(57)【要約】【課題】コンクリート体からの赤外光を高い感度で取得可能なコンクリート構造物検査装置を提供する。【解決手段】コンクリート構造物検査装置１０１は、コンクリート体１００からの光を受光するための半導体受光素子１０５ａを備える。半導体受光素子１０５ａは、基板１と、基板１上に設けられたメサ構造のフォトダイオード１０とを有する。フォトダイオード１０は受光層３を備える。受光層３は、１．８μｍ以上３μｍ以下のバンドギャップ波長を有する。このコンクリート構造物検査装置１０１によれば、フォトダイオード１０が、１．８μｍ以上３μｍ以下のバンドギャップ波長を有する受光層を備えるので、受光層３は、コンクリート構造物の検査に赤外波長領域の光に感応する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
コンクリート構造物検査装置であって、
コンクリートからの光を受光して赤外スペクトルを生成するためのＩＩＩ−Ｖ族半導体受光素子を備え、
前記ＩＩＩ−Ｖ族半導体受光素子は、基板と、前記基板上に設けられたメサ構造のフォトダイオードと、を有し、
前記フォトダイオードは受光層を備え、前記受光層は、１．８μｍ以上３μｍ以下のバンドギャップ波長を有する、コンクリート構造物検査装置。
【請求項２】
前記受光層はタイプＩＩ遷移を可能にする量子井戸構造を有する、請求項１に記載されたコンクリート構造物検査装置。
【請求項３】
前記受光層は（ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓＳｂ）多重量子井戸構造または（ＧａＩｎＮＡｓ（Ｐ，Ｓｂ）／ＧａＡｓＳｂ）多重量子井戸構造を含む、請求項１又は請求項２に記載されたコンクリート構造物検査装置。
【請求項４】
前記メサ構造は、前記メサ構造の上面から前記受光層に向かう方向に低下する不純物濃度プロファイルを有し、前記不純物濃度プロファイルにおける濃度は、前記受光層において５×１０１６／ｃｍ３以下である、請求項１〜請求項３のいずれか一項に記載されたコンクリート構造物検査装置。
【請求項５】
前記ＩＩＩ−Ｖ族半導体受光素子は、前記フォトダイオードの一次元または二次元のアレイを含む、請求項１〜請求項４のいずれか一項に記載されたコンクリート構造物検査装置。
【請求項６】
前記ＩＩＩ−Ｖ族半導体受光素子による撮像の位置を示すマーカー光を提供する光源装置を更に備える、請求項１〜請求項５のいずれか一項に記載されたコンクリート構造物検査装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、コンクリート構造物検査装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１は、コンクリートの劣化度合いを診断する方法を開示する。特許文献２は、コンクリート構造物の劣化の主たる原因の一つが塩害であることを開示する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００５−２９１８８１号公報
【特許文献２】国際公開ＷＯ２０１０−０４６９６８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１は、コンクリート構造物の建築記録に残されたコンクリート成分組成から基準用の基本情報として吸光度を求めると共に、この基本情報を検査されるべき構造物のコンクリートの吸光度と比較することを開示する。吸光度の測定のために、チャージ・カップルド・デバイス（ＣＣＤ）を用いる。また、特許文献２は、コンクリート構造物の健全性の維持には、構造物表面の塩化物イオンの分布を把握することを開示する。この塩化物イオンの見積もりのために、チャージ・カップルド・デバイス（ＣＣＤ）を用いる。
【０００５】
コンクリート構造物における塩化物イオンの見積もりには赤外スペクトルの測定が必要であるけれども、ＣＣＤは、コンクリートにおける塩化物イオンの見積もりに使用する赤外スペクトルの波長領域において高い感度を示さない。
【０００６】
ＣＣＤを用いて取得された赤外スペクトルは、ＣＣＤに起因する低い近赤外感度に基づくものである。これ故に、より高い感度の赤外スペクトルが求められている。
【０００７】
本発明の一側面は、このような事情を鑑みて為されたものであり、コンクリート体からの赤外光を高い感度で取得可能なコンクリート構造物検査装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一側面に係るコンクリート構造物検査装置は、コンクリートからの光を受光して赤外スペクトルを生成するためのＩＩＩ−Ｖ族半導体受光素子を備え、前記ＩＩＩ−Ｖ族半導体受光素子は、基板と、前記基板上に設けられたメサ構造のフォトダイオードと、を有し、前記フォトダイオードは受光層を備え、前記受光層は、１．８μｍ以上３μｍ以下のバンドギャップ波長を有する。
【０００９】
本発明の上記の目的および他の目的、特徴、並びに利点は、添付図面を参照して進められる本発明の好適な実施の形態の以下の詳細な記述から、より容易に明らかになる。
【発明の効果】
【００１０】
以上説明したように、本発明の一側面によれば、コンクリート体からの赤外光を高い感度で取得可能なコンクリート構造物検査装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本実施の形態に係るコンクリート構造物検査装置を模式的に示す図面である。
【図２】コンクリート構造物検査装置のための赤外光を検知可能なフォトダイオードの二次元配列を示す図面である。
【図３】本実施の形態に係るコンクリート構造物検査装置を模式的に示す図面である。
【図４】コンクリート構造物の評価のためのコンクリート構造物検査装置における撮像処理を模式的に示す図面である。
【図５】コンクリート構造物検査装置を用いて取得された赤外光の吸光度を波長に対して示す図面である。
【図６】図５に示された破線ＢＯＸのエリア（２１００ｎｍ〜２４００ｎｍの波長範囲）における吸光度を示す図面である。
【図７】コンクリート構造物検査装置を用いて取得されたコンクリート構造物の二次元赤外光画像における吸収波長の強度から見積もられる塩化物イオンの濃度を示す図面である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
いくつかの具体例を説明する。
【００１３】
一形態に係るコンクリート構造物検査装置は、コンクリートからの光を受光して赤外スペクトルを生成するためのＩＩＩ−Ｖ族半導体受光素子を備え、前記ＩＩＩ−Ｖ族半導体受光素子は、基板と、前記基板上に設けられたメサ構造のフォトダイオードと、を有し、前記フォトダイオードは受光層を備え、前記受光層は、１．８μｍ以上３μｍ以下のバンドギャップ波長を有する。
【００１４】
このコンクリート構造物検査装置によれば、フォトダイオードが、１．８μｍ以上３μｍ以下のバンドギャップ波長を有する受光層を備えるので、受光層は、コンクリート構造物の検査のための赤外波長領域の光に感応する。
【００１５】
一形態に係るコンクリート構造物検査装置では、前記受光層はタイプＩＩ遷移を可能にする量子井戸構造を有する。このコンクリート構造物検査装置によれば、タイプＩＩ遷移の量子井戸構造は良好な感度の赤外線の検知を可能にする。
【００１６】
一形態に係るコンクリート構造物検査装置では、前記受光層は（ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓＳｂ）多重量子井戸構造または（ＧａＩｎＮＡｓ（Ｐ，Ｓｂ）／ＧａＡｓＳｂ）多重量子井戸構造を含む。このコンクリート構造物検査装置によれば、受光層は、良好な感度の赤外線検知を可能にする。
【００１７】
一形態に係るコンクリート構造物検査装置では、前記メサ構造は、前記メサ構造の上面から前記受光層に向かう方向に低下する不純物濃度プロファイルを有し、前記不純物濃度プロファイルにおける濃度は、前記受光層において５×１０１６／ｃｍ３以下である。このコンクリート構造物検査装置によれば、低ノイズな為、微弱な赤外線検知が可能で、コンクリート構造物の微小な変化を検査することが可能である。
【００１８】
一形態に係るコンクリート構造物検査装置では、前記ＩＩＩ−Ｖ族半導体受光素子は、前記フォトダイオードの一次元または二次元のアレイを含む。このコンクリート構造物検査装置によれば、ＩＩＩ−Ｖ族半導体受光素子は、一次元または二次元の赤外線画像を提供できる。
【００１９】
一形態に係るコンクリート構造物検査装置は、前記ＩＩＩ−Ｖ族半導体受光素子による撮像の位置を示すマーカー光を提供する光源装置を更に備える。このコンクリート構造物検査装置によれば、大域的な画像内における検査エリアの撮像にマーカー光を取り込むことによって、大域的な検査対象物の画像と局所的な検査エリアとの関連付けが容易になる。
【００２０】
本発明の知見は、例示として示された添付図面を参照して以下の詳細な記述を考慮することによって容易に理解できる。引き続いて、添付図面を参照しながら、コンクリート構造物検査装置、コンクリートの赤外スペクトル測定装置、コンクリート構造物評価装置に係る実施の形態を説明する。可能な場合には、同一の部分には同一の符号を付する。
【００２１】
図１は、本実施の形態に係るコンクリート構造物検査装置を模式的に示す図面である。図１を参照すると、コンクリート構造物検査装置１０１は、赤外撮像装置１０３を備える。赤外撮像装置１０３は、コンクリート体１００（コンクリート体構造物）からの反射光内の赤外成分に感応するＩＩＩ−Ｖ族半導体を備える半導体受光素子１０５ａ、及び半導体受光素子１０５ａからの読み出し信号を処理する半導体集積回路１０５ｂを備える。半導体受光素子１０５ａは、メサ構造のフォトダイオード１０を含む。各フォトダイオード１０は受光層３を備え、受光層３は、１．８μｍ以上３μｍ以下のバンドギャップ波長を有する。
【００２２】
このコンクリート構造物検査装置１０１によれば、フォトダイオード１０が、１．８μｍ以上３μｍ以下のバンドギャップ波長を有する受光層３を備えるので、受光層３は、コンクリート体１００の検査に有用な赤外波長領域の光に感応する。受光層３はタイプＩＩ遷移を可能にする量子井戸構造を有することが好ましい、タイプＩＩ遷移の量子井戸構造は良好な感度の赤外線の検知を可能にする。例えば、受光層３の量子井戸構造は（ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓＳｂ）多重量子井戸構造または（ＧａＩｎＮＡｓ（Ｐ，Ｓｂ）／ＧａＡｓＳｂ）多重量子井戸構造であることができる。このような構造の受光層３は、良好な感度の赤外線の検知を可能にする。メサ構造のフォトダイオード１０は、素子分離エリアに入射した光に対して光電流を生成しないので、光電流は、裾引きを有しない。このため、一回の光検知に係る光電流が、速やかに減衰する。これは、高速の撮像に好適な特性である。
【００２３】
コンクリート構造物検査装置１０１は、位置マーカーのための光源装置１０７を更に備えることができ、光源装置１０７は、赤外撮像装置１０３による撮像の位置を示すマーカー光ＬＭを提供する。光源装置１０７は、可視光の波長領域の光及び赤外波長領域の光を提供する。このコンクリート構造物検査装置１０１によれば、光源装置１０７が、可視光の波長領域の光ビーム及び赤外波長領域の光ビームを同じ位置に照射するので、可視光の波長領域のマーカー光は可視光による画像において位置基準を提供でき、赤外波長領域のマーカー光は、赤外線による画像において位置基準を提供できる。
【００２４】
コンクリート構造物検査装置１０１は、検査対象のコンクリート体からの赤外スペクトルを得るための赤外領域の光成分を含む光Ｌ０を提供する照明装置１０９を更に備えることができる。スペクトル取得における光源の品質に係る影響を除くことができる。照明装置１０９の使用は、スペクトル取得の際における光源の制御を容易にする。
【００２５】
図１を参照すると、コンクリート構造物検査装置１０１に含まれ赤外撮像装置内の半導体受光素子が概略的に示される。フォトダイオード１０は基板１上に設けられる。半導体集積回路（ｒｅａｄ−ｏｕｔ ＩＣ）１０５ｂは、この半導体受光素子１０５ａを搭載する実装基板の機能を有すると共に半導体受光素子１０５ａからの読み出し信号を処理する。半導体集積回路１０５ｂは、電極１３及び信号処理回路１４を含む。電極１３はフォトダイオード１０からの光電流を受けて、この電気信号を個々の信号処理回路１４に提供される。信号処理回路１４は、フォトダイオード１０からの光電流を処理する。
【００２６】
フォトダイオード１０のメサ構造は、ｎ型半導体層２、受光層３、及びｐ型半導体層４を備える。ｎ型半導体層２、受光層３、及びｐ型半導体層４は、基板１の主面１ａの法線方向に、この順に、配列されている。基板１の材料は、例えばＩｎＰ、ＧａＳｂ等であることができる。受光層３は、例えばアンチモンを構成元素として含むＩＩＩ−Ｖ化合物半導体を備えることがよい。
フォトダイオード１０の半導体積層構造の一例。
ｎ型半導体層２：ｎ型ＩｎＰ。
受光層３：ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓＳｂ。
ｐ型半導体層４：ｐ型ＩｎＰ。
このフォトダイオード１０は、いわゆるｐｉｎ構造を有する。また、ｎ型半導体層とｐ型半導体層を入れ換えたｎｉｐ構造でも良い。
【００２７】
フォトダイオード１０の半導体メサの上面には、第１電極１１（例えばｐ電極あるいはｎ電極の一方）が設けられている。導電性半導体層、本実施例では、例えばｎ型半導体層２が基板１の主面１ａに沿って延在しており、この導電性半導体層には、第２電極１２（例えばｎ電極あるいはｐ電極の一方）が設けられている。半導体メサの配列が導電性半導体層上に設けられると共に、フォトダイオード１０のアレイが共通の基板１の主面１ａ上に配列される。第２電極１２が、共通の基板１上の半導体領域に設けられ、電気信号を半導体集積回路１０５ｂに送るために半導体集積回路１０５ｂに接続される。半導体集積回路１０５ｂは、個々のフォトダイオード１０からの光電流を受けて、この光電流から、スペクトル強度を示す電気信号を生成する処理を行う。第１電極１１及び第２電極１２は、それぞれ、はんだバンプ１２ｂ，１１ｂを介して、半導体集積回路１０５ｂの電極１３に電気的に接続される。入射光は、基板１の裏面１ｂに設けられた反射防止膜９の側から入射する。
【００２８】
フォトダイオード１０の受光層３は、ｐｎ接合、ｎｐ接合、ｐｉｎ構造、及びｎｉｐ構造のいずれかの構造を有することができる。このとき、ｐｎ接合は、受光層３内に形成される。ｐｉｎ構造を有するフォトダイオード１０では、メサ構造は、メサ構造の上面から受光層３に向かう方向に低下する不純物濃度プロファイル（例えばｐ型ドーパントＺｎ）を有し、不純物濃度プロファイルは、受光層３の上面において５×１０１６／ｃｍ３以下の濃度を有することができる。受光層３におけるバックグラウンドは、ｎ型不純物濃度（キャリア濃度）で、例えば５×１０１５／ｃｍ３程度である。ｐｎ接合の位置は、受光層３のバックグラウンド（ｎ型キャリア濃度）とｐ型不純物のＺｎの濃度プロファイルとの交点で決まる。例えば、本実施形態においては、ｐｎ接合は、受光層内において、ｐ型半導体層４と受光層３との界面近傍に形成されることができる。このコンクリート構造物検査装置１０１によれば、低ノイズな為、微弱な赤外線検知が可能で、コンクリート構造物の微小な変化を検査することが可能である。
【００２９】
半導体受光素子１０５ａは、フォトダイオード１０の一次元または二次元のアレイを含む。図２を参照すると、半導体受光素子１０５ａは、例えば二次元のＩＩＩ−Ｖ族半導体フォトダイオードアレイを含む。コンクリート構造物検査装置１０１によれば、半導体受光素子１０５ａ及び半導体集積回路１０５ｂを含む赤外撮像装置１０３は、一次元または二次元の赤外線像を提供できる。
【００３０】
図２に示されるように、赤外センサ１０５は、赤外光を検知可能な二次元配列のフォトダイオード１０のアレイを備える。また、コンクリート構造物検査装置１０１は、図３に示されるように、コンクリート構造物からの反射光を分光してフォトダイオードアレイに提供する分光器１１１を備えることができる。例えば、赤外センサ１０５は、波長検知方向（Ｘ軸方向）に２５６画素の行、及び位置検知方向（Ｙ軸方向）に３２０画素の列を有する。既に説明したように、赤外カメラは、例えばＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓＳｂ多重量子井戸からなる受光層を備えたセンサを備える。
【００３１】
赤外スペクトル取得の一例を説明する。例えばハロゲンランプの光を検査対象のコンクリート構造物に照射して、コンクリート構造物によって反射された光をコンクリート構造物検査装置１０１を用いて撮像する。撮像する赤外光の波長は、例えば２．２６〜２．３０μｍの帯域を含むように設定されることがよい。分光機能を備えた赤外カメラで反射した光を分光しながら撮像する。このような赤外カメラは、一回の撮像により、２．２６〜２．３０μｍの波長帯域内の２５６波長成分の各々においてＹ軸方向に３２０画素にわたる幅の強度分布を取得できる。カメラを対象物に向けて、縦方向の長さ３ｍ２０ｃｍの線上においてを例えば１ｃｍの空間分解能で３２０個の近赤外スペクトルを同時に測定する。次に、カメラで見る位置を横方向（例えば、図３の矢印ＭＶの方向）に１ｃｍ移動させて、カメラの移動後の位置において、同様に３２０個の近赤外スペクトルを同時に測定する。カメラの移動及び近赤外スペクトルの取得を繰り返して、四角形のエリアにおけるスペクトルのデータを得る。多数のスペクトルデータを解析することによって四角形エリアにおける塩化物イオン濃度分布のマップを作製できる。
【００３２】
或いは、コンクリート構造物検査装置１０１を移動体上に搭載すると共に、検査対象となるコンクリート構造物に沿ってコンクリート構造物検査装置１０１の走査を移動体の移動によって行って、コンクリート構造物の連続的な検査画像を得ることができる。これは、高い感度及び高速の応答を示すＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体受光層を備える半導体受光素子１０５ａによって提供される。
【００３３】
図４は、コンクリート構造物の評価のためのコンクリート構造物検査装置１０１の信号処理を模式的に示す図面である。図４の（ａ）部を参照すると、コンクリート構造物（例えばコンクリート橋）を示す。このコンクリート構造物の破線のエリアＳＰＣＴをコンクリート構造物検査装置１０１を用いて撮像する。多くの場合、検査対象のコンクリート構造物は大型であるので、個々の検査対象エリアを示す局所的な画像に加えて、これらの検査対象エリアをコンクリート構造物における大域的な画像に対応付けるために、可視光の波長領域及び赤外波長領域における光マーカーＰＴを提供する光源装置１０７を用いることが良い。光源装置１０７は、赤外撮像装置１０３による撮像の位置を示す光マーカーＰＴ（ＩＲ）を提供することに加えて、可視光像における光マーカーＰＴ（ＶＢ）を提供できる。光源装置１０７が、可視光の波長領域の光マーカーＰＴ（ＶＢ）及び赤外波長領域の光マーカーＰＴ（ＩＲ）を同じ位置を照射する。
【００３４】
光マーカーＰＴは、例えば赤色レーザ素子及び１．５５μｍ帯レーザ素子を備え、ポインター用として重ねて照射する。赤色レーザ素子からの光マーカーＰＴ（ＶＢ）は可視光用のデジタルカメラに写り、１．５５μｍレーザ素子からの光マーカーＰＴ（ＩＲ）は、近赤外カメラに写る。波長１．５５μｍ帯の光は人の眼に安全（アイセイフ）な波長であって、また塩化物イオンの吸収波長２．２６μｍに影響を与えない。１．５５μｍレーザ素子には、例えば光通信用の半導体レーザを適用できる。
【００３５】
デジタルカメラを用いて、図４の（ｂ）部に示される可視光による画像を時刻（例えば００：００：００）において得る。この画像には、コンクリート構造物における検査対象エリアを含む大域的なエリアが可視画像として写されており、光マーカーＰＴ（ＢＶ）の像が写されている。コンクリート構造物検査装置１０１を用いて、図４の（ｃ）部に示される赤外光による画像を時刻（例えば００：００：００）において得る。この画像には、塩分濃度を測定するコンクリート体の局所エリアが近赤外画像（スペクトル分析していない単なる近赤外画像）として写されており、光マーカーＰＴ（ＩＲ）の像が写されている。コンクリート構造物検査装置１０１を用いて、図４の（ｄ）部に示される赤外光による画像を時刻（例えば００：００：００）において得る。この画像には、塩分濃度を測定するコンクリート体の局所エリアが近赤外画像（近赤外画像をスペクトル分析して塩分濃度の分布を示す画像）として写されているが、光マーカーの像が写っていない。上記の３つの画像を合わせ込むことが、検査対象のコンクリート構造物の表面の塩分濃度の分布を得るために便利である。
【００３６】
図５は、コンクリート構造物検査装置を用いて取得された赤外光の吸光度を波長に対して示す。コンクリート構造物検査装置１０１は、赤外光の波長（例えば９００ｎｍ〜２５００ｎｍまでの波長範囲）を検知できる。図５を参照すると、コンクリート構造物Ｓ１、Ｓ２に係る吸光度データが示されている。図６は、図５に示された破線ＢＯＸのエリア（２１０ｎｍ〜２４００ｎｍの波長範囲）を示す。矢印ＡＲＲＯＷが、コンクリート中の塩化物イオンの吸収波長（例えば２２６８ｎｍ）を示す。この実施例における見積もりによれば、コンクリート構造物Ｓ１は８．８７ｋｇ／ｍ３の塩化物濃度のエリアを有し、コンクリート構造物Ｓ２は０．５５ｋｇ／ｍ３の塩化物濃度のエリアを有する。
【００３７】
図７は、コンクリート構造物検査装置を用いて取得されたコンクリート構造物（コンクリート橋）の二次元赤外光画像における吸収波長（例えば２２６８ｎｍ）の強度から見積もられる塩化物イオンの濃度を示す図面である。図７の（ａ）部を参照すると、コンクリート構造物における二次元の塩化物イオン濃度が示されている。図７の（ａ）部において、白地は高濃度を示し、黒地が低濃度を示す。矢印ＤＥＰＴＨは、コンクリート表面から深部へ向かう方向を示す。図７の（ｂ）部を参照すると、コンクリート構造物における二次元濃度の分布において、Ａ１−Ａ２線に沿った塩化物イオン濃度が示されている。このコンクリート体では、表面近傍の一部分において塩化物イオンの濃い領域が生成されている。
【００３８】
本実施の形態に係るコンクリート構造物検査装置によれば、コンクリート体からの赤外光を高い感度で取得可能なコンクリート構造物検査装置１０１が提供される。
【００３９】
（実施例）
まず、厚さ３５０μｍのＳドープＩｎＰからなる半導体基板の（１００）面上に以下の積層を形成した。積層として、半導体基板の（１００）面上にＳｉドープＩｎＰバッファー層（厚さ０．５μｍ、濃度：１×１０１７ｃｍ−３）、ノンドープＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓＳｂ量子井戸受光層（各層の厚さ４〜６ｎｍ、繰り返し数２００〜３００ペア）、ノンドープＩｎＧａＡｓ層（厚さ１．０μｍ）、およびノンドープＩｎＰコンタクト層（０．８μｍ厚さ）をＯＭＶＰＥ法により順に成長した。これらの工程により、エピウエハが作製される。次に、リン化亜鉛を原料に用いた気相拡散によって、エピウエハ全面においてコンタクト層の表面から半導体積層に亜鉛を拡散させる。亜鉛濃度は、量子井戸構造の受光層上におけるノンドープＩｎＧａＡｓ層内において受光層側に向かって５×１０１６ｃｍ−３以下にまで低下するようにした。
【００４０】
エピウエハ全面に、プラズマＣＶＤ法によって５００ｎｍの誘電体膜（例えばＳｉＮ膜）を成膜する。フォトリソグラフィー技術を用いてメサエッチング用マスクを形成した。次いで、ハロゲンガスを用いたドライエッチングによって高さ５μｍ程度の半導体メサを形成した。半導体メサ側面におけるドライエッチングダメージ層を除去するために、ウエットエッチングを適用した。エッチャントの例示はリン酸：過酸化水素水：水＝５０ｃｃ：１０ｃｃ：４００ｃｃである。ウエットエッチング時間は例えば３０秒である。メサエッチング用マスクを除去した後に、ウエハ全面にプラズマＣＶＤ法によって保護のための誘電体膜を成膜した。誘電体膜はＳｉＯ２から成り、その厚さは３００ｎｍである。続いて、フォトリソグラフィー技術及び蒸着を用いたリフトオフプロセスによって、ｐ電極およびｎ電極（例えばＴｉ／Ｐｔ／Ａｕ）を形成した。この後に、基板裏面を鏡面研磨した後に、反射防止膜およびｎ側電極を形成した。これらの工程により、半導体受光素子のための基板生産物が作製された。基板生産物をダイシングによって分割して、裏面入射型のメサ型フォトダイオードアレイを得た。
【００４１】
好適な実施の形態において本発明の原理を図示し説明してきたが、本発明は、そのような原理から逸脱することなく配置および詳細において変更され得ることは、当業者によって認識される。本発明は、本実施の形態に開示された特定の構成に限定されるものではない。したがって、特許請求の範囲およびその精神の範囲から来る全ての修正および変更に権利を請求する。
【産業上の利用可能性】
【００４２】
以上説明したように、本実施の形態によれば、コンクリート体からの赤外光を高い感度で取得可能なコンクリート構造物検査装置が提供される。
【符号の説明】
【００４３】
１０１…コンクリート構造物検査装置、１０３…赤外撮像装置、１０５ａ…半導体受光素子、１０５ｂ…半導体集積回路、１０７…光源装置、１０９…照明装置、２…ｎ型半導体層、３…受光層、４…ｐ型半導体層、１０…フォトダイオード、１１…第１電極、１２…第２電極、１２ｂ，１１ｂ…はんだバンプ、１３…電極、１４…信号処理回路。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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