(57)【要約】【課題】ＩＰＳ方式を採用しながらも開口率の向上を図ることができる液晶表示装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】液晶表示装置は、第１の基板と第２の基板とが液晶層を介して互いに対向し、第１の基板の表面上に平坦化層が形成されると共に平坦化層の上に複数の壁状構造物が突出形成され、それぞれ互いに隣接する一対の壁状構造物に挟まれるように区画された複数の画素がマトリクス状に配置されている。各画素に薄膜トランジスタが設けられている。壁状構造物の表面および裏面に、画素電極と共通電極とが壁状構造物を挟んで形成されている。それぞれの画素には、画素の両端に一対の壁状構造物が配置され、壁状構造物が備える画素電極と共通電極が画素内で対向するように配置されており、壁状構造物は、絶縁材料で構成され、かつ液晶層の厚みの１／２以上の高さを有する。画素電極と共通電極が壁状構造物を挟んで蓄積容量を形成する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板と第２の基板とが液晶層を介して互いに対向し、前記第１の基板の表面上に平坦化層が形成されると共に前記平坦化層の上に複数の壁状構造物が突出形成され、それぞれ互いに隣接する一対の前記壁状構造物に挟まれるように区画された複数の画素がマトリクス状に配置され、前記各画素に薄膜トランジスタが設けられた液晶表示装置であって、
前記壁状構造物の表面および裏面に、画素電極と共通電極とが前記壁状構造物を挟んで形成され、
それぞれの画素には、前記画素の両端に一対の前記壁状構造物が配置され、前記壁状構造物が備える前記画素電極と前記共通電極が前記画素内で対向するように配置されており、
前記壁状構造物は、絶縁材料で構成され、かつ前記液晶層の厚みの１／２以上の高さを有し、
前記画素電極と前記共通電極が前記壁状構造物を挟んで蓄積容量を形成することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記壁状構造物を形成する前記絶縁材料は、７以上の比誘電率を有する請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記壁状構造物の厚みは、平均値で２μｍ以下である請求項１または２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記平坦化層と前記壁状構造物は一体に形成されている請求項１〜３のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記平坦化層および前記壁状構造物は、ナノインプリント法で形成されている請求項４に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載の液晶表示装置を製造する方法であって、
前記第１の基板の表面上にマトリクス状に前記薄膜トランジスタを形成する工程と、
前記薄膜トランジスタが形成された前記第１の基板の表面上に絶縁材料からなる前記平坦化層と前記複数の壁状構造物を形成して前記画素を形成する工程と、
前記画素の両端に配置されたそれぞれの壁状構造物の表面および裏面に、前記画素電極と前記共通電極とを前記壁状構造物を挟んで形成する工程とを有し、
前記壁状構造物は、前記液晶層の厚みの１／２以上の高さを有することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項７】
前記平坦化層と前記複数の壁状構造物とを一体に形成する請求項６に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項８】
前記平坦化層と前記複数の壁状構造物は、ナノインプリント法またはフォトリソグラフィ法により一体に形成される請求項７に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項９】
前記平坦化層と前記複数の壁状構造物は、エチレン性不飽和結合含有基を有するモノマーと光ラジカル開始剤と含有する光硬化性組成物を用いてナノインプリント法により形成される請求項８に記載の液晶表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶分子を基板と平行な面内で回転させる、いわゆるＩＰＳ（In Plane Switching）方式の液晶表示装置およびその製造方法に関し、特に、開口率が高い液晶表示装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置は、薄型、軽量および低消費電力を可能にするという利点を有するため、各種の電子機器に広く利用されている。
特に、近年、テレビ、コンピュ−タ用ディスプレイ等への用途においては、大画面化に対応して、視野角の広い液晶表示装置が要求されている。視野角を広げる表示方式として、基板に平行な電界を発生させることにより、液晶分子を基板と平行な面内で回転させる、いわゆるＩＰＳ方式が注目されている。このＩＰＳ方式においては、オン状態においてもオフ状態においても、液晶分子の長軸が常に基板にほぼ平行であり、基板に対して起伏することがないので、視野角に応じた液晶の光学特性の変化が小さく、広視野角が得られることとなる。
【０００３】
ＩＰＳ方式を用いた液晶表示装置が、例えば、特許文献１に開示されている。この液晶表示装置では、図１２に示されるように、第１の基板１０１と第２の基板１０２が液晶層１０３を介して対向配置されている。第１の基板１０１の上に絶縁膜１０４を介して複数の凸状絶縁膜１０５が突出形成され、互いに隣接する一対の凸状絶縁膜１０５に挟まれるように、それぞれの画素が区画されている。一対の凸状絶縁膜１０５の壁面上には、それぞれ画素電極１０６が形成され、これらの画素電極１０６に挟まれる画素の中央部には、第１の基板１の絶縁膜１０４上に第１の共通電極１０７が形成されると共に第２の基板１０２側に第２の共通電極１０８が形成されている。
また、図１３に示されるように、画素電極１０６は、それぞれの画素の周囲を囲むように配置され、第１の共通電極１０７および第２の共通電極１０８は、画素電極１０６の内側に配置されている。
【０００４】
そして、第１の共通電極１０７および第２の共通電極１０８に共通の一定電位が印加された状態で、画素内に形成された図示しない薄膜トランジスタを介して画素電極１０６に画像信号が供給されることにより、画素電極１０６と第１の共通電極１０７および第２の共通電極１０８との間に電界が生成され、液晶層１０３の液晶分子が、第１の基板１０１および第２の基板１０２と平行な面内で回転駆動される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１２−２２０５７５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
このようにしてマトリクス状に配列された複数の画素における液晶層１０３の液晶分子を回転駆動するために、すべての画素に配置された第１の共通電極１０７を互いに電気的に接続すると共にすべての画素に配置された第２の共通電極１０８を互いに電気的に接続する必要がある。
【０００７】
しかしながら、図１２に示されるように、第１の基板１０１側において、第１の共通電極１０７は、画素電極１０６と同層の透明導電膜から形成されている。従って、図１３に示したように、それぞれの画素の周囲を囲むように配置されている画素電極１０６との短絡を回避しつつ、画素電極１０６の内側に配置されている第１の共通電極１０７を他の画素の第１の共通電極１０７と電気的に接続するためには、画素電極１０６および第１の共通電極１０７とは別の層に、複数の画素を通る共通配線を形成し、この共通配線にそれぞれの画素の第１の共通電極１０７を接続しなければならない。このため、第１の共通電極１０７の下に絶縁膜１０４等を貫通するコンタクトホールを形成する必要が生じ、コンタクトホールの存在により光が透過し得る有効面積が減じられ、画素の開口率が低下するという問題があった。
【０００８】
本発明の目的は、前述の従来技術に基づく問題点を解消し、ＩＰＳ方式を採用しながらも開口率の向上を図ることができる液晶表示装置を提供することにある。
また、この発明は、このような液晶表示装置の製造方法を提供することも目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するために、本発明は、第１の基板と第２の基板とが液晶層を介して互いに対向し、第１の基板の表面上に平坦化層が形成されると共に平坦化層の上に複数の壁状構造物が突出形成され、それぞれ互いに隣接する一対の壁状構造物に挟まれるように区画された複数の画素がマトリクス状に配置され、各画素に薄膜トランジスタが設けられた液晶表示装置であって、壁状構造物の表面および裏面に、画素電極と共通電極とが壁状構造物を挟んで形成され、それぞれの画素には、画素の両端に一対の壁状構造物が配置され、壁状構造物が備える画素電極と共通電極が画素内で対向するように配置されており、壁状構造物は、絶縁材料で構成され、かつ液晶層の厚みの１／２以上の高さを有し、画素電極と共通電極が壁状構造物を挟んで蓄積容量を形成することを特徴とする液晶表示装置を提供するものである。
【００１０】
壁状構造物を形成する絶縁材料は、７以上の比誘電率を有することが好ましい。
壁状構造物の厚みは、平均値で２μｍ以下であることが好ましい。
平坦化層と壁状構造物は一体に形成されていることが好ましい。この場合、平坦化層および壁状構造物は、ナノインプリント法で形成することができる。
【００１１】
また、本発明は、上述の本発明の液晶表示装置を製造する方法であって、第１の基板の表面上にマトリクス状に薄膜トランジスタを形成する工程と、薄膜トランジスタが形成された第１の基板の表面上に絶縁材料からなる平坦化層と複数の壁状構造物を形成して画素を形成する工程と、画素の両端に配置されたそれぞれの壁状構造物の表面および裏面に、画素電極と共通電極とを壁状構造物を挟んで形成する工程とを有し、壁状構造物は、液晶層の厚みの１／２以上の高さを有することを特徴とする液晶表示装置の製造方法を提供するものである。
【００１２】
平坦化層と複数の壁状構造物とを一体に形成することが好ましい。この場合、平坦化層と複数の壁状構造物は、ナノインプリント法またはフォトリソグラフィ法により一体に形成することができる。
また、平坦化層と複数の壁状構造物は、エチレン性不飽和結合含有基を有するモノマーと光ラジカル開始剤と含有する光硬化性組成物を用いてナノインプリント法により形成されることが好ましい。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、画素電極が壁面に形成された壁状構造物と壁面に共通電極が形成された壁状構造物とを画素の両端に、これらが対向するように配置し、かつ壁状構造物を蓄積容量に利用することにより、画素内に蓄積容量を形成するための電極面を別途設けることなく液晶分子に、第１の基板および第２の基板ほぼ平行な電界（以下、水平電界ともいう）をかけることができる。これにより、ＩＰＳ方式を採用しながらも開口率の向上を図ることができ、高画質を実現することができる。
また、平坦化層と壁状構造物を絶縁材料から一体に形成することで、製造工程の工程数を減らすことができ、生産性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の第１の実施形態の液晶表示装置の構造を示す部分断面図である。
【図２】本発明の第１の実施形態の液晶表示装置の画素を示す部分平面図である。
【図３】図２のＡ１−Ａ２−Ａ３線に沿った部分断面図である。
【図４】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の第１の実施形態の液晶表示装置の製造方法を工程順に示す部分断面図である。
【図５】（ａ）は、本発明の第２の実施形態の液晶表示装置の画素を示す部分平面図であり、（ｂ）は、本発明の第２の実施形態の液晶表示装置の要部を拡大して示す部分斜視図である。
【図６】（ａ）は、本発明の第２の実施形態の液晶表示装置の第１の変形例の要部を拡大して示す部分斜視図であり、（ｂ）は、本発明の第２の実施形態の液晶表示装置の第２の変形例の要部を拡大して示す部分斜視図であり、（ｃ）は、本発明の第２の実施形態の液晶表示装置の第３の変形例の要部を拡大して示す部分斜視図である。
【図７】（ａ）は、本発明の第３の実施形態の液晶表示装置の画素を示す部分平面図であり、（ｂ）は、本発明の第３の実施形態の液晶表示装置の要部を拡大して示す部分斜視図である。
【図８】（ａ）は、本発明の第３の実施形態の液晶表示装置の第１の変形例の要部を拡大して示す部分斜視図であり、（ｂ）は、本発明の第３の実施形態の液晶表示装置の第２の変形例の要部を拡大して示す部分斜視図である。
【図９】本発明の第４の実施形態の液晶表示装置の画素を示す部分平面図である。
【図１０】図９のＢ１−Ｂ２−Ｂ３線に沿った部分断面図である。
【図１１】本発明の第５の実施形態の液晶表示装置の構成を示す部分断面図である。
【図１２】従来の液晶表示装置の構造を示す部分断面図である。
【図１３】従来の液晶表示装置の画素の構造を示す部分平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下に、添付の図面に示す好適実施形態に基づいて、本発明の液晶表示装置およびその製造方法を詳細に説明する。本発明は以下に示す各実施形態に限定されるものではない。
なお、以下において数値範囲を示す「〜」とは両側に記載された数値を含む。例えば、εが数値α〜数値βとは、εの範囲は数値αと数値βを含む範囲であり、数学記号で示せばα≦ε≦βである。
【００１６】
（第１の実施形態）
図１は、本発明の第１の実施形態の液晶表示装置の構造を示す部分断面図であり、図２は、本発明の第１の実施形態の液晶表示装置の画素を示す部分平面図であり、図３は、図２のＡ１−Ａ２−Ａ３線に沿った部分断面図である。なお、図２のＡ−Ａ線に沿った液晶表示装置の断面が図１に相当している。
【００１７】
図１に示す液晶表示装置１０は、ＩＰＳ方式のものであり、第１の基板１２と第２の基板１４が液晶層１６を介して対向配置されている。第１の基板１２の上に複数の壁状構造物１８が互いに間隔を隔てて突出形成され、互いに隣接する一対の壁状構造物１８に挟まれるように、それぞれの画素Ｐｘが区画されている。液晶表示装置１０では画素Ｐｘはマトリクス状に配置されている。
第１の基板１２の表面上に絶縁膜２０が形成され、絶縁膜２０上で且つ複数の壁状構造物１８の直下にそれぞれドレイン線２２が形成されている。絶縁膜２０の上には、ドレイン線２２を覆うように絶縁膜２４が形成されている。
【００１８】
さらに、絶縁膜２４の上には平坦化層２６が形成されている。この平坦化層２６は、例えば、絶縁材料により、複数の壁状構造物１８と一体に形成されている。また、それぞれの壁状構造物１８の壁面１８ａ、１８ｂは、平坦化層２６の表面に対して垂直に延びている。なお、壁状構造物１８と平坦化層２６とは一体ではなく別体であってもよい。
【００１９】
壁状構造物１８には、一方の壁面１８ａ上に画素電極２８が形成され、他方の壁面１８ｂ上に共通電極３０が形成されている。図２に示されるように、互いに隣接する壁状構造物１８には壁面１８ａ、１８ｂに交互に画素電極２８と共通電極３０とが形成されている。なお、壁状構造物１８の一方の壁面１８ａが壁状構造物１８の表面であり、壁状構造物１８の他方の壁面１８ｂが壁状構造物１８の裏面である。
図１に示されるように、画素電極２８と共通電極３０とは壁状構造物１８を挟んで形成されており、画素電極２８と共通電極３０との間の壁状構造物１８の存在により蓄積容量が形成されている。
画素電極２８は、壁状構造物１８の壁面１８ａ上に配置される壁面部分２８ａと、壁面部分２８ａの下端に接続され且つ平坦化層２６の上に配置される平面部分２８ｂとを有している。また、共通電極３０は、壁状構造物１８の壁面１８ｂ上に配置される壁面部分３０ａと、壁面部分３０ａの下端に接続され且つ平坦化層２６の上に配置される平面部分３０ｂとを有している。
【００２０】
それぞれの画素Ｐｘにおいて、両端に一対の壁状構造物１８が配置されている。一対の壁状構造物１８のうち、一方の壁状構造物１８の壁面１８ａ上に配置された画素電極２８の壁面部分２８ａと、他方の壁状構造物１８の壁面１８ｂ上に配置された共通電極３０の壁面部分３０ａが、第１の基板１２の表面と平行な方向に、液晶層１６を介して互いに対向している。これにより、液晶層１６に対して水平電界を掛けることができる。
画素Ｐｘにおいて、画素電極２８の壁面部分２８ａと、共通電極３０の壁面部分３０ａとの第１の基板１２の表面に平行な方向における距離をＬとするとき、距離Ｌは２０μｍ以下であることが好ましく、より好ましくは、距離Ｌは１０〜１５μｍ程度である。距離Ｌが２０μｍ以下であれば、液晶分子を安定して回転駆動することができる。
【００２１】
一方、第１の基板１２に対向する第２の基板１４の表面上には、互いに隣接する画素と画素の間にブラックマトリクス層３２が形成されると共に、それぞれの画素Ｐｘに対応して、赤、青、緑のカラーフィルタ３４Ｒ、３４Ｇ、３４Ｂが形成されている。さらに、第２の基板１４の全面にわたってカラーフィルタ３４Ｒ、３４Ｇ、３４Ｂの表面上にオーバーコート層３６が形成されている。
そして、オーバーコート層３６の表面が平坦化層２６の表面に対向するように、第１の基板１２側の複数の壁状構造物１８の上にそれぞれスペーサ３８を介して第２の基板１４側のオーバーコート層３６が接合されている。なお、スペーサ３８は必ずしも必要ではなく設けなくてもよい。
さらに、液晶層１６とは反対方向を向いた第１の基板１２の面上および第２の基板１４の面上に、それぞれ、第１の偏光板Ｐ１および第２の偏光板Ｐ２が配置されている。
【００２２】
図２に示されるように、壁状構造物１８の下を横切って複数の画素を通るように延びる共通配線４０が配置されている。また、壁状構造物１８の下を横切って複数の画素Ｐｘを通るように延びるゲート線４２が共通配線４０と所定の間隔をあけて共通配線４０と平行に配置されている。
複数の壁状構造物１８は、互いに平行に配置されているが、共通配線４０とゲート線４２に対して直交することなく、所定の角度に屈曲して配置されている。このため、画素Ｐｘの開口形状は平行四辺形状になる。壁状構造物１８は、共通配線４０とゲート線４２とで屈曲方向は変わるが屈曲角度は同じである。壁状構造物１８が共通配線４０とゲート線４２とで、それぞれ逆向きに屈曲しているため、平行四辺形の画素Ｐｘは共通配線４０とゲート線４２で向きを変えて配置される。
【００２３】
画素Ｐｘの開口形状を平行四辺形状とすることで、液晶層１６の液晶分子に対して回転のきっかけを与えることができる。これにより、液晶分子の向きを揃えて、液晶分子を応答性よく回転制御することができる。
図３に示すように、絶縁膜２０と絶縁膜２４と平坦化層２６とを貫通し、共通配線４０の一部を露出するコンタクトホール３１が形成されている。コンタクトホール３１に導電層３０ｃが設けられており、この導電層３０ｃは共通電極３０の平面部分３０ｂに接続されている。
【００２４】
また、ゲート線４２の電位に応じてソース部４４と、ドレイン線２２からゲート線４２に沿って液晶層１６内に張り出したドレイン部４６との間の接続をオン／オフする薄膜トランジスタ５０が形成されている。薄膜トランジスタ５０は、１つの画素Ｐｘに対して１つ配置されるものであり、画素Ｐｘと同様にマトリクス状に配置される。
絶縁膜２４と平坦化層２６とを貫通し、ソース部４４の一部を露出するコンタクトホール３３が形成されている。このコンタクトホール３３に導電層２８ｃが設けられている。この導電層２８ｃは画素電極２８の平面部分２８ｂに接続されている。これにより、ソース部４４と画素電極２８とが接続されている。
【００２５】
絶縁膜２０上にソース部４４が形成されると共に、ゲート線４２の直上の絶縁膜２０上にソース部４４とドレイン部４６とを接続するように半導体層４８が形成され、これらゲート線４２、ソース部４４、ドレイン部４６および半導体層４８により薄膜トランジスタ５０が構成されている。ゲート線４２の電位に応じてソース部４４とドレイン部４６との間が導通状態となり、画素電極２８とドレイン線２２との導通が制御される。
【００２６】
図１に示すように、液晶表示装置１０では、液晶層１６の厚みをＤｃとし、壁状構造物１８の高さをＤｗとするとき、壁状構造物１８の高さＤｗはＤｃの１／２以上である。すなわち、１／２Ｄｃ＜Ｄｗである。これにより、１つの壁状構造物１８における画素電極２８と共通電極３０との間の回り込み電界の影響を小さくすることができる。
また、図３に示すように、壁状構造物１８の厚みｔｗは、平均の厚みで２μｍ以下であることが好ましい。なお、壁状構造物１８の厚みｔｗは、薄ければ薄いほど蓄積容量が大きくなるため好ましいが、厚みの下限値としては、製造方法等を考慮すると平均の厚みで０．５μｍ程度である。壁状構造物１８の厚みｔｗは、例えば、断面をＳＥＭ観察することで、その平均の厚みを測定することができる。
【００２７】
なお、第１の基板１２および第２の基板１４としては、例えば、ガラスまたは樹脂からなる透明基板を用いることができる。
また、画素電極２８、共通電極３０、ドレイン線２２、共通配線４０およびゲート線４２の形成材料としては、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化亜鉛アルミニウム（ＡＺＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）等の透明な導電材料を用いることができる。これ以外に、アルミニウムおよび銅等の金属材料、ならびにこれらを用いた合金材料を用いることができる。
【００２８】
平坦化層２６と複数の壁状構造物１８を一体に形成する絶縁材料としては、例えば、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、スチレン樹脂、ノボラック樹脂、シロキサン樹脂、ポリイミド樹脂等の公知の材料を使用することができる。また、これらのうちいずれかの樹脂にラジカル重合性モノマーとラジカル開始剤とを混合した材料、あるいは、いずれかの樹脂にカチオン重合性モノマーとカチオン開始剤とを混合することで硬化性組成物とした材料を用いることもできる。さらに、ラジカル重合性モノマーまたはカチオン重合性モノマーと開始剤との混合組成物を使用することも可能である。
【００２９】
また、平坦化層２６と複数の壁状構造物１８を形成する絶縁材料は、７以上の比誘電率を有するものが好ましく、より好ましくは１０以上の比誘電率を有するものである。例えば、公知の高誘電率材料を微粒子化して上述の各種の絶縁材料に分散したものを用いることにより、高誘電率の平坦化層２６および壁状構造物１８を得ることができる。高誘電率材料としては、金属、金属酸化物、有機金属化合物等を挙げることができ、例えば、銀微粒子を分散した絶縁材料の使用が好ましい。
【００３０】
本実施の液晶表示装置１０は、次のようにして製造することができる。
図４（ａ）〜（ｃ）は、本発明の第１の実施形態の液晶表示装置の製造方法を工程順に示す部分断面図である。
先ず、公知の方法により、第１の基板１２の表面上に、互いに平行な複数のゲート線４２と共通配線４０とを、絶縁膜２０を介して格子状に形成すると共に、共通配線４０とゲート線４２とドレイン線２２とにより囲まれる、画素Ｐｘとなる１つの領域に対して、それぞれに薄膜トランジスタ５０を１つ形成する。これにより、第１の基板１２の表面上に薄膜トランジスタ５０がマトリクス状に形成される。
その後、図４（ａ）に示されるように、ドレイン線２２と薄膜トランジスタ５０（図示せず）を覆うように絶縁膜２４を形成する。
【００３１】
次に、図４（ｂ）に示されるように、絶縁膜２４の上に平坦化層２６を形成すると共に複数のドレイン線２２の直上に位置する絶縁膜２４の上に複数の壁状構造物１８を形成する。これにより、両端に一対に壁状構造物１８が配置された画素Ｐｘが形成される。なお、壁状構造物１８の高さＤｗは、上述のように液晶層１６の厚みの１／２以上である。壁状構造物１８の間に液晶が充填されて液晶層１６となる。
【００３２】
ここで、平坦化層２６と複数の壁状構造物１８は、公知の方法、例えば、ナノインプリント法、またはフォトリソグラフィ法等を用いて一体に形成される。
ナノインプリント法は、凹凸のパターンが形成された透明な鋳型（一般的に、モールド、スタンパ、テンプレート等と呼ばれる）を、光硬化性組成物にプレスして力学的に変形させ、光硬化性組成物に光を照射することにより、微細パターンを精密に転写する技術であり、形状の制御性に優れた方法である。ナノインプリント法については、本出願人の出願による特開２００８−１９２９２号公報および特開２００９−２０６１９６号公報に詳しく説明されている。
【００３３】
このナノインプリント法を用いて平坦化層２６と複数の壁状構造物１８を作成する場合には、エチレン性不飽和結合含有基を有するモノマーと光重合開始剤と含有する光硬化性組成物を好適に用いることができる。
エチレン性不飽和結合含有基を有するモノマーとしては、エチレン性不飽和結合含有基を１個有する重合性不飽和単量体、エチレン性不飽和結合含有基を２個以上有する多官能重合性不飽和単量体、エチレン性不飽和結合含有基を３個以上有する多官能重合性不飽和単量体を用いることができ、これらを併用することもできる。
【００３４】
エチレン性不飽和結合含有基を１個有する重合性不飽和単量体としては、イソボルニル（メタ）アクリレート、ジシクロヘンタニル（メタ）アクリレート、グリシジル（メタ）アクリレート、（メタ）アクリル酸等が挙げられる。
エチレン性不飽和結合含有基を２個有する重合性不飽和単量体としては、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、１，９−ノナンジオールジ（メタ）アクリレート、トリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパンジアクリレート等が挙げられる。
【００３５】
また、エチレン性不飽和結合含有基を３個以上有する重合性不飽和単量体としては、ＥＯ変性グリセロールトリ（メタ）アクリレート、ＰＯ変性グリセロールトリ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ＥＯ変性トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ＰＯ変性トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールエトキシテトラ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、ウレタン（メタ）アクリレート等が挙げられる。
【００３６】
この他、オキシラン環またはオキセタン環を有する化合物を用いることもできる。エポキシ樹脂としては、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂等が挙げられる。
【００３７】
また、光重合開始剤は、ラジカル重合開始剤を含むことが好ましい。
ここで、「光」とは、その照射により成分Ｂより開始種を発生し得るエネルギーを付与することができる活性エネルギー線であれば、特に制限はなく、α線、γ線、Ｘ線、紫外線（ＵＶ）、可視光線、電子線等を広く包含するものである。これらの中でも、紫外線を少なくとも含む光が好ましい。
【００３８】
光重合開始剤としては、例えば、オキシムエステル化合物、有機ハロゲン化化合物、オキシジアゾール化合物、カルボニル化合物、ケタール化合物、ベンゾイン化合物、アクリジン化合物、有機過酸化化合物、アゾ化合物、クマリン化合物、アジド化合物、メタロセン化合物、ヘキサアリールビイミダゾール化合物、有機ホウ酸化合物、ジスルホン酸化合物、オニウム塩化合物、アシルホスフィン（オキシド）化合物が挙げられる。これらの中でも、感度およびインプリント性の観点から、オキシムエステル化合物、アシルホスフィン（オキシド）化合物、ヘキサアリールビイミダゾール化合物が特に好ましい。
オキシムエステル化合物としては、特開２０００−８００６８号公報、特開２００１−２３３８４２号公報、特表２００４−５３４７９７号公報、特開２００７−２３１０００号公報、特開２００９−１３４２８９号公報に記載の化合物を使用することができる。
【００３９】
さらに、光硬化性組成物に、光重合開始剤の他、光増感剤を加えて、ＵＶ領域の波長を調整することもできる。本発明において用いることができる典型的な光増感剤としては、クリベロ〔J.V.Crivello,Adv.in Polymer Sci,62,1(1984)〕に開示されているものが挙げられ、具体的には、ピレン、ペリレン、アクリジンオレンジ、チオキサントン、２−クロロチオキサントン、ベンゾフラビン、Ｎ−ビニルカルバゾール、９，１０−ジブトキシアントラセン、アントラキノン、クマリン、ケトクマリン、フェナントレン、カンファキノン、フェノチアジン誘導体等を挙げることができる。さらに、有機溶剤を含ませることもできる。
【００４０】
光硬化性組成物の具体例としては、例えば、
ジシクロヘンタニル（メタ）アクリレート：３３重量部
ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート：３３重量部
ＥＯ変性トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート：３０重量部
２，４，６−トリメチルベンゾイル−エトキシフェニル−ホスフィンオキシド：３.９重量部
シリコーン系界面活性剤：０.１重量部
を挙げることができる。
【００４１】
一方、フォトリソグラフィ法を用いて平坦化層２６および複数の壁状構造物１８を作成する場合には、公知のフォトリソグラフィ組成物を用いることができる。フォトリソグラフィ材料にはネガ型およびポジ型があるが、いずれの材料も好適に用いることができる。
互いに厚さの異なる平坦化層２６と壁状構造物１８を一体に形成するには、ハーフトーン露光を利用することが好適である。
【００４２】
このようにして絶縁膜２４の上に平坦化層２６と複数の壁状構造物１８を一体に形成した後、図４（ｃ）に示されるように、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）等の透明な導電材料をスパッタ法等により平坦化層２６の表面上およびそれぞれの壁状構造物１８の壁面１８ａ、１８ｂ上に形成する。さらに、エッチングを施して、壁状構造物１８の壁面１８ａ上に配置される壁面部分２８ａと平坦化層２６の表面上に配置される平面部分２８ｂとが互いに接続して連結された画素電極２８を形成する。このとき、壁状構造物１８の壁面１８ｂ上に配置される壁面部分３０ａと平坦化層２６の表面上に配置される平面部分３０ｂとが互いに接続して連結された共通電極３０を形成する。これにより、壁状構造物１８を挟んで画素電極２８と共通電極３０とが形成される。
【００４３】
別途、公知の方法により、第２の基板１４の表面上に、ブラックマトリクス層３２およびカラーフィルタ３４Ｒ、３４Ｇ、３４Ｂを形成すると共に、さらに、オーバーコート層３６を形成する。
そして、第１の基板１２側の複数の壁状構造物１８と第２の基板１４側のオーバーコート層３６が互いに対向するように第１の基板１２と第２の基板１４を配置し、これらの間に液晶層１６を配置すると共に第１の基板１２側の複数の壁状構造物１８の上にそれぞれスペーサ３８を介して第２の基板１４側のオーバーコート層３６を接合し、さらに、第１の基板１２と第２の基板１４の互いに外方を向いた表面上にそれぞれ第１の偏光板Ｐ１および第２の偏光板Ｐ２を接合することで、液晶表示装置１０が製造される。
【００４４】
このように、平坦化層２６と複数の壁状構造物１８を同一の絶縁材料で一体に形成し、画素電極２８と共通電極３０との間に壁状構造物１８の存在による蓄積容量が形成されるようにしたので、少ない工程数で液晶表示装置１０を製造することが可能となる。また、平坦化層２６と複数の壁状構造物１８を同一の絶縁材料で一体に形成することで、工程数を減らすことができ、高い生産性が得られる。
なお、壁状構造物１８上は、平坦にするために研磨してもよい。また、スペーサ３８は必ずしも必要ではなく設けなくてもよい。
【００４５】
液晶表示装置１０の動作時には、それぞれの画素Ｐｘにおいて、共通配線４０に一定電位が印加されると共にドレイン線２２に画像信号が供給され、ゲート線４２に電圧を印加して薄膜トランジスタ５０をオン状態にすると、ドレイン線２２からドレイン部４６、ソース部４４を経て画素電極２８に画像信号が供給される。
これにより、画素電極２８と共通電極３０との間に電界が生成され、液晶層１６の液晶分子が、第１の基板１２および第２の基板１４と平行な面内で回転駆動される。その結果、それぞれの画素内の液晶層１６が対応する画像信号に応じた透過率を有することとなる。このとき、壁状構造物１８と画素電極２８と共通電極３０で形成される蓄積容量により、画素信号が次に画像信号が入力されるまで、液晶分子の状態が維持されて、その透過率が維持される。
【００４６】
図２に示したように、それぞれの画素Ｐｘでは、両側に配置された壁状構造物１８の一方に画素電極２８を設け、他方に共通電極３０を設けて、画素電極２８と共通電極３０を櫛歯配置することなく、かつ蓄積容量を画素電極２８と共通電極３０と壁状構造物１８で構成することにより、画素Ｐｘ内に蓄積容量を形成するための電極面を別途設けることなく、液晶層１６の液晶分子を回転駆動することができる。このように、液晶表示装置１０ではＩＰＳ方式を採用しながらも画素Ｐｘの開口率の向上を図ることができる。
また、それぞれの壁状構造物１８の壁面１８ａ、１８ｂが、平坦化層２６の表面に対して垂直に延び、対向する壁面１８ａ上に画素電極２８の壁面部分２８ａが形成され、壁面１８ｂ上に共通電極３０の壁面部分２８ａが形成されているので、それぞれの画素Ｐｘを挟む一対の壁状構造物１８の間に、すなわち、液晶層１６に、第１の基板１２および第２の基板１４とほぼ平行な電界（水平電界）を形成することができ、液晶層１６の液晶分子を応答性よく回転制御することが可能となる。さらには高画質を実現することができる。
【００４７】
次に、本発明の第２の実施形態について説明する。
（第２の実施形態）
図５（ａ）は、本発明の第２の実施形態の液晶表示装置の画素を示す部分平面図であり、（ｂ）は、本発明の第２の実施形態の液晶表示装置の要部を拡大して示す部分斜視図である。図６（ａ）は、本発明の第２の実施形態の液晶表示装置の第１の変形例の要部を拡大して示す部分斜視図であり、（ｂ）は、本発明の第２の実施形態の液晶表示装置の第２の変形例の要部を拡大して示す部分斜視図であり、（ｃ）は、本発明の第２の実施形態の液晶表示装置の第３の変形例の要部を拡大して示す部分斜視図である。
なお、本実施形態において、図１〜図４に示す第１の実施形態の液晶表示装置１０と同一構成物には、同一符号を付して、その詳細な説明は省略する。
【００４８】
図５（ａ）に示す液晶表示装置１０ａは、図１〜図３に示す液晶表示装置１０に比して、壁状構造物１８の構成、画素電極２８の構成、共通電極３０の構成、および画素Ｐｘの開口形状が異なる点以外は、図１〜図３に示す液晶表示装置１０と同様の構成である。
液晶表示装置１０ａでは、画素Ｐｘの開口形状が長方形であり、複数の、例えば、２つのドレイン線２２が互いに平行に配置されており、共通配線４０は、平行に配置された２つのドレイン線２２に対して直交に配置されている。また、ゲート線４２は、共通配線４０に平行に配置されている。
共通配線４０は張出部４１を有し、この張出部４１が露出するようにコンタクトホール３１が形成されており、このコンタクトホール３１に形成された導電層３０ｃにより、共通配線４０は共通電極３０に接続されている。
【００４９】
壁状構造物１８には、ゲート線４２上で、液晶層１６内に突出する突出部１９が、壁状構造物１８と一体に形成されている。また、壁状構造物１８には、共通配線４０上で、液晶層１６内に突出する突出部１９が形成されている。突出部１９は、平坦化層２６の表面に垂直に延びている。このように、画素Ｐｘ内で、２つの突出部１９が回転対称の位置に形成されている。なお、壁状構造物１８と突出部１９とは別体でもよい。
図５（ｂ）に示すように突出部１９を覆って画素電極２８が形成されている。また、図示はしないが共通電極３０についても、画素電極２８と同様に突出部１９を覆って共通電極３０が形成されている。壁状構造物１８に突出部１９を、画素Ｐｘ内で回転対称の位置に設けることで、液晶層１６の液晶分子に対して回転のきっかけを与えることができ、これにより、液晶分子の向きを揃えて、液晶分子を応答性よく回転制御することができる。
【００５０】
なお、突出部１９は、共通配線４０上およびゲート線４２上に形成されているため、画素Ｐｘにおいて、殆どの領域で画素電極２８と共通電極３０とは対向し、かつ平行に形成されている。このため、液晶層１６に対して略全域に水平電界を掛けることができ、液晶表示装置１０ａでも、図１に示す第１の実施形態の液晶表示装置１０と同様の効果を得ることができる。このため、開口率を向上させることができ、さらには高画質を実現することができる。
【００５１】
なお、突出部１９の形状、大きさ、および設ける数は、特に限定されるものではないが、突出部１９が大きかったり、設ける数が多いと、開口率が小さくなるため、液晶層１６の液晶分子に対して回転のきっかけを与えることができる最少の大きさおよび数であることが好ましい。
突出部１９の形状は、四角柱状であるが、これ以外にも、例えば、図６（ａ）に示す突出部１９ａのように半円柱状であっても、図６（ｂ）に示す突出部１９ｂのように三角柱状であってもよい。突出部１９の形状は、三角形、四角形以外の多角形であってもよいことはもちろんである。また、図６（ｃ）に示すように、壁状構造物１８の突出部１９に対応する画素電極２８に隅に収まる三角形状の導体片２９を設けてもよい。この導体片２９は、画素Ｐｘ内で対向する共通電極３０の突出部１９に対応する部分にも設ける。突出部１９に導体片２９を設けても、突出部１９だけと同様に、液晶層１６の液晶分子に対して回転のきっかけを与えることができ、液晶分子の向きを揃えて、液晶分子を応答性よく回転制御することができる。
【００５２】
次に、液晶表示装置１０ａの製造方法について説明する。なお、第１の実施形態の液晶表示装置１０の製造方法と同一工程については、その詳細な説明は省略する。
液晶表示装置１０ａは、第１の実施形態の液晶表示装置１０の製造方法に比して、ドレイン線２２、共通配線４０、ゲート線４２の配置パターンが、図５（ａ）に示すように長方形状である点が異なる以外は、液晶表示装置１０と同様にドレイン線２２、共通配線４０、ゲート線４２を形成する。なお、共通配線４０は張出部４１を有しており、この張出部４１が露出するようにコンタクトホール３１が形成されており、このコンタクトホール３１に導電層３０ｃが形成されて、共通電極３０に接続されている。また、薄膜トランジスタ５０は上述の液晶表示装置１０と同様にして形成する。
液晶表示装置１０ａの製造方法では、壁状構造物１８の形成の際、上述の突出部１９を設けるパターンとすること以外は、液晶表示装置１０と同様の工程で、壁状構造物１８と突出部１９を形成することができる。その後、画素電極２８、共通電極３０を形成する。その後は、液晶表示装置１０と同様の工程で、最終的に液晶表示装置１０ａを製造することができる。
【００５３】
液晶表示装置１０ａでも、壁状構造物１８の形成の際、平坦化層２６と上述の突出部１９とを一体に形成することができ、液晶表示装置１０と同様に少ない工程数で液晶表示装置１０ａを製造することが可能となる。しかも、突出部１９も壁状構造物１８と平坦化層２６と一体に形成することができるため、部材が増えても工程数の増加を抑制することができる。
【００５４】
次に、本発明の第３の実施形態について説明する。
（第３の実施形態）
図７（ａ）は、本発明の第３の実施形態の液晶表示装置の画素を示す部分平面図であり、（ｂ）は、本発明の第３の実施形態の液晶表示装置の要部を拡大して示す部分斜視図である。図８（ａ）は、本発明の第３の実施形態の液晶表示装置の第１の変形例の要部を拡大して示す部分斜視図であり、（ｂ）は、本発明の第３の実施形態の液晶表示装置の第２の変形例の要部を拡大して示す部分斜視図である。
なお、本実施形態において、図１〜図４に示す第１の実施形態の液晶表示装置１０と同一構成物には、同一符号を付して、その詳細な説明は省略する。
【００５５】
図７（ａ）に示す液晶表示装置１０ｂは、図１〜図３に示す液晶表示装置１０に比して、画素電極２８の構成、共通電極３０の構成、および画素Ｐｘの開口形状が異なる点以外は、図１〜図３に示す液晶表示装置１０と同様の構成である。
液晶表示装置１０ａでは、画素Ｐｘの開口形状が長方形であり、共通配線４０は、平行に形成された２つのドレイン線２２に対して直交して形成されている。ゲート線４２は、共通配線４０に平行に形成されている。共通配線４０は張出部４１を有し、この張出部４１が露出するようにコンタクトホール３１が形成されており、このコンタクトホール３１に導電層３０ｃが形成されて、共通電極３０に接続されている。
【００５６】
画素電極２８には、ゲート線４２上で、液晶層１６内に突出する突起部６０が形成されている。また、共通電極３０には、共通配線４０上で、液晶層１６内に突出する突起部６０が形成されている。突起部６０は、いずれも平坦化層２６の表面に形成されている。このように、画素Ｐｘ内で、２つの突起部６０が回転対称の位置に形成されている。図７（ｂ）に示すように、突起部６０は、例えば、三角板状であり、画素電極２８に接続されている。また、図示はしないが画素電極２８と同様に共通電極３０についても、例えば、三角板状の突起部６０が共通電極３０に接続されている。画素電極２８と共通電極３０に、画素Ｐｘ内で回転対称の位置に突起部６０を設けることで、液晶層１６の液晶分子に対して回転のきっかけを与えることができ、液晶分子の向きを揃えて、液晶分子を応答性よく回転制御することができる。
なお、突起部６０は、共通配線４０上およびゲート線４２上に形成されているため、画素Ｐｘにおいて、殆どの領域で画素電極２８と共通電極３０とは対向し、かつ平行に形成されている。このため、液晶層１６に対して略全域に水平電界を掛けることができ、液晶表示装置１０ｂでも、図１に示す第１の実施形態の液晶表示装置１０と同様の効果を得ることができる。このため、開口率を向上させることができ、さらには高画質を実現することができる。
【００５７】
本実施形態において、突起部６０の形状、大きさ、および設ける数は、特に限定されるものではないが、突起部６０が大きかったり、設ける数が多いと、開口率が小さくなるため、液晶層１６の液晶分子に対して回転のきっかけを与えることができる最少の大きさおよび数であることが好ましい。
突起部６０の形状は、三角形状であるが、これ以外にも、例えば、図８（ａ）に示す突起部６０ａのように半円形状であっても、図８（ｂ）に示す突起部６０ｂのように四角形状であってもよい。突起部６０の形状は、三角形、四角形以外の多角形であってもよいことはもちろんである。
【００５８】
次に、液晶表示装置１０ｂの製造方法について説明する。なお、第１の実施形態の液晶表示装置１０の製造方法と同一工程については、その詳細な説明は省略する。
液晶表示装置１０ｂは、第１の実施形態の液晶表示装置１０の製造方法に比して、ドレイン線２２、共通配線４０、ゲート線４２の配置パターンが、図７（ａ）に示すように長方形状である点が異なる以外は、液晶表示装置１０と同様にドレイン線２２、共通配線４０、ゲート線４２を形成する。なお、共通配線４０は張出部４１を有しており、この張出部４１が露出するようにコンタクトホール３１が形成されており、このコンタクトホール３１に導電層３０ｃが形成されて、共通電極３０に接続されている。また、薄膜トランジスタ５０は上述の液晶表示装置１０と同様にして形成する。
液晶表示装置１０ｂの製造方法では、画素電極２８、共通電極３０を形成する際、平坦化層２６の表面に、例えば、三角形の突起部６０が形成されるようにパターニングを行う点以外は、液晶表示装置１０と同様の工程で、最終的に液晶表示装置１０ｂを製造することができる。
【００５９】
液晶表示装置１０ｂでも、壁状構造物１８の形成の際、壁状構造物１８と平坦化層２６とを一体に形成することができ、液晶表示装置１０と同様に少ない工程数で液晶表示装置１０ｂを製造することが可能となる。また、突起部６０を画素電極２８、共通電極３０と一体に形成することができ、突起部６０を形成しても工程数の増加を抑制することができる。
【００６０】
次に、本発明の第４の実施形態について説明する。
（第４の実施形態）
図９は、本発明の第４の実施形態の液晶表示装置の画素を示す部分平面図であり、図１０は、図９のＢ１−Ｂ２−Ｂ３線に沿った部分断面図である。
なお、本実施形態において、図１〜図４に示す第１の実施形態の液晶表示装置１０と同一構成物には、同一符号を付して、その詳細な説明は省略する。
【００６１】
図９、図１０に示す液晶表示装置１０ｃは、図１〜図３に示す液晶表示装置１０に比して、壁状構造物１８の構成、画素電極２８の構成、共通電極３０の構成、および画素Ｐｘの開口形状が異なる点、ならびにカラーフィルタ７０Ｒ、７０Ｇ、７０Ｂを設ける位置が異なる点以外は、図１〜図３に示す液晶表示装置１０と同様の構成である。
なお、壁状構造物１８の構成、画素電極２８の構成、共通電極３０の構成、および画素Ｐｘの開口形状については、上述の図５（ａ）、（ｂ）に示す第２の実施形態の液晶表示装置１０ａと同様の構成であるため、その詳細な説明は省略する。
【００６２】
液晶表示装置１０ｃは、図１０に示すように、赤、青、緑のカラーフィルタ７０Ｒ（図１０では図示せず）、７０Ｇ、７０Ｂが、絶縁膜２４と平坦化層２６との間に形成されている。液晶表示装置１０ｃでは、ブラックマトリクス層が形成されていないが、ドレイン線２２、共通配線４０およびゲート線４２等の配線がブラックマトリクス層の役割を果たす。このため、第２の基板１４は第２の偏光板Ｐ２だけが形成された構成であり、カラーフィルタ、ブラックマトリクス層、オーバーコート層は形成されていない。液晶表示装置１０ｃでは、第２の基板１４側の構成を簡素化することができる。
【００６３】
液晶表示装置１０ｃでも、同じく突出部１９を有する第２の実施形態の液晶表示装置１０ａと同様に、液晶層１６に対して略全域に水平電界を掛けることができ、液晶表示装置１０ｃでも、図１に示す第１の実施形態の液晶表示装置１０と同様の効果を得ることができる。このため、開口率を向上させることができ、さらには高画質を実現することができる。
なお、突出部１９の形状、大きさ、および設ける数は、第２の実施形態の液晶表示装置１０ａと同様に、特に限定されるものではないが、突出部１９が大きかったり、設ける数が多いと、開口率が小さくなるため、液晶層１６の液晶分子に対して回転のきっかけを与えることができる最少の大きさおよび数であることが好ましい。
突出部１９の形状は、四角柱状であるが、上述の第２の実施形態の液晶表示装置１０ａのように、例えば、図６（ａ）に示す半円柱状の突出部１９ａであっても、図６（ｂ）に示すように三角柱状の突出部１９ｂであってもよく、三角形、四角形以外の多角形の突出部であってもよいことはもちろんである。さらに、図６（ｃ）に示す三角形状の導体片２９を設けてよいことはもちろんである。
【００６４】
次に、液晶表示装置１０ｃの製造方法について説明する。なお、第１の実施形態の液晶表示装置１０の製造方法と同一工程については、その詳細な説明は省略する。
液晶表示装置１０ｃは、第１の実施形態の液晶表示装置１０の製造方法に比して、ドレイン線２２、共通配線４０、ゲート線４２の配置パターンが、図９に示すように長方形状である点が異なる以外は、液晶表示装置１０と同様にドレイン線２２、共通配線４０、ゲート線４２を形成する。
絶縁膜２４の上に平坦化層２６を形成する前に、絶縁膜２４上にカラーフィルタ７０Ｒ、７０Ｇ、７０Ｂを形成する。なお、カラーフィルタ７０Ｒ（図１０では図示せず）、７０Ｇ、７０Ｂの形成方法は特に限定されるものではなく、公知の形成方法を適宜利用することができる。
【００６５】
カラーフィルタ７０Ｒ、７０Ｇ、７０Ｂの形成後、平坦化層２６と壁状構造物１８を一体に形成する。壁状構造物１８の形成の際、上述の突出部１９を設けるパターンとすること以外は、液晶表示装置１０と同様の工程で、壁状構造物１８と突出部１９を形成することができる。
なお、共通配線４０は張出部４１を有しており、この張出部４１が露出するようにコンタクトホール３１が形成されており、このコンタクトホール３１に導電層３０ｃが形成されて、共通電極３０に接続されている。また、薄膜トランジスタ５０は上述の液晶表示装置１０と同様にして形成する。その後、画素電極２８、共通電極３０を形成する。
【００６６】
別途、公知の方法により、第２の偏光板Ｐ２が接合された第２の基板１４を用意する。
スペーサ３８を壁状構造物１８および突出部１９に配置して、第２の基板１４を、第２の偏光板Ｐ２が接合されてない側を第１の基板１２に向けて、スペーサ３８を介して壁状構造物１８および突出部１９と接合する。これにより、最終的に液晶表示装置１０ｃを製造することができる。なお、スペーサ３８は必ずしも必要ではなく設けなくてもよい。
【００６７】
液晶表示装置１０ｃでも、壁状構造物１８の形成の際、平坦化層２６と上述の突出部１９とを一体に形成することができ、液晶表示装置１０と同様に少ない工程数で液晶表示装置１０ｃを製造することが可能となる。また、カラーフィルタ７０Ｒ（図１０では図示せず）、７０Ｇ、７０Ｂを絶縁膜２４と平坦化層２６との間に設けることで、ブラックマトリクス層、オーバーコート層の形成を省略できるため、液晶表示装置１０ｃでは、工程数を少なくすることができる。
【００６８】
次に、本発明の第５の実施形態について説明する。
（第５の実施形態）
図１１は、本発明の第５の実施形態の液晶表示装置の構成を示す部分断面図である。
なお、本実施形態において、図９、図１０に示す第４の実施形態の液晶表示装置１０ｃと同一構成物には、同一符号を付して、その詳細な説明は省略する。
【００６９】
図１１に示す液晶表示装置１０ｄは、図９、図１０に示す第４の実施形態の液晶表示装置１０ｃに比して、赤、青、緑のカラーフィルタ７０Ｒ（図１１では図示せず）、７０Ｇ、７０Ｂを設ける位置が異なる点以外は、図９、図１０に示す液晶表示装置１０ｃと同様の構成である。
液晶表示装置１０ｄは、図１１に示すように、カラーフィルタ７０Ｒ（図１１では図示せず）、７０Ｇ、７０Ｂが、液晶層１６内で平坦化層２６上に形成されている。液晶表示装置１０ｄでも、第２の基板１４に第２の偏光板Ｐ２が形成されているだけであり、カラーフィルタ、ブラックマトリクス層、オーバーコート層は形成されていない。液晶表示装置１０ｄでは、第２の基板１４側の構成を簡素化することができる。
【００７０】
次に、液晶表示装置１０ｄの製造方法について説明する。なお、第４の実施形態の液晶表示装置１０ｃの製造方法と同一工程については、その詳細な説明は省略する。
液晶表示装置１０ｄは、第４の実施形態の液晶表示装置１０ｃの製造方法に比して、カラーフィルタ７０Ｒ（図１１では図示せず）、７０Ｇ、７０Ｂを、絶縁膜２４と平坦化層２６との間に形成するのではなく、画素電極２８と共通電極３０を形成した後に、例えば、インクジェット法を用いて、赤、青、緑のカラーフィルタ７０Ｒ、７０Ｇ、７０Ｂを形成する。なお、カラーフィルタ７０Ｒ、７０Ｇ、７０Ｂの形成方法は、インクジェット法に限定されるものではなく、公知の形成方法を適宜利用することができる。
カラーフィルタ７０Ｒ、７０Ｇ、７０Ｂの形成後降は、液晶表示装置１０ｃと同様の工程に、別途、公知の方法により、第２の偏光板Ｐ２が接合された第２の基板１４を用意し、上述のように、スペーサ３８を介して壁状構造物１８および突出部１９と接合することで、最終的に液晶表示装置１０ｄを製造することができる。なお、スペーサ３８は必ずしも必要ではなく設けなくてもよい。
【００７１】
液晶表示装置１０ｄでも、壁状構造物１８の形成の際、平坦化層２６と上述の突出部１９とを一体に形成することができ、液晶表示装置１０と同様に少ない工程数で液晶表示装置１０ｃを製造することが可能となる。また、カラーフィルタ７０Ｒ、７０Ｇ、７０Ｂを液晶層１６内で平坦化層２６上に形成することで、ブラックマトリクス層、オーバーコート層の形成を省略できるため、液晶表示装置１０ｄでは、工程数を少なくすることができる。
【００７２】
本発明は、基本的に以上のように構成されるものである。以上、本発明の液晶表示装置およびその製造方法について詳細に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されず、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々の改良または変更をしてもよいのはもちろんである。
【符号の説明】
【００７３】
１０、１０ａ、１０ｂ、１０ｃ、１０ｄ  液晶表示装置
１２  第１の基板
１４  第２の基板
１６  液晶層
１８  壁状構造物
１９  突出部
２０  絶縁膜
２２  ドレイン線
２４  絶縁膜
２６  平坦化層
２８  画素電極
３０  共通電極
３１  コンタクトホール
３２  ブラックマトリクス層
３４Ｒ、３４Ｇ、３４Ｂ、７０Ｒ、７０Ｇ、７０Ｂ  カラーフィルタ
３６  オーバーコート層
３８  スペーサ
４０  共通配線
４２  ソース部
４４  ソース部
４６  ドレイン部
４８  半導体層
６０、６０ａ、６０ｂ  突起部
Ｐ１  第１の偏光板
Ｐ２  第２の偏光板
【図１】
2016061994.tif 000003
【図２】
2016061994.tif 000004
【図３】
2016061994.tif 000005
【図４】
2016061994.tif 000006
【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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