(57)【要約】【課題】洗浄等により有機化合物層とこの有機化合物層が接する下地との剥離が発生しない有機発光装置を提供する。【解決手段】基板上に、少なくとも下部電極２１と、少なくとも発光層を有する有機化合物層３０と、上部電極４０と、を有する発光部３を複数有し、複数の発光部３が、それぞれ下部電極２１の一部を被覆する画素分離膜１４によって区画され、隣接する発光部３間の少なくとも一部の領域に、画素分離膜１４よりも有機化合物層３０との密着性が高い材料で構成される密着部２２が設けられ、密着部２２が、有機化合物層３０の少なくとも一部と接している有機発光装置１。【選択図】図１
2016103512.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、少なくとも下部電極と、少なくとも発光層を有する有機化合物層と、上部電極と、を有する発光部を複数有し、
複数の前記発光部が、それぞれ画素分離膜によって区画され、
隣接する前記発光部間の少なくとも一部の領域に密着部が設けられ、
前記密着部が、前記有機化合物層の少なくとも一部と接していることを特徴とする、有機発光装置。
【請求項２】
前記密着部が、前記画素分離膜よりも前記有機化合物層との密着性が高い材料で構成される層であることを特徴とする、請求項１に記載の有機発光装置。
【請求項３】
前記密着部が前記画素分離膜上の少なくとも一部の領域に設けられており、
前記密着部上に前記有機化合物層が設けられていることを特徴とする、請求項１又は２に記載の有機発光素子。
【請求項４】
前記密着部が前記基板上に設けられており、
前記密着部の一部が前記画素分離膜によって被覆されることを特徴とする、請求項１又は２に記載の有機発光装置。
【請求項５】
前記下部電極と前記密着部とが同じ材料で形成されており、
前記下部電極と前記密着部とが接していないことを特徴とする、請求項３又は４に記載の有機発光装置。
【請求項６】
前記密着部の表面粗さが前記画素分離膜の表面粗さよりも大きいことを特徴とする、請求項２乃至５のいずれか一項に記載の有機発光装置。
【請求項７】
前記密着部が透明酸化物半導体で形成されていることを特徴とする、請求項２乃至６のいずれか一項に記載の有機発光装置。
【請求項８】
前記透明酸化物半導体がインジウム錫酸化物であることを特徴とする、請求項７に記載の有機発光装置。
【請求項９】
前記密着部が、前記有機化合物層の下地となる部材の表面の一部を加工してなる部分であり、
前記部分の表面粗さが、前記加工がされていない前記画素分離膜よりも大きいことを特徴とする、請求項１に記載の有機発光装置。
【請求項１０】
前記密着部が、前記有機化合物層の下地となる部材の表面の一部を加工してなる部分と、前記部分の上に設けられる前記画素分離膜よりも前記有機化合物層との密着性が高い材料で構成される層と、を有し、
前記部分の表面粗さが、前記加工がされていない前記画素分離膜よりも大きいことを特徴とする、請求項１に記載の有機発光装置。
【請求項１１】
前記有機化合物層の下地となる部材が、前記画素分離膜であることを特徴とする、請求項９又は１０に記載の有機発光装置。
【請求項１２】
前記有機化合物層の下地となる部材が、前記基板であることを特徴とする、請求項９又は１０に記載の有機発光装置。
【請求項１３】
請求項１乃至１２のいずれか一項に記載の有機発光装置と、
前記有機発光装置に接続されているＡＣ／ＤＣコンバーター回路と、を有することを特徴とする、照明装置。
【請求項１４】
感光体と、前記感光体を露光する露光部と、前記感光体を帯電させる帯電部と、前記感光体に現像剤を付与する現像部と、を有する画像形成装置であって、
前記露光部が、請求項１乃至１２のいずれか一項に記載の有機発光装置を有することを特徴とする、画像形成装置。
【請求項１５】
感光体を露光する露光装置であって、
請求項１乃至１２のいずれか一項に記載の有機発光装置を有し、
前記有機発光装置が複数の発光部を有し、
前記複数の発光部が、前記感光体の長軸方向に沿って一列に配置されていることを特徴とする、露光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機発光装置、並びにこれを備えた照明装置、画像形成装置及び露光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機発光素子は、陽極と陰極と、その間に配置される発光層を含む有機化合物層とから構成されている。陽極から有機化合物層へ注入されたホールと陰極から有機化合物層へ注入された電子とが発光層で再結合することにより、有機発光素子は発光する。
【０００３】
ところで、有機発光素子を構成する部材の中には、異種材料との界面における密着性の向上が要求されているものがある。例えば、特許文献１では、有機発光素子の長寿命化、高効率化等といった特性の向上を目的として、ホール注入電極と有機化合物層との界面での密着性を改善させた構成が開示されている。また特許文献２では、有機材料と無機材料とを積層してなる多層封止膜の層間密着性を向上させる層を設けることにより、高い封止性能を得られることが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平１１−８７０６８号公報
【特許文献２】特開２００９−３７７９９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで有機発光素子において、異種材料との界面の密着性が問題となる個所について、発明者らは以下に説明する知見を新たに得ている。具体的には、有機発光素子を構成する有機化合物層と、下地の画素分離膜との界面での密着性が問題となるという知見を得ている。ここで有機化合物層と画素分離膜との密着性が低い場合、有機化合物層に画素分離膜との剥離を発生させ得る程度のエネルギーを受けると、有機化合物層は画素分離膜との界面において少なくともその一部が画素分離膜から剥離してしまう。ここで剥離を発生させ得る程度のエネルギーとしては、例えば、洗浄液による洗浄やブラシ洗浄等の直接的な物理エネルギー、有機化合物層上に形成された上部電極や封止膜による膜応力、温度変化による熱応力、変形による曲げ応力等が挙げられる。
【０００６】
上述したように有機化合物層が下地の画素分離膜から剥離した場合、例えば、以下に説明する問題が発生する。一つ目としては、剥離が発生した箇所から有機化合物層の剥離領域が拡大し、しいては発光部を構成する有機化合物層が下部電極から剥離することにより発光素子として機能しなくなる、という問題がある。二つ目としては、剥離した箇所から剥離片が発光領域に付着することにより、非発光のダークスポットが発生し歩留まりが低下する、という問題がある。三つ目としては、剥離部の封止膜において水分が透過する欠陥が生じることで非発光領域が経時的に拡大し、信頼性が低下する、という問題がある。
【０００７】
一方、有機発光素子や有機発光素子を複数備える有機発光装置を作製する過程において、基板の搬送過程や成膜中に基板の表面や成膜面に異物が付着する場合がある。このように有機発光素子や有機発光装置の形成中に異物が付着した場合、電極からのキャリア注入が不良になることによる非発光領域が発生したり、保護膜に欠陥が生じることによる非発光領域が拡大したりしてしまう。従って、有機発光素子や有機発光装置の歩留まりや信頼性を向上させるためには、有機発光素子や有機発光装置の形成中に付着した異物を洗浄により除去する必要がある。
【０００８】
本発明は、上述した課題を解決するために成されるものであり、その目的は、洗浄等により有機化合物層とこの有機化合物層が接する下地との剥離が発生しない有機発光装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の有機発光装置は、基板上に、少なくとも下部電極と、少なくとも発光層を有する有機化合物層と、上部電極と、を有する発光部を複数有し、
複数の前記発光部が、それぞれ前記下部電極の一部を被覆する画素分離膜によって区画され、
隣接する前記発光部間の少なくとも一部の領域に、前記画素分離膜よりも前記有機化合物層との密着性が高い材料で構成される密着部が設けられ、
前記密着部が、前記有機化合物層の少なくとも一部と接していることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、洗浄等により有機化合物層とこの有機化合物層が接する下地との剥離が発生しない有機発光装置を提供することができる。即ち、本発明の有機発光装置は、密着部を用いて有機化合物層とこの有機化合物層が接する下地との密着性を高くしたため、従来技術では剥離を発生させるような条件においても、有機化合物層と下地との界面で高い耐剥離性能を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の有機発光装置における第一の実施形態を示す断面模式図である。
【図２】図１の有機発光装置に含まれる発光部の構成の例を示す断面模式図である。
【図３】発光部及び密着部の具体的な設置例を示す平面模式図である。
【図４】本発明の有機発光装置における第二の実施形態を示す断面模式図である。
【図５】本発明の有機発光装置を有する画像形成装置の具体例を示す模式図である。
【図６】（ａ）及び（ｂ）は、図５の画像形成装置を構成する露光ユニット（露光部、露光装置）の具体例を示す平面概略図であり、（ｃ）は、図５の画像形成装置を構成する感光体の具体例を示す概略図である。
【図７】本発明に係る有機発光装置を有する照明装置の例を示す模式図である。
【図８】実施例１における有機発光装置の製造プロセスを示す断面模式図である。
【図９】実施例２における有機発光装置の製造プロセスを示す断面模式図である。
【図１０】実施例３における有機発光装置の製造プロセスを示す断面模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
本発明は、基板上に、少なくとも下部電極と、少なくとも発光層を有する有機化合物層と、上部電極と、を有する発光部を複数有する有機発光装置に関する。本発明において、複数の発光部は、それぞれ画素分離膜によって区画される。また本発明において、隣接する発光部間の少なくとも一部の領域に密着部が設けられる。また本発明において、密着部は有機化合物層の少なくとも一部と接している。
【００１３】
［第一の実施形態］
以下、図面を参照しながら、本発明の有機発光装置について詳細に説明する。
【００１４】
図１は、本発明の有機発光装置における第一の実施形態を示す断面模式図である。図１の有機発光装置１は、基板１０と、基板１０の上に複数設けられる発光部３と、隣接する発光部３の間に設けられる密着部２２と、複数の発光部３の上に設けられる保護膜５０と、を有する。尚、図１の有機発光装置１において、発光部３は、有機発光素子に相当する部材である。
【００１５】
図１の有機発光装置１において、複数ある発光部３は、それぞれ下部電極２１と、下部電極２１の上に設けられる有機化合物層３０と、有機化合物層３０の上に設けられる上部電極４０と、を有する。また各発光部３は、画素分離膜１４によって区画されている。
【００１６】
図１の有機発光装置１において、発光部３が有する有機化合物層３０及び上部電極４０は、各発光部に共通する層として形成されているため、発光部３の発光領域は、図１中の符号２０で示される部分に相当する。この符号２０の領域は、具体的には、下部電極２１を設ける領域のうち画素分離膜１４に覆われていない領域のうち、有機化合物層３０が有する発光層を設ける領域と重なる部分をいう。
【００１７】
次に、図１の有機発光装置１が有する発光部３の具体的構成について説明する。図２は、図１の有機発光装置に含まれる発光部の構成の例を表す断面模式図である。図２の発光部３は、基板１０の上に、下部電極２１、正孔注入層３１、正孔輸送層３２、発光層３３、正孔ブロック層３４、電子輸送層３５、電子注入層３６及び上部電極４０がこの順で設けられている。尚、発光層３３から発せられる光の色は特に限定されるものではない。また本発明において、発光部３に含まれる有機化合物層３０の層構成は、図２に示される発光層３３を有していれば特に限定されるものではない。図２の発光部３は、下記（ｉ）乃至（ｉｉｉ）を経て発光する。
（ｉ）下部電極２１と上部電極４０との間で電流を通電する。
（ｉｉ）（ｉ）により各電極から注入された正孔と電子とが発光層３３において再結合する。
（ｉｉｉ）正孔と電子との再結合により生成した励起子が基底状態に戻る際に発光が生じる。
【００１８】
図２の発光部３において、光の取り出し構造としては、基板１０を透過させながら光を取り出すボトムエミッション構造であってもよいし、基板１０とは反対の側から光を取り出すトップエミッション構造であってもよい。
【００１９】
次に、図２の発光部３の構成部材についてさらに詳細に説明する。
【００２０】
発光部３の構成部材である下部電極２１、有機化合物層３０及び上部電極４０は、基板１０の上に形成される。本発明において使用される基板１０は、有機化合物層３０や電極（２１、４０）を支持できる材料で形成される。好ましくは、ガラス、プラスチック、シリコン等が挙げられる。尚、基板１０にはＴＦＴ等のスイッチング素子や配線や層間絶縁膜（図２において不図示）等が形成されていてもよい。また基板１０の具体的構成例については、後述する。
【００２１】
下部電極２１の構成材料としては、導電性の材料であれば特に限定されない。基板１０側から光を取り出す構造（ボトムエミッション構造）の場合には、透光性の観点からインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）等に代表される透明導電酸化物やＰＥＤＯＴ−ＰＳＳのような導電性高分子等が好ましい。また基板１０とは反対の側から光を取り出す構造（トップエミッション構造）の場合には、発光層３３で発光した光を反射させて発光効率を高められるように、金属又はこの金属を複数種組み合わせてなる合金で形成されるのが好ましい。特に、Ａｌ、Ａｇ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｍｏ等の金属材料が好適である。
【００２２】
また下部電極２１の構成としては、一層で構成されてもよいし、複数の層で構成されてもよい。下部電極２１が複数の層で構成される場合、例えば、金属材料からなる層の上にＩＴＯ等の透明導電酸化物からなる層が積層されてなる積層体であってもよい。
【００２３】
尚、本発明においては、下部電極２１のパターニングを行うが、そのパターニングの方法としては、公知の方法を用いることができる。尚、下部電極２１のパターニングを行う際は、後工程として、下部電極２１上の異物を除去する工程及び下部電極２１の表面を改質する工程を行うことが好ましい。例えば、アルゴンプラズマ処理、酸素プラズマ処理、ＵＶ照射処理、加熱処理等を基板１０に施し、下部電極２１の電荷注入性を整えると共に、下部電極２１の上の汚染等を除去する。
【００２４】
下部電極２１の上に形成される有機化合物層３０の層構成としては、少なくとも発光層３３が含まれていれば特に限定されるものではない。本発明において、有機発光素子に相当する発光部３の構成としては、基板１０の上に以下に示す有機化合物を有する機能層を積層した多層型の素子構成が挙げられる。尚、有機化合物層３０を構成する層のうち発光層３３は、発光材料を有する層である。
（１）陽極／発光層／電子注入層／陰極
（２）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極
（３）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極
（４）陽極／正孔輸送層／電子ブロック層／発光層／正孔ブロック層／電子輸送層／電子注入層／陰極
（５）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／正孔ブロック層／電子輸送層／電子注入層／陰極（図２）
（６）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／電子ブロック層／発光層／正孔ブロック層／電子輸送層／電子注入層／陰極
【００２５】
ただしこれらの構成例はあくまで基本的な素子構成を示すものであり、本発明の有機発光装置に含まれる有機発光素子の構成は、発光層３３を有していればこれらに限定されるものではない。有機化合物層３０の形成方法としては、真空蒸着法やインクジェット法、スピンコート法、ノズルコート法等の公知の技術を用いることが可能である。
【００２６】
尚、本発明において、有機発光装置１を構成する有機化合物層３０が有する層のうち少なくとも一層は、各発光部３に共通し後述する密着部２２の少なくとも一部を覆う層として形成される。
【００２７】
次に、有機化合物層３０を構成する各層の機能と具体的な構成材料について説明する。
【００２８】
正孔注入層３１は、下部電極２１から正孔輸送層３２への正孔注入効率を向上させる層であり、層の構成材料としては、正孔輸送性材料から電子引き抜きが可能な電子アクセプター性材料を用いることができる。例えば、ＭｏＯ3等の遷移金属酸化物、テトラシアノキノジメタン誘導体、ヘキサアザトリフェニレン誘導体等の有機材料を用いることができる。またＨＯＭＯが６ｅＶ以下の正孔輸送性材料及び前記電子アクセプター材料の混合膜として正孔注入層３１を形成してもよい。ＨＯＭＯが６ｅＶ以下の正孔輸送性材料として、トリアリールアミン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、スチルベン誘導体、フタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体、ポリ（ビニルカルバゾール）、ポリ（チオフェン）、その他導電性高分子が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００２９】
正孔輸送層３２は、発光層３３への正孔注入効率を向上させる層であり、発光層３３．のＨＯＭＯを考慮して選択される。正孔輸送層としては、トリアリールアミン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、スチルベン誘導体、フタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体、ポリ（ビニルカルバゾール）、ポリ（チオフェン）、その他導電性高分子が挙げられるが、これらに限定されるものではない。さらに、正孔輸送層３２は、複数の積層構成であっても良く、発光層３３からの電子漏れを防ぐための電子ブロック層（不図示）を正孔輸送層３２と発光層３３の間に入れることも可能である。
【００３０】
発光層３３は、発光性の高い物質を含む層である。発光層３３を形成する際は、発光性の高い物質を単独で用いても良いが、発光性の高い物質をホストに少量ドーピングする態様で使用するのが好ましい。ホストとしては、トリアリールアミン誘導体、フェニレン誘導体、縮合環芳香族化合物（例えば、ナフタレン誘導体、フェナントレン誘導体、フルオレン誘導体、クリセン誘導体等）、有機金属錯体（例えば、トリス（８−キノリノラート）アルミニウム等の有機アルミニウム錯体、有機ベリリウム錯体、有機イリジウム錯体、有機プラチナ錯体等）及びポリ（フェニレンビニレン）誘導体、ポリ（フルオレン）誘導体、ポリ（フェニレン）誘導体、ポリ（チエニレンビニレン）誘導体、ポリ（アセチレン）誘導体等の高分子誘導体が挙げられるが、もちろんこれらに限定されるものではない。発光性の高い物質としては、例えば、トリアリールアミン誘導体、フェニレン誘導体、縮合環芳香族化合物（例えばフルオランテン誘導体、ベンゾフルオランテン誘導体、ピレン誘導体、クリセン誘導体、またそれらとジアリールアミン置換誘導体等）、スチルベン誘導体、等の蛍光性発光材料や有機金属錯体（例えば有機イリジウム錯体、有機プラチナ錯体、希土類金属錯体等）等の燐光性発光材料が挙げられる。発光性が高い物質は、発光層全量に対する濃度が０．１質量％以上３０質量％以下であることが好ましい。尚、発光層３３から発せられるは光の色は特に限定されない。
【００３１】
正孔ブロック層３４は、そのＨＯＭＯレベルが発光層３３に含まれるホストのＨＯＭＯレベル以上であって、発光層３３内から正孔が漏れることを抑制し、発光層３３へ電子を注入する層である。正孔ブロック層３４の構成材料としては、炭化水素芳香族、もしくはフェナントロリン誘導体、ピリジン誘導体、オキサジアゾール誘導体等の複素環材料を用いることができる。
【００３２】
電子輸送層３５は、正孔ブロック層３４に電子を効率よく輸送することができる電子輸送性の高い材料で構成される。電子輸送性材料としては、正孔注入層３１あるいは正孔輸送層３２の正孔移動度とのバランス等を考慮し選択される。電子注入性能あるいは電子輸送性能を有する材料としては、縮合環芳香族化合物（例えば、ナフタレン誘導体、フェナントレン誘導体、フルオレン誘導体、クリセン誘導体等）、オキサジアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、ピラジン誘導体、トリアゾール誘導体、トリアジン誘導体、キノリン誘導体、キノキサリン誘導体、フェナントロリン誘導体、有機アルミニウム錯体等が挙げられるが、もちろんこれらに限定されるものではない。
【００３３】
電子注入層３６は電子供与性の高い化合物を用いることが好ましい。電子供与性が高い化合物としては、例えば、リチウム、セシウムを始めとするアルカリ金属、カルシウム、バリウムを始めとするアルカリ土類金属等の電子供与性の高い金属を含むことが好ましい。またそれら金属と有機化合物が結合した有機金属錯体であってもよい。これらの化合物を用いて電子注入層３６を形成する際に、電子注入層３６は、単一材料からなる層であってもよいし、前記電子輸送性を有する化合物との混合膜であってもよい。
【００３４】
上部電極４０の構成材料は導電性の材料であれば特に限定されない。光の取り出し構造がボトムエミッション構造の場合には、発光層３３で発光した光を反射させて発光効率を高められるように、反射率の高い金属又はこの金属を複数種含み合わせてなる合金を用いるのが好ましい。特に、Ａｌ、Ａｇ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｍｏ、Ｍｇ等の金属材料が好適である。ＡｌやＡｇが特に好適である。また光の取り出し構造がトップエミッション構造の場合には、半透明の金属薄膜やＩＴＯ等に代表される透明導電酸化物を用いることができる。半透明の金属薄膜の構成材料としては、上述した金属と同じものを用いることができる。
【００３５】
尚、以上の説明では、下部電極２１を陽極、上部電極４０を陰極とし、正孔注入層３１から電子注入層３６まで順に形成した場合について述べたが、下部電極２１を陰極、上部電極４０を陽極とし、有機化合物層３０の形成順を逆にしても構わない。
【００３６】
次に、図１の有機発光装置１の構成部材のうち、発光部３以外の部材について説明する。
【００３７】
図１の有機発光装置１において、発光部３を支持するための基板１０は、基材１１と、基材１１の上の所定の位置に設けられる配線１２と、基材１１及び配線１２の上に設けられる層間絶縁膜１３と、を有する。尚、図１には図示されていないが、基材１１の上には、配線１２の他に発光部３を駆動させるために必要な回路が設けられている。
【００３８】
基材１１の構成材料として、好ましくは、ガラス、プラスチック、シリコン等が挙げられる。
【００３９】
基材１１の上に設けられる配線１２及び回路（不図示）は、公知の導電性材料を用いて公知の方法により形成することができる。
【００４０】
層間絶縁膜１３の構成材料としては、絶縁性の材料が挙げられる。例えば、窒化シリコン、酸化シリコン等の無機材料、ポリイミド、アクリル等の有機材料が挙げられる。尚、基材１１の上に配線１２及び回路（不図示）を設けた場合、下部電極２１と配線１２又は回路との導通を確保するため、層間絶縁膜１３の所定の位置にコンタクトホールを１３ａ適宜設けておく。
【００４１】
また本発明においては、基板１０内に、各発光部３の発光期間や発光強度を制御するための能動素子（不図示）をさらに有していてもよい。能動素子はトランジスタ、ＭＩＭ素等のスイッチング素子が挙げられる。
【００４２】
図１の有機発光装置１において、画素分離膜１４は、下部電極２１の上、例えば、図１に示されるように下部電極２１の端部を被覆するように設けられている。本発明において、画素分離膜１４を設ける際には、下部電極２１の一部が露出するように開口部１４ａを適宜設けておく。ここで開口部１４ａを設けることによって下部電極２１が画素分離膜１４に被覆されていない領域、具体的には、図１中の符号２０の領域では、有機化合物層３０は下部電極２１と上部電極４０に挟まれる。このため、図１中の符号２０の領域が発光領域となる。画素分離膜１４の構成材料としては特に限定されるものではないが、有機材料であればポリイミド、アクリル等が、無機材料であれば窒化シリコン、酸化シリコン等が好ましい。また画素分離膜１４を形成する際に、画素分離膜１４を構成する層は、一層でもよいし、複数の層であってもよい。画素分離膜１４が複数の層で構成される場合、画素分離膜１４を形成する際には、上述した無機材料又は有機材料を適宜選択しこれら材料を積層させる態様、例えば、無機材料からなる層と有機材料からなる層とを積層させる態様で画素分離膜１４を形成してもよい。
【００４３】
図１の有機発光装置１において、保護膜５０は、水分や酸素から有機発光装置１、特に、有機発光装置１が有する有機発光素子を保護するために設けられる。保護膜５０を設ける際は、保護膜５０を設ける領域を、有機化合物層３０を設ける領域及び上部電極４０を設ける領域を全て含むように設定する。保護膜５０の構成材料としては、酸素や水分を遮断する機能があれば、無機材料であっても有機材料であっても構わないが、特に無機材料が好ましい。また保護膜５０の構成材料となる無機材料のうち、窒化シリコン、酸化シリコン、窒化酸化シリコン等が好ましく用いられる。これらの無機材料を用いた保護膜５０の形成方法としては、スパッタ法やＣＶＤ法を用いることができる。また保護膜５０を形成する際に、保護膜５０を構成する層は、一層でもよいし、複数の層であってもよい。保護膜５０が複数の層で構成される場合、保護膜５０を形成する際には、上述した無機材料又は有機材料を適宜選択しこれら材料を積層させる態様、例えば、無機材料からなる層と有機材料からなる層とを積層させる態様で保護膜５０を形成してもよい。本発明において、保護膜５０の膜厚は、１００ｎｍ以上１０μｍ以下が好ましく、５００ｎｍ乃至５μｍがより好ましい。
【００４４】
また、本発明の有機発光装置において、保護膜５０以外の水分や酸素から有機発光素子、特に、有機発光装置が有する有機発光素子を保護するための別の手段として、ガラスや金属等のキャップ（不図示）を基板１０と接着させてもよい。
【００４５】
（密着部）
次に、図１の有機発光装置１が有する密着部２２について説明する。
【００４６】
図１の有機発光装置１において、密着部２２は、隣接する発光部３の間の少なくとも一部の領域に、画素分離膜１４よりも有機化合物層３０との密着性が高い材料で形成されている。また図１の有機発光装置１において、密着部２２は、画素分離膜上（画素分離膜１４上）の少なくとも一部の領域に設けられており、この密着部上（密着部２２上）に有機化合物層３０が設けられている。
【００４７】
また上述したように、本発明においては、有機発光装置１を構成する有機化合物層３０が有する層のうち少なくとも一層は、各発光部３に共通し密着部２２の少なくとも一部を覆う層として形成される。このため、例えば、図１に示されるように、隣接する発光部３の間に設けられる画素分離膜１４上の少なくとも一部の領域に密着部２２を設けることにより、有機化合物層３０と下地との密着性が向上し、耐剥離性能を向上させることが可能となる。
【００４８】
図３は、発光部及び密着部の具体的な設置例を示す平面模式図である。図３より、本発明の有機発光装置における発光部３及び密着部２２の平面的な位置関係について説明する。
【００４９】
図３（ａ）及び図３（ｂ）において、発光部３は、千鳥状に配列されている。図３（ａ）及び図３（ｂ）のように、密着部２２は、発光部３を千鳥状に配列させることによって隣接する発光部３間に生じる発光部３が設けられていない領域に、密着部２２を配置させて密着部２２をも千鳥状に設けることは可能である。また図３（ｂ）のように、図３（ａ）に示される密着部２２の外周をつなげるように密着部２２を形成することも可能である。尚、例えば、図３（ｂ）のように、画素分離膜１４の面積に対する密着部２２の面積の割合を大きくすると、有機化合物層３０と下地との密着性がさらに向上するので効果的である。
【００５０】
図３（ｃ）、（ｄ）及び（ｅ）は、発光部３の平面形状が矩形であって各発光部３が格子状に配列された場合の密着部２２の設置の具体例である。図３（ｃ）、（ｄ）及び（ｅ）のように、発光部３の平面形状が矩形であって各発光部３が格子状に配列した場合、密着部２２は、隣接する発光部３間の領域に設けることが可能である。図３（ｃ）では複数の領域にわたって形成される密着部２２は、それぞれ分離した態様で形成されているが、図３（ｄ）のように密着部２２同士を連結した態様で形成することも可能である。さらに図３（ｅ）のように、図３（ｄ）に示される密着部２２の外周をつなげる態様で密着部２２を形成することも可能である。
【００５１】
密着部２２は、画素分離膜１４よりも有機化合物層３０との密着性が高い材料で構成されている。密着部２２の構成材料として、例えば、下部電極２１の構成材料としても用いられる、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物等の透明酸化物半導体が好ましく用いられる。酸化物半導体を密着部２２の構成材料とした場合、表面に存在する酸素欠陥が有機化合物層３０の最下層に含まれる化合物と相互作用し密着性が高くなるため好適である。
【００５２】
また密着部２２は、画素分離膜１４よりも表面粗さが大きいことが好ましい。表面粗さが大きくなると、有機化合物層３０との界面での接触面積が大きくなることから、アンカー効果により密着性が高まるためである。ただし有機化合物層３０に欠陥を生じさせないという観点から、密着部２２の表面粗さの最大高さは、有機化合物層３０の膜厚以下であることが好ましい。
【００５３】
密着部２２や画素分離膜１４と有機化合物層１０との密着性の評価には、公知の手法を用いることができる。例えば、ピーリングテープ法、サイカス法、鉛筆硬度法、スクラッチ試験、スタッドプル試験等を用いることが可能である。
【００５４】
密着部２２の形成方法としては、スパッタ法やＣＶＤ法を用いることができる。密着部２２を形成する際に用いられる構成材料は、一種類であってもよいし複数種類であってもよい。また密着部２２となる薄膜の層構成としては、一層であってもよいし複数の層からなる積層体としてもよい。また密着部２２を形成する際は適宜パターニングを行ってもよい。上記パターニングの具体的方法としては、公知のフォトリソグラフィやマスク成膜等が挙げられる。
【００５５】
図１に示されるように、画素分離膜１４の上に密着部２２を形成する場合、密着部２２は、画素分離膜１４を加工し開口部１４ａを形成した後の段階で形成してもよいし、開口部１４ａを形成する前の段階で画素分離膜１４上に形成してもよい。尚、密着部２２の構成材料が下部電極２１の構成材料になり得る材料である場合は、密着部２２と下部電極２１とが離間するように注意が必要である。
【００５６】
尚、本実施形態においては、変形例の一つとして、以下に説明する態様がある。具体的には、有機化合物層３０の下地となり発光部３間にある画素分離膜１４の表面の一部を表面粗さが大きくなるように加工したものを密着部２２とする態様がある。この態様でも密着部２２において、有機化合物層３０と下地との密着性が向上し、耐剥離性能を向上させることが可能となる。
【００５７】
この変形例において、画素分離膜１４の表面の加工とは、画素分離膜１４の表面（の一部）に凹凸をつける加工をいう。この加工によって画素分離膜１４の一部の表面、即ち、密着部２２に相当する表面において単位面積当たりの有機化合物層３０との接触面積が増加する。これにより有機化合物層３０と下地との密着性が向上する。本発明において、画素分離膜１４の表面に凹凸をつける加工の具体的方法としては、特に限定されないが、画素分離膜１４がＳｉＮからなる部材である場合は、部材の一部の表面を酸素プラズマでアッシングする方法が挙げられる。
【００５８】
またこのように、画素分離膜１４の一部の表面を加工した場合、加工した表面の上に、上述した有機化合物層３０との密着性が高い材料からなる薄膜をさらに設けてもよい。
【００５９】
［第二の実施形態］
図４は、本発明の有機発光装置における第二の実施形態を示す断面模式図である。以下、第一の実施形態との相違点を中心に説明する。
【００６０】
図４の有機発光装置２は、密着部２２が基板上（基板１０上）に設けられており、密着部２２の一部、具体的には、密着部２２となる薄膜の端部が画素分離膜１４によって被覆されている。
【００６１】
図４に示されるように密着部２２を設ける場合は、まず基板１０の所定の領域に密着部２２となる薄膜を、画素分離膜１４を形成する前に形成する。次に、下部電極２１及び密着部２２を覆うように薄膜を成膜した後、この薄膜を加工して画素分離膜１４を形成する。本実施形態において、画素分離膜１４の形成の際に行われる上記薄膜の加工とは、下部電極２１の一部を露出させるための開口１４ａ及び密着部２２の一部を露出させるための開口１４ｂをそれぞれ形成することをいう。図４の有機発光装置２において、密着部２２は、開口１４ｂを設けることにより画素分離膜１４に覆われなくなった領域、具体的には、図４中の符号２３の領域において、部材本来の機能である有機化合物層３０と下地との密着性の向上という機能を果たす。
【００６２】
本実施形態において、密着部２２の一部を露出させるための開口１４ｂは、公知の方法によるパターニングにより下部電極２１の一部を露出させるための開口１４ａを同時に形成することが可能である。
【００６３】
本実施形態において、密着部２２の構成材料は、下部電極２１の構成材料と同じであってもよいし異なっていてもよい。ここで下部電極２１の構成材料と同じ材料で密着部２２を形成する場合、パターニングによる下部電極２１の形成の際にこのパターニングによって密着部２２を同時に形成することができるため、密着部２２の形成工程を省略することができる。ここで下部電極２１と密着部２２とを同時に形成する場合、密着部２２において有機化合物層３３の発光が起こらないようにするため、下部電極２１と密着部２２とが接しないように上記パターニングを行う。
【００６４】
尚、本実施形態においては、変形例の一つとして、以下に説明する態様がある。具体的には、有機化合物層３０の下地となり発光部３間にある基板１０を構成する層間絶縁膜１３の表面の一部を表面粗さが大きくなるように加工したものを密着部２２とする態様がある。この態様でも密着部２２において、有機化合物層３０と下地との密着性が向上し、耐剥離性能を向上させることが可能となる。
【００６５】
この変形例において、層関絶縁膜１３の表面の加工とは、層間絶縁膜１３の表面（の一部）に凹凸をつける加工をいう。この加工によって層間絶縁膜１３の一部の表面、即ち、密着部２２に相当する表面において単位面積当たりの有機化合物層３０との接触面積が増加する。これにより有機化合物層３０と下地との密着性が向上する。本発明において、層間絶縁膜１３の表面に凹凸をつける加工の具体的方法としては、特に限定されないが、層間絶縁膜１３がＳｉＮからなる部材である場合は、部材の一部の表面を酸素プラズマでアッシングする方法が挙げられる。
【００６６】
またこのように、層間絶縁膜１３の一部の表面を加工した場合、加工した表面の上に、上述した有機化合物層３０との密着性が高い材料からなる薄膜をさらに設けてもよい。
【００６７】
［有機発光素子の用途］
次に、本発明の有機発光装置の用途について説明する。本発明の有機発光装置は、表示装置や光源として用いることができる。表示装置の構成は、赤、緑、青に各々発光する発光部を形成してもよいし、白色光源に赤、緑、青の３つの色が透過するカラーフィルターを有してもよい。また光源としては、照明装置、電子写真方式の画像形成装置の露光光源や液晶表示装置のバックライトとして用いることが可能である。
【００６８】
以下、図面を参照しながら、本発明の有機発光装置を有する画像形成装置の具体的な実施形態について説明する。
【００６９】
図５は、本発明の画像形成装置の実施形態を示す副走査方向の要部断面図である。図５の画像形成装置６５には、パーソナルコンピュータ等の外部機器７５からコードデータＤｃが入力される。このコードデータＤｃは、装置内のプリンタコントローラ７０によって、画像データ（ドットデータ）Ｄｉに変換される。この画像データＤｉは、本発明の有機発光装置を有する露光部たる露光ユニット６１に入力される。そして、この露光ユニット６１からは、画像データＤｉに応じて変調された露光光６４が射出され、この露光光６４によって感光ドラム６２の感光面が露光される。
【００７０】
静電潜像担持体（感光体）たる感光ドラム６２は、モーター７３によって時計廻りに回転させられる。そして、この回転に伴って、感光ドラム６２の感光面が露光光６４に対して、第二の方向に移動する。感光ドラム６２の上方には、感光ドラム６２の表面を一様に帯電せしめる帯電部たる帯電ローラ６３が表面に当接するように設けられている。そして露光ユニット６１によって、帯電ローラ６３によって帯電された感光ドラム６２の表面に、露光光６４が照射されるようになっている。
【００７１】
先に説明したように、露光光６４は、画像データＤｉに基づいて変調されており、この露光光６４を照射することによって感光ドラム６２の表面に静電潜像を形成させる。この静電潜像は、上記露光光６４の照射位置よりもさらに感光ドラム６２の回転方向の下流側で感光ドラム６２に当接するように配設された現像器６６（現像部）によってトナー像として現像される。尚、現像器６６は、感光ドラム６２に現像剤を付与する。
【００７２】
用紙カセット６８の端部には、給紙ローラ６９が配設されており、用紙カセット６８内の用紙７１を搬送路へ送り込む。現像器６６によって現像されたトナー像は、感光ドラム６２の下方で、感光ドラム６２に対向するように配設された転写ローラ６７によって用紙７１上に転写される。
【００７３】
以上のようにして、未定着トナー像を転写された用紙７１はさらに感光ドラム６２の後方（図５において左側）の定着器へと搬送される。定着器は内部に定着ヒータ（図示せず）を有する定着ローラ７２とこの定着ローラ７２に圧接するように配設された加圧ローラ７４とで構成されている。転写部から搬送されてきた用紙７１を定着ローラ７２と加圧ローラ７４の圧接部にて加圧しながら加熱することにより用紙７１上の未定着トナー像を定着させる。
【００７４】
また上記の説明ではモノクロの画像形成装置について述べたが、シアン、マゼンタ、イエロー、ブラックの各色に対応した画像形成装置を並べて設けることにより、フルカラー画像形成装置とすることも可能である。
【００７５】
図６（ａ）及び図６（ｂ）は、図５の画像形成装置６を構成する露光ユニット（露光部、露光装置）の具体例を示す平面概略図であり、図６（ｃ）は、図５の画像形成装置６を構成する感光体の具体例を示す概略図である。図６において、露光ユニット６１には、複数の発光点、即ち、複数の発光部６１ａを備えている。尚、図６（ａ）及び図６（ｂ）は、露光ユニット６１に有機発光素子を含む発光部６１ａが長尺状の基板６１ｃの長軸方向に沿って、一列に複数配置されている点で共通している。また符合６１ｂの矢印は、発光部６１ａが配列されている列方向を表わす。この列方向は、感光ドラム６２が回転する軸の方向と同じである。
【００７６】
ところで図６（ａ）では、発光部６１ａは、感光ドラム６２の軸方向に沿って配置した形態である。一方、図６（ｂ）では、第一の列αと第二の列βとのそれぞれにおいて発光部６１ａが列方向に交互に配置されている形態である。図６（ｂ）において、第一の列α及び第二の列βは、それぞれ行方向に異なる位置に配置されている。
【００７７】
また図６（ｂ）において、第一の列αは、複数の発光部６１αが一定の間隔を空けて配置される一方で、第二の列βは、第一の列αに含まれる発光部６１α同士の間隔に対応する位置に発光部６１βを有する。即ち、図６（ｂ）の露光光源は、行方向にも、複数の発光部が一定の間隔を空けつつ配置されている。
【００７８】
尚、図６（ｂ）の露光光源は、露光光源を構成する発光部（６１α、６１β）を、例えば、格子状、千鳥格子、あるいは市松模様に配置されている状態と言い換えることもできる。
【００７９】
図７は、本発明に係る有機発光素子を有する照明装置の例を示す模式図である。図７の照明装置８は、基板（不図示）の上に設けられる有機発光素子８１と、ＡＣ／ＤＣコンバーター回路８２と、を有している。図７の照明装置において、装置を構成する有機発光素子８１は、本発明の有機発光装置の構成部材である。また図７の照明装置は、装置内の熱を外部へ放出する放熱部に相当する放熱板（不図示）を、例えば、有機発光素子８１が載置されている側とは反対側の基板面に有していてもよい。
【実施例】
【００８０】
以下、実施例により本発明を詳細に説明する。尚、以下の説明において、発光層は青色発光層にしているが、本発明はこれに限定されるものではない。また以下に説明する実施例において、発光画素の配置については、特に限定されない。
【００８１】
［実施例１］
図８に示される製造プロセスに従って、図１の有機発光装置１を作製した。
【００８２】
（１）回路等付基板の形成工程（図８（ａ））
まずガラス基板（基材１１）の上に、有機発光素子の駆動に必要な回路（不図示）及び配線１２を形成した（図８（ａ））。このように、基材１１上に回路（不図示）や配線１２が設けられている基板を回路等付基板として次の工程に用いた。
【００８３】
（２）層間絶縁膜の形成工程（図８（ｂ））
次に、ＣＶＤ法により、ガラス基板（基材１１）の上に、ＳｉＮを成膜して層間絶縁膜１３を形成した。このとき層間絶縁膜１３の膜厚を２００ｎｍとした。次に、層間絶縁膜１３の上にフォトレジストを形成し、このフォトレジストを用いたフォトリソグラフィによって層間絶縁膜１３のパターニングを行い、所定の配線１２が設けられている位置に対応するようにコンタクトホール１３ａを形成した（図８（ｂ））。尚、パターニングの際には、ＣＦ4ガスを用いたドライエッチングを採用した。また層間絶縁膜１３の上に残ったレジストの残渣は、酸素ガスによるドライエッチングによって除去した。
【００８４】
（３）下部電極の形成工程（図８（ｃ））
次に、スパッタ法により、層間絶縁膜１３の上に、インジウムズズ酸化物（ＩＴＯ）からなる透明導電膜を形成した。このとき当該透明導電膜の膜厚を１００ｎｍとした。次に、この透明導電膜の上にフォトレジストを形成し、このフォトレジストを用いたフォトリソグラフィによって透明導電膜のパターニングを行い、層間絶縁膜１３上の所定の領域に下部電極２１を形成した（図８（ｃ））。尚、パターニングの際には、酸性エッチング液を用いたウェットエッチングを採用した。また下部電極２１の上に残ったレジスト残渣は、酸素ガスによるドライエッチングによって除去した。
【００８５】
（４）画素分離膜の形成工程（図８（ｄ））
次に、ＣＶＤ法により、下部電極２１の上に、ＳｉＮを成膜しＳｉＮ膜を形成した。このときＳｉＮ膜の膜厚を２００ｎｍとした。次に、このＳｉＮ膜の上にフォトレジストを形成し、このフォトレジストを用いたフォトリソグラフィによってＳｉＮ膜のパターニングを行い、発光部２０に対応する領域に開口１４ａを有する画素分離膜１４を形成した（図８（ｄ））。尚、画素分離膜１４の形成の際に行ったパターニングにおいては、ＣＦ4ガスを用いたドライエッチングを採用した。また画素分離膜１４の上に残ったレジストの残渣は、酸素ガスによるドライエッチングによって除去した。
【００８６】
（５）密着部の形成工程（図８（ｅ））
次に、スパッタ法により、少なくとも画素分離膜１４の上に、インジウムズズ酸化物（ＩＴＯ）からなる薄膜を形成した。このとき当該薄膜の膜厚を１００ｎｍとした。次に、この薄膜の上にフォトレジストを形成し、このフォトレジストを用いたフォトリソグラフィによって当該薄膜のパターニングを行い、画素分離膜１４の上であって隣接する下部電極２１間に密着部２２を形成した（図８（ｅ））。尚、パターニングの際には、酸性エッチング液を用いたウェットエッチングを採用した。またウェットエッチングの際には、下部電極２１の膜厚が極端に減らないようにエッチング時間を調整した。さらに密着部２２の上に残ったレジスト残渣は、酸素ガスによるドライエッチングによって除去した。
【００８７】
以上の工程を経て得られた基板を、電極付基板として次の工程に用いた。尚、この電極付基板は、市販の枚様式洗浄機を用いて、二流体あるいはメガソニックを使った純水洗浄を用いた洗浄を行い、基板の表面を洗浄した。これにより、発光部３と密着部２２とが図３（ａ）に記載の千鳥状に配置されている有機発光装置の作製に用いる電極付基板を作製した。
【００８８】
（６）有機化合物層の形成工程（図８（ｆ））
次に、ＵＶオゾン処理によって電極付基板の前処理を行った。この後、真空蒸着法により、電極付基板の上に有機化合物層３０を形成した（図８（ｆ））。尚、有機化合物層３０の形成の際は、図３（ａ）に示される符号３０の領域に開口を有するマスクを用いた。以下に、有機化合物層３０の形成に用いた化合物及びその具体的な形成方法について説明する。
【００８９】
【化１】
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【００９０】
下部電極２１の上に、化合物１を成膜して正孔注入層を形成した。このとき正孔注入層の膜厚を３ｎｍとした。次に、正孔注入層の上に化合物２を成膜して正孔輸送層を形成した。このとき正孔輸送層の膜厚を５０ｎｍとした。次に、正孔輸送層の上に化合物３を成膜して電子ブロック層を形成した。このとき電子ブロック層の膜厚を１０ｎｍとした。次いで、電子ブロック層の上に化合物４（ホスト）と化合物５（発光材料）とを共蒸着して発光層を形成した。このとき発光層の膜厚を２０ｎｍとし、発光層に対して化合物５が１体積％含まれるようにした。さらに、発光層の上に化合物６を成膜して正孔ブロック層を形成した。このとき正孔ブロック層の膜厚を１０ｎｍとした。次に、正孔ブロック層の上に化合物７を成膜して電子輸送層を形成した。このとき電子輸送層の膜厚を４０ｎｍとした。次に、電子輸送層の上に、化合物７と化合物８とを共蒸着して電子注入層を形成した。このとき電子注入層の膜厚を１５ｎｍとし、化合物７に対して化合物８が３０体積％含まれるようにした。
【００９１】
（７）水を洗浄液とした有機化合物層上の洗浄工程（不図示）
有機化合物層３０まで形成した基板を大気に開放した後、下記の条件で２流体洗浄を行った。尚、本工程は大気中イエロー光蛍光灯下にて行った。
（２流体洗浄条件）
・水流量：０．３４Ｌ／ｍｉｎ、窒素流量：４０Ｌ／ｍｉｎ
・基板回転速度：２００ｒｐｍ
・洗浄時間：３０秒
【００９２】
次に、洗浄した上記基板を真空チャンバーに搬送し、１０-4Ｐａの真空下にて、ハロゲンランプヒーターを用いて基板の温度が１３０℃になるように２０分ベイクした。
【００９３】
（８）上部電極の形成工程（図８（ｇ））
次に、真空蒸着法により、有機化合物層３０の上に、アルミニウム（Ａｌ）を成膜して
上部電極４０を形成した（図８（ｇ））。このとき上部電極４０の膜厚を１００ｎｍとした。
【００９４】
（９）保護膜の形成工程（図８（ｈ））
次に、ＳｉＮからなる保護層５０による薄膜封止を行った。具体的には、ＣＶＤ成膜により、上部電極４０まで形成した基板の上に、ＳｉＮを成膜して保護層５０を形成した（図８（ｈ））。このとき保護層５０の膜厚を２μｍとした。次に、フォトリソグラフィ及びＣＦ4ガスを用いたドライエッチングにより保護膜５０のパターニングを行い、外部接続用のパッド電極（不図示）を露出させた。以上により、有機発光装置１を作製した。
【００９５】
［比較例１］
実施例１において、図８（ｅ）に示される密着部２２を形成する工程を省いたこと以外は、実施例１と同様の方法により、有機発光装置を作製した。
【００９６】
［実施例２］
図９に示される製造プロセスに従って、図４の有機発光装置２を作製した。
【００９７】
（１）回路等付基板の形成工程（図９（ａ））
実施例１（１）と同様の方法により、基材１１の上の所定の領域に、配線１２及び回路（不図示）を形成した（図９（ａ））。
【００９８】
（２）層間絶縁膜の形成工程（図９（ｂ））
実施例１（２）と同様の方法により、基材１１、配線１２及び回路の上に層間絶縁膜１３を形成した後、実施例１（２）と同様の方法によりこの層間絶縁膜１３の一部を加工してコンタクトホール１３ａを形成した（図９（ｂ））。
【００９９】
（３）下部電極の形成工程（図９（ｃ））
実施例１（３）と同様の方法により、層間絶縁膜１３の所定の領域に下部電極２１を形成した（図９（ｃ））。
【０１００】
（４）密着部の形成工程（図９（ｄ））
スパッタ法により、層間絶縁膜１３の上に、インジウム亜鉛酸化物を成膜して薄膜を形成した。このとき当該薄膜の膜厚を１００ｎｍとした。次に、この薄膜の上にフォトレジストを形成し、このフォトレジストを用いたフォトリソグラフィによって薄膜のパターニングを行い、層間絶縁膜１３の上であって隣接する下部電極２１間の領域に密着部２２を形成した（図９（ｄ））。尚、パターニングの際には、酸性エッチング液を用いたウェットエッチングを採用した。またウェットエッチングの際には、下部電極２１の膜厚が極端に減らないようにエッチング時間を調整した。さらに密着部２２の上に残ったレジスト残渣は、酸素ガスによるドライエッチングによって除去した。
【０１０１】
（５）画素分離膜の形成工程（図９（ｅ））
次に、ＣＶＤ法により、下部電極２１及び密着部２２の上に、ＳｉＮを成膜してＳｉＮ膜を形成した。このときＳｉＮ膜の膜厚を２００ｎｍとした。次に、このＳｉＮ膜の上にフォトレジストを形成し、このフォトレジストを用いたフォトリソグラフィによってＳｉＮ膜のパターニングを行った。このパターニングにより、発光部２０に対応する領域及び密着部２２が設けられている領域の少なくとも一部（図９（ｅ）中の符号２３で示される領域）に、それぞれ開口１４ａ、１４ｂを有する画素分離膜１４を形成した（図９（ｅ））。尚、画素分離膜１４の形成の際に行ったパターニングにおいては、ＣＦ4ガスを用いたドライエッチングを採用した。また画素分離膜１４の上に残ったレジストの残渣は、酸素ガスによるドライエッチングによって除去した。
【０１０２】
以上の工程を経て得られた基板を、電極付基板として次の工程に用いた。尚、この電極付基板は、市販の枚様式洗浄機を用いて、二流体あるいはメガソニックを使った純水洗浄を用いた洗浄を行い、基板の表面を洗浄した。これにより、発光部３と密着部２２とが図３（ａ）に記載の千鳥状に配置されている有機発光装置を作製する際に用いられる電極付基板を作製した。
【０１０３】
（６）有機化合物層の形成工程（図９（ｆ））
実施例１（６）と同様の方法により、下部電極２１及び密着部２２の上に、有機化合物層３０を形成した（図９（ｆ））。
【０１０４】
（７）水を洗浄液とした有機化合物層上の洗浄工程（不図示）
実施例１（７）と同様の方法により、水を洗浄液とした有機化合物層上の洗浄工程を行った。
【０１０５】
（８）上部電極の形成工程（図９（ｇ））
実施例１（８）と同様の方法により、有機化合物層３０の上に上部電極４０を形成した（図９（ｇ））。
【０１０６】
（９）封止膜の形成工程（図９（ｈ））
実施例１（９）と同様の方法により、封止膜５０を形成し（図９（ｈ））、その一部を加工した。以上により、有機発光装置２を得た。
【０１０７】
［実施例３］
図１０に示される製造プロセスに従って、図４の有機発光装置２を作製した。
【０１０８】
（１）回路等付基板の形成工程（図１０（ａ））
実施例１（１）と同様の方法により、基材１１の上の所定の領域に、配線１２及び回路（不図示）を形成した（図１０（ａ））。
【０１０９】
（２）層間絶縁膜の形成工程（図１０（ｂ））
実施例１（２）と同様の方法により、基材１１、配線１２及び回路の上に層間絶縁膜１３を形成した後、実施例１（２）と同様の方法によりこの層間絶縁膜１３の一部を加工してコンタクトホール１３ａを形成した（図１０（ｂ））。
【０１１０】
（３）下部電極及び密着部の形成工程（図１０（ｃ）、（ｄ））
次に、スパッタ法により、層間絶縁膜１３の上に、インジウムズズ酸化物（ＩＴＯ）からなる透明導電膜１５を形成した（図１０（ｃ））。このとき透明導電膜１５の膜厚を１００ｎｍとした。次に、この透明導電膜１５の上にフォトレジストを形成し、このフォトレジストを用いたフォトリソグラフィによって透明導電膜１５のパターニングを行い、層間絶縁膜１３の上の所定の領域に下部電極２１及び密着部２２を形成した（図１０（ｄ））。尚、パターニングの際には、酸性エッチング液を用いたウェットエッチングを採用した。また下部電極２１及び密着部２２の上に残ったレジスト残渣は、酸素ガスによるドライエッチングによって除去した。
【０１１１】
（４）画素分離膜の形成工程（図１０（ｅ））
実施例２（５）と同様の方法により、発光部２０に対応する領域及び密着部２２が設けられている領域の少なくとも一部（図１０（ｅ）中の符号２３で示される領域）に、それぞれ開口１４ａ、１４ｂを有する画素分離膜１４を形成した（図１０（ｅ））。
【０１１２】
（５）有機化合物層の形成工程（図１０（ｆ））
実施例１（６）と同様の方法により、下部電極２１及び密着部２２の上に、有機化合物層３０を形成した（図１０（ｆ））。
【０１１３】
（６）水を洗浄液とした有機化合物層上の洗浄工程（不図示）
実施例１（７）と同様の方法により、水を洗浄液とした有機化合物層上の洗浄工程を行った。
【０１１４】
（７）上部電極の形成工程（図１０（ｇ））
実施例１（８）と同様の方法により、有機化合物層３０の上に上部電極４０を形成した（図１０（ｇ））。
【０１１５】
（８）封止膜の形成工程（図１０（ｈ））
実施例１（９）と同様の方法により、封止膜５０を形成し（図１０（ｈ））、その一部を加工した。以上により、有機発光装置２を得た。
【０１１６】
［評価結果］
実施例１、実施例２、実施例３において作製した有機発光装置は、いずれも有機化合物層の剥離は見られることなく良好な発光特性を示した。一方、比較例１において作製した有機発光装置は、２流体洗浄時に上流方向に設置された有機化合物層において剥離が見られた。さらには、剥離した有機化合物層が原因とみられる微小異物が発光部内に散見された。このため、発光特性としては良好とはいえない有機発光装置であることがわかった。
【０１１７】
［高温高湿保管試験］
実施例１、実施例２、実施例３及び比較例１で作製した有機発光装置について、温度８５℃、湿度８５％の環境下で１３５時間保管した後に非発光領域が出現するか否かの評価を行った。比較例１で作製した有機発光装置では、剥離が発生した箇所において保護層の欠陥から侵入したと思われる浸透水分により、発光部に非発光領域が見られた。一方、実施例１、実施例２、実施例３でそれぞれ作製した有機発光装置では、いずれも発光部において非発光領域は見られなかった。これは有機化合物層３０を形成した後で行われた洗浄により異物が除去されたためと考えられる。
【０１１８】
以上のように、本発明の有機発光装置は、有機化合物層とこの有機化合物層が接する密着部との密着性が高いため、洗浄等の剥離を発生し得る程度のエネルギーを与えても剥離の発生を抑制することができる。このように本発明の構成は耐剥離性が高いため、水等を洗浄液とする洗浄工程を可能にし、有機化合物層の剥離を発生させることなく、基板上の異物を除去することが可能である。従って、高温、高湿下においても保護膜に高い防護性能を有する有機発光素子を提供することができる。
【０１１９】
また以上の説明では、洗浄時に発生する剥離について述べたが、本発明の構成は有機化合物層と密着部との密着性が高いことから、膜応力、温度変化による熱応力、変形による曲げ応力による剥離の抑制においても効果がある。
【産業上の利用可能性】
【０１２０】
本発明の有機発光装置は、表示装置、照明、光源等の一部材として利用することができる。
【符号の説明】
【０１２１】
１（２）：有機発光装置、２：発光部、１１：基材、１２：配線、１３：層間絶縁膜、１３ａ：コンタクトホール、１４：画素分離膜、２０：発光領域、２１：下部電極、２２：密着部、３０：有機化合物層、４０：上部電極、５０：保護膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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