(57)【要約】【課題】  鉛直方向の支持に用いる磁石から水平方向に漏れる磁場を低減すること。【解決手段】  ステージ装置は、磁石ＬＶＭＭ１、ＬＶＭＭ２と、磁石ＬＶＭＭ１、ＬＶＭＭ２により浮上し、磁石ＬＶＭＭ１、ＬＶＭＭ２とともに水平面に沿う第１方向に移動する移動体と、移動体の可動域において磁石ＬＶＭＭ１、ＬＶＭＭ２の上方で対面する磁性体ＬＶＳＳを有する固定部材ＬＶＳとを備えている。移動体が有する第１の磁場遮蔽面１０と固定部材ＬＶＳが有する第２の磁場遮蔽面２０とを用いて、磁石ＬＶＭＭ１、ＬＶＭＭ２の、少なくとも第１方向の側面を覆うことを特徴とする。【選択図】  図１
2016004922.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁石と、
前記磁石により浮上し、前記磁石とともに水平面に沿う第１方向に移動する移動体と、
前記移動体の可動域において前記磁石の上方で前記磁石と対面する磁性体を有する固定部材とを備え、
前記移動体が有する第１の磁場遮蔽面と前記固定部材が有する第２の磁場遮蔽面とを用いて、前記磁石の、少なくとも前記第１方向の側面を覆うことを特徴とするステージ装置。
【請求項２】
前記第１方向に延伸している前記第２の磁場遮蔽面の長さは、前記第１方向に延伸している前記第１の磁場遮蔽面の長さよりも長いことを特徴とする請求項１に記載のステージ装置。
【請求項３】
前記磁石の上方で前記磁石と対面する磁性体は第１の磁性体であって、前記移動体は前記磁石の下方で前記磁石を接触支持する第２の磁性体を有することを特徴とする請求項１又は２に記載のステージ装置。
【請求項４】
前記第１の磁場遮蔽面の一部の領域と前記第２の磁場遮蔽面の一部の領域が対面していることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のステージ装置。
【請求項５】
前記第２の磁場遮蔽面の鉛直方向の長さは、前記磁石の鉛直方向の長さよりも短いことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のステージ装置。
【請求項６】
前記第１の磁場遮蔽面及び前記第２の磁場遮蔽面の透磁率は、いずれも１０００以上であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載のステージ装置。
【請求項７】
前記磁石は永久磁石又は電磁石であることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載のステージ装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか１項に記載のステージ装置を有し、
該ステージ装置に保持された基板上に荷電粒子線を照射してパターンを形成することを特徴とするリソグラフィ装置。
【請求項９】
請求項８に記載のリソグラフィ装置を用いて、基板に荷電粒子線を照射する工程と、前記工程で照射される前記基板を現像する工程とを有することを特徴とする物品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ステージ装置、リソグラフィ装置、及び物品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体の回路パターンの形成に用いるリソグラフィ装置に対するスループット向上の要求に伴い、ウエハステージやレチクルステージ等のステージ装置における移動の高速化が望まれている。高速化の要求に応える手段として、特許文献１には電磁アクチュエータを用いてステージを鉛直方向に浮上させて支持する構造を開示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１１−３７８２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に記載において鉛直方向の支持に使用している電磁石から生じる磁場のうち、鉛直方向に向かう磁場の漏れは電磁石に対面している磁性体によって低減されるが、水平方向には磁場漏れが生じる。そのため、このようなステージ装置を電子線描画装置に適用すると、磁場の影響を受けて電子線の軌道がずれてしまい、パターンの描画位置がずれてしまう恐れが生じる。
【０００５】
そこで、本発明は上記課題を鑑みてなされたものであり、鉛直方向の支持に用いる磁石から水平方向に漏れる磁場を低減するうえで有利なステージ装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明のステージ装置は、磁石と、前記磁石により浮上し、前記磁石とともに水平面に沿う第１方向に移動する移動体と、前記移動体の可動域において前記磁石の上方で前記磁石と対面する磁性体を有する固定部材とを備え、前記移動体が有する第１の磁場遮蔽面と前記固定部材が有する第２の磁場遮蔽面とを用いて、前記磁石の、少なくとも前記第１方向の側面を覆うことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００７】
本発明のステージ装置によれば、鉛直方向の支持に用いる磁石から水平方向に漏れる磁場を低減することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】第１の実施形態に係る描画装置の構成図。
【図２】ステージＹＭを鉛直方向から見た図。
【図３】第２の実施形態に係る描画装置の固定部及び可動部の図。
【図４】第３の実施形態に係る描画装置の固定部及び可動部の図。
【図５】第４の実施形態に係る描画装置の固定部及び可動部の図。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
［第１の実施形態］
（描画装置の構成）
第１の実施形態に係るステージ装置について、図１を用いて説明する。図１はレジストの塗布されているウエハ（基板）Ｗ上に電子線を照射してパターンを形成する描画装置（リソグラフィ装置）１の正面図である。鏡筒ＣＬは、電子線を発生する電子源（不図示）と、電子源から射出された電子線をウエハＷ上に集束する電子光学系（不図示）を有している。さらに、鏡筒ＣＬは真空チャンバＶＣを貫通するように設置されており、真空チャンバＶＣ内及び鏡筒ＣＬ内は真空ポンプ（不図示）を用いて真空雰囲気に保たれている。
【００１０】
真空チャンバＶＣ内の底部には、土台となる定盤ＢＳ、及び定盤ＢＳを支え、定盤ＢＳへ伝わる外部振動を低減するためのマウントＭＴがある。定盤ＢＳ上にはＸ軸方向に移動可能なステージＸＭがある。ステージＸＭ上には、ウエハＷを保持した状態で移動するステージＹＭがある。ステージＹＭは、水平方向であるＸ軸方向と及びＹ軸方向（水平面に沿う第１方向）及び鉛直方向であるＺ軸方向へ移動する。ステージＸＭ及びステージＹＭには、ステージＸＭやステージＹＭを移動するためのアクチュエータを制御する制御部２を接続している。
【００１１】
ステージＹＭ上には、Ｘ軸方向の位置を計測するために用いるミラーＸＢＭがある。真空チャンバＶＣから吊り下げられている干渉計Ｌは、ミラーＸＢＭに向けてレーザ光を射出し、ミラーＸＢＭが反射したレーザ光と参照光との干渉光を検出する。干渉計Ｌは、この干渉光の強度変化に基づいてステージＹＭのＸ軸方向の変位を計測する。Ｙ軸方向及びＺ軸方向の変位も、ミラーＹＢＭ（図２（ａ）に図示）とＺ軸方向用のミラー（不図示）を用いて同様に計測する。干渉計Ｌによる検出結果から、検出器３がステージＹＭのＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸方向の位置を出力する。
【００１２】
主制御部４は、制御部２と検出器３に接続されている。主制御部４は、検出器３の計測結果に基づいて、ステージＸＭ及びステージＹＭに必要な移動量を制御部２に指示する。ステージＸＭ及びステージＹＭは制御部２の指示に基づいて同期しながら移動をする。ステージＹＭは６軸方向（Ｘ、Ｙ、Ｚ、ωｘ、ωｙ、ωｚ）の位置が制御される。
【００１３】
（ステージの詳細構成）
固定部（固定部材）ＬＶＳと可動部ＬＶＭによって、ステージＹＭ及びステージＹＭと一体となっている部材（移動体）を、磁気力によって鉛直方向に浮上させて非接触で支持している。
【００１４】
固定部ＬＶＳはステージＸＭに固定されており、本実施形態では磁性体ＬＶＳＳにより形成されている。可動部ＬＶＭは後述の磁石ユニットＹＡＭを介してステージＹＭに連結して設けられており、固定部ＬＶＳとの非接触支持を維持した状態で、磁石ユニットＹＡＭの移動に伴いステージＹＭとともに移動する。これにより、ステージＹＭは、ステージＹＭの下方に配置されているケーブル等による振動の影響を受けずに高速で移動することができる。
【００１５】
可動部ＬＶＭは、永久磁石（磁石）ＬＶＭＭ１、ＬＶＭＭ２と、永久磁石ＬＶＭＭ１、ＬＶＭＭ２の底面を支持する磁性体ＬＶＭＳ（第２の磁性体）とを有している。磁性体ＬＶＭＳの一部の領域は永久磁石ＬＶＭＭ１の側面に対面しており、永久磁石ＬＶＭＭ１、ＬＶＭＭ２からの生じる水平方向の磁場を遮蔽する遮蔽面１０（第１の磁場遮蔽面）となっている。
【００１６】
永久磁石ＬＶＭＭ１、ＬＶＭＭ２は鉛直方向に互いに逆向きに着磁されており、後述の磁性体ＬＶＳＳとの間にはたらく磁気吸引力の発生源となっている。固定部ＬＶＳは、永久磁石ＬＶＭＭ１、ＬＶＭＭ２の上方で永久磁石ＬＶＭＭ１、ＬＶＭＭ２と対面している磁性体ＬＶＳＳを有している。磁性体ＬＶＳＳの一部の領域は、永久磁石ＬＶＭＭ２の側面に対面しており、永久磁石ＬＶＭＭ１、ＬＶＭＭ２からの生じる水平方向の磁場を遮蔽する遮蔽面２０（第２の磁場遮蔽面）となっている。なお、磁場を遮蔽するとは周囲に漏れる磁場をゼロにする場合のみを意味するのではなく、周囲に漏れる磁場を低減することを意味している。
【００１７】
固定部ＬＶＳ及び可動部ＬＶＭは、断面がＬ字形状であり互いに上下逆に組み合わさるように配置している。また、固定部ＬＶＳ及び可動部ＬＶＭはＹ軸方向に延伸した形状をしている（図２（ａ）（ｂ）に図示）。特に固定部ＬＶＳのＹ軸方向の長さを可動部ＬＶＭの可動域、すなわちコイルＹＡＣの長さ以上とすることで、ステージＹＭのＹ軸方向への移動が大幅に外れてしまうことを防ぐガイドとしての役割も有している。
【００１８】
磁性体ＬＶＭＳ、ＬＶＳＳは、磁場の多くを吸収することができ、永久磁石ＬＶＭＭ１、ＬＶＭＭ２から生じる外部への磁場漏れを低減することができる材料、すなわち、高透磁率の材料であることが好ましい。例えば、鉄、コバルト、ニッケルなどの透磁率μが１０００以上の高透磁率材料である。特に、炭素鋼（炭素、シリコン、マンガン、リン、硫黄の合金）、ケイ素鋼（鉄とケイ素とアルミニウムの合金）、パーマロイ（鉄とニッケルの合金）等、磁場漏れを防ぐ効果がより高い材料であることが好ましい。
【００１９】
本実施形態では、永久磁石ＬＶＭＭ１、ＬＶＭＭ２の鉛直方向だけでなく水平方向にも、必ず固定部ＬＶＳと可動部ＬＶＭのいずれかの磁性体が存在するように構成されている。これにより、漏れ磁場を低減することが可能となり、さらに磁場の変動による描画への影響も低減することが可能となる。
【００２０】
固定部ＬＶＳと可動部ＬＶＭとの間の間隙の幅は、狭いほうが漏れ磁場を遮蔽する効果は高まるが、浮上支持という機能を鑑みると、両者が衝突しない程度の間隙が必要となる。そこで、間隙の幅は永久磁石の鉛直方向の長さ及びＸ軸方向の長さの半分以下とする。例えば、永久磁石の断面のサイズが１４ｍｍ四方である場合は３〜７ｍｍである。
【００２１】
ステージＹＭの底面には、ステージＹＭを移動するアクチュエータが配置されている。アクチュエータの可動部として磁石ユニットＸＡＭ、ＹＡＭ、ＺＡＭがある。磁石ユニットＸＡＭはステージＹＭをＸ軸方向に移動し、２つの磁石ユニットＹＡＭはステージＹＭをＹ軸方向に移動し、４つの磁石ユニットＺＡＭはステージＹＭをＺ軸方向に移動する。各々の磁石ユニットＸＡＭ、ＹＡＭ、ＺＡＭは、各々の磁石ユニットＸＡＭ、ＹＡＭ、ＺＡＭに対応するアクチュエータの固定部である、コイルＸＡＣ、ＹＡＣ、ＺＡＣが貫通できるように中空の構造をしている。
【００２２】
磁石ユニットＹＡＭは、コイルＹＡＣの上下に磁石ＹＡＭＭを各々配置しており、各々の磁石ＹＡＭＭのさらに上下をヨークＹＡＭＹで挟んでいる。さらに、ヨークＹＡＭＹ同士を中間部材ＹＡＭＩで固定している。Ｙ軸方向には異なる磁極の磁石ＹＡＭＭが交互に並べられている。
【００２３】
磁石ユニットＺＡＭの磁石ＺＡＭＭ１同士、ＺＡＭＭ２同士には互いに異なる向きの磁性を帯びた磁石である。磁石ＺＡＭＭ１、ＺＡＭＭ２の側面にはヨークＺＡＭＹが配置されており、ヨークＺＡＭＹ同士を中間部材ＺＡＭＩで固定している。
【００２４】
磁石ユニットＸＡＭは、コイルＸＡＣの上下にある磁石ＸＡＭＭと、各々磁石の上下に配置されたヨークＸＡＭＹと、ヨークＸＡＭＹ同士を連結するように固定する中間部材ＸＡＭＩで構成されている。各々の磁石ＸＡＭＭはＸ軸方向に異なる向きの磁性を帯びた磁石である。
【００２５】
次に、鏡筒ＣＬの下面からステージＹＭを見た図を図２（ａ）に、ステージＸＭからステージＹＭを見た図を図２（ｂ）に示す。図２（ａ）（ｂ）に示すように、ステージＸＭはＹ軸方向に長い形状をしている。コイルＸＡＣは単相の長円形コイルであって、ＸＹ平面においてＹ軸方向に長い形状をしている。コイルＺＡＣも単相の長円形コイルであり、コイルＺＡＣの成す面がコイルＸＡＣの成す面と直角を成すように配置されている。一方、コイルＹＡＣは多相コイルで構成されており、ステージＹＭをＹ軸方向に長距離駆動できる構成となっている。
【００２６】
制御部２は、コイルＸＡＣに電流を流して、電磁力により磁石ユニットＸＡＭ及びステージＹＭをＸ軸方向に駆動する。同様にコイルＺＡＣに電流を流して、磁石ユニットＺＡＭ及びステージＹＭをＺ軸方向に駆動する。さらに、制御部２はステージＹＭの位置に応じたコイルＹＡＣの所定のコイルに対して電流を流して、磁石ユニットＹＡＭ及びステージＹＭをＹ軸方向に駆動する。
【００２７】
図２（ｂ）に示すように、コイルＺＡＣの各コイルは、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向に離間して配置されている。これにより、浮上高さの微調整だけでなく、描画中にウエハＷ表面の微小な凹凸等に合わせてステージＹＭの傾きを制御することも可能となる。このようにして、制御部２からの指示に基づいて各々のコイルに対して流れる電流量、電流の方向、及びタイミング等に応じて、ステージＹＭの位置が制御される。
【００２８】
ステージＸＭはリニアモータ（不図示）を用いて、転動体を用いたガイド（不図示）に支持されながらＸ軸方向に移動する。ステージＸＭが移動した分だけ、磁石ユニットＸＡＭも移動することで、ステージＸＭとステージＹＭが一体となってＸ軸方向に移動する。なお、各磁石ユニットＸＡＭ、ＹＡＭ、ＺＡＭやコイルＸＡＣ、ＹＡＣ、ＺＡＣは不図示の磁気シールドで覆われており、周囲に磁場が漏れにくい構造となっている。
【００２９】
ステージＸＭとステージＹＭの移動によって、ウエハＷは図２（ｃ）に示すような軌跡を描く。電子線を照射しながらＹ軸方向に駆動するスキャン駆動（実線部）と、電子線を照射していない間にＸ軸方向に移動するステップ駆動（破線部）とを繰り返す。ステージＸＭ及びステージＹＭの１回あたりの移動距離は、例えば、Ｘ軸方向には１０〜１００μｍに対してＹ軸方向には１００〜１０００ｍｍである。
【００３０】
本実施形態における固定部ＬＶＳにある遮蔽面２０、可動部ＬＶＭにある遮蔽面１０によって永久磁石ＬＶＭＭ１、ＬＶＭＭ２からの水平方向への磁場漏れを防ぐことができる。遮蔽面１０と遮蔽面２０によって、永久磁石ＬＶＭＭ１、ＬＶＭＭ２のＹ軸方向の側面を覆う構成としている。これにより、磁石ユニットＺＡＭとコイルＺＡＣによって、固定部ＬＶＳと可動部ＬＶＭとの間の鉛直方向の間隙が変化した場合でも水平方向への磁場漏れを安定して低減することが可能となる。
【００３１】
なお、側面を覆うとは、永久磁石ＬＶＭＭ１、ＬＶＭＭ２の周囲を覆い隠して外部から全く見えない状態にすることを意味するのではない。永久磁石ＬＶＭＭ１、ＬＶＭＭ２の特定の側面が間隙を介して遮蔽面１０や遮蔽面２０と対面している状態であれば、特定の側面以外の面がその他の遮蔽面と対面していなくても構わない。
【００３２】
このような構成にすることで、可動部ＬＶＭのみを磁場遮蔽材料で覆った場合に生じる浮上支持のための磁気吸引力を遮断してしまう現象を防ぐことができる。固定部ＬＶＳ及び可動部ＬＶＭの全てを磁場遮蔽材料で覆った場合に生じる磁場遮蔽材料の材料費の増大も防ぐことができる。
【００３３】
永久磁石ＬＶＭＭ１、ＬＶＭＭ２が発生する静磁場は、電子線の軌道を所定の方向にずらしてしまい、ウエハＷ上に描画されるパターンの描画位置がずれる要因となる。さらに、ステージＹＭが移動している場合は、電子線の照射位置における磁場の向きや大きさが変動する。ステージＹＭの駆動に合わせて周囲の磁場が変動すると、ステージＹＭの駆動と電子線の照射位置の補正を同期させる必要が生じる。
【００３４】
本実施形態によれば、永久磁石ＬＶＭＭ１、ＬＢＭＭ２から生じる静磁場を防ぐことができるため、電子線の照射位置周辺の磁場変動を抑制することが可能となる。そのため、電子線の照射位置に関して複雑な補正処理を施す必要がなくなる。
【００３５】
［第２の実施形態］
図３に第２の実施形態に係るステージ装置の固定部ＬＶＳ及び可動部ＬＶＭの構成を示す。磁性体ＬＶＳＳが、永久磁石ＬＶＭＭ２の側面だけでなく永久磁石ＬＶＭＭ１の側面とも対面するように、遮蔽面２０を有している点で第１の実施形態とは異なる。
【００３６】
本実施形態も、水平方向に向かう磁場を低減できるように、遮蔽面１０と遮蔽面２０を組み合わせて永久磁石ＬＶＭＭ１、ＬＶＭＭ２のＹ軸方向の側面を覆っている。さらに本実施形態の場合は永久磁石ＬＶＭＭ１や永久磁石ＬＶＭＭ２から−Ｘ方向に漏れ出る磁場の多くが遮蔽面２０のある磁性体ＬＶＳＳで吸収されるため、−Ｘ方向に磁場が漏れにくくなる。
【００３７】
また、間隙ＥＸ１を通過した磁場も遮蔽面１０のある磁性体ＬＶＭＳによって吸収されるため、第１の実施形態に比べて外部に磁場が漏れにくくなる。このように、遮蔽面１０と遮蔽面２０とが水平方向に重なるように磁性体ＬＶＳＳと磁性体ＬＶＭＳが配置されていることで、第１の実施形態に比べて磁場の漏れを低減することが可能となる。
【００３８】
［第３の実施形態］
図４に第３の実施形態に係るステージ装置の固定部ＬＶＳ及び可動部ＬＶＭの構成を示す。可動部ＬＶＭの磁性体ＬＶＭＳには永久磁石ＬＶＭＭ１、ＬＶＭＭ２の両側面に対面している遮蔽面１０を有するように凸部を形成している。
【００３９】
一方、固定部ＬＶＭの磁性体ＬＶＭＳには、永久磁石ＬＶＭＭ１からみて−Ｘ方向では、遮蔽面１０と一部の領域が重なるような遮蔽面２０を有するように凸部を形成している。同様に、永久磁石ＬＶＭＭ１からみて＋Ｘ方向においても、遮蔽面１０と一部の領域が重なるような遮蔽面２０を有するように凸部を形成している。固定部ＬＶＳが有する非磁性体の支持材ＬＶＳＺは、磁性体ＬＶＳＳを支持している。可動部ＬＶＭが有する非磁性体の支持材ＬＶＭＺは、磁性体ＬＶＭＳと磁性体ＬＶＭＳ上にある永久磁石ＬＶＭＭ１、ＬＶＭＭ２を支持している。
【００４０】
遮蔽面１０と遮蔽面２０の組み合わせることで永久磁石ＬＶＭＭ１、ＬＶＭＭ２のＹ軸方向の側面を覆うことが可能であり、永久磁石ＬＶＭＭ１、ＬＶＭＭ２の周囲の空間において水平方向に漏れる磁場を低減している。遮蔽面１０と一部の領域が重なるように遮蔽面２０を形成した構造にすることによって、ステージＹＭの高さが変動したとしても、水平方向への漏れ磁場を低減することができる。
【００４１】
また、本実施形態では、永久磁石ＬＶＭＭ１、ＬＶＭＭ２の側面の鉛直方向の長さよりも遮蔽面２０の鉛直方向の長さを短くしている。すなわち永久磁石ＬＶＭＭ１、ＬＶＭＭ２の側面と遮蔽面２０とが対面する面積を第１の実施形態及び第２の実施形態よりも狭くなるようにしている。これにより、水平方向にも磁気吸引力がはたらいてしまい、非制御下でステージＹＭが水平方向にも移動することを防ぐことができる。
【００４２】
本実施形態のように遮蔽面２０の面積が小さい場合であっても、ステージＹＭがＹ軸方向に移動した際に生じる磁場の変動量を遮蔽面１０及び遮蔽面２０が無い場合に比べて１／３０以下に低減することが可能となる。
【００４３】
［第４の実施形態］
図５に第４の実施形態に係るステージ装置の固定部ＬＶＳ及び可動部ＬＶＭの構成を示す。本発明は、永久磁石を用いた浮上支持の構成だけでなく、電磁石を用いた浮上支持の構成にも適用することができる。コイルＣとコイルＣを巻きつけるＥコアＥＣを有する電磁石ＥＭは、磁性体ＬＶＳＳとの間に磁気吸引力を発生してステージＹＭの浮上を支持する。
【００４４】
第３の実施形態と同様に、遮蔽面１０と遮蔽面２０とを配置することによってＥコアＥＣのＹ軸方向の側面を覆っている。これによって電磁石ＥＭから生じる水平方向への磁場漏れを低減することができる。また、コイルＣに流す電流を調整することで浮上力を調整することができるため、電磁石ＥＭは磁石ユニットＺＡＭとコイルＺＡＣによるアクチュエータ機能の補助をすることができる。
【００４５】
［その他の実施形態］
最後に全ての実施形態に共通のその他の形態について説明する。固定部ＬＶＳと可動部ＬＶＭ有する磁性体によって、永久磁石の少なくとも２側面が磁場を遮蔽する遮蔽面に対面する構成となっている。これにより水平方向に漏れる磁場を大幅に低減することが可能となる。さらに鉛直方向にも磁性体を配置すれば、周囲への磁場漏れやステージＹＭが移動した場合の磁場変動を大幅に減少することができる。
【００４６】
前述の各実施形態では磁性体ＬＶＳＳや磁性体ＬＶＭＳは一体として成形していたが、各々の磁性体が有する屈曲箇所において別部材の磁性体を組み合わせて成形していても構わない。しかしながら、一体として成形するほうが、簡便でありかつ別部材として構成した場合に締結箇所から微小な磁場漏れが発生することを抑制できるため好ましい。
【００４７】
固定部ＬＶＳ及び可動部ＬＶＭは、図１に示すように移動するステージＹＭの側面に設けられても構わないし、ステージＹＭの底面に設けられていても良い。前述の各実施形態では電子線による描画装置を例に挙げたが、本発明に係るステージ装置は磁場の影響を受けやすい、荷電粒子線を用いる装置や微弱磁場を扱う機器等に適用することが可能である。
【００４８】
［物品の製造方法］
本発明の物品（半導体集積回路素子、液晶表示素子、撮像素子、磁気ヘッド、ＣＤ−ＲＷ、光学素子、フォトマスク等）の製造方法は、前述の実施形態のステージ装置を用いて基板（ウエハやガラス板等）上にパターンを露光する工程と、露光された基板に対してエッチング処理及びイオン注入処理の少なくともいずれか一方を施す工程とを含む。さらに、他の周知の処理工程（現像、酸化、成膜、蒸着、平坦化、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等）を含んでも良い。
【符号の説明】
【００４９】
ＥＣ  Ｅコア
Ｃ  コイル
ＬＶＭＭ１、ＬＶＭＭ２  永久磁石
ＬＶＭ  可動部
ＬＶＳ  固定部
ＬＶＭＳ  磁性体（可動部用）
ＬＶＳＳ  磁性体（固定部用）
ＹＭ  ステージ
Ｗ  ウエハ
１  描画装置
１０  遮蔽面（可動部用）
２０  遮蔽面（固定部用）
【図１】
2016004922.tif 000003
【図２】
2016004922.tif 000004
【図３】
2016004922.tif 000005
【図４】
2016004922.tif 000006
【図５】
2016004922.tif 000007