(57)【要約】【課題】真空雰囲気を形成する筐体をベントする際、舞い上がるパーティクルを抑制する。【解決手段】筐体１０１は、真空雰囲気を形成するための排気孔１１１と、気体を導入するための吸気孔１１２と、基板２００を保持する保持手段とを備え、吸気孔１１２から気体を導入する際に気体が拡散していく経路において、吸気孔１１２と保持された基板２００の周端縁との間に配置される検出用具１２１を有する微粒子検出装置１０２とを備える真空処理システム。【選択図】図１
2016082171.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空雰囲気を形成する筐体内において、画像を表示する表示パネルを構成する基板を処理する真空処理システムであって、
前記筐体は、
前記筐体から気体を排出して真空雰囲気を形成するための排気孔と、
真空雰囲気が形成された前記筐体へ気体を導入するための吸気孔と、
前記筐体内の所定の位置に前記基板を保持する保持手段とを備え、
前記吸気孔から前記筐体内へ気体を導入する際に気体が拡散していく経路において、前記吸気孔と前記保持手段に保持された前記基板の周端縁との間に配置されるように前記筐体に取り付けられる検出用具を有する微粒子検出装置と
を備える真空処理システム。
【請求項２】
前記保持手段は、前記基板を水平に沿うように保持し、
前記検出用具は、前記基板の下方に配置され、
前記吸気孔は、前記検出用具の下方に配置される
請求項１に記載の真空処理システム。
【請求項３】
さらに、
前記微粒子検出装置が微粒子の量が所定の値より多いことを示す信号を送信した場合に、前記筐体へ導入する気体の量を絞る流量調節装置
を備える請求項１または２に記載の真空処理システム。
【請求項４】
さらに、
前記微粒子検出装置が微粒子の量が所定の値より多いことを示す信号を送信した場合に、前記筐体から気体を排出し前記筐体へ気体を導入するベントサイクルを実施する制御手段
を備える請求項１〜３のいずれか１項に記載の真空処理システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、真空雰囲気を形成する筐体内において、画像を表示する表示パネルを構成する基板を処理する真空処理システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、液晶ディスプレイや有機ＥＬディスプレイなど、画像を表示する表示パネルが広く用いられるようになってきている。これらの表示パネルを製造する工程については、基板に対し塗布された有機ＥＬ膜を乾燥させる処理工程や、画像を表示するための駆動回路に用いられる薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を形成する工程などがあり、これらの工程は真空雰囲気中で行われることが多い。
【０００３】
例えば、特許文献１には、基板表面に印刷により形成された膜を筐体に収容し、筐体内を真空雰囲気に維持して、膜から溶媒を除去して乾燥させる乾燥装置が記載されている。
【０００４】
そして、真空雰囲気が形成された筐体から処理後の基板を取り出す際は、筐体内に大気を導入するいわゆるベント作業が行われる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００９−１５６４７４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところが、前記ベント作業の際に、筐体に導入される気体（空気）によって、筐体の内部に付着していたパーティクルが舞い上がり、筐体内で処理された基板の表面にパーティクルが付着して汚染される場合がある。
【０００７】
本開示は、上記課題に鑑みなされたものであり、舞い上がったパーティクルを早期に把握し、対応することのできる真空処理システムの提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するために、本開示にかかる真空処理システムは、真空雰囲気を形成する筐体内において、画像を表示する表示パネルを構成する基板を処理する真空処理システムであって、前記筐体は、前記筐体から気体を排出して真空雰囲気を形成するための排気孔と、真空雰囲気が形成された前記筐体へ気体を導入するための吸気孔と、前記筐体内の所定の位置に前記基板を保持する保持手段とを備え、前記吸気孔から前記筐体内へ気体を導入する際に気体が拡散していく経路において、前記吸気孔と前記保持手段に保持された前記基板の周端縁との間に配置されるように前記筐体に取り付けられる検出用具を有する微粒子検出装置とを備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
これにより、ベント作業の初期段階で舞い上がるパーティクルをベント作業開始後の早い段階で把握することができ、舞い上がったパーティクルによる基板の汚染を未然に防ぐことが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】図１は、筐体内部を断面で表した真空処理システムを示す図である。
【図２】図２は、他の実施の形態の筐体内部を断面で表した真空処理システムを示す図である。
【図３】図３は、他の実施の形態の筐体内部を断面で表した真空処理システムを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
次に、本開示に係る真空処理システムの実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、以下の実施の形態は、本開示に係る真空処理システムの一例を示したものに過ぎない。従って本開示は、以下の実施の形態を参考に請求の範囲の文言によって範囲が画定されるものであり、以下の実施の形態のみに限定されるものではない。よって、以下の実施の形態における構成要素のうち、本開示の最上位概念を示す独立請求項に記載されていない構成要素については、本開示の課題を達成するのに必ずしも必要ではないが、より好ましい形態を構成するものとして説明される。
【００１２】
また、図面は、本開示を示すために適宜強調や省略、比率の調整を行った模式的な図となっており、実際の形状や位置関係、比率とは異なる場合がある。
【００１３】
（実施の形態１）
図１は、筐体内部を断面で表した真空処理システムを示す図である。
【００１４】
同図に示すように、真空処理システム１００は、真空雰囲気中に配置された基板２００に対して処理を行うシステムであって、筐体１０１と、微粒子検出装置１０２と、真空系１０３とを備えている。本実施の形態の場合、真空処理システム１００はさらに、流量調節装置１０４と、主バルブ１０７とを備えている。
【００１５】
また真空処理システム１００の処理内容は、特に制限されるものではないが、本実施の形態の場合、真空処理システム１００は、真空乾燥システムであるとして説明する。なお、主装置の真空雰囲気を維持した状態で基板２００を主装置に搬出入するためにロードロック室において排気や吸気の処理を行うことも真空処理に含むものとする。
【００１６】
基板２００は、真空処理システム１００の処理対象であり、画像を表示する表示パネルを構成する要素の一つである。具体的に例えば、基板２００は、ＴＦＴアレイが形成される絶縁性を備えた板状の部材であり、石英ガラス、無アルカリガラス又は高耐熱性ガラス等のガラス材料で構成される場合がある。また、基板２００は、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリイミド等の樹脂材料からなる樹脂材料で構成される場合もある。また、ＴＦＴアレイや機能膜が形成される前の状態ばかりでなく、ＴＦＴアレイや機能膜が形成された後の物なども、基板２００に含むものとしている。
【００１７】
筐体１０１は、基板２００を処理するための真空雰囲気を形成する箱状の部材であり、内方が真空となった場合においても大気圧に抗することのできる剛性を備えた部材である。筐体１０１は、排気孔１１１と、吸気孔１１２と、保持手段１１３とを備えている。また、筐体１０１は、基板２００を筐体１０１内に搬出入するための開閉可能な搬出入口（図示せず）を備えてもよく、筐体１０１が蓋と本体とを備え、蓋を開けることによって基板２００を搬出入するものでもかまわない。
【００１８】
排気孔１１１は、筐体１０１から気体を排出して筐体１０１内に真空雰囲気を形成するための通気孔である。本実施の形態の場合、排気孔１１１は、筐体１０１の天井部分に設けられており、主バルブ１０７を介して真空系１０３に接続されている。
【００１９】
真空系１０３とは、筐体１０１内の気体を真空となるまで排出することのできる真空ポンプ、または、複数台の真空ポンプの組み合わせ、および、それらを接続する配管などからなるものである。
【００２０】
主バルブ１０７は、排気孔１１１を開閉することができる弁であり、筐体１０１から気体を排出する際、および、筐体１０１内を真空雰囲気に維持する場合は開状態となり、筐体１０１内を大気開放する際などは閉状態となる。
【００２１】
吸気孔１１２は、真空雰囲気が形成された筐体１０１へ気体を導入するための通気孔であり、ベントポートなどと称される部分である。本実施の形態の場合、吸気孔１１２は、筐体１０１の底部分に設けられており、流量調節装置１０４と接続されている。
【００２２】
なお吸気孔１１２を介して導入される気体の種類は特に限定されるものではなく、例えば、筐体１０１の周囲に存在する雰囲気（空気）であってもよく、また、パーティクルの筐体１０１への侵入を抑制するため、フィルターによってパーティクルが除去された後の空気等でもよい。また、ボンベに保管された清浄な気体（例えば窒素ガスなど）であってもよい。
【００２３】
保持手段１１３は、筐体１０１内の所定の位置に基板２００を保持する部材である。本実施の形態の場合、保持手段１１３は、基板２００を水平に沿うように保持している。具体的に保持手段１１３は、筐体１０１の内部底面から上方に向けて突出状態で設けられた複数本のピンで構成されており、複数本のピンの先端と基板２００の一面の複数箇所とを接触させることで基板２００が水平、または、ほぼ水平となるように支持している。
【００２４】
なお、保持手段１１３は特に限定されるものでは無く、例えば基板２００を載置するステージのようなものでもよい。
【００２５】
微粒子検出装置１０２は、飛散状態のパーティクル（微粒子）を検出することができる装置であり、検出用具１２１を備えている。微粒子検出装置１０２は、特に限定されるものではないが、例えば所定の空間領域に光を照射し、当該空間領域内に飛散しているパーティクルからの散乱光の強さを測り、パーティクルの量（数）や大きさの情報を電気信号として取り出すことで測定する装置を挙示することができる。
【００２６】
検出用具１２１は、吸気孔１１２から筐体１０１内へ気体を導入する際に気体が拡散していく経路である拡散経路１１０において、吸気孔１１２と保持手段１１３に保持された基板２００の周端縁との間に配置されるように筐体１０１に取り付けられる装置である。具体的に検出用具１２１は、特に限定されるものではないが、例えば、飛散しているパーティクルを検出するための領域であるセンシング領域からセンサが取り付けられている位置にパーティクルを導くための管状の部材でもよい。また、検出用具１２１は、センシング領域においてパーティクルに光を照射し、また、散乱光を導光するような光学系でもかまわない。さらに、検出用具１２１は、パーティクルを検出するセンサそのものをセンシング領域に配置するものであってもかまわない。
【００２７】
また、検出用具１２１が拡散経路１１０において、吸気孔１１２と保持手段１１３に保持された基板２００の周端縁との間に配置されるとは、検出用具１２１の全体が当該部分に配置される必要は無く、パーティクルを検出する領域であるセンシング領域を形成する検出用具１２１の部分であるセンシング部１２２が当該部分に配置されていればよい。
【００２８】
本実施の形態の場合、検出用具１２１（特にセンシング部１２２）は、基板２００の下方に配置され、吸気孔１１２は、検出用具１２１（特にセンシング部１２２）の下方に配置されている。
【００２９】
これにより、ベント作業を開始してから基板２００の表面（上面）に多くのパーティクルが到達する前に飛散するパーティクルを検出することが可能となる。
【００３０】
流量調節装置１０４は、筐体１０１へ導入する気体の量を調整することができる装置である。具体的に例えば流量調節装置１０４は、流量の調整が可能なニードルバルブやバタフライバルブなどの弁の開度を入力信号に基づき自動的に決定することのできる装置である。なお、流量調節装置１０４自らが流量を測定し、その結果をフィードバックして自動的に所定の流量に調整するマスフローコントローラーのようなものであってもよい。
【００３１】
本実施の形態の場合、流量調節装置１０４は、微粒子検出装置１０２からの信号に基づいて筐体１０１へ導入する気体の量を調整している。微粒子検出装置１０２が微粒子の量が所定の値より多いことを示す信号を送信した場合に、当該信号を受信した流量調節装置１０４は筐体１０１へ導入する気体の量を絞る制御が行われる。
【００３２】
具体的に例えば、微粒子検出装置１０２がパーティクルを検出した旨の信号を発信した場合に、流量調節装置１０４は、予め定めた流量になるように弁の開度を調整してもよい。さらに、微粒子検出装置１０２がパーティクルの量（数）を示す信号を逐次発信し、当該信号を受けた流量調節装置１０４がパーティクルの量（数）が多くなるに従い、弁の開度を徐々に絞るように調節してもよい。また、パーティクルの量（数）が第一閾値以下になるようにフィードバック制御を行ってもよい。
【００３３】
以上により、筐体１０１をベントする際において飛散するパーティクルの量を早期に検出し、ベント作業時において筐体１０１に吸気される気体の量を抑制するように調整してパーティクルの飛散量を低く押さえることで、基板２００に付着するパーティクルの量（数）を低減させることが可能となる。
【００３４】
（実施の形態２）
次に、真空処理システム１００の他の実施形態を説明する。なお、実施の形態１で説明した機構や構造、機能と同じ機構や構造、機能を有するものは同じ符号を付し説明を省略する場合がある。また、実施の形態１と異なる点を説明し、同じ内容については説明を省略する。
【００３５】
図２は、他の実施の形態の筐体内部を断面で表した真空処理システムを示す図である。
【００３６】
同図に示すように、本実施の形態の場合、真空処理システム１００は、流量調節装置１０４を備えず、制御手段１０５と、ベントバルブ１０６とを備えている。
【００３７】
ベントバルブ１０６は、吸気孔１１２に取り付けられる弁であって、吸気孔１１２を開閉することができる弁である。本実施の形態の場合、ベントバルブ１０６は、開と閉との２状態のみとれるものとなっている。
【００３８】
制御手段１０５は、微粒子検出装置１０２がパーティクルの量（数）が所定の値より多いことを示す信号を送信した場合に、筐体１０１から気体を排出する排気工程と、筐体１０１へ気体を導入するベント工程とを繰り返すベントサイクルを実施する制御を行う装置である。
【００３９】
具体的に例えば、ベントバルブ１０６を開状態にした後において、微粒子検出装置１０２が第二閾値を超えたことを示す信号を発信し、当該信号を制御手段１０５が受信した場合、制御手段１０５は次のような制御を行う。すなわち、基板２００を取り出せるまでベントを行う。次に、筐体１０１から基板２００を取り出す。次に、筐体１０１に基板２００を搬入せずにベントバルブ１０６等を閉じ、筐体１０１内を真空にする。次に、ベントバルブ１０６を開けてベントを行う。以上の排気行程とベント工程とを繰り返すベントサイクルを、微粒子検出装置１０２が第三閾値を超えたことを示す信号を発信しなくなるまで繰り返す。ここで、第三閾値は第二閾値よりも小さい値としている。
【００４０】
以上によれば、筐体１０１の内部を清浄な状態に維持することができ、筐体１０１内で処理される基板２００がパーティクルにより汚染されることを抑制できる。
【００４１】
なお、本開示は、上記実施の形態に限定されるものではない。例えば、本明細書において記載した構成要素を任意に組み合わせて、また、構成要素のいくつかを除外して実現される別の実施の形態を本開示の実施の形態としてもよい。また、上記実施の形態に対して本開示の主旨、すなわち、請求の範囲に記載される文言が示す意味を逸脱しない範囲で当業者が思いつく各種変形を施して得られる変形例も本開示に含まれる。
【００４２】
例えば、図３に示すように、真空処理システム１００は、流量調節装置１０４とベントバルブ１０６との両方を備え、制御手段１０５はこれらの両方を微粒子検出装置１０２からの信号に基づき制御するものであってもかまわない。この場合、真空処理システム１００の通常のベント時は、流量調節装置１０４の弁の開度を絞ってパーティクルが舞い上がらないように制御を行い、ベント時間（ベントを開始してから基板２００を取り出すことができる状態になるまでの時間）が第四閾値よりも長いと制御手段１０５が判断した場合は、ベントサイクルを繰り返すものとしてもよい。
【００４３】
また、真空処理システム１００は、特に限定されるものでは無く、基板２００の表面に印刷技術などにより塗布された有機ＥＬ材料をベークするシステムでもかまわない。具体的には、筐体１０１の内方に加熱用のヒーターを配置してもかまわない。
【００４４】
また、ベントサイクルの回数を微粒子検出装置１０２の検出結果に基づいて決定しているが、例えば、微粒子検出装置１０２が第二閾値を越えるパーティクルの量（数）を検出した場合、予め定めた回数のベントサイクルを実行するものとしてもよい。
【００４５】
さらに、ベントサイクル中に通常の処理を行う基板２００と同じ形状のダミー基板を保持手段１１３に保持させることが好ましい。
【００４６】
これにより、微粒子検出装置１０２の検出結果の精度を向上させることが可能となり、ベントサイクルを適切な回数繰り返すことが可能となる。
【産業上の利用可能性】
【００４７】
有機ＥＬ表示パネル等の表示パネルを製造するために基板を真空雰囲気中で処理する装置に利用可能である。
【符号の説明】
【００４８】
１００  真空処理システム
１０１  筐体
１０２  微粒子検出装置
１０３  真空系
１０４  流量調節装置
１０５  制御手段
１０６  ベントバルブ
１０７  主バルブ
１１０  拡散経路
１１１  排気孔
１１２  吸気孔
１１３  保持手段
１２１  検出用具
１２２  センシング部
２００  基板
【図１】
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【図２】
2016082171.tif 000004
【図３】
2016082171.tif 000005