(57)【要約】【課題】表示品位に優れた液晶表示装置を提供する。【解決手段】液晶表示装置は、第１基板と、第２基板と、液晶層と、第１共通電極と、第２共通電極と、を備える。第１基板は、導電層と、第１スイッチング素子と、第１信号線Ｓ１と、第２信号線Ｓ２と、第１画素電極ＰＥ１と、を有する。第１信号線Ｓ１は上記導電層と第１静電容量結合し、第２信号線Ｓ２は上記導電層と第２静電容量結合し、第１画素電極ＰＥ１は上記導電層と第３静電容量結合する。上記第１共通電極は第１信号線Ｓ１と対向し、上記第２共通電極は第２信号線Ｓ２と対向している。【選択図】図５
2016200635.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電層と、第１スイッチング素子と、互いに間隔を置いて延在した第１信号線及び第２信号線であって前記第１信号線は前記導電層と第１静電容量結合し前記第２信号線は前記導電層と第２静電容量結合した前記第１信号線及び前記第２信号線と、前記第１信号線と前記第２信号線との間に位置し前記第１スイッチング素子を介して前記第１信号線と電気的に接続され前記導電層と第３静電容量結合した第１画素電極と、を有する第１基板と、
前記第１基板に対向配置された第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に保持された液晶層と、
前記第１基板と前記第２基板との少なくとも一方の基板にともに設けられた第１共通電極及び第２共通電極であって前記第１共通電極は前記第１信号線と対向し前記第１信号線に沿って延出し前記第２共通電極は前記第２信号線と対向し前記第２信号線に沿って延出した前記第１共通電極及び前記第２共通電極と、
を備える、液晶表示装置。
【請求項２】
前記第１基板は、第２スイッチング素子と、前記第２スイッチング素子を介して前記第２信号線と電気的に接続された第２画素電極と、をさらに有し、
前記第１スイッチング素子は、第１半導体層と、前記第１半導体層の上方に位置し前記第１半導体層に対向配置された第１ゲート電極と、前記第１半導体層と前記第１ゲート電極との間に設けられたゲート絶縁膜と、を有し、
前記第２スイッチング素子は、第２半導体層と、前記第２半導体層の上方に位置し前記第２半導体層に対向配置された第２ゲート電極と、前記第２半導体層と前記第２ゲート電極との間に設けられた前記ゲート絶縁膜と、を有し、
前記導電層は、前記第１半導体層及び前記第２半導体層の下方に位置し、前記第１半導体層のうち前記第１ゲート電極と対向した第３領域と前記第２半導体層のうち前記第２ゲート電極と対向した第６領域との両方に隙間を置いて対向し、遮光性を有する、
請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記第１半導体層は、前記第１信号線に接続され前記第１信号線の電位と同一の電位に設定される第１領域と、前記第１画素電極に接続され前記第１画素電極の電位と同一の電位に設定される第２領域と、前記第１領域と前記第２領域との間の前記第３領域と、を有し、
前記第２半導体層は、前記第２信号線に接続され前記第２信号線の電位と同一の電位に設定される第４領域と、前記第２画素電極に接続され前記第２画素電極の電位と同一の電位に設定される第５領域と、前記第４領域と前記第５領域との間の前記第６領域と、を有し、
前記第１静電容量結合するために、前記第１領域は前記導電層に隙間を置いて対向し、
前記第２静電容量結合するために、前記第４領域は前記導電層に隙間を置いて対向し、
前記第３静電容量結合するために、前記第２領域は前記導電層に隙間を置いて対向している、
請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記第１基板は、前記第１ゲート電極及び前記第２ゲート電極を含み、前記第１信号線及び前記第２信号線とそれぞれ交差して延在した走査線をさらに有し、
前記導電層は、前記走査線、前記第１信号線、前記第２信号線及び前記第１画素電極と対向配置されている、
請求項３に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
第１導電層と、第２導電層と、第１スイッチング素子と、互いに間隔を置いて延在した第１信号線及び第２信号線であって前記第１信号線は前記第１導電層と第１静電容量結合し前記第２信号線は前記第２導電層と第２静電容量結合した前記第１信号線及び前記第２信号線と、前記第１信号線と前記第２信号線との間に位置し前記第１スイッチング素子を介して前記第１信号線と電気的に接続され前記第１導電層と第３静電容量結合し前記第２導電層と第４静電容量結合した第１画素電極と、を有する第１基板と、
前記第１基板に対向配置された第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に保持された液晶層と、
前記第１基板と前記第２基板との少なくとも一方の基板にともに設けられた第１共通電極及び第２共通電極であって前記第１共通電極は前記第１信号線と対向し前記第１信号線に沿って延出し前記第２共通電極は前記第２信号線と対向し前記第２信号線に沿って延出した前記第１共通電極及び前記第２共通電極と、
を備える、液晶表示装置。
【請求項６】
前記第１基板は、第１遮光層と、第２遮光層と、第２スイッチング素子と、前記第２スイッチング素子を介して前記第２信号線と電気的に接続された第２画素電極と、をさらに有し、
前記第１スイッチング素子は、第１半導体層と、前記第１半導体層の上方に位置し前記第１半導体層に対向配置された第１ゲート電極と、前記第１半導体層と前記第１ゲート電極との間に設けられたゲート絶縁膜と、を有し、
前記第２スイッチング素子は、第２半導体層と、前記第２半導体層の上方に位置し前記第２半導体層に対向配置された第２ゲート電極と、前記第２半導体層と前記第２ゲート電極との間に設けられた前記ゲート絶縁膜と、を有し、
前記第１遮光層は、前記第１半導体層の下方に位置し、前記第１半導体層のうち前記第１ゲート電極と対向した第３領域と隙間を置いて対向し、
前記第２遮光層は、前記第２半導体層の下方に位置し、前記第２半導体層のうち前記第２ゲート電極と対向した第６領域と隙間を置いて対向している、
請求項５に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記第１半導体層は、前記第１信号線に接続され前記第１信号線の電位と同一の電位に設定される第１領域と、前記第１画素電極に接続され前記第１画素電極の電位と同一の電位に設定される第２領域と、前記第１領域と前記第２領域との間の前記第３領域と、を有し、
前記第２半導体層は、前記第２信号線に接続され前記第２信号線の電位と同一の電位に設定される第４領域と、前記第２画素電極に接続され前記第２画素電極の電位と同一の電位に設定される第５領域と、前記第４領域と前記第５領域との間の前記第６領域と、を有し、
前記第１静電容量結合するために、前記第１領域は前記第１導電層に隙間を置いて対向し、
前記第２静電容量結合するために、前記第４領域は前記第２導電層に隙間を置いて対向し、
前記第３静電容量結合するために、前記第２領域は前記第１導電層に隙間を置いて対向し、
前記第４静電容量結合するために、前記第２領域は前記第２導電層に隙間を置いて対向している、
請求項６に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記第１基板は、前記第１信号線及び前記第２信号線とそれぞれ交差して延在し、前記第１画素電極及び前記第２画素電極のそれぞれと静電容量結合した補助容量線をさらに有し、
前記第１導電層は、前記補助容量線及び前記第１信号線と対向配置され、
前記第２導電層は、前記補助容量線及び前記第２信号線と対向配置されている、
請求項７に記載の液晶表示装置。
【請求項９】
前記第１導電層、前記第２導電層、前記第１遮光層及び前記第２遮光層は、同一レベルの層に同一材料で形成されている、
請求項６乃至８の何れか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項１０】
前記第１共通電極及び前記第２共通電極は、それぞれ前記第１基板に設けられ、同一層の上に配置されている、
請求項１乃至９の何れか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項１１】
前記第１信号線、前記第２信号線、前記第１共通電極及び前記第２共通電極に電気的に接続された駆動部と、をさらに備え、
前記駆動部は、
第１表示期間に、前記第１共通電極と前記第２共通電極とにコモン駆動信号を与え、前記第１信号線に第１極性を有する第１画像信号を与え、前記第２信号線に前記第１極性と異なる第２極性を有する第２画像信号を与え、
前記第１表示期間の次の第２表示期間に、前記第１共通電極と前記第２共通電極とに前記コモン駆動信号を与え、前記第１信号線に前記第２極性を有する前記第１画像信号を与え、前記第２信号線に前記第１極性を有する前記第２画像信号を与える、
請求項１乃至１０の何れか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項１２】
それぞれ前記第１スイッチング素子及び前記第１画素電極を有し前記第１信号線に沿って同一列に並んだ複数の画素をさらに備え、
前記複数の画素は、前記第１信号線を共用している、
請求項１乃至１１の何れか１項に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、平面表示装置が盛んに開発されており、中でも液晶表示装置は、軽量、薄型、低消費電力等の利点から特に注目を集めている。特に、各画素にスイッチング素子を組み込んだアクティブマトリクス型液晶表示装置においては、ＩＰＳ（In-Plane Switching）モードなどの横電界（フリンジ電界も含む）を利用した構造が注目されている。このような横電界モードの液晶表示装置は、アレイ基板に形成された画素電極と対向電極とを備え、アレイ基板の主面に対してほぼ平行な横電界で液晶分子をスイッチングする。
【０００３】
ところで、液晶表示装置では、液晶層に電圧を付与し、液晶分子の配向状態を変化させることで透過率を変化させて画像を表示する。しかし、付与する電圧の極性を変化させない直流駆動を採用した場合には、液晶層中の不純物イオンの存在などによって電界分布が変化するため画像の表示品位が低下する。そのため、付与する電圧の極性を所定の間隔毎に反転する交流駆動を採用するのが一般的である。
【０００４】
交流駆動方式としては、フレーム反転駆動、カラム（信号線）反転駆動、ライン（走査線）反転駆動、ドット反転駆動などが知られている。これらのうち、カラム反転駆動は低消費電力化に有効である特長をもっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１４−０７４７９８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本実施形態は、表示品位に優れた液晶表示装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
一実施形態に係る液晶表示装置は、
導電層と、第１スイッチング素子と、互いに間隔を置いて延在した第１信号線及び第２信号線であって前記第１信号線は前記導電層と第１静電容量結合し前記第２信号線は前記導電層と第２静電容量結合した前記第１信号線及び前記第２信号線と、前記第１信号線と前記第２信号線との間に位置し前記第１スイッチング素子を介して前記第１信号線と電気的に接続され前記導電層と第３静電容量結合した第１画素電極と、を有する第１基板と、
前記第１基板に対向配置された第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に保持された液晶層と、
前記第１基板と前記第２基板との少なくとも一方の基板にともに設けられた第１共通電極及び第２共通電極であって前記第１共通電極は前記第１信号線と対向し前記第１信号線に沿って延出し前記第２共通電極は前記第２信号線と対向し前記第２信号線に沿って延出した前記第１共通電極及び前記第２共通電極と、
を備えている。
【０００８】
また、一実施形態に係る液晶表示装置は、
第１導電層と、第２導電層と、第１スイッチング素子と、互いに間隔を置いて延在した第１信号線及び第２信号線であって前記第１信号線は前記第１導電層と第１静電容量結合し前記第２信号線は前記第２導電層と第２静電容量結合した前記第１信号線及び前記第２信号線と、前記第１信号線と前記第２信号線との間に位置し前記第１スイッチング素子を介して前記第１信号線と電気的に接続され前記第１導電層と第３静電容量結合し前記第２導電層と第４静電容量結合した第１画素電極と、を有する第１基板と、
前記第１基板に対向配置された第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に保持された液晶層と、
前記第１基板と前記第２基板との少なくとも一方の基板にともに設けられた第１共通電極及び第２共通電極であって前記第１共通電極は前記第１信号線と対向し前記第１信号線に沿って延出し前記第２共通電極は前記第２信号線と対向し前記第２信号線に沿って延出した前記第１共通電極及び前記第２共通電極と、
を備えている。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】図１は、第１の実施形態に係る液晶表示装置の構成を示す斜視図である。
【図２】図２は、図１に示した液晶表示パネルの構成及び等価回路を示す図である。
【図３】図３は、図２に示した画素を示す等価回路図である。
【図４】図４は、上記液晶表示パネルの一画素における最小の単位構成体を示す平面図である。
【図５】図５は、上記液晶表示パネルの複数の画素のうち隣合う２個の画素を示す平面図である。
【図６】図６は、図５の線ＶＩ−ＶＩに沿って示す液晶表示パネルの一部を示す断面図である。
【図７】図７は、図５の線ＶＩＩ−ＶＩＩに沿って示す液晶表示パネルの一部を示す断面図である。
【図８】図８は、上記図５に示した第１信号線と第１画素電極との間に第１遮光層を利用して第１カップリング容量を形成し、第２信号線と第１画素電極との間に上記第１遮光層を利用して第２カップリング容量を形成している状態を説明するための図である。
【図９】図９は、上記液晶表示パネルの表示領域が第１表示領域乃至第５表示領域に区域されている状態を説明するための図である。
【図１０】図１０は、上記液晶表示パネルの一部を示す断面図であり、第１乃至第７信号線、第１乃至第６画素電極、共通電極、複数色の着色層、正極性又は負極性を有する複数色の画素の各ドメインを示す図である。
【図１１】図１１は、上記第１表示領域にて赤色表示を行い上記第２乃至第５表示領域にて中間調表示を行う場合の任意の１フレーム期間に、主共通電極及び上記第２表示領域の第１乃至第６画素電極に印加される電圧の値を表（ａ）で示し、上記第２表示領域の走査期間に第１乃至第７信号線のそれぞれを駆動する画像信号の電圧値と、上記第１表示領域の走査期間に第１乃至第７信号線のそれぞれを駆動する画像信号の電圧値と、上記第１乃至第７信号線のそれぞれの電圧値の変化量と、を表（ｂ）で示す図である。
【図１２】図１２は、上記第１表示領域にて赤色表示を行い上記第２乃至第５表示領域にて中間調表示を行う場合の任意の１フレームに上記第１乃至第７信号線からの漏れ電界が及ぼすことによる明るさの変化を表（a）及び表（b）で示す図であり、表（a）は中間調表示時と比較した第２表示領域の正極性又は負極性を有する複数色の画素の平均的な明るさの変化を示し、表（b）は中間調表示時と比較した第２表示領域の複数色の画素の平均的な明るさの変化を示す図である。
【図１３】図１３は、上記第１表示領域にて赤色表示、緑色表示、青色表示、シアン表示、マゼンダ表示、イエロー表示、白色表示又は黒色表示を行い上記第２乃至第５表示領域にて中間調表示を行う場合に上記第１乃至第７信号線からの漏れ電界が及ぼすことによる明るさの変化を表で示す図であり、任意の１周期において中間調表示時と比較した第２表示領域の正極性又は負極性を有する複数の画素の明るさと、１周期平均において中間調表示時と比較した第２表示領域の複数色の画素の平均的な明るさと、を示す図である。
【図１４】図１４は、上記第１表示領域にて赤色表示を行い上記第２乃至第５表示領域にて中間調表示を行う場合の任意の１フレーム期間に信号線と画素電極との間に形成されるカップリング容量による明るさの変化を表（a）及び表（b）で示す図であり、表（a）は中間調表示時と比較した第２表示領域の正極性又は負極性を有する複数色の画素の平均的な明るさの変化を示し、表（b）は中間調表示時と比較した第２表示領域の複数色の画素の平均的な明るさの変化を示す図である。
【図１５】図１５は、上記第１表示領域にて赤色表示、緑色表示、青色表示、シアン表示、マゼンダ表示、イエロー表示、白色表示又は黒色表示を行い上記第２乃至第５表示領域にて中間調表示を行う場合に信号線と画素電極との間に形成されるカップリング容量による明るさの変化を表で示す図であり、任意の１周期において中間調表示時と比較した第２表示領域の正極性又は負極性を有する複数の画素の明るさと、１周期平均において中間調表示時と比較した第２表示領域の複数色の画素の平均的な明るさと、を示す図である。
【図１６】図１６は、上記第１の実施形態に係る液晶表示パネルの一部を示す平面図であり、第１遮光層及び第２遮光層のパターンを示す図である。
【図１７】図１７は、第２の実施形態に係る液晶表示パネルの複数の画素のうち隣合う２個の画素を示す平面図である。
【図１８】図１８は、図１７の線ＸＶＩＩＩ−ＸＶＩＩＩに沿って示す液晶表示パネルの一部を示す断面図である。
【図１９】図１９は、上記図１７に示した第１信号線と第１画素電極との間に第１導電層を利用して第１カップリング容量を形成し、第２信号線と第１画素電極との間に第２導電層を利用して第２カップリング容量を形成している状態を説明するための図である。
【図２０】図２０は、第３の実施形態に係る液晶表示パネルの複数の画素のうち隣合う２個の画素を示す平面図である。
【図２１】図２１は、上記第３の実施形態に係る液晶表示パネルの一部を示す平面図であり、画素電極と共通電極とのパターンを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下に、本発明の各実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。
【００１１】
まず、第１の実施形態に係る液晶表示装置ＤＳＰについて詳細に説明する。  
図１は、第１の実施形態に係る液晶表示装置ＤＳＰの構成を示す斜視図である。ここでは、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙは、互いに直交しているが、９０°以外の角度で交差していてもよい。第３方向Ｚは、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙのそれぞれと互いに直交している。
【００１２】
図１に示すように、液晶表示装置ＤＳＰは、アクティブマトリクス型の液晶表示パネルＰＮＬ、液晶表示パネルＰＮＬを駆動する駆動回路ＩＣ、液晶表示パネルＰＮＬを照明するバックライトユニットＢＬ、制御モジュールＣＭ、フレキシブル配線基板ＦＰＣ１，ＦＰＣ２などを備えている。
【００１３】
液晶表示パネルＰＮＬは、平板状のアレイ基板ＡＲと、アレイ基板ＡＲに隙間を置いて対向した平板状の対向基板ＣＴとを備えている。本実施形態において、アレイ基板ＡＲは第１基板として機能し、対向基板ＣＴは第２基板として機能している。液晶表示パネルＰＮＬは、画像を表示する表示領域ＤＡ、及び表示領域ＤＡを囲む額縁状の非表示領域ＮＤＡを備えている。液晶表示パネルＰＮＬは、表示領域ＤＡの中で第１方向Ｘ及び第２方向Ｙにマトリクス状に配置された複数の画素ＰＸを備えている。
【００１４】
バックライトユニットＢＬは、アレイ基板ＡＲの背面に配置されている。このようなバックライトユニットＢＬとしては、種々の形態が適用可能であるが、詳細な構造については説明を省略する。  
駆動回路ＩＣは、アレイ基板ＡＲ上に実装されている。駆動回路ＩＣは、例えば集積回路で形成されている。フレキシブル配線基板ＦＰＣ１は、液晶表示パネルＰＮＬと制御モジュールＣＭとを接続している。フレキシブル配線基板ＦＰＣ２は、バックライトユニットＢＬと制御モジュールＣＭとを接続している。本実施形態において、駆動回路ＩＣ及び制御モジュールＣＭは、駆動部を構成している。
【００１５】
図２は、図１に示した液晶表示パネルＰＮＬの構成及び等価回路を示す図である。  
図２に示すように、液晶表示装置ＤＳＰは、液晶表示パネルＰＮＬなどに加えて、表示領域ＤＡの外側の非表示領域ＮＤＡに位置した駆動回路ＩＣ、走査線駆動回路ＧＤ、信号線駆動回路ＳＤなどを備えている。本実施形態において、信号線駆動回路ＳＤも上記駆動部を構成している。本実施形態において、駆動回路ＩＣは、共通電極駆動回路ＣＤを備えている。なお、駆動回路ＩＣは、信号線駆動回路ＳＤを備えていてもよい。その他、アレイ基板ＡＲの非表示領域ＮＤＡにマルチプレクサを設け、マルチプレクサを介して信号線駆動回路ＳＤに信号線を接続してもよい。
【００１６】
液晶表示パネルＰＮＬは、表示領域ＤＡにおいて、複数の画素ＰＸを備えている。複数の画素ＰＸは、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙにマトリクス状に設けられている。また、液晶表示パネルＰＮＬは、表示領域ＤＡにおいて、複数本の走査線Ｇ、複数本の信号線Ｓ、複数本の補助容量線Ｃなどを備えている。
【００１７】
走査線Ｇは、第１方向Ｘに略直線的に延出し、表示領域ＤＡの外側に引き出され、走査線駆動回路ＧＤに接続されている。また、走査線Ｇは、第２方向Ｙに間隔を置いて並べられている。信号線Ｓは、第２方向Ｙに略直線的に延出し、表示領域ＤＡの外側に引き出され、信号線駆動回路ＳＤに接続されている。また、信号線Ｓは、第１方向Ｘに間隔を置いて並べられ、走査線Ｇと交差している。補助容量線Ｃは、第１方向Ｘに略直線的に延出し、表示領域ＤＡの外側に引き出され、上記制御モジュールＣＭに接続されている。また、補助容量線Ｃは、第２方向Ｙに間隔を置いて並べられている。なお、走査線Ｇ、信号線Ｓ及び補助容量線Ｃは、必ずしも直線的に延出していなくてもよく、それらの一部が屈曲していてもよい。
【００１８】
図３は、図２に示した画素ＰＸを示す等価回路図である。  
図３に示すように、各画素ＰＸは、スイッチング素子ＳＷ、画素電極ＰＥ、共通電極ＣＥ、液晶層ＬＱ等を備えている。スイッチング素子ＳＷは、例えば薄膜トランジスタで形成されている。本実施形態において、スイッチング素子ＳＷは、トップゲート型の薄膜トランジスタで形成されている。スイッチング素子ＳＷは、走査線Ｇ及び信号線Ｓと電気的に接続されている。また、スイッチング素子ＳＷの半導体層は、例えば、ポリシリコンによって形成されているが、アモルファスシリコンや酸化物半導体などによって形成されていてもよい。画素電極ＰＥは、スイッチング素子ＳＷに電気的に接続されている。画素電極ＰＥは、共通電極ＣＥと対向している。
【００１９】
保持容量ＣＳは、例えば補助容量線Ｃと、画素電極ＰＥとの間に形成されている。画素電極ＰＥは、各画素ＰＸに配置されている。共通電極ＣＥは、表示領域ＤＡ内に設けられ、複数の画素ＰＸに対して共通に配置されている。共通電極ＣＥは、上記共通電極駆動回路ＣＤに電気的に接続されている。このような画素電極ＰＥ及び共通電極ＣＥは、例えば、インジウム・ティン・オキサイド（ＩＴＯ）やインジウム・ジンク・オキサイド（ＩＺＯ）などの光透過性を有する導電材料によって形成されているが、アルミニウムなどの他の金属材料によって形成されても良い。
【００２０】
図４は、液晶表示パネルＰＮＬの一画素における最小の単位構成体を示す平面図である。  
図４に示すように、画素ＰＸは、図中の二点鎖線で示した領域に相当し、第１方向Ｘに沿った長さよりも第２方向Ｙに沿った長さの方が長い長方形状である。この実施形態において、画素ＰＸは、第２方向Ｙに平行な長軸を有している。但し、画素ＰＸは、この実施形態に限定されるものではなく、第１方向Ｘ又は第２方向Ｙに平行な長軸を有していればよい。
【００２１】
画素電極ＰＥは、それぞれ画素ＰＸの長軸に沿った方向に延出した主画素電極ＰＡを含んでいる。この実施形態において、主画素電極ＰＡは、第２方向Ｙに沿って延出して形成されている。また、この実施形態において、画素電極ＰＥは、互いに電気的に接続された主画素電極ＰＡ及びコンタクト部ＰＣを含んでいる。主画素電極ＰＡは、コンタクト部ＰＣから画素ＰＸの上側端部付近及び下側端部付近まで第２方向Ｙに直線的に延出している。より具体的には、主画素電極ＰＡは、略画素中央部において第２方向Ｙに直線的に延出して形成されている。このような主画素電極ＰＡは、第１方向Ｘに略同一の幅を有する帯状に形成されている。コンタクト部ＰＣは、主画素電極ＰＡよりも幅広に形成されている。
【００２２】
共通電極ＣＥは、アレイ基板ＡＲ及び対向基板ＣＴの少なくとも一方の基板に配置されている。本実施形態において、共通電極ＣＥは、アレイ基板ＡＲに配置されている。共通電極ＣＥは、複数の主共通電極ＣＡを有している。これらの主共通電極ＣＡは、互いに電気的に接続されている。共通電極ＣＥは、画素電極ＰＥとは電気的に絶縁されている。
【００２３】
液晶層ＬＱの液晶分子は、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に形成される電界を主に利用してスイッチングされる。画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に形成される電界は、第１方向Ｘと第２方向Ｙとで規定されるＸ−Ｙ平面あるいは基板主面に対してわずかに傾いた斜め電界（あるいは、基板主面にほぼ平行な横電界）である。
【００２４】
主共通電極ＣＡは、第２方向Ｙに沿って延出している。図示した例では、主共通電極ＣＡは、第２方向Ｙに沿って直線的に延出した帯状に形成されている。なお、主共通電極ＣＡは第１方向Ｘに間隔を置いて平行に並んでおり、以下では、これらを区別するために、図中の左側の主共通電極をＣＡＬと称し、図中の右側の主共通電極をＣＡＲと称する。本実施形態において、主共通電極ＣＡＬは第１共通電極として機能し、主共通電極ＣＡＲは第２共通電極として機能している。
【００２５】
主共通電極ＣＡＬ及び主共通電極ＣＡＲは左右画素間に配置されている。すなわち、主共通電極ＣＡＬは図示した当該画素ＰＸとその左側の画素（図示せず）との境界に跨って配置され、主共通電極ＣＡＲは図示した当該画素ＰＸとその右側の画素（図示せず）との境界に跨って配置されている。
【００２６】
主共通電極ＣＡは、主画素電極ＰＡを挟んだ両側に配置されている。つまり、主画素電極ＰＡと主共通電極ＣＡとは、第１方向Ｘに交互に配置されている。これらの主画素電極ＰＡと、主共通電極ＣＡとは、互いに略平行に配置されている。このとき、Ｘ−Ｙ平面内において、主共通電極ＣＡのいずれも主画素電極ＰＡとは重ならず、主共通電極ＣＡのそれぞれと主画素電極ＰＡとの間には主として表示に寄与する開口部が形成されている。つまり、ここに示した例では、一画素ＰＸにおいて、２つの開口部が形成される。また、主共通電極ＣＡＬと画素電極ＰＥとの間には第１ドメインＤ１が形成され、主共通電極ＣＡＲと画素電極ＰＥとの間には第２ドメインＤ２が形成される。
【００２７】
ここに示した例では、液晶分子ＬＭの初期配向方向は、例えば、第２方向Ｙと略平行な方向であるが、第２方向Ｙを斜めに交差する斜め方向Ｄであってもよい。ここで、第２方向Ｙに対する初期配向方向Ｄのなす角度θ１は、０°より大きく４５°より小さい角度である。なお、このなす角度θ１については、５°〜２５°程度、より望ましくは１０°前後とすることが液晶分子ＬＭの配向制御の観点で極めて有効である。ここでは、角度θ１は、第２方向Ｙに対して数度程度わずかに傾いた方向であり、例えば、７°である。  
なお、後述するが、画素電極ＰＥは必要に応じて副画素電極を備えていていてもよく、共通電極ＣＥは必要に応じて副共通電極を備えていてもよい。
【００２８】
図５は、液晶表示パネルＰＮＬの複数の画素ＰＸのうち隣合う２個の画素ＰＸ１，ＰＸ２を示す平面図である。  
図５に示すように、補助容量線Ｃ１、補助容量線Ｃ２及び走査線Ｇ１は、第１方向Ｘに略直線的に延出している。補助容量線Ｃ１は、第１画素ＰＸ１及び第２画素ＰＸ２のそれぞれの上側端部に配置されている。なお、補助容量線Ｃ１は、第１画素ＰＸ１及び第２画素ＰＸ２とそれらの上側の画素との境界に跨って配置されてもよい。補助容量線Ｃ２は、第１画素ＰＸ１及び第２画素ＰＸ２のそれぞれの下側端部に配置されている。なお、補助容量線Ｃ１は、第１画素ＰＸ１及び第２画素ＰＸ２とそれらの下側の画素との境界に跨って配置されてもよい。第２方向Ｙにおいて、走査線Ｇ１は、補助容量線Ｃ１と補助容量線Ｃ２との間に位置し、第１遮光層ＳＨａ及び第２遮光層ＳＨｂと対向している。
【００２９】
第１信号線Ｓ１、第２信号線Ｓ２及び第３信号線Ｓ３は、第２方向Ｙに略直線的に延出している。第２信号線Ｓ２は、第１信号線Ｓ１と第３信号線Ｓ３との間に位置している。主共通電極ＣＡは、第２方向Ｙに略直線的に延出し第１方向Ｘに間隔を置いて並んでいる。例えば、主共通電極ＣＡは、信号線Ｓに沿って延在している。主共通電極ＣＡＬは第１信号線Ｓ１と対向し、主共通電極ＣＡＲは第２信号線Ｓ２と対向している。第１画素電極ＰＥ１及び第２画素電極ＰＥ２は、主共通電極ＣＡと並行して延出している。第１画素電極ＰＥ１は、主共通電極ＣＡＬと主共通電極ＣＡＲとの間に位置している。第１画素電極ＰＥ１は第１画素ＰＸ１の上側端部付近から下側端部付近まで延出し、第２画素電極ＰＥ２は第２画素ＰＸ２の上側端部付近から下側端部付近まで延出している。
【００３０】
第１スイッチング素子ＳＷ１は第１半導体層ＳＣ１を有し、第２スイッチング素子ＳＷ２は第２半導体層ＳＣ２を有している。本実施形態において、第１スイッチング素子ＳＷ１及び第２スイッチング素子ＳＷ２は、それぞれダブルゲート型の薄膜トランジスタで形成されている。主共通電極ＣＡＬが左側、主共通電極ＣＡＲが右側となるＸ−Ｙ平面視において、第１半導体層ＳＣ１及び第２半導体層ＳＣ２は、大まかに、Ｊ字の形状に形成されている。
【００３１】
第１半導体層ＳＣ１は、第１信号線Ｓ１に沿って第２方向Ｙに延出し、走査線Ｇ１を越えた領域にて折り返し、第１画素電極ＰＥ１に沿って第２方向Ｙの逆方向に延出し、補助容量線Ｃ１と対向した領域において左右に拡張して形成されている。第１遮光層ＳＨａと対向する領域内において、第１半導体層ＳＣ１は、走査線Ｇ１と２個所で交差している。第１半導体層ＳＣ１は、第１領域Ｒ１ａと、第２領域Ｒ１ｂと、第１領域Ｒ１ａと第２領域Ｒ１ｂとの間の第３領域Ｒ１ｃと、を有している。第３領域Ｒ１ｃは、第１半導体層ＳＣ１のうち走査線Ｇ１と対向する領域であり、チャネル領域と言い換えることができる。本実施形態において、保持容量ＣＳ１を形成するため、第２領域Ｒ１ｂと補助容量線Ｃ１とは互いに対向している。
【００３２】
第２半導体層ＳＣ２は、第２信号線Ｓ２に沿って第２方向Ｙに延出し、走査線Ｇ１を越えた領域にて折り返し、第２画素電極ＰＥ２に沿って第２方向Ｙの逆方向に延出し、補助容量線Ｃ１と対向した領域において左右に拡張して形成されている。第２半導体層ＳＣ２は、第１遮光層ＳＨａと対向する領域内において走査線Ｇ１と交差し、さらに第２遮光層ＳＨｂと対向する領域内において走査線Ｇ１と交差している。第２半導体層ＳＣ２は、第４領域Ｒ２ａと、第５領域Ｒ２ｂと、第４領域Ｒ２ａと第５領域Ｒ２ｂとの間の第６領域Ｒ２ｃと、を有している。第６領域Ｒ２ｃは、第２半導体層ＳＣ２のうち走査線Ｇ１と対向する領域であり、チャネル領域と言い換えることができる。本実施形態において、保持容量ＣＳ２を形成するため、第５領域Ｒ２ｂと補助容量線Ｃ１とは互いに対向している。
【００３３】
導電層ＣＬ１は、第１半導体層ＳＣ１と第１画素電極ＰＥ１との両方と対向している。導電層ＣＬ２は、第２半導体層ＳＣ２と第２画素電極ＰＥ２との両方と対向している。  
第１遮光層ＳＨａ及び第２遮光層ＳＨｂは、金属で形成され、互いに絶縁距離を置いて配置されている。本実施形態において、第１遮光層ＳＨａは、導電層として機能している。第１遮光層ＳＨａは、概ね、主共通電極ＣＡＬ，ＣＡＲ、第１画素電極ＰＥ１、導電層ＣＬ１及び走査線Ｇ１と対向する領域内に形成されている。第２遮光層ＳＨｂは、概ね、第２画素電極ＰＥ２及び導電層ＣＬ２と対向する領域内に形成されている。
【００３４】
図６は、図５の線ＶＩ−ＶＩに沿って示す液晶表示パネルＰＮＬの一部を示す断面図である。  
図６に示すように、アレイ基板ＡＲは、ガラス基板やプラスチック基板などの光透過性を有する第１絶縁基板１０を用いて形成されている。第１絶縁基板１０上には、第１遮光層ＳＨａ及び第２遮光層ＳＨｂが設けられている。
【００３５】
第１遮光層ＳＨａは、第１画素電極ＰＥ１及び導電層ＣＬ１と対向した第１セグメントＳＨ１と、主共通電極ＣＡＬ及び第１信号線Ｓ１と対向した第２セグメントＳＨ２と、主共通電極ＣＡＲ及び第２信号線Ｓ２と対向した他の第２セグメントＳＨ２と、第１セグメントＳＨ１と第２セグメントＳＨ２とをそれぞれ接続した第３セグメントＳＨ３と、が一体となって形成されている。第３セグメントＳＨ３を走査線Ｇ１の真下に配置することにより、光透過率の低下を抑制又は防止することができる。第２遮光層ＳＨｂは、第２画素電極ＰＥ２及び導電層ＣＬ２と対向した第１セグメントＳＨ１で形成されている。第１セグメントＳＨ１は、導電層ＣＬ１又は導電層ＣＬ２と略同等の幅を有している。第２セグメントＳＨ２は、主共通電極ＣＡＬ又は主共通電極ＣＡＲと略同等の幅を有している。
【００３６】
第１絶縁基板１０、第１遮光層ＳＨａ及び第２遮光層ＳＨｂの上には第１絶縁膜１１が形成されている。第１絶縁膜１１の上には、第３領域Ｒ１ｃを含む第１半導体層ＳＣ１及び第６領域Ｒ２ｃを含む第２半導体層ＳＣ２が設けられている。第３領域Ｒ１ｃ及び第６領域Ｒ２ｃは、それぞれ、第１セグメントＳＨ１及び第２セグメントＳＨ２の何れか一方と対向している。第１絶縁膜１１、第１半導体層ＳＣ１及び第２半導体層ＳＣ２の上には、第２絶縁膜１２が形成されている。第２絶縁膜１２は、ゲート絶縁膜と称される場合がある。
【００３７】
第２絶縁膜１２の上には、第１走査線Ｇ１が形成されている。第１走査線Ｇ１は、第１ゲート電極ＧＥ１及び第２ゲート電極ＧＥ２を有している。本実施形態において、第１走査線Ｇ１のうち、２個所が第１ゲート電極ＧＥ１として機能し、他の２個所が第２ゲート電極ＧＥ２として機能している。第１ゲート電極ＧＥ１は、第３領域Ｒ１ｃの上方に位置し第３領域Ｒ１ｃに対向配置されている。第２ゲート電極ＧＥ２は、第６領域Ｒ２ｃの上方に位置し第６領域Ｒ２ｃに対向配置されている。第２絶縁膜１２及び第１走査線Ｇ１の上には第３絶縁膜１３が形成されている。
【００３８】
第３絶縁膜１３の上には、第１乃至第３信号線Ｓ１乃至Ｓ３及び導電層ＣＬ１，ＣＬ２が設けられている。例えば、第１信号線Ｓ１及び導電層ＣＬ１は第３領域Ｒ１ｃの何れか一方の真上に位置し、第２信号線Ｓ２及び導電層ＣＬ２は第６領域Ｒ２ｃの何れか一方の真上に位置している。第３絶縁膜１３、第１乃至第３信号線Ｓ１乃至Ｓ３及び導電層ＣＬ１，ＣＬ２の上には、第４絶縁膜１４が形成されている。第１絶縁膜１１、第２絶縁膜１２及び第３絶縁膜１３は、例えばシリコン窒化物（ＳｉＮ）やシリコン酸化物（ＳｉＯ）などの無機材料によって形成されている。第４絶縁膜１４は、例えばアクリル樹脂などの有機材料によって形成されている。
【００３９】
第４絶縁膜１４の上には、第１画素電極ＰＥ１、第２画素電極ＰＥ２及び主共通電極ＣＡ（ＣＡＬ，ＣＡＲ）が形成されている。主共通電極ＣＡＬは第１信号線Ｓ１の真上に位置し、第１画素電極ＰＥ１は導電層ＣＬ１の真上に位置し、主共通電極ＣＡＲは第２信号線Ｓ２の真上に位置し、第２画素電極ＰＥ２は導電層ＣＬ２の真上に位置している。第１配向膜ＡＬ１は、アレイ基板ＡＲの対向基板ＣＴと対向する面に配置されている。第１配向膜ＡＬ１は、第１画素電極ＰＥ１、第２画素電極ＰＥ２及び主共通電極ＣＡを覆い、第４絶縁膜１４の上にも配置されている。第１配向膜ＡＬ１は、液晶層ＬＱに接している。第１配向膜ＡＬ１は、水平配向性を示す材料によって形成されている。
【００４０】
一方、対向基板ＣＴは、ガラス基板やプラスチック基板などの光透過性を有する第２絶縁基板２０を用いて形成されている。対向基板ＣＴは、カラーフィルタＣＦ、オーバーコート層ＯＣ、第２配向膜ＡＬ２などを備えている。カラーフィルタＣＦは、ブラックマトリクスＢＭ及び着色層ＣＦＲ，ＣＦＧ，ＣＦＢを有している。ブラックマトリクスＢＭは、第２絶縁基板２０の内面に形成されている。ブラックマトリクスＢＭは、各画素ＰＸを区画するように形成されている。本実施形態において、ブラックマトリクスＢＭは、信号線Ｓ及び補助容量線Ｃの配線と対向するように格子状に形成されている。
【００４１】
着色層ＣＦＲ，ＣＦＧ，ＣＦＢは、第２絶縁基板２０の内面に形成されている。着色層ＣＦＲ，ＣＦＧ，ＣＦＢは、第１方向Ｘに順に並べられ、何れも第２方向Ｙに延在し、帯状に形成されている。着色層ＣＦＲ，ＣＦＧ，ＣＦＢのそれぞれの端部は、ブラックマトリクスＢＭと重なっている。着色層ＣＦＲは、赤色の着色層であり、第１画素電極ＰＥ１と対向し、赤色の第１画素ＰＸ１を形成している。着色層ＣＦＧは、緑色の着色層であり、第２画素電極ＰＥ２と対向し、緑色の第２画素ＰＸ２を形成している。着色層ＣＦＢは、青色の着色層であり、同様に青色の画素を形成している。  
なお、本実施形態では、カラー画像を構成する最小単位である単位画素が赤色画素、緑色画素、及び青色画素の３個の色画素によって構成された場合を示している。但し、上記単位画素は、上記の３個の色画素の組み合わせによるものに限らない。例えば、上記単位画素は、赤色画素、緑色画素、青色画素に加えて、白色画素の４個の色画素によって構成されてもよい。この場合、透明あるいは薄く着色したフィルタが白色画素に配置されてもよいし、白色画素のフィルタそのものを省略してもよい。  
オーバーコート層ＯＣは、カラーフィルタＣＦを覆っている。オーバーコート層ＯＣは、透明な樹脂材料によって形成されている。第２配向膜ＡＬ２は、対向基板ＣＴのアレイ基板ＡＲと対向する面に配置されている。第２配向膜ＡＬ２は、液晶層ＬＱに接している。第２配向膜ＡＬ２は、水平配向性を示す材料によって形成されている。
【００４２】
図７は、図５の線ＶＩＩ−ＶＩＩに沿って示す液晶表示パネルＰＮＬの一部を示す断面図である。  
図７に示すように、第２領域Ｒ１ｂと、補助容量線Ｃ１と、第２領域Ｒ１ｂと補助容量線Ｃ１との間に介在した第２絶縁膜１２とは保持容量ＣＳ１を形成している。第１信号線Ｓ１は、第２絶縁膜１２及び第３絶縁膜１３に形成されたコンタクトホールＣＨ１を通って第１領域Ｒ１ａに接している。第１領域Ｒ１ａは、第１信号線Ｓ１の電位と同一の電位に設定される。導電層ＣＬ１は、第２絶縁膜１２及び第３絶縁膜１３に形成されたコンタクトホールＣＨ２を通って第２領域Ｒ１ｂに接している。第１画素電極ＰＥ１は、第４絶縁膜１４に形成されたコンタクトホールＣＨ３を通って導電層ＣＬ１に接している。第２領域Ｒ１ｂは、第１画素電極ＰＥ１の電位と同一の電位に設定される。第２半導体層ＳＣ２に関しても同様であり、第４領域Ｒ２ａは、第２信号線Ｓ２の電位と同一の電位に設定される。第５領域Ｒ２ｂは、第２画素電極ＰＥ２の電位と同一の電位に設定される。
【００４３】
第１信号線Ｓ１は第１遮光層ＳＨａと第１静電容量結合するため、第１領域Ｒ１ａは第１遮光層ＳＨａに隙間を置いて対向している。上述した第２信号線Ｓ２に関しても同様であり、第２信号線Ｓ２は第１遮光層ＳＨａと第２静電容量結合するため、第４領域Ｒ２ａは第１遮光層ＳＨａに隙間を置いて対向している。第１画素電極ＰＥ１は第１遮光層ＳＨａと第３静電容量結合するため、第２領域Ｒ１ｂは第１遮光層ＳＨａに隙間を置いて対向している。
第１配向膜ＡＬ１及び第２配向膜ＡＬ２には、液晶分子を初期配向させるための配向処理（例えば、ラビング処理や光配向処理）がなされている。アレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとは、それぞれの第１配向膜ＡＬ１及び第２配向膜ＡＬ２が対向するように配置されている。アレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとは、スペーサにより所定の隙間を置いて位置している。アレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとは、上記隙間が形成された状態で図示しないシール材によって貼り合わせられている。液晶層ＬＱは、アレイ基板ＡＲ、対向基板ＣＴ及びシール材で囲まれた空間に形成されている。
【００４４】
アレイ基板ＡＲの外面、つまり、アレイ基板ＡＲを構成する第１絶縁基板１０の外面には、第１光学素子ＯＤ１が接着剤などにより貼付されている。また、対向基板ＣＴの外面、つまり、対向基板ＣＴを構成する第２絶縁基板２０の外面には、第２光学素子ＯＤ２が接着剤などにより貼付されている。
【００４５】
図４、図６及び図７に示すように、この第１光学素子ＯＤ１は、第１偏光軸ＡＸ１を有する第１偏光板ＰＬ１を含んでいる。この第２光学素子ＯＤ２は、第２偏光軸ＡＸ２を有する第２偏光板ＰＬ２を含んでいる。第１偏光軸ＡＸ１と第２偏光軸ＡＸ２とは、例えば、直交する位置関係にある。一方の偏光板は、例えば、その偏光軸が液晶分子ＬＭの長軸方向つまり第１配向処理方向ＰＤ１あるいは第２配向処理方向ＰＤ２と平行（あるいは、第２方向Ｙと平行）または直交（あるいはい、第１方向Ｘと平行）するように配置されている。これにより、ノーマリーブラックモードを実現している。
【００４６】
図４（ａ）で示した例では、第１偏光板ＰＬ１は、その第１偏光軸ＡＸ１が液晶分子ＬＭの初期配向方向（第２方向Ｙ）に対して直交する（つまり、第１方向Ｘに平行となる）ように配置され、また、第２偏光板ＰＬ２は、その第２偏光軸ＡＸ２が液晶分子ＬＭの初期配向方向に対して平行となる（つまり、第２方向Ｙと平行となる）ように配置されている。
【００４７】
また、図４（ｂ）で示した例では、第２偏光板ＰＬ２は、その第２偏光軸ＡＸ２が液晶分子ＬＭの初期配向方向（第２方向Ｙ）に対して直交する（つまり、第１方向Ｘに平行となる）ように配置され、また、第１偏光板ＰＬ１は、その第１偏光軸ＡＸ１が液晶分子ＬＭの初期配向方向に対して平行となる（つまり、第２方向Ｙと平行となる）ように配置されている。
【００４８】
液晶層ＬＱに電圧が印加されていない状態つまり画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に電位差（あるいは電界）が形成されていない無電界時（ＯＦＦ時）には、破線で示したように、液晶分子ＬＭは、その長軸が第１配向膜ＡＬ１の第１配向処理方向ＰＤ１及び第２配向膜ＡＬ２の第２配向処理方向ＰＤ２を向くように配向している。このようなＯＦＦ時が初期配向状態に相当し、ＯＦＦ時の液晶分子ＬＭの配向方向が初期配向方向に相当する。
【００４９】
第１配向処理方向ＰＤ１及び第２配向処理方向ＰＤ２が互いに平行且つ逆向きである場合、液晶層ＬＱの断面において、液晶分子ＬＭは、第１配向膜ＡＬ１の近傍、第２配向膜ＡＬ２の近傍、及び、液晶層ＬＱの中間部において略均一なプレチルト角を持って配向している（ホモジニアス配向）。また、第１配向処理方向ＰＤ１及び第２配向処理方向ＰＤ２が平行且つ同じ向きである場合、液晶層ＬＱの断面において、液晶分子ＬＭは、液晶層ＬＱの中間部において略水平（プレチルト角が略ゼロ）に配向し、ここを境界として第１配向膜ＡＬ１の近傍及び第２配向膜ＡＬ２の近傍において対称となるようなプレチルト角を持って配向する（スプレイ配向）。
【００５０】
図１、図４及び図６に示すように、バックライトユニットＢＬからの光は、その一部が第１偏光板ＰＬ１を透過し、液晶表示パネルＰＮＬに入射する。液晶表示パネルＰＮＬに入射した光の偏光状態は、液晶層ＬＱを通過する際に液晶分子ＬＭの配向状態によって異なる。ＯＦＦ時においては、液晶層ＬＱを通過した光は、第２偏光板ＰＬ２によって吸収される（黒表示）。
【００５１】
一方、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に電位差が形成された状態（ＯＮ時）では、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に基板と略平行な横電界（あるいは斜め電界）が形成される。これにより、図４において実線で示したように、液晶分子ＬＭは、その長軸が電界の向きと略平行となるように基板主面と略平行な平面内で回転する。
【００５２】
図４に示した例では、第１ドメインＤ１内の液晶分子ＬＭは、第２方向Ｙに対して反時計回りに回転し、電界に沿って図中の左上を向くように配向する。第２ドメインＤ２内の液晶分子ＬＭは、第２方向Ｙに対して時計回りに回転し、電界に沿って図中の右上を向くように配向する。
【００５３】
このように、各画素ＰＸにおいて、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に横電界（あるいは斜め電界）が形成された状態では、液晶分子ＬＭの配向方向が少なくとも２方向に分かれ、それぞれの配向方向でドメインが形成される。つまり、一画素ＰＸには、少なくとも２つのドメインが形成される。
【００５４】
このようなＯＮ時には、バックライトユニットＢＬから液晶表示パネルＰＮＬに入射した光は、その一部が第１偏光板ＰＬ１を透過し、液晶表示パネルＰＮＬに入射する。液晶層ＬＱに入射した光は、第１ドメインＤ１及び第２ドメインＤ２の２つのドメイン（開口部）をそれぞれ通過した際に、その偏光状態が変化する。このようなＯＮ時においては、液晶層ＬＱを通過した少なくとも一部の光は、第２偏光板ＰＬ２を透過する（白表示）。
【００５５】
なお、ＯＮ時には、画素電極ＰＥの付近、あるいは、共通電極ＣＥの付近では、横電界がほとんど形成されない（あるいは、液晶分子ＬＭを駆動するのに十分な電界が形成されない）ため、液晶分子ＬＭは、ＯＦＦ時と同様に初期配向方向からほとんど動かない。このため、上記のように、画素電極ＰＥ及び共通電極ＣＥが光透過性の導電材料によって形成されていても、これらの領域では光がほとんど透過せず、ＯＮ時において表示にほとんど寄与しない。したがって、画素電極ＰＥ及び共通電極ＣＥは、必ずしも透明な導電材料によって形成される必要はなく、アルミニウムや銀などの遮光性を有する導電材料を用いて形成してもよい。
【００５６】
次に、光透過率と縦クロストークとの関係について説明する。  
本実施形態に係る液晶表示パネルＰＮＬにおいて、信号線Ｓからの電界が液晶層ＬＱに漏れる恐れがあり、上記電界の漏れが生じると縦クロストークなどが生じ、表示品位に影響を及ぼすことになる。ここで、縦クロストークとは、例えば、当該画素ＰＸが黒を表示する画素電位に設定されている状態で、当該画素ＰＸに接続された信号線Ｓに白を表示する画素電位が供給されたときに、液晶層ＬＱに保持された液晶分子が本来の配向から乱れることにより輝度レベルが変化する現象をいう。特に、本実施形態のように、画素電極ＰＥと主共通電極ＣＡ（共通電極ＣＥ）とを同一レベルの層に形成して液晶分子の配向を制御する表示モードにおいて、信号線Ｓからの漏れ電界の影響が大きい。
【００５７】
漏れ電界の対策として、信号線Ｓからの漏れ電界をシールドする機能も有する主共通電極ＣＡの幅を大きくすることが考えられる。しかしながら、主共通電極ＣＡの幅を大きくすると、表示に寄与しない領域の拡大を招き、光透過率の低下を招いたり、高精細化が困難になったりしてしまう。
【００５８】
そこで、本願発明者は、主共通電極ＣＡの幅を大きくすること無しに、信号線Ｓからの漏れ電界に起因した縦クロストークを抑制する技術を見出したものである。詳しくは、信号線Ｓからの漏れ電界による輝度レベルの変化の方向と、信号線Ｓと画素電極ＰＥとの間のカップリング容量による輝度レベルの変化の方向とが、逆であることを見出したものである。すなわち、上記カップリング容量を形成し、漏れ電界による輝度レベルの変化をキャンセルすることで、縦クロストークを抑制することが可能となるものである。
【００５９】
次に、上記カップリング容量について説明する。図８は、上記図５に示した第１信号線Ｓ１と第１画素電極ＰＥ１との間に第１遮光層ＳＨａを利用して第１カップリング容量Ｃｐ１を形成し、第２信号線Ｓ２と第１画素電極ＰＥ１との間に第１遮光層ＳＨａを利用して第２カップリング容量Ｃｐ２を形成している状態を説明するための図である。  
図８に示すように、第１カップリング容量Ｃｐ１は、第１領域Ｒ１ａと第１遮光層ＳＨａとの間に形成される容量と、第２領域Ｒ１ｂと第１遮光層ＳＨａとの間に形成される容量と、を有している。言い換えると、第１カップリング容量Ｃｐ１は、上述した第１静電容量結合と第３静電容量結合とで形成されている。第２カップリング容量Ｃｐ２は、第４領域Ｒ２ａと第１遮光層ＳＨａとの間に形成される容量と、第２領域Ｒ１ｂと第１遮光層ＳＨａとの間に形成される容量と、を有している。言い換えると、第２カップリング容量Ｃｐ２は、上述した第２静電容量結合と第３静電容量結合とで形成されている。本実施形態において、第１カップリング容量Ｃｐ１を形成するための各種部材と第２カップリング容量Ｃｐ２を形成するための各種部材とを対称に配置し、第１カップリング容量Ｃｐ１の値と、第２カップリング容量Ｃｐ２の値とを同一にしている（Ｃｐ１＝Ｃｐ２）。また、第１カップリング容量Ｃｐ１の値や第２カップリング容量Ｃｐ２の値は、例えば第２セグメントＳＨ２の第２方向Ｙの長さを変えることにより調整可能である。
【００６０】
次に、第１カップリング容量Ｃｐ１及び第２カップリング容量Ｃｐ２を形成することにより、縦クロストークを抑制する例を説明する。図９は、液晶表示パネルＰＮＬの表示領域ＤＡが第１表示領域Ａ１乃至第５表示領域Ａ５に区域されている状態を説明するための図である。  
図９に示すように、Ｘ−Ｙ平面視において、表示領域ＤＡの中央領域を第１表示領域Ａ１とする。第２表示領域Ａ２は、第１表示領域Ａ１の上側の領域であり、１フレーム期間に第１表示領域Ａ１の前に走査される領域とする。第３表示領域Ａ３は、第１表示領域Ａ１の下側の領域であり、１フレーム期間に第１表示領域Ａ１の後に走査される領域とする。第４表示領域Ａ４は、第１表示領域Ａ１、第２表示領域Ａ２及び第３表示領域Ａ３の左側の領域とする。第５表示領域Ａ５は、第１表示領域Ａ１、第２表示領域Ａ２及び第３表示領域Ａ３の右側の領域とする。
【００６１】
図１０は、液晶表示パネルＰＮＬの一部を示す断面図であり、第１乃至第７信号線Ｓ１乃至Ｓ７、第１乃至第６画素電極ＰＥ１乃至ＰＥ６、共通電極ＣＥ、複数色の着色層ＣＦＲ，ＣＦＧ，ＣＦＢ、正極性又は負極性を有する複数色の画素ＰＸの各ドメインＤを示す図である。ここで、図１０に示す第１乃至第６画素ＰＸ１乃至ＰＸ６は、上記第２表示領域Ａ２に設けられている。
【００６２】
図１０に示すように、本実施形態に係る液晶表示装置ＤＳＰの駆動法は、いわゆるカラム反転駆動法である。このため、１フレーム期間内に、奇数列の画素ＰＸの画素電極ＰＥに与えられる画像信号の極性と、偶数列の画素ＰＸの画素電極ＰＥに与えられる画像信号の極性とは、異なる。そして、各画素電極ＰＥに与えられる画像信号の極性は、１フレーム期間毎に反転する。図１０に示す例では、任意の１フレーム期間における第１乃至第６画素ＰＸ１乃至ＰＸ６の極性を特定している。第１画素ＰＸ１、第３画素ＰＸ３及び第５画素ＰＸ５が正極性を有し、第２画素ＰＸ２、第４画素ＰＸ４及び第６画素ＰＸ６が負極性を有している。正極性の画素ＰＸのドメインＤには（＋）を記載し、負極性の画素ＰＸのドメインＤには（−）を記載している。
【００６３】
第１画素ＰＸ１は、赤色の画素ＰＸＲであり、第１信号線Ｓ１に電気的に接続された第１画素電極ＰＥ１と着色層ＣＦＲとを有し、第１ドメインＤＲ１及び第２ドメインＤＲ２を形成している。第２画素ＰＸ２は、緑色の画素ＰＸＧであり、第２信号線Ｓ２に電気的に接続された第２画素電極ＰＥ２と、着色層ＣＦＧと、を有し、第１ドメインＤＧ１及び第２ドメインＤＧ２を形成している。第３画素ＰＸ３は、青色の画素ＰＸＢであり、第３信号線Ｓ３に電気的に接続された第３画素電極ＰＥ３と、着色層ＣＦＢと、を有し、第１ドメインＤＢ１及び第２ドメインＤＢ２を形成している。  
第４画素ＰＸ４は、赤色の画素ＰＸＲであり、第４信号線Ｓ４に電気的に接続された第４画素電極ＰＥ４と着色層ＣＦＲとを有し、第ドメインＤＲ１及び第２ドメインＤＲ２を形成している。第５画素ＰＸ５は、緑色の画素ＰＸＧであり、第５信号線Ｓ５に電気的に接続された第５画素電極ＰＥ５と、着色層ＣＦＧと、を有し、第１ドメインＤＧ１及び第２ドメインＤＧ２を形成している。第６画素ＰＸ６は、青色の画素ＰＸＢであり、第６信号線Ｓ６に電気的に接続された第６画素電極ＰＥ６と、着色層ＣＦＢと、を有し、第１ドメインＤＢ１及び第２ドメインＤＢ２を形成している。
【００６４】
図１１は、第１表示領域Ａ１にて赤色表示を行い第２乃至第５表示領域Ａ２乃至Ａ５にて中間調表示を行う場合の任意の１フレーム期間に、主共通電極ＣＡ（共通電極ＣＥ）及び第２表示領域Ａ２の第１乃至第６画素電極ＰＥ１乃至ＰＥ６に印加される電圧の値を表（ａ）で示し、第２表示領域Ａ２の走査期間に第１乃至第７信号線Ｓ１乃至Ｓ７のそれぞれを駆動する画像信号の電圧値Ｖ１と、第１表示領域Ａ１の走査期間に第１乃至第７信号線Ｓ１乃至Ｓ７のそれぞれを駆動する画像信号の電圧値Ｖ２と、第１乃至第７信号線Ｓ１乃至Ｓ７のそれぞれの電圧値の変化量と、を表（ｂ）で示す図である。
【００６５】
図１１に示すように、主共通電極ＣＡ（共通電極ＣＥ）は定電位に設定され、ここでは、コモン駆動信号により接地電位（０Ｖ）に設定される。  
第２表示領域Ａ２の走査期間に、第１信号線Ｓ１、第３信号線Ｓ３、第５信号線Ｓ５及び第７信号線Ｓ７のそれぞれを駆動する画像信号は、正極性を有する中間調レベルの信号であり、その電圧値Ｖ１は＋２Ｖである。第２表示領域Ａ２の第１画素電極ＰＥ１、第３画素電極ＰＥ３及び第５画素電極ＰＥ５には、正極性を有する中間調レベルの画像信号が与えられ、＋２Ｖの電圧が印加される。一方、第２信号線Ｓ２、第４信号線Ｓ４及び第６信号線Ｓ６のそれぞれを駆動する画像信号は、負極性を有する中間調レベルの信号であり、その電圧値Ｖ１は−２Ｖである。第２表示領域Ａ２の第２画素電極ＰＥ２、第４画素電極ＰＥ４及び第６画素電極ＰＥ６には、負極性を有する中間調レベルの画像信号が与えられ、−２Ｖの電圧が印加される。
【００６６】
第２表示領域Ａ２の走査期間に続く第１表示領域Ａ１の走査期間において、第１信号線Ｓ１を駆動する画像信号は、正極性を有する高階調レベル（白レベル）の信号であり、その電圧値Ｖ１は＋４Ｖである。第４信号線Ｓ４を駆動する画像信号は、負極性を有する高階調レベル（白レベル）の信号であり、その電圧値Ｖ１は−４Ｖである。第２信号線Ｓ２、第３信号線Ｓ３、第５信号線Ｓ５及び第６信号線Ｓ６を駆動する画像信号は、低階調レベル（黒レベル）の信号であり、その電圧値Ｖ１は主共通電極ＣＡの電圧値と同じ０Ｖである。  
第１信号線Ｓ１、第２信号線Ｓ２、第６信号線Ｓ６及び第７信号線Ｓ７のそれぞれの電圧値の変化量は＋２Ｖとなり、第３乃至第５信号線Ｓ３乃至Ｓ５のそれぞれの電圧値の変化量は−２Ｖとなる。
【００６７】
図１２は、第１表示領域Ａ１にて赤色表示を行い第２乃至第５表示領域Ａ２乃至Ａ５にて中間調表示を行う場合の任意の１フレーム期間に第１乃至第７信号線Ｓ１乃至Ｓ７からの漏れ電界が及ぼすことによる明るさの変化を表（ａ）及び表（ｂ）で示す図である。図１２において、表（ａ）は中間調表示時と比較した第２表示領域Ａ２の正極性又は負極性を有する複数色の画素ＰＸの平均的な明るさの変化を示し、表（ｂ）は中間調表示時と比較した第２表示領域Ａ２の複数色の画素ＰＸの平均的な明るさの変化を示している。
【００６８】
図１２に示すように、第１乃至第７信号線Ｓ１乃至Ｓ７からの漏れ電界が及ぼすことにより、各ドメインＤの明るさの変化を招くことが分かる。すなわち、上記Ｖ１からＶ２への変化量が＋２Ｖとなる場合、正極性のドメインＤにおいては光透過率の低下を招き中間調レベルより暗くなり、負極性のドメインＤにおいては光透過率の上昇を招き中間調レベルより明るくなる。一方、上記Ｖ１からＶ２への変化量が−２Ｖとなる場合、正極性のドメインＤにおいては光透過率の上昇を招き中間調レベルより明るくなり、負極性のドメインＤにおいては光透過率の低下を招き中間調レベルより暗くなる。なお、中間調レベルより明るくなる理由は信号線Ｓの電位の変化が液晶分子を動かす方向に働くためであり、中間調レベルより暗くなる理由は信号線Ｓの電位の変化が液晶分子の動きを妨げる方向に働くためである。
【００６９】
すると、正極性を有する第１画素ＰＸ１においては、各ドメインＤＲ１（＋），ＤＲ２（＋）の明るさの変化が重畳し、中間調レベルより暗くなる。負極性を有する第２画素ＰＸ２においては、各ドメインＤＧ１（−），ＤＧ２（−）の明るさの変化が相殺され、中間調レベルの明るさを維持することができる。正極性を有する第３画素ＰＸ３においては、各ドメインＤＢ１（＋），ＤＢ２（＋）の明るさの変化が重畳し、中間調レベルより明るくなる。負極性を有する第４画素ＰＸ４においては、各ドメインＤＲ１（−），ＤＲ２（−）の明るさの変化が重畳し、中間調レベルより暗くなる。正極性を有する第５画素ＰＸ５においては、各ドメインＤＧ１（＋），ＤＧ２（＋）の明るさの変化が相殺され、中間調レベルの明るさを維持することができる。負極性を有する第６画素ＰＸ６においては、各ドメインＤＢ１（−），ＤＢ２（−）の明るさの変化が重畳し、中間調レベルより明るくなる。
【００７０】
このため、上記明るさの変化を色毎にみると、第１画素ＰＸ１及び第４画素ＰＸ４を含む赤色の画素ＰＸＲでは、平均的に中間調レベルより暗くなる。第２画素ＰＸ２及び第５画素ＰＸ５を含む緑色の画素ＰＸＧでは、平均的に中間調レベルの明るさを維持する。第３画素ＰＸ３及び第６画素ＰＸ６を含む青色の画素ＰＸＢでは、平均的に中間調レベルより明るくなる。上記の結果は、１周期の平均をとっても同じである。
【００７１】
上述したことから、信号線Ｓからの漏れ電界が生じると、第２表示領域Ａ２において中間調表示を行うことや、無彩色の表示を行うことを妨げることになる。第１表示領域Ａ１にて赤色表示を行う場合、第２表示領域Ａ２においては、中間調と比較して、青色が強調され、赤色が弱められる結果、薄い青色に色づいて表示され得る。上記の期間、第３表示領域Ａ３には、第２表示領域Ａ２とは反転して色付きが生じる。すなわち、第３表示領域Ａ３においては、中間調と比較して、赤色が強調され、青色が弱められる結果、薄い赤色に色づいて表示され得る。
【００７２】
以上、第１表示領域Ａ１にて赤色表示を行い第２乃至第５表示領域Ａ２乃至Ａ５にて中間調表示を行う場合の任意の１フレーム期間に第１乃至第７信号線Ｓ１乃至Ｓ７からの漏れ電界が及ぼすことによる明るさの変化について示したが、上述したことは、第１表示領域Ａ１にて赤色以外を表示する場合においても同様である。
【００７３】
図１３は、第１表示領域Ａ１にて赤色表示、緑色表示、青色表示、シアン表示、マゼンダ表示、イエロー表示、白色表示又は黒色表示を行い第２乃至第５表示領域Ａ２乃至Ａ５にて中間調表示を行う場合に第１乃至第７信号線Ｓ１乃至Ｓ７からの漏れ電界が及ぼすことによる明るさの変化を表で示す図であり、任意の１周期において中間調表示時と比較した第２表示領域Ａ２の正極性又は負極性を有する複数の画素ＰＸの明るさと、１周期平均において中間調表示時と比較した第２表示領域Ａ２の複数色の画素ＰＸの平均的な明るさと、を示す図である。ここで、上記周期とは時間的周期ではなく、色及び極性に注目した場合において第１方向Ｘに配列する６個の画素ＰＸが１周期となるという意味である。
【００７４】
図１３に示すように、第１表示領域Ａ１にて赤色表示を行った場合に関しては図１２に示した通りであるが、第１表示領域Ａ１にて緑色表示、青色表示、シアン表示、マゼンダ表示、イエロー表示を行った場合においても、信号線Ｓからの漏れ電界が生じると、第２表示領域Ａ２において中間調表示を行うことや、無彩色の表示を行うことの妨げになることが分かる。そして、信号線Ｓからの漏れ電界に起因した縦クロストークが生じることになる。
【００７５】
ここで、第１表示領域Ａ１にて緑色表示を行う場合の第１表示領域Ａ１の走査期間において、第２信号線Ｓ２を駆動する画像信号は、負極性を有する高階調レベル（白レベル）の信号であり、その電圧値Ｖ１は−４Ｖである。第５信号線Ｓ５を駆動する画像信号は、正極性を有する高階調レベル（白レベル）の信号であり、その電圧値Ｖ１は＋４Ｖである。第１信号線Ｓ１、第３信号線Ｓ３、第４信号線Ｓ４及び第６信号線Ｓ６を駆動する画像信号は、低階調レベル（黒レベル）の信号であり、その電圧値Ｖ１は主共通電極ＣＡの電圧値と同じ０Ｖである。
【００７６】
第１表示領域Ａ１にて青色表示を行う場合の第１表示領域Ａ１の走査期間において、第３信号線Ｓ３を駆動する画像信号は、正極性を有する高階調レベル（白レベル）の信号であり、その電圧値Ｖ１は＋４Ｖである。第６信号線Ｓ６を駆動する画像信号は、負極性を有する高階調レベル（白レベル）の信号であり、その電圧値Ｖ１は−４Ｖである。第１信号線Ｓ１、第２信号線Ｓ２、第４信号線Ｓ４及び第５信号線Ｓ５を駆動する画像信号は、低階調レベル（黒レベル）の信号であり、その電圧値Ｖ１は主共通電極ＣＡの電圧値と同じ０Ｖである。
【００７７】
第１表示領域Ａ１にてシアン表示を行う場合の第１表示領域Ａ１の走査期間において、本実施形態では、シアン表示は緑色表示と青色表示とを合成することにより行われ、第２信号線Ｓ２及び第６信号線Ｓ６を駆動する画像信号は、負極性を有する高階調レベル（白レベル）の信号であり、その電圧値Ｖ１は−４Ｖである。第３信号線Ｓ３及び第５信号線Ｓ５を駆動する画像信号は、正極性を有する高階調レベル（白レベル）の信号であり、その電圧値Ｖ１は＋４Ｖである。第１信号線Ｓ１及び第４信号線Ｓ４を駆動する画像信号は、低階調レベル（黒レベル）の信号であり、その電圧値Ｖ１は主共通電極ＣＡの電圧値と同じ０Ｖである。
【００７８】
第１表示領域Ａ１にてマゼンダ表示を行う場合の第１表示領域Ａ１の走査期間において、本実施形態では、マゼンダ表示は赤色表示と青色表示とを合成することにより行われ、第１信号線Ｓ１及び第３信号線Ｓ３を駆動する画像信号は、正極性を有する高階調レベル（白レベル）の信号であり、その電圧値Ｖ１は＋４Ｖである。第４信号線Ｓ４及び第６信号線Ｓ６を駆動する画像信号は、負極性を有する高階調レベル（白レベル）の信号であり、その電圧値Ｖ１は−４Ｖである。第２信号線Ｓ２及び第５信号線Ｓ５を駆動する画像信号は、低階調レベル（黒レベル）の信号であり、その電圧値Ｖ１は主共通電極ＣＡの電圧値と同じ０Ｖである。
【００７９】
第１表示領域Ａ１にてイエロー表示を行う場合の第１表示領域Ａ１の走査期間において、本実施形態では、イエロー表示は赤色表示と緑色表示とを合成することにより行われ、第１信号線Ｓ１及び第５信号線Ｓ５を駆動する画像信号は、正極性を有する高階調レベル（白レベル）の信号であり、その電圧値Ｖ１は＋４Ｖである。第２信号線Ｓ２及び第４信号線Ｓ４を駆動する画像信号は、負極性を有する高階調レベル（白レベル）の信号であり、その電圧値Ｖ１は−４Ｖである。第３信号線Ｓ３及び第６信号線Ｓ６を駆動する画像信号は、低階調レベル（黒レベル）の信号であり、その電圧値Ｖ１は主共通電極ＣＡの電圧値と同じ０Ｖである。  
なお、第１表示領域Ａ１にて白色表示を行う場合や黒色表示を行う場合は、第２表示領域Ａ２の各画素ＰＸ単位で明るさの変化が相殺されるため、中間調表示を維持することができる。同様に、第３表示領域Ａ３においても中間調表示を維持することができる。
【００８０】
図１４は、第１表示領域Ａ１にて赤色表示を行い第２乃至第５表示領域Ａ２乃至Ａ５にて中間調表示を行う場合の任意の１フレーム期間に信号線Ｓと画素電極ＰＥとの間に形成されるカップリング容量による明るさの変化を表（ａ）及び表（ｂ）で示す図である。図１４において、表（ａ）は中間調表示時と比較した第２表示領域Ａ２の正極性又は負極性を有する複数色の画素ＰＸの平均的な明るさの変化を示し、表（ｂ）は中間調表示時と比較した第２表示領域Ａ２の複数色の画素ＰＸの平均的な明るさの変化を示している。  
なお、図１４及び図１５の説明においては、第１乃至第６画素ＰＸ１乃至ＰＸ６の各々に上記第１カップリング容量Ｃｐ１及び第２カップリング容量Ｃｐ２を形成したものと仮定する。本実施形態において、Ｃｐ１＝Ｃｐ２である。
【００８１】
図１４に示すように、信号線Ｓと画素電極ＰＥとの間に第１カップリング容量Ｃｐ１及び第２カップリング容量Ｃｐ２を形成することにより、各画素ＰＸにて明るさの変化を招くことが分かる。すなわち、上記Ｖ１からＶ２への変化量が＋２Ｖとなる場合、第１カップリング容量Ｃｐ１又は第２カップリング容量Ｃｐ２により、画素電極ＰＥの電位を上昇させることができる。上記Ｖ１からＶ２への変化量が−２Ｖとなる場合、第１カップリング容量Ｃｐ１又は第２カップリング容量Ｃｐ２により、画素電極ＰＥの電位を低下させることができる。
【００８２】
画素電極ＰＥの電位が上昇すると、正極性の画素ＰＸにおいては光透過率を上昇させることができ中間調レベルより明るくなり、負極性の画素ＰＸにおいては光透過率を低下させることができ中間調レベルより暗くなる。一方、画素電極ＰＥの電位が低下すると、正極性の画素ＰＸにおいては光透過率を低下させることができ中間調レベルより暗くなり、負極性の画素ＰＸにおいては光透過率を上昇させることができ中間調レベルより明るくなる。なお、中間調レベルより明るくなる理由は画素電極ＰＥと主共通電極ＣＡとの間の電位差が大きくなり液晶分子を動かす方向に働くためであり、中間調レベルより暗くなる理由は上記電位差が小さくなり液晶分子の動きを妨げる方向に働くためである。
【００８３】
すると、正極性を有する第１画素ＰＸ１においては、第１カップリング容量Ｃｐ１及び第２カップリング容量Ｃｐ２による明るさの変化が重畳し、中間調レベルより明るくなる。負極性を有する第２画素ＰＸ２においては、第１カップリング容量Ｃｐ１及び第２カップリング容量Ｃｐ２による明るさの変化が相殺され、中間調レベルの明るさを維持することができる。正極性を有する第３画素ＰＸ３においては、第１カップリング容量Ｃｐ１及び第２カップリング容量Ｃｐ２による明るさの変化が重畳し、中間調レベルより暗くなる。負極性を有する第４画素ＰＸ４においては、第１カップリング容量Ｃｐ１及び第２カップリング容量Ｃｐ２による明るさの変化が重畳し、中間調レベルより明るくなる。正極性を有する第５画素ＰＸ５においては、第１カップリング容量Ｃｐ１及び第２カップリング容量Ｃｐ２による明るさの変化が相殺され、中間調レベルの明るさを維持することができる。負極性を有する第６画素ＰＸ６においては、第１カップリング容量Ｃｐ１及び第２カップリング容量Ｃｐ２による明るさの変化が重畳し、中間調レベルより暗くなる。
【００８４】
このため、上記明るさの変化を色毎にみると、第１画素ＰＸ１及び第４画素ＰＸ４を含む赤色の画素ＰＸＲでは、平均的に中間調レベルより明るくなる。第２画素ＰＸ２及び第５画素ＰＸ５を含む緑色の画素ＰＸＧでは、平均的に中間調レベルの明るさを維持する。第３画素ＰＸ３及び第６画素ＰＸ６を含む青色の画素ＰＸＢでは、平均的に中間調レベルより暗くなる。上記の結果は、１周期の平均をとっても同じである。
【００８５】
以上、第１表示領域Ａ１にて赤色表示を行い第２乃至第５表示領域Ａ２乃至Ａ５にて中間調表示を行う場合の任意の１フレーム期間に信号線Ｓと画素電極ＰＥとの間に第１カップリング容量Ｃｐ１及び第２カップリング容量Ｃｐ２を形成することによる明るさの変化について示したが、上述したことは、第１表示領域Ａ１にて赤色以外を表示する場合においても同様である。
【００８６】
図１５は、第１表示領域Ａ１にて赤色表示、緑色表示、青色表示、シアン表示、マゼンダ表示、イエロー表示、白色表示又は黒色表示を行い第２乃至第５表示領域Ａ２乃至Ａ５にて中間調表示を行う場合に信号線Ｓと画素電極ＰＥとの間に形成されるカップリング容量による明るさの変化を表で示す図であり、任意の１周期において中間調表示時と比較した第２表示領域Ａ２の正極性又は負極性を有する複数の画素ＰＸの明るさと、１周期平均において中間調表示時と比較した第２表示領域Ａ２の複数色の画素ＰＸの平均的な明るさと、を示す図である。
【００８７】
図１５に示すように、第１表示領域Ａ１にて赤色表示を行った場合に関しては図１４に示した通りであるが、第１表示領域Ａ１にて緑色表示、青色表示、シアン表示、マゼンダ表示、イエロー表示を行った場合においても、画素ＰＸに第１カップリング容量Ｃｐ１及び第２カップリング容量Ｃｐ２を形成することにより、画素ＰＸの明るさを変化させることができる。
【００８８】
なお、第１表示領域Ａ１にて白色表示を行う場合や黒色表示を行う場合であっても、Ｃｐ１＝Ｃｐ２に設定することにより、第１カップリング容量Ｃｐ１及び第２カップリング容量Ｃｐ２が互いに相殺され、中間調表示を維持することができる。同様に、第３表示領域Ａ３においても中間調表示を維持することができる。
【００８９】
図１３と図１５とを比較すると、図１３で「明」であると図１５では「暗」であり、図１３で「暗」であると図１５では「明」であり、図１３で「―」であると図１５でも「―」であることが分かる。上記のことから、第１カップリング容量Ｃｐ１及び第２カップリング容量Ｃｐ２を形成し、漏れ電界による輝度レベルの変化をキャンセルすることができるため、縦クロストークを抑制することができるものである。そして、第２表示領域Ａ２などの第１表示領域Ａ１以外の表示領域において中間調表示を良好に行うことや、無彩色の表示を行うことが可能となる。
【００９０】
上記仮定したように、第１乃至第６画素ＰＸ１乃至ＰＸ６の各々に上記第１カップリング容量Ｃｐ１及び第２カップリング容量Ｃｐ２を形成することができれば、縦クロストークを抑制する効果を一層得ることができる。しかしながら、第１乃至第６画素ＰＸ１乃至ＰＸ６の全てに上記第１カップリング容量Ｃｐ１及び第２カップリング容量Ｃｐ２を形成しなくともよく、この場合であっても、縦クロストークを抑制する効果は得られるものである。
【００９１】
図１６は、上記第１の実施形態に係る液晶表示パネルＰＮＬの一部を示す平面図であり、第１遮光層ＳＨａ及び第２遮光層ＳＨｂのパターンを示す図である。  
図１６に示すように、本実施形態において、マトリクス状に並んだ複数の画素ＰＸに対し、第１遮光層ＳＨａ及び第２遮光層ＳＨｂは市松状に配置されている。このように第１遮光層ＳＨａ及び第２遮光層ＳＨｂが配置されていれも、第１遮光層ＳＨａを利用することのできる画素ＰＸにおいて、漏れ電界による輝度レベルの変化をキャンセルすることができるため、縦クロストークを抑制することができる。
【００９２】
上記のように構成された第１の実施形態に係る液晶表示装置ＤＳＰによれば、液晶表示装置ＤＳＰは、アレイ基板ＡＲと、アレイ基板ＡＲに対向配置された対向基板ＣＴと、アレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとの間に保持された液晶層ＬＱと、第１主共通電極ＣＡＬと、第２主共通電極ＣＡＲと、を備えている。アレイ基板ＡＲは、導電性を有する第１遮光層ＳＨａと、第１スイッチング素子ＳＷ１と、互いに間隔を置いて並行して延在した第１信号線Ｓ１及び第２信号線Ｓ２と、第１信号線Ｓ１と第２信号線Ｓ２との間に位置し第１信号線Ｓ１及び第２信号線Ｓ２と並行に延出し第１スイッチング素子ＳＷ１を介して第１信号線Ｓ１と電気的に接続された第１画素電極ＰＥ１と、を有している。第１主共通電極ＣＡＬ及び第２主共通電極ＣＡＲは、アレイ基板ＡＲにともに設けられている。第１主共通電極ＣＡＬは第１信号線Ｓ１と対向し第１信号線Ｓ１に沿って延出し、第２主共通電極ＣＡＲは第２信号線Ｓ２と対向し第２信号線Ｓ２に沿って延出している。
【００９３】
液晶表示装置ＤＳＰは、カラム反転駆動法を採っている。信号線駆動回路ＳＤ、駆動回路ＩＣ及び制御モジュールＣＭの少なくとも一部を含む駆動部は、例えば、第１表示期間に、第１主共通電極ＣＡＬと第２主共通電極ＣＡＲとにコモン駆動信号を与え、第１信号線Ｓ１に第１極性（例えば、正極性）を有する第１画像信号を与え、第２信号線Ｓ２に第１極性と異なる第２極性（例えば、負極性）を有する第２画像信号を与えている。上記駆動部は、第１表示期間の次の第２表示期間に、第１主共通電極ＣＡＬと第２主共通電極ＣＡＲとにコモン駆動信号を与え、第１信号線Ｓ１に第２極性を有する第１画像信号を与え、第２信号線Ｓ２に第１極性を有する第２画像信号を与えている。このため、液晶層ＬＱを交流駆動しつつ、低消費電力化を図ることができる。
【００９４】
第１信号線Ｓ１に沿って同一列に並んだ第１画素ＰＸ１を含む複数の画素ＰＸは、それぞれスイッチング素子ＳＷ及び画素電極ＰＥを有し、第１信号線Ｓ１を共用している。  
第１主共通電極ＣＡＬ及び第２主共通電極ＣＡＲを第１画素電極ＰＥ１と同じアレイ基板ＡＲに設けた場合、信号線Ｓからの漏れ電界の影響が大きく、縦クロストークなどが生じ易い。ここでは、第１画素電極ＰＥ１、第１主共通電極ＣＡＬ及び第２主共通電極ＣＡＲは、それぞれ前記第１基板に設けられ、第４絶縁膜１４の上に配置されているため、同一層の上に配置されている。そこで、本実施形態において、第１信号線Ｓ１は第１遮光層ＳＨａと第１静電容量結合し、第２信号線Ｓ２は第１遮光層ＳＨａと第２静電容量結合し、第１画素電極ＰＥ１は第１遮光層ＳＨａと第３静電容量結合している。すなわち、第１画素ＰＸ１には、第１カップリング容量Ｃｐ１及び第２カップリング容量Ｃｐ２が形成されている。このため、縦クロストークの発生を抑制することができる。Ｃｐ１＝Ｃｐ２であると望ましい。  
また、第１主共通電極ＣＡＬ及び第２主共通電極ＣＡＲの幅を大きくするなどして電界シールド効果を高めなくとも縦クロストークの発生を低減することができるため、開口率の低下を抑制することができる。
【００９５】
また、本実施形態によれば、主共通電極ＣＡは、それぞれ信号線Ｓと対向している。特に、第１主共通電極ＣＡＬ及び第２主共通電極ＣＡＲがそれぞれ第１信号線Ｓ１及び第２信号線Ｓ２の直上に配置されている場合には、第１主共通電極ＣＡＬ及び第２主共通電極ＣＡＲが第１信号線Ｓ１及び第２信号線Ｓ２よりも第１画素電極ＰＥ１側に配置された場合と比較して、開口部を拡大することができ、第１画素ＰＸ１の光透過率を向上することが可能となる。
【００９６】
主共通電極ＣＡＬ及び主共通電極ＣＡＲをそれぞれ信号線Ｓ１及び信号線Ｓ２の直上に配置することによって、画素電極ＰＥと主共通電極ＣＡＬ及び主共通電極ＣＡＲとの間の電極間距離を拡大することが可能となり、より水平に近い横電界を形成することが可能となる。このため、従来の構成であるＩＰＳモード等の利点である広視野角化も維持することが可能となる。また、上記液晶表示装置は、高速応答性に優れ、上述したように配向安定性にも特化したものである。さらに、本実施形態によれば、一画素内に複数のドメインを形成することが可能となる。このため、複数の方向で視野角を光学的に補償することができ、広視野角化が可能となる。
【００９７】
第１遮光層ＳＨａは、第１半導体層ＳＣ１の少なくとも第３領域Ｒ１ｃと第２半導体層の少なくとも第６領域Ｒ２ｃとの両方に隙間を置いて対向し、これらの領域を遮光している。第２遮光層ＳＨｂは、第２半導体層の少なくとも第６領域Ｒ２ｃを遮光している。
このため、第１スイッチング素子ＳＷ１及び第２スイッチング素子ＳＷ２をオフにした際に第１スイッチング素子ＳＷ１及び第２スイッチング素子ＳＷ２に生じるリーク電流を少なくすることができる。
【００９８】
第１遮光層ＳＨａは、走査線Ｇ１、第１信号線Ｓ１、第２信号線Ｓ２及び第１画素電極ＰＥ１と対向配置されている。第２遮光層ＳＨｂは、第２画素電極ＰＥ２と対向配置されている。このため、第１及び第２画素ＰＸ１及びＰＸ２の開口部の縮小を抑制しつつ、上記リーク電流を少なくすることができる。  
上記のことから、第１の実施形態において、表示品位に優れた液晶表示装置を得ることができる。
【００９９】
次に、第２の実施形態に係る液晶表示装置ＤＳＰについて詳細に説明する。図１７は、第２の実施形態に係る液晶表示パネルＰＮＬの複数の画素ＰＸのうち隣合う２個の画素ＰＸ１，ＰＸ２を示す平面図である。  
図１７に示すように、第２の実施形態において、上記第１の実施形態と比較すると、大まかに、第１セグメントＳＨ１と第２セグメントＳＨ２とが第３セグメントＳＨ３で接続されること無しに電気的に絶縁され、液晶表示パネルＰＮＬが第１導電層ＲＥ１及び第２導電層ＲＥ２をさらに備えている点で相違している。
【０１００】
補助容量線Ｃ１は、第１導電層ＲＥ１及び第２導電層ＲＥ２と対向している。第１信号線Ｓ１は第１導電層ＲＥ１と対向し、第２信号線Ｓ２は第２導電層ＲＥ２と対向している。主共通電極ＣＡＬが左側、主共通電極ＣＡＲが右側となるＸ−Ｙ平面視において、第１導電層ＲＥ１及び第２導電層ＲＥ２は、大まかに、Ｌ字を上下反転した形状に形成されている。第１導電層ＲＥ１は、補助容量線Ｃ１に沿って第１方向Ｘに延出し、補助容量線Ｃ１と第１信号線Ｓ１との交差部にて屈曲し、第１信号線Ｓ１に沿って第２方向Ｙに延出している。第１導電層ＲＥ１は、補助容量線Ｃ１及び第１信号線Ｓ１と対向する領域内に形成されている。第２導電層ＲＥ２は、補助容量線Ｃ１に沿って第１方向Ｘに延出し、補助容量線Ｃ１と第２信号線Ｓ２との交差部にて屈曲し、第２信号線Ｓ２に沿って第２方向Ｙに延出している。第２導電層ＲＥ２は、補助容量線Ｃ１及び第２信号線Ｓ２と対向する領域内に形成されている。
【０１０１】
補助容量線Ｃ１と対向した領域において、第１導電層ＲＥ１は第２領域Ｒ１ｂと対向し、第２導電層ＲＥ２は第２領域Ｒ１ｂ及び第５領域Ｒ２ｂのそれぞれと対向している。第１信号線Ｓ１と対向した領域において、第１導電層ＲＥ１は第１領域Ｒ１ａ及び第２領域Ｒ１ｂのそれぞれと対向している。第２信号線Ｓ２と対向した領域において、第２導電層ＲＥ２は第４領域Ｒ２ａ及び第５領域Ｒ２ｂのそれぞれと対向している。第１導電層ＲＥ１及び第２導電層ＲＥ２は、導電材料としての金属で形成されている。
【０１０２】
図１８は、図１７の線ＸＶＩＩＩ−ＸＶＩＩＩに沿って示す液晶表示パネルＰＮＬの一部を示す断面図である。  
図１８に示すように、第１導電層ＲＥ１及び第２導電層ＲＥ２は、第１セグメントＳＨ１と第２セグメントＳＨ２と同一レベルの層に形成されている。例えば、第１導電層ＲＥ１及び第２導電層ＲＥ２は、第１セグメントＳＨ１と第２セグメントＳＨ２と、同一材料を利用して同時に形成されている。
【０１０３】
第１信号線Ｓ１は第１導電層ＲＥ１と第１静電容量結合するため、第１領域Ｒ１ａは第１導電層ＲＥ１に隙間を置いて対向している。第２信号線Ｓ２は第２導電層ＲＥ２と第２静電容量結合するため、第４領域Ｒ２ａは第２導電層ＲＥ２に隙間を置いて対向している。第１画素電極ＰＥ１は第１導電層ＲＥ１と第３静電容量結合するため、第２領域Ｒ１ｂは第１導電層ＲＥ１に隙間を置いて対向している。第１画素電極ＰＥ１は第２導電層ＲＥ２と第４静電容量結合するため、第２領域Ｒ１ｂは第２導電層ＲＥ２に隙間を置いて対向している。
【０１０４】
次に、信号線Ｓからの漏れ電界に起因した縦クロストークを抑制するために形成した第２実施形態に係るカップリング容量について説明する。本実施形態においても、上記カップリング容量を形成し、漏れ電界による輝度レベルの変化をキャンセルすることで、縦クロストークを抑制することが可能となるものである。図１９は、上記図１７に示した第１信号線Ｓ１と第１画素電極ＰＥ１との間に第１導電層ＲＥ１を利用して第１カップリング容量Ｃｐ１を形成し、第２信号線Ｓ２と第１画素電極ＰＥ１との間に第２導電層ＲＥ２を利用して第２カップリング容量Ｃｐ２を形成している状態を説明するための図である。
【０１０５】
図１９に示すように、第１カップリング容量Ｃｐ１は、第１領域Ｒ１ａと第１導電層ＲＥ１との間に形成される容量と、第２領域Ｒ１ｂと第１導電層ＲＥ１との間に形成される容量と、を有している。言い換えると、第１カップリング容量Ｃｐ１は、上述した第１静電容量結合と第３静電容量結合とで形成されている。第２カップリング容量Ｃｐ２は、第４領域Ｒ２ａと第２導電層ＲＥ２との間に形成される容量と、第２領域Ｒ１ｂと第２導電層ＲＥ２との間に形成される容量と、を有している。言い換えると、第２カップリング容量Ｃｐ２は、上述した第２静電容量結合と第４静電容量結合とで形成されている。Ｃｐ１＝Ｃｐ２となるように、第１カップリング容量Ｃｐ１を形成するための各種部材と第２カップリング容量Ｃｐ２を形成するための各種部材とを配置した方が望ましい。本実施形態において、Ｃｐ１＝Ｃｐ２である。また、第１カップリング容量Ｃｐ１の値や第２カップリング容量Ｃｐ２の値は、例えば第１導電層ＲＥ１及び第２導電層ＲＥ２の第１方向Ｘ及び第２方向Ｙの少なくとも一方の長さを変えることにより調整可能である。  
また、本第２の実施形態では、全ての画素ＰＸに第１カップリング容量Ｃｐ１及び第２カップリング容量Ｃｐ２をそれぞれ形成することができるため、全ての画素ＰＸにおいて、漏れ電界による輝度レベルの変化をキャンセルすることができるため、縦クロストークなどを抑制することができる。
【０１０６】
上記のように構成された第２の実施形態に係る液晶表示装置ＤＳＰによれば、液晶表示装置ＤＳＰは、アレイ基板ＡＲと、アレイ基板ＡＲに対向配置された対向基板ＣＴと、アレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとの間に保持された液晶層ＬＱと、第１主共通電極ＣＡＬと、第２主共通電極ＣＡＲと、を備えている。アレイ基板ＡＲは、第１導電層ＲＥ１と、第２導電層ＲＥ２と、第１スイッチング素子ＳＷ１と、互いに間隔を置いて並行して延在した第１信号線Ｓ１及び第２信号線Ｓ２と、第１信号線Ｓ１と第２信号線Ｓ２との間に位置し第１信号線Ｓ１及び第２信号線Ｓ２と並行に延出し第１スイッチング素子ＳＷ１を介して第１信号線Ｓ１と電気的に接続された第１画素電極ＰＥ１と、を有している。第１主共通電極ＣＡＬ及び第２主共通電極ＣＡＲは、アレイ基板ＡＲにともに設けられている。第１主共通電極ＣＡＬは第１信号線Ｓ１と対向し第１信号線Ｓ１に沿って延出し、第２主共通電極ＣＡＲは第２信号線Ｓ２と対向し第２信号線Ｓ２に沿って延出している。  
本実施形態においても、液晶表示装置ＤＳＰは、カラム反転駆動法を採っているため、液晶層ＬＱを交流駆動しつつ、低消費電力化を図ることができる。
【０１０７】
第１信号線Ｓ１は第１導電層ＲＥ１と第１静電容量結合し、第２信号線Ｓ２は第２導電層ＲＥ２と第２静電容量結合し、第１画素電極ＰＥ１は第１導電層ＲＥ１と第３静電容量結合し、第１画素電極ＰＥ１は第２導電層ＲＥ２と第４静電容量結合している。すなわち、第１画素ＰＸ１などには、第１カップリング容量Ｃｐ１及び第２カップリング容量Ｃｐ２が形成されている。このため、縦クロストークの発生を抑制することができる。Ｃｐ１＝Ｃｐ２であると望ましい。
【０１０８】
第１導電層ＲＥ１は、補助容量線Ｃ１及び第１信号線Ｓ１と対向配置され、第２導電層ＲＥ２は、補助容量線Ｃ１及び第２信号線Ｓ２と対向配置されている。このため、第１及び第２画素ＰＸ１及びＰＸ２の開口部の縮小を抑制しつつ、上記縦クロストークの発生を抑制することができる。  
上記のことから、第２の実施形態においても、表示品位に優れた液晶表示装置を得ることができる。
【０１０９】
次に、第３の実施形態に係る液晶表示装置ＤＳＰについて詳細に説明する。図２０は、第３の実施形態に係る液晶表示パネルＰＮＬの複数の画素ＰＸのうち隣合う２個の画素ＰＸ１，ＰＸ２を示す平面図である。  
図２０に示すように、第３の実施形態において、上記第１の実施形態と比較すると、大まかに、第１セグメントＳＨ１と第２セグメントＳＨ２とが第３セグメントＳＨ３で接続されること無しに電気的に絶縁されている点と、画素電極ＰＥ及び共通電極ＣＥの形状に関する点とで相違している。
【０１１０】
共通電極ＣＥは、複数の副共通電極ＣＢをさらに含んでいる。第３の実施形態において、複数の副共通電極ＣＢはアレイ基板ＡＲ側に形成されている。副共通電極ＣＢは、主共通電極ＣＡと一体又は連続的に形成されている。この実施形態において、副共通電極ＣＢは、主共通電極ＣＡとともに同一層の上に配置され、主共通電極ＣＡと一体に形成されている。副共通電極ＣＢは、主共通電極ＣＡと電気的に接続されている。複数の副共通電極ＣＢは、第２方向Ｙに間隔を置いて並べられ、第２方向Ｙに複数の画素電極ＰＥを挟んでいる。複数の副共通電極ＣＢは、それぞれ第１方向Ｘに延在している。コモン駆動信号は、主共通電極ＣＡ及び副共通電極ＣＢに与えられる。
【０１１１】
画素電極ＰＥは十字状に形成され、共通電極ＣＥは一画素ＰＸを取り囲むように格子状に形成されている。画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間での電気的な絶縁距離を確保するため、主共通電極ＣＡは、第２方向に延出し、かつ第２方向に間隔を置いて並んだ複数のセグメントで形成されている。なお、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥは、図２１に示すようにパターニングされている。
【０１１２】
画素電極ＰＥは、互いに電気的に接続された主画素電極ＰＡ及び副画素電極ＰＢを備えている。主画素電極ＰＡは、副画素電極ＰＢから画素ＰＸの上側端部付近及び下側端部付近まで第２方向Ｙに略直線的に延出している。副画素電極ＰＢは、第１方向Ｘに延出している。この副画素電極ＰＢは、走査線Ｇ１と対向する領域に位置している。図示した例では、副画素電極ＰＢが画素ＰＸの略中央に設けられている。
【０１１３】
副共通電極ＣＢは、補助容量線Ｃの各々と対向している。図示した例では、副共通電極ＣＢは第１方向Ｘに沿って２本平行に並んでおり、以下では、これらを区別するために、図中の上側の副共通電極をＣＢＵと称し、図中の下側の副共通電極をＣＢＢと称する。副共通電極ＣＢＵは、画素ＰＸ１，ＰＸ２の上側端部に配置され、補助容量線Ｃ１と対向している。つまり、副共通電極ＣＢＵは、当該画素とその上側に隣接する画素との境界に跨って配置されている。また、副共通電極ＣＢＢは、画素ＰＸ１，ＰＸ２の下側端部に配置され、補助容量線Ｃ２と対向している。つまり、副共通電極ＣＢＢは、当該画素とその下側に隣接する画素との境界に跨って配置されている。
【０１１４】
このように、各画素ＰＸにおいて、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に電界が形成された状態では、４つのドメインに互いに異なる電界を作用させることができるため、視野角を拡大できることはもちろん、図５の画素構造よりも液晶分子ＬＭの配向規制力を強くすることができる。
【０１１５】
次に、信号線Ｓからの漏れ電界に起因した縦クロストークを抑制するために形成した第３実施形態に係るカップリング容量について説明する。本実施形態においても、上記カップリング容量を形成し、漏れ電界による輝度レベルの変化をキャンセルすることで、縦クロストークを抑制することが可能となるものである。
【０１１６】
第１カップリング容量Ｃｐ１は、副画素電極ＰＢと第１信号線Ｓ１との間に形成される容量を有している。言い換えると、第１カップリング容量Ｃｐ１は、副画素電極ＰＢが第１信号線Ｓ１と第１静電容量結合することで形成されている。第２カップリング容量Ｃｐ２は、副画素電極ＰＢと第２信号線Ｓ２との間に形成される容量を有している。言い換えると、第２カップリング容量Ｃｐ２は、副画素電極ＰＢが第２信号線Ｓ２と第２静電容量結合することで形成されている。Ｃｐ１＝Ｃｐ２となるように、第１カップリング容量Ｃｐ１を形成するための各種部材と第２カップリング容量Ｃｐ２を形成するための各種部材とを配置した方が望ましい。本実施形態において、Ｃｐ１＝Ｃｐ２である。また、第１カップリング容量Ｃｐ１の値や第２カップリング容量Ｃｐ２の値は、副画素電極ＰＢの幅や、信号線Ｓに対する副画素電極ＰＢの近接度を変えることにより調整可能である。  
また、本第３の実施形態では、全ての画素ＰＸに第１カップリング容量Ｃｐ１及び第２カップリング容量Ｃｐ２をそれぞれ形成することができるため、全ての画素ＰＸにおいて、漏れ電界による輝度レベルの変化をキャンセルすることができるため、縦クロストークなどを抑制することができる。
【０１１７】
上記のように構成された第３の実施形態に係る液晶表示装置ＤＳＰによれば、全ての画素ＰＸに第１カップリング容量Ｃｐ１及び第２カップリング容量Ｃｐ２をそれぞれ形成することができる。このため、上述した実施形態と同様に、縦クロストークの発生を抑制することができる。  
上記のことから、第３の実施形態においても、表示品位に優れた液晶表示装置を得ることができる。
【０１１８】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【０１１９】
共通電極ＣＥは、アレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとの少なくとも一方の基板に設けられていてもよい。例えば、共通電極ＣＥを対向基板ＣＴ側のみに設けてもよい。又は、共通電極ＣＥは、アレイ基板ＡＲに備えられた主共通電極ＣＡに加えて、対向基板ＣＴに備えられ主共通電極ＣＡと対向する（あるいは信号線Ｓと対向する）他の主共通電極を備えていてもよい。  
スイッチング素子ＳＷは、それぞれダブルゲート型の薄膜トランジスタではなく、シングルゲート型の薄膜トランジスタで形成されていてもよく、トリプルゲート型の薄膜トランジスタで形成されていてもよい。
【０１２０】
上述した実施形態に係る駆動部は、信号線駆動回路ＳＤ、駆動回路ＩＣ及び制御モジュールＣＭの少なくとも一部に限定されるものではなく、種々変形可能である。上記駆動部は、信号線Ｓに画像信号（例えば、映像信号）を与えたり、共通電極ＣＥにコモン駆動信号を与えたりすることができればよい。  
上述した実施形態では、液晶表示装置ＤＳＰを例示的に開示した。しかし、上述した実施形態は、他の液晶表示装置に適用可能である。また、上述した実施形態は、中小型の表示装置から大型の表示装置まで、特に限定することなく適用が可能であることは言うまでもない。
【符号の説明】
【０１２１】
ＤＳＰ…液晶表示装置、ＰＮＬ…液晶表示パネル、ＡＲ…アレイ基板、１０…第１絶縁基板、ＣＴ…対向基板、２０…第２絶縁基板、ＬＱ…液晶層、ＬＭ…液晶分子、ＰＸ，ＰＸ１，ＰＸ２，ＰＸ３，ＰＸ４，ＰＸ５，ＰＸ６，ＰＸＲ，ＰＸＧ，ＰＸＢ…画素、１１，１２，１３，１４…絶縁膜、ＳＷ，ＳＷ１，ＳＷ２…スイッチング素子、ＣＳ…保持容量、ＳＣ，ＳＣ１，ＳＣ２…半導体層、Ｒ１ａ，Ｒ１ｂ，Ｒ１ｃ，Ｒ２ａ，Ｒ２ｂ，Ｒ２ｃ…領域、Ｇ，Ｇ１…走査線、ＧＥ，ＧＥ１，ＧＥ２…ゲート電極、Ｃ，Ｃ１，Ｃ２…補助容量線、Ｓ，Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４，Ｓ５，Ｓ６，Ｓ７…信号線、ＰＥ，ＰＥ１，ＰＥ２…画素電極、ＰＡ…主画素電極、ＰＢ…副画素電極、ＣＥ…共通電極、ＣＡ，ＣＡＬ，ＣＡＲ…主共通電極、ＣＦ…カラーフィルタ、ＳＨａ…第１遮光層、ＳＨｂ…第２遮光層、ＩＣ…駆動回路、ＣＭ…制御モジュール、ＧＤ…走査線駆動回路、ＳＤ…信号線駆動回路、ＣＤ…共通電極駆動回路、Ｃｐ１，Ｃｐ２…カップリング容量、Ｘ…第１方向、Ｙ…第２方向。
【図１】
2016200635.tif 000003
【図２】
2016200635.tif 000004
【図３】
2016200635.tif 000005
【図４】
2016200635.tif 000006
【図５】
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【図６】
2016200635.tif 000008
【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
2016200635.tif 000012
【図１１】
2016200635.tif 000013
【図１２】
2016200635.tif 000014
【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
2016200635.tif 000017
【図１６】
2016200635.tif 000018
【図１７】
2016200635.tif 000019
【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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