(57)【要約】【課題】間欠動作に要する消費電力を低減することができる半導体集積回路装置、無線センサーネットワーク端末および半導体集積回路装置のメモリ制御方法の提供を図る。【解決手段】データを格納する不揮発性メモリ１と、前記不揮発性メモリに格納されたデータを読み出して保持する揮発性メモリ２と、前記揮発性メモリに保持されたデータを用いて処理を行う演算処理装置３と、前記揮発性メモリの電源をオンしたときにおける、前記揮発性メモリの待機電力(Ｐ４)を測定する揮発性メモリ待機電力測定回路５と、を有し前記揮発性メモリ待機電力測定回路５の出力(ＳＳ)に基づいて、間欠動作に要する消費電力が小さくなるように、前記揮発性メモリの電源の接続を制御する。【選択図】図９
2016157383.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
データを格納する不揮発性メモリと、
前記不揮発性メモリに格納されたデータを読み出して保持する揮発性メモリと、
前記揮発性メモリに保持されたデータを用いて処理を行う演算処理装置と、
前記揮発性メモリの電源をオンしたときにおける、前記揮発性メモリの待機電力を測定する揮発性メモリ待機電力測定回路と、を有し、
前記演算処理装置は、前記揮発性メモリ待機電力測定回路の出力に基づいて、間欠動作に要する消費電力が小さくなるように、前記揮発性メモリの電源の接続を制御する、
ことを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項２】
前記演算処理装置は、前記揮発性メモリ待機電力測定回路の出力に基づいて、
前記揮発性メモリの電源をオン状態に維持し、前記演算処理装置が次回の処理を行う時には、前記揮発性メモリに継続して保持されたデータを使用する第１モードと、
前記揮発性メモリの電源をオフし、前記演算処理装置が次回の処理を行う時には、前記揮発性メモリの電源をオンし、前記不揮発性メモリに格納された前記データを読み出して再度前記揮発性メモリに保持し、前記揮発性メモリに保持されたデータを使用する第２モードと、を切り替える、
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体集積回路装置。
【請求項３】
前記演算処理装置は、時間の経過に対して、
前記不揮発性メモリに格納された前記データを読み出して前記揮発性メモリに保持するのに要するメモリアクセス電力と、前記揮発性メモリ待機電力測定回路により得られる前記揮発性メモリの待機電力を比較し、
時間の経過に対して、前記メモリアクセス電力が前記待機電力よりも大きいときは、前記第１モードを選択し、
時間の経過に対して、前記メモリアクセス電力が前記待機電力よりも小さいときは、前記第２モードを選択する、
ことを特徴とする請求項２に記載の半導体集積回路装置。
【請求項４】
前記揮発性メモリ待機電力測定回路は、
前記揮発性メモリの揮発性メモリ部に相当するレプリカ揮発性メモリ部と、
前記レプリカ揮発性メモリ部に電力を供給するレプリカ用レギュレータと、
前記レプリカ用レギュレータから前記レプリカ揮発性メモリ部に流れる電流を検出する第１カレントミラー回路と、
前記第１カレントミラー回路の出力を積分する第１積分器と、
前記第１積分器の出力電圧を基準電圧と比較する第１比較器と、を含み、
前記第１比較器は、前記第１積分器の出力電圧が前記基準電圧を超えたら、前記演算処理装置に対して制御信号を出力し、
前記演算処理装置は、前記揮発性メモリの電源をオフして、前記第１モードから前記第２モードに切り替える、
ことを特徴とする請求項３に記載の半導体集積回路装置。
【請求項５】
前記揮発性メモリは、揮発性メモリ部と、前記揮発性メモリ部に電力を供給するレギュレータと、を含み、
前記揮発性メモリ待機電力測定回路は、
前記レギュレータから前記揮発性メモリ部に流れる電流を検出する第２カレントミラー回路と、
前記第２カレントミラー回路の出力を積分する第２積分器と、
前記第２積分器の出力電圧を基準電圧と比較する第２比較器と、を含み、
前記第２比較器は、前記第２積分器の出力電圧が前記基準電圧を超えたら、前記演算処理装置に対して制御信号を出力し、
前記演算処理装置は、前記揮発性メモリの電源をオフして、前記第１モードから前記第２モードに切り替える、
ことを特徴とする請求項３に記載の半導体集積回路装置。
【請求項６】
前記不揮発性メモリは、フラッシュメモリであり、
前記揮発性メモリは、スタティックランダムアクセスメモリである、
ことを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の半導体集積回路装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載の半導体集積回路装置と、
情報を収集するセンサーと、
基地局との間で間欠的に通信を行い、前記センサーにより得られた情報を前記基地局に伝達するトランシーバ回路と、を有する、
ことを特徴とする無線センサーネットワーク端末。
【請求項８】
プログラムを格納した不揮発性メモリと、前記不揮発性メモリに格納されたプログラムを読み出して保持する揮発性メモリと、前記揮発性メモリ上で前記プログラムを実行する演算処理装置と、を含む半導体集積回路装置のメモリ制御方法であって、
前記演算処理装置が前記プログラムを実行して処理を完了した後、
前記プログラムを保持した前記揮発性メモリの電源をオン状態に維持し、
電源をオン状態に維持したときの、前記揮発性メモリの待機電力を測定し、
測定した前記揮発性メモリの待機電力に基づいて、間欠動作に要する消費電力が小さくなるように、前記揮発性メモリの電源の接続を制御する、
ことを特徴とする半導体集積回路装置のメモリ制御方法。
【請求項９】
前記待機電力に基づいて、
前記揮発性メモリの電源をオン状態に維持し、前記演算処理装置が次回の処理を行う時には、前記揮発性メモリに継続して保持されたデータを使用する第１モードと、
前記揮発性メモリの電源をオフし、前記演算処理装置が次回の処理を行う時には、前記揮発性メモリの電源をオンし、前記不揮発性メモリに格納された前記データを読み出して再度前記揮発性メモリに保持し、前記揮発性メモリに保持されたデータを使用する第２モードと、を制御する、
ことを特徴とする請求項８に記載の半導体集積回路装置のメモリ制御方法。
【請求項１０】
時間の経過に対して、前記不揮発性メモリに格納された前記データを読み出して前記揮発性メモリに保持するのに要するメモリアクセス電力と、前記待機電力を比較し、
時間の経過に対して、前記メモリアクセス電力が前記待機電力よりも大きいときは、前記第１モードを選択し、
時間の経過に対して、前記メモリアクセス電力が前記待機電力よりも小さいときは、前記第２モードを選択する、
ことを特徴とする請求項９に記載の半導体集積回路装置のメモリ制御方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本明細書で言及する実施例は、半導体集積回路装置、無線センサーネットワーク端末および半導体集積回路装置のメモリ制御方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、マイクロコントロールユニット(ＭＣＵ：Micro Control Unit)コア，不揮発性メモリおよび揮発性メモリを搭載した半導体集積回路装置が提供され、例えば、無線センサーネットワーク端末を始めとして様々な電子機器に幅広く適用されている。
【０００３】
無線センサーネットワーク端末は、例えば、センサーを用いて温度や湿度を始めとした様々な情報を測定(収集)し、その測定した情報を、間欠的に無線通信を介して基地局に伝達する。
【０００４】
このとき、例えば、センサーにより測定した温度情報が、時間の経過に対して緩やかに変化するか急峻に変化するかに応じて、無線センサーネットワーク端末と基地局の間の通信間隔が変化する。
【０００５】
すなわち、測定データが時間的に緩やかに変化する場合には、通信間隔を長くして消費電力を低減するのが好ましく、測定データが時間的に急峻に変化する場合には、通信間隔を短くして変化を細かく測定するのが好ましい。
【０００６】
ところで、従来、例えば、間欠動作が行われる半導体集積回路装置、無線センサーネットワーク端末および半導体集積回路装置のメモリ制御方法としては、様々な提案がなされている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２０１３−２１５９７６号公報
【特許文献２】特開２００９−２３０１７２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
上述したように、間欠動作が行われる無線センサーネットワーク端末は、通常、電池駆動されるため、例えば、基地局との間の通信間隔が変化しても、それに応じた制御を行って消費電力の低減を図ることが求められている。
【０００９】
ここで、例えば、無線センサーネットワーク端末において、基地局との通信動作が終了したら、ＭＣＵコア，不揮発性メモリおよび揮発性メモリの電源をオフして消費電力の低減を図ることが提案されている。
【００１０】
この場合、揮発性メモリの電源をオフすることにより、揮発性メモリに保持されたデータ(プログラム)は消去されるため、次回以降、基地局との通信動作を行う場合には、その都度、不揮発性メモリから揮発性メモリにプログラムを読み出すことになる。すなわち、通信動作を行う度に、不揮発性メモリから揮発性メモリにプログラムを読み出すメモリアクセス電力が消費される。
【００１１】
また、揮発性メモリの電源をオン状態に維持し、次回以降、基地局との通信動作を行う場合には、揮発性メモリに保持されているプログラムをそのまま使用することで、メモリアクセス電力を削減することも提案されている。ただし、この場合には、揮発性メモリの電源をオン状態に維持したことによる電力(待機電力)が消費される。
【００１２】
ところで、揮発性メモリの待機電力は、半導体集積回路装置の製造ばらつき、或いは、無線センサーネットワーク端末が設置される周囲の温度等の環境ばらつき等により大きく変化し、予測するのが困難である。
【００１３】
そのため、ＭＣＵコア，不揮発性メモリおよび揮発性メモリを含み、ＭＣＵコアが、不揮発性メモリから揮発性メモリに読み出したプログラムを実行する半導体集積回路装置において、間欠動作における低消費電力のメモリ制御を行うのが難しくなっている。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
一実施形態によれば、データを格納する不揮発性メモリと、前記不揮発性メモリに格納されたデータを読み出して保持する揮発性メモリと、演算処理装置と、揮発性メモリ待機電力測定回路と、を有する半導体集積回路装置が提供される。
【００１５】
前記演算処理装置は、前記揮発性メモリに保持されたデータを用いて処理を行い、前記揮発性メモリ待機電力測定回路は、前記揮発性メモリの電源をオンしたときにおける、前記揮発性メモリの待機電力を測定する。前記揮発性メモリは、前記揮発性メモリ待機電力測定回路の出力に基づいて、間欠動作に要する消費電力が小さくなるように、前記揮発性メモリの電源の接続を制御する。
【発明の効果】
【００１６】
開示の半導体集積回路装置、無線センサーネットワーク端末および半導体集積回路装置のメモリ制御方法は、間欠動作に要する消費電力を低減することができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】図１は、半導体集積回路装置の一例を説明するためのブロック図である。
【図２】図２は、半導体集積回路装置の他の例を説明するためのブロック図である。
【図３】図３は、図２に示す半導体集積回路装置を適用した無線センサーネットワーク端末の一例を示すブロック図である。
【図４】図４は、無線センサーネットワークにおける間欠動作の例を説明するための図である。
【図５】図５は、図３に示す無線センサーネットワーク端末の間欠動作の一例による消費電力を説明するための図である。
【図６】図６は、図３に示す無線センサーネットワーク端末の間欠動作の他の例を説明するためのブロック図である。
【図７】図７は、図６に示す無線センサーネットワーク端末の間欠動作の他の例による消費電力を説明するための図である。
【図８】図８は、図５および図７に示す無線センサーネットワーク端末の動作と消費電力の関係を説明するための図である。
【図９】図９は、半導体集積回路装置の第１実施例が適用された無線センサーネットワーク端末を示すブロック図である。
【図１０】図１０は、図９に示す無線センサーネットワーク端末の動作を説明するための図である。
【図１１】図１１は、図９に示す半導体集積回路装置における揮発性メモリ待機電力測定回路の一例を示すブロック図である。
【図１２】図１２は、図１１に示す揮発性メモリ待機電力測定回路の一例を示す回路図である。
【図１３】図１３は、半導体集積回路装置の第２実施例が適用された無線センサーネットワーク端末を示すブロック図である。
【図１４】図１４は、図１３に示す半導体集積回路装置における揮発性メモリ待機電力測定回路の一例を示すブロック図である。
【図１５】図１５は、図１４に示す揮発性メモリ待機電力測定回路の一例を示す回路図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
まず、本実施例を詳述する前に、図１〜図８を参照して、半導体集積回路装置の例、および、半導体集積回路装置が適用された無線センサーネットワーク端末、並びに、その課題を説明する。
【００１９】
図１は、半導体集積回路装置の一例を説明するためのブロック図である。図１に示されるように、半導体集積回路装置110aは、不揮発性メモリ101a，揮発性メモリ102，マイクロコントロールユニット(ＭＣＵ：Micro Control Unit)コア103およびバス104を含む。
【００２０】
図１に示す半導体集積回路装置110aにおいて、例えば、不揮発性メモリ101aは、ＮＯＲ型フラッシュメモリであり、揮発性メモリ102は、スタティックランダムアクセスメモリ(ＳＲＡＭ：Static Random Access Memory)である。また、不揮発性メモリ101a，揮発性メモリ102およびＭＣＵコア103は、バス104により相互に接続されている。
【００２１】
ここで、ＭＣＵコア103が、不揮発性メモリ101に格納されたプログラムを実行する場合を考える。このとき、ＮＯＲ型フラッシュメモリである不揮発性メモリ101aは、ランダムアクセスが可能なため、ＭＣＵコア103は、不揮発性メモリ101a上で直接プログラムを実行することができる。
【００２２】
すなわち、不揮発性メモリ101aとしてＮＯＲ型フラッシュメモリを用いると、不揮発性メモリ101aから揮発性メモリ102にプログラムを読み出す、或いは、揮発性メモリ102の内容を不揮発性メモリ101aに書き込むといった処理が不要になり、消費電力を低減できる。
【００２３】
しかしながら、ＮＯＲ型フラッシュメモリを適用するには、例えば、高コストなフラッシュメモリ混載プロセスにより製造することになるため、半導体集積回路装置を廉価で提供するのが困難になる。また、ＮＯＲ型フラッシュメモリは、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリのような高集積化(大容量化)には向いておらず、記憶容量の面から敬遠されることもある。
【００２４】
或いは、ＮＯＲ型フラッシュメモリの不揮発性メモリ101aであっても、動作速度は、ＳＲＡＭの揮発性メモリ102よりは遥かに遅いため、例えば、高速なプログラム実行が求められる場合には、一度プログラムを揮発性メモリ102に読み出して実行することもある。
【００２５】
図２は、半導体集積回路装置の他の例を説明するためのブロック図である。図２に示されるように、半導体集積回路装置110bは、上述した図１に示す半導体集積回路装置110aにおいて、不揮発性メモリをＮＡＮＤ型フラッシュメモリ(101b)としたものである。なお、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリの不揮発性メモリ101b、ＳＲＡＭの揮発性メモリ102およびＭＣＵコア103は、図１と同様に、バス104により相互に接続されている。
【００２６】
ここで、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリは、ランダムアクセスが難しいため、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリの不揮発性メモリ101bに格納されたプログラムは、バス104を介して読み出され、揮発性メモリ102に書き込まれる(保持される)。そして、ＭＣＵコア103は、揮発性メモリ102上でプログラムを実行する。
【００２７】
このように、不揮発性メモリ101bに格納されたプログラムを揮発性メモリ102に読み出して保持し、ＭＣＵコア103が揮発性メモリ102上でプログラムを実行する場合、そのプログラムの読み出しおよび保持(書き込み)で電力が消費されることになる。
【００２８】
また、前述したように、ＮＯＲ型フラッシュメモリの不揮発性メモリ101aであっても、高速なプログラム実行が求められる場合等においては、同様に、プログラムを揮発性メモリ102に読み出すため、消費電力の増大を招くことになる。
【００２９】
図３は、図２に示す半導体集積回路装置を適用した無線センサーネットワーク端末の一例を示すブロック図であり、図２に示す半導体集積回路装置110bを適用した無線センサーネットワーク端末110を基地局140と共に示すものである。図３において、参照符号111はトランシーバ回路、112および141はアンテナ、そして、113はセンサーを示す。
【００３０】
ここで、無線センサーネットワークは、例えば、１つの基地局140と複数の無線センサーネットワーク端末110を含み、各無線センサーネットワーク端末110に設けられたセンサー113により測定(収集)した情報を、基地局140に対して無線通信により伝達する。なお、センサー113により測定する情報としては、温度や湿度を始めとして様々な情報があり得る。
【００３１】
図４は、無線センサーネットワークにおける間欠動作の例を説明するための図である。ここで、図４(a)は、センサー113により測定した情報(測定データ)の変化を示し、図４(b)は、測定データの密度を示し、そして、図４(c)は、トランシーバ回路111による基地局140との間の無線通信の頻度を示す。
【００３２】
図４(a)に示されるように、時間の経過に対して、測定データの変化が激しい(図中、左側部分)と、図４(b)に示されるように、測定データの密度が高くなり、その結果、図４(c)に示されるように、無線通信の頻度が多くなる。すなわち、例えば、無線センサーネットワーク端末110による測定データが時間的に激しく変動する場合には、基地局140との間で行う無線通信の間隔が短くなる。
【００３３】
一方、時間の経過に対して、測定データの変化が緩やかになる(中央部分および右側部分)と、測定データの密度は低くなり、その結果、無線通信の頻度も少なくなる。すなわち、無線センサーネットワーク端末110による測定データが時間的に緩やかに変化する場合には、基地局140との間で行う無線通信の間隔は長くてもよいことが分かる。
【００３４】
ここで、無線センサーネットワーク端末110は、例えば、電池駆動されるため、測定データが時間的に緩やかに変化する場合には、通信間隔を長くして消費電力を低減するのが好ましい。
【００３５】
図５は、図３に示す無線センサーネットワーク端末の間欠動作の一例による消費電力を説明するための図であり、ＭＣＵコア103がプログラムを実行する度に、不揮発性メモリ101bから揮発性メモリ102にプログラムを読み出して保持する場合のものである。
【００３６】
図５において、参照符号Ｐ１は、例えば、不揮発性メモリ101bに格納されたプログラムを読み出して揮発性メモリ102に書き込む(保持する)ときの電力(メモリアクセス電力)を示す。なお、不揮発性メモリ101bから揮発性メモリ102に読み出すのは、プログラムに限定されるものではなく、例えば、システムの設定データ等であってもよいのはいうまでもない。
【００３７】
また、参照符号Ｐ２は、例えば、ＭＣＵコア103による揮発性メモリ102に保持されたプログラムの実行、並びに、トランシーバ回路111による基地局140との無線通信等に要する電力(動作電力)を示す。さらに、参照符号Ｐ３は、例えば、半導体集積回路装置110bの電源をシャットダウンしてスリープ状態にしたときの電力(スリープ電力)を示し、非常に小さい電力である。
【００３８】
なお、本明細書において、スリープ状態とは、例えば、不揮発性メモリ101b，揮発性メモリ102およびＭＣＵコア103の電源を全てオフした状態を意味し、後述する揮発性メモリ102をオン状態に維持する待機状態とは区別して使用される。
【００３９】
すなわち、スリープ状態では、揮発性メモリ102の電源がオフされるため、揮発性メモリ102に保持されたデータ(プログラム)は消失し、一方、待機状態では、揮発性メモリ102の電源がオン状態に維持されるため、揮発性メモリ102のデータはそのまま保持される。
【００４０】
図５に示されるように、例えば、不揮発性メモリ101bから揮発性メモリ102にプログラムを読み出して処理し、センサー113の測定結果を基地局140に伝達する場合、その都度、動作時の電力(Ｐ１＋Ｐ２)とスリープ状態における電力Ｐ３が交互に消費される。
【００４１】
従って、図５の場合には、センサー113の測定結果を基地局140に伝達する度に、メモリアクセス電力Ｐ１および動作電力Ｐ２が消費され、それ以外の状態(スリープ状態)では、微小なスリープ電力Ｐ３のみが消費される。
【００４２】
すなわち、半導体集積回路装置110bの電源をシャットダウン(オフ)するスリープ状態では、揮発性メモリ102に保持されたプログラムは消去されるため、次に動作を開始する場合、再び不揮発性メモリ101bから揮発性メモリ102にプログラムを読み出すことになる。
【００４３】
図６は、図３に示す無線センサーネットワーク端末の間欠動作の他の例を説明するためのブロック図であり、図７は、図６に示す無線センサーネットワーク端末の間欠動作の他の例による消費電力を説明するための図である。
【００４４】
図６および図７に示す無線センサーネットワーク端末の間欠動作は、不揮発性メモリ101bから揮発性メモリ102にプログラムを読み出した後、基地局140との通信が行われた後も、揮発性メモリ102の電源をオン状態に維持する待機状態を有する場合のものである。
【００４５】
ここで、待機状態では、例えば、不揮発性メモリ101bおよびＭＣＵコア103の電源はオフするが、揮発性メモリ102の電源はオン状態に維持され、揮発性メモリ102に格納されたプログラムは、そのまま保持され続けることになる。
【００４６】
すなわち、図６と図３の比較から明らかなように、待機状態を有する場合には、一度、不揮発性メモリ101bから揮発性メモリ102にプログラムを読み出した後、揮発性メモリ102に保持されたプログラムを消去することなく、次の動作でも利用するようになっている。
【００４７】
図７において、参照符号Ｐ４は、揮発性メモリ102の電源をオン状態に維持することによる揮発性メモリ102の消費電力(待機電力)を示す。すなわち、待機電力Ｐ４は、不揮発性メモリ101bおよびＭＣＵコア103の電源をオフし、揮発性メモリ102のみオン状態としたときの電力である。
【００４８】
図７に示されるように、揮発性メモリ102の電源をオン状態に維持する待機状態を有するとき、例えば、センサー113の測定結果を基地局140に伝達する場合、図５を参照して説明したメモリアクセス電力Ｐ１が不要になる。
【００４９】
すなわち、待機状態では、揮発性メモリ102に保持されたプログラムは保持されるため、次に動作を開始する場合には、揮発性メモリ102に保持されたプログラムをそのまま実行することができる。
【００５０】
なお、図７では、最初の動作時における不揮発性メモリ101bから揮発性メモリ102にプログラムを読み出す処理が省略されている。すなわち、最初にセンサー113の測定結果を基地局140に伝達する場合、揮発性メモリ102にはプログラムが格納されていないため、不揮発性メモリ101bから揮発性メモリ102にプログラムを読み出すメモリアクセス電力Ｐ１が消費される。
【００５１】
このように、図７の場合には、２回目以降の動作では、プログラムが揮発性メモリ102に保持されているため、メモリアクセス電力Ｐ１が不要になり、動作電力Ｐ２だけでよいことになる。ただし、待機状態では、揮発性メモリ102の電源をオン状態に維持するため、所定の待機電力Ｐ４が消費される。
【００５２】
図８は、図５および図７に示す無線センサーネットワーク端末の動作と消費電力の関係を比較して説明するための図であり、図８(a)は、図５に対応し、図８(b)は、図７に対応している。
【００５３】
なお、図８において、参照符号Ｓ１は、時間の経過に対して、動作頻度(基地局140との間の無線通信頻度)が多い場合を示し、Ｓ２は、時間の経過に対して、動作頻度が少ない場合を示す。
【００５４】
まず、図８(a)および図８(b)のＳ１で示されるように、時間の経過に対して動作頻度が多い場合、図８(a)の(平均)消費電力Ｐ１＋Ｐ２＋Ｐ３は、図８(b)の(平均)消費電力Ｐ４＋Ｐ２よりも大きくなる。
【００５５】
すなわち、無線通信頻度が多い(通信間隔が短い)場合には、揮発性メモリ102の電源をオン状態としてプログラムを保持しておいた方が、通信の都度、不揮発性メモリ101bから揮発性メモリ102にプログラムを読み出すよりも平均電力が小さいことが分かる。
【００５６】
一方、図８(a)および図８(b)のＳ２で示されるように、時間の経過に対して動作頻度が少ない場合、図８(a)の平均消費電力Ｐ１＋Ｐ２＋Ｐ３は、図８(b)の平均消費電力Ｐ４＋Ｐ２よりも小さくなる。
【００５７】
すなわち、無線通信頻度が少ない(通信間隔が長い)場合には、通信の都度、不揮発性メモリ101bから揮発性メモリ102にプログラムを読み出す方が、揮発性メモリ102の電源をオン状態としてプログラムを保持するよりも平均電力が小さいことが分かる。
【００５８】
ところで、揮発性メモリ102の待機電力Ｐ４、すなわち、揮発性メモリ102の電源をオンのままとしたときの漏れ電流に基づく消費電力は、揮発性メモリ102(半導体集積回路装置110b)の製造ばらつきや環境ばらつき等により大きく変化し、予測するのが難しい。なお、環境ばらつきとは、半導体集積回路装置110bが適用された電子機器が使用される環境における温度等のばらつきである。
【００５９】
例えば、半導体集積回路装置110bを搭載した無線センサーネットワーク端末110は、様々な環境下で使用されることが考えられ、特に、無線センサーネットワーク端末110の周囲の環境温度により、待機電力Ｐ４は大きく変化する。
【００６０】
ここで、例えば、無線センサーネットワーク端末110の間欠動作は、時間と共に大きく変化する可能性があり、また、無線センサーネットワーク端末110のデータ量や基地局140との無線通信の頻度も大きく変化する可能性がある。
【００６１】
そのため、半導体集積回路装置110b(プロセッサシステム)、並びに、半導体集積回路装置110bを搭載した無線センサーネットワーク端末110の消費電力を低減するようにメモリを制御するのが困難となっている。
【００６２】
なお、この問題は、無線センサーネットワーク端末に適用される半導体集積回路装置に限定されるものではなく、低消費電力が求められる様々な電子機器に適用される半導体集積回路装置等においても同様である。
【００６３】
以下、半導体集積回路装置、無線センサーネットワーク端末および半導体集積回路装置のメモリ制御方法の実施例を、添付図面を参照して詳述する。図９は、半導体集積回路装置の第１実施例が適用された無線センサーネットワーク端末を示すブロック図である。
【００６４】
図９に示されるように、第１実施例の半導体集積回路装置１０ａは、不揮発性メモリ１，揮発性メモリ２，ＭＣＵコア３，バス４および揮発性メモリ待機電力測定回路５を含む。ここで、不揮発性メモリ１は、例えば、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリであるが、ＮＯＲ型フラッシュメモリであってもよく、さらに、フラッシュメモリ以外の不揮発性メモリを適用してもよい。
【００６５】
また、揮発性メモリ２は、例えば、ＳＲＡＭであるが、ＳＲＡＭに限定されるものではなく、ランダムアクセスが可能な揮発性メモリ(例えば、ＤＲＡＭ：Dynamic Random Access Memory)であってもよい。なお、不揮発性メモリ１，揮発性メモリ２，ＭＣＵコア３および揮発性メモリ待機電力測定回路５は、バス４により相互に接続されている。
【００６６】
すなわち、図９と前述した図３の比較から明らかなように、第１実施例の半導体集積回路装置１０ａは、図３に示す半導体集積回路装置110bに対して、さらに、揮発性メモリ待機電力測定回路５が設けられている。
【００６７】
図９に示されるように、第１実施例の半導体集積回路装置１０ａを適用した無線センサーネットワーク端末１０は、上述した半導体集積回路装置１０ａ、アンテナ１２が接続されたトランシーバ回路１１およびセンサー１３を含む。
【００６８】
無線センサーネットワーク端末１０は、例えば、センサー１３により測定した温度等の測定データ(情報)を、トランシーバ回路１１およびアンテナ１２を介して、アンテナ４１が接続された基地局４０に無線により伝達する。
【００６９】
ここで、半導体集積回路装置１０ａにおいて、例えば、不揮発性メモリ１の動作時の消費電力は、回路動作時の電流のため待機電力などのトランジスタのリーク電流が支配的でないため、予測が容易であり、また、揮発性メモリ２の動作時の消費電力も、同様に予測が容易である。
【００７０】
これに対して、揮発性メモリ２の待機時の消費電力、すなわち、揮発性メモリ２の電源をオン状態に維持したときの漏れ電流に基づく消費電力(Ｐ４)は、トランジスタのリーク電流が支配的なため、半導体集積回路装置１０ａの製造ばらつきや温度等の環境ばらつきにより大きく変化する。そのため、待機電力Ｐ４を予測するのは難しいのは、前述した通りである。
【００７１】
そこで、第１実施の半導体集積回路装置１０ａでは、揮発性メモリ待機電力測定回路５を設け、この揮発性メモリ待機電力測定回路５により、揮発性メモリ２の待機時の消費電力(待機電力Ｐ４)を測定してメモリの制御を行うようになっている。
【００７２】
以上において、本実施例の半導体集積回路装置１０ａは、トランシーバ回路１１を含むように形成することもできる。また、本実施例の半導体集積回路装置１０ａは、無線センサーネットワーク端末１０以外の様々な電子機器に対して幅広く適用することができるのはいうまでもない。
【００７３】
図１０は、図９に示す無線センサーネットワーク端末の動作を説明するための図であり、図１０(a)および図１０(b)は、前述した図８(a)および図８(b)に対応する。なお、図１０において、参照符号Ｓ１は、時間の経過に対して、動作頻度(基地局４０との間の無線通信頻度)が多い状態を示し、Ｓ２は、時間の経過に対して、動作頻度が少ない状態を示す。
【００７４】
第１実施例によれば、揮発性メモリ待機電力測定回路５で揮発性メモリ２の待機電力Ｐ４を測定することにより、図１０(a)に示す平均消費電力Ｐ１＋Ｐ２＋Ｐ３と、図１０(b)に示す平均消費電力Ｐ４＋Ｐ２を正しく比較することができる。
【００７５】
すなわち、Ｐ１＋Ｐ２＋Ｐ３＞Ｐ４＋Ｐ２のときは、例えば、状態Ｓ１と判断して、揮発性メモリ２の電源をオン状態に維持して、揮発性メモリ102のデータを保持する(第１モード)。
【００７６】
ただし、最初の動作時(揮発性メモリ２の電源をオフからオンに切り替えるとき)には、揮発性メモリ102にはプログラムが格納されていないため、不揮発性メモリ101bから揮発性メモリ102にプログラムを読み出すメモリアクセス電力Ｐ１が消費される。
【００７７】
一方、Ｐ１＋Ｐ２＋Ｐ３＜Ｐ４＋Ｐ２のときは、例えば、状態Ｓ２と判断して、動作を行う度に(無線通信の都度)、不揮発性メモリ１から揮発性メモリ２にプログラムを読み出し、処理が終了したら、揮発性メモリ２の電源をオフするように制御する(第２モード)。
【００７８】
なお、揮発性メモリ２の電源をオフすることにより、スリープ電力Ｐ３を微小なものとすることができるが、揮発性メモリ２に保持されたデータ(プログラム)は消去されることになる。また、Ｐ１＋Ｐ２＋Ｐ３＝Ｐ４＋Ｐ２のときは、第１モードおよび第２モードのどちらに含めてもよい。
【００７９】
このように、本実施例によれば、揮発性メモリ待機電力測定回路により揮発性メモリ２の待機電力Ｐ４を測定することで、揮発性メモリ２の電源をオン状態に維持するか、オフ状態にして、動作時には、再度、不揮発性メモリ１から読み出すかを制御する。
【００８０】
すなわち、両者の平均消費電力(Ｐ１＋Ｐ２＋Ｐ３，Ｐ２＋Ｐ４：時間の経過に対する消費電力)を比較し、小さい方を選択することにより、全体として、間欠動作に要する消費電力の低減を図ることができる。
【００８１】
ここで、スリープ電力Ｐ３は、微小なものなので、実質的には、例えば、メモリアクセス電力Ｐ１と待機電力Ｐ４を比較し、時間の経過に対して、Ｐ１の方が大きければ揮発性メモリ２をオン状態に維持し、Ｐ４の方が大きければ揮発性メモリ２をオフする。
【００８２】
図１１は、図９に示す半導体集積回路装置における揮発性メモリ待機電力測定回路の一例を示すブロック図である。図１１に示されるように、揮発性メモリ待機電力測定回路５は、レプリカ用レギュレータ５１、レプリカ揮発性メモリ部５２およびカレントミラー回路(第１カレントミラー回路)５３を含む。さらに、揮発性メモリ待機電力測定回路５は、積分器(第１積分器)５４、比較器(第１比較器)５５および基準電圧生成部(第１基準電圧生成部)５６を含む。
【００８３】
レプリカ用レギュレータ５１は、揮発性メモリ２における実際の揮発性メモリ部(２２)のレプリカであるレプリカ揮発性メモリ部５２に電流を流すためのものである。
【００８４】
ここで、レプリカ揮発性メモリ部５２は、例えば、消費電力を考慮した上でトランジスタの製造ばらつきの影響を低減するために、複数個(例えば、実際の揮発性メモリ部２２の百分の一程度)のメモリセル(ＳＲＡＭセル)により形成してもよい。
【００８５】
これにより、揮発性メモリ２の電源をオン状態に維持したときに実際の揮発性メモリ部２２に流れる電流(漏れ電流，待機電流Ｉ４)に相当する、レプリカ用レギュレータ５１からレプリカ揮発性メモリ部５２に流れる電流Ｉ04をカレントミラー回路５３で検出する。
【００８６】
すなわち、製造ばらつきや環境ばらつきにより、予測が困難である待機状態における揮発性メモリ２に流れる電流(待機電流Ｉ04)を、レプリカ用レギュレータ５１，レプリカ揮発性メモリ部５２およびカレントミラー回路５３により測定する。
【００８７】
さらに、カレントミラー回路５３の出力電流Ｉo(例えば、Ｉ04に等しい電流)による電荷を積分器５４により積分(電荷を蓄積)し、比較器５５により、積分器５４の出力電圧Ｖoと、基準電圧生成部５６で生成された基準電圧Ｖrを比較する。
【００８８】
そして、比較器５５は、例えば、積分器５４の出力電圧Ｖoが基準電圧Ｖrを超えたら、モード切り替え信号ＳＳをＭＣＵコア３に出力し、ＭＣＵコア３は、例えば、図１０におけるＳ２の状態であると判断して、揮発性メモリ２の電源をオフに切り替える。
【００８９】
図１２は、図１１に示す揮発性メモリ待機電力測定回路の一例を示す回路図である。図１２に示されるように、レプリカ用レギュレータ５１は、電圧源511，演算増幅器512およびｐチャネル型ＭＯＳ(ｐＭＯＳ)トランジスタ513を含む。また、レプリカ揮発性メモリ部５２は、ｐＭＯＳトランジスタ521，522およびｎチャネル型ＭＯＳ(ｎＭＯＳ)トランジスタ523，524を含む。
【００９０】
ここで、トランジスタ521〜524は、擬似的なＳＲＡＭセルを形成している。すなわち、ワード線により選択される２つのゲートトランジスタを省略し、４つのトランジスタにより１つのＳＲＡＭセルを擬似的に形成するようになっている。
【００９１】
なお、図１２では、レプリカ揮発性メモリ部５２が１つの擬似的なＳＲＡＭセルとして描かれているが、前述したように、トランジスタの製造ばらつきの影響を低減するために、消費電力を考慮した上で、複数個設けるのが好ましい。
【００９２】
カレントミラー回路５３は、例えば、トランジスタ513と同じサイズのｐＭＯＳトランジスタ531を含み、トランジスタ513を流れる電流Ｉ04をトランジスタ531でミラーリングして電流Ｉoを積分器５４に流すようになっている。なお、トランジスタ531は、トランジスタ513と同じサイズに限定されないにはいうまでもない。
【００９３】
積分器５４は、ｎＭＯＳトランジスタ541およびキャパシタ542を含み、トランジスタ531を流れる電流Ｉoによる電荷をキャパシタ542に蓄積するようになっている。なお、トランジスタ541は、キャパシタ542に蓄積された電荷をリセットするためのもので、リセット信号ＲＳＴを高レベル『Ｈ』とすることでオン状態とし、キャパシタ542に蓄積された電荷を放電するようになっている。
【００９４】
ここで、リセット信号ＲＳＴは、例えば、揮発性メモリ２の電源をオフした後、不揮発性メモリ１から揮発性メモリ２にプログラムを再度読み出して保持し、ＭＣＵコア３がプログラムを実行して処理を完了したタイミング等において出力される。
【００９５】
基準電圧生成部５６は、電圧源561を含み、基準電圧Ｖrを生成して比較器５５に出力する。比較器５５(551)は、積分器５４の出力電圧Ｖoと基準電圧Ｖrを比較し、電圧Ｖoが基準電圧Ｖrよりも高くなると、制御信号(出力)ＳＳをＭＣＵコア３に出力する。
【００９６】
ＭＣＵコア３は、揮発性メモリ待機電力測定回路５からの制御信号ＳＳを受け取って、例えば、それまでオン状態に維持していた揮発性メモリ２の電源をオフに切り替える。これにより、揮発性メモリ２に保持されていたプログラムは消去され、半導体集積回路装置１０ａにより消費される電力は、スリープ電力Ｐ４よりも小さい待機電力Ｐ１になる。
【００９７】
そして、次に無線通信動作を行う場合には、例えば、不揮発性メモリ１から揮発性メモリ２にプログラムを読み出してから、ＭＣＵコア３が揮発性メモリ２上でプログラムを実行することになる。
【００９８】
このように、第１実施例における揮発性メモリ待機電力測定回路５は、実際の揮発性メモリ２に対する影響を最小限として、揮発性メモリ２の待機電流Ｉ４に相当するレプリカ揮発性メモリ部５２の待機電流Ｉ04を検出してメモリの制御を行うことができる。
【００９９】
図１３は、半導体集積回路装置の第２実施例が適用された無線センサーネットワーク端末を示すブロック図であり、揮発性メモリ待機電力測定回路６を、実際の揮発性メモリ２と電源線の間に設けるようにしたものである。
【０１００】
図１４は、図１３に示す半導体集積回路装置における揮発性メモリ待機電力測定回路の一例を示すブロック図である。図１４に示されるように、揮発性メモリ待機電力測定回路６は、カレントミラー回路(第２カレントミラー回路)６３、積分器(第２積分器)６４、比較器(第２比較器)６５および基準電圧生成部(第２基準電圧生成部)６６を含む。
【０１０１】
カレントミラー回路６３は、揮発性メモリ２におけるレギュレータ２１から揮発性メモリ部２２に流れる電流Ｉ４をミラーリングして検出する。すなわち、第２実施例の半導体集積回路装置において、カレントミラー回路６３は、実際の揮発性メモリ２における待機電流Ｉ４を検出するようになっている。なお、他の構成は、図１１に示す第１実施例と同様である。
【０１０２】
すなわち、積分器６４は、カレントミラー回路６３の出力電流Ｉo(例えば、Ｉ４に等しい電流)による電荷を蓄積(積分)し、比較器６５は、積分器６４の出力電圧Ｖoと、基準電圧生成部６６で生成された基準電圧Ｖrを比較する。
【０１０３】
そして、例えば、積分器６４の出力電圧Ｖoが基準電圧Ｖrを超えたら、比較器６５は、モード切り替え信号ＳＳをＭＣＵコア３に出力し、ＭＣＵコア３は、例えば、図１０におけるＳ２の状態であると判断して、揮発性メモリ２の電源をオフに切り替える。
【０１０４】
図１５は、図１４に示す揮発性メモリ待機電力測定回路の一例を示す回路図である。なお、図１５では、揮発性メモリ待機電力測定回路６を、揮発性メモリ２におけるレギュレータ２１と共に示している。
【０１０５】
図１５に示されるように、レギュレータ２１は、電圧源211，演算増幅器212およびｐＭＯＳトランジスタ213を含む。なお、レギュレータ２１は、実際の揮発性メモリ部２２に対して電力を供給するためのものである。
【０１０６】
カレントミラー回路６３は、例えば、トランジスタ213よりも小型のｐＭＯＳトランジスタ631を含み、トランジスタ213を流れる電流Ｉ４をトランジスタ631でミラーリングし、トランジスタサイズの比率に応じた電流Ｉoを積分器６４に流すようになっている。
【０１０７】
なお、トランジスタ631のサイズ(ゲート幅)は、トランジスタ213のサイズとの比率により、例えば、前述した図１２における電流Ｉoに相当する電流が流れるように設定することができる。
【０１０８】
積分器６４は、ｎＭＯＳトランジスタ641およびキャパシタ642を含み、トランジスタ631を流れる電流Ｉoによる電荷をキャパシタ642に蓄積するようになっている。なお、トランジスタ641は、キャパシタ642に蓄積された電荷をリセットするためのもので、リセット信号ＲＳＴを高レベル『Ｈ』とすることでオン状態とし、キャパシタ542に蓄積された電荷を放電するようになっている。
【０１０９】
ここで、リセット信号ＲＳＴは、例えば、揮発性メモリ２の電源をオフした後、不揮発性メモリ１から揮発性メモリ２にプログラムを再度読み出して保持し、ＭＣＵコア３がプログラムを実行して処理を完了したタイミング等において出力される。
【０１１０】
基準電圧生成部６６は、電圧源661を含み、基準電圧Ｖrを生成して比較器６５に出力する。比較器６５(651)は、積分器６４の出力電圧Ｖoと基準電圧Ｖrを比較し、電圧Ｖoが基準電圧Ｖrよりも高くなると、制御信号ＳＳをＭＣＵコア３に出力する。
【０１１１】
ＭＣＵコア３は、揮発性メモリ待機電力測定回路６からの制御信号ＳＳを受け取って、例えば、それまでオン状態に維持していた揮発性メモリ２の電源をオフに切り替える。これにより、揮発性メモリ２に保持されていたプログラムは消去され、半導体集積回路装置１０ｂにより消費される電力は、スリープ電力Ｐ４よりも小さい待機電力Ｐ１になる。
【０１１２】
そして、次に無線通信動作を行う場合には、例えば、不揮発性メモリ１から揮発性メモリ２にプログラムを読み出してから、ＭＣＵコア３が揮発性メモリ２上でプログラムを実行することになる。このように、第２実施例における揮発性メモリ待機電力測定回路６は、実際の揮発性メモリ２の待機電流Ｉ４を検出してメモリの制御を行うようになっている。
【０１１３】
ここで、上述した第１および第２実施例は、単なる例であり、様々な変形および変更が可能なのはいうまでもない。また、本実施例の半導体集積回路装置１０ａ，１０ｂは、無線センサーネットワーク端末への適用に限定されず、様々な電子機器に対して幅広くて着ようすることができる。
【０１１４】
以上、実施形態を説明したが、ここに記載したすべての例や条件は、発明および技術に適用する発明の概念の理解を助ける目的で記載されたものであり、特に記載された例や条件は発明の範囲を制限することを意図するものではない。また、明細書のそのような記載は、発明の利点および欠点を示すものでもない。発明の実施形態を詳細に記載したが、各種の変更、置き換え、変形が発明の精神および範囲を逸脱することなく行えることが理解されるべきである。
【０１１５】
以上の実施例を含む実施形態に関し、さらに、以下の付記を開示する。
（付記１）
データを格納する不揮発性メモリと、
前記不揮発性メモリに格納されたデータを読み出して保持する揮発性メモリと、
前記揮発性メモリに保持されたデータを用いて処理を行う演算処理装置と、
前記揮発性メモリの電源をオンしたときにおける、前記揮発性メモリの待機電力を測定する揮発性メモリ待機電力測定回路と、を有し、
前記演算処理装置は、前記揮発性メモリ待機電力測定回路の出力に基づいて、間欠動作に要する消費電力が小さくなるように、前記揮発性メモリの電源の接続を制御する、
ことを特徴とする半導体集積回路装置。
【０１１６】
（付記２）
前記演算処理装置は、前記揮発性メモリ待機電力測定回路の出力に基づいて、
前記揮発性メモリの電源をオン状態に維持し、前記演算処理装置が次回の処理を行う時には、前記揮発性メモリに継続して保持されたデータを使用する第１モードと、
前記揮発性メモリの電源をオフし、前記演算処理装置が次回の処理を行う時には、前記揮発性メモリの電源をオンし、前記不揮発性メモリに格納された前記データを読み出して再度前記揮発性メモリに保持し、前記揮発性メモリに保持されたデータを使用する第２モードと、を切り替える、
ことを特徴とする付記１に記載の半導体集積回路装置。
【０１１７】
（付記３）
前記演算処理装置は、時間の経過に対して、
前記不揮発性メモリに格納された前記データを読み出して前記揮発性メモリに保持するのに要するメモリアクセス電力と、前記揮発性メモリ待機電力測定回路により得られる前記揮発性メモリの待機電力を比較し、
時間の経過に対して、前記メモリアクセス電力が前記待機電力よりも大きいときは、前記第１モードを選択し、
時間の経過に対して、前記メモリアクセス電力が前記待機電力よりも小さいときは、前記第２モードを選択する、
ことを特徴とする付記２に記載の半導体集積回路装置。
【０１１８】
（付記４）
前記揮発性メモリ待機電力測定回路は、
前記揮発性メモリの揮発性メモリ部に相当するレプリカ揮発性メモリ部と、
前記レプリカ揮発性メモリ部に電力を供給するレプリカ用レギュレータと、
前記レプリカ用レギュレータから前記レプリカ揮発性メモリ部に流れる電流を検出する第１カレントミラー回路と、
前記第１カレントミラー回路の出力を積分する第１積分器と、
前記第１積分器の出力電圧を基準電圧と比較する第１比較器と、を含み、
前記第１比較器は、前記第１積分器の出力電圧が前記基準電圧を超えたら、前記演算処理装置に対して制御信号を出力し、
前記演算処理装置は、前記揮発性メモリの電源をオフして、前記第１モードから前記第２モードに切り替える、
ことを特徴とする付記３に記載の半導体集積回路装置。
【０１１９】
（付記５）
前記前記レプリカ揮発性メモリ部は、複数のメモリセルを含む、
ことを特徴とする付記４に記載の半導体集積回路装置。
【０１２０】
（付記６）
前記揮発性メモリは、揮発性メモリ部と、前記揮発性メモリ部に電力を供給するレギュレータと、を含み、
前記揮発性メモリ待機電力測定回路は、
前記レギュレータから前記揮発性メモリ部に流れる電流を検出する第２カレントミラー回路と、
前記第２カレントミラー回路の出力を積分する第２積分器と、
前記第２積分器の出力電圧を基準電圧と比較する第２比較器と、を含み、
前記第２比較器は、前記第２積分器の出力電圧が前記基準電圧を超えたら、前記演算処理装置に対して制御信号を出力し、
前記演算処理装置は、前記揮発性メモリの電源をオフして、前記第１モードから前記第２モードに切り替える、
ことを特徴とする付記３に記載の半導体集積回路装置。
【０１２１】
（付記７）
前記不揮発性メモリは、フラッシュメモリであり、
前記揮発性メモリは、スタティックランダムアクセスメモリである、
ことを特徴とする付記１乃至付記６のいずれか１項に記載の半導体集積回路装置。
【０１２２】
（付記８）
前記不揮発性メモリは、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリである、
ことを特徴とする付記７に記載の半導体集積回路装置。
【０１２３】
（付記９）
前記不揮発性メモリから読み出して前記揮発性メモリに保持するデータは、前記演算処理装置が実行するプログラムのデータを含む、
ことを特徴とする付記１乃至付記８のいずれか１項に記載の半導体集積回路装置。
【０１２４】
（付記１０）
付記１乃至付記９のいずれか１項に記載の半導体集積回路装置と、
情報を収集するセンサーと、
基地局との間で間欠的に通信を行い、前記センサーにより得られた情報を前記基地局に伝達するトランシーバ回路と、を有する、
ことを特徴とする無線センサーネットワーク端末。
【０１２５】
（付記１１）
前記基地局との間で行う通信の間隔は、前記前記センサーにより得られた情報量が多い場合には短く、前記前記センサーにより得られた情報量が少ない場合には長くなるように制御される、
ことを特徴とする付記１０に記載の無線センサーネットワーク端末。
【０１２６】
（付記１２）
プログラムを格納した不揮発性メモリと、前記不揮発性メモリに格納されたプログラムを読み出して保持する揮発性メモリと、前記揮発性メモリ上で前記プログラムを実行する演算処理装置と、を含む半導体集積回路装置のメモリ制御方法であって、
前記演算処理装置が前記プログラムを実行して処理を完了した後、
前記プログラムを保持した前記揮発性メモリの電源をオン状態に維持し、
電源をオン状態に維持したときの、前記揮発性メモリの待機電力を測定し、
測定した前記揮発性メモリの待機電力に基づいて、間欠動作に要する消費電力が小さくなるように、前記揮発性メモリの電源の接続を制御する、
ことを特徴とする半導体集積回路装置のメモリ制御方法。
【０１２７】
（付記１３）
前記待機電力に基づいて、
前記揮発性メモリの電源をオン状態に維持し、前記演算処理装置が次回の処理を行う時には、前記揮発性メモリに継続して保持されたデータを使用する第１モードと、
前記揮発性メモリの電源をオフし、前記演算処理装置が次回の処理を行う時には、前記揮発性メモリの電源をオンし、前記不揮発性メモリに格納された前記データを読み出して再度前記揮発性メモリに保持し、前記揮発性メモリに保持されたデータを使用する第２モードと、を制御する、
ことを特徴とする付記１２に記載の半導体集積回路装置のメモリ制御方法。
【０１２８】
（付記１４）
時間の経過に対して、前記不揮発性メモリに格納された前記データを読み出して前記揮発性メモリに保持するのに要するメモリアクセス電力と、前記待機電力を比較し、
時間の経過に対して、前記メモリアクセス電力が前記待機電力よりも大きいときは、前記第１モードを選択し、
時間の経過に対して、前記メモリアクセス電力が前記待機電力よりも小さいときは、前記第２モードを選択する、
ことを特徴とする付記１３に記載の半導体集積回路装置のメモリ制御方法。
【０１２９】
（付記１５）
前記不揮発性メモリは、フラッシュメモリであり、
前記揮発性メモリは、スタティックランダムアクセスメモリである、
ことを特徴とする付記１２乃至付記１４のいずれか１項に記載の半導体集積回路装置のメモリ制御方法。
【符号の説明】
【０１３０】
１，101a，101b    不揮発性メモリ
２，102    揮発性メモリ
３，103    ＭＣＵコア(演算処理装置)
４，104    バス
５，６    揮発性メモリ待機電力測定回路
１０ａ，１０ｂ    半導体集積回路装置
１１，111    トランシーバ回路
１２，４１，112，141    アンテナ
１３，113    センサー
２１    レギュレータ
２２    揮発性メモリ部
４０，140    基地局
５１    レプリカ用レギュレータ
５２    レプリカ揮発性メモリ部
５３    カレントミラー回路(第１カレントミラー回路)
５４    積分器(第１積分器)
５５    比較器(第１比較器)
５６    基準電圧生成部(第１基準電圧生成部)
６３    カレントミラー回路(第２カレントミラー回路)
６４    積分器(第２積分器)
６５    比較器(第２比較器)
６６    基準電圧生成部(第２基準電圧生成部)
【図１】
2016157383.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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