(57)【要約】【課題】一方向に長いスパッタターゲットを用いながら、長手方向の両端の成膜速度を高めることのできるマグネトロンスパッタリング装置を提供する。【解決手段】一方向に長いスパッタターゲットを保持し、スパッタターゲットに電圧を印加するカソードと、スパッタターゲットの下に配置され、スパッタターゲットの上部空間に所定の強度の磁界を形成する永久磁石１とを有する装置を用いる。永久磁石１は、一方向に長い矩形の枠状の第１極２１と、枠状の第１極２１の中央に長手方向に沿って配置された棒状の第２極２２と、棒状の第２極２２の両端にそれぞれ配置された矩形の枠状の第２極２４と、枠状の第２極２４の中央に配置された矩形の第１極２３とを含む。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方向に長いスパッタターゲットを保持し、前記スパッタターゲットに電圧を印加するカソードと、前記スパッタターゲットの下に配置され、前記スパッタターゲットの上部空間に所定の強度の磁界を形成する永久磁石とを有し、
前記永久磁石は、前記一方向に長い矩形の枠状の第１極と、前記枠状の第１極の中央に長手方向に沿って配置された棒状の第２極と、前記棒状の第２極の両端にそれぞれ配置された矩形の枠状の第２極と、前記枠状の第２極の中央に配置された矩形の第１極とを含むことを特徴とすることを特徴とするマグネトロンスパッタリング装置。
【請求項２】
請求項１に記載のマグネトロンスパッタリング装置であって、前記枠状の第２極は、一辺が前記棒状の第２極の端部に接し、他の３辺が、前記枠状の第１極の２つの長辺と、当該２つの長辺の間の短辺にそれぞれ平行であることを特徴とするマグネトロンスパッタリング装置。
【請求項３】
請求項２に記載のマグネトロンスパッタリング装置であって、前記枠状の第２極の前記３辺と、それに平行な前記枠状の第１極の３辺との距離は、一様であることを特徴とするマグネトロンスパッタリング装置。
【請求項４】
請求項２または３に記載のマグネトロンスパッタリング装置であって、前記枠状の第２極の各辺は、その中央に配置された前記矩形の第１極の各辺と平行であることを特徴とするマグネトロンスパッタリング装置。
【請求項５】
請求項４に記載のマグネトロンスパッタリング装置であって、前記枠状の第２極の各辺と前記矩形の第１極の各辺との距離は、一様であることを特徴とするマグネトロンスパッタリング装置。
【請求項６】
請求項２または３に記載のマグネトロンスパッタリング装置であって、前記枠状の第１極の長辺の枠の幅ａよりも、この長辺に平行な前記枠状の第２極の枠の幅ｂの方が大きいことを特徴とするマグネロトンスパッタリング装置。
【請求項７】
請求項６に記載のマグネトロンスパッタリング装置であって、前記枠状の第２極の枠の幅ｂは、前記枠状の第１極の長辺の枠の幅ｂの１．５倍以上２倍以下であることを特徴とするマグネトロンスパッタリング装置。
【請求項８】
請求項４または５に記載のマグネトロンスパッタリング装置であって、前記枠状の第１極の長辺に平行な前記枠状の第２極の枠の幅ｂよりも、前記矩形の第１極の、前記幅ｂに平行な方向の幅ｃの方が大きいことを特徴とするマグネトロンスパッタリング装置。
【請求項９】
請求項８に記載のマグネトロンスパッタリング装置であって、前記矩形の第１極の前記幅ｃは、前記枠状の第２極の枠の幅ｂの２倍以上３倍以下であることを特徴とするマグネトロンスパッタリング装置。
【請求項１０】
マグネトロンスパッタリング装置の永久磁石の上に一方向に長いスパッタターゲットを配置し、前記永久磁石により、前記スパッタターゲットの上部空間に、所定の強度以上の磁界を、前記スパッタターゲットの外形に対応した第１のリング状の領域と、前記第１のリング状の内側の両端の第２のリング状の領域とに生じさせ、
前記スパッタターゲットに電圧を印加して、前記第１及び第２のリング状の領域にプラズマを生じさせ、前記プラズマによりスパッタターゲットをスパッタして、前記スパッタターゲットの上部に配置された成膜対象に成膜を行うことを特徴とする膜の製造方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載の膜の製造方法であって、
前記マグネトロンスパッタリング装置として、請求項１ないし９のいずれか１項に記載のマグネトロンスパッタリング装置を用いることを特徴とする膜の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マグネトロンスパッタリング装置に係り、特に、一方向に長いスパッタターゲットに適した永久磁石を備えた装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
マグネトロンスパッタリング装置は、スパッタターゲットの下に永久磁石を配置し、スパッタターゲットの上部空間に磁界を形成してプラズマを封じ込める。スパッタターゲットとして、一方向に長い、例えば長方形のものを用いる場合、永久磁石としては、長方形のスパッタターゲットの外形に対応した枠状のＮ極と、枠状のＮ極の内側の空間の中央に長手方向に沿って配置された棒状のＳ極とを備える構造のものが用いられる（特許文献１の図１および図４）。これにより、永久磁石は、スパッタターゲットの上部空間に所定の強度の磁界を形成する。この磁界が形成される空間の形状は、長方形のスパッタターゲットの外形よりもやや内側に位置する長方形のリング状である。スパッタターゲットの上部に発生するプラズマの電子は、磁界によって封じ込められるため、密度の高いプラズマをスパッタターゲットの近傍に発生させることができる。よって、このプラズマによって、スパッタターゲットを効率よくスパッタすることができる。
【０００３】
しかしながら、上記構造の永久磁石によってスパッタターゲットの上部空間に形成されるほぼ長方形のリング状の磁界の強度は、長手方向の中央部に比べ両端の方が小さく、スパッタターゲットの両端部における成膜速度が中央部よりも小さくなる。そのため、成膜対象より長めのスパッタターゲットと永久磁石を用いる必要があり、成膜装置が大型化してしまう。
【０００４】
そこで、特許文献１では、永久磁石の長方形の枠状のＮ極の両端部を円弧状に膨らませ、中央の棒状のＳ極の端部からの距離を一定にした構造が開示されている（特許文献１の図２）。これにより、両端部の磁界の強度を強め、スパッタターゲットの両端の成膜速度を向上させている。また、特許文献２では、特許文献１と同様の形状の永久磁石の両端部に、電磁石をさらに配置し、スパッタターゲットの両端部の磁界の強度を電磁石の発生する磁界によって強め、両端部の成膜速度を向上させている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】実開平５−３０１５７号公報
【特許文献２】特開平９−１２５２４７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１に開示されている永久磁石は、スパッタターゲットの両端の磁界強度をある程度強め、中央部と両端部との成膜速度の差をある程度小さくすることはできるが、両端部の成膜速度を十分に高めることは難しい（特許文献１の図３参照）。
【０００７】
一方、特許文献２に開示されているように、永久磁石の両端に電磁石を配置した場合、電磁石の磁力線と永久磁石の磁力線とが干渉し、磁力線同士が反発するように曲がるという問題が生じる。磁力線が曲がることにより、磁束密度の分布が変わるため、放電リングの形状が変形して正常な放電状態を維持するのが難しい。
【０００８】
特に、成膜対象の表面形状が湾曲しており、成膜対象の両端部が、中央部よりもスパッタターゲットから離れている場合、成膜対象に均一な成膜をすることは従来のマグネトロンスパッタリング装置では難しい。
【０００９】
本発明の目的は、一方向に長いスパッタターゲットを用いながら、長手方向の両端の成膜速度を高めることのできるマグネトロンスパッタリング装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は上記目的を達成するために、本発明では、一方向に長いスパッタターゲットを保持し、スパッタターゲットに電圧を印加するカソードと、スパッタターゲットの下に配置され、スパッタターゲットの上部空間に所定の強度の磁界を形成する永久磁石とを有するマグネトロンスパッタリング装置を提供する。永久磁石は、一方向に長い矩形の枠状の第１極と、枠状の第１極の中央に長手方向に沿って配置された棒状の第２極と、棒状の第２極の両端にそれぞれ配置された矩形の枠状の第２極と、枠状の第２極の中央に配置された矩形の第１極とを含む。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、一方向に長いスパッタターゲットを用いながら、長手方向の両端の成膜速度を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】実施形態のマグネトロンスパッタリング装置の断面構造と、永久磁石により形成される磁界を示す説明図。
【図２】図１のマグネトロンスパッタリング装置の永久磁石１の上面図。
【図３】図１のマグネトロンスパッタリング装置のスパッタターゲット７の上面と、スパッターゲット７の上部に形成されるリング状の磁界６ａ，６ｂを示す説明図。
【図４】（ａ）は、実施形態の永久磁石１の上面図、（ｂ−１）は、実施形態の永久磁石の上面図、（ｂ−２）は、（ｂ−１）の永久磁石が形成する磁束密度の分布のシミュレーション結果を示す説明図、（ｃ−１）は、実施形態の永久磁石の上面図、（ｃ−２）は、（ｃ−１）の永久磁石が形成する磁束密度の分布のシミュレーション結果を示す説明図、（ｄ−１）は、実施形態の永久磁石の上面図、（ｄ−２）は、（ｄ−１）の永久磁石が形成する磁束密度の分布のシミュレーション結果を示す説明図、（ｅ−１）は、比較例の永久磁石の上面図、（ｅ−２）は、（ｅ−１）の永久磁石が形成する磁束密度の分布のシミュレーション結果を示す説明図、である。
【図５】本実施形態と比較例の永久磁石を備えたマグネトロンスパッタリング装置により基板１０に成膜した場合の膜厚分布を示すグラフ。
【図６】（ａ）比較例の永久磁石の上面図、（ｂ）比較例の永久磁石を搭載したマグネトロンスパッタリング装置の断面構造と、永久磁石により形成される磁界とを示す説明図。
【図７】比較例の永久磁石によりスパッタターゲット７の上部に形成されるリング状の磁界６ａを示す説明図。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
本発明の一実施形態のマグネトロンスパッタリング装置について説明する。
【００１４】
本発明では、永久磁石の枠状の第１極の内側両端に、補助磁石（枠状の第２極と矩形の第１極）を追加することにより、放電リング（リング状の放電エリア）の両端内側に、小型の放電リングを生じさせる。これにより、両端における放電エリアを拡大させ、成膜速度を向上させる。
【００１５】
具体的には、図１に示すように、本実施形態のマグネトロンスパッタリング装置は、一方向（ｘ方向）に長いスパッタターゲット７を保持し、スパッタターゲット７に電圧を印加するカソード２と、スパッタターゲット７の下に配置され、スパッタターゲット７の上部空間に所定の強度の磁界を形成する永久磁石１とを備えている。
【００１６】
スパッタターゲット７は、カソード２と電気的に導通し、同じ電位になる。また、成膜対象である基板１０が、スパッタターゲット７と対向する位置に配置される。スパッタターゲット７と基板１０を周囲の空間から隔絶するために、チャンバー４が配置されている。チャンバー４とカソード２は、絶縁材３によって絶縁されている。また、スパッタターゲット７の表面の放電エリアを設定するために、スパッタターゲット７の周縁を覆うようにシールド５が配置されている。カソード２とスパッタターゲット７との間には、冷却水を流すための空間９が設けられ、カソード２には、空間９に冷却水を供給するための供給孔８が設けられている。
【００１７】
永久磁石１は、図２に示すように一方向（ｘ方向）に長い矩形の枠状の第１極２１と、枠状の第１極２１の中央に長手方向に沿って配置された棒状の第２極２２とを含む。棒状の第２極２２の両端には、それぞれ矩形の枠状の第２極２４が配置されている。枠状の第２極２４の中央には、矩形の第１極２３が配置されている。各磁極２１〜２４の上端は、同一平面上に位置している。
【００１８】
永久磁石１をこのような構成にすることにより、スパッタターゲット７の上部空間には、枠状の第１極２１から、その内側の棒状の第２極２２および両端の枠状の第２極２４に向かう磁力線により磁界６ａが形成される。また、両端の矩形の第１極２３からその外側の枠状の第２極２４に向かう磁力線により磁界６ｂが形成される。
【００１９】
チャンバー４内の空間を減圧し、所定の圧力で所定のガスを供給し、カソード２とチャンバー４間に所定の電圧を印加すると、スパッタターゲット７の上部空間で放電が生じる。このとき、放電により生じた電子は、磁界６ａ，６ｂの磁力線に沿って螺旋状に運動するため、放電によるプラズマを永久磁石１の上部の磁界６ａ，６ｂによって封じ込めることができ、プラズマをスパッタターゲット７の近傍に集中させることができる。
【００２０】
このようにプラズマを磁界６ａ，６ｂによって封じ込めるためには、スパッタターゲット７の直上の距離Ｌにおいてスパッタターゲット７の主平面に平行な所定の強度の磁界が必要である。例えば、カソード２とチャンバー４間の電圧が５００Ｖで、チャンバー４内のガスがＡｒの場合、スパッタターゲット７の直上の距離Ｌ＝５０ｍｍの位置において、スパッタターゲット７の主平面に平行な２５０ガウス以上の磁界６ａ，６ｂが必要である。これにより、所定の強度以上の磁界６ａ，６ｂを中心に電子が磁力線に沿って運動して封じこめられるため、磁界６ａ，６ｂを中心にプラズマが発生する。
【００２１】
本実施形態では、このような所定の強度を満たす磁界６ａを、スパッタターゲット７の上部空間において、図３のように、永久磁石１の最外周の枠状の第１極２１の内側に沿って矩形のリング状に発生させることができる。これに加えて、所定の強度を満たす磁界６ｂを、両端の矩形の枠状の第２極２４の内側にもリング状に発生させることができる。よって、図３のように、所定の強度を満たす磁界６ａ，６ｂは、スパッタターゲット７の中央部よりも両端においてその面積が大きい。
【００２２】
磁界６ａ，６ｂが形成される空間は、プラズマが形成される放電エリアの中心となるため、図３のように、スパッタターゲット７の外形に沿ってその内側に形成されるリング状の磁界６ａを中心とする放電エリアと、両端のリング状の磁界６ｂを中心とする放電エリアとが本実施形態では形成される。
【００２３】
なお、放電エリアを形成する所定の強度以上のリング状の磁界６ａとその両端のリング状の磁界６ｂとを形成するために、枠状の第２極２４の一辺は、棒状の第２極２２の端部に接し、他の３辺は、枠状の第１極２１の２つの長辺と、２つの長辺の間の短辺にそれぞれ平行であることが望ましい。枠状の第２極２４の上記３辺と、それに平行な枠状の第１極２１の３辺との距離（間隔）は、一様であることが望ましい。これにより、所定強度以上のリング状の磁界６ａを両端部において、周方向に一様に生じさせることができる。
【００２４】
また、枠状の第２極２４の各辺は、その中央に配置された矩形の第１極２３の各辺と平行であることが望ましい。枠状の第２極２４の各辺は、矩形の第１極２３の各辺との距離（間隔）が一様であることが望ましい。これにより、所定強度以上のリング状の磁界６ｂを周方向に一様に生じさせることができる。
【００２５】
また、枠状の第１極２１および枠状の第２極２４の枠の幅、ならびに、矩形の第１極２３の幅（辺の長さ）は、図３のように、所定の強度以上のリング状の磁界６ａおよびリング状の磁界６ｂを周方向に一様に生じさせることができるように、永久磁石１の発生する磁束密度を考慮して、シミュレーションや実験により予め設計することが好ましい。
【００２６】
図４（ａ）の本実施形態の永久磁石１を、ＮｄＦｅＢ系の磁石で構成した場合の、永久磁石１の直上の距離Ｌ（＝５０ｍｍ）の空間における、永久磁石１の主平面の垂直方向の磁束密度の分布を、永久磁石１の形状を図４（ｂ−１）、（ｃ−１）、（ｄ−１）のように変化させてそれぞれシミュレーションにより求めた結果を図４（ｂ−２）、（ｃ−２）、（ｄ−２）に示す。図４（ｅ−１）、（ｅ−２）は比較例である。図４（ｂ−２）、（ｃ−２）、（ｄ−２）おいて、グレーで表した部分が、磁束密度が垂直方向についてゼロ、すなわち、永久磁石１の主平面に平行な磁界部分であり、所定強度以上の磁界６ａ，６ｂになり得る領域である。
【００２７】
図４（ｂ−１）のように枠状の第１極２１の枠の幅に対して、枠状の第２極２４の枠の幅を大きくし、矩形の第１極２３の幅（辺の長さ）を、枠状の第２極２３の枠の幅よりも大きくした場合には、図４（ｂ−２）に示すように、リング状の磁界６ａの内側に、リング状の磁界６ｂが生じている。
【００２８】
図４（ｂ−１）よりも、枠状の第２極２４の長辺の枠の幅をやや狭め、矩形の第１極２３の幅を狭めた図４（ｃ−１）の構成の場合、狭めた方向について、図４（ｃ−２）に示すように、リング状の磁界６ａとリング状の磁界６ｂの間の領域の磁束密度が低下し、磁界６ａ，６ｂが一様ではなくなる傾向が生じている。そのため、図４（ｃ−１）の永久磁石１を用いた場合、図４（ｂ−１）の永久磁石１を用いた場合よりも放電の安定性がやや低下する。
【００２９】
また、図４（ｄ−１）のように、枠状の第２極２４の枠の全体のサイズを小さくし、その枠の幅を、枠状の第１極２１の枠の幅と同等以下にし、矩形の第１極２３の全体のサイズを小さくした場合、図４（ｄ−２）に示すように、磁界６ｂがリング状にならず、円形の小さな領域になっている。
【００３０】
また、比較例の図４（ｅ−１）のように、枠状の第２極２４および矩形の第１極２３を配置せず、棒状の第２極２２の端部をＴ字型に変形させた場合には、磁界６ｂは生じないことがわかる。
【００３１】
これらのシミュレーション結果により、永久磁石１の形状は、以下のように設計することが望ましい。すなわち、枠状の第１極２１の長辺の枠の幅ａよりも、この長辺に平行な枠状の第２極２４の枠の幅ｂの方が大きいことが好ましい。特に、枠状の第２極２４の枠の幅ｂは、枠状の第１極２１の長辺の枠の幅ｂの１．５倍以上２倍以下であることが好ましい。
【００３２】
また、枠状の第１極２１の長辺に平行な枠状の第２極２４の枠の幅ｂよりも、矩形の第１極２３の、幅ｂに平行な方向の幅ｃの方が大きいことが好ましい。特に、矩形の第１極２３の幅ｃは、枠状の第２極２４の枠の幅ｂの２倍以上３倍以下であることが好ましい。
【００３３】
また、枠状の第１極２１の短辺方向についても同様であり、枠状の第１極２１の短辺の枠の幅ｄよりも、この短辺に平行な枠状の第２極２４の枠の幅ｅの方が大きいことが好ましい。特に、枠状の第２極２４の枠の幅ｅは、枠状の第１極２１の短辺の枠の幅ｄの２倍以上３倍以下であることが好ましい。
【００３４】
また、枠状の第２極２４の枠の幅ｅよりも、矩形の第１極２３の、幅ｅに平行な方向の幅ｆの方が大きいことが好ましい。特に、矩形の第１極２３の幅ｆは、枠状の第２極２４の枠の幅ｅの２倍以上４倍以下であることが好ましい。
【００３５】
また、枠状の第２極２４の長軸方向（ｘ方向）の長さｘ１は、短軸方向（ｙ方向）の枠状の第２極２４の長さｙ１と比較して、１．２倍以上であることが好ましい。
【００３６】
図１では、第１極２１、２３をＮ極、第２極２２、２４をＳ極とした例を示しているが、極性を逆にすることも可能である。また、永久磁石１の枠状の第１極２１、棒状の第２極２２、枠状の第２極２４、矩形の第１極２３は、同一の材質で一体に形成されていてもよいし、複数の永久磁石に分割されていてもよい。複数の永久磁石に分割された永久磁石１を用いる場合、それぞれの永久磁石が異なる材料で構成されていてもよい。
【００３７】
永久磁石１の材質としては、所望の強度以上の磁界６ａ，６ｂが発生できるものであれば、どのような材料であってもよい。例えば、ＮｄＦｅＢ系やＳｍＣｏ系やアルニコ（Ａｌ−Ｎｉ−Ｃｏ）系の永久磁石を用いることができる。
【００３８】
本実施形態のマグネトロンスパッタリング装置を用いて成膜を行う際の各部の動作について説明する。
【００３９】
カソード２上に図３のように矩形のスパッタターゲット７を搭載し、冷却水を供給孔８からスパッタターゲット７の裏面側の空間に供給して冷却する。スパッタターゲット７に対向させて所定の形状の成膜対象である基板１０を配置する。チャンバー４内の空間を所定の圧力まで減圧した後、所定のガスを所定の圧力まで供給する。
【００４０】
スパッタターゲット７の上部空間には、永久磁石１によって、図３に示すように、永久磁石１の主平面に平行な所定の強度以上のリング状の磁界６ａが生じている。また、リング状の磁界６ａの内側の両端部には、リング状の磁界６ｂが形成されている。よって、カソード２とチャンバー４間に所定の電圧（例えば５００Ｖ）を印加すると、スパッタターゲット７の上部空間で放電（プラズマ）が生じ、放電により生じた電子は、磁界６ａ，６ｂによって封じ込められる。よって、スパッタターゲット７の直上の空間にプラズマを高密度に生じさせることができる。プラズマにより電離されたガスの陽イオンは、電位差によってスパッタターゲット７に衝突し、スパッタされたスパッタターゲットの粒子が飛散して、基板１０に堆積して成膜される。
【００４１】
このとき、スパッタターゲット７の両端には、リング状の磁界６ａに加えて、リング状の磁界６ｂが形成されているため、スパッタターゲット７の中央部と比較して、形成される放電エリア（プラズマ発生領域）が大きく、生じるプラズマの量も大きいため、スパッタターゲット７の両端における成膜速度を低下させることなく、むしろ増加させることができる。よって、基板１０として、例えば図５に示すように表面が湾曲したものを用い、スパッタターゲット７の両端における基板１０との距離が、中央における基板１０との距離よりも大きい場合であっても、両端における成膜速度を低下させることなく成膜を行うことができる。よって、図５のように、基板１０に形成される膜の厚さ３１を、中央部から両端まで一様にすることが可能になる。
【００４２】
比較例として、図６（ａ）、（ｂ）のように、枠状の第１極２１と、棒状の第２極２２のみを備える永久磁石を用いた場合の膜厚分布３０を図５に併せて示す。枠状の第１極２１と棒状の第２極２２のみを備える永久磁石の場合は、図７に示すように、リング状の磁界６ａのみが生じ、本実施形態のようにその内側のリング状の磁界６ｂが発生しない。よって、図５のようにその成膜速度は、スパッタターゲット７の中央よりも両端で低減し、湾曲した基板１０を用いた場合には、両端部に近づくにつれて膜厚が低減している。そのため、湾曲した基板１０に一様な膜を形成することができない。
【００４３】
上述してきたように、本実施形態では、リング状の磁界６ａによる放電エリアに加えて、その両端にリング状の磁界６ｂによる放電エリアを追加することができるため、放電エリアが拡大し、基板端部における成膜速度を向上させることができる。よって、自動車灯体エクステンションのように湾曲した基板１０にアルミ膜を成膜する場合、本実施形態の永久磁石１を備えたマグネトロンスパッタリング装置（成膜装置）を用いることにより、一様な膜厚のアルミ膜を成膜することができる。
【００４４】
また、スパッタターゲット７の両端の成膜速度が低下しないため、従来のようにスパッタターゲットを長くする必要がなく、成膜装置が小型になる。このため、成膜装置のコストが低減できる。成膜装置の小型化に伴い、装置動作に必要な、電気、冷却水、エアー等が削減でき環境負荷が低減できる。
【００４５】
本実施形態のマグネトロンスパッタリング装置を用いることにより、自動車用灯体の部品、各種照明器具、各種ディスプレーの部品、各種電子部品、太陽光発電装置の各種部品等の成膜を好適に行うことができる。
【符号の説明】
【００４６】
１・・・永久磁石、２・・・カソード、３・・・絶縁材、４・・・チャンバー、５・・・シールド、６ａ，６ｂ・・・磁界、１０・・・基板、２１・・・枠状の第１極、２２・・・棒状の第２極、２３・・・矩形の第１極、２４・・・枠状の第２極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図４】
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