(57)【要約】【課題】電子部品の温度を設定温度に保つ制御において、電子部品の温度が設定温度よりも高い場合に、電子部品の温度を迅速に低下させることができる電子部品搬送装置および電子部品検査装置を提供すること。【解決手段】電子部品搬送装置は、電子部品を把持する把持部と、加熱部と、放熱部と、前記放熱部に流体を噴射する流体噴射部と、前記流体噴射部から噴射する流体の流量を調整する流量調整部と、を備え、前記流量調整部は、前記流体噴射部から噴射する流体の平均流量を、第１の平均流量と、前記第１の平均流量より大きい第２の平均流量とに調整可能であり、前記電子部品を検査する前は、前記平均流量を前記第１の平均流量とし、前記電子部品を検査している間の前記平均流量には前記第２の平均流量が含まれる。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品を把持する把持部と、
加熱部と、
放熱部と、
前記放熱部に流体を噴射する流体噴射部と、
前記流体噴射部から噴射する流体の流量を調整する流量調整部と、を備え、
前記流量調整部は、前記流体噴射部から噴射する流体の平均流量を、第１の平均流量と、前記第１の平均流量より大きい第２の平均流量とに調整可能であり、
前記電子部品を検査する前は、前記平均流量を前記第１の平均流量とし、
前記電子部品を検査している間の前記平均流量には前記第２の平均流量が含まれることを特徴とする電子部品搬送装置。
【請求項２】
前記加熱部は、前記放熱部と前記把持部の間に配置される請求項１に記載の電子部品搬送装置。
【請求項３】
前記電子部品の温度を検出する温度センサーを有する請求項１または２に記載の電子部品搬送装置。
【請求項４】
前記流量調整部は、前記電子部品を検査している間は、前記温度センサーにより検出された温度が閾値よりも高い場合に、前記平均流量を前記第２の平均流量とする請求項３に記載の電子部品搬送装置。
【請求項５】
前記流体噴射部に前記流体を供給する流体供給部を有する請求項１ないし４のいずれか１項に記載の電子部品搬送装置。
【請求項６】
前記流量調整部は、流量調整可能な流量調整バルブである請求項１ないし５のいずれか１項に記載の電子部品搬送装置。
【請求項７】
前記流量調整バルブは、開度と開閉期間との少なくとも一方が調整可能である請求項６に記載の電子部品搬送装置。
【請求項８】
前記流量調整部は、前記流体が流れる第１の流路と、
前記第１の流路を開閉するバルブと、
前記流体が流れ、前記バルブを迂回する第２の流路と、を有する請求項１ないし５のいずれか１項に記載の電子部品搬送装置。
【請求項９】
前記第２の流路の一方の端部は、前記第１の流路の前記バルブよりも上流側の部位に連通し、前記第２の流路の他方の端部は、前記第１の流路の前記バルブよりも下流側の部位に連通している請求項８に記載の電子部品搬送装置。
【請求項１０】
前記第１の流路の中心軸に直交する方向での断面積は、前記第２の流路の中心軸に直交する方向での断面積よりも大きい請求項８または９に記載の電子部品搬送装置。
【請求項１１】
前記第２の流路を流れる前記流体の流量を調整する第２流路用流量調整部を有する請求項８ないし１０のいずれか１項に記載の電子部品搬送装置。
【請求項１２】
前記電子部品の検査終了後は、前記平均流量を前記第１の平均流量とする請求項１ないし１１のいずれか１項に記載の電子部品搬送装置。
【請求項１３】
前記電子部品の検査終了後の期間は、前記平均流量を前記第１の平均流量より小さい流量とする期間または前記放熱部に前記流体を噴射しない期間を含む請求項１ないし１１のいずれか１項に記載の電子部品搬送装置。
【請求項１４】
電子部品を把持する把持部と、
加熱部と、
放熱部と、
前記放熱部に流体を噴射する流体噴射部と、
前記流体噴射部から噴射する流体の流量を調整する流量調整部と、
前記電子部品を検査する検査部と、を備え、
前記流量調整部は、前記流体噴射部から噴射する流体の平均流量を、第１の平均流量と、前記第１の平均流量より大きい第２の平均流量とに調整可能であり、
前記電子部品を検査する前は、前記平均流量を前記第１の平均流量とし、
前記電子部品を検査している間の前記平均流量には前記第２の平均流量が含まれることを特徴とする電子部品検査装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品搬送装置および電子部品検査装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、例えばＩＣデバイス等の電子部品の電気的特性を検査する電子部品検査装置が知られており、この電子部品検査装置には、検査部の保持部までＩＣデバイスを搬送するための電子部品搬送装置が組み込まれている。ＩＣデバイスの検査の際は、ＩＣデバイスが保持部に配置され、保持部に設けられた複数のプローブピンとＩＣデバイスの各端子とを接触させる。このようなＩＣデバイスの検査は、ＩＣデバイスを所定温度に加熱または冷却して行う場合があり、この場合は、電子部品の温度を設定温度（目標温度）に保つ制御を行う。
【０００３】
特許文献１には、電子部品の検査時の温度を調整する方法として、電子部品に断熱材を接触させて断熱しつつ、電子部品の自己発熱を利用して、電子部品の温度を上昇させる方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−３１５９０６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１に記載の方法では、電子部品の検査の際、電子部品の温度が設定温度よりも高くなった場合に、その温度を低下させることができないという問題がある。電子部品の検査では、電子部品の温度が許容温度を超えてしまうと、電子部品を破損させ、不良品にしてしまう虞があり、また、電子部品の温度が設定温度よりも高くなると、大きな電流が流れ、本来は良品であるものを不良品と判断してしまう虞があり、正しく検査することが困難である。
【０００６】
本発明の目的は、電子部品の温度を設定温度に保つ制御において、電子部品の温度が設定温度よりも高い場合に、電子部品の温度を迅速に低下させることができる電子部品搬送装置および電子部品検査装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【０００８】
［適用例１］
本発明の電子部品搬送装置は、電子部品を把持する把持部と、
加熱部と、
放熱部と、
前記放熱部に流体を噴射する流体噴射部と、
前記流体噴射部から噴射する流体の流量を調整する流量調整部と、を備え、
前記流量調整部は、前記流体噴射部から噴射する流体の平均流量を、第１の平均流量と、前記第１の平均流量より大きい第２の平均流量とに調整可能であり、
前記電子部品を検査する前は、前記平均流量を前記第１の平均流量とし、
前記電子部品を検査している間の前記平均流量には前記第２の平均流量が含まれることを特徴とする。
【０００９】
これにより、電子部品を冷却する場合、冷却の応答性（冷却応答性）を向上させることができ、電子部品の温度を設定温度（目標温度）に保つ制御において、電子部品の温度が設定温度よりも高い場合に、電子部品の温度を迅速に低下させることができる。
【００１０】
具体的には、例えば、電子部品の検査前は、電子部品を加熱しつつ、放熱部に向けて流体を噴射して電子部品を冷却し、これらのバランスをとり、電子部品の温度を設定温度に調整する。この場合の前記流体の平均流量は第１の平均流量である。
【００１１】
そして、電子部品の検査中は、電子部品の温度が設定温度よりも高い場合は、放熱部に向けて噴射している流体の平均流量を第２の平均流量に変更する。これにより、電子部品の温度が低下する。また、電子部品の温度が設定温度よりも高くなる前から放熱部に向けて流体を噴射しているので、冷却応答性が向上し、電子部品の温度が設定温度よりも高い場合に、電子部品の温度を迅速に低下させることができる。
【００１２】
［適用例２］
本発明の電子部品搬送装置では、前記加熱部は、前記放熱部と前記把持部の間に配置されることが好ましい。
【００１３】
電子部品と接触する把持部の温度は、検査における設定温度にし、放熱部の温度は、可能な限り低い温度にしておきたい。すなわち、把持部と放熱部との間の温度勾配が大きい方が、冷却応答性が良いので、加熱部を放熱部と把持部の間に配置することにより、把持部と放熱部との間の温度勾配を大きくする。これにより、迅速に、放熱部を介して電子部品を冷却することができる。また、容易に、把持部を介して電子部品を加熱することができる。
【００１４】
［適用例３］
本発明の電子部品搬送装置では、前記電子部品の温度を検出する温度センサーを有することが好ましい。
【００１５】
これにより、温度センサーの検出結果に基づいて、電子部品の温度を調整することができる。
【００１６】
［適用例４］
本発明の電子部品搬送装置では、前記流量調整部は、前記電子部品を検査している間は、前記温度センサーにより検出された温度が閾値よりも高い場合に、前記平均流量を前記第２の平均流量とすることが好ましい。
【００１７】
これにより、電子部品の温度が設定温度よりも高い場合に、電子部品の温度を低下させることができる。
【００１８】
［適用例５］
本発明の電子部品搬送装置では、前記流体噴射部に前記流体を供給する流体供給部を有することが好ましい。
これにより、流体噴射部から放熱部に流体を噴射することができる。
【００１９】
［適用例６］
本発明の電子部品搬送装置では、前記流量調整部は、流量調整可能な流量調整バルブであることが好ましい。
【００２０】
これにより、簡易な構成で、流体噴射部から噴射する流体の流量を調整することができる。
【００２１】
［適用例７］
本発明の電子部品搬送装置では、前記流量調整バルブは、開度と開閉期間との少なくとも一方が調整可能であることが好ましい。
【００２２】
これにより、簡易な構成で、流体噴射部から噴射する流体の流量を調整することができる。
【００２３】
［適用例８］
本発明の電子部品搬送装置では、前記流量調整部は、前記流体が流れる第１の流路と、
前記第１の流路を開閉するバルブと、
前記流体が流れ、前記バルブを迂回する第２の流路と、を有することが好ましい。
【００２４】
これにより、簡易な制御で、流体噴射部から噴射する流体の流量を調整することができる。
【００２５】
［適用例９］
本発明の電子部品搬送装置では、前記第２の流路の一方の端部は、前記第１の流路の前記バルブよりも上流側の部位に連通し、前記第２の流路の他方の端部は、前記第１の流路の前記バルブよりも下流側の部位に連通していることが好ましい。
これにより、流量調整部の構成を簡素化することができる。
【００２６】
［適用例１０］
本発明の電子部品搬送装置では、前記第１の流路の中心軸に直交する方向での断面積は、前記第２の流路の中心軸に直交する方向での断面積よりも大きいことが好ましい。
【００２７】
これにより、第１の平均流量に対して第２の平均流量を十分に大きくすることができる。
【００２８】
［適用例１１］
本発明の電子部品搬送装置では、前記第２の流路を流れる前記流体の流量を調整する第２流路用流量調整部を有することが好ましい。
これにより、電子部品の温度の調整を容易に行うことができる。
【００２９】
［適用例１２］
本発明の電子部品搬送装置では、前記電子部品の検査終了後は、前記平均流量を前記第１の平均流量とすることが好ましい。
これにより、次の電子部品の検査に備えることができる。
【００３０】
［適用例１３］
本発明の電子部品搬送装置では、前記電子部品の検査終了後の期間は、前記平均流量を前記第１の平均流量より小さい流量とする期間または前記放熱部に前記流体を噴射しない期間を含むことが好ましい。
【００３１】
電子部品の検査後は、電子部品への通電を停止するので、電子部品の温度が低下するが、これにより、電子部品の検査終了後に放熱部に噴射する流体の平均流量を第１の平均流量とする場合に比べて、温度を迅速に上昇させることができ、次の電子部品の検査に迅速に備えることができる。
【００３２】
［適用例１４］
本発明の電子部品検査装置は、電子部品を把持する把持部と、
加熱部と、
放熱部と、
前記放熱部に流体を噴射する流体噴射部と、
前記流体噴射部から噴射する流体の流量を調整する流量調整部と、
前記電子部品を検査する検査部と、を備え、
前記流量調整部は、前記流体噴射部から噴射する流体の平均流量を、第１の平均流量と、前記第１の平均流量より大きい第２の平均流量とに調整可能であり、
前記電子部品を検査する前は、前記平均流量を前記第１の平均流量とし、
前記電子部品を検査している間の前記平均流量には前記第２の平均流量が含まれることを特徴とする。
【００３３】
これにより、電子部品を冷却する場合、冷却の応答性（冷却応答性）を向上させることができ、電子部品の温度を設定温度（目標温度）に保つ制御において、電子部品の温度が設定温度よりも高い場合に、電子部品の温度を迅速に低下させることができる。
【００３４】
具体的には、例えば、電子部品の検査前は、電子部品を加熱しつつ、放熱部に向けて流体を噴射して電子部品を冷却し、これらのバランスをとり、電子部品の温度を設定温度に調整する。この場合の前記流体の平均流量は第１の平均流量である。
【００３５】
そして、電子部品の検査中は、電子部品の温度が設定温度よりも高い場合は、放熱部に向けて噴射している流体の平均流量を第２の平均流量に変更する。これにより、電子部品の温度が低下する。また、電子部品の温度が設定温度よりも高くなる前から放熱部に向けて流体を噴射しているので、冷却応答性が向上し、電子部品の温度が設定温度よりも高い場合に、電子部品の温度を迅速に低下させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】本発明の電子部品検査装置の第１実施形態を示す概略図である。
【図２】図１に示す電子部品検査装置の搬送部および検査部を示す図である。
【図３】図１に示す電子部品検査装置の搬送部のハンドユニットを示す断面図である。
【図４】図１に示す電子部品検査装置の主要部を示すブロック図である。
【図５】図１に示す電子部品検査装置の制御動作を示すフローチャートである。
【図６】本発明の電子部品検査装置の第２実施形態の主要部を示すブロック図である。
【図７】本発明の電子部品検査装置の第３実施形態の主要部を示すブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【００３７】
以下、本発明の電子部品搬送装置および電子部品検査装置について添付図面に示す実施形態に基づいて詳細に説明する。
【００３８】
＜第１実施形態＞
図１は、本発明の電子部品検査装置の第１実施形態を示す概略図である。図２は、図１に示す電子部品検査装置の搬送部および検査部を示す図である。図３は、図１に示す電子部品検査装置の搬送部のハンドユニットを示す断面図である。図４は、図１に示す電子部品検査装置の主要部を示すブロック図である。図５は、図１に示す電子部品検査装置の制御動作を示すフローチャートである。
【００３９】
なお、以下では、説明の便宜上、図１に示すように、互いに直交する３軸をＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸とする。また、Ｘ軸とＹ軸を含むＸＹ平面が水平となっており、Ｚ軸が鉛直となっている。また、Ｘ軸に平行な方向を「Ｘ方向」とも言い、Ｙ軸に平行な方向を「Ｙ方向」とも言い、Ｚ軸に平行な方向を「Ｚ方向」とも言う。また、電子部品の搬送方向の上流側を単に「上流側」とも言い、下流側を単に「下流側」とも言う。また、本願明細書で言う「水平」とは、完全な水平に限定されず、電子部品の搬送が阻害されない限り、水平に対して若干（例えば５°未満程度）傾いていた状態も含む。
【００４０】
また、図３中の上側を「上」または「上方」、下側を「下」または「下方」と言い、また、図３では、搬送部の複数のハンドユニットのうちの１つが図示されている。
【００４１】
図１に示す検査装置（電子部品検査装置）１は、例えば、ＢＧＡ（Ｂａｌｌ  ｇｒｉｄ  ａｒｒａｙ）パッケージやＬＧＡ（Ｌａｎｄ  ｇｒｉｄ  ａｒｒａｙ）パッケージ等のＩＣデバイス、ＬＣＤ（Liquid Crystal Display）、ＯＬＥＤ（Organic Electroluminescence Display）、電子ペーパー等の表示デバイス、ＣＩＳ（CMOS Image Sensor）、ＣＣＤ（Charge Coupled Device）、加速度センサー、ジャイロセンサー、圧力センサー、等の各種センサー、さらには水晶振動子を含む各種振動子等、を含む電子部品の電気的特性を検査・試験（以下単に「検査」と言う）するための装置である。なお、以下では、説明の便宜上、検査を行う前記電子部品としてＩＣデバイスを用いる場合について代表して説明し、これを「ＩＣデバイス９」とする。
【００４２】
図１に示すように、検査装置１は、供給部２と、供給側配列部３と、搬送部４と、検査部５と、回収側配列部６と、回収部７と、これら各部の制御を行う制御部８と、を有している。また、検査装置１は、供給部２、供給側配列部３、搬送部４、検査部５、回収側配列部６および回収部７を配置するベース１１と、供給側配列部３、搬送部４、検査部５および回収側配列部６を収容するようにベース１１に被せられているカバー１２と、を有している。なお、ベース１１の上面であるベース面１１１は、ほぼ水平となっており、このベース面１１１に供給側配列部３、搬送部４、検査部５、回収側配列部６の構成部材が配置されている。また、検査装置１は、この他、必要に応じて、ＩＣデバイス９を加熱するためのヒーターやチャンバー等を有していてもよい。
【００４３】
このような検査装置１は、供給部２が供給側配列部３にＩＣデバイス９を供給し、供給されたＩＣデバイス９を供給側配列部３が配列し、配列したＩＣデバイス９を搬送部４が検査部５に搬送し、搬送したＩＣデバイス９を検査部５が検査し、検査を終えたＩＣデバイス９を搬送部４が回収側配列部６に搬送／配列し、回収側配列部６に配列したＩＣデバイス９を回収部７が回収するように構成されている。このような検査装置１によれば、ＩＣデバイス９の供給・検査・回収を自動的に行うことができる。なお、検査装置１では、検査部５を除く構成、すなわち、供給部２、供給側配列部３、搬送部４、回収側配列部６、回収部７および制御部８の一部等により、搬送装置（電子部品搬送装置）１０が構成されている。搬送装置１０は、ＩＣデバイス９の搬送等を行う。
【００４４】
以下、搬送部４および検査部の構成について説明する。
≪搬送部≫
搬送部４は、図２に示すように、供給側配列部３の載置ステージ３４１上に配置されているＩＣデバイス９を検査部５まで搬送し、検査部５での検査を終えたＩＣデバイス９を回収側配列部６まで搬送するユニットである。このような搬送部４は、シャトル４１と、供給ロボット４２と、検査ロボット４３と、回収ロボット４４と、を有している。
【００４５】
−シャトル−
シャトル４１は、載置ステージ３４１上のＩＣデバイス９を検査部５の近傍まで搬送するため、さらには、検査部５で検査された検査済みのＩＣデバイス９を回収側配列部６の近傍まで搬送するためのシャトルである。このようなシャトル４１には、ＩＣデバイス９を収容するための４つのポケット４１１がＸ方向に並んで形成されている。また、シャトル４１は、直動ガイドによってガイドされており、リニアモーター等の駆動源によってＸ方向に往復移動可能となっている。
【００４６】
−供給ロボット−
供給ロボット４２は、載置ステージ３４１上に配置されているＩＣデバイス９をシャトル４１に搬送するロボットである。このような供給ロボット４２は、ベース１１に支持された支持フレーム４２１と、支持フレーム４２１に支持され、支持フレーム４２１に対してＹ方向に往復移動可能な移動フレーム４２２と、移動フレーム４２２に支持された４つのハンドユニット（把持ロボット）４２３と、を有している。各ハンドユニット４２３は、昇降機構および吸着ノズルを備え、ＩＣデバイス９を吸着することで把持することができる。
【００４７】
−検査ロボット−
検査ロボット４３は、シャトル４１に収容されたＩＣデバイス９を検査部５へ搬送するとともに、検査を終えたＩＣデバイス９を検査部５からシャトル４１へ搬送するロボットである。また、検査ロボット４３は、検査の際に、ＩＣデバイス９を検査部５に押し付け、ＩＣデバイス９に所定の検査圧を印加することもできる。このような検査ロボット４３は、ベース１１に支持された支持フレーム４３１と、支持フレーム４３１に支持され、支持フレーム４３１に対してＹ方向に往復移動可能な移動フレーム４３２と、移動フレーム４３２に支持された４つのハンドユニット（把持ロボット）４３３と、を有している。各ハンドユニット４３３の配置は特に限定されず、図示の配置は、一例である。
【００４８】
各ハンドユニット４３３は、昇降機構と後述する吸引管２６０および吸着パッド２７０（図３参照）とを備え、ＩＣデバイス９を吸着することで把持（吸着把持）することができる。各ハンドユニット４３３は、同様であるので、以下では、その１つについて説明する。
【００４９】
ハンドユニット４３３は、例えば、ねじ止め等によって、着脱可能に移動フレーム４３２に固定されている。
【００５０】
図３に示すように、ハンドユニット４３３は、移動フレーム４３２に固設されたエアシリンダー２１０と、そのエアシリンダー２１０の先端部に連結されたデバイスチャック２２０とを有している。
【００５１】
エアシリンダー２１０は、移動フレーム４３２に固定されたシリンダチューブ２１１を有している。シリンダチューブ２１１は、有底筒状のチューブ本体２１２と、チューブ本体２１２の開口を塞ぐフロントプレート２１３とを有し、チューブ本体２１２とフロントプレート２１３とで形成されるシリンダ室内にピストン２１４がＺ方向に移動可能に配設されている。シリンダ室は、ピストン２１４によって、その上側に位置する第１室Ｄ１と、下側に位置する第２室Ｄ２とに区画される。
【００５２】
ピストン２１４は、後述するコイルバネ１５１によって上方に持ち上げられ、エアシリンダー２１０が作動していない状態では、ピストン２１４の第１室Ｄ１側の面がチューブ本体２１２の底面と当接する位置（以下、これを最上端位置という）に位置するようになっている。
【００５３】
また、チューブ本体２１２の第１室Ｄ１側の端部には、エアー導入口２１５が形成され、そのエアー導入口２１５には、連結ポートＰ１が取り付けられている。また、連結ポートＰ１は、図示しない電空レギュレーターに接続されており、電空レギュレーターから第１室Ｄ１に空気が供給されると、その空気の圧力によって、ピストン２１４が最上端位置からコイルバネ１５１の弾性力に抗して下方に移動するようになっている。第１室Ｄ１内の圧力を所定の圧力とすることによって、保持部５１に配置されたＩＣデバイス９を適した圧力で押圧することができる。そのため、ＩＣデバイス９と保持部５１との導通を確実に図ることができるとともに、ＩＣデバイス９の破損を抑制することができる。なお、前記電空レギュレーターの駆動は、制御部８により制御される。
【００５４】
以上のようなエアシリンダー２１０の下側に配置されたデバイスチャック２２０は、ピストン２１４の下端部に固定された連結ブロック２３０と、連結ブロック２３０の下側に配置された部材２９３およびヒートシンク（放熱部）２９１と、部材２９３およびヒートシンク２９１の下側に配置されたヒーターブロック２４０と、ヒーターブロック２４０の下側に配置されたコンタクトプッシャー２５０とを有している。また、ヒートシンク２９１に冷却用ガスとしての空気（流体）Ｇを噴射する噴射ノズル（流体噴射部）２９２が設けられている。なお、噴射ノズル２９２およびヒートシンク２９１により、ＩＣデバイス９を冷却する冷却部２９０が構成される。
【００５５】
連結ブロック２３０は、コイルバネ１５１を介して移動フレーム４３２に連結されている。すなわち、連結ブロック２３０は、移動フレーム４３２に対してコイルバネ１５１を介して弾性的に吊下されている。そして、前述したように、コイルバネ１５１は、連結ブロック２３０を介してピストン２１４を最上端位置まで押し上げている。また、連結ブロック２３０には、その下面中央部と側面とに開放する貫通孔が形成されており、この貫通孔は、真空案内路２３１として機能する。そして、真空案内路２３１の一端には連結ポートＰ２が取り付けられている。さらに、連結ポートＰ２は、空気を吸引するポンプおよび空気を噴出するポンプ（いずれも図示せず）に接続されている。なお、前記ポンプの駆動は、制御部８により制御される。
【００５６】
また、連結ブロック２３０の下面には優れた断熱性を有する複数の柱状の部材２９３の上端が連結固定され、複数の柱状の部材２９３の下端には、ヒーターブロック２４０が連結固定され、ヒーターブロック２４０の下面にはコンタクトプッシャー２５０が着脱可能に連結固定されている。コンタクトプッシャー２５０は、ＩＣデバイス９の検査の際、ハンドユニット４３３がＩＣデバイス９を押圧する場合に、ＩＣデバイス９と接触してそのＩＣデバイス９を押圧する部位である。なお、ハンドユニット４３３は、ＩＣデバイス９の検査の際、ＩＣデバイス９を把持した状態および把持しない状態のいずれにおいてもＩＣデバイス９を押圧することができ、前記ＩＣデバイス９の押圧をＩＣデバイス９を把持した状態と把持しない状態とのいずれで行うかの設定は、適宜行うことができる。
【００５７】
そして、部材２９３によって形成された空間（ヒーターブロック２４０と連結ブロック２３０との間の空間）にヒートシンク２９１が配置されている。また、ヒートシンク２９１は、例えば半田等のろう材を用いてヒーターブロック２４０に固定され、熱的に接続されている。また、ヒートシンク２９１は、連結ブロック２３０に非接触に設けられている。言い換えると、ヒートシンク２９１と連結ブロック２３０の間には隙間が形成されている。これにより、ヒートシンク２９１と連結ブロック２３０との間の熱交換が抑制され、ヒートシンク２９１の放熱効果が向上する。前記隙間の大きさは、部材２９３の高さを調節することによって、簡単に制御することができる。
【００５８】
また、噴射ノズル２９２は、ヒートシンク２９１の横に並んで設けられており、ヒートシンク２９１に向けて空気Ｇを噴射するように構成されている。すなわち、噴射ノズル２９２には、空気（圧縮空気）を噴出する後述するポンプ１３３が接続されている。ポンプ１３３の駆動は、制御部８により制御される。ヒートシンク２９１に空気Ｇを吹き付けることで、ヒーターブロック２４０およびコンタクトプッシャー２５０を介してＩＣデバイス９を冷却することができる。また、噴射ノズル２９２は、固定具を介して連結ブロック２３０に固定されているため、ヒートシンク２９１との相対的位置が一定に保たれている。そのため、ヒートシンク２９１に対して空気Ｇが安定して噴射され、ヒートシンク２９１を安定して冷却することができる。なお、噴射ノズル２９２からの空気Ｇの噴射は、制御部８によって制御されるが、その説明は後述する。
【００５９】
また、噴射ノズル２９２は、空気Ｇを拡散噴射（放射状に噴射）するように構成されているのが好ましい。これにより、噴射ノズル２９２の小型化を図りつつ、ヒートシンク２９１のより広い範囲に空気Ｇを吹き付けることができる。また、噴射ノズル２９２から噴射される空気Ｇの噴射断面形状は、Ｚ方向の広がりを、ＸＹ平面内方向の広がりよりも抑えた形状とするのが好ましい。これにより、空気Ｇを効率的にヒートシンク２９１に供給することができる。
【００６０】
また、噴射ノズル２９２から噴射する流体を空気とすることで、取扱いが簡単となるとともにコスト減を図ることができる。また、例えば、冷凍式クーラー等を使用し、冷却された空気を用いることによって、ＩＣデバイス９の冷却性能を向上させることができる。但し、噴射ノズル２９２から噴射する流体としては、空気に限定されず、例えば、窒素、アルゴン、二酸化炭素、フッ素系ガスや、これらを含む混合ガス等の各種の絶縁性ガス等の気体が適用可能である。また、噴射ノズル２９２から噴射する空気（流体）の温度を調整する温度調整部を設けてもよい。
【００６１】
ヒートシンク２９１、ヒーターブロック２４０およびコンタクトプッシャー２５０の中央部には、これらを貫き、真空案内路２３１と連通する収容孔が形成され、この収容孔には吸引管２６０が配設されている。吸引管２６０の先端部には、吸着パッド（吸着孔）２７０が連結固着されている。そして、前記ポンプを駆動して空気を吸引し、吸引管２６０内を負圧状態にすることによって、吸着パッド２７０でＩＣデバイス９を把持（吸着把持）できるようになっている。また、前記ポンプを駆動して空気を供給し、吸引管２６０内の負圧状態を解除することによって、吸着パッド２７０で把持しているＩＣデバイス９を放すことができる。吸着パッド２７０およびコンタクトプッシャー２５０により、ＩＣデバイス９を把持する把持部が構成される。なお、ヒーターブロック２４０およびヒーター２４１は、ヒートシンク２９１と前記把持部との間、すなわち、ヒートシンク２９１と吸着パッド２７０およびコンタクトプッシャー２５０との間に配置されている。
【００６２】
ヒートシンク２９１、ヒーターブロック２４０およびコンタクトプッシャー２５０は、それぞれ、硬質で高い熱伝導率を有する材料で構成されている。硬質で高い熱伝導率を有する材料としては、特に限定されないが、例えば、鉄、ニッケル、コバルト、金、白金、銀、銅、アルミニウム、マグネシウム、チタン、タングステン等の各種金属、またはこれらのうちの少なくとも１種を含む合金または金属間化合物、さらには、これらの金属の酸化物、窒化物、炭化物等が挙げられる。
【００６３】
ヒーターブロック２４０には、２本の棒状のヒーター（加熱部）２４１が埋設されている。このヒーター２４１の駆動は、制御部８によって制御される。ヒーター２４１が発熱すると、その熱がヒーターブロック２４０およびコンタクトプッシャー２５０を介してＩＣデバイス９に伝わり、ＩＣデバイス９の温度が上昇する。これにより、高温環境下でのＩＣデバイス９の電気的特性を検査することができる。
【００６４】
２つのヒーター２４１は、Ｙ方向へ延在し、ヒーターブロック２４０の中央部にある吸引管２６０を避けてＸ方向の両端部に配置されている。このようなヒーター２４１としては、ＩＣデバイス９を加熱することができれば、特に限定されず、例えば、アルミナヒーター、窒化アルミヒーター、窒化珪素ヒーター、炭化珪素ヒーター、窒化硼素ヒーター等の各種セラミックヒーター、ニクロム線等の電熱線を用いた各種カートリッジヒーター等を用いることができる。また、ヒーター２４１は、棒状のものに限定されず、例えば、面状のものを用いることもできる。なお、加熱部としては、ヒーター２４１に限定されず、この他、例えば、ペルチェ素子等が挙げられる。
【００６５】
また、ヒーターブロック２４０には、温度センサー２４３が埋設されている。温度センサー２４３は、ヒーターブロック２４０の温度を検出（検知）することで、間接的にＩＣデバイス９の温度を検出する。温度センサー２４３の検出結果、すなわち、温度センサー２４３から出力された信号は、制御部８に入力され、制御部８は、温度センサー２４３により検出された温度を把握する。なお、前述したように、ヒーターブロック２４０およびコンタクトプッシャー２５０が熱伝導率の高い材料で構成されているため、ＩＣデバイス９とヒーターブロック２４０の温度差は少なく、ヒーターブロック２４０に埋設された温度センサー２４３によってもＩＣデバイス９の温度を十分正確に検出することができる。
【００６６】
本実施形態では、温度センサー２４３の実際に温度を検出（検知）する部分である検知部がヒーターブロック２４０の中央部に位置しているため、ＩＣデバイスとの離間距離が小さくなる。そのため、ＩＣデバイス９の温度をより正確に検出することができる。また、２つのヒーター２４１を棒状とし、かつ、ヒーターブロック２４０のＸ方向両端部に配置することによって、ヒーター２４１と温度センサー２４３をなるべく遠ざけることができる。そのため、温度センサー２４３は、ヒーター２４１からの熱の影響を受け難くなる。
【００６７】
温度センサー２４３としては、ＩＣデバイス９の温度を検出することができれば、特に限定されず、例えば、白金センサー等のＰｔセンサー、熱電対、サーミスター等を用いることができる。なお、ＩＣデバイス９がサーマルダイオード等を内蔵している場合には、温度センサー２４３を省略し、サーマルダイオードによってＩＣデバイス９の温度を検出してもよい。
【００６８】
なお、本実施形態の温度センサー２４３は、ＩＣデバイス９の温度を間接的に検出するように配置されているが、その配置は、ＩＣデバイス９の温度を検出することができれば特に限定されず、例えば、直接、ＩＣデバイス９の温度を検出するよう構成されていてもよい。具体的には、温度センサー２４３が、デバイスチャック２２０の下面に露出するように配置され、押圧時にＩＣデバイス９と接触するようになっていてもよい。また、検査装置１では、ヒーターブロック２４０およびコンタクトプッシャー２５０の熱抵抗を考慮して、温度センサー２４３で検出された温度に所定の補正を加えた温度をＩＣデバイス９の温度としてもよい。
【００６９】
本実施形態では、温度センサー２４３をヒーターブロック２４０に埋設しているが、温度センサー２４３をコンタクトプッシャー２５０に埋設してもよく、その方がＩＣデバイス９との距離も近くなり、温度検出精度が向上すると考えられる。しかしながら、コンタクトプッシャー２５０は、ＩＣデバイス９の種類や大きさによって適宜選択される部材であるため、仮に、コンタクトプッシャー２５０に温度センサー２４３を配置するとしたら、替えのコンタクトプッシャー２５０全てに温度センサー２４３を配置しなければならずコスト増を招く。したがって、コスト減を目的とするならば、本実施形態のように、温度センサー２４３をヒーターブロック２４０に配置するのがよい。
【００７０】
このようなハンドユニット４３３によれば、ＩＣデバイス９のヒーター２４１による加熱と、空気Ｇによる冷却とによって、ＩＣデバイス９の温度を所定温度範囲内（例えば、設定温度±２℃程度）に維持することができる。特に、空気Ｇによって、ＩＣデバイス９の自己発熱による昇温を迅速にキャンセルすることができ、検査中のＩＣデバイス９の温度をほぼ一定に保ち続けることができ、ＩＣデバイス９の検査をより精度良く行うことができる。
【００７１】
−回収ロボット−
回収ロボット４４は、検査部５での検査を終えたＩＣデバイス９を回収側配列部６に搬送するロボットである。このような回収ロボット４４は、ベース１１に支持された支持フレーム４４１と、支持フレーム４４１に支持され、支持フレーム４４１に対してＹ方向に往復移動可能な移動フレーム４４２と、移動フレーム４４２に支持された４つのハンドユニット（把持ロボット）４４３と、を有している。各ハンドユニット４４３は、昇降機構および吸着ノズルを備え、ＩＣデバイス９を吸着することで把持することができる。
【００７２】
このような搬送部４は、次のようにしてＩＣデバイス９を搬送する。まず、シャトル４１が図中左側に移動し、供給ロボット４２が載置ステージ３４１上のＩＣデバイス９をシャトル４１に搬送する（ＳＴＥＰ１）。次に、シャトル４１が中央へ移動し、検査ロボット４３がシャトル４１上のＩＣデバイス９を検査部５へ搬送する（ＳＴＥＰ２）。次に、検査ロボット４３が検査部５での検査を終えたＩＣデバイス９をシャトル４１へ搬送する（ＳＴＥＰ３）。次に、シャトル４１が図中右側へ移動し、回収ロボット４４がシャトル４１上の検査済みのＩＣデバイス９を回収側配列部６に搬送する。（ＳＴＥＰ４）このようなＳＴＥＰ１〜ＳＴＥＰ４を繰り返すことで、ＩＣデバイス９を検査部５を経由して回収側配列部６へ搬送することができる。
【００７３】
以上、搬送部４の構成について説明したが、搬送部４の構成としては、載置ステージ３４１上のＩＣデバイス９を検査部５へ搬送し、検査を終えたＩＣデバイス９を回収側配列部６へ搬送することができれば、特に限定されない。例えば、シャトル４１を省略し、供給ロボット４２、検査ロボット４３および回収ロボット４４のいずれか１つのロボットで、載置ステージ３４１から検査部５への搬送、および、検査部５から回収側配列部６への搬送を行ってもよい。
【００７４】
≪検査部≫
検査部５は、ＩＣデバイス９の電気的特性を検査・試験するユニットである。検査部５は、図２に示すように、ＩＣデバイス９を配置する４つの保持部５１を有している。これら保持部５１には、それぞれ、ＩＣデバイス９の端子と電気的に接続される複数のプローブピン（図示せず）が設けられている。各プローブピンは、制御部８に電気的に接続されている。ＩＣデバイス９の検査の際は、１つのＩＣデバイス９が１つの保持部５１に配置（保持）される。保持部５１に配置されたＩＣデバイス９の各端子は、それぞれ、検査ロボット４３のハンドユニット４３３の押圧によって所定の検査圧で各プローブピンに押し付けられる。これにより、ＩＣデバイス９の各端子と各プローブピンとが電気的に接続され（接触し）、プローブピンを介してＩＣデバイス９の検査が行われる。ＩＣデバイス９の検査は、制御部８に記憶されているプログラムに基づいて行われる。
【００７５】
≪制御部≫
制御部８は、例えば、検査制御部と、駆動制御部と、を有している。検査制御部は、例えば、図示しないメモリー内に記憶されたプログラムに基づいて、検査部５に配置されたＩＣデバイス９の電気的特性の検査等を行う。また、駆動制御部は、例えば、供給部２、供給側配列部３、搬送部４、検査部５、回収側配列部６および回収部７の各部の駆動を制御し、ＩＣデバイス９の搬送等を行う。
【００７６】
次に、ヒートシンク２９１に空気Ｇを噴射する機構について説明するが、代表的に、１つの噴射ノズル２９２についての機構を説明する。
【００７７】
図４に示すように、検査装置１は、空気Ｇを噴出し、噴射ノズル２９２に空気Ｇを供給するポンプ（流体供給部）１３３と、ポンプ１３３と噴射ノズル２９２とを接続する管体１４と、噴射ノズル２９２から噴射する空気Ｇの流量を検出（測定）する流量検出部としての流量計（流量センサー）２４２とを有している。管体１４の内腔は、空気Ｇが流れる流路である。
【００７８】
また、流量計２４２は、例えば、管体１４内に設置されている。流量計２４２で検出された空気Ｇの流量を示す信号は、制御部８に入力され、制御部８は、流量計２４２により検出された空気Ｇの流量を把握する。なお、流量計２４２としては、噴射ノズル２９２から噴射する空気Ｇの流量を検出できるものであれば、管体１４内に予め設定されているものでもよく、また、後付のものでもよい。
【００７９】
また、流量計２４２による空気Ｇの流量の他の検出方法としては、例えば、流量計２４２として熱線流量計を用い、流量計２４２を噴射ノズル２９２の近傍に配置し、空気Ｇの流量を検出する。噴射ノズル２９２の近傍とは、噴射ノズル２９２の内部空間、噴射ノズル２９２の開口部、噴射ノズル２９２の開口部から所定距離だけ離間した位置等である。
【００８０】
また、管体１４は、その途中で、第１の管体１４１と第２の管体１４２とに分岐し、再び、合流している。すなわち、第１の管体１４１と第２の管体１４２とは、並列に接続されている。第１の管体１４１の内腔は、空気Ｇが流れる第１の流路であり、また、第２の管体１４２の内腔は、空気Ｇが流れる第２の流路である。前記第１の管体１４１の内腔（第１の流路）の中心軸に直交する方向での断面積は、前記第２の管体１４２の内腔（第２の流路）の中心軸に直交する方向での断面積よりも大きい。
【００８１】
第１の管体１４１の途中には、その流路（第１の流路）を開閉する電磁弁（バルブ）１３１が設けられている。また、第２の管体１４２の途中には、開度を調整して第２の管体１４２を流れる空気Ｇの流量を調整する絞り弁（第２流路用流量調整部）１３２が設けられている。このように、第２の管体１４２の一方の端部は、第１の管体１４１の電磁弁１３１よりも上流側の部位（本実施形態では端部）に連通し、第２の管体１４２の他方の端部は、第１の管体１４１の電磁弁１３１よりも下流側の部位（本実施形態では端部）に連通している。すなわち、第２の管体１４２は、電磁弁１３１を迂回している。また、電磁弁１３１および絞り弁１３２の駆動は、制御部８によって制御される。なお、第１の管体１４１、第２の管体１４２、電磁弁１３１および絞り弁１３２等により、噴射ノズル２９２から噴射する空気Ｇの流量を調整する流量調整部１００が構成される。
【００８２】
流量調整部１００は、制御部８の制御により、噴射ノズル２９２から噴射する空気Ｇの平均流量を、第１の平均流量と、第１の平均流量より大きい第２の平均流量とに調整可能に構成されている。電磁弁１３１を閉じ、絞り弁１３２を開いてその開度を所定の開度にした場合の前記平均流量が第１の平均流量であり、電磁弁１３１を開き、絞り弁１３２を開いてその開度を所定の開度にした場合の前記平均流量が第２の平均流量である。また、前記「平均流量」は、噴射ノズル２９２から噴射する空気Ｇの流量の所定の単位時間における平均値である。なお、空気Ｇの流量は、経時的に増減する場合があるので、本実施形態では、空気Ｇの流量の瞬間値ではなく、平均流量を用いて管理する。
【００８３】
流量調整部１００は、ＩＣデバイス９を検査する前は、前記平均流量を第１の平均流量に設定する。一方、ＩＣデバイス９を検査している間の前記平均流量には第２の平均流量が含まれる。以下、詳細に説明する。
【００８４】
まず、この検査装置１では、温度センサー２４３により、ＩＣデバイス９の温度を検出し、その検出結果に基づいて、ＩＣデバイス９の温度が検査に適した所定の設定温度（目標温度）になるように温度制御を行う。
【００８５】
ＩＣデバイス９の検査前は、電磁弁１３１は閉じ、絞り弁１３２は開いている。また、絞り弁１３２の開度は所定の開度に調整される。そして、ヒーター２４１を駆動してＩＣデバイス９を加熱しつつ、ポンプ１３３を駆動して噴射ノズル２９２からヒートシンク２９１に向けて空気Ｇを噴射し、ＩＣデバイス９を冷却し、これらのバランスをとり、ＩＣデバイス９の温度を設定温度に調整する。この場合、電磁弁１３１が閉じているので、噴射ノズル２９２から噴射する空気Ｇの平均流量は、第１の平均流量になっている。
【００８６】
ＩＣデバイス９の検査中は、ＩＣデバイス９への通電によりＩＣデバイス９が自己発熱し、設定温度より高くなる場合がある。このため、温度センサー２４３により検出されたＩＣデバイス９の温度が設定温度の許容範囲の上限値である閾値Ｔｍａｘよりも高い場合は、ヒーター２４１の出力を低減または停止するとともに、電磁弁１３１を開き、噴射ノズル２９２から噴射する空気Ｇの平均流量を第２の平均流量にする。これにより、ヒートシンク２９１から放熱される熱量が増大し、ＩＣデバイス９がさらに冷却される。また、ＩＣデバイス９の温度が閾値Ｔｍａｘよりも高くなる前からヒートシンク２９１に空気Ｇが吹き付けられているので、冷却の応答性（冷却応答性）が向上し、ＩＣデバイス９の温度を迅速に低下させることができる。このようにして、ＩＣデバイス９の温度が設定温度になるように制御される。
【００８７】
また、ＩＣデバイス９の検査終了後は、電磁弁１３１を閉じ、噴射ノズル２９２から噴射する空気Ｇの平均流量を第１の平均流量にし、次のＩＣデバイス９の検査に備える。
【００８８】
ここで、第１の平均流量ａは、特に限定されず、諸条件に応じて適宜設定されるものであるが、１ｍＬ／秒以上、５００ｍＬ／秒以下であることが好ましく、１０ｍＬ／秒以上、１００ｍＬ／秒以下であることがより好ましい。
【００８９】
第１の平均流量ａが前記上限値よりも大きいと、他の条件にもよるが、ヒーター２４１の出力を大きくする必要があり、消費エネルギーが増大する。
【００９０】
また、第１の平均流量ａが前記下限値よりも小さいと、他の条件にもよるが、ＩＣデバイス９を冷却する場合の冷却応答性が低下する。
【００９１】
また、第２の平均流量ｂは、特に限定されず、諸条件に応じて適宜設定されるものであるが、２ｍＬ／秒以上、１０００ｍＬ／秒以下であることが好ましく、２０ｍＬ／秒以上、２００ｍＬ／秒以下であることがより好ましい。
【００９２】
第２の平均流量ｂが前記上限値よりも大きいと、他の条件にもよるが、消費エネルギーが増大する。
【００９３】
また、第２の平均流量ｂが前記下限値よりも小さいと、他の条件にもよるが、ＩＣデバイス９を冷却する場合の冷却応答性が低下する。
【００９４】
また、第１の平均流量ａと第２の平均流量ｂとの比（ｂ／ａ）は、特に限定されず、諸条件に応じて適宜設定されるものであるが、１．５以上であることが好ましく、２以上、１０以下であることがより好ましい。
【００９５】
ｂ／ａが前記上限値よりも大きいと、他の条件にもよるが、消費エネルギーが増大する。
【００９６】
また、ｂ／ａが前記下限値よりも小さいと、他の条件にもよるが、ＩＣデバイス９を冷却する場合の冷却応答性が低下する。
【００９７】
次に、噴射ノズル２９２から噴出する空気Ｇの平均流量の制御における制御部８の制御動作について説明する。
【００９８】
まず、図５に示すように、ＩＣデバイス９の検査前に、噴射ノズル２９２から噴出する空気Ｇの平均流量を第１の平均流量に設定する（ステップＳ１０１）。そして、前述したように、温度センサー２４３により、ＩＣデバイス９の温度を検出し、その検出結果に基づいて、ＩＣデバイス９の温度が設定温度になるように温度制御を行う。
【００９９】
次いで、ＩＣデバイス９の検査を開始したか否かを判断し（ステップＳ１０２）、検査を開始した場合には、温度センサー２４３により、ＩＣデバイス９の温度Ｔを検出し（ステップＳ１０３）、検出された温度Ｔが、設定温度の許容範囲の上限値である閾値Ｔｍａｘよりも大きいか否かを判断する（ステップＳ１０４）。
【０１００】
ステップＳ１０４において、検出された温度Ｔが、閾値Ｔｍａｘ以下であると判断した場合は、平均流量を第１の平均流量にする（ステップＳ１０５）。すなわち、現在の平均流量が第１の平均流量の場合は、それを維持し、現在の平均流量が第２の平均流量の場合は、平均流量を第１の平均流量に変更する。
【０１０１】
また、ステップＳ１０４において、検出された温度Ｔが、閾値Ｔｍａｘよりも大きいと判断した場合は、平均流量を第２の平均流量にする（ステップＳ１０６）。すなわち、現在の平均流量が第２の平均流量の場合は、それを維持し、現在の平均流量が第１の平均流量の場合は、平均流量を第２の平均流量に変更する。また、この場合は、前述したように、ヒーター２４１の出力を低減または停止する。
【０１０２】
次いで、ＩＣデバイス９の検査が終了したか否かを判断し（ステップＳ１０７）、検査が終了していない場合には、ステップＳ１０３に戻り、再度、ステップＳ１０３以降を実行する。また、ＩＣデバイス９の検査が終了した場合には、次のＩＣデバイス９の検査に備え、平均流量を第１の平均流量にする（ステップＳ１０８）。すなわち、現在の平均流量が第１の平均流量の場合は、それを維持し、現在の平均流量が第２の平均流量の場合は、平均流量を第１の平均流量に変更する。以上で、このプログラムを終了する。
【０１０３】
以上説明したように、この検査装置１によれば、ＩＣデバイス９を冷却する場合、冷却応答性を向上させることができる。これにより、ＩＣデバイス９の温度を検査の設定温度に保つ制御において、ＩＣデバイス９の温度が設定温度よりも高い場合に、ＩＣデバイス９の温度を迅速に低下させることができる。
【０１０４】
また、ＩＣデバイス９と接触する吸着パッド２７０およびコンタクトプッシャー２５０の温度は、検査の設定温度にし、ヒートシンク２９１の温度は、可能な限り低い温度にしておきたい。すなわち、吸着パッド２７０およびコンタクトプッシャー２５０とヒートシンク２９１との間の温度勾配が大きい方が、冷却応答性が良いので、ヒーター２４１をヒートシンク２９１と吸着パッド２７０およびコンタクトプッシャー２５０の間に配置することにより、吸着パッド２７０およびコンタクトプッシャー２５０とヒートシンク２９１との間の温度勾配を大きくする。これにより、迅速に、ヒートシンク２９１を介してＩＣデバイス９を冷却することができる。また、容易に、吸着パッド２７０およびコンタクトプッシャー２５０を介してＩＣデバイス９を加熱することができる。
【０１０５】
＜第２実施形態＞
図６は、本発明の電子部品検査装置の第２実施形態の主要部を示すブロック図である。
【０１０６】
以下、第２実施形態について説明するが、前述した第１実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項はその説明を省略する。
図６に示すように、第２実施形態の検査装置１では、第２の管体１４２の途中に、その流路（第２の流路）を開閉する電磁弁（バルブ）１３４が設けられている。なお、第１の管体１４１、第２の管体１４２、電磁弁１３１、１３４および絞り弁１３２等により、噴射ノズル２９２から噴射する空気Ｇの流量を調整する流量調整部１００が構成される。
【０１０７】
第２実施形態では、ＩＣデバイス９の検査終了後、噴射ノズル２９２から噴射する空気Ｇの平均流量を第１の平均流量より小さい流量とする期間またはヒートシンク２９１に空気Ｇを噴射しない温度上昇期間を設ける。この温度上昇期間は、ＩＣデバイス９の検査が終了したときから開始する。前記平均流量を第１の平均流量より小さい流量とする場合は、絞り弁１３２の開度を調整する。また、前記平均流量を「０」とする場合、すなわち、ヒートシンク２９１に空気Ｇを噴射しない場合は、電磁弁１３４を閉じる。そして、温度上昇期間が終了すると、噴射ノズル２９２から噴射する空気Ｇの平均流量を第１の平均流量にする。
【０１０８】
ＩＣデバイス９の検査後は、ＩＣデバイス９への通電を停止するので、ＩＣデバイス９の温度が低下するが、前記温度上昇期間を設けることにより、ＩＣデバイス９の検査終了後にヒートシンク２９１に噴射する空気Ｇの平均流量を第１の平均流量とする場合に比べて、吸着パッド２７０およびコンタクトプッシャー２５０の温度を迅速に上昇させることができ、次のＩＣデバイス９の検査に迅速に備えることができる。
【０１０９】
また、温度上昇期間の長さは、特に限定されず、諸条件に応じて適宜設定されるものであるが、１０秒以上、１０分以下であることが好ましく、３０秒以上、５分以下であることがより好ましい。
【０１１０】
温度上昇期間が前記上限値よりも長いと、他の条件にもよるが、吸着パッド２７０およびコンタクトプッシャー２５０の温度が高くなり過ぎる虞がある。
【０１１１】
また、温度上昇期間が前記下限値よりも短いと、他の条件にもよるが、吸着パッド２７０およびコンタクトプッシャー２５０の温度が十分に上昇しない虞がある。
【０１１２】
以上のような第２実施形態によっても、前述した第１実施形態と同様の効果を発揮することができる。
【０１１３】
なお、本実施形態では、温度上昇期間の開始時期は、ＩＣデバイス９の検査が終了したときであるが、これに限らず、ＩＣデバイス９の検査の終了後であればよい。
【０１１４】
＜第３実施形態＞
図７は、本発明の電子部品検査装置の第３実施形態の主要部を示すブロック図である。
【０１１５】
以下、第３実施形態について説明するが、前述した第１実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項はその説明を省略する。
【０１１６】
図７に示すように、第３実施形態の検査装置１では、管体１４は分岐していない。そして、管体１４の途中に、その流路を開閉する電磁弁１３１と、開度を調整して管体１４を流れる空気Ｇの流量を調整する絞り弁１３５とが設けられている。なお、電磁弁１３１および絞り弁１３５等により、噴射ノズル２９２から噴射する空気Ｇの流量を調整する流量調整部１００が構成される。また、電磁弁１３１および絞り弁１３５により、流量調整バルブ１３６が構成される。
【０１１７】
この流量調整バルブ１３６は、開度と開閉期間との少なくとも一方が調整可能であればよいが、本実施形態では、開度および開閉期間が調整可能である。
【０１１８】
流量調整バルブ１３６は、絞り弁１３５の開度を調整することにより、噴射ノズル２９２から噴射する空気Ｇの平均流量を、第１の平均流量と第２の平均流量とに調整することができる。
【０１１９】
また、流量調整バルブ１３６は、電磁弁１３１の開閉期間を調整すること、すなわち、ＰＷＭ制御により、噴射ノズル２９２から噴射する空気Ｇの平均流量を、第１の平均流量と第２の平均流量とに調整することができる。
【０１２０】
以上のような第３実施形態によっても、前述した第１実施形態と同様の効果を発揮することができる。
なお、第３実施形態は、第２実施形態にも適用することができる。
【０１２１】
以上、本発明の電子部品搬送装置および電子部品検査装置について、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明は、これに限定されるものではなく、各部の構成は、同様の機能を有する任意の構成のものに置換することができる。また、本発明に他の任意の構成物が付加されていてもよい。
【０１２２】
また、本発明は、前記各実施形態のうちの、任意の２以上の構成（特徴）を組み合わせたものであってもよい。
【符号の説明】
【０１２３】
１……検査装置
１０……搬送装置
１００……流量調整部
１１……ベース
１１１……ベース面
１２……カバー
２……供給部
３……供給側配列部
３４１……載置ステージ
４……搬送部
４１……シャトル
４１１……ポケット
４２……供給ロボット
４２１……支持フレーム
４２２……移動フレーム
４２３……ハンドユニット
４３……検査ロボット
４３１……支持フレーム
４３２……移動フレーム
４３３……ハンドユニット
４４……回収ロボット
４４１……支持フレーム
４４２……移動フレーム
４４３……ハンドユニット
５……検査部
５１……保持部
６……回収側配列部
７……回収部
８……制御部
９……ＩＣデバイス
１３１、１３４……電磁弁
１３２、１３５……絞り弁
１３３……ポンプ
１３６……流量調整バルブ
１４……管体
１４１……第１の管体
１４２……第２の管体
１５１……コイルバネ
２１０……エアシリンダー
２１１……シリンダチューブ
２１２……チューブ本体
２１３……フロントプレート
２１４……ピストン
２１５……エアー導入口
２２０……デバイスチャック
２３０……連結ブロック
２３１……真空案内路
２４０……ヒーターブロック
２４１……ヒーター
２４２……流量計
２４３……温度センサー
２５０……コンタクトプッシャー
２６０……吸引管
２７０……吸着パッド
２９０……冷却部
２９１……ヒートシンク
２９２……噴射ノズル
２９３……部材
Ｄ１……第１室
Ｄ２……第２室
Ｐ１、Ｐ２……連結ポート
Ｇ……空気
Ｓ１０１〜Ｓ１０８……ステップ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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