(57)【要約】      （修正有）【課題】駆動電圧を低下させ、かつ発光効率を向上させることが可能な、有機電界発光素子用材料を提供する。【解決手段】一般式（１）で示されるアミン誘導体を含む有機電界発光素子用材料。2016136582.tif 000043一般式（１）において、Ｈｆは一般式（２−１）もしくは（２−２）で示される。2016136582.tif 000044【選択図】図１
2016136582.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の一般式（１）で示されるアミン誘導体を含むことを特徴とする有機電界発光素子用材料。
【化１】
2016136582.tif 000035
上記一般式（１）において、
Ａｒ１及びＡｒ２は、互いに独立して、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、または置換もしくは無置換の環形成炭素数２〜３０のヘテロアリール基であり、
Ｌ１は、２価の連結基であり、
Ｒ１は、置換もしくは無置換の炭素原子数１〜１０の直鎖状、分岐状または環状のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜２０のアリール基、置換もしくは無置換の環形成炭素数１〜２０のヘテロアリール基であり、または任意の隣接した置換基と縮環して形成されたアルキル基、アリール基もしくはヘテロアリール基であり、
ｎ、ｍは０〜４の整数であり、
Ｈｆ１は、以下の一般式（２−１）もしくは一般式（２−２）で示され、
【化２】
2016136582.tif 000036
上記一般式（２−１）もしくは一般式（２−２）においては、
Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４は、互いに独立して、置換もしくは無置換の炭素原子数１〜１０の直鎖状、分岐状または環状のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜２０のアリール基、置換もしくは無置換の環形成炭素数１〜２０のヘテロアリール基であり、または任意の隣接した置換基と縮環して形成されたアルキル基、アリール基もしくはヘテロアリール基であり、
ｐは０〜３の整数であり、ｑは０〜４の整数である。
【請求項２】
前記Ｌ１は、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリーレン基、または置換もしくは無置換の環形成炭素数２〜３０のヘテロアリーレン基であることを特徴とする、請求項１に記載の有機電界発光素子用材料。
【請求項３】
前記Ａｒ１及びＡｒ２は、その置換基を含め窒素原子を含まないアリール基またはヘテロアリール基であることを特徴とする、請求項１又は２に記載の有機電界発光素子用材料。
【請求項４】
前記Ａｒ１は、その置換基を含め窒素原子を含まないアリール基またはヘテロアリール基であり、
前記Ａｒ２は、以下の一般式（３）で示されることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光素子用材料。
【化３】
2016136582.tif 000037
上記一般式（３）において、
Ｌ２は、２価の連結基であり、
Ｒ５は、置換もしくは無置換の炭素原子数１〜１０の直鎖状、分岐状または環状のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜２０のアリール基、置換もしくは無置換の環形成炭素数１〜２０のヘテロアリール基であり、または任意の隣接した置換基と縮環して形成されたアルキル基、アリール基もしくはヘテロアリール基であり、
ｊ、ｋは０〜４の整数であり、
Ｈｆ２は、以下の一般式（４−１）もしくは一般式（４−２）で示され、
【化４】
2016136582.tif 000038
上記一般式（４−１）もしくは一般式（４−２）においては、
Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８は、互いに独立して、置換もしくは無置換の炭素原子数１〜１０の直鎖状、分岐状または環状のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜２０のアリール基、置換もしくは無置換の環形成炭素数１〜２０のヘテロアリール基であり、または任意の隣接した置換基と縮環して形成されたアルキル基、アリール基もしくはヘテロアリール基であり、
ｓは０〜３の整数であり、ｔは０〜４の整数である。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の有機電界発光素子用材料を陽極と発光層との間に配置された少なくともいずれか１つ以上の層中に含むことを特徴とする、有機電界発光素子。
【請求項６】
以下の一般式（１）で示されるアミン誘導体。
【化５】
2016136582.tif 000039
上記一般式（１）において、
Ａｒ１及びＡｒ２は、互いに独立して、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、または置換もしくは無置換の環形成炭素数２〜３０のヘテロアリール基であり、
Ｌ１は、２価の連結基であり、
Ｒ１は、置換もしくは無置換の炭素原子数１〜１０の直鎖状、分岐状または環状のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜２０のアリール基、置換もしくは無置換の環形成炭素数１〜２０のヘテロアリール基であり、または任意の隣接した置換基と縮環して形成されたアルキル基、アリール基もしくはヘテロアリール基であり、
ｎ、ｍは０〜４の整数であり、
Ｈｆ１は、以下の一般式（２−１）もしくは一般式（２−２）で示され、
【化６】
2016136582.tif 000040
上記一般式（２−１）もしくは一般式（２−２）においては、
Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４は、互いに独立して、置換もしくは無置換の炭素原子数１〜１０の直鎖状、分岐状または環状のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜２０のアリール基、置換もしくは無置換の環形成炭素数１〜２０のヘテロアリール基であり、または任意の隣接した置換基と縮環して形成されたアルキル基、アリール基もしくはヘテロアリール基であり、
ｐは０〜３の整数であり、ｑは０〜４の整数である。
【請求項７】
前記Ｌ１は、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリーレン基、または置換もしくは無置換の環形成炭素数２〜３０のヘテロアリーレン基であることを特徴とする、請求項６に記載のアミン誘導体。
【請求項８】
前記Ａｒ１及びＡｒ２は、その置換基を含め窒素原子を含まないアリール基またはヘテロアリール基であることを特徴とする、請求項６又は７に記載のアミン誘導体。
【請求項９】
前記Ａｒ１は、その置換基を含め窒素原子を含まないアリール基またはヘテロアリール基であり、
前記Ａｒ２は、以下の一般式（３）で示されることを特徴とする請求項６に記載のアミン誘導体。
【化７】
2016136582.tif 000041
上記一般式（３）において、
Ｌ２は、２価の連結基であり、
Ｒ５は、置換もしくは無置換の炭素原子数１〜１０の直鎖状、分岐状または環状のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜２０のアリール基、置換もしくは無置換の環形成炭素数１〜２０のヘテロアリール基であり、または任意の隣接した置換基と縮環して形成されたアルキル基、アリール基もしくはヘテロアリール基であり、
ｊ、ｋは０〜４の整数であり、
Ｈｆ２は、以下の一般式（４−１）もしくは一般式（４−２）で示され、
【化８】
2016136582.tif 000042
上記一般式（４−１）もしくは一般式（４−２）においては、
Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８は、互いに独立して、置換もしくは無置換の炭素原子数１〜１０の直鎖状、分岐状または環状のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜２０のアリール基、置換もしくは無置換の環形成炭素数１〜２０のヘテロアリール基であり、または任意の隣接した置換基と縮環して形成されたアルキル基、アリール基もしくはヘテロアリール基であり、
ｓは０〜３の整数であり、ｔは０〜４の整数である。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機電界発光素子用材料、これを用いた有機電界発光素子及びアミン誘導体に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、有機電界発光表示装置（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ  Ｄｉｓｐｌａｙ）の開発が盛んに行われており、また、有機電界発光表示装置に使用される自発光型の発光素子である有機電界発光素子（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ  Ｄｅｖｉｃｅ）についても盛んに開発が行われている。
【０００３】
有機電界発光素子としては、例えば、陽極、陽極上に配置された正孔輸送層、正孔輸送層上に配置された発光層、発光層上に配置された電子輸送層、および電子輸送層上に配置された陰極からなる構造が知られている。
【０００４】
このような有機電界発光素子では、陽極および陰極から注入された正孔および電子が発光層中において再結合することで励起子を生成し、生成された励起子が基底状態に遷移することによって発光を行う。正孔輸送層に使用可能な正孔輸送材料として、下記特許文献１〜４では、ベンゾイミダゾール（ｂｅｎｚｉｍｉｄａｚｏｌｅ）構造を持ち、ベンゾイミダゾール構造の２位に位置する炭素がｍ−フェニレン（ｐｈｅｎｙｌｅｎｅ）基を介してアミン（ａｍｉｎｅ）の窒素原子を結合しているアミン誘導体を開示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】米国特許出願公開第２００９／０１３４７８３号明細書
【特許文献２】特表２０１２−５０５８２９号公報
【特許文献３】特開２００７−２６９７７２号公報
【特許文献４】特開２０１１−１９２５２４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、特許文献１〜４に開示されたアミン誘導体を正孔輸送材料とした有機電界発光素子は、駆動電圧が高く、また発光効率が低いという問題点があった。そのため、有機電界発光素子の駆動電圧を低下させ、発光効率を向上させることが可能な材料が求められていた。
【０００７】
そこで、本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、本発明の目的とするところは、有機電界発光素子の駆動電圧を低下させ、かつ発光効率を向上させることが可能な、新規かつ改良された有機電界発光素子用材料、これを用いた有機電界発光素子及びアミン誘導体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明のある観点によれば、以下の一般式（１）で示されるアミン誘導体を含むことを特徴とする有機電界発光素子用材料が提供される。
【０００９】
【化１】
2016136582.tif 000003
【００１０】
上記一般式（１）において、
Ａｒ１及びＡｒ２は、互いに独立して、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、または置換もしくは無置換の環形成炭素数２〜３０のヘテロアリール基であり、
Ｌ１は、２価の連結基であり、
Ｒ１は、置換もしくは無置換の炭素原子数１〜１０の直鎖状、分岐状または環状のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜２０のアリール基、置換もしくは無置換の環形成炭素数１〜２０のヘテロアリール基であり、または任意の隣接した置換基と縮環して形成されたアルキル基、アリール基もしくはヘテロアリール基であり、
ｎ、ｍは０〜４の整数であり、
Ｈｆ１は、以下の一般式（２−１）もしくは一般式（２−２）で示される。
【００１１】
【化２】
2016136582.tif 000004
【００１２】
上記一般式（２−１）もしくは一般式（２−２）においては、
Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４は、互いに独立して、置換もしくは無置換の炭素原子数１〜１０の直鎖状、分岐状または環状のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜２０のアリール基、置換もしくは無置換の環形成炭素数１〜２０のヘテロアリール基であり、または任意の隣接した置換基と縮環して形成されたアルキル基、アリール基もしくはヘテロアリール基であり、
ｐは０〜３の整数であり、ｑは０〜４の整数である。
【００１３】
この観点によれば、有機電界発光素子の駆動電圧を低下させ、発光効率を向上させることができる。
【００１４】
前記Ｌ１は、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリーレン基、または置換もしくは無置換の環形成炭素数２〜３０のヘテロアリーレン基であってもよい。
【００１５】
この観点によれば、有機電界発光素子の駆動電圧を低下させ、発光効率を向上させることができる。
【００１６】
前記Ａｒ１及びＡｒ２は、その置換基を含め窒素原子を含まないアリール基またはヘテロアリール基であってもよい。
【００１７】
この観点によれば、有機電界発光素子の駆動電圧を低下させ、発光効率を向上させることができる。
【００１８】
また、前記Ａｒ１は、その置換基を含め窒素原子を含まないアリール基またはヘテロアリール基であり、
前記Ａｒ２は、以下の一般式（３）で示されてもよい。
【００１９】
【化３】
2016136582.tif 000005
【００２０】
上記一般式（３）において、
Ｌ２は、２価の連結基であり、
Ｒ５は、置換もしくは無置換の炭素原子数１〜１０の直鎖状、分岐状または環状のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜２０のアリール基、置換もしくは無置換の環形成炭素数１〜２０のヘテロアリール基であり、または任意の隣接した置換基と縮環して形成されたアルキル基、アリール基もしくはヘテロアリール基であり、
ｊ、ｋは０〜４の整数であり、
Ｈｆ２は、以下の一般式（４−１）もしくは一般式（４−２）で示される。
【００２１】
【化４】
2016136582.tif 000006
【００２２】
上記一般式（４−１）もしくは一般式（４−２）においては、
Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８は、互いに独立して、置換もしくは無置換の炭素原子数１〜１０の直鎖状、分岐状または環状のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜２０のアリール基、置換もしくは無置換の環形成炭素数１〜２０のヘテロアリール基であり、または任意の隣接した置換基と縮環して形成されたアルキル基、アリール基もしくはヘテロアリール基であり、
ｓは０〜３の整数であり、ｔは０〜４の整数である。
【００２３】
この観点によれば、有機電界発光素子の駆動電圧を低下させ、発光効率を向上させることができる。
【００２４】
発明の他の観点によれば、上記有機電界発光素子用材料を陽極と発光層との間に配置された少なくともいずれか１つ以上の層中に含むことを特徴とする、有機電界発光素子が提供される。
【００２５】
この観点によれば、有機電界発光素子の駆動電圧を低下させ、発光効率を向上させることができる。
【００２６】
発明のさらなる他の観点によれば、以下の一般式（１）で示されることを特徴とするアミン誘導体が提供される。
【００２７】
【化５】
2016136582.tif 000007
【００２８】
上記一般式（１）において、
Ａｒ１及びＡｒ２は、互いに独立して、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、または置換もしくは無置換の環形成炭素数２〜３０のヘテロアリール基であり、
Ｌ１は、２価の連結基であり、
Ｒ１は、置換もしくは無置換の炭素原子数１〜１０の直鎖状、分岐状または環状のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜２０のアリール基、置換もしくは無置換の環形成炭素数１〜２０のヘテロアリール基であり、または任意の隣接した置換基と縮環して形成されたアルキル基、アリール基もしくはヘテロアリール基であり、
ｎ、ｍは０〜４の整数であり、
Ｈｆ１は、以下の一般式（２−１）もしくは一般式（２−２）で示され、
【００２９】
【化６】
2016136582.tif 000008
【００３０】
上記一般式（２−１）もしくは一般式（２−２）においては、
Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４は、互いに独立して、置換もしくは無置換の炭素原子数１〜１０の直鎖状、分岐状または環状のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜２０のアリール基、置換もしくは無置換の環形成炭素数１〜２０のヘテロアリール基であり、または任意の隣接した置換基と縮環して形成されたアルキル基、アリール基もしくはヘテロアリール基であり、
ｐは０〜３の整数であり、ｑは０〜４の整数である。
【００３１】
この観点によれば、上記アミン誘導体を用いることにより、有機電界発光素子の駆動電圧を低下させ、発光効率を向上させることができる。
【００３２】
前記Ｌ１は、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリーレン基、または置換もしくは無置換の環形成炭素数２〜３０のヘテロアリーレン基であってもよい。
【００３３】
この観点によれば、上記アミン誘導体を用いることにより、有機電界発光素子の駆動電圧を低下させ、発光効率を向上させることができる。
【００３４】
前記Ａｒ１及びＡｒ２は、その置換基を含め窒素原子を含まないアリール基またはヘテロアリール基であってもよい。
【００３５】
この観点によれば、上記アミン誘導体を用いることにより、有機電界発光素子の駆動電圧を低下させ、発光効率を向上させることができる。
【００３６】
前記Ａｒ１は、その置換基を含め窒素原子を含まないアリール基またはヘテロアリール基であり、
前記Ａｒ２は、以下の一般式（３）で示されてもよい。
【００３７】
【化７】
2016136582.tif 000009
【００３８】
上記一般式（３）において、
Ｌ２は、２価の連結基であり、
Ｒ５は、置換もしくは無置換の炭素原子数１〜１０の直鎖状、分岐状または環状のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜２０のアリール基、置換もしくは無置換の環形成炭素数１〜２０のヘテロアリール基であり、または任意の隣接した置換基と縮環して形成されたアルキル基、アリール基もしくはヘテロアリール基であり、
ｊ、ｋは０〜４の整数であり、
Ｈｆ２は、以下の一般式（４−１）もしくは一般式（４−２）で示され、
【００３９】
【化８】
2016136582.tif 000010
【００４０】
上記一般式（４−１）もしくは一般式（４−２）においては、
Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８は、互いに独立して、置換もしくは無置換の炭素原子数１〜１０の直鎖状、分岐状または環状のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜２０のアリール基、置換もしくは無置換の環形成炭素数１〜２０のヘテロアリール基であり、または任意の隣接した置換基と縮環して形成されたアルキル基、アリール基もしくはヘテロアリール基であり、
ｓは０〜３の整数であり、ｔは０〜４の整数である。
【００４１】
この観点によれば、上記アミン誘導体を用いることにより、有機電界発光素子の駆動電圧を低下させ、発光効率を向上させることができる。
【発明の効果】
【００４２】
以上説明したように本発明によれば、有機電界発光素子の駆動電圧を低下させ、発光効率を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】本発明の実施形態に係る有機電界発光素子の概略構成を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００４４】
以下に添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【００４５】
＜１． 有機電界発光素子用材料の構成＞
本発明者は、有機電界発光素子の有機電界発光素子の駆動電圧を低下させ、発光効率を向上させることができる有機電界発光素子用材料について鋭意検討した結果、本実施形態に係る有機電界発光素子用材料に想到した。この有機電界発光素子用材料は、特に正孔輸送材料として用いた場合に、有機電界発光素子の有機電界発光素子の駆動電圧を低下させ、発光効率を向上させることができる。そこで、まず、本実施形態に係る有機電界発光素子用材料の構成について説明する。本実施形態に係る有機電界発光素子用材料は、以下の一般式（１）で示されるアミン誘導体を含む。
【００４６】
【化９】
2016136582.tif 000011
【００４７】
上記一般式（１）で表されるアミン誘導体においては、アミンの窒素原子は、ｍ−フェニレン基を介して、Ｈｆ１と結合している。さらに、Ｈｆ１は、詳細は後で説明するが、ベンゾイミダゾール（ｂｅｎｚｉｍｉｄａｚｏｌｅ）構造を持ち、イミダゾール構造の４〜７位に位置する炭素、または１位に位置する窒素が、ｍ−フェニレン基を介して、アミンの窒素原子と結合している。
【００４８】
上記一般式（１）において、Ａｒ１及びＡｒ２は、互いに独立して、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール（ａｒｙｌ）基、または置換もしくは無置換の環形成炭素数２〜３０のヘテロアリール（ｈｅｔｅｒｏａｒｙｌ）基である。なお、Ａｒ１及びＡｒ２は、同一であっても、異なっていてもよく、また、互いに結合して環を形成してもよい。
【００４９】
さらに、Ａｒ１及びＡｒ２は、その置換基を含め窒素原子を含まないアリール基またはヘテロアリール基であることが好ましい。
【００５０】
上記一般式（１）におけるＡｒ１、Ａｒ２としては、置換もしくは無置換のフェニル（ｐｈｅｎｙｌ）基、ビフェニル（ｂｉｐｈｅｎｙｌ）基、ターフェニル（ｔｅｒｐｈｅｎｙｌ）基、ナフチル（ｎａｐｈｔｈｙｌ）基、アントリル（ａｎｔｈｒｙｌ）基、フェナントレニル（ｐｈｅｎａｎｔｈｒｅｎｙｌ）基、フルオレニル（ｆｌｕｏｒｅｎｙｌ）基、インデニル（ｉｎｄｅｎｙｌ）基、ピレニル（ｐｙｒｅｎｙｌ）基、フルオランテニル（ｆｌｕｏｒａｎｔｈｅｎｙｌ）基、トリフェニレニル（ｔｒｉｐｈｅｎｙｌｅｎｙｌ）基、ペリレニル（ｐｅｒｙｌｅｎｙｌ）基、ナフチルフェニル（ｎａｐｈｔｈｙｌｐｈｅｎｙｌ）基、またはビフェニレニル（ｂｉｐｈｅｎｙｌｅｎｙｌ）等を挙げることができる。
【００５１】
さらに、上記一般式（１）におけるＡｒ１、Ａｒ２としては、置換もしくは無置換のピリジル（ｐｙｒｉｄｙｌ）基、キノリル（ｑｕｉｎｏｌｙｌ）基、イソキノリル（ｉｓｏｑｕｉｎｏｌｙｌ）基、インドリル（ｉｎｄｏｌｙｌ）基、ベンゾオキサゾリル（ｂｅｎｚｏｘａｚｏｌｙｌ）基、ベンゾチアゾリル（ｂｅｎｚｏｔｈｉａｚｏｌｙｌ）基、キノキサリル（ｑｕｉｎｏｘａｌｙｌ）基、ベンゾイミダゾリル（ｂｅｎｚｏｉｍｉｄａｚｏｌｙｌ）基、インダゾリル（ｉｎｄａｚｏｌｙｌ）基、ベンゾフラニル（ｂｅｎｚｏｆｕｒａｎｙｌ）基、イソベンゾフラニル（ｉｓｏｂｅｎｚｏｆｕｒａｎｙｌ）基、ジベンゾフラニル（ｄｉｂｅｎｚｏｆｕｒａｎｙｌ）基、フェノキサジニル（ｐｈｅｎｏｘａｚｉｎｙｌ）基、フェノチアジニル（ｐｈａｎｏｔｈｉａｚｉｎｙｌ）基、アクリジニル（ａｃｒｉｄｉｎｙｌ）基、フェナジニル（ｐｈｅｎａｚｉｎｙｌ）基、ベンゾチオフェニル（ｂｅｎｚｏｔｈｉｏｐｈｅｎｙｌ）基、ジベンゾチオフェニル（ｄｉｂｅｎｚｏｔｈｉｏｐｈｅｎｙｌ）基、またはフェナザシリニル（ｐｈｅｎａｚａｓｉｌｉｎｙｌ）基等を挙げることができる。
【００５２】
上記一般式（１）におけるＡｒ１、Ａｒ２を構成するアリール基及びヘテロアリール基の置換基としては、Ａｒ１及びＡｒ２を構成するアリール基及びヘテロアリール基として列挙したアリール基及びヘテロアリール基のうちの環形成炭素数１〜２０のアリール基及びヘテロアリール基を挙げることができる。さらに、アルキル（ａｌｋｙｌ）基（例えばメチル（ｍｅｔｈｙｌ）基、エチル（ｅｔｈｙｌ）基、ｔｅｒｔ−ブチル（ｂｕｔｙｌ）基等）、アルキルオキシ（ａｌｋｙｌｏｘｙ）基、アリールオキシ（ａｒｙｌｏｘｙ）基、アルキルチオ（ａｌｋｙｌｔｈｉｏ）基、アリールチオ（ａｒｙｌｔｈｉｏ）基、ジアルキルアミノ（ｄｉａｌｋｙｌａｍｉｎｏ）基、ジアリールアミノ（ｄｉａｒｙａｍｉｎｏ）基、シリル（ｓｉｌｙｌ）基（例えばトリアルキルシリル（ｔｒｉａｌｋｙｌｓｉｌｙｌ）基、アルキルジアリルシリル（ａｌｋｙｌｄｉａｒｙｌｓｉｌｙｌ）基、ジアルキルアリルシリル（ｄｉａｌｋｙｌａｒｙｌｓｉｌｙ）基、トリアリルシリル（Ｔｒｉａｙｌｓｉｌｙｌ）基等）基等が挙げられる。また、これらの置換基は、同様の置換基でさらに置換されていてもよく、互いに結合して環を形成してもよい。
【００５３】
上記一般式（１）において、Ｌ１は、２価の連結基である。２価の連結基としては、例えば、アルキレン（ａｌｋｙｌｅｎｅ）基、アルケニレン（ａｌｋｅｎｙｌｅｎｅ）基、アルキニレン（ａｌｋｙｎｙｌｅｎｅ）基、アリーレン（ａｒｙｌｅｎｅ）基、もしくはヘテロアリーレン（ｈｅｔｅｒｏａｒｙｌｅｎｅ）基、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ２−、−ＣＯ−、−ＮＲ９−、−ＳｉＲ９Ｒ９−等が挙げられるが、上記に限定されるものではない。なお、ここでＲ９は、置換もしくは無置換の炭素原子数１〜１６の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３６のアリール基、置換もしくは無置換の環形成炭素数２〜３２のヘテロアリール基であり、または任意の隣接した置換基と縮環して形成されたアルキル基、アリール基もしくはヘテロアリール基である。これらに関する詳細な説明は、後述のＲ１と同様であるため、ここでは説明を省略する。
【００５４】
上記のアルキレン基としては、例えば、炭素原子数１〜１６の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキレン基であって、具体的には、メチレン（ｍｅｔｈｙｌｅｎｅ）基、エチレン（ｅｔｈｙｌｅｎｅ）基、ジメチルメチレン（ｄｉｍｅｔｈｙｌｍｅｔｈｙｌｅｎｅ）基、１，４‐シクロへキシレン（ｃｙｃｌｏｈｅｘｙｌｅｎｅ）基等が挙げられる。
【００５５】
上記のアルケニレン基としては、例えば、炭素原子数２〜１６の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルケニレン基であって、具体的には、ビニレン（ｖｉｎｙｌｅｎｅ）基、ブタジエニレン（ｂｕｔａｄｉｅｎｙｌｅｎｅ）基、１，２−シクロヘキセニレン（ｃｙｃｌｏｈｅｘｅｎｙｌｅｎｅ）基等が挙げられる。
【００５６】
上記のアルキニレン基としては、炭素原子数２〜４の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキニレン基であって、具体的には、アセチレニレン基（ａｃｅｔｙｌｅｎｙｌｅｎｅ）基、ジアセチレニレン（ｄｉａｃｅｔｙｌｅｎｙｌｅｎｅ）基等が挙げられる。
【００５７】
上記アリーレン基としては、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリーレン基、置換もしくは無置換の環形成炭素数２〜３０のヘテロアリーレン基が挙げられる。そして、上記の置換もしくは無置換のアリーレン基及びヘテロアリーレン基としては、Ａｒ１及びＡｒ２を構成するアリール基及びヘテロアリール基として列挙したアリール基及びヘテロアリール基から、さらに１個の水素原子を除去して生成される二価基を挙げることができる。具体的にはフェニレン基、ビフェニレン基、ナフチレン（ｎａｐｈｔｈｙｌｅｎｅ）基、ピリジレン（ｐｙｒｉｄｙｌｅｎｅ）基、キノリレン（ｑｕｉｎｏｌｙｌｅｎｅ）基等が挙げられる。また、アリーレン基及びヘテロアリーレン基の置換基についても、Ａｒ１、Ａｒ２を構成するアリール基及びヘテロアリール基の置換基と同様のものを挙げることができる
【００５８】
Ｌ１は、好ましくはアルキレン基、アルケニレン基、アルキニレン基、アリーレン基、ヘテロアリーレン基、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＮＲ９−であり、さらに好ましくはアルケニレン基、アルキニレン基、アリーレン基、ヘテロアリーレン基、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＲ９−であり、特に好ましくは、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリーレン基、もしくは置換もしくは無置換の環形成炭素数２〜３０のヘテロアリーレン基である。
【００５９】
上記一般式（１）において、Ｒ１は、置換もしくは無置換の炭素原子数１〜１０の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜２０のアリール基、置換もしくは無置換の環形成炭素数１〜２０のヘテロアリール基であり、または任意の隣接した置換基と縮環して形成されたアルキル基、アリール基もしくはヘテロアリール基である。
【００６０】
上記の炭素数１〜１０のアルキル基は、直鎖状アルキル基（例えばメチル基、エチル基、プロピル（ｐｒｏｐｙｌ）基、ブチル基、オクチル（ｏｃｔｙｌ）基、デシル（ｄｅｃｙｌ）基等）であっても、または分岐状アルキル基（例えば、ｔ−ブチル基等）であっても、または環状アルキル基（例えば、シクロプロピル（ｃｙｃｌｏｐｒｏｐｙｌ）基、シクロブチル（ｃｙｃｌｏｂｕｔｙｌ）基、シクロペンチル（ｃｙｃｌｏｐｅｎｔｙｌ）基、シクロヘキシル（ｃｙｃｌｏｈｅｘｙｌ）基、シクロオクチル（ｃｙｃｌｏｏｃｔｙｌ）基等）であってもよい。
【００６１】
上記の環形成炭素数６〜２０のアリール基及び環形成炭素数１〜２０のヘテロアリール基としては、具体的には、Ａｒ１、Ａｒ２を構成するアリール基及びヘテロアリール基のとして列挙した官能基のうち、環形成炭素数６〜２０のアリール基及び環形成炭素数１〜２０のヘテロアリール基を挙げることができる。
【００６２】
ｎ、ｍは０〜４の整数である。ｎ、ｍが２以上となる場合、複数のＲ１は互いに同一であっても、異なっていてもよく、同様に、複数のＬ１も互いに同一であっても、異なっていてもよい。さらに、ｍは、１又は２であることが好ましく、１であることが特に好ましい。ｎは、０〜２の整数であることが好ましく、０であることが特に好ましい。
【００６３】
上記一般式（１）において、Ｈｆ１は、以下の一般式（２−１）もしくは一般式（２−２）で示される。
【００６４】
【化１０】
2016136582.tif 000012
【００６５】
Ｈｆ１は、先にも説明したが、ベンゾイミダゾール構造を持ち、ベンゾイミダゾール構造の４〜７位に位置する炭素、または１位に位置する窒素が、ｍ−フェニレン基を介して、アミンの窒素原子と結合している。
【００６６】
上記一般式（２−１）もしくは一般式（２−２）において、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４は、互いに独立して、置換もしくは無置換の炭素原子数１〜１０の直鎖状、分岐状または環状のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜２０のアリール基、置換もしくは無置換の環形成炭素数１〜２０のヘテロアリール基であり、または任意の隣接した置換基と縮環して形成されたアルキル基、アリール基もしくはヘテロアリール基である。
【００６７】
具体的には、上記の炭素数１〜１０のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜２０のアリール基、及び置換もしくは無置換の環形成炭素数１〜２０のヘテロアリール基としては、一般式（１）のＲ１と同様の官能基を挙げることができる。
【００６８】
ｐは０〜３の整数であり、ｑは０〜４の整数である。ｐ、ｑが２以上となる場合、複数のＲ２は互いに同一であっても、異なっていてもよく、同様に、複数のＲ３も互いに同一であっても、異なっていてもよい。さらに、ｐ、ｑが２以上となる場合、隣接するＲ２やＲ３が互いに連結して環を形成していてもよい。また、ｐ、ｑは、０又は１であることが好ましく、０であることが特に好ましい。
【００６９】
また、上記一般式（１）において、Ａｒ１は、その置換基を含め窒素原子を含まないアリール基またはヘテロアリール基であり、Ａｒ２は、以下の一般式（３）で示されてもよい。
【００７０】
【化１１】
2016136582.tif 000013
【００７１】
上記Ａｒ１は、上記一般式（１）におけるＡｒ１、Ａｒ２を構成するアリール基及びヘテロアリール基のうち、窒素原子を含まないアリール基及びヘテロアリール基を挙げることができる。さらに、上記Ａｒ１の置換基としては、上記一般式（１）におけるＡｒ１、Ａｒ２を構成するアリール基及びヘテロアリール基の置換基のうち、窒素原子を含まない置換基を挙げることができる。
【００７２】
上記一般式（３）において、Ｌ２は、２価の連結基であって、Ｌ１と同様に、例えば、アルキレン基、アルケニレン基、アルキニレン基、アリーレン基、もしくはヘテロアリーレン基、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ２−、−ＣＯ−、−ＮＲ９−、−ＳｉＲ９Ｒ９−等が挙げられるが、上記に限定されるものではない。また、これらに関する詳細な説明は、前述のＬ１と同様であるため、ここでは説明を省略する。さらに、Ｌ２は、好ましくはアルキレン基、アルケニレン基、アルキニレン基、アリーレン基、ヘテロアリーレン基、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＮＲ９−であり、さらに好ましくはアルケニレン基、アルキニレン基、アリーレン基、ヘテロアリーレン基、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＲ９−であり、特に好ましくは、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリーレン基、もしくは置換もしくは無置換の環形成炭素数２〜３０のヘテロアリーレン基である。
【００７３】
上記一般式（３）において、Ｒ５は、置換もしくは無置換の炭素原子数１〜１０の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜２０のアリール基、置換もしくは無置換の環形成炭素数１〜２０のヘテロアリール基であり、または任意の隣接した置換基と縮環して形成されたアルキル基、アリール基もしくはヘテロアリール基である。
【００７４】
上記の炭素数１〜１０のアルキル基、環形成炭素数６〜２０のアリール基及び環形成炭素数１〜２０のヘテロアリール基としては、一般式（１）におけるＲ１と同様のものを挙げることができる。
【００７５】
ｊ、ｋは０〜４の整数である。ｊ、ｋが２以上となる場合、複数のＲ５は互いに同一であっても、異なっていてもよく、同様に、複数のＬ２も互いに同一であっても、異なっていてもよい。さらに、ｊは、１又は２であることが好ましく、１であることが特に好ましい。ｋは、０〜２の整数であることが好ましく、０であることが特に好ましい。
【００７６】
上記一般式（３）において、Ｈｆ２は、以下の一般式（４−１）もしくは一般式（４−２）で示される。
【００７７】
【化１２】
2016136582.tif 000014
【００７８】
Ｈｆ２も、上記一般式（２−１）及び一般式（２−２）のＨｆ１と同様に、ベンゾイミダゾール構造を持ち、ベンゾイミダゾール構造の４〜７位に位置する炭素、または１位に位置する窒素が、ｍ−フェニレン基を介して、アミンの窒素原子と結合している。
【００７９】
上記一般式（４−１）もしくは一般式（４−２）において、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８は、互いに独立して、置換もしくは無置換の炭素原子数１〜１０の直鎖状、分岐状または環状のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜２０のアリール基、置換もしくは無置換の環形成炭素数１〜２０のヘテロアリール基であり、または任意の隣接した置換基と縮環して形成されたアルキル基、アリール基もしくはヘテロアリール基である。
【００８０】
具体的には、上記の炭素数１〜１０のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜２０のアリール基、及び置換もしくは無置換の環形成炭素数１〜２０のヘテロアリール基としては、一般式（１）のＲ１と同様の官能基を挙げることができる。
【００８１】
ｓは０〜３の整数であり、ｔは０〜４の整数である。ｓ、ｔが２以上となる場合、複数のＲ６は互いに同一であっても、異なっていてもよく、同様に、複数のＲ７も互いに同一であっても、異なっていてもよい。さらに、ｓ、ｔが２以上となる場合、隣接するＲ６やＲ７が互いに連結して環を形成していてもよい。また、ｓ、ｔは、０又は１であることが好ましく、０であることが特に好ましい。
【００８２】
また、Ａｒ２が上記一般式（３）で示される場合には、Ｌ１とＬ２が同一の連結基であって、ｍ＝ｊ、ｎ＝ｋであり、且つ、Ｈｆ１とＨｆ２が同一であることが好ましい。すなわち、上記一般式（１）で表されるアミン誘導体において、アミンの窒素原子と結合するＡｒ１以外の置換基が、同一であることが好ましい。
【００８３】
特に、本実施形態に係る一般式（１）で表されるアミン誘導体は、発光層が青色発光材料または緑色発光材料を含む場合に、より好適に有機電界発光素子の発光効率を向上させることができる。
【００８４】
また、本実施形態に係る一般式（１）で表されるアミン誘導体を含む有機電界発光素子用材料は、有機電界発光素子において、有機電界発光素子の発光層と陽極との間に配置された少なくともいずれか１つ以上の層に好適に含まれる。具体的には、一般式（１）で表されるアミン誘導体を含む有機電界発光素子用材料は、有機電界発光素子の正孔輸送層層および正孔注入層に好適に含まれる。本実施形態に係るアミン誘導体を正孔輸送層に用いる場合には、正孔輸送層としての多層構造において、発光層の近く位置する層、もしくは、発光層に隣接して積層された層に用いることが好ましい。ただし、有機電界発光素子において、一般式（１）で表されるアミン誘導体が含まれる層は、上記例示に限定されない。例えば、一般式（１）で表されるアミン誘導体は、有機電界発光素子の陽極および陰極に挟まれた有機層のいずれに含まれていてもよく、具体的には、発光層中に含まれていてもよい。
【００８５】
上記の構成を有する有機電界発光素子用材料を用いた有機電界発光素子は、後述する実施例に示されるように、有機電界発光素子の駆動電圧を低下させ、発光効率を大きく改善することができる。有機電界発光素子用材料に含まれるアミン誘導体の具体的な構成の例を以下に列挙する。しかしながら、本発明の一実施形態に係るアミン誘導体は、下記の化合物に限定されるものではない。
【００８６】
【化１３】
2016136582.tif 000015
【化１４】
2016136582.tif 000016
【化１５】
2016136582.tif 000017
【化１６】
2016136582.tif 000018
【００８７】
これらの本実施形態に係るアミン誘導体は、以下の反応式（１）〜（３）の例に沿って合成することができる。
【００８８】
【化１７】
2016136582.tif 000019
【００８９】
反応式（１）において、化合物Ａが、ｍ位にハロゲン（ｈａｌｏｇｅｎ）（Ｘ）等の離脱基を有する化合物であり、化合物Ｂが、ホウ素（Ｂ）等の金属Ｍを含む化合物である場合には、化合物Ａと化合物Ｂとのカップリング反応（ｃｏｕｐｌｉｎｇ  ｒｅａｃｔｉｏｎ）により、本実施形態に係るアミン誘導体を合成することができる。
【００９０】
反応式（２）において、化合物Ｃが、ｍ位にホウ素等の金属Ｍ等の離脱基を有する化合物であり、化合物Ｄが、ハロゲン（Ｘ）を含む化合物である場合には、化合物Ｃと化合物Ｄとのカップリング反応により、本実施形態に係るアミン誘導体を合成することができる。
【００９１】
反応式（３）において、化合物Ｅが、ｍ位にハロゲン（Ｘ）等の離脱基を有する化合物であり、化合物Ｆが、水素（Ｈ）を含む化合物である場合には、化合物Ｅと化合物Ｆとのカップリング反応により、本実施形態に係るアミン誘導体を合成することができる。
【００９２】
ただし、本実施形態に係るアミン誘導体の合成は、上記の反応式（１）〜（３）の合成例に限定されるものではなく、例えば、まず上記反応式（１）〜（３）のカップリング反応を実施し、その後にＡｒ１及びＡｒ２を導入する経路を選択しても構わない。
【００９３】
＜２．有機電界発光素子用材料を用いた有機電界発光素子について＞
次に、図１を参照しながら、本実施形態に係る有機電界発光素子用材料を利用した有機電界発光素子について、簡単に説明する。図１は、本発明の実施形態に係る有機電界発光素子の一例を示す概略断面図である。
【００９４】
図１に示すように、本発明の一実施形態に係る有機電界発光素子１００は、基板１１０と、基板１１０上に配置された第１電極１２０と、第１電極１２０上に配置された正孔注入層１３０と、正孔注入層１３０上に配置された正孔輸送層１４０と、正孔輸送層１４０上に配置された発光層１５０と、発光層１５０上に配置された電子輸送層１６０と、電子輸送層１６０上に配置された電子注入層１７０と、電子注入層１７０上に配置された第２電極１８０と、を備える。
【００９５】
ここで、本実施形態に係る有機電界発光素子用材料は、正孔輸送層及び発光層のうち、少なくとも一方に含まれる。有機電界発光素子用材料は、これらの層の両方に含まれていてもよい。有機電界発光素子用材料は、正孔輸送層１４０に含まれることが好ましい。
【００９６】
有機電界発光素子の第１電極１２０及び第２電極１８０の間に配置された各有機薄膜層は、公知の様々な方法、例えば蒸着法等で形成することができる。
【００９７】
基板１１０は、一般的な有機電界発光素子で使用される基板を使用することができる。例えば、基板１１０は、ガラス（ｇｌａｓｓ）基板、半導体基板、又は、透明なプラスチック（ｐｌａｓｔｉｃ）基板等であってもよい。
【００９８】
第１電極１２０は、例えば、陽極であり、蒸着法又はスパッタリング（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）法などを用いて基板１１０上に形成される。具体的には、第１電極１２０は、仕事関数が大きい金属、合金、導電性化合物等によって透過型電極として形成される。第１電極１２０は、例えば、透明であり、導電性に優れる酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）等で形成されてもよい。また、第１電極１２０は、マグネシウム（Ｍｇ）、アルミニウム（Ａｌ）などを用いて反射型電極として形成されてもよい。
【００９９】
第１電極１２０上には、正孔注入層１３０が形成される。正孔注入層１３０は、第１電極１２０からの正孔の注入を容易にする機能を備えた層であり、例えば第１電極１２０上に約１０ｎｍ〜約１５０ｎｍの厚さにて形成される。正孔注入層１３０は、公知の材料を用いて形成することができる。かかる公知の材料としては、例えば、トリフェニルアミン含有ポリエーテルケトン（ＴＰＡＰＥＫ）、４−イソプロピル−４’−メチルジフェニルヨードニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボラート（ＰＰＢＩ）、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス−［４−（フェニル−ｍ−トリル−アミノ）−フェニル］−ビフェニル−４，４’−ジアミン（ＤＮＴＰＤ）、銅フタロシアニン等のフタロシアニン（ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ）化合物、４，４’，４”−トリス（３−メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）、Ｎ，Ｎ’−ジ（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジン（ＮＰＢ）、４，４’，４”−トリス｛Ｎ，Ｎジフェニルアミノ｝トリフェニルアミン（ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４”−トリス（Ｎ，Ｎ−２−ナフチルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（２−ＴＮＡＴＡ）、ポリアニリン／ドデシルベンゼンスルホン酸（Ｐａｎｉ／ＤＢＳＡ）、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（４−スチレンスルホネート）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）、ポリアニリン／カンファースルホン酸（Ｐａｎｉ／ＣＳＡ）、又は、ポリアニリン／ポリ（４−スチレンスルホネート）（ＰＡＮＩ／ＰＳＳ）等を挙げることができる。
【０１００】
正孔注入層１３０上には、正孔輸送層１４０が形成される。正孔輸送層１４０は複数積層してもよい。正孔輸送層１４０は、正孔を輸送する機能を有する正孔輸送材料を含む層であり、例えば正孔注入層１３０上に約１０ｎｍ〜約１５０ｎｍの厚さにて形成される。正孔輸送層１４０は、本実施形態に係る有機電界発光素子用材料で形成されることが好ましい。なお、発光層１５０のホスト（ｈｏｓｔ）材料に本実施形態に係る有機電界発光素子用材料を用いた場合、正孔輸送層１４０は、公知の正孔輸送材料を用いて形成されてもよい。公知の正孔輸送材料として、例えば、１，１−ビス［（ジ−４−トリルアミノ）フェニル］シクロヘキサン（ＴＡＰＣ）、Ｎ−フェニルカルバゾール（Ｎ−ｐｈｅｎｙｌ  ｃａｒｂａｚｏｌｅ）、ポリビニルカルバゾール（ｐｏｌｙｖｉｎｙｌ  ｃａｒｂａｚｏｌｅ）などのカルバゾール誘導体、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１，１−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ）、４，４’，４”−トリス（Ｎ−カルバゾリル）トリフェニルアミン（ＴＣＴＡ）、Ｎ，Ｎ’−ジ（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジン（ＮＰＢ）等を挙げることができる。
【０１０１】
正孔輸送層１４０には、発光層１５０が形成される。発光層１５０は、蛍光、りん光等によって光を発する層であり、例えば、約１０ｎｍ〜約６０ｎｍの厚さで形成される。発光層１５０の材料としては、既知の発光材料を用いることができ、特に限定されるわけではないが、フルオランテン（ｆｌｕｏｒａｎｔｈｅｎｅ）誘導体、ピレン（ｐｙｒｅｎｅ）誘導体、アリールアセチレン（ａｒｙｌａｃｅｔｙｌｅｎｅ）誘導体、フルオレン（ｆｌｕｏｒｅｎｅ）誘導体、ペリレン（ｐｅｒｙｌｅｎｅ）誘導体、クリセン（ｃｈｒｙｓｅｎｅ）誘導体等から選ばれる。好ましくは、ピレン誘導体、ペリレン誘導体、アントラセン誘導体が挙げられる。例えば、発光層１５０の材料として、以下の一般式（５）で表わされるアントラセン誘導体を用いてもよい。
【０１０２】
【化１８】
2016136582.tif 000020
【０１０３】
上記一般式（５）中、Ａｒ３はそれぞれ独立的に、水素原子、重水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１以上５０以下のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数３以上５０以下のシクロアルキル（ｃｙｃｌｏａｌｋｙｌ）基、置換もしくは無置換の炭素数１以上５０以下のアルコキシ（ａｌｋｏｘｙ）基、置換もしくは無置換の炭素数７以上５０以下のアラルキル（ａｒａｌｋｙｌ）基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６以上５０以下のアリールオキシ（ａｒｙｌｏｘｙ）基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６以上５０以下のアリールチオ（ａｒｙｌｔｈｉｏ）基、置換もしくは無置換の炭素数２以上５０以下のアルコキシカルボニル（ａｌｋｏｘｙｃａｒｂｏｎｙｌ）基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６以上５０以下のアリール基、環形成炭素数５以上５０以下のヘテロアリール基、置換もしくは無置換のシリル（ｓｉｌｙｌ）基、カルボキシル（ｃａｒｂｏｘｙｌ）基、ハロゲン（ｈａｌｏｇｅｎ）原子、シアノ（ｃｙａｎｏ）基、ニトロ（ｎｉｔｒｏ）基、又はヒドロキシル（ｈｙｄｒｏｘｙ）基であり、ｒは１以上１０以下の整数である。
【０１０４】
上記一般式（５）中、Ａｒ３として具体的には、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、ナフチル基、フェニルナフチル（ｐｈｅｎｙｌｎａｐｈｔｈｙｌ）基、ナフチルフェニル（ｎａｐｈｔｈｙｌｐｈｅｎｙｌ）基、アントリル基、フェナントリル（ｐｈｅｎａｎｔｈｒｙｌ）基、フルオレニル基、インデニル基、ピレニル基、アセトナフテニル（ａｃｅｔｏｎａｐｈｔｈｅｎｙｌ）基、フルオランテニル基、トリフェニレニル基、ピリジル基、フラニル（ｆｕｒａｎｙｌ）基、ピラニル（ｐｙｒａｎｙｌ）基、チエニル（ｔｈｉｅｎｙｌ）基、キノリル基、イソキノリル基、ベンゾフラニル基、ベンゾチエニル（ｂｅｎｚｏｔｈｉｅｎｙｌ）基、インドリル基、カルバゾリル（ｃａｒｂａｚｏｌｙｌ）基、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾチアゾリル基、キノキサリル基、ベンゾイミダゾリル（ｂｅｎｚｉｍｉｄａｚｏｌｙｌ）基、ピラゾリル（ｐｙｒａｚｏｌｙｌ）基、ジベンゾフラニル基、およびジベンゾチエニル（ｄｉｂｅｎｚｏｔｈｉｅｎｙｌ）基などを挙げることができる。好ましくは、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、フルオレニル基、カルバゾリル基、ジベンゾフラニル基などを挙げることができる。
【０１０５】
上記一般式（５）で表される化合物は、一例として、以下の構造式により示された化合物である。但し、上記一般式（５）で表される化合物は以下に限定されるわけではない。
【０１０６】
【化１９】
2016136582.tif 000021
【０１０７】
発光層１５０は、例えば、スチリル（ｓｔｙｒｙｌ）誘導体（例えば、１，４−ｂｉｓ［２−（３−Ｎ−ｅｔｈｙｌｃａｒｂａｚｏｒｙｌ）ｖｉｎｙｌ］ｂｅｎｚｅｎｅ（ＢＣｚＶＢ）、４−（ｄｉ−ｐ−ｔｏｌｙｌａｍｉｎｏ）−４‘−［（ｄｉ−ｐ−ｔｏｌｙｌａｍｉｎｏ）ｓｔｙｒｙｌ］ｓｔｉｌｂｅｎｅ（ＤＰＡＶＢ）、Ｎ−（４−（（Ｅ）−２−（６−（（Ｅ）−４−（ｄｉｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｏ）ｓｔｙｒｙｌ）ｎａｐｈｔｈａｌｅｎ−２−ｙｌ）ｖｉｎｙｌ）ｐｈｅｎｙｌ）−Ｎ−ｐｈｅｎｙｌｂｅｎｚｅｎａｍｉｎｅ（Ｎ−ＢＤＡＶＢｉ））、ペリレンおよびその誘導体（例えば、２，５，８，１１−ｔｅｔｒａ−ｔ−ｂｕｔｙｌｐｅｒｙｌｅｎｅ（ＴＢＰｅ））、ピレンおよびその誘導体（例えば、１，１−ｄｉｐｙｒｅｎｅ、１，４−ｄｉｐｙｒｅｎｙｌｂｅｎｚｅｎｅ、１，４−Ｂｉｓ（Ｎ，Ｎ−Ｄｉｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｏ）ｐｙｒｅｎｅ）等のドーパント（ｄｏｐａｎｔ）を含み、本発明においては特に限定されない。
【０１０８】
発光層１５０上には、例えば、Ｔｒｉｓ（８−ｈｙｄｒｏｘｙｑｕｉｎｏｌｉｎａｔｏ）ａｌｕｍｉｎｉｕｍ（Ａｌｑ３）や含窒素芳香環を有する材料（例えば、１，３，５−ｔｒｉ［（３−ｐｙｒｉｄｙｌ）−ｐｈｅｎ−３−ｙｌ］ｂｅｎｚｅｎｅのようなピリジン（ｐｙｒｉｄｉｎｅ）環を含む材料や、２，４，６−ｔｒｉｓ（３‘−（ｐｙｒｉｄｉｎ−３−ｙｌ）ｂｉｐｈｅｎｙｌ−３−ｙｌ）−１，３，５−ｔｒｉａｚｉｎｅのようなトリアジン（ｔｒｉａｚｉｎｅ）環を含む材料、２−（４−（Ｎ−ｐｈｅｎｙｌｂｅｎｚｏｉｍｉｄａｚｏｌｙｌ−１−ｙｌｐｈｅｎｙｌ）−９，１０−ｄｉｎａｐｈｔｈｙｌａｎｔｈｒａｃｅｎｅのようなイミダゾール（ｉｍｉｄａｚｏｌｅ）誘導体を含む材料）を含む、電子輸送層１６０が形成される。電子輸送層１６０は、電子を輸送する機能を有する電子輸送材料を含む層であり、例えば発光層１５０上に約１５ｎｍ〜約５０ｎｍの厚さにて形成される。電子輸送層１６０上には、例えば、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、リチウム−８−キノリナート（Ｌｉｑ）等を含む材料を用いて、電子注入層１７０が形成される。電子注入層１７０は、第２電極１８０からの電子の注入を容易にする機能を備えた層であり、約０．３ｎｍ〜約９ｎｍの厚さにて形成される。
【０１０９】
また、電子注入層１７０上には、第２電極１８０が形成される。第２電極１８０は、例えば、陰極である。具体的には、第２電極１８０は、仕事関数が小さい金属、合金、導電性化合物等で反射型電極として形成される。第２電極１８０は、例えば、リチウム（Ｌｉ）、マグネシウム（Ｍｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム−リチウム（Ａｌ−Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）、マグネシウム−インジウム（Ｍｇ−Ｉｎ）、マグネシウム−銀（Ｍｇ−Ａｇ）等で形成されてもよい。また、第２電極１８０は、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）などを用いて透過型電極として形成されてもよい。以上の各層は、真空蒸着、スパッタ、各種塗布など材料に応じた適切な成膜方法を選択することにより、形成することができる。
【０１１０】
以上、本実施形態に係る有機電界発光素子１００の構造の一例について説明した。本実施形態に係る有機電界発光素子用材料を含む有機電界発光素子１００では、駆動電圧が低下し、発光効率が改善される。
【０１１１】
なお、本実施形態に係る有機電界発光素子１００の構造は、上記例示に限定されない。本実施形態に係る有機電界発光素子１００は、公知の他の様々な有機電界発光素子の構造を用いて形成されてもよい。例えば、有機電界発光素子１００は、正孔注入層１３０、電子輸送層１６０及び電子注入層１７０のうち１層以上を備えていなくともよい。また、有機電界発光素子１００の各層は、単層で形成されてもよく、複数層で形成されてもよい。
【０１１２】
また、有機電界発光素子１００は、三重項励起子又は正孔が電子輸送層１６０に拡散する現象を防止するために、正孔輸送層１４０と発光層１５０との間に正孔阻止層を備えていてもよい。なお、正孔阻止層は、例えば、オキサジアゾール（ｏｘａｄｉａｚｏｌｅ）誘導体、トリアゾール（ｔｒｉａｚｏｌｅ）誘導体、又は、フェナントロリン（ｐｈｅｎａｎｔｈｒｏｌｉｎｅ）誘導体等によって形成することができる。
【実施例】
【０１１３】
以下では、実施例及び比較例を示しながら、本発明の実施形態に係る有機発光素子について、具体的に説明する。なお、以下に示す実施例は、本発明の実施形態に係る有機発光素子のあくまでも一例であって、本発明の実施形態に係る有機発光素子が下記の例に限定されるものではない。
【０１１４】
（合成例１：実施例化合物１の合成）
実施例化合物１を、以下の合成スキーム（ｓｃｈｅｍｅ）に沿って合成した。
【０１１５】
【化２０】
2016136582.tif 000022
【化２１】
2016136582.tif 000023
【０１１６】
２４．００ｇのブロム（ｂｒｏｍｉｎｅ）体１−Ａを脱気した１,４-ジオキサン（ｄｉｏｘａｎｅ）４００ｍＬに溶解し、ビス（ピナコラト）ジボロン（ｂｉｓ（ｐｉｎａｃｏｌａｔｏ）ｄｉｂｏｒｏｎ）１９．２５ｇ、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）（ｔｒｉｓ（ｄｉｂｅｎｚｙｌｉｄｅｎｅａｃｅｔｏｎｅ）ｄｉｐａｌｌａｄｉｕｍ（０））１．１８８ｇ、酢酸カリウム（ＣＨ３Ｃ００Ｋ）１０．１３ｇを加え、アルゴン（ａｒｇｏｎ）気流下、環流条件にて８時間加熱撹拌した。室温に冷却後、塩化メチレン（ｍｅｔｈｙｌｅｎｅ）と水を加えて抽出を行った。塩化メチレン層を水と飽和塩化ナトリウム（ＮａＣｌ）水溶液にて洗浄した後、無水硫酸マグネシウム（ＭｇＳＯ４）を加えて塩化メチレン層を乾燥した。溶媒を減圧留去した後、得られた生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ｓｉｌｉｃａ  ｇｅｌ  ｃｏｌｕｍｎ  ｃｈｒｏｍａｔｏｇｒａｐｈｙ）にて精製し、中間体１−Ｂを２０．７０ｇ得た（収率７６％）。
【０１１７】
３．７８８ｇの中間体１−Ｂ、４．７８８ｇのブロム体１−Ｃ、２．６４６ｇの炭酸カリウムを脱気したトルエン（ｔｏｌｕｅｎｅ）７５ｍＬ、エタノール（ｅｔｈａｎｏｌ）６ｍＬ、水１２ｍＬに加えてアルゴン気流下室温にて撹拌した。さらにテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（ｔｅｔｒａｋｉｓ（ｔｒｉｐｈｅｎｙｌｐｈｏｓｐｈｉｎｅ）ｐａｌｌａｄｉｕｍ（０））１．１０６ｇを加え、６時間加熱環流下撹拌した。室温に冷却後、塩化メチレンと水を加えて抽出を行った。塩化メチレン層を水と飽和塩化ナトリウム水溶液にて洗浄した後、無水硫酸マグネシウムを加えて塩化メチレン層を乾燥した。溶媒を減圧留去した後、得られた生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、実施例化合物４を４．３９７ｇ得た（収率６９％）。化合物の同定は、ＦＡＢ−ＭＳ（Ｆａｓｔ  ａｔｏｍ  ｂｏｍｂａｒｄｍｅｎｔ  ｍａｓｓ  ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）を用いて分子イオンピーク（ｉｏｎ  ｐｅａｋ）を検出することによって行い、６６５．２８（Ｃ４９Ｈ３５Ｎ３）という値を得た。
【０１１８】
（合成例２：実施例化合物４の合成）
実施例化合物４を、以下の合成スキームに沿って合成した。
【０１１９】
【化２２】
2016136582.tif 000024
【化２３】
2016136582.tif 000025
【０１２０】
６．４８１ｇのブロム体４−Ａを脱気したＤＭＳＯ（ジメチルスルホキシド（ｄｉｍｅｔｈｙｌ  ｓｕｌｆｏｘｉｄｅ）１８０ｍＬに溶解し、ビス（ピナコラト）ジボロン４．２５７g、[１，１’‐ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン]ジクロロパラジウム(II)（［１，１‘-Ｂｉｓ（ｄｉｐｈｅｎｙｌｐｈｏｓｐｈｉｎｏ）ｆｅｒｒｏｃｅｎｅ］ｄｉｃｈｌｏｒｏｐａｌｌａｄｉｕｍ（２））０．３７４ｇ、酢酸カリウム４．４８９ｇを加え、アルゴン気流下１００℃にて３時間加熱撹拌した。室温に冷却後、塩化メチレンと水を加えて抽出を行った。塩化メチレン層を水と飽和塩化ナトリウム水溶液にて洗浄した後、無水硫酸マグネシウムを加えて塩化メチレン層を乾燥した。溶媒を減圧留去した後、得られた生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、中間体４−Ｂを５．６８７ｇ得た（収率７９％）。
【０１２１】
３．０１０ｇの中間体４−Ｂ、３．１９２ｇのブロム体４−Ｃ、１．７６４ｇの炭酸カリウム（Ｋ２ＣＯ３）を脱気したトルエン５０ｍＬ、エタノール４ｍＬ、水８ｍＬに加えてアルゴン気流下室温にて撹拌した。さらにテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）０．７３７ｇを加え、６時間加熱環流下撹拌した。室温に冷却後、塩化メチレンと水を加えて抽出を行った。塩化メチレン層を水と飽和塩化ナトリウム水溶液にて洗浄した後、無水硫酸マグネシウムを加えて塩化メチレン層を乾燥した。溶媒を減圧留去した後、得られた生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、実施例化合物４を３．１２４ｇ得た（収率６６％）。化合物の同定は、ＦＡＢ−ＭＳを用いて分子イオンピークを検出することによって行い、７４１．３１（Ｃ５５Ｈ３９Ｎ３）という値を得た。
【０１２２】
（合成例３：実施例化合物８１の合成）
実施例化合物８１を、以下の合成スキームに沿って合成した。
【０１２３】
【化２４】
2016136582.tif 000026
【０１２４】
５００ｍＬの三つ口フラスコに、４−（４，４，５，５−Ｔｅｔｒａｍｅｔｈｙｌ−１,３,２−ｄｉｏｘａｂｏｒｏｌａｎ−２−ｙｌ）ａｎｉｌｉｎｅ（化合物８１−Ｂ）を２．３２ｇ、ブロム体８１−Ａを３．５２ｇ、Ｐｄ（ＰＰｈ３）４を０．５４ｇ、及び炭酸カリウムを２．７９ｇ加えて、トルエン２００ｍＬ、水３２ｍＬ及びエタノール１２ｍＬの混合溶媒中で９０℃で１２時間加熱攪拌した。空冷後、水を加えて有機層を分取し溶媒留去した。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ジクロロメタン（ｄｉｃｈｌｏｒｏｍｅｔｈａｎｅ）とヘキサン（ｈｅｘａｎｅ）との混合溶媒を使用）で精製後、酢酸エチル／ヘキサン混合溶媒で再結晶を行い、白色固体の中間体８１−Ｃを１．９３ｇ（収率５３％）得た。化合物の同定は、ＦＡＢ−ＭＳを用いて分子イオンピークを検出することによって行い、３６１．１６（Ｃ２５Ｈ１９Ｎ３）という値を得た。
【０１２５】
Ａｒ雰囲気下、２００ｍＬの三つ口フラスコに、中間体８１−Ｃを１．９２ｇ、３−Ｂｒｏｍｏｄｉｂｅｎｚｏｆｕｒａｎ（化合物８１−Ｄ）を３．１５ｇ、Ｐｄ２（ｄｂａ）３・ＣＨＣｌ３を０．３８４ｇ、及びｔ−ＢｕＯＮａ（Ｓｏｄｉｕｍ  ｔｅｒｔ−ｂｕｔｏｘｉｄｅ）を２．０６ｇ、６５ｍＬの脱水トルエン及び２Ｍの（ｔ−Ｂｕ）３Ｐ／脱水トルエン溶液（ｔｅｒｔ−ｂｕｔｙｌｐｈｏｓｐｈｉｎｅ／脱水トルエン溶液）を０．５６ｍＬ加え、７時間加熱還流下攪拌した。空冷後、水を加えて有機層を分取し溶媒留去した。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ジクロロメタンとヘキサンの混合溶媒を使用）で精製後、塩化メチレン／エタノール混合溶媒で再結晶を行い、白色固体の実施例化合物８１を３．３０ｇ（収率８９％）得た。化合物の同定は、ＦＡＢ−ＭＳを用いて分子イオンピークを検出することによって行い、６９３．２４（Ｃ４９Ｈ３１Ｎ３Ｏ２）という値を得た。
【０１２６】
（合成例４：実施例化合物８４の合成）
実施例化合物８４を、以下の合成スキームに沿って合成した。
【０１２７】
【化２５】
2016136582.tif 000027
【０１２８】
１０００ｍＬの三つ口フラスコに、ブロム体８４−Ａを８．５７ｇ、４−（４，４，５，５−Ｔｅｔｒａｍｅｔｈｙｌ−１,３,２−ｄｉｏｘａｂｏｒｏｌａｎ−２−ｙｌ）ａｎｉｌｉｎｅ（化合物８４−Ｂ）を４．６４ｇ、Ｐｄ（ＰＰｈ３）４を１．０４ｇ、及び炭酸カリウムを５．５９ｇ加えて、トルエン４００ｍＬ、水６４ｍＬ及びエタノール２５ｍＬの混合溶媒中で９０℃で１２時間加熱攪拌した。空冷後、水を加えて有機層を分取し溶媒留去した。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ジクロロメタンとヘキサンとの混合溶媒を使用）で精製後、酢酸エチル／ヘキサン混合溶媒で再結晶を行い、白色固体の中間体８４−Ｃを５．９０ｇ（収率６７％）得た。化合物の同定は、ＦＡＢ−ＭＳを用いて分子イオンピークを検出することによって行い、４３７．１９（Ｃ３１Ｈ２３Ｎ３）という値を得た。
【０１２９】
Ａｒ雰囲気下、３００ｍＬの三つ口フラスコに、中間体８４−Ｃを４．７８ｇ、３−Ｂｒｏｍｏｄｉｂｅｎｚｏｆｕｒａｎ（化合物８４−Ｄ）を８．１６ｇ、Ｐｄ２（ｄｂａ）３・ＣＨＣｌ３を０．７９１ｇ、及びｔ−ＢｕＯＮａ（Ｓｏｄｉｕｍ  ｔｅｒｔ−ｂｕｔｏｘｉｄｅ）を４．２０ｇ加えて、７０ｍＬの脱水トルエン溶媒中で８時間加熱還流下攪拌した。空冷後、水を加えて有機層を分取し溶媒留去した。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ジクロロメタンとヘキサンの混合溶媒を使用）で精製後、塩化メチレン／エタノール混合溶媒で再結晶を行い、白色固体の実施例化合物８１を５．３０ｇ（収率６３％）得た。化合物の同定は、ＦＡＢ−ＭＳを用いて分子イオンピークを検出することによって行い、７６９．２７（Ｃ５５Ｈ３５Ｎ３Ｏ２）という値を得た。
【０１３０】
（合成例５：実施例化合物１０４の合成）
実施例化合物１０４を、以下の合成スキームに沿って合成した。
【０１３１】
【化２６】
2016136582.tif 000028
【化２７】
2016136582.tif 000029
【０１３２】
実施例４と同様に、中間体４−Ｂを合成した。さらに、１０００ｍＬの三つ口フラスコに、中間体４−Ｂを１８．９０ｇ、ジブロム（ｄｉｂｒｏｍｉｎｅ）体１０４−Ａを９．５７ｇ、Ｐｄ（ＰＰｈ３）４を４．５２ｇ、及び炭酸ナトリウム（Ｎａ２Ｃｏ３）を１１．０６ｇ加えて、トルエン４００ｍＬ、水８０ｍＬ及びエタノール４０ｍＬの混合溶媒中で９０℃で９時間加熱攪拌した。空冷後、水を加えて有機層を分取し溶媒留去した。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ジクロロメタンとヘキサンとの混合溶媒を使用）で精製後、塩化メチレン／エタノール混合溶媒で再結晶を行い、白色固体の実施例化合物１０４を９．９０ｇ（収率４９％）得た。化合物の同定は、ＦＡＢ−ＭＳを用いて分子イオンピークを検出することによって行い、１００９．４１（Ｃ７４Ｈ５１Ｎ５）という値を得た。
【０１３３】
（有機電界発光素子の作製）
つぎに、有機電界発光素子を以下の製法により作製した。まず、予めパターニング（ｐａｔｔｅｒｎｉｎｇ）して洗浄処理を施したＩＴＯ−ガラス基板に、紫外線オゾン（Ｏ３）による表面処理を行った。なお、かかるＩＴＯ膜（第１電極）の膜厚は、１５０ｎｍであった。オゾン処理後、基板を洗浄した。洗浄済基板を有機層成膜用ガラスベルジャー型蒸着機にセットし、真空度１０−４〜１０−５Ｐａ下で、正孔注入層、ＨＴＬ（正孔輸送層）、発光層、電子輸送層の順に蒸着を行った。正孔注入層の材料は２−ＴＮＡＴＡとし、厚さは６０ｎｍとした。ＨＴＬの材料は表１に示されるものとし、厚さは３０ｎｍとした。
【０１３４】
また、発光層の厚さは、２５ｎｍとした。発光材料のホストは９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（ＡＤＮ）とした。ドーパントは、２，５，８，１１−テトラ−ｔ−ブチルペリレン（ＴＢＰ）とした。ドーパントのドープ（ｄｏｐｅ）量は、ホストの質量に対して３質量％とした。電子輸送層の材料は、Ａｌｑ３とし、厚さは２５ｎｍとした。つづいて、金属成膜用ガラスベルジャー（ｇｌａｓｓ  ｂｅｌｌｊａｒ）型蒸着機に基板を移し、真空度１０−４〜１０−５Ｐａ下で電子注入層、陰極材料を蒸着した。電子注入層の材料はＬｉＦとし、厚さは１．０ｎｍとした。第２電極の材料はＡｌとし、厚さは１００ｎｍとした。
【０１３５】
【表１】
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【０１３６】
表１における比較化合物Ｃ１〜Ｃ３は、以下の化学式で示される。比較化合物Ｃ１〜Ｃ３は、いずれもベンゾイミダゾール構造を持つアミン誘導体であり、ベンゾイミダゾール構造の２位に位置する炭素が、ｍ−フェニレン基を介してアミンの窒素原子を結合している。
【０１３７】
【化２８】
2016136582.tif 000031
【０１３８】
比較化合物Ｃ１は、以下の合成スキームに沿って合成した。
【０１３９】
【化２９】
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【０１４０】
１００ｍＬフラスコにベンゾイミダゾール化合物Ｃ１−Ａ（特開２００７−２６９７７２号公報に記載の合成法に従って合成）４．３６ｇとアリールアミン化合物Ｃ１−Ｂ  ４．７６ｇ、炭酸カリウム２．７６ｇ、及びテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム１．１６ｇを秤量し、脱気したトルエン６０ｍＬ、エタノール１０．５ｍＬ、水４．５ｍＬを加え、アルゴン気流下１００℃で６時間加熱した。反応終了後、反応溶液に塩化メチレンを加え、抽出を行い、有機層を硫酸マグネシウムにて乾燥した後、溶媒を減圧流去した。残些をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製することで比較化合物Ｃ１を４．２５ｇ（収率５８％）得た。化合物の同定は、ＦＡＢ−ＭＳを用いて分子イオンピークを検出することによって行い、６６５．２８（Ｃ４９Ｈ３５Ｎ３）という値を得た。
【０１４１】
比較化合物Ｃ２は、以下の合成スキームに沿って合成した。
【０１４２】
【化３０】
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【０１４３】
１０００ｍＬの三つ口フラスコに、４−（４，４，５，５−Ｔｅｔｒａｍｅｔｈｙｌ−１,３,２−ｄｉｏｘａｂｏｒｏｌａｎ−２−ｙｌ）ａｎｉｌｉｎｅ（化合物Ｃ２−Ｂ）を３．７１ｇ、ブロム体Ｃ２−Ａを５．６３ｇ、Ｐｄ（ＰＰｈ３）４を０．８７ｇ、及び炭酸カリウムを４．４９ｇ加えて、トルエン３００ｍＬ、水５１ｍＬ及びエタノール１９ｍＬの混合溶媒中で９０℃で１０時間加熱攪拌した。空冷後、水を加えて有機層を分取し溶媒留去した。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ジクロロメタンとヘキサンとの混合溶媒を使用）で精製後、酢酸エチル／ヘキサン混合溶媒で再結晶を行い、白色固体の中間体Ｃ２−Ｃを２．９７ｇ（収率５１％）得た。化合物の同定は、ＦＡＢ−ＭＳを用いて分子イオンピークを検出することによって行い、３６１．１６（Ｃ２５Ｈ１９Ｎ３）という値を得た。
【０１４４】
Ａｒ雰囲気下、２００ｍＬの三つ口フラスコに、中間体Ｃ２−Ｃを３．０７ｇ、３−Ｂｒｏｍｏｄｉｂｅｎｚｏｆｕｒａｎ（化合物Ｃ２−Ｄ）を５．０４ｇ、Ｐｄ２（ｄｂａ）３・ＣＨＣｌ３を０．５７６ｇ、及びｔ−ＢｕＯＮａ（Ｓｏｄｉｕｍ  ｔｅｒｔ−ｂｕｔｏｘｉｄｅ）を３．３０ｇ、１０５ｍＬの脱水トルエン及び２Ｍの（ｔ−Ｂｕ）３Ｐ／脱水トルエン溶液（ｔｅｒｔ−ｂｕｔｙｌｐｈｏｓｐｈｉｎｅ／脱水トルエン溶液）を０．９０ｍＬ加え、８時間加熱還流下攪拌した。空冷後、水を加えて有機層を分取し溶媒留去した。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ジクロロメタンとヘキサンの混合溶媒を使用）で精製後、塩化メチレン／エタノール混合溶媒で再結晶を行い、白色固体の比較化合物Ｃ２を３．３１ｇ（収率５６％）得た。化合物の同定は、ＦＡＢ−ＭＳを用いて分子イオンピークを検出することによって行い、６９３．２４（Ｃ４９Ｈ３１Ｎ３Ｏ２）という値を得た。
【０１４５】
比較化合物Ｃ３は、以下の合成スキームに沿って合成した。
【０１４６】
【化３１】
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【０１４７】
５００ｍＬの三つ口フラスコに、ベンズイミダゾール化合物Ｃ１−Ａ（特開２００７−２６９７７２号公報に記載の合成法に従って合成）を９．４５ｇ、ジブロム体Ｃ３−Ｂを１１．４３ｇ、Ｐｄ（ＰＰｈ３）４を２．３２ｇ、及び炭酸ナトリウムを５．５０ｇ加えて、トルエン２００ｍＬ、水４０ｍＬ及びエタノール２０ｍＬの混合溶媒中で９０℃で８時間加熱攪拌した。空冷後、水を加えて有機層を分取し溶媒留去した。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ジクロロメタンとヘキサンとの混合溶媒を使用）で精製後、塩化メチレン／エタノール混合溶媒で再結晶を行い、白色固体の比較化合物Ｃ３を９．８２ｇ（収率５１％）得た。化合物の同定は、ＦＡＢ−ＭＳを用いて分子イオンピークを検出することによって行い、８５７．３５（Ｃ６２Ｈ４３Ｎ５）という値を得た。
【０１４８】
（特性評価）
次に、作成された有機電界発光素子の駆動電圧、発光寿命について測定した。なお、作製した有機ＥＬ素子２００の発光特性の評価には、浜松ホトニクス製Ｃ９９２０−１１輝度配向特性測定装置を用いた。また、電流密度は１０ｍＡ／ｃｍ２にて測定し、半減寿命は１０００ｃｄ／ｍ２にて測定した。結果を表１に示す。
【０１４９】
表１を参照すると、本実施形態に係るアミン誘導体で正孔輸送層（ＨＴＬ）を形成した実施例１〜５は、比較例１〜３に対して、駆動電圧が低下し、発光効率が向上していることがわかる。
【０１５０】
具体的には、本実施形態に係るアミン誘導体でＨＴＬを形成した実施例１〜５は、アミンの窒素原子が、ｍ−フェニレン基を介して、ベンゾイミダゾール構造の２位に位置する炭素と結合しているアミン誘導体を用いた比較例１〜３に対して、駆動電圧が低下し、発光効率が向上していることがわかる。さらに、同じ官能基を持つアミン誘導体を比較すると、実施例化合物１及び比較化合物Ｃ１は、両者ともベンゾイミダゾール構造とビフェニレン（ｂｉｐｈｅｎｙｌｅｎｅ）基を有しているが、実施例化合物１及び比較化合物Ｃ１を用いた実施例１と比較例１とを比較すると、実施例化合物１を用いた実施例１の方が、駆動電圧が低下し、発光効率が向上している。実施例化合物８１及び比較化合物Ｃ２は、両者ともベンゾイミダゾール構造とジベンゾフラニル基を有しているが、実施例化合物８１及び比較化合物Ｃ２を用いた実施例３と比較例２とを比較すると、実施例化合物８１を用いた実施例３の方が、駆動電圧が低下し、発光効率が向上している。また、実施例化合物１０４及び比較化合物Ｃ３は、両者とも２つのベンゾイミダゾール構造を有しているが、実施例化合物１０４及び比較化合物Ｃ３を用いた実施例５と比較例３とを比較すると、実施例化合物１０４を用いた実施例５の方が、駆動電圧が低下し、発光効率が向上している。
【０１５１】
実施例化合物１、４、８１、８４、１０４においては、アミンの窒素原子は、ｍ−フェニレン基を介してベンゾイミダゾール構造の４〜７位に位置する炭素原子、または１位に位置する窒素原子と結合している。一方、比較例化合物Ｃ１〜Ｃ３は、アミンの窒素原子は、ｍ−フェニレン基を介してベンゾイミダゾール構造の２位に位置する炭素と結合している。このような構造の違いから、実施例化合物１、４、８１、８４、１０４は、比較化合物Ｃ１〜Ｃ３に比べて窒素原子間のπ電子共役の広がりが狭くなるため、発光層から正孔輸送層への電子の伝達を阻害することができる。したがって、実施例化合物１、４、８１、８４、１０４用いた実施例１〜５においては、駆動電圧が低下し、発光効率が向上すると推察される。
【０１５２】
このように、本実施例では、青色〜青緑色領域において、有機電界発光素子の駆動電圧が低下し、発光効率が大きく改善した。
【０１５３】
以上により、本実施形態では、有機電界発光素子用材料は、一般式（１）に示すアミン誘導体を含むので、これを用いた有機電界発光素子においては、駆動電圧が低下し、発光効率が大きく改善する。したがって、本実施形態の有機電界発光素子用材料は、様々な用途の実用化に有用である。
【０１５４】
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明はかかる例に限定されない。本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、これらについても、当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【符号の説明】
【０１５５】
１００    有機ＥＬ素子
１１０    基板
１２０    第１電極
１３０    正孔注入層
１４０    正孔輸送層
１５０    発光層
１６０    電子輸送層
１７０    電子注入層
１８０    第２電極
【図１】
2016136582.tif 000045