(57)【要約】      （修正有）【課題】小型化に対応させ、電気的特性の優れたより信頼性の高い表面実装型圧電デバイスを提供する。【解決手段】矩形状で一主面のみに収納部が形成されたベース１と、収納部に搭載される矩形圧電振動素子３Ａと音叉型圧電振動素子３Ｂと集積回路素子２とがあり、収納部には内底面と保持台とがベースの平面視長辺方向に隣接して形成される。集積回路素子は矩形状で長辺方向の一領域には複数の第１配線パッドが形成され、他領域には複数の第２配線パッドが形成され、これらが線対称の位置に形成される。集積回路素子の一短辺に第１圧電振動素子用第１配線パッドが形成され、他短辺に第２圧電振動素子用第２配線パッドが形成される。ベースの収納部には、第１配線パッド部と第２配線パッドの形成位置に対応した複数の第１配線部と第２配線部とを形成する。【選択図】図２
2016025437.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面実装型圧電デバイスであって、
平面視矩形状で一主面側のみに一つの収納部が形成され、他主面側に外部端子が形成された絶縁性のベースと、前記ベースの収納部には、第１圧電振動素子と、前記第１圧電振動素子と周波数の異なる第２圧電振動素子と、前記第１圧電振動素子とのみ接続され前記第１圧電振動素子の周波数信号のみを増幅する第１発振回路部と前記第２圧電振動素子とのみ接続され当該第２圧電振動素子の周波数信号のみを増幅する第２発振回路部とを有する一つの集積回路素子と、が搭載されており、
前記集積回路素子は、平面視矩形状であり、前記集積回路素子の長辺方向の中心線に対して一方の領域には、前記第１圧電振動素子のみに関連するとともにベースの配線部に電気機械的に接合される一対の第１圧電振動素子用第１配線パッドと、出力用第１配線パッドと、電源用第１配線パッドと、グランド用第１配線パッドとを少なくとも有した第１配線パッド部を形成しており、前記集積回路素子の長辺方向の中心線に対して他方の領域には、前記第２圧電振動素子のみに関連するとともにベースの配線部に電気機械的に接合される一対の第２圧電振動素子用第２配線パッドと、出力用第２配線パッドと、電源用第２配線パッドと、グランド用第２配線パッドとを少なくとも有した第２配線パッド部を形成しており、前記集積回路素子の長辺方向の中心線に対して、前記第１圧電振動素子用第１配線パッドと前記第２圧電振動素子用第２配線パッド、前記出力用第１配線パッドと前記出力用第２配線パッド、前記電源用第１配線パッドと前記電源用第２配線パッド、前記グランド用第１配線パッドと前記グランド用第２配線パッドとがそれぞれ線対称の位置に形成され、前記集積回路素子の長辺方向の端部である一短辺に前記一対の第１圧電振動素子用第１配線パッドが形成され、前記集積回路素子の長辺方向の端部である他短辺に前記一対の第２圧電振動素子用第２配線パッドが形成されており、
前記ベースの収納部には、前記集積回路素子の第１配線パッド部の形成位置に対応して形成された複数の第１配線部と、前記集積回路素子の第２配線パッド部の形成位置に対応して形成された複数の第２配線部とが形成される
ことを特徴とする表面実装型圧電デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、絶縁性ベースの一つの収納部の上に圧電振動素子と集積回路素子が実装された表面実装型圧電発振器などの表面実装型圧電デバイスに関するものであって、特に、メガヘルツ（ＭＨz）帯で振動してなる圧電振動素子とキロヘルツ（ＫＨｚ）帯で振動してなる音叉型圧電振動素子と集積回路素子とがベース基板の一つの収納部のみに搭載されたシングルパッケージ構造の表面実装型圧電発振器などの表面実装型圧電デバイスを改善するものである。
【背景技術】
【０００２】
水晶振動板等の圧電振動素子を用いた圧電デバイスは、安定して精度の高い発振周波数を得ることができるため、主としてメガヘルツ帯の圧電振動素子は電子機器等の基準周波数源として多種の分野で使用され、キロヘルツ帯の圧電振動素子は時刻の基準源として多種の分野で使用されている。
【０００３】
表面実装型圧電発振器では、絶縁性のベースとしてセラミック多層基板を用い、当該ベースの収納部に発振回路等の集積回路素子を配置するとともに、当該集積回路素子の上方に圧電振動素子を支持固定し、蓋により気密封止を行ったものである。このような構成はＣ−ＭＯＳ等のインバータ増幅器（発振用増幅器）を内蔵したワンチップの集積回路素子のカスタム化により比較的部品点数が少なく、シンプルな構成であり、低コスト化に寄与している。
【０００４】
ところで、メガヘルツ帯の表面実装型圧電デバイスとキロヘルツ帯の表面実装型圧電デバイスは個別のパッケージで取り扱われることが多いが、近年、回路基板に搭載される部品点数を減らすことが求められており、特許文献１に示すように、これらの表面実装型圧電デバイスを一体化したものが提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献２】特開２０１２−１１９８５３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、表面実装型電子部品の軽薄短小化が求められているなか、特許文献１に記載している表面実装型圧電デバイスでは不十分であり改良できる余地があるのが現状である。また、表面実装型圧電デバイスを小型化する場合には、製造上の制限があったり、従来では問題となり得なかった電気的特性の劣化など小型化特有の新たな問題が生じることがあるのが現状である。
【０００７】
そこで、上記課題を解決するために、本発明は、異なる周波数帯域の複数の圧電振動素子を一つのパッケージに収納してなる表面実装型圧電デバイスについて、小型化に対応させながら、電気的特性の優れたより信頼性の高い表面実装型圧電デバイスを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記の目的を達成するために、本発明の特許請求項１に示すように、表面実装型圧電デバイスであって、平面視矩形状で一主面側のみに一つの収納部が形成され、他主面側に外部端子が形成された絶縁性のベースと、前記ベースの収納部には、第１圧電振動素子と、前記第１圧電振動素子と周波数の異なる第２圧電振動素子と、前記第１圧電振動素子とのみ接続され前記第１圧電振動素子の周波数信号のみを増幅する第１発振回路部と前記第２圧電振動素子とのみ接続され当該第２圧電振動素子の周波数信号のみを増幅する第２発振回路部とを有する一つの集積回路素子と、が搭載されており、前記集積回路素子は、平面視矩形状であり、前記集積回路素子の長辺方向の中心線に対して一方の領域には、前記第１圧電振動素子のみに関連するとともにベースの配線部に電気機械的に接合される一対の第１圧電振動素子用第１配線パッドと、出力用第１配線パッドと、電源用第１配線パッドと、グランド用第１配線パッドとを少なくとも有した第１配線パッド部を形成しており、前記集積回路素子の長辺方向の中心線に対して他方の領域には、前記第２圧電振動素子のみに関連するとともにベースの配線部に電気機械的に接合される一対の第２圧電振動素子用第２配線パッドと、出力用第２配線パッドと、電源用第２配線パッドと、グランド用第２配線パッドとを少なくとも有した第２配線パッド部を形成しており、前記集積回路素子の長辺方向の中心線に対して、前記第１圧電振動素子用第１配線パッドと前記第２圧電振動素子用第２配線パッド、前記出力用第１配線パッドと前記出力用第２配線パッド、前記電源用第１配線パッドと前記電源用第２配線パッド、前記グランド用第１配線パッドと前記グランド用第２配線パッドとがそれぞれ線対称の位置に形成され、前記集積回路素子の長辺方向の端部である一短辺に前記一対の第１圧電振動素子用第１配線パッドが形成され、前記集積回路素子の長辺方向の端部である他短辺に前記一対の第２圧電振動素子用第２配線パッドが形成されており、前記ベースの収納部には、前記集積回路素子の第１配線パッド部の形成位置に対応して形成された複数の第１配線部と、前記集積回路素子の第２配線パッド部の形成位置に対応して形成された複数の第２配線部とが形成される。
【０００９】
上記構成により、前記集積回路素子は、前記第1発振回路部と前記第２用発振回路部とは一つの集積回路素子の内部で電気的に独立して形成されており、前記集積回路素子の長辺方向の中心線に対して、前記各機能に応じた第１配線パッド部と前記第２配線パッド部とが線対称に形成されているため、前記ベースの第１配線部のうちの前記第１配線パッド部との接続部分と、前記ベースの第２配線部のうちの前記第２配線パッド部との接続部分についても線対称に形成され、線対称に形成された前記第１配線パッド部との接続部分と前記第２配線パッド部との接続部分とを起点として第１配線部と第２配線部とを形成することができる。つまり、第１圧電振動素子側の第１配線部と第２圧電振動素子側の第２配線部とで同機能の配線部同士で同じ配線長や面積に構成することが容易となる。結果として、各機能ごとの配線部として形成される容量を均一にできるため電気的特性の安定化につながる。
【００１０】
また、同機能の配線部同士で共通化したり、同機能の配線部を近接配置することができるので、機能ごとの配線部をより短く、より小面積に設計することもできる。この場合、表面実装型圧電振動デバイスのさらなる小型化が実現でき、配線部の面積が増加することによる不要な容量が形成されることによる電気的な特性の不具合も抑制できる。
【００１１】
また、前記集積回路素子の一短辺に一対の第１圧電振動素子用第１配線パッドが形成され、前記集積回路素子の他短辺に一対の第２圧電振動素子用第２配線パッドが形成されているので、第１圧電振動素子と直接接続される第１配線部と第２圧電振動素子と直接接続される第２配線部とを隔離した位置に形成することができる。結果として、周波数の異なる２つの圧電振動素子（第１圧電振動素子と第２圧電振動素子）を近接配置しても、小型化に対応させながら、電気的な相互干渉を抑制することができる。
【発明の効果】
【００１２】
以上のように、本発明は、本発明は、異なる周波数帯域の複数の圧電振動素子を一つのパッケージに収納してなる表面実装型圧電デバイスについて、小型化に対応させながら、電気的特性の優れたより信頼性の高い表面実装型圧電デバイスを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】図１は、本発明の実施形態を示す表面実装型圧電デバイスの断面図である。
【図２】図２は、図１の表面実装型圧電デバイスの蓋をする前の平面図である。
【図３】図３は、図１の表面実装型圧電デバイスの底面図である。
【図４】図４は、図１の表面実装型圧電デバイスの素子を搭載する前の平面図である。
【図５】図５は、本発明の実施形態に適用される発振回路を示した図である。
【図６】図６は、本発明の実施形態に適用される集積回路素子の底面を示した図である。
【図７】図７は、本発明の他の実施形態を示す表面実装型圧電デバイスの素子を搭載する前の平面図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明による好ましい実施形態につきセラミック多層基板のベースを用いた表面実装型水晶発振器（表面実装型圧電デバイス）を例にとり図面とともに説明する。
【００１５】
図１乃至図６は本発明の実施形態を示すものである。
【００１６】
表面実装型水晶発振器６は、上部が開口した凹部を有する絶縁性のセラミック多層基板からなるベース１（以下、ベースと称する）と、当該ベースの中に収納される平面視矩形状で一つの集積回路素子２と、同じく当該ベース中の上部に収納されるメガヘルツ帯で振動してなる一つの矩形水晶振動素子（第１圧電振動素子）３Ａと、キロヘルツ帯で振動してなる一つの音叉型水晶振動素子（第２圧電振動素子）３Ｂと、ベースの開口部に接合される蓋４とからなる。この表面実装型水晶発振器では、ベース１と蓋４とが封止材５を用いて接合されて気密封止され、表面実装型水晶発振器６が構成されている。以下、この表面実装型水晶発振器６の各構成について説明する。
【００１７】
集積回路素子２は、Ｃ−ＭＯＳなどのインバータ増幅器（発振用増幅器）を内蔵したワンチップの集積回路素子であり、一つの集積回路素子２の中には、矩形水晶振動素子３Ａとのみ接続され当該矩形水晶振動素子３Ａの周波数信号のみを増幅するメガヘルツ用発振回路部２Ａ（第１発振回路部）を構成する領域と、音叉型水晶振動素子３Ｂとのみ接続され当該音叉型水晶振動素子３Ｂの周波数信号のみを増幅するキロヘルツ用発振回路部２Ｂ（第２発振回路部）を構成する領域とを有している。
【００１８】
集積回路素子２は、図６に示すように、平面視矩形状であり、集積回路素子２の長辺方向の中心線２１に対して底面側の一方の領域には、矩形水晶振動素子３Ａのみに関連するとともに後述するベースの複数の第１パッド接続部に電気機械的に接合される複数の第１配線パッド部ＰＡを形成しており、集積回路素子２の長辺方向の中心線２１に対して底面側の他方の領域には、音叉型水晶振動素子３Ｂのみに関連するとともに後述するベースの複数の第２パッド接続部に電気機械的に接合される複数の第２配線パッド部ＰＢを形成している。なお、集積回路素子２の平面側には電気的に機能しない非有効面として形成されている。
【００１９】
複数の第１配線パッド部ＰＡには、電源用第１配線パッドＰＡ１と、出力用第１配線パッドＰＡ２と、グランド用第１配線パッドＰＡ３と、他端子用第１配線パッドＰＡ４と、後述する矩形水晶振動素子３Ａの入力側と接続される第１圧電振動素子入力用第１配線パッドＰＡ５と、後述する矩形水晶振動素子３Ａの出力側と接続される第１圧電振動素子出力用第１配線パッドＰＡ６とを有している。
【００２０】
複数の第２配線パッド部ＰＢには、電源用第２配線パッドＰＢ１と、出力用第２配線パッドＰＢ２と、グランド用第２配線パッドＰＢ３と、他端子用第２配線パッドＰＢ４と、後述する音叉型水晶振動素子３Ｂの入力側と接続される第２圧電振動素子入力用第２配線パッドＰＢ５と、後述する音叉型水晶振動素子３Ｂの出力側と接続される第２圧電振動素子出力用第２配線パッドＰＢ６とを有している。
【００２１】
また、複数の第１配線パッド部ＰＡと複数の第２配線パッド部ＰＢとは、集積回路素子２の長辺方向の中心線２１に対して、同機能の配線パッド部同士で線対称となる位置に形成されている。つまり、電源用第１配線パッドＰＡ１と電源用第２配線パッドＰＢ１とが線対称となる位置に形成される。出力用第１配線パッドＰＡ２と出力用第２配線パッドＰＢ２とが線対称となる位置に形成される。グランド用第１配線パッドＰＡ３とグランド用第２配線パッドＰＢ３とが線対称となる位置に形成される。他端子用第１配線パッドＰＡ４と他端子用第２配線パッドＰＢ４とが線対称となる位置に形成される。第１圧電振動素子入力用第１配線パッドＰＡ５と第２圧電振動素子入力用第２配線パッドＰＢ５とが線対称となる位置に形成される。第１圧電振動素子出力用第１配線パッドＰＡ６と第２圧電振動素子出力用第２配線パッドＰＢ６とが線対称となる位置に形成される。
【００２２】
また、第１圧電振動素子入力用第１配線パッドＰＡ５と第１圧電振動素子出力用第１配線パッドＰＡ６とは、集積回路素子２の長辺方向の端部である一短辺２２に形成しており、第２圧電振動素子入力用第２配線パッドＰＢ５と第２圧電振動素子出力用第２配線パッドＰＢ６とは、集積回路素子２の長辺方向の端部である他短辺２３に形成している。このため、第１圧電振動素子と直接接続される第１配線部Ｈ１５Ａ，Ｈ１６Ａと、第２圧電振動素子と直接接続される第２配線部Ｈ１５Ｂ，Ｈ１６Ｂとを隔離した位置に形成することができる。結果として、周波数の異なる２つの圧電振動素子（矩形水晶振動素子３Ａと音叉型水晶振動素子３Ｂ）を近接配置しても、電気的な相互干渉を抑制することができる。
【００２３】
Ｃ−ＭＯＳインバータの発振回路構成としては、Ｃ−ＭＯＳインバータの入力側（ゲート）と出力側（ドレイン）にそれぞれ容量素子（分割コンデンサＣ１，Ｃ２）が直列で接続されており、このＣ−ＭＯＳインバータと前記容量素子との間に、圧電振動素子と帰還抵抗Ｒとが並列で接続されている。本発明の集積回路素子２では、図５に示すように、このような発振回路構成のものについて、内部に矩形水晶振動素子３Ａのみ関連するメガヘルツ発振回路部２Ａと、音叉型水晶振動素子３Ｂのみ関連するキロ発振回路部２Ｂとで個別に独立した状態で形成されている。
【００２４】
セラミック多層基板のベース１は全体として直方体で、最下層であるアルミナ等のセラミック材料からなる平面視矩形状の一枚板の底部１１と、この底部１１上に積層した中間層のセラミック材料の平面視枠形状の堤部１２と、最上層のセラミック材料の平面視枠形状の堤部１３とから構成され、ベース１の一主面のみに一つの収納部１０を有する断面凹形の箱状体（外装部１４）に形成されている。収納部１０には、内底面１０ａと当該内底面から上部に突き出し、内底面より高さの高い保持台１０ｂとがベース１の平面視長辺方向に隣接して形成されている。
【００２５】
ベースの内底面１０ａの上面には後述する集積回路素子２と音叉型水晶振動素子３Ｂとがお互いに接触しない状態でベース１の長辺方向に隣接して搭載される。この時、保持台１０ｂに近接する方に集積回路素子２が配置され、保持台１０ｂに隔離する方に音叉型水晶振動素子３Ｂが配置され、結果として保持台１０ｂと音叉型圧電振動素子３Ｂとの間に集積回路素子２が介在した状態で、保持台１０ｂと集積回路素子２と音叉型圧電振動素子３Ｂとがベース１の長辺方向に沿って配置されている。
【００２６】
保持台１０ｂの上面には矩形水晶振動素子３Ａが搭載される。この時、矩形水晶振動素子３Ａの一短辺３３Ａの方のみを保持台１０ｂに固定して搭載するとともに、矩形水晶振動素子の他短辺３４Ａの方を内底面１０ａの方に延出し、当該他端辺３４Ａの少なくとも中心部３４１Ａが集積回路素子２の上面の領域に対して平面視重畳する位置に配置している。結果として矩形水晶振動素子３Ａの他短辺３４Ａが集積回路素子２の上部稜線のうち音叉型水晶振動素子３Ｂに近接する稜線２１を超えて音叉型水晶振動素子３Ｂの方へはみ出すことがない。なお、セラミック多層基板として本形態のように３層構造のベースに限定されるものではなく、ベースの収納部の構造に応じて４層以上で構成してもよい。
【００２７】
前記セラミック多層基板のベース１の最上層である堤部１３の上面（端面）は平坦であり、後述する蓋４との接合領域（金属膜）１３ａである。この接合領域１３ａは、タングステンあるいはモリブデン等のメタライズ材料からなるメタライズ層と、このメタライズ層に積層されたニッケル層と、このニッケル層に積層された金層とから構成される。タングステンあるいはモリブデンは厚膜印刷技術を活用してメタライズ技術によりセラミック焼成時に一体的に形成され、メタライズ層上にニッケル層、金層の順でメッキ形成される。
【００２８】
ベース１の外周壁の４角には上下方向に伸長するキャスタレーションＣ１，Ｃ２，Ｃ５，Ｃ６がそれぞれ形成され、ベース１の外周壁の一方（ベースの外装部底面の長辺１５側）の長辺中央の一部には上下方向に伸長する半長円状のキャスタレーションＣ３，Ｃ４が形成され、ベース１の外周壁の他方（ベースの外装部底面の長辺１６側）の長辺中央の一部には上下方向に伸長する半長円状のキャスタレーションＣ７，Ｃ８が形成されている。当該キャスタレーションはベースの外周壁に対して円弧状あるいは半長円状の切り欠きが上下方向に形成された構成である。
【００２９】
なお、前記接合領域１３ａはベースの堤部１２，１３を上下に貫通接続する図示しない導電ビアやキャスタレーション上部に形成された図示しない配線部のいずれか少なくとも一方により、ベース底面側に形成された外部端子に電気的に導出してもよい。この外部端子をアース接続することにより、後述する金属製の蓋が接合領域１３ａ、導電ビアやキャスタレーション上部の配線部などを介して接地され、表面実装型水晶発振器の電磁気的なシールド効果を得ることができる。
【００３０】
前記セラミック多層基板のベース１の最下層である底部１１の下面（ベースの他主面）には、図３に示すように、４角と長辺中央に実装用の外部端子として外部端子ＧＴ１Ａ，ＧＴ２Ａ，ＧＴ３Ａ，ＧＴ４Ａ，ＧＴ１Ｂ，ＧＴ２Ｂ，ＧＴ３Ｂ，ＧＴ４Ｂが構成される。これらの実装用の外部端子のうち、矩形水晶振動素子３Ａのみに関連するメガヘルツ用外部端子群の一部が外部端子ＧＴ１Ａ，ＧＴ２Ａ，ＧＴ３Ａ，ＧＴ４Ａとなり、音叉型水晶振動素子３Ｂのみに関連するキロヘルツ用外部端子群の一部がＧＴ１Ｂ，ＧＴ２Ｂ，ＧＴ３Ｂ，ＧＴ４Ｂとなる。
【００３１】
外部端子ＧＴ１Ａ，ＧＴ２Ａ，ＧＴ３Ａ，ＧＴ４Ａ，ＧＴ１Ｂ，ＧＴ２Ｂ，ＧＴ３Ｂ，ＧＴ４Ｂは、それぞれ４角と長辺中央のキャスタレーションＣ８，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ１，Ｃ７，Ｃ５，Ｃ４，Ｃ６を介してベース１の最下層である底部１１の側面（底面層のセラミック基板の側面）にも引き回し電極ＧＴ１１Ａ，ＧＴ２１Ａ，ＧＴ３１Ａ，ＧＴ４１Ａ，ＧＴ１１Ｂ，ＧＴ２１Ｂ，ＧＴ３１Ｂ，ＧＴ４１Ｂが形成されている。また、外部端子ＧＴ１Ａ，ＧＴ２Ａ，ＧＴ３Ａ，ＧＴ４Ａ，ＧＴ１Ｂ，ＧＴ２Ｂ，ＧＴ３Ｂ，ＧＴ４Ｂは、引き回し電極ＧＴ１１Ａ，ＧＴ２１Ａ，ＧＴ３１Ａ，ＧＴ４１Ａ，ＧＴ１１Ｂ，ＧＴ２１Ｂ，ＧＴ３１Ｂ，ＧＴ４１Ｂを介して、後述する配線部Ｈ１１Ａ，Ｈ１２Ａ，Ｈ１３Ａ，Ｈ１４Ａ，Ｈ１１Ｂ，Ｈ１２Ｂ，Ｈ１３Ｂ，Ｈ１４Ｂに電気的に導出されている。
【００３２】
例えば、本形態では、外部端子ＧＴ１Ａは矩形水晶振動素子３Ａ用の第１外部電源端子（ＶＣＣ１、メガヘルツ用外部電源端子）、外部端子ＧＴ１Ｂは音叉型水晶振動素子３Ｂ用の第２外部電源端子（ＶＣＣ２、キロヘルツ用外部電源端子）として構成している。
【００３３】
外部端子ＧＴ２Ａは矩形水晶振動素子３Ａ用の第１外部出力端子（ＯＵＴ１、メガヘルツ用外部出力端子）、外部端子ＧＴ２Ｂは音叉型水晶振動素子３Ｂ用の第２外部出力端子（ＯＵＴ２、キロヘルツ用外部出力端子）として構成している。
【００３４】
外部端子ＧＴ３Ａは矩形水晶振動素子３Ａ用の第１外部グランド端子（ＧＮＤ１、メガヘルツ用外部グランド端子）、外部端子ＧＴ３Ｂは音叉型水晶振動素子３Ｂ用の第２外部グランド端子（ＧＮＤ２、キロヘルツ用外部グランド端子）として構成している。
【００３５】
外部端子ＧＴ４Ａは矩形水晶振動素子３Ａ用の第１外部他端子（ＴＡ１、メガヘルツ用外部他端子）、外部端子ＧＴ４Ｂは音叉型水晶振動素子３Ｂ用の第２外部他端子（ＴＡ２、キロヘルツ用外部他端子）として構成しており、外部出力制御端子（ＯＥ）や外部周波数制御端子（ＶＣＯＮＴ）、外部調整端子、外部ＮＣ端子などいずれかとして構成される。
【００３６】
セラミック多層基板のベース１の最下層である底部１１の上面（内底面１０ａ）には、図４に示すように、集積回路素子２の第１配線パッド部ＰＡ１，ＰＡ２，ＰＡ３，ＰＡ４，ＰＡ５，ＰＡ６と接続される第１配線部Ｈ１１Ａ，Ｈ１２Ａ，Ｈ１３Ａ，Ｈ１４Ａ，Ｈ１５Ａ，Ｈ１６Ａと、集積回路素子２の複数の第２配線パッド部ＰＢ１，ＰＢ２，ＰＢ３，ＰＢ４，ＰＢ５，ＰＢ６と接続される第２配線部Ｈ１１Ｂ，Ｈ１２Ｂ，Ｈ１３Ｂ，Ｈ１４Ｂ，Ｈ１５Ｂ，Ｈ１６Ｂとが並んで形成されている。
【００３７】
また、第１配線部Ｈ１１Ａ，Ｈ１２Ａ，Ｈ１３Ａ，Ｈ１４Ａ，Ｈ１５Ａ，Ｈ１６Ａには集積回路素子２の第１配線パッド部ＰＡ１，ＰＡ２，ＰＡ３，ＰＡ４，ＰＡ５，ＰＡ６の形成位置に対応して形成された第１パッド接続部Ｈ１１１Ａ，Ｈ１２１Ａ，Ｈ１３１Ａ，Ｈ１４１Ａ，Ｈ１５１Ａ，Ｈ１６１Ａが構成され、第２配線部Ｈ１１Ｂ，Ｈ１２Ｂ，Ｈ１３Ｂ，Ｈ１４Ｂ，Ｈ１５Ｂ，Ｈ１６Ｂには集積回路素子２の第２配線パッド部ＰＢ１，ＰＢ２，ＰＢ３，ＰＢ４，ＰＢ５，ＰＢ６の形成位置に対応して形成された第２パッド接続部Ｈ１１１Ｂ，Ｈ１２１Ｂ，Ｈ１３１Ｂ，Ｈ１４１Ｂ，Ｈ１５１Ｂ，Ｈ１６１Ｂが構成されている。
【００３８】
この時、第１パッド接続部Ｈ１１１Ａと第２パッド接続部Ｈ１１１Ｂとは集積回路素子２の各水晶振動素子に対応した電源用配線パッドに接続され、第１パッド接続部Ｈ１２１Ａと第２パッド接続部Ｈ１２１Ｂとは集積回路素子２の各水晶振動素子に対応した出力用配線パッドに接続され、第１パッド接続部Ｈ１３１Ａと第２パッド接続部Ｈ１３１Ｂとは集積回路素子２の各水晶振動素子に対応したグランド用配線パッドに接続され、第１パッド接続部Ｈ１４１Ａと第２パッド接続部Ｈ１４１Ｂとは集積回路素子２の各水晶振動素子に対応した他の配線パッドに接続され、第１パッド接続部Ｈ１５１Ａと第２パッド接続部Ｈ１５１Ｂとは集積回路素子２の各水晶振動素子用の一方の配線パッドに接続され、第１パッド接続部Ｈ１６１Ａと第２パッド接続部Ｈ１６１Ｂとは集積回路素子２の各水晶振動素子用の他方の配線パッドに接続される。
【００３９】
また、これら各第１パッド接続部と各第２パッド接続部のうち、同機能のパッド接続部では、集積回路素子２の同機能の第１配線パッド部と第２配線パッド部の形成位置に応じて線対称に形成されている。このため、線対称に形成された各第１配線パッド接続部と各第２配線パッド接続部とを起点として各第１配線部と各第２配線部とを形成することができる。つまり、矩形水晶振動素子３Ａ側の第１配線部と音叉型水晶振動素子３Ｂ側の第２配線部とで同機能の配線部同士で同じ配線長や面積に構成することが容易となる。結果として、各機能ごとの配線部として形成される容量を均一にできるため電気的特性の安定化につながる。
【００４０】
セラミック多層基板のベース１の中間層である堤部１２の上面には、後述する矩形水晶振動素子３Ａを搭載する保持台１０ｂが形成されており、その上面には後述する矩形水晶振動素子３Ａと接続される矩形水晶振動素子用の第１の入力側の保持台配線部Ｈ２５Ａと矩形水晶振動素子用の第１の出力側の保持台配線部Ｈ２６Ａとが形成されている。保持台１０ｂは堤部１２の一部が収納部１０の方に突出することで構成されている。この第１の入力側の保持台配線部Ｈ２５Ａは、下部に貫通接続する導電ビアＶを介して、矩形水晶振動素子用の第１の入力側の配線部Ｈ１５Ａに電気的に導出されている。第１の出力側の保持台配線部Ｈ２６Ａは、下部に貫通接続する導電ビアＶを介して、矩形水晶振動素子用の第１の出力側の配線部Ｈ１６Ａに電気的に導出されている。
【００４１】
セラミック多層基板のベース１の中間層である堤部１２の一対の短辺中央には、キャスタレーションＣ９，Ｃ１０，Ｃ１１，Ｃ１２の一部がそれぞれ形成されている。
【００４２】
堤部１２の一短辺中央のキャスタレーションＣ１０の上部には、第１の入力側の保持台配線部Ｈ２５Ａと接続され、後述する集積回路素子２の発振用増幅器の入力側に相当し、後述する矩形水晶振動素子３Ａの他方の励振電極３２Ａと直接接続された矩形水晶振動素子３Ａの特性測定用の第１外部入力側測定端子ＧＴ５Ａ（Ｘ１Ａ、メガヘルツ用第１外部入力側測定端子）が構成される。堤部１２の一短辺中央のキャスタレーションＣ９の上部には、第１の出力側の保持台配線部Ｈ２６Ａと接続され、後述する集積回路素子２の発振用増幅器の出力側に相当し、後述する矩形水晶振動素子３Ａの一方の励振電極３１Ａと直接接続された矩形水晶振動素子３Ａの特性測定用の第１外部出力側測定端子ＧＴ６Ａ（Ｘ２Ａ、メガヘルツ用第１外部出力側測定端子）が構成される。
【００４３】
つまり、第１外部入力側測定端子ＧＴ５Ａと第１外部出力側測定端子ＧＴ６Ａは、中間層である堤部１２の上面にのみ形成されているので、底部１１の下面（ベースの他主面）と最上層である堤部１３の接合領域（金属膜）１３ａとから離隔した状態で形成されている。なお、第１外部入力側測定端子ＧＴ５Ａと第１外部出力側測定端子ＧＴ６Ａに対して、圧電振動素子特性装置のコンタクトプローブを接触することで、他の回路部品が介在しない発振回路全体としての特性ではなく、後述する矩形水晶振動素子３Ａ単独の特性を測定することができる。
【００４４】
また、堤部１２の他短辺中央のキャスタレーションＣ１１の上部には、音叉型水晶振動素子３Ｂ用の入力側の配線部Ｈ１５Ｂと接続され、後述する集積回路素子２の発振用増幅器の入力側に相当し、後述する音叉型水晶振動素子３Ｂの他方の励振電極３２Ｂと直接接続された音叉型水晶振動素子３Ｂの特性測定用の第２外部入力側測定端子ＧＴ５Ｂ（Ｘ１Ｂ、キロヘルツ用第２外部入力側測定端子）が構成される。堤部１２の他短辺中央のキャスタレーションＣ１２の上部には、音叉型水晶振動素子３Ｂ用の出力側の配線部Ｈ１６Ｂと接続され、後述する集積回路素子２の発振用増幅器の出力側に相当し、後述する音叉型水晶振動素子３Ｂの一方の励振電極３１Ｂと直接接続された音叉型水晶振動素子３Ｂの特性測定用の第２外部出力側測定端子ＧＴ６Ｂ（Ｘ２Ｂ、キロヘルツ用第２外部出力側測定端子）が構成される。
【００４５】
つまり、第２外部入力側測定端子ＧＴ５Ｂと第２外部出力側測定端子ＧＴ６Ｂは、中間層である堤部１２の上面にのみ形成されているので、底部１１の下面（ベースの他主面）と最上層である堤部１３の接合領域（金属膜）１３ａとから離隔した状態で形成されている。なお、第２外部入力側測定端子ＧＴ５Ｂと第２外部出力側測定端子ＧＴ６Ｂに対して、圧電振動素子特性装置のコンタクトプローブを接触することで、他の回路部品が介在しない発振回路全体としての特性ではなく、後述する音叉型水晶振動素子３Ｂ単独の特性を測定することができる。
【００４６】
以上のような構成のベース１は周知のセラミック積層技術やメタライズ技術を用いて形成される。各外部端子、各引き回し電極、各測定用外部端子、各配線部、接合領域１３ａの形成と同様にタングステンあるいはモリブデン等によるメタライズ層の上面にニッケルメッキ層、金メッキ層の各層が形成された構成である。
【００４７】
集積回路素子２は、例えば金などの金属バンプＣを介してＦＣＢによりベース１の各配線部の各パッド接続部に接続される。つまり、集積回路素子２のうちメガヘルツ用（矩形水晶振動素子３Ａに関連する部分）の複数の第１配線パッド部ＰＡ１，ＰＡ２，ＰＡ３，ＰＡ４，ＰＡ５，ＰＡ６と、ベース１に形成されたメガヘルツ用（矩形水晶振動素子３Ａに関連する部分）の複数の第1配線部の第１パッド接続部Ｈ１１１Ａ，Ｈ１２１Ａ，Ｈ１３１Ａ，Ｈ１４１Ａ，Ｈ１５１Ａ，Ｈ１６１Ａとを接続し、集積回路素子２のうちキロヘルツ用（音叉型水晶振動素子３Ｂに関連する部分）の複数の第２配線パッド部ＰＢ１，ＰＢ２，ＰＢ３，ＰＢ４，ＰＢ５，ＰＢ６と、ベース１に形成されたキロヘルツ用（音叉型水晶振動素子３Ｂに関連する部分）の複数の第２配線部の第２パッド接続部Ｈ１１１Ｂ，Ｈ１２１Ｂ，Ｈ１３１Ｂ，Ｈ１４１Ｂ，Ｈ１５１Ｂ，Ｈ１６１Ｂとを接続している。
【００４８】
この時、集積回路素子２のうちメガヘルツ用の電源に相当する電源用第１配線パッドＰＡ１を外部端子ＧＴ１Ａと接続される電源用の配線部Ｈ１１Ａに接続する。集積回路素子２のうちキロヘルツ用の電源に相当する電源用第２配線パッドＰＢ１を外部端子ＧＴ１Ｂと接続される電源用の配線部Ｈ１１Ｂに接続する。集積回路素子２のうちメガヘルツ用の出力に相当する出力用第１配線パッドＰＡ２を外部端子ＧＴ２Ａと接続される出力用の配線部Ｈ１２Ａに接続する。集積回路素子２のうちキロヘルツ用の出力に相当する出力用第２配線パッドＰＢ２を外部端子ＧＴ２Ｂと接続される出力用の配線部Ｈ１２Ｂに接続する。集積回路素子２のうちメガヘルツ用のグランド部に相当するグランド用第１配線パッドＰＡ３を外部端子ＧＴ３Ａと接続されるグランド用の配線部Ｈ１３Ａに接続する。集積回路素子２のうちキロヘルツ用のグランド部に相当するグランド用第２配線パッドＰＢ３を外部端子ＧＴ３Ｂと接続されるグランド用の配線部Ｈ１３Ｂに接続する。集積回路素子２のうちメガヘルツ用の他端子用第１配線パッドＰＡ４を外部端子ＧＴ４Ａと接続される他の配線部Ｈ１４Ａに接続する。集積回路素子２のうちキロヘルツ用の他端子用第２配線パッドＰＢ４を外部端子ＧＴ４Ｂと接続される他の配線部Ｈ１４Ｂに接続する。
【００４９】
また、図５における集積回路素子２のうちメガヘルツ用の発振用増幅器の出力側に相当し、後述する矩形水晶振動素子３Ａの一方の励振電極３１Ａに接続される第１圧電振動素子出力用第１配線パッドＰＡ６を第１外部出力側測定端子ＧＴ６Ａと接続される第１の出力側の配線部Ｈ１６Ａに接続する。集積回路素子２のうちメガヘルツ用の発振用増幅器の入力側に相当し、後述する矩形水晶振動素子３Ａの他方の励振電極３２Ａに接続される第１圧電振動素子入力用第１配線パッドＰＡ５を第１外部入力側測定端子ＧＴ５Ａと接続される第１の入力側の配線部Ｈ１５Ａに接続する。
【００５０】
また、図５における集積回路素子２のうちキロヘルツ用の発振用増幅器の出力側に相当し、後述する音叉型水晶振動素子３Ｂの一方の励振電極３１Ｂに接続される第２圧電振動素子出力用第２配線パッドＰＢ６を第２外部出力側測定端子ＧＴ６Ｂと接続される第２の出力側の配線部Ｈ１６Ｂに接続する。集積回路素子２のうちキロヘルツ用の発振用増幅器の入力側に相当し、後述する音叉型水晶振動素子３Ｂの他方の励振電極３２Ｂに接続される第２圧電振動素子入力用第２配線パッドＰＢ５を第２外部入力側測定端子ＧＴ５Ｂと接続される第２の入力側の配線部Ｈ１５Ｂに接続する。
【００５１】
以上のように各構成要素を接続することで、集積回路素子２のうちメガヘルツ用発振回路部２Ａからメガヘルツ用外部端子群の各外部端子（ＧＴ１Ａ，ＧＴ２Ａ，ＧＴ３Ａ，ＧＴ４Ａ，ＧＴ５Ａ，ＧＴ６Ａ）に至るまでの電気的な接続経路と、集積回路素子２のキロヘルツ用発振回路部２Ｂからキロヘルツ用外部端子群の各外部端子（ＧＴ１Ｂ，ＧＴ２Ｂ，ＧＴ３Ｂ，ＧＴ４Ｂ，ＧＴ５Ｂ，ＧＴ６Ｂ）に至るまでの電気的な接続経路とが形成される。
【００５２】
なお、本形態に限らず、第１配線部と第２配線部のうち、同機能の配線部同士で共通化してもよい。特に、電源用の配線部とグランド用の配線部については、外部回路で共通化されるため、パッケージ内部で共通化することができる。例えば、図７に示すように、電源用の配線部である第１配線部Ｈ１１Ａと第２配線部Ｈ１１Ｂとについて近接配置するとともに一部配線部を共通化して、キャスタレーションＣ８に形成された引き回し電極ＧＴ１１Ａを介して、外部端子ＧＴ１Ａとして導出する。グランド用の配線部である第１配線部Ｈ１３Ａと第２配線部Ｈ１３Ｂとについて近接配置するとともに一部配線部を共通化して、キャスタレーションＣ３に形成された引き回し電極ＧＴ３１Ａを介して、外部端子ＧＴ３Ａとして導出している。このように構成することで、上記実施形態に比べて、同機能である配線部をより短く小面積に設計することができ、結果として、表面実装型水晶発振器のさらなる小型化が実現でき、配線部の面積が増加することによる不要な容量が形成されることによる電気的な特性の不具合も抑制できる。
【００５３】
集積回路素子２の上方で、収納部１０の保持台１０ｂの上面には所定の間隔を持って矩形水晶振動素子３Ａが搭載される。矩形水晶振動素子３Ａは、例えばメガヘルツ（ＭＨz）帯で厚みすべり振動してなるＡＴカット水晶振動板であり、その裏面に一方の矩形状の励振電極３１Ａとこの引出電極が形成され、その表面に他方の矩形状の励振電極３２Ａとこの引出電極が形成されており、これら一対の励振電極３１Ａ，３２Ａが表裏面の中央部分で対向して形成されている。表面に形成される他方の励振電極３２Ａの形成領域については、電極材料を増減することで周波数調整する領域として活用される。これらの電極は、例えば、クロムまたはニッケルの下地電極層と、銀または金の中間電極層と、クロムまたはニッケルの上部電極層とから構成された積層薄膜、クロムやニッケルの下地電極層と、銀または金の上部電極層とから構成された積層薄膜である。これら各電極は真空蒸着法やスパッタリング法等の薄膜形成手段により形成することができる。
【００５４】
矩形水晶振動素子３Ａの一短辺３３Ａの方のみを保持台１０ｂに導電性接合材Ｓにより固定して搭載するとともに、矩形水晶振動素子３Ａの他短辺３４Ａの方を内底面１０ａの方に延出し、当該他端辺３４Ａの少なくとも中心部３４１Ａが集積回路素子２の上面の領域に対して平面視重畳する位置に配置している。導電性接合材Ｓとしては、例えばペースト状であり銀フィラー等の金属微小片を含有するシリコーン系の導電樹脂接着剤を用いている。配線部Ｈ２５Ａ，Ｈ２６Ａのうちの一部の上面に塗布されるとともに、導電性接合材Ｓを矩形水晶振動素子３Ａと保持台１０ｂの間に介在させ硬化させることで、お互いを電気的機械的に接合している。以上により、矩形水晶振動素子３Ａの他短辺３４Ａをベース１の内底面に搭載された集積回路素子２の上面から隙間を設けながら、矩形水晶振動素子３Ａの一短辺３３Ａの方のみをベースの保持台１０ｂに接合して、片持ち保持される。なお、本形態では、シリコーン系の導電樹脂接着剤により接合した構成を例にしているが、この導電性接合材として他の導電性樹脂接着剤や金属バンプ、金属メッキバンプなどを用いてもよい。
【００５５】
この時、矩形水晶振動素子３Ａの一方の励振電極３１Ａに接続される引出電極を、図５における集積回路素子２のうちメガ用の発振用増幅器の出力側に相当し、第１外部出力側測定端子ＧＴ６Ａと接続される第１の出力側の保持台配線部Ｈ２６Ａに接続する。矩形水晶振動素子３Ａの他方の励振電極３２Ａに接続される引出電極を、図５における集積回路素子２のうちメガ用の発振用増幅器の入力側に相当し、第１外部入力側測定端子ＧＴ５Ａと接続される第１の入力側の保持台配線部Ｈ２５Ａに接続する。
【００５６】
収納部１０の内底面１０ａの上面のうち、集積回路素子２に隣接し保持台１０ｂに隔離する方には、音叉型水晶振動素子３Ｂが配置搭載される。音叉型水晶振動素子３Ｂは、例えばキロヘルツ（ＫＨｚ）帯で屈曲振動してなるＸＹ’カットの音叉型水晶振動片であり、基部と当該基部に接続された一対の脚部とを有している。このうち一方の脚部の表裏面と他方の脚部の両側面には少なくとも一方の励振電極３１Ｂ（一部のみ図示）が形成されており、一方の励振電極３１Ｂを基部にまで引き出す引出電極が形成され、このうち他方の脚部の表裏面と一方の脚部の両側面には少なくとも他方の励振電極３２Ｂ（一部のみ図示）が形成されており、他方の励振電極３２Ｂを基部にまで引き出す引出電極が形成されている。また、各脚部の先端部分には、電極材料を増減することで周波数調整する領域としての錘電極３５Ｂが形成されている。これらの電極は、クロムやニッケルの下地電極層と、銀または金の上部電極層とから構成された積層薄膜である。これら各電極は真空蒸着法やスパッタリング法等の薄膜形成手段により形成することができる。
【００５７】
音叉型水晶振動素子３Ｂの基部を内底面１０ａの配線部Ｈ１５Ｂ，Ｈ１６Ｂの端部に導電性接合材Ｓにより固定して搭載するとともに、音叉型水晶振動素子３Ｂの脚部をベースの長辺方向の堤部１２の方に延出して配置している。このため、ベース１に搭載された矩形水晶振動素子３Ａの他方の励振電極３２Ａと、音叉型水晶振動素子３Ｂの錘電極３５Ｂとは、ベースの短辺方向に沿ってお互いにずれた位置に配置されてなる。導電性接合材Ｓとしては、例えばペースト状であり銀フィラー等の金属微小片を含有するシリコーン系の導電樹脂接着剤を用いている。配線部Ｈ１５Ｂ，Ｈ１６Ｂのうちの一部の上面に塗布されるとともに、導電性接合材Ｓを音叉型水晶振動素子３Ｂと内底面１０ａの間に介在させ硬化させることで、お互いを電気的機械的に接合している。以上により、音叉型水晶振動素子３Ｂの脚部側をベース１の内底面１０ａから隙間を設けながら、音叉型水晶振動素子３Ｂの基部のみをベースの内底面１０ａに接合して、片持ち保持される。なお、本形態では、シリコーン系の導電樹脂接着剤により接合した構成を例にしているが、この導電性接合材として他の導電性樹脂接着剤や金属バンプ、金属メッキバンプなどを用いてもよい。
【００５８】
この時、音叉型水晶振動素子３Ｂの一方の励振電極３１Ｂに接続される引出電極を、図５における集積回路素子２のうちキロ用の発振用増幅器の出力側に相当し、第２外部出力側測定端子ＧＴ６Ｂと接続される第１の出力側の配線部Ｈ１６Ｂに接続する。音叉型水晶振動素子３Ｂの他方の励振電極３２Ｂに接続される引出電極を、図５における集積回路素子２のうちキロ用の発振用増幅器の入力側に相当し、第２外部入力側測定端子ＧＴ５Ｂと接続される第１の入力側の配線部Ｈ１５Ｂに接続する。
【００５９】
なお、本形態では、図１に示すように、集積回路素子２の厚みに対して音叉型水晶振動素子３Ｂの厚みの方が薄く形成されており、内底面１０ａに搭載された集積回路素子２の高さに対して内底面１０ａに搭載された音叉型水晶振動素子３Ｂの高さの方が低く形成されている。このため、矩形水晶振動素子３Ａの他短辺３４Ａが音叉型水晶振動素子３Ｂに接触することがより一層なくなる構成とできる。
【００６０】
ベース１を気密封止する蓋４は、例えば、コバール等からなるコア材に金属ろう材（封止材）が形成された構成である。この金属ろう材からなる封止材５がベース１の接合領域（金属膜）１３ａと接合される構成となる。金属製の蓋４の平面視外形はセラミックベースの当該外形とほぼ同じであるか、若干小さい構成となっている。
【００６１】
収納部１０に集積回路素子２と矩形水晶振動素子３Ａと音叉型水晶振動素子３Ｂとが格納されたベース１の接合領域１３ａに対して金属製の蓋４にて被覆し、金属製の蓋４の封止材５とベースの接合領域１３ａを溶融硬化させ、気密封止を行うことで表面実装型水晶発振器６の完成となる。
【００６２】
このように構成された表面実装型水晶発振器６は、図１に示すように、回路基板７の配線パターン７１に対してはんだなどの接合材７２を用いて接合される。つまり、各外部端子に接合材を用いて回路基板の配線パターン７１へ接合する。
【００６３】
上記実施形態により、ベース１の一主面側のみに一つの収納部１０が形成されたシングル封止構成のパッケージ構造とするとともに、一つの収納部１０に収納される部品を一つの集積回路素子２と一つの矩形水晶振動素子３Ａと一つの音叉型水晶振動素子３Ｂのみとすることで、部品点数を減らしベース１の低背化や小型化をさらに実現とすることができる。このようなシングル封止構成のパッケージでは、小型化や低背化を進めることでベースの収納部１０に搭載された各部品の搭載位置が近接してお互いに干渉しあうことが懸念される。しかしながら、本発明では、保持台１０ｂに矩形水晶振動素子３Ａの一短辺３３Ａのみを固定して搭載するとともに、矩形水晶振動素子３Ａの他短辺３４Ａの少なくとも中心部３４１Ａが集積回路素子２の上面の領域に対して平面視重畳する位置に配置しているので、矩形水晶振動素子３Ａの他短辺３４Ａが内底面１０ａのある下方向に傾くことがあっても、集積回路素子２を補助枕としてその傾きを抑制することができる。特に、内底面１０ａに対して高さのある保持台１０ｂの位置で水晶振動素子を片持ち保持により搭載すると、外部衝撃等により水晶振動素子に傾きが生じやすくなることがあるが、音叉型水晶振動素子３Ｂではなく矩形水晶振動素子３Ａを保持台１０ｂに固定して集積回路素子２の上部に配置することで、矩形水晶振動素子３Ａが傾くことにより集積回路素素子２と接触することがあっても発振停止を招く危険性を低くできる。さらに、矩形水晶振動素子３Ａの他短辺３４Ａが集積回路素子２の上部稜線のうち音叉型水晶振動素子３Ｂに近接する稜線２１を超えて音叉型水晶振動素子３Ｂの方へはみ出すことがないため、矩形水晶振動素子３Ａと音叉型水晶振動素子３Ｂとがお互いに接触することなく、お互いの振動特性に悪影響を与えることもない。また、周波数調整工程に伴う調整物質（プラズマ粒子や電極屑等）の発生量が比較的少ない矩形水晶振動素子３Ａを保持台１０ｂに固定して集積回路素子２の上部に配置することで、下側に配置される音叉型水晶振動素子３Ｂに対して周波数調整工程に伴う調整物質（プラズマ粒子や電極屑等）が届くことが抑制される。以上のように、メガヘルツ帯の矩形水晶振動素子３Ａとキロヘルツ帯の音叉型水晶振動素子３Ｂとこれらと接続される集積回路素子２とを一つのベース１（パッケージ）に収納してなる表面実装型圧電デバイスについて、小型化に対応させながら、各圧電振動素子の物理的な干渉だけでなく電気的な干渉をもなくし、特性の優れたより信頼性の高い表面実装型水晶発振器を提供することができる。
【００６４】
また、周波数調整領域としての矩形水晶振動素子３Ａの他方の励振電極３２Ａと音叉型水晶振動素子３Ｂの錘電極３５Ｂとは、ベース１の短辺方向に沿ってお互いにずれた位置、つまりベースの長辺方向において矩形水晶振動素子３Ａの励振電極３２Ａと音叉型水晶振動素子３Ｂの錘電極３５Ｂとが同一直線上から外れる位置に配置されているため、お互いに独立した領域とするだけでなく離隔して配置することができる。結果として、各電極を周波数調整する際には個別に行うことができ、お互いに干渉されることがない。特に、先端に錘電極３５Ｂを有する音叉型水晶振動素子３Ｂではなく、中央に周波数調整領域でもある励振電極を有する矩形水晶振動素子３Ａを保持台１０ｂに固定して集積回路素子２の上部に配置することで、お互いの周波数調整領域を離隔させることができ、下側に配置される音叉型水晶振動素子３Ｂに対して周波数調整工程に伴う調整物質（プラズマ粒子や電極屑等）が届くことが抑制されるので、周波数調整する場合にお互いの干渉をなくすうえでより望ましい構成とすることができる。
【００６５】
なお、上記した本実施例では、圧電振動素子として水晶を材料としているが、これに限定されるものではなく、圧電セラミックスやＬｉＮｂＯ3等の圧電単結晶材料を用いてもよい。すなわち、任意の圧電振動素子が適用可能である。また、本実施例では、メガヘルツ（ＭＨz）帯で振動してなる矩形水晶振動素子と、キロヘルツ（ＫＨｚ）帯で振動してなる音叉型水晶振動素子とを搭載した例を開示しているが、周波数が異なる圧電振動素子であれば、同形状あるいは同じ振動モードのものを組み合わせてもよい。
【００６６】
また、本実施例では、金属ろう材による封止を例にしたが、これに限定されるものではなく、シーム封止、ビーム封止（例えば、レーザビーム、電子ビーム）やガラス封止等でも適用することができる。
【００６７】
本発明は、その思想または主要な特徴から逸脱することなく、他のいろいろな形で実施することができる。そのため、上述の実施例はあらゆる点で単なる例示にすぎず、限定的に解釈してはならない。本発明の範囲は特許請求の範囲によって示すものであって、明細書本文には、なんら拘束されない。さらに、特許請求の範囲の均等範囲に属する変形や変更は、全て本発明の範囲内のものである。
【産業上の利用可能性】
【００６８】
本発明は、表面実装型圧電振動発振器に適用できる。
【符号の説明】
【００６９】
１  ベース
２  集積回路素子
３Ａ  矩形水晶振動素子
３Ｂ  音叉型水晶振動素子
４  蓋
５  封止材
６  表面実装型水晶発振器
７  表面実装型水晶発振器
Ｓ  導電樹脂接着剤（導電性接合材）
Ｃ  金属バンプ
Ｖ  導電ビア
【図１】
2016025437.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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