(57)【要約】【課題】２つの電流経路夫々を介した通電を制御することができる安価で小型の通電制御装置を提供する。【解決手段】通電制御装置２では、バッテリ３から第１負荷４１へ流れる電流の電流経路にＦＥＴ２１が設けられており、バッテリ３から第２負荷４２へ流れる電流の電流経路にＦＥＴ２２が設けられている。第１制御回路２３がＦＥＴ２１をオン／オフし、第２制御回路２４がＦＥＴ２２をオン／オフすることによって、２つの電流経路夫々を介した通電が制御される。第２制御回路２４は、ＦＥＴ２１がオンである場合に、ＦＥＴ２２をオフにする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
２つの電流経路夫々に設けられた２つのスイッチング素子と、該２つのスイッチング素子中の一方のスイッチング素子をオン／オフする制御回路とを備える通電制御装置において、
該制御回路は、他方のスイッチング素子がオンである場合、前記一方のスイッチング素子をオフにするように構成してあること
を特徴とする通電制御装置。
【請求項２】
２つの電流経路夫々に設けられた２つのスイッチング素子と、該２つのスイッチング素子中の一方のスイッチング素子をオン／オフする制御回路とを備える通電制御装置において、
前記２つのスイッチング素子周辺の温度を検出する温度検出部を備え、
前記制御回路は、他方のスイッチング素子がオンであり、かつ、前記温度検出部が検出した温度が閾値温度以上である場合、前記一方のスイッチング素子をオフにするように構成してあること
を特徴とする通電制御装置。
【請求項３】
前記２つのスイッチング素子で発生した熱を放散する放熱体を備えること
を特徴とする請求項１又は請求項２に記載の通電制御装置。
【請求項４】
車両に搭載されており、
前記２つの電流経路夫々を介してラジエータファン及びヒータに電流が供給されるように構成してあること
を特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１つに記載の通電制御装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電流経路に設けられたスイッチング素子をオン／オフすることによって該電流経路を介した通電を制御する通電制御装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
車両には、バッテリによって給電されるランプ又はワイパー等の電気機器（負荷）が搭載されており、バッテリから負荷への通電は通電制御装置（例えば、特許文献１を参照）によって制御されている。
【０００３】
特許文献１に記載の通電制御装置では、バッテリから負荷へ流れる電流の電流経路にスイッチング素子、具体的にはＦＥＴ（Field Effect Transistor）が設けられており、スイッチング素子をオン／オフすることによって、バッテリから負荷への通電が制御される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１３−１４３９０５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
車両には大電流を消費するヒータ又はラジエータファン等の負荷も搭載されている。特許文献１に記載してあるような従来の通電制御装置の中には、バッテリから、大電流を消費する負荷への通電を制御する通電制御装置がある。
【０００６】
このような通電制御装置では、大電流がスイッチング素子を流れることによってスイッチング素子から発生した多量の熱を放散するため、通常、スイッチング素子は大型の放熱体、例えば、ヒートシンクに取り付けられている。これにより、スイッチング素子で発生した熱によってスイッチング素子が破壊されることが防止される。
【０００７】
バッテリから、大電流を消費する２つの負荷への通電を制御する通電制御装置として、バッテリから一方の負荷へ流れる電流の電流経路、及び、バッテリから他方の負荷へ流れる電流の電流経路夫々にスイッチング素子が設けられた通電制御装置が考えられる。この通電制御装置では、２つのスイッチング素子を各別にオン／オフすることによって、２つの電流経路夫々を介した通電を制御する。また、２つのスイッチング素子夫々は２つの大型の放熱体に取り付けられている。
【０００８】
このように構成された通電制御装置には、２つの大型の放熱体が設けられているため、装置が大型であり、製造費用が嵩むという問題がある。
【０００９】
本発明は斯かる事情に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、２つの電流経路夫々を介した通電を制御することができる安価で小型の通電制御装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明に係る通電制御装置は、２つの電流経路夫々に設けられた２つのスイッチング素子と、該２つのスイッチング素子中の一方のスイッチング素子をオン／オフする制御回路とを備える通電制御装置において、該制御回路は、他方のスイッチング素子がオンである場合、前記一方のスイッチング素子をオフにするように構成してあることを特徴とする。
【００１１】
本発明にあっては、２つのスイッチング素子中の一方のスイッチング素子は、２つの電流経路中の一方の電流経路に設けられている。２つのスイッチング素子中の他方のスイッチング素子は、２つの電流経路中の他方の電流経路に設けられている。制御回路は一方のスイッチング素子をオン／オフする。２つのスイッチング素子を各別にオン／オフすることによって、２つの電流経路夫々を介した通電が制御される。
【００１２】
制御回路は、他方のスイッチング素子がオンである場合、一方のスイッチング素子をオフにする。このため、２つのスイッチング素子が共にオンとなることはない。従って、２つのスイッチング素子が共に発熱することはないため、放熱の構成は、大きさが２つのスイッチング素子夫々が発生する熱の中で熱量が多い熱を十分に放散することが可能な１つの放熱体に、２つのスイッチング素子が取り付けられた構成であってもよい。
【００１３】
以上のように、２つのスイッチング素子で発生する熱を１つの小型の放熱体を用いて放散することができるため、製造費用が安価であり、装置が小型である。
【００１４】
本発明に係る通電制御装置は、２つの電流経路夫々に設けられた２つのスイッチング素子と、該２つのスイッチング素子中の一方のスイッチング素子をオン／オフする制御回路とを備える通電制御装置において、前記２つのスイッチング素子周辺の温度を検出する温度検出部を備え、前記制御回路は、他方のスイッチング素子がオンであり、かつ、前記温度検出部が検出した温度が閾値温度以上である場合、前記一方のスイッチング素子をオフにするように構成してあることを特徴とする。
【００１５】
本発明にあっては、２つのスイッチング素子中の一方のスイッチング素子は、２つの電流経路中の一方の電流経路に設けられている。２つのスイッチング素子中の他方のスイッチング素子は、２つの電流経路中の他方の電流経路に設けられている。制御回路は一方のスイッチング素子をオン／オフする。２つのスイッチング素子を各別にオン／オフすることによって、２つの電流経路夫々を介した通電が制御される。
【００１６】
２つのスイッチング素子周辺の温度を検出する。制御回路は、他方のスイッチング素子がオンであって、かつ、検出した温度が閾値温度以上である場合、一方のスイッチング素子をオフにする。従って、２つのスイッチング素子周辺の温度が閾値温度以上である場合において、２つのスイッチング素子が共にオンとなることはない。このため、２つのスイッチング素子が１つの放熱体に取り付けられ、放熱体が２つのスイッチング素子夫々で発生した熱が１つの放熱体によって放散されるように構成された場合、放熱体は小型である。
【００１７】
これは、放熱体の大きさが、２つのスイッチング素子周辺の温度が閾値温度以上であって、かつ、２つのスイッチング素子が共にオンである場合に、２つのスイッチング素子で発生する熱を十分に放散することが可能な大きさよりも小さくてよいためである。従って、製造費用が安価であり、装置が小型である。
【００１８】
本発明に係る通電制御装置は、前記２つのスイッチング素子で発生した熱を放散する放熱体を備えることを特徴とする。
【００１９】
本発明にあっては、２つのスイッチング素子で発生した熱は１つの放熱体によって放散される。
【００２０】
本発明に係る通電制御装置は、車両に搭載されており、前記２つの電流経路夫々を介してラジエータファン及びヒータに電流が供給されるように構成してあることを特徴とする。
【００２１】
本発明にあっては、装置が車両に搭載されている。２つの電流経路中の一方の電流経路を介して、ラジエータ内の水を冷却するラジエータファンに電流が供給され、他方の電流経路を介して、例えば、車室内を暖めるためのヒータに電流が供給される。一方の電流経路に設けられたスイッチング素子のオン／オフに応じて、ラジエータファンは作動／停止を行い、他方の電流経路に設けられたスイッチング素子のオン／オフに応じてヒータは作動／停止を行う。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、２つの電流経路夫々を介した通電を制御することができる安価で小型の通電制御装置を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】実施の形態１における電源システムの要部構成を示す回路図である。
【図２】ＦＥＴの配置の説明図である。
【図３】通電制御装置の動作を説明するための図表である。
【図４】実施の形態２における電源システムの要部構成を示す回路図である。
【図５】通電制御装置の動作を説明するための図表である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、本発明をその実施の形態を示す図面に基づいて詳述する。
（実施の形態１）
図１は実施の形態１における電源システム１の要部構成を示す回路図である。電源システム１は、車両に好適に搭載され、通電制御装置２、バッテリ３、第１負荷４１及び第２負荷４２を備える。通電制御装置２は、バッテリ３の正極と、第１負荷４１及び第２負荷４２夫々の一端とに各別に接続されている。バッテリ３の負極と、第１負荷４１及び第２負荷４２夫々の他端とは接地されている。
【００２５】
バッテリ３は通電制御装置２を介して第１負荷４１及び第２負荷４２に給電する。第１負荷４１は、例えば、ラジエータ内の水を冷却するラジエータファンであり、第２負荷４２は、例えば、車室内を暖めるためのヒータである。このヒータは、ラジエータ内の高温の水から熱を奪った空気を車室内に送り込むことによって車室内を暖めることができない場合、即ち、ラジエータ内の水温が低い場合に作動される。第１負荷４１は、第２負荷４２よりも優先して作動すべき負荷である。第１負荷４１及び第２負荷４２夫々は大電流を消費する。第１負荷４１及び第２負荷４２夫々は、バッテリ３から電流が供給されている場合に作動し、バッテリ３からの電流の供給が停止した場合に停止する。
【００２６】
通電制御装置２には、ハイレベル及びローレベルの電圧によって構成される第１制御信号及び第２制御信号夫々が外部から入力される。第１制御信号において、ハイレベルの電圧は第１負荷４１の駆動を指示し、ローレベルの電圧は第１負荷４１の停止を指示する。同様に、第２制御信号において、ハイレベルの電圧は第２負荷４２の駆動を指示し、ローレベルの電圧は第２負荷４２の停止を指示する。
【００２７】
通電制御装置２は、外部から入力された第１制御信号及び第２制御信号夫々が示す内容に基づいて、バッテリ３から第１負荷４１への通電と、バッテリ３から第２負荷４２への通電とを制御する。
【００２８】
通電制御装置２は、Ｎチャネル型の２つのＦＥＴ２１，２２、第１制御回路２３、第２制御回路２４、ＡＮＤ回路２５及び反転器２６を有する。ＡＮＤ回路２５は２つの入力端子と１つの出力端子とを有し、反転器２６は入力端子及び出力端子を有する。
【００２９】
ＦＥＴ２１，２２夫々のドレインはバッテリ３の正極に接続され、ＦＥＴ２１のソースは第１負荷４１の一端に接続され、ＦＥＴ２２のソースは第２負荷４２の一端に接続されている。ＦＥＴ２１のゲートには第１制御回路２３が接続されており、ＦＥＴ２２のゲートには第２制御回路２４が接続されている。第２制御回路２４には、更に、ＡＮＤ回路２５の出力端子が接続されている。ＡＮＤ回路２５が有する２つの入力端子中の一方の入力端子には反転器２６の出力端子が接続されている。第１制御回路２３と、反転器２６の入力端子とには第１制御信号が入力される。ＡＮＤ回路２５が有する２つの入力端子中の他方の入力端子には第２制御信号が入力される。
【００３０】
図２はＦＥＴ２１，２２の配置の説明図である。通電制御装置２は、更に、絶縁体２７及び放熱体２８を有する。ＦＥＴ２１，２２夫々は直方体状をなし、放熱体２８は平面を有する。放熱体２８は具体的にはヒートシンクである。ＦＥＴ２１，２２夫々は、絶縁体２７を介して放熱体２８の平面に取り付けられている。絶縁体２７は例えばＦＥＴ２１，２２夫々を放熱体２８の平面に取り付けるための接着剤である。絶縁体２７は、ＦＥＴ２１と放熱体２８とを絶縁し、ＦＥＴ２２と放熱体２８とを絶縁する。
【００３１】
ＦＥＴ２１，２２夫々はスイッチング素子として機能する。ＦＥＴ２１，２２夫々について、ゲートに印加されている電圧が一定電圧以上である場合、ドレイン及びソース間に電流が流れることが可能とあり、ＦＥＴ２１，２２夫々はオンである。ＦＥＴ２１，２２夫々について、ゲートに印加されている電圧が一定電圧未満である場合、ドレイン及びソース間に電流が流れることはなく、ＦＥＴ２１，２２夫々はオフである。
【００３２】
ＦＥＴ２１がオンである場合、バッテリ３から第１負荷４１へ電流が流れ、第１負荷４１が作動する。ＦＥＴ２１がオフである場合、バッテリ３から第１負荷４１への電流供給が停止し、第１負荷４１が停止する。ＦＥＴ２２がオンである場合、バッテリ３から第２負荷４２へ電流が流れ、第２負荷４２が作動する。ＦＥＴ２２がオフである場合、バッテリ３から第２負荷４２への電流供給が停止し、第２負荷４２が停止する。
【００３３】
以上のように、ＦＥＴ２１はバッテリ３から第１負荷４１へ流れる電流の電流経路に設けられており、ＦＥＴ２２はバッテリ３から第２負荷４２へ流れる電流の電流経路に設けられている。そして、これらの２つの電流経路夫々を介して、第１負荷４１及び第２負荷４２夫々に電流が供給される。
【００３４】
ＦＥＴ２１がオンである場合、バッテリ３から電流がＦＥＴ２１を介して第１負荷４１に流れ、ＦＥＴ２１で熱が発生する。ＦＥＴ２２がオンである場合、バッテリ３から電流がＦＥＴ２２を介して第２負荷４２に流れ、ＦＥＴ２２で熱が発生する。２つのＦＥＴ２１，２２夫々で発生した熱は絶縁体２７を介して放熱体２８に伝わる。放熱体２８は絶縁体２７を介して伝わった熱を放散する。放熱体２８が放散する熱の量は、通常、放熱体２８の大きさが大きい程、多量であり、放熱体２８の大きさが小さい程、少量である。
【００３５】
第１制御回路２３は、ＦＥＴ２１のゲートに印加されている電圧を調整することによって、ＦＥＴ２１をオン／オフする。これにより、バッテリ３から第１負荷４１へ流れる電流の電流経路を介した通電が制御される。同様に、第２制御回路２４は、ＦＥＴ２２のゲートに印加されている電圧を調整することによって、ＦＥＴ２２をオン／オフする。これにより、バッテリ３から第２負荷４２へ流れる電流の電流経路を介した通電が制御される。
【００３６】
第１制御回路２３は、入力された第１制御信号がハイレベルの電圧を示す場合、ＦＥＴ２１をオンにし、入力された第１制御信号がローレベルの電圧を示す場合、ＦＥＴ２１をオフにする。反転器２６は、入力端子に入力された第１制御信号がハイレベルの電圧を示す場合、出力端子からＡＮＤ回路２５の一方の入力端子にローレベルの電圧を出力する。反転器２６は、入力端子に入力された第１制御信号がローレベルの電圧を示す場合、出力端子からＡＮＤ回路２５の一方の入力端子にハイレベルの電圧を出力する。
【００３７】
ＡＮＤ回路２５は、反転器２６の出力端子から一方の入力端子に入力されている電圧がハイレベルの電圧である場合、他方の入力端子に入力されている第２制御信号が示す電圧をそのまま出力端子から第２制御回路２４に出力する。即ち、第２制御信号がハイレベルの電圧を示す場合、ＡＮＤ回路２５の出力端子からハイレベルの電圧が出力され、第２制御信号がローレベルの電圧を示す場合、ＡＮＤ回路２５の出力端子からローレベルの電圧が出力される。
【００３８】
ＡＮＤ回路２５は、反転器２６の出力端子から一方の入力端子に入力されている電圧がローレベルの電圧である場合、他方の入力端子に入力されている第２制御信号に無関係に、出力端子からローレベルの電圧を第２制御回路２４に出力する。
【００３９】
以上のように、第２制御回路２４には、ＡＮＤ回路２５の出力端子からハイレベル及びローレベルの電圧が入力される。第２制御回路２４は、ＡＮＤ回路２５の出力端子からハイレベルの電圧が入力された場合、ＦＥＴ２２をオンにし、ＡＮＤ回路２５の出力端子からローレベルの電圧が入力された場合、ＦＥＴ２２をオフにする。
【００４０】
図３は通電制御装置２の動作を説明するための図表である。図３には、第１制御信号及び第２制御信号夫々が示す電圧と、第１制御回路２３がＦＥＴ２１に対して行うオン／オフと、第２制御回路２４がＦＥＴ２２に対して行うオン／オフとが示されている。図３では、ハイレベルの電圧は「Ｈ」で示され、ローレベルの電圧は「Ｌ」で示されている。
【００４１】
前述したように、第１制御信号がハイレベルの電圧を示す場合、第１制御回路２３はＦＥＴ２１をオンにし、第１制御信号がローレベルの電圧を示す場合、第１制御回路２３はＦＥＴ２１をオフにする。第１制御回路２３は、第２制御信号に無関係にＦＥＴ２１をオン／オフする。
【００４２】
第１制御信号がハイレベルの電圧を示す場合、反転器２６が出力端子からＡＮＤ回路２５の一方の入力端子にローレベルの電圧を出力するため、ＡＮＤ回路２５は、第２制御信号とは無関係に、出力端子からローレベルの電圧を第２制御回路２４に出力し、第２制御回路２４はＦＥＴ２２をオフにする。従って、通電制御装置２は、第１負荷４１を第２負荷４２よりも優先して作動させる。
【００４３】
第１制御信号がローレベルの電圧を示す場合、反転器２６は出力端子からＡＮＤ回路２５の一方の入力端子にハイレベルの電圧を出力し、ＡＮＤ回路２５は、他方の入力端子に入力されている第２制御信号を示す電圧をそのまま出力端子から第２制御回路２４に出力する。このため、第２制御回路２４は第２制御信号に基づいてＦＥＴ２２をオン／オフする。即ち、第２制御信号がハイレベルの電圧を示す場合、第２制御回路２４はＦＥＴ２２をオンにし、第２制御信号がローレベルの電圧を示す場合、第２制御回路２４はＦＥＴ２２をオフにする。
【００４４】
以上のように、第２制御回路２４は、ＦＥＴ２１がオンである場合、第２制御信号に無関係に、ＦＥＴ２２をオフにする。このため、２つのＦＥＴ２１，２２が共にオンとなることはなく、２つのＦＥＴ２１，２２が共に発熱することはない。従って、放熱体２８の大きさは、２つのＦＥＴ２１，２２が発生する熱の中で熱量が多い熱を十分に放散することが可能な大きさであればよい。結果、２つのＦＥＴ２１，２２で発生する熱を１つの小型の放熱体２８を用いて放散することができるので、通電制御装置２の製造費用は安価であり、通電制御装置２は小型である。ＦＥＴ２１は他方のスイッチング素子として機能し、ＦＥＴ２２は一方のスイッチング素子として機能し、第２制御回路２４は制御回路として機能する。
【００４５】
（実施の形態２）
実施の形態１では、ＦＥＴ２１がオンである場合、第２制御回路２４はＦＥＴ２２をオフにする。しかしながら、ＦＥＴ２１がオンである場合であっても、ＦＥＴ２１，２２周辺の温度が閾値温度未満であるとき、放熱体２８は冷却されているため、ＦＥＴ２２をオンにしてもよい。
以下では、実施の形態２について、実施の形態１と異なる点を説明する。後述する構成を除く他の構成については、実施の形態１と同様であるため、同様の符号を付してその詳細な説明を省略する。
【００４６】
図４は実施の形態２における電源システム５の要部構成を示す回路図である。電源システム５は、実施の形態１における電源システム１と同様に、車両に好適に搭載され、バッテリ３、第１負荷４１、第２負荷４２及び通電制御装置６を備える。これらは実施の形態１と同様に接続されている。ここで、実施の形態１における通電制御装置２は通電制御装置６に対応する。実施の形態２においても、第１負荷４１は第２負荷４２よりも優先して作動すべき負荷である。実施の形態１と同様に、第１負荷４１は例えばラジエータファンであり、第２負荷４２は例えばヒータである。
【００４７】
実施の形態１と同様に、バッテリ３は通電制御装置６を介して第１負荷４１及び第２負荷４２に給電し、通電制御装置６には第１制御信号及び第２制御信号が入力される。通電制御装置６は、実施の形態１における通電制御装置２と同様に、外部から入力された第１制御信号及び第２制御信号夫々が示す内容に基づいて、バッテリ３から第１負荷４１への通電と、バッテリ３から第２負荷４２への通電とを制御する。
【００４８】
通電制御装置６は、実施の形態１における通電制御装置２が有する構成部に加えて、温度検出部６１及びＯＲ回路６２を有する。ＯＲ回路６２は２つの入力端子と１つの出力端子とを有する。ＦＥＴ２１，２２、第１制御回路２３、第２制御回路２４及びＡＮＤ回路２５は実施の形態１と同様に接続されている。ＡＮＤ回路２５が有する２つの入力端子中の一方の入力端子にはＯＲ回路６２の出力端子に接続されている。ＯＲ回路６２が有する２つの入力端子中の一方の入力端子には反転器２６の出力端子が接続され、ＯＲ回路６２が有する２つの入力端子中の他方の入力端子には温度検出部６１が接続されている。第１制御回路２３と、反転器２６の入力端子とには第１制御信号が入力される。ＡＮＤ回路２５が有する２つの入力端子中の他方の入力端子には第２制御信号が入力される。
【００４９】
ＦＥＴ２１，２２、絶縁体２７及び放熱体２８は実施の形態１と同様に配置される（図２参照）。即ち、ＦＥＴ２１，２２夫々は絶縁体２７を介して放熱体２８に取り付けられ、絶縁体２７は、ＦＥＴ２１及び放熱体２８を絶縁し、ＦＥＴ２２及び放熱体２８を絶縁する。
【００５０】
実施の形態１と同様に、ＦＥＴ２１を介してバッテリ３から第１負荷４１へ電流が流れ、ＦＥＴ２２を介してバッテリ３から第２負荷４２へ電流が流れる。従って、ＦＥＴ２１はバッテリ３から第１負荷４１へ流れる電流の電流経路に設けられており、ＦＥＴ２２はバッテリ３から第２負荷４２へ流れる電流の電流経路に設けられている。また、これらの２つの電流経路夫々を介して、第１負荷４１及び第２負荷４２に電流が供給される。
【００５１】
また、ＦＥＴ２１がオンである場合にＦＥＴ２１で発生した熱、及び、ＦＥＴ２２がオンである場合にＦＥＴ２２で発生した熱夫々は、実施の形態１と同様に、絶縁体２７を介して放熱体２８に伝わり、放熱体２８は絶縁体２７を介して伝わった熱を放散する。実施の形態１と同様に、第１制御回路２３はＦＥＴ２１をオン／オフし、第２制御回路２４は、ＦＥＴ２２をオン／オフする。これにより、バッテリ３から第１負荷４１へ流れる電流の電流経路を介した通電と、バッテリ３から第２負荷４２へ流れる電流の電流経路を介した通電とが制御される。
【００５２】
第１制御回路２３は、入力された第１制御信号がハイレベルの電圧を示す場合、ＦＥＴ２１をオンにし、入力された第１制御信号がローレベルの電圧を示す場合、ＦＥＴ２１をオフにする。反転器２６は、入力端子に入力された第１制御信号がハイレベルの電圧を示す場合、出力端子からＯＲ回路６２の一方の入力端子にローレベルの電圧を出力する。反転器２６は、入力端子に入力された第１制御信号がローレベルの電圧を示す場合、出力端子からＯＲ回路６２の一方の入力端子にハイレベルの電圧を出力する。
【００５３】
温度検出部６１はＦＥＴ２１，２２周辺の温度を検出する。温度検出部６１は、例えば、周囲の温度に応じて抵抗値が変わるサーミスタを用いて構成される。温度検出部６１は、検出した温度が、予め設定されている閾値温度未満である場合、ハイレベルの電圧をＯＲ回路６２の他方の入力端子に出力する。温度検出部６１は、検出した温度が閾値温度以上である場合、ローレベルの電圧をＯＲ回路６２の他方の入力端子に出力する。
【００５４】
ＯＲ回路６２は、反転器２６の出力端子から一方の入力端子に入力されている電圧と、温度検出部６１から他方の入力端子に入力されている電圧とが共にローレベルの電圧である場合、出力端子からＡＮＤ回路２５の一方の入力端子にローレベルの電圧を出力する。ＯＲ回路６２は、反転器２６の出力端子から一方の入力端子に入力されている電圧、及び、温度検出部６１から他方の入力端子に入力されている電圧中の少なくとも１つがハイレベルの電圧である場合、出力端子からハイレベルの電圧をＡＮＤ回路２５の一方の入力端子に出力する。
【００５５】
ＡＮＤ回路２５は、ＯＲ回路６２の出力端子から一方の入力端子に入力されている電圧がハイレベルの電圧である場合、実施の形態１と同様に、他方の入力端子に入力されている第２制御信号が示す電圧をそのまま出力端子から第２制御回路２４に出力する。ＡＮＤ回路２５は、ＯＲ回路６２の出力端子から一方の入力端子に入力されている電圧がローレベルの電圧である場合、他方の入力端子に入力されている第２制御信号に無関係に、出力端子からローレベルの電圧を第２制御回路２４に出力する。
【００５６】
第２制御回路２４は、実施の形態１と同様に、ＡＮＤ回路２５の出力端子からハイレベルの電圧が入力された場合、ＦＥＴ２２をオンにし、ＡＮＤ回路２５の出力端子からローレベルの電圧が入力された場合、ＦＥＴ２２をオフにする。
【００５７】
図５は通電制御装置６の動作を説明するための図表である。図５には、第１制御信号及び第２制御信号夫々が示す電圧と、温度検出部６１がＯＲ回路６２の他方の入力端子に出力する電圧と、第１制御回路２３がＦＥＴ２１に対して行うオン／オフと、第２制御回路２４がＦＥＴ２２に対して行うオン／オフとが示されている。図５でも、図３と同様に、ハイレベルの電圧は「Ｈ」で示され、ローレベルの電圧は「Ｌ」で示されている。
【００５８】
実施の形態１と同様に、第１制御信号がハイレベルの電圧を示す場合、第１制御回路２３はＦＥＴ２１をオンにし、第１制御信号がローレベルの電圧を示す場合、第１制御回路２３はＦＥＴ２１をオフにする。第１制御回路２３は、第２制御信号、及び、温度検出部６１が検出した温度に無関係にＦＥＴ２１をオン／オフする。
【００５９】
第１制御信号がハイレベルの電圧を示し、かつ、ＦＥＴ２１，２２周辺の温度が閾値温度以上であるために温度検出部６１がローレベルの電圧を出力している場合、ＯＲ回路６２が出力端子からＡＮＤ回路２５の一方の入力端子にローレベルの電圧を出力する。このため、ＡＮＤ回路２５は、第２制御信号とは無関係に、出力端子からローレベルの電圧を第２制御回路２４に出力し、第２制御回路２４はＦＥＴ２２をオフにする。従って、通電制御装置６は、第１負荷４１を第２負荷４２よりも優先して作動させる。
【００６０】
第１制御信号がローレベルの電圧を示すか、又は、ＦＥＴ２１，２２周辺の温度が閾値温度未満であるために温度検出部６１がハイレベルの電圧を出力している場合、ＯＲ回路６２が出力端子からＡＮＤ回路２５の一方の入力端子にハイレベルの電圧を出力する。このため、ＡＮＤ回路２５は、他方の入力端子に入力された第２制御信号を示す電圧をそのまま出力端子から第２制御回路２４に出力し、第２制御回路２４は第２制御信号に基づいてＦＥＴ２２をオン／オフする。即ち、第２制御信号がハイレベルの電圧を示す場合、第２制御回路２４はＦＥＴ２２をオンにし、第２制御信号がローレベルの電圧を示す場合、第２制御回路２４はＦＥＴ２２をオフにする。
【００６１】
以上のように、第２制御回路２４は、ＦＥＴ２１がオンであり、かつ、温度検出部６１が検出した温度が閾値温度以上である場合、ＦＥＴ２２をオフにする。このため、２つのＦＥＴ２１，２２周辺の温度が閾値温度以上である場合において、２つのＦＥＴ２１，２２が共にオンとなることはない。従って、放熱体２８の大きさは、２つのＦＥＴ２１，２２周辺の温度が閾値温度以上であって、かつ、２つのＦＥＴ２１，２２が共にオンである場合に、２つのＦＥＴ２１，２２で発生する熱を十分に放散することが可能な大きさよりも小さくてよい。結果、２つのＦＥＴ２１，２２で発生する熱を１つの小型の放熱体２８を用いて放散することができるので、通電制御装置６の製造費用は安価であり、通電制御装置６は小型である。
【００６２】
なお、実施の形態１，２において、放熱体２８は、ＦＥＴ２１，２２で発生した熱を放散すればよいため、ヒートシンクに限定されず、例えばＦＥＴ２１，２２が実装される基板であってもよい。この場合であっても、実施の形態１，２では基板を小型化することができるため、通電制御装置２，６夫々は安価であり、小型である。
【００６３】
また、第１制御信号は、電圧がローレベルの電圧からハイレベルの電圧へ、又は、ハイレベルの電圧からローレベルの電圧へ周期的に切替わるパルス信号、所謂、ＰＷＭ（Pulse Width Modulation）信号であってもよい。この場合、第１制御信号のデューティ、即ち、ハイレベルの電圧を示す期間が１周期において占める割合を、バッテリ３の出力電圧に応じて調整することによって、第１負荷４１に安定した電圧を印加し続けることが可能となる。
【００６４】
更に、ＦＥＴ２１，２２夫々は、スイッチング素子として機能すればよいため、Ｎチャネル型に限定されず、Ｐチャネル型であってもよい。更に、ＦＥＴ２１又はＦＥＴ２２の代わりに、他のスイッチング素子、例えばバイポーラトランジスタを用いてもよい。
【００６５】
開示された実施の形態１，２は、全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上述の説明ではなく特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内での全ての変更が含まれることが意図される。
【符号の説明】
【００６６】
２，６  通電制御装置
２１  ＦＥＴ（他方のスイッチング素子）
２２  ＦＥＴ（一方のスイッチング素子）
２４  第２制御回路（制御回路）
２８  放熱体
６１  温度検出部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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