(57)【要約】【課題】  光電変換部の受光側に形成された不純物半導体層の光透過率に起因して光電変換効率が低下することを抑えること。【解決手段】  基板１上に形成されたＴＦＴ３１と、ＴＦＴ３１上に絶縁層８を挟んで積層された光電変換部３０と、光電変換部３０とＴＦＴ３１のドレイン電極４ｂとを導電接続する第１のコンタクトホール２０と、を含む検出部４０を複数有する光検出装置であって、光電変換部３０は、ＴＦＴ３１の側から第１の電極層９、第１の不純物半導体層１０、真性半導体層１１、第２の不純物半導体層１２及び第２の電極層１３が積層されており、第２の不純物半導体層１２及び第２の電極層１３は、それぞれ平面視で重なる貫通孔３４を有している。【選択図】  図１
2016092108.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された薄膜トランジスタと、その薄膜トランジスタ上に絶縁層を挟んで積層された光電変換部と、その光電変換部と前記薄膜トランジスタの電極とを導電接続するコンタクトホールと、を含む検出部を複数有する光検出装置であって、前記光電変換部は、前記薄膜トランジスタの側から第１の電極層、第１の不純物半導体層、真性半導体層、第２の不純物半導体層及び第２の電極層が積層されており、前記第２の不純物半導体層及び前記第２の電極層は、それぞれ平面視で重なる貫通孔を有している光検出装置。
【請求項２】
前記貫通孔は、その開口の平面視形状が円形状である請求項１に記載の光検出装置。
【請求項３】
前記貫通孔は、その側面が前記光電変換部に入射する光の側に向いた斜面とされている請求項１または請求項２に記載の光検出装置。
【請求項４】
前記貫通孔は、複数形成されているとともに前記第２の電極層のバイアス電圧印加部から離れるに伴って平面視での開口の面積が大きくなっている請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の光検出装置。
【請求項５】
前記貫通孔は、平面視において前記第２の不純物半導体層の開口が前記第２の電極層の開口よりも内側にある請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の光検出装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、Ｘ線等の放射線をシンチレータ等によって波長変換して光に変換し、その光を光電変換することによって、人等の被写体の画像を形成し診断するための医療用画像診断装置等に用いられる光検出装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来の光検出装置の１例を図５に示す。図５は、従来の光検出装置において、光を電荷に変換する光電変換部３０としてのｐｉｎフォトダイオードと、ｐｉｎフォトダイオードによって光電変換された電荷を電気信号として取り出すスイッチ素子としての薄膜トランジスタ（Thine  Film  Transistor  ：ＴＦＴ）３１と、を有する検出部４０の拡大平面図である。この光検出装置は、例えば多数の検出部４０が行方向及び列方向に配列された構成、所謂マトリックス状に検出部４０が配列された構成を有する。
【０００３】
平面視形状が矩形状の検出部４０は、その１隅部に光電変換部３０であるｐｉｎフォトダイオードにバイアス電圧を印加するための第２のコンタクトホール２２が形成されており、また光電変換部３０にバイアス電圧を供給するバイアス線１６が検出部４０の受光面の側にソース信号線３２に沿って形成されている。また検出部４０は、上記１隅部に対向する他の隅部にＴＦＴ３１が形成されている。ＴＦＴ３１は、チャネル部としての第１の半導体膜６ａ、窒化シリコン（ＳｉＮx）等から成るエッチング阻止層５、第２の半導体膜６ｂ、ソース電極４ａ、ドレイン電極４ｂを有している。第２の半導体膜６ｂは、第１の半導体膜６ａと、ソース電極４ａ及びドレイン電極４ｂとの電気的接続を行うためのものである。さらに、検出部４０の中央部付近には、光電変換部３０によって変換された電荷をＴＦＴ３１のドレイン電極４ｂに電導させるための第１のコンタクトホール２０が形成されている。ソース信号線３２は、光電変換部３０により変換された電荷を電荷量に応じた電気信号として出力する。
【０００４】
図６は、図５のＡ１−Ａ２線、Ｂ１−Ｂ２線及びＣ１−Ｃ２線における検出部４０の断面図である。ガラス基板等から成る基板１の一面に、ＴＦＴ３１のオン／オフを制御するゲート線２が形成されており、基板１の一面及びゲート線２を覆ってゲート絶縁層３が形成され、ゲート絶縁層３上のゲート線２を覆う部位にアモルファスシリコン（ａＳｉ）等から成るチャネル部としての第１の半導体膜６ａが形成され、第１の半導体膜６ａ上のゲート線２に重なる位置にエッチング阻止層５が形成され、エッチング阻止層５及び第１の半導体膜６ａを覆ってｎ＋ａＳｉ等から成る第２の半導体膜６ｂが形成されている。第２の半導体膜６ｂ上に、タンタル（Ｔａ），ネオジウム（Ｎｄ），タングステン（Ｗ），チタン（Ｔｉ），モリブデン（Ｍｏ），アルミニウム（Ａｌ），クロム（Ｃｒ），銀（Ａｇ）等の金属またはそれらの合金から成るソース電極４ａ及びドレイン電極４ｂが形成されてＴＦＴ３１が構成されている。なお第２の半導体膜６ｂは、ソース電極４ａとドレイン電極４ｂが電気的に分離されている部位において同様に電気的に分離されている。そして、ＴＦＴ３１及びゲート絶縁層３を覆って酸化シリコン（ＳｉＯ2），窒化シリコン（ＳｉＮx）等から成る第１のパッシベーション層７が形成されている。第１のパッシベーション層７を覆ってアクリル樹脂等から成る絶縁層８が形成されている。
【０００５】
絶縁層８上に、Ｔａ，Ｎｄ，Ｗ，Ｔｉ，Ｍｏ，Ａｌ，Ｃｒ，Ａｇ等の金属またはそれらの合金から成る第１の電極層９、ｎ＋ａＳｉ等から成る第１の不純物半導体層１０、真性（intrinsic）Ｓｉ（ｉ型Ｓｉ）等から成る真性半導体層１１、ｐ＋ａＳｉ等から成る第２の不純物半導体層１２、インジウム錫酸化物（Indium  Tin  Oxide  ：ＩＴＯ）等の透明電極から成る第２の電極層１３が積層されている。第１の電極層９、第１の不純物半導体層１０、真性半導体層１１、第２の不純物半導体層１２及び第２の電極層１３によって、光電変換部３０としてのｐｉｎフォトダイオードが構成される。このｐｉｎフォトダイオードは、第２の不純物半導体層１２及び第２の電極層１３の側から真性半導体層１１に入射した光３３を光電変換する。
【０００６】
光電変換部３０及び絶縁層８を覆って第２のパッシベーション層１４及び第３のパッシベーション層１７が形成されている。第２のパッシベーション層１４と第３のパッシベーション層１７の間に、Ｔａ，Ｎｄ，Ｗ，Ｔｉ，Ｍｏ，Ａｌ，Ｃｒ，Ａｇ等の金属またはそれらの合金から成るバイアス線１６が形成されているとともに、バイアス線１６は第２の電極層１３に導電接続するように第２のコンタクトホール２２に形成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００４−１７９６４５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、上記従来の光検出装置においては、受光側の第２の不純物半導体層１２は光透過率が高くないために、光電変換部３０の光電変換効率低下の一因となっていた。第２の不純物半導体層１２の厚みを薄くすれば、その光透過率は向上するが、その場合光３３を受光していないときにも、薄い第２の不純物半導体層１２を通して真性半導体層１１から第２の電極層１３にリーク電流が流れるという問題点があった。
【０００９】
また、特許文献１には、第２の電極層及び第２の不純物半導体層から下方の光電変換部の部位をすべて除去した構成が開示されているが、このような構成では光電変換部自体の体積が大幅に減少するために、光電変換効率の大幅な低下を招きやすいという問題点があった。
【００１０】
従って、本発明は上記問題点に鑑みて完成されたものであり、その目的は、光電変換部の受光側に形成された不純物半導体層の光透過率に起因して光電変換効率が低下することを抑えることである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の光検出装置は、基板上に形成された薄膜トランジスタと、その薄膜トランジスタ上に絶縁層を挟んで積層された光電変換部と、その光電変換部と前記薄膜トランジスタの電極とを導電接続するコンタクトホールと、を含む検出部を複数有する光検出装置であって、前記光電変換部は、前記薄膜トランジスタの側から第１の電極層、第１の不純物半導体層、真性半導体層、第２の不純物半導体層及び第２の電極層が積層されており、前記第２の不純物半導体層及び前記第２の電極層は、それぞれ平面視で重なる貫通孔を有している構成である。
【００１２】
本発明の光検出装置は、好ましくは、前記貫通孔は、その開口の平面視形状が円形状である。
【００１３】
また本発明の光検出装置は、好ましくは、前記貫通孔は、その側面が前記光電変換部に入射する光の側に向いた斜面とされている。
【００１４】
また本発明の光検出装置は、好ましくは、前記貫通孔は、複数形成されているとともに前記第２の電極層のバイアス電圧印加部から離れるに伴って平面視での開口の面積が大きくなっている。
【００１５】
また本発明の光検出装置は、好ましくは、前記貫通孔は、平面視において前記第２の不純物半導体層の開口が前記第２の電極層の開口よりも内側にある。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の光検出装置は、基板上に形成された薄膜トランジスタと、その薄膜トランジスタ上に絶縁層を挟んで積層された光電変換部と、その光電変換部と薄膜トランジスタの電極とを導電接続するコンタクトホールと、を含む検出部を複数有する光検出装置であって、光電変換部は、薄膜トランジスタの側から第１の電極層、第１の不純物半導体層、真性半導体層、第２の不純物半導体層及び第２の電極層が積層されており、第２の不純物半導体層及び第２の電極層は、それぞれ平面視で重なる貫通孔を有していることから、第２の不純物半導体層の平面視での面積を減少させることによって光電変換部に入射する光量を増大させることができる。その結果、光電変換効率を向上させることができる。
【００１７】
本発明の光検出装置は、好ましくは、貫通孔は、その開口の平面視形状が円形状であることから、第２の不純物半導体層における電荷の広がりを貫通孔が阻害することを抑えることができる。即ち、貫通孔の周囲に電荷が均一に存在しやすくなる。その結果、光電変換部の集電性が低下しにくくなる。
【００１８】
また本発明の光検出装置は、好ましくは、貫通孔は、その側面が光電変換部に入射する光の側に向いた斜面とされていることから、貫通孔の側面で光を光電変換部側へ反射させることによって、光電変換部へ取り込まれる光量を増大させることができる。その結果、光電変換効率をより向上させることができる。
【００１９】
また本発明の光検出装置は、好ましくは、貫通孔は、複数形成されているとともに第２の電極層のバイアス電圧印加部から離れるに伴って平面視での開口の面積が大きくなっていることから、以下のような効果を奏する。第２の電極層は、バイアス電圧の印加部から離れるに伴って電圧降下が生じやすい。そのため、バイアス電圧の印加部から離れるに伴って電荷密度が低下し、集電性が低下しやすくなる。従って、上記の構成とすることにより、第２の電極層の全体にわたる集電性の低下を抑えることができる。
【００２０】
また本発明の光検出装置は、好ましくは、貫通孔は、平面視において第２の不純物半導体層の開口が第２の電極層の開口よりも内側にあることから、第２の電極層が真性半導体層に直接接することを確実に回避でき、リーク電流の発生を確実に防ぐことができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】図１（ａ）、（ｂ）は、本発明の光検出装置について実施の形態の１例を示す図であり、（ａ）は光検出装置の検出部の断面図、（ｂ）は（ａ）のＤ部の拡大断面図である。
【図２】図２（ａ）、（ｂ）は、本発明の光検出装置について実施の形態の他例を示す図であり、それぞれ貫通孔の開口の平面図である。
【図３】図３（ａ）、（ｂ）は、本発明の光検出装置について実施の形態の他例を示す図であり、それぞれ貫通孔の開口の平面図である。
【図４】図４は、本発明の光検出装置について実施の形態の他例を示す図であり、図１（ａ）のＤ部の拡大断面図である。
【図５】図５は、従来の光検出装置の検出部の拡大平面図である。
【図６】図６は、図５のＡ１−Ａ２線、Ｂ１−Ｂ２線及びＣ１−Ｃ２線における検出部の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、本発明の光検出装置の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。但し、以下で参照する各図は、本発明の光検出装置の主要な構成部材等を示している。従って、本発明の光検出装置は、図に示されていない回路基板、配線導体、制御ＩＣ，ＬＳＩ等の周知の構成部材を備えていてもよい。
【００２３】
本発明の光検出装置は、図１に示すように、ガラス基板等から成る基板１の一面に形成されたＴＦＴ３１と、そのＴＦＴ３１上に絶縁層８を挟んで積層された光電変換部３０と、その光電変換部３０とＴＦＴ３１のドレイン電極４ｂとを導電接続する第１のコンタクトホール２０と、を含む検出部４０を複数有する光検出装置であって、光電変換部３０は、ＴＦＴ３１の側から第１の電極層９、第１の不純物半導体層１０、真性半導体層１１、第２の不純物半導体層１２及び第２の電極層１３が積層されており、第２の不純物半導体層１２及び第２の電極層１３は、それぞれ平面視で重なる貫通孔３４を有している構成である。この構成により、光透過性が高くない第２の不純物半導体層１２の平面視での面積を減少させることによって光電変換部３０に入射する光量を増大させることができる。その結果、光電変換効率を向上させることができる。
【００２４】
貫通孔３４の平面視における開口の面積（複数の貫通孔３４がある場合はそれらの開口の総面積）は、第２の不純物半導体層１２の平面視での面積（貫通孔３４がないとした場合の面積）の１０％乃至５０％であること、即ち面積の占有率が前記範囲であることが好ましい。１０％未満では、光電変換部３０に入射する光量を増大させる効果が発現しにくくなる傾向がある。５０％を超えると、第２の不純物半導体層１２の集電性が低下する傾向がある。また、貫通孔３４は、その開口の平面視形状が第２の不純物半導体層１２及び第２の電極層１３の面内において完全に閉じた形状でなくてもよく、開口の一部が第２の不純物半導体層１２及び第２の電極層１３の面の端に達している、開口の一部が開いたスリット状等の形状であってもよい。即ち貫通部であってもよい。
【００２５】
本発明の光検出装置は以下のような構成を有する。平面視形状が矩形状の検出部４０は、その１隅部に光電変換部３０であるｐｉｎフォトダイオードにバイアス電圧を印加するための第２のコンタクトホール２２が形成されており、また光電変換部３０にバイアス電圧を供給するバイアス線１６が検出部４０の受光面の側にソース信号線３２に沿って形成されている。また検出部４０は、上記１隅部に対向する他の隅部にＴＦＴ３１が形成されている。ＴＦＴ３１は、チャネル部としての第１の半導体膜６ａ、窒化シリコン（ＳｉＮx）等から成るエッチング阻止層５、第２の半導体膜６ｂ、ソース電極４ａ、ドレイン電極４ｂを有している。第２の半導体膜６ｂは、第１の半導体膜６ａと、ソース電極４ａ及びドレイン電極４ｂとの電気的接続を行うためのものである。さらに、検出部４０の中央部付近には、光電変換部３０によって変換された電荷をＴＦＴ３１のドレイン電極４ｂに電導させるための第１のコンタクトホール２０が形成されている。ソース信号線３２は、光電変換部３０により変換された電荷を電荷量に応じた電気信号として出力する。また、ＴＦＴ３１は、エッチング阻止層５を有するチャネルストッパー型以外に、バックチャネルカット型等であってもよく、ＴＦＴ３１を構成する半導体は低温ポリシリコン（Low-temperature  Poly  Silicon  ：ＬＴＰＳ）、インジウムガリウム亜鉛酸化物（Indium  Gallium  Zinc  Oxide  ：ＩＧＺＯ）等の酸化物半導体であってもよい。そして、ガラス基板等から成る基板１の一面に、ＴＦＴ３１のオン／オフを制御するＴａ，Ｎｄ，Ｗ，Ｔｉ，Ｍｏ，Ａｌ，Ｃｒ，Ａｇ等の金属またはそれらの合金から成るゲート線２が形成されており、基板１の一面及びゲート線２を覆ってゲート絶縁層３が形成され、ゲート絶縁層３上のゲート線２を覆う部位にアモルファスシリコン（ａＳｉ）等から成るチャネル部としての第１の半導体膜６ａが形成され、第１の半導体膜６ａ上のゲート線２に重なる位置にエッチング阻止層５が形成され、エッチング阻止層５及び第１の半導体膜６ａを覆ってｎ＋ａＳｉ等から成る第２の半導体膜６ｂが形成されている。第２の半導体膜６ｂ上に、Ｔａ，Ｎｄ，Ｗ，Ｔｉ，Ｍｏ，Ａｌ，Ｃｒ，Ａｇ等の金属またはそれらの合金から成るソース電極４ａ及びドレイン電極４ｂが形成されてＴＦＴ３１が構成されている。なお第２の半導体膜６ｂは、ソース電極４ａとドレイン電極４ｂが電気的に分離されている部位において同様に電気的に分離されている。そして、ＴＦＴ３１及びゲート絶縁層３を覆って酸化シリコン（ＳｉＯ2），窒化シリコン（ＳｉＮx）等から成る第１のパッシベーション層７が形成されている。第１のパッシベーション層７を覆ってアクリル樹脂等から成る絶縁層８が形成されている。
【００２６】
絶縁層８上に、Ｔａ，Ｎｄ，Ｗ，Ｔｉ，Ｍｏ，Ａｌ，Ｃｒ，Ａｇ等の金属またはそれらの合金から成る第１の電極層９、ｎ＋ａＳｉ，ｐ＋ａＳｉ等から成る第１の不純物半導体層１０、真性Ｓｉ（ｉ型Ｓｉ）等から成る真性半導体層１１、ｐ＋ａＳｉ，ｎ＋ａＳｉ等から成る第２の不純物半導体層１２、ＩＴＯ等の透明電極から成る第２の電極層１３が積層されている。なお、第１の不純物半導体層１０がｎ＋ａＳｉ等のｎ型のものである場合第２の不純物半導体層１２はｐ＋ａＳｉ等のｐ型のものであり、第１の不純物半導体層１０がｐ＋ａＳｉ等のｐ型のものである場合第２の不純物半導体層１２はｎ＋ａＳｉ等のｎ型のものである。そして、第１の電極層９、第１の不純物半導体層１０、真性半導体層１１、第２の不純物半導体層１２及び第２の電極層１３によって、光電変換部３０としてのｐｉｎフォトダイオードが構成される。このｐｉｎフォトダイオードは、第２の不純物半導体層１２及び第２の電極層１３の側から真性半導体層１１に入射した光３３を光電変換する。
【００２７】
光電変換部３０及び絶縁層８を覆って第２のパッシベーション層１４及び第３のパッシベーション層１７が形成されている。第２のパッシベーション層１４と第３のパッシベーション層１７の間に、Ｔａ，Ｎｄ，Ｗ，Ｔｉ，Ｍｏ，Ａｌ，Ｃｒ，Ａｇ等の金属またはそれらの合金から成るバイアス線１６が形成されているとともに、バイアス線１６は第２の電極層１３に導電接続するために第２のコンタクトホール２２に形成されている。
【００２８】
第１の電極層９、第２の電極層１３、第１の不純物半導体層１０、真性半導体層１１、第２の不純物半導体層１２及び第２の電極層１３は、スパッタリング法、ＣＶＤ法等の薄膜形成方法によって形成され得る。例えば、第１の電極層９及び第２の電極層１３は、スパッタリング法によって形成され、第１の不純物半導体層１０、真性半導体層１１及び第２の不純物半導体層１２は、薄膜が異方性をもって堆積されるＣＶＤ法によって形成される。また、第１の電極層９の厚みは３０ｎｍ〜５００ｎｍ程度、第１の不純物半導体層１０の厚みは３０ｎｍ〜２００ｎｍ程度、真性半導体層１１の厚みは５００ｎｍ〜２０００ｎｍ程度、第２の不純物半導体層１２の厚みは５ｎｍ〜５０ｎｍ程度、第２の電極層１３の厚みは３０ｎｍ〜１００ｎｍ程度である。
【００２９】
本発明の光検出装置における貫通孔３４は、以下のようにして形成される。第２の不純物半導体層１２及び第２の電極層１３を、ＣＶＤ法及びスパッタリング法によって形成した後、第２の電極層１３上に形成したレジスト等から成る所定パターンのマスクを用いて、貫通孔３４の部位をエッチング法等によって除去する。この工程において、マスクを用いて第２の電極層１３の貫通孔３４の部位をウエットエッチング法により除去し、次に引き続き同じマスクを用いてドライエッチング法により第２の不純物半導体層１２の貫通孔３４の部位を除去することが好ましい。この場合、ウエットエッチング法によるエッチング液の回り込みによってマスクの貫通孔３４の開口よりも若干広い開口が第２の電極層１３に形成され、ドライエッチング法によりマスクにおける貫通孔３４の開口とほぼ同じ大きさの開口が第２の不純物半導体層１２に形成される。その結果、貫通孔３４は、平面視したときに第２の不純物半導体層１２の開口が第２の電極層１３の開口よりも内側にある好適な構成となる。これにより、第２の電極層１３が真性半導体層１１に直接接することを確実に回避でき、リーク電流の発生を確実に防ぐことができる。
【００３０】
本発明の光検出装置は、図２（ａ）、（ｂ）に示すように、貫通孔３４の開口の平面視形状を円形状、四角形状とすることができる。その他、楕円形状、長円形状、五角形以上の多角形状等の種々の形状とし得る。そして、図２（ａ）に示すように、貫通孔３４は、その開口の平面視形状が円形状であることが好ましい。この場合、第２の不純物半導体層１２における電荷の広がりを貫通孔３４が阻害することを抑えることができる。即ち、貫通孔３４の周囲に電荷が均一に存在しやすくなる。その結果、光電変換部３０の集電性が低下しにくくなる。
【００３１】
また、図２（ａ）、（ｂ）に示すように、貫通孔３４は、複数のものが同じ間隔で規則的に配列されていることが好ましい。即ち、複数の貫通孔３４が全体的にほぼ一様に分布することが好ましい。この場合、第２の不純物半導体層１２における平面視での電荷の分布がほぼ均一になりやすい。その結果、光電変換部３０の集電性が低下しにくくなる傾向がある。
【００３２】
また図３（ａ）、（ｂ）に示すように、複数の貫通孔３４は、バイアス電圧の印加部22aから離れるに伴ってそれらの開口の平面視における面積が大きくなっていることが好ましい。この場合、比抵抗が１０−８Ωｃｍのオーダーである金属よりは高い比抵抗を有するＩＴＯ（比抵抗が１．３×１０−４Ωｃｍ程度）等の透明電極から成る第２の電極層１３は、バイアス電圧の印加部22aから離れるに伴って電圧降下が生じやすい。そのため、バイアス電圧の印加部22aから離れるに伴って電荷密度が低下し、集電性が低下しやすくなる。従って、上記の構成とすることにより、第２の電極層１３の全体にわたる集電性の低下を抑えることができる。
【００３３】
また、上記と同様の目的から、複数の貫通孔３４は、バイアス電圧の印加部22aに近い部位において単位面積当たりの個数が少なく、バイアス電圧の印加部22aから離れるに伴って単位面積当たりの個数が多くなることが好ましい。
【００３４】
また図４に示すように、貫通孔３４は、その側面が光電変換部３０に入射する光の側に向いた斜面とされていることが好ましい。この場合、貫通孔３４の側面で光３３を光電変換部３０側へ反射させることによって、光電変換部３０へ取り込まれる光量を増大させることができる。その結果、光電変換効率をより向上させることができる。
【００３５】
本発明の放射線画像形成装置は、放射線を光に波長変換するシンチレータと、上記本発明の光検出装置と、を有する構成である。例えば光検出装置は、多数の検出部４０が行方向及び列方向に配列されている。所謂マトリックス状に検出部４０が配列されている。上記の構成により、人等の被写体の正確な放射線画像を得ることができる。本発明の放射線画像形成装置におけるシンチレータは、ＣｓＩ：Ｔｌ，ＧＯＳ（Ｇｄ2Ｏ2Ｓ：Ｔｂ）等から成り、例えば被写体に照射されたＸ線、γ線、α線等の放射線を光に波長変換する。そして、シンチレータから放出された光３３を、本発明の光検出装置によって電荷へ光電変換して画像情報を得る間接変換方式の放射線画像形成装置に適用される。ＣｓＩ：Ｔｌ等から成るシンチレータは、Ａｌ（アルミニウム）等から成る金属基板に放射線感応層（シンチレーション層）を蒸着することによって形成される。そして、例えば本発明の光検出装置の光３３の光源側にシンチレータを配置し、それらを接着材等の接合手段によって貼り合わせることにより、放射線画像形成装置が構成される。
【００３６】
さらに、放射線画像形成装置によって得られた電気的な画像情報は、Ａ−Ｄ（Analog  to  Digital）変換によりデジタルデータに変換され、イメージプロセッサによりデジタル画像に変換され、それが液晶表示装置（Liquid  Crystal  Display  ：ＬＣＤ）等の表示手段に表示されて、画像診断、画像分析等に用いられる。
【００３７】
なお、本発明の光検出装置は、上記実施の形態に限定されるものではなく、適宜の設計的な変更、改良を含んでいてもよい。
【符号の説明】
【００３８】
１  基板
２  ゲート線
４ａ  ソース電極
４ｂ  ドレイン電極
６ａ  第１の半導体膜
６ｂ  第２の半導体膜
９  第１の電極層
１０  第１の不純物半導体層
１１  真性半導体層
１２  第２の不純物半導体層
１３  第２の電極層
１６  バイアス線
２０  第１のコンタクトホール
２２  第２のコンタクトホール
３０  光電変換部
３１  ＴＦＴ
３３  光
３４  貫通孔
４０  検出部
【図１】
2016092108.tif 000003
【図２】
2016092108.tif 000004
【図３】
2016092108.tif 000005
【図４】
2016092108.tif 000006
【図５】
2016092108.tif 000007
【図６】
2016092108.tif 000008