(57)【要約】【課題】基板の破損を防止でき且つ小型化を実現可能な電子デバイスおよび電子デバイスの製造方法を提供する。【解決手段】加速度スイッチにおいて、中央電極３２と錘部３４と梁部３５とを備えたスイッチ本体１１と、スイッチ本体１１を封止する第一基板１２，第二基板１３と、スイッチ本体１１と第一基板１２，第二基板１３との間に配置され、スイッチ本体１１と第一基板１２，第二基板１３とを接合可能であって膜厚調整が可能な第１接合膜４１，第２接合膜４２と、を有する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
柱状の中央電極と、前記中央電極を内側に収容するとともに、内側面が前記中央電極の外側面に接離可能とされるとともに導電性を有する錘部と、前記錘部の周囲を取り囲むとともに、支持部との間で前記錘部を弾性支持する梁部と、を備えた構造体部と、
前記構造体部を封止する基板と、
前記構造体部と基板との間に配置され、前記構造体部と前記基板とを接合可能であって膜厚調整が可能な接合膜と、
を有することを特徴とする電子デバイス。
【請求項２】
前記接合膜は、永久膜レジストで構成されることを特徴とする請求項１に記載の電子デバイス。
【請求項３】
前記永久膜レジストは、フィルム状からなることを特徴とする請求項２に記載の電子デバイス。
【請求項４】
前記接合膜は、合金ペーストを用いて構成されることを特徴とする請求項１に記載の電子デバイス。
【請求項５】
前記接合膜は、ケイ酸ナトリウムを用いて構成されることを特徴とする請求項１に記載の電子デバイス。
【請求項６】
前記構造体部と基板との間に配置され、前記接合膜と同じ厚みに形成されたストッパ部を有することを特徴とする請求項１〜５の何れか一項に記載の電子デバイス。
【請求項７】
柱状の中央電極と、前記中央電極を内側に収容するとともに、内側面が前記中央電極の外側面に接離可能とされるとともに導電性を有する錘部と、前記錘部の周囲を取り囲むとともに、支持部との間で前記錘部を弾性支持する梁部と、を備えた構造体部と、前記構造体部を封止する基板と、を有する電子デバイスの製造方法であって、
前記構造体部を構成する構造体部基材に対して前記中央電極、前記錘部、及び前記梁部を成形する成形工程と、
前記構造体部基材の厚さ方向における一端面に、前記構造体部と前記基板とを接合可能であって膜厚調整が可能な接合膜を形成する膜形成工程と、
前記構造体部基材と前記基板とを前記接合膜を介して接合する接合工程と、
を備えることを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【請求項８】
柱状の中央電極と、前記中央電極を内側に収容するとともに、内側面が前記中央電極の外側面に接離可能とされるとともに導電性を有する錘部と、前記錘部の周囲を取り囲むとともに、支持部との間で前記錘部を弾性支持する梁部と、を備えた構造体部と、前記構造体部を封止する基板と、を有する電子デバイスの製造方法であって、
前記構造体部を構成する構造体部基材に対して前記中央電極、前記錘部、及び前記梁部を成形する成形工程と、
前記基板の厚さ方向における一端面に、前記構造体部と前記基板とを接合可能であって膜厚調整が可能な接合膜を形成する膜形成工程と、
前記構造体部基材と前記基板とを前記接合膜を介して接合する接合工程と、
を備えることを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【請求項９】
前記接合膜は、フィルム状の永久膜レジストからなることを特徴とする請求項７又は８に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項１０】
前記接合膜は、合金ペーストであることを特徴とする請求項７又は８に記載の電子デバイス。
【請求項１１】
前記膜形成工程は、液体状の材料を前記基板の一端面に塗布して固体化することで前記接合膜を形成することを特徴とする請求項8に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項１２】
前記膜形成工程の前に、前記基板の厚さ方向における一端面へ、前記接合膜と同じ厚みであって前記接合膜よりも硬質の材料からなるストッパ部を形成するストッパ部形成工程を有することを特徴とする請求項１１に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項１３】
前記液体状の材料は、液体状のレジストであることを特徴とする請求項１１又は請求項１２に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項１４】
前記液体状の材料は、ケイ酸ナトリウム水溶液であることを特徴とする請求項１１又は請求項１２に記載の電子デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子デバイスおよび電子デバイスの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、電子デバイスの一つとして、初期状態では接点が開（ＯＦＦ状態）であり、加速度が印加されたときに接点が閉（ＯＮ状態）となることで加速度の印可を検知する加速度スイッチが知られている（例えば、特許文献１等参照）。
【０００３】
以下、従来の加速度スイッチ２００について簡単に説明する。
図１０、図１１に示すように、加速度スイッチ２００は、中心部に配置された中央電極２０１と、中央電極２０１を内側に収容するとともに、その内側面が中央電極２０１の外側面に接離可能とされた錘部２０２と、錘部２０２の周囲を取り囲む円弧状とされ、枠体２０３との間で錘部２０２を弾性支持する梁部２０４と、を備えた本体部が、上下を基板２０５，２０６で固定された構造からなる。
【０００４】
この構成によれば、加速度スイッチ２００に印加される加速度に応じて、錘部２０２が水平方向に相対移動することで、中央電極２０１と錘部２０３との側面同士が接触する。これにより、中央電極２０１及び錘部２０２が導通し、ＯＮ状態となる。このような加速度スイッチ２００では、ノーマリーオフかつ無指向のスイッチとして使用できる。
【０００５】
ここで、錘部２０２は、上記加速度印可によって相対移動するとき、印可される加速度の向きによっては、水平方向のみでなく鉛直方向にも移動を行う。そのため、図１１に示すように、基板２０５，２０６の本体部との対向面には、錘部２０２の移動に影響を与えないようにくぼみ（キャビティ）が形成される。すなわち、基板２０５，２０６にキャビティが形成されない場合、錘部２０２は、移動中に基板２０５，２０６に接触してしまい、移動の方向が変化し、加速度スイッチ２００に加速度が加わっても、中央電極２０１と錘部２０３が接触しないなどの不具合を生じる可能性があるためである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特許第４９９６７７１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上記従来の加速度スイッチにおいて、基板にキャビティを生成するには以下のような課題がある。つまり、従来の基板へのキャビティの形成にはエッチングもしくはサンドブラストなどの加工手法が用いられるが、その加工時に微小な傷などが基板の加工表面に形成される。その結果、基板は、その傷を起点に割れなどが発生し、破損しやすい状態になってしまう。そこで、例えば、使用する基板の厚みを厚くすることで破損しづらくすることは可能であるが、電子デバイス全体の厚みが増すため、電子デバイスが大型化するという課題がある。
【０００８】
本発明は、このような事情に考慮してなされたもので、その目的は、基板の破損を防止でき且つ小型化を実現可能な電子デバイスおよび電子デバイスの製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記の課題を解決するため、本発明に係る電子デバイスは、柱状の中央電極と、前記中央電極を内側に収容するとともに、内側面が前記中央電極の外側面に接離可能とされるとともに導電性を有する錘部と、前記錘部の周囲を取り囲むとともに、支持部との間で前記錘部を弾性支持する梁部と、を備えた構造体部と、前記構造体部を封止する基板と、前記構造体部と基板との間に配置され、前記構造体部と前記基板とを接合可能であって膜厚調整が可能な接合膜と、を有することを特徴とする。
【００１０】
また、本発明に係る電子デバイスの製造方法は、柱状の中央電極と、前記中央電極を内側に収容するとともに、内側面が前記中央電極の外側面に接離可能とされるとともに導電性を有する錘部と、前記錘部の周囲を取り囲むとともに、支持部との間で前記錘部を弾性支持する梁部と、を備えた構造体部と、前記構造体部を封止する基板と、を有する電子デバイスの製造方法であって、前記構造体部を構成する構造体部基材に対して前記中央電極、前記錘部、及び前記梁部を成形する成形工程と、前記構造体部基材の厚さ方向における一端面に、前記構造体部と前記基板とを接合可能であって膜厚調整が可能な接合膜を形成する膜形成工程と、前記構造体部基材と前記基板とを前記接合膜を介して接合する接合工程と、を備えることを特徴とする。
【００１１】
また、本発明に係る電子デバイスの製造方法は、柱状の中央電極と、前記中央電極を内側に収容するとともに、内側面が前記中央電極の外側面に接離可能とされるとともに導電性を有する錘部と、前記錘部の周囲を取り囲むとともに、支持部との間で前記錘部を弾性支持する梁部と、を備えた構造体部と、前記構造体部を封止する基板と、を有する電子デバイスの製造方法であって、前記構造体部を構成する構造体部基材に対して前記中央電極、前記錘部、及び前記梁部を成形する成形工程と、前記基板の厚さ方向における一端面に、前記構造体部と前記基板とを接合可能であって膜厚調整が可能な接合膜を形成する膜形成工程と、前記構造体部基材と前記基板とを前記接合膜を介して接合する接合工程と、を備えることを特徴とする。
【００１２】
本発明によれば、構造体部と基板との間に、双方を接合可能で膜厚調整可能な接合膜が備わっているので、錘部が基板に向かって移動した場合でも、構造体部と基板とが接合膜によって離間した状態にあるため、錘部と基板との接触を回避することが出来る。つまり、構造体部と基板とを離間させるためのキャビティを基板に形成する必要がない。その結果、本発明によれば、下側封止基板と、上側封止基板にサンドブラスト等の加工を施す必要がないため、工程の簡略化や作製途中での破損を防ぐことが可能である。また、基板の厚さを薄くすることが可能である。
【００１３】
また、本発明に係る電子デバイスにおいて、前記接合膜は、永久膜レジストで構成される。
また、本発明に係る電子デバイスにおいて、前記永久膜レジストは、フィルム状からなる。
また、本発明に係る電子デバイスにおいて、前記接合膜は、合金ペーストを用いて構成される。
また、本発明に係る電子デバイスにおいて、前記接合膜は、ケイ酸ナトリウムを用いて構成される。
そのため、本発明によると、接合膜に上記のような材料を用いることで、容易に構造体部と基板とを接合でき、且つ確実に必要な膜厚を確保することが出来る。
【００１４】
また、本発明に係る電子デバイスにおいて、前記構造体部と基板との間に配置され、前記接合膜と同じ厚みに形成されたストッパ部を有する。
そのため、本発明によると、構造体部に接合膜を接合する際、接合膜が変形し易い材質からなる場合であっても、ストッパ部によって確実に必要な膜厚を確保することが出来る。
【００１５】
また、本発明に係る電子デバイスの製造方法において、前記接合膜は、フィルム状の永久膜レジストからなることを特徴とする。
また、本発明に係る電子デバイスの製造方法において、前記接合膜は、合金ペーストであることを特徴とする。
また、本発明に係る電子デバイスの製造方法において、前記膜形成工程は、液体状の材料を前記基板の一端面に塗布して固体化することで前記接合膜を形成することを特徴とする。
そのため、本発明によると、接合膜に上記のような材料を用いることで、容易に構造体部と基板とを接合でき、且つ確実に必要な膜厚を確保することが出来る。
【００１６】
また、本発明に係る電子デバイスの製造方法において、前記膜形成工程の前に、前記基板の厚さ方向における一端面へ、前記接合膜と同じ厚みであって前記接合膜よりも硬質の材料からなるストッパ部を形成するストッパ部形成工程を有することを特徴とする。
そのため、本発明によると、構造体部に接合膜を接合する際、接合膜が変形し易い材質からなる場合であっても、ストッパ部によって確実に必要な膜厚を確保することが出来る。
【００１７】
また、本発明に係る電子デバイスの製造方法において、前記液体状の材料は、液体状のレジストであることを特徴とする。
また、本発明に係る電子デバイスの製造方法において、前記液体状の材料は、ケイ酸ナトリウム水溶液であることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、工程の簡略化、歩留まり向上、および小型化させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の第１実施形態に係る加速度スイッチの縦断面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線に沿った加速度スイッチ（スイッチ本体）の平面図である。
【図３】加速度スイッチの動作説明図であり、図２に相当する断面図である。
【図４】加速度スイッチの製造方法を説明するための工程図であって、図１に相当する断面図である。
【図５】加速度スイッチの製造方法を説明するための工程図であって、図１に相当する断面図である。
【図６】加速度スイッチの製造方法を説明するための工程図であって、図１に相当する断面図である。
【図７】加速度スイッチの製造方法を説明するための工程図であって、図１に相当する断面図である。
【図８】本発明の変形例(ストッパ)を説明するための縦断面図である。
【図９】図８のＢ−Ｂ線に沿った変形例(ストッパ)を説明するための平面図である。
【図１０】従来の加速度スイッチを説明するための平面図である。
【図１１】従来の加速度スイッチを説明するための縦断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
次に、本発明に係る電子デバイスとしての加速度スイッチの実施形態について説明する。なお、以下の説明では、電子デバイスとして加速度スイッチを例示するが、加速度センサ等であっても勿論良い。
【００２１】
＜第１実施形態＞
［加速度スイッチ］
図１は第１実施形態における加速度スイッチ１の縦断面図であり、図２は図１のＡ−Ａ線に相当する平面図である。
【００２２】
図１、図２に示すように、本実施形態の加速度スイッチ１は、加速度スイッチ１に印可された加速度を検知するスイッチ本体１１と、スイッチ本体１１を厚さ方向で挟持する第１基板１２及び第２基板１３と、スイッチ本体１１と第１基板１２，第２基板１３とをそれぞれ接合する第１接合膜４１，第２接合膜４２と、を備えている。
【００２３】
（スイッチ本体）
スイッチ本体１１は、枠体（支持部）３１と、枠体３１の内側に配置された円柱状の中央電極３２と、枠体３１と中央電極３２との間に配置され、中央電極３２を内側に収容する収容孔３３を有する錘部３４と、錘部３４の周囲を取り囲む円弧状とされ、枠体３１との間で錘部３４を弾性支持する梁部３５と、を備えている。なお、以下の説明において、梁部３５の周方向を単に周方向とし、梁部３５の径方向を単に径方向とする。
【００２４】
ここで、上述したスイッチ本体１１は、ＭＥＭＳ技術を用いて製造されるとともに、スイッチ本体１１のうち、少なくとも枠体３１、錘部３４、及び梁部３５は、例えばシリコン等からなる基板を用いて一体的に形成されている。なお、以下の説明では、スイッチ本体１１の厚さ方向を単に厚さ方向といい、図１における下側を厚さ方向の一端側とし、上側を厚さ方向の他端側とする。
【００２５】
図１、図２に示すように、枠体３１は、厚さ方向から見た平面視で矩形状とされ、その中央部にはスイッチ本体１１を厚さ方向に貫通する円形の貫通孔３１ａが形成されている。
【００２６】
また、スイッチ本体１１のうち、厚さ方向における他端側の主面において、錘部３４及び梁部３５上を含む全体に亘って導電膜４３が形成され、その一部が枠体３１、中央電極３２、錘部３４、及び梁部３５の側面の一部に回り込んで電極膜４５が形成される。
【００２７】
また、当該枠体３１及び中央電極３２の両面には、第１基板１２及び第２基板１３とスイッチ本体１１とをそれぞれ接合するための第１接合膜４１及び第２接合膜４２が形成される。
【００２８】
錘部３４は、厚さ方向から見た平面視で円形とされ、その中央部にはスイッチ本体１１を厚さ方向に貫通する収容孔３３が形成されている。なお、錘部３４の外径は、枠体３１の貫通孔３１ａの内径よりも小さく、収容孔３３の内径は中央電極３２の外径よりも大きくなっている。したがって、錘部３４は、その内側面と中央電極３２の外側面との間に径方向におけるギャップが設定されるとともに、加速度スイッチ１への加速度の入力により中央電極３２に対して接離可能とされている。なお、加速度スイッチ１は、初期状態においてギャップを挟んで錘部３４と中央電極３２とが離間したＯＦＦ状態となっている。
【００２９】
梁部３５は、図２に示すように、枠体３１及び錘部３４よりも薄く形成され、弾性変形可能とされている。具体的に、梁部３５は、錘部３４の周囲をほぼ全周に亘って取り囲む円弧部５１と、円弧部５１における周方向の一端部と錘部３４との間を接続する錘部側接続部５２と、円弧部５１における周方向の他端部と枠体３１との間を接続する枠体側接続部５３と、を備えている。
【００３０】
円弧部５１は、周方向の全周に亘って一定の曲率半径で延在しており、その周方向の両端部が近接した状態で対向している。
錘部側接続部５２は、径方向に沿って延在するとともに、径方向における内側端部が錘部３４の外側面に連設され、径方向における外側端部が円弧部５１における周方向の一端部に連設されている。
【００３１】
枠体側接続部５３は、径方向に沿って錘部側接続部５２と平行に延在するとともに、径方向における外側端部が枠体３１の内側面に連設され、径方向における内側端部が円弧部５１における周方向の他端部に連設されている。
中央電極３２は、図１、図２に示すように、枠体３１の中心（貫通孔３１ａの中心）を通り、厚さ方向に沿って延在している。
【００３２】
（第１及び第２基板）
図１に示すように、第１基板１２は、例えばガラス等からなり、平面視外形がスイッチ本体１１と同等の形状を呈し、厚さ方向における一端側（図中下側）からスイッチ本体１１を覆っている。また、第１基板１２は、第１接合膜４１を介してスイッチ本体１１の枠体３１及び中央電極３２に接合されている。
【００３３】
第２基板１３は、第１基板１２と同様の材料からなるとともに、平面視外形がスイッチ本体１１と同等の形状を呈し、厚さ方向における他端側（図中上側）からスイッチ本体１１を覆っている。また、第２基板１３は、第２接合膜４２を介してスイッチ本体１１の枠体３１及び中央電極３２に接合されている。これにより、加速度スイッチ１のうち、枠体３１、第１基板１２、及び第２基板１３で画成された内側空間に、中央電極３２、及び梁部３５が封止されている。
【００３４】
さらに、第２基板１３のうち、中央電極３２上に位置する部分、及び枠体３１上に位置する部分には、それぞれ厚さ方向に貫通して第２接合膜４２を露出させる露出孔５８が形成されている。そして、第２基板１３には、各露出孔５８を通して第２接合膜４２と外部装置とを導通させるための貫通電極５９（例えば、Ａｌ等）が各別に形成されている。すなわち、第２接合膜４２のうち、中央電極３２上及び枠体３１上に位置する部分は、中央電極３２及び錘部３４の電極膜４５と外部装置との間を接続するための回路としても機能している。
【００３５】
（第１接合膜及び第２接合膜）
第１接合膜４１，第２接合膜４２は、それぞれ、スイッチ本体１１と第１基板１２，第２基板１３との界面に配置された膜厚調整が可能な接合膜である。当該第１接合膜４１，第２接合膜４２は、エポキシ系やポリイミド系樹脂等をベースとした光重合ネガ型フォトレジストからなる。そして第１接合膜４１，第２接合膜４２は、リソグラフィ工程により形成され、光を照射した部分が硬化して永久膜となる。なお、光重合ネガ型フォトレジストのうち不要な部分は現像時に除去される。そして、この残存した永久膜の部分が接合膜として機能する。ここで、第１接合膜４１，第２接合膜４２は、加速度スイッチ１に加速度が印可されて錘部３４が平面方向及び厚さ方向に相対移動する際に、錘部３４と第１基板１２，第２基板１３とが当接しないように、膜厚が設定される。
【００３６】
（加速度スイッチの検知動作について）
次いで、本実施形態に係る加速度スイッチ１の検知動作について説明する。
図３は、加速度スイッチ１の動作説明図であって、図２に相当する平面図である。
このように構成された加速度スイッチ１では、図３に示すように、初期状態の加速度スイッチ１に対して例えば矢印Ｑ方向に加速度が入力されると、錘部３４を除く加速度スイッチ１全体が矢印Ｑ方向に移動する。
【００３７】
一方、錘部３４は、梁部３５を介して枠体３１に支持されているため、慣性によりその場に留まろうとする。これにより、枠体３１及び中央電極３２と錘部３４とが相対移動するとともに、この相対移動に伴い梁部３５が弾性変位する。
【００３８】
そして、上記中央電極３２と錘部３４との相対移動によって中央電極３２と錘部３４とが電極膜４５を介して接触し、電気的導通を得ることで、加速度スイッチ１に対する加速度の印可を検知することが出来る。
【００３９】
［加速度スイッチの製造方法］
次に、上述した加速度スイッチ１の製造方法について説明する。
図４〜図７は、加速度スイッチ１の製造方法を説明するための工程図であって、図１に相当する断面図である。
まず、図４（ａ）に示すように、シリコン等の基板材（構造体部基材）からなる板状のスイッチ本体１１を用意する。
【００４０】
次に、図４（ｂ）に示すように、スイッチ本体１１のうち、枠体３１、中央電極３２、及び錘部３４以外に相当する部分に所定深さの凹部を形成する（成形工程）。
具体的には、図４（ｂ）に示すように、図示しないマスクを用いてＤＲＩＥ（深掘り反応性イオンエッチング）等のドライエッチングを、スイッチ本体１１における厚さ方向の一端側から行う。なお、凹部の深さ（エッチング量）は、スイッチ本体１１の厚さと梁部３５の厚さとの差分に相当している。
【００４１】
次に、図４（ｃ）に示すように、スイッチ本体１１の厚さ方向における一端側の主面上に、第１接合膜４１として機能するフィルム状の永久膜レジストを貼り付ける（膜形成工程）。この際、第１接合膜４１は、加速度スイッチ１に加速度が印可されて錘部３４が平面方向及び厚さ方向に相対移動する際に、少なくとも錘部３４と第１基板１２とが当接しない膜厚からなる。
【００４２】
その後、リソグラフィ工程により不要な部分を除去し、図４（ｄ）に示すように、スイッチ本体の１１の厚さ方向における一端側の主面のうち、枠体３１と中央電極３２とに相当する部分に第１接合膜４１を形成する（膜形成工程）。
【００４３】
その後、図５（ａ）に示すように、枠体３１及び中央電極３２に、第１接合膜４１を介して第１基板１２を合わせ、荷重を掛けながら、加熱することにより接合する（接合工程）。
【００４４】
次に、図５（ｂ）に示すように、図示しないマスクを用いてＤＲＩＥ等のドライエッチングを、スイッチ本体１１の他端側から行い、スイッチ本体１１のうち、枠体３１、錘部３４、及び梁部３５以外に相当する部分を除去する（第２エッチング工程）。これにより、凹部７０が厚さ方向に貫通することで、梁部３５が成形されるとともに、中央電極３２と錘部３４とがギャップを介して離間した状態になる。
【００４５】
続いて、図５（ｃ）に示すように、スパッタ等を用い、スイッチ本体１１及び中央電極３２の厚さ方向における他端側に導電膜４３を成膜する（第２接合膜形成工程）。なお、このとき、導電膜４３を形成する際の粒子は、中央電極３２、錘部３４、及び梁部３５の側面の一部にも堆積する。そして、導電膜４３のうち、錘部３４と中央電極内の対向電極領域４６の内側面に堆積した部分が電極膜４５を構成する。
【００４６】
その後、図６（ａ）に示すように、スイッチ本体１１の厚さ方向における他端側の主面上に、第２接合膜４２として機能するフィルム状の永久膜レジストを貼り付ける。この際、第２接合膜４２は、加速度スイッチ１に加速度が印可されて錘部３４が平面方向及び厚さ方向に相対移動する際に、少なくとも錘部３４と第１基板１２とが当接しない膜厚からなる。
【００４７】
その後、リソグラフィ工程により不要な部分を除去し、図６（ｂ）に示すように、スイッチ本体の１１の厚さ方向における他端側の主面のうち、枠体３１と中央電極３２とに相当する部分に第２接合膜４２を形成する。なお、第２接合膜４２は、後述する第２基板１３の貫通電極５９（貫通孔）形成箇所を避けて設けられる。
次いで、図７（ａ）に示すように、枠体３１及び中央電極３２に、第２接合膜４２を介して第２基板１３を接合する（第２基板接合工程）。
【００４８】
最後に、図７（ｂ）に示すように、第２基板１３に対してＡｌ等からなる金属膜を成膜し、その後パターニングすることで、貫通電極５９を形成する（貫通電極形成工程）。以上により、上述した加速度スイッチ１が完成する。
【００４９】
以上、本実施形態に係る加速度スイッチ１では、フィルム状の永久膜レジストからなる第１接合膜４１、第２接合膜４２を用いてスイッチ本体１１と第１基板１２及び第２基板１３とを接合する。そして、第１接合膜４１，第２接合膜４２は、加速度スイッチ１に加速度が印可されて錘部３４が平面方向及び厚さ方向に相対移動する際に、少なくとも錘部３４と第１基板１２，第２基板１３とが当接しないように、膜厚が設定されるので、第１基板１２および第２基板１３に対して、エッチングもしくはサンドブラスによるキャビティの加工形成を行う必要がない。そのため、第１基板１２や第２基板１３の表面には、キャビティの形成加工に起因する微小な裂け目等が発生せず、破壊につながりにくい。そのため、加速度スイッチ１作製の歩留まりを向上できる。
【００５０】
しかも、第１基板１２および第２基板１３にキャビティの形成加工を行わないので、第１基板１２および第２基板１３は、作製工程でのハンドリングを考慮した厚さを必要とせず、加速度スイッチ１の内外の圧力差に耐えられる厚さでよい。
【００５１】
通常基板のハンドリングでは基板の外周部を保持して行うが、基板の厚さが薄いと自重のため、湾曲して破壊する。破壊を防ぐためには厚くする必要があり、６インチのガラス基板では６００μｍ以上にもなる。本実施形態に係る加速度スイッチ１では、ハンドリングを考慮しなくて済むため、第１基板１２および第２基板１３の厚さを薄くすることができ、薄片化することができる。
【００５２】
（変形例）
なお、本発明は、図面を参照して説明した上記各実施形態に限定されるものではなく、その技術的範囲において様々な変形例が考えられる。
例えば、上述した実施形態に係る加速度スイッチ１では、スイッチ本体１１の厚さ方向における一端側の主面上に、第１接合膜４１を構成するフィルム状の永久膜レジストを貼り付ける工程を用いたが、第一基板１２上に第１接合膜４１を貼り付ける工程（膜形成工程）もしくはその両方を用いてもよい。  その際スイッチ本体１１は第１エッチング工程後、スイッチ本体１１の一端側の主面には凹凸があり、フィルム状のレジストが好ましいが、第一基板１２上には凹凸がないため、フィルム状ではなく液体状のレジストを用いることも可能であり、スプレーコートやスピンコートなどの手法によりレジストを塗布することが可能である。
【００５３】
また、貼り付ける接合膜はレジストに限定されるものではない。例えば、金―錫などの合金ハンダや水ガラス（ケイ酸ナトリウム水溶液）などの液体状の材料であって加熱などの加工を行うことにより、厚膜素材になり、接着可能な材質であれば、第１接合膜４１として使用可能である。この場合、例えば、第１接合膜４１のパターンを繊維（絹、ナイロンなど）や針金などのスクリーン上に形成し、そこに接合膜の材料を入れ、スキージでスクリーンの内面を加圧・移動させる。その結果、第一基板１２にその材料が塗布（印刷）されることにより、第一基板１２上に接合膜４１のパターンを形成できる。その後、第一基板１２にスイッチ本体１１を接触させて加重、加熱を行うことで、第一基板１２とスイッチ本体１１との接合を行うことができる。
【００５４】
ただし、第１接合膜４１に用いる材質や加工条件によっては、スイッチ本体１１へ接合を行う際に第１接合膜４１が変形してしまい、材質の厚さが所望の厚さを確保できない場合やパターンからはみ出してしまうことがある。その場合、図８及び図９に示すように、第一基板１２とスイッチ本体１１の間であって、第1接合膜パターンの外周に沿った位置に、第１接合膜４１のパターンの押しつぶしを防止するための、少なくとも加重、加熱により変形しない材料からなるストッパ４４を形成する（ストッパ部形成工程）。つまり、第１接合膜４１の厚さが、ストッパ４４の厚さ以下にならないように制御できるので、第１接合膜４１は一定値以上の厚さを確保することができる。
【００５５】
なお、図８において、ストッパ４４は第1接合膜４１の外周全体に沿って配置されているが、加速度スイッチ１の外縁のみに配置する構成でもよい。
ストッパはフォトリソとメッキを組み合わせ形成する。すなわち、ストッパ形成領域以外をレジストで覆い、そのレジストがない部分にメッキを施し、ストッパを形成する。また、ストッパは加速度スイッチ本体１１と良好な背烏合状態になくてもよく、その場合、シート状のパターン化された金属でも可能である。
【００５６】
上述の説明では、第一基板１２とスイッチ本体１１の接合について述べたが、第二基板１３とスイッチ本体１１の接合についても同様である。すなわち、第２接合膜４２をスイッチ本体１１に貼り付ける工程にかえて、第二基板１３上に第２接合膜４２を貼り付ける工程を用いてもよく、第２接合膜４２の材料として金―錫などの合金ハンダや水ガラスなどの液体状の材料を用いることも可能である。また、図８に示すように、第２接合膜４２に用いる材質や加工条件によっては、第二基板１３とスイッチ本体１１の間であって、第２接合膜４２の外周に沿った位置に、ストッパ４４を形成してもよい。
【００５７】
さらに、上述した実施形態に係る加速度スイッチ１では、錘部３４が中央電極３２と同軸状に配置される構成について説明したが、これに限らず、中央電極３２の中心に対して偏心して配置されるような構成であっても構わない。
【００５８】
また、上述した実施形態に係る加速度スイッチ１では、梁部３５が円弧状である構成について説明したが、これに限らず、矩形状等、適宜設計変更が可能である。また、これに伴い、中央電極３２や錘部３４の平面視形状についても、矩形状等、適宜設計変更が可能である。すなわち、梁部３５は、錘部３４の周囲を取り囲んでいれば構わない。
また、梁部３５の周方向における長さについても適宜設計変更が可能である。
【００５９】
また、錘部３４の重さや、梁部３５のばね定数（幅や厚さ等）、錘部３４と中央電極３２，１０１との間のギャップ量等については、要求される感度に基づいて適宜設計変更が可能である。
【００６０】
さらに、上述した実施形態では、本発明の電子デバイスを加速度スイッチ１に適用した場合について説明したが、これに限らず、加速度センサ等に本発明を適用しても構わない。
【００６１】
その他、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、上述した実施形態における構成要素を周知の構成要素に置き換えることは適宜可能であり、また、上述した各変形例を適宜組み合わせても構わない。
【符号の説明】
【００６２】
１…加速度スイッチ
１１…スイッチ本体（構造体部）
１２…第一基板
１３…第二基板
２０…基板（基材）
３１…枠体（支持部）
３２…中央電極
３４…錘部
３５…梁部
４１…第１接合膜
４２…第２接合膜
４３…導電膜
４４…ストッパ（ストッパ部）
５１…収容部
５８…貫通穴
５９…外部電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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