(57)【要約】      （修正有）【課題】シーケンシャルな堆積及び処理に適した半導体処理システムを提供する。【解決手段】堆積チャンバ、トリートメントチャンバ、及び堆積チャンバをトリートメントから分離する分離領域１０４を含む処理システム１００の中で基板を処理する。堆積チャンバが、基板上に膜を堆積する。トリートメントチャンバが、基板を堆積チャンバから受け取り、堆積チャンバの中で堆積された膜を膜特性変更装置で変更する。【選択図】図１
2016092426.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に膜を堆積させるように構成される堆積チャンバと、
前記堆積チャンバから基板を受け取り、前記堆積チャンバから別の所に基板を渡すように用意されるトリートメントチャンバであって、
前記トリートメントチャンバの中に配置された前記基板をトリートメントして、前記堆積チャンバの中で堆積された前記膜の特性を変更するように動作可能な膜特性変更装置を更に含む、トリートメントチャンバと、
前記堆積チャンバを前記トリートメントチャンバから分離するように構成される少なくとも一つの分離領域と、を含む処理システム。
【請求項２】
前記基板を前記堆積チャンバから前記トリートメントチャンバへ移動するように構成される運動機構を更に含む、請求項１に記載の処理システム。
【請求項３】
前記堆積チャンバが、化学気相堆積（ＣＶＤ）チャンバ、スピンオンコーティングチャンバ、流動性（ＣＶＤ）チャンバ、物理的気相堆積（ＰＶＤ）チャンバ、原子気相堆積（ＡＬＤ）チャンバ、及びエピタキシャル堆積チャンバからなる群から選択される、請求項２に記載の処理システム。
【請求項４】
前記トリートメントチャンバが、熱処理チャンバ、アニーリングチャンバ、急速熱アニールチャンバ、レーザ処理チャンバ、電子ビーム処理チャンバ、ＵＶ処理チャンバ、イオンビーム注入チャンバ、及びイオン浸漬注入チャンバからなる群から選択される、請求項３に記載の処理システム。
【請求項５】
前記分離領域が、ガスカーテンを含む、請求項４に記載の処理システム。
【請求項６】
前記分離領域が、スリットバルブを含む、請求項４に記載の処理システム。
【請求項７】
ロードロックステーションであって、前記堆積チャンバが前記ロードロックステーションと前記トリートメントチャンバの間に配置される、ロードロックステーションを更に含む、請求項４に記載の処理システム。
【請求項８】
前記堆積チャンバの下流に第二のトリートメントチャンバを更に含む、請求項１に記載の処理システム。
【請求項９】
前記トリートメントチャンバの上流に第二の堆積チャンバを更に含む、請求項１に記載の処理システム。
【請求項１０】
処理システムの中で基板を処理するための方法であって、
基板を第一の堆積チャンバの中に移送すること、
前記第一の堆積チャンバの中にある間に、前記基板上に膜を堆積させること、
前記堆積チャンバを第一のトリートメントチャンバから分離する第一の分離領域を通って、前記基板を移送すること、及び
前記堆積された膜の特性を、前記第一のトリートメントチャンバの中で変更すること、を含む方法。
【請求項１１】
基板上に膜を堆積させるように構成される堆積チャンバであって、
処理のために前記堆積チャンバの内部容積の中で前記基板を支持するように構成される基板支持体を更に含む堆積チャンバと、
前記堆積チャンバとインラインであるトリートメントチャンバであって、
処理のために前記トリートメントチャンバの内部容積の中で基板を支持するように構成される基板支持体と、
前記トリートメントチャンバの中に配置された前記基板をトリートメントして、前記堆積チャンバの中で前記基板上に堆積された膜の特性を変更するように動作可能な膜特性変更装置であって、前記内部容積の中の前記基板支持体の上面と平行で、かつ前記上面の上方に、前記トリートメントチャンバの前記内部容積の中に配置された膜特性変更装置と、を更に含むトリートメントチャンバと、
前記堆積チャンバを前記トリートメントチャンバから分離するように構成される、少なくとも一つの分離領域と、
基板を、前記堆積チャンバから、前記分離領域を通って、前記トリートメントチャンバの中に移送するように構成される移送機構と、を含む処理システムであって、
前記堆積チャンバ、トリートメントチャンバ、分離領域、及び移送機構は、真空密閉処理システムの中にある、処理システム。
【請求項１２】
前記堆積チャンバが、化学気相堆積（ＣＶＤ）チャンバ、スピンオンコーティングチャンバ、流動性（ＣＶＤ）チャンバ、物理的気相堆積（ＰＶＤ）チャンバ、原子気相堆積（ＡＬＤ）チャンバ、及びエピタキシャル堆積チャンバからなる群から選択される、請求項１１に記載の処理システム。
【請求項１３】
前記トリートメントチャンバが、熱処理チャンバ、アニーリングチャンバ、急速熱アニールチャンバ、レーザ処理チャンバ、電子ビーム処理チャンバ、ＵＶ処理チャンバ、イオンビーム注入チャンバ、及びイオン浸漬注入チャンバからなる群から選択される、請求項１２に記載の処理システム。
【請求項１４】
前記堆積チャンバの下流に第二のトリートメントチャンバを更に含む、請求項１１に記載の処理システム。
【請求項１５】
前記トリートメントチャンバの上流に第二の堆積チャンバを更に含む、請求項１１に記載の処理システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、概して、堆積チャンバをトリートメントチャンバから分離する分離領域を含む処理システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体製造において、次世代の化学気相堆積（ＣＶＤ）膜は、所望の膜特性を得るために、おそらくは、膜堆積プロセスの後にトリートメントプロセスを必要とするであろう。加えて、トリートメントプロセスは、自然酸化物の形成を防止するために、膜堆積プロセスのすぐ後に行われる必要があり得る。
【０００３】
半導体処理システムのための現在のアーキテクチャは、迅速なシーケンシャルな堆積プロセス及びトリートメントプロセスのために設計されていない。更に、従来の処理システムは、大きいので、クリーンルーム環境の中でかなりの貴重なフロアスペースを取る。従って、堆積チャンバからトリートメントチャンバへの基板の迅速な移送に適応させるために、従来の半導体処理システムのサイズを大きくすることは、受入れ可能な解決策ではない。
【０００４】
従って、シーケンシャルな堆積及び処理に適した改良された半導体処理システムに対する必要性が存在する。
【発明の概要】
【０００５】
堆積チャンバ、トリートメントチャンバ、及び少なくとも一つの分離領域を含む処理システムが、本明細書に開示される。堆積チャンバが、基板上に膜を堆積させるように構成される。トリートメントチャンバが、堆積チャンバから基板を受け取るように用意される。トリートメントチャンバは、堆積チャンバとは別の所に基板を渡す。トリートメントチャンバは、膜特性変更装置を含む。膜特性変更装置は、トリートメントチャンバの中に配置された基板をトリートメントするように働く。膜特性変更装置は、堆積チャンバの中で堆積された膜の特性を変更する。分離領域が、堆積チャンバをトリートメントチャンバから分離するように構成される。
【０００６】
他の実施形態において、処理システムの中で基板を処理するための方法が、本明細書に記載される。本方法は、基板を第一の堆積チャンバの中に移送することを含む。膜が、第一の堆積チャンバの中にある間、基板上に堆積される。基板が、堆積チャンバを第一のトリートメントチャンバから分離する第一の分離領域を通って移送される。堆積された膜の特性が、第一のトリートメントチャンバの中で変更される。
【０００７】
他の実施形態において、堆積チャンバ、トリートメントチャンバ、少なくとも一つの分離領域、及び移送機構を含む処理システムが、本明細書に記載される。堆積チャンバが、基板上に膜を堆積させるように構成される。堆積チャンバは、基板支持体を含む。基板支持体は、堆積チャンバの内部容積の中で基板を支持するように構成される。トリートメントチャンバは、堆積チャンバとインラインである。トリートメントチャンバは、基板支持体と膜特性変更装置を含む。基板支持体は、処理のためにトリートメントチャンバの内部容積の中で基板を支持するように構成される。膜特性変更装置は、トリートメントチャンバの中に配置された基板をトリートメントするように働く。膜特性変更装置は、堆積チャンバの中で基板上に堆積された膜の特性を変更する。膜特性変更装置は、トリートメントチャンバの内部容積の中に配置される。膜特性変更装置は、内部容積の中の基板支持体の上面と実質的に平行かつその上方にある。少なくとも一つの分離領域が、堆積チャンバをトリートメントチャンバから分離するように構成される。移送機構が、基板を、堆積チャンバから、分離領域を通って、トリートメントチャンバの中に移送するように構成される。堆積チャンバ、トリートメントチャンバ、分離領域、及び移送機構は、真空密閉処理システムの中にある。
【０００８】
本明細書中に組込まれて、その一部を構成する添付の図面が、本発明を模式的に説明し、上記の概略的説明と下記の詳細な説明とともに、本発明の原理を説明するのに役立つ。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】インライン処理システムのためのレイアウトを模式的に示す。
【図２】分離領域がガスカーテンである、分離領域の一実施形態を示す。
【図３】分離領域がスリットバルブである、分離領域の他の実施形態を示す。
【図４Ａ】処理システムの中の堆積チャンバの断面図を示す。
【図４Ｂ】処理システムの中のトリートメントチャンバの断面図を示す。
【図５】処理システムのチャンバの中に配置されたキャリアの上面図を示す。
【図６】処理システムのチャンバの中で基板支持体に基板を移送するキャリアのプロセスを示す。
【図７】直線的処理システムのレイアウトを示す。
【図８】垂直的処理システムのレイアウトを示す。
【図９Ａ】レーストラック型処理システムのためのシーケンスを示す。
【図９Ｂ】レーストラック型処理システムのためのシーケンスを示す。
【図９Ｃ】レーストラック型処理システムのためのシーケンスを示す。
【図１０】カルーセル処理システムのレイアウトを示す。
【図１１Ａ】半導体タンデム式処理システムの上面図を示す。
【図１１Ｂ】半導体タンデム式処理システムの中のクワド処理ステーションの拡大図を示す。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
明瞭にするため、適用可能な場合には、図に共通する同一の要素を示すのに同一の参照番号を使用した。
【００１１】
図１は、処理システム１００内で、シーケンシャルに、基板上に膜を堆積させ、トリートメントするのに適切なシーケンシャルな処理システム１００を模式的に示す。処理システム１００は、処理ステーション１２２、分離領域１０４、及びロードロックステーション１０８を含む。処理ステーション１２２、分離領域１０４、及びロードロックステーション１０８は、接続されて、連続的な真空密閉プラットフォーム１１０を形成する。
【００１２】
ポンプシステム１２０が、ロードロックステーション１０８、処理ステーション１２２、及び分離領域１０４に連結される。ポンプシステム１２０は、処理システム１００内の圧力を制御する。ポンプシステム１２０は、真空密閉プラットフォーム１１０への基板の搬入及び搬出を容易にする必要に応じて、ロードロックステーション１０８をポンプダウンし排気するために使用され得る。
【００１３】
処理ステーション１２２は、少なくとも一つの堆積領域１０２及び少なくとも一つのトリートメント領域１０６を含む。一つ以上のトリートメント領域１０６のうちの少なくとも一つが、堆積領域１０２のうちの少なくとも一つからシーケンス的に下流（すなわち、処理システム１００を通るプロセスフローの方向に関して）である。例えば、トリートメント領域１０６は、幾つかの堆積領域１０２（図１の中でＤｉとして示される）のうちの最後のシーケンス的下流であり得る。分離領域１０４は、領域１０２と領域１０６の間のガスの流れを防止する、又は少なくとも実質的に最小化するために使用される。
【００１４】
処理システム１００は、通信ケーブル１２８によってコントローラ１１２に連結される。コントローラ１１２は、処理システム１００内で基板（図示せず）の処理を制御するように働く。コントローラ１１２は、メモリ１１４及び大容量記憶装置とともに動作可能であるプログラム可能な中央処理装置（ＣＰＵ）１１６、入力制御装置、並びに表示装置、例えば、電源、クロック、キャッシュ、入力／出力（Ｉ／Ｏ）回路等を含み、これらが、処理システム１００の様々な構成要素に連結され、基板を処理するプロセスの制御を容易にする。コントローラ１１２はまた、処理システム１００の中でセンサ（図示せず）を通して基板の処理をモニタするためのハードウェアを含んでよい。
【００１５】
処理システム１００の制御及び基板の処理を容易にするために、ＣＰＵ１１６は、基板プロセスを制御するための、任意の形の汎用コンピュータプロセッサのうちの一つであってもよい。メモリ１１４がＣＰＵ１１６に連結され、メモリ１１４は非一時的であり、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、読出し専用メモリ（ＲＯＭ）、フロッピーディスクドライブ、ハードディスク、又は、任意の他の形の、ローカル若しくはリモートのデジタルストレージなどの、容易に入手可能なメモリのうちの一つ以上であってよい。サポート回路１１８が、従来の仕方でＣＰＵ１１６をサポートするために、ＣＰＵ１１６に連結される。基板を処理するためのプロセスが、一般に、メモリ１１４に記憶される。基板を処理するためのプロセスはまた、ＣＰＵ１１６によって制御されているハードウェアから離れて位置する第二のＣＰＵ（図示せず）によって記憶及び／又は実行されてもよい。
【００１６】
メモリ１１４は、命令を含むコンピュータ可読記憶媒体の形であり、命令は、ＣＰＵ１１６によって実行されるときに、処理システム１００の中で基板を処理する作業を容易にする。メモリ１１４の中の命令は、基板を処理する作業を実行するプログラムなどの、プログラム製品の形である。プログラムコードは、幾つかの異なるプログラミング言語のうちの任意の一つに従ってもよい。一例において、本開示は、コンピュータシステムとともに使用するために、コンピュータ可読記憶媒体の中に格納されるプログラム製品として実施され得る。プログラム製品のプログラム（複数可）は、実施形態の機能を定める。例示的なコンピュータ可読記憶媒体は、限定されないが、（ｉ）情報が永続的に記憶される、書込み不可の記憶媒体（例えば、ＣＤ−ＲＯＭドライブによって読取り可能なＣＤ−ＲＯＭディスク、フラッシュメモリ、ＲＯＭチップ又は任意のタイプの固体不揮発性半導体メモリなどの、コンピュータ内部の読出し専用記憶装置）及び（ｉｉ）変更可能な情報が記憶される、書込み記憶媒体（例えば、ディスケットドライブ内部のフロッピーディスク又はハードディスクドライブ、又は任意のタイプの固体ランダムアクセス半導体メモリ）を含む。そのようなコンピュータ可読記憶媒体は、本明細書に記載される方法の機能を指示するコンピュータ可読命令を保持している場合、本開示の実施形態である。
【００１７】
分離領域１０４によって分離される、処理ステーション１２２のそれぞれの堆積領域１０２及びトリートメント領域１０６を通って基板を移送するために、運動機構（図１に示されていない）が、提供される。基板は、処理システム１００の最後のトリートメント領域１０６の下流に接続される別のロードロックステーション１０８を通って処理システム１００を出てもよい。ロードロックステーション１０８、処理ステーション１２２、及び分離領域１０４は、真空密閉プラットフォーム１１０を形成するように相互接続されるので、その中で処理される基板は、基板が酸化し得る、処理システム１００の外部の実質的に周囲の（例えば、大気の）環境に曝されない。
【００１８】
図２は、ガスカーテン２０２として構成される分離領域１０４の一実施形態の図である。ガスカーテン２０２は、処理システム１００の処理ステーション１２２の任意の２つの隣接する堆積領域１０２とトリートメント領域１０６を分離する。図２に描かれる構成において、処理ステーション１２２は、処理チャンバの単一の切れ目のない内部容積の一部としてその中に画定される堆積領域１０２とトリートメント領域１０６を有する単一の処理チャンバである。例えば、ガスカーテン２０２は、堆積領域１０２をトリートメント領域１０６から分離するプロセス不活性ガスの流れを供給する。ガスカーテン２０２は、分離領域１０４の中に配置される少なくとも一つのノズル２０４を含む。ノズル２０４は、排気口２０８と位置合わせされ得る。ガス源２０６が、導管２１２を通ってノズル２０４に連結される。他のガスの中でも窒素などのプロセス不活性ガスが、ノズル２０４から供給され、不活性ガスの垂直なガスカーテン２１０を生じ得る。垂直なガスカーテン２１０が、堆積領域１０２の中で使用されるガスを、トリートメント領域１０６の中で使用されるガスから分離する。ガスカーテン２１０によって供給されるガスは、分離領域１０４の底部に形成される排気口２０８を通って分離領域から流出し得る。排気口２０８は、排気設備（図示せず）に連結され得る。
【００１９】
ガスカーテン２０２により、基板（図示せず）は、運動機構（以下に記載される）を用いて、堆積領域１０２からトリートメント領域１０６へシームレスに移動することが可能になる。２つの隣接する堆積領域１０２とトリートメント領域１０６が、ガスカーテン２１０を通じて接続されることを可能にする一方で、隣接する領域１０２と領域１０６の間の相互汚染が低減又は実質的に取り除かれ、同時に領域１０２と領域１０６の間の迅速な移送を可能にする。
【００２０】
図３は、スリットバルブアセンブリ３００として構成される分離領域１０４の別の実施形態を提供する。図３に描かれる構成において、処理ステーション１２２の堆積領域１０２とトリートメント領域１０６は、２つの別々の処理チャンバとして画定される。
【００２１】
スリットバルブアセンブリ３００は、側壁３０４Ａ、３０４Ｂの中に形成されるスリットバルブ開口３０２、スリットバルブドア３０６及びアクチュエータ３０８を含む。側壁３０４Ａ、３０４Ｂは、スリットバルブドア３０６が配置され得る、分離領域１０４の内部領域の中に結合される。スリットバルブドア３０６は、スリットバルブ開口３０２を密閉する第一の（閉じた）位置３１２と、基板がスリットバルブ開口３０２を通って堆積領域１０２とトリートメント領域１０６の間を移送されることを可能にする第二の（開いた）位置３１２の間を、アクチュエータ３０８によって動かされ得る。
【００２２】
図４Ａは、その中に運動機構４００が配置された堆積領域１０２の一実施形態の断面図を与える。図４Ａには示されていないが、運動機構４００は、領域１０２、１０４、１０６の間の基板の移送を容易にするために、分離領域１０４及びトリートメント領域１０６の中に、同様に存在する。
【００２３】
図４Ａへの参照を続けると、堆積チャンバは、リッド４１６、側壁４１８、底部４３２、シャワーヘッド４１０及び基板支持体４２６を含む。シャワーヘッド４１０は、堆積領域１０２の内部に配置され、リッド４１６に連結される。ガスパネル４２０が、導管４２２によってシャワーヘッド４１０に接続される。ガスパネル４２０が、プロセスガスをシャワーヘッド４１０に供給する。シャワーヘッド４１０は、プロセスガスの下向きの流れ４１２を、シャワーヘッド４１０と基板支持体４２６の間に画定される反応ゾーン４３６の中へ向ける。シャワーヘッド４１０はまた、ＲＦ源４２４に接続されてもよい。反応ゾーン４３６の中に存在するプロセスガスからプラズマが形成されるように、ＲＦ源４２４はＲＦ電力をシャワーヘッド４１０に供給する。
【００２４】
任意選択で、ノズル４１４が、シャワーヘッド４１０の代替物として、反応ゾーン４３６の中にプロセスガスを導入するために使用されてもよい。ノズル４１４は、堆積領域１０２の内部に配置されてもよい。例えば、ノズル４１４は、堆積領域１０２の側壁４１８及び／又はリッド４１６に連結されてもよい。ガスパネル４２０が、導管４２２によって各ノズル４１４に連結される。
【００２５】
基板支持体４２６が、堆積領域１０２の内部に配置され、堆積領域１０２の底部４３４に連結される。基板支持体４２６は、プラットフォーム４３８を更に含む。アクチュエータ４４４が、プラットフォーム４３８を上昇及び／又は下降させるために、基板支持体４２６に連結される。アクチュエータ４４４は、基板支持体４２６の上に置かれた基板４２８とシャワーヘッド４１０の間の間隔を制御する。基板支持体４２６は、グラウンド４３２に連結される。
【００２６】
図４Ａは、運動機構４００が基板４２８を堆積領域１０２に供給したときの、堆積領域１０２を更に描く。運動機構４００は、基板キャリア４０２、ガイドレール４０４、永久磁石４０６、及び磁気モータ４０８を含む。ガイドレール４０４は、堆積領域１０２の底部４３４に連結される。ガイドレール４０４は、基板キャリア４０２に連結されるガイド４０５と相互作用する。ガイド４０５は、ガイドレール４０４に沿って及び／又はガイドレール４０４の上をスライドするように構成される。ガイド４０５及びガイドレール４０４により、基板キャリア４０２は、堆積領域１０２の中で既定の位置に置かれることができる。ガイド４０５及びガイドレール４０４により、基板キャリア４０２は、他の領域１０４、１０６又は処理システム１００の他の部分の間を移動することができる。ガイド４０５及びガイドレール４０４は、ボールベアリング若しくは固体のスライド、空気若しくは磁気軸受又は他の適当なベアリングシステムであってもよい。
【００２７】
基板キャリア４０２は、基板４２８を処理システム１００を通って運ぶように構成される。永久磁石４０６が、磁気モータ４０８に近接して基板キャリア４０２の側端に連結される。磁気モータ４０８は、堆積領域１０２の内部に配置されてもよいし、外部に配置されてもよい。磁気モータ４０８は、複数のコイルを含んでよい。コイルは、交流磁場を生ずるように、順次に励磁されてもよい。磁場の極性が、制御可能に順番に配列され、永久磁石４０６を推進し得る。このように、基板キャリア４０２及びその上の基板が、堆積領域１０２の中の既定の位置に移動される。磁場はまた、キャリアが領域１０２、１０４、１０６の間を移動することを可能にする。一つの実施形態において、磁気モータ４０８は、ソーヤ型モータであってもよい。
【００２８】
堆積領域１０２の側壁４１８の外側は、バンク４４２を含んでよい。磁気モータ４０８が、バンク４４２の中に置かれてもよい。バンク４４２の中で、磁気モータ４０８は、側壁４１８によって、堆積領域１０２内の環境から分離される。磁気モータ４０８は、処理システム１００の長さを延びて、処理システム１００の中での基板キャリア４０２の制御可能な位置決めを可能にする。コントローラ１１２が、堆積領域１０２の中での基板キャリア４０２の位置に応じた、磁気モータ４０８の極性の配列決定を制御するために用いられる。センサ（図示せず）が、処理システム１００の中に配置され、基板キャリア４０２の位置フィードバックをコントローラ１１２に与える。
【００２９】
図４Ｂは、トリートメント領域１０６の断面図を提供し、その中に配置された運動機構４００を示す。トリートメント領域１０６は、リッド４５０、側壁４５２、底部４５４、膜特性変更装置４５６及び基板支持体４５８を含む。膜特性変更装置４５６は、基板及び基板キャリア４０２がトリートメント領域１０６の中に置かれている間に、堆積領域１０２の中で堆積された膜にエネルギー及び／又は化学物質を与えるように、構成される。膜特性変更装置４５６は、トリートメント領域１０６の内部に置かれてもよいし、外部に置かれてもよい。少なくとも一つの実施形態において、膜特性変更装置４５６は、リッド４５０に連結される。
【００３０】
幾つかの実施形態において、トリートメント源４６０が、導管４２２によって膜特性変更装置４５６に接続されてもよい。トリートメント源４６０は、膜特性変更装置４５６に化学物質又はエネルギーを与える。トリートメント源４６０からのエネルギーが、下向きのトリートメント流４６２を基板４２８へ向けるであろう。トリートメント流４６２は、トリートメント領域１０６の中に配置された基板４２８をトリートメントし、図４Ａに示される堆積領域１０２の中で堆積された膜の特性を変更するように働く。
【００３１】
基板支持体４５８が、トリートメント領域１０６の内部に配置される。基板支持体４５８は、トリートメント領域１０６の底部４５４に連結される。基板支持体４５８は、プラットフォーム４６４を更に含む。アクチュエータ４６６が、プラットフォーム４６４を上昇及び／又は下降させるために、基板支持体４５８に連結される。
【００３２】
図４Ｂは、運動機構４００が基板４２８をトリートメント領域１０６に供給するときの、トリートメント領域１０６を更に描く。図４Ａを参照して上述したように、運動機構４００は、基板キャリア４０２、ガイドレール４０４、永久磁石４０６、及び磁気モータ４０８を含む。
【００３３】
基板４２８を堆積領域１０２の中に移動させて、基板４２８を基板支持体４２６の上にロードするプロセスが、図６Ａ〜図６Ｅに詳細に与えられる。
【００３４】
次に、図５に示された基板キャリア４０２の上面図を参照すると、基板キャリア４０２は、基板受けポケット４３０、永久磁石４０６、及びガイド４０５を含む。基板４２８が、基板キャリア４０２の上に支持され得る。運動機構４００は、基板キャリア４０２の上に配置された基板４２８を堆積領域１０２に供給するように働き得る。磁気モータ４００が、基板キャリア４０２及び基板４２８を、基板支持体４２６のプラットフォーム４３８と位置合わせしてもよい。リフトピン（図６Ｃに示される）が、基板支持体４２６を通って伸長可能である。リフトピンは、基板キャリア４０２から基板４２８を上昇させるように構成される。基板４２８を上昇させることにより、基板キャリア４０２が、運動機構４００によってプラットフォーム４３８から離されることが可能になる。基板４２８を支持しているリフトピンが、基板支持体４２６を通って後退し、基板支持体４２６のプラットフォーム４３８の上に基板４２８を置く。上に置かれた基板４２８とともに基板支持体４２６が上方に変位され、シャワーヘッド４１０に近接した処理位置に基板４２８を配置し得る。
【００３５】
基板支持体４２６上に配置された基板４２８を処理した後、基板支持体４２６は、シャワーヘッド４１０から離れ、基板キャリア４０２が動く平面よりも低い移送位置に下降され得る。リフトピンが、基板支持体４２６から基板４２８を離間させるように作動される。間隔が空くことにより、持ち上げられた基板４２８と基板支持体４２６のプラットフォームの間で、基板キャリア４０２を動かすことができる。その後、リフトピンが、後退し、基板４２８を基板キャリア４０２の上に戻す。その後、運動機構４００が、基板キャリア４０２上に配置された基板４２８を堆積領域１０２からトリートメント領域１０６へ供給する。
【００３６】
図６Ａ〜図６Ｅが、堆積領域１０２に入り、堆積のために基板４２８を基板支持体４２６の上にロードする運動機構４００のシーケンスを描く。図６Ａは、分離領域１０４から堆積領域１０２に入る運動機構４００を描く。基板支持体４２６は、下げられた（移送）位置６０１にある。下げられた位置６０１にある基板支持体４２６は、基板キャリア４０２が、その上に置かれることを可能にする。
【００３７】
図６Ｂにおいて、基板キャリア４０２が、基板支持体４２６のプラットフォーム４３８の上で位置合わせされる。堆積領域１０２内のセンサ（複数可）（図示せず）が、運動機構４００の動作を制御し、基板キャリア４０２をプラットフォーム４３８と位置合わせするコントローラ（図示せず）と通信してもよい。基板キャリア４０２がプラットフォーム４３８と位置合わせされたときに、コントローラは運動機構４００を停止させる。基板キャリア４０２の上に配置された基板４２８が、今や、シャワーヘッド４１０と基板支持体４２６のプラットフォーム４３８の間に置かれる。
【００３８】
図６Ｃにおいて、基板４２８が基板キャリア４０２から取り除かれる。基板支持体４２６は、リフトピン６００を更に含む。リフトピン６００は、最初、後退位置にあり、そのため、リフトピン６００の頂上は、プラットフォーム４３８の上面より下にあるか、又は同じ高さである。コントローラが、アクチュエータ４４４と通信し、基板キャリア上に配置された基板４２８がプラットフォーム４３８と位置合わせされたときに、リフトピン６００を上昇させる。リフトピン６００が、基板支持体４２６の上面を通って伸長される。その後、リフトピン６００は、基板４２８と接触し、基板４２８を基板キャリア４０２の上に持ち上げる。リフトピン６００が伸ばされた位置６０２にあるとき、運動機構４００が、基板キャリア４０２を基板支持体４２６のプラットフォーム４３８から離して移動させ得る。
【００３９】
図６Ｄにおいて、コントローラは、アクチュエータ４４４と通信し、運動機構４００が基板支持体４２６のプラットフォーム４３８の向こうに基板キャリア４０２を移動させたときに、リフトピン６００を下降させる。リフトピン６００が基板支持体４２６を通って後退すると、基板４２８は、基板支持体４２６のプラットフォーム４３８上に置かれる。その後、基板支持体４２６は、基板４２８をシャワーヘッドに近接する処理位置に上昇させ得る。基板キャリア４０２は、堆積プロセスが完了するまで、プラットフォーム４３８から離れたままである。
【００４０】
図６Ｅにおいて、堆積領域１０２の中で堆積プロセスが開始する。基板４２８がプラットフォーム４３８上に固定されると、センサ（複数可）がコントローラと通信する。その後、コントローラは、アクチュエータ（図示せず）と通信し、基板支持体４２６のプラットフォーム４３８をシャワーヘッド４１０の方へ上昇させる。プラットフォーム４３８が上げられた位置６０４に達し、基板４２８をシャワーヘッド４１０に近接させると、堆積が開始され得る。
【００４１】
堆積プロセスが完了すると、図６Ａ〜図６Ｅのシーケンスが、逆向きに実行され、基板４２８を基板キャリア４０２に戻す。基板４２８が基板キャリア４０２上に支持され、基板支持体４２６が基板キャリア４０２より十分に低くなると、運動機構４００は、基板４２８が上に配置された基板キャリア４０２を、分離領域１０４を通って、別の堆積領域１０２又はトリートメント領域１０６の中に移動し得る。
【００４２】
図７は、直線的処理システム７００の一構成の上面図を示す。直線的処理システム７００は、ロードロックステーション１０８、堆積領域１０２、分離領域１０４、トリートメント領域１０６、交互のチャンバ７０２、７０４、７０６、及び運動機構４００を含む。ロードロックステーション１０８、堆積領域１０２、分離領域１０４、トリートメント領域１０６及び交互のチャンバ７０２、７０４、７０６が、Ｘ−Ｚ座標系の中で直線的に連結される。
【００４３】
ロードロックステーション１０８、堆積領域１０２、トリートメント領域１０６及び交互のチャンバ７０２、７０４、７０６は、全体として、真空密閉の直線的処理プラットフォーム７１２と呼ばれる。分離領域１０４は、任意の２つの隣接する直線的処理領域１０２、１０６を分離する。
【００４４】
運動機構４００は、基板キャリア４０２、永久磁石４０６、及び磁気モータ４０８を含む。運動機構４００は、基板キャリア４０２を、ロードロックステーション１０８から、分離領域１０４を通って、堆積領域１０２の中に移動し得る。磁気モータ４０８は、基板キャリア４０２に連結された永久磁石４０６に対して力を発生させて、基板キャリア４０２が直線的処理システム７００の中を移動するように促すために、用いられる。
【００４５】
堆積領域１０２は、化学気相堆積（ＣＶＤ）チャンバ、スピンオンコーティングチャンバ、流動性（ＣＶＤ）チャンバ、物理的気相堆積（ＰＶＤ）チャンバ、原子層堆積（ＡＬＤ）チャンバ、エピタキシャル堆積チャンバ、又は薄膜を堆積させるのに適した他の堆積チャンバのうちの任意の一つであってよい。
【００４６】
トリートメント領域１０６は、熱処理チャンバ、アニーリングチャンバ、急速熱アニールチャンバ、レーザ処理チャンバ、電子ビーム処理チャンバ、ＵＶ処理チャンバ、イオンビーム注入チャンバ、イオン浸漬注入チャンバ、又は堆積膜の特性を変更することができる他のトリートメントチャンバのうちの任意の一つであってよい。
【００４７】
交互のチャンバ７０２、７０４、７０６は、追加的な堆積領域１０２、追加的なトリートメント領域１０６、又は追加的な堆積領域１０２とトリートメント領域１０６の組合せであってよい。加えて、交互のチャンバ７０２、７０４、７０６のうちの任意の一つ又は全てが、処理システム１００から省略されてもよい。
【００４８】
図８は、インライン処理システム８００の別の実施構成の側面図を示す。インライン処理システム８００は、第二の直線的処理セクション８０４に連結される第一の直線的処理セクション８０２を含む。セクション８０２、セクション８０４の各々の中の基板の進行方向は、コリニアでない。例えば、基板は、第一の直線的処理セクション８０２を通って、Ｘ−Ｙ座標系の正のｙ方向に進んでもよいし、他方、第二の直線的処理セクション８０４を通る基板の進行は、負のｙ方向であってもよい。セクション８０２、セクション８０４は、連結セクション８０６によって接続され得る。
【００４９】
第一の直線的処理セクション８０２は、ロードロックステーション１０８、分離領域１０４、堆積領域１０２、任意選択の交互のチャンバ８１０、８１２、８１４、トリートメント領域１０６、及び第一の磁気モータ８２０を含む。分離領域１０４は、少なくとも堆積領域１０２をトリートメント領域１０６から分離する。第一の磁気モータ８２０は、第一の直線的処理セクション８０２の長さに沿って延びる。運動機構（図８に示されていない）が、第一の磁気モータ８２０を用いて、第一の直線的処理セクション８０２の中で基板を移動させる。交互のチャンバ８１０、８１２、８１４は、別の堆積領域１０２又はトリートメント領域１０６であり得る。加えて、交互のチャンバ８１０、８１２、８１４のうちの任意の一つ又は全てが、第一の直線的処理セクション８０２から省略されてもよい。
【００５０】
第二の直線的処理セクション８０４は、ロードロックステーション１０８、任意選択の堆積領域１０２、分離領域１０４、トリートメント領域１０６、任意選択の交互のチャンバ８１６、８１７、８１８、及び第二の磁気モータ８２４のうちの一つ以上を含んでよい。分離領域１０４は、少なくともトリートメント領域１０６を堆積領域１０２から分離する。第二の磁気モータ８２４は、第二の直線的処理セクション８０４の長さに沿って延びる。運動機構（図示せず）が、第二の磁気モータ８２４を用いて、基板キャリアの上に配置された基板を第二の直線的処理セクション８０４の長さに沿って移動させる。交互のチャンバ８１６、８１７、８１８は、堆積領域１０２又はトリートメント領域１０６であり得る。加えて、交互のチャンバ８１６、８１７、８１８のうちの任意の一つ又は全てが、第二の直線的処理セクション８０４から省略されてもよい。
【００５１】
連結セクション８０６は、第一の直線的処理セクション８０２を第二の直線的処理セクション８０４に接続する。第三の磁気モータ８２２が、連結セクション８０６と統合され、基板キャリアの上に配置された基板を第一の直線的処理セクション８０２から第二の直線的処理セクション８０４に移動する。分離領域１０４はまた、第一の直線的処理セクション８０２と第二の直線的処理セクション８０４を分離し得る。第三の磁気モータ８２２は、連結セクション８０６に沿って延びる。運動機構（図示せず）が、磁気モータ８２２を用いて、連結セクション８０６に沿って基板及び基板キャリアを移動させ、基板をシステム内で位置決めする。
【００５２】
図９Ａ〜図９Ｃは、レーストラック型処理システム９００の上面図を示す。レーストラック型処理システム９００は、第一のセクション９３０、第二のセクション９３２、第三のセクション９３４、及び第四のセクション９３６を含む。第一のセクション９３０、第二のセクション９３２、第三のセクション９３４、及び第四のセクション９３６は、連結され、長方形のレーストラックを形成する。
【００５３】
一つの実施形態において、第一のセクション９３０は、ロードロックステーション９１２、分離領域１０４、堆積領域１０２、任意選択の交互のチャンバ９０２、９０４、ビア９２０、任意選択のトリートメント領域１０６、及び第一の磁気モータ９２０を含む。分離領域１０４は、少なくとも領域１０２と領域１０６を分離する。分離領域１０４はまた、堆積領域１０２が、トリートメント領域１０６と流体連通することを可能にする。分離領域１０４は、（図２に描かれるような）ガスカーテンであってもよいし、（図３に描かれるような）スリットバルブであってもよい。
【００５４】
第一の磁気モータ９２０は、第一のセクション９３０の長さに沿って、例えば外側９５０に沿って、延びる。第一の磁気モータ９２０は、基板キャリア４０２を第一のセクション９３０の長さに沿って位置決めする。基板キャリア４０２に連結される永久磁石４０６が、第一の磁気モータ９２０と係合し、第一のセクション９３０内で基板キャリア４０２を移動させる。交互のチャンバ９０２、９０４は、堆積領域１０２又はトリートメント領域１０６であり得る。加えて、交互のチャンバ９０２、９０４のうちの任意の一つ又は全てが、第一のセクション９３０から省略されてもよい。ビア９１４は、第一のセクション９３０の中で（ロードロックステーション９１２に対して）最後のセクションである。ビア９１４は、第二のセクション９３２と流体連通し、第一のセクション９３０を第二のセクション９３２に連結する。
【００５５】
第二のセクション９３２は、第一のビア９１４と第二の磁気モータ９２２を更に含む。第一のビア９１４は、第一のセクション９３０を第三のセクション９３４に連結し、基板キャリア４０２が第一のセクション９３０からレーストラック型処理システム９００の第三のセクション９３４に移動することを可能にする。第二の磁気モータ９２２は、第二のセクション９３２の長さに沿って、例えば外周に沿って、延びる。基板キャリア４０２は、第二の磁気モータ９２２を用いて、第二のセクション９３２の長さに沿って移動する。永久磁石４０６及び永久磁石９２６が、第二の磁気モータ９２２と係合し、第二のセクション９３２内で基板キャリア４０２を移動させる。
【００５６】
第三のセクション９３４は、ロードロックステーション９１６、任意選択の堆積領域１０２、分離領域１０４、トリートメント領域１０６、任意選択の交互のチャンバ９０６、９０８、及び第一のビア９１４を含む。分離領域１０４は、領域１０２と領域１０６を分離する。分離領域１０４は、トリートメント領域１０６を堆積領域１０２から分離する。分離領域１０４は、（図２に描かれるような）ガスカーテンであってもよいし、（図３に描かれるような）スリットバルブであってもよい。
【００５７】
第三の磁気モータ９２４は、第三のセクション９３４の長さに沿って、例えば、外側９５２に沿って、延びる。基板キャリア４０２は、第三の磁気モータ９２４を用いて、第三のセクション９３４の長さに沿って移動する。第二の永久磁石９２６が、第三の磁気モータ９２４と係合し、第三のセクション９３４内で基板キャリア４０２を移動する。交互のチャンバ９０６、９０８は、堆積領域１０２又はトリートメント領域１０６であり得る。加えて、交互のチャンバ９０６、９０８のうちの任意の一つ又は全てが、第三のセクション９３４から省略されてもよい。
【００５８】
第四のセクション９３６は、ロードロックステーション９１２、９１６及び第二のビア９１８を含む。第二のビア９１８は、第一のセクション９３０を第三のセクション９３４に連結する。ビア９１８は、基板４２８が、レーストラック型処理システム９００を出るか、又は代わりに、もう１回又はそれ以上の回数、レーストラック型処理システム９００の中に戻ることを可能にする。
【００５９】
図９Ａは、２つの基板キャリア４０２ａ、４０２ｅがチャンバに入るのを待っており、６つのチャンバが、基板キャリア４０２ｂ、４０２ｃ、４０２ｄ、４０２ｆ、４０２ｇ、４０２ｈを処理しているときの、レーストラック型処理システム９００を示す。６つのチャンバが処理中であるとき、分離領域１０４は、どのチャンバも他のチャンバと流体連通しないようにする。
【００６０】
図９Ｂは、６つのチャンバが処理を終了し、基板キャリア４０２が一つのステーションを進んだ後の、レーストラック型処理システム９００を示す。６つのチャンバが処理を終了すると、分離領域１０４は、各チャンバが隣接するチャンバと流体連通することを可能にする。各基板キャリア４０２は、一つのステーションを進んでもよい。基板キャリア４０２ｅ、４０２ｆ、４０２ｇ、４０２ｈは、永久磁石９２６と第三の磁気モータ９２４の間の磁気的連結を用いることにより移動する。基板キャリア４０２ａ、４０２ｂ、４０２ｃ、４０２ｄは、永久磁石４０６と第一の磁気モータ９２０の間の磁気的連結を用いることにより移動する。加えて、基板キャリア４０２ｄは、永久磁石４０６、９２６の間の磁気的連結を用いることにより、ビア９１４を横切るであろう。
【００６１】
図９Ｃにおいて、ポンプシステム１２０が、レーストラック型処理システム９００のポンプダウンを開始する。チャンバが処理を開始する準備ができると、分離領域１０４は、もう一度閉じられる。基板キャリア４０２ｈは、基板４２８をロードロックステーション９１６を通してアンロードしてもよいし、又は基板キャリア４０２ｈは、第二のビア９１８を通過して、もう一度レーストラック型処理システム９００に入るのを、ロードロックステーション９１２の中で待ってもよい。基板キャリア４０２ｅは、第二の磁気モータ９２２と永久磁石４０６、９２６の間の磁気的連結を用いて、第二のセクション９３２を横切る。図９Ａ〜図９Ｃに描かれるプロセスが、ユーザが望む回数繰り返される。
【００６２】
図１０は、処理システム１００の別の実施構成の上面図を示す。図１０に描かれるレイアウトは、カルーセル処理システム１０００である。カルーセル処理システム１０００は、ロードロックステーション１０１０及びカルーセル処理セクション１０１４を含む。
【００６３】
ロードロックステーション１０１０は、基板（図示せず）がカルーセル処理セクション１０１４に入ることを可能にする。基板は、処理が終了すると、同じロードロックステーション１０１０を通ってカルーセル処理セクション１０１４を出る。
【００６４】
カルーセル処理セクション１０１４は、堆積領域１０２、分離領域１０４、トリートメント領域１０６、任意選択の交互のチャンバ１００４、１００６、１００８、及びロボット１０１２を更に含む。分離領域１０４は、少なくとも領域１０２と領域１０６を分離する。ロボット１０１２は、カルーセルステーション１０１６の間で基板を移動させる。交互のチャンバ１００２、１００４、１００６は、堆積領域１０２又はトリートメント領域１０６であり得る。加えて、交互のチャンバ１００２、１００４、１００６のうちの任意の一つ又は全てが、カルーセル処理セクション１０１４から省略されてもよい。
【００６５】
図１１Ａは、半導体タンデム式処理システム１１００の上面図を示す。一般に、システム１１００は、メインフレーム構造体１１０１の上に支持され、必要な処理用役を有する、自己完結型システムであり、容易に据付けることができ、迅速な作業の開始を提供する。システム１１００は、４つの異なる領域を一般に含む：前端ステージングエリア１１０２、ロードロックステーション１１０８、及び分離バルブ１１１０を通って複数の処理ステーション１１０６と連絡する移送チャンバ１１０４。処理ステーション１１０６は、単一基板の処理領域でもよいし、タンデム基板の処理領域でもよいし、他の多基板処理領域でもよい。タンデム基板処理ステーション１１０６が、図１１Ａに示される。一般にファクトリインターフェースとして知られる前端ステージングエリア１１０２は、少なくとも一つの基板を収容するカセット１１０９を有するエンクロージャを一般に含み、カセットは、例えば、ポッドローダ経由でエンクロージャと連絡するように配置される。システム１１００はまた、１対の前端基板移送ロボット１１１３を含んでよく、ロボットは、一般に、前端ステージングエリア１１０２とロードロックステーション１１０８の間で基板を移動させるように構成される単腕ロボットであってよい。１対の前端基板ロボット１１１３は、一般に、カセット１１０９に近接して配置され、処理のために基板を移動させ、基板の処理が完了すると、基板をその中に配置するように構成される。２つのカセット１１０９が示されているが、本発明の一実施形態は、積み重ね可能な基板カセットフィーダアセンブリ（図示せず）を用いることを予期する。積み重ね可能な基板カセットフィーダアセンブリは、複数のカセット１１０９を垂直に積み重ねて保管し、必要なときに、カセット１１０９を外部のカセット位置／ポッドローダへ個別に供給するように構成され得る。前端ステージングエリア１１０２は、ロードロックステーション１１０８と選択的に連絡し、例えば、選択的に作動するスリットバルブ（図示せず）を通る基板の移送を可能にする。加えて、ロードロックステーション１１０８はまた、例えば、別の選択的に作動するスリットバルブを経由して、移送チャンバ１１０４と選択的に連絡してもよい。ロードロックステーション１０８は、処理のために一つ以上の基板を移送チャンバ１１０４の中に移送するプロセスの間、基板移送チャンバ１１０４の内部を前端ステージングエリア１１０２の内部から分離する。ロードロックステーション１１０８は、並行基板タイプのチャンバであってもよいし、単一基板タイプのチャンバであってもよいし、又は、当技術分野で一般に知られる多基板タイプのロードロックチャンバであってもよい。
【００６６】
図１１Ａに示されるように、基板移送ロボット１１０５は、移送チャンバ１１０４の内部の中心に配置され得る。基板移送ロボット１１０５は、ロードロックステーション１１０８から基板を取り出して、移送チャンバ１１０４の周囲に配置された処理ステーション１１０６の一つに基板を搬送するように、一般に構成される。加えて、基板移送ロボット１１０５は、それぞれのタンデム処理ステーション１１０６間で、のみならず他の処理ステーション１１０６からも基板を搬送し、及びロードロックステーション１１０８の中に基板を戻すように、一般に構成される。基板移送ロボット１１０５は、２つの基板を同時にその上で支持するように構成される単一のデュアルブレードを一般に含む。ブレードは、その上に基板を保持するように、単一の平面の中に一般に位置合わせされる２つの支持表面を含んでよい。加えて、基板移送ロボット１１０５のブレードは、選択的に伸長可能であり、同時にベースが回転可能であり、これにより、ブレードは、処理ステーション１１０６、ロードロックステーション１１０８、及び／又は移送チャンバ１１０４の周囲に配置された任意の他のステーションのうちのいずれの内部にもアクセス可能になる。
【００６７】
図１１Ｂは、複数の基板を同時に処理するように構成された処理ステーション１１０６の一実施形態の拡大図である。図１１Ｂに描かれた実施形態において、処理ステーション１１０６は、クワド処理ステーション１１２０として示される。クワド処理ステーション１１２０は、４つのチャンバ１１２４を含む。チャンバ１１２４は、例えば、一つ以上の堆積領域１０２及び／又は一つ以上のトリートメント領域１０６を含んでよい。各チャンバ１１２４は、分離領域１０４によって隣接するチャンバ１１２４から分離される。分離領域１０４は、前記のように、スリットバルブ又はガスカーテンであってよい。分離領域１０４は、運動機構１１２６を更に含む。運動機構１１２６は、チャンバ１１２４間で、例えば、堆積領域１０２からトリートメント領域１０６へ、基板を移動させる。運動機構１１２６は、磁気浮上運動機構であってもよく、ブレード１１２８、パック（図示せず）、及び磁気コイル（図示せず）を含む。磁気コイルは、分離領域１０４の中に配置される。ブレード１１２８は、磁気コイルによって浮上される浮上パックに取り付けられる。運動機構１１２６は、チャンバ１１２４の各々の中に配置される基板支持体の間で基板を移動させるように構成される。あるいは、一つのブレード１１２８が他のブレード１１２８に、又は基板支持体の指定された対の間で、基板を渡すことができるように、より多い運動機構１１２６があってもよい。クワド処理ステーション１１０６は、４つより多い処理チャンバを含むように、拡張されてもよい。
【００６８】
図１１Ａに戻って、デュアル処理ステーション１１２２は、堆積領域１０２、分離領域１０４、及びトリートメント領域１０６を含む。分離領域１０４は、堆積領域１０２をトリートメント領域１０６から分離する。分離領域１０４は、上記のように、運動機構１１２６を更に含み、堆積領域１０２とトリートメント領域１０６の間で基板を移動するように動作可能である。
【符号の説明】
【００６９】
１００  処理システム
１０２  追加的な堆積領域
１０４  分離領域
１０６  追加的なトリートメント領域
１０８  ロードロックステーション
１１０  連続的な真空密閉プラットフォーム
１１２  コントローラ
１１４  メモリ
１１６  ＣＰＵ
１１８  サポート回路
１２０  ポンプシステム
１２２  プロセスステーション
１２８  通信ケーブル
２０２  ガスカーテン
２０４  ノズル
２０６  ガス源
２０８  排気口
２１０  ガスカーテン
２１２  導管
３００  スリットバルブアセンブリ
３０２  スリットバルブ開口
３０４Ａ  側壁
３０４Ｂ  側壁
３０６  スリットバルブドア
３０８  アクチュエータ
３１２  位置
４００  運動機構
４０２  基板キャリア
４０２ａ  基板キャリア
４０２ｂ  基板キャリア
４０２ｃ  基板キャリア
４０２ｄ  基板キャリア
４０２ｅ  基板キャリア
４０２ｆ  基板キャリア
４０２ｇ  基板キャリア
４０２ｈ  基板キャリア
４０４  ガイドレール
４０５  ガイド
４０６  永久磁石
４０８  磁気モータ
４１０  シャワーヘッド
４１２  下向きの流れ
４１４  ノズル
４１６  リッド
４１８  側壁
４２０  ガスパネル
４２２  導管
４２４  ＲＦ源
４２６  基板支持体
４２８  基板
４３０  基板受けポケット
４３２  グラウンド
４３６  反応ゾーン
４３８  プラットフォーム
４４２  バンク
４４４  アクチュエータ
４５０  リッド
４５２  側壁
４５６  膜特性変更装置
４５８  基板支持体
４６０  トリートメント源
４６２  下向きのトリートメント流
４６４  プラットフォーム
４６６  アクチュエータ
６００  リフトピン
６０１  下げられた位置
６０２  伸ばされた位置
６０４  上げられた位置
７００  直線的処理システム
７０２  交互のチャンバ
７０４  交互のチャンバ
７０６  交互のチャンバ
７１２  直線的処理プラットフォーム
８００  インライン処理システム
８０２  第一の直線的処理セクション
８０４  第二の直線的処理セクション
８０６  連結セクション
８１０  交互のチャンバ
８１２  交互のチャンバ
８１４  交互のチャンバ
８１６  交互のチャンバ
８１７  交互のチャンバ
８１８  交互のチャンバ
８２０  第一の磁気モータ
８２２  磁気モータ
８２４  第二の磁気モータ
９００  レーストラック型処理システム
９０２  交互のチャンバ
９０４  交互のチャンバ
９０６  交互のチャンバ
９０８  交互のチャンバ
９１２  ロードロックステーション
９１６  ロードロックステーション
９２０  第一の磁気モータ
９２２  第二の磁気モータ
９２４  第三の磁気モータ
９２６  永久磁石
９３０  第一のセクション
９３２  第二のセクション
９３４  第三のセクション
９３６  第四のセクション
９５２  外周
１０００  カルーセル処理システム
１００２  交互のチャンバ
１００４  交互のチャンバ
１００６  交互のチャンバ
１００８  任意選択の交互のチャンバ
１０１０  ロードロックステーション
１０１２  ロボット
１０１４  カルーセル処理セクション
１０１６  カルーセルステーション
１１００半導体タンデム処理システム
１１０１  メインフレーム構造体
１１０２  前端ステージングエリア
１１０４  チャンバ
１１０５  ロボット
１１０６  処理ステーション
１１０８  ロードロックステーション
１１０９  カセット
１１１０  分離バルブ
１１１３  前端基板ロボット
１１２０  処理ステーション
１１２２  デュアル処理ステーション
１１２４  隣接するチャンバ
１１２６  運動機構
１１２８  ブレード
【図１】
2016092426.tif 000003
【図２】
2016092426.tif 000004
【図３】
2016092426.tif 000005
【図４Ａ】
2016092426.tif 000006
【図４Ｂ】
2016092426.tif 000007
【図５】
2016092426.tif 000008
【図６】
2016092426.tif 000009
【図７】
2016092426.tif 000010
【図８】
2016092426.tif 000011
【図９Ａ】
2016092426.tif 000012
【図９Ｂ】
2016092426.tif 000013
【図９Ｃ】
2016092426.tif 000014
【図１０】
2016092426.tif 000015
【図１１Ａ】
2016092426.tif 000016
【図１１Ｂ】
2016092426.tif 000017
【外国語明細書】
2016092426000001.pdf
2016092426000002.pdf
2016092426000003.pdf
2016092426000004.pdf