(57)【要約】【課題】電気的な絶縁信頼性に優れた配線基板を提供することを課題とする。【解決手段】互いに積層された２層の絶縁層１ａ、１ｂから成る絶縁基板１と、２層の絶縁層１ａ、１ｂの間に挟持された内層配線導体２と、一方の絶縁層１ａ（１ｂ）および内層配線導体２を貫通して他方の絶縁層１ｂ（１ａ）の厚みの途中まで穿設されており、他方の絶縁層１ｂ（１ａ）における内層配線導体２に接する部位の直径が内層配線導体２における直径よりも大きいビアホール５（６）と、絶縁基板１の表面およびビアホール５、６内に被着されており、ビアホール５、６内を充填するビア導体５ｖ、６ｖを有する表層配線導体３とを具備して成る。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに積層された２層の絶縁層から成る絶縁基板と、２層の前記絶縁層の間に挟持された内層配線導体と、一方の前記絶縁層および前記内層配線導体を貫通して他方の前記絶縁層の厚みの途中まで穿設されており、他方の前記絶縁層における前記内層配線導体に接する部位の直径が該内層配線導体における直径よりも大きいビアホールと、前記絶縁基板の表面および前記ビアホール内に被着されており、前記ビアホール内を充填するビア導体を有する表層配線導体とを具備して成る配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子等を搭載するための配線基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
図３に半導体集積回路素子等の半導体素子Ｓを搭載するための従来の配線基板Ｂを示す。配線基板Ｂは、絶縁基板２１と、内層配線導体２２と、表層配線導体２３と、ソルダーレジスト層２４とから成る。
【０００３】
絶縁基板２１は、第１の絶縁層２１ａと、第１の絶縁層２１ａ上に積層された第２の絶縁層２１ｂとから成る。そして、第１および第２の絶縁層２１ａ、２１ｂの間には内層配線導体２２が挟持されて配設されている。
第１の絶縁層２１ａには、内層配線導体２２の一部を底面とする第１のビアホール２５が複数形成されている。そして、第１の絶縁層２１ａの下面、および第１のビアホール２５内には、第１のビアホール２５内を充填する第１のビア導体２５ｖを有する第１の表層配線導体２３ａが形成されている。
【０００４】
第２の絶縁層２１ｂには、内層配線導体２２の一部を底面とする第２のビアホール２６が複数形成されている。そして、第２の絶縁層２１ｂの上面、および第２のビアホール２６内には、第２のビアホール２６内を充填する第２のビア導体２６ｖを有する第２の表層配線導体２３ｂが形成されている。
【０００５】
第１の絶縁層２１ａの下面に被着された第１のソルダーレジスト層２４ａには、第１の表層配線導体２３ａの一部を外部接続パッド２７として露出させる開口部２８が形成されている。外部接続パッド２７には、外部の電気回路基板の配線導体が半田を介して接続される。
【０００６】
第２の絶縁層２１ｂの上面に被着された第２のソルダーレジスト層２４ｂには、第２の表層配線導体２３ｂの一部を半導体素子接続パッド２９として露出させる開口部３０が形成されている。半導体素子接続パッド２９には、半導体素子Ｓの電極端子Ｔが半田を介して接続さる。
【０００７】
ところで近年、通信機器や音楽プレーヤー等に代表される電子機器の小型化に伴い、これらの電子機器に搭載される配線基板も小型化が進み、高密度配線化が求められている。
しかしながら、上述の配線基板Ｂでは、高密度配線化の要求に対応して第１および第２のビアホール２５、２６の直径を小さいものとしていくと、第１および第２のビアホール２５、２６内を充填する第１および第２のビア導体２５ｖ、２６ｖと、内層配線導体２２との接続面積が小さくなるため、両者の接続強度が低下して剥離する場合があり、電気的な絶縁信頼性が低下してしまうという問題がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開平１０−１３５５９５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、内層配線導体と第１および第２のビア導体との接合強度を向上させて両者を強固に接続することで、電気的な絶縁信頼性に優れた配線基板を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の配線基板は、互いに積層された２層の絶縁層から成る絶縁基板と、２層の絶縁層の間に挟持された内層配線導体と、一方の絶縁層および内層配線導体を貫通して他方の絶縁層の厚みの途中まで穿設されており、他方の絶縁層における内層配線導体に接する部位の直径が内層配線導体における直径よりも大きいビアホールと、絶縁基板の表面およびビアホール内に被着されており、ビアホール内を充填するビア導体を有する表層配線導体とを具備して成ることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の配線基板によれば、一方の絶縁層および内層配線導体を貫通して他方の絶縁層の厚みの途中まで穿設されており、他方の絶縁層における内層配線導体に接する部位の直径が内層配線導体における直径よりも大きいビアホールを有している。そして、ビアホール内はビア導体により充填されている。このため、ビアホール内に充填されたビア導体における他方の絶縁層側に充填された部分により内層配線導体とビア導体とが強固に接合される。したがって、電気的な絶縁信頼性に優れた配線基板を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】図１は、本発明の配線基板の実施の形態の一例を示す概略断面図である。
【図２】図２は、本発明の配線基板の実施の形態の一例を示す要部拡大断面図である。
【図３】図３は、従来の配線基板の実施の形態の一例を示す概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
まず、本発明の配線基板の実施形態の一例を、図１を基にして説明する。
配線基板Ａは、絶縁基板１と、内層配線導体２と、表層配線導体３と、ソルダーレジスト層４とから成る。
【００１４】
絶縁基板１は、第１の絶縁層１ａと、第１の絶縁層１ａ上に積層された第２の絶縁層１ｂとから成る。そして、第１および第２の絶縁層１ａ、１ｂの間には内層配線導体２が挟持されて配設されている。さらに絶縁基板１は、第１の絶縁層１ａおよび内層配線導体２を貫通して第２の絶縁層１ｂの厚みの途中まで穿設された第１のビアホール５と、第２の絶縁層１ｂおよび内層配線導体２を貫通して第１の絶縁層１ａの厚みの途中まで穿設された第２のビアホール６とを有している。第１の絶縁層１ａ表面および第１のビアホール５内には第１の表層配線導体３ａが被着されている。第２の絶縁層１ｂ表面および第２のビアホール６内には第２の表層配線導体３ｂが被着されている。さらに配線基板Ａの上下面には、ソルダーレジスト層４ａ、４ｂが被着されている。
【００１５】
第１および第２の絶縁層１ａ、１ｂは、例えばエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂から成る。内層配線導体２は、例えば銅箔等の良導電性材料から成る。絶縁層１ａと１ｂとは、例えば絶縁層１ａの上面に内層配線導体２を形成した後、その上に絶縁層１ｂを重ねてプレスすることにより積層される。なお、内層配線導体２は、例えば第１の絶縁層１ａの上面に厚みが３〜５μｍ程度の銅箔を貼着した後、周知のサブトラクティブ法を採用することにより形成される。
【００１６】
表層配線導体３は、第１の絶縁層１ａ表面および第１のビアホール５内に被着された第１の表層配線導体３ａと、第２の絶縁層１ｂ表面および第２のビアホール６内に被着された第２の表層配線導体３ｂとを含んでいる。第１の表層配線導体３ａは、第１のビアホール５内を充填する第１のビア導体５ｖを有している。第２の表層配線導体３ｂは、第２のビアホール６内を充填する第２のビア導体６ｖを有している。表層配線導体３は、例えば周知のセミアディティブ法により、銅めっき等の良導電性金属により形成されている。
【００１７】
第１の絶縁層１ａの下面に被着された第１のソルダーレジスト層４ａには、第１の表層配線導体３ａの一部を外部接続パッド７として露出させる開口部８が形成されている。外部接続パッド７には、外部の電気回路基板の配線導体が半田を介して接続される。
【００１８】
第２の絶縁層１ｂの上面に被着された第２のソルダーレジスト層４ｂには、第２の表層配線導体３ｂの一部を半導体素子接続パッド９として露出させる開口部１０が形成されている。半導体素子接続パッド９には、半導体素子Ｓの電極端子Ｔが半田を介して接続される。
ソルダーレジスト層４は、例えば、エポキシ樹脂やポリイミド樹脂等の熱硬化性樹脂を含有する電気絶縁材料から成る樹脂ペーストまたはフィルムを第１および第２の絶縁層１ａ、１ｂの上に塗布または貼着して熱硬化させることにより形成される。
【００１９】
ところで、本発明の配線基板Ａにおいては、第１のビアホール５は、図２（ａ）に要部拡大断面図で示すように、第２の絶縁層１ｂにおける内層配線導体２に接する部位の直径が、内層配線導体２における直径よりも大きく形成されている。同様に、第２のビアホール６は、図２（ｂ）に示すように第１の絶縁層１ａにおける内層配線導体２に接する部位の直径が、内層配線導体２における直径よりも大きく形成されている。そして、これらのビアホール５，６内はビア導体５ｖ，６ｖにより充填されている。
【００２０】
このように、本発明の配線基板によれば、第１の絶縁層１ａおよび内層配線導体２を貫通して第２の絶縁層１ｂの厚みの途中まで穿設されており、第２の絶縁層１ｂにおける内層配線導体２に接する部位の直径が内層配線導体２における直径よりも大きい第１のビアホール５を有している。そして、第１のビアホール５内は第１のビア導体５ｖにより充填されている。また、第２の絶縁層１ｂおよび内層配線導体２を貫通して第１の絶縁層１ａの厚みの途中まで穿設されており、第１の絶縁層１ａにおける内層配線導体２に接する部位の直径が内層配線導体２における直径よりも大きい第２のビアホール６を有している。そして、第２のビアホール６内は第２のビア導体６ｖにより充填されている。このため、第１のビア導体５ｖであれば、第２の絶縁層１ｂの側に充填された部分により、第２のビア導体６ｖであれば、第１の絶縁層１ａの側に充填された部分により、内層配線導体２と各ビア導体５ｖ、６ｖとが強固に接合されることから、電気的な絶縁信頼性に優れた配線基板Ａを提供することができる。
【００２１】
なお、第１および第２のビアホール５、６は、例えばレーザー加工により形成される。そして、レーザーにより一方の絶縁層および内層配線導体２を貫通して他方の絶縁層の厚みの途中まで穿設した後に、過マンガン酸ナトリウム溶液等を用いてデスミア処理を行ってビアホール内をエッチングする。これにより、他方の絶縁層における内層配線導体２に接する部位の直径を、内層配線導体２における直径よりも大きく形成することができる。
【符号の説明】
【００２２】
１            絶縁基板
１ａ          第１の絶縁層
１ｂ          第２の絶縁層
２            内層配線導体
３            表層配線導体
５            第１のビアホール
５ｖ          第１のビアホール導体
６            第２のビアホール
６ｖ          第２のビアホール導体
Ａ            配線基板
【図１】
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【図２】
2016103559.tif 000004
【図３】
2016103559.tif 000005