(57)【要約】【課題】より簡便に低電流駆動が可能な面発光レーザ装置を提供すること。【解決手段】表面に金属膜パターンが形成された絶縁性の放熱板と、金属膜パターンに接合剤を介して接合された面発光レーザアレイと、面発光レーザアレイにおける金属膜パターンとの接合面と反対側の面から放熱板に達するように形成され、面発光レーザアレイを電気的に絶縁された少なくとも２つの面発光レーザアレイに分離する溝部と、溝部により分離された少なくとも２つの面発光レーザアレイを電気的に直列接続するワイヤとを有する、面発光レーザ装置が提供される。【選択図】図１
2016025171.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に金属膜パターンが形成された絶縁性の放熱板と、
前記金属膜パターンに接合剤を介して接合された面発光レーザアレイと、
前記面発光レーザアレイにおける前記金属膜パターンとの接合面と反対側の面から前記放熱板に達するように形成され、前記面発光レーザアレイを電気的に絶縁された少なくとも２つの面発光レーザアレイに分離する溝部と、
前記溝部により分離された少なくとも２つの面発光レーザアレイを電気的に直列接続するワイヤと
を有する、
面発光レーザ装置。
【請求項２】
前記放熱板は、窒化アルミニウムからなる、
請求項１に記載の面発光レーザ装置。
【請求項３】
前記接合剤は、金錫を含む材料からなる、
請求項１又は２に記載の面発光レーザ装置。
【請求項４】
前記放熱板は、ダイヤモンド材料からなる、
請求項１に記載の面発光レーザ装置。
【請求項５】
前記接合剤は、インジウムを含む材料からなる、
請求項４に記載の面発光レーザ装置。
【請求項６】
前記溝部により少なくとも２つに分離された面発光レーザアレイと光学的に対応する位置に配置された１つのマイクロレンズアレイを更に有する、
請求項１乃至５のいずれか一項に記載の面発光レーザ装置。
【請求項７】
放熱板の表面に形成された金属膜パターンに接合剤を用いて面発光レーザアレイを接合する工程と、
前記金属膜パターンに接合された前記面発光レーザアレイの接合面と反対側の面から前記放熱板に達し、前記面発光レーザアレイを電気的に絶縁された少なくとも２つの面発光レーザアレイに分離する溝部を形成する工程と、
前記溝部により分離された少なくとも２つの面発光レーザアレイをワイヤにより電気的に直列接続する工程と
を有する、
面発光レーザ装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、面発光レーザ装置及び面発光レーザ装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、高出力レーザ用の光源として、複数の面発光レーザ素子を２次元的に配置した面発光レーザアレイが用いられている。
【０００３】
この面発光レーザアレイでは、製造方法が簡易であるという理由から、複数の面発光レーザ素子を電気的に並列接続するように構成されていることが多い。このため、面発光レーザアレイの出力を高くするにつれて、面発光レーザアレイの駆動電流が大きくなり、発熱量が増大し、面発光レーザ素子の信頼性、寿命特性が低下することがある。
【０００４】
そこで、従来では、複数の面発光レーザ素子が直列接続された直列接続素子を複数備え、複数の直列接続素子を電気的に並列接続することで、面発光レーザアレイの駆動電流を小さくしている（例えば、特許文献１参照）。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上述した従来の技術では、ｐ側電極及びｎ側電極を基板の表面側に形成するため、製造工程が複雑化するという問題がある。
【０００６】
そこで、本発明の一つの案では、より簡便に低電流駆動が可能な面発光レーザ装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
一つの案では、表面に金属膜パターンが形成された絶縁性の放熱板と、前記金属膜パターンに接合剤を介して接合された面発光レーザアレイと、前記面発光レーザアレイにおける前記金属膜パターンとの接合面と反対側の面から前記放熱板に達するように形成され、前記面発光レーザアレイを電気的に絶縁された少なくとも２つの面発光レーザアレイに分離する溝部と、前記溝部により分離された少なくとも２つの面発光レーザアレイを電気的に直列接続するワイヤとを有する、面発光レーザ装置が提供される。
【発明の効果】
【０００８】
一態様によれば、より簡便に低電流駆動が可能な面発光レーザ装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】第１実施形態に係る面発光レーザ装置の概略構成を例示する図。
【図２】図１のＸ−Ｘ線断面図。
【図３】第１実施形態に係る面発光レーザ素子の概略構成を例示する断面図。
【図４】第１実施形態に係る面発光レーザ装置の作用・効果を説明するための図。
【図５】第１実施形態に係る面発光レーザ装置の他の概略構成を例示する図。
【図６】第２実施形態に係る面発光レーザ装置の概略構成を例示する図。
【図７】図６のＸ−Ｘ線断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明の実施形態について添付の図面を参照しながら説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複した説明を省く。
【００１１】
［第１実施形態］
（面発光レーザ装置の構成）
まず、本発明の第１実施形態に係る面発光レーザ装置の概略構成の一例について、図１及び図２を参照しながら説明する。図１は、第１実施形態に係る面発光レーザ装置の概略構成を例示する図である。図２は、図１のＸ−Ｘ線断面図である。
【００１２】
面発光レーザ装置１００は、図１に示すように、表面に電流を流すための金属膜パターン１０２が形成された絶縁性材料からなる放熱板１０１と、複数の面発光レーザ素子２００を含む面発光レーザアレイ１０３とを有する。また、図２に示すように、放熱板１０１に形成された金属膜パターン１０２と面発光レーザアレイ１０３とは、接合剤１０４によって接合されている。
【００１３】
また、面発光レーザ装置１００は、面発光レーザアレイ１０３における金属膜パターン１０２との接合面と反対側の面から放熱板１０１に達するように形成され、面発光レーザアレイ１０３を電気的に絶縁された少なくとも２つの面発光レーザアレイ１０３ａ、１０３ｂに分離する溝部Ａと、２つの面発光レーザアレイ１０３ａ、１０３ｂを電気的に直列接続するワイヤ１０５ａ、１０５ｂとを有する。
【００１４】
より具体的には、面発光レーザアレイ１０３ａの下部電極２１２と接続された金属膜パターン１０２と、面発光レーザアレイ１０３ｂの上部電極２１１とワイヤ１０５ｂによって接続された金属膜パターン１０２とが、ワイヤ１０５ａによって接続されている。すなわち、面発光レーザアレイ１０３ａと面発光レーザアレイ１０３ｂとが直列接続されている。なお、下部電極２１２及び上部電極２１１については後述する。
【００１５】
さらに、面発光レーザアレイ１０３ａの上部電極２１１とワイヤ１０５ｃによって接続された金属膜パターン１０２には、共通ｐ側電極端子１０６が接続されている。また、面発光レーザアレイ１０３ｂの下部電極２１２と接続された金属膜パターン１０２には、共通ｎ側電極端子１０７が接続されている。
【００１６】
そして、共通ｐ側電極端子１０６と共通ｎ側電極端子１０７との間に電圧が印加されることにより、面発光レーザ装置１００が動作する。
【００１７】
次に、面発光レーザアレイ１０３を構成する面発光レーザ素子２００について、図３を参照しながら説明する。図３は、第１実施形態に係る面発光レーザ素子の概略構成を例示する断面図である。なお、第１実施形態に係る面発光レーザアレイ１０３には、図１に示すように複数の面発光レーザ素子２００がアレイ状に形成されているが、図３においては、面発光レーザ素子２００の構成を分かりやすく説明するためにひとつの素子の断面図を示している。また、本明細書では、レーザ光の射出方向を図３における上部方向とする。
【００１８】
面発光レーザ素子２００は、発振波長が８０８ｎｍ帯であり、基板２０１、バッファ層２０２、下部半導体ＤＢＲ２０３、下部スペーサ層２０４、活性層２０５、上部スペーサ層２０６、上部半導体ＤＢＲ２０７、被選択酸化層２０８（酸化領域２０８ａ、非酸化領域２０８ｂ）、コンタクト層２０９、保護層２１０、上部電極２１１、下部電極２１２等を有する。
【００１９】
また、面発光レーザ素子２００における下部スペーサ層２０４、活性層２０５、上部スペーサ層２０６、上部半導体ＤＢＲ２０７、被選択酸化層２０８及びコンタクト層２０９は、メサを形成している。
【００２０】
基板２０１は、ｎ−ＧａＡｓからなる。
【００２１】
バッファ層２０２は、基板２０１の上部方向の面上に積層され、ｎ−ＧａＡｓからなる層である。
【００２２】
下部半導体ＤＢＲ２０３は、バッファ層２０２の上部方向の面上に積層され、ｎ−Ａｌ０．９Ｇａ０．１Ａｓからなる低屈折率層と、ｎ−Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓからなる高屈折率層のペアがｎ−Ａｌ０．９Ｇａ０．１Ａｓから始まり、４０．５ペア積層されている。
【００２３】
各屈折率層の間には、電気抵抗を低減するため、一方の組成から他方の組成へ向かって組成を徐々に変化させた厚さ２０ｎｍの組成傾斜層が設けられている。そして、各屈折率層はいずれも、隣接する組成傾斜層の厚みの１／２を含み、発振波長λに対して光学的厚さがλ／４となるように設計されている。なお、光学的厚さがλ／４のとき、その層の実際の厚さＤは、Ｄ＝λ／４ｎ（但し、ｎはその層の媒質の屈折率）である。
【００２４】
下部スペーサ層２０４は、下部半導体ＤＢＲ２０３の上部方向に積層され、ノンドープのＡｌ０．６Ｇａ０．４Ａｓからなる層である。
【００２５】
活性層２０５は、下部スペーサ層２０４の上部方向に積層され、Ａｌ０．０５Ｇａ０．９５Ａｓ／Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓからなる３重量子井戸構造の活性層である。
【００２６】
上部スペーサ層２０６は、活性層２０５の上部方向に積層され、ノンドープのＡｌ０．６Ｇａ０．４Ａｓからなる層であり、発振波長は８０８ｎｍとなるように設計されている。
【００２７】
下部スペーサ層２０４と活性層２０５と上部スペーサ層２０６とからなる部分は、共振器構造体とも呼ばれており、その厚さが１波長の光学的厚さとなるように設定されている。なお、活性層２０５は、高い誘導放出確率が得られるように、電界の定在波分布における腹に対応する位置である共振器構造体の中央に設けられている。
【００２８】
上部半導体ＤＢＲ２０７は、上部スペーサ層２０６の上部方向に積層され、ｐ−Ａｌ０．９Ｇａ０．１Ａｓからなる低屈折率層とｐ−Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓからなる高屈折率層のペアを２５ペア有している。各屈折率層の間には組成傾斜層が設けられている。そして、各屈折率層はいずれも、隣接する組成傾斜層の厚みの１／２を含んで、λ／４の光学的厚さとなるように設定されている。
【００２９】
上部半導体ＤＢＲ２０７における低屈折率層の１つには、ＡｌＡｓからなる被選択酸化層２０８が厚さ３０ｎｍで挿入されている。
【００３０】
コンタクト層２０９は、上部半導体ＤＢＲ２０７の上部方向に積層され、ｐ−ＧａＡｓからなる層である。
【００３１】
なお、このように基板２０１上に複数の半導体層が積層されたものを、以下では、便宜上「積層体」ともいう。
【００３２】
保護層２１０は、レーザ光の射出部を除いた領域、すなわち、コンタクト層２０９の上部方向の一部、メサの側面及び下部半導体ＤＢＲ２０３の上部方向に積層され、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ又はＳｉＯ２からなる層である。
【００３３】
上部電極２１１は、ｐ側電極であり、コンタクト層２０９の上部方向及び保護層２１０の上部方向に形成され、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕからなる多層膜（金属膜）である。
【００３４】
下部電極２１２は、ｎ側電極であり、基板２０１の下部方向の面上に形成され、ＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕからなる多層膜（金属膜）である。
【００３５】
（面発光レーザ装置の製造方法）
次に、第１実施形態に係る面発光レーザ装置の製造方法について説明する。
【００３６】
まず、前述の積層体を有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）又は分子線エピタキシャル成長法（ＭＢＥ法）による結晶成長によって形成する。ここでは、ＭＯＣＶＤ法を用いた例を示す。また、ここでは、ＩＩＩ族の原料には、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）、トリメチルガリウム（ＴＭＧ）を用い、Ｖ族の原料には、アルシン（ＡｓＨ３）を用いている。また、ｐ型ドーパントの原料には四臭化炭素（ＣＢｒ４）を用い、ｎ型ドーパントの原料にはセレン化水素（Ｈ２Ｓｅ）を用いている。
【００３７】
続いて、リソグラフィにより積層体の表面に所望のメサ形状に対応する１辺が２５μｍの正方形状のレジストパターンをアレイ状に形成する。
【００３８】
続いて、ＩＣＰドライエッチング法で、上記レジストパターンをフォトマスクとして四角柱のメサを形成し、レジストパターンを除去する。
【００３９】
続いて、メサが形成された積層体を酸化対象物として、酸化処理を行う。ここでは、図３のように、メサの外周部から被選択酸化層２０８中のアルミニウム（Ａｌ）が選択的に酸化される。そして、メサの中央部に、Ａｌの酸化領域２０８ａによって囲まれた非酸化領域２０８ｂを残留させる。これにより、発光部の駆動電流の経路をメサの中央部だけに制限する、酸化狭窄構造体が形成される。上記非酸化領域２０８ｂが電流通過領域（電流注入領域）である。
【００４０】
続いて、酸化処理が完了した積層体に対して、外周部溝形成部と後の工程でアレイを電気的に分離されるための領域を露出させるようリソグラフィによりレジストパターンを形成し、ＩＣＰドライエッチング法を用いて溝部Ａを形成し、レジストパターンを除去する。
【００４１】
続いて、積層体を加熱チャンバに入れ、窒素雰囲気中に３８０〜４００℃の温度で３分間保持する。これにより、大気中で表面に付着した酸素や水、もしくは加熱処理用のチャンバ内の微量な酸素や水による自然酸化膜が、窒素雰囲気中での加熱処理により安定した不動態皮膜になる。
【００４２】
続いて、気相化学堆積法（ＣＶＤ法）を用いて、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ又はＳｉＯ２からなる保護層２１０を形成する。
【００４３】
続いて、メサ上部にｐ側電極コンタクトの窓開けを行う。ここでは、フォトレジストによるマスクを施した後、メサ上部の開口部を露光してその部分のフォトレジストを除去し、ＢＨＦにて保護層２１０をエッチングして開口した。また、このとき同時に溝部Ａ底面にあるスクライブする領域の保護層も除去する。
【００４４】
続いて、メサ上部のレーザ光の射出部となる領域に一辺１０μｍの正方形状のレジストパターンと、電極パッドと発光部を接続するレジストパターンを形成し、ｐ側の電極材料の蒸着を行う。ｐ側の電極材料としてはＴｉ／Ｐｔ／Ａｕからなる多層膜が用いられる。
【００４５】
続いて、レーザ光の射出部の電極材料をリフトオフし、ｐ側の電極（上部電極２１１）を形成する。
【００４６】
続いて、基板２０１の裏側を所定の厚さ（例えば１００μｍ程度）まで研磨した後、ｎ側の電極（下部電極２１２）を形成する。ここでは、ｎ側の電極材料としてはＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕからなる多層膜が用いられる。
【００４７】
続いて、アニールによって、上部電極２１１と下部電極２１２のオーミック導通をとる。これにより、メサは発光部となる。
【００４８】
続いて、スクライブ・ブレーキングにより、面発光レーザアレイチップに分割する。
【００４９】
続いて、３００〜３５０℃に加熱したホットプレート上で窒化アルミニウム（ＡｌＮ）材料からなる放熱板１０１と面発光レーザアレイチップを金錫（ＡｕＳｎ）を含む接合剤１０４により接合させる。ここで、ＡｌＮ材料からなる放熱板１０１は表面に電流を流すためのＡｕパターンが厚さ１μｍで形成されており、さらにその表面にチップを接合させる領域にＡｕＳｎを３μｍ成膜させたものである。尚、接合はチップ全面で良好な接合を得るために適切な荷重を印加しながら行う。ＡｕＳｎを含む材料により接合させた場合、フラックスを必要とせず、電気抵抗を低減させる効果がある。
【００５０】
続いて、ダイシングにより放熱板１０１に達するように溝部Ａを形成した領域を分離する。
【００５１】
続いて、直列接続となるようにワイヤ１０５ａ、１０５ｂ、１０５ｃを形成する。
【００５２】
以上の方法により、図１及び図２に示す面発光レーザ装置１００を製造することができる。
【００５３】
（作用・効果）
次に、第１実施形態に係る面発光レーザ装置及び面発光レーザ装置の製造方法の作用・効果について説明する。
【００５４】
第１実施形態に係る面発光レーザ装置は、複数の面発光レーザ素子が並列接続された面発光レーザアレイが、溝部により少なくとも２つの面発光レーザアレイに分離され、分離された面発光レーザアレイがワイヤにより電気的に直列接続された構成を有する。このため、従来の複数の面発光レーザ素子が並列接続されてなる面発光レーザ装置と比較して、低電流駆動が可能である。
【００５５】
また、第１実施形態に係る面発光レーザ装置によれば、基板の裏面側に金属膜を成膜し、アニールを行うことで、ｎ側電極を形成する。このため、基板の表面側にｎ側電極を形成して、複数の面発光レーザ素子を直列接続する場合に必要となる、エッチング等によりコンタクト層を露出させる工程が不要である。結果として、より簡便に面発光レーザ装置を製造することができる。
【００５６】
また、第１実施形態に係る面発光レーザ装置によれば、面発光レーザアレイを放熱板に接合した後に、ダイシング等により面発光レーザアレイを分離する。このため、複数の面発光レーザアレイを所望の位置に精度よく配置することができる。
【００５７】
次に、第１実施形態に係る面発光レーザ装置の比較のために、予め複数に分離された面発光レーザアレイを別々に放熱板と接合させた面発光レーザ装置について、図４を参照しながら説明する。図４は、第1実施形態に係る面発光レーザ装置の作用・効果を説明するための図である。
【００５８】
図４に示すように、面発光レーザ装置４００は、放熱板４０１と、金属膜パターン４０２と、面発光レーザアレイ４０３とを有する。図４に示す面発光レーザ装置４００においては、予め２つに分離された面発光レーザアレイ４０３ａ、４０３ｂが別々に放熱板４０１と接合しているため、２つの面発光レーザアレイ４０３ａ、４０３ｂの上下左右の位置と平行度の精度を高めることが困難である。
【００５９】
以上に説明したように、第１実施形態に係る面発光レーザ装置及び面発光レーザ装置の製造方法によれば、より簡便に低電流駆動が可能な面発光レーザ装置を提供することができる。
【００６０】
なお、第１実施形態では、複数の面発光レーザ素子が四角形に配置された面発光レーザアレイを有する面発光レーザ装置について説明したが、本発明はこの点において限定されるものではない。
【００６１】
例えば図５に示すように、複数の面発光レーザ素子が円形に配置された面発光レーザアレイ１０３Ａを有し、溝部Ａにより２つの面発光レーザアレイ１０３ａ、１０３ｂに分離されている面発光レーザ装置１００Ａであってもよい。なお、面発光レーザアレイ１０３Ａは、放熱板１０１に形成された金属膜パターン１０２上に接合剤１０４を介して接合されている。複数の面発光レーザ素子が円形に配置された面発光レーザアレイ１０３Ａを用いる場合、円形の集光レンズへ効率よくレーザを入射可能であるため、出力を無駄にすることなくレーザ光を集光することができる。
【００６２】
また、第１実施形態では、ＡｕＳｎを含む材料からなる接合剤を用いて、放熱板に形成された金属膜パターンと面発光レーザアレイとを接合する形態について説明したが、本発明はこの点において限定されるものではない。接合剤としては、例えばペーストはんだを用いることができる。接合剤としてペーストはんだを用いると、取り扱いが容易であるという利点がある。
【００６３】
また、第１実施形態では、ＡｌＮ材料からなる放熱板を用いる形態について説明したが、本発明はこの点において限定されるものではない。放熱板としては、例えばダイヤモンド材料からなる放熱板を用いることができる。放熱板としてダイヤモンド材料を用いると、特に熱伝導性が良く、ＡｌＮ材料を用いた場合と比較して大幅に放熱効果が向上する。
【００６４】
ただし、ダイヤモンド材料とＧａＡｓとの間の熱膨張係数差が大きいため、ＡｕＳｎのような応力緩和効果が小さい接合剤を用いて放熱板と面発光レーザアレイとを接合させると、これらの間の応力が大きくなり、面発光レーザアレイが破損することがある。このため、放熱板としてダイヤモンド材料を用いる場合、接合剤としてインジウム（Ｉｎ）等の柔らかい金属を含む材料を用いることが好ましい。
【００６５】
接合剤としてＩｎを含む材料を用いると、Ｉｎが柔らかい金属であるため、接合後の放熱板と面発光レーザアレイとの間の応力を吸収することができる。すなわち、熱膨張係数差が大きい材料を接合させることが可能になる。
【００６６】
なお、接合剤としてＩｎを用いる場合、まず、例えば厚さが５μｍのＩｎ薄膜が表面に形成されたＡｕによりパターンが形成されたダイヤモンド材料からなる放熱板と面発光レーザアレイとをＨ２及びＮ２の混合雰囲気下で１５０〜２００℃に加熱する。続いて、面発光レーザアレイに適切な荷重を印加し、放熱板に形成されたＡｕパターンと面発光レーザアレイとを接合する。
【００６７】
また、第１実施形態では、発振波長が８０８ｎｍの面発光レーザ素子を用いる形態について説明したが、本発明はこの点において限定されるものではなく、固体レーザの吸収する波長帯等、用途に応じて変更してもよい。
【００６８】
また、第１実施形態では、面発光レーザ装置が面発光レーザアレイを電気的に絶縁された２つの面発光レーザアレイに分離する１つの溝部を有する形態について説明したが、本発明はこの点において限定されるものではない。面発光レーザ装置は、面発光レーザアレイを少なくとも２つ以上の面発光レーザアレイに分離する溝部を有する形態であればよい。さらに、溝部の形状、数量についても限定されるものではない。
【００６９】
［第２実施形態］
（面発光レーザ装置の構成）
次に、本発明の第２実施形態に係る面発光レーザ装置について、図６及び図７を参照しながら説明する。図６は、第２実施形態に係る面発光レーザ装置アレイの概略構成を例示する図である。図７は、図６のＸ−Ｘ線断面図である。
【００７０】
第２実施形態に係る面発光レーザ装置は、第１実施形態で説明した２つに分離された面発光レーザアレイの上部方向に、面発光レーザアレイと光学的に対応する１つのマイクロレンズアレイを有する点で、第１実施形態に係る面発光レーザ装置と相違する。
【００７１】
なお、第２実施形態に係る面発光レーザ装置においては、上記相違点以外は第１実施形態に係る面発光レーザ装置と同様の構成を有する。このため、以下の説明では、第１実施形態と相違する点を中心に説明する。
【００７２】
面発光レーザ装置１００Ｂは、図６に示すように、溝部Ａにより２つに分離された面発光レーザアレイ１０３ａ、１０３ｂの上部方向に、面発光レーザアレイ１０３ａ、１０３ｂと光学的に対応する１つのマイクロレンズアレイ１０８を有する。
【００７３】
なお、その他の構成については、第１実施形態と同様であるため、説明を省略する。
【００７４】
（面発光レーザ装置の製造方法）
次に、第２実施形態に係る面発光レーザ装置の製造方法について説明する。
【００７５】
まず、第１実施形態と同様の方法により、積層体の形成からワイヤ１０５ａ、１０５ｂ、１０５ｃの形成までを行う。
【００７６】
続いて、面発光レーザ素子２００の位置と合うように、マイクロレンズアレイ１０８の位置を調整し、紫外線硬化樹脂を用いて取り付ける。
【００７７】
以上の方法により、図６及び図７に示す面発光レーザ装置１００Ｂを製造することができる。
【００７８】
（作用・効果）
次に、第２実施形態の面発光レーザ装置及び面発光レーザ装置の製造方法の作用・効果について説明する。
【００７９】
第２実施形態に係る面発光レーザ装置は、第１実施形態に係る面発光レーザ装置と同様の構成を含むことから、第１実施形態に係る面発光レーザ装置と同様の作用・効果を奏する。
【００８０】
また、第２実施形態に係る面発光レーザ装置によれば、複数の面発光レーザアレイを所望の位置に精度よく配置することができることから、面発光レーザアレイごとにマイクロレンズアレイを設ける必要がない。すなわち、１つのマイクロレンズアレイで複数の面発光レーザアレイのアライメント（位置合わせ）が可能である。このため、マイクロレンズアレイの位置合わせ作業を行う回数を低減することができる。結果として、製造工程の簡略化、製造コストの低減等を図ることができる。
【００８１】
以上に説明したように、第２実施形態に係る面発光レーザ装置及び面発光レーザ装置の製造方法によれば、より簡便に低電流駆動が可能な面発光レーザ装置を提供することができる。
【００８２】
以上、面発光レーザ装置及び面発光レーザ装置の製造方法を実施形態により説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲内で種々の変形及び改良が可能である。
【符号の説明】
【００８３】
１００、１００Ａ、１００Ｂ  面発光レーザ装置
１０１  放熱板
１０２  金属膜パターン
１０３  面発光レーザアレイ
１０４  接合剤
１０５ａ、１０５ｂ、１０５ｃ  ワイヤ
１０８  マイクロレンズアレイ
Ａ      溝部
【先行技術文献】
【特許文献】
【００８４】
【特許文献１】特開２０１２−０２８４１２号公報
【図１】
2016025171.tif 000003
【図２】
2016025171.tif 000004
【図３】
2016025171.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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