(57)【要約】【課題】ＳｉＣ基板の上に形成した金属膜を溶融させることなく、金属シリサイド膜を形成することが可能なレーザアニール条件でアニールを行うことにより半導体素子を製造する。【解決手段】炭化シリコンからなる基板の第１の表面に、チタン、タングステン、モリブデン、クロムからなる群より選択された少なくとも１つの金属を含む金属膜を形成する。金属膜に、波長が３３０ｎｍ〜３７０ｎｍの範囲内のパルスレーザビームを照射して、基板と金属膜との界面においてシリサイド反応を生じさせることにより、金属シリサイド膜を形成する。金属膜の厚さが３０ｎｍ以上であり、パルスレーザビームのパルス幅が２０ｎｓ〜２００ｎｓの範囲内であり、フルエンスは、金属膜の表面の最高到達温度が金属膜の融点を超えず、かつ金属膜と基板との界面の最高到達温度が金属膜のシリサイド反応温度以上になる条件を満たすように選択されている。【選択図】  図１−２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
炭化シリコンからなる基板の第１の表面に、チタン、タングステン、モリブデン、クロムからなる群より選択された少なくとも１つの金属を含む金属膜を形成する工程と、
前記金属膜に、波長が３３０ｎｍ〜３７０ｎｍの範囲内のパルスレーザビームを照射して、前記基板と前記金属膜との界面においてシリサイド反応を生じさせることにより、金属シリサイド膜を形成する工程と
を有し、
前記金属膜の厚さが３０ｎｍ以上であり、前記パルスレーザビームのパルス幅が２０ｎｓ〜２００ｎｓの範囲内であり、フルエンスは、前記金属膜の表面の最高到達温度が前記金属膜の融点を超えず、かつ前記金属膜と前記基板との界面の最高到達温度が前記金属膜のシリサイド反応温度以上になる条件を満たすように選択されている半導体素子の製造方法。
【請求項２】
前記金属膜がチタンで形成されており、
前記金属膜の厚さが７０ｎｍ〜１００ｎｍの範囲内である請求項１に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項３】
前記金属膜がチタンで形成されており、
前記金属膜の厚さが１００ｎｍ〜１５０ｎｍの範囲内であり、
前記パルスレーザビームのパルス幅が５０ｎｓ〜２００ｎｓの範囲内である請求項１に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項４】
前記金属膜がタングステン、モリブデン、及びクロムからなる群より選択された１つの金属で形成されており、
前記金属膜の厚さが７０ｎｍ〜１５０ｎｍの範囲内である請求項１に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項５】
前記パルスレーザビームは、Ｎｄ：ＹＡＧレーザ、Ｎｄ：ＹＬＦレーザ、Ｎｄ：ＹＶＯ４レーザ、Ｙｂ：ＹＡＧレーザ、Ｙｂ：ＹＬＦレーザ、及びＹｂ：ＹＶＯ４レーザからなる群より選択された１つの固体レーザの第３高調波である請求項１乃至４のいずれか１項に記載の半導体素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、炭化シリコン（ＳｉＣ）基板にオーミック電極を形成する半導体素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体パワーデバイス用の半導体材料として、シリコンよりも広いバンドギャップを有するＳｉＣが注目されている。ＳｉＣを用いたショットキバリアダイオード、ＭＯＳＦＥＴ、ＪＦＥＴ等のパワー半導体デバイスが実用化されている。ＳｉＣは、Ｓｉに比べて欠陥の少ないウエハを作製することが困難である。このため、ＳｉＣウエハの上に形成された欠陥の少ないエピタキシャル層が、ドリフト層として利用される。エピタキシャル層の厚さは、必要とされる耐圧に合わせて設定される。ドリフト層としてＳｉＣを用いる場合には、Ｓｉを用いる場合に比べて、約１／１０の厚さで同等の耐圧を確保することができる。例えば、厚さ１０μｍのＳｉＣからなるエピタキシャル層により、厚さ１００μｍのＳｉウエハと同程度の耐圧を確保することができる。
【０００３】
ショットキバリアダイオードにおいては、エピタキシャル層の表面にアノード電極が形成される。スイッチング素子においては、エピタキシャル層の表面にスイッチング機能を有する素子構造が形成される。エピタキシャル層の下地となっているＳｉＣウエハは、エピタキシャル層の支持基板としての役割を持つ。通電ロスを低減するために、ＳｉＣウエハを薄くすることが好ましい。エピタキシャル層の表面に素子構造を形成する前に、ＳｉＣウエハを薄くすると、プロセス中の破損や反りにより、素子構造を形成することが困難になる。従って、エピタキシャル層の表面に素子構造を形成した後、ＳｉＣウエハを削って薄くすることが好ましい。
【０００４】
薄くされたＳｉＣウエハの裏側の表面に、オーミック電極が形成される。オーミック電極の形成時にレーザアニールを適用すると、電気炉でアニールする場合に比べて、表側の表面に形成されている素子構造への熱影響を軽減することができる。オーミック電極として、ニッケルシリサイド等の金属シリサイドが用いられる。
【０００５】
下記の特許文献１に、ＳｉＣ基板にニッケルシリサイド及びチタンシリサイドを形成する方法が開示されている。特許文献１に開示された方法では、ＳｉＣ基板の上に形成されたニッケル膜またはチタン膜が溶融しない条件でレーザアニールを行うことにより、オーミック電極が形成される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１４−１２３５８９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ニッケル（Ｎｉ）はチタン（Ｔｉ）に比べて融点が低いため、Ｎｉ膜とＳｉＣ基板との界面の温度を、Ｎｉのシリサイド反応温度まで上昇させると、Ｎｉ膜の表面が融点近傍まで上昇する。ニッケル膜の表面が溶融せず、かつニッケル膜とＳｉＣ基板との界面の温度がＮｉのシリサイド反応温度以上になるアニール条件を見出すことは困難である。ＳｉＣ基板の上にＴｉシリサイド膜を形成する場合、パルス幅を短くし過ぎると、Ｔｉ膜が溶融しない条件でＴｉシリサイド膜を形成することができない場合があることが分かった。
【０００８】
本発明の目的は、ＳｉＣ基板の上に形成した金属膜を溶融させることなく、金属シリサイド膜を形成することが可能なレーザアニール条件でアニールを行うことにより半導体素子を製造する方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一観点によると、
炭化シリコンからなる基板の第１の表面に、チタン、タングステン、モリブデン、クロムからなる群より選択された少なくとも１つの金属を含む金属膜を形成する工程と、
前記金属膜に、波長が３３０ｎｍ〜３７０ｎｍの範囲内のパルスレーザビームを照射して、前記基板と前記金属膜との界面においてシリサイド反応を生じさせることにより、金属シリサイド膜を形成する工程と
を有し、
前記金属膜の厚さが３０ｎｍ以上であり、前記パルスレーザビームのパルス幅が２０ｎｓ〜２００ｎｓの範囲内であり、フルエンスは、前記金属膜の表面の最高到達温度が前記金属膜の融点を超えず、かつ前記金属膜と前記基板との界面の最高到達温度が前記金属膜のシリサイド反応温度以上になる条件を満たすように選択されている半導体素子の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００１０】
上述のレーザアニール条件の範囲内から、金属膜を溶融させることなく、金属シリサイド膜を形成することが可能な適切なアニール条件を容易に見出すことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１−１】図１Ａ〜図１Ｄは、実施例による半導体素子の製造方法の製造途中段階における基板の断面図である。
【図１−２】図１Ｅ〜図１Ｆは、実施例による半導体素子の製造方法の製造途中段階における基板の断面図である。
【図２】図２は、金属膜として厚さ１００ｎｍのＴｉ膜を用いた場合におけるレーザアニール時の金属膜と基板との界面の温度変化のシミュレーション結果を示すグラフである。
【図３】図３Ａ〜図３Ｄは、それぞれフルエンスが１．２Ｊ／ｃｍ２、１．４Ｊ／ｃｍ２、１．６Ｊ／ｃｍ２、及び１．８Ｊ／ｃｍ２の条件でレーザアニールを行った後の基板の断面及び表面のＳＥＭ写真である。
【図４】図４は、図２のシミュレーションと同様の試料をシミュレーション対象とし、金属膜の表面の温度変化のシミュレーションを行った結果を示すグラフである。
【図５】図５は、フルエンスが２．０Ｊ／ｃｍ２の条件でレーザアニールを行った後の基板の断面ＴＥＭ写真である。
【図６−１】図６Ａ及び図６Ｂは、波長３５５ｎｍ、Ｔｉ膜の厚さ７０ｎｍの条件でレーザアニールを行うときの、Ｔｉ膜とＳｉＣ基板との界面温度の時間変化のシミュレーション結果を示すグラフである。
【図６−２】図６Ｃ及び図６Ｄは、波長３５５ｎｍ、Ｔｉ膜の厚さ７０ｎｍの条件でレーザアニールを行うときの、Ｔｉ膜とＳｉＣ基板との界面温度の時間変化のシミュレーション結果を示すグラフである。
【図７】図７は、Ｔｉ膜とＳｉＣ基板との界面の最高到達温度が、Ｔｉのシリサイド反応温度以上になり、かつＴｉ膜の表面の最高到達温度が、Ｔｉの融点を超えないアニール条件の範囲を示すグラフである。
【図８−１】図８Ａ及び図８Ｂは、Ｔｉ膜の厚さ１００ｎｍの条件でレーザアニールを行うときの、Ｔｉ膜とＳｉＣ基板との界面温度の時間変化のシミュレーション結果を示すグラフである。
【図８−２】図８Ｃ及び図８Ｄは、Ｔｉ膜の厚さ１００ｎｍの条件でレーザアニールを行うときの、Ｔｉ膜とＳｉＣ基板との界面温度の時間変化のシミュレーション結果を示すグラフである。
【図９】図９は、Ｔｉ膜の厚さが１００ｎｍのときに、Ｔｉ膜とＳｉＣ基板との界面の最高到達温度が、Ｔｉのシリサイド反応温度以上になり、かつＴｉ膜の表面の最高到達温度が、Ｔｉの融点を超えないアニール条件の範囲を示すグラフである。
【図１０−１】図１０Ａ及び図１０Ｂは、Ｔｉ膜の厚さ１５０ｎｍの条件でレーザアニールを行うときの、Ｔｉ膜とＳｉＣ基板との界面温度の時間変化のシミュレーション結果を示すグラフである。
【図１０−２】図１０Ｃ及び図１０Ｄは、Ｔｉ膜の厚さ１５０ｎｍの条件でレーザアニールを行うときの、Ｔｉ膜とＳｉＣ基板との界面温度の時間変化のシミュレーション結果を示すグラフである。
【図１１】図１１は、Ｔｉ膜の厚さが１５０ｎｍのときに、Ｔｉ膜とＳｉＣ基板との界面の最高到達温度が、Ｔｉのシリサイド反応温度以上になり、かつＴｉ膜の表面の最高到達温度が、Ｔｉの融点を超えないアニール条件の範囲を示すグラフである。
【図１２−１】図１２Ａ及び図１２Ｂは、Ｔｉ膜の厚さ３０ｎｍの条件でレーザアニールを行うときの、Ｔｉ膜とＳｉＣ基板との界面温度の時間変化のシミュレーション結果を示すグラフである。
【図１２−２】図１２Ｃ及び図１２Ｄは、Ｔｉ膜の厚さ３０ｎｍの条件でレーザアニールを行うときの、Ｔｉ膜とＳｉＣ基板との界面温度の時間変化のシミュレーション結果を示すグラフである。
【図１３】図１３は、Ｔｉ膜の厚さが３０ｎｍのときに、Ｔｉ膜とＳｉＣ基板との界面の最高到達温度が、Ｔｉのシリサイド反応温度以上になり、かつＴｉ膜の表面の最高到達温度が、Ｔｉの融点を超えないアニール条件の範囲を示すグラフである。
【図１４】図１４は、金属膜として厚さ１００ｎｍのタングステン（Ｗ）膜を用いた場合におけるレーザアニール時の金属膜と基板との界面の温度変化のシミュレーション結果を示すグラフである。
【図１５】図１５は、Ｗ膜の厚さが７０ｎｍのときに、Ｗ膜とＳｉＣ基板との界面の最高到達温度が、Ｗのシリサイド反応温度以上になり、かつＷ膜の表面の最高到達温度が、Ｗの融点を超えないアニール条件の範囲を示すグラフである。
【図１６】図１６は、Ｗ膜の厚さが１００ｎｍのときに、Ｗ膜とＳｉＣ基板との界面の最高到達温度が、Ｗのシリサイド反応温度以上になり、かつＷ膜の表面の最高到達温度が、Ｗの融点を超えないアニール条件の範囲を示すグラフである。
【図１７】図１７は、Ｗ膜の厚さが１５０ｎｍのときに、Ｗ膜とＳｉＣ基板との界面の最高到達温度が、Ｗのシリサイド反応温度以上になり、かつＷ膜の表面の最高到達温度が、Ｗの融点を超えないアニール条件の範囲を示すグラフである。
【図１８】図１８は、金属膜として厚さ１００ｎｍのモリブデン（Ｍｏ）膜を用いた場合におけるレーザアニール時の金属膜と基板との界面の温度変化のシミュレーション結果を示すグラフである。
【図１９】図１９は、Ｍｏ膜の厚さが７０ｎｍのときに、Ｍｏ膜とＳｉＣ基板との界面の最高到達温度が、Ｍｏのシリサイド反応温度以上になり、かつＭｏ膜の表面の最高到達温度が、Ｍｏの融点を超えないアニール条件の範囲を示すグラフである。
【図２０】図２０は、Ｍｏ膜の厚さが１００ｎｍのときに、Ｍｏ膜とＳｉＣ基板との界面の最高到達温度が、Ｍｏのシリサイド反応温度以上になり、かつＭｏ膜の表面の最高到達温度が、Ｍｏの融点を超えないアニール条件の範囲を示すグラフである。
【図２１】図２０は、Ｍｏ膜の厚さが１５０ｎｍのときに、Ｍｏ膜とＳｉＣ基板との界面の最高到達温度が、Ｍｏのシリサイド反応温度以上になり、かつＭｏ膜の表面の最高到達温度が、Ｍｏの融点を超えないアニール条件の範囲を示すグラフである。
【図２２】図２２は、金属膜として厚さ１００ｎｍのクロム（Ｃｒ）膜を用いた場合におけるレーザアニール時の金属膜と基板との界面の温度変化のシミュレーション結果を示すグラフである。
【図２３】図２３は、Ｃｒ膜の厚さが７０ｎｍのときに、Ｃｒ膜とＳｉＣ基板との界面の最高到達温度が、Ｃｒのシリサイド反応温度以上になり、かつＣｒ膜の表面の最高到達温度が、Ｃｒの融点を超えないアニール条件の範囲を示すグラフである。
【図２４】図２４は、Ｃｒ膜の厚さが１００ｎｍのときに、Ｃｒ膜とＳｉＣ基板との界面の最高到達温度が、Ｃｒのシリサイド反応温度以上になり、かつＣｒ膜の表面の最高到達温度が、Ｃｒの融点を超えないアニール条件の範囲を示すグラフである。
【図２５】図２５は、Ｃｒ膜の厚さが１５０ｎｍのときに、Ｃｒ膜とＳｉＣ基板との界面の最高到達温度が、Ｃｒのシリサイド反応温度以上になり、かつＣｒ膜の表面の最高到達温度が、Ｃｒの融点を超えないアニール条件の範囲を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
図１Ａ〜図１Ｆを参照して、実施例による半導体素子の製造方法について説明する。
【００１３】
図１Ａに示すように、ｎ型ＳｉＣからなる基板の表面にｎ型ＳｉＣをエピタキシャル成長させることにより、ＳｉＣからなる基板１０を形成する。基板１０には、例えば４Ｈ−ＳｉＣ、６Ｈ−ＳｉＣ、３Ｃ−ＳｉＣを用いることができる。エピタキシャル層の表層部に、イオン注入によりｐ型のガードリング１１を形成する。ガードリング１１が形成された表面とは反対側の表面を「第１の表面」１０Ａといい、ガードリング１１が形成された表面を「第２の表面」１０Ｂということとする。図１Ｂに示すように、第２の表面１０Ｂに、酸化シリコンからなる絶縁膜１２を形成する。絶縁膜１２には、ガードリング１１に囲まれた領域を露出させる開口が形成されている。
【００１４】
図１Ｃに示すように、絶縁膜１２に形成されている開口の底面に露出している基板１０の表面に、ショットキ電極１３を形成する。一例として、チタン膜を形成した後、熱処理を行うことにより、ショットキコンタクトが実現される。ショットキ電極１３の上に表面電極１４を形成する。表面電極１４には、例えばアルミニウムが用いられる。ガードリング１１、ショットキ電極１３、及び表面電極１４をまとめて、素子構造１５ということとする。
【００１５】
図１Ｄに示すように、基板１０を第１の表面１０Ａから研削することにより、基板１０を薄くする。図１Ｅに示すように、基板１０の第１の表面１０Ａに、金属膜１６を形成する。金属膜１６には、例えばチタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）等が用いられる。
【００１６】
図１Ｆに示すように、金属膜１６にパルスレーザビーム２０を照射することにより、レーザアニールを行う。パルスレーザビーム２０のビームプロファイルはトップフラットである。このレーザアニールは、パルスレーザビーム２０の入射領域を金属膜１６の表面内で移動させながら（走査しながら）行われる。入射領域のオーバラップ率は、例えば５０％〜９０％とする。このレーザアニールにより、金属膜１６がシリサイド化され、金属シリサイド膜１７が形成される。このレーザアニールは、金属膜１６が溶融しない条件で行われる。以下、金属膜１６が溶融しない条件でシリサイド反応を生じさせる条件を、「非溶融シリサイド条件」ということとする。
【００１７】
図２に、金属膜１６（図１Ｅ）として厚さ１００ｎｍのチタン（Ｔｉ）膜を用いた場合におけるレーザアニール時の金属膜１６と基板１０との界面の温度変化のシミュレーション結果を示す。横軸は、レーザパルスの立ち上がり時点からの経過時間を単位「ｎｓ」で表し、縦軸は、金属膜１６と基板１０との界面の温度を単位「Ｋ」で表す。図２の曲線は、下から順番に、金属膜１６の表面におけるフルエンスが１．２Ｊ／ｃｍ２、１．４Ｊ／ｃｍ２、１．６Ｊ／ｃｍ２、１．８Ｊ／ｃｍ２、２．０Ｊ／ｃｍ２、２．５Ｊ／ｃｍ２、及び３．０Ｊ／ｃｍ２の条件でレーザアニールを行った時の温度変化を示す。Ｔｉのシリ
サイド反応温度ＲＴは１６０３Ｋであり、Ｔｉの融点ＭＴは１９４１Ｋである。Ｔｉの沸点は３５６０Ｋであり、図２のグラフの縦軸の範囲外である。パルスレーザビームの波長及びパルス幅は、それぞれ３５５ｎｍ及び５０ｎｓとした。
【００１８】
フルエンスが１．４Ｊ／ｃｍ２以上の条件で、界面の最高到達温度がシリサイド反応温度ＲＴを超えることがわかる。従って、フルエンス１．４Ｊ／ｃｍ２以上の条件でアニールを行うことにより、Ｔｉシリサイド膜が形成されると予測される。フルエンス２．５Ｊ／ｃｍ２以上の条件でアニールを行うと、界面の最高到達温度が融点ＭＴを超え、Ｔｉ膜が、厚さ方向の全域において溶融すると予測される。
【００１９】
図３Ａ〜図３Ｄに、それぞれフルエンスが１．２Ｊ／ｃｍ２、１．４Ｊ／ｃｍ２、１．６Ｊ／ｃｍ２、及び１．８Ｊ／ｃｍ２の条件でレーザアニールを行った後の基板の断面及び表面のＳＥＭ写真を示す。図３Ａでは、Ｔｉシリサイドの結晶粒が観察されず、基板１０の上にＴｉ膜２７ａが残っている。これは、シリサイド反応が生じていないことを意味する。図３Ｂ、図３Ｃ、及び図３Ｄでは、それぞれ厚さ１３０ｎｍ、１６０ｎｍ、及び１９０ｎｍのＴｉシリサイド膜２７が形成されている。この実験結果は、図２に示したシミュレーション結果と整合する。
【００２０】
図４に、図２のシミュレーションと同一の条件でシミュレーションを行ったときの、金属膜１６の表面の温度変化のシミュレーション結果を示す。横軸は、レーザパルスの立ち上がり時点からの経過時間を単位「ｎｓ」で表し、縦軸は、Ｔｉ膜の表面の温度を単位「Ｋ」で表す。図４の曲線は、図２と同様に、下から順番に、金属膜１６の表面におけるフルエンスが１．２Ｊ／ｃｍ２、１．４Ｊ／ｃｍ２、１．６Ｊ／ｃｍ２、１．８Ｊ／ｃｍ２、２．０Ｊ／ｃｍ２、２．５Ｊ／ｃｍ２、及び３．０Ｊ／ｃｍ２の条件でレーザ照射を行った時の温度変化を示す。
【００２１】
フルエンスが２．０Ｊ／ｃｍ２以上の条件でアニールを行うと、Ｔｉ膜の表面の温度が融点ＭＴを超え、Ｔｉ膜が溶融することがわかる。フルエンスが１．８Ｊ／ｃｍ２以下の条件であれば、Ｔｉ膜は溶融しない。
【００２２】
図５に、フルエンスが２．０Ｊ／ｃｍ２の条件でレーザアニールを行った後の基板の断面ＴＥＭ写真を示す。ＳｉＣからなる基板１０の表面にＴｉシリサイド膜２７が形成されている。Ｔｉシリサイド膜２７の上には、ＴＥＭ写真撮像用の保護膜が形成されている。図５に示したＴＥＭ写真から、Ｔｉシリサイド膜２７の表面が波打っていることがわかる。これは、レーザアニール時にＴｉ膜が溶融した後、再固化したためである。フルエンスが２．０Ｊ／ｃｍ２の条件でＴｉ膜が溶融することは、図４に示したシミュレーション結果と整合する。
【００２３】
フルエンスが２．５Ｊ／ｃｍ２の条件でレーザアニールを行ったところ、形成されたＴｉシリサイド膜の上面に炭素の析出が観察された。これは、溶融状態のＴｉ膜内を炭素が浮上したためと考えられる。この実験結果は、図２に示したシミュレーションにおいて、フルエンスが２．５Ｊ／ｃｍ２のときに、界面温度がＴｉの融点ＭＴを超えていることと整合する。
【００２４】
表面が平坦なＴｉシリサイド膜２７を形成するために、Ｔｉ膜の表面の最高到達温度がＴｉの融点を超えない条件を満たすようにフルエンスを選択することが好ましい。さらに、Ｔｉ膜とＳｉＣ基板との界面でシリサイド反応を生じさせるために、界面の最高到達温度がＴｉのシリサイド反応温度以上になる条件を満たすようにフルエンスを選択することが好ましい。
【００２５】
図６Ａ〜図６Ｄの各々に、波長３５５ｎｍ、Ｔｉ膜の厚さが７０ｎｍの条件でレーザアニールを行うときの、Ｔｉ膜とＳｉＣ基板との界面温度の時間変化のシミュレーション結果を示す。横軸は、レーザパルスの立ち上がり時点からの経過時間を単位「ｎｓ」で表し、縦軸は界面温度を単位「Ｋ」で表す。図６Ａ、図６Ｂ、図６Ｃ、及び図６Ｄは、それぞれパルスレーザビームのパルス幅が２０ｎｓ、５０ｎｓ、１００ｎ、及び２００ｎｓの条件でシミュレーションを行った結果を示す。
【００２６】
図６Ａのグラフ中の曲線は、下から順番に、０．６Ｊ／ｃｍ２、０．８Ｊ／ｃｍ２、１．０Ｊ／ｃｍ２、１．２Ｊ／ｃｍ２、１．４Ｊ／ｃｍ２、１．６Ｊ／ｃｍ２、１．８Ｊ／ｃｍ２の条件でシミュレーションを行った結果を示している。図６Ｂのグラフ中の曲線は、下から順番に、１．２Ｊ／ｃｍ２、１．４Ｊ／ｃｍ２、１．６Ｊ／ｃｍ２、１．８Ｊ／ｃｍ２、２．０Ｊ／ｃｍ２、２．５Ｊ／ｃｍ２、３．０Ｊ／ｃｍ２の条件でシミュレーションを行った結果を示している。図６Ｃのグラフ中の曲線は、下から順番に、１．４Ｊ／ｃｍ２、１．６Ｊ／ｃｍ２、１．８Ｊ／ｃｍ２、２．２Ｊ／ｃｍ２、２．６Ｊ／ｃｍ２、３．０Ｊ／ｃｍ２、３．４Ｊ／ｃｍ２の条件でシミュレーションを行った結果を示している。図６Ｄのグラフ中の曲線は、下から順番に、２．２Ｊ／ｃｍ２、２．４Ｊ／ｃｍ２、２．６Ｊ／ｃｍ２、３．０Ｊ／ｃｍ２、３．４Ｊ／ｃｍ２、３．８Ｊ／ｃｍ２、４．２Ｊ／ｃｍ２の条件でシミュレーションを行った結果を示している。
【００２７】
図６Ａ〜図６Ｄに示したシミュレーション結果から、界面の最高到達温度が、Ｔｉのシリサイド反応温度ＲＴと等しくなるフルエンスの条件が求められる。例えば、パルス幅が２０ｎｓ、５０ｎｓ、１００ｎｓ、及び２００ｎｓの条件では、それぞれ図６Ａ〜図６Ｄに示したように、フルエンスが約０．８Ｊ／ｃｍ２、１．３Ｊ／ｃｍ２、約１．６Ｊ／ｃｍ２、及び約２．４Ｊ／ｃｍ２のときに、界面の最高到達温度がＴｉのシリサイド反応温度以上になる。
【００２８】
図６Ａ〜図６Ｄでは、Ｔｉ膜とＳｉＣ基板との界面温度の時間変化のシミュレーション結果を示した。同様の条件で、Ｔｉ膜の表面温度の時間変化をシミュレーションにより求めることができる。このシミュレーション結果から、Ｔｉ膜の表面の最高到達温度が、Ｔｉの融点を超えないフルエンスの条件が求められる。
【００２９】
図７に、Ｔｉ膜とＳｉＣ基板との界面の最高到達温度が、Ｔｉのシリサイド反応温度以上になり、かつＴｉ膜の表面の最高到達温度が、Ｔｉの融点を超えないアニール条件の範囲を示す。横軸はパルス幅を単位「ｎｓ」で表し、縦軸はフルエンスを単位「Ｊ／ｃｍ２」で表す。図中の実線ａよりも左上の領域で、Ｔｉ膜とＳｉＣ基板との界面の最高到達温度が、Ｔｉのシリサイド反応温度以上になる。図中の実線ｂよりも右下の領域で、Ｔｉ膜の表面温度が、Ｔｉの融点を超えない。従って、実線ａと実線ｂとの間のハッチングを付した領域内のパルス幅及びフルエンスが、非溶融シリサイド条件を満足する。少なくともパルス幅が２０ｎｓ〜２００ｎｓの範囲内で、この条件を満たすフルエンスを選択することが可能である。
【００３０】
図８Ａ〜図８Ｄの各々に、Ｔｉ膜の厚さが１００ｎｍの条件でレーザアニールを行うときの、Ｔｉ膜とＳｉＣ基板との界面温度の時間変化のシミュレーション結果を示す。図８Ａ〜図８Ｄに示したシミュレーションの波長及びパルス幅の条件は、それぞれ図６Ａ〜図６Ｄに示したシミュレーションの波長及びパルス幅の条件と同一である。
【００３１】
図８Ａのグラフ中の曲線は、下から順番に、０．６Ｊ／ｃｍ２、０．８Ｊ／ｃｍ２、１．０Ｊ／ｃｍ２、１．２Ｊ／ｃｍ２、１．４Ｊ／ｃｍ２、１．６Ｊ／ｃｍ２、１．８Ｊ／ｃｍ２の条件でシミュレーションを行った結果を示している。図８Ｂのグラフ中の曲線は、下から順番に、１．２Ｊ／ｃｍ２、１．４Ｊ／ｃｍ２、１．６Ｊ／ｃｍ２、１．８Ｊ／
ｃｍ２、２．０Ｊ／ｃｍ２、２．５Ｊ／ｃｍ２、３．０Ｊ／ｃｍ２の条件でシミュレーションを行った結果を示している。図８Ｃのグラフ中の曲線は、下から順番に、１．４Ｊ／ｃｍ２、１．６Ｊ／ｃｍ２、１．８Ｊ／ｃｍ２、２．２Ｊ／ｃｍ２、２．６Ｊ／ｃｍ２、３．０Ｊ／ｃｍ２、３．４Ｊ／ｃｍ２の条件でシミュレーションを行った結果を示している。図８Ｄのグラフ中の曲線は、下から順番に、１．８Ｊ／ｃｍ２、２．２Ｊ／ｃｍ２、２．６Ｊ／ｃｍ２、３．０Ｊ／ｃｍ２、３．４Ｊ／ｃｍ２、３．８Ｊ／ｃｍ２、４．２Ｊ／ｃｍ２の条件でシミュレーションを行った結果を示している。
【００３２】
図８Ａ〜図８Ｄに示したシミュレーション結果から、界面の最高到達温度が、Ｔｉのシリサイド反応温度と等しくなるフルエンスの条件が求められる。例えば、パルス幅が２０ｎｓ、５０ｎｓ、１００ｎｓ、及び２００ｎｓの条件では、それぞれ図８Ａ〜図８Ｄに示したように、フルエンスが約１．２Ｊ／ｃｍ２、約１．３Ｊ／ｃｍ２、約１．７Ｊ／ｃｍ２、及び約２．４Ｊ／ｃｍ２のときに、界面の最高到達温度がＴｉのシリサイド反応温度以上になる。
【００３３】
図９に、Ｔｉ膜の厚さが１００ｎｍのときに、Ｔｉ膜とＳｉＣ基板との界面の最高到達温度が、Ｔｉのシリサイド反応温度以上になり、かつＴｉ膜の表面の最高到達温度が、Ｔｉの融点を超えないアニール条件の範囲を示す。図９の横軸、縦軸、実線ａ、及び実線ｂは、それぞれ図７の横軸、縦軸、実線ａ、及び実線ｂと同一の意味を持つ。Ｔｉ膜の厚さが１００ｎｍのとき、実線ａと実線ｂとの間のハッチングを付した領域内のパルス幅及びフルエンスが、非溶融シリサイド条件を満足する。少なくともパルス幅が２０ｎｓ〜２００ｎｓの範囲内で、この条件を満たすフルエンスを選択することが可能である。パルス幅が２０ｎｓより短いときには、非溶融シリサイド条件を満たすフルエンスが存在しない。
【００３４】
図１０Ａ〜図１０Ｄの各々に、Ｔｉ膜の厚さが１５０ｎｍの条件でレーザアニールを行うときの、Ｔｉ膜とＳｉＣ基板との界面温度の時間変化のシミュレーション結果を示す。図１０Ａ〜図１０Ｄに示したシミュレーションの波長及びパルス幅の条件は、それぞれ図６Ａ〜図６Ｄに示したシミュレーションの波長及びパルス幅の条件と同一である。
【００３５】
図１０Ａのグラフ中の曲線は、下から順番に、０．６Ｊ／ｃｍ２、０．８Ｊ／ｃｍ２、１．０Ｊ／ｃｍ２、１．２Ｊ／ｃｍ２、１．４Ｊ／ｃｍ２、１．６Ｊ／ｃｍ２、１．８Ｊ／ｃｍ２の条件でシミュレーションを行った結果を示している。図１０Ｂのグラフ中の曲線は、下から順番に、１．２Ｊ／ｃｍ２、１．４Ｊ／ｃｍ２、１．６Ｊ／ｃｍ２、１．８Ｊ／ｃｍ２、２．０Ｊ／ｃｍ２、２．５Ｊ／ｃｍ２、３．０Ｊ／ｃｍ２の条件でシミュレーションを行った結果を示している。図１０Ｃのグラフ中の曲線は、下から順番に、１．４Ｊ／ｃｍ２、１．６Ｊ／ｃｍ２、１．８Ｊ／ｃｍ２、２．２Ｊ／ｃｍ２、２．６Ｊ／ｃｍ２、３．０Ｊ／ｃｍ２、３．４Ｊ／ｃｍ２の条件でシミュレーションを行った結果を示している。図１０Ｄのグラフ中の曲線は、下から順番に、１．８Ｊ／ｃｍ２、２．２Ｊ／ｃｍ２、２．６Ｊ／ｃｍ２、３．０Ｊ／ｃｍ２、３．４Ｊ／ｃｍ２、３．８Ｊ／ｃｍ２、４．２Ｊ／ｃｍ２の条件でシミュレーションを行った結果を示している。
【００３６】
図１０Ａ〜図１０Ｄに示したシミュレーション結果から、界面の最高到達温度が、Ｔｉのシリサイド反応温度と等しくなるフルエンスの条件が求められる。例えば、パルス幅が２０ｎｓ、５０ｎｓ、１００ｎｓ、及び２００ｎｓの条件では、それぞれ図１０Ａ〜図１０Ｄに示したように、フルエンスが約１．６Ｊ／ｃｍ２、約１．８Ｊ／ｃｍ２、約１．８Ｊ／ｃｍ２、及び約２．６Ｊ／ｃｍ２のときに、界面の最高到達温度がＴｉのシリサイド反応温度以上になる。
【００３７】
図１１に、Ｔｉ膜の厚さが１５０ｎｍのときに、Ｔｉ膜とＳｉＣ基板との界面の最高到達温度が、Ｔｉのシリサイド反応温度以上になり、かつＴｉ膜の表面の最高到達温度が、
Ｔｉの融点を超えないアニール条件の範囲を示す。図１１の横軸、縦軸、実線ａ、及び実線ｂは、それぞれ図７の横軸、縦軸、実線ａ、及び実線ｂと同一の意味を持つ。Ｔｉ膜の厚さが１５０ｎｍのとき、実線ａの上で、かつ実線ｂの下のハッチングを付した領域内のパルス幅及びフルエンスが、非溶融シリサイド条件を満たす。パルス幅５０ｎｓより短いとき、非溶融シリサイド条件を満たすフルエンスが存在しない。
【００３８】
図７、図９、及び図１１に示したシミュレーション結果から、以下の結論が導き出される。
【００３９】
Ｔｉ膜が厚くなるほど、非溶融シリサイド条件を満たすパルス幅の下限が長くなる。Ｔｉ膜の厚さが７０ｎｍ〜１００ｎｍの範囲内の場合、パルス幅を２０ｎｓ〜２００ｎｓの範囲内にすれば、非溶融シリサイド条件を満たすフルエンスが存在することが確認された。Ｔｉ膜の厚さが１００ｎｍ〜１５０ｎｍの範囲内の場合、パルス幅を５０ｎｓ〜２００ｎｓの範囲内にすれば、非溶融シリサイド条件を満たすフルエンスが存在することが確認された。
【００４０】
図１２Ａ〜図１２Ｄの各々に、Ｔｉ膜の厚さが３０ｎｍの条件でレーザアニールを行うときの、Ｔｉ膜とＳｉＣ基板との界面温度の時間変化のシミュレーション結果を示す。図１２Ａ〜図１２Ｄに示したシミュレーションの波長及びパルス幅の条件は、それぞれ図６Ａ〜図６Ｄに示したシミュレーションの波長及びパルス幅の条件と同一である。
【００４１】
図１２Ａのグラフ中の曲線は、下から順番に、１．６Ｊ／ｃｍ２、１．８Ｊ／ｃｍ２、２．０Ｊ／ｃｍ２、２．２Ｊ／ｃｍ２、２．４Ｊ／ｃｍ２、２．６Ｊ／ｃｍ２、２．８Ｊ／ｃｍ２の条件でシミュレーションを行った結果を示している。図１２Ｂのグラフ中の曲線は、下から順番に、２．４Ｊ／ｃｍ２、２．６Ｊ／ｃｍ２、２．８Ｊ／ｃｍ２、３．０Ｊ／ｃｍ２、３．２Ｊ／ｃｍ２、３．４Ｊ／ｃｍ２、３．６Ｊ／ｃｍ２の条件でシミュレーションを行った結果を示している。図１２Ｃのグラフ中の曲線は、下から順番に、３．４Ｊ／ｃｍ２、３．８Ｊ／ｃｍ２、４．２Ｊ／ｃｍ２、４．６Ｊ／ｃｍ２、５．０Ｊ／ｃｍ２、５．４Ｊ／ｃｍ２、５．８Ｊ／ｃｍ２の条件でシミュレーションを行った結果を示している。図１２Ｄのグラフ中の曲線は、下から順番に、５．８Ｊ／ｃｍ２、６．４Ｊ／ｃｍ２、７．０Ｊ／ｃｍ２、７．６Ｊ／ｃｍ２、８．２Ｊ／ｃｍ２、８．８Ｊ／ｃｍ２、９．４Ｊ／ｃｍ２の条件でシミュレーションを行った結果を示している。
【００４２】
図１２Ａ〜図１２Ｄに示したシミュレーション結果から、界面の最高到達温度が、Ｔｉのシリサイド反応温度と等しくなるフルエンスの条件が求められる。例えば、パルス幅が２０ｎｓ、５０ｎｓ、１００ｎｓ、及び２００ｎｓの条件では、それぞれ図１２Ａ〜図１２Ｄに示したように、フルエンスが約２．０Ｊ／ｃｍ２、約３．２Ｊ／ｃｍ２、約４．４Ｊ／ｃｍ２、及び約６．１Ｊ／ｃｍ２のときに、界面の最高到達温度がＴｉのシリサイド反応温度以上になる。
【００４３】
図１３に、Ｔｉ膜の厚さが３０ｎｍのときに、Ｔｉ膜とＳｉＣ基板との界面の最高到達温度が、Ｔｉのシリサイド反応温度以上になり、かつＴｉ膜の表面の最高到達温度が、Ｔｉの融点を超えないアニール条件の範囲を示す。図１３の横軸、縦軸、実線ａ、及び実線ｂは、それぞれ図７の横軸、縦軸、実線ａ、及び実線ｂと同一の意味を持つ。Ｔｉ膜の厚さが３０ｎｍのとき、実線ａの上で、かつ実線ｂの下のハッチングを付した領域内のパルス幅及びフルエンスが、非溶融シリサイド条件を満たす。
【００４４】
ただし、図７、図９、及び図１１に示した非溶融シリサイド条件と比べると、パルス幅が同一の場合、大きなフルエンスを必要とすることがわかる。これは、Ｔｉ膜が薄くなると、Ｔｉ膜よりも熱伝導度の高いＳｉＣ基板に熱が散逸され、Ｔｉ膜とＳｉＣ基板との界
面の温度が上昇し難いためである。レーザアニールに必要とされるフルエンスが大きくなると、高出力のレーザ光源を準備しなければならなくなる。このため、レーザアニール装置のコストが高くなる。装置コストの増大を抑制するために、Ｔｉ膜の厚さを３０ｎｍ以上にすることが好ましく、７０ｎｍ以上にすることがより好ましい。
【００４５】
Ｔｉ膜が厚くなると、表面を溶融させることなく、かつ界面温度をＴｉのシリサイド反応温度まで上昇させるために、パルス幅を長くしなければならない。一般的なＱスイッチ固体レーザのパルス幅の上限には限界があり、パルス幅を２００ｎｓより長くすることは困難である。従って、Ｔｉ膜の厚さは、１５０ｎｍ以下にすることが好ましい。
【００４６】
上記シミュレーション及び実験では、パルスレーザビームの波長を３５５ｎｍとした。パルスレーザビームの波長が変わると、金属膜１６（図１Ｅ）の表面での反射率も変わる。この反射率の変動に応じて、好ましいフルエンスの範囲も変動する。ただし、波長が３３０ｎｍ〜３７０ｎｍの範囲内であれば、フルエンスの好適な範囲の変動はほとんど無いと考えられる。波長が３３０ｎｍ〜３７０ｎｍの範囲内のパルスレーザビームとして、固体レーザ、例えばＮｄ：ＹＡＧレーザ、Ｎｄ：ＹＬＦレーザ、Ｎｄ：ＹＶＯ４レーザ、Ｙｂ：ＹＡＧレーザ、Ｙｂ：ＹＬＦレーザ、及びＹｂ：ＹＶＯ４レーザ等の第３高調波が挙げられる。
【００４７】
図１４に、金属膜１６（図１Ｅ）として厚さ１００ｎｍのタングステン（Ｗ）膜を用いた場合におけるレーザアニール時の金属膜１６と基板１０との界面の温度変化のシミュレーション結果を示す。横軸は、レーザパルスの立ち上がり時点からの経過時間を単位「ｎｓ」で表し、縦軸は、Ｗ膜とＳｉＣ基板との界面の温度を単位「Ｋ」で表す。図１４の曲線は、下から順番に、Ｗ膜の表面におけるフルエンスが１．６Ｊ／ｃｍ２、１．８Ｊ／ｃｍ２、２．０Ｊ／ｃｍ２の条件でレーザアニールを行った時の温度変化を示す。Ｗのシリサイド反応温度ＲＴはＷとＳｉとの組成比に依存するが、シリサイド反応が生じるためには２２８３Ｋ以上の温度が必要である。Ｗの融点は３６９５Ｋである。パルスレーザビームの波長及びパルス幅は、それぞれ３５５ｎｍ及び５０ｎｓとした。
【００４８】
フルエンスを１．８Ｊ／ｃｍ２より大きくすると、Ｗ膜とＳｉＣ基板との界面温度がＷのシリサイド反応温度ＲＴを超えることがわかる。この条件でＷ膜の表面温度をシミュレーションしたところ、Ｗ膜の表面温度は、Ｗの融点を超えないことがわかった。金属膜１６（図１Ｅ）としてＷを用いた場合でも、界面温度がシリサイド反応温度を超え、かつ表面温度が融点を超えないレーザアニール条件が存在する。
【００４９】
図１５、図１６、及び図１７に、それぞれＷ膜の厚さが７０ｎｍ、１００ｎｍ、及び１５０ｎｍのときに、Ｗ膜とＳｉＣ基板との界面の最高到達温度が、Ｗのシリサイド反応温度以上になり、かつＷ膜の表面の最高到達温度が、Ｗの融点を超えないアニール条件の範囲を示す。図１５〜図１７の横軸、縦軸、実線ａ、及び実線ｂは、それぞれ図７の横軸、縦軸、実線ａ、及び実線ｂと同一の意味を持つ。Ｗ膜の厚さが７０ｎｍ〜１５０ｎｍの範囲とき、非溶融シリサイド条件を満たすアニール条件が存在することがわかる。
【００５０】
図１８に、金属膜１６（図１Ｅ）として厚さ１００ｎｍのモリブデン（Ｍｏ）膜を用いた場合におけるレーザアニール時の金属膜１６と基板１０との界面の温度変化のシミュレーション結果を示す。横軸は、レーザパルスの立ち上がり時点からの経過時間を単位「ｎｓ」で表し、縦軸は、Ｍｏ膜とＳｉＣ基板との界面の温度を単位「Ｋ」で表す。図１８の実線は、下から順番に、Ｍｏ膜の表面におけるフルエンスが１．８Ｊ／ｃｍ２、２．０Ｊ／ｃｍ２、２．２Ｊ／ｃｍ２の条件でレーザアニールを行った時の温度変化を示す。Ｍｏのシリサイド反応温度ＲＴはＭｏとＳｉとの組成比に依存するが、シリサイド反応が生じるためには２１７３Ｋ以上の温度が必要である。Ｍｏの融点は２８９６Ｋである。パルス
レーザビームの波長及びパルス幅は、それぞれ３５５ｎｍ及び５０ｎｓとした。
【００５１】
フルエンスを２．０Ｊ／ｃｍ２より大きくすると、Ｍｏ膜とＳｉＣ基板との界面温度がＭｏのシリサイド反応温度ＲＴを超えることがわかる。この条件でＭｏ膜の表面温度をシミュレーションしたところ、Ｍｏ膜の表面温度は、Ｗの融点を超えないことがわかった。金属膜１６（図１Ｅ）としてＭｏを用いた場合でも、界面温度がシリサイド反応温度を超え、かつ表面温度が融点を超えないレーザアニール条件が存在する。
【００５２】
図１９、図２０、及び図２１に、それぞれＭｏ膜の厚さが７０ｎｍ、１００ｎｍ、及び１５０ｎｍのときに、Ｍｏ膜とＳｉＣ基板との界面の最高到達温度が、Ｍｏのシリサイド反応温度以上になり、かつＭｏ膜の表面の最高到達温度が、Ｍｏの融点を超えないアニール条件の範囲を示す。図１９〜図２１の横軸、縦軸、実線ａ、及び実線ｂは、それぞれ図７の横軸、縦軸、実線ａ、及び実線ｂと同一の意味を持つ。Ｍｏ膜の厚さが７０ｎｍ〜１５０ｎｍの範囲とき、非溶融シリサイド条件を満たすアニール条件が存在することがわかる。
【００５３】
図２２に、金属膜１６（図１Ｅ）として厚さ１００ｎｍのクロム（Ｃｒ）膜を用いた場合におけるレーザアニール時の金属膜１６と基板１０との界面の温度変化のシミュレーション結果を示す。横軸は、レーザパルスの立ち上がり時点からの経過時間を単位「ｎｓ」で表し、縦軸は、Ｃｒ膜とＳｉＣ基板との界面の温度を単位「Ｋ」で表す。図２２の曲線は、下から順番に、Ｃｒ膜の表面におけるフルエンスが２．０Ｊ／ｃｍ２、２．２Ｊ／ｃｍ２、２．４Ｊ／ｃｍ２の条件でレーザアニールを行った時の温度変化を示す。Ｃｒのシリサイド反応温度ＲＴはＣｒとＳｉとの組成比に依存するが、シリサイド反応が生じるためには１６６３Ｋ以上の温度が必要である。Ｃｒの融点は２１８０Ｋである。パルスレーザビームの波長及びパルス幅は、それぞれ３５５ｎｍ及び５０ｎｓとした。
【００５４】
フルエンスを２．２Ｊ／ｃｍ２より大きくすると、Ｃｒ膜とＳｉＣ基板との界面温度がＣｒのシリサイド反応温度ＲＴを超えることがわかる。この条件でＣｒ膜の表面温度をシミュレーションしたところ、Ｃｒ膜の表面温度は、Ｃｒの融点を超えないことがわかった。金属膜１６（図１Ｅ）としてＣｒを用いた場合でも、界面温度がシリサイド反応温度を超え、かつ表面温度が融点を超えないレーザアニール条件が存在する。
【００５５】
図２３、図２４、及び図２５に、それぞれＣｒ膜の厚さが７０ｎｍ、１００ｎｍ、及び１５０ｎｍのときに、Ｃｒ膜とＳｉＣ基板との界面の最高到達温度が、Ｃｒのシリサイド反応温度以上になり、かつＣｒ膜の表面の最高到達温度が、Ｃｒの融点を超えないアニール条件の範囲を示す。図２３〜図２５の横軸、縦軸、実線ａ、及び実線ｂは、それぞれ図７の横軸、縦軸、実線ａ、及び実線ｂと同一の意味を持つ。Ｃｒ膜の厚さが７０ｎｍ〜１５０ｎｍの範囲とき、非溶融シリサイド条件を満たすアニール条件が存在することがわかる。
【００５６】
図１４〜図２５に示したように、金属膜１６（図１Ｅ）として、Ｗ、Ｍｏ、またはＣｒを用いることも可能である。この場合にも、パルスレーザビームの波長は、Ｔｉを用いる場合と同様に、３３０ｎｍ〜３７０ｎｍの範囲内とすることが好ましい。ＳｉＣ基板への熱の散逸を低減するために、Ｗ膜、Ｍｏ膜、及びＣｒ膜の厚さを３０ｎｍ以上にすることが好ましく、７０ｎｍ以上にすることがより好ましい。
【００５７】
金属膜１６（図１Ｅ）にＷ、Ｍｏ、またはＣｒを用いた場合にも、パルスレーザビームのパルス幅は、Ｔｉ膜を用いる場合と同様に、２０ｎｓ〜２００ｎｓの範囲内から選択することが好ましい。このパルス幅の範囲内で、金属膜１６（図１Ｅ）の表面の最高到達温度が金属膜１６の融点を超えず、かつ金属膜１６と基板１０との界面の最高到達温度が、
金属膜のシリサイド反応温度以上になるように、フルエンスを選択すればよい。
【００５８】
以上実施例に沿って本発明を説明したが、本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に自明であろう。
【符号の説明】
【００５９】
１０  基板
１０Ａ  第１の表面
１０Ｂ  第２の表面
１１  ガードリング
１２  絶縁膜
１３  ショットキ電極
１４  表面電極
１５  素子構造
１６  金属膜
１７  金属シリサイド膜
２０  パルスレーザビーム
２７  Ｔｉシリサイド膜
２７ａ  Ｔｉ膜
ＭＴ  融点
ＲＴ  シリサイド反応温度
【図１−１】
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【図１−２】
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【図２】
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【図４】
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【図６−１】
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【図６−２】
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【図７】
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【図８−１】
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【図８−２】
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【図９】
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【図１０−１】
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【図１０−２】
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【図１１】
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【図１２−１】
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【図１２−２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図３】
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【図５】
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