(57)【要約】【課題】フレキシブル配線を持つフレキシブル基板などの第２の基板と第１の基板の接着面からの、異方性導電材料などのはみ出しが抑制されたトランスデューサなどを提供する。【解決手段】トランスデューサは、第１の基板１００上に設けられた第１の電極と、第１の電極と間隙を隔てて設けられた第２の電極を含む振動膜と、を含むセルを１以上有するエレメント１０１を有する。第１の基板上に、第１及び第２の電極のうち一方に電気的に接続された接続用電極１０３と、第２の基板１０４上の導体部１０５と接続用電極とを電気的に接続する異方性導電材料１０６と、を備える。エレメントと接続用電極との間に、異方性導電材料１０６のエレメント側へのはみ出しを防止するための防壁１０７が配されている。【選択図】図１
2016001844.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板と、
前記第１の基板の一方の面側に設けられた第１の電極と、前記第１の電極と間隙を隔てて設けられた第２の電極を含む振動膜と、を含むセルを１以上有するエレメントと、
前記第１の基板の前記一方の面側に設けられ、前記第１及び第２の電極のうち一方に電気的に接続された接続用電極と、
前記接続用電極に電気的に接続される導体部が設けられた第２の基板と、
前記接続用電極と前記導体部とを電気的に接続する異方性導電材料と、
を備え、
前記エレメントと前記接続用電極との間に、前記異方性導電材料の前記エレメント側へのはみ出しを防止するための防壁を有することを特徴とするトランスデューサ。
【請求項２】
前記異方性導電材料は異方性導電膜または異方性導電ペーストであることを特徴とする請求項１に記載のトランスデューサ。
【請求項３】
前記エレメントと前記接続用電極との距離が、前記異方性導電材料のはみ出す可能性がある距離よりも短い部分において、前記防壁が配置されていることを特徴とする請求項１または２に記載のトランスデューサ。
【請求項４】
前記防壁は、前記エレメントと前記接続用電極とを接続する配線の上以外の領域に位置することを特徴とする請求項１から３の何れか１項に記載のトランスデューサ。
【請求項５】
前記エレメントおよび前記接続用電極は、それぞれ、前記第１の基板上に複数配置され、
前記防壁は、いずれの前記エレメントといずれの前記接続用電極とを結ぶ線上にも位置するように、配置されていることを特徴とする請求項１から４の何れか１項に記載のトランスデューサ。
【請求項６】
第１の基板と、
前記第１の基板の一方の面側に設けられ、電極を有する素子と、
前記第１の基板の前記一方の面側に設けられ、前記電極に電気的に接続された接続用電極と、
前記接続用電極に電気的に接続される導体部が設けられた第２の基板と、
前記接続用電極と前記導体部とを電気的に接続する異方性導電材料と、
を備え、
前記素子と前記接続用電極との間に、前記異方性導電材料の前記素子側へのはみ出しを防止するための防壁を有することを特徴とするトランスデューサ。
【請求項７】
前記第２の基板はフレキシブル基板であることを特徴とする請求項１から６の何れか１項に記載のトランスデューサ。
【請求項８】
電極を有する素子、及び前記電極に電気的に接続された接続用電極を第１の基板上に備えるトランスデューサの製造方法であって、
導体部を有する第２の基板に、異方性導電材料の前記素子側へのはみ出しを防止するための防壁を貼りつける工程と、
前記接続用電極の少なくとも一部に前記異方性導電材料を配する工程と、
前記第２の基板に貼りつけられた防壁を前記第１の基板上に配置し、前記異方性導電材料の上に前記第２の基板の導電部を配置する工程と、
前記第１の基板と前記第２の基板とを圧着する工程と、
を含むことを特徴とする製造方法。
【請求項９】
請求項１から７の何れか１項に記載のトランスデューサと、前記トランスデューサが出力する電気信号を用いて被検体の情報を取得して処理する処理部と、を有し、
前記トランスデューサは、被検体からの音響波を受信し、前記電気信号を出力することを特徴とする被検体情報取得装置。
【請求項１０】
光源を有し、
前記トランスデューサは、前記光源から発振した光が被検体に照射されることにより発生する音響波を受信して電気信号に変換することを特徴とする請求項９に記載の被検体情報取得装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、超音波診断装置等に使用される光音響探触子などに用いられる静電容量型トランスデューサ等のトランスデューサ、それを用いた被検体情報取得装置などに関する。
【背景技術】
【０００２】
超音波診断装置の一つに光音響波を利用したものがある。光音響波は、例えば、体外から照射したパルスレーザ（電磁波）が、体内の組織で吸収される際に発生する超音波である。光音響波は体内の特定の組織において発生するため、光音響波の情報を利用した体内組織のイメージングが可能である。尚、音波、超音波、光音響波などは音響波と呼ばれるが、本明細書においては、超音波で代表する場合もある。
【０００３】
体内で発生した超音波の検出には、超音波探触子を使用することができる。超音波探触子内には超音波トランスデューサが配置されていて、超音波を電気信号に変換する。超音波トランスデューサは、従来、圧電効果を利用したものが利用されてきたが、近年、静電容量型の研究開発も盛んである。静電容量型トランスデューサは、例えば、キャビティと呼ばれる略真空に維持された空間を挟むように設けられた２つの電極で構成されるセルを含み、超音波探触子は、１つ以上のセルからなるエレメントを１つ以上備える。２つの電極のうち一方の電極はメンブレンに固定され、こうして構成された振動膜が振動可能に保持されている。超音波によって振動膜が振動して２つの電極間の距離が変化すると、静電容量の変化が生じる。２つの電極間に電圧を印加しておくと、静電容量の変化を電流信号として取り出すことができる。これが超音波受信動作の原理である。また、２つの電極間に加える電圧は、２つの電極間に静電引力を生じさせる。加える電圧の大きさを時間的に変化させることで振動膜を振動させることができる。これが超音波送信動作の原理である。静電容量型トランスデューサのうち、半導体微細加工技術を応用して作製したものを、ＣＭＵＴ（Ｃａｐａｓｉｔｉｖｅ−Ｍｉｃｒｏｍａｃｈｉｎｅｄ−Ｕｌｔｒａｓｏｎｉｃ−Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）と呼ぶ（非特許文献１参照）。複数の静電容量型トランスデューサ（すなわち、上記セルないしエレメント）を高密度に配置した超音波探触子は、超音波診断装置のニーズである高画質化を達成するのに適している。
【０００４】
上記の如き技術分野において、トランスデューサの電流信号をフレキシブル配線によって取り出すことがある。また、フレキシブル配線は、トランスデューサが配置された基板と、異方性導電材料によって接着されることがある。また、異方性導電材料によってフレキシブル配線と接続されたトランスデューサを複数配列することで、１つの超音波探触子を構成することがある。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００５】
【非特許文献１】A.S. Ergun, Y. Huang, X. Zhuang, O. Oralkan, G.G. Yarahoglu, and B.T. Khuri-Yakub, "Capacitive micromachined ultrasonic transducers: fabrication technology," Ultrasonics, Ferroelectrics and Frequency Control, IEEE Transactions on, vol. 52, no. 12, pp. 2242- 2258, Dec. 2005.
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
超音波探触子において、フレキシブル配線を異方性導電材料によって基板と接着する際に、異方性導電材料がはみ出すという課題があった。異方性導電材料のはみ出しがトランスデューサ（すなわち、上記セルないしエレメント）の上に付着すると、超音波の伝播を妨げてしまうことがある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題に鑑み、本発明のトランスデューサは、第１の基板と、前記第１の基板の一方の面側に設けられ電極を有する素子と、前記第１の基板の一方の面側に設けられ前記電極に電気的に接続された接続用電極と、前記接続用電極に電気的に接続された導体部が設けられた第２の基板と、前記接続用電極と前記導体部とを電気的に接続する異方性導電材料と、を備える。そして、素子と接続用電極との間に、前記異方性導電材料の素子側へのはみ出しを防止するための防壁を有する。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、フレキシブル配線を持つフレキシブル基板などの第２の基板と第１の基板の接着面からの、異方性導電材料のはみ出しが抑制される。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の一実施形態を説明する断面図。
【図２】本発明の一実施形態を説明する上面図。
【図３】本発明の他の実施形態を説明する上面図。
【図４】本発明の他の実施形態を説明する上面図。
【図５】本発明の他の実施形態を説明する上面図。
【図６】静電容量型トランスデューサの例を示す図。
【図７】本発明のトランスデューサを含む情報取得装置の例を示す全体ブロック図。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
本発明のトランスデューサでは、電極を有する素子と前記電極に電気的に接続された接続用電極とが第１の基板の一方の面側に設けられ、第２の基板上の導体部が、異方性導電材料を介して前記接続用電極と電気的に接続される。そして、前記素子と前記接続用電極との間に、異方性導電材料の素子側へのはみ出しを防止するための防壁が設けられる。前記素子としては、第１の基板上に設けられた第１の電極と、該第１の電極に対して間隙を隔てて設けられた第２の電極を含む振動膜と、を含むセル、圧電素子などがある。より具体的には、本発明では、静電容量型などのセルを１以上有するエレメントと該エレメントに接続される接続用電極との間に、電極部からの異方性導電材料のはみ出しを抑制するための防壁を備える。こうした考え方に基づいて、以下、本発明の実施形態及び実施例について説明するが、本発明はこれらの実施形態や実施例に限定されず、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。
【００１１】
以下、図と共に本発明の第一の実施形態を説明する。
（第一の実施形態）
図１は、本発明の第一の実施形態を説明する断面図である。第１の基板である基板１００には、１つ以上のセルからなるエレメント１０１が配置されている。エレメント１０１は配線１０２によって、接続用電極１０３と電気的に接続されている。接続用電極１０３の上には、フレキシブル配線１０５を有するフレキシブル基板（第２の基板）１０４が配置されている。接続用電極１０３とフレキシブル配線１０５とを接続するためには、例えば異方性導電材料１０６が用いられるが、低抵抗に接続できるならば接続方法はこれに限定されない。異方性導電材料１０６としては、例えば異方性導電膜（ＡＣＦ）や異方性導電ペースト（ＡＣＰ）などを用いることができる。異方性導電材料１０６を用いる場合、熱圧着時などの圧着時に流体となってはみ出すことがある。そのはみ出しを抑制することができるように、エレメント１０１と接続用電極１０３との間に、防壁１０７が配置されている。
【００１２】
防壁１０７は、エレメント１０１と接続用電極１０３との間に配置されていればよく、エレメント１０１の近くに配置されてもよいし、接続用電極１０３の近くに配置されてもよい。また、防壁１０７は、フレキシブル基板１０４側に固定されてもよいし、基板１００側と固定されていてもよい。また、防壁１０７の高さは、高い方が好ましいが、低くても構わない。低い防壁であっても、はみ出した異方性導電材料の表面張力により、基板１００と防壁１０７の間、または、フレキシブル基板１０４と防壁１０７の間に、異方性導電材料のはみ出しを留める力が働き、はみ出しを抑制することが可能である。
【００１３】
図２（ａ）は上記構造を上から見た上面図である。ここではエレメント１０１の外周形状が円形で示されているが、形状は円形に限定されるものではなく、例えば四角形などであっても構わない。ここでは、エレメント１０１から取り出される配線１０２は、２本示されている。一方はエレメント１０１の紙面垂直方向の上側に接続され、もう一方はエレメント１０１の紙面垂直方向の下側に接続されている。エレメントの構成例に関しては、図６を用いて後述する。
【００１４】
図２（ｂ）は、図２（ａ）と同様の上面図であるが、位置関係を示すための図であり、フレキシブル基板などを省略した図である。接続用電極１０３は２か所に配置されているが、異方性導電材料１０６をそれぞれの接続用電極上のみに配置してもよいし、２か所の接続用電極１０３を跨がるように配置してもよい。一方の接続用電極１０３から他方の接続用電極１０３へ跨がるように異方性導電材料１０６を配置しても、該異方性導電材料の特性により両接続用電極間が電気的に繋がることはない。いずれにおいても、防壁１０７は異方性導電材料１０６のエレメント側へのはみ出しを抑制できる。図２の構成では、エレメントと接続用電極とを接続する配線１０２の上に防壁１０７が配置されていて、この場合、防壁が基板１００表面から多少浮くこともあり得る。しかし、前述した様に、基板１００と防壁１０７との間に、異方性導電材料のはみ出しを留める力が働くので、異方性導電材料のはみ出しを抑制することができる。もちろん、後述する様に、防壁１０７は、エレメントと接続用電極とを接続する配線１０２の上以外の領域に配置することもできる。
【００１５】
静電容量型トランスデューサなどを用いた超音波探触子における課題の１つとして、超音波の受信または送信のS／N向上がある。S／N向上のためには、トランスデューサ（すなわち、上記セルないしエレメント）は、高密度に配置されることが好ましく、複数のエレメントを高密度に配置することが好ましい。また一方で、超音波探触子の走査においては小型であるほうが好ましく、従って、基板１００は小さいほうが好ましく、エレメント１０１と接続用電極１０３の間は狭い方が好ましい。こうした要求を満たすために、異方性導電材料のはみ出しを抑制する防壁を用いることが効果的である。
【００１６】
また、次の様な構成にすることもできる。即ち、エレメントと接続用電極の距離が、異方性導電材料のはみ出す距離よりも短い部分において、防壁１０７が配置されている。図３の構成では、エレメント１０１において、紙面内の上側では接続用電極１０３と近接しているが、紙面内の左右側では比較的に接続用電極１０３と近接していない。こうした構成では、近接部であるエレメント１０１の上側が異方性導電材料のはみ出しの影響を受けやすいと言える。この場合、上記のように防壁１０７を配置するのである。特に、異方性導電材料のはみ出す距離が、エレメントと接続用電極の近接している距離程度以下である場合には、近接部のみに防壁を配置すればよいとも言える。つまり、エレメントと接続用電極との距離が、異方性導電材料のはみ出す可能性がある距離よりも短い部分においてのみ、防壁が配置される構成にしてもよい。
【００１７】
また、次の様な構成にすることもできる。即ち、防壁が、エレメントと接続用電極とを接続する配線の上に位置しない。図４のように、配線１０２を曲げて配置しておくことで、基板１００上に、直接、防壁１０７を配置することが可能になる。このような構成では、配線１０２の上に防壁がないので、防壁によるはみ出し抑制において、配線と基板の段差による影響を受けることがなくなる。すなわち、配線１０２の上に防壁がある場合、配線の厚さにより防壁と基板の間に空隙が生じて、はみ出し抑制の効果が低減する可能性があるが、防壁を避けて配線を配置することで、防壁を基板と密着させて、はみ出し抑制の効果を一層確実にすることができる。
【００１８】
また、次の様な構成にすることもできる。即ち、基板上にエレメントが複数配列され、かつ、それぞれのエレメントに配線で接続されている接続用電極が基板上に複数配列されている構成において、いずれの接続用電極といずれのエレメントの間にも、防壁を有している。例えば、図５（ここでは、見易くする為に配線は省略している）のように、エレメント１０１が２次元的に配列され、それぞれのエレメントと接続される接続用電極１０３が１次元的に配列されており、それらの間に防壁１０７を有している。防壁１０７は、図５のように一体の物でもよいし、或いは複数部分に分割されたものであっても構わない。防壁が複数部分に分割されている場合は、各々の防壁を接続用電極の近くに配置してもよいし、各々の防壁をエレメントの近くに配置してもよい。エレメントおよび接続用電極が、それぞれ、第１の基板上に複数配置されている場合、防壁ないし防壁部分は、いずれのエレメントといずれの接続用電極とを結ぶ線上にも位置するように、配置するのが好ましい。防壁部分と防壁部分との間に隙間がある場合でも、隙間が過度に広くない限り、防壁部分間で異方性導電材料のはみ出しを留める力が働くので、異方性導電材料のはみ出しを抑制することができる。
【００１９】
上記装置は、例えば次のような製造方法で作製することができる。まず、第１の基板上のエレメントから配線で接続されている接続用電極の上に、異方性導電材料１０６を貼りつけておく。一方で、第２の基板であるフレキシブル基板上には、はみ出し抑制のための防壁１０７を貼りつけておく。次に、前記２つの基板の位置合わせを行い、エレメントと接続用電極の間に防壁１０７を位置させる。そして、熱圧着などの圧着によって、２つの基板を接着する。次のように作製することもできる。即ち、第１の基板上の接続用電極の少なくとも一部の上に異方性導電材料を貼りつけると共に、防壁を第１の基板上のエレメントと接続用電極の間に貼りつけておく。異方性導電材料の貼りつけと防壁の貼りつけの順序は、何れが先でもよい。そして、２つの基板の位置合わせを行い、熱圧着などの圧着で２つの基板を接着する。この場合、第２の基板であるフレキシブル基板の端部のフレキシブル配線（導電部）は露出させておく。フレキシブル基板の最端部（防壁上に来る部分）の導電部は除去しておいてもよいし、残しておいてもよい。この製造方法において、フレキシブル基板１０４と防壁１０７の間に多少の隙間があっても、この隙間では異方性導電材料のはみ出しを留める力が働くので、異方性導電材料のはみ出しを抑制することが可能である。以上のような製造方法では、異方性導電材料のはみ出しを抑制するための防壁を第１の基板に作り込む必要がないので、その点で作製が容易となる。
【００２０】
次に、本発明で用いられるトランスデューサの一例である静電容量型トランスデューサについて説明する。図６に、セルを複数含むエレメントを有した静電容量型トランスデューサの例を示す。図６（ａ）は上面図を示し、図６（ｂ）は、図６（ａ）のＡ−Ｂ断面図である。本トランスデューサは、セル構造７を有するエレメント８を複数個有している。エレメント８は、図２（ａ）のエレメント１０１に相当する。図２（ａ）のエレメント１０１の形状は円形であり、図６のエレメント８の形状は四角であるが、このようにエレメントの形状は様々であり、いずれかに限定されるものではない。また、図６では、４個のエレメント８がそれぞれ９個のセル７を有しているが、それぞれのエレメント８はセルを１つ以上含めば幾つであっても構わない。図２（ａ）のエレメント１０１におけるセルの配列形態と図６のエレメント８におけるセル７の配列形態とは必ずしも一致しない。
【００２１】
本例のセル７は、図６（ｂ）に示す様に、基板１（図１の基板１００に相当）、第一の電極２、第一の電極２上の絶縁膜３、絶縁膜３と間隙５（空隙など）を介して振動可能に支持された振動膜４、振動膜４上の第二の電極６で構成されている。基板１は、Ｓｉで構成されているが、ガラスなどの絶縁性基板を用いても構わない。第一の電極２はチタンやアルミニウムなどの金属薄膜で形成される。基板１を低抵抗のシリコンで形成する場合には、それ自体を第一の電極２とすることも可能である。絶縁膜３は、酸化シリコンなどの薄膜を堆積することで形成できる。振動膜４やそれを支持する部分である振動膜支持部は、窒化シリコンなどの薄膜を堆積することで形成される。第二の電極６は、チタンやアルミニウムなどの金属薄膜で構成することができる。窒化シリコン膜や単結晶シリコン膜からなるメンブレン部分の振動膜と第二の電極部分を併せて振動膜と捉えることもできる。以上のように、本例では、エレメントは、間隙を挟んで設けられた２つの電極のうちの一方の電極を含む振動膜が振動可能に支持されたセルを少なくとも１つ含む。
【００２２】
本例のトランスデューサの駆動原理を説明する。セルは、間隙５を挟んで設けられた第一の電極２と振動膜とで形成されているので、音響波を受信するためには、第一の電極２もしくは第二の電極６に直流電圧を印加する。このバイアス電圧が電圧印加手段から印加されている。音響波を受信すると、音響波により振動膜が振動して間隙の距離（高さ）が変化するため、電極間の静電容量が変化する。この静電容量変化を第一の電極２もしくは第二の電極６から検出することで、音響波を検出することができる。こうした静電容量変化による受信信号はアンプ回路に送られる。また、エレメントは、第一の電極２もしくは第二の電極６に交流電圧を印加して振動膜を振動させることで、音響波を送信することもできる。こうした交流電圧の送信信号は、送受信回路からエレメント８に送信される。
【００２３】
（実施例１）
以下、より具体的な実施例１を示す。本実施例では、シリコンウエハ上に、静電容量型トランスデューサからなるエレメントと、配線と、接続用電極とを、半導体プロセスによって作製する。ダイシングによってデバイスを切り出した後に、異方性導電材料を貼り、熱圧着によってフレキシブル基板と接続する。
【００２４】
シリコンウエハから切り出す基板１００は、厚さ３００μｍ、縦６ｍｍ、横５ｍｍとした。エレメント１０１は、円形であり、直径を３ｍｍとした。配線１０２と接続用電極１０３の材料はＡｌであり、厚さを０．５μｍとした。配線１０２の幅は０．１ｍｍとし、長さは１ｍｍとした。接続用電極１０３は縦０．５ｍｍ、横０．３ｍｍとした。また、熱圧着を行う前の異方性導電材料１０６として、平均４μｍの導電粒子を含んだ厚さ２０μｍのＡＣＦを、接続用電極１０３に少なくとも一部において重なるように基板１００側に貼っておいた。このとき、接続用電極１０３の端よりもエレメント１０１側には貼らないようにした。
【００２５】
フレキシブル基板１０４の材料はポリイミドであり、厚さは３０μｍとした。フレキシブル配線１０５の材料はＣｕであり、厚さは１０μｍ、幅は０．１ｍｍとした。はみ出し抑制のための防壁１０７として、厚さ２０μｍのポリイミドを、フレキシブル基板１０４の下側に貼っておいた。
【００２６】
上記のような防壁を有するフレキシブル基板１０４と、上記のような異方性導電材料を貼った基板１００とを、顕微鏡観察によって位置合わせを行い、異方性導電材料とエレメントの間に防壁１０７が位置することを確認した。次に、仮圧着として、温度１１０℃、加圧０．１ＭＰａの熱圧着を２０秒間行った。さらに、本圧着として、温度２２０℃、加圧０．１ＭＰａの熱圧着を１０秒間行った。以上のような熱圧着を行った後に観察したところ、エレメント１０１の上には異方性導電材料１０６のはみ出しが生じておらず、はみ出しが抑制されていることを確認した。
【００２７】
（他の実施形態）
上記トランスデューサは、超音波診断装置などの被検体情報取得装置に適用することができる。被検体からの音響波をトランスデューサで受信し、出力される電気信号を用い、光吸収係数などの被検体の光学特性値を反映した被検体情報や音響インピーダンスの違いを反映した被検体情報を取得できる。
【００２８】
より詳しくは、情報取得装置の一例は、被検体に光（可視光線、赤外線などを含む電磁波）を照射する。このことにより被検体内の複数の位置（部位）で発生した光音響波を受信し、被検体内の複数の位置に夫々対応する特性情報の分布を示す特性分布を取得する。光音響波により取得される特性情報とは、光の吸収に関わる特性情報を示し、光照射によって生じた光音響波の初期音圧、或いは初期音圧から導かれる光エネルギー吸収密度や、吸収係数、組織を構成する物質の濃度、等を反映した特性情報を含む。物質の濃度とは、例えば、酸素飽和度やトータルヘモグロビン濃度や、オキシヘモグロビン或いはデオキシヘモグロビン濃度などである。また、情報取得装置は、人や動物の悪性腫瘍や血管疾患などの診断や化学治療の経過観察などを目的とすることもできる。よって、被検体としては生体、具体的には人や動物の乳房、頸部、腹部などの診断対象が想定される。被検体内部にある光吸収体としては、被検体内部で相対的に吸収係数が高い組織がある。例えば、人体の一部が被検体であれば、オキシヘモグロビン或いはデオキシヘモグロビンやそれらを多く含む血管、或いは新生血管を多く含む腫瘍、頸動脈壁のプラークなどがある。さらには、金粒子やグラファイトなどを利用して、悪性腫瘍などと特異的に結合する分子プローブや、薬剤を伝達するカプセルなども光吸収体となる。
【００２９】
また、光音響波の受信だけでなく、トランスデューサを含むプローブから送信される超音波が被検体内で反射した超音波エコーによる反射波を受信することにより、被検体内の音響特性に関する分布を取得することもできる。この音響特性に関する分布は、被検体内部の組織の音響インピーダンスの違いを反映した分布を含む。
【００３０】
図７（ａ）は、光音響効果を利用した情報取得装置を示す。光源２０１０が発振したパルス光は、レンズ、ミラー、光ファイバー等の光学部材２０１２を介して、被検体２０１４に照射される。被検体２０１４の内部にある光吸収体２０１６は、パルス光のエネルギーを吸収し、音響波である光音響波２０１８を発生する。探触子部２０２２内の本発明のトランスデューサ２０２０は、光音響波２０１８を受信して電気信号に変換し、探触子部のフロントエンド回路に出力する。フロントエンド回路ではプリアンプ等の信号処理を行い、接続部を介してこれを本体部の信号処理部２０２４に送る。信号処理部２０２４では、入力された電気信号に対して、Ａ／Ｄ変換や増幅等の信号処理を行い、同じく本体部のデータ処理部２０２６へ出力する。データ処理部２０２６は、入力された信号を用いて被検体情報（光吸収係数などの被検体の光学特性値を反映した特性情報）を画像データとして取得する。ここでは、信号処理部２０２４とデータ処理部２０２６を含めて、処理部という。表示部２０２８は、データ処理部２０２６から入力された画像データに基づいて、画像を表示する。探触子部２０２２と本体部を一体にした構成とすることもできる。
【００３１】
図７（ｂ）は、音響波の反射を利用した超音波エコー診断装置などの情報取得装置を示す。探触子部２１２２内の本発明のトランスデューサ２１２０から被検体２１１４へ送信された音響波は、反射体２１１６により反射される。トランスデューサ２１２０は、反射された音響波（反射波）２１１８を受信して電気信号に変換し、探触子部内のフロントエンド回路に出力する。フロントエンド回路ではプリアンプ等の信号処理を行い、接続部を介してこれを本体部の信号処理部２１２４に送る。信号処理部２１２４は、入力された電気信号に対して、Ａ／Ｄ変換や増幅等の信号処理を行い、同じく本体部のデータ処理部２１２６へ出力する。データ処理部２１２６は、入力された信号を用いて被検体情報（音響インピーダンスの違いを反映した特性情報）を画像データとして取得する。ここでも、信号処理部２１２４とデータ処理部２１２６を含めて、処理部という。表示部２１２８は、データ処理部２１２６から入力された画像データに基づいて、画像を表示する。ここでも、探触子部２１２２と本体部を一体にした構成とすることもできる。
【００３２】
探触子部は、機械的に走査するものであっても、医師や技師等のユーザが被検体に対して移動させるもの（ハンドヘルド型）であってもよい。また、図７（ｂ）のように反射波を用いる装置の場合、音響波を送信する探触子は受信する探触子と別に設けても良い。さらに、図７（ａ）と図７（ｂ）の装置の機能をどちらも兼ね備えた装置とし、被検体の光学特性値を反映した被検体情報と、音響インピーダンスの違いを反映した被検体情報と、をどちらも取得するようにしてもよい。この場合、図７（ａ）のトランスデューサ２０２０が光音響波の受信だけでなく、音響波の送信と反射波の受信を行うようにしてもよい。
【符号の説明】
【００３３】
１００・・基板、１０１・・エレメント、１０２・・配線、１０３・・電極、１０４・・フレキシブル基板、１０５・・フレキシブル配線、１０６・・異方性導電材料、１０７・・防壁
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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