(57)【要約】      （修正有）【課題】基板に対する入熱領域の偏りを低減することが可能な描画方法及び描画装置技術を提供する。【解決手段】ビームの照射域に対して基板を走査するごとに、前記基板上の１つの帯状領域に対して１つの前記照射域に係るビームを照射してパターンを描画する描画方法であって、１つの前記照射域に係るビームによる被描画領域を前記走査の方向に沿う線で仮想的に分割してできる第１領域Ｂ１及び第２領域Ｂ２のうち、前記第１領域Ｂ１の一部の領域３０２に対して前記ビームを照射する第１照射ステップと、前記第１照射ステップ後に、前記第２領域Ｂ２の一部の領域３０３に対して前記ビームを照射する第２照射ステップと、前記第２照射ステップ後に、前記第１領域Ｂ１内の領域であって、前記第１領域Ｂ１の一部の領域とは異なる領域３０４に前記ビームを照射する第３照射ステップと、を有する。【選択図】図３
2016082027.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ビームの照射域に対して基板を走査するごとに、前記基板上の１つの帯状領域に対して１つの前記照射域に係るビームを照射してパターンを描画する描画方法であって、
１つの前記照射域に係るビームによる被描画領域を前記走査の方向に沿う線で仮想的に分割してできる第１領域及び第２領域のうち、前記第１領域の一部の領域に対して前記ビームを照射する第１照射ステップと、
前記第１照射ステップ後に、前記第２領域の一部の領域に対して前記ビームを照射する第２照射ステップと、
前記第２照射ステップ後に、前記第１領域内の領域であって、前記第１領域の一部の領域とは異なる領域に前記ビームを照射する第３照射ステップと、を有することを特徴とする描画方法。
【請求項２】
前記線が前記被描画領域の中心線であることを特徴とする請求項１に記載の描画方法。
【請求項３】
前記第１照射ステップで照射する前記第１領域の一部の領域と、前記第２ステップで照射する前記第２領域の一部の領域は、前記中心線に対して線対称であることを特徴とする請求項２に記載の描画方法。
【請求項４】
最初に前記中心線上にある帯状領域に前記ビームを照射する照射ステップを有することを特徴とする請求項２又は３に記載の描画方法。
【請求項５】
複数のビームによる複数の照射域があり、前記第１照射ステップと、第２照射ステップと、第３照射ステップとにおいて、離間した前記複数の照射域のそれぞれに係るビームを、前記複数の照射域のそれぞれに対応する複数の被描画領域に照射することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の描画方法。
【請求項６】
前記第３照射ステップにおいて、前記第１照射ステップで照射する前記第１領域の一部の領域から前記走査の方向とは異なる方向に離れた位置にある領域に対して前記ビームを照射することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の描画方法。
【請求項７】
前記第１、第２、及び第３照射ステップにおいて、同一の照射ステップで複数の帯状領域に前記ビームを照射する場合は、前記複数の帯状領域のそれぞれが離間するように前記ビームを照射することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の描画方法。
【請求項８】
前記同一の照射ステップにおいて、前記第１領域内の帯状領域の数の１／３以下の数の帯状領域、あるいは前記第２領域内の帯状領域の数の１／３以下の数の帯状領域に前記ビームを照射することを特徴とする請求項７に記載の描画方法。
【請求項９】
前記基板上のマークの位置計測をするステップを有し、
前記位置計測の結果に基づいて、前記第３の照射ステップにおいて、前記第１照射ステップで照射する前記第１領域の一部の領域に対して前記第３照射ステップで照射予定の領域から離れた領域に前記ビームを照射することを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の描画方法。
【請求項１０】
ビームの照射域に対して基板を第１方向に走査するごとに、前記基板上の１つの帯状領域に対して１つの前記照射域に係るビームを照射してパターンを描画する描画装置において、
前記基板に対する前記ビームの照射位置を制御する制御部を有し、
前記制御部は、１つの前記照射域に係るビームによる被描画領域を前記第１方向に沿う線で仮想的に分割してできる第１領域及び第２領域のうち、前記第１領域の一部の領域に対して前記ビームを照射して、つづいて前記第１領域における前記第１領域の一部の領域とは異なる領域にビームを照射するまでの間に、前記第２領域の一部の領域に対して前記ビームを照射することを特徴とする描画装置。
【請求項１１】
請求項１０に記載の描画装置を用いて、基板にビームを照射する工程と、
前記ビームを照射した前記基板を現像する工程と、
前記現像した前記基板に対してエッチング処理及びイオン注入処理の少なくともいずれか一方を施す工程とを有することを特徴とする物品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、描画装置、描画方法、及び物品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスを製造するためのリソグラフィ工程では、ｎ層目のパターンに対して、（ｎ＋１）層目のパターンを精度良く重ね合わせる必要がある。ところが、基板上の隣り合う領域に対して順次ビームを照射してしまうと、熱変形の大きな領域に対してさらに照射を重ねていくこととなり、重ね合わせの精度が低下しやすくなってしまう。
【０００３】
そこで、特許文献１では、被露光領域を複数の区画領域に分割し、互いに隣接していない区画領域を同じ組に抽出して、組単位で各区画領域を照射していく方法を開示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１０−１４７２０２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１は、同一組内の複数の区画領域に対しては、基板の一端からもう一端の方向に順次ビームを照射していく旨を開示している。これらの照射順序では、所定時間内における基板への入熱領域が基板の片側に偏る恐れがある。入熱領域に偏りがある場合、基板全面を照射し終わった時に残る熱変形の形状は再現されにくく、次の層のパターンを形成する際の補正成分や補正量が基板ごとに異なる可能性がある。
【０００６】
そこで本発明は上記課題を鑑みてなされたものであり、基板に対する入熱領域の偏りを低減することが可能な描画方法及び描画装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の描画方法は、ビームの照射域に対して基板を走査するごとに、前記基板上の１つの帯状領域に対して１つの前記照射域に係るビームを照射してパターンを描画する描画方法であって、１つの前記照射域に係るビームによる被描画領域を前記走査の方向に沿う線で仮想的に分割してできる第１領域及び第２領域のうち、前記第１領域の一部の領域に対して前記ビームを照射する第１照射ステップと、前記第１照射ステップ後に、前記第２領域の一部の領域に対して前記ビームを照射する第２照射ステップと、前記第２照射ステップ後に、前記第１領域内の領域であって、前記第１領域の一部の領域とは異なる領域に前記ビームを照射する第３照射ステップと、を有することを特徴とする描画方法。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の描画方法及び描画装置によれば、基板に対する入熱領域の偏りを低減することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】第１の実施形態に係る描画装置の図。
【図２】描画領域について説明する図。
【図３】第１の実施形態に係る描画方法を示す図。
【図４】第１の実施形態に係る描画方法を示すフローチャート。
【図５】第２の実施形態に係る描画方法を示す図。
【図６】第３の実施形態に係る描画方法を示す図。
【図７】第５の実施形態に係る描画方法を示すフローチャート。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
［第１の実施形態］
（装置構成）
図１は、第１の実施形態に係る描画装置１００の構成を示す図である。描画装置１００は、複数の電子線（ビーム）で基板１０５上を走査することによって潜像パターンを形成する。
【００１１】
描画装置１００は３つの電子源１０１（１０１ａ、１０１ｂ、１０１ｃ）を有している。電子源１０１ａはカラム１２１ａ内に、電子源１０１ｂはカラム１２１ｂ内に、電子源１０１ｃはカラム１２１ｃ内に、配置されている。なお、カラム１２１ａ、１２１ｂ、１２１ｃは図２に図示している。
【００１２】
光学系１０２は、電子源１０１から射出された電子線の軌道を調整して基板１０５上に結像する。偏向器１０３は電子源１０１ａ、１０１ｂ、１０１ｃが射出した電子線を個別に偏向させることができる。偏向器１０３が電子線を偏向すると、偏向された電子線は開口を有する絞り板（不図示）によって遮蔽される。また、偏向器１０３が電子線を偏向しなければ、電子線は開口を通過して基板１０５上に照射される。
【００１３】
制御部１１２が、電子源１０１、光学系１０２、偏向器１０３を制御する。ステージ１０４は、制御部１１５の指示を受けて、基板１０５を保持したままＸ軸方向（走査の方向とは異なる方向）、Ｘ軸方向と直交するＹ軸方向（走査の方向）、及びＺ軸方向に移動する。
【００１４】
センサ１０７は、基板１０５のフォーカス位置を計測する。センサ１０７として、真空下でも使用できる光学式のセンサや静電容量センサを使用する。基準マーク（不図示）が形成されている基準台１０６は、ステージ１０４上の基板１０５から離れた位置にある。
【００１５】
光学式のセンサ１０８の機能について、図２を用いて説明する。図２は、カラム１２１ａ、１２１ｂ、１２１ｃと基板１０５をＺ軸方向から見た図である。図２に示すパターン領域２０１は、基板１０５上の被パターン形成領域である。パターン領域２０１は、複数のショット領域２０２で構成されている。ショット領域２０２同士の間には、チップパターンを形成しないスクライブライン２０３がある。スクライブライン２０３上に、アライメントマークマーク２０４（以下、マーク２０４と称す）や補正用マーク２０５（以下、マーク２０５と称す）が形成されている。
【００１６】
光学式のセンサ１０８は、基板上に形成されているマーク２０４に光を照射し、反射光をセンサ１０８が有しているセンサに結像させてマーク２０４の像を検出する。検出した像を用いて、制御部１１３がマーク２０４の位置を求める。マーク２０５及び基準マークの位置も同様にして求める。センサ１０８の光源波長は、基板１０５上に塗布されているレジスト（不図示）が感光しないようにするため波長４００ｎｍ以上とする。
【００１７】
制御部１１３は、基板１０５にパターンを描画し始める前にセンサ１０８にマーク２０４を検出させてマーク２０４の位置計測を行う。主制御部１１６は、複数のマーク２０４の位置情報を用いて、基板１０５上に形成されているパターン領域２０１の各ショット領域２０２の配列を求める。すなわち、新しく形成する層のパターンの描画位置を決定する。
【００１８】
また、制御部１１３は、１枚の基板１０５に対してパターンを描画し始めてからパターン領域２０１を描画し終わるまでの間の任意のタイミングで、センサ１０８にマーク２０５を検出させてマーク２０５の位置を計測する。主制御部１１６が描画中にショット領域２０２の位置ずれ、倍率誤差、回転誤差、台形誤差等の量を求め、描画位置の補正量を求める。主制御部１１６の指示を受けた制御部１１２及び制御部１１５によって、電子線の照射位置が補正される。
【００１９】
このようにすれば、高い頻度で描画位置を補正することができるため、熱変形の影響による重ね合わせ精度の低下を低減することができる。
【００２０】
再び図１の説明に戻る。干渉計１０９は、レーザ光を測定光と参照光に分割し、測定光をステージ１０４の端に配置している移動鏡１１０で反射させ、参照光を干渉計１０９の内部の参照鏡で反射させる。干渉計１０９は、移動鏡１１０及び参照鏡からの反射光を重ね合わせて干渉させて検出器を用いて干渉光の強度変化を検出することによって、参照鏡を基準とした移動鏡１１０の位置を計測する。図１に示した移動鏡１１０はＸ軸方向の位置計測用であるが、Ｙ軸方向、Ｚ軸方向の位置も同様にして計測する。
【００２１】
主制御部１１６は、記憶部１１７、制御部１１２、センサ１０８を制御する制御部１１３、ステージ１０４の位置を検出する検出部１１４、ステージ１０４の駆動を制御する制御部１１５と接続されている。検出部１１４の検出結果に基づいて、主制御部１１６は、制御部１１２による光学系１０２等の制御と制御部１１５によるステージ１０４に駆動制御を同期させる。このようにして、本実施形態では、主制御部１１６、制御部１１２、制御部１１５を用いて基板１０５に対する電子線の照射位置を制御する。また、描画開始前に得られるセンサ１０８による計測結果に基づいて、照射位置の補正も行う。
【００２２】
記憶部１１７は、描画パターンや、制御部１１３が決定した格子配列に適用する補正量を記憶している。また、描画に先立ち主制御部１１６が決定した、描画順序に関するデータを記憶している。
【００２３】
（描画方法）
図２では、カラム１２１ａから射出される電子線による照射域を照射域１２０ａで示している。同様にして、カラム１２１ｂから射出される電子線による照射域を照射域１２０ｂ、カラム１２１ｃから射出される電子線による照射域を照射域１２０ｃで示している。
【００２４】
照射域１２０ａ、１２０ｂ、１２０ｃがＸ軸方向に等間隔となるようカラム１２１ａ、１２１ｂ、１２１ｃを配置している。カラム１２１ａによって領域Ａ（１つの照射域に係るビームによる被描画領域）に、カラム１２１ｂによって領域Ｂに、カラム１２１ｃによって領域Ｃにパターンを描画する。
【００２５】
図３は第１の実施形態に係る描画方法を示す図である。電子線を照射しながらＹ軸方向にステージ１０４を長距離走査させるスキャン描画（実線の矢印）と、電子線は照射せずにＸ軸方向へステージ１０４を短距離移動させるステップ動作（破線の矢印）を組み合わせたステップアンドスキャン動作を行う。
【００２６】
１度ステージ１０４をＹ軸方向に走査するごとに、１つの照射域に係る電子線によって、１つの帯状の領域（以下、ストライプ領域とする）（領域３０１、３０２等）に対してパターンが描画される。基板１０５の端等の描画を行わない場所を走査する場合は、制御部１１２が電子線を照射しないように制御する。
【００２７】
照射域１２０ａ、１２０ｂ、１２０ｃの間隔は固定値であるため、照射域１２０ｂに追従して、照射域１２０ａ、１２０ｃは照射域１２０ｂから所定の距離離れた場所を描画していく。そのため、以下、カラム１２１ｂによる描画順序を例にあげて説明する。
【００２８】
照射域１２０ｂで描画する領域Ｂを仮想的に中心線Ｌで分割する。このとき、中心線の右側の領域を領域Ｂ１、左側の領域を領域Ｂ２として、以下説明をする。
【００２９】
まず最初に、領域Ｂの中央の領域３０１（中心線上にある帯状領域）を描画する。つづいて、中心線Ｌの右側の領域Ｂ１（第１領域）にある領域３０２に描画を行い（第１照射ステップ）、中心線Ｌに対して領域３０２（第１領域の一部の領域）と線対称な位置にある、中心線Ｌの左側の領域Ｂ２（第２領域）の領域３０３（第２領域の一部の領域）を描画する（第２照射ステップ）（図３（ａ））。ここで、中心線Ｌは、Ｙ軸方向に沿った直線であって領域ＢのＸ軸方向における中央位置を通る直線である。
【００３０】
次は領域Ｂ１内の領域３０４に描画を行い（第３の照射ステップ）、領域Ｂ２内の領域３０５を描画する（図３（ｂ））。本実施形態のように、領域３０１、３０２、３０３、３０４は互いに離間させながら描画することが好ましい。隣り合う領域に対してすぐに描画を行った場合に比べて、先に描画をしたときに生じる熱の影響を受けにくくなり、熱変形の度合いを低減させることができるためである。
【００３１】
その後は、領域３０１と領域３０２の間にある領域３０６、領域３０１と領域３０３の間にある領域３０７、領域３０２と領域３０４の間にある領域３０８、領域３０３と領域３０５の間にある領域３０９、領域３０５と照射域１２０ａで描画済みの領域３１１の間にある領域３１０に描画する（図３（ｃ）（ｄ））。
【００３２】
このときも、中心線Lに対して、領域Ｂ１と領域Ｂ２とに交互に描画しながらステップアンドスキャン動作を繰り返す。このようにして、カラム１２１ｂから射出された電子線は、領域Ｂのうち、中心線Lで仮想的に分けられる、領域Ｂ１と領域Ｂ２に対して１回ずつスキャン描画を繰りしながら領域Ｂを描画する。
【００３３】
以上の描画方法に関するフローチャートを図４に示す。図４でも、カラム１２１ａ、カラム１２１ｃについては説明を省略し、カラム１２１ｂによる描画方法のみを示す。主制御部１１６は、基板１０５への描画を開始する前に、図４におけるＳ１０１〜Ｓ１０４の順序で描画装置１００が描画をするようにストライプ領域単位で描画順序を決定しておく。決定された描画順序に関するデータを記憶部１７に格納しておき、描画時にはデータを読み出す。
【００３４】
まず、領域Ｂの中央のストライプ領域を描画する（Ｓ１０１）。次に、領域Ｂ１の未描画領域のうち、１つのストライプ領域を描画する（Ｓ１０２）。領域Ｂ２の未描画領域のうち、１つのストライプ領域を描画する（Ｓ１０３）。Ｓ１０２とＳ１０３で描画するストライプ領域は中心線Ｌに対して線対称となるようにする。主制御部１１６は、全てのストライプ領域を描画したかどうかを判断する（Ｓ１０４）。未描画の領域がある（Ｓ１０４でＮＯ）場合は、Ｓ１０２〜Ｓ１０４の工程を繰り返す。全てのストライプ領域を描画し終えた（Ｓ１０４でＹＥＳ）と判断した場合は、描画工程を終了する。なお、本フローチャートに対して、描画中に実行する、マーク２０５の計測工程を挿入しても良い。
【００３５】
描画装置１００は、所定時間ごとに基板１０５に同程度の数のストライプ領域ずつ描画していく。基板１０５に対する入熱領域に偏りは少なくなり、かつ熱に起因する基板１０５の熱変形が対称的に生じやすくなる。より基板１０５に対する入熱領域の偏りを低減するためにも、中心線Ｌに対して線対称的に描画をすることが好ましい。
【００３６】
これにより熱変形が対称的に生じる場合は、描画したパターン領域２０１の上にさらにパターンを描画するための、マーク２０４の位置計測点の数を低減できる。局所的な変形度合いが大きい場合に比べて、基板１０５全体の倍率誤差、回転誤差、台形誤差成分を精度良く求めて、これらの成分に基づいた補正を精度よく施すことが容易になるからである。これにより、計測時間の短縮化、データ処理が容易になることによる演算負荷の低減、及び記憶部１１７に要求される容量の低減、という効果がある。
【００３７】
さらに、基板１０５の変形が対称的になることにより、描画位置を補正する際に必要となる補正データも許容範囲内で対称性を有する場合がある。この場合は主制御部１１６からカラム１２０ａ用に送るべき補正データと主制御部１１６からカラム１２０ｃに送るべき補正データとを兼用することもできる。偏向器１０３等に入力する補正データにおける、補正する方向の正負を入れ替えるだけで済む。そのため、補正データの算出負荷を低減し、かつ補正データの伝送時間を低減することが可能となる。
【００３８】
さらに、描画中の基板１０５に対する入熱領域に偏りが少なく、熱変形が対称的に生じる場合は、その変形が再現性されやすくなる。すなわち、同一ロットの基板のように、同一のパターンを描画した基板には、同じように変形が生じやすくなり、補正量を求める回数も低減することが可能となる。
【００３９】
なお、スキャン描画時の基板１０５の移動速度が速い場合は、ステップ動作の軌跡はＵ字状となる。ステージ１０４のＸ軸方向への移動を、Ｙ軸方向への移動の減速及び再加速の時間を利用して行えば、本実施形態に係る描画方法でもＸ軸方向の移動に要する時間が増えるわけではない。
【００４０】
また、本実施形態に係る描画方法の場合、あるＸ軸方向の位置においてステージ１０４がＹ軸方向に移動する回数は、１つのストライプ領域あたり１回で済む。重複走査はしないため、基板１０５への入熱領域の偏りを考慮しながら描画をしても、スループットが大幅に増大するおそれはない。
【００４１】
離間した複数の照射域に係る電子線によって、離間した被描画領域に対して描画をする場合は、本実施形態を適用することが好ましい。
【００４２】
仮に、本実施形態を実施しない場合は、照射域１２０ａ、１２０ｂ、１２０ｃを領域Ａ、Ｂ、Ｃの端に位置合わせしてからステップアンドスキャン動作を繰り返していく。同時に照射できる領域が基板１０５上に複数あることにより、１つの照射域のみで描画する場合に比べれば入熱領域の偏りを低減できる。しかしながら、パターン領域２０１を全て描画するまでの所要時間のうち、前半の時間は領域Ｂ１に多く描画し、後半の時間は領域Ｂ２に多く描画することとなる恐れがある。
【００４３】
本実施形態では、基板１０５がＸ軸方向に対してバランスが悪く歪むことを回避する。次の層を描画する際の描画位置の補正が困難になったり、同じパターンを描画した基板ごとに異なる補正量を求める必要が生じたりすることを防ぐ効果がある。
【００４４】
［第２の実施形態］
図５は、第２の実施形態に係る描画方法を示す図である。第１の実施形態と同様、カラム１２１ｂは、領域Ｂの中央の領域４０１を描画し、領域Ｂ１にある領域４０２と領域Ｂ２にある領域４０３を１度ずつ描画する（図５（ａ））。このとき、領域Ｂ１内、領域Ｂ２内のそれぞれにおいて、直前に描画した領域から３照射域分以上離れた領域を描画している点が第１の実施形態と異なる。
【００４５】
続いて領域４０６、４０７、４０８、４０９、４１０の順で、領域Ｂ１と領域Ｂ２に交互に描画していくときも、３照射域分以上離れた領域を描画する（図５（ｂ））。
【００４６】
本実施形態では、直前に描画した領域や、さらにその前に描画した領域からなるべく離れた領域を描画することで、熱に起因して生じる基板１０５の変形量が低減した領域に対して描画している。局所的に生じる熱変形の変形量を低減させつつ、基板１０５に対する入熱領域の偏りを低減することで、最終的な基板１０５の熱変形も対称的となる。これにより、描画したパターン領域２０１の上にさらにパターンを描画するための補正が容易となり、重ね合わせ精度の低下を低減することが可能となる。
【００４７】
［第３の実施形態］
図６は、第３の実施形態に係る描画方法を示す図である。まず、領域Ｂ１内の領域５０１、５０２に対して描画する。すなわち、領域Ｂ１内において離間した領域に対して２回連続で描画する。領域Ｂ２内の２つの離間した領域である領域５０３、５０４に対して描画する（図６（ａ））。同様にして、領域Ｂ１と領域Ｂ２に２回ずつ、領域５０５、５０６、５０７、５０８、５０１、５１０の順で描画をする（図６（ｂ）。このように、中心線Ｌで分けられる２領域に入る熱量が、所定の時間内に同程度となるのであれば、必ずしも１度のスキャン描画毎に交互に描画をしなくても構わない。
【００４８】
中心線Ｌで分けられる領域のうち、片方の領域における複数のストライプ領域に電子線を照射してパターンを描画するため、Ｘ軸方向への総駆動距離を短縮できる。これにより、ステージ１０４をＸ軸方向に駆動する駆動機構の摩耗や、この駆動機構より生じる発熱を低減することが可能となる。
【００４９】
例えばカラム１２１ｂが、合計６０回、Ｙ軸方向にスキャン描画をすると領域Ｂに対して描画し終える場合を考える。領域Ｂ１に１５回（第１領域内のストライプ領域の数の１／２）連続して、１照射域分の領域ずつ離間した領域を描画した場合は、領域Ｂ２に対して１５回連続して１照射域分の領域ずつ離間した領域を描画する。領域Ｂ１に１０回（第１領域内のストライプ領域の数の１／３）連続して、２照射域分の領域ずつ離間した領域を描画した場合は、領域Ｂ２に対して１０回連続して２照射域分の領域ずつ離間した領域を描画する。
【００５０】
このように、連続して１領域に複数回描画する場合は、それぞれが離間するように描画をすることが好ましい。連続して１領域に描画するストライプ領域の数は、例えば、領域Ｂ１内にあるストライプ領域の数の１／２以下が良い。より好ましくは、１／３以下である。
【００５１】
［第４の実施形態］
描画装置１００が、偶数本のカラム、例えば４本のカラムを有している場合について説明する。４本のカラムのそれぞれが、基板１０５上の１／４領域ずつを描画する。本実施形態を適用しない場合は各カラムが担当する描画領域内の端から順に描画していく。そのため基板１０５の中心線で分けられる２つの領域に対して、所定の時間内には非対称に電子線が照射されるため熱による基板１０５の変形も非対称となる。これにより、異なる基板１０５を処理するたびに変形度合いの再現性が得られにくくなる恐れがある。
【００５２】
一方、本実施形態を適用する場合は、各カラムが担当する描画領域内の中心線付近を描画し、その後に当該中心線で分けられる２つの領域に対して交互に描画を行う。各カラムがこのように描画すれば、熱による基板１０５の変形は基板１０５の中心線に対して対称的となるため、熱変形の進行度合いに再現性が得られやすくなる。これにより、重ね合わせ精度の低下を抑制し、かつ補正データの算出及び補正制御も容易となる。
【００５３】
［第５の実施形態］
第５の実施形態の描画装置１００は、基板１０５の変形量が所定の閾値を超えていた場合に、主制御部１１６が描画するストライプ領域を変更する点で前述の他の実施形態とは異なる。この変形量は、パターンの描画中に、センサ１０８がマーク２０５の位置を計測した結果に基づいて求められる。
【００５４】
図７は、第５の実施形態に係る描画方法を示すフローチャートである。Ｓ５０１〜Ｓ５０４は、図４におけるＳ１０１〜Ｓ１０４と同じ処理内容なので、説明を省略する。例えば、センサ１０８が２つのストライプ領域を描画し終えるごとにマーク２０５の位置を計測すると（Ｓ５０５）、その計測結果は主制御部１１６に送られる。
【００５５】
主制御部１１６は、計測結果を用いて、基板１０５の変形量が所定値以上かどうかを判断する（Ｓ５０６）。所定値以上ではない（ＮＯ）場合は、主制御部１１６は、必要に応じて描画位置の補正量を決定してＳ５０２〜Ｓ５０３の描画工程を実行する。変形量が所定値以上である（ＹＥＳ）場合は、次に描画するストライプ領域を、当初予定していたストライプ領域から変更して（Ｓ５０７）領域Ｂ１への描画工程を実行する。このとき、直前のＳ５０２の工程で描画したストライプ領域に対して、次のＳ５０２の工程で描画予定（照射予定）であったストライプ領域から離れた位置にあるストライプ領域に描画することが好ましい。あるいは、描画動作を所定時間停止させてもよい。
【００５６】
Ｓ５０５におけるセンサ１０８がマーク２０５の位置を計測するタイミングは、所定数のストライプ領域ごと、所定時間経過ごと等の所定のタイミングで実行する。描画中に随時計測可能な描画装置であれば、１つのストライプ領域を描画途中にマーク２０５の位置計測をすることが好ましい。マーク２０５の位置計測だけに要する時間を短縮することができるからである。
【００５７】
本実施形態によれば、基板１０５の変形量が大きい領域に対して描画する回数を減らすことができる。これにより、許容値以上に、基板１０５の歪みが生じるのを防ぐことができる。
【００５８】
［その他の実施形態］
第１〜第３の実施形態は、描画パターンによる入熱の量やＸ軸方向への移動に要する時間に応じ適宜組み合わせてもよい。
【００５９】
２つのカラムを有する描画装置で１枚の基板に描画する場合であって、照射域同士の離間距離が基板の半径よりも短い場合は、各カラムによって描画をすべき描画領域が離間することがある。この場合は、各カラムの描画領域の中心線は、描画領域のＸ軸方向の位置の最小値と最大値との半値位置を通る線として考えればよい。
【００６０】
また、複数のカラムで描画をする描画装置例に説明したが、１本のカラム、すなわち１つの照射領域に係るビームで描画する描画装置であってもよい。また、１本のカラムあたりのビームの数が１本であっても複数の電子線であってもよい。
【００６１】
前述の実施形態では、電子線を用いてパターンを描画する描画装置を例に説明したが、本発明を適用できるリソグラフィ装置はこれに限られない。イオンビーム等の荷電粒子線、ＫｒＦエキシマレーザ光、ＡｒＦエキシマレーザ光、ＥＵＶ光を用いて基板上にパターンを形成するリソグラフィ装置にも適用してもよい。
【００６２】
以上の説明において、照射域、とは、１つのカラムから射出されるビームによって同時に照射される被照射領域のことを意味する。このときビームの本数は１本でも、複数でも良い。ただし、１つの照射域に係る複数のビームが、第１方向に移動する物体に対して照射する領域は、連続的となることを要する。すなわち、１つのカラムから複数のビームが射出される場合であっても、これらのビームが第１方向に移動する物体に対して照射する領域が不連続となる場合には複数の照射域であるものとする。
【００６３】
［物品の製造方法］
本発明の物品（半導体集積回路素子、液晶表示素子、撮像素子、磁気ヘッド、ＣＤ−ＲＷ、光学素子、フォトマスク等）の製造方法は、前述の実施形態の描画装置を用いて基板（基板やガラス板等）上にパターンを描画する工程と、描画した基板を現像する工程と、現像された基板に対してエッチング処理及びイオン注入処理の少なくともいずれか一方を施す工程とを含む。さらに、他の周知の処理工程（現像、酸化、成膜、蒸着、平坦化、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等）を含んでもよい。
【符号の説明】
【００６４】
１０１ａ、１０１ｂ、１０１ｃ  カラム
１０４  ステージ
１０５  基板
１１２  制御部（電子源、光学系、偏向器用）
１１４  制御部（ステージ位置検出用）
１１５  制御部（ステージ駆動用）
１１６  主制御部
１１７  記憶部
２０１  領域
２０４、２０５  マーク
Ａ、Ｂ、Ｃ  領域
Ｂ１、Ｂ２  領域
Ｌ  中心線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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