(57)【要約】【課題】レジスト液を良好なカバレッジ性で塗布することができるレジスト塗布方法を提供する。【解決手段】本発明に係るレジスト塗布方法は、基板を回転させて、基板の表面に第１レジスト液を供給する第１レジスト供給工程を含み、第１レジスト供給工程は、第１レジスト液の滴下位置を、基板の表面の略中心から外周側に移動させながら、基板の表面に前記第１レジスト液を供給する第１移動供給工程Ｓ２と、第１レジスト液の滴下位置を、基板の表面の外周側から略中心に移動させながら、基板の表面に第１レジスト液を供給する第２移動供給工程Ｓ４と、を含む。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を回転させて、前記基板の表面に第１レジスト液を供給する第１レジスト供給工程を含み、
前記第１レジスト供給工程は、
前記第１レジスト液の滴下位置を、前記基板の表面の略中心から外周側に移動させながら、前記基板の表面に前記第１レジスト液を供給する第１移動供給工程と、
前記第１レジスト液の滴下位置を、前記基板の表面の外周側から略中心に移動させながら、前記基板の表面に前記第１レジスト液を供給する第２移動供給工程と、
を含む、レジスト塗布方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記第２移動供給工程は、前記第１移動供給工程の前に行われる、レジスト塗布方法。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記第１レジスト供給工程は、
前記第１移動供給工程と前記第２移動供給工程との間に、前記第１レジスト液の滴下位置を前記基板の表面の外周側に固定して、前記第１レジスト液を供給する固定供給工程を含む、レジスト塗布方法。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれか１項において、
前記第１移動供給工程における前記基板の回転数と、前記第２移動供給工程における前記基板の回転数とは、同じであり、
前記第１移動供給工程における前記第１レジスト液の滴下位置の移動速度と、前記第２移動供給工程における前記第１レジスト液の滴下位置の移動速度とは、同じである、レジスト塗布方法。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれか１項において、
前記第１レジスト供給工程の前に、前記基板の表面に有機溶剤を供給する有機溶剤供給工程を含む、レジスト塗布方法。
【請求項６】
請求項１ないし５のいずれか１項において、
前記第１レジスト供給工程の後に、前記第１レジスト液の供給を停止した状態で、前記第１レジスト供給工程における前記基板の回転数よりも高い回転数で前記基板を回転させる第１供給停止回転工程を含む、レジスト塗布方法。
【請求項７】
請求項６において、
前記第１供給停止回転工程の後に、前記第１レジスト液の供給を停止した状態で、前記第１レジスト供給工程における前記基板の回転数よりも低い回転数で前記基板を回転させる第２供給停止回転工程を含む、レジスト塗布方法。
【請求項８】
請求項１ないし７のいずれか１項において、
前記第１レジスト供給工程の後に、前記基板を回転させて、第２レジスト液の滴下位置を、前記基板の表面の略中心に固定して、前記基板の表面に前記第２レジスト液を供給する第２レジスト供給工程を含む、レジスト塗布方法。
【請求項９】
請求項８において、
前記第２レジスト供給工程では、前記基板の回転数を徐々に高くしながら行われる、レジスト塗布方法。
【請求項１０】
請求項８または９において、
前記第２レジスト供給工程の後に、前記第２レジスト液の供給を停止した状態で、前記第２レジスト供給工程における前記基板の最大回転数よりも低い回転数で前記基板を回転させる第３供給停止回転工程を含む、レジスト塗布方法。
【請求項１１】
請求項８ないし１０のいずれか１項において、
前記第２レジスト供給工程の後に、前記第２レジスト液の供給を停止した状態で、前記第２レジスト供給工程における前記基板の最大回転数よりも高い回転数で前記基板を回転させる第４供給停止回転工程を含む、レジスト塗布方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レジスト塗布方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍ）等の高段差素子構造を有する半導体装置においては、例えば７μｍ以上の段差を有する素子構造が存在し、このような高段差パターンを有する基板に、レジスト液を良好なカバレッジ性で塗布することができる方法が求められている。
【０００３】
例えば特許文献１には、高段差パターンを有する基板の表面にレジスト液を塗布するレジスト塗布方法として、基板を回転させて、レジスト液の滴下位置を移動させながらレジスト液の供給を行う方法が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１０−１１４３２８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記のようなレジスト液の滴下位置を移動させながらレジスト液を供給する場合、例えば基板表面に高段差を有する凹部が形成されていると、滴下位置の移動方向によっては、凹部の側面のうちレジスト液によって覆われにくい側面がある。そのため、レジスト液のカバレッジ性が悪化する場合がある。
【０００６】
本発明のいくつかの態様に係る目的の１つは、レジスト液を良好なカバレッジ性で塗布することができるレジスト塗布方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は前述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の態様又は適用例として実現することができる。
【０００８】
［適用例１］
本発明に係るレジスト塗布方法の一態様は、
基板を回転させて、前記基板の表面に第１レジスト液を供給する第１レジスト供給工程を含み、
前記第１レジスト供給工程は、
前記第１レジスト液の滴下位置を、前記基板の表面の略中心から外周側に移動させながら、前記基板の表面に前記第１レジスト液を供給する第１移動供給工程と、
前記第１レジスト液の滴下位置を、前記基板の表面の外周側から略中心に移動させながら、前記基板の表面に前記第１レジスト液を供給する第２移動供給工程と、
を含む。
【０００９】
このようなレジスト塗布方法では、レジスト液を良好なカバレッジ性で塗布することができる。
【００１０】
［適用例２］
適用例１において、
前記第２移動供給工程は、前記第１移動供給工程の前に行われてもよい。
【００１１】
このようなレジスト塗布方法では、第２移動供給工程が終了した後、レジスト供給ノズルを移動させることなく、第２レジスト供給工程を開始することができる。これにより、本実施形態に係るレジスト塗布方法では、処理時間の短縮化を図ることができる。
【００１２】
［適用例３］
適用例１または２において、
前記第１レジスト供給工程は、
前記第１移動供給工程と前記第２移動供給工程との間に、前記第１レジスト液の滴下位置を前記基板の表面の外周側に固定して、前記第１レジスト液を供給する固定供給工程を含んでもよい。
【００１３】
このようなレジスト塗布方法では、基板の表面の外周部の単位面積における第１レジスト液の供給量と、中心部（中心を含む領域）の単位面積における第１レジスト液の供給量と、の差を、小さくすることができる。
【００１４】
［適用例４］
適用例１ないし３のいずれか１例において、
前記第１移動供給工程における前記基板の回転数と、前記第２移動供給工程における前記基板の回転数とは、同じであり、
前記第１移動供給工程における前記第１レジスト液の滴下位置の移動速度と、前記第２移動供給工程における前記第１レジスト液の滴下位置の移動速度とは、同じであってもよい。
【００１５】
このようなレジスト塗布方法では、均一性よく第１レジスト液を、基板の表面に塗布することができる。
【００１６】
［適用例５］
適用例１ないし４のいずれか１例において、
前記第１レジスト供給工程の前に、前記基板の表面に有機溶剤を供給する有機溶剤供給工程を含んでもよい。
【００１７】
このようなレジスト塗布方法では、基板の表面に形成された凹部パターンを規定する面と、第１レジスト液と、の間に気泡が入ることを抑制することができる。
【００１８】
［適用例６］
適用例１ないし５のいずれか１例において、
前記第１レジスト供給工程の後に、前記第１レジスト液の供給を停止した状態で、前記第１レジスト供給工程における前記基板の回転数よりも高い回転数で前記基板を回転させる第１供給停止回転工程を含んでもよい。
【００１９】
このようなレジスト塗布方法では、第１レジスト液を、基板の表面全面に拡散させることができる。
【００２０】
［適用例７］
適用例６において、
前記第１供給停止回転工程の後に、前記第１レジスト液の供給を停止した状態で、前記第１レジスト供給工程における前記基板の回転数よりも低い回転数で前記基板を回転させる第２供給停止回転工程を含んでもよい。
【００２１】
このようなレジスト塗布方法では、第１レジスト液が乾燥することを抑制しつつ、第１レジスト液を、基板の表面全面に拡散させることができる。
【００２２】
［適用例８］
適用例１ないし７のいずれか１例において、
前記第１レジスト供給工程の後に、前記基板を回転させて、第２レジスト液の滴下位置を、前記基板の表面の略中心に固定して、前記基板の表面に前記第２レジスト液を供給する第２レジスト供給工程を含んでもよい。
【００２３】
このようなレジスト塗布方法では、第２レジスト液を良好なカバレッジ性で塗布することができる。
【００２４】
［適用例９］
適用例８において、
前記第２レジスト供給工程では、前記基板の回転数を徐々に高くしながら行われてもよい。
【００２５】
このようなレジスト塗布方法では、遠心力を利用して、基板の表面に均一性よく第２レジスト液を塗布することができる。
【００２６】
［適用例１０］
適用例８または９において、
前記第２レジスト供給工程の後に、前記第２レジスト液の供給を停止した状態で、前記第２レジスト供給工程における前記基板の最大回転数よりも低い回転数で前記基板を回転させる第３供給停止回転工程を含んでもよい。
【００２７】
このようなレジスト塗布方法では、第２レジスト液の一部を、基板の表面の中心部に集めることができる。
【００２８】
［適用例１１］
適用例８ないし１０のいずれか１例において、
前記第２レジスト供給工程の後に、前記第２レジスト液の供給を停止した状態で、前記第２レジスト供給工程における前記基板の最大回転数よりも高い回転数で前記基板を回転させる第４供給停止回転工程を含んでもよい。
【００２９】
このようなレジスト塗布方法では、遠心力によって、第２レジスト液の一部を基板の表面から飛ばすことができ、第２レジスト液の厚さを調整することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】本実施形態に係るレジスト塗布方法における基板を模式的に示す平面図。
【図２】本実施形態に係るレジスト塗布方法における基板を模式的に示す断面図。
【図３】本実施形態に係るレジスト塗布方法における液体塗布装置を説明するための図。
【図４】本実施形態に係るレジスト塗布方法を説明するためのフローチャート。
【図５】本実施形態に係るレジスト塗布方法を説明するためのタイムチャート。
【図６】本実施形態に係るレジスト塗布方法を説明するための図。
【図７】本実施形態に係るレジスト塗布方法を説明するための図。
【図８】本実施形態に係るレジスト塗布方法を説明するための図。
【図９】本実施形態に係るレジスト塗布方法における基板を模式的に示す平面図。
【発明を実施するための形態】
【００３１】
以下、本発明の好適な実施形態について、図面を用いて詳細に説明する。なお、以下に説明する実施形態は、特許請求の範囲に記載された本発明の内容を不当に限定するものではない。また、以下で説明される構成の全てが本発明の必須構成要件であるとは限らない。
【００３２】
１．  レジスト塗布方法
本実施形態に係るレジスト塗布方法について、図面を参照しながら説明する。まず、本実施形態に係るレジスト塗布方法における基板および液体塗布装置について、説明する。
【００３３】
図１は、本実施形態に係るレジスト塗布方法における基板１０を模式的に示す平面図である。図２は、本実施形態に係るレジスト塗布方法における基板１０を模式的に示す図１のＩＩ−ＩＩ線断面図である。図３は、本実施形態に係るレジスト塗布方法における液体塗布装置２０を説明するための図である。なお、図１〜図３および以下に示す図６〜図８では、互いに直交する３つの軸として、Ｘ軸、Ｙ軸、およびＺ軸を図示している。
【００３４】
基板１０としては、例えば、半導体ウェハー（より具体的には直径６インチのシリコンウェハー）を用いる。基板１０の表面１２は、図１および図２に示すように、凹部パターン１４が形成されている。
【００３５】
凹部パターン１４は、例えば、フォトリソグラフィーおよびエッチングによって形成される。図１に示す例では、凹部パターン１４は、９つ形成されているが、その数は特に限定されない。凹部パターン１４は、例えば、２つの幅広凹部１６と、２つの幅広凹部１６の間に設けられた２つの幅狭凹部１８と、によって構成されている。幅広凹部１６の幅Ｗ１は、例えば、２０μｍ以上４０μｍ以下である。幅狭凹部１８の幅Ｗ２は、例えば、５μｍ以上１０μｍ以下である。幅広凹部１６および幅狭凹部１８の深さＨ１（表面１２に形成された段差）は、例えば、５μｍ以上４０μｍ以下である。図２に示す例では、幅広凹部１６および幅狭凹部１８は、＋Ｘ軸方向を向く側面１４ａと、−Ｘ軸方向を向く側面１４ｂと、側面１４ａ，１４ｂに接続された底面１４ｃと、によって規定されている。
【００３６】
液体塗布装置２０としては、図３に示すように、例えば、スピンコーターを用いる。スピンコーターは、基板１０を回転させつつ、基板１０の表面の中心上にレジスト液を吐出し遠心力で拡散させること（ダイナミックディスペンス）により、基板１０の表面上にレジスト液を塗布することができる装置である。液体塗布装置２０は、ステージ２２と、有機溶剤を供給する有機溶剤供給ノズル２４と、レジスト液を供給するレジスト供給ノズル２６と、ノズル支持部２８と、レール２９と、を有している。
【００３７】
ステージ２２は、基板１０を回転可能に支持している。ステージ２２の、基板１０の裏面と接触する接触面２３には多数の孔（図示せず）が設けられおり、該多数の孔は真空ポンプ（図示せず）に接続されている。基板１０をステージ２２上に載置した状態で、接触面２３に設けられた孔から空気を吸引すると、基板１０の裏面は、ステージ２２の接触面２３に吸着されて固定される。ステージ２２は、図２の矢印で示すように、接触面２３の中心を通る鉛直線まわりに回転可能になっている。そのため、ステージ２２の接触面２３の中心と基板１０の中心とを重ね合わせるようにして、ステージ２２上に基板１０を固定し、ステージ２２を回転動作させることにより、基板１０を表面１２の中心を通る鉛直線まわりに回転させることができる。
【００３８】
ノズル２４，２６は、先端に液体（有機溶剤またはレジスト液）を吐出する供給口を有し、該供給口から液体を基板１０の表面１２に滴下することができる。ノズル２４，２６
は、ノズル支持部２８に接続されている。ノズル支持部２８は、液体を圧送する液圧送部（図示せず）に接続されており、液圧送部は、ノズル２４，２６に液体を供給することができる。ノズル支持部２８は、レール２９に接続されている。レール２９にはモーター（図示せず）が装置されており、該モーターを駆動させることにより、ノズル２４，２６をレール２９に沿って、基板１０の表面１２の半径分程度、移動させることができる。このように、ノズル２４，２６は、表面１２の半径分程度移動可能であり、例えば表面１２の直径分移動可能な場合に比べて、液圧送部の配管の長さを短くすることができる。
【００３９】
次に、本実施形態に係るレジスト塗布方法について、具体的に説明する。図４は、本実施形態に係るレジスト塗布方法を説明するためのフローチャートである。図５は、本実施形態に係るレジスト塗布方法を説明するためのタイムチャートである。図６〜図８は、本実施形態に係るレジスト塗布方法を説明するための図である。
【００４０】
なお、図５では、破線によって、有機溶剤供給ノズル２４またはレジスト供給ノズル２６から液体を供給するか否かを示しており、破線が、上に凸の部分では液体を供給している状態を示しており（ＯＮ状態）、下の凸の部分では液体を供給しない状態を示している（ＯＦＦ状態）。また、便宜上、図６〜図８では、凹部パターン１４およびステージ２２の図示を省略し、基板１０を斜視図として図示している。
【００４１】
まず、基板１０を液体塗布装置２０のステージ２２に載置した後、図６（Ａ）に示すように、基板１０の表面１２に有機溶剤３０を供給する（有機溶剤供給工程Ｓ１）。具体的には、有機溶剤供給ノズル２４を表面１２の中心上方に配置し、基板１０を回転させながら、有機溶剤供給ノズル２４から有機溶剤３０を供給（吐出）する。基板１０の回転数（回転速度）は、例えば、５００ｒｐｍ以上１５００ｒｐｍ以下であり、より好ましくは、１０００ｒｐｍ程度である。有機溶剤３０としては、例えば、シンナーを用いる。有機溶剤３０の粘度は、レジスト液４０，４２の粘度よりも低い。有機溶剤供給工程Ｓ１によって、図２（Ｂ）に示すように、凹部パターン１４を規定する面１４ａ，１４ｂ，１４ｃは、有機溶剤３０によって覆われる。有機溶剤３０によって、面１４ａ，１４ｂ，１４ｃと、第１レジスト液４０と、の間に気泡が入ることを抑制することができる。
【００４２】
次に、図６（Ｂ）に示すように、有機溶剤３０の供給を停止した状態で、基板１０を回転させる。これにより、有機溶剤３０を、より確実に、基板１０の表面１２全体に拡散させることができる。本工程における基板１０の回転数は、例えば、有機溶剤供給工程Ｓ１における基板１０の回転数と同じである。
【００４３】
次に、基板１０を回転させて、レジスト供給ノズル２６から、基板１０の表面１２に第１レジスト液４０を供給する（第１レジスト供給工程）。第１レジスト供給工程における基板１０の回転数は、有機溶剤供給工程Ｓ１における基板１０の回転数よりも低く、例えば、１００ｒｐｍ以上１０００ｒｐｍ以下であり、より好ましくは、５００ｒｐｍ程度である。例えば基板１０の回転数が１０００ｒｐｍより高いと、凹部パターン１４内に第１レジスト液４０を供給できない場合がある。レジスト供給ノズル２６から供給される第１レジスト液４０の供給速度（吐出速度、ディスペンスレート）は、例えば、０．４ｃｃ／秒程度である。
【００４４】
第１レジスト供給工程では、具体的には、まず、図６（Ｃ）および図６（Ｄ）に示すように、第１レジスト液４０の滴下位置を、基板１０の表面１２の略中心から外周側に移動させながら、表面１２に第１レジスト液４０を供給する（第１移動供給工程Ｓ２）。より具体的には、基板１０を回転させた状態で、レール２９に沿って、レジスト供給ノズル２６を表面１２の中心上方から外周部（例えば基板１０の最外周から数ｃｍ内側の位置）上方に移動させながら、レジスト供給ノズル２６から第１レジスト液４０を供給する。図示
の例では、レジスト供給ノズル２６は、−Ｘ軸方向に移動する。第１移動供給工程Ｓ２によって、基板１０の表面１２に、例えば渦巻き状に第１レジスト液４０が塗布される。レジスト供給ノズル２６の移動速度は、例えば、１ｃｍ／秒以上１０ｃｍ／秒以下であり、より好ましくは、４ｃｍ／秒程度である。
【００４５】
第１レジスト液４０としては、光が当たることにより酸が発生し、発生した酸が現像に寄与する化学増幅型を用いてもよい。第１レジスト液４０は、ノボラック樹脂を含んでいてもよい。基板１０の表面１２に滴下した時点での第１レジスト液４０の粘度は、室温で、例えば、５０ｃＰ（５０ｍＰａ・秒）以上である。
【００４６】
次に、図７（Ｅ）に示すように、第１レジスト液４０の滴下位置を基板１０の表面１２の外周側に固定して、表面１２に第１レジストを供給する（固定供給工程Ｓ３）。具体的には、基板１０を回転させた状態で、レジスト供給ノズル２６を表面１２の外周部上方に固定して、レジスト供給ノズル２６から第１レジスト液４０を供給する。固定供給工程Ｓ３は、例えば、０．５秒程度行われる。基板１０の表面１２の外周部は、中心部（中心を含む領域）に比べて、面積が大きいため、固定供給工程Ｓ３によって、外周部の単位面積における第１レジスト液４０の供給量と、中心部の単位面積における第１レジスト液４０の供給量と、の差を、小さくすることができる。
【００４７】
次に、図７（Ｆ）に示すように、第１レジスト液４０の滴下位置を、基板１０の表面１２の外周側から略中心に移動させながら、表面１２に第１レジスト液４０を供給する（第２移動供給工程Ｓ４）。具体的には、基板１０を回転させた状態で、レール２９に沿って、レジスト供給ノズル２６を表面１２の外周部上方から中心上方に移動させながら、レジスト供給ノズル２６から第１レジスト液４０を供給する。図示の例では、レジスト供給ノズル２６は、＋Ｘ軸方向に移動する。第１移動供給工程Ｓ２における基板１０の回転数と、第２移動供給工程Ｓ４における基板１０の回転数とは、例えば、同じである。さらに、第１移動供給工程Ｓ２におけるレジスト供給ノズル２６の移動速度（第１レジスト液４０の滴下位置の移動速度）と、第２移動供給工程Ｓ２におけるレジスト供給ノズル２６の速度とは、同じである。これにより、例えば、図９に示すように、基板１０の表面１２に対する、第１移動供給工程Ｓ２におけるレジスト供給ノズル２６の経路Ｋ２の長さおよび渦巻きの間隔と、第２移動供給工程Ｓ４におけるレジスト供給ノズル２６の経路Ｋ４の長さおよび渦巻きの間隔と、を同じにすることができる。
【００４８】
なお、図９は、基板１０を模式的に示す平面図であって、基板１０の表面１２に対する、第１移動供給工程Ｓ２におけるレジスト供給ノズル２６の経路Ｋ２を実線で示し、固定供給工程Ｓ３におけるレジスト供給ノズル２６の経路Ｋ３を一点破線で示し、第２移動供給工程Ｓ４におけるレジスト供給ノズル２６の経路Ｋ４を破線で示している。また、便宜上、図９では、凹部パターン１４の図示を省略している。
【００４９】
以上のように、第１レジスト供給工程は、第１移動供給工程Ｓ２と、固定供給工程Ｓ３と、第２移動供給工程Ｓ４と、を有する。第１レジスト供給工程Ｓ２〜Ｓ４によって、第１レジスト液４０は、図２（Ｃ）に示すように、凹部パターン１４内に塗布される。これにより、基板１０の表面１２に形成される段差を小さくすることができる。例えば、有機溶剤供給工程Ｓ１の前に表面１２に形成された段差Ｈ１（図２（Ａ）参照）を、第１レジスト供給工程Ｓ２〜Ｓ４によって、段差Ｈ２（Ｈ２＜Ｈ１）にすることができる（図２（Ｃ）参照）。特に、レジスト供給ノズル２６が−Ｘ軸方向に移動する第１移動供給工程Ｓ２では、凹部パターン１４内の、レジスト供給ノズル２６の移動方向とは反対方向を向く側面１４ａ側に、第１レジスト液４０を塗布することができる。さらに、レジスト供給ノズル２６が＋Ｘ軸方向に移動する第２移動供給工程Ｓ４では、凹部パターン１４内の、レジスト供給ノズル２６の移動方向とは反対方向を向く側面１４ｂ側に、第１レジスト液４
０を塗布することができる。このように、レジスト供給ノズル２６が基板１０の表面１２の半径方向に往復することにより、より確実に、基板１０の表面１２に形成される段差を小さくすることができる。さらに、第１レジスト供給工程Ｓ２〜Ｓ４によって、基板１０の濡れ性を高めることができる。
【００５０】
第１レジスト供給工程Ｓ２〜Ｓ４において、第１レジスト液４０は、図２（Ｃ）に示すように、基板１０の表面１２の、凹部パターン１４以外の部分にも塗布されてもよいし、凹部パターン１４内にのみ塗布されてもよい。また、第１レジスト液４０は、有機溶剤３０と混ざり合ってもよいし、混ざり合わなくてもよい。
【００５１】
第１レジスト供給工程Ｓ２〜Ｓ４は、連続して行われる。すなわち、第１レジスト供給工程Ｓ２〜Ｓ４を行う間、レジスト供給ノズル２６から第１レジスト液４０を供給し続ける。例えば１度レジスト液の供給を停止させると、再度レジスト液の供給を開始する場合に、液圧送部からノズルにレジスト液を送る時間がかかる場合がある。
【００５２】
第１レジスト供給工程Ｓ２〜Ｓ４では、例えば、基板１０を回転させる時間よりも、第１レジスト液４０を供給している時間の方を長く設定することが好ましい。これにより、基板１０を回転させている間に、第１レジスト液４０の供給が停止することを抑制することができる。例えば、基板１０を回転させる時間に対し、第１レジスト液４０の供給時間を０．０１秒以上０．１秒以下の範囲で長く設定する。
【００５３】
次に、図７（Ｇ）に示すように、第１レジスト液４０の供給を停止した状態で、第１レジスト供給工程Ｓ２〜Ｓ４における基板１０の回転数よりも高い回転数で基板１０を回転させる（第１供給停止回転工程Ｓ５）。基板１０の回転数は、例えば、５００ｒｐｍ以上１５００ｒｐｍ以下であり、より好ましくは、１０００ｒｐｍ程度である。第１供給停止回転工程Ｓ５によって、第１レジスト液４０を、基板１０の表面１２全面に浸透させる（拡散させる）ことができる。
【００５４】
次に、第１レジスト液４０の供給を停止した状態で、第１レジスト供給工程Ｓ２〜Ｓ４における基板１０の回転数よりも低い回転数で基板１０を回転させる（第２供給停止回転工程Ｓ６）。基板１０の回転数は、例えば、１００ｒｐｍ以上１０００ｒｐｍ以下であり、より好ましくは、４００ｒｐｍ程度である。第２供給停止回転工程Ｓ６によって、第１レジスト液４０が乾燥することを抑制しつつ、第１レジスト液４０を、基板１０の表面１２全面に拡散させることができる。例えばレジスト液の供給を停止した状態で、長時間、高回転数で基板を回転させると、レジスト液が乾燥してしまうことがある。なお、供給停止回転工程Ｓ５，Ｓ６の間に、液圧送部からレジスト供給ノズル２６に、第２レジスト液４２を送ることができる。
【００５５】
次に、図７（Ｈ）に示すように、基板１０を回転させて、第２レジスト液４２の滴下位置を、基板１０の表面１２の略中心に固定して、表面１２に第２レジスト液４２を供給する（第２レジスト供給工程Ｓ７）。具体的には、基板１０を回転させた状態で、レジスト供給ノズル２６を表面１２の中心上方に固定して、レジスト供給ノズル２６から第２レジスト液４２を供給する。第２レジスト供給工程Ｓ７では、基板１０の回転数を徐々に高くしながら行われる。基板１０の回転数の加速度は、例えば、５０００ｒｐｍ・秒以下である。基板１０の最大回転数は、例えば、５００ｒｐｍ以上１５００ｒｐｍ以下であり、より好ましくは、８００ｒｐｍ程度である。第２レジスト供給工程Ｓ７によって、凹部パターン１４上を含む表面１２に第２レジスト液４２を塗布することができる。第２レジスト液４２としては、例えば、第１レジスト液４０と同じレジスト液を用いる。レジスト供給ノズル２６から供給される第２レジスト液４２の供給速度は、例えば、第１レジスト供給工程における第１レジスト液４０の供給速度と同じである。
【００５６】
第２レジスト供給工程Ｓ７では、例えば、基板１０を回転させる時間よりも、第２レジスト液４２を供給している時間の方を短く設定することが好ましい。これにより、基板１０の表面１２に均一性よく第２レジスト液４２を塗布することができる。例えば、基板１０を回転させる時間に対し、第２レジスト液４２の供給時間を０．０１秒以上０．１秒以下の範囲で短く設定する。
【００５７】
次に、図８（Ｉ）に示すように、第２レジスト液４２の供給を停止した状態で、基板１０を回転させる。本工程における基板１０の回転数は、例えば、第２レジスト供給工程Ｓ７における基板１０の最大回転数と同じである。本工程によって、第２レジスト液４２を、基板１０の表面１２全面に拡散させることができる。
【００５８】
次に、図８（Ｊ）に示すように、第２レジスト液４２の供給を停止した状態で、第２レジスト供給工程Ｓ７における基板１０の最大回転数よりも低い回転数で基板１０を回転させる（第３供給停止回転工程Ｓ８）。第３供給停止回転工程Ｓ８における基板１０の回転数は、例えば、１００ｒｐｍ以上１０００ｒｐｍ以下であり、より好ましくは、５００ｒｐｍ程度である。第３供給停止回転工程Ｓ８によって、第２レジスト液４２の一部４２ａを、表面１２の中心部に集めることができる。
【００５９】
次に、図８（Ｋ）に示すように、第２レジスト液４２の供給を停止した状態で、第２レジスト供給工程Ｓ７における基板１０の最大回転数よりも高い回転数で基板１０を回転させる（第４供給停止回転工程Ｓ９）。基板１０の回転数は、例えば、１０００ｒｐｍ以上３０００ｒｐｍ以下であり、より好ましくは、２０００ｒｐｍ程度である。第４供給停止回転工程Ｓ９によって、第３供給停止回転工程Ｓ８において表面１２の中心部に集まった第２レジスト液４２ａを、表面１２の外周側に拡散させることができる。さらに、第４供給停止回転工程Ｓ９では、遠心力によって、第２レジスト液４２の一部を基板１０の表面１２から飛ばすことができ、第２レジスト液４２の厚さを調整することができる。その後、所定の加速度で回転数を減少させて、基板１０を静止させる。
【００６０】
以上の工程により、基板１０上にレジスト液４０，４２を塗布することができる。
【００６１】
本実施形態に係るレジスト塗布方法では、例えば、以下の特徴を有する。
【００６２】
本実施形態に係るレジスト塗布方法では、第１レジスト供給工程は、第１移動供給工程（Ｓ２）と、第２移動供給工程（Ｓ４）と、を含む。そのため、本実施形態に係るレジスト塗布方法では、第２レジスト供給工程Ｓ７の前に、基板１０の表面１２に形成される段差を小さくすることができる。具体的には、レジスト供給ノズル２６が−Ｘ軸方向に移動する第１移動供給工程Ｓ２において、凹部パターン１４内の、レジスト供給ノズル２６の移動方向とは反対方向を向く側面１４ａ側に、第１レジスト液４０を塗布することができる。さらに、レジスト供給ノズル２６が＋Ｘ軸方向に移動する第２移動供給工程Ｓ４において、凹部パターン１４内の、レジスト供給ノズル２６の移動方向とは反対方向を向く側面１４ｂ側に、第１レジスト液４０を塗布することができる。その結果、本実施形態に係るレジスト塗布方法では、第２レジスト液４２を良好なカバレッジ性で塗布することができる。
【００６３】
例えばレジスト供給ノズルが一の方向にしか移動しない場合には、凹部パターンの、該一の方向を向く側面側にレジストを塗布することが困難な場合がある。その結果、該一の方向を向く側面側において、基板表面に形成される段差を小さくすることができない場合があり、第２レジスト供給工程において、レジスト液を良好なカバレッジ性で塗布できない場合がある。
【００６４】
本実施形態に係るレジスト塗布方法では、第２移動供給工程Ｓ４は、第１移動供給工程Ｓ２の前に行われる。そのため、本実施形態に係るレジスト塗布方法では、第２移動供給工程Ｓ４が終了した後、レジスト供給ノズル２６を移動させることなく、第２レジスト供給工程Ｓ７を開始することができる。これにより、本実施形態に係るレジスト塗布方法では、処理時間の短縮化を図ることができる。
【００６５】
本実施形態に係るレジスト塗布方法では、第１レジスト供給工程は、第１移動供給工程Ｓ２と第２移動供給工程Ｓ４との間に、固定供給工程Ｓ３を含む。そのため、本実施形態に係るレジスト塗布方法では、表面１２の外周部の単位面積における第１レジスト液４０の供給量と、中心部の単位面積における第１レジスト液４０の供給量と、の差を、小さくすることができる。
【００６６】
本実施形態に係るレジスト塗布方法では、第１移動供給工程Ｓ２における基板１０の回転数と、第２移動供給工程Ｓ４における基板１０の回転数とは、同じであり、第１移動供給工程Ｓ２における第１レジスト液４０の滴下位置の移動速度と、第２移動供給工程Ｓ２における第１レジスト液４０の滴下位置の移動速度とは、同じである。そのため、本実施形態に係るレジスト塗布方法では、基板１０の表面１２に対する、第１移動供給工程Ｓ２におけるレジスト供給ノズル２６の経路Ｋ２の長さおよび渦巻きの間隔と、第２移動供給工程Ｓ４におけるレジスト供給ノズル２６の経路Ｋ４の長さおよび渦巻きの間隔と、を同じにすることができる。これにより、本実施形態に係るレジスト塗布方法では、凹部パターン１４内の、側面１４ａ側に塗布できる第１レジスト液４０の量と、側面１４ｂ側に塗布できる第１レジスト液４０の量と、の差を小さくすることができる。したがって、均一性よく第１レジスト液を、基板の表面に塗布することができる。
【００６７】
本実施形態に係るレジスト塗布方法では、第１レジスト供給工程Ｓ２〜Ｓ４の前に、有機溶剤供給工程Ｓ１を含む。そのため、本実施形態に係るレジスト塗布方法では、表面１２に形成された凹部パターン１４を規定する面１４ａ，１４ｂ，１４ｃと、第１レジスト液４０と、の間に気泡が入ることを抑制することができる。
【００６８】
本実施形態に係るレジスト塗布方法では、第１レジスト供給工程Ｓ２〜Ｓ４の後に、第１供給停止回転工程Ｓ５を含む。そのため、本実施形態に係るレジスト塗布方法では、第１レジスト液４０を、基板１０の表面１２全面に拡散させることができる。
【００６９】
本実施形態に係るレジスト塗布方法では、第１供給停止回転工程Ｓ５の後に、第２供給停止回転工程Ｓ６を含む。そのため、本実施形態に係るレジスト塗布方法では、第１レジスト液４０が乾燥することを抑制しつつ、第１レジスト液４０を、基板１０の表面１２全面に拡散させることができる。例えばレジスト液の供給を停止した状態で、長時間高回転で基板を回転させると、レジスト液が乾燥してしまうことがある。
【００７０】
本実施形態に係るレジスト塗布方法では、第２レジスト供給工程Ｓ７では、基板１０の回転数を徐々に高くしながら行われる。そのため、第２レジスト供給工程Ｓ７では、遠心力を利用して、基板１０の表面１２に均一性よく第２レジスト液４２を塗布することができる。例えば基板の回転数を急激に高くすると、基板表面の外周部にレジスト液が溜まる（外周部にレジスト液の凸部が形成される）場合がある。
【００７１】
本実施形態に係るレジスト塗布方法では、第２レジスト供給工程Ｓ７の後に、第３供給停止回転工程Ｓ８を含む。そのため、本実施形態に係るレジスト塗布方法では、第２レジスト液４２の一部４２ａを、基板１０の表面１２の中心部に集めることができる。
【００７２】
本実施形態に係るレジスト塗布方法では、第２レジスト供給工程Ｓ７の後に、第４供給停止回転工程Ｓ９を含む。そのため、本実施形態に係るレジスト塗布方法では、遠心力によって、第２レジスト液４２の一部を基板１０の表面１２から飛ばすことができ、第２レジスト液４２の厚さを調整することができる。さらに、本実施形態に係るレジスト塗布方法では、第３供給停止回転工程Ｓ８の後に、第４供給停止回転工程Ｓ９を行う。そのため、本実施形態に係るレジスト塗布方法では、第３供給停止回転工程Ｓ８において表面１２の中心部に集まった第２レジスト液４２ａを、表面１２の外周側に拡散させることができる。したがって、本実施形態に係るレジスト塗布方法では、第２レジスト液４２を実質２回供給することでき、表面１２に均一性よく第２レジスト液４２を塗布することができる。
【００７３】
上述した実施形態は一例であって、これらに限定されるわけではない。例えば、本発明に係るレジスト塗布方法は、有機溶剤供給工程Ｓ１を含んでいなくてもよく、この場合、第１レジスト液４０は、第２レジスト液４２よりも粘度の低いレジスト液を用いる。これにより、第１レジスト液４０は上述した有機溶剤３０の機能を有することができ、凹部パターン１４を規定する面と、第２レジスト液４２との間に、気泡が入ることを抑制することができる。
【００７４】
また、上記では、まず、第１レジスト液の滴下位置を、基板１０の表面１２の略中心から外周側に移動させる第１移動供給工程Ｓ２を行い、その後に、第１レジスト液の滴下位置を、表面１２の外周側から略中心に移動させる第２移動供給工程Ｓ４を行う例について説明したが、まず、第２移動供給工程Ｓ４を行い、その後に、第１移動供給工程Ｓ２を行ってもよい。
【００７５】
本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び効果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
【符号の説明】
【００７６】
１０…基板、１２…表面、１４…凹部パターン、１４ａ，１４ｂ…側面、１４ｃ…底面、１６…幅広凹部、１８…幅狭凹部、２０…液体塗布装置、２２…ステージ、２３…接触面、２４…有機溶剤供給ノズル、２６…レジスト供給ノズル、２８…ノズル支持部、２９…レール、３０…有機溶媒、４０…第１レジスト液、４２，４２ａ…第２レジスト液
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図９】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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