(57)【要約】【課題】メンテナンス性や接続信頼性を損なうことなく、信号速度の増大化に対応可能とする。【解決手段】実施形態の伝送装置は、第１のユニットおよび第２のユニットの中で少なくとも第１のユニットを着脱可能とするバックボードを有する。バックボードは、電気コネクタと、光変調部と、第１の光伝送路とを有する。電気コネクタは、第１のユニットと接続する。光変調部は、電気コネクタを介して第１のユニットより入力された電気信号に基づいて、光源からの光を変調して光信号を出力する。第１の光伝送路は、出力された光信号を第２のユニットへ伝送する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のユニットおよび第２のユニットの中で少なくとも前記第１のユニットを着脱可能とするバックボードを有する伝送装置であって、
前記バックボードは、
前記第１のユニットと接続する電気コネクタと、
前記電気コネクタを介して前記第１のユニットより入力された電気信号に基づいて、光源からの光を変調して光信号を出力する光変調部と、
前記出力された光信号を前記第２のユニットへ伝送する第１の光伝送路と
を有することを特徴とする伝送装置。
【請求項２】
前記バックボードは、
前記第２のユニットから出力された光信号を伝送する第２の光伝送路と、
前記第２の光伝送路より伝送された光信号を電気信号に変換する変換部と、を備え、
前記変換された電気信号は前記電気コネクタを介して前記第１のユニットに出力されることを特徴とする
請求項１に記載の伝送装置。
【請求項３】
前記第２のユニットは、前記第１の光伝送路より伝送された光信号に基づいて前記光変調部の変調動作の基準となる基準電圧を制御する制御部を有することを特徴とする
請求項１又は２に記載の伝送装置。
【請求項４】
前記第１のユニットは、前記制御部による制御をもとに前記基準電圧を前記電気コネクタを介して前記光変調部へ供給し、当該光変調部を駆動させる駆動部を有することを特徴とする
請求項３に記載の伝送装置。
【請求項５】
前記バックボードは、
前記第１のユニットごとに、異なる波長の光信号に変調する複数の変調部を備え、
前記第１の光伝送路は、前記複数の変調部より出力された光信号を波長多重して前記第２のユニットへ伝送することを特徴とする
請求項１乃至４のいずれか一項に記載の伝送装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、伝送装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
基幹ネットワークなどで使用される伝送装置では、バックボード（ＢＷＢ、バックワイヤードボード）に接続される複数のインターフェースユニット間で、バックボードを介してデータの送受信を行う必要がある。このインターフェースユニット間でのデータの送受信では、近年、インターフェースユニットが扱う信号速度が増大化している。このため、バックボードを介したインターフェースユニット間の接続については、光接続が検討されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００４−３３６８１１号公報
【特許文献２】特開２００９−１７７３３７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、インターフェースユニットとバックボードとを光接続して、信号送受信に光信号を用いる場合、インターフェースユニット間の信号速度の増大化には対応可能となるが、メンテナンス性や接続信頼性が低下することがあった。例えば、インターフェースユニットに発光素子を内蔵した光モジュールを搭載する必要があることから、光モジュールの発光素子が故障して交換する場合にはインターフェースユニットごと交換する必要がある。また、長期間保存したインターフェースユニットをバックボードに実装する場合、インターフェースユニットとバックボートとを接続する光コネクタに付着したゴミにより光信号が遮られて、接続信頼性が失われることがあった。
【０００５】
一つの側面では、メンテナンス性や接続信頼性を損なうことなく、信号速度の増大化に対応可能とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
第１の案では、伝送装置は、第１のユニットおよび第２のユニットの中で少なくとも第１のユニットを着脱可能とするバックボードを有する。バックボードは、電気コネクタと、光変調部と、第１の光伝送路とを有する。電気コネクタは、第１のユニットと接続する。光変調部は、電気コネクタを介して第１のユニットより入力された電気信号に基づいて、光源からの光を変調して光信号を出力する。第１の光伝送路は、出力された光信号を第２のユニットへ伝送する。
【発明の効果】
【０００７】
本発明の１実施態様によれば、メンテナンス性や接続信頼性を損なうことなく、信号速度の増大化に対応できる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】図１は、第１の実施形態にかかる伝送装置の構成を例示するブロック図（１）である。
【図２】図２は、第１の実施形態にかかる伝送装置の構成を例示するブロック図（２）である。
【図３】図３は、第１の実施形態にかかるバックボードの変調器周辺を説明する説明図である。
【図４】図４は、第１の実施形態にかかる変調器の動作特性を説明する説明図である。
【図５】図５は、第２の実施形態にかかる伝送装置の構成を例示するブロック図である。
【図６】図６は、第２の実施形態にかかるバックボードの変調器周辺を説明する説明図である。
【図７】図７は、第２の実施形態にかかるＡＷＧの概要を説明する説明図である。
【図８】図８は、第２の実施形態にかかる変調器の動作特性を説明する説明図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、図面を参照して、実施形態にかかる伝送装置を説明する。実施形態において同一の機能を有する構成には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。なお、以下の実施形態で説明する伝送装置は、一例を示すに過ぎず、実施形態を限定するものではない。また、以下の各実施形態は、矛盾しない範囲内で適宜組みあわせてもよい。
【００１０】
（第１の実施形態）
図１は、第１の実施形態にかかる伝送装置１の構成を例示するブロック図（１）である。図２は、第１の実施形態にかかる伝送装置１の構成を例示するブロック図（２）である。なお、図１では、インターフェースユニット１０ａ、１０ｂからバックボード３０を経由してスイッチユニット２０への伝送にかかる構成を示している。また、図２では、図１とは逆に、スイッチユニット２０からバックボード３０を経由してインターフェースユニット１０ａ、１０ｂへの伝送にかかる構成を示している。
【００１１】
まず、インターフェースユニット１０ａ、１０ｂからバックボード３０を経由してスイッチユニット２０への伝送にかかる構成を説明する。図１に示すように、インターフェースユニット１０ａは、信号処理部１１ａおよび変調器駆動部１２ａを有する。同様に、インターフェースユニット１０ｂは、信号処理部１１ｂおよび変調器駆動部１２ｂを有する。スイッチユニット２０は、インターフェースユニット１０ａ、１０ｂのそれぞれに対応した、Ｏ／Ｅ変換部２１ａ、２１ｂ、信号処理部２２ａ、２２ｂ、バイアス制御部２３ａ、２３ｂを有する。バックボード３０は、インターフェースユニット１０ａ、１０ｂのそれぞれに対応した変調器３１ａ、３１ｂを有する。
【００１２】
インターフェースユニット１０ａでは、コネクタ（図示しない）等を介して外部より入力された信号が信号処理部１１ａで処理されて変調器駆動部１２ａに出力される。変調器駆動部１２ａは、信号処理部１１ａからの信号を増幅し、電気伝送路Ｌ１ａを介してバックボード３０へ出力する。同様に、インターフェースユニット１０ｂでは、コネクタ（図示しない）等を介して外部より入力された信号が信号処理部１１ｂで処理されて変調器駆動部１２ｂに出力される。変調器駆動部１２ｂは、信号処理部１１ｂからの信号を増幅し、電気伝送路Ｌ１ｂを介してバックボード３０へ出力する。
【００１３】
インターフェースユニット１０ａ、１０ｂと、バックボード３０との間は、着脱可能な電気コネクタ（図３の電気コネクタ３０１参照）を有する電気伝送路Ｌ１ａ、Ｌ１ｂを介して電気的に接続されている。これにより、インターフェースユニット１０ａ、１０ｂは、バックボード３０に対して着脱可能となっている。また、変調器駆動部１２ａ、１２ｂからの電気信号は、電気伝送路Ｌ１ａ、Ｌ１ｂを介して変調器３１ａ、３１ｂに伝送される。変調器３１ａ、３１ｂには、光伝送路Ｌ２を介して光源部４０からの光が入力される。光源部４０は、例えば、所定波長の光を発するレーザー光源などである。光源部４０は、図示例のように、バックボード３０の外部に設けられる構成であってもよいし、バックボード３０上に設けられる構成であってもよい。
【００１４】
変調器３１ａ、３１ｂは、電気伝送路Ｌ１ａ、Ｌ１ｂを介して変調器駆動部１２ａ、１２ｂより入力された電気信号をもとに、光伝送路Ｌ２を介して入力された光を変調する。例えば、変調器３１ａ、３１ｂは、単一波長で構成する場合はＥＡ（Electro  Absorption）変調器等であってもよい。この変調により得られた光信号は、変調器３１ａ、３１ｂの出力側と接続する光伝送路Ｌ３ａ、Ｌ３ｂにより、スイッチユニット２０のＯ／Ｅ変換部２１ａ、２１ｂへ伝送される。また、変調器３１ａ、３１ｂには、電気伝送路Ｌ４ａ、Ｌ４ｂを介してスイッチユニット２０のバイアス制御部２３ａ、２３ｂが接続されている。変調器３１ａ、３１ｂは、電気伝送路Ｌ４ａ、Ｌ４ｂを介して接続されるバイアス制御部２３ａ、２３ｂにより、変調動作の基準となるバイアス電圧が制御される。
【００１５】
スイッチユニット２０では、変調器３１ａより光伝送路Ｌ３ａを介して伝送された光信号がＯ／Ｅ変換部２１ａで電気信号に変換されて信号処理部２２ａへ出力される。信号処理部２２ａは、Ｏ／Ｅ変換部２１ａで変換された電気信号に所定の処理を施す。また、信号処理部２２ａは、Ｏ／Ｅ変換部２１ａで変換された電気信号をバイアス制御部２３ａへ出力する。バイアス制御部２３ａは、Ｏ／Ｅ変換部２１ａで変換された電気信号をもとに、変調器３１ａの変調動作の基準となるバイアス電圧を電気伝送路Ｌ４ａを介して制御する。
【００１６】
同様に、変調器３１ｂより光伝送路Ｌ３ｂを介して伝送された光信号は、Ｏ／Ｅ変換部２１ｂで電気信号に変換されて信号処理部２２ｂへ出力される。信号処理部２２ｂは、Ｏ／Ｅ変換部２１ｂで変換された電気信号に所定の処理を施す。また、信号処理部２２ｂは、Ｏ／Ｅ変換部２１ｂで変換された電気信号をバイアス制御部２３ｂへ出力する。バイアス制御部２３ｂは、Ｏ／Ｅ変換部２１ｂで変換された電気信号をもとに、変調器３１ｂの変調動作の基準となるバイアス電圧を電気伝送路Ｌ４ｂを介して制御する。
【００１７】
光源部４０からの光は変調器３１ａ、３１ｂのそれぞれに分配され、変調器３１ａ、３１ｂのそれぞれに入力される光レベルは個々に異なる。よって、変調器３１ａ、３１ｂのバイアス電圧はバイアス制御部２３ａ、２３ｂによって個々に制御される。
【００１８】
具体的には、バイアス制御部２３ａ、２３ｂは、Ｏ／Ｅ変換部２１ａ、２１ｂで変換された電気信号をもとに、光伝送路Ｌ３ａ、Ｌ３ｂを介して伝送された光信号のエラー監視を行う。そして、バイアス制御部２３ａ、２３ｂは、例えばエラーレートが最小となるように変調器３１ａ、３１ｂのバイアス電圧を調整する。このエラー監視は、光信号のパリティ演算を用いてもよく、パケット系の伝送を利用する場合はＣＲＣ（Cyclic  Redundancy  Check）エラーを含むパケットのレートを用いてもよい。
【００１９】
このバイアス電圧の制御は、インターフェースユニット１０ａ、１０ｂの実装時にバイアス電圧の最適点（例えばエラーレートが最小となる電圧）を探し、その最適点で制御を開始してもよい。また、バイアス電圧の制御を開始した後には、温度センサ（図示しない）により検出された環境温度の変化に応じて制御してもよい。この環境温度の変化に応じた制御では、変調器駆動部１２ａ、１２ｂへの電源供給に関するパワー監視回路（図示しない）を使用して、Ｏ／Ｅ変換部２１ａ、２１ｂにおける受信レベルの変動を抑えるような微調整を行えばよい。
【００２０】
次に、スイッチユニット２０からバックボード３０を経由してインターフェースユニット１０ａ、１０ｂへの伝送にかかる構成を説明する。図２に示すように、インターフェースユニット１０ａは、信号処理部１１ａおよび波形整形部１３ａを有する。同様に、インターフェースユニット１０ｂは、信号処理部１１ｂおよび波形整形部１３ｂを有する。スイッチユニット２０は、インターフェースユニット１０ａ、１０ｂのそれぞれに対応した、光送信部２４ａ、２４ｂを有する。バックボード３０は、インターフェースユニット１０ａ、１０ｂと接続する電気コネクタ（図３の電気コネクタ３０１参照）近傍に、インターフェースユニット１０ａ、１０ｂのそれぞれに対応したＯ／Ｅ変換部３２ａ、３２ｂを有する。
【００２１】
光送信部２４ａ、２４ｂは、信号処理部２２ａ、２２ｂなどによる処理後の信号を受けて光信号を送信する光源などである。スイッチユニット２０では、光送信部２４ａからの光信号が光伝送路Ｌ５ａを介してバックボード３０のＯ／Ｅ変換部３２ａへ出力される。同様に、光送信部２４ｂからの光信号が光伝送路Ｌ５ｂを介してバックボード３０のＯ／Ｅ変換部３２ｂへ出力される。
【００２２】
Ｏ／Ｅ変換部３２ａ、３２ｂは、光送信部２４ａ、２４ｂより出力され、光伝送路Ｌ５ａ、Ｌ５ｂを介して伝送された光信号を電気信号に変換する。変換後の電気信号は、電気伝送路Ｌ６ａ、Ｌ６ｂを介して波形整形部１３ａ、１３ｂへ出力される。
【００２３】
インターフェースユニット１０ａ、１０ｂと、バックボード３０との間は、着脱可能な電気コネクタ（図３の電気コネクタ３０１参照）を有する電気伝送路Ｌ６ａ、Ｌ６ｂを介して電気的に接続されている。これにより、インターフェースユニット１０ａ、１０ｂは、バックボード３０に対して着脱可能となっている。
【００２４】
インターフェースユニット１０ａでは、電気伝送路Ｌ６ａを介して入力された信号が波形整形部１３ａで波形整形されて信号処理部１１ａに出力される。信号処理部１１ａは、波形整形部１３ａから出力された信号に所定の処理を施し、コネクタ（図示しない）等を介して外部に出力する。同様に、インターフェースユニット１０ａでは、電気伝送路Ｌ６ｂを介して入力された信号が波形整形部１３ｂで波形整形されて信号処理部１１ｂに出力される。信号処理部１１ｂは、波形整形部１３ｂから出力された信号に所定の処理を施し、コネクタ（図示しない）等を介して外部に出力する。
【００２５】
図３は、第１の実施形態にかかるバックボード３０の変調器３１ａ周辺を説明する説明図である。なお、変調器３１ｂ周辺については、変調器３１ａと同様であるため説明を省略する。
【００２６】
図３に示すように、バックボード３０は、電気コネクタ３０１、３０３、光コネクタ３０２、３０４を有する。バックボード３０は、電気コネクタ３０１を介してインターフェースユニット１０ａと着脱可能に接続する。そして、電気コネクタ３０１を介してインターフェースユニット１０ａより入力される電気信号は、電気伝送路Ｌ１ａを介して変調器３１ａに入力される。同様に、Ｏ／Ｅ変換部３２ａから電気伝送路Ｌ６ａを介して伝送される電気信号も、電気コネクタ３０１を介してインターフェースユニット１０ａに入力される。
【００２７】
光源部４０からの光は、光カプラ４１により光伝送路Ｌ２ｂ、Ｌ２ａに分配される。そして、光伝送路Ｌ２ａを伝送された光が光コネクタ３０２を介して変調器３１ａに入力される。なお、光源部４０は、バックボード３０上に設置してもよいが、光源部４０をバックボード３０の外部に置くことで光源部４０の交換を容易に行うことができる。
【００２８】
電気コネクタ３０３および光コネクタ３０４は、スイッチユニット２０とバックボード３０とを接続するコネクタである。光コネクタ３０４には、光伝送路Ｌ３ａが接続されている。変調器３１ａより出力された光は、光コネクタ３０４を介してスイッチユニット２０へ伝送される。電気コネクタ３０３には、電気伝送路Ｌ４ａが接続されている。バイアス制御部２３ａからの出力電圧は電気コネクタ３０３を介して変調器３１ａに印加される。
【００２９】
変調器３１ａは、ＥＡ変調器であり、光の入出力にかかるレンズ３１１、３１３と、光源部４０からの光を変調する変調素子３１２と、終端抵抗３１４と、インダクタ３１５とを有する。変調素子３１２には、スイッチユニット２０から電気伝送路Ｌ４ａを介したバイアス電圧がインダクタ３１５を通して印加され、インターフェースユニット１０ａから電気伝送路Ｌ１ａを介して電気信号が入力される。これにより、変調素子３１２は、バイアス電圧を基準とし、入力される電気信号をもとに、光源部４０からの光を変調する変調動作を行う。なお、変調素子３１２は、温度制御が必要である場合、温度測定情報と温度制御用の電源接続を電気コネクタ３０１を介してインターフェースユニット１０ａと接続してもよい。
【００３０】
また、変調器３１ａは、電気コネクタ３０１近傍に設けられている。これにより、インターフェースユニット１０ａから変調素子３１２までの伝送にかかる伝送距離Ｄ１は、例えば、数ｃｍ程度の短い距離である。また、変調素子３１２からスイッチユニット２０までの伝送にかかる伝送距離Ｄ２は、例えば、１ｍ以上の距離であり、伝送距離Ｄ１に対して十分に長い距離となっている。したがって、インターフェースユニット１０ａからバックボード３０を介したスイッチユニット２０への伝送は、電気信号の伝送距離Ｄ１に対して光信号の伝送距離Ｄ２が十分に長く、主に光伝送であることから、信号速度の増大化に対応可能である。また、インターフェースユニット１０ａとバックボード３０との接続を電気コネクタ３０１を介して行うことから、光コネクタで接続する場合と比較して、ゴミ付着などで容易に接続信頼性が低下することがなく、メンテナンス性を向上することができる。
【００３１】
なお、光源部４０とバックボード３０およびスイッチユニット２０とバックボード３０との接続は、光コネクタ３０２、３０４を介した光接続である。この接続部分は、インターフェースユニット１０ａ、１０ｂの場合と異なりバックボード３０に対する差し替えなどがないことから、半固定又は完全固定である。よって、差し替えにおけるゴミ付着などを考慮する必要がなく、稼働時に一度検査すればよい。
【００３２】
図４は、第１の実施形態にかかる変調器３１ａ、３１ｂの動作特性を説明する説明図である。図４において、グラフＧ１は、変調器３１ａ、３１ｂにおける印加電圧−光透過率の動作特性を示している。
【００３３】
図４に示すように、変調器３１ａ、３１ｂは、動作の基準となるバイアス電圧Ｖ１を中心に変調器駆動部１２ａ、１２ｂの信号出力の振幅Ｗ１に応じて光の透過率の振幅Ｗ２が変化する。よって、光源部４０より入力される光は、振幅Ｗ２に応じてレベル変動する。このレベル変動は、元の電気信号の変化に合わせてリニアに応答することが望まれるため、バイアス電圧Ｖ１と振幅Ｗ１を調整する必要がある。
【００３４】
振幅Ｗ１に関しては、初期状態で必要なレベルを確保しておけばよく、リニアに応答する範囲の大部分を使用するように予め設定する。一方、バイアス電圧Ｖ１は、透過する光の平均レベルを予め決めておき（例えば全透過時の４０％など）、Ｏ／Ｅ変換部２１ａ、２１ｂでの検出値が同じ値となるように、バイアス制御部２３ａ、２３ｂからの制御によって調整される。
【００３５】
あるいは、バイアス制御部２３ａ、２３ｂは、スイッチユニット２０での初期起動時にバイアス電圧Ｖ１を変化させ、バックボード３０を介したインターフェースユニット１０ａ、１０ｂからの信号のエラーレートを検出する。そして、検出したエラーレートが１０−１２（１Ｅ−１２）に悪化する上下の電圧を求める。バイアス制御部２３ａ、２３ｂは、求めた上下の電圧の間（例えば、上下の電圧の中心）にバイアス電圧Ｖ１をするように制御を行い、運用状態に入れる。これにより、バイアス制御部２３ａ、２３ｂは、インターフェースユニット１０ａ、１０ｂからの信号のエラーレートを１Ｅ−１２未満とした運用を行う。
【００３６】
（第２の実施形態）
図５は、第２の実施形態にかかる伝送装置１ａの構成を例示するブロック図である。図５に示すように、第２の実施形態は、インターフェースユニット１０ａ、１０ｂからの電気信号を変換した後の光信号を、波長多重してスイッチユニット２０ａに伝送する点が第１の実施形態とは異なっている。
【００３７】
具体的には、バックボード３０ａは、変調器３１ｃ、３１ｄと、光カプラ３３と、光伝送路Ｌ３ｃ、Ｌ３ｄ、Ｌ３ｅとを有する。変調器３１ｃ、３１ｄには、電気伝送路Ｌ１ａ、Ｌ１ｂからの電気信号と、互いに波長の異なる第１光源部４０ａ、第２光源部４０ｂから光伝送路Ｌ２ｃ、Ｌ２ｄを介して伝送される光とが入力される。変調器３１ｃからの光信号は光伝送路Ｌ３ｃを介して光カプラ３３へ伝送される。また、変調器３１ｄからの光信号は光伝送路Ｌ３ｄを介して光カプラ３３へ伝送される。光カプラ３３は、変調器３１ｃ、３１ｄより出力された光信号を合波してＷＤＭ（Wavelength  Division  Multiplexing)波として光伝送路Ｌ３ｅへ出力する。
【００３８】
スイッチユニット２０ａは、光伝送路Ｌ３ｅからのＷＤＭ波を分離するためのＡＷＧ２５（ＡＷＧ：Arrayed  Waveguide  Grating）を有する。ＡＷＧ２５により分離された光信号は、光伝送路Ｌ３ｆ、Ｌ３ｇを介してＯ／Ｅ変換部２１ａ、２１ｂへ出力される。バイアス制御部２３ａ、２３ｂは、前述したエラー監視をもとに、変調器３１ｃ、３１ｄのバイアス電圧を制御するための制御信号を電気伝送路Ｌ４ｃ、Ｌ４ｄを介して変調器駆動部１２ａ、１２ｂに伝送する。変調器駆動部１２ａ、１２ｂは、バイアス制御部２３ａ、２３ｂからの制御信号に基づいたバイアス電圧を変調器３１ｃ、３１ｄに印加させる。
【００３９】
図６は、第２の実施形態にかかるバックボード３０ａの変調器３１ｃ周辺を説明する説明図である。なお、変調器３１ｄ周辺については、変調器３１ｃと同様であるため説明を省略する。
【００４０】
図６に示すように、変調器３１ｃは、複数の波長に対応するため、ＬＮ（ＬｉＮｂＯの略称）材料からなる変調素子３１２ａを有する、ＬＮ変調器などである。また、変調器３１ｃは、電気コネクタ３０１近傍に設けられている。これにより、インターフェースユニット１０ａから変調素子３１２ａまでの伝送にかかる伝送距離Ｄ３は、例えば、数ｃｍ程度の短い距離である。また、変調素子３１２ａからスイッチユニット２０ａまでの伝送にかかる伝送距離Ｄ４は、例えば、１ｍ以上の距離であり、伝送距離Ｄ３に対して十分に長い距離となっている。
【００４１】
したがって、インターフェースユニット１０ａからバックボード３０ａを介したスイッチユニット２０ａへの伝送は、電気信号の伝送距離Ｄ３に対して光信号の伝送距離Ｄ４が十分に長く、主に光伝送であることから、信号速度の増大化に対応可能である。また、インターフェースユニット１０ａとバックボード３０ａとの接続を電気コネクタ３０１を介して行うことから、光コネクタで接続する場合と比較して、ゴミ付着などで容易に接続信頼性が低下することがなく、メンテナンス性を向上することができる。
【００４２】
また、変調器３１ｃがＬＮ変調器である場合は、変調素子３１２ａのバイアス電圧が１０Ｖ以上となる。したがって、伝送距離が長くなるスイッチユニット２０ａ側から変調素子３１２ａに対して直接バイアス電圧を印加することは困難である。よって、スイッチユニット２０ａからは電気伝送路Ｌ４ｃを介してバイアス電圧の制御信号をインターフェースユニット１０ａ側に伝送し、インターフェースユニット１０ａの変調器駆動部１２ａが変調素子３１２ａに対してバイアス電圧を印加している。
【００４３】
図７は、第２の実施形態にかかるＡＷＧ２５の概要を説明する説明図である。図７に示すように、ＡＷＧ２５は、入出力における２つのスラブ導波路２５１、２５３と、スラブ導波路２５１、２５３の間を互いに一定の光路差を有して接続する複数の光伝送路２５２とを有する。ＡＷＧ２５において、スラブ導波路２５１に入力された光のスラブ導波路２５３における結像位置は、互いに一定の光路差を有する複数の光伝送路２５２を介して伝送されることから、波長ごとに異なる。よって、入力側の光伝送路Ｌ３ｅよりスラブ導波路２５１に入力された光は、スラブ導波路２５１、光伝送路２５２、スラブ導波路２５３を介する内部の光路差に応じて波長分離され、スラブ導波路２５３の光伝送路Ｌ３ｆ、Ｌ３ｇより出力される。なお、図示例では２波長を例示しているが、複数波長でも同様である。
【００４４】
図８は、第２の実施形態にかかる変調器３１ｃ、３１ｄの動作特性を説明する説明図である。図８において、グラフＧ２は、変調器３１ｃ、３１ｄにおける印加電圧−光透過率の動作特性を示している。図８に示すように、グラフＧ２は、印加電圧に対して周期的に光の透過率が変動するところが図４に例示したグラフＧ１と異なっている。なお、バイアス電圧Ｖ１を中心に変調器駆動部１２ａ、１２ｂの信号出力の振幅Ｗ１に応じて光の透過率の振幅Ｗ２が変化することは、グラフＧ１と同じである。
【００４５】
変調器３１ｃ、３１ｄは、印加電圧に対して周期的に振幅Ｗ２が変動する特徴を持つことから、振幅Ｗ１を調整したほうが望ましい。よって、バイアス制御部２３ａ、２３ｂは、変調器３１ｃ、３１ｄのバイアス・振幅についての制御信号を電気伝送路Ｌ４ｃ、Ｌ４ｄを介して変調器駆動部１２ａ、１２ｂに通知する。変調器駆動部１２ａ、１２ｂは、バイアス・振幅についての制御信号をもとに、変調器３１ｃ、３１ｄへの電気信号にかかるバイアス電圧Ｖ１および振幅Ｗ１を調整する。
【００４６】
なお、上述した実施形態は、一例であって、バックボード３０に対して着脱可能とするユニットの種別はインターフェースユニットに限定しない。比較的に頻繁に挿抜されるユニットとの送受信に適用することで、そのユニットのメンテナンス性や接続信頼性を損なうことなく、信号速度の増大化に対応できる。
【符号の説明】
【００４７】
１、１ａ…伝送装置
１０ａ、１０ｂ…インターフェースユニット
１１ａ、１１ｂ…信号処理部
１２ａ、１２ｂ…変調器駆動部
１３ａ、１３ｂ…波形整形部
２０、２０ａ…スイッチユニット
２１ａ、２１ｂ…Ｏ／Ｅ変換部
２２ａ、２２ｂ…信号処理部
２３ａ、２３ｂ…バイアス制御部
２４ａ、２４ｂ…光送信部
２５…ＡＷＧ
３０、３０ａ…バックボード
３１ａ、３１ｂ、３１ｃ、３１ｄ…変調器
３２ａ、３２ｂ…Ｏ／Ｅ変換部
３３…光カプラ
４０、４０ａ、４０ｂ…光源部
４１…光カプラ
３０１、３０３…電気コネクタ
３０２、３０４…光コネクタ
Ｌ１ａ、Ｌ１ｂ…電気伝送路
Ｌ２、Ｌ２ａ、Ｌ２ｂ、Ｌ２ｃ、Ｌ２ｄ、Ｌ３ａ、Ｌ３ｂ、Ｌ３ｃ、Ｌ３ｄ、Ｌ３ｅ、Ｌ３ｆ、Ｌ３ｇ、Ｌ５ａ、Ｌ５ｂ…光伝送路
Ｌ４ａ、Ｌ４ｂ、Ｌ４ｃ、Ｌ４ｄ、Ｌ６ａ、Ｌ６ｂ…電気伝送路
Ｖ１…バイアス電圧
Ｗ１、Ｗ２…振幅
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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