(57)【要約】      （修正有）【課題】広範な温度帯域の温度調整を可能とする載置台を提供する。【解決手段】焼結形成された中空のセラミックスの筐体２１と、広範な温度帯域の温度調整を可能とする載置台２０を提供する筐体２１に内蔵される発熱体又は熱交換素子（ペルチェ素子）１１と、筐体２１に内蔵されるクーリングプレート１０４と、筐体２１上に形成され、載置面に基板を載置する載置部と、を有する。発熱体又は熱交換素子１１とクーリングプレート１０４とは、圧縮接合される。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
焼結形成された中空のセラミックスの筐体と、
前記筐体に内蔵される発熱体又は熱交換素子と、
前記筐体に内蔵されるクーリングプレートと、
前記筐体上に形成され、載置面に基板を載置する載置部と、
を有し、
前記発熱体又は熱交換素子と前記クーリングプレートとは、圧縮接合される、
載置台。
【請求項２】
前記発熱体又は熱交換素子は、前記クーリングプレートよりも前記載置部に近い位置にて、接着剤を使用することなく前記筐体内に配置される、
請求項１に記載の載置台。
【請求項３】
前記載置部は、
静電吸着機構を有する吸着用電極を備える、
請求項１又は２に記載の載置台。
【請求項４】
前記筐体の内部を該筐体の外部から封止する封止部材を有する、
請求項１〜３のいずれか一項に記載の載置台。
【請求項５】
前記クーリングプレートと前記筐体とを圧縮接合する接合部材を有する、
請求項１〜４のいずれか一項に記載の載置台。
【請求項６】
前記接合部材は、前記クーリングプレートの外縁部に配置されるか、又は、前記クーリングプレートの外縁部と該クーリングプレートの中央部に配置される、
請求項５に記載の載置台。
【請求項７】
前記熱交換素子は、ペルチェ素子である、
請求項１〜６のいずれか一項に記載の載置台。
【請求項８】
中空のセラミックスの筐体を焼結形成する工程と、
前記筐体に発熱体又は熱交換素子を内蔵する工程と、
前記発熱体又は熱交換素子とクーリングプレートとを圧縮接合する工程と、
を有する、載置台の製造方法。
【請求項９】
前記筐体上に静電吸着機構を有する吸着用電極を焼結形成する工程を有する、
請求項８に記載の載置台の製造方法。
【請求項１０】
前記熱交換素子は、ペルチェ素子である、
請求項８又は９に記載の載置台の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、載置台及び載置台の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、基板を載置する載置台に温度調整機構を設け、温度調整機構により載置台を所定の温度に制御することで基板の処理の面内均一性を高めることが可能な半導体製造装置が提案されている（例えば、特許文献１を参照）。
【０００３】
特許文献１では、載置台にペルチェ素子を設け、ペルチェ素子を用いて載置台の温度を制御する。ペルチェ素子は、接着剤を用いて載置台の所定の位置に設けられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】国際公開第１９９７／０３７３７５号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、近年、載置台にて制御される温度範囲が−２０℃〜２００℃のように広範になっている。載置台においてこのような広範な温度帯域に対応した温度制御を可能にするためには、低温帯域に耐性のある接着剤を使用して低温側の温度調整を行う載置台と高温帯域に耐性のある接着剤を使用して高温側の温度調整を行う載置台とを用意し、それらの載置台を温度帯域に応じて使い分けることが必要になる。
【０００６】
上記課題に対して、一側面では、本発明は、広範な温度帯域の温度調整を可能とする載置台を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、一の態様によれば、焼結形成された中空のセラミックスの筐体と、前記筐体に内蔵される発熱体又は熱交換素子と、前記筐体に内蔵されるクーリングプレートと、前記筐体上に形成され、載置面に基板を載置する載置部と、を有し、前記発熱体又は熱交換素子と前記クーリングプレートとは、圧縮接合される、載置台が提供される。
【発明の効果】
【０００８】
一の側面によれば、広範な温度帯域の温度調整を可能とする載置台を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】一実施形態に係る半導体製造装置の縦断面の一例を示す図。
【図２】一実施形態に係る載置台の縦断面を示す図。
【図３】一実施形態に係るペルチェ素子の配置の一例（図２のＡ−Ａ断面）を示す図。
【図４】一実施形態に係る載置台の温度調整の一例を示す図。
【図５】一実施形態に係る載置台の製造方法の一例を示す図。
【図６】一実施形態に係る載置台の製造方法における圧縮接合の例を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明を実施するための形態について図面を参照して説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の構成については、同一の符号を付することにより重複した説明を省く。
【００１１】
［半導体製造装置の全体構成］
まず、本発明の一実施形態に係る半導体製造装置１の全体構成について、図１を参照しながら説明する。図１は、本発明の一実施形態に係る半導体製造装置１の全体構成を示す。本実施形態では、半導体製造装置１の一例として容量結合型プラズマエッチング装置を挙げる。
【００１２】
半導体製造装置１は、例えば表面がアルマイト処理（陽極酸化処理）されたアルミニウムからなる円筒形のチャンバ１０を有している。チャンバ１０は、接地されている。
【００１３】
チャンバ１０の内部には載置台２０が設けられている。載置台２０は、たとえばセラミックスで形成された筐体２１を有する。筐体２１は、焼結形成された中空の筒状部材である。載置台２０は、チャンバ１０の底部に設置されている。
【００１４】
筐体２１の上面には、静電吸着機構を有する吸着用電極１０６ａを備えた静電チャック１０６が設けられている。静電チャック１０６は、半導体ウェハ（以下、「ウェハＷ」という。）を静電吸着力で保持する。吸着用電極１０６ａは、導電性部材から形成される。吸着用電極１０６ａは、セラミックスの表面板１０６ｂ及びアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）の溶射膜の少なくともいずれかによりコーティングされている。静電吸着機構は、吸着用電極１０６ａに接続された直流電圧源１１２から電圧を供給し、クーロン力によってウェハＷを静電チャック上に吸着して保持する。
【００１５】
静電チャック１０６の裏面において、筐体２１の中空部分には、複数のペルチェ素子１１が内蔵されている。複数のペルチェ素子１１には、直流電圧源１１４が接続されている。ペルチェ素子１１は、直流電圧源１１４から印加される電圧の大きさ及び正負を制御することで、ウェハＷの載置面側（静電チャック１０６側）を高温に制御したり、逆に低温に制御したりすることができる素子である。ペルチェ素子１１は、上面及び下面のいずれか一方が高温になると、他方が低温になる特性を持つ。
【００１６】
図２及び図２のＡ−Ａ断面を示す図３を参照すると、多数のペルチェ素子１１が、筐体２１の内部にて格子状に配置されている。ただし、ペルチェ素子１１の個数は、これに限らず、１００個以上が整列していてもよい。また、ペルチェ素子１１の位置もこれに限らず、隣接するペルチェ素子１１が互いに熱膨張の影響を受けにくいように隙間を空けてアレイ状に配置されることが好ましい。
【００１７】
筐体２１の中空部分において、複数のペルチェ素子１１の下部には、クーリングプレート１０４が配設される。クーリングプレート１０４には、ブラインを通す冷媒配管１０４ａが形成されている。ブラインには、用力水を使用せず、フッ素系液を使用する。例えば、チラー１０４ｄのブラインは２００℃に制御され、チラー１０４ｅのブラインは−２０℃に制御されてもよい。
【００１８】
チラー１０４ｄ、１０４ｅから高温及び低温のブラインが供給される。ブラインは、冷媒配管１０４ａの入口１０４ｂからリングプレート１０４内の冷媒配管１０４ａを循環し冷媒配管１０４ａの出口１０４ｃから出てチラー１０４ｄ、１０４ｅに戻る。
【００１９】
本実施形態にかかる載置台２０は、直流電圧源１１４から印加される電圧の大きさ及び正負の極性を制御することで複数のペルチェ素子１１の設定温度を変えることと、クーリングプレート１０４に流すブラインの温度を変えることで温度調整が可能である。このようにして、本実施形態にかかる載置台２０は、複数のペルチェ素子１１に印加する電圧とブラインの温度との２つのパラメータを変えることで、−２０℃〜２００℃の広い範囲での温度調整が可能になる。
【００２０】
ペルチェ素子１１は電気部品であり、真空空間に配置すると故障や誤操作の原因となる。よって、本実施形態では、チャンバ１０の底部と筐体２１との接触部分にＯリング２２を設け、筺体２１内の大気空間Ｕ２をチャンバ１０内の真空空間Ｕ１から密閉する。これにより、ペルチェ素子１１の故障や誤操作を防止することができる。
【００２１】
なお、Ｏリング２２は、筐体２１の内部を筐体２１の外部の真空空間から封止する封止部材の一例である。また、ペルチェ素子１１は、筐体２１に内蔵される熱交換素子の一例である。筐体２１に内蔵される熱交換素子は、載置台２０の温度制御が可能であれば、ペルチェ素子１１に限らない。また、ペルチェ素子１１の替わりに筐体２１内に発熱体を設けてもよい。発熱体の一例としては、１又は複数のヒータが挙げられる。ヒータは、筐体２１の上部の内壁に貼り付けられてもよい。これにより、吸着用電極１０６ａの近傍に設けられた発熱体又は熱交換素子によって温度制御の即応性を向上させることができる。
【００２２】
ペルチェ素子１１とクーリングプレート１０４とは圧縮接合される。ペルチェ素子１１は、筐体２１内のクーリングプレート１０４よりも静電チャック１０６に近い位置に配置され、クーリングプレート１０４側から加圧することにより圧縮接合される。これによれば、筐体２１内にて接着剤を使用することなく、ペルチェ素子１１とクーリングプレート１０４とを圧縮接合する構造をとることにより、接着剤の熱への耐性を考慮することなく、載置台２０を−２０℃〜２００℃程度の範囲で温度調整することができる。
【００２３】
なお、静電チャック１０６は、ウェハＷを載置する載置部の一例であり、本実施形態にかかる載置台２０は、これに限らず、静電チャック１０６を有さない構成であってもよい。この場合、筐体２１の上部が、ウェハＷを載置する載置部となる。
【００２４】
載置台２０には、プラズマを励起するための第１高周波電源３２が第１整合器３３を介して接続され、ウェハＷにプラズマ中のイオンを引き込むための第２高周波電源３４が第２整合器３５を介して接続されている。例えば、第１高周波電源３２は、チャンバ１０内にてプラズマを生成するために適した周波数、例えば１００ＭＨｚの高周波電力を載置台２０に印加する。第２高周波電源３４は、載置台２０上のウェハＷにプラズマ中のイオンを引き込むのに適した低い周波数、例えば１３．５６ＭＨｚの高周波電力を載置台２０に印加する。このようにして載置台２０は、ウェハＷを載置するとともに下部電極としての機能を有する。
【００２５】
チャンバ１０の天井部には、誘電体４０を介してシャワーヘッド２５が接地電位の上部電極として設けられている。これにより、第１高周波電源３２からの高周波電力が載置台２０とシャワーヘッド２５との間に容量的に印加される。
【００２６】
シャワーヘッド２５は、多数のガス通気孔５５を有する電極板５６と、電極板５６を着脱可能に支持する電極支持体５８とを有する。ガス供給源１５は、ガス供給配管４５を介してシャワーヘッド２５内にガスを供給する。ガスは、２系統のガス供給経路のそれぞれに配置された拡散室５０ａ、５０ｂを通って、多数のガス通気孔５５からチャンバ１０内に導入される。
【００２７】
チャンバ１０の底部には、排気口を形成する排気管６０が設けられている。排気管６０は、排気装置６５に接続されている。排気装置６５は、ターボ分子ポンプやドライポンプ等の真空ポンプから構成され、チャンバ１０内の処理空間を所定の真空度まで減圧するとともに、チャンバ１０内のガスを排気口６０からチャンバ１０外に排気する。
【００２８】
ウェハＷの裏面には、伝熱ガス供給源８５から供給されるヘリウム（Ｈｅ）等の伝熱ガスがガス管１３０を介して供給される。これにより、ウェハＷの裏面の伝熱を促進させることができる。
【００２９】
かかる構成の半導体製造装置１において、ウェハＷにエッチング等の所定の処理を行う際には、まず、ウェハＷがゲートバルブＧからチャンバ１０内に搬入される。ウェハＷは、モータ８４の動力により上昇したプッシャーピン８１により静電チャック１０６の上方で保持され、プッシャーピン８１が降下することにより静電チャック１０６上に載置される。静電チャック１０６の吸着用電極１０６ａに直流電圧源１１２から所定の電圧を印加することで、ウェハＷは静電チャック１０６上に保持される。ゲートバルブＧは、ウェハＷを搬入後に閉じられ、これにより、チャンバ１０内部を密閉することができる。
【００３０】
直流電圧源１１４から印加される電圧の大きさ及び正負の極性を制御することで複数のペルチェ素子１１の温度が調整される。冷媒配管１０４ａに通すブラインの温度を所定の温度に制御し、冷媒配管１０４ａ内に循環させることでクーリングプレート１０４の温度が調整される。ヘリウム等の伝熱ガスが、伝熱ガス供給源８５からウェハＷの裏面に供給される。これにより、載置台２０の温度が所望の温度に調整され、ウェハＷへの処理の面内均一性を高めることができる。
【００３１】
チャンバ１０内の圧力は、排気装置６５により所望の真空度に減圧される。所定のガスが、シャワーヘッド２５からシャワー状にチャンバ１０内に導入される。第１高周波電源３２及び第２高周波電源３４から所定のパワーの高周波電力が載置台２０に印加される。
【００３２】
導入されたガスを高周波電力によりプラズマが生成され、プラズマの作用によりウェハＷにエッチング等の処理が行われる。プラズマエッチング終了後、ウェハＷは、搬送アーム上に保持され、ゲートバルブＧの開閉によりチャンバ１０の外部に搬出される。
【００３３】
［載置台の温度調整］
本実施形態における載置台２０の温度調整の一例について、図４を参照しながら説明する。本実施形態では、複数のペルチェ素子１１とクーリングプレート１０４内を循環させるブラインとにより載置台２０の温度調整が可能になる。図４の（ａ）に示すように、直流電圧源１１４から複数のペルチェ素子１１に所定の極性（例えば正の極性）の電圧を印加すると、ペルチェ素子１１の上面を高温に制御することができる。この場合、チラー１０４ｄから高温のブラインをクーリングプレート１０４内に循環させることで、載置台２０上のウェハＷを、例えば２００℃程度の高温に制御できる。
【００３４】
また、図４の（ｂ）に示すように、直流電圧源１１４から複数のペルチェ素子１１に図４の（ａ）の場合と逆の極性（例えば負の極性）の電圧を印加すると、ペルチェ素子１１の上面を低温に制御することができる。この場合、チラー１０４ｅから低温のブラインをクーリングプレート１０４内に循環させることで、載置台２０上のウェハＷを、例えば−２０℃程度の低温に制御できる。
【００３５】
このように、本実施形態における載置台２０は、ペルチェ素子１１に印加する電圧の大きさと極性（正負）、及びクーリングプレート１０４内を流れるブラインの温度の二つのファクターを用いて載置台２０の温度を調整する。これにより、−２０℃〜２００℃の広い範囲で載置台２０の温度を制御することができる。
【００３６】
［載置台の製造方法］
次に、本実施形態にかかる載置台２０の製造方法の一例について、図５を参照しながら説明する。
【００３７】
（第１工程：筐体を焼結形成する工程）
本実施形態にかかる載置台２０の製造方法の第１工程は、セラミックスの筐体２１を焼結形成する。筐体２１は、アルミナであってもよい。筐体２１は、下部が開口した中空の筒状部材であり、図５の（ａ）は、焼結形成された筐体２１の断面を示す。第１工程は、筐体２１を焼結形成するときに同時にプッシャーピン８１を通すための配管８１ａと、ヘリウム等の伝熱ガスを流すためのガス管１３０ａとを筐体２１の所定位置に配置して筐体２１と一体に焼結する。配管８１ａとガス管１３０ａとは、アルミナやセラミックスで形成されてもよい。
【００３８】
（第２工程：吸着用電極を焼結形成する工程）
図５の（ｂ）に示すように、第２工程は、筐体２１上に吸着用電極１０６ａと、吸着用電極１０６ａを覆うセラミックスの表面板１０６ｂとを積層し、筐体２１とともに焼結形成する。第２工程は、まず、筐体２１の上部の外壁表面に吸着用電極１０６ａを接触させ、さらにその表面にセラミックスの表面板１０６ｂを配置する。第２工程は、この状態で筐体２１と吸着用電極１０６ａと表面板１０６ｂとを一体に焼結する。焼結の際、吸着用電極１０６ａと表面板１０６ｂとには、配管８１ａとガス管１３０ａと連通する貫通口が形成される。これにより、筐体２１上に吸着用電極１０６ａを備える静電チャック（載置部）が形成される。
【００３９】
なお、第２工程は、載置台２０に静電チャックの機能を設けない場合、省略され得る。
【００４０】
（第３工程：ペルチェ素子及びクーリングプレートを内蔵→圧縮接合する工程）
図５の（ｃ）は、説明の便宜のために図５の（ｂ）の状態に対して上下を逆にして図示したものである。図５の（ｃ）に示すように、第３工程は、筐体２１の内部にペルチェ素子１１を収納し、筐体２１の載置面側の内壁と接触させた状態でペルチェ素子１１を配置する。本実施形態では、筐体２１の内部にて複数のペルチェ素子１１を格子状に配置する。次に、第３工程は、筐体２１内の複数のペルチェ素子１１に接触させてクーリングプレート１０４を配置する。その際、複数のペルチェ素子１１の隙間に配管８１ａとガス管１３０ａとが位置付けられる。さらにクーリングプレート１０４に貫通口を形成し、その貫通口に配管８１ａとガス管１３０ａとを通す。なお、筐体２１の内部には、ペルチェ素子１１以外の熱交換素子を内蔵してもよいし、熱交換素子の替わりにヒータ等の発熱体を内蔵してもよい。
【００４１】
第３工程は、この状態でクーリングプレート１０４側からペルチェ素子１１に向かって加圧する。これにより、ペルチェ素子１１とクーリングプレート１０４とが圧縮接合される。この圧縮接合により、ペルチェ素子１１とクーリングプレート１０４とが、接着剤を用いることなく筐体２１内に配置される構造とすることができる。圧縮接合としては、本実施形態のように、ネジ止めによる加圧方法の他、スプリングや板バネ等の弾性部材を用いた加圧方法を用いることができる。
【００４２】
本実施形態にかかる載置台２０の製造方法では、ペルチェ素子１１とクーリングプレート１０４とを筐体２１内で圧縮接合し、筐体２１の内部にて接着剤を使用しない。
【００４３】
よって、従来のように、低温帯域に耐性のある接着剤を使用して低温側の温度調整を行う載置台と高温帯域に耐性のある接着剤を使用して高温側の温度調整を行う載置台とを用意し、それらの載置台を温度帯域に応じて使い分ける必要がない。このように、本実施形態では、−２０℃〜２００℃程度の広範な温度帯域における温度調整が可能な載置台２０を提供することができる。
【００４４】
また、本実施形態にかかる載置台２０では、ペルチェ素子１１とクーリングプレート１０４との間及び筐体２１とペルチェ素子１１との間には接着剤が介在せず、各部材が直接接触する。つまり、本実施形態にかかる載置台２０の製造方法によれば、圧縮接合によりクーリングプレート１０４とペルチェ素子１１と筐体２１とを密着させた構造を有する。このため、熱伝導が良好になり、クーリングプレート１０４とペルチェ素子１１との間、及び筐体２１とペルチェ素子１１との間の熱交換効率を高めることができる。これにより、筐体２１とペルチェ素子１１との間、ペルチェ素子１１とクーリングプレート１０４との間の熱損失を低減でき、載置部の温度を調整する際の温度制御性と即応性とを向上させることができる。
【００４５】
また、吸着用電極１０６ａと筐体２１との間は、焼結により形成される。これにより、−２０℃〜２００℃の広い範囲で載置台２０の温度を設定しても、吸着用電極１０６ａと筐体２１との間で割れや破損が生じることを回避することができる。
【００４６】
［圧縮接合］
最後に、本実施形態における載置台２０の製造方法に用いられる圧縮接合方法の一例について、図６を参照しながら説明する。図６の（ａ）は、載置台２０の製造方法に用いられる圧縮接合方法の一例を示し、図６の（ｂ）は、載置台２０の製造方法に用いられる圧縮接合方法の他の例を示す。
【００４７】
本実施形態に係る筐体２１内に配置されたペルチェ素子１１とクーリングプレート１０４とは、線膨張により径方向に伸縮する。ここで、ペルチェ素子１１同士は、ある程度の隙間を開けて配置されることができる。よって、複数のペルチェ素子１１が温度変化によって干渉しあって径方向に伸縮し、これによってクーリングプレート１０４との接触面で摩擦が生じることは考えにくい。
【００４８】
一方、クーリングプレート１０４は、アルミニウムで形成され、温度変化に応じて径方向に伸縮することが考えられる。この場合、図６の（ａ）及び図６の（ｂ）に示されるように、複数のペルチェ素子１１とクーリングプレート１０４との接触面Ｃにて摩擦が生じることが考えられる。
【００４９】
他方、載置台２０の温度制御性及び即応性を高めるためには、図６の（ａ）及び図６の（ｂ）の接触面Ｂ及び接触面Ｃは、なるべく密着させて熱交換効率を高めることが好ましい。
【００５０】
よって、図６の（ａ）に示すように、載置台２０の製造方法に用いられる圧縮接合方法の一例では、筐体２１内にペルチェ素子１１とクーリングプレート１０４とを配置した状態で、ねじ２３を用いてクーリングプレート１０４を筐体２１に固定する。この圧縮接合方法では、クーリングプレート１０４の外周部の下面にてクーリングプレート１０４を支持する接合部材２４が用いられる。接合部材２４は、ねじ２３を用いて筐体２１の底部にて筐体２１にねじ止めされ、これにより、クーリングプレート１０４とペルチェ素子１１とを加圧する。このようにして、クーリングプレート１０４とペルチェ素子１１とが筐体２１内で圧縮接合されることで、クーリングプレート１０４は接合部材２４上で径方向に自由に伸縮することができる。これにより、接触面Ｂ及び接触面Ｃで各部材に摩擦が生じることを抑制できる。これにより、摩擦を抑えながら、クーリングプレート１０４とペルチェ素子１１との熱伝導を良好にし、載置台２０の温度制御性及び即応性を高めることができる。
【００５１】
なお、接合部材２４は、例えば熱伝導率の低い樹脂などの材料で形成され、クーリングプレート１０４の熱が、接合部材２４を介してチャンバ１０側に伝わることを抑制するようになっている。
【００５２】
図６の（ｂ）は、図６の（ａ）に示す接合部材２４とともに、クーリングプレート１０４の中央部に接合部材２６を設けた圧縮接合方法の他の例を示す。図６の（ｂ）に示す載置台２０では、クーリングプレート１０４の中央部に設けられた接合部材２６は、ねじ構造を有し、クーリングプレート１０４を貫通し、ペルチェ素子１１の隙間を通って筐体２１の上部にねじ止めされる。これにより、接触面Ｂ及び接触面Ｃにおいてさらに各部材の密着性を高めることで更に熱交換効率を向上させることができる。これに加えて、接合部材２６により載置台２０の機械的強度を高めることができる。また、接合部材２６を例えば熱伝導率の高い金属などの材料で形成することで、クーリングプレート１０４の熱が、接合部材２６を介して載置部側に伝わり易いようにしてもよい。
【００５３】
以上のように、載置台２０は、図６の（ａ）に示す接合部材２４によりクーリングプレート１０４とペルチェ素子１１とを圧縮接合してもよい。また、図６の（ｂ）に示す接合部材２４及び接合部材２６によりクーリングプレート１０４とペルチェ素子１１とを圧縮接合してもよい。
【００５４】
以上に説明したように、本実施形態にかかる載置台２０によれば、温度調整のためのクーリングプレート１０４とペルチェ素子１１とを接着剤を用いることなく、圧縮接合することで、載置台２０の温度制御性及び即応性を高め、載置台２０における２００℃以上の広範な温度調整を可能とする。
【００５５】
以上、載置台及び載置台の製造方法を上記実施形態により説明したが、本発明にかかる載置台及び載置台の製造方法は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲内で種々の変形及び改良が可能である。上記複数の実施形態に記載された事項は、矛盾しない範囲で組み合わせることができる。
【００５６】
例えば、本発明に係る載置台は、容量結合型プラズマ（ＣＣＰ:Capacitively Coupled Plasma)装置だけでなく、その他の半導体製造装置に適用可能である。その他の半導体製造装置としては、誘導結合型プラズマ(ＩＣＰ:Inductively Coupled Plasma)、ラジアルラインスロットアンテナを用いたＣＶＤ(Chemical Vapor Deposition)装置、ヘリコン波励起型プラズマ（ＨＷＰ：Helicon Wave Plasma）装置、電子サイクロトロン共鳴プラズマ（ＥＣＲ：Electron Cyclotron Ｒesonance Plasma）装置等であってもよい。
【００５７】
また、本発明にかかる半導体製造装置により処理される基板は、ウェハに限られず、例えば、フラットパネルディスプレイ（Flat Panel Display)用の大型基板、ＥＬ素子又は太陽電池用の基板であってもよい。
【符号の説明】
【００５８】
１：半導体製造装置
１０：チャンバ
１１：ペルチェ素子
２０：載置台
２１：筐体
２２：Ｏリング
２４，２６：接合部材
２５：シャワーヘッド
６５：排気装置
８１ａ：配管
１０４：クーリングプレート
１０４ａ：冷媒配管
１０４ｂ：冷媒配管の入口
１０４ｃ：冷媒配管の出口
１０４ｄ、１０４ｅ：チラー
１０６：静電チャック
１０６ａ：吸着用電極
１３０ａ：ガス管
【図１】
2016082077.tif 000003
【図２】
2016082077.tif 000004
【図３】
2016082077.tif 000005
【図４】
2016082077.tif 000006
【図５】
2016082077.tif 000007
【図６】
2016082077.tif 000008