(57)【要約】【課題】有機基板用サポート部材に関して、有機基板の良好な搬送性及び有機基板からの十分な剥離性を確保しながら、有機基板とサポート部材との界面の発泡及び剥離を低減すること。【解決手段】有機基板１２を備える電子装置の製造において有機基板１２に一時的に貼り付けられるための有機基板用サポート部材１０が開示される。サポート部材１０は、樹脂フィルム基材２と、樹脂フィルム基材２の一方の面側に設けられ熱硬化性樹脂を含有する樹脂層４とを有する。樹脂層４が、基板用ソルダーレジストインキであるＡＵＳ（登録商標）３０８から形成されたレジスト層に貼り付けられた状態で、１３０℃で３０分及び１７０℃で６０分の順で加熱する加熱条件によって加熱処理されたときに、加熱処理された後の樹脂層４のレジスト層に対する９０°剥離強度が、２５℃において２００Ｎ／ｍ以下で、１７５℃において２Ｎ／ｍ以上である。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機基板を備える電子装置の製造において前記有機基板に一時的に貼り付けられるための有機基板用サポート部材であって、
当該サポート部材が、樹脂フィルム基材と、該樹脂フィルム基材の一方の面側に設けられ熱硬化性樹脂を含有する樹脂層とを有し、
前記樹脂層が、基板用ソルダーレジストインキであるＡＵＳ（登録商標）３０８から形成されたレジスト層に貼り付けられた状態で、１３０℃で３０分及び１７０℃で６０分の順で加熱する加熱条件によって加熱処理されたときに、加熱処理された後の前記樹脂層の前記レジスト層に対する９０°剥離強度が、２５℃において２００Ｎ／ｍ以下で、１７５℃において２Ｎ／ｍ以上である、サポート部材。
【請求項２】
前記加熱条件によって前記樹脂層が加熱処理されたときに、加熱処理された後の前記樹脂層の１７５℃における貯蔵弾性率が、６ＭＰａ以上である、請求項１に記載のサポート部材。
【請求項３】
前記樹脂層が、
（Ａ）前記樹脂層の前記樹脂フィルム基材とは反対側の面を主面として有する離型層と、
（Ｂ）前記離型層と前記樹脂フィルム基材との間に設けられた高弾性率化層と
を含み、
前記高弾性率化層が、前記高弾性率化層及び前記離型層が前記加熱条件によって加熱処理されたときに、加熱処理された後の前記高弾性率化層の１７５℃における貯蔵弾性率が加熱処理された後の前記離型層の１７５℃における貯蔵弾性率よりも高い、層である、請求項１又は２に記載のサポート部材。
【請求項４】
前記離型層が、
（ａ１）２０００００〜１１０００００の重量平均分子量と、−５０℃〜５０℃のガラス転移温度とを有し、架橋性官能基を有する高分子量成分と、
（ａ２）離型剤と
を含有する、請求項３に記載のサポート部材。
【請求項５】
前記高弾性率化層が、
（ｂ１）２０００００〜１１０００００の重量平均分子量と、−５０℃〜５０℃のガラス転移温度とを有し、架橋性官能基を有する高分子量成分と、
（ｂ２）前記熱硬化性樹脂と、
（ｂ３）無機フィラーと
を含有する、請求項３又は４に記載のサポート部材。
【請求項６】
前記離型層及び前記高弾性率化層の８０℃におけるずり粘度が、２００００Ｐａ・ｓ以下である、請求項３〜５のいずれか一項に記載のサポート部材。
【請求項７】
前記樹脂フィルム基材の１７５℃における貯蔵弾性率が５００ＭＰａ以上である、請求項１〜６のいずれか一項に記載のサポート部材。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機基板用サポート部材に関する。より詳細には、本発明は、例えば、有機基板の裏面に貼り付けることで有機基板裏面を保護する、又は有機基板裏面に貼り付けることで薄厚の有機基板の搬送性を向上させることを可能にする有機基板用サポート部材に関する。
【背景技術】
【０００２】
スマートフォン、タブレットＰＣ等の電子機器の多機能化に伴い、半導体素子を多段に積層し、高容量化したスタックドＭＣＰ（Ｍｕｌｔｉ  Ｃｈｉｐ  Ｐａｃｋａｇｅ）が普及している。このような半導体素子の多段積層に伴い、半導体装置の厚みは厚くなる傾向にあるが、電子機器は更なる小型化が求められており、半導体装置の厚みはむしろ更なる薄厚化が必要不可欠となっている。
【０００３】
このような半導体素子の多段積層と、半導体装置の薄厚化を両立するため、半導体素子の薄厚化、半導体素子の実装に使用するペースト状又はフィルム状接着剤の薄厚化、半導体素子を実装する有機基板の薄厚化などが検討されてきている。
【０００４】
近年では、半導体素子の厚みは３０μｍ程度まで、半導体素子の実装に使用するペースト状又はフィルム状接着剤の厚みは５μｍ程度まで薄厚化している。一方、基板は薄くとも１００μｍ程度であり、半導体装置全体における基板の厚みが占める割合が大きくなっており、有機基板の薄厚化が重要な課題となっている。例えば、従来はコア材を用いて配線が形成されていたが、コアを有しない薄厚の有機基板が開発され、これらへの半導体素子の搭載が検討されてきている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００４−２６６１３８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
コアを有しない薄厚の有機基板は、厚みが７０μｍ未満と薄く、曲がり易いため、搬送が悪く、単独での使用は困難という課題がある。このため、コアを有しない薄厚の有機基板を用いた半導体パッケージの開発には、搬送性の改善が必要不可欠となっている。搬送性の改善策の１つとして、本発明者は、薄厚の有機基板の裏面に剥離可能な接着フィルムをサポート部材として貼り付け、その状態で半導体素子の搭載等の工程を経た後、最終的に接着フィルムを剥離除去する方法を検討した。この方法によれば、有機基板に適度な剛性が付与されて、より良好な搬送性が得られるため、薄厚の有機基板を用いた半導体装置等の電子装置の製造が容易になるものと期待できる。
【０００７】
ところが、有機基板の裏面に接着フィルムをサポート部材として貼り付けた状態で、封止層の形成等の高温高圧の工程を経たときに、接着フィルムと有機基板との間に発砲が生じたり、接着フィルムと有機基板との間の接着力が封止層形成時の高い圧力に耐えられず、有機基板から接着フィルムが剥離する場合もあった。発泡及び接着フィルムの剥離は、接着フィルムの有機基板に対する密着性を高めることで防ぐことができるものの、その場合、最終的に接着フィルムを有機基板から剥離する際の剥離性が低下して、接着フィルムが破断したり、有機基板裏面に樹脂が残留するといったことが起こり易くなる。
【０００８】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、有機基板を備える電子装置の製造において有機基板に一時的に貼り付けられるための有機基板用サポート部材に関して、有機基板の良好な搬送性及び有機基板からの十分な剥離性を確保しながら、有機基板とサポート部材との界面の発泡及び剥離を低減することを主な目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明者等は、上記課題の解決のため、サポート部材の層構成、各層が満たすべき物性の調整、使用する樹脂の選定に鋭意研究を重ねた。そして、本発明者等は、特定の剥離性を有する樹脂層を備えた有機基板用サポート部材を見出すに至った。
【００１０】
本発明の一側面は、有機基板を備える電子装置の製造において有機基板に一時的に貼り付けられるための有機基板用サポート部材に関する。当該サポート部材は、樹脂フィルム基材と、樹脂フィルム基材の一方の面側に設けられ熱硬化性樹脂を含有する樹脂層とを有する。樹脂層が、基板用ソルダーレジストインキであるＡＵＳ（登録商標）３０８から形成されたレジスト層に貼り付けられた状態で、１３０℃で３０分及び１７０℃で６０分の順で加熱する加熱条件によって加熱処理されたときに、加熱処理された後の樹脂層のレジスト層に対する９０°剥離強度は、２５℃において２００Ｎ／ｍ以下で、１７５℃において２Ｎ／ｍ以上であってもよい。
【００１１】
上記サポート部材によれば、有機基板の良好な搬送性及び有機基板からの十分な剥離性を確保しながら、さらに有機基板とサポート部材との界面の発泡及び剥離を低減することができる。ＡＵＳ（登録商標）３０８は、有機基板のソルダーレジストを形成するために当業者に広く用いられているインキである。これから形成されたレジスト層に対する剥離強度を、一般の有機基板に対する剥離強度を代表する値とみなし、これを指標として加熱処理後の樹脂層の剥離性が特定される。
【００１２】
上記加熱条件によって樹脂層が加熱処理されたときに、加熱処理された後の樹脂層の１７５℃における貯蔵弾性率が６ＭＰａ以上であってもよい。これにより、より良好な搬送性が得られるとともに、高温高圧下での樹脂層の変形を抑制する点でもさらに優れた効果が得られる。
【００１３】
樹脂層は、（Ａ）樹脂層の樹脂フィルム基材とは反対側の面を主面として有する離型層と、（Ｂ）離型層と樹脂フィルム基材との間に設けられた高弾性率化層とを含んでいてもよい。ここで、高弾性率化層は、高弾性率化層及び離型層が上記加熱条件によって加熱処理されたときに、加熱処理された後の高弾性率化層の１７５℃における貯蔵弾性率が加熱処理された後の離型層の１７５℃における貯蔵弾性率よりも高い、層である。樹脂層が離型層及び高弾性率化層の２層を有することにより、加熱処理前の適度な密着性及び加熱処理後の剥離性を離型層によって樹脂層に付与しながら、高温高圧下での樹脂層からの樹脂のはみ出しを容易に抑制することができる。
【００１４】
離型層は、（ａ１）２０００００〜１１０００００の重量平均分子量と、−５０℃〜５０℃のガラス転移温度とを有し、架橋性官能基を有する高分子量成分と、（ａ２）離型剤とを含有していてもよい。これにより、加熱処理前の離型層の適度な密着性と、加熱処理後の有機基板からの剥離性をより容易に得ることができる。
【００１５】
高弾性率化層は、（ｂ１）２０００００〜１１０００００の重量平均分子量と、−５０℃〜５０℃のガラス転移温度とを有し、架橋性官能基を有する高分子量成分と、（ｂ２）上記熱硬化性樹脂と、（ｂ３）無機フィラーとを含有していてもよい。これにより、離型層よりも高い貯蔵弾性率を高弾性率化層に特に容易に付与することができる。また、有機基板の搬送性をより容易に向上させることもできる。
【００１６】
離型層及び高弾性率化層の８０℃におけるずり粘度は、２００００Ｐａ・ｓ以下であってもよい。これにより、有機基板表面の凹凸への埋込性、及び有機基板への密着性をより向上させることができる。
【００１７】
樹脂フィルム基材の１７５℃における貯蔵弾性率は５００ＭＰａ以上であってもよい。これにより、高温高圧下でもサポート部材がより変形し難くなり、有機基板の搬送性をより向上させることができる。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、有機基板を備える電子装置の製造において有機基板に一時的に貼り付けられるための有機基板用サポート部材に関して、有機基板の良好な搬送性及び有機基板からの十分な剥離性を確保しながら、さらに有機基板とサポート部材との界面の発泡及び剥離を低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】サポート部材の一実施形態を示す断面図である。
【図２】サポート部材を使用した電子装置の製造方法の一実施形態を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。ただし、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。本明細書に記載される数値範囲の上限値及び下限値は、任意に組み合わせることができる。実施例に記載される数値も、数値範囲の上限値又は下限値として用いることができる。
【００２１】
図１は、サポート部材の一実施形態を示す断面図である。図１に示されるサポート部材１０は、樹脂フィルム基材２と、樹脂フィルム基材２の一方の面側に設けられた樹脂層４とを有する。樹脂層４は、熱硬化性樹脂を含有し、粘着性を有する層である。
【００２２】
有機基板用サポート部材１０は、有機基板を備える電子装置の製造において有機基板に一時的に貼り付けられるために用いられる。図２は、サポート部材を使用した電子装置の製造方法の一実施形態を示す断面図である。
【００２３】
図２の実施形態に係る方法は、サポート部材１０を、樹脂層４が有機基板１２側となる向きで有機基板１２の一方の面に貼り合わせる工程（ａ）と、有機基板１２のサポート部材１０とは反対側の面上に複数の電子部品１４を実装する工程（ｂ）と、有機基板１２上に実装された電子部品１４を封止する封止層１６を形成する工程（ｃ）と、サポート部材１０を有機基板１２から剥離する工程（ｄ）とを含む。
【００２４】
電子部品１４の実装と封止層１６の形成は、有機基板１２と、有機基板１２に貼り合せられたサポート部材１０とを有する積層体１００を搬送しながら、又は所定の位置まで搬送してから、行うことができる。サポート部材１０が貼り合せられることで、正確な位置及び形状を維持しながら有機基板１２を容易に搬送することができる。
【００２５】
有機基板１２は、電子部品を実装することのできるように構成されたプリント配線板のような基板であれば特に制限されないが、例えば、１層以上のビルドアップ層と、ビルドアップ層の内側に設けられたコア材とを有する多層プリント配線板であってもよいし、ビルドアップ層及び／又は再配線層のみを有し、コア材を有しないコアレスの配線板であってもよい。極薄の有機基板（特に、コアレスの配線板）は単独での取り扱いが困難な傾向があるため、これにサポート部材を貼り付けることは、十分な搬送性等を確保するために特に有用である。極薄の有機基板の厚みは、例えば８０μｍ未満又は７０μｍ未満である。有機基板の厚みの下限は、特に制限されないが、例えば４０μｍである。
【００２６】
サポート部材１０は、必要によりサポート部材１０を熱ラミネート等の方法で加熱しながら、有機基板１２に貼り合わされる。加熱温度は、例えば６０〜１４０℃である。
【００２７】
図２の（ｂ）に示されるように、有機基板１２のサポート部材１０とは反対側の面に複数の電子部品１４が実装される。電子部品１４は、例えば、半導体素子である。複数の電子部品１４は有機基板１２上に一度に実装されてもよいし、有機基板１２を搬送しながら順次実装されてもよい。有機基板１２上に実装される電子部品１４の数は１個であってもよい。
【００２８】
図２の（ｃ）に示されるように、封止層１６は、有機基板１２のサポート部材１０とは反対側の面上で、電子部品１４を被覆するように形成される。封止層１６は、当業者に通常用いられる各種の封止樹脂材料を用いて、加熱及び加圧をともなうモールド成形等の方法により形成することができる。封止層１６を形成する際、積層体１００（及び封止樹脂材料）は、例えば、１６０〜１９０℃、１〜４分、４〜１０ＭＰａの条件で加熱及び加圧される。例えばモールド成形の場合、モールド用の金型のクランプ荷重によって圧力が印加される。
【００２９】
封止層１６の形成の後、図２の（ｄ）に示されるように、有機基板１２からサポート部材１０を剥離することにより、有機基板１２と、有機基板１２上に設けられた電子部品１４と、電子部品１４を封止する封止層１６とを備える電子装置２０が得られる。
【００３０】
封止層１６を形成する工程では、サポート部材１０が高温及び高圧にさらされるため、高温高圧下でもサポート部材１０が実質的に変形しないこと、及び、樹脂層４と有機基板１２との界面において剥離及び発泡が生じないことが望ましい。さらに、サポート部材１０が最終的に有機基板から容易に剥離されることも求められる。
【００３１】
これらの要求を満たすため、樹脂層４として、加熱処理された後に特定の剥離性を有するものが用いられる。その上で、有機基板１２に貼り付けられたサポート部材１０を加熱処理することにより、サポート部材の良好な剥離性を維持しながら、樹脂層４と有機基板１２との界面における剥離及び発泡を抑制することができる。本実施形態の場合、サポート部材１０を加熱処理する工程を、サポート部材１０を有機基板１２に貼り合わせる工程と封止層１６を形成する工程との間に設けてもよいし、封止層１６を形成する工程における加熱によって、サポート部材１０を加熱処理してもよい。封止層１６を形成する工程とは別の加熱により、サポート部材１０を加熱処理する場合、その条件は、例えば、１３０〜１４０℃で３０〜４０分及び１６５〜１７５℃で５０〜７０分である。
【００３２】
具体的には、樹脂層４が基板用ソルダーレジストインキであるＡＵＳ（登録商標）３０８から形成されたレジスト層に貼り付けられた状態で、１３０℃で３０分及び１７０℃で６０分の順で加熱する加熱条件によって加熱処理されたときに、加熱処理された後の樹脂層４のレジスト層に対する９０°剥離強度が、２５℃において２００Ｎ／ｍ以下で、１７５℃において２Ｎ／ｍ以上であってもよい。１７５℃における９０°剥離強度が２Ｎ／ｍ以上であることで、封止層の形成等の高温高圧の工程における樹脂層４の有機基板１２からの剥離等を抑制することができる。また、２５℃における９０°剥離強度が２００Ｎ／ｍ以下であることで、加熱処理後の樹脂層４の有機基板からの良好な剥離性を得ることができる。同様の観点から、加熱処理された後の樹脂層４のレジスト層に対する９０°剥離強度は、２５℃において１５０Ｎ／ｍ以下、又は５０Ｎ／ｍ以下であってもよい。２５℃における９０°剥離強度の下限は、特に制限されないが、例えば１０Ｎ／ｍであってもよい。１７５℃における９０℃剥離強度の上限は、特に制限されないが、例えば４０Ｎ／ｍであってもよい。
【００３３】
上記と同様の加熱条件によって加熱処理された後の樹脂層４の１７５℃における貯蔵弾性率は、６ＭＰａ以上であってもよい。加熱処理された後の樹脂層の１７５℃における貯蔵弾性率が６ＭＰａ以上であることで、高温高圧下における、サポート部材の端部からの樹脂のはみ出しを効果的に抑制することができる。上記貯蔵弾性率の上限は、特に制限されないが、例えば２０ＭＰａである。
【００３４】
樹脂層４の厚みは、例えば１０〜８０μｍ又は２０〜６０μｍであってもよい。
【００３５】
以上のような特性を有するサポート部材１０及び樹脂層４の形態の一例に関して、以下に説明する。
【００３６】
本実施形態に係るサポート部材１０の樹脂層４は、樹脂フィルム基材２とは反対側の面を主面として有する離型層６と、離型層６と樹脂フィルム基材２との間に設けられ離型層６よりも高い貯蔵弾性率を有する高弾性率化層８とを含む。
【００３７】
離型層６は、加熱処理後に有機基板１２からの適度な剥離性を発現する層である。高弾性率化層８は、高弾性率化層８及び離型層６が、１３０℃で３０分及び１７０℃で６０分の順で加熱する加熱条件によって加熱処理されたときに、加熱処理された後の高弾性率化層８の１７５℃における貯蔵弾性率が加熱処理された後の離型層６の１７５℃における貯蔵弾性率よりも高い、層である。
【００３８】
離型層６は、加熱処理前は有機基板に対する適度な密着性を有しながら、加熱処理後に適度な剥離性を有するように構成される。有機基板１２の表面には凹凸が形成されていることが多いが、離型層６が適度な密着性を有することで、有機基板１２に貼り合せる際に凹凸を十分に埋め込むことができる。有機基板表面の凹凸の埋め込みが不十分であると、続く工程中の熱履歴などで発泡が生じ、半導体素子を正確に搭載できないなどの問題が発生し得る。
【００３９】
離型層６に適度な密着性を付与することにより、有機基板表面の凹凸を良好に埋め込むことが可能になるが、この場合、高圧下で樹脂層４が変形して、サポート部材１０の端部からの樹脂のはみ出しが発生し易くなる可能性がある。本実施形態の場合、離型層６の内側に高弾性率化層８が設けられていることから、離型層６がある程度の流動性を有していても、高温高圧下での樹脂のはみ出しが効果的に抑制され得る。
【００４０】
樹脂層４の有機基板１２への密着性及び有機基板１２表面の凹凸への埋込性は、例えば、加熱処理前の離型層６のずり粘度を管理することで達成できる。係る観点から、加熱処理される前の離型層６の８０℃におけるずり粘度は、２００００Ｐａ・ｓ以下、１８０００Ｐａ・ｓ以下又は１６０００Ｐａ・ｓ以下であってもよい。ずり粘度の下限は、特に制限されないが、例えば２０００Ｐａ・ｓであってもよい。このような低粘度化は、例えば、離型剤、熱硬化性樹脂、硬化剤などの流動成分の量を調整することで達成できる。
【００４１】
高温高圧下での樹脂層４の変形をより効果的に防止するために、離型層６の厚みを薄くすることができる。その場合には、離型層６のずり粘度のみならず、高弾性率化層のずり粘度を、上記数値範囲内に設定してもよい。
【００４２】
上記ずり粘度は、離型層又は高弾性率化層から形成されたフィルム状の試験片に関して、粘弾性測定装置を用いて、５％の歪みを与えながら、１０℃／分の昇温速度でずり粘度を測定したときの、８０℃における測定値を意味する。粘弾性測定装置として、例えばＡＲＥＳ（レオメトリック・サイエンティフィック社製）が用いられる。
【００４３】
加熱処理された後の高弾性率化層８の１７５℃における貯蔵弾性率は、７ＭＰａ以上、又は８ＭＰａ以上であってもよい。これにより、高温高圧下で樹脂層４が変形し難くなり、樹脂のはみ出しを特に効果的に抑制することができる。また、サポート部材１０全体の剛性が高まるため、高弾性率化層８の貯蔵弾性率が高いことは、搬送性の点でも有利である。
【００４４】
樹脂層４を高弾性率化すると、高温高圧下での変形が減少すると期待されるが、この場合、樹脂層４の密着性及び流動性が低下する傾向がある。しかし、樹脂層４に加えて樹脂フィルム基材２を設けることにより、樹脂層４の適度な密着性及び流動性を確保しながら、高温高圧条件に対する高い耐性を、容易にサポート部材１０に付与することができる。複数の層から構成される積層体の複合貯蔵弾性率は、各層の厚みと貯蔵弾性率の積の合計であることから、樹脂層４だけではなく樹脂フィルム基材２を設けることで、サポート部材１０全体の複合貯蔵弾性率を高く設計することができる。これにより、高温高圧下での変形を効果的に抑制できるとともに、良好な搬送性が得られ易くなる。さらに、樹脂フィルム基材を設けた結果として、離型層及び高弾性率化層を高弾性化する必要性が相対的に低下するため、これらの層における材料設計の尤度を広げることができる。
【００４５】
上記の観点から、樹脂フィルム基材２の１７５℃における貯蔵弾性率は、５００ＭＰａ以上、６００ＭＰａ以上又は６５０ＭＰａ以上であってもよい。また、樹脂フィルム基材２の１７５℃における貯蔵弾性率は、１００００ＭＰａ以下、９０００ＭＰａ以下又は８０００ＭＰａ以下であってもよい。樹脂フィルム基材２としては、１７５℃における貯蔵弾性率が加熱処理前後で実質的に変動しない、熱可塑性樹脂フィルムを選択することができる。樹脂フィルム基材として用いられる熱可塑性樹脂フィルムとしては、例えば、ポリイミドフィルム及びポリエチレンナフタレートフィルム（ＰＥＮフィルム）が挙げられる。
【００４６】
高温高圧下での樹脂はみ出しを抑制する観点から、離型層６の厚みは高弾性率化層８の厚みよりも小さくてもよい。具体的には、離型層６の厚みは、０．５〜５０μｍ、３〜４０μｍ、又は５〜３０μｍであってもよい。比較的低い弾性率を有する離型層６を薄くすることにより、高温高圧下でのサポート部材端部からの樹脂はみ出しを、特に効果的に抑制することができる。
【００４７】
高弾性率化層８の厚みは、高温高圧下での樹脂はみ出しを抑制し、搬送性を維持する観点から、５〜２００μｍ、５〜１５０μｍ、又は１０〜１００μｍであってもよい。
【００４８】
樹脂フィルム基材の厚みは、１２．５〜２００μｍとすることができる。高圧下でのサポート部材の変形を抑制し、有機基板の搬送性を特に顕著に高めるために、樹脂フィルム基材の厚みは、１７．５〜１５０μｍ、又は２０〜１００μｍであってもよい。
【００４９】
以下、上述のような特性を有する各層を形成するために用いられ得る材料等について説明する。
（Ａ）離型層
離型層は、（ａ１）架橋性官能基を有する重合体である高分子量成分と、（ａ２）離型剤とを含有していてもよい。高分子量成分と離型剤との組み合わせにより、上述のような、加熱処理前の密着性（ずり粘度）、及び加熱処理後の剥離性を有する離型層を容易に形成することができる。
【００５０】
離型層に、加熱処理前の適度な流動性及び加熱処理後の適度な剥離性を付与するために、高分子量成分の重量平均分子量は、２０００００〜１１０００００、４０００００〜１００００００、又は６０００００〜９５００００であってもよい。同様の観点から、高分子量成分のガラス転移温度（Ｔｇ）は、−５０℃〜５０℃、−４５〜３０℃、又は−４０〜１０℃であってもよい。これら範囲内の重量平均分子量及び／又はＴｇを有する高分子量成分を用いることにより、過度に柔らかくなった離型層が伸びて、樹脂層の有機基板からの剥離が困難になることを、特に効果的に抑制することができる。また、凹凸を含む有機基板表面に対する密着性及び埋込性の点でも、特に優れた効果が得られ易い。
【００５１】
本明細書において、ガラス転移温度は、熱示差走査熱量測定（ＤＳＣ）により測定される値をいう。Ｔｇを測定する際の昇温速度は１０℃／分に設定される。ＤＳＣ測定装置として、例えば、（株）リガク製「Ｔｈｅｒｍｏ  Ｐｌｕｓ  ２」が用いられる。
【００５２】
本明細書において、重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー法（ＧＰＣ）で測定される、標準ポリスチレンによる検量線を用いたポリスチレン換算値である。
【００５３】
離型層中の高分子量成分が有する架橋性官能基は、架橋性官能基同士の反応、及び／又は、架橋性官能基と後述の熱硬化性樹脂又は硬化剤との反応により、架橋構造を形成し得る官能基である。加熱処理にともなう架橋性官能基の反応によって、離型層の密着性、及び剥離性が変化する。高分子量成分は、架橋性官能基を有するモノマー単位を、高分子量成分の質量を基準として１〜１０質量％含んでいてもよい。架橋性官能基を有するモノマー単位の比率が１質量％以上の場合、良好なバルク強度を有する離型層が形成され易く、剥離時に離型層が伸びることで剥離が困難になることを抑制できる。この比率が１０質量％以下であることで、加熱処理によって架橋反応が進行したときに適度な剥離強度が得られ易い。同様の観点から、架橋性官能基を有するモノマー単位の比率は、高分子量成分の質量を基準として２〜９質量％であってもよい。
【００５４】
離型層中の高分子量成分は、例えば、ポリイミド樹脂、（メタ）アクリル樹脂及びウレタン樹脂からなる群より選ばれる少なくとも１種の重合体を含む。これらの中でも、（メタ）アクリル樹脂を特に選択することもできる。本明細書において、（メタ）アクリル樹脂は、（メタ）アクリル酸エステルを主なモノマー単位として含む共重合体を意味する。本明細書における「（メタ）アクリル」とは、「アクリル」又はそれに対応する「メタクリル」を意味する。
【００５５】
離型層中の高分子量成分が有する架橋性官能基は、例えば、エポキシ基、アルコール性又はフェノール性水酸基、及びカルボキシ基からなる群より選ばれる少なくとも１種の官能基であり得る。
【００５６】
例えば、架橋性官能基を有する（メタ）アクリル樹脂は、エポキシ基を有する（メタ）アクリル酸グリシジル、及びカルボキシ基を有する（メタ）アクリル酸等の官能性モノマーに由来するモノマー単位を含む。架橋性官能基を有する（メタ）アクリル樹脂は、例えば、エポキシ基を有する（メタ）アクリル酸エステル共重合体、エポキシ基を有する（メタ）アクリルゴム、カルボキシ基を有する（メタ）アクリル酸エステル共重合体、カルボキシ基を有する（メタ）アクリルゴムからなる群より選ばれる少なくとも１種であり得る。これらの中でも、エポキシ基又はカルボキシ基を有する（メタ）アクリルゴムを選択してもよい。
【００５７】
離型層における高分子量成分の含有量は、離型層の質量に対して、３０〜８５質量％、４０〜８０質量％又は４５〜７５質量％であってもよい。これにより、上述のような、加熱処理前の密着性（ずり粘度）、及び加熱処理後の剥離性を有する離型層を、さらに容易に形成することができる。
【００５８】
離型剤により、加熱処理後の離型層の剥離性を制御することができる。上述のようなレジスト層に対する所定の９０°剥離強度を有する離型層（樹脂層）を形成するために、離型剤の含有量が、高分子量成分１００質量部に対して、２５〜１００質量部であってもよい。離型剤の含有量が２５質量部未満の場合には、加熱処理後の樹脂層のレジスト層に対する２５℃での９０°剥離強度が、２００Ｎ／ｍを超え易い傾向がある。離型剤の含有量が１００質量部を超える場合には、加熱処理後の樹脂層のレジスト層に対する１７５℃での９０°剥離強度が、２Ｎ／ｍ未満となり易い傾向がある。同様の観点から、離型剤の含有量が、高分子量成分１００質量部に対して、２５〜９０質量部又は２５〜８０質量部であってもよい。
【００５９】
電子装置の製造工程は、封止層の形成等のために、１７５℃程度での加熱を含むことが一般的である。１７５℃での熱履歴に対する耐熱性を実現する観点から、離型剤の５％重量減少温度は１７５℃以上であってもよい。
【００６０】
離型剤は、例えば、シリコーン化合物、フッ素含有化合物、及び高級脂肪酸から選ばれす少なくとも１種を含んでいてもよい。安価で良好な剥離性が得られ、種類が豊富であるという観点から、シリコーン化合物を用いることができる。剥離後の残渣の発生を抑制するという観点から、フェニル基を有するシリコーン化合物、架橋性官能基を有するシリコーン化合物、及び、ヒドロキシ基と相互作用し得る官能基を有するシリコーン化合物から１種以上の離型剤を選択することができる。フェニル基又は架橋性官能基を有するシリコーン化合物は、高分子量成分等の他の成分との良好な相溶性を有する。シリコーン化合物が有する架橋性官能基としては、例えば、エポキシ基、カルボキシ基及びヒドロキシ基が挙げられる。ヒドロキシ基と相互作用し得る官能基としては、例えば、ヒドロキシ基、アミノ基、ポリエーテル基及びウレタン基が挙げられる。ヒドロキシ基は、例えば、後述の熱硬化性樹脂として用いられるエポキシ樹脂の反応により形成される。
【００６１】
離型剤として用いることができるシリコーン化合物の市販品としては、東レ・ダウコーニング株式会社製のＳＨ３７７３Ｍ及びＳＨ５５０、信越化学株式会社製のＫＦ１０５及びＸ−２２−４７４１、日立化成ポリマ株式会社製のＴＡシリーズ等が挙げられる。
【００６２】
離型層は、必要に応じて（ａ３）熱硬化性樹脂を更に含有していてもよい。離型層が熱硬化性樹脂を含有することで、離型層の加熱処理前のずり粘度をより低く設計し、有機基板表面の凹凸の埋込性を向上させることができる。また、熱硬化性樹脂は、接着性に寄与する成分であるため、有機基板に対する密着性を制御する目的でも有効である。
【００６３】
本明細書において、熱硬化性樹脂は、加熱によって、自己重合、及び／又は硬化剤との反応により架橋構造を形成する架橋性官能基を２個以上有する低分子化合物を意味し、その分子量は、通常８０００以下である。高弾性率化層も熱硬化性樹脂を含有し得るが、離型層は、高弾性率化層と同じ又は異なる熱硬化性樹脂を含有することができる。
【００６４】
１７５℃での耐熱性を実現する観点から、熱硬化性樹脂の５％重量減少温度は１７５℃以上であってもよい。
【００６５】
離型層中の熱硬化性樹脂は、例えば、エポキシ樹脂又は（メタ）アクリルモノマーのうち少なくとも一方を含んでいてもよい。
【００６６】
エポキシ樹脂は、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（例えば、ＤＩＣ株式会社製のＥＸＡ８３０−ＣＲＰ）及びビスフェノールＥ型エポキシ樹脂等の二官能エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂及びクレゾールノボラック型エポキシ樹脂（例えば、新日鉄住金化学株式会社製のＹＤＣＮ−７００−１０）等のノボラック型エポキシ樹脂から選ばれる少なくとも１種であってもよい。これらは、良好な耐熱性を有する。
【００６７】
（メタ）アクリルモノマーは、例えば、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート（例えば、新中村化学工業株式会社製のＡ−ＤＰＨ）等の多官能脂肪族（メタ）アクリレート、及びウレタンアクリレート（例えば、新中村化学工業株式会社製のＵＡシリーズ）から少なくとも１種の化合物を選ぶことができる。
【００６８】
離型層は、熱硬化性樹脂の硬化剤を更に含んでいてもよい。硬化剤は、熱硬化性樹脂と反応して、熱硬化性樹脂とともに架橋構造を形成する化合物である。例えば、エポキシ樹脂と、その硬化剤としてのフェノール樹脂とを組み合わせることができる。フェノール樹脂の市販品としては、三井化学株式会社製のミレックスＸＬＣシリーズ及びＸＬシリーズ（例えば、ミレックスＸＬＣ−ＬＬ）、エア・ウォーター株式会社製のＨＥシリーズ（例えば、ＨＥ−２００Ｃ−１０）等が挙げられる。
【００６９】
離型層は、熱硬化性樹脂のスムーズな硬化を実現する観点から、熱硬化性樹脂の硬化反応の触媒として機能する硬化促進剤を含有していてもよい。エポキシ樹脂及びフェノール樹脂の硬化反応の場合、アミン化合物、イミダゾール化合物等の化合物を硬化促進剤として用いることができる。硬化促進剤の過度な添加は、サポート部材の保存安定性を損なわせる可能性があるため、硬化促進剤の含有量は、高分子量成分１００質量部に対して、０．０１〜３．０質量部であってもよい。
【００７０】
熱硬化性樹脂が（メタ）アクリルモノマーを含む場合、離型層は、有機過酸化物、有機アゾ化合物などのラジカル重合開始剤を更に含有していてもよい。ラジカル重合開始剤の含有量は、（メタ）アクリルモノマー１００質量部に対して、例えば５〜２０質量部であってもよい。
【００７１】
熱硬化性樹脂の含有量、又は熱硬化性樹脂と硬化剤との合計の含有量は、高分子量成分１００質量部に対して、３０質量部以下であってもよい。これら含有量が３０質量部以下であることで、加熱処理前の離型層の有機基板に対する密着性を適切な範囲に容易に制御することができる。
【００７２】
離型層は、無機フィラーを更に含有していてもよい。無機フィラーは、加熱処理後の離型層のＡＵＳ３０８から形成されたレジスト層に対する密着性の制御、及び、樹脂は見出しの抑制に寄与し得る。また、無機フィラーを用いて離型層を形成するための塗液の粘度を適度に制御することで、成膜を容易なものとすることができる。離型層における無機フィラーの含有量は、高分子量成分１００質量部に対して、１０質量部以下であってもよい。無機フィラーの含有量が１０質量部以下であることで、加熱処理前の離型層のずり粘度と、レジスト層に対する密着性を過度に上昇させることなく、離型層の良好な成膜性を得ることができる。
【００７３】
離型層中の無機フィラーは、例えば、シリカ、及びアルミナから選ばれる少なくとも１種の粒子であってもよい。無機フィラーの最大粒径は、離型層の膜厚以下であってもよい。無機フィラーから、離型層の膜厚を超える粒径の成分を予め除去してもよい。
【００７４】
（Ｂ）高弾性率化層
高弾性率化層は、（ｂ１）架橋性官能基を有する高分子量成分と、（ｂ２）熱硬化性樹脂と、（ｂ３）無機フィラーとを含有していてもよい。これらの組み合わせを含む高弾性率化層は、高分子量成分及び熱硬化性樹脂の架橋反応、及び無機フィラーの配合等に基づいて、加熱処理後に比較的高い貯蔵弾性率を有するものとなる。すなわち、加熱処理された後の高弾性率化層の１７５℃における貯蔵弾性率が、加熱処理された後の離型層の１７５℃における貯蔵弾性率よりも高くなるような、高弾性率化層を容易に形成することができる。高弾性率化層中の高分子量成分及び熱硬化性樹脂は、それぞれ、離型層中の高分子量成分及び熱硬化性樹脂と同じでも異なっていてもよい。
【００７５】
高弾性率化層中の高分子量成分の重量平均分子量は、２０００００〜１１０００００であってもよい。高分子量成分の重量平均分子量が２０００００以上であることで、熱処理後の樹脂層に十分なバルク強度を発現させ、高温高圧下での過度な樹脂変形とはみ出しを抑制できる。高分子量成分の重量平均分子量が１１０００００以下であることで、加熱処理される前の高弾性率化層の８０℃におけるずり粘度を、安定して２００００Ｐａ・ｓ以下とすることができる。同様の観点から、高分子量成分の重量平均分子量は、２０００００〜１００００００、２０００００〜９５００００、又は２０００００〜９０００００であってもよい。
【００７６】
高弾性率化層中の高分子量成分のガラス転移温度（Ｔｇ）は、−５０〜５０℃であってもよい。高分子量成分のＴｇが−５０℃以上であると、高弾性率化層が室温で過度に柔らかくなることを防止し、良好な取り扱い性が得られ易い。高分子量成分のＴｇが５０℃以下であると、加熱処理前の高弾性率化層の８０℃でのずり粘度を安定して２００００Ｐａ・ｓ以下とすることができる。同様の観点から、高分子量成分のＴｇは、−３０〜４０℃、又は−２０〜３０℃であってもよい。
【００７７】
高弾性率化層中の高分子量成分は、架橋性官能基を有するモノマー単位を含んでいてもよい。このモノマー単位の比率は、高分子量成分の質量を基準として１〜１０質量％であってもよい。架橋性官能基を有するモノマー単位の比率が１質量％以上の場合、良好なバルク強度を有する高弾性率化層が形成され易く、剥離時に高弾性率化層が伸びることで剥離が困難になることを抑制できる。この比率が１０質量％以下であることで、保存時の架橋反応による高弾性率化層のずり粘度の過度の上昇を抑制することができる。同様の観点から、架橋性官能基を有するモノマー単位の比率は、高分子量成分の質量を基準として２〜９質量％であってもよい。
【００７８】
高弾性率化層中の高分子量成分及びその架橋性官能基としては、例えば、離型層中の高分子量成分に関して挙げたものと同様に選択することができる。熱硬化性樹脂又はその硬化剤との迅速な反応性が得られるという観点からは、エポキシ基を有する（メタ）アクリルゴムを用いることができる。
【００７９】
高弾性率化層の熱硬化性樹脂としては、離型層中の熱硬化性樹脂に関して上述したものと同様の樹脂を選択することができる。
【００８０】
高弾性率化層に熱硬化性樹脂として含まれ得るエポキシ樹脂の具体例としては、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（例えば、ＤＩＣ株式会社製のＥＸＡ８３０−ＣＲＰ）及びビスフェノールＥ型エポキシ樹脂等の二官能エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂及びクレゾールノボラック型エポキシ樹脂（例えば、新日鉄住金化学株式会社製のＹＤＣＮ−７００−１０）等のノボラック型エポキシ樹脂、並びに、ナフタレン骨格を有するエポキシ樹脂（例えば、日本化薬株式会社製のＮＣ−７０００Ｌ）が挙げられる。
【００８１】
高弾性率化層は、熱硬化性樹脂の硬化剤を更に含んでいてもよい。例えば、エポキシ樹脂と、その硬化剤としてのフェノール樹脂とを組み合わせることができる。フェノール樹脂の市販品としては、三井化学株式会社製のミレックスＸＬＣシリーズ及びＸＬシリーズ（例えば、ミレックスＸＬＣ−ＬＬ）、エア・ウォーター株式会社製のＨＥシリーズ（例えば、ＨＥ−２００Ｃ−１０）等が挙げられる。
【００８２】
熱硬化性樹脂（例えばエポキシ樹脂）及び／又は硬化剤（例えばフェノール樹脂）は、室温（２５℃）で液状、８５℃以下の軟化点又は融点を有する成分を含んでいてもよい。熱硬化性樹脂と硬化剤との合計の含有量１００質量部のうち、室温（２５℃）で液状、８５℃以下の軟化点又は融点を有する成分の比率は、５０質量部以上であってもよく、８５質量部以下であってもよい。これにより、加熱処理前の高弾性率化層の８０℃でのずり粘度を、容易に２００００Ｐａ・ｓ以下とすることができる。また、加熱処理後の高弾性率化層のバルク強度を向上し、高温高圧下での樹脂層の変形を特に顕著に抑制することができる。
【００８３】
高弾性率化層における、熱硬化性樹脂の含有量、又は熱硬化性樹脂と硬化剤との合計の含有量は、高分子量成分１００質量部に対して、５０〜３００質量部であってもよい。これにより、加熱処理前の高弾性率化層の８０℃でのずり粘度を、容易に２００００Ｐａ・ｓ以下とすることができる。また、加熱処理後の高弾性率化層のバルク強度を向上し、高温高圧下での樹脂層の変形を特に顕著に抑制することができる。熱硬化性樹脂の含有量、又は熱硬化性樹脂と硬化剤との合計の含有量が３００質量部以下であることで、高弾性率化層を形成するために用いられるワニスの過度な低粘度化を抑制し、良好な成膜性を得ることができる。さらに、高弾性率化層が室温で過度に柔らかくなることを防止し、良好な取り扱い性を得ることもできる。同様の観点から、熱硬化性樹脂の含有量、又は熱硬化性樹脂と硬化剤との合計の含有量は、８０〜２８０質量部又は１００〜２６０質量部であってもよい。
【００８４】
高弾性率化層は、熱硬化性樹脂のスムーズな硬化を実現する観点から、熱硬化性樹脂の硬化反応の触媒として機能する硬化促進剤を含有していてもよい。硬化促進剤の反応性が高すぎると、高弾性率化層を形成するための加熱乾燥において過度な硬化が進行して、加熱処理前のずり粘度の上昇が引き起こされる可能性がある。また、経時による劣化が顕著に引き起こされ易い傾向がある。硬化促進剤の反応性が低すぎると、加熱処理による高弾性率化層の硬化が遅延して硬化時間が長くなるだけでなく、加熱処理後の架橋の程度が不足して、高温高圧下での樹脂層の変形とはみ出しが発生し易くなる場合がある。これらの観点から、硬化促進剤としては、イミダゾール環を有するイミダゾール化合物を選択することができる。イミダゾール化合物としては、例えば、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール、２−フェニルイミダゾールが挙げられる。
【００８５】
硬化促進剤の過度な添加により、高弾性率化層を形成するための加熱乾燥において過度な硬化が進行して、加熱処理前のずり粘度の上昇が引き起こされる可能性がある。また、経時による劣化を顕著に引き起こされ易い傾向がある。このような観点から、高弾性率化層における硬化促進剤の含有量は、高分子量成分１００質量部に対して、０．０１〜２．０質量部、０．１〜１．５質量部又は０．２〜１．０質量部であってもよい。
【００８６】
高弾性率化層が無機フィラーを含有することにより、高弾性率化層を成膜するために用いられるワニスの粘度を適度に制御し、成膜を容易にすることができる。また、高温高圧下での樹脂のはみ出しをより抑制することができる。高弾性率化層における無機フィラーの含有量は、高分子量成分１００質量部に対して、４〜２５質量部であってもよい。無機フィラーの含有量が２５質量部以下であることで、加熱処理前の高弾性率化層の８０℃におけるずり粘度を容易に適度な範囲に抑制することができる。同様の観点から、無機フィラーの含有量は、高分子量成分１００質量部に対して、４〜２２質量部又は４〜１９質量部であってもよい。
【００８７】
無機フィラーは、例えば、酸化チタン、アルミナ及びシリカからなる群から選ばれる少なくとも１種の粒子を含む。粒径及び形状の選択幅が広いという観点から、アルミナ又はシリカを選択することができる。一般にシリカがより安価である。
【００８８】
無機フィラーの形状としては、真球状、不定形等が挙げられるが、特にこれらに制限されない。無機フィラーの粒径は、通常、高弾性率化層の膜厚よりも小さい。高弾性率化層の成膜性等を考慮すると、無機フィラーの粒径は、５μｍ以下であってもよい。無機フィラーの粒径の下限は、特に制限されないが、例えば０．０１μｍであってもよい。無機フィラーの粒径は、粒子の長軸径を意味する。
【００８９】
無機フィラーの市販品としては、アドマテックス株式会社製のＳＣ２０５０−ＨＬＧ、ＳＣ１０３０−ＨＬＧ及びＹＡ０５０Ｃ−ＨＨＧ、日本アエロジル株式会社製のＲ９７２等が挙げられる。中でも、粒径が小さく、より良好な成膜性が期待できる日本アエロジル株式会社製のＲ９７２を選択することができる。
【００９０】
サポート部材の製造方法
本実施形態に係るサポート部材は、例えば、離型層及び高弾性率化層をそれぞれ成膜することと、離型層、高弾性率化層、及び樹脂フィルム基材をこの順に積層することとを含む方法により製造することができる。
【００９１】
離型層及び高弾性率化層は、例えば、上述した各成分を含む組成物を有機溶媒中で混合及び混練して調製したワニスを成膜用フィルムに塗布し、塗布されたワニスから有機溶媒を除去する方法により形成することができる。成膜用フィルムは、通常、サポート部材を作製する際に除去される。
【００９２】
上記の混合及び混練は、通常の撹拌機、らいかい機、三本ロール、ボールミル又はこれら分散機の組み合わせにより、行うことができる。有機溶媒の除去は、有機溶媒が充分に揮散する条件であれば特に制限はないが、例えば、６０〜２００℃で、０．１〜９０分間の加熱により行うことができる。
【００９３】
ワニスを作製するための有機溶媒は、各成分を均一に溶解、混練又は分散できるものであれば制限はなく、通常のものを使用することができる。有機溶媒としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、Ｎメチルピロリドン、トルエン、及びキシレンが挙げられる。乾燥速度が速く、価格が安い点でメチルエチルケトン、及びシクロヘキサノンから有機溶媒を選択することができる。
【００９４】
成膜用フィルムとしては、特に制限はなく、例えば、ポリエステルフィルム、ポリプロピレンフィルム（ＯＰＰフィルム等）、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリイミドフィルム、ポリエーテルイミドフィルム、ポリエーテルナフタレートフィルム、メチルペンテンフィルムが挙げられる。
【００９５】
以上、本発明に係るサポート部材の好適な実施形態について説明したが、本発明は必ずしも上述した実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更を行ってもよい。
【実施例】
【００９６】
以下、実施例を挙げて本発明をより具体的に説明する。ただし、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
【００９７】
＜サポート部材の作製＞
（実施例１〜１６及び比較例１〜５）
表１〜３に示す品名及び組成比（単位：質量部）の各種原材料からなる組成物と、シクロヘキサノンとを、撹拌及び混合して、離型層形成用のワニス及び高弾性率化層形成用のワニスを得た。攪拌効率を上げるため、アクリルゴム以外の成分を先に攪拌及び混合した後、最後にアクリルゴムを加えて各成分が均一になるまで撹拌した。
【００９８】
次に、得られたそれぞれのワニスを１００メッシュのフィルターでろ過し、真空脱泡した。真空脱泡後のワニスを、成膜用フィルムとしての、離型処理を施した厚さ３８μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム上に塗布した。塗布したワニスを、９０℃で５分間、続いて１４０℃で５分間の２段階の加熱により乾燥した。こうして、ＰＥＴフィルム上にそれぞれ形成された、厚さ１０μｍの離型層、及び、厚さ４０μｍの高弾性率化層を得た。
【００９９】
次に、離型層及び高弾性率化層をそれぞれＰＥＴフィルムから剥離し、離型層と高弾性率化層とを８０℃で熱ラミネートすることで貼り合わせて、樹脂層を得た。次いで、樹脂層の高弾性率化層側の面に樹脂フィルム基材を８０℃で熱ラミネートにより貼り合せて、樹脂フィルム基材及び樹脂層を有するサポート部材を得た。各実施例のサポート部材は、適度な剛性を有しており、良好な搬送性を有するものであった。
【０１００】
表１〜３中の各材料の詳細を以下に示す。
【０１０１】
＜樹脂層＞
１．架橋性官能基を有する高分子量成分
・ＨＴＲ−８６０Ｐ−３ＣＳＰ（サンプル名、帝国化学産業株式会社製、エポキシ基を有するアクリルゴム、重量平均分子量：８０００００、グリシジル基を有するモノマー単位の比率：３質量％、Ｔｇ：−７℃）
・ＨＴＲ−８６０Ｐ−３０Ｂ−ＣＨＮ（サンプル名、帝国化学産業株式会社製、エポキシ基を有するアクリルゴム、重量平均分子量：２３００００、グリシジル基を有するモノマー単位の比率：８質量％、Ｔｇ：−７℃）
・ＨＴＲ−２８０（サンプル名、帝国化学産業株式会社製、カルボキシル基を有するアクリルゴム、重量平均分子量：９０００００、カルボキシル基を有するモノマー単位の比率：８質量％、Ｔｇ：−３７℃）
・ＨＴＲ試作品９１（サンプル名、帝国化学産業株式会社製、エポキシ基を有するアクリルゴム、重量平均分子量：８０００００、グリシジル基を有するモノマー単位の比率：８質量％、Ｔｇ：１８℃）
【０１０２】
２.離型剤
・ＴＡ３１−２０９Ｅ（商品名、日立化成株式会社製、シリコーン変性アミノアルキド系樹脂、５％重量減少温度：２３３℃）
・ＳＨ３７７３Ｍ（商品名、東レ・ダウコーニング株式会社製、ポリエーテル変性シリコーンオイル、５％重量減少温度：２１５℃）
・ＳＨ５５０（商品名、東レ・ダウコーニング株式会社製、フェニル変性シリコーンオイル、５％重量減少温度：３２９℃）
【０１０３】
３．熱硬化性樹脂
エポキシ樹脂
・ＥＸＡ８３０−ＣＲＰ（商品名、ＤＩＣ株式会社製、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、エポキシ当量：１５５−１６３、室温で液状、５％重量減少温度：２５４℃）。
・ＹＤＣＮ−７００−１０（商品名、新日鉄住金化学株式会社製、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、エポキシ当量：２１０、軟化点：８０℃、５％重量減少温度：３１０℃）
・ＮＣ−７０００Ｌ（商品名、日本化薬株式会社製、エポキシ当量：２３０、軟化点：８８℃、５％重量減少温度：３３０℃）
【０１０４】
（メタ）アクリルモノマー
・ＵＡ−１６０ＴＭ（商品名、新中村化学株式会社製、ウレタンアクリレート）
・ＵＡ−４２００（商品名、新中村化学株式会社製、ウレタンアクリレート）
【０１０５】
４．エポキシ樹脂の硬化剤
・ミレックスＸＬＣ−ＬＬ（商品名、三井化学株式会社製、フェノール樹脂、水酸基当量：１７５、軟化点：７７℃、５％重量減少温度：３８０℃以上）
【０１０６】
５．ラジカル重合開始剤
・パーブチルＤ（商品名、日油株式会社製、ジ−ｔ−ブチルペルオキシド）
【０１０７】
６．エポキシ樹脂の硬化促進剤
・キュアゾール２ＰＺ−ＣＮ（商品名、四国化成工業株式会社製、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール）
【０１０８】
７．無機フィラー
・Ｒ９７２（商品名、日本アエロジル株式会社製、表面処理：ジメチルシラン処理シリカ粒子、平均粒径：０．０１６μｍ）
【０１０９】
＜樹脂フィルム基材＞
ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）フィルム
・Ｑ８１−３８（商品名、帝人デュポンフィルム株式会社製、厚み：３８μｍ、１７５℃での貯蔵弾性率：７４０ＭＰａ）
・Ｑ８３−５０（商品名、帝人デュポンフィルム株式会社製、厚み：５０μｍ、１７５℃貯蔵弾性率：７３０ＭＰａ）。
・Ｑ６５−１２５（商品名、帝人株式会社製、厚み：１２５μｍ、１７５℃での貯蔵弾性率：７５０ＭＰａ）
【０１１０】
ポリイミドフィルム
・２５ＳＧＡ（商品名、宇部興産株式会社製、厚み：２５μｍ、１７５℃での貯蔵弾性率：７１００ＭＰａ）
【０１１１】
ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム
・Ｇ２−５０（商品名、帝人デュポンフィルム株式会社製、厚み：５０μｍ、１７５℃での貯蔵弾性率：４３０ＭＰａ）
【０１１２】
【表１】
2016216572.tif 000003
【０１１３】
【表２】
2016216572.tif 000004
【０１１４】
【表３】
2016216572.tif 000005
【０１１５】
＜各種物性の評価＞
離型層及び高弾性率化層のずり粘度、樹脂層の剥離強度、樹脂層及び高弾性率化層の貯蔵弾性率、基板表面の段差の埋込性、モールド時の樹脂はみ出しと樹脂フィルム基材厚み変化、プロセス中の発泡・剥離、テープ剥離性の評価を行った。各評価方法は下記の通りである。評価結果を表４〜６に示す。
【０１１６】
１.加熱処理前の離型層及び高弾性率化層のずり粘度
成膜用フィルムとしてのＰＥＴフィルム上に形成された離型層又は高弾性率化層をＰＥＴフィルムから剥離した。複数の離型層又は高弾性率化層を８０℃のロールラミネートにより積層して、厚み１６０μｍの離型層の積層体及び高弾性率化層の積層体を得た。これらを、厚み方向に１０ｍｍ角に打ち抜くことで、１０ｍｍ角、厚み１６０μｍの、四角形の主面を有する試験片を得た。動的粘弾性装置ＡＲＥＳ（レオメトリック・サイエンティフィック社製）に直径８ｍｍの円形アルミプレート治具を装着し、そこに離型層又は高弾性率化層の試験片をセットした。その後、５％の歪みを与え、３５℃から２０℃／分の昇温速度で１５０℃まで昇温させながらずり粘度を測定し、離型層又は高弾性率化層の８０℃でのずり粘度（Ｐａ・ｓ）を記録した。
【０１１７】
２.樹脂層の剥離強度
基板用ソルダーレジストインキであるＡＵＳ３０８（製品名、太陽インキ製造株式会社製）から形成されたレジスト層を全面に有する評価用基板（５０ｍｍ×１５０ｍｍ）を準備した。この評価用基板のレジスト層に対して、サポート部材を、樹脂層の離型層がレジスト層側になる向きで８０℃の熱ラミネートにより貼り付けた。次いで、貼り合せられた評価用基板及びサポート部材を、１３０℃のオーブンで３０分間、１７０℃で６０分間の順の加熱条件により加熱処理して、剥離強度測定用の試験体を得た。この試験体は、図２の（ｂ）に示されるサポート部材１０と有機基板１２（評価基板）との積層体１００に相当する構成を有する。ただし、試験体の評価用基板上には電子部品は設けられていない。試験体を１０ｍｍ幅に切り出し、２５℃又は１７５℃に設定した熱板に試験体を設置し、剥離試験機を用いて、５０ｍｍ／秒の剥離速度で、剥離角度９０°の剥離試験を実施した。そのときの剥離強度を２５℃又は１７５℃での剥離強度として記録した。
【０１１８】
３．貯蔵弾性率
樹脂層
厚さ１０μｍの離型層、及び、厚さ４０μｍの高弾性率化層からなる樹脂層を４ｍｍ幅、長さ３０ｍｍに切り出し、１３０℃のオーブンで３０分間、１７０℃で６０分間の順の加熱条件により加熱処理して、測定用の試験片を得た。得られた試験片を動的粘弾性装置（製品名：Ｒｈｅｏｇｅｌ−Ｅ４０００（株）ＵＭＢ製）にセットし、引張り荷重をかけて、周波数１０Ｈｚ、昇温速度３℃／分で貯蔵弾性率を測定し、１７５℃での測定値を記録した。
【０１１９】
高弾性率化層
高弾性率化層をＰＥＴフィルムから剥離した。剥離後の複数の高弾性率化層を８０℃のロールラミネートにより積層して、厚み１６０μｍの高弾性率化層の積層体を得た。得られた積層体に関して、樹脂層と同様の加熱処理と貯蔵弾性率の測定を行った。１７５℃での貯蔵弾性率の測定値を記録した。
【０１２０】
樹脂フィルム基材
樹脂フィルム基材から４ｍｍ幅、長さ３０ｍｍの試験片を切り出した。試験片を動的粘弾性装置（製品名：Ｒｈｅｏｇｅｌ−Ｅ４０００（株）ＵＭＢ製）にセットし、引張り荷重をかけて、周波数１０Ｈｚ、昇温速度３℃／分で貯蔵弾性率を測定し、１７５℃での測定値を記録した。
【０１２１】
４．基板表面の段差の埋込性
基板用ソルダーレジストインキであるＡＵＳ３０８（製品名、太陽インキ製造株式会社製）から形成されたレジスト層を全面に有し、レジスト層の表面に６μｍの段差が形成されている評価用基板（５０ｍｍ×１５０ｍｍ）を準備した。この評価用基板のレジスト層に対して、サポート部材を、樹脂層がレジスト層側になる向きで、８０℃の熱ラミネートにより貼り付けた。次いで、樹脂フィルム基材側から樹脂層（離型層）と評価用基板の界面部分を顕微鏡で観察し、ボイドの有無を確認した。段差の埋込性の評価基準は以下の通りである。
Ａ：１００μｍ以上のボイドが２０個以下である。
Ｂ：１００μｍ以上のボイドが２０個を超える。
【０１２２】
５．モールド時の樹脂はみ出しと樹脂フィルム基材の厚み変化
上記「２．樹脂層の剥離強度」と同様の、評価用基板及びサポート部材の積層体である試験体を準備した。モールド用封止材（日立化成（株）製、商品名「ＣＥＬ−９７５０ＺＨＦ１０）を用い、評価用基板のサポート部材とは反対側の面上に、１７５℃、６．７ＭＰａ、９０秒の条件のモールド成形によって封止層を形成させた。その後、評価用基板の端部からの樹脂のはみ出し量を確認した。樹脂のはみ出しの程度を、以下の基準で評価した。
Ａ：はみ出し量が２００μｍ以下である。
Ｂ：はみ出し量が２００μｍを超える。
また、封止後の試験体の断面を研磨して、樹脂フィルム基材の厚みを測定した。封止後の厚みを、原材料として用いた樹脂フィルム基材の厚みと比較して、樹脂フィルム基材厚み変化量を求めた。厚み変化に関する評価基準は以下の通りである。
Ａ：厚み変化量が１０％以下である。
Ｂ：厚み変化量が１０％を超える。
【０１２３】
６．プロセス中の発泡・剥離
上記「５．モールド時の樹脂はみ出しと樹脂フィルム基材厚み変化」と同様に、評価用基板上に封止層を形成させた。封止前後の試験体を樹脂フィルム基材側から観察し、発泡又は剥離が生じている部分の面積を確認した。発泡・剥離の評価基準は以下の通りである。
Ａ：発泡及び剥離の総面積が基板全体の３％以下である。
Ｂ：発泡及び剥離の総面積が基板全体の３％を超える。
【０１２４】
７．剥離性
上記「５．モールド時の樹脂はみ出しと樹脂フィルム基材厚み変化」と同様に、評価用基板の封止を行った。その後、評価用基板からサポート部材を２５℃で剥離した。剥離にともなうサポート部材の破れ、評価用基板上への樹脂残りの有無を目視にて確認した。テープ剥離性の評価基準は以下の通りである。
Ａ：サポート部材の破断が無く、基板上への樹脂残りが無い。
Ｂ：サポート部材の破断、又は、基板上への樹脂残りが見られる。
【０１２５】
【表４】
2016216572.tif 000006
【０１２６】
【表５】
2016216572.tif 000007
【０１２７】
【表６】
2016216572.tif 000008
【０１２８】
表４〜６に評価結果が示される。これら結果から明らかなように、樹脂層のレジスト層に対する剥離強度が、加熱処理後に、２５℃において２００Ｎ／ｍ以下、１７５℃において２Ｎ／ｍ以上という両方の要件を満たすことにより、有機基板からの十分な剥離性を確保しながら、電子装置の製造工程中の有機基板とサポート部材との界面の発泡及び剥離を低減することができる。
【０１２９】
また、加熱処理前の高弾性率化層の８０℃におけるずり粘度が２００００Ｐａ・ｓ以下である実施例１〜１４のサポート部材は、段差の埋込性の点でも特に優れていた。加熱処理後の樹脂層の１７５℃における貯蔵弾性率が６ＭＰａ以上で、加熱処理後の高弾性率化層の１７５℃における貯蔵弾性率が８ＭＰａ以上である実施例１〜１３、１５のサポート部材は、モールド時の高温高圧下での樹脂はみ出しの点でも特に優れていた。
【符号の説明】
【０１３０】
２…樹脂フィルム基材、４…樹脂層、６…離型層、８…高弾性率化層、１０…サポート部材、１２…有機基板、１４…電子部品、１６…封止層、２０…電子装置、１００…有機基板とサポート部材との積層体。
【図１】
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【図２】
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