(57)【要約】      （修正有）【課題】レジストパターンが断線する恐れを低減させたパターン形成方法を提供する。【解決手段】パターン形成方法は、基板１０に塗布されたネガ型のレジスト２７と、先端部３３，３８の幅が狭いマスクパターン３２，３７を有する第１フォトマスク３１および第２フォトマスク３６と、を準備する準備工程と、第１フォトマスク３１を用いて露光領域のレジスト２７を露光する第１露光工程と、平面視にて先端部３３，３８同士が重なる位置に第２フォトマスク３６を配置して第１露光工程で露光した前記露光領域に接続している露光領域のレジスト２７を露光してレジストパターンを形成する第２露光工程と、を含む。【選択図】図５
2016082145.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に塗布されているネガ型のレジストと、先端部の幅が狭いマスクパターンを有する
第１フォトマスクおよび第２フォトマスクと、を準備する準備工程と、
前記第１フォトマスクを用いて露光領域の前記レジストを露光する第１露光工程と、
平面視にて前記先端部同士が重なる位置に前記第２フォトマスクを配置して前記第１露
光工程で露光した前記露光領域に接続している露光領域の前記レジストを露光してレジス
トパターンを形成する第２露光工程と、
を含んでいること、を特徴とするパターン形成方法。
【請求項２】
前記レジストパターンは、前記基板に電気的接続配線を形成するための配線パターンで
あること、を特徴とする請求項１に記載のパターン形成方法。
【請求項３】
前記準備工程において、
前記第１フォトマスクおよび前記第２フォトマスクの少なくとも一方は前記先端部に面
取り部を有すること、を特徴とする請求項１または請求項２に記載のパターン形成方法。
【請求項４】
前記準備工程において、
前記第１フォトマスクおよび前記第２フォトマスクの少なくとも一方は前記先端部に曲
線部を有すること、を特徴とする請求項１または請求項２に記載のパターン形成方法。
【請求項５】
前記基板は傾斜部を有し、前記第１露光工程および前記第２露光工程の少なくとも一方
の工程では、前記傾斜部に塗布されている前記レジストを露光すること、を特徴とする請
求項１から請求項４のいずれか一項に記載のパターン形成方法。
【請求項６】
複数並んでいる前記露光領域において、
前記露光領域の幅は、隣り合う前記露光領域の中心間距離よりも大きいこと、を特徴と
する請求項１から請求項５のいずれか一項に記載のパターン形成方法。
【請求項７】
請求項２から請求項６のいずれか一項に記載のパターン形成方法で形成された配線を備
えていること、を特徴とする半導体基板。
【請求項８】
請求項２から請求項６のいずれか一項に記載のパターン形成方法で形成された配線を備
えていること、を特徴とするプリント基板。
【請求項９】
請求項２から請求項６のいずれか一項に記載のパターン形成方法で形成された配線を備
えていること、を特徴とする電子デバイス用パッケージ基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パターン形成方法、半導体基板、プリント基板、および電子デバイス用パッ
ケージ基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、半導体装置の製造や、電子部品や半導体装置を搭載させる基板などの製造に
はフォトリソグラフィーによるパターニングが行われていた。近年、例えば、携帯電話な
どに使用される半導体装置は、携帯電話の小型化のために通信回路や周辺部品が集積され
大型化されている。半導体装置や基板が露光装置の露光範囲以上に大型になった場合には
、複数のフォトマスクを用いて、複数回の露光によりパターンを形成する方法が知られて
いる。例えば、特許文献１には、二枚のフォトマスクを用いて、互いのパターンの端部を
重ね合わせることにより、両フォトマスクに亘って連続するマスクパターンを形成するパ
ターン形成方法が開示されている。端部を幅狭にすることにより、露光されたレジストパ
ターンが著しく幅狭になるのを防止できるとされている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平２−１３４６３３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１に記載のパターン形成方法では、ポジ型のレジストが用いら
れている。ポジ型レジストは露光により感光された部分のレジストが溶解される。半導体
装置や基板の高集積化のために、パターンを細線化しようとした場合、二枚のフォトマス
クが互いに逆方向に位置ずれした状態で重ね合された端部に二回の露光が行われると、端
部のレジストが感光される領域の増化や、二回の露光によるハレーションの影響などによ
り、レジストパターンが細くなり、このレジストパターンを用いて形成された配線が断線
する恐れがあった。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の
形態または適用例として実現することが可能である。
【０００６】
［適用例１］本適用例に係るパターン形成方法は、基板に塗布されているネガ型のレジ
ストと、先端部の幅が狭いマスクパターンを有する第１フォトマスクおよび第２フォトマ
スクと、を準備する準備工程と、前記第１フォトマスクを用いて露光領域の前記レジスト
を露光する第１露光工程と、平面視にて前記先端部同士が重なる位置に前記第２フォトマ
スクを配置して前記第１露光工程で露光した前記露光領域に接続している露光領域の前記
レジストを露光してレジストパターンを形成する第２露光工程と、を含んでいること、を
特徴とする。
【０００７】
本適用例によれば、パターン形成方法は、準備工程にて基板に塗布されたネガ型のレジ
ストと、複数の露光領域を接続してレジストパターンを形成させる一方の露光領域を露光
するマスクパターンを有する第１フォトマスクと、他方の露光領域を露光するマスクパタ
ーンを有する第２フォトマスクと、が準備される。第１露光工程と第２露光工程との二回
の露光により、ネガ型のレジストには第１フォトマスクのマスクパターンの先端部と第２
フォトマスクのマスクパターンの先端部とで繋がった複数の露光領域を接続したパターン
が転写される。ネガ型のレジストは、現像することにより感光された部分のレジストが溶
解されずに残る。例えば、二つの露光領域を接続した配線を設けるためのある線幅を有す
る直線状のレジストパターンを形成させる場合、二回の露光による露光ずれが生じて第１
フォトマスクの先端部と第２フォトマスクの先端部とがずれた状態で露光されても、二つ
の先端部が接続される接続部の感光面積は広くなる。この露光により形成される接続部の
レジスト線幅は、露光ずれが生じなかった場合に形成されるレジストの接続部の線幅より
も太くなるので、レジストパターンおよびこのレジストパターンを用いて形成される配線
が、断線する恐れを低減することができる。したがって、複数の露光領域に跨って形成さ
れるレジストパターンが断線する恐れを低減させたパターン形成方法を提供できる。また
、例えば、同一方向に沿って、同一線幅および同一間隙を有する複数の直線状のレジスト
パターンを形成させる場合、第１フォトマスクおよび第２フォトマスクには、先端部の幅
が狭いマスクパターンが形成されているので、二回の露光時に線幅方向に露光ずれが生じ
た場合でも、並行するレジストパターンの間隔が狭まることを抑制することができる。
【０００８】
［適用例２］上記適用例に記載のパターン形成方法において、前記レジストパターンは
、前記基板に電気的接続配線を形成するための配線パターンであること、が好ましい。
【０００９】
本適用例によれば、複数の露光領域に跨って形成されたレジストパターンは、電気的接
続配線を形成させるマスクとしての配線パターンに用いることができる。これにより、基
板の広い範囲に亘って配線を形成することができる。
【００１０】
［適用例３］上記適用例に記載のパターン形成方法は、前記準備工程において、前記第
１フォトマスクおよび前記第２フォトマスクの少なくとも一方は前記先端部に面取り部を
有すること、が好ましい。
【００１１】
本適用例によれば、第１フォトマスクの先端部、および第２フォトマスクの少なくとも
いずれか一方の先端部は、面取り部を有しており、この面取り部により、先端部の幅が狭
いマスクパターンが形成されている。例えば、同一方向に沿って、同一線幅および同一間
隙を有する複数の直線状のレジストパターンを形成させる場合、第１フォトマスクの先端
部、および第２フォトマスクの先端部は、面取り部によりマスクパターンの幅が狭められ
ているので、二回の露光時に線幅方向の露光ずれが生じた場合でも、並行するレジストパ
ターンの間隔が狭まることを抑制することができる。
【００１２】
［適用例４］上記適用例に記載のパターン形成方法は、前記準備工程において、前記第
１フォトマスクおよび前記第２フォトマスクの少なくとも一方は前記先端部に曲線部を有
すること、が好ましい。
【００１３】
本適用例によれば、第１フォトマスクの先端部、および第２フォトマスクの少なくとも
いずれか一方の先端部は、曲線部を有しており、この曲線部により、先端部の幅が狭いマ
スクパターンが形成されている。例えば、同一方向に沿って、同一線幅および同一間隙を
有する複数の線状のレジストパターンを形成させる場合、第１フォトマスクの先端部、お
よび第２フォトマスクの先端部は、曲線部によりマスクパターンの幅が狭められているの
で、二回の露光による線幅方向の露光ずれが生じた時に、並行するレジストパターンの間
隔が狭まることを抑制することができる。
【００１４】
［適用例５］上記適用例に記載のパターン形成方法において、前記基板は傾斜部を有し
、前記第１露光工程および前記第２露光工程の少なくとも一方の工程では、前記傾斜部に
塗布されている前記レジストを露光すること、が好ましい。
【００１５】
本適用例によれば、露光装置が露光可能な焦点深度（基板表面と交差する深さ方向の寸
法）内で基板の傾斜部を複数の露光領域に分割し、平面視にて隣り合う露光領域の一端部
と他端部とが重なる露光を繰り返すことで、傾斜部上に複数の露光領域を接続してレジス
トパターンを形成することができる。
【００１６】
［適用例６］上記適用例に記載のパターン形成方法では、複数並んでいる前記露光領域
において、前記露光領域の幅は、隣り合う前記露光領域の中心間距離よりも大きいこと、
が好ましい。
【００１７】
本適用例によれば、露光領域の幅は、隣り合う露光領域の中心間距離よりも大きいので
、複数の連続した露光領域を接続してレジストパターンを形成することができる。
【００１８】
［適用例７］本適用例に係る半導体基板は、上記適用例に記載のパターン形成方法で形
成された配線を備えていること、を特徴とする。
【００１９】
本適用例によれば、半導体基板は、断線する恐れを低減させたパターン形成方法で配線
が形成されているので、信頼性を向上させた半導体基板を提供することができる。
【００２０】
［適用例８］本適用例に係るプリント基板は、上記適用例に記載のパターン形成方法で
形成された配線を備えていること、を特徴とする。
【００２１】
本適用例によれば、プリント基板は、断線する恐れを低減させたパターン形成方法で配
線が形成されているので、信頼性を向上させたプリント基板を提供することができる。
【００２２】
［適用例９］本適用例に係る電子デバイス用パッケージ基板は、上記適用例に記載のパ
ターン形成方法で形成された配線を備えていること、を特徴とする。
【００２３】
本適用例によれば、電子デバイス用パッケージ基板は、断線する恐れを低減させたパタ
ーン形成方法で配線が形成されているので、信頼性を向上させた電子デバイス用パッケー
ジ基板を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】実施形態に係る半導体基板を示す模式平面図および断面図。
【図２】複数の露光領域を接続するパターンおよび配線の形成方法を示す工程図。
【図３】（ａ−１）〜（ｄ−１）主要な工程毎の図１におけるＢ−Ｂ線での断面図。（ａ−２）〜（ｄ−２）主要な工程毎の図１におけるＣ−Ｃ線での断面図。
【図４】（ｅ−１）〜（ｇ−１）主要な工程毎の図１におけるＢ−Ｂ線での断面図。（ｅ−２）〜（ｇ−２）主要な工程毎の図１におけるＣ−Ｃ線での断面図。
【図５】（ａ）第１フォトマスク、第２フォトマスクの概略を示す平面図。（ｂ）第１露光工程で転写されたマスクパターンに対する第２フォトマスクの位置を示す平面図。（ｃ）複数の露光領域を接続したレジストパターンを用いて形成される配線を示す平面図。
【図６】（ａ）第１露光工程で転写されたマスクパターンに対する第２フォトマスクの位置を示す平面図。（ｂ）（ａ）の状態で露光された時に形成される配線を示す平面図。
【図７】（ａ）変形例に係る第１フォトマスク、第２フォトマスクの概略を示す平面図。（ｂ）第１露光工程で転写されたマスクパターンに対する第２フォトマスクの位置を示す平面図。（ｃ）基板に配線が形成された半導体基板。
【図８】実施形態に係るパターン形成方法で形成された配線を備えた電子デバイス用パッケージ基板。
【図９】実施形態に係るパターン形成方法で形成された配線を備えたプリント基板の概略を示す平面図。
【図１０】（ａ）従来例による第１フォトマスク、第２フォトマスクの概略を示す平面図。（ｂ）第１露光工程で転写されたマスクパターンに対する第２フォトマスクの位置を示す平面図である。（ｃ）（ｂ）の状態で露光された時に形成される配線を示す平面図。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。なお、以下の各図におい
ては、各層や各部材を認識可能な程度の大きさにするため、各層や各部材の尺度を実際と
は異ならせている。また、以下に記述している寸法値は一例であり、発明の主旨を逸脱し
ない範囲において適宜変更は可能である。
また、図１、図３から図８、および図１０では、説明の便宜上、互いに直交する三軸と
して、Ｘ軸、Ｙ軸およびＺ軸を図示しており、軸方向を図示した矢印の先端側を「＋側」
、基端側を「−側」としている。また、以下では、Ｘ軸に平行な方向を「Ｘ軸方向」、Ｙ
軸に平行な方向を「Ｙ軸方向」、Ｚ軸に平行な方向を「Ｚ軸方向」という。
【００２６】
（実施形態）
図１は、実施形態に係る半導体基板を示す模式平面図および側面図である。
図１（ａ）は、表面に配線が形成された半導体基板の平面図である。図１（ｂ）は、図
１（ａ）におけるＡ−Ａ線での側面図である。
図１（ａ）および図１（ｂ）に示すように、半導体基板１は、後述するパターン形成方
法で形成された配線２０を備えている。詳しくは、半導体基板１は、Ｘ軸方向に沿った傾
斜部１２を有する基板１０と、基板１０上に、Ｘ軸方向に沿って形成された配線２０を有
している。基板１０の材料には、シリコンが用いられている。傾斜部１２は、シリコンの
異方性エッチングを利用し、基板１０を水酸化カリウム（ＫＯＨ）水溶液でウェットエッ
チングすることで形成されている。
【００２７】
配線２０は、フォトリソグラフィー技術やエッチング技術を用いたパターン形成方法で
形成され、基板１０の上に電子部品などを搭載し、電子部品間などを電気的に接続させる
ために設けられている。配線２０は、一度の露光で露光可能な露光領域より長い領域に亘
って形成させる必要があるため、複数回の露光により複数の露光領域を接続したレジスト
パターン２８（図４参照）を用いて形成されている。
【００２８】
次に、パターン形成方法、および配線形成方法について説明する。
以下の説明では、図１（ｂ）に示す第１露光領域１４と第２露光領域１６とに二回の露
光（第１露光工程、第２露光工程）を行い、傾斜部１２を含む基板１０に二つの露光領域
を接続して形成させたレジストパターン２８、およびレジストパターン２８を用いて形成
させた配線２０の形成方法を示す。傾斜部１２を含む第１露光領域１４および第２露光領
域１６のＸ軸方向の幅は、基板１０の深さ方向（Ｚ軸方向）の偏差が露光装置の焦点深度
以下（例えば±５０μｍ以下）になる範囲で設定される。また、露光領域（第１露光領域
１４および第２露光領域１６）のＸ軸方向の幅は、隣り合う露光領域（第１露光領域１４
と第２露光領域１６と）の中心間距離よりも大きく設定されている。すなわち、隣り合う
露光領域は、重なり合う領域を有するため、複数の連続した露光領域を接続したレジスト
パターン２８および配線２０を形成することができる。
【００２９】
図２は、複数の露光領域を接続するパターン（レジストパターン）および配線の形成方
法を示す工程図である。図３（ａ−１）〜（ｄ−１）は、主要な工程毎の図１におけるＢ
−Ｂ線での断面図である。（ａ−２）〜（ｄ−２）は、主要な工程毎の図１におけるＣ−
Ｃ線での断面図である。図４（ｅ−１）〜（ｇ−１）は主要な工程毎の図１におけるＢ−
Ｂ線、（ｅ−２）〜（ｇ−２）は主要な工程毎の図１におけるＣ−Ｃ線での断面図である
。図２、図３および図４を用いて、複数の露光領域を接続したレジストパターン２８を形
成させるパターン形成方法、およびパターン形成方法を用いて配線２０を形成させる配線
形成方法について説明する。
【００３０】
ます、ステップＳ１の成膜工程では、基板１０に導電層２５を形成する。図３（ａ−１
），（ａ−２）は、基板１０の表面に導電層２５を形成した後の断面図である。導電層２
５は、スパッタリング法、ＣＶＤ（ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｖａｐｏｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏ
ｎ）法、無電解メッキ法などで成膜できる。導電層２５の材料としては、例えば、金（Ａ
ｕ）、銅（Ｃｕ）、チタンタングステン（ＴｉＷ）、クロム（Ｃｒ）、ニッケルクロム（
ＮｉＣｒ）、アルミニウム（Ａｌ）などを使用することができる。なお、図示は省略する
が、基板１０は、導電性を有するため、基板１０と導電層２５との間には絶縁層が形成さ
れている。
【００３１】
ステップＳ２のレジスト塗布工程では、導電層２５の上にレジスト２７を形成する。図
３（ｂ−１），（ｂ−２）は、導電層２５の上にレジスト２７を形成した後の断面図であ
る。本実施形態では、ネガ型のレジスト（感光性樹脂）２７を用いている。レジスト２７
は、例えばスプレーコーティング法などを用いることで傾斜部１２を有す基板１０の表面
に塗布することができる。
【００３２】
ステップＳ３は、パターン形成方法における準備工程である。準備工程では、基板１０
に塗布されているネガ型のレジスト２７と、後述する先端部３３の幅が狭いマスクパター
ン３２を有する第１フォトマスク３１、および先端部３８の幅が狭いマスクパターン３７
を有する第２フォトマスク３６と（図５参照）、を準備する。なお、マスクパターン３２
，３７の先端部３３，３８の形状については、後述する。
【００３３】
ステップＳ４の第１露光工程では、第１フォトマスク３１を用いて露光領域（第１露光
領域１４）のレジストを露光する。図３（ｃ−１），（ｃ−２）は、第１露光領域１４の
露光の様子を示す断面図である。傾斜部１２に塗布されたレジスト２７は、例えば、非接
触方式であるプロジェクション露光装置などを用いることで露光することができる。
【００３４】
ステップＳ５の第２露光工程では、平面視にて、先端部３３，３８同士が重なる位置に
第２フォトマスク３６を配置して第１露光工程で露光した露光領域（第１露光領域１４）
に接続している露光領域（第２露光領域１６）のレジスト２７を露光する。先端部３３，
３８同士が重なる位置については次に詳述する。図３（ｄ−１），（ｄ−２）は、第２露
光領域１６の露光の様子を示す断面図である。基板１０は傾斜部１２を有しているので、
傾斜部１２に塗布されているレジスト２７は、第１露光工程および第２露光工程の少なく
とも一方の工程で露光させる必要がある。本実施形態では、傾斜部１２は、第１露光工程
と第２露光工程との両方の工程で露光させている。
【００３５】
ここで、図５（ａ）および図５（ｂ）を用いて、ステップＳ４の第１露光工程とステッ
プＳ５の第２露光工程とで先端部３３，３８同士が重なる位置について詳述する。
図５（ａ）は、第１フォトマスク、第２フォトマスクの概略を示す平面図である。図５
（ｂ）は、第１露光工程で転写されたマスクパターンに対する第２フォトマスクの位置を
示す平面図である。
【００３６】
図５（ａ）に示すように、第１フォトマスク３１、および第２フォトマスク３６には、
同一形状のマスクパターン３２，３７が形成されている。第１フォトマスク３１、および
第２フォトマスク３６は、例えば石英ガラスを基板とし、基板の片面にクロム（Ｃｒ）な
どの遮光膜が設けられている。本実施形態では、ネガ型のレジスト２７が用いられている
。ネガ型のレジスト２７は、感光されない部分のレジストが後述する現像工程により溶解
され、感光された部分のレジストが残るので、遮光膜には形成させる配線２０の形状に相
当する部分を窓開けしたマスクパターン３２，３７が形成されている。
【００３７】
第１フォトマスク３１は、マスクパターン３２の先端部３３に面取り部３４を有してい
る。第２フォトマスク３６は、マスクパターン３７の先端部３８に面取り部３９を有して
いる。これは、第１フォトマスク３１と第２フォトマスク３６とで露光ずれが生じた場合
に、並行して形成される配線２０の配線間隙が狭くならないように、マスクパターン３２
，３７の先端部３３，３８の幅が、面取り部３４，３９によって狭められている。先端部
３３，３８の幅は、露光装置の露光位置精度に基づいて設定されている。
【００３８】
図５（ｂ）に示すように、基板１０に塗布されたネガ型のレジスト２７には、第１露光
工程にて第１フォトマスク３１のマスクパターン３２が転写されている。図５（ｂ）では
、マスクパターン３２が転写され、レジスト２７が感光されたマスクパターン３２ａを濃
いハッチングで示している。第２露光工程では、平面視にて、レジスト２７に転写された
マスクパターン３２ａの先端部３３ａと第２フォトマスク３６の先端部３８とが重なる位
置に第２フォトマスク３６を配置して露光領域（第１露光領域１４）に隣り合う露光領域
（第２露光領域１６）のレジスト２７を露光する。これにより、第１露光領域１４と第２
露光領域１６とのレジスト２７には、第１フォトマスク３１のマスクパターン３２の先端
部３３と、第２フォトマスク３６のマスクパターン３７の先端部３８と、で接続されたパ
ターンが転写される。
【００３９】
図２、図３および図４に戻って、パターンおよび配線の形成方法についての説明を続け
る。
ステップＳ６の現像工程では、配線２０の形状に倣ったレジストパターン２８を形成す
る。図４（ｅ−１），（ｅ−２）は、レジスト２７を現像した後の断面図である。詳しく
は、第１フォトマスク３１のマスクパターン３２と第２フォトマスク３６のマスクパター
ン３７とが転写されたレジスト２７を現像液に浸して現像を行うことにより、感光されな
かった部分のレジストが溶解され、感光された部分のレジストが残る。これにより、導電
層２５の表面には、配線２０の形状に倣ったレジストパターン２８が形成され、配線形状
に残ったレジストパターン２８以外の部分の導電層２５が露出する。
なお、上記のステップＳ３からステップＳ６までの各工程などを経ることにより、複数
の露光領域を接続したレジストパターン２８を形成するパターン形成方法である。
【００４０】
ステップＳ７のエッチング工程では、露出された導電層２５を除去する。図４（ｆ−１
），（ｆ−２）は、導電層２５をエッチングした後の断面図である。レジストパターン２
８は、基板１０に電気的接続配線を形成するための配線パターンとして用いられる。配線
パターンとしてのレジストパターン２８をマスクとして導電層２５をエッチングすること
で、露出した部分の導電層２５が除去され、レジストパターン２８（配線パターン）に覆
われた配線２０が形成される。エッチング手法としては、導電層２５に用いた材料に反応
する反応性ガスなどを用いたドライエッチング法や、導電層２５に用いた材料を腐食溶解
する液体に浸漬させるウェットエッチング法などを用いることができる。
【００４１】
ステップＳ８のレジスト剥離工程では、レジストパターン２８を除去して配線２０を形
成する。図４（ｇ−１），（ｇ−２）は、レジストパターン２８を除去した後の断面図で
ある。エッチング工程でマスクとして使用され、不要となったレジストパターン２８を除
去することで配線２０が形成される。レジストパターン２８の除去方法としては、レジス
ト剥離剤を用いたウェットプロセス法や、オゾンやプラズマを用いたドライプロセス法な
どを用いることができる。
【００４２】
図５（ｃ）は、複数の露光領域を接続したレジストパターン２８を用いて形成される配
線２０を示す平面図である。第１露光領域１４と第２露光領域１６とで露光ずれがない場
合には、図５（ｃ）に示すように、マスクパターン３２，３７の先端部３３，３８の形状
に沿って二つの露光領域の接続部に面取り部３４，３９に倣った形状の配線２０が形成さ
れる。
上記のステップＳ１からステップＳ８の各工程などを経ることにより、複数の露光領域
を接続した配線２０を形成することができる。
【００４３】
なお、本実施形態では、ステップＳ１からステップＳ８に示した配線形成方法により配
線２０を形成する方法を説明したが、これに限定するものではない。ステップＳ３からス
テップＳ６に示した複数の露光領域を接続してレジストパターン２８を形成するパターン
形成方法は、フォトリソグラフィーを用いた各種微細加工技術に適用することができる。
また、本実施形態では、説明の便宜上、第１フォトマスク３１と第２フォトマスク３６
とには、同一形状のマスクパターン３２，３７が形成され、直線状のレジストパターン２
８および配線２０を形成するものと説明したが、これに限定するものではない。第１フォ
トマスク３１と第２フォトマスク３６とに、異なる形状のマスクパターンを設けることで
、複雑な形状のレジストパターンおよび配線を形成することができる。
また、本実施形態では、第１露光領域１４と第２露光領域１６とに二回の露光（第１露
光工程、第２露光工程）を行い、二つの露光領域を接続したレジストパターン２８および
配線２０を設ける方法を示したが、さらに多くの露光領域に複数回の露光を繰り返すこと
で、さらに広い範囲にレジストパターンおよび配線を設けることができる。
また、本実施形態では、傾斜部１２を含む基板１０にレジストパターン２８および配線
２０を設ける方法を示したが、平坦な基板に適用できることはいうまでもない。
【００４４】
次に、第１露光領域１４と第２露光領域１６との露光において、形成させる配線２０の
延在方向（Ｘ軸方向）と交差する方向（Ｙ軸方向）に露光ずれが生じた場合について説明
する。
【００４５】
まず、ポジ型のレジストを用いた従来例について説明する。
図１０（ａ）は、従来例（ポジ型レジスト用）の第１フォトマスク５３１、第２フォト
マスク５３６の概略を示す平面図である。図１０（ｂ）は、第１露光工程で転写されたマ
スクパターン５３２ａに対する第２フォトマスク５３６の位置を示す平面図である。図１
０（ｃ）は、図１０（ｂ）の状態で露光された時に形成される配線５２０を示す平面図で
ある。
【００４６】
図１０（ａ）に示すように、第１フォトマスク５３１、および第２フォトマスク５３６
には、同一形状のマスクパターン５３２，５３７が形成されている。ポジ型レジストは、
露光により感光された部分のレジストが現像工程により溶解され、感光されなかった部分
のレジストが残る。したがって、第１フォトマスク５３１、および第２フォトマスク５３
６は、形成される配線５２０の形状に相当する部分が遮光膜で覆われたマスクパターン５
３２，５３７を有している。
【００４７】
図１０（ｂ）に示すように、基板１０に塗布されたポジ型のレジスト５２７には、第１
露光工程にて第１フォトマスク５３１のマスクパターン５３２が転写されている。図１０
（ｂ）では、マスクパターン５３２が転写され、レジスト５２７が感光されなかったマス
クパターン５３２ａ（非感光部を薄いハッチングで表示）に対して、第２フォトマスク５
３６が露光装置の露光位置精度により線幅方向（Ｙ軸方向）に沿って互いに逆方向にずれ
て配置された場合を示している。この状態で、第２露光工程の露光を行った場合、第１露
光工程で感光されなかった先端部５３３ａと第２露光工程で感光されない先端部５３８と
が重なり合う接続部の面積の内、第１露光工程の露光と第２露光工程の露光とのいずれの
露光でも感光されなかった非感光面積は狭くなる。これにより、図１０（ｃ）に示すよう
に、ポジ型レジストで形成された配線５２０の接続部の幅は、著しく狭くなる。例えば、
この配線５２０に静電気が印加された場合には、接続部の幅の狭い部分で静電破壊が生じ
て配線５２０が断線する恐れがあり、半導体基板５１の信頼性が低下してしまう。
【００４８】
続いて、ネガ型レジストを用いた本実施形態について説明する。
図６（ａ）は、第１露光工程で転写されたマスクパターン３２ａに対する第２フォトマ
スク３６の位置を示す平面図である。図６（ｂ）は、図６（ａ）の状態で露光された時に
形成される配線２０ａを示す平面図である。
【００４９】
図６（ａ）に示すように、基板１０に塗布されたネガ型のレジスト２７には、第１露光
工程にて第１フォトマスク３１のマスクパターン３２が転写されている。図６（ａ）では
、マスクパターン３２が転写され、レジスト２７が感光されたマスクパターン３２ａ（感
光部を濃いハッチングで表示）に対して、第２フォトマスク３６が露光装置の露光位置精
度により線幅方向（Ｙ軸方向）に沿って互いに逆方向にずれて配置された場合を示してい
る。この状態で、第２露光工程の露光を行った場合、第１露光工程で感光された先端部３
３ａと第２露光工程で感光される先端部３８とが重なり合う接続部の感光面積は広くなる
。これにより、図６（ｂ）に示すように、ネガ型レジストで露光ずれが生じた場合に形成
された配線２０ａの接続部の幅は、図１０（ｃ）に示したポジ型レジストで露光ずれが生
じた場合に形成される配線５２０の接続部の幅よりも広く、さらに、図５（ｃ）に示した
ネガ型レジストで露光ずれが生じない場合に形成される配線２０の接続部の幅よりも広く
なるので、断線の恐れが低減される。また、面取り部３４，３９によりマスクパターン３
２，３７の先端部３３，３８の幅が狭められているので、線幅方向に露光ずれが生じても
、並行する配線２０ａとの間隔が狭まることを抑制することができる。
【００５０】
以上述べたように、本実施形態に係るパターン形成方法によれば、以下の効果を得るこ
とができる。
パターン形成方法は、基板１０に塗布されたネガ型のレジスト２７と、面取り部３４に
より先端部３３の幅が狭いマスクパターン３２を有する第１フォトマスク３１、および面
取り部３９により先端部３８の幅が狭いマスクパターン３７を有する第２フォトマスク３
６と、を準備する準備工程と、第１フォトマスク３１を用いて第１露光領域１４を露光す
る第１露光工程と、平面視にて、マスクパターン３２，３７の先端部３３，３８同士が重
なる位置に第２フォトマスク３６を配置して第２露光領域１６を露光する第２露光工程と
、を含んでいる。第１露光工程と第２露光工程との二回の露光により、ネガ型のレジスト
２７には第１フォトマスク３１のマスクパターン３２の先端部３３と第２フォトマスク３
６のマスクパターン３７の先端部３８とで接続されたパターンが転写される。本実施形態
では、ネガ型のレジスト２７を用いているため、二回の露光による露光ずれが生じても、
先端部３３と先端部３８とが接続されている接続部の線幅は、露光ずれが生じない時に形
成される線幅よりも太く形成されるので、レジストパターン２８が、断線する恐れを低減
させることができる。したがって、複数の露光領域に跨って形成させるレジストパターン
２８が断線する恐れを低減させたパターン形成方法を提供できる。
【００５１】
また、レジストパターン２８を、電気的接続配線を形成させる配線パターンのマスクと
て用いることで、基板１０に形成させる配線２０が、断線する恐れを低減させることがで
きる。
また、マスクパターン３２，３７の先端部３３，３８が面取り部３４，３９により狭め
られているので、二回の露光による露光ずれが生じた時に、並行するレジストパターン２
８の間隔、およびレジストパターン２８を用いて形成させた並行する配線２０の間隔が狭
まることを抑制することができる。
また、隣り合う露光領域（第１露光領域１４および第２露光領域１６）は、重なり合う
領域を有するため、複数の連続した露光領域を接続したレジストパターン２８を形成する
ことができる。
また、本実施形態のパターン形成方法を用いることで、傾斜部１２を有する基板１０に
レジストパターン２８、およびレジストパターン２８を用いて形成された配線２０を設け
ることができる。
また基板１０に設けられている配線２０は、本発明のパターン形成方法を用いて形成さ
れているので配線２０が断線する恐れを低減させ、信頼性を向上させた半導体基板１を提
供することができる。
【００５２】
なお、本発明は上述した実施形態に限定されず、上述した実施形態に種々の変更や改良
などを加えることが可能である。変形例を以下に述べる。
【００５３】
（変形例）
本変形例では、第１フォトマスクおよび第２フォトマスクの先端部の形状が、実施形態
と異なっている。
図７（ａ）は、変形例に係る第１フォトマスク４３１、第２フォトマスク４３６の概略
を示す平面図である。図７（ｂ）は、第１露光工程で転写されたマスクパターン４３２ａ
に対する第２フォトマスク４３６の位置を示す平面図である。図７（ｃ）は、基板１０に
配線４２０が形成された半導体基板４１である。
以下、変形例に係るパターン形成方法について説明する。なお、実施形態と同一の構成
部位については、同一の番号を附し、重複する説明は省略する。
【００５４】
本変形例に係るパターン形成方法は、準備工程において、マスクパターン４３２，４３
７の先端部４３３，４３８に曲線部４３４，４３９を有する第１フォトマスク４３１と、
第２フォトマスク４３６とを準備する。詳しくは、図７（ａ）に示すように、第１フォト
マスク４３１は、マスクパターン４３２の先端部４３３に曲線部４３４を有している。第
２フォトマスク４３６は、マスクパターン４３７の先端部４３８に曲線部４３９を有して
いる。これは、第１フォトマスク４３１と第２フォトマスク４３６とで露光ずれが生じた
場合に、形成される配線４２０の配線間隙が狭くならないように、マスクパターン４３２
，４３７の先端部４３３，４３８の幅が、曲線部４３４，４３９によって狭められている
。先端部４３３，４３８の幅は、露光装置の露光位置精度に基づいて設定される。
【００５５】
図７（ｂ）に示すように、基板１０に塗布されたネガ型のレジスト２７には、第１露光
工程にて第１フォトマスク４３１のマスクパターン４３２が転写されている。図７（ｂ）
では、マスクパターン４３２が転写され、レジスト２７が感光されたマスクパターン４３
２ａを濃いハッチングで示している。第２露光工程では、平面視にて、感光されたマスク
パターン４３２ａの先端部４３３ａに対して、第２フォトマスク４３６の先端部４３８が
重なる位置に第２フォトマスク４３６を配置して露光領域（第１露光領域１４）に隣り合
う露光領域（第２露光領域１６）のレジスト２７を露光する。これにより、第１露光領域
１４と第２露光領域１６とのレジスト２７には、第１フォトマスク４３１のマスクパター
ン４３２の先端部４３３と、第２フォトマスク４３６のマスクパターン４３７の先端部４
３８と、で接続されたパターンが転写される。なお、図７（ｂ）では、マスクパターン４
３２が転写され、レジスト２７が感光されたマスクパターン４３２ａに対して、第２フォ
トマスク４３６が露光装置の露光位置精度により線幅方向（Ｙ軸方向）に沿って互いに逆
方向にずれて配置された場合を示している。
【００５６】
図７（ｃ）に示すように、図７（ｂ）の状態で第２露光工程の露光を行った場合、基板
１０には、配線４２０が形成される。マスクパターン４３２，４３７の先端部４３３，４
３８が曲線部４３４，４３９により狭められているので、二回の露光による露光ずれが生
じた時に、並行する配線４２０の間隔が狭まることを抑制することができる。また、一般
的に、配線に静電気が加わった場合、配線の鋭角な突出部で放電が生じて静電破壊に至る
。マスクパターン４３２，４３７の先端部４３３，４３８は、曲線部４３４，４３９を有
しているため、第１フォトマスク４３１と第２フォトマスク４３６とに露光ずれが生じて
も、配線４２０の接続部に角を有する形状の突出部が形成されないので、配線４２０が断
線する恐れを低減できる。したがって、配線４２０の間隔が狭まることを抑制し、配線４
２０が断線する恐れを低減させたパターン形成方法を提供することができる。また、配線
４２０が断線する恐れを低減させ、信頼性を向上させた半導体基板４１を提供することが
できる。
【００５７】
＜電子デバイス用パッケージ基板＞
次に、本発明の実施形態に係るパターン形成方法で形成された配線２０１，２０２を備
えた電子デバイス用パッケージ基板２００について図８を用いて説明する。
【００５８】
図８は、本発明の一実施形態に係るパターン形成方法で形成された配線２０１，２０２
を備える電子デバイス用パッケージ基板２００を用いた一例としての振動子パッケージ１
００の構成を示す概略分解斜視図である。図８に示すように、振動子パッケージ１００は
、振動片１０８を収納する収納空間となる凹部１０９ａを有する蓋体１０９と、長方形の
電子デバイス用パッケージ基板２００を備えている。振動片１０８には、基板１０８ａの
−Ｚ軸側の主面に励振電極１０８ｂが設けられ、＋Ｚ軸側の主面に励振電極１０８ｃが設
けられている。電子デバイス用パッケージ基板２００の＋Ｚ軸側の外周と、蓋体１０９の
−Ｚ軸側の外周とは、例えば、低融点ガラスなどで接合され、振動片１０８の周囲が気密
に封止される。
【００５９】
電子デバイス用パッケージ基板２００は、基板２０５と、振動片１０８を支持する支持
台２０６と、配線２０１，２０２とを含んでいる。基板２０５の材料としては、例えば、
セラミックなどを用いることができる。支持台２０６は、基板２０５の＋Ｚ軸側に設けら
れている。支持台２０６の−Ｙ軸側には、励振電極１０８ｂと電気的に接続させる内部電
極２０６ａが設けられ、＋Ｙ軸側には、励振電極１０８ｃと電気的に接続させる内部電極
２０６ｂが設けられている。振動片１０８と支持台２０６とは、例えば、導電性の接着剤
で接合され、接着剤を介して励振電極１０８ｂと内部電極２０６ａとが電気的に接続され
、励振電極１０８ｃと内部電極２０６ｂとが電気的に接続される。
【００６０】
基板２０５の−Ｚ軸側の面には、外部と電気的に接続させる外部接続電極２０３，２０
４が設けられている。基板２０５の＋Ｚ軸側の面には、内部電極２０６ａと外部接続電極
２０３とを電気的に接続させるための配線２０１と、内部電極２０６ｂと外部接続電極２
０４とを電気的に接続させるための配線２０２とが設けられている。配線２０１と配線２
０２とは、実施形態で示したパターン形成方法を用いて形成されている。配線２０１およ
び外部接続電極２０３、配線２０２および外部接続電極２０４は、図示しないビアホール
で電気的に接続されている。
【００６１】
以上、述べたように、電子デバイス用パッケージ基板２００は、断線する恐れを低減さ
せたパターン形成方法を用いて配線２０１，２０２が形成されているので、信頼性を向上
させた電子デバイス用パッケージ基板２００を提供することができる。
【００６２】
図９は、本発明の一実施形態に係るパターン形成方法で形成された配線３２０を備えた
プリント基板３００の概略を示す平面図である。プリント基板３００には、各種電子部品
が搭載されている。図９に示すように、プリント基板３００は、基板３１０と、ランドパ
ターン３４０と、配線３２０と、を含んでいる。基板３１０の材料としては、例えば、絶
縁性材料であるガラスエポキシ基板などを用いることができる。
【００６３】
ランドパターン３４０は、抵抗やコンデンサーなどの電子部品３３１，３３２を固定さ
せる領域である。電子部品３３２は、ランドパターン３４０に倣って塗布されたはんだペ
ースト上に搭載され、熱を加えてはんだを溶かすリフロー方式のはんだ付けなどにより固
定されている。配線３２０は、固定された電子部品３３１，３３２の間を電気的に接続さ
せるものである。電子部品３３１は、基板３１０に接着剤などを用いて固定され、ボンデ
ィングワイヤー３２５を介して配線３２０と電気的に接続されている。配線３２０は、実
施形態で示したパターン形成方法を用いて形成されている。このようなプリント基板３０
０は、携帯電話などの様々な電子機器に使用されている。
【００６４】
以上、述べたように、プリント基板３００は、断線する恐れを低減させたパターン形成
方法を用いて配線３２０が形成されているので、信頼性を向上させたプリント基板３００
を提供することができる。
【符号の説明】
【００６５】
１，４１…半導体基板、１０，２０５，３１０…基板、１２…傾斜部、１４…第１露光
領域、１６…第２露光領域、２０，２０ａ，２０１，２０２，３２０，４２０，５２０…
配線、２５…導電層、２７，５２７…レジスト、２８…レジストパターン、３１，４３１
，５３１…第１フォトマスク、３２，３７，４３２，４３７，５３２，５３７…マスクパ
ターン、３３，３８，４３３，４３８，５３３，５３８…先端部、３４，３９…面取り部
、３６，４３６，５３６…第２フォトマスク、１００…振動子パッケージ、１０８…振動
片、１０９…蓋体、２００…電子デバイス用パッケージ基板、３００…プリント基板、４
３４，４３９…曲線部。
【図１】
2016082145.tif 000003
【図２】
2016082145.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
2016082145.tif 000008
【図７】
2016082145.tif 000009
【図８】
2016082145.tif 000010
【図９】
2016082145.tif 000011
【図１０】
2016082145.tif 000012