(57)【要約】      （修正有）【課題】放射性セシウムが逆浸透膜を透過することをいっそう抑制できる水処理方法を提供する。【解決手段】放射性セシウムを含む被処理水Ａに塩成分Ｓを加えることにより前記被処理水の塩濃度を高める添加工程と、前記添加工程にて塩濃度が高まった前記被処理水を逆浸透膜３０によって膜分離する膜分離工程とを含む。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
放射性セシウムを含む被処理水に塩成分を加えることにより前記被処理水の塩濃度を高める添加工程と、
前記添加工程にて塩濃度が高まった前記被処理水を逆浸透膜によって膜分離する膜分離工程と、を含む水処理方法。
【請求項２】
前記添加工程では、前記被処理水の前記塩濃度が１０−３ｍｏｌ／Ｌ以上０．６ｍｏｌ／Ｌ以下となるように、前記被処理水に前記塩成分を加える請求項１に記載の水処理方法。
【請求項３】
前記添加工程では、前記被処理水の塩濃度が所定値以下であるときに前記被処理水に塩成分を加える請求項１又は２記載の水処理方法。
【請求項４】
前記添加工程では、前記被処理水の塩濃度を電気伝導度の測定値を指標にして決める請求項１〜３のいずれか１項に記載の水処理方法。
【請求項５】
前記添加工程の前に、放射性セシウムを含む被処理水を逆浸透膜によって膜分離する前段膜分離工程を含み、
前記添加工程では、前記前段膜分離工程にて生じた被処理水としての透過水に前記塩成分を加えることにより前記被処理水の塩濃度を高める、請求項１〜４のいずれか１項に記載の水処理方法。
【請求項６】
放射性セシウムを含む被処理水に塩成分を加えることにより前記被処理水の塩濃度を高める添加部と、
前記添加部にて塩濃度が高まった前記被処理水を逆浸透膜によって膜分離する膜分離部と、を備える水処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、放射性セシウムを含む被処理水を逆浸透膜によって膜分離する水処理方法及び水処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、この種の水処理方法としては、例えば、放射性セシウムを含む被処理水を、逆浸透膜を透過した透過水と、逆浸透膜を透過しない濃縮水とに膜分離するものが知られている。
上記の水処理方法では、放射性セシウムが濃縮された濃縮水を得ることができ、また、放射性セシウム含有量が減少した透過水を得ることができる。
【０００３】
例えば、上記の水処理方法としては、濃縮水に含まれる放射性セシウムをさらに濃縮するために、濃縮水に含まれる放射性セシウムを、吸着材としての紺青に吸着させる工程をさらに有するものが提案されている（特許文献１）。
【０００４】
上記の水処理方法においては、例えば、被処理水に含まれる放射性セシウムの一部が逆浸透膜を透過し得る。放射性セシウムが逆浸透膜を透過することをいっそう十分に抑制できれば、望ましい。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１４−０２０８０６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、これらの点に鑑み、放射性セシウムが逆浸透膜を透過することをいっそう抑制できる水処理方法及び水処理装置を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決すべく、本発明に係る水処理方法は、
放射性セシウムを含む被処理水に塩成分を加えることにより前記被処理水の塩濃度を高める添加工程と、
前記添加工程にて塩濃度が高まった前記被処理水を逆浸透膜によって膜分離する膜分離工程と、を含むことを特徴とする。
【０００８】
上記構成からなる水処理方法においては、塩成分を添加した分、塩濃度が高まった被処理水を逆浸透膜によって膜分離する。これにより、放射性セシウムが逆浸透膜を透過することをいっそう抑制できる。
【０００９】
本発明の水処理方法においては、前記添加工程では、被処理水の塩濃度（被処理水に含まれる塩の総濃度）が１０−３ｍｏｌ／Ｌ以上０．６ｍｏｌ／Ｌ以下となるように、前記被処理水に前記塩成分を加えることが好ましい。
斯かる構成により、放射性セシウムが逆浸透膜を透過することをよりいっそう抑制できるという利点がある。
【００１０】
本発明の水処理方法においては、前記添加工程では、前記被処理水の塩濃度が所定値以下であるときに前記被処理水に塩成分を加えることが好ましい。
斯かる構成により、放射性セシウムが逆浸透膜を透過することをよりいっそう抑制できるという利点がある。
【００１１】
本発明の水処理方法においては、前記被処理水の塩濃度を、電気伝導度の測定値を指標にして決めることが好ましい。
斯かる構成により、簡便に被処理水の塩濃度を決めることができるという利点がある。
【００１２】
本発明の水処理方法においては、添加工程の前に、放射性セシウムを含む被処理水を逆浸透膜によって膜分離する前段膜分離工程を含み、
添加工程では、前段膜分離工程にて生じた被処理水としての透過水に塩成分を加えることにより被処理水の塩濃度を高めることが好ましい。
【００１３】
本発明の水処理装置は、放射性セシウムを含む被処理水に塩成分を加えることにより前記被処理水の塩濃度を高める添加部と、
前記添加部にて塩濃度が高まった前記被処理水を逆浸透膜によって膜分離する膜分離部と、を備える。
【発明の効果】
【００１４】
上述の通り、本発明の水処理方法及び水処理装置は、放射性セシウムが逆浸透膜を透過することをいっそう抑制できるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本実施形態の水処理装置の一部を表した概略図。
【図２】本実施形態の水処理装置における膜分離部の概要を表した概略図。
【図３】本実施形態の水処理装置の一部を表した概略図。
【図４】本実施形態の水処理装置の概要を表した概略図。
【図５】被処理水の塩濃度と放射性セシウムの阻止率との関係を表すグラフ。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明に係る水処理装置の一実施形態について詳しく説明する。図１〜図４は、本実施形態の水処理装置を示す模式図である。
【００１７】
前記水処理装置１は、図１に示すように、放射性セシウムを含む被処理水Ａに塩成分Ｓを加えることにより被処理水Ａの塩濃度を高める添加部２０と、添加部２０にて塩濃度が高まった被処理水Ａを逆浸透膜によって膜分離する膜分離部３０とを備える。
前記水処理装置１は、添加部２０にて、放射性セシウムを含む被処理水Ａに塩成分Ｓを添加し、膜分離部３０にて、塩濃度が高まった被処理水Ａを逆浸透膜によって膜分離するように構成されている。
【００１８】
放射性セシウムを含む被処理水Ａは、例えば、放射性セシウムを含む被焼却物の焼却残渣である焼却灰を水で洗浄することによって生じる。
焼却灰としては、焼却後の残渣である焼却主灰（ボトムアッシュ）、又は、焼却排ガスに含まれる焼却飛灰（フライアッシュ）などが挙げられる。
具体的には、放射性セシウムを含む被処理水Ａとしては、例えば、放射性セシウム含有焼却飛灰の洗浄排水が挙げられる。
また、放射性セシウムを含む被処理水Ａは、例えば、放射性セシウムを含む土壌から水分が浸み出すことによって生じる。即ち、放射性セシウムを含む被処理水Ａとしては、例えば、放射性セシウムを含む土壌からの浸出水が挙げられる。
【００１９】
前記被処理水Ａ中の放射性セシウムの量は、放射線測定器を用いた測定によってベクレル（Ｂｑ）換算で表され、膜分離される前で、通常、１０〜１０万Ｂｑ／Ｌであり、１〜１００ｋＢｑ／Ｌであることが好ましい。
前記放射線測定器としては、一般的なものを用いることができる。前記放射線測定器としては、具体的には例えば、ガイガーミュラー計数管（ＧＭ管）を備えたもの、シンチレータを備えたＮａＩ（ＴＩ）シンチレーション検出器、又は、半導体を備えたゲルマニウム半導体検出器などを用いることができる。
前記放射線測定器は、放射性セシウムに特有のγ線エネルギーを特定し、そのγ線エネルギー量を量るように構成されている。
【００２０】
前記放射性セシウムとしては、セシウム１３４（１３４Ｃｓ）、セシウム１３７（１３７Ｃｓ）などが挙げられる。これらの放射性セシウムは、例えば、原子力発電所において核分裂によって発生し得る。
なお、塩成分Ｓが添加される前の被処理水Ａには、例えば、Ｃａイオン、シリカ、Ｎａイオン、Ｃｌイオン、Ｍｇイオン、Ｆｅイオンなどが含まれ得る。
【００２１】
前記添加部２０は、例えば、被処理水Ａを収容する被処理水槽２１と、被処理水槽２１中に収容された被処理水Ａの電気伝導度を測定する電気伝導度計２２とを有する。
前記添加部２０は、被処理水Ａを被処理水槽２１に収容し、収容した被処理水Ａの電気伝導度を電気伝導度計２２によって測定するように構成されている。
また、添加部２０は、被処理水槽２１に収容された被処理水Ａに塩成分Ｓを加える添加経路２３を有し、添加経路２３を経由させた塩成分Ｓを被処理水Ａに加えるように構成されている。
【００２２】
前記被処理水槽２１は、被処理水Ａを内部空間に収容するように構成されている。また、被処理水槽２１は、塩成分Ｓが添加された被処理水Ａを撹拌するように構成されている。
【００２３】
前記塩成分Ｓは、アニオンと１価のカチオンとを含むものである。塩成分Ｓのアニオンは、１元素のアニオンであることが好ましい。
【００２４】
前記塩成分Ｓとしては、膜分離部の逆浸透膜における微生物を増殖させにくいという点で、無機塩が好ましい。また、塩成分Ｓとしては、膜分離部の逆浸透膜に沈着しにくいという点で、アルカリ金属塩が好ましく、アルカリ金属の塩化物塩がより好ましく、ナトリウム塩及びカリウム塩のうちの少なくとも一方がさらに好ましく、塩化ナトリウム及び塩化カリウムのうちの少なくともいずれか一方が最も好ましい。
【００２５】
前記電気伝導度計２２としては、一般的なものが用いられる。電気伝導度は、電気伝導度計２２によって、常温（１０〜３０℃）にて測定された値である。
【００２６】
前記被処理水Ａの塩濃度は、例えば、一般的な成分分析法によって、塩成分Ｓの量をｍｏｌ／Ｌで表すことによって決めることができる。
【００２７】
また、前記被処理水Ａの塩濃度は、例えば、電気伝導度の測定値を指標にして決めることができる。被処理水Ａの塩濃度を電気伝導度の測定値を指標にして決める場合、前記添加部２０は、被処理水Ａの塩濃度を、被処理水Ａに塩成分Ｓが添加される前及び後の少なくともいずれかにおいて、電気伝導度計によって測定するように構成されている。
例えば、前記水処理装置１は、下記のごとく、電気伝導度の測定値を指標にして、被処理水Ａの塩濃度を決めるように構成されている。被処理水Ａの塩濃度を決めるためには、各被処理水ごとに、被処理水の電気伝導度と塩濃度との関係を示す検量線を作成する。具体的には、セシウム及び各種塩成分をそれぞれ様々な濃度で含む複数の標準溶液を調製し、各標準溶液の塩濃度（ｍｏｌ／Ｌ）と、測定した標準溶液の電気伝導度（μＳ／ｃｍ）との値をグラフにプロットし、電気伝導度に対する塩濃度の第１検量線を作成する。第１検量線により、標準溶液の電気伝導度を指標にして、被処理水Ａの塩濃度を決めることができる。
一方で、セシウム及び各種塩成分を様々な濃度に調整した複数の標準溶液を逆浸透膜によってそれぞれ膜分離して、放射性セシウムの阻止率を求める。阻止率は、被処理水および透過水の放射性セシウム濃度を測定することにより算出する。放射性セシウムの阻止率を縦軸に、被処理水Ａの塩濃度を横軸にしたグラフにおいて、各膜分離の結果をプロットして第２検量線を作成する。第２検量線のグラフにおいて、放射性セシウムの阻止率がおよそ一定となり始める塩濃度の始点を算出する。そして、この始点以上の塩濃度となるように被処理水の塩濃度を調整し、膜分離部３０にて、被処理水を膜分離する。
【００２８】
前記添加経路２３は、通常、塩成分Ｓが水に溶解されてなる水溶液を、被処理水槽２１中の被処理水Ａに加えるように構成されている。
【００２９】
前記膜分離部３０は、逆浸透膜を含む膜分離ユニットを有し、添加部２０にて塩濃度が高まった被処理水Ａを膜分離ユニットによって膜分離するように構成されている。
また、膜分離部３０は、膜分離ユニットでの膜分離によって、逆浸透膜を透過した透過水Ｚと、逆浸透膜を透過せず放射性セシウムが濃縮された濃縮水Ｘとを得るように構成されている。
【００３０】
詳しくは、膜分離部３０は、図２に示すように、複数の膜分離ユニット３１を有する。膜分離部３０においては、複数の膜分離ユニット３１が並列的に被処理水Ａを膜分離するように、各膜分離ユニット３１が配されている。即ち、膜分離部３０は、被処理水Ａを並列的に膜分離する複数の膜分離ユニット３１を有する。
膜分離部３０は、図２に示すように、被処理水Ａの膜分離によって、各膜分離ユニット３１で逆浸透膜を透過した透過水Ｚと、各膜分離ユニット３１で逆浸透膜を透過せず放射性セシウムが濃縮された濃縮水Ｘとを得るように構成されている。
即ち、膜分離部３０は、膜分離によって生じた透過水Ｚと濃縮水（Ｘ，Ｙ）とがそれぞれ取り出されるように構成されている。
【００３１】
前記逆浸透膜の材質としては、例えば、酢酸セルロース、芳香族ポリアミドなどのポリアミド、ポリビニルアルコール、ポリスルホンなどが採用される。
【００３２】
前記逆浸透膜の形状としては、従来公知のものが挙げられ、例えば、直径数ｍｍの中空糸状に形成されたいわゆる中空糸膜状、スパイラル状、又は、板状の平膜状などが挙げられる。
【００３３】
前記膜分離ユニット３１は、逆浸透膜を含み、逆浸透膜によって放射性セシウムを含む被処理水Ａを膜分離し、逆浸透膜を透過した透過水Ｚと、逆浸透膜を透過せず放射性セシウムが濃縮された濃縮水とを得るように構成されている。
前記膜分離ユニット３１としては、例えば、市販されている一般的なものが採用される。
なお、膜分離部３０の上流側には、通常、被処理水Ａを加圧するための加圧ポンプが配置されている。
【００３４】
本実施形態の水処理装置１は、図１に示すように、膜分離部３０にて膜分離することによって生じた濃縮水を返送し、斯かる濃縮水を膜分離部３０で膜分離される被処理水Ａに加えることができる返送経路４を備える。本実施形態の水処理装置１は、返送経路４により、濃縮水と、膜分離部３０で膜分離される被処理水Ａとを混合できるように構成されている。これにより、濃縮水に含まれる塩成分Ｓによって、被処理水Ａの塩濃度（電気伝導度）を高めることができる。
【００３５】
本実施形態の水処理装置１は、図３に示すように、膜分離部３０の上流側に配された前段膜分離部３５と、前段膜分離部３５の下流側に配された膜分離部３０とを備える。
本実施形態の水処理装置１では、図３に示すように、前段膜分離部３５と、最も下流側に配された膜分離部３０との間に、添加部２０が配されている。
【００３６】
本実施形態の水処理装置１は、図３に示すように、前段膜分離部３５で膜分離することによって生じた透過水を、被処理水Ａとして膜分離部３０にて膜分離するように構成されている。
また、本実施形態の水処理装置１は、図３に示すように、前段膜分離部３５で膜分離することによって生じた透過水を、被処理水Ａとして添加部２０に供給し、添加部２０にて、被処理水Ａ（透過水）に塩成分Ｓを添加するように構成されている。
また、本実施形態の水処理装置１では、図３に示すように、膜分離部３０で生じた濃縮水を、膜分離部３０で膜分離される被処理水と混合させるように、返送経路４が配置されている。前段膜分離部３５での膜分離によって生じた透過水の塩濃度（電気伝導度）が比較的低く、且つ、斯かる透過水におけるスケール生成に影響する成分（ＣａイオンやＭｇイオンなど）の濃度が比較的低い場合には、膜分離部３０で生じた濃縮水の塩濃度（スケール生成に影響する成分の濃度）も比較的低くなる。膜分離部３０で生じた濃縮水を返送経路４によって返送し、膜分離部３０で膜分離される被処理水と混合することで、膜分離部３０で膜分離される被処理水の塩濃度（電気伝導度）を高めることができ、塩成分Ｓの添加量を抑えることができる。
なお、本実施形態の水処理装置１においては、前段膜分離部３５は、膜分離部３０と同様に構成されている。
【００３７】
本実施形態の水処理装置１は、例えば図４に示すように、放射性セシウム含有焼却飛灰を水で洗浄する洗浄部５をさらに備える。本実施形態の水処理装置１は、洗浄部にて放射性セシウム含有焼却飛灰から放射性セシウムを水に溶かし出した液体を、被処理水Ａとして添加部２０へ送るように構成されている。
【００３８】
本実施形態の水処理装置は、添加部２０の上流側に、被処理水Ａ中の懸濁物を取り除く前処理部を備える。
前記前処理部は、逆浸透膜よりも孔径の大きい精密濾過膜及び限外濾過膜の少なくとも一方を含み、精密濾過膜及び限外濾過膜の少なくとも一方の膜濾過によって生じた透過水を添加部２０や膜分離部３０へ送るように構成されている。
前記前処理部は、精密濾過膜や限外濾過膜に代えて、被処理水Ａを砂濾過する砂濾過部を有してもよい。
【００３９】
次に、本発明の水処理方法の一実施形態について詳しく説明する。
【００４０】
本実施形態の水処理方法は、放射性セシウムを含む被処理水Ａに塩成分Ｓを加えることにより前記被処理水Ａの塩濃度を高める添加工程と、
前記添加工程にて塩濃度が高まった前記被処理水Ａを逆浸透膜によって膜分離する膜分離工程と、を含む。
【００４１】
本実施形態の水処理方法においては、例えば、上述した水処理装置を用いて、添加部２０にて前記添加工程を行い、膜分離部３０にて前記膜分離工程を行うことができる。
本実施形態の水処理方法においては、塩成分Ｓを添加した分、塩濃度が高まった被処理水Ａを逆浸透膜によって膜分離する。これにより、放射性セシウムを膜分離によって、いっそう十分に濃縮することができる。
【００４２】
前記被処理水Ａの塩濃度は、塩成分Ｓを加える前では、通常、１０−３ｍｏｌ／Ｌ未満である。
【００４３】
前記添加工程では、被処理水の塩濃度（被処理水に含まれる塩の総濃度）が１０−３ｍｏｌ／Ｌ以上０．６ｍｏｌ／Ｌ以下となるように、被処理水Ａに塩成分Ｓを加えることが好ましい。なお、添加工程では、通常、被処理水の塩濃度が海水の塩濃度（総溶解固形分（ＴＤＳ）換算で３５，０００ｍｇ／Ｌ）を超えないように被処理水Ａに塩成分Ｓを加える。被処理水の塩濃度が０．４ｍｏｌ／Ｌ以下となるように、被処理水Ａに塩成分Ｓを加えてもよい。
これにより、逆浸透膜によって放射性セシウムをよりいっそう十分に濃縮できる。
【００４４】
前記添加工程では、被処理水Ａの塩濃度を、電気伝導度を指標にして決めることが好ましい。電気伝導度を指標にして被処理水Ａの塩濃度を決める（算出する）ことにより、塩濃度の決定（設定）がより簡便になるという利点がある。
被処理水Ａの電気伝導度を指標にして被処理水Ａの塩濃度を決める方法の詳細については、上述した通りである。
【００４５】
前記添加工程では、被処理水Ａの塩濃度が所定値以下であるときに被処理水Ａに塩成分Ｓを加えることが好ましい。これにより、逆浸透膜によって放射性セシウムをより確実に濃縮できる。
前記水処理方法では、被処理水Ａの塩濃度が、１０−３ｍｏｌ／Ｌ未満であるときに添加工程を行うことが好ましい。添加工程は、通常、被処理水Ａの塩濃度が、０ｍｏｌ／Ｌよりも高いときに行う。即ち、添加工程は、被処理水Ａの塩濃度が０を超え１０−３ｍｏｌ／Ｌ未満であるときに行うことが好ましい。
【００４６】
前記膜分離工程では、例えば上記の膜分離部３０を用いて、添加工程にて塩濃度が高まった被処理水Ａを逆浸透膜によって膜分離する。好ましくは、膜分離工程では、塩濃度（塩の総濃度）が１０−３ｍｏｌ／Ｌ以上０．６ｍｏｌ／Ｌ以下の被処理水Ａを逆浸透膜によって膜分離する。
膜分離においては、通常、被処理水Ａを加圧ポンプによって加圧する。
【００４７】
前記膜分離工程では、膜分離によって、逆浸透膜を透過した透過水と、逆浸透膜を透過しなかった濃縮水とを得る。
透過水は、膜分離前の被処理水Ａよりも放射性セシウム量が減少している。透過水の放射性セシウムの含有量が環境基準値を満たすほど小さければ、透過水は、例えば、そのまま放流される。
一方、濃縮水は、膜分離前の被処理水Ａよりも放射性セシウム量が増加している。即ち、濃縮水は、被処理水Ａの放射性セシウムが膜分離によって濃縮されたものである。濃縮水は、含有される放射性セシウム量に応じて、さらに、濃縮されたり、含有される放射性セシウムを吸着材に吸着させる処理が施されたりする。
【００４８】
本実施形態の水処理方法は、添加工程の前に、放射性セシウムを含む被処理水を逆浸透膜によって膜分離する前段膜分離工程を含み、添加工程では、前段膜分離工程にて生じた被処理水としての透過水に塩成分Ｓを加えることにより被処理水の塩濃度を高める。
【００４９】
例えば、本実施形態の水処理方法は、例えば図３に示す装置を用いて実施する。
前段膜分離工程では、前段膜分離部３５にて、放射性セシウムを含む被処理水を膜分離し、透過水と濃縮水とを得る。添加工程では、添加部２０にて、得られた透過水（前段膜分離工程で生じた透過水）に塩成分Ｓを添加することにより、被処理水としての透過水の塩濃度を高める。膜分離工程（後段膜分離工程）では、膜分離部３０（後段膜分離部）にて、塩濃度が高まった透過水（被処理水）を膜分離する。
【００５０】
添加工程は、前段分離工程と膜分離工程（後段膜分離工程）との間に行うことができる。また、添加工程では、上述したように、塩成分Ｓを加えた後の被処理水（透過水）の塩濃度を、上述したごとく、設定することができる。
【００５１】
本実施形態の水処理設備及び水処理方法は、上記例示の通りであるが、本発明は、上記例示の水処理設備及び水処理方法に限定されるものではない。
また、一般の水処理設備及び水処理方法において用いられる種々の態様を、本発明の効果を損ねない範囲において、採用することができる。
【００５２】
例えば、上記実施形態の水処理設備１は、前段膜分離部３５と、最も下流側の膜分離部３０との間に配された添加部２０を備えていた。これに対して、本発明の水処理設備は、前段膜分離部３５の上流側に配された添加部２０をさらに備えていてもよい。そして、本発明の水処理方法では、前段膜分離部３５の上流側に配された添加部２０と前段膜分離部３５とにおける添加工程及び膜分離工程を、さらに行ってもよい。即ち、添加工程及び膜分離工程を繰り返して行ってもよい。
【００５３】
上記実施形態の水処理設備１では、膜分離部３０で生じた濃縮水を、膜分離部３０で膜分離される被処理水と混合させるように、返送経路４が配置されていた。これに対して、本発明の水処理設備では、膜分離部３０で生じた濃縮水を、前段膜分離部３５で膜分離される被処理水と混合させるように、返送経路４が配置されていてもよい。また、前段膜分離部３５で生じた濃縮水を、前段膜分離部３５で膜分離される被処理水と混合させるように、返送経路４が配置されていてもよい。詳しくは、濃縮水のなかでも、スケール生成に影響する成分の濃度が最も低い濃縮水を返送するように返送経路４が配置され得る。なお、濃縮水の返送先（返送経路４の返送側の先端）は、添加部２０であっても、添加部２０よりも上流側であってもよい。
【００５４】
上記実施形態の水処理設備１は、１つの前段膜分離部３５と１つの膜分離部３０とを有していた。これに対して、本発明の水処理設備は、前段膜分離部３５の上流側に、膜分離部と同様に構成された膜分離機構を少なくとも１つさらに有していてもよい。そして、水処理設備は、膜分離機構によって膜分離された透過水が、被処理水として前段膜分離部３５にて膜分離され、斯かる膜分離によって生じた透過水に添加部が塩成分Ｓを添加するように構成されていてもよい。水処理設備では、直列的に配置された複数の膜分離機構を備え、前段の膜分離機構で生じた透過水を後段の膜分離機構で膜分離するように構成されていてもよい。
【００５５】
なお、本発明の水処理設備は、上記の第１検量線、第２検量線を作成するための演算部を備えていてもよい。また、本発明の水処理方法では、上記の第１検量線、第２検量線の作成を手動で行ってもよい。
【実施例】
【００５６】
次に実施例を挙げて本発明をさらに詳しく説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００５７】
以下のようにして、放射性セシウムを含み様々な塩濃度である被処理水に対して、水処理を行った。
【００５８】
（試験例１）
２０ｋＢｑ／ｋｇ濃度の放射性セシウム（Ｃｓ１３７）を含む溶液をそのまま用いて、塩濃度が５．３×１０−１１［ｍｏｌ／Ｌ］の被処理水を調製した。
【００５９】
（試験例２）
２０ｋＢｑ／ｋｇ濃度の放射性セシウム（Ｃｓ１３７）を含む溶液に、非放射性の塩化セシウム（ＣｓＣｌ）が１ｐｐｍ濃度となるように、非放射性の塩化セシウム（ＣｓＣｌ）を塩成分として添加し、塩濃度が５．９×１０−６［ｍｏｌ／Ｌ］の被処理水を調製した。
【００６０】
（試験例３〜７）
２０ｋＢｑ／ｋｇ濃度の放射性セシウム（Ｃｓ１３７）を含む溶液に、非放射性の塩化セシウム（ＣｓＣｌ）がそれぞれ１００、１０００、５０００、１００００、１５０００ｐｐｍとなるように、非放射性の塩化セシウム（ＣｓＣｌ）を塩成分として添加し、塩濃度が５．９×１０−４、５．９×１０−３、３．０×１０−２、５．９×１０−２、８．９×１０−２［ｍｏｌ／Ｌ］の各被処理水を調製した。
【００６１】
試験例１〜７で調製した被処理水をそれぞれ下記の条件にて水処理した。
分離膜：ポリアミド製逆浸透膜（逆浸透膜ユニット内に収容）  日東電工社製
圧力：０．７５ｋＰａに調整
阻止率の計算：被処理水及び透過水の放射性セシウム濃度を測定することにより、放射性セシウムの阻止率を求めた。詳しくは、下記の計算式により、阻止率を求めた。
Ｒ＝（Ｃ０−Ｃ１）／Ｃ０×１００        （式）
Ｒ：阻止率［％］
Ｃ０：被処理水の放射性セシウム濃度［ｍｇ／Ｌ］
Ｃ１：膜透過水の放射性セシウム濃度［ｍｇ／Ｌ］
【００６２】
試験例１〜７における被処理水の塩濃度と、放射性セシウムの阻止率との関係を表したグラフを図５に示す。
図５から把握されるように、塩成分を被処理水に加え、被処理水の塩濃度を高めることにより、放射性セシウムが逆浸透膜を透過することをいっそう抑制できる。
【産業上の利用可能性】
【００６３】
本発明の水処理装置及び水処理方法は、例えば、原子力発電所などで発生した放射性セシウムを含む被処理水を浄化して浄化水を得るために好適に使用できる。さらには、本発明の水処理装置及び水処理方法は、放射性セシウムを濃縮するためにも好適に使用され得る。
【符号の説明】
【００６４】
１：水処理装置、
２０：添加部、
２１：被処理水槽、  ２２：電気伝導度計、  ２３：添加経路、
３０：膜分離部、  ３１：膜分離ユニット、
３５：前段膜分離部、
４：返送経路、
５：洗浄部、
Ａ；被処理水、  Ｓ：塩成分、  Ｘ：濃縮水、  Ｚ：透過水。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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