(57)【要約】【課題】半導体ウェーハの安全な着脱に支障を来すことが少なく、治具の構成の複雑化や製造の煩雑化を招くおそれを排除できる安価な半導体ウェーハ用サポート治具及びその製造方法を提供する。【解決手段】薄い半導体ウェーハ１に対向するサポート基板１０と、半導体ウェーハ１を粘着保持する複数の粘着層１１とを備え、サポート基板１０を半導体ウェーハ１と同形状に形成し、サポート基板１０の表面の一部に、半導体ウェーハ１の対向面に直接粘着して当該対向面との間に空間１２を区画する複数の粘着層１１を設け、半導体ウェーハ１と粘着層１１とが区画する空間１２をサポート基板１０の外部と連通させ、空気が流通可能となるよう複数の粘着層１１を配列する。サポート基板１０表面の一部に複数の粘着層１１を部分的に配列形成して粘着力を抑制するので、粘着層１１から薄く脆い半導体ウェーハ１を安全、かつ容易に剥離できる。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
薄い半導体ウェーハに対向するサポート基板と、このサポート基板に設けられて半導体ウェーハに着脱自在に粘着する複数の粘着層とを備えた半導体ウェーハ用サポート治具であって、
サポート基板を半導体ウェーハと同形状に形成し、このサポート基板の両面のうち少なくとも片面の一部に、半導体ウェーハの対向面に直接粘着して当該対向面との間に空間を区画する複数の粘着層を設け、半導体ウェーハと複数の粘着層とが区画する空間をサポート基板の外部と連通するよう複数の粘着層を配列したことを特徴とする半導体ウェーハ用サポート治具。
【請求項２】
複数の粘着層を、サポート基板の周方向に所定の間隔で非連続に配列するとともに、サポート基板の中心方向から外方向にかけて並べ、各粘着層を円弧形状の線条とした請求項１記載の半導体ウェーハ用サポート治具。
【請求項３】
複数の粘着層を縞模様に配列し、各粘着層を直線の線条とした請求項１記載の半導体ウェーハ用サポート治具。
【請求項４】
請求項１、２、又は３に記載した半導体ウェーハ用サポート治具を金型により製造する製造方法であって、
サポート基板を半導体ウェーハと同形状に形成し、このサポート基板の両面のうち少なくとも片面の一部に、熱硬化性の複数の粘着材料をパターン形成し、この複数の粘着材料がパターン形成されたサポート基板を金型にインサートして型締めし、加熱することにより、複数の粘着材料を粘着層に形成することを特徴とする半導体ウェーハ用サポート治具の製造方法。
【請求項５】
サポート基板の少なくとも片面の一部に、粘度が１０〜１００Ｐａ・ｓの粘着材料を塗布し、この粘着材料が金型のキャビティ内を満たさないよう押し広げて加熱することにより、粘着材料を粘着層に形成する請求項４記載の半導体ウェーハ用サポート治具の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体デバイスの製造工程で薄く撓み易い半導体ウェーハを安全に取り扱うことのできる簡易な半導体ウェーハ用サポート治具及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウェーハは、製造工程の前工程が終了すると、薄い半導体パッケージに適合させる観点から、バックグラインド工程で１００μｍ以下の薄さに研削され、ダイシング工程等に供されるが、バックグラインドに伴い非常に薄く撓み易く、破損し易くなるので、そのままの状態では、後の作業に支障を来たすこととなる。そこで、バックグラインドされた薄い半導体ウェーハは、専用の治具に保持され、強度や剛性を確保した状態で取り扱われる。
【０００３】
この種の治具としては、図示しないが、例えば（１）剛性のリングに半導体ウェーハを仮接着剤やハンダを介して支持させ、リングと半導体ウェーハとを一体化して強度や剛性を増大させ、仮接着剤やハンダの融点以下で取り扱うタイプ、（２）サポート基板の表面と可撓性の粘着膜層の弱粘着面とを粘着し、粘着膜層の強粘着面と薄い半導体ウェーハとを着脱自在に粘着し、サポート基板と半導体ウェーハとを一体化して強度や剛性を増大させるタイプ、（３）耐熱板に粘着膜層を一体化してその粘着膜層の表面に薄い半導体ウェーハ用の複数の保持突起を立設し、この複数の保持突起の間に空気流通用の隙間を形成し、粘着膜層の表面周縁部に、半導体ウェーハの周縁部よりも外側に位置する周壁を周設するとともに、この周壁に、半導体ウェーハの周縁部を支持する複数の支持櫛歯を配列して隣接する支持櫛歯と支持櫛歯との間に空気流通空間を形成するタイプ等があげられる（特許文献１、２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１２−３３７３７号公報
【特許文献２】特開２０１２−５９７４８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、（１）のタイプの場合には、最終的には仮接着剤やハンダを溶融させて半導体ウェーハをリングから取り外さなければならないので、手間がかかり、作業性が非常に悪いという問題がある。
【０００６】
また、（２）のタイプの場合には、半導体ウェーハの強度や剛性を増大させたり、半導体ウェーハを簡単に脱着できる等、優れた効果が期待できるものの、サポート基板の全表面を被覆するよう大きな粘着膜層を粘着し、この粘着膜層の強粘着面に半導体ウェーハの対向全面を隙間なく強く密着するので、粘着膜層から薄く脆い半導体ウェーハを安全、かつ容易に剥離できないことがある。このときには、半導体ウェーハの安全な着脱に支障を来し、半導体ウェーハが損傷する事態が考えられる。また、大きく広い粘着膜層を使用するので、半導体ウェーハの対向全面を有効に保護することができるものの、製造コストを削減できない事態が予想される。
【０００７】
また、（３）のタイプの場合には、優れた効果が期待できるものの、粘着膜層の表面に複数の保持突起を立設したり、周壁に、半導体ウェーハの周縁部を支持する複数の支持櫛歯を配列して隣接する支持櫛歯間に空気流通空間を形成するので、治具の構成の複雑化や製造の煩雑化を招くおそれが考えられる。
【０００８】
本発明は上記に鑑みなされたもので、半導体ウェーハの安全な着脱に支障を来すことが少なく、治具の構成の複雑化や製造の煩雑化を招くおそれを排除することのできる安価な半導体ウェーハ用サポート治具及びその製造方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明においては上記課題を解決するため、薄い半導体ウェーハに対向するサポート基板と、このサポート基板に設けられて半導体ウェーハに着脱自在に粘着する複数の粘着層とを備えたものであって、
サポート基板を半導体ウェーハと同形状に形成し、このサポート基板の両面のうち少なくとも片面の一部に、半導体ウェーハの対向面に直接粘着して当該対向面との間に空間を区画する複数の粘着層を設け、半導体ウェーハと複数の粘着層とが区画する空間をサポート基板の外部と連通するよう複数の粘着層を配列したことを特徴としている。
【００１０】
なお、複数の粘着層を、サポート基板の周方向に所定の間隔で非連続に配列するとともに、サポート基板の中心方向から外方向にかけて並べ、各粘着層を円弧形状の線条とすることができる。
また、複数の粘着層を縞模様に配列し、各粘着層を直線の線条とすることができる。
【００１１】
また、本発明においては上記課題を解決するため、請求項１、２、又は３に記載した半導体ウェーハ用サポート治具を金型により製造する方法であって、
サポート基板を半導体ウェーハと同形状に形成し、このサポート基板の両面のうち少なくとも片面の一部に、熱硬化性の複数の粘着材料をパターン形成し、この複数の粘着材料がパターン形成されたサポート基板を金型にインサートして型締めし、加熱することにより、複数の粘着材料を粘着層に形成することを特徴としている。
【００１２】
なお、サポート基板の少なくとも片面の一部に、粘度が１０〜１００Ｐａ・ｓの粘着材料を塗布し、この粘着材料が金型のキャビティ内を満たさないよう押し広げて加熱することにより、粘着材料を粘着層に形成することが好ましい。
また、複数の粘着材料を粘着層に形成した後、金型から取り外した半導体ウェーハ用サポート治具を真空のベーキングオーブンに投入し、空気を窒素ガスに置換して所定の条件下でベーキングすることができる。
【００１３】
ここで、特許請求の範囲における半導体ウェーハには、少なくともφ１００、１５０、２００、３００、４５０ｍｍタイプの各種半導体ウェーハ（シリコンウェーハや化合物半導体ウェーハ等）が含まれる。サポート基板は、半導体ウェーハと同形に形成したり、半導体ウェーハとおおよそ同形と認められる形状に形成したりすることができる。このサポート基板は、透明、不透明、半透明のいずれでも良い。さらに、複数の粘着層は、半導体ウェーハの表面に直接粘着しても良いし、裏面に直接粘着しても良い。この複数の粘着層は、例えば同心円、縞模様、ドット状、Ｃ字形状等に配列される。
【００１４】
本発明によれば、サポート基板の少なくとも片面の全面ではなく、少なくとも片面の一部に複数の粘着層を部分的に形成し、粘着範囲を縮小するので、粘着層から薄く脆い半導体ウェーハを安全、かつ容易に素早く剥離することができる。また、粘着層が従来よりも狭く小さいので、製造コストを削減することができる。また、粘着層に複数の保持突起を立設したり、半導体ウェーハ支持用の複数の支持櫛歯を配列する必要もないので、サポート治具の構成や製造方法の簡素化を図ることができる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、半導体ウェーハの安全な着脱に支障を来すことが少なく、治具の構成の複雑化や製造の煩雑化を招くおそれを有効に排除することができるという効果がある。また、半導体ウェーハとの間に区画した空間をサポート基板の外部と連通させ、この空間を気体が流通する開放空間とすることができるので、区画した空間から外部に気体を排気することができ、空間に気泡を内包するおそれが少ない。したがって、例えば真空プロセス等の製造工程で半導体ウェーハ用サポート治具を使用しても、気泡が膨張し、その結果、半導体ウェーハが破損するのを防ぐことができる。
【００１６】
請求項２記載の発明によれば、所定の間隔で非連続に配列した複数の粘着層間を気体が流通するので、半導体ウェーハとの間に区画した空間を気体が流通する開放空間とすることができ、区画した空間に気泡を内包するおそれが少ない。
【００１７】
請求項３記載の発明によれば、縞模様に配列した複数の粘着層間を気体が流通するので、半導体ウェーハとの間に区画した空間を気体流通の開放空間とすることができ、気泡内包のおそれが少ない。また、縞模様に配列された複数の粘着層の長手方向に半導体ウェーハをおおよそ平行に剥離すれば、半導体ウェーハの破損防止が期待できる。
【００１８】
請求項５記載の発明によれば、粘度が１０〜１００Ｐａ・ｓの粘着材料を塗布するので、サポート治具の製造時に金型のキャビティ幅方向に粘着材料を適切に流動させることができる。また、金型の間隙に粘着材料が流れ出てバリの生じることが少ないので、バリとの接触に伴う半導体ウェーハの汚染を有効に防止することが可能になる。また、一種類の金型で様々な幅の粘着層に対応することができるので、粘着層の粘着力を容易に微調整することが可能になる。さらに、粘着層の端部等にサポート基板の幅方向に広がる幅広部を簡単に形成することができるので、必要に応じ、半導体ウェーハに対する粘着領域を拡大し、粘着性を向上させて半導体ウェーハの脱落を防ぐことも可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明に係る半導体ウェーハ用サポート治具の実施形態を模式的に示す平面説明図である。
【図２】本発明に係る半導体ウェーハ用サポート治具の実施形態を模式的に示す側面説明図である。
【図３】本発明に係る半導体ウェーハ用サポート治具及びその製造方法の実施形態における粘着材料と金型のキャビティとの関係を模式的に示す要部断面説明図である。
【図４】本発明に係る半導体ウェーハ用サポート治具の第２の実施形態を模式的に示す平面説明図である。
【図５】本発明に係る半導体ウェーハ用サポート治具の第３の実施形態を模式的に示す平面説明図である。
【図６】本発明に係る半導体ウェーハ用サポート治具及びその製造方法の第３の実施形態における金型の離型処理プレートを模式的に示す平面説明図である。
【図７】図６の断面図である。
【図８】本発明に係る半導体ウェーハ用サポート治具及びその製造方法の第３の実施形態における金型の位置決めプレートを模式的に示す平面説明図である。
【図９】図８の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、図面を参照して本発明の好ましい実施の形態を説明すると、本実施形態における半導体ウェーハ用サポート治具は、図１ないし図３に示すように、薄い半導体ウェーハ１に対向可能なサポート基板１０と、半導体ウェーハ１を粘着保持する複数の粘着層１１とを備え、サポート基板１０に、半導体ウェーハ１に粘着して空間１２を区画する複数の粘着層１１を設け、半導体ウェーハ１と複数の粘着層１１とが区画する空間１２を外部と連通するよう複数の粘着層１１を配列するようにしている。
【００２１】
半導体ウェーハ１は、図２に示すように、例えばφ２００ｍｍのシリコンウェーハからなり、表面に回路パターンが形成され、裏面がバックグラインド工程でバックグラインドされることにより、７２５μｍの厚さから１００μｍ以下の薄さ、例えば７５〜８５μｍ、好ましくは８０μｍ程度の薄さに形成される。この半導体ウェーハ１のバックグラインドされた粗い裏面は、所定のエッチング処理により、平滑な面に処理され、その後、電極用の金属薄膜がスパッタリング等により成膜形成される。
【００２２】
半導体ウェーハ１の周縁部には、結晶方位の判別や位置合わせを容易にする直線的なオリフラが形成されたり、あるいは整列を容易にする略半円形のノッチが切り欠かれる。本実施形態においては、半導体ウェーハ１の周縁部にオリフラが形成される。
【００２３】
サポート基板１０は、図１や図２に示すように、所定の材料によりオリフラ付きの半導体ウェーハ１と同じ大きさ・形に形成され、表面が半導体ウェーハ１の表面に対向する。このサポート基板１０の材料としては、特に限定されるものではないが、例えばガラス強化エポキシ樹脂、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート等の板があげられる。これらの中でも、半導体ウェーハ用サポート治具が加熱工程で使用される場合には、強度・熱伝導率、耐熱性、電気特性等に優れるガラス強化エポキシ樹脂製の板が好適に使用される。
【００２４】
サポート基板１０は、半導体ウェーハ１と同じ大きさで十分な強度が期待できることから、０．４ｍｍ程度の薄さに形成される。また、視認性を向上させたい場合には有彩色に着色され、半導体ウェーハ１の表面状態等を観察・把握したい場合には透明に形成される。
【００２５】
複数の粘着層１１は、図１や図２に示すように、サポート基板１０の表面の一部にパターン貼着され、半導体ウェーハ１の対向する表面に着脱自在に直接粘着することにより、半導体ウェーハ１の表面との間に狭い空間１２を区画するよう機能する。この複数の粘着層１１は、サポート基板１０の表面周縁部寄りに周方向に向け所定の等間隔で配列されるとともに、サポート基板１０の中心方向から半径外方向にかけて並べられ、各粘着層１１が円弧形状に湾曲した細長い線条とされる。
【００２６】
粘着層１１の材料としては、特に限定されるものではないが、例えばシリコーン系やフッ素系の粘着材料１３があげられる（図３参照）。これらの粘着材料１３の中でも、半導体ウェーハ用サポート治具が加熱工程で使用される場合等を考慮し、耐熱性、難燃性、着脱性等に優れるシリコーン系で熱硬化性の粘着材料１３が好適に用いられる。
【００２７】
粘着層１１は、半導体ウェーハ１の表面に粘着しても、汚染等の問題の生じない表面領域に粘着する。この粘着層１１の厚さは、特に限定されるものではないが、薄過ぎる場合には、サポート基板１０の厚さバラツキを十分に吸収することができず、逆に厚過ぎる場合には、熱硬化性の粘着材料１３のアウトガス発生に伴う弊害（例えば、変色等）を防ぐことができないので、０．１ｍｍ程度が好ましい。
【００２８】
このような複数の粘着層１１は、サポート基板１０の周方向に連続して配列されるのではなく、隙間をおいた非連続の等間隔に配列され、隣り合う粘着層１１と粘着層１１との間１４が半導体ウェーハ１の表面との間に区画した空間１２をサポート基板１０の外部と連通させ、この空間１２を矢印で示す空気が流通する開放空間とする。隣り合う粘着層１１と粘着層１１との複数の間１４は、少なくともその一部が半導体ウェーハ１の剥離を容易にする観点から、半導体ウェーハ１の剥離開始部分と剥離終了部分とに位置することが好ましい。
【００２９】
上記構成において、半導体ウェーハ用サポート治具を図３に示す金型２０により製造する場合には、先ず、ガラス強化エポキシ樹脂製の樹脂板を加工して半導体ウェーハ１と同じ大きさ・形のサポート基板１０を形成し、このサポート基板１０の表面の一部に、複数の粘着層１１を後に形成する熱硬化性でペースト状の粘着材料１３を塗布する。
【００３０】
この際、粘着材料１３は、製造時のバリの発生を防止したり、様々な粘着層１１幅の仕様に対応したりすることができるよう、粘着層１１の厚さよりも高く、粘着層１１の幅よりも狭くなるよう塗布される。例えば、粘着層１１の厚さが０．１ｍｍ、粘着層１１の幅が１．５ｍｍの場合、粘着材料１３は、０．１ｍｍを越える高さに塗布され、幅が１．５ｍｍ未満となるよう調整される。
【００３１】
粘着材料１３の常温常圧下の粘度は、粘着材料１３が金型２０のキャビティ２３幅方向に適切に流動するよう、１０，０００〜１００，０００〔ｃｐｏｉｓｅ〕、ＳＩ単位系では１０〜１００〔Ｐａ・ｓ〕が好ましい。複数の粘着材料１３をパターン状に塗布する場合には、正確な位置と量とを制御でき、生産性を向上させ得るディスペンサの使用が最適である。
【００３２】
次いで、複数の粘着材料１３が塗布配列されたサポート基板１０を金型２０の離型処理プレート２１と位置決めプレート２２とにインサートして型締めする。この金型２０の離型処理プレート２１には、複数の粘着層１１用のキャビティ２３が凹み形成されるが、このキャビティ２３は、粘着層１１のバリの発生を防いだり、様々な幅の粘着層１１に対応したりすることができるよう、想定される粘着層１１の幅よりも広く形成される。例えば、粘着層１１の厚さが０．１ｍｍ、粘着層１１の幅が１．５ｍｍの場合、キャビティ２３は、深さ０．１ｍｍ、幅５ｍｍに凹み形成される。
【００３３】
金型２０を型締めしたら、所定の時間金型２０を加熱する。この際、粘着材料１３は、離型処理プレート２１のキャビティ２３内を満たすことがないよう押し広げて加熱（図３参照）され、この加熱により、複数の粘着層１１が形成される。粘着層１１を形成したら、金型２０を冷却し、この金型２０を型開きしてサポート基板１０を離型処理プレート２１から脱型すれば、半導体ウェーハ用サポート治具を製造することができる。
【００３４】
なお、金型２０から半導体ウェーハ用サポート治具を脱型したら、この半導体ウェーハ用サポート治具を専用の治具にセットして真空のベーキングオーブンに投入し、空気を窒素ガスに置換した後、所定の条件（例えば、１６０℃、３時間の条件）でベーキングすることが好ましい。こうすれば、熱硬化性粘着材料１３のアウトガス発生に伴う諸問題を防ぐことができる。
【００３５】
製造された半導体ウェーハ用サポート治具は、所定の粘着テープに粘着した半導体ウェーハ１の露出した表面に直接粘着されることにより、薄く脆い半導体ウェーハ１と一体化し、強度や剛性を増大させた状態でスパッタリング工程やハンダリフロー工程等に供される。
【００３６】
上記構成によれば、半導体ウェーハ１の加工処理後、仮接着剤やハンダを溶融させて半導体ウェーハ１を取り外す必要が全くないので、半導体ウェーハ１を素早く脱着することができ、作業性を著しく向上させることができる。また、サポート基板１０の全表面ではなく、表面の一部に複数の粘着層１１を配列形成して粘着範囲を必要十分な範囲に抑制するので、粘着層１１から薄く脆い半導体ウェーハ１を安全、かつ容易に剥離することができる。したがって、半導体ウェーハ１を安全に着脱することができ、半導体ウェーハ１が損傷する事態を未然に回避することができる。
【００３７】
また、粘着層１１の占有面積等が狭いので、製造コストを大幅に削減することができる。また、粘着層１１の表面に複数の保持突起を立設したり、半導体ウェーハ１支持用の複数の支持櫛歯を配列したりする必要もないので、サポート治具の構成や製造方法の簡素化を図ることができる。また、サポート基板１０が半導体ウェーハ１と同じ大きさ・形なので、半導体ウェーハ１の対向する表面をきわめて有効に保護することができ、半導体ウェーハ１表面が周辺機器等に衝突して損傷するのを防止することが可能になる。
【００３８】
また、複数の粘着層１１をサポート基板１０の周方向に等間隔に配列するので、比較的広い面積で半導体ウェーハ１を安定して保持することが可能になる。また、区画された空間１２から外部に空気を確実に排気することができ、空間１２に気泡を内包するおそれが実に少ないので、例え真空プロセス等の製造工程に半導体ウェーハ用サポート治具を投入しても、気泡が膨張して半導体ウェーハ１を損傷させるのを防ぐことが可能になる。
【００３９】
また、離型処理プレート２１のキャビティ２３内に粘着材料１３が隙間なく充填されることがないので、粘着層１１に厚さバラツキの生じることが少ない。また、金型２０の間隙から粘着材料１３が流出・固化し、粘着層１１にバリの生じることがないので、バリとの接触に伴う半導体ウェーハ１の汚染をきわめて有効に防止することができる。また、バリの除去作業が不要となるので、製造作業の著しい円滑化、迅速化、容易化が大いに期待できる。さらに、一種類の金型２０で様々な幅の粘着層１１に対応することができるので、粘着層１１の粘着力を容易に微調整することができる。
【００４０】
次に、図４は本発明の第２の実施形態を示すもので、この場合には、サポート基板１０の表面の一部に複数の粘着層１１を縞模様に配列し、隣接する粘着層１１と粘着層１１との間１４に、空気が流通可能な隙間を形成し、各粘着層１１を図４の上下方向に伸びる直線の線条とするようにしている。
【００４１】
複数の粘着層１１は、サポート基板１０の左右方向に隙間をおいて配列され、隣接する粘着層１１と粘着層１１との両端部間１４がそれぞれ開口することにより、半導体ウェーハ１の表面との間に区画した空間１２をサポート基板１０の外部と連通させ、この空間１２を空気が流通する開放空間とする。その他の部分については、上記実施形態と同様であるので説明を省略する。
【００４２】
本実施形態においても上記実施形態と同様の作用効果が期待でき、しかも、複数の粘着層１１の配列パターンの多様化が期待できるのは明らかである。また、粘着層１１の長手方向に半導体ウェーハ１を平行に剥離すれば、半導体ウェーハ１の破損防止が大いに期待できる。
【００４３】
次に、図５ないし図９は本発明の第３の実施形態を示すもので、この場合には、サポート基板１０の表面周縁部付近に左右一対の粘着層１１を並べて貼着し、この一対の粘着層１１の両端部間に、空気が流通可能な隙間をそれぞれ形成し、各粘着層１１をサポート基板１０の周縁部に沿う円弧形状の細長い線条とするとともに、この粘着層１１のオリフラ寄りの端部に、サポート基板１０の内方向に広がる幅広部１５を拡大形成し、この幅広部１５により、粘着層１１の粘着範囲や強度を向上させるようにしている。
【００４４】
上記構成において、半導体ウェーハ用サポート治具を金型２０により製造する場合には、先ず、ガラス強化エポキシ樹脂製の樹脂板を加工して半導体ウェーハ１と同じ大きさ・形のサポート基板１０を形成し、このサポート基板１０の表面周縁部付近に、一対の粘着層１１を後に形成する熱硬化性でペースト状の粘着材料１３を塗布する。
【００４５】
この粘着材料１３については、上記実施形態と同様、粘着材料１３の流出に伴うバリの発生を防いだり、様々な粘着層１１幅の仕様に対応できるよう、粘着層１１の厚さよりも高く、粘着層１１の幅よりも狭くなるよう塗布される。また、常温常圧下の粘度についても、上記実施形態と同様、１０，０００〜１００，０００〔ｃｐｏｉｓｅ〕、ＳＩ単位系では１０〜１００〔Ｐａ・ｓ〕が好ましい。
【００４６】
各粘着材料１３を塗布する場合には、正確な位置と量とを制御でき、生産性を向上させ得るディスペンサが使用される。ディスペンサは、一定量の粘着材料を吐き出しながら高速でスライドするが、粘着層１１の端部に幅広部１５を拡大形成するため、粘着材料１３の吐き出しの最終段階で遅く制御される。
【００４７】
次いで、複数の粘着材料１３が配列形成されたサポート基板１０を金型２０の離型処理プレート２１と位置決めプレート２２とにインサートして型締めし、これらを加熱する。離型処理プレート２１と位置決めプレート２２とは、図６ないし図９に示すように、それぞれ平面多角形に形成され、中央部にサポート基板１０の周縁部を除く大部分を露出させる露出口２４がそれぞれ穿孔される。
【００４８】
離型処理プレート２１の露出口２４の周縁部付近には図６に示すように、粘着層１１用のキャビティ２３が平面リング形に凹み形成される。このキャビティ２３は、製造時のバリの発生を防いだり、様々な仕様の粘着層１１幅に対応できるよう、想定される粘着層１１の幅よりも広く形成される。
【００４９】
金型２０の加熱の際、粘着材料１３は、離型処理プレート２１のキャビティ２３内を満たすことがないよう押し広げて加熱され、この加熱により、複数の粘着層１１が形成される。粘着層１１を形成したら、金型２０を冷却した後、金型２０を型開きしてサポート基板１０を脱型すれば、半導体ウェーハ用サポート治具を製造することができる。その他の部分については、上記実施形態と同様であるので説明を省略する。
【００５０】
本実施形態においても上記実施形態と同様の作用効果が期待でき、しかも、粘着層１１の配列パターンの多様化が期待できるのは明白である。また、バリが生じないので、半導体ウェーハ１の汚染防止が期待でき、さらには、一種類の金型２０で様々な幅の粘着層１１を成形することができるので、粘着層１１の粘着力を簡易に微調整することができる。
【００５１】
なお、上記実施形態のサポート基板１０の周縁部には、半導体ウェーハ１の剥離を容易にする剥離用突起や半導体ウェーハ１の周縁部の情報を読み取る複数の切り欠きを適宜形成しても良い。また、上記実施形態ではサポート基板１０の表面の一部に複数の粘着層１１を設けたが、サポート基板１０の裏面の一部に複数の粘着層１１を設けても良いし、サポート基板１０の表裏面の一部に複数の粘着層１１をそれぞれ設けても良い。
【００５２】
また、サポート基板１０の表面の一部、裏面の一部、表裏面の一部に複数の粘着層１１をドット状等に配列形成しても良い。また、粘着材料１３を塗布する場合には、ディスペンサにより塗布するのではなく、精密制御が期待できる安価なスクリーン印刷法等により塗布することもできる。この場合、粘着層１１の端部に幅広部１５を拡大形成するときには、粘着材料１３をスクリーン印刷する最終段階で粘着材料１３の供給量を増やせば良い。
【産業上の利用可能性】
【００５３】
本発明に係る半導体ウェーハ用サポート治具及びその製造方法は、半導体デバイスの製造分野で使用される。
【符号の説明】
【００５４】
１        半導体ウェーハ
１０      サポート基板
１１      粘着層
１２      空間
１３      粘着材料
１４      粘着層と粘着層との間
１５      幅広部
２０      金型
２１      離型処理プレート
２２      位置決めプレート
２３      キャビティ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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