(57)【要約】【課題】表示装置において、光学特性を劣化させずに、静電気による画像の表示の乱れを低減する。【解決手段】表示装置１は、基板３１の上面に設けられた導体パターンＣＢ１と、基板３１の上面上に、導体パターンＣＢ１を覆うように設けられた保護膜３３と、保護膜３３上に設けられた導電層５２と、を有する。導体パターンＣＢ１のシート抵抗は、８Ω／Ｓｑｕａｒｅ以下である。また、複数の副画素の面積の総和に対する、複数の副画素のうち平面視において導体パターンＣＢ１と重なる部分の面積の総和の比は、１〜２２％である。そして、導電層５２のシート抵抗は、導体パターンＣＢ１のシート抵抗よりも高い。【選択図】図６
2016004183.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１主面を有する第１基板と、
第２主面と、前記第２主面と反対側の第３主面とを有し、前記第２主面と、前記第１基板の前記第１主面とが対向するように、前記第１基板と対向配置された第２基板と、
前記第１基板の前記第１主面と前記第２基板の前記第２主面との間に挟まれた液晶層と、
前記第１基板の前記第１主面に設けられた複数の画素と、
前記複数の画素の各々の内部で、前記第１基板の前記第１主面にそれぞれ設けられた複数の第１電極と、
前記第１基板の前記第１主面に設けられた第２電極と、
前記第２基板の前記第３主面に設けられた第１導体パターンと、
前記第２基板の前記第３主面上に、前記第１導体パターンを覆うように設けられた保護膜と、
前記保護膜上に設けられた導電層と、
を有し、
前記第１導体パターンのシート抵抗は、８Ω／ｓｑｕａｒｅ以下であり、
前記複数の画素の面積の総和に対する、前記複数の画素のうち平面視において前記第１導体パターンと重なる部分の面積の総和の比は、１〜２２％であり、
前記導電層のシート抵抗は、前記第１導体パターンのシート抵抗よりも高い、表示装置。
【請求項２】
請求項１記載の表示装置において、
前記保護膜の比抵抗は、前記導電層の比抵抗よりも高い、表示装置。
【請求項３】
請求項１記載の表示装置において、
前記保護膜の厚さは、前記第１導体パターンの厚さよりも厚い、表示装置。
【請求項４】
請求項１記載の表示装置において、
前記導電層のシート抵抗は、１×１０８〜１×１０１３Ω／ｓｑｕａｒｅである、表示装置。
【請求項５】
請求項１記載の表示装置において、
前記第１導体パターンは、前記第２基板の前記第３主面に設けられた複数の第３電極からなり、
前記表示装置は、さらに、前記複数の第３電極の各々の静電容量に基づいて入力位置を検出する検出部を有する、表示装置。
【請求項６】
請求項５記載の表示装置において、
前記複数の第３電極は、平面視において、互いに間隔を空けて設けられ、
前記第２電極は、平面視において、前記複数の第３電極の各々と重なるように設けられ、
前記検出部は、前記複数の第３電極の各々と前記第２電極との間の静電容量に基づいて入力位置を検出する、表示装置。
【請求項７】
請求項１記載の表示装置において、
前記第１導体パターンは、前記第２基板の前記第３主面の第１領域で、前記第２基板の前記第３主面に設けられ、
前記複数の画素は、平面視において、前記第２基板の前記第３主面の前記第１領域内に配置され、
前記表示装置は、さらに、前記第２基板の前記第３主面の領域であって、前記第１領域よりも前記第２基板の外周側の領域である第２領域で、前記第２基板の前記第３主面に設けられた第２導体パターンを有し、
前記保護膜は、前記第１領域および前記第２領域で、前記第１導体パターンおよび前記第２導体パターンを覆うように、設けられ、
前記第２導体パターンのシート抵抗は、８Ω／ｓｑｕａｒｅ以下であり、
前記第２領域の面積に対する、前記第２導体パターンの面積の比は、前記複数の画素の面積の総和に対する、前記複数の画素のうち平面視において前記第１導体パターンと重なる部分の面積の総和の比よりも大きく、
前記導電層のシート抵抗は、前記第２導体パターンのシート抵抗よりも高い、表示装置。
【請求項８】
請求項７記載の表示装置において、
前記第２導体パターンは、前記第２領域で、前記第２基板の前記第３主面に設けられた複数の第４電極からなり、
前記表示装置は、さらに、前記第２領域で、前記第２基板の前記第３主面に設けられた複数の電極端子を有し、
前記複数の第４電極は、前記複数の電極端子の各々とそれぞれ電気的に接続されている、表示装置。
【請求項９】
請求項７記載の表示装置において、
前記第１導体パターンは、前記第１領域で、前記第２基板の前記第３主面に設けられた複数の第５電極からなり、
前記表示装置は、さらに、前記複数の第５電極の各々の静電容量に基づいて入力位置を検出する検出部を有する、表示装置。
【請求項１０】
請求項９記載の表示装置において、
前記複数の第５電極は、平面視において、互いに間隔を空けて設けられ、
前記第２電極は、平面視において、前記複数の第５電極の各々と重なるように設けられ、
前記検出部は、前記複数の第５電極の各々と前記第２電極との間の静電容量に基づいて入力位置を検出する、表示装置。
【請求項１１】
第１主面を有する第１基板と、
第２主面と、前記第２主面と反対側の第３主面とを有し、前記第２主面と、前記第１基板の前記第１主面とが対向するように、前記第１基板と対向配置された第２基板と、
前記第１基板の前記第１主面と前記第２基板の前記第２主面との間に挟まれた液晶層と、
前記第１基板の前記第１主面に設けられた複数の画素と、
前記複数の画素の各々の内部で、前記第１基板の前記第１主面にそれぞれ設けられた複数の第１電極と、
前記第１基板の前記第１主面に設けられた第２電極と、
前記第２基板の前記第３主面に設けられた第１導体パターンと、
前記第２基板の前記第３主面上に、前記第１導体パターンを覆うように設けられた保護膜と、
を有し、
前記第１導体パターンのシート抵抗は、８Ω／ｓｑｕａｒｅ以下であり、
前記複数の画素の面積の総和に対する、前記複数の画素のうち平面視において前記第１導体パターンと重なる部分の面積の総和の比は、１〜２２％であり、
前記保護膜のシート抵抗は、前記第１導体パターンのシート抵抗よりも高い、表示装置。
【請求項１２】
請求項１１記載の表示装置において、
前記保護膜のシート抵抗は、１×１０８〜１×１０１３Ω／ｓｑｕａｒｅである、表示装置。
【請求項１３】
請求項１１記載の表示装置において、
前記保護膜は、導電性粒子を含有する樹脂からなる、表示装置。
【請求項１４】
請求項１１記載の表示装置において、
前記第１導体パターンは、前記第２基板の前記第３主面に設けられた複数の第３電極からなり、
前記表示装置は、さらに、前記複数の第３電極の各々の静電容量に基づいて入力位置を検出する検出部を有する、表示装置。
【請求項１５】
請求項１４記載の表示装置において、
前記複数の第３電極は、平面視において、互いに間隔を空けて設けられ、
前記第２電極は、平面視において、前記複数の第３電極の各々と重なるように設けられ、
前記検出部は、前記複数の第３電極の各々と前記第２電極との間の静電容量に基づいて入力位置を検出する、表示装置。
【請求項１６】
請求項１記載の表示装置において、
前記第１導体パターンは、金属層または合金層を含む、表示装置。
【請求項１７】
請求項１記載の表示装置において、
前記保護膜上に設けられた偏光板を有し、
前記偏光板は、偏光層と前記導電層とを含む複数の層がいずれかの順で積層された積層膜を含む、表示装置。
【請求項１８】
請求項１記載の表示装置において、
前記複数の第１電極の各々と前記第２電極との間に電界が形成されることにより、画像が表示される、表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は表示装置に関し、特に、液晶層を備えた表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置などの表示装置は、例えば、アレイ基板と、アレイ基板と対向配置された対向基板と、アレイ基板と対向基板との間に挟まれた液晶層と、を有する。アレイ基板または対向基板には、平面視において格子形状を有する遮光部が設けられており、この遮光部により複数の画素が区画されている。アレイ基板には、例えばスイッチング素子としての薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor；ＴＦＴ）が形成されている。
【０００３】
このような表示装置では、例えば、複数の画素の各々において、各画素に設けられた画素電極と、複数の画素に対して共通に設けられた共通電極との間に、電圧が印加されることにより、液晶層に電界が形成される。これにより、各画素において、画像データに基づいた表示が行われ、例えば、対向基板の外側に、画像が表示される。
【０００４】
このような表示装置として、静電気が加えられたときの画像の表示の乱れを低減するために、対向基板のアレイ基板と反対側に、導体パターンが設けられたものがある。
【０００５】
例えば、特開平０９−１０５９１８号公報（特許文献１）には、液晶表示パネルの表面の外部から静電気等の高い電位が加わった場合にあっても、表示の異常の発生を防止するために、液晶表示装置において、バックライトユニットに対して遠い側の透明基板の液晶層と反対側の面に透光性を備える導電層が形成される技術が記載されている。
【０００６】
また、特開２０１２−６３８３９号公報（特許文献２）には、静電気が印加された場合でも表示の乱れを低減するために、タッチ検出機能付き表示装置において、対向基板に設けられたタッチ検出電極と、タッチ検出電極と絶縁されまたは高抵抗で接続され、タッチ検出電極を覆うように配置された導電層と、を備える技術が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開平０９−１０５９１８号公報
【特許文献２】特開２０１２−６３８３９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
上記特許文献２記載の技術では、タッチ検出機能付き表示装置に印加された静電気は、導電層からタッチ検出電極に移動され、タッチ検出電極に移動された静電気は、タッチ検出機能付き表示装置の接地線などに移動される。このように、対向基板に導電層またはタッチ検出電極などの導体パターンが設けられることにより、表示装置に印加された静電気を、対向基板に設けられた導電層またはタッチ検出電極などの導体パターンを通して、表示装置の外部に逃がすことができる。また、表示装置の外部に静電気を容易に逃がすためには、導体パターンのシート抵抗を低くする必要がある。
【０００９】
このような対向基板に設けられた導体パターンが、例えば酸化インジウムスズ（Indium Tin Oxide；ＩＴＯ）または酸化インジウム亜鉛（Indium Zinc Oxide；ＩＺＯ）などの透明導電材料からなる場合、導体パターンのシート抵抗を低くするためには、導体パターンの厚さを厚くするか、導体パターンの面積率を大きくする必要がある。しかし、導体パターンの厚さを厚くしても、あるいは、導体パターンの面積率を大きくしても、表示装置の透過率が低下し、表示装置の光学特性が劣化する。したがって、光学特性を劣化させずに、静電気による画像の表示の乱れを低減することは、困難である。
【００１０】
本発明は、上述のような従来技術の問題点を解決すべくなされたものであって、光学特性を劣化させずに、静電気による画像の表示の乱れを低減することができる表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。
【００１２】
本発明の一態様としての表示装置は、第１主面を有する第１基板と、第２主面と、第２主面と反対側の第３主面とを有し、第２主面と、第１基板の第１主面とが対向するように、第１基板と対向配置された第２基板と、第１基板の第１主面と第２基板の第２主面との間に挟まれた液晶層と、を有する。また、当該表示装置は、第１基板の第１主面に設けられた複数の画素と、複数の画素の各々の内部で、第１基板の第１主面にそれぞれ設けられた複数の第１電極と、第１基板の第１主面に設けられた第２電極と、を有する。また、当該表示装置は、第２基板の第３主面に設けられた第１導体パターンと、第２基板の第３主面上に、第１導体パターンを覆うように設けられた保護膜と、保護膜上に設けられた導電層と、を有する。第１導体パターンのシート抵抗は、８Ω／ｓｑｕａｒｅ以下である。また、複数の画素の面積の総和に対する、複数の画素のうち平面視において第１導体パターンと重なる部分の面積の総和の比は、１〜２２％である。そして、導電層のシート抵抗は、第１導体パターンのシート抵抗よりも高い。
【００１３】
また、本発明の一態様としての表示装置は、第１主面を有する第１基板と、第２主面と、第２主面と反対側の第３主面とを有し、第２主面と、第１基板の第１主面とが対向するように、第１基板と対向配置された第２基板と、第１基板の第１主面と第２基板の第２主面との間に挟まれた液晶層と、を有する。また、当該表示装置は、第１基板の第１主面に設けられた複数の画素と、複数の画素の各々の内部で、第１基板の第１主面にそれぞれ設けられた複数の第１電極と、第１基板の第１主面に設けられた第２電極と、を有する。また、当該表示装置は、第２基板の第３主面に設けられた第１導体パターンと、第２基板の第３主面上に、第１導体パターンを覆うように設けられた保護膜と、を有する。第１導体パターンのシート抵抗は、８Ω／ｓｑｕａｒｅ以下である。また、複数の画素の面積の総和に対する、複数の画素のうち平面視において第１導体パターンと重なる部分の面積の総和の比は、１〜２２％である。そして、保護膜のシート抵抗は、第１導体パターンのシート抵抗よりも高い。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】実施の形態１の表示装置の一構成例を示すブロック図である。
【図２】タッチ検出デバイスに指が接触または近接した状態を表す説明図である。
【図３】タッチ検出デバイスに指が接触または近接した状態の等価回路の例を示す説明図である。
【図４】駆動信号および検出信号の波形の一例を示す図である。
【図５】実施の形態１の表示装置を実装したモジュールの一例を示す平面図である。
【図６】実施の形態１の表示装置のタッチ検出機能付き表示デバイスを示す断面図である。
【図７】実施の形態１の表示装置のタッチ検出機能付き表示デバイスを示す回路図である。
【図８】実施の形態１の表示装置の駆動電極および検出電極の一構成例を示す斜視図である。
【図９】実施の形態１の表示装置における検出電極の位置と画素の位置との関係の一例を模式的に示す平面図である。
【図１０】実施の形態１の表示装置における検出電極の位置と画素の位置との関係の他の例を模式的に示す平面図である。
【図１１】実施の形態１の表示装置における副画素の位置と検出電極の位置との関係の一例を模式的に示す平面図である。
【図１２】表１における面積率と検出値との関係を示すグラフである。
【図１３】実施の形態１の表示装置のタッチ検出機能付き表示デバイスにおける静電気の移動を模式的に示す断面図である。
【図１４】比較例７の表示装置のタッチ検出機能付き表示デバイスにおける静電気の移動を模式的に示す断面図である。
【図１５】導体パターンのシート抵抗と透過率との関係を模式的に示すグラフである。
【図１６】導体パターンの面積率と透過率との関係を模式的に示すグラフである。
【図１７】実施の形態２の表示装置を実装したモジュールの一例を示す平面図である。
【図１８】実施の形態２の表示装置のタッチ検出機能付き表示デバイスを示す断面図である。
【図１９】実施の形態２の表示装置のタッチ検出機能付き表示デバイスにおける静電気の移動を模式的に示す断面図である。
【図２０】実施の形態３の表示装置のタッチ検出機能付き表示デバイスを示す断面図である。
【図２１】実施の形態３の表示装置のタッチ検出機能付き表示デバイスにおける静電気の移動を模式的に示す断面図である。
【図２２】自己容量方式における検出電極の電気的な接続状態を表す説明図である。
【図２３】自己容量方式における検出電極の電気的な接続状態を表す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下に、本発明の各実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。
【００１６】
なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っても適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実施の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。
【００１７】
また本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。
【００１８】
さらに、実施の形態で用いる図面においては、断面図であっても図面を見やすくするためにハッチングを省略する場合もある。また、平面図であっても図面を見やすくするためにハッチングを付す場合もある。
【００１９】
また、以下の実施の形態において、Ａ〜Ｂとして範囲を示す場合には、特に明示した場合を除き、Ａ以上Ｂ以下を示すものとする。
【００２０】
（実施の形態１）
初めに、実施の形態１として、入力装置としてのタッチパネルを備えた表示装置を、インセルタイプのタッチ検出機能付き液晶表示装置に適用した例について説明する。なお、本願明細書では、入力装置とは、少なくとも電極に対して近接または接触する物体の容量に応じて変化する静電容量を検出する入力装置である。また、タッチ検出機能付き液晶表示装置とは、表示装置を形成するアレイ基板２および対向基板３のいずれか一方にタッチ検出用の検出電極が設けられた液晶表示装置である。また、本実施の形態１においては、駆動電極が、表示装置の駆動電極として動作し、かつ、入力装置の駆動電極として動作するように設けられている、という特徴を持つインセルタイプのタッチ検出機能付き表示装置について述べる。
【００２１】
＜全体構成＞
初めに、図１を参照し、実施の形態１の表示装置の全体構成について説明する。図１は、実施の形態１の表示装置の一構成例を示すブロック図である。
【００２２】
表示装置１は、タッチ検出機能付き表示デバイス１０と、制御部１１と、ゲートドライバ１２と、ソースドライバ１３と、駆動電極ドライバ１４と、タッチ検出部４０とを備えている。
【００２３】
タッチ検出機能付き表示デバイス１０は、表示デバイス２０と、タッチ検出デバイス３０とを有する。表示デバイス２０は、本実施の形態１では、表示素子として液晶表示素子を用いた表示デバイスとする。したがって、以下では、表示デバイス２０を、液晶表示デバイス２０と称する場合がある。タッチ検出デバイス３０は、静電容量方式のタッチ検出デバイス、すなわち静電容量型のタッチ検出デバイスである。そのため、表示装置１は、タッチ検出機能を有する入力装置を備えた表示装置である。また、タッチ検出機能付き表示デバイス１０は、液晶表示デバイス２０と、タッチ検出デバイス３０とを一体化した表示デバイスであり、タッチ検出機能を内蔵した表示デバイス、すなわちインセルタイプのタッチ検出機能付き表示デバイスである。
【００２４】
なお、タッチ検出機能付き表示デバイス１０は、表示デバイス２０の上に、タッチ検出デバイス３０を装着した表示デバイスであってもよい。
【００２５】
表示デバイス２０は、ゲートドライバ１２から供給される走査信号Ｖｓｃａｎに従って、表示領域において、１水平ラインずつ順次走査を行うことにより表示を行う。タッチ検出デバイス３０は、後述するように、静電容量型タッチ検出の原理に基づいて動作し、検出信号Ｖｄｅｔを出力する。
【００２６】
制御部１１は、外部より供給された映像信号Ｖｄｉｓｐに基づいて、ゲートドライバ１２、ソースドライバ１３、駆動電極ドライバ１４およびタッチ検出部４０に対してそれぞれ制御信号を供給し、これらが互いに同期して動作するように制御する回路である。
【００２７】
ゲートドライバ１２は、制御部１１から供給される制御信号に基づいて、タッチ検出機能付き表示デバイス１０の表示駆動の対象となる１水平ラインを順次選択する機能を有している。
【００２８】
ソースドライバ１３は、制御部１１から供給される画像信号Ｖｓｉｇの制御信号に基づいて、タッチ検出機能付き表示デバイス１０に含まれた副画素ＳＰｉｘ（後述する図７参照）に、画素信号Ｖｐｉｘを供給する回路である。
【００２９】
駆動電極ドライバ１４は、制御部１１から供給される制御信号に基づいて、タッチ検出機能付き表示デバイス１０に含まれた駆動電極ＣＯＭＬ（後述する図５または図６参照）に、駆動信号Ｖｃｏｍを供給する回路である。
【００３０】
タッチ検出部４０は、制御部１１から供給される制御信号と、タッチ検出機能付き表示デバイス１０のタッチ検出デバイス３０から供給された検出信号Ｖｄｅｔに基づいて、タッチ検出デバイス３０に対する指やタッチペンなどの入力具のタッチ、すなわち後述する接触または近接の状態、の有無を検出する回路である。そして、タッチ検出部４０は、タッチがある場合においてタッチ検出領域におけるその座標、すなわち入力位置などを求める回路である。タッチ検出部４０は、タッチ検出信号増幅部４２と、Ａ／Ｄ（Analog/Digital）変換部４３と、信号処理部４４と、座標抽出部４５と、検出タイミング制御部４６とを備えている。
【００３１】
タッチ検出信号増幅部４２は、タッチ検出デバイス３０から供給される検出信号Ｖｄｅｔを増幅する。タッチ検出信号増幅部４２は、検出信号Ｖｄｅｔに含まれる高い周波数成分、すなわちノイズ成分を除去し、タッチ成分を取り出してそれぞれ出力する低域通過アナログフィルタを備えていてもよい。
【００３２】
＜静電容量型タッチ検出の原理＞
次に、図１〜図４を参照し、本実施の形態１の表示装置１におけるタッチ検出の原理について説明する。図２は、タッチ検出デバイスに指が接触または近接した状態を表す説明図である。図３は、タッチ検出デバイスに指が接触または近接した状態の等価回路の例を示す説明図である。図４は、駆動信号および検出信号の波形の一例を示す図である。
【００３３】
図２に示すように、静電容量型タッチ検出においては、タッチパネルあるいはタッチセンサと呼ばれる入力装置は、誘電体Ｄを挟んで互いに対向配置された駆動電極Ｅ１および検出電極Ｅ２を有する。これらの駆動電極Ｅ１および検出電極Ｅ２により容量素子Ｃ１が形成されている。図３に示すように、容量素子Ｃ１の一端は、駆動信号源である交流信号源Ｓに接続され、容量素子Ｃ１の他端は、タッチ検出部である電圧検出器ＤＥＴに接続される。電圧検出器ＤＥＴは、例えば図１に示すタッチ検出信号増幅部４２に含まれる積分回路からなる。
【００３４】
交流信号源Ｓから容量素子Ｃ１の一端、すなわち駆動電極Ｅ１に、例えば数ｋＨｚ〜数百ｋＨｚ程度の周波数を有する交流矩形波Ｓｇが印加されると、容量素子Ｃ１の他端、すなわち検出電極Ｅ２側に接続された電圧検出器ＤＥＴを介して、出力波形である検出信号Ｖｄｅｔが発生する。なお、この交流矩形波Ｓｇは、例えば図４に示す駆動信号Ｖｃｏｍに相当するものである。
【００３５】
指が接触および近接していない状態、すなわち非接触状態では、図３に示すように、容量素子Ｃ１に対する充放電に伴って、容量素子Ｃ１の容量値に応じた電流Ｉ１が流れる。電圧検出器ＤＥＴは、交流矩形波Ｓｇに応じた電流Ｉ１の変動を、電圧の変動に変換する。この電圧の変動は、図４において、実線の波形Ｖ０で示されている。
【００３６】
一方、指が接触または近接した状態、すなわち接触状態では、指によって形成される静電容量Ｃ２の影響を受け、駆動電極Ｅ１および検出電極Ｅ２により形成される容量素子Ｃ１の容量値が小さくなる。そのため、図３に示す容量素子Ｃ１に流れる電流Ｉ１が変動する。電圧検出器ＤＥＴは、交流矩形波Ｓｇに応じた電流Ｉ１の変動を電圧の変動に変換する。この電圧の変動は、図４において、破線の波形Ｖ１で示されている。この場合、波形Ｖ１は、上述した波形Ｖ０と比べて振幅が小さくなる。これにより、波形Ｖ０と波形Ｖ１との電圧差分の絶対値｜ΔＶ｜は、指などの外部から近接する物体の影響に応じて変化することになる。なお、電圧検出器ＤＥＴは、波形Ｖ０と波形Ｖ１との電圧差分の絶対値｜ΔＶ｜を精度よく検出するため、回路内のスイッチングにより、交流矩形波Ｓｇの周波数に合わせて、コンデンサの充放電をリセットする期間Ｒｅｓｅｔを設けた動作とすることが好ましい。
【００３７】
図１に示す例では、タッチ検出デバイス３０は、駆動電極ドライバ１４から供給される駆動信号Ｖｃｏｍに従って、１つまたは複数の駆動電極ＣＯＭＬ（後述する図５または図６参照）に対応した１つの検出ブロックごとにタッチ検出を行う。すなわち、タッチ検出デバイス３０は、１つまたは複数の駆動電極ＣＯＭＬの各々に対応した１つの検出ブロックごとに、図３に示す電圧検出器ＤＥＴを介して、検出信号Ｖｄｅｔを出力し、出力した検出信号Ｖｄｅｔを、タッチ検出部４０のタッチ検出信号増幅部４２に供給する。
【００３８】
Ａ／Ｄ変換部４３は、駆動信号Ｖｃｏｍに同期したタイミングで、タッチ検出信号増幅部４２から出力されるアナログ信号をそれぞれサンプリングしてデジタル信号に変換する回路である。
【００３９】
信号処理部４４は、Ａ／Ｄ変換部４３の出力信号に含まれる、駆動信号Ｖｃｏｍをサンプリングした周波数以外の周波数成分、すなわちノイズ成分を低減するデジタルフィルタを備えている。信号処理部４４は、Ａ／Ｄ変換部４３の出力信号に基づいて、タッチ検出デバイス３０に対するタッチの有無を検出する論理回路である。信号処理部４４は、指による差分の電圧のみを取り出す処理を行う。この指による差分の電圧は、上述した波形Ｖ０と波形Ｖ１との差分の絶対値｜ΔＶ｜である。信号処理部４４は、１つの検出ブロック当たりの絶対値｜ΔＶ｜を平均化する演算を行い、絶対値｜ΔＶ｜の平均値を求めてもよい。これにより、信号処理部４４は、ノイズによる影響を低減できる。信号処理部４４は、検出した指による差分の電圧を所定のしきい値電圧と比較し、このしきい値電圧以上であれば、外部から近接する外部近接物体の接触状態と判断し、しきい値電圧未満であれば、外部近接物体の非接触状態と判断する。このようにして、タッチ検出部４０によるタッチ検出が行われる。
【００４０】
座標抽出部４５は、信号処理部４４においてタッチが検出されたときに、タッチが検出された位置の座標、すなわちタッチパネルにおける入力位置を求める論理回路である。検出タイミング制御部４６は、Ａ／Ｄ変換部４３と、信号処理部４４と、座標抽出部４５とが同期して動作するように制御する。座標抽出部４５は、タッチパネル座標を信号出力Ｖｏｕｔとして出力する。
【００４１】
＜モジュール＞
図５は、実施の形態１の表示装置を実装したモジュールの一例を示す平面図である。
【００４２】
図５に示すように、実施の形態１におけるタッチ検出機能付き表示デバイス１０は、基板２１と、基板３１と、複数の駆動電極ＣＯＭＬと、複数の検出電極ＴＤＬと、を有する。基板３１は、一方の主面としての上面と、上面と反対側の他方の主面としての下面と、を有する。ここで、基板３１の上面内または基板３１の下面内で、互いに交差、好適には直交する２つの方向を、Ｘ軸方向およびＹ軸方向とする。このとき、複数の駆動電極ＣＯＭＬは、平面視において、Ｘ軸方向にそれぞれ延在し、かつ、Ｙ軸方向に配列されている。また、複数の検出電極ＴＤＬは、平面視において、Ｙ軸方向にそれぞれ延在し、かつ、Ｘ軸方向に配列されている。
【００４３】
図７を用いて後述するように、複数の駆動電極ＣＯＭＬの各々は、平面視において、Ｘ軸方向に配列された複数の副画素ＳＰｉｘと重なるように設けられている。すなわち、１つの駆動電極ＣＯＭＬは、複数の副画素ＳＰｉｘに対して共通な電極として設けられている。
【００４４】
なお、本願明細書では、「平面視において」とは、基板３１または基板２１の主面としての上面に垂直な方向から視た場合を意味する。
【００４５】
図５に示す例では、タッチ検出機能付き表示デバイス１０は、平面視において、Ｘ軸方向にそれぞれ延在し、かつ、互いに対向する２つの辺と、Ｙ軸方向にそれぞれ延在し、かつ、互いに対向する２つの辺とを備え、矩形形状を有する。Ｙ軸方向におけるタッチ検出機能付き表示デバイス１０の一方の側には、端子部ＴＭが設けられている。端子部ＴＭと複数の検出電極ＴＤＬの各々との間は、それぞれ引き回し配線ＷＲＴにより電気的に接続されている。端子部ＴＭは、配線基板ＷＳと電気的に接続されており、配線基板ＷＳは、このモジュールの外部に実装されたタッチ検出部４０（図１参照）と接続されている。したがって、検出電極ＴＤＬは、引き回し配線ＷＲＴ、端子部ＴＭおよび配線基板ＷＳを介して、タッチ検出部４０と接続されている。
【００４６】
タッチ検出機能付き表示デバイス１０は、ＣＯＧ１９を有する。ＣＯＧ１９は、基板２１に実装されたチップであり、図１に示した制御部１１、ゲートドライバ１２、ソースドライバ１３など、表示動作に必要な各回路を内蔵したものである。また、ＣＯＧ１９は、駆動電極ドライバ１４を内蔵してもよい。ＣＯＧ１９と複数の駆動電極ＣＯＭＬの各々との間は、詳細な図示は省略するが、それぞれ引き回し配線ＷＲＣにより電気的に接続されている。
【００４７】
なお、基板２１および基板３１として、例えばガラス基板、または、例えば樹脂からなるフィルムなど、各種の、可視光に対して透明な基板を用いることができる。また、本願明細書では、「可視光に対して透明」とは、可視光に対する透過率が例えば９０％以上であることを意味し、可視光に対する透過率とは、例えば３８０〜７８０ｎｍの波長を有する光に対する透過率の平均値を意味する。また、透過率とは、タッチ検出機能付き表示デバイス１０（後述する図６参照）の裏面に照射された光のうち、表示領域Ａｄにおいて、タッチ検出機能付き表示デバイス１０の裏面と反対側の表面まで透過した光の割合を意味する。
【００４８】
＜タッチ検出機能付き表示デバイス＞
次に、図５〜図８を参照し、タッチ検出機能付き表示デバイス１０の構成例を詳細に説明する。図６は、実施の形態１の表示装置のタッチ検出機能付き表示デバイスを示す断面図である。図７は、実施の形態１の表示装置のタッチ検出機能付き表示デバイスを示す回路図である。図８は、実施の形態１の表示装置の駆動電極および検出電極の一構成例を示す斜視図である。図６は、図５のＡ−Ａ線に沿った断面図である。
【００４９】
タッチ検出機能付き表示デバイス１０は、アレイ基板２と、対向基板３と、偏光板４と、偏光板５と、液晶層６と、封止部７と、を有する。対向基板３は、アレイ基板２の主面としての上面と、対向基板３の主面としての下面とが対向するように、アレイ基板２と対向配置されている。偏光板４は、アレイ基板２を挟んで対向基板３と反対側に、設けられている。偏光板５は、対向基板３を挟んでアレイ基板２と反対側に、設けられている。液晶層６は、アレイ基板２と対向基板３との間に設けられている。すなわち、液晶層６は、基板２１の上面と基板３１の下面との間に挟まれている。アレイ基板２の外周部と対向基板３の外周部との間には、封止部７が設けられており、アレイ基板２と対向基板３との間の空間は、その空間の外周部を封止部により封止されている。そして、外周部が封止部により封止された空間には、液晶層６が封入されている。
【００５０】
アレイ基板２は、基板２１を有する。また、対向基板３は、基板３１を有する。
【００５１】
基板３１は、一方の主面としての上面と、上面と反対側の他方の主面としての下面と、を有し、基板２１の主面としての上面と、基板３１の主面としての下面とが対向するように、基板２１と対向配置されている。基板３１の上面は、上面の一部の領域である表示領域Ａｄと、上面の他の領域であって、表示領域Ａｄよりも基板２１の外周側に位置する領域である周辺領域Ａｓと、を含む。したがって、周辺領域Ａｓは、基板３１の上面の領域であって、周辺領域Ａｓよりも基板３１の外周側に位置する領域である。または、表示領域Ａｄおよび周辺領域Ａｓは、基板３１の他方の主面としての下面に含まれてもよい。
【００５２】
あるいは、表示領域Ａｄおよび周辺領域Ａｓは、基板２１の一方の主面としての上面に含まれてもよい。このとき、基板２１は、一方の主面としての上面を有し、基板２１の上面は、表示領域Ａｄと、表示領域Ａｄよりも基板２１の外周側に位置する領域である周辺領域Ａｓとを有する。したがって、周辺領域Ａｓは、基板２１の上面の領域であって、表示領域Ａｄよりも基板２１の外周側に位置する領域である。
【００５３】
図７に示すように、表示領域Ａｄで、基板２１には、複数の走査線ＧＣＬ、複数の信号線ＳＧＬ、および、複数の薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor；ＴＦＴ）であるＴＦＴ素子Ｔｒが形成されている。なお、図６では、走査線ＧＣＬ、信号線ＳＧＬおよびＴＦＴ素子Ｔｒの図示は、省略する。また、走査線は、ゲート配線を意味し、信号線は、ソース配線を意味する。
【００５４】
図７に示すように、複数の走査線ＧＣＬは、表示領域Ａｄで、Ｘ軸方向にそれぞれ延在し、かつ、Ｙ軸方向に配列されている。複数の信号線ＳＧＬは、表示領域Ａｄで、Ｙ軸方向にそれぞれ延在し、かつ、Ｘ軸方向に配列されている。したがって、複数の信号線ＳＧＬの各々は、平面視において、複数の走査線ＧＣＬと交差する。このように、平面視において、互いに交差する複数の走査線ＧＣＬと複数の信号線ＳＧＬとの交点に、副画素ＳＰｉｘが配置され、複数の異なる色の副画素ＳＰｉｘにより１つの画素Ｐｉｘが形成される。すなわち、複数の副画素ＳＰｉｘは、基板２１の上面に設けられ、平面視において、表示領域Ａｄ内に配置されており、Ｘ軸方向およびＹ軸方向にマトリクス状に配列されている。
【００５５】
平面視において、複数の走査線ＧＣＬの各々と複数の信号線ＳＧＬの各々とが交差する交差部には、ＴＦＴ素子Ｔｒが形成されている。したがって、表示領域Ａｄで、基板２１上には、複数のＴＦＴ素子Ｔｒが形成されており、これらの複数のＴＦＴ素子Ｔｒは、Ｘ軸方向およびＹ軸方向にマトリクス状に配列されている。すなわち、複数の副画素ＳＰｉｘの各々には、ＴＦＴ素子Ｔｒが設けられている。また、複数の副画素ＳＰｉｘの各々には、ＴＦＴ素子Ｔｒに加え、液晶素子ＬＣが設けられている。
【００５６】
ＴＦＴ素子Ｔｒは、例えばｎチャネル型のＭＯＳ（Metal Oxide Semiconductor）としての薄膜トランジスタからなる。ＴＦＴ素子Ｔｒのゲート電極は、走査線ＧＣＬに接続されている。ＴＦＴ素子Ｔｒのソース電極またはドレイン電極の一方は、信号線ＳＧＬに接続されている。ＴＦＴ素子Ｔｒのソース電極またはドレイン電極の他方は、液晶素子ＬＣの一端に画素電極２２を介して接続されている。液晶素子ＬＣは、例えば、一端がＴＦＴ素子Ｔｒのソース電極またはドレイン電極に接続され、他端が駆動電極ＣＯＭＬに接続されている。
【００５７】
図６に示すように、アレイ基板２は、基板２１と、複数の駆動電極ＣＯＭＬと、絶縁膜２４と、複数の画素電極２２とを有する。複数の駆動電極ＣＯＭＬは、平面視において、表示領域Ａｄの内部で、基板２１の一方の主面としての上面に設けられている。複数の駆動電極ＣＯＭＬの各々の表面を含めて基板２１の上面上には、絶縁膜２４が形成されている。表示領域Ａｄで、絶縁膜２４上には、複数の画素電極２２が形成されている。したがって、絶縁膜２４は、駆動電極ＣＯＭＬと画素電極２２とを、電気的に絶縁する。
【００５８】
図７に示すように、複数の画素電極２２は、平面視において、表示領域Ａｄの内部で、Ｘ軸方向およびＹ軸方向にマトリクス状に配列された複数の副画素ＳＰｉｘの各々の内部にそれぞれ形成されている。したがって、複数の画素電極２２は、Ｘ軸方向およびＹ軸方向にマトリクス状に配列されている。
【００５９】
図６に示す例では、複数の駆動電極ＣＯＭＬの各々は、基板２１と画素電極２２との間に形成されている。また、図７で模式的に示すように、複数の駆動電極ＣＯＭＬの各々は、平面視において、複数の画素電極２２と重なるように設けられている。そして、複数の画素電極２２の各々と複数の駆動電極ＣＯＭＬの各々との間に電圧が印加され、複数の画素電極２２の各々と複数の駆動電極ＣＯＭＬの各々との間、すなわち複数の副画素ＳＰｉｘの各々に設けられた液晶素子ＬＣに、電界が形成されることにより、表示領域Ａｄに画像が表示される。この際に駆動電極ＣＯＭＬと画素電極２２との間には容量Ｃａｐが形成され、容量Ｃａｐは保持容量として機能する。
【００６０】
このように、タッチ検出機能付き表示デバイス１０が液晶表示デバイス２０を含む場合には、液晶素子ＬＣと、複数の画素電極２２と、駆動電極ＣＯＭＬと、複数の走査線ＧＣＬと、複数の信号線ＳＧＬとにより、画像の表示を制御する表示制御部が形成される。表示制御部は、複数の画素電極２２の各々と駆動電極ＣＯＭＬとの間に印加される電圧を制御することにより、表示領域Ａｄにおける画像の表示を制御する。表示制御部は、アレイ基板２と対向基板３との間に設けられている。
【００６１】
なお、複数の駆動電極ＣＯＭＬの各々は、画素電極２２を挟んで基板２１と反対側に形成されていてもよい。また、図６に示す例では、駆動電極ＣＯＭＬと画素電極２２との配置が、駆動電極ＣＯＭＬと画素電極２２とが平面視で重なる、横電界モードとしてのＦＦＳ（Fringe Field Switching）モードにおける配置となっている。しかし、駆動電極ＣＯＭＬと画素電極２２との配置は、駆動電極ＣＯＭＬと画素電極２２とが平面視で重ならない、横電界モードとしてのＩＰＳ（In Plane Switching）モードにおける配置でもよい（実施の形態２および実施の形態３においても同様）。
【００６２】
液晶層６は、電界の状態に応じてそこを通過する光を変調するものであり、例えば、前述のＦＦＳモード、または、ＩＰＳモード等の横電界モードに対応した液晶層が用いられる。すなわち、液晶表示デバイス２０として、ＦＦＳモードまたはＩＰＳモード等の横電界モードによる液晶表示デバイスが用いられる。なお、図６に示す液晶層６とアレイ基板２との間、および、液晶層６と対向基板３との間には、それぞれ配向膜が設けられていてもよい（実施の形態２および実施の形態３においても同様）。
【００６３】
図７に示すように、Ｘ軸方向に配列された複数の副画素ＳＰｉｘ、すなわち液晶表示デバイス２０の同一の行に属する複数の副画素ＳＰｉｘは、走査線ＧＣＬにより互いに接続されている。走査線ＧＣＬは、ゲートドライバ１２（図１参照）と接続され、ゲートドライバ１２により走査信号Ｖｓｃａｎ（図１参照）が供給される。また、Ｙ軸方向に配列された複数の副画素ＳＰｉｘ、すなわち液晶表示デバイス２０の同一の列に属する複数の副画素ＳＰｉｘは、信号線ＳＧＬにより互いに接続されている。信号線ＳＧＬは、ソースドライバ１３（図１参照）と接続され、ソースドライバ１３により画素信号Ｖｐｉｘ（図１参照）が供給される。
【００６４】
駆動電極ＣＯＭＬは、駆動電極ドライバ１４（図５参照）と接続され、駆動電極ドライバ１４により駆動信号Ｖｃｏｍ（図１参照）が供給される。つまり、図７に示す例では、同一の行に属する複数の副画素ＳＰｉｘが１つの駆動電極ＣＯＭＬを共有するようになっている。複数の駆動電極ＣＯＭＬは、表示領域Ａｄで、Ｘ軸方向にそれぞれ延在し、かつ、Ｙ軸方向に配列されている。前述したように、複数の走査線ＧＣＬは、表示領域Ａｄで、Ｘ軸方向にそれぞれ延在し、かつ、Ｙ軸方向に配列されているため、複数の駆動電極ＣＯＭＬの各々が延在する方向は、複数の走査線ＧＣＬの各々が延在する方向と平行である。ただし、複数の駆動電極ＣＯＭＬの各々が延在する方向は限定されず、例えば、複数の駆動電極ＣＯＭＬの各々が延在する方向は、複数の信号線ＳＧＬの各々が延在する方向と平行な方向であってもよい。
【００６５】
図１に示すゲートドライバ１２は、走査信号Ｖｓｃａｎを、図７に示す走査線ＧＣＬを介して、各副画素ＳＰｉｘのＴＦＴ素子Ｔｒのゲート電極に印加することにより、液晶表示デバイス２０においてマトリクス状に形成された副画素ＳＰｉｘのうちの１行、すなわち１水平ラインを表示駆動の対象として順次選択する。図１に示すソースドライバ１３は、画素信号Ｖｐｉｘを、図７に示す信号線ＳＧＬを介して、ゲートドライバ１２により順次選択される１水平ラインを構成する複数の副画素ＳＰｉｘにそれぞれ供給する。そして、１水平ラインを構成する複数の副画素ＳＰｉｘにおいて、供給される画素信号Ｖｐｉｘに応じた表示が行われる。
【００６６】
図１に示す駆動電極ドライバ１４は、駆動信号Ｖｃｏｍを印加し、１つまたは複数の駆動電極ＣＯＭＬに対応した１つの検出ブロックごとに駆動電極ＣＯＭＬを駆動する。
【００６７】
液晶表示デバイス２０においては、ゲートドライバ１２が走査線ＧＣＬを時分割的に順次走査するように駆動することにより、副画素ＳＰｉｘが、１水平ラインずつ順次選択される。また、液晶表示デバイス２０においては、１水平ラインに属する副画素ＳＰｉｘに対して、ソースドライバ１３が画素信号Ｖｐｉｘを供給することにより、１水平ラインずつ表示が行われる。この表示動作を行う際、駆動電極ドライバ１４は、その１水平ラインに対応した駆動電極ＣＯＭＬを含む検出ブロックに対して、駆動信号Ｖｃｏｍを印加する。
【００６８】
本実施の形態１の表示装置１における駆動電極ＣＯＭＬは、液晶表示デバイス２０の駆動電極として動作し、かつ、タッチ検出デバイス３０の駆動電極として動作する。図８は、実施の形態１の表示装置の駆動電極および検出電極の一構成例を示す斜視図である。
【００６９】
タッチ検出デバイス３０は、アレイ基板２に設けられた複数の駆動電極ＣＯＭＬと、対向基板３に設けられた複数の検出電極ＴＤＬとを有する。複数の検出電極ＴＤＬは、平面視において、複数の駆動電極ＣＯＭＬの各々が延在する方向と交差する方向にそれぞれ延在する。言い換えれば、複数の検出電極ＴＤＬは、平面視において複数の駆動電極ＣＯＭＬとそれぞれ交差するように、互いに間隔を空けて配列されている。そして、複数の検出電極ＴＤＬの各々は、アレイ基板２に含まれる基板２１の上面に垂直な方向において、複数の駆動電極ＣＯＭＬの各々と対向している。言い換えれば、複数の駆動電極ＣＯＭＬの各々は、平面視において、複数の検出電極ＴＤＬの各々と重なるように設けられている。そして、複数の検出電極ＴＤＬの各々は、タッチ検出部４０のタッチ検出信号増幅部４２（図１参照）にそれぞれ接続されている。
【００７０】
複数の駆動電極ＣＯＭＬの各々と複数の検出電極ＴＤＬの各々との平面視における交差部には、静電容量が発生する。そして、複数の駆動電極ＣＯＭＬの各々と複数の検出電極ＴＤＬの各々との間の静電容量に基づいて、入力位置が検出される。すなわち、検出電極ＴＤＬが形成された基板３１（図６参照）のような電極基板と、駆動電極ＣＯＭＬとにより、入力位置を検出する検出部、すなわち入力装置が形成される。
【００７１】
このような構成により、タッチ検出デバイス３０では、タッチ検出動作を行う際、駆動電極ドライバ１４により、スキャン方向Ｓｃａｎに１つまたは複数の駆動電極ＣＯＭＬに対応した１つの検出ブロックが順次選択される。そして、選択された検出ブロックにおいて、駆動電極ＣＯＭＬには、駆動電極ＣＯＭＬと検出電極ＴＤＬとの間の静電容量を測定するための駆動信号Ｖｃｏｍが入力され、検出電極ＴＤＬから、入力位置を検出するための検出信号Ｖｄｅｔが出力される。このようにタッチ検出デバイス３０では、１検出ブロックごとにタッチ検出が行われるようになっている。つまり、１つの検出ブロックは、前述したタッチ検出の原理における駆動電極Ｅ１に対応し、検出電極ＴＤＬは、検出電極Ｅ２に対応している。
【００７２】
なお、表示動作の際の検出ブロックの範囲と、タッチ検出動作の際の検出ブロックの範囲とは、共通であってもよく、異なっていてもよい。
【００７３】
図８に示すように、平面視において、互いに交差した複数の駆動電極ＣＯＭＬと複数の検出電極ＴＤＬは、マトリクス状に配列された静電容量式タッチセンサを形成する。よって、タッチ検出デバイス３０のタッチ検出面全体を走査することにより、指などが接触または近接した位置を検出することが可能である。
【００７４】
なお、タッチ検出デバイス３０として、駆動電極として動作する共通電極と、検出電極とが設けられた相互容量方式のタッチ検出デバイス３０には限定されない。例えば、後述する図２２および図２３を用いて説明するように、タッチ検出デバイス３０として、検出電極のみが設けられた、自己容量方式のタッチ検出デバイス３０を適用することができる。この自己容量方式では、検出電極ＴＤＬが、検出回路と切り離され、電源と電気的に接続された時に、検出電極ＴＤＬに電荷量が蓄積される。次に、検出電極ＴＤＬが電源から切り離され、検出回路と電気的に接続された時に、検出回路に流れ出る電荷量を検出する。すなわち、検出部は、複数の検出電極ＴＤＬの各々の静電容量に基づいて、入力位置を検出する。
【００７５】
ここで、検出電極ＴＤＬに指が接触または近接した場合、指による容量により、検出電極ＴＤＬの静電容量が変化し、検出電極ＴＤＬが検出回路と接続された時に、検出回路に流れ出る電荷量が変化する。したがって、流れ出る電荷量を検出回路により測定して検出電極ＴＤＬの静電容量の変化を検出することにより、検出電極ＴＤＬに指が接触または近接したか否かを判定することができる。
【００７６】
図６に示すように、対向基板３は、基板３１と、カラーフィルタ層３２と、導体パターンＣＢ１と、保護膜３３と、を有する。
【００７７】
基板３１は、前述したように、主面としての上面と、上面と反対側の主面としての下面とを有している。カラーフィルタ層３２は、基板３１の下面に設けられている。導体パターンＣＢ１は、基板３１の上面に設けられている。導体パターンＣＢ１は、複数の、電極としての検出電極ＴＤＬからなる。複数の検出電極ＴＤＬの各々は、タッチ検出デバイス３０（図１参照）の検出電極であり、平面視において、表示領域Ａｄの内部で、基板３１の上面に設けられている。保護膜３３は、基板３１の上面上に、複数の検出電極ＴＤＬを覆うように設けられている。
【００７８】
カラーフィルタ層３２として、例えば赤（Ｒ）、緑（Ｇ）および青（Ｂ）の３色に着色されたカラーフィルタ層がＸ軸方向に配列される。これにより、図７に示すように、Ｒ、ＧおよびＢの３色の色領域３２Ｒ、３２Ｇおよび３２Ｂの各々にそれぞれ対応した複数の副画素ＳＰｉｘが形成され、１組の色領域３２Ｒ、３２Ｇおよび３２Ｂの各々にそれぞれ対応した複数の副画素ＳＰｉｘにより１つの画素Ｐｉｘが形成される。画素Ｐｉｘは、走査線ＧＣＬが延在する方向（Ｘ軸方向）、および、信号線ＳＧＬが延在する方向（Ｙ軸方向）に沿って、マトリクス状に配列されている。また、画素Ｐｉｘがマトリクス状に配列された領域が、例えば前述した表示領域Ａｄである。なお、表示領域Ａｄの周辺に、ダミー画素が設けられたダミー領域が設けられていてもよい。
【００７９】
カラーフィルタ層３２の色の組み合わせとして、Ｒ、ＧおよびＢ以外の他の色を含む複数の色の組み合わせでもよい。また、カラーフィルタ層３２は、設けられていなくてもよい。あるいは、１つの画素Ｐｉｘが、カラーフィルタ層３２が設けられていない副画素ＳＰｉｘ、すなわち白色の副画素ＳＰｉｘを含んでもよい。また、ＣＯＡ（Color filter On Array）技術により、カラーフィルタ層がアレイ基板２に設けられていてもよい。
【００８０】
複数の検出電極ＴＤＬからなる導体パターンＣＢ１は、例えばＩＴＯまたはＩＺＯなどの可視光に対して透明な透明導電材料の比抵抗よりも低い比抵抗を有する低抵抗材料からなる。また、低抵抗材料からなる導体パターンＣＢ１のシート抵抗は、８Ω／ｓｑｕａｒｅ以下である。このような場合、複数の検出電極ＴＤＬからなる導体パターンＣＢ１が、例えばＩＴＯまたはＩＺＯなどの透明導電材料からなる場合に比べ、導体パターンＣＢ１の厚さをそれほど厚くすることなく、静電気を逃がすことができる。したがって、表示領域Ａｄで表示される画像が黄色に着色することを防止しつつ、静電気を、タッチ検出機能付き表示デバイス１０の外部に容易に逃がすことができる。なお、シート抵抗の単位Ω／ｓｑｕａｒｅは、単位Ω／□と同一の単位である。
【００８１】
また、導体パターンＣＢ１のシート抵抗は、好適には、０．０４Ω／ｓｑｕａｒｅ以上である。導体パターンＣＢ１のシート抵抗が０．０４Ω／ｓｑｕａｒｅ未満の場合、導体パターンＣＢ１の厚さが厚くなりすぎるおそれがある。
【００８２】
また、後述する図１１、図１２および表１を用いて説明するが、複数の副画素ＳＰｉｘの面積の総和に対する、複数の副画素ＳＰｉｘのうち平面視において導体パターンＣＢ１と重なる部分の面積の総和の比は、１〜２２％である。これにより、可視光に対する透過率を９０％以上にし、かつ、導体パターンＣＢ１を検出電極ＴＤＬとして用いる場合のタッチ検出の検出信号のＳ／Ｎ比を向上させることができる。
【００８３】
保護膜３３の厚さＴＨ１は、導体パターンＣＢ１の厚さＴＨ２よりも厚い。これにより、保護膜３３により、導体パターンＣＢ１を覆うことができる。また、導体パターンＣＢ１に含まれる複数の検出電極ＴＤＬの各々と、導電層５２との間の距離が長くなるので、複数の検出電極ＴＤＬの各々と、導電層５２との間の容量ＣＰ１（後述する図１３参照）が小さくなる。したがって、表示装置１に加えられた静電気が導電層５２に移動する際に、複数の検出電極ＴＤＬの各々と、導電層５２との間に蓄えられる電荷を少なくすることができる。
【００８４】
なお、保護膜３３の厚さＴＨ１とは、導体パターンＣＢ１に含まれる検出電極ＴＤＬ上に位置する部分の保護膜３３の厚さではなく、例えば基板３１の上面と保護膜３３の上面との距離など、検出電極ＴＤＬ上に位置する部分以外の部分の保護膜３３の厚さを意味する。
【００８５】
偏光板５は、接着層５１と、導電層５２と、カバー層５３と、偏光層５４と、カバー層５５と、を含む。偏光板５は、保護膜３３上に設けられている。
【００８６】
偏光層５４は偏光機能を有する層である。偏光層５４は、例えばポリビニルアルコール（Polyvinyl alcohol；ＰＶＡ）を主成分として含有する絶縁膜からなり、その主成分であるＰＶＡに、例えばヨウ素を含有する化合物の分子を吸着配向させることにより、形成されている。
【００８７】
偏光層５４の保護膜３３側とは反対側の面には、偏光層５４の保護膜３３側とは反対側の面を覆うように、カバー層５５が形成されている。カバー層５５は、例えばトリアセチルセルロース（Triacetylcellulose；ＴＡＣ）を主成分として含有する。なお、図示は省略するが、カバー層５５上には、ハードコート層が形成されていてもよい。また、偏光層５４の、保護膜３３側の面には、保護膜３３側の面を覆うように、カバー層５３が形成されている。カバー層５３は、カバー層５５と同様に、例えばＴＡＣを主成分として含有している。
【００８８】
カバー層５３の保護膜３３側には、導電層５２が形成されている。導電層５２は、可視光に対して透明な有機導電膜を形成することによって導電機能を持っている。後述する図１３を用いて説明するように、導電層５２は、偏光板５の表面に静電気が加えられたときの画像の表示の乱れを低減する。あるいは、導電層５２は、偏光板５の表面に静電気が加えられたときのタッチ検出感度の低下を、防止または抑制する。
【００８９】
導電層５２の比抵抗は、保護膜３３の比抵抗よりも低い。すなわち、保護膜３３の比抵抗は、導電層５２の比抵抗よりも高い。これにより、静電気が発生して導電層５２が帯電する際に、導電層５２に蓄えられる電荷が、導電層５２内に均一に分布しやすくなる。
【００９０】
また、導電層５２のシート抵抗は、導体パターンＣＢ１のシート抵抗よりも高い。これにより、検出信号ＶｄｅｔのＳ／Ｎ比を向上させることができる。
【００９１】
導電層５２の保護膜３３側には、接着層５１が形成されている。接着層５１は、偏光板５の導電層５２を保護膜３３と接着している。
【００９２】
このように、偏光板５は、絶縁膜からなる偏光層５４と、導電性を有する導電層５２と、を含む複数の層がいずれかの順で積層された積層膜５６を含む。積層膜５６は、保護膜３３上に、接着層５１を介して設けられている。また、図６に示す例では、導電層５２は、保護膜３３上に、接着層５１を介して設けられている。
【００９３】
なお、偏光板５が導電層５２を含まないものでもよい。このとき、保護膜３３上に、偏光板５に含まれた導電層５２に代え、偏光板５には含まれない導電層が形成されてもよい。
【００９４】
＜検出電極の形状および配置＞
次に、図５、図６、図９および図１０を参照し、検出電極の形状および配置について説明する。図９は、実施の形態１の表示装置における検出電極の位置と画素の位置との関係の一例を模式的に示す平面図である。図１０は、実施の形態１の表示装置における検出電極の位置と画素の位置との関係の他の例を模式的に示す平面図である。
【００９５】
図９に示す例では、表示領域Ａｄ内では、複数の画素ＰｉｘがＸ軸方向およびＹ軸方向にマトリクス状に配列されている。複数の画素Ｐｉｘの各々は、Ｘ軸方向に配列された複数の副画素ＳＰｉｘを含む。したがって、複数の副画素ＳＰｉｘは、表示領域Ａｄ内で、Ｘ軸方向およびＹ軸方向にマトリクス状に配列されている。図９に示す例では、画素Ｐｉｘは、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）およびＢ（青）の３色の各々の色を表示する３種の副画素ＳＰｉｘを含む。したがって、画素Ｐｉｘは、Ｒ、ＧおよびＢの３色の色領域３２Ｒ、３２Ｇおよび３２Ｂの各々にそれぞれ対応した複数の副画素ＳＰｉｘを含む。なお、副画素ＳＰｉｘが表示する色の種類は３種類に限られない。例えば、画素Ｐｉｘは、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）およびＷ（白）の４色の各々の色を表示する４種の副画素ＳＰｉｘを含んでもよい。
【００９６】
複数の副画素ＳＰｉｘは、走査線ＧＣＬが延在する方向（Ｘ軸方向）、および、信号線ＳＧＬが延在する方向（Ｙ軸方向）に沿って、マトリクス状に配列されている。走査線ＧＣＬおよび信号線ＳＧＬ、または、走査線ＧＣＬおよび信号線ＳＧＬを覆うように形成されている遮光部ＢＭ１およびＢＭ２（後述する図１１参照）は、光の透過を抑制する。
【００９７】
図５および図９に示す例では、複数の検出電極ＴＤＬの各々は、３つの導電線ＭＬを有する。導電線ＭＬは、平面視において、交互に逆方向に屈曲しながら全体としてＹ軸方向に延在するジグザグ形状を有する。また、導電線ＭＬは、平面視において、Ｘ軸方向に配列されている。これにより、走査線ＧＣＬのパターンまたは信号線ＳＧＬのパターンと、検出電極ＴＤＬのパターンが干渉し、モアレなどの明暗の縞模様が観察されることを防止または抑制することができる。
【００９８】
前述したように、導体パターンＣＢ１は、透明導電材料の比抵抗よりも低い比抵抗を有する低抵抗材料からなる。また、低抵抗材料からなる導体パターンＣＢ１のシート抵抗は、８Ω／ｓｑｕａｒｅ以下である。
【００９９】
好適には、導体パターンＣＢ１は、金属層または合金層を含む。したがって、導体パターンＣＢ１に含まれる複数の導電線ＭＬの各々も、好適には、金属層または合金層を含む。これにより、複数の導電線ＭＬの各々の導電性を向上させることができるので、検出電極ＴＤＬの検出感度または検出速度を向上させることができる。また、タッチ検出機能付き表示デバイス１０の外部から加えられた静電気を、導電線ＭＬを通して、容易に逃がすことができる。
【０１００】
さらに好適には、複数の導電線ＭＬの各々は、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）およびタングステン（Ｗ）からなる群から選ばれた１種以上の金属からなる金属層または合金層を含む。これにより、複数の導電線ＭＬの各々の導電性をさらに向上させることができるので、検出電極ＴＤＬによる検出感度または検出速度をさらに向上させることができる。また、タッチ検出機能付き表示デバイス１０の外部から加えられた静電気を、導電線ＭＬを通して、さらに容易に逃がすことができる。
【０１０１】
金属は、可視光に対して遮光性を有する。ここで、「可視光に対して遮光性を有する」とは、可視光に対する透過率が例えば１０％以下であることを意味する。したがって、金属層または合金層を含む複数の導電線ＭＬの各々の可視光に対する透過率は、１０％以下であってもよい。後述するように、本実施の形態１では、複数の副画素ＳＰｉｘの面積の総和に対する、複数の副画素ＳＰｉｘのうち平面視において複数の検出電極ＴＤＬおよび複数のダミー電極ＴＤＤのいずれかと重なる部分の面積の総和の比は、１〜２２％である。このような場合、複数の導電線ＭＬ自体の可視光に対する透過率が１０％以下であっても、表示領域Ａｄ全体としての透過率、すなわち表示装置１の透過率を、９０％以上にすることができる。
【０１０２】
図５に示すように、複数の検出電極ＴＤＬの各々は、接続部ＣＮＢ１と、接続部ＣＮＴ１とを含む。接続部ＣＮＢ１は、隣り合う導電線ＭＬのＹ軸方向における一方の側（図５中下側）の端部同士を電気的に接続する。接続部ＣＮＴ１は、隣り合う導電線ＭＬのＹ軸方向における一方の側と反対側（図５中上側）の端部同士を電気的に接続する。また、接続部ＣＮＢ１は、引き回し配線ＷＲＴを介して図１に示すタッチ検出部４０に接続される。したがって、各検出電極ＴＤＬに含まれる複数の導電線ＭＬは、接続部ＣＮＢ１および引き回し配線ＷＲＴを介して図１に示すタッチ検出部４０に接続される。
【０１０３】
このように、複数の検出電極ＴＤＬの各々は、Ｘ軸方向に配列され、互いに並列に接続された複数の導電線ＭＬを含むことができる。これにより、検出電極ＴＤＬの電気抵抗を低減することができるので、検出電極ＴＤＬにより検出動作を行う際に、検出感度または検出速度を向上させることができる。
【０１０４】
図９に示すように、好適には、導体パターンＣＢ１は、複数の検出電極ＴＤＬおよび複数のダミー電極ＴＤＤからなる。複数のダミー電極ＴＤＤの各々は、例えば、互いに離れて形成された２つの検出電極ＴＤＬの間に、設けられている。複数のダミー電極ＴＤＤの各々は、平面視において、交互に逆方向に屈曲しながら全体としてＹ軸方向に延在するジグザグ形状を有する導電線が、それぞれの屈曲部で切断されて分割されることにより形成されている。これにより、走査線ＧＣＬのパターンまたは信号線ＳＧＬのパターンと、ダミー電極ＴＤＤのパターンが干渉し、モアレなどの明暗の縞模様が観察されることを防止または抑制することができる。
【０１０５】
前述したように、導体パターンＣＢ１は、透明導電材料の比抵抗よりも低い比抵抗を有する低抵抗材料からなるが、好適には、導体パターンＣＢ１は、金属層または合金層を含む。したがって、導体パターンＣＢ１に含まれる複数のダミー電極ＴＤＤの各々も、好適には、金属層または合金層を含む。すなわち、ダミー電極ＴＤＤを、導電線ＭＬに含まれる金属層または合金層と同種の金属層または合金層を含むものとすることができる。したがって、遮光性を有する検出電極ＴＤＬが形成されていない領域にダミー電極ＴＤＤが形成されることにより、表示領域Ａｄ全体における明るさにムラが生じることを防止または抑制することができ、検出電極ＴＤＬが識別されることを防止または抑制することができる。
【０１０６】
一方、図１０に示す例でも、図９に示す例と同様に、表示領域Ａｄ内では、複数の画素ＰｉｘがＸ軸方向およびＹ軸方向にマトリクス状に配列されている。また、画素Ｐｉｘは、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）およびＢ（青）の３色の色領域３２Ｒ、３２Ｇおよび３２Ｂの各々にそれぞれ対応した複数の副画素ＳＰｉｘを含む。したがって、複数の副画素ＳＰｉｘは、表示領域Ａｄ内で、Ｘ軸方向およびＹ軸方向にマトリクス状に配列されている。
【０１０７】
図１０に示す例でも、図９に示す例と同様に、複数の副画素ＳＰｉｘは、走査線ＧＣＬが延在する方向（Ｘ軸方向）、および、信号線ＳＧＬが延在する方向（Ｙ軸方向）に沿って、マトリクス状に配列されている。走査線ＧＣＬおよび信号線ＳＧＬ、または、走査線ＧＣＬおよび信号線ＳＧＬを覆うように形成されている遮光部ＢＭ１およびＢＭ２（後述する図１１参照）は、光の透過を抑制する。
【０１０８】
図１０に示す例では、複数の検出電極ＴＤＬの各々は、２つの導電線ＭＬ１と、２つの導電線ＭＬ２とを有し、メッシュ形状を有する。導電線ＭＬ１および導電線ＭＬ２の各々は、平面視において、交互に逆方向に屈曲しながら全体としてＹ軸方向に延在するジグザグ形状を有する。また、導電線ＭＬ１と導電線ＭＬ２とは、Ｘ軸方向において隣り合う。そして、Ｘ軸方向において隣り合う導電線ＭＬ１および導電線ＭＬ２の互いに逆方向に屈曲する部分同士が結合されている。これにより、走査線ＧＣＬのパターンまたは信号線ＳＧＬのパターンと、検出電極ＴＤＬのパターンが干渉し、モアレなどの明暗の縞模様が観察されることを防止または抑制することができる。
【０１０９】
図１０に示す例における複数の導電線ＭＬ１および複数の導電線ＭＬ２を、図９に示す例における導電線ＭＬに含まれる金属層または合金層と同種の金属層または合金層を含むものとすることができる。また、図１０に示す例でも、図９に示す例と同様に、複数の導電線ＭＬ１および複数の導電線ＭＬ２を、接続部ＣＮＢ１（図５参照）と、接続部ＣＮＴ１（図５参照）とにより電気的に接続することができる。
【０１１０】
図１０に示す例でも、図９に示す例と同様に、本実施の形態１の表示装置１は、複数のダミー電極ＴＤＤを有する。複数のダミー電極ＴＤＤの各々は、例えば、互いに離れて形成された２つの検出電極ＴＤＬの間に、設けられている。複数のダミー電極ＴＤＤの各々は、平面視において、交互に逆方向に屈曲しながら全体としてＹ軸方向に延在するジグザグ形状を有する導電線が、それぞれの屈曲部で切断されて分割されることにより形成されている。これにより、走査線ＧＣＬのパターンまたは信号線ＳＧＬのパターンと、ダミー電極ＴＤＤのパターンが干渉し、モアレなどの明暗の縞模様が観察されることを防止または抑制することができる。
【０１１１】
図１０に示す例でも、図９に示す例と同様に、ダミー電極ＴＤＤを、導電線ＭＬ１および導電線ＭＬ２に含まれる金属層または合金層と同種の金属層または合金層を含むものとすることができる。したがって、遮光性を有する検出電極ＴＤＬが形成されていない領域にダミー電極ＴＤＤが形成されることにより、表示領域Ａｄ全体における明るさにムラが生じることを防止または抑制することができ、検出電極ＴＤＬが識別されることを防止または抑制することができる。
【０１１２】
なお、検出電極ＴＤＬは、ジグザグ形状およびメッシュ形状以外の形状、例えば並び方に一定の規則性があるものの、どこまでいっても周期性がなく充填できるパターンの形状を有していてもよい。このような形状の例として、結晶を定義づける並進対称性は持たないが、原子配列に高い秩序性を有する準結晶において、各原子位置を結ぶことにより形成されるパターンが挙げられる。
【０１１３】
＜検出電極およびダミー電極の面積率＞
図１１は、実施の形態１の表示装置における副画素の位置と検出電極の位置との関係の一例を模式的に示す平面図である。
【０１１４】
図１１に示すように、複数の副画素ＳＰｉｘのうち平面視において複数の検出電極ＴＤＬおよび複数のダミー電極ＴＤＤのいずれかと重なる副画素ＳＰｉｘについて考える。Ｘ軸方向における副画素ＳＰｉｘの幅を幅ＷＤ１とし、Ｙ軸方向における副画素ＳＰｉｘの長さを長さＬＮ１とする。また、Ｘ軸方向における副画素ＳＰｉｘの幅ＷＤ１は、Ｙ軸方向における副画素ＳＰｉｘの長さＬＮ１よりも小さいものとする。このとき、１つの副画素ＳＰｉｘの面積Ｓ１は、下記式（１）
Ｓ１＝ＷＤ１×ＬＮ１                      （１）
により示される。
【０１１５】
一方、１つの副画素ＳＰｉｘのうち平面視において複数の検出電極ＴＤＬおよび複数のダミー電極ＴＤＤのいずれかと重なる部分ＰＲＴ１の面積を面積Ｓ２とし、副画素ＳＰｉｘの面積Ｓ１に対する面積Ｓ２の比を比率Ｒ１とする。このとき、比率Ｒ１は、下記式（２）
Ｒ１＝Ｓ２／Ｓ１                          （２）
により示される。
【０１１６】
なお、表示装置１（図５参照）は、図１１に示すように、複数の遮光部ＢＭ１と、複数の遮光部ＢＭ２とを有する。複数の遮光部ＢＭ１の各々は、平面視において、走査線ＧＣＬ（図７参照）と重なるように形成されており、Ｘ軸方向に延在し、可視光に対して遮光性を有する。複数の遮光部ＢＭ２の各々は、平面視において、信号線ＳＧＬ（図７参照）と重なるように形成されており、Ｙ軸方向に延在し、可視光に対して遮光性を有する。複数の遮光部ＢＭ１と複数の遮光部ＢＭ２とは、平面視において互いに交差し、平面視において互いに交差した複数の遮光部ＢＭ１と複数の遮光部ＢＭ２とは、格子形状を有する。そして、平面視において互いに交差し、格子形状を有する複数の遮光部ＢＭ１と複数の遮光部ＢＭ２とにより、複数の副画素ＳＰｉｘがそれぞれ区画されている。したがって、副画素ＳＰｉｘの面積Ｓ１とは、遮光部ＢＭ１および遮光部ＢＭ２により囲まれた領域の面積を意味し、遮光部ＢＭ１の面積および遮光部ＢＭ２の面積を含まない。
【０１１７】
また、複数の検出電極ＴＤＬのいずれとも重ならず、かつ、複数のダミー電極ＴＤＤのいずれとも重ならない副画素ＳＰｉｘにおいては、面積Ｓ２が０になる。したがって、上記式（２）により示される比率Ｒ１は、０になる。
【０１１８】
表示領域Ａｄ全体において、Ｘ軸方向およびＹ軸方向にマトリクス状に配列された複数の副画素ＳＰｉｘの各々の面積Ｓ１の総和を面積Ｓ３とする。そして、表示領域Ａｄ全体において、複数の副画素ＳＰｉｘのうち、平面視において、複数の検出電極ＴＤＬおよび複数のダミー電極ＴＤＤからなる導体パターンＣＢ１と重なる部分ＰＲＴ１の面積の総和を面積Ｓ４とし、面積Ｓ３に対する面積Ｓ４の比を面積率Ｒ２とする。このとき、面積率Ｒ２は、下記式（３）
Ｒ２＝Ｓ４／Ｓ３                          （３）
により示される。
【０１１９】
本実施の形態１の表示装置１では、上記式（３）に示す面積率Ｒ２が、１〜２２％である。すなわち、本実施の形態１の表示装置１では、複数の副画素ＳＰｉｘのうち平面視において複数の検出電極ＴＤＬおよび複数のダミー電極ＴＤＤからなる導体パターンＣＢ１と重なる部分の面積の総和の、複数の副画素ＳＰｉｘの面積の総和に対する比は、１〜２２％である。これにより、複数の導電線ＭＬ自体の可視光に対する透過率が１０％以下であっても、表示領域Ａｄ全体としての透過率、すなわち表示装置１の透過率を、９０％以上にすることができる。また、検出信号Ｖｄｅｔ（図４参照）の検出値が小さくなることを、防止または抑制することができる。したがって、入力装置を備えた表示装置において、表示領域における可視光に対する透過率を向上させ、入力装置の検出性能を向上させることができる。
【０１２０】
なお、表示領域Ａｄ内で、ダミー電極ＴＤＤが設けられず、検出電極ＴＤＬのみが設けられていてもよい。すなわち、導体パターンＣＢ１が、検出電極ＴＤＬのみからなるものであってもよい。このとき、面積Ｓ２は、１つの副画素ＳＰｉｘのうち平面視において複数の検出電極ＴＤＬのいずれかと重なる部分ＰＲＴ１の面積であり、面積Ｓ４は、複数の副画素ＳＰｉｘのうち平面視において複数の検出電極ＴＤＬのいずれかと重なる部分ＰＲＴ１の面積の総和である。また、面積率Ｒ２は、複数の副画素ＳＰｉｘのうち平面視において複数の検出電極ＴＤＬのいずれかと重なる部分の面積の総和の、複数の副画素ＳＰｉｘの面積の総和に対する比である。そして、ダミー電極ＴＤＤが設けられず、検出電極ＴＤＬのみが設けられる場合においても、同様に、面積率Ｒ２は、１〜２２％である。すなわち、ダミー電極ＴＤＤが設けられず、検出電極ＴＤＬのみが設けられる場合における導体パターンＣＢ１の面積率Ｒ２の好適な範囲は、検出電極ＴＤＬおよびダミー電極ＴＤＤが設けられる場合における導体パターンＣＢ１の面積率Ｒ２の好適な範囲と同様である。
【０１２１】
ここで、実施の形態１の表示装置１の場合、すなわち検出電極ＴＤＬがジグザグ形状を有する導電線ＭＬを有する場合における、検出電極ＴＤＬの面積率の好適な範囲について説明する。ここでは、面積率Ｒ２が０．４９〜２４．５８％の範囲になるように、複数の表示装置を用意した。そして、各表示装置を用いて、表示領域Ａｄにおける透過率、検出信号の検出値、および、視認性の評価を行った。
【０１２２】
面積率Ｒ２が１％未満の場合を比較例１〜３とし、面積率Ｒ２が１〜２２％の場合を実施例１〜２５とし、面積率Ｒ２が２２％を超える場合を、比較例４〜６とした。そして、視認性の評価として、検出電極ＴＤＬまたはダミー電極ＴＤＤで可視光が反射されることにより、表示領域Ａｄに表示される画像の視認性に問題が発生せず良好であるか否か、すなわち反射見栄えが良いか否かを評価した。
【０１２３】
具体的には、検出電極ＴＤＬがジグザグ形状を有する場合には、検出電極ＴＤＬまたはダミー電極ＴＤＤで可視光が反射されることにより、表示領域Ａｄに表示される画像に、検出電極ＴＤＬまたはダミー電極ＴＤＤがスジ状に、すなわち線状に見えるか否か、すなわち反射スジが観察されるか否かを評価した。その評価結果を、表１に示す。また、表１における面積率と検出値との関係を、図１２のグラフに示す。図１２の横軸は、面積率Ｒ２を示し、図１２の縦軸は、検出値を示す。
【０１２４】
【表１】
2016004183.tif 000003
【０１２５】
表１では、表示領域Ａｄに表示される画像に反射スジが観察されず、画像の視認性が良好である場合を、「◎」により表記した。また、表示領域Ａｄに表示される画像に反射スジが観察されるが、この反射スジが目立たないものであり、画像の視認性が許容できる場合を、「〇（反射スジ）」により表記した。さらに、表示領域Ａｄに表示される画像に反射スジが観察され、その反射スジが目立つものであり、画像の視認性が許容できない場合を、「△（反射スジ）」により表記した。
【０１２６】
表１に示すように、面積率Ｒ２が０．４９〜２４．５８％の場合（比較例１〜３、実施例１〜２５および比較例４〜６）、面積率Ｒ２の増加に伴って、表示領域Ａｄにおける透過率が減少する。すなわち、複数の副画素ＳＰｉｘのうち平面視において複数の検出電極ＴＤＬおよび複数のダミー電極ＴＤＤからなる導体パターンＣＢ１のいずれかと重なる部分の面積の総和の、複数の副画素ＳＰｉｘの面積の総和に対する比が増加するのに伴って、表示領域Ａｄにおける透過率が減少する。一方、表示領域Ａｄにおける透過率が９０％以上であることが望ましい。したがって、好適には、面積率Ｒ２は２２％以下である。
【０１２７】
また、表１および図１２に示すように、面積率Ｒ２が１．２〜２４．５８％の場合（実施例３〜２５および比較例４〜６）、検出値は、面積率Ｒ２に依存せず、一定である。これは、面積率Ｒ２が１．２〜２４．５８％の場合、導電線ＭＬと駆動電極ＣＯＭＬとの間の静電容量における、タッチの有無による差分が、面積率Ｒ２に依存せず、一定であるためと考えられる。
【０１２８】
ところが、面積率Ｒ２が１．０％以上１．２％未満の場合（実施例１および２）、面積率Ｒ２の減少に伴って、検出値が減少し始め、さらに面積率Ｒ２が０．４９％以上１．０％未満の場合（比較例１〜３）、面積率Ｒ２の減少に伴って、検出値が急激に減少する。これは、面積率Ｒ２が減少することにより、導電線ＭＬと駆動電極ＣＯＭＬとの間の静電容量が減少し、検出信号Ｖｄｅｔの強度が小さくなるためと考えられる。
【０１２９】
さらに、表１に示すように、面積率が０．４９〜５％の場合（比較例１〜３および実施例１〜１２）、表示領域Ａｄに表示される画像に反射スジは観察されず、視認性は良好である。また、面積率が５％を超え１１％以下の場合（実施例１３〜１９）、表示領域Ａｄに表示される画像に反射スジが観察されるが、反射スジは目立たず、画像の視認性は許容できる。そして、面積率が１１％を超える場合（実施例２０〜２５および比較例４〜６）、表示領域Ａｄに表示される画像に反射スジが観察され、反射スジが目立ち、画像の視認性は許容できない。
【０１３０】
比較例１〜３、実施例１〜２５および比較例４〜６の結果から、複数の副画素ＳＰｉｘのうち平面視において複数の検出電極ＴＤＬおよび複数のダミー電極ＴＤＤのいずれかと重なる部分の面積の総和の、複数の副画素ＳＰｉｘの面積の総和に対する比、すなわち面積率Ｒ２は、好適には、１〜２２％である。
【０１３１】
面積率Ｒ２が１％未満の場合、検出信号Ｖｄｅｔの検出値が極めて小さくなるおそれがある。また、面積率Ｒ２が２２％を超える場合、表示領域Ａｄにおける透過率が９０％未満となるおそれがある。一方、面積率Ｒ２が１〜２２％であることにより、検出信号Ｖｄｅｔの検出値があまり小さくならないようにしつつ、表示領域Ａｄにおける透過率を９０％以上にすることができる。したがって、入力装置を備えた表示装置において、表示領域における可視光に対する透過率を向上させ、入力装置の検出性能を向上させることができる。
【０１３２】
また、検出電極ＴＤＬがジグザグ形状を有する導電線ＭＬを有する場合、より好適には、面積率Ｒ２は、１〜１１％である。これにより、表示領域Ａｄに表示される画像に反射スジが観察され、画像の視認性が低下することを、防止または抑制することができる。
【０１３３】
そして、検出電極ＴＤＬがジグザグ形状を有する導電線ＭＬを有する場合、さらに好適には、面積率Ｒ２は、１．２〜５％である。これにより、表示領域Ａｄに表示される画像に反射スジが観察され、画像の視認性が低下することを、さらに防止または抑制することができる。
【０１３４】
なお、実施例１〜２５および比較例１〜６では、検出電極ＴＤＬの面積とダミー電極ＴＤＤの面積との比率を１：２とした状態で、面積率Ｒ２を変化させた。一方、検出電極ＴＤＬの面積とダミー電極ＴＤＤの面積との比率を各種の値に変えた場合でも、上記の結果と同様の結果が得られた。また、ダミー電極ＴＤＤが設けられず、検出電極ＴＤＬのみが設けられた場合でも、上記の結果と同様の結果が得られた。したがって、ダミー電極ＴＤＤが設けられず、検出電極ＴＤＬのみからなる導体パターンＣＢ１が設けられる場合における面積率Ｒ２の好適な範囲も、検出電極ＴＤＬおよびダミー電極ＴＤＤからなる導体パターンＣＢ１が設けられる場合における面積率Ｒ２の好適な範囲と同様である。
【０１３５】
＜タッチ検出機能付き表示デバイスにおける静電気の移動＞
次に、タッチ検出機能付き表示デバイス１０における静電気の移動を説明する。図１３は、実施の形態１の表示装置のタッチ検出機能付き表示デバイスにおける静電気の移動を模式的に示す断面図である。
【０１３６】
タッチ検出機能付き表示デバイス１０では、タッチ検出機能付き表示デバイス１０の外部から、例えば偏光板５の表面であるカバー層５５などに静電気ＳＥが加えられたときに、この静電気ＳＥは、まず、カバー層５５、偏光層５４およびカバー層５３を通して、導電層５２に移動される。導電層５２に静電気ＳＥが移動された時には、静電気ＳＥは、複数の検出電極ＴＤＬの各々と、導電層５２との間にそれぞれ形成された複数の容量ＣＰ１の分布に応じて、導電層５２中に配置される。その後、静電気ＳＥは、抵抗ＲＳ１を有する保護膜３３を通して、複数の検出電極ＴＤＬの各々に移動される。
【０１３７】
複数の検出電極ＴＤＬの各々に移動された静電気ＳＥは、その検出電極ＴＤＬ、引き回し配線ＷＲＴ、端子部ＴＭおよび配線基板ＷＳ（図５参照）を通して移動される。そして、配線基板ＷＳを通して移動された静電気ＳＥは、タッチ検出部４０の入力端子に接続された抵抗ＲＳ０（図１参照）またはＥＳＤ（Electro-Static Discharge）保護回路（図示は省略）を通して、タッチ検出機能付き表示デバイス１０の接地線などに移動される。これにより、タッチ検出機能付き表示デバイス１０に加えられた静電気ＳＥを、タッチ検出機能付き表示デバイス１０の外部に逃がすことができる。
【０１３８】
導電層５２が設けられない場合には、タッチ検出機能付き表示デバイス１０の外部から加えられた静電気により、例えば偏光板５の表面が帯電し、その静電気に起因する電界により、液晶層６の液晶分子の配向状態が乱れ、画像の表示が乱れるおそれがある。
【０１３９】
一方、導電層５２が設けられることにより、タッチ検出機能付き表示デバイス１０の外部から加えられた静電気をタッチ検出機能付き表示デバイス１０の外部に容易に逃がすことができるので、タッチ検出機能付き表示デバイス１０に静電気が加えられたときの画像の表示の乱れを低減することができる。
【０１４０】
好適には、導電層５２は、図６に示したように、表示領域Ａｄの全領域で、対向基板３の表面を覆うように配置されている。これにより、表示領域Ａｄの全領域で、タッチ検出機能付き表示デバイス１０に加えられた静電気を、タッチ検出機能付き表示デバイス１０の外部に容易に逃がすことができるので、タッチ検出機能付き表示デバイス１０に静電気が加えられたときの画像の表示の乱れを容易に低減することができる。
【０１４１】
また、導電層５２は、表示領域Ａｄの全領域を含んだ領域で、対向基板３に含まれる基板３１の上面を覆うように配置されてもよい。例えば、導電層５２が、周辺領域Ａｓで、対向基板３に含まれる基板３１の上面に設けられた回路（図示は省略）を覆うように、配置されてもよい。これにより、タッチ検出機能付き表示デバイス１０の製造時に静電気が加えられた場合でも、周辺領域Ａｓで、対向基板３に含まれる基板３１の上面に設けられた回路の破壊を防ぐことができる。また、タッチ検出機能付き表示デバイス１０の使用時に静電気が加えられた場合でも、周辺領域Ａｓで、対向基板３に含まれる基板３１の上面に設けられた回路の誤動作を低減することができる。
【０１４２】
導電層５２に移動された静電気が、複数の検出電極ＴＤＬの各々と、導電層５２との間にそれぞれ形成された複数の容量ＣＰ１の分布に応じて、導電層５２中で容易に配置されるように、導電層５２の抵抗は、十分に低いことが望ましい。すなわち、導電層５２の抵抗には、ＥＳＤ対策の観点から、上限値がある。
【０１４３】
例えば、導電層５２のシート抵抗が１×１０１３Ω／ｓｑｕａｒｅを超える場合、導電層５２に移動された静電気が、複数の容量ＣＰ１の分布に応じて、導電層５２中で容易に配置されにくくなる。したがって、導電層５２のシート抵抗が、１×１０１３Ω／ｓｑｕａｒｅ以下であることが好ましい。これにより、導電層５２中で静電気を容易に移動することができるので、導電層５２に移動された静電気が、複数の検出電極ＴＤＬの各々と、導電層５２との間にそれぞれ形成された複数の容量ＣＰ１の分布に応じて、導電層５２中で容易に配置される。
【０１４４】
一方、導電層５２の抵抗が低すぎると、タッチ検出感度が低下するおそれがある。タッチ検出機能付き表示デバイス１０は、図８に示したように、駆動電極ＣＯＭＬと検出電極ＴＤＬとの間の静電容量が外部近接物体により変化することを利用してタッチを検出するものである。よって、検出電極ＴＤＬと外部近接物体との間に配置される導電層５２の抵抗が低すぎる場合には、その導電層５２がシールドとして機能してしまい、上述した静電容量が外部近接物体によって変化しにくくなってしまう。言い換えれば、検出信号Ｖｄｅｔにおいて、タッチの有無を示すタッチ成分がシールドにより減衰し、Ｓ／Ｎ比が低下し、タッチ検出感度が低下してしまう。このように、導電層５２の抵抗には、タッチ検出感度の観点から、下限値がある。
【０１４５】
また、検出信号Ｖｄｅｔが導電層５２により減衰しないようにするためには、すなわちＳ／Ｎ比を高くするためには、例えば、図４に示したように、駆動信号Ｖｃｏｍの遷移に応じて検出信号Ｖｄｅｔが変化したときに、導電層５２の電圧の変化が十分に小さくなるようにする必要がある。ここで、導電層５２の時定数τが大きいほど、導電層５２の電圧の変化が小さくなる。よって、検出信号ＶｄｅｔのＳ／Ｎ比を高くするためには、導電層５２の時定数τが十分大きいことが、必要である。
【０１４６】
例えば、導電層５２のシート抵抗が導体パターンＣＢ１のシート抵抗以下の場合、検出信号ＶｄｅｔのＳ／Ｎ比が著しく低下する。したがって、導電層５２のシート抵抗が、導体パターンＣＢ１のシート抵抗よりも高いことが好ましい。これにより、検出信号ＶｄｅｔのＳ／Ｎ比を向上させることができる。
【０１４７】
また、導電層５２のシート抵抗が導体パターンＣＢ１のシート抵抗より高い場合であっても、導電層５２のシート抵抗が１×１０８Ω／ｓｑｕａｒｅ未満の場合には、検出信号ＶｄｅｔのＳ／Ｎ比が低下し、導電層５２の時定数τが小さくなるおそれがある。したがって、導電層５２のシート抵抗が、１×１０８Ω／ｓｑｕａｒｅ以上であることが、より好ましい。これにより、検出信号ＶｄｅｔのＳ／Ｎ比を確実に向上させることが、できる。
【０１４８】
したがって、導電層５２のシート抵抗は、好適には、１×１０８〜１×１０１３Ω／ｓｑｕａｒｅである。
【０１４９】
なお、前述したように、導電層５２が、表示領域Ａｄの全領域で、対向基板３に含まれる基板３１の上面を覆うように配置されている場合には、表示領域Ａｄ内のどの部分にタッチが行われても、導電層５２のＳ／Ｎ比への影響は同じになる。これにより、タッチ検出機能付き表示デバイス１０において、タッチ位置の違いによるタッチ検出感度のばらつきを小さくすることができる。
【０１５０】
＜静電気の移動のしやすさと透過率との関係＞
次に、タッチ検出機能付き表示デバイスに加えられた静電気の移動のしやすさと透過率との関係について、比較例７のタッチ検出機能付き表示デバイス１１０と比較しながら説明する。図１４は、比較例７の表示装置のタッチ検出機能付き表示デバイスにおける静電気の移動を模式的に示す断面図である。図１５は、導体パターンのシート抵抗と透過率との関係を模式的に示すグラフである。図１６は、導体パターンの面積率と透過率との関係を模式的に示すグラフである。図１５および図１６は、導体パターンが透明導電材料からなる場合（比較例７）と、導体パターンが、透明導電材料よりも低い比抵抗を有する低抵抗材料からなる場合（実施の形態１）とを示す。なお、図１５では、比較例７における導体パターンＣＢ１０１の面積率と、実施の形態１における導体パターンＣＢ１の面積率とが略等しい場合を示している。
【０１５１】
比較例７の表示装置１０１では、タッチ検出機能付き表示デバイス１１０は、アレイ基板２と、対向基板３と、偏光板４と、偏光板５と、液晶層６と、封止部７と、を有する。比較例７の表示装置１０１におけるアレイ基板２、偏光板４、偏光板５、液晶層６および封止部７は、実施の形態１の表示装置１におけるアレイ基板２、偏光板４、偏光板５、液晶層６および封止部７と同様である。
【０１５２】
一方、比較例７の表示装置１０１では、対向基板３は、基板３１と、カラーフィルタ層３２と、導体パターンＣＢ１０１と、保護膜３３とを有する。比較例７の表示装置１０１における基板３１、カラーフィルタ層３２および保護膜３３は、実施の形態１の表示装置１における基板３１、カラーフィルタ層３２および保護膜３３と同様である。
【０１５３】
比較例７の表示装置１０１では、導体パターンＣＢ１０１は、複数の検出電極ＴＤＬ１００および複数のダミー電極ＴＤＤ１００からなる。また、導体パターンＣＢ１０１は、例えばＩＴＯまたはＩＺＯなどの透明導電材料からなる。
【０１５４】
比較例７でも、実施の形態１と同様に、タッチ検出機能付き表示デバイス１１０の外部から、例えば偏光板５の表面であるカバー層５５などに静電気ＳＥが加えられたときに、静電気ＳＥは、まず、カバー層５５、偏光層５４およびカバー層５３を通して、導電層５２に移動される。導電層５２に静電気ＳＥが移動された時には、静電気ＳＥは、複数の検出電極ＴＤＬ１００の各々と、導電層５２との間にそれぞれ形成された複数の容量ＣＰ１０１の分布に応じて、導電層５２中に配置される。その後、静電気ＳＥは、抵抗ＲＳ１０１を有する保護膜３３を通して、検出電極ＴＤＬ１００に移動される。
【０１５５】
ところが、比較例７では、検出電極ＴＤＬ１００は、例えばＩＴＯおよびＩＺＯなどの透明導電材料からなる。ＩＴＯまたはＩＺＯなどの透明導電材料の比抵抗は、例えばアルミニウム（Ａｌ）または銅（Ｃｕ）などの金属の比抵抗よりも１０倍以上、すなわち１桁以上高い。そのため、検出電極ＴＤＬ１００のシート抵抗を容易に低くすることができない。
【０１５６】
したがって、検出電極ＴＤＬ１００に移動された静電気ＳＥを、検出電極ＴＤＬ１００を通して、タッチ検出機能付き表示デバイス１１０の外部に移動することは、困難である。すなわち、タッチ検出機能付き表示デバイス１１０では、タッチ検出機能付き表示デバイス１１０に加えられた静電気ＳＥを、タッチ検出機能付き表示デバイス１１０の外部に逃がすことは、困難である。
【０１５７】
前述したように、透明導電材料の比抵抗は、例えば金属層などの低抵抗材料の比抵抗よりも１０倍以上、すなわち１桁以上高い。したがって、比較例７のタッチ検出機能付き表示デバイス１１０では、タッチ検出機能付き表示デバイス１１０の外部に静電気ＳＥを容易に逃がすために、検出電極ＴＤＬ１００のシート抵抗を低くする必要があり、検出電極ＴＤＬ１００の厚さを厚くする必要がある。すなわち、比較例７のタッチ検出機能付き表示デバイス１１０では、複数の検出電極ＴＤＬ１００および複数のダミー電極ＴＤＤ１００からなる導体パターンＣＢ１０１の厚さを厚くすることにより、導体パターンＣＢ１０１のシート抵抗を低くする必要がある。
【０１５８】
ところが、図１５に示すように、導体パターンＣＢ１０１のシート抵抗を低くするほど、すなわち、導体パターンＣＢ１０１の厚さを厚くするほど、比較例７のタッチ検出機能付き表示デバイス１１０の透過率が低下し、タッチ検出機能付き表示デバイス１１０の光学特性が劣化する。
【０１５９】
また、比較例７では、タッチ検出機能付き表示デバイス１１０の外部に静電気ＳＥを容易に逃がすために、検出電極ＴＤＬ１００の面積率を大きくする必要がある。すなわち、比較例７のタッチ検出機能付き表示デバイス１１０では、複数の検出電極ＴＤＬ１００および複数のダミー電極ＴＤＤ１００からなる導体パターンＣＢ１０１の面積率を大きくする必要がある。
【０１６０】
ところが、図１６に示すように、導体パターンＣＢ１０１の面積率を大きくするほど、比較例７のタッチ検出機能付き表示デバイス１１０の透過率が低下し、タッチ検出機能付き表示デバイス１１０の光学特性が劣化する。
【０１６１】
さらに、導体パターンＣＢ１０１が、例えばＩＴＯおよびＩＺＯなどの透明導電材料からなる場合、可視光が導体パターンＣＢ１０１中を通過する際に、可視光のうち、例えば２００〜３８０ｎｍの範囲の波長を有する紫外光と、例えば３８０〜４９５ｎｍの範囲の波長を有する紫色光および青色光とが、吸収される。そのため、導体パターンＣＢ１０１が、例えばＩＴＯおよびＩＺＯなどの透明導電材料からなる場合、比較例７のタッチ検出機能付き表示デバイス１１０を透過した光は、黄色に着色される。
【０１６２】
したがって、導体パターンＣＢ１０１の厚さを厚くするほど、すなわち、導体パターンＣＢ１０１のシート抵抗を低くするほど、タッチ検出機能付き表示デバイス１１０の透過率が低下するとともに、タッチ検出機能付き表示デバイス１１０を透過した光が黄色に着色され、タッチ検出機能付き表示デバイス１１０の光学特性が劣化する。また、導体パターンＣＢ１０１の面積率を大きくするほど、タッチ検出機能付き表示デバイス１１０の透過率が低下するとともに、タッチ検出機能付き表示デバイス１１０を透過した光が黄色に着色され、タッチ検出機能付き表示デバイス１１０の光学特性が劣化する。したがって、比較例７のタッチ検出機能付き表示デバイス１１０では、光学特性を劣化させずに、静電気による画像の表示の乱れを低減することは、困難である。
【０１６３】
なお、比較例７の表示装置１０１が、入力装置としてのタッチパネルを備えていない場合には、導体パターンＣＢ１０１に含まれる導電線ＭＬは、検出電極ではないので、導電線ＭＬの静電容量に基づいて、入力位置は、検出されない。しかし、このような場合でも、導体パターンＣＢ１０１が、例えばＩＴＯおよびＩＺＯなどの透明導電材料からなる場合、導体パターンＣＢ１０１を通して静電気を逃がしやすくするためには、導体パターンＣＢ１０１の厚さを厚くするか、導体パターンＣＢ１０１の面積率を大きくする必要がある。しかし、導体パターンＣＢ１０１の厚さを厚くしても、導体パターンＣＢ１０１の面積率を大きくしても、表示装置１０１の透過率が低下し、表示装置１０１の光学特性が劣化する。したがって、光学特性を劣化させずに、静電気による画像の表示の乱れを低減することは、困難である。
【０１６４】
＜本実施の形態の主要な特徴と効果＞
本実施の形態１のタッチ検出機能付き表示デバイス１０は、基板３１の表面に設けられた導体パターンＣＢ１と、基板３１の上面上に、導体パターンＣＢ１を覆うように設けられた保護膜３３と、保護膜３３上に設けられた導電層５２と、を有する。導体パターンＣＢ１のシート抵抗は、８Ω／ｓｑｕａｒｅ以下である。また、複数の副画素ＳＰｉｘの面積の総和に対する、複数の副画素ＳＰｉｘのうち平面視において導体パターンＣＢ１と重なる部分の面積の総和の比は、１〜２２％である。そして、導電層５２のシート抵抗は、導体パターンＣＢ１のシート抵抗よりも高い。
【０１６５】
これにより、タッチ検出機能付き表示デバイス１０の外部から加えられた静電気をタッチ検出機能付き表示デバイス１０の外部に容易に逃がすことができるので、タッチ検出機能付き表示デバイス１０に静電気が加えられたときの画像の表示の乱れを低減することができる。また、タッチ検出機能付き表示デバイス１０の製造時に静電気が加えられた場合でも、周辺領域Ａｓで、対向基板３に含まれる基板３１の上面に設けられた回路の破壊を防ぐことができる。また、タッチ検出機能付き表示デバイス１０の使用時に静電気が加えられた場合でも、周辺領域Ａｓで、対向基板３に含まれる基板３１の上面に設けられた回路の誤動作を低減することができる。
【０１６６】
本実施の形態１でも、図１５に示すように、導体パターンＣＢ１の厚さを厚くするほど、すなわち、導体パターンＣＢ１のシート抵抗を低くするほど、タッチ検出機能付き表示デバイス１０の透過率が低下する。また、前述したように、透明導電材料は、可視光に対して透明であるが、金属は、可視光に対して遮光性を有する。したがって、図１５に示すように、導体パターンＣＢ１０１の面積率と、導体パターンＣＢ１の面積率とが略等しい場合であって、シート抵抗が等しいときは、比較例７におけるタッチ検出機能付き表示デバイス１１０の透過率は、本実施の形態１におけるタッチ検出機能付き表示デバイス１０の透過率よりも大きい。
【０１６７】
しかし、例えば金属層などの低抵抗材料の比抵抗は、透明導電材料の比抵抗の１０分の１以下であり、１桁以上低い。そのため、導体パターンＣＢ１のシート抵抗を導体パターンＣＢ１０１のシート抵抗よりも低くした状態でも、導体パターンＣＢ１の面積率を、導体パターンＣＢ１０１の面積率よりも容易に低くすることができる。そして、図１６に示すように、導体パターンＣＢ１の面積率を２２％以下にすることにより、タッチ検出機能付き表示デバイス１０の透過率を９０％以上にすることができる。これは、図１１、図１２および表１を用いて前述した通りである。
【０１６８】
このように、本実施の形態１のタッチ検出機能付き表示デバイス１０では、例えば金属層などの低抵抗材料の比抵抗が、透明導電材料の比抵抗よりも十分低いので、タッチ検出機能付き表示デバイス１０の外部に静電気を容易に逃がすために、検出電極ＴＤＬの厚さをそれほど厚くする必要がない。すなわち、本実施の形態１のタッチ検出機能付き表示デバイス１０では、タッチ検出機能付き表示デバイス１０の外部に静電気を容易に逃がすために、導体パターンＣＢ１の厚さを厚くする必要がない。そのため、タッチ検出機能付き表示デバイス１０の透過率が低下しにくい。
【０１６９】
また、本実施の形態１のタッチ検出機能付き表示デバイス１０では、例えば金属層などの低抵抗材料の比抵抗が、透明導電材料の比抵抗よりも低いので、タッチ検出機能付き表示デバイス１０の外部に静電気を容易に逃がすために、検出電極ＴＤＬの面積率を大きくする必要がない。すなわち、本実施の形態１のタッチ検出機能付き表示デバイス１０では、タッチ検出機能付き表示デバイス１０の外部に静電気を容易に逃がすために、導体パターンＣＢ１の面積率を大きくする必要がない。そのため、タッチ検出機能付き表示デバイス１０の透過率が低下しにくい。
【０１７０】
よって、本実施の形態１では、導体パターンＣＢ１に含まれる低抵抗材料の比抵抗が、透明導電材料の比抵抗よりも低いので、導体パターンＣＢ１の厚さを厚くする必要がなく、導体パターンＣＢ１の面積率を大きくする必要がない。そのため、本実施の形態１では、タッチ検出機能付き表示デバイス１０の可視光に対する透過率が９０％未満に低下することを防止するとともに、タッチ検出機能付き表示デバイス１０を透過した可視光が黄色に着色されることを防止または抑制することができる。したがって、本実施の形態１によれば、光学特性を劣化させずに、静電気による画像の表示の乱れを低減することができる。
【０１７１】
なお、本実施の形態１の表示装置１が、入力装置としてのタッチパネルを備えていなくてもよい。このような場合には、表示装置１は、入力位置を検出する検出部を含んでおらず、導体パターンＣＢ１に含まれる導電線ＭＬは、検出電極ではないので、導電線ＭＬの静電容量に基づいて、入力位置は、検出されない。しかし、このような場合でも、本実施の形態１の表示装置によれば、光学特性を劣化させずに、静電気による画像の表示の乱れを低減することができる。
【０１７２】
（実施の形態２）
実施の形態１では、タッチ検出機能付き表示デバイスの外部から加えられた静電気を、表示領域に設けられた導体パターンを通して、表示装置の外部に逃がす。それに対して、実施の形態２では、タッチ検出機能付き表示デバイスの外部から加えられた静電気を、表示領域に設けられた導体パターン、および、周辺領域に設けられた導体パターンを通して、表示装置の外部に逃がす。
【０１７３】
本実施の形態２の表示装置における全体構成は、実施の形態１の表示装置における全体構成と同様にすることができ、その説明を省略する。
【０１７４】
＜タッチ検出機能付き表示デバイス＞
図１７は、実施の形態２の表示装置を実装したモジュールの一例を示す平面図である。図１８は、実施の形態２の表示装置のタッチ検出機能付き表示デバイスを示す断面図である。図１９は、実施の形態２の表示装置のタッチ検出機能付き表示デバイスにおける静電気の移動を模式的に示す断面図である。図１８および図１９は、図１７のＡ−Ａ線に沿った断面図である。なお、図１７では、引き回し配線ＷＲＣ（図５参照）の図示を省略している。
【０１７５】
図１７に示すように、本実施の形態２におけるタッチ検出機能付き表示デバイス１０は、実施の形態１と同様に、基板２１と、基板３１と、複数の駆動電極ＣＯＭＬと、複数の検出電極ＴＤＬと、を有する。
【０１７６】
また、図１８に示すように、本実施の形態２におけるタッチ検出機能付き表示デバイス１０は、アレイ基板２と、対向基板３と、偏光板４と、偏光板５と、液晶層６と、封止部７と、を有する。本実施の形態２におけるアレイ基板２、偏光板４、偏光板５、液晶層６および封止部７については、実施の形態１におけるアレイ基板２、偏光板４、偏光板５、液晶層６および封止部７の各部分と同様であり、それらの説明を省略する。
【０１７７】
本実施の形態２では、対向基板３は、基板３１と、カラーフィルタ層３２と、導体パターンＣＢ１と、保護膜３３とを有する。本実施の形態２における基板３１、カラーフィルタ層３２、導体パターンＣＢ１、および、表示領域Ａｄにおける保護膜３３は、実施の形態１における基板３１、カラーフィルタ層３２、導体パターンＣＢ１、および、表示領域Ａｄにおける保護膜３３と同様である。
【０１７８】
本実施の形態２では、実施の形態１と異なり、対向基板３は、導体パターンＣＢ１に加え、導体パターンＣＢ２を有する。導体パターンＣＢ２は、複数の、電極としての配線ＷＥＬからなる。複数の配線ＷＥＬの各々は、周辺領域Ａｓで、基板３１の上面に設けられている。
【０１７９】
保護膜３３は、表示領域Ａｄおよび周辺領域Ａｓで、設けられている。表示領域Ａｄで、保護膜３３は、基板３１の上面上に、複数の検出電極ＴＤＬを覆うように設けられている。また、周辺領域Ａｓで、保護膜３３は、基板３１の上面上に、複数の配線ＷＥＬを覆うように設けられている。
【０１８０】
偏光板５は、表示領域Ａｄおよび周辺領域Ａｓで、保護膜３３上に設けられている。したがって、導電層５２は、表示領域Ａｄおよび周辺領域Ａｓで、保護膜３３上に、接着層５１を介して設けられている。
【０１８１】
また、導電層５２のシート抵抗は、導体パターンＣＢ２のシート抵抗よりも高い。これにより、検出信号ＶｄｅｔのＳ／Ｎ比を向上させることができる。
【０１８２】
図１９に示すように、タッチ検出機能付き表示デバイス１０の外部から、例えば偏光板５の表面であるカバー層５５などに静電気ＳＥが加えられたときに、この静電気ＳＥは、まず、カバー層５５、偏光層５４およびカバー層５３を通して、導電層５２に移動される。導電層５２に静電気ＳＥが移動された時には、静電気ＳＥは、複数の検出電極ＴＤＬの各々と、導電層５２との間にそれぞれ形成された複数の容量ＣＰ１、および、複数の配線ＷＥＬの各々と、導電層５２との間にそれぞれ形成された複数の容量ＣＰ２の分布に応じて、表示領域Ａｄおよび周辺領域Ａｓで、導電層５２中に配置される。その後、表示領域Ａｄで導電層５２中に配置された静電気ＳＥは、抵抗ＲＳ１を有する保護膜３３を通して、複数の検出電極ＴＤＬの各々に移動される。また、周辺領域Ａｓで導電層５２中に配置された静電気ＳＥは、抵抗ＲＳ２を有する保護膜３３を通して、複数の配線ＷＥＬの各々に移動される。
【０１８３】
複数の検出電極ＴＤＬの各々に移動された静電気ＳＥは、その検出電極ＴＤＬ、引き回し配線ＷＲＴ、端子部ＴＭおよび配線基板ＷＳ（図１７参照）を通して移動される。そして、配線基板ＷＳを通して移動された静電気ＳＥは、タッチ検出部４０の入力端子に接続された抵抗ＲＳ０（図１参照）またはＥＳＤ保護回路（図示は省略）を通して、タッチ検出機能付き表示デバイス１０の接地線などに移動される。これにより、タッチ検出機能付き表示デバイス１０に加えられた静電気ＳＥを、タッチ検出機能付き表示デバイス１０の外部に逃がすことができる。一方、複数の配線ＷＥＬの各々に移動された静電気ＳＥを、その配線ＷＥＬを通して、タッチ検出機能付き表示デバイス１０の外部に逃がすことができる。
【０１８４】
複数の配線ＷＥＬからなる導体パターンＣＢ２は、導体パターンＣＢ１と同様に、例えばＩＴＯまたはＩＺＯなどの可視光に対して透明な透明導電材料の比抵抗よりも低い比抵抗を有する低抵抗材料からなる。また、低抵抗材料からなる導体パターンＣＢ２のシート抵抗は、導体パターンＣＢ１のシート抵抗と同様に、８Ω／ｓｑｕａｒｅ以下である。このような場合、複数の配線ＷＥＬからなる導体パターンＣＢ２が、例えばＩＴＯまたはＩＺＯなどの透明導電材料からなる場合に比べ、導体パターンＣＢ２の厚さをそれほど厚くすることなく、静電気を逃がすことができる。
【０１８５】
なお、導体パターンＣＢ２のシート抵抗も、導体パターンＣＢ１のシート抵抗と同様の理由により、好適には、０．０４Ω／ｓｑｕａｒｅ以上である。
【０１８６】
好適には、導体パターンＣＢ２は、金属層または合金層を含む。したがって、導体パターンＣＢ２に含まれる複数の配線ＷＥＬの各々も、好適には、金属層または合金層を含む。これにより、複数の配線ＷＥＬの各々の導電性を向上させることができるので、タッチ検出機能付き表示デバイス１０の外部から加えられた静電気を、配線ＷＥＬを通して、容易に逃がすことができる。
【０１８７】
さらに好適には、複数の配線ＷＥＬの各々は、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）およびタングステン（Ｗ）からなる群から選ばれた１種以上の金属からなる金属層または合金層を含む。これにより、複数の配線ＷＥＬの各々の導電性をさらに向上させることができるので、タッチ検出機能付き表示デバイス１０の外部から加えられた静電気を、配線ＷＥＬを通して、さらに容易に逃がすことができる。
【０１８８】
好適には、周辺領域Ａｓのうち平面視において導体パターンＣＢ２と重なる部分の面積の総和の、周辺領域Ａｓの面積に対する比は、複数の副画素ＳＰｉｘのうち平面視において導体パターンＣＢ１と重なる部分の面積の総和の、複数の副画素ＳＰｉｘの面積の総和に対する比よりも大きい。すなわち、周辺領域Ａｓにおける導体パターンＣＢ２の面積率は、表示領域Ａｄにおける副画素ＳＰｉｘに対する導体パターンＣＢ１の面積率よりも大きい。ここで、周辺領域Ａｓにおける導体パターンＣＢ２の面積率は、導体パターンＣＢ２の面積の、周辺領域Ａｓの面積に対する比である。
【０１８９】
周辺領域Ａｓでは、画像が表示されないので、周辺領域Ａｓにおける透過率は、表示領域Ａｄにおける透過率よりも大きくてもよい。そのため、周辺領域Ａｓにおける導体パターンＣＢ２の面積率を、表示領域Ａｄにおける副画素ＳＰｉｘに対する導体パターンＣＢ１の面積率よりも大きくすることができ、導体パターンＣＢ２の抵抗を、導体パターンＣＢ１の抵抗よりも低くすることができる。したがって、タッチ検出機能付き表示デバイス１０に加えられた静電気ＳＥを、導体パターンＣＢ２を通して、タッチ検出機能付き表示デバイス１０の外部に容易に逃がすことができる。
【０１９０】
さらに好適には、図１７に示すように、対向基板３は、周辺領域Ａｓで、基板３１の上面に設けられた複数の電極端子ＴＷＥを有し、複数の配線ＷＥＬは、複数の電極端子ＴＷＥの各々とそれぞれ電気的に接続される。このような場合、複数の配線ＷＥＬが、複数の電極端子ＴＷＥの各々を介して基板３１の外部と電気的にそれぞれ接続される。したがって、タッチ検出機能付き表示デバイス１０に加えられた静電気ＳＥであって、複数の配線ＷＥＬの各々に移動された静電気ＳＥは、その配線ＷＥＬおよび電極端子ＴＷＥを通して、タッチ検出機能付き表示デバイス１０の外部に移動される。これにより、実施の形態１に比べ、タッチ検出機能付き表示デバイス１０に加えられた静電気ＳＥを、タッチ検出機能付き表示デバイス１０の外部にさらに容易に逃がすことができる。
【０１９１】
＜本実施の形態の主要な特徴と効果＞
本実施の形態２の表示装置でも、実施の形態１の表示装置と同様に、導体パターンＣＢ１のシート抵抗は、８Ω／ｓｑｕａｒｅ以下である。また、複数の副画素ＳＰｉｘの面積の総和に対する、複数の副画素ＳＰｉｘのうち平面視において導体パターンＣＢ１と重なる部分の面積の総和の比は、１〜２２％である。そして、導電層５２のシート抵抗は、導体パターンＣＢ１のシート抵抗よりも高い。これにより、実施の形態１と同様に、光学特性を劣化させずに、静電気による画像の表示の乱れを低減することができる。
【０１９２】
さらに、本実施の形態２の表示装置は、導体パターンＣＢ１に加えて、周辺領域Ａｓで、基板３１の上面上に形成された複数の配線ＷＥＬからなる導体パターンＣＢ２を有する。そして、周辺領域Ａｓの面積に対する、導体パターンＣＢ２の面積の比は、複数の副画素ＳＰｉｘの面積の総和に対する、複数の副画素ＳＰｉｘのうち平面視において導体パターンＣＢ１と重なる部分の面積の総和の比よりも大きい。
【０１９３】
これにより、タッチ検出機能付き表示デバイス１０に加えられた静電気ＳＥを、導体パターンＣＢ１に加えて、導体パターンＣＢ２を通して、タッチ検出機能付き表示デバイス１０の外部に容易に逃がすことができる。したがって、実施の形態１に比べ、光学特性を劣化させずに、静電気による画像の表示の乱れをより容易に低減することができる。
【０１９４】
（実施の形態３）
実施の形態１では、対向基板を挟んでアレイ基板と反対側に設けられた偏光板は、導電層を含む。それに対して、実施の形態３では、対向基板を挟んでアレイ基板と反対側に設けられた偏光板は、導電層を含まず、導体パターンを覆うように設けられた保護膜が、導電層として機能する。
【０１９５】
本実施の形態３の表示装置における全体構成は、実施の形態１の表示装置における全体構成と同様にすることができ、その説明を省略する。
【０１９６】
＜タッチ検出機能付き表示デバイス＞
図２０は、実施の形態３の表示装置のタッチ検出機能付き表示デバイスを示す断面図である。図２１は、実施の形態３の表示装置のタッチ検出機能付き表示デバイスにおける静電気の移動を模式的に示す断面図である。
【０１９７】
図２０に示すように、本実施の形態３におけるタッチ検出機能付き表示デバイス１０は、アレイ基板２と、対向基板３と、偏光板４と、偏光板５ａと、液晶層６と、封止部７と、を有する。本実施の形態３におけるアレイ基板２、偏光板４、液晶層６および封止部７については、実施の形態１におけるアレイ基板２、偏光板４、液晶層６および封止部７の各部分と同様であり、それらの説明を省略する。
【０１９８】
本実施の形態３では、対向基板３は、基板３１と、カラーフィルタ層３２と、導体パターンＣＢ１と、保護膜３３ａとを有する。本実施の形態３における基板３１、カラーフィルタ層３２および導体パターンＣＢ１は、実施の形態１における基板３１、カラーフィルタ層３２および導体パターンＣＢ１と同様である。また、検出部が、導体パターンＣＢ１に含まれる複数の検出電極ＴＤＬの各々の静電容量に基づいて、入力位置を検出する点も、実施の形態１と同様である。
【０１９９】
本実施の形態３では、実施の形態１の導電層５２（図６参照）が設けられていない。したがって、偏光板５ａは、接着層５１と、カバー層５３と、偏光層５４と、カバー層５５と、を含む。また、偏光板５ａにおける接着層５１、カバー層５３、偏光層５４およびカバー層５５の各々については、実施の形態１の偏光板５における接着層５１、カバー層５３、偏光層５４およびカバー層５５のそれぞれと同様にすることができる。したがって、本実施の形態３では、偏光板５ａは、絶縁膜からなる偏光層５４を含む複数の層がいずれかの順で積層された積層膜５６ａを含む。積層膜５６ａは、保護膜３３ａ上に、接着層５１を介して設けられている。
【０２００】
一方、本実施の形態３では、保護膜３３ａが、導電性を有する。保護膜３３ａのシート抵抗は、導体パターンＣＢ１のシート抵抗よりも高いが、実施の形態１の保護膜３３のシート抵抗よりも低く、実施の形態１の導電層５２のシート抵抗と同程度とすることができる。
【０２０１】
このような保護膜３３ａとして、例えば銀（Ａｇ）などの金属としての導電性粒子３３ｂを含有する樹脂３３ｃからなるものを用いることができる。導電性粒子３３ｂは、絶縁膜としての樹脂３３ｃ中に分散されている。このような場合、樹脂３３ｃに対する導電性粒子３３ｂの含有量を調整することにより、保護膜３３ａのシート抵抗を広い範囲で容易に調整することができる。
【０２０２】
図２１に示すように、タッチ検出機能付き表示デバイス１０の外部から、例えば偏光板５ａの表面であるカバー層５５などに静電気ＳＥが加えられたときに、この静電気ＳＥは、カバー層５５、偏光層５４、カバー層５３および接着層５１を通して、例えば保護膜３３ａに移動される。その後、静電気ＳＥは、抵抗ＲＳ１を有する保護膜３３ａを通して、複数の検出電極ＴＤＬの各々に移動される。
【０２０３】
複数の検出電極ＴＤＬの各々に移動された静電気ＳＥは、実施の形態１と同様に、その検出電極ＴＤＬ、引き回し配線ＷＲＴ、端子部ＴＭおよび配線基板ＷＳ（図５参照）を通して移動される。そして、配線基板ＷＳを通して移動された静電気ＳＥは、タッチ検出部４０の入力端子に接続された抵抗ＲＳ０（図１参照）またはＥＳＤ保護回路（図示は省略）を通して、タッチ検出機能付き表示デバイス１０の接地線などに移動される。これにより、タッチ検出機能付き表示デバイス１０に加えられた静電気ＳＥを、タッチ検出機能付き表示デバイス１０の外部に逃がすことができる。
【０２０４】
好適には、保護膜３３ａのシート抵抗は、１×１０８〜１×１０１３Ω／ｓｑｕａｒｅである。保護膜３３ａのシート抵抗が、１×１０８Ω／ｓｑｕａｒｅ以上であることにより、検出信号ＶｄｅｔのＳ／Ｎ比を確実に向上させ、隣り合う検出電極ＴＤＬが短絡することを防止または抑制することができる。また、保護膜３３ａのシート抵抗が、１×１０１３Ω／ｓｑｕａｒｅ以下であることにより、保護膜３３ａ中で静電気を容易に移動することができる。
【０２０５】
＜本実施の形態の主要な特徴と効果＞
本実施の形態３の表示装置でも、実施の形態１の表示装置と同様に、導体パターンＣＢ１のシート抵抗は、８Ω／ｓｑｕａｒｅ以下である。また、複数の副画素ＳＰｉｘの面積の総和に対する、複数の副画素ＳＰｉｘのうち平面視において導体パターンＣＢ１と重なる部分の面積の総和の比は、１〜２２％である。
【０２０６】
一方、本実施の形態３では、実施の形態１における保護膜３３（図６参照）に代え、保護膜３３ａが設けられており、保護膜３３ａのシート抵抗は、導体パターンＣＢ１のシート抵抗よりも高いが、実施の形態１の保護膜３３のシート抵抗よりも低く、実施の形態１の導電層５２（図６参照）のシート抵抗と同程度である。
【０２０７】
これにより、タッチ検出機能付き表示デバイス１０の外部から加えられた静電気を、保護膜３３ａおよび導体パターンＣＢ１を通して、タッチ検出機能付き表示デバイス１０の外部に容易に逃がすことができる。また、実施の形態１と同様に、導体パターンＣＢ１に含まれる低抵抗材料の比抵抗が、透明導電材料の比抵抗よりも低いので、導体パターンＣＢ１の厚さを厚くする必要がなく、導体パターンＣＢ１の面積率を大きくする必要がない。したがって、実施の形態１と同様に、光学特性を劣化させずに、静電気による画像の表示の乱れを低減することができる。
【０２０８】
（実施の形態４）
＜自己容量方式のタッチ検出機能＞
実施の形態１では、表示装置に備えられたタッチパネルとして、駆動電極として動作する共通電極と、検出電極とが設けられた、相互容量方式のタッチパネルを適用した例について説明した。しかし、表示装置に備えられたタッチパネルとして、検出電極のみが設けられた、自己容量方式のタッチパネルを適用することもできる。
【０２０９】
図２２および図２３は、自己容量方式における検出電極の電気的な接続状態を表す説明図である。
【０２１０】
自己容量方式におけるタッチパネルでは、図２２に示すように、静電容量Ｃｘを有する検出電極ＴＤＬが、静電容量Ｃｒ１を有する検出回路ＳＣ１から切り離され、電源Ｖｄｄと電気的に接続された時に、静電容量Ｃｘを有する検出電極ＴＤＬに電荷量Ｑ１が蓄積される。次に、図２３に示すように、静電容量Ｃｘを有する検出電極ＴＤＬが電源Ｖｄｄから切り離され、静電容量Ｃｒ１を有する検出回路ＳＣ１と電気的に接続された時に、検出回路ＳＣ１に流れ出る電荷量Ｑ２を検出する。
【０２１１】
ここで、検出電極ＴＤＬに指が接触または近接した場合、指による容量により、検出電極ＴＤＬの静電容量Ｃｘが変化し、検出電極ＴＤＬが検出回路ＳＣ１と接続された時に、検出回路ＳＣ１に流れ出る電荷量Ｑ２も変化する。したがって、流れ出る電荷量Ｑ２を検出回路ＳＣ１により測定して検出電極ＴＤＬの静電容量Ｃｘの変化を検出することにより、検出電極ＴＤＬに指が接触または近接したか否かを判定することができる。
【０２１２】
例えば本実施の形態４の表示装置が、実施の形態１の表示装置を、自己容量方式のタッチ検出機能を備えた表示装置に適用したものである場合を考える。このとき、表示装置は、Ｙ軸方向（図５参照）にそれぞれ延在し、かつ、Ｘ軸方向（図５参照）に間隔を空けて配列された複数の検出電極ＴＤＬに加え、Ｘ軸方向にそれぞれ延在し、かつ、Ｙ軸方向に間隔を空けて配列された複数の検出電極ＴＤＬを有する。このような場合でも、Ｙ軸方向に延在する複数の検出電極ＴＤＬの各々の静電容量Ｃｘの変化、および、Ｘ軸方向に延在する複数の検出電極ＴＤＬの各々の静電容量Ｃｘの変化を検出することにより、入力位置を二次元的に検出することができる。このとき、駆動電極ＣＯＭＬ（図５参照）は、液晶表示デバイス２０（図１参照）の駆動電極としては動作するが、タッチ検出デバイス３０（図１参照）の駆動電極としては動作しない。
【０２１３】
また、このような場合でも、実施の形態１と同様に、光学特性を劣化させずに、静電気による画像の表示の乱れを低減することができる。
【０２１４】
あるいは、本実施の形態４の表示装置が、実施の形態２または実施の形態３の表示装置を、自己容量方式のタッチ検出機能を備えた表示装置に適用したものであってもよく、このような場合でも、実施の形態１の表示装置を適用した場合と同様に、光学特性を劣化させずに、静電気による画像の表示の乱れを低減することができる。
【０２１５】
以上、本発明者によってなされた発明をその実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【０２１６】
本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例および修正例に想到し得るものであり、それら変更例および修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。
【０２１７】
例えば、前述の各実施の形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除もしくは設計変更を行ったもの、または、工程の追加、省略もしくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。
【産業上の利用可能性】
【０２１８】
本発明は、表示装置に適用して有効である。
【符号の説明】
【０２１９】
１  表示装置
２  アレイ基板
３  対向基板
４、５、５ａ  偏光板
６  液晶層
７  封止部
１０  タッチ検出機能付き表示デバイス
１１  制御部
１２  ゲートドライバ
１３  ソースドライバ
１４  駆動電極ドライバ
１９  ＣＯＧ
２０  液晶表示デバイス（表示デバイス）
２１、３１  基板
２２  画素電極
２４  絶縁膜
３０  タッチ検出デバイス
３２  カラーフィルタ層
３２Ｂ、３２Ｇ、３２Ｒ  色領域
３３、３３ａ  保護膜
３３ｂ  導電性粒子
３３ｃ  樹脂
４０  タッチ検出部
４２  タッチ検出信号増幅部
４３  Ａ／Ｄ変換部
４４  信号処理部
４５  座標抽出部
４６  検出タイミング制御部
５１  接着層
５２  導電層
５３、５５  カバー層
５４  偏光層
５６、５６ａ  積層膜
Ａｄ  表示領域
Ａｓ  周辺領域
ＢＭ１、ＢＭ２  遮光部
Ｃ１  容量素子
Ｃ２、Ｃｒ１、Ｃｘ  静電容量
Ｃａｐ、ＣＰ１、ＣＰ２  容量
ＣＢ１、ＣＢ２  導体パターン
ＣＮＢ１、ＣＮＴ１  接続部
ＣＯＭＬ  駆動電極
Ｄ  誘電体
ＤＥＴ  電圧検出器
ＤＰ１、ＤＰ２  配列間隔
Ｅ１  駆動電極
Ｅ２  検出電極
ＧＣＬ  走査線
ＬＣ  液晶素子
ＬＮ１  長さ
ＭＬ、ＭＬ１、ＭＬ２  導電線
Ｐｉｘ  画素
ＰＲＴ１  部分
Ｑ１、Ｑ２  電荷量
Ｒｅｓｅｔ  期間
ＲＳ０、ＲＳ１、ＲＳ２  抵抗
Ｓ  交流信号源
ＳＣ１  検出回路
Ｓｃａｎ  スキャン方向
ＳＥ  静電気
Ｓｇ  交流矩形波
ＳＧＬ  信号線
ＳＬ１〜ＳＬ３  積層膜
ＳＰｉｘ  副画素
ＴＤＤ  ダミー電極
ＴＤＬ  検出電極
ＴＨ１、ＴＨ２  厚さ
ＴＭ  端子部
Ｔｒ  ＴＦＴ素子
ＴＷＥ  電極端子
Ｖｃｏｍ  駆動信号
Ｖｄｄ  電源
Ｖｄｅｔ  検出信号
Ｖｄｉｓｐ  映像信号
Ｖｏｕｔ  信号出力
Ｖｐｉｘ  画素信号
Ｖｓｃａｎ  走査信号
Ｖｓｉｇ  画像信号
ＷＤ１  幅
ＷＥＬ  配線
ＷＲＣ、ＷＲＴ  引き回し配線
ＷＳ  配線基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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