(57)【要約】【課題】１つの積層絶縁体に複数の伝送線路部を備えながら、これら複数の伝送線路部間の不要結合を抑制できる伝送線路およびフラットケーブルを構成する。【解決手段】複数の絶縁体層が積層された積層絶縁体と、積層絶縁体の内部に、絶縁体層に沿って配置される導体パターンと、を備える。導体パターンは、上部グランド導体パターン２１，２３、下部グランド導体パターン２２，２４、互いに並走する部分を有する第１信号導体パターン３１および第２信号導体パターン３２と、を備え、上部グランド導体パターン２１，２３および下部グランド導体パターン２２，２４は、並走部分の一部において、第１信号導体パターン３１と第２信号導体パターン３２とを絶縁体層の積層方向に挟み込み、第１信号導体パターン３１と第２信号導体パターン３２との間に形成された第１空孔Ｈ１を備える。【選択図】図２
2016092561.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の絶縁体層が積層された積層絶縁体と、
前記積層絶縁体の内部に、前記絶縁体層に沿って配置される導体パターンと、
を備え、
前記導体パターンは、上部グランド導体パターン、下部グランド導体パターン、互いに並走する部分を有する第１信号導体パターンおよび第２信号導体パターンと、を備え、
前記上部グランド導体パターンおよび前記下部グランド導体パターンは、前記並走部分の一部において、前記第１信号導体パターンと前記第２信号導体パターンとを前記絶縁体層の積層方向に挟み込み、
前記第１信号導体パターンと前記第２信号導体パターンとの間に形成された第１空孔を備えることを特徴とする伝送線路。
【請求項２】
前記第１空孔は、前記第１信号導体パターンおよび前記第２信号導体パターンの延伸方向に沿って複数配置される、請求項１に記載の伝送線路。
【請求項３】
前記上部グランド導体パターンおよび前記下部グランド導体パターンの少なくとも一方は、前記第１信号導体パターンに沿った第１グランド導体パターン部と前記第２信号導体パターンに沿った第２グランド導体パターン部とに分離され、
前記第１グランド導体パターン部と前記第２グランド導体パターン部との間に第２空孔が形成される、請求項１または２に記載の伝送線路。
【請求項４】
前記第２空孔は、前記第１信号導体パターンおよび前記第２信号導体パターンの延伸方向に沿って複数配置される、請求項３に記載の伝送線路。
【請求項５】
前記第１空孔と前記第２空孔は連続している、請求項３または４に記載の伝送線路。
【請求項６】
前記第１グランド導体パターン部または前記第２グランド導体パターン部は、前記絶縁体層の積層方向に視て、前記第１信号導体パターンと前記第２信号導体パターンとの間で、且つ前記第２空孔が形成されていない領域に突出する突出部を有し、
前記突出部に形成され、前記上部グランド導体パターンと前記下部グランド導体パターンとを接続する層間接続導体を備える、請求項３から５のいずれかに記載の伝送線路。
【請求項７】
前記突出部は前記第１グランド導体パターン部から突出する第１突出部と、前記第２グランド導体パターン部から突出する第２突出部とが、前記第１信号導体パターンおよび前記第２信号導体パターンの延伸方向に沿って交互に配置される、請求項６に記載の伝送線路。
【請求項８】
前記絶縁体層の積層方向に視て、前記第１信号導体パターンと前記第２信号導体パターンとの間を通り、前記上部グランド導体パターンと前記下部グランド導体パターンとを接続する層間接続導体を備える、請求項１から７のいずれかに記載の伝送線路。
【請求項９】
前記第１信号導体パターンは前記上部グランド導体パターン寄りにオフセットされ、前記第２信号導体パターンは前記下部グランド導体パターン寄りにオフセットされ、前記第１信号導体パターンと前記第２信号導体パターンとは異なる絶縁体層に形成される、請求項１から８のいずれかに記載の伝送線路。
【請求項１０】
前記第１信号導体パターンは、前記上部グランド導体パターンに対向する面が前記下部グランド導体パターンに対向する面より表面粗さが小さく、
前記第２信号導体パターンは、前記下部グランド導体パターンに対向する面が前記上部グランド導体パターンに対向する面より表面粗さが小さい、請求項９に記載の伝送線路。
【請求項１１】
前記上部グランド導体パターンの前記第１信号導体パターンに対向する面は反対面より表面粗さが小さく、
前記下部グランド導体パターンの前記第２信号導体パターンに対向する面は反対面より表面粗さが小さい、請求項９または１０に記載の伝送線路。
【請求項１２】
前記第１信号導体パターンは、表面粗さの大きい面が絶縁体層に担持され、前記第２信号導体パターンは、表面粗さの大きい面が絶縁体層に担持される、請求項１０または１１に記載の伝送線路。
【請求項１３】
前記上部グランド導体パターンは、表面粗さの大きい面が絶縁体層に担持され、前記下部グランド導体パターンは、表面粗さの大きい面が絶縁体層に担持される、請求項１０から１２のいずれかに記載の伝送線路。
【請求項１４】
伝送線路と前記伝送線路に接続されるコネクタとで構成され、
前記伝送線路は請求項１から１３のいずれかに記載の伝送線路であり、
前記コネクタは前記伝送線路の積層絶縁体に搭載されることを特徴とするフラットケーブル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数の高周波信号を伝送する伝送線路およびフラットケーブルに関する発明である。
【背景技術】
【０００２】
従来、高周波信号を伝送する各種の伝送線路が考案されている。例えば、特許文献１にストリップライン構造の伝送線路が示されている。特許文献１に記載の伝送線路は、高周波信号の伝送方向に延びる長尺状の積層絶縁体、複数の信号線路、および、第１、第２グランド導体を備える。複数の信号線路は、交互に上下にずらせて、第１、第２のグランド導体に対して平行に配列される。この構成により、それら線路の特性インピーダンスが所定値にマッチングされて、複数の線路が高密度に配置される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平４−１４４３０１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に示される構造の伝送線路においては、各々の信号線を所望のインピーダンスに合わせ込むことが困難である。また、積層方向に重なるグランド層を共有しているため、グランド層を介した結合が生じやすい。すなわち帰還電流による伝送線路間の信号の漏洩が生じやすい。
【０００５】
一方、信号線間に層間接続導体を配置することで、この層間接続導体によって、隣接する信号線間の不要結合を抑制する構造が考えられる。
【０００６】
しかし、隣接する信号線間に層間接続導体を配置する構成では、次のような問題が生じる。
【０００７】
（ａ）隣接する信号線間に配置される層間接続導体のピッチを粗くする態様や層間接続導体を無くす態様とした場合、信号線同士が不要結合し易くなる。一方、層間接続導体のピッチを細かくすると、信号線と層間接続導体との間の容量が大きくなって、伝送線路としての所望の特性インピーダンスを実現しにくくなる。
【０００８】
（ｂ）積層絶縁体の幅を狭くするほど、層間接続導体と信号線との間に生じる容量が大きくなって、伝送線路としての所望の特性インピーダンスを実現しにくくなる。
【０００９】
そこで、本発明の目的は、１つの積層絶縁体に複数の伝送線路部を備えながら、これら複数の伝送線路部間の不要結合を抑制できる伝送線路およびフラットケーブルを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
（１）本発明の伝送線路は、
複数の絶縁体層が積層された積層絶縁体と、
前記積層絶縁体の内部に、前記絶縁体層に沿って配置される導体パターンと、
を備える伝送線路であって、
前記導体パターンは、上部グランド導体パターン、下部グランド導体パターン、互いに並走する部分を有する第１信号導体パターンおよび第２信号導体パターンと、を備え、
前記上部グランド導体パターンおよび前記下部グランド導体パターンは、前記並走部分の一部において、前記第１信号導体パターンと前記第２信号導体パターンとを前記絶縁体層の積層方向に挟み込み、
前記第１信号導体パターンと前記第２信号導体パターンとの間に形成された第１空孔（信号導体間空孔）を備えることを特徴とする。
【００１１】
上記の構成により、上部グランド導体パターン、下部グランド導体パターンおよび第１信号導体パターンにより第１伝送線路が構成され、上部グランド導体パターン、下部グランド導体パターンおよび第２信号導体パターンにより第２伝送線路が構成される。そして、第１信号導体パターンと第２信号導体パターンとの間に空孔が形成されることで、第１信号導体パターンと第２信号導体パターンとの間に比誘電率の低い部分が介在することになる。このことで、第１信号導体パターンと前記第２信号導体パターンとの、電磁界を介する不要結合が抑制される。そのため、第１信号導体パターンと第２信号導体パターンとの間隔を比較的狭くしても、所定のアイソレーションが確保できるので、伝送線路全体の幅を小さくできる。
【００１２】
（２）上記（１）において、前記第１空孔は、前記第１信号導体パターンおよび前記第２信号導体パターンの延伸方向に沿って複数配置されることが好ましい。
【００１３】
上記の構成により、連続する空孔が形成される場合に比べて機械的強度を保持しつつ曲げやすくなる。
【００１４】
（３）上記（１）または（２）に記載の伝送線路において、前記上部グランド導体パターンおよび前記下部グランド導体パターンの少なくとも一方は、前記第１信号導体パターンに沿った第１グランド導体パターン部と前記第２信号導体パターンに沿った第２グランド導体パターン部とに分離され、
前記第１グランド導体パターン部と前記第２グランド導体パターン部との間に第２空孔（グランド導体間空孔）が形成されることが好ましい。
【００１５】
上記の構成により、第１グランド導体パターン部と第２グランド導体パターン部とが分離され、しかも、第１グランド導体パターン部と第２グランド導体パターン部との間に第２空孔が形成されることで、グランド導体パターン（第１グランド導体パターン部と第２グランド導体パターン部）を介した結合が抑制される。
【００１６】
（４）上記（３）に記載の伝送線路において、前記第２空孔は、前記第１信号導体パターンおよび前記第２信号導体パターンの延伸方向に沿って複数配置されることが好ましい。
【００１７】
上記の構成により、連続する空孔が形成される場合に比べて機械的強度を保持しつつ曲げやすくなる。
【００１８】
（５）上記（３）または（４）に記載の伝送線路において、前記第１空孔と前記第２空孔は連続していることが好ましい。
【００１９】
上記の構成により、第１信号導体パターンが形成する電磁界と第２信号導体パターンが形成する電磁界とを介する不要結合がさらに抑制される。
【００２０】
（６）上記（３）から（５）のいずれかに記載の伝送線路において、前記第１グランド導体パターン部または前記第２グランド導体パターン部は、前記絶縁体層の積層方向に視て（平面視で）、前記第１信号導体パターンと前記第２信号導体パターンとの間で、且つ前記第２空孔が形成されていない領域に突出する突出部を有し、前記突出部に形成され、前記上部グランド導体パターンと前記下部グランド導体パターンとを接続する層間接続導体を備えることが好ましい。
【００２１】
上記の構成により、上部グランド導体パターンと下部グランド導体パターンとの電位が安定化し、上部グランド導体パターンと下部グランド導体パターンとを介する第１伝送線路部と第２伝送線路部との結合が抑制される。また、伝送線路全体の幅を広くすることなく、層間接続導体が配置される。また、突出部は伝送線路の側部ではなく内部に配置されるので、突出部および突出部に形成される層間接続導体からの不要輻射が抑制される。
【００２２】
（７）上記（６）に記載の伝送線路において、前記突出部は前記第１グランド導体パターン部から突出する第１突出部と、前記第２グランド導体パターン部から突出する第２突出部とが、前記第１信号導体パターンおよび前記第２信号導体パターンの延伸方向に沿って交互に配置されていることが好ましい。
【００２３】
上記の構成により、第１グランド導体パターン部と導通する層間接続導体（第１層間接続導体）と第２グランド導体パターン部と導通する層間接続導体（第２層間接続導体）とは空孔を介して隣接するので、第１層間接続導体と第２層間接続導体との間での不要結合は抑制される。
【００２４】
（８）上記（１）から（７）のいずれかに記載の伝送線路において、前記絶縁体層の積層方向に視て（平面視で）、前記第１信号導体パターンと前記第２信号導体パターンとの間を通り、前記上部グランド導体パターンと前記下部グランド導体パターンとを接続する層間接続導体を備えることが好ましい。
【００２５】
上記の構成により、上部グランド導体パターンと下部グランド導体パターンとの電位が安定化し、上部グランド導体パターンと下部グランド導体パターンとを介する第１伝送線路部と第２伝送線路部との結合が抑制される。
【００２６】
（９）上記（１）から（８）のいずれかに記載の伝送線路において、前記第１信号導体パターンは前記上部グランド導体パターン寄りにオフセットされ、前記第２信号導体パターンは前記下部グランド導体パターン寄りにオフセットされ、前記第１信号導体パターンと前記第２信号導体パターンとは異なる絶縁体層に形成されることが好ましい。
【００２７】
上記の構成により、伝送線路全体の幅を拡げることなく、第１信号導体パターンと第２信号導体パターンとの空間的間隔が広くなり、第１信号導体パターンと第２信号導体パターン間の不要結合が抑制される。
【００２８】
（１０）上記（９）に記載の伝送線路において、前記第１信号導体パターンは、前記上部グランド導体パターンに対向する面が前記下部グランド導体パターンに対向する面より表面粗さが小さく、前記第２信号導体パターンは、前記下部グランド導体パターンに対向する面が前記上部グランド導体パターンに対向する面より表面粗さが小さいことが好ましい。
【００２９】
上記の構成により、表面粗さの粗い面での電磁界強度の集中が緩和され、第１、第２の信号導体パターンでの導体損失が低減され、伝送線路の伝送損失が低減される。
【００３０】
（１１）上記（９）または（１０）に記載の伝送線路において、前記上部グランド導体パターンの前記第１信号導体パターンに対向する面は反対面より表面粗さが小さく、前記下部グランド導体パターンの前記第２信号導体パターンに対向する面は反対面より表面粗さが小さい、ことが好ましい。
【００３１】
上記の構成により、表面粗さの粗い面での電磁界強度の集中が緩和され、グランド導体パターンでの導体損失が低減され、伝送線路の伝送損失が低減される。
【００３２】
（１２）上記（１０）または（１１）に記載の伝送線路において、前記第１信号導体パターンは、表面粗さの大きい面が絶縁体層に担持され、前記第２信号導体パターンは、表面粗さの大きい面が絶縁体層に担持されることが好ましい。
【００３３】
上記の構成により、絶縁体層の積層時やケーブルの折り曲げ時における信号導体パターンの位置ずれが少なく、位置ずれに伴う特性変化を抑制できる。
【００３４】
（１３）上記（１０）から（１２）のいずれかに記載の伝送線路において、前記上部グランド導体パターンは、表面粗さの大きい面が絶縁体層に担持され、前記下部グランド導体パターンは、表面粗さの大きい面が絶縁体層に担持されることが好ましい。
【００３５】
上記の構成により、絶縁体層の積層時やケーブルの折り曲げ時におけるグランド導体パターンの位置ずれが少なく、位置ずれに伴う特性変化を抑制できる。
【００３６】
（１４）本発明のフラットケーブルは、伝送線路と前記伝送線路に接続されるコネクタとで構成され、前記伝送線路は上記（１）から（１３）のいずれかに記載の伝送線路であり、前記コネクタは前記伝送線路の積層絶縁体に搭載される、ことを特徴とする。
【００３７】
上記の構成により、小型でありながら、複数の伝送線路部間の不要結合が抑制され、且つ不要輻射が抑制されたフラットケーブルが構成される。
【発明の効果】
【００３８】
本発明によれば、第１信号導体パターン、上部グランド導体パターンおよび下部グランド導体パターンを含む第１伝送線路と、第２信号導体パターン、上部グランド導体パターンおよび下部グランド導体パターンを含む第２伝送線路との、不要結合が抑制される。さらに、第１信号導体パターンと第２信号導体パターンとの間隔を比較的狭くしても、所定のアイソレーションが確保できるので、伝送線路全体の幅を小さくできる。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】図１（Ａ）は第１の実施形態に係る伝送線路１０１の分解斜視図であり、図１（Ｂ）は伝送線路１０１の斜視図である。
【図２】図２は伝送線路１０１の信号伝搬方向に対する垂直面での断面図である。
【図３】図３は第１の実施形態に係るフラットケーブル２０１の外観斜視図である。
【図４】図４は伝送線路１０１が備える各絶縁体層およびそれらに形成される各種導体パターンを示す部分平面図である。
【図５】図５（Ａ）は本実施形態に係るフラットケーブル２０１の実装状態を示す、携帯電子機器の断面図であり、図５（Ｂ）は当該携帯電子機器の筐体内部の平面図である。
【図６】図６（Ａ）は第２の実施形態に係る伝送線路の形成途中における分解斜視図であり、図６（Ｂ）は伝送線路の形成途中における斜視図である。図６（Ｃ）は伝送線路１０２の斜視図である。
【図７】図７は伝送線路１０２の信号伝搬方向に対する垂直面での断面図である。
【図８】図８（Ａ）は第３の実施形態に係る伝送線路１０３の分解斜視図であり、図８（Ｂ）は伝送線路１０３の斜視図である。
【図９】図９（Ａ）は図８（Ｂ）におけるＡ−Ａ部分の断面図であり、図９（Ｂ）は図８（Ｂ）におけるＢ−Ｂ部分の断面図である。
【図１０】図１０は第４の実施形態に係る伝送線路１０４の斜視図である。
【図１１】図１１は伝送線路１０４の平面図である。
【図１２】図１２（Ａ）は図１０におけるＡ−Ａ部分の断面図であり、図１２（Ｂ）は図１０におけるＢ−Ｂ部分の断面図である。
【図１３】図１３は第５の実施形態に係る伝送線路１０５の分解斜視図である。
【図１４】図１４（Ａ）は図１３におけるＡ−Ａ部分での断面図であり、図１４（Ｂ）は図１３におけるＢ−Ｂ部分での断面図であり、図１４（Ｃ）は図１３におけるＣ−Ｃ部分での断面図であり、図１４（Ｄ）は図１３におけるＤ−Ｄ部分での断面図である。
【図１５】図１５（Ａ）は第６の実施形態に係る伝送線路１０６の分解断面図であり、図１５（Ｂ）は伝送線路１０６の断面図である。
【図１６】図１６は第７の実施形態に係る伝送線路１０７の分解断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００４０】
以降、図を参照して幾つかの具体的な例を挙げて、本発明を実施するための複数の形態を示す。各図中には同一箇所に同一符号を付す。第２の実施形態以降では第１の実施形態と共通の事柄についての記述を省略し、異なる点について説明する。特に、同様の構成による同様の作用効果については実施形態毎には逐次言及しない。
【００４１】
《第１の実施形態》
図１（Ａ）は第１の実施形態に係る伝送線路１０１の分解斜視図であり、図１（Ｂ）は伝送線路１０１の斜視図である。また、図２は伝送線路１０１の信号伝搬方向に対する垂直面での断面図である。
【００４２】
伝送線路１０１は、複数の絶縁体層１２，１３，１４，１５が積層された積層絶縁体１０と、この積層絶縁体１０の内部に、絶縁体層１２〜１５に沿って配置される各種導体パターンとを備える。
【００４３】
上記導体パターンは、絶縁体層１２に沿って配置される上部グランド導体パターン（２１，２３）、絶縁体層１５に沿って配置される下部グランド導体パターン（２２，２４）、絶縁体層１４に沿って配置される第１信号導体パターン３１、および第２信号導体パターン３２を含む。
【００４４】
本実施形態では、上部グランド導体パターンは、上部第１グランド導体パターン部２１と上部第２グランド導体パターン部２３とで構成される。また、下部グランド導体パターンは、下部第１グランド導体パターン部２２と下部第２グランド導体パターン部２４とで構成される。
【００４５】
上記絶縁体層１２，１４，１５は、例えば片面に銅箔が貼られた片面銅貼り絶縁体シートの絶縁体シート部分である。絶縁体層１３は絶縁体シートである。これら絶縁体シートは例えば液晶ポリマー（ＬＣＰ）のシートである。液晶ポリマーは誘電率が低いため、信号導体パターンとグランド導体パターンとを近接させても、線路のキャパシタンス成分を抑制できる。また、誘電正接が低いので伝送損失が抑えられる。さらに、誘電正接の温度依存性が低いことにより、環境変化による特性変化を抑制できる。また、上記各種導体パターンは、上記絶縁体シートに貼付された銅箔がパターンニングされたものである。上記積層絶縁体１０は、これら複数の絶縁体シートを積層して加熱圧着することで形成される。
【００４６】
第１信号導体パターン３１と第２信号導体パターン３２は互いに並行していて、長手方向（図１に示す向きで左右方向）に延伸配置される。第１信号導体パターン３１は、上部第１グランド導体パターン部２１と下部第１グランド導体パターン部２２との間の層に配置され、第２信号導体パターン３２は、上部第２グランド導体パターン部２３と下部第２グランド導体パターン部２４との間の層に配置される。
【００４７】
上記の構成により、上部第１グランド導体パターン部２１、下部第１グランド導体パターン部２２および第１信号導体パターン３１により第１伝送線路部ＷＧ１が構成され、上部第２グランド導体パターン部２３、下部第２グランド導体パターン部２４および第２信号導体パターン３２により第２伝送線路部ＷＧ２が構成される。なお、導体以外の部材も含めれば、第１信号導体パターン３１、上部第１グランド導体パターン部２１、下部第１グランド導体パターン部２２と共に、誘電体および支持層としての絶縁体層１２，１３，１４も第１伝送線路部の構成要素である。同様に、第２信号導体パターン３２、上部第２グランド導体パターン部２３、下部第２グランド導体パターン部２４と共に、誘電体および支持層としての絶縁体層１２，１３，１４も第２伝送線路部の構成要素である。
【００４８】
第１信号導体パターン３１と第２信号導体パターン３２の間隔は一定でなくてもよく、第１信号導体パターン３１と第２信号導体パターン３２とが互いに並行していればよい。すなわち、第１信号導体パターン３１は第２信号導体パターン３２に沿って延伸配置されていればよい。
【００４９】
第１信号導体パターン３１と第２信号導体パターン３２との間に第１空孔Ｈ１が形成されている。この第１空孔Ｈ１（空気）の比誘電率は絶縁体層１２〜１５の比誘電率より低い。そのため、第１信号導体パターン３１と第２信号導体パターン３２との間隔を比較的狭くしても、所定のアイソレーションが確保できるので、伝送線路全体の幅を小さくできる。
【００５０】
また、本実施形態では、上部グランド導体パターン（２１，２３）が分離され、下部グランド導体パターン（２２，２４）が分離されているので、グランド導体パターンに流れる帰還電流を介するクロストークが抑制される。
【００５１】
図３は第１の実施形態に係るフラットケーブル２０１の外観斜視図である。フラットケーブル２０１は伝送線路１０１と、この伝送線路１０１に搭載される同軸コネクタ６１Ａ，６１Ｂ，６２Ａ，６２Ｂとで構成される。伝送線路１０１は第１伝送線路部と第２伝送線路部を備える。伝送線路１０１の長手方向が高周波信号の伝送方向である。第１伝送線路部の両端に同軸コネクタ６１Ａ，６１Ｂが設けられ、第２伝送線路部の両端に同軸コネクタ６２Ａ，６２Ｂが設けられる。
【００５２】
図４は伝送線路１０１が備える各絶縁体層およびそれらに形成される各種導体パターンを示す部分平面図である。絶縁体層１２，１３，１４には、同軸コネクタ搭載用内導体パターン４１が形成され、絶縁体層１２，１３，１４には、同軸コネクタ搭載用内導体パターン４２が形成される。絶縁体層１２，１３には、同軸コネクタ搭載用外導体パターン５１，５２がそれぞれ形成される。
【００５３】
絶縁体層１２には上部第１グランド導体パターン部２１、上部第２グランド導体パターン部２３がそれぞれ形成され、絶縁体層１４には第１信号導体パターン３１、第２信号導体パターン３２がそれぞれ形成され、絶縁体層１５には下部第１グランド導体パターン部２２、下部第２グランド導体パターン部２４がそれぞれ形成される。
【００５４】
各絶縁体層に形成される、同軸コネクタ搭載用内導体パターン４１はそれぞれ層間接続導体ＶＳ１を介して導通し、同軸コネクタ搭載用内導体パターン４２はそれぞれ層間接続導体ＶＳ２を介して導通する。また、同軸コネクタ搭載用外導体パターン５１はそれぞれ層間接続導体ＶＧ１を介して導通し、同軸コネクタ搭載用外導体パターン５２はそれぞれ層間接続導体ＶＧ２を介して導通する。同軸コネクタ６１Ａ（図３参照）は同軸コネクタ搭載用内導体パターン４１および同軸コネクタ搭載用外導体パターン５１に搭載され、電気的に接合される。また、同軸コネクタ６２Ａは同軸コネクタ搭載用内導体パターン４２および同軸コネクタ搭載用外導体パターン５２に搭載され、電気的に接合される。図４では、伝送線路１０１の実質的に半分の領域について図示したが、残る半分の領域の構成も同様である。
【００５５】
上記各種導体パターンを形成した絶縁体層１２〜１５を積層して加熱圧着することで、図２に示される断面構造を有する積層絶縁体１０が構成される。
【００５６】
積層絶縁体１０の同軸コネクタ搭載部に同軸コネクタが搭載されることにより、フレキシブルなフラットケーブル２０１が構成される。
【００５７】
このようにして、第１伝送線路部ＷＧ１と第２伝送線路部ＷＧ２とのクロストークを抑制しつつ伝送線路全体の幅を小さくできる。
【００５８】
図５（Ａ）は本実施形態に係るフラットケーブル２０１の実装状態を示す、携帯電子機器の断面図であり、図５（Ｂ）は当該携帯電子機器の筐体内部の平面図である。
【００５９】
携帯電子機器１は、薄型の筐体２を備える。筐体２内には、回路基板３Ａ，３Ｂと、バッテリーパック４等が配置される。回路基板３Ａ，３Ｂの表面には、複数のＩＣ５およびチップ部品６が実装される。回路基板３Ａ，３Ｂおよびバッテリーパック４は、筐体２を平面視して、回路基板３Ａ，３Ｂ間にバッテリーパック４が配置されるように、筐体２に設置される。筐体２はできる限り薄型に形成されるので、筐体２の厚み方向での、バッテリーパック４と筐体２との間隔は極狭い。したがって、この間に通常の同軸ケーブルを配置することはできない。
【００６０】
本実施形態のフラットケーブル２０１は、その厚み方向と、筐体２の厚み方向とが一致するように配置することで、バッテリーパック４と筐体２との間に、フラットケーブル２０１を通すことができる。これにより、バッテリーパック４を中間に配して離間された回路基板３Ａ，３Ｂをフラットケーブル２０１で接続できる。
【００６１】
さらに、フラットケーブル２０１の回路基板３Ａ，３Ｂへの接続位置と、バッテリーパック４へのフラットケーブル２０１の設置面が、筐体２の厚み方向で異なり、フラットケーブル２０１を湾曲させて接続しなければならない場合であっても適用できる。
【００６２】
さらに、フラットケーブル２０１は幅方向に小さいので、複数の伝送線路を並置することも容易となる。
【００６３】
《第２の実施形態》
図６（Ａ）は第２の実施形態に係る伝送線路の形成途中における分解斜視図であり、図６（Ｂ）は伝送線路の形成途中における斜視図である。図６（Ｃ）は伝送線路１０２の斜視図である。また、図７は伝送線路１０２の信号伝搬方向に対する垂直面での断面図である。
【００６４】
伝送線路１０２は、複数の絶縁体層１２，１３，１４，１５が積層された積層絶縁体１０と、この積層絶縁体１０の内部に、絶縁体層１２〜１５に沿って配置される各種導体パターンとを備える。
【００６５】
第１の実施形態と異なり、本実施形態では、空孔Ｈが、第１信号導体パターン３１と第２信号導体パターン３２との間に空孔（第１空孔Ｈ１）が形成されているだけでなく、上部第１グランド導体パターン部２１と上部第２グランド導体パターン部２３との間、および下部第１グランド導体パターン部２２と下部第２グランド導体パターン部２４との間に、第２空孔Ｈ２が形成されている。
【００６６】
また、第１の実施形態と異なり、本実施形態では、第１空孔Ｈ１と第２空孔Ｈ２は連接し、第１信号導体パターン３１および第２信号導体パターン３２の延伸方向に沿って複数配置されている。すなわち、空孔は信号伝搬方向に一続きではなく、所定間隔で複数個配置されている。
【００６７】
本実施形態の伝送線路１０２は次の手順で製造される。
【００６８】
（１）図６（Ａ）に示すように、絶縁体層１３と、それぞれ所定の導体パターンを形成した絶縁体層１２，１４，１５とを積層する。
【００６９】
（２）図６（Ｂ）に示すように、その積層体を加熱プレスすることで一体化する。
【００７０】
（３）図６（Ｃ）に示すように、レーザービーム加工機で、積層体に空孔Ｈ（スリット状の貫通孔）を形成する。
【００７１】
その他の構成は第１の実施形態で示したとおりである。
【００７２】
本実施形態によれば、第１グランド導体パターン部と第２グランド導体パターン部とが分離され、しかも、第１グランド導体パターン部と第２グランド導体パターン部との間に第２空孔が形成されることで、グランド導体パターン（第１グランド導体パターン部と第２グランド導体パターン部）を介した結合が抑制される。また、連続するスリットが形成される場合に比べて機械的強度を保持しつつ曲げやすくなる。
【００７３】
なお、大きな空孔Ｈを長手方向に長くすると、第１伝送線路部ＷＧ１および第２伝送線路部ＷＧ２は空孔Ｈを挟む部分で独立して変形させることができるので、例えば、第１伝送線路部ＷＧ１を上方、第２伝送線路部ＷＧ２を下方に変形させて、伝送線路部間を広げで実装することができる。また、このことによって、第１伝送線路部ＷＧ１と第２伝送線路部ＷＧ２とのクロストークを更に抑制できる。
【００７４】
《第３の実施形態》
図８（Ａ）は第３の実施形態に係る伝送線路１０３の分解斜視図であり、図８（Ｂ）は伝送線路１０３の斜視図である。図９（Ａ）は図８（Ｂ）におけるＡ−Ａ部分の断面図であり、図９（Ｂ）は図８（Ｂ）におけるＢ−Ｂ部分の断面図である。
【００７５】
本実施形態では、上部第１グランド導体パターン部２１と下部第１グランド導体パターン部２２とを第１層間接続導体ＶＧ１で導通させていて、上部第２グランド導体パターン２３と下部第２グランド導体パターン部２４とを第２層間接続導体ＶＧ２で導通させている。その他の構成は第２の実施形態で示したとおりである。
【００７６】
本実施形態によれば、上部グランド導体パターン（２１，２３）、下部グランド導体パターン（２２，２４）共に分離されているので、それぞれのグランド導体パターンは小面積である。しかし、第１層間接続導体ＶＧ１を設けることにより、上部第１グランド導体パターン部２１と下部第１グランド導体パターン部２２との電位が安定化する。同様に、第２層間接続導体ＶＧ２を設けることにより、上部第２グランド導体パターン２３と下部第２グランド導体パターン部２４との電位が安定化する。また、第１信号導体パターン３１と第２信号導体パターン３２との間に複数の層間接続導体ＶＧ１，ＶＧ２が介在しているので、これら層間接続導体ＶＧ１，ＶＧ２による電磁界遮蔽効果により、第１伝送線路部ＷＧ１と第２伝送線路部ＷＧ２とのアイソレーションがより確保される。
【００７７】
《第４の実施形態》
図１０は第４の実施形態に係る伝送線路１０４の斜視図であり、図１１は伝送線路１０４の平面図である。また、図１２（Ａ）は図１０におけるＡ−Ａ部分の断面図であり、図１２（Ｂ）は図１０におけるＢ−Ｂ部分の断面図である。
【００７８】
本実施形態では、絶縁体層の積層方向に視て（平面視で）、第１信号導体パターン３１と第２信号導体パターン３２との間で、且つ空孔Ｈが形成されていない領域に、上部第１グランド導体パターン部２１と下部第１グランド導体パターン部２２からそれぞれ突出する第１突出部ＰＰ１を有する。同様に、第１信号導体パターン３１と第２信号導体パターン３２との間で、且つ空孔Ｈが形成されていない領域に、上部第２グランド導体パターン部２３と下部第２グランド導体パターン部２４からそれぞれ突出する第２突出部ＰＰ２を有する。
【００７９】
上下の第１突出部ＰＰ１は第１層間接続導体ＶＧ１で接続されていて、上下の第２突出部ＰＰ２は第２層間接続導体ＶＧ２で接続されている。また、第１突出部ＰＰ１と第２突出部ＰＰ２は、第１信号導体パターン３１および第２信号導体パターン３２の延伸方向に沿って交互に配置されている。その他の構成は第２の実施形態で示したとおりである。
【００８０】
本実施形態によれば、次のような効果を奏する。
【００８１】
（ａ）伝送線路全体の幅を広くすることなく、層間接続導体ＶＧ１，ＶＧ２が配置される。
【００８２】
（ｂ）突出部ＰＰ１，ＰＰ２は伝送線路の側部ではなく内部に配置されるので、突出部および突出部に形成される層間接続導体から不要輻射が抑制される。
【００８３】
（ｃ）第１層間接続導体ＶＧ１と第２層間接続導体ＶＧ２とは、空孔を介して隣接するので、第１層間接続導体ＶＧ１と第２層間接続導体ＶＧ２との間の不要結合は抑制される。
【００８４】
《第５の実施形態》
図１３は第５の実施形態に係る伝送線路１０５の分解斜視図である。図１４（Ａ）は図１３におけるＡ−Ａ部分での断面図であり、図１４（Ｂ）は図１３におけるＢ−Ｂ部分での断面図であり、図１４（Ｃ）は図１３におけるＣ−Ｃ部分での断面図であり、図１４（Ｄ）は図１３におけるＤ−Ｄ部分での断面図である。
【００８５】
本実施形態では、絶縁体層１４に第１信号導体パターン３１、第２信号導体パターン３２、および第１空孔Ｈ１が形成されている。絶縁体層１２，１６には第２空孔Ｈ２がそれぞれ形成されている。第１空孔Ｈ１と第２空孔Ｈ２は、第１信号導体パターン３１および第２信号導体パターン３２の延伸方向に沿って交互に配置されている。
【００８６】
絶縁体層１３にはグランド接続導体ＧＬ１１、ＧＬ２１、絶縁体層１５にはグランド接続導体ＧＬ１２，ＧＬ２２がそれぞれ形成されている。
【００８７】
絶縁体層１２には、上部の第１突出部ＰＰ１とグランド接続導体ＧＬ１１とを接続する層間接続導体ＶＧ１、上部の第２突出部ＰＰ２とグランド接続導体ＧＬ２１とを接続する層間接続導体ＶＧ２がそれぞれ形成されている。
【００８８】
絶縁体層１３には、グランド接続導体ＧＬ１１と導通する層間接続導体ＶＧ３、グランド接続導体ＧＬ２１とを接続する層間接続導体ＶＧ４がそれぞれ形成されている。
【００８９】
絶縁体層１４には、層間接続導体ＶＧ３と導通する層間接続導体ＶＧ５、層間接続導体ＶＧ４とを接続する層間接続導体ＶＧ６がそれぞれ形成されている。
【００９０】
絶縁体層１５には、下部の第１突出部ＰＰ１とグランド接続導体ＧＬ１２とを接続する層間接続導体ＶＧ７、下部の第２突出部ＰＰ２とグランド接続導体ＧＬ２２とを接続する層間接続導体ＶＧ８がそれぞれ形成されている。
【００９１】
上記構造により、上部第１グランド導体パターン部２１と下部第１グランド導体パターン部２２とを、層間接続導体ＶＧ１，ＶＧ３，ＶＧ５，ＶＧ７およびグランド接続導体ＧＬ１１，ＧＬ１２を介して接続している。同様に、上部第２グランド導体パターン部２３と下部第２グランド導体パターン部２４とを、層間接続導体ＶＧ２，ＶＧ４，ＶＧ６，ＶＧ８およびグランド接続導体ＧＬ２１，ＧＬ２２を介して接続している。
【００９２】
本実施形態によれば、第１空孔Ｈ１と第２空孔Ｈ２が分散配置されているので、これら空孔Ｈ１，Ｈ２を基点とする破壊が起こりにくい。また、伝送線路の折り曲げ時に、層間接続導体の断線が生じにくい。
【００９３】
《第６の実施形態》
第６の実施形態では、特に、信号導体パターンの断面における高さ方向の位置について、および信号導体パターンの表面粗さについて示す。
【００９４】
図１５（Ａ）は第６の実施形態に係る伝送線路１０６の分解断面図であり、図１５（Ｂ）は伝送線路１０６の断面図である。いずれも、空孔が現れない位置での断面図である
図１５（Ａ）に表れるように、第１絶縁体層１２の上面に上部グランド導体パターン２１、第４絶縁体層１５の下面に下部グランド導体パターン２２、第２絶縁体層１３の上面に第１信号導体パターン３１、第３絶縁体層１４の下面に第２信号導体パターン３２がそれぞれ形成されている。したがって、第１信号導体パターン３１は上部グランド導体パターン２１寄りにオフセットされ、第２信号導体パターン３２は下部グランド導体パターン２２寄りにオフセットされている。
【００９５】
第１信号導体パターン３１は、上部グランド導体パターン２１に対向する面が下部グランド導体パターン２２に対向する面より表面粗さが小さい。また、第２信号導体パターン３２は、下部グランド導体パターン２２に対向する面が上部グランド導体パターン部２１に対向する面より、表面粗さが小さい。すなわち、第１信号導体パターン３１のシャイニー面が上部グランド導体パターン部２１に対向し、第２信号導体パターン３２のシャイニー面が下部グランド導体パターン２２に対向する。
【００９６】
信号導体パターンとグランド導体パターンとの間隔が広い方より狭い方に電磁界が集中するので、上記の構成により、表面粗さの粗い面での電磁界強度の集中が緩和される。その結果、信号導体パターンの導体損失およびグランド導体パターンの導体損失が低減され、伝送線路ＷＧ１，ＷＧ２の伝送損失が低減される。
【００９７】
また、伝送線路全体の幅を拡げることなく、第１信号導体パターン３１と第２信号導体パターン３２との空間的間隔が広くなり、第１伝送線路部ＷＧ１と第２伝送線路部ＷＧ２とのアイソレーションが高められる。
【００９８】
また、第１信号導体パターン３１は、表面粗さの粗い第２面（マット面）が第２絶縁体層１３に担持され、第２信号導体パターン３２は、表面粗さの粗い面が第３絶縁体層１４に担持されるので、絶縁体層と銅箔との接合強度が高い状態で積層できる。同様に、上部グランド導体パターン２１は、表面粗さの粗い面が第１絶縁体層１２に担持され、下部グランド導体パターン２２は、表面粗さの粗い面が第３絶縁体層１４に担持されるので、絶縁体層と銅箔との接合強度が高い状態で積層できる。そのため、絶縁体層の積層時やケーブルの折り曲げ時における信号導体パターンの位置ずれが少なく、位置ずれに伴う特性変化を抑制できる。
【００９９】
以上に示した各実施形態では、上部グランド導体パターンおよび下部グランド導体パターンの両方について、第１信号導体パターンに沿った第１グランド導体パターン部と第２信号導体パターンに沿った第２グランド導体パターン部とに分離された例を示したが、第６の実施形態のように、上部グランド導体パターンおよび下部グランド導体パターンは分離されず、第１伝送線路部ＷＧ１と第２伝送線路部ＷＧ２とで兼用されてもよい。
【０１００】
なお、上述の信号導体パターンの断面における高さ方向の位置に関する構造、および信号導体パターンの表面粗さに関する構造は、第１空孔Ｈ１や第２空孔Ｈ２を備えない伝送線路についても適用でき、同様の効果を奏する。
【０１０１】
《第７の実施形態》
第７の実施形態では、特に、信号導体パターンおよびグランド導体パターンの表面粗さについて示す。
【０１０２】
図１６は第７の実施形態に係る伝送線路１０７の分解断面図である。
【０１０３】
図１６に表れるように、第１絶縁体層１１の下面に上部グランド導体パターン２１、第６絶縁体層１６の上面に下部グランド導体パターン２２、第３絶縁体層１３の上面に第１信号導体パターン３１、第４絶縁体層１４の下面に第２信号導体パターン３２がそれぞれ形成されている。したがって、第１信号導体パターン３１は上部グランド導体パターン２１寄りにオフセットされ、第２信号導体パターン３２は下部グランド導体パターン２２寄りにオフセットされている。
【０１０４】
上部グランド導体パターン２１はシャイニー面が第１信号導体パターン３１側を向き、下部グランド導体パターン２２はシャイニー面が第２信号導体パターン３２側を向く。
【０１０５】
上記の構成により、信号導体パターンについてだけなく、グランド導体パターンについても、表面粗さの粗い面での電磁界強度の集中が回避される。その結果、グランド導体パターンについても導体損失が低減され、伝送線路ＷＧ１，ＷＧ２の伝送損失が低減される。
【０１０６】
なお、上述の信号導体パターンおよびグランド導体パターンの表面粗さに関する構造は、第１空孔Ｈ１や第２空孔Ｈ２を備えない伝送線路についても適用でき、同様の効果を奏する。
【０１０７】
《他の実施形態》
以上に示した各実施形態では、上部グランド導体パターンおよび下部グランド導体パターンの両方については、第１信号導体パターンに沿った第１グランド導体パターン部と第２信号導体パターンに沿った第２グランド導体パターン部とに分離された例と、上部グランド導体パターンおよび下部グランド導体パターンのいずれについても分離されず、第１伝送線路部と第２伝送線路部とで兼用された例を示したが、上部グランド導体パターンおよび下部グランド導体パターンの一方が、第１信号導体パターンに沿った第１グランド導体パターン部と第２信号導体パターンに沿った第２グランド導体パターン部とに分離されていてもよい。
【０１０８】
また、以上に示した幾つかの実施形態では、上部第１グランド導体パターン部と上部第２グランド導体パターン部との間、下部第１グランド導体パターン部と下部第２グランド導体パターン部との間にそれぞれ第２空孔Ｈ２を形成する例を示したが、上部または下部の一方にのみ第２空孔Ｈ２を形成してもよい。
【０１０９】
最後に、上述の実施形態の説明は、すべての点で例示であって、制限的なものではない。当業者にとって変形および変更が適宜可能である。例えば、異なる実施形態で示した構成の部分的な置換または組み合わせが可能である。本発明の範囲は、上述の実施形態ではなく、特許請求の範囲によって示される。さらに、本発明の範囲には、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【符号の説明】
【０１１０】
ＧＬ１１，ＧＬ１２，ＧＬ２１，ＧＬ２２…グランド接続導体
Ｈ…空孔
Ｈ１…第１空孔
Ｈ２…第２空孔
ＰＰ１…第１突出部
ＰＰ２…第２突出部
ＶＧ１〜ＶＧ８…層間接続導体
ＶＳ１，ＶＳ２…層間接続導体
ＷＧ１…第１伝送線路部
ＷＧ２…第２伝送線路部
２…筐体
３Ａ，３Ｂ…回路基板
４…バッテリーパック
５…ＩＣ
６…チップ部品
１０…積層絶縁体
１１〜１６…絶縁体層
２１…上部第１グランド導体パターン部、上部グランド導体パターン
２２…下部第１グランド導体パターン部、下部グランド導体パターン
２３…上部第２グランド導体パターン部
２４…下部第２グランド導体パターン部
３１…第１信号導体パターン
３２…第２信号導体パターン
４１，４２，５１，５２…同軸コネクタ搭載用外導体パターン
６１Ａ，６１Ｂ，６２Ａ，６２Ｂ…同軸コネクタ
１０１〜１０７…伝送線路
２０１…フラットケーブル
【図１】
2016092561.tif 000003
【図２】
2016092561.tif 000004
【図３】
2016092561.tif 000005
【図４】
2016092561.tif 000006
【図５】
2016092561.tif 000007
【図６】
2016092561.tif 000008
【図７】
2016092561.tif 000009
【図８】
2016092561.tif 000010
【図９】
2016092561.tif 000011
【図１０】
2016092561.tif 000012
【図１１】
2016092561.tif 000013
【図１２】
2016092561.tif 000014
【図１３】
2016092561.tif 000015
【図１４】
2016092561.tif 000016
【図１５】
2016092561.tif 000017
【図１６】
2016092561.tif 000018