(57)【要約】【課題】柱状電極を備える電子部品の接続信頼性を高める。【解決手段】電子部品１０は、基板１１と、基板１１上に設けられた電極部１２と、電極部１２上に設けられた導体層１４と、導体層１４上に設けられた柱状電極であるピラー１３とを含む。導体層１４は、導体材料と、その導体材料内に含有された樹脂粒子とを含む。電極部１２とピラー１３の間に導体層１４を介在させることで、ピラー１３に発生する応力を導体層１４内の樹脂粒子で吸収、緩和し、応力に起因したピラー１３の破損、電極部１２との断線を抑制する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に設けられた電極部と、
前記電極部上に設けられ、第１樹脂粒子を含有する第１導体層と、
前記第１導体層上に設けられた柱状電極と
を含むことを特徴とする電子部品。
【請求項２】
前記第１導体層は、
前記第１樹脂粒子が第１含有量である第１導体部と、
前記第１導体部の外側に設けられ、前記第１樹脂粒子が前記第１含有量よりも少ない第２含有量である第２導体部と
を含むことを特徴とする請求項１に記載の電子部品。
【請求項３】
前記柱状電極上に設けられ、第２樹脂粒子を含有する第２導体層を更に含むことを特徴とする請求項１又は２に記載の電子部品。
【請求項４】
前記電極部は、第１電極層と、前記第１電極層の上方に設けられた第２電極層とを含み、
前記第１電極層と前記第２電極層との間に設けられ、第３樹脂粒子を含有する第３導体層を更に含むことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の電子部品。
【請求項５】
電極部が設けられた基板を準備する工程と、
前記電極部上に、樹脂粒子を含有する導体層を形成する工程と、
前記導体層上に柱状電極を形成する工程と
を含むことを特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項６】
前記導体層を形成する工程は、
前記電極部上の一部に、前記樹脂粒子が第１含有量である第１導体部を形成する工程と、
前記電極部上の、前記第１導体部の外側に、前記樹脂粒子が前記第１含有量よりも少ない第２含有量である第２導体部を形成する工程と
を含むことを特徴とする請求項５に記載の電子部品の製造方法。
【請求項７】
基板と、前記基板上に設けられた電極部と、前記電極部上に設けられ樹脂粒子を含有する導体層と、前記導体層上に設けられた柱状電極とを有する第１電子部品と、
前記第１電子部品の前記柱状電極側に対向配置され、前記柱状電極に電気的に接続された端子を有する第２電子部品と
を含むことを特徴とする電子装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品、電子部品の製造方法及び電子装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子と回路基板といった電子部品間を、金（Ａｕ）等のマイクロバンプや半田バンプのような突起電極を用いて電気的に接続する技術が知られている。また、そのような突起電極の全体、又はその上部若しくは中部に、樹脂粒子を分散させ、突起電極に弾性力を持たせる技術が知られている。
【０００３】
また、電子部品の多端子化、端子の微細化等の観点から、電子部品間の電気的な接続に、柱状電極（ピラー、ポスト等とも称される）を用いる技術も提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平５−１４４８１７号公報
【特許文献２】特開２００９−２１３２９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記のような柱状電極では、電子部品動作時の発熱等により、柱状電極の根元に応力が集中的に発生することがある。この場合、応力に起因して、柱状電極とその下の電極等の導体部との間にクラックが発生し、それらの間の接続信頼性が損なわれる恐れがある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一観点によれば、基板と、前記基板上に設けられた電極部と、前記電極部上に設けられ、第１樹脂粒子を含有する第１導体層と、前記第１導体層上に設けられた柱状電極とを含む電子部品が提供される。
【０００７】
また、本発明の一観点によれば、上記のような電子部品の製造方法、電子部品を用いた電子装置が提供される。
【発明の効果】
【０００８】
開示の技術によれば、柱状電極の接続信頼性に優れる電子部品を実現することが可能になる。また、電子部品間の接続信頼性に優れる電子装置を実現することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】第１の実施の形態に係る電子部品の一例を示す図である。
【図２】第１の実施の形態に係る電子部品の導体層の第１例を示す図である。
【図３】第１の実施の形態に係る電子部品の導体層の第２例を示す図である。
【図４】第１の実施の形態に係る電子部品の別例を示す図である。
【図５】第１の実施の形態に係る電子装置の一例を示す図である。
【図６】第２の実施の形態に係る電子部品の一例を示す図である。
【図７】第２の実施の形態に係る電子部品形成方法の一例の説明図（その１）である。
【図８】第２の実施の形態に係る電子部品形成方法の一例の説明図（その２）である。
【図９】第２の実施の形態に係る電子部品形成方法の一例の説明図（その３）である。
【図１０】第２の実施の形態に係る電子部品形成方法の一例の説明図（その４）である。
【図１１】めっき液中の樹脂粒子濃度とめっき層中の樹脂粒子濃度との関係の一例を示す図である。
【図１２】めっき層中の樹脂粒子濃度とめっき層の抵抗率との関係の一例を示す図である。
【図１３】第３の実施の形態に係る電子部品の一例を示す図である。
【図１４】第３の実施の形態に係る電子部品形成方法の一例の説明図（その１）である。
【図１５】第３の実施の形態に係る電子部品形成方法の一例の説明図（その２）である。
【図１６】第３の実施の形態に係る電子部品形成方法の一例の説明図（その３）である。
【図１７】第４の実施の形態に係る電子装置の第１構成例の説明図である。
【図１８】第４の実施の形態に係る電子装置の第２構成例の説明図である。
【図１９】第４の実施の形態に係る電子装置の第３構成例の説明図である。
【図２０】第５の実施の形態に係る第１変形例の電子部品を示す図である。
【図２１】第５の実施の形態に係る第１変形例の電子部品を用いた電子装置の一例を示す図である。
【図２２】第５の実施の形態に係る第２変形例の電子部品を示す図である。
【図２３】第５の実施の形態に係る第２変形例の電子部品を用いた電子装置の一例を示す図である。
【図２４】半導体素子の一例を示す図である。
【図２５】半導体パッケージの一例を示す図である。
【図２６】回路基板の一例を示す図である。
【図２７】擬似ＳｏＣの一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
まず、第１の実施の形態について説明する。
図１は第１の実施の形態に係る電子部品の一例を示す図である。ここで、図１は第１の実施の形態に係る電子部品の一例の要部断面模式図である。
【００１１】
図１に示す電子部品１０は、基板１１、電極部１２、柱状電極（ピラー）１３、及び導体層１４を有する。
電子部品１０は、例えば、半導体素子（半導体チップ）、回路基板（パッケージ基板）上に実装された半導体素子を備える半導体装置（半導体パッケージ）、又は回路基板である。基板１１は、このような電子部品１０の本体部である。本体部（基板１１）は、例えば、半導体素子の、トランジスタ等が形成された半導体基板及びその上に設けられた配線層を含む。また、例えば、回路基板の、絶縁部及びその表面や内部に設けられた導体部（配線、ビア等）を含む。尚、電子部品１０の本体部の構成例については後述する（図２４〜図２６）。
【００１２】
電極部１２は、基板１１上に設けられ、基板１１内の導体部、トランジスタ等の回路素子に電気的に接続される。電極部１２には、パッドのほか、パッド上に設けられるアンダーバンプメタル（ＵＢＭ）が含まれ得る。電極部１２には、各種導体材料が用いられる。例えば、電極部１２には、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、パラジウム（Ｐｄ）、チタン（Ｔｉ）、銀（Ａｇ）、Ａｕ等の導体材料を用いることができる。
【００１３】
ここでは１つの電極部１２を図示するが、基板１１上には、複数の電極部１２が設けられ得る。電極部１２が複数の場合には、各電極部１２の上に導体層１４及びピラー１３が設けられる。
【００１４】
ピラー１３は、導体層１４を介して電極部１２の上方に設けられ、導体層１４を通じて電極部１２に電気的に接続される。ピラー１３としては、例えば、アスペクト比が１以上のものを用いることができる。電子部品１０には、アスペクト比が１未満のピラー１３を設けることもできる。ピラー１３には、各種導体材料が用いられる。例えば、ピラー１３には、Ｃｕ、Ｎｉ等の導体材料を用いることができる。ピラー１３には、このほか、Ｐｄ、Ｔｉ、Ａｕ、Ａｇ等の導体材料を用いることもできる。ピラー１３には、スズ（Ｓｎ）、ビスマス（Ｂｉ）、インジウム（Ｉｎ）等が含まれ得る。
【００１５】
導体層１４は、電極部１２とピラー１３の間に設けられ、電極部１２とピラー１３とを電気的に接続する。導体層１４は、樹脂粒子を含有する導体材料の層である。導体層１４の構成例を、以下の図２及び図３に示す。
【００１６】
図２は第１の実施の形態に係る電子部品の導体層の第１例を示す図、図３は第１の実施の形態に係る電子部品の導体層の第２例を示す図である。ここで、図２は第１の実施の形態に係る電子部品の電極部とピラーの間に設けられる導体層の第１例の断面模式図、図３は第１の実施の形態に係る電子部品の電極部とピラーの間に設けられる導体層の第２例の断面模式図である。
【００１７】
導体層１４は、例えば図２及び図３に示すように、導体材料１４ａと、導体材料１４ａ内に設けられた複数の樹脂粒子１４ｂとを含む。図２に例示する導体層１４では、樹脂粒子１４ｂが、導体材料１４ａ内に、全体的に分散して配置される。図３に例示する導体層１４では、中央部Ｘの導体材料１４ａ内に、比較的高い含有量で樹脂粒子１４ｂが分散して配置され、外周部Ｙの導体材料１４ａ内に、比較的低い含有量で樹脂粒子１４ｂが分散して配置される。
【００１８】
導体材料１４ａには、各種導体材料が用いられる。例えば、導体材料１４ａには、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｐｄ等の導体材料を用いることができる。導体材料１４ａには、Ｔｉ、Ａｕ等の導体材料が含まれていてもよい。
【００１９】
樹脂粒子１４ｂには、一定の弾性を有する、各種樹脂材料の粒子が用いられる。例えば、樹脂粒子１４ｂには、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、パーフルオロアルコキシアルカン（ＰＦＡ）等のフッ素樹脂を用いることができる。樹脂粒子１４ｂには、このほか、アクリル樹脂、スチレンを用いた樹脂、ゴム等を用いることもできる。樹脂粒子１４ｂには、例えば、粒径が１００ｎｍ〜１μｍのものが用いられる。樹脂粒子１４ｂには、中実の粒子、又は中空の粒子を用いることができる。また、樹脂粒子１４ｂの表面には、導体皮膜がコーティングされてもよい。
【００２０】
導体材料１４ａ内に樹脂粒子１４ｂを含有する導体層１４は、例えば、無電解めっき法を用いて形成される。導体材料１４ａのめっき液中に、予め準備された樹脂粒子１４ｂを含有させ、このめっき液を用いて無電解めっきを行うことで、樹脂粒子１４ｂを含有する導体材料１４ａを、下地の電極部１２上に析出させる。導体材料１４ａ内の樹脂粒子１４ｂの含有量は、めっき液中に含有させる樹脂粒子１４ｂの量で調整される。図２に示すような導体層１４は、例えば、一定量の樹脂粒子１４ｂを含むめっき液を用いて導体材料１４ａを析出させることで、形成される。図３に示すような導体層１４は、例えば、比較的多量の樹脂粒子１４ｂを含むめっき液を用いて中央部Ｘの導体材料１４ａを析出させ、比較的少量の樹脂粒子１４ｂを含むめっき液を用いて外周部Ｙの導体材料１４ａを析出させることで、形成される。
【００２１】
電子部品１０では、基板１１上の電極部１２とその上方のピラー１３との間に、このような導体材料１４ａ内に樹脂粒子１４ｂが含有された導体層１４が介在される。
電子部品１０のピラー１３上には、更に別の層が設けられてもよい。
【００２２】
図４は第１の実施の形態に係る電子部品の別例を示す図である。ここで、図１は第１の実施の形態に係る電子部品の別例の要部断面模式図である。
電子部品１０には、例えば図４に示すように、そのピラー１３の上に、半田層１５が設けられてもよい。半田層１５は、この電子部品１０と、他の電子部品との接合に用いられる。半田層１５には、各種半田材料が用いられる。例えば、半田層１５には、Ｓｎのほか、ＳｎにＡｇ、Ｃｕ、Ｂｉ、Ｉｎ等を含有するものを用いることができる。
【００２３】
ここでは、単層の半田層１５を図示したが、同じ又は異なる成分の複数の半田層をピラー１３上に設けてもよい。また、半田層１５とピラー１３の間には、それらの成分の相互拡散を抑制する層、例えばＮｉ等の層（バリア層）が設けられてもよい。
【００２４】
上記のような構成を有する電子部品１０は、その電極部１２、導体層１４及びピラー１３を介して、他の電子部品と電気的に接続される。
図５は第１の実施の形態に係る電子装置の一例を示す図である。ここで、図５は第１の実施の形態に係る電子装置の一例の要部断面模式図である。
【００２５】
図５に示す電子装置１は、上記のような構成を有する電子部品１０に電気的に接続された電子部品２０を含む。
電子部品２０は、基板２１及び電極部２２を有する。電子部品２０は、例えば、半導体素子、半導体パッケージ又は回路基板であり、その基板２１は、このような電子部品の本体部である。尚、電子部品２０の本体部の構成例については後述する（図２４〜図２６）。電子部品２０の電極部２２は、ここでは便宜上、簡略化して図示するが、パッド、若しくは、パッドとその上に設けられたＵＢＭ、又は、パッドやＵＢＭの上に設けられたピラーである。電極部２２は、電子部品１０の電極部１２、導体層１４及びピラー１３と対応する位置に設けられる。
【００２６】
このような構成を有する電子部品２０が、その電極部２２の配設面側を、電子部品１０のピラー１３の配設面側に対向させて、配置される。そして、互いの電極部２２とピラー１３の位置合わせが行われて、電極部２２とピラー１３が半田３０を介して接合される。半田３０は、接合前に予め電極部２２上に設けられた半田層、若しくは、ピラー１３上に設けられた半田層（図４の半田層１５）、又はそれら双方の半田層によって形成される。
【００２７】
電子装置１では、電子部品１０と電子部品２０が、ピラー１３（電極部２２をピラーとする場合にはその電極部２２とピラー１３）を用いて接合される。ピラー１３を用いた接合では、半田を用いたバンプで接合する場合に生じ得るような、隣接する接合部間の接触による短絡（ブリッジ）を抑制することができ、端子を微細化することができる。また、接合部の主要な部分をピラー１３が占めるため、ピラー１３に比較的成分拡散が生じ難い材料を用いることで、半田を用いたバンプで接合するものに比べて、比較的大電流を流すことができる。
【００２８】
一方、電子装置１では、その動作に伴い、熱が発生し得る。また、電子装置１では、接合後も加熱が行われる場合もある。接合部のピラー１３自体が変形し難い材料であると、このような発熱や加熱により発生する応力が、ピラー１３に集中することがある。電子部品１０において、上記のような導体層１４を介在させずに、電極部１２上にピラー１３を設けた場合には、発熱や加熱により発生する応力がピラー１３に集中することで、ピラー１３と電極部１２の間にクラックが発生し、接合不良が発生する恐れがある。
【００２９】
これに対し、電子装置１では、上記のように、ピラー１３と電極部１２の間に導体層１４を介在させる。導体層１４は、導体材料１４ａ内に、一定の弾性を有する樹脂粒子１４ｂを含有する（図２及び図３）。ピラー１３と電極部１２の間に、このような導体層１４を設けることで、電子装置１では、その発熱や加熱によりピラー１３に発生する応力を、導体層１４の樹脂粒子１４ｂで吸収、緩和することができる。これにより、ピラー１３と電極部１２の間におけるクラックの発生を抑制し、接合不良の発生を抑制することが可能になる。上記導体層１４を設けることで、接続信頼性の高いピラー１３を備えた電子部品１０を実現することができ、また、そのような電子部品１０を用いることで、接続信頼性の高い電子装置１を実現することができる。
【００３０】
導体層１４の樹脂粒子１４ｂによる応力緩和の効果は、導体材料１４ａ内の樹脂粒子１４ｂの含有量を増加させると、高まる傾向がある。但し、導体材料１４ａ内の樹脂粒子１４ｂの含有量を増加させると、導体層１４の電気抵抗は上昇する傾向がある。導体材料１４ａ内の樹脂粒子１４ｂの含有量（濃度）は、例えば、このような樹脂粒子１４ｂによる応力緩和の効果と電気抵抗、電子装置１の形態、用途等に基づいて、設定される。
【００３１】
以下、導体材料内に樹脂粒子を含有する導体層を用いた電子部品、及びそのような電子部品を用いた電子装置の各種形態について、詳細に説明する。
まず、第２の実施の形態について説明する。
【００３２】
図６は第２の実施の形態に係る電子部品の一例を示す図である。ここで、図６（Ａ）は第２の実施の形態に係る電子部品の第１例の要部断面模式図、図６（Ｂ）は第２の実施の形態に係る電子部品の第２例の要部断面模式図である。
【００３３】
図６（Ａ）に示す電子部品４０Ａは、基板４１、パッド４２、絶縁層４３、シード層４４、ＵＢＭ層４５、導体層４６、シード層４７及びピラー４８を有する。図６（Ｂ）には、更に半田層４９を有する電子部品４０Ａを図示している。
【００３４】
電子部品４０Ａは、例えば、半導体素子、半導体パッケージ又は回路基板であり、基板４１は、このような電子部品の本体部である。尚、電子部品４０Ａの本体部の構成例については後述する（図２４〜図２６）。
【００３５】
パッド４２は、基板４１上に設けられ、基板４１内の導体部、トランジスタ等の回路素子に電気的に接続される。パッド４２には、各種導体材料が用いられる。例えば、パッド４２には、Ａｌを用いることができる。ここでは１つのパッド４２を図示するが、基板４１上には、複数のパッド４２が設けられ得る。パッド４２が複数の場合には、各パッド４２の上に、図６（Ａ）及び図６（Ｂ）に示すような、ピラー４８等を含む積層構造が設けられる。
【００３６】
絶縁層４３は、基板４１上に設けられ、パッド４２の少なくとも一部に通じる開口部４３ａを有する。絶縁層４３には、各種絶縁材料が用いられる。例えば、絶縁層４３には、酸化シリコン（ＳｉＯ）、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）等の無機絶縁材料、ソルダレジスト、ポリイミド（ＰＩ）樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂等の有機絶縁材料を用いることができる。
【００３７】
シード層４４は、絶縁層４３の開口部４３ａ内のパッド４２上に設けられる。シード層４４には、例えば、Ｔｉ若しくはＣｕ、又はＴｉとＣｕの積層膜が用いられる。
ＵＢＭ層４５は、絶縁層４３の開口部４３ａ内に設けられたシード層４４上に設けられる。ＵＢＭ層４５には、例えば、Ｃｕ若しくはＮｉ、又はＣｕとＮｉの積層膜が用いられる。
【００３８】
導体層４６は、ＵＢＭ層４５上に設けられる。導体層４６は、例えば、絶縁層４３の開口部４３ａ内に設けられる。導体層４６は、導体材料４６ａと、導体材料４６ａ内に全体的に分散配置された樹脂粒子４６ｂとを含む。導体材料４６ａには、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｐｄ等の導体材料が用いられる。樹脂粒子４６ｂには、ＰＴＦＥ、ＰＦＡ等、一定の弾性を有し、粒径が１００ｎｍ〜１μｍの樹脂粒子が用いられる。
【００３９】
シード層４７は、導体層４６上に設けられる。シード層４７には、例えば、Ｔｉ若しくはＣｕ、又はＴｉとＣｕの積層膜が用いられる。シード層４７は、例えば、絶縁層４３の開口部４３ａよりも小さいサイズで、導体層４６を部分的に覆うように、設けられる。
【００４０】
ピラー４８は、シード層４７上に設けられる。ピラー４８には、Ｃｕ、Ｎｉ等の導体材料が用いられる。ピラー４８としては、例えば、アスペクト比が１以上のものを設けることができる。電子部品４０Ａには、アスペクト比が１未満のピラー４８を設けることもできる。ピラー４８は、シード層４７、導体層４６、ＵＢＭ層４５及びシード層４４を介して、パッド４２に電気的に接続される。
【００４１】
ピラー４８上には、図６（Ｂ）に示すように、半田層４９が設けられてもよい。半田層４９には、例えば、Ｓｎを含む半田が用いられる。また、ここでは図示を省略するが、半田層４９とピラー４８との間に、Ｎｉ等のバリア層が介在されてもよい。
【００４２】
上記構成を有する電子部品４０Ａは、ピラー４８等を用いて他の電子部品と接合される。電子部品４０Ａの導体層４６は、パッド４２とピラー４８の間を導通させると共に、このように電子部品４０Ａが他の電子部品と接合された後、発熱や加熱によりピラー４８に応力が生じる場合でも、その応力を、一定の弾性を有する樹脂粒子４６ｂで吸収、緩和する。これにより、ピラー４８の根元にクラックが発生することが抑制され、接続信頼性の高いピラー４８を備える電子部品４０Ａが実現される。
【００４３】
続いて、上記構成を有する電子部品４０Ａの形成方法の一例について、図７〜図１０並びに図１１及び図１２を参照して説明する。
図７〜図１０は第２の実施の形態に係る電子部品形成方法の一例の説明図である。ここで、図７（Ａ）〜図７（Ｃ）、図８（Ａ）〜図８（Ｂ）、図９（Ａ）〜図９（Ｃ）、及び図１０（Ａ）〜図１０（Ｃ）はそれぞれ、第２の実施の形態に係る電子部品形成工程の要部断面模式図である。
【００４４】
まず、図７（Ａ）に示すように、パッド４２が形成された基板４１（電子部品４０Ａの本体部）上に、開口部４３ａを有する絶縁層４３を形成する。例えば、ＳｉＯ等の無機絶縁材料の場合には、堆積法等を用いてその絶縁材料を基板４１上に形成した後、フォリソグラフィ技術及びエッチング技術等を用いて、パッド４２に通じる開口を形成し、開口部４３ａを有する絶縁層４３を形成する。感光性のＰＩ等の有機絶縁材料の場合には、塗布法等を用いてその絶縁材料を基板４１上に形成した後、露光機を用いたパターニングによってパッド４２に通じる開口を形成し、開口部４３ａを有する絶縁層４３を形成する。絶縁層４３は、例えば、１２μｍの厚みとする。開口部４３ａの直径は、例えば、１００μｍとする。
【００４５】
次いで、図７（Ｂ）に示すように、絶縁層４３が形成された基板４１上に、スパッタ法を用いて、Ｔｉ、Ｃｕ等を堆積し、パッド４２及び絶縁層４３を覆うように、シード層４４を形成する。シード層４４は、例えば、１μｍ以下の厚みとする。
【００４６】
シード層４４の形成後は、図７（Ｃ）に示すように、絶縁層４３の開口部４３ａに対応する開口部５０ａを有するレジスト５０を形成する。例えば、図７（Ｂ）のようにしてシード層４４の形成まで行った基板４１上に、レジスト５０の材料を塗布し、露光機を用いたパターニングにより、絶縁層４３の開口部４３ａに対応する領域を開口し、図７（Ｃ）のような開口部５０ａを有するレジスト５０を形成する。
【００４７】
レジスト５０の形成後、図８（Ａ）に示すように、開口部４３ａにＵＢＭ層４５を形成する。例えば、レジスト５０をマスクにして、シード層４４を給電層に用いた電解めっき法により、絶縁層４３の開口部４３ａ内のシード層４４上にＣｕ、Ｎｉを堆積し、ＵＢＭ層４５を形成する。ＵＢＭ層４５は、例えば、５μｍの厚みとする。
【００４８】
ＵＢＭ層４５の形成後、レジスト５０を除去し、露出するシード層４４を除去する。これにより、図８（Ｂ）に示すような状態を得る。
次いで、図９（Ａ）に示すように、絶縁層４３の開口部４３ａ内のＵＢＭ層４５上に、導体層４６を形成する。導体層４６は、例えば、５μｍの厚みとする。尚、ここでは、導体層４６の内部構成の図示は省略している。以後の図９（Ｂ）〜図１０（Ｃ）についても同様である。
【００４９】
導体層４６は、無電解めっき法を用いて形成する。その際は、まずＰＴＦＥ、ＰＦＡ等の樹脂粒子（４６ｂ）を含有させた、Ｃｕ、Ｎｉ等の導体材料（４６ａ）の成分を含むめっき液を準備し、上記図８（Ｂ）の工程まで行った基板４１を、そのめっき液に浸漬し、無電解めっきを行う。これにより、絶縁層４３の開口部４３ａ内のＵＢＭ層４５上に、導体材料内に樹脂粒子が分散配置された導体層４６を形成する。
【００５０】
このように無電解めっき法で形成される導体層４６（めっき層）の、導体材料内の樹脂粒子濃度は、めっき液中に含有させる樹脂粒子濃度によって調整することができる。
ここで、めっき液中の樹脂粒子濃度（ｍｌ／ｌ）とめっき層中の樹脂粒子濃度（ｖｏｌ％）との関係の一例を図１１に示す。
【００５１】
図１１に示すように、上記のような無電解めっき法で形成されるめっき層中の樹脂粒子濃度は、めっき液中の樹脂粒子濃度の増加に伴って増加していき、或る一定の樹脂粒子濃度でピークＳとなり、それ以上の樹脂粒子濃度では徐々に減少していく傾向がある。めっき層中の樹脂粒子濃度のピークＳは約３０ｖｏｌ％である。例えば、この図１１のような知見に基づき、めっき液中に含有させる樹脂粒子濃度によって、導体層４６（めっき層）の樹脂粒子濃度を調整する。
【００５２】
また、図１２はめっき層中の樹脂粒子濃度（ｖｏｌ％）とめっき層の抵抗率（μΩ・ｃｍ）との関係の一例を示す図である。
図１２に示すように、上記のような無電解めっき法で形成されるめっき層の抵抗率は、めっき層中の樹脂粒子濃度の増加に伴って増加していく傾向がある。例えば、樹脂粒子を含有させない無電解Ｎｉめっき（リン（Ｐ）濃度８％〜１０％）で形成されるＮｉめっき層の場合、抵抗率Ｔは約６０μΩ・ｃｍであるが、ＰＴＦＥ等の樹脂粒子濃度の増加に伴い、抵抗率が増加していく。
【００５３】
導体層４６は、この上方に形成されるピラー４８に発生する応力を、導体層４６の内部の樹脂粒子で吸収、緩和する役割を果たす。この応力緩和効果は、導体層４６内の樹脂粒子の含有量（濃度）を一定値までは増加させることで高めることが可能である一方（図１１）、樹脂粒子濃度の増加に伴い、導体層４６の電気抵抗（抵抗率）は上昇する（図１２）。導体層４６の形成にあたっては、例えば、上記図１１及び図１２のような知見に基づき、電子部品４０Ａの形態、用途等に合わせて、めっき液中及びめっき層中に含有させる樹脂粒子の濃度を適切な値に設定する。
【００５４】
電子部品４０Ａの導体層４６の樹脂粒子濃度は、電子部品４０Ａの形態、用途等に合わせて、例えば、５ｖｏｌ％〜２０ｖｏｌ％、或いは５ｖｏｌ％〜１０ｖｏｌ％といった範囲に設定することができる。尚、導体層４６の樹脂粒子濃度の下限値は、ピラー４８に発生する応力の緩和効果が得られる値に設定することができ、樹脂粒子濃度の上限値は、ピラー４８とパッド４２の間が導通される値に設定することができる。
【００５５】
導体層４６の形成後は、図９（Ｂ）に示すように、絶縁層４３上及び導体層４６上に、スパッタ法を用いて、Ｔｉ、Ｃｕ等を堆積し、シード層４７を形成する。シード層４７は、例えば、１μｍ以下の厚みとする。
【００５６】
シード層４７の形成後、図９（Ｃ）に示すように、ピラー４８を形成する領域に開口部５１ａを有するレジスト５１を形成する。例えば、図９（Ｂ）のようにして形成したシード層４７上に、レジスト５１の材料を塗布し、露光機を用いたパターニングにより、導体層４６の上方の、ピラー４８を形成する領域を開口し、図９（Ｃ）のような開口部５１ａを有するレジスト５１を形成する。
【００５７】
レジスト５１の形成後、図１０（Ａ）に示すように、ピラー４８を形成する。例えば、レジスト５１をマスクにして、シード層４７を給電層に用いた電解めっき法により、開口部５１ａ内のシード層４７上にＣｕを堆積し、ピラー４８を形成する。例えば、直径が８０μｍ、高さ（厚み）が４０μｍのピラー４８を、シード層４７上に形成する。
【００５８】
尚、ここでは一例として上面が平坦なピラー４８を図示している。ピラー４８の上面の形状は、その形成時の電解めっき条件（めっき液濃度、めっき液温度、めっき浴への浸漬時間、めっき浴中のめっき液の流れ等）を制御することで、凸状、凹状、平坦面状、傾斜面状等、様々な形状に調整することが可能である。
【００５９】
また、ここでは図示を省略するが、ピラー４８の形成に続いて、同様に電解めっき法により、開口部５１ａ内のピラー４８上にＳｎやＳｎ−Ａｇ等の半田を堆積し、半田層４９（図６（Ｂ））を形成してもよい。尚、半田層４９の形成方法は、電解めっき法に限定されるものではなく、気相堆積法や塗布法等を用いることもできる。
【００６０】
ピラー４８の形成後（半田層４９を形成した場合にはその半田層４９の形成後）は、図１０（Ｂ）に示すように、レジスト５１を除去し、次いで、図１０（Ｃ）に示すように、露出するシード層４７を除去する。
【００６１】
以上の工程により、図１０（Ｃ）（及び図６（Ａ）又は図６（Ｂ））に示すような、ピラー４８下に樹脂粒子（４６ｂ）を含有する導体層４６を備え、ピラー４８の接続信頼性の高い電子部品４０Ａを得ることができる。
【００６２】
尚、ここでは、絶縁層４３の開口部４３ａよりも小さい直径のピラー４８を形成する場合を例示したが、開口部４３ａよりも大きい直径のピラー４８を形成することもできる。例えば、絶縁層４３に直径８０μｍの開口部４３ａを形成し、その開口部４３ａに上記のようにシード層４４、ＵＢＭ層４５及び導体層４６を形成し、その上に直径１００μｍの下地のシード層４７及びピラー４８を形成する。
【００６３】
次に、第３の実施の形態について説明する。
図１３は第３の実施の形態に係る電子部品の一例を示す図である。ここで、図１３（Ａ）は第３の実施の形態に係る電子部品の第１例の要部断面模式図、図１３（Ｂ）は第３の実施の形態に係る電子部品の第２例の要部断面模式図である。
【００６４】
図１３（Ａ）に示す電子部品４０Ｂは、導体層４６として、導体材料４６ａ内に比較的高い含有量で樹脂粒子４６ｂが分散配置された導体部４６Ｘ（樹脂リッチ導体部）と、比較的低い含有量で樹脂粒子４６ｂが分散配置された導体部４６Ｙ（樹脂プア導体部）とを有する。第３の実施の形態に係る電子部品４０Ｂは、このような導体層４６を有している点で、上記第２の実施の形態に係る電子部品４０Ａと相違する。
【００６５】
電子部品４０Ｂの導体層４６に含まれる導体部４６Ｘは、導体層４６の中央部に設けられる。導体部４６Ｙは、中央部の導体部４６Ｘよりも外側の外周部、及びその中央部の導体部４６Ｘの上部に設けられる。導体部４６Ｘ及び導体部４６Ｙそれぞれの樹脂粒子４６ｂの濃度は、上記図１１及び図１２について述べたような、ピラー４８に発生する応力の緩和効果及び電気抵抗に基づいて、設定される。中央部の導体部４６Ｘは、その樹脂粒子４６ｂの濃度を、例えば、２５ｖｏｌ％〜３０ｖｏｌ％に設定することができる。外周部の導体部４６Ｙは、その樹脂粒子４６ｂの濃度を、例えば、５ｖｏｌ％〜１０ｖｏｌ％に設定することができる。
【００６６】
電子部品４０Ｂでは、このような導体層４６上にシード層４７が設けられ、シード層４７上にピラー４８が設けられる。ピラー４８上には、図１３（Ｂ）に示すように、Ｓｎを含む半田等を用いた半田層４９が設けられてもよく、また、ここでは図示を省略するが、半田層４９とピラー４８との間に、Ｎｉ等のバリア層が介在されてもよい。
【００６７】
上記構成を有する電子部品４０Ｂは、ピラー４８等を用いて他の電子部品と接合される。電子部品４０Ｂの導体層４６は、パッド４２とピラー４８の間を導通させると共に、このように電子部品４０Ｂが他の電子部品と接合された後、発熱や加熱によりピラー４８に応力が生じる場合でも、その応力を、一定の弾性を有する樹脂粒子４６ｂで吸収、緩和する。これにより、ピラー４８にクラックが発生することが抑制され、接続信頼性の高いピラー４８を備える電子部品４０Ｂが実現される。
【００６８】
上記のように、電子部品４０Ｂでは、導体層４６の中央部に、比較的高い含有量で樹脂粒子４６ｂが分散配置された導体部４６Ｘが設けられ、その外周部に、比較的低い含有量で樹脂粒子４６ｂが分散配置された導体部４６Ｙが設けられる。樹脂粒子４６ｂの濃度が比較的高い中央部の導体部４６Ｘは、樹脂粒子４６ｂの濃度が比較的低い外周部の導体部４６Ｙに比べて、ピラー４８に発生する応力を吸収、緩和する効果が高い。一方、樹脂粒子４６ｂの濃度が比較的低い外周部の導体部４６Ｙは、樹脂粒子４６ｂの濃度が比較的高い中央部の導体部４６Ｘに比べて、電気抵抗が低い。
【００６９】
電子部品４０Ｂの導体層４６では、中央部の導体部４６Ｘと外周部の導体部４６Ｙの双方でピラー４８に発生する応力が吸収、緩和され、応力緩和効果が高い中央部の導体部４６Ｘでは、より効果的に応力が吸収、緩和される。たとえクラックがピラー４８の根元の外側から内側に向かって成長した場合でも、中央部の導体部４６Ｘでそのクラックの成長を食い止め、ピラー４８がパッド４２側と完全に断線してしまうことを抑制することができる。
【００７０】
また、電子部品４０Ｂの導体層４６では、中央部の導体部４６Ｘの外周部に、より電気抵抗の低い導体部４６Ｙを設けることで、外周部の電気抵抗の上昇、導体層４６全体の電気抵抗の上昇が抑制され、ピラー４８とパッド４２の間の導通が確保される。そのため、ピラー４８とパッド４２の間に、効果的に電流を流すことができ、大電流や、表皮効果が生じる高周波電流であっても、効果的に流すことができる。
【００７１】
上記のような導体部４６Ｘ及び導体部４６Ｙを有する導体層４６を設けることで、パッド４２とピラー４８の間の導通が可能で、且つ、接続信頼性の高いピラー４８を備えた電子部品４０Ｂを実現することができる。
【００７２】
続いて、上記構成を有する電子部品４０Ｂの形成方法の一例について、図１４〜図１６を参照して説明する。一例として、電子部品４０Ｂの形成では、上記電子部品４０Ａの形成について述べた図７及び図８の工程までは同じとすることができる。ここでは、それ以降の工程について、図１４〜図１６を参照して説明する。
【００７３】
図１４〜図１６は第３の実施の形態に係る電子部品形成方法の一例の説明図である。ここで、図１４（Ａ）〜図１４（Ｃ）、図１５（Ａ）〜図１５（Ｃ）、及び図１６（Ａ）〜図１６（Ｃ）はそれぞれ、第３の実施の形態に係る電子部品形成工程の要部断面模式図である。
【００７４】
まず、上記図７（Ａ）〜図７（Ｃ）並びに図８（Ａ）及び図８（Ｂ）の工程を行う。即ち、パッド４２が形成された基板４１上に、開口部４３ａを有する絶縁層４３を形成し（図７（Ａ））、シード層４４を形成し（図７（Ｂ））、ＵＢＭ層４５を形成し（図７（Ｃ）及び図８（Ａ））、シード層４４の部分的除去を行う（図８（Ｂ））。
【００７５】
その後、電子部品４０Ｂの形成では、図１４（Ａ）に示すように、ＵＢＭ層４５に通じる開口部５２ａを有するレジスト５２を形成する。例えば、レジスト５２の材料を塗布し、露光機を用いたパターニングにより、ＵＢＭ層４５の一部（中央部）に対応する領域を開口し、図１４（Ａ）のような開口部５２ａを有するレジスト５２を形成する。
【００７６】
そして、図１４（Ｂ）に示すように、レジスト５２の開口部５２ａに、上記導体層４６の中央部となる、比較的樹脂粒子（４６ｂ）の濃度が高い導体部４６Ｘを形成する。尚、ここでは、導体部４６Ｘの内部構成の図示は省略している。以後の図１４（Ｂ）〜図１６（Ｃ）についても同様である。
【００７７】
導体部４６Ｘは、無電解めっき法を用いて形成する。その際は、まずＰＴＦＥ、ＰＦＡ等の樹脂粒子（４６ｂ）を含有させた、Ｃｕ、Ｎｉ等の導体材料（４６ａ）の成分を含むめっき液を準備し、上記図１４（Ａ）の工程まで行った基板４１を、そのめっき液に浸漬し、無電解めっきを行う。これにより、レジスト５２の開口部５２ａ内のＵＢＭ層４５上に、導体材料内に樹脂粒子が比較的高濃度で含有される導体部４６Ｘ（例えば厚み５μｍ）を形成する。
【００７８】
この無電解めっき時のめっき液中には、例えば、形成される導体部４６Ｘ（めっき層）中の樹脂粒子濃度が２５ｖｏｌ％〜３０ｖｏｌ％となるように、樹脂粒子を含有させ、このようなめっき液を用いた無電解めっきにより、導体部４６Ｘを形成する。導体部４６Ｘの樹脂粒子濃度の下限値は、例えば、一定レベル以上の十分な応力緩和効果が得られる値に設定することができる。導体部４６Ｘの樹脂粒子濃度の上限値は、例えば、めっき層中に含有可能な樹脂粒子濃度の最大値（図１１のピークＳ）に設定することができる。
【００７９】
導体部４６Ｘの直径は、例えば、ピラー４８の直径の半分以上とすることができる。導体部４６Ｘの形成に先立って行われる上記図１４（Ａ）のレジスト５２の形成工程では、この図１４（Ｂ）の工程で形成する導体部４６Ｘの直径に基づき、開口部５２ａの開口サイズ（直径）が設定される。
【００８０】
導体部４６Ｘの形成後、図１４（Ｃ）に示すように、レジスト５２を除去する。
次いで、図１５（Ａ）に示すように、導体部４６Ｘで覆われていないＵＢＭ層４５上、及び導体部４６Ｘ上に、上記導体層４６の、比較的樹脂粒子（４６ｂ）の濃度が低い導体部４６Ｙを形成する。尚、ここでは、導体部４６Ｙの内部構成の図示は省略している。以後の図１５（Ｂ）〜図１６（Ｃ）についても同様である。
【００８１】
導体部４６Ｙは、中央部の導体部４６Ｘと同様に、無電解めっき法を用いて形成する。即ち、まずＰＴＦＥ、ＰＦＡ等の樹脂粒子（４６ｂ）を含有させた、Ｃｕ、Ｎｉ等の導体材料（４６ａ）の成分を含むめっき液を準備し、上記図１４（Ｃ）の工程まで行った基板４１を、そのめっき液に浸漬し、無電解めっきを行う。これにより、ＵＢＭ層４５上、及び先に形成した中央部の導体部４６Ｘ上に、導体材料内に樹脂粒子が比較的低濃度で含有される導体部４６Ｙ（例えば厚み５μｍ）を形成する。
【００８２】
この無電解めっき時のめっき液中には、例えば、形成される導体部４６Ｙ（めっき層）中の樹脂粒子濃度が５ｖｏｌ％〜１０ｖｏｌ％となるように、樹脂粒子を含有させ、このようなめっき液を用いた無電解めっきにより、導体部４６Ｙを形成する。導体部４６Ｙの樹脂粒子濃度の下限値は、例えば、一定レベル以上の応力緩和効果が得られる値に設定することができる。導体部４６Ｙの樹脂粒子濃度の上限値は、例えば、一定レベル以上の応力緩和効果が得られ、且つ、電気抵抗率が一定レベル以下となるような値（図１２）に設定することができる。
【００８３】
図１４（Ａ）〜図１５（Ａ）の工程により、ＵＢＭ層４５上に、中央部の導体部４６Ｘと外周部の導体部４６Ｙとを含む導体層４６が形成される。導体部４６Ｘと導体部４６Ｙの各々の樹脂粒子濃度は、上記図１１及び図１２のような知見に基づき、電子部品４０Ｂの形態、用途等に合わせて、設定される。
【００８４】
導体層４６の形成後は、図１５（Ｂ）に示すように、絶縁層４３上及び導体層４６（この例では導体部４６Ｙ）上に、スパッタ法を用いて、Ｔｉ、Ｃｕ等を堆積し、シード層４７を形成する。
【００８５】
シード層４７の形成後、図１５（Ｃ）に示すように、ピラー４８を形成する領域に開口部５３ａを有するレジスト５３を形成する。例えば、図１５（Ｂ）のようにして形成したシード層４７上に、レジスト５３の材料を塗布し、露光機を用いたパターニングにより、導体層４６の上方の、ピラー４８を形成する領域を開口し、図１５（Ｃ）のような開口部５３ａを有するレジスト５３を形成する。
【００８６】
レジスト５３の形成後、図１６（Ａ）に示すように、ピラー４８を形成する。例えば、レジスト５３をマスクにして、シード層４７を給電層に用いた電解めっき法により、開口部５３ａ内のシード層４７上にＣｕを堆積し、ピラー４８を形成する。
【００８７】
尚、ここでは一例として上面が平坦なピラー４８を図示するが、下の導体層４６の形状から、上面中央部が凸状のピラー４８も形成され得る。ピラー４８の上面の形状は、その形成時の電解めっき条件（めっき液濃度、めっき液温度、めっき浴への浸漬時間、めっき浴中のめっき液の流れ等）を制御することで、凸状、凹状、平坦面状、傾斜面状等、様々な形状に調整することが可能である。
【００８８】
また、ここでは図示を省略するが、ピラー４８の形成に続いて、同様に電解めっき法により、開口部５３ａ内のピラー４８上にＳｎやＳｎ−Ａｇ等の半田を堆積し、半田層４９（図１３（Ｂ））を形成してもよい。尚、半田層４９の形成方法は、電解めっき法に限定されるものではなく、気相堆積法や塗布法等を用いることもできる。
【００８９】
ピラー４８の形成後（半田層４９を形成した場合にはその半田層４９の形成後）は、図１６（Ｂ）に示すように、レジスト５３を除去し、次いで、図１６（Ｃ）に示すように、露出するシード層４７を除去する。
【００９０】
以上の工程により、図１６（Ｃ）（及び図１３（Ａ）又は図１３（Ｂ））に示すような、ピラー４８下に、樹脂粒子（４６ｂ）の含有量が異なる導体部４６Ｘ，４６Ｙを含む導体層４６を備え、パッド４２とピラー４８の間の導通が可能で、且つ、ピラー４８の接続信頼性の高い電子部品４０Ｂを得ることができる。
【００９１】
尚、ここでは、絶縁層４３の開口部４３ａよりも小さい直径のピラー４８を形成する場合を例示したが、開口部４３ａよりも大きい直径のピラー４８を形成することもできる。例えば、絶縁層４３に直径８０μｍの開口部４３ａを形成し、その開口部４３ａに上記のようにシード層４４、ＵＢＭ層４５及び導体層４６を形成し、その上に直径１００μｍのピラー４８と下地のシード層４７を形成する。
【００９２】
また、ここでは、導体部４６Ｙが、ＵＢＭ層４５上のほか、中央部の導体部４６Ｘ上にも形成される場合（図１５（Ａ））を例示したが、中央部の導体部４６Ｘ上に形成される導体部４６Ｙは、除去することもできる。この場合は、図１５（Ａ）の工程後、中央部の導体部４６Ｘ上に形成された導体部４６Ｙに通じる開口部を有するレジストを形成し、そのレジストをマスクにして、エッチング等により、導体部４６Ｘ上の導体部４６Ｙを除去する。以降は、図１５（Ｂ）〜図１６（Ｃ）（或いは図９（Ｂ）〜図１０（Ｃ））の例に従う工程を行えばよい。
【００９３】
次に、第４の実施の形態について説明する。
上記第２及び第３の実施の形態で述べたような電子部品４０Ａ及び電子部品４０Ｂは、ピラー４８を用いて他の電子部品と接合することができる。ここでは、上記第３の実施の形態で述べた電子部品４０Ｂ（図１６（Ｃ），図１３（Ａ））を例に、他の電子部品との接合形態の例を、第４の実施の形態として説明する。
【００９４】
図１７は第４の実施の形態に係る電子装置の第１構成例の説明図である。ここで、図１７（Ａ）は第１構成例に係る電子部品同士の接合前の一状態を示す要部断面模式図、図１７（Ｂ）は第１構成例に係る電子部品同士の接合後の一状態を示す要部断面模式図である。
【００９５】
図１７（Ａ）及び図１７（Ｂ）には、電子部品４０Ｂを、電極６２を有する電子部品６０Ａと接合する場合を例示している。
電子部品６０Ａは、基板６１と、基板６１上に設けられた電極６２及び絶縁層６３とを有する。電子部品６０Ａは、例えば、半導体素子、半導体パッケージ又は回路基板であり、基板６１は、このような電子部品の本体部である。尚、電子部品６０Ａの本体部の構成例については後述する（図２４〜図２６）。電極６２には、Ｃｕ、Ｎｉ等の導体材料が用いられる。電極６３には、パッド、ＵＢＭが含まれ得る。電極６２の表面には、ＮｉとＡｕの積層体又はＡｕ層が設けられてもよい。電極６２は、電子部品６０Ａの接合相手である電子部品４０Ｂのピラー４８に対応する位置に設けられる。絶縁層６３には、ＳｉＯ等の無機系絶縁材料、ＰＩ等の有機系絶縁材料が用いられる。例えば、このような構成を有する電子部品６０Ａの電極６２上に、半田７０が設けられる。
【００９６】
電子部品４０Ｂと上記電子部品６０Ａとの接合時には、まず図１７（Ａ）に示すように、電子部品４０Ｂと電子部品６０Ａが、互いのピラー４８と電極６２の配設面が対向するように配置され、ピラー４８と電極６２の位置合わせが行われる。そして、電子部品４０Ｂと電子部品６０Ａを接近させ、半田７０のリフロー温度で加熱を行い、図１７（Ｂ）に示すように、ピラー４８と電極６２上の半田７０とを接合する。これにより、ピラー４８と電極６２が半田７０を用いて電気的に接続された電子部品４０Ｂ及び電子部品６０Ａを有する電子装置１Ａが得られる。
【００９７】
電子装置１Ａでは、このような電子部品４０Ｂと電子部品６０Ａの接合後、それらの動作（通電）時の発熱や接合後の加熱によって、電子部品４０Ｂと電子部品６０Ａの接合部に応力が発生し得る。この応力は、接合部に含まれる要素のうち、半田７０に比べて硬いＣｕ等が用いられた細い柱状のピラー４８に比較的集中し易い。
【００９８】
電子装置１Ａでは、ピラー４８下に導体層４６（この例では導体部４６Ｘ及び導体部４６Ｙ）を設けていることで、上記のようにピラー４８に応力が発生しても、その応力を導体層４６の樹脂粒子（４６ｂ）で吸収、緩和することができる。そのため、ピラー４８に発生する応力に起因した破損、例えば、ピラー４８の根元に発生するクラックを、効果的に抑制することができる。導体層４６を設けた電子部品４０Ｂを用いることで、接合相手の電子部品６０Ａとの接続信頼性に優れた電子装置１Ａを実現することができる。
【００９９】
尚、ここでは、電子部品６０Ａの電極６２上に予め半田７０を設けるようにしたが、半田７０は、電子部品４０Ｂのピラー４８上に予め設けてもよく（図１３（Ｂ）の半田層４９）、また、電極６２上とピラー４８上の双方に予め設けてもよい。
【０１００】
図１８は第４の実施の形態に係る電子装置の第２構成例の説明図である。ここで、図１８（Ａ）は第２構成例に係る電子部品同士の接合前の一状態を示す要部断面模式図、図１８（Ｂ）は第２構成例に係る電子部品同士の接合後の一状態を示す要部断面模式図である。
【０１０１】
図１８（Ａ）及び図１８（Ｂ）には、電子部品４０Ｂを、電極６２を有する基板６１上に設けられたピラー６４を有する電子部品６０Ｂと接合する場合を例示している。ピラー６４には、Ｃｕ、Ｎｉ等の導体材料が用いられる。ピラー６４は、電子部品６０Ｂの接合相手である電子部品４０Ｂのピラー４８に対応する位置に設けられる。例えば、ピラー６４上（電極６２側と反対の側）に半田７０が設けられる。
【０１０２】
電子部品４０Ｂと上記電子部品６０Ｂとの接合時には、まず図１８（Ａ）に示すように、電子部品４０Ｂと電子部品６０Ｂが、互いのピラー４８とピラー６４の配設面が対向するように配置され、ピラー４８とピラー６４の位置合わせが行われる。そして、電子部品４０Ｂと電子部品６０Ｂを接近させ、半田７０のリフロー温度で加熱を行い、図１８（Ｂ）に示すように、ピラー４８とピラー６４上の半田７０とを接合する。これにより、ピラー４８とピラー６４が半田７０を介して電気的に接続された電子部品４０Ｂ及び電子部品６０Ｂを有する電子装置１Ｂが得られる。
【０１０３】
このような電子装置１Ｂにおいても、発熱や加熱によってピラー４８に発生する応力が、導体層４６の樹脂粒子（４６ｂ）で吸収、緩和される。導体層４６を設けた電子部品４０Ｂを用いることで、接合相手の電子部品６０Ｂとの接続信頼性に優れた電子装置１Ｂを実現することができる。
【０１０４】
尚、電子部品６０Ｂのピラー６４下（電極６２側）に、電子部品４０Ｂの導体層４６と同様の導体層を設けてもよい。これにより、ピラー４８のほか、ピラー６４の接続信頼性を高め、より接続信頼性に優れる電子装置１Ｂを実現することが可能になる。
【０１０５】
また、ここでは、電子部品６０Ｂのピラー６４上に予め半田７０を設けるようにしたが、半田７０は、電子部品４０Ｂのピラー４８上に予め設けてもよく（図１３（Ｂ）の半田層４９）、また、ピラー６４上とピラー４８上の双方に予め設けてもよい。
【０１０６】
図１９は第４の実施の形態に係る電子装置の第３構成例の説明図である。ここで、図１９（Ａ）は第３構成例に係る電子部品同士の接合前の一状態を示す要部断面模式図、図１９（Ｂ）は第３構成例に係る電子部品同士の接合後の一状態を示す要部断面模式図である。
【０１０７】
図１９（Ａ）及び図１９（Ｂ）には、絶縁層４３の開口部４３ａよりも大きい直径のピラー４８を設けた電子部品４０Ｂを、基板６１上に電極６２及び絶縁層６３を有する電子部品６０Ａと接合する場合を例示している。これらの電子部品４０Ｂと電子部品６０Ａとの半田７０を用いた接合は、上記の図１７（Ａ）及び図１７（Ｂ）で述べたのと同様の手順で、図１９（Ａ）及び図１９（Ｂ）に示したように行うことができる。尚、ピラー４８上に半田７０（図１３（Ｂ）の半田層４９）を設けることもできる。これにより、図１９（Ｂ）に示すような電子装置１Ｃが得られる。
【０１０８】
このような電子装置１Ｃにおいても、発熱や加熱によってピラー４８に発生する応力が、導体層４６の樹脂粒子（４６ｂ）で吸収、緩和される。この電子装置１Ｃのピラー４８のように、その直径が絶縁層４３の開口部４３ａよりも大きい場合には、開口部４３ａ内の直径が絞られた部位に応力が集中し易く、このような部位で破損が発生し易い。電子装置１Ｃでは、導体層４６により、このような応力を効果的に吸収、緩和することができる。電子部品４０Ｂのピラー４８が、絶縁層４３の開口部４３ａに対して大径化した場合でも、そのピラー４８下に導体層４６を設けることで、接合相手の電子部品６０Ａとの接続信頼性に優れた電子装置１Ｃを実現することができる。
【０１０９】
図１７〜図１９では、上記第３の実施の形態に係る電子部品４０Ｂを例にしたが、上記第２の実施の形態に係る電子部品４０Ａでも同様にして、他の電子部品６０Ａ，６０Ｂとの接合を行い、それぞれ電子装置を得ることが可能である。
【０１１０】
次に、第５の実施の形態について説明する。
ここでは、上記第２及び第３の実施の形態で述べたような電子部品４０Ａ及び電子部品４０Ｂの変形例を、第５の実施の形態として説明する。
【０１１１】
図２０は第５の実施の形態に係る第１変形例の電子部品を示す図である。ここで、図２０は第５の実施の形態に係る第１変形例の電子部品の要部断面模式図である。
図２０に示す電子部品４０Ｃは、ピラー４８下のほか、ピラー４８上にも導体層４６が設けられている点で、上記第３の実施の形態に係る電子部品４０Ｂと相違する。
【０１１２】
ピラー４８上には、例えば、上記第３の実施の形態で述べたような、導体材料（４６ａ）内に比較的高濃度で樹脂粒子（４６ｂ）を含有する導体部４６Ｘと、比較的低濃度で樹脂粒子（４６ｂ）を含有する導体部４６Ｙとを有する導体層４６を設けることができる。また、ここでは図示を省略するが、ピラー４８上には、上記第２の実施の形態で述べたような、導体材料（４６ａ）内に全体的に分散した樹脂粒子（４６ｂ）を含有する導体層４６を設けることもできる。尚、ここでは、導体層４６の内部構成の図示は省略している。
【０１１３】
上記構成を有する電子部品４０Ｃは、ピラー４８の形成後、上記図１４（Ａ）〜図１５（Ａ）或いは図９（Ａ）の例に従い、ピラー４８上に導体層４６を形成することで、得ることができる。
【０１１４】
図２１は第５の実施の形態に係る第１変形例の電子部品を用いた電子装置の一例を示す図である。ここで、図２１は第５の実施の形態に係る電子装置の要部断面模式図である。
上記のような電子部品４０Ｃは、他の電子部品、ここでは一例としてピラー６４を有する電子部品６０Ｂと接合することができる。
【０１１５】
接合時には、電子部品４０Ｃと電子部品６０Ｂが、互いのピラー４８とピラー６４の配設面が対向するように配置され、ピラー４８とピラー６４の位置合わせが行われる。そして、電子部品４０Ｃと電子部品６０Ｂを接近させ、半田７０のリフロー温度で加熱を行い、ピラー４８とピラー６４を半田７０で接合する。これにより、図２１に示すような、ピラー４８とピラー６４が半田７０を介して電気的に接続された電子部品４０Ｃ及び電子部品６０Ｂを有する電子装置１Ｄが得られる。
【０１１６】
上記のような電子装置１Ｄでは、ピラー４８下のほか、ピラー４８上にも導体層４６が設けられていることで、発熱や加熱によってピラー４８に発生する応力を、一層効果的に吸収、緩和することが可能になる。これにより、電子部品４０Ｃのピラー４８の接続信頼性、ピラー４８を介した電子部品４０Ｃと電子部品６０Ｂの接続信頼性を高めることが可能になる。
【０１１７】
尚、ここでは、電子部品４０Ｃの接合相手の電子部品として、ピラー６４を有する電子部品６０Ｂを例にしたが、接合相手の電子部品の形態は、これに限定されるものではなく、他の形態の電子部品についても、上記同様の効果を得ることができる。
【０１１８】
また、上記第２の実施の形態に係る電子部品４０Ａのピラー４８上に、上記第２の実施の形態で述べたような導体層４６、或いは、上記第３の実施の形態で述べたような導体層４６（導体部Ｘ及び導体部４６Ｙ）を設けることもできる。このような構成によっても、上記同様の効果を得ることができる。
【０１１９】
また、電子部品４０Ｃ等において、ピラー４８上の導体層４６の上には更に、半田層（４９）を設けることもできる。
図２２は第５の実施の形態に係る第２変形例の電子部品を示す図である。ここで、図２２（Ａ）及び図２２（Ｂ）は第５の実施の形態に係る第２変形例の電子部品の要部断面模式図である。
【０１２０】
図２２（Ａ）に示す電子部品４０Ｄは、ピラー４８下のほか、パッド４２とシード層４４の間にも導体層４６が設けられている点で、上記第３の実施の形態に係る電子部品４０Ｂと相違する。また、図２２（Ｂ）に示す電子部品４０Ｅは、ピラー４８下のほか、シード層４４とＵＢＭ層４５の間にも導体層４６が設けられている点で、上記第３の実施の形態に係る電子部品４０Ｂと相違する。
【０１２１】
パッド４２とシード層４４の間、シード層４４とＵＢＭ層４５の間には、例えば、上記第３の実施の形態で述べたような導体層４６を設けることができる。即ち、導体材料（４６ａ）内に比較的高濃度で樹脂粒子（４６ｂ）を含有する導体部４６Ｘと、比較的低濃度で樹脂粒子（４６ｂ）を含有する導体部４６Ｙとを有する導体層４６を設けることができる。また、ここでは図示を省略するが、パッド４２とシード層４４の間、シード層４４とＵＢＭ層４５の間には、上記第２の実施の形態で述べたような、導体材料（４６ａ）内に全体的に分散した樹脂粒子（４６ｂ）を含有する導体層４６を設けることもできる。尚、ここでは、導体層４６の内部構成の図示は省略している。
【０１２２】
上記構成を有する電子部品４０Ｄは、次のようにして得ることができる。即ち、上記図７（Ａ）の工程において、絶縁層４３の開口部４３ａ内のパッド４２上に、上記図１４（Ａ）〜図１５（Ａ）或いは図９（Ａ）の例に従い、導体層４６を形成する。次いで、上記図７（Ｂ）の例に従い、シード層４４の形成を行う。その後は、上記図７（Ｃ）以降の工程を行えばよい。
【０１２３】
また、上記構成を有する電子部品４０Ｅは、次のようにして得ることができる。即ち、上記図７（Ｂ）に示したシード層４４の形成後、絶縁層４３の開口部４３ａ内のシード層４４上に、上記図１４（Ａ）〜図１５（Ａ）或いは図９（Ａ）の例に従い、導体層４６を形成する。次いで、上記図７（Ｃ）〜図８（Ｂ）の例に従い、ＵＢＭ層４５の形成を行う。その後は、上記図１４（Ａ）以降の工程を行えばよい。
【０１２４】
尚、電子部品４０Ｄ及び電子部品４０Ｅにおいも、ピラー４８上に半田層（４９）を設けたり、その半田層とピラー４８の間にバリア層を介在させたりすることもできる。
図２３は第５の実施の形態に係る第２変形例の電子部品を用いた電子装置の一例を示す図である。ここで、図２３は第５の実施の形態に係る電子装置の要部断面模式図である。
【０１２５】
図２３には一例として、図２２（Ａ）の電子部品４０Ｄと、ピラー６４を有する電子部品６０Ｂとの接合を示している。
接合時には、電子部品４０Ｄと電子部品６０Ｂが、互いのピラー４８とピラー６４の配設面が対向するように配置され、ピラー４８とピラー６４の位置合わせが行われる。そして、電子部品４０Ｃと電子部品６０Ｂを接近させ、半田７０のリフロー温度で加熱を行い、ピラー４８とピラー６４を半田７０で接合する。これにより、図２３に示すような、ピラー４８とピラー６４が半田７０を介して電気的に接続された電子部品４０Ｄ及び電子部品６０Ｂを有する電子装置１Ｅが得られる。
【０１２６】
上記のような電子装置１Ｅでは、ピラー４８下のほか、パッド４２とシード層４４の間にも導体層４６が設けられていることで、発熱や加熱等によって電子部品４０Ｄと電子部品６０Ｂの間の接合部に発生する応力を効果的に吸収、緩和することが可能になる。これにより、電子部品４０Ｄのピラー４８の接続信頼性、ピラー４８を介した電子部品４０Ｄと電子部品６０Ｂの接続信頼性を高めることが可能になる。
【０１２７】
尚、ここでは、電子部品４０Ｄの接合相手の電子部品として、ピラー６４を有する電子部品６０Ｂを例にしたが、接合相手の電子部品の形態は、これに限定されるものではなく、他の形態の電子部品についても、上記同様の効果を得ることができる。
【０１２８】
また、ここでは電子部品４０Ｄを例にしたが、図２２（Ｂ）の電子部品４０Ｅも同様に、電子部品６０Ｂ等の他の電子部品と接合することが可能であり、上記同様の効果を得ることができる。
【０１２９】
また、電子部品４０Ｄ及び電子部品４０Ｅのピラー４８上に更に、上記第２の実施の形態で述べた導体層４６、或いは、上記第３の実施の形態で述べた導体層４６を設けることもできる。
【０１３０】
また、上記第２の実施の形態に係る電子部品４０Ａのパッド４２とシード層４４の間や、シード層４４とＵＢＭ層４５の間、更にピラー４８上に、上記第２の実施の形態で述べた導体層４６、或いは、上記第３の実施の形態で述べた導体層４６を設けることもできる。このような構成によっても、上記同様の効果を得ることができる。
【０１３１】
以上、第１〜第５の実施の形態について説明した。
以上説明した電子部品１０，２０，４０Ａ，４０Ｂ，４０Ｃ，４０Ｄ，４０Ｅ，６０Ａ，６０Ｂには、各種電子部品が用いられ、例えば、前述のように半導体素子、半導体パッケージ又は回路基板が用いられる。半導体素子、半導体パッケージ、回路基板の構成例を、それぞれ以下の図２４〜図２６に示す。
【０１３２】
図２４は半導体素子の一例を示す図である。ここで、図２４は半導体素子の一例の要部断面模式図である。
図２４に示す半導体素子１００は、トランジスタ等の素子が設けられた半導体基板１１０と、半導体基板１１０上に設けられた配線層１２０とを有する。
【０１３３】
半導体基板１１０には、シリコン（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、シリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ）等の基板が用いられる。このような半導体基板１１０に、トランジスタ、容量、抵抗等の素子が設けられる。図２４には素子の一例として、ＭＯＳ（Metal Oxide Semiconductor）トランジスタ１３０を図示している。
【０１３４】
ＭＯＳトランジスタ１３０は、半導体基板１１０に設けられた素子分離領域１１０ａにより画定された素子領域に設けられる。ＭＯＳトランジスタ１３０は、半導体基板１１０上にゲート絶縁膜１３１を介して形成されたゲート電極１３２と、ゲート電極１３２の両側の半導体基板１１０内に形成されたソース領域１３３及びドレイン領域１３４とを有する。ゲート電極１３２の側壁には、絶縁膜のスペーサ１３５が設けられる。
【０１３５】
このようなＭＯＳトランジスタ１３０等が設けられた半導体基板１１０上に、配線層１２０が設けられる。配線層１２０は、半導体基板１１０に設けられたＭＯＳトランジスタ１３０等に電気的に接続された導体部１２１（配線及びビア）と、導体部１２１を覆う絶縁部１２２とを有する。図２４には一例として、ＭＯＳトランジスタ１３０のソース領域１３３及びドレイン領域１３４に電気的に接続された導体部１２１を図示している。導体部１２１には、Ｃｕ、Ａｌ等の各種導体材料が用いられる。絶縁部１２２には、ＳｉＯ等の無機絶縁材料や、樹脂等の有機絶縁材料が用いられる。
【０１３６】
例えば、配線層１２０の、最上層の導体部１２１（その全部又は一部）が、上記電子部品１０，２０の電極部１２，２２、電子部品４０Ａ〜４０Ｅのパッド４２、電子部品６０Ａ，６０Ｂの電極６２として用いられる。
【０１３７】
図２５は半導体パッケージの一例を示す図である。ここで、図２５は半導体パッケージの一例の要部断面模式図である。
図２５に示す半導体パッケージ２００は、パッケージ基板（回路基板）３００と、パッケージ基板３００上に搭載された半導体素子４００と、半導体素子４００を封止する封止層５００とを有する。
【０１３８】
パッケージ基板３００には、例えば、プリント基板が用いられる。パッケージ基板３００は、導体部３１０（配線及びビア）と、導体部３１０を覆う絶縁部３２０とを有する。導体部３１０には、Ｃｕ、Ａｌ等の各種導体材料が用いられる。絶縁部３２０には、ＰＩや、フェノール樹脂、エポキシ樹脂等の樹脂材料、そのような樹脂材料をガラス繊維や炭素繊維に含浸した複合樹脂材料等が用いられる。
【０１３９】
このようなパッケージ基板３００上に、半導体素子４００が、それに設けられた半田バンプ等の接続部４１０で電気的に接続（フリップチップボンディング）される。パッケージ基板３００と半導体素子４００の間には、アンダーフィル樹脂５１０が充填される。パッケージ基板３００上の半導体素子４００は、封止層５００で封止される。封止層５００には、エポキシ樹脂等の樹脂材料、そのような樹脂材料に絶縁性フィラーを含有させた材料等が用いられる。
【０１４０】
尚、半導体素子４００は、パッケージ基板３００にワイヤボンディングで電気的に接続されてもよい。また、パッケージ基板３００上には、複数の半導体素子４００が搭載されてもよく、半導体素子４００のほか、チップコンデンサ等の他の電子部品が搭載されてもよい。
【０１４１】
例えば、パッケージ基板３００の、半導体素子４００の搭載面と反対側の表面の導体部３１０（その全部又は一部）が、上記電子部品１０，２０の電極部１２，２２、電子部品４０Ａ〜４０Ｅのパッド４２、電子部品６０Ａ，６０Ｂの電極６２として用いられる。
【０１４２】
図２６は回路基板の一例を示す図である。ここで、図２６は回路基板の一例の要部断面模式図である。
図２６には、回路基板６００として、複数の配線層を含む多層プリント基板を例示している。回路基板６００は、上記図２５に示したパッケージ基板３００と同様、Ｃｕ、Ａｌ等の導体部６１０（配線及びビア）と、導体部６１０を覆う樹脂材料等の絶縁部６２０とを有する。
【０１４３】
例えば、回路基板６００の、最上層又は最下層の導体部６１０（その全部又は一部）が、上記電子部品１０，２０の電極部１２，２２、電子部品４０Ａ〜４０Ｅのパッド４２、電子部品６０Ａ，６０Ｂの電極６２として用いられる。
【０１４４】
上記第１〜第５の実施の形態で述べた電子部品（本体部）には、例えば図２４〜図２６に例示するような半導体素子１００、半導体パッケージ２００、回路基板６００を用いることが可能である。
【０１４５】
尚、接合可能な電子部品同士の組合せとしては、例えば、半導体素子と回路基板の組合せ、半導体パッケージと回路基板の組合せ、半導体素子と半導体パッケージの組合せがある。このほか、半導体素子同士の組合せ、半導体パッケージ同士の組合せ、回路基板同士の組合せがある。
【０１４６】
また、上記第１〜第５の実施の形態で述べた電子部品（本体部）には、樹脂層に埋設された半導体素子を含む擬似ＳｏＣ（System on Chip）を用いることも可能である。
擬似ＳｏＣの一例を図２７に示す。ここで、図２７は擬似ＳｏＣの要部断面模式図である。
【０１４７】
図２７に示す擬似ＳｏＣ７００は、樹脂層７１０と、樹脂層７１０に埋設された複数（ここでは一例として２つ）の半導体素子７２０と、樹脂層７１０上に設けられた配線層（再配線層）７３０とを有する。各半導体素子７２０には、同じ又は異なる各種半導体素子が用いられる。再配線層７３０は、Ｃｕ、Ａｌ等の各種導体材料を用いた導体部７３１（配線及びビア）と、導体部７３１を覆う無機系又は有機系の各種絶縁材料を用いた絶縁部７３２とを有する。導体部７３１は、半導体素子７２０に設けられた電極７２１に電気的に接続される。
【０１４８】
尚、樹脂層７１０には、半導体素子７２０のほか、チップコンデンサ等の他の電子部品が埋設されてもよい。
例えば、擬似ＳｏＣ７００の、再配線層７３０の最上層の導体部７３１（その全部又は一部）が、上記電子部品１０，２０の電極部１２，２２、電子部品４０Ａ〜４０Ｅのパッド４２、電子部品６０Ａ，６０Ｂの電極６２として用いられる。
【０１４９】
このような擬似ＳｏＣのほか、個片化前の擬似ＳｏＣを含む基板を、上記第１〜第５の実施の形態で述べた電子部品（本体部）に用いてもよい。
以下に実施例を示す。
【０１５０】
〔実施例１〕
Ａｌパッドを有する第１半導体素子（その本体部）上に、厚さ１２μｍで絶縁材料を塗布し、Ａｌパッドの位置に直径１００μｍの開口部をパターニングにより形成し、Ａｌパッドに通じる開口部を有する絶縁層を形成した。その後、スパッタ法を用い、全面にシード層として、厚さ１００ｎｍのＴｉ層と、厚さ２００ｎｍのＣｕ層とを積層形成した。シード層の形成後、厚さ１０μｍでレジスト材料を塗布し、露光機にてパターニングを行い、Ａｌパッドの上方に、シード層に通じる直径１００μｍの開口部を有するレジストを形成した。このレジストをマスクにして、電解Ｃｕめっきにより、厚さ３μｍのＣｕ層を形成し、更に電解Ｎｉめっきにより、厚さ２μｍのＮｉ層を形成し、その後、レジストの剥離とシード層のエッチングを行って、ＵＢＭ層を形成した。
【０１５１】
次いで、レジスト材料を塗布し、絶縁層の、Ａｌパッドに通じる開口部の中央部に、直径４０μｍの開口部を有するレジストを形成した。このレジストをマスクにして、無電解めっきにより、樹脂粒子を含有する導体層を形成した。この例では、無電解Ｃｕめっき液中に粒径１００ｎｍのＰＴＦＥ粒子を含有させ、このめっき液を用いて無電解Ｃｕめっきを行い、直径４０μｍのレジストの開口部内に、厚さ５μｍの導体部（樹脂リッチ導体部）を形成した。樹脂リッチ導体部の樹脂粒子濃度は３０ｖｏｌ％であった。樹脂リッチ導体部の形成後、レジストの剥離を行い、無電解Ｃｕめっき液中に粒径１００ｎｍのＰＴＦＥ粒子を含有させ、このめっき液を用いて無電解Ｃｕめっきを行い、樹脂リッチ導体部の外周部と上部に、厚さ５μｍの樹脂プア導体部を形成した。樹脂プア導体部中の樹脂粒子の含有率は５ｖｏｌ％であった。
【０１５２】
導体層（樹脂リッチ導体部及び樹脂プア導体部）の形成後、スパッタ法を用い、全面にシード層として、厚さ１００ｎｍのＴｉ層と、厚さ２００ｎｍのＣｕ層とを積層形成した。このシード層上に、厚さ５０μｍのレジスト材料を塗布し、露光機によりパターニングを行い、導体層上のピラーを形成する領域に直径８０μｍの開口部を有するレジストを形成した。このレジストをマスクにして、電解Ｃｕめっきにより、厚さ４０μｍのＣｕピラーを形成し、更に、電解Ｓｎ−Ａｇめっきにより、厚さ１０μｍのＳｎ−１．５Ａｇ（Ａｇ；１．５ｗｔ％）半田層を形成した。Ｃｕピラー及びＳｎ−１．５Ａｇ半田層の形成後、レジストを剥離し、シード層のエッチングを行った。
【０１５３】
これにより、一方の第１半導体素子を形成した。
この第１半導体素子に接合されるもう一方の第２半導体素子には、その電極上にＮｉ層及びＡｕ層を形成した。まず、第２半導体素子（その本体部）上に、厚さ１０μｍのレジスト材料を塗布し、露光機にてパターニングを行い、電極に通じる直径８０μｍの開口部を有するレジストを形成した。このレジストをマスクにして、電極上に、電解Ｎｉめっきにより、厚さ４μｍのＮｉ層を形成し、更に、電解Ａｕめっきにより、厚さ０．０５μｍのＡｕ層を形成した。その後、レジストを剥離した。
【０１５４】
上記のようにして第１半導体素子と第２半導体素子とを準備した後、これらを、ボンディング装置を用い、対向配置して位置合わせを行い、リフロー加熱を行うことで、互いのＣｕピラーと電極部とを半田接合した。
【０１５５】
以上のようにして第１半導体素子と第２半導体素子を接合し、第１電子装置（半導体装置）を得た（図１７）。
比較のため、上記第１半導体素子において樹脂粒子を含有する導体層を設けなかった半導体素子と、上記第２半導体素子とを同様に半田接合し、第２電子装置（半導体装置）を準備した。
【０１５６】
第１電子装置と第２電子装置について、熱サイクル試験を行った。熱サイクル試験は、低温側が−５５℃で保持時間３０分、高温側が１２５℃で保持時間３０分の条件で行った。第１電子装置と第２電子装置の、各々のコーナー部４箇所の電気的導通をモニターし、１ｋΩ以上抵抗が上昇する場合を故障と判定した。その結果、樹脂粒子を含有する導体層を設けていない第２電子装置では、１００サイクルで全てのコーナー部が故障したが、樹脂粒子を含有する導体層を設けた第１電子装置では、いずれのコーナー部も、１０００サイクル後も抵抗値の上昇は見られなかった。
【０１５７】
上記導体層により、接合部に発生する応力を樹脂粒子で吸収、緩和し、接合部にクラックが発生することを効果的に抑制できることを確認した。また、樹脂粒子が比較的高濃度である樹脂リッチ導体部の外周部に、比較的低濃度である樹脂プア導体部を設けた上記導体層では、電気が流れ易い外周部の抵抗値が大幅に上昇せず、大電流を流すことができることを確認した。
【０１５８】
〔実施例２〕
Ａｌパッドを有する第３半導体素子（その本体部）上に、厚さ１２μｍで絶縁材料を塗布し、Ａｌパッドの位置に直径１００μｍの開口部をパターニングにより形成し、Ａｌパッドに通じる開口部を有する絶縁層を形成した。その後、スパッタ法を用い、全面にシード層として、厚さ１００ｎｍのＴｉ層と、厚さ２００ｎｍのＣｕ層とを積層形成した。シード層の形成後、厚さ１０μｍでレジスト材料を塗布し、露光機にてパターニングを行い、Ａｌパッドの上方に、シード層に通じる直径１００μｍの開口部を有するレジストを形成した。このレジストをマスクにして、電解Ｃｕめっきにより、厚さ３μｍのＣｕ層を形成し、更に電解Ｎｉめっきにより、厚さ２μｍのＮｉ層を形成し、その後、レジストの剥離とシード層のエッチングを行って、ＵＢＭ層を形成した。
【０１５９】
次いで、レジスト材料を塗布し、絶縁層の、Ａｌパッドに通じる開口部の中央部に、直径４０μｍの開口部を有するレジストを形成した。このレジストをマスクにして、無電解めっきにより、樹脂粒子を含有する導体層を形成した。この例では、無電解Ｃｕめっき液中に粒径１００ｎｍのＰＴＦＥ粒子を含有させ、このめっき液を用いて無電解Ｃｕめっきを行い、直径４０μｍのレジストの開口部内に、厚さ５μｍの導体部（樹脂リッチ導体部）を形成した。樹脂リッチ導体部の樹脂粒子濃度は３０ｖｏｌ％であった。樹脂リッチ導体部の形成後、レジストの剥離を行い、無電解Ｃｕめっき液中に粒径１００ｎｍのＰＴＦＥ粒子を含有させ、このめっき液を用いて無電解Ｃｕめっきを行い、樹脂リッチ導体部の外周部と上部に、厚さ５μｍの樹脂プア導体部を形成した。樹脂プア導体部中の樹脂粒子の含有率は５ｖｏｌ％であった。
【０１６０】
導体層（樹脂リッチ導体部及び樹脂プア導体部）の形成後、スパッタ法を用い、全面にシード層として、厚さ１００ｎｍのＴｉ層と、厚さ２００ｎｍのＣｕ層とを積層形成した。このシード層上に、厚さ５０μｍのレジスト材料を塗布し、露光機によりパターニングを行い、導体層上のピラーを形成する領域に直径８０μｍの開口部を有するレジストを形成した。このレジストをマスクにして、電解Ｃｕめっきにより、厚さ４０μｍのＣｕピラーを形成した。その後、レジストを剥離し、シード層のエッチングを行った。
【０１６１】
更に、Ｃｕピラーの中央部に直径４０μｍの開口部を有するレジストを形成し、上記同様、無電解Ｃｕめっきにより、厚さ４μｍの樹脂リッチ導体部を形成した。その後、レジストを除去し、上記同様、無電解Ｃｕめっきにより、樹脂リッチ導体部の外周部と上部に、厚さ４μｍの樹脂プア導体部を形成した。このようにしてＣｕピラー上に形成した導体層の上には、Ｓｎ−１．５Ａｇ（Ａｇ；１．５ｗｔ％）半田層を形成した。
【０１６２】
これにより、一方の第３半導体素子を形成した。
この第３半導体素子に接合されるもう一方の第４半導体素子には、その電極上にＣｕピラーを形成した。まず、第４半導体素子（その本体部）上に、シード層として、厚さ１００ｎｍのＴｉ層と、厚さ２００ｎｍのＣｕ層とを積層形成した。このシード層上に、厚さ５０μｍのレジスト材料を塗布し、露光機によりパターニングを行い、電極に通じる直径１００μｍの開口部を有するレジストを形成した。このレジストをマスクにして、電解Ｃｕめっきにより、厚さ４０μｍのＣｕピラーを形成した。その後、レジストを剥離し、シード層のエッチングを行った。
【０１６３】
上記のようにして第３半導体素子と第４半導体素子とを準備した後、これらを、ボンディング装置を用い、対向配置して位置合わせを行い、リフロー加熱を行うことで、互いのＣｕピラー同士を半田接合した。
【０１６４】
以上のようにして第３半導体素子と第４半導体素子を接合し、第３電子装置（半導体装置）を得た（図２１，図１８）。
比較のため、上記第３半導体素子において樹脂粒子を含有する導体層を設けなかった半導体素子と、上記第４半導体素子とを同様に半田接合し、第４電子装置（半導体装置）を準備した。
【０１６５】
第３電子装置と第４電子装置について、熱サイクル試験を行った。熱サイクル試験は、低温側が−５５℃で保持時間３０分、高温側が１２５℃で保持時間３０分の条件で行った。第３電子装置と第４電子装置の、各々のコーナー部４箇所の電気的導通をモニターし、１ｋΩ以上抵抗が上昇する場合を故障と判定した。その結果、樹脂粒子を含有する導体層を設けていない第４電子装置では、１００サイクルで全てのコーナー部が故障したが、樹脂粒子を含有する導体層を設けた第３電子装置では、いずれのコーナー部も、１０００サイクル後も抵抗値の上昇は見られなかった。
【０１６６】
上記導体層により、接合部に発生する応力を樹脂粒子で吸収、緩和し、接合部にクラックが発生することを効果的に抑制できることを確認した。また、樹脂粒子が比較的高濃度である樹脂リッチ導体部の外周部に、比較的低濃度である樹脂プア導体部を設けた上記導体層では、電気が流れ易い外周部の抵抗値が大幅に上昇せず、大電流を流すことができることを確認した。
【０１６７】
〔実施例３〕
Ａｌパッドを有する第５半導体素子（その本体部）上に、厚さ１２μｍで絶縁材料を塗布し、Ａｌパッドの位置に直径１００μｍの開口部をパターニングにより形成し、Ａｌパッドに通じる開口部を有する絶縁層を形成した。その後、スパッタ法を用い、全面にシード層として、厚さ１００ｎｍのＴｉ層と、厚さ２００ｎｍのＣｕ層とを積層形成した。シード層の形成後、厚さ１０μｍでレジスト材料を塗布し、露光機にてパターニングを行い、Ａｌパッドの上方に、シード層に通じる直径８０μｍの開口部を有するレジストを形成した。このレジストをマスクにして、電解Ｃｕめっきにより、厚さ３μｍのＣｕ層を形成し、更に電解Ｎｉめっきにより、厚さ２μｍのＮｉ層を形成し、その後、レジストの剥離とシード層のエッチングを行って、ＵＢＭ層を形成した。
【０１６８】
次いで、レジスト材料を塗布し、絶縁層の、Ａｌパッドに通じる開口部の中央部に、直径５０μｍの開口部を有するレジストを形成した。このレジストをマスクにして、無電解めっきにより、樹脂粒子を含有する導体層を形成した。この例では、無電解Ｃｕめっき液中に粒径１００ｎｍのＰＴＦＥ粒子を含有させ、このめっき液を用いて無電解Ｃｕめっきを行い、直径５０μｍのレジストの開口部内に、厚さ５μｍの導体部（樹脂リッチ導体部）を形成した。樹脂リッチ導体部の樹脂粒子濃度は３０ｖｏｌ％であった。樹脂リッチ導体部の形成後、レジストの剥離を行い、無電解Ｃｕめっき液中に粒径１００ｎｍのＰＴＦＥ粒子を含有させ、このめっき液を用いて無電解Ｃｕめっきを行い、樹脂リッチ導体部の外周部と上部に、厚さ５μｍの樹脂プア導体部を形成した。樹脂プア導体部中の樹脂粒子の含有率は５ｖｏｌ％であった。
【０１６９】
導体層（樹脂リッチ導体部及び樹脂プア導体部）の形成後、スパッタ法を用い、全面にシード層として、厚さ１００ｎｍのＴｉ層と、厚さ２００ｎｍのＣｕ層とを積層形成した。このシード層上に、厚さ５０μｍのレジスト材料を塗布し、露光機によりパターニングを行い、ピラーを形成する領域に直径１００μｍの開口部を有するレジストを形成した。このレジストをマスクにして、電解Ｃｕめっきにより、厚さ４０μｍのＣｕピラーを形成し、更に、電解Ｓｎ−Ａｇめっきにより、厚さ１０μｍのＳｎ−１．５Ａｇ（Ａｇ；１．５ｗｔ％）半田層を形成した。Ｃｕピラー及びＳｎ−１．５Ａｇ半田層の形成後、レジストを剥離し、シード層のエッチングを行った。
【０１７０】
これにより、一方の第５半導体素子を形成した。
この第５半導体素子に接合されるもう一方の第６半導体素子には、その電極上にＮｉ層及びＡｕ層を形成した。まず、第６半導体素子（その本体部）上に、厚さ１０μｍのレジスト材料を塗布し、露光機にてパターニングを行い、電極に通じる直径８０μｍの開口部を有するレジストを形成した。このレジストをマスクにして、電極上に、電解Ｎｉめっきにより、厚さ４μｍのＮｉ層を形成し、更に、電解Ａｕめっきにより、厚さ０．０５μｍのＡｕ層を形成した。その後、レジストを剥離した。
【０１７１】
上記のようにして第５半導体素子と第６半導体素子とを準備した後、これらを、ボンディング装置を用い、対向配置して位置合わせを行い、リフロー加熱を行うことで、互いのＣｕピラーと電極部とを半田接合した。
【０１７２】
以上のようにして第５半導体素子と第６半導体素子を接合し、第５電子装置（半導体装置）を得た（図１９）。
比較のため、上記第５半導体素子において樹脂粒子を含有する導体層を設けなかった半導体素子と、上記第６半導体素子とを同様に半田接合し、第６電子装置（半導体装置）を準備した。
【０１７３】
第５電子装置と第６電子装置について、熱サイクル試験を行った。熱サイクル試験は、低温側が−５５℃で保持時間３０分、高温側が１２５℃で保持時間３０分の条件で行った。第５電子装置と第６電子装置の、各々のコーナー部４箇所の電気的導通をモニターし、１ｋΩ以上抵抗が上昇する場合を故障と判定した。その結果、樹脂粒子を含有する導体層を設けていない第６電子装置では、１００サイクルで全てのコーナー部が故障したが、樹脂粒子を含有する導体層を設けた第５電子装置では、いずれのコーナー部も、１０００サイクル後も抵抗値の上昇は見られなかった。
【０１７４】
上記導体層により、接合部に発生する応力を樹脂粒子で吸収、緩和し、接合部にクラックが発生することを効果的に抑制できることを確認した。また、樹脂粒子が比較的高濃度である樹脂リッチ導体部の外周部に、比較的低濃度である樹脂プア導体部を設けた上記導体層では、電気が流れ易い外周部の抵抗値が大幅に上昇せず、大電流を流すことができることを確認した。
【０１７５】
以上説明した実施の形態に関し、更に以下の付記を開示する。
（付記１）  基板と、
前記基板上に設けられた電極部と、
前記電極部上に設けられ、第１樹脂粒子を含有する第１導体層と、
前記第１導体層上に設けられた柱状電極と
を含むことを特徴とする電子部品。
【０１７６】
（付記２）  前記第１導体層は、
前記第１樹脂粒子が第１含有量である第１導体部と、
前記第１導体部の外側に設けられ、前記第１樹脂粒子が前記第１含有量よりも少ない第２含有量である第２導体部と
を含むことを特徴とする付記１に記載の電子部品。
【０１７７】
（付記３）  前記基板上に設けられ、前記電極部に通じる開口部を有する絶縁層を更に含み、
前記第１導体層は、前記開口部内に設けられることを特徴とする付記１又は２に記載の電子部品。
【０１７８】
（付記４）  前記柱状電極は、前記開口部内から前記絶縁層上に突出し、前記絶縁層上に突出する部位が、前記開口部よりも大きな直径を有することを特徴とする付記３に記載の電子部品。
【０１７９】
（付記５）  前記柱状電極上に設けられ、第２樹脂粒子を含有する第２導体層を更に含むことを特徴とする付記１乃至４のいずれかに記載の電子部品。
（付記６）  前記電極部は、第１電極層と、前記第１電極層の上方に設けられた第２電極層とを含み、
前記第１電極層と前記第２電極層との間に設けられ、第３樹脂粒子を含有する第３導体層を更に含むことを特徴とする付記１乃至５のいずれかに記載の電子部品。
【０１８０】
（付記７）  前記柱状電極の上方に設けられた半田層を更に有することを特徴とする付記１乃至６のいずれかに記載の電子部品。
（付記８）  電極部が設けられた基板を準備する工程と、
前記電極部上に、樹脂粒子を含有する導体層を形成する工程と、
前記導体層上に柱状電極を形成する工程と
を含むことを特徴とする電子部品の製造方法。
【０１８１】
（付記９）  前記導体層を形成する工程は、
前記電極部上の一部に、前記樹脂粒子が第１含有量である第１導体部を形成する工程と、
前記電極部上の、前記第１導体部の外側に、前記樹脂粒子が前記第１含有量よりも少ない第２含有量である第２導体部を形成する工程と
を含むことを特徴とする付記８に記載の電子部品の製造方法。
【０１８２】
（付記１０）  基板と、前記基板上に設けられた電極部と、前記電極部上に設けられ樹脂粒子を含有する導体層と、前記導体層上に設けられた柱状電極とを有する第１電子部品と、
前記第１電子部品の前記柱状電極側に対向配置され、前記柱状電極に電気的に接続された端子を有する第２電子部品と
を含むことを特徴とする電子装置。
【０１８３】
（付記１１）  前記導体層は、
前記樹脂粒子が第１含有量である第１導体部と、
前記第１導体部の外側に設けられ、前記樹脂粒子が前記第１含有量よりも少ない第２含有量である第２導体部と
を含むことを特徴とする付記１０に記載の電子装置。
【０１８４】
（付記１２）  基板と、前記基板上に設けられた電極部と、前記電極部上に設けられ樹脂粒子を含有する導体層と、前記導体層上に設けられた柱状電極とを有する第１電子部品を準備する工程と、
端子を有する第２電子部品を準備する工程と、
前記第２電子部品を、前記第１電子部品の前記柱状電極側に対向配置し、前記端子を前記柱状電極に電気的に接続する工程と
を含むことを特徴とする電子装置の製造方法。
【符号の説明】
【０１８５】
１，１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄ，１Ｅ  電子装置
１０，２０，４０Ａ，４０Ｂ，４０Ｃ，４０Ｄ，４０Ｅ，６０Ａ，６０Ｂ  電子部品
１１，２１，４１，６１  基板
１２，２２  電極部
１３，４８，６４  ピラー
１４，４６  導体層
１４ａ，４６ａ  導体材料
１４ｂ，４６ｂ  樹脂粒子
１５，４９  半田層
３０，７０  半田
４２  パッド
４３，６３  絶縁層
４３ａ，５０ａ，５１ａ，５２ａ，５３ａ  開口部
４４，４７  シード層
４５  ＵＢＭ層
４６Ｘ，４６Ｙ，１２１，３１０，６１０，７３１  導体部
５０，５１，５２，５３  レジスト
６２，７２１  電極
１００，４００，７２０  半導体素子
１１０  半導体基板
１１０ａ  素子分離領域
１２０  配線層
１２２，３２０，６２０，７３２  絶縁部
１３０  ＭＯＳトランジスタ
１３１  ゲート絶縁膜
１３２  ゲート電極
１３３  ソース領域
１３４  ドレイン領域
１３５  スペーサ
２００  半導体パッケージ
３００  パッケージ基板
４１０  接続部
５００  封止層
５１０  アンダーフィル樹脂
６００  回路基板
７００  擬似ＳｏＣ
７１０  樹脂層
７３０  再配線層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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