(57)【要約】【課題】比較的簡素な構成で、封止性能に優れた封止部材、および当該封止部材を用いた電気部品用パッケージの製造方法を提供すること。【解決手段】封止部材３において、金属製の芯材３１の一方面３１ａ側には、銅めっき層からなる第１下地層３５、第１ニッケルめっき層３２、第１銅めっき層３３、および第１銀めっき層３４が順に積層されている。従って、ベース部材２の側壁２２の端面２２０に封止部材３の一方面３１ａを向けて封止部材３を重ねた状態で封止部材３をベース部材２に向けて押圧しながら加熱する。その結果、銀原子および銅原子が拡散して銀−銅合金からなるろう材となる結果、封止部材３とベース部材２とが銀−銅合金からなるろう材によって溶接される。【選択図】図１
2016006820.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属製の芯材と、
該芯材の一方面側に形成された第１ニッケルめっき層と、
該第１ニッケルめっき層に対して前記芯材とは反対側に積層された第１銅めっき層と、
該第１銅めっき層に対して前記第１ニッケルめっき層とは反対側に積層された第１銀めっき層と、
を有し、
前記芯材に対して前記一方面側が接合面として用いられることを特徴とする封止部材。
【請求項２】
前記芯材と前記第１ニッケルめっき層との間に、銅めっき層またはニッケルめっき層からなる第１下地層が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の封止部材。
【請求項３】
前記第１銅めっき層の厚さは、前記第１銀めっき層の厚さの０．４６倍より厚いことを特徴とする請求項１または２に記載の封止部材。
【請求項４】
前記第１銅めっき層の厚さは、前記第１銀めっき層の厚さの０．４６倍より０．５μｍから３．０μｍ厚いことを特徴とする請求項３に記載の封止部材。
【請求項５】
前記第１銅めっき層および前記第１銀めっき層は、有機物およびリンを含まないめっき層からなることを特徴とする請求項１乃至４の何れか一項に記載の封止部材。
【請求項６】
前記芯材の他方面側に第２ニッケルめっき層が形成されていることを特徴とする請求項１乃至５の何れか一項に記載の封止部材。
【請求項７】
前記第２ニッケルめっき層に対して前記芯材とは反対側に積層された第２銅めっき層と、
該第２銅めっき層に対して前記第２ニッケルめっき層とは反対側に積層された第２銀めっき層と、
を有することを特徴とする請求項６に記載の封止部材。
【請求項８】
前記芯材と前記第２ニッケルめっき層との間に、銅めっき層またはニッケルめっき層からなる第２下地層が形成されていることを特徴とする請求項６または７に記載の封止部材。
【請求項９】
請求項１乃至８の何れか一項に記載の封止部材を用いた電子部品用パッケージの製造方法であって、
ベース部材において開口部を囲む側壁の内側に電子部品を配置した後、
前記側壁の端面に前記一方面を向けて前記封止部材を重ねた状態で当該封止部材を前記ベース部材に向けて押圧しながら加熱し、前記ベース部材と前記封止部材とを溶接することを特徴とする電子部品用パッケージの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品等の封止に用いられる封止部材、および当該封止部材を用いた電子部品用パッケージの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
水晶振動子、フィルタ、発振器等の電子部品では、セラミック容器等のベース部材の内側に水晶振動片等を配置した後、ベース部材の側壁の端面に封止部材を重ね、この状態で、封止部材をベース部材に向けて押圧しながら加熱し、封止部材とベース部材とを溶接する。
【０００３】
ここで、封止部材として、例えば、鉄−ニッケル−コバルト合金からなる芯材に、３μｍ〜４０μｍの銅めっき層と、０．３μｍ〜１５．０μｍの銀めっき層とを積層した構造が提案されている（特許文献１参照）。かかる構成によれば、加熱した際に銀原子および銅原子に拡散して銀−銅合金からなるろう材となる結果、封止部材とベース部材とが溶接される。
【０００４】
また、封止部材として、鉄−ニッケル−コバルト合金からなる芯材と、５μｍ〜５０μｍの純ニッケルやニッケル−銅合金からなるニッケル箔とをプレスしながら加熱して接合した後、ニッケル箔と１０μｍ〜２００μｍのろう材箔とをプレスしながら加熱して接合したものが提案されている（特許文献２参照）。ここで、ろう材箔は、すず−銀合金箔、すず−金合金箔等の軟ろう材箔からなる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００７−１４２２３１号公報
【特許文献２】特許第３０７８５４４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１に記載の封止部材の場合、芯材に直接、銅めっきを行うため、銅めっき層にマイクロクラックやピンホールが発生するおそれがあり、その場合、銀めっき層の表面性状を低下させるおそれがある。また、溶接後、銅めっき層の一部が残るが、残った銅めっき層内を銀原子が拡散して銅めっき層と芯材との界面に到達すると、銅めっき層と芯材との間で剥離等が発生するおそれがある。
【０００７】
一方、特許文献２に記載の封止部材の場合、箔同士を接合する構成であるため、厚さを薄くするのに限界がある。また、各層の厚さが異なる封止部材を製造するには、厚さが異なる複数種類の箔を準備しておく必要があるため、コストが嵩む。しかも、箔の厚さを変更する度にローラ圧を変更する必要があるため、生産性が低下するという問題点もある。
【０００８】
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、比較的簡素な構成で、封止性能に優れた封止部材、および当該封止部材を用いた電気部品用パッケージの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するために、本発明に係る封止部材は、金属製の芯材と、該芯材の一方面側に形成された第１ニッケルめっき層と、該第１ニッケルめっき層に対して前記芯材と
は反対側に積層された第１銅めっき層と、該第１銅めっき層に対して前記第１ニッケルめっき層とは反対側に積層された第１銀めっき層と、を有し、前記芯材に対して前記一方面側が接合面として用いられることを特徴とする。
【００１０】
本発明を適用した封止部材を用いた電子部品用パッケージの製造方法では、ベース部材において開口部を囲む側壁の内側に電子部品を配置した後、前記側壁の端面に前記一方面を向けて前記封止部材を重ねた状態で当該封止部材を前記ベース部材に向けて押圧しながら加熱し、前記ベース部材と前記封止部材とを溶接することを特徴とする。
【００１１】
本発明では、ベース部材の開口部を封止する際、ベース部材の側壁の端面に封止部材の一方面を向けて封止部材を重ねた状態で封止部材をベース部材に向けて押圧しながら加熱する。その結果、銀原子および銅原子が拡散して銀−銅合金からなるろう材となる結果、封止部材とベース部材とが銀−銅合金からなるろう材によって溶接される。ここで、銅層は第１銅めっき層であり、銀層は第１銀めっき層であるが、芯材と第１銅めっき層との間には第１ニッケルめっき層が形成されている。このため、第１銅めっき層を形成する際、マイクロクラックやピンホールが発生しにくい。従って、第１銀めっき層の表面に余計な凹凸が発生しにくい等、第１銀めっき層は、溶接に適正な表面性状を有している。また、溶接後、第１銅めっき層の一部が残るため、ろう材と芯材との間には、第１銅めっき層の一部と第１ニッケルめっき層とがバリア層として存在する。このため、芯材まで銀原子が拡散しにくいので、芯材表面での剥離等が発生しにくい。また、芯材からのガス発生を第１ニッケルめっき層によって抑制することができる。さらに、芯材に直接、銀−銅合金からなるろう材をめっきする場合に比して、めっきが容易である。それ故、比較的簡素な構成で、封止性能に優れた封止部材を提供することができる。また、芯材に対して積層した層がめっき層（第１ニッケルめっき層、第１銅めっき層、および第１銀めっき層）であるため、薄い層であっても容易に形成することができるとともに、層の厚さを変更する場合で、めっき時間を変えればよいので、層の厚さを容易に変更することができる。
【００１２】
本発明において、前記芯材と前記第１ニッケルめっき層との間に、銅めっき層またはニッケルめっき層からなる第１下地層が形成されていることが好ましい。かかる構成によれば、第１下地層をストライクめっきにより形成する際、芯材表面の不働態皮膜等を除去して活性化することができるので、芯材と第１ニッケルめっき層との密着性を高めることができる。
【００１３】
本発明において、前記第１銅めっき層の厚さは、前記第１銀めっき層の厚さの０．４６倍より厚いことが好ましい。この場合、前記第１銅めっき層の厚さは、前記第１銀めっき層の厚さの０．４６倍より０．５μｍから３．０μｍ厚いことが好ましい。かかる構成によれば、溶接後、銅めっき層の一部をバリア層として確実に残すことができる。
【００１４】
本発明において、前記第１銅めっき層および前記第１銀めっき層は、有機物およびリンを含まないめっき層からなることが好ましい。かかる構成によれば、溶接の際、第１銅めっき層や第１銀めっき層から有機物やリンに起因するガスが発生することを抑制することができる。
【００１５】
本発明において、前記芯材の他方面に第２ニッケルめっき層が形成されていることが好ましい。かかる構成によれば、芯材の一方面側に第１ニッケルめっき層を形成する際、芯材の他方面をマスクする必要がない。それ故、封止部材を効率よく製造することができる。また、芯材の他方面が露出している場合には第２ニッケルめっき層が芯材に対する保護膜として機能する。
【００１６】
本発明において、前記第２ニッケルめっき層に対して前記芯材とは反対側に積層された
第２銅めっき層と、該第２銅めっき層に対して前記第２ニッケルめっき層とは反対側に積層された第２銀めっき層と、を有することが好ましい。かかる構成によれば、芯材の一方面側に第１銅めっき層および第２銀めっき層を形成する際、芯材の他方面をマスクする必要がない。それ故、封止部材を効率よく製造することができる。また、芯材の一方面側および他方面側の双方を接合用に用いることができる。
【００１７】
本発明において、前記芯材と前記第２ニッケルめっき層との間に、銅めっき層またはニッケルめっき層からなる第２下地層が形成されていることが好ましい。かかる構成によれば、第１下地層をストライクめっきにより形成する際、芯材表面の不働態皮膜等を除去して活性化することができるので、芯材と第２ニッケルめっき層との密着性を高めることができる。また、芯材の一方面側に第１下地層を形成する際、芯材の他方面をマスクする必要がない。それ故、封止部材を効率よく製造することができる。
【発明の効果】
【００１８】
本発明では、銅層が第１銅めっき層であり、銀層が第１銀めっき層であるが、芯材と第１銀めっき層との間には第１ニッケルめっき層が形成されている。このため、第１銅めっき層を形成する際、マイクロクラックやピンホールが発生しにくい。従って、第１銀めっき層の表面に余計な凹凸が発生しにくい等、第１銀めっき層は、溶接に適正な表面性状を有している。また、溶接後、第１銅めっき層の一部が残るため、ろう材と芯材との間には、第１銅めっき層の一部と第１ニッケルめっき層とがバリア層として存在する。このため、芯材まで銀原子が拡散しにくいので、芯材表面での剥離等が発生しにくい。また、芯材からのガス発生を第１ニッケルめっき層によって抑制することができる。さらに、芯材に直接、銀−銅合金からなるろう材をめっきする場合に比して、めっきが容易である。それ故、比較的簡素な構成で、封止性能に優れた封止部材を提供することができる。また、芯材に対して積層した層がめっき層（第１ニッケルめっき層、第１銅めっき層、および第１銀めっき層）であるため、薄い層であっても容易に形成することができるとともに、層の厚さを変更する場合でも、めっき時間を変えればよいので、層の厚さを容易に変更することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の実施の形態１に係る封止部材および電子部品用パッケージの製造方法を示す説明図である。
【図２】本発明の実施の形態１に係る封止部材および電子部品用パッケージの一部を拡大して示す説明図である。
【図３】本発明の実施の形態２に係る封止部材の一部を拡大して示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。
【００２１】
［実施の形態１］
図１は、本発明の実施の形態１に係る封止部材および電子部品用パッケージの製造方法を示す説明図である。図２は、本発明の実施の形態１に係る封止部材および電子部品用パッケージの一部を拡大して示す説明図であり、図２（ａ）、（ｂ）は、溶接前の説明図、および溶接後の説明図である。
【００２２】
図１において、電子部品用パッケージ１は、水晶振動子、フィルタ、発振器等の電子部品１０が内側に配置されたベース部材２と、封止部材３からなる蓋３ａとを有している。本形態において、ベース部材２は、底板部２１と、底板部２１の外縁から延在する側壁２２とを有しており、側壁２２によって囲まれた開口部２３を有している。本形態において、ベース部材２はセラミック製である。かかるベース部材２は、アルミナのグリーンシー
トを積層して焼結処理することにより製造される。
【００２３】
ベース部材２において、側壁２２の端面２２０にはメタライズ層２５が形成されている。かかるメタライズ層２５は、例えば、タングステン等を含む金属ペーストを塗布した後、ニッケル等をめっきすることにより形成される。
【００２４】
本形態において、封止部材３は、金属製の芯材３１と、芯材３１の一方面３１ａ側に形成された第１ニッケルめっき層３２と、第１ニッケルめっき層３２に対して芯材３１とは反対側に積層された第１銅めっき層３３と、第１銅めっき層３３に対して第１ニッケルめっき層３２とは反対側に積層された第１銀めっき層３４とを有している。かかる封止部材３は、芯材３１に対して一方面３１ａ側が接合面として用いられる。本形態の封止部材３において、芯材３１と第１ニッケルめっき層３２との間には銅めっき層またはニッケルめっき層からなる第１下地層３５が形成されている。
【００２５】
また、本形態の封止部材３は、芯材３１の他方面３１ｂ側に第２ニッケルめっき層３６が形成されており、芯材３１と第２ニッケルめっき層との間には、銅めっき層またはニッケルめっき層からなる第２下地層３９が形成されている。
【００２６】
本形態において、芯材３１は、鉄にニッケルおよびコバルトを配合した合金、鉄にニッケルを配合した合金、ステンレス等の鉄系材料等からなり、厚さは、例えば、２０μｍから２００μｍである。
【００２７】
第１下地層３５と第２下地層３９とは、後述するように、同時形成されためっき層であり、厚さが等しい。本形態において、第１下地層３５と第２下地層３９は、厚さが０．０１μｍから０．１μｍの銅めっき層からなり、かかる銅めっき層は、ストライクめっきにより形成される。ストライクめっきには、例えば、硫酸銅、硫酸、各種添加剤等を配合しためっき液、あるいはシアン化銅、シアン化ナトリウム、水酸化カリウム、各種添加剤等を配合しためっき液等が用いられ、リンや有機物が配合されていない。このため、第１下地層３５および第２下地層３９は、リンや有機物を含まないめっき層からなる。なお、めっき液では、例えば、シアン化ナトリウムに代えて、シアン化カリウムを用いてもよい。
【００２８】
第１ニッケルめっき層３２と第２ニッケルめっき層３６とは、後述するように、同時形成されためっき層であり、厚さが等しい。本形態において、第１ニッケルめっき層３２と第２ニッケルめっき層３６は、厚さが０．５μｍから３．０μｍである。第１ニッケルめっき層３２および第２ニッケルめっき層３６の形成には、例えば、塩化ニッケル、塩酸、各種添加剤を配合しためっき液が用いられ、リンや有機物が配合されていない。このため、第１ニッケルめっき層３２および第２ニッケルめっき層３６は、リンや有機物を含まないめっき層からなる。
【００２９】
第１銅めっき層３３の形成には、例えば、硫酸銅、硫酸、各種添加剤等を配合しためっき液、あるいはシアン化銅、シアン化ナトリウム、水酸化カリウム、各種添加剤等を配合しためっき液等が用いられ、リンや有機物が配合されていない。このため、第１銅めっき層３３は、リンや有機物を含まないめっき層からなる。なお、めっき液では、例えば、シアン化ナトリウムに代えて、シアン化カリウムを用いてもよい。
【００３０】
第１銀めっき層３４の形成には、例えば、シアン化銀カリウム、シアン化ナトリウム、各種添加剤を配合しためっき液が用いられ、リンや有機物が配合されていない。このため、第１銀めっき層３４は、リンや有機物を含まないめっき層からなる。なお、めっき液では、例えば、シアン化ナトリウムに代えて、シアン化カリウムを用いてもよい。
【００３１】
ここで、第１銅めっき層３３の膜厚と第１銀めっき層３４の膜厚の和は、３μｍから５０μｍである。また、本形態では、溶接の際、銀原子および銅原子が拡散して銀−銅系のろう材３０（図２（ｂ）参照）が形成された際、第１銅めっき層３３の一部が残るように、第１銅めっき層３３は、第１銀めっき層３４の厚さの０．４６倍より厚く設定されている。
【００３２】
すなわち、銀−銅共晶の比率は７２ｗｔ％：２８ｗｔであり、銀の密度は１０．５１ｇ／ｃｍ３であり、銅の密度は８．９６ｇ／ｃｍ３である。従って、銀層と銅層とが全て合金となる際の厚さを各々、ｔＡｇおよびｔＣｕとすると、以下の式が成り立つ。
ｔＡｇ×１０．５１：ｔＣｕ×８．９６＝７２：２８
ｔＣｕ＝０．４５６×ｔＡｇ
≒０．４６×ｔＡｇ
【００３３】
従って、第１銅めっき層３３の厚さを第１銀めっき層３４の厚さの０．４６倍以上としておけば、銀−銅系のろう材３０が形成された際、第１銅めっき層３３の一部が残る。本形態では、第１銅めっき層３３の厚さは、第１銀めっき層３４の厚さの０．４６倍より０．５μｍから３．０μｍ厚く設定されている。
【００３４】
（封止部材３の製造方法）
本形態の封止部材３を製造するには、まず、ロール状に巻回された長尺の芯材３１をロールから引き出しながらめっき装置に通し、めっきを行う。かかる工程を複数回、行った後、所定サイズに切断し、封止部材３を得る。ここで、第１下地層３５および第２下地層３９は芯材３１の両面に形成され、第１ニッケルめっき層３２および第２ニッケルめっき層３６は芯材３１の両面に形成される。従って、第１下地層３５および第２下地層３９を形成する際のめっき工程では、芯材３１の両面にマスクを形成せず、第１下地層３５および第２下地層３９を同時形成する。また、第１ニッケルめっき層３２および第２ニッケルめっき層３６を形成する際のめっき工程では、芯材３１の両面にマスクを形成せず、第１ニッケルめっき層３２および第２ニッケルめっき層３６を同時形成する。これに対して、第１銅めっき層３３および第１銀めっき層３４は、芯材３１の一方面３１ａ側のみに形成する。このため、第１銅めっき層３３を形成するためのめっき工程、および第１銀めっき層３４を形成するためのめっき工程では、芯材３１の他方面３１ｂ側にマスクを形成した状態で行う。
【００３５】
（溶接工程）
本形態の封止部材３を用いて電子部品用パッケージ１を形成するには、まず、ベース部材２の側壁２２の内側に電子部品１０を配置する。次に、側壁２２の端面２２０に一方面３１ａを向けて封止部材３を重ねた状態で封止部材３をベース部材２に向けて押圧しながら加熱し、ベース部材２と封止部材３とを溶接する。
【００３６】
本形態では、図１に示すように、一対の溶接ローラ９により通電して連続的に７７９℃から９００℃程度にまで加熱し、スポット溶接を行う。その際、第１銀めっき層３４の銀原子、および第１銅めっき層３３の銅原子が拡散して、図２（ｂ）に示すように、銀−銅合金からなるろう材３０が形成される結果、封止部材３とベース部材２とが銀−銅合金からなるろう材３０の共晶点７８０℃近くで融着し、溶接される。かかる工程は、例えば、不活性雰囲気中で行われる。なお、封止部材３を加熱するにあたって、溶接ローラ９に対する通電に代えて、ビームの照射を行ってもよい。
【００３７】
（本形態の主な効果）
以上説明したように、本形態の封止部材３では、銀−銅合金からなるろう材３０を形成するための銅層が第１銅めっき層３３であり、銀層が第１銀めっき層３４であるが、芯材
３１と第１銅めっき層３３との間には第１ニッケルめっき層３２が形成されている。このため、第１銅めっき層３３を形成する際、マイクロクラックやピンホールが発生しにくい。従って、第１銀めっき層３４の表面に余計な凹凸が発生しにくい等、第１銀めっき層３４は、溶接に適正な表面性状を有している。
【００３８】
また、溶接後、第１銅めっき層３３の一部が残るため、ろう材３０と芯材３１との間には、第１銅めっき層３３の一部と第１ニッケルめっき層３２とがバリア層として存在する。このため、芯材３１まで銀原子が拡散しにくいので、芯材表面での剥離等が発生しにくい。また、芯材３１からのガス発生を第１ニッケルめっき層３２によって抑制することができる。さらに、芯材３１に直接、銀−銅合金からなるろう材をめっきする場合に比して、銀層および銅層を各々、形成するため、めっきが容易である。それ故、比較的簡素な構成で、封止性能に優れた封止部材を提供することができる。
【００３９】
また、芯材３１に対して積層した層がめっき層（第１下地層３５、第１ニッケルめっき層３２、第１銅めっき層３３、および第１銀めっき層３４）であるため、薄い層であっても容易に形成することができるとともに、層の厚さを変更する場合でも、めっき時間を変えればよいので、層の厚さを容易に変更することができる。
【００４０】
また、芯材３１の他方面３１ｂ側にも、第２下地層３９および第２ニッケルめっき層３６が形成されている。このため、芯材３１の一方面３１ａ側に第１下地層３５および第１ニッケルめっき層３２を形成する際、芯材３１の他方面３１ｂをマスクする必要がない。それ故、封止部材３を効率よく製造することができる。また、芯材３１の他方面３１ｂが露出している場合でも、第２ニッケルめっき層３６が芯材３１に対する保護膜として機能する。
【００４１】
また、芯材３１と第１ニッケルめっき層３２との間には、銅めっき層からなる第１下地層３５が形成され、芯材３１と第２ニッケルめっき層３６との間には、銅めっき層からなる第２下地層３９が形成されている。このため、第１下地層３５および第２下地層３９をストライクめっきにより形成する際、芯材３１表面の不働態皮膜等を除去して活性化することができるので、芯材３１と第１ニッケルめっき層３２との密着性、および芯材３１と第２ニッケルめっき層３６との密着性を高めることができる。
【００４２】
また、第１銅めっき層３３の厚さは、第１銀めっき層３４の厚さの０．４６倍より厚い。特に、本形態では、第１銅めっき層３３の厚さは、第１銀めっき層３４の厚さの０．４６倍より０．５μｍから３．０μｍ厚い。このため、溶接後、第１銅めっき層３３の一部をバリア層として確実に残すことができる。
【００４３】
また、第１銅めっき層３３および第１銀めっき層３４は、有機物およびリンを含まないめっき層からなるため、溶接の際、第１銅めっき層３３や第１銀めっき層３４から有機物やリンに起因するガスが発生することを抑制することができる。それ故、信頼性の高い封止を行うことができる。
【００４４】
［実施の形態２］
図３は、本発明の実施の形態２に係る封止部材３の一部を拡大して示す説明図である。なお、本形態の基本的な構成は、実施の形態１と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付して、それらの説明を省略する。
【００４５】
図２に示すように、本形態の封止部材３は、実施の形態１と同様、芯材３１の一方面３１ａ側には、第１下地層３５、第１ニッケルめっき層３２、第１銅めっき層３３、および第１銀めっき層３４が順に積層されている。
【００４６】
本形態では、芯材３１の他方面３１ｂ側には、一方面３１ａ側と同様、第２下地層３９、第２ニッケルめっき層３６、第２銅めっき層３７、および第２銀めっき層３８が順に積層されている。
【００４７】
ここで、第２銅めっき層３７は、第１銅めっき層３３と同時形成されためっき層であり、第１銅めっき層３３と同一の厚さである。また、第２銀めっき層３８は、第１銀めっき層３４と同時形成されためっき層であり、第１銀めっき層３４と同一の厚さである。
【００４８】
このように構成した封止部材３では、芯材３１の一方面３１ａ側および他方面３１ｂ側のいずれの側を接合面として用いてもよい。また、芯材３１の一方面３１ａ側を第１ベース部材（図示せず）に接合し、他方面３１ｂ側に第２ベース部材（図示せず）を接合してもよい。すなわち、封止部材３を第１ベース部材と第２ベース部材との接合に用いてもよい。
【００４９】
また、本形態では、芯材３１の一方面３１ａ側と他方面３１ｂ側とでは、同一のめっき層が形成されている。このため、封止部材３を製造する際、芯材３１にマスクを形成せずに、芯材３１の一方面３１ａ側および他方面３１ｂ側の双方にめっきを行えばよいので、製造工程を簡素化することができる。
【符号の説明】
【００５０】
１・・電子部品用パッケージ、２・・ベース部材、３・・封止部材、９・・溶接ローラ、１０・・電子部品、２５・・メタライズ層、３０・・ろう材、３１・・芯材、３１ａ・・一方面、３１ｂ・・他方面、３２・・第１ニッケルめっき層、３３・・第１銅めっき層、３４・・第１銀めっき層、３５・・第１下地層、３６・・第２ニッケルめっき層、３８・・第２銀めっき層、３９・・第２下地層
【図１】
2016006820.tif 000003
【図２】
2016006820.tif 000004
【図３】
2016006820.tif 000005