(57)【要約】      （修正有）【課題】強いグリップ力が発現できるとともに汚染物が半導体側に付着残存しにくい半導体載置部材を有する半導体搬送部材を提供する。また、強いグリップ力が発現できるとともに汚染物が半導体側に付着残存しにくい半導体載置部材を提供する。【解決手段】半導体搬送部材１０００は、搬送基材１００と半導体載置部材とを有する半導体搬送部材であって、該半導体載置部材が繊維状柱状構造体１０を含み、繊維状柱状構造体が、繊維状柱状物２を複数備える。繊維状柱状物は、搬送基材に対して略垂直方向に配向しており、繊維状柱状構造体の搬送基材と反対の側の表面の、ガラス表面に対する静摩擦係数が４．０以上である。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
搬送基材と半導体載置部材とを有する半導体搬送部材であって、
該半導体載置部材が繊維状柱状構造体を含み、
該繊維状柱状構造体が、繊維状柱状物を複数備える繊維状柱状構造体であり、
該繊維状柱状物は、該搬送基材に対して略垂直方向に配向しており、
該繊維状柱状構造体の該搬送基材と反対の側の表面の、ガラス表面に対する静摩擦係数が４．０以上である、
半導体搬送部材。
【請求項２】
前記繊維状柱状物の少なくとも先端を含む部分が無機材料によって被覆されている、請求項１に記載の半導体搬送部材。
【請求項３】
前記被覆されている部分が有する被覆層の厚みが１ｎｍ以上である、請求項２に記載の半導体搬送部材。
【請求項４】
前記搬送基材と前記半導体載置部材との間にバインダーを有する、請求項１から３までのいずれかに記載の半導体搬送部材。
【請求項５】
前記繊維状柱状構造体が、複数のカーボンナノチューブを備えるカーボンナノチューブ集合体である、請求項１から４までのいずれかに記載の半導体搬送部材。
【請求項６】
前記カーボンナノチューブが複数層を有し、該カーボンナノチューブの層数分布の分布幅が１０層以上であり、該層数分布の最頻値の相対頻度が２５％以下である、請求項５に記載の半導体搬送部材。
【請求項７】
前記カーボンナノチューブの長さが３００μｍ以上である、請求項６に記載の半導体搬送部材。
【請求項８】
前記カーボンナノチューブが複数層を有し、該カーボンナノチューブの層数分布の最頻値が層数１０層以下に存在し、該最頻値の相対頻度が３０％以上である、請求項５に記載の半導体搬送部材。
【請求項９】
前記カーボンナノチューブの長さが５００μｍ以上である、請求項８に記載の半導体搬送部材。
【請求項１０】
半導体を載置するために用いる半導体載置部材であって、
繊維状柱状物を複数備える繊維状柱状構造体を含み、
該繊維状柱状構造体の表面の、ガラス表面に対する静摩擦係数が４．０以上である、
半導体載置部材。
【請求項１１】
前記繊維状柱状物の少なくとも先端を含む部分が無機材料によって被覆されている、請求項１０に記載の半導体載置部材。
【請求項１２】
前記被覆されている部分が有する被覆層の厚みが１ｎｍ以上である、請求項１１に記載の半導体載置部材。
【請求項１３】
前記繊維状柱状構造体が、複数のカーボンナノチューブを備えるカーボンナノチューブ集合体である、請求項１０から１２までのいずれかに記載の半導体載置部材。
【請求項１４】
前記カーボンナノチューブが複数層を有し、該カーボンナノチューブの層数分布の分布幅が１０層以上であり、該層数分布の最頻値の相対頻度が２５％以下である、請求項１３に記載の半導体載置部材。
【請求項１５】
前記カーボンナノチューブの長さが３００μｍ以上である、請求項１４に記載の半導体載置部材。
【請求項１６】
前記カーボンナノチューブが複数層を有し、該カーボンナノチューブの層数分布の最頻値が層数１０層以下に存在し、該最頻値の相対頻度が３０％以上である、請求項１３に記載の半導体載置部材。
【請求項１７】
前記カーボンナノチューブの長さが５００μｍ以上である、請求項１６に記載の半導体載置部材。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体搬送部材および半導体載置部材に関する。
【背景技術】
【０００２】
シリコンウェハなどの半導体を搬送する際には、該半導体を移動アームや移動テーブルなどの搬送基材を用いて搬送を行う（例えば、特許文献１、２参照）。このような搬送を行う際には、半導体が載置される部材（半導体載置部材）には、半導体が該搬送基材上で搬送中にずれないような強いグリップ力が要求される。
【０００３】
しかしながら、従来の強いグリップ力を有する半導体載置部材は、搬送後に半導体を該半導体載置部材から剥離する際に、汚染物が半導体側に付着残存しやすいという問題がある。
【０００４】
他方、汚染物が半導体側に付着残存しにくいセラミックスなどの材料を半導体載置部材として用いると、グリップ力が弱くなり、搬送中に該半導体載置部材上で半導体がずれてしまうという問題がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００１−３５１９６１号公報
【特許文献２】特開２０１３−１３８１５２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の課題は、強いグリップ力が発現できるとともに汚染物が半導体側に付着残存しにくい半導体載置部材を有する半導体搬送部材を提供することにある。また、強いグリップ力が発現できるとともに汚染物が半導体側に付着残存しにくい半導体載置部材を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の半導体搬送部材は、
搬送基材と半導体載置部材とを有する半導体搬送部材であって、
該半導体載置部材が繊維状柱状構造体を含み、
該繊維状柱状構造体が、繊維状柱状物を複数備える繊維状柱状構造体であり、
該繊維状柱状物は、該搬送基材に対して略垂直方向に配向しており、
該繊維状柱状構造体の該搬送基材と反対の側の表面の、ガラス表面に対する静摩擦係数が４．０以上である。
【０００８】
好ましい実施形態においては、上記繊維状柱状物の少なくとも先端を含む部分が無機材料によって被覆されている。
【０００９】
好ましい実施形態においては、上記被覆されている部分が有する被覆層の厚みが１ｎｍ以上である。
【００１０】
好ましい実施形態においては、上記搬送基材と上記半導体載置部材との間にバインダーを有する。
【００１１】
好ましい実施形態においては、上記繊維状柱状構造体が、複数のカーボンナノチューブを備えるカーボンナノチューブ集合体である。
【００１２】
好ましい実施形態においては、上記カーボンナノチューブが複数層を有し、該カーボンナノチューブの層数分布の分布幅が１０層以上であり、該層数分布の最頻値の相対頻度が２５％以下である。
【００１３】
好ましい実施形態においては、上記カーボンナノチューブの長さが３００μｍ以上である。
【００１４】
好ましい実施形態においては、上記カーボンナノチューブが複数層を有し、該カーボンナノチューブの層数分布の最頻値が層数１０層以下に存在し、該最頻値の相対頻度が３０％以上である。
【００１５】
好ましい実施形態においては、上記カーボンナノチューブの長さが５００μｍ以上である。
【００１６】
本発明の半導体載置部材は、
半導体を載置するために用いる半導体載置部材であって、
繊維状柱状物を複数備える繊維状柱状構造体を含み、
該繊維状柱状構造体の表面の、ガラス表面に対する静摩擦係数が４．０以上である。
【００１７】
好ましい実施形態においては、上記繊維状柱状物の少なくとも先端を含む部分が無機材料によって被覆されている。
【００１８】
好ましい実施形態においては、上記被覆されている部分が有する被覆層の厚みが１ｎｍ以上である。
【００１９】
好ましい実施形態においては、上記繊維状柱状構造体が、複数のカーボンナノチューブを備えるカーボンナノチューブ集合体である。
【００２０】
好ましい実施形態においては、上記カーボンナノチューブが複数層を有し、該カーボンナノチューブの層数分布の分布幅が１０層以上であり、該層数分布の最頻値の相対頻度が２５％以下である。
【００２１】
好ましい実施形態においては、上記カーボンナノチューブの長さが３００μｍ以上である。
【００２２】
好ましい実施形態においては、上記カーボンナノチューブが複数層を有し、該カーボンナノチューブの層数分布の最頻値が層数１０層以下に存在し、該最頻値の相対頻度が３０％以上である。
【００２３】
好ましい実施形態においては、上記カーボンナノチューブの長さが５００μｍ以上である。
【発明の効果】
【００２４】
本発明によれば、強いグリップ力が発現できるとともに汚染物が半導体側に付着残存しにくい半導体載置部材を有する半導体搬送部材を提供することができる。また、強いグリップ力が発現できるとともに汚染物が半導体側に付着残存しにくい半導体載置部材を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】本発明の好ましい実施形態における半導体搬送部材の一例の概略断面図である。
【図２】本発明の好ましい実施形態における半導体載置部材の一例の概略断面図である。
【図３】本発明の好ましい実施形態におけるカーボンナノチューブ集合体の製造装置の概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
本発明の半導体搬送部材は、搬送基材と半導体載置部材とを有する。
【００２７】
本発明の半導体搬送部材が有する搬送基材としては、半導体搬送部材に用いられる任意の適切な搬送基材を採用し得る。このような搬送基材としては、例えば、搬送アーム、搬送テーブル、搬送リング、搬送ガイドレール、収納カセット、フック、搬送フレームなどが挙げられる。このような搬送基材の大きさや形状は、目的に応じて、適宜選択し得る。
【００２８】
本発明の半導体搬送部材が有する半導体載置部材は、半導体が載置される部材である。本発明の半導体搬送部材が有する半導体載置部材は、繊維状柱状構造体を含む。
【００２９】
本発明の半導体搬送部材が有する半導体載置部材は、繊維状柱状構造体を含んでいれば、本発明の効果を損なわない範囲で任意の適切な他の部材を有していても良い。本発明の効果を十分に発現させるためには、本発明の半導体搬送部材が有する半導体載置部材は、好ましくは、繊維状柱状構造体からなる。
【００３０】
繊維状柱状構造体は、繊維状柱状物を複数備える繊維状柱状構造体である。
【００３１】
繊維状柱状物の長さは、好ましくは１００μｍ〜３０００μｍであり、より好ましくは２００μｍ〜２０００μｍであり、さらに好ましくは３００μｍ〜１５００μｍであり、特に好ましくは４００μｍ〜１０００μｍであり、最も好ましくは５００μｍ〜１０００μｍである。繊維状柱状物の長さが上記範囲内に収まることにより、より強いグリップ力が発現できるとともに汚染物が半導体側により付着残存しにくい半導体載置部材を有する半導体搬送部材を提供することができる。
【００３２】
繊維状柱状物は、好ましくは、その少なくとも先端を含む部分が無機材料によって被覆されている。ここでいう「少なくとも先端を含む部分」とは、繊維状柱状物の先端、すなわち、繊維状柱状物の搬送基材が配置されている側と反対の側の先端を少なくとも含む部分を意味する。
【００３３】
半導体載置部材が有する繊維状柱状物は、その全てが、その少なくとも先端を含む部分が無機材料によって被覆されていても良いし、その一部が、その少なくとも先端を含む部分が無機材料によって被覆されていても良い。半導体載置部材が有する繊維状柱状物の全体の中における、その少なくとも先端を含む部分が無機材料によって被覆された繊維状柱状物の含有割合は、好ましくは５０重量％〜１００重量％であり、より好ましくは６０重量％〜１００重量％であり、さらに好ましくは７０重量％〜１００重量％であり、さらに好ましくは８０重量％〜１００重量％であり、特に好ましくは９０重量％〜１００重量％であり、最も好ましくは実質的に１００重量％である。半導体載置部材が有する繊維状柱状物の全体の中における、その少なくとも先端を含む部分が無機材料によって被覆された繊維状柱状物の含有割合が上記範囲に収まることにより、より強いグリップ力が発現できるとともに汚染物が半導体側により付着残存しにくい半導体載置部材を有する半導体搬送部材を提供することができる。
【００３４】
繊維状柱状物の少なくとも先端を含む部分が無機材料によって被覆されている場合、その被覆されている部分が有する被覆層の厚みは、好ましくは１ｎｍ以上であり、より好ましくは３ｎｍ以上であり、さらに好ましくは５ｎｍ以上であり、さらに好ましくは７ｎｍ以上であり、特に好ましくは９ｎｍ以上であり、最も好ましくは１０ｎｍ以上である。上記被覆層の厚みの上限値は、好ましくは５０ｎｍであり、より好ましくは４０ｎｍであり、さらに好ましくは３０ｎｍであり、特に好ましくは２０ｎｍであり、最も好ましくは１５ｎｍである。繊維状柱状物の少なくとも先端を含む部分が無機材料によって被覆されている場合に、その被覆されている部分が有する被覆層の厚みが上記範囲に収まることにより、より強いグリップ力が発現できるとともに汚染物が半導体側により付着残存しにくい半導体載置部材を有する半導体搬送部材を提供することができる。
【００３５】
繊維状柱状物の少なくとも先端を含む部分が無機材料によって被覆されている場合、その被覆されている部分が有する被覆層の長さは、好ましくは１ｎｍ〜１０００ｎｍであり、より好ましくは５ｎｍ〜７００ｎｍであり、さらに好ましくは１０ｎｍ〜５０ｎｍであり、特に好ましくは３０ｎｍ〜３００ｎｍであり、最も好ましくは５０ｎｍ〜１００ｎｍである。繊維状柱状物の少なくとも先端を含む部分が無機材料によって被覆されている場合に、その被覆されている部分が有する被覆層の長さが上記範囲に収まることにより、より強いグリップ力が発現できるとともに汚染物が半導体側により付着残存しにくい半導体載置部材を有する半導体搬送部材を提供することができる。
【００３６】
繊維状柱状物の少なくとも先端を含む部分が無機材料によって被覆されている場合、その無機材料としては、本発明の効果を損なわない範囲で任意の適切な無機材料を採用し得る。このような無機材料としては、例えば、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｆｅ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＭｇＯ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕなどが挙げられる。
【００３７】
本発明の半導体搬送部材においては、搬送基材と半導体載置部材との間にバインダーを有していても良い。このようなバインダーとしては、搬送基材と半導体載置部材とを接合できる効果を有するものであれば、任意の適切なバインダーを採用し得る。このようなバインダーとしては、例えば、カーボンペースト、アルミナペースト、銀ペースト、ニッケルペースト、金ペースト、アルミペースト、酸化チタンペースト、酸化鉄ペースト、クロムペーストなどが挙げられる。このようなバインダーを有することにより、搬送基材と半導体載置部材とが十分に接合され、より強いグリップ力が発現できるとともに汚染物が半導体側により付着残存しにくい半導体載置部材を有する半導体搬送部材を提供することができる。
【００３８】
図１に、本発明の好ましい実施形態における半導体搬送部材の一例の概略断面図を示す。
【００３９】
図１において、半導体搬送部材１０００は、搬送基材１００とバインダー２００と半導体載置部材としての繊維状柱状構造体１０を有する。
【００４０】
図１において、繊維状柱状構造体１０は、複数の繊維状柱状物２を備える。繊維状柱状物２の片端は、バインダー２００に固定されている。繊維状柱状物２は、長さＬの方向に配向している。繊維状柱状物２は、搬送基材１００に対して略垂直方向に配向している。ここで、「略垂直方向」とは、搬送基材１００の面に対する角度が、好ましくは９０°±２０°であり、より好ましくは９０°±１５°であり、さらに好ましくは９０°±１０°であり、特に好ましくは９０°±５°である。
【００４１】
図１において、繊維状柱状物２は、その少なくとも先端を含む部分が無機材料によって被覆されており、その被覆物が被覆層５０を構成している。
【００４２】
上述のような、半導体を載置するために用いる半導体載置部材であって、繊維状柱状物を複数備える繊維状柱状構造体を含む半導体載置部材は、本発明の半導体載置部材でもある。すなわち、本発明の半導体載置部材は、半導体を載置するために用いる半導体載置部材であって、繊維状柱状物を複数備える繊維状柱状構造体を含む。
【００４３】
図２に、本発明の好ましい実施形態における半導体載置部材の一例の概略断面図を示す。
【００４４】
図２において、半導体載置部材は、繊維状柱状構造体１０からなり、繊維状柱状構造体１０は、複数の繊維状柱状物２を備える。繊維状柱状物２は、長さＬの方向に配向している。
【００４５】
図２において、繊維状柱状物２は、その少なくとも先端を含む部分が無機材料によって被覆されており、その被覆物が被覆層５０を構成している。
【００４６】
本発明の半導体搬送部材においては、繊維状柱状構造体の搬送基材と反対の側の表面の、ガラス表面に対する静摩擦係数が４．０以上である。「繊維状柱状構造体の搬送基材と反対の側の表面」とは、図１においては、繊維状柱状構造体１０の搬送基材１００と反対の側の表面１０ａのことである。
【００４７】
本発明の半導体載置部材においては、繊維状柱状構造体の表面の、ガラス表面に対する静摩擦係数が４．０以上である。「繊維状柱状構造体の表面」とは、図２においては、繊維状柱状構造体１０の表面１０ａのことである。
【００４８】
本発明の半導体搬送部材において、繊維状柱状構造体の搬送基材と反対の側の表面の、ガラス表面に対する静摩擦係数は４．０以上であり、好ましくは５．０以上であり、より好ましくは５．５以上であり、さらに好ましくは６．０以上であり、さらに好ましくは６．５以上であり、特に好ましくは７．０以上であり、最も好ましくは７．３以上である。本発明の半導体搬送部材において、繊維状柱状構造体の搬送基材と反対の側の表面の、ガラス表面に対する静摩擦係数の上限値は、好ましくは１０である。本発明の半導体搬送部材において、繊維状柱状構造体の搬送基材と反対の側の表面の、ガラス表面に対する静摩擦係数が上記範囲内に収まることにより、強いグリップ力が発現できるとともに汚染物が半導体側に付着残存しにくい半導体載置部材を有する半導体搬送部材を提供することができる。
【００４９】
本発明の半導体載置部材において、繊維状柱状構造体の表面の、ガラス表面に対する静摩擦係数は４．０以上であり、好ましくは５．０以上であり、より好ましくは５．５以上であり、さらに好ましくは６．０以上であり、さらに好ましくは６．５以上であり、特に好ましくは７．０以上であり、最も好ましくは７．３以上である。本発明の半導体載置部材において、繊維状柱状構造体の表面の、ガラス表面に対する静摩擦係数の上限値は、好ましくは１０である。本発明の半導体載置部材において、繊維状柱状構造体の表面の、ガラス表面に対する静摩擦係数が上記範囲内に収まることにより、強いグリップ力が発現できるとともに汚染物が半導体側に付着残存しにくい半導体載置部材を有する半導体搬送部材を提供することができる。なお、ガラス表面に対する摩擦係数の大きい上記搬送部材が、ガラス以外の材料から構成される被搬送物（例えば、シリコンウエハ）に対しても、強いグリップ力を発現し得ることは言うまでもない。
【００５０】
繊維状柱状物の材料としては、任意の適切な材料を採用し得る。例えば、アルミ、鉄などの金属；シリコンなどの無機材料；カーボンナノファイバー、カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）などのカーボン材料；エンジニアリングプラスチック、スーパーエンジニアリングプラスチックなどの高モジュラスの樹脂；などが挙げられる。樹脂の具体例としては、ポリスチレン、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート、アセチルセルロース、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリアミドなどが挙げられる。樹脂の分子量などの諸物性は、本発明の目的を達成しうる範囲において、任意の適切な物性を採用し得る。
【００５１】
繊維状柱状物の直径は、好ましくは０．３ｎｍ〜２０００ｎｍであり、より好ましくは１ｎｍ〜１０００ｎｍであり、さらに好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍであり、特に好ましくは２ｎｍ〜２００ｎｍであり、最も好ましくは２ｎｍ〜１００ｎｍである。繊維状柱状物の直径が上記範囲内に収まることにより、より強いグリップ力が発現できるとともに汚染物が半導体側により付着残存しにくい半導体載置部材を有する半導体搬送部材を提供することができる。
【００５２】
繊維状柱状構造体は、好ましくは、複数のカーボンナノチューブを備えるカーボンナノチューブ集合体である。この場合、繊維状柱状物は、好ましくは、カーボンナノチューブである。
【００５３】
繊維状柱状構造体が、複数のカーボンナノチューブを備えるカーボンナノチューブ集合体であることにより、より強いグリップ力が発現できるとともに汚染物が半導体側により付着残存しにくい半導体載置部材を有する半導体搬送部材を提供することができる。
【００５４】
カーボンナノチューブ集合体としては、本発明の効果がより効果的に発現する点で、好ましくは、２つの好ましい実施形態を採り得る。
【００５５】
カーボンナノチューブ集合体の好ましい実施形態の１つ（以下、第１の好ましい実施形態と称することがある）は、複数のカーボンナノチューブを備え、該カーボンナノチューブが複数層を有し、該カーボンナノチューブの層数分布の分布幅が１０層以上であり、該層数分布の最頻値の相対頻度が２５％以下である。カーボンナノチューブ集合体がこのような構成を採ることにより、より強いグリップ力が発現できるとともに汚染物が半導体側により付着残存しにくい半導体載置部材を有する半導体搬送部材を提供することができる。
【００５６】
第１の好ましい実施形態において、カーボンナノチューブの層数分布の分布幅は、好ましくは１０層以上であり、より好ましくは１０層〜３０層であり、さらに好ましくは１０層〜２５層であり、特に好ましくは１０層〜２０層である。カーボンナノチューブの層数分布の分布幅をこのような範囲内に調整することにより、より強いグリップ力が発現できるとともに汚染物が半導体側により付着残存しにくい半導体載置部材を有する半導体搬送部材を提供することができる。
【００５７】
カーボンナノチューブの層数分布の「分布幅」とは、カーボンナノチューブの層数の最大層数と最小層数との差をいう。カーボンナノチューブの層数分布の分布幅を上記範囲内に調整することにより、該カーボンナノチューブは優れた機械的特性および高い比表面積を兼ね備えることができ、さらには、該カーボンナノチューブは優れた粘着特性を示すカーボンナノチューブ集合体となり得る。したがって、このようなカーボンナノチューブ集合体を有する半導体搬送部材は、より強いグリップ力が発現できるとともに汚染物が半導体側により付着残存しにくい半導体載置部材を有する半導体搬送部材となることができる。
【００５８】
カーボンナノチューブの層数、層数分布は、任意の適切な装置によって測定すれば良い。好ましくは、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）や透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）によって測定される。例えば、カーボンナノチューブ集合体から少なくとも１０本、好ましくは２０本以上のカーボンナノチューブを取り出してＳＥＭあるいはＴＥＭによって測定し、層数および層数分布を評価すれば良い。
【００５９】
第１の好ましい実施形態において、カーボンナノチューブの層数の最大層数は、好ましくは５層〜３０層であり、より好ましくは１０層〜３０層であり、さらに好ましくは１５層〜３０層であり、特に好ましくは１５層〜２５層である。カーボンナノチューブの層数の最大層数をこのような範囲内に調整することにより、より強いグリップ力が発現できるとともに汚染物が半導体側により付着残存しにくい半導体載置部材を有する半導体搬送部材を提供することができる。
【００６０】
第１の好ましい実施形態において、カーボンナノチューブの層数の最小層数は、好ましくは１層〜１０層であり、より好ましくは１層〜５層である。カーボンナノチューブの層数の最小層数をこのような範囲内に調整することにより、より強いグリップ力が発現できるとともに汚染物が半導体側により付着残存しにくい半導体載置部材を有する半導体搬送部材を提供することができる。
【００６１】
第１の好ましい実施形態において、カーボンナノチューブの層数の最大層数と最小層数を上記範囲内に調整することにより、該カーボンナノチューブは優れた機械的特性および高い比表面積を兼ね備えることができ、さらには、該カーボンナノチューブは優れた粘着特性を示すカーボンナノチューブ集合体となり得る。したがって、このようなカーボンナノチューブ集合体を有する半導体搬送部材は、より強いグリップ力が発現できるとともに汚染物が半導体側により付着残存しにくい半導体載置部材を有する半導体搬送部材となることができる。
【００６２】
第１の好ましい実施形態において、カーボンナノチューブの層数分布の最頻値の相対頻度は、好ましくは２５％以下であり、より好ましくは１％〜２５％であり、さらに好ましくは５％〜２５％であり、特に好ましくは１０％〜２５％であり、最も好ましくは１５％〜２５％である。カーボンナノチューブの層数分布の最頻値の相対頻度を上記範囲内に調整することにより、該カーボンナノチューブは優れた機械的特性および高い比表面積を兼ね備えることができ、さらには、該カーボンナノチューブは優れた粘着特性を示すカーボンナノチューブ集合体となり得る。したがって、このようなカーボンナノチューブ集合体を有する半導体搬送部材は、より強いグリップ力が発現できるとともに汚染物が半導体側により付着残存しにくい半導体載置部材を有する半導体搬送部材となることができる。
【００６３】
第１の好ましい実施形態において、カーボンナノチューブの層数分布の最頻値は、好ましくは層数２層から層数１０層に存在し、さらに好ましくは層数３層から層数１０層に存在する。カーボンナノチューブの層数分布の最頻値を上記範囲内に調整することにより、該カーボンナノチューブは優れた機械的特性および高い比表面積を兼ね備えることができ、さらには、該カーボンナノチューブは優れた粘着特性を示すカーボンナノチューブ集合体となり得る。したがって、このようなカーボンナノチューブ集合体を有する半導体搬送部材は、より強いグリップ力が発現できるとともに汚染物が半導体側により付着残存しにくい半導体載置部材を有する半導体搬送部材となることができる。
【００６４】
第１の好ましい実施形態において、カーボンナノチューブの形状としては、その横断面が任意の適切な形状を有していれば良い。例えば、その横断面が、略円形、楕円形、ｎ角形（ｎは３以上の整数）等が挙げられる。
【００６５】
第１の好ましい実施形態において、カーボンナノチューブの長さは、好ましくは５０μｍ以上であり、より好ましくは１００μｍ〜３０００μｍであり、さらに好ましくは２００μｍ〜１５００μｍであり、さらに好ましくは３００μｍ〜１０００μｍであり、特に好ましくは５００μｍ〜１０００μｍである。カーボンナノチューブの長さを上記範囲内に調整することにより、該カーボンナノチューブは優れた機械的特性および高い比表面積を兼ね備えることができ、さらには、該カーボンナノチューブは優れた粘着特性を示すカーボンナノチューブ集合体となり得る。したがって、このようなカーボンナノチューブ集合体を有する半導体搬送部材は、より強いグリップ力が発現できるとともに汚染物が半導体側により付着残存しにくい半導体載置部材を有する半導体搬送部材となることができる。
【００６６】
第１の好ましい実施形態において、カーボンナノチューブの直径は、好ましくは０．３ｎｍ〜２０００ｎｍであり、より好ましくは１ｎｍ〜１０００ｎｍであり、さらに好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍである。カーボンナノチューブの直径を上記範囲内に調整することにより、該カーボンナノチューブは優れた機械的特性および高い比表面積を兼ね備えることができ、さらには、該カーボンナノチューブは優れた粘着特性を示すカーボンナノチューブ集合体となり得る。したがって、このようなカーボンナノチューブ集合体を有する半導体搬送部材は、より強いグリップ力が発現できるとともに汚染物が半導体側により付着残存しにくい半導体載置部材を有する半導体搬送部材となることができる。
【００６７】
第１の好ましい実施形態において、カーボンナノチューブの比表面積、密度は、任意の適切な値に設定され得る。
【００６８】
カーボンナノチューブ集合体の好ましい実施形態の別の１つ（以下、第２の好ましい実施形態と称することがある）は、複数のカーボンナノチューブを備え、該カーボンナノチューブが複数層を有し、該カーボンナノチューブの層数分布の最頻値が層数１０層以下に存在し、該最頻値の相対頻度が３０％以上である。カーボンナノチューブ集合体がこのような構成を採ることにより、より強いグリップ力が発現できるとともに汚染物が半導体側により付着残存しにくい半導体載置部材を有する半導体搬送部材を提供することができる。
【００６９】
第２の好ましい実施形態において、カーボンナノチューブの層数分布の分布幅は、好ましくは９層以下であり、より好ましくは１層〜９層であり、さらに好ましくは２層〜８層であり、特に好ましくは３層〜８層である。カーボンナノチューブの層数分布の分布幅をこのような範囲内に調整することにより、より強いグリップ力が発現できるとともに汚染物が半導体側により付着残存しにくい半導体載置部材を有する半導体搬送部材を提供することができる。
【００７０】
カーボンナノチューブの層数分布の「分布幅」とは、カーボンナノチューブの層数の最大層数と最小層数との差をいう。カーボンナノチューブの層数分布の分布幅が上記範囲内に調整することにより、該カーボンナノチューブは優れた機械的特性および高い比表面積を兼ね備えることができ、さらには、該カーボンナノチューブは優れた粘着特性を示すカーボンナノチューブ集合体となり得る。したがって、このようなカーボンナノチューブ集合体を有する半導体搬送部材は、より強いグリップ力が発現できるとともに汚染物が半導体側により付着残存しにくい半導体載置部材を有する半導体搬送部材となることができる。
【００７１】
カーボンナノチューブの層数、層数分布は、任意の適切な装置によって測定すれば良い。好ましくは、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）や透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）によって測定される。例えば、カーボンナノチューブ集合体から少なくとも１０本、好ましくは２０本以上のカーボンナノチューブを取り出してＳＥＭあるいはＴＥＭによって測定し、層数および層数分布を評価すれば良い。
【００７２】
第２の好ましい実施形態において、カーボンナノチューブの層数の最大層数は、好ましくは１層〜２０層であり、より好ましくは２層〜１５層であり、さらに好ましくは３層〜１０層である。カーボンナノチューブの層数の最大層数をこのような範囲内に調整することにより、より強いグリップ力が発現できるとともに汚染物が半導体側により付着残存しにくい半導体載置部材を有する半導体搬送部材を提供することができる。
【００７３】
第２の好ましい実施形態において、カーボンナノチューブの層数の最小層数は、好ましくは１層〜１０層であり、より好ましくは１層〜５層である。カーボンナノチューブの層数の最小層数をこのような範囲内に調整することにより、より強いグリップ力が発現できるとともに汚染物が半導体側により付着残存しにくい半導体載置部材を有する半導体搬送部材を提供することができる。
【００７４】
第２の好ましい実施形態において、カーボンナノチューブの層数の最大層数と最小層数を上記範囲内に調整することにより、該カーボンナノチューブは優れた機械的特性および高い比表面積を兼ね備えることができ、さらには、該カーボンナノチューブは優れた粘着特性を示すカーボンナノチューブ集合体となり得る。したがって、このようなカーボンナノチューブ集合体を有する半導体搬送部材は、より強いグリップ力が発現できるとともに汚染物が半導体側により付着残存しにくい半導体載置部材を有する半導体搬送部材となることができる。
【００７５】
第２の好ましい実施形態において、カーボンナノチューブの層数分布の最頻値の相対頻度は、好ましくは３０％以上であり、より好ましくは３０％〜１００％であり、さらに好ましくは３０％〜９０％であり、特に好ましくは３０％〜８０％であり、最も好ましくは３０％〜７０％である。カーボンナノチューブの層数分布の最頻値の相対頻度を上記範囲内に調整することにより、該カーボンナノチューブは優れた機械的特性および高い比表面積を兼ね備えることができ、さらには、該カーボンナノチューブは優れた粘着特性を示すカーボンナノチューブ集合体となり得る。したがって、このようなカーボンナノチューブ集合体を有する半導体搬送部材は、より強いグリップ力が発現できるとともに汚染物が半導体側により付着残存しにくい半導体載置部材を有する半導体搬送部材となることができる。
【００７６】
第２の好ましい実施形態において、カーボンナノチューブの層数分布の最頻値は、好ましくは層数１０層以下に存在し、より好ましくは層数１層から層数１０層に存在し、さらに好ましくは層数２層から層数８層に存在し、特に好ましくは層数２層から層数６層に存在する。カーボンナノチューブの層数分布の最頻値を上記範囲内に調整することにより、該カーボンナノチューブは優れた機械的特性および高い比表面積を兼ね備えることができ、さらには、該カーボンナノチューブは優れた粘着特性を示すカーボンナノチューブ集合体となり得る。したがって、このようなカーボンナノチューブ集合体を有する半導体搬送部材は、より強いグリップ力が発現できるとともに汚染物が半導体側により付着残存しにくい半導体載置部材を有する半導体搬送部材となることができる。
【００７７】
第２の好ましい実施形態において、カーボンナノチューブの形状としては、その横断面が任意の適切な形状を有していれば良い。例えば、その横断面が、略円形、楕円形、ｎ角形（ｎは３以上の整数）等が挙げられる。
【００７８】
第２の好ましい実施形態において、カーボンナノチューブの長さは、好ましくは５０μｍ以上であり、より好ましくは１００μｍ〜３０００μｍであり、さらに好ましくは３００μｍ〜２０００μｍであり、さらに好ましくは５００μｍ〜１０００μｍであり、特に好ましくは７００μｍ〜１０００μｍである。カーボンナノチューブの長さを上記範囲内に調整することにより、該カーボンナノチューブは優れた機械的特性および高い比表面積を兼ね備えることができ、さらには、該カーボンナノチューブは優れた粘着特性を示すカーボンナノチューブ集合体となり得る。したがって、このようなカーボンナノチューブ集合体を有する半導体搬送部材は、より強いグリップ力が発現できるとともに汚染物が半導体側により付着残存しにくい半導体載置部材を有する半導体搬送部材となることができる。
【００７９】
第２の好ましい実施形態において、カーボンナノチューブの直径は、好ましくは０．３ｎｍ〜２０００ｎｍであり、より好ましくは１ｎｍ〜１０００ｎｍであり、さらに好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍである。カーボンナノチューブの直径を上記範囲内に調整することにより、該カーボンナノチューブは優れた機械的特性および高い比表面積を兼ね備えることができ、さらには、該カーボンナノチューブは優れた粘着特性を示すカーボンナノチューブ集合体となり得る。したがって、このようなカーボンナノチューブ集合体を有する半導体搬送部材は、より強いグリップ力が発現できるとともに汚染物が半導体側により付着残存しにくい半導体載置部材を有する半導体搬送部材となることができる。
【００８０】
第２の好ましい実施形態において、カーボンナノチューブの比表面積、密度は、任意の適切な値に設定され得る。
【００８１】
カーボンナノチューブ集合体の製造方法としては、任意の適切な方法を採用し得る。
【００８２】
カーボンナノチューブ集合体の製造方法としては、例えば、平滑な基板の上に触媒層を構成し、熱、プラズマなどにより触媒を活性化させた状態で炭素源を充填し、カーボンナノチューブを成長させる、化学気相成長法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＣＶＤ法）によって、基板からほぼ垂直に配向したカーボンナノチューブ集合体を製造する方法が挙げられる。この場合、例えば、基板を取り除けば、長さ方向に配向しているカーボンナノチューブ集合体が得られる。
【００８３】
カーボンナノチューブ集合体の製造方法で用い得る基板としては、任意の適切な基板を採用し得る。例えば、平滑性を有し、カーボンナノチューブの製造に耐え得る高温耐熱性を有する材料が挙げられる。このような材料としては、例えば、石英ガラス、シリコン（シリコンウェハなど）、アルミニウムなどの金属板などが挙げられる。
【００８４】
カーボンナノチューブ集合体を製造するための装置としては、任意の適切な装置を採用し得る。例えば、熱ＣＶＤ装置としては、図３に示すような、筒型の反応容器を抵抗加熱式の電気管状炉で囲んで構成されたホットウォール型などが挙げられる。その場合、反応容器としては、例えば、耐熱性の石英管などが好ましく用いられる。
【００８５】
カーボンナノチューブ集合体の製造に用い得る触媒（触媒層の材料）としては、任意の適切な触媒を用い得る。例えば、鉄、コバルト、ニッケル、金、白金、銀、銅などの金属触媒が挙げられる。
【００８６】
カーボンナノチューブ集合体を製造する際、必要に応じて、基板と触媒層の中間にアルミナ／親水性膜を設けても良い。
【００８７】
アルミナ／親水性膜の作製方法としては、任意の適切な方法を採用し得る。例えば、基板の上にＳｉＯ２膜を作製し、Ａｌを蒸着後、４５０℃まで昇温して酸化させることにより得られる。このような作製方法によれば、Ａｌ２Ｏ３が親水性のＳｉＯ２膜と相互作用し、Ａｌ２Ｏ３を直接蒸着したものよりも粒子径の異なるＡｌ２Ｏ３面が形成される。基板の上に、親水性膜を作製することを行わずに、Ａｌを蒸着後に４５０℃まで昇温して酸化させても、粒子径の異なるＡｌ２Ｏ３面が形成され難いおそれがある。また、基板の上に、親水性膜を作製し、Ａｌ２Ｏ３を直接蒸着しても、粒子径の異なるＡｌ２Ｏ３面が形成され難いおそれがある。
【００８８】
カーボンナノチューブ集合体の製造に用い得る触媒層の厚みは、微粒子を形成させるため、好ましくは０．０１ｎｍ〜２０ｎｍであり、より好ましくは０．１ｎｍ〜１０ｎｍである。カーボンナノチューブ集合体の製造に用い得る触媒層の厚みを上記範囲内に調整することにより、形成するカーボンナノチューブは優れた機械的特性および高い比表面積を兼ね備えることができ、さらには、該カーボンナノチューブは優れた粘着特性を示すカーボンナノチューブ集合体となり得る。したがって、このようなカーボンナノチューブ集合体を有する半導体搬送部材は、より強いグリップ力が発現できるとともに汚染物が半導体側により付着残存しにくい半導体載置部材を有する半導体搬送部材となることができる。
【００８９】
触媒層の形成方法は、任意の適切な方法を採用し得る。例えば、金属触媒をＥＢ（電子ビーム）、スパッタなどにより蒸着する方法、金属触媒微粒子の懸濁液を基板上に塗布する方法などが挙げられる。
【００９０】
カーボンナノチューブ集合体の製造に用い得る炭素源としては、任意の適切な炭素源を用い得る。例えば、メタン、エチレン、アセチレン、ベンゼンなどの炭化水素；メタノール、エタノールなどのアルコール；などが挙げられる。
【００９１】
カーボンナノチューブ集合体の製造における製造温度としては、任意の適切な温度を採用し得る。たとえば、本発明の効果を十分に発現し得る触媒粒子を形成させるため、好ましくは４００℃〜１０００℃であり、より好ましくは５００℃〜９００℃であり、さらに好ましくは６００℃〜８００℃である。
【実施例】
【００９２】
以下、本発明を実施例に基づいて説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、各種評価や測定は、以下の方法により行った。
【００９３】
＜繊維状柱状物の長さＬの測定＞
繊維状柱状物の長さＬは、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）によって測定した。
【００９４】
＜カーボンナノチューブ集合体におけるカーボンナノチューブの層数・層数分布の評価＞
カーボンナノチューブ集合体におけるカーボンナノチューブの層数および層数分布は、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）および／または透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）によって測定した。得られたカーボンナノチューブ集合体の中から少なくとも１０本以上、好ましくは２０本以上のカーボンナノチューブをＳＥＭおよび／またはＴＥＭにより観察し、各カーボンナノチューブの層数を調べ、層数分布を作成した。
【００９５】
＜ガラス表面に対する静摩擦係数の測定＞
ＪＩＳ  Ｋ７１２５に準じて測定した。
シリコンウェハ上のカーボンナノチューブ柱状構造体（８０ｍｍ×２００ｍｍ）を２００℃に加熱したポリプロピレン基材（３０μｍ厚）に押付け、シリコンウェハからカーボンナノチューブ柱状構造体をポリプロピレン基材に転写させ、カーボンナノチューブ構造体/ポリプロピレンフィルムのテープ形状の試験片を作製した。テープ形状の試験片のカーボンナノチューブ側をスライドガラス（松浪硝子工業社製）におき、その上からすべり片（底面：フェルト、６３ｍｍ×６３ｍｍ）と、さらにそのすべり片の上におもり（すべり片の全質量が２００ｇとなる重さのおもり）を載せた状態で、試験片を試験速度１００ｍｍ/ｍiｎで引張り、試験片が動き始めるときの最大荷重から静摩擦係数を算出した。
【００９６】
＜表面汚染の評価＞
シリコンウェハ（シリコンテクノロジー製）上にカーボンナノチューブ柱状構造体を押し付けて貼り合わせた。その後、１８０°ピールにてシリコンウェハ（シリコンテクノロジー製）からカーボンナノチューブ柱状構造体を剥離した。シリコンウェハの貼り合わせ面側をＳＥＭにて形態観察を行い、表面に付着している異物を確認した。
【００９７】
〔実施例１〕
基板としてのシリコンウェハ（シリコンテクノロジー製）上に、スパッタ装置（ＵＬＶＡＣ製、ＲＦＳ−２００）により、Ａｌ薄膜（厚み１０ｎｍ）を形成した。このＡｌ薄膜上に、さらにスパッタ装置（ＵＬＶＡＣ製、ＲＦＳ−２００）にてＦｅ薄膜（厚み１ｎｍ）を蒸着した。
その後、この基板を３０ｍｍφの石英管内に載置し、水分６００ｐｐｍに保ったヘリウム／水素（９０／５０ｓｃｃｍ）混合ガスを石英管内に３０分間流して、管内を置換した。その後、電気管状炉を用いて管内を７６５℃まで昇温させ、７６５℃にて安定させた。７６５℃にて温度を保持したまま、ヘリウム／水素／エチレン（８５／５０／５ｓｃｃｍ、水分率６００ｐｐｍ）混合ガスを管内に充填させ、１５分間放置してカーボンナノチューブを基板上に成長させ、カーボンナノチューブが長さ方向に配向しているカーボンナノチューブ集合体（１）を得た。
カーボンナノチューブ集合体（１）が備えるカーボンナノチューブの長さは３００μｍであった。
カーボンナノチューブ集合体（１）が備えるカーボンナノチューブの層数分布において、最頻値は２層に存在し、相対頻度は７５％であった。
基板上に形成されたカーボンナノチューブ集合体（１）を、基板から剥離することにより、半導体載置部材（１）を得た。
得られた半導体載置部材（１）を、基板から剥離した側の端面を超耐熱カーボンペースト（ＥＭ  Ｊａｐａｎ製）に埋め込み、硬化（室温×２時間、９０℃×２時間、２６０℃×２時間、４５０℃×３時間）して搬送テーブルに固定することにより、半導体搬送部材（１Ａ）を得た。
得られた半導体搬送部材（１Ａ）に対し、スパッタすることにより、先端を含む部分に厚み５ｎｍ、長さ７０ｎｍのＳｉＯ２の被覆層を備えたカーボンナノチューブを有する半導体搬送部材（１Ｂ）を得た。
評価結果を表１に示した。
【００９８】
〔実施例２〕
実施例１において、放置時間を２５分に変えた以外は、実施例１と同様に行い、カーボンナノチューブが長さ方向に配向しているカーボンナノチューブ集合体（２）を得た。
カーボンナノチューブ集合体（２）が備えるカーボンナノチューブの長さは５００μｍであった。
カーボンナノチューブ集合体（２）が備えるカーボンナノチューブの層数分布において、最頻値は２層に存在し、相対頻度は７５％であった。
実施例１と同様に行い、半導体載置部材（２）、半導体搬送部材（２Ａ）、および、先端を含む部分に厚み５ｎｍ、長さ７０ｎｍのＳｉＯ２の被覆層を備えたカーボンナノチューブを有する半導体搬送部材（２Ｂ）を得た。
評価結果を表１に示した。
【００９９】
〔実施例３〕
実施例１において、放置時間を３０分に変えた以外は、実施例１と同様に行い、カーボンナノチューブが長さ方向に配向しているカーボンナノチューブ集合体（３）を得た。
カーボンナノチューブ集合体（３）が備えるカーボンナノチューブの長さは６００μｍであった。
カーボンナノチューブ集合体（３）が備えるカーボンナノチューブの層数分布において、最頻値は２層に存在し、相対頻度は７５％であった。
実施例１と同様に行い、半導体載置部材（３）、半導体搬送部材（３Ａ）を得た。
さらに、実施例１において、スパッタ時間を２倍に変えた以外は、実施例１と同様に行い、先端を含む部分に厚み１０ｎｍ、長さ１００ｎｍのＳｉＯ２の被覆層を備えたカーボンナノチューブを有する半導体搬送部材（３Ｂ）を得た。
評価結果を表１に示した。
【０１００】
〔実施例４〕
実施例１において、Ｆｅ薄膜を２ｎｍ、Ａｌ２Ｏ３薄膜を２０ｎｍ、放置時間を３５分に変えた以外は、実施例１と同様に行い、カーボンナノチューブが長さ方向に配向しているカーボンナノチューブ集合体（４）を得た。
カーボンナノチューブ集合体（４）が備えるカーボンナノチューブの長さは７００μｍであった。
カーボンナノチューブ集合体（４）が備えるカーボンナノチューブの層数分布において、最頻値は３層に存在し、相対頻度は７２％であった。
実施例１と同様に行い、半導体載置部材（４）、半導体搬送部材（４Ａ）を得た。
次に、得られた半導体搬送部材（４Ａ）に対し、Ａｌ２Ｏ３をスパッタすることにより、先端を含む部分に厚み５ｎｍ、長さ７０ｎｍのＡｌ２Ｏ３の被覆層を備えたカーボンナノチューブを有する半導体搬送部材（４Ｂ）を得た。
評価結果を表１に示した。
【０１０１】
〔実施例５〕
実施例４において、Ａｌ２Ｏ３スパッタを２倍に変えた以外は、実施例４と同様に行い、半導体載置部材（５）、半導体搬送部材（５Ａ）、および、先端を含む部分に厚み１０ｎｍ、長さ１００ｎｍのＡｌ２Ｏ３の被覆層を備えたカーボンナノチューブを有する半導体搬送部材（５Ｂ）を得た。
評価結果を表１に示した。
【０１０２】
〔実施例６〕
シリコン基板（ＫＳＴ製、熱酸化膜付ウェハ、厚み１０００μｍ）上に、真空蒸着装置（ＪＥＯＬ製、ＪＥＥ−４Ｘ  Ｖａｃｕｕｍ  Ｅｖａｐｏｒａｔｏｒ）により、Ａｌ薄膜（厚み１０ｎｍ）を形成した後、４５０℃で１時間酸化処理を施した。このようにして、シリコン基板上にＡｌ２Ｏ３膜を形成した。このＡｌ２Ｏ３膜上に、さらにスパッタ装置（ＵＬＶＡＣ製、ＲＦＳ−２００）にてＦｅ薄膜（厚み２ｎｍ）を蒸着させて触媒層を形成した。
次に、得られた触媒層付シリコン基板をカットして、３０ｍｍφの石英管内に載置し、水分３５０ｐｐｍに保ったヘリウム／水素（１２０／８０ｓｃｃｍ）混合ガスを石英管内に３０分間流して、管内を置換した。その後、電気管状炉を用いて管内を７６５℃まで３５分間で段階的に昇温させ、７６５℃にて安定させた。７６５℃にて温度を保持したまま、ヘリウム／水素／エチレン（１０５／８０／１５ｓｃｃｍ、水分率３５０ｐｐｍ）混合ガスを管内に充填させ、５分間放置してカーボンナノチューブを基板上に成長させ、カーボンナノチューブが長さ方向に配向しているカーボンナノチューブ集合体（６）を得た。
カーボンナノチューブ集合体（６）が備えるカーボンナノチューブの長さは１００μｍであった。
カーボンナノチューブ集合体（６）が備えるカーボンナノチューブの層数分布において、層数分布の分布幅は１７層（４層〜２０層）であり、最頻値は４層と８層に存在し、相対頻度はそれぞれ２０％と２０％であった。
実施例１と同様に行い、半導体載置部材（６）、半導体搬送部材（６Ａ）、および、先端を含む部分に厚み５ｎｍ、長さ２０ｎｍのＳｉＯ２の被覆層を備えたカーボンナノチューブを有する半導体搬送部材（６Ｂ）を得た。
評価結果を表１に示した。
【０１０３】
〔実施例７〕
実施例６において、放置時間を１５分に変えた以外は、実施例６と同様に行い、カーボンナノチューブが長さ方向に配向しているカーボンナノチューブ集合体（７）を得た。
カーボンナノチューブ集合体（７）が備えるカーボンナノチューブの長さは３００μｍであった。
カーボンナノチューブ集合体（７）が備えるカーボンナノチューブの層数分布において、層数分布の分布幅は１７層（４層〜２０層）であり、最頻値は４層と８層に存在し、相対頻度はそれぞれ２０％と２０％であった。
実施例１と同様に行い、半導体載置部材（７）、半導体搬送部材（７Ａ）、および、先端を含む部分に厚み５ｎｍ、長さ７０ｎｍのＳｉＯ２の被覆層を備えたカーボンナノチューブを有する半導体搬送部材（７Ｂ）を得た。
評価結果を表１に示した。
【０１０４】
〔実施例８〕
実施例６において、反応時間を２５分に変えた以外は、実施例６と同様に行い、カーボンナノチューブが長さ方向に配向しているカーボンナノチューブ集合体（８）を得た。
カーボンナノチューブ集合体（８）が備えるカーボンナノチューブの長さは５００μｍであった。
カーボンナノチューブ集合体（８）が備えるカーボンナノチューブの層数分布において、層数分布の分布幅は１７層（４層〜２０層）であり、最頻値は４層と８層に存在し、相対頻度はそれぞれ２０％と２０％であった。
実施例６において、Ａｌ２Ｏ３スパッタ時間を２倍に変えた以外は、実施例６と同様に行い、半導体載置部材（８）、半導体搬送部材（８Ａ）、および、先端を含む部分に厚み１０ｎｍ、長さ１００ｎｍのＳｉＯ２の被覆層を備えたカーボンナノチューブを有する半導体搬送部材（８Ｂ）を得た。
評価結果を表１に示した。
【０１０５】
〔比較例１〕
実施例１において、ＳｉＯ２スパッタをなしに変えた以外は、実施例１と同様に行い、カーボンナノチューブが長さ方向に配向しているカーボンナノチューブ集合体（Ｃ１）を得た。
カーボンナノチューブ集合体（Ｃ１）が備えるカーボンナノチューブの長さは１００μｍであった。
カーボンナノチューブ集合体（Ｃ１）が備えるカーボンナノチューブの層数分布において、最頻値は２層に存在し、相対頻度は７５％であった。
基板上に形成されたカーボンナノチューブ集合体（Ｃ１）を、基板から剥離することにより、半導体載置部材（Ｃ１）を得た。
得られた半導体載置部材（Ｃ１）を、基板から剥離した側の端面を超耐熱カーボンペースト（ＥＭ  Ｊａｐａｎ製）に埋め込み、硬化（室温×２時間、９０℃×２時間、２６０℃×２時間、４５０℃×３時間）して搬送テーブルに固定することにより、半導体搬送部材（Ｃ１）を得た。
評価結果を表１に示した。
【０１０６】
〔比較例２〕
実施例１において、被覆層を設けなかった以外は、実施例２と同様に行い、半導体載置部材（Ｃ２）、半導体搬送部材（Ｃ２）を得た。
評価結果を表１に示した。
【０１０７】
〔比較例３〕
実施例４において、被覆層を設けなかった以外は、実施例４と同様に行い、半導体載置部材（Ｃ３）、半導体搬送部材（Ｃ３）を得た。
評価結果を表１に示した。
【０１０８】
〔比較例４〕
実施例６において、被覆層を設けなかった以外は、実施例６と同様に行い、半導体載置部材（Ｃ４）、半導体搬送部材（Ｃ４）を得た。
評価結果を表１に示した。
【０１０９】
〔比較例５〕
実施例７において、被覆層を設けなかった以外は、実施例７と同様に行い、半導体載置部材（Ｃ５）、半導体搬送部材（Ｃ５）を得た。
評価結果を表１に示した。
【０１１０】
〔比較例６〕
実施例８において、被覆層を設けなかった以外は、実施例８と同様に行い、半導体載置部材（Ｃ６）、半導体搬送部材（Ｃ６）を得た。
評価結果を表１に示した。
【０１１１】
〔比較例７〕
ＰＤＭＳ  ポリジメチルシロキサン（商品名「Ｓｙｌｇａｒｄ１８４」、ダウコーニング製）を半導体載置部材（Ｃ７）とした。
得られた半導体載置部材（Ｃ７）を、５００μｍ厚に成形、硬化することにより、半導体搬送部材（Ｃ７）を得た。
評価結果を表１に示した。
【０１１２】
【表１】
2016046521.tif 000003
【産業上の利用可能性】
【０１１３】
本発明の半導体搬送部材および半導体載置部材は、例えば、半導体製造プロセスに利用することができる。
【符号の説明】
【０１１４】
１０００  半導体搬送部材
１００    搬送基材
２００    バインダー
５０      被覆層
１０      繊維状柱状構造体
１０ａ    繊維状柱状構造体の表面
２        繊維状柱状物
【図１】
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【図２】
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【図３】
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