(57)【要約】【課題】ダイシングブレードの目詰まりを抑制して、生産性を向上させることが可能な、チップの作製方法を提供する。【解決手段】チップの作製方法は、複数のチップ１００のそれぞれが形成された複数のチップ領域２０１と、各チップ領域２０１の周囲に設けられた、各チップ１００を切り離すための切断領域２０２，２０３とを含み、切断領域２０２，２０３には、チップ１００を検査するための検査パッド８と、当該検査パッド８と電気的に接続され、保護膜１４に被覆された配線７とが配置された基板を用意する工程と、検査パッド８を用いてチップ１００を検査する工程と、エッチングを用いて、検査パッド８および配線７を除去する工程とを含む。【選択図】図８
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のチップのそれぞれが形成された複数のチップ領域と、各チップ領域の周囲に設けられた、各チップを切り離すための切断領域とを含み、前記切断領域には、前記チップを検査するための検査パッドと、当該検査パッドと電気的に接続され、保護膜に被覆された配線とが配置された基板を用意する工程と、
前記検査パッドを用いて前記チップを検査する工程と、
エッチングを用いて、前記検査パッドおよび前記配線を除去する工程と、を含むチップの作製方法。
【請求項２】
前記除去する工程では、ウェットエッチングを用いて、前記検査パッドおよび前記配線を除去する、請求項１に記載のチップの作製方法。
【請求項３】
前記除去する工程では、前記配線が、当該配線と異なる種類の金属に電気的に接続されている、請求項１または２に記載のチップの作製方法。
【請求項４】
前記チップは、機能素子および前記機能素子を駆動するための電気信号を受け付けるパッドを有し、
当該チップの作製方法は、前記検査する工程の後に、電極層を形成し、当該電極層を用いて前記パッド上にバンプを形成する工程をさらに含み、
前記除去する工程では、前記検査パッドおよび前記配線の除去と共に、前記電極層の除去を行う、請求項１ないし３のいずれか１項に記載のチップの作製方法。
【請求項５】
前記バンプを形成する工程では、前記電極層を用いた金めっきにより、前記バンプが形成される、請求項４に記載のチップの作製方法。
【請求項６】
前記バンプは、前記配線と電気的に接続されている、請求項４または５に記載のチップの作製方法。
【請求項７】
前記検査パッドは、前記機能素子と電気的に接続されている、請求項４ないし６のいずれか１項に記載のチップの作製方法。
【請求項８】
前記配線は、前記機能素子と電気的に接続されており、
前記チップは、前記配線と接するエッチングバリア層を有する、請求項４ないし７のいずれか１項に記載のチップの作製方法。
【請求項９】
前記配線は、前記保護膜および前記検査パッドの下層に設けられており、
前記検査する工程では、前記パッドおよび前記検査パッドにプローブを刺すことで、前記検査パッドに、前記配線に達する穴が形成され、
前記除去する工程では、前記穴を介してエッチング液が前記配線に達することで、当該配線が除去される、請求項１ないし８のいずれか１項に記載のチップの作製方法。
【請求項１０】
前記機能素子は、液体を吐出するために利用されるエネルギーを発生するエネルギー発生素子である、請求項４ないし８のいずれか１項に記載のチップの作製方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、チップの作製方法に関し、例えば、インクジェット方式の記録装置の記録ヘッドに用いられるチップの作製方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
インクジェット方式の記録装置に搭載される記録ヘッドのヘッド基板には、複数の発熱部を集積したチップである記録素子基板を用いたものがある。この種の記録素子基板上には、発熱部を駆動するための駆動回路および配線などが、半導体プロセス技術を用いて形成される。
図１５は、上記の記録素子基板を用いたヘッド基板Ｈ９０００の構成を示す図である。
ヘッド基板Ｈ９０００は、記録素子基板９００と、インク流路を形成するためのノズル部材Ｈ９１００とを有する。記録素子基板９００上には、複数の発熱部９０１と、電極パッド９０２と、検査用電極パッド９０３とが形成されている。また、記録素子基板９００の中央部分には、記録素子基板９００を貫通する矩形状のインク供給口９２０が設けられており、複数の発熱部９０１は、このインク供給口９２０の長辺を挟んだ両側に配列されている。ノズル部材Ｈ９１００は、記録素子基板９００上に設けられ、記録素子基板９００の発熱部９０１と対応する位置にインクを吐出するためのインク吐出口Ｈ９１０１が設けられている。
上記のヘッド基板Ｈ９０００を作製する方法としては、ダイシングブレードを用いて、１つのＳｉ（シリコン）ウェハを切断して切り離すことで、複数のヘッド基板Ｈ９０００を同時に作成するものがある。この方法では、Ｓｉウェハに、複数の記録素子基板９００を形成する複数の基板形成領域と、各基板形成領域の周囲に形成された、各記録素子基板９００を切り離すための切断領域と、が設けられる。そして、基板形成領域に、図１６に示すように、発熱部９０１、電極パッド９０２、および検査用電極パッド９０３などが形成され、検査用電極パッド９０３を用いた、記録素子基板９００の品質を確認するための検査が実施される。検査が終了すると、図１７に示すように、各基板形成領域上に、インク吐出口Ｈ９１０１を有するノズル部材Ｈ９１００が設けられる。その後、ダイシングブレードを用いて、切断領域を切断してＳｉウェハを分離することで、Ｓｉウェハの基板形成領域の部分がヘッド基板Ｈ９０００として作製される。
【０００３】
また、この種のインクジェット記録装置では、近年、高画質の画像を高速に得るため、記録素子基板に形成する発熱素子や電極パッドの数が増加している。このため、記録素子基板のサイズが大型化し、１つのＳｉウェハから取り出すことのできる記録素子基板の個数が減少するという問題がある。
これに対して、特許文献１および特許文献２に開示された半導体基板の作製方法では、記録素子基板のサイズを抑制するために、Ｓｉウェハを切断した後に不要となる検査用の素子を、Ｓｉウェハを切断する切断領域に配置している。
また、特許文献３に開示された半導体基板の作製方法では、金属配線を切断領域に設けている。この金属配線は、保護膜に被覆されているが、半導体基板上に形成された半導体装置の特性を測定するための開口が保護膜に設けられている。このため、開口部分において金属配線が露出しており、Ｓｉウェハを切断する際に、金属配線の露出している部分が変形してめくれ上がり、バリとなってしまう場合がある。バリの形状や大きさによっては、短絡を引き起こしてしまうため、特許文献３に記載の技術では、バリが生じることを抑制するために、Ｓｉウェハを切断する前に、エッチングを用いて、金属配線のうち露出している金属パッド部分が除去されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平７−８９０７２号公報
【特許文献２】特開平９−２５２０３４号公報
【特許文献３】特開平１１−２０４５２５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１〜３に開示された技術では、Ｓｉウェハを切断した後に不要となる検査用の素子などを切断領域に設けているため、チップの検査が多くなるほど、切断領域に設けられる素子の数が増大する。この場合、Ｓｉウェハを切断する際に、多くの素子やこれらの素子に接続された金属配線などが、Ｓｉウェハと共に切断されることになり、切断に用いるダイシングブレードの目詰まりが多くなる。これにより、ダイシングブレードの破損が頻繁に生じたり、ダイシングブレードの破損を防止するためのドレッシング作業を頻繁に行う必要が生じたりする。このため、チップを作製する工程の生産性が低下するという問題があった。
なお、特許文献３には、Ｓｉウェハを切断する前に、切断領域に設けられた金属配線をエッチングすることが開示されており、この場合、切断領域に設けられた金属配線を減らすことができる。しかしながら、特許文献３では、バリが生じることを抑制することを目的としているため、金属配線のうち、保護膜の開口から露出している部分だけが除去されている。このため、金属配線のうち大部分を占める、保護膜に被覆された部分はＳｉウェハと共に切断されることになり、ダイシングブレードの目詰まりを十分に抑制させることはできない。したがって、チップを作製する工程の生産性が低下するという問題を解決することができない。
本発明の目的は、チップの作製におけるダイシングブレードの目詰まりを抑制して、生産性を向上させることが可能なチップの作製方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明によるチップの作製方法は、
複数のチップのそれぞれが形成された複数のチップ領域と、各チップ領域の周囲に設けられた、各チップを切り離すための切断領域とを含み、前記切断領域には、前記チップを検査するための検査パッドと、当該検査パッドと電気的に接続され、保護膜に被覆された配線とが配置された基板を用意する工程と、
前記検査パッドを用いて前記チップを検査する工程と、
エッチングを用いて、前記検査パッドおよび前記配線を除去する工程とを含む。
上記のように構成される本発明においては、チップ同士を切り離すための切断領域に設けられた、検査パッドおよび検査パッドと接続された配線が、エッチングを用いて除去される。一般的に金属材料で形成される検査パッドおよび配線が除去されることで、切断領域においてチップ同士を切り離す際に、ダイシングブレードに与えるダメージを抑制することができる。したがって、チップの作製におけるダイシングブレードの目詰まりを抑制して、生産性を向上させることが可能になる。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、チップの作製におけるダイシングブレードの目詰まりを抑制して、生産性を向上させることが可能である。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の第１の実施形態に係るヘッド基板Ｈ１０００の構成を示す図である。
【図２】Ｓｉウェハ２００上に設けられる切断領域について説明するための図である。
【図３】切断する前のＳｉウェハ２００の状態を説明するための図である。
【図４】ヘッド基板Ｈ１０００を用いた記録素子ユニットＨ２０００の構成を示す図である。
【図５】Ｓｉウェハ２００上に設けられる電極およびパッドの構成の一例を示す図である。
【図６】図５のＢ−Ｂ’断面を模式的に示す図である。
【図７】検査を行った後のＢ−Ｂ’断面の構成を模式的に示している。
【図８】エッチング後のＢ−Ｂ’断面の構成と、実装用バンプを形成する位置を示す図である。
【図９】実装用バンプ２２を形成する工程について説明するための図である。
【図１０】Ｓｉウェハ２００上に設けられる品質確認用のモニタの構成の一例を示す図である。
【図１１】図１０のＤ−Ｄ’断面を模式的に示す図である。
【図１２】モニタ用電極３２および３３を除去した後の、Ｄ−Ｄ’断面を模式的に示す図である。
【図１３】本発明の比較例１の構成を示す図である。
【図１４】本発明の比較例２の構成を示す図である。
【図１５】切断領域に素子を形成しないヘッド基板Ｈ９０００の構成を示す図である。
【図１６】ヘッド基板Ｈ９０００を作製する工程について説明するための図である。
【図１７】ヘッド基板Ｈ９０００を作製する工程について説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本発明の実施形態について添付の図面を参照して説明する。なお、本明細書および図面において、同一の機能を有する構成要素については同じ符号を付することにより重複説明を省略する場合がある。
【００１０】
図１は、本発明の一実施形態に係るヘッド基板Ｈ１０００の構成を示す図である。ヘッド基板Ｈ１０００は、記録素子基板１００と、インク流路を形成するためのノズル部材Ｈ１１００とを有する。記録素子基板１００上には、発熱部配列１０１と、電極パッド配列１０２とが形成されている。
記録素子基板１００の中央部には、記録素子基板１００を貫通する矩形の貫通孔であるインク供給口１２０が設けられている。発熱部配列１０１は、インク供給口１２０の長辺を挟んで両側に並んで設けられている。また、電極パッド配列１０２は、記録素子基板１００の端部に並んで設けられている。電極パッド配列１０２の各電極パッドは、機能素子と接続されており、この機能素子を駆動するための電気信号を受け付ける。また、図示していないが、記録素子基板１００上には、駆動素子や、駆動素子を駆動するための駆動回路が設けられている。
ノズル部材Ｈ１１００は、記録素子基板１００上に設けられ、記録素子基板１００の発熱部配列１０１の各発熱部と対応する位置にインクを吐出するためのインク供給口Ｈ１１０１が複数設けられている。
【００１１】
ヘッド基板Ｈ１０００を作製する際には、図２に示すように、１つのＳｉウェハ２００を切断して切り離すことで、複数の記録素子基板１００（チップ）が作製される。Ｓｉウェハ２００には、複数の記録素子基板１００が形成される複数の基板形成領域２０１と、各記録素子基板１００を切り離すための切断領域２０２および２０３とが設けられる。基板形成領域２０１は、複数のチップが形成されるチップ領域とも呼ばれる。図３は、切断する前のＳｉウェハ２００の状態を説明するための図である。基板形成領域２０１には、発熱部配列１０１および電極パッド配列１０２が設けられる。そして、切断領域２０２および２０３には、検査パッド配列１０３および複数のモニタパッド配列１０４が設けられる。なお、図３では図示していないが、Ｓｉウェハ２００上には、検査パッド配列１０３の各検査パッドと接続され、保護膜に被覆された検査電極や、品質確認用のモニタが設けられている。これにより、複数の記録素子基板１００のそれぞれが形成された複数の基板形成領域２０１と、各基板形成領域２０１の周囲に設けられた、各記録素子基板１００を切り離すための切断領域とを含む基板が用意されることになる。この基板の切断領域には、記録素子基板１００を検査するための検査パッドと、検査パッドと電気的に接続され、保護膜に被覆された配線とが配置されている。
切断領域２０２および２０３に形成された検査パッド配列１０３やこの検査パッド配列１０３の各検査パッドに接続された配線は、記録素子基板１００の品質や特性を確認するためのものであり、製造工程中において検査を行った後は、不要となる。このため、検査が終了した後、Ｓｉウェハ２００を切断するまでの間の工程において、検査パッド配列１０３および検査パッド配列１０３に接続された配線は、エッチングにより除去される。検査が終了した後、Ｓｉウェハ２００を切断するまでの間の工程は、例えば、電極パッド配列１０２上に実装用バンプを形成する工程、発熱部に対応したインク吐出口とインク流路とを形成する工程、およびインクの供給口を形成する工程などである。Ｓｉウェハ２００を切断領域２０２および２０３で切断すると、ヘッド基板Ｈ１０００となる。
【００１２】
図４は、ヘッド基板Ｈ１０００を用いた記録素子ユニットＨ２０００の構成を示す図である。ヘッド基板Ｈ１０００上の電極パッド配列１０２は、フレキシブルフィルム配線基板Ｈ１２００の電極リードＨ１２０１と電気的に接続される。そして、電極リードＨ１２０１の周辺部が封止樹脂Ｈ１３００によって封止されることで、記録素子ユニットＨ２０００となる。この記録素子ユニットＨ２０００が、図示しないインク供給ユニットと接合されることで、記録ヘッドが作製される。
以上、記録ヘッドの作製方法の概要について、図１〜４を用いて説明した。以下、この記録ヘッドの作製方法のうち、Ｓｉウェハ２００を切断する前に行われる、切断領域２０２および２０３のエッチング処理について、より詳しく説明する。
【００１３】
図５は、Ｓｉウェハ２００上に設けられる電極およびパッドの構成の一例を示す図である。Ｓｉウェハ２００上には、ヒータ１と、電極２と、電極３と、電極パッド４と、開口５と、コンタクトホール６と、検査電極７と、検査パッド８と、開口９とが形成されている。
機能素子であるヒータ１は、インク等の液体を吐出するために利用される熱エネルギーを発生するエネルギー発生素子であり、電極２および３のそれぞれに接続されており、電極２の一部は、矩形形状の電極パッド４を形成している。電極２は、絶縁性の保護膜で覆われており、電極２の一部で保護膜が除かれた開口５が形成されており、開口５から露出された電極２が電極パッド４を形成している。電極２には、ヒータ１と電極パッド４とを接続する配線の途中で、コンタクトホール６が設けられている。コンタクトホール６は、さらに検査電極７の一端と接続されている。また検査電極７の他端は、検査パッド８と接続されている。検査電極７は、絶縁性の保護膜で覆われており、検査電極７部分で絶縁性の保護膜が除かれた開口９が形成されている。なお、図５には示されていないが、図３に示したように、複数の検査パッド８が配列して、検査パッド配列１０３を形成している。
ここで、Ｓｉウェハ２００を切断する際には、Ｓｉウェハ２００は、切断線Ａに沿って切断される。切断線Ａは、切断領域に設けられ、検査パッド８と検査電極７の一部とは、この切断領域に配置される。
【００１４】
図６は、図５のＢ−Ｂ’断面を模式的に示す図である。Ｓｉウェハ２００上には、一面に絶縁層１１が設けられている。絶縁層１１は、厚さ１μｍの熱酸化膜である。絶縁層１１上には、検査電極７および層間絶縁膜１２が積層されている。検査電極７は、絶縁層１１上の一部に形成されており、層間絶縁膜１２は、絶縁層１１上であって、検査電極７が形成されていない部分と検査電極７上とに形成される。また検査電極７上には、層間絶縁膜１２が形成されていない部分が２カ所存在し、そのうち１ヶ所がコンタクトホール６を形成している。
層間絶縁膜１２が形成されていない部分には、それぞれヒータ層１３および電極２が順次積層される。ヒータ層１３は、厚さ１０ｎｍのＴａＳｉＮにより形成される。電極２は、厚さ３００ｎｍのアルミニウムにより形成される。検査電極７は、コンタクトホール６を介して、ヒータ層１３および電極２と電気的に接続されている。また、Ｓｉウェハ２００の最表面には、絶縁性保護膜１４が積層されている。絶縁性保護膜１４は、検査電極７が形成されていない部分に開口５が設けられており、層間絶縁膜１２が形成されていない部分のうち、コンタクトホール６以外の部分で、開口９が設けられている。破線Ｃは、Ｓｉウェハ２００を切断するときに切断されるラインである。検査パッド８と、検査電極７の一部とは、切断領域に配置される。
これらの工程により、検査電極７は、絶縁性保護膜１４および検査パッド８の下層に設けられることになる。
図６に示した構成の記録素子基板を検査する際には、電極３から電極パッド４に電流を流した状態で、電極パッド４と検査パッド８との間に針状のプローブを接続させて電位差を測定する。これにより、電極２のコンタクトホール６から電極パッド４までの抵抗値を測定することができる。図７は、このような検査を行った後の断面構成を模式的に示している。検査後においては、電極パッド４および検査パッド８にプローブを刺すことによって、電極パッド４に穴２０および電極パッド８に穴２１が形成されている。電極パッド４に形成された穴２０は、電極パッド４およびヒータ層１３を貫通している。検査パッド８に形成された穴２１は、検査パッド８およびヒータ層１３を貫通して検査電極７に達している。
【００１５】
このような検査は、記録素子基板が完成するとすぐに行われ、検査が終了すると、切断領域に設けられた検査パッド８および検査電極７は不要となる。
検査が終わった後、電極パッド４部分に実装用バンプを形成する工程が行われる。図８に示されるように、実装用バンプ２２は、記録素子基板の開口５上に形成される。図９は、実装用バンプ２２を形成する工程について説明するための図である。図９には、図６および図７の開口５の周辺部分が示されている。尚、検査時に形成された穴２０は図示していない。
先ず、検査が終了した後の記録素子基板の開口５（図９Ａ）部分において、電界めっきを行うための電極となるシード層４１を形成する。シード層４１は、ＴｉＷおよびＡｕがそれぞれ２００ｎｍ，１００ｎｍの厚みとなるように、スパッタリングを用いて成膜することで形成され、電極層とも呼ばれる（図９Ｂ）。
そして、レジスト４２を用いて、フォトリソグラフィ技術を用いて、金めっきを行う部分の型を作製する（図９Ｃ）。その後、電界めっきにより、金の薄膜を５μｍの厚さに形成する。これにより、レジスト４２で形成された型の内部に金めっき２２が形成される（図９Ｄ）。その後、レジスト４２を剥離する（図９Ｅ）。そして、ウェットエッチングを用いて、金めっき２２で覆われていない部分のシード層４１を除去するエッチング処理を行う（図９Ｆ）。
【００１６】
このように、実装用バンプ２２を形成する工程は、金めっき２２で覆われていない部分のシード層４１を除去するエッチング処理を含む。切断領域の検査パッド８および検査電極７の除去は、このエッチング処理と共に行われてもよい。検査パッド８および検査電極７はアルミニウムからなるため、シード層４４をエッチングするためのエッチング液によって、検査パッド８および検査電極７をエッチングすることができる。ここで、ＴａＳｉＮからなるヒータ層１３はエッチングすることができないが、検査工程において、図７に示されるように、プローブにより穴２１が開けられているため、この穴２１を介して下層の検査電極７までエッチング液が浸透する。したがって、図８に示されるように、ヒータ層１３を残して下層の検査電極７が除去される。このように、ウェットエッチングを用いることで、保護膜１４に被覆されていて、表面に露出していない検査電極７を除去することが可能になる。
また、この構成では、金めっきにより実装用バンプ２２が完成した後、エッチングを行っている。このため、エッチングを行うときには、検査電極７の一端は、アルミニウムにより構成された検査パッド８が接続されており、他端は、電極パッド上に作製された金めっきが接続されている。この状態でエッチング液に浸されると、電池反応により、アルミニウムのエッチング速度が通常よりも早くなる現象が起こる。詳しくは、イオン化傾向の異なる種類の金属が電気的に接続された状態で電解質溶液に浸されると、イオン化傾向が高い金属が溶解して電子を発生させ、電子がイオン化傾向の低い金属側に移動して水素などを発生する。これにより、絶縁性保護膜１４に被覆された領域の検査電極７であっても、エッチングを用いて容易に除去することが可能となる。
また、図８に示すように、コンタクトホール６部分において、アルミニウムにより構成された検査電極７と、ＴａＳｉＮにより構成されたヒータ層１３とが接する構造となっている。アルミニウムはエッチングされるが、ＴａＳｉＮはエッチングされないため、このコンタクトホール６より先にエッチングが進まず、電極２はエッチングされずに残存する。このように、ＴａＳｉＮによるヒータ層１３は、エッチングバリア層として機能する。このエッチングバリア層は、複数個設けることが可能であり、エッチングを止めたい箇所に任意に配置することが可能である。
【００１７】
図１０は、Ｓｉウェハ２００上に設けられる品質確認用のモニタの構成例を示す図である。モニタは、ヒータの抵抗をモニタリングするためのものであり、モニタヒータ３１と、モニタ用電極３２および３３とを含む。モニタ用電極３２および３３は、それぞれモニタヒータ３１と接続されている。また、モニタ用電極３２および３３は、絶縁性保護膜に覆われており、その一部に開口３４および３５が設けられている。
図１１は、図１０のＤ−Ｄ’断面を模式的に示す図である。Ｓｉウェハ２００上に、絶縁層１１が設けられており、絶縁層１１上に、さらにモニタヒータ３１と、モニタ用電極３２および３３とが順次形成されている。その後、絶縁性保護膜３６が積層された後、モニタ用電極３２および３３に電気的な検査を行うために絶縁性保護膜３６を除去した部分である開口３４および３５が形成されている。
この品質確認用のモニタは、記録素子基板１００が完成した後、絶縁性保護膜３６の開口３４および３５部分にプローブの針を接続して電気を流し、モニタヒータ３１の抵抗値を測定することで、記録素子基板１００の品質の合否を判定する。その後、ウェットエッチングを行うと、図１２に示すように、モニタ用電極３２および３３が除去されて、モニタヒータ３１が露出した状態となる。
これらの検査が終わった後、ノズル部材Ｈ１１００を記録素子基板１００と接合して、Ｓｉウェハ２００を切断する工程を経ると、ヘッド基板Ｈ１０００となる。
この構成のＳｉウェハ２００を切断したところ、３０枚のＳｉウェハ２００を切断しても、ダイシングブレードの破損は生じなかった。
【００１８】
（比較例１）
図１３は、本発明の比較例１の構成を示す図である。この比較例１では、検査電極７および検査パッド８をエッチングしていない。この構成のウェハを切断したところ、３枚目のウェハを切断している間に、ダイシングブレードが破損した。
（比較例２）
図１４は、本発明の比較例２の構成を示す図である。この比較例２では、検査パッド８の絶縁性保護膜の開口９から露出している部分をケミカルドライエッチングにより除去している。この構成では、保護膜１４に被覆された検査電極７は除去されていない。このウェハを切断したところ、５枚目のウェハにおいて、ダイシングブレードが破損して切断できなくなった。
【００１９】
このように、本願発明の構成によれば、Ｓｉウェハを切断する前にエッチングを行っていない構成や、開口９から露出している部分だけをエッチングした構成よりも、切断する部分に設けられた金属を少なくすることができる。このため、ダイシングブレードに与えるダメージを抑制することができ、記録素子基板を作製する工程の生産性を向上することが可能になる。
以上、実施形態を参照して本願発明を説明したが、本願発明は上記実施形態に限定されるものではない。本願発明の構成や詳細には、本願発明のスコープ内で当業者が理解し得る様々な変更をすることができる。
例えば、上記実施形態では、検査電極７と接続される金属が金めっきで形成されたバンプであることとしたが、本発明はかかる例に限定されない。検査電極７は、バンプ以外の金属部材と接続されてよく、この金属部材は、検査電極７を形成する金属材料と異なるイオン化傾向を有する金属で形成されていればよい。
【符号の説明】
【００２０】
１                    ヒータ
２，３                電極
４                    電極パッド
５，９，３４，３５    開口
６                    コンタクトホール
７                    検査電極（配線）
８                    検査パッド
１１                  絶縁層
１２                  層間絶縁膜
１３                  ヒータ層
１４，３６            絶縁性保護膜
２０，２１            穴
２２                  実装用バンプ
３１                  モニタヒータ
３２，３３            モニタ用電極
４１                  シード層（電極層）
４２                  レジスト
１００                記録素子基板（チップ）
１０１                発熱部
１０２                電極パッド配列
１０３                検査用電極パッド配列
１０４                モニタパッド配列
２００                Ｓｉウェハ
２０１                基板形成領域（チップ形成領域）
２０２，２０３        切断領域
Ｈ１０００            ヘッド基板
Ｈ１１００            ノズル部材
Ｈ１１０１            インキ吐出口
Ｈ１２００            フレキシブル配線基板
Ｈ１２０１            電極リード
Ｈ１３００            封止樹脂
Ｈ２０００            記録素子ユニット
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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