(57)【要約】      （修正有）【課題】積層したウエーハを破損させることなく所定の厚みに研削することができるウエーハの加工方法を提供する。【解決手段】ベースとなる基板３の表面に第１のウエーハ２−１の表面を対面させて接合する第１の接合工程と、第１の接合工程が実施された第１のウエーハの裏面を研削し、第１のウエーハを所定の厚みに形成する第１の裏面研削工程と、第１の裏面研削工程が実施された第１のウエーハの裏面にデバイスが一致するように第２のウエーハ２−２の表面を対面させて接合する第２の接合工程と、第２の接合工程が実施された第２のウエーハの裏面を研削し、第２のウエーハを所定の厚みに形成する第２の裏面研削工程とを含み、少なくとも第２の裏面研削工程を実施する前に、第２のウエーハの外周に液状樹脂４を被覆して第１のウエーハの外周と一体的に固化する外周部一体化工程を実施する。【選択図】図７
2016025116.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に格子状に形成された分割予定ラインによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハを積層させて積層ウエーハを形成するウエーハの加工方法であって、
ベースとなる基板の表面に第１のウエーハの表面を対面させて接合する第１の接合工程と、
該第１の接合工程が実施された第１のウエーハの裏面を研削し、第１のウエーハを所定の厚みに形成する第１の裏面研削工程と、
該第１の裏面研削工程が実施された第１のウエーハの裏面にデバイスが一致するように第２のウエーハの表面を対面させて接合する第２の接合工程と、
該第２の接合工程が実施された第２のウエーハの裏面を研削し、第２のウエーハを所定の厚みに形成する第２の裏面研削工程と、を含み、
少なくとも第２の裏面研削工程を実施する前に、第２のウエーハの外周に液状樹脂を被覆して第１のウエーハの外周と一体的に固化する外周部一体化工程を実施する、
ことを特徴とするウエーハの加工方法。
【請求項２】
該第１の接合工程を実施した後、該第１の裏面研削工程を実施する前に、第１のウエーハの外周に液状樹脂を被覆してベースとなる基板の外周を一体的に固化する外周部一体化工程を実施する、請求項１記載のウエーハの加工方法。
【請求項３】
該第２の裏面研削工程を実施した後、第２のウエーハの裏面にデバイスが一致するように第３のウエーハの表面を対面させて接合する第３の接合工程と、第３のウエーハの外周に液状樹脂を被覆して第２のウエーハの外周と一体的に固化する外周部一体化工程と、第３のウエーハの裏面を研削し第３のウエーハを所定の厚みに形成する第３の裏面研削工程とを実施する、請求項１記載のウエーハの加工方法。
【請求項４】
該第３の裏面研削工程を実施した後、順次第nのウエーハを接合する第nの接合工程と、第nのウエーハの外周に液状樹脂を被覆するウエーハ外周部一体化工程と、第nのウエーハの裏面を研削する第nの裏面研削工程を実施する、請求項３記載のウエーハの加工方法。
【請求項５】
該第２の裏面研削工程、該第３の裏面研削工程、該第nの裏面研削工程を実施した後、それぞれ被覆樹脂を除去する被覆樹脂除去工程を実施する、請求項４記載のウエーハの加工方法。
【請求項６】
積層ウエーハは、分割予定ラインに沿って切断され個々の積層デバイスに分割される、請求項１から５のいずれかに記載のウエーハの加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表面に複数のデバイスが形成された半導体ウエーハを複数枚積層して積層ウエーハを形成するウエーハの加工方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイス製造工程においては、略円板形状である半導体ウエーハの表面に格子状に配列された分割予定ラインによって複数の領域が区画され、この区画された領域にＩＣ、ＬＳＩ等のデバイスを形成する。そして、半導体ウエーハを分割予定ラインに沿って切断することによりデバイスが形成された領域を分割して個々の半導体デバイスを製造している。このようにして分割されるウエーハは、分割予定ラインに沿って切断する前に研削装置によって裏面が研削され、所定の厚みに加工される。
【０００３】
近年、装置の小型化、高機能化を図るため、複数の半導体チップを積層した積層デバイスが実用化されている。この積層デバイスは、表面に複数のデバイスが形成された半導体ウエーハを複数枚積層し、この積層ウエーハを分割予定ラインに沿って切断することにより製造している（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
しかるに、積層ウエーハは厚みを１０μm程度に薄く加工された半導体ウエーハを積層していくため、取り扱いが難しく生産性が悪いという問題がある。
【０００５】
このような問題を解消するために、ベースとなるベースウエーハの上面にウエーハの表面を対面させて積層し、積層されたウエーハの裏面を研削して薄く加工し、順次ウエーハを積層するとともに裏面を研削することにより厚みの薄い積層ウエーハを形成する加工方法が下記特許文献２に記載されている。
【０００６】
また、ウエーハの外周には面取りが施されており、ウエーハを薄く研削すると面取り部がナイフエッジのように鋭利となり割れを発生させる原因となることから、ウエーハを研削する前に面取り部を除去する所謂エッジトリミングが実施されている（例えば、特許文献３参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開昭６０−２０６０５８号公報
【特許文献２】特開２０１０−１０３２４５号公報
【特許文献３】特開２００５−１１６６１４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
而して、ウエーハに形成されるデバイスは必ずしも基板に対して同一位置に形成されているとは限らず、従ってデバイスとデバイスを一致させて積層すると、数十μm程度のズレが生じオーバーハングして積層させる場合がある。このように、積層されるウエーハが前のウエーハに対してオーバーハングして積層された状態で裏面が研削されると、厚みが１０μmに達する前にオーバーハングした部分に振動が発生して破損するという問題がある。
【０００９】
本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術課題は、積層したウエーハを破損させることなく所定の厚みに研削することができるウエーハの加工方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記主たる技術的課題を解決するため、本発明によれば、表面に格子状に形成された分割予定ラインによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハを積層させて積層ウエーハを形成するウエーハの加工方法であって、
ベースとなる基板の表面に第１のウエーハの表面を対面させて接合する第１の接合工程と、
該第１の接合工程が実施された第１のウエーハの裏面を研削し、第１のウエーハを所定の厚みに形成する第１の裏面研削工程と、
該第１の裏面研削工程が実施された第１のウエーハの裏面にデバイスが一致するように第２のウエーハの表面を対面させて接合する第２の接合工程と、
該第２の接合工程が実施された第２のウエーハの裏面を研削し、第２のウエーハを所定の厚みに形成する第２の裏面研削工程と、を含み、
少なくとも第２の裏面研削工程を実施する前に、第２のウエーハの外周に液状樹脂を被覆して第１のウエーハの外周と一体的に固化する外周部一体化工程を実施する、
ことを特徴とするウエーハの加工方法が提供される。
【００１１】
該第１の接合工程を実施した後、該第１の裏面研削工程を実施する前に、第１のウエーハの外周に液状樹脂を被覆してベースとなる基板の外周を一体的に固化する外周部一体化工程を実施する。
該第２の裏面研削工程を実施した後、第２のウエーハの裏面にデバイスが一致するように第３のウエーハの表面を対面させて接合する第３の接合工程と、第３のウエーハの外周に液状樹脂を被覆して第２のウエーハの外周と一体的に固化する外周部一体化工程と、第３のウエーハの裏面を研削し第３のウエーハを所定の厚みに形成する第３の裏面研削工程とを実施する。
該第３の裏面研削工程を実施した後、順次第nのウエーハを接合する第nの接合工程と、第nのウエーハの外周に液状樹脂を被覆するウエーハ外周部一体化工程と、第nのウエーハの裏面を研削する第nの裏面研削工程を実施する。
該第２の裏面研削工程、第３の裏面研削工程、第nの裏面研削工程を実施した後、それぞれ被覆樹脂を除去する被覆樹脂除去工程を実施する。
積層ウエーハは、分割予定ラインに沿って切断され個々の積層デバイスに分割される。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によるウエーハの加工方法おいては、ベースとなる基板の表面に第１のウエーハの表面を対面させて接合する第１の接合工程と、該第１の接合工程が実施された第１のウエーハの裏面を研削し、第１のウエーハを所定の厚みに形成する第１の裏面研削工程と、該第１の裏面研削工程が実施された第１のウエーハの裏面にデバイスが一致するように第２のウエーハの表面を対面させて接合する第２の接合工程と、該第２の接合工程が実施された第２のウエーハの裏面を研削し、第２のウエーハを所定の厚みに形成する第２の裏面研削工程とを含み、少なくとも第２の裏面研削工程を実施する前に、第２のウエーハの外周に液状樹脂を被覆して第１のウエーハの外周と一体的に固化する外周部一体化工程を実施するので、第２の裏面研削工程を実施する際には、外周部一体化工程が実施され第１の半導体ウエーハと第２の半導体ウエーハの外周にズレがあってもズレによる段差が液状樹脂によって埋められて固定されているので、第２の半導体ウエーハの裏面が研削されて厚みが１０μm程度に達してもオーバーハングした部分に振動が生ずることがないため、第２の半導体ウエーハが破損することはない。
また、本発明によるウエーハの加工方法おいては、第２の裏面研削工程を実施する際には、外周部一体化工程が実施され第１の半導体ウエーハと第２の半導体ウエーハの外周にズレがあってもズレによる段差が液状樹脂によって埋められて固定されているので、上述したナイフエッジの発生が抑制できるため、上記エッジトリミングの実施を省くことが可能となり生産性を向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明によるウエーハの加工方法によって積層されるウエーハとしての半導体ウエーハの斜視図。
【図２】本発明によるウエーハの加工方法における第１の接合工程を示す説明図。
【図３】本発明によるウエーハの加工方法における第１の接合工程を実施した後に実施する外周部一体化工程を示す説明図。
【図４】本発明によるウエーハの加工方法における第１の裏面研削工程を示す説明図。
【図５】本発明によるウエーハの加工方法における第２の接合工程を示す説明図。
【図６】本発明によるウエーハの加工方法における第２の接合工程を実施した後に実施する外周部一体化工程を示す説明図。
【図７】本発明によるウエーハの加工方法における第２の裏面研削工程を示す説明図。
【図８】本発明によるウエーハの加工方法における第３の接合工程を示す説明図。
【図９】本発明によるウエーハの加工方法における第３の接合工程を実施した後に実施する外周部一体化工程を示す説明図。
【図１０】本発明によるウエーハの加工方法における第３の裏面研削工程を示す説明図。
【図１１】本発明によるウエーハの加工方法における基板剥離工程を示す説明図。
【図１２】本発明によるウエーハの加工方法におけるウエーハ支持工程が実施され積層ウエーハが環状のフレームに装着されたダイシングテープの表面に貼着された状態を示す斜視図。
【図１３】本発明によるウエーハの加工方法における分割工程を実施するための切削装置の要部斜視図。
【図１４】本発明によるウエーハの加工方法における分割工程の説明図。
【図１５】図１４に示す分割工程が実施され積層ウエーハが個々に分割された積層デバイスの斜視図。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明によるウエーハの加工方法の好適な実施形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。
【００１５】
図１には、本発明に従って加工されるウエーハとしての半導体ウエーハの斜視図が示されている。図１に示す半導体ウエーハ２は、厚みが例えば３００μmのシリコンウエーハからなっており、表面２ａに複数の分割予定ライン２１が格子状に形成されているとともに、該複数の分割予定ライン２１によって区画された複数の領域にＩＣ、ＬＳＩ等のデバイス２２が形成されている。以下、この半導体ウエーハ２を複数枚積層して積層ウエーハを形成するウエーハの加工方法について説明する。
【００１６】
先ず、ベースとなる基板の表面に第１のウエーハの表面を対面させて接合する第１の接合工程を実施する。即ち、図２の(a)および(b)に示すようにベースとなる基板３の表面３aに第１の半導体ウエーハ２―１の表面２aを対面させ接着剤を介して接合する（第１の接合工程）。なお、ベースとなる基板３は図示の実施形態においては厚みが例えば１mmのガラス板からなっている。
【００１７】
上記第１の接合工程を実施したならば、第１の半導体ウエーハ２―１の外周に液状樹脂を被覆してベースとなる基板３の外周と一体的に固化する外周部一体化工程を実施する。即ち、図３に示すように第１の半導体ウエーハ２―１の外周に液状樹脂４を被覆してベースとなる基板３の外周と一体的に固化する。なお、液状樹脂４は、紫外線を照射することによって固化する樹脂が用いられる。従って、第１の半導体ウエーハ２―１の外周に液状樹脂４を被覆した後、紫外線を照射することによって液状樹脂４を固化する。なお、ベースとなる基板３の表面にデバイスが形成されていない場合は基板３の外周と第１の半導体ウエーハ２―１の外周を一致させて接合できるので、必ずしも外周に液状樹脂を被覆する必要はない。
【００１８】
上述した外周部一体化工程を実施したならば、第１の半導体ウエーハ２―１の裏面２bを研削して第１の半導体ウエーハ２―１をデバイスの所定の厚みに形成する第１の裏面研削工程を実施する。この裏面研削工程は、図４の(a)に示す研削装置５を用いて実施する。図４に示す研削装置５は、被加工物を保持するチャックテーブル５１と、該チャックテーブル５１に保持された被加工物を研削する研削手段５２を具備している。チャックテーブル５１は、保持面である上面に被加工物を吸引保持するように構成されており、図示しない回転駆動機構によって図４の(a)において矢印５１aで示す方向に回転せしめられる。研削手段５２は、スピンドルハウジング５２１と、該スピンドルハウジング５２１に回転自在に支持され図示しない回転駆動機構によって回転せしめられる回転スピンドル５２２と、該回転スピンドル５２２の下端に装着されたマウンター５２３と、該マウンター５２３の下面に取り付けられた研削ホイール５２４とを具備している。この研削ホイール５２４は、円環状の基台５２５と、該基台５２５の下面に環状に装着された研削砥石５２６とからなっており、基台５２５がマウンター５２３の下面に締結ボルト５２７によって取り付けられている。
【００１９】
上述した研削装置５を用いて上記第１の裏面研削工程を実施するには、図４の(a)に示すようにチャックテーブル５１の上面（保持面）に上記第１の接合工程および外周部一体化工程が実施された第１の半導体ウエーハ２―１のベースとなる基板３側を載置する。そして、図示しない吸引手段を作動することによってチャックテーブル５１上に第１の半導体ウエーハ２―１をベースとなる基板３を介して吸着保持する（ウエーハ保持工程）。従って、チャックテーブル５１上に保持された第１の半導体ウエーハ２―１は、裏面２bが上側となる。このようにチャックテーブル５１上に第１の半導体ウエーハ２―１をベースとなる基板３を介して吸引保持したならば、チャックテーブル５１を図４の(a)および図４の(b)において矢印５１aで示す方向に例えば３００ｒｐｍで回転しつつ、研削手段５２の研削ホイール５２４を図４の(a)および図４の(b)において矢印５２４aで示す方向に例えば６０００ｒｐｍで回転せしめて、図４の(a)および図４の(b)に示すように研削砥石４２６を被加工面である第１の半導体ウエーハ２―１の裏面２bに接触せしめ、研削ホイール５２４を図４の(a)および図４の(b)において矢印５２４bで示すように例えば１μm／秒の研削送り速度で下方（チャックテーブル５１の保持面に対し垂直な方向）に所定量研削送りする。この結果、第１の半導体ウエーハ２―１の裏面２bが研削されて第１の半導体ウエーハ２―１は所定の厚み（例えば１０μm）に形成される。この第１の裏面研削工程を実施する際には、第１の半導体ウエーハ２―１の外周に液状樹脂４を被覆してベースとなる基板３の外周と一体的に固化されているので、第１の半導体ウエーハ２―１の裏面２bが研削されて厚みが１０μmに達してもオーバーハングした部分に振動が生ずることがないため、第１の半導体ウエーハ２―１が破損することはない。
【００２０】
次に、上記第１の半導体ウエーハ２―１の外周に被覆された液状樹脂４を溶剤を用いて除去する（被覆樹脂除去工程）。そして、第１の半導体ウエーハ２―１の裏面側から表面に形成されたデバイスに接続する電極を形成する工程に送られる。電極を形成する工程においては、例えばドライエッチング加工によって電極形成用にビアホールを形成するが、このとき上記液状樹脂４が存在するとガスが発生するという問題があるが、上述したように液状樹脂４は除去されているのでガスが発生することはない。
【００２１】
次に、第１の裏面研削工程が実施された第１の半導体ウエーハ２―１の裏面にデバイスが一致するように第２の半導体ウエーハの表面を対面させて接合する第２の接合工程を実施する。即ち、図５の(a)および(b)に示すように上記第１の裏面研削工程が実施された第１の半導体ウエーハ２―１の裏面2ｂに第２の半導体ウエーハ２―２の表面２aを対面させて接着剤を介して接合する。
【００２２】
上述した第２の接合工程を実施したならば、第２の半導体ウエーハ２―２の外周に液状樹脂を被覆して第１の半導体ウエーハ２―１の外周と一体的に固化する外周部一体化工程を実施する。即ち、図６に示すように第２の半導体ウエーハ２―２の外周に液状樹脂４を被覆して第１の半導体ウエーハ２―１の外周と一体的に固化する。なお、液状樹脂４は、上述したように紫外線を照射することによって固化する樹脂が用いられる。従って、第１の半導体ウエーハ２―１の外周に液状樹脂４を被覆した後、紫外線を照射することによって液状樹脂４を固化する。このように外周部一体化工程を実施することにより図６に示すように第１の半導体ウエーハ２―１と第２の半導体ウエーハ２―２の外周がズレてオーバーハングしている状態でも第１の半導体ウエーハ２―１と第２の半導体ウエーハ２―２の外周の段差が液状樹脂４によって埋められる。
【００２３】
次に、上述した第２の接合工程および外周部一体化工程が実施された第２の半導体ウエーハ２―２の裏面を研削し、第２の半導体ウエーハ２―２を所定の厚みに形成する第２の裏面研削工程を実施する。この第２の裏面研削工程は、上記図４の(a)に示す研削装置５を用いて実施する。即ち、図７に示すようにチャックテーブル５１の上面（保持面）に上記第２の接合工程および外周部一体化工程が実施された積層ウエーハのベースとなる基板３側を載置する。そして、図示しない吸引手段を作動することによってチャックテーブル５１上に積層ウエーハをベースとなる基板３を介して吸着保持する（ウエーハ保持工程）。従って、チャックテーブル５１上にベースとなる基板３を介して保持された積層ウエーハは、第２の半導体ウエーハ２―２の裏面２bが上側となる。このようにチャックテーブル５１上に積層ウエーハをベースとなる基板３を介して吸引保持したならば、チャックテーブル５１を図７において矢印５１aで示す方向に例えば３００ｒｐｍで回転しつつ、研削手段５２の研削ホイール５２４を図７において矢印５２４aで示す方向に例えば６０００ｒｐｍで回転せしめて、図７に示すように研削砥石５２６を被加工面である第２の半導体ウエーハ２―２の裏面２bに接触せしめ、研削ホイール５２４を図７において矢印５２４bで示すように例えば１μm／秒の研削送り速度で下方（チャックテーブル５１の保持面に対し垂直な方向）に所定量研削送りする。この結果、第２の半導体ウエーハ２―２の裏面２bが研削されて第２の半導体ウエーハ２―２は所定の厚み（例えば１０μm）に形成される。この第２の裏面研削工程を実施する際には、外周部一体化工程が実施され第１の半導体ウエーハ２―１と第２の半導体ウエーハ２―２の外周の段差が液状樹脂４によって埋められて固定されているので、第２の半導体ウエーハ２―２の裏面２bが研削されて厚みが１０μmに達してもオーバーハングした部分に振動が生ずることがないため、第２の半導体ウエーハ２―２が破損することはない。また、第２の裏面研削工程を実施する際には、外周部一体化工程が実施され第１の半導体ウエーハと第２の半導体ウエーハの外周にズレがあってもズレによる段差が液状樹脂によって埋められて固定されているので、上述したナイフエッジの発生が抑制できるため、上記エッジトリミングの実施を省くことが可能となり生産性を向上することができる。
【００２４】
上述した第２の裏面研削工程を実施したならば、第２の半導体ウエーハ２―２の外周に被覆された液状樹脂４を溶剤を用いて除去する（被覆樹脂除去工程）。そして、第２の半導体ウエーハ２―２の裏面側から表面に形成されたデバイスに接続する電極を形成する工程に送られる。電極を形成する工程においては、上述したように例えばドライエッチング加工等を実施しても液状樹脂４は除去されているのでガスが発生することはない。
【００２５】
次に、第２の半導体ウエーハ２―２の裏面にデバイスが一致するように第３の半導体ウエーハの表面を対面させて接合する第３の接合工程を実施する。即ち、図８の(a)および(b)に示すように上記第２の裏面研削工程が実施された第２の半導体ウエーハ２―２の裏面2ｂに第３の半導体ウエーハ２―３の表面２aを対面させて接着剤を介して接合する。
【００２６】
上述した第３の接合工程を実施したならば、第３の半導体ウエーハ２―３の外周に液状樹脂を被覆して第２の半導体ウエーハ２―２の外周と一体的に固化する外周部一体化工程を実施する。即ち、図９に示すように第３の半導体ウエーハ２―３の外周に液状樹脂４を被覆して第２の半導体ウエーハ２―２の外周と一体的に固化する。
【００２７】
次に、上述した第３の接合工程および外周部一体化工程が実施された第３の半導体ウエーハ２―３の裏面を研削し、第３の半導体ウエーハ２―３を所定の厚みに形成する第３の裏面研削工程を実施する。この第３の裏面研削工程は、上記図４の(a)に示す研削装置５を用いて図１０に示すようにチャックテーブル５１の上面（保持面）に上記第３の接合工程および外周部一体化工程が実施された積層ウエーハのベースとなる基板３側を保持して、上記第２の裏面研削工程と同様に実施し、第３の半導体ウエーハ２―３を所定の厚み（例えば１０μm）に形成される。この第３の裏面研削工程を実施する際にも、外周部一体化工程が実施され第２の半導体ウエーハ２―２と第３の半導体ウエーハ２―３の外周にズレがあってもズレによる段差が液状樹脂によって埋められて固定されているので、第３の半導体ウエーハ２―３の裏面２bが研削されて厚みが１０μmに達してもオーバーハングした部分に振動が生ずることがないため、第３の半導体ウエーハ２―３が破損することはない。
【００２８】
上述した第３の裏面研削工程を実施したならば、第３の半導体ウエーハ２―３の外周に被覆された液状樹脂４を溶剤を用いて除去する。そして、第３の半導体ウエーハ２―３の裏面側から表面に形成されたデバイスに接続する電極を形成する工程に送られる。電極を形成する工程においては、上述したように例えばドライエッチング加工等を実施しても液状樹脂４は除去されているのでガスが発生することはない。
【００２９】
なお、上記第３の裏面研削工程を実施した後、更に半導体ウエーハを積層する場合には、順次上記第３の接合工程と同様に第nの半導体ウエーハ２―nを積層する第nの接合工程と、上記外周部一体化工程と同様に第nのウエーハの外周に液状樹脂を被覆する外周部一体化工程と、上記第３の裏面研削工程と同様に第nのウエーハの裏面を研削する第nの裏面研削工程、被覆樹脂除去工程を実施する。
【００３０】
上述したように第nの半導体ウエーハ２―nまでを積層した積層ウエーハを形成したならば、図１１に示すように第１の半導体ウエーハ２―１の表面２aに接合されているベースとなる基板３を剥離する（基板剥離工程）。このようにして、第１の半導体ウエーハ２―１の表面２aに接合されているベースとなる基板３を剥離することにより、図示の実施形態においては第１の半導体ウエーハ２―1、第２の半導体ウエーハ２―２、第３の半導体ウエーハ２―３および第nの半導体ウエーハ２―nの例えば４枚の半導体ウエーハからなる厚みが４０μmの積層ウエーハ２００を得ることができる。
【００３１】
次に、積層ウエーハ２００を環状のフレームに装着されたダイシングテープの表面に貼着するウエーハ支持工程を実施する。即ち、図１２に示すように、環状のフレームFの内側開口部を覆うように外周部が装着されたダイシングテープTの表面に積層ウエーハ２００を構成する第nの半導体ウエーハ２―nの裏面２bを貼着する。従って、ダイシングテープTの表面に貼着された積層ウエーハ２００は、第１の半導体ウエーハ２―１の表面２aが上側となる。
【００３２】
上述したウエーハ支持工程を実施したならば、積層ウエーハ２００を分割予定ラインに沿って切断し個々の積層デバイスに分割する分割工程を実施する。この分割工程は、図１３に示す切削装置６を用いて実施する。図１３に示す切削装置６は、被加工物を保持するチャックテーブル６１と、該チャックテーブル６１に保持された被加工物を切削する切削手段６２と、該チャックテーブル６１に保持された被加工物を撮像する撮像手段６３を具備している。チャックテーブル６１は、被加工物を吸引保持するように構成されており、図示しない加工送り手段によって図１３において矢印Ｘで示す加工送り方向に移動せしめられるとともに、図示しない割り出し送り手段によって矢印Ｙで示す割り出し送り方向に移動せしめられるようになっている。
【００３３】
上記切削手段６２は、実質上水平に配置されたスピンドルハウジング６２１と、該スピンドルハウジング６２１に回転自在に支持された回転スピンドル６２２と、該回転スピンドル６２２の先端部に装着された切削ブレード６２３を含んでおり、回転スピンドル６２２がスピンドルハウジング６２１内に配設された図示しないサーボモータによって矢印６２３aで示す方向に回転せしめられるようになっている。切削ブレード６２３は、アルミニウム等の金属材によって形成された円盤状の基台６２４と、該基台６２４の側面外周部に装着された環状の切れ刃６２５とからなっている。環状の切れ刃６２５は、基台６２４の側面外周部に粒径が３〜４μｍのダイヤモンド砥粒をニッケルメッキで固めた電鋳ブレードからなっており、図示の実施形態においては厚みが３０μｍで外径が５０mmに形成されている。
【００３４】
上記撮像手段６３は、スピンドルハウジング６２１の先端部に装着されており、被加工物を照明する照明手段と、該照明手段によって照明された領域を捕らえる光学系と、該光学系によって捕らえられた像を撮像する撮像素子（ＣＣＤ）等を備え、撮像した画像信号を図示しない制御手段に送る。
【００３５】
上述した切削装置６を用いて分割工程を実施するには、図１３に示すようにチャックテーブル６１上に上記積層ウエーハ２００が貼着されたダイシングテープT側を載置する。そして、図示しない吸引手段を作動することにより、ダイシングテープTを介して積層ウエーハ２００をチャックテーブル６１上に保持する（ウエーハ保持工程）。従って、チャックテーブル６１に保持された積層ウエーハ２００は、第１の半導体ウエーハ２―１の表面２aが上側となる。なお、図１３においてはダイシングテープTが装着された環状のフレームFを省いて示しているが、環状のフレームFはチャックテーブル６１に配設された適宜のフレーム保持手段に保持される。このようにして、積層ウエーハ２００を吸引保持したチャックテーブル６１は、図示しない加工送り手段によって撮像手段６３の直下に位置付けられる。
【００３６】
チャックテーブル６１が撮像手段６３の直下に位置付けられると、撮像手段６３および図示しない制御手段によって積層ウエーハ２００の切削すべき領域を検出するアライメント工程を実行する。即ち、撮像手段６３および図示しない制御手段は、積層ウエーハ２００を構成する第１の半導体ウエーハ２―１の所定方向に形成されている分割予定ライン２１と対応する領域と、切削ブレード６２３との位置合わせを行うためのパターンマッチング等の画像処理を実行し、切削ブレード６２３による切削領域のアライメントを遂行する（アライメント工程）。また、積層ウエーハ２００を構成する第１の半導体ウエーハ２―１に上記所定方向と直交する方向に形成された分割予定ライン２１と対応する領域に対しても、同様に切削ブレード６２３による切削位置のアライメントが遂行される。
【００３７】
以上のようにしてチャックテーブル６１上に保持されている積層ウエーハ２００を構成する第１の半導体ウエーハ２―１の分割予定ライン２１と対応する領域を検出し、切削領域のアライメントが行われたならば、積層ウエーハ２００を保持したチャックテーブル６１を切削領域の切削開始位置に移動する。このとき、図１４の（ａ）で示すように積層ウエーハ２００は切削すべき分割予定ライン２１と対応する領域の一端（図１４の（ａ）において左端）が切削ブレード６２３の直下より所定量右側に位置するように位置付けられる。
【００３８】
このようにして切削装置６のチャックテーブル６１上に保持された積層ウエーハ２００が切削加工領域の切削開始位置に位置付けられたならば、切削ブレード６２３を図１４（ａ）において２点鎖線で示す待機位置から矢印Z１で示すように下方に切り込み送りし、図１４の（ａ）において実線で示すように所定の切り込み送り位置に位置付ける。この切り込み送り位置は、切削ブレード６２３の下端が積層ウエーハ２００に貼着されたダイシングテープTに達する位置に設定されている。
【００３９】
次に、切削ブレード６２３を図１４の（ａ）において矢印６２３aで示す方向に所定の回転速度で回転せしめ、チャックテーブル６１を図１４の（ａ）において矢印Ｘ１で示す方向に所定の切削送り速度で移動せしめる。そして、チャックテーブル６１が図１４の（ｂ）で示すように分割予定ライン２１の他端（図１４の（ｂ）において右端）が切削ブレード６２３の直下より所定量左側に位置するまで達したら、チャックテーブル６１の移動を停止する。このようにチャックテーブル６１を切削送りすることにより、積層ウエーハ２００は分割予定ライン２１に沿って切断される(分割工程)。
【００４０】
次に、切削ブレード６２３を図１４の（ｂ）において矢印Z2で示すように上昇させて２点鎖線で示す待機位置に位置付け、チャックテーブル６１を図１４の（ｂ）において矢印Ｘ２で示す方向に移動して、図１４の（ａ）に示す位置に戻す。そして、チャックテーブル６１を紙面に垂直な方向（割り出し送り方向）に分割予定ライン２１の間隔に相当する量だけ割り出し送りし、次に切削すべき分割予定ライン２１を切削ブレード６２３と対応する位置に位置付ける。このようにして、次に切削すべき分割予定ライン２１をｚ切削ブレード６２３と対応する位置に位置付けたならば、上述した分割工程を実施する。
【００４１】
なお、上記分割工程は、例えば以下の加工条件で行われる。
切削ブレード          ：外径５０ｍｍ、厚み３０μｍ
切削ブレードの回転速度：２００００ｒｐｍ
切削送り速度          ：５０ｍｍ／秒
【００４２】
上述した分割工程を積層ウエーハ２００を構成する第１の半導体ウエーハ２―１に形成された全ての分割予定ライン２１に沿って実施する。この結果、積層ウエーハ２００は第１の半導体ウエーハ２―１に沿って切断され、図１５に示すように個々の積層デバイス２２０に分割される。
【符号の説明】
【００４３】
２：半導体ウエーハ
２１：分割予定ライン
２２：デバイス
２００：積層ウエーハ
２２０：積層デバイス
３：ベースとなる基板
４：液状樹脂
５：研削装置
５１：研削装置のチャックテーブル
５２：研削手段
５２４：研削ホイール
５２６：研削砥石
６：切削装置
６１：切削装置のチャックテーブル
６２：切削手段
６２３：切削ブレード
Ｆ：環状のフレーム
Ｔ：ダイシングテープ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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