(57)【要約】【課題】半導体ウエハ配線面に接着フィルムを供給した後、ダイシングにより接着フィルム付き半導体チップを得る場合に、ダイシング時に半導体チップ端部で生じる接着フィルムの剥離を抑制することができ、クラックが入りにくく、半導体装置の高信頼性を実現することのできる半導体ウエハ用接着フィルムを提供する。【解決手段】半導体ウエハ配線面に接着フィルムを供給した後、ダイシングにより接着フィルム付き半導体チップを得るために用いられる半導体ウエハ用接着フィルムであって、硬化前のガラス転移温度（Ｔｇ）が−５〜３０℃であり、且つ破断伸度が１５０％以下である半導体ウエハ用接着フィルム。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウエハ配線面に接着フィルムを供給した後、ダイシングにより接着フィルム付き半導体チップを得るために用いられる半導体ウエハ用接着フィルムであって、硬化前のガラス転移温度（Ｔｇ）が−５〜３０℃であり、且つ破断伸度が１５０％以下であることを特徴とする半導体ウエハ用接着フィルム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエハ配線面に接着フィルムを供給した後、ダイシングにより接着フィルム付き半導体チップを得る場合に、ダイシング時に半導体チップ端部で生じる接着フィルムの剥離を抑制することができ、クラックが入りにくく、半導体装置の高信頼性を実現することのできる半導体ウエハ用接着フィルムに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ますます進展する半導体装置の小型化、高集積化に対応するために、ハンダ等からなる接続端子（バンプ）を有する半導体チップを用いたフリップチップ実装が多用されている。
フリップチップ実装においては、一般的に、基板上に半導体チップを接合した後、封止樹脂を注入する方法が用いられている。特許文献１には、粘度が５０Ｐａ・ｓｅｃ未満（２５℃）、注入時の粘度が２Ｐａ・ｓｅｃ未満の封止樹脂が記載されている。
【０００３】
また、近年、半導体チップの小型化が進行するとともにバンプ間のピッチもますます狭くなっており、また、これらに伴って半導体チップ同士又は半導体チップと基板との間のギャップが狭くなっていることから、接合後に封止樹脂を注入するのではなく、基板上に予め塗布した液状接着剤（先塗布型液状接着剤）を介して半導体チップを接合する方法が行われている。特許文献２には、硬化前におけるチキソトロピー指数が１．１〜４．０である、形状を維持したまま塗布できる液状エポキシ樹脂組成物が記載されている。
【０００４】
しかし、上述の先塗布型液状接着剤を用いた場合、未充填部の発生や、塗布量管理による高コストという課題があるために、基板又は半導体チップに予め貼り付けた接着フィルム（ＮＣＦ）を介して半導体チップを接合する方法が注目されている。なかでも、基板に接着フィルム（ＮＣＦ）を貼る工程では、半導体チップ単位に接着フィルム（ＮＣＦ）を加工する工程が必要となるため、予め半導体ウエハ配線面（配線、バンプ等が形成された面）に接着フィルム（ＮＣＦ）を貼り付け、接着フィルム（ＮＣＦ）側からのダイシングにより、簡便に接着フィルム付き半導体チップを得る工程がより注目されている。
【０００５】
また、近年、フリップチップ実装のなかでも、複数の半導体チップを積層してデバイスを飛躍的に高性能化、小型化したＴＳＶ（Ｓｉ貫通ビヤ／Ｔｈｒｏｕｇｈ  Ｓｉｌｉｃｏｎ  ｖｉａ）を使った３次元積層技術が注目されている。
ＴＳＶ積層技術においては、同サイズの半導体チップの積層が行われるため、半導体チップと略同サイズの接着剤が半導体チップに供給されることが求められる。このため、予め半導体ウエハ配線面に接着フィルム（ＮＣＦ）を貼り付け、接着フィルム（ＮＣＦ）側からのダイシングにより半導体チップと略同サイズの接着フィルム付き半導体チップを得ることが求められている。
【０００６】
ＴＳＶを含めたフリップチップ実装において、半導体ウエハ配線面に予め接着フィルムを供給した後、ダイシングにより接着フィルム付き半導体チップを得る場合、例えば、特許文献３に記載のような半導体ウエハ裏面に供給される従来のダイアタッチフィルムを、半導体ウエハ配線面に供給することが考えられる。
しかしながら、従来のダイアタッチフィルムは、ダイアタッチフィルム側ではなく半導体ウエハ側からダイシングを行うことを想定して設計されている。つまり、ダイシング時にダイアタッチフィルム表面に直接切削水が掛からない、且つ半導体ウエハという剛体がダイアタッチフィルムの更に加工側の表面にある状態に対して、切削水が直接掛かることになる。このため、従来のダイアタッチフィルムを半導体ウエハ配線面に供給し、ダイシングを行った場合、ダイアタッチフィルムが加工側の最表面に備えられ、ダイアタッチフィルム側からダイシングが行われるため、ダイアタッチフィルムが半導体チップ端部又は半導体チップ全面から剥離してしまい、その後フリップチップ実装を行うと未充填部が発生してしまうという課題があった。
【０００７】
一方、特許文献４には半導体ウエハ配線面に接着フィルムを供給した後、半導体ウエハ配線面を、反転させた状態で、従来のダイアタッチフィルムを用いた場合と同様に半導体ウエハ側からダイシングを行う工法も提案されているが、この工法では赤外線カメラが必要になるうえに、ダイシングストリートのアライメントが困難という課題があった。
従って、半導体ウエハ配線面に予め接着フィルムを供給した後、接着フィルム側からダイシングを行っても、半導体チップ全面はもちろんのこと半導体チップ端部からも剥離しない半導体ウエハ用接着フィルムが求められている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】国際公開第０８／０１８５５７号パンフレット
【特許文献２】特開２００７−５１１８４号公報
【特許文献３】特開２００８−２１１２２４号公報
【特許文献４】特開２００９−２６０２１１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、半導体ウエハ配線面に接着フィルムを供給した後、ダイシングにより接着フィルム付き半導体チップを得る場合に、ダイシング時に半導体チップ端部で生じる接着フィルムの剥離を抑制することができ、クラックが入りにくく、半導体装置の高信頼性を実現することのできる半導体ウエハ用接着フィルムを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、半導体ウエハ配線面に接着フィルムを供給した後、ダイシングにより接着フィルム付き半導体チップを得るために用いられる半導体ウエハ用接着フィルムであって、硬化前のガラス転移温度（Ｔｇ）が−５〜３０℃であり、且つ破断伸度が１５０％以下であることを特徴とする半導体ウエハ用接着フィルムである。
以下、本発明を詳述する。
【００１１】
本発明者らは、半導体ウエハ配線面に接着フィルムを供給した後、ダイシングにより接着フィルム付き半導体チップを得るために用いられる半導体ウエハ用接着フィルムにおいて、硬化前のＴｇが−５〜３０℃、且つ破断伸度が１５０％以下と特定の狭い範囲に調整することにより、半導体ウエハ配線面に接着フィルムを供給した後、接着フィルム側からダイシングを行っても半導体チップ端部で生じる接着フィルムの剥離を抑制できることを見出した。更に、本発明者らは、このような半導体ウエハ用接着フィルムにはクラックが入りにくいことを見出し、本発明を完成させるに至った。
【００１２】
本発明の半導体ウエハ用接着フィルムは半導体ウエハ配線面に接着フィルムを供給した後、ダイシングにより接着フィルム付き半導体チップを得るために用いられる。
本発明の半導体ウエハ用接着フィルムは硬化前の破断伸度が１５０％以下である。このような狭い範囲の硬化前の破断伸度を有することにより、本発明の半導体ウエハ用接着フィルムは、ダイシングブレードによる加工性を良好にできる。また、本発明の半導体ウエハ用接着フィルムは更に硬化前のＴｇが−５〜３０℃である。このような狭い範囲の硬化前のＴｇを有することにより、ダイシングブレードにより加工された本発明の半導体ウエハ用接着フィルムがダイシングブレードへ再付着することによりダイシングブレード又は半導体チップを汚染することなく、ダイシングブレードの加工性を低下させずに、長距離の加工を可能とするため、加工性を良好に保つことができる。
【００１３】
上記硬化前の破断伸度が１５０％を超えると、ダイシングブレードにより半導体ウエハ用接着フィルムが引きずられ、半導体チップ端部から半導体ウエハ用接着フィルムが剥離する。上記硬化前の破断伸度の好ましい上限は１３０％未満、より好ましい上限は１２０％未満である。上記硬化前の破断伸度の下限は、ハンドリングにより半導体ウエハ用接着フィルムにクラックが入らなければ特に限定されないが、破断伸度が１％以下になるとハンドリングにより半導体ウエハ用接着フィルムにクラックが入ることがある。
なお、硬化前の破断伸度はオリエンテック社製引張試験機（テンシロンＲＴＣ−１３１０）等を用いて、２５℃において引っ張り試験を行い半導体ウエハ用接着フィルムが破断した際の伸度により求めることができる。
【００１４】
上記硬化前のＴｇが−５℃未満であると、ダイシングブレードにより加工された半導体ウエハ用接着フィルムが、ダイシングブレードへ再付着することによりダイシングブレード又は半導体チップを汚染し、ダイシングブレードの加工性を低下させるために、半導体チップ端部から半導体ウエハ用接着フィルムが剥離する。上記硬化前のＴｇが３０℃よりも高い範囲にあると半導体ウエハ配線面に半導体ウエハ用接着フィルムを供給する場合に追従性が低下する。上記硬化前のＴｇの好ましい上限は２８℃、好ましい下限は−３℃、より好ましい上限は２５℃、より好ましい下限は０℃である。
なお、硬化前のＴｇは日立ハイテクノロジー社製示差走査熱量計（ＤＳＣ６２２０）等を用いて、−６０℃から８０℃の範囲で半導体ウエハ用接着フィルムの測定を行い、得られた吸熱カーブから算出することで求めることができる。
【００１５】
上記硬化前のＴｇと破断伸度とを上記範囲に調整する方法としては、例えば、好ましくは熱硬化性樹脂及び熱硬化剤を含有する本発明の半導体ウエハ用接着フィルムに対して、更に、固形熱硬化樹脂（例えば、後述する常温で結晶性固体のエポキシ樹脂）及び液状熱硬化樹脂（例えば、後述する常温で液体のエポキシ樹脂）の配合比率を調整する、又は無機フィラーを配合する方法が挙げられる。
【００１６】
本発明の半導体ウエハ用接着フィルムは、熱硬化性樹脂及び熱硬化剤を含有することが好ましい。
上記熱硬化性樹脂は特に限定されず、例えば、付加重合、重縮合、重付加、付加縮合、開環重合等の反応により硬化する化合物が挙げられる。上記熱硬化性樹脂として、具体的には例えば、ユリア樹脂、メラミン樹脂、フェノール樹脂、レゾルシノール樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、ポリベンズイミダゾール樹脂、ジアリルフタレート樹脂、キシレン樹脂、アルキル−ベンゼン樹脂、エポキシアクリレート樹脂、珪素樹脂、ウレタン樹脂等が挙げられる。
【００１７】
上記エポキシ樹脂は特に限定されず、例えば、軟化点が１５０℃以下のエポキシ樹脂、常温で液体又は結晶性固体のエポキシ樹脂等が挙げられる。これらのエポキシ樹脂は、単独で用いられてもよく、二種以上が併用されてもよい。
【００１８】
上記エポキシ樹脂を含有する場合、本発明の半導体ウエハ用接着フィルムは、更に、エポキシ基又はエポキシ樹脂と反応可能な官能基を有する高分子化合物（単に、高分子化合物ともいう）を含有してもよい。上記高分子化合物は、造膜成分としての役割を果たす。また、上記高分子化合物を含有することで、半導体ウエハ用接着フィルムの硬化物は靭性をもち、優れた接合信頼性を発現することができる。
【００１９】
上記高分子化合物は、エポキシ基又はエポキシ樹脂と反応可能な官能基を有していれば特に限定されないが、エポキシ基を有する高分子化合物が好ましい。
上記エポキシ基を有する高分子化合物は、末端及び／又は側鎖（ペンダント位）にエポキシ基を有する高分子化合物であれば特に限定されず、例えば、エポキシ基含有アクリルゴム、エポキシ基含有ブタジエンゴム、ビスフェノール型高分子量エポキシ樹脂、エポキシ基含有フェノキシ樹脂、エポキシ基含有アクリル樹脂、エポキシ基含有ウレタン樹脂、エポキシ基含有ポリエステル樹脂等が挙げられる。
【００２０】
上記熱硬化剤は特に限定されず、例えば、フェノール系硬化剤、チオール系硬化剤、アミン系硬化剤、酸無水物系硬化剤等が挙げられる。なかでも、酸無水物系硬化剤が好ましい。酸無水物系硬化剤を用いることにより、半導体ウエハ用接着フィルムの硬化後のＴｇを上げることで、α１領域を拡大し、線膨張率を低下させることができる。
【００２１】
上記熱硬化剤の含有量は特に限定されないが、上記熱硬化性樹脂と上記高分子化合物との合計１００重量部に対する好ましい下限が５重量部、好ましい上限が１５０重量部である。上記熱硬化剤の含有量が５重量部未満であると、硬化物が固く脆くなり接合信頼性が低下することがある。上記熱硬化剤の含有量が１５０重量部を超えることでも、半導体ウエハ用接着フィルムの接合信頼性が低下することがある。上記熱硬化剤の含有量のより好ましい下限は１０重量部、より好ましい上限は１４０重量部である。
【００２２】
本発明の半導体ウエハ用接着フィルムは、更に、硬化促進剤を含有してもよい。
上記硬化促進剤は特に限定されないが、イミダゾール化合物が好ましい。上記イミダゾール化合物は上記エポキシ樹脂との反応性が高いことから、上記エポキシ樹脂と上記イミダゾール化合物とを含有することで、半導体ウエハ用接着フィルムの速硬化性が向上する。
【００２３】
本発明の半導体ウエハ用接着フィルムは、更に、無機フィラーを含有することが好ましい。上記無機フィラーを用いることにより、半導体ウエハ用接着フィルムの硬化後の全温度領域での線膨張率を低下させることができる。
【００２４】
上記無機フィラー全体の含有量は、前述の熱硬化性樹脂と熱硬化剤と高分子化合物との合計１００重量部に対する好ましい下限は４０重量部、好ましい上限は４００重量部である。上記無機フィラー全体の含有量が４０重量部未満であると、上記無機フィラーを添加する効果をほとんど得ることができないことがある。上記無機フィラー全体の含有量が４００重量部を超えると、半導体ウエハ用接着フィルムの硬化後の線膨張率は低下するものの、バンプ接続性が低下することがある。上記無機フィラー全体の含有量のより好ましい下限は５０重量部、より好ましい上限は３５０重量部、更に好ましい下限は６０重量部、更に好ましい上限は３００重量部である。
【００２５】
本発明の半導体ウエハ用接着フィルムは、本発明の効果を阻害しない範囲内で希釈剤を含有してもよい。上記希釈剤は特に限定されないが、半導体ウエハ用接着フィルムの硬化系に取り込まれる反応性希釈剤が好ましい。なかでも、半導体ウエハ用接着フィルムの接合信頼性を悪化させないために、１分子中に２以上の官能基を有する反応性希釈剤がより好ましい。
【００２６】
上記希釈剤の含有量は特に限定されないが、上記熱硬化性樹脂と上記高分子化合物との合計１００重量部に対する好ましい下限は１重量部、好ましい上限は１００重量部である。上記希釈剤の含有量が１重量部未満であると、上記希釈剤を添加する効果をほとんど得ることができないことがある。上記希釈剤の含有量が１００重量部を超えると、半導体ウエハ用接着フィルムの硬化物が硬く脆くなるため、接合信頼性が劣ることがある。上記希釈剤の含有量のより好ましい下限は５重量部、より好ましい上限は７０重量部である。
【００２７】
本発明の半導体ウエハ用接着フィルムは、必要に応じて、無機イオン交換体を含有してもよい。上記無機イオン交換体の含有量は特に限定されないが、本発明の半導体ウエハ用接着フィルム中の好ましい下限が１重量％、好ましい上限が１０重量％である。
本発明の半導体ウエハ用接着フィルムは、その他必要に応じて、ブリード防止剤、シランカップリング剤、フラックス剤や増粘剤等の添加剤を含有してもよい。
【００２８】
本発明の半導体ウエハ用接着フィルムを製造する方法は特に限定されず、例えば、必要に応じて熱硬化性樹脂、熱硬化剤、硬化促進剤、高分子化合物、無機フィラー、溶剤、その他の添加剤等を所定量配合して混合し、得られた樹脂組成物を離型フィルム上に塗工し、乾燥させる方法等が挙げられる。上記混合の方法は特に限定されず、例えば、ホモディスパー、万能ミキサー、バンバリーミキサー、ニーダー等を使用する方法が挙げられる。
【００２９】
本発明の半導体ウエハ用接着フィルムは、半導体ウエハ配線面に供給され、半導体ウエハ裏面をダイシングテープで仮接着した状態、つまり半導体ウエハ配線面上で本発明の半導体ウエハ用接着フィルムが露出した状態でダイシングすることで、接着フィルム付き半導体チップを得るために用いられることが好ましい。
つまり、本発明の半導体ウエハ用接着フィルムを用いて接着フィルム付き半導体チップを得る方法としては、半導体ウエハ配線面に本発明の半導体ウエハ用接着フィルムを供給し、且つ半導体ウエハ裏面にダイシングテープを仮接着する工程（１）と、本発明の半導体ウエハ用接着フィルム側からダイシングを行う工程（２）とを有する方法が好ましい。
【００３０】
上記工程（１）において半導体ウエハ配線面に本発明の半導体ウエハ用接着フィルムを供給し、且つ半導体ウエハ裏面にダイシングテープを仮接着するための方法は特に限定されず、半導体ウエハ配線面に本発明の半導体ウエハ用接着フィルムを供給した後、半導体ウエハ裏面にダイシングテープを仮接着する方法や、予め半導体ウエハ裏面にダイシングテープが仮接着されたものに対して半導体ウエハ配線面に本発明の半導体ウエハ用接着フィルムを供給する方法が挙げられる。
【００３１】
上記工程（１）において半導体ウエハ配線面に本発明の半導体ウエハ用接着フィルムを供給する方法は、特に限定されないが、真空ラミネーターを用いることが好ましい。真空ラミネーターを用いることによって半導体ウエハ配線面に形成されている配線による凹凸やバンプを本発明の半導体ウエハ用接着フィルムで気泡無く埋め込むことができる。また真空ラミネーターは特に限定されず、ロール式、バルーン式等が挙げられるが、ロール式を用いることが好ましい。ロール式真空ラミネーターを用いることにより、高荷重で半導体ウエハ配線面に本発明の半導体ウエハ用接着フィルムを供給することができるため、配線による凹凸やバンプの埋め込み性が向上する。
【００３２】
上記工程（１）において半導体ウエハ裏面にダイシングテープを仮接着する方法は特に限定されず、通常のマウンター又は真空ラミネーターを用いることができる。
【００３３】
上記工程（１）におけるダイシングテープは、特に限定されないが、半導体ウエハ裏面にバンプが形成されているＴＳＶウエハを用いる場合には、ダイシングテープの糊厚が半導体ウエハ裏面のバンプ高さよりも厚いことが好ましい。ＴＳＶウエハを用いる場合にダイシングテープの糊厚をバンプ高さよりも高くすることで、バンプの埋め込み性が向上する。
【００３４】
上記工程（２）において本発明の半導体ウエハ用接着フィルム側からダイシングを行う方法は、半導体ウエハ配線面に本発明の半導体ウエハ用接着フィルムが供給され、本発明の半導体ウエハ用接着フィルムが露出した状態でダイシングブレードによりダイシングする方法であれば、特に限定されず、上記工程（１）の前に予め半導体ウエハのダイシングストリート内部を改質した後、上記工程（１）において半導体ウエハ配線面に本発明の半導体ウエハ用接着フィルムを供給し、上記工程（２）においてダイシングブレードによりダイシングを行う方法、上記工程（１）において半導体ウエハ配線面に本発明の半導体ウエハ用接着フィルムを供給した後、上記工程（２）において本発明の半導体ウエハ用接着フィルムが露出した状態で半導体ウエハをダイシングブレードによりハーフカットし、その後、バックグラインドにより接着フィルム付き半導体チップを得る方法等が挙げられる。
【００３５】
上記工程（２）における、ダイシング条件は特に限定されないが、半導体ウエハのチッピングが少ない条件が好ましい。
【００３６】
上記工程（１）及び（２）を行うことで本発明の半導体ウエハ用接着フィルムを用いて接着フィルム付き半導体チップを得ることができる。
【発明の効果】
【００３７】
本発明によれば、半導体ウエハ配線面に接着フィルムを供給した後、ダイシングにより接着フィルム付き半導体チップを得る場合に、ダイシング時に半導体チップ端部で生じる接着フィルムの剥離を抑制することができ、クラックが入りにくい半導体ウエハ用接着フィルムを提供することができる。
【発明を実施するための形態】
【００３８】
以下に実施例を掲げて本発明の態様を更に詳しく説明するが、本発明はこれら実施例のみに限定されない。
【００３９】
（実施例１〜５及び比較例１〜３）
（１）接着フィルムの製造
表１に記載の組成に従って、下記に示す材料を溶剤に添加して攪拌混合し、樹脂組成物を調製した。得られた樹脂組成物を離型ＰＥＴフィルム上に塗工し、乾燥させて、厚み５０μｍの接着フィルムを得た。
１．エポキシ樹脂
ナフタレン型エポキシ樹脂（ＨＰ−４７１０、ＤＩＣ社製、常温で固体）
ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂（ＥＰ−４０８８Ｌ、ＡＤＥＫＡ社製、常温で液体）
２．高分子化合物
アクリル樹脂（Ｇ−２０５０Ｍ、日油社製、常温で固体）
３．熱硬化剤及び硬化促進剤
酸無水物（ＹＨ−３０６、三菱化学社製、常温で結晶性固体）
イミダゾール（２ＭＡＯＫ−ＰＷ、四国化成工業社製、常温で結晶性固体）
４．添加剤
シランカップリング剤（ＫＢＭ−５７３、信越化学工業社製、常温で液体）
５．無機フィラー
球状シリカ（ＹＡ０５０Ｃ−ＳＰ５、アドマテックス社製、平均粒子径０．０５μｍ、常温で固体）
【００４０】
（２）硬化前ガラス転移温度（Ｔｇ）の測定
上記（１）で得られた接着フィルムについて、示差走査熱量計ＤＳＣ６２２０（日立ハイテクノロジー社製）を用いて昇温速度５℃／ｍｉｎの条件で−６０℃から８０℃まで測定を行い、その吸熱カーブからＴｇを測定した。
【００４１】
（３）硬化前破断伸度の測定
上記（１）で得られた接着フィルムを１００μｍに積層した後、縦５０ｍｍ×横１０ｍｍの試験片を作製し、引張試験器テンシロンＲＴＣ−１３１０（オリエンテック社製）を用いて、２５℃、標線間２５ｍｍ及び引張速度３００ｍｍ／ｍｉｎの条件で、得られた試験片の破断伸度を測定した。
【００４２】
＜評価＞
実施例及び比較例で得られた接着フィルムについて、下記の評価を行った。結果を表１に示した。
【００４３】
（１）接着フィルム付き半導体ウエハの製造、及び、貼り付け（ラミネート）時の接着フィルム追従性不足評価
予め３００μｍ厚にバックグラインドした８インチ径のＷａｌｔｓ−ＴＥＧ  ＭＢ５０−０１０１ＪＹ（Ｗａｌｔｓ社製）ウエハの裏面（バックグラインド面）側にダイシングテープＵＨＰ０８１０−ＦＸ７（電気化学社製）を仮接着した後、接着フィルムを真空ラミネーターＡＴＭ−８１２Ｍ（タカトリ社製）を用いて、ステージ温度８０℃、真空度１００Ｐａ・ｓ、貼りつけ圧０．２ＭＰａの条件下、上記ウエハの配線面に供給した。接着フィルムから離型ＰＥＴフィルムを剥離し、接着フィルム付き半導体ウエハを得た。光学顕微鏡（２００倍）にて半導体ウエハの配線面に対する接着フィルムの追従性不足の有無を観察した。
【００４４】
（２）ダイシング評価
上記（１）にて得られた接着フィルム付き半導体ウエハを、ダイサー  ＤＦＤ−６３６１（ＤＩＳＣＯ社製）を用いて、下記に示す条件にてダイシングを行った。
１．ダイシングブレード  ＺＨ０５−ＳＤ４０００−Ｎ１−７０
２．ブレード回転数  ４００００ｒｐｍ
３．切削水量  １．０Ｌ
４．テープ切り込み量  １５μｍ
ダイシングを行った後、マイクロスコープ（３００倍）でダイシングストリート交点の観察を行い、接着フィルムの剥離に関しては半導体チップ端部から１００μｍを超える剥離が観察されたものを×、１００〜３０μｍの剥離が観察されたものを△、剥離が観察されなかったものを○とした。異物付着に関しては、各チップ上で６個以上の切削屑が付着していたものを×、１〜５個の切削屑が付着していたものを△、切削屑の付着していなかったものを○とした。
【００４５】
（３）クラック評価
上記（１）及び（２）の評価を通して、接着フィルムにクラックが生じたものを×、クラックが生じなかったものを○とした。
【００４６】
【表１】
2016092188.tif 000002
【産業上の利用可能性】
【００４７】
本発明によれば、半導体ウエハ配線面に接着フィルムを供給した後、ダイシングにより接着フィルム付き半導体チップを得る場合に、ダイシング時に半導体チップ端部で生じる接着フィルムの剥離を抑制することができ、クラックが入りにくい半導体ウエハ用接着フィルムを提供することができる。