(57)【要約】【課題】安定して放電することが可能なイオン発生装置を提供する。【解決手段】イオン発生装置３０は、短手方向と長手方向を有する主表面３ａを含む基板３と、放電電極２と、一対の誘導電極１と、高電圧発生回路とを備える。放電電極２は、起立した第１の姿勢かまたは傾斜した第２の姿勢で基板３に設けられる。一対の誘導電極１は、放電電極２の中心位置Ｏを短手方向に沿って通過する第１仮想線ＶＬ１に対して線対称に設けられる。一対の誘導電極１の端部は、短手方向に沿って放電電極２から離れるにつれて第１仮想線ＶＬ１からの長手方向に沿った距離が大きくなるように湾曲する。中心位置Ｏを中心とし、当該中心位置Ｏを長手方向に沿って通過する第２仮想線ＶＬ２と一対の誘導電極１の端部との交点Ｐを通過する仮想円ＶＣを描いた場合に、一対の誘導電極１は、交点Ｐを除いて仮想円ＶＣの外側に位置する。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
短手方向および長手方向を有する主表面を含む基板と、
先端部と基端部とを有する放電電極と、
前記放電電極を挟み込むように配置され、前記放電電極との間においてイオンを発生させるための一対の誘導電極と、
前記放電電極に電圧を印加するための高電圧発生回路とを、備え、
前記主表面の法線方向から見た場合に、前記放電電極は、前記先端部と前記基端部とが重なるように起立した第１の姿勢か、または前記主表面の前記短手方向に沿って前記先端部と前記基端部とが並ぶように傾斜した第２の姿勢で、前記基板に設けられ、
前記一対の誘導電極は、前記主表面と同一平面上における前記放電電極の中心位置を前記主表面の前記短手方向に沿って通過する第１仮想線に対して線対称に設けられ、
前記第１仮想線側に位置する前記一対の誘導電極の端部のそれぞれは、前記主表面の前記短手方向に沿って前記放電電極から離れるにつれて、前記第１仮想線からの前記主表面の前記長手方向に沿った距離が大きくなるか小さくなるように湾曲する湾曲形状を有し、
前記主表面と同一平面上における前記放電電極の前記中心位置を中心とし、前記放電電極の前記中心位置を前記主表面の前記長手方向に沿って通過する第２仮想線と前記一対の誘導電極の前記端部との交点を通過する仮想円を描いた場合に、前記一対の誘導電極は、前記交点を除いて前記仮想円の外側に位置する、イオン発生装置。
【請求項２】
前記一対の誘導電極の前記端部のそれぞれは、前記主表面の前記短手方向に沿って前記放電電極から離れるにつれて、前記第１仮想線からの前記主表面の前記長手方向に沿った距離が大きくなるように湾曲する湾曲形状を有し、
前記第１の姿勢で前記基板に設けられた前記放電電極の前記先端部から前記一対の誘導電極までの最短距離と、前記主表面に対して任意の傾斜角で傾斜するように前記第２の姿勢で前記基板に設けられた前記放電電極の前記先端部から前記一対の誘導電極までの最短距離とが常に一定となるように、前記一対の誘導電極が設けられている、請求項１に記載のイオン発生装置。
【請求項３】
短手方向および長手方向を有する主表面を含む基板と、
先端部と基端部とを有する放電電極と、
前記放電電極を挟み込むように配置され、前記放電電極との間においてイオンを発生させるための一対の誘導電極と、
前記放電電極に電圧を印加するための高電圧発生回路とを、備え、
前記主表面の法線方向から見た場合に、前記放電電極は、前記先端部と前記基端部とが重なるように起立した第１の姿勢か、または前記主表面の前記短手方向に沿って前記先端部と前記基端部とが並ぶように傾斜した第２の姿勢で、前記基板に設けられ、
前記一対の誘導電極は、前記主表面と同一平面上における前記放電電極の中心位置を前記主表面の前記短手方向と平行な方向に沿って通過する仮想線に対して線対称に設けられ、
前記仮想線側に位置する前記一対の誘導電極の端部のそれぞれは、前記主表面の前記短手方向と平行な方向に沿って延在する、イオン発生装置。
【請求項４】
短手方向および長手方向を有する主表面を含む基板と、
先端部と基端部とを有する放電電極と、
前記放電電極との間においてイオンを発生させるための誘導電極と、
前記放電電極に電圧を印加するための高電圧発生回路とを、備え、
前記主表面の法線方向から見た場合に、前記放電電極は、前記先端部と前記基端部とが重なるように起立した第１の姿勢で、または前記主表面の前記短手方向に沿って並ぶように傾斜した第２の姿勢で、前記基板に設けられ、
前記誘導電極は、前記主表面と同一平面上における前記放電電極の中心位置を前記主表面の前記短手方向と平行な方向に沿って通過する仮想線に対して線対称に設けられ、
前記誘導電極は、前記主表面の前記短手方向に沿った最大の長さが前記主表面の前記長手方向に沿った最大の長さよりも大きいオーバル形状を有する、イオン発生装置。
【請求項５】
請求項１から４のいずれかに記載のイオン発生装置と、
前記イオン発生装置で生じたイオンを送出するための送風部とを備えた、電気機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、イオン発生装置および電気機器に関し、特に、高電圧を印加することによりイオンを発生させるための放電電極を備えたイオン発生装置およびこれを備えた電気機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来のイオン発生装置が開示された文献として、たとえば特開２０１３−２４３００１号公報（特許文献１）が挙げられる。特許文献１に開示のイオン発生装置は、誘導電極が設けられた基板と、誘導電極および基板に接触しないように基板から離間した状態でケースに支持された放電電極とを備える。誘導電極は、基板の対向する２辺に沿って延在する部分を含み、基板の法線方向から見た場合に、放電電極の先端部が当該２辺に沿って延在する部分の間に突出するように、放電電極が設けられている。
【０００３】
このように構成することにより、基板の上面に水分や汚れが付着した場合であっても、水分や汚れを介して放電電極と誘導電極との間に漏れ電流が流れることを防止できる。これにより、放電電極と誘導電極との間の電界強度の低下が抑制され、イオンの発生量の低下が抑制される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１３−２４３００１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
一般的に、放電現象は、放電電極の形状、放電電極に印加する電圧の大きさ、放電電極と誘導電極との間の距離等に起因して発生する。また、放電は、誘導電極のうち放電電極から距離が近い部分に伸びやすい傾向を有する。このため、誘導電極と放電電極との距離がばらつく場合には、局所的に放電が発生する。このような放電は不安定であり、安定してイオンを発生させることが困難となる。
【０００６】
ここで、特許文献１においては、放電電極と誘導電極との位置ずれについては、十分に考慮されていない。放電電極は、その基端部に設けられた係止部がケース内の保持部に取り付けられることにより、基板から離間した状態で固定される。このため、取り付け具合によって放電電極の固定位置がばらついてしまう。放電電極の位置は、対向する２辺に直交する方向にも相当程度ずれやすくなる。このような場合には、放電電極が、基板が有する対向する２辺の一方の辺に近づくことにより、一方の辺側に位置する誘導電極に向けた放電が発生しやすくなる。このため、特許文献１におけるイオン発生装置にあっては、放電が不安定となり、安定してイオンを発生させることが困難になる。
【０００７】
特許文献１と異なる放電電極の固定構造として、たとえば矩形形状を有し貫通孔を設けられた支持基板に、針状の放電電極を圧入または挿入することにより、放電電極を支持基板に固定する態様が想定される。この場合には、放電電極は、支持基板に対して直立した姿勢で固定される。
【０００８】
放電電極を固定する場合には、まず、支持基板が有する４つの角部（隅部）のそれぞれを支持基板の裏面側からブロック等で支持する。続いて、放電電極を把持する挿入用装置の把持部を支持基板の上方から下方に向けて移動させることにより、放電電極の基端部を支持基板の貫通孔に圧入または挿入する。これにより、放電電極が支持基板を貫通した状態で支持基板に支持される。
【０００９】
放電電極を支持基板の貫通孔に挿入または圧入する際には、支持基板の表面側から挿入用装置によって負荷された押圧力が支持基板を介して４つのブロックに作用する。放電電極の挿入位置は所定の精度にて決定されるが、当該挿入位置は、装置の状態によって変動する。このため、イオン発生装置を量産する場合には、挿入位置が若干変動することにより、押圧力のかかり具合が変化してブロックにて支持される支持基板の水平度が変動する場合がある。
【００１０】
特に、支持基板が略矩形形状である場合には、挿入位置が短手方向に平行な方向に沿って移動した場合に、支持基板は、短手方向の一端側が他端側よりも低くなるように相当程度の勾配を持って傾斜しやすくなる。この状態で放電電極を支持基板に固定すると、放電電極の先端が支持基板の短手方向の他端側に近づくように傾斜して固定される。このように、連続してイオン発生装置を製造する際に、長期に亘って放電電極の姿勢を安定して維持することは非常に困難である。
【００１１】
固定される放電電極の姿勢の如何によっては、放電電極から誘導電極までの距離が変動するところ、何ら手立てがない場合には、放電が不安定となり、安定してイオンを発生させることが困難になることが懸念される。
【００１２】
本発明は、上記のような問題に鑑みてなされたものであり、本発明の目的は、安定して放電することができるイオン発生装置および電気機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明の第１の局面に基づくイオン発生装置は、短手方向および長手方向を有する主表面を含む基板と、先端部と基端部とを有する放電電極と、上記放電電極を挟み込むように配置され、上記放電電極との間においてイオンを発生させるための一対の誘導電極と、上記放電電極に電圧を印加するための高電圧発生回路とを、備える。上記本発明の第１の局面に基づくイオン発生装置にあっては、上記主表面の法線方向から見た場合に、上記放電電極は、上記先端部と上記基端部とが重なるように起立した第１の姿勢か、または上記主表面の上記短手方向に沿って上記先端部と上記基端部とが並ぶように傾斜した第２の姿勢で、上記基板に設けられ、上記一対の誘導電極は、上記主表面と同一平面上における上記放電電極の中心位置を上記主表面の上記短手方向に沿って通過する第１仮想線に対して線対称に設けられ、上記第１仮想線側に位置する上記一対の誘導電極の端部のそれぞれは、上記主表面の上記短手方向に沿って上記放電電極から離れるにつれて、上記第１仮想線からの上記主表面の上記長手方向に沿った距離が大きくなるか小さくなるように湾曲する湾曲形状を有し、上記主表面と同一平面上における上記放電電極の上記中心位置を中心とし、上記放電電極の上記中心位置を上記主表面の上記長手方向に沿って通過する第２仮想線と上記一対の誘導電極の上記端部との交点を通過する仮想円を描いた場合に、上記一対の誘導電極は、上記交点を除いて上記仮想円の外側に位置する。
【００１４】
上記本発明の第１の局面に基づくイオン発生装置は、上記一対の誘導電極の端部のそれぞれは、上記主表面の上記短手方向に沿って上記放電電極から離れるにつれて、上記第１仮想線からの上記主表面の上記長手方向に沿った距離が大きくなるように湾曲する湾曲形状を有していてもよい。この場合には、上記第１の姿勢で上記基板に設けられた上記放電電極の上記先端部から上記一対の誘導電極までの最短距離と、上記主表面に対して任意の傾斜角で傾斜するように上記第２の姿勢で上記基板に設けられた上記放電電極の上記先端部から上記一対の誘導電極までの最短距離とが常に一定となるように、上記一対の誘導電極が設けられていることが好ましい。
【００１５】
本発明の第２の局面に基づくイオン発生装置は、短手方向および長手方向を有する主表面を含む基板と、先端部と基端部とを有する放電電極と、上記放電電極を挟み込むように配置され、上記放電電極との間においてイオンを発生させるための一対の誘導電極と、上記放電電極に電圧を印加するための高電圧発生回路とを、備える。上記本発明の第２の局面に基づくイオン発生装置にあっては、上記主表面の法線方向から見た場合に、上記放電電極は、上記先端部と上記基端部とが重なるように起立した第１の姿勢か、または上記主表面の上記短手方向に沿って上記先端部と上記基端部とが並ぶように傾斜した第２の姿勢で、上記基板に設けられ、上記一対の誘導電極は、上記主表面と同一平面上における上記放電電極の中心位置を上記主表面の上記短手方向と平行な方向に沿って通過する仮想線に対して線対称に設けられ、上記仮想線側に位置する上記一対の誘導電極の端部のそれぞれは、上記主表面の上記短手方向と平行な方向に沿って延在する。
【００１６】
本発明の第３の局面に基づくイオン発生装置は、短手方向および長手方向を有する主表面を含む基板と、先端部と基端部とを有する放電電極と、上記放電電極との間においてイオンを発生させるための誘導電極と、上記放電電極に電圧を印加するための高電圧発生回路とを、備える。上記本発明の第３の局面に基づくイオン発生装置にあっては、上記主表面の法線方向から見た場合に、上記放電電極は、上記先端部と上記基端部とが重なるように起立した第１の姿勢で、または上記主表面の上記短手方向に沿って並ぶように傾斜した第２の姿勢で、上記基板に設けられ、上記誘導電極は、上記主表面と同一平面上における上記放電電極の中心位置を上記主表面の上記短手方向と平行な方向に沿って通過する仮想線に対して線対称に設けられ、上記誘導電極は、上記主表面の上記短手方向に沿った最大の長さが上記主表面の上記長手方向に沿った最大の長さよりも大きいオーバル形状を有する。
【００１７】
本発明に基づく電気機器は、上記イオン発生装置と、上記イオン発生装置で生じたイオンを送出するための送風部とを備える。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、安定して放電することが可能なイオン発生装置および電気機器を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の実施の形態１に係るイオン発生装置の構成をケースの底面側から見た概略平面図であって、ケースの底板部分およびモールド樹脂を透視して示す図である。
【図２】図１に示すＩＩ−ＩＩ線に沿った概略断面図である。
【図３】図１に示すイオン発生素子の構成を示す概略斜視図である。
【図４】図３に示す誘導電極と放電電極との位置関係を示す概略図である。
【図５】本発明に実施の形態１に係るイオン発生装置の機能ブロック図であり、各機能素子の電気的接続を示す図である。
【図６】本発明の実施の形態１に係るイオン発生装置が有するケースの底板の構成を示す概略平面図および概略断面図である。
【図７】本発明の実施の形態２に係るイオン発生装置に具備されるイオン発生素子の構成を示す概略斜視図である。
【図８】図７に示す誘導電極と放電電極との位置関係を示す概略図である。
【図９】本発明の実施の形態３に係るイオン発生装置に具備されるイオン発生素子の構成を示す概略斜視図である。
【図１０】図９に示す誘導電極と放電電極との位置関係を示す概略図である。
【図１１】本発明の実施の形態４に係るイオン発生装置に具備されるイオン発生素子の構成を示す概略斜視図である。
【図１２】本発明の実施の形態５に係るイオン発生装置に具備されるイオン発生素子の構成を示す分解斜視図である。
【図１３】図１２に示すイオン発生素子の組立て斜視図である。
【図１４】本発明の実施の形態６に係る空気清浄機の構成を概略的に示す斜視図である。
【図１５】図１４に示すイオン発生装置を配置した様子を示す空気清浄機の分解図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、本発明の実施の形態について、図を参照して詳細に説明する。なお、以下に示す実施の形態においては、同一のまたは共通する部分について図中同一の符号を付し、その説明は繰り返さない。
【００２１】
（実施の形態１）
図１は、本実施の形態に係るイオン発生装置の構成をケースの底面側から見た概略平面図であって、ケースの底板部分およびモールド樹脂を透視して示す図である。図２は、図１に示すＩＩ−ＩＩ線に沿った概略断面図である。図３は、図１に示すイオン発生素子の構成を示す概略斜視図である。図１から図３を参照して、本実施の形態に係るイオン発生装置３０について説明する。
【００２２】
図１および図２に示すように、本実施の形態のイオン発生装置３０は、外装ケース２１と、正イオン発生用のイオン発生素子１０ａと、負イオン発生用のイオン発生素子１０ｂと、高圧トランス１１と、高電圧回路１２ａ、１２ｂと、電源回路２３と、電源入力コネクタ２２とを主として有している。
【００２３】
外装ケース２１は、第１仕切り壁２１ａと第２仕切り壁２１ｂとを内部に有している。外装ケース２１の内部は、第１仕切り壁２１ａおよび第２仕切り壁２１ｂにより、配置領域１２１Ａと、配置領域１２１Ｂと、配置領域１２１Ｃとに区画されている。
【００２４】
配置領域１２１Ａはケース２１内の一方端側（図１中左側）に配置されており、配置領域１２１Ｂはケース２１内の他方端側（図１中右側）に配置されている。また配置領域１２１Ａと配置領域１２１Ｂとの間には、配置領域１２１Ｃの一部が挟まれている。
【００２５】
配置領域１２１Ａ内にはイオン発生素子１０ａが配置されており、配置領域１２１Ｂ内にはイオン発生素子１０ｂが配置されている。配置領域１２１Ｃ内には、高電圧発生回路などが配置されている。
【００２６】
具体的には、配置領域１２１Ａ内および配置領域１２１Ｂ内のそれぞれに、誘導電極１と放電電極２とを支持する支持基板３が配置されている。配置領域１２１Ｃ内には、高圧トランス１１と、高電圧回路１２ａ、１２ｂと、電源回路２３と、電源入力コネクタ２２とが配置されている。正の高電圧回路１２ａと負の高電圧回路１２ｂとの双方は同一の基板１４上に保持されている。
【００２７】
正の高電圧回路１２ａは正イオン発生用のイオン発生素子１０ａと隣り合うようにケース２１内の一方端側（図１中左側）に配置されている。負の高電圧回路１２ｂは負イオン発生用のイオン発生素子１０ｂと隣り合うようにケース２１内の他方端側（図１中右側）に配置されている。この高電圧回路１２ａ、１２ｂを保持する基板１４の一部が正イオン発生素子の配置領域１２１Ａと負イオン発生素子の配置領域１２１Ｂとの間に位置している。
【００２８】
配置領域１２１Ａと配置領域１２１Ｂとの間には、高圧トランス１１、電源回路２３および電源入力コネクタ２２が配置されている。特に電源入力コネクタ２２は配置領域１２１Ａと配置領域１２１Ｂとのほぼ中央に配置されている。上記の高圧トランス１１および高電圧回路１２ａ、１２ｂにより高電圧発生回路２０（図５参照）が構成されている。また高電圧発生回路２０と電源回路２３とにより回路部が構成されている。
【００２９】
図２に示すように、ケース２１は内部に空間を有する箱型形状を有する。このケース２１の内部の空間内にイオン発生素子１０ａ、１０ｂと、高圧トランス１１と、高電圧回路１２ａ、１２ｂと、電源回路２３と、電源入力コネクタ２２とが配置され、蓋２４が取り付けられた後にモールド樹脂３１が流し込まれる。
【００３０】
モールド樹脂３１は、イオン発生素子１０ａ、１０ｂの半田面側および高電圧発生回路などの配置領域１２１Ｃをモールドしている。高圧トランス１１および高電圧回路１２ａ、１２ｂにより構成される高電圧発生回路２０やイオン発生素子１０ａ、１０ｂは高電圧部である。このため、イオン発生素子１０ａ、１０ｂのイオン発生部分（支持基板３の表面側）を除き、支持基板３の裏面側（半田面側）および高電圧発生回路などの配置領域を樹脂モールド（たとえばエポキシ樹脂によりモールド）することにより、絶縁を強化することができる。
【００３１】
外装ケース２１の外形は長さａ１（図１参照）×幅ｂ１（図１参照）×厚さｃ１（図２参照）で規定され、ａ１が７０〜１５０ｍｍ、ｂ１が２０〜４０ｍｍ、ｃ１が８〜１０ｍｍの薄型でコンパクトな形状が好ましい。
【００３２】
図３に示すように、イオン発生素子１０ａ，１０ｂのそれぞれは、たとえコロナ放電により正イオンおよび負イオンを生じさせるためのものであり、一対の誘導電極１と、放電電極２と、支持基板３とを含む。
【００３３】
支持基板３は、平板形状を有する。支持基板３は、短手方向（図中Ｙ軸方向）および長手方向（図中Ｘ軸方向）を有する主表面３ａ，３ｂを有する。支持基板３は、放電電極２を挿入するための貫通孔４を含む。貫通孔４は、支持基板３の略中央に設けられている。
【００３４】
主表面３ａ，３ｂは、たとえば略矩形形状を有する。略矩形形状は、４つの角部を有する矩形形状、および４つの角部のうち少なくともいずれかが丸みを帯びているような形状を含む。なお、主表面３ａ，３ｂの形状は、長手方向と短手方向を有する限り、楕円形状等適宜変更することができる。
【００３５】
放電電極２は、先端部２ａと基端部２ｂとを有する。放電電極２は、先端部２ａ側が鋭く尖った針形状を有している。放電電極２は、貫通孔４に挿入または圧入されている。これにより、放電電極２は、支持基板３を貫通した状態で支持基板３に支持されている。
【００３６】
放電電極２の先端部２ａ側は支持基板３の主表面３ａ側に突き出している。支持基板３の裏面側（主表面３ａと反対側の主表面３ｂ側）に突き出した放電電極２の基端部２ｂ側には、半田（図示せず）によりリード線や配線パターンを電気的に接続することが可能である。
【００３７】
放電電極２を支持基板３に固定する場合には、支持基板３が有する４つの角部（隅部）のそれぞれを支持基板３の裏面３ｂ側からブロック等で支持した状態で、放電電極２を把持する挿入用装置の把持部を支持基板の上方から下方に向けて移動させる。これにより、放電電極２の基端部２ｂを支持基板３の貫通孔４に圧入または挿入する。
【００３８】
挿入用装置によって位置決めされる放電電極２の挿入位置がずれた場合には、支持基板３に負荷される押圧力のかかり具合が変化してブロックにて支持される支持基板３の水平度が変動する場合がある。
【００３９】
特に、支持基板３が矩形形状である場合には、挿入位置が短手方向に平行な方向に沿ってずれることにより、支持基板３は、短手方向の一端側が他端側よりも低くなるように相当程度の勾配を持って傾斜しやすくなる。
【００４０】
このため、放電電極２は、支持基板３の主表面３ａの法線方向から見た場合に、先端部２ａと基端部２ｂとが重なるように起立した第１の姿勢か、または先端部２ａと基端部２ｂとが支持基板３の短手方向に沿って並ぶように傾斜した第２の姿勢で支持基板３に設けられる。なお、支持基板３の短手方向は主表面３ａの短手方向に一致し、支持基板３の長手方向は主表面３ａの長手方向に一致する。
【００４１】
誘導電極１は、配線パターン等の導電性部材によって構成されている。誘導電極１は、支持基板３の長手方向に沿って並ぶように設けられている。一対の誘導電極１は、放電電極２を挟み込むように配置されている。一対の誘導電極１は、支持基板３の主表面３ａと同一平面上における放電電極２の中心位置Ｏを支持基板３の短手方向と平行な方向に沿って通過する仮想線ＶＬ１（第１仮想線）に対して線対称に設けられている。仮想線ＶＬ１側に位置する一対の誘導電極１の端部のそれぞれは、支持基板３の短手方向に沿って放電電極２から離れるにつれて、仮想線ＶＬ１からの支持基板３の長手方向に沿った距離が大きくなるように湾曲する湾曲形状を有する。
【００４２】
また、一対の誘導電極１は、支持基板３の主表面３ａと同一平面上における放電電極２の中心位置Ｏを中心とし、当該放電電極２の中心Ｏを支持基板３の長手方向に沿って通過する仮想線ＶＬ２（第２仮想線）と仮想線ＶＬ１側に位置する一対の誘導電極１の端部との交点Ｐを通過する仮想円ＶＣを描いた場合に、一対の放電電極１は、交点Ｐを除いて仮想円ＶＣの外側に位置する。
【００４３】
図４は、図３に示す誘導電極と放電電極との位置関係を示す概略図である。図４においては、便宜上のため、放電電極については、その中心線を図示し、誘導電極については、その内側端部を示している。図４を参照して、誘導電極１と放電電極２との位置関係について説明する。
【００４４】
図４に示すように、線分ＡＢは、支持基板３の主表面３ａの法線方向から見た場合に、先端部２ａ１（点Ａ）と基端部２ｂ１（点Ｂ）とが重なるように起立した第１の姿勢で支持基板３に設けられた放電電極２の中心線を示している。線分ＣＤは、支持基板３の主表面３ａの法線方向から見た場合に、先端部２ａ２（点Ｃ）と基端部２ｂ２（点Ｄ）とが支持基板３の短手方向に沿って並ぶように傾斜した第２の姿勢で支持基板３に設けられた放電電極２の中心線を示している。
【００４５】
点Ｏは、支持基板３の主表面３ａと同一面上における放電電極２の中心位置であるとともに、支持基板３の長手方向をＸ軸、支持基板３の短手方向をＹ軸とする座標の原点である。点Ｅは、Ｘ軸と誘導電極１の交点である。点Ｇは、点Ｃを通過する支持基板３の主表面３ａの法線に平行な直線とＹ軸との交点である。点Ｆは、点Ｇを通過する支持基板３の長手方向に平行な直線と誘導電極１との交点である。線分ＧＣと線分ＡＯとは平行であり、線分ＯＥと線分ＧＦとは平行である。
【００４６】
この場合においては、線分ＡＥは、第１姿勢状態の放電電極２の先端部２ａ１と誘導電極１との最短距離を示し、線分ＣＦは、第２姿勢状態の放電電極２の先端部２ａ２と誘導電極１との最短距離を示している。
【００４７】
本実施の形態においては、線分ＡＥの長さと線分ＣＦの長さとが等しくなるように誘導電極１が湾曲することが好ましい。放電電極２の先端部２ａから誘導電極１までの最短距離（線分ＡＥおよび線分ＣＦの長さ）をＤ１とし、支持基板３の主表面３ａから突出する放電電極２の長さ（線分ＡＯおよび線分ＣＧの長さ）の長さをＬ１とし、第２の姿勢の状態において、放電電極の傾斜角（∠ＣＯＧ）をθ［度］と定義する。
【００４８】
この場合には、線分ＯＧの長さ、すなわち第２状態における任意の放電電極２の先端部２ａの位置を示すＹ座標の値は、Ｌ１ｃｏｓθとなる。また、線分ＣＧの長さは、Ｌ１ｓｉｎθとなる。ここで、三角形ＣＧＦにおいて、三平方の定理を用いることにより、線分ＧＦの長さ、すなわち、Ｙ座標がＬ１ｃｏｓθである場合の誘導電極１のＸ座標の値は、（Ｄ１２−Ｌ１２ｃｏｓ２θ）１/2となる。仮想線ＶＬ１側に位置する誘導電極１の端部は、このようなＸ座標と、Ｙ座標との座標位置の関係を充足するように湾曲した湾曲形状を有することが好ましい。
【００４９】
図５は、本実施の形態に係るイオン発生装置の機能ブロック図であり、各機能素子の電気的接続を示す図である。図５を参照して、各機能素子の電気的接続の状態について説明する。
【００５０】
図５に示すように、電源入力コネクタ２２は一部が外装ケース２１内に配置されており、また他の一部が外装ケース２１の外部に露出しており、外部から電源をコネクタ接続できる構造となっている。
【００５１】
電源入力コネクタ２２は、入力電源としての直流電源や商用交流電源の供給を受ける部分である。電源入力コネクタ２２は電源回路２３に電気的に接続されている。電源回路２３は高圧トランス１１の一次側に電気的に接続されている。
【００５２】
高圧トランス１１は、一次側に入力された電圧を昇圧して二次側に出力するためのものである。高圧トランス１１の二次側の一方はイオン発生素子１０ａ、１０ｂの誘導電極１に電気的に接続されている。また高圧トランス１１の二次側の他方は、正の高電圧回路１２ａを通じてイオン発生素子１０ａの放電電極２に電気的に接続されるとともに、負の高電圧回路１２ｂを通じてイオン発生素子１０ｂの放電電極２に電気的に接続されている。
【００５３】
正の高電圧回路１２ａは、正イオン発生用の放電電極２には誘導電極１に対して正極性の高電圧を印加する。負の高電圧回路１２ｂは、負イオン発生用の放電電極２には誘導電極１に対して負極性の高電圧を印加する。これにより、正と負の互いに異なる極性のイオンを発生させることができる。
【００５４】
正イオンは、水素イオン（Ｈ＋）の周囲に複数の水分子が付随したクラスターイオンであり、Ｈ＋（Ｈ２Ｏ）ｍ（ｍは自然数）として表される。負イオンは、酸素イオン（Ｏ２−）の周囲に複数の水分子が付随したクラスターイオンであり、Ｏ２−（Ｈ２Ｏ）ｎ（ｎは自然数）として表される。また、空気中の正イオンであるＨ＋（Ｈ２Ｏ）ｍ（ｍは自然数）と、負イオンであるＯ２−（Ｈ２Ｏ）ｎ（ｎは自然数）とを略同等量発生させることにより、両イオンが空気中を浮遊するカビ菌やウイルスに付着してその周りを取り囲み、その際に生成される活性種の水酸基ラジカル（・ＯＨ）の作用により、浮遊カビ菌などを除去することが可能となる。
【００５５】
図６は、本実施の形態に係るイオン発生装置が有するケースの底板の構成を示す概略平面図および概略断面図である。図６（Ａ）は、イオン発生装置が有するケース底板の構成を示す概略平面図であり、図６（Ｂ）は、図６（Ａ）のＶＩＢ−ＶＩＢ線に沿った概略断面図である。図６を参照して、本実施の形態のケース底板の構成について説明する。
【００５６】
図６（Ａ）および図６（Ｂ）に示すように、ケースの底板には、イオン放出用の孔２１ｄが形成されている。イオン放出用の孔２１ｄの内径は、放電電極２の外径よりも大きく形成されている。これにより、イオン放出用の孔２１ｄを介して、放電電極２が外部から見えるようになっている。この結果、イオン発生素子１０ａ，１０ｂで生じたイオンをイオン発生装置３０の外部に放出することができる。
【００５７】
ここで、イオン発生素子１０ａ，１０ｂにおいて、放電現象は、放電電極２の先端部２ａから誘導電極１までの最短距離に影響される。本実施の形態においては、図４に示すように放電電極２が任意の傾斜角θを持って支持基板３に対して傾斜した場合であっても、放電電極２の先端部２ａから誘導電極１までの最短距離が一定となる。このため、本実施の形態に係るイオン発生装置３０は、放電電極２の姿勢に関わらず、放電電極２からの放電を十分に安定させることができる。
【００５８】
なお、仮想線ＶＬ１側に位置する一対の誘導電極１の端部のそれぞれが、上述のように先端部２ａと誘導電極１との最短距離が常に一定となるような湾曲形状でなくても、これに近い湾曲形状を有する場合には、第１の姿勢で固定された放電電極２の先端部２ａと誘導電極１との最短距離と、第２の姿勢で固定された放電電極２の先端部２ａと誘導電極１との最短距離との変動を抑制することができる。この場合には、本実施の形態に係るイオン発生装置３０は、放電電極２からの放電を相当程度安定させることができる。
【００５９】
（実施の形態２）
図７は、本実施の形態に係るイオン発生装置に具備されるイオン発生素子の構成を示す概略斜視図である。図７を参照して、本実施の形態に係るイオン発生装置３０Ａについて説明する。
【００６０】
図７に示すように、本実施の形態に係るイオン発生装置３０Ａは、実施の形態１に係るイオン発生装置３０と比較した場合に、誘導電極１Ａの形状が相違する。その他の構成については、ほぼ同様である。
【００６１】
一対の誘導電極１Ａは、支持基板３の短手方向に沿って並ぶように設けられている。一対の誘導電極１Ａは、放電電極２を挟み込むように配置されている。一対の誘導電極１Ａは、支持基板３の主表面３ａと同一平面上における放電電極２の中心位置を支持基板３の短手方向と平行な方向に沿って通過する仮想線ＶＬ１に対して線対称に設けられている。
【００６２】
一対の誘導電極１Ａは、たとえば、支持基板３の短手方向に沿った誘導電極１Ａの長さが支持基板３の長手方向に沿った誘導電極１Ａの長さよりも大きい矩形形状を有する。これにより、仮想線ＶＬ１側に位置する一対の誘導電極１Ａの端部のそれぞれは、支持基板３の短手方向と平行な方向に沿って延在する。
【００６３】
なお、誘導電極１Ａの形状は、矩形形状に限定されず、仮想線ＶＬ１側の端部が支持基板３の短手方向と平行な方向に沿って延在する限り、適宜変更することができる。この場合においても、一対の誘導電極１Ａは、仮想線ＶＬ１に対して線対称であることが好ましい。
【００６４】
図８は、図７に示す誘導電極と放電電極との位置関係を示す概略図である。図８においては、便宜上のため、放電電極については、その中心線を図示し、誘導電極について内周端部を図示している。図８を参照して、誘導電極１Ａと放電電極２との位置関係について説明する。
【００６５】
図８に示すように、線分ＡＢは、支持基板３の主表面３ａの法線方向から見た場合に、先端部２ａ１（点Ａ）と基端部２ｂ１（点Ｂ）とが重なるように起立した第１の姿勢で支持基板３に設けられた放電電極２の中心線を示している。線分ＣＤは、支持基板３の主表面３ａの法線方向から見た場合に、先端部２ａ２（点Ｃ）と基端部２ｂ２（点Ｄ）とが支持基板３の短手方向に沿って並ぶように傾斜した第２の姿勢で支持基板３に設けられた放電電極２の中心線を示している。
【００６６】
点Ｏは、支持基板３の主表面３ａ上における放電電極２の中心位置であるとともに、支持基板３の長手方向をＸ軸、支持基板３の短手方向をＹ軸とする座標の原点である。点Ｅは、誘導電極１ＡとＸ軸との交点である。点Ｇは、点Ｃを通過する支持基板３の主表面３ａの法線に平行な直線とＹ軸との交点である。点Ｆは、点Ｇを通過する支持基板３の長手方向に平行な直線と誘導電極１Ａとの交点である。線分ＧＣと線分ＡＯとは平行であり、線分ＯＥと線分ＧＦとは平行である。また、線分ＯＥの長さと線分ＧＦの長さは等しい。
【００６７】
本実施の形態において、線分ＡＥは、第１姿勢における放電電極２の先端部２ａ１と誘導電極１Ａとの最短距離を示し、線分ＣＦは、第２姿勢における放電電極２の先端部２ａ２と誘導電極１Ａとの最短距離を示している。
【００６８】
比較例として、誘導電極Ｋの内周端部を二点鎖線で示している。誘導電極Ｋの内周端部は円形状を有する。比較例における誘導電極Ｋの内周端部は、実施の形態２に係る誘導電極１Ａのうち点Ｏから最も近い位置（点Ｅ）を最大半径部とした場合に、点Ｏを中心として当該最大半径部を回転させた場合に描かれる軌跡である。すなわち、点Ｏを中心とする一対の誘導電極１Ａの内接円であり、実施の形態１に係る仮想円ＶＣに相当する。
【００６９】
点Ｉは、点Ｇを通過する支持基板３の長手方向に平行な直線と誘導電極Ｋの内周端部との交点である。点Ｈは、Ｙ軸と誘導電極Ｋの内周端部との交点である。
【００７０】
比較例において、線分ＡＥ，ＡＨは、第１姿勢における放電電極２の先端部２ａ１と誘導電極Ｋとの最短距離を示し、線分ＣＨは、第２姿勢における放電電極２の先端部２ａ２と誘導電極Ｋとの最短距離を示している。
【００７１】
ここで、各姿勢における放電電極の先端部から中心位置Ｏまでの距離をＬ１とし、中心位置Ｏから点Ｅまでの距離（中心位置Ｏと誘導電極１Ａとの最短距離）をａとし、第２姿勢で固定される放電電極の傾斜角（∠ＣＯＧ）をθ［度］とする。中心位置Ｏから誘導電極Ｋの内周端部までの距離は、中心位置Ｏから点Ｅまでの距離と等しく、ａとなる。なお、本実施の形態においては、線分ＯＧの長さは、線分ＯＨの長さよりも短いものとする。すなわち、Ｌ１ｃｏｓθ＜ａの関係式が成り立つことを前提としている。
【００７２】
この場合においては、以下に説明するように、線分ＡＥ＞線分ＣＦ＞線分ＣＨの長さ関係（関係１）が得られる。これにより、本実施の形態においては、比較例の場合と比較して、起立した第１の姿勢で支持基板３に固定された放電電極２の先端部２ａ１から誘導電極１Ａまでの最短距離と、傾斜した第２姿勢で支持基板３に固定された放電電極２の先端部２ａ２から誘導電極１Ａまでの最短距離との差を抑制することができる。
【００７３】
以下、上述の線分ＡＥ＞線分ＣＦ＞線分ＣＨの長さ関係が得られることについて、三角形ＣＧＨ、三角形ＣＧＦ、三角形ＡＯＥに着目して詳細に説明する。
【００７４】
比較例において、線分ＣＨの長さは、三角形ＣＧＨにおいて三平方の定理を用いることで算出することができる。
【００７５】
また、実施の形態において、第２姿勢における線分ＣＦの長さは、三角形ＣＧＦにおいて三平方の定理を用いることで算出することができる。
【００７６】
また、実施の形態において、第１姿勢における線分ＡＥの長さは、三角形ＡＯＥにおいて三平方の定理を用いることで算出することができる。
【００７７】
ここで、三角形ＣＧＨと三角形ＣＧＦにおいては、線分ＣＧの長さが共通するところ、線分ＣＨの長さと線分ＣＦとの長さは、線分ＧＨの長さと線分ＧＦとの長さを比較することによりその大小関係がわかる。
【００７８】
線分ＧＨの長さは、線分ＯＨの長さ線分ＯＧの長さを減じた値となり、線分ＯＨは、ａ−Ｌ１ｃｏｓθで表すことができる。一方、線分ＧＦの長さは、線分ＯＥの長さと等しく、ａで表すことができる。これにより、線分ＧＨ＜線分ＧＦの関係が得られる。この結果、上述の三平方の定理を利用して線分ＣＨ，線分ＣＦの長さを求めると、線分ＣＨ＜線分ＣＦの関係が得られる。
【００７９】
ここで、三角形ＣＧＦと三角形ＡＯＥにおいては、線分ＧＦと線分ＯＥの長さが同じであるところ、線分ＣＦの長さと線分ＡＥの長さは、線分ＣＧと線分ＡＢの長さを比較することによりその大小関係がわかる。
【００８０】
第２の姿勢においては、第１の姿勢に対して基板側に近づくように傾斜しているところ、線分ＣＧ＜線分ＡＯとなることは明らかである。これにより、上述の三平方の定理を利用して線分ＣＦ，線分ＡＥの長さを求めると、線分ＣＦ＜線分ＡＥの関係が得られる。
【００８１】
以上より、線分ＣＨ＜線分ＣＦ、線分ＣＦ＜線分ＡＥの関係が得られ、これらより、線分ＡＥ＞線分ＣＦ＞線分ＣＨの長さ関係が得られる。
【００８２】
この結果、本実施の形態においては、上述のように、比較例の場合と比較して、任意の角度で放電電極が傾斜して支持基板３に固定された場合であっても、起立した姿勢で支持基板３に固定された放電電極２の先端部２ａ１から誘導電極１Ａまでの最短距離と、傾斜した姿勢で支持基板３に固定された放電電極２の先端部２ａ２から誘導電極１Ａまでの最短距離との差を抑制することができる。
【００８３】
したがって、本実施の形態に係るイオン発生装置３０Ａにおいても、実施の形態１に係るイオン発生装置と同様に放電電極２からの放電を相当程度安定させることができる。
【００８４】
（実施の形態３）
図９は、本実施の形態に係るイオン発生装置に具備されるイオン発生素子の構成を示す概略斜視図である。図９を参照して、本実施の形態に係るイオン発生装置３０Ｂについて説明する。
【００８５】
図９に示すように、本実施の形態に係るイオン発生装置３０Ｂは、実施の形態１に係るイオン発生装置３０と比較した場合に、誘導電極１Ｂの形状が相違する。その他の構成については、ほぼ同様である。
【００８６】
誘導電極１Ｂは、支持基板３の主表面３ａと同一平面上における放電電極２の中心位置Ｏを支持基板３の短手方向と平行な方向に沿って通過する仮想線ＶＬ１に対して線対称に設けられている。誘導電極１Ｂは、支持基板３の短手方向に沿った最大長さが支持基板３の長手方向に沿った最大長さよりも大きいオーバル形状を有する。ここで、オーバル形状とは、長軸と短軸とを有する長円形状、および、平面上の２定点からの距離の和が一定となるような点の集合から作られる曲線である楕円形状、２つの半円を２本の直線で繋ぎ合わせたトラック形状を含む図形である。
【００８７】
図１０は、図９に示す誘導電極と放電電極との位置関係を示す概略図である。図１０においては、便宜上のため、放電電極については、その中心線を図示し、誘導電極について内周端部を図示している。なお、図１０においては、誘導電極１Ｂが楕円形状である場合を図示している。図１０を参照して、誘導電極１Ｂと放電電極２との位置関係について説明する。
【００８８】
図１０に示すように、線分ＡＢは、支持基板３の法線方向から見た場合に、先端部２ａ１（点Ａ）と基端部２ｂ１（点Ｂ）とが重なるように起立した第１の姿勢で支持基板３に設けられた放電電極２の中心線を示している。線分ＣＤは、支持基板３の法線方向から見た場合に、先端部２ａ２（点Ｃ）と基端部２ｂ２（点Ｄ）とが支持基板３の短手方向に沿って並ぶように傾斜した第２の姿勢で支持基板３に設けられた放電電極２の中心線を示している。
【００８９】
点Ｏは、支持基板３の主表面３ａ上における放電電極２の中心位置であるとともに、支持基板３の長手方向をＸ軸、支持基板３の短手方向をＹ軸とする座標の原点である。点Ｅは、誘導電極１ＢとＸ軸との交点である。点Ｇは、点Ｃを通過する支持基板３の主表面３ａの法線と平行な直線とＹ軸との交点である。点Ｆは、点Ｇを通過する支持基板３の長手方向と平行な直線と誘導電極１Ｂとの交点である。線分ＧＣと線分ＡＯとは平行であり、線分ＯＥと線分ＧＦとは平行である。
【００９０】
本実施の形態において、線分ＡＥは、第１姿勢における放電電極２の先端部２ａ１と誘導電極１Ｂとの最短距離を示し、線分ＣＦは、第２姿勢における放電電極２の先端部２ａ２と誘導電極１Ｂとの最短距離を示している。
【００９１】
比較例として、誘導電極Ｋの内周端部を二点鎖線で示している。誘導電極Ｋ２の内周端部は円形状を有する。比較例における誘導電極Ｋ２の内周端部は、実施の形態３に係る誘導電極１Ｂのうち点Ｏから最も遠い位置（長軸の両端）を最大半径部とした場合に、点Ｏを中心として当該最大半径部を回転させた場合に描かれる軌跡である。
【００９２】
点Ｈは、誘導電極Ｋ２の内周端部とＹ軸との交点である。点Ｉは、点Ｇを通過する支持基板３の長手方向と平行な直線と誘導電極Ｋの内周端部との交点である。
【００９３】
比較例において、線分ＡＥ，ＡＨは、第１姿勢における放電電極２の先端部２ａ１と誘導電極Ｋ２との最短距離を示し、線分ＣＨは、第２姿勢における放電電極２の先端部２ａ２と誘導電極Ｋ２との最短距離を示している。
【００９４】
ここで、各姿勢における放電電極の先端部から中心位置Ｏまでの距離をＬ１とし、楕円形状における短軸の長さを２ａとし、楕円形状における長軸の長さを２ｂとし、第２姿勢で固定される放電電極の傾斜角（∠ＣＯＧ）をθとする。中心位置Ｏから誘導電極Ｋの各内周端部までの距離は、中心位置Ｏから点Ｅまでの距離と等しく、ａとなる。なお、本実施の形態においては、線分ＯＧの長さは、線分ＯＨの長さよりも短いものとする。すなわち、Ｌ１ｃｏｓθ＜ａの関係式が成り立つことを前提としている。
【００９５】
この場合においては、以下に説明するように、線分ＡＥ＞線分ＣＦ＞線分ＣＨの長さ関係が得られる。これにより、本実施の形態においては、比較例の場合と比較して、起立した第１の姿勢で支持基板３に固定された放電電極２の先端部２ａ１から誘導電極１Ａまでの最短距離と、傾斜した第２姿勢で支持基板３に固定された放電電極２の先端部２ａ２から誘導電極１Ａまでの最短距離との差を抑制することができる。
【００９６】
以下、上述の線分ＡＥ＞線分ＣＦ＞線分ＣＨの長さ関係が得られることについて、三角形ＣＧＨ、三角形ＣＧＦ、三角形ＡＯＥに着目して詳細に説明する。
【００９７】
ここで、三角形ＣＧＨと三角形ＣＧＦにおいては、線分ＣＧの長さが共通するところ、線分ＣＨの長さと線分ＣＦとの長さは、線分ＧＨの長さと線分ＧＦとの長さを比較することによりその大小関係がわかる。
【００９８】
比較例において、線分ＧＨの長さは、線分ＯＨの長さ線分ＯＧの長さを減じた値となり、線分ＯＨは、ａ−Ｌ１ｃｏｓθで表すことができ、線分ＧＨの長さの２乗（以下ＧＨ２と称する）は、以下の式１で表すことができる。
ＧＨ２＝ａ２−２ａＬ１ｃｏｓθ＋Ｌ１２ｃｏｓ２θ・・・（式１）。
【００９９】
実施の形態において、線分ＧＦの長さの２乗（以下ＧＦ２と称する）は、楕円の公式（ＧＦ２／ａ２＋ＯＧ２／ｂ２＝１）を用いることにより、算出することができ、ＧＦ２は以下の式２で表すことができる。
ＧＦ２＝ａ２−ａ２Ｌ１２ｃｏｓ２θ／ｂ２・・・（式２）。
【０１００】
これにより、ＧＨ２とＧＦ２の差分は以下の式３で示すことができる。
ＧＦ２−ＧＨ２＝２ａＬ１ｃｏｓθ−（１＋ａ２／ｂ２）Ｌ１２ｃｏｓ２θ
＝Ｌ１ｃｏｓθ（２ａ−（１＋ａ２／ｂ２）Ｌ１ｃｏｓθ）・・・（式３）。
【０１０１】
ここで、上述のように本実施の形態においては、ａ＞Ｌ１ｃｏｓθであることから、これを式３に代入すると、以下の式４が得られる。
ＧＦ２−ＧＨ２＝Ｌ１ｃｏｓθ（２ａ−（１＋ａ２／ｂ２）Ｌ１ｃｏｓθ）＞Ｌ１ｃｏｓθ（２Ｌ１ｃｏｓθ−（１＋ａ２／ｂ２）Ｌ１ｃｏｓθ）＝Ｌ１２ｃｏｓ２θ（１−ａ２／ｂ２）・・・（式４）。
【０１０２】
ここで、ａ＜ｂの関係より、式４において（１−ａ２／ｂ２）＞０が得られ、また、Ｌ１２ｃｏｓ２θ＞０であることより、Ｌ１２ｃｏｓ２θ（１−ａ２／ｂ２）＞０の関係が得られる。これにより、ＧＦ２−ＧＨ２＞０の関係が得られる。この結果、上述の三平方の定理を利用して線分ＣＨ，線分ＣＦの長さを求めると、線分ＣＨ＜線分ＣＦの関係が得られる。
【０１０３】
ここで、三角形ＣＧＦと三角形ＡＯＥにおいては、線分ＣＦの長さと線分ＡＥの長さは、線分ＣＧと線分ＡＯの長さを比較するとともに、線分ＧＦと線分ＢＦの長さを比較することによりその大小関係がわかる。
【０１０４】
第２の姿勢においては、第１の姿勢に対して基板側に近づくように傾斜しているところ、線分ＣＧ＜線分ＡＯとなることは明らかであり、また、誘導電極１Ｂは楕円形状を有することから線分ＧＦ＜線分ＯＥとなることは明らかである。これにより、上述の三平方の定理を利用して線分ＣＦ，線分ＡＥの長さを求めると、線分ＣＦ＜線分ＡＥの関係が得られる。
【０１０５】
以上より、線分ＣＨ＜線分ＣＦ、線分ＣＦ＜線分ＡＥの関係が得られ、これらより、線分ＡＥ＞線分ＣＦ＞線分ＣＨの長さ関係が得られる。
【０１０６】
なお、このような長さの関係は、誘導電極１Ｂが楕円形状を有する場合に限定されず、長円形状、トラック形状を有する場合においても成立する。この場合にあっては、誘導電極１Ｂは、短軸を直径とする仮想円（内接円）の外側（当該内接円と短軸との交点を除く）であって、誘導電極１Ｂと内接円の接点を基板３の長手方向と平行な方向に通過する２つの仮想線の間に位置する領域に設けられることが好ましい。
【０１０７】
以上のように、線分ＡＥ＞線分ＣＦ＞線分ＣＨの長さ関係が得られることにより、本実施の形態においても、比較例の場合と比較して、任意の角度で放電電極が傾斜して支持基板３に固定された場合であっても、起立した姿勢で支持基板３に固定された放電電極２の先端部２ａ１から誘導電極１Ｂまでの最短距離と、傾斜した姿勢で支持基板３に固定された放電電極２の先端部２ａ２から誘導電極１Ｂまでの最短距離との差を抑制することができる。
【０１０８】
したがって、本実施の形態に係るイオン発生装置３０Ｂにおいても、実施の形態１に係るイオン発生装置と同様に放電電極２からの放電を相当程度安定させることができる。
【０１０９】
（実施の形態４）
図１１は、本実施の形態に係るイオン発生装置に具備されるイオン発生素子の構成を示す概略斜視図である。図１１を参照して、本実施の形態に係るイオン発生装置３０Ｃについて説明する。
【０１１０】
図１１に示すように、本実施の形態に係るイオン発生装置３０Ｃは、実施の形態３に係るイオン発生装置３０Ｂと比較して場合に、誘導電極１Ｃが環状ではなく、誘導電極１Ｃの内側端部が、楕円形状、長円形状、トラック形状等のオーバル形状の一部となるように、一対の誘導電極１Ｃが設けられている点において相違する。
【０１１１】
具体的には、一対の誘導電極１Ｃは、支持基板３の長手方向に沿って並ぶように設けられている。一対の誘導電極１Ｃは、放電電極２を挟み込むように配置されている。一対の誘導電極１Ｃは、支持基板３の主表面３ａと同一平面上における放電電極の中心位置を支持基板の短手方向と平行な方向に沿って通過する仮想線ＶＬ１（第１仮想線）に対して線対称に設けられている。仮想線ＶＬ１側に位置する一対の誘導電極１Ｃの端部のそれぞれは、支持基板３の短手方向に沿って放電電極２から離れるにつれて、仮想線ＶＬ１からの支持基板３の長手方向に沿った距離が小さくなるように湾曲する湾曲形状を有する。
【０１１２】
また、一対の誘導電極１Ｃは、支持基板３の主表面３ａと同一平面上における放電電極２の中心位置Ｏを中心とし、当該放電電極２の中心位置Ｏを支持基板３の長手方向に沿って通過する仮想線ＶＬ２（第２仮想線）と仮想線ＶＬ１側に位置する一対の誘導電極２の端部との交点Ｐを通過する仮想円ＶＣを描いた場合に、一対の放電電極１Ｃは、当該交点Ｐを除いて仮想円ＶＣの外側に位置する。
【０１１３】
このような構成を有する場合であっても、実施の形態３とほぼ同様の効果が得られる。これにより、本実施の形態に係るイオン発生装置３０Ｃにあっても、放電電極２からの放電を相当程度安定させることができる。
【０１１４】
（実施の形態５）
図１２は、本実施の形態に係るイオン発生装置に具備されるイオン発生素子の構成を示す分解斜視図である。図１３は、図１２に示すイオン発生素子の組立て斜視図である。図１２および図１３を参照して、本実施の形態に係るイオン発生装置３０Ｄについて説明する。
【０１１５】
図１２および図１３に示すように、本実施の形態に係るイオン発生装置３０Ｄは、実施の形態３に係るイオン発生装置３０Ｂと比較した場合に、誘導電極１Ｄの構成が相違する。その他の構成については、ほぼ同様である。
【０１１６】
誘導電極１Ｄは、たとえば一体の金属板から構成される。誘導電極１Ｄは、平板部と、屈曲部１ｂとを有する。平板部には、支持基板３の短手方向に沿った最大長さが支持基板３の長手方向に沿った最大長さよりも大きいオーバル形状の貫通孔が設けられている。たとえば、貫通孔は、楕円形状を有する。
【０１１７】
平板部は、たとえば穴あきの板金により構成されている。屈曲部１ｂは、誘導電極１Ｄの両端に位置し、平板部に対して略直角に屈曲する部位である。屈曲部１ｂは、幅の広い支持部分と、幅の狭い挿入部分とを有している。上記支持部分の一方端は平板部に繋がっており、他方端は上記挿入部分に繋がっている。
【０１１８】
支持基板３には、屈曲部の挿入部を挿入するための挿入孔５が設けられている。誘導電極１Ｄの挿入部は、挿入孔５に挿入されて支持基板３を貫通した状態で支持基板３に支持されている。支持基板３の裏面側に突き出した挿入部分の先端には、半田（図示せず）によりリード線や配線パターンを電気的に接続することが可能である。また、誘導電極１が支持基板３に支持された状態では、放電電極２の先端部２ａは、挿入孔５の略中心に位置している。
【０１１９】
このように構成することにより、本実施の形態に係るイオン発生装置３０Ｄは、実施の形態３のように、任意の角度で放電電極が傾斜して支持基板３に固定された場合であっても、起立した姿勢で支持基板３に固定された放電電極２の先端部２ａ１から誘導電極１Ｄまでの最短距離と、傾斜した姿勢で支持基板３に固定された放電電極２の先端部２ａ２から誘導電極１Ｄまでの最短距離との差を抑制することができる。
【０１２０】
これにより、本実施の形態に係るイオン発生装置３０Ｄにおいても、実施の形態３に係るイオン発生装置３０Ｂと同様に放電電極２からの放電を相当程度安定させることができる。
【０１２１】
（実施の形態６）
図１４は、本実施の形態に係る空気清浄機の構成を概略的に示す斜視図である。図１５は、図１４に示すイオン発生装置を配置した様子を示す空気清浄機の分解図である。図１４および図１５を参照して、本実施の形態に係る本実施の形態に係る空気清浄機６０について説明する。なお、空気清浄機６０は、イオン発生装置を具備する電子機器の一例であり、イオン発生装置としては、たとえば実施の形態１に係るイオン発生装置３０が用いられる。
【０１２２】
図１４および図１５に示すように、空気清浄機６０は前面パネル６１と本体６２とを有している。本体６２の後方上部には吹出口６３が設けられており、この吹出口６３からイオンを含む清浄な空気が室内に供給される。本体６２の中心には空気取り入れ口６４が形成されている。空気清浄機６０の前面の空気取り入れ口６４から取り込まれた空気が、図示しないフィルターを通過することで清浄化される。清浄化された空気は、ファン用ケーシング６５を通じて、吹出口６３から外部へ供給される。
【０１２３】
清浄化された空気の通過経路を形成するファン用ケーシング６５の一部に、図１および図２に示すイオン発生装置３０が取り付けられている。イオン発生装置３０は、そのイオン放出部となる孔２１ｄからイオンを上記の空気流に放出できるように配置されている。イオン発生装置３０の配置の例として、空気の通過経路内であって、吹出口６３に比較的近い位置Ｐ１、比較的遠い位置Ｐ２などの位置が考えられる。このようにイオン発生装置３０のイオン放出部２１ｄに送風を通過させることにより、吹出口６３から清浄な空気とともに外部にイオンを供給するイオン発生機能を空気清浄機６０に持たせることが可能になる。
【０１２４】
本実施の形態の空気清浄機６０によれば、イオン発生装置３０で生じた正イオンおよび負イオンの双方を送風部（空気の通過経路）により気流に乗せて送ることができるため、機外に正イオンおよび負イオンの双方を送出することができる。
【０１２５】
ここで、イオン発生装置３０においては、仮想線ＶＬ１側に位置する一対の誘導電極１の端部のそれぞれは、放電電極２が任意の傾斜角θを持って支持基板３に対して傾斜した場合であっても、放電電極２の先端部２ａから誘導電極１までの最短距離を常に一定にするような湾曲形状を有する。これにより、イオン発生装置３０は、放電電極２からの放電を安定させることができる。この結果、本実施の形態に係る空気清浄機６０は、安定して正イオンおよび負イオンを外部に供給することができる。
【０１２６】
なお、本実施の形態においては電気機器の一例として空気清浄機について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、電気機器は、これ以外に空気調和機（エアコンディショナー）、冷蔵機器、掃除機、加湿器、除湿機などであってもよく、イオンを気流に乗せて送るための送風部を有する電気機器であればよい。
【０１２７】
また、本実施の形態においては、イオン発生装置として実施の形態１に係るイオン発生装置３０を用いる場合を例示して説明したが、これに限定されず、実施の形態２から５に係るイオン発生装置３０Ａ〜３０Ｄのいずれかが用いられてもよい。
【０１２８】
上述した実施の形態１から４においては、放電電極と誘導電極とが同一基板に設けられる場合を例示して説明したが、これに限定されず、放電電極と誘導電極とが別基板に設けられてもよい。この場合には、誘導電極が設けられる基板には、放電電極を挿入するための貫通孔が設けられる。当該貫通孔に放電電極が挿入された状態で、誘導電極が設けられた基板と、放電電極が設けられた基板とが対向配置される。
【０１２９】
以上、本発明の実施の形態について説明したが、今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではない。本発明の範囲は特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれる。
【符号の説明】
【０１３０】
１，１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄ，Ｋ，Ｋ２  誘導電極、１ｂ  屈曲部、２  放電電極、２ａ，２ａ１，２ａ２  先端部、２ｂ，２ｂ１，２ｂ２  基端部、３  支持基板、３ａ，３ｂ  主表面、４  貫通孔、５  挿入孔、１０ａ，１０ｂ  イオン発生素子、１１  高圧トランス、１２ａ，１２ｂ  高電圧回路、１４  基板、２０  高電圧発生回路、２１  外装ケース、２１ａ  第１仕切り壁、２１ｂ  第２仕切り壁、２１ｄ  孔、２２  電源入力コネクタ、２３  電源回路、２４  蓋、３０，３０Ａ，３０Ｂ，３０Ｃ，３０Ｄ  イオン発生装置、３１  モールド樹脂、６０  空気清浄機、６１  前面パネル、６２  本体、６３  吹出口、６４  空気取り入れ口、６５  ファン用ケーシング、１２１Ａ，１２１Ｂ，１２１Ｃ  配置領域。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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