(57)【要約】【課題】高い変換効率で輻射光を電力に変換することができる技術を提供する。【解決手段】  本発明の熱光発電装置は、輻射体（１１）と、受光部（１３）と、反射部（１５）と、を備える。輻射体は、熱源装置により加熱されて輻射光を放出する。受光部は、上記輻射光を受光して電力に変換する光電変換素子（２５）を備える。また反射部は、輻射体と受光部の間に配置され、光の透過性を有し、輻射体から放出された輻射光のうち所定の波長域の成分を選択的に輻射体に反射する。ここでいう所定の波長域とは、上記光電変換素子が電力に変換できない光の波長域に対応する波長域である。【選択図】図１
2016021810.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱源装置（４１）により加熱されて輻射光を放出する輻射体（１１）と、
前記輻射光を受光して電力に変換する光電変換素子（２５）を備える受光部（１３）と、
前記輻射体と前記受光部の間に配置され、光の透過性を有し、前記輻射体から放出された輻射光のうち、所定の波長域の成分を選択的に前記輻射体に反射する反射部（１５、５３）と、を備え、
前記所定の波長域とは、前記光電変換素子が電力に変換できない光の波長域に対応する波長域である
ことを特徴とする熱光発電装置。
【請求項２】
請求項１に記載の熱光発電装置であって、
前記反射部は、
光の透過性を有する支持体（３１）と、
前記支持体に配置され、光の透過性を有し、前記所定の波長域の光を選択的に前記輻射体に反射する反射層（３３、３５）と、を備える
ことを特徴とする熱光発電装置。
【請求項３】
請求項２に記載の熱光発電装置であって、
前記反射層は、前記支持体の吸収する光の波長域に対応する波長域の光を反射する第１の反射層（３３）と、前記光電変換素子が電力に変換できない光の波長域に対応する波長域の光を反射する第２の反射層（３５）と、を含み、
前記第１の反射層は前記支持体における前記輻射体と対向する面に配置され、前記第２の反射層は前記支持体における前記受光部と対向する面に配置される
ことを特徴とする熱光発電装置。
【請求項４】
請求項２に記載の熱光発電装置であって、
前記反射層は前記支持体における前記輻射体と対向する面に配置される
ことを特徴とする熱光発電装置。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の熱光発電装置であって、
前記反射部及び前記受光部は、その外観形状が略筒状又は略球状であり、
前記輻射体は前記反射部の内部に配置され、前記光電変換素子は前記受光部の内側面に配置される
ことを特徴とする熱光発電装置。
【請求項６】
請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の熱光発電装置であって、
前記反射部は、前記輻射体から間隔を空けて配置されている
ことを特徴とする熱光発電装置。
【請求項７】
請求項６に記載の熱光発電装置であって、
前記反射部と前記輻射体との間の空間は、大気圧よりも減圧された状態である
ことを特徴とする熱光発電装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、輻射光を光電変換素子により電力に変換する熱光発電装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
熱光発電装置は、発電に機械的な動作を伴わないため摩耗や振動が発生しないという利点がある。一方、輻射光は幅広い波長分布を有するのに対し、光電変換素子は半導体バンドギャップに対応する吸収端波長より短波長の光しか電気に変換できず、光電変換素子の発電に寄与しない無効な波長帯域の光の放出は変換効率が低下につながる。
【０００３】
変換効率を向上させるために、例えば、輻射光を放出する発光体をガスで加熱する熱光発電装置において、燃焼ガス進路において変化する燃焼ガス温度に適した発光特性を持つ発光体をそれぞれ配置する技術が提案されている（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特許４１３４８１５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１の技術でも光電変換素子の変換に寄与しない無効な波長帯域の輻射光が制限なく放出される点には変わりがなく、変換効率の向上を妨げる原因となっている。
【０００６】
本発明は、高い変換効率で輻射光を電力に変換することができる技術を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の熱光発電装置は、輻射体（１１）と、受光部（１３）と、反射部（１５）と、を備える。輻射体は、熱源装置により加熱されて輻射光を放出する。受光部は、上記輻射光を受光して電力に変換する光電変換素子（２５）を備える。
【０００８】
また反射部は、輻射体と受光部の間に配置され、光の透過性を有し、輻射体から放出された輻射光のうち所定の波長域の成分を選択的に輻射体に反射する。ここでいう所定の波長域とは、上記光電変換素子が電力に変換できない光の波長域に対応する波長域である。
【０００９】
このように構成された熱光発電装置において、受光部に照射される輻射光は、光電変換素子にて電気に変換できない波長成分が反射部により反射されて低減されている。また反射部によって反射された光は輻射体に戻るため、再び輻射体を加熱する熱源として作用する。よって本発明の熱光発電装置は、高い変換効率で輻射光を電力に変換させることができる。
【００１０】
なお、この欄及び特許請求の範囲に記載した括弧内の符号は、一つの態様として後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものであって、本発明の技術的範囲を限定するものではない。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】第１実施形態の熱光発電装置の構成を示す斜視断面図である。
【図２】第１実施形態の熱光発電装置の構成を示す側面断面図である。
【図３】輻射体から放出される輻射光のスペクトル強度を示すグラフである。
【図４】石英ガラスの透過率を示すグラフである。
【図５】第１の赤外反射層の反射特性を示すグラフである。
【図６】輻射体から放出され、第１の赤外反射層を通過した輻射光のスペクトル強度を示すグラフである。
【図７】第２の赤外反射層の反射特性を示すグラフである。
【図８】輻射体から放出され、第２の赤外反射層のみを通過した輻射光のスペクトル強度を示すグラフである。
【図９】輻射体から放出され、第１の赤外反射層及び第２の赤外反射層を通過した輻射光のスペクトル強度を示すグラフである。
【図１０】第２実施形態の熱光発電装置の構成を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明が適用された実施形態について、図面を用いて説明する。
［１．第１実施形態］
［１−１．構成］
図１及び図２に示す熱光発電装置１は、輻射体１１と、受光部１３と、反射部１５とを備える。いずれも円筒形状であり、内側から順に輻射体１１、反射部１５、受光部１３の順で配置される。図１は図２のＡ−Ａ断面の斜視図である。図２は輻射体１１の中心軸を通過する平面での断面図である。また図１及び図２は熱光発電装置１の構成を模式的に示すものであり、各構成要素の大きさ等は正確ではない可能性がある。
【００１３】
熱光発電装置１は図２に示すように、入れ子構造として構成することができる。輻射体１１の内側には熱源としてバーナー４１が配置される。輻射体１１は支持体４３に支持される。輻射体１１は加熱されて高温になるため、受光部１３及び反射部１５は輻射体１１からの熱伝導を抑制するため支持体４３とは異なる支持体４５に支持される。
【００１４】
輻射体１１は上述したように円筒形状であり、外周側には輻射波長を狭帯域化する構造を設けることができる。具体的には、希土類酸化物をコーティングして希土類元素の準位間遷移を用いることで輻射波長を狭帯域化することが考えられる（例えば特開２０００−２７２９５５号参照）。また、輻射体１１の表面に微細周期構造を形成し、共鳴現象を利用することで狭帯域化してもよい（例えば特許３４７２８３８号参照）。
【００１５】
輻射体１１の内側には波長を狭帯域化する構造を設けていないが、内側へ出た輻射光は輻射体１１に再吸収されて熱源として作用するため、熱エネルギー損失にはならない。
輻射体１１はＡｌ２Ｏ３中にＰｒ２Ｏ３を１０ｍｏｌ％混合して焼結した素材が用いられている。輻射体１１は上述したように内側に配置される熱源（バーナー４１）から供給される熱によって輻射体が高温に維持される。輻射体１１を１８５０Ｋに加熱したときの、輻射光のスペクトル強度を図３に示す。図中の実線が１８５０Ｋにおける本輻射体１１からの輻射エネルギーであり、破線は参考としての同温度における黒体からの輻射エネルギーである（以下のグラフでも同様）。
【００１６】
受光部１３は、図１に示すように、円筒形状の基板２１の内側面に多数の光電変換素子２５が配置されてなるものであって、輻射体１１及び反射部１５を取り囲むように配置されている。輻射体１１から放出され反射部１５を透過した輻射光は光電変換素子２５に入射し（図１における矢印２）、電力に変換される。
【００１７】
なお図１において光電変換素子２５はその一部の配置を示すものであって、実際には基板２１の内側全体に広く配置されている。
本実施形態では光電変換素子２５としてＧａＳｂを用いており、吸収端波長は１．７２μｍである。即ち、１．７２μｍよりも長波長の輻射光は電気に変換されないため、変換効率（発電効率）向上のためにはそれ以上の長波長の輻射光が照射される度合を低減することが望まれる。
【００１８】
基板２１の材質は特に限定されないが、耐熱性を有し形状を保持する機能を有していることが望ましい。
反射部１５は、受光部１３による発電に寄与しない波長域の光を反射して輻射体１１に戻すものであり（図１における矢印３）、輻射体１１の外側に空隙を介して配置される。この空隙は真空（本実施形態では１０Ｐａ以下）に保たれている。
【００１９】
反射部１５は、円筒形状のガラス基体３１と、ガラス基体３１の内側面を覆う第１の赤外反射層３３と、ガラス基体３１の外側面を覆う第２の赤外反射層３５と、を備える。第１の赤外反射層３３が本発明における第１の反射層の一例であり、第２の赤外反射層３５
が本発明における第２の反射層の一例である。
【００２０】
ガラス基体３１は光透過性を有する透明ガラスであり、本実施形態においては、透明ガラスとして石英ガラス（東ソー・クォーツ株式会社製ＥＤ−Ｈ又はＥＤ−Ｃ）を用いている。このガラス基体３１は、各赤外反射層を支持する支持体となるものである。
【００２１】
図４に、厚さ１０ｍｍの上記石英ガラスの透過率を表すグラフを示す（http://www.tqgj.co.jp/silicaglass/optical.htmlより引用）。可視領域では透過率が高く透明であるが、赤外線の波長が約３μｍを超えると徐々に透過率が低下して吸収率が高くなり、約３．８μｍより長い波長の赤外線に対してはその大部分を吸収する。
【００２２】
次に、第１の赤外反射層３３及び第２の赤外反射層３５について説明する。屈折率の異なる複数の誘電体膜（例えばＴｉＯ２とＳｉＯ２）を交互に積層することで、赤外線の反射率を増加させることができることが知られている。これを利用して、適当な反射特性を有する反射層を形成する。
【００２３】
第１の赤外反射層３３は、ガラス基体３１に近い側から（ＴｉＯ２：３０６ｎｍ／ＳｉＯ２：５６８ｎｍ）×４周期＋（ＴｉＯ２：３０６ｎｍ）＋（ＳｉＯ２：２８４ｎｍ）の合計１０層が積層された構成であり、図５の反射特性を有する。図５に表されるように、２．５μｍ以上の波長の赤外線に対して高い反射率を示しており、３μｍ以上の波長では特に高い反射率を示す。
【００２４】
即ち第１の赤外反射層３３は、ガラス基体３１が吸収する波長より長波長の赤外線（約３μｍ以上）の大部分を輻射体１１側に反射する。図６は、輻射体１１から放出され、第１の赤外反射層３３を通過し、ガラス基体３１に到達する輻射光のスペクトル強度を示すグラフである。図６から分かるように、ガラス基体３１の吸収率の高い波長域（吸収率の特に高い３．８μｍ以上）の赤外線は大きく低減される。
【００２５】
それにより、輻射体１１からの輻射エネルギーのうち、２．５μｍ以上の波長を有する赤外線のエネルギー、特に図３の実線における３．８μｍ以上の下側面積に相当するエネルギーの大部分が石英ガラスに吸収されることを抑制でき、長波長成分がガラス基体３１を通過するときにガラス基体３１に熱エネルギーとして吸収されて、エネルギーの損失になると同時にガラス基体３１の温度が上昇してしまうことを抑制できる。
【００２６】
第２の赤外反射層３５は、ガラス基体３１に近い側から（ＴｉＯ２：２０４ｎｍ／ＳｉＯ２：３７９ｎｍ）×４周期＋（ＴｉＯ２：２０４ｎｍ）＋（ＳｉＯ２：１９０ｎｍ）の合計１０層が積層された構成であり、図７の特性を有する。図７に表されるように、第２の赤外反射層３５は第１の赤外反射層と比較して反射帯域が短波長側にシフトされており、波長１．８〜２．８μｍの赤外線を９５％以上反射する。
【００２７】
図８は、第２の赤外反射層３５のみを通過した輻射光のスペクトル強度を示すグラフである。図８から分かるように、第２の赤外反射層３５を通過した輻射光は波長１．８〜２．８μｍの光がほとんど含まれない。一方、石英ガラスの吸収波長域の光は第１の赤外反射層３３を通過した場合よりも多めに含まれている。
【００２８】
図９は、第１の赤外反射層３３及び第２の赤外反射層３５を通過した輻射光のスペクトル強度を示すグラフである。図９から分かるように、スペクトル強度のほとんどがＧａＳｂ光電変換素子による電気変換が可能である１．７２μｍ以下の波長域に入っており、光電変換素子２５に照射される光を高い変換効率で電気に変換することができる。
【００２９】
即ち、第２の赤外反射層３５は、第１の赤外反射層３３及びガラス基体３１を通過した赤外線のうち、受光部１３の光電変換素子２５が光電変換できない波長の赤外線の大部分を輻射体１１側に反射する。
【００３０】
なお、第２の赤外反射層３５にて反射される波長域の光は往復でガラス基体３１を通過することになるが、第１の赤外反射層３３を通過した波長域の光に対するガラス基体３１の透過率は高いため、エネルギー損失は軽微である。また輻射光における４μｍ以上の成分は、光電変換素子に到達する量が小さい。これは、一部はガラス基体３１に吸収されものの、もともと輻射体１１からの放出量が少ないためである。
【００３１】
ところで、上述した第１の赤外反射層３３及び第２の赤外反射層３５のような多層赤外線反射膜の作製には、例えば真空蒸着、スパッタ、イオンプレーティングなどの真空薄膜形成法が適用できる。円筒（ガラス基体３１）を回転させながら上述した成膜法にて成膜することで円筒面上に均一な膜を形成することができる。
【００３２】
［１−２．作用及び効果］
以上詳述した第１実施形態によれば、以下の作用・効果が得られる。
［１Ａ］熱光発電装置１は、輻射体１１と、受光部１３と、反射部１５とを備える。輻射体１１は、熱源装置であるバーナー４１により加熱されて輻射光を放出する。受光部１３は、輻射体１１から照射される輻射光を受光して電力に変換する光電変換素子２５を備える。
【００３３】
反射部１５は、輻射体１１と受光部１３の間に配置され、光の透過性を有し、所定の波長域の光を選択的に輻射体１１に反射する。ここでいう所定の波長域とは、１．８μｍ以上の波長域であって、光電変換素子２５が電力に変換できない光の波長域（１．７２μｍ以上）に対応する波長域である。
【００３４】
したがって、受光部１３に照射される輻射光は、光電変換素子２５にて電気に変換できない波長の成分が低減されており、電気に変換できない波長の輻射光は反射部１５にて反射されて輻射体１１に戻り、輻射体１１を再び加熱する熱源として作用する。
【００３５】
よって、受光部１３に照射される光電変換素子２５にて電気に変換されない波長の輻射光を低減でき、高い変換効率で電力を発生させることができる。
［１Ｂ］また熱光発電装置１において、反射部１５は光の透過性を有する支持体となるガラス基体３１と、ガラス基体３１に配置され、光の透過性を有し、所定の波長域の光を選択的に反射する反射層（第１の赤外反射層３３及び第２の赤外反射層３５）と、を備える。このようにガラス基体３１を支持体として反射層を配置することにより、反射部１５を好適に構成することができる。
【００３６】
［１Ｃ］また熱光発電装置１において、第１の赤外反射層３３はガラス基体３１における輻射体１１と対向する面に配置され、ガラス基体３１の吸収する光の波長域（３μｍ以上）に対応する波長域（２．５μｍ以上）の光を反射する。
【００３７】
また第２の赤外反射層３５はガラス基体３１における受光部１３と対向する面に配置され、光電変換素子２５が光電変換できない光の波長域（１．７２μｍ以上）に対応する波長域（１．８〜２．８μｍ）の光を反射する。
【００３８】
このように反射層を配置することにより、ガラス基体３１における輻射光の吸収を抑制できる。ガラス基体３１に吸収される輻射光のエネルギーはガラス基体３１の温度上昇に消費されるためエネルギーの損失となるが、輻射光の吸収を抑制することで電力変換効率の低下を抑制できる。またガラス基体３１の温度上昇による劣化を抑制できると共に、またガラス基体３１に配置される反射層が高温になり膜質が劣化してしまうことも抑制できる。
【００３９】
また、第１の赤外反射層３３と第２の赤外反射層３５とは高度に反射する波長域が一部重なっており、第２の赤外反射層３５による反射性能が低下する２．８μｍ以上の波長域については、第１の赤外反射層３３にて反射される。よって、その波長域の光が受光部１３に到達することも抑制できる。
【００４０】
［１Ｄ］また熱光発電装置１において、反射部１５及び受光部１３は、その外観形状が円筒状であり、輻射体１１は反射部１５の内部に配置され、光電変換素子２５は受光部１３の内側面に配置されている。したがって輻射体１１から放出された輻射光は効率よく受光部１３に到達し、また反射部１５にて反射された輻射光は効率よく輻射体１１に戻る。よって輻射光のロスが低減され、変換効率の向上を図ることができる。
【００４１】
［１Ｅ］また熱光発電装置１は、反射部１５が輻射体１１から間隔を空けて配置されているため、輻射体１１の高熱が伝導伝熱により反射部１５に伝わることを抑制でき、反射部１５の各要素が温度上昇により劣化してしまうことを抑制できる。
【００４２】
仮に、反射層が輻射体に直接設けられている場合、輻射体を１０００℃近辺の高温に加熱したとすると、膜質の劣化や熱膨張率差による剥離などが発生し、長時間にわたって適切に動作させることができない。
【００４３】
また熱光発電装置１において、反射部１５と輻射体１１との間の空間は真空となっている。真空にすることにより、発電に寄与しない対流伝熱による熱損失をなくすことができ、変換効率を向上することができる。また酸化などによる輻射体１１の劣化も抑制することができる。
【００４４】
なお反射部１５と輻射体１１との間の空間は大気圧よりも減圧された状態であればよく、大気圧よりも減圧されていれば、その空間が大気圧である場合と比較して、上述したように変換効率の向上や輻射体１１の劣化の抑制を図ることができる。
【００４５】
［２．第２実施形態］
［２−１．第１実施形態との相違点］
第２実施形態の熱光発電装置５１は、第１実施形態の熱光発電装置１と共通の構成要素を用いているため、共通する構成については説明を省略し、相違点を中心に説明する。
【００４６】
前述した第１実施形態では、反射部１５として、ガラス基体３１の内側面に第１の赤外反射層３３が設けられ、外側面に第２の赤外反射層３５が設けられる構成を例示した。これに対し本実施形態の熱光発電装置５１は、図１０に示すように、ガラス基体３１と、そのガラス基体３１の内側面に配置される第２の赤外反射層３５と、によって反射部５３が構成される。
【００４７】
［２−２．作用及び効果］
第２の赤外反射層３５を通過した輻射光は図８に示すスペクトル強度となっており、ガラス基体３１が吸収する波長域の光は第２の赤外反射層３５を通過する前と比較して低減されている。したがって熱光発電装置５１によれば、前述した第１実施形態の熱光発電装置１と同様に、受光部１３に照射される光電変換素子２５にて電気に変換されない波長の輻射光を低減でき、高い変換効率で電力を発生させることができる。
【００４８】
［３．他の実施形態］
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されることなく、種々の形態を採り得る。
【００４９】
［３Ａ］上記実施形態では、反射部１５の支持体としてガラス基体３１を用いる構成を例示したが、支持体として利用できる材質は本実施形態で挙げた石英ガラスに限定されるものではなく、様々な材質を採用できる。例えば、ホウケイ酸ガラスやソーダ石灰ガラス、透明樹脂フィルムなどを用いることが考えられる。
【００５０】
支持体は、光電変換素子２５が光電変換できる波長域の光を完全に遮断しない透過性を有していればよいが、その波長域に対する透過性が高い材質ほど、支持体に吸収されることによるエネルギーロスを低減できる。
【００５１】
また、支持体として耐熱性を有している材質を採用することで支持体の劣化を抑制できる。支持体の劣化とは、例えば形状の変化や透過率の低下などが挙げられる。
なお、上記実施形態では図４に示す石英ガラスの光透過特性に合わせて第１の赤外反射層３３や第２の赤外反射層３５の反射特性を決定している。よって、異なる支持体を用いる場合にはその特性に合わせて反射層の設計を変更することができる。
【００５２】
例えばホウケイ酸ガラスやソーダ石灰ガラスは、石英ガラスよりも約１μｍ短波長の２．８μｍより長波長の領域で透過率が低下する。この場合は、上記実施形態と同様の赤外反射層を用いることで上記［１Ａ］、［２Ａ］と同様の効果を奏することができるが、上記実施形態とは異なる反射特性の赤外反射層を用いてもよい。
【００５３】
また透明樹脂フィルムとしては、ポリエチレン、ポリカーボネートなどを用いることができる。ポリエチレンは約３．４〜３．５μｍの波長を強く吸収するが、図５に特性を示した第１の赤外反射層３３を用いることで、上記波長域の光がポリエチレンに吸収されることを高度に抑制できる。
【００５４】
またポリエチレンの支持体に図７に特性を示した第２の赤外反射層３５のみを輻射体と対向する面に配置した構成としても、上記波長域の光の照射を５０％程度は抑制でき、光の吸収による発熱を約１／２に抑制することができる。
【００５５】
また上記実施形態では、光電変換素子２５としてＧａＳｂ素子を用いる構成を例示したが、それ以外の素子を用いてもよい。一例として、Ｓｉ素子やＩｎＡｓ素子を用いることができる。これらの素子はＧａＳｂとは半導体バンドギャップに対応する吸収端波長が異なり電気に変換可能な波長域が異なるため、用いる素子の特性に合わせて反射層の設計を変更するとよい。
【００５６】
また上記実施形態では、反射部１５及び受光部１３は、その外観形状が円筒状であり、輻射体１１は反射部１５の内部に配置され、光電変換素子２５は受光部１３の内側面に配置される構成を例示したが、これ以外の構成としてもよい。
【００５７】
例えば、反射部及び受光部は平面形状や筒状でない曲面形状であってもよいし、円筒状以外の略筒状であってもよい。略筒状とは、概形は筒状であるが一部が異なる形状を含むものである。なお筒状にすることで輻射光が受光部に到達する割合を高くでき、エネルギーロスを低減できる。
【００５８】
また、反射部及び受光部のいずれか一方又は両方が略球状であってもよい。球状とする場合は、例えば輻射体の周囲に球状の反射部が配置され、その周囲に球状の受光部が配置される構成とすることができる。また第１の赤外反射層は受光部の支持体の内側面に配置し、第２の赤外反射層は支持体の外側面に配置するとよい。もちろん、１つの赤外反射層のみ配置する構成としてもよい。
【００５９】
また上記実施形態では、輻射体１１と反射部１５とを入れ子状にしてそれらの間隔を空ける構成を例示したが、具体的な構成は特に限定されず、様々な構成を適用することができる。
【００６０】
また上記実施形態においては、輻射体１１を加熱する熱源としてバーナー４１を用いる構成を例示したが、バーナーに限らず様々な熱源を利用することができる。
［３Ｂ］上記実施形態の構成の少なくとも一部を、同様の機能を有する公知の構成に置き換えてもよい。また、上記実施形態の構成の一部を省略してもよい。また、上記実施形態の構成の少なくとも一部を、他の上記実施形態の構成に対して付加又は置換してもよい。なお、特許請求の範囲に記載した文言のみによって特定される技術思想に含まれるあらゆる態様が本発明の実施形態である。
【符号の説明】
【００６１】
１…熱光発電装置、１１…輻射体、１３…受光部、１５…反射部、２５…光電変換素子、３１…ガラス基体、３３…第１の赤外反射層、３５…第２の赤外反射層、４１…バーナー、５１…熱光発電装置、５３…反射部
【図１】
2016021810.tif 000003
【図２】
2016021810.tif 000004
【図３】
2016021810.tif 000005
【図４】
2016021810.tif 000006
【図５】
2016021810.tif 000007
【図６】
2016021810.tif 000008
【図７】
2016021810.tif 000009
【図８】
2016021810.tif 000010
【図９】
2016021810.tif 000011
【図１０】
2016021810.tif 000012