(57)【要約】【課題】画素ごとの発光素子の劣化量に応じて、より好適な態様で当該発光素子の発光量を補正する。【解決手段】電流量に応じた輝度で発光する発光素子と、発光素子に供給される電流量を、印可された信号電圧に応じて制御する駆動トランジスタと、を含む画素回路がマトリックス状に配置された表示装置であって、発光素子ごとに、所定の電流量の供給に応じて当該発光素子に印可される電圧を所定のタイミングごとに、所定の温度の環境下において測定する測定部と、測定された電圧に基づき電圧変化量を算出し、電圧変化量と輝度劣化量との間の関係を示す発光素子の特性に基づき、算出した電圧変化量に応じた輝度劣化量を、発光素子ごとに算出する輝度劣化量算出部と、発光素子ごとに算出された輝度劣化量に基づき補正値を算出する補正値算出部と、発光素子ごとに算出された補正値に基づき、当該発光素子の発光量を制御する制御部とを備える表示装置。【選択図】図１０
2016090940.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電流量に応じた輝度で発光する発光素子と、前記発光素子に供給される電流量を、印可された信号電圧に応じて制御する駆動トランジスタと、を含む画素回路がマトリックス状に配置された表示装置であって、
前記発光素子ごとに、所定の電流量の供給に応じて当該発光素子に印可される電圧を、あらかじめ決められたタイミングごとに、所定の温度の環境下において測定する測定部と、
測定された前記電圧に基づき所定の期間における電圧変化量を算出し、あらかじめ導出された、前記電圧変化量と輝度劣化量との間の関係を示す、前記発光素子の特性に基づき、算出した前記電圧変化量に応じた前記輝度劣化量を、前記発光素子ごとに算出する輝度劣化量算出部と、
前記発光素子ごとに算出された前記輝度劣化量に基づき、当該発光素子の発光量を補正するための補正値を算出する補正値算出部と、
前記発光素子ごとに算出された前記補正値に基づき、当該発光素子の発光量を制御する制御部と、
を備えることを特徴とする、表示装置。
【請求項２】
前記輝度劣化量算出部は、前記電圧変化量をΔＶ、前記発光素子の特性に応じて決定される係数をＡ、ｂ、基準となる輝度値に基づき決定される係数をＣとした場合に、以下に示す計算式１に基づき、前記輝度劣化量ΔＬを算出することを特徴とする、請求項１に記載の表示装置。
【数１】
2016090940.tif 000011
【請求項３】
前記補正値算出部は、あらかじめ測定された前記電流量の基準値と、前記発光素子ごとに算出された前記輝度劣化量とに基づき、当該発光素子に供給される前記電流量の前記補正値を算出し、
前記制御部は、算出された前記補正値に基づき、前記発光素子に供給される前記電流量を制御することで、当該発光素子の発光量を制御する、
ことを特徴とする、請求項１または２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記補正値算出部は、前記電流量の基準値をＩａ、前記輝度劣化量をΔＬとした場合に、以下に示す計算式２に基づき、前記電流量の前記補正値ΔＩｃを算出する、請求項３に記載の表示装置。
【数２】
2016090940.tif 000012
【請求項５】
前記測定部は、１フレーム内における、画像を表示するための表示期間とは異なる検出期間において、前記発光素子に印可される前記電圧を測定することを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一項に記載の表示装置。
【請求項６】
電流量に応じた輝度で発光する発光素子と、前記発光素子に供給される電流量を、印可された信号電圧に応じて制御する駆動トランジスタと、を含む画素回路がマトリックス状に配置された表示装置に画像を表示させるための表示方法であって、
前記発光素子ごとに、所定の電流量の供給に応じて当該発光素子に印可される電圧を、あらかじめ決められたタイミングごとに、所定の温度の環境下において測定することと、
測定された前記電圧に基づき所定の期間における電圧変化量を算出し、あらかじめ導出された、前記電圧変化量と輝度劣化量との間の関係を示す、前記発光素子の特性に基づき、算出した前記電圧変化量に応じた前記輝度劣化量を、前記発光素子ごとに算出することと、
前記発光素子ごとに算出された前記輝度劣化量に基づき、当該発光素子の発光量を補正するための補正値を算出することと、
前記発光素子ごとに算出された前記補正値に基づき、当該発光素子の発光量を制御することと、
を含むことを特徴とする、表示方法。
【請求項７】
電流量に応じた輝度で発光する発光素子と、前記発光素子に供給される電流量を、印可された信号電圧に応じて制御する駆動トランジスタと、を含む画素回路がマトリックス状に配置された表示装置に画像を表示させるためのプログラムであって、
前記発光素子ごとに、所定の電流量の供給に応じて当該発光素子に印可される電圧を、あらかじめ決められたタイミングごとに、所定の温度の環境下において測定することと、
測定された前記電圧に基づき所定の期間における電圧変化量を算出し、あらかじめ導出された、前記電圧変化量と輝度劣化量との間の関係を示す、前記発光素子の特性に基づき、算出した前記電圧変化量に応じた前記輝度劣化量を、前記発光素子ごとに算出することと、
前記発光素子ごとに算出された前記輝度劣化量に基づき、当該発光素子の発光量を補正するための補正値を算出することと、
前記発光素子ごとに算出された前記補正値に基づき、当該発光素子の発光量を制御することと、
を実行させることを特徴とする、プログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置、表示方法、及びプログラムに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年においては、表示装置として、有機ＥＬ（Organic  Electro-Luminescence）素子などの自発光素子を含む画素が行列状(マトリクス状)に配置されて成る平面型(フラットパネル型)の表示装置が提供されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００５−２７５１８２号公報
【特許文献２】特開２００７−１８７７６１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
一方で、有機ＥＬ素子のような自発光素子（以降では、単に「発光素子」と記載する場合がある）は、その発光輝度と発光時間とに比例して劣化する特性があることが知られている。表示装置に表示させる画像の内容は一様ではなく、そのため、発光素子（有機ＥＬ素子）の劣化にもばらつきがある。例えば、白色等の輝度の高い色を表示している発光素子は、黒色等の輝度の低い色を表示している発光素子に比べて、劣化が進行しやすい傾向にある。
【０００５】
発光素子の劣化が進行すると、当該発光素子の輝度は、劣化の進行が遅い他の発光素子に比べて相対的に低下する傾向にある。このような現象は、一般的に「イメージ・スティッキング（焼き付き）」として知られている。
【０００６】
このような発光素子の劣化に伴う画素間の輝度のばらつきを低減する方法の一例としてとして、特許文献１には、発光素子を発光させるための入力データの累積加算値に応じて劣化量を推定し、推定結果に基づき発光素子の発光量を補正する方法が開示されている。しかしながら、特許文献１に開示された方法は、発光素子の劣化を、入力データの累積加算値に基づき間接的に推定するため、例えば、発光素子の劣化特性によっては、劣化量が正確に推測されるとは限らず、発光素子の輝度劣化を正確に補償できるとは限らない。
【０００７】
また、他の方法の一例として、特許文献２には、輝度の劣化を測定するためのダミー画素を設け、当該ダミー画素の輝度値の測定結果に基づき、各発光素子の発光量を補正する方法が開示されている。しかしながら、表示装置を構成する各画素の発光素子は、必ずしも全てが同じ階調で発光しているとは限らず、各発光素子へのストレス量にはばらつきがある。そのため、各画素の発光素子が、ダミー画素に設けられた発光素子と同様に劣化するとは限らず、各発光素子の輝度劣化を正確に補償できるとは限らない。
【０００８】
そこで、本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、本発明の目的とするところは、画素ごとの発光素子の劣化量に応じて、より好適な態様で当該発光素子の発光量を補正することが可能な、表示装置、表示方法、及びプログラムを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するために、本発明のある観点によれば、電流量に応じた輝度で発光する発光素子と、前記発光素子に供給される電流量を、印可された信号電圧に応じて制御する駆動トランジスタと、を含む画素回路がマトリックス状に配置された表示装置であって、前記発光素子ごとに、所定の電流量の供給に応じて当該発光素子に印可される電圧を、あらかじめ決められたタイミングごとに、所定の温度の環境下において測定する測定部と、測定された前記電圧に基づき所定の期間における電圧変化量を算出し、あらかじめ導出された、前記電圧変化量と輝度劣化量との間の関係を示す、前記発光素子の特性に基づき、算出した前記電圧変化量に応じた前記輝度劣化量を、前記発光素子ごとに算出する輝度劣化量算出部と、前記発光素子ごとに算出された前記輝度劣化量に基づき、当該発光素子の発光量を補正するための補正値を算出する補正値算出部と、前記発光素子ごとに算出された前記補正値に基づき、当該発光素子の発光量を制御する制御部と、を備えることを特徴とする、表示装置が提供される。
【００１０】
前記輝度劣化量算出部は、前記電圧変化量をΔＶ、前記発光素子の特性に応じて決定される係数をＡ、ｂ、基準となる輝度値に基づき決定される係数をＣとした場合に、以下に示す計算式１に基づき、前記輝度劣化量ΔＬを算出してもよい。
【００１１】
【数１】
2016090940.tif 000003
【００１２】
前記補正値算出部は、あらかじめ測定された前記電流量の基準値と、前記発光素子ごとに算出された前記輝度劣化量とに基づき、当該発光素子に供給される前記電流量の前記補正値を算出し、前記制御部は、算出された前記補正値に基づき、前記発光素子に供給される前記電流量を制御することで、当該発光素子の発光量を制御してもよい。
【００１３】
前記補正値算出部は、前記電流量の基準値をＩａ、前記輝度劣化量をΔＬとした場合に、以下に示す計算式２に基づき、前記電流量の前記補正値ΔＩｃを算出してもよい。
【００１４】
【数２】
2016090940.tif 000004
【００１５】
前記測定部は、１フレーム内における、画像を表示するための表示期間とは異なる検出期間において、前記発光素子に印可される前記電圧を測定してもよい。
【００１６】
また、上記課題を解決するために、本発明の別の観点によれば、電流量に応じた輝度で発光する発光素子と、前記発光素子に供給される電流量を、印可された信号電圧に応じて制御する駆動トランジスタと、を含む画素回路がマトリックス状に配置された表示装置に画像を表示させるための表示方法であって、前記発光素子ごとに、所定の電流量の供給に応じて当該発光素子に印可される電圧を、あらかじめ決められたタイミングごとに、所定の温度の環境下において測定することと、測定された前記電圧に基づき所定の期間における電圧変化量を算出し、あらかじめ導出された、前記電圧変化量と輝度劣化量との間の関係を示す、前記発光素子の特性に基づき、算出した前記電圧変化量に応じた前記輝度劣化量を、前記発光素子ごとに算出することと、前記発光素子ごとに算出された前記輝度劣化量に基づき、当該発光素子の発光量を補正するための補正値を算出することと、前記発光素子ごとに算出された前記補正値に基づき、当該発光素子の発光量を制御することと、
を含むことを特徴とする、表示方法が提供される。
【００１７】
また、上記課題を解決するために、本発明の別の観点によれば、電流量に応じた輝度で発光する発光素子と、前記発光素子に供給される電流量を、印可された信号電圧に応じて制御する駆動トランジスタと、を含む画素回路がマトリックス状に配置された表示装置に画像を表示させるためのプログラムであって、前記発光素子ごとに、所定の電流量の供給に応じて当該発光素子に印可される電圧を、あらかじめ決められたタイミングごとに、所定の温度の環境下において測定することと、測定された前記電圧に基づき所定の期間における電圧変化量を算出し、あらかじめ導出された、前記電圧変化量と輝度劣化量との間の関係を示す、前記発光素子の特性に基づき、算出した前記電圧変化量に応じた前記輝度劣化量を、前記発光素子ごとに算出することと、前記発光素子ごとに算出された前記輝度劣化量に基づき、当該発光素子の発光量を補正するための補正値を算出することと、前記発光素子ごとに算出された前記補正値に基づき、当該発光素子の発光量を制御することと、を実行させることを特徴とする、プログラムが提供される。
【発明の効果】
【００１８】
以上説明したように本発明によれば、画素ごとの発光素子の劣化量に応じて、より好適な態様で当該発光素子の発光量を補正することが可能な、表示装置、表示方法、及びプログラムが提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の実施形態に係る表示装置における画素回路の概略的な構成及び動作について説明するための説明図である。
【図２】同実施形態に係る表示装置の動作原理について説明するための説明図である。
【図３】有機ＥＬ素子の劣化に伴う特性変化の一例について説明するための説明図である。
【図４】有機ＥＬ素子の劣化に伴う特性変化の一例について説明するための説明図である。
【図５】有機ＥＬ素子の劣化に伴う特性変化の一例について説明するための説明図である。
【図６】有機ＥＬ素子の劣化に伴う特性変化の一例について説明するための説明図である。
【図７】有機ＥＬ素子周辺の温度変化に伴う当該有機ＥＬ素子の特性変化の一例について説明するための説明図である。
【図８】有機ＥＬ素子周辺の温度変化に伴う当該有機ＥＬ素子の特性変化の一例について説明するための説明図である。
【図９】有機ＥＬ素子周辺の温度変化に伴う当該有機ＥＬ素子の特性変化の一例について説明するための説明図である。
【図１０】同実施形態に係る表示装置における、イメージ・スティッキング補償の原理について説明するための説明図である。
【図１１】同実施形態に係る表示装置における、イメージ・スティッキング補償の原理について説明するための説明図である。
【図１２】同実施形態に係る表示装置における、イメージ・スティッキング補償の原理について説明するための説明図である。
【図１３】図１に示す画素回路構成を用いた場合のガンマ特性の一例を示した図である。
【図１４】同実施形態に係る表示装置の概略的な構成の一例について説明するための説明図である。
【図１５】画素回路、データドライバ、及びセンシングドライバの構成の一例について説明するための説明図である。
【図１６】同実施形態に係る表示装置の駆動タイミングの一例について説明するための説明図である。
【図１７】同実施形態に係る表示装置の一連の処理の流れの一例について示したフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下に添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【００２１】
＜１．補償の原理＞
まず、本発明の実施形態に係る表示装置の特徴をよりわかりやすくするために、当該表示装置が、画素ごとに発光素子の劣化量を算出し、算出された劣化量に基づき当該発光素子の発光量を補償（補正）する処理の原理について説明する。
【００２２】
［１．１．有機ＥＬ素子を利用した画素回路の特性］
まず、図１を参照して、有機ＥＬ素子を発光素子として利用した画素回路の概略的な構成及び動作について説明する。図１は、本実施形態に係る表示装置における画素回路の概略的な構成及び動作について説明するための説明図である。なお、図１に示す例は、画素回路中の発光素子を発光させるための動作について説明するために必要な構成のみを提示しており、必ずしも画素回路中の全ての構成を提示しているものではない。
【００２３】
図１に示すように、画素回路は、有機ＥＬ素子Ｄ１と、駆動トランジスタＭ２とを含む。有機ＥＬ素子Ｄ１は、所謂電流駆動素子であるため、流れる電流Ｉｏｌｅｄに比例して発光輝度が変化する。また、図１に示す例では、駆動トランジスタＭ２として、Ｐチャネル型のトランジスタを適用している。
【００２４】
図１に示すように、トランジスタＭ２のソース端子ｓには、電源電圧ＥＬＶＤＤが接続されており、当該トランジスタＭ２のドレイン端子ｄには、有機ＥＬ素子のアノード側が接続されている。また、有機ＥＬ素子のカソード側には、電源電圧ＥＬＶＳＳが接続されている。このような構成のもと、トランジスタＭ２のゲート端子ｇにデータ電圧Ｖｄａｔａが印可されると、当該データ電圧Ｖｄａｔａに応じて、トランジスタＭ２のソース端子ｓとドレイン端子ｄとの間を電流が流れて、有機ＥＬ素子に供給される電流Ｉｏｌｅｄの電流量が変化する。
【００２５】
即ち、図１に示す画素回路では、電源電圧ＥＬＶＤＤとデータ電圧Ｄａｔａとの間のバイアス電圧を変化させて、有機ＥＬ素子Ｄ１に供給される電流Ｉｏｌｅｄの電流量を制御することで、当該有機ＥＬ素子Ｄ１の発光輝度を制御する。
【００２６】
なお、図１に示す例では、駆動トランジスタＭ２としてＰチャネル型のトランジスタを適用する例について示しているが、Ｎチャネル型のトランジスタが適用されてもよい。もちろん、Ｎチャネル型のトランジスタを適用する場合には、周囲の回路の接続関係を適宜調整することは言うまでもない。
【００２７】
次に、図２を参照して、図１に示した駆動トランジスタＭ２を飽和領域で動作させた場合のドレイン電流Ｉｄとドレイン電圧Ｖｄとの間の特性（Ｉｄ−Ｖｄ特性）と、当該Ｉｄ−Ｖｄ特性に応じた有機ＥＬ素子Ｄ１の動作の一例について説明する。図２は、本実施形態に係る表示装置の動作原理について説明するための説明図であり、駆動トランジスタＭ２のＩｄ−Ｖｄ特性と、当該Ｉｄ−Ｖｄ特性に応じた有機ＥＬ素子Ｄ１の動作の一例について示している。
【００２８】
図２において、参照符号Ｖｏｌｅｄ１は、トランジスタＭ２をゲート−ソース間電圧Ｖｇｓ１で駆動した場合における、有機ＥＬ素子Ｄ１のアノード電圧（即ち、駆動トランジスタＭ２のドレイン電圧）を示している。また、参照符号Ｉｏｌｅｄ１は、トランジスタＭ２をゲート−ソース間電圧Ｖｇｓ１で駆動した場合における、有機ＥＬ素子Ｄ１のアノード−カソード間電流を示している。また、参照符号Ｖｄｓ１は、トランジスタＭ２をゲート−ソース間電圧Ｖｇｓ１で駆動した場合における、当該トランジスタＭ２のドレイン−ソース間電圧を示している。
【００２９】
同様に、参照符号Ｖｏｌｅｄ２は、トランジスタＭ２をゲート−ソース間電圧Ｖｇｓ２で駆動した場合における、有機ＥＬ素子Ｄ１のアノード電圧を示している。また、参照符号Ｉｏｌｅｄ２は、トランジスタＭ２をゲート−ソース間電圧Ｖｇｓ２で駆動した場合における、有機ＥＬ素子Ｄ１のアノード−カソード間電流を示している。また、参照符号Ｖｄｓ２は、トランジスタＭ２をゲート−ソース間電圧Ｖｇｓ２で駆動した場合における、当該トランジスタＭ２のドレイン−ソース間電圧を示している。
【００３０】
図２に示すように、図１に示す画素回路において、トランジスタＭ１は、有機ＥＬ素子Ｄ１を電流駆動するために、電圧−電流変換素子の役割を担っている。
【００３１】
［１．２．有機ＥＬ素子の劣化に伴う特性変化］
次に、図３〜図６を参照して、有機ＥＬ素子Ｄ１を時間駆動することで劣化した場合における、当該有機ＥＬ素子Ｄ１の特性変化の一例について説明する。図３〜図６は、有機ＥＬ素子Ｄ１の劣化に伴う特性変化の一例について説明するための説明図である。
【００３２】
例えば、図３は、時間の経過に伴う、有機ＥＬ素子Ｄ１の輝度劣化の様子を模式化したグラフである。図３に示すグラフの横軸は時間ｔを示しており、縦軸は、有機ＥＬ素子Ｄ１の輝度Ｌを相対値で示している。なお、参照符号ｔ０は、例えば、有機ＥＬ素子Ｄ１が劣化する前の時点（例えば、出荷直後の初期の時点）を示しており、図３に示すグラフでは、この時点ｔ０における輝度Ｌを１００％として示している。
【００３３】
また、図３に示す例では、有機ＥＬ素子Ｄ１を異なる輝度値で駆動した場合（即ち、異なる電流量で駆動した場合）のグラフを示している。具体的には、図３に示す例では、輝度Ｌ＝１００％で駆動した場合と、輝度Ｌ＝５０％で駆動した場合との双方について、有機ＥＬ素子Ｄ１の時間の経過に伴う輝度劣化の様子を模式化したグラフを示している。
【００３４】
ここで、図３において、参照符号ΔＬ５０は、輝度Ｌ＝５０％で有機ＥＬ素子Ｄ１を発光させた場合の、初期の時点ｔ０から所定の時間が経過した後の時点ｔ１における、当該有機ＥＬ素子Ｄ１の輝度Ｌの劣化量を示している。また、参照符号ΔＬ１００は、輝度Ｌ＝１００％で有機ＥＬ素子Ｄ１を発光させた場合の、時点ｔ１における当該有機ＥＬ素子Ｄ１の輝度Ｌの劣化量を示している。なお、以降では説明をわかりやすくするために、時点ｔ１を、初期の時点ｔ０からｔ１時間経過後の時点として説明する場合がある。
【００３５】
図３を参照するとわかるように、有機ＥＬ素子Ｄ１は、発光時の輝度値が大きい程、時間駆動に伴う輝度Ｌの劣化量が大きくなる傾向にある。
【００３６】
また、図４は、有機ＥＬ素子Ｄ１を定電流駆動させた場合における、時間の経過に伴う、有機ＥＬ素子Ｄ１のアノード電圧の変化を模式化したグラフである。図４に示すグラフにおいて、横軸は、時間ｔを示しており、縦軸は、有機ＥＬ素子Ｄ１のアノード電圧の変化量（以降では、「電圧変化量」と記載する場合がある）を示している。なお、図４における、時点ｔ０及びｔ１は、図３における時点ｔ０及びｔ１に対応している。
【００３７】
また、図４に示す例では、有機ＥＬ素子Ｄ１を異なる輝度値で駆動した場合（即ち、異なる電流量で駆動した場合）のグラフを示している。具体的には、図４に示す例では、輝度Ｌ＝１００％で駆動した場合と、輝度Ｌ＝１００％で駆動した場合との双方について、有機ＥＬ素子Ｄ１の時間の経過に伴う輝度劣化の様子を模式化したグラフを示している。
【００３８】
ここで、図５において、参照符号ΔＶ５０は、輝度Ｌ＝５０％で有機ＥＬ素子Ｄ１を発光させた場合における、ｔ１時間経過後の当該有機ＥＬ素子Ｄ１の電圧変化量を示している。また、参照符号ΔＬ１００は、輝度Ｌ＝１００％で有機ＥＬ素子Ｄ１を発光させた場合における、ｔ１時間経過後の当該有機ＥＬ素子Ｄ１の電圧変化量を示している。
【００３９】
図４を参照するとわかるように、有機ＥＬ素子Ｄ１は、発光時の輝度値が大きい程、時間駆動に伴うアノード電圧の変化量（即ち、電圧変化量）が大きくなる傾向にある。
【００４０】
また、図５は、有機ＥＬ素子Ｄ１の、アノード電圧Ｖと、アノード−カソード間電流Ｉとの関係（即ち、Ｖ−Ｉ特性）の一例を模式化したグラフである。図５に示す例では、初期状態（即ち、時点ｔ０）における有機ＥＬ素子Ｄ１のＶ−Ｉ特性と、ｔ１時間経過後における有機ＥＬ素子Ｄ１のＶ−Ｉ特性との双方をグラフとして示している。なお、以降では、初期状態において、有機ＥＬ素子Ｄ１に対してアノード電圧Ｖａを印可した場合における、アノード−カソード間電流をＩａとする。
【００４１】
図５に示すように、有機ＥＬ素子Ｄ１のＶ−Ｉ特性は、当該有機ＥＬ素子Ｄ１の劣化に伴い高電圧側にシフトしている。例えば、図５に示す例において、アノード−カソード間電流をＩａとして、有機ＥＬ素子Ｄ１のＶ−Ｉ特性に着目した場合には、有機ＥＬ素子Ｄ１の劣化に伴い、当該有機ＥＬ素子Ｄ１のＶ−Ｉ特性は、ΔＶだけ高電圧側にシフトしていることがわかる。また、アノード電圧をＶａとして、有機ＥＬ素子Ｄ１のＶ−Ｉ特性に着目した場合には、当該有機ＥＬ素子Ｄ１のＶ−Ｉ特性は、ΔＩだけ低電流側にシフトしていることがわかる。
【００４２】
次に、図６を参照して、有機ＥＬ素子Ｄ１の、アノード−カソード間電流Ｉと、輝度Ｌとの関係（即ち、Ｉ−Ｌ特性）の一例について説明する。図６は、有機ＥＬ素子Ｄ１のＩ−Ｌ特性の一例を示したグラフである。図６に示す例では、初期状態（即ち、時点ｔ０）における有機ＥＬ素子Ｄ１のＩ−Ｌ特性と、ｔ１時間経過後における有機ＥＬ素子Ｄ１のＩ−Ｌ特性との双方をグラフとして示している。
【００４３】
図６において、アノード−カソード間電流をＩａとして、有機ＥＬ素子Ｄ１のＩ−Ｌ特性に着目した場合には、有機ＥＬ素子Ｄ１の劣化に伴い、当該有機ＥＬ素子Ｄ１の輝度Ｌは、ΔＬだけ低下していることがわかる。
【００４４】
図５及び図６に示した有機ＥＬ素子Ｄ１の各特性から、所定の定電流（例えば、Ｉａ）、または、所定の定電圧（例えば、Ｖａ）で有機ＥＬ素子Ｄ１を駆動し続けた場合（即ち、時間駆動した場合）には、時間の経過とともに輝度Ｌが低下していくことがわかる。また、所定の期間だけ有機ＥＬ素子Ｄ１を駆動する場合においても、有機ＥＬ素子Ｄ１を駆動する駆動電流（即ち、アノード−カソード間電流）が大きい程、輝度の劣化量ΔＬが大きくなる傾向にあることがわかる。
【００４５】
このように、有機ＥＬ素子Ｄ１を用いた表示装置（例えば、アクティブマトリクス表示装置）では、画素ごとに蓄積されるストレス量の違いに応じて有機ＥＬ素子Ｄ１の劣化の度合い（換言すると、劣化量）が異なる。一般的に、有機ＥＬ素子Ｄ１に蓄積されるストレス量は、当該有機ＥＬ素子Ｄ１の発光輝度（換言すると、駆動電流の電流量）と時間との積に比例して蓄積される。そのため、表示装置に表示される画像に応じて、画素ごとに有機ＥＬ素子Ｄ１に蓄積されるストレス量も異なり、画素間において有機ＥＬ素子Ｄ１の劣化量に差異が生じる。これにより、各画素に対して同じデータ電圧を印可した場合（もしくは、同じデータ電流を供給した場合）においても、画素ごとに有機ＥＬ素子Ｄ１の発光輝度が異なる現象、即ち、イメージ・スティッキング（焼き付き）現象が生じ、画質や信頼性の低下の要因となっている。
【００４６】
なお、上記に説明した有機ＥＬ素子Ｄ１の劣化に伴う特性の変化は、当該有機ＥＬ素子Ｄ１に使用される有機ＥＬ材料や素子構造に応じて変化する傾向にある。具体的な一例として、ＲＧＢの各有機ＥＬ材料を蒸着等のプロセスにより作成した場合には、ＲＧＢごとに劣化特性が異なる場合がある。このようなケースでは、初期状態において白色が表示される場合においても、有機ＥＬ素子Ｄ１の劣化に伴い色つき現象が発生する場合がある。即ち、このような色つき現象も、本説明におけるイメージ・スティッキング（焼き付き）現象に相当し得る。
【００４７】
［１．３．温度変化に伴う特性変化］
次に、図７〜図９を参照して、有機ＥＬ素子Ｄ１周辺の温度変化に伴う、当該有機ＥＬ素子Ｄ１の特性変化の一例について説明する。図７〜図９は、有機ＥＬ素子Ｄ１周辺の温度変化に伴う、当該有機ＥＬ素子Ｄ１の特性変化の一例について説明するための説明図である。
【００４８】
有機ＥＬ素子Ｄ１周辺の温度変化の要因として、主に２点の要因が考え得る。１点目は、表示装置が設置された環境温度の変動に伴う温度変化であり、この場合には、表示装置全体の温度が変動する。また、２点目は、有機ＥＬ素子Ｄ１の発光に伴う温度変化であり、この場合には、画素ごとの発光状態に応じて熱が発生し、局所的に温度が変動する。
【００４９】
ここで、表示装置全体の温度が変動することで各画素回路を構成する素子（例えば、有機ＥＬ素子Ｄ１や各種トランジスタ）への影響は考え得るものの、これらの素子の特性は均一的に変動するため、画素間における輝度劣化のばらつきに直接的な影響をおよぼすことは少ないものと考えられる。そのため、本説明では、２点目として説明した、有機ＥＬ素子Ｄ１の発光に伴う局所的な温度変化による影響に着目して説明する。
【００５０】
例えば、図７は、２５℃、４０℃、及び６０℃の環境において、有機ＥＬ素子Ｄ１を定電流Ｉ＝Ｉｏで駆動させた場合における、電圧変化量ΔＶと、輝度劣化量ΔＬとの関係（ΔＶ−ΔＬ特性）の測定結果を示したグラフである。図７に示すグラフにおいて、縦軸は、電圧変化量ΔＶを示している。また、横軸は、初期状態における有機ＥＬ素子Ｄ１の輝度を１００％とした場合における、劣化後の輝度の相対値を、輝度劣化量ΔＬとして示している。
【００５１】
なお、図７に示す例では、各有機ＥＬ素子Ｄ１を駆動した環境と同じ温度の環境下において、当該有機ＥＬ素子Ｄ１に印可されるアノード電圧と、当該有機ＥＬ素子Ｄ１の輝度とを測定し、当該測定結果に基づき電圧変化量ΔＶ及び輝度劣化量ΔＬを算出している。なお、以降では、説明をよりわかりやすくするために、有機ＥＬ素子Ｄ１を駆動した環境を「駆動環境」と記載し、有機ＥＬ素子Ｄ１に印可されるアノード電圧と、当該有機ＥＬ素子Ｄ１の輝度とを測定する環境を「測定環境」と記載する場合がある。
【００５２】
ここで、図７に示した、２５℃、４０℃、及び６０℃の駆動環境それぞれで駆動した各有機ＥＬ素子Ｄ１のΔV−ΔL特性のグラフを、電圧変化量ΔＶが一定の条件のもとで比較すると、温度が高いほど輝度劣化率ΔＬが高くなっていることがわかる。このことから、表示装置において、表示パターンに応じた画素間における有機ＥＬ素子Ｄ１の輝度のばらつきに伴う局所的な温度変化によって、画素ごとに有機ＥＬ素子Ｄ１の劣化の度合いにばらつきが生じることが予想される。
【００５３】
また、一般的には、表示装置は、表示させる画像が逐次切り替わるため、ある画素に着目した場合においても、有機ＥＬ素子Ｄ１の輝度が表示される画像に応じて逐次変化する。そのため、当該有機ＥＬ素子Ｄ１の発光状態の変化に応じて、周囲の温度が、例えば、２５℃〜６０℃の間で流動的に変動する。このような状況下では、電圧変化量ΔＶに基づき輝度劣化量ΔＬを算出する場合に、時系列に沿った画素ごとの局所的な温度変化を無視することが困難となる。即ち、画素ごとに温度変化の履歴を記録し、当該履歴に基づき輝度劣化量ΔＬを算出したうえで、当該輝度劣化量ΔＬを補償するための補償値を算出する必要があるため、アルゴリズムが複雑化する傾向にある。
【００５４】
次に、図８を参照して、有機ＥＬ素子Ｄ１の温度変化に応じたΔＶ−ΔＬ特性について説明する。図８は、有機ＥＬ素子Ｄ１を、２５℃、４０℃、及び６０℃の各駆動環境下において、有機ＥＬ素子Ｄ１を定電流Ｉ＝Ｉｏで駆動させた場合における、ΔＶ−ΔＬ特性の測定結果を示している。なお、図８に示すグラフの縦軸及び横軸は、図７に示すグラフの縦軸及び横軸と同様である。また、図８に示す例では、２５℃、４０℃、及び６０℃の駆動環境下において駆動させた各有機ＥＬ素子Ｄ１について、一定の温度の測定環境下（ここでは、２５℃の測定環境下）において、有機ＥＬ素子Ｄ１に印可されるアノード電圧と、当該有機ＥＬ素子Ｄ１の輝度とを測定している。
【００５５】
図８の各測定結果を参照するとわかるように、２５℃、４０℃、及び６０℃の各駆動環境で駆動した有機ＥＬ素子Ｄ１それぞれのΔＶ−ΔＬ特性が一致している。この結果から、有機ＥＬ素子Ｄ１の駆動環境の温度が変化した場合においても、所定の温度の測定環境下においては、電圧変化量ΔＶと輝度劣化量ΔＬとは一定の関係を示す（即ち、一定のΔＶ−ΔＬ特性を示す）ことがわかる。
【００５６】
次に、図９を参照して、所定の温度の駆動環境下において、有機ＥＬ素子Ｄ１を、互いに異なる電流量で駆動させた場合（即ち、互いに異なる輝度で発光させた場合）の各有機ＥＬ素子Ｄ１のΔＶ−ΔＬ特性について説明する。図９は、所定の温度Ｔ＝Ｔｏ環境下において、有機ＥＬ素子Ｄ１を、定電流Ｉ＝Ｉｏで駆動させた場合と、Ｉ＝Ｉｏ／４で駆動させた場合とにおける、ΔＶ−ΔＬ特性の測定結果を示している。なお、図９に示すグラフの縦軸及び横軸は、図７に示すグラフの縦軸及び横軸と同様である。
【００５７】
図９を参照するとわかるように、一定の温度環境下では、駆動電流の電流量が異なる場合（即ち、異なる輝度で発光させた場合）においても、電圧変化量ΔＶと輝度劣化量ΔＬとは一定の関係を示す（即ち、一定のΔＶ−ΔＬ特性を示す）ことがわかる。
【００５８】
以上、図７〜図９を参照して説明したように、有機ＥＬ素子Ｄ１を電流駆動する場合には、一定の温度（Ｔ＝Ｔｏ）の測定環境下であれば、電圧変化量ΔＶと輝度劣化量ΔＬとは、駆動環境の温度が変化や、駆動電流の変化に依存せずに一定の関係を示すこととなる。本実施形態に係る表示装置は、上記に説明したような有機ＥＬ素子Ｄ１のΔＶ−ΔＬ特性を利用することで、所謂イメージ・スティッキング（焼き付き）を補償する。そこで、以降では、本実施形態に係る表示装置における、イメージ・スティッキング（焼き付き）補償の原理について説明する。
【００５９】
［１．４．イメージ・スティッキング補償の原理］
図１０〜図１２を参照して、本実施形態に係る表示装置における、イメージ・スティッキング（焼き付き）補償の原理について説明する。図１０〜図１２は、本実施形態に係る表示装置における、イメージ・スティッキング（焼き付き）補償の原理について説明するための説明図である。
【００６０】
例えば、図１０は、本実施形態に係る有機ＥＬ素子Ｄ１の、アノード電圧Ｖと、アノード−カソード間電流Ｉと、輝度Ｌとの間の関係（即ち、Ｖ−Ｉ−Ｌ特性）の一例を模式化して示している。なお、図１０は、図５に示したＶ−Ｉ特性と、図６に示したＩ−Ｌ特性とを、アノード−カソード間電流Ｉを共通軸として一図にまとめたものである。
【００６１】
図１０において、縦軸は、アノード−カソード間電流Ｉを示している。また、横軸のうち、アノード−カソード間電流Ｉを示す縦軸を基準として右側は、アノード電圧Ｖを示している。また、横軸のうち、アノード−カソード間電流Ｉを示す縦軸を基準として左側は、輝度Ｌを示している。また、図１０に示す例では、初期状態と、ｔ１時間経過後との双方について、Ｖ−Ｉ特性を示すグラフと、Ｉ−Ｌ特性を示すグラフとが提示されている。なお、図１０におけるＩａ及びＶａは、図５及び図６に示したＩａ及びＶａと同様である。
【００６２】
図１０において、アノード電圧をＶａとして、有機ＥＬ素子Ｄ１のＶ−Ｉ特性に着目した場合には、ｔ１時間経過後の当該有機ＥＬ素子Ｄ１のＶ−Ｉ特性は、初期状態のＶ−Ｉ特性からΔＩだけ低電流側にシフトする（即ち、アノード電流ＩがΔＩだけ低下する）。このとき、ｔ１時間経過後の有機ＥＬ素子Ｄ１の輝度Ｌは、初期状態における輝度Ｌ０から、ΔＬ１だけ変化して輝度Ｌ１となっている。即ち、ｔ１時間経過後の有機ＥＬ素子Ｄ１のＩ−Ｌ特性は、初期状態のＩ−Ｌ特性に比べて低輝度側にシフトしている。なお、初期状態を基準とした場合における電流量の変化ΔＩと、輝度の劣化量ΔＬ１（即ち、ｔ１時間の経過に伴う輝度の変化量）とは、時間の経過に伴い大きくなる傾向にある。
【００６３】
ここで、ｔ１時間経過後の時点において、有機ＥＬ素子Ｄ１を初期状態と同様に輝度Ｌ０で発光させるためには、ｔ１時間経過後のＩ−Ｌ特性に基づき、有機ＥＬ素子Ｄ１に対して駆動電流Ｉｃ（即ち、アノード−カソード間電流Ｉｃ）を供給する必要があることがわかる。なお、ｔ１時間経過後の時点において、有機ＥＬ素子Ｄ１にアノード−カソード間電流Ｉｃを供給した場合における、アノード電圧はＶｃとなる。即ち、初期状態における駆動電流Ｉａと、ｔ１時間経過後における駆動電流Ｉｃとの間の差ΔＩｃが、イメージ・スティッキング補償のために必要な電流量となる。
【００６４】
ここで、図１１を参照して、駆動環境の温度に応じた、電圧変化量ΔＶと輝度劣化量ΔＬとの関係について説明する。図１１は、図８に示したΔＶ−ΔＬ特性、即ち、互いに異なる温度の駆動環境下で駆動させた各有機ＥＬ素子Ｄ１について、一定の温度の測定環境下で測定された、電圧変化量ΔＶと輝度劣化量ΔＬとの関係を模式的に示している。なお、図１１に示すグラフの縦軸は、電圧変化量ΔＶを示している。また、図１１に示すグラフの横軸は、初期状態における有機ＥＬ素子Ｄ１の輝度を１００％とした場合における、劣化後の輝度の相対値を、輝度劣化量ΔＬとして示している。また、図１１は、駆動環境の温度を、Ｔ＝Ｔ１、Ｔ＝Ｔ２、及びＴ＝Ｔ３（Ｔ３＞Ｔ２＞Ｔ１）のそれぞれに設定し、各駆動環境において駆動させた有機ＥＬ素子Ｄ１それぞれについて、所定の温度Ｔ＝Ｔｏの測定環境下で測定されたΔＶ−ΔＬ特性の一例を示している。
【００６５】
図１１に示すように、輝度劣化量ΔＬは、電圧変化量ΔＶに比例して増大する。また、前述したように、一定の温度の測定環境下で測定が行われた場合には、電圧変化量ΔＶと輝度劣化量ΔＬとは、駆動環境の温度変化（即ち、有機ＥＬ素子Ｄ１駆動時の温度変化）に依存せずに、一定の関係を示す（即ち、一定のΔＶ−ΔＬ特性を示す）。
【００６６】
次に、図１２を参照して、所定の温度の駆動環境下における駆動電流に応じた、電圧変化量ΔＶと輝度劣化量ΔＬとの関係について説明する。図１２は、図９に示したΔＶ−ΔＬ特性、即ち、所定の温度の駆動環境下において、互いに異なる駆動電流により駆動させた各有機ＥＬ素子Ｄ１について、一定の温度の測定環境下で測定された、電圧変化量ΔＶと輝度劣化量ΔＬとの関係を模式的に示している。なお、図１２の縦軸及び横軸は、図１１の縦軸及び横軸と同様である。また、図１２は、輝度Ｌ＝１００％、Ｌ＝５０％、及びＬ＝２０％のそれぞれで発光させた各有機ＥＬ素子Ｄ１それぞれのΔＶ−ΔＬ特性の一例を示している。
【００６７】
図１２からもわかるように、輝度劣化量ΔＬは、電圧変化量ΔＶに比例して増大する。また、前述したように、有機ＥＬ素子Ｄ１の発光輝度（即ち、駆動電流の電流量）を変化さえた場合においても、電圧変化量ΔＶと輝度劣化量ΔＬとは、発光輝度の変化に依存せずに、一定の関係を示す（即ち、一定のΔＶ−ΔＬ特性を示す）。
【００６８】
以上の結果に基づき、電圧変化量ΔＶと輝度劣化量ΔＬとの関係（即ち、ΔＶ−ΔＬ特性）を関数化すると、当該関数は、以下に示す（式１）で表すことができる。
【００６９】
【数３】
2016090940.tif 000005
【００７０】
なお、上記に示した（式１）において、係数Ａ及びｂは、有機ＥＬ材料や素子構造に応じて決定される定数である。また、係数Ｃは、初期状態の輝度Ｌに基づき決定される定数であり、初期状態における輝度Ｌを１００％とした場合には、Ｃ＝１００として規定すればよい。
【００７１】
また、有機ＥＬ材料や素子構造に応じて係数Ａ及びｂの値が変化するものの、（式１）で示した関係式は、有機ＥＬ材料や素子構造が変化しても変わらないことが、検証によりわかっている。
【００７２】
ここで、有機ＥＬ素子Ｄ１を適用した画素をマトリクス状に配置してなる表示装置に着目した場合に、当該表示装置では、表示される画像に応じて、各画素の有機ＥＬ素子Ｄ１に供給される駆動電流が変化する。有機ＥＬ素子Ｄ１を時間駆動した場合に、当該有機ＥＬ素子Ｄ１に蓄積されるストレス量は、供給される駆動電流の電流量（即ち、発光輝度）と時間との積に比例する。また、前述したように、有機ＥＬ素子Ｄ１に蓄積されるストレス量は、当該有機ＥＬ素子Ｄ１を駆動する環境の温度に応じても変化する。そのため、このような時間の経過に伴う発光輝度の変化や、駆動環境の温度変化を考慮して、有機ＥＬ素子Ｄ１に対してどれだけのストレスが蓄積されてきたかを判断すること困難であった。
【００７３】
これに対して、図１１及び図１２に示した有機ＥＬ素子Ｄ１のΔＶ−ΔＬ特性を利用することで、有機ＥＬ素子Ｄ１の発光輝度の変化や、駆動環境の温度変化に伴うストレス量の変化に依存せずに、電圧化量ΔＶと輝度劣化量ΔＬとが（式１）で示された関数により表現される。即ち、図１１及び図１２に示した有機ＥＬ素子Ｄ１のΔＶ−ΔＬ特性を利用することで、画素ごとに印可される階調データの違いや、当該階調データが印可された時間、駆動環境の温度変化等を考慮せずに、画素ごとの劣化量を算出できる（即ち、劣化補償を行うことが可能である）ことを意味している。
【００７４】
ここで、図１０に示した駆動電流Ｉａは、初期状態において、図１に示した画素回路に対してアノード電圧Ｖｏｌｅｄを測定するための検査電流に相当し、発光輝度Ｌを得るための駆動電流と等価である。即ち、画素ごとに印可される階調データや駆動環境の温度が変化した場合においても、ΔＶ−ΔＬ特性が変化しないという結果に基づくことで、所定の駆動電流Ｉａ（即ち、検査電流）に基づき、所定の温度Ｔの測定環境下において電圧変化量ΔＶを測定することで、すべての階調の劣化状態を把握することが可能となる。このような構成により、本実施形態に係る表示装置は、有機ＥＬ素子Ｄ１の輝度劣化を補償するための補償アルゴリズムを簡素化することが可能となり、ひいては、当該補償アルゴリズムを実現するための回路規模を大幅に削減することも可能となる。
【００７５】
［１．５．補償電流の算出方法］
次に、図１０を参照して、有機ＥＬ素子Ｄ１の輝度劣化を補償するための補償電流ΔＩｃの算出方法について説明する。まず、初期状態において所定の検査電流Ｉｓ（例えば、駆動電流Ｉａ）を、表示装置を構成する画素ごとに有機ＥＬ素子Ｄ１に供給し、所定の温度の環境下において、当該有機ＥＬ素子Ｄ１に印可されるアノード電圧Ｖａを画素ごと（即ち、有機ＥＬ素子Ｄ１ごと）に測定して、その測定結果を取得しておく。また、そのときの各有機ＥＬ素子Ｄ１の輝度Ｌ０を測定する。なお、初期状態におけるこれらの情報の測定は、例えば、表示装置の工場出荷時に実施し、測定結果を当該表示装置内の所定の記憶領域に記憶させておけばよい。
【００７６】
そして、本実施形態に係る表示装置は、所定のタイミングごとに、前述した所定の温度の環境下となった場合に、当該表示装置を構成する各画素について、検査電流Ｉｓ（例えば、駆動電流Ｉａ）を有機ＥＬ素子Ｄ１に供給し、当該有機ＥＬ素子Ｄ１に印可されるアノード電圧Ｖｂを測定する。ここでは、説明をわかりやすくするために、ｔ１時間経過後に測定されたアノード電圧をＶｂとする。そして、表示装置は、このようにして測定されたアノード電圧Ｖｂと、あらかじめ測定された初期状態に対応するアノード電圧Ｖａとに基づき、電圧変化量ΔＶを算出する。
【００７７】
次いで、本実施形態に係る表示装置は、前述した（式１）と、算出した電圧変化量ΔＶとに基づき、輝度劣化量ΔＬを算出する。なお、（式１）における係数Ａ、ｂについては、有機ＥＬ素子Ｄ１に使用されている有機ＥＬ材料や素子構造に応じて、事前の実験等により測定された当該有機ＥＬ素子Ｄ１のΔＶ−ΔＬ特性に基づき算出し、表示装置内の記憶領域にあらかじめ記憶させておけばよい。同様に、係数Ｃについても、初期状態の輝度Ｌ０に基づき決定して、表示装置内の記憶領域にあらかじめ記憶させておけばよい。
【００７８】
以上のようにして、本実施形態に係る表示装置は、当該表示装置を構成する画素それぞれについて、所定の温度の環境下におけるアノード電圧Ｖｂの測定結果に基づき算出された電圧変化量ΔＶに応じて、輝度劣化量ΔＬを算出することが可能となる。
【００７９】
画素ごとに輝度劣化量ΔＬを算出したら、表示装置は、当該輝度劣化量ΔＬに基づき、補償電流ΔＩｃを画素ごとに算出する。図１０に示すＶ−Ｉ−Ｌ特性において、初期状態と同様の輝度Ｌ０を得るために必要な駆動電流をＩｃとすると、初期状態における駆動電流Ｉａと、当該駆動電流Ｉｃとの差が、補償電流ΔＩｃに相当する。
【００８０】
即ち、様々なパターンを点灯させることで劣化した有機ＥＬ素子Ｄ１は、駆動電流Ｉｃで駆動させることで、劣化していない有機ＥＬ素子Ｄ１（例えば、ほとんど点灯していない画素）を駆動電流Ｉａで駆動させた場合と原理的に同等の輝度Ｌ０で発光させることが可能となる。なお、有機ＥＬ素子Ｄ１を駆動電流Ｉｃで駆動した場合の駆動電圧（即ち、アノード電圧）はＶｃとなる。
【００８１】
ここで、図１０を参照するとわかるように、有機ＥＬ素子Ｄ１のＩ−Ｌ特性は一次関数（即ち、直線）として表現される。このことから、例えば、図６において、ｔ１時間経過後のＩ−Ｌ特性は、ｔ１時間経過後に駆動電流Ｉａで有機ＥＬ素子Ｄ１を駆動させた場合の輝度Ｌ２がＬ２＝Ｌ０・ΔＬ２で示されることから、以下に示す（式３）で表される。
【００８２】
【数４】
2016090940.tif 000006
【００８３】
そのため、ｔ１時間経過後のＩ−Ｌ特性において、有機ＥＬ素子Ｄ１の輝度がＬ０となるための条件は、以下に示す（式４）で表される。
【００８４】
【数５】
2016090940.tif 000007
【００８５】
上記に示す（式３）から、初期状態と同様の輝度Ｌ０を得るために必要な駆動電流Ｉｃは、以下に示す（式４）で表される。
【００８６】
【数６】
2016090940.tif 000008
【００８７】
そのため、補償電流ΔＩｃは、以下に示す（式５）で表される。
【００８８】
【数７】
2016090940.tif 000009
【００８９】
なお、上記に示した（式５）において、初期状態における駆動電流Ｉａは、各状態におけるアノード電圧Ｖａ及びＶｂを測定するために、有機ＥＬ素子Ｄ１に供給される検査電流Ｉｓに相当するため、既知である。そのため、補償後の駆動電流Ｉｃは、算出した補償電流ΔＩｃと、既知である初期状態における駆動電流Ｉａ（即ち、検査電流Ｉｓ）とに基づき、以下に（式７）として示された計算式で表される。
【００９０】
【数８】
2016090940.tif 000010
【００９１】
このような特性を利用して、表示装置は、補償後の駆動電流Ｉｃが、有機ＥＬ素子Ｄ１に供給されるように、駆動トランジスタＭ２を駆動させる。具体的には、表示装置は、図２を参照して前述した駆動トランジスタＭ２のＩｄ−Ｖｄ特性に応じて、駆動電流Ｉｃから、当該駆動トランジスタＭ２を駆動するためのデータ電圧Ｖｄａｔａを逆算すればよい。
【００９２】
例えば、図１３は、図１に示す画素回路構成を用いた場合のガンマ特性の一例を示した図である。縦軸は、トランジスタＭ２のソース端子ｓとドレイン端子ｄとの間を流れて、有機ＥＬ素子に供給される電流Ｉｏｌｅｄの電流量を示している。また、横軸は、トランジスタＭ２のゲート端子ｇに印可されるデータ電圧Ｖｄａｔａを示している。即ち、表示装置は、図１１に示すガンマ特性に基づき、算出した補償後の駆動電流Ｉｃに応じて、データ電圧Ｖｄａｔａを補償するための補償電圧Δｄａｔａを算出し、当該補償電圧Δｄａｔａにより当該データ電圧Ｖｄａｔａを調整（補正）すればよい。
【００９３】
以上、図１〜図１３を参照して、本実施形態に係る表示装置が、画素ごとに発光素子（即ち、有機ＥＬ素子Ｄ１）の劣化量を算出し、算出された劣化量に基づき当該発光素子の発光量を補償（補正）する処理の原理について説明した。
【００９４】
＜２．表示装置＞
［２．１．表示装置の構成］
次に、本実施形態に係る表示装置の構成の一例として、有機ＥＬ素子Ｄ１を含む画素がマトリクス（Matrix）状に配置された表示装置の一例について説明する。例えば、図１４は、本実施形態に係る表示装置の概略的な構成の一例について説明するための説明図である。
【００９５】
図１４に示すように、本実施形態に係る表示装置１００は、表示部１０２と、第１スキャンドライバ１２１と、第２スキャンドライバ１２３と、データドライバ１３０と、センシングドライバ１４０と、記憶部１５０と、補償データ演算部１６０と、補償データ加算部１７０とを含む。
【００９６】
表示部１０２は、複数の画素回路１１０を有し、データ信号に対応する画像を表示画面に表示させる。画素回路１１０それぞれは、互いに直交する方向に複数配置された走査線１１２、走査線１１３、及び制御信号線１１４と、データ線１１５との交差箇所それぞれに対応して配置される。即ち、走査線１１２、走査線１１３、及び制御信号線１１４とが複数配された方向を行方向（Ｙ方向）とし、データ線１１５が複数配された方向を列方向（Ｘ方向）として、複数の画素回路１１０が、マトリクス（Matrix）状に配置される。なお、本説明では、表示部１０２は、画素回路１１０が、Ｘ方向にＭ列、Ｙ方向にＮ行のマトリクス（Matrix）状に配置されて構成されているものとして説明する。
【００９７】
また、表示部１０２には、図示しない上位の制御回路から、電源電圧ＥＬＶＤＤと電源電圧ＥＬＶＳＳとがそれぞれ供給される。電源電圧ＥＬＶＤＤと電源電圧ＥＬＶＳＳとは、例えば、画素回路１１０が有する発光素子を発光させるための電流を供給する信号である。
【００９８】
第１スキャンドライバ１２１には、Ｙ方向に複数配された走査線１１２が接続されている。第１スキャンドライバ１２１は、行ごとに配された走査線１１２を介して、当該行に対応する各画素回路１１０にＳｃａｎ信号を供給する。また、第２スキャンドライバ１２３には、Ｙ方向に複数配された走査線１１３及び制御信号線１１４が接続されている。第２スキャンドライバ１２３は、行ごとに配された走査線１１３を介して、当該行に対応する各画素回路１１０にＳｅｎｓｅ信号を供給する。また、第２スキャンドライバ１２３は、行ごとに配された制御信号線１１４を介して、当該行に対応する各画素回路１１０にＥｎ信号を供給する。なお、Ｓｃａｎ信号、Ｓｅｎｓｅ信号、及びＥｎ信号の詳細については別途後述する。
【００９９】
データドライバ１３０及びセンシングドライバ１４０には、Ｘ方向に複数配されたデータ線１１５が接続されている。データドライバ１３０及びセンシングドライバ１４０のそれぞれは、列ごとに配されたデータ線１１５を介して、当該列に対応する各画素回路１１０にＤａｔａ信号を供給する。なお、データドライバ１３０及びセンシングドライバ１４０のそれぞれから供給されるＤａｔａ信号の詳細については別途後述する。
【０１００】
ここで、図１５を参照して、画素回路１１０、データドライバ１３０、及びセンシングドライバ１４０の構成の一例について詳しく説明する。図１５は、画素回路１１０、データドライバ１３０、及びセンシングドライバ１４０の構成の一例について説明するための説明図であり、図１に示した画素回路を周辺の回路も含めてより具体的に示している。
【０１０１】
図１５に示すように、画素回路１１０は、有機ＥＬ素子Ｄ１と、駆動トランジスタＭ２と、スイッチングトランジスタＭ１、Ｍ３、及びＭ４と、保持容量Ｃｓｔとを含む。なお、有機ＥＬ素子Ｄ１及び駆動トランジスタＭ２については、図１を参照して前述したため、詳細な説明は省略する。
【０１０２】
スイッチングトランジスタＭ１は、ソース端子がデータ線１１５に接続され、ドレイン端子が駆動トランジスタＭ２のゲート端子ｇに接続されており、走査線１１２を介してゲート端子に伝達されるＳｃａｎ信号に応じて、オンまたはオフする。
【０１０３】
保持容量Ｃｓｔは、駆動トランジスタＭ２のゲート端子ｇに一方の端子が接続され、他方の端子が電源電圧ＥＬＶＤＤに接続されており、駆動トランジスタＭ２のゲート端子ｇの電位を保持する。
【０１０４】
データドライバ１３０は入力された画像データ（デジタルデータ）をアナログ電圧信号に変換し、変換後のアナログ電圧信号を、制御スイッチｓｗ１を介して、データ線１１５に供給する。
【０１０５】
即ち、制御スイッチｓｗ１及びスイッチングトランジスタＭ１がオン状態となることで、データドライバ１３０から、データ線１１５を介して駆動トランジスタＭ２のゲート端子ｇに、画像データに基づくアナログ電圧信号が伝達される。次いで、スイッチングトランジスタＭ１がオフ状態となることで、データ線１１５を介して伝達されたアナログ電圧信号が保持容量Ｃｓｔに保持される。
【０１０６】
スイッチングトランジスタＭ４は、ソース端子が駆動トランジスタＭ２のドレイン端子ｄに接続され、ドレイン端子が有機ＥＬ素子Ｄ１のアノード端子に接続されており、制御信号線１１４を介してゲート端子に伝達される制御信号Ｅｎに応じて、オンまたはオフする。
【０１０７】
即ち、スイッチングトランジスタＭ４がオン状態となると、データ線１１５から伝達されて保持容量Ｃｓｔに保持されたアナログ電圧信号に応じて駆動トランジスタＭ２が選択的にオン状態となる。これにより、保持容量Ｃｓｔに保持されたアナログ電圧信号に応じた駆動電流Ｉｏｌｅｄが、有機ＥＬ素子Ｄ１に供給され、当該有機ＥＬ素子Ｄ１の発光状態が制御される。
【０１０８】
また、スイッチングトランジスタＭ３は、ソース端子がデータ線１１５に接続され、ドレイン端子が有機ＥＬ素子Ｄ１のアノード端子に接続されており、走査線１１３を介してゲート端子に伝達されるＳｅｎｓｅ信号に応じて、オンまたはオフする。
【０１０９】
センシングドライバ１４０は、検査電流Ｉｓを供給するための電流源と、制御スイッチｓｗ２と、測定部１４１と、ＡＤＣ（AD  Converter）１４３とを含む。センシングドライバ１４０は、検査電流Ｉｓを、制御スイッチｓｗ１を介して、データ線１１５に供給する。なお、センシングドライバ１４０により供給される検査電流Ｉｓは、例えば、図１０に示す例において、初期状態で有機ＥＬ素子Ｄ１に供給される駆動電流Ｉａに相当する。
【０１１０】
即ち、制御スイッチｓｗ２及びスイッチングトランジスタＭ３がオン状態となることで、センシングドライバ１４０から、データ線１１５を介して有機ＥＬ素子Ｄ１のアノード端子に検査電流Ｉｓが供給される。また、このとき、センシングドライバ１４０の測定部１４１は、検査電流Ｉｓの供給に伴い、データ線１１５を介して有機ＥＬ素子Ｄ１のアノード端子に印可される電圧Ｖｓを測定し、測定結果をＡＤＣ１４３出力する。なお、このとき測定される電圧Ｖｓは、例えば、図１０に示す例において、初期状態では有機ＥＬ素子Ｄ１を印可される電圧Ｖａに相当し、ｔ１時間経過後においては、電圧Ｖｂに相当する。
【０１１１】
なお、前述したように、検査電流Ｉｓの供給に伴い有機ＥＬ素子Ｄ１に印可されるアノード電圧Ｖｓの測定は、所定の温度Ｔ＝Ｔｏの環境下において実行される必要がある。そのため、例えば、センシングドライバ１４０は、表示装置１００の起動直後や、スリープ時（もしくは、スリープからの復帰直後）、もしくは、一定時間以上黒表示が継続した直後のように、各有機ＥＬ素子Ｄ１の周辺温度が安定している状況下において、アノード電圧Ｖｓの測定を実行するとよい。
【０１１２】
また、他の一例として、センシングドライバ１４０は、各有機ＥＬ素子Ｄ１の周辺温度をセンシングし、当該センシングの結果に基づき、当該有機ＥＬ素子Ｄ１の周辺温度が所定の温度となった場合に、アノード電圧Ｖｓの測定を実行してもよい。この場合には、例えば、近傍に位置する画素間では急激な温度差が生じることは少ないため、当該温度変化が無視できる範囲で、複数の画素を含むブロックごとに、当該ブロック中の温度を測定する温度センサを設ければよい。もちろん、画素ごとに温度センサを設けてもよいことは言うまでもない。
【０１１３】
ＡＤＣ１４３は、測定部１４１から取得した電圧Ｖｓの測定結果をＡＤ変換し、デジタル変換された電圧Ｖｓの測定結果（以降では、「アノード電圧測定データＤｖａ」と記載する場合がある）を、Ｓｅｎｓｅ  ｏｕｔ端子を介して出力する。
【０１１４】
なお、センシングドライバ１４０は、１回の走査ごとにＭ列分のデータ線１１５それぞれについて、画素回路１１０のアノード電圧測定データＤｖａを取得することが可能である。即ち、センシングドライバ１４０は、１回の走査で１列目からＭ列目までのＭ個の画素回路１１０について、のアノード電圧測定データＤｖａを取得し、Ｓｅｎｓｅ  ｏｕｔ端子から出力することが可能である。なお、以降では、１列目からＭ列目までのＭ個の画素回路１１０について取得されたアノード電圧測定データＤｖａを、「アノード電圧測定データＤｖａ［１：Ｍ］」と記載する場合がある。
【０１１５】
ここで、図１４を改めて参照する。センシングドライバ１４０は、画素回路１１０ごとに、有機ＥＬ素子Ｄ１に対して検査電流Ｉｓを供給し、当該有機ＥＬ素子Ｄ１のアノード端子に印可される電圧Ｖｓを測定して、当該測定結果を記憶部１５０に記憶させる。記憶部１５０は、有機ＥＬ素子Ｄ１のアノード端子に印可される電圧Ｖｓの測定結果を画素回路１１０ごとに記憶するための記憶部である。なお、前述した初期状態における、画素回路１１０ごとの、有機ＥＬ素子Ｄ１のアノード端子に印可される電圧Ｖｓについても、当該記憶部１５０に記憶させておけばよい。
【０１１６】
補償データ演算部１６０は、記憶部１５０に画素回路１１０ごとに記憶された、初期状態における電圧Ｖｓの測定結果と、所定のタイミングごとに測定された電圧Ｖｓの測定結果とに基づき、電圧変化量ΔＶを算出する。そして、補償データ演算部１６０は、算出した電圧変化量ΔＶと、（式１）として前述した関数とに基づき輝度劣化量ΔＬを算出し、当該輝度劣化量ΔＬに基づき補償データ（即ち、補償電圧Δｄａｔａ）を算出する。なお、補償電圧Δｄａｔａの算出方法については、前述した通りのため詳細な説明は省略する。
【０１１７】
補償データ演算部１６０は、画素回路１１０ごとに算出した補償データを補償データ加算部１７０に出力する。
【０１１８】
補償データ加算部１７０は、入力画像データを外部から取得する。また、補償データ加算部１７０は、補償データ演算部１６０から、画素回路１１０ごとに補償データ取得し、取得した画素回路１１０ごとの補償データに基づき、入力画像データを補償して補償画像データを生成する。そして、補償データ加算部１７０は、生成した補償画像データをデータドライバ１３０に出力する。即ち、データドライバ１３０は、補償データ加算部１７０から出力される補償画像データに基づき、各画素回路１１０を駆動することとなる。これにより、画素回路１１０ごとの輝度劣化が補償され、イメージ・スティッキング（焼き付き）現象の発生が抑制されることとなる。
【０１１９】
以上、図１４及び図１５を参照して、本実施形態に係る表示装置１００の構成の一例として、有機ＥＬ素子Ｄ１を含む画素がマトリクス（Matrix）状に配置された表示装置の一例について説明した。なお、図１４に示す例では、第１スキャンドライバ１２１と第２スキャンドライバ１２３とを別々に設ける例について説明したが、必ずしも同構成に限定されるものではない。具体的な一例として、第１スキャンドライバ１２１と第２スキャンドライバ１２３とを一体的に設ける構成としてもよい。また、他の一例として、ｘ方向のいずれか一方側に、第１スキャンドライバ１２１と第２スキャンドライバ１２３とを設ける構成としてもよい。また、第１スキャンドライバ１２１及び第２スキャンドライバ１２３を複数系統設け、系統ごとに、各画素回路１１０へのＳｃａｎ信号、Ｓｅｎｓｅ信号、及びＥｎ信号の供給を、例えば、行単位で分担して処理する構成としてもよい。
【０１２０】
［２．２．表示装置の駆動タイミング］
次に、図１６を参照して、本実施形態に係る表示装置１００の駆動タイミングの一例について説明する。図１６は、本実施形態に係る表示装置１００の駆動タイミングの一例について説明するための説明図である。
【０１２１】
図１６に示すように、本実施形態に係る表示装置１００は、各フレームを、表示期間と検出期間とに時分割で分けて管理している。なお、図１６に示す例では、各画素回路１１０が、Ｐチャネル型のトランジスタにより構成されており、ゲート信号がＬレベルのときにオン状態に制御されるものとして説明する。また、制御スイッチｓｗ１及びｓｗ２については、供給される制御信号がＨレベルのときにオン状態に制御されるものとして説明する。なお、上記に示した制御はあくまで一例であり、必ずしも上記に示した制御例には限定されない。具体的な一例として、各画素回路１１０が、Ｎチャネル型のトランジスタにより構成されており、ゲート信号がＨレベルのときにオン状態に制御されてもよい。また、制御スイッチｓｗ１及びｓｗ２として、供給される制御信号がＬレベルのときにオン状態に制御されるものを用いてもよい。
【０１２２】
まず、表示期間に着目して説明する。表示期間では、データドライバ１３０の制御スイッチｓｗ１がオン状態に制御され、センシングドライバ１４０の制御スイッチｓｗ２がオフ状態に制御される。即ち、表示期間では、データ線１１５には、データドライバ１３０から画像データ（即ち、データ電圧Ｖｄａｔａ）が供給されることとなる。
【０１２３】
また、表示期間では、第１スキャンドライバ１２１は、行ごとに各走査線１１２を順次選択し（即ち、順次走査し）、選択した走査線１１２を介して、当該走査線１１２に接続された各画素回路１１０にＳｃａｎ信号を供給する。なお、Ｓｃａｎ信号Ｓｃａｎ１は、１行目の走査線１１２に供給されるＳｃａｎ信号を示している。同様にして、Ｓｃａｎ信号ＳｃａｎＮは、Ｎ行目の走査線１１２に供給されるＳｃａｎ信号を示している。
【０１２４】
また、表示期間では、第２スキャンドライバ１２３は、行ごとの各制御信号線１１４に供給されるＥｎ信号をＬレベルに制御する。なお、制御信号Ｅｎ１は、１行目の制御信号線１１４に供給されるＥｎ信号を示している。同様にして、制御信号ＥｎＮは、Ｎ行目の制御信号線１１４に供給されるＥｎ信号を示している。
【０１２５】
画素回路１１０にＳｃａｎ信号が供給されると、図１５に示す画素回路１１０中のスイッチングトランジスタＭ１がオン状態となり、当該画素回路１１０の駆動トランジスタＭ２が、データ線１１５を介して供給されるデータ電圧Ｖｄａｔａでバイアスされる。このとき、第２スキャンドライバ１２３から供給されるＬレベルのＥｎ信号に基づき、スイッチングトランジスタＭ４がオン状態に制御される。そのため、駆動トランジスタＭ２をバイアスするデータ電圧Ｖｄａｔａに応じた駆動電流Ｉｏｌｅｄが、駆動トランジスタＭ２及びスイッチングトランジスタＭ４を介して、有機ＥＬ素子Ｄ１に供給される。これにより、有機ＥＬ素子Ｄ１は、供給された当該駆動電流Ｉｏｌｅｄに応じた発光輝度で発光する。
【０１２６】
次に、検出期間に着目して説明する。検出期間では、データドライバ１３０の制御スイッチｓｗ１がオフ状態に制御され、センシングドライバ１４０の制御スイッチｓｗ２がオン状態に制御される。即ち、検出期間では、データ線１１５には、センシングドライバ１４０から検査電圧Ｖｓを印可するための電圧信号が供給されることとなる。
【０１２７】
また、検出期間では、第２スキャンドライバ１２３は、行ごとに各走査線１１３を順次選択し（即ち、順次走査し）、選択した走査線１１３を介して、当該走査線１１３に接続された各画素回路１１０にＳｅｎｓｅ信号を供給する。なお、Ｓｅｎｓｅ信号Ｓｅｎｓｅ１は、１行目の走査線１１３に供給されるＳｅｎｓｅ信号を示している。同様にして、Ｓｅｎｓｅ信号ＳｅｎｓｅＮは、Ｎ行目の走査線１１３に供給されるＳｅｎｓｅ信号を示している。
【０１２８】
また、検出期間では、第２スキャンドライバ１２３は、行ごとの各制御信号線１１４に供給されるＥｎ信号をＨレベルに制御する。
【０１２９】
画素回路１１０にＳｅｎｓｅ信号が供給されると、図１５に示す画素回路１１０中のスイッチングトランジスタＭ３がオン状態となる。これにより、有機ＥＬ素子Ｄ１のアノード端子に、検査電圧Ｖｓが、制御スイッチｓｗ２、スイッチングトランジスタＭ３を介して印可され、当該有機ＥＬ素子Ｄ１にアノード電流Ｉｓが供給される。
【０１３０】
また、このとき、センシングドライバ１４０の測定部１４１は、検査電流Ｉｓの供給に伴い、データ線１１５を介して有機ＥＬ素子Ｄ１のアノード端子に印可されるアノード電圧Ｖｓを測定し、測定結果をＡＤＣ１４３出力する。ＡＤＣ１４３は、測定部１４１から取得した電圧Ｖｓの測定結果をＡＤ変換し、デジタル変換されたアノード電圧測定データＤｖａ［１：Ｍ］を、Ｓｅｎｓｅ  ｏｕｔ端子を介して出力する。
【０１３１】
なお、図１６では図示を省略しているが、前述したように、検査電流Ｉｓの供給に伴い有機ＥＬ素子Ｄ１に印可されるアノード電圧Ｖｓの測定は、所定の温度Ｔ＝Ｔｏの環境下において実行される必要がある。即ち、センシングドライバ１４０は、例えば、各有機ＥＬ素子Ｄ１の周辺温度が安定している状況下において、アノード電圧Ｖｓの測定を実行すればよい。この場合には、センシングドライバ１４０は、検出期間において、アノード電圧Ｖｓの測定を実行可能な条件を満たしているか否かを判定し、判定結果に応じて当該アノード電圧Ｖｓの測定を実行すればよい。
【０１３２】
また、他の一例として、センシングドライバ１４０は、各有機ＥＬ素子Ｄ１の周辺温度をセンシングし、当該センシングの結果に応じてアノード電圧Ｖｓの測定を実行してもよい。この場合には、センシングドライバ１４０は、検出期間において、各有機ＥＬ素子Ｄ１の周辺温度のセンシング結果を取得し、取得したセンシング結果に基づき、アノード電圧Ｖｓの測定を実行可能な条件を満たしているか否か（即ち、所定の温度Ｔ＝Ｔｏの環境下か否か）を判定すればよい。
【０１３３】
また、検出期間では、行ごとの各制御信号線１１４に供給されるＥｎ信号がＨレベルに制御されるため、スイッチングトランジスタＭ４は、オフ状態に制御される。そのため、保持容量Ｃｓｔに保持された画像データ（即ち、データ電圧Ｖｄａｔａ）が、検査電流Ｉｓに影響を及ぼすことはない。
【０１３４】
なお、図１６に示す例では、本実施形態に係る表示装置１００の動作をよりわかりやすくするために、１フレーム内でＳｅｎｓｅ信号Ｓｅｎｓｅ１〜ＳｅｎｓｅＮまでの全てを走査する（即ち、全ての行についてアノード電圧測定データＤｖａ［１：Ｍ］を取得する）例について示しているが、必ずしも同制御に限定するものではない。具体的な一例として、フレームごとに異なる行の画素回路１１０についてアノード電圧測定データＤｖａ［１：Ｍ］を取得することで、複数フレームにわたって、全画素回路１１０のアノード電圧測定データＤｖａを取得するように、表示装置１００を動作させてもよい。
【０１３５】
一般的には、アノード電圧Ｖｓの測定時間はより長くなるように設定したほうが、より精度の高い測定結果を得られる。また、画素の劣化（即ち、有機ＥＬ素子の劣化）は、一般的には数フレーム単位で進行するものではない。このことから、数十フレーム〜数百フレームに相当する時間ごとに、全画素回路のアノード電圧測定データＤｖａを取得できればよい。その一方で、アノード電圧測定データＤｖａの取得に際し、有機ＥＬ素子に対して検査電流Ｉｓを供給し当該有機ＥＬ素子を発光させることとなるため、測定時間を長くすると、その分だけ有機ＥＬ素子の劣化を早めることとなり、コントラストの低下等のように画質に影響を及ぼす可能性がある。このことから、画素回路１１０ごとのアノード電圧Ｖｓの測定時間は、当該測定の精度と、当該測定に伴う有機ＥＬ素子の劣化との双方の観点から決定するとよい。
【０１３６】
以上、図１６を参照して、本実施形態に係る表示装置１００の駆動タイミングの一例について説明した。
【０１３７】
［２．３．表示装置の処理の流れ］
次に、図１７を参照して、本実施形態に係る表示装置１００の一連の処理の流れの一例について、特に、当該表示装置１００が補償データを算出し、当該補償データに基づき画像データを補償する動作に着目して説明する。図１７は、本実施形態に係る表示装置１００の一連の処理の流れの一例について示したフローチャートである。
【０１３８】
（ステップＳ１０１）
表示装置１００は、あらかじめ記憶された初期状態における有機ＥＬ素子Ｄ１に印可されるアノード電圧Ｖｓの測定結果（即ち、図１０における電圧Ｖａ）と、初期状態における当該有機ＥＬ素子Ｄ１の輝度Ｌの測定結果（即ち、図１０における輝度Ｌ０）とを、画素回路１１０ごとに取得する。
【０１３９】
（ステップＳ１０３）
また、表示装置１００のセンシングドライバ１４０は、所定のタイミングごとの検査期間において、有機ＥＬ素子Ｄ１の周辺温度が所定の温度となる条件下で、画素回路１１０ごとに、当該有機ＥＬ素子Ｄ１に対して検査電流Ｉｓを供給し、当該有機ＥＬ素子Ｄ１のアノード端子に印可される電圧Ｖｓを測定する。そして、センシングドライバ１４０は、アノード電圧Ｖｓの測定結果を記憶部１５０に記憶させる。なお、図１０に示したｔ１時間経過後の電圧Ｖｂは、このとき測定されるアノード電圧Ｖｓの一例に相当する。
【０１４０】
（ステップＳ１０５）
次いで、表示装置１００の補償データ演算部１６０は、記憶部１５０に画素回路１１０ごとに記憶された、初期状態における電圧Ｖｓの測定結果と、所定のタイミングごとの検査期間において測定された電圧Ｖｓの測定結果とに基づき、電圧変化量ΔＶを算出する。
【０１４１】
（ステップＳ１０７）
電圧変化量ΔＶを算出したら、補償データ演算部１６０は、あらかじめ導出された電圧変化量ΔＶと輝度劣化量ΔＬとの間の関係を示す（式１）と、算出した電圧変化量ΔＶとに基づき、輝度劣化量ΔＬを画素回路１１０ごとに算出する。
【０１４２】
（ステップＳ１０９）
次いで、補償データ演算部１６０は、画素回路１１０ごとに算出した輝度劣化量ΔＬと、当該画素回路１１０に対応する、既知である初期状態におけるアノード電流Ｉａ（即ち、検査電流Ｉｓ）とに基づき、当該画素回路１１０に対応する補償電流ΔＩｃを算出する。
【０１４３】
（ステップＳ１１１）
補償データ演算部１６０は、画素回路１１０ごとに算出した補償電流ΔＩｃと、画素回路１１０中の駆動トランジスタＭ２のガンマ特性とに基づき、データ電圧Ｖｄａｔａを補償するための補償データ（即ち、補償電圧Δｄａｔａ）を画素回路１１０ごとに算出する。そして、補償データ演算部１６０は、画素回路１１０ごとに算出した補償データ（補償電圧Δｄａｔａ）を、補償データ加算部１７０に出力する。
【０１４４】
（ステップＳ１１３）
補償データ加算部１７０は、入力画像データを外部から取得する。また、補償データ加算部１７０は、補償データ演算部１６０から、画素回路１１０ごとに補償データ取得する。
【０１４５】
（ステップＳ１１５）
補償データ加算部１７０は、補償画像データを生成する。そして、補償データ加算部１７０は、生成した補償画像データをデータドライバ１３０に出力する。即ち、データドライバ１３０は、補償データ加算部１７０から出力される補償画像データに基づき、各画素回路１１０を駆動することとなる。これにより、画素回路１１０ごとの輝度劣化が補償され、イメージ・スティッキング（焼き付き）現象の発生が抑制されることとなる。
【０１４６】
（ステップＳ１１７）
表示装置１００は、一連の処理の終了が指示されない限り（ステップＳ１１７、ＮＯ）、ステップＳ１０３〜Ｓ１１５として説明した一連の処理を所定のタイミングごとに適宜実行することで、画素回路１１０ごとの輝度劣化を補償する。そして、表示装置１００は、処理の終了に係る指示（例えば、電源オフ等）を受けて（ステップＳ１１７、ＹＥＳ）、上記に説明した一連の処理を終了する。
【０１４７】
なお、上述した一連の動作は、表示装置１００の各構成を動作させる装置のＣＰＵを機能させるためのプログラムによって構成することができる。このプログラムは、その装置にインストールされたＯＳ（Ｏｐｅｒａｔｉｎｇ  Ｓｙｓｔｅｍ）を介して実行されるように構成してもよい。また、このプログラムは、上述した処理を実行する構成が含まれる装置が読み出し可能であれば、記憶される位置は限定されない。例えば、装置の外部から接続される記録媒体にプログラムが格納されていてもよい。この場合には、プログラムが格納された記録媒体を装置に接続することによって、その装置のＣＰＵに当該プログラムを実行させるように構成するとよい。
【０１４８】
以上、図１７を参照して、本実施形態に係る表示装置１００の一連の処理の流れの一例について説明した。
【０１４９】
［２．４．まとめ］
以上説明したように、本実施形態に係る表示装置は、有機ＥＬ素子Ｄ１の電圧変化量ΔＶと輝度劣化量ΔＬとの関係を示す関数（（式１）として前述した関数）をあらかじめ導出する。そして、表示装置は、所定のタイミングごとの検査期間において、有機ＥＬ素子Ｄ１の周辺温度が所定の温度となる条件下で、画素ごとに有機ＥＬ素子Ｄ１のアノード電圧を測定し、当該測定結果に基づく電圧変化量ΔＶとあらかじめ導出した当該関数とに基づき輝度劣化量ΔＬを算出し、算出した輝度劣化量ΔＬに基づき画素ごとに輝度劣化を補償する。
【０１５０】
このように、本実施形態に係る表示装置は、所定の温度の環境下において、画素ごとに測定された有機ＥＬ素子Ｄ１のアノード電圧の電圧変化量ΔＶに基づき、当該有機ＥＬ素子Ｄ１の輝度劣化を補償する（即ち、発光量を補正する）ための補償値（補正量）を直接算出する。そのため、本実施形態に係る表示装置は、例えば、入力データの累積加算値に基づき間接的に発光素子の劣化量を推測する手法に比べて、より正確に、有機ＥＬ素子Ｄ１の発光量を補償（補正）することが可能となる。
【０１５１】
また、本実施形態に係る表示装置は、画素ごとに、有機ＥＬ素子Ｄ１の電圧変化量ΔＶの測定結果から輝度劣化量ΔＬを算出し、当該輝度劣化量ΔＬに基づき、当該有機ＥＬ素子Ｄ１の輝度劣化を補償するため補償値（補正量）を算出する。そのため、本実施形態に係る表示装置は、輝度の劣化を測定するためのダミー画素を設ける方式とは異なり、画素ごとに有機ＥＬ素子Ｄ１にかかるストレス量が異なる状況下においても、当該画素ごとに、有機ＥＬ素子Ｄ１の劣化量に応じて輝度劣化を補償することが可能となる。
【０１５２】
また、本実施形態に係る表示装置では、前述した（式１）に基づき、電圧変化量ΔＶの測定結果に応じて輝度劣化量ΔＬを算出できる。ここで、（式１）には、経過時間を示すパラメタが含まれていない。そのため、本実施形態に係る表示装置では、輝度劣化量ΔＬの算出に際し、時間経過に伴う輝度劣化量の変化の影響を無視することが可能となる。また、図７〜図９、図１１、及び図１２を参照して説明したように、所定の温度の環境下で有機ＥＬ素子Ｄ１の電圧変化量ΔＶを測定することができれば、当該有機ＥＬ素子Ｄ１を駆動させる環境の温度変化に依存せずに、一定のΔＶ−ΔＬ特性を得ることが可能である。そのため、本実施形態に係る表示装置では、このような特性を利用して、輝度劣化量ΔＬの算出に際し、有機ＥＬ発光素子Ｄ１の駆動環境の温度変化に伴う輝度劣化量の変化の影響を無視することが可能となる。即ち、本実施形態に係る表示装置に依れば、有機ＥＬ素子Ｄ１の輝度劣化を補償するための補償アルゴリズムを簡素化することが可能となり、ひいては、当該補償アルゴリズムを実現するための回路規模を大幅に削減することも可能となる。
【０１５３】
このように、本実施形態に係る表示装置は、画素ごとの実際の劣化量に応じた補償を、簡単なアルゴリズムにより実現しながら、イメージ・スティッキング（焼き付き）現象の発生を抑制し、画質や信頼性の向上を図ることが可能となる。
【０１５４】
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明はかかる例に限定されない。本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、これらについても、当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【符号の説明】
【０１５５】
１００  表示装置
１０２  表示部
１１０  画素回路
１１２  走査線
１１３  走査線
１１４  制御信号線
１１５  データ線
１２１  第１スキャンドライバ
１２３  第２スキャンドライバ
１３０  データドライバ
１４０  センシングドライバ
１４１  測定部
１４３  ＡＤＣ
１５０  記憶部
１６０  補償データ演算部
１７０  補償データ加算部
【図１】
2016090940.tif 000013
【図２】
2016090940.tif 000014
【図３】
2016090940.tif 000015
【図４】
2016090940.tif 000016
【図５】
2016090940.tif 000017
【図６】
2016090940.tif 000018
【図１０】
2016090940.tif 000019
【図１１】
2016090940.tif 000020
【図１２】
2016090940.tif 000021
【図１３】
2016090940.tif 000022
【図１４】
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【図１５】
2016090940.tif 000024
【図１６】
2016090940.tif 000025
【図１７】
2016090940.tif 000026
【図７】
2016090940.tif 000027
【図８】
2016090940.tif 000028
【図９】
2016090940.tif 000029