(57)【要約】【課題】液体吐出ヘッドのヒューズ素子の溶断の不安定さを低減することが可能な液体吐出ヘッドのヒューズ素子溶断方法および溶断装置を提供する。【解決手段】電流を流すことによって溶断可能な複数のヒューズ素子３１１を備える液体吐出ヘッド２０２のヒューズ素子溶断方法は、複数のヒューズ素子３１１のうちの一のヒューズ素子３１１に電流が流れた際に該一のヒューズ素子３１１にかかる電圧を測定する測定工程と、測定工程によって得られた電圧に基づいて、ヒューズ素子３１１を流れる電流を目標値に調整する目標抵抗を決定する決定工程と、該電流を調整するための複数の電流調整抵抗４０５の中から、目標抵抗の抵抗値に最も近い抵抗値を有する電流調整抵抗４０５を、該一のヒューズ素子３１１と異なるヒューズ素子３１１の溶断に用いる電流調整抵抗４０５として選択する選択工程と、を有する。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電流を流すことによって溶断可能な複数のヒューズ素子を備える液体吐出ヘッドのヒューズ素子溶断方法であって、
前記複数のヒューズ素子のうちの一のヒューズ素子に電流が流れた際に前記一のヒューズ素子にかかる電圧を測定する測定工程と、
前記測定工程によって得られた電圧に基づいて、前記ヒューズ素子を流れる電流を目標値に調整する目標抵抗を決定する決定工程と、
前記電流を調整するための複数の電流調整抵抗の中から、前記目標抵抗の抵抗値に最も近い抵抗値を有する電流調整抵抗を、前記一のヒューズ素子と異なる前記ヒューズ素子の溶断に用いる電流調整抵抗として選択する選択工程と、を有することを特徴とする液体吐出ヘッドのヒューズ素子溶断方法。
【請求項２】
前記一のヒューズ素子は、データが記憶されない予備のヒューズ素子であることを特徴とする請求項１に記載の液体吐出ヘッドのヒューズ素子溶断方法。
【請求項３】
前記一のヒューズ素子は、前記複数のヒューズ素子の中で最も低い抵抗値のヒューズ素子であることを特徴とする請求項１に記載の液体吐出ヘッドのヒューズ素子溶断方法。
【請求項４】
前記決定工程は、前記測定工程によって得られた電圧に基づいて特定される前記測定工程で流れた電流の値と、前記目標値との差に基づいて、前記目標抵抗を決定することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の液体吐出ヘッドのヒューズ素子溶断方法。
【請求項５】
前記決定工程は、前記電圧の立下り時から所定時間後に測定された前記電圧に基づいて前記目標抵抗を決定することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の液体吐出ヘッドのヒューズ素子溶断方法。
【請求項６】
電流を流すことによって溶断可能な複数のヒューズ素子を備える液体吐出ヘッドのヒューズ素子を溶断するヒューズ素子溶断装置であって、
前記電流を調整するための複数の電流調整抵抗と、
前記複数のヒューズ素子のうちの一のヒューズ素子に電流が流れた際に前記一のヒューズ素子にかかる電圧を測定する測定手段と、
前記測定手段が測定した電圧に基づいて、前記ヒューズ素子を流れる電流を目標値に調整する目標抵抗を決定する決定手段と、
前記複数の電流調整抵抗の中から、前記目標抵抗の抵抗値に最も近い抵抗値を有する電流調整抵抗を、前記一のヒューズ素子と異なる前記ヒューズ素子の溶断に用いる電流調整抵抗として選択する選択手段と、を有することを特徴とするヒューズ素子溶断装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電流を流すことによって溶断可能なヒューズ素子を備える液体吐出ヘッドのヒューズ素子溶断方法およびヒューズ素子溶断装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
インク等の液体を吐出するエネルギーを発生するエネルギー発生素子を備えた液体吐出ヘッドは、一般的に、吐出部が形成された基板を有する。基板の表面には、エネルギー発生素子、エネルギー発生素子を駆動するドライバ回路、および、ドライバ回路に吐出データを供給するデータ入力部が形成されている。エネルギー発生素子としては、電気熱変換素子や圧電素子が用いられる。
近年においては、液体吐出ヘッドに、それ自身のＩＤ（Identity）コードやエネルギー発生素子の駆動特性などのデータを読出自在に保持させるため、基板にＲＯＭ（Read Only Memory）を搭載することが提案されている。
特許文献１および２には、液体吐出ヘッドの基板に、エネルギー発生素子と共に、ヒューズ素子からなるＲＯＭを形成する構成が記載されている。このような構成の場合には、基板にエネルギー発生素子を形成するとき、ＲＯＭとなるヒューズ素子を同時に形成できる。そして、ヒューズ素子を選択的に溶断することにより、液体吐出ヘッドは溶断の有無に応じた二値データを保持できる。このような液体吐出ヘッドは、基板とは別個にＲＯＭチップを用意する必要がなく、各種データを読出自在に保持できる構造を簡略化でき生産性を向上させることができ、小型軽量化も実現することができる。
【０００３】
液体吐出ヘッドは、一般的に半導体装置と同様な工程によって製造される。すなわち液体吐出ヘッドは、基板上にエネルギー発生素子や配線を形成する工程、基板上に吐出部を形成する工程、基板上へのドライバ回路の実装およびその他の部品の組立を行う工程を経て製造される。更に、組立完成された液体吐出ヘッドに対しては、液体吐出ヘッドのＩＤコードやエネルギー発生素子の駆動特性などのデータを、ヒューズ素子にて構成されるＲＯＭに書き込む書込み工程が施される。書込み工程では、ヒューズ素子に選択的に電流を流してヒューズ素子を溶断する。
【０００４】
特許文献３には、基板の外部に設けた抵抗素子を介してヒューズ素子に電流を流すことによって、ヒューズ素子溶断時の電流の時間変化が緩やかになるように調整する技術が記載されている。
ヒューズ素子溶断時の電流の時間変化が緩やかな場合、ヒューズ素子の温度上昇が緩やかに続き、ヒューズ素子の周囲の層が溶けて空間ができる。その後、その空間内に、溶けたヒューズ材料が飛び散り、ヒューズ素子が電気的にオープンの状態となる。
なお、ヒューズ素子溶断時の電流の時間変化が激しい場合、ヒューズ素子の温度上昇が急になり、ヒューズ素子の周囲の層が十分に溶ける前にヒューズ素子が溶けてしまう。この場合、溶けたヒューズ材料が飛び散る空間が狭く、溶けたヒューズ材料が再びヒューズ素子に付着してヒューズ素子が再度導通してしまうおそれがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】米国特許第５５０４５０７号
【特許文献２】米国特許第５３６３１３４号
【特許文献３】特許第４７９９２９８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
液体吐出ヘッドの基板上には液体が存在するため、ヒューズ素子の溶断後の部分に液体が侵入した場合には、その部分や電極が腐食して信頼性が損なわれるおそれがある。そのため、液体吐出ヘッドの基板上に作り込まれるヒューズ素子は、溶断が確実、且つ液体の侵入が起こらない構造である必要が生じる。
このため、図７に示したように基板１０１の表面には、ヒューズ素子１１０、層間絶縁膜１０４、ヒューズ電極１０５、保護膜（絶縁膜）１０６等が所定の形状を成すように適宜積層される。そして、保護膜１０６の表面に有機樹脂を用いた吐出部材１０７が形成される。
図７に示したようにヒューズ素子１１０は積層構造の下部に位置している。このため、ヒューズ素子１１０に流れる電流波形によっては、ヒューズ素子１１０の周囲の層が十分に溶けず、溶けたヒューズ材料が十分に飛び散り難くなるおそれがある。溶けたヒューズ材料が十分に飛び散らないと、溶けたヒューズ材料によってヒューズ素子１１０が再度導通してしまうおそれがある。
特許文献３に記載のヒューズの溶断方法では、基板の外部（例えば、ＲＯＭ書き装置）に設けた抵抗素子は固定である。このため、この固定の抵抗素子を用いた場合、ヒューズ素子を溶断する電流波形は、液体吐出ヘッドごとのヒューズ素子の電気特性や溶断特性の差により、ある程度のバラツキが出る。そのため、ＲＯＭ書き装置と液体吐出ヘッドとの組合せによってはヒューズ素子の溶断が安定しない状況が発生するおそれがある。例えば、ヒューズ素子を溶断する電流波形のピークが高過ぎると、溶断したヒューズ素子が再度導通してしまうおそれがある。
【０００７】
本発明の目的は、液体吐出ヘッドのヒューズ素子の溶断の不安定さを低減することが可能な液体吐出ヘッドのヒューズ素子溶断方法およびヒューズ素子溶断装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上述した目的を達成するため、本発明の液体吐出ヘッドのヒューズ素子溶断方法は、電流を流すことによって溶断可能な複数のヒューズ素子を備える液体吐出ヘッドのヒューズ素子溶断方法であって、前記複数のヒューズ素子のうちの一のヒューズ素子に電流が流れた際に前記一のヒューズ素子にかかる電圧を測定する測定工程と、前記測定工程によって得られた電圧に基づいて、前記ヒューズ素子を流れる電流を目標値に調整する目標抵抗を決定する決定工程と、前記電流を調整するための複数の電流調整抵抗の中から、前記目標抵抗の抵抗値に最も近い抵抗値を有する電流調整抵抗を、前記一のヒューズ素子と異なる前記ヒューズ素子の溶断に用いる電流調整抵抗として選択する選択工程と、を有することを特徴とする。
液体吐出ヘッドが備える一のヒューズ素子にかかる電圧は、液体吐出ヘッドごとのヒューズ素子の特性のバラツキに応じて変動する。このため、この電圧に基づき決定される目標抵抗も、液体吐出ヘッドごとのヒューズ素子の特性のバラツキに応じたものとなる。よって、複数の電流調整抵抗のうち、目標抵抗の抵抗値に最も近い抵抗値を有する電流調整抵抗も、液体吐出ヘッドごとのヒューズ素子の特性のバラツキに応じて選択されることになる。したがって、この選択した電流調整抵抗をヒューズ素子の溶断に用いることで、液体吐出ヘッドごとのヒューズ素子の特性のバラツキがあっても、ヒューズ素子を流れる電流を調整することが可能になる。よって、液体吐出ヘッドのヒューズ素子の溶断の不安定さを低減することが可能になる。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、液体吐出ヘッドのヒューズ素子の溶断の不安定さを低減することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】ヒューズ素子溶断装置２０１を示したブロック図である。
【図２】基板３０１の一例を示した斜視図である。
【図３】ヒューズ素子溶断装置２０１の説明図である。
【図４】ヒューズ素子溶断方法を説明するためのフローチャートである。
【図５】電圧Ｖｍの波形の一例を示した図である。
【図６】目標抵抗値Ｒを求める計算式およびヘッドの特性を示す図である。
【図７】液体吐出ヘッドにおけるヒューズ素子部分の基板の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
（実施形態１）
まず、本発明を適用可能なヒューズ素子溶断装置の構成例について説明する。
図１は、ヒューズ素子溶断装置２０１と液体吐出ヘッド２０２とを示したブロック図である。
液体吐出ヘッド２０２には、ＲＯＭとして機能する複数のヒューズ素子が設けられている。ヒューズ素子溶断装置２０１は、液体吐出ヘッド２０２のヒューズ素子を選択的に溶断することにより、その溶断の有無に応じた二値データを液体吐出ヘッド２０２に記憶する。ヒューズ素子溶断装置２０１は、ＲＯＭ書き込み装置としても機能する。
ヒューズ素子溶断装置２０１には、液体吐出ヘッド２０２を固定するための機構（図示せず）と液体吐出ヘッド２０２の電極と接続するための接続コネクタ（図示せず）が設けられている。ヒューズ素子溶断装置２０１は、制御部２０３と、電圧検出回路２０４と、データ入力回路２０５と、データ読み出し回路２０６と、を含む。
データ入力回路２０５は、接続コネクタを介して液体吐出ヘッド２０２の記録ロジック回路（図示せず）に接続されており、その記録ロジック回路に記録データを供給する。
電圧検出回路２０４は、データ入力回路２０５から供給される記録データの電圧波形を検出する。
データ読み出し回路２０６は、接続コネクタを介して液体吐出ヘッド２０２のヒューズロジック回路（図示せず）に接続されており、そのヒューズロジック回路から、ヒューズ素子に記憶されている記録データを読み出す。
制御部２０３は、電圧検出回路２０４、データ入力回路２０５およびデータ読み出し回路２０６を制御する。
例えば、制御部２０３は、液体吐出ヘッド２０２の記録データをデータ入力回路２０５に供給する。制御部２０３は、データ入力回路２０５による記録データ供給時の電圧波形を検出するタイミングで電圧検出回路２０４を駆動する。また、制御部２０３は、データ読み出し回路２０６が液体吐出ヘッド２０２から読み出した記録データを取得する。
【００１２】
次に、液体吐出ヘッド２０２の構成を以下に説明する。
液体吐出ヘッド２０２には、図２に示すような基板３０１が組み込まれている。
基板３０１上には、ヒューズ部３１０、電極パッド３２０、エネルギー発生素子３３０、および配線（図示せず）が形成されている。
エネルギー発生素子３３０は、インク等の液体を吐出するための吐出エネルギーを発生する。エネルギー発生素子３３０としては、電気熱変換素子（例えばヒータ素子）や圧電素子が用いられる。エネルギー発生素子３３０は、吐出エネルギーを発生することにより不図示の吐出口から液滴を吐出させる。
電極パッド３２０は、基板３０１に形成された配線を外部端子と電気的に接続させるためのパッドである。電極パッド３２０には、エネルギー発生素子３３０の駆動信号などが供給される。
ヒューズ部３１０は、電流を流すことによって溶断可能な複数のヒューズ素子３１１を含む。ヒューズ素子溶断装置２０１は、それぞれのヒューズ素子３１１を選択的に溶断することによって、ヒューズ部３１０に種々の記録データを記憶させることができる。
供給口３４０は、基板３０１の長手方向に伸びる中心線上に形成されている。エネルギー発生素子３３０は、供給口３４０に沿って配置されている。
このように構成された基板３０１の上部に、液体を吐出させるための流路および吐出口を樹脂層によって形成し、また基板３０１の下部に、不図示の液体タンクから供給口３４０に液体を供給するための供給部を連結する。これによって、液体吐出ヘッド２０２が形成される。なお、液体吐出ヘッド２０２の個体差によって、液体吐出ヘッド２０２間でヒューズ素子の電気特性や溶断特性に差が生じることがある。
【００１３】
液体吐出ヘッド２０２がヒューズ素子３１１を備えているため、例えば、液体吐出ヘッド２０２の出荷前の時点などにおいて、ヒューズ素子３１１に種々の記録データを記憶させることができる。その記録データは、例えば、液体吐出ヘッド２０２のＩＤコードや液体吐出ヘッド２０２の電気的特性値などである。
そして、液体吐出ヘッド２０２が例えば記録装置に装着されて使用される際に、記録装置は、ヒューズ素子３１１に記憶されている記録データを読み取り、液体吐出ヘッド２０２の電気的特性に応じた条件で液体吐出ヘッド２０２を駆動できる。
【００１４】
図３は、ヒューズ素子３１１に接続されるヒューズ素子溶断装置２０１の説明図である。
ヒューズ素子３１１には、ヒューズ素子３１１の溶融およびヒューズ素子３１１から情報を読み出すための駆動素子４０２が接続されている。本実施形態の場合、複数のヒューズ素子３１１には駆動素子４０２が個別に接続され、それらの駆動素子４０２はヒューズ選択回路４０３によって選択的に駆動される。
ヒューズ選択回路４０３は、信号線、時分割選択信号を発生するデコーダ、その他の信号を含む信号のラッチ回路、シフトレジスタ、および、基板３０１の外部からの信号を受ける入力パッド（不図示）などを含む。
複数のヒューズ素子３１１の共通配線５０１側には、抵抗選択回路４０４により選択的に電源Ｖｉｎに接続される抵抗値の異なる複数の抵抗素子４０５が設けられている。抵抗素子４０５は、ヒューズ素子３１１に流れる電流を調整するための電流調整抵抗の一例である。
複数のヒューズ素子３１１と複数の抵抗素子４０５とを接続する配線部４０７には、電圧を読み取るためのＡ／Ｄ変換器４０６が設けられている。Ａ／Ｄ変換器４０６は、図１に示した電圧検出回路２０４およびデータ読み出し回路２０６の一例である。Ａ／Ｄ変換器４０６は、測定手段の一例でもある。Ａ／Ｄ変換器４０６は、任意のタイミングで配線部４０７の電圧Ｖｍを測定する。なお、抵抗選択回路４０４と抵抗素子４０５とで構成される回路は、データ入力回路２０５の一例である。
【００１５】
次に、ヒューズ素子溶断方法について、詳細に説明する。
図４は、ヒューズ素子溶断方法を説明するためのフローチャートである。
まず、抵抗選択回路４０４が、複数の抵抗素子４０５を抵抗値の大きい順に並べた際に中央にくる抵抗素子Ｒｘを選択し、抵抗素子Ｒｘを電源Ｖｉｎ（例えば、エネルギー発生素子３３０の駆動電圧の２４Ｖなど）と配線部４０７間に接続する。抵抗素子Ｒｘは、例えば、設計上では、配線部４０７の電圧Ｖｍの立下り時から２００ｎｓｅｃ後にヒューズ素子３１１に目標電流値を流すことができる基準抵抗素子である。なお、抵抗素子Ｒｘは、基準抵抗素子でなくてもよい。
次に、ヒューズ選択回路４０３が、複数のヒューズ素子３１１のうちの任意のヒューズ素子３１１に接続された駆動素子４０２を駆動する。
本例の場合、ヒューズ選択回路４０３は、複数のヒューズ素子３１１のうち、液体吐出ヘッド２０２に記憶する記録データが記憶されない予備のヒューズ素子３１１に接続された駆動素子４０２を駆動する。予備のヒューズ素子３１１は、複数のヒューズ素子３１１のうちの一のヒューズ素子の一例である。ここで、複数のヒューズ素子３１１は互いに同一または略同一の電気的特性を有する。例えば、複数のヒューズ素子３１１は、同一の仕様を有するヒューズ素子である。
駆動素子４０２が駆動すると、その駆動素子４０２に接続された予備のヒューズ素子３１１に抵抗素子Ｒｘを介して電流が流れて、予備のヒューズ素子３１１が溶断する。
その際、駆動素子４０２を駆動するタイミングでＡ／Ｄ変換器４０６は配線部４０７の電圧Ｖｍをサンプリングして測定する（ステップＳ４０１）。この場合、電圧Ｖｍは、抵抗素子Ｒｘを介して電流が流れる予備のヒューズ素子３１１にかかる電圧を表すことになる。
ここで、Ａ／Ｄ変換器４０６が配線部４０７の電圧Ｖｍをサンプリングして測定する工程は、複数のヒューズ素子のうちの一のヒューズ素子に電流が流れた際に該一のヒューズ素子の電圧を測定する測定工程の一例である。
本例の場合、Ａ／Ｄ変換器４０６は、駆動素子４０２の駆動開始時から１０ｎｓｅｃ間隔で８０回サンプリングする。なお、サンプリング間隔およびサンプリング回数は、適宜変更可能である。図５は、Ａ／Ｄ変換器４０６がサンプリングした電圧Ｖｍによって示された電圧波形の一例を示した図である。図５に示した電圧波形は、ヒューズ溶断電圧波形も意味する。
次に、制御部２０３は、Ａ／Ｄ変換器４０６により取得した配線部４０７の電圧波形から、目標抵抗値Ｒを決定する（ステップＳ４０２）。目標抵抗値Ｒは、ヒューズ素子３１１を流れる電流を目標電流値に調整する抵抗（以下「目標抵抗」と称する）が有する抵抗値である。目標抵抗値Ｒは「最適な抵抗値」と称することもできる。目標電流値は、目標値の一例である。制御部２０３は、決定手段の一例である。
ここで、目標抵抗の目標抵抗値Ｒを決定する工程は、測定工程によって得られた電圧に基づいて、ヒューズ素子を流れる電流を目標値に調整する目標抵抗を決定する決定工程の一例である。
制御部２０３は、測定された電圧Ｖｍに基づいて特定される予備のヒューズ素子３１１を流れた電流の値と、目標電流値との差に基づいて、目標抵抗を決定する。
本例の場合、制御部２０３は、配線部４０７の電圧波形の立下り時から２００ｎｓｅｃ後の電圧Ｖｍを読み取り、図６（ａ）に示す計算式により目標抵抗値Ｒを求める。図６（ａ）に示す計算式内の定数ａは、図６（ｂ）に示す液体吐出ヘッド種毎の代表的な特性の傾きから得る。２００ｎｓｅｃは所定時間の一例である。所定時間は、２００ｎｓｅｃに限らず適宜変更可能である。
図６（ａ）に示した計算式において「（Ｖｉｎ−Ｖｍ）／Ｒｘ」は、測定工程で予備のヒューズ素子３１１を流れた電流の値を示す。このため、図６（ａ）に示した計算式は、測定工程によって得られた電圧Ｖｍに基づいて特定される測定工程で流れた電流の値と、目標電流値Ｉｔとの差に基づいて、目標抵抗を決定することも意味する。また、図６（ａ）に示した計算式は、予備のヒューズ素子３１１を流れる電流を目標値に調整する目標抵抗の抵抗値（目標抵抗値Ｒ）を算出するための数式を意味する。この場合、予備のヒューズ素子３１１は、複数のヒューズ素子３１１の代表として機能することになる。
続いて、制御部２０３は、複数の抵抗素子４０５の中から目標抵抗値Ｒに最も近い抵抗値を有する抵抗素子４０５を、予備のヒューズ素子３１１と異なるヒューズ素子３１１の溶断に用いる電流調整抵抗として抵抗選択回路４０４に選択させる。
本例では、制御部２０３は、目標抵抗値Ｒに最も近い抵抗値を有する抵抗素子４０５を予備のヒューズ素子３１１と異なるヒューズ素子３１１の溶断に用いる電流調整抵抗として選択する旨のヒューズ選択信号を、抵抗選択回路４０４に出力する。抵抗選択回路４０４は、ヒューズ選択信号に従って、目標抵抗値Ｒに最も近い抵抗値を有する抵抗素子４０５を、予備のヒューズ素子３１１と異なるヒューズ素子３１１の溶断に用いる電流調整抵抗として選択する（ステップＳ４０３）。抵抗選択回路４０４は、選択手段の一例である。
ここで、抵抗素子４０５を選択する工程は、複数の電流調整抵抗の中から、目標抵抗の抵抗値に最も近い抵抗値を有する電流調整抵抗を、一のヒューズ素子と異なるヒューズ素子の溶断に用いる電流調整抵抗として選択する選択工程の一例である。
なお、目標抵抗値Ｒに最も近い抵抗値を有する抵抗素子４０５が複数ある場合には、例えば、それらの中で抵抗値の小さい抵抗素子が選択される。
また、例えば、目標抵抗値Ｒよりも抵抗値が小さい抵抗素子４０５の中から、目標抵抗値Ｒに最も近い抵抗値を有する抵抗素子４０５が選択されてもよい。
抵抗選択回路４０４は、その選択した抵抗素子４０５を電源Ｖｉｎと配線部４０７間に接続する。
次に、制御部２０３は、液体吐出ヘッド２０２に記憶する記録データに基づき、記録データに対応するヒューズ素子３１１と接続した駆動素子４０２をヒューズ選択回路４０３によって選択的に駆動してヒューズ素子３１１を溶断する（ステップＳ４０４）。この際に溶断されるヒューズ素子３１１は、予備のヒューズ素子３１１と異なるヒューズ素子３１１である。
【００１６】
本実施形態によれば、予備のヒューズ素子３１１を溶断したときの電圧波形に基づき、目標抵抗値Ｒを決定する。そして、複数の抵抗素子４０５の中から、目標抵抗値Ｒに最も近い抵抗値を有する抵抗素子４０５を、溶断時に電流を調整するために用いる抵抗として選択する。
予備のヒューズ素子３１１の電圧は、液体吐出ヘッド２０２ごとのヒューズ素子３１１の特性のバラツキに応じて変動する。よって、目標抵抗値Ｒ、および、目標抵抗値Ｒに最も近い抵抗値を有する抵抗素子４０５は、液体吐出ヘッド２０２ごとのヒューズ素子３１１の特性のバラツキに応じて設定される。
このため、溶断時にヒューズ素子を流れる電流を調整するために用いる抵抗を、液体吐出ヘッドが備えるヒューズ素子の特性に応じて選択可能になる。よって、液体吐出ヘッドごとにヒューズ素子の電気特性や溶断特性に差がある場合でも、ヒューズ素子を流れる電流を安定させることが可能になり、液体吐出ヘッドのヒューズ素子の溶断の不安定さを低減することが可能になる。したがって、ヒューズ素子に記録された記録データの信頼性を高くすることが可能になる。
なお、電圧測定に使用されるヒューズ素子には、目標電流値と異なる電流が流れる恐れがある。本実施形態では、記録データを記憶しない予備のヒューズ素子３１１が電圧測定に使用される。このため、目標電流値と異なる電流が流れることに起因する記録データの記憶への影響を回避可能になる。
本実施形態では、測定工程で予備のヒューズ素子３１１に流れた電流の値と目標電流値との差に基づいて目標抵抗を決定する。このため、当該差をなくす目標抵抗を決定することが可能になる。
本実施形態では、電圧Ｖｍの波形の立下りタイミングから所定時間である２００ｎｓｅｃ後の電圧Ｖｍを測定し、その測定結果に基づいて目標抵抗を決定する。電圧Ｖｍの波形が立ち下がることは、予備のヒューズ素子３１１を流れる電流が増加し始めることを意味する。このため、電圧Ｖｍの波形の立下りタイミングから所定時間後の電圧Ｖｍは、予備のヒューズ素子３１１を流れる電流が増加し始めてから所定時間後の該電流の値に対応する。よって、予備のヒューズ素子３１１を流れる電流が増加し始めてから所定時間後の該電流の値を目標電流値に調整する目標抵抗を決定することが可能になる。
【００１７】
（実施形態２）
次に本発明の実施形態２について説明する。
本実施形態においてもヒューズ素子溶断方法を適用するヒューズ素子溶断装置の構成については実施形態１と同様である。
本実施形態は、特にヒューズ素子を溶断する電流波形のピークが高過ぎると溶断したヒューズが再度導通してしまう状況が発生する可能性をより低くできる形態である。
【００１８】
まず、図３に示す複数のヒューズ素子３１１それぞれの抵抗値Ｒｆｎを測定する。複数のヒューズ素子３１１は、例えば設計上では同一仕様であっても、製造の関係によりヒューズ素子３１１の間で特性の差が生じる場合がある。このため、ヒューズ素子３１１それぞれの抵抗値Ｒｆｎが異なる場合が考えられる。
本例では、抵抗選択回路４０４が、複数の抵抗素子４０５の中から抵抗素子Ｒｘを選択し、抵抗素子Ｒｘを、例えばヒューズ選択回路４０３の駆動電圧の３．３Ｖに設定された電源Ｖｉｎと配線部４０７間に接続する。
次に、ヒューズ選択回路４０３が、複数のヒューズ素子３１１の各々に接続された各駆動素子４０２を選択的に１つずつ駆動する。その際、駆動素子４０２の各々を駆動するタイミングでＡ／Ｄ変換器４０６が電圧Ｖｍをサンプリングする。
制御部２０３は、このサンプリングした電圧Ｖｍから複数のヒューズ素子３１１それぞれの抵抗値Ｒｆｎを、次式：Ｒｆｎ＝Ｖｍ・Ｒｘ／（Ｖｉｎ−Ｖｍ）により求める。
次に、制御部２０３は、電源Ｖｉｎの電圧をヒューズ素子３１１を溶断する電圧（例えば、エネルギー発生素子３３０の駆動電圧の２４Ｖなど）に設定する。
次に、ヒューズ選択回路４０３が、制御部２０３からの指示に応じて、ヒューズ素子３１１のうち最も低い抵抗値を有するヒューズ素子３１１に接続された駆動素子４０２を駆動する。ヒューズ素子３１１のうち最も低い抵抗値を有するヒューズ素子３１１は、一のヒューズ素子の一例である。
駆動素子４０２が駆動すると、その駆動素子４０２に接続されたヒューズ素子３１１に抵抗素子Ｒｘを介して電流が流れ、そのヒューズ素子３１１が溶断する。
その際、駆動素子４０２を駆動するタイミングでＡ／Ｄ変換器４０６は配線部４０７の電圧Ｖｍをサンプリングして測定する。本例の場合も実施形態１と同様に駆動素子４０２の駆動開始時から１０ｎｓｅｃ間隔で８０回サンプルすることで、図５に示したような電圧波形を取得する。本実施形態においても、サンプリング間隔およびサンプリング数は適宜変更可能である。
次に、制御部２０３は、Ａ／Ｄ変換器４０６により取得した配線部４０７の電圧波形から、目標抵抗値Ｒを決定する。
本例の場合、制御部２０３は、配線部４０７の電圧波形の立下り時から２００ｎｓｅｃ後の電圧Ｖｍを読み取り、図６（ａ）に示す計算式により目標抵抗値Ｒを求める。図６（ａ）に示す計算式内の定数ａは図６（ｂ）に示す液体吐出ヘッド種毎の代表的な特性の傾きから得る。
続いて、制御部２０３は、複数の抵抗素子４０５の中から、目標抵抗値Ｒに最も近い抵抗値を有する抵抗素子４０５を、溶断の際に電流を調整するために用いる電流調整抵抗として、抵抗選択回路４０４により選択させる。
抵抗選択回路４０４は、その選択した抵抗素子４０５を電源Ｖｉｎと配線部４０７間に接続する。
次に、制御部２０３は、液体吐出ヘッド２０２に記憶する記録データに基づき、記録データに対応するヒューズ素子３１１と接続されている駆動素子４０２をヒューズ選択回路４０３によって選択的に駆動することにより、ヒューズ素子３１１を溶断する。
【００１９】
本実施形態によれば、ヒューズ溶断時の電流が最も大きいヒューズ素子（抵抗が最小のヒューズ素子）３１１を溶断したときの電圧波形に基づき目標抵抗値Ｒを決定する。そして、複数の抵抗素子４０５の中から、目標抵抗値Ｒに最も近い抵抗値を有する抵抗素子４０５を、溶断時に電流を調整するために用いる抵抗として選択する。
選択した抵抗を用いて溶断されるヒューズ素子の抵抗は、電圧が測定されたヒューズ素子の抵抗よりも大きい。このため、抵抗が最小のヒューズ素子に目標電流値と近い電流を流すために選定された抵抗を用いることで、他のヒューズ素子に流れる電流を、目標電流値と近い電流よりも小さくすることが可能になる。よって、ヒューズ素子を溶断する電流波形のピークが高過ぎることのない条件での記録データを記憶することが可能になる。
【００２０】
上記各実施形態において、抵抗素子４０５の数は２以上であればよい。例えば、抵抗素子４０５の数が２である場合、抵抗素子Ｒｘは、２つの抵抗素子４０５のいずれかとなる。
以上説明した各実施形態において、図示した構成は単なる一例であって、本発明はその構成に限定されるものではない。
【符号の説明】
【００２１】
２０１  ヒューズ素子溶断装置
２０２  液体吐出ヘッド
２０３  制御部（決定手段）
３１１  ヒューズ素子
４０４  抵抗選択回路（選択手段）
４０５  抵抗素子（電流調整抵抗）
４０６  Ａ／Ｄ変換器（測定手段）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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