(57)【要約】【課題】ウェハ上の露光領域において、１露光領域の外周で生じるフレアの影響を抑制し、ウェハ外周に近い部分の半導体装置の製造歩留まりを向上させることに寄与する露光装置を提供する。【解決手段】露光装置は、レチクルの主面にビームを照射する光源と、光源が照射するビームを遮光し、少なくともレチクルの主面をマスク可能な遮光ブレードと、ビームを反射し、少なくともレチクルの主面をマスク可能な第１の反射ブレードと、を備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
レチクルの主面にビームを照射する光源と、
前記ビームを遮光し、少なくとも前記レチクルの主面をマスク可能な遮光ブレードと、
前記ビームを反射し、少なくとも前記レチクルの主面をマスク可能な第１の反射ブレードと、
を備える、露光装置。
【請求項２】
前記ビームを反射し、少なくとも前記レチクルの主面をマスク可能な第２の反射ブレードをさらに備える、請求項１に記載の露光装置。
【請求項３】
前記第１の反射ブレードの反射面の反射率と前記第２の反射ブレードの反射面の反射率が異なる、請求項２に記載の露光装置。
【請求項４】
前記遮光ブレードは、前記レチクルと前記第１の反射ブレードの間に設置される、請求項１に記載の露光装置。
【請求項５】
前記レチクルの主面は、第１領域と前記第１領域を囲む第２領域に分けられ、前記遮光ブレードが前記第１領域をマスクしている間、前記第１の反射レチクルは前記第２領域をマスク可能な、請求項４に記載の露光装置。
【請求項６】
前記遮光ブレードが前記第２領域をマスクしている間、前記第１の反射レチクルは前記第２領域をマスクしない、請求項５に記載の露光装置。
【請求項７】
前記第１の反射ブレードは、前記遮光ブレードと前記第２の反射ブレードの間に設置される、請求項２に記載の露光装置。
【請求項８】
前記第１の反射ブレードの反射面の反射率は、前記第２の反射ブレードの反射面の反射率よりも大きい、請求項７に記載の露光装置。
【請求項９】
前記レチクルの主面は、第１領域と前記第１領域を囲む第２領域に分けられ、前記遮光ブレードが前記第１領域をマスクしている間、前記第１の反射レチクルと前記第２の反射レチクルは、前記第２領域をマスク可能な、請求項２に記載の露光装置。
【請求項１０】
前記遮光ブレードは、遮光面の光吸収率が９９％以上であり、
前記第１の反射ブレードは、反射面の反射率が１０％以上である、請求項１に記載の露光装置。
【請求項１１】
前記第２の反射ブレードは、反射面の反射率が１０％以上である、請求項２に記載の露光装置。
【請求項１２】
前記遮光ブレードの遮光面は、Ｔａ（タンタル）又はＣｒ（クロム）を主成分とする材料で形成され、
前記第１の反射ブレードの反射面は、Ｍｏ／Ｓｉ（モリブデン／シリコン）膜又はＭｏ／Ｂｅ（モリブデン／ベリウム）の多層膜で形成される、請求項１に記載の露光装置。
【請求項１３】
前記第２の反射ブレードの反射面は、Ｍｏ／Ｓｉ（モリブデン／シリコン）膜又はＭｏ／Ｂｅ（モリブデン／ベリウム）の多層膜で形成される、請求項２に記載の露光装置。
【請求項１４】
前記遮光ブレードの遮光面は、前記レチクルの主面と平行な第１の平面上で形成され、
前記第１の反射ブレードの反射面は、前記レチクルの主面と平行な第２の平面上で形成される、請求項１に記載の露光装置。
【請求項１５】
前記第２の反射ブレードの反射面は、前記レチクルの主面と平行な第１の平面上で形成される、請求項２に記載の露光装置。
【請求項１６】
前記遮光ブレードが前記第２領域をマスクしている間、前記第１の反射ブレードと前記第２の反射ブレードは前記第２領域をマスクしない事が可能な、請求項９に記載の露光装置。
【請求項１７】
半導体基板上の第１の露光領域に反射型レチクルを使って露光する第１露光工程と、
前記半導体基板上の第１の露光領域の隣に位置する第２の露光領域に遮光ブレードと反射ブレードを使って露光する第２露光工程と、
を含み、
前記第２露光工程に於いて、前記第１の露光領域と前記第２の露光領域が重なった領域に、前記反射ブレードを反射した光が露光される、半導体装置の製造方法。
【請求項１８】
前記反射型レチクルは、フレアの影響をキャンセルする補正処理が実施されている、請求項１７に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１９】
前記第２露光工程での露光スピードは、前記第１露光工程での露光スピードよりも速い、請求項１７に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２０】
前記第２の露光領域は、前記第１の露光領域よりも面積が広い、請求項１７に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、露光装置及びその露光装置を使った半導体装置の製造方法に関する。特に、ＥＵＶ（Extreme Ultra Violet）光を使用する露光装置及びその露光装置を使った半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの微細化に伴い、透過型レチクルを用いてウェハ（半導体基板）上にレジストパターンを転写する投影露光の短波長化が進んでいる。プロセスの最小寸法Ｆと露光波長λには、Ｆ＝ｋ１×λ／ＮＡ（ｋ１は比例定数、ＮＡはレンズの開口数）の関係があり、最小寸法Ｆは露光波長λに比例するためである。
【０００３】
最先端の露光装置では、１９３ｎｍの波長を用いたＡｒＦ露光が主流となっている。さらには、パターンの解像性を向上させるために、液浸露光（Immersion lithography）、二重露光（Double Patterning）を初めとした超解像技術（ＲＥＴ：Resolution Enhancement Technology）が多く用いられている。
【０００４】
しかし、これらの超解像技術を駆使したとしても、線幅１５ｎｍより細いパターンへの対応には限界があると考えられている。このような状況の下、より解像性を向上させるための露光方式として有望視されているのは、ＥＵＶ露光と称される方式である。ＥＵＶ露光は、１３．５ｎｍ付近の非常に短い波長の光（Ｘ線）を用いて従来の光露光よりもさらに微細なパターンをウェハに転写しようとするものである。
【０００５】
ＥＵＶ露光装置では、ＥＵＶ光が短波長であるという性質から、反射光学系が用いられる。具体的には、ＥＵＶ露光装置では、ＥＵＶ用レチクルへＥＵＶ光を照射する照明光学系とウェハへの投影光学系を構成する光学要素が、反射型ミラーを用いて構成される。そのため、ＥＵＶ露光に用いられるレチクルも反射型のレチクルとなる（図１４参照）。
【０００６】
特許文献１は、ＥＵＶ露光にて使用される反射型レチクルの製造方法の一例を開示する。特許文献１は、レチクル基板上に反射膜となるＭｏ／Ｓｉ（モリブデン／シリコン）の多層膜を形成し、その多層膜の上に光吸収層などによりパターンを形成することで反射型レチクルを製造する方法を開示する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２０１１−０４４５２０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
なお、上記先行技術文献の開示を、本書に引用をもって繰り込むものとする。以下の分析は、本発明者らによってなされたものである。
【０００９】
ＥＵＶ露光装置以前の露光装置では、半導体基板であるウェハ上に成膜されたレジスト膜を露光する際、ウェハに非露光領域を設ける場合がある。例えば、図１５（ａ）を参照すると、ウェハ５０１の内部に半導体装置の回路パターンが完全な形（１チップの回路パターン）が形成できるウェハ露光領域５１１を設定する。さらに、ウェハ５０１の外周部であって、ウェハ露光領域が形成できない領域が、ウェハ非露光領域５１２として設定される場合がある。
【００１０】
ここで、ＥＵＶ露光の場合、露光装置が高価となり、単位時間あたりの処理量（露光処理量）が、液浸露光方式の露光装置と比較して半数以下となることや、露光処理に必要な電力が、他の方式の露光装置と比較して数十倍に達することがある。そこで、ＥＵＶ露光装置では、ウェハ上にウェハ非露光領域を積極的に設けることで、生産性の向上と省エネルギー対策が図られることがある。
【００１１】
ＥＵＶ露光装置では、半導体装置の回路パターンに相当する造り込み領域（例えば、図１５（ｂ）に示すレチクル露光領域５２１）のみをウェハ上に投影するため、レチクル露光領域５２１以外を遮光し、マスクする必要がある。つまり、ＥＵＶ露光装置では、図１４に示すように反射型レチクルが使用されるが、反射型レチクルに向けて照射された光がレチクル非露光領域５２２に到達しないように、光源と反射型レチクルの間に遮光ブレードのような遮光手段を設ける必要がある。
【００１２】
遮光ブレードは、例えば、図１６に示す構成とすることができる。図１６を参照すると、反射型レチクル上の平行面上に遮光ブレード５３１−１〜５３１−４が設置される。４枚の遮光ブレード５３１−１〜５３１−４は、反射型レチクル５３２の４辺を取り囲むように上下左右に配置される。
【００１３】
遮光ブレード５３１−１〜５３１−４のそれぞれは、図示しないアクチュエータ等により移動可能に構成されている。遮光ブレード５３１が移動することで、反射型レチクル５３２をマスク可能に構成される。例えば、図１６（ａ）に示す反射型レチクル５３２と遮光ブレード５３１の位置関係は、反射型レチクルの５３２のレチクル非露光領域５２２をマスクしていない。一方、図１６（ｂ）に示す遮光ブレード５３１のそれぞれは、反射型レチクル５３２に向かって移動させられることで、レチクル非露光領域５２２をマスクする位置にある。あるいは、図１６（ｂ）に示す遮光ブレード５３１−１〜５３１−４のそれぞれは、ブレードにより形成される開口部が狭まるように移動し、レチクル露光領域５２１を開口（露出）し、レチクル非露光領域５２２をマスクしているとも言える。
【００１４】
ＥＵＶ露光装置は、図１６（ｂ）に示す遮光ブレード５３１の設定にて、ウェハのウェハ露光領域に露光を開始する。その際、ウェハ上にある１つのウェハ露光領域に着目すると、実際の露光領域が意図したウェハ露光領域を超えることがある。より詳細には、実際の露光領域は、フレアと呼ばれる迷光の一種に起因し、意図したウェハ露光領域とは異なる領域となる。
【００１５】
図１５（ｃ）は、図１５（ｂ）に示すレチクル露光領域５２１が、ウェハ５０１のウェハ露光領域５１１に転写された一例を示す。図１５（ｃ）を参照すると、ウェハ上の各ウェハ露光領域５１１の外周部に、フレアが影響する。その結果、例えば、反射型レチクル上のパターンがホールパターンである場合、図１７（ａ）に示すように、ウェハ上の隣り合うウェハ露光領域同士の接続部の領域５４１〜５４３に存在する転写後のホールパターンの径は、隣のウェハ露光領域に生じるフレアの影響を受け、意図したサイズよりも大きく形成される。
【００１６】
図１７（ｂ）を参照すると、ウェハ露光領域５５１の外周に位置する座標Ｘ０でのホールパターンの径は、座標Ｘ１でのホールパターンの径よりも大きくなる。さらに、各ウェハ露光領域の頂点付近にある領域５４１、即ち、３方向からのフレアの影響を受ける領域、においては、例えば、ホールパターンの径は、領域５４２や領域５４３におけるホールパターンの径よりもさらに大きくなる。
【００１７】
ウェハ露光領域の外周に発生するフレアによりパターンの寸法が変動する問題に対応するため、反射型レチクル上のパターン寸法を、フレアに起因する寸法変動量を考慮しつつ決定し、反射型レチクル上のパターンを補正する方法が検討されている。例えば、図１８に示すように、フレアによる影響を回避するため、レチクル露光領域を狭めるような補正が行われる。具体的には、図１８（ａ）に示すレチクル露光領域５６１に対し、その面積が狭くなるように補正後レチクル露光領域５６２を設定する（図１８（ｂ）参照）。図１８（ｂ）に示す例では、レチクル露光領域５６１が上下方向にＡ１、左右方向にＡ２狭くなるように、フレア補正領域５６３が設定される。
【００１８】
しかし、このような補正を実行すると別の問題が生じる。例えば、図１７（ｃ）を参照すると、隣り合うウェハ露光領域が存在しないウェハ露光領域の外周部（具体的には、ウェハ露光領域５５２やウェハ露光領域５５３外周部）には、フレアの影響がない。従って、このような領域では、例えば、反射型レチクル上のパターンがホールパターンである場合、その径が意図したものよりも小さくなる問題が生じる（図１７（ｄ）参照）。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
本発明の第１の視点によれば、レチクルの主面にビームを照射する光源と、前記ビームを遮光し、少なくとも前記レチクルの主面をマスク可能な遮光ブレードと、前記ビームを反射し、少なくとも前記レチクルの主面をマスク可能な第１の反射ブレードと、を備える、露光装置が提供される。
【００２０】
本発明の第２の視点によれば、半導体基板上の第１の露光領域に反射型レチクルを使って露光する第１露光工程と、前記半導体基板上の第１の露光領域の隣に位置する第２の露光領域に遮光ブレードと反射ブレードを使って露光する第２露光工程と、を含み、前記第２露光工程に於いて、前記第１の露光領域と前記第２の露光領域が重なった領域に、前記反射ブレードを反射した光が露光される、半導体装置の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００２１】
本発明の各視点によれば、ウェハ上の露光領域において、１露光領域の外周で生じるフレアの影響を抑制することに寄与する露光装置及びその露光装置を使った半導体装置の製造方法が、提供される。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】第１の実施形態に係るＥＵＶ露光装置の概略を示す斜視図の一例である。
【図２】ＥＵＶ露光装置の内部構成の一例を示す図である。
【図３】遮光ブレードを説明するための図である。
【図４】反射ブレードを説明するための図である。
【図５】図５（ａ）はウェハ上の領域を説明するための図であり、図５（ｂ）は図５（ａ）の領域３１１の拡大図である。
【図６】ＥＵＶ露光装置の動作の一例を示すフローチャートである。
【図７】通常露光処理時の動作を説明するための図である。
【図８】フレア制御露光処理時の動作を説明するための図である。
【図９】フレア制御露光処理の効果を説明するための図である。
【図１０】ＥＵＶ露光装置を使用した半導体装置の製造工程の一例を示すフローチャートである。
【図１１】反射型レチクルの製造工程を示す断面図の一例である。
【図１２】第２の実施形態に係るＥＵＶ露光装置の通常露光処理を説明するための図である。
【図１３】第２の実施形態に係るＥＵＶ露光装置のフレア制御露光処理を説明するための図である。
【図１４】ＥＵＶ露光装置の概略を示す斜視図の一例を示す図である。
【図１５】従来の露光方式を説明するための図である。
【図１６】遮光ブレードを説明するための図である。
【図１７】フレアによる寸法変動を説明するための図である。
【図１８】反射型レチクル上でのフレア補正を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
［第１の実施形態］
第１の実施形態について、図面を用いて詳細に説明する。なお、各実施形態において同一構成要素には同一の符号を付し、その説明を省略する。
【００２４】
図１は、第１の実施形態に係るＥＵＶ露光装置１０の概略を示す斜視図の一例である。図１を参照すると、ＥＵＶ露光装置１０は、３つの機能ブロックから構成される。
【００２５】
レチクル設置ユニット１１は、反射型レチクル１０１と、遮光ブレード１０２と、反射ブレード１０３と、を含んで構成される。反射型レチクル１０１は、光源１０４が照射するＥＵＶ光（露光ビーム）を反射する。遮光ブレード１０２と反射ブレード１０３は、反射型レチクル１０１と光源１０４に挟まれて設置される。詳細は後述するが、遮光ブレード１０２及び反射ブレード１０３のそれぞれは、４枚のブレードからなり、各ブレードは移動可能に構成されている。即ち、ＥＵＶ露光装置１０は、アクチュエータ（図示せず）を備えており、遮光ブレード１０２及び反射ブレード１０３それぞれのブレードからなる開口部の大きさを制御可能な構成を有する。
【００２６】
ミラー設置ユニット１２は、複数の反射型ミラー２０１〜２０６を含んで構成される。複数の反射型ミラー２０１〜２０６は、図示しない支持部材により、それぞれ定位置に固定されている。反射型レチクル１０１により反射された露光ビームは、反射型ミラー２０１〜２０６にて反射し、最終的にウェハ３０１に到達する。
【００２７】
ステージユニット１３は、ウェハ３０１を戴置するステージ３０２を含んで構成される。ウェハ３０１は、ステージ３０２上の遮光体３０３に設置される。ステージ３０２は、戴置されたウェハ３０１を移動することで、ウェハ３０１上の露光ビームが照射される領域を変更する。
【００２８】
図２は、ＥＵＶ露光装置１０の内部構成の一例を示す図である。図２を参照すると、ＥＵＶ露光装置１０は、図１を用いて説明した構成に加え、制御部２１と、記憶部２２と、ステージ制御部２３と、ブレード制御部２４と、を含んで構成される。
【００２９】
制御部２１は、ステージ制御部２３及びブレード制御部２４を制御する。制御部２１は、記憶部２２から必要なデータ及びプログラムを読み出し、ステージ制御部２３及びブレード制御部２４に対して、ウェハ３０１に対する露光処理を行うための制御を行う。制御部２１は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）に、プログラムを実行させることで実現できる。記憶部２２は、制御部２１にて実行するプログラム等を記憶する手段であって、ハードディスク等を含んで構成される。
【００３０】
ステージ３０２は、ステージ３０２に戴置されたウェハ３０１を任意の方向に移動する。ステージ３０２を用いて、ウェハ３０１の位置を制御する手段が、ステージ制御部２３である。ステージ制御部２３は、制御部２１の指示に基づき、ステージ３０２をＸ方向、Ｙ方向に移動させることで、ウェハ３０１上の露光ビームが照射される領域を変更する。
【００３１】
ブレード制御部２４は、反射型レチクル１０１の下方に設置された遮光ブレード１０２及び反射ブレード１０３の位置を制御する手段である。ブレード制御部２４は、制御部２１の指示に基づき、アクチュエータ（図示せず）等の駆動手段により遮光ブレード１０２及び反射ブレード１０３を、反射型レチクル１０１と平行な方向に移動する。
【００３２】
図３は、遮光ブレード１０２を説明するための図である。図３は、遮光ブレード１０２を下方から（ウェハ３０１から反射型レチクル１０１に向かって）視認した場合の一例である。図３を参照すると、遮光ブレード１０２は、４枚の遮光ブレード１０２−１〜１０２−４から構成される。
【００３３】
遮光ブレード１０２の遮光面（光源１０４と相対する面）は、反射型レチクル１０１の一方の主面と平行な第１平面上に形成される。但し、厳密には、４枚の遮光ブレード１０２−１〜１０２−４のうち、遮光ブレード１０２−１と遮光ブレード１０２−３が同じ高さに設置され、遮光ブレード１０２−２と遮光ブレード１０２−４が同じ高さに設置される。このような設置により、ブレード同士の干渉（衝突）を防止する。
【００３４】
ブレード制御部２４は、遮光ブレード１０２−１及び遮光ブレード１０２−３を上下方向（図３のＹ方向）に移動させることで、４枚のブレードからなる開口部のＹ方向の長さを変更する。同様に、ブレード制御部２４は、遮光ブレード１０２−２及び遮光ブレード１０２−４を左右方向（図３のＸ方向）に移動させることで、４枚のブレードからなる開口部のＸ方向の長さを変更する。
【００３５】
ブレード制御部２４は、開口部を完全に閉じる場合には、遮光ブレード１０２−１及び遮光ブレード１０２−３、又は、遮光ブレード１０２−２及び遮光ブレード１０２−４が接触するように制御する。
【００３６】
遮光ブレード１０２は、反射型レチクル１０１上のレチクル露光領域のみを、ウェハ３０１に投影できるようにするため、当該レチクル露光領域以外をマスクするために用いられる。
【００３７】
遮光ブレード１０２の光吸収率は、９９％以上が好ましく、さらに９９．５％以上であることがより好ましい。また、遮光ブレード１０２の反射面は、Ｔａ（タンタル）やＣｒ（クロム）を主成分とする材料を用いて構成される。
【００３８】
図４は、反射ブレード１０３を説明するための図である。図４は、反射ブレード１０３を下方から（ウェハ３０１から反射型レチクル１０１に向かって）視認した場合の一例である。図４に示すように、反射ブレード１０３は、４枚の反射ブレード１０３−１〜１０３−４から構成される。反射ブレード１０３の反射面（光源１０４と相対する面）は、反射型レチクル１０１の主面と平行な第２平面上に形成される。反射ブレード１０３も、遮光ブレード１０２と同様に、ブレード制御部２４によりその開口部の大きさが制御される。
【００３９】
反射ブレード１０３の反射面は、反射率が１０〜９０％の範囲、より好ましくは２０〜８０％の範囲にあるものを使用する。反射ブレード１０３の反射面は、Ｍｏ／Ｓｉ（モリブデン／シリコン）やＭｏ／Ｂｅ（モリブデン／ベリウム）の多層膜として形成可能であり、Ｍｏ（モリブデン）、Ｓｉ（シリコン）、Ｂｅ（ベリウム）それぞれの膜厚や多層膜の層数を調整することで反射率が変更できる。
【００４０】
図３及び図４を用いて説明したように、遮光ブレード１０２及び反射ブレード１０３は、反射型レチクル１０１の下方かつ平行な平面上（図３及び図４のＸＹ平面上）にて、上下左右に移動可能なように構成される。遮光ブレード１０２や反射ブレード１０３が自由に移動することで、４辺のブレードで囲まれる矩形の開口部の大きさが自在に設定できる。
【００４１】
なお、矩形の開口部の大きさが自在に設定できれば、遮光ブレード１０２や反射ブレード１０３の形状は図３や図４の形状に限定されない。例えば、遮光ブレード１０２や反射ブレード１０３は、Ｌ型のブレードを２枚用意して実現されてもよい。
【００４２】
次に、ウェハ３０１上の領域について説明する。
【００４３】
図５（ａ）を参照すると、ウェハ３０１は、半導体装置のパターンが転写されるウェハ露光領域３２１と、ウェハ３０１の外周近くに位置するフレア制御露光領域３２２と、を含む。フレア制御露光領域３２２は、ウェハ３０１のウェハ非露光領域の一部であって、ウェハ３０１上のウェハ露光領域３２１に接する領域である。フレア制御露光領域３２２には、半導体装置のパターンが転写されることはない。
【００４４】
次に、ＥＵＶ露光装置１０の動作について説明する。
【００４５】
図６は、ＥＵＶ露光装置１０の動作の一例を示すフローチャートである。図６に示すように、ＥＵＶ露光装置１０は、ウェハ３０１に反射型レチクル１０１のパターンを転写する際、２段階の露光処理を行う。
【００４６】
第１の処理は、通常露光処理（ステップＳ１０１）である。通常露光処理は、ウェハ３０１のウェハ露光領域３２１にパターンを転写する際に行われる通常の露光処理である。通常露光処理は、ウェハ露光領域の外周で発生するフレアを考慮し、フレアの影響をキャンセルするように補正された反射型レチクル１０１を用いて行う露光処理である。つまり、ウェハ３０１上のウェハ露光領域３２１（図５参照）に対し、反射型レチクル１０１の補正後レチクル露光領域（図１８（ｂ）参照）に形成されたパターンを転写、露光する処理が、通常露光処理である。
【００４７】
第２の処理は、フレア制御露光処理（ステップＳ１０２）である。フレア制御露光処理は、図５に示すウェハ３０１のフレア制御露光領域３２２を対象に行われる追加露光処理である。フレア制御露光処理は、擬似的にフレアを生成し、その周辺に存在するウェハ露光領域３２１における仕上がり寸法を狙い通りに導く追加露光処理である。
【００４８】
例えば、図５（ｂ）に示すように、ウェハ３０１の外周近くに位置するウェハ露光領域３２１ａの外周部は、元来、フレアの影響がない。そのため、図５（ｂ）のウェハ露光領域３２１ａには、フレア補正は不要である。しかし、実際には、フレアを考慮した補正が加えられた反射型レチクル１０１を用いて通常露光処理が行われる。そのため、フレアの影響がなければ、ウェハ露光領域３２１ａの寸法は、設計で意図した通りにならない。
【００４９】
そこで、ＥＵＶ露光装置１０は、ウェハ露光領域３２１ａの外周部に擬似的にフレアを発生させることで、当該ウェハ露光領域３２１ａに擬似的に生成したフレアの影響を与え、当該領域の仕上がり寸法を狙い通りに導く。
【００５０】
制御部２１は、これら２つの処理を実行する際、ブレード制御部２４に対して遮光ブレード１０２と反射ブレード１０３の位置を変更する指示を行う。指示を受けたブレード制御部２４は、通常露光処理及びフレア制御露光処理に適した位置に遮光ブレード１０２と反射ブレード１０３を移動する。
【００５１】
通常露光処理時には、制御部２１は、図７に示す位置に遮光ブレード１０２と反射ブレード１０３を移動する。制御部２１は、通常露光処理時の反射ブレード１０３を、光源１０４から照射される露光ビーム及び反射型レチクル１０１で反射する露光ビームのいずれに対しても影響が出ない位置に移動する。
【００５２】
制御部２１は、通常露光処理時の遮光ブレード１０２を、フレア補正が行われるように、反射型レチクル１０１の補正後レチクル露光領域（図１８（ｂ）参照）が開口するように移動する。換言すれば、制御部２１は、通常露光処理時には、反射型レチクル１０１のフレア補正領域（図１８（ｂ）参照）が遮光される位置に遮光ブレード１０２を移動する。
【００５３】
反射型レチクル１０１の主面は、補正後レチクル露光領域（第１領域）と、当該領域を囲むフレア補正領域（第２領域）とに分離していると考えると、通常露光処理時の遮光ブレード１０２は、フレア補正領域をマスクし、補正後レチクル露光領域はマスクしない。一方、通常露光処理時の反射ブレード１０３は、フレア補正領域及び補正後レチクル露光領域のどちらもマスクしない。
【００５４】
フレア制御露光処理時には、制御部２１は、図８に示す位置に遮光ブレード１０２と反射ブレード１０３を移動する。制御部２１は、フレア制御露光処理時の遮光ブレード１０２を、反射型レチクル１０１の補正後レチクル露光領域をマスクするように移動する。また、制御部２１は、フレア制御露光処理時の反射ブレード１０３を、反射型レチクル１０１の補正後レチクル露光領域が開口するように移動する。換言すれば、制御部２１は、フレア制御露光処理時には、補正後レチクル露光領域以外をマスクするように反射ブレード１０３を移動する。
【００５５】
フレア制御露光処理時の遮光ブレード１０２は、補正後レチクル露光領域（第１領域）をマスクする。一方、フレア制御露光処理時の反射ブレード１０３は、遮光ブレード１０２が補正後レチクル露光領域をマスクしている間、フレア補正領域（第２領域）をマスクする。
【００５６】
このような遮光ブレード１０２と反射ブレード１０３に対する制御により、通常露光処理時に補正後レチクル露光領域にて反射していた光（露光ビーム）は、遮光ブレード１０２により全て遮光される。一方、補正後レチクル露光領域以外の上で遮光ブレード１０２により遮光されていた光は、１０％以上の反射率でもって反射する。この反射ブレード１０３による反射光は、ウェハ３０１上のフレア制御露光領域（図５参照）に接するウェハ露光領域に擬似的なフレアを発生させる。
【００５７】
なお、フレア制御露光処理にて対象とするウェハ３０１上の露光領域（フレア制御露光領域；第２露光領域）は、通常露光処理にて対象とする露光領域（ウェハ露光領域；第１露光領域）よりも面積が広い。
【００５８】
フレア制御露光処理時に発生する擬似的なフレアは、ウェハ露光領域に対し、通常露光処理時に発生するフレアと同等の影響を与える。その結果、ウェハ３０１の外周部に位置するウェハ露光領域（例えば、図５（ｂ）のウェハ露光領域３２１ａ）の接続部におけるパターン転写が設計通りに行われる。例えば、図５（ｂ）のウェハ露光領域３２１ｂにおけるホール径の仕上がりについて考察する。この場合、図９（ａ）に示すように、フレア制御露光処理を実施しなければ、外周部にてホール径は小さくなってしまう。一方、フレア制御露光処理を実施することで、図９（ｂ）に示すように、外周部でもホール径は小さくならない。フレア制御露光処理を実施することで、フレア制御露光領域３２２に接したウェハ露光領域３２１ｂの接続ポイント付近Ｘ５では、ホール径が狙い通りに仕上げることができる。
【００５９】
次に、ＥＵＶ露光装置１０を使用した半導体装置の製造工程について説明する。
【００６０】
図１０（ａ）は、第１の実施形態に係るＥＵＶ露光装置１０を使用した半導体装置の製造工程の一例を示すフローチャートである。
【００６１】
図１０（ａ）を参照すると、ウェハ上にレジストを塗布（ステップＳ２０１）した後、通常露光処理が実行される（ステップＳ２０２）。通常露光処理では、ウェハ露光領域にフレア補正されたパターンを転写し、露光する。その後、ウェハのフレア制御露光領域にフレア制御露光処理が実行され（ステップＳ２０３）、現像工程（ステップＳ２０４）を経て半導体装置が製造される。
【００６２】
図１０（ｂ）は、従来のＥＵＶ露光装置を使用した半導体装置の製造工程の一例を示すフローチャートである。図１０（ａ）と図１０（ｂ）の比較から理解されるように、フレア制御露光処理が従来の製造工程に対して追加されている。
【００６３】
なお、フレア制御露光処理における露光スピード（スキャンスピード）が、通常露光処理と同じでは、ウェハ１枚あたりのトータル処理時間が増加してしまい、生産性が損なわれる。そのため、フレア制御露光処理の露光スピードをなるべく速くするのが望ましい。例えば、フレア制御露光処理時の露光スピードを、通常露光処理時の１０倍に設定すると、露光量は１／１０程度まで減少する。減少した露光量を補うように、反射ブレード１０３の反射率を上げることでフレア制御露光処理を実施する。
【００６４】
＜反射型レチクルの製造＞
次に、反射型レチクルの製造方法について説明する。
【００６５】
図１１は、反射型レチクルの製造工程を示す断面図の一例である。初めに、反射型レチクルのブランクス５１を用意する（図１１（ｂ）参照）。具体的には、レチクル基板５２（図１１（ａ）参照）の一方の主面上に、多層反射膜５３、キャッピング層５４、バッファ層５５、吸収層５６、反射防止層５７、をそれぞれ積層することで、パターン膜が形成された、ブランクス５１を用意する。続いて、ブランクス５１に、ポジ型のレジスト５８を積層する（図１１（ｃ）参照）。その後、描画装置から電子ビームを照射し、回路パターンが転写される（図１１（ｄ）参照）。その結果、図１１（ｃ）のポジ型のレジスト５８は、感光部５８ａと、非感光部５８ｂと、に分離する。
【００６６】
その後、現像装置による現像工程を経ることで、感光部５８ａが除去される（図１１（ｅ）参照）。現像後、レジストパターンによるパターンデータを、ブランクス５１上に得ることができる。さらに、エッチング装置によりドライエッチング工程を経ることで、反射防止層５７、吸収層５６、バッファ層５５の順に取り除き、レジスト（非感光部５８ｂ）を剥離することで、反射型レチクル１０１の製造が終了する（図１１（ｆ）参照）。
【００６７】
以上のように、第１の実施形態に係るＥＵＶ露光装置１０では、フレアの影響を受ける１露光領域内の周辺パターンについて、予め反射型レチクル上で寸法補正を行っておく。ＥＵＶ露光装置１０は、遮光ブレード１０２の上に（遮光ブレード１０２と光源１０４の間に）、反射ブレード１０３を設け、ウェハ露光領域外に擬似的なフレアを発生させ、ウェハ露光領域における寸法を均一とする。即ち、ＥＵＶ露光装置１０は、フレア制御露光処理を行うことで、フレアの影響をキャンセルし、寸法の均一性を向上させる。その結果、ウェハ外周に近い部分の半導体装置の製造歩留まりが著しく向上する。
【００６８】
［第２の実施形態］
続いて、第２の実施形態について図面を参照して詳細に説明する。
【００６９】
フレアの影響は、１つのウェハ露光領域の端で強く、内側になるほど影響は弱い。そのため、第１の実施形態にて説明したフレア制御露光処理において、反射ブレード１０３の反射率を固定しない方がよい場合がある。
【００７０】
そこで、第２の実施形態に係るＥＵＶ露光装置１０ａは、第１の反射ブレード上に（第１の反射ブレードと光源１０４の間に）第２の反射ブレードを設置する。第２の実施形態に係るＥＵＶ露光装置１０ａは、第２の反射ブレードにおける反射面の反射率を、第１の反射ブレードにおける反射面の反射率よりも小さくし、きめ細かいフレア制御露光処理を実行する。
【００７１】
ＥＵＶ露光装置１０ａは、遮光ブレード１０２、第１の反射ブレード１０５（第１の実施形態の反射ブレード１０３に相当）及び第２の反射ブレード１０６を備える。
【００７２】
第２の反射ブレード１０６は、第１の反射ブレード１０５と光源１０４の間に設置される。第２の反射ブレード１０６の反射面は、反射型レチクル１０１の主面と平行な第３平面上に形成される。第２の反射ブレード１０６の反射面は、第１の反射ブレード１０５と同様に、Ｍｏ／Ｓｉ膜又はＭｏ／Ｂｅの多層膜で形成される。また、第１の反射ブレード１０５の反射面の反射率と第２の反射ブレード１０６の反射面の反射率が異なる。より詳細には、第１の反射ブレード１０５の反射面の反射率は、第２の反射ブレード１０６の反射面の反射率よりも大きく設定する。
【００７３】
ＥＵＶ露光装置１０ａは、通常露光処理時において、図１２に示す位置に、遮光ブレード１０２、第１の反射ブレード１０５−１〜１０５−４及び第２の反射ブレード１０６−１〜１０６−４を移動する。通常露光処理時の遮光ブレード１０２は、補正後レチクル露光領域（第１領域）をマスクせず、フレア補正領域（第２領域）をマスクする。一方、通常露光処理時の第１の反射ブレード１０５及び第２の反射ブレード１０６は、補正後レチクル露光領域（第１領域）とフレア補正領域（第２領域）のいずれもマスクしない。
【００７４】
フレア制御露光処理時には、ＥＵＶ露光装置１０ａは、図１３に示す位置に遮光ブレード１０２等を移動する。フレア制御露光処理時の遮光ブレード１０２は、補正後レチクル露光領域をマスクする。また、フレア制御露光処理時の第１の反射ブレード１０５及び第２の反射ブレード１０６は、フレア補正領域をマスクする。より詳細には、第１の反射ブレード１０５と第２の反射ブレード１０６は、マスクするフレア補正領域を分け合い、それぞれがマスクする領域の比率が変更可能に構成されている。そのため、フレア制御露光処理時の第１の反射ブレード１０５と第２の反射ブレード１０６の位置を微調整することで、きめ細かいフレア制御露光処理が実行できる。
【００７５】
なお、引用した上記の特許文献の開示は、本書に引用をもって繰り込むものとする。本発明の全開示（請求の範囲を含む）の枠内において、さらにその基本的技術思想に基づいて、実施形態ないし実施例の変更・調整が可能である。また、本発明の全開示の枠内において種々の開示要素（各請求項の各要素、各実施形態ないし実施例の各要素、各図面の各要素等を含む）の多様な組み合わせ、ないし、選択が可能である。すなわち、本発明は、請求の範囲を含む全開示、技術的思想にしたがって当業者であればなし得るであろう各種変形、修正を含むことは勿論である。特に、本書に記載した数値範囲については、当該範囲内に含まれる任意の数値ないし小範囲が、別段の記載のない場合でも具体的に記載されているものと解釈されるべきである。
【符号の説明】
【００７６】
１０、１０ａ  ＥＵＶ露光装置
１１  レチクル設置ユニット
１２  ミラー設置ユニット
１３  ステージユニット
２１  制御部
２２  記憶部
２３  ステージ制御部
２４  ブレード制御部
５１  ブランクス
５２  レチクル基板
５３  多層反射膜
５４  キャッピング層
５５  バッファ層
５６  吸収層
５７  反射防止層
５８  ポジ型のレジスト
５８ａ  感光部
５８ｂ  非感光部
１０１、５３２  反射型レチクル
１０２、１０２−１〜１０２−４、５３１、５３１−１〜５３１−４  遮光ブレード
１０３、１０３−１〜１０３−４  反射ブレード
１０５、１０５−１〜１０５−４  第１の反射ブレード
１０６、１０６−１〜１０５−４  第２の反射ブレード
１０４  光源
２０１〜２０６  反射型ミラー
３０１、５０１  ウェハ
３０２  ステージ
３０３  遮光体
３１１、５４１〜５４３  領域
３２１、３２１ａ、３２１ｂ、５５１〜５５３  ウェハ露光領域
３２２  フレア制御露光領域
５１１  ウェハ露光領域
５１２  ウェハ非露光領域
５２１、５６１  レチクル露光領域
５２２  レチクル非露光領域
５６２  補正後レチクル露光領域
５６３  フレア補正領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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