(57)【要約】【課題】コア基板に形成されるビア導体と導体層との接合性の向上。【解決手段】実施形態の配線板１０は、コア基板１とビルドアップ層２、４とを有している。コア基板１は、コア絶縁層１１を貫通し、コア絶縁層１１の一面上に形成されている第２導体層１４のコア絶縁層１１側の面を底面とする開口１５ａにめっき膜が充填されてなるビア導体１５を有し、第２導体層１４およびビルドアップ層２、４内の導体層３２、３４は、それぞれ金属箔と、この金属箔の上に形成されるめっき膜とを含んでおり、第２導体層１４を構成する金属箔のコア絶縁層１１の一面に接する面の面粗度は、ビルドアップ層２、４内の導体層３２、３４を構成するいずれかの金属箔の層間絶縁層２２、２４に接する面の面粗度よりも低い。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
コア絶縁層および該コア絶縁層の両面上にそれぞれ形成される導体層からなるコア基板と、該コア基板の少なくとも一側に少なくとも１組の層間絶縁層および導体層が積層されてなるビルドアップ層とを有する配線板であって、
前記コア絶縁層は、該コア絶縁層を貫通し、該コア絶縁層の一面上に形成されている前記コア基板の導体層の該コア絶縁層側の面を底面とする開口にめっき膜が充填されてなるビア導体を有し、
前記コア基板の導体層および前記ビルドアップ層内の導体層は、それぞれ金属箔と、該金属箔の上に形成されるめっき膜とを含んでおり、
前記コア基板の導体層を構成する金属箔の前記コア絶縁層の一面に接する面の面粗度は、前記ビルドアップ層内の導体層を構成するいずれかの金属箔の前記層間絶縁層に接する面の面粗度よりも低い。
【請求項２】
請求項１記載の配線板であって、前記ビルドアップ層が前記コア基板の両側に形成されている。
【請求項３】
請求項１または２記載の配線板であって、前記コア基板の導体層を構成する金属箔の前記コア絶縁層の一面に接する面の面粗度は、前記ビルドアップ層内の導体層を構成する全ての金属箔の前記層間絶縁層に接する面の面粗度よりも低い。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の配線板であって、前記コア絶縁層を貫通する開口の前記コア絶縁層の前記一面側の大きさは、該コア絶縁層の他面側の大きさよりも小さい。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の配線板であって、前記層間絶縁層を貫通する開口にめっき膜が充填されてなるビア導体が形成されており、該層間絶縁層のビア導体および前記コア絶縁層のビア導体が積重されることにより、該配線板の一方側の表層導体層と他方側の表層導体層とを接続するビア導体の積層体が形成されている。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載の配線板であって、前記コア絶縁層の両面に形成される導体層を構成する金属箔それぞれの該コア絶縁層に接する面が互いに略同じ面粗度にされている。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の配線板であって、前記コア絶縁層が、芯材と該芯材に含浸されている樹脂材料とを含む材料で構成されている。
【請求項８】
コア絶縁層の少なくとも一面上に、第１の粗面を有する第１金属箔を該第１の粗面を前記コア絶縁層側に向けて積層することと、
前記コア絶縁層を貫通し、前記第１金属箔の前記コア絶縁層側の面を底面とする開口を形成することと、
前記開口内にめっき膜を充填し、前記第１金属箔に接するビア導体を形成することと、
前記コア絶縁層の少なくとも一方の側に、層間絶縁層を積層すると共に、第２の粗面を有する第２金属箔を前記層間絶縁層上に前記第２の粗面を前記層間絶縁層側に向けて積層することと、
前記層間絶縁層を貫通する開口を形成し、該開口内にめっき膜を充填することと、を含む配線板の製造方法であって、
前記第１の粗面の面粗度は前記第２の粗面の面粗度よりも低い。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、コア基板とビルドアップ層とを有する配線板、およびその製造方法に関する。さらに詳しくは、コア基板におけるビア導体と金属箔との接続が確実に行われている信頼性の高いプリント配線板およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、両面銅張り積層板からなるコア基板と、コア基板の絶縁層内にレーザー光照射により形成された開口内に銅を埋め込んで形成されたビア導体と、コア基板上に樹脂絶縁層と導体層とが交互に積層されてなるビルドアップ部とを有する配線板が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】国際公開第２０１１／１２２２４６号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に開示の配線板を含めて一般に配線板には、使用時に周囲の温度変化に晒されると、樹脂絶縁層と、導体層やビア導体との熱膨張率の違いなどから、配線板内の各部に応力が生じる。温度変化以外にも、配線板を電子機器などに固定する場合などに、配線板を伸縮させたり屈曲させたりするような外力が加わる場合がある。このような応力などが、単発、または連続もしくは反復的に加わると、コア基板の樹脂絶縁層に形成された開口に露出する銅箔の表面と、その上に形成されるビア導体との界面やその近傍にクラックが生じることがある。このため、配線板の導体層間の電気的抵抗が増大すると共に、配線板の信頼性が低下することがある。
【０００５】
本発明の目的は、配線板のコア基板内のビア導体と銅箔とが強固に接合され、周囲温度の変化や外力などを受けても両者の界面付近にクラックなどが生じ難く、安定した電気的特性を維持する信頼性の高いプリント配線板およびその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の配線板は、コア絶縁層および該コア絶縁層の両面上にそれぞれ形成される導体層からなるコア基板と、該コア基板の少なくとも一側に少なくとも１組の層間絶縁層および導体層が積層されてなるビルドアップ層とを有している。そして、前記コア絶縁層は、該コア絶縁層を貫通し、該コア絶縁層の一面上に形成されている前記コア基板の導体層の該コア絶縁層側の面を底面とする開口にめっき膜が充填されてなるビア導体を有し、前記コア基板の導体層および前記ビルドアップ層内の導体層は、それぞれ金属箔と、該金属箔上に形成されるめっき膜とを含んでおり、前記コア基板の導体層を構成する金属箔の前記コア絶縁層の一面に接する面の面粗度は、前記ビルドアップ層内の導体層を構成するいずれかの金属箔の前記層間絶縁層に接する面の面粗度よりも低い。
【０００７】
本発明の配線板の製造方法は、コア絶縁層の少なくとも一面上に、第１の粗面を有する第１金属箔を該第１の粗面を前記コア絶縁層側に向けて積層することと、前記コア絶縁層を貫通し、前記第１金属箔の前記コア絶縁層側の面を底面とする開口を形成することと、前記開口内にめっき膜を充填し、前記第１金属箔に接するビア導体を形成することと、前記コア絶縁層の少なくとも一方の側に、層間絶縁層を積層すると共に、第２の粗面を有する第２金属箔を前記層間絶縁層上に前記第２の粗面を前記層間絶縁層側に向けて積層することと、前記層間絶縁層を貫通する開口を形成し、該開口内にめっき膜を充填することと、を含んでいる。そして、前記第１の粗面の面粗度は前記第２の粗面の面粗度よりも低い。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、配線板内の応力集中などによりクラックが発生し易い傾向にあるコア基板内のビア導体と銅箔との界面の銅箔表面が、ビルドアップ層を構成する導体層の銅箔表面よりも低粗度にされているので、ビルドアップ層の導体層の良好な密着性が得られながら、コア基板内のクラックの発生が少なくなることがある。この結果、配線板の信頼性が向上することがある。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の一実施形態のプリント配線板の断面図。
【図２】図１に示されるプリント配線板のコア基板付近の拡大図。
【図３】本発明の他の実施形態のプリント配線板の断面図。
【図４】本発明の他の実施形態のプリント配線板の断面図。
【図５Ａ】図１に示されるプリント配線板の製造方法の一例の各工程の説明図。
【図５Ｂ】図１に示されるプリント配線板の製造方法の一例の各工程の説明図。
【図５Ｃ】図１に示されるプリント配線板の製造方法の一例の各工程の説明図。
【図５Ｄ】図１に示されるプリント配線板の製造方法の一例の各工程の説明図。
【図５Ｅ】図１に示されるプリント配線板の製造方法の一例の各工程の説明図。
【図５Ｆ】図１に示されるプリント配線板の製造方法の一例の各工程の説明図。
【図５Ｇ】図１に示されるプリント配線板の製造方法の一例の各工程の説明図。
【図５Ｈ】図１に示されるプリント配線板の製造方法の一例の各工程の説明図。
【図６Ａ】従来のプリント配線板においてビア導体に生じたクラックを示す断面図。
【図６Ｂ】従来のプリント配線板においてビア導体用の開口の底面に残る樹脂残渣を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
本発明の一実施形態の配線板が、図面を参照して説明される。本発明の一実施形態の配線板１０は、図１に示されるように、コア絶縁層１１、ならびに、コア絶縁層１１の第１面Ｆ１および第２面Ｆ２に形成される第１導体層１２および第２導体層１４からなるコア基板１と、コア基板１の少なくとも一側（図１および図２に示される例では第１面Ｆ１側および第２面Ｆ２側それぞれ）に少なくとも１組の層間絶縁層および導体層が積層されてなるビルドアップ層２、４とを有している。本実施形態では、図１に示されるように、ビルドアップ層２は、層間絶縁層２２と導体層３２とが２組積層され、ビルドアップ層４は、層間絶縁層２４と導体層３４とが２組積層された構成となっている。そして、コア絶縁層１１は、コア絶縁層１１を貫通し、コア絶縁層１１の第２面Ｆ２上に形成されている第２導体層１４のコア絶縁層１１側の面１４０を底面とする（すなわち、第２導体層１４を貫通しない）開口１５ａにめっき膜が充填されてなるビア導体１５を有している。また、図２に示されるように、コア基板１の第１および第２導体層１２、１４は、それぞれ、金属箔１２１、１４１、金属箔１２１、１４１上に形成されている金属被膜１２２、１４２、および金属被膜１２２、１４２上に形成されているめっき膜１２３、１４３を含んでいる。また、ビルドアップ層２、４内の導体層３２、３４は、それぞれ金属箔３２１、３４１、金属箔３２１、３４１上に形成されている金属被膜３２２、３４２、および金属被膜３２２、３４２上に形成されているめっき膜３２３、３４３を含んでいる。そして、第２導体層１４のコア絶縁層１１側の面、すなわち、第２導体層１４を構成する金属箔１４１のコア絶縁層１１の第２面Ｆ２に接する面１４０の面粗度は、ビルドアップ層２、４内の導体層３２、３４を構成する金属箔３２１、３４１の層間絶縁層２２、２４に接する面の面粗度よりも低くされている。
【００１１】
すなわち、本実施形態では、ビア導体１５が形成される開口１５ａの底面となる面１４０の面粗度が、ビルドアップ層２、４内の金属箔３２１、３４１の層間絶縁層２２、２４に接する面の面粗度よりも低粗度にされている。このため、開口１５ａの底面は凹凸の比較的少ない面となる。この結果、開口１５ａがレーザー光の照射などにより形成されるときに生じる樹脂残渣が、比較的深い凹み内に残ることが少なくなる。また、金属箔１４１が開口１５ａの底面となるコア絶縁層１１側に凹凸の少ない面１４０を有していると、金属箔１４１へのレーザー光のエネルギーの吸収が少なくなる。さらに、面１４０上の比較的深い凹みが少なくなることから、金属箔１４１にミクロ的に厚さの薄い箇所が点在することも少なくなる。このため、開口１５ａが形成される際のレーザー光のパワーが強くても、金属箔１４１が破られることが少なくなる。その結果、レーザー光のパワーを比較的強くすることにより、樹脂残渣の発生を少なくすることも可能になる。
【００１２】
コア基板１を形成する金属箔１４１の面１４０が、ビルドアップ層２、４を形成する金属箔３２１、３４１の層間絶縁層２２、２４に接する面よりも低粗度にされる理由について次に説明される。一般に、コア基板上にビルドアップ層が形成されてなる配線板では、配線板の製造中や使用中に温度変化に晒されると、主に樹脂組成物から構成される絶縁層と主に金属などで構成される導体層やビア導体との熱膨張率の違いにより、絶縁層と導体層との間や、導体層とビア導体との間に応力が生じ得る。また、温度変化以外でも、たとえば、配線板が電子機器などに取付けられるときの取り扱いで配線板を曲げる方向の外力が加えられたり、電子機器への取り付け後においても、電子機器の取り付け面との熱膨張率の相違や取付け孔などの位置精度との関係で、反復的およびまたは連続的に外力が加えられたりすることが考えられる。このような応力などは、コア層とビルドアップ層とを有する配線板の場合、ビルドアップ層よりもコア層に集中する傾向がある。ビルドアップ層は、比較的配線板の表面に近く、表面付近は拘束されずに膨張、収縮、または変位する余地があるのに対して、コア基板はそのような状況になく、応力が緩和される余地が比較的少ないからである。このため、図６Ａに示されるように、従来の配線板のコア基板９０内に形成されるビア導体９５と導体層９４との間に、クラックＣが生じることがある。また、この場合、クラックＣは、図６Ａに示されるように、ビア導体９５と導体層９２との間ではなく、導体層９２よりもビア導体９５との接合部分の幅が狭く、応力が集中し易い導体層９４との間に生じ易い。ビア導体９５が形成される開口９５ａが、後述される配線板の製造方法のように、レーザー光の照射により形成される場合、導体層９２側から照射されると、導体層９４とビア導体９５との接合部の幅が、導体層９２とビア導体９５との接合部の幅より狭くなり易い。このため、導体層９２ではなく導体層９４とビア導体９５との界面付近にクラックＣが生じ易い。
【００１３】
一方、コア基板には、一般に、絶縁層の表面に金属箔が接合された積層板が多く用いられる。絶縁層に接合される金属箔は、コア基板の絶縁層に限らず、図１に示されるような層間絶縁層２２、２４に接合される場合も含めて、一般に、絶縁層との強固な接合を得るために、少なくとも一方の面が粗化され、この粗化面を絶縁層側に向けて絶縁層と接合される。このように、絶縁層の表面に金属箔が接合された積層板がコア基板に用いられると、図６Ａに示されるように、金属箔、すなわち導体層９２、９４の、少なくともコア絶縁層９１側の面９３が粗面となる。絶縁層と接する面が粗化されていると、所謂アンカー効果により銅箔と絶縁層とが強固に接合される。絶縁層と銅箔とが強固に接合されることにより、前述の応力などが生じたり、配線板のファインピッチ化に伴って導体層に形成される個々の配線パターンなどと絶縁層との接触面積が少なくなったりしても、絶縁層と配線パターンなどとの剥がれが防止され得る。
【００１４】
また、図６Ａに示されるように、コア絶縁層９１には、開口９５ａのような、導体層９４を底面とする、すなわち、導体層９４を貫通しない有底の開口が形成され、この有底の開口９５ａ内にビア導体９５が形成されることがある。ビア導体が形成される開口が貫通孔ではなく底面を有していると、電気めっきなどにより開口内に導電体を充填するのが容易になり、ビア導体の上層に形成される配線パターンの設計自由度を高め易いからである。
【００１５】
図６Ａに示されるコア絶縁層９１に、有底の開口９５ａを形成するために、レーザー光が導体層９２側から照射されると、コア絶縁層９１のレーザー光が照射された部分の樹脂組成物が除去される。そして、導体層９４のコア絶縁層９１側の面、すなわち、表面を粗化された面９３が露出する開口９５ａが形成される。この開口９５ａの形成の際、開口９５ａの底面（粗面である面９３）上には、通常、樹脂残渣が付着する。樹脂残渣は、好ましくは、後に実施されるデスミア工程で除去される。しかしながら、開口９５ａの底面（面９３）の表面粗度が高いと、図６Ｂに示されるように、開口９５ａの底面の凹みの内部に入り込んだ樹脂残渣９６が除去されず、そのまま残ることがある。このように開口９５ａの底面に樹脂残渣９６が存在すると、開口９５ａ内に形成されるビア導体９５（図６Ａ参照）と導体層９４との正常な接続が得られないことがある。また、周囲の温度変化に伴う応力や、外力が加えられることにより接続部に容易にクラックＣが生じたり、接続部が破断したりし易くなる。このため、配線板の電気的特性や信頼性が低下したりすることがある。
【００１６】
また、このような問題の対策として、レーザー光のパワーを高くしたり、照射回数を増やしたりすれば、凹み内に付着する樹脂残渣を少なくできる可能性がある。しかしながら、開口９５ａの底面の表面粗度が高いと、図６ＢにＴ１で示されるように、導体層９４に厚さの薄い部分が点在し得る。さらに、表面粗度が高い開口９５ａの底面は、レーザー光のエネルギーをより多く吸収し得る。このため、レーザー光のパワーを高くしたり、照射回数を増やしたりすると、導体層９４を貫通してしまうおそれがある。また、このようなレーザー照射条件の制約により、開口９５ａの底面部分の幅、すなわち、ビア導体９５と導体層９４との接合部分の幅を十分に広くできないことも起こり得る。
【００１７】
一方、図２に示されるように、コア基板１上に形成されるビルドアップ層２、４では、ビア導体４２、４４の開口４２ａ、４４ａの底面は、コア基板１上の第１および第２導体層１２、１４を構成するめっき膜１２３、１４３の表面となる。そのため、表面は比較的平滑であってレーザー光の吸収性が比較的低い。また、後述されるように、金属箔１２１、１４１上に金属被膜１２２、１４２を介してめっき膜１２３、１４３が形成された後に開口４２ａ、４４ａが形成されるため、底面となる第１および第２導体層１２、１４の厚さも厚い。そのため、レーザー光の照射により導体層１２、１４を貫通してしまうリスクが低い。そのため、比較的大きなパワーのレーザー光を照射したり、照射回数を増やしたりすることができる。この結果、樹脂残渣が開口４２ａ、４４ａの底面に残り難く、底面部分の幅、すなわち、ビア導体４２、４４と第１および第２導体層１２、１４との接合部の幅も広くされ易い。その結果、このようなビルドアップ層２、４では、ビア導体と下層の導体層との間にクラックが入るというような問題は生じ難い。なお、ビルドアップ層２、４内の導体層３２、３４上に、さらに層間絶縁層２２、２４（図１参照）が積層されて、この積層された層間絶縁層２２、２４にビア導体が形成される場合も同様である。
【００１８】
従って、コア基板においては、レーザー光の照射により形成される開口の底面が粗面になっていること、ならびに、そのように開口の底面が粗面になっていることと底面となる導体層が金属箔だけの状態で開口が形成されることとによるレーザー光の照射条件の制約から、ビルドアップ層に比べて、開口の底面にコア絶縁層の残渣が残りやすい。加えて、コア基板には、前述のように、ビルドアップ層と比較して、配線板に生じる応力や、配線板に加えられる外力が集中し易いという事情もある。このため、ビルドアップ層と比べて、コア導体層のビア導体と、ビア導体が形成される開口の底面となる導体層との接合部付近には、図６Ａに示されるビア導体９５と導体層９４との接合部のようにクラックＣが入りやすく、電気抵抗の増大や信頼性の低下という問題が生じやすい。
【００１９】
そこで、本実施形態では、このような問題が生じないように、図１および図２に示されるように、コア基板１を形成する金属箔１４１の面１４０が、ビルドアップ層２、４を形成する金属箔３２１、３４１の層間絶縁層２２、２４に接する面よりも低粗度にされている。このため、開口１５ａを形成するときにレーザー光の照射条件を調整して開口１５ａの底面（金属箔１４１の面１４０）に樹脂残渣が残り難くすることができる。また、開口１５ａの底面の幅を広げてビア導体１５と金属箔１４１との接合部の幅が広がるようにレーザー光の照射条件を調整する余地も生じ得る。また、樹脂残渣が残った場合でも、開口１５ａの底面には比較的深い凹みがないため、デスミア処理などにより除去され易くなる。一方で、ビルドアップ層２、４の金属箔３２１、３４１では、層間絶縁層２２、２４と接する面は、層間絶縁層２２、２４との強固な接合に特化した比較的面粗度の高い粗面となり得る。ビルドアップ層２、４の導体層３２、３４にはファインピッチで配線パターンが形成されることが比較的多く、このような微細な配線パターンは層間絶縁層２２、２４との接触面積が小さくなるため、層間絶縁層２２、２４との強固な密着性が得られることは非常に有益である。このように、本実施形態によれば、開口１５ａの底面の残渣が少なくなり、ビア導体１５と、金属箔１４１、すなわち、コア基板１を構成する導体層である第２導体層１４との確実な接合が得られ易く、しかも、ビルドアップ層２、４の導体層３２、３４と層間絶縁層２２、２４との強固な密着性も得られ得る。このため、配線板１０の電気的特性および信頼性が高まることがある。
【００２０】
なお、金属箔１４１の面１４０をビルドアップ層２、４内の金属箔３２１、３４１の層間絶縁層２２、２４に接する面の面粗度よりも低くすることにより、コア絶縁層１１との密着性が低下することもあり得るが、全くの平滑面と違って前述のような、アンカー効果が得られる程度の粗度が維持されれば、コア絶縁層１１との密着性向上の効果も併せ持ち得る。また、コア基板１の導体層（第１および第２導体層１２、１４）には、配線板１０に形成される電気回路の電源やＧＮＤとされる比較的面積の広い、所謂ベタパターンが形成されることも多く、そのような場合は、面１４０の面粗度が高い場合と比べて、多少、コア絶縁層１１との密着性が低下しても全く問題が無いし、電源やＧＮＤでなくとも、比較的面積の大きい導体パターンをコア基板１の導体層に配するようにすれば問題は生じない。
【００２１】
ビルドアップ層２、４内の金属箔３２１、３４１の層間絶縁層２２、２４に接する面の面粗度としては、たとえば、十点平均粗さ（Ｒｚ）で３．０〜４．５μｍ程度が例示される。これに対して、金属箔１４１の面１４０の面粗度としては、十点平均粗さ（Ｒｚ）で１．０〜３．０μｍが例示される。このような面粗度にすることにより、コア絶縁層１１との密着性向上効果が維持されたまま、樹脂残渣が少なくなることがある。金属箔１４１の面１４０をこのような面粗度にすることは、たとえば、銅箔の形成後に、ソフトエッチング処理や、黒化（酸化）−還元処理による粗化処理が行われ、これらの処理の条件を調整することにより行われ得る。しかしながら、金属箔の粗化面の形成方法は、これらに限定されず、面粗度を適切に調整できるあらゆる方法が用いられ得る。
【００２２】
また、図１および図２には、金属箔１４１だけでなく、コア絶縁層１１の第１面Ｆ１側に形成されている第１導体層１２を構成する金属箔１２１も、コア絶縁層１１側の面を、ビルドアップ層２、４内の金属箔３２１、３４１の層間絶縁層２２、２４に接する面の面粗度よりも低くされている（以下、ビルドアップ層内の金属箔の層間絶縁層に接する面の面粗度よりも低粗度にされることは、単に「ビルドアップ層の金属箔より低粗度にされる」とも述べられる）。このように、コア絶縁層１１の第１面Ｆ１および第２面Ｆ２に接する金属箔（金属箔１２１、１４１）の面それぞれがいずれもビルドアップ層の金属箔よりも低粗度に、好ましくは、金属箔１２１、１４１のコア絶縁層１１に接する面が互いに同じ程度に低粗度にされていると、配線板１０の製造時に、コア絶縁層１のいずれの側の金属箔が低粗度にされているかを認識する必要が無くなり、コア絶縁層１の管理や取り扱いが容易になる。しかしながら、コア絶縁層１の第１面Ｆ１および第２面Ｆ２に接する金属箔の面それぞれが、いずれもビルドアップ層の金属箔よりも低粗度にされていなくてもよい。少なくとも、ビア導体１５が形成される開口１５ａの底面となる金属箔の面が低粗度にされていればよい。
【００２３】
コア絶縁層１１は、第１面Ｆ１と、第１面Ｆ１と反対側の第２面Ｆ２とを有する絶縁層である。コア絶縁層１１は、例えばガラス繊維のような芯材にフィラーを含む樹脂組成物を含浸させたものでもよく、フィラーを含む樹脂組成物だけで形成されたものでもよい。また、１層であってもよく、複数の絶縁層から形成されていてもよい。コア絶縁層１１は、複数の絶縁層から形成されるならば、例えば熱膨張率、柔軟性、厚さが容易に調整され得る。樹脂としては、エポキシなどが例示される。コア絶縁層１１の厚さとしては、２５〜２００μｍが例示される。
【００２４】
本実施形態では、コア絶縁層１１の第１面Ｆ１には第１導体層１２が形成され、第２面Ｆ２には、第２導体層１４が形成されている。第１導体層１２を形成する方法は、特に限定されない。図２に示されるように、本実施形態では、第１導体層１２は、前述の金属箔１２１に加えて、金属被膜１２２およびめっき膜１２３を含んでいる。金属被膜１２２は、金属箔１２１上および開口１５ａ上に形成される。金属被膜１２２は、後述の配線板１０の製造方法の説明で示されるように、めっき膜１２３が電気めっき法により形成されるときの給電層となる。金属被膜１２２の形成方法は特に限定されないが、無電解めっき、真空蒸着およびスパッタリングなどの方法で形成され得る。めっき膜１２３は、好ましくは、金属被膜１２２を給電層として、電気めっき法により形成される。めっき膜１２３は、金属被膜１２２上に形成され、金属箔１２１および金属被膜１２２と共に第１導体層１２を構成する。また、めっき膜１２３は、開口１５ａ内にも形成され、金属被膜１２２と共にビア導体１５を構成する。
【００２５】
本実施形態では、第２導体層１４は、第１導体層１２と略同様に構成されている。すなわち、第２導体層１４は、金属箔１４１に加えて、金属被膜１４２およびめっき膜１４３を含んでいる。金属被膜１４２は、金属箔１４１上に形成される。金属被膜１４２は、めっき膜１４３が電気めっき法により形成されるときの給電層となる。金属被膜１４２の形成方法は特に限定されないが、無電解めっき、真空蒸着およびスパッタリングなどの方法で形成され得る。めっき膜１４３は、好ましくは、金属被膜１４２を給電層として、電気めっき法により形成される。めっき膜１４３は、金属被膜１４２上に形成され、金属箔１４１および金属被膜１４２と共に第２導体層１４を構成する。
【００２６】
第１および第２導体層１２、１４を構成する材料は、銅が例示される。銅は、電気めっきなどによる形成が容易であり、電気抵抗も小さいからである。第１および第２導体層１２、１４の厚さは１５〜３５μｍが例示され、金属箔１２１、１４１の厚さは５〜１５μｍ程度が例示される。本実施形態では、前述のように、第２導体層１４を構成する金属箔１４１のコア絶縁層１１と接する面が、ビルドアップ層２、４の金属箔３２１、３４１より低粗度にされている。また、図１および図２に示されるように、第１導体層１２を構成する金属箔１２１のコア絶縁層１１と接する面も、ビルドアップ層２、４の金属箔３２１、３４１より低粗度に、かつ、金属箔１４１のコア絶縁層１１と接する面１４０と同程度の粗度にされてもよい。
【００２７】
ビア導体１５は、コア絶縁層１１を貫通し、第１導体層１２と第２導体層１４とを電気的に接続している。ビア導体１５は、本実施形態では、後述する製造方法で説明されるように、コア絶縁層１１の第１面Ｆ１に設けられる金属箔１２１の上からレーザー光照射による加工により金属箔１４１が底面となるような有底の開口１５ａが形成され、その開口１５ａ内に導体を埋めることにより形成されている。ビア導体１５の材料としては、例えば銅が例示される。ビア導体１５は、好ましくは、第１導体層１２の金属被膜１２２およびめっき膜１２３が形成されるときに同時に形成される。
【００２８】
このように、ビア導体１５が形成される開口１５ａは、コア絶縁層１１に金属箔１２１側からレーザー光の照射により形成されている。そのため、図２に示されるように、開口１５ａは、断面構造で、コア絶縁層１１の第２面Ｆ２側よりも第１面Ｆ１側の方が、幅が広くなっている。この結果、ビア導体１５は、第１導体層１２の金属箔１２１との接合部よりも第２導体層１４の金属箔１４１との接合部の方が幅が狭くなっている。このため、ビア導体１５と第１および第２導体層１２、１４との間に生じた応力は、金属箔１４１との接合部に集中し易い。本実施形態では、前述のように、開口１５ａの底面の幅を広げてビア導体１５と金属箔１４１との接合部の幅が広くなるようにレーザー光の照射条件を調整することも可能となり得る。また、開口１５ａの底面の樹脂残渣が少なくなるので、たとえ接合部が小さくても、ビア導体１５と金属箔１４１との強固な接合が得られ易い。
【００２９】
本実施形態では、ビルドアップ層２は、層間絶縁層２２と導体層３２とが２組積層され、また、ビルドアップ層４は、層間絶縁層２４と導体層３４とが２組積層されることにより形成されている。層間絶縁層２２、２４は、コア絶縁層１１と同様に、ガラス繊維のような芯材にフィラーを含む樹脂組成物を含浸させたものでもよく、フィラーを含む樹脂組成物だけで形成されたものでもよい。導体層３２、３４は、それぞれ層間絶縁層２２、２４上に形成されている。図２に示されるように、本実施形態では、導体層３２、３４は、金属箔３２１、３４１、金属箔３２１上に形成された金属被膜３２２、３４２、および金属被膜３２２、３４２上に形成されためっき膜３２３、３４３によりそれぞれ構成されている。金属箔３２１、３４１は、たとえば、層間絶縁層２２、２４上に積層され、加熱および加圧されることにより、層間絶縁層２２、２４に接合されている。金属箔３２１、３４１の層間絶縁層２２、２４に接する面は、層間絶縁層２２、２４との高い密着性が得られるように粗化されており、第１および第２導体層１２、１４をそれぞれ構成する金属箔１２１、１４１のコア絶縁層１１と接する面よりも高い表面粗度にされている。金属被膜３２２、３４２は、めっき膜３２３、３４３が電気めっき法により形成されるときの給電層となる。金属被膜３２２、３４２の形成方法は特に限定されないが、無電解めっき、真空蒸着およびスパッタリングなどの方法で形成され得る。めっき膜３２３、３４３は、好ましくは、電気めっき法により形成される。めっき膜３２３、３４３は、金属箔３２１、３４１および金属被膜３２２、３４２と共に導体層３２、３４を構成する。また、めっき膜３２３、３４３は、開口４２ａ、４４ａ内にも形成され、金属被膜３２２、３４２と共にビア導体４２、４４を構成する。ビア導体４２、４４は層間絶縁層２２、２４を貫通し、層間絶縁層２２、２４それぞれの両側に形成される導体層同士を接続している。ビア導体４２、４４は、コア基板１の導体層（第１および第２導体層１２、１４）のめっき膜１２３、１４３、または、ビルドアップ層２、４内の導体層３２、３４のめっき膜３２３、３４３を底面とする有底の開口４２ａ、４４ａ内に形成および充填される金属被膜３２２、３４２、およびめっき膜３２３、３４３により構成される。
【００３０】
本実施形態では、図１に示されるように、コア絶縁層１１を貫通するビア導体１５と、層間絶縁層２２、２４を貫通するビア導体４２、４４とが積み重なるように形成されることによりビア導体の積層体１５０が形成されている。ビア導体の積層体１５０は、配線板１０のビルドアップ層２側の表面に形成されている導体層３２とビルドアップ層４側の表面に形成されている導体層３４とを接続している。このようにビア導体の積層体１５０が形成されると、全層を貫通するスルーホールの形成工程を別途設けることなく、しかも、各層に形成されるビア導体全体の投影面積を小さくして、配線板１０の両表面に形成されている導体層同士を接続できるという利点がある。一方、このようなビア導体の積層体１５０は、主に金属で形成されるビア導体１５、４２、４４が樹脂層などを介することなく配線板１０の一方の表面から他方の表面まで接続されているため、積層体１５０には、コア絶縁層１１、および層間絶縁層２２、２４との熱膨張率の違いにより大きな応力が生じ易い。そして、前述のように、そのような応力は、コア基板１のビア導体１５の周囲に集中する傾向がある。本実施形態では、応力が集中し易いビア導体１５と金属箔１４１（図２参照）との接合部分が、金属箔１４１の面１４０がビルドアップ層２、４の金属箔３２１、３４１よりも低粗度にされることにより、より確実に接合される。このため、ビア導体の積層体１５０内のビア導体１５と第２導体層１４との接合部分にクラックが生じたり、接合部分が破断したりすることが少なくされる。
【００３１】
本実施形態では、ビルドアップ層２に導体層３２が２つ積層され、ビルドアップ層４には、導体層３４が２つ積層されている。そして、図１および図２に示される例では、第１および第２導体層１２、１４を構成する金属箔１２１、１４１のコア絶縁層１１に接する面が、導体層３２、３４の層間絶縁層２２、２４に接する面のいずれよりも低粗度にされている。このように、金属箔１２１、１４１のコア絶縁層１１に接する面が、ビルドアップ層２、４内に形成されている全ての導体層３２、３４の金属箔３２１、３４１よりも低粗度にされていると、コア基板１のビア導体１５と第１および第２導体層１２、１４との確実な接合が得られ、かつ、ビルドアップ層２、４内の全ての導体層３２、３４と層間絶縁層２２、２４との強固な密着性が得られる点で好ましい。しかしながら、コア基板の導体層を構成する金属箔のコア絶縁層に接する面は、ビルドアップ層内の金属箔の少なくとも１つよりも低粗度にされていればよい。たとえば、ビルドアップ層の表面に形成される導体層には、電子部品が実装されることとの関係で層間絶縁層との強固な密着性が求められるが、ビルドアップ層の他の導体層には密着性がさほど求められないこともあり得る。そのような場合には、コア基板の導体層を構成する金属箔のコア絶縁層に接する面は、強固な密着性が求められる導体層の金属箔よりも低粗度にされていればよく、ビルドアップ層のその他の導体層の金属箔の層間絶縁層と接する面と、たとえば同程度の粗度であっても問題とならない。
【００３２】
本実施形態では、図１に示されるように、ビア導体１５が形成される開口１５ａがコア絶縁層１１に形成され、開口１５ａの底面となる第２導体層１４がコア絶縁層１１の第２面Ｆ２に形成されており、ビア導体１５は、第２導体層１４と、第１面Ｆ１に形成されている第１導体層１２とを接続している。しかしながら、第１導体層１２は必ずしも必要ではなく、たとえば、ビア導体１５の形成後、除去されていてもよい。図３には、そのような他の実施形態の一例の配線板１０ａが示されている。図３に示される例では、前述の一実施形態の配線板１０と同様に、コア絶縁層１１ａの第２面Ｆ２上に第２導体層１４が形成され、第２導体層１４のコア絶縁層１１ａと接する面が、ビルドアップ層２の導体層３２の層間絶縁層２２に接する面より低粗度にされている。しかしながら、図３に示される実施形態では、コア絶縁層１１ｂの第１面Ｆ１上に導体層は形成されていない。また、ビア導体１５はビア導体４２と接続され、ビア導体４２と共に、第２導体層１４とビルドアップ層２の導体層３２とを接続している。導体層３２にマイクロストリップラインを構成する信号線のパターンが形成される場合、信号線が所定の特性インピーダンスを有するように、導体層３２と、マイクロストリップラインのシールド層となる導体層（図３に示される例では第２導体層１４）との間の距離が所定の範囲内にあることが求められることがある。そのような場合、図３に示されるように、導体層を介することなく絶縁層（図３に示される例ではコア絶縁層１１ａおよび層間絶縁層２２）が積層されることにより導体層３２と第２導体層１４との間の距離が調整されることがある。図３に示される構造であっても、ビア導体１５と第２導体層１４との確実な接合が得られ、かつ、導体層３２と相関絶縁層２２との強固な密着が得られることがある。なお、後述される一実施形態の配線板１０の製造方法のように、コア基板１として両面銅張積層板などが用いられる場合、たとえば、ビア導体１５を形成した後に、第１面Ｆ１側の銅箔１２１（図５Ｃ参照）とビア導体形成時に形成され得る金属被膜１２２およびめっき膜１２３（図５Ｃ参照）とを全面にわたってエッチングなどで除去することにより、図３に示される実施形態の配線板１０ａを製造することができる。
【００３３】
また、図３に示される他の実施形態では、図１および図２に示される一実施形態の配線板１０と異なり、コア絶縁層１１ａの第１面Ｆ１側だけにビルドアップ層（図３に示される例ではビルドアップ層２）が形成されている。このような構造であっても、第２導体層１４のコア絶縁層１１ａと接する面が、ビルドアップ層２の導体層３２の層間絶縁層２２に接する面より低粗度にされていれば、ビア導体１５と第２導体層１４との確実な接合が得られ、かつ、導体層３２と相関絶縁層２２との強固な密着が得られることがあることに変りは無い。
【００３４】
同様に、図４に示される他の実施形態の配線板１０ｃのように、開口１５ａの底面となる第２導体層１４が形成される第２面Ｆ２側だけにビルドアップ層（図４に示される例ではビルドアップ層４）が形成されていてもよい。このような構造であっても、第２導体層１４のコア絶縁層１１と接する面がビルドアップ層４を構成する導体層３４の層間絶縁層２４に接する面より低粗度にされていれば、ビア導体１５と第２導体層１４との確実な接合が得られ、かつ、導体層３４と相関絶縁層２４との強固な密着が得られることがある。なお、図４には、２つの導体層３４と２つの層間絶縁層２４とが積層されてなるビルドアップ層４が例示されているが、ビルドアップ層４を構成する導体層３４および層間絶縁層２４の数は、２よりも多くても少なくてもよいことは言うまでもない。
【００３５】
次に、図１に示されるプリント配線板の製造方法が図５Ａ〜５Ｈを参照しながら説明される。
【００３６】
まず、図５Ａに示されるように、コア絶縁層１１と、コア絶縁層１１の第１面Ｆ１および第２面Ｆ２に金属箔１２１、１４１とを有するコア基板１が形成される。具体的には、たとえば１０〜２０μｍ厚の銅からなる金属箔１２１および金属箔１４１が、コア絶縁層１１となる板状の絶縁材の両側にそれぞれ熱圧着法等により接合され、コア基板１となる両面銅張積層板が形成される。金属箔１２１、１４１は、少なくとも一面（図３Ａでは面１２０、１４０）が粗面加工されている。また、この粗面加工されている面のうち、少なくとも金属箔１４１（第１金属箔）の面１４０（第１の粗面）は、後述の導体層３２、３４（図５Ｇ参照）の形成において、図５Ｅに示される層間絶縁層２２、２４側に向けられる金属箔３２１、３４１（第２金属箔）の粗面加工されている面３２０、３４０（第２の粗面）よりも低い面粗度となるように粗面加工されている。金属箔１２１、１４１は、粗面加工されている面１２０、１４０をそれぞれコア絶縁層１１に向けてコア絶縁層１１に積層される。金属箔１２１、１４１の面１２０、１４０の粗化処理は、たとえば、ソフトエッチング処理や、黒化（酸化）−還元処理により行われ、処理条件を調整することにより、面粗度が調整され得る。
【００３７】
次に、図５Ｂに示されるように、開口１５ａが形成される。この開口１５ａの形成には、たとえば、レーザー光照射の方法が用いられる。すなわち、コア絶縁層１１の両面に形成される第１導体層１２と第２導体層１４（図５Ｃ参照）とが接続される部分に金属箔１２１の表面から、ＣＯ2レーザー光等が照射されることにより加工される。その後、好ましくは、過マンガン酸溶液への浸漬などにより開口１５ａ内の樹脂残渣を溶解するデスミア処理が行われる。レーザー光の照射は、コア絶縁層１１を貫通し、かつ、金属箔１４１のコア絶縁層１１側の面１４０が底面として露出する開口１５ａが形成されるように行われる。すなわち、金属箔１４１を貫通していない有底の開口１５ａが形成される。本実施形態では、前述のように、金属箔１４１の面１４０が、図５Ｅに示される金属箔３２１、３４１の粗面加工されている面よりも低い比較的低粗度の粗面にされている。このため、レーザー光のエネルギーの吸収効率が低く、さらに、局所的に肉薄になっている箇所も少ない。このため、金属箔１４１を貫通してしまうおそれが少ないので、レーザー光の照射条件をある程度調整することも可能となる。従って、開口１５ａの底面に樹脂残渣が付着し難くなるように、および／または、開口１５ａの底面の幅が広くなるようにしてビア導体１５（図５Ｃ参照）と第２導体層１４との接合面積が大きくなるように、レーザー光の照射条件を調整することも可能となり得る。そのようにレーザー光の照射条件が調整されることにより、開口１５ａの底面に樹脂残渣などが付着することなく金属箔１４１の面１４０が完全に露出され易くなる。また、樹脂残渣が付着しても、金属箔１４１の面１４０には、深い凹みが比較的少ないので、前述のデスミア工程などで除去され易くなる。
【００３８】
次に、図５Ｃに示されるように、開口１５ａの内面および金属箔１２１、１４１上に無電解めっき膜等の金属被膜１２２、１４２が形成され、続いて、たとえば電気めっきにより、金属被膜１２２の表面にめっき膜１２３が、金属被膜１４２の表面にめっき膜１４３が、それぞれ形成される。その結果、開口１５ａ内に、金属被膜１２２およびめっき膜１２３が充填され、金属被膜１２２およびめっき膜１２３からなるビア導体１５が形成される。めっき膜１２３、１４３の電気めっきによる形成は、金属被膜１２２、１４２をそれぞれ給電層として行われ得る。本実施形態では、前述のように、開口１５ａの底面に樹脂残渣が付着し難くなるようにレーザー光の照射条件が調整される余地があり、かつ、樹脂残渣が付着しても除去され易くされているので、ビア導体１５と金属箔１４１とが確実に接合され易い。
【００３９】
めっき膜１２３、１４３は、例えば金属被膜１２２、１４２の全面に形成されてよく、この場合、所定のパターンに形成されているマスクを用いて金属箔１２１、１４１および金属被膜１２２、１４２と共にエッチングされることにより、図５Ｄに示されるように、第１導体層１２および第２導体層１４が形成される。すなわち、本実施形態では、図５Ｃに示されるように、第１導体層１２は、金属箔１２１、金属被膜１２２、およびめっき膜１２３から構成され、第２導体層１４は、金属箔１４１、金属被膜１４２、およびめっき膜１４３から構成される。なお、図５Ｃには、エッチングされる前の状態が示されているが、層構成の説明上便宜的に、金属箔１２１、１４１、金属被膜１２２、１４２、およびめっき膜１２３、１４３からなる積層体が、それぞれ、第１導体層１２および第２導体層１４として示されている。
【００４０】
めっき膜１２３、１４３の形成方法は、図５Ｃに示されるようなパネルめっき法に限定されず、第１導体層１２などの導体パターンとなる部分が開口されたレジスト層が金属被膜１２２、１４２上に予め形成され、パターンめっきによりその開口部のみにめっき膜１２３、１４３が形成されてもよい。この場合、めっき膜１２３、１４３の形成後に、金属箔１２１、１４１および金属被膜１２２、１４２の一部がエッチングなどにより除去されることにより、所定の導体パターンを有する第１および第２導体層１２、１４が形成される。
【００４１】
つぎに、図５Ｅに示されるように、第１導体層１２およびコア絶縁層１１の第１面Ｆ１上に層間絶縁層２２および金属箔３２１が、ならびに、第２導体層１４およびコア絶縁層１１の第２面Ｆ２上に層間絶縁層２４および金属箔３４１が積層され、加熱圧着されることにより、これらの積層体が形成される。金属箔３２１、３４１（第２金属箔）は、少なくとも一面（図５Ｅに示される例では面３２０、３４０）が粗面加工されており、粗面加工されている面３２０、３４０（第２の粗面）をそれぞれ層間絶縁層２２、２４に向けて積層される。前述のように、金属箔３２１、３４１の面３２０、３４０のうちの少なくとも一方は、金属箔１４１（第１金属箔）の面１４０（第１の粗面）よりも高い面粗度となるように粗面加工されており、その結果、層間絶縁層２２および／または層間絶縁層２４と、より強固に密着し得る。金属箔３２１、３４１の面３２０、３４０の粗化処理は、たとえば、ソフトエッチング処理や、黒化（酸化）−還元処理により行われ、処理条件を調整することにより、面粗度が調整され得る。
【００４２】
層間絶縁層２２、２４はコア絶縁層１１と同様の材料を用いることができ、ガラス繊維等の芯材にフィラー入りの樹脂組成物を含浸させたプリプレグでも、芯材を含まないプリプレグでもよい。
【００４３】
次に、図５Ｆに示されるように、層間絶縁層２２、２４のビア導体４２、４４（図５Ｇ参照）の形成場所に、層間絶縁層２２、２４を貫通する開口４２ａ、４４ａがそれぞれ形成される。その後、好ましくは、開口４２ａ、４４ａについてデスミア処理が行われる。開口４２ａ、４４ａの形成は、前述の図５Ｂに示される方法と同様に、レーザー光照射の方法が用いられ得る。すなわち、層間絶縁層２２の両面に設けられる第１導体層１２と導体層３２（図５Ｇ参照）とが接続される部分、および層間絶縁層２４の両面に設けられる第２導体層１４と導体層３４（図５Ｇ参照）とが接続される部分それぞれに金属箔３２１、３４１の表面からＣＯ2レーザー光などが照射されることにより加工される。
【００４４】
その後、図５Ｇに示されるように、金属被膜３２２、３４２と、めっき膜３２３、３４３がそれぞれ形成される。すなわち、図５Ｃと同様に、開口４２ａ内および金属箔３２１の上、ならびに開口４４ａ内および金属箔３４１上に無電解めっき膜等の金属被膜３２２、３４２がそれぞれ形成され、続いて、たとえば電気めっきにより、金属被膜３２２の表面にめっき膜３２３が、金属被膜３４２の表面にめっき膜３４３が、それぞれ形成される。その結果、開口４２ａ内に金属被膜３２２およびめっき膜３２３が充填されることによりビア導体４２が、開口４４ａ内に金属被膜３４２およびめっき膜３４３が充填されることによりビア導体４４が、それぞれ形成される。
【００４５】
めっき膜３２３、３４３の形成は、金属被膜３２２、３４２をそれぞれ給電層として行われ得る。めっき膜３２３、３４３は、例えば金属被膜３２２、３４２の全面に形成されてよく、この場合、所定のパターンに形成されているマスクを用いて金属箔３２１、３４１および金属被膜３２２、３４２と共にエッチングされることにより、図５Ｈに示されるように、導体層３２および導体層３４が形成される。すなわち、本実施形態では、図５Ｇに示されるように、導体層３２は、金属箔３２１、金属被膜３２２、およびめっき膜３２３から構成され、導体層３４は、金属箔３４１、金属被膜３４２、およびめっき膜３４３から構成される。なお、図５Ｇには、エッチングされる前の状態が示されているが、層構成の説明上便宜的に、金属箔３２１、３４１、金属被膜３２２、３４２、およびめっき膜３２３、３４３からなる積層体が、それぞれ、導体層３２および導体層３４として示されている。なお、めっき膜３２３、３４３の形成方法は、図５Ｇに示されるようなパネルめっき法に限定されず、導体層３２などの導体パターンとなる部分に開口を有するレジスト層が金属被膜３２２、３４２上に予め形成され、パターンめっきによりその開口部のみにめっき膜３２３、３４３が形成されてもよい。この場合、めっき膜３２３、３４３の形成後に、金属箔３２１、３４１および金属被膜３２２、３４２の一部がエッチングなどにより除去されることにより、所定の導体パターンを有する導体層３２、３４が形成される。
【００４６】
そして、前述の図５Ｅ〜５Ｈに示される工程を繰り返すことにより、両面にさらに層間絶縁層２２、２４と金属箔とが積層され、その層間絶縁層２２、２４に開口が形成され、無電解めっきなど、ならびに電気めっきおよびパターニングが施されることによりビア導体４２、４４と導体層３２、３４がさらに形成されて、図１に示されるコア基板１と、２組の導体層３２および層間絶縁層２２からなるビルドアップ層２と、２組の導体層３４および層間絶縁層２４からなるビルドアップ層４とを有する配線板１０が得られる。なお、１組の導体層および層間絶縁層からなるビルドアップ層が形成される場合は、図５Ｅ〜５Ｈに示される工程の繰り返しが省略されればよく、また、３組以上の導体層および層間絶縁層からなるビルドアップ層が形成される場合は、図５Ｅ〜５Ｈに示される工程がさらに必要な回数繰り返されればよい。また、コア基板１の一方の側だけにビルドアップ層が形成される場合は、他方の側への層間絶縁層および銅箔の積層が省略され、一方の側へのめっき膜の形成時に他方の側の表面全面がめっきレジストで覆われればよい。
【００４７】
その後、図示されていないが、露出している導体層３２、３４の表面が保護されるように、ソルダーレジスト層が形成されてもよい。さらに、図示されていないが、ソルダーレジスト層に覆われずに露出している導体層３２、３４上に、ＯＳＰ、Ｎｉ／Ａｕ、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ、Ｓｎなどの被覆による表面処理が行われてもよい。
【００４８】
以上のように、図１および図２に一例が示される一実施形態、および、図３および図４に一例が示される他の実施形態によれは、コア絶縁層１１内にビア導体１５形成用の開口１５ａが形成され、開口１５ａの底面となる第２導体層１４のコア絶縁層１１に接する面（金属箔１４１の面１４０）が、ビルドアップ層２、４を構成する導体層３２、３４の層間絶縁層２２、２４に接する面よりも低粗度にされている。これにより、レーザー光照射などによる開口１５ａの形成時に生じがちな樹脂残渣が開口１５ａの底面に付着しても、開口１５ａの底面には比較的深い凹みがないため、デスミア処理などにより除去され易くなる。また、開口１５ａの底面となる第２導体層１４の一面が比較的平滑なため、レーザー光の照射により第２導体層１４を貫通してしまうおそれが少なくなり、レーザー光の照射条件をある程度調整することも可能となる。このため、開口１５ａの底面に樹脂残渣が付着し難くなるように、および／または、開口１５ａの底面の幅が広くなるようにしてビア導体１５と第２導体層１４との接合面積が大きくなるように、レーザー光の照射条件を調整することも可能となり得る。そのため、開口１５ａの底面の樹脂残渣が少なくなることがある。一方、ビルドアップ層２、４の導体層３２、３４は、層間絶縁層２２、２４と接する面の面粗度が比較的高いため、層間絶縁層２２、２４と強固に密着し得る。以上の結果、ビア導体１５と、コア基板１を構成する第２導体層１４との確実な接合が得られ易く、しかも、ビルドアップ層２、４の導体層３２、３４と層間絶縁層２２、２４とが強固に密着し得る。このため、配線板１０の電気的特性および信頼性が高まることがある。
【符号の説明】
【００４９】
１    コア基板
２    ビルドアップ層
４    ビルドアップ層
１０、１０ａ、１０ｂ  配線板
１１、１１ａ          コア絶縁層
１２    第１導体層
１２１  金属箔
１２２  金属被膜
１２３  めっき膜
１４    第２導体層
１４１  金属箔
１４２  金属被膜
１４３  めっき膜
１５    ビア導体
１５ａ  開口
２２、２４  層間絶縁層
３２、３４  導体層
３２１、３４１  金属箔
３２２、３４２  金属被膜
３２３、３４３  めっき膜
４２、４４      ビア導体
【図１】
2016092292.tif 000003
【図２】
2016092292.tif 000004
【図３】
2016092292.tif 000005
【図４】
2016092292.tif 000006
【図５Ａ】
2016092292.tif 000007
【図５Ｂ】
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【図５Ｃ】
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【図５Ｄ】
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【図５Ｅ】
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【図５Ｆ】
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【図５Ｇ】
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【図５Ｈ】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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