(57)【要約】【課題】ワイヤボンディングタイプの光半導体素子が使用される光半導体装置を高い歩留まりで封止する方法および当該封止方法を提供すること。【解決手段】ワイヤボンディングによって電気的に接続された光半導体素子が基板上に載置された光半導体装置の封止方法であって、（i）シリコーン樹脂フィルムを前記光半導体素子上に載置する載置工程と、（ii）前記シリコーン樹脂フィルムを加熱して軟化させながら、エラストマー製加圧部材を介して加圧し、前記光半導体素子に密着させる密着工程と、（iii）前記シリコーン樹脂フィルムを硬化可能な温度以上に加熱して、前記シリコーン樹脂フィルムを硬化させる硬化工程と、を含み、前記エラストマー製加圧部材の硬さが、ＪＩＳ Ｋ  ６２５３−３：２０１２記載の方法で測定したタイプＡデュロメータ硬さとして２０〜５０であるエラストマーを用いることを特徴とする光半導体装置の封止方法。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
ワイヤボンディングによって電気的に接続された光半導体素子が基板上に載置された光半導体装置の封止方法であって、
（i）シリコーン樹脂フィルムを前記光半導体素子上に載置する載置工程と、
（ii）前記シリコーン樹脂フィルムを加熱して軟化させながら、エラストマー製加圧部材を介して加圧し、前記光半導体素子に密着させる密着工程と、
（iii）前記シリコーン樹脂フィルムを硬化可能な温度以上に加熱して、前記シリコーン樹脂フィルムを硬化させる硬化工程と、
を含み、前記エラストマー製加圧部材の硬さが、ＪＩＳ Ｋ  ６２５３−３：２０１２記載の方法で測定したタイプＡデュロメータ硬さとして２０〜５０であるエラストマーを用いることを特徴とする光半導体装置の封止方法。
【請求項２】
前記密着工程は、前記シリコーン樹脂フィルムを軟化させて加圧する際の加圧条件を０．０５〜１．００ＭＰａに設定して加圧することを特徴とする請求項１記載の光半導体装置の封止方法。
【請求項３】
前記密着工程（ii）において、エラストマー製ダイアフラムを備えた真空ラミネータを用いて行うことを特徴とする請求項１または２記載の光半導体装置の封止方法。
【請求項４】
前記シリコーン樹脂フィルムが、下記（Ａ）〜（Ｄ）成分、
（Ａ）１分子中に少なくとも２個以上のケイ素原子に結合したアルケニル基を有する下記式（１）；
【化１】
2016046491.tif 000021
（式中、Ｒ１は炭素数６〜１２の１価芳香族炭化水素基、炭素数１〜１２の１価脂肪族炭化水素基、炭素数２〜１０のアルケニル基から選ばれる基であり、ただし、１分子中少なくとも２個以上のアルケニル基を有し、０≦ａ＜０．５、０＜ｂ＜０．７、０＜ｃ≦０．８５、０＜ｄ＜０．３であり、ただし、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１．０である）
で示される網目鎖状オルガノポリシロキサン、
（Ｂ）１分子中に少なくとも２個以上のケイ素原子に結合した水素原子を有するオルガノハイドロジェンポリシロキサン、
（Ｃ）付加反応触媒、及び
（Ｄ）蛍光体及び無機顔料から選ばれる少なくとも１種
を含む付加硬化性オルガノポリシロキサン組成物のフィルム状成形物であって、該組成物の（Ａ）成分のオルガノポリシロキサンにおいて、Ｒ１２ＳｉＯ２／２で示されるシロキサン単位（Ｄ単位）の３０〜９９モル％が５〜５０個の連続したシロキサン単位であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項記載の光半導体装置の封止方法。
【請求項５】
前記付加硬化性オルガノポリシロキサン組成物が２３℃で固体状または半固体状であることを特徴とする請求項４に記載の光半導体装置の封止方法。
【請求項６】
前記シリコーン樹脂フィルムが、該フィルムの少なくとも片側に厚さ１〜１，０００μｍのシリコーン樹脂保護フィルムを貼り合せたものであることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項記載の光半導体装置の封止方法。
【請求項７】
前記シリコーン樹脂保護フィルムが、下記（Ａ）〜（Ｃ）成分、
（Ａ）１分子中に少なくとも２個以上のケイ素原子に結合したアルケニル基を有する下記式（１）；
【化２】
2016046491.tif 000022
（式中、Ｒ１は炭素数６〜１２の１価芳香族炭化水素基、炭素数１〜１２の１価脂肪族炭化水素基、炭素数２〜１０のアルケニル基から選ばれる基であり、ただし、１分子中少なくとも２個以上のアルケニル基を有し、０≦ａ＜０．５、０＜ｂ＜０．７、０＜ｃ≦０．８５、０＜ｄ＜０．３であり、ただし、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１．０である）
で示される網目鎖状オルガノポリシロキサン、
（Ｂ）１分子中に少なくとも２個以上のケイ素原子に結合した水素原子を有するオルガノハイドロジェンポリシロキサン、及び
（Ｃ）付加反応触媒
を含み、蛍光体を含まない付加硬化性オルガノポリシロキサン組成物のフィルム状成形物であって、該組成物の（Ａ）成分のオルガノポリシロキサンにおいて、Ｒ１２ＳｉＯ２／２で示されるシロキサン単位（Ｄ単位）の３０〜９９モル％が５〜５０個の連続したシロキサン単位であることを特徴とする請求項６記載の光半導体装置の封止方法。
【請求項８】
前記シリコーン樹脂フィルムが、前記シリコーン樹脂保護フィルムを前記光半導体素子に接する面とは反対側に貼り合わせたものであることを特徴とする、請求項６または７記載の光半導体装置の封止方法。
【請求項９】
前記シリコーン樹脂フィルムの厚さを、前記光半導体装置の前記基板面からボンディングワイヤの最高点までの高さに対して、１０〜５００μｍの範囲の値だけ厚くなるように調整して用いることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項記載の光半導体装置の封止方法。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか１項記載の光半導体装置の封止方法によって製造された光半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は光半導体装置の封止方法に関する。特に光半導体素子がワイヤボンディングによって基板に接続された光半導体装置の封止方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ＬＥＤデバイスを組み込んだ電子機器や電化製品は現代社会の様々な分野で利用されており、需要はますます広がりを見せている。特に白色ＬＥＤデバイスは、携帯電話や小型照明だけでなく、一般照明や大型ディスプレイなど非常に幅広く使用されるようになった。白色ＬＥＤデバイスを製造するにあたり、一般的には青色ＬＥＤに４５０ｎｍの光を励起するＹＡＧ（イットリウムアルミニウムガーネット）と呼ばれる蛍光体を用いる方式と、３ｉｎ１とよばれる赤・緑・青色ＬＥＤを同時に発光させる方式がある。上記の青色ＬＥＤと蛍光体を用いる方式は、３ｉｎ１方式に比べＬＥＤ数やワイヤ数が少ないため、安価で製造できることから様々なＬＥＤデバイスに対してこの方式が用いられている。
【０００３】
蛍光体を用いる方式では、ＬＥＤをＹＡＧなどの蛍光体が配合された液状シリコーン封止材で封止して熱硬化する際に、液状封止材が温度上昇によって低粘度化することで該封止材中の蛍光体が沈降してしまい、得られるＬＥＤデバイスの色ばらつきが大きくなってしまうことが問題となっていた。そこで従来は蛍光体層と透明層を設けたフィルムを用いるか（特許文献１参照）、または蛍光体セラミックと透明フィルムとを成型することで（特許文献２参照）、蛍光体層の分散性を上げてＬＥＤデバイスの色バラツキを抑制することに成功している。
【０００４】
しかし搭載チップにはフリップチップとワイヤボンディングタイプの２種類があり、ワイヤボンディングタイプのチップでは、蛍光体フィルムを貼り合わせる際に、当該フィルムを該チップに押し付けるとボンディングワイヤがつぶれてしまい、蛍光体フィルムを直接貼り合わせることは困難であった。この対策として、封止用シートを二層構造とし、ＬＥＤやボンディングワイヤを埋設する部分に相当する層の貯蔵弾性率をより低弾性にすることによって、ボンディングワイヤが断線することなく、ＬＥＤを封止することができるという提案があった（特許文献３参照）。
【０００５】
しかし、この方法では低弾性率層に蛍光体を充填すると、弾性率が上がってしまい使用できないため、ＬＥＤデバイスの設計が制限されたり、封止用シートが軟らかすぎるために、取扱い時に塑性変形して、凹みを生じたり二層シートの界面が崩れたりすることがあった。また、二層シート中の成分を変更することにより、蛍光体を充填しても低弾性率層の弾性率を低く抑えてボンディングワイヤの潰れや断線を防ぐようにした封止用シートもあったが、ＬＥＤデバイス生産時の歩留まりの低下を抑えることができなかった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１１−１５９８７４号公報
【特許文献２】特開２０１１−１０２００４号公報
【特許文献３】特開２０１０‐１２３８０２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
そこで本発明では上記事情に鑑み、ワイヤボンディングタイプの光半導体素子が使用される光半導体装置を高い歩留まりで封止する方法および当該封止方法により製造された光半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は上記課題を解決するためになされたもので、
［１］
ワイヤボンディングによって電気的に接続された光半導体素子が基板上に載置された光半導体装置の封止方法であって、
（i）シリコーン樹脂フィルムを前記光半導体素子上に載置する載置工程と、
（ii）前記シリコーン樹脂フィルムを加熱して軟化させながら、エラストマー製加圧部材を介して加圧し、前記光半導体素子に密着させる密着工程と、
（iii）前記シリコーン樹脂フィルムを硬化可能な温度以上に加熱して、前記シリコーン樹脂フィルムを硬化させる硬化工程と、
を含み、前記エラストマー製加圧部材の硬さが、ＪＩＳ Ｋ  ６２５３−３：２０１２記載の方法で測定したタイプＡデュロメータ硬さとして２０〜５０であるエラストマーを用いることを特徴とする光半導体装置の封止方法。
［２］
前記密着工程は、前記シリコーン樹脂フィルムを軟化させて加圧する際の加圧条件を０．０５〜１．００ＭＰａに設定して加圧することを特徴とする［１］記載の光半導体装置の封止方法。
［３］
前記密着工程（ii）において、エラストマー製ダイアフラムを備えた真空ラミネータを用いて行うことを特徴とする［１］または［２］記載の光半導体装置の封止方法。
［４］
前記シリコーン樹脂フィルムが、下記（Ａ）〜（Ｄ）成分、
（Ａ）１分子中に少なくとも２個以上のケイ素原子に結合したアルケニル基を有する下記式（１）；
【化１】
2016046491.tif 000002
（式中、Ｒ１は炭素数６〜１２の１価芳香族炭化水素基、炭素数１〜１２の１価脂肪族炭化水素基、炭素数２〜１０のアルケニル基から選ばれる基であり、ただし、１分子中少なくとも２個以上のアルケニル基を有し、０≦ａ＜０．５、０＜ｂ＜０．７、０＜ｃ≦０．８５、０＜ｄ＜０．３であり、ただし、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１．０である）
で示される網目鎖状オルガノポリシロキサン、
（Ｂ）１分子中に少なくとも２個以上のケイ素原子に結合した水素原子を有するオルガノハイドロジェンポリシロキサン、
（Ｃ）付加反応触媒、及び
（Ｄ）蛍光体及び無機顔料から選ばれる少なくとも１種
を含む付加硬化性オルガノポリシロキサン組成物のフィルム状成形物であって、該組成物の（Ａ）成分のオルガノポリシロキサンにおいて、Ｒ１２ＳｉＯ２／２で示されるシロキサン単位（Ｄ単位）の３０〜９９モル％が５〜５０個の連続したシロキサン単位であることを特徴とする［１］〜［３］のいずれかに記載の光半導体装置の封止方法。
［５］
前記付加硬化性オルガノポリシロキサン組成物が２３℃で固体状または半固体状であることを特徴とする［４］に記載の光半導体装置の封止方法。
［６］
前記シリコーン樹脂フィルムが、該フィルムの少なくとも片側に厚さ１〜１，０００μｍのシリコーン樹脂保護フィルムを貼り合せたものであることを特徴とする［１］〜［５］のいずれかに記載の光半導体装置の封止方法。
［７］
前記シリコーン樹脂保護フィルムが、下記（Ａ）〜（Ｃ）成分、
（Ａ）１分子中に少なくとも２個以上のケイ素原子に結合したアルケニル基を有する下記式（１）；
【化２】
2016046491.tif 000003
（式中、Ｒ１は炭素数６〜１２の１価芳香族炭化水素基、炭素数１〜１２の１価脂肪族炭化水素基、炭素数２〜１０のアルケニル基から選ばれる基であり、ただし、１分子中少なくとも２個以上のアルケニル基を有し、０≦ａ＜０．５、０＜ｂ＜０．７、０＜ｃ≦０．８５、０＜ｄ＜０．３であり、ただし、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１．０である）
で示される網目鎖状オルガノポリシロキサン、
（Ｂ）１分子中に少なくとも２個以上のケイ素原子に結合した水素原子を有するオルガノハイドロジェンポリシロキサン、及び
（Ｃ）付加反応触媒
を含み、蛍光体を含まない付加硬化性オルガノポリシロキサン組成物のフィルム状成形物であって、該組成物の（Ａ）成分のオルガノポリシロキサンにおいて、Ｒ１２ＳｉＯ２／２で示されるシロキサン単位（Ｄ単位）の３０〜９９モル％が５〜５０個の連続したシロキサン単位であることを特徴とする［６］記載の光半導体装置の封止方法。
［８］
前記シリコーン樹脂フィルムが、前記シリコーン樹脂保護フィルムを前記光半導体素子に接する面とは反対側に貼り合わせたものであることを特徴とする、［６］または［７］記載の光半導体装置の封止方法。
［９］
前記シリコーン樹脂フィルムの厚さを、前記光半導体装置の前記基板面からボンディングワイヤの最高点までの高さに対して、１０〜５００μｍの範囲の値だけ厚くなるように調整して用いることを特徴とする［１］〜［８］のいずれかに記載の光半導体装置の封止方法。
［１０］
［１］〜［９］のいずれかに記載の光半導体装置の封止方法によって製造された光半導体装置。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の光半導体装置の封止方法によれば、封止時にボンディングワイヤの変形、断線などの異常を起こさず、シリコーン樹脂によって容易に封止することができるため、封止した光半導体装置の歩留まりが向上し、大量に安定した品質の光半導体装置を製造することができる。また、封止に用いるシリコーン樹脂フィルムは、２３℃（室温）において固体状または半固体状であり、未硬化のＡステージ状態であるためハンドリング性や保存安定性が良好であり、取扱いが容易である。さらに、本発明の封止方法で製造した光半導体装置は、封止材に配合された蛍光体及びまたは無機顔料の分散性が非常に良好であり、色ずれや色むらなどの色調に関するトラブルがなく、高品質で安定した光半導体装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】ＣＯＢ基板（チップ搭載基板）の上面図である。
【図２】ＣＯＢ基板の態様１の断面図である。
【図３】ＣＯＢ基板の態様２の断面図である。
【図４】パッケージの態様１の断面図である。
【図５】パッケージの態様２の断面図である。
【図６】シリコーン樹脂フィルムの厚さを調整するための計算方法を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明を詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
本発明は、ワイヤボンディングによって電気的に接続された光半導体素子が基板上に載置された光半導体装置の封止方法であって、以下の３つの工程を含むことを特徴とするものである。
【００１２】
（１）樹脂フィルム載置工程（ｉ）
本工程は、光半導体素子とボンディングワイヤが載置された基板上に、封止材料であるシリコーン樹脂フィルムを載置する工程である。
［樹脂フィルムの成分］
該シリコーン樹脂フィルムは、下記（Ａ）〜（Ｄ）成分、
（Ａ）１分子中に少なくとも２個以上のケイ素原子に結合したアルケニル基を有する下記式（１）；
【化３】
2016046491.tif 000004
（式中、Ｒ１は炭素数６〜１２の１価芳香族炭化水素基、炭素数１〜１２の１価脂肪族炭化水素基、炭素数２〜１０のアルケニル基から選ばれる基であり、ただし、１分子中少なくとも２個以上のアルケニル基を有し、０≦ａ＜０．５、０＜ｂ＜０．７、０＜ｃ≦０．８５、０＜ｄ＜０．３であり、ただし、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１．０である）
で示される網目鎖状オルガノポリシロキサンであって、Ｒ１２ＳｉＯ２／２で示されるシロキサン単位（Ｄ単位）の３０〜９９モル％が５〜５０個の連続したシロキサン単位であるアルケニル基含有網目鎖状オルガノポリシロキサン、
（Ｂ）１分子中に少なくとも２個以上のケイ素原子に結合した水素原子を有するオルガノハイドロジェンポリシロキサン、
（Ｃ）付加反応触媒、及び
（Ｄ）蛍光体及び無機顔料から選ばれる少なくとも１種
を含む付加硬化性オルガノポリシロキサン組成物のフィルム状成形物であることが好ましい。以下、（Ａ）〜（Ｄ）成分について詳述する。
【００１３】
［（Ａ）アルケニル基含有網目鎖状オルガノポリシロキサン］
（Ａ）成分は、１分子中に少なくとも２個以上のケイ素原子に結合したアルケニル基を有するオルガノポリシロキサンである。本発明のシリコーン樹脂フィルムの主成分となるものであり、上記式（１）で示されるオルガノポリシロキサンである。
【００１４】
上記式（１）中、Ｒ１は、それぞれ独立して、炭素数６〜１２の１価芳香族炭化水素基、炭素数１〜１２の１価脂肪族炭化水素基、炭素数２〜１０のアルケニル基から選ばれる基である。ただし、（Ａ）成分は、１分子中少なくとも２個以上のアルケニル基を有する。炭素数６〜１２の１価芳香族炭化水素基の具体例としてはフェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基等のアリール基；ベンジル基、フェニルエチル基、フェニルプロピル基等のアラルキル基などが挙げられる。中でも、フェニル基、ベンジル基などが好ましく、特にフェニル基が好ましい。炭素数１〜１２の１価脂肪族炭化水素基の具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、ノニル基、デシル基等の鎖状脂肪族炭化水素基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロオクチル基等の環状脂肪族炭化水素基が挙げられ、中でも、メチル基、エチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などが好ましく、メチル基、シクロヘキシル基が特に好ましい。また、これらの炭化水素基の水素原子の一部又は全部をフッ素、臭素、塩素等のハロゲン原子、またはシアノ基等で置換したものを用いてもよく、例えばクロロメチル基、クロロプロピル基、ブロモエチル基、トリフロロプロピル基等のハロゲン置換アルキル基、及びシアノエチル基が挙げられる。炭素数２〜１０のアルケニル基の具体例としては、ビニル基、アリル基、３−ブテニル基、４−ペンテニル基などが挙げられる。中でも、ビニル基、アリル基などが好ましく、ビニル基が特に好ましい。
【００１５】
なお、上記式（１）中、Ｒ１の少なくとも１個が炭素数６〜１２の１価芳香族炭化水素基であることが好ましく、特に式（１）中の全Ｒ１基のモル数に対する炭素数６〜１２の１価芳香族炭化水素基の割合が、２０〜５０モルであることが好ましく、更には３０〜５０モルが該１価芳香族炭化水素基であることが好ましい。１価芳香族炭化水素基がこの範囲内にあると、得られるシリコーン樹脂組成物が２３℃でも固体または半固体状態となるため、好ましい。
【００１６】
また、上記式（１）において、ａは通常０≦ａ＜０．５、好ましくは０≦ａ＜０．３０、より好ましくは０≦ａ＜０．１５の数であり、ｂは０＜ｂ＜０．７、好ましくは０．１０＜ｂ＜０．７０、より好ましくは０．１５＜ｂ＜０．６５の数であり、ｃは０＜ｃ≦０．８５、好ましくは０．１０＜ｃ≦０．８５、より好ましくは０．２０＜ｃ≦０．８５、さらには０．３０＜ｃ≦０．８５の数であり、ｄは０＜ｄ＜０．３であり、好ましくは０．００１＜ｄ＜０．２、より好ましくは０．００１＜ｄ＜０．１５の数である。ただし、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１．０である。
【００１７】
なお、（Ａ）成分のオルガノポリシロキサンにおいて、Ｒ１２ＳｉＯ２／２で示されるシロキサン単位（Ｄ単位）の３０モル％以上９９モル％以下、好ましくは５０モル％以上９９モル％以下が連続しており、その連続したシロキサン単位の数が５〜５０個、好ましくは５〜４０個、更に好ましくは８〜４０個であれば、フィルムを貼り合わせる際に適度な温度で溶融するため好ましい。
【００１８】
さらに、上記式（１）で示されるアルケニル基含有網目鎖状オルガノポリシロキサンは、分子中に水酸基及び／またはアルコキシ基を含んでいてもよい。具体的には、水酸基及び／または炭素数１から６のアルコキシ基を上記オルガノポリシロキサンの全Ｒ１基中の５モル％以下の範囲内で含んでいてもよい。炭素数１から６のアルコキシ基の具体例としては、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、イソブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ネオペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基などが挙げられ、特にメトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基が挙げられる。
【００１９】
該オルガノポリシロキサンは、重量平均分子量が２，０００〜１００，０００であることが好ましく、特に５，０００〜８０，０００であることが好ましい。なお、本発明中で言及する重量平均分子量とは、下記条件で測定したゲルパーミエーションクロマトグラフィ（ＧＰＣ）によるポリスチレンを標準物質とした重量平均分子量を指す。
[測定条件]
展開溶媒：テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）
流量：０．６ｍＬ/ｍｉｎ
検出器：示差屈折率検出器（ＲＩ）
カラム：ＴＳＫ  Ｇｕａｒｄｃｏｌｏｍｎ  ＳｕｐｅｒＨ−Ｌ
ＴＳＫｇｅｌ  ＳｕｐｅｒＨ４０００（６．０ｍｍＩ．Ｄ．×１５ｃｍ×１）
ＴＳＫｇｅｌ  ＳｕｐｅｒＨ３０００（６．０ｍｍＩ．Ｄ．×１５ｃｍ×１）
ＴＳＫｇｅｌ  ＳｕｐｅｒＨ２０００（６．０ｍｍＩ．Ｄ．×１５ｃｍ×２）
（いずれも東ソー社製）
カラム温度：４０℃
試料注入量：２０μＬ（濃度０．５重量％のＴＨＦ溶液）
【００２０】
上記網目鎖状オルガノポリシロキサンは、上記式（１）中の各シロキサン単位に加えて、さらに、その他の二官能性シロキサン単位や三官能性シロキサン単位（すなわち、オルガノシルセスキオキサン単位）を含有してもよい。
【００２１】
上記式（１）のレジン構造のオルガノポリシロキサンは、上記ＳｉＯ４/２単位（Ｑ単位）、Ｒ１ＳｉＯ３／２単位（Ｔ単位）、Ｒ１２ＳｉＯ２／２単位（Ｄ単位）及びＲ１３ＳｉＯ１／２単位（Ｍ単位）の各単位源となる化合物を上記モル比となるように組み合わせ、例えば、酸の存在下で共加水分解反応を行なうことによって容易に合成することができる。
【００２２】
Ｑ単位源として、例えば、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシランなどを用いることが出来る。
【００２３】
Ｔ単位源として、例えば、フェニルトリクロロシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、シクロヘキシルトリメトキシシランなどを用いることができる。
【００２４】
Ｄ単位源として、例えば、ジメチルジクロロシラン、メチルビニルジクロロシラン、メチルシクロヘキシルジメトキシシラン、メチルビニルジメトキシシラン、ジシクロヘキシルジメトキシシラン、オクタメチルシクロテトラシロキサン、１，３，５，７−テトラメチル１，３，５，７−テトラビニルシクロテトラシロキサン、１，３，５，７−テトラメチル１，３，５，７−テトラアリルシクロテトラシロキサンを用いることができる。
【００２５】
さらにＤ単位の原料として、下記のシロキサン化合物を例示することができる。
【化４】
2016046491.tif 000005
【００２６】
【化５】
2016046491.tif 000006
【００２７】
【化６】
2016046491.tif 000007
（ここで、ｐ’、ｑ’及びｒ’は０〜５０の数（平均値）であり、（ｐ’又はｑ’）＋ｒ’＝５〜５０を満たす数（平均値）である。
【００２８】
Ｍ単位源としては、例えば、下記の化合物を用いることができる。
【化７】
2016046491.tif 000008
【００２９】
［（Ｂ）オルガノハイドロジェンポリシロキサン］
（Ｂ）成分は、１分子中に少なくとも２個以上のケイ素原子に結合した水素原子を有するオルガノハイドロジェンポリシロキサンである。オルガノハイドロジェンポリシロキサンは架橋剤として作用するものであり、該成分中のケイ素原子に結合した水素原子（以下、ＳｉＨ基）と成分（Ａ）中のアルケニル基とが付加反応することにより硬化物を形成する。かかるオルガノハイドロジェンポリシロキサンは、１分子中に少なくとも２個のケイ素原子に結合した水素を有するオルガノハイドロジェンポリシロキサンであればいずれのものでもよく、１分子中にＳｉＨ基を少なくとも２個、好ましくは３個以上有するものが好適に用いられる。
【００３０】
好ましくは（Ｂ）成分は下記の式（２）で表されものである。
【化８】
2016046491.tif 000009
上記式（２）において、Ｒ２は、炭素数１〜１０、好ましくは炭素数１〜７の置換されていいてもよい一価炭化水素基であるのがよい。このようなＲ２としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、ノニル基、デシル基等のアルキル基；クロロメチル基、クロロプロピル基、ブロモエチル基、トリフロロプロピル基等のハロゲン置換アルキル基、及びシアノエチル基等のシアノ置換アルキル基が挙げられる。中でもメチル基が好ましい。
【００３１】
上記式（２）において、Ｒ３はアリール基であり、炭素数６〜１０であることが好ましく、フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基が挙げられる。中でもフェニル基が好ましい。また、ｅは０．６〜１．５、ｆは０〜０．８５、ｇは０．４〜１．０の数であり、但しｅ＋ｆ＋ｇ＝１．０〜２．５を満たす数である。分子中ヒドロシリル基の位置は特に制限されず、分子鎖の末端であっても途中であってもよい。
【００３２】
このようなオルガノハイドロジェンポリシロキサンとしては、トリス（ジメチルハイドロジェンシロキシ）メチルシラン、トリス（ジメチルハイドロジェンシロキシ）フェニルシラン、１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン、１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサン、両末端トリメチルシロキシ基封鎖メチルハイドロジェンポリシロキサン、両末端トリメチルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルハイドロジェンシロキサン共重合体、両末端ジメチルハイドロジェンシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルハイドロジェンシロキサン共重合体、両末端トリメチルシロキシ基封鎖メチルハイドロジェンシロキサン・ジフェニルシロキサン共重合体、両末端トリメチルシロキシ基封鎖メチルハイドロジェンシロキサン・ジフェニルシロキサン・ジメチルシロキサン共重合体、（ＣＨ３）２ＨＳｉＯ１／２単位とＳｉＯ４／２単位とから成る共重合体、（ＣＨ３）２ＨＳｉＯ１／２単位とＳｉＯ４／２単位と（Ｃ６Ｈ５）ＳｉＯ３／２単位とから成る共重合体等が挙げられる。
【００３３】
（Ｂ）成分の使用量は、（Ａ）成分のアルケニル基含有網目鎖状オルガノポリシロキサン中のアルケニル基１モル当たり、（Ｂ）成分のオルガノハイドロジェンポリシロキサン中のケイ素原子に結合した水素原子（即ち、ＳｉＨ基）が、通常０．５〜８モルとなるような量、好ましくは０．７〜５モルとなるような量である。
【００３４】
［（Ｃ）付加反応触媒］
（Ｃ）成分は（Ａ）成分と（Ｂ）成分の付加反応を促進するために配合する。付加反応触媒は、白金系、パラジウム系、及びロジウム系が使用できるが、コスト等の見地から白金族金属系触媒であることがよい。白金族金属系触媒としては、例えば、Ｈ２ＰｔＣｌ６・ｍＨ２Ｏ、Ｋ２ＰｔＣｌ６、ＫＨＰｔＣｌ６・ｍＨ２Ｏ、Ｋ２ＰｔＣｌ４、Ｋ２ＰｔＣｌ４・ｍＨ２Ｏ、ＰｔＯ２・ｍＨ２Ｏ（ｍは、正の整数）が挙げられる。また、前記白金族金属系触媒とオレフィン等の炭化水素、アルコールまたはビニル基含有オルガノポリシロキサンとの錯体等を用いることができる。上記触媒は単独でも、２種以上の組み合わせであってもよい。
【００３５】
触媒はいわゆる触媒量で配合すればよい。白金族金属系触媒を使用する場合は、前記（Ａ）及び（Ｂ）成分の合計量１００質量部に対し、白金族金属換算（質量）で好ましくは０．０００１〜０．２質量部、より好ましくは０．０００１〜０．０５質量部となる量で使用するのがよい。
【００３６】
［（Ｄ）蛍光体・無機顔料］
本発明に係る蛍光体粉末としては、例えば、窒化物系半導体を発光層とする半導体発光ダイオードからの光を吸収し、異なる波長の光に波長変換するものが挙げられる。例えば、Ｅｕ、Ｃｅ等のランタノイド系元素で主に賦活される窒化物系蛍光体・酸窒化物系蛍光体、Ｅｕ等のランタノイド系、Ｍｎ等の遷移金属系の元素により主に賦活されるアルカリ土類金属ハロゲンアパタイト蛍光体、アルカリ土類金属ホウ酸ハロゲン蛍光体、アルカリ土類金属アルミン酸塩蛍光体、アルカリ土類金属ケイ酸塩蛍光体、アルカリ土類金属硫化物蛍光体、アルカリ土類金属チオガレート蛍光体、アルカリ土類金属窒化ケイ素蛍光体、ゲルマン酸塩蛍光体、Ｃｅ等のランタノイド系元素で主に賦活される希土類アルミン酸塩蛍光体、希土類ケイ酸塩蛍光体又はＥｕ等のランタノイド系元素で主に賦活される有機及び有機錯体蛍光体、Ｃａ−Ａｌ−Ｓｉ−Ｏ−Ｎ系オキシ窒化物ガラス蛍光体等から選ばれる少なくともいずれか１種以上であることが好ましい。具体例として、下記の蛍光体を使用することができるが、これに限定されない。
【００３７】
Ｅｕ、Ｃｅ等のランタノイド系元素で主に賦活される窒化物系蛍光体は、Ｍ２Ｓｉ５Ｎ８：Ｅｕ（Ｍは、Ｓｒ、Ｃａ、Ｂａ、Ｍｇ、Ｚｎから選ばれる少なくとも１種である。）などがある。また、Ｍ２Ｓｉ５Ｎ８：ＥｕのほかＭＳｉ７Ｎ１０：Ｅｕ、Ｍ１．８Ｓｉ５Ｏ０．２Ｎ８：Ｅｕ、Ｍ０．９Ｓｉ７Ｏ０．１Ｎ１０：Ｅｕ（Ｍは、Ｓｒ、Ｃａ、Ｂａ、Ｍｇ、Ｚｎから選ばれる少なくとも１種である。）などもある。
【００３８】
Ｅｕ、Ｃｅ等のランタノイド系元素で主に賦活される酸窒化物系蛍光体は、ＭＳｉ２Ｏ２Ｎ２：Ｅｕ（Ｍは、Ｓｒ、Ｃａ、Ｂａ、Ｍｇ、Ｚｎから選ばれる少なくとも１種である。）などがある。
【００３９】
Ｅｕ等のランタノイド系、Ｍｎ等の遷移金属系の元素により主に賦活されるアルカリ土類金属ハロゲンアパタイト蛍光体には、Ｍ５（ＰＯ４）３Ｘ：Ｒ（Ｍは、Ｓｒ、Ｃａ、Ｂａ、Ｍｇ、Ｚｎから選ばれる少なくとも１種である。Ｘは、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉから選ばれる少なくとも１種である。Ｒは、Ｅｕ、Ｍｎ、ＥｕとＭｎ、のいずれか１種以上である。）などがある。
【００４０】
アルカリ土類金属ホウ酸ハロゲン蛍光体には、Ｍ２Ｂ５Ｏ９Ｘ：Ｒ（Ｍは、Ｓｒ、Ｃａ、Ｂａ、Ｍｇ、Ｚｎから選ばれる少なくとも１種である。Ｘは、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉから選ばれる少なくとも１種である。Ｒは、Ｅｕ、Ｍｎ、ＥｕとＭｎ、のいずれか１以上である。）などがある。
【００４１】
アルカリ土類金属アルミン酸塩蛍光体には、ＳｒＡｌ２Ｏ４：Ｒ、Ｓｒ４Ａｌ１４Ｏ２５：Ｒ、ＣａＡｌ２Ｏ４：Ｒ、ＢａＭｇ２Ａｌ１６Ｏ２７：Ｒ、ＢａＭｇ２Ａｌ１６Ｏ１２：Ｒ、ＢａＭｇＡｌ１０Ｏ１７：Ｒ（Ｒは、Ｅｕ、Ｍｎ、ＥｕとＭｎ、のいずれか１種以上である。）などがある。
【００４２】
アルカリ土類金属硫化物蛍光体には、Ｌａ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ、Ｙ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ、Ｇｄ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕなどがある。Ｃｅ等のランタノイド系元素で主に賦活される希土類アルミン酸塩蛍光体には、Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ、（Ｙ０．８Ｇｄ０．２）３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ、Ｙ３（Ａｌ０．８Ｇａ０．２）５Ｏ１２：Ｃｅ、（Ｙ，Ｇｄ）３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２の組成式で表されるＹＡＧ系蛍光体などがある。また、Ｙの一部若しくは全部をＴｂ、Ｌｕ等で置換したＴｂ３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ、Ｌｕ３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅなどもある。
【００４３】
その他の蛍光体には、ＺｎＳ：Ｅｕ、Ｚｎ２ＧｅＯ４：Ｍｎ、ＭＧａ２Ｓ４：Ｅｕ（Ｍは、Ｓｒ、Ｃａ、Ｂａ、Ｍｇ、Ｚｎから選ばれる少なくとも１種である。）などがある。
上述の蛍光体は、所望に応じてＥｕに代えて、又は、Ｅｕに加えてＴｂ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｎｄ、Ｄｙ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｔｉから選択される１種以上を含有させることもできる。
【００４４】
Ｃａ−Ａｌ−Ｓｉ−Ｏ−Ｎ系オキシ窒化物ガラス蛍光体とは、モル％表示で、ＣａＣＯ３をＣａＯに換算して２０〜５０モル％、Ａｌ２Ｏ３を０〜３０モル％、ＳｉＯを２５〜６０モル％、ＡｌＮを５〜５０モル％、希土類酸化物または遷移金属酸化物を０．１〜２０モル％とし、５成分の合計が１００モル％となるオキシ窒化物ガラスを母体材料とした蛍光体である。尚、オキシ窒化物ガラスを母体材料とした蛍光体では、窒素含有量が１５ｗｔ％以下であることが好ましく、希土類酸化物イオンの他に増感剤となる他の希土類元素イオンを希土類酸化物として蛍光ガラス中に０．１〜１０モル％の範囲の含有量で共賦活剤として含むことが好ましい。
【００４５】
シリケート系蛍光体としては、（ＢａＳｒＭｇ）３Ｓｉ２Ｏ７：Ｐｂ、（ＢａＭｇＳｒＺｎＣａ）３Ｓｉ２Ｏ７：Ｐｂ、Ｚｎ２ＳｉＯ４：Ｍｎ、（ＢａＭｇ）Ｓｉ２Ｏ５：Ｅｕ、Ｙ２ＳｉＯ５：Ｃｅ，Ｔｂ，（ＢａＳｒＣａ）２ＳｉＯ４：Ｅｕ、ＢａＳｉ２Ｏ５：Ｐｂなどが挙げられる。
【００４６】
また、上記蛍光体粉末以外の蛍光体であって、同様の性能、効果を有する蛍光体も使用することができる。
【００４７】
上記蛍光体粉末の形状は、特に限定されるものではなく、具体的には球形、非球形などが挙げられる。その粒径の平均粒径は０．０１〜２００μｍが好ましく、より好ましくは０．０１μｍ〜１００μｍが好ましい。蛍光体量としては、（Ａ）〜（Ｃ）成分の合計１００質量部に対し、２０〜６００質量部、好ましくは５０〜６００質量部、更に好ましくは５０〜５００質量部である。蛍光体量が２０質量部より少ないと、波長変換後の狙いの色温度が出ず、蛍光体フィルムとしての役割を果たさない。また、蛍光体量が６００質量部より多いと、波長変換フィルムとした際にフィルム単体が脆弱になるため波長変換フィルムとしての機能を果たさない。なお、平均粒径は、レーザー光回折法による粒度分布測定における質量平均値Ｄ５０（またはメジアン径）として求めることができる。
【００４８】
無機顔料としては、アルミナ；酸化イットリウムを代表とする希土類酸化物；酸化チタン、酸化亜鉛、硫酸亜鉛、鉛白、酸化マグネシウム、硫酸バリウム、リトポンおよびバライト粉などの白色顔料；鉛丹、酸化鉄赤などの赤色顔料；黄鉛、亜鉛黄などの黄色顔料；ウルトラマリン青、フェロシアン化鉄カリなどの青色顔料；カーボンブラックなどの黒色顔料などがあげられるが、光半導体用途では白色度をより高めるために白色顔料が好ましく、更に好ましくは酸化チタンを用いることが好ましい。この酸化チタンの単位格子はルチル型、アナタース型、ブルカイト型のいずれの単位格子でもよいが、熱安定性の面から見れば、ルチル型がより好ましい。また、平均粒径や形状も限定されないが、平均粒径は、一般的には０．０５〜５．０μｍである。上記酸化チタンは、樹脂や無機充填剤との相溶性、分散性を高めるために、ＡｌやＳｉなどの含水酸化物等で予め表面処理することができる。なお、平均粒径は、レーザー光回折法による粒度分布測定における質量平均値Ｄ５０（またはメジアン径）として求めることができる。
【００４９】
白色顔料の場合、その配合量としては、（Ａ）〜（Ｃ）成分の合計１００質量部に対し、３〜２００質量部、望ましくは５〜１５０質量部が望ましい。３質量部以上であれば、十分な白色度を得ることができるため反射率が高くなり、光取出し効率も高くなる。また、２００質量部以下であれば、機械的強度向上の目的で添加する他成分の割合が必要十分量配合することができるだけでなく、成形性を損なうこともないため好ましい。
【００５０】
蛍光体と無機顔料は、少なくともどちらか一方を上記付加硬化性オルガノポリシロキサン組成物に配合する。また、蛍光体と無機顔料はそれぞれ１種であっても２種以上を混合して使用してもよい。
【００５１】
蛍光体と無機顔料を両方配合する場合は、それぞれの比率は使用目的に応じて任意であってよいが、蛍光体と無機顔料の配合量の合計は、（Ａ）〜（Ｃ）成分の合計１００質量部に対し、１０〜６００質量部の範囲内であれば、成形性を損なうことがないため好ましい。
【００５２】
［（Ｅ）その他成分］
本願の付加硬化性オルガノポリシロキサン組成物は、上記（Ａ）〜（Ｄ）成分以外に、（Ａ）〜（Ｄ）成分の合計１００質量部に対し、０〜１０質量部の範囲で、反応抑制剤、接着助剤等を含んでもよい。
【００５３】
［付加硬化性オルガノポリシロキサン組成物］
本発明の付加硬化性オルガノポリシロキサン組成物は、２３℃で固体状または半固体状であることが望ましい。固体または半固体状態であることで、蛍光体や無機顔料の分散性も良好となる。さらに蛍光体や無機顔料が経時で沈降することがないため、パッケージ製造において沈降度合いが異なることによる色バラツキがほとんど出ないため、非常に好適に用いられる。
【００５４】
ここで、「半固体状」とは可塑性を有し、特定の形状に成形されたときに少なくとも１時間、好ましくは８時間以上その形状を保持し得る物質の状態をいう。したがって、例えば、常温で非常に高い粘度を有する流動性物質が本質的には流動性を有するものの、非常に高い粘度のために少なくとも１時間という短時間では付与された形状に変化（即ち、くずれ）を肉眼では認めることができない時、その物質は半固体の状態にある。
【００５５】
［シリコーン樹脂フィルムの製造］
本発明で用いるシリコーン樹脂フィルムは、上記付加硬化性オルガノポリシロキサン組成物をフィルム状に加工することによって製造する。シリコーン樹脂フィルムを作製する手段として、例えばフィルムコータ、熱プレス機等を挙げることができる。これらの手段を用いてシリコーン樹脂フィルムを作製するには、例えば金属を、上述の付加硬化性オルガノポリシロキサン組成物との間に挟み、さらに片面に加圧用支持フィルムともう片面に剥離フィルムを配置し、熱プレス機を用いて通常６０〜１５０℃、好ましくは８０〜１２０℃の温度で、０．１〜２０ＭＰａ、好ましくは０．３〜１５ＭＰａの圧力下で、１〜６０分間、好ましくは１〜２０分間圧縮成形を行う。
【００５６】
前記加圧用支持フィルムとしては、材質はＰＥＴフィルム、フッ素系樹脂フィルム、ポリエチレン（ＰＥ）フィルム、ポリプロピレン（ＰＰ）フィルムなどが挙げられる。前記剥離フィルムとしては、それぞれフッ素系樹脂コート又はシリコーン樹脂コートした、ＰＥＴフィルム、ＰＥフィルム若しくはＰＰフィルムや、フッ素系樹脂フィルムなどが挙げられる。前記加圧用支持フィルム及び剥離フィルムとして、同じ種類の材質のフィルムを用いても、異なったものを用いてもよい。
【００５７】
また、フィルムコータを用いる場合は、無溶剤の状態でシート状等に成形してもよいが、該組成物を有機溶媒に溶解してワニスとしてもよい。ワニス状態の組成物をフィルムコータで６０〜１５０℃の温度で１分間〜２０分間加熱してシート状に加工する。
【００５８】
前記有機溶媒としては、特に限定されないが、例えば、ベンゼン、トルエン、キシレン等の炭化水素系溶媒；テトラヒドロフラン、１,４−ジオキサン、ジエチルエーテル等のエーテル系溶媒；メチルエチルケトン等のケトン系溶媒；クロロホルム、塩化メチレン、１,２−ジクロロエタン等のハロゲン系溶媒；メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、イソブチルアルコール等のアルコール系溶媒；オクタメチルシクロテトラシロキサン、ヘキサメチルジシロキサン等が挙げられ、更にセロソルブアセテート、シクロヘキサノン、ブチロセロソルブ、メチルカルビトール、カルビトール、ブチルカルビトール、ジエチルカルビトール、シクロヘキサノール、ジグライム、トリグライムなどの溶剤である。これらの有機溶媒は、１種単独で用いても２種以上を併用してもよい。
【００５９】
［シリコーン樹脂フィルム］
上記製造方法で製造されたシリコーン樹脂フィルムの厚さは、該光半導体装置の基板面からボンディングワイヤの最高点までの高さに対して、１０〜５００μｍだけ厚いことが望ましく、さらに望ましくは２０〜３００μｍだけ厚い。
【００６０】
該フィルムの厚さが下限値以上であれば、次工程であるフィルムを光半導体素子に密着させる工程において、フィルムが軟化しても加圧部材からの圧力がワイヤに掛かることがないため、ワイヤ変形を防ぐことができる。また、フィルムの厚さが上限値以下であれば、蛍光体及び／または無機顔料を有するフィルムが厚さ方向において均一に加熱されるため、蛍光体分散性の不均衡を招くことがない。
【００６１】
［シリコーン樹脂保護フィルム付きシリコーン樹脂フィルム］
本発明のシリコーン樹脂フィルムは、該フィルムの少なくとも片側に厚さ１〜１０００μｍ、好ましくは１０〜１００μｍのシリコーン樹脂保護フィルムを貼り合せ、シリコーン樹脂フィルムとして用いてもよい。
【００６２】
該シリコーン樹脂保護フィルムは、蛍光体及び／または無機顔料を含むシリコーン樹脂フィルムの片側もしくは両側に貼り合せてもよく、互いに積層してもよいが、蛍光体及び／または無機顔料を含むシリコーン樹脂フィルムに対して、該シリコーン樹脂保護フィルムを光半導体素子に接する面とは反対側に貼り合わせることが好ましい。
【００６３】
上記シリコーン樹脂保護フィルムは、上記付加硬化性オルガノポリシロキサン組成物中の（Ａ）〜（Ｃ）成分をそのまま用いてシリコーン樹脂シートと同様の製造方法で製造することができ、特に、上記付加硬化性オルガノポリシロキサン組成物中の（Ａ）〜（Ｃ）成分と（Ｄ）成分（蛍光体及び／または無機顔料）とを含む、シリコーン樹脂フィルムで用いた成分と同一成分の組成物からなることがもっとも望ましい。これらが同一成分の組成物でない場合には、望ましくはそれぞれの樹脂組成物の軟化点の差が１０℃以内にあることが好ましく、５℃以内であることがより好ましい。ただし、軟化点が大きくずれていてもＬＥＤデバイスの構造によっては問題とならない場合もある。
【００６４】
ここで、「軟化点」とは、樹脂が軟化する温度であり各種方法があるが、本発明においてはＳＩＩ社製のＳＳ６１００のような装置を用い、サーモメカニカルアナリシス（ＴＭＡ）でペネトレーション法（針が樹脂に埋まっていく過程を測定し、試料の変形から軟化温度を測定する方法）により測定される軟化点を意味する。これらのシリコーン樹脂組成物の軟化点は通常３０〜１５０℃、好ましくは３０〜１２０℃、更に好ましくは３５〜１００℃の範囲である。
【００６５】
また、シリコーン樹脂保護フィルムに用いるシリコーン樹脂組成物には、上記（Ａ）〜（Ｃ）成分の他に、無機顔料を添加してもよい。無機顔料としては、上記シリコーン樹脂フィルムで用いた付加硬化性オルガノポリシロキサン組成物の（Ｄ）成分で例示した無機顔料を用いることができ、特には白色顔料が好ましい。
【００６６】
シリコーン樹脂保護フィルムに添加する無機顔料の配合量は、光反射率が透明樹脂より高くなることが望ましく、具体的には、（Ａ）〜（Ｃ）成分の合計１００質量部に対して、１０〜６００質量部、好ましくは２０〜５５０質量部である。蛍光体を含んだシリコーン樹脂フィルムに白色顔料を添加したシリコーン樹脂保護フィルムを貼り合せると、光が散乱することで見た目に柔らか味を与え、ＬＥＤデバイスの視認性が向上するので好ましい。
【００６７】
上記シリコーン樹脂フィルムにおいて、蛍光体及び／または無機顔料を含むシリコーン樹脂フィルムとシリコーン保護フィルムを貼り合せて使用する場合は、それぞれ個別に成型加工した後、これら２種類のシリコーン樹脂フィルムを熱ラミネータや熱プレスで貼り合わせることで製造してもよい。
【００６８】
［シリコーン樹脂フィルムの載置］
成分（Ａ）〜（Ｄ）を用いた付加硬化性オルガノポリシロキサン組成物を加工して製造されるシリコーン樹脂フィルムを、所定の長さ及び幅に切断し、基板上に実装されたチップ及びボンディングワイヤ上に載置する。シリコーン樹脂フィルムの片側にシリコーン樹脂保護シートが設けられている場合は、当該保護シート面の反対側をチップ側にして載置を行うのが好ましい。
【００６９】
（２）樹脂フィルム密着工程（ii）
本工程は、光半導体素子上に載置されたシリコーン樹脂フィルムを加熱して軟化させながら、エラストマー製加圧部材を介して加圧し、光半導体素子に密着させる工程である。
【００７０】
［密着工程の条件］
ここで、上記シリコーン樹脂フィルムの加熱温度は、該フィルムを構成するシリコーン樹脂組成物の軟化点以上硬化温度以下であることが望ましく、軟化点より１〜８０℃だけ高い温度であることが好ましく、５〜５０℃だけ高い温度であることがさらに好ましい。
【００７１】
フィルムを軟化させて加圧する際は、装置の加圧条件を０．０５〜１．００ＭＰａ、好ましくは０．０５〜０．５０ＭＰａ、更に好ましくは０．１０〜０．４０ＭＰａに設定して加圧するのが好ましい。０．０５ＭＰａ以上の圧力で加圧するとボイドの発生を抑えることができ、１．０ＭＰａ以下の圧力で加圧すると、ワイヤつぶれが生じることを防ぐことができる。
【００７２】
［エラストマー製加圧部材］
軟化したシリコーン樹脂フィルムを加圧する際は、特定の硬さを有するエラストマー製加圧部材を介して加圧することが本発明の主な特徴である。これにより、光半導体素子をワイヤボンディングにて接続したような光半導体装置であっても、ワイヤがつぶれることなくシリコーン樹脂で封止することができる。
【００７３】
上記エラストマー製加圧部材の形状としては、シート状、ブロック状、ダイアフラム状など加圧装置の種類、形状によって好適に選ぶことができるが、中でもシート状又はダイアフラム状であることが好ましい。加圧部材の大きさは、封止する光半導体装置を組み込んだ基板と同じ大きさか、それよりも大きければよい。
【００７４】
上記エラストマー製加圧部材の材質としては、シリコーン樹脂フィルムを密着する際の加熱温度以上の耐熱性を有するものが望ましい。当該温度以上の耐熱性を有するものであれば、加圧部材の硬さなど物性が変化しないため、繰り返し製造を行うことができる。具体的にはシリコーンエラストマー、ウレタン樹脂などが挙げられる。
【００７５】
また、上記エラストマー製加圧部材の硬さは、ＪＩＳ Ｋ  ６２５３−３：２０１２記載の方法で測定したタイプＡデュロメータ硬さとして２０〜５０であり、２０〜４０であることが好ましい。この範囲内であれば、軟化したシリコーン樹脂フィルムを光半導体素子に密着させたとしても、基板上に載置されたボンディングワイヤが変形したり、断線したりすることなく、両者を密着させることができる。
【００７６】
［加圧装置］
軟化したシリコーン樹脂フィルムを加圧する装置としては、通常の加圧成型や真空成型に用いる装置を流用することもできるが、ゴム製ダイアフラムを備えた真空ラミネータを用いて行うことが特に好ましい。ここでゴム製ダイアフラムとは、ラミネータ上部に設置されたバルーン状のゴムであり、ゴム内に圧縮空気もしくは空気を送り込むことにより真空時に基材とフィルムを綺麗に押し付けて圧着させることが可能となる部材である。このゴム製ダイアフラムを上記エラストマー製加圧部材として用いてもよいし、別途シリコーン樹脂フィルムとゴム製ダイアフラムとの間に別のエラストマー製加圧部材を入れてもよい。
【００７７】
また、軟化したシリコーン樹脂フィルムが上記エラストマー製加圧部材に付着したり、該フィルムを光半導体素子に密着させたのち、上記エラストマー製加圧部材が容易に剥離しなかったりするのを防ぐために、該シリコーン樹脂フィルムとエラストマー製加圧部材との間に、離型フィルムを挟んでもよい。この離型フィルムとしては、フッ素系樹脂コートしたＰＥＴフィルム、シリコーン樹脂コートしたＰＥＴフィルム、フッ素系樹脂フィルムなどが挙げられる。
【００７８】
（３）シリコーン樹脂フィルムの硬化工程（iii）
本工程は、光半導体素子に密着したシリコーン樹脂フィルムを硬化可能な温度以上に加熱して、該シリコーン樹脂フィルムを硬化させる工程である。加熱温度としては、通常６０〜２５０℃、好ましくは８０〜２００℃、更に好ましくは１００〜１８０℃で硬化させる。６０℃以上であれば、比較的短時間で該フィルムを硬化することができ、２５０℃以下であれば、フィルムを構成するシリコーン樹脂が分解するのを防ぐことができる。
【００７９】
（４）その他の工程
本発明に示す光半導体装置の封止方法は、上記３つの工程を有することが特徴であるが、これ以外にも必要に応じて製造工程を追加することができる。例えば、製造した光半導体装置が複数載置された基板を個片化する工程など、成形物を加工する工程を含んでいてもよい。また、パッケージ外周部に反射材やダム材がなくてもよい。
【実施例】
【００８０】
以下、合成例、調製例、実施例および比較例を示し、本発明を具体的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限されるものではない。
【００８１】
［合成例１］
フェニルトリクロロシラン：１１４２．１ｇ（８７．１ｍｏｌ％）、ＣｌＭｅ２ＳｉＯ（Ｍｅ２ＳｉＯ）３３ＳｉＭｅ２Ｃｌ：５２９ｇ（３．２ｍｏｌ％）及びジメチルビニルクロロシラン：７２．４ｇ（９．７ｍｏｌ％）をトルエンに溶解後、水中に滴下し、共加水分解し、更に水洗、アルカリ洗浄にて中和、脱水後、溶剤をストリップし、フェニル基含有ビニルシリコーンレジンＡ１を得た。ＴＨＦを溶媒として用いたＧＰＣ測定によるポリスチレン換算の重量平均分子量は６３，０００、ビニル当量は０．０３４ｍｏｌ／１００ｇであった。
【００８２】
［合成例２］
フェニルトリクロロシラン：１１４２．１ｇ（８７．１ｍｏｌ％）、ＣｌＭｅ２ＳｉＯ（Ｍｅ２ＳｉＯ）３３ＳｉＭｅ２Ｃｌ：５２９ｇ（３．２ｍｏｌ％）及びメチルジクロロシラン：６９ｇ（９．７ｍｏｌ％）をトルエンに溶解後、水中に滴下し、共加水分解し、更に水洗、アルカリ洗浄にて中和、脱水後、溶剤をストリップし、フェニル基含有ハイドロジェンシリコーンレジンＢ１を得た。ＴＨＦを溶媒として用いたＧＰＣ測定によるポリスチレン換算の重量平均分子量は５８，０００、ＳｉＨ基当量は０．０３４ｍｏｌ／１００ｇであった。
【００８３】
［合成例３］
フェニルトリクロロシラン：１１４２．１ｇ（８４．４ｍｏｌ％）、ＣｌＭｅ２ＳｉＯ（Ｍｅ２ＳｉＯ）１３ＳｉＭｅ２Ｃｌ：４６６．６ｇ（６．３ｍｏｌ％）及びジメチルビニルクロロシラン：７２．４ｇ（９．４ｍｏｌ％）をトルエンに溶解後、水中に滴下し、共加水分解し、更に水洗、アルカリ洗浄にて中和、脱水後、溶剤をストリップし、フェニル基含有ビニルシリコーンレジンＡ２を得た。ＴＨＦを溶媒として用いたＧＰＣ測定によるポリスチレン換算の重量平均分子量は２２，０００、ビニル当量は０．０６７ｍｏｌ／１００ｇであった。
【００８４】
［合成例４］
フェニルトリクロロシラン：１１４２．１ｇ（８４．４ｍｏｌ％）、ＣｌＭｅ２ＳｉＯ（Ｍｅ２ＳｉＯ）１３ＳｉＭｅ２Ｃｌ：４６６．６ｇ（６．３ｍｏｌ％）及びメチルジクロロシラン：６９．０ｇ（９．４ｍｏｌ％）をトルエンに溶解後、水中に滴下し、共加水分解し、更に水洗、アルカリ洗浄にて中和、脱水後、溶剤をストリップし、フェニル基含有ハイドロジェンシリコーンレジンＢ２を得た。ＴＨＦを溶媒として用いたＧＰＣ測定によるポリスチレン換算の重量平均分子量は１１，０００、ＳｉＨ基当量は０．０６７ｍｏｌ／１００ｇであった。
【００８５】
［合成例５］
フェニルトリクロロシラン：１１４２．１ｇ（８７．４ｍｏｌ％）、ＨＯ−（ＰｈＭｅＳｉＯ）３５−Ｈ：８６９．７ｇ（２．９ｍｏｌ％）及びジメチルビニルクロロシラン：７２．３ｇ（９．７ｍｏｌ％）をトルエンに溶解後、水中に滴下し、共加水分解し、更に水洗、アルカリ洗浄にて中和、脱水後、溶剤をストリップし、フェニル基含有ビニルシリコーンレジンＡ３を得た。ＴＨＦを溶媒として用いたＧＰＣ測定によるポリスチレン換算の重量平均分子量は２３，０００、ビニル当量は０．０１５ｍｏｌ／１００ｇであった。
【００８６】
［合成例６］
フェニルトリクロロシラン：１１４２．１ｇ（８７．１ｍｏｌ％）、ＨＯ−（ＰｈＭｅＳｉＯ）３５−Ｈ：８６９．７ｇ（２．９ｍｏｌ％）及びメチルジクロロシラン：６９ｇ（９．７ｍｏｌ％）をトルエンに溶解後、水中に滴下し、共加水分解し、更に水洗、アルカリ洗浄にて中和、脱水後、溶剤をストリップし、フェニル基含有ハイドロジェンシリコーンレジンＢ３を得た。ＴＨＦを溶媒として用いたＧＰＣ測定によるポリスチレン換算の重量平均分子量は８，０００、ＳｉＨ基当量は０．０１５ｍｏｌ／１００ｇであった。
【００８７】
［比較合成例７］
フラスコにキシレン：１０００ｇ及び水５０１４ｇを加え、これに、フェニルトリクロロシラン：２２８５ｇ（１０．８ｍｏｌ）、ビニルジメチルクロロシラン：３２６ｇ（２．７０ｍｏｌ）及びキシレン１４７８ｇの混合物を滴下した。滴下終了後３時間攪拌し、廃酸分離し水洗した。共沸脱水後にＫＯＨ６ｇ（０．１５ｍｏｌ）を加え、１５０℃で終夜加熱還流を行った。トリメチルクロロシラン２７ｇ（０．２５ｍｏｌ）及び酢酸カリウム２４．５ｇ（０．２５ｍｏｌ）で中和し濾過後、溶剤を減圧留去し、平均式（ＰｈＳｉＯ１．５）０．８（Ｍｅ２ＶｉＳｉＯ０．５）０．２で示されるフェニル基含有シリコーンレジン４を合成した。ＴＨＦを溶媒として用いたＧＰＣ測定によるポリスチレン換算の重量平均分子量は１８００、ビニル当量は０．１３１ｍｏｌ／１００ｇであった。
【００８８】
以下に、これらの合成例についてまとめた表１を示す。
【表１】
2016046491.tif 000010
【００８９】
［調製例１］
合成例１で調製したビニルレジンＡ１を１００ｇ、合成例２で調製したハイドロジェンシリコーンレジンＢ１を１００ｇ、塩化白金酸のビニルシリコーン変性溶液（白金濃度１質量％）０．２ｇ、反応抑制剤としてアセチレンアルコール系のエチニルシクロヘキサノール０．６ｇ、接着付与剤として下記構造式（３）の接着付与剤１を６．０ｇ、及びＹＡＧ蛍光体５０ｇを混合して、シリコーン樹脂組成物Ｃ１を調製した。該シリコーン樹脂組成物Ｃ１から、自動塗工装置  ＰＩ−１２１０（テスター産業(株)社製）で縦１５０ｍｍ×横１５０ｍｍ、厚さ０．０２５ｍｍ、０．０５ｍｍおよび０．１ｍｍを有するフィルム成形物Ｆ１を製造した。このフィルムの軟化点は４７℃であった。しかし、０．０１ｍｍのフィルムを作製しようとしたが、フィルム厚さより蛍光体の粒径の方が大きいために作製できなかった。
【化９】
2016046491.tif 000011
Ｒ”は上記の基であり、ｍは１〜５の整数（平均：３）、ｍ’は０〜３の整数（平均：１）である。
【００９０】
［調製例２］
合成例１で調製したビニルレジンＡ１を１００ｇ、合成例２で調製したハイドロジェンシリコーンレジンＢ１を１００ｇ、塩化白金酸のビニルシリコーン変性溶液（白金濃度１質量％）０．２ｇ、反応抑制剤としてアセチレンアルコール系のエチニルシクロヘキサノール０．６ｇ、接着付与剤として上記接着付与剤１を６．０ｇ、及びＹＡＧ蛍光体４５０ｇを混合して、シリコーン樹脂組成物Ｃ２を調製した。該シリコーン樹脂組成物Ｃ２から、自動塗工装置  ＰＩ−１２１０（テスター産業(株)社製）で縦１５０ｍｍ×横１５０ｍｍ、厚さ０．０２５ｍｍ、０．０５ｍｍおよび０．１ｍｍを有するフィルム成形物Ｆ２を製造した。このフィルムの軟化点は５８℃であった。
【００９１】
［調製例３］
合成例１で調製したビニルレジンＡ１を１００ｇ、合成例２で調製したハイドロジェンシリコーンレジンＢ１を１００ｇ、塩化白金酸のビニルシリコーン変性溶液（白金濃度１質量％）０．２ｇ、反応抑制剤としてアセチレンアルコール系のエチニルシクロヘキサノール０．６ｇ、接着付与剤として上記接着付与剤１を６．０ｇ、及び白色顔料としてタイペークＰＦ−６９１（石原産業(株)社製）５０ｇを混合して、シリコーン樹脂組成物Ｃ３を調製した。該シリコーン樹脂組成物Ｃ３から、自動塗工装置  ＰＩ−１２１０（テスター産業(株)社製）で縦１５０ｍｍ×横１５０ｍｍ、厚さ０．０２５ｍｍ、０．０５ｍｍおよび０．１ｍｍを有するフィルム成形物Ｆ３を製造した。このフィルムの軟化点は４６℃であった。
【００９２】
［調製例４］
合成例１で調製したビニルレジンＡ１を１００ｇ、合成例２で調製したハイドロジェンシリコーンレジンＢ１を１００ｇ、塩化白金酸のビニルシリコーン変性溶液（白金濃度１質量％）０．２ｇ、反応抑制剤としてアセチレンアルコール系のエチニルシクロヘキサノール０．６ｇ、接着付与剤として接着付与剤１を６．０ｇ、及び白色顔料としてタイペークＰＦ−６９１（石原産業(株)社製）４５０ｇを混合して、シリコーン樹脂組成物Ｃ４を調製した。該シリコーン樹脂組成物Ｃ４から、自動塗工装置  ＰＩ−１２１０（テスター産業(株)社製）で縦１５０ｍｍ×横１５０ｍｍ、厚さ０．０２５ｍｍ、０．０５ｍｍおよび０．１ｍｍを有するフィルム成形物Ｆ４を製造した。このフィルムの軟化点は６６℃であった。
【００９３】
［調製例５］
合成例１で調製したビニルレジンＡ１を１００ｇ、合成例２で調製したハイドロジェンシリコーンレジンＢ１を１００ｇ、塩化白金酸のビニルシリコーン変性溶液（白金濃度１質量％）０．２ｇ、反応抑制剤としてアセチレンアルコール系のエチニルシクロヘキサノール０．６ｇ、及び接着付与剤として接着付与剤１を６．０ｇ混合して、透明シリコーン樹脂組成物Ｃ５を調製した。該シリコーン樹脂組成物Ｃ５から、自動塗工装置  ＰＩ−１２１０（テスター産業(株)社製）で縦１５０ｍｍ×横１５０ｍｍ、厚さ０．０２５ｍｍ、０．０５ｍｍおよび０．１ｍｍを有するフィルム成形物Ｆ５を製造した。このフィルムの軟化点は４１℃であった。
【００９４】
［調製例６］
調製例１において、ビニルレジンＡ１及びハイドロジェンシリコーンレジンＢ１の代わりに、それぞれ合成例３で調製したビニルレジンＡ２を１００ｇ、合成例４で調製したハイドロジェンシリコーンレジンＢ２を１００ｇ使用して、その他は調整例１と同様の操作を行い、シリコーン樹脂組成物Ｃ６を調製した。該シリコーン樹脂組成物Ｃ６から、縦１５０ｍｍ×横１５０ｍｍ、厚さ０．０２５ｍｍ、０．０５ｍｍおよび０．１ｍｍを有するフィルム成形物Ｆ６を製造した。このフィルムの軟化点は４６℃であった。
【００９５】
［調製例７］
調製例２において、ビニルレジンＡ１及びハイドロジェンシリコーンレジンＢ１の代わりに、それぞれ合成例３で調製したビニルレジンＡ２を１００ｇ、合成例４で調製したハイドロジェンシリコーンレジンＢ２を１００ｇ使用して、その他は調製例２と同様の操作を行い、シリコーン樹脂組成物Ｃ７を調製した。該シリコーン樹脂組成物Ｃ７から、縦１５０ｍｍ×横１５０ｍｍ、厚さ０．０２５ｍｍ、０．０５ｍｍおよび０．１ｍｍを有するフィルム成形物Ｆ７を製造した。このフィルムの軟化点は５４℃であった。
【００９６】
［調製例８］
調製例３において、ビニルレジンＡ１及びハイドロジェンシリコーンレジンＢ１の代わりに、それぞれ合成例３で調製したビニルレジンＡ２を１００ｇ、合成例４で調製したハイドロジェンシリコーンレジンＢ２を１００ｇ使用して、その他は実施例３と同様の操作を行い、シリコーン樹脂組成物Ｃ８を調製した。該シリコーン樹脂組成物Ｃ８から、縦１５０ｍｍ×横１５０ｍｍ、厚さ０．０２５ｍｍ、０．０５ｍｍおよび０．１ｍｍを有するフィルム成形物Ｆ８を製造した。このフィルムの軟化点は４８℃であった。
【００９７】
［調製例９］
調製例４において、ビニルレジンＡ１及びハイドロジェンシリコーンレジンＢ１の代わりに、それぞれ合成例３で調製したビニルレジンＡ２を１００ｇ、合成例４で調製したハイドロジェンシリコーンレジンＢ２を１００ｇ使用し、その他は調製例４と同様の操作を行い、シリコーン樹脂組成物Ｃ９を調製した。該シリコーン樹脂組成物Ｃ９から、縦１５０ｍｍ×横１５０ｍｍ、厚さ０．０２５ｍｍ、０．０５ｍｍおよび０．１ｍｍを有するフィルム成形物Ｆ９を製造した。このフィルムの軟化点は５７℃であった。
【００９８】
［調製例１０］
調製例５において、ビニルレジンＡ１及びハイドロジェンシリコーンレジンＢ１の代わりに、それぞれ合成例３で調製したビニルレジンＡ２を１００ｇ、合成例４で調製したハイドロジェンシリコーンレジンＢ２を１００ｇ使用し、その他は調製例５と同様の操作を行い、シリコーン樹脂組成物Ｃ１０を調製した。該シリコーン樹脂組成物Ｃ１０から、縦１５０ｍｍ×横１５０ｍｍ、厚さ０．０２５ｍｍ、０．０５ｍｍおよび０．１ｍｍを有するフィルム成形物Ｆ１０を製造した。このフィルムの軟化点は３７℃であった。
【００９９】
［調製例１１］
調製例１において、ビニルレジンＡ１及びハイドロジェンシリコーンレジンＢ１の代わりに、それぞれ合成例５で調製したビニルレジンＡ３を１００ｇ、合成例６で調製したハイドロジェンシリコーンレジンＢ３を１００ｇ使用し、その他は調製例１と同様の操作を行い、シリコーン樹脂組成物Ｃ１１を調製した。該シリコーン樹脂組成物Ｃ１１から、縦１５０ｍｍ×横１５０ｍｍ、厚さ０．０２５ｍｍ、０．０５ｍｍおよび０．１ｍｍを有するフィルム成形物Ｆ１１を製造した。このフィルムの軟化点は３５℃であった。
【０１００】
［調製例１２］
調製例２において、ビニルレジンＡ１及びハイドロジェンシリコーンレジンＢ１の代わりに、それぞれ合成例５で調製したビニルレジンＡ３を１００ｇ、合成例６で調製したハイドロジェンシリコーンレジンＢ３を１００ｇ使用し、その他は調製例２と同様の操作を行い、シリコーン樹脂組成物Ｃ１２を調製した。該シリコーン樹脂組成物Ｃ１２から、縦１５０ｍｍ×横１５０ｍｍ、厚さ０．０２５ｍｍ、０．０５ｍｍおよび０．１ｍｍを有するフィルム成形物Ｆ１２を製造した。このフィルムの軟化点は４３℃であった。
【０１０１】
［調製例１３］
調製例３において、ビニルレジンＡ１及びハイドロジェンシリコーンレジンＢ１の代わりに、それぞれ合成例５で調製したビニルレジンＡ３を１００ｇ、合成例６で調製したハイドロジェンシリコーンレジンＢ３を１００ｇ配合し、その他は調製例３と同様の操作を行い、シリコーン樹脂組成物Ｃ１３を調製した。該シリコーン樹脂組成物Ｃ１３から、縦１５０ｍｍ×横１５０ｍｍ、厚さ０．０２５ｍｍ、０．０５ｍｍおよび０．１ｍｍを有するフィルム成形物Ｆ１３を製造した。このフィルムの軟化点は３１℃であった。
【０１０２】
［調製例１４］
調製例４において、ビニルレジンＡ１及びハイドロジェンシリコーンレジンＢ１の代わりに、それぞれ合成例５で調製したビニルレジンＡ３を１００ｇ、合成例６で調製したハイドロジェンシリコーンレジンＢ３を１００ｇ配合し、その他は調製例４と同様の操作を行い、シリコーン樹脂組成物Ｃ１４を調製した。該シリコーン樹脂組成物Ｃ１４から、縦１５０ｍｍ×横１５０ｍｍ、厚さ０．０２５ｍｍ、０．０５ｍｍおよび０．１ｍｍを有するフィルム成形物Ｆ１４を製造した。このフィルムの軟化点は４５℃であった。
【０１０３】
［調製例１５］
調製例５において、ビニルレジンＡ１及びハイドロジェンシリコーンレジンＢ１の代わりに、それぞれ合成例５で調製したビニルレジンＡ３を１００ｇ、合成例６で調製したハイドロジェンシリコーンレジンＢ３を１００ｇ使用し、その他は調製例５と同様の操作を行い、シリコーン樹脂組成物Ｃ１５を調製した。該シリコーン樹脂組成物Ｃ１５から、縦１５０ｍｍ×横１５０ｍｍ、厚さ０．０２５ｍｍ、０．０５ｍｍおよび０．１ｍｍを有するフィルム成形物Ｆ１５を製造した。このフィルムの軟化点は２８℃であった。
【０１０４】
［比較調製例１］
比較合成例７で調製したビニルレジンＡ４を１００ｇと、下記式（４）で示す分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサンＢ４：
水素ガス発生量１７０．２４ｍｌ／ｇ（ＳｉＨ基当量０．７６ｍｏｌ／１００ｇ）
【化１０】
2016046491.tif 000012
を１７．２４ｇ、塩化白金酸のビニルシリコーン変性溶液（白金濃度１質量％）０．２ｇ、反応抑制剤としてアセチレンアルコール系のエチニルシクロヘキサノール０．６ｇ、接着付与剤として接着付与剤１を６．０ｇ、ＹＡＧ蛍光体５０ｇを混合して、シリコーン樹脂組成物Ｃ’１を調製した。該シリコーン樹脂組成物Ｃ’１から、自動塗工装置  ＰＩ−１２１０（テスター産業(株)社製）で縦１５０ｍｍ×横１５０ｍｍ、厚さ０．０２５ｍｍ、０．０５ｍｍおよび０．１ｍｍを有するフィルム成形物Ｆ’１を製造したが、どれもタックのある高粘ちょう体であり、フィルムとしては利用することができなかった。
【０１０５】
以下に、これらの実施例についてまとめた表２を示す。
【表２】
2016046491.tif 000013
【０１０６】
［実施例１〜４９、比較例１〜１４］
［フィルムの厚膜化］
フィルムを厚膜化するために、フィルム同士を加圧式真空ラミネータ  Ｖ１３０（ニチゴー・モートン株式会社製）で貼りあわせ温度８０℃でラミネートし、実施例１〜１５までのフィルムに対し、０．０７５ｍｍ、０．２５ｍｍ、０．２７５ｍｍ、０．３０ｍｍ、０．３５ｍｍ、０．４０ｍｍ、０．６０ｍｍ、０．７０ｍｍ、および０．８０ｍｍとなるように所定の厚さになるようラミネートした。また、厚さ１．５ｍｍに調整すると、フィルム内部にボイドが発生し、うまく調製することができなかった。
【０１０７】
［ＣＯＢ基板の作製］
図１に示すように、１５ｍｍ×１５ｍｍ×０．１ｍｍのアルミコア基板（１）上に金メッキ（４）を施し、真ん中に４個のＬＥＤチップ（０．２ｍｍ×０．２ｍｍ×０．１５ｍｍ）（２）をダイボンドし、硬化させた後、図２に示すような高さｈが３００μｍのボンディングワイヤの金線（３）をワイヤボンダで形成してＣＯＢ基板１を作製した。その後、周囲にダム材としてＬＰＳ−２４２８ＴＷ（信越化学工業(株)製）を用いて高さｔが３５０μｍのダムをディスペンスで形成し、１５０℃で４ｈｒ加熱して硬化させて白色ダム材（５）を作成した。
【０１０８】
同様にして、図３に示すような高さｈが２５０μｍのボンディングワイヤの金線（３）を形成してＣＯＢ基板２を作製し、その後高さｔが３００μｍの白色ダム材（５）を作成した。
【０１０９】
上記のように作成したＣＯＢ基板１及び２に対して、表３及び５に示すように、調製例１〜１５で作製したフィルム成形物Ｆ１〜Ｆ１５をワイヤ接触側とワイヤ非接触側とに別け、それぞれのフィルム成形物を組み合わせたシリコーン樹脂フィルムを載置した。その後、貼り合わせ装置として加圧式真空ラミネータ  Ｖ１３０（ニチゴー・モートン株式会社製）を用い、貼り合わせ条件を８０℃、真空時間４０秒及び０．１ＭＰａに設定し、加圧時間を２０秒として、載置したシリコーン樹脂フィルムを加熱して軟化させ、エラストマー製の加圧部材で軟化したシリコーン樹脂フィルム加圧しながらＣＯＢ基板の光半導体素子に貼り合わせて密着させた。貼り合わせ後は１５０℃で４ｈｒ加熱してフィルムを本硬化し、実施例１〜２２及び比較例１〜６とした。
【０１１０】
フィルム成形物を貼り合わせる際に使用したフィルムの厚さ、種類、及びダイアフラムの硬さと、貼り合わせたフィルムの評価とを合わせて表３〜５に示す。貼り合わせたフィルムの評価は、本硬化後の封止表面の平滑性を確認し、その硬化後のフィルムを厚さ方向にカットして、ボイド及びワイヤ異常の有無と、蛍光体の沈降とを目視で観察した。
【０１１１】
表３では、ＣＯＢ基板１における実施例１〜６及び比較例１〜３を示した。表４及び表５では、ＣＯＢ基板２における実施例７〜１６と、実施例１７〜２２及び比較例４〜６をそれぞれ示した。
【表３】
2016046491.tif 000014
【０１１２】
【表４】
2016046491.tif 000015
【０１１３】
【表５】
2016046491.tif 000016
【０１１４】
［プレモールドパッケージの作製］
図４に示すような高さｔ’が３５０μｍのリフレクタ（６）が予め形成されたプレモールドパッケージ（パッケージ１）に対し、ＬＥＤチップ（０．２ｍｍ×０．２ｍｍ×０．１５ｍｍ）（２）をダイボンドし、硬化させた後、高さｈ’が２５０μｍのボンディングワイヤの金線（３）をワイヤボンダで形成した。
【０１１５】
同様にして、図５に示すような高さｔ’が８００μｍのリフレクタ（６）が予め形成されたプレモールドパッケージ（パッケージ２）に対し、ＬＥＤチップ（０．２ｍｍ×０．２ｍｍ×０．１５ｍｍ）（２）をダイボンドし、硬化させた後、高さｈ’が２５０μｍのボンディングワイヤの金線（３）をワイヤボンダで形成した。
【０１１６】
［実施例２３〜４９及び比較例７〜１４］
上記のように作成したプレモールドパッケージ１及び２に対して、ＣＯＢ基板における実施例と同様の製造工程及び表６〜８に示す組み合わせで貼り合わせを行なった。フィルム成形物を貼り合わせる際に使用したフィルムの厚さ、種類、及びダイアフラムの硬さと、貼り合わせたフィルムの評価とを合わせて表６〜８に示す。貼り合わせたフィルムの評価は、本硬化後の封止表面の平滑性を確認し、その硬化後のフィルムを厚さ方向にカットして、ボイド及びワイヤ異常の有無と、蛍光体の沈降とを目視で観察した。
【０１１７】
表６では、パッケージ１における実施例２３〜２８及び比較例７〜９を示した。表７及び表８では、パッケージ２における実施例２９〜４９及び比較例１０〜１４を示した。
【表６】
2016046491.tif 000017
【０１１８】
【表７】
2016046491.tif 000018
【０１１９】
【表８】
2016046491.tif 000019
【０１２０】
［実施例５０〜５１、比較例１５〜１８］
また、真空ラミネータを使用する際に、硬さＡ７０のラバーダイアフラムを使用し、該ダイアフラムとシリコーン樹脂フィルムとの間に、加圧部材として厚さ８ｍｍで様々な硬さのシリコーン硬化物シートを置き、貼り合わせを行った。
【０１２１】
比較例１８以外は、加圧部材として用いたシリコーン硬化物シートの硬さ以外の条件を同一にして評価を行った。具体的には、比較例１７は厚さ８ｍｍのガラエポ基板（Ｄ８５），比較例１８は鉄板を用いて、加熱温度８０℃、加圧２ＭＰａの条件で真空プレスを用いて貼り合わせを行なった。以下表９に示す。
【表９】
2016046491.tif 000020
【０１２２】
［評価］
表３〜９で示したように、硬さＡ２０〜５０のダイアフラムを用いることで、ボイドの発生、ワイヤ異常、平滑性の乱れ及び蛍光体の沈降をなくし、シリコーン樹脂シートをワイヤボンディングのＬＥＤチップに貼り合わせることが分かる。
【０１２３】
以上のことから、Ａ２０〜Ａ５０の硬さの加圧部材でフィルム表面を加圧してまたは支持フィルムを介して加圧してシリコーン樹脂シートをＬＥＤチップに貼り合わせることにより、ボイド発生や、ワイヤ変形がなく、表面の平滑性および蛍光体の分散性が良好な光半導体装置を提供することができる。
【産業上の利用可能性】
【０１２４】
本発明に係る光半導体装置の封止方法は、従来の方法よりも光半導体装置製造時の歩留まりを低くすることができるので、光半導体装置を効率良く大量に製造することができる。
【符号の説明】
【０１２５】
１          アルミコア基板
２          ＬＥＤチップ
３          金線（ボンディングワイヤ）
４          金メッキ
５          白色ダム材
６          リフレクタ
７          銀メッキリードフレーム
８          シリコーン樹脂フィルム
ｈ，ｈ’    ワイヤ高さ（μｍ） 
ｔ，ｔ’    シリコーン樹脂フィルム厚さ（μｍ）
【図１】
2016046491.tif 000023
【図２】
2016046491.tif 000024
【図３】
2016046491.tif 000025
【図４】
2016046491.tif 000026
【図５】
2016046491.tif 000027
【図６】
2016046491.tif 000028