(57)【要約】【課題】  光電変換部に形成された凹部の斜面に薄く形成された不純物半導体層及び電極に起因して電流のリークが発生することを解消すること。【解決手段】  基板１上に形成されたＴＦＴ３１と、ＴＦＴ３１上に絶縁層８を挟んで積層された光電変換部３０と、光電変換部３０とＴＦＴ３１のドレイン電極４ｂとを導電接続する第１のコンタクトホール２０と、を含む検出部４０を複数有する光検出装置であって、光電変換部３０は、ＴＦＴ３１の側から第１の電極層９、第１の不純物半導体層１０、真性半導体層１１、第２の不純物半導体層１２及び第２の電極層１３が積層されており、第１のコンタクトホール２０は、絶縁層８の所定の部位を除去した構成の凹部に第１の電極層９が形成されているとともに絶縁性充填材20aを有している。【選択図】  図１
2016092077.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された薄膜トランジスタと、その薄膜トランジスタ上に絶縁層を挟んで積層された光電変換部と、その光電変換部と前記薄膜トランジスタの電極とを導電接続するコンタクトホールと、を含む検出部を複数有する光検出装置であって、前記光電変換部は、前記薄膜トランジスタの側から第１の電極層、第１の不純物半導体層、真性半導体層、第２の不純物半導体層及び第２の電極層が積層されており、前記コンタクトホールは、前記絶縁層の所定の部位を除去した構成の凹部に前記第１の電極層が形成されているとともに絶縁性充填材を有している光検出装置。
【請求項２】
前記絶縁性充填材は、前記コンタクトホールの前記第１の電極層における開口を含む面と面一になるように設けられている請求項１に記載の光検出装置。
【請求項３】
前記絶縁性充填材は、前記コンタクトホールの前記第１の電極層における開口を含む面から前記薄膜トランジスタの電極の側に凹むように設けられている請求項１に記載の光検出装置。
【請求項４】
前記絶縁性充填材は、前記薄膜トランジスタの電極の側に凹む凹みの深さが前記絶縁層の厚みよりも浅い請求項３に記載の光検出装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、Ｘ線等の放射線をシンチレータ等によって波長変換して光に変換し、その光を光電変換することによって、人等の被写体の画像を形成し診断するための医療用画像診断装置等に用いられる光検出装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来の光検出装置の１例を図３に示す。図３は、従来の光検出装置において、光を電荷に変換する光電変換部３０としてのｐｉｎフォトダイオードと、ｐｉｎフォトダイオードによって光電変換された電荷を電気信号として取り出すスイッチ素子としての薄膜トランジスタ（Thine  Film  Transistor  ：ＴＦＴ）３１と、を有する検出部４０の拡大平面図である。この光検出装置は、例えば多数の検出部４０が行方向及び列方向に配列された構成、所謂マトリックス状に検出部４０が配列された構成を有する。
【０００３】
平面視形状が矩形状の検出部４０は、その１隅部に光電変換部３０であるｐｉｎフォトダイオードにバイアス電圧を印加するための第２のコンタクトホール２２が形成されており、また光電変換部３０にバイアス電圧を供給するバイアス線１６が検出部４０の受光面の側にソース信号線３２に沿って形成されている。また検出部４０は、上記１隅部に対向する他の隅部にＴＦＴ３１が形成されている。ＴＦＴ３１は、チャネル部としての第１の半導体膜６ａ、窒化シリコン（ＳｉＮx）等から成るエッチング阻止層５、第２の半導体膜６ｂ、ソース電極４ａ、ドレイン電極４ｂを有している。第２の半導体膜６ｂは、第１の半導体膜６ａと、ソース電極４ａ及びドレイン電極４ｂとの電気的接続を行うためのものである。さらに、検出部４０の中央部付近には、光電変換部３０によって変換された電荷をＴＦＴ３１のドレイン電極４ｂに電導させるための第１のコンタクトホール２０が形成されている。ソース信号線３２は、光電変換部３０により変換された電荷を電荷量に応じた電気信号として出力する。
【０００４】
図４は、図３のＡ１−Ａ２線、Ｂ１−Ｂ２線及びＣ１−Ｃ２線における検出部４０の断面図である。ガラス基板等から成る基板１の一面に、ＴＦＴ３１のオン／オフを制御するゲート線２が形成されており、基板１の一面及びゲート線２を覆ってゲート絶縁層３が形成され、ゲート絶縁層３上のゲート線２を覆う部位にアモルファスシリコン（ａＳｉ）等から成るチャネル部としての第１の半導体膜６ａが形成され、第１の半導体膜６ａ上のゲート線２に重なる位置にエッチング阻止層５が形成され、エッチング阻止層５及び第１の半導体膜６ａを覆ってｎ＋ａＳｉ等から成る第２の半導体膜６ｂが形成されている。第２の半導体膜６ｂ上に、タンタル（Ｔａ），ネオジウム（Ｎｄ），タングステン（Ｗ），チタン（Ｔｉ），モリブデン（Ｍｏ），アルミニウム（Ａｌ），クロム（Ｃｒ），銀（Ａｇ）等の金属またはそれらの合金から成るソース電極４ａ及びドレイン電極４ｂが形成されてＴＦＴ３１が構成されている。なお第２の半導体膜６ｂは、ソース電極４ａとドレイン電極４ｂが電気的に分離されている部位において同様に電気的に分離されている。そして、ＴＦＴ３１及びゲート絶縁層３を覆って酸化シリコン（ＳｉＯ2），窒化シリコン（ＳｉＮx）等から成る第１のパッシベーション層７が形成されている。第１のパッシベーション層７を覆ってアクリル樹脂等から成る絶縁層８が形成されている。
【０００５】
絶縁層８上に、Ｔａ，Ｎｄ，Ｗ，Ｔｉ，Ｍｏ，Ａｌ，Ｃｒ，Ａｇ等の金属またはそれらの合金から成る第１の電極層９、ｎ＋ａＳｉ等から成る第１の不純物半導体層１０、真性（intrinsic）Ｓｉ（ｉ型Ｓｉ）等から成る真性半導体層１１、ｐ＋ａＳｉ等から成る第２の不純物半導体層１２、インジウム錫酸化物（Indium  Tin  Oxide  ：ＩＴＯ）等の透明電極から成る第２の電極層１３が積層されている。第１の電極層９、第１の不純物半導体層１０、真性半導体層１１、第２の不純物半導体層１２及び第２の電極層１３によって、光電変換部３０としてのｐｉｎフォトダイオードが構成される。このｐｉｎフォトダイオードは、第２の不純物半導体層１２及び第２の電極層１３の側から真性半導体層１１に入射した光３３を光電変換する。
【０００６】
光電変換部３０及び絶縁層８を覆って第２のパッシベーション層１４及び第３のパッシベーション層１７が形成されている。第２のパッシベーション層１４と第３のパッシベーション層１７との間に、Ｔａ，Ｎｄ，Ｗ，Ｔｉ，Ｍｏ，Ａｌ，Ｃｒ，Ａｇ等の金属またはそれらの合金から成るバイアス線１６、バイアス線１６と第２の電極層１３を導電接続する第３の電極層１５が形成されているとともに、第３の電極層１５は第２のコンタクトホール２２に形成されている。
【０００７】
そして、光電変換部３０は、第１のコンタクトホール２０の上方の部位に凹部２１が形成される場合がある。凹部２１は、ＣＶＤ（Chemical  Vapor  Deposition）法等の薄膜形成法によって第１の不純物半導体層１０、真性半導体層１１を形成する際に、第１のコンタクトホール２０の凹みに倣ってそれらの層が形成されることによって生じる（例えば、特許文献１を参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２０１３−２３５９３５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、上記従来の光検出装置においては、図５に示すように、凹部２１の周囲における第２の不純物半導体層１２及び第２の電極層１３の厚みＴ１よりも、凹部２１の斜面における第２の不純物半導体層１２及び第２の電極層１３の厚みＴ２が薄く形成される。これは、薄膜の結晶成長方向に異方性を有するＣＶＤ法等の薄膜形成法によって、第２の不純物半導体層１２を形成することに起因している。その結果、凹部２１の斜面において、光３３を受光していないときにも、薄い第２の不純物半導体層１２を通して真性半導体層１１から第２の電極層１３に電流が流れていた。即ち、電流の漏れ（リーク）が発生するという問題点があった。
【００１０】
従って、本発明は上記問題点に鑑みて完成されたものであり、その目的は、光電変換部に形成された凹部の斜面に薄く形成された不純物半導体層に起因して電流のリークが発生することを解消することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の光検出装置は、基板上に形成された薄膜トランジスタと、その薄膜トランジスタ上に絶縁層を挟んで積層された光電変換部と、その光電変換部と前記薄膜トランジスタの電極とを導電接続するコンタクトホールと、を含む検出部を複数有する光検出装置であって、前記光電変換部は、前記薄膜トランジスタの側から第１の電極層、第１の不純物半導体層、真性半導体層、第２の不純物半導体層及び第２の電極層が積層されており、前記コンタクトホールは、前記絶縁層の所定の部位を除去した構成の凹部に前記第１の電極層が形成されているとともに絶縁性充填材を有している構成である。
【００１２】
本発明の光検出装置は、好ましくは、前記絶縁性充填材は、前記コンタクトホールの前記第１の電極層における開口を含む面と面一になるように設けられている。
【００１３】
また本発明の光検出装置は、好ましくは、前記絶縁性充填材は、前記コンタクトホールの前記第１の電極層における開口を含む面から前記薄膜トランジスタの電極の側に凹むように設けられている。
【００１４】
また本発明の光検出装置は、好ましくは、前記絶縁性充填材は、前記薄膜トランジスタの電極の側に凹む凹みの深さが前記絶縁層の厚みよりも浅い。
【発明の効果】
【００１５】
本発明の光検出装置は、基板上に形成された薄膜トランジスタと、その薄膜トランジスタ上に絶縁層を挟んで積層された光電変換部と、その光電変換部と薄膜トランジスタの電極とを導電接続するコンタクトホールと、を含む検出部を複数有する光検出装置であって、光電変換部は、薄膜トランジスタの側から第１の電極層、第１の不純物半導体層、真性半導体層、第２の不純物半導体層及び第２の電極層が積層されており、コンタクトホールは、絶縁層の所定の部位を除去した構成の凹部に第１の電極層が形成されているとともに絶縁性充填材を有していることから、光電変換部の第２の電極層の側にコンタクトホールに倣って凹部が形成されることを解消することができる。従って、凹部において非受光時に真性半導体層から第２の電極層にリーク電流が流れることが生じなくなり、信号のノイズが低減されてＳ／Ｎ比が改善される。
【００１６】
本発明の光検出装置は、好ましくは、絶縁性充填材は、コンタクトホールの第１の電極層における開口を含む面と面一になるように設けられていることから、光電変換部の真性半導体層、第２の不純物半導体層及び第２の電極層におけるコンタクトホールの上方の部位が平坦面となる。即ち、コンタクトホールに倣って凹部が形成されることを確実に解消することができる。従って、凹部に起因するリーク電流が流れることが確実に生じなくなる。
【００１７】
また本発明の光検出装置は、好ましくは、絶縁性充填材は、コンタクトホールの第１の電極層における開口を含む面から薄膜トランジスタの電極の側に凹むように設けられていることから、光電変換部の真性半導体層、第２の不純物半導体層及び第２の電極層におけるコンタクトホールの上方の部位がほぼ平坦面となる。従って、凹部に起因するリーク電流が流れることが生じなくなる。
【００１８】
また本発明の光検出装置は、好ましくは、絶縁性充填材は、薄膜トランジスタの電極の側に凹む凹みの深さが絶縁層の厚みよりも浅いことから、第２の不純物半導体層及び第２の電極層におけるコンタクトホールの上方の部位がほぼ平坦面となる。従って、凹部に起因するリーク電流が流れることが生じなくなる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】図１は、本発明の光検出装置について実施の形態の１例を示す図であり、光検出装置の検出部の断面図である。
【図２】図２は、本発明の光検出装置について実施の形態の他例を示す図であり、図１の検出部の光電変換部におけるコンタクトホール及びその周辺の拡大断面図である。
【図３】図３は、従来の光検出装置の検出部の拡大平面図である。
【図４】図４は、図３のＡ１−Ａ２線、Ｂ１−Ｂ２線及びＣ１−Ｃ２線における検出部の断面図である。
【図５】図５は、図４の検出部の光電変換部における凹部（図４のＤ部）の拡大断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、本発明の光検出装置の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。但し、以下で参照する各図は、本発明の光検出装置の主要な構成部材等を示している。従って、本発明の光検出装置は、図に示されていない回路基板、配線導体、制御ＩＣ，ＬＳＩ等の周知の構成部材を備えていてもよい。
【００２１】
本発明の光検出装置は、図１に示すように、ガラス基板等から成る基板１上に形成されたＴＦＴ３１と、そのＴＦＴ３１上に絶縁層８を挟んで積層された光電変換部３０と、その光電変換部３０とＴＦＴ３１のドレイン電極４ｂとを導電接続する第１のコンタクトホール２０と、を含む検出部４０を複数有する光検出装置であって、光電変換部３０は、ＴＦＴ３１の側から第１の電極層９、第１の不純物半導体層１０、真性半導体層１１、第２の不純物半導体層１２及び第２の電極層１３が積層されており、第１のコンタクトホール２０は、絶縁層８の所定の部位を除去した構成の凹部に第１の電極層９が形成されているとともに絶縁性充填材20aを有している構成である。この構成により、光電変換部３０の第２の電極層１３の側に第１のコンタクトホール２０に倣って凹部が形成されることを解消することができる。従って、凹部において非受光時に真性半導体層１１から第２の電極層１３にリーク電流が流れることが生じなくなり、信号のノイズが低減されてＳ／Ｎ比が改善される。
【００２２】
本発明の光検出装置における絶縁性充填材20aは、第１のコンタクトホール２０に完全に充填されていなくてもよく、第１のコンタクトホール２０の第１の電極層９における開口を含む面と略面一になるように設けられていればよい。
【００２３】
本発明の光検出装置は以下のような構成を有する。平面視形状が矩形状の検出部４０は、その１隅部に光電変換部３０であるｐｉｎフォトダイオードにバイアス電圧を印加するための第２のコンタクトホール２２が形成されており、また光電変換部３０にバイアス電圧を供給するバイアス線１６が検出部４０の受光面の側にソース信号線３２に沿って形成されている。また検出部４０は、上記１隅部に対向する他の隅部にＴＦＴ３１が形成されている。ＴＦＴ３１は、チャネル部としての第１の半導体膜６ａ、窒化シリコン（ＳｉＮx）等から成るエッチング阻止層５、第２の半導体膜６ｂ、ソース電極４ａ、ドレイン電極４ｂを有している。第２の半導体膜６ｂは、第１の半導体膜６ａと、ソース電極４ａ及びドレイン電極４ｂとの電気的接続を行うためのものである。さらに、検出部４０の中央部付近には、光電変換部３０によって変換された電荷をＴＦＴ３１のドレイン電極４ｂに電導させるための第１のコンタクトホール２０が形成されている。ソース信号線３２は、光電変換部３０により変換された電荷を電荷量に応じた電気信号として出力する。また、ＴＦＴ３１は、エッチング阻止層５を有するチャネルストッパー型以外に、バックチャネルカット型等であってもよく、ＴＦＴ３１を構成する半導体は低温ポリシリコン（Low-temperature  Poly  Silicon  ：ＬＴＰＳ）、インジウムガリウム亜鉛酸化物（Indium  Gallium  Zinc  Oxide  ：ＩＧＺＯ）等の酸化物半導体であってもよい。そして、ガラス基板等から成る基板１の一面に、ＴＦＴ３１のオン／オフを制御するＴａ，Ｎｄ，Ｗ，Ｔｉ，Ｍｏ，Ａｌ，Ｃｒ，Ａｇ等の金属またはそれらの合金から成るゲート線２が形成されており、基板１の一面及びゲート線２を覆ってゲート絶縁層３が形成され、ゲート絶縁層３上のゲート線２を覆う部位にアモルファスシリコン（ａＳｉ）等から成るチャネル部としての第１の半導体膜６ａが形成され、第１の半導体膜６ａ上のゲート線２に重なる位置にエッチング阻止層５が形成され、エッチング阻止層５及び第１の半導体膜６ａを覆ってｎ＋ａＳｉ等から成る第２の半導体膜６ｂが形成されている。第２の半導体膜６ｂ上に、Ｔａ，Ｎｄ，Ｗ，Ｔｉ，Ｍｏ，Ａｌ，Ｃｒ，Ａｇ等の金属またはそれらの合金から成るソース電極４ａ及びドレイン電極４ｂが形成されてＴＦＴ３１が構成されている。なお第２の半導体膜６ｂは、ソース電極４ａとドレイン電極４ｂが電気的に分離されている部位において同様に電気的に分離されている。そして、ＴＦＴ３１及びゲート絶縁層３を覆って酸化シリコン（ＳｉＯ2），窒化シリコン（ＳｉＮx）等から成る第１のパッシベーション層７が形成されている。第１のパッシベーション層７を覆ってアクリル樹脂等から成る絶縁層８が形成されている。
【００２４】
絶縁層８上に、Ｔａ，Ｎｄ，Ｗ，Ｔｉ，Ｍｏ，Ａｌ，Ｃｒ，Ａｇ等の金属またはそれらの合金から成る第１の電極層９、ｎ＋ａＳｉ，ｐ＋ａＳｉ等から成る第１の不純物半導体層１０、真性Ｓｉ（ｉ型Ｓｉ）等から成る真性半導体層１１、ｐ＋ａＳｉ，ｎ＋ａＳｉ等から成る第２の不純物半導体層１２、ＩＴＯ等の透明電極から成る第２の電極層１３が積層されている。なお、第１の不純物半導体層１０がｎ＋ａＳｉ等のｎ型のものである場合第２の不純物半導体層１２はｐ＋ａＳｉ等のｐ型のものであり、第１の不純物半導体層１０がｐ＋ａＳｉ等のｐ型のものである場合第２の不純物半導体層１２はｎ＋ａＳｉ等のｎ型のものである。そして、第１の電極層９、第１の不純物半導体層１０、真性半導体層１１、第２の不純物半導体層１２及び第２の電極層１３によって、光電変換部３０としてのｐｉｎフォトダイオードが構成される。このｐｉｎフォトダイオードは、第２の不純物半導体層１２及び第２の電極層１３の側から真性半導体層１１に入射した光３３を光電変換する。
【００２５】
光電変換部３０及び絶縁層８を覆って第２のパッシベーション層１４及び第３のパッシベーション層１７が形成されている。第２のパッシベーション層１４と第３のパッシベーション層１７との間に、Ｔａ，Ｎｄ，Ｗ，Ｔｉ，Ｍｏ，Ａｌ，Ｃｒ，Ａｇ等の金属またはそれらの合金から成るバイアス線１６と、バイアス線１６と第２の電極層１３を導電接続する第３の電極層１５が形成されているとともに、第３の電極層１５は第２のコンタクトホール２２に形成されている。
【００２６】
第１の電極層９、第２の電極層１３、第１の不純物半導体層１０、真性半導体層１１、第２の不純物半導体層１２及び第２の電極層１３は、スパッタリング法、ＣＶＤ法等の薄膜形成方法によって形成され得る。例えば、第１の電極層９及び第２の電極層１３は、スパッタリング法によって形成され、第１の不純物半導体層１０、真性半導体層１１及び第２の不純物半導体層１２は、薄膜の結晶成長方向に異方性を有するＣＶＤ法によって形成される。また、第１の電極層９の厚みは３０ｎｍ〜５００ｎｍ程度、第１の不純物半導体層１０の厚みは３０ｎｍ〜２００ｎｍ程度、真性半導体層１１の厚みは５００ｎｍ〜２０００ｎｍ程度、第２の不純物半導体層１２の厚みは５ｎｍ〜５０ｎｍ程度、第２の電極層１３の厚みは３０ｎｍ〜１００ｎｍ程度である。そのため、凹部２１の斜面において第２の不純物半導体層１２及び第２の電極層１３の厚みが３０ｎｍ程度よりも薄くなり、凹部２１の斜面においてリーク電流が発生しやすくなる。
【００２７】
本発明の光検出装置において、第１のコンタクトホール２０は、絶縁層８の所定の部位を除去した構成の凹部に第１の電極層９が形成されている。即ち、第１のコンタクトホール２０は、絶縁層８の所定の部位を、マスクを用いたフォトリソグラフィ法及びエッチング法等によってパターニング、除去して形成し得る。そして、第１のコンタクトホール２０となる凹部に第１の電極層９をスパッタリング法等によって形成することによって、第１の電極層９とＴＦＴ３１のドレイン電極４ｂまたはソース電極４ａとを導電接続する。また、上記所定の部位は、ＴＦＴ３１のドレイン電極４ｂまたはソース電極４ａと第１の電極層９とを導電接続することが可能な部位である。
【００２８】
本発明の光検出装置における絶縁性充填材20aは、その材料として有機材料を用いることができる。有機材料としては、アクリル樹脂，シリコーン樹脂，ポリイミド，ポリアミド，ポリイミドアミド，ベンゾシクロブテン，ポリシロキサン，ポリシラザン等を用いることができる。ポリシロキサンは、シリコン（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）との結合で骨格構造が構成されている。その置換基として、少なくとも水素を含む有機基、例えば、アルキル基，芳香族炭化水素基等が用いられる。また置換基として、フルオロ基、少なくとも水素を含む有機基及びフルオロ基を用いてもよい。ポリシラザンは、珪素（Ｓｉ）と窒素（Ｎ）の結合を有するポリマー材料を出発原料として形成される材料である。
【００２９】
絶縁性充填材20aの材料として、紫外線等の光によって硬化する感光性有機樹脂、熱硬化性樹脂を用いてもよい。感光性有機樹脂を用いる場合、その未硬化のペースト状有機樹脂を第１のコンタクトホール２０に塗布、充填し、次にペースト状有機樹脂に紫外線等の光を照射することによって形成できる。さらに加熱して硬化させることもできる。
【００３０】
絶縁性充填材20aは、第１のコンタクトホール２０の第１の電極層９における開口を含む面と面一になるように設けられていることが好ましい。この場合、光電変換部３０の真性半導体層１１、第２の不純物半導体層１２及び第２の電極層１３における第１のコンタクトホール２０の上方の部位（図１のＥ部）が平坦面となる。即ち、第１のコンタクトホール２０に倣って凹部が形成されることを確実に解消することができる。従って、凹部に起因するリーク電流が流れることが確実に生じなくなる。
【００３１】
図２は、図１の検出部４０の光電変換部３０における第１のコンタクトホール２０及びその周辺の拡大断面図である。図２に示すように、絶縁性充填材20aは、第１のコンタクトホール２０の第１の電極層９における開口を含む面からＴＦＴ３１のドレイン電極４ｂの側に凹むように設けられている。この場合、光電変換部３０の真性半導体層１１、第２の不純物半導体層１２及び第２の電極層１３における第１のコンタクトホール２０の上方の部位がほぼ平坦面となる。従って、凹部に起因するリーク電流が流れることが生じなくなる。
【００３２】
また絶縁性充填材20aは、ＴＦＴ３１のドレイン電極４ｂの側に凹む凹みの深さが絶縁層８の厚みよりも浅いことがよい。この場合、第２の不純物半導体層１２及び第２の電極層１３における第１のコンタクトホール２０の上方の部位がほぼ平坦面となる。従って、凹部に起因するリーク電流が流れることが生じなくなる。同様の目的から、より好ましくは、凹みの深さは第１の電極層９の厚み以下であることがよい。
【００３３】
本発明の光検出装置は、例えば放射線画像形成装置に適用される。放射線画像形成装置は、放射線を光に波長変換するシンチレータと、上記本発明の光検出装置と、を有する構成である。例えば光検出装置は、多数の検出部４０が行方向及び列方向に配列されている。所謂マトリックス状に検出部４０が配列されている。上記の構成により、人等の被写体の正確な放射線画像を得ることができる。本発明の放射線画像形成装置におけるシンチレータは、ＣｓＩ：Ｔｌ，ＧＯＳ（Ｇｄ2Ｏ2Ｓ：Ｔｂ）等から成り、例えば被写体に照射されたＸ線、γ線、α線等の放射線を光に波長変換する。そして、シンチレータから放出された光３３を、本発明の光検出装置によって電荷へ光電変換して画像情報を得る間接変換方式の放射線画像形成装置に適用される。ＣｓＩ：Ｔｌ等から成るシンチレータは、Ａｌ（アルミニウム）等から成る金属基板に放射線感応層（シンチレーション層）を蒸着することによって形成される。そして、例えば本発明の光検出装置の光３３の光源側にシンチレータを配置し、それらを接着材等の接合手段によって貼り合わせることにより、放射線画像形成装置が構成される。
【００３４】
さらに、放射線画像形成装置によって得られた電気的な画像情報は、Ａ−Ｄ（Analog  to  Digital）変換によりデジタルデータに変換され、イメージプロセッサによりデジタル画像に変換され、それが液晶表示装置（Liquid  Crystal  Display  ：ＬＣＤ）等の表示手段に表示されて、画像診断、画像分析等に用いられる。
【００３５】
なお、本発明の光検出装置は、上記実施の形態に限定されるものではなく、適宜の設計的な変更、改良を含んでいてもよい。例えば、第１のコンタクトホール２０の開口の平面視形状は四角形状に限らず、五角形以上の多角形、円形、楕円形、長円形等の種々の形状とし得る。
【符号の説明】
【００３６】
１  基板
２  ゲート線
４ａ  ソース電極
４ｂ  ドレイン電極
６ａ  第１の半導体膜
６ｂ  第２の半導体膜
９  第１の電極層
１０  第１の不純物半導体層
１１  真性半導体層
１２  第２の不純物半導体層
１３  第２の電極層
１６  バイアス線
２０  第１のコンタクトホール
２０ａ  絶縁性充填材
２２  第２のコンタクトホール
３０  光電変換部
３１  ＴＦＴ
３３  光
４０  検出部
【図１】
2016092077.tif 000003
【図２】
2016092077.tif 000004
【図３】
2016092077.tif 000005
【図４】
2016092077.tif 000006
【図５】
2016092077.tif 000007