(57)【要約】      （修正有）【課題】液晶表示パネルにタッチパネル機能を持たせた液晶表示装置の、タッチの検出速度を向上させ、かつ、ガラス基板の外側に形成されたタッチパネル用電極の信頼性を向上させる。【解決手段】対向基板２００の外側に第１の方向に延在するように第１の電極３０を形成し、ＴＦＴ基板の内側に、第１の方向と直角方向に延在する第２の電極を形成して、液晶表示パネルにタッチパネル機能を持たせ、第１の電極は金属または合金によって形成し、第１の電極を覆って保護膜２１０が形成され、第１の基板の外側において、保護膜の端部と第１の電極との間に第１の基板の辺と平行に溝５０が形成されている。【選択図】図１１
2016001233.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板と第２の基板の間に液晶を挟持した液晶表示パネルを有する液晶表示装置であって、
前記第１の基板または前記第２の基板の前記液晶と対向する側を前記第１の基板の内側または前記第２の基板の内側とし、前記第１の基板または前記第２の基板の前記液晶と対向する側と反対の側を前記第１の基板の外側または前記第２の基板の外側とした場合、
前記第１の基板の外側に第１の方向に延在するように第１の電極を形成し、前記第１の基板または前記第２の基板の内側に前記第１の方向と直角方向に延在する第２の電極を形成して、前記液晶表示パネルにタッチパネル機能を持たせ、
前記第１の電極は金属または合金によって形成し、前記第１の電極を覆って保護膜が形成され、
前記第１の基板の外側に、前記保護膜の端部と前記第１の電極との間に前記第１の基板の辺と平行に溝が形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記液晶表示パネルは、ＩＰＳ方式の液晶表示パネルであって、前記第２の電極は、前記第２の基板に形成されたコモン電極が兼用していることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記溝は前記第１の基板の４辺に沿って形成されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記溝は複数、互いに平行に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記溝の深さは１０μｍ以上で３０μｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記保護膜はインクジェットによって形成されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は表示装置に係り、特にタッチパネルを有する横電界駆動方式の液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置では画素電極および薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等を有する画素がマトリクス状に形成されたＴＦＴ基板と、ＴＦＴ基板に対向して対向基板が配置され、ＴＦＴ基板と対向基板の間に液晶が挟持されている。そして液晶分子による光の透過率を画素毎に制御することによって画像を形成している。液晶表示装置はフラットで軽量であることから、色々な分野で用途が広がっている。
【０００３】
近年、入力方法として、タッチパネル方式の液晶表示装置が増えている。従来はタッチパネル方式として、液晶表示パネルとタッチパネルを別々に製作し、液晶表示パネルの対向基板の上にタッチパネルを積載するタイプが使用されてきた。特許文献１には、タッチパネル用メタル配線を透明有機樹脂によって保護する構成が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特願２０１１−５４３２２３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、液晶表示装置全体をできるだけ薄くしたいという要求が強くなっている。この要求に応えるために、液晶表示パネル自体にタッチパネルの機能を持たせる方式が開発されている。この方式は、タッチパネル用の一方の電極を液晶表示パネルの対向基板の外側に形成し、他方の電極を液晶表示パネル内に形成するものである。
【０００６】
この場合、一方の電極は対向基板の外側に形成されるので、電極を保護する必要がある。ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）を使用する場合、ＩＴＯは腐食に強いので、保護は比較的容易である。しかし、ＩＴＯはシート抵抗が大きいので時定数が大きくなり、タッチを検出する時間が長くなり、迅速な応答が難しくなる。
【０００７】
本発明の課題は、液晶表示パネル自体がタッチパネル機能を有する液晶表示装置において、検出のスピードと信頼性を両立する液晶表示装置を実現することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は上記課題を克服するものであり、主な具体的な手段は次のとおりである。
【０００９】
（１）第１の基板と第２の基板の間に液晶を挟持した液晶表示パネルを有する液晶表示装置であって、前記第１の基板または前記第２の基板の前記液晶と対向する側を前記第１の基板の内側または前記第２の基板の内側とし、前記第１の基板または前記第２の基板の前記液晶と対向する側と反対の側を前記第１の基板の外側または前記第２の基板の外側とした場合、前記第１の基板の外側に第１の方向に延在するように第１の電極を形成し、前記第１の基板または前記第２の基板の内側に前記第１の方向と直角方向に延在する第２の電極を形成して、前記液晶表示パネルにタッチパネル機能を持たせ、前記第１の電極は金属または合金によって形成し、前記第１の電極を覆って保護膜が形成され、前記第１の基板の外側に、前記保護膜の端部と前記第１の電極との間に前記第１の基板の辺と平行に溝が形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
【００１０】
（２）前記液晶表示パネルは、ＩＰＳ方式の液晶表示パネルであって、前記第２の電極は、前記第２の基板に形成されたコモン電極が兼用していることを特徴とする（１）に記載の液晶表示装置。
【００１１】
（３）前記溝は前記第１の基板の４辺に沿って形成されていることを特徴とする（１）に記載の液晶表示装置。
【００１２】
（４）前記溝は複数、互いに平行に形成されていることを特徴とする（１）に記載の液晶表示装置。
【００１３】
（５）前記溝の深さは１０μｍ以上で３０μｍ以下であることを特徴とする（１）に記載の液晶表示装置。
【００１４】
（６）前記保護膜はインクジェットによって形成されていることを特徴とする（１）に記載の液晶表示装置。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、検出スピードが速く、かつ、信頼性の高い、タッチパネル機能を有する厚さの小さい液晶表示装置を実現することが出来る。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明による液晶表示装置の分解斜視図である。
【図２】ＩＰＳ方式の液晶表示パネルの断面図である。
【図３】ＴＦＴ基板におけるコモン電極の形状を示す平面図である。
【図４】液晶表示パネルの平面図である。
【図５】第１の電極の形状を示す平面図である。
【図６】第１の電極の形状を示す他の平面図である。
【図７】本発明における第１の電極の断面図である。
【図８】液晶表示パネルにタッチパネル機能を持たせた場合の断面模式図である。
【図９】第１の電極にＩＴＯを使用した場合と、金属を使用した場合の時定数の差を示すグラフである。
【図１０】第１の電極を形成した対向基板の断面図である。
【図１１】本発明による、第１の電極を形成した対向基板の断面図である。
【図１２】対向基板に溝を形成する工程を示す模式図である。
【図１３】対向基板に溝を形成する工程を示す拡大模式図である。
【図１４】対向基板のコーナー部における溝の配置を示す平面図である。
【図１５】溝部分の詳細形状を示す断面図である。
【図１６】溝部分の他の詳細形状を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下に実施例を用いて本発明の内容を詳細に説明する。
【実施例１】
【００１８】
図１は本発明による液晶表示装置の分解斜視図である。図１は、表示用としての液晶表示パネルにタッチパネルの機能も持たせたものである。図１において、ＴＦＴ基板１００の上に対向基板２００が配置し、対向基板２００の外側にタッチパネル用の第１の電極３０（Ｒｘ電極と呼ばれる）が形成されている。この第１の電極３０を覆って、アクリル等の透明有機材料による保護膜２１０が形成されている。保護膜２１０を覆って上偏光２２０板が配置されている。上偏光板２２０を覆ってカバーガラス２４０が配置されている。図１には記載してないが、ＴＦＴ基板１００の下側に下偏光板が配置される。
【００１９】
図１において、対向基板の外側に形成された第１の電極３０と接続をするために、対向基板の端部にはタッチパネル用フレキシブル配線基板２３０が取り付けられている。なお、図１の液晶表示パネルをタッチパネルとして機能させるために、液晶表示パネルのＴＦＴ基板１００に形成されるコモン電極に第２の電極（Ｔｘ電極と呼ばれる）の機能を持たせている。
【００２０】
図２は、図１の液晶表示パネルの断面図である。図２はＩＰＳ方式の液晶表示装置の断面図である。以下にＩＰＳ方式の液晶表示装置を例にとって説明するが、本発明はＩＰＳ方式に限らず、ＶＡ、ＴＮ等の他の液晶表示装置についても適用することができる。
【００２１】
図２において、ガラス基板１００の上にＳｉＮからなる第１下地膜１０１およびＳｉＯ２からなる第２下地膜１０２がＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）によって形成される。第１下地膜１０１および第２下地膜１０２の役割はガラス基板１００からの不純物が半導体層１０３を汚染することを防止することである。
【００２２】
第２下地膜１０２の上には半導体層１０３が形成される。この半導体層１０３は第２下地膜１０２の上にＣＶＤによってａ−Ｓｉ膜を形成し、これをレーザアニールすることによってｐｏｌｙ−Ｓｉ膜に変換したものである。このｐｏｌｙ−Ｓｉ膜をフォトリソグラフィによってパターニングする。
【００２３】
半導体層１０３の上にはゲート絶縁膜１０４が形成される。このゲート絶縁膜１０４はＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）によるＳｉＯ２膜である。この膜もＣＶＤによって形成される。その上にゲート電極１０５が形成される。ゲート電極１０５は図３に示す走査線１０が兼ねている。ゲート電極１０５は例えば、ＭｏＷ膜によって形成される。ゲート電極１０５あるいは走査線１０の抵抗を小さくする必要があるときはＡｌ合金が使用される。
【００２４】
ゲート電極１０５はフォトリソグラフィによってパターニングされるが、このパターニングの際に、イオンインプランテーションによって、リンあるいはボロン等の不純物をｐｏｌｙ−Ｓｉ層にドープしてｐｏｌｙ−Ｓｉ層にソースＳあるいはドレインＤを形成する。また、ゲート電極１０５のパターニングの際のフォトレジストを利用して、ｐｏｌｙ−Ｓｉ層のチャネル層と、ソースＳあるいはドレインＤとの間にＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ  Ｄｏｐｅｄ  Ｄｒａｉｎ）層を形成する。
【００２５】
その後、ゲート電極１０５を覆って第１層間絶縁膜１０６をＳｉＯ２によって形成する。第１層間絶縁膜１０６はゲート配線１０５とコンタクト電極１０７を絶縁するためである。第１層間絶縁膜１０６およびゲート絶縁膜１０４には、半導体層１０３のソース部Ｓをコンタクト電極１０７と接続するためのスルーホール１２０が形成される。第１層間絶縁膜１０６とゲート絶縁膜１０４にスルーホール１２０を形成するためのフォトリソグラフィは同時に行われる。
【００２６】
第１層間絶縁膜１０６の上にコンタクト電極１０７が形成される。コンタクト電極１０７は、スルーホール１３０を介して画素電極１１２と接続する。ＴＦＴのドレインＤは、図示しない部分において図２に示す映像信号線２０とスルーホールを介して接続している。
【００２７】
コンタクト電極１０７および映像信号線２０は、同層で、同時に形成される。コンタクト電極１０７および映像信号線（以後コンタクト電極１０７で代表させる）は、抵抗を小さくするために、例えば、ＡｌＳｉ合金が使用される。ＡｌＳｉ合金はヒロックを発生したり、Ａｌが他の層に拡散したりするので、例えば、図示しないＭｏＷによるバリア層、およびキャップ層によってＡｌＳｉをサンドイッチする構造がとられている。
【００２８】
コンタクト電極１０７を覆って無機パッシベーション膜（絶縁膜）１０８を被覆し、ＴＦＴ全体を保護する。無機パッシベーション膜１０８は第１下地膜１０１と同様にＣＶＤによって形成される。無機パッシベーション膜１０８を覆って有機パッシベーション膜１０９が形成される。有機パッシベーション膜１０９は感光性のアクリル樹脂で形成される。有機パッシベーション膜１０９は、アクリル樹脂の他、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等でも形成することが出来る。有機パッシベーション膜１０９は平坦化膜としての役割を持っているので、厚く形成される。有機パッシベーション膜１０９の膜厚は１〜４μｍであるが、多くの場合は２μｍ程度である。
【００２９】
画素電極１１０とコンタクト電極１０７との導通を取るために、無機パッシベーション膜１０８および有機パッシベーション膜１０９にスルーホール１３０が形成される。有機パッシベーション膜１０９は感光性の樹脂を使用している。感光性の樹脂を塗付後、この樹脂を露光すると、光が当たった部分のみが特定の現像液に溶解する。すなわち、感光性樹脂を用いることによって、フォトレジストの形成を省略することが出来る。有機パッシベーション膜１０９にスルーホール１３０を形成したあと、２３０℃程度で有機パッシベーション膜を焼成することによって有機パッシベーション膜１０９が完成する。
【００３０】
その後コモン電極１１０となるＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）をスパッタリングによって形成する。このＩＴＯをスルーホール１３０およびその周辺の領域、さらに走査線の上方に対応する領域からＩＴＯを除去するようにパターニングする。走査線の上方でこのＩＴＯを除去することによって、コモン電極をタッチパネルの第２の電極として機能させるためである。コモン電極１１０は図３に示すように、走査線と平行して、走査線の延在する方向の画素に共通するように形成されることになる。
【００３１】
その後、第２層間絶縁膜１１１となるＳｉＮをＣＶＤによって全面に形成する。その後、スルーホール１３０内において、コンタクト電極１０７と画素電極１１２の導通をとるためのスルーホールを第２層間絶縁膜１１１および無機パッシベーション膜１０８に形成する。
【００３２】
その後、ＩＴＯをスパッタリングによって形成し、パターニングして画素電極１１２を形成する。画素電極１１２の上に配向膜材料をフレキソ印刷あるいはインクジェット等によって塗布し、焼成して配向膜１１３を形成する。配向膜１１３の配向処理にはラビング法のほか偏光紫外線による光配向が用いられる。
【００３３】
画素電極１１２とコモン電極１１０の間に電圧が印加されると図１に示すような電気力線が発生する。この電界によって液晶分子３０１を回転させ、液晶層３００を通過する光の量を画素毎に制御することによって画像を形成する。
【００３４】
図１において、液晶層３００を挟んで対向基板２００が配置されている。対向基板２００の内側には、カラーフィルタ２０１が形成されている。カラーフィルタ２０１は画素毎に、赤、緑、青のカラーフィルタが形成されており、これによってカラー画像が形成される。カラーフィルタ２０１とカラーフィルタ２０１の間にはブラックマトリクス２０２が形成され、画像のコントラストを向上させている。なお、ブラックマトリクス２０２はＴＦＴの遮光膜としての役割も有し、ＴＦＴに光電流が流れることを防止している。
【００３５】
カラーフィルタ２０１およびブラックマトリクス２０２を覆ってオーバーコート膜２０３が形成されている。カラーフィルタ２０１およびブラックマトリクス２０２の表面は凹凸となっているために、オーバーコート膜２０３によって表面を平らにしている。オーバーコート膜の上には、液晶の初期配向を決めるための配向膜１１３が形成される。配向膜１１３の配向処理はＴＦＴ基板１００側の配向膜１１３と同様、ラビング法あるいは光配向法が用いられる。
【００３６】
対向電極の外側には、液晶表示パネルをタッチパネルとして機能させるための第１の電極３０が形成されている。図２に示すように、対向基板２００の外側に形成された第１の電極３０とＴＦＴ基板１００に形成されたコモン電極１１０が兼用する第２の電極４０の間に静電容量２５０が形成されるが、この容量２５０の変化を検出することによって、タッチ位置を検出する。
【００３７】
図３は、ＴＦＴ基板１００の平面図である。図３において、走査線１０が横方向に延在して縦方向に配列している。また、映像信号線２０が縦方向に延在して横方向に配列している。走査線１０と映像信号線２０で囲まれた領域が画素である。図３では、画素内の画素電極、ＴＦＴ等は省略されている。図３において、走査線１０と走査線１０の間に形成される画素に共通して、横方向にコモン電極１１０がストライプ状に形成されている。このストライプ状のコモン電極１１０をタッチパネルの第２の電極４０として使用する。
【００３８】
タッチパネルの第１の電極３０は、対向基板２００の外側に形成される。図４は、第１の電極３０が形成された状態を示す液晶表示パネルの平面図である。図４において、ＴＦＴ基板１００の上に対向電極２００が配置しており、ＴＦＴ基板１００と対向電極は周辺に形成されたシール材によって接着している。ＴＦＴ基板１００は対向基板２００よりも大きく形成され、ＴＦＴ基板１００が１枚になった部分には、液晶を駆動するためのＩＣドライバが搭載される端子部１５０となっている。図示していないが、端子部１５０には液晶表示パネルを駆動するフレキシブル配線基板が接続し、また、対向基板２００には、図１に示すように、タッチパネル用のフレキシブル配線基板２３０が接続される。
【００３９】
図４において、第１の電極３０は対向基板２００の長辺と平行方向に延在するように形成されている。言い換えると第１の電極３０は端子部１５０が形成された辺と直角方向に延在している。ＴＦＴ基板１００に形成された、コモン電極１１０が兼用するタッチパネル用第２の電極４０は対向基板２００の短辺と平行方向に延在するように形成されている。言い換えると第２の電極４０は端子部１５０が形成された辺と平行方向に延在している。つまり、第１の電極３０と第２の電極４０は互いに直角方向に延在している。
【００４０】
図５は、図４に示す対向基板２００の外側に形成されたタッチパネル用第１の電極３０の拡大図である。図５では、第１の電極３０には、透明電極であるＩＴＯを使用している。しかし、ＩＴＯは比抵抗が大きいので配線抵抗が大きくなる。タッチ位置の検出は、容量２５０の変化を検出するので、配線抵抗が大きいと時定数が大きくなり、検出速度が遅くなる。
【００４１】
そこで、本発明では、第１の電極３０として金属または合金を使用している。しかし、金属または合金はＩＴＯに比べて反射率が大きいので、配線パターンが目立ちやすい。そこで、例えば、配線パターン形状を図６のようにすることによって、配線パターンが目立たないようにしている。なお、図６は配線パターンの１例である。
【００４２】
図７は対向基板２００における第１の電極３０の断面図である。図７において、対向基板２００の上に第１の電極３０が形成されている。第１の電極３０は３層構造である。メインの電極３２はＡｌ系の合金であり、例えば、ＡｌＮｄ合金が使用される。電気抵抗を小さくするためである。Ａｌ系の合金の下にはベースメタル３１として、Ｍｏ系の合金、例えば、ＭｏＮｂが使用される。また、Ａｌ系の合金の上にはキャップメタル３３としてＭｏ系の合金、例えば、ＭｏＮｂが使用される。
【００４３】
金属あるいは合金は反射率が高いので、３層の反射防止膜が形成される。この３層は、屈折率小の層３４、屈折率大の層３５、屈折率小の層３６の組み合わせによって反射防止をしている。キャップメタル３３の上に形成される屈折率小の層３４の物質としては、例えば、ＩＧＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｇａｒｉｕｍ  Ｏｘｉｄｅ）が使用される。その上の屈折率が大きい層３５の物質としては、例えば、ＭｏＮｂが使用される。その上の屈折率が小さい層３６の物質としては、例えば、ＩＧＯが使用される。
【００４４】
このように、対向基板２００の上に第１の配線３０として反射防止膜を含む６層が形成される。この６層はスパッタリング等によって連続して形成される。その後、フォトリソグラフィによってパターニングして第１の電極３０を形成する。金属または合金によって形成された第１の電極はＩＴＯによって形成された第１の電極に比べて１/１０以下のメッシュ抵抗とすることができる。
【００４５】
図８はタッチパネルを構成する電極構成を示す模式図である。図８に示すように、液晶表示パネルがタッチパネルの構成を兼用している。図８において、ＴＦＴ基板１００に、タッチパネルの第２の電極４０としても使用されるコモン電極１１０が形成され、その上に画素電極を含む上部配線１１５が形成されている。一方、対向基板２００の外側にはタッチパネル用の第１の電極３０が形成されている。図８において、対向基板２００の外側に形成された第１の電極３０とＴＦＴ基板１００に形成されたコモン電極１１０による第２の電極４０との間に、タッチ位置を検出する容量２５０が形成される。
【００４６】
この容量２５０の充放電によって、タッチ位置を検出するが、容量２５０を含む回路の時定数が大きいと、高速な検出が出来ない。時定数は、抵抗と容量の積である。本発明では、第１の電極３０として金属あるいは合金を使用しているので、第１の電極３０の配線抵抗を小さくすることが出来、時定数を短くすることができる。
【００４７】
図９は、第１の電極としてＩＴＯを使用した場合と金属あるいは合金を使用した場合の時定数を比較したグラフである。時定数は抵抗に比例して変化する。図９において、第２の電極はコモン電極を用いているので、材料を変えることは出来ない。一方、第１の電極は自由に変えることができる。図９において、第１の電極をＩＴＯから金属あるいは合金に変えることによって第１の電極の配線抵抗を小さくすることが出来、時定数が大幅に小さくなっている。
【００４８】
このように、第１の電極を金属あるいは合金にすることによって、タッチパネルの検出のスピードを大幅に低減することができる。しかし、金属あるいは合金で形成された電極は機械的に弱く、断線を生じやすい。合金層の上に反射防止膜が存在しているが、反射防止膜の厚さは極めて薄く、保護作用は無い。したがって、第２の電極を保護するために、図１０に示すように、第１の電極３０を覆ってアクリル等の透明樹脂による保護膜２１０を形成する。
【００４９】
図１０はこの様子を示す断面図である。図１０において、対向基板２００に形成された第１の電極３０を覆って保護膜２１０が形成されている。保護膜２１０は機械的な保護をするために２μｍ程度と厚く形成される。
【００５０】
一方、Ａｌ等の金属は、水分によって腐食する。水分は、主に、ガラスである対向基板２００と保護膜２１０の界面から侵入する。したがって、保護膜２１０の端部から第１の電極３０までの経路が長ければ、その分、第１の電極３０が腐食するまでの時間を長くすることができる。すなわち、製品の寿命を延ばすことができる。
【００５１】
図１１は本願発明を示す模式断面図である。図１１において、ガラスである対向基板２００の上に金属あるいは合金で形成された第１の電極３０が形成され、その上を保護膜２１０が覆っている。図１１の特徴は、保護膜２１０の端部から第１の配線３０までの間に対向基板２００に溝５０が２箇所形成されていることである。水分はガラス２００と保護膜２１０の界面を伝って浸透するので、溝５０が形成されていると、その分、水分が第１の電極３０に達するまでの距離が大きくなり、したがって、水分が第１の電極３０を腐食するまでの時間を長くすることができる。図１１は、溝５０が２個形成されている場合であるが、スペースが許せば、溝５０を３個以上形成してもよいし、スペースが無ければ１個でもよい。
【００５２】
図１２は対向基板２００に形成された溝５０を示し、かつ、溝５０の形成の方法を示す模式図である。液晶表示パネルは１個１個製造したのでは効率が悪いので、マザー基板に複数の液晶表示パネルを形成し、完成後、マザー基板から個々の液晶表示パネルを分離する。液晶表示パネルの分離は、分離線６０（スクライビング線）に沿ってスクライビングを行い、その後、ガラスに衝撃を加えて破断する。
【００５３】
図１２において、第１の電極３０を覆って保護膜２１０が対向基板２００の端部近くまで形成されている。保護膜２１０はスクライビング線６０を覆っては形成されていない。スクライビング線６０上に２μｍもある有機保護膜２１０が存在すると、スクライビングを行った後、衝撃を加えても、スクライビングにそった分離が出来なくなるからである。
【００５４】
図１２において、第１の電極３０には、タッチパネル用フレキシブル配線基板２３０と接続する端子３８が形成されている。第１の電極３０は保護膜２１０によって覆われるが、端子３８の部分は、例えばフォトリソグラフィによって除去されている。あるいは、保護膜２１０をインクジェットによって形成する場合は、端子３８の部分だけ保護膜２１０を形成しなければよい。なお、図１２に示すように、溝５０は端子５０の外側に形成される。
【００５５】
対向基板２００に形成する溝５０は、図１２に示すように、マザー基板２００の状態で、スクライビングを行うときに同時に形成する。したがって、溝５０の深さはスクライビングの深さよりも小さい。これは、図１２に示すように、スクライビング装置において、溝用のバイト４３０の長さを、スクライビング線を入れるバイト４１０の長さよりも短くすることによって行うことができる。
【００５６】
図１２に示すように、対向基板２００の溝５０は、スクライビングを入れるときに同時に形成することができるので、工程数が増加するということは無い。溝５０は４辺とも、スクライビングを入れるときに形成することができる。溝５０の数は溝用のバイトの数の増減によって変えることが出来る。
【００５７】
図１３はスクライバによるスクライビングの形成と溝５０の形成を示す拡大断面図である。図１３に示すように、スクライビング用のバイト４００は溝用のバイト４２０よりも長いので、スクライビング線は溝よりも深く形成される。図１３において、このようなスクライバによってスクライビング線６０および溝５０を形成した後、保護膜２１０を形成し、その後衝撃を加え、スクライビング線６０に沿って個々の液晶表示パネルに分離する。
【００５８】
図１３において、対向基板２００の端部から保護膜２１０の端部までの距離ｄ３は０．２ｍｍ程度であり、対向基板２００の端部から外側の溝５０の中央までの距離ｄ２は０．２５ｍｍ程度である。また、第１の電極３０の端部から保護膜２１０の端部までの距離ｄ１は０．３ｍｍ程度である。
【００５９】
図１４は、対向基板２００のコーナー部の拡大平面図である。図１４において、保護膜２１０が対向基板２００の端部付近まで形成されている。保護膜２１０の端部と対向基板２００の端部の距離ｄ３は０．２ｍｍ程度である。また、溝５０が各辺に平行に２本ずつ形成されている。外側の溝５０の中央と対向基板２００の端部の距離ｄ２は０．２５ｍｍ程度である。
【００６０】
図１５は、溝５０の部分を示す拡大断面図である。図１５において、溝５０の深さｈは１０μｍ乃至３０μｍである。ｈがあまりに小さいと溝５０を形成する効果が小さくなり、ｈが大きいと、マザー基板から個々の液晶表示パネルに分離するときの衝撃で、溝５０の部分から破断する危険があるからである。同じ理由によって、溝５０の幅としては、溝５０の最も幅が大きい部分でも３０μｍ以下とすることが望ましい。また、溝５０と溝５０の間隔すなわち、溝５０の中心と溝５０の中心の距離ｗ２は、６０μｍか、それ以下とすることができる。なお、溝５０の間隔は、溝同士が干渉して、この部分でガラスの破壊が生じない程度まで小さくすることができる。
【００６１】
図１５等では、溝５０が保護膜２１０によって埋められた状態となっている。保護膜２１０をインクジェットによって塗布する場合、溝５０が存在する部分は予めわかっているので、溝５０の部分における吐出量を多くすることによって、溝５０を保護膜２１０によって完全に埋めてしまうことは可能である。
【００６２】
一方、図１６に示すように、溝５０を保護膜２１０によって完全に埋めなくとも、同様な効果を得ることができる。図１６において、保護膜２１０は、溝５０の形状に沿って形成されている。なお、溝５０の部分は、バイト４２０によってスクライビングされているので、小さな凹凸が多数存在する場合がある。この場合は、この凹凸を保護膜２１０で完全に覆う必要がある。したがって、溝５０を完全に保護膜２１０によって埋めない場合でも、溝５０の部分は他の部分よりインクジェットからの吐出量を増やすことによって、保護膜２１０の膜厚を大きくしておくことが望ましい。
【００６３】
以上の説明では、保護膜２１０は有機材料で形成されるとして説明した。しかし、機械的な保護が可能であれば、ＳｉＮ等の無機絶縁物を使用してもよい。この場合も以上で説明した本発明を適用することができる。
【００６４】
また、以上の説明では、第１の電極３０は図４に示すように、端子部１５０が形成されている辺と直角方向に延在し、ＴＦＴ基板１００に形成されている第２の電極４０は第１の電極３０と直角方向に延在するとして説明した。しかし、第１の電極３０を端子部１５０が形成されている辺と平行方向に延在させ、第２の電極４０を第１の電極３０と直角方向に延在させてもよい。
【００６５】
以上の説明では、液晶表示パネルとしてＩＰＳ方式の場合について説明した。ＩＰＳ方式は画素電極とコモン電極をＴＦＴ基板に形成できるという特徴がある。しかし、本発明はＶＡ方式あるいはＴＮ方式等のように、コモン電極が対向基板側に形成された液晶表示装置においても適用することができる。この場合は、対向基板側に形成されたコモン電極を分割してタッチパネル用の第２の電極として使用することができる。
【符号の説明】
【００６６】
１０…走査線、  ２０…映像信号線、  ３０…第１の電極（Ｒｘ電極）、  ３１…ＭｏＮｂ  ３２…ＡｌＮｄ  ３３…ＭｏＮｂ  ３４…ＩＧＯ  ３５…ＭｏＮｂ  ３６…ＩＧＯ  ３８…第１配線用端子  ４０…第２の電極（Ｔｘ電極）、  ５０…溝、  ６０…スクライビング、  ７０…シール材、  １００…ＴＦＴ基板、  １０１…第１下地膜、  １０２…第２下地膜、  １０３…半導体層、  １０４…ゲート絶縁膜、  １０５…ゲート電極、  １０６…第１層間絶縁膜、  １０７…コンタクト電極、  １０８…無機パッシベーション膜、  １０９…有機パッシベーション膜、  １１０…コモン電極、  １１１…第２層間絶縁膜、  １１２…画素電極、  １１３…配向膜、  １１５…上層、  １２０…第１スルーホール、  １３０…第２スルーホール、  １５０…端子部、  １６０…ＩＣドライバ、  ２００…対向基板、  ２０１…カラーフィルタ、  ２０２…ブラックマトリクス、  ２０３…オーバーコート膜、  ２１０…保護膜、  ２２０…上偏光板、  ２３０…タッチパネル用フレキシブル配線基板、  ２４０…カバーガラス、  ２５０…容量、  ３００…液晶層、  ３０１…液晶分子、  ４００…スクライバ、  ４１０…スクライビング用バイト、  ４２０…溝用バイト、  ２００…対向基板、  Ｄ…ドレイン部、Ｓ…ソース部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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