(57)【要約】【課題】より簡便、安価に製造でき、かつ、検査が容易な電磁波検出装置を提供する。【解決手段】電磁波検出装置１は、一の面に、所定の周波数の電磁波を検出可能な電磁波検出素子１１が形成された小片板１０と、その裏面側と対向するように複数の小片板１０を板面上に固定して支持する実装基板１２と、を備え、実装基板１２は、板面の一部が開口されてなる開口部１２ｂを有するとともに、一の小片板１０に形成された電磁波検出素子１１が開口部１２ｂと重なるように、複数の小片板１０を固定している。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
一の面上に所定の周波数の電磁波を検出可能な電磁波検出素子が形成された小片板と、
複数の前記小片板を、前記一の面の裏面側と対向するように板面上に固定して支持する実装基板と、
を備え、
前期実装基板は、
前記板面の一部が開口されてなる開口部を有するとともに、前記小片板に形成された前記電磁波検出素子が前記開口部と重なるように、複数の前記小片板を固定していることを特徴とする
電磁波検出装置。
【請求項２】
前記開口部は、
その開口径が、前記電磁波の周波数に応じた波長よりも大きくなるように形成されていることを特徴とする
請求項１に記載の電磁波検出装置。
【請求項３】
前記電磁波検出素子は、
前記実装基板に形成された電気配線と、ワイヤーボンディングにより電気的に接続されていることを特徴とする
請求項１又は請求項２に記載の電磁波検出装置。
【請求項４】
前記開口部は、
複数の前記小片板に形成された複数の前記電磁波検出素子の各々と一対一に対応するように複数設けられていることを特徴とする
請求項１から請求項３の何れか一項に記載の電磁波検出装置。
【請求項５】
前記電磁波検出素子は、
０．１ＴＨｚから１０ＴＨｚまでの範囲に属する周波数の電磁波を検出可能とされていることを特徴とする
請求項１から請求項４の何れか一項に記載の電磁波検出装置。
【請求項６】
請求項１から請求項５の何れか一項に記載の電磁波検出装置を用いた電磁波の検出方法であって、
前記実装基板のうち前記小片板が固定された板面の裏面側から前記電磁波を受信するステップを有する
電磁波検出方法。
【請求項７】
小片板の一の面上に所定の周波数の電磁波を検出可能な電磁波検出素子が形成する第１ステップと、
板面の一部が開口されてなる開口部を有する実装基板の板面上に、複数の前記小片板を、前記一の面の裏面側と対向するように固定して支持する第２ステップと、
を有し、
前期第２ステップにおいて、
前記小片板に形成された前記電磁波検出素子が前記開口部と重なるように、複数の前記小片板を固定する
電磁波検出装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電磁波検出装置、電磁波検出方法及び電磁波検出装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ミリ波、サブミリ波（いわゆるテラヘルツ波）などの高周波電磁波を用いたイメージングは、これまで計測することができなかった情報を得ることができるため、様々な技術領域で応用検討が行われている。
例えば、特許文献１には、テラヘルツ波を利用した画像形成装置（イメージセンサ）であって、各画素において復調の処理を可能とし、低雑音・高感度に画像形成・撮像などを行うことができる画像形成装置が開示されている。
【０００３】
電磁波を画像（二次元情報）として捉えるためには、通常、二次元配列された電磁波検出素子（いわゆる画素）が用いられているが、その実現には、当該電磁波検出素子を二次元的に配置し、それぞれの電磁波検出素子から電気信号を独立に取り出す必要がある。
また、集積化プロセスにより半導体基板上に形成された電磁波検出素子は、一般に、電磁波検出素子が形成された面（集積面）の裏面側から入射した電磁波に対し、より高い感度を示すため、当該集積面の裏面側を、入射する電磁波に対向させる必要がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１４−１７５８１９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記のような構成を実現するために、電磁波検出素子が形成された上記半導体基板の小片板（半導体チップ）を、フリップチップボンディングを用いて実装基板上に固定配置する手法が提案されている。このようにすることで、小片板の集積面と実装基板の板面とが対向するように両者が固定されるので、当該集積面の裏面側が実装基板の板面上に露出する。したがって、小片板の裏面側から到来する電磁波を感度よく受信することができる。
【０００６】
しかしながら、上述のフリップチップボンディング技術は、電磁波検出素子の位置合わせや配線接続の状況を上面から直接観察することができないため、接続不良等の検査を容易に行うことができない。また、フリップチップボンディング技術は、熱処理や圧着条件が複雑であり、更に、温度上昇で劣化する材料を用いることができないため、簡便かつ安価に実施することができない。
【０００７】
本発明が解決しようとする課題は、より簡便、安価に製造でき、かつ、検査が容易な電磁波検出装置、電磁波検出方法及び電磁波検出装置の製造方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一態様は、一の面上に所定の周波数の電磁波を検出可能な電磁波検出素子が形成された小片板と、複数の前記小片板を、前記一の面の裏面側と対向するように板面上に固定して支持する実装基板と、を備え、前期実装基板は、前記板面の一部が開口されてなる開口部を有するとともに、前記小片板に形成された前記電磁波検出素子が前記開口部と重なるように、複数の前記小片板を固定していることを特徴とする電磁波検出装置である。
このようにすることで、電磁波検出素子が形成された小片板の一の面、及び、実装基板１２の板面が、ともに表面に露出して配置されるため、小片板（電磁波検出素子）と実装基板との電気的接続及びその検査を容易に行うことができる。
また、上述の構成によれば、実装基板において、電磁波検出素子の直下の所定領域が開口される。したがって、小片板における一の面の裏面側が物理的に露出するため、当該裏面側からの電磁波を感度よく受信することができる。
【０００９】
また、本発明の一態様によれば、上述の電磁波検出装置において、前記開口部は、その開口径が、前記電磁波の周波数に応じた波長よりも大きくなるように形成されていることを特徴とする。
このようにすることで、実装基板が、当該実装基板の裏面側から到来する電磁波の進行を一層妨げないようにすることができる。
【００１０】
また、本発明の一態様によれば、上述の電磁波検出装置において、前記電磁波検出素子は、前記実装基板に形成された電気配線と、ワイヤーボンディングにより電気的に接続されていることを特徴とする。
このようにすることで、電磁波検出装置を、より簡便で、かつ、安価に製造することができる。
【００１１】
また、本発明の一態様によれば、上述の電磁波検出装置において、前記開口部は、複数の前記小片板に形成された複数の前記電磁波検出素子の各々と一対一に対応するように複数設けられていることを特徴とする。
このようにすることで、開口部による実装基板の開口面積を最小限に留めることができる。したがって、実装基板の内部における配線の設計を容易化することができる。
【００１２】
また、本発明の一態様によれば、上述の電磁波検出装置において、前記電磁波検出素子は、０．１ＴＨｚから１０ＴＨｚまでの範囲に属する周波数の電磁波を検出可能とされていることを特徴とする。
【００１３】
また、本発明の一態様は、上述に記載の電磁波検出装置を用いた電磁波の検出方法であって、前記実装基板のうち前記小片板が固定された板面の裏面側から前記電磁波を受信するステップを有する電磁波検出方法である。
【００１４】
また、本発明の一態様は、小片板の一の面上に所定の周波数の電磁波を検出可能な電磁波検出素子が形成する第１ステップと、板面の一部が開口されてなる開口部を有する実装基板の板面上に、複数の前記小片板を、前記一の面の裏面側と対向するように固定して支持する第２ステップと、を有し、前期第２ステップにおいて、前記小片板に形成された前記電磁波検出素子が前記開口部と重なるように、複数の前記小片板を固定する電磁波検出装置の製造方法である。
【発明の効果】
【００１５】
上述の電磁波検出装置、電磁波検出方法又は電磁波検出装置の製造方法によれば、より簡便、安価に製造でき、かつ、検査が容易となる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】第１の実施形態に係る電磁波検出装置の構造全体を示す図である。
【図２】第１の実施形態に係る電磁波検出装置の構造の一部を示す第１の図である。
【図３】第１の実施形態に係る電磁波検出装置の構造の一部を示す第２の図である。
【図４】対比例に係る電磁波検出装置の構造の一部を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
＜第１の実施形態＞
以下、第１の実施形態に係る電磁波検出装置を、図面を参照して説明する。
図１は、第１の実施形態に係る電磁波検出装置を示す図である。
図１に示す電磁波検出装置１は、テラヘルツ波と呼ばれる所定の周波数の電磁波を受信して得た検出信号を基に、画像（二次元情報）を生成するイメージセンサである。ここで、「テラヘルツ波」とは、０．１ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯に属する電磁波であるものとする。
【００１８】
（電磁波検出装置の構成）
図１に示すように、電磁波検出装置１（イメージセンサ）は、複数の検出用チップ１０と、実装基板１２と、を備えている。
【００１９】
検出用チップ１０は、半導体基板の小片板（半導体チップ）であって、所定の集積化プロセスを経て、その一の面である集積面１０ａに電磁波検出素子１１が形成されている。本実施形態に係る電磁波検出素子１１は、上記テラヘルツ波に属する電磁波（例えば、３００ＧＨｚ〜３ＴＨｚの電磁波）が検出可能となるように構成されている。なお、電磁波検出素子１１の具体的態様については後述する。
【００２０】
実装基板１２は、複数の検出用チップ１０を、各検出用チップ１０における集積面１０ａの裏面側と接しながら板面１２ａ上に固定して支持する。即ち、複数の検出用チップ１０は、検出用チップ１０の集積面１０ａと実装基板１２の板面１２ａとが、それぞれ同じ方向（図１に示す＋Ｚ方向側）に露出するように固定されている。
また、図１に示すように、複数の検出用チップ１０は、実装基板１２の板面１２ａ上において、面内方向における第１の方向（図１に示す±Ｘ軸方向）及び第２の方向（図１に示す±Ｙ方向）の各々に周期配列され、マトリクス状に配置されている。複数の検出用チップ１０をこのように配置することで、一の検出用チップ１０が一の画素に相当するイメージセンサを構成することができる。
なお、本実施形態に係る実装基板１２は、低温共焼成セラミック（ＬＴＣＣ：Low Temperature Co-fired Ceramics）多層配線実装基板である。
【００２１】
また、図１に示すように、実装基板１２は、板面１２ａの一部が円形に開口されてなる開口部１２ｂが複数形成されている。即ち、開口部１２ｂは、実装基板１２を表裏方向（±Ｚ方向）に貫通するように設けられている。
【００２２】
また、複数の開口部１２ｂは、板面１２ａ上において、面内方向における上記第１の方向及び第２の方向に、検出用チップ１０と同じ間隔で周期配列される。そして、図１に示すように、一の検出用チップ１０は、一の開口部１２ｂと対応するように配置される。
【００２３】
図２、図３は、それぞれ、第１の実施形態に係る電磁波検出装置の構造の一部を示す第１の図、第２の図である。
具体的には、図２は、図１に示した電磁波検出装置１のうち、検出用チップ１０及び開口部１２ｂが配される箇所の断面構造を示している。
また、図３は、図１に示した電磁波検出装置１のうち、検出用チップ１０を含む領域を平面視した図を示している。
【００２４】
図２、図３に示すように、実装基板１２は、一の検出用チップ１０に形成された電磁波検出素子１１が一の開口部１２ｂと重なるように、複数の検出用チップ１０を固定している。
より具体的に説明すると、検出用チップ１０に形成された電磁波検出素子１１は、板面１２ａの上面側（＋Ｚ方向側）に配されながら、その直下（−Ｚ方向側）に開口部１２ｂが位置するように配置されている（図２参照）。
また、検出用チップ１０は、実装基板１２を上面側（＋Ｚ方向側）から見た場合に、電磁波検出素子１１の全体が開口部１２ｂの開口範囲内に収まるように配置される（図３参照）。なお、後述するように、電磁波検出素子１１のサイズ（アンテナ寸法ｄ）は、開口部１２ｂのサイズ（開口径ｒ）よりも小さくなるように設計されている。
【００２５】
図３に示すように、電磁波検出素子１１は、ダイオード素子１１ａと、アンテナ素子１１ｂと、を有してなる。ダイオード素子１１ａ及びアンテナ素子１１ｂは、半導体基板上への集積化プロセスにより、検出用チップ１０の集積面１０ａに形成される。
本実施形態に係る検出用チップ１０の本体部１０ｂは、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）基板であり、ダイオード素子１１ａは、当該ＧａＡｓ基板の集積面１０ａ上に形成されたＧａＡｓショットキーバリアダイオードである。ダイオード素子１１ａは、同じ集積化プロセスを経て集積面１０ａ上に形成されたアンテナ素子１１ｂと電気的に接続されている。
アンテナ素子１１ｂは、電磁波検出装置１に到来した電磁波Ｅ（テラヘルツ波）を受信して高周波の電圧信号を生成する。この電圧信号は、直ちにダイオード素子１１ａによって整流され、到来した電磁波Ｅの受信強度に応じた検出信号として出力される。ダイオード素子１１ａから出力される検出信号は、同じく集積面１０ａ上に形成された電極パッドＰ１を通じて外部に出力される。
電極パッドＰ１は、図３に示すように、長方形状に区画された集積面１０ａの長辺方向の両端に一つずつ形成されている。
なお、本実施形態に係るアンテナ素子１１ｂは、例えば、ボウタイアンテナである。また、アンテナ素子１１ｂ、電極パッドＰ１（及び、その他の引き回し用の配線）は、例えば、金（Ａｕ）等を主とした導電性材料によって形成される。
【００２６】
開口部１２ｂの開口径ｒ（直径）は、検出の対象とする電磁波Ｅ（テラヘルツ波）の周波数（３００ＧＨｚ〜３ＴＨｚ）の下限に応じた波長と同等の長さ（概ね１ｍｍ程度）に形成されている。一方、検出用チップ１０に集積化されたアンテナ素子１１ｂの寸法（アンテナ寸法ｄ）は、通常、検出すべき電磁波Ｅの周波数の半波長の、更に本体部１０ｂの屈折率分の一に設定される。即ち、本実施形態においては、ＧａＡｓ基板の屈折率（ミリ波、サブミリ波領域において３程度）を考慮すると、アンテナ寸法ｄは、電磁波Ｅの波長の１／６程度（概ね０．１７ｍｍ程度）とされる。
【００２７】
また、図２、図３に示すように、電磁波検出素子１１は、実装基板１２に形成された電気配線と、ワイヤーボンディング処理によって設けられたボンディングワイヤーＷを通じて電気的に接続されている。
より具体的に説明すると、実装基板１２の板面１２ａ上には、検出用チップ１０（及び開口部１２ｂ）が配される各位置に対応して２つの電極パッドＰ２が設けられている。そして、検出用チップ１０は、当該検出用チップ１０の集積面１０ａ上に形成された２つの電極パッドＰ１が、板面１２ａ上に設けられた電極パッドＰ２の各々と所定の間隔で隣り合うように配される。
そして、電極パッドＰ１と電極パッドＰ２との組の各々について、ワイヤーボンディングにより結線する。これにより、電極パッドＰ１と電極パッドＰ２とが、ボンディングワイヤーＷにより電気的に接続される。ボンディングワイヤーＷには、例えば、金線が用いられる。
【００２８】
なお、電極パッドＰ２は、多層配線基板である実装基板１２の内部において三次元的に配線されている（図２参照）。実装基板１２の内部に設けられた配線は、各検出用チップ１０（電磁波検出素子１１）からの検出信号が、実装基板１２の周辺部まで各々独立に引き出されるように構成されている。
【００２９】
（作用効果）
図４は、対比例に係る電磁波検出装置の構造の一部を示す図である。
以下、図１〜図３に加え、図４を参照しながら、第１の実施形態に係る電磁波検出装置１の効果について説明する。
【００３０】
ここで、集積化プロセスにより半導体基板（本体部１０ｂ）の集積面１０ａ上に形成された電磁波検出素子１１は、電磁波検出素子１１が形成された集積面１０ａの裏面側から入射した電磁波に対し、より高い感度を示すように設計されているため、当該集積面１０ａの裏面側から電磁波を入射させる必要がある。
【００３１】
そうすると、検出用チップ１０の実装基板１２の板面１２ａ上における固定の仕方としては、例えば、図４に示すような構成が考えられる。即ち、対比例に係る電磁波検出装置２によれば、図４に示すように、検出用チップ１０の集積面１０ａと実装基板１２の板面１２ａとが互いに対向するように（集積面１０ａの裏面側が上面（＋Ｚ方向側）を向いて）両者が固定される構成とされる。
このようにすることで、集積面１０ａの裏面側の上方（＋Ｚ方向側）には他の基板や配線等が配されないため、当該裏面側（＋Ｚ方向側）から到来する電磁波Ｅの進行が妨げられず、感度よく受信することができる。
【００３２】
図４に示すような構成（電磁波検出装置２）の場合、一般に、フリップチップボンディング技術を用いて、バンプＢを介して、検出用チップ１０の実装基板１２上における固定、及び、両者の電気的接続がなされる。しかしながら、フリップチップボンディング技術は、電磁波検出素子１１の位置合わせやバンプＢを含む配線接続の状況を上面から直接観察することができないため、接続不良等の検査を容易に行うことができない。また、フリップチップボンディング技術は、熱処理や圧着条件が複雑であり、更に、温度上昇で劣化する材料を用いることができないため、簡便かつ安価に実施することができない。
【００３３】
これに対し、第１の実施形態に係る電磁波検出装置１は、上述の通り、集積面１０ａにおいてテラヘルツ波を検出可能な電磁波検出素子１１が形成された検出用チップ１０と、複数の検出用チップ１０を、集積面１０ａの裏面側と対向するように板面１０ｂ上に固定して支持する実装基板１２と、を備えてなる。そして、実装基板１２は、板面１２ａの一部が開口されてなる開口部１２ｂを有するとともに、一の検出用チップ１０に形成された電磁波検出素子１１が一の開口部１２ｂと重なるように、複数の検出用チップ１０の各々を固定する構成としている（図１〜図３参照）。
【００３４】
このようにすることで、電磁波検出素子１１が形成された集積面１０ａ（電極パッドＰ１）、及び、実装基板１２の板面１２ａ（電極パッドＰ２）が、ともに実装基板１２の上面側（＋Ｚ方向側）に露出して配置される。したがって、検出用チップ１０（電磁波検出素子１１）と実装基板１２との電気的接続、及び、当該電気的接続のための配線における接続不良の検査を容易に行うことができる。
また、本実施形態に係る電磁波検出装置１によれば、実装基板１２において、電磁波検出素子１１の直下（−Ｚ方向側）の所定領域が開口されている。したがって、実装基板１２のうち複数の検出用チップ１０が固定された板面１２ａの裏面側（−Ｚ方向側）から到来する電磁波Ｅについては、実装基板１２の存在が、電磁波の進行の妨げとならない（図２参照）。即ち、検出用チップ１０における集積面１０ａの裏面側が物理的に露出するため、当該裏面側からの電磁波を感度よく受信することができる。
【００３５】
また、第１の実施形態に係る電磁波検出装置１は、開口部１２ｂの開口径ｒが、電磁波Ｅの周波数に応じた波長よりも大きくなるように形成されている。
このようにすることで、実装基板１２の存在が、当該実装基板１２の裏面側（−Ｚ方向側）から到来する電磁波Ｅの進行を一層妨げないようにすることができる。
【００３６】
また、第１の実施形態に係る電磁波検出素子１１は、実装基板１２に形成された電気配線（電極パッドＰ２）と、ワイヤーボンディングにより電気的に接続されている。
このようにすることで、電磁波検出装置１を、フリップチップボンディングよりも簡便で、かつ、安価に製造することができる。
具体的には、実装基板１２上への検出用チップ１０の設置は、上面から画像的に観察することにより、産業用ロボットを用いて自動的に等間隔に精度良く配置することが可能である。検出用チップ１０と実装基板１２との接合（ダイボンディング）は、接着剤を用いた方法が一般に用いられており、産業用ロボットを用いた配置の過程で同時に実現できる。また、検出用チップ１０と実装基板１２との電気的接続は、ワイヤーボンディングを用いて、産業用ロボットにより自動的に精度良く配線することが可能である。
【００３７】
また、第１の実施形態に係る実装基板１２の開口部１２ｂは、板面１２ａ上に固定配置された検出用チップ１０（電磁波検出素子１１）の各々と一対一に対応するように複数設けられている。
ここで、上述したように、実装基板１２は、ＬＴＣＣ多層配線実装基板であり、その内部において信号配線が形成されている。したがって、開口部１２ｂが占める面積が大きいと、複数の検出信号を独立して実装基板１２の周辺部まで引き出すための配線の配置の自由度が制限されてしまい、設計が困難となる。
一方、本実施形態のように、電磁波検出素子１１の各々と一対一に一つずつ開口部１２ｂを設けることで、開口部１２ｂによる実装基板１２の開口面積を最小限に留めることができる。これにより、実装基板１２内部における配線の設計を容易化することができる。
【００３８】
なお、有意な画像情報を得るためには、１００×１００素子程度以上の検出用チップ１０の周期配列（アレイ化）が必要であることから、通常の実装手法では、このような多数の素子の構成を低コストで再現性・歩留まり良く作製することは困難である。しかし、第１の実施形態に係る電磁波検出装置１によれば、位置決め精度が高く、電気配線及び接続不良観察が容易で、部材を高温に曝すことが不要な汎用技術（例えば、ワイヤーボンディング技術）を用いて、低コストに作製することができる。
【００３９】
＜他の実施形態＞
以上、第１の実施形態に係る電磁波検出装置１について詳細に説明したが、第１の実施形態に係る電磁波検出装置１の具体的な態様は、上述のものに限定されることはなく、要旨を逸脱しない範囲内において種々の設計変更等を加えることは可能である。
【００４０】
例えば、電極パッドＰ１、Ｐ２の配置位置及び相対的な位置関係は、電磁波検出素子１１の寸法や構成等に合わせて適宜変更することができる。
【００４１】
また、第１の実施形態においては、検出用チップ１０の本体部１０ｂとしてＧａＡｓ基板を用い、また、ダイオード素子１１ａ（図３）は、ＧａＡｓショットキーバリアダイオードである例を示した。しかし、他の実施形態においては、その他の材料、例えば、Ｓｉ、ＩｎＰ、ＩｎＧａＡｓなど、他の素子、例えば、ボロメーター、焦電効果素子、表面プラズモン効果を用いた素子、トランジスタ、ミキサー、及びこれらを集積化した素子であっても良い。
また、ダイオード素子１１ａとともに集積化されたアンテナ素子１１ｂとしては、ボウタイアンテナの例を示したが、他の実施形態としては、ログペリオディックアンテナ、ログスパイラルアンテナ、スロットアンテナ、ダイポールアンテナなど、他の形状のアンテナであってもよい。
また、第１の実施形態に係る実装基板１２は、ＬＴＣＣ多層配線基板である例を示したが、他の実施形態においては、他の材料、例えば、エポキシ樹脂などのポリマー材料を用いた基板であっても良い。
更に、第１の実施形態に係る開口部１２ｂは、開口形状が円形である例を示したが、他の実施形態においては、多角形、正方形などの他の形状、もしくはこれらの組み合わせであっても良い。
更に、電磁波検出素子１１と、実装基板１２上に形成された電気配線（電極パッドＰ２）との電気的接続手法については、ワイヤーボンディングを用いる例（ボンディングワイヤーＷで接続される例）を示したが、他の実施形態においては、リボンボンディングなど他の方法で電気的に接続されるものあっても良い。
また、第１の実施形態に係る電磁波検出装置１の構成に付加して、シリコン、テフロン（登録商標）、ポリエチレンなどの誘電体材料を用いた外部レンズを併用することも好適である。
【００４２】
以上、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものとする。
【符号の説明】
【００４３】
１、２  電磁波検出装置
１０  検出用チップ（小片板）
１０ａ  集積面（一の面）
１０ｂ  本体部
１１  電磁波検出素子
１１ａ  ダイオード素子
１１ｂ  アンテナ素子
１２  実装基板
１２ａ  板面
１２ｂ  開口部
Ｐ１、Ｐ２  電極パッド
Ｗ  ボンディングワイヤー
ｒ  開口径
ｄ  アンテナ寸法
Ｂ  バンプ
Ｅ  電磁波
【図１】
2016142615.tif 000003
【図２】
2016142615.tif 000004
【図３】
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【図４】
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