(57)【要約】【課題】半導体装置の歩留まりを向上させることが可能な電極ユニットを提供する。【解決手段】電極ユニットは、第１面と、第２面と、第１電極部と、第２電極部と、接続部とを具備する。上記第１面は、電極パッドを有するウエハに貼り付け可能である。上記第２面は、上記第１面とは反対側の面である。上記第１電極部は、上記第１面に設けられ、上記電極パッドに接触する。上記第２電極部は、上記第２面に設けられ、上記ウエハの検査用のプローブピンによる接触を受ける。上記接続部は、上記第１電極部と上記第２電極部とを接続する。【選択図】図３
2016061623.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電極パッドを有するウエハに貼り付け可能な第１面と、
前記第１面とは反対側の第２面と、
前記第１面に設けられ、前記電極パッドに接触する第１電極部と、
前記第２面に設けられ、前記ウエハの検査用のプローブピンによる接触を受ける第２電極部と、
前記第１電極部と前記第２電極部とを接続する接続部と
を具備する電極ユニット。
【請求項２】
請求項１に記載の電極ユニットであって、
前記第１電極部と前記第２電極部とが対向配置され、
前記接続部が貫通電極として構成される
電極ユニット。
【請求項３】
請求項２に記載の電極ユニットであって、
前記第２電極部が、前記プローブピンの位置に対応して拡張されている
電極ユニット。
【請求項４】
請求項１に記載の電極ユニットであって、
前記第２電極部が、前記プローブピンの位置に対応して、前記第１電極部に対向する位置からずらされている
電極ユニット。
【請求項５】
請求項１に記載の電極ユニットであって、
前記第１電極部と前記第２電極部との少なくとも一方がバンプを有する
電極ユニット。
【請求項６】
請求項１に記載の電極ユニットであって、
前記第１電極部の前記電極パッドに対する接触面が、前記電極パッドと導通する導通領域と、前記電極パッドに導通しない非導通領域とにより構成される
電極ユニット。
【請求項７】
請求項６に記載の電極ユニットであって、
前記導通領域が規則的なパターンを形成している
電極ユニット。
【請求項８】
請求項１に記載の電極ユニットであって、
前記ウエハに対応するＢＩＳＴ回路を更に具備する
電極ユニット。
【請求項９】
請求項１に記載の電極ユニットであって、
前記ウエハと当該ウエハに貼り付けられた前記電極ユニットとによって、後の工程にて前記ウエハに回路層を形成して得られるウエハと同様の回路が形成されるように構成されたダミー回路層を更に具備する
電極ユニット。
【請求項１０】
第１面に設けられた第１電極部と、前記第１面とは反対側の第２面に設けられた第２電極部と、前記第１電極部と前記第２電極部とを接続する接続部とを有する電極ユニットを用意し、
電極パッドを有するウエハに、前記第１電極部が前記電極パッドと接触するように、前記電極ユニットの前記第１面を貼り付け、
前記ウエハに貼り付けられた前記電極ユニットの前記第２電極部にプローブピンを接触させることにより前記ウエハの検査を行い、
前記ウエハから前記電極ユニットを剥離させる
ウエハの検査方法。
【請求項１１】
電極パッドを有するウエハを作製し、
第１面に設けられた第１電極部と、前記第１面とは反対側の第２面に設けられた第２電極部と、前記第１電極部と前記第２電極部とを接続する接続部とを有する電極ユニットを用意し、
前記ウエハに、前記第１電極部が前記電極パッドと接触するように、前記電極ユニットの前記第１面を貼り付け、
前記ウエハに貼り付けられた前記電極ユニットの前記第２電極部にプローブピンを接触させることにより前記ウエハの検査を行い、
前記ウエハから前記電極ユニットを剥離させ、
前記電極ユニットを剥離させた前記ウエハを用いて半導体装置を作製する
半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本技術は、ウエハの検査のための電極ユニット、ウエハの検査方法、半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造プロセスにて、積層前のウエハに対して個々のチップの検査が行われる。ウエハの検査には、一般的に、プローブ装置が用いられる。プローブ装置によるウエハの検査では、ウエハ上の電極パッドに対してプローブピンの先端を接触させ、プローブ装置に接続されたテスタによって各チップの電気的特性を判定する。
【０００３】
ところが、プローブ装置によるウエハの検査では、プローブピンの先端に接触されたウエハの電極パッドに、凹凸形状のプロービング痕が発生する。電極パッドにプロービング痕があるウエハを用いて製造された半導体装置では、例えば、ショートなどの不良が発生したり、所望の性能が得られなかったりする。
【０００４】
このようなプロービング痕による不具合を解消可能な技術が特許文献１，２に開示されている。特許文献１に記載の技術では、電極パッドに発生したプロービング痕を削り取ることにより、プロービング痕の影響を排除している。また、特許文献２に記載の技術では、プロービング痕を発生させないように、ウエハの検査を完全非接触で行う。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１２−２３８６２７号公報
【特許文献２】特開２０１２−７４７２５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、特許文献１に記載の技術では、プロービング痕を削り取るために半導体装置の製造プロセスが複雑化する。また、特許文献２に記載の技術のように、非接触で行うことができる検査は限られている。例えば、トランジスタ素子のようにＤＣ測定による検査が必要な素子については、非接触で検査を行うことができないため、やはりプローブ装置による検査が必要となる。
【０００７】
以上のような事情に鑑み、本技術の目的は、半導体装置の歩留まりを向上させることが可能な電極ユニット、ウエハの検査方法、半導体装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するため、本技術の一形態に係る電極ユニットは、第１面と、第２面と、第１電極部と、第２電極部と、接続部とを具備する。
上記第１面は、電極パッドを有するウエハに貼り付け可能である。
上記第２面は、上記第１面とは反対側の面である。
上記第１電極部は、上記第１面に設けられ、上記電極パッドに接触する。
上記第２電極部は、上記第２面に設けられ、上記ウエハの検査用のプローブピンによる接触を受ける。
上記接続部は、上記第１電極部と上記第２電極部とを接続する。
【０００９】
このように、上記電極ユニット（ダミーウエハ）を用いることにより、ウエハの電極パッドにプローブピンによるプロービング痕を発生させることなく、プローブ装置によるウエハの検査を行うことができる。したがって、検査後のウエハを廃棄する必要がないため、ウエハの歩留まりが向上する。また、検査に合格したウエハをそのまま半導体装置の製造に用いることができるため、半導体装置の歩留まりが向上する。
【００１０】
上記第１電極部と上記第２電極部とが対向配置されていてもよい。
上記接続部が貫通電極として構成されていてもよい。
この構成では、簡単なプロセスにより電極ユニットを製造することが可能である。
【００１１】
上記２電極部が、上記プローブピンの位置に対応して拡張されていてもよい。
この構成では、上記電極ユニットを用いることにより、プローブピンがウエハの電極パッドの位置からずれている場合にも、プローブ装置によるウエハの検査が可能となる。
【００１２】
上記第２電極部が、上記プローブピンの位置に対応して、上記第１電極部に対向する位置からずらされていてもよい。
この構成では、上記電極ユニットを用いることにより、ウエハの電極パッドの位置とプローブピンの位置とが対応していない場合にも、プローブ装置によるウエハの検査が可能となる。
【００１３】
上記第１電極部と上記第２電極部との少なくとも一方がバンプを有していてもよい。
この構成により、上記電極ユニットが繰り返し使用される場合にも、第１電極部及び第２電極部が損傷を受けにくくなる。また、バンプがプロービング痕などにより変形した場合には、電極ユニットを熱処理することによりバンプの形状を回復させることができる。
【００１４】
上記第１電極部の上記電極パッドに対する接触面が、上記電極パッドと導通する導通領域と、上記電極パッドに導通しない非導通領域とにより構成されていてもよい。
この構成では、第１電極部に電極パッドから剥離しやすい非導通領域を設けることにより、第１電極部の導通領域と電極パッドとが圧着状態となっても、第１電極部全体として電極パッドから剥離しにくくなることを防止することができる。
【００１５】
上記導通領域が規則的なパターンを形成していてもよい。
この構成では、第１電極部の導通領域がその全領域にわたって均一に電極パッドに接続するため、第１電極部と電極パッドとの良好な接続が得られる。
【００１６】
上記ウエハと当該ウエハに貼り付けられた上記電極ユニットとによって、後の工程にて上記ウエハに回路層を形成して得られるウエハと同様の回路が形成されるように構成されたダミー回路層を更に具備していてもよい。
この構成では、上記電極ユニットを用いることにより、回路層が形成されていない段階のウエハを、回路層が形成された後のウエハと同様の回路構成で検査することが可能となる。
【００１７】
本技術の一形態に係るウエハの検査方法では、第１面に設けられた第１電極部と、上記第１面とは反対側の第２面に設けられた第２電極部と、上記第１電極部と上記第２電極部とを接続する接続部とを有する電極ユニットが用意される。
電極パッドを有するウエハに、上記第１電極部が上記電極パッドと接触するように、上記電極ユニットの上記第１面が貼り付けられる。
上記ウエハに貼り付けられた上記電極ユニットの上記第２電極部にプローブピンを接触させることにより上記ウエハの検査が行われる。
上記ウエハから上記電極ユニットが剥離させられる。
【００１８】
本技術の一形態に係る半導体装置の製造方法では、電極パッドを有するウエハが作製される。
第１面に設けられた第１電極部と、上記第１面とは反対側の第２面に設けられた第２電極部と、上記第１電極部と上記第２電極部とを接続する接続部とを有する電極ユニットが用意される。
上記ウエハに、上記第１電極部が上記電極パッドと接触するように、上記電極ユニットの上記第１面が貼り付けられる。
上記ウエハに貼り付けられた上記電極ユニットの上記第２電極部にプローブピンを接触させることにより上記ウエハの検査が行われる。
上記ウエハから上記電極ユニットが剥離させられる。
上記電極ユニットを剥離させた上記ウエハを用いて半導体装置が作製される。
【発明の効果】
【００１９】
以上のように、半導体装置の歩留まりを向上させることが可能な電極ユニット、ウエハの検査方法、半導体装置の製造方法を提供することができる。
なお、ここに記載された効果は必ずしも限定されるものではなく、本開示中に記載されたいずれかの効果であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本技術に関連する一般的な半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。
【図２】本技術の一実施形態に係る半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。
【図３】本技術の一実施形態に係るダミーウエハ（電極ユニット）の断面を示す模式図である。
【図４】本技術の一実施形態に係る半導体装置の製造方法の一例を示すフローチャートである。
【図５】図３に示すダミーウエハの変形例の断面を示す模式図である。
【図６】図３に示すダミーウエハの変形例の断面を示す模式図である。
【図７】図３に示すダミーウエハの変形例の断面を示す模式図である。
【図８】図３に示すダミーウエハの変形例の断面を示す模式図である。
【図９】図３に示すダミーウエハの変形例の断面を示す模式図である。
【図１０】図９に示すダミーウエハの第１電極部を示す平面図である。
【図１１】図９に示すダミーウエハの第１電極部の変形例を示す平面図である。
【図１２】図３に示すダミーウエハの変形例の断面を示す模式図である。
【図１３】図３に示すダミーウエハの変形例の断面を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、本技術に係る一実施形態を、図面を参照しながら説明する。
【００２２】
［概略構成］
（一般的な半導体装置の製造方法）
まず、本技術の説明の前に、本技術に関連する一般的な半導体装置の製造方法について説明する。図１は、一般的な半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。
【００２３】
図１に示すように、まず、初期工程として、表面に電極パッドが露出したウエハ１００を製造する（ステップＳ１０１）。例えばＣＭＯＳセンサに用いられるウエハ１００では、初期工程に、素子分離工程、チャネル形成工程、ゲート形成工程、ソースドレイン形成工程、コンタクト形成工程、配線層形成工程などが含まれる。
【００２４】
次に、検査工程として、ウエハ１００の検査を行う（ステップＳ１０２）。検査工程（ステップＳ１０２）では、プローブ装置のプローブピンＰを、ウエハ１００の電極パッドに接触させ、プローブ装置に接続されたテスタによってウエハ１００における各チップの電気的特性を判定する。
【００２５】
検査工程（ステップＳ１０２）では、プローブピンＰの接触によりウエハ１００の電極パッドにプロービング痕が発生する。電極パッドにプロービング痕が発生したウエハ１００を用いて製造される半導体装置は不良品となる可能性が高い。
【００２６】
このため、本製造方法では、検査工程（ステップＳ１０２）を抜き取り検査として実行する。つまり、初期工程（ステップＳ１０１）後のウエハ１００から、検査工程（ステップＳ１０２）を行うためのウエハ１００を所定の間隔で抜き出す。検査工程（ステップＳ１０２）を行ったウエハ１００は廃棄される。
【００２７】
検査工程（ステップＳ１０２）に合格したウエハ１００と同ロットのウエハ１００は良品である可能性が高い。このため、これらのウエハ１００を用いて、残りの配線層を形成する工程や、２枚のウエハ１００を張り合わせる工程や、各チップごとに切り分ける工程などの、残りの工程が行われる（ステップＳ１０３）。これにより、半導体装置が完成する。
【００２８】
本製造方法では、検査工程（ステップＳ１０２）を行ったウエハ１００が廃棄されるため、ウエハ１００自体の歩留まりが低下する。また、半導体装置の製造に用いられるウエハ１００は、検査工程（ステップＳ１０２）が直接行われていないため、不良品である可能性がある。この場合、完成後の半導体装置も不良品となるため、半導体装置の歩留まりが低下する。
【００２９】
（本実施形態に係る半導体装置の製造方法）
図２は、本実施形態に係る半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。
【００３０】
図２に示すように、まず、初期工程として、図１に示すステップＳ１０１と同様に、表面に電極パッドが露出したウエハ１００を製造する（ステップＳ１）。次に、検査工程として、ウエハ１００の検査を行う（ステップＳ２）。
【００３１】
本実施形態に係る検査工程（ステップＳ２）は、図１に示すステップＳ１０２とは異なり、基本的に初期工程（ステップＳ１）後のすべてのウエハ１００に対して行う。
【００３２】
検査工程（ステップＳ２）では、まず、初期工程（ステップＳ１）後のウエハ１００に本実施形態に係るダミーウエハ１を貼り付ける（ステップＳ２−１）。本実施形態に係るダミーウエハ１の構成については後述するが、ステップＳ２−１により、ダミーウエハ１を介してウエハ１００の検査を行うことが可能となる。
【００３３】
つまり、ダミーウエハ１にプローブピンＰを接触させることによりウエハ１００の検査行う（Ｓ２−２）。そして、検査後のウエハ１００からダミーウエハ１を剥離させる（Ｓ２−３）。これにより、検査工程（ステップＳ２）が完了する。
【００３４】
そして、検査工程（ステップＳ２）に合格したウエハ１００を用いて、残りの配線を形成する工程や、２枚のウエハ１００を張り合わせる工程や、各チップごとに切り分ける工程などの、残りの工程が行われる（ステップＳ３）。これにより、半導体装置が完成する。
【００３５】
本実施形態に係る製造方法では、検査工程（ステップＳ２）でウエハ１００の電極パッドにプローブピンＰが直接接触しないため、検査工程（ステップＳ２）後のウエハ１００の電極パッドにプロービング痕が残らない。したがって、本製造方法では、検査工程（ステップＳ２）後のウエハ１００を廃棄する必要がないため、ウエハ１００の歩留まりの低下が生じない。
【００３６】
また、本実施形態に係る製造方法では、検査工程（ステップＳ２）に合格したウエハ１００をそのまま半導体装置の製造に用いることができる。したがって、半導体装置の歩留まりが向上する。
【００３７】
なお、検査工程（ステップＳ２）を抜き取り検査として実行してもよい。これにより、検査工程（ステップＳ２）の頻度が低減するため、半導体装置の製造プロセスが簡略化する。この場合にも、検査工程（ステップＳ２）後のウエハ１００を廃棄する必要がなく、また検査工程（ステップＳ２）に合格したウエハ１００をそのまま半導体装置の製造に用いることができるため、半導体装置の歩留まりが向上する。
【００３８】
［ダミーウエハ１（電極ユニット）］
（全体構成）
図３は、本実施形態に係るダミーウエハ１の断面を示す模式図である。図３には、検査対象であるウエハ１００、及びウエハ１００を検査するためのプローブ装置のプローブピンＰが示されている。ウエハ１００内には素子層１０１や配線層１０２などが設けられ、ウエハ１００の上面にはこれらと接続された電極パッド１０３が設けられている。
【００３９】
本実施形態に係るダミーウエハ１は、シリコン基板によって形成されている。しかし、ダミーウエハ１を形成する材料は、特定の種類に限定されず、例えば、各種セラミックスや各種樹脂などであってもよい。
【００４０】
ダミーウエハ１は、第１電極部１１と、第２電極部１２と、接続部１３とを有する電極ユニットとして構成される。第１電極部１１は、ダミーウエハ１の下面における、ウエハ１００の電極パッド１０３に対応する位置に設けられている。第２電極部１２は、ダミーウエハ１の上面における、第１電極部１１に対向する位置に設けられている。
【００４１】
本実施形態に係る第１電極部１１及び第２電極部１２の形状は、ウエハ１００の電極パッド１０３とほぼ同等である。しかし、第１電極部１１の形状は、ウエハ１００の電極パッド１０３と良好に接触することが可能なように任意に決定可能である。また、第２電極部１２の形状は、プローブピンＰの良好に接触されることが可能なように任意に決定可能である。
【００４２】
接続部１３は、貫通電極として構成され、第１電極部１１と第２電極部１２とを接続する。接続部１３を貫通電極とすることにより、簡単なプロセスによりダミーウエハ１を製造することが可能となる。
【００４３】
第１電極部１１、第２電極部１２、及び接続部１３は、いずれも銅（Ｃｕ）によって形成される。なお、第１電極部１１、第２電極部１２、及び接続部１３は、銅以外の導電性材料によって形成されていてもよい。更に、第１電極部１１、第２電極部１２、及び接続部１３は、相互に異なる材料によって形成されていてもよい。
【００４４】
このような構成により、ダミーウエハ１の下面をウエハ１００の上面に貼り付けると、第１電極部１１がウエハ１００の電極パッド１０３に接触する。これにより、第２電極部１２が接続部１３及び第１電極部１１を介して電極パッド１０３に接続される。このため、プローブピンＰをダミーウエハ１の第２電極部１２に接触させることにより、プローブピンＰをウエハ１００の電極パッド１０３に直接接触させた場合と同様の検査を行うことができる。
【００４５】
このように、本実施形態に係るダミーウエハ１を用いることにより、プローブピンＰを電極パッド１０３に直接接触させることなく、ウエハ１００の検査を行うことができる。したがって、検査後のウエハ１００の電極パッド１０３にプロービング痕が生じないため、検査後のウエハ１００をそのまま半導体装置の製造に用いることが可能である。
【００４６】
また、ダミーウエハ１の第２電極部１２とウエハ１００の電極パッド１０３とでは、ウエハ１００の面内方向における位置が一致している。このため、ダミーウエハ１を用いる場合であっても、ウエハ１００の電極パッド１０３の位置に対応して配置されたプローブピンＰをそのまま用いることができ、つまりプローブ装置側の変更を伴わずにウエハ１００の検査を行うことができる。
【００４７】
（半導体装置の製造方法の具体例）
図４は、本実施形態に係るダミーウエハ１を用いた半導体装置の製造方法の一例を示すフローチャートである。本例では、２枚のウエハ１００を張り合わせて構成される積層半導体装置の製造方法を示す。
【００４８】
図４に示すように、まず初期工程（ステップＳ１１―１，Ｓ１１−２）でウエハ１００Ａ，１００Ｂを製造し、検査工程（ステップＳ１２−１，Ｓ１２−２）でプローブピンＰをダミーウエハ１の第２電極部１２に接触させてウエハ１００Ａ，１００Ｂの検査を行う。
【００４９】
そして、貼り合わせ工程（Ｓ１３）でウエハ１００Ａとウエハ１００Ｂとを張り合わせて、積層ウエハを作製する。その後、積層ウエハを各チップごとに切り分けることにより、積層半導体装置が完成する。
【００５０】
［ダミーウエハ１の変形例］
（変形例１）
図５は、本実施形態の変形例１に係るダミーウエハ１ａの断面を示す模式図である。検査対象であるウエハ１００は上記実施形態と同様の構成を有する。本変形例１に係るダミーウエハ１ａは、第２電極部１２ａの形状のみ、上記実施形態に係るダミーウエハ１と異なる。
【００５１】
本変形例１では、図５に示すようにプローブピンＰがウエハ１００の電極パッド１０３から外れた位置にある。この場合、上記実施形態に係るダミーウエハ１では、プローブピンＰを第２電極部１２に接触させることができないため、ウエハ１００の検査を行うことができない。ダミーウエハ１を用いてウエハ１００の検査を行うためには、プローブピンＰの位置を変更する必要がある。
【００５２】
その点、本変形例１に係るダミーウエハ１ａでは、ダミーウエハ１ａにおけるプローブピンＰによる接触を受ける位置まで第２電極部１２ａが拡張されている。つまり、ダミーウエハ１ａでは、プローブピンＰの位置に対応して第２電極部１２ａの形状が変更されている。
【００５３】
このような構成により、ダミーウエハ１ａではプローブピンＰと第２電極部１２ａとが適切に接触するようになるため、ダミーウエハ１ａを用いることにより、プローブピンＰの位置を変更することなく、ウエハ１００の検査を行うことが可能となる。
【００５４】
（変形例２）
本実施形態の変形例２では、単一のプローブカードＣにより異なる種類のウエハ１００，１００'の検査を行うことが可能である。図６（Ａ）は上記実施形態と同様のダミーウエハ１の断面を示す模式図であり、図６（Ｂ）は本変形例２に係るダミーウエハ１ｂの断面を示す模式図である。
【００５５】
図６（Ａ）に示すプローブカードＣは、ウエハ１００の電極パッド１０３に対応した位置に設けられたプローブピンＰを有する。したがって、プローブカードＣのプローブピンＰをダミーウエハ１の第２電極部１２に接触させることによりウエハ１００の検査を行うことができる。
【００５６】
図６（Ｂ）に示すウエハ１００'の電極パッド１０３'の位置は、図６（Ａ）に示すウエハ１００の電極パッド１０３の位置と異なる。したがって、仮にウエハ１００'に図６（Ａ）に示すダミーウエハ１を貼り付けても、ウエハ１００'の電極パッド１０３'とダミーウエハ１の第２電極部１２とが適切に接触しないため、プローブカードＣによるウエハ１００'の検査を行うことができない。
【００５７】
図６（Ｂ）に示す本変形例２に係るダミーウエハ１ｂでは、第１電極部１１ｂがウエハ１００'の電極パッド１０３'に対応した位置に設けられている。この一方で、第２電極部１２ｂはプローブカードＣのプローブピンＰに対応した位置に設けられている。つまり、第１電極部１１ｂと第２電極部１２ｂとではダミーウエハ１ｂの面内方向における位置が異なる。
【００５８】
ダミーウエハ１ｂでは、第１電極部１１ｂと第２電極部１２ｂとが、第１接続部１３ｂ及び第２接続部１８を介して接続されている。第１接続部１３ｂは上記実施形態に係る接続部１３と同様に貫通電極として構成されている。第２接続部１８は、貫通電極と横配線とを含む多層配線層として構成されている。
【００５９】
第２接続部１８によって、第１電極部１１ｂの接続先をダミーウエハ１ｂの面内方向で変化させることが可能である。このため、ダミーウエハ１ｂでは、第１電極部１１ｂの位置に関わらず、第１電極部１１ｂと第２電極部１２ｂとを、第１接続部１３ｂ及び第２接続部１８を介して接続することが可能である。
【００６０】
このような構成により、ダミーウエハ１ｂによって、ウエハ１００'の電極パッド１０３'とプローブカードＣのプローブピンＰとを接続することができる。したがって、ダミーウエハ１ｂを用いることにより、図６（Ａ）と同様のプローブカードＣによって、図６（Ａ）に示すウエハ１００とは異なるウエハ１００'の検査を行うことができる。
【００６１】
なお、ダミーウエハ１ｂの第１電極部１１ｂと第２電極部１２ｂとを接続する接続部の構成は、特定の構成に限定されない。例えば、接続部は、第１接続部１３ｂ及び第２接続部１８を含む構成に限らず、第２接続部１８と同様の多層配線層のみによって構成されていてもよい。
【００６２】
（変形例３，４）
図７は、本実施形態の変形例３に係るダミーウエハ１ｃの断面を示す模式図である。図８は、本実施形態の変形例４に係るダミーウエハ１ｄの断面を示す模式図である。検査対象であるウエハ１００、及びウエハ１００の検査に用いるプローブピンＰは、上記実施形態と同様の構成を有する。
【００６３】
各ダミーウエハ１ｃ，１ｄはそれぞれバンプ１４ｃ，１４ｄを有する。ダミーウエハ１ｃ，１ｄは、バンプ１４ｃ，１４ｄの構成のみ、上記実施形態に係るダミーウエハ１と異なる。バンプ１４ｃ，１４ｄはいずれも比較的柔らかい導電性材料により形成されている。バンプ１４ｃ，１４ｄの形成に利用可能な材料としては、例えば、錫（Ｓｎ）や各種半田材料などが挙げられる。
【００６４】
変形例３に係るダミーウエハ１ｃでは、バンプ１４ｃが第２電極部１２上に設けられている。ダミーウエハ１ｃでは、プローブピンＰが、第２電極部１２に直接接触することなく、バンプ１４ｃを介して第２電極部１２に接続される。したがって、第２電極部１２にプロービング痕が発生しない。
【００６５】
この一方で、ダミーウエハ１ｃでは、バンプ１４ｃに凹状のプロービング痕が発生する。しかし、使用後のダミーウエハ１ｃに対して熱処理（アニール）を施すことにより、バンプ１４ｃが溶融するとともにプロービング痕が消滅する。
【００６６】
つまり、本変形例に係るダミーウエハ１ｃでは、使用後に熱処理を施すことによりにより使用前の状態に回復させることができる。したがって、本変形例３に係るダミーウエハ１ｃは、長期にわたり繰り返し使用することが可能である。
【００６７】
変形例４に係るダミーウエハ１ｄでは、バンプ１４ｄが第１電極部１１上に設けられている。ダミーウエハ１ｄでは、第１電極部１１が、電極パッド１０３に直接接触することなく、バンプ１４ｄを介して電極パッド１０３に接続される。
【００６８】
これにより、第１電極部１１や電極パッド１０３に微小は凹凸がある場合にも、柔軟性のあるバンプ１４ｄが第１電極部１１及び電極パッド１０３の双方に密着するため、第１電極部１１と電極パッド１０３とが良好に接続される。
【００６９】
また、ダミーウエハ１ｄでは、第１電極部１１が電極パッド１０３に直接接触しないため、ダミーウエハ１ｄが繰り返し使用される場合にも第１電極部１１が損傷を受けにくい。なお、ダミーウエハ１ｄの繰り返しの使用によりバンプ１４ｄが変形した場合には、ダミーウエハ１ｄに対して熱処理を施すことにより、バンプ１４ｄの形状を回復させることができる。
【００７０】
なお、本変形例３，４の更なる変形例に係るダミーウエハは、変形例３に係るバンプ１４ｃと、変形例４に係るバンプ１４ｄとを兼ね備えていてもよい。このようなダミーウエハでは、変形例３による効果と、変形例４による効果とを同時に得ることができる。
【００７１】
（変形例５）
図９は、本実施形態の変形例５に係るダミーウエハ１ｅの断面を示す模式図である。図１０は、ダミーウエハ１ｅの第１電極部１１ｅの、電極パッド１０３に対する接触面を示す平面図である。検査対象であるウエハ１００、及びウエハ１００の検査に用いるプローブピンＰは、上記実施形態と同様の構成を有する。本変形例５に係るダミーウエハ１ｅは、第１電極部１１ｅの構成のみ、上記実施形態に係るダミーウエハ１と異なる。
【００７２】
ダミーウエハ１ｅの第１電極部１１ｅは、接続部１３を構成する貫通電極ごとに分割して設けられている。これにより、第１電極部１１ｅの電極パッド１０３に対する接触面には、電極パッド１０３に導通する導通領域１１ｅ１と、電極パッド１０３に導通しない非導通領域１１ｅ２とが形成される。
【００７３】
例えば、第１電極部１１ｅと電極パッド１０３とがともに銅で形成されている場合に、第１電極部１１ｅと電極パッド１０３とが圧着状態となる場合がある。第１電極部１１ｅと電極パッド１０３との間に働く圧着力が大きい場合には、ダミーウエハ１ｅをウエハ１００からスムーズに剥離させることができなくなることがある。
【００７４】
しかし、本変形例５に係る第１電極部１１ｅでは、導通領域１１ｅ１と電極パッド１０３とが圧着状態となっても、非導通領域１１ｅ２が電極パッド１０３に圧着することがないため、第１電極部１１ｅと電極パッド１０３との間に働く圧着力が抑制される。したがって、ダミーウエハ１ｅは、ウエハ１００からスムーズに剥離させることが可能である。
【００７５】
本変形例５に係る第１電極部１１ｅは、接続部１３を構成する貫通電極ごとに分割された構成に限定されない。第１電極部１１ｅは、電極パッド１０３に対する接触面が導通領域１１ｅ１及び非導通領域１１ｅ２を含む構成であればよい。
【００７６】
ただし、第１電極部１１ｅと電極パッド１０３との良好な接続を得るために、導通領域１１ｅ１は、特定の位置に固まることなく、広く分散して配置されていることが好ましい。このために、例えば、導通領域１１ｅ１は規則的なパターンを形成していることが好ましい。
【００７７】
図１１は第１電極部１１ｅの電極パッド１０３に対する接触面の変形例を示す平面図である。図１１（Ａ）に示す例では、各導通領域１１ｅ１が円形であり、導通領域１１ｅ１が高密度で配列している。図１１（Ｂ）に示す例では、導通領域１１ｅ１内に非導通領域１１ｅ２が規則的に配列している。これらの接触面を有する第１電極部１１ｅにおいても上記と同様の効果が得られる。
【００７８】
（変形例６）
図１２は、本実施形態の変形例６に係るダミーウエハ１ｆの断面を示す模式図である。本変形例６に係るダミーウエハ１ｆ及びウエハ２００は、以下に示す構成のみ、上記実施形態に係るダミーウエハ１及びウエハ１００と異なる。ウエハ２００の検査に用いるプローブピンＰは、上記実施形態と同様の構成を有する。
【００７９】
一般的なウエハ２００には、各チップが自己診断を行うためのＢＩＳＴ（ｂｕｉｌｔ−ｉｎ  ｓｅｌｆ  ｔｅｓｔ）回路１６が各チップごとに設けられる。しかし、ウエハ２００にＢＩＳＴ回路１６を設けるためには、ウエハ２００上のチップ面積が増大してしまう。また、検査終了後の製品にはＢＩＳＴ回路１６が必要ない。更に、ＢＩＳＴ回路１６が設けられたウエハ２００では、ウエハ２００上のチップが良品であっても、ＢＩＳＴ回路１６の不良によりウエハ２００上のチップ自体が不良品であると判断される場合がある。
【００８０】
そこで、本変形例６に係るダミーウエハ１ｆは、ウエハ２００にＢＩＳＴ回路１６を設けることなく、ウエハ２００の各チップがＢＩＳＴ回路１６による自己診断を行うことを可能にする。つまり、本変形例６では、ウエハ２００にＢＩＳＴ回路１６を設けない代わりに、ウエハ２００の各チップに対応するＢＩＳＴ回路１６をそれぞれダミーウエハ１ｆに設ける。
【００８１】
ダミーウエハ１ｆは、ウエハ２００に貼り付けられると、ウエハ２００上の各チップがそれぞれ対応するダミーウエハ１ｆ内のＢＩＳＴ回路１６に接続されるように構成されている。つまり、ダミーウエハ１ｆによって、プローブ装置によるウエハ２００上のチップの検査を行うことができるとともに、ウエハ２００の各チップがＢＩＳＴ回路１６によって自己診断を行うことができるようになる。
【００８２】
このように、本変形例６に係るダミーウエハ１ｆを用いることにより、ウエハ２００にＢＩＳＴ回路１６を設ける必要がなくなるため、各チップにおいてＢＩＳＴ回路１６を設けるための領域を排除することによるチップの小型化が可能である。更に、ダミーウエハ１ｆに設けられたＢＩＳＴ回路１６によって、ウエハ２００の各チップの本来の機能のみにより、ウエハ２００の良否を的確に判定することができる。
【００８３】
（変形例７）
図１３は、本実施形態の変形例７に係るダミーウエハ１ｇを用いた検査方法を説明するための模式図である。本変形例７に係るダミーウエハ１ｇ及びウエハ３００は、以下に示す構成のみ、上記実施形態に係るダミーウエハ１及びウエハ１００と異なる。プローブピンＰは、上記実施形態と同様の構成を有する。
【００８４】
図１３（Ａ）は、配線層３０２の一部が形成された段階にある未完成ウエハ３００ａの断面を示している。図１３（Ｃ）は、未完成ウエハ３００ａに配線層３０２及び電極パッド３０３を形成して得られる完成後のウエハ３００の断面を示している。
【００８５】
本変形例７に係るダミーウエハ１ｇは、未完成ウエハ３００ａを、完成後のウエハ３００と同様の回路構成で検査することができるように構成されている。
【００８６】
図１３（Ｂ）は、ダミーウエハ１ｇの断面を示している。ダミーウエハ１ｇには、図１３（Ｃ）に示す完成後のウエハ３００の回路層３０４と同様に構成されたダミー回路層１７が設けられている。未完成ウエハ３００ａの上面には配線電極３０２ａが露出している。未完成ウエハ３００ａでは、配線電極３０２ａが上記実施形態に係る電極パッド１０３と同様の機能を有する。
【００８７】
第１電極部１１ｇは、未完成ウエハ３００ａの配線電極３０２ａに対応する位置に設けられている。第１電極部１１ｇは、接続部１３gによってダミー回路層１７に接続されている。ダミーウエハ１ｇの第２電極部１２ｇは、完成後のウエハ３００の電極パッド３０３に対応する。
【００８８】
上記のような構成により、ダミーウエハ１ｇを未完成ウエハ３００ａに貼り付けると、未完成ウエハ３００ａとダミーウエハ１ｇのダミー回路層１７とが接続される。これにより、未完成ウエハ３００ａ及びダミーウエハ１ｇの全体として、完成後のウエハ３００と同様の回路が形成される。
【００８９】
したがって、ダミーウエハ１ｇの第２電極部１２ｇにプローブピンＰを接触させることにより、ウエハ３００の電極パッド３０３にプローブピンＰを接触させた場合と同様の検査を行うことができる。
【００９０】
このように、ダミーウエハ１ｇを用いることによって、未完成ウエハ３００ａの段階で、完成後のウエハ３００と同様の回路構成による検査を行うことができる。これにより、未完成ウエハ３００ａが完成後に良好に動作可能であるか否かを直接的に判定することができるようになる。
【００９１】
以上、本技術の実施形態について説明したが、本技術は上述の実施形態にのみ限定されるものではなく、本技術の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。
【００９２】
例えば、ダミーウエハは、上記実施形態及び上記変形例の複数の構成を組み合わせた構成を有していてもよい。一例として、ダミーウエハには、ＢＩＳＴ回路が設けられ、かつ、第１及び第２電極部上にバンプが設けられていてもよい。
【００９３】
なお、本技術は以下のような構成もとることができる。
（１）
電極パッドを有するウエハに貼り付け可能な第１面と、
上記第１面とは反対側の第２面と、
上記第１面に設けられ、上記電極パッドに接触する第１電極部と、
上記第２面に設けられ、上記ウエハの検査用のプローブピンによる接触を受ける第２電極部と、
上記第１電極部と上記第２電極部とを接続する接続部と
を具備する電極ユニット。
（２）
上記（１）に記載の電極ユニットであって、
上記第１電極部と上記第２電極部とが対向配置され、
上記接続部が貫通電極として構成される
電極ユニット。
（３）
上記（２）に記載の電極ユニットであって、
上記第２電極部が、上記プローブピンの位置に対応して拡張されている
電極ユニット。
（４）
上記（１）に記載の電極ユニットであって、
上記第２電極部が、上記プローブピンの位置に対応して、上記第１電極部に対向する位置からずらされている
電極ユニット。
（５）
上記（１）から（４）のいずれか１つに記載の電極ユニットであって、
上記第１電極部と上記第２電極部との少なくとも一方がバンプを有する
電極ユニット。
（６）
上記（１）から（５）のいずれか１つに記載の電極ユニットであって、
上記第１電極部の上記電極パッドに対する接触面が、上記電極パッドと導通する導通領域と、上記電極パッドに導通しない非導通領域とにより構成される
電極ユニット。
（７）
上記（６）に記載の電極ユニットであって、
上記導通領域が規則的なパターンを形成している
電極ユニット。
（８）
上記（１）から（７）のいずれか１つに記載の電極ユニットであって、
上記ウエハに対応するＢＩＳＴ回路を更に具備する
電極ユニット。
（９）
上記（１）から（８）のいずれか１つに記載の電極ユニットであって、
上記ウエハと当該ウエハに貼り付けられた上記電極ユニットとによって、後の工程にて上記ウエハに回路層を形成して得られるウエハと同様の回路が形成されるように構成されたダミー回路層を更に具備する
電極ユニット。
（１０）
第１面に設けられた第１電極部と、上記第１面とは反対側の第２面に設けられた第２電極部と、上記第１電極部と上記第２電極部とを接続する接続部とを有する電極ユニットを用意し、
電極パッドを有するウエハに、上記第１電極部が上記電極パッドと接触するように、上記電極ユニットの上記第１面を貼り付け、
上記ウエハに貼り付けられた上記電極ユニットの上記第２電極部にプローブピンを接触させることにより上記ウエハの検査を行い、
上記ウエハから上記電極ユニットを剥離させる
ウエハの検査方法。
（１１）
電極パッドを有するウエハを作製し、
第１面に設けられた第１電極部と、上記第１面とは反対側の第２面に設けられた第２電極部と、上記第１電極部と上記第２電極部とを接続する接続部とを有する電極ユニットを用意し、
上記ウエハに、上記第１電極部が上記電極パッドと接触するように、上記電極ユニットの上記第１面を貼り付け、
上記ウエハに貼り付けられた上記電極ユニットの上記第２電極部にプローブピンを接触させることにより上記ウエハの検査を行い、
上記ウエハから上記電極ユニットを剥離させ、
上記電極ユニットを剥離させた上記ウエハを用いて半導体装置を作製する
半導体装置の製造方法。
【符号の説明】
【００９４】
１…ダミーウエハ（電極ユニット）
１１…第１電極部
１２…第２電極部
１３…接続部
１００…ウエハ
１０３…電極パッド
Ｐ…プローブピン
【図１】
2016061623.tif 000003
【図２】
2016061623.tif 000004
【図３】
2016061623.tif 000005
【図４】
2016061623.tif 000006
【図５】
2016061623.tif 000007
【図６】
2016061623.tif 000008
【図７】
2016061623.tif 000009
【図８】
2016061623.tif 000010
【図９】
2016061623.tif 000011
【図１０】
2016061623.tif 000012
【図１１】
2016061623.tif 000013
【図１２】
2016061623.tif 000014
【図１３】
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