封止基板７３のうち発光領域の上方にカラーフィルタが形成される。
【００３４】
測定電極５０部分の構成について、絶縁基板２０、絶縁層２１、ゲート絶縁膜２５、及び第１の層間絶縁膜２７が積層されている点は画素部分と同様である。測定電極５０の周囲には、有機層６０のうち少なくとも電子注入層が成膜される。有機層６０の上には、上部電極７０が形成され、上部電極７０の上には封止膜７１が形成される。封止膜７１と封止基板７３の間に充填剤７２が詰められ、封止基板７３によって密閉される点は上述の通りである。
【００３５】
図４は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１の製造方法を示すフローチャートである。本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１の製造方法は、ＴＦＴ基板形成工程（Ｓ１００）から始まる。ＴＦＴ基板形成工程の詳細については次図で説明する。ＴＦＴ基板形成工程（Ｓ１００）は、絶縁基板２０にＴＦＴ回路、下部電極、有機層、及び上部電極を積層していき、封止膜７１を形成するまでの工程である。その後、得られたＴＦＴ基板に水分や空気が侵入しないように充填剤７２を詰めて封止基板７３を接着して密閉する封止基板貼付工程（Ｓ２００）が行われ、有機ＥＬパネル１０が得られる。最後に、有機ＥＬパネル１０を挟み込むように上フレーム２及び下フレーム３を取り付ける上下フレーム取付工程（Ｓ３００）が行われ、本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１の製造方法は完了する。
【００３６】
図５は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１の製造方法におけるＴＦＴ基板形成工程（Ｓ１００）を示すフローチャートである。本実施形態では、はじめにＴＦＴ回路形成工程（Ｓ１１２）及び測定電極形成工程（Ｓ１１４）が同時に行われる（Ｓ１１０）。ここで、ＴＦＴ回路は、上述のドレイン電極層２２、ソース電極層２３、ゲート電極層２６等からなり、各画素の発光量の制御を行う回路である。
【００３７】
測定電極５０形成工程（Ｓ１１４）では、真空蒸着やスパッタリング等の公知の方法で測定電極５０が形成される。本実施形態では、図５で示されるように、測定電極５０の形成と並行して、ソース電極２８及びドレイン電極２９が形成される。そのため、測定電極５０とソース電極２８及びドレイン電極２９は同一の導電材料で形成される。また、測定電極５０の厚さとソース電極２８及びドレイン電極２９の厚さは、おおよそ同じになる。なお、本実施形態においては、ソース電極２８及びドレイン電極２９が測定電極５０と共に形成されることとしたが、ゲート電極層２６が測定電極５０と共に形成されることとしてもよいし、ドレイン電極層２２及びソース電極層２３と共に測定電極５０が形成されることとしてもよい。また、図３に示されていないトランジスタの電極や信号線が測定電極５０と共に形成されることとしてもよい。
【００３８】
次に、下部電極５２形成工程（Ｓ１２０）が公知の方法により行われる。下部電極５２は、前述のように第２の層間絶縁膜５１にスルーホールを設けることでソース電極層２３と電気的に接続され、有機層６０に含まれる発光層に電流を供給するために用いられる。
【００３９】
その後、画素分離膜５３形成工程（Ｓ１３０）が公知の方法により行われる。画素分離膜５３は、有機ＥＬ表示装置の表示領域にマトリクス状に配置される画素を仕切る絶縁材料であり、隣接画素に配置された下部電極５２間を絶縁するものである。
【００４０】
有機層６０成膜工程（Ｓ１４０）では、有機層６０の成膜を行う。成膜する有機層は、下部電極５２側から順に、ホール注入層、ホール輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層である。本実施形態では、少なくとも電子注入層を、有機材料及びＬｉ等のアルカリ金属の共蒸着によって成膜する。そのような構成を採用することにより、有機発光ダイオードの駆動電圧を低下させることができる。有機材料及びアルカリ金属の共蒸着は、０．００１ｎｍ／ｓ〜１ｎｍ／ｓ、好ましくは０．０１ｎｍ／ｓ〜０．１ｎｍ／ｓという低レートで行う必要があり、本実施形態では、測定電極５０を用いた成膜センサによりそのような低レートの成膜を実現する。
【００４１】
有機層６０成膜工程（Ｓ１４０）のうち、少なくとも電子注入層の成膜の際には、２本の測定電極５０間に電圧を印加し、測定電極５０間に流れる電流を計測することにより、共蒸着により成膜された電子注入層の膜厚を測定する。図６は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１の製造方法における有機層６０成膜工程で用いられる蒸着マスク１００を示す図である。共蒸着工程は、専用の蒸着マスク１００を用いて行われる。当該蒸着マスク１００は、表示領域５に対向する領域に設けられた表示領域開口部１１０と、測定電極５０に対向する領域に設けられた測定電極開口部１２０と、を有するものである。共蒸着工程以前の工程では、測定電極５０に対向する領域に測定電極開口部１２０を有さない蒸着マスクを用いる。また、共蒸着工程以後に行われる工程では、マスクを用いずに工程が実施される。
【００４２】
図７は、図３と同じ断面で観察した、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１の製造方法における有機層６０成膜工程（Ｓ１４０）のうち、特に共蒸着の工程を示す断面図である。有機層６０成膜工程（Ｓ１４０）以前に、ＴＦＴ回路及び測定電極５０形成工程（Ｓ１１０）、下部電極５２形成工程（Ｓ１２０）、画素分離膜５３形成工程（Ｓ１３０）が行われている。蒸着物２００は、有機材料及びＬｉ等のアルカリ金属であり、電子注入層を形成するものである。図示しない蒸着マスク１００には、表示領域５上方に設けられた表示領域開口部１１０と、測定電極５０上方に設けられた測定電極開口部１２０との２つの開口部がある。
【００４３】
絶縁基板２０上に形成されたＴＦＴ基板内には、ドレイン電極層２２、ソース電極層２３、ゲート電極層２６等が形成されている。前述の通り、ドレイン電極層２２及びソース電極層２３は、測定電極５０と共に形成されるものである。
【００４４】
有機材料及びＬｉ等のアルカリ金属の共蒸着により測定電極５０間に有機層６０が成膜されるにつれて、測定電極５０間で測定される電流等の電気物理量が変化していく。測定電極５０間に有機層６０が成膜されることで、測定電極５０間の電気抵抗が変化するためである。測定された電流値等は、下部電極５２及び画素分離膜５３に成膜された有機層６０の膜厚に読み替えることができる。成膜センサとなる測定電極５０はＴＦＴ回路と同じ基板上に形成されるため、蒸発源に近付けることによる輻射熱の影響はほとんどない。本実施形態では、このような構成を採用することにより、０．００１ｎｍ／ｓ〜１ｎｍ／ｓといった低レートの成膜であっても十分な精度で有機層６０の成膜を行い、有機ＥＬ表示装置１の製造を行うことができる。
【００４５】
なお、本実施形態においては、共蒸着工程以前の工程では、測定電極５０に対向する領域に測定電極開口部１２０を有さない蒸着マスクを用いることとしたが、通常の蒸着工程において、測定電極５０上方に測定電極開口部１２０を設けた蒸着マスク１００を用いて、測定電極５０による膜厚測定を行うこととしてもよい。
【００４６】
通常の蒸着工程において膜厚測定を行う場合に、測定電極５０間で測定される電気物理量として電流（もしくは測定電極５０間の電気抵抗）ばかりでなく、静電容量やインダクタンス、共振周波数等を用いることもできる。測定電極５０間に成膜される層が導電材料の場合、直流電流を測定することは容易だが、絶縁材料を成膜する場合は測定電極５０間の電気抵抗が高く、直流電流を測定することは困難となる。従って、静電容量やインダクタンス、共振周波数等を測定することが望ましくなる。
【００４７】
図５に戻り、上部電極７０形成工程（Ｓ１５０）では、陰極となる上部電極７０をスパッタリング等の公知の方法で形成する。本実施形態では、上部電極７０をＩＴＯ（Indium Tin Oxide）やＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）等の透明材料により形成する。
【００４８】
封止膜７１形成工程（Ｓ１６０）では、ＳｉＮ等による封止膜７１が化学的気相成長法等の公知の方法により形成される。封止膜７１は、有機層６０の劣化原因となる空気や水の侵入を排除する。封止膜７１形成工程（Ｓ１６０）の後、充填剤７２を詰めて封止基板７３形成工程（Ｓ２００）が行われ、本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１の製造方法により製造した有機ＥＬパネル１０が得られる。
【００４９】
［第２の実施形態］
図８は、本発明の第２の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１の製造方法におけるＴＦＴ基板形成工程を示すフローチャートである。第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法におけるＴＦＴ基板形成工程との違いは、はじめにＴＦＴ回路形成工程（Ｓ１１２）を行い、その後、下部電極５２形成工程（Ｓ１２０）及び測定電極５０形成工程（Ｓ１１４）を同時に行う点である（Ｓ１２５）。画素分離膜５３形成工程（Ｓ１３０）以降の工程については共通している。
【００５０】
本実施形態では、ＴＦＴ回路形成工程（Ｓ１１２）において第１の実施形態で説明したように公知の方法でＴＦＴ回路等を形成する。その後、下部電極５２形成工程（Ｓ１２０）及び測定電極５０形成工程（Ｓ１１４）において、表示領域５の外側に測定電極５０を形成し、並行して画素部分に下部電極５２を形成する。この際、測定電極５０と下部電極５２は同一の材料で形成され、測定電極５０の厚さと下部電極６２の厚さは、おおよそ同じになる。本実施形態に係る有機ＥＬパネル１０の断面図は、測定電極５０の材料が下部電極５２のものとなる以外、第１の実施形態の場合を示す図３と同様である。下部電極５２を測定電極５０と同時に形成した場合であっても、第１の実施形態と同様に、有機層成膜工程（Ｓ１４０）におけるいずれかの蒸着工程において、測定電極開口部１２０を設けた蒸着マスクを用いることにより、測定電極５０を用いて膜厚を測定しつつ、成膜することができる。
【００５１】
［第３の実施形態］
図９は、本発明の第３の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１の製造方法により得られる有機ＥＬパネル１０の概略図である。図２に示す第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１の製造方法により得られる有機ＥＬパネル１０との違いは、表示領域５の外側の絶縁基板２０上に測定電極５０が複数対形成される点である。
【００５２】
各測定電極５０の周囲には、有機層６０のうち少なくとも有機材料及びＬｉ等のアルカリ金属からなる電子注入層が成膜されている。前述の通り、有機層６０成膜工程（Ｓ１４０）のうち少なくとも共蒸着工程において、表示領域開口部１１０及び測定電極開口部１２０を有する蒸着マスク１００を用いて、有機層６０の膜厚を測定しながら成膜を行うためである。
【００５３】
本実施形態のように測定電極５０を複数対形成すると、有機ＥＬパネル１０全面における有機層６０の膜厚分布を測定することができる。そのような測定データに基づいて蒸着を制御することで、表示領域５の位置によって膜厚がばらつくことを抑制し、さらに高い精度で蒸着による成膜を行うことができるようになる。
【００５４】
測定電極５０を複数対形成する場合、各測定電極５０について独立に電圧を印加し、電流等の電気物理量を測定してもよいし、全部又は一部の測定電極５０を並列に接続し、測定に必要となる電源や電流計等の数を減らすこととしてもよい。
【００５５】
［第４の実施形態］
図１０は、本発明の第４の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１の製造方法により得られる多面取り基板８０の概略図である。多面取り基板８０とは、複数の有機ＥＬパネル１０が形成された１枚の絶縁基板をいう。多面取り基板８０を用いる場合、ＴＦＴ基板形成工程（Ｓ１００）の後に各有機ＥＬパネル１０を切り出すダイシング工程を行い、封止基板７３貼付工程（Ｓ２００）に進む。本実施形態の場合、測定電極５０は、有機ＥＬパネル１０として切り取られる領域の外側に形成される。つまり、本実施形態の場合、測定電極５０はダイシング工程で切り落とされ、有機ＥＬ表示装置１には残らないことになる。この場合、有機層６０成膜工程（Ｓ１４０）のうち少なくとも共蒸着工程において、表示領域開口部１１０及び測定電極開口部１２０を有する蒸着マスク１００を用いて、有機層６０の膜厚を測定しながら成膜を行う。測定電極開口部１２０は、多面取り基板８０の隅にのみ設けられる。
【００５６】
なお、図１０では、本発明の実施形態の把握を容易にするため、各部の寸法を実際のものから大きく変更して多面取り基板８０を描いている。実際には、測定電極５０は第１の実施形態におけるものと同様に、有機ＥＬパネル１０の表示領域５の外側に収まる程度の寸法であってよい。多面取り基板８０の寸法は、例えば、縦７３ｃｍ×横４９ｃｍであり、形成する有機ＥＬパネル１０のサイズ等に応じて各有機ＥＬパネル１０の間隔を決定することとしてもよい。
【００５７】
［第５の実施形態］
図１１は、本発明の第５の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１の製造方法により得られる多面取り基板８０の概略図である。第４の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１の製造方法により得られる多面取り基板８０との違いは、測定電極５０が各有機ＥＬパネル１０に隣接するように複数対形成されている点である。この場合も、有機層６０成膜工程（Ｓ１４０）のうち少なくとも共蒸着工程において、表示領域開口部１１０及び測定電極開口部１２０を有する蒸着マスク１００を用いて、有機層の膜厚を測定しながら成膜を行う。
【００５８】
本実施形態のように多面取り基板８０上に複数対の測定電極５０を形成することによって、多面取り基板８０における有機層の膜厚分布を測定することができる。そのような測定データに基づいて蒸着を制御することで、多面取り基板８０に形成される各有機ＥＬパネル１０の位置によって膜厚がばらつくことを抑制し、さらに高い精度で蒸着による成膜を行うことができるようになる。各測定電極５０に対しそれぞれ電源や電流計等を用意してもよいし、全部又は一部の測定電極５０を並列に接続し、測定に必要となる電源や電流計等の数を減らすこととしてもよい点は第３の実施形態と同様である。
【００５９】
図１１では、各有機ＥＬパネル１０の両側に測定電極５０を形成しているが、測定電極５０をさらに多く形成することとしてもよい。その場合、例えば、縦一列に並んだ測定電極５０を並列に接続し、電気物理量を測定することとしてもよい。
【００６０】
本発明の実施形態として上述した有機ＥＬ表示装置１の製造方法及び有機ＥＬ表示装置１を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての有機ＥＬ表示装置１の製造方法及び有機ＥＬ表示装置１も、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。
【００６１】
本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。例えば、前述の各実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除若しくは設計変更を行ったもの、又は、工程の追加、省略若しくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。
【００６２】
また、本実施形態において述べた態様によりもたらされる他の作用効果について本明細書記載から明らかなもの、又は当業者において適宜想到し得るものついては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。
【符号の説明】
【００６３】
１  有機ＥＬ表示装置、２  上フレーム、３  下フレーム、５  表示領域、１０  有機ＥＬパネル、２０  絶縁基板、２１  絶縁層、２２  ドレイン電極層、２３  ソース電極層、２４  チャネル層、２５  ゲート絶縁膜、２６  ゲート電極層、２７  第１の層間絶縁膜、２８  ソース電極、２９  ドレイン電極、３０  駆動回路、４０  接続端子、５０  測定電極、５１  第２の層間絶縁膜、５２  下部電極、５３  画素分離膜、６０  有機層、７０  上部電極、７１  封止膜、７２  充填剤、７３  封止基板、８０  多面取り基板、１００  蒸着マスク、１１０  表示領域開口部、１２０  電極間開口部、２００  蒸発物、３００  蒸発源、４００  成膜センサ、４５０  水晶振動子。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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