(57)【要約】【課題】  光電変換部に形成された凹部の斜面に薄く形成された不純物半導体層及び電極に起因して電流のリークが発生することを解消すること。【解決手段】  基板１上に形成されたＴＦＴ３１と、ＴＦＴ３１上に絶縁層８を挟んで積層された光電変換部３０と、光電変換部３０とＴＦＴ３１のドレイン電極４ｂとを導電接続する第１のコンタクトホール２０と、を含む検出部４０を複数有する光検出装置であって、光電変換部３０は、ＴＦＴ３１の側から第１の電極層９、第１の不純物半導体層１０、真性半導体層１１、第２の不純物半導体層１２及び第２の電極層１３が積層されているとともに、第１のコンタクトホール２０の上方の部位に第２の電極層１３から真性半導体層１１にかけて凹部２１が形成されており、凹部２１は、第２の電極層１３の非形成部13aとされている。【選択図】  図１
2016092041.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された薄膜トランジスタと、その薄膜トランジスタ上に絶縁層を挟んで積層された光電変換部と、その光電変換部と前記薄膜トランジスタの電極とを導電接続するコンタクトホールと、を含む検出部を複数有する光検出装置であって、前記光電変換部は、前記薄膜トランジスタの側から第１の電極層、第１の不純物半導体層、真性半導体層、第２の不純物半導体層及び第２の電極層が積層されているとともに、前記コンタクトホールの上方の部位に前記第２の電極層から前記真性半導体層にかけて凹部が形成されており、前記凹部は、前記第２の電極層の非形成部とされている光検出装置。
【請求項２】
前記第２の電極層の非形成部は、前記凹部の周囲に延在している請求項１に記載の光検出装置。
【請求項３】
前記凹部は、その開口の平面視形状が矩形状であり、前記第２の電極層の非形成部は、その平面視形状が前記凹部の開口の形状と相似状であるとともに前記開口の角部に対応する部位が他の部位よりも前記凹部の開口から離れている請求項２に記載の光検出装置。
【請求項４】
前記凹部は、その開口の平面視形状が曲線状の角部を有する矩形状である請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の光検出装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、Ｘ線等の放射線をシンチレータ等によって波長変換して光に変換し、その光を光電変換することによって、人等の被写体の画像を形成し診断するための医療用画像診断装置等に用いられる光検出装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来の光検出装置の１例を図５に示す。図５は、従来の光検出装置において、光を電荷に変換する光電変換部３０としてのｐｉｎフォトダイオードと、ｐｉｎフォトダイオードによって光電変換された電荷を電気信号として取り出すスイッチ素子としての薄膜トランジスタ（Thine  Film  Transistor  ：ＴＦＴ）３１と、を有する検出部４０の拡大平面図である。この光検出装置は、例えば多数の検出部４０が行方向及び列方向に配列された構成、所謂マトリックス状に検出部４０が配列された構成を有する。
【０００３】
平面視形状が矩形状の検出部４０は、その１隅部に光電変換部３０であるｐｉｎフォトダイオードにバイアス電圧を印加するための第２のコンタクトホール２２が形成されており、また光電変換部３０にバイアス電圧を供給するバイアス線１６が検出部４０の受光面の側にソース信号線３２に沿って形成されている。また検出部４０は、上記１隅部に対向する他の隅部にＴＦＴ３１が形成されている。ＴＦＴ３１は、チャネル部としての第１の半導体膜６ａ、窒化シリコン（ＳｉＮx）等から成るエッチング阻止層５、第２の半導体膜６ｂ、ソース電極４ａ、ドレイン電極４ｂを有している。第２の半導体膜６ｂは、第１の半導体膜６ａと、ソース電極４ａ及びドレイン電極４ｂとの電気的接続を行うためのものである。さらに、検出部４０の中央部付近には、光電変換部３０によって変換された電荷をＴＦＴ３１のドレイン電極４ｂに電導させるための第１のコンタクトホール２０が形成されている。ソース信号線３２は、光電変換部３０により変換された電荷を電荷量に応じた電気信号として出力する。
【０００４】
図６は、図５のＡ１−Ａ２線、Ｂ１−Ｂ２線及びＣ１−Ｃ２線における検出部４０の断面図である。ガラス基板等から成る基板１の一面に、ＴＦＴ３１のオン／オフを制御するゲート線２が形成されており、基板１の一面及びゲート線２を覆ってゲート絶縁層３が形成され、ゲート絶縁層３上のゲート線２を覆う部位にアモルファスシリコン（ａＳｉ）等から成るチャネル部としての第１の半導体膜６ａが形成され、第１の半導体膜６ａ上のゲート線２に重なる位置にエッチング阻止層５が形成され、エッチング阻止層５及び第１の半導体膜６ａを覆ってｎ＋ａＳｉ等から成る第２の半導体膜６ｂが形成されている。第２の半導体膜６ｂ上に、タンタル（Ｔａ），ネオジウム（Ｎｄ），タングステン（Ｗ），チタン（Ｔｉ），モリブデン（Ｍｏ），アルミニウム（Ａｌ），クロム（Ｃｒ），銀（Ａｇ）等の金属またはそれらの合金から成るソース電極４ａ及びドレイン電極４ｂが形成されてＴＦＴ３１が構成されている。なお第２の半導体膜６ｂは、ソース電極４ａとドレイン電極４ｂが電気的に分離されている部位において同様に電気的に分離されている。そして、ＴＦＴ３１及びゲート絶縁層３を覆って酸化シリコン（ＳｉＯ2），窒化シリコン（ＳｉＮx）等から成る第１のパッシベーション層７が形成されている。第１のパッシベーション層７を覆ってアクリル樹脂等から成る絶縁層８が形成されている。
【０００５】
絶縁層８上に、Ｔａ，Ｎｄ，Ｗ，Ｔｉ，Ｍｏ，Ａｌ，Ｃｒ，Ａｇ等の金属またはそれらの合金から成る第１の電極層９、ｎ＋ａＳｉ等から成る第１の不純物半導体層１０、真性（intrinsic）Ｓｉ（ｉ型Ｓｉ）等から成る真性半導体層１１、ｐ＋ａＳｉ等から成る第２の不純物半導体層１２、インジウム錫酸化物（Indium  Tin  Oxide  ：ＩＴＯ）等の透明電極から成る第２の電極層１３が積層されている。第１の電極層９、第１の不純物半導体層１０、真性半導体層１１、第２の不純物半導体層１２及び第２の電極層１３によって、光電変換部３０としてのｐｉｎフォトダイオードが構成される。このｐｉｎフォトダイオードは、第２の不純物半導体層１２及び第２の電極層１３の側から真性半導体層１１に入射した光３３を光電変換する。
【０００６】
光電変換部３０及び絶縁層８を覆って第２のパッシベーション層１４及び第３のパッシベーション層１７が形成されている。第３のパッシベーション層１７上に、Ｔａ，Ｎｄ，Ｗ，Ｔｉ，Ｍｏ，Ａｌ，Ｃｒ，Ａｇ等の金属またはそれらの合金から成るバイアス線１６、バイアス線１６と第２の電極層１３を導電接続する第３の電極層１５が第２のコンタクトホール２２に形成されている。
【０００７】
そして、光電変換部３０は、第１のコンタクトホール２０の上方の部位に凹部２１が形成される場合がある。凹部２１は、ＣＶＤ（Chemical  Vapor  Deposition）法等の薄膜形成法によって、真性半導体層１１、第２の不純物半導体層１２、第２の電極層１３を形成する際に、第１のコンタクトホール２０の凹みに倣ってそれらの層が形成されることによって生じる（例えば、特許文献１を参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２０１３−２３５９３５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、上記従来の光検出装置においては、図７に示すように、凹部２１の周囲における第２の不純物半導体層１２及び第２の電極層１３の厚みＴ１よりも、凹部２１の斜面における第２の不純物半導体層１２及び第２の電極層１３の厚みＴ２が薄く形成される。これは、薄膜の結晶成長方向に異方性を有するＣＶＤ法等の薄膜形成法によって、第２の不純物半導体層１２を形成することに起因している。その結果、凹部２１の斜面において、光３３を受光していないときにも、薄い第２の不純物半導体層１２を通して真性半導体層１１から第２の電極層１３に電流が流れていた。即ち、電流の漏れ（リーク）が発生するという問題点があった。
【００１０】
従って、本発明は上記問題点に鑑みて完成されたものであり、その目的は、光電変換部に形成された凹部の斜面に薄く形成された不純物半導体層に起因して電流のリークが発生することを解消することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の光検出装置は、基板上に形成された薄膜トランジスタと、その薄膜トランジスタ上に絶縁層を挟んで積層された光電変換部と、その光電変換部と前記薄膜トランジスタの電極とを導電接続するコンタクトホールと、を含む検出部を複数有する光検出装置であって、前記光電変換部は、前記薄膜トランジスタの側から第１の電極層、第１の不純物半導体層、真性半導体層、第２の不純物半導体層及び第２の電極層が積層されているとともに、前記コンタクトホールの上方の部位に前記第２の電極層から前記真性半導体層にかけて凹部が形成されており、前記凹部は、前記第２の電極層の非形成部とされている構成である。
【００１２】
本発明の光検出装置は、好ましくは、前記第２の電極層の非形成部は、前記凹部の周囲に延在している。
【００１３】
また本発明の光検出装置は、好ましくは、前記凹部は、その開口の平面視形状が矩形状であり、前記第２の電極層の非形成部は、その平面視形状が前記凹部の開口の形状と相似状であるとともに前記開口の角部に対応する部位が他の部位よりも前記凹部の開口から離れている。
【００１４】
また本発明の光検出装置は、好ましくは、前記凹部は、その開口の平面視形状が曲線状の角部を有する矩形状である。
【発明の効果】
【００１５】
本発明の光検出装置は、基板上に形成された薄膜トランジスタと、その薄膜トランジスタ上に絶縁層を挟んで積層された光電変換部と、その光電変換部と薄膜トランジスタの電極とを導電接続するコンタクトホールと、を含む検出部を複数有する光検出装置であって、光電変換部は、薄膜トランジスタの側から第１の電極層、第１の不純物半導体層、真性半導体層、第２の不純物半導体層及び第２の電極層が積層されているとともに、コンタクトホールの上方の部位に第２の電極層から真性半導体層にかけて凹部が形成されており、凹部は、第２の電極層の非形成部とされていることから、凹部において非受光時に真性半導体層から第２の電極層にリーク電流が流れることを防ぐことができる。
【００１６】
本発明の光検出装置は、好ましくは、第２の電極層の非形成部は、凹部の周囲に延在していることから、リーク電流が流れることをより確実に防ぐことができる。例えば、第２の電極層の非形成部を形成する際の露光のアライメントのずれ等によって第２の電極層の非形成部の位置ずれが生じたとしても、第２の電極層が凹部の斜面に成膜されないようにすることができる。
【００１７】
また本発明の光検出装置は、好ましくは、凹部は、その開口の平面視形状が矩形状であり、第２の電極層の非形成部は、その平面視形状が凹部の開口の形状と相似状であるとともに開口の角部に対応する部位が他の部位よりも凹部の開口から離れていることから、第２の電極層がリーク電流が発生しやすい凹部の谷状部に形成されることを確実に回避することができる。その結果、リーク電流が流れることをさらに確実に防ぐことができる。
【００１８】
また本発明の光検出装置は、好ましくは、凹部は、その開口の平面視形状が曲線状の角部を有する矩形状であることから、リーク電流が発生しやすい凹部の谷状部が曲面状となり、第２の電極層の非形成部を形成する際の露光のアライメントのずれ等によって第２の電極層が凹部に入り込むことがあったとしても、リーク電流の発生を効果的に抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】図１は、本発明の光検出装置について実施の形態の１例を示す図であり、光検出装置の検出部の断面図である。
【図２】図２は、図１の検出部の光電変換部における凹部（図１のＥ部）の拡大断面図である。
【図３】図３は、本発明の光検出装置について実施の形態の他例を示す図であり、光検出装置の検出部の光電変換部における凹部の拡大断面図である。
【図４】図４（ａ）〜（ｃ）は、それぞれ本発明の光検出装置について実施の形態の他例を示す図であり、光検出装置の検出部の光電変換部における凹部及びその周囲の拡大平面図である。
【図５】図５は、従来の光検出装置の検出部の拡大平面図である。
【図６】図６は、図５のＡ１−Ａ２線、Ｂ１−Ｂ２線及びＣ１−Ｃ２線における検出部の断面図である。
【図７】図７は、図６の検出部の光電変換部における凹部（図６のＤ部）の拡大断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、本発明の光検出装置の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。但し、以下で参照する各図は、本発明の光検出装置の主要な構成部材等を示している。従って、本発明の光検出装置は、図に示されていない回路基板、配線導体、制御ＩＣ，ＬＳＩ等の周知の構成部材を備えていてもよい。
【００２１】
本発明の光検出装置は、図１に示すように、ガラス基板等から成る基板１上に形成されたＴＦＴ３１と、そのＴＦＴ３１上に絶縁層８を挟んで積層された光電変換部３０と、その光電変換部３０とＴＦＴ３１のドレイン電極４ｂとを導電接続する第１のコンタクトホール２０と、を含む検出部４０を複数有する光検出装置であって、光電変換部３０は、ＴＦＴ３１の側から第１の電極層９、第１の不純物半導体層１０、真性半導体層１１、第２の不純物半導体層１２及び第２の電極層１３が積層されているとともに、第１のコンタクトホール２０の上方の部位に第２の電極層１３から真性半導体層１１にかけて凹部２１が形成されており、凹部２１は、第２の電極層１３の非形成部13aとされている。即ち、凹部２１の全面には第２の電極層１３が形成されていない。これにより、凹部２１において非受光時に真性半導体層１１から第２の電極層１３にリーク電流が流れることを防ぐことができる。
【００２２】
本発明の光検出装置は以下のような構成を有する。平面視形状が矩形状の検出部４０は、その１隅部に光電変換部３０であるｐｉｎフォトダイオードにバイアス電圧を印加するための第２のコンタクトホール２２が形成されており、また光電変換部３０にバイアス電圧を供給するバイアス線１６が検出部４０の受光面の側にソース信号線３２に沿って形成されている。また検出部４０は、上記１隅部に対向する他の隅部にＴＦＴ３１が形成されている。ＴＦＴ３１は、チャネル部としての第１の半導体膜６ａ、窒化シリコン（ＳｉＮx）等から成るエッチング阻止層５、第２の半導体膜６ｂ、ソース電極４ａ、ドレイン電極４ｂを有している。第２の半導体膜６ｂは、第１の半導体膜６ａと、ソース電極４ａ及びドレイン電極４ｂとの電気的接続を行うためのものである。さらに、検出部４０の中央部付近には、光電変換部３０によって変換された電荷をＴＦＴ３１のドレイン電極４ｂに電導させるための第１のコンタクトホール２０が形成されている。ソース信号線３２は、光電変換部３０により変換された電荷を電荷量に応じた電気信号として出力する。また、ＴＦＴ３１は、エッチング阻止層５を有するチャネルストッパー型以外に、バックチャネルカット型等であってもよく、ＴＦＴ３１を構成する半導体は低温ポリシリコン（Low-temperature  Poly  Silicon  ：ＬＴＰＳ）、インジウムガリウム亜鉛酸化物（Indium  Gallium  Zinc  Oxide  ：ＩＧＺＯ）等の酸化物半導体であってもよい。そして、ガラス基板等から成る基板１の一面に、ＴＦＴ３１のオン／オフを制御するＴａ，Ｎｄ，Ｗ，Ｔｉ，Ｍｏ，Ａｌ，Ｃｒ，Ａｇ等の金属またはそれらの合金から成るゲート線２が形成されており、基板１の一面及びゲート線２を覆ってゲート絶縁層３が形成され、ゲート絶縁層３上のゲート線２を覆う部位にアモルファスシリコン（ａＳｉ）等から成るチャネル部としての第１の半導体膜６ａが形成され、第１の半導体膜６ａ上のゲート線２に重なる位置にエッチング阻止層５が形成され、エッチング阻止層５及び第１の半導体膜６ａを覆ってｎ＋ａＳｉ等から成る第２の半導体膜６ｂが形成されている。第２の半導体膜６ｂ上に、Ｔａ，Ｎｄ，Ｗ，Ｔｉ，Ｍｏ，Ａｌ，Ｃｒ，Ａｇ等の金属またはそれらの合金から成るソース電極４ａ及びドレイン電極４ｂが形成されてＴＦＴ３１が構成されている。なお第２の半導体膜６ｂは、ソース電極４ａとドレイン電極４ｂが電気的に分離されている部位において同様に電気的に分離されている。そして、ＴＦＴ３１及びゲート絶縁層３を覆って酸化シリコン（ＳｉＯ2），窒化シリコン（ＳｉＮx）等から成る第１のパッシベーション層７が形成されている。第１のパッシベーション層７を覆ってアクリル樹脂等から成る絶縁層８が形成されている。
【００２３】
絶縁層８上に、Ｔａ，Ｎｄ，Ｗ，Ｔｉ，Ｍｏ，Ａｌ，Ｃｒ，Ａｇ等の金属またはそれらの合金から成る第１の電極層９、ｎ＋ａＳｉ，ｐ＋ａＳｉ等から成る第１の不純物半導体層１０、真性Ｓｉ（ｉ型Ｓｉ）等から成る真性半導体層１１、ｐ＋ａＳｉ，ｎ＋ａＳｉ等から成る第２の不純物半導体層１２、ＩＴＯ等の透明電極から成る第２の電極層１３が積層されている。なお、第１の不純物半導体層１０がｎ＋ａＳｉ等のｎ型のものである場合第２の不純物半導体層１２はｐ＋ａＳｉ等のｐ型のものであり、第１の不純物半導体層１０がｐ＋ａＳｉ等のｐ型のものである場合第２の不純物半導体層１２はｎ＋ａＳｉ等のｎ型のものである。そして、第１の電極層９、第１の不純物半導体層１０、真性半導体層１１、第２の不純物半導体層１２及び第２の電極層１３によって、光電変換部３０としてのｐｉｎフォトダイオードが構成される。このｐｉｎフォトダイオードは、第２の不純物半導体層１２及び第２の電極層１３の側から真性半導体層１１に入射した光３３を光電変換する。
【００２４】
光電変換部３０及び絶縁層８を覆って第２のパッシベーション層１４及び第３のパッシベーション層１７が形成されている。第３のパッシベーション層１７上に、Ｔａ，Ｎｄ，Ｗ，Ｔｉ，Ｍｏ，Ａｌ，Ｃｒ，Ａｇ等の金属またはそれらの合金から成るバイアス線１６と、バイアス線１６と第２の電極層１３を導電接続する第３の電極層１５が第２のコンタクトホール２２に形成されている。
【００２５】
そして、光電変換部３０は、第１のコンタクトホール２０の上方の部位に凹部２１が形成されている。凹部２１は、ＣＶＤ法等の薄膜形成法によって第１の不純物半導体層１０、真性半導体層１１を形成する際に、第１のコンタクトホール２０の凹みに倣ってそれらの層が形成されることによって生じる。
【００２６】
第１の電極層９、第２の電極層１３、第１の不純物半導体層１０、真性半導体層１１、第２の不純物半導体層１２及び第２の電極層１３は、スパッタリング法、ＣＶＤ法等の薄膜形成方法によって形成され得る。例えば、第１の電極層９及び第２の電極層１３は、スパッタリング法によって形成され、第１の不純物半導体層１０、真性半導体層１１及び第２の不純物半導体層１２は、薄膜の結晶成長方向に異方性を有するＣＶＤ法によって形成される。また、第１の電極層９の厚みは３０ｎｍ〜５００ｎｍ程度、第１の不純物半導体層１０の厚みは３０ｎｍ〜２００ｎｍ程度、真性半導体層１１の厚みは５００ｎｍ〜２０００ｎｍ程度、第２の不純物半導体層１２の厚みは５ｎｍ〜５０ｎｍ程度、第２の電極層１３の厚みは３０ｎｍ〜１００ｎｍ程度である。そのため、凹部２１の斜面において第２の不純物半導体層１２及び第２の電極層１３の厚みが３０ｎｍ程度よりも薄くなり、凹部２１の斜面においてリーク電流が発生しやすくなる。
【００２７】
図２は、図１の検出部４０の光電変換部３０における凹部２１（図１のＥ部）の拡大断面図である。図２に示すように、凹部２１は、第２の電極層１３の非形成部13aとされている。第２の電極層１３の非形成部13aは、フォトリソグラフィ法及びエッチング法によりパターンニング、除去することによって、設けることができる。
【００２８】
本発明の光検出装置は、図３、図４に示すように、第２の電極層１３の非形成部13aは、凹部２１の周囲に延在していることが好ましい。即ち、非形成部13aは、平面視において凹部２１を内包するように、平面視形状が凹部２１の開口よりも大きいことがよい。この場合、リーク電流が流れることをより確実に防ぐことができる。例えば、第２の電極層１３の非形成部13aを形成する場合、露光のアライメントのずれ等によって第２の電極層１３の非形成部13aの位置ずれが生じたとしても、第２の電極層１３が凹部２１の斜面に形勢されないようにすることができる。
【００２９】
図４（ａ）〜（ｃ）はそれぞれ、非形成部13aが凹部２１の周囲に延在している形態の例を示すものであり、凹部２１及びその周囲の拡大平面図である。（ａ）は、非形成部13aの平面視形状が、凹部２１の矩形の開口形状と相似状である構成である。この場合、リーク電流が流れることをより確実に防ぐことができる。またこの場合、非形成部13aの端は、凹部２１の開口から５μｍ程度以上離れていることがよい。５μｍ未満では、第２の電極層１３の非形成部13aを形成する際の露光のアライメントのずれ等によって第２の電極層１３が凹部２１の斜面に形成されやすくなる傾向がある。
【００３０】
図４（ｂ）は、凹部２１は、その開口の平面視形状が矩形状であり、第２の電極層１３の非形成部13aは、その平面視形状が凹部２１の開口の形状と相似状であるとともに開口の角部に対応する部位が他の部位よりも凹部２１の開口から離れている構成である。即ち、第２の電極層１３の非形成部13aは、平面視において、凹部２１の開口の角部に対応する部位が他の部位よりも外側にある。そして、非形成部13aの開口の角部に対応する部位が矩形状に形成されている。この場合、凹部２１の隣接する２つの斜面が接する部位は谷状に形成されており、その谷状部において第２の不純物半導体層１２が最も薄く形成される。従って、谷状部がリーク電流が最も発生しやすい部位となる。上記の構成により、第２の電極層１３の非形成部13aを形成する際の露光のアライメントのずれ等によって第２の電極層１３の非形成部13aの位置ずれが生じたとしても、第２の電極層１３が凹部２１の谷状部に形成されることを確実に回避することができる。その結果、リーク電流が流れることをさらに確実に防ぐことができる。
【００３１】
なお、上記の矩形状とは、完全な矩形（四角形）である必要はなく、角部が曲線状に形成された形状等を含む。上記の相似状であるとは、完全な相似形である必要はなく、第２の電極層１３の非形成部13aの平面視形状が、凹部２１の開口の平面視形状に略沿った形状、あるいは略平行である形状である。また、凹部２１の開口の角部は、角及び角周辺を含む若干の広がりを有する部位である。
【００３２】
図４（ｃ）は、（ｂ）と同様の構成であって、非形成部13aの開口の角部に対応する部位が円形状に形成された構成である。この構成により、第２の電極層１３が凹部２１の谷状部に形成されることを確実に回避することができる。その結果、リーク電流が流れることをさらに確実に防ぐことができる。
【００３３】
また凹部２１は、その開口の平面視形状が曲線状の角部を有する矩形状であることが好ましい。この場合、リーク電流が発生しやすい凹部の谷状部が曲面状となり、マスクの位置ずれ等によって第２の電極層１３が凹部２１に入り込むことがあったとしても、リーク電流の発生を効果的に抑えることができる。また、同様の目的から、凹部２１は、その開口の平面視形状が円形状であることが好ましい。このような開口の平面視形状の凹部２１は、第１のコンタクトホール２０の開口の平面視形状を上記の形状とすることによって形成することができる。
【００３４】
本発明の光検出装置は、例えば放射線画像形成装置に適用される。放射線画像形成装置は、放射線を光に波長変換するシンチレータと、上記本発明の光検出装置と、を有する構成である。例えば光検出装置は、多数の検出部４０が行方向及び列方向に配列されている。所謂マトリックス状に検出部４０が配列されている。上記の構成により、人等の被写体の正確な放射線画像を得ることができる。本発明の放射線画像形成装置におけるシンチレータは、ＣｓＩ：Ｔｌ，ＧＯＳ（Ｇｄ2Ｏ2Ｓ：Ｔｂ）等から成り、例えば被写体に照射されたＸ線、γ線、α線等の放射線を光に波長変換する。そして、シンチレータから放出された光３３を、本発明の光検出装置によって電荷へ光電変換して画像情報を得る間接変換方式の放射線画像形成装置に適用される。ＣｓＩ：Ｔｌ等から成るシンチレータは、Ａｌ（アルミニウム）等から成る金属基板に放射線感応層（シンチレーション層）を蒸着することによって形成される。そして、例えば本発明の光検出装置の光３３の光源側にシンチレータを配置し、それらを接着材等の接合手段によって貼り合わせることにより、放射線画像形成装置が構成される。
【００３５】
さらに、放射線画像形成装置によって得られた電気的な画像情報は、Ａ−Ｄ（Analog  to  Digital）変換によりデジタルデータに変換され、イメージプロセッサによりデジタル画像に変換され、それが液晶表示装置（Liquid  Crystal  Display  ：ＬＣＤ）等の表示手段に表示されて、画像診断、画像分析等に用いられる。
【００３６】
なお、本発明の光検出装置は、上記実施の形態に限定されるものではなく、適宜の設計的な変更、改良を含んでいてもよい。
【符号の説明】
【００３７】
１  基板
２  ゲート線
４ａ  ソース電極
４ｂ  ドレイン電極
６ａ  第１の半導体膜
６ｂ  第２の半導体膜
９  第１の電極層
１０  第１の不純物半導体層
１１  真性半導体層
１２  第２の不純物半導体層
１３  第２の電極層
１３ａ  第２の電極層の非形成部
１６  バイアス線
２０  第１のコンタクトホール
２１  凹部
２２  第２のコンタクトホール
３０  光電変換部
３１  ＴＦＴ
３３  光
４０  検出部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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