(57)【要約】【課題】センサチップと基材とを、ガラス等よりなる接合部材を介して接合してなるセンサ装置において、センサチップのセンシング部と基材との間にて接合部材に発生するボイドを適切に低減できるようにする。【解決手段】接合部材３０は、加熱による溶融を経て接合機能を発揮するものである。金属ステム１０、接合部材３０、センサチップ２０を順次重ねて搭載した後、レーザＬ１をセンサチップ２０側から照射して、センサチップ２０を透過させ、接合部材３０を加熱して溶融させる。ここで、センサチップ２０として、中央部のセンシング部２３がレーザＬ１を透過する領域であり、その周辺部にセンシング部２３よりもレーザＬ１が透過しにくい回路構成部材２４を設けたものを用い、センシング部２３に対して選択的にレーザＬ１を照射することにより、接合部材３０の溶融を、センサチップ２０の中央部から発生させ周辺部側に進展させていく。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
一面（２１）と他面（２２）とが表裏の関係にある半導体よりなるセンサチップ（２０）と、前記センサチップの他面に対向して配置された基材（１０）と、前記基材と前記センサチップとの間に介在し、これら両者間を接合する接合部材（３０）と、を備え、
前記接合部材は加熱による溶融を経て接合機能を発揮するものであるセンサ装置の製造方法であって、
前記接合部材を介して前記センサチップの他面と前記基材とを対向させた状態で、前記基材、前記接合部材、前記センサチップを順次重ねて搭載する搭載工程と、
レーザ（Ｌ１）を前記センサチップの一面側から照射して、前記センサチップを透過させ、前記レーザによって、前記接合部材を加熱して溶融させることにより、前記センサチップと前記基材とを接合する接合工程と、を備え、
前記センサチップとして、中央部が前記レーザを透過する領域であってセンシング機能を有するセンシング部（２３）とされ、前記センシング部の周辺部に前記センシング部よりも前記レーザが透過しにくい回路構成部材（２４）が設けられたものを用いて、前記搭載工程を行い、
前記接合工程では、前記センサチップの一面側から前記センシング部に対して選択的に前記レーザを照射することにより、前記接合部材の溶融を、前記センサチップの中央部側から発生させ、前記センサチップの周辺部側に進展させていくようにしたことを特徴とするセンサ装置の製造方法。
【請求項２】
前記センサチップを構成する半導体はシリコン半導体であり、このシリコン半導体により前記センシング部が構成されており、前記回路構成部材は金属であることを特徴とする請求項１に記載のセンサ装置の製造方法。
【請求項３】
前記レーザは、１．５μｍ帯から１０μｍ帯の波長を有するものであることを特徴とする請求項１または２に記載のセンサ装置の製造方法。
【請求項４】
前記接合部材として、溶融温度が異なる２種類の接合部材であって、前記溶融温度が低い方の第１の接合部材（３１）と、前記溶融温度が高い方の第２の接合部材（３２）とを用意し、
前記搭載工程では、前記基材と前記センサチップとの間にて前記センサチップの中央部側に前記第１の接合部材を配置し、前記センサチップの周辺部側に前記第２の接合部材を前記第１の接合部材に接して配置することを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１つに記載のセンサ装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、センシング部を有するセンサチップと基材とを、ガラス等よりなる接合部材を介して接合してなるセンサ装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、この種のセンサ装置は、一面と他面とが表裏の関係にある半導体よりなるセンサチップと、センサチップの他面に対向して配置された基材と、基材とセンサチップとの間に介在し、これら両者間を接合する接合部材と、を備えて構成されている。
【０００３】
ここで、接合部材はガラス等よりなるもので、加熱による溶融を経て固化されることで、接合機能（つまり接合力）を発揮するものである。そのため、接合部材中に空隙（いわゆるボイド）が発生しやすく、センサ装置の信頼性が低下するという不具合が生じる。たとえば、温度変化によるボイドの膨張収縮により、センシング部に応力が発生して、センシングに悪影響を与える等の不具合が生じる。
【０００４】
一方で、従来では、対向するＳｉＣ成形体の各接合面を中央に向かって凸形状をなす凸曲面とし、両接合面を中央部から接触させることで、接合界面におけるボイド発生を抑制するようにしたものが提案されている（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１４−９１１４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、上記特許文献１の手法をセンサ装置の製造方法に準用し、センサチップおよび基材の各接合面を上記同様の凸曲面とすれば、これら両接合面は接合部材を介して中央部から接触していくため、接合部材中のボイド発生は抑制しやすくなると考えられる。
【０００７】
しかし、この場合、各接合面を上記の凸曲面とするために、センサチップおよび基材に形状の制約が生じるし、また、接合面の位置によっては両者間の接合荷重が不均一となる。また、凸曲面における加工精度のばらつき等により、曲面の高さや曲率にばらつきが生じることで、センサチップと基材との接合における接触位置や接合荷重のばらつきが生じ、品質が安定しない、という懸念もある。
【０００８】
そうすると、センサチップおよび基材の各接合面を、上記凸曲面のように加工することは、極力回避することが望ましい。
【０００９】
本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、センシング部を有するセンサチップと基材とを、ガラス等よりなる接合部材を介して接合してなるセンサ装置において、センサチップのセンシング部と基材との間にて接合部材に発生するボイドを適切に低減できるようにすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明者は、基材、接合部材、センサチップを順次重ねた状態で、センサチップの上方からレーザを照射して、センサチップを透過させることによって、接合部材を加熱して溶融させ、センサチップと基材との接合を行うことを検討した。
【００１１】
そして、この場合において、センサチップ中央のセンシング部にレーザを選択的に照射することで、センサチップの中央部から接合部材の溶融を開始させ、センサチップの周辺部へ溶融を進展させていけば、ボイドも周辺部側へ移動していくため、ボイドの発生を抑制できると考えた。本発明は、このような点に着目して創出したものである。
【００１２】
上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、一面（２１）と他面（２２）とが表裏の関係にある半導体よりなるセンサチップ（２０）と、センサチップの他面に対向して配置された基材（１０）と、基材とセンサチップとの間に介在し、これら両者間を接合する接合部材（３０）と、を備え、接合部材は加熱による溶融を経て接合機能を発揮するものであるセンサ装置の製造方法であって、さらに次のような点を特徴としている。
【００１３】
すなわち、請求項１の製造方法は、接合部材を介してセンサチップの他面と基材とを対向させた状態で、基材、接合部材、センサチップを順次重ねて搭載する搭載工程と、レーザ（Ｌ１）をセンサチップの一面側から照射して、センサチップを透過させ、レーザによって、接合部材を加熱して溶融させることにより、センサチップと基材とを接合する接合工程と、を備える。
【００１４】
そして、請求項１の製造方法では、センサチップとして、中央部がレーザを透過する領域であってセンシング機能を有するセンシング部（２３）とされ、センシング部の周辺部にセンシング部よりもレーザが透過しにくい回路構成部材（２４）が設けられたものを用いて、搭載工程を行い、接合工程では、センサチップの一面側からセンシング部に対して選択的にレーザを照射することにより、接合部材の溶融を、センサチップの中央部側から発生させ、センサチップの周辺部側に進展させていくようにしたことを特徴とする。
【００１５】
それによれば、センサチップ中央のセンシング部直下にて接合部材中にボイドが発生しても、接合部材の溶融のチップ周辺部への進展に伴ってボイドも当該周辺部側へ逃げていく。そのため、センサチップおよび基材の各接合面を加工しなくても、センシング部の直下におけるボイドの発生を抑制することができる。
【００１６】
また、本発明では、センサチップを、センシング部の周辺部に回路構成部材が一体に設けられたものとしているが、この回路構成部材はレーザを透過しにくいので、位置ずれ等によって当該周辺部にレーザが当たっても、回路構成部材がレーザの透過を抑制する透過防止マスクとして機能する。そのため、当該周辺部における接合部材の加熱を抑制することができ、中央のセンシング部における接合部材の溶融発生が効率良く行われる。
【００１７】
よって、本発明によれば、センサチップのセンシング部と基材との間にて接合部材に発生するボイドを適切に低減することができる。
【００１８】
なお、特許請求の範囲およびこの欄で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の第１実施形態にかかるセンサ装置を示す概略断面図である。
【図２】図１中のセンサ装置を上方から視たときの概略平面図である。
【図３】図１中のセンサ装置における接合部分を拡大して示す概略断面図である。
【図４】第１実施形態にかかるセンサ装置の製造方法におけるレーザ照射による接合工程を示す概略断面図である。
【図５】本発明の第２実施形態にかかるセンサ装置を示す概略平面図である。
【図６】図５中のセンサ装置における接合部分を拡大して示す概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、説明の簡略化を図るべく、図中、同一符号を付してある。
【００２１】
（第１実施形態）
本発明の第１実施形態にかかるセンサ装置Ｓ１について、図１〜図３を参照して述べる。このセンサ装置Ｓ１は、たとえば自動車などの車両に搭載され、空気圧、燃料、オイル等の圧力測定を行う圧力センサとして適用されるものである。
【００２２】
本実施形態のセンサ装置Ｓ１は、大きくは、半導体よりなるセンサチップ２０と、センサチップ２０に対向して配置された基材としての金属ステム１０と、金属ステム１０とセンサチップ２０とを接合する接合部材３０と、を備えて構成されている
基材としての金属ステム１０は、一端側に閉塞部としての薄肉状の圧力検出用のダイアフラム１１を有し、他端側に開口部１２を有する中空円筒形状を成す。この金属ステム１０は、たとえばコバールやステンレス等よりなるもので、型加工や切削加工等により形成されている。
【００２３】
たとえば、金属ステム１０の外周の側面には、図示しないネジ部等の取付部が設けられることにより、金属ステム１０は、上記した燃料やオイルの配管等の被取付部材に対して固定されるようになっている。そして、金属ステム１０においては、開口部１２から圧力媒体による圧力Ｐが導入され、この圧力Ｐはダイアフラム１１の内面に印加されるようになっている。ここで、ダイアフラム１１は、典型的には平面円形をなす。
【００２４】
センサチップ２０は、圧力Ｐの印加によるダイアフラム１１の歪みを検出するものである。このセンサチップ２０は、後述するレーザＬ１（図４参照）を透過するような半導体よりなるもので、半導体プロセスにより形成される。
【００２５】
具体的に、センサチップ２０は、シリコン半導体、ＳｉＣ、ゲルマニウム半導体等の半導体よりなり、典型的には、シリコン半導体よりなる。また、センサチップ２０は、一面２１と他面２２とが表裏の関係にある板状をなすもので、ここでは、典型的な矩形板状をなしている。そして、センサチップ２０は、他面２２をダイアフラム１１に対向させて金属ステム１０上に配置されている。
【００２６】
金属ステム１０においては、開口部１２から金属ステム１０内部に導入された圧力媒体の圧力Ｐによってダイアフラム１１が変形するが、センサチップ２０は、このダイアフラム１１の変形時にダイアフラム１１に発生する歪みを、圧力として検出する機能を有する。つまり、これらダイアフラム１１およびセンサチップ２０が、センサ装置Ｓ１の基本性能を左右する。
【００２７】
ここで、センサチップ２０は、中央部がセンシング機能を有するセンシング部２３とされ、センサチップ２０におけるセンシング部２３の周辺部に、回路構成部材２４が設けられたものとされている。
【００２８】
回路構成部材２４は、センサチップ２０における回路部分を構成するものであり、センシング部２３と電気的に接続されたものである。このように、本実施形態のセンサチップ２０は、回路一体型のセンサチップとして構成されている。
【００２９】
具体的に、センサチップ２０のうちの中央部側に位置するセンシング部２３は、センサチップ２０を構成する半導体よりなるものであり、歪みに応じて電気信号を出力する手段を備えたものとされている。当該手段としては、たとえば図示しない歪みゲージ等が挙げられる。このような歪みゲージは、センシング部２３を構成する半導体にイオン注入されたものとして構成される。
【００３０】
一方、センサチップ２０のうちの周辺部側に形成された回路構成部材２４は、アルミニウムや銅等の金属により構成されたものであり、具体的には、集積回路部を構成する各種の配線２４１やパッド２４２等が回路構成部材２４とされる。
【００３１】
集積回路部は、センシング部２３からの電気信号を装置外部に取り出すためのものであり、この集積回路部には、トランジスタ等の回路素子が備えられ、上記電気信号の増幅や制御等が行われるようになっている。
【００３２】
なお、図２および後述の図５では、回路構成部材２４としての配線２４１およびパッド２４２の表面に識別のため、便宜上、斜線ハッチングを施してある。これら図示例では、センシング部２３は四角形状であり、配線２４１はセンシング部２３を取り巻く四角枠形状としている。なお、配線２４１については集積回路部内に多数分散しているものであり、当該ハッチングは集積回路部におおよそ相当する部分に施している。
【００３３】
また、このようなセンサチップ２０において、中央部側のセンシング部２３は、後述する製造工程に用いられるレーザＬ１が透過する領域である。そして、センシング部２３の周辺部には、半導体よりもレーザＬ１が透過しにくい部材である金属よりなる回路構成部材２４が設けられているため、センサチップ２０の周辺部は、センシング部２３よりもレーザＬ１が透過しにくい領域となっている。
【００３４】
接合部材３０は、金属ステム１０とセンサチップ２０の他面２２との間に介在し、これら両者間を接合している。ここでは、図１〜図３に示されるように、接合部材３０は、ダイアフラム１１を含む金属ステム１０の外面とセンサチップ２０の他面２２との間の全域に介在している。
【００３５】
この接合部材３０は、加熱による溶融を経て固化することで接合機能を発揮するものであり、典型的にはガラスや樹脂等が挙げられる。具体的に、ガラスとしては、鉛を含む鉛系ガラス、鉛およびフッ素を含む鉛フッ素系ガラス、ビスマスを含むビスマス系ガラス、バナジウムを含むバナジウム系ガラス等が挙げられる。また、樹脂としては、通常の熱硬化性樹脂や熱可塑性樹脂が挙げられる。
【００３６】
たとえば、ガラスの場合、粉末を円板状等に成形したタブレットを用い、これをセンサチップ２０と金属ステム１０との間に介在させた状態で加熱することで溶融させ、続いて固化することで接合力が発揮される。また、樹脂の場合、ペースト状あるいはシート状の樹脂を用い、これを加熱して溶融させ、固化することで接合力が発揮される。
【００３７】
また、図示しないが、センサ装置Ｓ１の外部には回路基板等よりなる図示しない外部配線部材が設けられている。そして、回路構成部材２４としてのパッド２４２等を介したリードやワイヤボンディング等による接続によって、この外部配線部材とセンサチップ２０とは電気的に接続されている。これにより、センサチップ２０は、自動車のＥＣＵ等に電気的に接続されるようになっている。
【００３８】
そして、たとえば圧力Ｐとして燃料パイプ内の燃料圧が、金属ステム１０の開口部１２から金属ステム１０の内部へ導入されたときに、その圧力Ｐによってダイアフラム１１が変形する。そして、この変形をセンサチップ２０により電気信号に変換して出力することにより、圧力検出が行われるようになっている。
【００３９】
次に、本実施形態のセンサ装置Ｓ１を製造する製造方法について、図４も参照して述べる。まず、センサチップ２０、接合部材３０、金属ステム１０を用意する（用意工程）。ここで、接合部材３０は、上記したようなガラスのタブレットや樹脂のペーストあるいはシート等の状態で用意される。
【００４０】
ここで、センサチップ２０としては、上述したようなもの、すなわち、中央部がレーザＬ１を透過する領域であってセンシング部２３とされ、センシング部２３の周辺部にセンシング部２３よりもレーザＬ１が透過しにくい回路構成部材２４が設けられたものを用意する。
【００４１】
そして、このセンサチップ２０を用い、接合部材３０を介してセンサチップ２０の他面２２と金属ステム１０とを対向させた状態で、金属ステム１０、接合部材３０、センサチップ２０を順次重ねて搭載する（搭載工程）。
【００４２】
次に、図４に示されるように、レーザＬ１をセンサチップ２０の一面２１側から照射して、センサチップ２０を透過させ、レーザＬ１によって、接合部材３０を加熱して溶融させる。これにより、センサチップ２０と金属ステム１０とを接合する（接合工程）。
【００４３】
ここで、接合工程では、センサチップ２０の一面２１側からセンシング部２３に対して選択的にレーザＬ１を照射する。つまり、レーザＬ１は、センサチップ２０の中央部のセンシング部２３を狙って照射され、センサチップ２０の周辺部には当たらないようにする。仮に、レーザＬ１照射の位置ずれによりセンサチップ２０の周辺部にレーザＬ１が当たっても、当該周辺部では回路構成部材２４の存在により、レーザＬ１は反射されるので透過しにくい。
【００４４】
これにより、接合工程では、レーザＬ１が透過しやすいセンシング部２３の直下、すなわちセンサチップ２０の中央部側の直下にて接合部材３０の溶融が発生する。この後、レーザＬ１の照射を続けると、接合部材３０の熱はセンサチップ２０の周辺部側へ拡がっていく。そして、この熱の拡がりとともに、接合部材３０の溶融は、センサチップ２０の中央部側から周辺部側へ進展し、当該溶融が拡がっていく。
【００４５】
そして、接合部材３０の全体が溶融状態とされた後、レーザＬ１の照射を停止し、接合部材３０を冷却して固化させる。こうして、金属ステム１０とセンサチップ２０とが接合部材３０を介して接合され、接合工程が完了して、本実施形態のセンサ装置Ｓ１ができあがる。
【００４６】
［レーザについて］
ここで、本実施形態の接合工程に用いるレーザＬ１は、センサチップ２０を構成する半導体（たとえばＳｉ、ＳｉＣ、ゲルマニウム等）を透過し、回路構成部材２４を構成する金属は実質的に透過しない波長のものとする。
【００４７】
具体的には、本実施形態のレーザＬ１は、赤外波長のうちで、実質的にレーザＬ１によってセンサチップ２０が加熱されないレベルのものとする。たとえば、赤外波長の中でも１．５μｍ帯から１０μｍ帯程度（好ましくは５μｍ以下）の波長を有するレーザＬ１を用いるとよい。
【００４８】
このようなレーザＬ１としては、具体的に、ＥｒＹＡＧ（波長：約３μｍ）、ＨｏＹＡＧ（波長：約１．５μｍ）、およびファイバーレーザなど、波長が１μｍを超えるレーザを採用することができる。
【００４９】
本実施形態の接合工程では、このような赤外波長のレーザＬ１を、センサチップ２０のセンシング部２３に照射することにより、センシング部２３をレーザＬ１が透過してもセンシング部２３の機能損傷がなく、その下の接合部材３０を、選択的に加熱することができる。
【００５０】
ところで、本実施形態によれば、センサチップ２０中央のセンシング部２３直下にて接合部材３０中にボイドが発生しても、接合部材３０の溶融のセンサチップ２０周辺部への進展に伴って、ボイドも当該周辺部側へ逃げていく。そのため、センサチップ２０および金属ステム１０の各接合面を加工しなくても、センシング部２３の直下におけるボイドの発生を抑制することができる。
【００５１】
また、本実施形態では、センサチップ２０を、センシング部２３の周辺部に回路構成部材２４が一体に設けられたものとしているが、この回路構成部材２４はレーザＬ１を透過しにくい。そのため、レーザＬ１照射の位置ずれ等によって当該周辺部にレーザＬ１が当たっても、回路構成部材２４がレーザＬ１の透過を抑制する透過防止マスクとして機能する。
【００５２】
これにより、センサチップ２０の周辺部における接合部材３０の加熱を抑制することができ、中央のセンシング部２３における接合部材３０の溶融発生が効率良く行われる。よって、本実施形態によれば、センサチップ２０のセンシング部２３と金属ステム１０との間にて接合部材３０に発生するボイドを適切に低減することができる。
【００５３】
（第２実施形態）
本発明の第２実施形態にかかるセンサ装置Ｓ２の製造方法について、図５、図６を参照して、上記第１実施形態との相違点を中心に述べることとする。本実施形態は、上記第１実施形態における接合部材３０を変形し、溶融温度が異なる２種類の接合部材３１、３２よりなるものとしたものである。
【００５４】
図５、図６に示されるように、本実施形態のセンサ装置Ｓ２も、一面２１と他面２２とが表裏の関係にある半導体よりなるセンサチップ２０と、センサチップ２０の他面２２に対向して配置された金属ステム１０と、金属ステム１０とセンサチップ２０との間に介在する接合部材３０と、を備える。ここで、上記同様、接合部材３０は加熱による溶融、固化を経て接合機能を発揮するものである。
【００５５】
また、上記第1実施形態と同様、センサチップ２０は、中央部がレーザＬ１を透過する領域であってセンシング機能を有するセンシング部２３とされ、センシング部２３の周辺部にセンシング部２３よりもレーザＬ１が透過しにくい回路構成部材２４を備えるものである。
【００５６】
ここにおいて、本実施形態の接合部材３０は、センサチップ２０の中央部側に配置された第１の接合部材３１と、第１の接合部材３１に接触しつつセンサチップ２０の周辺部側に配置され、溶融温度が第１の接合部材３１よりも高い第２の接合部材３２とよりなるものとされている。
【００５７】
さらに言えば、第２の接合部材３２は、第１の接合部材３１と隙間なく接触しつつ、第１の接合部材３１を取り巻くように配置されている。また、第１の接合部材３１は、センサチップ２０のセンシング部２３と重なりあう位置とされることが肝要であるが、第１の接合部材３１の外郭とセンシング部２３の外郭とは必ずしも一致していなくてもよく、多少ずれていてもよい。
【００５８】
たとえば、図５では、破線にて示される第1の接合部材３１は、センシング部２３と実質同一の平面四角形をなすものとしている。しかし、第1の接合部材３１の平面形状は、センシング部２３よりも小さい四角形でもよいし、センシング部２３よりも大きい四角形であってもよい。
【００５９】
また、具体的に、接合部材３０がガラスの場合、溶融温度の低い第１の接合部材３１としては、上記した鉛フッ素系ガラスやバナジウム系ガラス等が挙げられる。一方、溶融温度の高い第２の接合部材３２としては、上記した鉛系ガラスやビスマス系ガラス等が挙げられる。また、接合部材３０が樹脂の場合には、上記した熱硬化性樹脂や熱可塑性樹脂の中から溶融温度を変えたものを適宜選択すればよい。
【００６０】
このような本実施形態のセンサ装置Ｓ２は、上記第１実施形態の製造方法に準じて製造される。まず、上記同様、センサチップ２０、接合部材３０、金属ステム１０を用意する（用意工程）。ここで、接合部材３０としては、溶融温度が低い方の第１の接合部材３１と、溶融温度が高い方の第２の接合部材３２とを用意する。
【００６１】
そして、上記同様、接合部材３０を介してセンサチップ２０の他面２２と金属ステム１０とを対向させた状態で、金属ステム１０、接合部材３０、センサチップ２０を順次重ねて搭載する（搭載工程）。
【００６２】
ここで、この搭載工程では、金属ステム１０とセンサチップ２０との間にてセンサチップ２０の中央部側に第１の接合部材３１を配置し、センサチップ２０の周辺部側に第２の接合部材３２を第１の接合部材３１に接して配置する。このような配置は、上記第1実施形態と同様、ガラスのタブレットや樹脂のペーストあるいはシート等の状態で行うことができる。
【００６３】
その後、上記同様、接合工程を行う。つまり、レーザＬ１をセンサチップ２０の一面２１側からセンシング部２３に対して選択的に照射する。これにより、接合部材３０の溶融は、センサチップ２０の中央部側の第１の接合部材３１から発生し、センサチップ２０の周辺部側の第２の接合部材３２に進展していく。
【００６４】
そして、本実施形態の接合工程においても、接合部材３０の全体が溶融状態とされた後、レーザＬ１の照射を停止し、接合部材３０全体を固化させる。こうして、金属ステム１０とセンサチップ２０とが接合部材３０を介して接合され、接合工程が完了し、本実施形態のセンサ装置Ｓ２ができあがる。
【００６５】
本実施形態によっても、上記第１実施形態と同様、センシング部２３直下にて接合部材３０中にボイドが発生しても、ボイドが周辺部側へ逃げていくとともに、回路構成部材２４が透過防止マスクとして機能する。そのため、本実施形態によっても、センサチップ２０のセンシング部２３と金属ステム１０との間にて接合部材３０に発生するボイドを適切に低減することができる。
【００６６】
さらに、本実施形態によれば、接合部材３０を、センサチップ２０の中央部側に配置された溶融温度の低い第１の接合部材３１と、その周辺部側に配置された溶融温度の高い第２の接合部材３２とよりなるものとしている。
【００６７】
そのため、接合部材３０は、センサチップ２０の中央部側の方が周辺部側よりも溶融しやすいものなり、接合工程において、接合部材３０の溶融発生を、センサチップ２０の中央部側にて確実に行うことができる、という点で好ましい。
【００６８】
また、本実施形態によれば、センサチップ２０と、基材としての金属ステム１０と、これら両者間に介在して当該両者を接合する接合部材３０と、を備え、接合部材３０は加熱による溶融、固化を経て接合機能を発揮するものであるセンサ装置Ｓ２であって、次のような点（ａ）、（ｂ）を有するものが提供される。
【００６９】
（ａ）センサチップ２０は、中央部がレーザＬ１を透過する領域であってセンシング機能を有するセンシング部２３と、センシング部２３の周辺部に設けられセンシング部２３よりもレーザＬ１が透過しにくい回路構成部材２４とを備えるものであること。
【００７０】
（ｂ）接合部材３０は、センサチップ２０の中央部側に配置された第１の接合部材３１と、第１の接合部材３１に接触しつつセンサチップ２０の周辺部側に配置され、溶融温度が第１の接合部材３１よりも高い第２の接合部材３２とよりなること。
【００７１】
（他の実施形態）
なお、参考例ではあるが、接合部材３０を溶融温度の異なる第１の接合部材３１と第２の接合部材３２とよりなるものとした上記第２実施形態の場合、接合工程では、レーザＬ１の照射による加熱ではなく、ヒータやオーブン等によって接合部材３０全体を均一に加熱するようにしてもよい。
【００７２】
つまり、上記第２実施形態の製造方法において、搭載工程まで行ったワークをヒータ上に設置し、当該ヒータ等による接合部材３０の加熱、溶融を行うことにより、接合を行うようにしてもよい。具体的には、第１の接合部材３１の溶融温度で熱処理を行った後、ヒータの温度を上げて第２の接合部材３２の溶融温度で熱処理を行うようにする。
【００７３】
この場合も、まず、センサチップ２０の中央部に位置する第１の接合部材３１で溶融が発生し、その後の温度上昇により第２の接合部材３２の溶融が発生する。そのため、上記したようなセンサチップ２０における中央部側から周辺部側への溶融の進展が生じ、上記第２実施形態と同様のボイド低減効果が発揮される。
【００７４】
また、接合工程に用いられるレーザＬ１としては、センサチップ２０のセンシング部２３を透過し、それに比べて回路構成部材２４を透過しにくい波長のものであればよく、上記した例に限定されるものではない。また、回路構成部材２４は、レーザＬ１を透過する領域であるセンシング部２３に比べてレーザＬ１が透過しにくいものであれば、上記した金属に限定するものではない。
【００７５】
また、上記各実施形態では、接合部材３０は、ダイアフラム１１を含む金属ステム１０の外面とセンサチップ２０の他面２２との間の全域に介在していた。しかし、ダイアフラム１１とセンシング部２３との間の検出機能を確保するために、接合部材３０は、ダイアフラム１１を含む金属ステム１０の外面とセンサチップ２０におけるセンシング部２３との間に、少なくとも介在していればよい。
【００７６】
また、上記したセンサチップ２０、センシング部２３、回路構成部材２４、接合部材３０、第１の接合部材３１および第２の接合部材３２の各外郭形状は四角形であったが、これに限定されることなく、当該各外郭形状は、その他の多角形や円形等であってもかまわない。
【００７７】
また、センサ装置としては、上記各実施形態に示したようなセンサチップと、基材と、基材とセンサチップとの間を接合する接合部材と、を備え、接合部材は加熱による溶融を経て接合機能を発揮するものであればよく、上記した圧力センサ以外のものであってもよいことはもちろんである。たとえば基材としては、金属ステム１０以外にも、各種のケースや配線基板等であってもよい。
【００７８】
また、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。また、上記各実施形態は、互いに無関係なものではなく、組み合わせが明らかに不可な場合を除き、適宜組み合わせが可能であり、また、上記各実施形態は、上記の図示例に限定されるものではない。また、上記各実施形態において、実施形態を構成する要素は、特に必須であると明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。また、上記各実施形態において、実施形態の構成要素の個数、数値、量、範囲等の数値が言及されている場合、特に必須であると明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合等を除き、その特定の数に限定されるものではない。また、上記各実施形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および原理的に特定の形状、位置関係等に限定される場合等を除き、その形状、位置関係等に限定されるものではない。
【符号の説明】
【００７９】
１０  基材としての金属ステム
２０  センサチップ
２１  センサチップの一面
２２  センサチップの他面
２３  センシング部
２４  回路構成部材
３０  接合部材
Ｌ１  レーザ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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