(57)【要約】【課題】  高密度実装における接続信頼性の向上を実現する電子部品パッケージを提供すること。【解決手段】  電子部品パッケージは、リッジおよび谷を交互に有する蛇腹形状の第１の領域および平坦な第２の領域を含む主面を備えた封止樹脂層と、電極を備え、電極の主面が第２の領域から露出するように封止樹脂層に埋設された電子部品と、封止樹脂層の主面の第１および第２の領域ならびに電極の主面上に一体構成で設けられ、第１の領域上の部分は当該第１の領域の輪郭に沿ってリッジおよび谷を交互に有する蛇腹形状である金属めっきパターン層と、を備えている。【選択図】図７
2016021557.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リッジおよび谷を交互に有する蛇腹形状の第１の領域および平坦な第２の領域を含む主面を備えた封止樹脂層と、
電極を備え、前記電極の主面が前記第２の領域から露出するように前記封止樹脂層に埋設された電子部品と、
前記封止樹脂層の前記主面の前記第１および第２の領域ならびに前記電極の主面上に一体構成で設けられ、前記第１の領域上の部分は当該第１の領域の輪郭に沿ってリッジおよび谷を交互に有する蛇腹形状である金属めっきパターン層と、を備えた、電子部品パッケージ。
【請求項２】
前記封止樹脂層の前記主面の前記第２の領域と前記電極の前記主面とが同一平面上に位置し、
前記金属めっきパターン層の前記第１の領域上以外の部分は、前記封止樹脂層の前記第２の領域および前記電極の主面と対向するように前記同一平面上に位置する、請求項１に記載の電子部品パッケージ。
【請求項３】
前記封止樹脂層の前記第１の領域は、前記第２の領域よりも前記封止樹脂層の内側に向かって局所的に窪んだ形態を有している、請求項１または２に記載の電子部品パッケージ。
【請求項４】
前記金属めっきパターン層は相対的に前記封止樹脂層側に設けられた乾式めっき層と相対的に前記封止樹脂層と反対側に設けられた湿式めっき層とを備え、
前記乾式めっき層は、Ｔｉ、ＣｒおよびＮｉから成る群から選択される少なくとも１種類の金属材料を含み、
前記湿式めっき層は、ＣｕおよびＡｌから成る群から選択される少なくとも１種類の金属材料を含む、請求項１から３の何れかに記載の電子部品パッケージ。
【請求項５】
前記電子部品は、発光素子であり、
前記封止樹脂層は、透明樹脂層であり、
前記乾式めっき層は、反射層である、請求項４に記載の電子部品パッケージ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、エレクトロニクス分野で用いる電子部品を備えたパッケージに関する。
【背景技術】
【０００２】
電子機器の進展に伴い、エレクトロニクス分野では様々な実装技術が開発されている。ＩＣやインダクタなどの電子部品の実装技術（パッケージング技術）として、回路基板やリードフレームを用いた実装技術が存在する。つまり、一般的な電子部品のパッケージ形態としては「回路基板を用いたパッケージ」および「リードフレームを用いたパッケージ」などが存在する（特許文献１〜３参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】米国特許第７９２７９２２号公報
【特許文献２】米国特許第７２０２１０７号公報
【特許文献３】特表２００８−５２２３９６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本開示は、接続信頼性の向上を実現する電子部品パッケージ技術を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本開示の一態様に係る電子部品パッケージは、封止樹脂層と、電子部品と、金属めっきパターン層と、を備えている。封止樹脂層は、リッジおよび谷を交互に有する蛇腹形状の第１の領域および平坦な第２の領域を含む主面を備えている。前記電子部品は、電極を備え、前記電極の主面が前記第２の領域から露出するように前記封止樹脂層に埋設されている。金属めっきパターン層は、前記封止樹脂層の前記主面の前記第１および第２の領域ならびに前記電極の主面上に一体構成で設けられている。前記金属めっきパターン層の前記第１の領域上の部分は、当該第１の領域の輪郭に沿ってリッジおよび谷を交互に有する蛇腹形状である。
【発明の効果】
【０００６】
本開示に従えば、接続信頼性が向上し得る。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】図１は本開示に係る電子部品パッケージの製造方法の概念を模式的に示した断面図である。
【図２】図２は第１実施形態に従った本開示の電子部品パッケージの製造方法を模式的に示した工程断面図である。
【図３】図３は第１実施形態に従った本開示の電子部品パッケージの製造方法を模式的に示した工程断面図である。
【図４】図４は第２実施形態に従った本開示の電子部品パッケージの製造方法を模式的に示した工程断面図である。
【図５】図５は第３実施形態に従った本開示の電子部品パッケージの製造方法を模式的に示した工程断面図である。
【図６】図６は第４実施形態に従った本開示の電子部品パッケージの製造方法を模式的に示した工程断面図である。
【図７】図７は本開示の電子部品パッケージの構成を模式的に示した断面図である。
【図８】図８は電子部品パッケージの構成態様を模式的に示した断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
（本開示の基礎となった知見）
「回路基板を用いたパッケージ」（図８（ａ）参照）は、回路基板上に電子部品が実装された形態を有している。かかるパッケージの種類としてはワイヤーボンディング型（Ｗ／Ｂ型）とフリップチップ型（Ｆ／Ｃ型）とが一般に存在する。「リードフレーム・タイプ」（図８（ｂ）参照）は、リードやダイパッドなどから成るリードフレームを含んだ形態を有している。回路基板を用いたパッケージ、リードフレーム・タイプのパッケージともに、各種の電子部品がはんだ付けなどでボンディングされている。本発明者らは、この様なパッケージ技術に関し、以下の問題が生じることを見出した。
【０００９】
「回路基板を用いたパッケージ」（図８（ａ）参照）は、高密度実装を実現できるものの、回路基板を用いているので放熱性の点で課題を残している。また、基板コスト自体も無視できず、コスト的には必ずしも満足のいくものとはいえない。更に、ワイヤーボンディングやフリップチップ実装を行うためのコストも無視できず、更なるコスト低減が望まれている（例えば、フリップチップ実装では高価なマウンターが必要である）。
【００１０】
「リードフレーム・タイプ」（図８（ｂ）参照）は、リードフレームで微細な加工が困難であるため、高密度実装によるパッケージ小型化には向かない。更に、「回路基板を用いたパッケージ」および「リードフレーム・タイプ」ともに、はんだ付けがなされているので、全体を樹脂で封止した場合、いわゆる“はんだフラッシュ”の問題に対応する必要がある。よって、「回路基板を用いたパッケージ」および「リードフレーム・タイプ」ともに、接続信頼性の点では必ずしも満足のいくものとはいえない。はんだフラッシュとは、モジュール実装はんだ付けにおける加熱に際して、パッケージ内の部品接合に用いられているはんだ材料が、再溶融してしまい、微細な隙間に浸み出たり（即ち、フラッシュ）、短絡を起こしたりする現象である。すなわち、従来の実装技術においては、接続信頼性および放熱特性の点で十分でないという問題がある。
【００１１】
本開示はかかる事情に鑑みて為されたものである。即ち、本開示は、望ましい接続信頼性および放熱特性を満たすと共に、高密度実装での小型化に寄与するパッケージング技術を提供する。
【００１２】
このため、本願発明者らは、従来技術の延長線上で対応するのではなく、新たな方向で対処することによって上記課題の解決を試みた。その結果、本開示の電子部品パッケージおよびその製造方法が得られた。
【００１３】
本開示の一態様に従えば、封止樹脂層から露出する電子部品の電極に対して金属めっき層／金属めっきパターン層を直接接合させ、且つその金属めっき層／金属めっきパターン層を封止樹脂層の凹凸面上にも設けるので、接続信頼性および放熱特性が向上し得る。
【００１４】
本開示において、「凹凸」は、リッジおよび谷を交互に有する蛇腹形状を含む。また、本開示において、蛇腹形状をミアンダ形状と呼ぶ場合もある。
【００１５】
具体的には、本開示の一態様では、キャリア上にて電子部品の配置および封止樹脂層の形成を行った後でキャリアを剥離除去し、それによって、電子部品の電極が封止樹脂層の主面から露出するように電子部品が封止樹脂層に埋設されたパッケージ前駆体を得、
キャリアの剥離除去の前に封止樹脂層の主面レベル（即ち、電子部品の電極が露出することになる封止樹脂層の主面レベル）から内部側（即ち、封止樹脂層の内部側）へと延在する樹脂層内在物を少なくとも１つ設け、キャリアの剥離除去の後に樹脂層内在物を除去することによって、封止樹脂層の主面に凹凸面を形成し、
キャリアの剥離除去の後において封止樹脂層の主面上に金属めっき処理を全面的に施し、それによって、金属めっき層を封止樹脂層から露出する電極に接合させると共に、その金属めっき層を凹凸面上に設ける、電子部品パッケージの製造方法が提供される。
【００１６】
かかる本開示の一態様に係る電子部品パッケージの製造方法の特徴の１つは、「樹脂層内在物を利用した封止樹脂層凹凸面の形成」と「露出電極面に接合する金属めっき層の凹凸面上への形成」に存する。つまり、この製造方法では、キャリアの剥離除去の前に樹脂層内在物を少なくとも１つ設け、キャリアの剥離除去の後に樹脂層内在物を除去して封止樹脂層の主面に凹凸面を形成すること、および、キャリアの剥離除去後にて金属めっき処理を施して、封止樹脂層から露出する電極に接合する金属めっき層を封止樹脂層の凹凸面へと形成する。
【００１７】
また、本開示では、上記製造方法によって得られる電子部品パッケージも提供される。かかる電子部品パッケージは、
封止樹脂層、
封止樹脂層に埋設された電子部品、および
封止樹脂層上に設けられた金属めっきパターン層
を有して成り、
電子部品の電極が封止樹脂層の主面から露出していると共に、その電極が露出している封止樹脂層の主面が凹凸面を備え、
金属めっきパターン層が、封止樹脂層の凹凸面に設けられていると共に電子部品の電極に対して接合しており、また
金属めっきパターン層が、相対的に内側に位置付けられた乾式めっき層と相対的に外側に位置付けられた湿式めっき層とから成る積層構造を有している。
【００１８】
かかる本開示の一態様に係る電子部品パッケージの特徴の１つは「電子部品の電極が露出している封止樹脂層主面に形成された凹凸面」および「露出電極面に直接接合すると共に凹凸面上に位置付けられた“乾式めっき層と湿式めっき層とから成る積層構造の金属めっきパターン層”」に存する。つまり、この電子部品パッケージでは、電子部品の電極が封止樹脂層の主面から面一状態で露出していると共に、その電極が露出している封止樹脂層の主面が凹凸面を有していること、および、その封止樹脂層の凹凸面に設けられ、電子部品の電極露出面と直接的に接合している金属めっきパターン層が「相対的に内側に位置付けられた乾式めっき層と相対的に外側に位置付けられた湿式めっき層とから成る積層構造」を有している。
【００１９】
また、本開示の他の態様に係る電子部品パッケージは、封止樹脂層と、電子部品と、金属めっきパターン層と、を備えている。前記封止樹脂層は、リッジおよび谷を交互に有する蛇腹形状の第１の領域および平坦な第２の領域を含む主面を備えている。前記電子部品は、電極を備え、前記電極の主面が前記第２の領域から露出するように前記封止樹脂層に埋設されている。前記金属めっきパターン層は、前記封止樹脂層の前記主面の前記第１および第２の領域ならびに前記電極の主面上に一体構成で設けられている。前記金属めっきパターン層の前記第１の領域上の部分は当該第１の領域の輪郭に沿ってリッジおよび谷を交互に有する蛇腹形状である。
【００２０】
上記構成によれば、金属めっきパターン層は、第１の領域上に当該第１の領域の輪郭に沿ってリッジおよび谷を交互に有する蛇腹形状を有する。従って、電子部品パッケージは伸縮しやすくなる。また、金属めっきパターン層は、封止樹脂層の主面の第１および第２の領域ならびに電極の主面上に一体構成で設けられている。従って、電子部品パッケージの第１の領域上の部分、第２の領域上の部分および電極の主面上の部分の間に接続界面がない。よって、電子部品パッケージが伸縮したときにかかる応力が接続界面に集中する、という問題を回避することができ、接続信頼性が向上する。
【００２１】
金属めっきパターン層は、第１の領域全体を覆うものであってもよいし、一部を覆うものであってもよい。よって、金属めっきパターン層の蛇腹形状の範囲は、封止樹脂層の蛇腹形状の範囲とほぼ一致するものであってもよいし、封止樹脂層の蛇腹形状の範囲よりも小さくてもよい。例えば、金属めっきパターン層の蛇腹形状の幅（即ちリッジの長さ）が封止樹脂層の蛇腹形状の幅（即ちリッジの長さ）よりも狭くてもよい。また、金属めっきパターン層の蛇腹形状および封止樹脂層の蛇腹形状の幅は、それぞれ、一定であってもよいし、位置により変化するものであってもよい。即ち、金属めっきパターン層の蛇腹形状の複数のリッジが全て同じ長さであってもよいし、異なる長さを持っていてもよい。また、封止樹脂層の蛇腹形状の複数のリッジが全て同じ長さであってもよいし、異なる長さを持っていてもよい。また、封止樹脂層の蛇腹形状のリッジおよび金属めっきパターン層の蛇腹形状のリッジは、真っ直ぐに伸びる形状であってもよいし、湾曲した形状であってもよい。
【００２２】
前記封止樹脂層の前記主面の前記第２の領域と前記電極の前記主面とが同一平面上に位置していてもよい。また、前記金属めっきパターン層の前記第１の領域上以外の部分は、前記封止樹脂層の前記第２の領域および前記電極の主面と対向するように前記同一平面上に位置していてもよい。
【００２３】
上記構成によれば、電極の主面と封止樹脂層の主面の第２の領域とが同一平面上に位置し、金属めっきパターン層の第１の領域上以外の部分は、封止樹脂層の前記第２の領域および電極の主面と対向するように同一平面上に位置する。従って、金属めっきパターン層の電極上の部分と第２領域上の部分とが段差なく繋がる。よって、電子部品パッケージが伸縮したときにかかる応力が段差部分に集中する、という問題を回避することができ、接続信頼性が向上する。
【００２４】
前記封止樹脂層の前記第１の領域は、前記第２の領域よりも前記封止樹脂層の内側に向かって局所的に窪んだ形態を有していてもよい。また、前記金属めっきパターン層は相対的に前記封止樹脂層側に設けられた乾式めっき層と相対的に前記封止樹脂層と反対側に設けられた湿式めっき層とを備えていてもよい。前記乾式めっき層は、Ｔｉ、ＣｒおよびＮｉから成る群から選択される少なくとも１種類の金属材料を含むものであってもよい。前記湿式めっき層は、ＣｕおよびＡｌから成る群から選択される少なくとも１種類の金属材料を含むものであってもよい。前記電子部品は、発光素子であってもよい。前記封止樹脂層は、透明樹脂層であってもよい。前記乾式めっき層は、反射層であってもよい。
【００２５】
上述したように、本開示の一態様に従えば、望ましい放熱特性および接続信頼性を達成できる。
【００２６】
“放熱特性”についていえば、本開示の一態様ではワイヤーボンディングやバンプを介した実装が為されておらず（即ち、パッケージがワイヤーボンディングレス・バンプレスとなっており）、電子部品からの熱が金属めっき層／金属めっきパターン層を介して効率良く放熱されるようになっている。金属めっき層／金属めっきパターン層は熱伝導性の高い銅などの材質から形成でき、かつ、“厚みの大きい層”として設けることができるので、それを介して効率よく外部へと熱を逃がすことができる。特に本開示では“凹凸状に金属めっき層／金属めっきパターン層”を形成できるため、“より高い放熱特性”および“高密度実装”を同一パッケージで両立することができる。即ち、狭ピッチで多ピン接続が要求される電子部品は、実装面積および配線面積が限られている。そのような電子部品において金属めっきパターン層を凹凸状に微細化にする（即ち、金属めっきパターン層による配線幅及び配線間幅を狭くする）。これによって、“金属めっきパターン層の高密度特性”を達成できる。更に、封止樹脂層の内部領域へと延在するように凹凸状に金属めっきパターン層を設けて表面積を大きくしているので“金属めっきパターン層を介した更に高い放熱特性”を達成できる。
【００２７】
また、凹凸形状の金属めっき層／金属めっきパターン層は、“凹凸のない配線層”と比べて同一の配線配置面積において配線長を結果として長くすることができる。つまり、“配線長を制御することが可能な金属めっき層／金属めっきパターン層”を実現できる。これは、凹凸形状によって、信号遅延の問題に対応した適切な配線長の設計が可能となることを意味している。
【００２８】
また、本開示において凹凸形状の金属めっき層／金属めっきパターン層は、フレキシブル・デバイスやストレッチャブル・デバイスのように曲げや伸びの機能が求められる配線として機能させることもできる。よって、“凹凸のない配線”と比して優位性を呈し得る。
【００２９】
本開示の一態様では“はんだ付け”を行わずにパッケージングを達成している。即ち“はんだ材料”を用いないパッケージが実現されている。それゆえ、“はんだフラッシュ”が回避されており、その点で“接続信頼性”の向上を図ることができる。特に、曲げまたは伸びの応力が加わった際、配線と電極の間に“はんだ材料などの接続介在物”がないことから接続界面破壊による接続不良が起りにくい。
【００３０】
更には、本開示の一態様に係るパッケージは“基板レス構造”となっている。この“基板レス構造”は、基板を用いていないので、パッケージ全体の厚みを薄くすることができる。よって、パッケージ全体に可とう性を付与することができる。換言すれば、パッケージ全体の伸縮性を向上させることができる。また、基板を用いていない分だけ低コスト製造に寄与する。また、ワイヤーボンディングやフリップチップ実装などと比べて簡易なプロセスでパッケージングできるので、その点でも低コスト化を図ることができる。
【００３１】
以下にて、本開示の一態様に係る電子部品パッケージおよびその製造方法を詳細に説明する。尚、図面に示す各種の要素は、本開示の理解のために模式的に示したにすぎず、各図における寸法（即ち、長さ、幅、厚さ等）、外観・寸法比などは実物と異なり得る。
【００３２】
本明細書で直接的または間接的に説明される“方向”は、例えば電子部品３０とその電極３５との位置関係を基準とした方向であって、“上下方向”が図中の上下方向に相当する。具体的には、各図における“上下方向”に対応し、電子部品３０を基準として電極３５が設けられる側を「下方向」とし、その反対側を「上方向」としている。
【００３３】
［本開示の製造方法］
まず、本開示に係る電子部品パッケージの製造方法について説明する。本開示の製造方法は、図１に示されるように、キャリアの剥離除去の前に樹脂層内在物を少なくとも１つ設け、キャリアの剥離除去の後にその樹脂層内在物を除去して封止樹脂層の主面に凹凸面を形成する。また、キャリアの剥離除去後において封止樹脂層の主面に対して金属めっき処理を全面的に施して「封止樹脂層から露出する電極に接合する金属めっき層」を封止樹脂層の凹凸面にまで至るように形成する。
【００３４】
具体的には、まず、「キャリア上にて電子部品の配置および封止樹脂層の形成を行った後でキャリアを剥離除去することによって、電子部品の電極が封止樹脂層の主面から露出するように電子部品が封止樹脂層に埋設されたパッケージ前駆体」を得る。ここで、かかるパッケージ前駆体を得るに際しては“樹脂層内在物”を利用する。特に封止樹脂層形成に際して“樹脂層内在物”を設け、その“樹脂層内在物”をキャリア上にて封止樹脂層と一体化させる。これにより、その後にてキャリアを剥離除去すると、封止樹脂層に凹凸面が形成されることになる。つまり、封止樹脂層の主面に凹凸面が形成されたパッケージ前駆体を得ることができる。
【００３５】
樹脂層内在物は、封止樹脂層の主面レベル（即ち、電子部品の電極が露出することになる主面レベル）から封止樹脂層の内部側へと延在するように設けられる。つまり、封止樹脂層とキャリアとの間に介在するように“樹脂層内在物”が設けられる。このような“樹脂層内在物”は、１つに限定されず、複数個であってよい。特に、複数の“樹脂層内在物”は相互に隣接するように設けることが望ましい。つまり、アレイ配列の形態を有するように複数の樹脂層内在物を互いに横並びに隣接して設けることが望ましい。
【００３６】
本明細書において「樹脂層内在物」とは、パッケージ前駆体を得るに際して封止樹脂層に内在させる部材を意味しており、特に「電子部品の電極が露出することになる封止樹脂層主面レベル」から「封止樹脂層の内部」へと延在するように封止樹脂層に内在させる部材を意味している。かかる樹脂層内在物は、封止樹脂層の凹凸面形成に資する。換言すれば、本開示における「樹脂層内在物」は、封止樹脂層の主面に凹凸面が形成されたパッケージ前駆体を得るべくキャリア上の封止樹脂層に対して埋設させる部材である。
【００３７】
また、本明細書でいう「キャリア」とは、電子部品配置および封止樹脂層形成の支持体として用いられ、最終的には剥離除去される部材を意味している。キャリアは、シート状部材であってもよく、例えば粘着性および／または可撓性を有するシート状部材であってよい。
【００３８】
図１の上段左側に示すように、「樹脂層内在物」の設置は、キャリア上にダミー部材を少なくとも１つ配置することによって行ってよい。つまり、キャリア上に電子部品およびダミー部材を配置した後、それらを覆うようにキャリア上に封止樹脂層を形成することによって、樹脂層内在物としてダミー部材を封止樹脂層に設けることができる。
【００３９】
また、図１の上段右側に示すように、「樹脂層内在物」の設置は、キャリアとして「突起部を少なくとも１つ備えた突起キャリア」を用いることによって行ってもよい。つまり、「突起部を少なくとも１つ備えた突起キャリア」上に電子部品を配置した後、その電子部品を覆うように突起キャリア上に封止樹脂層を形成することによって、樹脂層内在物として突起キャリアの突起部を封止樹脂層に設けることができる。
【００４０】
パッケージ前駆体の封止樹脂層の主面に形成される凹凸面は、図１の中段に示すように、封止樹脂層の内部側へとへこむような形態を望ましくは有し得る。つまり、凹凸面としては、電極の露出面レベルよりも内側に向かって封止樹脂層の主面が局所的に窪んだ面を形成することが望ましい。これは、電子部品の電極が露出することになる封止樹脂層主面の一部が、外側へと突出することなく内側へと窪んで凹凸部分を成すことを意味している。凹凸面は、樹脂層内在物に起因して形成されるので、その凹凸面の輪郭は、樹脂層内在物の形状を反映したものとなり得る。よって、樹脂層内在物の形状・サイズ・配置などを適宜調整することによって、微細な凹凸面を形成することができ、封止樹脂層主面の表面積を効果的に増加させることができる。
【００４１】
例えば、図１に示す断面に垂直な方向に伸びるリッジ形状の「樹脂層内在物」を用いることにより、樹脂層の主面にリッジおよび谷を交互に有する蛇腹形状の凹凸面を形成することができる。リッジ形状の樹脂層内在物は、直線的に伸びる形状であってもよいし、湾曲した形状であってもよい。リッジ形状の樹脂層内在物を複数用いる場合、複数の樹脂層内在物が、リッジが伸びる方向に異なる長さを有していてもよい。樹脂層の主面は、図１に示すように、凹凸面の領域と平坦な領域とを含むように形成される。電子部品の電極は、樹脂層の主面の平坦な領域から露出する。
【００４２】
本開示の製造方法では、キャリアの剥離除去の後において封止樹脂層の主面上に金属めっき処理を全面的に施す。これにより、図１の下段に示すように、封止樹脂層から露出する電極に対して金属めっき層を接合させると共に、その金属めっき層を凹凸面上に設けることができる。つまり、封止樹脂層主面上に形成される金属めっき層は、封止樹脂層から露出する電子部品の電極に接合すると共に、封止樹脂層の主面に形成された凹凸面上に位置付けられる。封止樹脂層の凹凸面上に位置付けられた金属めっき層は凹凸形状を有し得るので、金属めっき層の表面積が全体として増加し得る。このような金属めっき層は、電子部品パッケージの高い放熱特性に有効に寄与し得る。具体的には、電子部品で発せられた熱は、金属めっき層を介して放熱されるところ、金属めっき層の表面積が“凹凸形状”に起因して増したものとなっているので、効率的に放熱がなされる。特に本開示において、金属めっき層の凹凸形状部は、封止樹脂層の内部側へと食い込むように延在しているので、パッケージ全体のサイズが実質的に増すことなく、より大きい表面積の金属めっき層を実現している。
【００４３】
図示するように、金属めっき層として、凹凸面の輪郭に沿うようなミアンダ形状を有する層を形成することが望ましい。端的にいえば、封止樹脂層の凹凸面上に形成される金属めっき層は楯状のミアンダ構造を有していることが望ましい。つまり、金属めっき層の凹凸形状部は、封止樹脂層の凹凸面の輪郭形状と同様な形態を有しており、断面図（パッケージの厚み方向に沿って切断した断面図）において“蛇行”するような形態を有していることが望ましい。このようなミアンダに起因して、金属めっき層の表面積はより効果的に増したものとなり得る。
【００４４】
金属めっき処理としては、乾式めっき法を実施した後で湿式めっき法を実施することが望ましい。つまり、電子部品の電極面が露出する封止樹脂層の主面に対して乾式めっき法を全面的に実施して乾式めっき層を形成し、次いで、その乾式めっき層の主面に対して湿式めっき法を全面的に実施して湿式めっき層を形成することが望ましい。かかるめっき工程は、「電子部品の電極露出面に対してダイレクトに金属層を形成する」といったプロセス的特徴を有している。湿式めっき層は厚く設けることができる。乾式めっき法を実施することにより、後刻の湿式めっき法で厚くかつ密着力良くめっき層を形成できる。特に本開示では、そのような厚い金属めっき層のダイレクト形成を封止樹脂層４０の主面（即ち、電子部品の電極面が露出しており、凹凸部が設けられた主面）に施す。このようにして設けられる厚い金属めっき層は、“凹凸形状”による表面積増加と相俟って、パッケージの高い放熱特性に寄与することになる。
【００４５】
以下では、より具体的なプロセス態様が表された図面を参照しながら、本開示の製造方法を説明する。まず代表的なプロセス例として第１実施形態を挙げ、それに基づいて説明を行う。
【００４６】
（第１実施形態）
第１実施形態に従った本開示の製法プロセスを図２（ａ）〜（ｇ）および図３（ａ）〜（ｃ）に示す。
【００４７】
まず、パッケージ前駆体の形成工程を実施する。かかるパッケージ前駆体の形成は、
（ｉ）キャリアとして用いる粘着性キャリアに対して貼り付けられるように電子部品およびダミー部材を粘着性キャリア上に配置する工程、
（ｉｉ）電子部品およびダミー部材を覆うように粘着性キャリア上に封止樹脂層を形成する工程、ならびに
（ｉｉｉ）封止樹脂層から粘着性キャリアを剥離除去すると共に、ダミー部材を除去することによって、電子部品の電極を封止樹脂層の主面から露出させると共に、電極が露出した封止樹脂層の主面に凹凸面を形成する工程
を含むことが望ましい。
【００４８】
具体的に説明すると、まず図２（ａ）および図２（ｂ）に示すように、粘着性キャリア２０上に少なくとも１種類の電子部品３０と少なくとも１つのダミー部材３６を配置する。つまり、粘着性キャリア２０に対して電子部品３０とダミー部材３６とを実装する。かかる電子部品３０およびダミー部材３６の配置は、その電子部品３０の電極部分３５およびダミー部材３６の下側面３６ａが粘着性キャリア２０に接するように行うことが望ましい。これによって、後刻のキャリア剥離によって電子部品３０の電極３５およびダミー部材３６を面一状態で露出させることができる。
【００４９】
電子部品３０は、エレクトロニクス実装分野で用いられる回路部品・回路素子であれば、いずれの種類のものを用いてよい。あくまでも例示にすぎないが、かかる電子部品３０の種類としては、ＩＣ（例えばコントロールＩＣ）、インダクタ、半導体素子（例えば、ＭＯＳ（金属酸化物半導体））、コンデンサ、パワー素子、発光素子（例えばＬＥＤ）、チップ抵抗、チップコンデンサ、チップバリスタ、チップサーミスタ、その他チップ状の積層フィルター、接続端子などを含む。尚、電子部品パッケージにおいて電子部品３０は１つに限らず複数設けてもよい。かかる場合、複数の電子部品３０は互いに同一種類であってよいし、あるいは、別種類であってもよい。
【００５０】
一方、ダミー部材３６は、後刻にて封止樹脂層の凹凸面形成に資するものである。つまり、工程（ｉｉ）で封止樹脂層４０と粘着性キャリア２０との間にダミー部材３６が介在することになるところ、工程（ｉｉｉ）で粘着性キャリア２０を剥離除去およびダミー部材３６の除去を行うことによって、封止樹脂層４０の主面（即ち、電子部品３０の電極が露出することになる封止樹脂層主面）に凹凸部を形成できる。
【００５１】
本実施形態でいう「ダミー部材」とは、電子部品パッケージの製造に際して、特にパッケージ前駆体の形成に際して用いられるものの、最終的な電子部品パッケージの構成要素とならない部材のことを意味している。つまり、「ダミー部材」は、電子部品パッケージの製造段階ではパッケージ前駆体の構成要素と同様にみなすことができるものの、最終的に取り除かれることになる部材である。
【００５２】
ダミー部材３６の形状・サイズ・配置態様は、封止樹脂層４０の凹凸面の形態に直接的に関係する。つまり、ダミー部材３６の高さ寸法Ｈおよび幅寸法Ｗ、ならびに、複数のダミー部材を配置する場合のピッチＰなどは、封止樹脂層４０の凹凸面形態に直接的に反映されることになる。ダミー部材の高さ寸法Ｈ（図２（ｂ））によって凹凸面の窪み深さ寸法Ｄ’（図２（ｅ））が決定されるところ、凹凸面の窪み深さ寸法Ｄ’はダミー部材の高さ寸法Ｈと実質的に同一となる。同様にして、ダミー部材の幅寸法Ｗ（図２（ｂ））によって凹凸面の窪み幅寸法Ｗ’（図２（ｅ））が決定されるところ、凹凸面の窪み幅寸法Ｗ’はダミー部材の幅寸法Ｗと実質的に同一となる。同様にして、複数のダミー部材のピッチＰ（図２（ｂ））によって凹凸面の窪みピッチＰ’（図２（ｅ））が決定されるところ、凹凸面の窪みピッチＰ’はダミー部材のピッチＰと実質的に同一となる。
【００５３】
あくまでも例示にすぎないが、ダミー部材３６の高さ寸法Ｈ（図２（ｂ））は、望ましくは１μｍ〜１０００μｍ程度であり、より望ましくは１０μｍ〜１００μｍ程度であり、例えば約５０μｍである。ダミー部材の幅寸法Ｗ（図２（ｂ））は、望ましくは１μｍ〜１０００μｍ程度であり、より望ましくは１０μｍ〜１００μｍ程度であり、例えば約５０μｍである。また、複数のダミー部材のピッチＰ（図２（ｂ））は、望ましくは２μｍ〜２０００μｍ程度であり、より望ましくは２０μｍ〜２００μｍ程度である。
【００５４】
ダミー部材３６の全体形状は、特に限定されない。しかしながら、ダミー部材３６の下側面３６ａは平面状を成していることが望ましい。一方、ダミー部材３６の上側面３６ｂは特に限定されず、例えば湾曲した面となっていてよい。また、ダミー部材３６は、形成される金属層の延在寸法（図示する態様でいえば紙面手前方向および紙面奥方向へと延在する金属層寸法）と同様の延在寸法を有していてよく、あるいは、それよりも短い延在寸法を有していてもよい。
【００５５】
ダミー部材３６の材質は、特に制限されず、例えば樹脂、金属および／またはセラミックなどであってよい。例えば粘着性キャリア２０の剥離除去後にダミー部材３６を化学溶液で溶解除去する場合、ダミー部材３６の材質は化学溶液に対して溶解性を有するものが望ましい。また、粘着性キャリア２０の剥離除去に際して粘着性キャリア２０と共にダミー部材３６を一体的に除去する場合、ダミー部材３６の材質は封止樹脂層に対して離型性を有することが望ましい。
【００５６】
粘着性キャリア２０は、例えば、基板と粘着層とから構成されたキャリアシートであってよい。つまり、図２（ａ）に示すように、支持基材２４上に粘着層２６が設けられた２層構造のキャリアシートを用いてよい。支持基材２４は可撓性を有していることが望ましい。これにより、後のステップで封止樹脂層４０から粘着性キャリア２０を容易に剥離除去することができる。
【００５７】
支持基材２４としては、後刻に行われる“電子部品・ダミー部材の配置”や“封止樹脂層の形成”などのプロセスに支障をきたすものでなければ、いずれのシート状部材を用いてよい。例えば、支持基材２４の材質は、樹脂、金属および／またはセラミックなどであってよい。支持基材２４の樹脂としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル樹脂、ポリメタクリル酸メチルなどのアクリル樹脂、ポリシクロオレフィン樹脂、ポリカーボネートなどを挙げることができる。支持基材２４の金属としては、例えば、鉄、銅、アルミニウムもしくはそれらの合金などを挙げることができる（１つ例示すると、ＳＵＳなどのステンレス材であってよい）。支持基材２４のセラミックスとしては、例えば、アパタイト、アルミナ、シリカ、炭化ケイ素、窒化ケイ素、炭化ホウ素等を挙げることができる。支持基材２４自体の厚さは、“シート状”ゆえ、望ましくは０．１ｍｍ〜２．０ｍｍ、より望ましくは０．２ｍｍ〜１．０ｍｍ（例えば、０．２ｍｍ）である。
【００５８】
一方、粘着層２６は、電子部品３０に対して粘着性を有するものであれば特に制限はない。例えば、粘着層２６自体は、アクリル樹脂系接着剤、ウレタン樹脂系接着剤、シリコーン樹脂系粘着剤およびエポキシ樹脂系接着剤から成る群から選択される少なくとも１種以上の接着性材料を含むものであってよい。粘着層２６の厚さは、望ましくは２μｍ〜５０μｍ、より望ましくは５μｍ〜２０μｍ（例えば１０μｍ）である。尚、粘着層２６としては、粘着両面テープを用いてもよい（例えばＰＥＴフィルムなどの樹脂薄層の両主面に対して接着剤層が形成されたテープを用いてもよい）。
【００５９】
粘着性キャリア２０上に電子部品３０およびダミー部材３６を配置した後、図２（ｃ）に示すように、電子部品３０とダミー部材３６を覆うように封止樹脂層４０を形成して封止体を得る。スピンコート法やドクターブレード法などによって粘着性キャリア２０に樹脂原料を塗布して封止樹脂層前駆体を形成した後、かかる封止樹脂層前駆体を熱硬化または光硬化などに付すことによって封止樹脂層４０を形成できる。また、樹脂原料を塗布する他に、別法において粘着性キャリア２０の粘着面に対して半硬化・未硬化の樹脂フィルムなどを貼り合わせて封止樹脂層前駆体を設けた後、それを熱硬化または光硬化に付すことによっても、封止樹脂層４０を形成できる。具体的な樹脂原料・樹脂フィルム原料の種類は、絶縁性を呈するものであればいずれであってもよく、例えばエポキシ系樹脂やシリコーン系樹脂などであってよい。また、伸縮性を有する材料として、ウレタンゴムやウレタン系エラスマーゴムなど可とう性の高い樹脂であってもよい。
【００６０】
封止樹脂層形成に引き続いて、図２（ｃ）〜２（ｅ）に示すように、封止樹脂層４０から粘着性キャリア２０を剥離除去すると共に、ダミー部材３６を除去する。これにより、電子部品３０の電極３５を封止樹脂層４０の主面４５から面一状態で露出させることができると共に、かかる電極３５が露出した封止樹脂層４０の主面４５に凹凸面４５ａが形成される。図示する態様から分かるように、凹凸面４５ａはダミー部材３６に起因して形成され、その凹凸面４５ａの輪郭がダミー部材３６の形状を直接的に反映したものとなっている。換言すれば、本開示における“凹凸面”は、ダミー部材３６の輪郭が反映されるように封止樹脂層の内部側にへこむような形態を有している。つまり、凹凸面４５ａとしては、電極の露出面レベルよりも内側に向かって封止樹脂層の主面が局所的に窪んだ面を形成することになる。
【００６１】
「電子部品３０の電極３５が露出し、かかる電極が露出した封止樹脂層の主面にて凹凸面が形成されたパッケージ前駆体１００’」が得られた後において金属めっき処理を実施する。具体的には、図２（ｆ）に示すように、電子部品３０の電極面が露出し、凹凸面４５ａが形成された封止樹脂層４０の主面４５に対して金属めっき処理を全面的に施して金属めっき層５０を形成する。望ましくは、封止樹脂層の主面４５に対して乾式めっき法を全面的に実施して乾式めっき層５１を形成し、次いで、乾式めっき層５１の主面に対して湿式めっき法を全面的に実施して湿式めっき層５２を形成する。これにより、乾式めっき層５１と湿式めっき層５２とを備える２層構成の金属めっき層５０を形成する。かかるめっき工程は、「電子部品３０の電極露出面に対してダイレクトに金属層を形成する」といったプロセス的特徴を有している。上述したように湿式めっき層５２は厚く設けることができる。特に本開示では、ダイレクト形成により、そのような厚い金属めっき層を封止樹脂層から露出する電極に接合させると共に、凹凸面４５ａ上へと設ける。
【００６２】
乾式めっき法は、真空めっき法（ＰＶＤ法）と化学気相めっき法（ＣＶＤ法）とを含んでおり、真空めっき法（ＰＶＤ法）が更にスパッタリング、真空蒸着およびイオンプレーティングなどを含む。一方、湿式めっき法は、電気めっき法（例えば電解めっき）、化学めっき法および溶融めっき法などを含む。ある望ましい一態様として、本開示の製造方法では、乾式めっき法としてスパッタリングを実施し、湿式めっき法として電気めっき法（例えば電解めっき）を実施する。
【００６３】
望ましくは、乾式めっき法を実施して１００ｎｍ〜１０００ｎｍ厚さの乾式めっき層５１を形成し、次いで、湿式めっき法を実施して１８μｍ〜５００μｍ厚さの湿式めっき層５２を形成する（図２（ｆ）の右側拡大図を参照のこと）。つまり、乾式めっき層５１は非常に薄いのに対して、その乾式めっき層５１上に湿式めっき層５２が厚く設けられる。湿式めっき層５２がそのように厚く設けられるので、全体として金属めっき層５０を厚くすることができる。
【００６４】
乾式めっき法によって形成される乾式めっき層５１は、例えば、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）およびＮｉ（ニッケル）から成る群から選択される少なくとも１種類の金属材料を含むことが望ましい。また、乾式めっき層５１の材質は、その他の金属材料、例えば、Ａｇ（銀）、Ａｌ（アルミニウム）、Ａｌ合金や、Ａｕ（金）、Ｐｔ（白金）、Ｓｎ（スズ）、Ｃｕ（銅）およびＷ（タングステン）などから成る群から選択される少なくとも１種を含むものであってもよい。一方、湿式めっき法によって形成される湿式めっき層５２は、Ｃｕ（銅）およびＡｌ（アルミニウム）から成る群から選択される少なくとも１種類の金属材料を含むことが望ましい。また、湿式めっき層５２の材質は、その他の金属材料、例えば、銀（Ａｇ）、パラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）およびニッケル（Ｎｉ）から成る群から選択される少なくとも１種を含むものであってもよい。
【００６５】
乾式めっき層５１および湿式めっき層５２から成る金属めっき層５０が得られた後では、かかる金属めっき層５０に対してパターニング処理を施すことが望ましい。つまり、図２（ｆ）および２（ｇ）に示すように、封止樹脂層４０の主面４５（より具体的にいえば「（電子部品３０の電極面が露出すると共に凹凸部分が設けられている主面）」）上に形成された金属めっき層５０に対してパターニング処理を施すことが望ましい。換言すれば、かかる金属めっき層５０をパターニング処理に付すことによって、電子部品３０の電極面と接合すると共に、封止樹脂層凹凸面上に位置付けられた金属めっきパターン層５０Ａ（金属めっきパターン層回路Ａ）を形成することが望ましい。
【００６６】
パターニング処理は、所定パターンのレジストの形成を通じて実施できる。かかるパターンニング処理自体は、エレクトロニクス実装分野で用いられている処理であれば特に制限はない。例えば、レジスト形成〜露光・現像〜エッチングなどを実施するフォトリソグラフィーを利用することによって所望のパターニング処理を実施してよい。具体的にいえば、まず金属めっき層上にレジストを全面に形成した後、レジストを所定のパターン形状にパターニングする。その後、かかる所定パターンのレジストを介してエッチング処理などを施して金属めっき層を局所的に除去することによって、金属めっきパターン層５０Ａを形成できる。尚、レジストは最終的には剥離除去することになる。
【００６７】
金属めっきパターン層５０Ａが得られた後においては、かかる金属めっきパターン層５０Ａに対してレジスト層を形成することが望ましい。例えば、図３（ａ）に示すように、金属めっきパターン層５０Ａを部分的に覆うように封止樹脂層４０の表面上にソルダーレジスト層６０を形成することが望ましい。かかるレジスト層６０の形成は、エレクトロニクス実装分野で一般に用いられているソルダーレジスト形成と同様であってよい。
【００６８】
以上の如くの工程を経ることによって（例えば図３（ｂ）に示すようなダイシング処理なども付加的に経ることによって）、最終的には図３（ｃ）に示すような電子部品パッケージ１００を得ることができる。
【００６９】
ここで、本開示の特徴的要素となる“金属めっき層／金属めっきパターン層”について詳述しておく。本開示においては、ダミー部材などの樹脂層内在物に起因して樹脂層主面に凹凸面を形成し、それによって、凹凸形状の“金属めっき層／金属めっきパターン層”を最終的に得ている。換言すれば、ダミー部材などの樹脂層内在物によって樹脂層主面（特に「電子部品の電極と同一面上にある樹脂層主面」）の一部を異なる高さレベルに位置付け、その異なる高さレベルに位置付けた樹脂層主面の一部にて段差部を備えるように“金属めっき層／金属めっきパターン層”を形成している。より具体的には、電子部品の電極と同一面上にある樹脂層主面上において“金属めっき層／金属めっきパターン層”を同一厚さを有するように形成すると、異なる高さレベルに位置付けた樹脂層主面部で“金属めっき層／金属めっきパターン層”が段差部を有するようになる。“金属めっき層／金属めっきパターン層”の段差部の形態はダミー部材の形態を反映したものとなり得、例えば段差部の寸法はダミー部材の厚み寸法に相当し得る。
【００７０】
本開示の製造方法は、種々の具体的な実施形態で実現することができる。以下それについて説明する。
【００７１】
（第２実施形態）
第２実施形態に従った本開示の主たる製法プロセスを図４（ａ）〜（ｆ）に示す。かかる第２実施形態は、パッケージ前駆体の形成工程の一部が第１実施形態と異なっていることに特徴を有する。特に、パッケージ前駆体の形成に用いるキャリアの形態が異なっている。
【００７２】
かかる第２実施形態に従ったパッケージ前駆体の形成は、
（ｉ）’キャリアとして粘着性の突起キャリアを用い、その粘着性の突起キャリアに対して貼り付けられるように電子部品を突起キャリア上に配置する工程、
（ｉｉ）’電子部品を覆うように突起キャリア上に封止樹脂層を形成する工程、および
（ｉｉｉ）’封止樹脂層から突起キャリアを剥離除去することによって、電子部品の電極を封止樹脂層の主面から露出させると共に、かかる電極が露出した封止樹脂層の主面に凹凸面を形成する工程
を含む。
【００７３】
図面を用いてより具体的に説明すると、図４（ａ）に示すように、第２実施形態では粘着性の突起キャリア２８を用いる。かかる突起キャリア２８は、複数の突起部２８ａを備えたキャリアである。例えば、支持基材２４上に粘着層２６が設けられた２層構造のキャリアシートの場合、支持基材２４の主面が突状に複数隆起した形態となっており、その支持基材２４の隆起部の輪郭に沿うように粘着層２６が設けられている。
【００７４】
図示する態様から分かるように、突起キャリア２８は、第１実施形態におけるダミー部材３６と粘着性キャリア２０とが相互に一体化したものとみなすことができる。よって、図４（ａ）に示すような突起部２８ａの高さ寸法Ｈ突起、幅寸法Ｗ突起、ピッチＰ突起などは、それぞれダミー部材３６の高さ寸法Ｈ、幅寸法ＷおよびピッチＰに相当し得る。
【００７５】
このような突起キャリア２８に対して電子部品３０を配置する。図４（ｂ）に示すように、突起部２８ａの設置領域以外のキャリア領域において電子部品３０を配置する。つまり、第１実施形態と同様、粘着性の突起キャリア２８に対して少なくとも１種類の電子部品３０を実装する。次いで、図４（ｃ）に示すように、電子部品３０を覆うように突起キャリア２８上に封止樹脂層４０を形成する。より具体的には、電子部品３０および突起部２８ａを覆うように封止樹脂層４０を形成する。そして、封止樹脂層形成に引き続いて、図４（ｄ）に示すように「電子部品３０が埋め込まれた封止樹脂層４０」から突起キャリア２８を剥離する。これにより、電子部品３０の電極３５を封止樹脂層４０の主面４５から露出させることができると共に、電極３５が露出した封止樹脂層４０の主面４５に凹凸面４５ａが形成される。
【００７６】
図示する態様から分かるように、凹凸面４５ａは、突起キャリア２８の突起部２８ａに起因して形成されるので、その凹凸面４５ａの輪郭は、突起部２８ａの形状を直接的に反映したものとなっている。特に“凹凸面４５ａ”は、突起部２８ａの輪郭が反映されるように封止樹脂層４０の内部側にへこむような形態を有している。つまり、第１実施形態と同様、凹凸面４５ａとしては「電極の露出面レベルよりも内側に向かって封止樹脂層の主面が局所的に窪んだ面」が形成されることになる。
【００７７】
パッケージ前駆体１００’が得られた以降の工程は、上記の第１実施形態と同様のプロセス処理が施され（例えば、図４（ｅ）〜（ｆ）および図３（ａ）〜（ｃ））、最終的な電子部品パッケージを得ることができる。
【００７８】
（第３実施形態）
第３実施形態に従った本開示の主たる製法プロセスを図５（ａ）〜（ｇ）に示す。かかる第３実施形態は、パッケージ前駆体の形成工程の一部が第１実施形態と異なっていることに特徴を有する。特に、ダミー部材の具体的形態が異なっている。
【００７９】
第３実施形態では、パッケージ前駆体１００’を形成する際に用いるダミー部材３６として、表面が粗面化されたダミー部材３６を用いる。より具体的には、上側面３６ｂが粗面化されたダミー部材３６を用いる。上側面３６ｂの粗面の程度は、例えば算術平均粗さＲｚが５．０μｍ以上、より望ましくは７．０μｍ以上となっていてよい。算術平均粗さＲｚの上限値は特に制限はないものの、例えば１０．０μｍ以下である。ここでいう「算術平均粗さＲｚ」とは、ＪＩＳ Ｂ０６０１で規定されている粗さ“Ｒｚ”のことを指している。
【００８０】
表面が粗面化されたダミー部材３６を用いてパッケージ前駆体を作製すると（図５（ａ）〜５（ｅ））、電極３５が露出した封止樹脂層４０の主面４５に形成される凹凸面４５ａが粗面化される。つまり、図５（ｅ）に示すように、凹凸面４５ａの表面は微視的に粗化面を成し得ることになる。それゆえ、その後にて金属めっき層５０を凹凸面４５ａ上に形成すると、金属めっき層５０の凹凸表面が同様に微視的に粗化面を有することになる（図５（ｆ））。具体的には、図５（ｆ）の右側の一部拡大図に示すように、凹凸面４５ａの領域に形成された金属めっき層５０の上側面（即ち「封止樹脂層と接している金属めっき層の面」）が粗化面となり得る。
【００８１】
このように粗化面が形成されると、更に高い放熱特性を得ることができる。具体的には、金属めっき層（およびそれから得られる金属めっきパターン層）の表面積が“凹凸形状”に起因するのみならず“粗化面”にも起因して更に増したものとなるので、より高い放熱特性が達成され得る。
【００８２】
（第４実施形態）
第４実施形態に従った本開示の主たる製法プロセスを図６（ａ）〜（ｇ）に示す。かかる第４実施形態は、金属めっき層の形成態様が第１実施形態と異なっていることに特徴を有する。
【００８３】
具体的には、図６（ｆ）に示すように、金属めっき層５０の露出表面を粗面化させる。より具体的には、金属めっき層５０の対向する主面のうちより外側の主面を粗化面にする。これにより、第３実施形態と同様の効果が得られることになる。金属めっき層５０の外側主面を成す粗化面の粗化の程度は、例えば算術平均粗さＲｚが５．０μｍ以上、より望ましくは７．０μｍ以上となっていてよい（その上限値は特に制限はないものの、例えば１０．０μｍ以下である）。つまり、かかる第４実施形態では、金属めっき層（およびそれから得られる金属めっきパターン層）の露出面の表面積が“凹凸形状”に起因するのみならず“粗化面”に起因しても更に増したものとなるので、より高い放熱特性が達成され得る。
【００８４】
［本開示の電子部品パッケージ］
次に、本開示の電子部品パッケージについて説明する。本開示の電子部品パッケージは、上記の本開示の製造方法で得られるパッケージである。
【００８５】
図７に示すように、本開示の電子部品パッケージ１００は、電子部品３０、封止樹脂層４０、金属めっきパターン層５０Ａを備える。電子部品３０は封止樹脂層４０に埋設されており、金属めっきパターン層５０Ａは封止樹脂層４０上に設けられている。
【００８６】
封止樹脂層４０に埋設されている電子部品３０は、その電極３５が封止樹脂層４０から面一状態で露出している。即ち、電極３５の主面は、封止樹脂層４０の主面４５の平坦な領域と同一平面上に位置するように、該平坦な領域から露出している。また、その電極３５が露出している封止樹脂層４０の主面４５が凹凸面４５ａを備えている。即ち、封止樹脂層４０の主面４５は、平坦な領域と凹凸面４５ａの領域とを含む。金属めっきパターン層５０Ａは、電子部品３０の電極３５と接合していると共に、封止樹脂層４０の凹凸面４５ａ上に至るように延在している。また、金属めっきパターン層５０Ａは、積層構造を有しており、相対的に内側に位置付けられた乾式めっき層５１Ａと相対的に外側に位置付けられた湿式めっき層５２Ａとから成っている。
【００８７】
尚、電子部品パッケージに関連して用いる『露出する』といった用語は、電子部品の電極面が封止樹脂層表面と同一レベルまたはそれより外側レベルに位置付けられていることを実質的に意味している。換言すれば、電子部品パッケージに関連して用いる『露出する』といった用語は、電子部品パッケージから金属めっきパターン層５０Ａなどを取り除いた際に電子部品の電極面を外側から目視確認できることを意味している。
【００８８】
本開示の電子部品パッケージ１００の構成要素の各々について詳述しておく。封止樹脂層４０は、絶縁性の樹脂層である。絶縁性を呈するのであれば、その樹脂材質は特に制限されない。あくまでも１つの例示にすぎないが、封止樹脂層４０はエポキシ系樹脂やシリコーン系樹脂などを含むものであってよい。かかる封止樹脂層４０の厚さは、望ましくは０．５ｍｍ〜５．０ｍｍ程度、より望ましくは１．２ｍｍ〜１．８ｍｍ程度である。
【００８９】
封止樹脂層４０に埋設されている電子部品３０としては、例えば、ＩＣ（例えばコントロールＩＣ）、インダクタ、半導体素子（例えば、ＭＯＳ（金属酸化物半導体））、コンデンサ、パワー素子、発光素子（例えばＬＥＤ）チップ抵抗、チップコンデンサ、チップバリスタ、チップサーミスタ、その他チップ状の積層フィルター、接続端子などを挙げることができる。
【００９０】
本開示の電子部品パッケージでは、図７に示されるように、金属めっきパターン層５０Ａが「相対的に外側に位置付けられた湿式めっき層５２Ａ」と「相対的に内側に位置付けられた乾式めっき層５１Ａ」とから成る積層構造を有している。かかる積層構造の金属めっきパターン層５０Ａでは、電子部品３０（特にその電極３５）と直接的に接合するように乾式めっき層（５１Ａ）が設けられており、その乾式めっき層上に湿式めっき層（５２Ａ）が設けられている。これから理解できるように、本開示でいう「相対的に外側に位置付けられた」といった表現は「封止樹脂層の主面４５」に対してより遠位に位置していることを実質的に意味する一方、「相対的に内側に位置付けられた」といった表現は、「封止樹脂層の主面４５」に対してより近位に位置していることを実質的に意味している。
【００９１】
本開示の電子部品パッケージにおいて、乾式めっき層５１Ａは、乾式めっき法によって形成されたものであり、それゆえ、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）およびＮｉ（ニッケル）から成る群から選択される少なくとも１種類の金属材料を含むことが望ましい。また、乾式めっき層５１Ａの材質は、その他の金属材料、例えば、Ａｇ（銀）、Ａｌ（アルミニウム）、Ａｌ合金や、Ａｕ（金）、Ｐｔ（白金）、Ｓｎ（スズ）、Ｃｕ（銅）およびＷ（タングステン）などから成る群から選択される少なくとも１種を含むものであってもよい。尚、乾式めっき層５１Ａは、一層構造に限定されず、必要に応じて複数層構造（例えば二層構造）から成るものであってもよい。
【００９２】
また、乾式めっき層５１Ａ自体は、金属めっきパターン層５０Ａにおいて、応力緩和層としても機能し得るので、その点でも本開示のパッケージは接続信頼性が向上し得る。一方、湿式めっき層５２Ａは、湿式めっき法によって形成されたものであり、それゆえ、Ｃｕ（銅）およびＡｌ（アルミニウム）から成る群から選択される少なくとも１種類の金属材料を含むことが望ましい。また、湿式めっき層５２Ａの材質は、その他の金属材料、例えば、銀（Ａｇ）、パラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）およびニッケル（Ｎｉ）から成る群から選択される少なくとも１種を含むものであってもよい。しかしながら“放熱特性”を特に重視する場合では、湿式めっき層５２Ａの材質は熱伝導性が高く放熱特性に効果的に寄与するものが望ましく、それゆえ銅（Ｃｕ）が特に望ましい。
【００９３】
乾式めっき層５１Ａは非常に薄いものであるのに対して（望ましくはナノオーダーの厚さを有し得る）、湿式めっき層５２Ａは厚く（望ましくはミクロンオーダーの厚さを有し得る）、金属めっきパターン層５０Ａの大部分は湿式めっき層５２Ａが占めている。例示すると、乾式めっき層５１Ａの厚さが望ましくは１００ｎｍ〜１０００ｎｍ（例えば３００ｎｍのＴｉ層及び１０００ｎｍのＣｕ層の厚さ）を有する一方、湿式めっき層５２Ａの厚さが望ましくは１８〜５００μｍ程度、より望ましくは１８〜２５０μｍ程度、更に望ましくは１８〜１２５μｍ程度である。このように本開示では湿式めっき層５２Ａが厚いので、厚い金属めっきパターン層５０Ａが実現されている。
【００９４】
図７に示す態様から分かるように、本開示の電子部品パッケージ１００では、金属めっきパターン層５０Ａと、電子部品３０（特にその電極３５）とは相互にダイクレクトに（直接的に）面接触（特に“直接接合”もしくは“面接合”）しており、それによって、電気的に相互接続されている。
【００９５】
ここで、本開示において金属めっきパターン層５０Ａの乾式めっき層５１Ａは非常に薄いので（例えば熱抵抗・電気抵抗が実質的に無視できるほど非常に薄いので）、金属めっきパターン層５０Ａの厚い湿式めっき層５２Ａが、電子部品３０（特にその電極部分３５）とダイクレクトに（直接的に）面接触（直接接合もしくは面接合）しているとみなすことができる。ここでいう『面接触（直接接合もしくは面接合）』とは、各要素の主面同士が相互に接触する態様、特に、各要素の主面同士（上側面・下側面）が相互に重なり合う範囲で全て接触する態様を実質的に意味している。具体的には、“電子部品（特にその電極部分）の主面（封止樹脂層から露出する下側主面）”と“金属めっきパターン層５０Ａの主面（上側主面）”とが相互に重なり合う範囲で全て接触する態様を意味している。換言すれば、本明細書で用いる『面接触（直接接合もしくは面接合）』とは、金属めっきパターン層および電子部品（特にその電極部分）のそれぞれ主面同士が全接触する態様を意味している。
【００９６】
このような“直接接合もしくは面接合”を介した形成された厚い金属めっきパターン層を利用すると、電子部品からの熱を効率よく外部へと逃がすことができる。つまり、厚い金属めっきパターン層５０Ａは、ヒートシンクないしは放熱部材として機能させることができる。特に本開示においては、電子部品３０（特にその電極部分３５）と接合した金属めっきパターン層５０Ａは、封止樹脂層４０の凹凸面４５ａに位置付けられている。つまり、封止樹脂層主面に形成される金属めっき層パターン５０Ａは、封止樹脂層４０から露出する電子部品３０の電極３５に接合していると共に、封止樹脂層４０の主面４５に形成された凹凸面４５ａ上に延在している。図７に示されるように、封止樹脂層４０の凹凸面４５ａ上に設けられた金属めっきパターン層５０Ａは凹凸形状を有し得るので、金属めっき層の表面積が増加しており、より高い放熱特性が達成され得る。
【００９７】
このように本開示の電子部品パッケージ１００は、厚い金属めっきパターン層５０Ａのみならず、その厚い金属めっきパターン層５０Ａの凹凸形状に起因した表面積増大の効果によって、高い放熱特性を呈し得る。
【００９８】
金属めっきパターン層５０Ａの凹凸形状についていえば、図示されるように、封止樹脂層４０の凹凸面４５ａは、望ましくは、電極３５の露出面レベルよりも内側に向かって局所的に窪んだ形態を有している（つまり、封止樹脂層の主面の一部分が露出面レベルよりも内側にへこんだ形態を有している。）。そして、金属めっきパターン層５０Ａは、その封止樹脂層４０の凹凸面４５ａ上において、その凹凸面４５ａの輪郭に沿って形成されている。この点、かかる金属めっきパターン層５０Ａは、凹凸面４５ａの輪郭に沿うようなミアンダ形状を有していることが望ましい。このようなミアンダ構造を備えた金属めっきパターン層５０Ａは、特に嵩高いものではないものの金属めっき層の表面積増大の効果（パッケージの単位面積当たりの表面積増大の効果）が大きく、それゆえ、電子部品パッケージ１００の放熱特性を増加させつつも、パッケージの小型化実現にも寄与する。
【００９９】
封止樹脂層４０の凹凸面４５ａは、例えば、図７に示す断面に垂直な方向に伸びるリッジおよび谷を交互に有する蛇腹形状を有する。この場合、金属めっきパターン層５０Ａも、凹凸面４５ａの輪郭に沿って、図７に示す断面に垂直な方向に伸びるリッジおよび谷を交互に有する蛇腹形状を有する。
【０１００】
金属めっきパターン層５０Ａは、封止樹脂層４０の凹凸面４５ａの全体を覆うものであってもよいし、一部を覆うのもであってもよい。よって、金属めっきパターン層５０Ａの蛇腹形状の範囲は、封止樹脂層４０の蛇腹形状の範囲とほぼ一致するものであってもよいし、封止樹脂層４０の蛇腹形状の範囲よりも小さくてもよい。例えば、金属めっきパターン層５０Ａの蛇腹形状の幅（即ち、図７に示す断面に垂直な方向の長さ）が封止樹脂層４０の蛇腹形状の幅（即ち、図７に示す断面に垂直な方向の長さ）よりも狭くてもよい。また、金属めっきパターン層５０Ａの蛇腹形状の幅および封止樹脂層４０の蛇腹形状の幅は、それぞれ、一定であってもよいし、位置により変化するものであってもよい（即ち、複数のリッジが異なる長さを持っていてもよい）。また、封止樹脂層４０の蛇腹形状のリッジおよび金属めっきパターン層５０Ａの蛇腹形状のリッジは、図７に示す断面に垂直な方向に真っ直ぐに伸びる形状であってもよいし、湾曲した形状であってもよい。
【０１０１】
金属めっきパターン層５０Ａは、封止樹脂層４０の主面の凹凸面４５ａの領域および平坦な領域、並びに電子部品３０の電極３５の主面上に一体構成で設けられる。金属めっきパターン層５０Ａの凹凸面４５ａ上以外の部分は、封止樹脂層４０の平坦な領域および電極３５の主面と対向するように同一平面上に位置する。
【０１０２】
本開示のパッケージは、優れた放熱特性を有し得るので、電子部品の特性や動作寿命が増す効果がもたらされ得、また、熱に起因した“電子部品や封止樹脂の変性・変色”なども効果的に防止され得る。また、“面接触（即ち、直接接合もしくは面接合）”ゆえ、ワイヤーやバンプを介した電気接続の場合と比較して電気抵抗にも優れている。そのため、本開示のパッケージでは、より大きな電流を流すことができる効果なども奏され得る。例えば、ＬＥＤパッケージなどの発光素子パッケージの場合を例にとると、高放熱特性や大電流などに起因して、より高輝度な発光素子パッケージを本開示で実現できる。
【０１０３】
尚、電子部品３０として発光素子を用いた場合では、封止樹脂層４０は透明樹脂から成るものが望ましい。つまり、封止樹脂層４０として透明樹脂層が設けられていることが望ましい。透明樹脂層”の材質・厚さなどは、一般的なＬＥＤパッケージにて常套的に用いられているものを採用してよい。ここで『発光素子』とは、光を発する素子であって、例えば発光ダイオード（ＬＥＤ）およびそれらを含む電子部品のことを実質的に意味している。従って、本開示における『発光素子』は、「ＬＥＤのベアチップ（即ちＬＥＤチップ）」のみならず、「ＬＥＤチップがモールドされたディスクリート・タイプ」をも包含した態様を表すものとして用いている。尚、ＬＥＤチップに限らず、半導体レーザーチップなども用いることができる。
【０１０４】
電子部品３０に発光素子が含まれるパッケージの場合、金属めっきパターン層５０Ａの乾式めっき層５１Ａを“反射層”として用いることができる。かかる場合、発光素子の直下に“反射層”が位置付けられるので、発光素子から発された下向きの光を反射層（即ち、金属めっきパターン層５０Ａの乾式めっき層５１Ａ）で効率的に反射させることができる。つまり、“下向きに発された光”を上方へと向けることが可能となる。このような高反射特性を得るためには、金属めっきパターン層５０Ａの乾式めっき層５１Ａは、Ａｇ（銀）およびＡｌ（アルミニウム）などから成る群から選択される金属を含むことが望ましい。本開示の電子部品パッケージは封止樹脂層４０の上側表面からの光取り出しの点でも優れている。具体的には、本開示の電子部品パッケージでは、封止樹脂層の凹凸面、即ち、凹凸形状の金属めっき層５０Ａに起因して、発光素子からの光を効率的に上側へと散乱させることができ、封止樹脂層４０の上側表面（光取出し面）からの光取出し効率が向上し得る。
【０１０５】
本開示においては、レジスト層が設けられていることがパッケージ品としてより望ましい。つまり、金属めっきパターン層５０Ａに対してレジスト層が設けられていてよい。例えば図３（ｃ）に示すように、金属めっきパターン層５０Ａを少なくとも部分的に覆うようソルダーレジスト層６０が設けられていてよい。かかるレジスト層６０は、エレクトロニクス実装分野で一般に用いられているソルダーレジストと同様であってよい。
【０１０６】
このような本開示の一態様に係る電子部品パッケージ１００は種々の態様で実現することができる。図７に示した電子部品パッケージ１００は「第１または第２の実施形態の製造方法から得られる電子部品パッケージ」に相当し得るが、第３および第４の実施形態の製造方法から得られるパッケージ態様は以下の特徴を有している。
【０１０７】
（第３実施形態および第４実施形態の製造方法から得られる電子部品パッケージ）
第３実施形態の製造方法から得られる電子部品パッケージ１００では、電極３５が露出する封止樹脂層主面における凹凸面４５ａが粗化面を成している。つまり、凹凸面４５ａの表面が微視的に粗面を成し得る。その結果、図７の左下拡大図に示すように、金属めっき層の凹凸部の表面が同様に粗化面を成し得る。より具体的には、凹凸面４５ａの領域にて封止樹脂層４０と接している金属めっき層５０の上側主面が粗化面を成している。かかる電子部品パッケージでは、金属めっきパターン層の表面積が“凹凸形状”に起因するのみならず“粗化面”に起因して増したものとなっているので、より効率的な放熱が可能となる。
【０１０８】
第４実施形態の製造方法から得られる電子部品パッケージ１００では、金属めっき層５０の露出表面が粗化面となっている。具体的には、図７の右下拡大図に示すように、金属めっき層の露出面（より具体的には、金属めっき層５０の対向する主面のうち外側に位置する主面）が全体として粗化面を成している。これにより、第３実施形態の場合と同様、金属めっきパターン層の表面積が“凹凸形状”に起因するのみならず“粗化面”に起因して増したものとなっているので、より効率的な放熱が可能となる。
【０１０９】
尚、第３実施形態と第４実施形態とを組み合わせたものであってもよい。つまり、凹凸面４５ａの領域にて封止樹脂層４０と接している金属めっき層５０の上側主面が粗化面を成すと共に、金属めっき層５０の外側主面が全体として粗化面を成していてよい。かかる場合、電子部品パッケージ１００は更に高い放熱特性を呈し得る。
【０１１０】
以上、本開示の実施形態について説明してきたが、あくまでも典型例を例示したに過ぎない。従って、本開示はこれに限定されず、種々の態様が考えられることを当業者は容易に理解されよう。
【０１１１】
例えば、本開示の製造方法では、剥離したキャリアまたはサブ・キャリアを再利用してもよい。つまり、本開示では、後刻に行われる別の電子部品パッケージ製造にて「一旦使用したキャリアまたサブ・キャリア」を用いることができる。
【０１１２】
また、本開示の製造方法では、複数の電子部品パッケージを一括して製造することもできる。具体的には、キャリア上の複数の電子部品設置領域の各々に位置付けられるように、複数の電子部品パッケージにそれぞれ用いられる電子部品を配置し、「複数の前駆体が一体化した電子部品パッケージ前駆体」を一括して得る。そして、剥離処理後にてダイシング処理を行うと、複数個の電子部品パッケージを同時に得ることができる。つまり、キャリア剥離後のいずれか時点において、“複数の電子部品設置領域”がそれぞれ別個に分かれるようにダイシング処理を施すと、複数個の電子部品パッケージを得ることができる。
【産業上の利用可能性】
【０１１３】
本開示は、エレクトロニクス実装分野の各種用途に用いることができる。例えば、本開示は、電源パッケージ（ＰＯＬコンバータ、例えば降圧型ＤＣ-ＤＣコンバータ）、高周波アンテナパッケージや部品内蔵モジュールなどに適用することができる。
【符号の説明】
【０１１４】
２０    粘着性キャリア
２４    粘着性キャリアの支持基材
２６    粘着性キャリアの粘着層
２８    突起キャリア
２８ａ  突起キャリアの突起部
３０    電子部品
３５    電子部品の電極
３６    ダミー部材
３６ａ  ダミー部材の下側面
３６ｂ  ダミー部材の上側面
４０    封止樹脂層
４５    封止樹脂層の主面
４５ａ  封止樹脂層の凹凸面
５０    金属めっき層
５１    金属めっき層における乾式めっき層
５２    金属めっき層における湿式めっき層
５０Ａ  金属めっきパターン層
５１Ａ  金属めっきパターン層における乾式めっき層
５２Ａ  金属めっきパターン層における湿式めっき層
６０    レジスト層
１００’  電子部品パッケージ前駆体
１００  電子部品パッケージ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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