(57)【要約】      （修正有）【課題】搭載する半導体素子に対して十分な電源供給をすることにより、作動電圧の低い半導体素子を安定的に作動させることができるととともに、微細なラインアンドスペースの小型高密度配線基板を提供すること。【解決手段】絶縁層１の同じ主面に、信号用の帯状配線導体２ａと、接地または電源用のプレーン導体２ｂとを配設して成る配線基板Ａであって、プレーン導体２ｂの厚みが帯状配線導体２ａの厚みよりも大きいことを特徴とする。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層の同じ主面に、信号用の帯状配線導体と、接地または電源用のプレーン導体と、を配設して成る配線基板であって、前記プレーン導体の厚みが前記帯状配線導体の厚みよりも大きいことを特徴とする配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子を搭載するための配線基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
図３に、半導体素子を搭載するための従来の配線基板Ｂの一例を示す。
配線基板Ｂは、絶縁層１１と、導体層１２と、ソルダーレジスト層１３とから成る。
【０００３】
絶縁層１１には、スルーホール１４が複数形成されている。そして、絶縁層１１の上下面およびスルーホール１４内には導体層１２の一部が被着されている。
【０００４】
導体層１２は、電気信号が伝送される複数の信号用の帯状配線導体１２ａや、電位供給または電力供給のための複数の接地または電源用のプレーン導体１２ｂを含んでいる。
【０００５】
ソルダーレジスト層１３は、絶縁層１１の上下面に被着されている。絶縁層１１の上面に被着されたソルダーレジスト層１３には、導体層１２の一部を半導体素子接続パッド１５として露出させる開口部１３ａが形成されている。半導体素子接続パッド１５には、半導体素子の電極端子が半田を介して接続される。
また、絶縁層１１の下面に被着されたソルダーレジスト層１３には、導体層１２の一部を外部接続パッド１６として露出させる開口部１３ｂが形成されている。外部接続パッド１６には、外部の電気回路基板の配線導体が半田を介して接続される。
【０００６】
ところで近年では、携帯型の音楽プレーヤーや通信機器に代表される電子機器は、その高機能化に伴い消費電力が大きくなっている。このため、これらの電子機器に用いられる配線基板Ｂには、省電力タイプのものが求められている。
【０００７】
そこで、省電力化のために半導体素子の作動電圧を低くすることが考えられる。
しかしながら、作動電圧を低くするとノイズに対するマージンが少なくなって誤動作が発生しやすい。このようなノイズを減少させるためには、十分な電源供給が必要となる。そのために、プレーン導体１２ｂの厚みを厚くしたいが、プレーン導体１２ｂと帯状配線導体１２ａとは、絶縁層１１上に電解めっきを同時に析出させて形成することから、帯状配線導体１２ａも厚くなってしまう。帯状配線導体１２ａが厚くなると、微細なラインアンドスペースの配線が形成できずに、基板の小型化ができないという問題がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特許第４５３４５７５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、搭載する半導体素子に対して十分な電源供給をすることにより作動電圧の低い半導体素子を安定的に作動させることができるととともに、微細なラインアンドスペースの小型高密度配線基板を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明における配線基板は、絶縁層の同じ主面に、信号用の帯状配線導体と、接地または電源用のプレーン導体とを配設して成る配線基板であって、プレーン導体の厚みが帯状配線導体の厚みよりも大きいことを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の配線基板によれば、接地または電源用のプレーン導体の厚みが、信号用の帯状配線導体の厚みよりも大きい。これにより、搭載する半導体素子に対して十分な電源供給が可能になり作動電圧の低い半導体素子を安定的に作動させることができるとともに、微細なラインアンドスペースを有する小型高密度配線基板を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】図１は本発明の配線基板の実施の形態の一例を示す概略断面図である。
【図２】図２は本発明の配線基板の実施の形態の一例を示す要部拡大断面図である。
【図３】図３は従来の配線基板の一例を示す概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
次に、本発明の配線基板の実施形態の一例を図１および図２を基にして詳細に説明する。
【００１４】
図１に本例の配線基板Ａの概略断面図を示す。
配線基板Ａは、絶縁層１と、導体層２と、ソルダーレジスト層３とから成る。
【００１５】
絶縁層１は、例えばガラスクロスにエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させた電気絶縁材料から成り、直径が１００〜３００μｍ程度のスルーホール４が複数形成されている。スルーホール４は、例えばドリル加工やレーザー加工、ブラスト加工等により形成される。
なお、本例では絶縁層１が一層の場合を示したが、同じもしくは異なる絶縁材料から成る複数の絶縁層を積層しても構わない。
【００１６】
導体層２は、絶縁層１の上下面およびスルーホール４内に被着されている。
そして、導体層２は、電気信号が伝送される複数の信号用の帯状配線導体２ａと、電位供給または電力供給のための複数の接地または電源用のプレーン導体２ｂとを含んでいる。
また、図２に示すように、プレーン導体２ｂの厚みは、帯状配線導体２ａの厚みよりも大きく形成されている。帯状配線導体２ａの厚みは、例えばおよそ６μｍ程度であり、各配線の幅は、およそ２μｍ〜１０μｍ程度である。また、プレーン導体２ｂの厚みは、およそ７μｍ〜８μｍ程度である。
導体層２は、例えば周知のセミアディティブ法により、無電解銅めっき層、および電解銅めっき層を絶縁層１表面に析出させることで形成される。なお、帯状配線導体２ａの厚みよりもプレーン導体２ｂを厚く析出させるには、例えば、セミアディティブ法における電解銅めっきを析出させる際に、直流電源を用いて３（A／ｄｍ2）以上の大きな電流密度で電解銅めっきを行えばよい。大きな電流密度にて電解銅めっきを析出させると、析出面積の大きな部分は析出面積の小さな部分に比べて析出速度が速くなる傾向がある。このため、プレーン導体２ｂの厚みを帯状配線導体２ａの厚みよも厚くすることが可能となる。なお、帯状配線導体２ａの配線幅は、セミアディティブ法による加工の限界のために２μｍ程度が最小値である。
【００１７】
ソルダーレジスト層３は、エポキシ樹脂やポリイミド樹脂などの熱硬化性樹脂を含有する電気絶縁材料から成り、絶縁層１の上下面に被着されている。絶縁層１の上面に被着されたソルダーレジスト層３には、導体層２の一部を半導体素子接続パッド５として露出させる開口部３ａが形成されている。半導体素子接続パッド５には、半導体素子の電極端子が半田を介して接続される。
また、絶縁層１の下面に被着されたソルダーレジスト層３には、導体層２の一部を外部接続パッド６として露出させる開口部３ｂが形成されている。外部接続パッド６には、外部の電気回路基板の配線導体が半田を介して接続される。
【００１８】
このように、本発明の配線基板によれば、プレーン導体２ｂの厚みは、帯状配線導体２ａの厚みよりも大きく形成されている。これにより、搭載する半導体素子に対して十分な電源供給が可能になり作動電圧の低い半導体素子を安定的に作動させることができるとともに、微細なラインアンドスペースを有する小型高密度配線基板を提供することができる。
【符号の説明】
【００１９】
１            絶縁層
２ａ          帯状配線導体
２ｂ          プレーン導体
Ａ            配線基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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