(57)【要約】      （修正有）【課題】クラスタ型基板処理装置により生産性が向上し、かつ最適なプロセス環境を整えた基盤処理構造を提供する。【解決手段】少なくとも一部が重なるように垂直方向多段に複数設けられ、基板を処理する反応室ＰＭと、基板を待機させる待機室と、反応室と待機室に隣接する搬送室ＴＭの天井部と底部に少なくとも１つずつ設けられ、反応室と待機室の間で基板を搬送する搬送ロボットＶＲ１、ＶＲ２とを備える。【選択図】図２
2016066668.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一部が重なるように垂直方向多段に複数設けられ、基板を処理する反応室と、
前記基板を待機させる待機室と、
前記反応室と前記待機室に隣接する搬送室の天井部と底部に少なくとも１つずつ設けられ、前記反応室と前記待機室の間で前記基板を搬送する搬送ロボットと、
を備える基板処理装置。
【請求項２】
少なくとも一部が重なるように垂直方向多段に複数設けられ基板を処理する反応室と、記基板を待機させる待機室と、前記反応室と前記待機室に隣接する搬送室の天井部と底部に少なくとも１つずつ設けられた搬送ロボットによって前記基板を前記反応室に搬入する工程と、
前記反応室に搬送された前記基板を処理する工程と、
前記処理された基板を前記反応室から搬出する工程と、
を有する半導体装置の製造方法。
【請求項３】
少なくとも一部が重なるように垂直方向多段に複数設けられ基板を処理する反応室と、記基板を待機させる待機室と、前記反応室と前記待機室に隣接する搬送室の天井部と底部に少なくとも１つずつ設けられた搬送ロボットによって前記基板を前記反応室に搬入する手順と、
前記反応室に搬送された前記基板を処理する手順と、
前記処理された基板を前記反応室から搬出する手順と、
を有するプログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板を搬送する搬送手段を備える基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラムに関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的なクラスタ配置型の基板処理装置の構成例を図５に示す。図５（ａ）は、基板処理装置の上面概略図である。図５（ｂ）は、基板処理装置の側面概略図である。図５（ｃ）は、基板処理装置の複数の反応室（基板処理室）の位置関係を示す概略図である。この装置は、１台の搬送ロボット１００を収容した搬送室１０を中心に、複数の反応室１１，１２，１３，１４が放射状に配置されており、各反応室１１，１２，１３，１４の下にも複数段の反応室が配置されている（図５（ｃ）参照）。
【０００３】
しかしながら、この構成では、搬送ロボットは中央に１つ備えられているのみであるので、全ての反応室に基板を搬送する際に、搬送に時間がかかり、反応室が多いにもかかわらず生産性が向上しない。また、反応室は縦方向と横方向に垂直及び平行に設置されている。図１（ｃ）の例では、縦方向に４個、横方向に４個の合計１６個の反応室が設置されている。この場合、各反応室は、上下両方向共に空間を有している反応室は無い。そのため、反応室に供給されるガス供給系は反応室の側面から供給することになる。また、反応室の排気系も反応室底から排気できず反応室側面からの排気となってしまう。ヒータやウェハリフトピンなど加熱部や機構部も横に引き出す必要があり、ヒータ線の熱膨張等による中心位置ズレや昇降ズレが発生する可能性が高くなる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−１４７６３1号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
生産性向上のために、多数の反応室を１つの真空搬送室に設置するが、搬送が困難で生産性が上がらず、また、反応室の上下に空間がない為、均一なガス供給及び排気が困難で、かつ、ヒータやサセプタなどの中心ズレや水平出しの精度が困難であり最適なプロセス環境を整えることができない。更に、反応室内のメンテナンスについても困難であるといった課題がある。
【０００６】
本発明は、基板処理装置の生産性を向上し、かつ最適なプロセス環境を整えた構造を備えた基板処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一態様によれば、
少なくとも一部が重なるように垂直方向多段に複数設けられ、基板を処理する反応室と、
前記基板を待機させる待機室と、
前記反応室と前記待機室に隣接する搬送室の天井部と底部に少なくとも１つずつ設けられ、前記反応室と前記待機室の間で前記基板を搬送する搬送ロボットと、
を備える基板処理装置が提供される。
【０００８】
別の態様によれば、
少なくとも一部が重なるように垂直方向多段に複数設けられ基板を処理する反応室と、記基板を待機させる待機室と、前記反応室と前記待機室に隣接する搬送室の天井部と底部に少なくとも１つずつ設けられた搬送ロボットによって前記基板を前記反応室に搬入する工程と、
前記反応室に搬送された前記基板を処理する工程と、
前記処理された基板を前記反応室から搬出する工程と、
を有する半導体装置の製造方法が提供される。
【０００９】
更に別の態様によれば、
少なくとも一部が重なるように垂直方向多段に複数設けられ基板を処理する反応室と、記基板を待機させる待機室と、前記反応室と前記待機室に隣接する搬送室の天井部と底部に少なくとも１つずつ設けられた搬送ロボットによって前記基板を前記反応室に搬入する手順と、
前記反応室に搬送された前記基板を処理する手順と、
前記処理された基板を前記反応室から搬出する手順と、
を有するプログラムが提供される。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、生産性を向上し、かつ最適なプロセス環境を整えた構造を備えた基板処理装置を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明に係るクラスタ型基板処理装置の概略上面断面図である。
【図２】（ａ）本発明に係るクラスタ型基板処理装置の概略側断面図である。（ｂ）本発明に係る各反応室の位置関係を示す図である。
【図３】本発明にかかる基板処理装置の真空ロボットの動作を説明するための図である。
【図４】本発明にかかる基板処理装置が備える制御手段のブロック構成図である。
【図５】（ａ）一般的な基板処理装置の上面概略図である。（ｂ）一般的な基板処理装置の側面概略図である。（ｃ）一般的な基板処理装置の複数の反応室の位置関係を示す概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下に、本発明の一実施形態にかかる基板処理装置の構成及び動作について、図１〜図４を用いて説明する。
【００１３】
参照する図面において、図１は、本発明の一実施形態にかかるクラスタ型基板処理装置の概略上面断面図であり、図２（ａ）は、本発明の一実施形態にかかるクラスタ型基板処理装置の概略側断面図であり、図２（ｂ）は、本発明の一実施形態にかかる反応室の設置位置関係を示す図であり、図３は、本発明の一実施形態にかかる基板処理装置のロボットの動作を説明するための図である。図４は、本発明の一実施形態にかかる基板処理装置が備える制御手段のブロック構成図である。
【００１４】
（１）基板処理装置の構成
図１に、本発明の一実施形態にかかるクラスタ型基板処理装置の構成例を示す。クラスタ型基板処理装置は、真空側と大気側とに分れている。
【００１５】
（ａ）真空側の構成
クラスタ型基板処理装置の真空側には、真空気密可能な真空搬送室（トランスファモジュール）ＴＭと、予備室としてのバキュームロッキングチャンバ（ロードロック室）ＶＬ１，ＶＬ２と、基板処理室（反応室）としてのプロセスモジュールＰＭ１，ＰＭ２，ＰＭ３と、が設けられる。バキュームロッキングチャンバＶＬ１，ＶＬ２、反応室ＰＭ１，ＰＭ２，ＰＭ３は、真空搬送室ＴＭの外周に星状に配置されている。また、図１において点線で示す反応室ＰＭ４，ＰＭ５は、反応室ＰＭ１，ＰＭ２，ＰＭ３の下段に設置されている。図２、図３に示すように、バキュームロッキングチャンバＶＬ１，ＶＬ２の下段には、バキュームロッキングチャンバＶＬ３，ＶＬ４が設けられている。
【００１６】
真空搬送室ＴＭは、真空状態などの大気圧未満の圧力（負圧）に耐えることが出来るロードロックチャンバ構造に構成されている。なお、本発明の一実施形態においては、真空搬送室ＴＭの筐体は、平面視が六角形で、上下左右端が閉塞した箱形状に形成されている。
【００１７】
真空搬送室ＴＭ内には、真空搬送手段としての２台の真空ロボットＶＲ１、ＶＲ２が設けられている。真空搬送室ＴＭの天井部に設置している真空ロボットＶＲ１は、バキュームロッキングチャンバＶＬ１，ＶＬ２、ＶＬ３，ＶＬ４，反応室ＰＭ１，ＰＭ２，ＰＭ３，ＰＭ４，ＰＭ５との間で、基板としてのウエハＷの搬送（搬入、搬出）を基板載置部であるアームに載せることで相互に行なう。真空搬送室ＴＭの底部に位置している真空ロボットＶＲ２は、バキュームロッキングチャンバＶＬ５，ＶＬ６、ＶＬ７，ＶＬ８，反応室ＰＭ６，ＰＭ７，ＰＭ８，ＰＭ９，ＰＭ１０との間で、基板としてのウエハＷの搬送（搬入、搬出）を基板載置部であるアームに載せることで相互に行なう。なお、真空ロボットＶＲ１、ＶＲ２は、エレベータＥＶによって、真空搬送室ＴＭの機密性を維持しつつ昇降できる。また、バキュームロッキングチャンバＶＬ１〜ＶＬ８、反応室ＰＭ１〜ＰＭ１０の近傍の所定の位置（ゲートバルブ近傍）にはウエハＷの有無を検知する基板検知手段としてのウエハ有無センサＷＳが複数設置され、アーム上のウエハＷの存在を検知できるようになっている。
【００１８】
反応室ＰＭ１〜ＰＭ１０は、例えば化学反応（ＣＶＤ）による成膜など、ウエハＷに付加価値を与える基板処理室として機能する。反応室ＰＭ１〜ＰＭ１０は、図示しないガス導入・排気機構、およびプラズマ放電機構に加え、図４に示す反応室内へ供給する処理ガスの流量を制御するマスフローコントローラ（ＭＦＣ）１１、反応室内の圧力を制御するオートプレッシャコントローラ（ＡＰＣ）１２、反応室内の温度を制御する温度調整器１３、処理ガスの供給や排気用バルブのオン／オフを制御するための入出力バルブＩ／Ｏ１４、などを備えている。
【００１９】
バキュームロッキングチャンバＶＬ１〜ＶＬ８は、真空搬送室ＴＭ内へウエハＷを搬入するための予備室として、あるいは真空搬送室ＴＭ内からウエハＷを搬出するための予備室として機能する。バキュームロッキングチャンバＶＬ１〜ＶＬ８の内部には、基板の搬入搬出用にウエハＷを一時的に支持するためのバッファステージＳＴ１〜ＳＴ８が、それぞれ設けられている。
【００２０】
バキュームロッキングチャンバＶＬ１〜ＶＬ８は、それぞれゲートバルブＧ１、Ｇ２，Ｇ５，Ｇ６，Ｇ９，Ｇ１０，Ｇ１３，Ｇ１４を介して真空搬送室ＴＭと連通しており、また、それぞれゲートバルブＧ３，Ｇ４，Ｇ７，Ｇ８，Ｇ１１，Ｇ１２，Ｇ１５，Ｇ１６を介して後述する大気搬送室ＬＭと連通している。したがって、ゲートバルブＧ１，Ｇ２，Ｇ５，Ｇ６，Ｇ９，Ｇ１０，Ｇ１３，Ｇ１４を閉じたまま、ゲートバルブＧ３，Ｇ４，Ｇ７，Ｇ８，Ｇ１１，Ｇ１２，Ｇ１５，Ｇ１６を開けることにより、真空搬送室ＴＭ内の真空気密を保持したまま、バキュームロッキングチャンバＶＬ１〜ＶＬ８と大気搬送室ＬＭとの間でウエハＷの搬送を行うことが可能である。
【００２１】
また、バキュームロッキングチャンバＶＬ１〜ＶＬ８は、真空状態などの大気圧未満の負圧に耐えることが出来るロードロックチャンバ構造として構成されており、その内部をそれぞれ真空排気することが可能となっている。したがって、ゲートバルブＧ３，Ｇ４，Ｇ７，Ｇ８，Ｇ１１，Ｇ１２，Ｇ１５，Ｇ１６を閉じてバキュームロッキングチャンバＶＬ１〜ＶＬ８の内部を真空排気した後で、ゲートバルブＧ３，Ｇ４，Ｇ７，Ｇ８，Ｇ１１，Ｇ１２，Ｇ１５，Ｇ１６を開けることにより、真空搬送室ＴＭ内の真空状態を保持したまま、バキュームロッキングチャンバＶＬ１〜ＶＬ８と真空搬送室ＴＭとの間で、ウエハＷの搬送を行うことが可能である。
【００２２】
図１において、点線で示している反応室ＰＭ４，ＰＭ５は、実線で示している反応室ＰＭ１，ＰＭ２，ＰＭ３よりも一段下の高さに位置しており、上面から見ると、少なくとも一部が重なるように垂直方向に多段に設けている。同様に、更に一段下には、反応室ＰＭ６，ＰＭ７，ＰＭ８が設けられ、更に一段下には、反応室ＰＭ９，ＰＭ１０が設けられている。また、バキュームロッキングチャンバＶＬ１，ＶＬ２の一段下にもバキュームロッキングチャンバＶＬ３，ＶＬ４が同様に設けられ、更に一段下には、バキュームロッキングチャンバＶＬ５，ＶＬ６、また更に一段下には、バキュームロッキングチャンバＶＬ７，ＶＬ８が設けられている。
【００２３】
また、真空ロボットＶＲ１は、前述と同様に、バキュームロッキングチャンバＶＬ１〜ＶＬ４、反応室ＰＭ１〜ＰＭ５との間で、基板としてのウエハＷの搬送（処理前の基板を搬入、処理後の基板を搬出）を基板載置部であるアームに載せることで相互に行なう。同様に、真空ロボットＶＲ２は、前述と同様に、バキュームロッキングチャンバＶＬ５〜ＶＬ８、反応室ＰＭ６〜ＰＭ１０との間で、基板としてのウエハＷの搬送を基板載置部であるアームに載せることで相互に行なう。
【００２４】
（ｂ）大気側の構成
一方、クラスタ型基板処理装置の大気側には、前述の通り、バキュームロッキングチャンバＶＬ１〜ＶＬ８に接続された大気搬送室としての大気搬送室ＬＭと、この大気搬送室ＬＭに接続された基板収納容器（以下ポッドＰＤ１〜ＰＤ３）を載置する基板収容部としてのロードポートＬＰ１〜ＬＰ３と、が設けられる。
【００２５】
大気搬送室ＬＭには、図示しないが、大気搬送室ＬＭの内部にクリーンエアを供給するためのクリーンエアユニットが設けられている。
【００２６】
大気搬送室ＬＭ内には、大気搬送手段としての１台の大気ロボットＡＲが設けられている。大気ロボットＡＲは、バキュームロッキングチャンバＶＬ１〜ＶＬ８とロードポートＬＰ１〜ＬＰ３との間で、基板としてのウエハＷの搬送を相互に行なう。大気ロボットＡＲも、真空ロボットＶＲと同様に基板載置部であるアームを有する。また、大気搬送室ＬＭの前の所定の位置（ゲートバルブ近傍）にも、同様に、ウエハＷの有無を検知する基板検知手段としてのウエハ有無センサＷＳが設置され、アーム上のウエハＷの存在を検知できるようになっている。
【００２７】
なお、大気搬送室ＬＭ内には、基板位置補正装置として、ウエハＷの結晶方位の位置合わせ等を行うためのオリフラ（Ｏｒｉｅｎｔａｔｉｏｎ  Ｆｌａｔ）合わせ装置ＯＦＡが設けられている。
【００２８】
各ロードポートＬＰ１〜ＬＰ３上には、複数枚のウエハＷを収納することが出来る基板収納容器としてのポッドＰＤ１〜ＰＤ３（図示しない）をそれぞれ載置することが出来る。基板収納容器としてのポッドＰＤ１〜ＰＤ３内には、ウエハＷをそれぞれ収納する収納部としてのスロットが複数設けられている。
【００２９】
（ｃ）制御手段の構成
クラスタ型基板処理装置の各構成部は、コントローラである制御手段ＣＮＴにより制御される。図４に、制御手段ＣＮＴの構成例を示す。制御手段ＣＮＴは、統括制御コントローラ９０と、プロセスモジュールコントローラＰＭＣ１，・・ＰＭＣｎと、操作員による操作を受け付ける操作部１００と、を備えており、これらはＬＡＮ回線８０により相互にデータ交換可能なように接続されている。
【００３０】
統括制御コントローラ９０は、真空ロボットＶＲ１，ＶＲ２、大気ロボットＡＲ、ゲートバルブＧ１〜Ｇ１６、バキュームロッキングチャンバＶＬ１〜ＶＬ８と、それぞれ接続されている。そして、統括制御コントローラ９０は、真空ロボットＶＲ１、ＶＲ２及び大気ロボットＡＲの動作、ゲートバルブＧ１〜Ｇ１６の開閉動作、バキュームロッキングチャンバＶＬ１〜ＶＬ８内部の排気動作を制御する。また、統括制御コントローラ９０は、上述のウエハ有無センサＷＳにそれぞれ接続されており、ウエハ有無センサＷＳからの検知信号に基づいて、基板処理装置内のウエハＷの位置を示す位置情報を作成して随時更新するように構成されている。そして、統括制御コントローラ９０は、前記ウエハＷをポッドＰＤ１〜ＰＤ３の内のどのスロットに収納するかをそれぞれ指定する収納情報と前記位置情報とに加え、ウエハＷについてのプロセス処理状況、ウエハＷを識別するためのウエハＩＤ、ウエハＷに対して実施するレシピ等のデータに基づいて、搬送手段としての真空ロボットＶＲ、ＶＲ２大気ロボットＡＲ、ゲートバルブＧ１〜Ｇ１６等の動作を制御するように構成されている。
【００３１】
プロセスモジュールコントローラＰＭＣ１，・・、ＰＭＣｎは、反応室ＰＭ１，・・、ＰＭｎが備えるＭＦＣ１１、ＡＰＣ１２、温度調整器１３、入出力バルブＩ／Ｏ１４等にそれぞれ接続されている。そして、プロセスモジュールコントローラＰＭＣ１，・・、ＰＭＣｎは、反応室ＰＭ１，・・、ＰＭｎへのガス導入・排気機構、温度制御・プラズマ放電機構、冷却機構等の各動作を制御する。なお、このプロセスモジュールコントローラＰＭＣの数は、反応室の数に対応して設けられている。
【００３２】
操作部１００は、システム制御コマンドの指示、モニタ表示、ロギングデータ、アラーム解析、パラメータ編集などの画面表示・入力受付機能を担う。
【００３３】
図１、図２に本発明における装置の反応室１０個（ＰＭ１〜ＰＭ１０）設置した場合の構造を示す。図１においては、最上段の反応室であるＰＭ１，ＰＭ２，ＰＭ３を実線で示している。上から２段目の反応室であるＰＭ４，ＰＭ５を点線で示している。上から３段目の反応室であるＰＭ６，ＰＭ７，ＰＭ８を実線で示している。４段目の反応室であるＰＭ９，ＰＭ１０を点線で示している。図２（ｂ）に示すように、複数の反応室を真空搬送室に設置する場合、個々の反応室の直上及び直下に空間ができるように垂直方向多段に配置する。積層された反応室の各段の反応室を上方向からみて各反応室の直近上下の反応室が重ならないように水平方向にずらした配置としている。
【００３４】
このように、ずらした配置は直近上下の反応室の段の隣合う反応室の真ん中に配置される。この配置によりすべての反応室の直上及び直下に空間ができるようになる。このように反応室の直上に空間が存在した場合、反応室へのガス供給方法が横入れガス導入ではなく、上からガス導入可能となる。また、ウエハ中心の直上からガス導入させることも可能である。これによりガスをウエハに対して最適な均一供給方法可能な状態となる。
【００３５】
また、ガス供給ラインに存在するバルブを直上に配置することでバルブ二次側以降のラインを最短化し、プロセスガス抜き等の時間を最短化することが可能となる。反応室の直下に空間が存在した場合、反応室のヒータの配線取出し位置をヒータ中心下方にすることが出来る。それによって、ヒータ中心から熱膨張による影響が円周の外方向に伸びるため、温度昇降によるウエハ中心の位置ズレを抑制することができる。横方向にヒータの配線を出す場合は、一方向にのみ配線を出すとその反対側に熱膨張で伸び中心位置がずれる。複数方向にヒータの配線を横に出す場合は、熱膨張により破損する可能性がある。また、反応室内の昇降軸も同様のことが言える。
【００３６】
図２（ａ）に示すように、真空搬送室ＴＭでのウエハ処理能力を向上する為、真空搬送室ＴＭに２台のロボットＶＲ１、ＶＲ２を設置する。真空搬送室ＴＭに２台のロボットを設置することでロボット１台の時の２倍の生産性を向上させることができる。設置方法は既存ロボットＶＲ１を逆向きにし、真空搬送室ＴＭの天井部の下ロボットＶＲ２の上部に設置する。真空搬送室ＴＭは２分割でも一体でもどちらでも良い。図２（ａ）は、一体型を図示する。搬送動作は１台の場合と２台の場合で同じであり、真空搬送ロボットを２台にすることで２倍の生産性を向上させることができる。１台の装置が故障して代替が無い場合や特急処理ウエハがあり早急に処理する必要がある場合などは、生産性は半分に落ちるが、装置を継続運用させることができる。
【００３７】
真空搬送室ＴＭからバキュームロッキングチャンバＶＬや反応室ＰＭに処理前のウエハを搬入したり、処理後のウエハを搬出する際、ウエハＷが確実に搬送されたかを確認するために真空搬送室ＴＭにウエハ有無センサＷＳが設置されている。ウエハ有無センサＷＳは投光受光センサで構成されており、その間にウエハが有る場合は、光が遮断されウエハ有と認識する。またウエハ無の場合は、光が投光されたままで遮断されないため、ウエハ無と認識する。また、ウエハアライメントシステムは、一例として、ウエハＷを反応室やロードロック室に挿入する際、投光受光センサの遮断タイミングを確認することによりウエハＷを搬入する際に、ウエハＷが反応室やロードロック室の真ん中に置かれるように調整して搬入される。本発明によりロボットＶＲ１，ＶＲ２を上下に対象に設置し、ウエハ検知センサＷＳも対象に設置することによりウエハ検知及びウエハアライメントシステム機能を具備しかつ、生産性を向上した搬送系を有することになる。
【００３８】
図３を用いて、各バキュームロッキングチャンバ室と各真空搬送ロボットＶＲと各反応室ＰＭとのウエハのアクセスの制御について説明する。図３(ａ)は、各バキュームロッキングチャンバ室と各真空搬送ロボットＶＲと各反応室ＰＭとの概略の位置関係を示す図である。図３（ｂ）は、真空搬送ロボットＶＲ１，ＶＲ２によるウエハの各バキュームロッキングチャンバと各真空搬送ロボットＶＲとのアクセスの制御について説明する図である。
【００３９】
図３（ａ）、（ｂ）に示すように、真空反応室ＴＭの天井部に設けられた真空搬送ロボットＶＲ１は、バキュームロッキングチャンバＶＬ１にアクセスし、ウエハを反応室ＰＭ１へ搬入する。同時に、真空反応室ＴＭの底部に設けられた真空搬送ロボットＶＲ２は、バキュームロッキングチャンバＶＬ６にアクセスし、ウエハを反応室ＰＭ７へ搬送する。この時、バキュームロッキングチャンバＶＬ１とバキュームロッキングチャンバＶＬ６及び反応室ＰＭ１と反応室ＰＭ７とはそれぞれ異なる列に有るため、真空搬送ロボットＶＲ１と真空搬送ロボットＶＲ２が干渉することは無い。以降同様に、真空搬送ロボットＶＲ１は、バキュームロッキングチャンバＶＬ３にアクセスし、ウエハを反応室ＰＭ２へ搬送する。同時に、真空搬送ロボットＶＲ２は、バキュームロッキングチャンバＶＬ８にアクセスし、ウエハを反応室ＰＭ８へ搬送する。続いて、真空搬送ロボットＶＲ１は、バキュームロッキングチャンバＶＬ２にアクセスし、ウエハを反応室ＰＭ３へ搬送する。同時に、真空搬送ロボットＶＲ２は、バキュームロッキングチャンバＶＬ５にアクセスし、ウエハを反応室ＰＭ９へ搬送する。続いて、真空搬送ロボットＶＲ１は、バキュームロッキングチャンバＶＬ４にアクセスし、ウエハを反応室ＰＭ４へ搬送する。同時に、真空搬送ロボットＶＲ２は、バキュームロッキングチャンバＶＬ７にアクセスし、ウエハを反応室ＰＭ１０へ搬送する。以降、同様に真空搬送ロボットは処理前のウエハをバキュームロッキングチャンバＶＬから反応室ＰＭへ搬送してウエハＷを処理する。このような搬送制御することにより、２台の真空搬送ロボットＶＲ１、ＶＲ２が同時に同じ列のバキュームロッキングチャンバＶＬや反応室ＰＭにアクセスすることがないため、各バキュームロッキングチャンバ及び反応室入口近傍に設けられたウエハ有無センサＷＳでウエハＷを確実に検知することができる。
【００４０】
真空反応室ＴＭの天井部に設けられた真空搬送ロボットＶＲが、反応室ＰＭから処理済みのウエハを搬出し、バキュームロッキングチャンバＶＬに搬入する際にも、同様に２台の真空搬送ロボットＶＲ１，ＶＲ２が同時に同じ列のバキュームロッキングチャンバＶＬや反応室ＰＭにアクセスすることがないように制御部ＣＮＴで制御する。別の表現では、真空搬送ロボットＶＲ１，ＶＲ２が同時に同じウエハ有無センサＷＳでウエハ検知することがないように制御部ＣＮＴで制御する。
【００４１】
（４）本発明による効果
本発明によれば、生産性を向上し、かつ最適なプロセス環境を整えた構造を備えた基板処理装置を提供することができる。
【００４２】
＜本発明の他の実施形態＞
以上、本発明の実施形態を具体的に説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
【００４３】
本発明の実施の形態にかかるコントローラである制御手段ＣＮＴは、専用のシステムによらず、通常のコンピュータシステムを用いて実現可能である。例えば、汎用コンピュータに、前述の処理を実行するためのプログラムを格納した記録媒体（フレキシブルディスク、ＣＤ−ＲＯＭ、ＵＳＢなど）から当該プログラムをインストールすることにより、前述の処理を実行する操作部を構成することができる。
【００４４】
そして、これらのプログラム（例えば、インストーラ）を供給するための手段は任意である。前述のように、所定の記録媒体を介して供給できる他、例えば、通信回線、通信ネットワーク、通信システムなどを介して供給してもよい。この場合、例えば、通信ネットワークの掲示板に当該プログラムを掲示し、これをネットワークを介して搬送波に重畳して提供してもよい。そして、このように提供されたプログラムを起動し、ＯＳの制御下で、他のアプリケーションプログラムと同様に実行することにより、前述の処理を実行する事が出来る。
【００４５】
本発明は、成膜処理の他、拡散処理、アニール処理、酸化処理、窒化処理、リソグラフィ処理等の他の基板処理にも好適に適用できる。さらに、本発明は、薄膜形成装置の他、アニール処理装置、酸化処理装置、窒化処理装置、露光装置、塗布装置、乾燥装置、加熱装置等の他の基板処理装置にも好適に適用できる。
【００４６】
以上、本発明の実施の形態を具体的に説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
また、基板処理装置として、半導体製造装置だけでなく、ＬＣＤ装置のようなガラス基板を処理する装置でも適用できる。成膜処理は、例えば、ＣＶＤ、ｐｖｄ、酸化膜、窒化膜を形成する処理、金属を含む膜を形成する処理を含む。また、ほかの基板処理装置である露光装置、リソグラフィ装置、塗布装置にも適用できる。
【００４７】
以下に、付記として本発明の態様を記す。
【００４８】
＜付記１＞
少なくとも一部が重なるように垂直方向多段に複数設けられ、基板を処理する反応室と、
前記基板を待機させる待機室と、
前記反応室と前記待機室に隣接する搬送室の天井部と底部に少なくとも１つずつ設けられ、前記反応室と前記待機室の間で前記基板を搬送する搬送ロボットと、
を備える基板処理装置。
【００４９】
＜付記２＞
少なくとも一部が重なるように垂直方向多段に複数設けられ基板を処理する反応室と、記基板を待機させる待機室と、前記反応室と前記待機室に隣接する搬送室の天井部と底部に少なくとも１つずつ設けられた搬送ロボットによって前記基板を前記反応室に搬入する工程と、
前記反応室に搬送された前記基板を処理する工程と、
前記処理された基板を前記反応室から搬出する工程と、
を有する半導体装置の製造方法。
【００５０】
＜付記３＞
少なくとも一部が重なるように垂直方向多段に複数設けられ基板を処理する反応室と、記基板を待機させる待機室と、前記反応室と前記待機室に隣接する搬送室の天井部と底部に少なくとも１つずつ設けられた搬送ロボットによって前記基板を前記反応室に搬入する手順と、
前記反応室に搬送された前記基板を処理する手順と、
前記処理された基板を前記反応室から搬出する手順と、
を有するプログラム。
【００５１】
＜付記４＞
前記天井部に設けられた搬送ロボットと、前記底部に設けられた搬送ロボットのそれぞれが、上下同じ位置で動作をしないように前記搬送ロボットを制御する制御部を有する、付記１に記載の基板処理装置。
【００５２】
＜付記５＞
前記基板処理装置は、前記搬送室内に基板検知手段を有する、付記１または２に記載の基板処理装置。
【００５３】
＜付記６＞
少なくとも一部が重なるように垂直方向多段に複数設けられ基板を処理する反応室と、記基板を待機させる待機室と、前記反応室と前記待機室に隣接する搬送室の天井部と底部に少なくとも１つずつ設けられた搬送ロボットによって前記基板を前記反応室に搬入する手順と、
前記反応室に搬送された前記基板を処理する手順と、
前記処理された基板を前記反応室から搬出する手順と、
をコンピュータで読み取り可能な記録媒体。
【００５４】
＜付記７＞
少なくとも一部が重なるように垂直方向多段に複数設けられ基板を処理する反応室と、記基板を待機させる待機室と、前記反応室と前記待機室に隣接する搬送室の天井部と底部に少なくとも１つずつ設けられた搬送ロボットによって前記基板を前記反応室に搬入する工程と、
前記反応室に搬送された前記基板を処理する工程と、
前記処理された基板を前記反応室から搬出する工程と、
を有する基板処理方法。
【符号の説明】
【００５５】
ＡＲ    大気ロボット（大気搬送手段）
ＣＮＴ  制御手段
ＬＰ    ロードポート（基板収容部）
ＬＭ    大気搬送室
ＰＤ    ポッド（基板収納容器）
ＰＭ    プロセスモジュール（基板処理室）
ＴＭ    真空搬送室
ＶＬ    バキュームロッキングチャンバ（予備室）
ＶＲ    真空ロボット（真空搬送手段）
Ｗ      ウエハ（基板）
ＷＳ    ウエハ有無センサ（基板検知手段）
１００  操作部
【図１】
2016066668.tif 000003
【図２】
2016066668.tif 000004
【図３】
2016066668.tif 000005
【図４】
2016066668.tif 000006
【図５】
2016066668.tif 000007