(57)【要約】【課題】遷移金属酸化物からなる電荷注入層を備えることで高い電荷注入性を有し、現像液や剥離液による基板の中央領域における電荷注入層の膜べりを抑えることで高い品質を有する有機発光デバイスとその製造方法を提供する。【解決手段】基板１０上に、ＴＦＴ層１１および平坦化層１２が順に積層形成されている。そして、平坦化層１２の上に、アノード１３およびホール注入層１４が順に積層形成されている。アノード１３およびホール注入層１４は、サブピクセル単位で区分けされている。ホール注入層１４においては、基板１０の中央領域に相当する領域と外縁領域に相当する領域とで、膜密度が０．１ｇ／ｃｍ3以内の範囲であり、中央領域に相当する領域の方が外縁領域に相当する領域よりも酸化度が小さい。【選択図】図３
2016046348.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の主面に沿った二次元方向に複数の有機発光素子部が形成され、各有機発光素子部が、前記基板の主面側から、アルミニウム合金からなる第１電極と、遷移金属酸化物からなり、前記第１電極を被覆する電荷注入層と、少なくとも有機発光層を構成中に含み、前記電荷注入層上に形成された機能層と、前記機能層上に形成された第２電極とが順に積層されてなる有機発光デバイスであって、
前記電荷注入層において、前記基板の中央領域に相当する領域の膜密度と前記基板の外縁領域に相当する領域の膜密度とが０．１ｇ／ｃｍ3以内の範囲であり、且つ、前記基板の中央領域に相当する領域における膜の酸化度が、前記基板の外縁領域に相当する領域における膜の酸化度よりも小さい
ことを特徴とする有機発光デバイス。
【請求項２】
前記電荷注入層は、前記基板の主面に沿った二次元方向の一の方向において、層厚の厚い領域と薄い領域とが交互に繰り返されてなる形態を有する
ことを特徴とする請求項１記載の有機発光デバイス。
【請求項３】
基板の主面に沿った二次元方向に複数の有機発光素子部が形成され、各有機発光素子部が、前記基板の主面側から、アルミニウム合金からなる第１電極と、遷移金属酸化物からなり、前記第１電極を被覆する電荷注入層と、少なくとも有機発光層を構成中に含み、前記電荷注入層上に形成された機能層と、前記機能層上に形成された第２電極とが順に積層されてなる有機発光デバイスを製造する方法であって、
前記電荷注入層の形成では、反応性スパッタリング法を用いた成膜工程を実行し、
前記成膜工程では、少なくとも前記基板の中央領域に対する放電電力が５．０ｋＷ以上６．５ｋＷ以下であって、ガス圧力が１．０Ｐａ以上１．５Ｐａ以下であるスパッタリング条件を採用する
ことを特徴とする有機発光デバイスの製造方法。
【請求項４】
前記成膜工程において、
前記基板の中央領域に対する放電電力をＰ１とし、前記基板の外縁領域に対する放電電力をＰ２とするとき、
Ｐ２／Ｐ１が１．２２以上１．２７以下となるスパッタリング条件を採用する
ことを特徴とする請求項３記載の有機発光デバイスの製造方法。
【請求項５】
前記成膜工程では、少なくとも酸素を含むガスを、前記基板の主面に沿って中央領域から外縁領域へと流通させる
ことを特徴とする請求項３または請求項４記載の有機発光デバイスの製造方法。
【請求項６】
前記成膜工程では、前記基板の中央領域の膜密度と前記基板の外縁領域の膜密度とが０．１ｇ／ｃｍ3以内の範囲となり、
前記基板の中央領域における膜の酸化度が、前記基板の外縁領域における膜の酸化度よりも小さくなるように成膜を実行する
ことを特徴とする請求項３から請求項５の何れか記載の有機発光デバイスの製造方法。
【請求項７】
前記電荷注入層の形成後において、現像液および剥離液の少なくとも一方を用いた工程を実行する
ことを特徴とする請求項３から請求項６の何れか記載の有機発光デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機発光デバイスとその製造方法に関し、特にアルミニウム合金からなる電極の現像液等による孔食抑制技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）表示パネルに代表される有機発光デバイスは、基板上に、平坦化層が形成され、その上にアノード、ホール注入層、発光層、カソードが順に積層されることにより形成されてなる。また、有機発光デバイスでは、ホール注入層上に、その一部が底部に露出する開口を構成するバンクが形成され、バンクにより構成された開口部に対してインク塗布およびその乾燥を経て有機発光層が形成されてなる。
【０００３】
ここで、アノードには、比較的安価で、且つ、電気抵抗が低く、光反射性を有するアルミニウム合金（Ａｌ合金）が構成材料として用いられる。また、ホール注入層には、ホール注入性に優れる酸化タングステン（ＷＯX）などの遷移金属酸化物が構成材料として用いられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１３−１４３２９４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、有機発光デバイスにおいては、ホール注入層の層厚が面内で不均一になることがあり、場合によっては層の一部に孔が開き（孔食が発生し）、その下にあるアノードが溶出し、画素内で電気的な短絡が生じる場合がある。具体的には、図１３（ａ）〜（ｃ）に示すように、ホール注入層に孔が開いた場合には、その下のアノードが溶出してしまい、図１３（ｃ）に示すように、場合によっては、残ったアノードがカソードと接触して電気的な短絡を生じる。
特に、遷移金属酸化物からなるホール注入層を採用する場合には、その成膜に際して、基板の中央領域で膜厚が薄くなる傾向が多くみられる。このため、基板の中央領域における孔食の発生が問題となる。
【０００６】
本発明は、上記のような問題の解決を図るためになされたものであって、遷移金属酸化物からなる電荷注入層を備えることで高い電荷注入性を有し、現像液や剥離液による基板の中央領域での電荷注入層の膜べりを抑えることで高い品質を有する有機発光デバイスとその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一態様に係る有機発光デバイスは、基板の主面に沿った二次元方向に複数の有機発光素子部が形成されてなる。そして、各有機発光素子部は、基板の主面側から、第１電極、電荷注入層、機能層、および第２電極が順に積層されてなる。
第１電極は、アルミニウム合金からなる。
電荷注入層は、遷移金属酸化物からなり、第１電極を被覆している。
機能層は、少なくとも有機発光層を構成中に含み、電荷注入層上に形成されてなる。
第２電極は、機能層上に形成されてなる。
【０００８】
本態様に係る有機発光デバイスでは、電荷注入層において、基板の中央領域に相当する領域の膜密度と基板の外縁領域に相当する領域の膜密度とが０．１ｇ／ｃｍ3以内の範囲であり、且つ、基板の中央領域に相当する領域における膜の酸化度が、基板の外縁領域に相当する領域における膜の酸化度よりも小さい。
【発明の効果】
【０００９】
上記態様に係る有機発光デバイスでは、電荷注入層における膜密度と酸化度を上記のように規定することにより、製造過程における基板の中央領域における膜べりが抑えられる。
従って、本態様に係る有機発光デバイスでは、遷移金属酸化物からなる電荷注入層を備えることで高い電荷注入性を有し、製造過程における現像液や剥離液による基板の中央領域での電荷注入層の膜べりが抑えられ、高い品質を有する。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】発明の実施の形態１に係る有機ＥＬ表示パネル１の製造方法を示す工程概略図である。
【図２】（ａ）〜（ｄ）は、有機ＥＬ表示パネル１の製造の各工程を示す模式断面図である。
【図３】（ａ）〜（ｃ）は、有機ＥＬ表示パネル１の製造の各工程を示す模式断面図である。
【図４】ＷＯX膜１４０の形成に用いる反応性スパッタリング装置５の概略構成を示す模式断面図である。
【図５】（ａ）は、実施の形態に係る条件で成膜したＷＯX膜１４０の膜厚分布を示す分布図であり、（ｂ）は、比較例に係る条件で成膜したＷＯX膜の膜厚分布を示す分布図である。
【図６】実施の形態に係る条件と比較例に係る条件との各々で成膜したＷＯX膜の膜厚分布を表すグラフである。
【図７】（ａ）は、実施の形態に係る条件で成膜したＷＯX膜１４０の膜べり量分布を示す分布図であり、（ｂ）は、比較例に係る条件で成膜したＷＯX膜の膜べり量分布を示す分布図である。
【図８】（ａ）は、実施の形態に係る条件と比較例に係る条件との各々で成膜したＷＯX膜の膜密度と膜べり量との関係を表すグラフであり、（ｂ）は、実施の形態に係る条件と比較例に係る条件との各々で成膜したＷＯX膜の仕事関数と膜密度との関係を表すグラフである。
【図９】（ａ）は、パネル内における評価箇所を説明するための模式平面図であり、（ｂ）は、実施例に係る条件で成膜したＷＯX膜１４０での膜密度および酸化度と膜べり量との関係を整理した表であり、（ｃ）は、比較例に係る条件で成膜したＷＯX膜での膜密度および酸化度と膜べり量との関係を整理した表である。
【図１０】（ａ）は、ＷＯX膜１４０のホール注入特性の評価箇所を示す模式平面図であり、（ｂ）は、各領域における電圧特性を示すグラフである。
【図１１】各領域におけるＩ−Ｖ特性を示すグラフである。
【図１２】（ａ）は、実施の形態２に係るバンク構造を示す模式平面図であり、（ｂ）は、そのＡ−Ａ断面の構成を示す模式断面図であり、（ｃ）は、Ｂ−Ｂ断面の構成を示す模式断面図である。
【図１３】（ａ）〜（ｃ）は、それぞれＷＯX膜の膜べりに起因して発生した画素内での短絡の様子を示す画像である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
［本発明の各態様を想到するに至った経緯］
１．ホール注入層の膜厚分布
先ず、本願発明者は、基板におけるアノード上に対し、反応性スパッタリング法により遷移金属酸化物（酸化タングステンや酸化モリブデンなど）からなるホール注入層を成膜した場合、基板の中央領域において、膜厚が薄くなる傾向にあることを確認した。
【００１２】
２．後工程の実行によるホール注入層の膜べり
次に、遷移金属酸化物からなる膜は、疎な膜である。このため、遷移金属酸化物から膜を形成した後に実行する工程（例えば、遷移金属酸化物膜のエッチング工程や、バンク形成工程など）で、現像液や剥離液などに晒されることで膜べりを生じてしまう。
３．基板の中央領域と外縁領域での膜べり
遷移金属酸化物からなる膜の成膜直後における膜厚と、その後の工程で現像液などに晒された後の膜厚との関係について、基板の中央領域と外縁領域とに分けて考えると、次表に示すようになる。
【００１３】
【表１】
2016046348.tif 000003
従来において、現像液等に晒されることに起因する膜べり量は、中央領域と外縁領域とで差異がなかった。
４．ホール注入層の膜密度
基板の中央領域と外縁領域の各領域におけるホール注入層の膜密度について確認した。その結果、中央領域におけるホール注入層の膜密度は、外縁領域におけるホール注入層の膜密度に対して低いことが判明した。具体的には、中央領域におけるホール注入層の膜密度が４．７〜４．８ｇ／ｃｍ3であるのに対して、外縁領域におけるホール注入層の膜密度は５．１ｇ／ｃｍ3であった。
【００１４】
５．中央領域におけるホール注入層の膜べり抑制に関する考察
上記結果から、ホール注入層に関し、膜密度が低い中央領域と、膜密度が高い外縁領域とで、膜べり量に大きな差がないことが分かる。本願発明者は、当該結果から、中央領域におけるホール注入層の膜密度を高くしても、膜べり量を少なくすることができないことが考えられる。このため、中央領域におけるホール注入層の膜べりを抑える方策として、膜密度を高くすることでの対応が懸念される。
【００１５】
さらに、本願発明者は、検討を重ね、次のように考えた。
ホール注入層の膜べりは、膜密度にみでなく、他の要因も関係する。また、膜べりについて、基板の中央領域と外縁領域とでは、影響する要因が異なっていると考えられる。具体的には、中央領域におけるホール注入層の膜べりは、膜密度が主要因であるのに対して、外縁領域におけるホール注入層の膜べりは、膜密度の他、例えば、膜の酸化度も大きな要因であるものと推測した。
【００１６】
６．膜の酸化度も加味した膜べり要因
膜密度と膜の酸化度の両要因と、膜べりとの関係について、次表にまとめた。
【００１７】
【表２】
2016046348.tif 000004
７．膜べり量の低減のための仮説
以上の結果を総合して考え、中央領域におけるホール注入層の膜密度を相対的に大きくし、外縁領域におけるホール注入層の膜密度に近づけることで、膜密度に起因する膜べり量を、中央領域と外縁領域とで略同等とする。そして、膜の酸化度に起因する膜べり量は、中央領域の方が外縁領域よりも小さいので、総合的に見たときに、中央領域の膜べり量を外縁領域の膜べり量よりも小さくすることが可能となる。
【００１８】
従って、反応性スパッタリング装置の特性上、中央領域における成膜直後のホール注入層の膜厚が、外縁領域よりも薄くなっても、その後の現像液などに起因する膜べりを上記のように制御することができ、最終的に中央領域での孔食などの発生を確実に抑制することができる。
［本発明の各態様］
上記のような知見に基づき、本発明の各態様は次のような特徴を有する。
本発明の一態様に係る有機発光デバイスは、基板の主面に沿った二次元方向に複数の有機発光素子部が形成されてなる。そして、各有機発光素子部は、基板の主面側から、第１電極、電荷注入層、機能層、および第２電極が順に積層されてなる。
第１電極は、アルミニウム合金からなる。
電荷注入層は、遷移金属酸化物からなり、第１電極を被覆している。
機能層は、少なくとも有機発光層を構成中に含み、電荷注入層上に形成されてなる。
第２電極は、機能層上に形成されてなる。
【００１９】
本態様に係る有機発光デバイスでは、電荷注入層において、基板の中央領域に相当する領域（電荷注入層中央領域）の膜密度と基板の外縁領域に相当する領域（電荷注入層外縁領域）の膜密度とが０．１ｇ／ｃｍ3以内の範囲であり、且つ、基板の中央領域に相当する領域における膜の酸化度が、基板の外縁領域に相当する領域における膜の酸化度よりも小さい。
【００２０】
上記態様に係る有機発光デバイスでは、電荷注入層中央領域と電荷注入層外縁領域との間で、電荷注入層の膜密度と酸化度を上記のように規定することにより、製造過程における基板の中央領域における膜べりが抑えられる。
従って、本態様に係る有機発光デバイスでは、遷移金属酸化物からなる電荷注入層を備えることで高い電荷注入性を有し、製造過程における現像液や剥離液による基板の中央領域での電荷注入層の膜べりが抑えられ、高い品質を有する。
【００２１】
別態様に係る有機発光デバイスでは、電荷注入層が、基板の主面に沿った二次元方向の一の方向において、層厚の厚い領域と薄い領域とが交互に繰り返されてなる形態を有する。電荷注入層における上記のような構成は、マルチカソード方式のスパッタリング装置を用いた場合などに発生するものであるが、上記のような膜密度と酸化度との関係を規定することにより、製造過程における膜べりを効果的に抑えることができ、高い発光品質を得ることができる。
【００２２】
本発明の一態様に係る有機発光デバイスの製造方法は、基板の主面に沿った二次元方向に複数の有機発光素子部が形成され、各有機発光素子部が、前記基板の主面側から、アルミニウム合金からなる第１電極と、遷移金属酸化物からなり、第１電極を被覆する電荷注入層と、少なくとも有機発光層を構成中に含み、電荷注入層上に形成された機能層と、機能層上に形成された第２電極とが順に積層されてなる有機発光デバイスを製造する方法である。そして、電荷注入層の形成では、反応性スパッタリング法を用いた成膜工程を実行し、成膜工程では、少なくとも基板の中央領域に対する放電電力が５．０ｋＷ以上６．５ｋＷ以下であって、ガス圧力が１．０Ｐａ以上１．５Ｐａ以下であるスパッタリング条件を採用する。
【００２３】
上記態様に係る製造方法のように、上記条件で反応性スパッタリングを実行することにより、基板の中央領域における電荷注入層の膜密度を外縁領域と略同等とすることができ、これにより基板の中央領域における膜べりを抑えることができる。
従って、本態様に係る製造方法を採用すれば、遷移金属酸化物からなる電荷注入層を備えることで高い電荷注入性を有し、現像液や剥離液による基板の中央領域での電荷注入層の膜べりを抑えることで高い品質を有する有機発光デバイスを製造することができる。
【００２４】
別態様に係る有機発光デバイスの製造方法では、上記方法の成膜工程において、基板の中央領域に対する放電電力をＰ１［ｋＷ］とし、基板の外縁領域に対する放電電力をＰ２［ｋＷ］とするとき、Ｐ２／Ｐ１が１．２２以上１．２７以下となるスパッタリング条件を採用する。これにより、より確実に、中央領域の膜密度を高くすることができ、現像液などに晒された後の電荷注入層の膜厚を、中央領域と外縁領域とで略同等とすることができる。
【００２５】
また、別態様に係る有機発光デバイスの製造方法では、上記方法の成膜工程において、少なくとも酸素を含むガスを、基板の主面に沿って中央領域から外縁領域へと流通させる。これにより、膜の酸化度について、外縁領域よりも中央領域を小さくすることができ、酸化度に起因する膜べりを中央領域で地位即することができる。よって、総合的に中央領域での膜べりをさらに低減することができる。
【００２６】
また、別態様に係る有機発光デバイスの製造方法では、上記方法の成膜工程において、基板の中央領域の膜密度と基板の外縁領域の膜密度とが０．１ｇ／ｃｍ3以内の範囲となり、基板の中央領域における膜の酸化度が、基板の外縁領域における膜の酸化度よりも小さくなるように成膜を実行する。これにより、現像液などに晒された後における中央領域における電荷注入層の膜厚を維持することができる。
また、別態様に係る有機発光デバイスの製造方法では、上記方法の電荷注入層の形成後において、現像液および剥離液の少なくとも一方を用いた工程を実行する。これによっても、中央領域における電荷注入層に孔食を生じることを抑制し、高い発光品質を確保することができる。
【００２７】
［実施の形態１］
１．有機ＥＬ表示パネル１の製造方法
本発明の実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネル１の製造方法について、図１〜図３を用い説明する。なお、図２および図３では、有機ＥＬ表示パネル１の構成に含まれる複数の発光部（サブピクセル）のうちの一つを抜き出し、その製造過程を示している。
【００２８】
図２（ａ）に示すように、基板１０を準備し（図１のステップＳ１）、基板１０の一方の主面上にＴＦＴ層１１および平坦化層１２を順に積層形成する（図１のステップＳ２およびステップＳ３）。ここで、ＴＦＴ層１１の詳細な構成についての図示および説明を省略するが、ゲート、ソース、ドレインの３電極と、ゲート絶縁層、チャネル層、チャネル保護層、パッシベーション層などから構成されており、公知の技術を用い形成される。
【００２９】
次に、図２（ｂ）に示すように、平坦化層１２の表面全体を覆うようにＡｌ合金膜１３０を形成し、続いて、図２（ｃ）に示すように、Ａｌ合金膜１３０の表面全体を覆うようにＷＯX膜１４０を形成する。ここで、Ａｌ合金膜１３０の成膜には、例えば、真空蒸着法やスパッタリング法を用いることができ、ＷＯX膜１４０の成膜には、反応性スパッタリング法を用いることができる。
【００３０】
次に、図２（ｄ）に示すように、フォトリソグラフィーおよびエッチングを用い、Ａｌ合金膜１３０およびＷＯX膜１４０をパターニングすることにより、アノード１３およびホール注入層（ＨＩＬ）１４の形成が完了する（図１のステップＳ４）。
次に、図３（ａ）に示すように、ホール注入層１４の表面および平坦化層１２の露出表面を覆うように、バンク材料膜１５０を積層形成する。バンク材料膜１５０は、例えば、スピンコート法などを用い形成することができる。
【００３１】
次に、図３（ｂ）に示すように、バンク材料膜１５０を露光・現像することにより、開口部１５ａを規定するバンク１５が完成する（図１のステップＳ５）。なお、露光・現像については、開口部１５ａの底部にホール注入層１４の表面１４ａが露出するまで行う。
次に、図３（ｃ）に示すように、バンク１５により規定された開口部１５ａに対し、ホール輸送層１６、発光層１７、電子輸送層１８を順に形成する（図１のステップＳ６〜ステップＳ８）。これらの層１６〜１８の形成は、例えば、インクジェット装置を用いて各インクを滴下し、乾燥させることによりなされる。
【００３２】
続いて、電子輸送層１８の表面およびバンク１５の頂面部を連続して覆うように、カソード１９および封止層２０を順に積層形成する（図１のステップＳ９およびステップＳ１０）。カソード１９および封止層２０の形成は、例えば、スパッタリング法を用いなされる。
最後に、封止層２０の上に、樹脂層２１を挟んでＣＦ（カラーフィルタ）パネル２２を貼り合わせることで有機ＥＬ表示パネル１が完成する（図１のステップＳ１１）。ここで、ＣＦパネル２２は、基板２２１の一方の主面にＣＦ（カラーフィルタ）層２２２とＢＭ（ブラックマトリクス）層２２３とが形成されてなり、貼り合わせに際しては、ＣＦ層２２２およびＢＭ層２２３が樹脂層２１に接する向きに配される。
【００３３】
２．構成材料
本実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネル１の構成材料としては、例えば、次のような材料を採用することができる。
（１）基板１０，２２１
基板１０，２２１の構成材料としては、例えば、ガラス基板、石英基板、シリコン基板、硫化モリブデン、銅、亜鉛、アルミニウム、ステンレス、マグネシウム、鉄、ニッケル、金、銀などの金属基板、ガリウム砒素基などの半導体基板、プラスチック基板等を採用することができる。
【００３４】
プラスチック基板としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂いずれの樹脂を用いてもよい。例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−プロピレン共重合体、エチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）等のポリオレフィン、環状ポリオレフィン、変性ポリオレフィン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド、ポリイミド（ＰＩ）、ポリアミドイミド、ポリカーボネート、ポリ−（４−メチルベンテン−１）、アイオノマー、アクリル系樹脂、ポリメチルメタクリレート、アクリル−スチレン共重合体（ＡＳ樹脂）、ブタジエン−スチレン共重合体、ポリオ共重合体（ＥＶＯＨ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、プリシクロヘキサンテレフタレート（ＰＣＴ）等のポリエステル、ポリエーテル、ポリエーテルケトン、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリエーテルイミド、ポリアセタール、ポリフェニレンオキシド、変形ポリフェニレンオキシド、ポリアリレート、芳香族ポリエステル（液晶ポリマー）、ポリテトラフルオロエチレン、ポリフッ化ビニリデン、その他フッ素系樹脂、スチレン系、ポリオレフィン系、ポリ塩化ビニル系、ポリウレタン系、フッ素ゴム系、塩素化ポリエチレン系等の各種熱可塑性エラストマー、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル、シリコーン樹脂、ポリウレタン等、またはこれらを主とする共重合体、ブレンド体、ポリマーアロイ等が挙げられ、これらのうち１種、または２種以上を積層した積層体を用いることができる。
（２）ＴＦＴ層１１
ＴＦＴ層１１におけるゲート電極およびソース電極、ドレイン電極の構成材料としては、例えば、銅（Ｃｕ）を含み材料が用いられる。例えば、銅（Ｃｕ）からなる層とモリブデン（Ｍｏ）からなる層との積層体を採用することができる。ただし、各電極の構成材料については、これに限定されず、例えば、Ｃｕ単層や、Ｃｕ／Ｗの積層体などを採用することもできるし、次のような材料を採用することも可能である。
【００３５】
それ以外に採用することが可能な材料としては、クロム（Ｃｒ）、アルミニウム（Ａｌ）、タンタル（Ｔａ）、ニオブ（Ｎｂ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、プラチナ（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、インジウム（Ｉｎ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）などの金属もしくはそれらの合金、または、酸化亜鉛、酸化スズ、酸化インジウム、酸化ガリウムなどの導電性金属酸化物もしくは酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、酸化アルミニウム亜鉛（ＡＺＯ）、酸化ガリウム亜鉛（ＧＺＯ）などの導電性金属複合酸化物、または、ポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリアセチレンなどの導電性高分子もしくはそれらに、塩酸、硫酸、スルホン酸などの酸、六フッ化リン、五フッ化ヒ素、塩化鉄などのルイス酸、ヨウ素などのハロゲン原子、ナトリウム、カリウムなどの金属原子などのドーパントを添加したもの、もしくは、カーボンブラックや金属粒子を分散した導電性の複合材料などが挙げられる。また、金属微粒子とグラファイトのような導電性粒子を含むポリマー混合物を用いてもよい。これらは、１種または２種以上を組み合わせて用いることもできる。
【００３６】
ＴＦＴ層１１のゲート絶縁層の構成としては、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ）と窒化シリコン（ＳｉＮ）との積層体を採用することができる。ただし、ゲート絶縁層の構成は、これに限定されるものではなく、ゲート絶縁層の構成材料としては、例えば、電気絶縁性を有する材料であれば、公知の有機材料や無機材料のいずれも用いることができる。
有機材料としては、例えば、アクリル系樹脂、フェノール系樹脂、フッ素系樹脂、エポキシ系樹脂、イミド系樹脂、ノボラック系樹脂などを用い形成することができる。
【００３７】
また、無機材料としては、例えば、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化タンタル、酸化ジルコニウム、酸化セリウム、酸化亜鉛、酸化コバルトなどの金属酸化物、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、窒化ジルコニウム、窒化セリウム、窒化亜鉛、窒化コバルト、窒化チタン、窒化タンタルなどの金属窒化物、チタン酸バリウムストロンチウム、ジルコニウムチタン酸鉛などの金属複合酸化物が挙げられる。これらは、１種または２種以上組み合わせて用いることができる。
【００３８】
さらに、表面処理剤（ODTS OTS HMDS βPTS）などでその表面を処理したものも含まれる。
ＴＦＴ層１１のチャネル層の構成としては、アモルファス酸化インジウムガリウム亜鉛（Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ）からなる層を採用することができる。チャネル層の構成材料は、これに限定されるものではなく、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、亜鉛（Ｚｎ）から選択される少なくとも一種を含む酸化物半導体を採用することができる。
【００３９】
また、チャネル層の層厚については、例えば、２０［ｎｍ］〜２００［ｎｍ］の範囲とすることができ、有機ＥＬ表示パネル１に形成されている全てのチャネル層で層厚が同一である必要はなく、一部が異なるように設定することもできる。
ＴＦＴ層１１のチャネル保護層の構成としては、酸化シリコン（ＳｉＯ）からなる層を採用することができる。ただし、チャネル保護層の構成材料は、これに限定されるものではなく、例えば、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）、窒化シリコン（ＳｉＮ）、あるいは酸化アルミニウム（ＡｌＯX）を用いることができる。また、上記のような材料を用いた層を複数積層することで構成することもできる。
【００４０】
また、チャネル保護層の層厚については、例えば、５０［ｎｍ］〜５００［ｎｍ］の範囲とすることができる。
ＴＦＴ層１１のパッシベーション層の構成としては、ＳｉＮ膜からなる構成を採用することもできるし、ＳｉＯ膜、ＡｌＯX膜、およびＳｉＮ膜の積層構造を採用することもできる。
【００４１】
（３）平坦化層１２
平坦化層１２の構成は、ポリイミドからなる層を採用することができる。ただし、ポリイミドからなる層以外にも、ポリアミド、アクリル系樹脂材料などの有機化合物からなる層を採用することもできる。
なお、平坦化層１２の層厚については、４．０［μｍ］〜５．０［μｍ］の範囲、例えば、４．５［μｍ］とすることができる。
【００４２】
（４）アノード１３
アノード１３は、Ａｌ合金材料から構成されている。アノード１３の構成材料としてＡｌ合金材料を用いることにより、高い導電性を確保することができるとともに、その表面部が高い反射性を有する。
（５）ホール注入層１４
本実施の形態では、ホール注入層１４の構成材料として酸化タングステン（ＷＯX）を採用している。このように、酸化タングステンからなるホール注入層１４を採用する場合には、ＰＥＤＯＴなどの導電性ポリマー材料を用いる場合に比べて、ホールを安定的に、またはホールの生成を補助して、有機発光層に対しホールを注入する機能を有し、大きな仕事関数を有する、という観点から有効である。
【００４３】
（６）バンク１５
バンク１５は、樹脂等の有機材料を用い形成されており絶縁性を有する。バンク１５の形成に用いる有機材料の例としては、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック型フェノール樹脂等があげられる。バンク１５は、有機溶剤耐性を有することが好ましい。さらに、バンク１５は、製造工程中において、エッチング処理、ベーク処理など施されることがあるので、それらの処理に対して過度に変形、変質などをしないような耐性の高い材料で形成されることが好ましい。また、表面に撥水性をもたせるために、表面をフッ素処理することもできる。
【００４４】
なお、バンク１５を親液性の材料を用い形成した場合には、バンク１５の表面と有機発光層の表面との親液性／撥液性の差異が小さくなり、有機発光層を形成するために有機物質を含んだインクを、バンク１５が規定する開口内に選択的に保持させることが困難となってしまうためである。
さらに、バンク１５の構造については、図３（ｂ）、（ｃ）に示すような一層構造だけでなく、二層以上の多層構造を採用することもできる。この場合には、層毎に上記材料を組み合わせることもできるし、層毎に無機材料と有機材料とを用いることもできる。
【００４５】
（７）ホール輸送層１６
ホール輸送層１６は、親水基を備えない高分子化合物を用い形成することができる。例えば、ポリフルオレンやその誘導体、あるいはポリアリールアミンやその誘導体などの高分子化合物であって、親水基を備えないものなどを用いることができる。
（８）発光層１７
発光層１７としては、ホールと電子とが注入され再結合されることにより励起状態が生成され発光する機能を有する。発光層１７の形成に用いる材料は、インクジェット装置などを用いた湿式印刷法により成膜できる発光性の有機材料を用いることが必要である。
【００４６】
具体的には、例えば、特許公開公報（日本国・特開平５−１６３４８８号公報）に記載のオキシノイド化合物、ペリレン化合物、クマリン化合物、アザクマリン化合物、オキサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、ペリノン化合物、ピロロピロール化合物、ナフタレン化合物、アントラセン化合物、フルオレン化合物、フルオランテン化合物、テトラセン化合物、ピレン化合物、コロネン化合物、キノロン化合物及びアザキノロン化合物、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、ローダミン化合物、クリセン化合物、フェナントレン化合物、シクロペンタジエン化合物、スチルベン化合物、ジフェニルキノン化合物、スチリル化合物、ブタジエン化合物、ジシアノメチレンピラン化合物、ジシアノメチレンチオピラン化合物、フルオレセイン化合物、ピリリウム化合物、チアピリリウム化合物、セレナピリリウム化合物、テルロピリリウム化合物、芳香族アルダジエン化合物、オリゴフェニレン化合物、チオキサンテン化合物、アンスラセン化合物、シアニン化合物、アクリジン化合物、８−ヒドロキシキノリン化合物の金属錯体、２−ビピリジン化合物の金属錯体、シッフ塩とＩＩＩ族金属との錯体、オキシン金属錯体、希土類錯体などの蛍光物質で形成されることが好ましい。
【００４７】
（９）電子輸送層１８
電子輸送層１８は、カソード１９から注入された電子を発光層１７へ輸送する機能を有し、例えば、オキサジアゾール誘導体（ＯＸＤ）、トリアゾール誘導体（ＴＡＺ）、フェナンスロリン誘導体（ＢＣＰ、Ｂｐｈｅｎ）などを用い形成されている。
（１０）カソード１９
カソード１９は、例えば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）若しくは酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）などを用い形成される。本実施の形態のように、トップエミッション型の本実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネル１の場合においては、光透過性の材料で形成されることが必要となる。光透過性については、透過率が８０［％］以上とすることが好ましい。
【００４８】
（１１）封止層２０
封止層２０は、ホール輸送層１６、発光層１７、電子輸送層１８などの有機層が水分に晒されたり、空気に晒されたりすることを抑制する機能を有し、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などの材料を用い形成される。また、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などの材料を用い形成された層の上に、アクリル樹脂、シリコーン樹脂などの樹脂材料からなる封止樹脂層を設けてもよい。
【００４９】
封止層２０は、トップエミッション型である本実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネル１の場合においては、光透過性の材料で形成されることが必要となる。
（１２）ＣＦ層２２２
ＣＦ層２２２の構成材料としては、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の各色の波長域の可視光を選択的に透過する、公知の材料を採用することができる。例えば、アクリル樹脂をベースに形成されている。
（１３）ＢＭ層２２３
ＢＭ層２２３の構成材料は、例えば、光吸収性および遮光性に優れる黒色顔料を含む紫外線硬化樹脂材料を採用することができる。具体的な紫外線硬化樹脂材料としては、例えば、アクリル樹脂等がある。
【００５０】
３．反応性スパッタリング装置５
（１）装置構成
本実施の形態に係る製造方法では、ＷＯX膜１４０の成膜を、反応性スパッタリング装置５を用いて行う。反応性スパッタリング装置５の概略構成について、図４を用い説明する。
【００５１】
図４に示すように、反応性スパッタリング装置５は、内部に基板ホルダ５１およびパッキングプレート５２ａ〜５２ｆが設けられたチャンバ５０を備える。基板ホルダ５１には、ワーク（スパッタリング対象物）Ｗが保持され、パッキングプレート５２ａ〜５２ｆのそれぞれには、ターゲットＴｇａ〜Ｔｇｆが保持される。なお、本実施の形態では、ＷＯX膜１４０の形成に用いる反応性スパッタリング装置５を一例としているので、ターゲットＴｇａ〜Ｔｇｆのそれぞれとして、タングステン（Ｗ）を用いる。
【００５２】
チャンバ５０には、排気バルブ（図示を省略。）を介して排気ポンプ（図示を省略。）が接続されてなる排気口５０ａが設けられている。排気口５０ａに接続された排気ポンプの駆動により、チャンバ５０の内部５０ａの残留ガスなどの排気を行うことができる。
また、チャンバ５０には、Ｏ2ガスおよびＡｒガスを供給する機構が接続されている。具体的には、パッキングプレート５２ａ〜５２ｆの各間に、ガスの導入口が開設されている。各導入口には、ＭＦＣ（マスフローコントローラ）５６ａ〜５６ｅ，５７ａ〜５７ｅが接続されており、さらにその先には、Ｏ2ガス供給部５４ａ〜５４ｅおよびＡｒガス供給部５５ａ〜５５ｅが接続されている。
各ＭＦＣ５６ａ〜５６ｅ，５７ａ〜５７ｅの制御により、チャンバ５０の内部５０ａへのＯ2ガスおよびＡｒガスの導入量が規定される。チャンバ５０の内部５０ａへのＯ2ガスおよびＡｒガスの導入量は、例えば、各々から５０ｓｃｃｍ〜１００ｓｃｃｍ（一例として、１００ｓｃｃｍ）であって、合計で５００ｓｃｃｍ〜１０００ｓｃｃｍ（一例として、１０００ｓｃｃｍ）である。なお、Ｏ2ガスおよびＡｒガスの各導入量については、１００ｓｃｃｍを超える場合には、圧力調整が困難となる場合が考えられ、逆に、５０ｓｃｃｍ未満の場合には、酸化がなされ難くなることが考えられる。
【００５３】
さらに、反応性スパッタリング装置７には、基板ホルダ５１と各パッキングプレート５２ａ〜５２ｆとの間に電圧を印加するための電力制御部５３ａ〜５３ｆが設けられている。各電力制御部５３ａ〜５３ｆは、独立して放電電力の制御が可能となっている。
（２）駆動制御
本実施の形態では、ＷＯX膜１４０の成膜を、次のようなスパッタリング条件（以下では、「実施条件」と記載する。）で行う。
【００５４】
放電電力；（Ｃａｔ１）８．０ｋＷ／（Ｃａｔ２）６．０ｋＷ／（Ｃａｔ３）６．５ｋＷ／（Ｃａｔ４）６．５ｋＷ／（Ｃａｔ５）６．０ｋＷ／（Ｃａｔ６）８．０ｋＷ
ガス圧力；１．５Ｐａ
ここで、本実施の形態では、６つのカソードを備えるスパッタリング装置での放電電力を記載している。放電電力について、Ｃａｔ２およびＣａｔ５を“１．０”としたときの比率は、次表のようになる。
【００５５】
【表３】
2016046348.tif 000005
なお、比較例として、ＷＯX膜の成膜を、次のようなスパッタリング条件で行っていた。
放電電力（比較例）；６．５ｋＷ／４．８ｋＷ／４．８ｋＷ／４．８ｋＷ／４．８ｋＷ／６．５ｋＷ
ガス圧力（従来）；２．３５Ｐａ
これより、本実施の形態に係るＷＯX膜１４０の成膜においては、比較例に係る条件よりも、中央領域における放電電力を高く設定し、ガス圧力を低く設定している。
【００５６】
４．ＷＯX膜１４０の膜厚分布
本実施の形態に係る実施条件を用い成膜したＷＯX膜１４０の膜厚分布について、図５（ａ）および図６を用い説明する。なお、図５（ｂ）には、比較条件を用い成膜したＷＯX膜の膜厚分布を示す。
図５（ａ）に示すように、実施条件を用い成膜したＷＯX膜１４０では、中央領域における薄膜部分がほとんどなく、全体としても均質な膜厚が実現できている。
【００５７】
一方、図５（ｂ）に示すように、比較条件を用い成膜したＷＯX膜では、中央領域およびその両脇に膜厚の薄い部分が存在し、他の領域についても膜厚のバラツキが大きくなっている。
図６には、図５（ａ）および図５（ｂ）の各図中の横線に沿って測定した膜厚を示す。
図６に示すように、ＷＯX膜の膜厚分布は、実施条件および比較条件の両条件において、グラフの横軸方向（基板の主面に沿った二次元方向の一の方向）に、厚い領域と薄い領域とが交互に繰り返された形態を有している。そして、実施条件では、測定範囲での最大高低差△ｔ1が略４．５ｎｍである。これに対して、比較条件では、測定範囲での最大高低差△ｔ2が略１２．０ｎｍである。
【００５８】
また、実施例では、中央領域での膜厚が略２０．５ｎｍであるのに対して、比較例では、中央領域での膜厚が略１７．８ｎｍである。
以上より、実施例では、比較例に比べて中央領域における膜厚を厚くすることができるとともに、面内の膜厚分布の均一化を図ることができる。なお、このような効果を得ることができるのは、実施例に係る条件では、比較例に比べて放電電力を高くすることにより直進性が増加でき、ガス圧力を低圧化することにより清流最適化ができ、また、中央領域での放電電力の増加による膜厚増加ができたことによるものであると考えられる。
【００５９】
５．膜べり量分布
ＷＯX膜１４０の成膜後、現像液や剥離液などに晒されることによる膜べり量分布について、図７を用い説明する。図７（ｂ）は、比較例における膜べり量分布を示す。
図７（ａ）に示すように、実施条件を用い成膜したＷＯX膜１４０では、現像液等に晒されることでの膜べり量が、中央領域で少なくなっている。
【００６０】
一方、図７（ｂ）に示すように、比較条件を用い成膜したＷＯX膜では、中央領域で局所的に膜べり量が多くなっている。なお、図７（ａ）と図７（ｂ）とでは、分布図におけるレンジが異なっている。
以上より、実施例では、比較例に比べて中央領域における膜べり量を少なくすることができる。
【００６１】
６．膜べり量に関する考察
実施例におけるＷＯX膜１４０の膜べり量が、比較例におけるＷＯX膜の膜べり量よりも少なくできる要因についての考察結果について、図８を用い説明する。
先ず、図８（ａ）は、ＷＯX膜の膜密度を横軸に、膜べり量を縦軸にとり、実施例と比較例１，２の各中央領域および外縁領域での関係を示す。ここで、比較例１は、上記比較条件を用い成膜したＷＯX膜であり、比較例２は、次の条件を用い成膜したＷＯX膜である。
【００６２】
放電電力；８．０ｋＷ／６．０ｋＷ／６．０ｋＷ／６．０ｋＷ／６．０ｋＷ／８．０ｋＷ
ガス圧力（従来）；２．３５Ｐａ
図８（ａ）に示すように、比較例１，２に係るＷＯX膜では、中央領域（図中では、「中央部」と表記。）での膜べり量が９．８ｎｍ〜１０．９ｎｍであり、外縁領域（図中では、「外縁部」と表記。）での膜べり量が１０．９ｎｍ〜１１．１ｎｍである。
【００６３】
一方、実施例に係るＷＯX膜１４０では、中央領域（図中では、「中央部」と表記。）での膜べり量が７．９ｎｍであり、外縁領域（（図中では、「外縁部」と表記。）での膜べり量が１０．２ｎｍである。
ここで、比較例１，２に対して実施例で大きく異なっているのは、中央領域における膜密度である。具体的には、比較例１，２の中央領域における膜密度が４．７３ｇ／ｃｍ3〜４．７４ｇ／ｃｍ3であるのに対して、実施例の中央領域における膜密度は５．０５ｇ／ｃｍ3である。
【００６４】
以上より、中央領域における膜べり量に関しては、膜密度を上げることにより減らすことができているものと考えられる。
次に、ＷＯX膜１４０の領域ごとの酸化度（仕事関数）と膜べり量との関係を図８（ｂ）に示す。これは、図８（ａ）に示すように、実施例のＷＯX膜１４０において、膜密度が０．１ｇ／ｃｍ3程度しか異ならないにもかかわらず、両領域の膜べり量に差異が出た要因を検討するためである。
【００６５】
図８（ｂ）に示すように、実施例の中央領域における仕事関数は、５．３４ｅＶであり、外縁領域における仕事関数は、５．５０ｅＶである。中央領域と外縁領域とで、仕事関数の差異が０．１６ｅＶある。
一方、比較例の中央領域における仕事関数は、５．４２ｅＶであり、外縁領域における仕事関数は、５．５５ｅＶである。中央領域と外縁領域とで、仕事関数の差異は０．１３ｅＶである。
【００６６】
以上より、実施例および比較例について、外縁領域の方がＷＯX膜の仕事関数が０．１３ｅＶ〜０．１６ｅＶの有意差をもって高いといえる。よって、ＷＯX膜の酸化度は、中央領域の方が外縁領域よりも低いと考えられる。
７．まとめ
上記の考察結果をまとめる。
【００６７】
図９（ａ）に示すように、パネル（基板）の中央領域と外縁領域とを取り出して考えてみるとき、図９（ｂ）に示すように、実施例のＷＯX膜１４０では、膜密度が両領域で同等であり、酸化度は中央領域の方が小さい。このため、膜べり量については、中央領域で少なくすることができる。
従って、反応性スパッタリングで成膜したときに、中央領域での膜厚が外縁領域に比べて薄い場合でも、中央領域でのＷＯX膜の膜厚を確保することができ、孔食などの発生やアノードとカソードとの電気的な短絡を抑制することができる。
【００６８】
一方、図９（ｃ）に示すように、比較例のＷＯX膜では、中央領域での膜密度が外縁領域に比べて知九九、酸化度は中央領域の方が小さい。このため、膜べり量については、中央領域と外縁領域とで同等となる。よって、比較例のＷＯX膜では、反応性スパッタリングで成膜したときに、中央領域での膜厚が外縁領域に比べて薄いことに起因して、現像液や剥離液などに晒されることで、中央領域の膜厚を確保することが困難となる。このため、孔食が生じたり、場合によってはアノードとカソードとが電気的に短絡したりすることも生じ得る。
【００６９】
８．ホール注入特性の確認
本実施の形態では、ＷＯX膜１４０の成膜条件を上記のように規定することで現像液などに晒されても、特に中央領域の膜厚を確保することができるが、ホール注入層１４としての機能、即ち、ホール注入特性への影響がないことを確認した。これについて、図１０および図１１を用い説明する。
【００７０】
図１０（ａ）に示すように、３つの領域Ａ，Ｂ，Ｃを抽出してホール注入特性の評価を行った。なお、評価に用いたデバイスは、次のような構成のものである。
アノード；上記のような透明導電膜（ＴＣＤ；Ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｏｘｉｄｅ）を使用
ホール注入層；ＷＯX／１０ｎｍ
ホール輸送層；上記のような材料からなる膜を使用
発光層；青色発光層材料
電子輸送層；上記のような材料からなる膜を使用
カソード；Ａｕ／１００ｎｍ
缶封止
なお、上記のように、確認に際しては、アノード側から光取り出しを行うデバイス構造を採用したが、本実施の形態の構造でも変わりはない。
【００７１】
先ず、図１０（ｂ）に示すように、領域Ａ，Ｂ，Ｃで電圧値の差異は見られず、また、図１１に示すように、領域Ａ，Ｂ，ＣでＩ−Ｖカーブにも実質的な差異は見られなかった。
また、資料を添付していないが、仕事関数についての実質的な差異も見られなかった。
以上より、成膜条件を従来から変更したＷＯX膜１４０を用いホール注入層１４を形成した場合にあっても、ホール注入特性への悪影響はないことが確認された。
【００７２】
９．光学的な特性
特に、資料を添付しないが、ＷＯX膜１４０の成膜条件を上記のように変更したことによる、光学的な特性の低下などは見られなかった。具体的に、反射率の面内分布などを評価したが、従来との差異は見られなかった。
［実施の形態２］
上記実施の形態１では、バンク構造について、所謂、ピクセルバンク構造を採用したが、これに限らずラインバンク構造を採用することもできる。実施の形態２では、ラインバンク構造を採用した有機ＥＬ表示パネルについて、差異部分であるバンク構造に絞って説明する。
【００７３】
図１２（ａ）に示すように、本実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネルでは、Ｙ軸方向にそれぞれが延伸し、互いにＸ軸方向に間隔をあけた配置された複数の第１バンク３５と、第１バンク３５と交差するＸ軸方向にそれぞれが延伸し、互いにＹ軸方向に間隔をあけて配置された複数の第２バンク４３とを備える。第２バンク４３は、第１バンク３５に対し、その下に潜り込んだ状態で交差している。
【００７４】
本実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネルでは、隣接する一対の第１バンク３５と、隣接する一対の第２バンク４３とを囲繞される各領域が、それぞれサブピクセル相当領域３ａ〜３ｃとなる。
図１２（ｂ）および図１２（ｃ）に示すように、第１バンク３５および第２バンク４３は、それぞれ平坦化層３２の上に形成されており、アノード３３およびホール注入層３４の上まで設けられている。また、第１バンク３５は、第２バンク４３よりもＺ軸方向に高い。
【００７５】
このようなラインバンク構造を採用する場合においては、ホール注入層３４に対して、第２バンク４３を形成する際の現像プロセスでの現像液による影響も加わる。このため、上記実施の形態１に係る構造の有機ＥＬ表示パネル１を製造する場合よりも、ＷＯX膜が現像液などに晒される機会が増えるが、上記同様に、ＷＯX膜の成膜条件を上記のように設定することにより、特に中央領域における膜べりを抑えることができ、孔食やアノード・カソード間での電気的な短絡の発生を抑制できる。
【００７６】
［その他の事項］
上記実施の形態１では、ＷＯX膜１４０の成膜条件の一例として上記条件を示したが、成膜条件はこれに限定されるものではない。例えば、少なくとも前記基板の中央領域に対する放電電力が５．０ｋＷ以上６．５ｋＷ以下であって、ガス圧力が１．０Ｐａ以上１．５Ｐａ以下であるスパッタリング条件で成膜すれば、上記同様の効果を得ることができる。ここで、ガス圧力については、１．０Ｐａ未満とした場合には、メタル膜が成膜されてしまう可能性が高くなり、酸化物膜の成膜が安定してなされない可能性がある。また、放電電力については、６．５ｋＷを超えると、非エロージョンの絶縁破壊によりアーク放電が多発する危険性がある。
【００７７】
また、放電電力比率について、上記表３に一例を示したが、中央領域の放電電力比率（Ｃａｔ３／Ｃａｔ２，５およびＣａｔ４／Ｃａｔ２，５）を１．０５以上１．０９以下の範囲とすれば、上記同様の効果を得ることができる。さらに、外縁領域に対する放電電力（Ｃａｔ１，６）を、中央領域に対する放電電力（Ｃａｔ３，４）で除した値（Ｃａｔ１／Ｃａｔ３，４およびＣａｔ６／Ｃａｔ３，４）を考えると、１．２２以上１．２７以下とすることが望ましい。
【００７８】
また、上記実施の形態１，２では、ＷＯX膜１４０を一例としたが、本発明は、これ以外の遷移金属酸化物からなる膜の成膜でも同様の効果を得ることができる。例えば、酸化モリブデン（ＭｏＯX）や酸化ニッケル（ＮｉＯX）などに対して採用することもできる。
また、上記実施の形態１では、ＷＯX膜１４０の成膜に、６つのパッキングプレート５２ａ〜５２ｆを備えた反応性スパッタリング装置５を採用したが、パッキングプレートの数については、５追加であってもよいし、７つ以上であってもよい。ただし、基板の中央領域と外縁領域とで放電電力の差異を設けるためには、複数のパッキングプレートを具備した反応性スパッタリング装置を採用することが望ましい。
【００７９】
また、反応性スパッタリング装置５について、放電ガスやＯ2ガスの流れについては、具体的に説明をしなかったが、基板（ワークＷ）の表面に沿って中央領域から外縁領域へと流れる。
【産業上の利用可能性】
【００８０】
本発明は、高い発光品質を有する有機発光デバイスを実現するのに有用である。
【符号の説明】
【００８１】
１．有機ＥＬ表示パネル
５．反応性スパッタリング装置
１０，２２１．基板
１１．ＴＦＴ層
１２，３２．平坦化層
１３，３３．アノード
１４，３４．ホール注入層
１５．バンク
１６．ホール輸送層
１７．発光層
１８．電子輸送層
１９．カソード
２０．封止層
２１．樹脂層
２２．ＣＦパネル
３５．第１バンク
４３．第２バンク
５０．チャンバ
５１．基板ホルダ
５２ａ〜５２ｆ．パッキングプレート
５３ａ〜５３ｆ．電力制御部
５４ａ〜５４ｅ．Ｏ2ガス供給部
５５ａ〜５５ｅ．Ａｒガス供給部
５６ａ〜５６ｅ，５７ａ〜５７ｅ．ＭＦＣ
１３０．Ａｌ合金膜
１４０．ＷＯX膜
１５０.バンク材料膜
２２２．ＣＦ層
２２３．ＢＭ層
【図１】
2016046348.tif 000006
【図２】
2016046348.tif 000007
【図３】
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【図４】
2016046348.tif 000009
【図６】
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【図９】
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【図１１】
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【図１２】
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【図５】
2016046348.tif 000014
【図７】
2016046348.tif 000015
【図８】
2016046348.tif 000016
【図１０】
2016046348.tif 000017
【図１３】
2016046348.tif 000018