(57)【要約】【課題】  複数の荷電粒子光学系によって基板上の複数のショット領域に所望のパターンを描画する。【解決手段】  描画装置の制御部は、複数のショット領域が、第１の少なくとも１つの荷電粒子線による描画が可能で、かつ、第２の少なくとも１つの荷電粒子線による描画が可能な描画領域を有するショット領域を含むように、ステージを複数のショット領域の配列方向に平行な方向に移動させる距離を決定し、第１の少なくとも１つの荷電粒子線による描画が可能で、かつ、第２の少なくとも１つの荷電粒子線による描画が可能な描画領域を有する前記ショット領域における描画を、第１の少なくとも１つの荷電粒子線および第２の少なくとも１つの荷電粒子線のうちのいずれか一方を用いて行うように、第１荷電粒子光学系の描画動作および第２荷電粒子光学系の描画動作を制御する。【選択図】  図５
2016092136.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の荷電粒子線を用いて、基板上の複数のショット領域に描画を行う描画装置であって、
描画を行う際、前記基板を保持して移動するステージと、
前記複数の荷電粒子線のうちの第１の少なくとも１つの荷電粒子線を前記基板に照射する第１荷電粒子光学系と、
前記複数の荷電粒子線のうちの第２の少なくとも１つの荷電粒子線を前記基板に照射する第２荷電粒子光学系と、
前記ステージの移動動作、前記第１荷電粒子光学系の描画動作および前記第２荷電粒子光学系の描画動作を制御する制御部と、を備え、
前記第１荷電粒子光学系と前記第２荷電粒子光学系とは、互いに隣接して配列され、
前記複数のショット領域は、前記基板上で前記第１荷電粒子光学系と前記第２荷電粒子光学系の配列方向に平行な方向に配列され、
前記ステージは、前記複数のショット領域の配列方向に平行な方向に移動し、
前記制御部は、
前記複数のショット領域が、前記第１の少なくとも１つの荷電粒子線による描画が可能で、かつ、前記第２の少なくとも１つの荷電粒子線による描画が可能な描画領域を有するショット領域を含むように、前記ステージを前記複数のショット領域の前記配列方向に平行な方向に移動させる距離を決定し、
前記第１の少なくとも１つの荷電粒子線による描画が可能で、かつ、前記第２の少なくとも１つの荷電粒子線による描画が可能な前記描画領域を有する前記ショット領域における描画を、前記第１の少なくとも１つの荷電粒子線および前記第２の少なくとも１つの荷電粒子線のうちのいずれか一方を用いて行うように、前記第１荷電粒子光学系の描画動作および前記第２荷電粒子光学系の描画動作を制御することを特徴とする描画装置。
【請求項２】
前記ステージを移動させる前記距離は、前記第１荷電粒子光学系と前記第２荷電粒子光学系の配列ピッチよりも長いことを特徴とする請求項１に記載の描画装置。
【請求項３】
前記第１の少なくとも１つの荷電粒子線による描画が可能で、かつ、前記第２の少なくとも１つの荷電粒子線による描画が可能な前記描画領域を有する前記ショット領域は、前記第１の少なくとも１つの荷電粒子線および前記第２の少なくとも１つの荷電粒子線のうちのいずれか一方による描画が可能で、かつ、前記第１の少なくとも１つの荷電粒子線および前記第２の少なくとも１つの荷電粒子線のうちの他の一方による描画が可能でない描画領域をさらに有することを特徴とする請求項１または２に記載の描画装置。
【請求項４】
複数の荷電粒子線を用いて、基板上の複数のショット領域に描画を行う描画装置であって、
描画を行う際、前記基板を保持して移動するステージと、
前記複数の荷電粒子線のうちの第１の少なくとも１つの荷電粒子線を前記基板に照射する第１荷電粒子光学系と、
前記複数の荷電粒子線のうちの第２の少なくとも１つの荷電粒子線を前記基板に照射する第２荷電粒子光学系と、
前記複数の荷電粒子線のうちの第３の少なくとも１つの荷電粒子線を前記基板に照射する第３荷電粒子光学系と、
前記複数の荷電粒子線のうちの第４の少なくとも１つの荷電粒子線を前記基板に照射する第４荷電粒子光学系と、
前記ステージの移動動作、前記第１荷電粒子光学系の描画動作、前記第２荷電粒子光学系の描画動作、前記第３荷電粒子光学系の描画動作および前記第４荷電粒子光学系の描画動作を制御する制御部と、を備え、
前記第１荷電粒子光学系と前記第２荷電粒子光学系とは、互いに隣接して配列され、前記第３荷電粒子光学系と前記第４荷電粒子光学系とは、互いに隣接して前記第１荷電粒子光学系と前記第２荷電粒子光学系の配列方向に配列され、
前記複数のショット領域は、前記基板上で前記第１荷電粒子光学系と前記第２荷電粒子光学系の前記配列方向に平行な方向に配列され、
前記ステージは、前記複数のショット領域の配列方向に平行な方向に移動し、
前記制御部は、
前記複数のショット領域が、前記第１の少なくとも１つの荷電粒子線による描画が可能で、かつ、前記第２の少なくとも１つの荷電粒子線による描画が可能な描画領域を有する第１ショット領域、および、前記第３の少なくとも１つの荷電粒子線による描画が可能で、かつ、前記第４の少なくとも１つの荷電粒子線による描画が可能な描画領域を有する第２ショット領域を含むように、前記ステージを前記複数のショット領域の前記配列方向に平行な方向に移動させる距離を決定し、
前記第１ショット領域における描画を前記第１の少なくとも１つの荷電粒子線を用いて行い、前記第２ショット領域における描画を前記第４の少なくとも１つの荷電粒子線を用いて行うように、前記第１荷電粒子光学系の描画動作、前記第２荷電粒子光学系の描画動作、前記第３荷電粒子光学系の描画動作および前記第４荷電粒子光学系の描画動作を制御し、
前記第２ショット領域における描画を開始させてから前記第１ショット領域における描画を終了させるまでの間、前記ステージを移動させることを特徴とする描画装置。
【請求項５】
前記基板上には、前記複数のショット領域とは別の複数のショット領域が前記複数のショット領域の前記配列方向に平行な方向に配列され、
描画を行う際、前記ステージは、前記複数のショット領域の前記配列方向に垂直な方向にスキャン移動した後、前記複数のショット領域の前記配列方向に平行な方向にステップ移動することを特徴とする請求項１〜４のうちいずれか１項に記載の描画装置。
【請求項６】
請求項１〜５のうちのいずれか１項に記載の描画装置によって基板に描画を行う工程と、
前記工程で描画が行われた前記基板を現像する工程と、を有することを特徴とする物品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、描画装置、および、物品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイス製造におけるリソグラフィ工程では、マスク（原版）を使用せずに、レジスト（感光剤）が塗布されたウエハ（基板）に電子線等の荷電粒子線を直接入射させることによって所望のパターンを描画する描画装置が知られている。
【０００３】
描画装置には、高いスループットが要求されている。特許文献１には、複数の荷電粒子光学系からそれぞれ射出された複数の荷電粒子線を用いて、基板上に配列された複数のショット領域に描画を同時に行うマルチカラム方式の描画装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平１１−１５００５０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
図６（ａ）、（ｂ）は、従来の描画装置の描画処理を説明するための図であり、マルチカラム方式の描画装置によって基板上の複数のショット領域に描画を行う様子を示している。
【０００６】
図６（ａ）に示したように、マルチカラムＭＣは、６つの荷電粒子光学系ｃｏｕｌｍｎ＿１〜ｃｏｕｌｍｎ＿６で構成される。基板Ｗの直径は３００ｍｍで、６つの荷電粒子光学系ｃｏｕｌｍｎ＿１〜ｃｏｕｌｍｎ＿６は、紙面左右方向において５０．０ｍｍピッチで配列されている。
【０００７】
描画を行う際は、マルチカラムＭＣに対して、基板Ｗを保持したステージを紙面上方向に走査移動（スキャン移動）させることで、６つの荷電粒子光学系ｃｏｕｌｍｎ＿１〜ｃｏｕｌｍｎ＿６がストライプ状の領域Ｓ１〜Ｓ６にそれぞれ描画（以下、「ストライプ描画」と記す）を行う。その後、基板Ｗを保持した基板ステージを紙面左方向にステップ移動させて、再度ストライプ描画を行う。この一連の動作を繰り返し、ステップ移動量の合計が荷電粒子光学系の配列ピッチである５０ｍｍに達すると、基板上のすべてのショット領域Ｓに描画が行われることになる。
【０００８】
しかしながら、ショット領域Ｓのサイズは、常に同じサイズとは限らず、半導体デバイスの種類に応じて様々なサイズで設計される。そのため、ショット領域Ｓの紙面左右方向における幅ＳＷ（以下、「ショット幅ＳＷ」と記す）の倍数が、荷電粒子光学系のピッチに等しくならないことがありうる。たとえば、ショット幅ＳＷが２５ｍｍの場合はＳＷの２倍が荷電粒子光学系のピッチに等しくなるが、ショット幅ＳＷが２２ｍｍの場合はＳＷの２倍が荷電粒子光学系のピッチよりも小さくなる。
【０００９】
図６（ｂ）に示したように、ショット幅ＳＷが２２ｍｍの場合、紙面左右方向に配列された１３個のショット領域のうちの紙面左方から３、５、７、１０、１２番目のショット領域Ｓが、互いに隣接した２つの荷電粒子光学系によって描画されることになる。このとき、２つの荷電粒子光学系の描画特性が同一でないと、２つの荷電粒子光学系のそれぞれによって描画される２つの描画パターンの姿勢に差（たとえば、回転誤差）が生じる。
【００１０】
また、２つの描画パターンのつなぎ部分は、互いに隣接した荷電粒子光学系のうちの一方による描画の開始時のパターンであるとともに、他方による描画の終了時のパターンでもある。そのため、２つの荷電粒子光学系に対する基板Ｗの相対位置が時間的に安定していないと、つなぎ部分で２つの描画パターンが重なり合ったり、もしくは、分断されたりする。つまり、２つの荷電粒子光学系によって描画される２つの描画パターンのつなぎ部分では、設計通りの所望のパターンが描画できない。
【００１１】
そこで、本発明は、互いに隣接した荷電粒子光学系による描画パターンのつなぎ部分がショット領域内にあったとしても、複数の荷電粒子光学系によって基板上の複数のショット領域に所望のパターンを描画できる描画装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記目的を達成するために、本発明の一側面としての描画装置は、
複数の荷電粒子線を用いて、基板上の複数のショット領域に描画を行う描画装置であって、描画を行う際、前記基板を保持して移動するステージと、前記複数の荷電粒子線のうちの第１の少なくとも１つの荷電粒子線を前記基板に照射する第１荷電粒子光学系と、前記複数の荷電粒子線のうちの第２の少なくとも１つの荷電粒子線を前記基板に照射する第２荷電粒子光学系と、前記ステージの移動動作、前記第１荷電粒子光学系の描画動作および前記第２荷電粒子光学系の描画動作を制御する制御部と、を備え、前記第１荷電粒子光学系と前記第２荷電粒子光学系とは、互いに隣接して配列され、前記複数のショット領域は、前記基板上で前記第１荷電粒子光学系と前記第２荷電粒子光学系の配列方向に平行な方向に配列され、前記ステージは、前記複数のショット領域の配列方向に平行な方向に移動し、前記制御部は、前記複数のショット領域が、前記第１の少なくとも１つの荷電粒子線による描画が可能で、かつ、前記第２の少なくとも１つの荷電粒子線による描画が可能な描画領域を有するショット領域を含むように、前記ステージを前記複数のショット領域の前記配列方向に平行な方向に移動させる距離を決定し、前記第１の少なくとも１つの荷電粒子線による描画が可能で、かつ、前記第２の少なくとも１つの荷電粒子線による描画が可能な前記描画領域を有する前記ショット領域における描画を、前記第１の少なくとも１つの荷電粒子線および前記第２の少なくとも１つの荷電粒子線のうちのいずれか一方を用いて行うように、前記第１荷電粒子光学系の描画動作および前記第２荷電粒子光学系の描画動作を制御することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、たとえば、ショット領域のサイズが変わったとしても、複数の荷電粒子光学系によって基板に所望のパターンを描画できる描画装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明における描画装置の構成を示す図である。
【図２】本発明における荷電粒子光学系の構成を示す図である。
【図３】本発明における描画装置の描画処理を説明するための図である。
【図４】本発明における描画装置の描画処理を説明するための図である。
【図５】本発明における描画装置の描画処理を説明するための図である。
【図６】従来の描画装置の描画処理を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
図１は、描画装置の構成を示す図である。描画装置は、複数の荷電粒子光学系からそれぞれ射出された複数の荷電粒子線を用いて基板に描画を行い、パターンを形成するリソグラフィ装置である。ここで、荷電粒子線は、電子線やイオンビーム等を含みうる。
【００１６】
描画装置は、複数の荷電粒子光学系で構成されたマルチカラム１（本実施形態では６つの荷電粒子光学系）と、基板ステージ１１と、位置検出系１２と、ブランキング制御部１３と、データ処理部１４と、偏向器制御部１５と、位置検出処理部１６と、ステージ制御部１７と、設計データ記憶部１８と、データ変換部１９と、中間データ記憶部２０と、主制御部２１と、を備える。マルチカラム１を構成する複数の荷電粒子光学系１００は、基板ステージ１１に保持された基板１０に複数の荷電粒子線をそれぞれ照射する。
【００１７】
図２は、荷電粒子光学系１００の構成を示す図である。
【００１８】
荷電粒子光学系１００は、荷電粒子源１０１と、コリメータレンズ１０２と、ブランキングアパーチャアレイ１０３と、静電型レンズ１０４と、磁界型レンズ１０５と、対物レンズ１０６と、偏向器１０７と、を有する。
【００１９】
荷電粒子源１０１は、たとえばＬａＢ６やＢａＯ／Ｗ（ディスペンサカソード）等を荷電粒子線放出材として含む熱電子型の荷電粒子源である。コリメータレンズ１０２は、電界によって荷電粒子線（ここでは、電子線）を収束させる静電型レンズである。荷電粒子源１０１から放射された荷電粒子線は、コリメータレンズ１０２を介して、略平行な荷電粒子線となる。
【００２０】
ブランキングアパーチャアレイ１０３は、荷電粒子光学系１００の光軸と直交する平面に沿って２次元に配列された複数の開口（不図示）を備える。この複数の開口によって、複数のコリメータレンズ１０２からの略平行な荷電粒子線を複数の荷電粒子線に分割する。また、ブランキングアパーチャアレイ１０３は、複数の荷電粒子線を個別に駆動することが可能な静電型のブランキング偏向器（不図示）を含み、複数の荷電粒子線のそれぞれに関して、基板１０への照射／非照射（オン／オフ）を切り替える。
【００２１】
静電型レンズ１０４と磁界型レンズ１０５は、協同して、ブランキングアパーチャアレイ１０３の複数の開口の中間像を形成する。対物レンズ１０６は、磁界型レンズであって、複数の開口の中間像を基板１０上に投影（再結像）する。偏向器１０７は、ブランキングアパーチャアレイ１０３からの複数の荷電粒子線を一括して所定の方向に偏向することで、複数の荷電粒子線によって規定される描画領域ＥＡの位置を変更する。
【００２２】
図１に戻って、基板ステージ１１は、基板１０を保持して移動する。基板ステージ１１は、たとえば荷電粒子光学系１００の光軸（鉛直方向）に直交するＸ−Ｙ平面（水平面）に沿って移動可能なＸ−Ｙステージと、基板１０を引き付けて保持するための静電チャックと、を有する。また、基板ステージ１１上には、荷電粒子線の位置を検出する検出器（不図示）が配置されている。この検出器は、開口および受光部を有しており、開口を通過して受光部に入射した荷電粒子線を電気信号に変換することにより、荷電粒子線の位置を検出する。
【００２３】
位置検出系１２は、基板１０上に形成されたマーク（アライメントマーク）にレジストが感光しない波長の光を照射する照射系、および、マークで反射された光の像を撮像する撮像素子を含み、マークの位置を検出する。
【００２４】
ブランキング制御部１３は、マルチカラム１を構成する複数の荷電粒子光学系１００のそれぞれに関して、ブランキングアパーチャアレイ１０３を個別に制御する。データ処理部１４は、バッファメモリやデータ処理回路を含み、複数の荷電粒子光学系１００のそれぞれに対して制御データを生成する。偏向器制御部１５は、複数の荷電粒子光学系のそれぞれに対して偏向器１０７を個別に制御する。
【００２５】
位置検出処理部１６は、位置検出系１２の検出結果（マークの位置）に基づいて、基板１０上に形成されたパターンの実際の位置（座標値）およびパターンの歪みを算出して特定する。ステージ制御部１７は、基板ステージ１１の位置を計測するレーザ干渉計（不図示）と協同して、基板ステージ１１の位置決めを制御する。
【００２６】
設計データ記憶部１８は、基板１０に描画すべきパターンに対応する設計図形データを記憶するメモリである。データ変換部１９は、設計データ記憶部１８に記憶された設計図形データを、荷電粒子光学系１００が描画するストライプ状の領域毎に分割して、描画処理を容易に行えるようにするための中間図形データに変換する。中間データ記憶部２０は、中間図形データを記憶するメモリである。
【００２７】
主制御部２１は、ＣＰＵやメモリ等を含み、描画装置の動作（基板ステージ１１の移動動作や荷電粒子光学系１００の描画動作など）を制御する。主制御部２１は、基板１０に描画すべきパターンに対応した設計図形データから生成された中間図形データをデータ処理部１４内のバッファメモリに転送し、上述した描画装置の各部を介して、描画装置を統括的に制御する。また、本実施形態では、ブランキング制御部１３、データ処理部１４、偏向器制御部１５、位置検出処理部１６、ステージ制御部１７、設計データ記憶部１８、データ変換部１９および中間データ記憶部２０が個別に構成されているが、これらの機能を主制御部２１が有してもよい。
【００２８】
図３（ａ）〜（ｃ）は、描画装置の描画処理を説明するための図である。
【００２９】
図３（ａ）は、荷電粒子光学系１００から射出され、基板１０上の描画領域ＥＡを規定する複数の荷電粒子線の配列を示す図である。本実施形態では、複数の荷電粒子線は、５行×２５列の荷電粒子線で構成され、行ピッチは列ピッチの２倍である。
【００３０】
荷電粒子光学系１００は、同一のクロック信号に応じて、基板１０に複数の荷電粒子線を照射する。基板ステージ１１は、単位クロック当たり列ピッチ分移動する速度で、荷電粒子光学系１００に対して矢印で示した紙面下方向に走査移動する。主制御部２１は、基板１０を保持した基板ステージ１１を走査移動させながら、基板１０上の定位置に複数の荷電粒子線のそれぞれを照射するか否か（オン／オフ）を個別に制御する。
【００３１】
ここで、図３（ａ）に示した５行×２５列の荷電粒子線を用いて、基板１０上で紙面上下方向に列ピッチと同じピッチで配列された位置Ｐｏｓｉｔｉｏｎ＿１〜６と、位置Ｐｏｓｉｔｉｏｎ＿１〜６毎に射出される行ｊ〜ｎの荷電粒子線の照射量（露光量）Ｄｏｓｅとの関係が、図３（ｂ）に示した関係となるように描画処理を行う場合を想定する。
【００３２】
この場合、基板ステージ１１は、単位クロックの２個分で行ピッチ分移動するため、図３（ｃ）に示したように、行ｊ〜ｎの荷電粒子線の単位クロック当たりのオン／オフを設定すれば、図３（ｂ）に示した関係を得ることができる。図３（ｃ）に示した点線は、位置Ｐｏｓｉｔｉｏｎ＿１〜６毎に射出される行ｊ〜ｎの荷電粒子線のオン／オフ（オンは□印、オフは無印）信号に相当する。
【００３３】
描画処理は、位置Ｐｏｓｉｔｉｏｎ＿１における行ｊの荷電粒子線のオン／オフ制御を開始してから位置Ｐｏｓｉｔｉｏｎ＿６における行ｎの荷電粒子線のオン／オフ制御が終了するまで行われる。図３（ｂ）は、位置Ｐｏｓｉｔｉｏｎ＿１〜６毎に照射される行ｊ〜ｎの荷電粒子線の照射量を合計（積算）したものであり、描画の際には、これらの階調を行うことにより所望のパターンが描画されることになる。
【００３４】
図４（ａ）、（ｂ）および図５は、描画装置の描画処理を説明するための図である。
【００３５】
図４（ａ）は、６つの荷電粒子光学系ｃｏｕｌｍｎ＿１〜ｃｏｕｌｍｎ＿６で構成されるマルチカラム１によって、基板１０上の複数のショット領域Ｓにパターンを描画する様子を示す図である。
【００３６】
基板１０の直径は３００ｍｍで、６つの荷電粒子光学系ｃｏｕｌｍｎ＿１〜ｃｏｕｌｍｎ＿６は、紙面左右方向において５０．０ｍｍピッチで配列されている。
【００３７】
描画を行う際は、マルチカラム１に対して、基板１０を保持した基板ステージ１１を紙面上方向に走査移動（スキャン移動）させることで、６つの荷電粒子光学系ｃｏｕｌｍｎ＿１〜ｃｏｕｌｍｎ＿６がストライプ状の領域Ｓ１〜Ｓ６にそれぞれストライプ描画を行う。その後、基板１０を保持した基板ステージ１１を紙面左方向にステップ移動させて、再度ストライプ描画を行う。この一連の動作を繰り返し、基板上のすべてのショット領域Ｓに描画が行われる。
【００３８】
本実施形態では、ショット領域のショット幅が変わったとしても、すべてのショット領域における描画が複数の荷電粒子光学系のうちの１つのみによって行われるように複数の荷電粒子光学系の描画動作を制御し、基板ステージの移動動作を制御している。
【００３９】
図４（ｂ）は、異なるショット幅ＳＷ毎に複数のショット領域Ｓが紙面左右方向に配列された様子を示す図である。ハッチングなしのショット領域Ｓは、荷電粒子光学系ｃｏｕｌｍｎ＿１、ｃｏｕｌｍｎ＿３、ｃｏｕｌｍｎ＿５によって描画が行われ、ハッチングありのショット領域は、荷電粒子光学系ｃｏｕｌｍｎ＿２、ｃｏｕｌｍｎ＿４、ｃｏｕｌｍｎ＿６によって描画が行われる。図４（ｂ）における縦の破線は、各荷電粒子光学系の描画領域の境界線を示す。たとえば、ショット幅ＳＷが２２ｍｍの場合、紙面左右方向に配列された１３個のショット領域のうち左から３、５、７、１０、１２番目のショット領域Ｓが境界線を含み、それ以外のショット領域Ｓは境界線を含まない。
【００４０】
従来、境界線を含まないショット領域Ｓの描画は、それぞれに対応する各荷電粒子光学系によって行い、境界線を含むショット領域Ｓの描画は、互いに隣接した２つの荷電粒子光学系によって分担して行っていた。
【００４１】
これに対し、本実施形態では、境界線を含まないショット領域Ｓの描画は、従来通り、それぞれに対応する各荷電粒子光学系によって行うが、境界線を含むショット領域Ｓの描画は、互いに隣接した２つの荷電粒子光学系のうちのいずれか一方のみによって行う。
【００４２】
特に、２つの荷電粒子光学系のうちのいずれか一方には、境界線を含むショット領域Ｓ内において描画が可能な描画領域の大きい方の荷電粒子光学系が、主制御部２１により選択される。たとえば、ショット幅ＳＷが２２ｍｍの場合、左から３番目のショット領域Ｓの描画には、２つの荷電粒子光学系ｃｏｕｌｍｎ＿１およびｃｏｕｌｍｎ＿２のうちのいずれか一方を選択できるが、本実施形態では、ショット領域Ｓ内において描画が可能な描画領域が大きい荷電粒子光学系ｃｏｕｌｍｎ＿２を選択し、荷電粒子光学系ｃｏｕｌｍｎ＿２のみによってショット領域Ｓの描画を行う。
【００４３】
これにより、２つの荷電粒子光学系ｃｏｕｌｍｎ＿１およびｃｏｕｌｍｎ＿２の描画特性が同一でなくても、境界線を含むショット領域Ｓに、所望のパターンを描画することができる。
【００４４】
図５を用いて、境界線を含むショット領域Ｓの描画を行う荷電粒子光学系が選択され、選択された荷電粒子線によって描画を行う際に、主制御部２１が基板ステージ１１の移動動作を制御する方法について説明する。
【００４５】
図５の上段は、ショット幅ＳＷが２２ｍｍの場合の紙面左右方向に配列された複数のショット領域Ｓと６つの荷電粒子光学系ｃｏｕｌｍｎ＿１〜ｃｏｕｌｍｎ＿６の描画領域の境界線を示す図である。下段は、上段の図に基づいて、荷電粒子光学系の配列ピッチである５０．０ｍｍを基準としてショット領域Ｓを並べ直した図である。
【００４６】
図５の下段に示したように、１３個のショット領域Ｓにおける描画が６つの荷電粒子光学系ｃｏｕｌｍｎ＿１〜ｃｏｕｌｍｎ＿６のうちの１つのみによって行われるようにするため、互いに隣接する２つの荷電粒子光学系の描画領域が重複するように、基板ステージ１１が移動する距離（ストローク）を５０．０ｍｍ（荷電粒子光学系の配列ピッチ）から６８．０ｍｍへと長くしている。特に、描画開始時には、荷電粒子光学系ｃｏｕｌｍｎ＿６によって左から１２番目のショット領域Ｓの左端を含む部分の描画を行い、その後、描画終了時には、荷電粒子光学系ｃｏｕｌｍｎ＿２によって左から５番目のショット領域の右端を含む部分の描画を行うように、基板ステージ１１の移動動作は主制御部２１により制御される。
【００４７】
このとき、たとえば左から３番目のショット領域Ｓ内には、荷電粒子光学系ｃｏｕｌｍｎ＿２による描画が可能であるが荷電粒子光学系ｃｏｕｌｍｎ＿１による描画が可能でない描画領域が存在する。そのため、主制御部２１は、左から３番目のショット領域Ｓにおける描画が荷電粒子光学系ｃｏｕｌｍｎ＿２のみによって行われるように、２つの荷電粒子光学系ｃｏｕｌｍｎ＿１およびｃｏｕｌｍｎ＿２の描画動作を制御する。また、主制御部２１は、スループットの観点から、基板ステージ１１のストロークが各荷電粒子光学系の描画領域が互いに重複する部分が最小になるように、基板ステージ１１のストロークを決定する。
【００４８】
本実施形態によれば、ショット領域のサイズが変わったとしても、複数の荷電粒子光学系によって基板に所望のパターンを描画できる。
【００４９】
本実施形態における描画装置は、複数の荷電粒子光学系を用いて複数のショット領域に所望のパターンを同時に描画するのに有利であり、たとえば、半導体デバイスや微細構造を有するマイクロデバイス等の物品を製造するのに好適である。物品を製造する製造方法は、基板に塗布された感光剤に描画装置を用いて所望の潜像パターンを形成する工程（基板に描画を行う工程）と、かかる工程で潜像パターンが形成された基板を現像する工程（描画を行われた基板を現像する工程）とを含む。更に、かかる製造方法は、他の周知の工程（酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等）を含む。本実施形態における物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも１つにおいて有利である。
【図１】
2016092136.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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