(57)【要約】【課題】ウェハ表面に異物が残ることによるシミ不良の発生を抑えた洗浄冶具を提供する。【解決手段】洗浄冶具１０は、第一方向８１に垂直な第二方向８２に水晶ウェハ７０の一辺７４を先にして挿入可能な開口部１１と、開口部１１から挿入された水晶ウェハ７０の第二方向８２に平行な二辺（一方の辺７２及び他方の辺７３）を点接触で保持する側端保持部１２１，１２２，１３１，１３２と、を備えている。【選択図】図１
2016092213.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
正方形又は長方形状の複数のウェハを、それらの主面が離れて対向するように第一方向に並列させて収容する洗浄冶具において、
前記第一方向に垂直な第二方向に前記ウェハの一辺を先にして挿入可能な開口部と、
前記開口部から挿入された前記ウェハの前記第二方向に平行な二辺を点接触で保持する側端保持部と、
を備えたことを特徴とする洗浄冶具。
【請求項２】
前記側端保持部は、前記第一方向に延びる棒状体と、この棒状体に一定間隔で設けられた複数の保持片とを有し、
隣接する二つの前記保持片の間に、前記ウェハが隙間を持たせた状態で保持される、
請求項１記載の洗浄冶具。
【請求項３】
洗浄後に洗浄液から引き上げた状態で、前記棒状体及び前記保持片の下端が、当該棒状体及び当該保持片と前記ウェハとの接触部分から離れている、
請求項２記載の洗浄冶具。
【請求項４】
前記棒状体は円柱状乃至稜線が前記ウェハに接する角柱状であり、
前記保持片は、前記棒状体に中心を貫かれ当該中心から周縁へ向かうにつれて薄くなる、円板状乃至稜線が前記ウェハに接する角板状である、
請求項２又は３記載の洗浄冶具。
【請求項５】
全体として直方体状であり、
その直方体の六面のうち前記側端保持部を含む面が当該側端保持部を除き空間になっている、
請求項２乃至４のいずれか一つに記載の洗浄冶具。
【請求項６】
前記開口部から挿入された前記ウェハの前記一辺に点接触で当接する下端当接部を、
更に備えた請求項１乃至５のいずれか一つに記載の洗浄冶具。
【請求項７】
芳香族ポリエーテルケトンからなる、
請求項１乃至６のいずれか一つに記載の洗浄冶具。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば水晶デバイスの製造などに用いられる洗浄冶具に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体製造技術の分野において、半導体インゴットが円柱状であることから、それをスライスした半導体ウェハは一般に円形状である。その半導体ウェハを洗浄する際に、多数の半導体ウェハを収容する洗浄冶具が用いられる。この洗浄冶具は、半導体ウェハの周囲を直線状のスリット溝で保持する構造になっている（例えば特許文献１、２参照）。
【０００３】
一方、水晶デバイスには圧電デバイスや光デバイスなどがあり、その製造には半導体デバイス用の製造装置が多く用いられている。一般的な水晶デバイスの製造方法は、水晶インゴットから水晶ウェハを切り出し、その水晶ウェハに薄膜等を形成し、薄膜等が形成された水晶ウェハを多数の水晶デバイスに分割する、というものである。この製造方法には水晶ウェハの洗浄工程が含まれ、その洗浄工程では洗浄冶具が使われる。
【０００４】
水晶ウェハは、円形状の半導体ウェハと異なり、一般に正方形又は長方形状である。しかし、水晶ウェハ用の洗浄冶具は、半導体ウェハ用の洗浄冶具の構造が踏襲され、水晶ウェハの周囲を直線状のスリット溝で保持する構造になっている。以下、水晶ウェハ用の洗浄冶具の一例を、関連技術１として説明する。
【０００５】
図６は関連技術１の洗浄冶具を示し、図６［Ａ］は平面図、図６［Ｂ］は正面図である。図７は図６［Ａ］におけるVII−VII線断面図であり、図７［Ａ］は水晶ウェハを収容した状態、図７［Ｂ］は水晶ウェハを収容する前後の状態を示す。
【０００６】
関連技術１の洗浄冶具６０は、正方形又は長方形状の複数の水晶ウェハ７０を、それらの主面７５が離れて対向するように第一方向８１に並列させて収容するものである。そして、洗浄冶具６０は、第一方向８１に垂直な第二方向８２に水晶ウェハ７０の一辺７４を先にして挿入可能な開口部６１と、開口部６１から挿入された水晶ウェハ７０の第二方向８２に平行な二辺（一方の辺７２及び他方の辺７３）を線接触又は面接触で保持する一対のスリット溝形成板６２，６３と、開口部６１から挿入された水晶ウェハ７０の一辺７４に線接触又は面接触で当接する下端当接部６４，６５と、スリット溝形成板６２，６３及び下端当接部６４，６５を両端から支える支持板６６，６７と、を備えている。洗浄冶具６０の材質は、ポリテトラフルオロエチレンなどのフッ素樹脂である。
【０００７】
スリット溝形成板６２，６３には、第一方向８１に一定間隔で、それらのほぼ上端から下端まで複数のスリット溝６８が形成されている。ここでいう「下方向」は鉛直方向すなわち第二方向８２であり、「上方向」は第二方向８２の反対方向である。これらのスリット溝６８に、水晶ウェハ７０が隙間を持たせた状態で保持される。また、スリット溝形成板６２，６３のスリット溝６８の無い部分には、洗浄液の出入り用として貫通孔６９が形成されている。
【０００８】
水晶ウェハ７０の一辺７４を対向する二つのスリット溝６８の間に挿入することにより、水晶ウェハ７０が洗浄冶具６０に収容される。洗浄工程では、多数の水晶ウェハ７０を収容した洗浄冶具６０を洗浄液に浸漬し、水晶ウェハ７０の塵埃等を落とし、洗浄冶具６０を洗浄液から引き上げ、洗浄冶具６０ごと水晶ウェハ７０を乾燥させる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２０１１−２１０９１０号公報
【特許文献２】特開２０１２−０２５４０８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、関連技術１の洗浄冶具６０を使った洗浄では、水晶ウェハ７０に異物が残る「シミ不良」が少なからず発生していた。本発明者は、関連技術１の洗浄冶具６０において半導体ウェハ用の洗浄冶具の構造を踏襲していることが、このシミ不良の発生原因であることを明らかにした。以下、そのシミ不良の発生原因について説明する。
【００１１】
第一の原因は、洗浄冶具６０に水晶ウェハ７０が線接触又は面接触していることである。つまり、スリット溝形成板６２，６３及び下端当接部６４，６５に、水晶ウェハ７０が線接触又は面接触している。詳しく言えば、直線状のスリット溝６８と水晶ウェハ７０の直線状の二辺（一方の辺７２及び他方の辺７３）とは、同じ直線状であるため重なり合って接触する面積が大きくなる。このことは、洗浄冶具６０と水晶ウェハ７０との接触面積が大きいことを意味する。
【００１２】
洗浄冶具６０と水晶ウェハ７０との接触面積が大きいと、洗浄冶具６０を洗浄液から引き上げたときに、水晶ウェハ７０に付着する洗浄液も多くなる。なぜなら、洗浄冶具６０と水晶ウェハ７０との接触部分に洗浄液が入り込んだ状態で、これらが持ち上げられるからである。その結果、洗浄液に含まれていた異物が乾燥後に水晶ウェハ７０に残ることになる。
【００１３】
また、洗浄冶具６０と水晶ウェハ７０との接触面積が大きいと、その部分での洗浄液との接触が阻害されるので、十分に洗浄されない面積も大きくなる。これに加え、洗浄液全体の循環も洗浄冶具６０と水晶ウェハ７０との接触部分で阻害される。その結果、洗浄効果が低減するので、落とし切れなかった異物が水晶ウェハ７０に残ることになる。
【００１４】
第二の原因は、洗浄中にスリット溝形成板６２，６３を通り抜ける洗浄液の量が少ないことである。スリット溝形成板６２，６３には貫通孔６９が形成されているが、これはスリット溝６８の無い部分に限られる。なぜなら、スリット溝６８はスリット溝形成板６２，６３のほぼ上端から下端まで形成されているからである。したがって、複数の貫通孔６９全体の専有面積がスリット溝形成板６２，６３の全面積の半分にも満たず、かつ複数の貫通孔６９が一つずつ分断されているので、洗浄液の循環がスリット溝形成板６２，６３で阻害される。その結果、洗浄効果が低減するので、落とし切れなかった異物が水晶ウェハ７０に残ることになる。
【００１５】
第三の原因は、洗浄冶具６０がフッ素樹脂からなることである。フッ素樹脂は分子鎖中のフッ素原子がマイナスに帯電しているため、その表面がマイナスに帯電しやすい。そのため、洗浄中に発生しプラスに帯電した気泡が洗浄冶具６０に付着し、かつその気泡が洗浄冶具６０に接している水晶ウェハ７０にも付着してしまう。そして、洗浄冶具６０に付着した気泡は洗浄液の循環を阻害し、水晶ウェハ７０に付着した気泡は洗浄液との接触を阻害する。その結果、洗浄効果が低減するので、落とし切れなかった異物が水晶ウェハ７０に残ることになる。
【００１６】
そこで、本発明の目的は、前述の原因に沿って解決策を施すことにより、ウェハ表面に異物が残ることによるシミ不良の発生を抑えた洗浄冶具を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
本発明に係る洗浄冶具は、
正方形又は長方形状の複数のウェハを、それらの主面が離れて対向するように第一方向に並列させて収容する洗浄冶具において、
前記第一方向に垂直な第二方向に前記ウェハの一辺を先にして挿入可能な開口部と、
前記開口部から挿入された前記ウェハの前記第二方向に平行な二辺を点接触で保持する側端保持部と、
を備えたことを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１８】
本発明に係る洗浄冶具によれば、ウェハの二辺を点接触で保持することにより、洗浄冶具とウェハとの接触面積が小さくなるので、洗浄液から引き上げたときにウェハに付着する洗浄液の量を低減できるとともに、ウェハと洗浄液との接触を促進できる。その結果、洗浄効果が向上するので、シミ不良の発生を抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】実施形態１の洗浄冶具を示し、図１［Ａ］は平面図、図１［Ｂ］は正面図である。
【図２】図１［Ａ］におけるII−II線断面図であり、図２［Ａ］は水晶ウェハを収容した状態、図２［Ｂ］は水晶ウェハを収容する前後の状態を示す。
【図３】図３［Ａ］は図２［Ａ］の部分拡大図、図３［Ｂ］は図１［Ｂ］に示す状態から水晶ウェハを取り除いて示す正面図である。
【図４】実施形態１における棒状体及び保持片の詳細及びその変形例を示し、図４［Ａ１］は変形例１の平面図、図４［Ａ２］は図４［Ａ１］おけるａ−ａ線断面図、図４［Ｂ１］は変形例２の平面図、図４［Ｂ２］は図４［Ｂ１］おけるｂ−ｂ線断面図、図４［Ｃ１］は変形例３の平面図、図４［Ｃ２］は図４［Ｃ１］おけるｃ−ｃ線断面図、図４［Ｄ２］は実施形態１の平面図、図４［Ｄ２］は図４［Ｄ１］おけるｄ−ｄ線断面図である。
【図５】図５［Ａ］は実施形態１の洗浄冶具の効果を示すグラフであり、図５［Ｂ］は図５［Ａ］の一部を詳細に示すグラフである。
【図６】関連技術１の洗浄冶具を示し、図６［Ａ］は平面図、図６［Ｂ］は正面図である。
【図７】図６［Ａ］におけるVII−VII線断面図であり、図７［Ａ］は水晶ウェハを収容した状態、図７［Ｂ］は水晶ウェハを収容する前後の状態を示す。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、添付図面を参照しながら、本発明を実施するための形態（以下「実施形態」という。）について説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の構成要素については同一の符号を用いる。図面に描かれた形状は、当業者が理解しやすいように描かれているため、実際の寸法及び比率とは必ずしも一致していない。
【００２１】
図１は実施形態１の洗浄冶具を示し、図１［Ａ］は平面図、図１［Ｂ］は正面図である。図２は図１［Ａ］におけるII−II線断面図であり、図２［Ａ］は水晶ウェハを収容した状態、図２［Ａ］は水晶ウェハを収容する前後の状態を示す。図３［Ａ］は図２［Ａ］の部分拡大図、図３［Ｂ］は図１［Ｂ］に示す状態から水晶ウェハを取り除いて示す正面図である。図４は、実施形態１における棒状体及び保持片の詳細及びその変形例を示す平面図及び断面図である。以下、これらの図面に基づき説明する。
【００２２】
本実施形態１では、ウェハとして水晶ウェハ７０を用いる。本実施形態１の洗浄冶具１０は、正方形又は長方形状の複数の水晶ウェハ７０を、それらの主面７５が離れて対向するように第一方向８１に並列させて収容するものである。そして、洗浄冶具１０は、第一方向８１に垂直な第二方向８２に水晶ウェハ７０の一辺７４を先にして挿入可能な開口部１１と、開口部１１から挿入された水晶ウェハ７０の第二方向８２に平行な二辺（一方の辺７２及び他方の辺７３）を点接触で保持する側端保持部１２１，１２２，１３１，１３２と、を備えている。また、洗浄冶具１０は、開口部１１から挿入された水晶ウェハ７０の一辺７４に点接触で当接する下端当接部１４，１５を、更に備えている。
【００２３】
側端保持部１２１，１２２，１３１，１３２はそれぞれ、第一方向８１に延びる棒状体２１と、棒状体２１に一定間隔で設けられた複数の保持片２２とを有する。隣接する二つの保持片２２の間に、水晶ウェハ７０が隙間を持たせた状態で保持される。
【００２４】
棒状体２１及び保持片２２は、水晶ウェハ７０の一方の辺７２及び他方の辺７３を点接触で保持できれば、どのような形状でもよい。本実施形態１では、棒状体２１は円柱状でり、保持片２２は棒状体２１に中心を貫かれ当該中心から周縁へ向かうにつれて薄くなる円板状である。棒状体２１及び保持片２２の詳細及びその変形例については後述する。
【００２５】
図３［Ａ］に示すように、洗浄後に洗浄液から引き上げた状態で、棒状体２１及び保持片２２の下端２１１，２２１が、棒状体２１及び保持片２２と水晶ウェハ７０との接触部分７１から離れている。
【００２６】
図３［Ｂ］に示すように、洗浄冶具１０は全体として直方体状であり、その直方体の六面のうち側端保持部１３１，１３２を含む面１３ａが、側端保持部１３１，１３２を除き空間１３ｂ，１３ｃ，１３ｄになっている。同様に、側端保持部１２１，１２２を含む面（図示せず）も同様に、側端保持部１２１，１２２を除き空間（図示せず）になっている。
【００２７】
洗浄冶具１０は、芳香族ポリエーテルケトンからなる。芳香族ポリエーテルケトンとは、ベンゼン環がエーテルとケトンにより結合した直鎖状ポリマー構造を持つ、結晶性の熱可塑性樹脂に属するポリマーの総称である。本実施形態１では、芳香族ポリエーテルケトンとしてポリエーテルエーテルケトン（以下「ＰＥＥＫ」という。）を用いている。
【００２８】
次に、洗浄冶具１０の構成について、更に詳しく説明する。
【００２９】
下端当接部１４，１５は、水晶ウェハ７０に接する部分が第一方向８１に延びる例えば円柱状になっており、これにより一辺７４に点接触で当接する。本実施形態１では、下端当接部１４，１５は円柱状であるが、これに限定されるものではない。例えば、下端当接部１４，１５は角柱状などとしてもよい。この場合、水晶ウェハ７０との点接触を得るために、角柱等の平面ではなく稜線が水晶ウェハ７０に接するように配置する必要がある。
【００３０】
本実施形態１では、一方の辺７２を二つの側端保持部１２１，１２２で保持し、他方の辺７３を二つの側端保持部１３１，１３２で保持し、一辺７４を二つの下端当接部１４，１５で当接しているが、これらに限定されるものではない。例えば、一方の辺７２を一つ又は三つ以上の側端保持部で保持し、他方の辺７３を一つ又は三つ以上の側端保持部で保持し、一辺７４を一つ又は三つ以上の下端当接部で当接してもよいし、一方の辺７２を保持する側端保持部の個数と他方の辺７３を保持する側端保持部の個数とを異ならせてもよい。
【００３１】
なお、洗浄冶具１０は、側端保持部１２１，１２２，１３１，１３２及び下端当接部１４，１５を両端から支える支持板１６，１７を更に備えている。支持板１６，１７にも、洗浄液の出入り用として貫通孔（図示せず）が形成されている。水晶ウェハ７０の厚みは、図面では拡大して示しているが、実際には主面７５の大きさに比べて無視できるほど薄い。
【００３２】
次に、本実施形態１における棒状体２１及び保持片２２の詳細及びその変形例について説明する。
【００３３】
棒状体２１は、円柱状乃至稜線が水晶ウェハ７０に接する角柱状としてもよい。ここで、「円柱状乃至稜線が水晶ウェハ７０に接する角柱状」とは、当該円柱状から当該角柱状まで面取りや摩耗などにより少しずつ変化する全ての立体を含むことを意味する。ここでいう「円柱状」には円柱、楕円柱、それらの軸線を通る面又はその面に平行な面で分割された柱などが含まれ、「角柱状」には三角柱、四角柱、五角柱以上の多角柱、それらの軸線を通る面又はその面に平行な面で分割された柱などが含まれる。「稜線が水晶ウェハ７０に接する角柱状」とは、水晶ウェハ７０との点接触を得るために、平面ではなく稜線が水晶ウェハ７０に接するように配置する主旨である。このとき、水晶ウェハ７０の厚みは薄いので、稜線と水晶ウェハ７０の周縁との接触は点接触とみなせる。
【００３４】
保持片２２は、棒状体２１に中心を貫かれ当該中心から周縁へ向かうにつれて薄くなる、円板状乃至稜線が水晶ウェハ７０に接する角板状としてもよい。ここで「中心から周縁へ向かうにつれて薄くなる」とは、保持片２２の表面又は稜線が水晶ウェハ７０の主面７５と平行になって線接触又は面接触となることを避ける主旨である。また、「中心から周縁へ向かうにつれて薄くなる、円板状乃至稜線が水晶ウェハ７０に接する角板状」とは、当該円板状から当該角板状まで面取りや摩耗などにより少しずつ変化する全ての立体を含むことを意味する。ここでいう「中心から周縁へ向かうにつれて薄くなる円板状」には、底面同士が円板を挟んで接合された二つの円錐又は楕円錐、底面同士が接合された二つの円錐又は楕円錐、短軸を回転軸として得られた回転楕円体、それらの軸線を通る面又はその面に平行な面で分割された錐体などが含まれる。などが含まれる。「中心から周縁へ向かうにつれて薄くなる角板状」には、底面同士が角板を挟んで接合された二つの角錐、底面同士が接合された二つの角錐、それらの軸線を通る面又はその面に平行な面で分割された錐体などが含まれる。「稜線が水晶ウェハ７０に接する角板状」とは、水晶ウェハ７０との点接触を得るために、平面ではなく稜線が水晶ウェハ７０に接するように配置する主旨である。このとき、水晶ウェハ７０の厚みは薄いので、稜線と水晶ウェハ７０の周縁との接触は点接触とみなせる。
【００３５】
図４［Ａ１］［Ａ２］に示す変形例１において、棒状体２１ａは楕円柱からなり、保持片２２は底面同士が円板を挟んで接合された二つの楕円錐からなる。楕円柱及び楕円錐の凸状の曲面が、水晶ウェハ７０の周縁に点で接触する。
【００３６】
図４［Ｂ１］［Ｂ２］に示す変形例２において、棒状体２１ｂは四角柱からなり、保持片２２ｂは底面同士が四角板を挟んで接合された二つの四角錐からなる。棒状体２１ｂの稜線２１２が水晶ウェハ７０の周縁に点で接触し、保持片２２ｂの稜線２２２が水晶ウェハ７０の周縁に点で接触する。
【００３７】
図４［Ｃ１］［Ｃ２］に示す変形例３において、棒状体２１ｃは円柱がその軸線を通る面で二分割された一方の柱からなる。保持片２２ｃは、底面同士が円板を挟んで接合された二つの円錐が、その軸線を通る面で二分割された一方の錐体からなる。機械的な強度に問題がなければ、小型化の観点から、半分に分割された棒状体２１ｃ及び保持片２２ｃを採用してもよい。
【００３８】
図４［Ｄ１］［Ｄ２］に示す本実施形態１において、棒状体２１は円柱状である。保持片２２は、棒状体２１に中心２２３を貫かれ、中心２２３から周縁２２４へ向かうにつれて薄くなる、円板状である。すなわち、中心２２３の厚みをｔ１、周縁２２４の厚みをｔ２とすると、ｔ１＞ｔ２が成り立つ。詳しく言えば、保持片２２は、底面同士が円板を挟んで接合された二つの円錐状（そろばん玉状）であり、それらの円錐の頂点が棒状体２１中に位置する。
【００３９】
次に、洗浄冶具１０の使用方法について説明する。
【００４０】
まず、水晶ウェハ７０の一辺７４を開口部１１から挿入する。そして、一方の辺７２を側端保持部１２１の隣接する二つの保持片２２の間に挿入すると同時に、他方の辺７３を側端保持部１３１の隣接する二つの保持片２２の間に挿入する。続いて、一方の辺７２を側端保持部１２２の隣接する二つの保持片２２の間に挿入すると同時に、他方の辺７３を側端保持部１３２の隣接する二つの保持片２２の間に挿入する。これにより、水晶ウェハ７０は側端保持部１２１，１２２，１３１，１３２に点接触で保持される。続いて、一辺７４が下端当接部１４，１５に当たるまで水晶ウェハ７０を挿入する。このようにして、多数の水晶ウェハ７０を洗浄冶具１０に収容する。水晶ウェハ７０を洗浄冶具１０に出し入れする工程は、一般に機械化されており、第二方向８２が水平方向となるように、洗浄冶具１０が使用される。
【００４１】
洗浄工程では、多数の水晶ウェハ７０を収容した洗浄冶具１０を洗浄液に浸漬し、超音波を加えて水晶ウェハ７０の塵埃等を落とし、洗浄冶具１０を洗浄液から引き上げ、洗浄冶具１０を回転又は加熱することによって水晶ウェハ７０を乾燥させる。洗浄液の種類としては有機溶媒や純水などがあり、洗浄工程において複数種類の洗浄液を用いて洗浄・乾燥を複数回繰り返すこともある。最後に、乾燥した水晶ウェハ７０を洗浄冶具１０から取り出す。洗浄工程では、第二方向８２が鉛直方向となるように、洗浄冶具１０が使用される。
【００４２】
次に、洗浄冶具１０の作用及び効果について説明する。
【００４３】
（１）洗浄冶具１０によれば、水晶ウェハ７０の二辺（一方の辺７２及び他方の辺７３）を点接触で保持する。例えば、円柱や円錐などの凸状の曲面を有する棒状体２１及び保持片２２と水晶ウェハ７０の直線状の二辺（一方の辺７２及び他方の辺７３）とは、点でしか接触し得ない。これにより、洗浄冶具１０と水晶ウェハ７０との接触面積が小さくなるので、洗浄冶具１０を洗浄液から引き上げたときに水晶ウェハ７０に付着する洗浄液の量を低減できる。したがって、洗浄液に含まれ乾燥後に水晶ウェハ７０に残る異物を低減できるので、シミ不良の発生を抑制できる。
【００４４】
また、洗浄冶具１０と水晶ウェハ７０との接触面積が小さいため、その部分での洗浄液との接触が促進されるとともに、洗浄液全体の循環も促進される。したがって、洗浄効果が向上するので、シミ不良の発生を抑制できる。
【００４５】
（２）図３［Ａ］に示すように、棒状体２１及び保持片２２の下端２１１，２２１が、洗浄後に洗浄液から引き上げた状態で、水晶ウェハ７０との接触部分７１から離れている場合、例えば棒状体２１が円柱状であり、保持片２２が棒状体２１に中心を貫かれた円板状である場合は、洗浄液から引き上げたときに洗浄冶具１０に付着していた洗浄液が自重によって棒状体２１及び保持片２２の下端２１１，２２１（第二方向８２の先端）に液滴Ｌとして溜まるので、洗浄冶具１０から接触部分７１を介して水晶ウェハ７０へ移動する洗浄液が少なくなる。したがって、洗浄液から引き上げたときに水晶ウェハ７０に付着する洗浄液の量をより低減できるので、シミ不良の発生をより抑制できる。
【００４６】
（３）図３［Ｂ］に示すように、洗浄冶具１０が全体として直方体状であり、その直方体の六面のうち側端保持部１３１，１３２を含む面１３ａが側端保持部１３１，１３２を除き空間１３ｂ，１３ｃ，１３ｄになっている場合（同様に、側端保持部１２１，１２２を含む面が側端保持部１２１，１２２を除き空間になっている場合）は、洗浄液全体の循環が促進されことにより、洗浄効果が向上するので、シミ不良の発生を抑制できる。
【００４７】
（４）開口部１１から挿入された水晶ウェハ７０の一辺７４に点接触で当接する下端当接部１４，１５を更に備えた場合は、洗浄冶具１０と水晶ウェハ７０との接触面積がより小さくなることにより、洗浄効果が更に向上するので、シミ不良の発生を更に抑制できる。
【００４８】
（５）洗浄冶具１０が芳香族ポリエーテルケトンからなる場合は、材質的に帯電しにくいため、洗浄中に生じて帯電した気泡が洗浄冶具１０に付着しにくく、その気泡が洗浄冶具１０に付着したとしてもすぐに離れる。したがって、水晶ウェハ７０と洗浄液との接触及び洗浄液の循環を促進できることにより、洗浄効果が更に向上するので、シミ不良の発生を更に抑制できる。
【００４９】
これに加え、芳香族ポリエーテルケトンは、熱可塑性樹脂としては非常に高い耐熱性を有するばかりか、耐疲労性及び耐薬品性にも優れているので、洗浄冶具１０の材質として好適である。芳香族ポリエーテルケトンの中でも特にＰＥＥＫは、耐熱性が約１４０℃もあり、耐摩耗性及び寸法安定性も良好であり、加工性に優れ通常の射出成型機での加工も可能であるなど、洗浄冶具１０の材質として最も好適である。
【００５０】
（６）図５は、ある年度において８月まで関連技術１の洗浄冶具を使用し、９月から本実施形態１の洗浄冶具を使用したときの、洗浄後の水晶ウェハの検査結果を示している。図５［Ａ］において、横軸は生産月であり、縦軸はシミ不良発生率（％）である。◆は目標値であり、■は実績値である。図５［Ｂ］は、図５［Ａ］における９月分を詳細に示し、横軸は生産日であり、縦軸はシミ不良発生率（％）（実績値）である。
【００５１】
図５［Ａ］から明らかなように、関連技術１の洗浄冶具を使用した３月から８月までは、シミ不良発生率が６〜１２％であった。これに対し、本実施形態１の洗浄冶具を使用した９月では、シミ不良発生率が３．５％と激減している。これを詳細に見ると、図５［Ｂ］から明らかなように、本実施形態１の洗浄冶具を使用した９月７日以降は、シミ不良発生率がほぼ０％となっている。このように、本実施形態１の洗浄冶具の優れた効果が実証されている。
【００５２】
以上、上記実施形態を参照して本発明を説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。本発明の構成や詳細については、当業者が理解し得るさまざまな変更を加えることができる。
【産業上の利用可能性】
【００５３】
本発明に係る洗浄冶具は、水晶ウェハに限らず、正方形又は長方形状であれば半導体ウェハなどの洗浄にも使用できる。また、本発明に係る洗浄冶具は、その名称に限定されることなく、例えばウェットエッチングやフォトレジスト膜の現像などに用いられるキャリヤとしても利用可能である。
【符号の説明】
【００５４】
＜実施形態１＞
１０  洗浄冶具
１１  開口部
１２１，１２２，１３１，１３２  側端保持部
１３ａ  側端保持部を含む面
１３ｂ，１３ｃ，１３ｄ  空間
１４，１５  下端当接部
１６，１７  支持板
２１，２１ａ，２１ｂ，２１ｃ  棒状体
２１１  棒状体の下端
２１２  棒状体の稜線
２２，２２ａ，２２ｂ，２２ｃ  保持片
２２１  保持片の下端
２２２  保持片の稜線
２２３  保持片の中心
２２４  保持片の周縁
７０  水晶ウェハ
７１  接触部分
７２  一方の辺（二辺）
７３  他方の辺（二辺）
７４  一辺
７５  主面
８１  第一方向
８２  第二方向
Ｌ  液滴
ｔ１  保持片の中心の厚み
ｔ２  保持片の周縁の厚み
＜関連技術１＞
６０  洗浄冶具
６１  開口部
６２，６３  スリット溝形成板
６４，６５  下端当接部
６６，６７  支持板
６８  スリット溝
６９  貫通孔
【図１】
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【図２】
2016092213.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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