(57)【要約】      （修正有）【課題】低電気抵抗、高光透過性及び耐湿性に優れる透明導電体を高生産性で製造する透明導電体の製造方法の提供。【解決手段】透明基板２上に第１高屈折率層３、透明金属層４及び第２高屈折率層５をこの順に設ける透明導電体1の製造方法であって、第２高屈折率層５を、透明金属層４側からＡ層及びＢ層の少なくとも２層構成で、スパッタ法によりこの順に形成し、透明金属層側４に設けられる前記Ａ層を、前記Ｂ層より低い電力密度（Ｗ／ｃｍ２）の条件下で形成する透明導電体１の製造方法。【選択図】図１Ａ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも、透明基板上に第１高屈折率層、透明金属層及び第２高屈折率層をこの順に設ける透明導電体の製造方法であって、
前記第２高屈折率層を、前記透明金属層側からＡ層及びＢ層の少なくとも２層構成で、スパッタ法によりこの順に形成し、
前記透明金属層側に設けられる前記Ａ層を、前記Ｂ層より低い電力密度（Ｗ／ｃｍ２）の条件下で形成することを特徴とする透明導電体の製造方法。
【請求項２】
前記Ａ層を形成するときの電力密度（Ｗ／ｃｍ２）をＡｐ、前記Ｂ層を形成するときの電力密度（Ｗ／ｃｍ２）をＢｐとしたときの比の値Ｂｐ／Ａｐが、下記式（１）を満たすことを特徴とする請求項１に記載の透明導電体の製造方法。
式（１）：１．０＜Ｂｐ／Ａｐ≦８．０
【請求項３】
前記Ａ層を形成する際の電力密度（Ｗ／ｃｍ２）が、３．０Ｗ／ｃｍ２以下であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の透明導電体の製造方法。
【請求項４】
前記Ａ層を形成する際の酸素導入量が、０ｓｃｃｍであることを特徴とする請求項１から請求項３までのいずれか一項に記載の透明導電体の製造方法。
【請求項５】
前記Ａ層の層厚が、２〜１０ｎｍの範囲内であることを特徴とする請求項１から請求項４までのいずれか一項に記載の透明導電体の製造方法。
【請求項６】
前記Ａ層を形成する材料が、原子番号４０以下の金属からなる金属化合物を含有していることを特徴とする請求項１から請求項５までのいずれか一項に記載の透明導電体の製造方法。
【請求項７】
前記Ａ層が、亜鉛成分を主成分として含有することを特徴とする請求項１から請求項６までのいずれか一項に記載の透明導電体の製造方法。
【請求項８】
前記Ｂ層が、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ５）又は酸化スズ（ＳｎＯ２）のいずれかを含有することを特徴とする請求項１から請求項７までのいずれか一項に記載の透明導電体の製造方法。
【請求項９】
前記第１高屈折率層が、硫黄成分を含有することを特徴とする請求項１から請求項８までのいずれか一項に記載の透明導電体の製造方法。
【請求項１０】
前記第１高屈折率層が硫黄成分を含有し、かつ当該第１高屈折率層と前記透明金属層の間に、さらに亜鉛成分を含有した硫化防止層を設けることを特徴とする請求項１から請求項９までのいずれか一項に記載の透明導電体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、透明導電体の製造方法に関する。より詳しくは、低電気抵抗、高光透過性及び耐湿性に優れる透明導電体を高生産性で製造する透明導電体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、液晶ディスプレイやプラズマディスプレイ、無機及び有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）ディスプレイ等の表示装置、タッチパネル、太陽電池等の各種装置に透明導電体が使用されている。
【０００３】
例えば、タッチパネル型の表示装置等では、表示素子の画像表示面上に、透明導電体を含む配線が配置される。したがって、透明導電体には、光の透過性が高いことが求められる。このような各種表示装置には、光透過性の高い透明金属層としてＩＴＯを用いた透明導電体が多用されている。
【０００４】
近年、静電容量方式のタッチパネル表示装置が開発され、透明導電体の表面電気抵抗をさらに低くすることが求められている。しかし、従来のＩＴＯ膜では、表面電気抵抗を十分に下げられないという問題があった。
【０００５】
そこで、銀を蒸着して形成する層を透明金属層（以下、Ａｇ層ともいう。）に用いることが検討されている（例えば、特許文献１参照。）。また、透明導電体の光透過性を高めるため、Ａｇ層を屈折率の高い膜（例えば、Ｎｂ２Ｏ５（酸化ニオブ）、ＩＺＯ（インジウム・亜鉛酸化物）、ＩＣＯ（インジウム・セリウム酸化物）、ａ−ＧＩＯ（ガリウム・インジウム酸化物）等からなる膜）で挟み込むことも提案されている（例えば、非特許文献１参照。）。
【０００６】
さらに、Ａｇ層を、ＺｎＳ（硫化亜鉛）を含有する層（以下、ＺｎＳ層又は硫化亜鉛含有層ともいう。）で挟み込むことが提案されている（例えば、非特許文献２参照。）。
【０００７】
また、大気圧プラズマ装置を用いて、Ａｇ層を、ＧＺＯ（ガリウム・亜鉛酸化物）層で挟み込むことが提案されている（例えば、特許文献２参照）。
【０００８】
しかしながら、非特許文献１に示されるように、酸化ニオブやＩＺＯ等の誘電体層でＡｇ層が挟み込まれた透明導電体では、耐湿性が十分でなかった。その結果、高湿度環境下で透明導電体を使用すると、Ａｇ層が腐食しやすい等の問題があった。
【０００９】
Ａｇ層をＺｎＳを含む層に挟み込んだ透明導電体では、透明導電体の耐湿性は十分に高いものの、Ａｇ層を形成する際に、又はＺｎＳを含む層を形成する際に、銀が硫化されて硫化銀が生じやすく、その結果、透明導電体の光透過性が低くなるという問題があった。  また、透明電極層の上層にＺｎＳを含有していると、ＺｎＳは絶縁性が高いため、金属系引出配線と透明導電体が電気的に接続しにくくなってしまうという問題が生じていた。
【００１０】
一方、Ａｇ層をＧＺＯ層で挟み込んだ透明導電体は、ＧＺＯが導電性が高いため、金属系引出配線と電気的に接続可能であり、特にＡｇ層の上層としてＧＺＯ層を設けることは導電性上好都合である。しかしながら、特許文献２で用いられている透明導電体の製造方法は、Ａｇ層の形成を塗布方式で行い、ＧＺＯ層の形成を大気圧プラズマ装置によって行うため、生産方式が複雑である。
【００１１】
特許文献３には、熱線遮断膜として、スパッタ法によって形成されるＡｇ層上にＧＺＯ層を形成する際に、当該ＧＺＯ層を無酸素雰囲気でスパッタ法によって積層する技術が開示されている。しかしながら、Ａｇ層上にＧＺＯ層を生産性を高めるため高レート、高パワーなスパッタリング条件で形成すると、材料からＯ２が微量排出され、当該Ｏ２によってＡｇ層の表面が荒れて不要な吸収が生じ、透明性が劣化するという問題が起こることが分かった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１２】
【特許文献１】特開２００７−２５０４３０号公報
【特許文献２】特開２００６−２３６７４７号公報
【特許文献３】特開平０７−１７８８６６号公報
【非特許文献】
【００１３】
【非特許文献１】Ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｆｉｌｍ  Ｎｂ２Ｏ５／Ａｇ／ＩＺＯ  ｗｉｔｈ  ａｎ  Ａｎｔｉ−Ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ  Ｄｅｓｉｇｎ，Ｙｗｈ−Ｔａｒｎｇ  Ｌｅｕ，  ｅｔ  ａｌ．，  ＳＩＤ  ２０１２  ＤＩＧＥＳＴ  ｐ．３５２−３５３
【非特許文献２】Ｈｏ−ＫｙｕｎＰａｒｋ，Ｊａｅ−ＷｏｏｋＫａｎｇ，Ｓｅｏｋ−ＩｎＮａ，Ｄｏｎ−ＹｕＫｉｍ，Ｈａｎ−ＫｉＫｉｍ，「Ｓｏｌａｒ  Ｅｎｅｒｇｙ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ  ＆  Ｓｏｌａｒ  Ｃｅｌｌｓ」Ｖｏｌｕｍｅ  ９３，（２００９），ｐ．１９９４−２００２
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
本発明は、上記問題・状況に鑑みてなされたものであり、その解決課題は、低電気抵抗、高光透過性及び耐湿性に優れる透明導電体を高生産性で製造する透明導電体の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明者は、上記課題を解決すべく、上記問題の原因等について検討する過程において、透明金属層の上層に設けられる第２高屈折率層を、透明金属層側からＡ層及びＢ層の少なくとも２層構成で、スパッタ法によりこの順に形成し、前記透明金属層側に設けられる前記Ａ層を、前記Ｂ層より低い電力密度（Ｗ／ｃｍ２）の条件下で形成することで、低電気抵抗、高光透過性及び耐湿性に優れる透明導電体を高生産性で製造できる透明導電体の製造方法が得られることを見出した。
【００１６】
すなわち、本発明に係る上記課題は、以下の手段により解決される。
【００１７】
１．少なくとも、透明基板上に第１高屈折率層、透明金属層及び第２高屈折率層をこの順に設ける透明導電体の製造方法であって、
前記第２高屈折率層を、前記透明金属層側からＡ層及びＢ層の少なくとも２層構成で、スパッタ法によりこの順に形成し、
前記透明金属層側に設けられる前記Ａ層を、前記Ｂ層より低い電力密度（Ｗ／ｃｍ２）の条件下で形成することを特徴とする透明導電体の製造方法。
【００１８】
２．前記Ａ層を形成するときの電力密度（Ｗ／ｃｍ２）をＡｐ、前記Ｂ層を形成するときの電力密度（Ｗ／ｃｍ２）をＢｐとしたときの比の値Ｂｐ／Ａｐが、下記式（１）を満たすことを特徴とする第１項に記載の透明導電体の製造方法。
【００１９】
式（１）：１．０＜Ｂｐ／Ａｐ≦８．０
３．前記Ａ層を形成する際の電力密度（Ｗ／ｃｍ２）が、３．０Ｗ／ｃｍ２以下であることを特徴とする第１項又は第２項に記載の透明導電体の製造方法。
【００２０】
４．前記Ａ層を形成する際の酸素導入量が、０ｓｃｃｍであることを特徴とする第１項から第３項までのいずれか一項に記載の透明導電体の製造方法。
【００２１】
５．前記Ａ層の層厚が、２〜１０ｎｍの範囲内であることを特徴とする第１項から第４項までのいずれか一項に記載の透明導電体の製造方法。
【００２２】
６．前記Ａ層を形成する材料が、原子番号４０以下の金属からなる金属化合物を含有していることを特徴とする第１項から第５項までのいずれか一項に記載の透明導電体の製造方法。
【００２３】
７．前記Ａ層が、亜鉛成分を主成分として含有することを特徴とする第１項から第６項までのいずれか一項に記載の透明導電体の製造方法。
【００２４】
８．前記Ｂ層が、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ５）又は酸化スズ（ＳｎＯ２）のいずれかを含有することを特徴とする第１項から第７項までのいずれか一項に記載の透明導電体の製造方法。
【００２５】
９．前記第１高屈折率層が、硫黄成分を含有することを特徴とする第１項から第８項までのいずれか一項に記載の透明導電体の製造方法。
【００２６】
１０．前記第１高屈折率層が硫黄成分を含有し、かつ当該第１高屈折率層と前記透明金属層の間に、さらに亜鉛成分を含有した硫化防止層を設けることを特徴とする第１項から第９項までのいずれか一項に記載の透明導電体の製造方法。
【発明の効果】
【００２７】
本発明の上記手段により、低電気抵抗、高光透過性及び耐湿性に優れる透明導電体を高生産性で製造する透明導電体の製造方法を提供することができる。
【００２８】
本発明の効果の発現機構ないし作用機構については、明確にはなっていないが、以下のように推察している。
【００２９】
透明基板上に第１高屈折率層及び透明金属層をこの順に設け、さらに上層として第２高屈折率層を、スパッタ法にて高レート、高パワー条件で成膜すると、透明金属層の光透過率が低下するという現象が見られたが、これは当該成膜条件では、ターゲット材（スパッタ源）からＯ２が微量排出され、その酸化的雰囲気によって透明金属層の表面を荒らして不要な吸収が生じ、光透過率が低下するものと推察された。
【００３０】
本願のように第２高屈折率層を、Ｏ２の微量排出を抑制するように成膜初期には低パワー条件下でスパッタ法により成膜を行い、下層に対して保護層的に第２高屈折率層の一部を形成し、次いで高パワー条件下で第２高屈折率層の残余の部分をスパッタ法により成膜を行うことによって、当該Ｏ２の微量排出の影響なしに、高レートで残余の第２高屈折率層を形成できることから、成膜全体の生産性が高く、かつ透明金属層表面を荒らすことなく、高い光透過率を実現できたものと推察される。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１Ａ】本発明に係る透明導電体の構成の一例を示す概略断面図
【図１Ｂ】本発明に係る透明導電体の構成の一例を示す概略断面図
【図１Ｃ】本発明に係る透明導電体の構成の一例を示す概略断面図
【図２】本発明に係る透明導電体の導通領域及び絶縁領域からなるパターンの一例を示す模式図
【図３】パターニングされた電極を有する透明導電体を具備したタッチパネルの構成の一例を示す斜視図
【発明を実施するための形態】
【００３２】
本発明の透明導電体の製造方法は、透明金属層の上層に設けられる第２高屈折率層を、透明金属層側からＡ層及びＢ層の少なくとも２層構成で、スパッタ法によりこの順に形成し、前記透明金属層側に設けられる前記Ａ層を、前記Ｂ層より低い電力密度（Ｗ／ｃｍ２）の条件下で形成することを特徴とする。この特徴は、請求項１から請求項１０までの請求項に係る発明に共通する技術的特徴である。
【００３３】
本発明の実施態様としては、本発明の効果発現の観点から、前記Ａ層を形成するときの電力密度（Ｗ／ｃｍ２）をＡｐ、前記Ｂ層を形成するときの電力密度（Ｗ／ｃｍ２）をＢｐとしたときの比の値Ｂｐ／Ａｐが、前記式（１）を満たすことが、本発明の効果を得ることに加えて、第２高屈折率層としてのＡ層／Ｂ層の均一性を増す観点からも好ましい。
【００３４】
また、前記Ａ層を形成する際の電力密度（Ｗ／ｃｍ２）が、３．０Ｗ／ｃｍ２以下であることが、ターゲット材（スパッタ源）からのＯ２の微量排出を抑制する観点から好ましい。
【００３５】
また、前記Ａ層を形成する際の酸素導入量は、０ｓｃｃｍであることが好ましく、当該Ａ層の成膜で酸素を導入せずに成膜すると、成膜時に透明導電層（Ａｇ層）表面が酸素によるボンバードで荒れることがなく、その結果プラズモン吸収が起きにくくなる。
【００３６】
前記Ａ層の層厚が、２〜１０ｎｍの範囲内であることが好ましい。２ｎｍ以上にすれば次に積層する前記Ｂ層の高パワー成膜時のボンバードから、透明導電層（Ａｇ層）を保護することができる。また、Ａ層の層厚を１０ｎｍ以下にすれば、低パワーで成膜するＡ層が厚すぎることはなく、本発明の課題である高生産性を阻害することがなく、好ましい。
【００３７】
さらに本発明においては、前記Ａ層を形成する材料が、原子番号４０以下の金属からなる金属化合物を含有していることが、本発明の効果を発現する上で、好ましい態様である。原子番号４０が超える重たい金属からなる化合物は、成膜時のエネルギーが高すぎ、透明金属層（例えば、Ａｇ層）にダメージを与える。結果、透明金属層（Ａｇ層）の連続膜性が壊れプラズモン吸収が大きくなる。前記Ａ層を形成する主成分（５０質量％以上）の材料が、原子番号４０以下の元素からなる金属化合物でできていれば、透明金属層（Ａｇ層）にダメージはない。
【００３８】
中でも、前記Ａ層が、亜鉛成分を主成分として含有することが好ましく、また前記Ｂ層が、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ５）又は酸化スズ（ＳｎＯ２）のいずれかを含有することが、透明金属層と外部回路を接続するに足る導電性を第２高屈折率層に付与することができ、好ましい。
【００３９】
前記第１高屈折率層が硫黄成分を含有することが耐湿性を向上することができるため、好ましい。さらに当該第１高屈折率層と前記透明金属層の間に、亜鉛成分を含有した硫化防止層を設けることが、透明金属層に含有される金属の薄膜層形成を促進し、かつ当該硫化防止層によって第１高屈折率層に含有される硫黄成分との反応を抑制し、当該金属層の腐食等を防止できる観点から、好ましい実施態様である。
【００４０】
以下、本発明とその構成要素、及び本発明を実施するための形態・態様について詳細な説明をする。なお、本願において、「〜」は、その前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む意味で使用する。また、本発明の透明導電体の製造方法によって製造される透明導電体を、「本発明に係る透明導電体」という場合がある。
【００４１】
≪本発明の透明導電体の製造方法の概要≫
本発明の透明導電体の製造方法は、少なくとも、透明基板上に第１高屈折率層、透明金属層及び第２高屈折率層をこの順に設ける透明導電体の製造方法であって、前記第２高屈折率層を、前記透明金属層側からＡ層及びＢ層の少なくとも２層構成で、スパッタ法によりこの順に形成し、前記透明金属層側に設けられる前記Ａ層を、前記Ｂ層より低い電力密度（Ｗ／ｃｍ２）の条件下で形成することを特徴とし、かかる構成によって、低電気抵抗、高光透過性及び耐湿性に優れる透明導電体を高生産性で製造する透明導電体の製造方法を提供することができる。
【００４２】
＜透明導電体の基本的構成＞
図１Ａ〜Ｃは、本発明に係る透明導電体の構成の一例を示す概略断面図である。
【００４３】
本発明に係る透明導電体１は、少なくとも、透明基板２、第１高屈折率層３、透明金属層４及び第２高屈折率層５をこの順に有することを特徴とし、第２高屈折率層５はスパッタ法によって成膜する際に、透明金属層に接する側に設けられる電力密度（Ｗ／ｃｍ２）を低くしてスパッタ法により形成するＡ層、及び当該電力密度（Ｗ／ｃｍ２）を高くしてスパッタ法により形成するＢ層の少なくとも２層構成をとることを特徴とする。ただし、当該Ａ層及びＢ層は複数の層を形成してもよく（不図示）、組成の異なる層をそれぞれ積層してもよい。
【００４４】
図１Ａでは、第１高屈折率層３と第２高屈折率層５との間に透明金属層４が設けられている。本発明では第１高屈折率層が硫黄成分を含有することが好ましいが、このように硫黄成分を含有した第１高屈折率層を透明金属層４に隣接して設けると、透明金属層４中の金属、例えば銀原子と硫黄成分との親和性が高いため、銀原子のマイグレーション（移動）が抑えられ、薄膜で均一な透明金属層４を得ることができる。かつ、この銀薄膜は安定であるため、耐湿性にも優れている。
【００４５】
また、図１Ｂでは、透明金属層４と前記第１高屈折率層３の間に第１硫化防止層６Ａが設けられている。このような構成とすることで、亜鉛成分を含有した第１硫化防止層６Ａを透明金属層４に隣接して設けると、透明金属層中の銀が第１高屈折率層に含まれる硫黄により硫化されることを抑えることができる。
【００４６】
さらに図１Ｃのように、透明金属層４と第２高屈折率層５の間にも第２硫化防止層６Ｂを設けてもよい。このような構成の場合は、例えば第２高屈折率層に硫黄成分が含まれる場合には、透明金属層の金属が硫黄により硫化されることを抑えることができる。
【００４７】
本発明に係る透明導電体１では、図１Ａ〜Ｃで示すように、透明金属層４が透明基板２の全面に積層されていてもよいが、図２に示すように、例えば、第１高屈折率層３、第１硫化防止層６Ａ、透明金属層４、第２高屈折率層５から構成される透明電極ユニットＥＵが所望の形状にパターニングされていることが好ましい。
【００４８】
本発明に係る透明導電体１において、透明電極ユニットＥＵが積層されている領域ａが、電気が導通する領域（以下、「導通領域」とも称する。）である。一方、図２に示されるように、透明電極ユニットＥＵを有していない領域ｂが絶縁領域である。
【００４９】
導通領域ａ及び絶縁領域ｂからなるパターンは、透明導電体１の用途に応じて、適宜選択される。一例として、静電方式のタッチパネルに適用するパターンの詳細については、後述する。
【００５０】
また、本発明に係る透明導電体１には、前記透明基板２、第１高屈折率層３、第１硫化防止層６Ａ、透明金属層４、第２硫化防止層６Ｂ及び第２高屈折率層５の他に、必要に応じて公知の機能性層を設けてもよい。
【００５１】
本発明に係る透明導電体１に含まれる層は、透明基板２を除いて、いずれも無機材料からなる層であることが好ましい。例えば、第２高屈折率層５上に有機樹脂からなる接着層が積層されていたとしても、透明基板２から第２高屈折率層５までの積層体が、本発明に係る透明導電体１であると定義する。
【００５２】
＜第２高屈折率層の製造方法の特徴＞
本発明に係る透明導電体は、前記第２高屈折率層を、透明金属層側から少なくともＡ層及びＢ層の２層構成で、スパッタ法によりこの順に形成し、前記透明金属層側に設けられる前記Ａ層を、前記Ｂ層より低い電力密度（Ｗ／ｃｍ２）条件下で形成することを特徴とする。
【００５３】
本発明でいうスパッタ法は、真空チャンバー内に薄膜として形成したい金属をターゲットとして設置し、高電圧をかけてイオン化させた希ガス元素（通常はアルゴン）や窒素（通常は空気由来）を衝突させ、ターゲット表面の原子をはじき飛ばして、基板に高密度に金属を成膜する方法である。また、上記希ガスとともに、反応性ガス（Ｏ２やＮ２）を導入することで、金属酸化物や金属窒化物を成膜することもできる。
【００５４】
本発明に係るスパッタ法には、２極スパッタ法、マグネトロンスパッタ法、ＤＣスパッタ法、ＤＣパルススパッタ法、ＲＦ（高周波）スパッタ法、デュアルマグネトロンスパッタ法、反応性スパッタ法、イオンビームスパッタ法、バイアススパッタ法、及び対向ターゲットスパッタ法などの、公知のスパッタ法を適宜用いることができる。中でも高生産性であるマグネトロンスパッタ法や対向ターゲットスパッタ法を用いることが好ましく、特に対向ターゲットスパッタ法で形成された層であることが好ましい。すなわち、透明金属層３が、対向ターゲットスパッタ法で形成された層であると、層が緻密になり、表面平滑性が高まりやすい。その結果、光の透過率も高まりやすい。
【００５５】
具体的な市販のスパッタ装置としては、大阪真空社製のマグネトロンスパッタ装置、ウルバック社の各種スパッタ装置（例えば、マルチチャンバ型スパッタリング装置ＥＮＴＲＯＮＴＭ−ＥＸ  Ｗ３００）やアネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置等を用いることができる。
【００５６】
本発明に係る第２高屈折率層５は、透明金属層４側から少なくともＡ層及びＢ層の２層構成でこの順に形成されることが特徴であるが、第２高屈折率層５の全体の層厚は、１５〜１５０ｎｍの範囲内であることが好ましく、より好ましくは２０〜５０ｎｍの範囲内である。第２高屈折率層５の層厚が１５ｎｍ以上であると、第２高屈折率層５によって、透明導電体１の導通領域ａの光透過性が十分に調整される。一方、第２高屈折率層５の層厚が１５０ｎｍ以下であれば、第２高屈折率層５が含まれる領域の光透過性が低下し難い。第２高屈折率層５の層厚は、エリプソメーターで測定される。
【００５７】
前記Ａ層及びＢ層のそれぞれの層厚は特に制限されるものではないが、スパッタリングに高生産性を付与する観点から、電力密度（Ｗ／ｃｍ２）を高くするスパッタリング領域、すなわちＢ層の層厚の比率をＡ層よりも大きくすることが好ましい。
【００５８】
具体的には、Ａ層の層厚／Ｂ層の層厚の比率を、１：９９〜４９：５１の範囲内にすることが好ましく、５：９５〜４０：６０の範囲内にすることがより好ましい。光透過性の改善と高生産性を両立する観点からは、Ａ層の層厚は、２〜１０ｎｍの範囲内であることが好ましい。２ｎｍ以上にすれば次に積層する前記Ｂ層の高パワー成膜時のボンバードから、透明導電層（Ａｇ層）を保護することができる。また、Ａ層の層厚を１０ｎｍ以下にすれば、低パワーで成膜するＡ層が厚すぎることはなく、本発明の課題である高生産性を阻害することがなく、好ましい。
【００５９】
本発明では、前記Ａ層を、前記Ｂ層より低い電力密度（Ｗ／ｃｍ２）条件下で形成することを特徴とするものであるが、前記Ａ層を形成するときの電力密度（Ｗ／ｃｍ２）をＡｐ、前記Ｂ層を形成するときの電力密度（Ｗ／ｃｍ２）をＢｐとしたときの比の値Ｂｐ／Ａｐは、１．０＜Ｂｐ／Ａｐ≦１２．０の範囲内であることが好ましく、中でも式（１）１．０＜Ｂｐ／Ａｐ≦８．０の範囲内であることがより好ましい。
【００６０】
式（１）の範囲を満たす場合には、本発明の効果を得ることに加えて、第２高屈折率層としてのＡ層／Ｂ層の均一性を増す観点からも好ましい。
【００６１】
前記Ａ層を形成する際の電力密度（Ｗ／ｃｍ２）は、１．０〜８．０Ｗ／ｃｍ２の範囲内であることが、成膜初期に低パワーで成膜し、Ｏ２の微量排出を抑制しながら下層に対して保護層的に第２高屈折率層の一部を成膜する観点から、好ましい。特に、当該Ａ層を形成する際の電力密度（Ｗ／ｃｍ２）が、３．０Ｗ／ｃｍ２以下であることが、ターゲット材（スパッタ源）からのＯ２の微量排出を抑制する観点から好ましい。
【００６２】
前記Ｂ層を形成する際の電力密度（Ｗ／ｃｍ２）は、９．０〜３０．０Ｗ／ｃｍ２の範囲内であることが、スパッタリングを高生産性で行う観点から好ましい。
【００６３】
当該Ａ層及びＢ層を成膜する際の電力密度（Ｗ／ｃｍ２）は、上記範囲内であれば一定値で行ってもよく、また、中途で変化させてもよい。例えば、Ａ層の成膜過程において（初期）１．０Ｗ／ｃｍ２でスタートし、（中途〜最終）４．０Ｗ／ｃｍ２と変化させてもよく、Ｂ層の成膜過程においてを、（初期）１２．０Ｗ／ｃｍ２でスタートし、（中途〜最終）２４．０Ｗ／ｃｍ２と変化させてもよい。
【００６４】
これらの電力密度（（Ｗ／ｃｍ２）の調整は、前記スパッタ装置によって適宜調整される。
【００６５】
前記Ｂ層の形成速度は０．５ｎｍ／秒以上であることが好ましい。形成速度は０．５〜５．０ｎｍ／秒の範囲内であることがより好ましく、特に好ましくは１．０〜２．０ｎｍ／秒の範囲内である。
【００６６】
当該Ａ層及びＢ層を成膜する際の希ガスとしてはアルゴン（Ａｒ）を用いることが好ましく、ガス圧が０．０５〜０．５Ｐａの範囲となるようにＡｒを導入させることが好ましく、反応槽内のアルゴンの流量比率は１００％に近いことが好ましく、１００％であることがより好ましい。
【００６７】
特に、Ａ層ではアルゴン流量比率が１００％であることが好ましい。すなわち、当該Ａ層を形成する際の酸素導入量は、０ｓｃｃｍであることが、Ａ層を成膜する際に透明金属層（Ａｇ層）表面が酸素によるボンバードで荒れることを防止し、その結果プラズモン吸が起きにくくなるため、好ましい。
【００６８】
Ｂ層はアルゴンの流量比率が９９．９％〜８０％、酸素の流量比率が０．１〜２０％であることが好ましい。
【００６９】
スパッタ圧は、０．０５〜０．５Ｐａの範囲内であることが好ましく、スパッタ時の温度は制限はなく、室温でもよいが、２５℃以下の低温でＡ層を製膜するのが好ましい。
【００７０】
スパッタ時のターゲットと基板間の距離は特に制限はないが、通常は５０〜１００ｍｍの範囲内であることが好ましい。
【００７１】
また、当該Ａ層及びＢ層はそれぞれ複数の層を形成してもよく、組成の異なる層をそれぞれ積層してもよい。このような構成とすることによって、第２高屈折率層の屈折率を調整することによって、光透過性（光学アドミッタンス）を調整することが容易となり、高光透過性を得る観点から好ましい。
【００７２】
＜透明導電体の各構成要素＞
〔透明基板〕
本発明に係る透明導電体１に適用可能な透明基板２としては、各種表示デバイスの透明基板に適用されている材料を用いることができる。
【００７３】
透明基板２は、ガラス基板や、セルロースエステル樹脂（例えば、トリアセチルセルロース（略称：ＴＡＣ）、ジアセチルセルロース、アセチルプロピオニルセルロース等）、ポリカーボネート樹脂（例えば、パンライト、マルチロン（以上、帝人社製））、シクロオレフィン樹脂（例えば、ゼオノア（日本ゼオン社製）、アートン（ＪＳＲ社製）、アペル（三井化学社製））、アクリル樹脂（例えば、ポリメチルメタクリレート、アクリライト（三菱レイヨン社製）、スミペックス（住友化学社製））、ポリイミド、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリフェニレンエーテル（略称：ＰＰＥ）樹脂、ポリエステル樹脂（例えば、ポリエチレンテレフタレート（略称：ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（略称：ＰＥＮ））、ポリエーテルスルホン樹脂、アクリロニトリル・ブタジエン・スチレン樹脂（略称：ＡＢＳ樹脂）／アクリロニトリル・スチレン樹脂（略称：ＡＳ樹脂）、メチルメタクリレート・ブタジエン・スチレン樹脂（略称：ＭＢＳ樹脂）、ポリスチレン、メタクリル樹脂、ポリビニルアルコール／エチレンビニルアルコール樹脂（略称：ＥＶＯＨ）、スチレン系ブロックコポリマー樹脂等からなる透明樹脂フィルムでありうる。透明基板２が透明樹脂フィルムである場合、当該フィルムには２種以上の樹脂が含まれてもよい。
【００７４】
高い光透過性を達成することができる観点から、本発明に適用する透明基板２としては、ガラス基板や、セルロースエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂（特にポリエチレンテレフタレート）、シクロオレフィン樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリフェニレンエーテル（ＰＰＥ）樹脂、ポリエーテルスルホン、ＡＢＳ／ＡＳ樹脂、ＭＢＳ樹脂、ポリスチレン、メタクリル樹脂、ポリビニルアルコール／ＥＶＯＨ（エチレンビニルアルコール樹脂）、スチレン系ブロックコポリマー樹脂等の樹脂成分から構成されるフィルムであることが好ましい。
【００７５】
透明基板２は、可視光に対する光透過性が高いことが好ましく、波長４５０〜８００ｎｍの光の平均光透過率が７０％以上であることが好ましく、８０％以上であることがより好ましく、８５％以上であることがさらに好ましい。透明基板２の光の平均光透過率が７０％以上であると、透明導電体１の光透過性が高まりやすい。また、透明基板２の波長４５０〜８００ｎｍの光の平均光吸収率は１０％以下であることが好ましく、より好ましくは５％以下、さらに好ましくは３％以下である。上記平均光透過率は、透明基板２の表面の法線に対して、５°傾けた角度から光を入射させて測定する。
【００７６】
一方、平均光吸収率は、平均光透過率と同様の角度から光を入射させて、透明基板２の平均反射率を測定し、
平均光吸収率（％）＝１００−（平均光透過率＋平均反射率）（％）
として算出する。平均光透過率及び平均反射率は、分光光度計（例えば、Ｕ４１００；日立ハイテクノロジーズ社製）を用いて測定することができる。
【００７７】
透明基板２の波長５７０ｎｍの光の屈折率は１．４０〜１．９５の範囲内であることが好ましく、より好ましくは１．４５〜１．７５の範囲内であり、さらに好ましくは１．４５〜１．７０の範囲内である。透明基板２の屈折率は、通常、透明基板２の材質によって定まる。透明基板２の屈折率は、エリプソメーターを用い、２５℃の環境下で測定することにより求めることができる。
【００７８】
透明基板２のヘイズ値は、０．０１〜２．５％の範囲内であることが好ましく、より好ましくは０．１〜１．２％の範囲内である。透明基板のヘイズ値が２．５％以下であると、透明導電体としてのヘイズ値を抑制することができ、好ましい。ヘイズ値は、ヘイズメーターを用いて測定することができる。
【００７９】
透明基板２の厚さは、１μｍ〜２０ｍｍの範囲内であることが好ましく、より好ましくは１０μｍ〜２ｍｍの範囲内である。透明基板の厚さが１μｍ以上であれば、透明基板２の強度が高まり、第１高屈折率層３Ａの作製時に割れたり、裂けたりすることを防止することができる。一方、透明基板２の厚さが２０ｍｍ以下であれば、透明導電体１の十分なフレキシブル性を得ることができる。さらに、透明導電体１を具備した電子デバイス機器等の厚さを薄くできる。また、透明導電体１を用いた電子デバイス機器等を軽量化することもできる。
【００８０】
本発明においては、使用する透明基板２は、各構成層を製膜する前に、基板中に含まれている水分や残留している溶媒を、クライオポンプ等を用いてあらかじめ除いたのち、形成工程で使用することが好ましい。
【００８１】
また、本発明に適用する透明基板上には、そのあとに形成する第１高屈折率層の平滑性を得る観点から、公知のクリアハードコート層を設けてもよいし、市販のクリアハードコート層付き透明基板を用いてもよい。
【００８２】
〔第１高屈折率層〕
本発明に係る透明導電体１は、第１高屈折率層３と第２高屈折率層５を有しており、透明基板２に近い方を第１高屈折率層３、遠い方を第２高屈折率層５と呼ぶ（図１Ａ参照。）。
【００８３】
第１高屈折率層３及び第２高屈折率層５は、それぞれ、誘電性材料又は酸化物半導体材料を含有し、波長５７０ｎｍの光に対して、第１高屈折率層３及び第２高屈折率層５の屈折率が、透明基板２の屈折率よりも高いことを特徴とする。
【００８４】
第１高屈折率層３は、硫黄成分を含有することが好ましく、当該硫黄成分を０．１〜５０ａｔ％の範囲内で含有することが好ましい。
【００８５】
第１高屈折率層に含有される硫黄成分が５０ａｔ％以下とすることで、硫黄過多となってターゲットが作製しにくくなることを抑制することができる点で好ましい。また、０．１ａｔ％以上とすることで、透明金属層に含有されるＡｇのマイグレーションを抑え込みやすくすることができる点で好ましい。硫黄成分は多い方がＡｇが島状にならず、連続膜性を向上することができる。
【００８６】
第１高屈折率層が含有する硫黄成分としては、ＺｎＳ（硫化亜鉛）及び単体の硫黄に由来するものを用いることができるが、ＺｎＳ（硫化亜鉛）に由来するものであることが特に好ましい。ＺｎＳ（硫化亜鉛）に由来する硫黄成分は、高屈折率層中で安定して存在することができるため、硫黄成分が望まない場所に拡散し反応するのを防ぎやすい。
【００８７】
第１高屈折率層３は、透明導電体の導通領域ａ、つまり透明金属層４が形成されている領域の光透過性（光学アドミッタンス）を調整する層であり、少なくとも透明導電体１の導通領域ａに形成される。第１高屈折率層３は、透明導電体１の絶縁領域ｂにも形成されていてもよいが、導通領域ａ及び絶縁領域ｂからなるパターンを視認され難くするとの観点から、図２に例示するように導通領域ａのみに形成されていることが好ましい。
【００８８】
第１高屈折率層３は、透明基板２の屈折率より高い屈折率を有する。第１高屈折率層３には、前述の透明基板２の屈折率より高い屈折率を有する誘電性材料又は酸化物半導体材料が含まれることが好ましい。波長５７０ｎｍの光に対する当該誘電性材料又は酸化物半導体材料の屈折率は、透明基板の屈折率より０．１〜１．１大きいことが好ましく、０．４〜１．０大きいことがより好ましい。
【００８９】
なお、本発明でいう屈折率は、温度２５℃、相対湿度５５％における測定値である。
【００９０】
波長５７０ｎｍの光に対する第１高屈折率層に含まれる誘電性材料又は酸化物半導体材料の屈折率は１．５より高いことが好ましく、１．７〜２．５であることがより好ましく、さらに好ましくは１．８〜２．５である。誘電性材料又は酸化物半導体材料の屈折率が１．５より高いと、第１高屈折率層によって、透明導電体の導通領域ａの光学アドミッタンスが十分に調整される。なお、第１高屈折率層の屈折率は、第１高屈折率層に含まれる材料の屈折率や、第１高屈折率層に含まれる材料の密度で調整される。高屈折率層の屈折率も透明基板と同様に、エリプソメーターを用い、２５℃の環境下で測定することにより求めることができる。
【００９１】
第１高屈折率層３に含まれる誘電性材料又は酸化物半導体材料は、絶縁性の材料であってもよく、導電性の材料であってもよい。誘電性材料又は酸化物半導体材料は、上記屈折率を有する金属酸化物でありうる。
【００９２】
上記屈折率を有するＺｎＳ以外の金属酸化物の例には、ＴｉＯ２、ＳｉＯ２、ＩＴＯ（インジウム・スズ酸化物）、ＺｎＯ、Ｎｂ２Ｏ５、ＺｒＯ２、ＣｅＯ２、Ｔａ２Ｏ５、Ｔｉ３Ｏ５、Ｔｉ４Ｏ７、Ｔｉ２Ｏ３、ＴｉＯ、ＳｎＯ２、Ｌａ２Ｔｉ２Ｏ７、ＩＺＯ（インジウム・亜鉛酸化物）、ＡＺＯ（アルミニウム・亜鉛酸化物）、ＧＺＯ（ガリウム・亜鉛酸化物）、ＡＴＯ（アンチモン・スズ酸化物）、ＩＣＯ（インジウム・セリウム酸化物）、ＩＧＺＯ（インジウム・ガリウム・亜鉛酸化物）、Ｂｉ２Ｏ３、Ｇａ２Ｏ３、ＧｅＯ２、ＷＯ３、ＨｆＯ２、Ｉｎ２Ｏ３、ａ−ＧＩＯ（ガリウム・インジウム酸化物）等が含まれる。第１高屈折率層は、当該金属酸化物が１種のみ含まれる層であってもよく、２種以上が含まれる層であってもよい。
【００９３】
また、上記高屈折率材料に、その他の材料を混ぜても良い。
【００９４】
特にＺｎＳとＳｉＯ２との混合物は安定でフレキシブル性が高い点で好ましい。第１高屈折率層３にＺｎＳが含まれると、透明基板２側から水分が透過し難くなり、透明金属層４の腐食が抑制される。
【００９５】
また、ＺｎＳとともにＳｉＯ２が含まれると、第１高屈折率層３が非晶質になりやすく、透明導電体１のフレキシブル性が高まりやすい。
【００９６】
さらに、上記２種類以上の高屈折率層が積層されて複数層からなる第１高屈折率層を形成してもよい。
【００９７】
第１高屈折率層３の層厚は、１０〜１５０ｎｍの範囲内であることが好ましく、より好ましくは１０〜８０ｎｍの範囲内である。これらの高屈折率層の層厚が１０ｎｍ以上であると、高屈折率層によって、透明導電体１の導通領域ａの光学アドミッタンスが十分に調整される。一方、高屈折率層の層厚が１５０ｎｍ以下であれば、高屈折率層が含まれる領域の光透過性が低下し難い。高屈折率層の層厚は、エリプソメーターで測定される。
【００９８】
第１高屈折率層は、蒸着法若しくはスパッタ法により形成することが好ましく、蒸着法であることがより好ましい。本発明に適用可能な蒸着法としては、抵抗加熱蒸着法、電子線蒸着法、イオンプレーティング法、イオンビーム蒸着法等が含まれる。蒸着装置としては、例えば、シンクロン社製のＢＭＣ−８００Ｔ蒸着機等を用いることができる。蒸着法を採用する場合、その蒸着条件は使用する化合物の種類等により異なるが、一般にボート加熱温度として５００〜２０００℃の範囲、真空度として１×１０−６〜１×１０−２Ｐａの範囲、蒸着速度として０．０１〜５０ｎｍ／秒の範囲、基板温度として−５０〜３００℃の範囲で、各条件を適宜選択することが望ましい。
【００９９】
また、高屈折率層が所望の形状にパターニングされた層である場合、パターニング方法は特に制限されない。高屈折率層は、例えば、所望のパターンを有するマスク等を被形成面に配置して、気相形成法でパターン状に形成された層であってもよく、公知のエッチング法、例えば、フォトリソグラフィー法によってパターニングされた層であってもよい。
【０１００】
本発明においては、第１高屈折率層が硫黄成分を含有することが好ましく、硫黄成分を含有することにより、透明金属層の湿気による劣化を好適に防ぐことができ、高い導電性を維持することができる。
【０１０１】
これにより、第１高屈折率層の上部に、例えば銀を主成分として含有している透明金属層を成膜する際には、透明金属層を構成する銀原子が、第１高屈折率層に含有されている銀原子と親和性のある硫化亜鉛の硫黄原子と相互作用し、当該高屈折率層表面上での銀原子の拡散距離が減少し、特異箇所での銀の凝集が抑えられる。
【０１０２】
すなわち、銀原子は、まず銀原子と硫化亜鉛を含有する高屈折率層表面上で２次元的な核を形成し、それを中心に２次元の単結晶層を形成するという層状成長型（Ｆｒａｎｋ−ｖａｎ  ｄｅｒ  Ｍｅｒｗｅ：ＦＭ型）の膜成長によって成膜されるようになる。
【０１０３】
なお、一般的には、高屈折率層表面において付着した銀原子が表面を拡散しながら結合し３次元的な核を形成し、３次元的な島状に成長するという島状成長型（Ｖｏｌｕｍｅｒ−Ｗｅｂｅｒ：ＶＷ型）での膜成長により島状に成膜しやすいと考えられるが、本発明では、高屈折率層に含有されている硫化亜鉛により、このような様式の島状成長が防止され、層状成長が促進されると推察される。
【０１０４】
したがって、薄い膜厚でありながらも、均一な膜厚の導電性層が得られるようになる。そのため、透明金属層４が薄くとも、プラズモン吸収が生じ難くなる。この結果、より薄い膜厚として光透過性を保ちつつも、導電性が確保された透明導電体とすることができる。
【０１０５】
また、このような層を設けることにより、銀と硫黄原子の親和性が強くなり、かつ水の透過性を妨げるため銀の腐食が防止され、透明導電体の耐湿性を向上させることができるものと考えられる。
【０１０６】
〔硫化防止層〕
本発明に係る透明導電体は、第１高屈折率層と透明金属層との間に、亜鉛成分を含有した硫化防止層を有することが好ましい。
【０１０７】
硫化防止層としては、金属酸化物、金属窒化物、金属フッ化物、金属又は半導体が使用でき、例えば、ＺｎＯ、ＧＺＯ、ＡＺＯ等の亜鉛成分を含有した層であることが好ましく、これらが１種のみ含まれてもよく、２種以上含まれてもよい。
【０１０８】
硫化防止層は、複数設けてもよく、透明基板に近い方を第１硫化防止層、遠い方を第２硫化防止層と呼ぶ。
【０１０９】
透明金属層とＺｎＳを含む第１高屈折率層とが隣接して成膜されると、透明金属層４の成膜時、透明金属層中の金属が硫化されて金属硫化物が生成し、透明導電体の光透過性が低下する場合がある。これに対し、第１高屈折率層３と透明金属層４との間に硫化防止層が含まれると、金属硫化物の生成が抑制される。また、第２高屈折率層に硫黄成分が含有される場合には、透明金属層４と第２高屈折率層５Ｂとの間にも硫化防止層を設けることも好ましい。
【０１１０】
金属酸化物の例には、ＴｉＯ２、ＩＴＯ、ＺｎＯ、Ｎｂ２Ｏ５、ＺｒＯ２、ＣｅＯ２、Ｔａ２Ｏ５、Ｔｉ３Ｏ５、Ｔｉ４Ｏ７、Ｔｉ２Ｏ３、ＴｉＯ、ＳｎＯ２、Ｌａ２Ｔｉ２Ｏ７、ＩＺＯ、ＡＺＯ、ＧＺＯ、ＡＴＯ、ＩＣＯ、Ｂｉ２Ｏ３、ａ−ＧＩＯ、Ｇａ２Ｏ３、ＧｅＯ２、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＨｆＯ２、ＳｉＯ、ＭｇＯ、Ｙ２Ｏ３、ＷＯ３等が含まれる。
【０１１１】
金属フッ化物の例には、ＬａＦ３、ＢａＦ２、Ｎａ５Ａｌ３Ｆ１４、Ｎａ３ＡｌＦ６、ＡｌＦ３、ＭｇＦ２、ＣａＦ２、ＢａＦ２、ＣｅＦ３、ＮｄＦ３、ＹＦ３等が含まれる。
【０１１２】
金属窒化物の例には、Ｓｉ３Ｎ４、ＡｌＮ等が含まれる。
【０１１３】
硫化防止層の層厚は、透明金属層４の成膜時に透明金属層４が硫化されることを防止可能な層厚であれば、特に制限されない。ただし、第１高屈折率層３に含まれるＺｎＳは、透明金属層４に含まれる金属との親和性が高い。そのため、硫化防止層の層厚が非常に薄いと、透明金属層４と第１高屈折率層３とが接する部分が生じ、各層同士の密着性が高まりやすい。つまり、硫化防止層は比較的薄いことが好ましく、０．１〜１０ｎｍの範囲であることが好ましく、より好ましくは０．１〜５ｎｍの範囲であり、さらに好ましくは０．１〜３ｎｍの範囲である。硫化防止層の層厚は、エリプソメーターで測定される。特にＺｎやＧａ金属が入った硫化防止層であれば耐湿性を劣化させず、また銀との相互作用も強いため好ましい。
【０１１４】
硫化防止層は、真空蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法、プラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法等、一般的な気相成膜法で成膜された層でありうる。
【０１１５】
硫化防止層が、所望の形状にパターニングされた層である場合、パターニング方法は特に制限されない。硫化防止層は、例えば、所望のパターンを有するマスク等を被成膜面に配置して、気相成膜法でパターン状に成膜された層であってもよく、公知のエッチング法によってパターニングされた層であってもよい。
【０１１６】
〔透明金属層〕
透明金属層４は、透明導電体１において電気を導通させるための層である。透明金属層４は、図１Ａ〜Ｃに記載のように透明基板２の全面に形成されていてもよいが、また、図２に示すように所定の形状にパターニングされていてもよい。
【０１１７】
本発明に係る透明金属層は、金属及び合金が材料として用いられる。具体的には、金、アルミニウム、銀、銅、マグネシウム、リチウム、マグネシウム／銅混合物、マグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、インジウム、リチウム／アルミニウム混合物、希土類金属、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ；酸化インジウム・スズ）等が挙げられる。
【０１１８】
中でも銀を主成分として含有することが好ましく、本発明においては、金属層の銀の含有比率が６０ａｔ％（原子％）以上であることをいう。好ましくは銀の含有比率は導電性の観点から９０ａｔ％以上でより好ましくは９５ａｔ％以上で、さらには透明電極が銀のみからなることが好ましい。
【０１１９】
銀と組み合わされる金属としては、亜鉛、金、銅、パラジウム、アルミニウム、マンガン、ビスマス、ネオジム、モリブデン、白金、チタン、クロム等でありうる。例えば、銀と亜鉛とが組み合わされると、透明金属層の耐硫化性が高まる。銀と金とが組み合わされると、耐塩（ＮａＣｌ）性が高まる。さらに銀と銅とが組み合わされると、耐酸化性が高まる。
【０１２０】
透明金属層４のプラズモン吸収率は、波長４００〜８００ｎｍにわたって（全範囲で）１０％以下であることが好ましく、７％以下であることがより好ましく、さらに好ましくは５％以下である。波長４００〜８００ｎｍの一部にプラズモン吸収率が大きい領域があると、透明導電体１の導通領域ａの透過光が着色しやすくなる。
【０１２１】
透明金属層４の波長４００〜８００ｎｍにおけるプラズモン吸収率は、以下の手順で測定される。
【０１２２】
（ｉ）ガラス基板上に、白金パラジウムをシンクロン社製のＢＭＣ−８００Ｔ蒸着装置にて０．１ｎｍで形成する。白金パラジウムの平均厚さは、蒸着装置のメーカー公称値の形成速度等から算出する。その後、白金パラジウムが付着した基板上に、真空蒸着法にて金属からなる層を２０ｎｍの層厚で形成する。
【０１２３】
（ii）そして、得られた金属膜の表面の法線に対して、５°傾けた角度から測定光を入射させ、金属膜の透過率及び反射率を測定する。そして各波長における透過率及び反射率から、吸収率（％）＝１００−（透過率＋反射率）（％）を算出し、これをリファレンスデータとする。透過率及び反射率は、分光光度計で測定する。
【０１２４】
（iii）続いて、測定対象の透明金属層を同様のガラス基板上に形成する。そして、当該透明金属層について、同様に透過率及び反射率を測定する。得られた吸収率から上記リファレンスデータを差し引き、算出された値を、プラズモン吸収率とする。
【０１２５】
透明金属層４の層厚は４〜２０ｎｍの範囲内であることが好ましいが、４〜１０ｎｍの範囲内であることがより好ましく、さらに好ましくは３〜９ｎｍの範囲内であり、特に好ましくは５〜８ｎｍの範囲内である。透明導電体１では、透明金属層４の層厚が１０ｎｍ以下の場合、透明金属層４に金属本来の反射が生じ難い。さらに、透明金属層４の層厚が１０ｎｍ以下であると、第１高屈折率層３Ａ及び第２高屈折率層３Ｂによって、透明導電体１の光学アドミッタンスが調整されやすく、導通領域ａ表面での光の反射が抑制されやすい。透明金属層４の層厚は、エリプソメーターを用いて測定して求めることができる。
【０１２６】
透明金属層４は、いずれの形成方法で形成された層でもよいが、真空蒸着法若しくはスパッタ法で形成された層であることが好ましい。
【０１２７】
スパッタ法若しくは真空蒸着法であれば、平面性の高い透明金属層を、極めて速い形成速度で形成することができる。また、ＺｎＳを含有する高屈折率層の上に金属層を成膜する際、層の形成速度が速ければ、金属の硫化物が生成しにくいため、銀を主成分として含有する透明金属層の形成速度は０．３ｎｍ／秒以上であることが好ましい。形成速度が０．５〜３０ｎｍ／秒の範囲内であることがより好ましく、特に好ましくは１．０〜１５ｎｍ／秒の範囲内である。また成膜時の温度は、−２５〜２５℃の範囲内であることが好ましい。
【０１２８】
スパッタ法として、対向ターゲットスパッタ法を用いることは、銀の平滑性を高めるため、また透明性と導電性が良好するため好ましい。
【０１２９】
また、透明金属層４が所望の形状にパターニングされた膜である場合、パターニング方法は特に制限されない。透明金属層４は、例えば、所望のパターンを有するマスクを配置して形成された層であってもよく、公知のエッチング法によってパターニングされた膜であってもよい。
【０１３０】
〔第２高屈折率層〕
第２高屈折率層５は、透明導電体１の導通領域ａ、つまり透明金属層４が形成されている領域の光透過性を調整するための層であり、少なくとも透明導電体１の導通領域ａに形成される。
【０１３１】
第２高屈折率層５は、透明導電体１の絶縁領域ｂに形成されてもよいが、導通領域ａ及び絶縁領域ｂからなるパターンを視認され難くするとの観点から、導通領域ａのみに形成されていることが好ましい。
【０１３２】
第２高屈折率層５は、透明基板２の屈折率より高い屈折率を有する。第２高屈折率層５の波長５７０ｎｍの光の屈折率（２５℃、５５％ＲＨ環境下で測定）は、１．９〜２．１５の範囲内であることが、白色に見えて、骨みえ防止の観点から好ましい。
【０１３３】
第２高屈折率層５に含有される誘電性材料又は酸化物半導体材料の波長５７０ｎｍの光の屈折率は、透明基板２の波長５７０ｎｍの光の屈折率より０．１〜１．１大きいことが好ましく、０．４〜１．０大きいことがより好ましい。
【０１３４】
一方、第２高屈折率層５に含まれる誘電性材料又は酸化物半導体材料の波長５７０ｎｍの光の具体的な屈折率は１．５より大きいことが好ましく、１．７〜２．５であることがより好ましく、さらに好ましくは１．８〜２．５である。誘電性材料又は酸化物半導体材料の屈折率が１．５より大きいと、第２高屈折率層５によって、透明導電体１の導通領域ａの光透過性が十分に調整される。
【０１３５】
すなわち、第２高屈折率層に含まれる材料の屈折率が１．５より大きいと、第２高屈折率層によって、透明導電体の導通領域ａの光学アドミッタンスが十分に調整される。
【０１３６】
このような屈折率を透明導電体が有することにより、透明金属層に含有される金属、例えば銀による反射を相殺することができる。
【０１３７】
具体的には、基材と比較して、第１高屈折率層の屈折率が高いほど、基材と第１高屈折率層の界面での反射が高まるため、透明金属層に含有される銀から発生する反射を打ち消しやすくなる。
【０１３８】
また、第２高屈折率層も同様に屈折率が高いほど第２高屈折率層の表面で発生する反射が高まり、銀の反射光を相殺させることが可能になる。したがって高屈折率層の屈折率は基材の屈折率より高いほど望ましい。
【０１３９】
なお、第２高屈折率層５の屈折率は、第２高屈折率層５に含まれる材料の屈折率や、第２高屈折率層５に含まれる材料の密度で調整される。
【０１４０】
第２高屈折率層５は、さらに、電気接続性を確保するために導電性をも有する層である。本発明において、良好な電気接続性を確保するためには、比抵抗が１０００Ω・ｃｍ以下の材料であることが好ましい。さらに好ましくは０．１Ω・ｃｍ以下であることが望ましい。このような構成とすることで、この第２高屈折率層５を通して外側に設けられた端子と、透明金属層との電気接続性が得られ、透明金属層を通して通電できるので、透明導電体の導電性が格段に向上する。
【０１４１】
第２高屈折率層５に含まれる誘電性材料又は酸化物半導体材料は、絶縁性の材料であってもよく、導電性の材料であってもよい。
【０１４２】
当該誘電性材料又は酸化物半導体材料は、第１高屈折率層３に含まれる誘電性材料又は酸化物半導体材料と同様の金属酸化物が挙げられる。
【０１４３】
第２高屈折率層５には、当該金属酸化物が１種のみ含まれてもよく、２種以上が含まれてもよい。
【０１４４】
第２高屈折率層５に含まれる材料は、上記した第１高屈折率層３に含まれる材料の中でも酸化物半導体材料が含まれることが好ましい。中でも金属酸化物が好ましい。
【０１４５】
第２高屈折率層は、チタン（Ｔｉ）、インジウム（Ｉｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、セリウム（Ｃｅ）、タングステン（Ｗ）、ガリウム（Ｇａ）、スズ（Ｓｎ）、ハフニウム（Ｈｆ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、アルミニウム（Ａｌ）、ビスマス（Ｂｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）からなる群から選ばれる少なくとも１種の元素を含有する金属酸化物を含有することが好ましい。
【０１４６】
金属酸化物の例には、ＴｉＯ２、ＩＴＯ（インジウム・スズ酸化物）、ＺｎＯ、Ｎｂ２Ｏ５、ＺｒＯ２、ＣｅＯ２、Ｔａ２Ｏ５、Ｔｉ３Ｏ５、Ｔｉ４Ｏ７、Ｔｉ２Ｏ３、ＴｉＯ、ＳｎＯ２、Ｌａ２Ｔｉ２Ｏ７、ＩＺＯ（インジウム・亜鉛酸化物）、ＡＺＯ（アルミニウム・亜鉛酸化物）、ＧＺＯ（ガリウム・亜鉛酸化物）、ＡＴＯ（アンチモン・スズ酸化物）、ＩＣＯ（インジウム・セリウム酸化物）、ＩＧＺＯ（インジウム・ガリウム・亜鉛酸化物）、Ｂｉ２Ｏ３、Ｇａ２Ｏ３、ＧｅＯ２、ＷＯ３、ＨｆＯ２、Ｉｎ２Ｏ３、ａ−ＧＩＯ（ガリウム・インジウム酸化物）等が含まれる。
【０１４７】
また、金属フッ化物を用いることもでき、ＬａＦ３、ＢａＦ２、Ｎａ５Ａｌ３Ｆ１４、Ｎａ３ＡｌＦ６、ＡｌＦ３、ＭｇＦ２、ＣａＦ２、ＢａＦ２、ＣｅＦ３、ＮｄＦ３、ＹＦ３等を挙げることができる。
【０１４８】
また、金属窒化物を用いることもでき、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、窒化クロム、窒化ケイ素、窒化タングステン、窒化マグネシウム、窒化モリブデン、窒化リチウム、窒化チタン等を挙げることができる。
【０１４９】
中でも、第２高屈折率層５を構成する前記Ａ層が、原子番号４０以下の金属化合物を含有することが好ましく、中でも亜鉛成分を含有することが好ましい。当該亜鉛成分として、酸化亜鉛（ＺｎＯ）を主成分として含有することが好ましく、前記Ｂ層が、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ５）又は酸化スズ（ＳｎＯ２）のいずれかを含有することが、屈折率、導電性、耐熱及び耐湿度安定性の観点から、好ましい。
【０１５０】
また、第２高屈折率層５は、少なくともガリウムを含有し、Ｇａ２Ｏ３を含有することが、より好ましい。
【０１５１】
第２高屈折率層５は、第２高屈折率層全体に対して、Ｇａ２Ｏ３を１〜３５質量％の範囲内で含有することが好ましい。つまり、第２高屈折率層５に、ＺｎＯとＧａ２Ｏ３からなる複合酸化物（ＧＺＯ）のみが含有されている場合には、ＺｎＯとＧａ２Ｏ３の質量比が９９〜２５：１〜３５であることを意味し、ＺｎＯとＧａ２Ｏ３からなる複合酸化物以外にも含有されている場合には、ＺｎＯ及びその他含有されている材料とＧａ２Ｏ３の質量比が９９〜２５：１〜３５であることを意味する。
【０１５２】
さらに、第２高屈折率層５は、さらに、誘電性材料又は酸化物半導体材料やＳｉＯ２等を含有してもよい。
【０１５３】
また、第２高屈折率層５が所望の形状にパターニングされた層である場合、パターニング方法は特に制限されない。
【０１５４】
第２高屈折率層５は、例えば、所望のパターンを有するマスク等を被形成面に配置して、気相成膜法でパターン状に形成された層であってもよい。また、公知のエッチング法によってパターニングされた層であってもよい。
【０１５５】
〔その他の構成層〕
（密着層）
本発明に係る透明導電体１には、透明基板と第１高屈折率層の密着改善のために透明基板上に密着層があってもよい。密着層は第１高屈折率層が透明基板としっかり密着するものであればよい。
【０１５６】
密着層は、誘電性材料、酸化物半導体材料、絶縁性又は導電性の材料を含有してもよい。
【０１５７】
誘電性材料又は酸化物半導体材料は、金属酸化物、金属硫化物又は金属窒化物であることが好ましい。屈折率は限定されない。特に第１高屈折率層が蒸着法で成膜される場合、密着層があることが好ましい。これは、明確な作用機構は明らかになっていないが、スパッタ法で成膜した場合に比べて、蒸着法で成膜される方が成膜にかかるエネルギーが小さいため、密着性が透明基板と第１高屈折率層の材質による相性に左右されると考えている。
【０１５８】
例えば、ＳｉＯ２膜や、スパッタ法で成膜したＺｎＳ／ＳｉＯ２膜が挙げられる。層の厚さは特に制限されず、好ましくは０．０１〜１５ｎｍの範囲内であり、さらに好ましくは０．１〜３ｎｍの範囲内である。
【０１５９】
（下地層）
透明導電体１には、透明金属層４の形成時に成長核となる下地層が設けられてもよい。
【０１６０】
下地層は、透明金属層４より透明基板２側、かつ透明金属層４に隣接して形成された層、つまり、第１高屈折率層３と透明金属層４との間、又は硫化防止層６ａと透明金属層４との間に形成される層である。
【０１６１】
下地層は、少なくとも透明導電体の導通領域ａに形成されていることが好ましく、透明導電体１の絶縁領域ｂに形成されていてもよい。
【０１６２】
透明導電体１に下地層が設けられると、透明金属層４の層厚が薄くとも、透明金属層４の表面の平滑性が高まる。その理由は以下のとおりである。
【０１６３】
一般的な気相成膜法で透明金属層４の材料を、例えば第１高屈折率層３上に堆積させると、形成初期には、第１高屈折率層３上に付着した原子がマイグレート（移動）し、原子が寄り集まって塊（島状構造）を形成する。そして、この塊にまとわりつきながら膜が成長する。そのため、形成初期の層では、塊同士の間に隙間があり、導通しない。この状態からさらに塊が成長すると、塊同士の一部がつながり、辛うじて導通する。しかし、塊同士の間にいまだ隙間があるため、プラズモン吸収が生じる。そして、さらに形成が進むと、塊同士が完全につながって、プラズモン吸収が少なくなる。しかしその一方で、金属本来の反射が生じ、層の光透過性が低下する。
【０１６４】
これに対し、第１高屈折率層３上をマイグレートし難い金属からなる下地層が形成されていると、当該下地層を成長核として、透明金属層４が成長する。つまり、透明金属層４の材料がマイグレートし難くなり、前述の島状構造を形成せずに膜が成長する。その結果、層厚が薄くとも平滑な透明金属層４が得られやすくなる。
【０１６５】
ここで、下地層には、パラジウム、モリブデン、亜鉛、ゲルマニウム、ニオブ又はインジウム、若しくはこれらの金属と他の金属との合金や、これらの金属の酸化物や硫化物（例えばＺｎＳ）が含まれることが好ましい。下地層には、これらが１種のみ含まれてもよく、２種以上が含まれてもよい。
【０１６６】
下地層に含まれるパラジウム、モリブデン、亜鉛、ゲルマニウム、ニオブ又はインジウムの量は、２０質量％以上であることが好ましく、より好ましくは４０質量％以上であり、さらに好ましくは６０質量％以上である。下地層に上記金属が２０質量％以上含まれると、下地層と透明金属層４との親和性が高まり、下地層と透明金属層４との密着性が高まりやすい。下地層にはパラジウム又はモリブデンが含まれることが特に好ましい。
【０１６７】
一方、パラジウム、モリブデン、亜鉛、ゲルマニウム、ニオブ又はインジウムと合金を形成する金属は特に制限されないが、例えばパラジウム以外の白金族、金、コバルト、ニッケル、チタン、アルミニウム、クロム等が挙げられる。
【０１６８】
下地層の層厚は、３ｎｍ以下であり、好ましくは０．５ｎｍ以下であり、より好ましくは単原子膜である。
【０１６９】
下地層は、透明基板１上に金属原子が互いに離間して付着している膜でもありうる。下地層の付着量が３ｎｍ以下であれば、下地層が透明導電体１００の光透過性や光学アドミッタンスに影響を及ぼし難い。下地層の有無はＩＣＰ−ＭＳ法で確認される。また、下地層の層厚は、形成速度と形成時間との積から算出される。
【０１７０】
下地層は、スパッタ法又は蒸着法で形成することができる。
【０１７１】
スパッタ法の例としては、イオンビームスパッタ法や、マグネトロンスパッタ法、反応性スパッタ法、２極スパッタ法、バイアススパッタ法等が挙げられる。下地層形成時のスパッタ時間は、所望の下地層の平均層厚、及び形成速度に合わせて適宜選択される。スパッタ形成速度は、好ましくは０．１〜１５Å／秒の範囲内であり、より好ましくは０．１〜７Å／秒の範囲内である。
【０１７２】
一方、蒸着法の例としては、真空蒸着法、電子線蒸着法、イオンプレーティング法、イオンビーム蒸着法等が挙げられる。蒸着時間は、所望の下地層の層厚及び形成速度に合わせて適宜選択される。蒸着速度は、好ましくは０．１〜１５Å／秒の範囲内であり、より好ましくは０．１〜７Å／秒の範囲内である。
【０１７３】
下地層が所望の形状にパターニングされた層である場合、パターニング方法は特に制限されない。下地層は、例えば、所望のパターンを有するマスク等を被形成面に配置して、気相成膜法でパターン状に形成された層であってもよく、公知のエッチング法によってパターニングされた層であってもよい。
【０１７４】
（低屈折率層）
本発明に係る透明導電体１には、第２高屈折率層５上に、透明導電体の導通領域ａの光透過性（光学アドミッタンス）を調整する低屈折率層（図示せず）を有していてもよい。低屈折率層は、透明導電体１の導通領域ａにのみ形成されていてもよく、透明導電体１の導通領域ａ及び絶縁領域ｂの両方に形成されていてもよい。
【０１７５】
低屈折率層には、第１高屈折率層３及び第２高屈折率層５に含まれる誘電性材料又は酸化物半導材料の波長５７０ｎｍの光の屈折率より、光の屈折率が低い誘電性材料又は酸化物半導体材料が含まれる。低屈折率層に含まれる誘電性材料又は酸化物半導体材料の波長５７０ｎｍの光の屈折率は、第１高屈折率層３及び第２高屈折率層５に含まれる上記材料の波長５７０ｎｍの光の屈折率より、それぞれ０．２以上低いことが好ましく、０．４以上低いことがより好ましい。
【０１７６】
（第３高屈折率層）
本発明に係る透明導電体１には、第２高屈折率層上にさらに、透明導電体の導通領域ａの光透過性（光学アドミッタンス）を調整する第３高屈折率層が含まれてもよい。第３高屈折率層は、透明導電体１の導通領域ａにのみ成膜されていてもよく、透明導電体１の導通領域ａ及び絶縁領域ｂの両方に成膜されていてもよい。
【０１７７】
第３高屈折率層には、前述の透明基板２の屈折率及び前記低屈折率層の屈折率より高い屈折率を有する誘電性材料又は酸化物半導体材料が含まれることが好ましい。
【０１７８】
第３高屈折率層に含まれる誘電性材料又は酸化物半導体材料の波長５７０ｎｍの光の具体的な屈折率は１．５より大きいことが好ましく、１．７〜２．５であることがより好ましく、さらに好ましくは１．８〜２．５である。
【０１７９】
誘電性材料又は酸化物半導体材料の屈折率が１．５より大きいと、第３高屈折率層によって、透明導電体１の導通領域ａの光学アドミッタンスが十分に調整される。
【０１８０】
なお、第３高屈折率層の屈折率は、第３高屈折率層に含まれる材料の屈折率や密度で調整される。
【０１８１】
第３高屈折率層に含まれる誘電性材料又は酸化物半導体材料は、絶縁性の材料であってもよく、導電性の材料であってもよい。誘電性材料又は酸化物半導体材料は、金属酸化物又は金属硫化物又は金属窒化物であることが好ましい。金属酸化物又は金属硫化物の例には、前述の第１高屈折率層３又は第２高屈折率層５に含まれる金属酸化物又は金属硫化物等が含まれる。第３高屈折率層には、当該金属酸化物又は金属硫化物が１種のみ含まれてもよく、２種以上が含まれてもよい。
【０１８２】
第３高屈折率層の層厚は特に制限されず、好ましくは１〜４０ｎｍであり、さらに好ましくは５〜２０ｎｍである。第３高屈折率層の層厚が上記範囲であると、透明導電体１の導通領域ａの光学アドミッタンスが十分に調整される。第３高屈折率層の層厚は、エリプソメーターで測定される。
【０１８３】
第３高屈折率層の成膜方法は特に制限されず、第１高屈折率層３や第２高屈折率層５と同様の方法で成膜された層でありうる。
【０１８４】
〔透明導電体の物性〕
本発明に係る透明導電体の波長４００〜１０００ｎｍの平均光透過率（全光線透過率ともいう。）は、導通領域ａ及び絶縁領域ｂのいずれにおいても８４％以上であることが好ましく、より好ましくは８８％以上、さらに好ましくは９０％以上である。波長４００〜１０００ｎｍの光の平均光透過率が８４％以上であると、広い波長範囲の光に対して光透過性が要求される用途、例えば太陽電池用の透明導電膜等にも本発明に係る透明導電体を適用することができる。平均光透過率は、ＪＩＳ  Ｋ７３７５：２００８に準拠して測定することができる。
【０１８５】
一方、透明導電体の波長４００〜８００ｎｍの光の平均光吸収率は、導通領域ａ及び絶縁領域ｂのいずれにおいても１０％以下であることが好ましく、より好ましくは８％以下であり、さらに好ましくは７％以下である。また、透明導電体の波長４５０〜８００ｎｍの光の吸収率の最大値は、導通領域ａ及び絶縁領域ｂのいずれにおいても１５％以下であることが好ましく、より好ましくは１０％以下であり、さらに好ましくは９％以下である。一方、透明導電体の波長５００〜７００ｎｍの光の平均光反射率は、導通領域ａ及び絶縁領域ｂのいずれにおいても、２０％以下であることが好ましく、より好ましくは１５％以下であり、さらに好ましくは１０％以下である。透明導電体の平均光吸収率及び平均反射率が低いほど、前述の平均光透過率が高まる。
【０１８６】
上記平均光透過率、平均光吸収率、及び平均反射率は、透明導電体の使用環境下で測定した平均光透過率、平均光吸収率、及び平均反射率であることが好ましい。具体的には、透明導電体が有機樹脂と貼り合わせて使用される場合には、透明導電体上に有機樹脂からなる層を配置して平均光透過率及び平均反射率測定することが好ましい。一方、透明導電体が大気中で使用される場合には、大気中での平均光透過率及び平均反射率を測定することが好ましい。透過率及び反射率は、透明導電体の表面の法線に対して５°傾けた角度から測定光を入射させて分光光度計で測定する。吸収率（％）は、１００−（透過率＋反射率）の計算式より算出される。
【０１８７】
また、透明導電体１が、図２に示すように導通領域ａ及び絶縁領域ｂを有する場合、導通領域ａの反射率及び絶縁領域ｂの反射率がそれぞれ近似することが好ましい。具体的には、導通領域ａの視感反射率と、絶縁領域ｂの視感反射率との差ΔＲが５％以下であることが好ましく、３％以下であることがより好ましく、さらに好ましくは１％以下であり、特に好ましくは０．３％以下である。一方、導通領域ａ及び絶縁領域ｂの視感反射率は、それぞれ５％以下であることが好ましく、より好ましくは３％以下であり、さらに好ましくは１％以下である。視感反射率は、分光光度計（Ｕ４１００；日立ハイテクノロジーズ社製）で測定されるＹ値である。
【０１８８】
また透明導電体１に導通領域ａ及び絶縁領域ｂが含まれる場合、いずれの領域においても、Ｌ＊ａ＊ｂ＊表色系におけるａ＊値及びｂ＊値は±２．０以内であることが好ましく、より好ましくはａ＊値が±０．５の範囲、ｂ＊値が±１．０の範囲である。Ｌ＊ａ＊ｂ＊表色系におけるａ＊値及びｂ＊値が±２．０であれば、導通領域ａ及び絶縁領域ｂのいずれの領域も無色透明に観察される。Ｌ＊ａ＊ｂ＊表色系におけるａ＊値及びｂ＊値は、分光光度計（ＣＭ−５；コニカミノルタ製）で測定される。
【０１８９】
透明導電体の導通領域ａの表面電気抵抗値は、５０Ω／□以下であることが好ましく、さらに好ましくは３０Ω／□以下である。導通領域の表面電気抵抗値が５０Ω／□以下である透明導電体は、静電容量方式のタッチパネル用の透明導電パネル等に適用できる。導通領域ａの表面電気抵抗値は、透明金属層の層厚等によって調整される。導通領域ａの表面電気抵抗値は、例えばＪＩＳ  Ｋ７１９４、ＡＳＴＭ  Ｄ２５７等に準拠して測定される。また、市販の表面電気抵抗率計によっても測定される。
【０１９０】
〔パターニングされた電極を有する透明導電体の形成方法〕
本発明に係る透明導電体に対し、図２で示すような導通領域及び絶縁領域からなるパターンの形成方法について説明する。パターンの形成にあたっては、市販のレーザーエッチング装置（武井電機）などを用いることができる。波長は１０６４ｎｍ、５３２ｎｍ又は３５５ｎｍが特に望ましい。線幅は５〜３０μｍが望ましい。
【０１９１】
本発明に係る透明導電体においては、上記のような方法で透明基板上に、例えば、第１高屈折率層と、透明金属層と、第２高屈折率層とをこの順で積層して製造した後、透明金属層を所定の形状にパターニングされた金属電極を形成することが好ましく、具体的には、フォトリソグラフィー法により、エッチング液を用いて、パターニングされた電極を形成することが好ましい。形成する電極の線幅としては、５０μｍ以下であることが好ましく、特に好ましくは、２０μｍ以下である。
【０１９２】
《透明導電体の適用分野》
上記構成からなる本発明に係る透明導電体は、液晶方式、プラズマ方式、有機エレクトロルミネッセンス方式、フィールドエミッション方式など各種ディスプレイをはじめ、タッチパネルや携帯電話、電子ペーパー、各種太陽電池、各種エレクトロルミネッセンス調光素子など様々なオプトエレクトロニクスデバイスの基板等に好ましく用いることができる。
【０１９３】
このとき、透明導電体の表面（例えば、透明基板と反対側の表面）は、接着層等を介して、他の部材と貼り合わせられてもよい。この場合には、透明導電体の表面の等価アドミッタンス座標と、接着層のアドミッタンス座標とがそれぞれ近似することが好ましい。これにより、透明導電体と接着層との界面での反射が抑制される。具体的には、波長５５０ｎｍの反射率が１％以下になるように透明導電体の表面のアドミッタンス座標を調整するのが好ましい。接着剤の屈折率は一般的に、大きく調整することが難しいためである。
【０１９４】
一方、透明導電体の表面が空気と接するような構成で使用される場合には、透明導電体の表面のアドミッタンス座標と、空気のアドミッタンス座標とがそれぞれ近似することが好ましい。これにより、透明導電体と空気との界面での光の反射が抑制される。具体的には、波長５５０ｎｍの反射率が１％以下になるように透明導電体の表面のアドミッタンス座標を調整するのが好ましい。
【０１９５】
以下、本発明に係る透明導電体をタッチパネルに適用した一例を示す。
【０１９６】
図３は、パターニングされた電極を有する透明導電体を具備したタッチパネルの構成の一例を示す斜視図である。
【０１９７】
図３に示すタッチパネル２１は、投影型静電容量式のタッチパネルである。このタッチパネル２１は、透明基板２−１及び２−２の一主面上に、第１の透明電極ユニットＥＵ−１及び第２の透明電極ユニットＥＵ−２がこの順に配置され、この上部が前面板１３で覆われている。
【０１９８】
第１の透明電極ユニットＥＵ−１及び第２の透明電極ユニットＥＵ−２は、それぞれが、図２を用いて説明したパターニングされた電極が形成された透明導電体１である。したがって、第１の透明電極ユニットＥＵ−１は、透明基板２−１上に、第１高屈折率層３、第１硫化防止層６Ａ、透明金属層４、第２高屈折率層５をこの順で積層した構成である。第２の透明電極ユニットＥＵ−２も同様の構成である。
【０１９９】
本発明に係る透明導電体は、投影型静電容量式のタッチパネルに加え、種々の方式のタッチパネルのタッチセンサー（以下において、「タッチセンサー電極部」ともいう。）に適用され得る。例えば、表面型静電容量方式タッチパネル、抵抗膜式タッチパネルなどにおいても用いることができる。
【実施例】
【０２００】
以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、実施例において「部」又は「％」の表示を用いるが、特に断りがない限り「質量部」又は「質量％」を表す。
【０２０１】
また、実施例に用いた酸化物の組成比を下に示す。
【０２０２】
ＩＧＺＯ＊１：Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝６：６：８８（ａｔ％比）；ＩＧＺＯ（６：６：８８）と表記
ＩＧＺＯ＊２：Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１（ａｔ％比）；ＩＧＺＯ（１：１：１）と表記
ＧＺＯ     ：Ｇａ２Ｏ３：ＺｎＯ＝１０：９０（質量％比）；ＧＺＯ１０％と表記
ＳＧＺＯ   ：Ｓ：Ｇａ：Ｚｎ＝０．７：６：９３．３（ａｔ％比）；ＳＧＺＯ（０．７：６：９３．３）と表記
ＩＴＯ     ：Ｉｎ２Ｏ３：ＳｎＯ２＝９０：１０（質量％比）
ＴＮＯ     ：ＴｉＯ２：Ｎｂ２Ｏ５＝９４：６（質量％比）
また、層厚はスパッタ時間又は蒸着時間を調整することで調節した。
【０２０３】
実施例１
《透明導電体の作製》
〔透明導電体１の作製〕
透明基板としてポリエチレンテレフタレート（略称：ＰＥＴ）フィルム（東洋紡製「コスモシャインＡ４３００」厚さ５０μｍ）を用い、ＰＥＴフィルム上に、下記の方法に従って、第１高屈折率層（ＺｎＳ／ＳｉＯ２）／第１硫化防止層（ＧＺＯ）／透明金属層（Ａｇ）／第２高屈折率層であるＡ層（ＧＺＯ）／Ｂ層（ＩＴＯ）をこの順に積層した。
【０２０４】
なお、以下に示す各層の層厚及び屈折率は、Ｊ．Ａ．Ｗｏｏｌｌａｍ  Ｃｏ．Ｉｎｃ．製のＶＢ−２５０型ＶＡＳＥエリプソメーターで測定した。
【０２０５】
（第１高屈折率層（ＺｎＳ／ＳｉＯ２）の形成）
透明基板（ＰＥＴ）上に、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、電力密度１２Ｗ／ｃｍ２、形成速度０．８２ｎｍ／ｓで、層厚が３６ｎｍとなるようＺｎＳ／ＳｉＯ２をＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。ターゲットであるＺｎＳ／ＳｉＯ２は、ＺｎＳにＳｉＯ２を混合し、焼結させることで作製した。ＺｎＳ／ＳｉＯ２層に含有される硫黄成分の含有率は、２５ａｔ％とした。
【０２０６】
（第１硫化防止層（ＧＺＯ）の形成）
次いで、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．１Ｐａ、室温下、電力密度４Ｗ／ｃｍ２、成膜レート０．２５ｎｍ／秒でＧＺＯをＤＣパルススパッタした。ターゲット−基板間距離は９０ｍｍであった。ＧＺＯ層の層厚は１ｎｍであった。
【０２０７】
（透明金属層（Ａｇ）の形成）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳを用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、電力密度２Ｗ／ｃｍ２、形成速度０．７ｎｍ／ｓで銀（以下、Ａｇと表記する。）を層厚が７ｎｍとなるようＤＣスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。
【０２０８】
（第２高屈折率層（ＧＺＯ）の形成）
〈Ａ層の形成〉
透明金属層を作製したＰＥＴフィルムに、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、電力密度３Ｗ／ｃｍ２、形成速度０．２５ｎｍ／秒の条件で、層厚が３ｎｍとなるようにＧＺＯをＤＣパルススパッタした。成膜した膜厚はターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。
【０２０９】
〈Ｂ層の形成〉
次いで、他の条件は変えずに、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ２ｓｃｃｍ、電力密度を１２Ｗ／ｃｍ２に増加し、形成速度１．４５ｎｍ／秒の条件で、層厚が４５ｎｍとなるようにＩＴＯをＤＣパルススパッタした。
【０２１０】
このようにしてＡ層／Ｂ層を有する第２高屈折率層を含む透明導電体１を作製した。
【０２１１】
〔透明導電体２の作製〕
透明導電体１の作製において、第２高屈折率層を以下のように形成した。
【０２１２】
〈Ａ層の形成〉
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、電力密度３Ｗ／ｃｍ２、形成速度０．２５ｎｍ／秒の条件で、層厚が２０ｎｍとなるようにＧＺＯをＤＣパルススパッタした。成膜した膜厚はターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。
【０２１３】
〈Ｂ層の形成〉
次いで、他の条件は変えずに、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ２ｓｃｃｍ、電力密度を１２Ｗ／ｃｍ２に増加し、形成速度１．４７ｎｍ／秒の条件で、層厚が２８ｎｍとなるようにＩＴＯをＤＣパルススパッタした。
【０２１４】
このようにして、表１で示すＡ層／Ｂ層を有する第２高屈折率層を含む透明導電体２を作製した。
【０２１５】
〔透明導電体３の作製〕
透明導電体１の作製において、第２高屈折率層を以下のように形成した。
【０２１６】
〈Ａ層の形成〉
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、電力密度３Ｗ／ｃｍ２、形成速度０．２５ｎｍ／秒の条件で、層厚が１ｎｍとなるようにＧＺＯをＤＣパルススパッタした。成膜した膜厚はターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。
【０２１７】
〈Ｂ層の形成〉
次いで、他の条件は変えずに、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ２ｓｃｃｍ、電力密度を１２Ｗ／ｃｍ２に増加し、形成速度１．５２ｎｍ／秒の条件で、層厚が４７ｎｍとなるようにＩＴＯをＤＣパルススパッタした。
【０２１８】
このようにして、表１で示すＡ層／Ｂ層を有する第２高屈折率層を含む透明導電体３を作製した。
【０２１９】
〔透明導電体４の作製〕
透明導電体１の作製において、第２高屈折率層を以下のように形成した。
【０２２０】
〈Ａ層の形成〉
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、電力密度４Ｗ／ｃｍ２、形成速度０．５ｎｍ／秒の条件で、層厚が３ｎｍとなるようにＧＺＯをＤＣパルススパッタした。成膜した膜厚はターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。
【０２２１】
〈Ｂ層の形成〉
次いで、他の条件は変えずに、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ２ｓｃｃｍ、電力密度を１２Ｗ／ｃｍ２に増加し、形成速度１．４５ｎｍ／秒の条件で、層厚が４５ｎｍとなるようにＩＴＯをＤＣパルススパッタした。
【０２２２】
このようにして、表１で示すＡ層／Ｂ層を有する第２高屈折率層を含む透明導電体４を作製した。
【０２２３】
〔透明導電体５の作製〕
透明導電体１の作製において、第２高屈折率層を以下のように形成した。
【０２２４】
〈Ａ層の形成〉
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、電力密度１Ｗ／ｃｍ２、形成速度０．０６ｎｍ／秒の条件で、層厚が３ｎｍとなるようにＧＺＯをＤＣパルススパッタした。成膜した膜厚はターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。
【０２２５】
〈Ｂ層の形成〉
次いで、他の条件は変えずに、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ２ｓｃｃｍ、電力密度を１２Ｗ／ｃｍ２に増加し、形成速度１．４５ｎｍ／秒の条件で、層厚が４５ｎｍとなるようにＩＴＯをＤＣパルススパッタした。
【０２２６】
このようにして、表１で示すＡ層／Ｂ層を有する第２高屈折率層を含む透明導電体５を作製した。
【０２２７】
〔透明導電体６の作製〕
透明導電体１の作製において、第２高屈折率層を以下のように形成した。
【０２２８】
〈Ａ層の形成〉
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、電力密度３Ｗ／ｃｍ２、形成速度０．２５ｎｍ／秒の条件で、層厚が３ｎｍとなるようにＧＺＯをＤＣパルススパッタした。成膜した膜厚はターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。
【０２２９】
〈Ｂ層の形成〉
次いで、他の条件は変えずに、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ２ｓｃｃｍ、電力密度を２４Ｗ／ｃｍ２に増加し、形成速度３．０ｎｍ／秒の条件で、層厚が４５ｎｍとなるようにＩＴＯをＤＣパルススパッタした。
【０２３０】
このようにして、表２で示すＡ層／Ｂ層を有する第２高屈折率層を含む透明導電体６を作製した。
【０２３１】
〔透明導電体７の作製〕
透明導電体１の作製において、第２高屈折率層を以下のように形成した。
【０２３２】
〈Ａ層の形成〉
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、電力密度４／ｃｍ２、形成速度０．５ｎｍ／秒の条件で、層厚が３ｎｍとなるようにＮｂ２Ｏ５をＲＦパルススパッタした。成膜した膜厚はターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。
【０２３３】
〈Ｂ層の形成〉
次いで、他の条件は変えずに、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ２ｓｃｃｍ、電力密度を１２Ｗ／ｃｍ２に増加し、形成速度１．４５ｎｍ／秒の条件で、層厚が４５ｎｍとなるようにＩＴＯをＤＣパルススパッタした。
【０２３４】
このようにして、表２で示すＡ層／Ｂ層を有する第２高屈折率層を含む透明導電体７を作製した。
【０２３５】
〔透明導電体８の作製〕
透明導電体１の作製において、硫化防止層を形成せず、第２高屈折率層を以下のように形成した。
【０２３６】
〈Ａ層の形成〉
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、電力密度１Ｗ／ｃｍ２、形成速度０．０６ｎｍ／秒の条件で、層厚が３ｎｍとなるようにＧＺＯをＤＣパルススパッタした。成膜した膜厚はターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。
【０２３７】
〈Ｂ層の形成〉
次いで、他の条件は変えずに、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ２ｓｃｃｍ、電力密度を２４Ｗ／ｃｍ２に増加し、形成速度１．４５ｎｍ／秒の条件で、層厚が４５ｎｍとなるようにＩＴＯをＤＣパルススパッタした。
【０２３８】
このようにして、表２で示すＡ層／Ｂ層を有する第２高屈折率層を含む透明導電体６を作製した。
【０２３９】
〔透明導電体９の作製〕
透明導電体１の作製において、第２高屈折率層を以下のように形成した。
【０２４０】
〈Ａ層の形成〉
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、電力密度３Ｗ／ｃｍ２、形成速度０．２５ｎｍ／秒の条件で、層厚が３ｎｍとなるようにＧＺＯをＤＣパルススパッタした。成膜した膜厚はターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。
【０２４１】
〈Ｂ層の形成〉
次いで、他の条件は変えずに、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ２ｓｃｃｍ、電力密度を６Ｗ／ｃｍ２に増加し、形成速度０．４６ｎｍ／秒の条件で、層厚が４５ｎｍとなるようにＴＮＯをＲＦスパッタした。
【０２４２】
このようにして、表２で示すＡ層／Ｂ層を有する第２高屈折率層を含む透明導電体９を作製した。
【０２４３】
〔透明導電体１０の作製〕
透明導電体１の作製において、第２高屈折率層を以下のように形成した。
【０２４４】
〈Ａ層の形成〉
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、電力密度３Ｗ／ｃｍ２、形成速度０．２５ｎｍ／秒の条件で、層厚が３ｎｍとなるようにＺｎＯをＤＣパルススパッタした。成膜した膜厚はターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。
【０２４５】
〈Ｂ層の形成〉
次いで、他の条件は変えずに、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ２ｓｃｃｍ、電力密度を２４Ｗ／ｃｍ２に増加し、形成速度３．０ｎｍ／秒の条件で、層厚が４５ｎｍとなるようにＩＴＯをＤＣパルススパッタした。
【０２４６】
このようにして、表２で示すＡ層／Ｂ層を有する第２高屈折率層を含む透明導電体１０を作製した。
【０２４７】
〔透明導電体１１の作製〕
透明導電体１の作製において、第２高屈折率層を以下のように形成した。
【０２４８】
〈Ａ層の形成〉
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、電力密度３Ｗ／ｃｍ２、形成速度０．２５ｎｍ／秒の条件で、層厚が３ｎｍとなるようにＩＧＺＯ＊１をＤＣパルススパッタした。成膜した膜厚はターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。
【０２４９】
〈Ｂ層の形成〉
次いで、他の条件は変えずに、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ２ｓｃｃｍ、電力密度を２４Ｗ／ｃｍ２に増加し、形成速度３．０ｎｍ／秒の条件で、層厚が４５ｎｍとなるようにＩＴＯをＤＣパルススパッタした。
【０２５０】
このようにして、表３で示すＡ層／Ｂ層を有する第２高屈折率層を含む透明導電体１０を作製した。
【０２５１】
〔透明導電体１２の作製〕
透明導電体１の作製において、第２高屈折率層を以下のように形成した。
【０２５２】
〈Ａ層の形成〉
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、電力密度３Ｗ／ｃｍ２、形成速度０．２５ｎｍ／秒の条件で、層厚が３ｎｍとなるようにＧＺＯをＤＣパルススパッタした。成膜した膜厚はターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。
【０２５３】
〈Ｂ層の形成〉
次いで、他の条件は変えずに、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ２ｓｃｃｍ、電力密度を１２Ｗ／ｃｍ２に増加し、形成速度０．９６ｎｍ／秒の条件で、層厚が４５ｎｍとなるようにＳＧＺＯをＤＣパルススパッタした。
【０２５４】
このようにして、表３で示すＡ層／Ｂ層を有する第２高屈折率層を含む透明導電体１２を作製した。
【０２５５】
〔透明導電体１３の作製〕
透明導電体１の作製において、第２高屈折率層を以下のように形成した。
【０２５６】
〈Ａ層の形成〉
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、電力密度３Ｗ／ｃｍ２、形成速度０．２５ｎｍ／秒の条件で、層厚が３ｎｍとなるようにＧＺＯをＤＣパルススパッタした。成膜した膜厚はターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。
【０２５７】
〈Ｂ層の形成〉
次いで、他の条件は変えずに、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ２ｓｃｃｍ、電力密度を１２Ｗ／ｃｍ２に増加し、形成速度０．９６ｎｍ／秒の条件で、層厚が４５ｎｍとなるようにＧＺＯをＤＣパルススパッタした。
【０２５８】
このようにして、表３で示すＡ層／Ｂ層を有する第２高屈折率層を含む透明導電体１３を作製した。
【０２５９】
〔透明導電体１４の作製〕
透明導電体１の作製において、第２高屈折率層を以下のように形成した。
【０２６０】
〈Ａ層の形成〉
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、電力密度３Ｗ／ｃｍ２、形成速度０．２５ｎｍ／秒の条件で、層厚が３ｎｍとなるようにＧＺＯをＤＣパルススパッタした。成膜した膜厚はターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。
【０２６１】
〈Ｂ層の形成〉
次いで、他の条件は変えずに、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ２ｓｃｃｍ、電力密度を１２Ｗ／ｃｍ２に増加し、形成速度１．４５ｎｍ／秒の条件で、層厚が４５ｎｍとなるようにＳｎＯ２をＤＣパルススパッタした。
【０２６２】
このようにして、表３で示すＡ層／Ｂ層を有する第２高屈折率層を含む透明導電体１４を作製した。
【０２６３】
〔透明導電体１５の作製〕
透明導電体１の作製において、第２高屈折率層を以下のように形成した。
【０２６４】
〈Ａ層の形成〉
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、電力密度３Ｗ／ｃｍ２、形成速度０．２５ｎｍ／秒の条件で、層厚が３ｎｍとなるようにＧＺＯをＤＣパルススパッタした。成膜した膜厚はターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。
【０２６５】
〈Ｂ層の形成〉
次いで、他の条件は変えずに、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ２ｓｃｃｍ、電力密度を１２Ｗ／ｃｍ２に増加し、形成速度１．４５ｎｍ／秒の条件で、層厚が４５ｎｍとなるようにＩＧＺＯ＊１をＤＣパルススパッタした。
【０２６６】
このようにして、表３で示すＡ層／Ｂ層を有する第２高屈折率層を含む透明導電体１４を作製した。
【０２６７】
〔透明導電体１６の作製〕
透明導電体１の作製において、第２高屈折率層を以下のように形成した。
【０２６８】
〈Ａ層の形成〉
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、電力密度３Ｗ／ｃｍ２、形成速度０．２５ｎｍ／秒の条件で、層厚が３ｎｍとなるようにＧＺＯをＤＣパルススパッタした。成膜した膜厚はターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。
【０２６９】
〈Ｂ層の形成〉
次いで、他の条件は変えずに、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ２ｓｃｃｍ、電力密度を１２Ｗ／ｃｍ２に増加し、形成速度１．４５ｎｍ／秒の条件で、層厚が４５ｎｍとなるようにＩＧＺＯ＊２をＤＣパルススパッタした。
【０２７０】
このようにして、表４で示すＡ層／Ｂ層を有する第２高屈折率層を含む透明導電体１６を作製した。
【０２７１】
〔透明導電体１７の作製〕
透明基板としてポリエチレンテレフタレート（略称：ＰＥＴ）フィルム（東洋紡製「コスモシャインＡ４３００」厚さ５０μｍ）を用い、ＰＥＴフィルム上に、下記の方法に従って、第１高屈折率層（ＺｎＳ）／第１硫化防止層（ＧＺＯ）／透明金属層（Ａｇ）／第２高屈折率層であるＡ層（ＧＺＯ）／Ｂ層（ＩＧＺＯ＊２）をこの順に積層した。
【０２７２】
なお、以下に示す各層の層厚及び屈折率は、Ｊ．Ａ．Ｗｏｏｌｌａｍ  Ｃｏ．Ｉｎｃ．製のＶＢ−２５０型ＶＡＳＥエリプソメーターで測定した。
【０２７３】
（第１高屈折率層（ＺｎＳ）の形成）
透明基板（ＰＥＴ）上に、真空蒸着装置として、シンクロン社製のＢＭＣ−８００Ｔ蒸着装置を用い、モリブデン製抵抗加熱ボートにＺｎＳを装填し、真空槽を４×１０−４Ｐａまで減圧した後、Ａｒガスを導入して真空槽を２×１０−３Ｐａに設定した。次いで、３００ＷでＲＦプラズマを焚きながら、抵抗加熱ボートに通電加熱し、抵抗加熱ボートの通電加熱条件を調整して、形成速度２．０ｎｍ／秒の条件で蒸着して、層厚３６ｎｍの第１高屈折率層を形成した。第１高屈折率層に含有される硫黄の含有率の割合は、３９％とした。
【０２７４】
（第１硫化防止層（ＧＺＯ）の形成）
次いで、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．１Ｐａ、室温下、電力密度４Ｗ／ｃｍ２、形成速度０．２５ｎｍ／秒でＧＺＯをＤＣスパッタした。ターゲット−基板間距離は９０ｍｍであった。ＧＺＯ層の層厚は１ｎｍであった。
【０２７５】
（透明金属層（Ａｇ）の形成）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳを用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、電力密度２Ｗ／ｃｍ２、形成速度０．７ｎｍ／ｓでＡｇを層厚が７．０ｎｍとなるようＤＣスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。
【０２７６】
（第２高屈折率層（ＧＺＯ）の形成）
〈Ａ層の形成〉
透明金属層を作製したＰＥＴフィルムに、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、電力密度３Ｗ／ｃｍ２、形成速度０．２５ｎｍ／秒の条件で、層厚が３ｎｍとなるようにＧＺＯをＤＣパルススパッタした。成膜した膜厚はターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。
【０２７７】
〈Ｂ層の形成〉
次いで、他の条件は変えずに、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ２ｓｃｃｍ、電力密度を１２Ｗ／ｃｍ２に増加し、形成速度１．４５ｎｍ／秒の条件で、層厚が４５ｎｍとなるようにＩＧＺＯ＊２をＤＣパルススパッタした。
【０２７８】
このようにしてＡ層／Ｂ層を有する第２高屈折率層を含む透明導電体１７を作製した。
【０２７９】
〔透明導電体１８の作製：比較例〕
透明基板としてポリエチレンテレフタレート（略称：ＰＥＴ）フィルム（東洋紡製「コスモシャインＡ４３００」厚さ５０μｍ）を用い、ＰＥＴフィルム上に、下記の方法に従って、第１高屈折率層（ＺｎＳ／ＳｉＯ２）／第１硫化防止層（ＧＺＯ）／透明金属層（Ａｇ）／第２高屈折率層であるＧＺＯ層をこの順に積層し、透明導電体１８を作製した。
【０２８０】
なお、以下に示す各層の層厚及び屈折率は、Ｊ．Ａ．Ｗｏｏｌｌａｍ  Ｃｏ．Ｉｎｃ．製のＶＢ−２５０型ＶＡＳＥエリプソメーターで測定した。
【０２８１】
（第１高屈折率層（ＺｎＳ／ＳｉＯ２−ＺｎＳ）の形成）
透明基板（ＰＥＴ）上に、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、電力密度１２Ｗ／ｃｍ２、形成速度０．８１ｎｍ／ｓで、層厚が１ｎｍとなるようＺｎＳ／ＳｉＯ２をＤＣスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。ターゲットであるＺｎＳ／ＳｉＯ２は、ＺｎＳにＳｉＯ２を混合し、焼結させることで作製した。ＺｎＳ／ＳｉＯ２層に含有される硫黄成分の含有率は、２５ａｔ％とした。
【０２８２】
次いで、真空蒸着装置として、シンクロン社製のＢＭＣ−８００Ｔ蒸着装置を用い、モリブデン製抵抗加熱ボートにＺｎＳを装填し、真空槽を１×１０−４Ｐａまで減圧した後、抵抗加熱ボートに通電加熱し、抵抗加熱ボートの通電加熱条件を調整して、形成速度１．２５ｎｍ／秒の条件でＰＥＴフィルム上に蒸着して、層厚が４５ｎｍの第１高屈折率層を形成した。第１高屈折率層に含有される硫黄成分の含有率は、３５ａｔ％とした。
【０２８３】
（第１硫化防止層（ＧＺＯ）の形成）
次いで、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．１Ｐａ、室温下、電力密度４Ｗ／ｃｍ２、形成速度０．２５ｎｍ／秒でＧＺＯをＤＣスパッタした。ターゲット−基板間距離は９０ｍｍであった。ＧＺＯ層の層厚は１ｎｍであった。
【０２８４】
（透明金属層（Ａｇ）の形成）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳを用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、電力密度２Ｗ／ｃｍ２、形成速度０．７ｎｍ／ｓでＡｇを層厚が７．０ｎｍとなるようＤＣスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。
【０２８５】
（第２高屈折率層（ＧＺＯ）の形成）
透明金属層を作製したＰＥＴフィルムに、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、電力密度１２Ｗ／ｃｍ２、形成速度０．９６ｎｍ／秒の条件で、層厚が４８ｎｍとなるように、単層でＧＺＯをＤＣスパッタした。成膜した膜厚はターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。
【０２８６】
〔透明導電体１９の作製：比較例〕
透明導電体１８の作製において、以下の第２高屈折率層であるＧＺＯ層を形成し、透明導電体１９を作製した。
【０２８７】
（第２高屈折率層（ＧＺＯ）の形成）
透明金属層を作製したＰＥＴフィルムに、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、電力密度４Ｗ／ｃｍ２、形成速度０．３２ｎｍ／秒の条件で、層厚が４８ｎｍとなるように、単層でＧＺＯをＤＣパルススパッタした。成膜した膜厚はターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。
【０２８８】
≪透明導電体の評価≫
上記作製した各透明導電体１〜１９について、下記の各特性値の測定及び評価を行った。
【０２８９】
〔光透過性：全光線透過率の測定〕
全光線透過率は、２５℃、５５％ＲＨの条件下、光波長４００〜１０００ｎｍの範囲について、光透過率を分光光度計（Ｕ４１００；日立ハイテクノロジーズ社製）で測定して、その平均値を求めて以下の基準で評価した。
【０２９０】
◎：平均光透過率が９０％以上である
○：平均光透過率が８８％以上９０％未満である
△：平均光透過率が８３％以上８８％未満である
×：平均光透過率が８３％未満である
実用上、○以上が許容内である。
【０２９１】
〔生産性〕
生産性を以下の基準で評価した。
【０２９２】
◎：第２高屈折率層の成膜時間が１分１０秒未満
○：第２高屈折率層の成膜時間が１分１０秒以上、２分未満
×：第２高屈折率層の成膜時間が２分以上
〔導電性〕
株式会社カスタムのＣＤＭ−２０００Ｄデジタルテスタを用いて測定する。透明導電体上で１ｃｍの距離を離して２探針を当て、抵抗値を測定した。
【０２９３】
◎：５０Ω未満
○：５０〜１００Ω未満
△：１００〜１５０Ω未満
×：１５０Ω以上
〔耐湿性〕
各透明導電体を８５℃、８５％Ｒｈの湿熱環境下に２４０時間載置した。その後、透明導電体の外観を目視で観察し、以下の基準で評価した。
【０２９４】
◎：外観に異常なし
○：１〜５個の斑点が観察される
△：６〜１０個の斑点が観察される
×：１１個以上の斑点が観察される
透明導電体の構成内容、及び評価結果を下記表１〜表４に示す。
【０２９５】
【表１】
2016044356.tif 000003
【０２９６】
【表２】
2016044356.tif 000004
【０２９７】
【表３】
2016044356.tif 000005
【０２９８】
【表４】
2016044356.tif 000006
【０２９９】
表１〜表４より、本発明の透明導電体の製造方法によって製造された、透明導電体１〜１７は、比較例である透明導電体１８及び１９に対して、低電気抵抗、高光透過性及び耐湿性に優れ、かつ高い生産性を有することが分かる。
【０３００】
実施例２
〔透明導電体２０の作製〕
透明基板としてポリエチレンテレフタレート（略称：ＰＥＴ）フィルム（東洋紡製「コスモシャインＡ４３００」厚さ５０μｍ）を用い、ＰＥＴフィルム上に、下記の方法に従って、第１高屈折率層（ＺｎＳ／ＳｉＯ２）／第１硫化防止層（ＧＺＯ）／透明金属層（Ａｇ）／第２高屈折率層であるＡ１層（ＧＺＯ）／Ａ２層（ＳＧＺＯ）／Ｂ１層（ＳＧＺＯ）／Ｂ２層（ＩＴＯ）をこの順に積層した。
【０３０１】
なお、以下に示す各層の層厚及び屈折率は、Ｊ．Ａ．Ｗｏｏｌｌａｍ  Ｃｏ．Ｉｎｃ．製のＶＢ−２５０型ＶＡＳＥエリプソメーターで測定した。
【０３０２】
（第１高屈折率層（ＺｎＳ／ＳｉＯ２）の形成）
透明基板（ＰＥＴ）上に、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、電力密度１２Ｗ／ｃｍ２、形成速度０．２５ｎｍ／ｓで、層厚が３６ｎｍとなるようＺｎＳ／ＳｉＯ２をＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。ターゲットであるＺｎＳ／ＳｉＯ２は、ＺｎＳにＳｉＯ２を混合し、焼結させることで作製した。ＺｎＳ／ＳｉＯ２層に含有される硫黄成分の含有率は、２５ａｔ％とした。
【０３０３】
（第１硫化防止層（ＧＺＯ）の形成）
次いで、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．１Ｐａ、室温下、電力密度４Ｗ／ｃｍ２、成膜レート０．２５ｎｍ／秒でＧＺＯをＤＣパルススパッタした。ターゲット−基板間距離は９０ｍｍであった。ＧＺＯ層の層厚は１ｎｍであった。
【０３０４】
（透明金属層（Ａｇ）の形成）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳを用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、電力密度２Ｗ／ｃｍ２、形成速度０．７ｎｍ／ｓで銀（以下、Ａｇと表記する。）を層厚が７ｎｍとなるようＤＣスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。
【０３０５】
（第２高屈折率層の形成）
〈Ａ１層の形成〉
透明金属層を作製したＰＥＴフィルムに、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、電力密度２Ｗ／ｃｍ２、形成速度０．０８ｎｍ／秒の条件で、層厚が１ｎｍとなるようにＧＺＯをＤＣパルススパッタした。成膜した膜厚はターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。
【０３０６】
〈Ａ２層の形成〉
上記成膜したＡ１層上に、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、電力密度２Ｗ／ｃｍ２、形成速度０．２２ｎｍ／秒の条件で、層厚が２ｎｍとなるようにＳＧＺＯをＤＣパルススパッタした。成膜した膜厚はターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。
【０３０７】
〈Ｂ１層の形成〉
次いで、他の条件は変えずに、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ２ｓｃｃｍ、電力密度を１２Ｗ／ｃｍ２に増加し、形成速度０．９４ｎｍ／秒の条件で、層厚が１５ｎｍとなるようにＳＧＺＯをＤＣパルススパッタした。
【０３０８】
〈Ｂ２層の形成〉
次いで、他の条件は変えずに、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ２ｓｃｃｍ、電力密度を１２Ｗ／ｃｍ２に増加し、形成速度１．４３ｎｍ／秒の条件で、層厚が２０ｎｍとなるようにＩＴＯをＤＣパルススパッタした。
【０３０９】
このようにしてＡ１層／Ａ２層／Ｂ１層／Ｂ２層を有する第２高屈折率層を含む透明導電体２０を作製した。
【０３１０】
〔透明導電体２１の作製〕
透明基板としてポリエチレンテレフタレート（略称：ＰＥＴ）フィルム（東洋紡製「コスモシャインＡ４３００」厚さ５０μｍ）を用い、ＰＥＴフィルム上に、下記の方法に従って、第１高屈折率層（ＺｎＳ／ＳｉＯ２）／第１硫化防止層（ＧＺＯ）／透明金属層（Ａｇ）／第２高屈折率層であるＡ１層（ＧＺＯ）／Ａ２層（ＩＧＺＯ＊２）／Ｂ１層（ＩＴＯ）／Ｂ２層（ＳＧＺＯ）／Ｂ３層（ＩＴＯ）をこの順に積層した。
【０３１１】
透明導電体２０と同様にして第１高屈折率層、硫化防止層及び透明金属層を成膜した。
【０３１２】
（第２高屈折率層の形成）
〈Ａ１層の形成〉
透明金属層を作製したＰＥＴフィルムに、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、電力密度２Ｗ／ｃｍ２、形成速度０．０８ｎｍ／秒の条件で、層厚が１ｎｍとなるようにＧＺＯをＤＣパルススパッタした。成膜した膜厚はターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。
【０３１３】
〈Ａ２層の形成〉
上記成膜したＡ１層上に、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、電力密度２Ｗ／ｃｍ２、形成速度０．２２ｎｍ／秒の条件で、層厚が２ｎｍとなるようにＩＧＺＯをＤＣパルススパッタした。成膜した膜厚はターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。
【０３１４】
〈Ｂ１層の形成〉
次いで、他の条件は変えずに、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ２ｓｃｃｍ、電力密度を１２Ｗ／ｃｍ２に増加し、形成速度１．４３ｎｍ／秒の条件で、層厚が１０ｎｍとなるようにＩＴＯをＤＣパルススパッタした。
【０３１５】
〈Ｂ２層の形成〉
次いで、他の条件は変えずに、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ２ｓｃｃｍ、電力密度を１２Ｗ／ｃｍ２に増加し、形成速度０．９４ｎｍ／秒の条件で、層厚が１５ｎｍとなるようにＳＧＺＯをＤＣパルススパッタした。
【０３１６】
〈Ｂ３層の形成〉
次いで、他の条件は変えずに、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ２ｓｃｃｍ、電力密度を１２Ｗ／ｃｍ２に増加し、形成速度１．４３ｎｍ／秒の条件で、層厚が１５ｎｍとなるようにＩＴＯをＤＣパルススパッタした。
【０３１７】
このようにしてＡ１層／Ａ２層／Ｂ１層／Ｂ２層／Ｂ３層を有する第２高屈折率層を含む透明導電体２１を作製した。
【０３１８】
〔透明導電体２２の作製〕
透明基板としてポリエチレンテレフタレート（略称：ＰＥＴ）フィルム（東洋紡製「コスモシャインＡ４３００」厚さ５０μｍ）を用い、ＰＥＴフィルム上に、下記の方法に従って、第１高屈折率層（ＩＴＯ）／第１硫化防止層（ＧＺＯ）／透明金属層（Ａｇ）／第２高屈折率層であるＡ１層（ＧＺＯ）／Ａ２層（ＩＧＺＯ＊２）／Ｂ１層（ＩＴＯ）／Ｂ２層（ＳＧＺＯ）／Ｂ３層（ＩＴＯ）をこの順に積層した。
【０３１９】
（第１高屈折率層（ＩＴＯ）の形成）
透明基板（ＰＥＴ）上に、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、電力密度１２Ｗ／ｃｍ２、形成速度１．４４ｎｍ／ｓで、層厚が３６ｎｍとなるようＩＴＯをＤＣパルススパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。
【０３２０】
上記第１高屈折率層上に、透明導電体２１の作製と同様に、第１硫化防止層（ＧＺＯ）／透明金属層（Ａｇ）／第２高屈折率層であるＡ１層（ＧＺＯ）／Ａ２層（ＩＧＺＯ＊２）／Ｂ１層（ＩＴＯ）／Ｂ２層（ＳＧＺＯ）／Ｂ３層（ＩＴＯ）をこの順に積層して、透明導電体２２を作製した。
【０３２１】
〔透明導電体２３の作製〕
透明基板としてポリエチレンテレフタレート（略称：ＰＥＴ）フィルム（東洋紡製「コスモシャインＡ４３００」厚さ５０μｍ）を用い、ＰＥＴフィルム上に、下記の方法に従って、第１高屈折率層（ＩＴＯ）／第１硫化防止層（ＧＺＯ）／透明金属層（Ａｇ）／第２高屈折率層であるＡ１層（ＧＺＯ）／Ａ２層（ＩＧＺＯ＊２）／Ｂ１層（ＩＴＯ）／Ｂ２層（ＳＧＺＯ）／Ｂ３層（ＩＴＯ）をこの順に積層した。
【０３２２】
透明導電体の作製において、下記Ａ１層及びＡ２層の形成に変更した以外は同様にして、透明導電体２３を作製した。
【０３２３】
〈Ａ１層の形成〉
透明金属層を作製したＰＥＴフィルムに、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  １ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、電力密度２Ｗ／ｃｍ２、形成速度０．０８ｎｍ／秒の条件で、層厚が１ｎｍとなるようにＧＺＯをＤＣパルススパッタした。成膜した膜厚はターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。
【０３２４】
〈Ａ２層の形成〉
上記成膜したＡ１層上に、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  １ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、電力密度２Ｗ／ｃｍ２、形成速度０．２２ｎｍ／秒の条件で、層厚が２ｎｍとなるようにＩＧＺＯをＤＣパルススパッタした。成膜した膜厚はターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。
【０３２５】
〔透明導電体２４の作製〕
透明基板としてポリエチレンテレフタレート（略称：ＰＥＴ）フィルム（東洋紡製「コスモシャインＡ４３００」厚さ５０μｍ）を用い、ＰＥＴフィルム上に、下記の方法に従って、第１高屈折率層（ＺｎＳ）／第１硫化防止層（ＧＺＯ）／透明金属層（Ａｇ）／第２高屈折率層であるＡ１層（ＧＺＯ）／Ａ２層（ＩＧＺＯ＊２）／Ｂ１層（ＩＴＯ）／Ｂ２層（ＳＧＺＯ）／Ｂ３層（ＩＴＯ）をこの順に積層した。
【０３２６】
透明導電体２１の作製において、下記第１高屈折率層の形成に変更した以外は同様にして、透明導電体２４を作製した。
【０３２７】
（第１高屈折率層（ＺｎＳ）の形成）
透明基板（ＰＥＴ）上に、真空蒸着装置として、シンクロン社製のＢＭＣ−８００Ｔ蒸着装置を用い、モリブデン製抵抗加熱ボートにＺｎＳを装填し、真空槽を４×１０−４Ｐａまで減圧した後、Ａｒガスを導入して真空槽を２×１０−３Ｐａに設定した。次いで、３００ＷでＲＦプラズマを焚きながら、抵抗加熱ボートに通電加熱し、抵抗加熱ボートの通電加熱条件を調整して、形成速度２．０ｎｍ／秒の条件で蒸着して、層厚３６ｎｍの第１高屈折率層を形成した。第１高屈折率層に含有される硫黄の含有率の割合は、３９％とした。
【０３２８】
〔透明導電体２５の作製〕
透明基板としてポリエチレンテレフタレート（略称：ＰＥＴ）フィルム（東洋紡製「コスモシャインＡ４３００」厚さ５０μｍ）を用い、ＰＥＴフィルム上に、下記の方法に従って、第１高屈折率層（ＺｎＳ／ＳｉＯ２−ＺｎＳ）／第１硫化防止層（ＧＺＯ）／透明金属層（Ａｇ）／第２高屈折率層であるＡ１層（ＧＺＯ）／Ａ２層（ＩＧＺＯ＊２）／Ｂ１層（ＩＴＯ）／Ｂ２層（ＳＧＺＯ）／Ｂ３層（ＩＴＯ）をこの順に積層した。
【０３２９】
透明導電体２１の作製において、下記第１高屈折率層の形成に変更した以外は同様にして、透明導電体２５を作製した。
【０３３０】
（第１高屈折率層（ＺｎＳ／ＳｉＯ２−ＺｎＳ）の形成）
透明基板（ＰＥＴ）上に、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、電力密度１２Ｗ／ｃｍ２、形成速度０．２５ｎｍ／ｓで、層厚が１ｎｍとなるようＺｎＳ／ＳｉＯ２をＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。ターゲットであるＺｎＳ／ＳｉＯ２は、ＺｎＳにＳｉＯ２を混合し、焼結させることで作製した。ＺｎＳ／ＳｉＯ２層に含有される硫黄成分の含有率は、２５ａｔ％とした。
【０３３１】
次いで、真空蒸着装置として、シンクロン社製のＢＭＣ−８００Ｔ蒸着装置を用い、モリブデン製抵抗加熱ボートにＺｎＳを装填し、真空槽を１×１０−４Ｐａまで減圧した後、抵抗加熱ボートに通電加熱し、抵抗加熱ボートの通電加熱条件を調整して、形成速度１．２５ｎｍ／秒の条件でＰＥＴフィルム上に蒸着して、層厚が３５ｎｍの第１高屈折率層を形成した。第１高屈折率層に含有される硫黄成分の含有率は、４４ａｔ％とした。
【０３３２】
上記作製した各透明導電体２０〜２５について、実施例１と同様な各特性値の測定及び評価を行った。
【０３３３】
透明導電体の構成内容、及び評価結果を下記表５及び表６に示す。
【０３３４】
【表５】
2016044356.tif 000007
【０３３５】
【表６】
2016044356.tif 000008
【０３３６】
表６の評価結果から、本発明の透明導電体２０〜２６はいずれも、低電気抵抗、高光透過性及び耐湿性に優れ、かつ高い生産性を有することが分かる。
【０３３７】
また、実用上問題はないが、第１高屈折率層にＩＴＯを用いた透明導電体２２、２３はやや耐湿性に劣り、第２高屈折率層のＡ層形成時に、Ｏ２を１ｓｃｃｍ導入した透明導電体２３は、光透過性にやや劣ることが分かった。
【符号の説明】
【０３３８】
１  透明導電体
２、２−１、２−２  透明基板
３  第１高屈折率層
４  透明金属層
５  第２高屈折率層
６Ａ  第１硫化防止層
６Ｂ  第２硫化防止層
１３  前面板
２１  タッチパネル
ａ  導通領域
ｂ  絶縁領域
ＥＵ、ＥＵ−１、ＥＵ−２  透明電極ユニット
【図１Ａ】
2016044356.tif 000009
【図１Ｂ】
2016044356.tif 000010
【図１Ｃ】
2016044356.tif 000011
【図２】
2016044356.tif 000012
【図３】
2016044356.tif 000013