(57)【要約】      （修正有）【課題】ドライエッチング時には基板を安定的に固定しつつ、ドライエッチング後に基板に不要な付着物が残存することを効果的に防止する基板の処理方法及び所望のパターンを有し且つ不本意な付着物の残存を防止した加工基板を提供する。【解決手段】支持部材３上に、金属膜２を介して、所定のパターンのマスク４で被覆され、無機材料で構成された基板１を固定する工程１ａと、基板１を、金属膜２を介して、支持部材３で支持した状態で支持部材３を、ドライエッチング装置のステージ５に固定してドライエッチングを施すドライエッチング工程１ｂと、金属膜２を構成する金属材料を溶解し、ドライエッチングが施された基板１を支持部材３から分離する分離工程１ｃと、を有する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
無機材料で構成された基板を、金属材料を介して、支持部材で支持した状態でドライエッチングを施すドライエッチング工程と、
前記金属材料を溶解し、ドライエッチングが施された前記基板を前記支持部材から分離する分離工程とを有することを特徴とする基板の加工方法。
【請求項２】
前記基板の前記支持部材への支持は、前記基板および前記支持部材の表面のそれぞれに前記金属材料で構成された金属膜を形成し、前記基板に形成された前記金属膜と前記支持部材に形成された前記金属膜とが接触した状態で、前記金属膜に超音波振動を付与することにより行う請求項１に記載の基板の加工方法。
【請求項３】
前記金属材料は、Ａｕである請求項１または２に記載の基板の加工方法。
【請求項４】
前記分離工程において、前記金属材料を溶解する溶解液として、ヨウ素系溶解液を用いる請求項１ないし３のいずれか１項に記載の基板の加工方法。
【請求項５】
前記支持部材は、Ｓｉで構成されたものである請求項１ないし４のいずれか１項に記載の基板の加工方法。
【請求項６】
前記基板は、水晶で構成されたものである請求項１ないし５のいずれか１項に記載の基板の加工方法。
【請求項７】
前記支持部材は、フッ化水素および硝酸を含む液体を用いて溶解するものである請求項１ないし６のいずれか１項に記載の基板の加工方法。
【請求項８】
前記支持部材は、強アルカリを含む液体を用いて溶解するものである請求項１ないし７のいずれか１項に記載の基板の加工方法。
【請求項９】
請求項１ないし８のいずれか１項に記載の基板の加工方法を用いて製造されたことを特徴とする加工基板。
【請求項１０】
請求項１ないし８のいずれか１項に記載の基板の加工方法を含み、前記基板の加工方法により得られた基板に電極を構成する工程を含むことを特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項１１】
請求項９に記載の加工基板を備えていることを特徴とする電子部品。
【請求項１２】
請求項９に記載の加工基板を備えていることを特徴とする電子機器。
【請求項１３】
請求項１１に記載の電子部品を備えていることを特徴とする移動体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板の加工方法、加工基板、電子部品の製造方法、電子部品、電子機器および移動体に関する。
【背景技術】
【０００２】
水晶基板のような基板（母材）を、ドライエッチングによりパターニングする処理が広く行われている。
【０００３】
このようなドライエッチングを行う際、粘着シート（熱導電性シート）を介して、支持部材（支持台）に基板を固定することが行われている（例えば、特許文献１参照）。
これにより、小型、薄型の基板でもエッチング処理を施すことができる。
【０００４】
しかしながら、粘着シートで基板を固定した場合、ドライエッチングの際に粘着剤が炭化し基板に強固に付着するため、除去することが困難であるという問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】再表２００８／１４３００４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は、ドライエッチング時には基板を安定的に固定しつつ、ドライエッチング後に基板に不要な付着物が残存することを効果的に防止することができる基板の処理方法を提供すること、所望のパターンを有し、かつ、不本意な付着物の残存が防止された加工基板を提供すること、前記加工基板を用いて製造された信頼性の高い電子部品、電子機器および移動体を提供すること、また、信頼性の高い電子部品を効率よく製造することができる電子部品の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の基板の加工方法は、無機材料で構成された基板を、金属材料を介して、支持部材で支持した状態でドライエッチングを施すドライエッチング工程と、
前記金属材料を溶解し、ドライエッチングが施された前記基板を前記支持部材から分離する分離工程とを有することを特徴とする。
【０００８】
これにより、ドライエッチング時には基板を安定的に固定しつつ、ドライエッチング後に基板に不要な付着物が残存することを効果的に防止することができる基板の処理方法を提供することができる。
【０００９】
本発明の基板の加工方法では、前記基板の前記支持部材への支持は、前記基板および前記支持部材の表面のそれぞれに前記金属材料で構成された金属膜を形成し、前記基板に形成された前記金属膜と前記支持部材に形成された前記金属膜とが接触した状態で、前記金属膜に超音波振動を付与することにより行うことが好ましい。
【００１０】
これにより、基板や支持部材の不本意な変性、変形等をより確実に防止しつつ、より効率よく基板と支持部材とを接合することができる。また、基板の固定をより容易に行うことができるとともに、基板と支持部材との密着力（基板の固定力）を特に優れたものとすることができる。
【００１１】
本発明の基板の加工方法では、前記金属材料は、Ａｕであることが好ましい。
これにより、基板の固定をより容易に行うことができるとともに、基板と支持部材との密着力（基板の固定力）を特に優れたものとすることができる。また、Ａｕは熱伝導率に優れた材料であるため、ドライエッチング工程における基板の冷却効率を高いものとすることができる。また、分離工程において、基板上からより容易にかつより確実に除去することができる。
【００１２】
本発明の基板の加工方法では、前記分離工程において、前記金属材料を溶解する溶解液として、ヨウ素系溶解液を用いることが好ましい。
【００１３】
ヨウ素系溶解液は、取り扱いが容易であるとともに、金属材料の溶解速度の制御が容易で、様々な種類の基板や支持部材をほとんど侵さないものであるため、最終的に得られる加工基板をより確実に所望の形状を有するものとすることができる。
【００１４】
本発明の基板の加工方法では、前記支持部材は、Ｓｉで構成されたものであることが好ましい。
【００１５】
これにより、支持部材と金属材料との密着性を特に優れたものとすることができ、より高い安定性で基板を固定することができる。また、分離工程で、金属材料を構成する金属材料を支持部材上からより容易に、かつ、より確実に除去することができるため、支持部材を好適に再利用することができる。また、Ｓｉは熱伝導率に優れた材料であるため、ドライエッチング工程における基板の冷却効率を高いものとすることができる。
【００１６】
本発明の基板の加工方法では、前記基板は、水晶で構成されたものであることが好ましい。
【００１７】
水晶は、水晶振動子等の高い精度で微細な構造を有する部材の製造に用いられているが、本発明によれば、このような部材の製造に好適に適用することができる。また、後に詳述する分離工程において支持部材との分離に用いる液体に対する耐性に優れており、基板が不本意なダメージを受けることをより効果的に防止することができる。また、基板が水晶で構成されたものであると、基板と金属材料との密着性を特に優れたものとすることができるとともに、分離工程で金属材料を基板上からより容易に、かつ、より確実に除去することができる。
【００１８】
本発明の基板の加工方法では、前記支持部材は、フッ化水素および硝酸を含む液体を用いて溶解するものであることが好ましい。
【００１９】
これにより、例えば、支持部材がＳｉで構成されたものである場合に、より速い速度で支持部材を溶解することができる。このため、加工基板の生産性を特に優れたものとすることができる。
【００２０】
本発明の基板の加工方法では、前記支持部材は、強アルカリを含む液体を用いて溶解するものであることが好ましい。
【００２１】
これにより、例えば、支持部材がＳｉで構成されたものである場合に、より高い選択性で支持部材を溶解することができ、基板がダメージを受けることをより効果的に防止することができる。
【００２２】
本発明の加工基板は、本発明の加工方法を用いて製造されたことを特徴とする。
これにより、所望のパターンを有し、かつ、不本意な付着物の残存が防止された加工基板を提供することができる。
【００２３】
本発明の電子部品の製造方法は、本発明の基板の加工方法を含み、前記基板の加工方法により得られた基板に電極を構成する工程を含むことを特徴とする。
【００２４】
これにより、信頼性の高い電子部品を効率よく製造することができる電子部品の製造方法を提供することができる。
【００２５】
本発明の電子部品は、本発明の加工基板を備えていることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い電子部品を提供することができる。
【００２６】
本発明の電子機器は、本発明の加工基板を備えていることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い電子機器を提供することができる。
【００２７】
本発明の移動体は、本発明の電子部品を備えていることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い移動体を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】本発明の基板の処理方法の好適な実施形態について、各工程を模式的に示す断面図である。
【図２】本発明の基板の処理方法の好適な実施形態について、各加工を模式的に示す断面図である。
【図３】本発明の加工基板を示す平面図である。
【図４】本発明の電子部品を示す斜視図である。
【図５】本発明の電子部品を示す断面図である。
【図６】本発明の電子機器を示す図である。
【図７】本発明の移動体を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
以下、添付する図面を参照しつつ、本発明の好適な実施形態について詳細な説明をする。
【００３０】
《基板の処理方法》
まず、本発明の基板の処理方法について説明する。
【００３１】
図１、図２は、本発明の基板の処理方法の好適な実施形態について、各工程を模式的に示す断面図である。なお、図１は、ドライエッチングにより基板１に凹部を構成する場合の処理方法を示し、図２は、ドライエッチングにより基板１に貫通孔を構成する場合の処理方法を示している。
【００３２】
図１、図２に示すように、本実施形態の基板の処理方法は、支持部材３上に、金属膜２を介して、所定のパターンのマスク４で被覆された基板（被処理部材）１を固定する基板固定工程（１ａ）と、基板１に対してドライエッチングを施すドライエッチング工程（１ｂ）と、金属膜２を溶解し、ドライエッチングが施された基板１を支持部材３から分離する分離工程（１ｃ）と、マスク４を除去するマスク除去工程（１ｄ）とを有している。
【００３３】
≪基板固定工程≫
基板固定工程では、支持部材３上に、金属膜２を介して、所定のパターンのマスク４で被覆された基板（被処理部材）１を固定する（１ａ）。
【００３４】
このように、金属膜２を介して基板１を固定することにより、基板１を安定的に支持部材３上に固定することができ、後に詳述するドライエッチング工程等において、基板１が支持部材３上から脱落する等の問題を確実に防止することができる。
【００３５】
また、金属材料は、一般に熱伝導率が高い材料であるため、ドライエッチング工程における伝熱を効果的に行うことができ、基板１の冷却効率を高いものとすることができる。その結果、基板１の割れ等の問題をより確実に防止することができる。すなわち、ドライエッチング工程においては、基板１はプラズマに曝されるので温度が高温になる。そのため基板１が過度に高温にならないように後述するステージ５側から支持部材３を介して基板１を冷却する。このようなドライエッチング工程におい粘着シートの代わりに粘着シートよりも熱伝導率に優れる金属膜２を使用することで熱衝撃による基板１の割れ等の問題発生を改善できる。また、ドライエッチング工程における基板１と支持部材３との温度差を小さいものとすることができるため、基板１の反り等を効果的に防止することができる。その結果、ドライエッチングによる加工精度を確実に優れたものとすることができる。
【００３６】
また、ドライエッチング中の基板は、冷却された状態であっても例えば接合部材が有機系であればその炭化温度よりも高温になる。一般に炭素原子は他の物質と接合し易い性質を持っている。従って炭化した接合部材は、基板との間で共有結合し、強固に結合してしまうため、不本意な付着物として除去が非常に困難になる。これに対して基板１と支持部材３との間を接合する接合部材が金属膜２であれば、その金属材料が炭化することはない。従って、ドライエッチング中に不本意な付着物が発生してしまうという問題は起きにくい。
【００３７】
基板（被処理部材）１は、無機材料で構成されたものであればいかなるものであってもよく、基板１の構成材料としては、例えば、水晶、シリコン、サファイア、ガラス、ニオブ酸リチウム、ニオブ酸カリウム、ＰＺＴ等が挙げられるが、水晶で構成されたものであるのが好ましい。
【００３８】
水晶は、水晶振動子等の高い精度で微細な構造を有する部材の製造に用いられているが、本発明によれば、このような部材の製造に好適に適用することができる。また、後に詳述する分離工程において支持部材３との分離に用いる液体（例えば、ヨウ素系溶解液や、フッ化水素および硝酸を含む液体、強アルカリを含む液体等）に対する耐性に優れており、基板１が不本意なダメージを受けることをより効果的に防止することができる。
【００３９】
また、基板１が水晶で構成されたものであると、基板１と金属膜２との密着性を特に優れたものとすることができるとともに、後に詳述する分離工程で、金属膜２を構成する金属材料を、基板１上からより容易に、かつ、より確実に除去することができる。
【００４０】
基板１の大きさは、特に限定されないが、平面視した際の面積が、１０ｃｍ２以上１００ｃｍ２以下のものであるのが好ましく、１３ｃｍ２以上５０ｃｍ２以下のものであるのがより好ましい。
【００４１】
基板がこのように微小なものである場合、従来においては、基板を安定的に固定しつつドライエッチングを行い、かつ、炭化物等の付着物が残存することによる悪影響の問題の発生を防止することが特に困難であったが、本発明によれば、基板がこのような微小なものであっても、上記のような問題の発生を確実に防止することができる。すなわち、基板が前記のような大きさのものである場合に、本発明の効果がより顕著に発揮される。
【００４２】
基板１の厚さは、特に限定されないが、１μｍ以上１５０μｍ以下であるのが好ましく、２０μｍ以上１３０μｍ以下であるのがより好ましい。
【００４３】
このように比較的薄い基板では、例えば、静電チャック等の方法で固定してドライエッチングを施した場合や、粘着剤を用いて基板を固定した場合において粘着剤を除去する際に、基板に割れ等の問題を生じやすいという問題点があったが、本発明では、このように比較的薄い基板を用いた場合でも、上記のような問題の発生を確実に防止することができる。すなわち、基板の厚さが前記範囲内の値である場合に、本発明の効果がより顕著に発揮される。
【００４４】
図示の構成では、支持部材３上に、複数個の基板１が固定されている。
１回の処理で、支持部材３に固定される基板１の数は、特に限定されないが、２個以上２０個以下であるのが好ましく、３個以上１０個以下であるのがより好ましい。
【００４５】
これにより、基板１の加工に用いる装置の大型化を防止しつつ、加工基板１０の生産性を特に優れたものとすることができる。
【００４６】
支持部材３は、いかなる材料で構成されてものであってもよいが、Ｓｉ（珪素）で構成されたものであるのが好ましい。
【００４７】
これにより、支持部材３と金属膜２との密着性を特に優れたものとすることができ、より高い安定性で基板１を固定することができる。また、後に詳述する分離工程で、金属膜２を構成する金属材料を、支持部材３上からより容易に、かつ、より確実に除去することができるため、支持部材３を好適に再利用することができる。また、Ｓｉは熱伝導率に優れた材料であるため、ドライエッチング工程における基板１の冷却効率を高いものとすることができる。
【００４８】
支持部材３の大きさは、特に限定されないが、平面視した際の面積が、５０ｃｍ２以上５００ｃｍ２以下のものであるのが好ましく、１００ｃｍ２以上３００ｃｍ２以下のものであるのがより好ましい。
【００４９】
これにより、基板１の加工に用いる装置の大型化を防止しつつ、多数個の基板１を固定することができ、加工基板１０の生産性を特に優れたものとすることができる。
【００５０】
基板１と支持部材３との接合は、いかなる方法で行うものであってもよく、例えば、基板１の表面にスパッタ工法、または蒸着工法等で成膜された金属膜２を配置し、さらに基板１とは個別に支持部材３の表面にもスパッタ工法、または蒸着工法等で成膜された金属膜２を配置する。そしてこれら金属膜２を挟み込むようにして基板１と支持部材３とを重ね合せた状態にて基板１と支持部材３とを押圧して金属膜２に圧力を加える方法（方法１）、または、基板１と支持部材３との間に金属膜を配した状態になるように基板１と支持部材３とを重ね合せ、基板１と支持部材３とを押圧し基板１および支持部材３を金属膜２に密着させる方法（方法２）、基板１と支持部材３との間に金属膜２を配し当該金属膜２に基板１および支持部材３を接触させた状態で加熱する方法（方法３）、方法１と同じく基板１の表面と支持部材３の表面とにそれぞれ配置された金属膜２を挟み込むようにして基板１と支持部材３とを重ね合せ、この状態にて超音波振動を付与して２つの金属膜２を接合する方法（方法４）、方法２と同じく基板１と支持部材３との間に金属膜２を配した状態になるように基板１と支持部材３とを重ね合せ、この状態にて超音波振動を付与して基板１と金属膜２とを密着させると共に支持部材３を金属膜２に密着させる方法（方法５）等を採用することができる。また例えば押圧しながら加熱や超音波振動を付与するなど、上述の方法１〜５等に押圧、加熱および超音波振動の付加を組み合わせて基板１と支持部材３を接合してもよい。なお基板１と支持部材３とに超音波振動を付与することにより行うものであるのが好ましい。
【００５１】
これにより、基板１や支持部材３の不本意な変性、変形等をより確実に防止しつつ、より効率よく基板１と支持部材３とを接合することができる。
【００５２】
超音波の振動数は、特に限定されないが、１９ｋＨＺ以上５ＭＨｚ以下であるのが好ましく、２１ｋＨｚ以上１００ｋＨｚ以下であるのがより好ましい。
【００５３】
これにより、他の部材への悪影響の発生を効果的に防止しつつ、より短時間で基板１と支持部材３とをより強固に接合することができる。
【００５４】
また、前述したような方法を採用する場合、例えば、金属膜は、基板１および支持部材３とは独立して形成されたものであってもよいし、めっき法等の各種方法により、基板１の表面に設けられたものであってもよいし、支持部材３の表面に設けられたものであってもよいが、基板１の表面および支持部材３の表面の両方に、金属膜を設け、これらを接合して金属膜２とするのが好ましい。
【００５５】
これにより、基板１の固定をより容易に行うことができるとともに、基板１と支持部材３との密着力（基板１の固定力）を特に優れたものとすることができる。
【００５６】
金属膜２は、基板１の支持部材３に対向する面の少なくとも一部と接触するように設けられるものであればよいが、基板１の支持部材３に対向する面全体に設けられるものであるのが好ましい。
これにより、基板１の固定力を特に優れたものとすることができる。
【００５７】
金属膜２を構成する金属材料としては、例えば、Ａｕ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｆｅや、これらのうち少なくとも１種を含む合金等が挙げられるが、中でも、Ａｕであるのが好ましい。
【００５８】
これにより、基板１の固定をより容易に行うことができるとともに、基板１と支持部材３との密着力（基板１の固定力）を特に優れたものとすることができる。また、Ａｕは熱伝導率に優れた材料であるため、ドライエッチング工程における基板１の冷却効率を高いものとすることができる。また、後に詳述する分離工程において、基板１上からより容易にかつより確実に除去することができる。
【００５９】
基板１と支持部材３とを接合する金属膜２の厚さは、特に限定されないが、１０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であるのが好ましく、３０ｎｍ以上３００ｎｍ以下であるのがより好ましい。
【００６０】
これにより、基板１と支持部材３との密着力（基板１の固定力）を特に優れたものとすることができるとともに、後に詳述する分離工程において、金属膜２を効率良く除去することができ、加工基板１０の生産性を特に優れたものとすることができる。
【００６１】
金属膜２は、その全体が、均一な組成を有するものでなくてもよい。例えば、金属膜２は、基板１と接触する側の領域と、支持部材３と接触する側の領域とで組成の異なるものであってもよい。
【００６２】
また、金属膜２は、例えば、厚さ方向に傾斜的に組成が変化する材料（傾斜材料）で構成されたものであってもよい。
【００６３】
基板１の金属膜２と接触する面とは反対側の面には、マスク４が設けられている。
これにより、後に詳述するドライエッチング工程において、容易かつ確実に、所望のパターンで基板１をエッチングすることができる。
【００６４】
マスク４としては、例えば、Ｎｉ等の金属材料や、各種レジスト材料で構成されたものを用いることができる。
【００６５】
マスク４の厚さは、特に限定されないが、２０００ｎｍ以上１５０００ｎｍ以下であるのが好ましく、３０００ｎｍ以上１３０００ｎｍ以下であるのがより好ましい。
【００６６】
≪ドライエッチング工程≫
ドライエッチング工程では、金属膜２を介して支持部材３に固定された基板（被処理部材）１に対して、ドライエッチングを施す（１ｂ）。
【００６７】
ここで、基板１は、金属膜２を介して、支持部材３に固定されている。金属膜２はドライエッチング工程において、変質を生じにくいものであり、後に詳述する分離工程において、基板１から容易かつ確実に除去することができる。このため、従来のような粘着剤を用いた固定を行った場合に発生していた基板への炭化物の強固な付着等の問題を確実に防止することができる。
【００６８】
また、ドライエッチングが施される基板１にマスク４が付されているため、容易かつ確実に、所望のパターンで基板１をエッチングすることができる。
【００６９】
図示の構成では、基板１が固定された支持部材３を、ドライエッチング装置のステージ５に固定して行う。
【００７０】
これにより、本工程における基板１の不本意な移動をより効果的に防止することができる。
【００７１】
また、図示の構成では、ステージ５と支持部材３との間に、冷却用ガスの流路（冷却ガス流路）６が設けられている。
【００７２】
これにより、本工程において、基板１が固定された支持部材３を冷却しつつ、ドライエッチングを行うことができ、基板１等の温度が上昇しすぎることを防止することができる。
冷却ガス流路６を流れるガスとしては、例えば、ヘリウムガス等が挙げられる。
【００７３】
本工程で行うドライエッチングは、いかなる条件で行うものであってもよいが、好ましくは、フルオロカーボンガスおよび不活性ガスを含むエッチングガスをチャンバー内に導入して、当該チャンバー内にプラズマを発生させることにより行うものである。
【００７４】
このような条件でドライエッチングを行うことにより、所望のパターンで、かつ、効率よく基板をエッチングすることができる。
【００７５】
本工程で用いるフルオロカーボンガスとしては、例えば、ＣＦ４、Ｃ２Ｆ６、Ｃ３Ｆ８、Ｃ４Ｆ８、Ｃ５Ｆ８、ＣＨＦ３等が挙げられる。
【００７６】
本工程で用いる不活性ガスとしては、例えば、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ等が挙げられる。
【００７７】
本工程でのチャンバー内圧力は、１０Ｐａ以下であるのが好ましく、５Ｐａ以下であるのがより好ましい。
【００７８】
≪分離工程≫
その後、金属膜２を構成する金属材料を溶解し、ドライエッチングが施された基板１を支持部材３から分離する（１ｃ）。
【００７９】
前述したように、金属膜２は、ドライエッチング工程での変性が防止されており、基板１への悪影響が確実に防止されている。そして、溶解液の選択により、金属膜２を構成する金属材料を高い選択性で溶解することができ、本工程での基板１へのダメージの発生も効果的に防止することができる。
【００８０】
以上のようなことから、ドライエッチング後に基板に不要な付着物が残存することを効果的に防止することができる。
【００８１】
本工程では、金属膜２を構成する金属材料の種類等により、溶解液の組成を調整する。
例えば、金属膜２がＡｕで構成されたものである場合、溶解液としては、例えば、シアン系溶解液、王水系溶解液、ヨウ素系溶解液等を用いることができる。
【００８２】
シアン系溶解液としては、水酸化ナトリウムとシアン化ナトリウムとを含むものを用いることができる。
【００８３】
王水系溶解液としては、塩酸と硝酸とを含むものを用いることができる。
ヨウ素系溶解液としては、ヨウ素とヨウ化物とを含むものを用いることができる。
【００８４】
中でも、ヨウ素系溶解液が好ましい。ヨウ素系溶解液は、取り扱いが容易であるとともに、金属膜２の溶解速度の制御が容易で、様々な種類の基板１や支持部材３をほとんど侵さないものであるため、最終的に得られる加工基板１０をより確実に所望の形状を有するものとすることができる。
【００８５】
ヨウ素系溶解液は、ヨウ素とヨウ化物と水とを含むものであるのが好ましい。
ヨウ素系溶解液を構成するヨウ化物としては、例えば、ヨウ化カリウム等が挙げられる。
【００８６】
ヨウ素系溶解液は、前述した以外の成分を含むものであってもよい。このような成分としては、例えば、有機溶媒（水と相溶性を有するもの）、界面活性剤、溶解補助剤等が挙げられる。
【００８７】
有機溶媒としては、例えば、アルコール、ジオール、エーテル、イミド、環状イミド、炭酸エステル等が挙げられ、より具体的には、例えば、エチレングリコール、プロピレングリコール、ジエチレングリコール、１，２−エタンジオール、１，４−ブタンジオール、２，３−ブタンジオール、２−エトキシエタノール、２−（２−エトキシエチキシ）エタノール、Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルホルムアミド、Ｎ−メチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルプロピオンアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリジノン（ＮＭＰ）、２−ピロリジノン、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、キノリン、エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート、γ−ブチロラクトン等が挙げられる。
【００８８】
金属膜２を溶解する溶解液（金属膜溶解液）は、いかなる方法で付与されるものであってもよい。例えば、本工程では、金属膜２を介して支持部材３に固定された基板１（以下、単に「基板１」ともいう）を、溶解液（金属膜溶解液）中に浸漬する方法、基板１に対して溶解液（金属膜溶解液）を噴霧する方法等を採用することができる。
【００８９】
また、本工程で、金属膜２を溶解するのに先立ち、または、同一工程で、支持部材３の少なくとも一部を溶解してもよい。
【００９０】
これにより、金属膜２の除去効率が向上し、加工基板１０の生産性を特に優れたものとすることができる。
【００９１】
支持部材３の少なくとも一部を溶解する場合、フッ化水素および硝酸を含む液体（支持部材溶解液）を用いるのが好ましい。
【００９２】
これにより、例えば、支持部材３がＳｉで構成されたものである場合に、より速い速度で支持部材３を溶解することができる。このため、加工基板１０の生産性を特に優れたものとすることができる。
【００９３】
また、支持部材３の少なくとも一部を溶解する場合、強アルカリを含む液体（支持部材溶解液）を用いるのが好ましい。
【００９４】
これにより、例えば、支持部材３がＳｉで構成されたものである場合に、より高い選択性で支持部材３を溶解することができ、基板１がダメージを受けることをより効果的に防止することができる。また、このような支持部材溶解液は、支持部材３とともに有機高分子材料（重合体）で構成されたマスク４も好適に溶解することができるものであるため、マスク４が有機高分子材料（重合体）で構成されたものである場合に、本工程において、マスク４も除去することができ、後に詳述するマスク除去工程を別途設ける必要がなく、省略することができる。したがって、加工基板１０の生産性を特に優れたものとすることができる。
【００９５】
強アルカリとしては、例えば、水酸化カリウム、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド（ＴＭＡＨ）等を用いることができる。
【００９６】
支持部材３を溶解する溶解液（支持部材溶解液）は、いかなる方法で付与されるものであってもよい。例えば、支持部材３を溶解液（支持部材溶解液）中に浸漬する方法、支持部材３に対して溶解液（支持部材溶解液）を噴霧する方法等を採用することができる。
【００９７】
≪マスク除去工程≫
その後、マスク４を除去する（１ｄ）。
これにより、加工基板１０が得られる。
【００９８】
マスク４の除去は、例えば、マスク４の剥離、溶解等により行うことができる。
マスクに対して、マスク除去液を付与することにより、マスク４の剥離を容易にしたり、マスク４を溶解したりすることができる。
【００９９】
マスク４がＮｉで構成されたものである場合、マスク除去液としては、例えば、硝酸、硝酸を含む強酸、塩化第二鉄等を用いることができる。
【０１００】
また、マスク４が有機高分子材料（重合体）で構成されたものである場合、マスク除去液としては、例えば、強アルカリを含む液体を用いることができる。
【０１０１】
マスク除去液に含まれる強アルカリとしては、例えば、水酸化カリウム、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド（ＴＭＡＨ）等が挙げられる。
【０１０２】
マスク４を除去する液体（マスク除去液）を付与する場合、マスク除去液は、いかなる方法で付与されるものであってもよい。例えば、マスク４が付された基板１（加工基板１０）を溶解液（マスク除去液）中に浸漬する方法、マスク４に対して溶解液（マスク除去液）を噴霧する方法等を採用することができる。
【０１０３】
《加工基板》
次に、本発明の加工基板について説明する。
【０１０４】
本発明の加工基板は、前述した本発明の加工方法を用いて製造されたものであることを特徴とする。
【０１０５】
これにより、所望のパターンを有し、かつ、不本意な付着物の残存が防止された加工基板を提供することができる。
【０１０６】
《電子部品》
次に、本発明の電子部品について説明する。
【０１０７】
図３は、本発明の加工基板を示す平面図、図４は、本発明の電子部品を示す斜視図、図５は、本発明の電子部品を示す断面図である。
【０１０８】
本発明の電子部品は、本発明の加工基板を用いて製造されたものであることを特徴とする。
【０１０９】
すなわち上述した加工基板１０として図３に示すように複数の電子部品１１が連結された状態のものを形成した後、必要に応じて各電子部品１１に電極を構成する（電極の有無に関わらず電子部品と総称する）。
【０１１０】
本説明における電子部品１１は、例えば慣性センサーとしてのジャイロセンサー素子である。
その後、電子部品１１を取り外し、各電子部品１１を図４に示す状態の個片にする。
【０１１１】
なお、図５に示すように必要に応じて個片化された電子部品１１をパッケージ１２内の機密空間に収容した状態の電子部品１３を構成しても良い。なお、図５に示す部品１４は集積回路部品であり、例えば、電子部品１１を駆動させる回路、電子部品１１からの出力信号を処理する回路を備えている。更に、図５は、電子部品１３の断面構造を示している。
これにより、信頼性の高い電子部品を提供することができる。
【０１１２】
本発明の電子部品１１は、本発明の加工基板を用いて製造されたものであればよく、その種類、用途等は、特に限定されないが、例えば、光学素子、振動子、弾性表面波素子、圧電デバイス、さらには力センサーとして例えば圧力センサー、傾斜センサー、慣性センサーとして、例えば角速度センサー、加速度センサー等が挙げられる。
【０１１３】
《電子機器》
次に、本発明の電子機器について説明する。
【０１１４】
図６は、本発明の電子機器を示す図、図７は、本発明の移動体を示す図である。
本発明の図６に示す電子機器１５は、本発明の電子部品１１を備えることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い電子機器を提供することができる。
【０１１５】
図６に示す電子機器は、携帯電話であるが、本発明の電子機器は、本発明の電子部品を備えるものであればよく、その種類、用途等は、特に限定されないが、例えば、カメラ、携帯電話以外の通信機器、時計、プリンター、プロジェクター、カーナビ、車体制御機器等が挙げられる。
【０１１６】
さらに、図７に示すように移動体として例えば自動車１６に本発明の電子部品１１を備えても構わない。
【０１１７】
以上、本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明は、これらに限定されるものではない。
【０１１８】
例えば、前述した実施形態では、１回の処理で複数個の基板を用いる場合について中心的に説明したが、本発明においては、１回の処理で用いる基板は１個であってもよい。
【０１１９】
また、前述した実施形態では、分離工程で、溶解液を用いる場合について中心的に説明したが、金属膜の溶解には、例えば、ガスを用いてもよい。
【０１２０】
また、前述した実施形態では、基板を支持部材から分離した後に、マスクの除去を行うものとして説明したが、マスクの除去は、例えば、基板を支持部材から分離する前に行うものであってもよいし、基板を支持部材から分離するのと同一工程で行うものであってもよい。また、マスクは、基板上から除去されないものであってもよい。
【０１２１】
また、本発明の基板の加工方法においては、必要に応じて、前処理工程、中間処理工程、後処理工程を行ってもよい。
【０１２２】
また、前述した実施形態では、基板の一方の面側のみにドライエッチングを施す場合について中心的に説明したが、例えば、本発明では、基板の向きを変えて、両面側にエッチング処理を施してもよい。
【符号の説明】
【０１２３】
１０…加工基板
１…基板（被処理部材）
２…金属膜
３…支持部材
４…マスク
５…ステージ
６…流路（冷却ガス流路）
１１…電子部品
１２…パッケージ
１３…電子部品
１４…集積回路部品
１５…電子機器
１６…自動車
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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