(57)【要約】【課題】スタックビアにかかる応力を緩和することが可能なフレックスリジッド配線板の提供を目的とする。【解決手段】本発明のフレックスリジッド配線板１０は、可撓性基材１５と、可撓性基材１５の側方に配置される非可撓性基材３０と、可撓性基材１５と非可撓性基材３０の両面に積層されて主リジッド部１２Ａを形成すると共に、可撓性基材１５の一部をフレックス部１１として露出させるビルドアップ絶縁層５１Ｆ，５１Ｓと、主リジッド部１２Ａの表裏の両面に形成される第１パッド４１Ｆ及び第２パッド４１Ｓと、非可撓性基材３０及びビルドアップ絶縁層５１Ｆ，５１Ｓを貫通して、第１パッド４１Ｆと第２パッド４１Ｓとを接続するスタックビア４２と、を有し、非可撓性基材３０のうちスタックビア４２が貫通する部分が、ビルドアップ絶縁層５１Ｆ，５１Ｓより熱膨張率の低い低熱膨張率材７０で構成されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
可撓性を有するフレックス部と、
前記フレックス部の側方に位置して、前記フレックス部に接続される非可撓性のリジッド部と、を備えるフレックスリジッド配線板であって、
可撓性基材と、
厚さ方向から見たときに前記可撓性基材の側方に並べて配置される非可撓性基材と、
前記可撓性基材及び前記非可撓性基材の表裏の両面に積層されて前記リジッド部を形成すると共に、前記可撓性基材の一部を前記フレックス部として露出させる絶縁層と、
前記リジッド部の表裏の両面に形成される複数の実装パッドと、
前記非可撓性基材及び前記絶縁層を貫通して、表側の前記実装パッドと裏側の前記実装パッドとを接続するスタックビアと、を有し、
前記非可撓性基材のうち前記スタックビアが貫通する部分又は前記非可撓性基材全体が、前記絶縁層よりも熱膨張率の低い低熱膨張率材で構成されている。
【請求項２】
請求項１に記載のフレックスリジッド配線板において、
前記低熱膨張率材は、前記非可撓性基材のうち前記スタックビアが貫通する部分に選択的に配置されている。
【請求項３】
請求項１又は２に記載のフレックスリジッド配線板において、
前記非可撓性基材の表側と裏側に積層される前記絶縁層の数が同じである。
【請求項４】
請求項１乃至３のうち何れか１の請求項に記載のフレックスリジッド配線板において、
表裏の一方側の前記実装パッドは、能動部品実装用であって、
表裏の他方側の前記実装パッドは、受動部品実装用である。
【請求項５】
請求項１乃至４のうち何れか１の請求項に記載のフレックスリジッド配線板において、
前記リジッド部には、前記フレックス部を挟むように配置される主リジッド部と副リジッド部とが設けられ、
前記複数の実装パッドは、前記主リジッド部と副リジッド部のうち何れか一方に形成されている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、可撓性を有するフレックス部に非可撓性のリジッド部が接続されているフレックスリジッド配線板に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、この種のフレックスリジッド配線板として、リジッド部の表裏の両面に形成される実装パッドが、リジッド部を貫通するスタックビアで接続されているものが知られている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】米国公開２０１１−１８０３０７号公報（ＦＩＧ．１）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上述した従来のフレックスリジッド配線板では、スタックビアの中間部に応力が集中し、スタックビアの破損や接続不良が生じるという問題が考えられる。
【０００５】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、スタックビアにかかる応力を緩和することが可能なフレックスリジッド配線板の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するためになされた本発明に係るフレックスリジッド配線板は、可撓性を有するフレックス部と、フレックス部の側方に位置して、フレックス部に接続される非可撓性のリジッド部と、を備えるフレックスリジッド配線板であって、可撓性基材と、厚さ方向から見たときに可撓性基材の側方に並べて配置される非可撓性基材と、可撓性基材及び非可撓性基材の表裏の両面に積層されてリジッド部を形成すると共に、可撓性基材の一部をフレックス部として露出させる絶縁層と、リジッド部の表裏の両面に形成される複数の実装パッドと、非可撓性基材及び絶縁層を貫通して、表側の実装パッドと裏側の実装パッドとを接続するスタックビアと、を有し、非可撓性基材のうちスタックビアが貫通する部分又は非可撓性基材全体が、絶縁層より熱膨張率の低い低熱膨張率材で構成されている。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本発明の一実施形態に係るフレックスリジッド配線板の断面図
【図２】フレックスリジッド配線板の平面図
【図３】第１パッドとフレックス部を接続する配線の取り回しを示す図
【図４】半導体モジュールの側面図
【図５】フレックスリジッド配線板の製造工程を示す図
【図６】フレックスリジッド配線板の製造工程を示す図
【図７】フレックスリジッド配線板の製造工程を示す図
【図８】フレックスリジッド配線板の製造工程を示す図
【図９】フレックスリジッド配線板の製造工程を示す図
【図１０】フレックスリジッド配線板の製造工程を示す図
【図１１】フレックスリジッド配線板の製造工程を示す図
【図１２】フレックスリジッド配線板の製造工程を示す図
【図１３】フレックスリジッド配線板の製造工程を示す図
【図１４】変形例に係るフレックスリジッド配線板の断面図
【図１５】変形例に係るフレックスリジッド配線板の断面図
【図１６】変形例に係るフレックスリジッド配線板の側面図
【図１７】変形例に係るフレックスリジッド配線板の断面図
【図１８】変形例に係るフレックスリジッド配線板の断面図
【図１９】変形例に係るフレックスリジッド配線板の断面図
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、本発明の一実施形態を図１〜図１３に基づいて説明する。本実施形態のフレックスリジッド配線板１０は、可撓性基材１５と、厚さ方向から見たときに可撓性基材１５を挟むように配置される非可撓性基材３０，３０とを備えている。可撓性基材１５及び非可撓性基材３０，３０の表裏の両面には、ビルドアップ層５０Ｆ，５０Ｓが積層されている。
【０００９】
ビルドアップ層５０Ｆ，５０Ｓは、可撓性基材１５の両側部を覆い、可撓性基材１５の中央部を露出させる。そして、可撓性基材１５の露出部分によって、可撓性を有するフレックス部１１が形成され、フレックス部１１の両側に、非可撓性基材３０とビルドアップ層５０Ｆ，５０Ｓとを含む主リジッド部１２Ａ及び副リジッド部１２Ｂが形成される。主リジッド部１２Ａと副リジッド部１２Ｂとは、本発明の「リジッド部」を構成し、フレックス部１１を介して折り曲げ可能に接続されている。なお、可撓性基材１５の両側部は、主リジッド部１２Ａ及び副リジッド部１２Ｂに若干入り込んでいる。
【００１０】
可撓性基材１５は、例えば、ポリイミドフィルム等の樹脂フィルム２５Ｋの両面に接着層２５Ａを積層してなる可撓性中間基材２５と、可撓性中間基材２５の表裏の一方側の面である第１面２５Ｆ上に形成される第１配線層２４Ｆと、可撓性中間基材２５の表裏の他方側の面である第２面２５Ｓ上に形成される第２配線層２４Ｓと、を備える。第１配線層２４Ｆ及び第２配線層２４Ｓは、主リジッド部１２Ａと副リジッド部１２Ｂとを連絡する直線状に複数形成されている（図２参照。同図には、第１配線層２４Ｆのみが示されている。）。詳細には、第１配線層２４Ｆ及び第２配線層２４Ｓの両端部は、可撓性中間基材２５から側方に突出して非可撓性基材３０内に入り込んでいる。なお、第１配線層２４Ｆと第２配線層２４Ｓとは、可撓性中間基材２５を貫通するビアを介して接続されていてもよい。
【００１１】
第１配線層２４Ｆ上には、接着層８１Ｆが形成され、この接着層８１Ｆ上にカバーレイ（被覆層）８０Ｆが形成されている。また、第２配線層２４Ｓ上には、接着層８１Ｓが形成され、この接着層８１Ｓ上にカバーレイ（被覆層）８０Ｓが形成されている。カバーレイ８０Ｆ，８０Ｓは、ソルダーレジスト層８４Ｆ，８４Ｓにて被覆されている。なお、カバーレイ８０Ｆ，８０Ｓは、ポリイミド等の絶縁膜から構成されている。
【００１２】
非可撓性基材３０は、例えば、プリプレグ（心材を樹脂含浸してなるＢステージの樹脂シート）等の絶縁性材料からなる非可撓性中間基材３１と、非可撓性中間基材３１を貫通する開口３１Ａに受容されると共に非可撓性中間基材３１よりも熱膨張率の低い材料からなる低熱膨張率基材７０（本発明の「低熱膨張率材」に相当する。）と、を有している。非可撓性中間基材３１の表裏の一方側の面である第１面３１Ｆ上には、第１中間導体層３２Ｆが形成され、他方側の面である第２面３１Ｓ上には、第２中間導体層３２Ｓが形成されている。第１中間導体層３２Ｆと第２中間導体層３２Ｓとは、非可撓性中間基材３１及び低熱膨張率基材７０を貫通するビア導体３３を介して接続されている。低熱膨張率基材７０を構成する材料としては、非可撓性中間基材３１におけるシリカ、アルミナ等の無機フィラーの含有率を上げたもの（例えば、通常の基材で５０重量％程度の含有率であるのに対し、含有率を５５重量％以上にしたもの）や、非可撓性中間基材３１の心材となるガラスクロスに含まれるシリカ、アルミナ等の成分比率を高めたもの（例えば、通常の心材でシリカ、アルミナ等の含有率が６０〜７０重量％程度であるのに対し、７５〜９０重量％にしたもの）等が挙げられる。
【００１３】
第１中間導体層３２Ｆ上には、ビルドアップ絶縁層５１Ｆと、ビルドアップ導体層５３Ｆと、が交互に積層されている。また、第２中間導体層３２Ｓ上には、ビルドアップ絶縁層５１Ｓと、ビルドアップ導体層５３Ｓと、が交互に積層されている。そして、ビルドアップ絶縁層５１Ｆとビルドアップ導体層５３Ｆとによって上述のビルドアップ層５０Ｆが形成され、ビルドアップ絶縁層５１Ｓとビルドアップ導体層５３Ｓとによって上述のビルドアップ層５０Ｓが形成されている。ビルドアップ絶縁層５１Ｆ，５１Ｓは、非可撓性中間基材３１と同じ材質で構成され、本発明の「絶縁層」に相当する。
【００１４】
最も外側に配置されるビルドアップ導体層５３Ｆ，５３Ｓ（以下、適宜、「最外ビルドアップ導体層５３ＦＡ，５３ＳＡ」という。）の上には、ソルダーレジスト層６７Ｆ，６７Ｓが積層されている。ソルダーレジスト層６７Ｆは、フレックスリジッド配線板１０の表裏の一方側の第１面１０Ｆを構成し、ソルダーレジスト層６７Ｓは、フレックスリジッド配線板１０の表裏の他方側の第２面１０Ｓを構成する。
【００１５】
フレックスリジッド配線板１０の第１面１０Ｆ側のソルダーレジスト層６７Ｆには、最外ビルドアップ導体層５３ＦＡの一部を露出させる開口６８Ｆが複数形成されている。そして、それら複数の開口６８Ｆによって、主リジッド部１２Ａの表裏の一方側の第１面１２ＡＦに、最外ビルドアップ導体層５３ＦＡの一部を露出させてなる電子部品実装用の第１パッド４１Ｆが複数形成され、副リジッド部１２Ｂの表裏の一方側の第１面１２ＢＦに、最外ビルドアップ導体層５３ＦＡの一部を露出させてなる実装パッド４３Ｆが複数形成される。また、フレックスリジッド配線板１０の第２面１０Ｓ側のソルダーレジスト層６７Ｓには、最外ビルドアップ導体層５３ＳＡの一部を露出させる開口６８Ｓが複数形成されている。そして、それら複数の開口６８Ｓによって、主リジッド部１２Ａの表裏の他方側の第２面１２ＡＳに、最外ビルドアップ導体層５３ＳＡの一部を露出させてなる電子部品実装用の第２パッド４１Ｓが複数形成され、副リジッド部１２Ｂの表裏の他方側の第２面１２ＢＳに、最外ビルドアップ導体層５３ＳＡの一部を露出させてなる実装パッド４３Ｓが複数形成される。なお、本実施形態では、第１パッド４１Ｆと第２パッド４１Ｓとにより本発明の「複数の実装パッド」が構成されている。
【００１６】
図２に示すように、主リジッド部１２Ａの表裏の両面に形成される複数の第１パッド４１Ｆ及び複数の第２パッド４１Ｓは、グリッド状に配列されている（図２には、第１パッド４１Ｆのみが示されている。）。第１パッド４１Ｆのピッチ及び第２パッド４１Ｓのピッチは共に、２５０〜５００μｍになっている。ここで、上述したように、可撓性基材１５の両側部は、主リジッド部１２Ａ及び副リジッド部１２Ｂに入り込んでいる（図２では、可撓性基材１５の両側部が点線で示されている。）。そして、主リジッド部１２Ａを厚さ方向から見たときに、可撓性基材１５の主リジッド１２Ａ側の端部は、第１パッド４１Ｆが配列されている配列領域Ｒ１の外側に配置されている。
【００１７】
図１に示すように、フレックスリジッド配線板１０の第１面１０Ｆ側の第１パッド４１Ｆの一部は、可撓性基材１５の第１配線層２４Ｆを介して、副リジッド部１２Ｂに接続される。具体的には、図１及び図２に示すように、第１パッド４１Ｆのうち配列領域Ｒ１の外周部に配置される外側パッド４１ＦＡが、副リジッド部１２Ｂに接続され、複数の第１パッド４１Ｆのうち外側パッド４１ＦＡよりも配列領域Ｒ１の内側に配置される内側パッド４１ＦＢが、主リジッド部１２Ａの第２面１２ＡＳ側の第２パッド４１Ｓに接続される。ここで、本実施形態では、内側パッド４１ＦＢが配列される配列領域Ｒ２（図２参照）は、第２パッド４１Ｓが配列される配列領域Ｒ３（図１参照）に一致する。なお、図２の例では、第１パッド４１Ｆが配列される配列領域Ｒ１と、内側パッド４１ＦＢが配列される内側領域Ｒ２とが、共に、四角形状に示されている。
【００１８】
図１に示すように、外側パッド４１ＦＡと第１配線層２４Ｆとの間を接続する配線４５は、ビルドアップ導体層５３Ｆの一部に配線パターンを形成することで構成される。図３に示すように、配線４５は、内側パッド４１ＦＢが配列される内側領域Ｒ２の外側に配置され、内側パッド４１ＦＢ同士の間を通らないようになっている。これにより、内側パッド４１ＦＢのピッチを小さくすることが可能となり、内側パッド４１ＦＢの高密度化が図られる。
【００１９】
図１に示すように、第１パッド４１Ｆの内側パッド４１ＦＢと第２パッド４１Ｓとは、主リジッド部１２Ａを貫通するスタックビア４２を介して接続される。スタックビア４２は、非可撓性基材３０を貫通するビア導体３３と、ビルドアップ絶縁層５１Ｆを貫通する複数のビア導体５４Ｆと、ビルドアップ絶縁層５１Ｓを貫通する複数のビア導体５４Ｓと、を直線状に積み重ねて形成されている。
【００２０】
ここで、上述したように、ビア導体３３は、低熱膨張率基材７０に貫通形成されている。また、ビルドアップ絶縁層５１Ｆ，５１Ｓは、非可撓性中間基材３１と同じ材質で構成され、低熱膨張率基材７０は、非可撓性中間基材３１より熱膨張率の低い材料で構成されている。従って、非可撓性基材３０のうちスタックビア４２が貫通する部分は、ビルドアップ絶縁層５１Ｆ，５１Ｓよりも熱膨張率の低い材料で構成されている。
【００２１】
図１及び図４に示すように、第１パッド４１Ｆには、能動部品９０が実装され、第２パッド４１Ｓには、受動部品９１が実装される。そして、フレックスリジッド配線板１０と、能動部品９０と、受動部品９１とで、半導体モジュール１００が構成される。能動部品９０は、第１パッド４１Ｆの内側パッド４１ＦＢ（図１参照）を介して、受動部品９１に接続される。また、能動部品９０は、第１パッド４１の外側パッド４１ＦＡ（図１参照）を介して、副リジッド部１２Ｂに接続され、さらに、副リジッド部１２Ｂ内に形成される配線（図示せず）によって実装パッド４３Ｆ，４３Ｓに接続される。なお、実装パッド４３Ｆ，４３Ｓには、コネクタ等の電子部品９３が実装されてもよい。能動部品９０の例としては、半導体素子やＩＣ等が挙げられるが、本実施形態では、ＩＣである。受動部品９１の例としては、チップコンデンサ、インダクタ、抵抗、圧電素子等が挙げられる。
【００２２】
フレックスリジッド配線板１０の構造に関する説明は以上である。次に図５〜図１３に基づいて、フレックスリジッド配線板１０の製造方法について説明する。
【００２３】
フレックスリジッド配線板１０は、以下のように製造される。
（１）図５（Ａ）に示すように、絶縁基材２１Ｋの上面に銅箔２１Ｃが積層されたキャリア２１が、支持基板２３上に積層される。なお、絶縁基材２１Ｋと銅箔２１Ｃとの間、及び、キャリア２１（絶縁基材２１Ｋ）と支持基板２３との間には、図示しない接着層が形成され、絶縁基材２１Ｋと銅箔２１Ｃとの間の接着力は、キャリア２１（絶縁基材２１Ｋ）と支持基板２３との間の接着力よりも弱くなっている。
【００２４】
（２）銅箔２１Ｃ上に、レジスト処理、電解めっき処理が行われて、銅箔２１Ｃ上に、所定パターンの第１配線層２４Ｆと第１中間導体層３２Ｆとが形成される（図５（Ｂ）参照）。このとき、第１中間導体層３２Ｆは、キャリア２１の両端部の上に配置され、第１配線層２４Ｆは、キャリア２１の中央寄り部分の上に配置される。
【００２５】
（３）図５（Ｃ）に示すように、樹脂フィルム２５Ｋの両面に接着層２５Ａを積層してなる可撓性中間基材２５が準備されると共に、非可撓性中間基材３１，３１が、可撓性中間基材２５を受容可能な隙間を空けて配置される。また、一方の非可撓性中間基材３１を貫通する開口３１Ａが形成されると共に、その開口３１Ａに収容可能な大きさで非可撓性中間基材３１よりも熱膨張率の低い絶縁性材料からなる低熱膨張率基材７０が準備される。なお、可撓性中間基材２５の厚さと、低熱膨張率基材７０の厚さと、非可撓性中間基材３１の厚さとは、略同じになっている。
【００２６】
（４）図６（Ａ）に示すように、キャリア２１上に、可撓性中間基材２５及び非可撓性中間基材３１が積層されると共に、非可撓性中間基材３１の開口３１Ａに低熱膨張率基材７０が収容される。そして、可撓性中間基材２５、低熱膨張率基材７０及び非可撓性中間基材３１の上に銅箔３４が積層されて、プレスが行われる。このとき、可撓性中間基材２５は、第１配線層２４Ｆ上に配置され、非可撓性中間基材３１，３１は、水平方向で可撓性中間基材２５を挟むように配置される。また、第１配線層２４Ｆ及び第１中間導体層３２Ｆは、可撓性中間基材２５、非可撓性中間基材３１及び低熱膨張率基材７０にめり込む。
【００２７】
（５）レーザ加工によって、非可撓性中間基材３１及び低熱膨張率基材７０と、銅箔３４とに第１中間導体層３２Ｆを露出させる開口３５が形成される。そして、無電解めっき処理、めっきレジスト処理、電解めっき処理が行われ、図６（Ｂ）に示すように、めっきレジストの非形成部分に第２配線層２４Ｓ及び第２中間導体層３２Ｓが形成されると共に、開口３５内にビア導体３３が形成される。なお、第２配線層２４Ｓは、非可撓性中間基材３１，３１同士を連絡する線状に複数形成され（図２参照）、第２配線層２４Ｓの両端部は、非可撓性中間基材３１，３１の第２面３１Ｓ，３１Ｓ上に配置される。
【００２８】
（６）図７（Ａ）に示すように、キャリア２１の絶縁基材２１Ｋと、支持基板２３とが剥離され、非可撓性中間基材３１の第１面３１Ｆ側に銅箔２１Ｃが露出する。
【００２９】
（７）図７（Ｂ）に示すように、エッチング処理によって、銅箔２１Ｃ及び銅箔３４が除去される。このとき、第２配線層２４Ｓ及び第２中間導体層３２Ｓは、可撓性中間基材２５の第２面２５Ｓ及び非可撓性中間基材３１の第２面３１Ｓから突出し、第１配線層２４Ｆ及び第１中間導体層３２Ｆは、可撓性中間基材２５及び非可撓性中間基材３１内に埋設される。
【００３０】
（８）第１配線層２４Ｆの中間部に接着層８１Ｆを介してカバーレイ８０Ｆが積層されると共に、第２配線層２４Ｓの中間部に接着層８１Ｓを介してカバーレイ８０Ｓが積層される。また、非可撓性中間基材３１の第１面３１Ｆ側と第１配線層２４Ｆの両端部とに、プリプレグからなるビルドアップ絶縁層５１Ｆが積層されると共に、非可撓性中間基材３１の第２面３１Ｓ側と第２配線層２４Ｓの両端部とに、ビルドアップ絶縁層５１Ｓが積層される。そして、カバーレイ８０Ｆ，８０Ｓとビルドアップ絶縁層５１Ｆ，５１Ｓの上に銅箔５２Ｆ，５２Ｓが積層される（図８（Ａ）参照）。
【００３１】
（９）レーザ加工によって、ビルドアップ絶縁層５１Ｆに、第１配線層２４Ｆ及び第１中間導体層３２Ｆを露出させる開口５５Ｆが形成されると共に、ビルドアップ絶縁層５１Ｓに、第２配線層２４Ｓ及び第２中間導体層３２Ｓを露出させる開口５５Ｓが形成され、上記（５）〜（７）の工程と同様にして、ビア導体５４Ｆ，５４Ｓと、ビルドアップ導体層５３Ｆ，５３Ｓが形成される（図８（Ｂ）参照）。
【００３２】
（１０）図９（Ａ）に示すように、カバーレイ８０Ｆ上にソルダーレジスト層８４Ｆが形成されると共に、ソルダーレジスト層８４Ｆ上に剥離層８６Ｆが形成され、さらに、カバーレイ８０Ｓ上にソルダーレジスト層８４Ｓが形成されると共に、ソルダーレジスト層８４Ｓ上に剥離層８６Ｓが形成される。
【００３３】
（１１）図９（Ｂ）に示すように、ソルダーレジスト層８４Ｆ及び剥離層８６Ｆの水平方向両側にビルドアップ絶縁層５１Ｆが形成されると共に、ソルダーレジスト層８４Ｓ及び剥離層８６Ｓの水平方向両側にビルドアップ絶縁層５１Ｓが形成され、それらビルドアップ絶縁層５１Ｆ，５１Ｓ上に銅箔６２Ｆ，６２Ｓが積層される。
【００３４】
（１２）上記（９）の工程と同様にして、ビルドアップ絶縁層５１Ｆ，５１Ｓに開口５５Ｆ，５５Ｓが形成されると共に、ビルドアップ絶縁層５１Ｆ，５１Ｓを貫通するビア導体５４Ｆ，５４Ｓが形成され、ビルドアップ絶縁層５１Ｆ，５１Ｓ上にビルドアップ導体層５３Ｆ，５３Ｓが形成される。また、剥離層８６Ｆ，８６Ｓ上には、端部に銅箔６２Ｆ，６２Ｓを露出させた状態で剥離用導体６１Ｆ，６１Ｓが形成される（図１０参照）。
【００３５】
（１３）ビルドアップ導体層５３Ｆ，５３Ｓ上と、剥離用導体６１Ｆ．６１Ｓ上とに、ビルドアップ絶縁層５１Ｆ，５１Ｓと、銅箔６４Ｆ，６４Ｓが積層される。そして、レーザ加工によって、ビルドアップ絶縁層５１Ｆ，５１Ｓに、ビルドアップ導体層５３Ｆ，５３Ｓを露出させる開口５５Ｆ，５５Ｓが形成されると共に、剥離用導体６１Ｆ，６１Ｓの外周の銅箔６２Ｆ，６２Ｓを露出させるスリット６６Ｆ，６６Ｓが形成される（図１１参照）。
【００３６】
（１４）上記（９）の工程と同様に、ビルドアップ絶縁層５１Ｆ，５１Ｓを貫通するビア導体５４Ｆ，５４Ｓが形成され、ビルドアップ絶縁層５１Ｆ，５１Ｓ上にビルドアップ導体層５３Ｆ，５３Ｓが形成される。なお、これらビルドアップ導体層５３Ｆ，５３Ｓが最外ビルドアップ導体層５３ＦＡ，５３ＳＡとなる。また、スリット６６Ｆ，６６Ｓの底部から剥離層８６Ｆ，８６Ｓの外側にはみ出す銅箔６２Ｆ，６２Ｓが除去される（図１２参照）。なお、このとき、可撓性中間基材２５に対して左右方向の一方側（図１２の例では左側）に位置するビア導体３３には、複数のビア導体５４Ｆと複数のビア導体５４Ｓとが厚さ方向に重ねて接続され、それらビア導体３３，５４Ｆ，５４Ｓによってスタックビア４２が形成される。
【００３７】
（１５）図１３に示すように、ソルダーレジスト層８４Ｆ，８４Ｓ上の剥離層８６Ｆ，８６Ｓ及びスリット６６Ｆ，６６Ｓの内側に位置するビルドアップ絶縁層５１Ｓ，５１Ｆが除去される。このとき、可撓性中間基材２５、カバーレイ８０Ｆ，８０Ｓ及びソルダーレジスト層８４Ｆ，８４Ｓを備える可撓性基材１５の一部が露出し、その露出部分によってフレックス部１１が形成される。
【００３８】
（１６）ビルドアップ絶縁層５１Ｆ，５１Ｓ上にソルダーレジスト層６７Ｆ，６７Ｓ（図１参照）が形成されて、フレックス部１１に対して左右方向の一方側に、スタックビア４２を有する主リジッド部１２Ａが形成されると共に、フレックス部１１を挟んで主リジッド部１２Ａと反対側に、副リジッド部１２Ｂが形成される。そして、ソルダーレジスト層６７Ｆ，６７Ｓに開口６８Ｆ，６８Ｓが形成されて、主リジッド部１２Ａにおける最外ビルドアップ導体層５３ＦＡ，５３ＳＡの一部が第１パッド４１Ｆ及び第２パッド４１Ｓとして露出し、副リジッド部１２Ｂにおける最外ビルドアップ導体層５３ＦＡ，５３ＳＡの一部が実装パッド４３Ｆ，４３Ｓとして露出する。以上により、図１に示したフレックスリジッド配線板１０が完成する。
【００３９】
本実施形態のフレックスリジッド配線板１０の構造及び製造方法に関する説明は以上である。次に、フレックスリジッド配線板１０の作用効果について説明する。
【００４０】
本実施形態のフレックスリジッド配線板１０では、非可撓性基材３０のうちスタックビア４２が貫通する部分が、ビルドアップ絶縁層１５より熱膨張率の低い材料からなる低熱膨張率基材７０で構成されているので、低熱膨張率基材７０の周辺でスタックビア４２にかかる応力を緩和することが可能になる。また、非可撓性基材３０は、フレックス部１１を構成する可撓性基材１５の側方に並べて配置されるので、フレックス部１１の側方のスペースを有効に活用することが可能となる。
【００４１】
また、本実施形態のフレックスリジッド配線板１０では、非可撓性基材３０の表裏の一方側（第１面１０Ｆ側）に積層されるビルドアップ絶縁層５１Ｆの数と、他方側（第２面１０Ｓ側）に積層されるビルドアップ絶縁層５１Ｓの数が同じになっているので、スタックビア４２のうち最も応力がかかる長手方向の中央部が低熱膨張率基材７０を貫通することとなり、スタックビア４２にかかる応力を効果的に緩和することが可能となる。
【００４２】
［他の実施形態］
本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、例えば、以下に説明するような実施形態も本発明の技術的範囲に含まれ、さらに、下記以外にも要旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施することができる。
【００４３】
（１）上記実施形態では、非可撓性基材３０が、非可撓性中間基材３１と低熱膨張率基材７０とで構成されていたが、図１４に示すように、非可撓性基材３０が低熱膨張率基材７０のみからなる、即ち、非可撓性基材３０全体がビルドアップ絶縁層１５より熱膨張率の低い材料からなる構成であってもよい。なお、このような構成は、シート状の低熱膨張率基材７０に形成された開口部に可撓性中間基材２５を収容し、その後、上記実施形態の工程（４）〜（１６）（図６〜図１３参照）と同様の工程を行うことで製造することができる。
【００４４】
（２）上記実施形態では、非可撓性基材３０が、非可撓性中間基材３１と低熱膨張率基材７０とで構成されていたが、図１５に示すように、さらに、ビルドアップ絶縁層１５より熱伝導率の高い材料からなる放熱基材７５を備える構成であってもよい。本構成によれば、フレックス部１１の側方のスペースを有効に活用しつつ、フレックスリジッド配線板１０の放熱性能を向上することが可能となる。なお、放熱基材７５は、同図の例に示すように、端部を露出させるように配置されることが好ましい。
【００４５】
（３）上記実施形態では、フレックスリジッド配線板１０が、主リジッド部１２Ａの側方にフレックス部１１と副リジッド部１２Ｂを１つずつ備える構成であったが、図１６の例に示すフレックスリジッド配線板１０Ｖのように、フレックス部１１と副リジッド部１２Ｂを複数ずつ備える構成であってもよい（図１６の例では、フレックス部１１及び副リジッド部１２Ｂを２つずつ備えている。）。
【００４６】
（４）図１７に示すように、副リジッド部１２Ｂを貫通して表裏の実装パッド４３，４３同士を接続するスタックビア４７を設け、副リジッド部１２Ｂにおける非可撓性基材３０のうちスタックビア４７が貫通する部分を、低熱膨張率基材７０で構成してもよい。
【００４７】
（５）上記実施形態では、フレックスリジッド配線板１０が、２つのリジッド部（主リジッド部１２Ａと副リジッド部１２Ｂ）を備える構成であったが、リジッド部を１つのみ備える構成であってもよい。具体的には、上記実施形態における主リジッド部１２Ａのみを備える構成であってもよい（図１８参照）。
【００４８】
（６）図１９に示すように、非可撓性基材３０の第１面３０Ｆ側に積層されるビルドアップ絶縁層５１Ｆの数と、第２面３０Ｓ側に積層されるビルドアップ絶縁層５１Ｓの数が異なる構成であってもよい。
【符号の説明】
【００４９】
１０，１０Ｖ    フレックスリジッド配線板
１１    フレックス部
１２Ａ    主リジッド部
１２Ｂ    副リジッド部
１５    可撓性基材
３０    非可撓性基材
４１Ｆ    第１パッド（実装パッド）
４１Ｓ    第２パッド（実装パッド）
４２    スタックビア
５１Ｆ，５１Ｓ    ビルドアップ絶縁層（絶縁層）
７０    低熱膨張率材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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