(57)【要約】【課題】  比較的高い比誘電率を保ちながら良好なＤＣバイアス、低歪（コンデンサの鳴きの抑制）、低損失、高信頼性の各特性を有する積層セラミックコンデンサ及びその製造方法を提供する。【解決手段】  内部電極と誘電体層が交互に積層されてなる積層セラミックコンデンサであって、前記内部電極が、少なくとも白金又は白金合金を含むことを特徴とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部電極と誘電体層が交互に積層されてなる積層セラミックコンデンサであって、前記内部電極が、少なくとも白金又は白金合金を含むことを特徴とする積層セラミックコンデンサ。
【請求項２】
前記誘電体層が、少なくとも酸化ビスマス化合物、チタン酸ストロンチウム及びマグネシウム化合物を含むことを特徴とする請求項１に記載の積層セラミックコンデンサ。
【請求項３】
前記酸化ビスマス化合物が、Ｂｉ２Ｏ３・３ＴｉＯ２で表される化合物であることを特徴とする請求項２に記載の積層セラミックコンデンサ。
【請求項４】
前記誘電体層の成分の割合が、酸化ビスマス化合物が１０〜２０モル％、チタン酸ストロンチウムが６０〜８０モル％、マグネシウム化合物が１０〜１５モル％であることを特徴とする請求項２又は３に記載の積層セラミックコンデンサ。
【請求項５】
前記誘電体層が、ＭｎＣＯ３を０．０５〜０．５重量％含むことを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の積層セラミックコンデンサ。
【請求項６】
前記内部電極が、ＢａＴｉＯ３粉末又はＳｒＴｉＯ３粉末を５〜１５重量％含むことを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載の積層セラミックコンデンサ。
【請求項７】
前記ＢａＴｉＯ３粉末又はＳｒＴｉＯ３粉末の平均粒径が０．０３〜０．２μｍであることを特徴とする請求項６に記載の積層セラミックコンデンサ。
【請求項８】
表面に内部電極ペーストを塗布した誘電体シートを積層して焼結させる積層セラミックコンデンサの製造方法であって、前記内部電極ペーストとして、少なくとも白金又は白金合金を含む内部電極ペーストを誘電体シートの表面に塗布し、これらを積層したものを空気焼成させることを特徴とする積層セラミックコンデンサの製造方法。
【請求項９】
前記誘電体シートとして、少なくとも酸化ビスマス化合物、チタン酸ストロンチウム及び酸化マグネシウムを含む誘電体シートを用いることを特徴とする請求項８に記載の積層セラミックコンデンサの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、積層セラミックコンデンサ及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
積層セラミックコンデンサの誘電体層に使用されているチタン酸バリウムは、高い比誘電率を持つことから、特に静電容量の高い誘電率系材料として提案され幅広く応用されている（例えば、特許文献１を参照）。
【０００３】
しかしながら、チタン酸バリウムを誘電体層として用いた積層セラミックコンデンサは、強誘電体で分極を持つため、外部電界による静電容量の低下（ＤＣバイアス特性）、あるいは交流電界による素子の振動（電歪特性／鳴き特性）を起こす場合があり、回路によってはその使用が制限されるため、これらの改善が強く求められていた。
【０００４】
一方、酸化ビスマス（Ｂｉ２Ｏ３）系誘電体を用いたコンデンサは、チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ３）等の常誘電体セラミックと配合することで、比較的高い比誘電率を保ちながら低い損失係数を実現することができ、特に交流回路等の発熱を伴う回路に用いるコンデンサ、あるいは低い損失係数を生かした低歪コンデンサとして、一般的にはディスクタイプで有用されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００５−２７７１７６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、これらＢｉ２Ｏ３系誘電体を積層セラミックコンデンサのような、内部電極と一緒に焼成する同時焼成タイプのコンデンサとして開発すると、焼成温度が1150〜1200℃と高いことから、ニッケル（Ｎｉ）内部電極と組み合わせる場合には、Ｎｉの酸化を防止するため還元性ガスにする必要があり、その結果、誘電体の還元により著しく電気的特性を損なう。
【０００７】
一方、パラジウム（Ｐｄ）等の貴金属を内部電極に使用した場合においてもＢｉ２Ｏ３とＰｄが激しく反応し、電気特性はおろか積層体にすることすらできない。また、Ｐｄと銀（Ａｇ）の合金ではＰｄ単体よりは反応が抑えられるものの、やはり同様に電気的特性は不安定となり実用化は困難であった。
【０００８】
更に、近年の電子機器の薄型化により使用される電子部品も薄型化が要求されている。
【０００９】
一般的にチタン酸バリウムは抗折強度が低く、特に、ＥＩＡ規格によるセラミックコンデンサ分類（Class２）のＸ７Ｒ（以下、単にＸ７Ｒと略称する）特性等の比誘電率の温度特性が比較的平坦な薄型のチップコンデンサにおいては、基板装着時あるいは装着後の基板の湾曲によるクラックの発生がしばしば問題となっており、チップコンデンサの各形状で最低厚みが制限されている。
【００１０】
本発明は以上のような事情に鑑みてなされたものであり、比較的高い比誘電率を保ちながら良好なＤＣバイアス、低歪（コンデンサの鳴きの抑制）、低損失、高信頼性の各特性、及び良好な抗折強度を有する積層セラミックコンデンサ及びその製造方法を提供することを課題としている。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の積層セラミックコンデンサ及びその製造方法は、上記の技術的課題を解決するためになされたものであって、以下のことを特徴としている。
【００１２】
第１に、本発明の積層セラミックコンデンサは、内部電極と誘電体層が交互に積層されてなる積層セラミックコンデンサであって、前記内部電極が、少なくとも白金又は白金合金を含むことを特徴とする積層セラミックコンデンサである。
【００１３】
第２に、上記第１の発明の積層セラミックコンデンサにおいて、前記誘電体層が、少なくとも酸化ビスマス化合物、チタン酸ストロンチウム及びマグネシウム化合物を含むことが好ましい。
【００１４】
第３に、上記第２の発明の積層セラミックコンデンサにおいて、前記酸化ビスマス化合物が、Ｂｉ２Ｏ３・３ＴｉＯ２で表される化合物であることが好ましい。
【００１５】
第４に、上記第２又は第３の発明の積層セラミックコンデンサにおいて、前記誘電体層の成分の割合が、酸化ビスマス化合物が１０〜２０モル％、チタン酸ストロンチウムが６０〜８０モル％、マグネシウム化合物が１０〜１５モル％であることが好ましい。
【００１６】
第５に、上記第１から第４の発明の積層セラミックコンデンサにおいて、前記誘電体層が、ＭｎＣＯ３を０．０５〜０．５質量％含むことが好ましい。
【００１７】
第６に、上記第１から第５の発明の積層セラミックコンデンサにおいて、前記内部電極が、ＢａＴｉＯ３粉末又はＳｒＴｉＯ３粉末を５〜２０質量％含むことが好ましい。
【００１８】
第７に、上記第６の発明の積層セラミックコンデンサにおいて、前記ＢａＴｉＯ３粉末又はＳｒＴｉＯ３粉末の平均粒径が０．０５〜０．３μｍであることが好ましい。
【００１９】
第８に、本発明の積層セラミックコンデンサの製造方法は、表面に内部電極ペーストを塗布した誘電体シートを積層して焼結させる積層セラミックコンデンサの製造方法であって、前記内部電極ペーストとして、少なくとも白金又は白金合金を含む内部電極ペーストを誘電体シートの表面に塗布し、これらを積層したものを空気焼成させることを特徴とする積層セラミックコンデンサの製造方法である。
【００２０】
第９に、上記第８の発明の積層セラミックコンデンサの製造方法において、前記誘電体シートとして、少なくとも酸化ビスマス化合物、チタン酸ストロンチウム及び酸化マグネシウムを含む誘電体シートを用いることが好ましい。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、比較的高い比誘電率を保ちながら良好なＤＣバイアス、低歪（コンデンサの鳴きの抑制）、低損失、高信頼性の各特性及び良好な抗折強度を有する積層チップコンデンサを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】（Ａ）は実施例３の外観写真、（Ａ−１）〜（Ａ−３）は実施例１〜３の断面写真、（Ｂ）は比較例１の外観写真、（Ｃ）は比較例２の断面写真である。
【図２】実施例１及び実施例２の静電容量温度係数（ＴＣＣ）の測定結果を示すグラフである。
【図３】実施例３、比較例４、比較例５のＤＣバイアス特性の測定結果を示すグラフである。
【図４】実施例３と比較例５の静電容量温度係数（ＴＣＣ）測定結果を示すグラフである。
【図５】実施例３と比較例４及び比較例５の電歪特性の測定結果を示すグラフである。
【図６】抗折強度試験に用いた装置の構造を示す概略図である。
【図７】（Ａ）は実施例３の抗折後の積層セラミックコンデンサの外観写真、（Ｂ）はＸ７Ｒ特性のＮｉ内部電極積層セラミックコンデンサの抗折後の外観写真である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
本発明の積層セラミックコンデンサは、内部電極と誘電体層が交互に積層された積層セラミックコンデンサであり、内部電極が、白金又は白金合金である積層セラミックコンデンサである。
【００２４】
本発明の積層セラミックコンデンサの内部電極で用いる白金又は白金合金は、原料の段階で粉末のものを用いることができる。また、白金合金は、白金を主成分とする合金であれば特に制限なく用いることができ、例えば、白金−パラジウム合金、白金−銅合金等を用いることができる。
【００２５】
原料としての白金粉末又は白金合金粉末の平均粒径は特に制限されるものではないが、通常１μｍ以下、好ましくは０．２〜０．７μｍの範囲である。また、分散性の観点から、溶液還元法により製造された、純度９９．９％以上の粉末を用いるのが好ましい。
【００２６】
内部電極として、上記の白金又は白金合金を用いることにより、製造時の空気焼成を可能にするとともに、積層セラミックコンデンサの耐環境性及び高信頼性を得ることができる。
【００２７】
また、本発明では、内部電極の成分として、ＢａＴｉＯ３粉末又はＳｒＴｉＯ３粉末を添加することができる。
【００２８】
ＢａＴｉＯ３粉末又はＳｒＴｉＯ３粉末の添加量は、内部電極全成分に対して、通常５〜２０質量％、好ましくは７〜１５質量％の範囲である。
【００２９】
また、ＢａＴｉＯ３粉末又はＳｒＴｉＯ３粉末の平均粒径は０．０３〜０．３μｍ、好ましくは０．０５〜０．１μｍの範囲である。なお、本発明で用いる材料の平均粒径は、市販のレーザー回折・散乱式粒度分布測定装置を用いて、レーザー回折・散乱法による粒度分布の測定値から、累積分布によるメディアン径（ｄ５０、体積基準）として求めることができる。
【００３０】
内部電極の成分として、ＢａＴｉＯ３粉末又はＳｒＴｉＯ３粉末を添加することにより、焼成過程の収縮特性を改善させ内部電極の緻密性（被覆率）を向上させることができる。
【００３１】
本発明の積層セラミックコンデンサは、上記の内部電極を用いることにより、通常公知の誘電体層との組み合わせにおいても耐環境性及び高信頼性を得ることができるが、より白金又は白金合金からなる内部電極の特性を発現させるために、誘電体層として、酸化ビスマス化合物とチタン酸ストロンチウム及びマグネシウム化合物を主成分とする誘電体層を用いることができる。
【００３２】
酸化ビスマス化合物としては、Ｂｉ２Ｏ３・３ＴｉＯ２、Ｂｉ２（ＳｎＯ２）３等で表される化合物を挙げることができ、これらの中でもＢｉ２Ｏ３・３ＴｉＯ２で表される酸化ビスマス化合物を好適に用いることができる。
【００３３】
また、マグネシウム化合物は、特性安定材として配合するものであり、炭酸マグネシウム（ＭｇＣＯ３）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、水酸化マグネシウム（Ｍｇ（ＯＨ）２）等を用いることができる。これらの中でも、特にＭｇＣＯ３、ＭｇＯを好適に用いることができる。
【００３４】
また、本発明では、上記誘電体層の各成分の割合として、酸化ビスマス化合物を１０〜２０モル％、好ましくは１２〜１５モル％、チタン酸ストロンチウムが６０〜８０モル％、好ましくは７０〜７５モル％、マグネシウム化合物が１０〜１５モル％、好ましくは１２〜１４モル％の範囲で規定するのが好ましい。なお、これらの各成分のモル％は、全ての合計が１００モル％を超えない範囲で配合される。
【００３５】
また、上記誘電体層には、焼成時の原子価補償剤としてＭｎＣＯ３を添加することができる。このＭｎＣＯ３の配合量は、製造する積層セラミックコンデンサの特性に応じて適宜設定することができるが、通常０．０５〜０．５質量％、好ましくは０．１〜０．２質量％の範囲である。
【００３６】
なお、本発明では、原子価補償剤として上記ＭｎＣＯ３以外の、例えば、Ｃｒの化合物等を用いることもできる。これらは１種単独で用いてもよいし、２種以上を併用して用いてもよい。
【００３７】
これらの原子価補償剤を添加することにより、焼成の際の焼結安定性あるいは原子価を抑制することができ、特に絶縁抵抗率の高い信頼性に優れた積層セラミックコンデンサとすることができる。
【００３８】
通常、上記のような酸化ビスマス化合物を含む誘電体層に対して、ＰｄやＰｄ−Ａｇの合金等を用いた内部電極を組み合わせた場合、酸化ビスマスとＰｄやＰｄ−Ａｇが激しく反応するため、積層体として成形することができない。
【００３９】
これに対して、内部電極として白金又は白金合金を用いた場合には、白金と酸化ビスマスの反応性が低いため殆ど反応することがなく、高信頼性を有する積層セラミックコンデンサとすることができる。
【００４０】
以下に、本発明の積層セラミックコンデンサの製造方法について詳述する。
【００４１】
まず、内部電極の材料として、白金粉末又は白金合金粉末に白金−パラジウム又は白金−銅を調合して混練し、内部電極ペーストを作製する。この内部電極ペーストには、ＢａＴｉＯ３粉末又はＳｒＴｉＯ３粉末を添加することができる。
【００４２】
また、上記内部電極ペーストには、本発明の効果を阻害しない範囲において他の配合成分を添加することができる。これらのものとしては、例えば白金レジネート、金レジネート等の貴金属レジネート類、あるいはＡｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２等を挙げることができる。
【００４３】
次に、誘電体層の材料となる誘電体シートを作製する。誘電体シートは、原料を調合、混練してペースト状にし、これをキャリアフィルムの上に薄くのばして乾燥させた後、剥離することにより作製することができる。
【００４４】
本発明では、上記で説明した酸化ビスマス化合物、チタン酸ストロンチウム、マグネシウム化合物及び酸化マンガンあるいは炭酸マンガン等を調合して混練し、ペースト状にしたものを誘電体層の原料として誘電体シートとすることができる。
【００４５】
次に、前記誘電体シートの上面に内部電極ペーストをスクリーン印刷等により塗布する。そして、この誘電体シートを複数枚積層してプレスし、チップサイズに切断したものを焼成炉で焼成することにより、内部電極と誘電体層が交互に積層されたセラミック状の材料を作製することができる。
【００４６】
なお、誘電体シートの積層枚数及びプレス等の製造条件、また、内部電極と誘電体層の厚み、大きさは、製造する積層セラミックコンデンサの電気特性等に応じて適宜設定することができるが、通常、内部電極の厚みは０．７〜１．５μｍ、好ましくは０．８〜０．９μｍ、誘電体層の厚みは、使用する定格電圧によって異なるが、通常、５〜４０μｍである。
【００４７】
このようにしてセラミックス状にしたチップ材料の両側に、外部電極のペーストを塗布して焼き付け、さらにめっきを施すことにより積層セラミックチップコンデンサとすることができる。
【００４８】
本発明の積層セラミックスの製造方法によれば、内部電極の材料として白金又は白金合金を用いることにより、通常、窒素雰囲気で行わなければならなかった焼成工程を空気雰囲気で行うことができるため、焼成製造コストを低く抑えることができる。
【実施例】
【００４９】
以下、実施例により本発明をさらに詳しく説明するが、本発明はこれらの実施例に何ら限定されるものではない。
【００５０】
まず、表１に示す組成の内部電極及び誘電体層の組合せの実施例１〜３及び比較例１、２の積層セラミックコンデンサを作製した。
【００５１】
【表１】
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【００５２】
表１に示す各配合成分として以下に示す材料を用いた。
[内部電極]
白金粉：松田産業株式会社製（平均粒径０．３μｍ）
Ｐｄペースト：大研化学製造販売株式会社製（平均粒径０．４μｍ）
Ａｇ−Ｐｄペースト：大研化学製造販売株式会社製（平均粒径０．４μｍ）
ＢａＴｉＯ３粉：堺化学工業株式会社製  （平均粒径０．０５μｍ）
[誘電体層]
ＳｒＴｉＯ３粉：堺化学工業株式会社製（平均粒径０．５μｍ）
Ｂｉ２Ｏ３−３ＴｉＯ２：Ｂｉ２Ｏ３粉：日本化学産業株式会社製（粒径１．５μｍ以下）
ＴｉＯ２粉：堺化学工業株式会社製（平均粒径０．５μｍ）
ＭｇＣＯ３粉：添加剤：神島化学工業株式会社（平均粒径  約１μｍ/予備粉砕品）
ＭｎＣＯ３粉：原子価補償剤：中央電気工業株式会社（平均粒径０．６μｍ）
積層セラミックコンデンサの製造は、交互に積層された積層構造として、内部電極の厚さ１．０μｍ、誘電体層の厚さ１０μｍで５層としたものを１１７０℃で焼結させ積層セラミックコンデンサとした。
【００５３】
得られた実施例１〜３及び比較例１、２の積層セラミックコンデンサを用いて、以下の各項目について観察及び特性の測定をした。
[層形成状態]
実施例１〜３及び比較例１、２の積層セラミックコンデンサの層成形状態を目視により観察した。その外観写真及び断面写真を図１（Ａ〜Ｃ）に示す。
【００５４】
図１（Ａ）は実施例３の外観写真であり、図１（Ａ−１）は実施例３の断面写真である。図１（Ｂ）は比較例１の外観写真であり、図１（Ｃ）は比較例２の断面写真である。
【００５５】
図１（Ａ）から明らかなように、実施例１〜３を代表する実施例３の外観は破壊やヒビ等が全く認められず、通常の積層セラミックコンデンサとして使用可能であることが確認された。
【００５６】
また図（Ａ−１）〜（Ａ−３）に示す断面写真から、内部電極として白金を用いた実施例１〜３の積層セラミックコンデンサは、良好な層が形成されていることが確認された。
【００５７】
特に、図１（Ａ−２）に示す、白金に平均粒径０．５μｍのＢａＴｉＯ３粉末を７．０質量％添加した実施例２の内部電極の状態は、白金の内部電極の連続性が特に優れていることが確認された。
【００５８】
これに対して、Ｂｉ系誘電体層にＰｄを内部電極として用いた比較例１では、図１（Ｂ）に示すように誘電体層と内部電極が激しく反応して破壊し、層形成ができなかった。また、Ｂｉ系誘電体層にＡｇ-Ｐｄを内部電極として用いた比較例２においても、図１（Ｃ）に示すように適正な層形成が行われず、積層セラミックコンデンサとして使用できないものであった。
[静電容量温度係数（ＴＣＣ）]
実施例１及び実施例２の積層セラミックコンデンサについて、静電容量温度特性（ＴＣＣ）を測定した。その結果を図２のグラフに示す。
【００５９】
実施例１では、＋１２５℃の容量変化率が２５℃基準で−１５％を超えるが、実施例２ではＳｒＴｉＯ３、Ｂｉ２Ｏ３−３ＴｉＯ２、ＭｇＣＯ３の配合比を適正にすることにより、＋１２５℃の容量変化率が−１５％以内の所謂Ｘ７Ｒ特性を満足する結果であった。
[高温負荷試験]
実施例２と実施例３の積層セラミックコンデンサ及び下記比較例３の一般的なＮｉ内部電極積層セラミックコンデンサについて高温負荷試験を行った。その条件及び結果を表２に示す。
比較例３：Ｘ７Ｒ特性Ｎｉ内部電極積層セラミックコンデンサ（３２１６形状、０．１μＦ、１００Ｖ定格品）
【００６０】
【表２】
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【００６１】
実施例３は実施例２の組成に炭酸マンガン（ＭｎＣＯ３）を０．１重量パーセント添加した積層セラミックコンデンサであるが、寿命は約３倍以上となり炭酸マンガンの添加の効果が確認された。
【００６２】
一方、比較例３の積層セラミックコンデンサは１８時間以内で全て故障していることから、実施例３の積層セラミックコンデンサは比較例３の積層セラミックコンデンサと比較して約５倍以上の信頼性を示すことが確認された。
[比誘電率、損失係数、絶縁抵抗特性]
実施例３の積層セラミックコンデンサ及び下記比較例４の積層セラミックコンデンサについて、比誘電率、損失係数、絶縁抵抗特性の比較を行った。その結果を表３に示す。
比較例４：Ｘ７Ｔ特性Ｎｉ内部電極積層セラミックコンデンサ（Ａ社製：３２２５タイプ、０．０２２μＦ、６３０Ｖ定格品）
【００６３】
【表３】
2016046353.tif 000005
【００６４】
この結果から、実施例３は、比較的高い比誘電率を保ちながら非常に低い損失係数及び高い絶縁抵抗の特性を有する積層セラミックコンデンサであることが確認された。
[ＤＣバイアス特性]
実施例３の積層セラミックコンデンサと上記比較例４及び、下記比較例５の積層セラミックコンデンサについて、直流電圧を印加しＤＣバイアス特性試験を行った。
比較例５：Ｘ７Ｔ特性Ｎｉ内部電極積層セラミックコンデンサ（Ｂ社製：３２２５タイプ、０．１μＦ、６３０Ｖ定格品）
ＤＣバイアス特性についての測定結果を図３のグラフに示す。
【００６５】
これらの結果から、単位厚み当りの電界強度で比較すると、実施例３の容量変化率は比較例４、５のＮｉ内部電極の積層セラミックコンデンサと比較して優れていることが確認された。
[ＤＣバイアス静電容量温度特性]
実施例３の積層セラミックコンデンサと、上記比較例５の積層セラミックコンデンサについて、電圧印加なし及び１５Ｖ／μｍの電界強度のバイアス電圧を印加した後の静電容量温度特性（ＴＣＣ）を測定した。その結果を図４のグラフに示す。
【００６６】
この結果から、広い温度範囲にわたって、本発明に係るコンデンサが優れていることが確認された。
[電歪特性]
実施例３と上記比較例４、５の積層セラミックコンデンサについて、直流及び交流電圧を印加し、電歪特性／鳴き特性試験を行った。電歪特性についての測定結果を図５のグラフに示す。
【００６７】
この結果から、実施例３の積層セラミックコンデンサは、印加電圧を増加させても全く膨張しないのに対し、比較例４、５のＮｉ内部電極積層セラミックコンデンサは、印加電圧の増加に比例して膨張寸法も増加することが確認された。
[鳴き特性]
また、実施例３と上記比較例４、５の積層セラミックコンデンサについて、ＡＣ０．５Ｖ、２．９４ＫＨｚ一定の条件で交流電圧を印加して鳴き特性を測定した。その結果を表４に示す。
【００６８】
【表４】
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【００６９】
この結果から、実施例３の積層セラミックコンデンサは、交流電圧の印加に伴う鳴きが発生しない優れた積層セラミックコンデンサであることが確認された。
［抗折強度試験］
実施例３と下記比較例６の積層セラミックコンデンサについて抗折強度試験を行った。
比較例６：Ｘ７Ｓ特性Ｎｉ内部電極積層セラミックコンデンサ（３２２５タイプ、Ｘ７Ｓ  特性、４．７μＦ、１００Ｖ定格品）
抗折強度試験は図６に示す構造の装置を用いて行った。尚、抗折強度は、スパンを２ｍｍの条件とし、下記式を適用してτで示される抗折強度を求めた。
τ＝３ＰｍＬ／２ｗｔ２
（Ｐｍ：破壊荷重（ｋｇ）、Ｌ：スパン、ｗ：試料幅、ｔ：試料厚）
その測定結果を表５に示す。
【００７０】
抗折後の各積層セラミックコンデンサの外観写真を図７（Ａ）、（Ｂ）に示す。図７（Ａ）は実施例３の抗折後の積層セラミックコンデンサの外観写真であり、図７（Ｂ）は比較例６の積層セラミックコンデンサの抗折後の外観写真である。
【００７１】
【表５】
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【００７２】
この結果から、実施例３は比較例６の積層セラミックコンデンサに比べて２倍近くの抗折強度を有することが確認された。
【００７３】
以上の結果から、本発明の積層セラミックコンデンサは、比較的高い比誘電率を保ちながら良好なＤＣバイアス、低歪（コンデンサの鳴きの抑制）、低損失、高信頼性の各特性を有する積層チップコンデンサであることが確認された。
【図２】
2016046353.tif 000008
【図３】
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【図４】
2016046353.tif 000010
【図５】
2016046353.tif 000011
【図６】
2016046353.tif 000012
【図１】
2016046353.tif 000013
【図７】
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