(57)【要約】【課題】内層にアルミニウム層を有することにより、大電流かつ高放熱に優れ、且つ、外層側に微細な配線が可能な銅を主導体とする回路パターンを形成可能な多層基板及びその製造方法を提供する。【解決手段】スルーホール９によって層間の電気的接続がなされる多層基板１，１１であって、前記スルーホールが形成された少なくとも１層のアルミニウム層２と、前記アルミニウム層上に積層されたニッケルめっき層４と、少なくとも前記スルーホールの壁面に前記ニッケルめっき層を介して形成された第１の銅層５と、少なくとも前記アルミニウム層の上下いずれかの面側に積層された絶縁層１６と、前記絶縁層上および前記第１の銅層上に積層された第２の銅層８とを有する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
スルーホールによって層間の電気的接続がなされる多層基板であって、
前記スルーホールが形成された少なくとも１層のアルミニウム層と、
前記アルミニウム層上に積層されたニッケルめっき層と、
少なくとも前記スルーホールの壁面に前記ニッケルめっき層を介して形成された第１の銅層と、
少なくとも前記アルミニウム層の上下いずれかの面側に積層された絶縁層と、
前記絶縁層上および前記第１の銅層上に積層された第２の銅層とを有することを特徴とする多層基板。
【請求項２】
前記第２の銅層上に少なくとも１組の絶縁層と銅層とが、さらに積層されていることを特徴とする請求項１に記載された多層基板。
【請求項３】
前記スルーホールは、前記アルミニウム層と前記ニッケルめっき層と前記第１の銅層と前記第２の銅層とが電気的に接続された電気的接続穴、または前記アルミニウム層と前記第２の銅層との間に絶縁樹脂が設けられた絶縁穴であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載された多層基板。
【請求項４】
前記絶縁層は、ローフロー型の接着樹脂シートまたはプリプレグシートを加熱処理することにより形成されていることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載された多層基板。
【請求項５】
スルーホールによって層間の電気的接続がなされる多層基板の製造方法であって、
前記スルーホールが形成された少なくとも１層のアルミニウム層を形成するステップと、
前記アルミニウム層上に亜鉛置換めっき層を形成するステップと、
前記亜鉛置換めっき層をニッケルめっき層に置換するステップと、
少なくとも前記スルーホールの壁面の前記ニッケルめっき層上に第１の銅層を形成するステップと、
少なくとも前記アルミニウム層の上下いずれかの面側に絶縁層を形成するステップと、
前記絶縁層上および前記第１の銅層上に第２の銅層を積層するステップとを含むことを特徴とする多層基板の製造方法。
【請求項６】
さらに、前記第２の銅層上に少なくとも１組の絶縁層と銅層とを積層するステップを含むことを特徴とする請求項５に記載された多層基板の製造方法。
【請求項７】
少なくとも前記アルミニウム層の上下いずれかの面側に絶縁層を形成するステップにおいて、
ローフロー型の接着樹脂シートの一面に銅箔を貼り付けるステップと、
前記接着樹脂シート及び銅箔に、前記アルミニウム層のスルーホールに対応するスルーホールを形成するステップと、
前記銅箔が貼り付けられていない前記接着樹脂シートの他面側を前記アルミニウム層の少なくとも上下いずれかの面側に貼り付けるステップと、
加熱プレス処理により前記接着樹脂シートを加熱し、前記絶縁層を形成するステップとを含むことを特徴とする請求項５または請求項６に記載された多層基板の製造方法。
【請求項８】
少なくとも前記アルミニウム層の上下いずれかの面側に絶縁層を形成するステップにおいて、
少なくとも前記アルミニウム層の上下いずれかの面側に、プリプレグシートと銅箔とを重ね、加熱プレス処理により積層するステップと、
前記加熱プレス処理により前記プリプレグシートが溶解し前記アルミニウム層のスルーホールに充填された樹脂を穿孔により取り除き、前記絶縁層を形成するステップとを含むことを特徴とする請求項５または請求項６に記載された多層基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、多層基板及びその製造方法に関し、特に、内層にアルミニウム層を有する多層基板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、プリント配線基板において、大電流かつ高放熱に優れた材料として、アルミニウムを用いたものが提案されている。
例えば、特許文献１に開示されるプリント配線基板は、図１４のように構成される。図１４に示すプリント配線基板５０は、大きくは、主導体としてのアルミニウムパターン５３が形成された２枚のアルミニウム板５１、５２を、プリプレグ５４を介して上下に（互いに）貼り合わせてなる。
【０００３】
前記アルミニウムパターン５３上には、副導体としての銅パターン５５が形成されている。また、プリント配線基板５０にはスルーホール６０が形成され、このスルーホール６０には銅メッキ皮膜６１が形成され、上下のアルミニウム板５１，５２を電気的に接続している。また、アルミニウムパターン５３、銅パターン５５、銅メッキ皮膜６１等の上にはソルダーレジスト絶縁皮膜６５が形成されている。
【０００４】
このようなアルミニウム板５１、５２を用いたプリント配線基板５０によれば、主導体として厚みのあるアルミニウム板５１、５２を有しているため、高い放熱性が得られ、また、大電流を流すことが可能となる。
更には、従来の大電流を流すために厚みのある銅板を内層に用いた構成に比べ、大幅に軽量化を図ることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特許第４３２７７７４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
図１４に示したアルミニウム板を用いたプリント配線基板にあっては、外層側に主導体としてアルミニウムからなる回路パターンを形成したものとなる。
しかしながら、回路パターンの形成にアルミニウムを用いる場合、細い配線の形成が困難であるという課題があった。
さらに、図１４のプリント配線基板にあっては、単にプリプレグ５４の上下面にアルミニウム板５１，５２を積層した構成であり、導体層が３層以上の多層基板を形成可能なものではなかった。
【０００７】
本発明は、前記した点に着目してなされたものであり、内層にアルミニウム層を有することにより、大電流かつ高放熱に優れ、且つ、外層側に微細な配線が可能な銅を主導体とする回路パターンを形成可能な多層基板及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記した課題を解決するために、本発明に係る多層基板は、スルーホールによって層間の電気的接続がなされる多層基板であって、前記スルーホールが形成された少なくとも１層のアルミニウム層と、前記アルミニウム層上に積層されたニッケルめっき層と、少なくとも前記スルーホールの壁面に前記ニッケルめっき層を介して形成された第１の銅層と、少なくとも前記アルミニウム層の上下いずれかの面側に積層された絶縁層と、前記絶縁層上および前記第１の銅層上に積層された第２の銅層とを有することに特徴を有する。
尚、前記第２の銅層上に少なくとも１組の絶縁層と銅層とが、さらに積層されていてもよい。
また、前記スルーホールは、前記アルミニウム層と前記ニッケルめっき層と前記第１の銅層と前記第２の銅層とが電気的に接続された電気的接続穴、または前記アルミニウム層と前記第２の銅層との間に絶縁樹脂が設けられた絶縁穴であることが望ましい。
また、前記絶縁層は、ローフロー型の接着樹脂シートまたはプリプレグシートを加熱処理することにより形成されていることが望ましい。
【０００９】
このように多層基板を構成することにより、内層にアルミニウム層を有するため、大電流を流すことができ、また、従来の厚銅を用いた大電流基板に比較して大幅な軽量化を図ることができる。また、アルミニウム層によって高い放熱性を得ることができる。さらに、基板表裏面に銅層を形成し外層回路を銅だけで形成できるため、細線の回路パターンの形成が容易となる。
【００１０】
また、前記した課題を解決するために、本発明に係る多層基板の製造方法は、スルーホールによって層間の電気的接続がなされる多層基板の製造方法であって、前記スルーホールが形成された少なくとも１層のアルミニウム層を形成するステップと、前記アルミニウム層上に亜鉛置換めっき層を形成するステップと、前記亜鉛置換めっき層をニッケルめっき層に置換するステップと、少なくとも前記スルーホールの壁面の前記ニッケルめっき層上に第１の銅層を形成するステップと、少なくとも前記アルミニウム層の上下いずれかの面側に絶縁層を形成するステップと、前記絶縁層上および前記第１の銅層上に第２の銅層を積層するステップとを含むことに特徴を有する。
尚、前記第２の銅層上に少なくとも１組の絶縁層と銅層とを積層するステップを含んでもよい。
また、少なくとも前記アルミニウム層の上下いずれかの面側に絶縁層を形成するステップにおいて、ローフロー型の接着樹脂シートの一面に銅箔を貼り付けるステップと、前記接着樹脂シート及び銅箔に、前記アルミニウム層のスルーホールに対応するスルーホールを形成するステップと、前記銅箔が貼り付けられていない前記接着樹脂シートの他面側を前記アルミニウム層の少なくとも上下いずれかの面側に貼り付けるステップと、加熱プレス処理により前記接着樹脂シートを加熱し、前記絶縁層を形成するステップとを含むことが望ましい。
或いは、少なくとも前記アルミニウム層の上下いずれかの面側に絶縁層を形成するステップにおいて、少なくとも前記アルミニウム層の上下いずれかの面側に、プリプレグシートと銅箔とを重ね、加熱プレス処理により積層するステップと、前記加熱プレス処理により前記プリプレグシートが溶解し前記アルミニウム層のスルーホールに充填された樹脂を穿孔により取り除き、前記絶縁層を形成するステップとを含むようにしてもよい。
【００１１】
このように、少なくとも１層のアルミニウム層の上下の外層側に絶縁層を介して銅層を形成することにより、内層にアルミニウム層を有する多層基板を得ることができる。
また、この多層基板は、内層にアルミニウム層を有するため、大電流を流すことができ、また、従来の厚銅を用いた大電流基板に比較して大幅な軽量化を図ることができる。また、アルミニウム層によって高い放熱性を得ることができる。さらに、基板表裏面に銅層を形成し外層回路を銅だけで形成できるため、細線の回路パターンの形成が容易となる。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、内層にアルミニウム層を有することにより、大電流かつ高放熱に優れ、且つ、外層側に微細な配線が可能な銅を主導体とする回路パターンを形成可能な多層基板及びその製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】図１は、本発明に係る多層基板としてのスルーホール基板の断面図である。
【図２】図２は、図１のスルーホール基板の基板製造工程の第１の実施形態を時系列に示す断面図である。
【図３】図３は、図１のスルーホール基板の基板製造工程の第１の実施形態を時系列に示す断面図である。
【図４】図４は、図１のスルーホール基板の基板製造工程の第１の実施形態を時系列に示す断面図である。
【図５】図５は、図１のスルーホール基板の基板製造工程の第２の実施形態を時系列に示す断面図である。
【図６】図６は、図１のスルーホール基板の基板製造工程の第２の実施形態を時系列に示す断面図である。
【図７】図７は、図１のスルーホール基板の基板製造工程の第２の実施形態を時系列に示す断面図である。
【図８】図８は、図１のスルーホール基板の基板製造工程の第３の実施形態を時系列に示す断面図である。
【図９】図９は、図１のスルーホール基板の基板製造工程の第３の実施形態を時系列に示す断面図である。
【図１０】図１０は、導体層が７層のスルーホール基板の断面図である。
【図１１】図１１は、図１０のスルーホール基板の基板製造工程を時系列に示す断面図である。
【図１２】図１２は、図１０のスルーホール基板の基板製造工程を時系列に示す断面図である。
【図１３】図１３は、図１０のスルーホール基板の基板製造工程を時系列に示す断面図である。
【図１４】図１４は、従来のアルミニウム板を用いたプリント配線基板の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明に係る多層基板及びその製造方法の実施の形態を図面に基づき説明する。図１は、本発明に係る多層基板としてのスルーホール基板の断面図である。図示するスルーホール基板１は、３層の導体層を有する。具体的には、中心部に所定の厚さ（例えば２ｍｍ）のアルミニウム層２を有し、このアルミニウム層２の周りに例えば厚さ５μｍのニッケルめっき層４と１次銅めっき層５（第１の銅層）とが形成されている。
【００１５】
また、前記１次銅めっき層５の上には絶縁性の接着シート６を介して銅箔層７が形成され、その上に２次銅めっき層８（第２の銅層）が形成されている。これにより、スルーホール基板１の表裏面には銅層が形成され、この銅層（銅箔層７及び２次銅めっき層８）に対し、配線パターン１０が形成されている。
また、このスルーホール基板１には上下（表裏）に貫通するスルーホール９Ａ，９Ｂ（９）が形成されており、このスルーホール９の壁面に前記２次銅めっき層８が形成されている。
【００１６】
スルーホール９Ａ（絶縁穴）においては、アルミニウム層２と２次銅めっき層８の間にはエポキシ樹脂３が設けられているため、アルミニウム層２と２次銅めっき層８とは電気的に絶縁されている。
一方、スルーホール９Ｂ（電気的接続穴）においては、壁面の２次銅めっき層８は、アルミニウム層２の周囲に形成された１次銅めっき層５に接している。このため、２次銅めっき層８とアルミニウム層２とは電気的に接続されている。即ち、スルーホール基板１の表裏面の銅層パターンを箇所毎に電気的に接続するか否かは、スルーホール９Ａ、９Ｂのように構成することにより可能である。
【００１７】
このように構成されたスルーホール基板１によれば、内層にアルミニウム層２を有するため、大電流を流すことができ、また、従来の厚銅層を用いた大電流基板に比較して大幅な軽量化を図ることができる。また、アルミニウム層２によって高い放熱性を得ることができる。さらに、基板表裏面に銅層を形成し外層回路を銅だけで形成できるため、細線の回路パターンの形成が容易となる。
【００１８】
続いて、図２乃至図４を用いて、前記導体層が３層の場合のスルーホール基板１の製造方法の第１の実施形態について説明する。図２乃至図４は、それぞれ基板製造工程を時系列に示す断面図である。
【００１９】
先ず、図２（ａ）に示すように、アルミニウム層２を形成するためのアルミニウム板２０を用意する。
このアルミニウム板２０に対しては、最初にアルミニウム層２の回路パターンに従って絶縁部分となる箇所に、図２（ｂ）に示すように板厚の半分の深さまでザグリ加工（ハーフザグリ加工と呼ぶ）を施し、凹部２０ａを形成する。次に、図２（ｃ）に示すように、前記凹部２０ａをエポキシ樹脂３で埋める。
【００２０】
また、図２（ｄ）に示すように、アルミニウム板２０の裏面に対しても同様に、前記凹部２０ａに対応する箇所に、（凹部２０ａの底部に達するまで）ハーフザグリ加工を施し、凹部２０ｂを形成する。また、図２（ｅ）に示すように、前記凹部２０ｂをエポキシ樹脂３で埋める。
そして、図２（ｆ）に示すように、前記エポキシ樹脂３の形成箇所を含む、スルーホール基板１の必要な箇所にスルーホール９を貫通して形成する。また、これによりアルミニウム層２が形成される。
【００２１】
次いで、前記アルミニウム層２に対し、ダブルジンケート処理にて亜鉛置換めっき層を形成し、置換させた亜鉛上へ、無電解めっき液中で例えば５μｍのニッケルめっき層４の析出を行う（図３（ａ）参照）。尚、このとき、前記エポキシ樹脂上にはニッケルめっき層４は形成されない。
さらに、電解銅めっき処理を施し、図３（ｂ）に示すようにニッケルめっき層４の上に１次銅めっき層５を形成する。この１次銅めっき層５に対しては、その上層との密着性向上のために粗化処理が施される。尚、この粗化処理とは、例えば粗化エッチング法により１次銅めっき層５の表面が微細な凹凸形状になる様１〜２μｍ程度、銅を除去する処理をいう。
【００２２】
一方、図４（ａ）に示すように、接着シート６の上に銅箔７を配置し、図４（ｂ）に示すように接着シート６と銅箔７とを仮接着する。尚、接着シート６としては、例えば、積層加熱時の樹脂溶解が少ないローフロー型の接着シートが好ましく、それにより後述の積層加熱プレス時にスルーホールに樹脂が入り込まないようにすることができる。
そして、この積層された接着シート６と銅箔７とに対し、前記アルミニウム層２に形成されたスルーホール９に対応するスルーホール９を形成する。この銅箔７が積層された接着シート６は、アルミニウム層２の上下面にそれぞれ対応するよう２枚用意される。
【００２３】
そして、図３（ｃ）に示すように、前記アルミニウム層２の上下面に対し、前記接着シート６の一面（銅箔７が接着されていない面）を加熱プレス処理により積層する。
続いて、図３（ｄ）に示すように無電解銅めっき処理後に電解銅めっき処理を施し、基板表裏面及びスルーホール９の壁面に２次銅めっき層８を形成する。
そして、図３（ｅ）に示すように基板表裏面の銅層（銅箔７、２次銅めっき層８）に対し、エッチング処理によりパターニング加工を施し、外層に回路パターンが形成されたスルーホール基板１が完成する。
【００２４】
続いて、図５乃至図７を用いて本発明に係るスルーホール基板の製造方法の第２の実施形態について説明する。尚、この第２の実施形態においては、前記した第１の実施形態での工程のうち、１次銅めっき層５の粗化処理までは同一のため、それまでの詳細な説明は省略する（ダブルジンケート処理前までは図示省略）。
【００２５】
図５（ａ）〜（ｃ）に示すように、前記アルミニウム層２に対し、ダブルジンケート処理にて亜鉛置換めっき層を形成し、置換させた亜鉛上へ、無電解めっき液中で例えば５μｍのニッケルめっき層４の析出を行う。そして、ニッケルめっき層４の上に銅めっき層５を形成し、銅めっき層５を粗化処理すると、その上下面に図７に示すようなプリプレグシート１２（接着シート６に相当）と銅箔７とを置き、図５（ｄ）に示すように、熱プレスにより積層する。尚、この熱プレス処理により、アルミニウム層２のスルーホール９Ａ、９Ｂにはプリプレグシート１２から溶融した樹脂が充填される。
【００２６】
次いで、スルーホール９Ａ、９Ｂに充填された樹脂を取り除くために、図６（ａ）に示すように、穴開け加工を行う。このとき、スルーホール９Ａにおいては、内周壁面にエポキシ樹脂３が露出するように、スルーホール９Ｂにおいては、内周壁面に１次銅めっき層５が露出するように穴開けを行う。
また、図６（ｂ）に示すように無電解銅めっき処理後に電解銅めっき処理を施し、基板表裏面及びスルーホール９の壁面に２次銅めっき層８を形成する。
そして、図６（ｃ）に示すように基板表裏面の銅層（銅箔７、２次銅めっき層８）に対し、エッチング処理によりパターニング加工を施し、外層に回路パターンが形成されたスルーホール基板１が完成する。
【００２７】
続いて、図８、図９を用いて本発明に係るスルーホール基板の製造方法の第３の実施形態について説明する。尚、この第３の実施形態においては、前記した第１の実施形態での工程のうち、スルーホール９Ａ、９Ｂを形成したアルミニウム層２を得るまでの処理は同一のため、それまでの詳細な説明は省略する。
スルーホール９Ａ、９Ｂを形成したアルミニウム層２が得られると、図８（ａ）に示すように、１次銅めっき層５が不要な箇所にめっきレジスト１３を形成する。
【００２８】
次いで、図８（ｂ）に示すように、電解銅めっき処理により、めっきレジスト１３が形成されていない箇所、例えばスルーホール９Ｂに１次銅めっき層５を形成する。
また、１次銅めっき層５が形成されると、図８（ｃ）に示すように、めっきレジスト１３を剥離する。また、１次銅めっき層５に対しては粗化処理を施す。
１次銅めっき層５を粗化処理すると、その上下面にプリプレグシート１２（接着シート６に相当）と銅箔７とを置き、図９（ａ）に示すように、加熱プレス処理により積層する。尚、この熱プレス処理により、アルミニウム層２のスルーホール９Ａ、９Ｂにはプリプレグシート１２から溶融した樹脂が充填される。
【００２９】
次いで、スルーホール９Ａ、９Ｂに充填された樹脂を取り除くために、図９（ｂ）に示すように、穿孔処理を行う。このとき、スルーホール９Ａにおいては、内周壁面にエポキシ樹脂３が露出するように、スルーホール９Ｂにおいては、内周壁面に１次銅めっき層５が露出するように穴開けを行う。
また、図９（ｃ）に示すように無電解銅めっき処理後に電解銅めっき処理を施し、基板表裏面及びスルーホール９の壁面に２次銅めっき層８を形成する。
そして、図９（ｄ）に示すように基板表裏面の銅層（銅箔７、２次銅めっき層８）に対し、エッチング処理によりパターニング加工を施し、外層に回路パターンが形成されたスルーホール基板１が完成する。
【００３０】
前記実施の形態にあっては、導体層が３層のスルーホール基板１及びその製造方法について説明したが、本発明に係るスルーホール基板及びその製造方法にあっては、導体層は３層に限定されるものではなく、それ以上の多層基板にも適用することができる。
例えば、図１０に示すような導体層が７層のスルーホール基板１１にも適用することができる。図１０は、導体層が７層のスルーホール基板１１の断面図である。
【００３１】
図示するスルーホール基板１１は、７層の導体層を有する。具体的には、内層として所定の厚さ（例えば２ｍｍ）のアルミニウム層２を３段有し、上下のアルミニウム層２の間は、例えばＦＲ４（Ｆｌａｍｅ  Ｒｅｔａｒｄａｎｔ  Ｔｙｐｅ４）板１４により分離されている。また、各アルミニウム層２において、回路パターンに応じてエポキシ樹脂３が設けられ、絶縁箇所が形成されている。
また、アルミニウム層２の周りに例えば厚さ５μｍのニッケルめっき層４と１次銅めっき層５とが形成されている。
【００３２】
また、基板上下面側には、ＦＲ４コア材２１の両面に銅めっき層２２、２３（銅層）を有する両面基板２４が、樹脂流れの少ない接着シート１６（絶縁層）を介して積層されている。前記銅めっき層２２、２３には、必要に応じて回路パターンが形成されている。
また、このスルーホール基板１１には上下（表裏）に貫通するスルーホール９Ｃ（９）が形成されており、このスルーホール９Ｃの壁面に２次銅めっき層８が形成されている。
スルーホール９Ｃにおいて、壁面の２次銅めっき８は、アルミニウム層３の周囲に形成された１次銅めっき５に接している。このため、スルーホール９Ｃとアルミニウム層２とは電気的に接続されている。
このように内層にアルミニウム層２を３段に積層し、上下面側に両面基板２４をそれぞれ配置することにより、導体層が７層のスルーホール基板１１が構成されている。
【００３３】
続いて、図１１乃至図１３を用いて、前記導体層が７層の場合のスルーホール基板１１の製造方法の一実施形態について説明する。図１１乃至図１３は、それぞれ基板製造工程を時系列に示す断面図である。
先ず、図１１（ａ）に示すように、アルミニウム層２を形成するためのアルミニウム板２０（２ｍｍ厚）を用意する。
このアルミニウム板２０に対しては、例えば最初にアルミニウム層２の回路パターンに従って絶縁部分となる箇所に、図１１（ｂ）に示すように板厚の半分の深さまでザグリ加工（ハーフザグリ加工）を施し、凹部２０ａを形成する（図では２箇所）。次に、図１１（ｃ）に示すように、前記凹部２０ａをエポキシ樹脂３で埋める。
【００３４】
また、図１１（ｄ）に示すように、アルミニウム板２０の裏面に対しても同様に、前記凹部２０ａに対応する箇所に、（凹部２０ａの底部に達するまで）ハーフザグリ加工を施し、凹部２０ｂを形成する。また、図１１（ｅ）に示すように、前記凹部２０ｂをエポキシ樹脂３で埋める。
このようにしてアルミニウム層２が形成されるが、これを３層分形成し、図１１（ｆ）に示すようにＦＲ４板１４（絶縁層）を介して積層する。
そして、図１２（ａ）に示すように、必要な箇所にスルーホール９Ｃを貫通して形成する。このようにして３層のアルミニウム層２が形成される。
【００３５】
次いで、前記３層のアルミニウム層２に対し、ダブルジンケート処理にて亜鉛置換めっき層を形成し、置換させた亜鉛上へ、無電解めっき液中で例えば５μｍのニッケルめっき層４の析出を行う（図１２（ｂ）参照）。
さらに、電解銅めっき処理を施し、図１２（ｃ）に示すようにニッケルめっき層４の上に１次銅めっき層５を形成する。この１次銅めっき層５に対しては、その上層との密着性向上のために粗化処理が施される。
【００３６】
一方、図１２（ｄ）に示すように、ＦＲ４コア材２１（絶縁層）の両面に銅めっき層２２、２３を有する両面基板２４を２枚用意し、前記スルーホール９Ｃに対応する箇所を穿孔する（スルーホール９）。また、これら両面基板２４を、同様に穿孔した樹脂流れの少ないローフロー型の接着シート１６を介して、図１３（ａ）に示すように前記３層のアルミニウム層２の上下面側に接着し積層する。
そして、図１３（ｂ）に示すように無電解銅めっき処理後に電解銅めっき処理を施してスルーホール９Ｃの壁面に２次銅めっき層８を形成し、基板表裏面に回路パターンを形成することにより導体層が７層のスルーホール基板１１が完成する。
【００３７】
以上のように、本発明に係る実施の形態によれば、少なくとも１層のアルミニウム層２の上下の外層側に絶縁層を介して銅層を形成することにより、内層にアルミニウム層２を有する多層のスルーホール基板１、１１を得ることができる。
また、このスルーホール基板１、１１は、内層にアルミニウム層２を有するため、大電流を流すことができ、また、従来の厚銅を用いた大電流基板に比較して大幅な軽量化を図ることができる。また、アルミニウム層２によって高い放熱性を得ることができる。さらに、基板表裏面に銅層を形成し外層回路を銅だけで形成できるため、細線の回路パターンの形成が容易となる。
【００３８】
尚、図１０に示した導体層が７層のスルーホール基板１１にあっては、一例として電気的接続穴としてのスルーホール９Ｃ（９）のみを有する構成を示したが、電気的絶縁穴としてのスルーホールを形成することも可能である。その場合には、図１の導体層が３層のスルーホール基板１を製造する場合と同様の方法に基づき形成すればよい。
また、前記実施の形態においては、導体層が３層の場合（内層のアルミニウム層２が１層）、導体層が７層の場合（内層のアルミニウム層２が３層）について説明したが、本発明にあっては、これに限定されるものではなく、内層のアルミニウム層２をより多層に積層してもよい。
【００３９】
また、前記実施の形態においては、アルミニウム層２を内層として、その両面側の外層に銅層を形成するものとしたが、それに限定されず、いずれか一方に銅層を形成してもよい。
【符号の説明】
【００４０】
１          スルーホール基板（多層基板）
２          アルミニウム層
３          エポキシ樹脂
４          ニッケルめっき層
５          １次銅めっき層（第１の銅層）
６          接着シート
７          銅箔
８          ２次銅めっき層（第２の銅層）
９          スルーホール
９Ａ        スルーホール
９Ｂ        スルーホール
９Ｃ        スルーホール
１０        配線パターン
１１        スルーホール基板（多層基板）
１２        プリプレグシート
１３        めっきレジスト
１４        ＦＲ４板（絶縁層）
１６        接着シート（絶縁層）
２１        ＦＲ４コア材（絶縁層）
２２        銅めっき層（銅層）
２３        銅めっき層（銅層）
２４        両面基板  
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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