(57)【要約】      （修正有）【課題】化学蒸着のための回転ディスクリアクタのためのガスフローフランジを提供する。【解決手段】化学蒸着のための回転ディスクリアクタのためのガスフローフランジ２００は、第１のセクション２０２と、第１のセクションの内部に配置され、かつ、第１のセクションの上面に平行である、複数の第１のガスチャネル２０６と、第１のセクションの上面に垂直に配置され、かつ、第１のセクションの上面から第１のセクションの底面へと延在している、複数の第２のガスチャネル２１０と、流体冷却導管１６０と、を含む、第２のセクション２０４を有する。【選択図】図２
2016004998.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
化学蒸着のための回転ディスクリアクタのためのガスフローフランジであって、前記ガスフローフランジは、
ａ）第１のセクションであって、前記第１のセクションは、前記第１のセクションの内部に配置され、かつ、前記第１のセクションの上面に平行である、複数の第１のガスチャネルと、前記第１のセクションの前記上面に垂直に配置され、かつ、前記第１のセクションの前記上面から前記第１のセクションの底面へと延在している、複数の第２のガスチャネルとを含む、第１のセクションと、
ｂ）第２のセクションであって、前記第２のセクションは、
１）前記第２のセクションの上面に垂直に配置され、かつ、前記第２のセクションの前記上面を通り前記第２のセクションの底面へと延在している複数の第１のガスチャネルであって、前記第２のセクションの前記複数の第１のガスチャネルの各々は、前記第１のセクションにおける複数の第１のガス入力チャネルのうちの対応する１つの出力と整列させられている、複数の第１のガスチャネルと、
２）前記第２のセクションの前記上面に垂直に配置され、かつ、前記第２のセクションの前記上面から前記第２のセクションの前記底面へと延在している、複数の第２のガス入力チャネルであって、前記複数の第２のガス入力チャネルの各々は、前記第１のセクションにおける前記複数の第２のガス入力チャネルのうちの対応する１つと整列させられている、複数の第２のガス入力チャネルと、
３）前記第２のセクションに形成され、かつ、前記第２のセクションの前記上面に平行に延在している、流体冷却導管と
を含む、第２のセクションと
を含む、ガスフローフランジ。
【請求項２】
前記複数の第１のガスチャネルは、アルキルガス源の出力に結合されている、請求項１に記載のガスフローフランジ。
【請求項３】
前記複数の第２のガスチャネルは、水素化物ガス源の出力に結合されている、請求項１に記載のガスフローフランジ。
【請求項４】
前記第１のセクションおよび前記第２のセクションは、第１のガスおよび第２のガスを分離し、これにより、前記第１のガスおよび前記第２のガスは、それらが前記ガスフローフランジを退出するまで反応しない、請求項１に記載のガスフローフランジ。
【請求項５】
前記第２のセクションの前記上面に垂直に配置され、かつ、前記第２のセクションの前記上面から前記第２のセクションの前記底面へと延在している、前記第２のガスチャネルのうちの少なくともいくつかは、それらの断面積が上面から底面へと増大する形状で形成される、請求項１に記載のガスフローフランジ。
【請求項６】
前記第１のセクションは、ネジ山付きファスナーを受け取るように寸法決めされた複数の凹状のスロットを含み、前記第２のセクションは、前記ネジ山付きファスナーを受け取るために前記凹状のスロットと整列させられた複数のネジ山付きセクションを含む、請求項１に記載のガスフローフランジ。
【請求項７】
前記流体冷却導管は、水冷却導管を含む、請求項１に記載のガスフローフランジ。
【請求項８】
前記流体冷却導管は、円形冷却導管を含む、請求項１に記載のガスフローフランジ。
【請求項９】
前記流体冷却導管は、涙滴形状の冷却導管を含む、請求項１に記載のガスフローフランジ。
【請求項１０】
前記流体冷却導管は、楕円形状の冷却導管を含む、請求項１に記載のガスフローフランジ。
【請求項１１】
前記流体冷却導管は、略三角形形状の冷却導管を含む、請求項１に記載のガスフローフランジ。
【請求項１２】
前記流体冷却導管は、前記第２のセクションの中央位置から外側方向に出力ポートへと通過する流体を受け取る入力ポートを含む、請求項１に記載のガスフローフランジ。
【請求項１３】
前記第１のセクションの入力ポートに結合されたビューポートをさらに含む、請求項１に記載のガスフローフランジ。
【請求項１４】
前記第１のセクションおよび前記第２のセクションのうちの一方は、複数の整列ピンを含み、前記第１のセクションおよび前記第２のセクションのうちの他方は、前記複数の整列ピンを受け取るように寸法決めされた複数のアパーチャを画定する、請求項１に記載のガスフローフランジ。
【請求項１５】
前記第１のセクションおよび前記第２のセクションのうちの少なくとも一方は、３次元金属印刷によって形成される、請求項１に記載のガスフローフランジ。
【請求項１６】
反応チャンバ中への注入のための第１のガスおよび第２のガスを分離するための方法であって、
前記方法は、
ａ）フローフランジの第１のセクションの内部に配置され、かつ、前記第１のセクションの上面に平行である、複数の第１のガスチャネルに、前記第１のガスを提供することであって、これにより、前記第１のガスが、前記フローフランジの前記第１のセクションの前記複数の第１のガスチャネルから、前記フローフランジの第２のセクションの対応する複数の第１のガスチャネルへと流動し、前記フローフランジの前記第２のセクションの前記複数の第１のガスチャネルは、前記フローフランジの前記第２のセクションの上面に垂直に配置され、かつ、前記フローフランジの前記第２のセクションの前記上面から前記フローフランジの前記第２のセクションの底面へと延在しており、そして、反応チャンバ中へと延在している、ことと、
ｂ）複数の第２のガス入力チャネルに、前記第２のガスを提供することであって、前記複数の第２のガス入力チャネルは、前記フローフランジの前記第１のセクションの上面に垂直に配置され、かつ、前記フローフランジの前記第１のセクションの前記上面から前記フローフランジの前記第１のセクションの底面へと延在しており、そして、前記第２のセクションの前記上面から前記第２のセクションの前記底面へと延在しており、そして、前記反応チャンバ中へと延在している、ことと
を含む、方法。
【請求項１７】
前記フローフランジの前記第２のセクションの内部で前記第２のセクションの前記上面および前記第２のセクションの前記底面に平行に冷却流体を流動させることをさらに含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記冷却流体は、水を含む、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記冷却流体は、前記フローフランジの前記第２のセクションにおいて、中央入力ポートから外側方向に、前記フローフランジの前記第２のセクションの前記上面に平行に流動する、請求項１６に記載の方法。
【請求項２０】
前記第１のガスは、アルキルガスを含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項２１】
前記第２のガスは、水素化物ガスを含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項２２】
前記第２のガスは、ガスチャネルを通して前記第２のセクションの上面から前記第２のセクションの底面へと流動し、前記ガスチャネルは、前記ガスが前記第２のセクションの前記上面から前記第２のセクションの前記底面へと流動するのに伴って増大する断面積を有する、請求項１６に記載の方法。
【請求項２３】
前記フローフランジの前記第１のセクションを前記フローフランジの前記第２のセクションと整列させることであって、これにより、前記フローフランジの前記第２のセクションの前記複数の第１のガス入力チャネルが、前記第１のセクションの前記複数の第１のガス入力チャネルと整列させられ、前記第２のセクションの前記複数の第２のガス入力チャネルが、前記第１のセクションの前記複数の第２のガス入力チャネルと整列させられる、こと
をさらに含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項２４】
前記第１のフローフランジおよび前記第２のフローフランジのうちの少なくとも一方を３次元金属印刷によって形成することをさらに含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項２５】
化学蒸着のための回転ディスクリアクタのためのガスフローフランジであって、前記ガスフローフランジは、
ａ）フローフランジの第１のセクションの内部に配置され、かつ、前記第１のセクションの上面に平行である、複数の第１のガスチャネルを提供することにより、反応チャンバに第１のガスを提供するための手段であって、これにより、前記第１のガスが、前記フローフランジの第２のセクションの対応する複数の第１のガスチャネルへと、前記フローフランジの前記第１のセクションの上面に平行に流動し、前記フローフランジの第２のセクションの対応する複数の第１のガスチャネルは、前記フローフランジの前記第２のセクションの上面に垂直に配置され、かつ、前記フローフランジの前記第２のセクションの前記上面から前記フローフランジの前記第２のセクションの底面まで延在しており、そして、反応チャンバ中へと延在している、手段と、
ｂ）複数の第２のガス入力チャネルを最初に提供することにより、前記反応チャンバに第２のガスを提供するための手段であって、前記複数の第２のガス入力チャネルは、前記フローフランジの前記第１のセクションの前記上面に垂直に配置され、かつ、前記フローフランジの前記第１のセクションの前記上面から前記フローフランジの前記第１のセクションの底面へと延在しており、そして、前記第２のセクションの前記上面から前記第２のセクションの前記底面へと延在しており、そして、前記反応チャンバへと延在している、手段と
を含む、ガスフローフランジ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本明細書中で用いられている節の見出しは、編成目的のためのものであり、本願に記載されている主題をどのように限定するものとしても考えられるべきではない。
【背景技術】
【０００２】
（序）
気相エピタキシー（ＶＰＥ)は、化学蒸着（ＣＶＤ）の一種であり、基板の表面上に化学種を含有する１つ以上のガスを向かわせ、これにより、反応種が反応し、基板の表面上に膜を形成することを含む。例えば、ＶＰＥシステムは、基板上に化合物半導体材料を成長させるために用いられ得る。
【０００３】
材料は、典型的には、結晶基板を含む処理チャンバ中に、少なくとも１つの前駆体ガスを注入することにより、そして、多くのプロセスにおいて、少なくとも第１の前駆体ガスおよび第２の前駆体ガスを注入することにより、成長させられる。化合物半導体（例えば、ＩＩＩ−Ｖ半導体）は、水素化物前駆体ガスおよび有機金属前駆体ガスを用いて基板上に半導体材料の種々の層を成長させることにより、形成され得る。金属有機気相エピタキシー（ＭＯＶＰＥ）は、必要な化学元素を含有する金属有機物および水素化物の表面反応を用いて化合物半導体を成長させるために一般的に用いられる蒸着方法である。例えば、燐化インジウムは、トリメチルインジウムおよび燐化水素を導入することにより、基板上にリアクタ内において成長させられ得る。
【０００４】
当該技術分野において用いられているＭＯＶＰＥの別名は、有機金属気相エピタキシー（ＯＭＶＰＥ）、金属有機化学蒸着（ＭＯＣＶＤ）、および有機金属化学蒸着（ＯＭＣＶＤ）を含む。これらのプロセスでは、複数のガスが、基板（例えば、サファイア、Ｓｉ、ＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＩｎＡｓ、またはＧａＰの基板）の成長表面において互いに反応させられ、一般式ＩｎＸＧａＹＡｌＺＮＡＡｓＢＰＣＳｂＤのＩＩＩ−Ｖ化合物を形成する。ここに、Ｘ＋Ｙ＋Ｚは、ほぼ１に等しく、Ａ＋Ｂ＋Ｃ＋Ｄは、ほぼ１に等しく、Ｘ、Ｙ、Ｚ、Ａ、Ｂ、Ｃ、およびＤの各々は、０と１との間であり得る。種々のプロセスにおいて、基板は、金属、半導体、または、絶縁基板であり得る。いくつかの例において、ビスマスが、その他のＩＩＩ族金属のいくつかまたは全ての代わりに用いられ得る。
【０００５】
化合物半導体（例えば、ＩＩＩ−Ｖ半導体）はまた、水素化物またはハロゲン化物の前駆体ガスプロセスを用いて基板上に半導体材料の種々の層を成長させることによって形成される。１つのハロゲン化物気相エピタキシー（ＨＶＰＥ）プロセスにおいて、ＩＩＩ族窒化物（例えば、ＧａＮ、ＡｌＮ）は、高熱のガス状金属塩化物（例えば、ＧａＣｌまたはＡｌＣｌ）とアンモニアガス（ＮＨ３）とを反応させることによって形成される。金属塩化物は、高熱のＩＩＩ族金属の上方を高熱のＨＣｌガスを通過させることによって生成される。ＨＶＰＥの１つの特徴は、それが非常に高い成長速度（いくつかの最新のプロセスに対して毎時１００μｍまで）を有し得るということである。ＨＶＰＥの別の特徴は、それが比較的高品質の膜を堆積させるために用いられ得るということである。なぜなら、膜が、無炭素環境において成長させられ、かつ、高熱のＨＣｌガスが、自浄効果を提供するからである。
【０００６】
これらのプロセスにおいて、基板は、反応チャンバ内で高温に維持される。前駆体ガスは、典型的には、不活性キャリアガスと混合させられ、そして、反応チャンバ中に向けられる。典型的には、ガスは、それらが反応チャンバ中に導入されるときに、比較的低温である。ガスが高熱基板に到達する際、それらの温度、ひいてはそれらの反応のために利用可能なエネルギーは、増大する。エピタキシャル層の形成は、基板表面における構成化学物質成分の最終的な熱分解によって引き起こされる。結晶は、基板の表面上の化学反応によって形成され、物理的な堆積プロセスによって形成されることはない。したがって、ＶＰＥは、熱力学的に準安定な合金のための望ましい成長技術であるといえる。現在では、ＶＰＥは、レーザダイオード、太陽電池、および発光ダイオード（ＬＥＤ）を製造するために一般的に用いられている。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００７】
（発明の概要）
化学蒸着のための回転ディスクリアクタのためのガスフローフランジは、第１のセクションを含み、第１のセクションは、第１のセクションの内部に配置され、かつ、第１のセクションの上面に平行である、複数の第１のガスチャネルと、第１のセクションの上面に垂直に配置され、かつ、第１のセクションの上面から第１のセクションの底面へと延在している、複数の第２のガスチャネルとを含む。第１のセクションおよび第２のセクションは、第１のガスおよび第２のガスを分離し、これにより、第１のガスおよび第２のガスが基板表面に存在するようになるまで、それらが反応しないようにする。いくつかのシステムにおいて、複数の第１のガスチャネルは、アルキルガス源の出力に結合され、複数の第２のガスチャネルは、水素化物ガス源の出力に結合される。いくつかの実施形態において、ビューポートが、第１のセクションの入力ポートに結合される。
【０００８】
ガスフローフランジの第２のセクションは、第２のセクションの上面に垂直に配置され、かつ、第２のセクションの上面を通り第２のセクションの底面へと延在している、複数の第１のガスチャネルを含み、第２のセクションの複数の第１のガスチャネルの各々は、第１のセクションの複数の第１のガス入力チャネルのうちの対応する１つの出力と整列させられる。さらに、ガスフローフランジの第２のセクションは、第２のセクションの上面に垂直に配置され、かつ、第２のセクションの上面から第２のセクションの底面へと延在している、複数の第２のガス入力チャネルを含み、複数の第２のガス入力チャネルの各々は、第１のセクションの複数の第２のガス入力チャネルのうちの対応する１つと整列させられる。いくつかの実施形態において、第２のガスチャネルのうちの少なくともいくつかは、それらの断面積が上面から底面へと増大する形状で形成される。
【０００９】
本教示のガスフローフランジの１つの局面は、３次元金属印刷を用いて製造させられ得る２ピース設計であり、これは、無数の利点を有している。第１のセクションおよび第２のセクションは、種々の態様で取り付けられ得る。例えば、第１のセクションは、ネジ山付きファスナーを受け取るように寸法決めされた複数の凹状スロットを含み得、第２のセクションは、ネジ山付きファスナーを受け取るための凹状スロットと整列させられた複数のネジ山付きセクションを含み得る。また、第１のセクションおよび第２のセクションのうちの一方は、複数の整列ピンを含み得、第１のセクションおよび第２のセクションのうちの他方は、複数の整列ピンを受け取るように寸法決めされた複数のアパーチャを画定し得る。
【００１０】
さらに、ガスフローフランジは、第２のセクション内に形成され、かつ、第２のセクションの上面に平行に延在している、流体冷却導管を含む。本教示にしたがういくつかのガスフローフランジにおいて、入力ポートは、第２のセクションの中央位置から外側方向に出力ポートへと通過する流体を受け取る。流体冷却導管は、液体（例えば、水）、ガス（例えば、空気）を通過させるように設計されている。種々の実施形態において、冷却導管は、円形であり得るか、または、通過する流体の体積を最大化させるような形状であり得る。例えば、冷却導管は、涙滴形状、楕円形状、略三角形形状、または、外側表面からの材料の所定の厚さを維持するための形状であり得る。
【００１１】
本発明は、例えば、以下を提供する。
（項目１）
化学蒸着のための回転ディスクリアクタのためのガスフローフランジであって、上記ガスフローフランジは、
ａ）第１のセクションであって、上記第１のセクションは、上記第１のセクションの内部に配置され、かつ、上記第１のセクションの上面に平行である、複数の第１のガスチャネルと、上記第１のセクションの上記上面に垂直に配置され、かつ、上記第１のセクションの上記上面から上記第１のセクションの底面へと延在している、複数の第２のガスチャネルとを含む、第１のセクションと、
ｂ）第２のセクションであって、上記第２のセクションは、
１）上記第２のセクションの上面に垂直に配置され、かつ、上記第２のセクションの上記上面を通り上記第２のセクションの底面へと延在している複数の第１のガスチャネルであって、上記第２のセクションの上記複数の第１のガスチャネルの各々は、上記第１のセクションにおける複数の第１のガス入力チャネルのうちの対応する１つの出力と整列させられている、複数の第１のガスチャネルと、
２）上記第２のセクションの上記上面に垂直に配置され、かつ、上記第２のセクションの上記上面から上記第２のセクションの上記底面へと延在している、複数の第２のガス入力チャネルであって、上記複数の第２のガス入力チャネルの各々は、上記第１のセクションにおける上記複数の第２のガス入力チャネルのうちの対応する１つと整列させられている、複数の第２のガス入力チャネルと、
３）上記第２のセクションに形成され、かつ、上記第２のセクションの上記上面に平行に延在している、流体冷却導管と
を含む、第２のセクションと
を含む、ガスフローフランジ。
（項目２）
上記複数の第１のガスチャネルは、アルキルガス源の出力に結合されている、上記項目に記載のガスフローフランジ。
（項目３）
上記複数の第２のガスチャネルは、水素化物ガス源の出力に結合されている、上記項目のうちのいずれか一項に記載のガスフローフランジ。
（項目４）
上記第１のセクションおよび上記第２のセクションは、第１のガスおよび第２のガスを分離し、これにより、上記第１のガスおよび上記第２のガスは、それらが上記ガスフローフランジを退出するまで反応しない、上記項目のうちのいずれか一項に記載のガスフローフランジ。
（項目５）
上記第２のセクションの上記上面に垂直に配置され、かつ、上記第２のセクションの上記上面から上記第２のセクションの上記底面へと延在している、上記第２のガスチャネルのうちの少なくともいくつかは、それらの断面積が上面から底面へと増大する形状で形成される、上記項目のうちのいずれか一項に記載のガスフローフランジ。
（項目６）
上記第１のセクションは、ネジ山付きファスナーを受け取るように寸法決めされた複数の凹状のスロットを含み、上記第２のセクションは、上記ネジ山付きファスナーを受け取るために上記凹状のスロットと整列させられた複数のネジ山付きセクションを含む、上記項目のうちのいずれか一項に記載のガスフローフランジ。
（項目７）
上記流体冷却導管は、水冷却導管を含む、上記項目のうちのいずれか一項に記載のガスフローフランジ。
（項目８）
上記流体冷却導管は、円形冷却導管を含む、上記項目のうちのいずれか一項に記載のガスフローフランジ。
（項目９）
上記流体冷却導管は、涙滴形状の冷却導管を含む、上記項目のうちのいずれか一項に記載のガスフローフランジ。
（項目１０）
上記流体冷却導管は、楕円形状の冷却導管を含む、上記項目のうちのいずれか一項に記載のガスフローフランジ。
（項目１１）
上記流体冷却導管は、略三角形形状の冷却導管を含む、上記項目のうちのいずれか一項に記載のガスフローフランジ。
（項目１２）
上記流体冷却導管は、上記第２のセクションの中央位置から外側方向に出力ポートへと通過する流体を受け取る入力ポートを含む、上記項目のうちのいずれか一項に記載のガスフローフランジ。
（項目１３）
上記第１のセクションの入力ポートに結合されたビューポートをさらに含む、上記項目のうちのいずれか一項に記載のガスフローフランジ。
（項目１４）
上記第１のセクションおよび上記第２のセクションのうちの一方は、複数の整列ピンを含み、上記第１のセクションおよび上記第２のセクションのうちの他方は、上記複数の整列ピンを受け取るように寸法決めされた複数のアパーチャを画定する、上記項目のうちのいずれか一項に記載のガスフローフランジ。
（項目１５）
上記第１のセクションおよび上記第２のセクションのうちの少なくとも一方は、３次元金属印刷によって形成される、上記項目のうちのいずれか一項に記載のガスフローフランジ。
（項目１６）
反応チャンバ中への注入のための第１のガスおよび第２のガスを分離するための方法であって、
上記方法は、
ａ）フローフランジの第１のセクションの内部に配置され、かつ、上記第１のセクションの上面に平行である、複数の第１のガスチャネルに、上記第１のガスを提供することであって、これにより、上記第１のガスが、上記フローフランジの上記第１のセクションの上記複数の第１のガスチャネルから、上記フローフランジの第２のセクションの対応する複数の第１のガスチャネルへと流動し、上記フローフランジの上記第２のセクションの上記複数の第１のガスチャネルは、上記フローフランジの上記第２のセクションの上面に垂直に配置され、かつ、上記フローフランジの上記第２のセクションの上記上面から上記フローフランジの上記第２のセクションの底面へと延在しており、そして、反応チャンバ中へと延在している、ことと、
ｂ）複数の第２のガス入力チャネルに、上記第２のガスを提供することであって、上記複数の第２のガス入力チャネルは、上記フローフランジの上記第１のセクションの上面に垂直に配置され、かつ、上記フローフランジの上記第１のセクションの上記上面から上記フローフランジの上記第１のセクションの底面へと延在しており、そして、上記第２のセクションの上記上面から上記第２のセクションの上記底面へと延在しており、そして、上記反応チャンバ中へと延在している、ことと
を含む、方法。
（項目１７）
上記フローフランジの上記第２のセクションの内部で上記第２のセクションの上記上面および上記第２のセクションの上記底面に平行に冷却流体を流動させることをさらに含む、上記項目に記載の方法。
（項目１８）
上記冷却流体は、水を含む、上記項目のうちのいずれか一項に記載の方法。
（項目１９）
上記冷却流体は、上記フローフランジの上記第２のセクションにおいて、中央入力ポートから外側方向に、上記フローフランジの上記第２のセクションの上記上面に平行に流動する、上記項目のうちのいずれか一項に記載の方法。
（項目２０）
上記第１のガスは、アルキルガスを含む、上記項目のうちのいずれか一項に記載の方法。
（項目２１）
上記第２のガスは、水素化物ガスを含む、上記項目のうちのいずれか一項に記載の方法。
（項目２２）
上記第２のガスは、ガスチャネルを通して上記第２のセクションの上面から上記第２のセクションの底面へと流動し、上記ガスチャネルは、上記ガスが上記第２のセクションの上記上面から上記第２のセクションの上記底面へと流動するのに伴って増大する断面積を有する、上記項目のうちのいずれか一項に記載の方法。
（項目２３）
上記フローフランジの上記第１のセクションを上記フローフランジの上記第２のセクションと整列させることであって、これにより、上記フローフランジの上記第２のセクションの上記複数の第１のガス入力チャネルが、上記第１のセクションの上記複数の第１のガス入力チャネルと整列させられ、上記第２のセクションの上記複数の第２のガス入力チャネルが、上記第１のセクションの上記複数の第２のガス入力チャネルと整列させられる、こと
をさらに含む、上記項目のうちのいずれか一項に記載の方法。
（項目２４）
上記第１のフローフランジおよび上記第２のフローフランジのうちの少なくとも一方を３次元金属印刷によって形成することをさらに含む、上記項目のうちのいずれか一項に記載の方法。
（項目２５）
化学蒸着のための回転ディスクリアクタのためのガスフローフランジであって、上記ガスフローフランジは、
ａ）フローフランジの第１のセクションの内部に配置され、かつ、上記第１のセクションの上面に平行である、複数の第１のガスチャネルを提供することにより、反応チャンバに第１のガスを提供するための手段であって、これにより、上記第１のガスが、上記フローフランジの第２のセクションの対応する複数の第１のガスチャネルへと、上記フローフランジの上記第１のセクションの上面に平行に流動し、上記フローフランジの第２のセクションの対応する複数の第１のガスチャネルは、上記フローフランジの上記第２のセクションの上面に垂直に配置され、かつ、上記フローフランジの上記第２のセクションの上記上面から上記フローフランジの上記第２のセクションの底面まで延在しており、そして、反応チャンバ中へと延在している、手段と、
ｂ）複数の第２のガス入力チャネルを最初に提供することにより、上記反応チャンバに第２のガスを提供するための手段であって、上記複数の第２のガス入力チャネルは、上記フローフランジの上記第１のセクションの上記上面に垂直に配置され、かつ、上記フローフランジの上記第１のセクションの上記上面から上記フローフランジの上記第１のセクションの底面へと延在しており、そして、上記第２のセクションの上記上面から上記第２のセクションの上記底面へと延在しており、そして、上記反応チャンバへと延在している、手段と
を含む、ガスフローフランジ。
（摘要）
ガスフローフランジは、第１のセクションおよび第２のセクションを含む。第１のセクションは、内部に配置され、かつ、上面に平行である、複数の第１のガスチャネルを含む。複数の第２のガスチャネルが、上面に垂直に配置され、かつ、上面から底面へと延在している。複数の第１のガス入力チャネルの各々は、複数の第１のガス入力チャネルのうちの対応する１つの出力と整列させられている。第２のセクションは、第２のセクションの上面に垂直に配置され、かつ、第２のセクションの上面から第２のセクションの底面へと延在している、複数の第２のガス入力チャネルを含む。複数の第２のガス入力チャネルの各々は、複数の第２のガス入力チャネルのうちの対応する１つと整列させられている。流体冷却導管は、第２のセクションの上面に垂直に配置されている。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
好適で例示的な実施形態にしたがう本教示は、それらのさらなる利点とともに、添付図面に関連させながら、以下の詳細な説明において、より特定的に記載される。当業者は、以下に記載される図面は、例示目的のためにすぎないことを理解し得る。図面は、必ずしも一定の比率で拡大縮小されておらず、その代わりに、一般的に、教示を例示している原理を強調している。図面において、同様の参照文字は、一般的に、種々の図面を通して、同様の特徴および構造的要素を参照している。図面は、本願の範囲をどのように限定するようにも意図されていない。
【００１３】
【図１Ａ】図１Ａは、本教示にしたがう回転ディスク化学蒸着リアクタの一実施形態の断面図を示している。
【００１４】
【図１Ｂ】図１Ｂは、本教示にしたがう回転ディスク化学蒸着リアクタの別の実施形態の断面図を示している。
【００１５】
【図２】図２は、本教示にしたがう回転ディスク化学蒸着リアクタのためのガスフローフランジの側面図を示している。
【００１６】
【図３】図３は、本教示にしたがう化学蒸着のための回転ディスクリアクタのためのガスフローフランジの側面斜視図を示している。
【００１７】
【図４】図４は、本教示にしたがう化学蒸着のための回転ディスクリアクタのためのガスフローフランジの上面図を示している。
【００１８】
【図５Ａ】図５Ａは，図３のガスフローフランジに示されているような、複数の第１のガス入力チャネルの周囲に配置された円形冷却導管を示す温度分布図を示している。
【００１９】
【図５Ｂ】図５Ｂは、複数の第１のガス入力チャネルの周囲に配置された涙滴形状の冷却導管を示す温度分布図を示している。
【００２０】
【図５Ｃ】図５Ｃは、複数の第１のガス入力チャネルの周囲に配置された深い涙滴形状の冷却導管を示す温度分布図を示している。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
（種々の実施形態の説明）
「一実施形態」または「実施形態」に対する本明細書中での参照は、実施形態に関連して記載されている特定の特徴、構造、または特性が、教示の少なくとも１つの実施形態に含まれていることを意味している。本明細書中での種々の場所における「一実施形態において」というフレーズの出現は、必ずしも、全てが同じ実施形態を参照しているわけではない。
【００２２】
本教示の方法において用いられている個々のステップは、教示が実行可能である限りにおいて、任意の順序でおよび／または同時に実行され得ることが理解されるべきである。さらに、本教示の装置および方法は、教示が実行可能である限りにおいて、記載されている実施形態のうちの任意の数または全てを含み得ることが理解されるべきである。
【００２３】
本教示は、ここで、添付図面に示されているような本教示の例示的な実施形態を参照してより詳細に記載される。本教示は、種々の実施形態および例に関連して記載されるが、本教示が、このような実施形態に限定されることは意図されていない。それとは反対に、本教示は、当業者によって理解され得るように、種々の代替、改変、および均等物を包含する。本明細書中の教示に接した当業者は、本明細書中に記載されている本開示の範囲内にある、追加的な実装、改変、および実施形態、ならびに、その使用を認識し得る。
【００２４】
本教示は、ＭＯＣＶＤを含む化学蒸着のための方法および装置に関している。より特定的には、本教示は、基板が回転ディスク上に配置される垂直リアクタを用いた化学蒸着のための方法および装置に関している。最近では、ＬＥＤおよびＯＬＥＤのマーケットの著しい成長が存在する。また、半導体電力デバイス（例えば、ＨＥＭＴ）の顕著な進展が存在し、それらの進展は、半導体電力デバイスの増大した可用性を有する。したがって、これらのデバイスを製造するための、効率的かつ高スループットのＣＶＤおよびＭＯＣＶＤ製造システムおよび方法に対する増大した需要が存在する。維持および動作パラメータ（例えば、基板キャリアの回転速度等）に負の影響を与えることなしに、堆積の均一性を向上させる製造システムおよび方法に対する特定の需要が存在する。
【００２５】
本教示の局面が、２つの異なるプロセスガス（例えば、アルキルおよび水素化物ガス）を反応チャンバ中へと流動させるフローフランジに関連して記載される。しかしながら、当業者であれば、本教示のフローフランジは、２つよりも多くの異なるガスを反応チャンバ中へ流動させ、その一方で、種々のガスが反応チャンバ中への注入前に混合することを防止するために用いられ得ることを理解し得る。
【００２６】
図１Ａは、本教示にしたがう、２ピースフローフランジを含む回転ディスク化学蒸着（ＣＶＤ）リアクタ１００の切り欠き図を例示している。当業者であれば、図１に関連して記載されているＣＶＤリアクタ１００は、本教示にしたがう２ピースフローフランジと共に用いられ得る１つの特定のＣＶＤリアクタであることを理解し得る。ＣＶＤリアクタ１００のいくつかの局面は、本願の譲受人に譲渡された、ＰＣＴ特許出願シリアル番号ＰＣＴ／ＵＳ２０１３／４０２４６、タイトル“Ｒｏｔａｔｉｎｇ  Ｄｉｓｋ  Ｒｅａｃｔｏｒ  ｗｉｔｈ  Ｆｅｒｒｏｆｌｕｉｄ  Ｓｅａｌ  ｆｏｒ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ”においてより詳細に記載されている。ＰＣＴ特許出願シリアル番号ＰＣＴ／ＵＳ２０１３／４０２４６の全内容は、参照により本明細書中に援用される。ＣＶＤリアクタの特定の設計は、本明細書中に記載されている教示に限定されない。本教示にしたがう２ピースフローフランジとともに用いられ得るＣＶＤリアクタの無数のバリエーションが存在する。
【００２７】
ＣＶＤリアクタ１００は、真空チャンバ１０２を含み、該チャンバは、しばしば、ステンレス鋼から形成される。真空チャンバ１０２は、単一基板のＣＶＤ処理または基板のバッチのＣＶＤ処理のための真空環境を提供する。本教示にしたがう、ＣＶＤリアクタを用いて実行され得るプロセスの一例は、ＣＶＤによって薄膜を堆積させることである（例えば、ＬＥＤ製造のためにサファイア基板上に成長させられたＧａＮベースの薄膜）。
【００２８】
ターンテーブル１０４は、真空チャンバ１０２の冷却領域１０６内に配置される。冷却領域１０６は、領域が比較的低温の構成要素を包囲することができるように、正常処理条件の間、比較的低温に維持される。ターンテーブル１０４の底面は、回転を可能にするベアリングまたはガイドホイールシステムを含む。回転誘電体サポート１０８は、ターンテーブル１０４の上部上に配置される。誘電体サポート１０８は、種々の手段により、ターンテーブル１０４に機械的にまたは磁気的に結合され得る。本教示の一実施形態において、誘電体サポート１０８は、図１に示されているように、ターンテーブル１０４に取り付けられた中空の誘電体シリンダーまたはチューブである。種々の実施形態において、回転誘電体サポート１０８は、種々のその他の形状から形成される。本教示の１つの局面は、回転誘電体サポート１０８の長さが、その他の公知のＣＶＤリアクタにおいて用いられる、金属材料または高熱伝導性誘電体材料から形成された同様の構造よりも、顕著に短くあり得るということである。
【００２９】
基板キャリア１１０は、回転誘電体サポート１０８の上部上に配置されている。基板キャリア１１０は、処理のための少なくとも１つの基板を受け取るように寸法決めされた少なくとも１つの凹状部分を有する。一実施形態において、基板キャリア１１０は、単一の基板キャリアである。
【００３０】
基板キャリア１１０は、回転誘電体サポート１０８に機械的に取り付けられ得るか、または、回転誘電体サポート１０８の上面上に自由に配置され得、摩擦だけによって定所に保持される。本教示のＣＶＤシステムは、基板キャリア１１０と回転誘電体サポート１０８との間の界面における熱絶縁または断熱のための種々の手段を用いる。断熱のための１つのそのような手段は、基板キャリア１１０の縁における熱損失を低減させるために基板キャリア１１０の円形縁を形成することである。断熱のための別の手段は、基板キャリア１１０の底部と誘電体サポート１０８との間の伝熱を低減させることである。
【００３１】
いくつかの実施形態において、真空チャンバ１０２におけるシャッターまたはゲートが開放し、真空チャンバ１０２の反応エリア１１２の内外への基板キャリア１１０が移動することを可能にする。多くの実施形態において、基板キャリア１１０は、リップまたはその他の縁特徴を有し、該リップまたはその他の縁特徴は、ロボットアームが真空チャンバ１０２の内外へとそれを輸送することを可能にする。
【００３２】
本教示のその他の実施形態において、基板キャリア１１０は、例えば図１Ｂに示されているような、ＣＶＤリアクタ内に搭載されたマルチ基板キャリアである。
【００３３】
図１Ｂにおけるリアクタは、内側表面１１を有する壁を有している反応チャンバ１０を含み、該内側表面は、実質的に中心軸１６の周囲での旋回表面の形式である。リアクタ壁は、リアクタの上流端部に隣接しているテーパセクション１３を含み得、そして、可動フック状セクション１７をも含み得る。スピンドル１２は、軸１６の周囲での回転のためのチャンバ内に搭載される。ディスク状基板キャリア１１０は、スピンドル上に搭載される。基板キャリア１１０は、ウェハの表面２０が軸に沿って上流方向Ｕに面するように、１つ以上の基板（例えば、ウェハ１８）を保持するように配置される。可動フック状セクション１７は、システムが、示されているように動作状態にあるときに、ウェハキャリア１４の周囲に延在するシャッターを形成する。シャッターは、システムを装荷および除荷するためにポートを開放するように軸方向に移動させられ得る。典型的に、基板キャリア１１０は、スピンドル上に取り外し可能に搭載され、これにより、システムは、基板キャリアを移動させることによって除荷され得、かつ、新たな基板キャリアを挿入することによって再装荷され得る。ガスフローフランジ１５０は、以下により詳細に記載される。
【００３４】
ヒータ１５（例えば、電気抵抗ヒータ）が、基板キャリアおよびウェハを加熱するためにリアクタ内に提供される。また、排気システム１９が、反応チャンバの下流端部に接続されている。
【００３５】
本教示にしたがうガスフローフランジ１５０は、基板キャリア１１０の上方に示されている。ガスフローフランジ１５０は、図２〜４に関連して以下により詳細に記載される。ガスフローフランジ１５０は、ＣＶＤリアクタ１００システムの組立前、製造後に一緒に締結される第１のセクション１５２および第２のセクション１５４を含む。ガスフローフランジ１５０は、基板キャリア１１０の近くへの注入の前に、フランジ内での第１のガスおよび第２のガスの混合を防止する。動作中、第１のガス（例えば、アルキルガス）は、第１の複数のガス入力チャネル１５６から注入され、第２のガス（例えば、水素化物ガス）は、第２の複数のガス入力チャネル１５８から注入される。ガスフローフランジ１５０は、動作中にガスフローフランジ１５０の底面１６２を冷たく保つ冷却チャネル１６０を含む。
【００３６】
図２は、本教示にしたがう、化学蒸着のための回転ディスクリアクタのためのガスフローフランジ２００の側面図を例示している。ガスフローフランジ２００は、一緒に締結された第１のセクション２０２および第２のセクション２０４を含む。種々の実施形態において、第１のセクション２０２および第２のセクション２０４は、第１のセクション２０２の上面２０８内の複数の凹状スロット２０３に配置された、機械的ファスナーの無数のタイプ（例えば、細密なネジ山付きスクリュー、リベット、ピン、およびボルト）のうちの任意の１つを用いて、一緒に締結される。スナップファスナーおよびクランプもまた、用いられ得る。いくつかの実施形態において、第１のセクション２０２および第２のセクション２０４のうちの一方は、複数の整列ピンを含み、第１のセクション２０２および第２のセクション２０４のうちの他方は、複数の整列ピンを受け取るように寸法決めされた対応する複数のアパーチャを画定する。第１のセクション２０２および第２のセクション２０４のうちの少なくとも一方は、３次元金属印刷によって形成され得る。
【００３７】
第１のセクション２０２および第２のセクション２０４は、第１のガスおよび第２のガスを分離し、これにより、第１のガスおよび第２のガスがガスフローフランジ２００を退出するまで、それらが反応しないようにする。第１のセクション２０２は、第１のセクション２０２の内部に配置され、かつ、第１のセクションの上面２０８に平行である、複数の第１のガスチャネル２０６を含む。また、第１のセクション２０２は、第１のセクション２０２の上面２０８に垂直に配置され、かつ、第１のセクション２０２の上面２０８から第１のセクションの底面２１２へと延在している、複数の第２のガス入力チャネル２１０を含む。一実施形態において、複数の第１のガス入力チャネル２０６は、アルキルガス源の出力に結合されており、複数の第２のガス入力チャネル２１０は、水素化物ガス源の出力に結合されている。
【００３８】
また、第２のセクション２０４は、第２のセクション２０４の上面２２２に垂直に配置され、かつ、第２のセクション２０４の上面２２２を通り第２のセクションの底面２２４へと延在している、複数の第１のガス入力チャネル２２０を含む。複数の第１のガス入力チャネル２２０の各々は、第１のセクション２０２における第１のガス入力チャネル２０６のうちの対応する１つの出力と整列させられている。
【００３９】
また、第２のセクション２０４は、第２のセクション２０４の上面２２２に垂直に配置され、かつ、第２のセクションの上面から第２のセクションの底面２２４へと延在している、複数の第２のガス入力チャネル２２６を含む。第２のセクション２０４における複数の第２のガス入力チャネル２２６の各々は、第１のセクション２０２における複数の第２のガス入力チャネル２１０のうちの対応する１つと整列させられる。多くの実施形態において、第２のセクション２０４の上面２２２に垂直に配置され、かつ、第２のセクションの上面から第２のセクションの底面２２４へと延在している、第２のセクション２０４における第２のガス入力チャネル２２６は、底面２２４に向けて増大する直径を有している。いくつかの実施形態において、第２のセクション２０４の上面２２２に垂直に配置され、かつ、第２のセクションの上面から第２のセクションの底面２２４へと延在している、第２のセクション２０４における第２のガス入力チャネル２２６のうちの少なくともいくつかは、錐体２３０の形状で形成されている。また、第２のセクション２０４は、ネジ山付きファスナーを受け取るように寸法決めされた第１のセクション２０２内の複数の凹状スロット２０３と整列させられた複数のネジ山付きセクション２３０を含む。
【００４０】
複数の流体冷却導管１６０が、第２のセクション２０４の上面２２２および底面２２４に平行配置される。複数の流体冷却導管１６０は、ガスフローフランジ２００から冷却流体中への伝熱を向上させるための、または、最大化させるための、種々の形状を有し得る。一実施形態において、複数の流体冷却導管１６０は、第２のセクション２０４の中央位置から外側方向にフローフランジ２００の出力ポートへと通る流体を受け取る入力ポートを含む。無数の流体冷却導管の形状およびパターンが、現代的な３次元金属印刷技術を用いて廉価に達成され得る。
【００４１】
種々の実施形態において、これらの流体冷却導管１６０は、第２のセクション２０４におけるそれらの位置、および、どの程度の空間が冷却導管のために第１のガス入力チャネル２２０と第２のガス入力チャネル２２６との間で物理的に利用可能であるかに依存して、様々な断面積を有する。種々の実施形態において、流体冷却導管は、液体（例えば、水）およびガス（例えば、空気）を含む任意の種類の冷却流体を通過させ得る。冷却流体は、容認可能な熱膨張を維持し、かつ、ガス混合を促進するように選択された範囲内に温度を制御する。
【００４２】
図３は、本教示にしたがう、化学蒸着のための回転ディスクリアクタのためのガスフローフランジ３００の側方透視図を例示している。ガスフローフランジ３００の側方透視図は、図２におけるガスフローフランジ２００のいくつかの特徴をより明確に示している。例えば、ガスフローフランジ３００の側方透視図は、ビューポート３０１を示している。また、ガスフローフランジ３００の側方透視図は、第１のセクション２０２および第２のセクション２０４が、第１のガスおよび第２のガスを分離し、これにより、第１のガスおよび第２のガスが、ガスフローフランジ２００の第２のセクション２０４の底面２２４を退出する前に、それらが混合しないようにすることをどのように行うかをより明確に示している。
【００４３】
第１のセクション２０２の内部に配置され、該第１のセクションの上面２０８に平行である、複数の第１のガスチャネル２０６は、環状チャネル３０２に結合される。ガスは、ガス入口３０４から環状チャネル３０２へと通過し、そして、環状チャネル３０２から複数の第１のガスチャネル２０６へと通過し、該ガスは、基板キャリア１１０に近い第２のセクション２０４に向けて下方に流動する。いくつかの化学蒸着プロセスに対して、ガス入口３０４は、アルキルガス源の出力に結合される。
【００４４】
さらに、第１のセクション２０２の上面２０８に垂直に配置され、かつ、該上面２０８から第２のセクション２０４の底面２２４へと延在している、複数の第２のガス入力チャネル２１０は、第１のセクション２０２の上面２０８から第２のセクション２０４の底面２２４へと延在しているスロット（複数の第２のガス入力チャネル２１０の断面積は増大する）として示されており、錐体形状になり、そして、基板キャリア１１０へと通過する。いくつかの化学蒸着プロセスのために、水素化物ガス源が、第１のセクション２０２の上面２０８において、複数の第２のガス入力チャネル２１０に結合される。錐体形状の出口を通過するガスは、第２のセクション２０４の底面２２４から基板キャリア１１０に向けて流動する。
【００４５】
図３に示されているガスフローフランジ３００の側方透視図は、第２のセクション２０４の上面２２２および底面２２４に平行配置された複数の冷却導管１６０をより明確に例示している。冷却導管１６０の断面積は、図３に示されているものと実質的に同じであるか、または、流体の体積を最大化し、ひいては、ガスフローフランジ３００からの伝熱を最大化するように選択される、種々の断面積を有し得る。図３に示されている実施形態において、冷却流体は、中央位置において複数の流体冷却導管１６０に進入し、そして、複数の冷却導管を通して外側方向に流動する。
【００４６】
図４は、本教示にしたがう、化学蒸着のための回転ディスクリアクタのためのガスフローフランジ４００の上面図を例示している。ガスフローフランジ４００の上面図は、図２、３におけるガスフローフランジ２００、３００のそれぞれのいくつかの特徴をより明確に示している。ビューポート４０１は、ガスフローフランジ４００の側部を通して配置されているものとして示されている。また、第１のセクション２０２の上面２０８中に配置された複数の凹状スロット２０３が、明確に示されている。いくつかの実施形態において、機械的ファスナー（例えば、細密なネジ山付きスクリュー）は、複数の凹状スロット２０３内に配置されている。これらの機械的ファスナーは、それらが第１のセクションおよび第２のセクションを正確な整列において一緒に締結するように、第２のセクション２０４内のネジ山付きセクションへと貫通している。第１のセクション２０２および第２のセクション２０４のうちの一方における複数の整列ピン、および、第１のセクション２０２および第２のセクション２０４のうちの他方における複数の整列ピンを受け取るように寸法決めされた複数の対応するアパーチャは、締結前に正確な整列を実行することを補助するために用いられ得る。
【００４７】
化学蒸着のための回転ディスクリアクタのためのガスフローフランジ４００の上面図は、ガスフローフランジ４００の種々のセクションにおけるガスの混合を防止するための手段の一実施形態を例示している。図４のガスフローフランジ４００は、第１のセクション２０２における環状チャネル３０２の外側表面に配置されたガスケットまたはO−リング４０２を示している。O−リングは、ガス入口３０４から、環状チャネル中へ通過し、そして、複数の第１のガスチャネル２０６中へと通過するガスが、上面から第２のガス入力チャネル２１０へと流入するガスと混合することを防止する。いくつかのプロセスにおいて、ガス入口中へと流動するガスは、アルキルガスであり、第２のガス入力チャネル２１０に対する上面へと流動するガスは、水素化物ガスである。
【００４８】
図５Ａ〜Ｃは、種々の流体冷却導管設計に対する温度分布図を例示している。図５Ａ〜Ｃは、第２のセクション２０４に存在する、複数の第１のガス入力チャネル２２０と、複数の第２のガス入力チャネル２２６とを示しており、該複数の第１のガス入力チャネルおよび該複数の第２のガス入力チャネルは、第２のセクション２０４の底面２２４へと貫通している。温度分布図は、種々の形状および位置を有する種々の冷却導管に対して示されている。図５Ａ〜Ｃにおける種々の図は、１４８℃から、下には１００℃までの、温度分布を示している。
【００４９】
図５Ａは、図３のガスフローフランジ３００に示されているような、複数の第１のガス入力チャネル２２０の周囲に配置された円形冷却導管を示す温度分布図５００を例示している。このような円形冷却導管は、フローフランジ中へと穿孔され得るので、形成することが比較的容易である。しかしながら、円形冷却導管を穿孔することは、破砕および亀裂を防止するために、穿孔される導管に隣接して十分な材料が存在することを必要とする。したがって、導管は、ガスフローフランジの第２のセクション２０４において比較的高所に配置される。温度分布図５００は、複数の第１のガス入力チャネル２２０における温度が、約１４８℃であることを示している。
【００５０】
図５Ｂは、複数の第１のガス入力チャネル２２０の周囲に配置された涙滴形状の冷却導管を示す温度分布図５０２を例示している。このような涙滴形状の冷却導管は、従来的な穿孔および切削装置を用いて製造することが比較的困難である。しかしながら、最近に発展した３次元金属印刷技術は、これらの導管を容易かつ廉価に形成するために用いられ得る。３次元金属印刷による涙滴形状の導管の１つの特徴は、それらが、例えば図５Ａに示されている冷却導管等の穿孔または切削された冷却導管よりも物理的に大きくあり得、その一方で、第１のガス入力チャネル２２０の完全性を維持し得るということである。３次元金属印刷によって形成された涙滴形状の導管の別の特徴は、それらが、ガスフローフランジの第２のセクションの底面２０４の近くに延在し得、これにより、基板キャリア１１０の近くにガスを注入する先端部の非常に近くに冷却流体を提供し得るということである。したがって、温度分布図５０２は、約１１５℃である、複数の第１のガス入力チャネル２２０におけるより低い温度を示している。
【００５１】
図５Ｃは、複数の第１のガス入力チャネル２２０の周囲に配置された深い涙滴形状の冷却導管を示す温度分布図５０４を例示している。このような深い涙滴形状の冷却導管は、従来的な穿孔および切削装置を用いて製造することがより一層困難である。しかしながら、最近に発展した３次元金属印刷技術は、第１のガス入力チャネルの縁の近くに配置された、これらのおよび多くのその他の不規則的な形状の導管を製造するために用いられ得る。深い涙滴形状の導管の１つの特徴は、それらが、ガスフローフランジの第２のセクションの底面２０４の一層近くまで延長され得、これにより、基板キャリア１１０の近くにガスを注入する先端部の一層近くに冷却流体を提供し得るということである。したがって、温度分布図５０４は、約１００℃である、複数の第１の入力チャネル２２０におけるより低い温度を示唆している。
（均等物）
【００５２】
本願の教示は、種々の実施形態に関連して記載されてきたが、本願の教示がこのような実施形態に限定されることは意図されていない。それとは反対に、本願の教示は、当業者によって理解され得るように、本教示の趣旨および範囲から逸脱することなしに作られ得る、種々の代替、改変、および均等物を包含する。
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図５Ｃ】
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