(57)【要約】【課題】被転写基材やインプリントモールドの固定による転写不良等を防止することができるインプリント方法を提供する。【解決手段】第１面２０ａ及び当該第１面２０ａに対向する第２面２０ｂを有する被転写基材２０の第１面２０ａ側に、インプリントモールド１０の凹凸パターン１１を転写するインプリント方法は、被転写基材２０の第２面２０ｂと、被転写基材２０を保持するための基材保持部３との間に流体層４Ｂを介在させた状態でインプリントモールド１０を用いたインプリント処理を実施することで、被転写基材２０の第１面２０ａ側に凹凸パターン１１を転写する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１面及び当該第１面に対向する第２面を有する被転写基材の前記第１面側に、インプリントモールドの凹凸パターンを転写するインプリント方法であって、
前記被転写基材の前記第２面と、前記被転写基材を保持するための基材保持部との間に流体層を介在させた状態で前記インプリントモールドを用いたインプリント処理を実施することで、前記被転写基材の前記第１面側に前記凹凸パターンを転写することを特徴とするインプリント方法。
【請求項２】
前記流体層が、液体により構成されることを特徴とする請求項１に記載のインプリント方法。
【請求項３】
前記流体層が、水、有機溶剤及び液状樹脂のうちの１種又は２種以上の混合物により構成されることを特徴とする請求項１又は２に記載のインプリント方法。
【請求項４】
前記被転写基材は、前記流体層を介して前記基材保持部上に固定されることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のインプリント方法。
【請求項５】
前記基材保持部上に下地基材が固定され、
前記下地基材と前記被転写基材の第２面との間に前記流体層を介在させることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のインプリント方法。
【請求項６】
第１面及び当該第１面に対向する第２面を有し、前記第１面に凹凸パターンが形成されているインプリントモールドを用い、被転写基材上に前記凹凸パターンを転写するインプリント方法であって、
前記インプリントモールドの前記第２面と、前記インプリントモールドを保持するためのモールド保持部との間に流体層を介在させた状態で前記インプリントモールドを用いたインプリント処理を実施することで、前記被転写基材上に前記凹凸パターンを転写することを特徴とするインプリント方法。
【請求項７】
前記流体層が、液体により構成されることを特徴とする請求項６に記載のインプリント方法。
【請求項８】
前記流体層が、水、有機溶剤及び液状樹脂のうちの１種又は２種以上の混合物により構成されることを特徴とする請求項６又は７に記載のインプリント方法。
【請求項９】
前記インプリントモールドは、前記流体層を介して前記モールド保持部に固定されることを特徴とする請求項６〜８のいずれかに記載のインプリント方法。
【請求項１０】
第１面及び当該第１面に対向する第２面を有する被転写基材の前記第１面側にインプリントモールドの凹凸パターンを転写するためのインプリント装置であって、
前記被転写基材を保持する基材保持部と、
前記被転写基材の前記第１面と前記凹凸パターンとを対向させるように前記インプリントモールドを保持するモールド保持部と、
少なくとも前記基材保持部上に流体を供給するための流体供給部と
を備え、
前記流体供給部から前記基材保持部上に供給された流体により、前記被転写基材の前記第２面と前記基材保持部との間に流体層が形成され、前記被転写基材の前記第２面と前記基材保持部との間に前記流体層を介在させた状態で、前記モールド保持部に保持されている前記インプリントモールドの前記凹凸パターンを前記被転写基材の前記第１面側に転写することを特徴とするインプリント装置。
【請求項１１】
第１面及び当該第１面に対向する第２面を有する板状体を平板上に固定する方法であって、
前記板状体の前記第２面と前記平板との間に流体層を形成することにより、前記板状体を前記平板上に固定することを特徴とする板状体の固定方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インプリント方法、インプリント装置及び板状体の固定方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
微細加工技術としてのナノインプリント技術は、基材の表面に微細凹凸パターンが形成されてなる型部材（インプリントモールド）を用い、当該微細凹凸パターンを被転写基材上のインプリント樹脂等の被加工物に転写することで微細凹凸パターンを等倍転写するパターン形成技術である。特に、半導体デバイスにおける配線パターン等のさらなる微細化の進行等に伴い、半導体デバイスの製造プロセス等においてナノインプリント技術が益々注目されている。
【０００３】
このナノインプリント技術において、インプリント樹脂等に押圧されたインプリントモールドを当該インプリント樹脂等から容易に引き離すことができるように、インプリントモールド及び被転写基材は、それぞれモールドホルダ及び基材ステージに強固に固定されている必要がある。
【０００４】
従来、被転写基材を基材ステージに固定する方法としては、基材ステージに形成された吸着孔等を介して基材ステージ上に被転写基材を真空吸着させる方法等が知られている。また、インプリントモールドをモールドホルダに固定する方法としては、粘着剤層等を介してモールドホルダにインプリントモールドを固定する方法等が知られている（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１１−１５２０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
インプリント処理によりインプリントモールドの微細凹凸パターンが転写されてなるパターン構造体を作製するにあたり、インプリントモールド（微細凹凸パターンが形成されている面）と、被転写基材とが、互いに平行となる状態でインプリント処理が実施されるのが望ましい。それらが平行の状態を維持することが困難であると、得られるパターン構造体の残膜厚にバラツキが生じたり、インプリントモールドの微細凹凸パターン内にインプリント樹脂等が十分に充填されずにパターン欠陥を生じたりするおそれがある。
【０００７】
従来の固定方法のうち、真空吸着により基材ステージ上に被転写基材を固定する方法においては、真空吸着によって被転写基材に局所的な変形（歪み、撓み等）が生じるおそれがある。それにより、インプリントモールドと被転写基材とを平行に維持することが困難となる。結果として、インプリントモールドの微細凹凸パターンが転写されてなるパターン構造体の残膜厚のバラツキ、未充填等のパターン欠陥が生じる等の転写不良が生じてしまうという問題がある。
【０００８】
また、特許文献１に記載されている方法においては、インプリントモールドをモールドホルダから剥離したときに、粘着剤層が残存するおそれがあり、インプリント装置内やインプリントモールドが汚染されるおそれがある。また、特許文献１に記載されている方法を被転写基材の固定に利用したとしても、同様に、インプリント装置内や被転写基材が汚染されるという問題が生じ得る。
【０００９】
上記課題に鑑みて、本発明は、被転写基材やインプリントモールドの固定による転写不良等を防止することができるインプリント方法、インプリント装置、及び板状体の固定方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するために、本発明は、第１面及び当該第１面に対向する第２面を有する被転写基材の前記第１面側に、インプリントモールドの凹凸パターンを転写するインプリント方法であって、前記被転写基材の前記第２面と、前記被転写基材を保持するための基材保持部との間に流体層を介在させた状態で前記インプリントモールドを用いたインプリント処理を実施することで、前記被転写基材の前記第１面側に前記凹凸パターンを転写することを特徴とするインプリント方法を提供する（発明１）。
【００１１】
真空吸着等により被転写基材を基材保持部上に保持・固定してインプリント処理を実施すると、被転写基材の第１面（インプリントモールドの凹凸パターンが転写される面）のラフネス（平坦性）や基材保持部のラフネス（平坦性）等の影響により、インプリントモールドの凹凸パターンが転写されてなるパターン構造体の残膜厚のバラツキ、未充填等のパターン欠陥等の転写不良が生じるおそれがある。しかしながら、上記発明（発明１）によれば、被転写基材を保持するための基材保持部と被転写基材との間に流体層を介在させることで、当該流体層が、被転写基材の第１面や基材保持部のラフネスの影響を吸収する緩衝層としての役割を果たし得る。そのため、上述したような転写不良が生じるのを防止することができる。
【００１２】
本発明において「流体層を介在させる」とは、被転写基材と基材保持部との間に流体層が位置していることを意味し、被転写基材の第２面及び基材保持部の両者が流体層に接触する態様であってもよいし、両者のうちのいずれか一方が流体層に接触する態様であってもよい。
【００１３】
上記発明（発明１）においては、前記流体層が、液体により構成されるのが好ましく（発明２）、前記流体層が、水、有機溶剤及び液状樹脂のうちの１種又は２種以上の混合物により構成されるのが好ましい（発明３）。
【００１４】
上記発明（発明１〜３）においては、前記被転写基材は、前記流体層を介して前記基材保持部上に固定されるのが好ましい（発明４）。
【００１５】
上記発明（発明１〜４）においては、前記基材保持部上に下地基材が固定され、前記下地基材と前記被転写基材の第２面との間に前記流体層を介在させるのが好ましい（発明５）。
【００１６】
また、本発明は、第１面及び当該第１面に対向する第２面を有し、前記第１面に凹凸パターンが形成されているインプリントモールドを用い、被転写基材上に前記凹凸パターンを転写するインプリント方法であって、前記インプリントモールドの前記第２面と、前記インプリントモールドを保持するためのモールド保持部との間に流体層を介在させた状態で前記インプリントモールドを用いたインプリント処理を実施することで、前記被転写基材上に前記凹凸パターンを転写することを特徴とするインプリント方法を提供する（発明６）。
【００１７】
本発明において「流体層を介在」とは、インプリントモールドとモールド保持部との間に流体層が位置していることを意味し、インプリントモールドの第２面及びモールド保持部の両者が流体層に接触する態様であってもよいし、両者のうちのいずれか一方が流体層に接触する態様であってもよい。
【００１８】
上記発明（発明６）においては、前記流体層が、液体により構成されるのが好ましく（発明７）、前記流体層が、水、有機溶剤及び液状樹脂のうちの１種又は２種以上の混合物により構成されるのが好ましい（発明８）。
【００１９】
上記発明（発明６〜８）においては、前記インプリントモールドは、前記流体層を介して前記モールド保持部に固定されるのが好ましい（発明９）。
【００２０】
さらに、本発明は、第１面及び当該第１面に対向する第２面を有する被転写基材の前記第１面側にインプリントモールドの凹凸パターンを転写するためのインプリント装置であって、前記被転写基材を保持する基材保持部と、前記被転写基材の前記第１面と前記凹凸パターンとを対向させるように前記インプリントモールドを保持するモールド保持部と、少なくとも前記基材保持部上に流体を供給するための流体供給部とを備え、前記流体供給部から前記基材保持部上に供給された流体により、前記被転写基材の前記第２面と前記基材保持部との間に流体層が形成され、前記被転写基材の前記第２面と前記基材保持部との間に前記流体層を介在させた状態で、前記モールド保持部に保持されている前記インプリントモールドの前記凹凸パターンを前記被転写基材の前記第１面側に転写することを特徴とするインプリント装置を提供する（発明１０）。
【００２１】
さらにまた、本発明は、第１面及び当該第１面に対向する第２面を有する板状体を平板上に固定する方法であって、前記板状体の前記第２面と前記平板との間に流体層を形成することにより、前記板状体を前記平板上に固定することを特徴とする板状体の固定方法を提供する（発明１１）。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、被転写基材やインプリントモールドの固定による転写不良等を防止することができるインプリント方法、インプリント装置及び板状体の固定方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】図１は、本発明の一実施形態に係るインプリント方法の各工程を切断端面図にて示す工程フロー図である。
【図２】図２は、本発明の一実施形態に係るインプリント方法の各工程であって、図１に示す工程に続く工程を切断端面図にて示す工程フロー図である。
【図３】図３は、本発明の一実施形態に係るインプリント方法において使用可能なインプリントモールドの他の構成例を示す切断端面図である。
【図４】図４は、本発明の一実施形態におけるインプリント装置を示す概略構成図である。
【図５】図５は、本発明の一実施形態における基板の固定方法の他の態様（その１）を示す図である。
【図６】図６は、本発明の一実施形態における基板の固定方法の他の態様（その２）を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
〔インプリント方法〕
本発明の実施の形態に係るインプリント方法につき、図面を参照しつつ説明する。図１は、本実施形態に係るインプリント方法の各工程を切断端面図にて示す工程フロー図である。
【００２５】
本実施形態に係るインプリント方法においては、まず、第１面１０ａ及び第１面１０ａに対向する第２面１０ｂを有し、第１面１０ａ側に凹凸パターン１１が形成されてなるインプリントモールド１０と、第１面２０ａ及び第１面２０ａに対向する第２面２０ｂを有する被転写基材２とを準備する（図１（Ａ）参照）。
【００２６】
被転写基板２０としては、例えば、石英ガラス基板、ソーダガラス基板、フッ化カルシウム基板、フッ化マグネシウム基板、アクリルガラス等や、これらのうちから任意に選択される２以上の基板を積層してなる積層基板等の透明基板；シリコン基板、窒化ガリウム基板等の半導体基板等；ニッケル基板、チタン基板、アルニウム基板等の金属基板等が挙げられる。
【００２７】
インプリントモールド１０は、図１（Ａ）に示すように、基材１２の第１面１０ａ側から突出する凸構造部１３を有し、凸構造部１３の上面１３ａ（パターン領域ＰＡ）に凹凸パターン１１が形成されている。なお、インプリントモールド１０としては、凸構造部１３を有さず、第１面１０ａが平面状のものであってもよいし（図３（Ａ）参照）、第２面１０ｂ側に窪み部１４が形成されてなるものであってもよい（図３（Ｂ），（Ｃ）参照）。
【００２８】
インプリントモールド１０を構成する基材としては、インプリントモールド用基材として通常用いられる基材である限り、特に制限はない。例えば、石英ガラス基板、ソーダガラス基板、フッ化カルシウム基板、フッ化マグネシウム基板、アクリルガラス等や、これらのうちから任意に選択される２以上の基板を積層してなる積層基板等の透明基板；シリコン基板、窒化ガリウム基板等の半導体基板等；ニッケル基板、チタン基板、アルニウム基板等の金属基板等が挙げられる。
【００２９】
インプリントモールド１０の厚さは、強度、取り扱い適性等を考慮し、例えば、３００μｍ〜１０ｍｍ程度の範囲で適宜設定され得る。なお、本実施形態において「透明」とは、波長３００〜４５０ｎｍの光線の透過率が８５％以上であることを意味し、好ましくは９０％以上、特に好ましくは９５％以上である。
【００３０】
凹凸パターン１１の形状は、本実施形態に係るインプリント方法により凹凸パターンが転写・形成される被転写基板２０の用途等に応じて適宜設定されるものである。また、凹凸パターン１１の寸法は、上記形状と同様に、凹凸パターン１１が転写される被転写基板２０の用途等に応じて適宜設定されるものの、当該寸法が微細であるほど、本実施形態に係るインプリント方法が有用である。例えば、凹凸パターン１１がラインアンドスペース形状である場合、その凹凸パターン１１のラインパターンの幅が１００ｎｍ以下、ラインパターンの高さが１００ｎｍ以下程度であると、残膜厚を３０ｎｍ程度（３σ＝５０ｎｍ以下程度）に設定しなければならないが、本実施形態に係るインプリント方法によれば、均一な残膜厚にて凹凸パターン１１を転写することができる。
【００３１】
被転写基板２０の第２面２０ｂと基板ステージ３との間に流体層４Ｂを形成するようにして、被転写基板２０を基板ステージ３の基板載置面３ａ上に載置し、固定する（図１（Ａ）参照）。具体的には、流体層４Ｂを構成する流体（液体）を基板ステージ３の基板載置面３ａ上に供給し、当該流体に被転写基板２０の第２面２０ｂを接触させるようにして、被転写基板２０を基板ステージ３の基板載置面３ａ上に載置する。このようにして流体層４Ｂが形成されることで、当該流体層４Ｂが緩衝層としての機能を果たし得るため、被転写基板２０の第２面２０ｂや基板ステージ３の基板載置面３ａのラフネスにかかわらず、インプリントモールド１０の押圧により被転写基板２０の第１面２ｂに局所的に印加される圧力を分散させることができ、残膜厚が均一であり、かつパターン欠陥を有しないパターン構造体を形成することができる。
【００３２】
本実施形態においては、流体層４Ｂを構成する流体として液体を用い、流体層４Ｂを極めて薄い厚み（被転写基板２０を基板ステージ３に固定可能な厚み）で形成することで、当該流体層４Ｂが緩衝層としての役割を果たしつつ、被転写基板２０を基板ステージ３に強固に固定する役割をも果たし得る。
【００３３】
また、インプリントモールド１０の第２面１０ｂとモールドホルダ２との間に流体層４Ａを介在させるようにして、インプリントモールド１０をモールドホルダ２に保持させる（図１（Ａ）参照）。具体的には、流体層４Ａを構成する流体（液体）をインプリントモールド１０の第２面１０ｂ上に供給し、当該流体をモールドホルダ２に接触させるようにして、インプリントモールド１０をモールドホルダ２に保持・固定させる。このようにして流体層４Ａが形成されることで、当該流体層４Ａがインプリントモールド１０をモールドホルダ２に固定する役割の他、緩衝層としての役割をも果たし得るため、モールドホルダ２やインプリントモールド１０の第２面１０ｂのラフネスにかかわらず、インプリントモールド１０の押圧により被転写基板２０の第１面２０ａに局所的に印加される圧力を分散させることができ、残膜厚が均一であり、かつパターン欠陥を有しないパターン構造体を形成することができる。
【００３４】
上記流体層４Ａ，４Ｂを構成する流体としては、液体を用いるのが好ましく、当該流体（液体）としては、例えば、水、有機溶剤（例えば、アセトン、イソブチルアルコール、イソプロピルアルコール、エチルエーテル、酢酸イソブチル、酢酸イソプロピル、酢酸エチル、酢酸メチル、シクロヘキサノール、テトラヒドロフラン、トルエン、ヘキサン、ブタノール、メタノール、メチルイソブチルケトン、メチルエチルケトン、メチルシクロヘキサノール、メチルシクロヘキサノン、ブチルケトン等）及び液状樹脂のうちの１種又は２種以上の混合物等が挙げられる。
【００３５】
基板ステージ３の基板載置面３ａ上への流体の供給量は、流体層４Ｂが上述した緩衝層としての役割を果たし得る量であって、基板ステージ３の基板載置面３ａ上に載置された被転写基板２０を固定可能な量であればよく、被転写基板２０の第２面２０ｂの面積（流体層４Ｂとの接触面積）や被転写基板２０の質量、材質（特に流体に対する接触角）等に応じて適宜設定され得る。
【００３６】
また、インプリントモールド１０の第２面１０ｂへの流体の供給量は、流体層４Ａがインプリントモールド１０をモールドホルダ２に固定可能な量であればよく、インプリントモールド１０の第２面１０ｂの面積（流体層４Ａとの接触面積）やインプリントモールド１０の質量、材質（特に流体に対する接触角）等に応じて適宜設定され得る。
【００３７】
次に、被転写基板２０の第１面２０ａ側にインプリント樹脂５を供給する（図１（Ｂ）参照）。インプリント樹脂５としては、従来公知の紫外線硬化性樹脂等を用いることができる。
【００３８】
インプリント樹脂５の供給量は、本実施形態に係るインプリント方法により作製されるパターン構造体６（図２（Ｂ）参照）の残膜厚及びインプリントモールド１０の凹凸パターン１１の容積等に応じて適宜算出し、決定され得る。
【００３９】
続いて、インプリント樹脂５にインプリントモールド１０の凹凸パターン１１（パターン領域ＰＡ）を接触させ、被転写基板２０の第１面２０ａとインプリントモールド１０の凹凸パターン１１（パターン領域ＰＡ）との間にインプリント樹脂５を展開させる。そして、その状態でインプリント樹脂５を硬化させる（図２（Ａ）参照）。
【００４０】
被転写基板２０が基板ステージ３の基板載置面３ａ上に真空吸着や粘着剤層等により強固に固定されている場合、被転写基板２０の第２面２０ｂや基板ステージ３の基板載置面３ａのラフネスが、被転写基板２０の第１面２０ａとインプリントモールド１０のパターン領域ＰＡとの平行度に悪影響を及ぼし得る。その状態でインプリント処理を実施すると、インプリント処理により作製されるパターン構造体６（図２（Ｂ）参照）の残膜厚が不均一になったり、未充填等のパターン欠陥が生じたりすることがある。しかしながら、本実施形態においては、被転写基板２０の第２面２０ｂや基板ステージ３の基板載置面３ａの平坦度が悪く、被転写基板２０の第１面２０ａとインプリントモールド１０のパターン領域ＰＡとを平行に維持することが困難であっても、被転写基板２０と基板ステージ３との間に流体層４Ｂが介在していることで、被転写基板２０の第１面２０ａとインプリントモールド１０のパターン領域ＰＡとを実質的に平行にした状態でそれらの間にインプリント樹脂５を展開させることができる。そのため、残膜厚が均一であり、かつ未充填等のパターン欠陥を有しないパターン構造体６（図２（Ｂ）参照）を高精度に製造することができる。
【００４１】
最後に、硬化したインプリント樹脂５からインプリントモールド１０を剥離する（図２（Ｂ）参照）。これにより、被転写基板２０の第１面２０ａ上に、インプリントモールド１０の凹凸パターン１１が転写されてなるパターン構造体６を製造することができる。
【００４２】
インプリントモールド１０を剥離する際、インプリントモールド１０及び被転写基板２０には所定の応力がかかる。しかしながら、本実施形態においては、インプリントモールド１０及び被転写基板２０が、それぞれ流体層４Ａ，４Ｂを介してモールドホルダ２及び基板ステージ３に強固に固定されていることで、インプリントモールド１０を被転写基板２０（パターン構造体６）から容易に引き離すことができる。
【００４３】
上述したように、本実施形態に係るインプリント方法によれば、インプリントモールド１０及び被転写基板２０が、それぞれ、流体層４Ａ，４Ｂを介してモールドホルダ２及び基板ステージ３に固定されているため、当該流体層４Ａ，４Ｂが緩衝層としての役割を果たし、インプリントモールド１０や被転写基板２０に局所的に印加される圧力を面内で分散させることができる。よって、残膜厚が均一であり、かつ未充填等のパターン欠陥を有しないパターン構造体を製造することができる。
【００４４】
また、本実施形態に係るインプリント方法によれば、インプリントモールド１０及び被転写基板２０が、それぞれ、流体層４Ａ，４Ｂによりモールドホルダ２及び基板ステージ３に固定されているため、それらを粘着剤層により固定する場合に比して、被転写基板２０、インプリントモールド１０、インプリント環境（インプリント装置内）等が汚染されることがないという効果も奏される。
【００４５】
〔インプリント装置〕
次に、上述した本実施形態に係るインプリント方法を実施可能なインプリント装置について説明する。図４は、本実施形態におけるインプリント装置を示す概略構成図である。
【００４６】
図４に示すように、本実施形態におけるインプリント装置１は、インプリントモールド１０を保持・固定するためのモールドホルダ２と、被転写基板２０を保持・固定するための、実質的に平面の基板載置面３ａを有する基板ステージ３と、基板ステージ３の基板載置面３ａに流体を供給する流体供給部７とを備える。
【００４７】
モールドホルダ２は、実質的に平面のモールド保持面２ａを有し、インプリントモールド１０の凹凸パターン１１を、基板ステージ３に保持・固定される被転写基板２０の第１面２０ａに対向させるように、かつインプリントモールド１０を上下動可能に保持・固定する。
【００４８】
流体供給部７は、基板ステージ３の基板載置面３ａ上に供給する流体（水、イソプロピルアルコール等の液体）を貯蔵するタンク（図示せず）と、当該タンクに貯蔵される流体を当該基板載置面３ａ上に供給するための供給管（図示せず）とを有する。
【００４９】
上記構成を有するインプリント装置１において、流体供給部７から基板載置面３ａ上に流体が供給され、当該流体に被転写基板２０の第２面２ｂを接触させるようにして、被転写基板２０を基板載置面３ａ上に載置する。これにより、被転写基板２０の第２面２ｂと基板載置面３ａとの間に流体層４Ｂが形成され、当該流体層４Ｂにより被転写基板２０が基板ステージ３上に保持・固定される。
【００５０】
また、同様にして、インプリントモールド１０の第２面１０ｂに流体供給部７から流体が供給され、当該流体をモールドホルダ２のモールド保持面２ａに接触させる。これにより、インプリントモールド１０の第２面１０ｂとモールドホルダ２との間に流体層４Ａが形成され、当該流体層４Ａによりインプリントモールド１０がモールドホルダ２に保持・固定される。
【００５１】
このようにしてインプリントモールド１０及び被転写基板２０が、それぞれモールドホルダ２及び基板ステージ３に保持・固定された状態で、被転写基板２０の第１面２０ａ上にインプリント樹脂５が供給され、インプリント処理が実施される。これにより、被転写基板２０の第１面２０ａ上に、インプリントモールド１０の凹凸パターン１１が転写されてなるパターン構造体６が製造される。
【００５２】
上述したインプリント装置１においては、インプリントモールド１０及び被転写基板２０が、それぞれ、流体層４Ａ，４Ｂを介してモールドホルダ２及び基板ステージ３に保持・固定されているため、当該流体層４Ａ，４Ｂが緩衝層としての役割を果たし、インプリントモールド１０や被転写基板２０に局所的に印加される圧力を面内で分散させることができる。よって、残膜厚が均一であり、かつ未充填等のパターン欠陥を有しないパターン構造体６を製造することができる。
【００５３】
また、インプリントモールド１０及び被転写基板２０が、それぞれ、流体層４Ａ，４Ｂによりモールドホルダ２及び基板ステージ３に固定されているため、それらを粘着剤層により固定する場合に比して、被転写基板２０、インプリントモールド１０、インプリント環境（インプリント装置内）等が汚染されることがないという効果も奏される。
【００５４】
以上説明した実施形態は、本発明の理解を容易にするために記載されたものであって、本発明を限定するために記載されたものではない。したがって、上記実施形態に開示された各要素は、本発明の技術的範囲に属する全ての設計変更や均等物をも含む趣旨である。
【００５５】
上記実施形態においては、インプリントモールド１０及び被転写基板２０が、それぞれ流体層４Ａ，４Ｂによりモールドホルダ２及び基板ステージ３に固定されているが、本発明はこのような態様に限定されるものではなく、例えば、被転写基板２０が流体層４Ｂを介して基板ステージ３に固定され、インプリントモールド１０は、真空吸着や粘着剤層によりモールドホルダ２に固定されていてもよい。
【００５６】
上記実施形態においては、被転写基板２０が流体層４Ｂにより基板ステージ３の基板載置面３ａ上に固定されているが、本発明はこのような態様に限定されるものではない。例えば、図５に示すように、基板ステージ３の基板載置面３ａ上に流体層４Ｂを介して載置された被転写基板２０を、例えば、複数のカギ状の固定冶具８，８により固定してもよい。この態様においては、流体層４Ｂは、上述した緩衝層としての役割のみを果たすことになる。
【００５７】
上記実施形態においては、被転写基板２０が基板ステージ３上に直接流体層４Ｂを介して固定されているが、本発明はこのような態様に限定されるものではない。例えば、図６に示すように、基板ステージ３の基板載置面３ａ上に下地基板９を載置して当該下地基板９を真空吸着又は粘着剤層により固定し、当該下地基板９上に流体層４Ｂを介して被転写基板２０を保持・固定してもよい。特に、図６に示すように、基板ステージ３が被転写基板２０を真空吸着により固定するための吸着孔３１を有し、基板ステージ３の基板載置面３ａ上に流体層４Ｂを形成することが困難である場合に有用である。
【００５８】
上記実施形態においては、インプリント方法におけるインプリントモールド１０や被転写基板２０を、流体層４Ａ，４Ｂを介してモールドホルダ２や基板ステージ３に固定する態様を例に挙げて説明したが、本発明はこのような態様に限定されるものではない。例えば、露光装置、電子線描画装置等を用いてパターンが作製される基板（板状体）を、流体層４Ａ，４Ｂを介して露光装置、電子線描画装置等の基板ステージ（平板）上に固定する方法に本発明は適用されてもよい。
【実施例】
【００５９】
以下、実施例等を挙げて本発明をさらに詳細に説明するが、本発明は下記の実施例等に何ら制限されるものではない。
【００６０】
〔実施例１〕
インプリントモールド１０（凹凸パターン１１を有しない石英ガラス基板（４０ｍｍ×４０ｍｍ））、被転写基板２０（シリコンウェハ（φ１５０ｍｍ））及び下地基板９（石英ガラス基板（１５２ｍｍ×１５２ｍｍ））を準備し、図６に示すように、基板ステージ３の基板載置面３ａ上に下地基板９を真空吸着により固定した。次に、下地基板９上に流体（イソプロピルアルコール）を供給し、当該流体に被転写基板２０の第２面２０ｂを接触させるようにして被転写基板２０を下地基板９上に載置し、被転写基板２０の第２面２０ｂと下地基板９との間に流体層４Ｂを形成することで、被転写基板２０を下地基板９上に保持・固定した。
【００６１】
被転写基板２０の第１面２０ａ上にインプリント樹脂５を供給し、インプリントモールド１０の第１面１０ａ（凹凸パターン１１を有しない平面）をインプリント樹脂５に接触させてインプリントモールド１０の第１面１０ａと被転写基板２０の第１面２０ａとの間にインプリント樹脂５を展開させた。その状態でインプリント樹脂５を硬化させた後、インプリントモールド１０を剥離することで、被転写基板２０の第１面２０ａ上にインプリント樹脂膜を形成した。
【００６２】
このようにして形成されたインプリント樹脂膜の平均膜厚（ｎｍ）及び標準偏差（ｎｍ）を、光干渉式膜厚測定装置（製品名：ラムダエースＶＭ−２０００，大日本スクリーン製造社製）を用いて測定した。なお、平均膜厚（ｎｍ）は、上記光干渉式膜厚測定装置を用いてインプリント樹脂膜を１ｍｍ角の格子状に区分して各格子内の任意に選択した一点の膜厚を測定し、当該測定値の算術平均値として算出された。結果を表１に示す。
【００６３】
〔比較例１〕
下地基板９を使用せず、流体層４Ｂを介在させることなく被転写基板２０を真空吸着により基板ステージ３上に固定した以外は、実施例１と同様にしてインプリント樹脂膜を形成し、当該インプリント樹脂膜の平均膜厚（ｎｍ）及び標準偏差（ｎｍ）を測定した。結果を表１にあわせて示す。
【００６４】
【表１】
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【００６５】
表１に示すように、実施例１の単位膜厚あたりの標準偏差は、比較例１の単位膜厚あたりの標準偏差の７０％程度であった。この結果から、流体層４Ｂを介して被転写基板２０を基板ステージ３上に保持・固定することにより、均一な残膜厚でインプリント処理を実施可能であることが確認された。
【産業上の利用可能性】
【００６６】
本発明は、半導体デバイスの製造過程において半導体基板等に微細凹凸パターンを形成するためのナノインプリント工程において有用である。
【符号の説明】
【００６７】
１…インプリント装置
２…モールドホルダ（モールド保持部）
３…基板保持部（基材保持部）
４Ａ，４Ｂ…流体層
７…流体供給部
１０…インプリントモールド
１０ａ…第１面
１０ｂ…第２面
１１…凹凸パターン
２０…被転写基板（被転写基材）
２０ａ…第１面
２０ｂ…第２面
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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