(57)【要約】【課題】ウエハ上に複数のガラスフリットパターン（接合層）をスクリーン印刷するときのアライメント精度の向上を図ることができるウエハレベルパッケージング構造体の製造方法を提供する。【解決手段】ガラスウエハ２０上に形成された複数の個別デバイス領域（面内配線領域８等）の周囲を取り囲むようにして、ガラスフリットペーストによって枠状の接合層４をスクリーン印刷で形成する工程を含み、スクリーン印刷で接合層４を形成するガラスフリットパターンを印刷するときの、２つの第２のアライメントマーク２４ａ´，２４ｂ´を、隣接する４つの個別デバイス領域の周囲を取り囲む４つのガラスフリットパターン（接合層４）の間の角部に形成し、ガラスフリットパターンの各角部４ａを、第２のアライメントマーク２４ａ´，２４ｂ´との間の間隔が広くなるような切り欠き形状としている。【選択図】図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
接合層を介して対向する第１のウエハと第２のウエハが接合されて構成されるウエハレベルパッケージング構造体の製造方法において、
前記第１のウエハの一面上に形成された複数の個別デバイス領域の周囲をそれぞれ取り囲むようにして、ガラスフリットペーストによって枠状の前記接合層をスクリーン印刷で形成する工程を含み、
前記スクリーン印刷で前記第１のウエハの一面上に前記接合層を形成するガラスフリットパターンを所定位置に印刷するときの、位置合わせのためのアライメントマークを、隣接する４つの前記個別デバイス領域の周囲を取り囲む４つの前記ガラスフリットパターンの間の角部に形成し、
前記４つのガラスフリットパターンの、前記アライメントマークの周囲に位置する各角部を、前記アライメントマークとの間の間隔が広くなるような切り欠き形状としていることを特徴とするウエハレベルパッケージング構造体の製造方法。
【請求項２】
前記４つのガラスフリットパターンの前記角部は、斜面状の切り欠き形状であることを特徴とする請求項１に記載のウエハレベルパッケージング構造体の製造方法。
【請求項３】
前記４つのガラスフリットパターンの前記角部は、略９０度〜１８０度の範囲内で凹状に折れ曲がるような切り欠き形状であることを特徴とする請求項１に記載のウエハレベルパッケージング構造体の製造方法。
【請求項４】
前記４つのガラスフリットパターンの前記角部は、円弧状に湾曲した切り欠き形状であることを特徴とする請求項１に記載のウエハレベルパッケージング構造体の製造方法。
【請求項５】
前記第１のウエハの外周縁部の周囲全体を取り囲むような縁部ガラスフリットパターンを印刷することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載のウエハレベルパッケージング構造体の製造方法。
【請求項６】
前記縁部ガラスフリットパターンの複数箇所に、ガラスフリットが印刷されていない非印刷部を設けたことを特徴とする請求項５に記載のウエハレベルパッケージング構造体の製造方法。
【請求項７】
前記前記第１のウエハの一面上の前記個別デバイス領域の外側と前記縁部ガラスフリットパターンとの間の領域に、複数の十字型のガラスフリットパターンを印刷することを特徴とする請求項５又は６に記載のウエハレベルパッケージング構造体の製造方法。
【請求項８】
前記アライメントマークは円形形状であり、前記アライメントマークは、隣り合う前記個別デバイス領域の間のダイシングライン上に形成されていることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載のウエハレベルパッケージング構造体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウエハレベルパッケージング構造体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電気回路要素と微細な機械要素を併せ持つＭＥＭＳ(Micro Electro Mechanical Systems)デバイスは、微細加工技術と薄膜形成技術により、半導体機能素子をシリコンウエハやガラスウエハなどに形成し、ウエハレベルでの接合技術によりそれらを張り合わせたうえで分割して個片化することで、1枚のウエハから数千個オーダーで低コストで作製できる。
【０００３】
複数のウエハ（基板）間の接合層としてガラスフリットペーストを用いることで、簡易な方法で気密封止を実現できる。ガラスフリットペーストを用いた接合は、接合層の厚みと柔軟性の観点から、接合するウエハ（基板）表面の形状や清浄度などに対する許容範囲が広い。また、ガラスフリットは接合層として独立したプロセスで形成することができ、その前後の製造プロセスに対する適用性がよいため、プロセスの自由度が高い。
【０００４】
前記接合層は、例えばガラスフリットペーストを用いてスクリーン印刷によって形成することができる。複数のウエハ（基板）が接合された微小キャビティで構成される例えばＭＥＭＳセンサやアクチュエータなどのＭＥＭＳデバイスでは、ウエハ同士を気密封止するためのガラスフリットペーストの印刷パターンとしては、例えば、一方側のウエハ（基板）上に形成された個別デバイス領域の周囲を囲むようにして形成される枠状パターンが挙げられる。
【０００５】
ところで、ウエハ上の個別デバイス領域の周囲を囲むようにして、接合層としての枠状のガラスフリットパターンをスクリーン印刷によって形成するときにおいて、個別デバイス領域に対して枠状のガラスフリットパターンを精度よく位置合わせする必要がある。
【０００６】
この位置合わせ方法として、例えば特許文献１には、配線基板上の、半導体ウエハのスクライブラインの交点に対応する位置にアライメントマーク（位置合わせマーク）を形成して、配線基板と半導体ウエハとを対向させた状態で、アライメントマーク及びスクライブラインの交点を透過して認識し、両者を重ね合わせることで位置合わせすることが記載されている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、上記したＭＥＭＳデバイスでは、一方側のウエハ上の個別デバイス領域の周囲に形成した枠状の各ガラスフリットパターン間の中央位置がスクライブラインとなり、特許文献１のように、このスクライブラインの交点にアライメントマーク（位置合わせマーク）をガラスフリットパターンと同時にスクリーン印刷によって形成した場合、ペースト粘度や印刷条件等によって、印刷後に各ガラスフリットパターンの隣接する角部にアライメントマークが干渉（接触）して変形し、アライメントマークの中心位置を精度よく認識することが困難になるという不具合が生じる。
【０００８】
そこで、本発明は、ウエハ上にガラスフリットパターン（接合層）をスクリーン印刷するときに、アライメントマークが周囲のガラスフリットパターンに接しないようにして、アライメント精度の向上を図ることができるウエハレベルパッケージング構造体の製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
前記目的を達成するために本発明に係るウエハレベルパッケージング構造体の製造方法は、接合層を介して対向する第１のウエハと第２のウエハが接合されて構成されるウエハレベルパッケージング構造体の製造方法において、前記第１のウエハの一面上に形成された複数の個別デバイス領域の周囲をそれぞれ取り囲むようにして、ガラスフリットペーストによって枠状の前記接合層をスクリーン印刷で形成する工程を含み、前記スクリーン印刷で前記第１のウエハの一面上に前記接合層を形成するガラスフリットパターンを所定位置に印刷するときの、位置合わせのためのアライメントマークを、隣接する４つの前記個別デバイス領域の周囲を取り囲む４つの前記ガラスフリットパターンの間の角部に形成し、前記４つのガラスフリットパターンの、前記アライメントマークの周囲に位置する各角部を、前記アライメントマークとの間の間隔が広くなるような切り欠き形状としていることを特徴としている。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、スクリーン印刷で第１のウエハの一面上に接合層を形成するガラスフリットパターンを所定位置に印刷するときの、位置合わせのためのアライメントマークを、隣接する４つの個別デバイス領域の周囲を取り囲む４つのガラスフリットパターンの間の角部に形成し、４つのガラスフリットパターンの、アライメントマークの周囲に位置する各角部を、アライメントマークとの間の間隔が広くなるような切り欠き形状としたことにより、アライメントマークが、周囲のガラスフリットパターン（枠状の接合層）に接することが抑制され、形状変形のないアライメントマークを形成することができる
【００１１】
これにより、アライメントマークの中心位置を良好に認識することができ、スクリーン印刷時のアライメント精度の向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本実施形態に係るウエハレベルパッケージング構造体の一例としてのＭＥＭＳデバイスの構成を示す概略断面図。
【図２】配線基板上に印刷された枠状の接合層を示す平面図。
【図３】（ａ）〜（ｇ）は、ＭＥＭＳデバイスの製造工程の一例を示す図。
【図４】（ａ）は、第１のアライメントマークが形成されたガラスウエハを示す平面図、（ｂ）は、その側面図。
【図５】（ａ）は、第２のアライメントマークと枠状の接合層がスクリーン印刷された従来のガラスウエハを示す平面図、（ｂ）は、その側面図。
【図６】（ａ）は、第２のウエハ接合用アライメントマークが形成されたシリコンウエハを示す平面図、（ｂ）は、接合層を介してガラスウエハとシリコンウエハが接合された状態を示す側面図。
【図７】本実施形態における、第２のアライメントマークと枠状の接合層がスクリーン印刷されたガラスウエハを示す平面図。
【図８】図７の第２のアライメントマーク付近を拡大して示す平面図。
【図９】本実施形態の変形例１における、第２のアライメントマーク付近を拡大して示す平面図。
【図１０】本実施形態の変形例２における、第２のアライメントマーク付近を拡大して示す平面図。
【図１１】本実施形態の変形例３における、第２のアライメントマーク付近を拡大して示す平面図。
【図１２】本実施形態の変形例４における、第２のアライメントマーク、枠状の接合層及び縁部ガラスフリットパターンがスクリーン印刷されたガラスウエハを示す平面図。
【図１３】本実施形態の変形例５における、第２のアライメントマーク、枠状の接合層及び縁部ガラスフリットパターン、非印刷部がスクリーン印刷されたガラスウエハを示す平面図。
【図１４】本実施形態の変形例６における、第２のアライメントマーク、枠状の接合層及び縁部ガラスフリットパターン、十字型ガラスフリットパターンがスクリーン印刷されたガラスウエハを示す平面図。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明を図示の実施形態に基づいて説明する。図１は、本実施形態に係るウエハレベルパッケージング構造体の一例としてのＭＥＭＳデバイスの構成を示す概略断面図である。
【００１４】
図１に示すように、このＭＥＭＳデバイス１は、素子基板（第２のウエハ）２と、この素子基板２と対向配置された配線基板（第１のウエハ）３と、素子基板２と配線基板３との間の周囲を接合封止した接合層４を備えている。
【００１５】
素子基板２には、機能素子５と、この機能素子５を駆動させるための駆動回路６が形成されている。機能素子５（例えば、光センサ、圧力センサ、赤外線センサ、加速度センサ等）は、公知の微細加工技術及び薄膜形成技術を用いて形成される。素子基板２は、例えば厚みが４００μｍ程度のシリコン基板によって形成されている。
【００１６】
機能素子５は、これらの各種センサ等に加えて、例えば振動子等のアクチュエータを含んでいてもよい。駆動回路６は、公知の半導体技術を用いて形成される。なお、素子基板２の上面側（配線基板３と反対側）には、機能素子５を気密封止するためのカバー基板（不図示）が接合層を介して接合されている。このカバー基板には、例えば機能素子５が光センサの場合には回折格子などの光学素子が形成される。
【００１７】
配線基板３には、この配線基板３を貫通した貫通電極７と、表面に面内配線領域８が形成されており、この貫通電極７の両側の各端部には内部側電極パッド９と、外部側電極パッド１０がそれぞれ形成されている。このように、配線基板３の一面上には、面内配線領域８、内部側電極パッド９などが形成された個別デバイス領域を有している。配線基板３は、例えば厚みが４００μｍ程度のガラス基板によって形成されている。
【００１８】
内部側電極パッド９は、接続端子１１を介して駆動回路６の電極パッド１２に電気的に接続されている。これにより、機能素子５の駆動回路６は、貫通電極７の外部側電極パッド１０を介して外部と電気的に接続される。接続端子１１は、例えばＡｕやＡｇなどの導電性が高く、柔軟性のある金属材料によって形成されている。
【００１９】
接合層４は、素子基板２と配線基板３との間の周囲を囲むようにスクリーン印刷でパターニングされたガラスフリットペーストによって形成されており、図２に示すように、素子基板２と配線基板３の周縁に沿って略矩形の枠状に形成されている。
【００２０】
接合層４の厚さは、例えば２０μｍ程度である。接合層４の厚さを、機能素子５の厚さ（１０μｍ程度）と比較して厚くすることで、素子基板２と配線基板３との間を接合後に、機能素子５と配線基板３との干渉を避けることができる。また、接合層４の幅は、例えば１５０μｍ程度である。
【００２１】
次に、上記したＭＥＭＳデバイス（ウエハレベルパッケージング構造体）１の製造工程（製造方法）の一例を、図３（ａ）〜（ｇ）を参照して簡単に説明する。なお、図３では、ウエハレベルパッケージング構造体を構成する接合された素子基板（シリコン基板）２と配線基板（ガラス基板）３間において、１つの個別チップ領域のみを示している。
【００２２】
先ず、図３（ａ）に示すように、厚さ４００μｍの素子基板（シリコン基板）２上に微細加工プロセス、半導体薄膜プロセスで、機能素子５（例えば光センサ）と駆動回路６を形成し、駆動回路６の素子基板２と反対側の面に、表面から順にＡｕ／Ｐｔ／Ｃｒの３層からなる電極パッド１２をスパッタ成膜する。なお、素子基板２としてシリコン基板を用いる代わりに、内部に酸化膜層が介在しているＳＯＩ基板を用いてもよい。
【００２３】
そして、図３（ｂ）に示すように、素子基板２上に形成された電極パッド１２の位置に合わせてスクリーン印刷でドット状にＡｇペーストからなる接続端子１１を印刷する。加熱・焼成後の接続端子１１の厚みを例えば２０μｍとし、後工程で接合層４によって素子基板２と配線基板３を接合したときにできる、素子基板２側の電極パッド１２と配線基板３側の内部側電極パッド９間の距離よりも厚くなるように設定する。また、接続端子１１のドット径は１５０μｍ程度で、電極パッド１２よりも小さく設定されている。
【００２４】
そして、図３（ｃ）に示すように、貫通電極７が内部に形成された配線基板（ガラス基板）３の、貫通電極７の両面が露出した位置に、内部側電極パッド９と外部側電極パッド１０を、スパッタ成膜によって表面から順にＡｕ／Ｐｔ／Ｃｒの３層構造として形成する。なお、配線基板３上には、貫通電極７の内側に位置するようにして面内配線領域８などの個別チップ領域が形成されている。
【００２５】
そして、図３（ｄ）に示すように、配線基板３上にスクリーン印刷によって枠状の接合層４（図２参照）をガラスフリットペーストで形成し、乾燥、焼成して溶剤とバインダーを除去して、４００℃以上の加熱処理でガラス化する。接合層４のパターンは、貫通電極７と面内配線領域８の外側を取り囲むように枠状の矩形形状に形成されており、機能素子５等が気密封止される。
【００２６】
そして、図３（ｅ）に示すように、対向配置された上記の素子基板（シリコン基板）２と上記の配線基板（ガラス基板）３とを位置合わせして、高温化で荷重をかけて熱圧着して接合する。
【００２７】
そして、図３（ｆ）に示すように、素子基板２の配線基板３側と反対側の面にスクリーン印刷によって枠状の接合層１３をガラスフリットペーストで形成し、乾燥、焼成して溶剤とバインダーを除去して、４００℃以上の加熱処理でガラス化する。
【００２８】
そして、図３（ｇ）に示すように、薄膜プロセスを用いて例えば光学素子１４が表面に形成されたカバー基板（シリコン基板）１５と上記の素子基板（シリコン基板）２とを対向配置して位置合わせし、高温化で荷重をかけて熱圧着して接合することで、ＭＥＭＳデバイス（ウエハレベルパッケージング構造体）１が作製される。なお、この接合時の加熱温度は、図３（ｅ）における素子基板（シリコン基板）２と配線基板（ガラス基板）３の接合時の加熱温度よりも高く設定する。
【００２９】
ところで、上記したＭＥＭＳデバイス（ウエハレベルパッケージング構造体）１を作製するときに、ガラスウエハ（貫通電極７や面内配線領域８が形成された前記配線基板（ガラス基板）３が個々のチップにダイシングされる前のウエハ）の表面に、枠状の接合層４のガラスフリットパターンをスクリーン印刷する際において、このガラスフリットパターン（枠状の接合層４）が、個別チップ領域（面内配線領域８等）の周囲の所定位置にパターニングされるように、このスクリーン印刷時に高いアライメント精度が要求される。
【００３０】
図４、図５を参照して、従来の上記したスクリーン印刷時の工程について説明する。その後に、本実施形態における上記したスクリーン印刷時の工程について説明する。
【００３１】
図４（ａ），（ｂ）に示すように、ガラスウエハ（個々のチップ（個別チップ領域が形成された前記配線基板３）にダイシングされる前のウエハ）２０の、面内配線領域８側の面（表面）には、枠状の接合層４をガラスフリットペーストでスクリーン印刷する際の、十字状のアライメントマーク（以下、「第１のアライメントマーク」という）２１ａ，２１ｂが２箇所に形成されている。
【００３２】
また、このガラスウエハ２０の面内配線領域８と反対側の面（裏面）には、前記第１のアライメントマーク２１ａ，２１ｂと同じ位置に、図６（ａ），（ｂ）に示したシリコンウエハ（個々のチップ（機能素子５や駆動回路６が形成された前記素子基板２）にダイシングされる前のウエハ）２２を対向配置して接合する際のアライメントマーク（以下、「第１のウエハ接合用アライメントマーク）という）２３ａ，２３ｂが２箇所に形成されている。これらの第１のアライメントマーク２１ａ，２１ｂと第１のウエハ接合用アライメントマーク２３ａ，２３ｂは、面内配線領域８の配線材料と同じメタル系のスパッタ膜で形成されている。
【００３３】
そして、枠状の接合層４をガラスフリットペーストでスクリーン印刷する際において、先ずスクリーン印刷装置（不図示）のステージに置いたダミーウエハに対してペーストの印刷（ガラスフリットペースト印刷）を行い、そこに形成されたアライメントマーク（図５（ａ），（ｂ）に示した円形状の第２のアライメントマーク２４ａ，２４ｂに相当）を画像認識で取り込んでその中心点の位置を予め登録（記憶）する。この工程においては、図示は省略している。
【００３４】
なお、図５（ａ），（ｂ）は、ダミーウエハではなく、ガラスウエハ２０の表面に、枠状の接合層４を形成するガラスフリットパターンと、ガラスフリットペーストからなる第２のアライメントマーク２４ａ，２４ｂとがスクリーン印刷されたものを示している。
【００３５】
この第２のアライメントマーク２４ａ，２４ｂの形状としては、メッシュを透過してペーストが押し出されたときに形状が整いやすいように円形パターンが用いられる場合が多い。このとき、印刷されたアライメントマークの形状の対称性が悪いと、アライメントマークの中心位置がずれて認識されたり、認識ができない場合がある。
【００３６】
そして、前記ダミーウエハを取り外して、スクリーン印刷するガラスウエハ２０をスクリーン印刷装置（不図示）のステージに置き、前記第１のアライメントマーク２１ａ，２１ｂを画像として取り込み、その中心点の位置出しをする。
【００３７】
そして、スクリーン印刷装置（不図示）のステージを微動させて、ガラスウエハ２０の第１のアライメントマーク２１ａ，２１ｂの中心を、画像で認識されている前記ガラスフリットペースト印刷時のアライメントマーク（図５（ａ），（ｂ）に示した円形状の第２のアライメントマーク２４ａ，２４ｂに相当）の中心と重ね合わせるようにアライメントして、図５（ａ），（ｂ）に示したように、ガラスウエハ２０上にガラスフリットパターンを印刷し、個別チップ領域（面内配線領域８等）の周囲を囲むようにして枠状の接合層４を形成する。
【００３８】
ガラスウエハ２０上に枠状の接合層４がガラスフリットペーストでスクリーン印刷によって作製されると、図６（ａ），（ｂ）に示したように、シリコンウエハ２２が接合層４を介してガラスウエハ２０に位置決めされて接合される。
【００３９】
詳細には、図６（ａ），（ｂ）に示したように、シリコンウエハ２２の機能素子５（例えば光センサ）などのデバイスが形成された面側に、ガラスウエハ２０側の前記第１のウエハ接合用アライメントマーク２３ａ，２３ｂの位置に対応してアライメントマーク（以下、「第２のウエハ接合用アライメントマーク）という）２５ａ，２５ｂが２箇所に形成されている。
【００４０】
そして、シリコンウエハ２２側の第２のウエハ接合用アライメントマーク２５ａ，２５ｂに対して、ガラスウエハ２０側の第１のウエハ接合用アライメントマーク２３ａ，２３ｂを位置合わせし、枠状の接合層４を介してシリコンウエハ２２とガラスウエハ２０とを熱圧着する。そして、枠状の複数の接合層４を介してシリコンウエハ２２とガラスウエハ２０がウエハレベルで接合された後、隣り合う個別チップ領域の間の中央領域（ダイシングライン）がダイシング装置によって切断され、個別チップ領域が分割される。
【００４１】
次に、本実施形態における上記したスクリーン印刷時の工程について説明する。
【００４２】
図５（ａ）に示した従来の上記したスクリーン印刷時の工程では、枠状の接合層４を形成するガラスフリットパターンの内側に、同じガラスフリットの円形状の第２のアライメントマーク２４ａ，２４ｂが形成されている。このように、第２のアライメントマーク２４ａ，２４ｂが周囲のガラスフリットパターン（枠状の接合層４）に近接している場合、ペースト粘度や印刷条件等によっては印刷後にこの第２のアライメントマーク２４ａ，２４ｂが周囲のガラスフリットパターン（枠状の接合層４）に接するおそれがある。
【００４３】
第２のアライメントマーク２４ａ，２４ｂが周囲のガラスフリットパターン（枠状の接合層４）に接すると、第２のアライメントマーク２４ａ，２４ｂの円形形状が変形して、その中心位置を画像認識することが難しくなるという不具合が発生する。第２のアライメントマーク２４ａ，２４ｂの変形によってその中心位置の認識が難しくなると、スクリーン印刷時のアライメント精度が低下する。
【００４４】
また、前記第２のアライメントマーク２４ａ，２４ｂを周囲のガラスフリットパターン（枠状の接合層４）との接触を回避するために、内側（面内配線領域８に近接する側）に寄せて配置すると、面内配線領域８をレイアウトできる領域が狭くなり、設計自由度が制限されることになる。更に、個別チップ領域（面内配線領域８等）が形成されているガラスウエハ２０に対向して接合されるシリコンウエハ２２の機能素子５（例えば光センサ）などのデバイス領域についても同様にレイアウトできる領域が狭くなり、設計自由度が制限されることになる。
【００４５】
そこで、本実施形態では、図７、図８に示すように、隣接する４つの枠状の接合層４を形成するガラスフリットパターンの間の角部の中心位置（ダイシングライン上に位置する部分）に円形状の第２のアライメントマーク２４ａ´，２４ｂ´を印刷している。更に、この第２のアライメントマーク２４ａ´，２４ｂ´の周囲に近接している各ガラスフリットパターン（枠状の接合層４）の角部４ａを、内側（面内配線領域８側）に略９０度折り曲げるような切り欠き形状として、第２のアライメントマーク２４ａ´，２４ｂ´との間の間隔が広くなるようにしている。
【００４６】
なお、、図７、図８においては、ガラスウエハ２０のダイシングライン上の２箇所に第２のアライメントマーク２４ａ´，２４ｂ´を形成した構成であるが、これに限定されることなく、同様な構成で例えばダイシングライン上の４箇所に第２のアライメントマークを設けてもよい。
【００４７】
このように、本実施形態では、第２のアライメントマーク２４ａ´，２４ｂ´とその周囲に近接している各ガラスフリットパターン（枠状の接合層４）の角部４ａとの間の間隔を大きく設定できるので、第２のアライメントマーク２４ａ´，２４ｂ´が、周囲のガラスフリットパターン（枠状の接合層４）に接することが抑制され、形状変形のない良好な円形状の第２のアライメントマーク２４ａ，２４ｂを形成することができる。
【００４８】
これにより、第２のアライメントマーク２４ａ，２４ｂの中心位置を良好に画像認識することができ、スクリーン印刷時のアライメント精度の向上を図ることができるので、印刷するガラスフリットパターン（枠状の接合層４）のアライメントマージンを小さく設定でき、これに伴って個別チップ領域のサイズも小さくすることができる。
【００４９】
<変形例１>
図９に示した本実施形態の変形例１では、隣接する４つの枠状の接合層４を形成するガラスフリットパターンの間（ダイシングライン上に位置する部分）の中心位置に円形状の第２のアライメントマーク２４ａ´，２４ｂ´を形成している。更に、この第２のアライメントマーク２４ａ´，２４ｂ´の周囲に近接している各ガラスフリットパターン（枠状の接合層４）の角部４ａを、斜面状の切り欠き形状となるように印刷して、第２のアライメントマーク２４ａ´，２４ｂ´との間の間隔を広くしている
【００５０】
このように、変形例１の構成においても前記実施形態と同様の効果を得ることができる。更に、第２のアライメントマーク２４ａ´，２４ｂ´の周囲に近接している各ガラスフリットパターン（枠状の接合層４）の角部４ａを直線状の斜面としたことにより、スクリーン印刷時のガラスフリットの流動性が実施形態の略９０度折り曲げられている場合よりもスムーズとなる。よって、スクリーン印刷時にガラスフリットパターン（枠状の接合層４）の角部４ａを通過するペーストの押し込み量が安定し、パターン形状の乱れを抑制することができる。
【００５１】
<変形例２>
変形例１では、第２のアライメントマーク２４ａ´，２４ｂ´の周囲に近接している各ガラスフリットパターン（枠状の接合層４）の角部４ａを直線状の斜面としたが、変形例２では、例えば、図１０に示すように、この角部４ａの斜面の中間部を略９０度〜略１８０度の範囲内で凹状に折り曲げるような切り欠き形状としてもよい（図１０では、この角部４ａを１３５度程度に折り曲げている）。
【００５２】
<変形例３>
図１１に示した本実施形態の変形例３では、隣接する４つの枠状の接合層４を形成するガラスフリットパターンの間の中心位置（ダイシングライン上に位置する部分）に円形状の第２のアライメントマーク２４ａ´，２４ｂ´を形成している。更に、この第２のアライメントマーク２４ａ´，２４ｂ´の周囲に近接している各ガラスフリットパターン（枠状の接合層４）の角部４ａを、凹状の曲面状（円弧状）に湾曲した切り欠き形状として、第２のアライメントマーク２４ａ´，２４ｂ´との間の間隔を広くしている。
【００５３】
このように、変形例３の構成においても前記実施形態と同様の効果を得ることができる。更に、第２のアライメントマーク２４ａ´，２４ｂ´の周囲に近接している各ガラスフリットパターン（枠状の接合層４）の角部４ａを曲面状（円弧状）としたことにより、円形状の第２のアライメントマーク２４ａ´，２４ｂ´との間の間隔（距離）が全周で同じに距離となるように広がるため、第２のアライメントマーク２４ａ´，２４ｂ´の印刷形状の対称性がよくなる。
【００５４】
<変形例４>
図１２に示した本実施形態の変形例４では、例えば図７に示した実施形態の構成のガラスウエハ２０に対して、この外周縁部の周囲全体を取り囲むようにしてガラスフリットパターン（以下、「縁部ガラスフリットパターン」という）２６を印刷している。他の構成は実施形態と同様である。なお、上記の変形例１（又は２、３）の構成においても同様に、ガラスウエハ２０の縁部周囲全体に縁部ガラスフリットパターン２６を印刷してもよい。
【００５５】
このように、変形例４の構成においても前記実施形態と同様の効果を得ることができる。更に、ガラスウエハ２０の縁部周囲全体に縁部ガラスフリットパターン２６を印刷したことにより、シリコンウエハ２２（図６（ａ）参照）を枠状の接合層４を介して接合したときに、前記縁部ガラスフリットパターン２６はシリコンウエハ２２の縁部周囲全体に接合され、接合された両ウエハの縁部周囲全体が封止される。
【００５６】
これにより、その後に引き続くダイシングラインを切断して個別チップ領域に分割するダイシング工程で、両ウエハの外周側からダイシングライン切断に伴う微細破片のウエハ外側への飛散を防止することができる。
【００５７】
<変形例５>
図１３に示した本実施形態の変形例５では、変形例３でガラスウエハ２０の縁部周囲全体に形成した縁部ガラスフリットパターン２６に、印刷されていないスリット状の非印刷部２７を複数箇所（図１３では、ガラスウエハ２０の上下左右側の４箇所）に形成した構成である。他の構成は変形例３と同様である。
【００５８】
このように、縁部ガラスフリットパターン２６の複数箇所（図１３では、４箇所）に非印刷部２７を形成して隙間を設けることで、ガラスウエハ２０とシリコンウエハ２２（図６（ａ）参照）の縁部周囲を縁部ガラスフリットパターン２６を介して接合するときに発生する有機系のガス成分を、減圧環境下でのこの接合工程時に非印刷部２７を通して外部に排出することができる。
【００５９】
なお、この変形例５においても、縁部ガラスフリットパターン２６を介して両ウエハの縁部周囲全体（非印刷部２７は除く）が接合されるので、その後に引き続くダイシングラインを切断して個別チップ領域に分割するダイシング工程で、両ウエハの外周側からダイシングライン切断に伴う微細破片のウエハ外側への飛散を防止することができる。
【００６０】
<変形例６>
図１４に示した本実施形態の変形例６では、変形例４のようにガラスウエハ２０の縁部周囲全体に縁部ガラスフリットパターン２６を印刷し、更に、ガラスウエハ２０上の個別チップ領域（面内配線領域８等）の外側と縁部ガラスフリットパターン２６との間の領域に複数の十字型のガラスフリットパターン（以下、「十字型ガラスフリットパターン」という）２８が印刷されている。他の構成は変形例４と同様である。
【００６１】
このように、変形例６の構成においても前記変形例４と同様の効果を得ることができる。更に、ガラスウエハ２０上の個別チップ領域（面内配線領域８等）の外側と縁部ガラスフリットパターン２６との間の領域に複数の十字型ガラスフリットパターン２８を印刷したことにより、その後に引き続くダイシングラインを切断して個別チップ領域に分割するダイシング工程で、ガラスウエハ２０上の各ガラスフリットパターン（枠状の接合層４）と縁部ガラスフリットパターン２６との間の領域の未接合部分でのダイシングライン切断に伴う微細破片の飛散を効果的に防止することができる。
【符号の説明】
【００６２】
１        ＭＥＭＳデバイス
２        素子基板
３        配線基板
４        接合層
５        機能素子
８        面内配線領域
２０      ガラスウエハ
２１ａ，２１ｂ      第１のアライメントマーク
２２      シリコンウエハ
２３ａ，２３ｂ      第１のウエハ接合用アライメントマーク
２４ａ´，２４ｂ´  第２のアライメントマーク
２５ａ，２５ｂ      第２のウエハ接合用アライメントマーク
２６      縁部ガラスフリットパターン
２７      非印刷部
２８      十字型ガラスフリットパターン
【先行技術文献】
【特許文献】
【００６３】
【特許文献１】特開２００５−１１６８０６号公報
【図１】
2016129204.tif 000003
【図２】
2016129204.tif 000004
【図３】
2016129204.tif 000005
【図４】
2016129204.tif 000006
【図５】
2016129204.tif 000007
【図６】
2016129204.tif 000008
【図７】
2016129204.tif 000009
【図８】
2016129204.tif 000010
【図９】
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【図１０】
2016129204.tif 000012
【図１１】
2016129204.tif 000013
【図１２】
2016129204.tif 000014
【図１３】
2016129204.tif 000015
【図１４】
2016129204.tif 000016