(57)【要約】    【課題】  プリント配線板の反りを小さくする    【解決手段】  プリント配線板１０は外周領域ＯＡと中央領域ＣＡを有し、中央領域ＣＡに形成される第１ソルダーレジスト層７０ＦＬの厚みは外周領域ＯＡに形成される第２ソルダーレジスト層７０ＦＨの厚みより薄い。そして、電子部品は第２ソルダーレジスト層の開口７０ＴＴ内に収容されている。【選択図】  図６
2016046473.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
中央領域と前記中央領域を囲む外周領域とを含む層間樹脂絶縁層と、
前記層間樹脂絶縁層の前記中央領域に形成されている第１パッドと前記層間樹脂絶縁層の前記外周領域に形成されている第２パッドとを含む最上の導体層と、
前記中央領域の前記層間樹脂絶縁層上に形成され、前記第１パッドを露出させる第１開口を有する第１ソルダーレジスト層と、
前記外周領域の前記層間樹脂絶縁層上に形成され、前記第２パッドを露出させる第２開口を有する第２ソルダーレジスト層と、を有するプリント配線板であって、
前記第２ソルダーレジスト層は前記第１ソルダーレジスト層を露出する１つの開口部を有し、前記第２ソルダーレジスト層の厚みは前記第１ソルダーレジスト層の厚みより厚い。
【請求項２】
請求項１のプリント配線板であって、前記第１ソルダーレジスト層の周縁部は、前記第２ソルダーレジスト層で覆われている。
【請求項３】
請求項１のプリント配線板であって、前記第１ソルダーレジスト層と前記第２ソルダーレジスト層は同じ材料で形成されている。
【請求項４】
請求項１のプリント配線板であって、前記第２ソルダーレジスト層の膜厚は１８μｍ〜２２μｍであって、前記第１ソルダーレジスト層の膜厚は５μｍ〜８μｍである。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、樹脂絶縁層上に形成されている第１ソルダーレジスト層と第２ソルダーレジスト層を有するプリント配線板に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１は、パッケージ基板を開示している。特許文献１の図４によれば、特許文献１のパッケージ基板では、ダミー領域上のソルダーレジスト層の厚みはパッド領域上のソルダーレジスト層の厚みより薄い。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１０−１４１２８４号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１のパッケージ基板では、ダミー領域上のソルダーレジスト層の厚みはパッド領域上のソルダーレジスト層の厚みより薄い。そのため、ダミー領域の強度が低いと考えられる。従って、特許文献１の技術では、プリント配線板の反りが大きくなると予想される。
【０００５】
本発明の目的は、プリント配線板の反りを小さくすることである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係るプリント配線板は、中央領域と前記中央領域を囲む外周領域とを含む層間樹脂絶縁層と、前記層間樹脂絶縁層の前記中央領域に形成されている第１パッドと前記層間樹脂絶縁層の前記外周領域に形成されている第２パッドとを含む最上の導体層と、前記中央領域の前記層間樹脂絶縁層上に形成され、前記第１パッドを露出させる第１開口を有する第１ソルダーレジスト層と、前記外周領域の前記層間樹脂絶縁層上に形成され、前記第２パッドを露出させる第２開口を有する第２ソルダーレジスト層と、を有する。そして、前記第２ソルダーレジスト層は前記第１ソルダーレジスト層を露出する１つの開口部を有し、前記第２ソルダーレジスト層の厚みは前記第１ソルダーレジスト層の厚みより厚い。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本発明の実施形態に係るプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図２】実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図３】実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図４】実施形態のプリント配線板の応用例の断面図。
【図５】図５（Ａ）は実施形態のプリント配線板の断面図であり、図５（Ｂ）は応用例の断面図である。
【図６】実施形態のプリント配線板や応用例の平面図。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
[実施形態]
図５（Ａ）は実施形態のプリント配線板の断面図である。
図５（Ａ）に示されるように実施形態のプリント配線板１０は、コア基板３０を有する。コア基板３０は第１面Ｆと第１面Ｆと反対側の第２面Ｓとを有する絶縁基板２０ｚと絶縁基板の第１面Ｆ上に形成されている第１導体層３４Ｆと絶縁基板の第２面上に形成されている第２導体層３４Ｓを有する。コア基板はさらに第１導体層３４Ｆと第２導体層３４Ｓとを接続しているスルーホール導体３６を有する。スルーホール導体３６は絶縁基板を貫通している貫通孔３１に形成されている。貫通孔３１の形状やスルーホール導体３６の形状の例は砂時計形状である。図５（Ａ）に示されているコア基板は例えば、ＵＳ７７８６３９０に開示されている方法で製造される。コア基板の導体層は複数の導体回路やスルーホール導体３６の周りに形成されているスルーホール導体のランドを含む。
【０００９】
コア基板３０の第１面Ｆと第１導体層３４Ｆ上に層間樹脂絶縁層（最上の層間樹脂絶縁層）５０Ｆが形成されている。層間樹脂絶縁層５０Ｆ上に導体層（最上の導体層）５８Ｆが形成されている。導体層５８Ｆと第１導体層３４Ｆやスルーホール導体３６は、層間樹脂絶縁層５０Ｆを貫通するビア導体６０Ｆで接続されている。層間樹脂絶縁層５０Ｆ、導体層５８Ｆとビア導体６０Ｆで上側のビルドアップ層５５Ｆが形成されている。導体層５８Ｆは、第１パッド７３ＦＩと第２パッド７３ＦＯを有する。第１パッド７３ＦＩは層間樹脂絶縁層５０Ｆの中央領域ＣＡに形成されている。第１パッド７３ＦＩはプリント配線板１０の中央領域ＣＡに形成されている。第１パッド７３ＦＩ上にＩＣチップなどの電子部品が実装される。第２パッド７３ＦＯは層間樹脂絶縁層５０Ｆの外周領域ＯＡに形成されている。第２パッド７３ＦＯはプリント配線板１０の外周領域ＯＡに形成されている。第２パッド上に回路基板が搭載される。もしくは、第２パッドはワイヤーボンディング用のパッドとして機能する。中央領域ＣＡは全ての第１パッド７３ＦＩを含む。中央領域ＣＡ内に全ての第１パッド７３ＦＩが形成されている。中央領域ＣＡの形状は矩形であることが好ましい。外周領域ＯＡは中央領域ＣＡ以外の領域である。プリント配線板１０は中央領域ＣＡと外周領域ＯＡに分割される。なお、中央領域ＣＡと外周領域ＯＡは図６（Ａ）に示されている。
【００１０】
プリント配線板１０は第１パッド領域ＰＡを有する。第１パッド領域ＰＡの形状は矩形であって、第１パッド領域ＰＡは全ての第１パッド７３ＦＩを含む。さらに、第１パッド領域ＰＡは第１パッド領域ＰＡの面積が最少になるように形成されている。図６（Ｃ）に中央領域ＣＡと第１パッド領域ＰＡの関係が示されている。図６（Ｃ）に外周領域ＯＡも示されている。図６（Ｃ）に示されるように、中央領域ＣＡの大きさは第１パッド領域ＰＡの大きさより大きい。中央領域ＣＡは第１パッド領域ＰＡを含む。中央領域ＣＡの外周は第１パッド領域ＰＡの外周より外に形成されている。中央領域ＣＡの外周と第１パッド領域ＰＡの外周との間にギャップＧが存在する。尚、図６（Ｃ）はプリント配線板の平面図であって、上側のソルダーレジスト層側からプリント配線板１０を観察することで得られる図である。図６（Ｃ）に示されるように、中央領域ＣＡと第１パッド領域ＰＡの間にギャップＧが存在している。
【００１１】
コア基板３０の第２面Ｓと第２導体層３４Ｓ上に層間樹脂絶縁層（最下の層間樹脂絶縁層）５０Ｓが形成されている。層間樹脂絶縁層５０Ｓ上に導体層（最下の導体層）５８Ｓが形成されている。導体層５８Ｓと第２導体層３４Ｓやスルーホール導体３６は、層間樹脂絶縁層５０Ｓを貫通するビア導体６０Ｓで接続されている。層間樹脂絶縁層５０Ｓと導体層５８Ｓとビア導体６０Ｓで下側のビルドアップ層５５Ｓが形成されている。導体層５８Ｓは第３パッド７３Ｓを含む。第３パッド７３Ｓを介して、プリント配線板１０はマザーボードに接続される。
【００１２】
上側のビルドアップ層５５Ｆ上にソルダーレジスト層（上側のソルダーレジスト層）７０Ｆが形成されている。図５（Ａ）中のプリント配線板の平面図が図６（Ａ）に示されている。図６（Ａ）は、プリント配線板１０を上側のソルダーレジスト層７０Ｆ側から観察することで得られる平面図である。図６（Ａ）のＸ１−Ｘ１間の断面が、図５（Ａ）に示されている。上側のソルダーレジスト層７０Ｆは、第２ソルダーレジスト層７０ＦＨと第１ソルダーレジスト層７０ＦＬとで形成されている。図６（Ａ）と図５（Ａ）に示されるように、第１ソルダーレジスト層７０ＦＬは層間樹脂絶縁層５０Ｆの中央領域ＣＡに形成され、第２ソルダーレジスト層７０ＦＨは層間樹脂絶縁層５０Ｆの外周領域ＯＡに形成されている。第１ソルダーレジスト層７０ＦＬはプリント配線板１０の中央領域ＣＡに形成され、第２ソルダーレジスト層７０ＦＨはプリント配線板１０の外周領域ＯＡに形成されている。第２ソルダーレジスト層７０ＦＨは、第１ソルダーレジスト層７０ＦＬを露出する開口部７０ＴＴを有する。１つの開口部７０ＴＴにより第１ソルダーレジスト層７０ＦＬは露出される。また、第２ソルダーレジスト層７０ＦＨは第１ソルダーレジスト層７０ＦＬの周縁部を覆っている。薄い第１ソルダーレジスト層の剥がれが防止される。第１ソルダーレジスト層と第２ソルダーレジスト層間の剥がれが防止される。第２ソルダーレジスト層は第２パッド７３ＦＯを露出する第２開口７１ＦＯを有する。第１ソルダーレジスト層７０ＦＬは、第１パッド７３ＦＩを露出する第１開口７１ＦＩを有する。第１ソルダーレジスト層７０ＦＬと第２ソルダーレジスト層７０ＦＨは同じ材料で形成されている。第１ソルダーレジスト層７０ＦＬの膜厚ｔ１と第２ソルダーレジスト層７０ＦＨの膜厚ｔ２が図５（Ａ）に示されている。第１ソルダーレジスト層７０ＦＬの膜厚ｔ１は、第２ソルダーレジスト層７０ＦＨの膜厚ｔ２より薄い。そのため、第２ソルダーレジスト層７０ＦＨと第１ソルダーレジスト層７０ＦＬとの間に側壁７０ＴＳが形成されている。図５（Ａ）に示されるように、膜厚ｔ１は第１パッド７３ＦＩの上面と第１ソルダーレジスト層７０ＦＬの上面との間の距離である。膜厚ｔ２は第２パッド７３ＦＯの上面と第２ソルダーレジスト層７０ＦＨの上面との間の距離である。膜厚ｔ２と膜厚ｔ１との比（ｔ２／ｔ１）は２から５である。第１ソルダーレジスト層７０ＦＬと第２ソルダーレジスト層７０ＦＨの物性は異なる。物性は熱膨張係数やヤング率や硬化度である。硬化度はＦＴ−ＩＲで測定される。比（ｔ２／ｔ１）が２未満であったり、５を超えると、第１ソルダーレジスト層７０ＦＬの物性と第２ソルダーレジスト層７０ＦＨの物性の差が大きすぎる。第１ソルダーレジスト層７０ＦＬと第２ソルダーレジスト層７０ＦＨの界面を基点として、クラックなどの不具合が発生しやすい。
膜厚ｔ１は、５μｍ〜８μｍである。膜厚ｔ２は、１８〜２２μｍである。膜厚ｔ１、ｔ２が、これらの値を満足すると、ヒートサイクルで第１ソルダーレジスト層の伸縮量と第２ソルダーレジスト層の伸縮量の差が大きすぎない。プリント配線板の反りやうねりが小さくなる。
【００１３】
図６（Ｃ）に示されるギャップＧは０μｍより大きく、１００μｍ以下である。第２ソルダーレジスト層がアンダーフィルのダムとして機能しやすい。ギャップＧが５０μｍ以下であると、ヒートサイクルで第１ソルダーレジスト層の伸縮量と第２ソルダーレジスト層の伸縮量の差が大きすぎない。プリント配線板の反りやうねりが小さくなる。
【００１４】
下側のビルドアップ層５５Ｓ上に下側のソルダーレジスト層７０Ｓが形成されている。
下側のソルダーレジスト層７０Ｓは、第３パッド７３Ｓを露出する開口７１Ｓを有する。下側のソルダーレジスト層７０Ｓの膜厚ｔ３が図５（Ａ）に示されている。膜厚ｔ３は、図５（Ａ）に示されるように、第３パッド７３Ｓの上面と下側のソルダーレジスト層７０Ｓの上面との間の距離である。膜厚ｔ３と膜厚ｔ２の差は３μｍ以下であることが好ましい。プリント配線板１０の反りが小さくなる。
【００１５】
第１パッド７３ＦＩ、第２パッド７３ＦＯ、第３パッド７３Ｓ上に保護膜７２を形成することができる。保護膜は、パッドの酸化を防止するための膜である。保護膜は、例えば、Ｎｉ／Ａｕ、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ、Ｐｄ／ＡｕやＯＳＰ（Organic Ｓolderability Preservative）膜で形成される。
パッド７３ＦＩ、７３ＦＯ、７３Ｓ上に保護膜が形成されている時、膜厚ｔ１、ｔ２、ｔ３は保護膜下のパッド７３ＦＩ、７３ＦＯ、７３Ｓの上面とソルダーレジスト層７０ＦＬ、７０ＦＨ、７０Ｓの上面との間の距離である。
下側のソルダーレジスト層は熱硬化タイプのソルダーレジスト層である。
【００１６】
図５（Ｂ）と図４（Ａ）、図４（Ｂ）は、図５（Ａ）のプリント配線板１０の応用例１１０、２１０、３１０を示す。
図５（Ｂ）は、第１応用例１１０の断面図であり、図６（Ｂ）は、第１応用例の平面図である。図６（Ｂ）は第１応用例を電子部品９０側から観察することで得られる図である。そして、図６（Ｂ）のＸ２−Ｘ２間の第１応用例の断面が図５（Ｂ）に示されている。
第１応用例では、プリント配線板１０の第１パッド７３ＦＩ上に半田バンプ７６ＦＩが形成されている。そして、半田バンプ７６ＦＩを介して、第１パッド７３ＦＩ上にＩＣチップなどの電子部品９０が実装されている。
図５（Ｂ）や図６（Ｂ）に示されるように、第２ソルダーレジスト層の開口部７０ＴＴは電子部品９０の外形より大きい。従って、平面方向の電子部品９０は第２ソルダーレジスト層の開口部７０ＴＴ内に収まっている。また、図５（Ｂ）に示されるように、断面方向の電子部品９０の一部が第２ソルダーレジスト層の開口部７０ＴＴに収まっている。そのため、第１応用例の厚みが薄くなる。また、断面方向の電子部品９０の一部は第２ソルダーレジスト層の上面から突出している。
【００１７】
図４（Ａ）は第２応用例２１０の断面図である。第２応用例では、プリント配線板１０の第２パッドに接合部材７６ＦＯが形成されている。接合部材７６ＦＯの例は、半田やポストである。ポストはめっきで形成される。あるいは、ポストは金属線から形成される。第２応用例では、第１応用例上に接合部材７６ＦＯを介して第２のパッケージ基板２００が搭載されている。第２のパッケージ基板２００は回路基板と回路基板に実装されているメモリなどの電子部品で形成されている。
図４（Ｂ）は第３応用例３１０の断面図である。第３応用例では、プリント配線板１０の第１パッド７３ＦＩ上に半田バンプ７６ＦＩが形成されている。そして、半田バンプ７６ＦＩを介して、第１パッド７３ＦＩ上にＩＣチップなどの電子部品９０が実装されている。そして、電子部品９０上にメモリなどの第２電子部品９１が搭載されている。第２電子部品の電極２１２は図５（Ｃ）に示されるように上を向いている。電子部品９０はフェイスダウンで実装されていて、電子部品９１はフェイスアップで実装されている。第３応用例では、プリント配線板１０の第２パッド７３ＦＯは第２電子部品９１と接続するためのパッドとして機能する。プリント配線板１０と第２電子部品９１はワイヤー２１４で接続されている。第３応用例では、第２パッドはワイヤーボンディング用のパッドである。
【００１８】
実施形態のプリント配線板は、厚い厚みを有する第２ソルダーレジスト層７０ＦＨがプリント配線板の外周領域に形成されている。そのため、プリント配線板の外周領域が強化される。外周領域に第２パッドを露出する第２開口が形成されていても、実施形態によれば、プリント配線板の反りが抑制される。
一般的に上側のビルドアップ層に属する導体の体積は下側のビルドアップ層に属する導体の体積より少ない。そのため、ヒートサイクルでプリント配線板は反りやすい。上側のソルダーレジスト層が第２ソルダーレジスト層のみで形成されると、ソルダーレジスト層の硬化収縮によりプリント配線板の反りが大きくなる。しかしながら、実施形態では、上側のソルダーレジスト層が第１ソルダーレジスト層と第２ソルダーレジスト層で形成されているので、収縮量が小さくなる。プリント配線板の反りが小さくなる。
【００１９】
[実施形態のプリント配線板の製造方法]
実施形態のプリント配線板１０の製造方法が図１〜図３に示される。
第１面Ｆと第１面と反対側の第２面Ｓを有する絶縁基板２０ｚと絶縁基板２０ｚの両面に積層されている金属箔２２、２２からなる両面銅張積層板２０が準備される（図１（Ａ））。両面銅張積層板として住友ベークライト社製のＥＬＣ４７８５ＴＨ−Ｇを用いることができる。
【００２０】
絶縁基板は樹脂と補強材で形成されていて、補強材の例は、ガラスクロス、アラミド繊維、ガラス繊維である。樹脂の例は、エポキシ樹脂、ＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂である。
【００２１】
両面銅張積層板が加工され、スルーホール導体３６と第１導体層３４Ｆ、第２導体層３４Ｓを有するコア基板３０が完成する（図１（Ｂ））。コア基板の第１面と絶縁基板の第１面は同じ面であり、コア基板の第２面と絶縁基板の第２面は同じ面である。コア基板３０はＵＳ７７８６３９０に開示されている方法で製造される。
【００２２】
コア基板３０の第１面Ｆ上に層間樹脂絶縁層５０Ｆが形成される。コア基板３０の第２面Ｓ上に層間樹脂絶縁層５０Ｓが形成される（図１（Ｃ））。層間樹脂絶縁層５０Ｆ、５０Ｓはシリカ等の無機粒子とエポキシ等の樹脂で形成されている。層間樹脂絶縁層５０Ｆ、５０Ｓは、さらに、ガラスクロス等の補強材を有しても良い。
【００２３】
ＣＯ２ガスレーザにて層間樹脂絶縁層５０Ｆ、５０Ｓにそれぞれビア導体用の開口５１Ｆ、５１Ｓが形成される（図１（Ｄ））。
【００２４】
周知のセミアディティブ法で層間樹脂絶縁層５０Ｆ上に導体層５８Ｆが形成される。同時に、開口５１Ｆ内に導体層５８Ｆと第１導体層３４Ｆを接続するビア導体６０Ｆが形成される。層間樹脂絶縁層５０Ｆの中央領域ＣＡに第１パッド７３ＦＩが形成されている。そして、層間樹脂絶縁層５０Ｆの外周領域ＯＡに第２パッド７３ＦＯが形成されている。コア基板の第１面Ｆ上に上側のビルドアップ層５５Ｆが形成される（図２（Ａ））。
【００２５】
周知のセミアディティブ法で層間樹脂絶縁層５０Ｓ上に導体層５８Ｓが形成される。同時に、開口５１Ｓ内に導体層５８Ｓと第２導体層３４Ｓを接続するビア導体６０Ｓが形成される。コア基板の第２面Ｓ上に下側のビルドアップ層５５Ｓが形成される（図２（Ａ））。
【００２６】
上側のビルドアップ層５０Ｆ上に第１ソルダーレジスト組成物７０αが形成される（図２（Ｂ））。第１ソルダーレジスト組成物７０αは薄く形成される。
【００２７】
図示しない第１露光用マスクが第１ソルダーレジスト組成物７０Ｆ上に置かれ、露光が行われる。そして、現像され、上側のビルドアップ層５０Ｆの中央領域ＣＡに第１ソルダーレジスト層７０ＦＬが形成される（図２（Ｃ））。第１ソルダーレジスト層７０ＦＬは、第１パッド７３ＦＩを露出する第１開口７１ＦＩを有する。第１ソルダーレジスト層は外周領域ＯＡを露出している。第１ソルダーレジスト層７０ＦＬの厚みｔ１は、５〜８μｍに形成されている。なお、露光は、露光マスクを使用せず光源又は電子線を走査して未硬化ソルダーレジスト組成物に照射する露光方法を用いてもよい。
【００２８】
外周領域ＯＡ及び第１ソルダーレジスト層７０ＦＬ上に第２ソルダーレジスト組成物７０βが形成される。同様に、下側のビルドアップ層５０Ｓ上にソルダーレジスト組成物７０βが形成される（図２（Ｄ））。第２ソルダーレジスト組成物７０βは、第１ソルダーレジスト組成物と同じ組成であることが望ましい。組成が同じであれば、応力差による剥離が起き難い。
【００２９】
露光現像により、外周領域ＯＡに第２ソルダーレジスト層７０ＦＨが形成される。下側のビルドアップ層５０Ｓ上に下側のソルダーレジスト層７０Ｓが形成される（図３（Ａ））。第２ソルダーレジスト層７０ＦＨは、中央部に第１ソルダーレジスト層７０ＦＬを露出させる開口部７０ＴＴを有する。第２ソルダーレジスト層７０ＦＨは、第２パッド７３ＦＯを露出する第２開口７１ＦＯを有する。第２ソルダーレジスト層７０ＦＨの厚みｔ２は、１８〜２２μｍに形成されている。第１ソルダーレジスト層の周縁部７０ＦＬＥは、第２ソルダーレジスト層７０ＦＨで覆われている。
【００３０】
下側のビルドアップ層５５Ｓ上に第３パッド７３Ｓを露出する開口７１Ｓを有する下側のソルダーレジスト層７０Ｓが形成される。下側のソルダーレジスト層７０Ｓは上側のソルダーレジスト層と同じソルダーレジスト組成物から形成されても良い。但し、下側のソルダーレジスト層は、一回の露光処理と一回の現像処理で形成される。例えば、下側のソルダーレジスト層７０Ｓは、第２ソルダーレジスト層７０ＦＨと同時に形成される。もしくは、下側のソルダーレジスト層７０Ｓは、第１ソルダーレジスト層７０ＦＬと同時に形成される。もしくは、下側のソルダーレジスト層の材料と上側のソルダーレジスト層の材料が異なり、下側のソルダーレジスト層と上側のソルダーレジスト層は別々に形成される。下側のソルダーレジスト層は、一定な厚みを有する。
【００３１】
各パッド７３ＦＩ、７３ＦＯ、７３Ｓ上にパッド７３ＦＩ、７３ＦＯ、７３Ｓの酸化を防止するための保護膜７２が形成される。保護膜７２は、例えば、ニッケルめっき層とニッケルめっき層上の金めっき層で形成される（図４（Ｂ））。図５（Ａ）に示されるプリント配線板１０が完成する。
【００３２】
以上の方法によれば、第１パッドと第２パッド、第３パッドはＳＭＤタイプのパッドである。もしくは、第１パッドと第２パッド、第３パッドは、ＮＳＭＤタイプのパッドである。
【００３３】
各パッド７３ＦＩ、７３ＦＯ、７３Ｓ上に半田バンプ７６ＦＩ、７６ＦＯ、７６Ｓを形成することができる。第２パッド７３ＦＯの大きさは第１パッド７３ＦＩの大きさより大きく、第２パッド７３ＦＯ上の第２半田バンプ７６ＦＯの高さは第１パッド７３ＦＩ上の第１半田バンプ７６ＦＩの高さより高いことが好ましい。半田バンプを有するプリント配線板が完成する。
【００３４】
第１半田バンプ７６ＦＩを介して半導体素子などの第１の電子部品９０が実装される。図５（Ｂ）に示されるプリント配線板１０の第１応用例１１０が完成する。第１ソルダーレジスト層７０ＦＩの厚みが第２ソルダーレジスト層７０ＦＨの厚みより薄い。また、電子部品９０が第１ソルダーレジスト層を露出する第２ソルダーレジスト層の開口７０ＴＴ内に実装されている。そのため、第１応用例の厚みが薄くなる。
【００３５】
図４（Ａ）にプリント配線板１０の第２応用例２１０が示されている。第２応用例は、第１応用例１１０と第１応用例上の第２のパッケージ基板２００とからなる。第２のパッケージ基板２００が第２半田バンプ７６ＦＯを介してプリント配線板１０上に搭載される（図４（Ｂ））。第１応用例の厚みが薄い。そのため、第２応用例の厚みも薄くなる。厚み方向の電子部品９０の一部が第２ソルダーレジスト層の開口７０ＴＴに形成されている。そのため、第２ソルダーレジスト層の上面から突出している電子部品の厚みは、電子部品の厚みより薄くなる。第２ソルダーレジスト層７０ＦＨの上面と第２のパッケージ基板２００との間の距離Ｋが小さくても、プリント配線板１０と第２のパッケージ基板２００との間に電子部品９０が収容される。距離Ｋは図４（Ａ）に示されている。第２半田バンプ７６ＦＯの高さを小さくすることができる。第２パッド７３ＦＯの大きさを小さくすることができる。隣接する第２パッド間の距離を小さくすることができる。プリント配線板のサイズを小さくすることができる。第１応用例のサイズや第２応用例のサイズを小さくすることができる。プリント配線板１０と第１応用例１１０と第２応用例２１０の反りが小さくなる。
【００３６】
通常、中央領域から外周領域に向かって反りは大きくなる。そのため、反りを抑制するため、外周領域の剛性が中央領域の剛性より高いことが好ましい。プリント配線板１０では、厚い厚みを有する第２ソルダーレジスト層が外周領域に形成され、薄い厚みを有する第１ソルダーレジスト層が中央領域に形成されている。そのため、プリント配線板１０では、外周領域が第２ソルダーレジスト層で補強される。また、第１ソルダーレジスト層の厚みが第２ソルダーレジスト層の厚みより薄い。そのため、第１ソルダーレジスト層の各第１開口７１ＦＩの大きさを小さくすることができる。各第１パッド７３ＦＩの大きさを小さくすることができる。従って、実施形態によれば、プリント配線板１０の大きさを小さくすることができる。そして、外周領域の剛性が高い。プリント配線板１０や第１応用例１１０と第２応用例２１０の反りが小さくなる。
【００３７】
図４（Ｂ）は第３応用例３１０の断面図である。
第３応用例では、第２パッド７３ＦＯは、ボンディング用パッドとして用いられる。第１の電子部品９０上に第２の電子部品９１が積層され、第２の電子部品９１の電極２１２と、プリント配線板の第２パッド７３ＦＯはワイヤー２１４で接続されている。第１と第２の電子部品の例は、ＩＣチップやメモリである。
【符号の説明】
【００３８】
３０  コア基板
５０Ｆ  層間樹脂絶縁層
５０Ｓ  層間樹脂絶縁層
５８Ｆ  導体層
７０Ｆ  ソルダーレジスト層
７０ＦＨ  第２ソルダーレジスト層
７０ＦＬ  第１ソルダーレジスト層
７１ＦＩ  第１開口
７１ＦＯ  第２開口
７６ＦＩ  第１半田バンプ
７６ＦＯ  第２半田バンプ（接合部材）
９０  電子部品
２００  第２のパッケージ基板
【図１】
2016046473.tif 000003
【図２】
2016046473.tif 000004
【図３】
2016046473.tif 000005
【図４】
2016046473.tif 000006
【図５】
2016046473.tif 000007
【図６】
2016046473.tif 000008