(57)【要約】【課題】放熱性の高い電界効果型トランジスタを提供する。【解決手段】電界効果型トランジスタ２は、１．５Ｗ・ｃｍ-1・Ｋ-1以上の熱伝導率を有する高熱伝導支持基板１１とＩＩＩ族窒化物膜１３とが貼り合わせられた高熱伝導複合基板１と、高熱伝導複合基板１のＩＩＩ族窒化物膜１３上に配置されかつＩＩＩ族窒化物膜１３と同じ化学組成を有する第１のＩＩＩ族窒化物層２１と、第１のＩＩＩ族窒化物層２１上に配置されかつ第１のＩＩＩ族窒化物層２１と異なる化学組成を有する第２のＩＩＩ族窒化物層２２と、第２のＩＩＩ族窒化物層２２上に配置されたソース電極３０ｓ、ゲート電極３０ｇ、およびドレイン電極３０ｄと、を含む。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
１．５Ｗ・ｃｍ-1・Ｋ-1以上の熱伝導率を有する高熱伝導支持基板と、ＩＩＩ族窒化物膜と、が貼り合わせられた高熱伝導複合基板と、
前記高熱伝導複合基板の前記ＩＩＩ族窒化物膜上に配置され、かつ前記ＩＩＩ族窒化物膜と同じ化学組成を有する第１のＩＩＩ族窒化物層と、
前記第１のＩＩＩ族窒化物層上に配置され、かつ前記第１のＩＩＩ族窒化物層と異なる化学組成を有する第２のＩＩＩ族窒化物層と、
前記第２のＩＩＩ族窒化物層上に配置されたソース電極、ゲート電極、およびドレイン電極と、を含む電界効果型トランジスタ。
【請求項２】
前記ＩＩＩ族窒化物膜はＧａＮ膜であり、前記第１のＩＩＩ族窒化物層はＧａＮ層である請求項１に記載の電界効果型トランジスタ。
【請求項３】
前記高熱伝導支持基板は、前記ＩＩＩ族窒化物膜の線熱膨張係数に対する比が０．８以上１．２以下の線熱膨張係数を有する請求項１または請求項２に記載の電界効果型トランジスタ。
【請求項４】
前記高熱伝導支持基板は、ＡｌＮ結晶およびＳｉＣ結晶からなる群から選ばれる少なくとも１種類の結晶を少なくとも１個含む請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の電界効果型トランジスタ。
【請求項５】
１．５Ｗ・ｃｍ-1・Ｋ-1以上の熱伝導率を有する高熱伝導支持基板と、ＩＩＩ族窒化物膜と、が貼り合わされた高熱伝導複合基板を準備する工程と、
前記高熱伝導複合基板の前記ＩＩＩ族窒化物膜上に、前記ＩＩＩ族窒化物膜と同じ化学組成を有する第１のＩＩＩ族窒化物層を形成する工程と、
前記第１のＩＩＩ族窒化物層上に、前記第１のＩＩＩ族窒化物層と異なる化学組成を有する第２のＩＩＩ族窒化物層を形成する工程と、
前記第２のＩＩＩ族窒化物層上に、ソース電極、ゲート電極、およびドレイン電極を形成する工程と、を含む電界効果型トランジスタの製造方法。
【請求項６】
前記高熱伝導支持基板は、前記ＩＩＩ族窒化物膜の線熱膨張係数に対する比が０．８以上１．２以下の線熱膨張係数を有する請求項５に記載の電界効果型トランジスタの製造方法。
【請求項７】
１．５Ｗ・ｃｍ-1・Ｋ-1未満の熱伝導率を有する低熱伝導支持基板と、ＩＩＩ族窒化物膜と、が貼り合わされた低熱伝導複合基板を準備する工程と、
前記低熱伝導複合基板の前記ＩＩＩ族窒化物膜上に、前記ＩＩＩ族窒化物膜と同じ化学組成を有する第１のＩＩＩ族窒化物層を形成する工程と、
前記第１のＩＩＩ族窒化物層上に、前記第１のＩＩＩ族窒化物層と異なる化学組成を有する第２のＩＩＩ族窒化物層を形成する工程と、
前記第２のＩＩＩ族窒化物層上に、ソース電極、ゲート電極、およびドレイン電極を形成する工程と、
前記ＩＩＩ族窒化物膜から前記低熱伝導支持基板を除去する工程と、
前記ＩＩＩ族窒化物膜に１．５Ｗ・ｃｍ-1・Ｋ-1以上の熱伝導率を有する高熱伝導支持基板を貼り合わせる工程と、を含む電界効果型トランジスタの製造方法。
【請求項８】
前記低熱伝導支持基板は、前記ＩＩＩ族窒化物膜の線熱膨張係数に対する比が０．８以上１．２以下の線熱膨張係数を有する請求項７に記載の電界効果型トランジスタの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、放熱性が高い電界効果型トランジスタおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
大電流用のスイッチング素子には、高い逆方向耐圧と低いオン抵抗とが要求される。ＩＩＩ族窒化物半導体などのバンドギャップエネルギーが大きい材料を用いた電界効果型トランジスタは、高耐圧、高温動作などの点で優れているため、大電力用の制御用トランジスタとして注目されている。
【０００３】
たとえば、特開２０１２−２４３７９２号公報（特許文献１）は、電界効果型トランジスタとして、ＧａＮと化学組成が異なる異組成基板と異組成基板上に貼り合わされたＧａＮ薄膜とを含み、ＧａＮ薄膜はその厚さが０．１μｍ以上１００μｍ以下でありその水素シート濃度が１×１０14ｃｍ-2以上３×１０17ｃｍ-2以下であることにより、バッファリーク電流およびゲートリーク電流が抑制された高性能のＨＥＭＴ（高電子移動度トランジスタ）を開示する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１２−２４３７９２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特開２０１２−２４３７９２号公報（特許文献１）に開示されるＨＥＭＴは、異組成基板としてたとえばサファイア基板が用いられており、サファイア基板がその熱伝導率が０．５Ｗ・ｃｍ-1・Ｋ-1程度と低いことから、ＨＥＭＴの放熱性が低いため、高出力動作が見込み難いという問題点があった。
【０００６】
そこで、支持基板として高熱伝導支持基板を用いることにより、放熱性の高い電界効果型トランジスタを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明のある態様にかかる電界効果型トランジスタは、１．５Ｗ・ｃｍ-1・Ｋ-1以上の熱伝導率を有する高熱伝導支持基板とＩＩＩ族窒化物膜とが貼り合わせられた高熱伝導複合基板と、高熱伝導複合基板のＩＩＩ族窒化物膜上に配置されかつＩＩＩ族窒化物膜と同じ化学組成を有する第１のＩＩＩ族窒化物層と、第１のＩＩＩ族窒化物層上に配置されかつ第１のＩＩＩ族窒化物層と異なる化学組成を有する第２のＩＩＩ族窒化物層と、第２のＩＩＩ族窒化物層上に配置されたソース電極、ゲート電極、およびドレイン電極と、を含む。
【０００８】
本発明の別の態様にかかる電界効果型トランジスタの製造方法は、１．５Ｗ・ｃｍ-1・Ｋ-1以上の熱伝導率を有する高熱伝導支持基板とＩＩＩ族窒化物膜とが貼り合わされた高熱伝導複合基板を準備する工程と、高熱伝導複合基板のＩＩＩ族窒化物膜上に、ＩＩＩ族窒化物膜と同じ化学組成を有する第１のＩＩＩ族窒化物層を形成する工程と、第１のＩＩＩ族窒化物層上に、第１のＩＩＩ族窒化物層と異なる化学組成を有する第２のＩＩＩ族窒化物層を形成する工程と、第２のＩＩＩ族窒化物層上に、ソース電極、ゲート電極、およびドレイン電極を形成する工程と、を含む。
【０００９】
本発明のさらに別の態様にかかる電界効果型トランジスタの製造方法は、１．５Ｗ・ｃｍ-1・Ｋ-1未満の熱伝導率を有する低熱伝導支持基板とＩＩＩ族窒化物膜とが貼り合わされた低熱伝導複合基板を準備する工程と、低熱伝導複合基板のＩＩＩ族窒化物膜上に、ＩＩＩ族窒化物膜と同じ化学組成を有する第１のＩＩＩ族窒化物層を形成する工程と、第１のＩＩＩ族窒化物層上に、第１のＩＩＩ族窒化物層と異なる化学組成を有する第２のＩＩＩ族窒化物層を形成する工程と、第２のＩＩＩ族窒化物層上に、ソース電極、ゲート電極、およびドレイン電極を形成する工程と、ＩＩＩ族窒化物膜から低熱伝導支持基板を除去する工程と、ＩＩＩ族窒化物膜に１．５Ｗ・ｃｍ-1・Ｋ-1以上の熱伝導率を有する高熱伝導支持基板を貼り合わせる工程と、を含む。
【発明の効果】
【００１０】
上記によれば、支持基板として高熱伝導支持基板を用いることにより、放熱性の高い電界効果型トランジスタを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明のある態様にかかる電界効果型トランジスタのある例を示す概略断面図である。
【図２】本発明の別の態様にかかる電界効果型トランジスタの製造方法のある例を示す概略断面図である。
【図３】本発明のさらに別の態様にかかる電界効果型トランジスタの製造方法のある例を示す概略断面図である。
【図４】本発明の別の態様にかかる電界効果型トランジスタの製造方法において高熱伝導複合基板を準備する工程のある例を示す概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
＜本発明の実施形態の説明＞
本発明のある実施形態にかかる電界効果型トランジスタは、１．５Ｗ・ｃｍ-1・Ｋ-1以上の熱伝導率を有する高熱伝導支持基板とＩＩＩ族窒化物膜とが貼り合わせられた高熱伝導複合基板と、高熱伝導複合基板のＩＩＩ族窒化物膜上に配置されかつＩＩＩ族窒化物膜と同じ化学組成を有する第１のＩＩＩ族窒化物層と、第１のＩＩＩ族窒化物層上に配置されかつ第１のＩＩＩ族窒化物層と異なる化学組成を有する第２のＩＩＩ族窒化物層と、第２のＩＩＩ族窒化物層上に配置されたソース電極、ゲート電極、およびドレイン電極と、を含む。
【００１３】
本実施形態の電界効果型トランジスタは、１．５Ｗ・ｃｍ-1・Ｋ-1以上の熱伝導率を有する高熱伝導支持基板を含んでいるため、高い放熱性を有し、高い出力が得られる。
【００１４】
本実施形態の電界効果型トランジスタにおいて、ＩＩＩ族窒化物膜をＧａＮ膜とし、第１のＩＩＩ族窒化物層をＧａＮ層とすることができる。かかる電界効果型トランジスタは、ＧａＮがワイドバンドギャップであることに起因して高出力特性が得られる。
【００１５】
本実施形態の電界効果型トランジスタにおいて、高熱伝導支持基板は、ＩＩＩ族窒化物膜の線熱膨張係数に対する比が０．８以上１．２以下の線熱膨張係数を有することができる。かかる電界効果型トランジスタは、高い品質の第１のＩＩＩ族窒化物層および高い品質の第２のＩＩＩ族窒化物層を含むため、高い出力が得られる。
【００１６】
本実施形態の電界効果型トランジスタにおいて、高熱伝導支持基板は、ＡｌＮ結晶およびＳｉＣ結晶からなる群から選ばれる少なくとも１種類の結晶を少なくとも１個含むことができる。かかる電界効果型トランジスタは、高熱伝導支持基板の熱伝導率が高いため、高い放熱性を有し、高い出力が得られる。
【００１７】
本発明の別の実施形態にかかる電界効果型トランジスタの製造方法は、１．５Ｗ・ｃｍ-1・Ｋ-1以上の熱伝導率を有する高熱伝導支持基板とＩＩＩ族窒化物膜とが貼り合わされた高熱伝導複合基板を準備する工程と、高熱伝導複合基板のＩＩＩ族窒化物膜上に、ＩＩＩ族窒化物膜と同じ化学組成を有する第１のＩＩＩ族窒化物層を形成する工程と、第１のＩＩＩ族窒化物層上に、第１のＩＩＩ族窒化物層と異なる化学組成を有する第２のＩＩＩ族窒化物層を形成する工程と、第２のＩＩＩ族窒化物層上に、ソース電極、ゲート電極、およびドレイン電極を形成する工程と、を含む。
【００１８】
本実施形態の電界効果型トランジスタの製造方法は、１．５Ｗ・ｃｍ-1・Ｋ-1以上の熱伝導率を有する高熱伝導支持基板を用いることにより、高い放熱性を有し、高い出力が得られる電界効果型トランジスタが得られる。
【００１９】
本実施形態の電界効果型トランジスタの製造方法において、高熱伝導支持基板は、ＩＩＩ族窒化物膜の線熱膨張係数に対する比が０．８以上１．２以下の線熱膨張係数を有することができる。これにより、高い品質の第１のＩＩＩ族窒化物層および高い品質の第２のＩＩＩ族窒化物層を含み、高い出力が得られる電界効果型トランジスタが得られる。
【００２０】
本発明のさらに別の実施形態にかかる電界効果型トランジスタの製造方法は、１．５Ｗ・ｃｍ-1・Ｋ-1未満の熱伝導率を有する低熱伝導支持基板とＩＩＩ族窒化物膜とが貼り合わされた低熱伝導複合基板を準備する工程と、低熱伝導複合基板のＩＩＩ族窒化物膜上に、ＩＩＩ族窒化物膜と同じ化学組成を有する第１のＩＩＩ族窒化物層を形成する工程と、第１のＩＩＩ族窒化物層上に、第１のＩＩＩ族窒化物層と異なる化学組成を有する第２のＩＩＩ族窒化物層を形成する工程と、第２のＩＩＩ族窒化物層上に、ソース電極、ゲート電極、およびドレイン電極を形成する工程と、ＩＩＩ族窒化物膜から低熱伝導支持基板を除去する工程と、ＩＩＩ族窒化物膜に１．５Ｗ・ｃｍ-1・Ｋ-1以上の熱伝導率を有する高熱伝導支持基板を貼り合わせる工程と、を含む。
【００２１】
本実施形態の電界効果型トランジスタの製造方法は、その製造工程において、１．５Ｗ・ｃｍ-1・Ｋ-1未満の熱伝導率を有する低熱伝導支持基板に替えてＩＩＩ族窒化物膜に１．５Ｗ・ｃｍ-1・Ｋ-1以上の熱伝導率を有する高熱伝導支持基板を配置することにより、高い放熱性を有し、高い出力が得られる電界効果型トランジスタが得られる。
【００２２】
本実施形態の電界効果型トランジスタの製造方法において、低熱伝導支持基板は、ＩＩＩ族窒化物膜の線熱膨張係数に対する比が０．８以上１．２以下の線熱膨張係数を有することができる。これにより、高い品質の第１のＩＩＩ族窒化物層および高い品質の第２のＩＩＩ族窒化物層を含み、高い出力が得られる電界効果型トランジスタが得られる。
【００２３】
＜本発明の実施形態の詳細＞
［実施形態１：電界効果型トランジスタ］
図１を参照して、本実施形態の電界効果型トランジスタ２は、１．５Ｗ・ｃｍ-1・Ｋ-1以上の熱伝導率を有する高熱伝導支持基板１１とＩＩＩ族窒化物膜１３とが貼り合わせられた高熱伝導複合基板１と、高熱伝導複合基板１のＩＩＩ族窒化物膜１３上に配置されかつＩＩＩ族窒化物膜１３と同じ化学組成を有する第１のＩＩＩ族窒化物層２１と、第１のＩＩＩ族窒化物層２１上に配置されかつ第１のＩＩＩ族窒化物層２１と異なる化学組成を有する第２のＩＩＩ族窒化物層２２と、第２のＩＩＩ族窒化物層２２上に配置されたソース電極３０ｓ、ゲート電極３０ｇ、およびドレイン電極３０ｄと、を含む。
【００２４】
本実施形態の電界効果型トランジスタ２は、１．５Ｗ・ｃｍ-1・Ｋ-1以上の熱伝導率を有する高熱伝導支持基板１１を含んでいるため、高い放熱性を有し、高い出力が得られる。
【００２５】
（高熱伝導複合基板）
高熱伝導複合基板１は、１．５Ｗ・ｃｍ-1・Ｋ-1以上の熱伝導率を有する高熱伝導支持基板１１とＩＩＩ族窒化物膜１３とが貼り合わされたものである。
【００２６】
高熱伝導支持基板１１は、電界効果型トランジスタ２の放熱性を高めることにより電界効果型トランジスタ２の出力を高める観点から、高熱伝導支持基板１１の熱伝導率が、１．５Ｗ・ｃｍ-1・Ｋ-1以上であり、１．８Ｗ・ｃｍ-1・Ｋ-1以上が好ましく、３．０Ｗ・ｃｍ-1・Ｋ-1以上がより好ましい。
【００２７】
高熱伝導支持基板１１は、電界効果型トランジスタ２の第１のＩＩＩ族窒化物層２１および第２のＩＩＩ族窒化物層２２の品質を高めることにより電界効果型トランジスタ２の出力を高める観点から、高熱伝導支持基板１１の線熱膨張係数のＩＩＩ族窒化物膜１３の線熱膨張係数に対する比が、０．８以上１．２以下が好ましく、０．９以上１．１以下がより好ましい。ここで、対比される高熱伝導支持基板１１およびＩＩＩ族窒化物膜１３の線熱膨張係数の方向は、いずれもそれらの主面に平行な方向である
高熱伝導支持基板１１は、その熱伝導率を高めることにより電界効果型トランジスタ２の放熱性および出力を高める観点から、ＡｌＮ結晶およびＳｉＣ結晶からなる群から選ばれる少なくとも１種類の結晶を少なくとも１個含むことが好ましい。具体的には、高熱伝導支持基板１１は、ＡｌＮ単結晶基板、ＳｉＣ単結晶基板、ＡｌＮ多結晶基板、ＳｉＣ多結晶基板などが好ましい。
【００２８】
ＩＩＩ族窒化物膜１３は、特に制限はないが、バンドギャップが大きくまた結晶性が高い観点から、ＧａＮ膜であることが好ましい。また、ＩＩＩ族窒化物膜１３の厚さは、第１のＩＩＩ族窒化物層２１および第２のＩＩＩ族窒化物層２２の品質を高くする観点から、０．１μｍ以上が好ましく、１μｍ以上がより好ましく、電界効果型トランジスタのコストを低減する観点から、５μｍ以下が好ましく、２μｍ以下がより好ましい。
【００２９】
高熱伝導複合基板１は、高熱伝導支持基板１１とＩＩＩ族窒化物膜１３との接合強度を高める観点から、高熱伝導支持基板１１とＩＩＩ族窒化物膜１３との間に介在する接合膜１２を含むことが好ましい。接合膜１２は、高熱伝導支持基板１１とＩＩＩ族窒化物膜１３との接合強度を高める観点から、ＳｉＯ2膜、ＳｉＮx膜などが好ましい。
【００３０】
（第１のＩＩＩ族窒化物層）
第１のＩＩＩ族窒化物層２１は、高熱伝導複合基板１のＩＩＩ族窒化物膜１３上に配置され、第１のＩＩＩ族窒化物層２１の品質を高める観点から、ＩＩＩ族窒化物膜１３と同じ化学組成を有する。ここで、結晶格子を整合させる観点から、ＩＩＩ族窒化物膜１３がＧａＮ膜であり、第１のＩＩＩ族窒化物層２１がＧａＮ層であることが好ましい。
【００３１】
（第２のＩＩＩ族窒化物層）
第２のＩＩＩ族窒化物層２２は、第１のＩＩＩ族窒化物層２１上に配置され、バンドギャップの異なる２つの半導体層を接触させることによりバンドの不連続を生じさせる観点から、第１のＩＩＩ族窒化物層２１と異なる化学組成を有する。たとえば、第１のＩＩＩ族窒化物層２１がＧａＮ層の場合、第２のＩＩＩ族窒化物層２２は、自発分極によりピエゾ電荷を発生させる観点から、Ａｌ1-xＧａxＮ層（０≦ｘ＜１）とできる。
【００３２】
（ソース電極、ゲート電極、ドレイン電極）
ソース電極３０ｓ、ゲート電極３０ｇ、およびドレイン電極３０ｄは、第２のＩＩＩ族窒化物層２２上に配置されることにより、電界効果型トランジスタ２が形成される。これらの電極は、これらの電極の機能を発現するものであれば特に制限はなく、ソース電極３０ｓおよびドレイン電極３０ｄとしてはＡｌ層／Ｔｉ層／Ａｕ層を合金化させたものなどが、ゲート電極としてはＮｉ層、Ａｕ層などがそれぞれ好適に挙げられる。
【００３３】
このような電界効果型トランジスタ２において、たとえば、第１のＩＩＩ族窒化物層２１がＧａＮ層であり、第２のＩＩＩ族窒化物層２２がＡｌ1-xＧａxＮ層（０≦ｘ＜１）であれば、第２のＩＩＩ族窒化物層２２は、第１のＩＩＩ族窒化物層２１よりバンドエネルギーが低くなり、第１のＩＩＩ族窒化物層２１から発生した電子は第２のＩＩＩ族窒化物層２２に集まり、第２のＩＩＩ族窒化物層２２の第１のＩＩＩ族窒化物層２１との界面近傍１０ｎｍ程度の厚さの領域に分布する二次元電子ガスが形成され、ＨＥＭＴ（高電子移動度トランジスタ）と呼ばれる。
【００３４】
［実施形態２：電界効果型トランジスタの製造方法］
｛実施形態２−１｝
図２を参照して、本実施形態の電界効果型トランジスタ２のある製造方法は、１．５Ｗ・ｃｍ-1・Ｋ-1以上の熱伝導率を有する高熱伝導支持基板１１とＩＩＩ族窒化物膜１３とが貼り合わされた高熱伝導複合基板１を準備する工程（図２（Ａ））と、高熱伝導複合基板１のＩＩＩ族窒化物膜１３上に、ＩＩＩ族窒化物膜１３と同じ化学組成を有する第１のＩＩＩ族窒化物層２１を形成する工程（図２（Ｂ））と、第１のＩＩＩ族窒化物層２１上に、第１のＩＩＩ族窒化物層２１と異なる化学組成を有する第２のＩＩＩ族窒化物層２２を形成する工程（図２（Ｂ））と、第２のＩＩＩ族窒化物層２２上に、ソース電極３０ｓ、ゲート電極３０ｇ、およびドレイン電極３０ｄを形成する工程（図２（Ｃ））と、を含む。
【００３５】
かかる電界効果型トランジスタ２の製造方法は、１．５Ｗ・ｃｍ-1・Ｋ-1以上の熱伝導率を有する高熱伝導支持基板１１を用いることにより、高い放熱性を有し、高い出力が得られる電界効果型トランジスタ２が得られる。
【００３６】
（高熱伝導複合基板を準備する工程）
まず、図２（Ａ）および図４を参照して、高熱伝導複合基板１を準備する工程は、特に制限はないが、効率よく高熱伝導複合基板１を準備する観点から、高熱伝導支持基板１１の主面上に接合膜１２ａを形成するサブ工程（図４（Ａ））と、ＩＩＩ族窒化物膜ドナー基板１３Ｄの主面上に接合膜１２ｂを形成するとともに、ＩＩＩ族窒化物膜ドナー基板１３Ｄのその主面から所定の深さの位置にイオン注入領域１３ｉを形成するサブ工程（図４（Ｂ））と、高熱伝導支持基板１１に形成された接合膜１２ａとＩＩＩ族窒化物膜ドナー基板１３Ｄに形成された接合膜１２ｂとを貼り合わせることにより接合基板１Ｌを形成するサブ工程（図４（Ｃ））と、接合基板１ＬのＩＩＩ族窒化物膜ドナー基板１３Ｄをイオン注入領域１３ｉにおいて分離することにより、ＩＩＩ族窒化物膜１３を残してそれ以外のＩＩＩ族窒化物膜ドナー基板１３Ｄｒを除去することにより複合基板を形成するサブ工程（図４（Ｄ））と、を含む。
【００３７】
接合膜１２ａ，１２ｂを形成する方法は、品質のよい接合膜１２ａ，１２ｂを効率的に形成する観点から、スパッタ法、ＣＶＤ（化学気相堆積）法、ＰＬＤ（パルスレーザ堆積）法、ＭＢＥ（分子線成長）法、電子線蒸着法などが好ましい。
ＩＩ族窒化物膜ドナー基板１３Ｄのその主面から所定の深さの位置にイオン注入領域１３ｉを形成することは、ＩＩＩ族窒化物膜ドナー基板１３Ｄの主面上に形成された接合膜１２ｂ側からイオンＩを注入することにより行なう。注入するイオンＩは、イオン注入されるＩＩＩ族窒化物膜１３の結晶品質の低下を抑制する観点から、質量の小さいイオンが好ましく、たとえば水素イオン、ヘリウムイオンなどが好ましい。イオンＩが注入される所定の深さは、０．００１μｍ以上１μｍ以下が好ましく、０．０１μｍ以上０．５μｍ以下がより好ましい。
【００３８】
高熱伝導支持基板１１に形成された接合膜１２ａとＩＩＩ族窒化物膜ドナー基板１３Ｄに形成された接合膜１２ｂとを貼り合わせる方法は、特に制限はなく、貼り合わせ面を洗浄しそのまま貼り合わせた後６００℃〜１２００℃程度に昇温して接合する直接接合法、貼り合わせ面を洗浄しプラズマやイオンなどで活性させた後に室温（たとえば２５℃）〜４００℃程度の低温で接合する表面活性化法などが好適である。かかる貼り合わせにより、接合膜１２ａと接合膜１２ｂとが接合により一体化して接合膜１２が形成され、高熱伝導支持基板１１とＩＩＩ族窒化物膜ドナー基板１３Ｄとが接合膜１２を介在させて接合されて、接合基板１Ｌが形成される。
【００３９】
接合基板１ＬのＩＩＩ族窒化物膜ドナー基板１３Ｄをイオン注入領域１３ｉにおいて分離する方法は、ＩＩＩ族窒化物膜ドナー基板１３Ｄのイオン注入領域１３ｉに何らかのエネルギーを与える方法であれば特に制限はなく、イオン注入領域１３ｉに、応力を加える方法、熱を加える方法、光を照射する方法、および超音波を印加する方法の少なくともいずれかの方法が可能である。かかるイオン注入領域１３ｉは注入されたイオンにより脆化しているため、上記のエネルギーを受けることにより、ＩＩＩ族窒化物膜ドナー基板１３Ｄは、高熱伝導支持基板１１上の接合膜１２上に貼り合わされたＩＩＩ族窒化物膜１３と、それ以外のＩＩＩ族窒化物膜ドナー基板１３Ｄｒとに分離される。なお、ＩＩＩ族窒化物膜１３以外のＩＩＩ族窒化物膜ドナー基板１３Ｄｒは、その主面を研磨することにより、繰り返し用いることができる。
【００４０】
このようにして、１．５Ｗ・ｃｍ-1・Ｋ-1以上の熱伝導率を有する高熱伝導支持基板１１とＩＩＩ族窒化物膜１３とが接合膜１２を介在させて貼り合わされた高熱伝導複合基板１が得られる。
【００４１】
高熱伝導複合基板１を準備する工程において用いられる高熱伝導支持基板１１は、ＩＩＩ族窒化物膜１３上に反りが少なく結晶品質の高い第１のＩＩＩ族窒化物層２１および第２のＩＩＩ族窒化物層２２を成長させる観点から、高熱伝導支持基板１１の線熱膨張係数のＩＩＩ族窒化物膜１３の線熱膨張係数に対する比が、０．８以上１．２以下が好ましく、０．９以上１．１以下がより好ましい。かかる観点から、高熱伝導支持基板１１は、ＡｌＮ多結晶基板、ＳｉＣ多結晶基板などが好ましい。
【００４２】
（第１のＩＩＩ族窒化物層を形成する工程）
次に、図２（Ｂ）を参照して、第１のＩＩＩ族窒化物層２１を形成する工程において、高熱伝導複合基板１のＩＩＩ族窒化物膜１３上に、結晶格子を整合させる観点から、ＩＩＩ族窒化物膜１３と同じ化学組成を有する第１のＩＩＩ族窒化物層２１を形成する。第１のＩＩＩ族窒化物層２１を形成する方法は、特に制限はないが、結晶品質の高い第１のＩＩＩ族窒化物層２１を成長させる観点から、ＭＯＣＶＤ（有機金属気相堆積）法、ＭＢＥ（分子線成長）法、ＨＶＰＥ（ハイドライド気相成長）法、昇華法などの気相法、高窒素圧溶液法、フラックス法などの液相法が好ましい。
【００４３】
（第２のＩＩＩ族窒化物層を形成する工程）
次に、図２（Ｂ）を参照して、第２のＩＩＩ族窒化物層２２を形成する工程において、第１のＩＩＩ族窒化物層２１上に、バンドギャップの異なる２つの半導体層を接触させることによりバンドの不連続を生じさせる観点から、第１のＩＩＩ族窒化物層２１と異なる化学組成を有する第２のＩＩＩ族窒化物層２２を形成する。第２のＩＩＩ族窒化物層２２を形成する方法は、特に制限はないが、結晶品質の高い第２のＩＩＩ族窒化物層２２を成長させる観点から、ＭＯＣＶＤ（有機金属気相堆積）法、ＭＢＥ（分子線成長）法、ＨＶＰＥ（ハイドライド気相成長）法、昇華法などの気相法、高窒素圧溶液法、フラックス法などの液相法が好ましい。
【００４４】
（ソース電極、ゲート電極、およびドレイン電極を形成する工程）
次に、図２（Ｃ）を参照して、ソース電極３０ｓ、ゲート電極３０ｇ、およびドレイン電極３０ｄを形成する工程において、第２のＩＩＩ族窒化物層２２上に、ソース電極３０ｓ、ゲート電極３０ｇ、およびドレイン電極３０ｄを形成する。ソース電極３０ｓ、ゲート電極３０ｇ、およびドレイン電極３０ｄを形成する方法は、特に制限はないが、効率よく高品質の電極を形成する観点から、フォトリソグラフィ法によるパターンマスクの形成、ＥＢ（電子線）蒸着法による少なくとも１層の金属層の形成、およびリフトオフ法によるパターンマスクの除去が好適に挙げられる。
【００４５】
このようにして、電界効果型トランジスタ２が得られる。ここで、第１のＩＩＩ族窒化物層２１をＧａＮ層とし、第２のＩＩＩ族窒化物層２２をＡｌ1-xＧａxＮ層（０≦ｘ＜１）とすると、第２のＩＩＩ族窒化物層２２は、第１のＩＩＩ族窒化物層２１よりバンドエネルギーが低くなり、第１のＩＩＩ族窒化物層２１から発生した電子は第２のＩＩＩ族窒化物層２２に集まり、第２のＩＩＩ族窒化物層２２の第１のＩＩＩ族窒化物層２１との界面近傍１０ｎｍ程度の厚さの領域に分布する二次元電子ガスが形成され、ＨＥＭＴ（高電子移動度トランジスタ）と呼ばれる電界効果型トランジスタ２が得られる。
【００４６】
｛実施形態２−２｝
図３を参照して、本実施形態の電界効果型トランジスタ２の別の製造方法は、１．５Ｗ・ｃｍ-1・Ｋ-1未満の熱伝導率を有する低熱伝導支持基板１０とＩＩＩ族窒化物膜１３とが貼り合わされた低熱伝導複合基板１Ａを準備する工程（図３（Ａ））、低熱伝導複合基板１ＡのＩＩＩ族窒化物膜１３上に、ＩＩＩ族窒化物膜１３と同じ化学組成を有する第１のＩＩＩ族窒化物層２１を形成する工程（図３（Ｂ））と、第１のＩＩＩ族窒化物層２１上に、第１のＩＩＩ族窒化物層２１と異なる化学組成を有する第２のＩＩＩ族窒化物層２２を形成する工程（図３（Ｂ））と、第２のＩＩＩ族窒化物層２２上に、ソース電極３０ｓ、ゲート電極３０ｇ、およびドレイン電極３０ｄを形成する工程（図３（Ｃ））と、ＩＩＩ族窒化物膜１３から低熱伝導支持基板１０を除去する工程（図３（Ｄ）および（Ｅ））と、ＩＩＩ族窒化物膜１３に１．５Ｗ・ｃｍ-1・Ｋ-1以上の熱伝導率を有する高熱伝導支持基板１１を貼り合わせる工程（図３（Ｆ）および（Ｇ））と、を含む。
【００４７】
かかる電界効果型トランジスタ２の製造方法は、その製造工程において、１．５Ｗ・ｃｍ-1・Ｋ-1未満の熱伝導率を有する低熱伝導支持基板１０に替えてＩＩＩ族窒化物膜１３に１．５Ｗ・ｃｍ-1・Ｋ-1以上の熱伝導率を有する高熱伝導支持基板１１を配置することにより、高い放熱性を有し、高い出力が得られる電界効果型トランジスタ２が得られる。
【００４８】
（低熱伝導複合基板を準備する工程）
まず、図３（Ａ）を参照して、低熱伝導複合基板１Ａを準備する工程において、１．５Ｗ・ｃｍ-1・Ｋ-1以上の熱伝導率を有する高熱伝導支持基板１１に替えて１．５Ｗ・ｃｍ-1・Ｋ-1未満の熱伝導率を有する低熱伝導支持基板１０を用いたこと以外は、実施例１と同様にして、１．５Ｗ・ｃｍ-1・Ｋ-1未満の熱伝導率を有する低熱伝導支持基板１０とＩＩＩ族窒化物膜１３とが接合膜１２を介在させて貼り合わされた低熱伝導複合基板１Ａを得る。
【００４９】
低熱伝導複合基板１Ａを準備する工程において用いられる低熱伝導支持基板１０は、ＩＩＩ族窒化物膜１３上に反りが少なく結晶品質の高い第１のＩＩＩ族窒化物層２１および第２のＩＩＩ族窒化物層２２を成長させる観点から、低熱伝導支持基板１０の線熱膨張係数のＩＩＩ族窒化物膜１３の線熱膨張係数に対する比が、０．８以上１．２以下が好ましく、０．９以上１．１以下がより好ましい。かかる観点から、低熱伝導支持基板１０は、ムライト基板、ＡｌＮ基板などが好ましい。
【００５０】
（第１のＩＩＩ族窒化物層を形成する工程）
次に、図３（Ｂ）を参照して、第１のＩＩＩ族窒化物層２１を形成する工程において、実施例１と同様にして、低熱伝導複合基板１ＡのＩＩＩ族窒化物膜１３上に、ＩＩＩ族窒化物膜１３と同じ化学組成を有する第１のＩＩＩ族窒化物層２１を形成する。
【００５１】
（第２のＩＩＩ族窒化物層を形成する工程）
次に、図３（Ｂ）を参照して、第２のＩＩＩ族窒化物層２２を形成する工程において、実施例１と同様にして、第１のＩＩＩ族窒化物層２１上に、第１のＩＩＩ族窒化物層２１と異なる化学組成を有する第２のＩＩＩ族窒化物層２２を形成する。
【００５２】
（ソース電極、ゲート電極、およびドレイン電極を形成する工程）
次に、図３（Ｃ）を参照して、ソース電極３０ｓ、ゲート電極３０ｇ、およびドレイン電極３０ｄを形成する工程において、実施例１と同様にして、第２のＩＩＩ族窒化物層２２上に、ソース電極３０ｓ、ゲート電極３０ｇ、およびドレイン電極３０ｄを形成する。
【００５３】
（ＩＩＩ族窒化物膜から低熱伝導支持基板を除去する工程）
次に、図３（Ｄ）および（Ｅ）を参照して、ＩＩＩ族窒化物膜１３から低熱伝導支持基板１０を除去する工程は、特に制限はないが、ＩＩＩ族窒化物膜１３、第１のＩＩＩ族窒化物層２１および第２のＩＩＩ族窒化物層２２の品質を低下させることなく効率的に低熱伝導支持基板１０を除去する観点から、ソース電極３０ｓ、ゲート電極３０ｇ、およびドレイン電極３０ｄが形成された第２のＩＩＩ族窒化物層２２に仮支持基板４０を貼り合わせるサブ工程（図３（Ｄ））と、ＩＩＩ族窒化物膜１３から低熱伝導支持基板１０を除去するサブ工程（図３（Ｅ））と、を含むことが好ましい。
【００５４】
図３（Ｄ）を参照して、仮支持基板４０を貼り合わせるサブ工程において、ソース電極３０ｓ、ゲート電極３０ｇ、およびドレイン電極３０ｄが形成された第２のＩＩＩ族窒化物層２２に仮接合剤４１を介在させて仮支持基板４０を貼り合わせる。ここで、仮支持基板４０としては、特に制限はないが、機械的強度が高い観点から、Ｓｉ基板などが好ましい。また、仮接合剤４１としては、特に制限はないが、接合および除去が簡便な観点から、所定の温度で軟化するものなどが好ましい。
【００５５】
図３（Ｅ）を参照して、低熱伝導支持基板１０を除去するサブ工程において、ＩＩＩ族窒化物膜１３から低熱伝導支持基板１０および接合膜１２を除去する。低熱伝導支持基板１０および接合膜１２を除去する方法は、特に制限はなく、エッチング、切断、研削、および／または研磨などが適用できる。
【００５６】
（高熱伝導支持基板を貼り合わせる工程）
図３（Ｆ）および（Ｇ）を参照して、高熱伝導支持基板１１を貼り合わせる工程は、特に制限はないが、高熱伝導支持基板１１を効率よく貼り合わせる観点から、ＩＩＩ族窒化物膜１３に１．５Ｗ・ｃｍ-1・Ｋ-1以上の熱伝導率を有する高熱伝導支持基板１１を貼り合わせるサブ工程（図３（Ｆ））と、仮支持基板４０を除去するサブ工程（図３（Ｇ））と、を含む。
【００５７】
図３（Ｆ）を参照して、高熱伝導支持基板１１を貼り合わせるサブ工程において、ＩＩＩ族窒化物膜１３に１．５Ｗ・ｃｍ-1・Ｋ-1以上の熱伝導率を有する高熱伝導支持基板１１を貼り合わせる。高熱伝導支持基板１１を貼り合わせる方法は、特に制限はないが、ＩＩＩ族窒化物膜１３と高熱伝導支持基板１１との接合強度を高める観点から、接合膜１２を介在させて貼り合わせることが好ましい。ＩＩＩ族窒化物膜１３と高熱伝導支持基板１１とを接合膜１２を介在させて貼り合わせる方法は、上記の高熱伝導複合基板１の準備する場合と同様の方法である。
【００５８】
図３（Ｇ）を参照して、仮支持基板４０を除去するサブ工程において、ソース電極３０ｓ、ゲート電極３０ｇ、およびドレイン電極３０ｄが形成された第２のＩＩＩ族窒化物層２２から仮支持基板４０を除去する。仮支持基板４０を除去する方法は、特に制限はなく、仮接合剤４１を軟化させて仮接合剤４１とともに仮支持基板４０を除去する方法などが挙げられる。
【００５９】
このようにして、電界効果型トランジスタ２が得られる。ここで、第１のＩＩＩ族窒化物層２１をＧａＮ層とし、第２のＩＩＩ族窒化物層２２をＡｌ1-xＧａxＮ層（０≦ｘ＜１）とすると、第２のＩＩＩ族窒化物層２２は、第１のＩＩＩ族窒化物層２１よりバンドエネルギーが低くなり、第１のＩＩＩ族窒化物層２１から発生した電子は第２のＩＩＩ族窒化物層２２に集まり、第２のＩＩＩ族窒化物層２２の第１のＩＩＩ族窒化物層２１との界面近傍１０ｎｍ程度の厚さの領域に分布する二次元電子ガスが形成され、ＨＥＭＴ（高電子移動度トランジスタ）と呼ばれる電界効果型トランジスタ２が得られる。
【実施例】
【００６０】
（実施例１）
１．高熱伝導複合基板の準備
まず、図２（Ａ）を参照して、１．５Ｗ・ｃｍ-1・Ｋ-1以上の熱伝導率を有する高熱伝導支持基板１１とＩＩＩ族窒化物膜１３とを接合膜１２を介在させて貼り合わせた高熱伝導複合基板１を準備した。ここで、高熱伝導支持基板１１は、焼結法により得られた、熱伝導率が１．８Ｗ・ｃｍ-1・Ｋ-1で、主面に平行な方向の線熱膨張係数が３×１０-6Ｋ-1（ＧａＮ膜の主面に平行な線熱膨張係数に対する比が１．０）で、直径が５．０ｃｍで、厚さが３００μｍのＡｌＮ多結晶基板であった。接合膜１２は、直径が５．０ｃｍで、厚さが０．５μｍのＳｉＯ2膜であった。ＩＩＩ族窒化物膜１３は、直径が５．０ｃｍで、厚さが０．１μｍのＧａＮ膜であった。
【００６１】
２．第１のＩＩＩ族窒化物層および第２のＩＩＩ族窒化物層の形成
次に、図２（Ｂ）を参照して、ＩＩＩ族窒化物膜１３上にＭＯＣＶＤ法により第１のＩＩＩ族窒化物層２１として厚さが３μｍのｉ型ＧａＮ層を成長させ、次いで、第１のＩＩＩ族窒化物層２１上にＭＯＣＶＤ法により第２のＩＩＩ族窒化物層２２として厚さが０．０２５μｍのｉ型Ａｌ0.25Ｇａ0.75Ｎ層を形成した。
【００６２】
３．ソース電極、ゲート電極、およびドレイン電極の形成
次に、図２（Ｃ）を参照して、第２のＩＩＩ族窒化物層２２上に、フォトリソグラフィ法によるマスクパターンの形成、ＥＢ蒸着法による少なくとも１層の金属層の形成、およびリフトオフ法によるマスクパターンの除去により、ソース電極３０ｓ、ゲート電極３０ｇ、およびドレイン電極３０ｄを形成した。ソース電極３０ｓおよびドレイン電極３０ｄは、いずれも厚さが５０ｎｍのＴｉ層、厚さが１００ｎｍのＡｌ層、および厚さが２００ｎｍのＡｕ層を積層し、８００℃で３０秒間熱処理して合金化することにより形成した。ゲート電極３０ｇは、厚さが３００ｎｍのＡｕ層をゲート幅が２μｍ、ゲート長さが１５０μｍになるように形成した。
【００６３】
４．電界効果型トランジスタの特性評価
上記のようにして得られた電界効果型トランジスタ２であるＨＥＭＴの特性オン抵抗（トランジスタのチャネル面積あたりの抵抗をいう。以下同じ。）は、半導体パラメータアナライザ（アジレント社製Ｂ１５０５）により測定したところ、１ｍΩｃｍ2であった。これは、後述する比較例１に比べて、高熱伝導支持基板１１であるＡｌＮ多結晶基板の放熱性が高いことから、第１のＩＩＩ族窒化物層２１であるｉ型ＧａＮ層の放熱性が高いため、特性オン抵抗が低いことが分かった。
【００６４】
（実施例２）
高熱伝導支持基板として、ＡｌＮ多結晶基板に替えて、焼結法により得られた、熱伝導率が２．７Ｗ・ｃｍ-1・Ｋ-1で、主面に平行な方向の線熱膨張係数が３×１０-6Ｋ-1（ＧａＮ膜の主面に平行な線熱膨張係数に対する比が１．０）で、直径が５．０ｃｍで、厚さが３００μｍのＳｉＣ多結晶基板を用いたこと以外は、実施例１と同様にして、電界効果型トランジスタであるＨＥＭＴを作製した。そのＨＥＭＴの特性オン抵抗は、０．７ｍΩｃｍ2であった。これは、後述する比較例１に比べて、高熱伝導支持基板１１であるＳｉＣ多結晶基板の放熱性が高いことから、第１のＩＩＩ族窒化物層２１であるｉ型ＧａＮ層の放熱性が高いため、特性オン抵抗が低いことが分かった。
【００６５】
（比較例１）
高熱伝導支持基板であるＡｌＮ多結晶基板に替えて、焼結法により得られた１．５Ｗ・ｃｍ-1・Ｋ-1未満の熱伝導率を有する低熱伝導支持基板である、熱伝導率が０．５Ｗ・ｃｍ-1・Ｋ-1で、主面に平行な方向の線熱膨張係数が３×１０-6Ｋ-1（ＧａＮ膜の主面に平行な線熱膨張係数に対する比が１．０）で、直径が５．０ｃｍで、厚さが３００μｍのムライト基板を用いたこと以外は、実施例１と同様にして、電界効果型トランジスタであるＨＥＭＴを作製した。そのＨＥＭＴの特性オン抵抗は、５ｍΩｃｍ2であった。
【００６６】
（実施例３）
１．低熱伝導複合基板の準備
まず、図３（Ａ）を参照して、１．５Ｗ・ｃｍ-1・Ｋ-1未満の熱伝導率を有する低熱伝導支持基板１０とＩＩＩ族窒化物膜１３とを接合膜１２を介在させて貼り合わせた低熱伝導複合基板１Ａを準備した。ここで、低熱伝導支持基板１０は、焼結法により得られた、熱伝導率が０．５Ｗ・ｃｍ-1・Ｋ-1で、主面に平行な方向の線熱膨張係数が３×１０-6Ｋ-1（ＧａＮ膜の主面に平行な線熱膨張係数に対する比が１．０）で、直径が５．０ｃｍで、厚さが３００μｍのムライト基板であった。接合膜１２は、直径が５．０ｃｍで、厚さが１μｍのＳｉＯ2膜であった。ＩＩＩ族窒化物膜１３は、直径が５．０ｃｍで、厚さが０．１μｍのＧａＮ膜であった。
【００６７】
２．第１のＩＩＩ族窒化物層および第２のＩＩＩ族窒化物層の形成
次に、図３（Ｂ）を参照して、ＩＩＩ族窒化物膜１３上にＭＯＣＶＤ法により第１のＩＩＩ族窒化物層２１として厚さが３μｍのｉ型ＧａＮ層を成長させ、次いで、第１のＩＩＩ族窒化物層２１上にＭＯＣＶＤ法により第２のＩＩＩ族窒化物層２２として厚さが０．０２５μｍのｉ型Ａｌ0.25Ｇａ0.75Ｎ層を形成した。
【００６８】
３．ソース電極、ゲート電極、およびドレイン電極の形成
次に、図３（Ｃ）を参照して、第２のＩＩＩ族窒化物層２２上に、フォトリソグラフィ法によるマスクパターンの形成、ＥＢ蒸着法による少なくとも１層の金属層の形成、およびリフトオフ法によるマスクパターンの除去により、ソース電極３０ｓ、ゲート電極３０ｇ、およびドレイン電極３０ｄを形成した。ソース電極３０ｓおよびドレイン電極３０ｄは、いずれも厚さが５０ｎｍのＴｉ層、厚さが１００ｎｍのＡｌ層、および厚さが２００ｎｍのＡｕ層を積層し、８００℃で３０秒間熱処理して合金化することにより形成した。ゲート電極３０ｇは、厚さが３００ｎｍのＡｕ層をゲート幅が２μｍ、ゲート長さが１５０μｍになるように形成した。
【００６９】
４．低熱伝導支持基板の除去
次に、図３（Ｄ）を参照して、ソース電極３０ｓ、ゲート電極３０ｇ、およびドレイン電極３０ｄが形成された第２のＩＩＩ族窒化物層２２に、仮接合剤４１であるＢｒｅｗｅｒ  Ｓｃｉｅｎｃｅｓ社製ＷａｆｅｒＢｏｎｄ  ＨＴ−１０，１０を塗布することにより介在させて、真空中で２００℃に加熱された雰囲気中で、ウエハボンディングを用いて仮支持基板４０である直径が５．０ｃｍで厚さが３００μｍのサファイア基板を貼り合わせた。次いで、図３（Ｅ）を参照して、ＩＩＩ族窒化物膜１３から、バッファードフッ酸（関東化学社製ＢＨＦ１１０）により、低熱伝導支持基板１０および接合膜１２を溶解させて除去した。
【００７０】
５．高熱伝導支持基板の貼り合わせ
次に、図３（Ｆ）を参照して、ＩＩＩ族窒化物膜１３に接合膜１２を介在させて１．５Ｗ・ｃｍ-1・Ｋ-1以上の熱伝導率を有する高熱伝導支持基板１１を貼り合わせた。高熱伝導支持基板１１は、実施例１と同様の、焼結法により得られた、熱伝導率が１．８Ｗ・ｃｍ-1・Ｋ-1で、主面に平行な方向の線熱膨張係数が３×１０-6Ｋ-1（ＧａＮ膜の主面に平行な線熱膨張係数に対する比が１．０）で、直径が５．０ｃｍで、厚さが３００μｍのＡｌＮ多結晶基板を用いた。貼り合わせは、高熱伝導複合基板の形成方法と同様に、ＩＩＩ族窒化物膜１３および高熱伝導支持基板１１のそれぞれに接合膜１２としてＳｉＯ2膜を形成した後、それぞれのＳｉＯ2膜を接合することにより行なった。次いで、図３（Ｇ）を参照して、２００℃に加熱して仮接合剤４１を軟化することにより、ソース電極３０ｓ、ゲート電極３０ｇ、およびドレイン電極３０ｄが形成された第２のＩＩＩ族窒化物層２２から仮接合剤４１とともに仮支持基板４０を除去した。
【００７１】
６．電界効果型トランジスタの特性評価
上記のようにして得られた電界効果型トランジスタ２であるＨＥＭＴの特性オン抵抗は、１ｍΩｃｍ2であった。これは、比較例１に比べて特性オン抵抗が低いことが分かった。
【００７２】
（実施例４）
高熱伝導支持基板として、ＡｌＮ多結晶基板に替えて、実施例２と同様の、焼結法により得られた、熱伝導率が２．７Ｗ・ｃｍ-1・Ｋ-1で、主面に平行な方向の線熱膨張係数が３×１０-6Ｋ-1（ＧａＮ膜の主面に平行な線熱膨張係数に対する比が１．０）で、直径が５．０ｃｍで、厚さが３００μｍのＳｉＣ多結晶基板を用いたこと以外は、実施例３と同様にして、電界効果型トランジスタであるＨＥＭＴを作製した。そのＨＥＭＴの特性オン抵抗は、０．７ｍΩｃｍ2であった。これは、比較例１に比べて特性オン抵抗が低いことが分かった。
【００７３】
今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【符号の説明】
【００７４】
１  高熱伝導複合基板
１Ａ  低熱伝導複合基板
１Ｌ  接合基板
２  電界効果型トランジスタ
１０  低熱伝導支持基板
１１  高熱伝導支持基板
１２，１２ａ，１２ｂ  接合膜
１３  ＩＩＩ族窒化物膜
１３Ｄ，１３Ｄｒ  ＩＩＩ族窒化物膜ドナー基板
１３ｉ  イオン注入領域
２１  第１のＩＩＩ族窒化物層
２２  第２のＩＩＩ族窒化物層
３０ｄ  ドレイン電極
３０ｇ  ゲート電極
３０ｓ  ソース電極
４０  仮支持基板
４１  仮接合剤。
【図１】
2016046459.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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