(57)【要約】【課題】重ね合わせ精度と線幅精度との両立に有利なリソグラフィ装置を提供する。【解決手段】基板上の第１領域及び第２領域のそれぞれにビームを順次照射してパターンを形成するリソグラフィ装置であって、前記ビームを検出するビーム検出部と、前記第１領域へのビームの照射の前における前記ビーム検出部の出力に基づく前記第２領域の第１位置情報と、該照射の後における前記ビーム検出部の出力に基づく前記第２領域の第２位置情報とのそれぞれに重み付けを与えて前記第２領域の位置情報を得る処理部と、を有することを特徴とするリソグラフィ装置を提供する。【選択図】図４
2016001708.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上の第１領域及び第２領域のそれぞれにビームを順次照射してパターンを形成するリソグラフィ装置であって、
前記ビームを検出するビーム検出部と、
前記第１領域へのビームの照射の前における前記ビーム検出部の出力に基づく前記第２領域の第１位置情報と、該照射の後における前記ビーム検出部の出力に基づく前記第２領域の第２位置情報とのそれぞれに重み付けを与えて前記第２領域の位置情報を得る処理部と、
を有することを特徴とするリソグラフィ装置。
【請求項２】
前記基板上のマークを検出するマーク検出部を有し、
前記第１位置情報及び前記第２位置情報のうち少なくとも一方は、前記マーク検出部の出力にも基づく、
ことを特徴とする請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項３】
前記第１位置情報と前記第２位置情報とのそれぞれに与える重みを入力に応じて設定する設定部を有することを特徴とする請求項１又は２に記載のリソグラフィ装置。
【請求項４】
前記設定部は、前記第１位置情報に与える第１重みと前記第２位置情報に与える第２重みとを設定することを特徴とする請求項３に記載のリソグラフィ装置。
【請求項５】
前記第１重み及び前記第２重みのそれぞれは０以上１以下の実数であり、前記第１重みと前記第２重みとの和は１であることを特徴とする請求項４に記載のリソグラフィ装置。
【請求項６】
前記処理部は、グローバルアライメント、ゾーンアライメント及びダイバイダイアライメントのうちいずれかに関する手順に基づいて前記第１位置情報を得ることを特徴とする請求項２に記載のリソグラフィ装置。
【請求項７】
前記処理部は、グローバルアライメント、ゾーンアライメント及びダイバイダイアライメントのうちいずれかに関する手順に基づいて前記第２位置情報を得ることを特徴とする請求項２又は６に記載のリソグラフィ装置。
【請求項８】
前記処理部は、前記ビーム検出部の出力に基づいて、前記第１領域及び前記第２領域のうち少なくとも一方を照射する前記ビームの位置を推定することを特徴とする請求項１乃至７のうちいずれか１項に記載のリソグラフィ装置。
【請求項９】
前記ビームは、荷電粒子線であることを特徴とする請求項１乃至８のうちいずれか１項に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１０】
請求項１乃至９のうちいずれか１項に記載のリソグラフィ装置を用いてパターンを基板に形成する工程と、
前記工程で前記パターンを形成された前記基板を処理する工程と、
を含むことを特徴とする物品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、リソグラフィ装置、及び物品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイス等の物品を製造するためのリソグラフィ装置として、例えば、電子線やイオン線などのビームを用いて基板にパターン形成を行うものが知られている。当該装置では、１つのショット領域を複数の領域に分割し、該分割により得られた複数の領域のそれぞれにビームを照射してパターンを形成し、かかるパターンを繋ぎ合わせることでパターンを形成するスティッチング法が知られている（特許文献１参照）。
【０００３】
スティッチング法では、領域間のパターンの繋ぎ合わせにずれが生じると、線幅精度（ＣＤ（Ｃｒｉｔｉｃａｌ  Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ）精度又は線幅均一性ともいう）が低下しうる。また、基板上に既に形成されたパターン（下地パターン）にパターンを重ね合わせて描画するのにずれが生じると、重ね合わせ精度が低下しうる。
【０００４】
例えば、特許文献１には、描画する領域どうしが重なる領域（多重描画領域）を設定し、それぞれの領域と描画パターンとの関係に基づいて描画を制御することで線幅精度を保証する技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特許第４４６８７５２号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
描画装置では、装置内の温度や磁場の変化の影響などによって、基板に照射されるビームの位置が経時的に変化するため、ビームの位置を較正（補正又は補償ともいう）する必要がある。しかしながら、ビームの位置を較正すると、それまで連続的に変化していたビームの位置が不連続的に変化する。従って、直線パターンを描画している途中でビームの位置を較正した場合、直線パターンが不連続になってしまう。これにより、線幅均一性（線幅精度）が低下しうる。一方、ビームの位置の較正を行わないと、ビームの位置の経時変化によって、重ね合わせ精度が低下しうる。また、線幅均一性と重ね合わせ精度との両立のために高い頻度で較正を行うと、単位時間当たりの基板の処理枚数（スループット）が低下しうる。
【０００７】
本発明は、重ね合わせ精度と線幅精度との間の両立に有利なリソグラフィ装置を提供することを例示的目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するために、本発明の一側面としてのリソグラフィ装置は、基板上の第１領域及び第２領域のそれぞれにビームを順次照射してパターンを形成するリソグラフィ装置であって、前記ビームを検出するビーム検出部と、前記第１領域へのビームの照射の前における前記ビーム検出部の出力に基づく前記第２領域の第１位置情報と、該照射の後における前記ビーム検出部の出力に基づく前記第２領域の第２位置情報とのそれぞれに重み付けを与えて前記第２領域の位置情報を得る処理部と、を有することを特徴とする。
【０００９】
本発明の更なる目的又はその他の側面は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施形態によって明らかにされるであろう。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、例えば、重ね合わせ精度と線幅精度との両立に有利なリソグラフィ装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の一側面としての描画装置の構成を示す概略図である。
【図２】基板に照射される電子線の位置の経時的な変化を示す図である。
【図３】重ね合わせ精度と線幅精度との関係を示す図である。
【図４】図１に示す描画装置における描画処理を説明するためのフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施の形態について説明する。なお、各図において、同一の部材については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。
【００１３】
図１は、本発明の一側面としての描画装置１の構成を示す概略図である。描画装置１は、パターンを基板に形成するリソグラフィ装置である。描画装置１は、複数のビームを偏向させながら、かかるビームの照射のＯＮ／ＯＦＦを個別に制御することで、所定のパターンを基板の所定の位置に描画するマルチビーム方式の描画装置である。また、描画装置１は、描画する領域どうしが重なる領域（スティッチング領域）を共有する基板上の第１領域及び第２領域のそれぞれにビームを順次照射してパターンを基板に形成するスティッチング法を採用する。
【００１４】
ここで、ビームは、本実施形態では、電子線であるが、イオン線などの他の荷電粒子線であってもよい。また、描画装置１は、光ビーム（レーザービーム）を音響光学素子によって回折させる（制御する）ことで描画を行う光ビーム描画装置であってもよい。
【００１５】
描画装置１は、図１に示すように、電子銃２と、電子銃２のクロスオーバ３から発散された電子線を複数の電子線に分割、偏向及び結像する光学系４と、基板７を保持する基板ステージ５とを有する。また、描画装置１は、描画装置１の全体（即ち、各構成要素の動作など）を制御する制御部６と、検出部２０と、設定部（コンソール）４０と、アライメント系５０とを有する。以下では、基板に対する電子線の照射方向にＺ軸を採用し、Ｚ軸に垂直な平面内で互いに直交する方向にＸ軸及びＹ軸を採用する。
【００１６】
なお、大気雰囲気では電子線が急激に減衰するために、更には、高電圧による放電を防止するために、制御部６及び設定部４０を除く描画装置１の構成要素は、真空排気系によって内部圧力が調整された空間に配置される。例えば、電子銃２及び光学系４は、高い真空度に維持された電子光学鏡筒内に配置され、基板ステージ５は、電子光学鏡筒内よりも低い真空度に維持されたチャンバ内に配置される。また、基板７は、例えば、単結晶シリコンからなるウエハであり、その表面には、感光性のレジストが塗布されている。
【００１７】
電子銃２は、熱や電界の印加によって電子線を放出し、図１では、クロスオーバ３から発散された電子線（の軌道）２ａを点線で示している。光学系４は、電子銃側から順に、コリメーターレンズ１０、アパーチャアレイ１１、第１静電レンズアレイ１２、ブランキング偏向器アレイ１３、ブランキングアパーチャアレイ１４、偏向器アレイ１５及び第２静電レンズアレイ１６を含む。また、光学系４は、ブランキングアパーチャアレイ１４の下流側に、第３静電レンズアレイ１７を含んでいてもよい。
【００１８】
コリメーターレンズ１０は、電磁レンズで構成され、クロスオーバ３から発散された電子線を略平行にする。アパーチャアレイ１１は、マトリクス状に配列された複数の円形状の開口を有し、コリメーターレンズ１０からの電子線を複数の電子線に分割する。第１静電レンズアレイ１２は、円形状の開口を有する３枚の電極板で構成され、ブランキングアパーチャアレイ１４に対して、電子線を結像する。
【００１９】
ブランキング偏向器アレイ１３及びブランキングアパーチャアレイ１４は、マトリクス状に配置され、各電子線の照射のＯＮ（非ブランキング）／ＯＦＦ（ブランキング）動作を制御する。偏向器アレイ（偏向器）１５は、基板ステージ５に保持された基板７の上の像をＸ軸方向に偏向する。第２静電レンズアレイ１６は、ブランキングアパーチャアレイ１４を通過した電子線を基板７の上に結像する。また、第２静電レンズアレイ１６は、基板ステージ５に配置された検出部２０に対して、クロスオーバ３の像を結像する。
【００２０】
基板ステージ５は、６軸駆動が可能な構成を有し、基板７を、例えば、静電吸着によって保持しながら、少なくともＸ軸方向及びＹ軸方向の２軸方向に移動する。基板ステージ５の位置は、干渉計（レーザー測長器）などによって実時間で計測される。かかる干渉計の分解能（即ち、基板ステージ５の駆動精度）は、例えば、０．１ｎｍ程度である。
【００２１】
基板ステージ５には、基板７に照射される電子線の特性を検出するための検出部（ビーム検出部）２０が配置されている。検出部２０の出力信号（電気信号）は、電子線の特性（の変化）の検出に用いられる。ここで、電子線の特性とは、電子線の位置、形状、強度（強度分布）などを含む。検出部２０は、当業界で周知のいかなる構成をも適用可能であるが、例えば、スリットを利用して、上述したような電子線の特性を検出する。
【００２２】
制御部６は、描画装置１の描画処理に関わる各構成要素の動作を制御するために、主制御部３０と、レンズ制御部（不図示）と、ブランキング制御部３１と、偏向制御部３２と、検出制御部３３と、ステージ制御部３４とを含む。主制御部３０は、レンズ制御部、ブランキング制御部３１、偏向制御部３２、検出制御部３３及びステージ制御部３４を統括する。
【００２３】
レンズ制御部は、コリメーターレンズ１０、第１静電レンズアレイ１２、第２静電レンズアレイ１６及び第３静電レンズアレイ１７のそれぞれの動作を制御する。ブランキング制御部３１は、描画パターン生成部、ビットマップ変換部及びブランキング指令生成部によって生成されるブランキング信号に基づいて、ブランキング偏向器アレイ１３の動作を制御する。ここで、描画パターン生成回路は、描画パターンを生成し、かかる描画パターンは、ビットマップ変換部によってビットマップデータに変換される。ブランキング指令生成部は、ビットマップデータに基づいて、ブランキング信号を生成する。偏向制御部３２は、偏向信号生成部によって生成される偏向信号に基づいて、偏向器アレイ１５の動作を制御する。
【００２４】
検出制御部３３は、検出部２０の出力信号に基づいて電子線の照射の有無を判定し、かかる判定結果を主制御部３０に入力する。また、検出制御部３３は、主制御部３０を介してステージ制御部３４や偏向制御部３２と協同することで、基板７に照射される電子線の特性（電子線の位置、形状、強度）を求める。具体的には、検出制御部３３は、検出部２０の出力信号、ステージ制御部３４からの基板ステージ５の位置情報、及び、偏向制御部３２からの電子線の偏向量（偏向幅）に基づいて、電子線の特性を求める。
【００２５】
ステージ制御部３４は、主制御部３０からの指令に基づいて、基板ステージ５の目標位置を求め、基板ステージ５が目標位置に位置するように基板ステージ５の移動を制御する。基板ステージ５の移動の制御には、干渉計によって計測された基板ステージ５の位置（干渉計による計測データ）が用いられる。
【００２６】
ステージ制御部３４は、パターンの描画中、基板ステージ５（基板７）をＹ軸方向に連続的に走査（スキャン）する。この際、偏向器アレイ１５は、干渉計によって計測された基板ステージ５の位置を基準として、基板７に照射される電子線をＸ軸方向に偏向させる。また、ブランキング偏向器アレイ１３は、基板上で目標線量（目標とする照射量）が得られるように、電子線の照射のＯＮ／ＯＦＦを行う。
【００２７】
アライメント系５０は、基板上のマークを検出するマーク検出部である。アライメント系５０は、例えば、グローバルアライメント、ゾーンアライメント、ダイバイダイアライメントなどに用いられ、基板上の複数の領域のそれぞれに設けられたアライメントマーク（重ね合わせマーク）を検出する。かかるアライメントマークは、例えば、基板上の実素子領域に描画されるパターンと同時に基板上のスクライブラインに描画される。また、アライメント系５０は、スクライブラインに描画されるアライメントマークの代わりに、実素子領域に描画されたパターンの一部などをアライメントマークとして検出することも可能である。
【００２８】
主制御部３０は、上述したように、レンズ制御部、ブランキング制御部３１、偏向制御部３２、検出制御部３３及びステージ制御部３４を統括し、描画装置１の全体（動作）を制御する機能を有する。また、後述するように、主制御部３０は、基板７のアライメントにおいて、パターンを形成するための基準位置（描画位置）を決定する処理部として機能する。この際、主制御部３０は、基板上の第１領域へのビームの照射の前における基板上の第２領域の第１位置情報と、第１領域へのビームの照射の後における基板上の第２領域の第２位置情報とのそれぞれに重みを与えて第２領域の位置情報を得る処理部として機能する。なお、第１位置情報及び第２位置情報は、検出部２０の出力に基づいて得られる。また、第１位置情報及び第２位置情報のうち少なくとも一方は、アライメント系５０の出力にも基づいて得られる。
【００２９】
描画装置１では、図２に示すように、装置内の温度や磁場の変化の影響などによって、基板７に照射される電子線の位置が経時的に変化する。図２には、描画開始時の第１電子線の位置２０１Ｓ及び第１格子の位置２０５Ｓと、描画開始時の第２電子線の位置２０２Ｓ及び第２格子の位置２０６Ｓとが図示されている。第１電子線及び第１格子は、点線で示すパターン（図形）２０３を描画し、第２電子線及び第２格子は、実線で示すパターン（図形）２０４を描画する。図２では、パターン２０４を描画しているときに第２電子線の位置が経時変化した状態を示している。２０１Ｅ及び２０５Ｅのそれぞれは、描画終了時の第１電子線及び第１格子の位置を表し、２０２Ｅ及び２０６Ｅのそれぞれは、描画終了時の第２電子線及び第２格子の位置を表している。従って、電子線の位置を定期的に検出部２０で検出して較正（キャリブレーション）する必要がある。
【００３０】
一方、電子線の位置を較正すると、それまで連続的に変化していた電子線の位置が不連続的に変化する。従って、例えば、直線パターンを描画している途中でビームの位置を較正した場合、図３に示すように、直線パターンが不連続になってしまう。図３には、下地のパターン４０１と、下地のパターン４０１に重ね合わせて描画する描画パターン４０２ａ、４０２ｂ、４０２ｃ及び４０２ｄとが図示されている。図３では、理解を容易にするために、電子線の位置の経時変化を極端に表している。図３を参照するに、電子線の位置の較正を行わない場合、下地のパターン４０１と描画パターン４０２ａとの間に重ね合わせのずれが発生する。また、描画中に電子線の位置の較正を１回行った場合、２回行った場合、３回行った場合には、それぞれ、描画パターン４０２ｂ、描画パターン４０２ｃ、描画パターン４０２ｄが描画される。図３から明らかなように、電子線の位置の較正によって、重ね合わせ精度は改善されるが、描画パターンに不連続点ＤＰが生じ、線幅精度が低下していることがわかる。一方、電子線の位置の較正を行わないと、線幅精度は維持されるが、電子線の位置の経時変化によって、下地のパターン４０１からずれて描画パターンが描画されることになる。このように、電子線の位置の較正を行うことは、重ね合わせ精度と線幅精度の両方に対して影響を及ぼすことになる。換言すれば、重ね合わせ精度と線幅精度とは、相反する関係であるため、それらを両立させることは困難である。
【００３１】
また、パターンの形成に要求される重ね合わせ精度及び線幅精度は、半導体デバイスやその製造工程に応じて異なる。従って、それぞれの精度を個別に補正すると、ユーザが求める結果とは異なる結果となる（即ち、パターンの形成に要求される重ね合わせ精度及び線幅精度を満たすことができない）可能性がある。換言すれば、線幅の補正によって重ね合わせ精度が低下したり、重ね合わせの補正によって線幅精度が低下したりしてしまう。
【００３２】
そこで、本実施形態の描画装置１では、重ね合わせ精度を優先するのか、線幅精度を優先するのか、或いは、重ね合わせ精度も線幅精度も同程度にするのか、などをユーザが任意に入力（制御）することができるようにしている。具体的には、ユーザの入力に応じて、重ね合わせ精度と線幅精度の優先順位を表す順位パラメータの値や重ね合わせと線幅とのそれぞれに与える重みを表す重み付けパラメータの値を設定する設定部４０を描画装置１が有している。描画装置１では、設定部４０によって設定された順位パラメータや重み付けパラメータの値に応じて描画を行うことで、ユーザが求める結果、即ち、パターンの形成に要求される重ね合わせ精度及び線幅精度を保証している。
【００３３】
図４を参照して、描画装置１におけるスティッチング法による描画処理について説明する。かかる描画処理は、上述したように、制御部６、特に、主制御部３０が描画装置１の各部を統括的に制御することで行われる。また、ここでは、基板上の１つのショット領域を複数の分割領域に分割し、かかる分割領域に部分パターンを描画するものとする。
【００３４】
Ｓ５０２では、基板７を描画装置１の外部から描画装置１に搬入し、かかる基板７を基板ステージ５に保持させる。描画装置１に搬入される基板７には、パターンを描画するために必要なレジストが予め塗布されている。また、描画装置１に搬入される基板７には、下地のパターン（回路パターン）及びアライメントマークが既に形成されている。
【００３５】
Ｓ５０４では、グローバルアライメント計測、ゾーンアライメント計測及びダイバイダイアライメント計測のいずれかに関する手順に基づいて、基板７に設けられたアライメントマークを検出する。グローバルアライメント計測では、まず、基板７の複数のショット領域のうちグローバルなサンプルショット領域（特定のサンプル領域）に設けられたアライメントマークをアライメント系５０で検出する。そして、アライメント系５０の検出結果に対して処理（回帰式を用いた回帰演算等）を行うことで基板上の各ショット領域の配列（位置等）を求める。また、ゾーンアライメント計測では、基板上のローカルなショット領域に設けられたアライメントマークをアライメント系５０で検出し、その検出結果に基づいてショット領域の位置を求める。ここで、ローカルなショット領域は、例えば、部分パターンの描画の対象となる対象分割領域及び対象分割領域とグループ化された対象分割領域の周りの領域を含む。また、ダイバイダイアライメント計測では、対象分割領域に設けられたアライメントマークをアライメント系５０で検出し、その検出結果に基づいてショット領域の位置を求める。
【００３６】
Ｓ５０６では、基板７に照射される電子線の位置を検出するかどうかを判定する。ここでの判定基準は、例えば、一定時間間隔であったり、基板ごとであったり、描画時間（電子線の積算照射時間）であったりする。このような判定基準は、予め決められており、設定部４０などを介して描画装置１に設定されている。基板７に照射される電子線の位置を検出する場合には、Ｓ５０８に移行する。一方、基板７に照射される電子線の位置を検出しない場合には、Ｓ５１０に移行する。
【００３７】
Ｓ５０８では、基板７に照射される電子線の位置を検出部２０で検出する。また、検出部２０によって検出された電子線の位置に基づいて、基板上の複数の分割領域のうち対象分割領域（第２領域）について、部分パターンを形成するための第１位置情報（描画位置）を求める。第１位置情報は、基板上の対象分割領域に隣接する領域（第１領域）へのビームの照射の前における対象分割領域の位置であって、線幅精度を優先する描画位置である。
【００３８】
Ｓ５１０では、対象分割領域について、部分パターンを形成するための第２位置情報（描画位置）を求める。第２位置情報は、基板上の対象分割領域に隣接する領域（第１領域）へのビームの照射の後における対象分割領域の位置であって、重ね合わせ精度を優先する描画位置である。具体的には、Ｓ５０４でのアライメント系５０の検出結果、及び、対象分割領域に隣接し、且つ、部分パターンが既に形成された分割領域における部分パターンの位置に基づいて第２位置情報を求める。なお、対象分割領域に隣接する分割領域における部分パターンの位置は、例えば、対象分割領域に隣接する分割領域に部分パターンを描画したときの描画情報を用いて求めることができる。描画情報は、例えば、制御部６のメモリなどの記憶部に記憶され、部分パターンを描画したときに基板７に照射した電子線の積算照射量、描画時のシフト、倍率、回転などの線形補正量と基板ステージ５の位置などを含む。また、対象分割領域に隣接する分割領域における部分パターンの位置は、対象分割領域に隣接する分割領域に部分パターンを形成したときのゾーンアライメント計測やダイバイダイアライメント計測に基づいて求めてもよい。換言すれば、対象分割領域に隣接する分割領域に部分パターンを形成したときにアライメント系５０で検出されたアライメントマークに基づいて、隣接する分割領域における部分パターンの位置を求めてもよい。なお、対象分割領域に隣接する分割領域における部分パターンの位置とは、かかる部分パターンの並進、回転、形状及び寸法のうち少なくとも１つに関する情報としうる。
【００３９】
Ｓ５１２では、設定部４０によって設定された順位パラメータの値及び重み付けパラメータの値を取得し、その値に対応して第１位置情報及び第２位置情報のそれぞれに与える重み（重み付け）を決定する。順位パラメータは、重ね合わせ精度を優先するのか、線幅精度を優先するのかを表す変数を含む。例えば、順位パラメータの変数が「１」である場合には線幅精度を優先し、第１位置情報に与える重みを「１」、第２位置情報に与える重みを「０」とする。また、順位パラメータの変数が「０」である場合には重ね合わせ精度を優先し、第１位置情報に与える重みを「０」、第２位置情報に与える重みを「１」とする。一方、重み付けパラメータは、第１位置情報に与える重みを表す第１変数（第１重み）と第２位置情報に与える重みを表す第２変数（第２重み）とを含む。なお、重み付けパラメータの第１変数及び第２変数のそれぞれは０以上１以下の実数であり、第１変数と第２変数との和は１である。従って、第１変数が「１」、第２変数が「０」である場合には線幅精度を優先し、第１変数が「０」、第２変数が「１」である場合には重ね合わせ精度を優先することになる。また、それ以外の場合、例えば、第１変数が「０．３」、第２変数が「０．７」である場合には、線幅精度及び重ね合わせ精度のそれぞれが３：７の割合で考慮されることになる。
【００４０】
Ｓ５１４では、対象分割領域について、部分パターンを形成する位置を決定する。具体的には、Ｓ５０８で求めた第１位置情報及びＳ５１０で求めた第２位置情報のそれぞれにＳ５１２で決定した重みを与え、重みが与えられた第１位置情報及び第２位置情報に基づいて部分パターンを形成する位置を決定する。
【００４１】
例えば、線幅精度の重み（第１変数の値）をＣＡ、重ね合わせ精度の重み（第２変数の値）をＣＢ、第１位置を（Ｓｘ、Ｓｙ）、第２位置を（Ｂｘ、Ｂｙ）とする。この場合、部分パターンを形成する位置は、（ＣＡ×Ｓｘ＋ＣＢ×Ｂｘ、ＣＡ×Ｓｙ＋ＣＢ×Ｂｙ）となる。
【００４２】
Ｓ５１６では、Ｓ５１４で決定した位置に基づいて、対象分割領域に部分パターンを描画する。Ｓ５１８では、Ｓ５１６で部分分割領域に部分パターンを描画したときの描画情報（基板７に照射した電子線の積算照射量、描画時のシフト、倍率、回転などの線形補正量と基板ステージ５の位置など）を、例えば、制御部６のメモリなどの記憶部に記憶する。Ｓ５１８で記憶された描画情報は、第１位置を求める（Ｓ５０８）ときに、必要に応じて用いられる。
【００４３】
Ｓ５２０では、基板上の全ての分割領域に部分パターンを描画したかどうかを判定する。基板上の全ての分割領域に部分パターンを描画していない場合には、部分パターンが描画されていない分割領域を対象分割領域としてＳ５０４に移行する。また、基板上の全ての分割領域に部分パターンを描画した場合には、Ｓ５２２に移行して、かかる基板７を描画装置１の外部に搬出する。
【００４４】
このように、描画装置１では、重ね合わせ精度と線幅精度との間の優先度を決定するパラメータを、それには限定されないが、基板又はそのロットごとに設定することが可能である。よって、描画装置１は、パターンの形成に要求される重ね合わせ精度及び線幅精度の両立に有利なリソグラフィ装置を実現することができる。
【００４５】
本実施形態では、描画装置１がマルチビーム方式である場合を例に説明したが、描画装置１がシングルビーム方式である場合であっても同様な効果を得ることができる。
【００４６】
また、例えば、基板７に照射される電子線を一定時間間隔で検出する場合、その間の電子線の位置を求めることができない。このような場合、検出部２０の出力に基づいて計測された電子線の位置と、当該計測からの経過時間とに基づいて、電子線の位置を推定するのもよい。当該推定は、予め妥当性を確認された変動モデルに基づいてなされうる。
【００４７】
例えば、電子線の位置の経時変化の主要因が描画に伴う電子光学系内の発熱の場合、基板７に対する電子線の積算照射量に基づいて電子線の位置を推定しうるものである。
【００４８】
描画装置１は、例えば、半導体デバイス等のマイクロデバイスや微細構造を有する素子等の物品を製造するのに好適である。物品の製造方法は、基板に塗布された感光剤に描画装置１を用いて潜像パターンを形成する工程（基板に描画を行う工程）と、かかる工程で潜像パターンを形成された基板を現像する工程（描画を行われた基板を現像する工程）とを含む。更に、かかる製造方法は、他の周知の工程（酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等）を含みうる。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも１つにおいて有利である。
【００４９】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。例えば、本発明は、リソグラフィ装置を描画装置に限定するものではなく、露光装置にも適用することができる。ここで、露光装置は、光や荷電粒子等のビームを用い、レチクル又はマスク及び投影光学系を介して基板を露光するリソグラフィ装置である。また、本発明は、基板上の複数の分割領域を基板の複数のショット領域のそれぞれとして適用することができる
【符号の説明】
【００５０】
１：描画装置    ６：制御部    ２０：検出部    ３０：主制御部    ５０：アライメント系
【図１】
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【図２】
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【図４】
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【図３】
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