(57)【要約】【課題】本発明は、クリーン室の小型化を可能にした半導体製造装置を提供する。【解決手段】半導体製造装置１に利用されるクリーン室１１は、ワークを加工手段２３に移送するための第２の移送手段２４及び受渡し手段２５が配置されたインターフェイス室１１Ａと、インターフェイス室１１Ａの後部で連通すると共に、加工手段２３が配置される加工室１１Ｂと、仕切壁３０によって加工室１１Ｂと隔てられ、仕切壁３０の下部に左右一対に設けられた縦長のスリット３１及び横長のスリット３８を介して加工室１１Ｂの下部に連通すると共に、スリット３１，３８から導入された空気を加工室１１Ｂの上方から戻すために利用されるリターンダクト１１Ｃと、加工室１１Ｂから上方に延在して上部でリターンダクト１１Ｃの上部と連通する送風ダクト１１Ｄと、を備えている。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
クリーン室内に配置された加工手段によりワークを加工するための半導体製造装置であって、
前記クリーン室は、
前記ワークを前記加工手段に移送する移送手段が配置されたインターフェイス室と、
前記インターフェイス室に連通すると共に、前記加工手段が配置される加工室と、
仕切壁によって前記加工室と隔てられ、前記仕切壁に設けられたスリットを介して前記加工室の下部に連通すると共に、前記スリットから導入された空気を前記加工室の上部から戻すリターンダクトと、を有し、
前記クリーン室内には、
前記スリットから導入された空気を前記リターンダクトの下方から上方に移送して、前記加工室に戻すための空気循環手段と、
前記インターフェイス室から前記加工室まで延在すると共に、前記インターフェイス室及び前記加工室を覆う壁の内壁面に沿った通路を形成する整流板と、を備えた、
半導体製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、特に、クリーン度が高められたクリーン室内に、ワークを加工するための加工室を具備した半導体製造装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、このような分野の技術として、特開２０１０−１０９２５０号公報がある。この公報に記載された半導体製造装置にはインターフェイス部が並設され、インターフェイス部は、半導体移送装置と半導体製造装置との間に配置されている。インターフェイス部は、局所密閉型清浄化装置内に配置され、半導体移送装置によって搬送された未処理のウエハを半導体製造装置に移送するために利用され、高いクリーン度が要求されている。局所密閉型清浄化装置には、インターフェイス部の上部にフィルタが配置され、クリーンルームの天井に配置されたファンからの空気は、フィルタを介してインターフェイス部内に供給される。また、半導体製造装置内には、インターフェイス部から移送されたウエハを加工するための加工部が設けられ、この加工部も高いクリーン度の加工室内に配置される必要がある。そして、この加工室内には、クリーンルームの天井に配置されたファンからの空気がフィルタを通して導入されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１０−１０９２５０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
前述した従来の局所密閉型清浄化装置は、カセットから取り出されたウエハを半導体製造装置への移動のためだけに利用されているので、半導体製造装置内には、インターフェイス部から移送されたウエハを加工するために、クリーン度が高められた加工室を別途設ける必要がある。また、インターフェイス部及び加工室に供給される空気は、クリーンルームの天井に配置されたファンが利用される。その結果、空調設備関連が大型化するといった問題点がある。
【０００５】
本発明は、クリーン室の小型化を可能にした半導体製造装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、クリーン室内に配置された加工手段によりワークを加工するための半導体製造装置であって、
前記クリーン室は、
前記ワークを前記加工手段に移送する移送手段が配置されたインターフェイス室と、
前記インターフェイス室に連通すると共に、前記加工手段が配置される加工室と、
仕切壁によって前記加工室と隔てられ、前記仕切壁に設けられたスリットを介して前記加工室の下部に連通すると共に、前記スリットから導入された空気を前記加工室の上部から戻すリターンダクトと、を有し、
前記クリーン室内には、
前記スリットから導入された空気を前記リターンダクトの下方から上方に移送して、前記加工室に戻すための空気循環手段と、
前記インターフェイス室から前記加工室まで延在すると共に、前記インターフェイス室及び前記加工室を覆う壁の内壁面に沿った通路を形成する整流板と、を備える。
【０００７】
この半導体製造装置においては、クリーン室の小型化を可能にすると同時に、整流板の採用により、インターフェイス室内での空気の流動化を促進させることができる。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、クリーン室の小型化を可能にする。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明に係る半導体製造装置の一実施形態を示し、側板を外した状態の斜視図である。
【図２】クリーン室を示す断面図である。
【図３】クリーン室内での空気の流れを示す概略図である。
【図４】クリーン室の上部を示す要部拡大断面図である。
【図５】クリーン室の下部を示す斜視図である。
【図６】クリーン室の下部を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、図面を参照しつつ本発明に係る半導体製造装置の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、半導体製造装置１において、搬送部２１側を「前」として説明する。
【００１１】
図１及び図２に示されるように、局所クリーン対応型の半導体製造装置１には、内部がクリーンに保たれた状態で、半導体ウエハをなすワーク（不図示）の加工が行われるクリーン室１１と、クリーン室１１と隔てられており、駆動機構、薬液、制御盤などが収納された機械室１２と、を備えている。そして、半導体製造装置１の前部の中段には載置台１３が設けられている。半導体製造装置１には、クリーン室１１及び機械室１２の外部において、ワークが納められたカートリッジＣを搬送するための搬送部２１と、搬送部２１により搬送されたカートリッジＣを保持すると共に、受渡し手段２５の載置部２５ａにカートリッジＣを移送するための第１の移送手段２２と、が配置されている。
【００１２】
クリーン室１１は、載置台１３上において、上部カバー５１とメインカバー５２と下部カバー５３と、によって覆われることにより形成されている。クリーン室１１には、ワークを加工する加工手段２３と、受渡し手段２５においてカートリッジＣから取り出されたワークを加工手段２３まで移送する第２の移送手段２４と、第１の移送手段２２と第２の移送手段２４の間でワークの受け渡しを行う受渡し手段２５と、クリーン室１１内のエアを循環させる電動ファン（空気循環手段）２６ａ（図４参照）と、が配置されている。
【００１３】
搬送部２１は、加工前及び加工後のワークが収容されたカートリッジＣを順次搬送するためのベルトコンベア２１ａを有している。搬送部２１は、載置台１３上に固定されており、カートリッジＣを左右方向に搬送させている。
【００１４】
第１の移送手段２２には、鉛直方向に延在する回転軸２２ａと、基端が回転軸の上端に固定されたアーム２２ｂと、アーム２２ｂの先端部に配置されてカートリッジＣを吸着保持する保持部２２ｃと、が設けられている。第１の移送手段２２は、載置台１３に固定され、搬送部２１より後方でかつクリーン室１１の前方に配置されている。第１の移送手段２２は、搬送部２１上のカートリッジＣを保持部２２ｃにより吸着保持し、回転軸２２ａを中心としてアーム２２ｂを回転させることで、保持したカートリッジＣを受渡し手段２５の載置部２５ａまで移送する。
【００１５】
加工手段２３は、クリーン室１１内に配置されている。例えば、加工手段２３では、フォトレジストの塗布、ウエハ表面のパターン形成、エッチング処理、イオン注入、平坦化、電極形成、その他の加工の、いずれか又は複数の処理が行われる。なお、加工手段２３で行われる加工は、これらに限られない。
【００１６】
第２の移送手段２４には、鉛直方向に延在する回転軸（不図示）と、基端が回転軸の上端に固定された伸縮自在なアーム（不図示）と、アームの先端に固定され、ワークを吸着保持する扁平なハンド２４ａと、が設けられている。第２の移送手段２４は、クリーン室１１内において、加工手段２３の前方に配置されている。第２の移送手段２４は、受渡し手段２５の載置部２５ａ上に載置されたワークを、保持部により吸着保持し、回転軸を中心としてアームを回転させることで、保持したワークを加工手段２３に移送する。また同様にして、第２の移送手段２４は、加工手段２３で加工されたワークを、加工手段２３から受渡し手段２５の載置部２５ａに移送する。
【００１７】
受渡し手段２５の載置部２５ａには、ワークが収められたカートリッジＣが載置され、その後、載置部２５ａが降下しながらカートリッジＣからワークが取り出される。つまり、この受渡し手段２５は、ワークをカートリッジＣから取り出したり、カートリッジＣ内に格納したりする機能と、載置部２５ａを降下させてワークをクリーン室１１内に搬入させるための機能とを、兼ね備えている。よって、受渡し手段２５の載置部２５ａは、上部に位置した状態ではクリーン室１１外にあり、下部に位置した状態ではクリーン室１１内にある状態である。クリーン室１１内でワークは、第２の搬送手段２４によって捕捉される。
【００１８】
図２〜図４に示されるように、クリーン室１１は、ワークを加工手段２３に移送するための第２の移送手段２４及び受渡し手段２５が配置されたインターフェイス室１１Ａと、インターフェイス室１１Ａの後部で連通すると共に、加工手段２３が配置される加工室１１Ｂと、仕切壁３０によって加工室１１Ｂと隔てられ、仕切壁３０の下部に左右一対に設けられた縦長のスリット３１及び横長のスリット３８を介して加工室１１Ｂの下部に連通すると共に、スリット３１，３８から導入された空気を加工室１１Ｂの上方から戻すために利用されるリターンダクト１１Ｃと、加工室１１Ｂから上方に延在して上部でリターンダクト１１Ｃの上部と連通する送風ダクト１１Ｄと、仕切壁３０によって仕切られた送風ダクト１１Ｄの上部とリターンダクト１１Ｃの上部とを連通させるための上部空間１１Ｅと、を備えている。
【００１９】
また、リターンダクト１１Ｃの上部には、電動ファン２６ａが配置され、送風ダクト１１Ｄの上部には、エアーフィルタ２６ｂが配置されている。よって、上部空間１１Ｅの入口側には電動ファン２６ａが配置され、上部空間１１Ｅの出口側には、エアーフィルタ２６ｂが配置される。また、電動ファン２６ａにより、スリット３１，３８から導入された空気をリターンダクト１１Ｃの下方から上方に移送する。その後、エアーフィルタ２６ｂを通過して塵や埃を除去した空気が送風ダクト１１Ｄを通って加工室１１Ｂに供給される。
【００２０】
このような構成により、クリーン室１１の大型化を最小限に抑えることができ、エアーフィルタ２６ｂで清浄化した空気を捨てることなく再利用することができ、エアーフィルタ２６ｂの寿命を伸ばすことができる。また、上下方向に延在するリターンダクト１１Ｃの上部に電動ファン２６ａを配置させることで、サイズの大きな塵や埃がリターンダクト１１Ｃを上ってくるのを抑制でき、その結果、電動ファン２６ａから送風される空気の清浄化が図られる。
【００２１】
電動ファン２６ａの下方において、リターンダクト１１Ｃと機械室１２との境をなす境界壁３３には、エアーフィルタ３２が配置されている。このエアーフィルタ３２を介してリターンダクト１１Ｃと大気とが連通させられている。その結果、加工室１１Ｂ内を常に正圧に保つことが可能になり、外部から加工室１１Ｂ内に塵や埃が侵入するのを防止することができる。
【００２２】
図５及び図６に示されるように、クリーン室１１の下部に配置されたベース板３９には、インターフェイス室１１Ａから加工室１１Ｂまで延在する整流板４０が立設されている。この整流板４０は、インターフェイス室１１Ａ及び加工室１１Ｂを覆う下部カバー５３の側壁５３ａの内壁面５３ｂに沿って延在し、この内壁面５３ｂと整流板４０との間には、前後方向に延在する通路Ｓが形成されている。
【００２３】
下部カバー５３において、左右一対の側壁５３ａは互いに平行に延在し、これに伴って、クリーン室１１の下部で、整流板４０は２枚利用されることになる。また、各整流板４０の後端部は、内側に「く」の字状に折り曲げられて案内部４０ａとして形成されており、この案内部４０ａによって、横長のスリット３８の外方に位置し且つ加工室１１Ｂの隅から少し内側寄りに配置された縦長のスリット３１と通路Ｓとを連通させている。
【００２４】
インターフェイス室１１Ａは、加工室１１Ｂの前方で加工室１１Ｂと略同じ高さをもって前方に突き出したような形状になっているので、このインターフェイス室１１Ａでは、空気が澱みやすく、クリーン度の維持が難しい。そこで、前述したような位置に整流板４０を配置させることにより、図６で矢印によって示されるように、送風ダクト１１Ｄによって加工室１１Ｂに上方から供給された空気は、インターフェイス室１１Ａ内に向かって流れ、その後、通路Ｓを通って縦長のスリット３１からリターンダクト１１Ｃ内に排出される。よって、インターフェイス室１１Ａ内での空気の流動化を促進させることができ、このインターフェイス室１１Ａでも空気のクリーン度を高めることができる。
【符号の説明】
【００２５】
１…半導体製造装置  １１…クリーン室  １１Ａ…インターフェイス室  １１Ｂ…加工室  １１Ｃ…リターンダクト  １１Ｄ…送風ダクト  １１Ｅ…上部空間  １２…機械室  １３…載置台  ２１…搬送部  ２２…第１の移送手段  ２３…加工手段  ２４…第２の移送手段  ２６ａ…電動ファン（空気循環手段）  ２６ｂ…エアーフィルタ  ３０…仕切壁  ３１…スリット  ４０…整流板  ５３…下部カバー  ５３ａ…側壁  ５３ｂ…内壁面  Ｓ…通路
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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