(57)【要約】【課題】構造を簡易化してコストを低減し、且つ冷却効率を向上させることのできる電力変換装置を提供する。【解決手段】パワー半導体素子ＩＧＢＴ１〜４を有するパワーモジュールＰＭ１〜３と、パワーモジュールの一面側に配置され、パワーモジュールを冷却する冷却器（水冷装置１１）と、冷却器の一面側と前記パワーモジュールの冷却器が配置された反対側を循環する密閉通路Ｒを有し、密閉通路内の空気を送風手段（ブロワー２１）で循環させる空冷手段２０とを備える。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
パワー半導体素子（ＩＧＢＴ１〜４）を有するパワーモジュール（ＰＭ１〜３）と、
前記パワーモジュールの一面側に配置され、当該パワーモジュールを冷却する冷却器（水冷装置１１）と、
前記冷却器の一面側と前記パワーモジュールの前記冷却器が配置された反対側を循環する密閉通路（Ｒ）を有し、前記密閉通路内の空気を送風手段（ブロワー２１）で循環させる空冷手段（２０）と
を備えることを特徴とする電力変換装置。
【請求項２】
前記パワー半導体素子は、電気的素子と電気的接続を行うビームリード（２０１Ａ、２０１Ｂ）を備え、
該ビームリードは、前記送風手段からの送風によって形成される空気流（５００ｂ，５００ｃ）に接触して空冷される露出部を有することを特徴とする請求項１に記載の電力変換装置。
【請求項３】
前記パワー半導体素子を保護する保護層を有することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の電力変換装置。
【請求項４】
前記保護層は、シリコン系のゲルで構成されることを特徴とする請求項３に記載の電力変換装置。
【請求項５】
前記ビームリードが複数にわたって設けられ、各ビームリード間には仕切壁（３００）が形成されていることを特徴とする請求項２から請求項４の何れか１項に記載の電力変換装置。
【請求項６】
前記ビームリードは、前記送風手段によって送給される空気を流通させる流路（５０ａ、５１ａ）を備えていることを特徴とする請求項２から請求項５の何れか１項に記載の電力変換装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電力変換装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
電力変換装置は、電力変換装置に内蔵されたＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor：絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ）などから成るパワー半導体モジュール（パワーモジュール）をスイッチング動作させ、直流電力と交流電力との間や、低電圧直流電力と高電圧直流電力との間などで電力変換を行う装置である。このような電力変換装置は、ハイブリッド自動車、電気自動車などで広く用いられている。
【０００３】
ところで、電力変換装置を動作させると、パワーモジュールが発熱して変換効率が低下したり、モジュール自体が熱で破損する等の不具合を生じる。そのため、パワーモジュールを耐熱温度以下に保つように冷却する必要がある。
【０００４】
電力変換装置の冷却に関する技術は種々提案されている（例えば特許文献１等）。
【０００５】
特許文献１には、パワーモジュールの底面（半導体チップが実装されている面）を水冷方式で冷却し、パワーモジュールの上面を空冷方式で冷却する技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００９−２７９０１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、特許文献１に係る技術では、空冷に用いる空気として、外気を導入している。
【０００８】
そのため、例えば電力変換装置を車載する場合などに、通気路等を介して外気をパワーモジュールの近傍まで引き回す必要があり、構造が複雑になり、製造コストも嵩むという問題があった。
【０００９】
また、外気は粉塵や湿気等を含むため、その外気をパワーモジュールの回路基板に直接導入すると、パワー半導体等の素子間におけるショートや腐食等の不具合を生じる虞がある。そのため、外気による場合には、パワーモジュールを収容するケースの外側からしか空冷できず、冷却効率が低いという問題もあった。
【００１０】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、構造を簡易化してコストを低減し、且つ冷却効率を向上させることのできる電力変換装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的を達成するため、本発明に係る電力変換装置の第１の態様は、パワー半導体素子を有するパワーモジュールと、前記パワーモジュールの一面側に配置され、当該パワーモジュールを冷却する冷却器と、前記冷却器の一面側と前記パワーモジュールの前記冷却器が配置された反対側を循環する密閉通路を有し、前記密閉通路内の空気を送風手段で循環させる空冷手段とを備えることを要旨とする。
【００１２】
本発明に係る第２の態様は、第１の態様に係る電力変換装置において、前記パワー半導体素子は、電気的素子と電気的接続を行うビームリードを備え、該ビームリードは、前記送風手段からの送風によって形成される空気流に接触して空冷される露出部を有することを要旨とする。
【００１３】
本発明に係る第３の態様は、第１の態様または第２の態様に係る電力変換装置において、前記パワー半導体素子を保護する保護層を有することを要旨とする。
【００１４】
本発明に係る第４の態様は、第３の態様に係る電力変換装置において、前記保護層は、シリコン系のゲルで構成されることを要旨とする。
【００１５】
本発明に係る第５の態様は、第２の態様から第４の態様に係る電力変換装置において、前記ビームリードが複数にわたって設けられ、各ビームリード間には仕切壁が形成されていることを要旨とする。
【００１６】
本発明に係る第６の態様は、第２の態様から第５の態様に係る電力変換装置において、前記ビームリードは、前記送風手段によって送給される空気を流通させる流路を備えていることを要旨とする。
【発明の効果】
【００１７】
第１の態様に係る電力変換装置によれば、パワーモジュールの表面側および裏面側の両側から冷やすことができるので、冷却効率を向上させることができる。また、空冷手段で冷却した装置内の空気を循環させて利用しているので、空冷用の外気をパワーモジュールまで導く必要がなく、装置全体を簡易化、小型化してコストを低減することができる。また、外気を導入しないので、粉塵等を含まない清浄な空気を用いて冷却することができ、素子間のショートや腐食等の虞がないので、パワーモジュールの表面を直接冷却して、冷却効率を向上させることができる。
【００１８】
第２の態様に係る電力変換装置によれば、送風手段が有する空気流に接触して空冷される露出部を有するビームリードを備えているので、パワー半導体素子を効率的に冷却することができる。
【００１９】
第３の態様に係る電力変換装置によれば、パワー半導体素子を保護する保護層を有しているので、冷却性能を確保しつつ、空気によるパワー半導体素子や端子等の酸化などの影響を抑制することができる。
【００２０】
第４の態様に係る電力変換装置によれば、保護層はシリコン系のゲルで構成されているので、配線等に加わる応力を低減することができる。
【００２１】
第５の態様に係る電力変換装置によれば、各ビームリード間には仕切壁が形成されているので、ビームリード間のショート等の発生を防止することができる。
【００２２】
第６の態様に係る電力変換装置によれば、ビームリードは、送風手段によって導入される空気を流通させる流路を備えているので、冷却効率を一層向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】第１の実施の形態に係る電力変換装置の上面側の内部構成を示す斜視図である。
【図２】第１の実施の形態に係る電力変換装置の下面側の構成を示す斜視図である。
【図３】第１の実施の形態に係る電力変換装置の側方断面図である。
【図４】第１の実施の形態に係る電力変換装置に適用されるＩＧＢＴ装置の回路図である。
【図５】第２の実施の形態に係る電力変換装置の上面側の内部構成の一部を示す斜視図である。
【図６】第２の実施の形態に係る電力変換装置の要部の構成例を示す説明図である。
【図７】第３の実施の形態に係る電力変換装置の上面側の内部構成の一部を示す端面図である。
【図８】第４の実施の形態に係る電力変換装置の上面側の内部構成を示す斜視図である。
【図９】第４の実施の形態に係る電力変換装置のＡ−Ａ線端面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、本発明の一例としての実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。ここで、添付図面において同一の部材には同一の符号を付しており、また、重複した説明は省略されている。なお、ここでの説明は本発明が実施される最良の形態であることから、本発明は当該形態に限定されるものではない。
【００２５】
［第１の実施の形態に係る電力変換装置］
図１から図４を参照して、第１の実施の形態に係る電力変換装置１Ａの構成例について説明する。
【００２６】
図１は、第１の実施の形態に係る電力変換装置１Ａの上面側の内部構成を示す斜視図、図２は、電力変換装置１Ａの下面側の構成を示す斜視図、図３は、電力変換装置１Ａの側方断面図、図４は、電力変換装置１Ａに適用されるＩＧＢＴ装置（パワーモジュール）ＰＭ１（ＰＭ２，ＰＭ３）の回路図である。
【００２７】
本実施の形態に係る電力変換装置１Ａは、例えば、電動車両に搭載される車両駆動用のインバータ装置などとして用いられる。即ち、パワーモジュールＰＭ１〜ＰＭ３によって、３相交流モータの駆動に必要な電力変換を行う。より具体的には、車載電源を構成するバッテリから供給された直流電力を所定の交流電力に変換し、得られた交流電力を３相交流モータ等に供給するものである。
【００２８】
本実施の形態に係る電力変換装置１Ａは、図１から図３に示すように、ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor：絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ）で構成されるパワー半導体素子１０を有するパワーモジュールＰＭ１〜ＰＭ３と、パワーモジュールＰＭ１〜ＰＭ３の一面側である裏面側に配置されて、これらのパワーモジュールＰＭ１〜ＰＭ３を冷却する冷却器としての水冷装置１１と、水冷装置１１において、パワーモジュールＰＭ１〜ＰＭ３と接する面と反対側の面（本実施の形態では裏面側）に設けられ、樹脂製の筐体Ｃ（図３参照）で密閉された装置内に形成される密閉通路Ｒ（図３参照）内の空気を送風手段としてのブロワー２１で循環させる空冷手段２０等を備えている。
【００２９】
なお、ブロワー２１は、駆動制御を行うブロワー回路に接続するブロワー回路接続コネクタ３０を備えている（図２参照）。
【００３０】
水冷装置１１は、より具体的には、アルミニウム等の金属で成形され、内部に冷却水等からなる冷媒の流路を有する水冷ジャケット１２と、水冷ジャケット１２に冷却水等の冷媒を供給する供給口１３と、水冷ジャケット１２の内部の流路を長手方向（矢印Ｗ１および矢印Ｗ２方向）に流れた冷媒を排出する排出口１４とを備えている。なお、水冷ジャケット１２の断面形状は、例えば後述の図７等に示されるような断面が短冊形の冷媒流通用の細孔１２ａが多数形成された形状とされる。
【００３１】
また、空冷手段２０の一部は、アルミニウム等の金属で成形され、内部に空気の流路を有するヒートシンクとして構成される。なお、空冷手段２０の一部を構成するヒートシンクの断面形状は、例えば後述の図７等に示されるような断面が短冊形の空気流通用の細孔２０ａが多数形成された形状とされる。
【００３２】
図１において、水冷ジャケット１２の上面側（即ちパワーモジュールＰＭ１〜ＰＭ３の裏面側）には、絶縁部材１０１を介してパワーモジュールＰＭ１〜ＰＭ３を搭載した基板１０２Ａ〜１０２Ｃが載置されている。
【００３３】
各基板１０２Ａ〜１０２Ｃに搭載されるパワーモジュールＰＭ１〜ＰＭ３は、例えば図４に示すような回路構成を有している。
【００３４】
図４に示すように、パワーモジュールＰＭ１（ＰＭ２，ＰＭ３）としてのＩＧＢＴ装置は、ノードｎ１、ｎ２を介して並列接続される一対のＩＧＢＴ１、ＩＧＢＴ２と、ノードｎ１〜ｎ４を介して並列接続される一対のフライホイールダイオード（Ｆｒｅｅ  Ｗｈｅｅｌｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）ＦＷＤ１、ＦＷＤ２を備える。
【００３５】
さらに、ＩＧＢＴ装置は、ノードｎ６、ｎ８を介して並列接続される一対のＩＧＢＴ３、ＩＧＢＴ４と、ノードｎ６〜ｎ９を介して並列接続される一対のフライホイールダイオードＦＷＤ３、ＦＷＤ４を備える。
【００３６】
そして、ＩＧＢＴ１とＩＧＢＴ２のエミッタ端子と、ＩＧＢＴ３とＩＧＢＴ４のコレクタ端子とは、ノードｎ５を介して接続され、且つ、出力端子Ｏに接続されている。
【００３７】
また、ＩＧＢＴ１とＩＧＢＴ２のコレクタ端子は、ノードｎ１を介してプラス端子Ｐに接続されている。また、ＩＧＢＴ３とＩＧＢＴ４のエミッタ端子は、ノードｎ８を介してマイナス端子Ｎに接続されている。
【００３８】
図１に示すように、パワー半導体素子としてのＩＧＢＴは、電気的素子と電気的接続を行うビームリード２０１Ａ、２０１Ｂを備えている。
【００３９】
各ビームリード２０１Ａ、２０１Ｂは、銅やアルミニウム等からなる長尺状の金属板を折り曲げて成形される。より具体的には、ビームリード２０１Ａ、２０１Ｂにおける長手方向の両端にチップ側接合部および回路側接合部を設け、これらのチップ側接合部および回路側接合部同士を立ち上がり部および渡り部Ｈを介して一体に結合している。そして、チップ側接合部はＩＧＢＴを構成する半導体チップに、回路側接合部は基板上に形成される回路層に、それぞれハンダを介して接合される。
【００４０】
各ビームリード２０１Ａ、２０１Ｂの少なくとも一部（例えば、渡り部Ｈ）は、ブロワー２１からの送風によって形成される空気流５００ａ〜５００ｄに露出されて空冷されるヒートシンク部として機能する。
【００４１】
ここで、図１から図３を参照して、本実施の形態に係る電力変換装置１Ａにおける空気（送風）の流れについて説明する。
【００４２】
まず、ブロワー２１からの送風は、送風管２５を介してパワーモジュールＰＭ１〜ＰＭ３が設けられた面へ送給される（矢印５００ａ参照）。なお、送風管２５はゴム製の蛇腹部材２７を介してブロワー２１の吹出し部に接続されている。
【００４３】
次いで、送風管２５の吹出し部２５ａからパワーモジュールＰＭ１〜ＰＭ３が設けられた面へ送給された空気は、負圧となる排気管２６の排気部２６ａに向けて、空気流５００ｂ、５００ｃとして流通する。
【００４４】
これにより、空気流５００ｂ、５００ｃに対して露出されるビームリード２０１Ａ、２０１Ｂの渡り部Ｈ等が空冷され、ひいてはパワーモジュールＰＭ１〜ＰＭ３に搭載されるＩＧＢＴ１〜ＩＧＢＴ４の冷却が促進される。
【００４５】
排気部２６ａに流入した空気流５００ｄは、排気管２６等を介して空冷手段２０側に還流され、空冷手段２０内を長手方向に穿設された断面形状が短冊形の細孔（図示せず）を経由して空気流５００ｅとしてブロワー２１に戻される。
【００４６】
これにより、ブロワー２１→送風管２５（空気流５００ａ）→パワーモジュールＰＭ１〜ＰＭ３が設けられた面（空気流５００ｂ、５００ｃ）→排気管２６（空気流５００ｄ）→空冷手段２０（空気流５００ｅ）→ブロワー２１という空気の循環サイクルが形成される。
【００４７】
この空気の循環サイクルにより、空冷手段２０によって冷却された空気がパワーモジュールＰＭ１〜ＰＭ３を空冷し、熱交換により温まった空気は空冷手段２０によって再度冷却されるという空冷システムが実現され、水冷ジャケット１２による液冷システムと相まってＩＧＢＴ１〜ＩＧＢＴ４の冷却効率が一層向上される。
【００４８】
しかも、本実施の形態において、空気は筐体Ｃ内に形成される密閉通路Ｒで循環されるので、空冷用の外気をパワーモジュールＰＭ１〜ＰＭ３まで導く必要がなく、装置全体を簡易化、小型化してコストを低減することができる。
【００４９】
また、外気を導入しないので、粉塵や湿気等を含まない清浄な空気を用いて冷却することができ、ＩＧＢＴ１〜ＩＧＢＴ４間のショートや腐食等の虞がないので、パワーモジュールの表面を直接冷却して、冷却効率をより向上させることができる。
【００５０】
なお、ビームリード２０１Ａ、２０１Ｂの表面に、後述の図６に示すような放熱フィン３０２、３０３を設けるようにしてもよい。これにより、冷却効率をより向上させることができる。
【００５１】
また、本実施の形態では、水冷装置１１および空冷手段２０等をパワーモジュールＰＭ１〜ＰＭ３の裏面側に配置する場合について述べたが、これには限定されず、水冷装置１１および空冷手段２０等をパワーモジュールＰＭ１〜ＰＭ３の表面側に配置するようにしてもよい。
【００５２】
（保護層について）
第１の実施の形態に係る電力変換装置１Ａにおいて、パワー半導体素子としてのＩＧＢＴ１〜ＩＧＢＴ４等を保護する保護層を設けるようにしてもよい。保護層は、樹脂やシリコン系のゲルで構成されるようにできる。
【００５３】
より具体的には、図１において、パワーモジュールＰＭ１〜ＰＭ３を搭載した基板１０２Ａ〜１０２Ｃの上に所定の厚みで、樹脂やシリコン系のゲルを流入させて、加熱等の後処理を行うことにより、保護層を形成する。
【００５４】
なお、空気流による冷却効果を損なわないように、各ビームリード２０１Ａ、２０１Ｂの少なくとも一部（例えば、渡り部Ｈ等）が露出するように、保護層の厚さが調整される。
【００５５】
この保護層を設ける場合には、冷却性能を確保しつつ、空気によるＩＧＢＴ１〜ＩＧＢＴ４や端子等の酸化などの影響を抑制することができる。
【００５６】
特に、保護層をシリコン系のゲルで構成した場合には、配線等に加わる応力を低減することができる。
【００５７】
［第２の実施の形態に係る電力変換装置］
次に、図５および図６を参照して、第２の実施の形態に係る電力変換装置１Ｂについて説明する。
【００５８】
図５は、第２の実施の形態に係る電力変換装置１Ｂの上面側の内部構成の一部を示す斜視図、図６は、電力変換装置１Ｂの要部の構成例を示す説明図である。
【００５９】
なお、第２の実施の形態に係る電力変換装置１Ｂの基本構成は、第１の実施の形態に係る電力変換装置１Ａと同様である。
【００６０】
第２の実施の形態に係る電力変換装置１Ｂが、第１の実施の形態に係る電力変換装置１Ａと異なる点は、ビームリード２０１Ａ、２０１Ｂに代えて、全体でビームリードを兼ねるヒートシンク３０１Ａ、３０１Ｂを備える点である。
【００６１】
ヒートシンク３０１Ａ、３０１Ｂは、図５および図６に示すように、アルミニウムや銅等の金属によりインゴット状に形成されている。
【００６２】
そして、ヒートシンク３０１Ａ、３０１Ｂは、インゴット状の台形側の面３０４を接触面として、ＩＧＢＴ１〜ＩＧＢＴ４を構成する半導体チップ等にハンダ付けされている。これにより、ＩＧＢＴ１〜ＩＧＢＴ４や端子との電気的導通が図られる。
【００６３】
また、板金で構成されたビームリード２０１Ａ、２０１Ｂに比して、インゴット状に形成されたヒートシンク３０１Ａ、３０１Ｂは熱容量が大きいため、より効率的にＩＧＢＴ１〜ＩＧＢＴ４からの熱を吸収して冷却効率を向上させることができる。
【００６４】
また、ヒートシンク３０１Ａ、３０１Ｂは、前出の図１に示す空気流５００ｂ、５００ｃと接触する面積が比較的大きいため、より効率的に空冷することができる。
【００６５】
特に、図６に示すように、空気流５００ｂ、５００ｃの流通方向に沿った複数の放熱フィン３０２、３０３をヒートシンク３０１Ａ、３０１Ｂの上面に設ける場合には、空気流空気流５００ｂ、５００ｃと接触する面積を増大させることができ、冷却効率を一層向上させることができる。
【００６６】
なお、シリコン系のゲル等による保護層を設ける場合において、ヒートシンク３０１Ａ、３０１Ｂの上部または放熱フィン３０２、３０３を設ける際には、当該放熱フィン３０２、３０３の全部または一部が保護層から露出するようにする。これにより、冷却性能を確保しつつ、空気によるＩＧＢＴ１〜ＩＧＢＴ４や端子等の酸化などの影響を抑制することができる。
【００６７】
［第３の実施の形態に係る電力変換装置］
次に、図７を参照して、第３の実施の形態に係る電力変換装置１Ｃについて説明する。
【００６８】
図７は、第３の実施の形態に係る電力変換装置１Ｃの上面側の内部構成の一部を示す端面図である。
【００６９】
なお、第３の実施の形態に係る電力変換装置１Ｃの基本構成は、第１の実施の形態に係る電力変換装置１Ａと同様である。
【００７０】
第３の実施の形態に係る電力変換装置１Ｃが、第１の実施の形態に係る電力変換装置１Ａと異なる点は、ビームリード２０１Ａ、２０１Ｂ間に、仕切壁３００が形成されている点である。
【００７１】
なお、図７に示す実施の形態では、ビームリード２０１Ａと側壁との間、ビームリード２０１Ｂと側壁との間にも仕切壁３１０が形成されている。この仕切壁３００、３１０は、絶縁性の樹脂で構成するとよい。
【００７２】
ビームリード２０１Ａ、２０１Ｂ間に仕切壁３００を設けることにより、ビームリード間２０１Ａ、２０１Ｂのショート等の発生を防止することができる。
【００７３】
また、仕切壁３１０を設けることにより、空気が流通する流路の断面積を比較的小さくすることができ、空気の流速を高めて、冷却効率を向上させることができる。
【００７４】
［第４の実施の形態に係る電力変換装置］
次に、図８および図９を参照して、第４の実施の形態に係る電力変換装置１Ｄについて説明する。
【００７５】
図８は、第４の実施の形態に係る電力変換装置１Ｄの上面側の内部構成を示す斜視図、図９は、電力変換装置１ＤのＡ−Ａ線端面図である。
【００７６】
なお、第４の実施の形態に係る電力変換装置１Ｄの基本構成は、第１の実施の形態に係る電力変換装置１Ａと同様である。
【００７７】
第４の実施の形態に係る電力変換装置１Ｃが、第１の実施の形態に係る電力変換装置１Ａと異なる点は、ビームリード２０１Ａ、２０１Ｂに代えて、送風手段によって送給される空気を流通させる流路５０ａ、５１ａを備える中空のパイプ部材５０、５１を用いた点である。
【００７８】
図８に示すようにパイプ部材５０は、一本のパイプとして形成され、ＩＧＢＴ等の電気的素子間の電気的導通を図るために、銅やアルミニウム等の金属で構成されている。
【００７９】
一方、複数（図８では３本）のパイプ部材５１は、ＩＧＢＴ等の電気的素子間の電気的導通を図るために、銅やアルミニウム等の金属で構成されると共に、各パイプ部材５１の間は、ゴム等の可撓性材料で成形される中空状の接続部材５２を介して接続されている。これにより、各パイプ部材５１および接続部材５２の中空部を介して空気を流通させて、ＩＧＢＴ等を空冷することができると共に、各パイプ部材５１やＩＧＢＴ等の電気的素子の熱による膨張や収縮による応力を接続部材５２で吸収することができる。
【００８０】
なお、接続部材５２に代えて、一本のパイプ材の途中に蛇腹部を形成して、応力を吸収させるようにしてもよい。
【００８１】
以上本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本明細書で開示された実施の形態はすべての点で例示であって開示された技術に限定されるものではないと考えるべきである。すなわち、本発明の技術的な範囲は、前記の実施の形態における説明に基づいて制限的に解釈されるものでなく、あくまでも特許請求の範囲の記載にしたがって解釈すべきであり、特許請求の範囲の記載技術と均等な技術および特許請求の範囲内でのすべての変更が含まれる。
【００８２】
例えば、上記実施の形態に係る電力変換装置１Ａ〜１Ｄにおいて、筐体Ｃの内側に除湿剤を配設するようにしてもよい。これにより、筐体Ｃ内に封入されている空気の湿気を除去して、ＩＧＢＴ等の電気的素子の腐食等を一層抑制することができる。
【００８３】
また、上記実施の形態では、冷却器としての水冷装置１１をパワーモジュールＰＭ１〜ＰＭ３の一面側である裏面側に設ける場合について説明したが、これに限定されず、表側や側面側に設けるようにしてもよい。
【００８４】
また、上記実施の形態では、冷却器としての水冷装置１１の一面側である裏面側に密閉通路Ｒの一部を設けた場合について説明したが、これに限定されず、水冷装置１１の一面側である側面等に密閉通路Ｒの一部を設けるようにしてもよい。
【符号の説明】
【００８５】
１Ａ〜１Ｄ…電力変換装置
１０…パワー半導体素子
１１…水冷装置（冷却器）
１２…水冷ジャケット
１２ａ…細孔
１３…供給口
１４…排出口
２０…空冷手段
２０ａ…細孔
２１…ブロワー（送風手段）
２５…送風管
２６…排気管
２７…蛇腹部材
３０…ブロワー回路接続コネクタ
５０、５１…パイプ部材
５０ａ、５１ａ…流路
５２…接続部材
１０１…絶縁部材
１０２Ａ〜１０２Ｃ…基板
２０１Ａ、２０１Ｂ…ビームリード
３００、３１０…仕切壁
３０１Ａ、３０１Ｂ…ヒートシンク
３０２、３０３…放熱フィン
５００ａ〜５００ｅ…空気流
Ｃ…筐体
Ｈ…渡り部
ＰＭ１〜ＰＭ３…パワーモジュール
Ｒ…密閉通路
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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