(57)【要約】【課題】１〜５ＭＨｚの低周波電力をＩＣＰアンテナに供給する際のインピーダンスの整合に要する時間の短縮とプラズマ密度の向上とが可能なプラズマエッチング装置を提供する。【解決手段】アンテナ用整合器２２は、入力端子と電源２３とに直列に接続された第１可変コンデンサと、入力端子と接地電位とに直列に接続された直列回路であって、接地電位に接続された第２可変コンデンサと、第２可変コンデンサと入力端子とに直列に接続された固定インダクタとから構成される直列回路と、から構成されている。【選択図】図２
2016046391.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
空間が形成されたチャンバと、
前記チャンバに搭載されたＩＣＰアンテナと、
前記ＩＣＰアンテナに１〜５ＭＨｚの低周波電力を出力する電源と、
前記ＩＣＰアンテナの入力端子と前記電源とに直列に接続された整合器と、
前記ＩＣＰアンテナの出力端子と接地電位とに直列に接続されたブロッキングコンデンサと、を備え、
前記整合器は、
前記入力端子と前記電源とに直列に接続された第１可変コンデンサと、
前記入力端子と接地電位とに直列に接続された直列回路であって、前記接地電位に接続された第２可変コンデンサと、前記第２可変コンデンサと前記入力端子とに直列に接続された固定インダクタとから構成される前記直列回路と、から構成されている
プラズマエッチング装置。
【請求項２】
前記電源に対する反射波を測定する測定部と、
前記測定部の測定結果が小さくなるように、前記第１可変コンデンサの駆動、および、前記第２可変コンデンサの駆動を制御する制御装置をさらに備え、
前記制御装置は、前記第１可変コンデンサの駆動の開始を、前記第２可変コンデンサの駆動の開始よりも先行させる
請求項１に記載のプラズマエッチング装置。
【請求項３】
前記電源に対する反射波を測定する測定部と、
前記測定部の測定結果が小さくなるように、前記第１可変コンデンサの駆動、および、前記第２可変コンデンサの駆動を制御する制御装置をさらに備え、
前記制御装置は、前記第２可変コンデンサの駆動の開始を、前記第１可変コンデンサの駆動の開始よりも先行させる
請求項１に記載のプラズマエッチング装置。
【請求項４】
前記ブロッキングコンデンサは、可変コンデンサである
請求項１から３のいずれか一項に記載のプラズマエッチング装置。
【請求項５】
前記空間に磁気中性線を形成する磁気コイルをさらに備える
請求項１から４のいずれか一項に記載のプラズマエッチング装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、１〜５ＭＨｚの低周波電力をＩＣＰアンテナに出力する低周波電源の出力インピーダンスと低周波電力が入力される負荷の入力インピーダンスとを整合させる整合器を備えるプラズマエッチング装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
上述したプラズマエッチング装置の一例として、シリコン基板をエッチングするシリコンエッチング装置が知られている。近年では、特許文献１，２に記載のように、シリコン基板を複数積層した半導体デバイスにおいて、シリコン基板を積層方向に貫通するシリコン貫通電極（Through Silicon Via ：ＴＳＶ）が、シリコン基板間での電気的な接続に用いられつつある。上述のようなシリコンエッチング装置は、こうしたシリコン貫通電極の埋め込まれる貫通孔の形成にも用いられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特表２００７−５１３４９３号公報
【特許文献２】特開２０１２−２２７４４０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、上述したプラズマエッチング装置においては、エッチングの対象における厚さの増加やエッチングに要求される加工形状の微細化の進行に伴って、エッチングの対象における厚さの方向に沿ってエッチングが進行する特性である異方性を高めることが求められている。そして、こうした要請は、シリコン基板に対して貫通孔を形成するシリコンエッチング装置に限らず、エッチングの対象に孔や溝などの凹部を形成するプラズマエッチング装置において共通している。
【０００５】
本発明は、１〜５ＭＨｚの低周波電力をＩＣＰアンテナに供給する際のインピーダンスの整合に要する時間の短縮とプラズマ密度の向上とが可能なプラズマエッチング装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するプラズマエッチング装置は、空間が形成されたチャンバと、前記チャンバに搭載されたＩＣＰアンテナと、前記ＩＣＰアンテナに１〜５ＭＨｚの低周波電力を出力する電源と、前記ＩＣＰアンテナの入力端子と前記電源とに直列に接続された整合器と、前記ＩＣＰアンテナの出力端子と接地電位とに直列に接続されたブロッキングコンデンサと、を備えている。そして、前記整合器は、前記入力端子と前記電源とに直列に接続された第１可変コンデンサと、前記入力端子と接地電位とに直列に接続された直列回路であって、前記接地電位に接続された第２可変コンデンサと、前記第２可変コンデンサと前記入力端子とに直列に接続された固定インダクタとから構成される前記直列回路と、から構成されている。
【０００７】
上記構成によれば、ＩＣＰアンテナの出力端子が接地電位に接続される構成と比べて、ＩＣＰアンテナの出力端子に接続されたブロッキングコンデンサは、出力端子における電位の振幅を増大する。そのため、こうしたコンデンサを有しない構成と比べて、空間に生成されるプラズマの密度を高めることが可能である。この際に、電源とＩＣＰアンテナとに直列に接続された第１可変コンデンサ、および、ＩＣＰアンテナの入力端子と接地電位とに直列に接続された上記直列回路とから構成される整合器は、１〜５ＭＨｚの低周波電力におけるインピーダンスの整合に適している。それゆえに、上記構成によれば、１〜５ＭＨｚの低周波電力をＩＣＰアンテナに供給する際のインピーダンスの整合に要する時間を短縮することができる。
【０００８】
上記プラズマエッチング装置は、前記電源に対する反射波を測定する測定部と、前記測定部の測定結果が小さくなるように、前記第１可変コンデンサの駆動、および、前記第２可変コンデンサの駆動を制御する制御装置をさらに備え、前記制御装置は、前記第１可変コンデンサの駆動の開始を、前記第２可変コンデンサの駆動の開始よりも先行させてもよい。
【０００９】
上記構成によれば、負荷インピーダンスを整合点に近づけることに対し、第１可変コンデンサによる位相の変更が、第２可変コンデンサによる位相の変更よりも大きく寄与するように、負荷インピーダンスの初期値が設定されている状態において、制御装置は、インピーダンスの整合に要する時間をさらに短縮することが可能である。
【００１０】
上記プラズマエッチング装置は、前記電源に対する反射波を測定する測定部と、前記測定部の測定結果が小さくなるように、前記第１可変コンデンサの駆動、および、前記第２可変コンデンサの駆動を制御する制御装置をさらに備え、前記制御装置は、前記第２可変コンデンサの駆動の開始を、前記第１可変コンデンサの駆動の開始よりも先行させてもよい。
【００１１】
上記構成によれば、負荷インピーダンスを整合点に近づけることに対し、第２可変コンデンサによる位相の変更が、第１可変コンデンサによる位相の変更よりも大きく寄与するように、負荷インピーダンスの初期値が設定されている状態において、制御装置は、インピーダンスの整合に要する時間をさらに短縮することが可能である。
【００１２】
上記プラズマエッチング装置において、前記ブロッキングコンデンサは、可変コンデンサであることが好ましい。
上記構成によれば、ブロッキングコンデンサの容量値が変わることによって、空間に形成されるプラズマの密度が変わるため、こうしたプラズマエッチング装置の適用される範囲が広げられる。
上記プラズマエッチング装置は、前記空間に磁気中性線を形成する磁気コイルをさらに備えることが好ましい。
上記構成によれば、空間に生成されるプラズマの密度をさらに高めることが可能である。
【発明の効果】
【００１３】
本発明のプラズマエッチング装置によれば、１〜５ＭＨｚの低周波電力をＩＣＰアンテナに供給する際のインピーダンスの整合に要する時間の短縮とプラズマ密度の向上とが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明を具体化した一実施形態におけるプラズマエッチング装置の構成を示す装置構成図である。
【図２】一実施形態における整合器の構成を負荷と共に示す回路図である。
【図３】一実施形態における整合器の駆動を制御する制御系の構成を示すブロック図である。
【図４】比較例１における整合器の構成を負荷と共に示す回路図である。
【図５】比較例２における整合器の構成を負荷と共に示す回路図である。
【図６】比較例３における整合器の構成を負荷と共に示す回路図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
図１を参照して一実施形態におけるプラズマエッチング装置を説明する。
プラズマエッチング装置１０は、有底筒体形状を有したチャンバ本体１１を備え、チャンバ本体１１の上側開口は、石英板１２によって封止されている。これらチャンバ本体１１と石英板１２とによって区画される空間であるチャンバ空間１１Ｓには、エッチングの対象である基板Ｓを保持するステージ１３が収納されている。
【００１６】
ステージ１３に内蔵されたバイアス電極１３Ｐは、バイアス用整合器１４を介してバイアス用電源１５に接続されている。バイアス用電源１５は、１３．５６ＭＨｚの高周波電力を出力し、バイアス用整合器１４は、バイアス用電源１５の出力インピーダンスと、高周波電力が入力される負荷の入力インピーダンスとを整合させる。
【００１７】
石英板１２に対してチャンバ空間１１Ｓとは反対側には、ＩＣＰアンテナ２１が配置されている。ＩＣＰアンテナ２１は、例えば、基板Ｓの周方向に２回半巻き回された渦巻き形状を有する２段のコイルから構成されている。ＩＣＰアンテナ２１は、渦巻き形状における中心側の端部である入力端子２１Ｉと、渦巻き形状における外側の端部である出力端子２１Ｏとを有している。
【００１８】
ＩＣＰアンテナ２１の入力端子２１Ｉには、アンテナ用整合器２２を介して、周波数が１〜５ＭＨｚのいずれかである低周波電力を出力するアンテナ用電源２３が接続されている。ＩＣＰアンテナ２１の出力端子２１Ｏは、ブロッキングコンデンサ２４を介して接地電位に接続されている。アンテナ用整合器２２は、アンテナ用電源２３の出力インピーダンスと、低周波電力が入力される負荷の入力インピーダンスとを整合させる。ブロッキングコンデンサ２４は、ＩＣＰアンテナ２１の出力端子２１Ｏが接地電位に接続された構成と比べて、出力端子２１Ｏにおける電位の振幅を増大させる機能を有している。ブロッキングコンデンサ２４は、チャンバ空間１１Ｓにおけるプラズマ密度として所望の密度が得られるように、ＩＣＰアンテナ２１に流れる電流を調整する。ブロッキングコンデンサ２４の有する容量値の範囲は、例えば、１０ｐＦ以上１００ｐＦ以下である。
【００１９】
石英板１２の外周には、チャンバ空間１１Ｓに磁気中性線を形成する磁場コイル２５が配置されている。磁場コイル２５は、上段コイル２５Ａ、中段コイル２５Ｂ、および、下段コイル２５Ｃから構成されている。磁場コイル２５を構成する３つのコイルの各々には、磁気中性線を形成するための電流を供給する電流源２６が別々に接続されている。
【００２０】
上段コイル２５Ａには上段電流源２６Ａが接続され、中段コイル２５Ｂには中段電流源２６Ｂが接続され、下段コイル２５Ｃには下段電流源２６Ｃが接続されている。上段電流源２６Ａと下段電流源２６Ｃとは、相互に同じ向きの電流をそれの供給先である上段コイル２５Ａ、および、下段コイル２５Ｃに出力する。中段電流源２６Ｂは、それ以外の他の電流源とは逆向きの電流を中段コイル２５Ｂに出力する。各電流源２６Ａ，２６Ｂ，２６Ｃにおいては、チャンバ空間１１Ｓに磁気中性線が形成されるように、各電流の流れる方向と各電流の大きさとが設定されている。
【００２１】
チャンバ本体１１に形成された排気ポート１１Ｐ１には、チャンバ空間１１Ｓの流体を排気する排気部３１が接続されている。排気部３１は、例えば、チャンバ空間１１Ｓの圧力を調整する圧力調整弁や各種のポンプから構成されている。
【００２２】
チャンバ本体１１に形成されたガス供給ポート１１Ｐ２には、チャンバ空間１１Ｓにエッチングガスを流すガス供給部３２が接続されている。ガス供給部３２は、例えば、フッ素含有ガスの一例である六フッ化硫黄ガスやホウ素含有ガスの一例である三フッ化ホウ素を供給するマスフローコントローラである。
【００２３】
プラズマエッチング装置１０は、バイアス用電源１５、アンテナ用電源２３、電流源２６、排気部３１、および、ガス供給部３２の各々の駆動を制御する制御装置３３を備えている。
【００２４】
制御装置３３は、バイアス電極１３Ｐに供給する高周波電力の目標値、および、ＩＣＰアンテナ２１に供給する低周波電力の目標値の各々をプロセス条件の一つとして記憶している。制御装置３３は、バイアス用電源１５の出力電力がその目標値になるように、また、アンテナ用電源２３の出力電力がその目標値になるように、各電源１５，２３の出力動作を制御する。
【００２５】
制御装置３３は、磁場コイル２５に供給する電流の目標値、および、エッチングガスの流量の目標値の各々をプロセス条件の一つとして記憶している。制御装置３３は、電流源２６の出力電流がその目標値になるように、また、ガス供給部３２の供給するエッチングガスの流量が目標値になるように、電流源２６の出力動作、および、ガス供給部３２の出力動作を制御する。さらに、制御装置３３は、アンテナ用電源２３に向けた反射電力が小さくなるように、また、バイアス用電源１５に向けた反射電力が小さくなるように、各整合器１４，２２の出力動作を制御する。
【００２６】
例えば、制御装置３３は、制御装置３３の記憶するプロセス条件に基づいて、バイアス用電源１５、アンテナ用電源２３、電流源２６、および、ガス供給部３２の各々の出力動作を制御して、フッ素含有ガスを用いたプラズマＰと、ホウ素含有ガスを用いたプラズマＰとを、基板Ｓに対して同時に供給する。フッ素含有ガスを用いたプラズマＰは、磁場コイル２５の形成する磁気中性線によって高密度化されて、基板Ｓの厚さ方向に延びる凹部の形成を促す。また、ホウ素含有ガスを用いたプラズマＰは、これもまた磁場コイル２５の形成する磁気中性線によって高密度化されて、基板Ｓに形成された凹部の側壁がエッチングされることを保護する保護膜を凹部の側壁に形成する。
【００２７】
図２が示すように、アンテナ用整合器２２は、アンテナ用電源２３に接続される入力端子２２Ｉと、ＩＣＰアンテナ２１の入力端子２１Ｉに接続される出力端子２２Ｏとを備えている。アンテナ用整合器２２において、入力端子２２Ｉと出力端子２２Ｏとは、１つの可変直列コンデンサ２２Ｃ１によって接続されている。
【００２８】
１つの可変直列コンデンサ２２Ｃ１と出力端子２２Ｏとの間に位置するノードＮと、接地電位との間には、並列インダクタ２２Ｌと可変並列コンデンサ２２Ｃ２とから構成される１つの直列回路が接続されている。可変並列コンデンサ２２Ｃ２が有する２つの端子のうちで一方の端子は接地電位に接続され、他方の端子は並列インダクタ２２Ｌに接続されている。並列インダクタ２２Ｌが有する２つの端子のうちで一方の端子は可変並列コンデンサ２２Ｃ２に接続され、他方の端子はノードＮに接続されている。
【００２９】
図３が示すように、制御装置３３は、測定部の一例であるインピーダンス測定部３３Ａ、演算部３３Ｂ、および、駆動部３３Ｃを備えている。
インピーダンス測定部３３Ａは、アンテナ用整合器２２の入力端子２２Ｉにおける低周波電力の反射波などを用いて負荷インピーダンスを測定する。インピーダンス測定部３３Ａは、負荷インピーダンスの測定結果を演算部３３Ｂにフィードバックする。なお、インピーダンス測定部３３Ａは、負荷インピーダンスに関するデータを演算部３３Ｂにフィードバックする機能を有していればよく、フィードバックするデータは、反射波の振幅や位相であってもよいし、負荷インピーダンスそのものであってもよい。
【００３０】
演算部３３Ｂは、インピーダンス測定部３３Ａの測定結果である負荷インピーダンスと、アンテナ用電源２３の出力インピーダンスとを整合するように、各モーターＭ１，Ｍ２の目標位置を演算し、その演算の結果を駆動部３３Ｃに出力する。演算部３３Ｂにおける目標位置の演算は、可変直列コンデンサ２２Ｃ１を可変並列コンデンサ２２Ｃ２よりも先行して駆動させるように目標位置を演算してもよいし、可変並列コンデンサ２２Ｃ２を可変直列コンデンサ２２Ｃ１よりも先行して駆動させるように目標位置を演算してもよい。なお、演算部３３Ｂは、可変直列コンデンサ２２Ｃ１と可変並列コンデンサ２２Ｃ２とを同時に駆動させるように目標位置を演算してもよい。
【００３１】
駆動部３３Ｃは、演算部３３Ｂの演算結果に基づいて各モーターＭ１，Ｍ２の駆動信号を生成して、各モーターＭ１，Ｍ２を駆動する。各モーターＭ１，Ｍ２の回転位置が、演算部３３Ｂの入力する目標位置に到達するように、駆動部３３Ｃは駆動信号を生成する。可変直列コンデンサ２２Ｃ１の目標位置が可変並列コンデンサ２２Ｃ２の目標位置よりも先行して演算されるとき、駆動部３３Ｃは、可変直列コンデンサ２２Ｃ１の駆動を可変並列コンデンサ２２Ｃ２の駆動よりも先行させる。反対に、可変並列コンデンサ２２Ｃ２の目標位置が可変直列コンデンサ２２Ｃ１の目標位置よりも先行して演算されるとき、駆動部３３Ｃは、可変並列コンデンサ２２Ｃ２の駆動を可変直列コンデンサ２２Ｃ１の駆動よりも先行させる。
【００３２】
例えば、負荷インピーダンスを整合点に近づけることに対し、可変直列コンデンサ２２Ｃ１による位相の変更が、可変並列コンデンサ２２Ｃ２による位相の変更よりも大きく寄与するように、負荷インピーダンスの初期値がエッチング条件などによって設定されているとき、制御装置３３は、可変直列コンデンサ２２Ｃ１の駆動を可変並列コンデンサ２２Ｃ２よりも先行させる。反対に、可変並列コンデンサ２２Ｃ２による位相の変更が、可変直列コンデンサ２２Ｃ１による位相の変更よりも大きく寄与するように、負荷インピーダンスの初期値がエッチング条件などによって設定されているとき、制御装置３３は、可変並列コンデンサ２２Ｃ２の駆動を可変直列コンデンサ２２Ｃ１よりも先行させる。なお、制御装置３３は、可変直列コンデンサ２２Ｃ１の駆動の開始と、可変並列コンデンサ２２Ｃ２の駆動の開始とを同時に設定してもよい。
【００３３】
次いで、上述したアンテナ用整合器２２の効果を示すための比較例１〜比較例３のアンテナ用整合器の各々について以下に説明する。
図４が示すように、比較例１のアンテナ用整合器５２は、アンテナ用電源２３に接続される入力端子５２Ｉと、ＩＣＰアンテナ２１の入力端子２１Ｉに接続される出力端子５２Ｏとを備えている。アンテナ用整合器５２において、入力端子５２Ｉと出力端子５２Ｏとは、１つの可変直列コンデンサ５２Ｃ１と、１つの直列インダクタ５２Ｌとから構成される直列回路によって接続されている。可変直列コンデンサ５２Ｃ１の入力端子と、アンテナ用整合器５２の入力端子５２Ｉとの間に位置するノードＮは、可変並列コンデンサ５２Ｃ２を介して接地電位に接続されている。
【００３４】
図５が示すように、比較例２のアンテナ用整合器６２は、アンテナ用電源２３に接続される入力端子６２Ｉと、ＩＣＰアンテナ２１の入力端子２１Ｉに接続される出力端子６２Ｏとを備えている。アンテナ用整合器６２において、入力端子６２Ｉと出力端子６２Ｏとは、第１可変コンデンサの一例である１つの可変直列コンデンサ６２Ｃ１によって接続されている。
【００３５】
可変直列コンデンサ６２Ｃ１の入力端子と、アンテナ用整合器６２の入力端子６２Ｉとの間に位置するノードＮは、第２可変コンデンサの一例である可変並列コンデンサ６２Ｃ２と、固定インダクタの一例である並列インダクタ６２Ｌとから構成される直列回路を介して接地電位に接続されている。可変並列コンデンサ６２Ｃ２が有する２つの端子のうちで一方の端子は接地電位に接続され、他方の端子は並列インダクタ６２Ｌに接続されている。並列インダクタ６２Ｌが有する２つの端子のうちで一方の端子は可変並列コンデンサ６２Ｃ２に接続され、他方の端子はノードＮに接続されている。
【００３６】
図６が示すように、比較例３のアンテナ用整合器７２は、アンテナ用電源２３に接続される入力端子７２Ｉと、ＩＣＰアンテナ２１の入力端子２１Ｉに接続される出力端子７２Ｏとを備えている。アンテナ用整合器７２において、入力端子７２Ｉと出力端子７２Ｏとは、１つの可変直列コンデンサ７２Ｃ１によって接続されている。可変直列コンデンサ７２Ｃ１の入力端子と、アンテナ用整合器７２の入力端子７２Ｉとの間に位置するノードＮ１は、可変並列コンデンサ７２Ｃ２と並列インダクタ７２Ｌとから構成される直列回路を介して接地電位に接続されている。可変並列コンデンサ７２Ｃ２が有する２つの端子のうちで一方の端子は接地電位に接続され、他方の端子は並列インダクタ７２Ｌに接続されている。並列インダクタ７２Ｌが有する２つの端子のうちで一方の端子は可変並列コンデンサ７２Ｃ２に接続され、他方の端子はノードＮ１に接続されている。可変直列コンデンサ７２Ｃ１の出力端子と、アンテナ用整合器７２の出力端子７２Ｏとの間に位置するノードＮ２は、可変並列コンデンサ７２Ｃ３を介して接地電位に接続されている。
【００３７】
以下に示すエッチング条件の範囲内においてプラズマエッチング装置１０が駆動されるとき、上述したアンテナ用整合器２２によれば、可変直列コンデンサ２２Ｃ１と可変並列コンデンサ２２Ｃ２とが整合点に到達する時間が１秒以下であって、電流密度が急激に変化するモードジャンプの発生も認められなかった。一方で、上述したアンテナ用整合器２２に代えて比較例１〜比較例３のアンテナ用整合器５２，６２，７２のいずれかが備えられたプラズマエッチング装置１０では、整合点に到達する時間が５秒以上、あるいは、１０秒以内に整合点に到達することが不可能であって、整合点に到達するとしてもモードジャンプの発生が認められた。こうした傾向は、ＩＣＰアンテナ２１に供給される低周波電力の周波数が２ＭＨｚであるときに、特に顕著に認められた。
［エッチング条件］
・基板Ｓ：シリコン基板
・アンテナ用の低周波電力：５００Ｗ以上５０００Ｗ以下
・バイアス用の高周波電力：２５Ｗ以上１０００Ｗ以下
・チャンバ空間の圧力    ：０．５Ｐａ以上２０Ｐ以下
・エッチングガス種      ：ＳＦ６、Ｏ２、ＳｉＦ４
・エッチングガス流量    ：ＳＦ６／１００ｓｃｃｍ以上３００ｓｃｃｍ以下
：Ｏ２／２５ｓｃｃｍ以上７５ｓｃｃｍ以下
：ＳｉＦ４／２５ｓｃｃｍ以上１５０ｓｃｃｍ以下
【００３８】
以上、上記実施形態によれば以下に列挙する効果が得られる。
（１）アンテナ用整合器２２におけるマッチング回路の構成によって、１〜５ＭＨｚの低周波電力をＩＣＰアンテナ２１に供給する際のインピーダンスの整合に要する時間を短縮することができる。
（２）ＩＣＰアンテナ２１における出力端子２１Ｏに接続されたブロッキングコンデンサ２４によってプラズマ密度を高めることができる。
【００３９】
（３）アンテナ用整合器２２による整合点への円滑な到達と、負荷に流れる電流のブロッキングコンデンサ２４による調整とによって、電流密度が急激に変化するモードジャンプの発生を抑えることができる。
なお、上記実施形態は、以下のように適宜変更して実施することもできる。
【００４０】
・磁気中性線を形成する磁場コイル２５は、プラズマエッチング装置から割愛されてもよい。なお、磁場コイル２５を備えるプラズマエッチング装置であれば、チャンバ空間１１Ｓに生成されるプラズマの密度を高めるうえで好ましい。一方で、プラズマエッチング装置における構成の簡素化が図られる観点では、磁場コイル２５の割愛された構成が好ましい。
【００４１】
・ブロッキングコンデンサ２４は、容量値の固定された固定コンデンサであってもよい。
・バイアス用電源１５の出力する高周波電力の周波数は、１３．５６ＭＨｚに限らず、例えば、２ＭＨｚであってもよく、チャンバ空間１１Ｓに生成されたプラズマを基板Ｓに引き込むことの可能な周波数であればよい。
【符号の説明】
【００４２】
Ｓ…基板、１０…プラズマエッチング装置、１１…チャンバ本体、１１Ｐ１…排気ポート、１１Ｐ２…ガス供給ポート、１１Ｓ…チャンバ空間、１３Ｐ…バイアス電極、１４…バイアス用整合器、１５…バイアス用電源、２１…ＩＣＰアンテナ、２２…アンテナ用整合器、２１Ｉ，２２Ｉ，５２Ｉ，６２Ｉ，７２Ｉ…入力端子、２１Ｏ，２２Ｏ，５２Ｏ，６２Ｏ，７２Ｏ…出力端子、２２Ｃ１…可変直列コンデンサ、２２Ｃ２…可変並列コンデンサ、２２Ｌ…並列インダクタ、２３…アンテナ用電源、２４…ブロッキングコンデンサ、２５…磁場コイル、３１…排気部、３２…ガス供給部、３３…制御装置、３３Ａ…インピーダンス測定部、３３Ｂ…演算部、３３Ｃ…駆動部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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