(57)【要約】 【課題】パッケージを小型化することができる光半導体モジュールを提供する。  【解決手段】本発明の光半導体モジュールは、上部絶縁基板１１、下部絶縁基板１２、上部絶縁基板１１と下部絶縁基板１２の間に配置された複数の熱電変換素子１３、及び外部と電気的に接続するための電極１５１、１５２を有するペルチェ素子と、上部絶縁基板１１の上方に配置される基板状のキャリア２と、キャリア２の上面に配置される光半導体素子３０と、ペルチェ素子１、キャリア２、及び光半導体素子３０を収容するパッケージ４と、キャリア２の上面に配置され且つパッケージ４の端子４１、４２に配線７１、７２を介して電気的に接続される外部ペルチェ電極５１、５２と、キャリア２及び上部絶縁基板１１を介して外部ペルチェ電極５１、５２と電極１５１、１５２とを電気的に接続する配線部６１、６２と、を備える。  【選択図】図１
2016025265.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上部絶縁基板、下部絶縁基板、前記上部絶縁基板と前記下部絶縁基板の間に配置された複数の熱電変換素子、及び外部と電気的に接続するための電極を有するペルチェ素子と、
前記上部絶縁基板の上方に配置される基板状のキャリアと、
前記キャリアの上面に配置される光半導体素子と、
前記ペルチェ素子、前記キャリア、及び前記光半導体素子を収容するパッケージと、
前記キャリアの上面に配置され且つ前記パッケージの端子に配線を介して電気的に接続される外部ペルチェ電極と、
前記キャリア及び前記上部絶縁基板を介して前記外部ペルチェ電極と前記電極とを電気的に接続する配線部と、
を備える光半導体モジュール。
【請求項２】
前記キャリアの面積は、前記上部絶縁基板の面積以上であり且つ前記下部絶縁基板の面積以上である請求項１に記載の光半導体モジュール。
【請求項３】
前記キャリアは、セラミックで構成され、
前記配線部は、前記キャリアの上面側と下面側とを電気的に接続する第一配線と、前記上部絶縁基板の上面側と下面側とを電気的に接続する第二配線と、を備え、
前記第一配線は、前記キャリアに形成されたスルーホール内に配置された配線導体、又は前記キャリアの側面に配置された配線導体を有し、
前記第二配線は、前記上部絶縁基板に形成されたスルーホール内に配置された配線導体、又は前記上部絶縁基板の側面に配置された配線導体を有する請求項１又は２に記載の光半導体モジュール。
【請求項４】
前記外部ペルチェ電極は、ワイヤボンディングに対応した電極である請求項１〜３の何れか一項に記載の光半導体モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光半導体素子を温調するペルチェ素子を備えた光半導体モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
レーザダイオードなどの光半導体素子を装備する光半導体モジュールには、光半導体素子を温調・冷却するペルチェ素子が装備されている。光半導体素子は、キャリア上に配置され、キャリアに対してペルチェ素子が配置される。光半導体素子、キャリア、及びペルチェ素子が１つのパッケージに収容されて光半導体モジュールが形成される。パッケージには、ペルチェ素子と外部機器とを電気的に接続するための端子が形成されている。パッケージ内部は窒素またはドライエアでパージされているか、真空にされている。
【０００３】
パッケージ内において、ペルチェ素子とパッケージの端子とは、例えばワイヤボンディングにより接続されている。例えば特開平７−１０２０３７号公報には、ペルチェ素子の上下の基板のうち下側の基板を延長させ、当該延長部にワイヤボンド対応の電極パッドブロックが形成されているペルチェ素子が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平７−１０２０３７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記ペルチェ素子の構成では、ワイヤボンディング等の配線設置作業がパッケージの上方から行われるため、下側基板の延長部の上方にキャリアを配置することができない。したがって、上記構成では、パッケージの底面の面積（配置可能面積）をキャリアの必要面積に延長部の面積を加えた面積以上にする必要がある。つまり、従来の構成では、特にワイヤボンディングが為される光半導体モジュールにおいて、パッケージの小型化が困難であった。
【０００６】
本発明は、このような事情に鑑みて為されたものであり、パッケージを小型化することができる光半導体モジュールを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の様相１に係る光半導体モジュールは、上部絶縁基板、下部絶縁基板、前記上部絶縁基板と前記下部絶縁基板の間に配置された複数の熱電変換素子、及び外部と電気的に接続するための電極を有するペルチェ素子と、前記上部絶縁基板の上方に配置される基板状のキャリアと、前記キャリアの上面に配置される光半導体素子と、前記ペルチェ素子、前記キャリア、及び前記光半導体素子を収容するパッケージと、前記キャリアの上面に配置され且つ前記パッケージの端子に配線を介して電気的に接続される外部ペルチェ電極と、前記キャリア及び前記上部絶縁基板を介して前記外部ペルチェ電極と前記電極とを電気的に接続する配線部と、を備える。
【発明の効果】
【０００８】
この構成によれば、ペルチェ素子と電気的に接続された外部ペルチェ電極がキャリア上に配置されているため、外部ペルチェ電極とパッケージの端子とを接続するための配線設置作業がキャリアの上方で行われる。このため、外部ペルチェ電極の上方にスペースを空けるためにペルチェ素子をキャリアとオーバーラップしないように配置するなど、配線設置のためだけのスペースをパッケージ内に設ける必要がなくなる。つまり、上記様相１によれば、配線設置作業用のスペースをキャリア上方以外に設ける必要がなく、パッケージを小型化することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】第一実施形態の光半導体モジュールの構成を示す構成図である。
【図２】第一実施形態の光半導体モジュールの構成を説明するための側面説明図である。
【図３】第一実施形態の光半導体モジュールの構成を説明するための平面説明図である。
【図４】第一実施形態の光半導体モジュールの配線部例を説明するための説明図である。
【図５】第二実施形態の光半導体モジュールの構成を示す構成図である。
【図６】第二実施形態の光半導体モジュールの配線部を説明するための説明図である。
【図７】第三実施形態の光半導体モジュールの構成を示す構成図である。
【図８】第三実施形態の光半導体モジュールの配線部を説明するための説明図である。
【図９】第四実施形態の光半導体モジュールの構成を示す構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、図中、同一符号を付してある。また、説明に用いる各図は概念図であり、各部の形状は必ずしも厳密なものではない場合がある。また、明細書における「上方」は「一方」に、「下方」は「他方」に置き換えることができる。また、電極、配線、及び回路等において「接続」とは、特に説明がない場合でも「電気的な接続」を意味する。
【００１１】
＜第一実施形態＞
第一実施形態の光半導体モジュールは、図１〜図３に示すように、主に、ペルチェ素子１と、キャリア２と、光半導体素子回路３と、パッケージ４と、外部ペルチェ電極５１、５２と、配線部６１、６２と、外部配線７１、７２と、を備えている。ペルチェ素子１は、電流により対象物を温調（温度調整）するための電子部品であり、サーモモジュールとも称される。具体的に、ペルチェ素子１は、上部絶縁基板１１と、下部絶縁基板１２と、複数の熱電変換素子１３と、配線導体１４と、電極１５１、１５２と、を備えている。
【００１２】
上部絶縁基板１１は、平板状のセラミック基板である。上部絶縁基板１１は、ペルチェ素子１における吸熱側の基板である。上部絶縁基板１１には、上下方向に貫通したスルーホール１１ａ、１１ｂが形成されている。下部絶縁基板１２は、平板状のセラミック基板であり、上部絶縁基板１１の下方に配置されている。下部絶縁基板１２は、ペルチェ素子１における放熱側の基板である。上部絶縁基板１１の面積と下部絶縁基板１２の面積とは同じであり、両者は互いに対向するように配置されている。上部絶縁基板１１の上面は、金属メッキＡで覆われている。熱電変換素子１３は、熱と電力とを変換する素子であり、ここではｐ型半導体とｎ型半導体とが組み合わされて構成されている。熱電変換素子１３は、上部絶縁基板１１と下部絶縁基板１２の間に配置されている。
【００１３】
配線導体１４は、複数の熱電変換素子１３を電気的に接続する金属である。配線導体１４は、上部絶縁基板１１の下面及び下部絶縁基板１２の上面に配置されている。配線導体１４及び複数の熱電変換素子１３により、１つの回路が形成されている。
【００１４】
電極１５１、１５２は、ペルチェ素子１の上記回路と外部機器とを電気的に接続するための金属電極である。電極１５１は上記回路の一端部（プラス側）に形成され、電極１５２は上記回路の他端部（マイナス側）に形成されている。電極１５１、１５２は、当該端部の熱電変換素子１３又は配線導体１４に接続されている。電極１５１（１５２）は、上部絶縁基板１１の下面の対応するスルーホール１１ａ（１１ｂ）に接触する位置に配置されている。本実施形態の電極１５１、１５２は、直接熱電変換素子１３に接続されている。ペルチェ素子１は、電極１５１、１５２から電力が供給されることで、熱電変換素子１３が上部絶縁基板１１の熱を下部絶縁基板１２に移動させ、上部絶縁基板１１側を冷却する。
【００１５】
キャリア２は、セラミックで構成されたセラミック基板であり、上部絶縁基板１１の上方に配置されている。キャリア２の面積は、上部絶縁基板１１の面積よりも大きい。キャリア２には、上下に貫通したスルーホール２ａ、２ｂが形成されている。スルーホール１１ａとスルーホール２ａ、及びスルーホール１１ｂとスルーホール２ｂとは、上下に対応する位置に配置されている。キャリア２の下面は、金属メッキＢで覆われている。キャリア２と上部絶縁基板１１とは、上下に対向するように、はんだＣにより固定されている。
【００１６】
光半導体素子回路３は、キャリア２の上面に配置された回路である。光半導体素子回路３は、光半導体素子３０と、光部品３１と、回路配線部３２と、を備えている。第一実施形態の光半導体素子３０は、レーザダイオードである。光半導体素子３０は、光学素子ともいえる。光部品３１は、光半導体素子３０との組み合わせで必要な部材であり、第一実施形態ではレンズである。回路配線部３２は、キャリア２上で必要な回路配線である。図１では、回路配線部３２に備えられた部品であって、レーザダイオードとレンズ以外の部品（例えばサーミスタ等）をＺと表示している。
【００１７】
パッケージ４は、ペルチェ素子１、キャリア２、及び光半導体素子回路３を収容する中空直方体状の気密容器である。下部絶縁基板１２は、パッケージ４の底面に固定されている。パッケージ４の底面の面積は、キャリア２の面積よりも若干大きい。パッケージ４の側面には、ペルチェ素子１と外部機器とを電気的に接続するための端子４１、４２が設けられている。端子４１、４２は、キャリア２とよりも上方に位置している。パッケージ４の上方の開口は、全部品を収容後で且つ後述するワイヤボンディングが行われた後に、上蓋４０により閉鎖される。パッケージ４の内部は、窒素またはドライエアでパージされているか、真空にされている。
【００１８】
外部ペルチェ電極５１、５２は、キャリア２の上面に配置された金属電極である。外部ペルチェ電極５１、５２は、ワイヤボンディングに対応した電極である。具体的に、外部ペルチェ電極５１、５２は、ワイヤボンディング可能な大きさで、平板状に形成されている。外部ペルチェ電極５１はスルーホール２ａを覆うように配置され、外部ペルチェ電極５２はスルーホール２ｂを覆うように配置されている。ただし、外部ペルチェ電極５１、５２は、キャリア２上の配線を介して任意の位置に配置可能である。
【００１９】
配線部６１（６２）は、キャリア２及び上部絶縁基板１１を介して外部ペルチェ電極５１（５２）と電極１５１（１５２）とを電気的に接続する配線導体である。配線部６１は、スルーホール２ａ内に配置された第一配線６１１と、スルーホール１１ａ内に配置された第二配線６１２と、第一配線６１１と第二配線６１２とを接続する第三配線６１３と、を備えている。第一配線６１１は、外部ペルチェ電極５１に接続されている。第二配線６１２は、電極１５１に接続されている。
【００２０】
ここで、はんだＣは、空間によりはんだＣ０、Ｃ１、Ｃ２に分離されている。同様に、金属メッキＡは、空間により金属メッキＡ０、Ａ１、Ａ２に分離されている。同様に、金属メッキＢは、空間により金属メッキＢ０、Ｂ１、Ｂ２に分離されている。つまり、キャリア２の下面と上部絶縁基板１１の上面との間には、空間により互いに絶縁された３つの導体ブロック（Ａ０とＢ０とＣ０、Ａ１とＢ１とＣ１、及びＡ２とＢ２とＣ２）が形成されている。第三配線６１３は、はんだＣ１と金属メッキＡ１、Ｂ１で形成され、第一配線６１１と第二配線６１２を導通させている。
【００２１】
配線部６２は、スルーホール２ｂ内に配置された第一配線６２１と、スルーホール１１ｂ内に配置された第二配線６２２と、第一配線６２１と第二配線６２２とを接続する第三配線６２３と、を備えている。第一配線６２１は、外部ペルチェ電極５２に接続されている。第二配線６２２は、電極１５２に接続されている。第三配線６２３は、はんだＣ２と金属メッキＡ２、Ｂ２で形成され、第一配線６２１と第二配線６２２を導通させている。外部ペルチェ電極５１と外部ペルチェ電極５２は、ペルチェ素子１を介して導通している。このように、第一配線６１１、６２１は、キャリア２の上面側と下面側とを電気的に接続する配線であり、第二配線６１２、６２２は、上部絶縁基板１１の上面側と下面側とを電気的に接続する配線である。なお、配線部６１、６２の各配線、外部ペルチェ電極５１、５２、及び／又は電極１５１、１５２は、例えば、図４に示すように、他のメッキ部位と絶縁（例えば空間形成）することで、金属メッキとはんだで一体的に形成することができる。
【００２２】
外部配線７１、７２は、ワイヤボンディングにより形成された金属配線である。外部配線７１は、外部ペルチェ電極５１と、端子４１とを電気的に接続している。外部配線７２は、外部ペルチェ電極５２と、端子４２とを電気的に接続している。これにより、端子４１、４２を介して、光半導体モジュールの外部の機器とペルチェ素子１が電気的に接続可能となる。ワイヤボンディングは、パッケージ４の上方の開口から行われる。外部配線７１、７２は、パッケージ４内に収容される。
【００２３】
第一実施形態の光半導体モジュールによれば、外部ペルチェ電極５１、５２がキャリア２の上面に配置されている。これにより、ペルチェ素子１と端子４１、４２とを接続する配線設置作業（ここではワイヤボンディング）のためのスペースが不要になる。従来のように、ペルチェ素子に外部とつなぐペルチェ電極が形成されている場合、当該ペルチェ電極の上方にキャリアを配置できず、キャリアの大きさより大きいパッケージを準備する必要があった。
【００２４】
一方、第一実施形態の光半導体モジュールでは、外部ペルチェ電極５１、５２の上方のスペースは自動的に確保されるため、パッケージ４の大きさをキャリア２の大きさに合わせることができる。第一実施形態によれば、パッケージ４として、ペルチェ素子１に合わせたものでなくても良く、キャリア２に合ったもの、例えばキャリア２の寸法に一致した（若干大きい）ものを用いることができる。つまり、第一実施形態によれば、キャリア２の大型化及び／又はパッケージ４の小型化が可能となる。例えば光通信分野において、光通信速度の高度化に伴い、キャリア２上に搭載される光半導体素子３０及び光部品３１の数が増加する一方で、パッケージ４の小型化が求められている。第一実施形態によれば、このような課題を解決することができる。
【００２５】
また、第一実施形態によれば、ペルチェ素子１に外部ペルチェ電極５１、５２の配置スペースを準備する必要がなく、熱電変換素子１３を効率的に配置することが可能となり、ペルチェ素子１の能力を向上させることもできる。また、第一実施形態によれば、キャリア２の上面に光半導体素子３０等を固定・接続する作業と、配線設置作業とを同一平面上（キャリア２の上面上）で行うことができるため、作業効率の向上が可能となる。第一実施形態では、光半導体素子３０とパッケージの他の端子４３、４４とがワイヤボンディングにより直接接続されている。
【００２６】
また、第一実施形態によれば、外部ペルチェ電極５１、５２をキャリア２の上面の任意の位置に配置できるため、キャリア２の上面のレイアウトが自由にでき、スペースの有効活用が可能となる。また、第一実施形態によれば、ペルチェ素子１を変更することなく、キャリア２を設計変更するだけで他の光通信設計に適用できる。また、第一実施形態によれば、配線部６１、６２がスルーホールを利用して（例えばスルーホールの内周面に）形成されているため、配線の形成が容易であるとともに、キャリア２上の回路設計の自由度が大きくなる。また、外部ペルチェ電極５１、５２がワイヤボンディングに対応しているため、外部配線７１、７２は、ワイヤボンディングで精度良く形成される。
【００２７】
＜第二実施形態＞
第二実施形態の光半導体モジュールは、配線部の構成の点で第一実施形態と異なっている。したがって、異なっている部分について説明し、第一実施形態と同様の構成については、同符号を付して説明は省略する。
【００２８】
配線部６１Ａは、図５及び図６に示すように、キャリア２及び上部絶縁基板１１を介して外部ペルチェ電極５１と電極１５１とを電気的に接続する配線導体である。配線部６１Ａは、キャリア２の側面に配置された第一配線６１１Ａと、上部絶縁基板１１の側面に配置された第二配線６１２Ａと、第一配線６１１Ａと第二配線６１２Ａとを接続するための第三配線６１３Ａと、第一配線６１１Ａと外部ペルチェ電極５１を接続する配線Ｙ１と、第一配線６１１Ａと第三配線６１３Ａを接続する配線Ｙ２と、第二配線６１２Ａと第三配線６１３Ａを接続する配線Ｙ３と、第二配線６１２Ａと電極１５１を接続する配線Ｙ４と、を備えている。第三配線６１３Ａは、はんだＣ１とメッキＡ１とメッキＢ１で形成され、配線Ｙ２、Ｙ３を介して第一配線６１１Ａと第二配線６１２Ａを導通させている。
【００２９】
キャリア２及び上部絶縁基板１１を介して外部ペルチェ電極５２と電極１５２とを電気的に接続する配線部も、上記配線部６１Ａと同様の構成である。したがって、説明は省略する。第二実施形態の光半導体モジュールによっても、第一実施形態と同様の効果が発揮される。また、キャリア２及び上部絶縁基板１１の側面に沿わせて配線を形成することで、スルーホール同様、配線の製造が容易となる。なお、配線Ｙ２、Ｙ３は、第三配線６１３Ａがキャリア２及び上部絶縁基板１１の端部（外縁）にまで配置されている場合、第一配線６１１Ａ及び第二配線６１２Ａを直接第三配線６１３Ａに接続することができるため、省略できる。
【００３０】
＜第三実施形態＞
第三実施形態の光半導体モジュールは、キャリアの構成及び配線部の構成の点で第一実施形態と異なっている。したがって、異なっている部分について説明し、第一実施形態と同様の構成については、同符号を付して説明は省略する。
【００３１】
第三実施形態のキャリア２０は、金属基板である。図７及び図８に示すように、光半導体素子回路３は、キャリア２０の絶縁処理された絶縁上面部２０ａに形成されている。また、キャリア２０の側面には、後述する第一配線６１１Ｂに対応する位置に絶縁処理が為された絶縁側面部２０ｂが形成されている。また、キャリア２０の下面には、後述する配線Ｙ６に対応する位置に絶縁処理が為された絶縁下面部２０ｃが形成されている。なお、絶縁上面部２０ａはキャリア２０の上面全体に形成されても良く、絶縁側面部２０ｂはキャリア２０の側面全体に形成されても良く、絶縁下面部２０ｃはキャリア２０の下面全体に形成されても良い。
【００３２】
配線部６１Ｂは、キャリア２０及び上部絶縁基板１１を介して外部ペルチェ電極５１と電極１５１とを電気的に接続する配線導体である。配線部６１Ｂは、絶縁側面部２０ｂ上に配置された第一配線６１１Ｂと、スルーホール１１ａ内に配置された第二配線６１２Ｂと、第一配線６１１Ｂと第二配線６１２Ｂとを接続する第三配線６１３Ｂと、絶縁上面部２０ａ上に配置され第一配線６１１Ａと外部ペルチェ電極５１を接続する配線Ｙ５と、絶縁下面部２０ｃ上に配置され第一配線６１２Ｂと第三配線６１３Ｂを接続する配線Ｙ６と、を備えている。第二配線６１２Ｂは、電極１５１に導通している。第三配線６１３Ｂは、はんだＣ１とメッキＡ１とメッキＢ１で形成され、配線Ｙ６を介して第一配線６１１Ｂと第二配線６１２Ｂを導通させている。
【００３３】
キャリア２０及び上部絶縁基板１１を介して外部ペルチェ電極５２と電極１５２とを電気的に接続する配線部も、上記配線部６１Ｂと同様の構成である。したがって、説明は省略する。第三実施形態の光半導体モジュールによっても、第一実施形態又は第二実施形態と同様の効果が発揮される。ただし、キャリアに対する絶縁処理の必要がない分、第三実施形態よりも第一実施形態及び第二実施形態のほうが製造は容易である。
【００３４】
＜第四実施形態＞
第四実施形態の光半導体モジュールは、キャリアの構成及び配線部の構成の点で第一実施形態と異なっている。したがって、異なっている部分について説明し、第一実施形態と同様の構成については、同符号を付して説明は省略する。
【００３５】
第四実施形態のキャリア２００は、図９に示すように、複数の絶縁基板（ここでは２層）２０１、２０２を有する多層基板である。絶縁基板２０１は、絶縁基板２０２上に配置されている。
【００３６】
配線部６１Ｃは、キャリア２００及び上部絶縁基板１１を介して外部ペルチェ電極５１と電極１５１とを電気的に接続する配線導体である。配線部６１Ｃは、第一配線６１１Ｃと、スルーホール１１ａ内に配置された第二配線６１２Ｃと、第一配線６１１Ｃと第二配線６１２Ｃとを接続する第三配線６１３Ｃと、を備えている。
【００３７】
第一配線６１１Ｃは、絶縁基板２０１に形成されたスルーホール２０１ａに配置された配線６１１Ｃ１と、絶縁基板２０２に形成されたスルーホール２０２ａに配置された配線６１１Ｃ２と、配線６１１Ｃ１と配線６１１Ｃ２とを接続する配線６１１Ｃ３と、を有している。配線６１１Ｃ１は、外部ペルチェ電極５１に導通している。配線６１１Ｃ２は、第三配線６１３Ｃに導通している。配線６１１Ｃ３は、絶縁基板２０１の下面及び／又は絶縁基板２０２の上面に形成され、平面方向に延びている。
【００３８】
つまり、第一配線６１１Ｃは、複数のスルーホール２０１ａ、２０２ａを介して、キャリア２００の上面側と下面側を電気的に接続している。第二配線６１２Ｂは、電極１５１に導通している。第三配線６１３Ｂは、はんだＣ１とメッキＡ１とメッキＢ１で形成され、第一配線６１１Ｃと第二配線６１２Ｃを導通させている。キャリア２００及び上部絶縁基板１１を介して外部ペルチェ電極５２と電極１５２とを電気的に接続する配線部も、上記配線部６１Ｃと同様の構成である。
【００３９】
第四実施形態の光半導体モジュールによっても、第一実施形態と同様の効果が発揮される。また、第四実施形態によれば、設計者は、多層基板の構成を利用することで、すなわち配線６１１Ｃ３の存在により、キャリア２００上面の設計を考慮することなく外部ペルチェ電極５１の配置位置を自由に決定することができる。つまり、第四実施形態によれば、外部ペルチェ電極５１の配置位置の設計が容易となり、配置自由度は向上する。
【００４０】
＜その他＞
本発明は、上記実施形態に限られない。例えば外部配線７１、７２は、ワイヤボンディングで形成された配線に限らず、リード線等の配線であっても良い。配線設置作業は、例えばはんだ付けであっても良い。外部配線７１、７２にリード線を用いる場合でも、配線設置作業は、キャリア２等がパッケージ４内に配置された状態で行われるため、上記実施形態と同様の効果が発揮される。ただし、配線設置作業のうちワイヤボンディングは作業精度が高く、ワイヤボンディングに対応した外部ペルチェ電極５１、５２を採用することが好ましい。また、端子４１、４２はキャリア２、２０、２００と同じ高さか下方に位置していても良い。
【００４１】
また、光半導体素子３０は、レーザダイオードのような半導体レーザや光通信素子に限らず、温度調整や冷却することが機能向上に作用する光学素子（例えばＣＣＤ）であっても良い。光部品３１は、光半導体素子３０とセットで使用される部品である。また、キャリア２は、例えば樹脂で構成された絶縁基板であっても良い。また、キャリア２０は、例えばシリコン基板など、半導体で構成された基板であっても良い。キャリアのベースが導体か半導体か絶縁体かによって、上記実施形態から構成が選択できる。また、キャリアは複数の材質を組み合わせたものであっても良く、その場合も上記実施形態を組み合わせて構成が選択できる。また、多層基板は、何層のものでも良い。また、配線部（第一配線と第二配線の組み合わせ）は、スルーホールと側面配線とを組み合わせたものでも良い。
【００４２】
また、光半導体素子回路３は、光半導体素子３０を備えていれば良く、光部品３１や回路配線部３２がないものでも良い。また、キャリア２、２０、２００上にさらにサブキャリアを設けた上に、光半導体素子回路３を形成しても良い。また、はんだＣ又ははんだＣと金属メッキＡ、Ｂに代えて、接着剤を用いても良い。この場合、接着剤が導電性のものであるか、接着剤の側面等に配線を形成することで第三配線が形成される。
【００４３】
また、第一実施形態同様、配線部６１Ａ、６１Ｂ、６１Ｃの各配線、外部ペルチェ電極５１、５２、及び／又は電極１５１、１５２は、例えば、他のメッキ部位と絶縁（例えば空間形成）することで、金属メッキとはんだで一体的に形成することができる。また、キャリア２、２０、２００の面積は、ペルチェ素子１の面積より小さくても良い。また、パッケージ４の形状は直方体状に限らず、円筒形状（中空円柱形状）などでも良い。
【００４４】
ここで、本発明の好適な様相を再度例示する。本発明において、キャリア２、２０、２００の面積は、上部絶縁基板１１の面積以上であり且つ下部絶縁基板１２の面積以上であることが好ましい。この構成によれば、パッケージ４内におけるキャリア２、２０、２００の面積が効率よく確保され、パッケージ４の小型化とキャリア２、２０、２００上の部品配置面積の確保が両立される。
【００４５】
また、本発明において、キャリア２、２００は、セラミックで構成され、配線部６１、６２、６１Ａ、６１Ｃは、キャリア２、２００の上面側と下面側とを電気的に接続する第一配線６１１、６２１、６１１Ａ、６１１Ｃと、上部絶縁基板１１の上面側と下面側とを電気的に接続する第二配線６１２、６２２、６１２Ａ、６１２Ｃと、を備え、第一配線６１１、６２１、６１１Ａ、６１１Ｃは、キャリア２、２００に形成されたスルーホール２ａ、２ｂ、２０１ａ、２０２ａ内に配置された配線導体、又はキャリア２、２００の側面に配置された配線導体を有し、第二配線６１２、６２２、６１２Ａ、６１２Ｃは、上部絶縁基板１１に形成されたスルーホール１１ａ内に配置された配線導体、又は上部絶縁基板１１の側面に配置された配線導体を有することが好ましい。この構成によれば、スルーホール又は基板の側面に配線が形成されるため、配線部の製造が容易となる。
【００４６】
また、本発明において、外部ペルチェ電極５１、５２は、ワイヤボンディングに対応した電極であることが好ましい。この構成によれば、外部ペルチェ電極５１、５２とパッケージ４の端子４１、４２とを接続する配線７１、７２をワイヤボンディングにより形成することができ、配線設置作業が容易且つ高精度となる。
【符号の説明】
【００４７】
１：ペルチェ素子、  １１：上部絶縁基板、  １１ａ：スルーホール、
１２：下部絶縁基板、  １３：熱電変換素子、  １４：配線導体、
１５１、１５２：電極、  ２、２０、２００：キャリア、
２ａ、２ｂ、２０１ａ、２０２ａ：スルーホール、  ３０：光半導体素子、
４：パッケージ、  ４１、４２：端子、  ５１、５２：外部ペルチェ電極、
６１、６２、６１Ａ、６１Ｂ、６１Ｃ：配線部、
６１１、６２１、６１１Ａ、６１１Ｂ、６１１Ｃ：第一配線、
６１２、６２２、６１２Ａ、６１２Ｂ、６１２Ｃ：第二配線、
６１３、６２３、６１３Ａ、６１３Ｂ、６１３Ｃ：第三配線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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