(57)【要約】【課題】発光部に異物が付着することを抑制し、高品質の画像を得ることができる手段を提供する。【解決手段】複数の発光部が配列された発光装置において、基板に配設された複数の発光部と、前記基板に配設された異物捕獲部材と、を有し、前記発光部は、直線状に配列され、前記異物捕獲部材は、前記基板から突出し、前記発光部の配列に沿って設けられている。【選択図】        図１
2016103509.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の発光部が配列された発光装置において、
基板に配設された複数の発光部と、
前記基板に配設された異物捕獲部材と、を有し、
前記発光部は、直線状に配列され、
前記異物捕獲部材は、前記基板から突出し、前記発光部の配列に沿って設けられていることを特徴とする発光装置。
【請求項２】
請求項１に記載の発光装置において、
前記異物捕獲部材は、前記発光部の配列方向に延在する基部と、前記基部からそれぞれの前記発光部へ近接するように延在する枝部とを有することを特徴とする発光装置。
【請求項３】
請求項２に記載の発光装置において、
前記枝部は、前記発光部の間隔と同間隔で配列されていることを特徴とする発光装置。
【請求項４】
請求項２または請求項３に記載の発光装置において、
前記枝部は、隣り合う前記発光部の間に向かって延在することを特徴とする発光装置。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれかに記載の発光装置において、
前記異物捕獲部材を第１の異物捕獲部材とし、
前記発光部の配列に沿って設けられた第２の異物捕獲部材を有し、
前記第２の異物捕獲部材は、前記第１の異物捕獲部材との間に前記発光部を挟むように配設されていることを特徴とする発光装置。
【請求項６】
請求項１から請求項５のいずれかに記載の発光装置において、
前記異物捕獲部材は、有機材料で形成されていることを特徴とする発光装置。
【請求項７】
請求項１から請求項６のいずれかに記載の発光装置において、
前記異物捕獲部材は、フォトリソグラフィーにより形成されることを特徴とする発光装置。
【請求項８】
請求項１から請求項６のいずれかに記載の発光装置において、
前記異物捕獲部材は、ナノインプリントにより形成されることを特徴とする発光装置。
【請求項９】
請求項１から請求項６のいずれかに記載の発光装置において、
前記異物捕獲部材は、印刷により形成されることを特徴とする発光装置。
【請求項１０】
請求項１から請求項９のいずれかに記載の発光装置において、
前記発光部は、２次元配列されていることを特徴とする発光装置。
【請求項１１】
請求項１から請求項１０のいずれかに記載の発光装置を有することを特徴とするＬＥＤヘッド。
【請求項１２】
請求項１から請求項１０のいずれかに記載の発光装置を有することを特徴とする画像形成装置。
【請求項１３】
複数の受光部が配列された受光装置において、
基板に配設された複数の受光部と、
前記基板に配設された異物捕獲部材と、を有し、
前記受光部は、直線状に配列され、
前記異物捕獲部材は、前記基板から突出し、前記受光部の配列に沿って設けられていることを特徴とする受光装置。
【請求項１４】
請求項１３に記載の受光装置を有することを特徴とする読取ヘッド。
【請求項１５】
請求項１３に記載の受光装置を有することを特徴とする画像読取装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子を有する発光装置、受光装置、ＬＥＤヘッド、読取ヘッド、画像形成装置および画像読取装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の発光装置は、外部接続のためのボンディングパッドと駆動回路を有する第１半導体装置と、駆動回路により駆動される発光部と、第１半導体装置の表面に接合された第２半導体装置とを備え、ボンディングパッドと第２半導体装置の間に、発光部からボンディングパッドに向けて放射される光を屈折、反射、吸収する部材を備えるようにしている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１０−３８９０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、従来の技術においては、発光装置の製造工程において発光部にチリや埃等の異物が付着して発光装置の発光量が低下し、画像の品質が低下してしまうという問題がある。
本発明は、このような問題を解決することを課題とし、発光部に異物が付着することを抑制し、高品質の画像を得ることができるようにすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
そのため、本発明は、複数の発光部が配列された発光装置において、基板に配設された複数の発光部と、前記基板に配設された異物捕獲部材と、を有し、前記発光部は、直線状に配列され、前記異物捕獲部材は、前記基板から突出し、前記発光部の配列に沿って設けられていることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００６】
このようにした本発明は、発光部に異物が付着することを抑制し、高品質の画像を得ることができるという効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】第１の実施例における発光装置の構成を示す平面図
【図２】第１の実施例における発光装置の構成を示す断面図
【図３】第１の実施例における半導体薄膜の構成を示す断面図
【図４】第１の実施例における単結晶半導体薄膜の形成方法の説明図
【図５】第１の実施例における単結晶半導体薄膜の形成方法の説明図
【図６】第１の実施例における単結晶半導体薄膜の形成方法の説明図
【図７】第１の実施例における半導体薄膜の接合方法の説明図
【図８】第１の実施例におけるＬＥＤヘッドの構成を示す断面図
【図９】第１の実施例におけるＬＥＤユニットの構成を示す平面図
【図１０】第１の実施例における画像形成装置の構成を示す概略断面図
【図１１】第１の実施例における異物捕獲部の説明図
【図１２】第２の実施例における発光装置の構成を示す平面図
【図１３】第２の実施例における発光装置の構成を示す断面図
【図１４】変形例における受光装置の構成を示す断面図
【図１５】変形例における画像読取装置の構成を示す概略断面図
【図１６】変形例における発光装置の構成を示す平面図
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、図面を参照して本発明による発光装置、受光装置、ＬＥＤヘッド、読取ヘッド、画像形成装置および画像読取装置の実施例を説明する。
【実施例１】
【０００９】
図１は第１の実施例における発光装置の構成を示す平面図、図２は第１の実施例における発光装置の構成を示す断面図である。なお、図１および図２は発光装置の構成を模式的に表した図である。
図１および図２において、発光装置１は、光を発する発光部としての発光領域１１１が基板の長手方向に直線状に複数配列されたものであり、基板１００と、絶縁膜１０１と、半導体薄膜１１０と、ｐ側接続パッド１３２と、ｎ側接続パッド１３４と、異物捕獲部１５０とを有している。
【００１０】
基板１００は、例えばドライバＩＣ基板である。
絶縁膜１０１は、基板１００上に設けられたものである。
半導体薄膜１１０は、絶縁膜１０１に直接接合したものである。この半導体薄膜１１０は、例えば単結晶半導体材料から構成される。単結晶半導体材料は、例えば化合半導体材料であり、ＧａＡｓ、ＩｎＰ、あるいはＧａＡｓＰやＡｌＧａＡｓ等の３元系、またはＡｌＩｎＧａＰ、ＡｌＧａＡｓＰ、ＧａＩｎＡｓＰ等の４元系、Ｇａｐｓ、ＧａＡｓＮ、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ等の窒化物を含む窒化物半導体である。
【００１１】
ここで、半導体薄膜１１０を図３の第１の実施例における半導体薄膜の構成を示す断面図に基づいて説明する。
図３において、半導体薄膜１１０は、ｐ型層２１０と、ｎ型層２１２とにより構成されている。ｐ型層２１０は、上クラッド層２０６およびｐ側コンタクト層２０７により構成されている。ｎ型層２１２は、接合層２０１、導通層２０２、ｎ側コンタクト層２０３、下クラッド層２０４、およびｎ型活性層２０５により構成されている。
【００１２】
接合層２０１は、例えばｎ型ＧａＡＳ層であり、導通層２０２は、例えばｎ型ＡｌｔＧＡ１−ｔＡＳ層であり、ｎ側コンタクト層２０３は、例えばｎ型ＧａＡｓ層であり、下クラッド層２０４は、例えばｎ型ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層であり、ｎ型活性層２０５は、例えばｎ型ＡｌｙＧＡ１−ｙＡｓ層であり、上クラッド層２０６は、例えばｐ型ＡｌｚＧａ１−ｚＡｓ層であり、ｐ側コンタクト層２０７は、例えばｐ型ＧａＡｓ層である。
なお、Ａｌ組成ｔ、ｘ、ｙ、ｚは望ましくはｔ、ｘ、ｚ＞ｙである。この条件と満たすｔ、ｘ、ｙ、ｚの例は、ｔ＝０．２、ｘ、ｚ＝０．６、ｙ＝０．１５である。
【００１３】
図１および図２の説明に戻る。
発光部としての発光領域１１１は、光を発する領域であり、活性層を含むものである。この発光領域１１１には、発光ダイオードの層間絶縁膜１１６にｎ側コンタクト開口部１１２およびｐ側コンタクト開口部１１４が形成されている。層間絶縁膜１１６は、例えばＳｉＮ膜や有機絶縁膜とすることができる。
ｐ側接続パッド１３２は、ｐ側電極に接続されたものである。ｎ側接続パッド１３４は、ｎ側電極に接続されたものである。ｐ側接続パッド１３２は、例えばＴｉ／Ｐｔ／Ａｕである。
【００１４】
接続開口部１４１は、ｎ側接続パッド１３４と基板１００とを接続する開口である。
第１の異物捕獲部材としての異物捕獲部１５０は、発光装置１内の異物を捕獲するものであり、長手方向に複数配列された発光領域１１１の近傍に、発光領域１１１の配列に沿って発光領域１１１に対向して配置され、基板１００から突出した壁状のものである。
この異物捕獲部１５０は、図１に示すように、発光領域１１１が配列された方向に延在するように配設された基部１５０ａと、基部１５０ａが延在する方向に直交し、発光領域１１１に向かって延在する枝部１５０ｂとにより構成されている。
【００１５】
基部１５０ａは、長手方向に配列された発光領域１１１と略同じ長さで発光領域１１１の配列方向に延在し、ｎ側接続パッド１３４を介して発光領域１１１と対向するように配置されている。
枝部１５０ｂは、基部１５０ａと直交し、発光領域１１１に近接する方向に基部１５０ａから延びるように複数形成されている。枝部１５０ｂは、基部１５０ａの長手方向に両端部および隣り合う発光領域１１１の間に向かって延在するように形成されている。したがって、枝部１５０ｂは、発光領域１１１の間隔と略同間隔で配列されている。
【００１６】
枝部１５０ｂの基部１５０ａからの長さ（基部１５０ａの長手方向と直交する方向の長さ）は、発光領域１１１の配列方向と直交する方向の長さ（基部１５０ａの長手方向と直交する方向の長さ）の０．２５〜１．２５倍としている。また、枝部１５０ｂの厚さ（基部１５０ａの長手方向の厚さ）は、隣り合う発光領域１１１の間隔以下としている。
本実施例では、発光装置１の解像度を１２００ｄｐｉ（ｄｏｔｓ  ｐｅｒ  ｉｎｃｈ）とした場合、発光領域１１１の長さＬ４は、例えば８μｍであり、隣り合う発光領域１１１の間隔Ｌ５は、例えば１３μｍである。
【００１７】
また、基部１５０ａの厚さＬ１は、例えば１〜数１０μｍ、枝部１５０ｂの基部１５０ａからの長さＬ２は、例えば２〜１２μｍ、基部１５０ａの厚さＬ３は、例えば１〜１３μｍである。
異物捕獲部１５０の基部１５０ａは、図２に示すように所定の高さＴ１となるように形成されている。なお、高さＴ１は、例えば０．５〜８μｍである。
【００１８】
また、異物捕獲部１５０の基部１５０ａおよび枝部１５０ｂは、有機材料としての有機膜で形成されており、フォトレジストに用いられるノボラック等や、ポリイミド等を材料としている。異物捕獲部１５０を有機膜で形成するのは、有機膜が異物を吸着させる作用を有するからである。
なお、本実施例では、発光領域１１１は１列で直線状に配列されたものとして説明するが、２列以上で直線状に２次元配列されたものであっても良い。
【００１９】
次に、単結晶半導体薄膜の形成方法を図４に基づいて説明する。
図４（ａ）において、半導体基板２０１は、例えばＧａＡｓ基板である。犠牲層２０２は、例えばＡｌｓＧａ１−ｓＡｓ層（ｓ≧０．６）である。この犠牲層２０２は、単結晶半導体薄膜層２０３（以下、「半導体薄膜層」という。）と選択的にエッチングできる半導体層である。
【００２０】
まず、図４（ａ）に示す半導体基板２０１上の半導体薄膜層２０３を、例えば半導体結晶成長方法であるＭＯＣＶＤ（有機金属化学気相蒸成長法）やＭＢＥ法（分子線エピタキシー法）などによって形成する。
半導体薄膜層２０３に所望のパターンを形成し、犠牲層２０２を露出させる。その後、半導体薄膜層２０３上に支持体を形成し、犠牲層２０２をエッチングするエッチング液を使用して犠牲層２０２をエッチングする。
【００２１】
図４（ｂ）は、犠牲層２０２のエッチングの途中の過程を示している。犠牲層２０２をすべてエッチングすることにより半導体基板２０１から半導体薄膜層２０３を剥離する。
図４（ｃ）は、半導体薄膜層２０３が半導体基板２０１から剥離された状態を示している。なお、半導体薄膜層２０３の層厚は、半導体薄膜層２０３が備える半導体素子の構造および所定の特性を得るために必要な層厚とする。例えば、半導体薄膜層２０３の層厚は、０．１〜１０μｍとすることができる。半導体薄膜層２０３の層厚が厚すぎると、半導体薄膜層２０３を乗り越える配線形成が難しくなってしまう。
【００２２】
半導体薄膜層２０３の形成方法としては、上述したように犠牲層２０２をエッチング除去する方法でなく、図５（ａ）〜（ｃ）に示すように半導体基板２０１ａと半導体薄膜層２０３ａ層の界面から半導体基板２０１ａの側部の近傍をエッチングして半導体薄膜層２０３ａを半導体基板２０１ａから剥離するようにしても良い。
また、図６（ａ）〜（ｃ）に示すように、半導体基板２０１ｂをエッチング除去する方法を採用しても良い。さらに、研磨などの方法により半導体基板２０１ｂを除去するようにしても良い。
【００２３】
次に、剥離した半導体薄膜層を図１および図２に示す基板１００上に形成した絶縁層１０１上に直接接合する方法を図７に基づいて説明する。
図7（ａ）に示すように、基板１００上に絶縁層１０１をスパッタ法やＣＶＤ法（化学気相成長法）、コーティング等により形成する。
図7（ｂ）に示すように、半導体薄膜層３１０の表面を絶縁層１０１の表面に加圧・密着させ、半導体薄膜層３１０を絶縁層１０１上に、接合表面間に働く分子間力によって直接接合する。半導体薄膜層３１０を絶縁層１０１上に直接接合した後、支持体３１２を除去する。
【００２４】
半導体薄膜層３１０を絶縁層１０１上に直接接合し、支持体３１２を除去した後、半導体薄膜層３１０を、図１および図２に示すように発光ダイオード構造に加工する。その後、電極形成および配線形成を行う。この工程で、適宜絶縁層１０１に接続開口部を形成し、電極と基板１００の間を電気的に接続する。
【００２５】
次に、図１および図２に示す異物捕獲部１５０を絶縁層１０１上に形成する。異物捕獲部１５０は、フォトリソグラフィー、ナノインプリント、印刷等の手法を用いて形成する。
なお、異物捕獲部１５０は、それぞれの発光装置１に対応して矩形の３辺を形成する形状としたが、それに限られることなく、それぞれの発光装置１に対応して半円形、半楕円形等、その他の形状としても良い。また、上述した発光装置の製造方法は、例示であり、これに限られるものでなく、各工程の順序を変更しても良い。
【００２６】
次に、図８、図９に基づき、本実施例による発光装置を用いて構成したＬＥＤヘッド（プリントヘッド）について説明する。図８は第１の実施例におけるＬＥＤヘッドの構成を示す断面図、図９は第１の実施例におけるＬＥＤユニットの構成を示す平面図である。
図８に示すように、本実施例のＬＥＤヘッド５００は、ベース部材５０１を有し、このベース部材５０１上にＬＥＤユニット５０２が搭載されている。
【００２７】
ＬＥＤユニット５０２は、図９に示すように、細長形状の実装基板５０２ｅと、この実装基板５０２ｅの長手方向に沿って複数直線状に配列された発光部とその駆動回路から成るＬＥＤアレイ５０２ａおよび異物捕獲部１５０を有する発光装置１とを備える。また、実装基板５０２ｅには、上記の他に電子部品が搭載され配線が形成されている電子部品実装エリア５０２ｂ、５０２ｃ、及び外部から制御信号や電源などを供給するためのコネクタ５０２ｄ等が設けられている。
【００２８】
また、図８に示すように、ＬＥＤアレイ５０２ａの上方には、各発光部から出射される光を集光するためのロッドレンズアレイ５０３が配設されている。このロッドレンズアレイ５０３は、柱状の光学レンズを、上記ＬＥＤアレイ５０２ａの発光部に沿って多数配列したもので、レンズホルダ５０４により発光部上方の所定の位置に保持されている。
【００２９】
上記レンズホルダ５０４は、ベース部材５０１及びＬＥＤユニット５０２を覆うように設けられており、これらベース部材５０１、ＬＥＤユニット５０２、およびレンズホルダ５０４は、ベース部材５０１及びレンズホルダ５０４に形成された開口部５０１ａ、５０４ａを介して配設されるクランパ５０５によって一体的に挟持され、ＬＥＤユニット５０２で発生した光がロッドレンズアレイ５０３を通して所定の外部部材に照射されるように構成されている。このＬＥＤプリントヘッド５００は、例えば、電子写真プリンタや電子写真コピー装置等、画像形成装置の露光装置として用いられる。
【００３０】
次に、図１０に基づき、上記露光装置を用いた画像形成装置について説明する。図１０は本実施例による画像形成装置の要部構成を示している。
図１０に示すように、画像形成装置６００内には、イエロー、マゼンタ、シアン、ブラックの各色の画像を各々に形成する四つのプロセスユニット６０１〜６０４が記録媒体６０５の搬送経路６２０に沿って、その上流側から順に配置されている。これらプロセスユニット６０１〜６０４の内部構造は共通であるため、シアンのプロセスユニット６０３を例に、それらの構成を説明する。
【００３１】
プロセスユニット６０３には、像担持体としての感光体ドラム６０３ａが矢印方向に回転可能に配置されている。この感光体ドラム６０３ａの周囲には、その回転方向上流側から順に、感光体ドラム６０３ａの表面を帯電する帯電装置６０３ｂ、帯電された感光体ドラム６０３ａの表面に選択的に光を照射して静電潜像を形成する露光装置６０３ｃ（図８のＬＥＤプリントヘッド５００に相当）、静電潜像が形成された感光体ドラム６０３ａの表面に、所定色（シアン）のトナーを付着させて顕像を発生させる現像装置６０３ｄ、感光体ドラム６０３ａの表面に残留したトナーを除去するクリーニング装置６０３ｅ等が配設されている。尚、これら各装置に使用されているドラムまたはローラは、図示しない駆動源及びギアによって回転するようになっている。
【００３２】
また、画像形成装置６００の下方には、紙等の記録媒体６０５を積み重ねた状態で収容する用紙カセット６０６が装着され、その上方には、記録媒体６０５を１枚ずつ分離させて搬送するためのホッピングローラ６０７が配設されている。更に、このホッピングローラ６０７の下流側には、ピンチローラ６０８、６０９と共に記録媒体６０５を挟持することにより、記録媒体６０５の斜行を修正し、搬送経路６２０上をプロセスユニット６０１〜６０４に搬送するレジストローラ６１０、６１１が配設されている。これらのホッピングローラ６０７及びレジストローラ６１０、６１１は、図示しない駆動源及びギアによって連動回転するようになっている。
【００３３】
プロセスユニット６０１〜６０４の各感光体ドラム６０１ａ〜６０４ａに対向する部位には、それぞれ半導電性のゴム等によって形成された転写ローラ６１２が配設されている。そして感光体ドラム６０１ａ〜６０４ａ上のトナーを記録媒体６０５に付着させるために、感光体ドラム６０１ａ〜６０４ａの表面と、これら各転写ローラ６１２の表面との間に所定の電位差が生じるように構成されている。
【００３４】
定着装置６１３は、加熱ローラとバックアップローラとを有し、記録媒体６０５上に転写されたトナーを加圧、加熱することによって定着させる。また、排出ローラ６１４、６１５は、定着装置６１３から排出された記録媒体６０５を、排出部のピンチローラ６１６、６１７と共に挟持し、記録媒体スタッカ部６１８に搬送する。排出ローラ６１４、６１５は、図示しない駆動源及びギアによって連動回転するようになっている。
【００３５】
上述した構成の作用について説明する。
先ず、画像形成装置６００の動作を図１０に基づいて説明する。
画像形成装置６００の用紙カセット６０６に収納されている記録媒体６０５がホッピングローラ６０７によって、上から１枚ずつ分離されて搬送される。続いて、この記録媒体６０５は、レジストローラ６１０、６１１及びピンチローラ６０８、６０９に挟持されて、プロセスユニット６０１の感光体ドラム６０１ａ及び転写ローラ６１２に搬送される。その後、記録媒体６０５は、感光体ドラム６０１ａ及び転写ローラ６１２に挟持された状態で、その記録面に感光体ドラム６０１ａ上のトナー像が転写されると共に、感光体ドラム６０１ａの回転により下流方向に搬送される。
【００３６】
記録媒体６０５は、プロセスユニット６０１〜６０４を通過し、その通過過程において各露光装置６０１ｃ〜６０４ｃにより形成された静電潜像が各現像装置６０１ｄ〜６０４ｄによって順次現像され、各色のトナー像がその記録面に転写され重ね合わせられる。そして、記録媒体６０５上の各色のトナー像は、定着装置６１３において定着させられた後、排出ローラ６１４、６１５及びピンチローラ６１６，６１７に挟持されて、装置外部の記録媒体スタッカ部６１８に排出される。
以上の過程を経て、高品質のカラー画像が記録媒体６０５上に形成される。
【００３７】
次に、発光装置の異物捕獲部について説明する。図１１は第１の実施例における異物捕獲部の説明図である。
図１１（ａ）は異物捕獲部１５０の上面図であり、異物１１ａおよび１１ｂが異物捕獲部１５０に付着している状態を示し、図１１（ｂ）は異物捕獲部１５０の断面図であり、異物１１ｃ、１１ｄおよび１１ｅが異物捕獲部１５０に付着している状態を示している。
【００３８】
図１１に示すように、異物捕獲部１５０は、図１に示す発光装置１の製造工程等において、発光装置１の近傍の異物１１（１１ａ、１１ｂ、１１ｃ、１１ｄ、１１ｅ）を引き寄せ、吸着する。異物１１は、異物捕獲部１５０の基部１５０ａと枝部１５０ｂとの間、基部１５０ａおよび枝部１５０ｂの上部等に吸着され、発光領域１１１の近傍に堆積することがなくなる。
【００３９】
本実施例では、異物捕獲部１５０を発光領域１１１に対向して配置しているため、異物捕獲部１５０が発光領域１１１の近傍の異物を引き寄せて吸着することができる。また、異物捕獲部１５０の枝部１５０ｂが基部１５０ａから隣り合う発光領域１１１の間に向かって延びるように形成されているため、それぞれの発光領域１１１を覆ってしまう異物を引き寄せて吸着することができるとともに、吸着した異物が離れて発光領域１１１を覆ってしまうことを防止することができる。
【００４０】
このように、異物捕獲部１５０は、発光装置１の近傍の異物１１を吸着するため、異物が発光領域１１１の近傍に堆積することがなくなり、発光領域１１１からの発光量が減少することを防止することができる。
以上説明したように、第１の実施例では、異物捕獲部を発光領域に対向して配置したことにより、発光領域の近傍の異物を異物捕獲部に引き寄せて吸着させることができ、発光部に異物が付着することを抑制し、高品質の画像を得ることができるという効果が得られる。
【実施例２】
【００４１】
第２の実施例の構成は、第１の実施例の構成に、第２の異物捕獲部材を追加したものとしている。図１２は第２の実施例における発光装置の構成を示す平面図、図１３は第２の実施例における発光装置の構成を示す断面図である。なお、図１２および図１３は発光装置の構成を模式的に表した図である。また、上述した第１の実施例と同様の部分は、同一の符号を付してその説明を省略する。
【００４２】
図１２および図１３において、発光装置１は、第２の異物捕獲部材としての異物捕獲部１５１を備えている。この異物捕獲部１５１は、異物捕獲部１５０と同様に、発光装置１内の異物を捕獲するものであり、長手方向に複数配列された発光領域１１１の近傍に、発光領域１１１に対向して配置された壁状のものである。
【００４３】
異物捕獲部１５１は、発光領域１１１と、ワイヤ１６１を有するｐ側電極１６０との間のｐ側接続パッド１３２に、異物捕獲部１５０との間で発光領域１１１を挟むように配置されている。この異物捕獲部１５１は、光を吸収、反射または屈折させる有機材料、例えばフォトレジストに用いられるノボラック等に酸素や染料を混入させ、光透過率を下げた材料を用いて形成する。また、異物捕獲部１５１は、フォトリソグラフィー、ナノインプリント、印刷等の手法を用いて形成する。
【００４４】
上述した構成の作用について説明する。
本実施例では、異物捕獲部１５１および異物捕獲部１５０を発光領域１１１に対向し、発光領域１１１を挟むように配置しているため、異物捕獲部１５０、１５１の双方により発光領域１１１の近傍に異物を引き寄せて吸着することができる。
このように、異物捕獲部１５０、１５１の双方で発光装置１の近傍の異物１１を吸着するため、異物が発光領域１１１の近傍に堆積することがなくなり、発光領域１１１からの発光量が減少することを防止することができる。
【００４５】
また、発光領域１１１から発せられた光がワイヤ１６１で反射することを防止し、画像品質を高めることができる。
さらに、遮光構造を容易に形成することができ、製造コストを削減することができる。
以上説明したように、第２の実施例では、第１の実施例の効果に加え、発光領域から発せられた光が反射することを防止し、画像品質を高めることができるという効果が得られる。
【００４６】
なお、第１の実施例および第２の実施例では、発光装置を例として説明したが、受光装置に異物捕獲部を備えるようにしても良い。なお、この場合、図１、図２、図１２および図１３で説明した発光領域を受光領域とする。また、受光部としての読取センサは既知の技術を用いて構成するものとする。以下に、受光装置および画像読取装置を説明する。
図１４に示すように、読取ヘッド７００は、ベース部材７０１を有し、このベース部材７０１上に読取ユニット７０２が搭載されている。
【００４７】
読取ユニット７０２は、細長形状の実装基板と、この実装基板の長手方向に沿って複数直線状に配列された受光部とその駆動回路から成る読取センサアレイ７０２ａおよび異物捕獲部１５０を有する受光装置１ａとを備える。
また、図１４に示すように、読取センサアレイ７０２ａの上方には、入射される光を集光するためのロッドレンズアレイ７０３が配設されている。このロッドレンズアレイ５０３は、柱状の光学レンズを、上記読取センサアレイ７０２ａの受光部に沿って多数配列したもので、レンズホルダ７０４により受光部上方の所定の位置に保持されている。
【００４８】
上記レンズホルダ７０４は、ベース部材７０１及び読取ユニット７０２を覆うように設けられており、これらベース部材７０１、読取ユニット７０２、およびレンズホルダ７０４は、ベース部材７０１及びレンズホルダ７０４に形成された開口部７０１ａ、７０４ａを介して配設されるクランパ７０５によって一体的に挟持され、ロッドレンズアレイ７０３を通して入射された光を読取ユニット７０２で受光するように構成されている。この読取ヘッド７００は、例えば、電子写真コピー装置等、画像読取装置としてのスキャナとして用いられる。
【００４９】
次に、画像読取装置としてのスキャナを図１５に基づいて説明する。
図１５において、８００は、原稿を読取って画像データとしての電子データを生成する画像読取装置としてのスキャナである。
スキャナ８００は、読取装置１ａ、ランプ８０１、原稿台８０２、レール８０３、駆動ベルト８０５、モータ８０６等で構成されている。
読取装置１ａは、照明装置としてのランプ８０１により照射され、原稿８１１の表面で反射した光線を取り込み電子データに変換するものである。ランプ８０１は、照射した光が原稿８１１の表面で反射し、読取装置１ａ内に取り込まれるように配置されている。
【００５０】
原稿台８０２は、電子データが生成される原稿８１１を載置するものであり、可視光線を透過する素材で形成されている。
レール８０３は、原稿台８０２の下方に配置され、読取装置１ａを移動可能にするものであり、読取装置１ａは、その一部が複数の滑車８０４により張架された駆動ベルト８０５に接続され、モータ８０６で駆動された駆動ベルト８０５によりレール８０３上を移動可能に構成されている。
【００５１】
また、第１の実施例および第２の実施例では、２端子の発光素子を用いた発光装置として説明したが、それに限られることなく、３端子の発光素子（サイリスタ等）を用いた発光装置としても良い。例えば、図１６に示す発光装置１ｂであり、基板１００と、絶縁膜１０１と、半導体薄膜１１０と、ｐ側接続パッド１３２と、異物捕獲部１５０とを有し、またゲートコンタクト開口部１１２ｂ、ＩＣ側ゲートコンタクト開口部１１２ｃ、アノードコンタクト開口部１１４ｂ、カソードコンタクト開口部１１５ｂ、およびＩＣ側カソードコンタクト開口部１１５ｃが形成されているものである。なお、発光装置１ｂの製造方法は、第１の実施例と同様である。
【符号の説明】
【００５２】
１、１ｂ  発光装置
１ａ  受光装置
１００  基板
１０１  絶縁膜
１１０  半導体薄膜
１１１  発光領域
１３２  ｐ側接続パッド
１３４  ｎ側接続パッド
１５０、１５１  異物捕獲部
１５０ａ  基部
１５０ｂ  枝部
１６０  ｐ側電極
５００  ＬＥＤヘッド
６００  画像形成装置
７００  読取ヘッド
８００  画像読取装置
【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１６】
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