(57)【要約】      （修正有）【課題】高精度に半導体装置の不良箇所を検出可能な不良検出装置を提供する。【解決手段】不良検出装置１００は、被検査装置２００に信号を入力したのち、被検査装置の不良箇所で反射された反射信号を受けるまでの第１時間を測定する測定部４０と、複数の部品または複数の部分それぞれに応じた伝導特性を示す複数のモデルデータを記憶する記憶部３０と、被検査装置内における検査対象の範囲を各領域の伝導特性に基づいて、検査対象の範囲を第１の部分と、第１の部分よりも測定部から離れた第２の部分とに分割し、第１の部分に信号を入力したのち反射して受け取るのにかかる時間に相当する時間を第１時間から引いて得られた第２時間を第２の部分に対応するモデルデータに代入して第２の部分における第１の予測伝導距離を演算する制御部２０と、演算結果に基づいて不良個所の位置をイメージデータに表示する表示部と、を備える。【選択図】図１
2016176958.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被検査装置に信号を入力したのち、前記被検査装置の不良箇所で反射された反射信号を
受けるまでの第１時間を測定する測定部と、
複数の部品または複数の部分それぞれに応じた伝導特性を示す複数のモデルデータを記
憶する記憶部と、
前記被検査装置内における検査対象の範囲を各領域の伝導特性に基づいて、前記検査対
象の範囲を第１の部分と、前記第１の部分よりも測定部から離れた第２の部分とに分割し
、前記第１の部分に前記信号を入力したのち反射して受け取るのにかかる時間に相当する
時間を前記第１時間から引いて得られた第２時間を前記第２の部分に対応する前記モデル
データに代入して前記第２の部分における第１の予測伝導距離を演算する制御部と、
前記演算結果に基づいて前記不良個所の位置をイメージデータに表示する表示部と、
を備える不良検出装置。
【請求項２】
前記制御部は、配線の単位当たりの抵抗値が異なる領域ごとに分割する請求項１に記載
の不良検出装置。
【請求項３】
前記第１の部分の特性データは、前記第２の部分の前記特性データと配線の幅、材料又
は形状が異なる請求項１又は２に記載の不良検出装置。
【請求項４】
前記第１の部分の前記特性データは、第２の部分の前記特性データと半田ボール又はビ
アの円形形状、前記半田ボール又は前記ビアの径の大きさ、又は前記半田ボール又は前記
ビアの材料が異なる請求項３に記載の不良検出装置。
【請求項５】
前記制御部は、
前記被検査対象の範囲をさらに前記第２の部分よりも測定部から離れた第３の部分とに
分割し、
前記第１の部分及び前記第２の部分に前記信号を入力したのち反射して受け取るのにか
かる時間に相当する時間を前記第１時間から引いて得られた第３時間を前記第３の部分に
対応する前記モデルデータに代入して前記第３の部分における第２の予測伝導距離を演算
する請求項１乃至４のいずれか１項に記載の不良検出装置。
【請求項６】
前記制御部は、前記検査対象の範囲内で前記信号が伝導する順に並べたモデルデータを
読み出し、前記モデルデータに前記第１時間を代入して前記第１の予測伝導距離又は前記
第２の予測伝導距離を演算する請求項１乃至５のいずれか１項に記載の不良検査装置。
【請求項７】
被検査装置に信号を入力したのち、前記被検査装置の不良箇所で反射された反射信号を
受けるまでの第１時間を測定する工程と、
前記被検査装置内の検査対象の範囲を抽出する工程と、
前記検査対象の範囲内の各領域の伝導特性に基づいて、前記検査対象の範囲を第１の部
分と、前記第１の部分よりも測定部から離れた第２の部分とに分割する工程と、
前記第１の部分に前記信号を入力したのち反射して受け取るのにかかる時間に相当する
時間を前記第１時間から引いて得られた第２時間を、前記検査装置の複数の部品または複
数の部分それぞれに応じた伝導特性を示す複数のモデルデータのうち前記第２の部分に対
応する前記モデルデータに代入して、前記第２の部分における第１の予測伝導距離を演算
する工程と、
を有する不良検出方法。
【請求項８】
前記第１時間を測定する工程の前に、
第１の位置から前記第１の距離離れた第１の箇所の間で前記信号を入力したのち反射し
て受け取るのにかかる第１の反射時間を測定する工程と、
前記第１の位置から前記第２の距離離れた第２の箇所の間で前記前記信号を入力したの
ち反射して受け取るのにかかる第２の反射時間を測定する工程と、
前記被検査装置の第１の位置から第１の箇所まで離れた第１の距離、前記第１の反射時
間、前記第１の位置から前記第１の距離よりも長い第２の距離、前記第２の反射時間に基
づいて、複数のモデルデータのうちの１のモデルデータを定める工程と、
を有する請求項７に記載の不良検出方法。
【請求項９】
前記分割する工程において、前記被検査対象の範囲をさらに前記第２の部分よりも測定
部から離れた第３の部分とに分割する工程と、を有し、
前記第１の部分及び前記第２の部分に前記信号を入力したのち反射して受け取るのにか
かる時間に相当する時間を前記第１時間から引いて得られた第３時間を前記第３の部分に
対応する前記モデルデータに代入して前記第３の部分における第２の予測伝導距離を演算
する請求項７又は８に記載の不良検出方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
実施形態は、例えば時間領域反射測定（ＴＤＲ：Time Domain eflectmetry）を用いて
不良を検出する不良検出装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
実装基板上に電子部品を実装する電子装置の製造工程においては、実装基板上に電子部
品を実装する際、実装基板上の接続部と電子部品の接続部とを半田により接続し、そのの
ち、その接続部で短絡や断線などが生じていないかの検査がなされる。
【０００３】
例えば、半導体装置の一形態として、ＢＧＡ型半導体装置がある。この場合には、ボー
ルグリッドアレイでは、パッケージの底面に半田ボールがグリッド状に配設されており、
この半田ボールを介してプリント基板等との接続が行われる。プリント基板（実装基板）
に実装されたはんだボールの状態を目視では確認することはできず、たとえば、バウンダ
リスキャンやＸ線による検査が行われる。
【０００４】
バウンダリスキャンやＸ線による検査の他に、たとえば、時間領域反射測定装置（ＴＤ
Ｒ；Time Domain Reflectmetry）を利用したはんだ付け検査装置が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００３−１２４８５１号公報
【特許文献２】特開平９−６１４８６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本実施形態は、より高精度に被検査装置の不良箇所を検出可能な不良検出装置を提供す
る。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
実施形態に係る不良検出装置は、被検査装置に信号を入力したのち、被検査装置の不良
箇所で反射された反射信号を受けるまでの第１時間を測定する測定部と、複数の部品また
は複数の部分それぞれに応じた伝導特性を示す複数のモデルデータを記憶する記憶部と、
被検査装置内における検査対象の範囲を各領域の伝導特性に基づいて、検査対象の範囲を
第１の部分と、第１の部分よりも測定部から離れた第２の部分とに分割し、第１の部分に
信号を入力したのち反射して受け取るのにかかる時間に相当する時間を第１時間から引い
て得られた第２時間を第２の部分に対応するモデルデータに代入して第２の部分における
第１の予測伝導距離を演算する制御部と、演算結果に基づいて不良個所の位置をイメージ
データに表示する表示部と、を備える。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】第１実施形態に係る不良検出装置の全体構成例。
【図２】被検査装置の一態様であるＢＧＡ型半導体装置を示す断面図。
【図３】被検査装置２００がＢＧＡ型半導体装置である場合の、ガラエポ基板２０１の第１面に対応するＣＡＤデータを示す模式図。
【図４】図３のＳの拡大図である。
【図５】被検査装置２００がＢＧＡ型半導体装置の場合のイメージデータを示す模式図。
【図６】本実施形態の記憶部３０に保持された、特性データに関するテーブルを示す模式図。
【図７】本実施形態の記憶部３０に保持された、特性データとモデルデータとの関係を示すテーブルの模式図。
【図８】本実施形態の不良検出装置の検査動作を示すフローチャート図である。
【図９】図８のステップＳ５を示すフローチャート図。
【図１０】本変形例１の不良検出装置の検査動作のフローチャート図。
【図１１】変形例３の不良検出装置の記憶部３０に保持された、モデルデータに関するテーブルを示す図。
【図１２】変形例３の不良検出装置の検査動作のフローチャート図。
【図１３】第２実施形態の不良検出装置の記憶部３０に保持された、モデルデータに関するテーブルを示す図。
【図１４】第２実施形態の不良検出装置の検査動作のフローチャート図。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本実施形態につき図面を参照して説明する。この説明に際し、全図にわたり、共
通する部分には共通する参照符号を付す。ただし、図面は模式的なものであり、厚みと平
面寸法との関係、各層の厚みの比率等は現実のものとは異なることに留意すべきである。
従って、具体的な厚みや寸法は以下の説明を参酌して判断すべきものである。又、図面相
互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることは勿論である。
【００１０】
（第１実施形態）
[第１実施形態の不良検出装置の構成]
本実施形態の不良検出装置の構成について、図１のブロック図を用いて説明する。図１
は、本実施形態の不良検出装置と被検査装置を示すブロック図である。説明の便宜上、被
検査装置２００の一例として、ＢＧＡ型半導体装置を用いて説明するが、これに限定され
ることなく、複数の電子部品が電気的に接続される装置であればいかなる装置であっても
よい。例えばＮＡＮＤ型フラッシュメモリを搭載したＳＳＤ、ＳＤカードである。
【００１１】
まず、本実施形態の不良検出装置１００を説明する前に、説明を簡単にすべく、被検査
装置２００のＢＧＡ型半導体装置について図２の断面図を用いて説明する。
【００１２】
図２に示すように、ＢＧＡ型半導体装置２００は、ガラエポ基板２０１、複数の半導体
チップ２０３ａ〜２０３ｃ（第１半導体チップ２０３ａ、第２半導体チップ２０３ｂ、第
３半導体チップ２０３ｃ）、ボンディングワイヤ２０５、半田ボール２０６、モールド樹
脂２０９を有する。ここで、第１半導体チップ２０３ａは、接着層２０２を介してガラエ
ポ基板２０１に接着される。第２半導体チップ２０３ｂは、接着層２０４ａを介して第１
半導体チップ２０３ａに接着される。第２半導体チップ２０３ｃは、接着層２０４ｂを介
して第２半導体チップ２０３ｂに接着される。ガラエポ基板２０１の表面（図２の第１面
）は、複数の第１電極（図示略）、第１電極それぞれに接続される複数の第１配線を有す
る。第１電極それぞれは、対応する半田ボール２０６に接続される。ガラエポ基板２０１
の裏面（図２の第２面）は、複数の第２電極（図示略）、第２電極それぞれに接続される
複数の第２配線を有する。第２電極それぞれは、対応するボンディングワイヤ２０５に接
続される。第１配線と第２の配線はビア（図示略）を介して接続される。ボンディングワ
イヤ２０５それぞれは、対応する第２電極と半導体チップ２０３ａ〜２０３ｃの対応する
第３電極（図示略）を接続する機能を有する。複数の半導体チップ２０３ａ〜２０３ｃ、
ボンディングワイヤ２０５は、モールド樹脂２０９で覆われる。半田ボール２０６それぞ
れには、ピン番号が付与される。
【００１３】
１．全体構成
図１を用いて本実施形態に係る不良検出装置１００について説明する。本実施形態の不
良検出装置１００は、外部とデータの授受を行う入出力部１０と、所望の演算処理を行う
制御部２０と、各種データを保持する記憶部３０と、被検査装置２００に例えば周波数信
号を入力して、所望の測定を行う時間領域反射測定部４０とを有する。
【００１４】
１−１．  入出力部１０について
本実施形態の入出力部１０について説明する。図１に示すように、入出力部１０は、後
述する制御部２０に接続される。入出力部１０は、利用者により入力された被検査装置２
００の例えばＣＡＤデータを制御部２０に転送する機能を有する。また、入出力部１０は
、被検査装置２００の不良検出検査を行うとき、利用者により入力された諸種のデータも
制御部２０に転送する機能を有する。
【００１５】
入出力部１０は、不良検出検査２００の検査結果を制御部２０から受けたとき、検査結
果を外部に出力する。例えば被検査装置２００に不良箇所があるとき、ＣＡＤデータのイ
メージデータに不良箇所を示すポインタを明示し外部の利用者に出力する。
【００１６】
１−２．  制御部２０について
次に、本実施形態の制御部２０について、図１のブロック図を用いて説明する。図１に
示すように、制御部２０は、ＲＡＭ部２１、ライブラリ２２、分割部２３、演算部２４を
有する。なお、本実施形態のライブラリ２２は、制御部２０に設けたが、これに限られず
、例えば後述する記憶装置３０に設けてもよい。
【００１７】
ＲＡＭ部２１は、入出力部１０から入力された例えばＣＡＤデータを一時的に保存する
機能を有する。また、ＲＡＭ部２１は、所望の演算を行うスペースとしても用いられる。
なお、ＣＡＤデータには、イメージデータ（例えば図３）と、各部品の寸法等を示す特性
データが含まれるものとする。
【００１８】
分割部２３は、ＣＡＤデータのイメージデータを、被検査装置２００を構成する部品に
分割する機能を有する。分割する部品に関するデータは、ライブラリ２２に保持される。
分割部２３は、ＣＡＤデータをＲＡＭ部２１に読み込んだのち、ライブラリ２２にアクセ
スし、ＣＡＤデータを部品に分割する。
【００１９】
具体的に、図３に示すガラエポ基板２０１の第１面に対応するＣＡＤデータを制御部２
０が受け取った場合を例として図３及び図４を用いて説明する。図３は、被検査装置２０
０がＢＧＡ型半導体装置である場合の、ガラエポ基板２０１の第１面に対応するＣＡＤデ
ータを示す模式図である。図４は図３のＳの拡大図である。
【００２０】
ガラエポ基板２０１の第１面において、ピン番号１の半田ボール２０６（１）に接続さ
れたイメージデータＳを分割部２１が部品に分割するとき、分割部２１は、ライブラリ２
２にアクセスし、各部品に関するデータに基づいて、図４に示すように、Ｓを、ピン番号
１の半田ボール２０６（１）と、半田ボール２０６（１）に接続された第１配線２０７（
１）、ビア２０８（１）に分割する。
【００２１】
さらに、分割部２１は、部品の特性が部品の途中で変化する場合に、その部品を特性ご
とに部分に分割する。上記の例を用いて具体的に説明する。図４に示すように、第１配線
２０７（１）は、配線の途中で配線幅が変化したり、配線の途中で配線が曲がったりして
いる。分割部２１は、この第１の配線２０７（１）の特性に応じて、第１配線を第１部分
２０７（１−１）、第２部分２０７（１−２）…第１３部分（２−１３）と分割する。
【００２２】
ライブラリ２２には、部品を部分に分割する判断基準を示すデータを保持する。例えば
、部品が配線であるとき、配線幅が変わると配線を分割する。配線が曲がる（例えば２０
７（１−６））と配線を分割する。
【００２３】
この分割方法は上記に記載の方法以外に種々あるが、単位長さ当たりの抵抗値が変わる
ときに分割する。単位長さあたりの抵抗値が変化しない限り、分割せずに１つの部分とし
て取り扱う。配線幅が異なると単位長さ当たりの抵抗値は変わるため、分割する。同様に
、配線が途中で曲がる場合にも、単位長さあたりの抵抗値が変わるため、分割する。
【００２４】
制御部２０は、ＣＡＤデータのイメージデータと、分割された部品または部分ごとに、
特性データを記憶部３０に出力する。なお、この場合に限定されることなく、例えば、分
割された部品または部分ごとに、ＣＡＤデータのイメージデータと特性データを記憶部３
０に出力してもよい。
【００２５】
演算部２４は、不良検出検査のとき、不良検出検査を実施している半田ボールに対応す
る部品または部分を認識し、部品ごとまたは部分ごとのモデルデータ（後述）をＲＡＭ部
２１に読み出し、時間領域反射測定部（後述）４０から入力されたデータをモデルデータ
に適用して、部品または部分にある不良箇所を特定する機能を有する。詳細な説明は後述
する。
【００２６】
１−３．  記憶部３０について
記憶部３０は、被検査装置２００を構成する部品ごとに、または、この部品を複数に分
割した部分ごとに、ＣＡＤデータの特性データを保持する。記憶部３０は、ＣＡＤデータ
のイメージデータを全体として保持してもよく、部品ごとにまたは部分ごとにＣＡＤデー
タのイメージデータを保持してもよい。
【００２７】
これらのデータは、部品または部分にある不良箇所を非破壊に特定するために用いるデ
ータであり、部品または部分にある不良箇所を利用者に明示するために用いるデータであ
ってもよい。
【００２８】
記憶部３０は、入出力部１０からＣＡＤデータが入力されるたびに、イメージデータと
部品ごとまたは部分ごとの特性データとを保持する。例えば図２で示すＢＧＡ型半導体装
置の場合には、図５に示すように、記憶部３０は５つのイメージデータＩ１〜Ｉ５と、イ
メージデータＩ１〜Ｉ５に対応する部品ごとまたは部分ごとの特性データＤ１〜Ｄ５を保
持する。ここで、図５は、被検査装置２００がＢＧＡ型半導体装置の場合のイメージデー
タを示す模式図である。
【００２９】
イメージデータＩ１は、ガラエポ基板２０１の第１面に関するイメージデータである。
このイメージデータＩ１は、ガラエポ基板２０１の第１面に形成された第１電極、第１配
線、ビアそれぞれのイメージデータである。特性データＤ１は、第１電極、第１配線、ビ
アそれぞれの特性データ（配置位置を示すデータ、長さを示すデータ、幅を示すデータ、
基準線に対する傾きを示すデータ、形状を示すデータ、材料データ）である。
【００３０】
イメージデータＩ２は、ガラエポ基板２０１の第２面に関するイメージデータである。
このイメージデータＩ２は、ガラエポ基板２０１の第２面に形成された第２電極、第２配
線、ビアそれぞれのイメージデータである。特性データＤ２は、第２電極、第２配線、ビ
アそれぞれの特性データ（配置位置を示すデータ、長さを示すデータ、幅を示すデータ、
基準線に対する傾きを示すデータ、形状を示すデータ、材料データ）である。
【００３１】
イメージデータＩ３〜Ｉ５は、半導体チップ２０３ａ〜２０３ｃそれぞれに関するイメ
ージデータである。すなわち、半導体チップ２０３ａ〜２０３ｃそれぞれ第３電極に接続
される配線や半導体チップ２０３ａ〜２０３ｃ内の電子部品等のイメージデータである。
特性データＤ３〜Ｄ５は、配線や電子部品等の特性データ（配置位置を示すデータ、長さ
を示すデータ、幅を示すデータ、基準線に対する傾きを示すデータ、形状を示すデータ、
材料データ）である。
【００３２】
なお、本実施形態では、記憶部３０はイメージデータＩ１〜Ｉ５とイメージデータＩ１
〜Ｉ５に対応する部品ごとまたは部分ごとの特性データＤ１〜Ｄ５を保持するが、例えば
特性データＤ１〜Ｄ５によって、イメージデータＩ１〜Ｉ５を再現できる場合には、特性
データＤ１〜Ｄ５のみを記憶部３０に保持してもよい。本実施形態では、特性データとし
て、部品は配線であるとき、部品または部分の配置位置を示すデータ、長さを示すデータ
、幅を示すデータ、基準線に対する傾きを示すデータ、形状を示すデータを示したが、こ
れに限られず、配線または配線の部分を特定するデータであればいかなるデータであって
もよい。半田ボール、ビアの特性データとして、例えば円形形状を示すデータ、径の大き
さを示すデータ（第１の径の大きさを示すデータ、第２の径の大きさを示すデータ）、材
料を示すデータがある。半田ボールをはじめとする部品、部品の部分を特定するデータで
あればいかなるデータであってもよい。
【００３３】
これらの特性データは、例えば図６に示すテーブルで記憶部３０に保持される。図６は
、本実施形態の記憶部３０に保持された、特性データに関するテーブルを示す模式図であ
る。
【００３４】
図６に示すように、部品ごとにまたは部分ごとに、幅（または第１の径）、長さ（また
は第２の径）、重心座標、基準線に対する傾き、材料、形状を示す特定データが対応付け
られている。半田ボール２０６（１）、第１配線２０７（１−１）〜２０７（１−１３）
、ビア２０８（１）の幅（または第１の径）は、それぞれａ１−１，ａ２−１〜ａ２−１
３，ａ３−１であり、長さ（または第２の径）は、それぞれｂ１−１，ｂ２−１〜ｂ２−
１３，ｂ３−１であり、形状は、それぞれｃ１−１，ｃ２−１〜ｃ２−１３，ｃ３−１で
ある。半田ボール２０６（１）、第１配線２０７（１−１）〜２０７（１−１３）、ビア
２０８（１）の材料は、いずれもＸ（例えば銅Ｃｕ）である。
【００３５】
記憶部３０は、上記のＣＡＤデータのイメージデータ、部品ごとまたは部分ごとの特性
データを保持するだけでなく、モデルデータも保持する。ここで、モデルデータは、部品
ごとにまたは部分ごとに周波数パルスの伝導特性をモデル化したデータ（例えば関数デー
タ）である。このモデルデータは、後述する時間領域反射測定部４０から入力されたデー
タと、イメージデータ、特性データに基づいて、部品または部分にある不良箇所を特定す
るために用いられる。
【００３６】
モデルデータは、時間領域反射測定部４０で不良検出検査を行う前に事前に記憶部３０
に保持される。モデルデータの算出方法については、後述する。
【００３７】
記憶部３０は、部品または部分ごとの特性データに対応したモデルデータを保持する。
【００３８】
以下、具体的に図７に示すテーブルを用いて説明する。ここで、図７は、本実施形態の
記憶部３０に保持された、特性データとモデルデータとの関係を示すテーブルの模式図で
ある。
【００３９】
図７に示すように、例えば特性データが、材料Ｘ、幅ａ２−１、形状ｃ２−１のときモ
デルデータＬ２−１は、式（１）を満たす。
【００４０】
Ｌ２−１＝ｆ２−１（ｔ）  …式（１）
ここで、モデルデータＬ２−１は、材料Ｘ、幅ａ２−１、形状ｃ２−１の配線（または
配線の部分）の端から周波数パルスを入力したのち時間ｔを経過したとき、この周波数パ
ルスが配線（または配線の部分）の端から伝導する予測伝導距離を示す。
【００４１】
図７では、３種のモデルデータのみ開示されているが、被検査装置２００に用いられて
いる全ての部品、部分に対応するモデルデータが保持されている。ただし、材料Ｘ、幅ａ
２−１、形状ｃ２−１（直線）の配線について、長さが異なる複数の配線があったとして
も、周波数パルスの伝導特性が同じ場合には、モデルデータは共通のものを使用する。こ
れにより、保持すべきモデルデータが増大することを防止することができる。
【００４２】
本実施形態では、記憶部３０は被検査装置２００に用いられている全ての部品、部分に
対応するモデルデータを保持するが、検査対象があらかじめ定められている場合には、検
査対象の部品、部分に対応するモデルデータのみを記憶部３０が保持してもよい。
【００４３】
関数ｆ２−１（ｔ）は時間ｔに正の相関をもつ関数であり、例えばｆ２−１（ｔ）＝Ａ
２−１*ｔ＋Ｂ２−１のような一次関数である。ここでＡ２−１（＞０）、Ｂ２−１は、
材料Ｘ、幅ａ２−１、形状ｃ２−１に基づいて定められる定数である。関数ｆ２−１（ｔ
）は１次関数でなくてもよく、例えば時間ｔの平方根の関数でも、２次関数等であっても
よい。
【００４４】
モデルデータｆ１−１（ｔ）、ｆ２−１（ｔ）…は、特性データそれぞれに対応付けら
れて記憶部３０に保持される。なお、本実施形態では、記憶部３０は特性データそれぞれ
に対応付けてモデルデータを保持するが、部品ごとまたは部分ごとにモデルデータが対応
付けられて記憶部３０に保持されてもよい。
【００４５】
１−４．時間領域反射測定部４０について
次に、本実施形態の時間領域反射測定部４０について、図１を用いて説明する。図１に
示すように、時間領域反射測定部４０は、制御部２０と被検査装置２００に接続される。
時間領域反射測定部４０は、図示せぬプローブ針を有し、このプローブ針を検査対象の半
田ボールに接触されることで不良検出検査を実行する。
【００４６】
時間領域反射測定部４０として、例えば時間領域反射測定（ＴＤＲ：Time Domain Refl
ectmetry）装置を用いる。
【００４７】
不良検出検査を実行する信号を制御部２０から受けて、時間領域反射測定部４０は、被
検査装置２００に周波数パルスを入力する。被検査装置２００の検査対象の半田ボールに
接続される配線等に不良（配線の断線やスクラッチがある等）がある場合には、不良箇所
で周波数パルスが反射する。この反射パルス（反射信号）を被検査装置２００から時間領
域反射測定部４０は受け取る。時間領域反射測定部４０は、周波数パルスを入力したのち
反射パルスを受け取るまでの時間Ｔを計測する。
【００４８】
時間領域反射測定部４０は、時間Ｔのデータを制御部２０に出力する。
【００４９】
［第１実施形態の不良検出装置の検査動作］
次に、本実施形態の不良検出装置の検査動作について、図８のフローチャート図を用い
て説明する。ここで、図８は、本実施形態の不良検出装置の検査動作を示すフローチャー
ト図である。
【００５０】
本実施形態の不良検出装置の検査動作は、被検査装置２００の検査対象を構成する部品
ごとに、または、この部品を複数に分割した部分ごとに、ＣＡＤデータの特性データを記
憶部３０が保持し、部品ごとまたは部分ごとのモデルデータを記憶部３０が保持したのち
に、実行される。
【００５１】
具体的な不良検出装置の検査方法を説明する前に、モデルデータの算出方法の一例を説
明する。モデルデータは、部品ごとにまたは部分ごとに伝導特定を測定して定められる。
具体的には、例えばある配線の伝導特性を以下のように測定する。
【００５２】
同じ特性の配線を２本準備し、１本目の配線には、配線の端から距離ＬＬ１離れた箇所
に不良を生成する。２本目の配線には、配線の端から距離ＬＬ２（＞ＬＬ１）離れた箇所
に不良を生成する。１本目の配線の端に時間領域反射測定部４０を接続し、周波数パルス
を配線の端に入力する。時間領域反射測定部４０は周波数パルスを入力したのち反射パル
スを受け取るまでの時間ＴＴ１を計測する。同様に、２本目の配線の端に時間領域反射測
定部４０を接続し、周波数パルスを配線の端に入力する。時間領域反射測定部４０は周波
数パルスを入力したのち反射パルスを受け取るまでの時間ＴＴ２を計測する。
【００５３】
時間ＴＴ１、ＴＴ２、距離ＬＬ１、ＬＬ２に基づいて、モデルデータを定める。サンプ
ル数を増やすことで精度の高いモデルデータを定めることができる。
【００５４】
このように定められた部品ごとまたは部分ごとのモデルデータは記憶部３０に保持され
る。
【００５５】
次に、本実施形態の不良検出装置の検査動作について、図８を用いて説明する。なお、
既に記憶部３０には、被検査装置２００の構成する部品ごとに、または、この部品を複数
に分割した部分ごとのＣＡＤデータの特性データ、ＣＡＤデータのイメージデータ、被検
査装置２００に用いられている全ての部品、部分に対応するモデルデータが保持されてい
るものとする。
【００５６】
まず、ステップＳ１で、検査対象の半田ボールのピン番号を受け取ると、入出力部１０
は、ピン番号を制御部２０に出力する。なお、ステップＳ１では、ピン番号だけではなく
、例えばソルダーレジストの材料、配線の材料、半田ボールの材料及び大きさ、配線の高
さ（配線が延びる平面に対して垂直な方向の高さ）を受け取ると、入出力部１０は、これ
らを制御部２０に出力する。これらのデータにも基づいて、後述するステップＳ３でモデ
ルデータを抽出し並べてもよい。
【００５７】
ステップＳ２で、制御部２０の演算部２４は、選択されたピン番号の半田ボールと電気
的に接続された範囲を検査対象としてＣＡＤデータから検査対象の範囲を抽出する。例え
ば、被検査装置２００がＢＧＡ型半導体装置である場合、演算部２４は、イメージデータ
Ｉ１から検査対象の半田ボールに接続された第１電極、第１配線、ビアを特定し検査対象
の範囲に含める。
【００５８】
演算部２４は、イメージデータＩ２から、イメージデータＩ１で検査対象の範囲に含ま
れたビアに接続された第２配線、第２電極を特定し、これらを検査対象の範囲に含める。
同様に、イメージデータＩ３〜Ｉ５から、半導体チップ２０３ａ〜２０３のうち、ボンデ
ィングワイヤ２０５を介してイメージデータＩ２の検査対象の範囲に接続された半導体チ
ップ２０３ａ〜２０３ｃの電子部品等を特定し、これらを検査対象の範囲に含める。
【００５９】
ステップＳ３で、演算部２４は、検査対象の範囲に含まれた部品、部分に対応するモデ
ルデータを周波数パルスが伝導する順に並ぶようにＲＡＭ部２１に読み出す。具体的には
、演算部２４は、検査対象の範囲に含まれる部品、部分に該当する特性データを記憶部３
０の図６のテーブルからＲＡＭ部２１に読み出し、周波数パルスが伝導する順に検査対象
に含まれた部品、部分並べる。そして、演算部２４は、記憶部３０の図７のテーブルにア
クセスして、各部品、部分の特性データに対応するモデルデータをＲＡＭ部２１に読み出
す。そして、演算部２４は、周波数パルスが伝導する順にモデルデータをＲＡＭ部２１に
並べる。
【００６０】
そして、ステップＳ４で、制御部２０は、不良検出検査を実行する信号を時間領域反射
測定部４０に出力する。これにより、不良検出検査が実行される。時間領域反射測定部４
０は被検査装置２００の検査対象の半田ボールにプローブ針を接触させる。時間領域反射
測定部４０は周波数パルスを入力し、周波数パルスを入力したのち反射パルスを受け取る
までの時間Ｔ１を計測する。時間領域反射測定部４０は時間Ｔ１のデータを制御部２０に
出力する。
【００６１】
ステップＳ５で、制御部２０は、ステップＳ３で得た周波数パルスが伝導する順のモデル
データと、ステップＳ４で得た時間Ｔ１に基づいて、不良箇所を特定する。
【００６２】
具体的な方法を、図９のフローチャート図を用いて説明する。検査対象の半田ボールが
ピン番号１であり、不良箇所が第１配線２０７（１−３）にあるものとして説明する。ス
テップＳ３で得た周波数パルスが伝導する順のモデルデータ、長さの特性データが下記の
とおりになっていたと仮定する。
【００６３】
半田ボール２０６（１）：Ｌ１−１＝ｆ１−１（ｔ）、ｂ１−１
第１配線２０７（１−１）：Ｌ２−１＝ｆ２−１（ｔ）、ｂ２−１
第１配線２０７（１−２）：Ｌ２−２＝ｆ２−２（ｔ）、ｂ２−２
第１配線２０７（１−３）：Ｌ２−３＝ｆ２−３（ｔ）、ｂ２−３
…
第１配線２０７（１−１２）：Ｌ２−１２＝ｆ２−１２（ｔ）、ｂ２−１２
第１配線２０７（１−１３）：Ｌ２−１２＝ｆ２−１２（ｔ）、ｂ２−１３
…
このとき、以下のステップで、制御部２０は不良箇所を特定する。図９に示すように、
ステップＳ５−１で、演算部２４は、順に並んだモデルデータのうち、先頭のモデルデー
タに時間Ｔ１を代入する。
【００６４】
ステップＳ５−２で、演算部２４は、ｉ＝１、ｊ＝１と設定する。
【００６５】
ステップＳ５−３で、演算部２４は、時間Ｔ１を代入したモデルデータにより、距離Ｌ
ｉ−ｊ（Ｔ１）を算出する。
【００６６】
ステップＳ５−４で、演算部２４は、距離Ｌｉ−ｊ（Ｔ１）と長さの特性データｂｉｊ
を比較する。
【００６７】
距離Ｌｉ−ｊ（Ｔ１）が長さの特性データｂｉ−ｊより大きいとき（ステップＳ５−４
、Ｙｅｓ）、ｊをインクリメントする。ただし、ｊが最大値であるとき、ｉをインクリメ
ントする（ステップＳ５−５）。ｉをインクリメントするとき、ｊは初期のｊ＝１に設定
する。なお、ｉとｊは、分割部２３によって、イメージデータを分割したときに設定され
る。このｉとｊについては、不良検出装置１００の内部に保持される。また、演算部２４
は、下記の式（２）を満たす時間Ｔ（ｉ）（ｊ）を算出する（ステップＳ５−５）。
【００６８】
Ｌｉ−ｊ（Ｔ（ｉ）（ｊ））＝ｂｉ−ｊ  …式（２）
演算部２４は、時間Ｔ１−ΣＴ（ｉ）（ｊ）（すなわち、全てのｊに対するＴ（１）（
ｊ）の総和と、全てのｊに対するＴ（２）（ｊ）の総和と、・・全てのｊに対するＴ（ｉ
−１）（ｊ）の総和と、Ｔ（ｉ）（１）からＴ（ｉ）（ｊ−１）までの総和とを全て合計
した時間）を算出する。なお、Ｔ１１＝０とする。演算部２４は、時間Ｔ１の代わりに時
間Ｔ１−ΣＴｉｊをセットして（ステップＳ５−５）、ステップＳ５−３に戻る。
【００６９】
距離Ｌｉ−ｊ（Ｔ１）が長さの特性データｂｉ−ｊより小さいとき（ステップＳ５−４
、Ｎｏ）、演算部２４は、距離Ｌｉ−ｊ（Ｔ１）を不良箇所として検出し（ステップＳ５
−６）、ステップＳ６に進む。
【００７０】
ステップＳ５−３以降の動作を上記の例を用いて説明すると、演算部２４は、距離Ｌ１
−１（Ｔ１）を算出し、距離Ｌ１−１（Ｔ１）と長さの特性データｂ１−１を比較する（
ステップＳ５−４）。距離Ｌ１−1（Ｔ１）の方が大きいため、演算部２４は、ｉをイン
クリメントしてｉ＝２とし、ｊ＝１とし、Ｔ（１）（１）を算出する（ステップＳ５−５
）。そして、ステップＳ５−３に戻り、演算部２４は、時間Ｔ１−Ｔ（１）（１）を代入
したモデルデータによって、距離Ｌ２−１（Ｔ１−Ｔ（１）（１））を算出する（ステッ
プＳ５−３）。演算部２４は、Ｌ２−１（Ｔ１−Ｔ（１）（１））とｂ２−１を比較する
（ステップＳ５−４）。距離Ｌ２−１（Ｔ１−Ｔ（１）（１））の方が大きいため、演算
部２４は、ｊをインクリメントしてｉ＝２とし、ｊ＝２とし、Ｔ（１）（１）＋Ｔ（２）
（１）を算出する（ステップＳ５−５）。そして、ステップＳ５−３に戻り、演算部２４
は、時間Ｔ１−Ｔ（１）（１）−Ｔ（２）（１）を代入したモデルデータによって、距離
Ｌ２−１（Ｔ１−Ｔ（１）（１）−Ｔ（２）（１））を算出する（ステップＳ５−３）。
【００７１】
演算部２４は、距離Ｌ２−１（Ｔ１−Ｔ（１）（１）−Ｔ（２）（１））とｂ２−２を
比較する（ステップＳ５−４）。距離Ｌ２−１（Ｔ１−Ｔ（１）（１）−Ｔ（２）（１）
）の方が小さいため、演算部２４は、距離Ｌ２−１（Ｔ１−Ｔ（１）（１）−Ｔ（２）（
１））を不良箇所として検出し（ステップＳ５−６）、終了する。
【００７２】
ステップＳ６で、制御部２０は、記憶部２０のうち、ＣＡＤデータのイメージデータを
ＲＡＭ部２１に読み出し、ステップＳ５で検出された不良箇所の位置をイメージデータに
マーキングする。制御部２０は、不良箇所がマーキングされたイメージデータを入出力部
１０に出力する。
【００７３】
ステップＳ７は、入出力部１０は、不良箇所がマーキングされたイメージデータを表示
する。
［第１実施形態の効果］
以上より、本実施形態の不良検出装置は、より高精度に被検査装置の不良箇所を検出で
きる。以下、具体的に説明する。時間領域反射測定（ＴＤＲ：Time Domain Reflectmetry
）装置で被検査装置の不良箇所を特定する比較例を例として、本実施形態の効果を説明す
る。
【００７４】
比較例の装置で、被検査装置の不良箇所を特定する場合には、周波数パルスを被検査装
置に入力し、周波数パルスを入力したのち反射パルスを受け取るまでの時間を計測しても
、この時間によって不良箇所がどのあたりにあるのか判断することはできない。被検査装
置がＢＧＡ型の半導体装置であるとき、ガラエポ基板の配線に不良があるのか、半導体チ
ップ内部の配線に不良があるのかすら判断することは困難である。
【００７５】
しかし、本実施形態では、制御部２０は、ＣＡＤデータに基づいて、部品ごとまたは部
分ごとに分割し、分割された部品ごとまたは部分ごとにモデルデータを読み出し、所望の
演算を行うことで不良箇所を特定する。その結果、分割されたどの部品または部分に不良
箇所が存在するか検出できるだけなく、部品または部分のうち、所定の距離離れた部分に
不良箇所があることを検出することができる。以上より、本実施形態の不良検出装置は、
より高精度に被検査装置の不良箇所を検出できる。
【００７６】
（変形例１）
本実施形態の変形例１の不良検出装置は、第１実施形態の不良検出装置の構成に対して
、記憶部３０にモデルデータと、第１実施形態に示す図７のテーブルのみ保持されており
、記憶部３０にＣＡＤデータのイメージデータや特性データは保持されていない点で相違
し、その他の構成については同様であり、詳細な説明は省略する。
【００７７】
次に、本変形例１の不良検出装置の検査動作について、図１０を用いて説明する。なお
、既に記憶部３０には、被検査装置２００に用いられている全ての部品、部分に対応する
モデルデータが保持されているものとする。
【００７８】
まず、ステップＳ１で、検査対象の半田ボールのピン番号、ＣＡＤデータ（イメージデ
ータと特性データ）を受け取ると、入出力部１０は、ピン番号、ＣＡＤデータを制御部２
０に出力する。なお、ステップＳ１では、ピン番号、ＣＡＤデータだけではなく、例えば
ソルダーレジストの材料、配線の材料、半田ボールの材料及び大きさ、配線の高さ（配線
が延びる平面に対して垂直な方向の高さ）を受け取ると、入出力部１０は、これらを制御
部２０に出力する。これらのデータにも基づいて、後述するステップＳ４でモデルデータ
を抽出し並べてもよい。
【００７９】
ステップＳ２で、制御部２０の演算部２４は、ＣＡＤデータをＲＡＭ部２１に保持し、
選択されたピン番号の半田ボールと電気的に接続された範囲を検査対象としてＣＡＤデー
タから検査対象の範囲を抽出する。検査対象の範囲の抽出する方法は、第１実施形態のス
テップＳ２と同様である。
【００８０】
ステップＳ３で、ＲＡＭ部２１内で、分割部２３は、ライブラリ２２に保持されたデー
タに基づき、検査対象の範囲を部品、部分ごとに分割する。分割部２３は、検査対象の範
囲のみ、部品または部分に分割し、検査対象外の範囲については分割しない。
【００８１】
ステップＳ４で、演算部２４は、記憶部３０のうち図７のテーブルにアクセスして、検
査対象の範囲に含まれた部品、部分に対応するモデルデータを周波数パルスが伝導する順
に並べる。
【００８２】
ステップＳ５で、制御部２０は、不良検出検査を実行する信号を時間領域反射測定部４
０に出力する。これにより、不良検出検査が実行される。時間領域反射測定部４０は被検
査装置２００の検査対象の半田ボールにプローブ針を接触させる。時間領域反射測定部４
０は周波数パルスを入力し、周波数パルスを入力したのち反射パルスを受け取るまでの時
間Ｔ２を計測する。時間領域反射測定部４０は時間Ｔ２のデータを制御部２０に出力する
。
【００８３】
ステップＳ６で、制御部２０は、ステップＳ３で得た周波数パルスが伝導する順のモデ
ルデータと、ステップＳ５で得た時間Ｔ２に基づいて、不良箇所を特定する。
【００８４】
ステップＳ７で、制御部２０は、ＲＡＭ部２１にあるＣＡＤデータのイメージデータに
不良箇所をマーキングする。制御部２０は、不良箇所がマーキングされたイメージデータ
を入出力部１０に出力する。
【００８５】
ステップＳ８は、入出力部１０は、不良箇所がマーキングされたイメージデータを表示
する。
［変形例１の効果］
以上より、変形例１の不良検出装置は、第１実施形態と同様に、より高精度に被検査装
置の不良箇所を検出できる。
【００８６】
また、変形例１の不良検出装置は、第１実施形態に対して、記憶部３０のサイズを小さ
くすることができる。さらに、変形例１の不良検出装置では、検査動作のステップＳ３で
、分割部２３は、検査対象の範囲のみ、部品または部分に分割し、検査対象外の範囲につ
いては分割しない。したがって、被検査装置の全ての部品または部分を分割せずとも、不
良検出検査を行うことができる。その結果、本変形例１の検査動作は、第１実施形態の検
査動作と比べて短時間で検査することができる。
【００８７】
（変形例２）
本実施形態の変形例２の不良検出装置は、第１実施形態の不良検出装置の構成と同様で
ある。本変形例２は、第１実施形態の検査動作のステップＳ２及びステップＳ３を、ステ
ップＳ４と並行処理する点で、第１実施形態の検査動作とは異なり、その他の検査動作は
同様であり、詳細な説明は省略する。ステップＳ３及びステップＳ４がともに完了したこ
とを検知した後に、制御部２０はステップＳ５に進む。
【００８８】
［変形例２の効果］
以上より、変形例２の不良検出装置は、第１実施形態と同様に、より高精度に被検査装
置の不良箇所を検出できる。
【００８９】
また、変形例２の不良検出装置は、第１実施形態の検査動作のステップＳ２及びステッ
プＳ３を、ステップＳ４と並行処理する。その結果、本変形例２の検査動作は、第１実施
形態の検査動作と比べて短時間で検査することができる。
【００９０】
なお、変形例１に変形例２を適用することもでき、この場合には、変形例１よりもさら
に短時間で検査することができる。
【００９１】
（変形例３）
［変形例３の不良検出装置の構成］
本実施形態の変形例３の不良検出装置は、第１実施形態の不良検出装置に対して、記憶
部３０に、各部品または部分ごとに、部品または部分の一端から他端まで周波数パルスが
伝導する時間を保持させる点で相違し、その他の構成は同一であり詳細な説明は省略する
。
【００９２】
部品または部分の一端から他端まで周波数パルスが伝導する時間について、具体的に図
１１を用いて説明する。ここで、図１１は、変形例３の不良検出装置の記憶部３０に保持
された、モデルデータに関するテーブルを示す図である。
【００９３】
図１１に示すように、例えば特性データが、材料Ｘ、幅ａ２−１、形状ｃ２−１のとき
モデルデータＬ２−１は、式（１）を満たす。
【００９４】
Ｌ２−１＝ｆ２−１（ｔ）  …式（１）
ここで、モデルデータＬ２−１は、材料Ｘ、形状ｃ２−１の配線（または配線の部分）
の端から周波数パルスを入力したのち時間ｔを経過したとき、この周波数パルスが配線（
または配線の部分）の端から伝導する予測伝導距離を示す。
【００９５】
関数ｆ２−１（ｔ）は時間ｔに正の相関をもつ関数である。モデルデータｆ１−１（ｔ
）、ｆ２−１（ｔ）…は、特性データそれぞれに対応付けられて記憶部３０に保持される
。なお、本実施形態では、記憶部３０は特性データそれぞれに対応付けてモデルデータを
保持するが、部品ごとまたは部分ごとにモデルデータが対応付けられて記憶部３０に保持
されてもよい。
【００９６】
本実施形態では、例えばモデルデータＬ２−1に対応して、部品または部分の一端から
他端まで周波数パルスが伝導する時間ｔｔ２−１も記憶部３０に保持される。
【００９７】
［変形例３の不良検出装置の検査動作］
次に、変形例３の不良検出装置の検査動作について、図１２のフローチャート図を用い
て説明する。なお、既に記憶部３０には、被検査装置２００の構成する部品ごとに、また
は、この部品を複数に分割した部分ごとのＣＡＤデータの特性データ、ＣＡＤデータのイ
メージデータ、被検査装置２００に用いられている全ての部品、部分に対応するモデルデ
ータが保持されているものとする。
【００９８】
まず、ステップＳ１で、検査対象の半田ボールのピン番号を受け取ると、入出力部１０
は、ピン番号を制御部２０に出力する。なお、ステップＳ１では、ピン番号だけではなく
、例えばソルダーレジストの材料、配線の材料、半田ボールの材料及び大きさ、配線の高
さ（配線が延びる平面に対して垂直な方向の高さ）を受け取ると、入出力部１０は、これ
らを制御部２０に出力する。
【００９９】
ステップＳ２で、制御部２０の演算部２４は、選択されたピン番号の半田ボールと電気
的に接続された範囲を検査対象としてＣＡＤデータから検査対象の範囲を抽出する。
【０１００】
ステップＳ３で、演算部２４は、検査対象の範囲に含まれた部品、部分に対応するモデ
ルデータを周波数パルスが伝導する順に並ぶようにＲＡＭ部２１に読み出す。このとき、
モデルデータに対応する、部品または部分の一端から他端まで周波数パルスが伝導する時
間ｔｔをもＲＡＭ部２１に読み出す。時間ｔｔは、周波数パルスが伝導する順に並べる。
【０１０１】
そして、ステップＳ４で、制御部２０は、不良検出検査を実行する信号を時間領域反射
測定部４０に出力する。これにより、不良検出検査が実行される。時間領域反射測定部４
０は被検査装置２００の検査対象の半田ボールにプローブ針を接触させる。時間領域反射
測定部４０は周波数パルスを入力し、周波数パルスを入力したのち反射パルスを受け取る
までの時間Ｔ３を計測する。時間領域反射測定部４０は時間Ｔ３のデータを制御部２０に
出力する。
【０１０２】
ステップＳ５で、制御部２０は、ステップＳ３で得た周波数パルスが伝導する順のモデ
ルデータと、時間ｔｔと、ステップＳ４で得た時間Ｔ３に基づいて、不良箇所を特定する
。
【０１０３】
このとき、制御部２０は先頭のモデルデータに対応する部品または部分の一端から他端
まで周波数パルスが伝導する時間ｔｔ１−１と時間Ｔ３を比較する。時間Ｔ３が時間ｔｔ
１−１よりも大きいときは、制御部２０は、ＲＡＭ部２１に次のモデルデータに対応する
時間ｔｔ２−１を読み出し、時間Ｔ３と時間ｔｔ１−１＋ｔｔ２−１を比較する。
【０１０４】
時間Ｔ３が時間ｔｔ１−１＋ｔｔ２−１よりも大きいときは、制御部２０は、ＲＡＭ部
２１にさらに次のモデルデータに対応する時間ｔｔ２−２を読み出す。例えば時間Ｔ３が
時間ｔｔ１−１＋ｔｔ２−１＋…＋ｔｔ（２−ｉ）まで足したときに、初めて時間Ｔ３が
時間ｔｔ１−１＋ｔｔ２−１＋…＋ｔｔ（２−ｉ）よりも小さくなったとき、制御部２０
は、時間ｔｔ（２−ｉ）に対応するモデルデータＬに時間Ｔ３−ｔｔ１−１−ｔｔ２−１
−…−ｔｔ（２―（ｉ−１））を代入して、不良箇所を特定する。
【０１０５】
ステップＳ６で、制御部２０は、記憶部２０のうち、ＣＡＤデータのイメージデータを
ＲＡＭ部２１に読み出し、ステップＳ５で検出された不良箇所の位置をイメージデータに
マーキングする。制御部２０は、不良箇所がマーキングされたイメージデータを入出力部
１０に出力する。
【０１０６】
ステップＳ７は、入出力部１０は、不良箇所がマーキングされたイメージデータを表示
する。
［変形例３の効果］
以上より、変形例３の不良検出装置は、第１実施形態と同様に、より高精度に被検査装
置の不良箇所を検出できる。
【０１０７】
また、変形例３の不良検出装置は、第１実施形態の検査動作と比較して、ステップＳ５
の演算処理が大幅に削減される。その結果、本変形例３の検査動作は、第１実施形態の検
査動作と比べて短時間で検査することができる。
【０１０８】
なお、変形例３に変形例２を適用することもでき、この場合には、変形例３よりもさら
に短時間で検査することができる。
【０１０９】
（第２実施形態）
次に、第２実施形態の不良検出装置について、図１３のテーブルを用いて説明する。ここ
で、図１３は、第２実施形態に係る不良検出装置の記憶部３０のうち、モデルデータを示
すテーブルである。
【０１１０】
第２実施形態の不良検出装置は、第１実施形態の不良検出装置の構成に対して、記憶部
３０にモデルデータが相違し、その他の構成については同様であり、詳細な説明は省略す
る。
【０１１１】
[第２実施形態の不良検出装置の構成]
２−１．記憶部３０について
本実施形態の不良検出装置の記憶部３０について図１３を用いて説明する。本実施形態
の記憶部３０は、モデルデータも保持する。ここで、モデルデータは、部品ごとにまたは
部分ごとに周波数パルスの伝導特性をモデル化したデータ（例えば関数データ）である。
このモデルデータは、後述する時間領域反射測定部４０から入力されたデータと、イメー
ジデータ、特性データに基づいて、部品または部分にある不良箇所を特定するために用い
られる。
【０１１２】
図１３に示すこのモデルデータは、時間ｔの関数であるだけでなく、幅の関数でもある
。図１３に示すように、材料、形状ごとにモデルデータが対応付けされている。例えば特
性データが、材料Ｘ、形状ｃ２−１のときモデルデータＬ２−１は、式（１）を満たす。
【０１１３】
Ｌ２−１＝ｆ２−１（ｔ、幅）  …式（１）
ここで、モデルデータＬ２−１は、材料Ｘ、形状ｃ２−１の配線（または配線の部分）
の端から周波数パルスを入力したのち時間ｔを経過したとき、この周波数パルスが配線（
または配線の部分）の端から伝導する予測伝導距離を示す。
【０１１４】
関数ｆ２−１（ｔ）は時間ｔに正の相関をもつ関数であり、配線幅に負の相関をもつ関
数である。
【０１１５】
モデルデータｆ１−１（ｔ）、ｆ２−１（ｔ）…は、特性データそれぞれに対応付けら
れて記憶部３０に保持される。なお、本実施形態では、記憶部３０は特性データそれぞれ
に対応付けてモデルデータを保持するが、部品ごとまたは部分ごとにモデルデータが対応
付けられて記憶部３０に保持されてもよい。
【０１１６】
本実施形態のモデルデータの変数は、時間と、幅の特性データである。これには限定さ
れず、モデルデータに変数として入れることが可能な特性データがあるとき、モデルデー
タはこれらの特性データの関数としてもよい。
【０１１７】
［第２実施形態の不良検出装置の検査動作］
次に、本実施形態の不良検出装置の検査動作について、図１４のフローチャート図を用
いて説明する。なお、既に記憶部３０には、被検査装置２００の構成する部品ごとに、ま
たは、この部品を複数に分割した部分ごとのＣＡＤデータの特性データ、ＣＡＤデータの
イメージデータ、被検査装置２００に用いられている全ての部品、部分に対応するモデル
データが保持されているものとする。
【０１１８】
まず、ステップＳ１で、検査対象の半田ボールのピン番号を受け取ると、入出力部１０
は、ピン番号を制御部２０に出力する。なお、ステップＳ１では、ピン番号だけではなく
、例えばソルダーレジストの材料、配線の材料、半田ボールの材料及び大きさ、配線の高
さ（配線が延びる平面に対して垂直な方向の高さ）を受け取ると、入出力部１０は、これ
らを制御部２０に出力する。
【０１１９】
ステップＳ２で、制御部２０の演算部２４は、選択されたピン番号の半田ボールと電気
的に接続された範囲を検査対象としてＣＡＤデータから検査対象の範囲を抽出する。
【０１２０】
ステップＳ３で、演算部２４は、検査対象の範囲に含まれた部品、部分に対応するモデ
ルデータを周波数パルスが伝導する順に並ぶようにＲＡＭ部２１に読み出す。このとき、
モデルデータの変数になっていない特性データと、モデルデータの対応付けから、モデル
データを選択し、ＲＡＭ部２１に読み出す。
【０１２１】
そして、ステップＳ４で、制御部２０は、不良検出検査を実行する信号を時間領域反射
測定部４０に出力する。これにより、不良検出検査が実行される。時間領域反射測定部４
０は被検査装置２００の検査対象の半田ボールにプローブ針を接触させる。時間領域反射
測定部４０は周波数パルスを入力し、周波数パルスを入力したのち反射パルスを受け取る
までの時間Ｔ４を計測する。時間領域反射測定部４０は時間Ｔ４のデータを制御部２０に
出力する。
【０１２２】
ステップＳ５で、制御部２０は、ステップＳ３で得た周波数パルスが伝導する順のモデ
ルデータと、ステップＳ４で得た時間Ｔ１、配線幅のデータに基づいて、不良箇所を特定
する。
【０１２３】
このとき、モデルデータの変数である配線幅のデータもＣＡＤデータの特性データから
ＲＡＭ部２１に読み出し、順次モデルデータに代入する。部品ごとにまたは部分ごとに配
線幅が変わるが、材料や形状などの他の特性データが変わらない場合には、同じモデルデ
ータを用いて不良箇所を算出する。
【０１２４】
ステップＳ６で、制御部２０は、記憶部２０のうち、ＣＡＤデータのイメージデータを
ＲＡＭ部２１に読み出し、ステップＳ５で検出された不良箇所の位置をイメージデータに
マーキングする。制御部２０は、不良箇所がマーキングされたイメージデータを入出力部
１０に出力する。
【０１２５】
ステップＳ７は、入出力部１０は、不良箇所がマーキングされたイメージデータを表示
する。  
［第２実施形態の効果］
以上より、第２実施形態の不良検出装置は、第１実施形態と同様に、より高精度に被検
査装置の不良箇所を検出できる。
【０１２６】
また、第２実施形態の不良検出装置では、制御部２０は、ステップＳ３で得た周波数パ
ルスが伝導する順のモデルデータと、ステップＳ４で得た時間Ｔ１、配線幅のデータに基
づいて、不良箇所を特定する。その結果、制御部２０は、部品ごとにまたは部分ごとに配
線幅が変わるが、材料や形状などの他の特性データが変わらない場合には、同じモデルデ
ータを用いて不良箇所を算出する。したがって、本実施形態は、第１実施形態と比べて、
記憶部３０のサイズを小さくすることができる。
【０１２７】
なお、本願発明は上記実施形態に限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸
脱しない範囲で種々に変形することが可能である。更に、上記実施形態には種々の段階の
発明が含まれており、開示される複数の構成要件における適宜な組み合わせにより種々の
発明が抽出されうる。例えば、実施形態に示される全構成要件からいくつかの構成要件が
削除されても、発明が解決しようとする課題の欄で述べた課題が解決でき、発明の効果の
欄で述べられている効果が得られる場合には、この構成要件が削除された構成が発明とし
て抽出されうる。
【符号の説明】
【０１２８】
１０…入出力部
２０…制御部
３０…記憶部
４０…時間領域反射測定部
１００…不良検出装置
２００…被検査装置
【図１】
2016176958.tif 000003
【図２】
2016176958.tif 000004
【図３】
2016176958.tif 000005
【図４】
2016176958.tif 000006
【図５】
2016176958.tif 000007
【図６】
2016176958.tif 000008
【図７】
2016176958.tif 000009
【図８】
2016176958.tif 000010
【図９】
2016176958.tif 000011
【図１０】
2016176958.tif 000012
【図１１】
2016176958.tif 000013
【図１２】
2016176958.tif 000014
【図１３】
2016176958.tif 000015
【図１４】
2016176958.tif 000016