(57)【要約】【課題】ケーブルの延在方向に沿った基板の寸法増加を抑制できる接続構造、接続構造用基板、及び接続構造の製造方法を提供する。【解決手段】接続構造１は、伝送路及び伝送路を中心とした断面円形状のシールド３３を有するケーブル３と、伝送路用パッド及びグランドパッド１１，１２を有する基板２と、を備える。グランドパッド１１，１２は、基板２の側面２ｂに設けられており、伝送路及び伝送路用パッドは、互いに電気的に接続されており、シールド３３及びグランドパッド１１，１２は、側面２ｂ上にて互いに対向すると共に互いに電気的に接続されている。【選択図】図１
2016046482.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
伝送路及び前記伝送路を中心とした断面円形状のシールドを有するケーブルと、
伝送路用パッド及びグランドパッドを有する基板と、
を備え、
前記グランドパッドは、前記基板の側面に設けられており、
前記伝送路及び前記伝送路用パッドは、互いに電気的に接続されており、
前記シールド及び前記グランドパッドは、前記側面上にて互いに対向すると共に互いに電気的に接続されている、
接続構造。
【請求項２】
前記伝送路用パッドは、前記側面に設けられており、
前記伝送路及び前記伝送路用パッドは、前記側面上にて互いに対向しており、
前記側面上の前記グランドパッドと前記伝送路用パッドとの中心間距離は、前記シールドの平均半径と略等しい、請求項１に記載の接続構造。
【請求項３】
主面及び側面を備えると共にケーブルに接続される接続構造用基板であって、
前記側面に設けられるグランドパッドを備え、
前記グランドパッドは、前記ケーブルに含まれるシールドと前記側面上にて対向すると共に電気的に接続されるように設けられる、
接続構造用基板。
【請求項４】
前記主面上に延在する第１の導電パッドと、
前記主面と交差する方向に沿って前記基板に形成されており、前記第１の導電パッドに電気的に接続される第１のビア構造と、
前記基板の内部に設けられ、前記第１のビア構造に電気的に接続される第１の導電層と、をさらに備え、
前記グランドパッドは、前記第１の導電層と電気的に接続されている、請求項３に記載の接続構造用基板。
【請求項５】
前記ケーブルに含まれる伝送路に電気的に接続される伝送路用パッドをさらに備え、
前記伝送路用パッドは、前記伝送路と前記側面上にて対向するように前記側面に設けられており、
前記シールドは、前記伝送路を中心とした断面円形状を有しており、
前記側面上の前記グランドパッドと前記伝送路用パッドとの中心間距離は、前記シールドの平均半径と略等しい、請求項３又は４に記載の接続構造用基板。
【請求項６】
前記主面上に延在する第２の導電パッドと、
前記主面と交差する方向に沿って前記基板に形成されており、前記第２の導電パッドに電気的に接続される第２のビア構造と、
前記基板の内部に設けられ、前記第２のビア構造に電気的に接続される第２の導電層と、をさらに備え、
前記伝送路用パッドは、前記第２の導電層と電気的に接続されている、請求項５に記載の接続構造用基板。
【請求項７】
伝送路及び前記伝送路を中心とした断面円形状のシールドを有するケーブルと、伝送路用パッド及びグランドパッドを備えると共にその側面に前記グランドパッドが設けられる基板と、を準備する準備工程と、
前記シールドが、前記基板の前記側面と交差する方向に沿って前記グランドパッドと対向した状態で、前記ケーブル及び前記基板を配置する対向工程と、
前記伝送路及び前記伝送路用パッドを互いに電気的に接続すると共に、前記シールド及び前記グランドパッドを互いに電気的に接続する接続工程と、
を備える接続構造の製造方法。
【請求項８】
はんだを前記伝送路用パッド上及び前記グランドパッド上にそれぞれ配置するはんだ配置工程をさらに備え、
前記伝送路用パッドは、前記基板の前記側面に設けられており、
前記接続工程では、前記伝送路用パッド及び前記グランドパッドを選択的に加熱することによって前記はんだをそれぞれ溶融し、前記伝送路及び前記伝送路用パッドを互いに電気的に接続すると共に、前記シールド及び前記グランドパッドを互いに電気的に接続する、請求項７に記載の接続構造の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、接続構造、接続構造用基板、及び接続構造の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
基板にケーブルを接続する接続構造では、多数の接続方式が提案されている。例えば特許文献１には、ケーブルが基板に接続される接続構造が開示されている。この接続構造では、ケーブルは芯線（伝送路）及び当該芯線を中心とした断面円形状のシールドを有しており、当該ケーブルが基板の段差部に接続されている。この接続構造では、芯線は基板の主面又は段差部における側面と平行な面にて接続されており、シールドは段差部における基板の主面と平行な面にて接続されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】国際公開第２０１１−１２５５０２号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記特許文献１に記載の接続構造では実装高さの縮小を図るために、ケーブルは、基板の側面と交差する方向に延在すると共に段差部上に実装されている。この場合、ケーブルの延在方向に沿った基板の段差部の寸法を確保する必要がある。すなわち、ケーブルの延在方向に沿った基板の寸法が大きくなってしまう。
【０００５】
本発明は、ケーブルの延在方向に沿った基板の寸法増加を抑制できる接続構造、接続構造用基板、及び接続構造の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一形態に係る接続構造は、伝送路及び伝送路を中心とした断面円形状のシールドを有するケーブルと、伝送路用パッド及びグランドパッドを有する基板と、を備え、グランドパッドは、基板の側面に設けられており、伝送路及び伝送路用パッドは、互いに電気的に接続されており、シールド及びグランドパッドは、側面上にて互いに対向すると共に互いに電気的に接続されている。
【０００７】
本発明の他の一形態に係る主面及び側面を備えると共にケーブルに接続される接続構造用基板は、側面に設けられるグランドパッドを備え、グランドパッドは、ケーブルに含まれるシールドと側面上にて対向すると共に電気的に接続されるように設けられる。
【０００８】
本発明の他の一形態に係る接続構造の製造方法は、伝送路及び伝送路を中心とした断面円形状のシールドを有するケーブルと、伝送路用パッド及びグランドパッドを備えると共にその側面にグランドパッドが設けられる基板と、を準備する準備工程と、シールドが、基板の側面と交差する方向に沿ってグランドパッドと対向した状態で、ケーブル及び基板を配置する対向工程と、伝送路及び伝送路用パッドを互いに電気的に接続すると共に、シールド及びグランドパッドを互いに電気的に接続する接続工程と、を備える。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、ケーブルの延在方向に沿った基板の寸法増加を抑制できる接続構造、接続構造用基板、及び接続構造の製造方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】図１は、第１実施形態に係る接続構造の一部を示す斜視図である。
【図２】図２は、接続構造における基板の一部の斜視図である。
【図３】図３（ａ）は、図２のIIIａ−IIIａ矢視部分断面図である。図３（ｂ）は、図２のIIIｂ−IIIｂ矢視部分断面図である。
【図４】図４（ａ）は、ケーブルを説明するための斜視図であり、図４（ｂ）は、ケーブルの先端を示す平面図である。
【図５】図５（ａ）〜（ｃ）は、第１実施形態に係る接続構造の製造方法を説明するための平面模式図である。
【図６】図６は、基板とケーブルとの接続状態を示す概略図である。
【図７】図７は、第２実施形態に係る接続構造に用いられる基板の一部を示す斜視図である。
【図８】図８は、図７のVIII−VIII線矢視断面図である。
【図９】図９は、基板とケーブルとの接続状態を示す概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
［本願発明の実施形態の説明］
最初に本願発明の実施形態の内容を列記して説明する。本願発明の一実施形態は、伝送路及び伝送路を中心とした断面円形状のシールドを有するケーブルと、伝送路用パッド及びグランドパッドを有する基板と、を備え、グランドパッドは、基板の側面に設けられており、伝送路及び伝送路用パッドは、互いに電気的に接続されており、シールド及びグランドパッドは、側面上にて互いに対向すると共に互いに電気的に接続されている接続構造である。
【００１２】
この接続構造によれば、シールド及びグランドパッドは、側面上にて互いに対向すると共に互いに電気的に接続されている。これにより、基板において側面に交差する面をシールドの実装面とすることなく、基板及びケーブルを互いに接続できる。また、基板及びケーブルがケーブルの延在方向に直交した方向において互いに重ならない場合であっても、基板及びケーブルを互いに接続できる。したがって、上記接続構造によれば、ケーブルの延在方向に沿った基板の寸法増加を抑制できる。
【００１３】
また、伝送路用パッドは、側面に設けられており、伝送路及び伝送路用パッドは、側面上にて互いに対向しており、側面上のグランドパッドと伝送路用パッドとの中心間距離は、シールドの平均半径と略等しくてもよい。この場合、基板において側面に交差する面を伝送路の実装面とすることなく、基板及びケーブルを互いに接続できる。これにより、ケーブルの延在方向に沿った基板の寸法増加をより抑制できる。また、伝送路用パッドの中心とケーブルの中心とをケーブルの延在方向に沿って重ねるだけで、シールドとグランドパッドとの電気的接続、及び伝送路と伝送路用パッドとの電気的接続を確保することができる。
【００１４】
本願発明の他の一実施形態は、主面及び側面を備えると共にケーブルに接続される接続構造用基板であって、その側面に設けられるグランドパッドを備え、グランドパッドは、ケーブルに含まれるシールドと側面上にて対向すると共に電気的に接続されるように設けられる接続構造用基板である。
【００１５】
この接続構造用基板によれば、グランドパッドは側面に設けられている。この場合、シールドを有するケーブルを接続構造用基板の側面に対向するように設置し、当該ケーブルを接続構造用基板に接続及び実装させることができる。これにより、接続構造用基板において側面に交差する主面等をシールドの実装面とすることなく、接続構造用基板及びケーブルを互いに接続できる。また、接続構造用基板及びケーブルがケーブルの延在方向に直交した方向において互いに重ならない場合であっても、接続構造用基板及びケーブルを互いに接続できる。したがって、ケーブルの延在方向に沿った接続構造用基板の寸法増加を抑制できる。
【００１６】
また、接続構造用基板は、主面上に延在する第１の導電パッドと、主面と交差する方向に沿って基板に形成されており、第１の導電パッドに電気的に接続される第１のビア構造と、基板の内部に設けられ、第１のビア構造に電気的に接続される第１の導電層と、をさらに備え、グランドパッドは、第１の導電層と電気的に接続されていてもよい。例えば電子部品が第１の導電パッド上に実装される場合、当該電子部品は、第１のビア構造及び第１の導電層を介してグランドパッドに接続される。これにより、接続構造用基板の小型化を可能にすると共に、グランドパッドと電子部品との接続を容易にすることができる。
【００１７】
また、接続構造用基板は、ケーブルに含まれる伝送路に電気的に接続される伝送路用パッドをさらに備え、伝送路用パッドは、伝送路と側面上にて対向するように側面に設けられており、シールドは、伝送路を中心とした断面円形状を有しており、側面上のグランドパッドと伝送路用パッドとの中心間距離は、シールドの平均半径と略等しくてもよい。この場合、シールド及び伝送路を有するケーブルを接続構造用基板の側面に対向するように設置し、当該ケーブルを接続構造用基板に接続及び実装させることができる。したがって、ケーブルの延在方向に沿った接続構造用基板の寸法増加をより抑制できる。また、伝送路用パッドの中心とケーブルの中心とをケーブルの延在方向に沿って重ねるだけで、シールドとグランドパッドとの電気的接続、及び伝送路と伝送路用パッドとの電気的接続を確保することができる。
【００１８】
また、接続構造用基板は、主面上に延在する第２の導電パッドと、主面と交差する方向に沿って基板に形成されており、第２の導電パッドに電気的に接続される第２のビア構造と、基板の内部に設けられ、第２のビア構造に電気的に接続される第２の導電層と、をさらに備え、伝送路用パッドは、第２の導電層と電気的に接続されていてもよい。例えば電子部品が第２の導電パッド上に実装される場合、当該電子部品は、第２のビア構造及び第２の導電層を介して伝送路用パッドに接続される。これにより、接続構造用基板の小型化を可能にすると共に、伝送路用パッドと電子部品との接続を容易にすることができる。
【００１９】
本願発明の他の一実施形態は、伝送路及び伝送路を中心とした断面円形状のシールドを有するケーブルと、伝送路用パッド及びグランドパッドを備えると共にその側面にグランドパッドが設けられる基板と、を準備する準備工程と、シールドが、基板の側面と交差する方向に沿ってグランドパッドと対向した状態で、ケーブル及び基板を配置する対向工程と、伝送路及び伝送路用パッドを互いに電気的に接続すると共に、シールド及びグランドパッドを互いに電気的に接続する接続工程と、を備える接続構造の製造方法である。
【００２０】
この接続構造の製造方法によれば、ケーブルに含まれるシールドは、基板の側面に設けられるグランドパッドと基板の側面と交差する方向に沿って対向した状態で、当該グランドパッドに電気的に接続される。これにより、基板において側面に交差する主面等をシールドの実装面とすることなく、基板及びケーブルを互いに接続できる。また、基板及びケーブルがケーブルの延在方向に直交した方向において互いに重ならない場合であっても、基板及びケーブルを互いに接続できる。したがって、上記接続構造の製造方法によれば、ケーブルの延在方向に沿った基板の寸法増加を抑制できる。
【００２１】
また、上記製造方法は、はんだを伝送路用パッド上及びグランドパッド上にそれぞれ配置するはんだ配置工程をさらに備え、伝送路用パッドは、基板の側面に設けられており、接続工程では、伝送路用パッド及びグランドパッドを選択的に加熱することによってはんだをそれぞれ溶融し、伝送路及び伝送路用パッドを互いに電気的に接続すると共に、シールド及びグランドパッドを互いに電気的に接続してもよい。この場合、伝送路用パッド上及びグランドパッド上のはんだは、伝送路用パッド及びグランドパッドへの選択的な加熱によってそれぞれ溶融する。これにより、伝送路用パッド上のはんだと、グランドパッド上のはんだとが、互いに接することなくそれぞれ溶融する。したがって、伝送路用パッドとグランドパッドとの短絡を抑制し、信頼性よく接続構造を製造することができる。
【００２２】
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、以下の説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には、同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。
【００２３】
（第１実施形態）
図１は、第１実施形態に係る接続構造の一部を示す斜視図である。図２は、接続構造における基板の一部の斜視図である。図３（ａ）は、図２のIIIａ−IIIａ矢視部分断面図である。図３（ｂ）は、図２のIIIｂ−IIIｂ矢視部分断面図である。図１に示されるように、接続構造１は、基板（接続構造用基板）２と、基板２に実装されているケーブル３とを有している。基板２とケーブル３の先端３ａとは、側面２ｂ上にて互いに対向している。以下の説明では、ケーブル３の延在方向を方向Ｘとし、主面２ａ上において方向Ｘと直交する方向を方向Ｙとし、主面２ａと直交する方向を方向Ｚとする。
【００２４】
図２及び図３（ａ），（ｂ）に示されるように、基板２の表面上には、グランドパッド１１，１２、パッド（伝送路用パッド）１３、及び配線１４〜１７が設けられている。基板２の内部には、方向Ｚに沿って形成されたスルーホール２０、スルーホール２０内に形成されたビア構造（第２のビア構造）２１、及びビア構造２１に接続される導電層（第２の導電層）２２が設けられている。また、基板２は、裏面２ｃ側に位置する絶縁層２３と、主面２ａ側に位置する絶縁層２４を有している。絶縁層２３，２４の厚さは、互いに同一又は略同一である。導電層２２が絶縁層２３，２４によって挟まれることによって、基板２が形成されている。すなわち、基板２は、導電層２２及び絶縁層２３，２４による多層構造を有している。なお、本明細書における「接続」とは、電気的又は機能的に接続することを含んでおり、物理的に接続することのみに限定されない。
【００２５】
グランドパッド１１，１２は、側面２ｂ上に設けられており、導電性を有するパッドである。グランドパッド１１，１２は、例えば金属又は合金等の導電性材料から構成されており、互いに離間している。グランドパッド１１，１２のそれぞれは、側面２ｂ上を方向Ｚに沿って延在している。より具体的には、グランドパッド１１，１２のそれぞれは、主面２ａから裏面２ｃまで方向Ｚに沿って延在している。よって、グランドパッド１１，１２は、互いに平行に延在するように設けられている。
【００２６】
パッド１３は、基板２の側面２ｂ上に設けられており、導電性材料から構成されるパッドである。パッド１３は、例えば方向Ｘから見て略矩形状を有しており、方向Ｘから見たパッドの辺の長さが１００μｍ〜４００μｍである。パッド１３は、方向Ｙにおいてグランドパッド１１，１２の間に設けられている。パッド１３とグランドパッド１１，１２とは、互いに離間している。パッド１３の中心１３ａと、グランドパッド１１，１２のそれぞれの中心１１ａ，１２ａとは、互いに方向Ｙに沿って並んでいる。パッド１３の中心１３ａとグランドパッド１１の中心１１ａとの間の距離（パッド１３及びグランドパッド１１の中心間距離）Ｄ１と、パッド１３の中心１３ａとグランドパッド１２の中心１２ａとの間の距離（パッド１３及びグランドパッド１２の中心間距離）Ｄ２とは、互いに等しい又は略等しくなっている。また、パッド１３における方向Ｚに沿った長さは、距離Ｄ１，Ｄ２よりも短い。パッド１３の厚さは、グランドパッド１１，１２の厚さと同一又は略同一である。
【００２７】
配線１４〜１７は、導電性材料から構成される配線である。配線１４〜１７の一部又は全体は、導電パッドであってもよい。図２及び図３（ａ）に示されるように、配線１４〜１６は、主面２ａ上に設けられており、方向Ｘに沿って延在している。配線１４はグランドパッド１１に接続されており、配線１５はグランドパッド１２に接続されている。配線１６（第２の導電パッド）は、ビア構造２１に接続されている。よって、配線１６は、ビア構造２１及び導電層２２を介して、パッド１３に接続される。図３（ａ），（ｂ）に示されるように、配線１７は、裏面２ｃ上に設けられている。この配線１７は、裏面２ｃ上の略全体にわたって設けられている導電層である。
【００２８】
図３（ａ）に示されるように、スルーホール２０は、基板２において導電層２２及び絶縁層２３，２４を貫通して設けられている。スルーホール２０は、例えばエッチング等によって基板２に形成される。スルーホール２０の周囲には、窪み２０ａが裏面２ｃから形成されている。この窪み２０ａと配線１７とは、Ｚ方向において互いに重ならないように形成されている。
【００２９】
ビア構造２１は、スルーホール２０の内周面上に設けられた導電部２１ａと、導電部２１ａに囲まれる樹脂部２１ｂとを有している。導電部２１ａは、例えばスルーホール２０の内周面を導電性材料によってメッキすることによって形成される。樹脂部２１ｂは、スルーホール２０において導電部２１ａが形成されていない領域に設けられている。すなわち、スルーホール２０の空洞部分は、樹脂部２１ｂを形成する絶縁樹脂（例えば、エポキシ樹脂等）によって充填されている。ビア構造２１における導電部２１ａと配線１７とは、互いに電気的に絶縁している。
【００３０】
導電層２２は、導電性材料から構成される層である。導電層２２は、グランドパッド１１，１２と電気的に絶縁となるように、絶縁層２３，２４の間に設けられている。導電層２２は、例えば蒸着法等によって絶縁層２３，２４の間に形成される。導電層２２の一部がパッド１３であってもよい。
【００３１】
図４（ａ）は、ケーブル３を説明するための斜視図であり、図４（ｂ）は、ケーブル３の先端３ａを示す平面図である。図４（ａ），（ｂ）に示されるように、ケーブル３は、中心導体（伝送路）３１と、内部絶縁層３２と、シールド３３と、外被３４とを有している同軸ケーブルである。ケーブル３において、中心導体３１、内部絶縁層３２、シールド３３及び外被３４が中心から順番に設けられている。中心導体３１は、例えば銅線等の金属線又は銅合金等の導電性材料から構成されており、信号の伝送路として機能している。中心導体３１は外径約２５μｍの金属線を７〜３０本撚って形成され、直径は例えば５０μｍ〜４００μｍ程度であり、パッド１３の最も短い辺よりも小さいことが好ましい。内部絶縁層３２は、例えば絶縁性の樹脂（例えばＰＦＡ（テトラフルオロエチレン・パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体）やＦＥＰ（テトラフルオロエチレンとヘキサフルオロプロピレンの共同合体したフッ素樹脂）などのフッ素系樹脂テープ等）から構成されており、中心導体３１の周囲を覆っている。シールド３３は、例えば基準電位となっており、内部絶縁層３２の周囲を覆っている。シールド３３は、例えば銅合金等の導電性材料から構成されており、上記導電性材料を横巻きすることによって形成されている。中心導体３１の中心からシールド３３までの間隔は、パッド１３の最も長い辺よりも大きくなっている。外被３４は、例えば絶縁性の樹脂（例えばポリエステルテープ等）から構成されており、シールド３３の周囲を覆っている。外被３４と内部絶縁層３２とは、互いに同一の樹脂から形成されていてもよい。
【００３２】
図４（ｂ）に示されるように、中心導体３１とシールド３３とは、互いに断面真円形状又は断面略真円形状となっている。ケーブル３の断面において、中心導体３１を中心としたシールド３３の平均半径Ｄ３は、例えば１００μｍ〜５００μｍである。この平均半径Ｄ３は、図２に示された距離Ｄ１，Ｄ２と等しい又は略等しくなっている。これにより、中心導体３１とパッド１３とが基板２の側面２ｂ上に互いに対向すると共に電気的に接続された場合、シールド３３とグランドパッド１１，１２とは、基板２の側面２ｂ上に互いに対向すると共に電気的に接続される。
【００３３】
次に、図５（ａ）〜（ｃ）を参照しながら第１実施形態に係る接続構造の製造方法を説明する。図５（ａ）〜（ｃ）は、第１実施形態に係る接続構造の製造方法を説明するための平面模式図である。また、図６は、基板とケーブルとの接続状態を示す概略図である。
【００３４】
まず、図２に示される基板２と、図４に示されるケーブル３とを準備する。第１実施形態におけるケーブル３の先端３ａでは、中心導体３１及びシールド３３が略同一面にて露出している。次に、図５（ａ）に示されるように、グランドパッド１１，１２上とパッド１３上とのそれぞれに、はんだ４１〜４３が配置される（はんだ配置工程）。
【００３５】
次に、図５（ｂ）に示されるように、基板２の側面２ｂとケーブル３の先端３ａとを互いに対向させる（対向工程）。具体的には、中心導体３１及びパッド１３と、シールド３３及びグランドパッド１１，１２とのそれぞれを、基板２の方向Ｘに沿って対向するように設置する。また、パッド１３の中心１３ａとケーブル３の中心導体３１の中心３１ａとを、方向Ｘに沿って互いに重なるように設置する。基板２及びケーブル３は、はんだ４１〜４３を介して対向している。
【００３６】
次に、グランドパッド１１，１２及びパッド１３のそれぞれを選択的に加熱することによってはんだ４１〜４３を溶融する。例えば、レーザ照射によってグランドパッド１１，１２及びパッド１３のそれぞれを選択的に加熱する。もしくは、基板２の表面（主面２ａ又は裏面２ｃ）をヒータで加熱し、基板２の絶縁層２３，２４と配線１４〜１７との熱伝導率の差を利用して、側面２ｂ上のグランドパッド１１，１２及びパッド１３のそれぞれを選択的に加熱する。
【００３７】
次に、図５（ｃ）に示されるように、溶融したはんだ４１〜４３を介して、基板２とケーブル３とを互いに接続する（接続工程）。具体的には、溶融したはんだ４１を接着剤として中心導体３１とパッド１３とを互いに接続すると共に、溶融したはんだ４２，４３を接着剤として、グランドパッド１１，１２とシールド３３とを互いに接続する。また、図６に示されるように、平均半径Ｄ３は、距離Ｄ１及び距離Ｄ２と等しい又は略等しくなっている。以上により、基板２及びケーブル３から構成される接続構造１が製造される。なお、接続工程後に、基板２及びケーブル３が互いに接続される部分の周囲を絶縁性の樹脂で覆い、接続構造１を補強してもよい。
【００３８】
以上に説明した、本実施形態に係る製造方法によって製造された接続構造１によって得られる効果について説明する。この接続構造１によれば、中心導体３１及びパッド１３は、側面２ｂ上にて互いに対向すると共に互いに電気的に接続されている。同様に、シールド３３及びグランドパッド１１，１２も、側面２ｂ上にて互いに対向すると共に互いに電気的に接続されている。この場合、基板２において、側面２ｂに交差する主面２ａ及び裏面２ｃを中心導体３１及びシールド３３の実装面とすることなく、基板２及びケーブル３を互いに接続できる。また、基板２及びケーブル３を方向Ｚにおいて互いに重ねることなく、接続構造１を製造できる。したがって、本実施形態に係る製造方法によって製造された接続構造１によれば、ケーブル３の延在方向に沿った基板２の寸法増加を抑制できる。
【００３９】
また、上記接続構造１によれば、平均半径Ｄ３は、距離Ｄ１，Ｄ２と等しい又は略等しくなっている。これにより、パッド１３の中心１３ａと中心導体３１の中心３１ａとを方向Ｘに沿って重ねるだけで、シールド３３とグランドパッド１１，１２との電気的接続、及び中心導体３１とパッド１３との電気的接続を確保することができる。
【００４０】
また、基板２は、主面２ａ上に延在する配線１６と、方向Ｚに沿って基板２に形成されており、配線１６に電気的に接続されるビア構造２１と、基板２の内部に設けられ、ビア構造２１に電気的に接続される導電層２２と、をさらに備え、パッド１３は、導電層２２と電気的に接続されていてもよい。例えばＩＣチップ等の電子部品が配線１６上に実装される場合、当該電子部品は、ビア構造２１及び導電層２２を介してパッド１３に接続される。これにより、基板２の小型化を可能にすると共に、パッド１３と電子部品との接続を容易にすることができる。
【００４１】
また、上記接続構造１の製造方法は、はんだ４１〜４３をパッド１３上及びグランドパッド１１，１２上にそれぞれ配置するはんだ配置工程をさらに備えてもよい。そして、基板２とケーブル３とを互いに接続する工程では、パッド１３及びグランドパッド１１，１２を選択的に加熱することによってはんだ４１〜４３をそれぞれ溶融し、中心導体３１及びパッド１３を互いに電気的に接続すると共に、シールド３３及びグランドパッド１１，１２を互いに電気的に接続してもよい。この場合、パッド１３上のはんだ４１と、グランドパッド１１上のはんだ４２と、グランドパッド１２上のはんだ４３とが、互いに接することなくそれぞれ溶融する。したがって、パッド１３とグランドパッド１１，１２との短絡を抑制し、信頼性よく接続構造１を製造することができる。
【００４２】
また、方向Ｘから見たパッド１３の形状は略矩形状であり、方向Ｘから見たパッド１３の最も短い辺は、中心導体３１の直径よりも長く、方向Ｘから見たパッド１３の最も長い辺は、中心導体３１の中心からシールド３３までの間隔よりも短い。これにより、基板２の側面２ｂ上において、パッド１３の中心１３ａと中心導体３１の中心３１ａとが多少ずれた場合であっても、パッド１３と中心導体３１との接続を良好にできると共に、グランドパッド１１，１２とシールド３３との接続を良好にできる。ここで、グランドパッド１１，１２のそれぞれは、主面２ａから裏面２ｃまで方向Ｚに沿って延在していてもよい。この場合、グランドパッド１１，１２とシールド３３との接続をさらに良好にできる。
【００４３】
グランドパッド１１，１２は、いずれか片方のみ設けられてもよい。この場合、配線１４，１５のいずれか一方は、必ずしも設けられなくてもよい。また、グランドパッド１１の中心１１ａ、グランドパッド１２の中心１２ａ、及びパッド１３の中心１３ａは、必ずしも方向Ｙに沿って並んでいなくてもよい。
【００４４】
スルーホール２０は、基板２において導電層２２及び絶縁層２３，２４の全てを貫通して設けられていなくてもよい。例えば、スルーホール２０は絶縁層２３のみ又は導電層２２及び絶縁層２３のみを貫通して設けられてもよい。この場合、基板２の裏面２ｃに窪み２０ａは必ずしも設けられなくてもよい。また、スルーホール２０は絶縁層２４のみ又は導電層２２及び絶縁層２４のみを貫通して設けられてもよい。この場合、基板２の主面２ａにグランドパッド１１，１２に接続される配線が設けられると共に、裏面２ｃにパッド１３に接続される配線が設けられてもよい。
【００４５】
（第２実施形態）
以下では、第２実施形態に係る接続構造及び接続構造用基板について説明する。第２実施形態の説明において第１実施形態と重複する記載は省略し、第１実施形態と異なる部分を記載する。つまり、技術的に可能な範囲で第２実施形態に第１実施形態の記載を適宜用いてもよい。
【００４６】
図７は、第２実施形態に係る接続構造に用いられる基板の一部を示す斜視図である。図８は、図７のVIII−VIII線矢視断面図である。図７及び図８に示されるように、基板（接続構造用基板）５２の側面５２ｂには、パッド１３と、グランドパッド６１，６２とが設けられている。また、基板５２の主面５２ａ上には配線１６が設けられており、裏面５２ｃ上には配線６３が設けられている。基板５２の内部には、方向Ｚに沿って形成されたスルーホール２０、ビア構造２１、及び導電層２２に加えて、スルーホール７０、スルーホール７０内に形成されたビア構造（第１のビア構造）７１、及びビア構造７１に接続される導電層（第１の導電層）７２，７３が設けられている。
【００４７】
また、基板５２は、導電層２２，７２，７３及び絶縁層２３，２４に加えて、絶縁層６４，６５を有している。絶縁層６４，６５は、絶縁層２３，２４の間に位置している。導電層２２は、絶縁層６４及び絶縁層６５によって挟まれている。導電層７２は、絶縁層２４及び絶縁層６５によって挟まれている。導電層７３は、絶縁層２３及び絶縁層６４によって挟まれている。すなわち、基板５２は、絶縁層２３，２４，６４，６５及び導電層２２，７２，７３による多層構造を有している。絶縁層６４，６５の厚さは互いに同一又は略同一である。
【００４８】
グランドパッド６１，６２は、パッド１３と略同一の形状を有している導電パッドである。すなわち、グランドパッド６１，６２は、方向Ｘから見て略矩形状を有している。パッド１３は、方向Ｚにおいてグランドパッド６１，６２の間に位置している。グランドパッド６１，６２とパッド１３とは、互いに離間している。パッド１３の中心１３ａ、グランドパッド６１の中心６１ａ、及びグランドパッド６２の中心６２ａは、方向Ｚに沿って互いに並んでいる。パッド１３の中心１３ａとグランドパッド６１の中心６１ａとの間の距離Ｄ１１は、パッド１３の中心１３ａとグランドパッド６２の中心６２ａとの間の距離Ｄ１２と同一又は略同一である。
【００４９】
配線６３は、基準電位を有しており、スルーホール７０内のビア構造７１に接続されている。よって、配線６３は、ビア構造７１及び導電層７２を介してグランドパッド６１に接続されている。また、配線６３は、ビア構造７１及び導電層７３を介してグランドパッド６２に接続されている。すなわち、第２実施形態では、第１実施形態と比較して、グランドパッドが基板の主面又は裏面に設けられた配線と直接に接続されていない点で相違している。
【００５０】
スルーホール７０は、基板２において導電層２２，７２，７３及び絶縁層２３，２４，６４，６５を貫通して設けられている。スルーホール７０は、例えばエッチング等によって基板５２に形成される。
【００５１】
ビア構造７１は、スルーホール７０の内周面上に設けられた導電部７１ａと、導電部７１ａに囲まれる樹脂部７１ｂとを有している。導電部７１ａは、例えばスルーホール７０の内周面を導電性材料によってメッキすることによって形成される。樹脂部７１ｂは、スルーホール７０において導電部７１ａが形成されていない領域に設けられている。樹脂部７１ｂは、ビア構造２１の樹脂部２１ｂと同じ絶縁樹脂によって形成されている。ビア構造７１における導電部７１ａは、主面２ａ上に延在する導電パッド（第１の導電パッド）８１に接続されている。この導電パッド８１は、配線１６と電気的に絶縁している。
【００５２】
導電層７２，７３は、導電性材料から構成される層である。導電層７２，７３は、パッド１３と電気的に絶縁となるように、基板５２の内部に設けられている。より具体的には、導電層７２は例えば蒸着法等によって絶縁層２４，６５の間に形成され、導電層７３は例えば蒸着法等によって絶縁層２３，６５の間に形成される。この場合、導電層２２は絶縁層６４，６５の間に形成される。導電層７２の一部がグランドパッド６１でもよく、導電層７３の一部がグランドパッド６２であってもよい。導電層７２，７３の厚さは、互いに同一又は略同一である。
【００５３】
図９は、基板５２とケーブル３との接続状態を示す概略図である。図９に示されるように、第２実施形態に係る接続構造５１では、距離Ｄ１１及び距離Ｄ１２のそれぞれは、平均半径Ｄ３と同一又は略同一になっている。したがって、第２実施形態に係る接続構造５１においても、第１実施形態と同等の効果を奏する。なお、第２実施形態に係る接続構造５１は、第１実施形態にて説明した製造方法にて製造することができる。
【００５４】
また、基板５２は、主面５２ａ上に延在する導電パッド８１と、方向Ｚに沿って基板５２に形成されており、導電パッド８１に電気的に接続されるビア構造７１と、基板５２の内部に設けられ、ビア構造７１に電気的に接続される導電層７２と、をさらに備え、グランドパッド６１は、導電層７２と電気的に接続されていてもよい。また、基板５２はビア構造７１に電気的に接続される導電層７３をさらに備え、グランドパッド６２は、導電層７３と電気的に接続されていてもよい。例えばＩＣチップ等の電子部品が導電パッド８１上に実装される場合、当該電子部品は、ビア構造７１及び導電層７２，７３を介してグランドパッド６１，６２に接続される。これにより、基板５２を小型化すると共に、グランドパッド６１，６２と電子部品との接続を容易にすることができる。
【００５５】
なお、パッド１３の中心１３ａ、グランドパッド６１の中心６１ａ、及びグランドパッド６２の中心６２ａは、必ずしも方向Ｚに沿って互いに並んでいなくてもよい。この場合であっても、距離Ｄ１１，Ｄ１２が平均半径Ｄ３と等しい又は略等しいことにより、シールド３３とグランドパッド６１，６２との電気的接続、及び中心導体３１とパッド１３との電気的接続を確保することができる。
【００５６】
スルーホール７０は、基板２において導電層２２，７２，７３及び絶縁層２３，２４，６４，６５の全てを貫通して設けられなくてもよい。例えば、スルーホール７０は絶縁層２４を貫通しなくてもよい。この場合、導電パッド８１は必ずしも設けられなくてもよい。また、スルーホール７０は絶縁層２３を貫通しなくてもよい。さらに、導電パッド８１は、基板５２の主面５２ａ上に必ずしも設けられなくてもよい。
【００５７】
本発明による接続構造は、上述した実施形態に限られるものではなく、他に様々な変形が可能である。例えば、ケーブル３は上記実施形態の形態に限られない。ケーブル３は、電線対が外被３４内に収容されたツイナックス線などでもよい。
【００５８】
また、第１実施形態に係る基板２及び第２実施形態に係る基板５２には、複数のケーブル３が接続される構造であってもよい。この場合、基板２の側面２ｂには複数のグランドパッド１１，１２及び複数のパッド１３が設けられ、基板５２の側面５２ｂには複数のグランドパッド６１，６２及び複数のパッド１３が設けられる。
【符号の説明】
【００５９】
１，５１…接続構造、２，５２…基板、２ａ，５２ａ…主面、２ｂ，５２ｂ…側面、３…ケーブル、１１，１２，６１，６２…グランドパッド、１３…パッド、１４〜１７，６３…配線、２０，７０…スルーホール、２１，７１…ビア構造、２２，７２，７３…導電層、２３，２４，６４，６５…絶縁層、３１…中心導体、３３…シールド、８１…導電パッド、Ｄ１，Ｄ２，Ｄ１１，Ｄ１２…距離、Ｄ３…平均半径。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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