(57)【要約】      （修正有）【課題】ドライエッチング時には基板を安定的に固定しつつ、ドライエッチング後に基板に不要な付着物が残存することを効果的に防止する基板の処理方法、及び所望のパターンを有し、かつ、不本意な付着物が残存していない加工基板を提供する。【解決手段】所定のパターンのマスク４で被覆された無機材料で構成された基板１と支持部材３のうち少なくとも一方に表面活性化処理を施した状態で、基板と支持部材とを接触させ、これらを接合する接合工程１ａと、支持部材に接合された状態の前記基板に対して、ドライエッチングを施すドライエッチング工程１ｂと、支持部材を選択的に溶解する溶解液を用いて支持部材の少なくとも一部を溶解することにより、ドライエッチングが施された基板を支持部材から分離する分離工程１ｃとを有する。【選択図】図１
2016046659.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無機材料で構成された基板および支持部材のうち少なくとも一方に表面活性化処理を施した状態で、前記基板と前記支持部材とを接触させ、これらを接合する接合工程と、
前記支持部材に接合された状態の前記基板に対して、ドライエッチングを施すドライエッチング工程と、
前記支持部材を選択的に溶解する溶解液を用いて前記支持部材の少なくとも一部を溶解することにより、ドライエッチングが施された前記基板を前記支持部材から分離する分離工程とを有することを特徴とする基板の加工方法。
【請求項２】
前記接合の前において前記基板、前記支持部材の少なくとも一方にプラズマによる前記表面活性化処理を行い、前記基板と前記支持部材との接合は、前記表面活性化処理された面を前記接触の部位として、前記基板と前記支持部材とを加圧した状態で合わせることにより行う請求項１に記載の基板の加工方法。
【請求項３】
前記接合の前において前記基板、前記支持部材の少なくとも一方にイオンビームを照射して前記表面活性化処理を行い、前記基板と前記支持部材との接合は、前記表面活性化処理された面を前記接触させる部位として、前記基板と前記支持部材とを加圧した状態で合わせることにより行う請求項１または２に記載の基板の加工方法。
【請求項４】
前記支持部材は、Ｓｉで構成されたものである請求項１ないし３のいずれか１項に記載の基板の加工方法。
【請求項５】
前記基板は、水晶で構成されたものである請求項１ないし４のいずれか１項に記載の基板の加工方法。
【請求項６】
前記支持部材は、フッ化水素および硝酸を含む液体を用いて溶解するものである請求項１ないし５のいずれか１項に記載の基板の加工方法。
【請求項７】
前記支持部材は、強アルカリを含む液体を用いて溶解するものである請求項１ないし６のいずれか１項に記載の基板の加工方法。
【請求項８】
請求項１ないし７のいずれか１項に記載の加工方法を用いて製造されたことを特徴とする加工基板。
【請求項９】
請求項１ないし７のいずれか１項に記載の加工方法を含み、前記加工方法により構成された基板に電極を構成する工程を含むことを特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項１０】
請求項８に記載の加工基板を備えていることを特徴とする電子部品。
【請求項１１】
請求項１０に記載の電子部品を備えていることを特徴とする電子機器。
【請求項１２】
請求項１０に記載の電子部品を備えていることを特徴とする移動体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板の加工方法、加工基板、電子部品の製造方法、電子部品、電子機器および移動体に関する。
【背景技術】
【０００２】
水晶基板のような基板（母材）を、ドライエッチングによりパターニングする処理が広く行われている。
【０００３】
このようなドライエッチングを行う際、粘着シート（熱導電性シート）を介して、支持部材（支持台）に基板を固定することが行われている（例えば、特許文献１参照）。
これにより、小型、薄型の基板でもエッチング処理を施すことができる。
【０００４】
しかしながら、粘着シートで基板を固定した場合、粘着剤が基板に強固に付着するため、ドライエッチング後に除去することが困難な付着物が基板上に残存するという問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】再表２００８／１４３００４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は、ドライエッチング時には基板を安定的に固定しつつ、ドライエッチング後に基板に不要な付着物が残存することを効果的に防止することができる基板の処理方法を提供すること、所望のパターンを有し、かつ、不本意な付着物の残存が防止された加工基板を提供すること、前記加工基板を用いて製造された信頼性の高い電子部品、電子機器および移動体を提供すること、また、信頼性の高い電子部品を効率よく製造することができる電子部品の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の基板の加工方法は、無機材料で構成された基板および支持部材のうち少なくとも一方に表面活性化処理を施した状態で、前記基板と前記支持部材とを接触させ、これらを接合する接合工程と、
前記支持部材に接合された状態の前記基板に対して、ドライエッチングを施すドライエッチング工程と、
前記支持部材を選択的に溶解する溶解液を用いて前記支持部材の少なくとも一部を溶解することにより、ドライエッチングが施された前記基板を前記支持部材から分離する分離工程とを有することを特徴とする。
【０００８】
これにより、ドライエッチング時には基板を安定的に固定しつつ、ドライエッチング後に基板に不要な付着物が残存することを効果的に防止することができる基板の処理方法を提供することができる。
【０００９】
本発明の基板の加工方法では、前記接合の前において前記基板、前記支持部材の少なくとも一方にプラズマによる前記表面活性化処理を行い、前記基板と前記支持部材との接合は、前記表面活性化処理された面を前記接触の部位として、前記基板と前記支持部材とを加圧した状態で合わせることにより行うことが好ましい。
【００１０】
これにより、基板や支持部材の不本意な変性、変形等をより確実に防止しつつ、より高い接合強度で基板と支持部材とを接合することができる。
【００１１】
本発明の基板の加工方法では、前記接合の前において前記基板、前記支持部材の少なくとも一方にイオンビームを照射して前記表面活性化処理を行い、前記基板と前記支持部材との接合は、前記表面活性化処理された面を前記接触させる部位として、前記基板と前記支持部材とを加圧した状態で合わせることにより行うことが好ましい。
【００１２】
これにより、より簡易な装置、条件で、効率よく基板と支持部材とを接合することができるため、加工基板の生産性を特に優れたものとすることができる。
【００１３】
本発明の基板の加工方法では、前記支持部材は、Ｓｉで構成されたものであることが好ましい。
【００１４】
これにより、支持部材と基板との密着性を特に優れたものとすることができ、より高い安定性で基板を固定することができる。また、分離工程で、支持部材を基板上からより容易に、かつ、より確実に除去することができる。また、Ｓｉは熱伝導率に優れた材料であるため、ドライエッチング工程における基板の冷却効率を高いものとすることができる。
【００１５】
本発明の基板の加工方法では、前記基板は、水晶で構成されたものであることが好ましい。
【００１６】
水晶は、水晶振動子等の高い精度で微細な構造を有する部材の製造に用いられているが、本発明によれば、このような部材の製造に好適に適用することができる。また、後に詳述する分離工程において支持部材との分離に用いる液体に対する耐性に優れており、基板が不本意なダメージを受けることをより効果的に防止することができる。また、基板が水晶で構成されたものであると、基板と支持部材との密着性を特に優れたものとすることができるとともに、分離工程で支持部材を基板上からより容易に、かつ、より確実に除去することができる。
【００１７】
本発明の基板の加工方法では、前記支持部材は、フッ化水素および硝酸を含む液体を用いて溶解するものであることが好ましい。
【００１８】
これにより、例えば、支持部材がＳｉで構成されたものである場合に、より速い速度で支持部材を溶解することができる。このため、加工基板の生産性を特に優れたものとすることができる。
【００１９】
本発明の基板の加工方法では、前記支持部材は、強アルカリを含む液体を用いて溶解するものであることが好ましい。
【００２０】
これにより、例えば、支持部材がＳｉで構成されたものである場合に、より高い選択性で支持部材を溶解することができ、基板がダメージを受けることをより効果的に防止することができる。
【００２１】
本発明の加工基板は、本発明の加工方法を用いて製造されたことを特徴とする。
これにより、所望のパターンを有し、かつ、不本意な付着物の残存が防止された加工基板を提供することができる。
【００２２】
本発明の電子部品の製造方法は、本発明の加工方法を含み、前記加工方法により構成された基板に電極を構成する工程を含むことを特徴とする。
【００２３】
これにより、信頼性の高い電子部品を効率よく製造することができる電子部品の製造方法を提供することができる。
【００２４】
本発明の電子部品は、本発明の加工基板を備えていることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い電子部品を提供することができる。
【００２５】
本発明の電子機器は、本発明の電子部品を備えていることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い電子機器を提供することができる。
【００２６】
本発明の移動体は、本発明の電子部品を備えていることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い移動体を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】本発明の基板の処理方法の好適な実施形態について、各工程を模式的に示す断面図である。
【図２】本発明の基板の処理方法の好適な実施形態について、各工程を模式的に示す断面図である。
【図３】本発明の加工基板を示す平面図である。
【図４】本発明の電子部品を示す斜視図である。
【図５】本発明の電子部品を示す断面図である。
【図６】本発明の電子機器を示す図である。
【図７】本発明の移動体を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
以下、添付する図面を参照しつつ、本発明の好適な実施形態について詳細な説明をする。
【００２９】
《基板の処理方法》
まず、本発明の基板の処理方法について説明する。
【００３０】
図１、図２は、本発明の基板の処理方法の好適な実施形態について、各工程を模式的に示す断面図である。なお、図１は、ドライエッチングにより基板１に凹部を構成する場合の処理方法を示し、図２は、ドライエッチングにより基板１に貫通孔を構成する場合の処理方法を示している。
【００３１】
図１、図２に示すように、本実施形態の基板の処理方法は、所定のパターンのマスク４で被覆された基板（被処理部材）１と支持部材３とを接合する接合工程（１ａ）と、支持部材３に接合された状態の基板１に対して、ドライエッチングを施すドライエッチング工程（１ｂ）と、支持部材３を選択的に溶解する溶解液を用いて支持部材３の少なくとも一部を溶解することにより、ドライエッチングが施された基板１を支持部材３から分離する分離工程（１ｃ）と、マスク４を除去するマスク除去工程（１ｄ）とを有している。
【００３２】
接合工程に供される基板（被処理部材）１および支持部材３のうち少なくとも一方は、表面活性化処理を施されたものである。そして、接合工程においては、基板１と支持部材３とが共に表面活性化処理されている場合には、互いの表面活性化処理された面とを合わせ（基板１と支持部材３とを接触させ）、基板１と支持部材３の部材のうち何れか一方が表面活性化処理されている場合には、表面活性化処理された面と他方部材の面とを合わせ（基板１と支持部材３とを接触させ）る。
【００３３】
≪接合工程≫
接合工程（基板固定工程）では、所定のパターンのマスク４で被覆された基板（被処理部材）１および支持部材３のうち少なくとも一方は例えば表面活性化処理を施された状態であり、表面活性化処理が施されている面が接触面となるように基板１と支持部材３とを接触させ、これらを接合し、支持部材３上に基板（被処理部材）１を直接固定する（１ａ）。
【００３４】
このように、粘着剤等の接合部材を用いることなく、基板１と支持部材３とを直接接合することにより、最終的に得られる加工基板１０に不本意な付着物（接合部材由来の付着物）が残存することを防止することができる。
【００３５】
すなわち、ドライエッチング工程においては、基板１はプラズマに曝されるので温度が高温になる。そのため基板１が過度の高温にならないように後述するステージ５側から支持部材３を介して基板１を冷却する。このようなドライエッチング工程において粘着剤等の接合部材を介して基板と支持部材とが接合されていると、基板１と支持部材３とを接触させて接合する本発明の実施形態の場合と比較して、接合部材の分だけ熱伝導性が劣る。そのため、基板の温度の冷却効率が悪くなり、基板と支持部材との温度差が大きくなることにより、基板の反り等を十分に防止することができず、ドライエッチングによる加工精度が低下したり、基板に割れを生じたりする等の問題を生じることがある。これに対して、本発明では、基板と支持部材とを直接接合することにより、このような問題の発生を確実に防止することができる。
【００３６】
また、ドライエッチング中の基板は冷却された状態であっても例えば接合部材が有機系であればその炭化温度よりも高温になる。一般に炭素原子は他の物質と接合し易い性質を持っている。従って、炭化した接合部材は、基板１との間で共有結合し、強固に結合してしまうため、不本意な付着物として除去が非常に困難になる。
【００３７】
また、基板（被処理部材）１および支持部材３のうち少なくとも一方に表面活性化処理を施した状態で、基板１と支持部材３とを接触させ、これらを接合することにより、基板１を安定的に支持部材３上に固定することができ、後に詳述するドライエッチング工程等において、基板１が支持部材３上から脱落する等の問題を確実に防止することができる。
【００３８】
基板（被処理部材）１は、無機材料で構成されたものであればいかなるものであってもよく、基板１の構成材料としては、例えば、水晶、シリコン、サファイア、ガラス、ニオブ酸リチウム、ニオブ酸カリウム、ＰＺＴ等が挙げられるが、水晶で構成されたものであるのが好ましい。
【００３９】
水晶は、水晶振動子等の高い精度で微細な構造を有する部材の製造に用いられているが、本発明によれば、このような部材の製造に好適に適用することができる。また、後に詳述する分離工程において支持部材３との分離に用いる液体（例えば、フッ化水素および硝酸を含む液体や強アルカリを含む液体等）に対する耐性に優れており、基板１が不本意なダメージを受けることをより効果的に防止することができる。
【００４０】
また、基板１が水晶で構成されたものであると、基板１と支持部材３との密着性を特に優れたものとすることができるとともに、後に詳述する分離工程で、支持部材３の構成材料を、基板１上からより容易に、かつ、より確実に除去することができる。
【００４１】
基板１の大きさは、特に限定されないが、平面視した際の面積が、１０ｃｍ２以上１００ｃｍ２以下のものであるのが好ましく、１３ｃｍ２以上５０ｃｍ２以下のものであるのがより好ましい。
【００４２】
基板がこのように微小なものである場合、従来においては、基板を安定的に固定しつつドライエッチングを行い、かつ、付着物が残存することによる悪影響の問題の発生を防止することが特に困難であったが、本発明によれば、基板がこのような微小なものであっても、上記のような問題の発生を確実に防止することができる。すなわち、基板が前記のような大きさのものである場合に、本発明の効果がより顕著に発揮される。
【００４３】
基板１の厚さは、特に限定されないが、１μｍ以上１５０μｍ以下であるのが好ましく、２０μｍ以上１３０μｍ以下であるのがより好ましい。
【００４４】
このように比較的薄い基板では、例えば、静電チャック等の方法で固定してドライエッチングを施した場合や、粘着剤を用いて基板を固定した場合において粘着剤を除去する際に、基板に割れ等の問題を生じやすいという問題点があったが、本発明では、このように比較的薄い基板を用いた場合でも、上記のような問題の発生を確実に防止することができる。すなわち、基板の厚さが前記範囲内の値である場合に、本発明の効果がより顕著に発揮される。
【００４５】
図示の構成では、支持部材３上に、複数個の基板１が固定されている。
１回の処理で、支持部材３に固定される基板１の数は、特に限定されないが、２個以上２０個以下であるのが好ましく、３個以上１０個以下であるのがより好ましい。
【００４６】
これにより、基板１の加工に用いる装置の大型化を防止しつつ、加工基板１０の生産性を特に優れたものとすることができる。
【００４７】
支持部材３は、いかなる材料で構成されたものであってもよいが、Ｓｉ（珪素）で構成されたものであるのが好ましい。
【００４８】
これにより、支持部材３と基板１との密着性を特に優れたものとすることができ、より高い安定性で基板１を固定することができる。また、後に詳述する分離工程で、支持部材３を基板１上からより容易に、かつ、より確実に除去することができる。また、Ｓｉは熱伝導率に優れた材料であるため、ドライエッチング工程における基板１の冷却効率を高いものとすることができる。
【００４９】
支持部材３の大きさは、特に限定されないが、平面視した際の面積が、５０ｃｍ２以上５００ｃｍ２以下のものであるのが好ましく、１００ｃｍ２以上３００ｃｍ２以下のものであるのがより好ましい。
【００５０】
これにより、基板１の加工に用いる装置の大型化を防止しつつ、多数個の基板１を固定することができ、加工基板１０の生産性を特に優れたものとすることができる。
【００５１】
本工程では、基板１および支持部材３の材料となる基板、部材の少なくとも一方に表面活性化処理を施し、処理された面（活性化状態にある面）に接着性を持たせる。、そして表面活性化状態にある面を接触面として基板１と支持部材３とを接触させ、これらを接合する。
【００５２】
表面活性化処理としては、例えば、基板１、支持部材３の少なくとも一方の材料となる基板、部材に対してプラズマ処理を施し活性化する方法、基板１、支持部材３の少なくとも一方の材料となる基板、部材に対してオゾン処理を施し活性化する方法、基板１、支持部材３の少なくとも一方の材料となる基板、部材に対しＵＶオゾン処理を施し活性化する方法、基板１、支持部材３の少なくとも一方の材料となる基板、部材に対してイオンビームを照射し活性化する方法、基板１、支持部材３の少なくとも一方の材料となる基板、部材に重合膜を形成し、当該重合膜にプラズマを照射しその表面を活性化したいわゆるプラズマ重合膜を形成する方法等が挙げられる。
【００５３】
特に、基板１、支持部材３の材料となる基板、部材の少なくとも一方に重合膜を形成した後、当該重合膜にプラズマを照射（プラズマに曝す）して照射された面を活性化した状態にする。そして活性化した面を接触させる部位として基板１、支持部材３とを貼り合わせた状態で加圧する（互いに押し合わせる）。このような基板１と支持部材３との接合では、密度にばらつきが生じ易い粘着剤等の接着物と比較して、均一な接着面が得られ易いため基板１や支持部材３の不本意な変性、変形等をより確実に防止しつつ、より高い接合強度で基板１と支持部材３とを接合することができる。
【００５４】
また、基板１、支持部材３の材料となる基板、部材の少なくとも一方にイオンビームを照射して照射された面を活性化した状態にする。そして活性化した面を接着させる部位として基板１、支持部材３とを貼り合わせた状態で加圧する（互いに押し合わせる）。このような基板１と支持部材３との接合工程では、より簡易な装置、条件で、効率よく基板１と支持部材３とを接合することができるため、加工基板の生産性を特に優れたものとすることができる。
【００５５】
プラズマ処理を施し活性化する場合、例えば、真空チャンバー中にＲＣＡ洗浄等の洗浄をした基板１および／または支持部材３の材料となる基板および／または部材を載置し、その後、チャンバー内にプラズマ用ガスを導入した後、１００Ｗ程度の高周波プラズマに５〜１０秒さらし、材料となる基板および／または部材の表面をプラズマ処理する。プラズマ用ガスとしては、酸素ガスや、水素ガス、アルゴンガス、またはこれらの混合ガス、あるいは、水素ガスとヘリウムガスとの混合ガス等を用いることができる。
【００５６】
プラズマ処理を施すことにより、基板１および／または支持部材３の表面の有機物が酸化して除去されるとともに、表面のＯＨ基が増加し、活性化する。
【００５７】
オゾン処理を施し活性化する場合、例えば、純水中にオゾンガスを導入し、活性なオゾンで基板１および／または支持部材３の表面を活性化する。
【００５８】
ＵＶオゾン処理を施し活性化する場合、例えば、大気もしくは酸素ガスに短波長のＵＶ光（例えば、波長１９５ｎｍ程度）を当て、活性なオゾンを発生させることで表面を活性化する。
【００５９】
イオンビームを照射し活性化する場合、高真空中（例えば、１×１０−６Ｔｏｒｒ以下の圧力）でＡｒ等のイオンビームを基板１および／または支持部材３の材料となる基板、部材の表面に当てることで、活性度の高いダングリングボンドを露出させることにより行う。
【００６０】
重合膜にプラズマを照射し活性化する場合、例えば、まず、強電界中に、原料ガスとキャリアガスとの混合ガスを供給することにより、プラズマを発生させ、このプラズマのエネルギーにより原料ガス中の分子を重合させて重合膜を得、その後、得られた重合膜の表面にエネルギーを付与することにより、表面付近の分子結合の一部を切断し、表面を活性化させる。
【００６１】
以下、重合膜にプラズマを照射し活性化する方法について詳細に説明する。
原料ガスとしては、例えば、メチルシロキサン、オクタメチルトリシロキサン、デカメチルテトラシロキサン、デカメチルシクロペンタシロキサン、オクタメチルシクロテトラシロキサン、メチルフェニルシロキサンのようなオルガノシロキサン、トリメチルガリウム、トリエチルガリウム、トリメチルアルミニウム、トリエチルアルミニウム、トリイソブチルアルミニウム、トリメチルインジウム、トリエチルインジウム、トリメチル亜鉛、トリエチル亜鉛のような有機金属系化合物、各種炭化水素系化合物、各種フッ素系化合物等が挙げられる。
【００６２】
このような原料ガスを用いて得られる重合膜は、これらの原料が重合してなるもの（重合物）、すなわち、ポリオルガノシロキサン、有機金属ポリマー、炭化水素系ポリマー、フッ素系ポリマー等で構成されることとなる。
【００６３】
このうち、重合膜は、特に、ポリオルガノシロキサンを主材料として構成されているものであるのが好ましい。ポリオルガノシロキサンは、通常、撥水性を示すが、各種の活性化処理を施すことにより、容易に有機基を脱離させることができ、親水性に変化することができる。すなわち、重合膜の撥水性と親水性の制御を容易に行うことができるという利点がある。
【００６４】
また、撥水性を示すポリオルガノシロキサンで構成された重合膜は、それ同士を接触させても、有機基によって接着が阻害されることとなり、極めて接着し難い。一方、親水性を示すポリオルガノシロキサンで構成された重合膜は、それ同士を接触させると、特に容易に接着することができる。すなわち、撥水性と親水性の制御を容易に行えるという利点は、接着性の制御を容易に行えるという利点に繋がるため、ポリオルガノシロキサンで構成された重合膜は、本発明において好適に用いられるものとなる。
【００６５】
また、ポリオルガノシロキサンは、比較的柔軟性に富んでいるので、例えば、基板１と支持部材３との熱膨張係数の差の絶対値が比較的大きい場合であっても、基板１と支持部材３との間に生じる熱膨張に伴う応力を緩和することができる。これにより、ドライエッチング工程等における基板１の支持部材３からの不本意な分離をより確実に防止することができる。
【００６６】
また、ポリオルガノシロキサンの中でも、特に、オクタメチルトリシロキサンの重合物を主成分とするものが好ましい。オクタメチルトリシロキサンの重合物を主成分とする重合膜は、接着性に特に優れることから、特に好適に用いることができる。また、オクタメチルトリシロキサンを主成分とする原料は、常温で液状をなし、適度な粘度を有するため、取り扱いが容易であるという利点もある。
【００６７】
混合ガス中における原料ガスの占める割合（混合比）は、原料ガスやキャリアガスの種類や目的とする成膜速度等によって若干異なるが、例えば、混合ガス中の原料ガスの割合を２０％以上７０％以下に設定するのが好ましく、３０％以上６０％以下に設定するのがより好ましい。これにより、重合膜の形成（成膜）の条件の最適化を図ることができる。
キャリアガスとしては、例えば、Ａｒガス、Ｈｅガス等が挙げられる。
【００６８】
また、供給するガスの流量は、ガスの種類や目的とする成膜速度、膜厚等によって適宜決定され、特に限定されるものではないが、通常は、原料ガスおよびキャリアガスの流量を、それぞれ、１ｃｃｍ以上１００ｃｃｍ以下に設定するのが好ましく、１０ｃｃｍ以上６０ｃｃｍ以下に設定するのがより好ましい。
【００６９】
プラズマ重合の際に印加する高周波の周波数は、特に限定されないが、１ｋＨｚ以上１００ＭＨｚ以下であるのが好ましく、１０ＭＨｚ以上６０ＭＨｚ以下であるのがより好ましい。
【００７０】
また、高周波の出力密度は、特に限定されないが、０．０１Ｗ／ｃｍ２以上１０Ｗ／ｃｍ２以下であるのが好ましく、０．１Ｗ／ｃｍ２以上１Ｗ／ｃｍ２以下であるのがより好ましい。
【００７１】
また、成膜時のチャンバー内の圧力は、１３３．３×１０−５Ｐａ以上１３３３Ｐａ以下（１×１０−５Ｔｏｒｒ以上１０Ｔｏｒｒ以下）であるのが好ましく、１３３．３×１０−４Ｐａ以上１３３．３Ｐａ以下（１×１０−４Ｔｏｒｒ以上１Ｔｏｒｒ以下）であるのがより好ましい。
【００７２】
原料ガス流量は、０．５ｓｃｃｍ以上２００ｓｃｃｍ以下であるのが好ましく、１ｓｃｃｍ以上１００ｓｃｃｍ以下であるのがより好ましい。一方、キャリアガス流量は、５ｓｃｃｍ以上７５０ｓｃｃｍ以下であるのが好ましく、１０ｓｃｃｍ以上５００ｓｃｃｍ以下であるのがより好ましい。
【００７３】
処理時間は、１分以上１０分以下であるのが好ましく、４分以上７分以下であるのがより好ましい。
【００７４】
また、重合膜の形成時における、重合膜が形成される部材（基板１、支持部材３の材料となる基板、部材）の温度は、２５℃以上であるのが好ましく、２５℃以上１００℃以下であるのがより好ましい。
【００７５】
このような条件を適宜設定することにより、緻密な重合膜をムラなく形成することができる。
【００７６】
また、重合膜の平均厚さは、１０ｎｍ以上１００００ｎｍ以下であるのが好ましく、５０ｎｍ以上５０００ｎｍ以下であるのがより好ましい。
【００７７】
重合膜の表面にエネルギーを付与する方法としては、表面を活性化し得る方法であれば、いかなる方法であってもよいが、エネルギー線を照射する方法が好ましい。かかる方法によれば、重合膜の表面を効率よく活性化させる。また、この方法によれば、重合膜中の分子構造を必要以上に切断しないので、重合膜の特性が低下してしまうのを避けることができる。エネルギー線としては、例えば、紫外光、電子線、粒子線等が挙げられる。
【００７８】
また、エネルギー線としては、特に、波長が１５０ｎｍ以上３００ｎｍ以下の紫外光を用いるのが好ましい。かかる紫外光によれば、重合膜の特性の著しい低下を防止しつつ、広い範囲をムラなく、より短時間に処理することができる。このため、重合膜の表面の活性化をより効率よく行うことができる。また、紫外光には、紫外ランプ等の簡単な設備で発生させることができるという利点もある。
なお、紫外光の波長は、より好ましくは、１６０ｎｍ以上２００ｎｍ以下とされる。
【００７９】
また、紫外光を照射する時間は、重合膜の表面付近の分子結合を切断し得る程度の時間であればよく、特に限定されないが、０．５分以上３０分以下であるのが好ましく、１分以上１０分以下であるのがより好ましい。
【００８０】
また、重合膜に対するエネルギー線の照射は、いかなる雰囲気中で行うようにしてもよいが、大気雰囲気中で行われるのが好ましい。これにより、雰囲気を制御することに手間やコストをかける必要がなくなり、活性化処理をより簡単に行うことができる。
【００８１】
このようにして活性化された重合膜の表面には、周囲の水分が接触することにより、水酸基（ＯＨ基）が自然に結合する。なお、前述の「活性化させる」とは、表面付近および内部の分子結合が切断されて、終端化されていない結合手が生じた状態や、その切断された結合手に水酸基が結合した状態、または、これらの状態が混在した状態のことを言う。
【００８２】
表面活性化処理は、基板１の材料となる基板および支持部材３の材料となる部材のうち少なくとも一方に施すものであればよいが、基板および部材の両方に施すものであるのが好ましい。
【００８３】
これにより、基板１の固定をより容易に行うことができるとともに、基板１と支持部材３との密着力（基板１の固定力）を特に優れたものとすることができる。
【００８４】
また、表面活性化処理は、異なる複数の方法、異なる複数の条件を併用して行うものであってもよい。
【００８５】
例えば、基板１の支持部材３に接触する部位を形成するために基板１の材料となる基板に施す表面活性化処理と、支持部材３の基板１に接触する部位を形成するために支持部材３の材料となる部材に施す表面活性化処理とは、互いに異なる方法、条件のものであってもよい。
【００８６】
これにより、基板１および支持部材３について、これらの構成材料等に応じた適切な表面活性化処理を採用することができ、基板１と支持部材３との密着力（基板１の固定力）をより確実に特に優れたものとすることができる。
【００８７】
なお、基板１の材料となる基板に表面活性化処理を施す場合には、当該処理は、少なくとも支持部材３に接触する部位に対して行えばよく、支持部材３の材料となる部材に表面活性化処理を施す場合には、当該処理は、少なくとも基板１に接触する部位に対して行えばよい。
【００８８】
前述したような表面活性化処理に先立ち、表面活性化処理を施す部材（基板１および／または支持部材３の材料）に対して、下地処理を施してもよい。
【００８９】
下地処理としては、特に限定されないが、例えば、酸素プラズマ処理、窒素プラズマ処理、コロナ放電処理、エッチング処理、電子線照射処理、紫外光照射処理等が挙げられる。
【００９０】
前述したような表面活性化処理を施した後、基板１と支持部材３とを接触させる。
基板１の構成材料と支持部材３の構成材料との間で化学結合が形成され、結果として、基板１と支持部材３とが接合する。
【００９１】
基板１と支持部材３とを接触させる際の圧力は、１ＭＰａ以上１０ＭＰａ以下であるのが好ましく、１ＭＰａ以上５ＭＰａ以下であるのがより好ましい。
【００９２】
これにより、基板１と支持部材３との接合強度をより確実に高いものとすることができる。
【００９３】
また、加圧する時間は、特に限定されないが、１０秒以上３０分以下であるのが好ましい。
【００９４】
基板１と支持部材３とを接触させた状態で、加熱を行ってもよい。
これにより、基板１と支持部材３との接合強度をより高いものとすることができる。
【００９５】
このときの加熱温度は、特に限定されないが、２５℃以上１００℃以下であるのが好ましく、５０℃以上１００℃以下であるのがより好ましい。
【００９６】
これにより、基板１、支持部材３が変質・劣化するのを確実に防止しつつ、接合強度をより確実に高めることができる。
また、加熱時間は、特に限定されないが、１分以上３０分以下であるのが好ましい。
【００９７】
基板１の支持部材３と接触する面とは反対側の面には、マスク４が設けられている。
これにより、後に詳述するドライエッチング工程において、容易かつ確実に、所望のパターンで基板１をエッチングすることができる。
【００９８】
マスク４としては、例えば、Ｎｉ等の金属材料や、各種レジスト材料で構成されたものを用いることができる。
【００９９】
マスク４の厚さは、特に限定されないが、２０００ｎｍ以上１５０００ｎｍ以下であるのが好ましく、３０００ｎｍ以上１３０００ｎｍ以下であるのがより好ましい。
【０１００】
なお、マスク４は、基板１と支持部材３との接合前に形成するものであってもよいし、基板１と支持部材３との接合後に形成するものであってもよい。
【０１０１】
≪ドライエッチング工程≫
ドライエッチング工程では、支持部材３に固定された基板（被処理部材）１に対して、ドライエッチングを施す（１ｂ）。
【０１０２】
ここで、基板１は、支持部材３に直接固定されている。このように、基板１と支持部材３とが直接接合していることにより、後に詳述する分離工程において、基板１から支持部材３を容易かつ確実に除去することができ、従来のような粘着剤等の接合部材を介して固定を行った場合に発生していた基板への不要な付着物の残存等の問題を確実に防止することができる。
【０１０３】
また、ドライエッチングが施される基板１にマスク４が付されているため、容易かつ確実に、所望のパターンで基板１をエッチングすることができる。
【０１０４】
図示の構成では、基板１が固定された支持部材３を、ドライエッチング装置のステージ５に固定して行う。
【０１０５】
これにより、本工程における基板１の不本意な移動をより効果的に防止することができる。
【０１０６】
また、図示の構成では、ステージ５と支持部材３との間に、冷却用ガスの流路（冷却ガス流路）６が設けられている。
【０１０７】
これにより、本工程において、基板１が固定された支持部材３を冷却しつつ、ドライエッチングを行うことができ、基板１等の温度が上昇しすぎることを防止することができる。
冷却ガス流路６を流れるガスとしては、例えば、ヘリウムガス等が挙げられる。
【０１０８】
本工程で行うドライエッチングは、いかなる条件で行うものであってもよいが、好ましくは、フルオロカーボンガスおよび不活性ガスを含むエッチングガスをチャンバー内に導入して、当該チャンバー内にプラズマを発生させることにより行うものである。
【０１０９】
このような条件でドライエッチングを行うことにより、所望のパターンで、かつ、効率よく基板をエッチングすることができる。
【０１１０】
本工程で用いるフルオロカーボンガスとしては、例えば、ＣＦ４、Ｃ２Ｆ６、Ｃ３Ｆ８、Ｃ４Ｆ８、Ｃ５Ｆ８、ＣＨＦ３等が挙げられる。
【０１１１】
本工程で用いる不活性ガスとしては、例えば、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ等が挙げられる。
【０１１２】
本工程でのチャンバー内圧力は、１０Ｐａ以下であるのが好ましく、５Ｐａ以下であるのがより好ましい。
【０１１３】
≪分離工程≫
その後、支持部材３を選択的に溶解する溶解液を用いて支持部材３の少なくとも一部を溶解することにより、ドライエッチングが施された基板１（加工基板１０）を支持部材３から分離する（１ｃ）。
【０１１４】
前述したように、基板１と支持部材３とは直接接合しており、粘着剤等の接合部材を介していないため、接合材料由来の不本意な付着物（接合部材由来の付着物）が基板１上に残存することを効果的に防止することができる。
【０１１５】
本工程では、支持部材３の構成材料等により、溶解液の組成を調整する。
例えば、支持部材３がＳｉで構成されたものである場合、溶解液（支持部材溶解液）としては、フッ化水素および硝酸を含む液体や、強アルカリを含む液体を用いることができる。
【０１１６】
特に、支持部材溶解液として、フッ化水素および硝酸を含む液体を用いた場合、より速い速度で支持部材３を溶解することができる。このため、加工基板１０の生産性を特に優れたものとすることができる。
【０１１７】
また、支持部材溶解液として、強アルカリを含む液体を用いた場合、より高い選択性で支持部材３を溶解することができ、基板１がダメージを受けることをより効果的に防止することができる。また、このような支持部材溶解液は、支持部材３とともに有機高分子材料（重合体）で構成されたマスク４も好適に溶解することができるものであるため、マスク４が有機高分子材料（重合体）で構成されたものである場合に、本工程において、マスク４も除去することができ、後に詳述するマスク除去工程を別途設ける必要がなく、省略することができる。したがって、加工基板１０の生産性を特に優れたものとすることができる。
【０１１８】
強アルカリとしては、例えば、水酸化カリウム、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド（ＴＭＡＨ）等を用いることができる。
【０１１９】
支持部材３を溶解する溶解液（支持部材溶解液）は、いかなる方法で付与されるものであってもよい。例えば、支持部材３を溶解液（支持部材溶解液）中に浸漬する方法、支持部材３に対して溶解液（支持部材溶解液）を噴霧する方法等を採用することができる。
【０１２０】
≪マスク除去工程≫
その後、マスク４を除去する（１ｄ）。
これにより、加工基板１０が得られる。
マスク４の除去は、例えば、マスク４の剥離、溶解等により行うことができる。
【０１２１】
マスクに対して、マスク除去液を付与することにより、マスク４の剥離を容易にしたり、マスク４を溶解したりすることができる。
【０１２２】
マスク４がＮｉで構成されたものである場合、マスク除去液としては、例えば、硝酸、硝酸を含む強酸、塩化第二鉄等を用いることができる。
【０１２３】
また、マスク４が有機高分子材料（重合体）で構成されたものである場合、マスク除去液としては、例えば、強アルカリを含む液体を用いることができる。
【０１２４】
マスク除去液に含まれる強アルカリとしては、例えば、水酸化カリウム、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド（ＴＭＡＨ）等が挙げられる。
【０１２５】
マスク４を除去する液体（マスク除去液）を付与する場合、マスク除去液は、いかなる方法で付与されるものであってもよい。例えば、マスク４が付された基板１（加工基板１０）を溶解液（マスク除去液）中に浸漬する方法、マスク４に対して溶解液（マスク除去液）を噴霧する方法等を採用することができる。
【０１２６】
《加工基板》
次に、本発明の加工基板について説明する。
本発明の加工基板は、前述した本発明の加工方法を用いて製造されたものであることを特徴とする。
【０１２７】
これにより、所望のパターンを有し、かつ、不本意な付着物の残存が防止された加工基板を提供することができる。
【０１２８】
《電子部品》
次に、本発明の電子部品について説明する。
図３は、本発明の加工基板を示す平面図、図４は、本発明の電子部品を示す斜視図、図５は、本発明の電子部品を示す断面図である。
【０１２９】
本発明の電子部品は、本発明の加工基板を用いて製造されたものであることを特徴とする。
【０１３０】
すなわち上述した加工基板１０として図３に示すように複数の電子部品１１が連結された状態のものを形成した後、必要に応じて各電子部品１１に電極を構成する（電極の有無にかかわらず電子部品と総称する）。
【０１３１】
本説明における電子部品１１は、例えば慣性センサーとしてジャイロセンサー素子である。
その後、電子部品１１を取り外し、各電子部品１１を図４に示す状態の個片にする。
【０１３２】
なお、図５に示すように必要に応じて個片化された電子部品１１をパッケージ１２内の機密空間に収納した状態の電子部品１３を構成してもよい。なお、図５に示す部品１４は集積回路部品であり、例えば、電子部品１１を駆動させる回路、電子部品１１からの出力信号を処理する回路を備えている。更に、図５は、電子部品１３の断面構造を示している。
これにより、信頼性の高い電子部品を提供することができる。
【０１３３】
本発明の電子部品１１は、本発明の加工基板を用いて製造されたものであればよく、その種類、用途等は、特に限定されないが、例えば、光学素子、振動子、弾性表面波素子、圧電デバイス、さらには力センサーとして例えば圧力センサー、傾斜センサー、慣性センサーとして例えば角速度センサー、加速度センサー等が挙げられる。
【０１３４】
《電子機器》
次に、本発明の電子機器について説明する。
図６は、本発明の電子機器を示す図、図７は、本発明の移動体を示す図である。
【０１３５】
本発明の図６に示す電子機器１５は、本発明の電子部品１１を備えることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い電子機器を提供することができる。
【０１３６】
図６に示す電子機器は、携帯電話であるが、本発明の電子機器は、本発明の電子部品１１を備えるものであればよく、その種類、用途等は、特に限定されないが、例えば、カメラ、携帯電話以外の通信機器、時計、プリンター、プロジェクター、カーナビ、車体制御機器等が挙げられる。
【０１３７】
さらに、図７に示すように移動体として例えば自動車１６に本発明の電子部品１１を備えても構わない。
【０１３８】
以上、本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明は、これらに限定されるものではない。
【０１３９】
例えば、前述した実施形態では、１回の処理で複数個の基板を用いる場合について中心的に説明したが、本発明においては、１回の処理で用いる基板は１個であってもよい。
【０１４０】
また、前述した実施形態では、分離工程で、溶解液を用いる場合について中心的に説明したが、支持部材の溶解には、例えば、ガスを用いてもよい。
【０１４１】
また、前述した実施形態では、基板を支持部材から分離した後に、マスクの除去を行うものとして説明したが、マスクの除去は、例えば、基板を支持部材から分離する前に行うものであってもよいし、基板を支持部材から分離するのと同一工程で行うものであってもよい。また、マスクは、基板上から除去されないものであってもよい。
【０１４２】
また、本発明の基板の加工方法においては、必要に応じて、前処理工程、中間処理工程、後処理工程を行ってもよい。
【０１４３】
また、前述した実施形態では、基板の一方の面側のみにドライエッチングを施す場合について中心的に説明したが、例えば、本発明では、基板の向きを変えて、両面側にエッチング処理を施してもよい。
【符号の説明】
【０１４４】
１０…加工基板
１…基板（被処理部材）
３…支持部材
４…マスク
５…ステージ
６…流路（冷却ガス流路）
１１…電子部品
１２…パッケージ
１３…電子部品
１４…集積回路部品
１５…電子機器
１６…自動車
【図１】
2016046659.tif 000003
【図２】
2016046659.tif 000004
【図３】
2016046659.tif 000005
【図４】
2016046659.tif 000006
【図５】
2016046659.tif 000007
【図６】
2016046659.tif 000008
【図７】
2016046659.tif 000009