(57)【要約】【課題】  帯電による荷電粒子線の照射位置のずれを低減させながらパターンを描画するうえで有利な描画方法及び描画装置を提供する。【解決手段】  荷電粒子線の照射領域１２５に対して基板１１２を第１方向に走査するごとに、１つの前記照射領域１２５あたり前記基板１１２上の１つの帯状の領域１２６に荷電粒子線を照射してパターンを描画する描画方法に関する。ｎを自然数として、ｎ回目にパターンが描画される帯状の第１の領域と、（ｎ＋１）回目にパターンが描画される帯状の第２の領域とが第１方向とは異なる第２方向に離間するように描画順序を決定するステップと、当該ステップで決定された描画順序で、基板１１２上の第１の領域と第２の領域とにパターンを描画するステップと、を有することを特徴とする。【選択図】  図４
2016082028.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
荷電粒子線の照射領域に対して基板を第１方向に走査するごとに、１つの前記照射領域あたり前記基板上の１つの帯状の領域に前記荷電粒子線を照射してパターンを描画する描画方法であって、
ｎを自然数として、ｎ回目にパターンが描画される帯状の第１の領域と、（ｎ＋１）回目にパターンが描画される帯状の第２の領域とが前記第１方向とは異なる第２方向に離間するように描画順序を決定するステップと、
前記ステップで決定された描画順序で、前記基板上の前記第１の領域と前記第２の領域とにパターンを描画するステップと、を有することを特徴とする描画方法。
【請求項２】
前記第１の領域と前記第２の領域は、前記照射領域の前記第２方向における長さ以上離間していることを特徴とする請求項１に記載の描画方法。
【請求項３】
前記第１の領域と前記第２の領域は、前記照射領域の前記第２方向における長さの自然数倍離間していることを特徴とする請求項１に記載の描画方法。
【請求項４】
前記描画順序を決定するステップでは、前記第２の領域を、前記ｎ回目以前にパターンが描画される帯状の領域の、位置及び描画順序を表す数に基づいて決定することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の描画方法。
【請求項５】
前記描画順序を決定するステップは、１つの前記照射領域による前記基板上の被描画領域を仮想的に分割するステップを有し、
前記第１の領域と前記第２の領域とが、前記分割後の異なる領域に属することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の描画方法。
【請求項６】
前記ｎ回目までに少なくとも３つの前記帯状の領域にパターンが描画されている場合に、前記描画順序を決定するステップは、前記ｎ回目以前にパターンが描画される前記帯状の領域のうち、隣り合う２つの前記帯状の領域のそれぞれの描画順序を表す数の和を比較して、比較した結果を用いて、（ｎ＋１）回目にパターンが描画される帯状の前記第２の領域を決定することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の描画方法。
【請求項７】
前記第２の領域は、前記描画順序を表す数を比較した結果、当該描画順序を表す数が最も小さい組み合わせの帯状の領域にはさまれた領域内にあることを特徴とする請求項６に記載の描画方法。
【請求項８】
荷電粒子線の照射領域に対して基板を第１方向に走査するごとに、１つの前記照射領域あたり前記基板上の１つの帯状の領域に対して前記荷電粒子線を照射してパターンを描画する描画装置であって、
複数の前記帯状の領域に対する描画順序を決定する決定部と、
前記決定部が決定した描画順序で前記基板上にパターンが描画されるように描画動作を制御する制御部と、を有し、
前記決定部は、ｎを自然数として、ｎ回目にパターンが描画される帯状の第１の領域と、（ｎ＋１）回目にパターンが描画される帯状の第２の領域とが前記第１方向とは異なる第２方向に離間するように描画順序を決定することを特徴とする描画装置。
【請求項９】
請求項１乃至７のいずれか１項に記載の描画方法を用いて、基板上にパターンを描画する工程と、
前記基板を現像する工程と、を有することを特徴とする物品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、描画方法、描画装置、及び物品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の半導体集積回路の高集積化や微細化に伴い、露光工程で基板上に形成する潜像パターンの更なる微細化が要求されている。微細なパターンを形成する装置の一つとして、集束させた電子線を基板に照射して潜像パターンを形成する電子線描画装置が知られている。
【０００３】
ところが、基板上に塗布されているレジストに対して電子線を照射すると、基板周囲への二次電子放出やレジスト表面への正電荷の蓄積が起こる。これらの現象による蓄積電荷によって電子線の軌道が曲げられてしまうため、電子線の照射位置が照射予定の位置からずれてしまう。回路パターンを積層させていくデバイスの製造工程において、各層における描画位置のずれは重ね合わせ精度の低下につながるという課題がある。
【０００４】
特許文献１は、帯状のストライプ領域単位で基板に描画を行い、直前にパターンが描画されたストライプ領域に隣接するストライプ領域に対して順次パターンを描画していく電子線描画装置に関する。演算によって基板上の帯電の分布を求め、当該帯電によって生じる電子線の照射位置のずれを補正しながら描画する技術を開示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１１−０４０４５０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、隣接するストライプ領域に対して順次パターンを描画していく場合は、新たなストライプ領域を描画する際に、隣接するストライプ領域を描画することで蓄積された電荷の影響を強く受けやすい。係る場合に上記の演算および補正だけを講じて、描画位置のずれを低減させようとすると、描画パターンの面積密度や蓄積電荷の時間変化に関する複雑な演算工程を介して帯電分布を求めることとなる。このような複雑な演算工程は、演算装置のコストアップ、あるいは、演算によるスループットの低下を引き起こす場合がある。
【０００７】
本発明は上記課題を鑑みてなされたものであり、帯電による荷電粒子線の照射位置のずれを低減させながらパターンを描画するうえで有利な描画方法及び描画装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の描画方法は、荷電粒子線の照射領域に対して基板を第１方向に走査するごとに、１つの前記照射領域あたり前記基板上の１つの帯状の領域に前記荷電粒子線を照射してパターンを描画する描画方法であって、ｎを自然数として、ｎ回目にパターンが描画される帯状の第１の領域と、（ｎ＋１）回目にパターンが描画される帯状の第２の領域とが前記第１方向とは異なる第２方向に離間するように描画順序を決定するステップと、前記ステップで決定された描画順序で、前記基板上の前記第１の領域と前記第２の領域とにパターンを描画するステップと、を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の描画方法及び描画装置によれば、帯電による荷電粒子線の照射位置のずれを低減させながらパターンを描画するうえで有利となる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】第１、第２の実施形態に係る描画装置の図。
【図２】描画方法を示す図。
【図３】ストライプ領域について説明する図。
【図４】第１の実施形態に係る描画順序を示す図。
【図５】第１の実施形態に係る描画順序に関するフローチャート。
【図６】第２の実施形態に係る描画順序を示す図。
【図７】第２の実施形態に係る描画順序に関するフローチャート。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
［第１の実施形態］
（装置構成）
本発明に係る第１の実施形態について、複数本の電子線（荷電粒子線）をウエハ（基板）１１２上に照射して回路パターン等のパターンを描画する描画装置を例に説明する。図１は、第１の実施形態に係る描画装置１００の図である。描画装置１００は６つの電子光学系（不図示）を有しており、各々の電子光学系はカラム１０１〜１０６に収容されている。固定ユニット１０７は、６本のカラム１０１〜１０６の位置がずれないようにカラム１０１〜１０６を束ねて固定している。
【００１２】
カラム１０１〜１０６の電子光学系は、例えば、電子源（不図示）、電子レンズ（不図示）、偏向器（不図示）、ＤＰＧ（Ｄｅｇｉｔａｌ  Ｐａｔｔｅｒｎ  Ｇｅｎｅｒａｔｏｒ）１０１ａ〜１０６ａを有している。ＤＰＧは、後述の制御部１２０の指示を受けて、ＤＰＧに入射した複数本の電子線を反射させるか否か制御する。これによって、ウエハ１１２に対する電子線の照射又は非照射を選択できる。電子光学系は、電子レンズを介して電子線を加速して数１０ｋｅＶ以上のエネルギーの電子線をウエハ１１２に照射する。
【００１３】
光学式のセンサ１０８は、ウエハ１１２上に形成されている複数のアライメントマーク（不図示）の位置を計測する。位置計測の結果を用いて、制御部１２２はウエハ１１２に新しい層のパターンを形成する位置を決定する。
【００１４】
投光系１０９と受光系１１０を有するフォーカスセンサは、ウエハ１１２の面位置を計測する。センサ１１１は、カラム１０１〜１０６から射出した電子線の特性（各電子線の電流値、傾き、照射スポット径等）を計測するセンサである。例えば、ファラデーカップを使用する。
【００１５】
ステージ天板１１３上には、ウエハ１１２を保持するチャック（不図示）と、センサ１１１とが配置されている。ステージ１１４は、Ｘ軸方向に移動するＸステージ１１４ａとＹ軸方向に移動するＹステージ１１４ｂとＺ軸方向に移動するＺステージ（不図示）を有している。ステージ１１４は、ステージ天板１１３と共に移動する。
【００１６】
測長器１１６はステージ天板１１３の位置を計測し、測長器１１７は固定ユニット１０７の位置を計測する。測長器１１７は、固定ユニット１０７の位置が変動していないことを確認するために計測している。各電子光学系の光軸とセンサ１０８の光軸との相対距離をそれぞれ所定の距離に保つ必要があるからである。測長器１１６及び測長器１１７は、例えばレーザ干渉計である。定盤１１５上には、ステージ１１４及び測長器１１６が配置されている。
【００１７】
主制御部１２４は記憶部１１８と接続されている。さらに主制御部１２４は、制御部１２０、制御部１２１、制御部１２２、及び制御部１２３と接続されている。主制御部１２４は、制御部１２０、制御部１２１、制御部１２２、及び制御部１２３を統括的に制御する。センサ１０８、センサ１１１、測長センサ１１６、測長センサ１１７、及びフォーカスセンサ等の計測結果と、描画データを用いて、制御部１２０〜１２３の被制御対象物への制御量及びその制御のタイミングの指示を行う。
【００１８】
本実施形態において、描画動作を制御する制御部は、主制御部１２４、制御部１２０、制御部１２１、制御部１２２、及び制御部１２３である。これらによって、作成部１１９が作成した描画順序でウエハ１１２上にパターンが描画されるように電子線の照射制御及びステージ１１４の位置決め制御等の描画動作の制御をする。
【００１９】
制御部１２０は、ＤＰＧ１０１ａ〜１０６ａの駆動を制御して、カラム１０１〜１０６のから射出される数の電子線の照射又は非照射を制御する。制御部１２１は、カラム１０１〜１０６が有する偏向器を制御する。制御部１２２は、センサ１０８、センサ１１１、及びフォーカスセンサを制御する。センサ１０８、センサ１１１、及びフォーカスセンサは主制御部１２４に計測結果を送る。制御部１２３は測長器１１６及び測長器１１７を用いて計測した結果を用いて、ステージ１１４の駆動を制御する。
【００２０】
記憶部１１８は、ユーザが格納した所望の描画パターン、当該描画パターンから作成されるビットマップ形式の描画データ、及びウエハ１１２上のショット領域の配列を記憶している。後述の描画データ作成部（決定部）１１９（以下、作成部１１９と称す）が作成した、カラム１０１〜１０６が描画する複数の帯状の領域１２６（以下、ストライプ領域１２６と称す）（図３（ａ）に図示）の順番を設定した描画順データを記憶している。さらに、作成部１１９が実行するプログラムを記憶している。
【００２１】
作成部１１９は、ユーザが記憶部１１８に格納した所望の描画パターンから、制御部１２０や制御部１２１が電子線を制御するために必要なデータを作成する。作成部１１９は、その過程において、被描画領域を複数のストライプ領域１２６に分割し、分割されたストライプ領域１２６に対する描画順序を決定する。作成部１１９が作成した描画順序に関するデータに従って、描画装置１００はウエハ１１２に対して描画を実行する。
【００２２】
（描画方法）
図２は、カラム１０１〜１０６の各々から射出される電子線によって描画する描画方法について説明する図である。光軸１０１ｂ〜光軸１０６ｂは、カラム１０１〜カラム１０６の電子光学系の光軸を示している。６本のカラム１０１〜１０６がＸ軸方向に等間隔に配置されている場合、図２に示すように、１本のカラムはウエハ１１２をＸ軸方向に対して６等分したうちの１つの領域にパターンを描画する。
【００２３】
１本のカラムからは複数の電子線が射出する。これらの電子線のそれぞれが照射するウエハ１１２上の矩形領域を単位領域（照射領域）１２５（図３（ａ）に図示）とする。描画装置１００は、ステージ１１４をＹ軸方向（第１方向）に長距離走査させるスキャン動作と、ステージ１１４を長距離走査方向と直交するＸ軸方向（第２方向）に短距離移動させるステップ動作を繰り返す。スキャン動作時にウエハ１１２上に電子線を照射してパターンを描画する。
【００２４】
このような描画方法によって、図３（ａ）に示すように、ステージ１１４がＹ軸方向に１度走査するたびに、カラム１本の１つの単位領域１２５あたり１つのストライプ領域１２６が描画される。６つのカラム１０１〜１０６を用いて描画するため、Ｙ軸方向へステージ１１４を１度移動する度に６つのストライプ領域１２６が同時に描画される。図３（ｂ）は図３（ａ）の拡大図である。
【００２５】
本実施形態は、ストライプ領域１２６ごとの描画順序を工夫することにより、帯電に起因して生じる電子線の照射位置ずれの影響を軽減することができる実施形態である。仮に本実施形態を実施しない場合は、例えば、直前にパターンが描画されたストライプ領域１２６に隣接するように順次描画をしていく。その場合、１本のカラムが２回目以降に描画する領域は、直前に描画したときに生じる帯電の影響が強く残る領域であるため、電子線の照射位置がシフトしやすくなってしまう。
【００２６】
図４は、第１の実施形態に係る描画順序を示す図である。図１の作成部１１９は、ｎを自然数として、ｎ回目にパターンが描画されるストライプ領域（帯状の第１の領域）１２６と（ｎ＋１）回目にパターンが描画される領域（帯状の第２の領域）１２６とがＸ軸方向に離間するように作成部１１９が描画順序を決定する。これらのストライプ領域１２６同士は、単位領域１２５のＸ軸方向の長さ（照射領域の第２方向における長さ）以上、例えば単位領域１２５のＸ軸方向の長さの自然数倍（照射領域の前記第２方向における長さ以上）離間させることが好ましい。
【００２７】
説明を簡単にするため、図４ではカラム１０１〜１０３のみを図示している。また、以下の説明において、描画する順番を区別する際には、ストライプ領域１２６の代わりにストライプ領域ｎａ、ｎｂ、ｎｃ（ｎ＝１、２、３、・・・）と符号を付している。図４の横軸は各カラム１０１〜１０３が描画するＸ軸方向の位置を示している。上段の縦軸は、描画のタイミングを示している。各描画のタイミングで描画される領域を、塗りつぶして表している。図４の下段は、ウエハ１１２を上から見た図である。描画した領域の符号と、描画順序を示す符号は対応している。
【００２８】
図４は１つの単位領域１２５で描画される被描画領域を仮想的に４つに分割している。４つに分割して設定した仮想領域を、左から領域５１、領域５２、領域５３、領域５４とする。領域５１〜領域５４のそれぞれのＸ軸方向の幅は、５つのストライプ領域１２６を足し合わせたときのＸ軸方向の幅である。
【００２９】
最初にスキャン順（ｉ＝１）（１回目のスキャン描画）では、カラム１０１〜１０３は、領域５１の左端のストライプ領域１ａ、１ｂ、１ｃに描画する。次に、スキャン順（ｉ＝２）（２回目のスキャン描画）では、カラム１０１〜１０３は、領域５２の左端のストライプ領域２ａ、２ｂ、２ｃに描画する。これを繰り返すことで、作成部１１９は、領域５１〜５４に１本のストライプ領域１２６ずつ描画を繰り返すように描画順序を決定する。
【００３０】
ウエハ１１２がＹ軸方向に１回走査すると、１つのカラムから射出される複数の電子線が１つのストライプ領域にパターンを描画する。図４において、ストライプ領域３ａ、４ａ、・・・、２０ａは、カラム１０１がスキャン順（ｉ＝３、４、・・・、２０）で描画するストライプ領域１２６を示している。同様にして、ストライプ領域３ｂ、４ｂ、・・・２０ｂはカラム１０２がスキャン順（ｉ＝３、４、・・・、２０）で描画するストライプ領域１２６を、ストライプ領域３ｃ、４ｃ、・・・、２０ｃは、カラム１０３がスキャン順（ｉ＝３、４、・・・、２０）で描画するストライプ領域を示している。
【００３１】
このような順で描画するための、描画順データ作成の流れを図５のフローチャートに示す。作成部１１９が、ビットマップ形式のデータ及びショット領域の配列が考慮されたウエハ１１２全体の描画データを作成し終え、かつ描画を開始する前の状態を、図５のフローチャートに示すプログラムの開始時点とする。
【００３２】
まず、作成部１１９は、ウエハ１１２の被描画領域に対して、ストライプ領域１２６のレイアウトを定義する（Ｓ１０１）。
【００３３】
次に、１つの単位領域１２５が描画する被描画領域を仮想的にｎ分割（ｊ＝１、２、・・・、ｎ）して、各仮想領域に属するストライプ領域１２６（ｋ＝１、２、・・・、ｍ）を定義する（Ｓ１０２）。各ストライプ領域１２６のレイアウトは、ＤＰＧ１０１ａ〜１０６ａの画素配列のサイズ、電子光学系の縮小倍率等から決められる。ストライプ領域１２６（ｋ＝１、２、・・・、ｍ）は仮想領域内のいずれの位置に定義しても構わないが、説明の簡易化のため、仮想領域内の−Ｘ方向の端から順に（ｋ＝１、２、・・・、ｍ）とする。
【００３４】
つづいて、最初に描画するストライプ領域１２６を選択する。スキャン順（ｉ＝１）のときは、仮想領域（ｊ＝１）内に含まれるストライプ領域１２６（ｋ＝１）を選択する（Ｓ１０３）。カラム本数が６つであれば、ストライプ領域１２６は６本選択される。
【００３５】
スキャン順（ｉ＝１）の次のスキャン順（ｉ＝２）に描画するストライプ領域１２６を選択する。スキャン順（ｉ＝２）では、ストライプ領域１２６（ｊ＝２、ｋ＝１）を選択する（Ｓ１０４）。作成部１１９は、仮想領域（ｊ＝１、２、・・・、ｎ）におけるストライプ領域１２６（ｋ＝１）を選択が完了したかどうか、（すなわちｎ個のストライプ領域１２６を選択したかどうか）を判断する（Ｓ１０５）。
【００３６】
完了していない場合（ＮＯ）は、ｎ個の仮想領域（ｊ＝ｎ）におけるストライプ領域１２６（ｋ＝１）を選択するまで、Ｓ１０４とＳ１０５を繰り返す。完了した場合（ＹＥＳ）は、Ｓ１０２で定義された全てのストライプ領域１２６を選択したかどうか、すなわち、各仮想領域内のストライプ領域１２６（ｋ＝ｍ）まで選択が完了したかどうかを作成部１１９が判断する（Ｓ１０６）。
【００３７】
Ｓ１０６において各仮想領域内の全ストライプ領域１２６の選択が完了していない場合（ＮＯ）は、作成部１１９は、スキャン順（ｉ＝ｉ＋１）として、仮想領域（ｊ＝１）のストライプ領域１２６（ｋ＝ｋ＋１）を選択する（Ｓ１０７）。このように各仮想領域内のストライプ領域１２６（ｋ＝２、３・・・、ｍ）を順々に選択していき、Ｓ１０６において、選択が完了した（ＹＥＳ）と判断されるまでＳ１０４〜Ｓ１０７の工程を繰り返す。全ストライプ領域１２６を選択し終えたら、本プログラムを終了する。
【００３８】
以上のプログラムによって、スキャン順（ｉ＝１、２、・・・・、ｍ×ｎ）の各タイミングで描画されるストライプ領域１２６を選択し終える。
【００３９】
本実施形態では、各ストライプ領域１２６の位置（仮想領域（ｊ＝１、２、・・・、ｎ）及び各仮想領域におけるストライプ領域１２６（ｋ＝１、２、・・・、ｍ））とそれらに先に割り当てられた描画順序を表す数（スキャン順（ｉ＝１、２、・・・、ｍ×ｎ））を用いて、後に続くタイミングで描画するストライプ領域１２６を選択する。
【００４０】
このとき、ｎを自然数として、ｎ回目で描画するストライプ領域１２６と（ｎ＋１）回目で描画するストライプ領域１２６とが、仮想的に分割した領域のうち異なる領域（分割後の異なる領域）に属するようにしている。このように描画順序を決定することで、ｎ回目で描画するストライプ領域１２６と（ｎ＋１）回目で描画するストライプ領域１２６とが離間した状態となる。
【００４１】
ここで、（ｎ＋１）回目で描画するストライプ領域１２６は、ｎ回目にストライプ領域１２６を描画した際にウエハ１１２に帯びた電荷の影響が小さい領域である。そのため、電子線の照射位置のずれが低減した状態でパターンを描画することが可能となる。また、スキャン順（ｉ＝１）で描画するストライプに隣接するストライプを描画するタイミングはスキャン順（ｉ＝５）であるため、当該隣接するストライプをスキャン順（ｉ＝２）で描画する場合に比べて電子線の照射位置のずれを低減させながら描画をしていくことが可能となる。
【００４２】
描画順序を決定するというストライプ領域１２６の選択に関するアルゴリズムは、描画パターンの密度、照射量、照射のタイミング等の種々の条件に基づいて帯電分布を演算する場合に比べて、演算負荷や処理時間が短くて済むという利点がある。また、レジストの種類、膜厚、パターン密度等の細かな条件を考慮しなくても、帯電の影響が低減した領域にパターンを描画することができる。
【００４３】
仮想的な分割数は任意である。直径３００ｍｍのウエハ１１２に対して、ストライプ領域１２６の幅を１００μｍ程度でスキャン動作する場合、例えば、各仮想領域のストライプ領域１２６（ｋ＝１）の位置が、１ｍｍ以上離れるように設定する。より好ましくは３ｍｍ以上離れるようにすることが好ましい。あるいは、隣接するストライプ領域１２６を描画するまでの間に２分以上、あるいは５分以上の時間を空けて描画するように分割数ｎを設定することが好ましい。
【００４４】
［第２の実施形態］
次に、第２の実施形態に係る描画順序の決定方法について説明する。第２の実施形態も、第１の実施形態と同様に、先に描画予定のストライプ領域１２６の位置及び描画順序を表す数に基づいて、次の描画順序で描画するストライプ領域１２６を決定する。
【００４５】
第２の実施形態に係る描画装置１００の構成は第１の実施形態とほぼ同様である。記憶部１１８には図５のフローチャートに示すプログラムの代わりに、図７のフローチャートに示すプログラムが記憶されている点が異なる。本実施形態は、次に描画する候補の領域のうち、先に描画したときに生じる帯電の影響が最も小さい領域を選択して描画をする実施形態である。図６には説明の簡易化のためにカラム１０１〜１０３のみを図示している。
【００４６】
図６は第２の実施形態の描画順序を示しており、カラム１０１〜１０３で描画する範囲と、当該範囲内において描画するタイミングを示している。以下の説明において、描画する順番を区別する際には、ストライプ領域１２６の代わりにストライプ領域ｎａ、ｎｂ、ｎｃ（ｎ＝１、２、３、・・・）と符号を付している。
【００４７】
また、図６において、ストライプ領域１ａ、２ａ、・・・、２０ａは、カラム１０１がスキャン順（ｉ＝１、２、・・・、２０）で描画するストライプ領域１２６を示している。同様にして、ストライプ領域１ｂ、２ｂ、・・・、２０ｂは、カラム１０２がスキャン順（ｉ＝１、２、・・・、２０）で描画するストライプ領域１２６を、ストライプ領域１ｃ、２ｃ、・・・、２０ｃは、カラム１０３がスキャン順（ｉ＝１、２、・・・、２０）で描画するストライプ領域１２６を示している。
【００４８】
描画範囲におけるＸ軸方向における長さは同じである。すなわち、カラム１０１〜１０３で描画するストライプ領域１２６の数は同一である。
【００４９】
作成部１１９は、カラム１０１〜１０３を用いて図６に示す順序で描画するように描画順データを作成する。まず、スキャン順（ｉ＝１）（１回目のスキャン描画）として、各カラムの描画範囲の左端のストライプ領域１ａ、１ｂ、１ｃを描画するように設定する。スキャン順（ｉ＝２）（２回目のスキャン描画）で描画するときのストライプ領域２ａ、２ｂ、２ｃは、既に描画した１組のストライプ領域１２６の各々に対して電子線を照射したタイミングから決定する。
【００５０】
具体的には、既に描画順序が決定したストライプ領域１２６のうち、隣り合う２つのストライプ領域１２６の組み合わせ（ストライプ領域Ａとストライプ領域Ｂ。以下、（Ａ、Ｂ）と略す）の、スキャン順（描画順序を表す数）の和を比較して決定する。
【００５１】
例えば、スキャン順（ｉ＝１）後には、組み合わせ（Ａ、Ｂ）は（１ａ、１ｂ）、（１ｂ、１ｃ）、（１ｃ、カラム１０４の左端のストライプ領域（不図示））がある。スキャン順の和を求めると、いずれの組み合わせの場合もｉＡ＋ｉＢ＝２となる。そのため、スキャン順（ｉ＝２）で描画する領域は、いずれの組み合わせに係る２つのストライプ領域１２６の間の領域でもよい。
【００５２】
ここでは、スキャン順（ｉ＝２）でストライプ領域１ａとストライプ領域１ｂの間の中央のストライプ領域２ａを選択する。同様に、ストライプ領域１ｂとストライプ領域１ｃの間の中央のストライプ領域２ｂ、ストライプ領域１ｃとカラム１０４の左端のストライプ領域の間の中央のストライプ領域２ｃを選択する。
【００５３】
スキャン順（ｉ＝３）で描画するときの描画領域も、スキャン順（ｉ＝２）の時と同様に、既に描画した１組のストライプ領域１２６の各々に対して電子線を照射したタイミングから決定する。既に描画したストライプ領域１２６の組み合わせ（Ａ、Ｂ）は、（１ａ、２ａ）、（２ａ、１ｂ）、（１ｂ、２ｂ）、（２ｂ、１ｃ）、（１ｃ、２ｃ）、（２ｃ、カラム１０４の左端のストライプ領域）である。
【００５４】
いずれの組み合わせでもスキャン順の和はｉＡ＋ｉＢ＝３となる。組み合わせ（１ａ、２ａ）、（１ｂ、２ｂ）、（１ｃ、２ｃ）の間の中央のストライプ領域１２６を選択する。
【００５５】
スキャン順（ｉ＝４）で描画する描画領域について、スキャン順の和はｉＡ＋ｉＢ＝４（例えばストライプ領域１ａ、３ａ）、ｉＡ＋ｉＢ＝５（例えばストライプ領域３ａ、２ａ）、ｉＡ＋ｉＢ＝３（例えばストライプ領域２ａ、１ｂ）の選択肢がある。このようにｉＡ＋ｉＢの値に差が出た場合は、値の小さいｉＡとｉＢの組み合わせに係るストライプ領域１２６同士の間の領域に描画する。すなわち、（ｉＡ＋ｉＢ＝３）となる領域に描画する。
【００５６】
カラム１０１はストライプ領域２ａとストライプ領域１ｂの間に、カラム１０２はストライプ領域２ｂとストライプ領域１ｃの間に、カラム１０３はストライプ領域２ｃとカラム１０４の描画範囲の左端のストライプ領域、の間に描画をするように設定する。以下同様にして、全てのストライプ領域１２６を選択し終えるまで順序を設定する。
【００５７】
図６は第２の実施形態で主制御部１２４が実行するプログラムの処理内容を示すフローチャートである。作成部１１９は、各カラムで描画する範囲内を分割してできるストライプ領域１２６を定義し（Ｓ２０１）、スキャン順ｉ＝１として初期のストライプ領域１２６を選択する（Ｓ２０２）。つづいて、作成部１１９は、選択済みのストライプ領域１２６のうち、隣り合う、描画済みのストライプ領域１２６の組み合わせを選択する（Ｓ２０３）。
【００５８】
各組み合わせのスキャン順の和ｉＡ＋ｉＢを求め（Ｓ２０４）、スキャン順の和ｉＡ＋ｉＢが最小値をとるストライプ領域１２６の組み合わせを選択する（Ｓ２０５）。スキャン順（ｉ＝ｉ＋１）で描画するストライプ領域１２６として、Ｓ２０５で選択したストライプ領域１２６同士の中央のストライプ領域１２６を選択する。あるいは、ちょうど中央のストライプ領域１２６が無い場合は、中央位置に隣接するストライプ領域１２６を選択する（Ｓ２０６）。
【００５９】
作成部１１９は、すべてのストライプ領域１２６の選択が完了したかどうかを判断する（Ｓ２０７）。作成部１１９が、完了していない（ＮＯ）と判断した場合は、Ｓ２０３〜Ｓ２０７の工程を繰り返す。作成部１１９が、完了した（ＹＥＳ）と判断した場合は、作成部１１９は本プログラムを完了する。
【００６０】
作成部１１９が作成した描画順データは記憶部１１８に記憶され、主制御部１２４はこの描画順データに基づいてウエハ１１２上に描画する。
【００６１】
このように、作成部１１９はｎ回目以前にパターンが描画されるストライプ領域１２６のうち、隣り合う２つのストライプ領域１２６のそれぞれのスキャン順の和を比較する。スキャン順の和を比較した結果、スキャン順の和が最も小さい組み合わせのストライプ領域１２６にはさまれた領域内において、（ｎ＋１）回目にパターンを描画するストライプ領域１２６を決定するように描画順データを作成する。
【００６２】
すなわち、ｎ回目以前にパターンが描画されるストライプ領域１２６のそれぞれの位置とスキャン順を用いて（ｎ＋１）回目にパターンを描画するストライプ領域１２６を決定するように描画順データを作成していく。
【００６３】
これにより２つのストライプ領域１２６を描画した際に生じる２方向からの帯電の影響が、小さくなっている状態の領域に描画することができ、新しいストライプ領域１２６に描画をするときに描画時の電子線の照射位置のずれを低減することができる。
【００６４】
なお、Ｓ２０３で選択した２つのストライプ領域１２６のスキャン順の差に応じて、Ｓ２０６において選択するストライプ領域１２６の位置を中央位置から偏った方向に重みづけをしても良い。本実施形態をシングルカラムで描画する描画装置に適用する場合は、作成部１１９は、スキャン順（ｉ≧３）のストライプ領域１２６を選択する際に図６に示す流れを適用する。
【００６５】
［その他の実施形態］
前述の第１、第２の実施形態は、作成部１１９が作成した描画順データに従って描画した場合に基板上に生じる帯電の分布を演算で求め、演算結果を用いて描画位置を補正する方法と併用することもできる。これにより、さらに帯電による電子線の軌道ずれを低減することが可能となる。
【００６６】
ステップ動作における移動距離は、単位領域１２５のＸ軸方向の長さの自然数倍が好ましいが当該自然数倍は厳密でなくても良い。例えば、偏向器を用いて１つの単位領域１２５で描画する領域の幅が調節できる場合は、その調節幅の分だけ移動距離を変更しても構わない。
【００６７】
前述の第１、第２の実施形態に係る描画方法は、１本のカラムを用いて電子線を照射する場合にも、１本のカラムあたり１本の電子線で描画する場合にも適用できる。さらに、電子線の代わりの荷電粒子線として、イオンを照射してパターンを描画する描画装置にも適用できる。
【００６８】
［物品の製造方法］
本発明の物品（半導体集積回路素子、液晶表示素子、撮像素子、磁気ヘッド、ＣＤ−ＲＷ、光学素子、フォトマスク等）の製造方法は、描画装置を用いて基板（ウエハやガラス板等）上にパターンを描画する工程と、描画された基板を現像する工程と、現像した基板に対してエッチング処理及びイオン注入処理の少なくともいずれか一方を施す工程とを含む。さらに、他の周知の処理工程（酸化、成膜、蒸着、平坦化、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等）を含んでも良い。
【符号の説明】
【００６９】
１１２  ウエハ
１１９  作成部
１２０  制御部（ＤＰＧ用）
１２１  制御部（偏向器用）
１２２  制御部（センサ用）
１２３  制御部（ステージ用）
１２４  主制御部
１０１〜１０６  カラム
１２５  単位領域
１２６、１ａ〜２０ａ、１ｂ〜２０ｂ、１ｃ〜２０ｃ  ストライプ領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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