(57)【要約】【課題】基板に配線を形成する時間を短縮する。【解決手段】触媒を含むインクを樹脂製の基板の主面に規定の間隔をあけて連続的に塗布することにより、基板の主面に前記規定の間隔で複数の触媒層を形成する工程と、複数の触媒層を形成する工程の後に、無電解めっき法を用いて、複数の触媒層の上に第１の導電層を形成する工程と、第１の導電層を形成する工程の後に、規定の間隔をあけて隣り合う第１の導電層のうち一方の第１の導電層の上に発光ダイオードのアノード端子を半田付けし、他方の第１の導電層の上に前記発光ダイオードのカソード端子を半田付けして規定の間隔をあけて隣り合う第１の導電層を導通させる工程と、導通させる工程の後に、電解めっき法を用いて第１の導電層を第１の電極として第１の導電層上に金属を析出するように電圧を印加することにより、第１の導電層の上に第２の導電層を形成する工程と、を有する。【選択図】図５
2016006835.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂製の基板の主面に規定の間隔をあけて第１の導電層を形成する工程と、
前記第１の導電層を形成する工程の後に、前記規定の間隔をあけて隣り合う第１の導電層のうち一方の第１の導電層の上に発光ダイオードのアノード端子を接続部材で接続し、他方の第１の導電層の上に前記発光ダイオードのカソード端子を接続部材で接続して前記規定の間隔をあけて隣り合う第１の導電層を導通させる工程と、
前記導通させる工程の後に、電解めっき法を用いて前記第１の導電層を第１の電極として前記第１の導電層上に金属を析出するように電圧を印加することにより、前記第１の導電層の上に第２の導電層を形成する工程と、
を有する発光ダイオード基板の製造方法。
【請求項２】
前記第２の導電層を形成する工程において、前記第１の導電層が電源の負極に電気的に接続され且つ前記第１の導電層に対して銅イオンを含むめっき液が介在するように配置された電極が前記電源の正極に電気的に接続された状態を規定の時間維持し、前記第１の導電層の上に銅が析出することで、前記第２の導電層を形成する
請求項１に記載の発光ダイオード基板の製造方法。
【請求項３】
樹脂製の基板の主面に規定の間隔をあけて複数の触媒層を形成する工程を更に有し、
前記第１の導電層を形成する工程において、前記複数の触媒層を形成する工程の後に、無電解めっき法を用いて、前記複数の触媒層の上に前記第１の導電層を形成する
請求項１または２に記載の発光ダイオード基板の製造方法。
【請求項４】
前記触媒層を形成する工程において、前記規定の間隔の数が前記規定の間隔に配置する発光ダイオードの数と同じになるように、前記複数の触媒層を形成し、
前記導通させる工程において、前記規定の間隔それぞれに前記発光ダイオードを配置するよう接続部材で接続する
請求項３に記載の発光ダイオード基板の製造方法。
【請求項５】
前記導通させる工程の前に、前記第１の導電層の上に接続部材を塗布する工程を有し、
前記導通させる工程において、前記塗布された接続部材を用いて前記発光ダイオードを接続する
請求項１から４のいずれか一項に記載の発光ダイオード基板の製造方法。
【請求項６】
前記触媒層を形成する工程の後に、前記触媒層が乾燥した後、前記触媒層を加熱する工程を更に有する
請求項３また４に記載の発光ダイオード基板の製造方法。
【請求項７】
前記第２の導電層を形成する工程の後に、発光ダイオードが複数直列に接続された回路を少なくとも一つ含むように、前記基板を切断する工程を更に有する
請求項１から６のいずれか一項に記載の発光ダイオード基板の製造方法。
【請求項８】
前記触媒層は、パラジウムを含む
請求項３、４、６のいずれか一項に記載の発光ダイオード基板の製造方法。
【請求項９】
前記無電解めっき法は、無電解銅めっき法であり、
前記第１の導電層を形成する工程において、銅が析出されることにより、前記第１の導電層を形成する
請求項１から８のいずれか一項に記載の発光ダイオード基板の製造方法。
【請求項１０】
請求項１から９のいずれか一項に記載の発光ダイオード基板の製造方法を有する照明装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光ダイオード基板の製造方法、及び照明装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、銅箔を張りつけた基板の銅をフォトエッチングして、基板に配線パターンを形成して発光ダイオードを搭載する発光ダイオード基板を作製することが知られている（例えば、特許文献１参照）。
一方、金属を含むペーストを用いて直接、基板に配線パターンを形成することも知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１３−７７７２７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、フォトエッチングして配線パターンを形成する方法では、資源を無駄に消費し、コストを下げることができない。一方、金属を含むペーストを用いて直接、基板に配線パターンを形成する方法では、抵抗率が高いので発熱によるエネルギーのロスが大きい。
一方、低抵抗の配線を形成する方法として、めっきによる配線パターンの形成があるが、無電解めっき法は、金属を堆積させるのに時間を要し、配線の形成に長時間を要するという問題がある。
そこで本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、基板に配線を形成する時間を短縮することを可能とする発光ダイオード基板の製造方法、及び照明装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一態様に係る発光ダイオード基板の製造方法は、
樹脂製の基板の主面に規定の間隔をあけて第１の導電層を形成する工程と、
前記第１の導電層を形成する工程の後に、前記規定の間隔をあけて隣り合う第１の導電層のうち一方の第１の導電層の上に発光ダイオードのアノード端子を接続部材で接続し、他方の第１の導電層の上に前記発光ダイオードのカソード端子を接続部材で接続して前記規定の間隔をあけて隣り合う第１の導電層を導通させる工程と、
前記導通させる工程の後に、電解めっき法を用いて前記第１の導電層を第１の電極として前記第１の導電層上に金属を析出するように電圧を印加することにより、前記第１の導電層の上に第２の導電層を形成する工程と、
を有する。
【０００６】
本発明の一態様による前記発光ダイオード基板の製造方法において、
前記第２の導電層を形成する工程において、前記第１の導電層が電源の負極に電気的に接続され且つ前記第１の導電層に対して銅イオンを含むめっき液が介在するように配置された電極が前記電源の正極に電気的に接続された状態を規定の時間維持し、前記第１の導電層の上に銅が析出することで、前記第２の導電層を形成してもよい。
【０００７】
本発明の一態様による前記発光ダイオード基板の製造方法において、
樹脂製の基板の主面に規定の間隔をあけて複数の触媒層を形成する工程を更に有し、
前記第１の導電層を形成する工程において、前記複数の触媒層を形成する工程の後に、無電解めっき法を用いて、前記複数の触媒層の上に前記第１の導電層を形成してもよい。
【０００８】
本発明の一態様による前記発光ダイオード基板の製造方法において、
前記触媒層を形成する工程において、前記規定の間隔の数が前記規定の間隔に配置する発光ダイオードの数と同じになるように、前記複数の触媒層を形成し、
前記導通させる工程において、前記規定の間隔それぞれに前記発光ダイオードを配置するよう接続部材で接続してもよい。
【０００９】
本発明の一態様による前記発光ダイオード基板の製造方法において、
前記導通させる工程の前に、前記第１の導電層の上に接続部材を塗布する工程を有し、
前記導通させる工程において、前記塗布された接続部材を用いて前記発光ダイオードを接続してもよい。
【００１０】
本発明の一態様による前記発光ダイオード基板の製造方法において、
前記触媒層を形成する工程の後に、前記触媒層が乾燥した後、前記触媒層を加熱する工程を更に有してもよい。
【００１１】
本発明の一態様による前記発光ダイオード基板の製造方法において、
前記第２の導電層を形成する工程の後に、発光ダイオードが複数直列に接続された回路を少なくとも一つ含むように、前記基板を切断する工程を更に有してもよい。
【００１２】
本発明の一態様による前記発光ダイオード基板の製造方法において、
前記触媒層は、パラジウムを含んでもよい。
【００１３】
本発明の一態様による前記発光ダイオード基板の製造方法において、
前記無電解めっき法は、無電解銅めっき法であり、
前記第１の導電層を形成する工程において、銅が析出されることにより、前記第１の導電層を形成してもよい。
【００１４】
本発明の一態様は、前記いずれかに記載の発光ダイオード基板の製造方法を有する照明装置の製造方法であってもよい。
【発明の効果】
【００１５】
したがって、本発明の一態様に係る発光ダイオード基板の製造方法は、基板に配線を形成する時間を短縮することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】図１は、本発明の一態様である実施形態に係る照明装置１の構成の一例を示す図である。
【図２】図２は、図１に示す本実施形態に係る照明装置１の等価回路である。
【図３】図３は、図１の領域ＲＧの拡大図である。
【図４】図４は、図３のＦ−Ｆ’の断面で切ったときの断面図である。
【図５】図５は、図１に示す発光ダイオード基板ＬＳの製造方法の一例を示すフローチャートである。
【図６】図６は、発光ダイオード基板ＬＳの触媒層を形成する工程を示す模式断面図である。
【図７】図７は、触媒層を形成する工程後に、基板Ａの主面に形成された触媒層の分布を示す平面図である。
【図８】図８は、図７のＧ−Ｇ’の断面で切ったときの断面図である。
【図９】図９は、発光ダイオード基板ＬＳの第１の導電層Ｃを形成する工程を示す模式断面図である。
【図１０】図１０は、発光ダイオード基板ＬＳに半田を塗布する工程を示す模式断面図である。
【図１１】図１１は、発光ダイオード基板ＬＳの導通させる工程を示す模式断面図である。
【図１２】図１２は、発光ダイオード基板ＬＳの第２の導電層Ｄを形成する工程を示す模式断面図である。
【図１３】図１３は、第２の導電層Ｄを形成する工程後に、基板Ａの主面に形成された回路を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明に係る実施形態について図面に基づいて説明する。
【００１８】
図１は、本発明の一態様である実施形態に係る照明装置１の構成の一例を示す図である。図１に示すように、本実施形態に係る照明装置１は、電源ＢＴ１、電源ＢＴ２、及び電源ＢＴ３を備える。更に、照明装置１は、電源ＢＴ１、電源ＢＴ２及び電源ＢＴ３と接続された発光ダイオード基板ＬＳを備える。
【００１９】
照明装置１は、電源ＢＴ１の負極に接続された端子Ｔ１、電源ＢＴ１の正極に接続された端子Ｔ２を備え、端子Ｔ２から端子Ｔ１に向かって直列に接続された複数（例えば、３２個）の発光ダイオード（Light Emitting Diode、以下ＬＥＤともいう）を備える。この複数（例えば、３２個）の発光ダイオードには、領域ＲＧと端子Ｔ１との間に位置する発光ダイオードＬ１、領域ＲＧ内に含まれる発光ダイオードＬ２ａ、Ｌ２ｂ、領域ＲＧからｘ軸正方向に位置する発光ダイオードＬ３、Ｌ４、領域ＲＧ内に含まれる発光ダイオードＬ５ａ、Ｌ５ｂ、領域ＲＧと端子Ｔ２との間に位置する発光ダイオードＬ６が含まれる。
【００２０】
更に、照明装置１は、電源ＢＴ２の負極に接続された端子Ｔ３、電源ＢＴ２の正極に接続された端子Ｔ４を備え、端子Ｔ４から端子Ｔ３に向かって直列に接続された複数（例えば、３２個）の発光ダイオードを備える。この複数（例えば、３２個）の発光ダイオードには、領域ＲＧと端子Ｔ３との間に位置する発光ダイオードＬ７、領域ＲＧ内に含まれる発光ダイオードＬ８ａ、Ｌ８ｂ、領域ＲＧからｘ軸正方向に位置する発光ダイオードＬ９、Ｌ１０、領域ＲＧ内に含まれる発光ダイオードＬ１１ａ、Ｌ１１ｂ、領域ＲＧと端子Ｔ４との間に位置する発光ダイオードＬ１２が含まれる。
【００２１】
更に、照明装置１は、電源ＢＴ３の負極に接続された端子Ｔ５、電源ＢＴ３の正極に接続された端子Ｔ６を備え、端子Ｔ６から端子Ｔ５に向かって直列に接続された複数（例えば、３２個）の発光ダイオードを備える。この複数（例えば、３２個）の発光ダイオードには、領域ＲＧと端子Ｔ５との間に位置する発光ダイオードＬ１３、領域ＲＧ内に含まれる発光ダイオードＬ１４ａ、Ｌ１４ｂ、領域ＲＧからｘ軸正方向に位置する発光ダイオードＬ１５、Ｌ１６、領域ＲＧ内に含まれる発光ダイオードＬ１７ａ、Ｌ１７ｂ、領域ＲＧと端子Ｔ６との間に位置する発光ダイオードＬ１８が含まれる。
【００２２】
図２は、図１に示す本実施形態に係る照明装置１の等価回路である。図２に示すように、上段の回路は、複数（例えば、３２個）の発光ダイオードが直列に接続された直列回路である。複数（例えば、３２個）の発光ダイオードのうち一端のダイオードのアノードが電源ＢＴ１の正極に接続され、他端のダイオードのカソードが電源ＢＴ１の負極に接続されている。電源ＢＴ１の正極から複数（例えば、３２個）の発光ダイオードに順に電流が供給され、各発光ダイオードが点灯する。
【００２３】
また、中段の回路は、複数（例えば、３２個）の発光ダイオードが直列に接続された直列回路である。複数（例えば、３２個）の発光ダイオードのうち一端のダイオードのアノードが電源ＢＴ２の正極に接続され、他端のダイオードのカソードが電源ＢＴ２の負極に接続されている。電源ＢＴ２の正極から複数（例えば、３２個）の発光ダイオードに順に電流が供給され、各発光ダイオードが点灯する。
【００２４】
また、下段の回路は、複数（例えば、３２個）の発光ダイオードが直列に接続された直列回路である。複数（例えば、３２個）の発光ダイオードのうち一端のダイオードのアノードが電源ＢＴ３の正極に接続され、他端のダイオードのカソードが電源ＢＴ３の負極に接続されている。電源ＢＴ３の正極から複数（例えば、３２個）の発光ダイオードに順に電流が供給され、各発光ダイオードが点灯する。
【００２５】
図３は、図１の領域ＲＧの拡大図である。図３に示すように、隣り合う段で、発光ダイオードの水平位置が異なるように配置されている。このように配置することで、発光ダイオードから発生する熱を分散することができ、放熱効果を高めることができる。
【００２６】
図４は、図３のＦ−Ｆ’の断面で切ったときの断面図である。図４に示すように、発光ダイオード基板ＬＳは、樹脂製の基板Ａ、基板Ａの主面に規定の間隔で設けられた触媒層Ｂ、触媒層Ｂの上に形成された第１の導電層Ｃを備える。
【００２７】
更に、発光ダイオード基板ＬＳは、規定の間隔をあけて隣り合う第１の導電層のうち一方の第１の導電層の上にアノード端子が半田付けされ、他方の第１の導電層の上にカソード端子が半田付けされた発光ダイオードＬ５ｂ及びＬ５ａを備える。これにより、規定の間隔をあけて隣り合う第１の導電層Ｃが、発光ダイオード基板ＬＳ及びクリーム半田Ｓを介して接続することで導通している。ここで、クリーム半田Ｓは、半田の粉末にフラックスを加えて、適当な粘度にしたものである。
【００２８】
更に、発光ダイオード基板ＬＳは、第１の導電層Ｃの上に形成された第２の導電層Ｄを備える。
【００２９】
続いて、図６〜図１３を参照しつつ、図５を用いて図１に示す発光ダイオード基板ＬＳの製造方法について説明する。図５は、図１に示す発光ダイオード基板ＬＳの製造方法の一例を示すフローチャートである。
【００３０】
（ステップＳ１）図６は、発光ダイオード基板ＬＳの触媒層を形成する工程を示す模式断面図である。このステップＳ１では、図６に示すように、インクジェット装置ＩＪを用いて、触媒を含むインクＩＫを樹脂製の基板Ａの主面に規定の間隔をあけて連続的に塗布することにより、基板Ａの主面に規定の間隔で複数の触媒層Ｂを形成する。ここで、触媒は、一例として、パラジウムを含む。また、規定の間隔は、発光ダイオードのアノード端子とカソード端子との距離に応じた間隔である。この触媒層を形成する工程において、規定の間隔の数が規定の間隔に配置する発光ダイオードの数と同じになるように、インクを塗布する。
【００３１】
図７は、触媒層を形成する工程後に、基板Ａの主面に形成された触媒層の分布を示す平面図である。このステップＳ１の工程を実行することにより、例えば、図７に示すように、基板Ａの主面に規定の間隔があいた触媒層Ｂが形成される。また、電気めっきするときに用いる中継配線を形成するための触媒層Ｂも形成される。
【００３２】
図８は、図７のＧ−Ｇ’ の断面で切ったときの断面図である。図８の断面図に示すように、基板Ａの主面に規定の間隔で複数の触媒層Ｂが形成される。
【００３３】
（ステップＳ２）次に、既述のステップＳ１の触媒層Ｂを形成する工程の後に、触媒層Ｂが乾燥した後、触媒層と基板の密着性を向上させるため、触媒層Ｂを加熱する。例えば、１５０℃で３０分加熱する。
【００３４】
（ステップＳ３）図９は、発光ダイオード基板ＬＳの第１の導電層Ｃを形成する工程を示す模式断面図である。このステップＳ３では、図９に示すように、複数の触媒層Ｂを形成する工程の後に、無電解めっき法を用いて、複数の触媒層の上に第１の導電層Ｃを形成する。その際、無電解めっき法で、例えば、３分間、第１の導電層Ｃを形成する。無電解めっき法は、例えば、無電解銅めっき法であり、銅が析出されることにより、第１の導電層を形成する。
【００３５】
（ステップＳ４）図１０は、発光ダイオード基板ＬＳに半田を塗布する工程を示す模式断面図である。このステップＳ４では、図１０に示すように、クリーム半田Ｓを第１の導電層Ｃの上に塗布する。
【００３６】
（ステップＳ５）図１１は、発光ダイオード基板ＬＳの導通させる工程を示す模式断面図である。このステップＳ５では、図１１に示すように、第１の導電層を形成する工程及び半田を塗布する工程の後に、規定の間隔をあけて隣り合う第１の導電層のうち一方の第１の導電層の上に発光ダイオードのアノード端子を半田付けする。そして、他方の第１の導電層の上に当該発光ダイオードのカソード端子を半田付けして規定の間隔をあけて隣り合う第１の導電層を導通させる。この導通させる工程において、規定の間隔それぞれに発光ダイオードを配置するよう半田付けする。また、この導通させる工程において、ステップＳ３で塗布された半田を用いて発光ダイオードを半田付けする。
【００３７】
図１２は、発光ダイオード基板ＬＳの第２の導電層Ｄを形成する工程を示す模式断面図である。図１２における筐体ＨＳには、めっき液ＰＳが満たされている。
【００３８】
（ステップＳ６）図１２に示すように、既述のステップＳ５の導通させる工程後の基板Ａを電極ＥＴの間にめっき液ＰＳが介在するように、めっき液ＰＳ内に配置する。図１２に示すように、電極ＥＴが端子Ｔ７及び抵抗Ｒ１を介して電源ＢＴ１の正極に接続し、第１の導電層Ｃが不図示の中継配線及び端子Ｔ８を介して電源ＢＴの負極に接続する。ここで、中継配線は、図７における触媒層Ｂの上に無電解めっき法で形成された配線である。
【００３９】
そして、このステップＳ６では、図１２に示すように、電解めっき法を用いて第１の導電層Ｃを第１の電極として第１の導電層Ｃ上に金属を析出するように電圧を印加することにより、第１の導電層Ｃの上に第２の導電層Ｄを形成する。本実施形態では、一例として、第１の電極を陰極として以下説明する。より詳細には、図１２に示すように、第１の導電層Ｃが電源ＢＴの負極に電気的に接続され且つ第１の導電層Ｃに対してめっき液が介在するように配置された電極ＥＴが電源の正極に電気的に接続された状態を規定の時間（例えば、５分）維持することで、第２の導電層Ｄを形成する。
【００４０】
本実施形態におけるめっき液ＰＳは、一例として、硫酸銅を含む溶液である。すなわち、めっき液ＰＳは銅イオンを含む。このため、本実施形態では、第１の導電層Ｃの上に銅が析出することで第２の導電層Ｄが形成される。
【００４１】
図１３は、第２の導電層Ｄを形成する工程後に、基板Ａの主面に形成された回路を示す平面図である。既述のステップＳ６の第２の導電層Ｄを形成する工程後に、図１３に示すような回路が形成される。図１３において、カットラインＣＬが示されている。また図１３における中継配線ａ’は、図７における触媒層Ｂの上に無電解めっき法及び電解めっき法で形成された配線である。
【００４２】
（ステップＳ７）次に、ステップＳ７では、図１３に示すカットラインＣＬに沿って、基板Ａを切断することによって、発光ダイオード基板ＬＳが得られる。このように、第２の導電層Ｄを形成する工程の後に、発光ダイオードが複数直列に接続された回路を少なくとも一つ含むように、基板Ａを切断する。
【００４３】
続いて、比較例１及び２の製造方法と、本実施形態の製造方法とを比較する。比較例１及び２の製造方法も、本実施形態とは異なるめっき条件で図２に示す等価回路を示す発光ダイオード基板を製造する方法である。発光ダイオード一個あたりの消費電力は１．０５Ｗであり、９６個全ての発光ダイオードの合計消費電力は１００．８Ｗである。
【００４４】
（比較例１）
比較例１の製造方法は、１０分間、無電解めっき法で配線を形成する例である。比較例１で配線を形成した場合、配線の厚さは０．６μｍで、配線部分の総抵抗値は４２Ωである。基板に９６Ｖの電圧を印加し、発光ダイオードを点灯させたときの配線部分の消費電力は５．１Ｗ（発光ダイオードの消費電力の約５％）であった。
【００４５】
（比較例２）
比較例２の製造方法は、１２０分間、無電解めっき法で配線を形成する例である。比較例２で配線を形成したところ、配線の厚さは３．０μｍ、配線部分の総抵抗値は８．４Ωであった。基板に９６Ｖの電圧を印加し、発光ダイオードを点灯させたときの配線部分の消費電力は１．０Ｗ（発光ダイオードの消費電力の約１％）であった。
【００４６】
（本実施形態）
本実施形態の製造方法の一実施例として、３分間、無電解めっき法で配線を形成した後、ＬＥＤを半田付けし、更に５分間電界めっき法を行う。この製造方法で配線を形成した場合、無電解めっき法を用いてめっきを行った後の配線の厚さは０．３μｍで、電界めっき法を用いてめっきを行った後の最終的な配線の厚さは３．０μｍである。配線部分の総抵抗値は８．４Ωであった。基板に９６Ｖの電圧を印加し、発光ダイオードを点灯させたときの配線部分の消費電力は１．０Ｗ（発光ダイオードの消費電力の約１％）であった。
【００４７】
このように、本実施形態の製造方法は、比較例１の製造方法と同等のめっき時間で、比較例１の製造方法よりも配線における消費電力を抑えることができる。また、本実施形態の製造方法は、比較例２の製造方法と同等の低消費電力となる配線を、比較例２の製造方法よりも短時間で形成することができる。
【００４８】
以上のように、本発明の一態様に係る発光ダイオード基板の製造方法は、触媒を含むインクを樹脂製の基板Ａの主面に規定の間隔をあけて連続的に塗布することにより、基板Ａの主面に規定の間隔で複数の触媒層Ｂを形成する工程を有する。更に、発光ダイオード基板の製造方法は、複数の触媒層Ｂを形成する工程の後に、無電解めっき法を用いて、複数の触媒層Ｂの上に第１の導電層Ｃを形成する工程を有する。更に、発光ダイオード基板の製造方法は、第１の導電層Ｃを形成する工程の後に、規定の間隔をあけて隣り合う第１の導電層Ｃのうち一方の第１の導電層Ｃの上に発光ダイオードのアノード端子を半田付けし、他方の第１の導電層Ｃの上に発光ダイオードのカソード端子を半田付けして規定の間隔をあけて隣り合う第１の導電層Ｃを導通させる工程を有する。更に、発光ダイオード基板の製造方法は、導通させる工程の後に、電解めっき法を用いて第１の導電層Ｃを陰極として第１の導電層Ｃ上に金属を析出するように電圧を印加することにより、第１の導電層Ｃの上に第２の導電層Ｄを形成する工程を有する。
【００４９】
したがって、本発明の一態様に係る発光ダイオード基板の製造方法は、無電解めっき法を用いて、電解めっきで使用する陰極の電極となる第１の導電層Ｃを形成し、発光ダイオードを半田付けして陰極の電極同士を導通させた後に、電解めっき法で第１の導電層Ｃの上に第２の導電層Ｄを形成する。電解めっき法は、無電解めっき法に比べて、短時間でめっきの厚みを増やすことができるので、基板Ａに配線を形成する時間を短縮することができる。
【００５０】
なお、本実施形態では、インクジェット装置ＩＪで、触媒を含むインクを塗布することにより触媒層を形成したが、これに限ったものではない。フレキソ印刷、スクリーン印刷などの印刷方法を使用して、触媒層を形成してもよい。
また、本実施形態では、半田で発光ダイオードを第１の導電層に接続させたが、これに限らず、他の接続部材で接続させてもよい。
【００５１】
また、本実施形態では、触媒をパターン状に形成する方法として、樹脂製の基板の主面に触媒を含むインキをパターン状に印刷したが、これに限ったものではない。樹脂製の基板の主面に銅または錯体をパターン状に印刷して触媒を吸着させるための下地層を形成し、その後、触媒を含む液にこの下地層を浸漬することにより、下地層の上に触媒層を形成してもよい。あるいは、樹脂製の基板の主面に錯体をコーティングし、このコーティングされた錯体を紫外線露光でエッチングすることにより、樹脂製の基板の主面に錯体層のパターンを形成し、錯体層の上に触媒を吸着させることによりパターン状に触媒層を形成してもよい。あるいは、紫外線露光などにより樹脂製の基板の主面の撥水性（濡れ性）を低下させ、紫外線露光された以外の面すなわち撥水性（濡れ性）が維持された面に触媒を吸着させることによりパターン状に触媒層を形成してもよい。
【００５２】
本実施形態では、無電界めっき法を用いて第１の導電層を形成したが、第１の導電層は、電界をかけて電界めっきを行う際の電極の役割を果たせばよいので、必ずしも無電界めっき法を用いて形成する必要はない。例えば、銅ナノインクをインクジェットなどで印刷して、第１の導電層を形成してもよい。
【００５３】
なお、実施形態は例示であり、発明の範囲はそれらに限定されない。
【符号の説明】
【００５４】
１  照明装置
ＢＴ１、ＢＴ２、ＢＴ３  ＢＴ  電源
ＬＳ  発光ダイオード基板
Ｌ１、Ｌ２ａ、Ｌ２ｂ、Ｌ３、Ｌ４、Ｌ５ａ、Ｌ５ｂ、Ｌ６、Ｌ７、Ｌ８ａ、Ｌ８ｂ、Ｌ９、Ｌ１０、Ｌ１１ａ、Ｌ１１ｂ、Ｌ１２、Ｌ１３、Ｌ１４ａ、Ｌ１４ｂ、Ｌ１５、Ｌ１６、Ｌ１７ａ、Ｌ１７ｂ、Ｌ１８  発光ダイオード
Ａ  基板
Ｂ  触媒層
Ｃ  第１の導電層
Ｄ  第２の導電層
Ｓ  半田
ＩＪ  インクジェット装置
ＩＫ  インク
Ｒ１ 抵抗
ＨＳ  筐体
ＣＬ  カットライン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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