(57)【要約】【課題】外部による関与が無くとも、通信線のローレベル電位が最適となるように調整できる信号出力装置を提供する。【解決手段】ロジック部９は、起動時に、信号出力部１０により通信線２１をドライブさせて、ローレベル電位ＶＯＬが予め定められている閾値ＶＯＬＴＨを下回るように調整を行い、調整結果のデータをメモリ部１１に記憶する。そして、ＥＣＵ３に対して信号を送信する際に、メモリ部１１に記憶されたデータに基づいて信号出力部１０を制御して、電位ＶＯＬが閾値ＶＯＬＴＨを下回るように自動的に調整する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
プルアップされている通信線（２１）に接続され、前記通信線をローレベルにドライブすることで信号を送信する信号送信装置であって、
前記通信線をローレベルにドライブする駆動回路（１０）と、
この駆動回路が前記通信線をドライブした際のローレベル電位を変更可能に構成される電位変更手段（９，９’，９”，２５，３２，４２，４５，５６，６１，６２）と、
起動時に、前記駆動回路により前記通信線をドライブさせて、前記ローレベル電位が予め定められている閾値を下回るように前記電位変更手段を介して調整を行う電位調整手段（９，９’，９”，３２，４２，４５，５６）と、
前記調整の結果がデータとして記憶される記憶手段（１１，３３）とを備え、
前記駆動回路により信号を送信する際に、前記電位変更手段が前記記憶手段に記憶されたデータに基づいて制御されることで、前記ローレベル電位が前記閾値を下回るように調整することを特徴とする信号送信装置。
【請求項２】
前記電位変更手段は、前記通信線に並列に接続される複数のトランジスタ（２５）で構成され、
前記電位調整手段は、前記複数のトランジスタを同時に駆動する数、又は前記複数のトランジスタのうち駆動する対象を変更することで前記ローレベル電位を調整することを特徴とする請求項１記載の信号送信装置。
【請求項３】
前記電位調整手段（９）は、前記ローレベル電位の変更を少なくとも２回行った段階での、ローレベル電位の変化傾向から、前記ローレベル電位が前記閾値を下回ると想定される調整結果を、関数近似して予測することを特徴とする請求項１又は２記載の信号送信装置。
【請求項４】
前記電位調整手段（９’）は、前記ローレベル電位が前記閾値を下回るまで、前記複数のトランジスタを同時に駆動する数を順次増加させ、前記閾値を最初に下回った際の同時駆動数を前記記憶手段に記憶することを特徴とする請求項２記載の信号送信装置。
【請求項５】
前記電位調整手段（９”）は、前記ローレベル電位が前記閾値を上回るまで、前記複数のトランジスタを同時に駆動する数を順次減少させ、前記閾値を最初に上回った際の同時駆動数に「１」を加えた数を前記記憶手段に記憶することを特徴とする請求項２記載の信号送信装置。
【請求項６】
前記記憶手段（１１）は、不揮発性メモリであり、
前記電位調整手段（９）は、起動時にのみ前記調整動作を実行し、
以降に再起動されると、前記電位変更手段は、前記記憶手段に記憶されたデータに基づいて制御されることを特徴とする請求項１から５の何れか一項に記載の信号送信装置。
【請求項７】
調整開始信号入力端子（４６）を備え、
前記電位調整手段（４５）は、前記調整開始信号入力端子を介して、外部より調整開始信号が入力されると、前記調整動作を実行することを特徴とする請求項１から６の何れか一項に記載の信号送信装置。
【請求項８】
前記調整動作を実行するための調整周期を計時する計時手段（４３）を備え、
前記電位調整手段（４２）は、前記調整周期が経過する毎に、前記通信線に接続されている外部の制御装置（３）に調整動作を開始する旨のコマンドを送信してから前記調整動作を実行することを特徴とする請求項１から７の何れか一項に記載の信号送信装置。
【請求項９】
前記電位調整手段は（４２）、前記調整が完了すると、前記制御装置に調整動作を終了した旨のコマンドを送信することを特徴とする請求項８記載の信号送信装置。
【請求項１０】
温度センサ（５３）が接続される温度情報入力端子（５５）を備え、
前記電位調整手段（５６）は、最初の調整結果により決定した調整量を、前記温度信号入力端子より入力される温度情報に基づいて補正することを特徴とする請求項１から９の何れか一項に記載の信号送信装置。
【請求項１１】
センサが出力するセンサ信号をＡ／Ｄ変換したデータを前記信号として送信するためのＡ／Ｄ変換器（８）を備え、
前記電位調整手段は、前記ローレベル電位を読み込むためのＡ／Ｄ変換器を、前記センサ信号をＡ／Ｄ変換するＡ／Ｄ変換器と共有していることを特徴とする請求項１から１０の何れか一項に記載の信号送信装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プルアップされている通信線に接続され、前記通信線をローレベルにドライブすることで信号を送信する信号送信装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば車両に搭載されているセンサに付随して設けられている通信回路と、ＥＣＵ（Electronic Control Unit）等の上位制御装置とがプルアップされている通信線で接続されているとする。前記通信回路は、センサにより検出された情報を信号としてＥＣＵに送信する際に、信号線をローレベルにドライブして通信を行うことになる。
【０００３】
この時、通信回路の駆動部を構成するトランジスタの特性等は個別の状況に応じて異なるため、通信回路が通信線を確実に（規定されている閾値を下回るように）ローレベルにドライブするためには個別に調整する必要がある。例えば特許文献１には、半導体集積回路が実装された際に、パッケージ外部の負荷容量に応じて出力バッファの駆動能力を適切な値に調整する技術が開示されている。また、特許文献２には、オープンドレインの端子に接続されたプルアップ抵抗値に応じて、ＶＯＬレベルを自動調整する電流制御回路が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平９−２１４３１５号公報
【特許文献２】特開平１０−１３２３４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１の構成では、集積回路を駆動能力調整モードに切り替えるために、外部よりテスト信号を入力する必要がある。また、特許文献２の構成では、ＶＯＬレベルを算出するため、閾値電圧を外部より入力するための専用の端子が必要となっている。
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、外部による関与が無くとも、通信線のローレベル電位が最適となるように調整できる信号出力装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
請求項１記載の信号出力装置によれば、電位調整手段は、起動時に、駆動回路により通信線をドライブさせて、ローレベル電位が予め定められている閾値を下回るように電位変更手段を介して調整を行う。そして、調整結果のデータが記憶手段に記憶され、駆動回路により信号を送信する際に、電位変更手段が記憶手段に記憶されたデータに基づいて制御され、前記ローレベル電位が前記閾値を下回るように自動的に調整される。したがって、外部による関与が無くとも、通信線のローレベル電位が最適となるように調整できる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】第１実施形態であり、通信回路を含むシステム構成を示す図
【図２】ロジック部の制御内容を示すフローチャート
【図３】ステップＳ１の駆動トランジスタ数調整処理を示すフローチャート
【図４】駆動トランジスタ数とＡ／Ｄ変換値との関係を示す図
【図５】図２及び図３に対応するタイミングチャート
【図６】（ａ）は従来の作業工程、（ｂ）は本実施形態の通信回路を用いた場合の作業工程を示すフロー図
【図７】第２実施形態であり、通信回路を含むシステム構成を示す図
【図８】ロジック部の制御内容を示すフローチャート
【図９】第３実施形態であり、ステップＳ１の駆動トランジスタ数調整処理を示すフローチャート
【図１０】図９に対応するタイミングチャート
【図１１】第４実施形態であり、ステップＳ１の駆動トランジスタ数調整処理を示すフローチャート
【図１２】第５実施形態であり、通信回路を含むシステム構成を示す図
【図１３】ロジック部の制御内容を示すフローチャート
【図１４】図１３に対応するタイミングチャート
【図１５】第６実施形態であり、図１３に対応するタイミングチャート
【図１６】第７実施形態であり、図１３に対応するタイミングチャート
【図１７】第８実施形態であり、図１３に対応するタイミングチャート
【図１８】第９実施形態であり、通信回路を含むシステム構成を示す図
【図１９】第１０実施形態であり、通信回路を含むシステム構成を示す図
【図２０】ロジック部の制御内容を示すフローチャート
【図２１】温度が変化した場合の駆動トランジスタ数とＡ／Ｄ変換値との関係を示す図
【図２２】図２０に対応するタイミングチャート
【図２３】第１１実施形態であり、ローレベル電位を変化させる構成の他の例を示す図
【図２４】第１２実施形態であり、ローレベル電位を変化させる構成の他の例を示す図
【発明を実施するための形態】
【０００８】
（第１実施形態）
図１に示すように、本実施形態の通信回路１（信号送信装置）は、センサ２が出力した信号をＥＣＵ３（制御装置）に送信するために配置されている。センサ２は、例えばエアーフローメータ（ＡＦＭ，気体流量計）や圧力センサ、加速度センサなどである。また、通信回路１は、内蔵しているセンサ駆動回路４により、センサ２の本体である抵抗ブリッジ回路５を定電圧又は定電流駆動する。
【０００９】
センサ２が出力するセンサ信号は、通信回路１の内部で、信号切替回路６（固定接点ａ）を介してオペアンプ７の非反転入力端子及び反転入力端子に入力される。信号切替回路６の可動接点が固定接点ａ側に切り換えられると、オペアンプ７は、入力されるセンサ信号を差動増幅してＡ／Ｄ変換器８に出力する。
【００１０】
Ａ／Ｄ変換器８によりＡ／Ｄ変換されたデータは、ロジック部９（電位変更手段、電位調整手段）に入力される。ロジック部９は、信号出力部１０（駆動回路）を制御して信号の送信を行うと共に、メモリ部１１にデータの書き込みを行う。メモリ部１１（記憶手段）は、例えばフラッシュメモリやＥＥＰＲＯＭ等の不揮発性のメモリである。
【００１１】
信号出力部１０の内部において、電源線１２には、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１３ａ及び１３ｂのソースが接続されており、両者のゲートは、アナログスイッチ１４を介してＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１３ａのドレインに接続されている。また、前記ドレインは抵抗素子１５を介してグランドに接続されている。ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ１６及び１７のソースはグランドに接続されており、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ１６のドレインはＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１３ｂのドレインに接続されている。ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ１６のゲートは、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ１７のドレインに接続されていると共に、アナログスイッチ１８を介してＮチャネルＭＯＳＦＥＴ１６のドレインに接続されている。
【００１２】
ロジック部９の出力端子は、ＮＯＴゲート１９を介してアナログスイッチ１４及び１８の負論理制御端子に接続されていると共に、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ１７のゲートに接続されている。また、ＮＯＴゲート１９の出力端子は、もう１つのＮＯＴゲート２０を介してアナログスイッチ１４及び１８の正論理制御端子に接続されている。
【００１３】
通信回路１とＥＣＵ３とは信号線２１を介して接続されており、信号線２１は、ＥＣＵ３の内部でプルアップ抵抗２２を介して電源レベルにプルアップされていると共に、マイクロコンピュータ（マイコン）２３の入力端子に接続されている。
【００１４】
信号線２１は、通信回路１の出力端子２４に接続されている。信号出力部１０は、通信線２１をローレベルにドライブするため、複数のＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２５（１，２，…，ｎ；電位変更手段）を備えている。ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２５のソースはグランドに接続されており、各ドレインは共通に電流制限用抵抗２６を介して出力端子２４に接続されている（オープンドレイン出力）。また、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２５の各ゲートは、それぞれに対応するアナログスイッチ２７を介してＮチャネルＭＯＳＦＥＴ１７のドレインに共通に接続されている。各アナログスイッチ２７のオンオフ制御は、ロジック部９により個別に制御される。
【００１５】
また、出力端子２４は、信号切替回路６（固定接点ｂ）を介してオペアンプ７の非反転入力端子に接続可能となっている。オペアンプ７の出力端子とグランドとの間には、抵抗素子２８及び２９の直列回路が接続されており、抵抗素子２８及び２９の共通接続点は、信号切替回路６（固定接点ｂ）を介してオペアンプ７の反転入力端子に接続可能となっている。すなわち、信号切替回路６の可動接点を固定接点ｂ側に切り換えると、オペアンプ７は出力端子２４の電圧を非反転増幅してＡ／Ｄ変換回路８に出力する。
【００１６】
ロジック部９が出力端子をハイレベルにすると、信号出力部１０のアナログスイッチ１４及び１８がオンになり、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１３ａ及び１３ｂ，ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ１６が何れもオン、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ１７がオフする。この時、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１３ａ及び１３ｂのドレイン電位は、抵抗素子１５の端子電圧でハイレベルになるから、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ１７のドレイン電位もハイレベルになる。したがって、アナログスイッチ２７がオンすれば、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２５のゲートはハイレベルになる。すると、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２５がオンするので、信号出力部１０は、通信線２１をローレベルにドライブする。これにより、ロジック部９は信号出力部１０を介してＥＣＵ３に信号を送信する。
【００１７】
例えば、通信線２１のプルアップ電位（ハイレベルＶＯＨ）が５Ｖの場合に、ローレベル電位ＶＯＬの閾値ＶＯＬＴＨは０．８Ｖ程度に設定される。
一方、ロジック部９が出力端子をローレベルにすると、アナログスイッチ１４及び１８がオフになり、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１３ａ及び１３ｂ，ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ１６が何れもオフ、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ１７がオンする。したがって、アナログスイッチ２７がオンすれば、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２５のゲートはローレベルになるので、通信線２１はドライブされずにハイレベルのままとなる。
【００１８】
このように、ロジック部９は、アナログスイッチ２７のオンオフを制御することで、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２５を同時にオンさせる数を調整できる。同時にオンするＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２５の数が増えるほど、出力端子２４−グランド間の直列抵抗値が小さくなる。したがって、通信線２１をローレベルにドライブした際の出力端子２４の電位はより低下することになる。これにより、ローレベル電位ＶＯＬが調整可能となっている。
【００１９】
次に、本実施形態の作用について説明する。図２に示すように、ロジック部９は、起動すると、信号出力部１０の駆動トランジスタ数を調整する処理を行う（Ｓ１）。そして調整が終了すると、調整結果をメモリ部１１に書き込む（Ｓ２）。引き続いて行う通常出力処理（Ｓ３）では、ＥＣＵ３に信号を送信する際に、ステップＳ１での調整結果に応じた数でＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２５を同時にオンして通信線２１をローレベルにドライブする。通信回路１が動作を停止した（Ｓ４）後、再起動すると、ロジック部９は、メモリ部１１に記憶させた調整結果を読み出して（Ｓ５）通常出力処理を行う（Ｓ６）。
【００２０】
図３に示すステップＳ１の駆動トランジスタ（Ｔｒ）数調整処理（調整動作）では、ロジック部９は、最初に駆動トランジスタ数を「ｉ」に設定し（Ｓ１１）、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２５をオンして通信線２１をローレベルにドライブする。この時、信号切替回路６の固定接点をｂ側に切替え、出力端子２４の電位ＶＯＬ１をＡ／Ｄ変換して（ＡＤ１）読み込む（Ｓ１２）。尚、「ｉ」は「１」程度の小さな値とする。次に、ロジック部９は、駆動トランジスタ数を「Ｊ（＞ｉ）」に設定し、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２５をオンして通信線２１をローレベルにドライブし、再度出力端子２４の電位ＶＯＬ２をＡ／Ｄ変換して（ＡＤ２）読み込む（Ｓ１４）。
【００２１】
これで２つの電位に対応するＡ／Ｄ変換値ＡＤ１，ＡＤ２（＜ＡＤ１）が得られたので、駆動トランジスタ数の変化に対するＡ／Ｄ変換値の変化を示す一次関数を求める。そして、求めた一次関数式から、電位ＶＯＬが閾値ＶＯＬＴＨ（変換値ＡＤＴＨ）を下回り始める駆動トランジスタ数Ｎを計算する（Ｓ１５，図４参照）。そして、図２に示すステップＳ２で、駆動トランジスタ数Ｎ（調整量）をメモリ部１０に書き込む。
これにより、以降の通常出力処理（Ｓ３）において、通信回路１が信号線２１をローレベルにドライブする際の電位ＶＯＬは閾値ＶＯＬＴＨを下回るようになり（図５参照）、ＥＣＵ３との通信が確実に行われる。
【００２２】
ここで、図６（ａ）に示すように、従来の通信回路を、異なる納入先で異なる車両Ａ，Ｂ，…，Ｎに対応して使用されているＥＣＵ＿Ａ，Ｂ，…，Ｎに接続する際に、ローレベル電位ＶＯＬが閾値ＶＯＬＴＨを下回るようにする駆動トランジスタ数の調整は、通信回路を出荷する前の自社工程で作業者が個別に行う必要があった。これに対して、本実施形態の通信回路１では、起動後にロジック部９が駆動トランジスタ数を自律的に調整するので、図６（ｂ）に示すように、従来は必要であった自社工程が不要になる。
【００２３】
以上のように本実施形態によれば、ロジック部９は、起動時に、信号出力部１０により通信線２１をドライブさせて、ローレベル電位ＶＯＬが予め定められている閾値ＶＯＬＴＨを下回るように調整を行い、調整結果のデータをメモリ部１１に記憶する。そして、ＥＣＵ３に対して信号を送信する際に、メモリ部１１に記憶されたデータに基づいて信号出力部１０を制御して、電位ＶＯＬが閾値ＶＯＬＴＨを下回るように自動的に調整する。したがって、外部による関与が無くとも、ローレベル電位ＶＯＬが最適となるように信号出力部１０を自律的に調整可能になり、従来のように作業者が、個別のＥＣＵとの組み合わせに応じて通信回路の調整作業を行う必要がなくなる。
【００２４】
この場合、信号出力部１０に、ドレインを共通にして信号線２１に並列接続される複数のＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２５を備え、ロジック部９は、複数のＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２５を同時に駆動する数を変更してローレベル電位ＶＯＬを調整するようにした。したがって、信号出力部１０の調整を簡単に行うことができる。
【００２５】
また、ロジック部９は、ローレベル電位ＶＯＬの変更を２回行った段階での電位ＶＯＬの変化傾向から、電位ＶＯＬが閾値ＶＯＬＴＨを下回ると想定される調整結果を一次関数近似して予測する。したがって、調整処理を短時間で完了できる。更に、ロジック部９は、起動時にのみ前記調整を実行し、以降に再起動されると、メモリ部１１に記憶されたデータに基づいて信号出力部１０の駆動トランジスタ数を制御する。したがって、起動時に毎回調整を行うことなく、調整に要する時間を削減できる。
【００２６】
加えて、センサ２が出力するセンサ信号をＡ／Ｄ変換したデータを信号としてＥＣＵ３に送信するためのＡ／Ｄ変換器８を備え、ロジック部９は、前記Ａ／Ｄ変換器８を用いてローレベル電位ＶＯＬも読み込む。したがって、調整を行うために必要な構成要素の増加を抑制できる。
【００２７】
（第２実施形態）
以下、第１実施形態と同一部分には同一符号を付して説明を省略し、異なる部分について説明する。図７に示すように、第２実施形態の通信回路３１は、ロジック部９及びメモリ部１１に替えて、ロジック部３２（電位変更手段，電位調整手段）及びレジスタ３３（記憶手段）を備えている。そして、信号出力部１０のＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２５を同時にオンするためのアナログスイッチ２７の制御は、ロジック部３２がレジスタ３３にデータを書き込むことで行う。
【００２８】
したがって、第２実施形態では、図８に示すように、ロジック部３２は、起動する毎に駆動トランジスタ数の調整処理を行い（Ｓ１）、調整結果をレジスタ３３に書き込むようにする（Ｓ７）。このように、起動する毎に駆動トランジスタ数の調整処理を行うようにすれば、例えば各ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２５の特性に経時変化が生じた場合でも、ローレベル電位ＶＯＬが確実に閾値ＶＯＬＴＨを下回るように調整できる。
【００２９】
（第３実施形態）
第３実施形態では、駆動トランジスタ数を調整する際に第１実施形態のように一次関数近似は行わず、実際にＡ／Ｄ変換値が、閾値ＶＯＬＴＨ相当値であるＡＤＴＨを下回るまでＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２５の同時駆動数を変更する。図９及び図１０に示すように、ステップＳ１２を実行すると、Ａ／Ｄ変換値が閾値ＡＤＴＨを下回ったか否かを判断し（Ｓ１６）、下回らなければ（ＮＯ）駆動トランジスタ数をインクリメントして（Ｓ１７）ステップＳ１２に戻る。Ａ／Ｄ変換値が閾値ＡＤＴＨを下回れば（Ｓ１６：ＹＥＳ）、その時の駆動トランジスタ数を記憶するためステップＳ２に移行する。
【００３０】
以上のように第３実施形態によれば、ロジック部９’は、ローレベル電位ＶＯＬが閾値ＶＯＬＴＨを下回るまで、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２５を同時に駆動する数を順次増加させ、閾値ＶＯＬＴＨを最初に下回った際の同時駆動数をメモリ部１１に記憶するようにした。したがって、ローレベル電位ＶＯＬが閾値ＶＯＬＴＨを下回ったことを実際に確認して最適な同時駆動数を決定できる。
【００３１】
（第４実施形態）
第４実施形態では、図１１に示すように、調整処理において、最初の駆動トランジスタ数（Ｉ）を最大にする（Ｓ１８）。したがって、最初に観測されるローレベル電位ＶＯＬは、閾値ＶＯＬＴＨを大きく下回る最低値になる。ステップＳ１２に続くステップＳ１９では、ローレベル電位ＶＯＬが閾値ＶＯＬＴＨを超えたか否かを判断し、超えていなければ（ＮＯ）駆動トランジスタ数をデクリメントして（Ｓ２０）ステップＳ１２に戻る。
【００３２】
以上のようにして、駆動トランジスタ数を順次減少させると、ローレベル電位ＶＯＬのＡ／Ｄ変換値は順次上昇して行く。そして、ローレベル電位ＶＯＬが閾値ＶＯＬＴＨを超えると（Ｓ１８：ＹＥＳ）、その時の駆動トランジスタ数が（Ｎ−１）であれば、「１」を加えた数Ｎを同時駆動数として（Ｓ２１）メモリ部１１に記憶させる。
【００３３】
以上のように第４実施形態によれば、ロジック部９”は、ローレベル電位ＶＯＬが閾値ＶＯＬＴＨを上回るまで、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２５を同時に駆動する数を順次減少させ、閾値ＶＯＬＴＨを最初に上回った際の同時駆動数より「１」を加えた数をメモリ部１１に記憶するようにした。したがって、第３実施形態と同様の効果が得られる。
【００３４】
（第５、第６実施形態）
第５実施形態の通信回路４１は、図１２に示すように、第２実施形態の通信回路３１におけるロジック部３２をロジック部４２に置き換えたもので、ロジック部４２（電位変更手段，電位調整手段）はタイマ４３（計時手段）を備えている。タイマ４３は、起動後から一定時間毎にローレベル電位ＶＯＬの調整を行うため、調整周期を計時する。そして、ロジック部４２は、タイマ４３が調整周期毎に割り込み発生させると（図１３，Ｓ８：ＹＥＳ）調整処理を実行する。
【００３５】
この場合、ロジック部４２は、図１４に示すように、ＥＣＵ３に対して調整モードに移行する旨を伝達するための信号（コマンド）を送信する。そのコマンドは、例えば通常の通信で送信する信号よりも高い周波数でローレベル駆動を繰り返すなどにより示す。調整処理に要する時間は予め想定できるので、ＥＣＵ３は、上記コマンドを受信すると、その時点から一定期間は、通信回路１より送信された信号を無視する。そして、一定期間が経過した後に送信された信号を受け付けるようにすれば良い。尚、図１５は、第６実施形態であり、第３実施形態の調整処理に適用した場合である。
【００３６】
以上のように第５又は第６実施形態によれば、調整処理を実行するための調整周期を計時するタイマ４３を備え、ロジック部４２は、調整周期が経過する毎に、ＥＣＵ３に対して調整処理を開始する旨のコマンドを送信してから調整処理を実行する。したがって、通常の通信動作を行っている間もローレベル電位ＶＯＬの調整を行うことができる。
【００３７】
（第７、第８実施形態）
図１６、図１７に示す第７、第８実施形態では、第５、第６実施形態と同様に調整周期が経過する毎に調整処理を行うが、調整が終了した際にもＥＣＵ３に対して、調整終了を示すコマンドを送信する。そのコマンドは、例えば第５、第６実施形態における調整開始を示すコマンドと同様に、通常の通信で送信する信号よりも高い周波数でローレベル駆動を繰り返すなどにより示す。
このように第７又は第８実施形態によれば、ロジック部４２は、調整が完了すると、ＥＣＵ３に調整終了を示すコマンドを送信する。したがって、ＥＣＵ３は、第５、第６実施形態のように、調整の終了を自身で計時して推定する必要がなくなる。
【００３８】
（第９実施形態）
図１８に示すように、第９実施形態の通信回路４４は、第２実施形態の通信回路３１におけるロジック部３２をロジック部４５（電位変更手段，電位調整手段）に置き換えたもので、また、外部端子として調整開始信号入力端子４６を備えている。そして、ロジック部４５は、調整開始信号入力端子４６がアクティブレベル（例えばハイ）になると（調整開始信号）調整処理を実行する。
【００３９】
尚、調整開始信号入力端子４６の制御はＥＣＵ３が行っても良く、その場合、通信回路４４は、第５〜第８実施形態のようにＥＣＵ３にコマンドを送信する必要はない。ＥＣＵ３とは異なる制御装置や作業者が調整開始信号入力端子４６に調整開始信号を入力するのであれば、第５〜第８実施形態と同様にＥＣＵ３にコマンドを送信すれば良い。以上のように構成される第９実施例によれば、ロジック部４５は、外部より調整開始信号が入力されることで、任意のタイミングで調整処理を実行できる。
【００４０】
（第１０実施例）
図１９に示すように、第１０実施形態の通信回路５１はセンサ５２に接続されており、そのセンサ５２は例えばサーミスタ等の温度センサ５３も内蔵している。通信回路５１において、オペアンプ７の入力側に配置されている信号切替回路５４は、非反転入力端子側に固定接点ｃが追加されており、その固定接点ｃが温度情報入力端子５５を介して温度センサ５３の高電位側端子に接続されている。また、通信回路５１は、メモリ部１１とレジスタ３３との双方を備えている。
【００４１】
メモリ部１１には、図２１に示すように、例えば温度Ｔ１，Ｔ２，Ｔ３に応じて、駆動トランジスタ数を変化させた場合のローレベル電位ＶＯＬの変化特性が予め記憶されている。そして、ロジック部５６（電位変更手段，電位調整手段）は、第５実施形態と同様に、通常出力処理（Ｓ４）に移行した後、タイマ４３が計時する調整周期が到来すると（Ｓ８：ＹＥＳ）、信号切替回路５４を切替えて温度センサ５３のセンサ信号（端子電圧）を読み込む（Ｓ３１）。それから、メモリ部１１に記憶させた温度特性を読み出して、ステップＳ１で決定した駆動トランジスタ数を、温度特性に応じて補正する（Ｓ３２）。
【００４２】
以上のように第１０実施形態によれば、温度センサ５３が接続される温度情報入力端子５５を備え、ロジック部５６は、最初の調整結果により決定した駆動トランジスタ数を、温度信号入力端子５５より入力される温度情報に基づいて補正する。したがって、動作環境温度が変化する場合でも、調整動作自体をやり直す必要が無く、温度情報を取得するだけで駆動トランジスタ数が最適となるように補正できる。
【００４３】
（第１１、第１２実施形態）
第１１、第１２実施形態は、ローレベル電位を変更するための構成の変形例を示す。図２３に示す第１１実施形態では、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２５を１つだけ用意し、そのドレインと電流制限抵抗２６との間に、抵抗素子６１及びスイッチ回路６２の並列回路（電位変更手段）を、複数直列に接続する。そして、スイッチ回路６２の開閉をロジック部により制御する。スイッチ回路６２をオンする数を増加することで、出力端子２４における直列抵抗値を低下させることができる。
【００４４】
また、図２４に示す第１２実施形態では、２つのＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２５ａ及び２５ｂによりカレントミラー回路を構成し、電流制限抵抗２６をＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２５ｂのドレインに接続する。ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２５ａのドレインには可変電流源６３（電位変更手段）を接続し、ロジック部が可変電流源６３を制御することで定電流Ｉrefの値を変更する。定電流Ｉrefが変化すると、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２５ｂのドレイン−ソース間電圧（オン抵抗）が変化するので、出力端子２４における直列抵抗値を低下させることができる。
【００４５】
本発明は上記した、又は図面に記載した実施形態にのみ限定されるものではなく、以下のような変形又は拡張が可能である。
調整処理は、オン抵抗値が異なるトランジスタを複数用意し、それらの内１つを選択して駆動することで行っても良い。
ローレベル電位を読み込むためのＡ／Ｄ変換器を、Ａ／Ｄ変換器８と別個に設けても良い。
外部に送信する情報は、センサ信号に限る必要はない。
ロジック部９が行う処理を、マイクロコンピュータがソフトウェアにより実行しても良い。
【符号の説明】
【００４６】
図面中、１は通信回路（信号送信装置）、３はＥＣＵ（制御装置）、８はＡ／Ｄ変換器、９はロジック部（電位変更手段、電位調整手段）、１０は信号出力部（駆動回路）、１１はメモリ部（記憶手段）、２１は通信線、２５はＮチャネルＭＯＳＦＥＴ（電位変更手段）を示す。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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