(57)【要約】【課題】樹脂基板に実装した際の線路導体部における高周波信号の特性インピーダンス不整合増大を原因とする反射特性の劣化を防止でき、パッケージの小型化に対応でき、気密信頼性の高い高周波用半導体素子収納用パッケージを提供する。【解決手段】本発明の高周波用半導体素子収納用パッケージ１０は、セラミックス基体１１と、窓枠状のセラミックス枠体１２と、下面中央部にグランド導体層１４と、下面外周部の少なくと１つの辺の縁端から直角に延出してグランド導体層１４と電気的接続状態となるグランド線路導体１６ａと、これで両側から挟まれながらグランド線路導体１６ａに対して平行して延出する２本ペアの線路導体１６からなる差動信号線路導体１６ｂと、差動信号線路導体１６ｂの間にセラミックス基体１１の端面から差動信号線路導体１６ｂに沿って延出する溝状の切り欠き１７を有する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
四角形状のセラミックス基体と、該セラミックス基体の上面中央部に搭載する高周波用の半導体素子を囲繞するのに上面外周部に設けられる窓枠状のセラミックス枠体と、前記セラミックス基体下面中央部にグランド導体層と、前記セラミックス基体下面外周部の少なくとも１つの辺の縁端から直角に延出して前記グランド導体層と電気的接続状態となるグランド線路導体と、該グランド線路導体で両側から挟まれながら前記グランド線路導体に対して平行して延出する２本ペアの線路導体からなる差動信号線路導体と、該差動信号線路導体の間に前記セラミックス基体の端面から前記差動信号線路導体に沿って延出する溝状の切り欠きを有することを特徴とする高周波用半導体素子収納用パッケージ。
【請求項２】
請求項１記載の高周波用半導体素子収納用パッケージにおいて、前記切り欠きは、前記差動信号線路導体のそれぞれに沿って接合されるリード端子の前記セラミックス基体端面から前記リード端子先端までの１／２位置以上の長さを有することを特徴とする高周波用半導体素子収納用パッケージ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、セラミックス基体の底面に設ける線路導体に金属製の外部接続端子を接合させて信号の入出時に線路導体を通過する電気信号の特定インピーダンスの低下を防止する高周波用半導体素子収納用パッケージに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、情報通信の高速化に伴い、それに用いられる電子デバイスも高速化しており、その電子デバイスを収納するパッケージには、高い排熱性、高周波の低損失伝送、高い信頼性、及び小型化が求められている。上記パッケージに求められる高い排熱性、高周波の低損失伝送、高い信頼性を満たすためには、アルミナ系セラミックスが優れた絶縁材料となっている。また、このようなパッケージ内の高速信号を通すための線路導体の外部との接続には、パッケージを構成するセラミックス基体下面上に形成されたコプレーナ線路と、その上に固着された金属製のリード端子を介して外部樹脂基板上に形成されたグランド付きコプレーナ線路に接続する方法が多く用いられている。
【０００３】
しかしながら、高周波用半導体素子収納用パッケージは、パッケージの小型化要求に対応して配線の狭ピッチ化が進み、これに伴ってアルミナ系セラミックスの高誘電率がリード端子付近の高周波信号配線の特性インピーダンスを低下させ、高周波の伝送特性劣化の要因となってきた。このため、高周波用半導体素子収納用パッケージへの要求事項全てを満たすためには、リード端子接続付近の構造が重要な要素の一つとなっている。
【０００４】
図３（Ａ）、（Ｂ）に示すように、従来の高周波用半導体素子収納用パッケージ５０は、四角形平板状のセラミックス基体５１と、セラミックス基体５１上面外周部に接合する窓枠状のセラミックス枠体５２で高周波用半導体素子を収納するための搭載部５３を形成している。また、この高周波用半導体素子収納用パッケージ５０は、セラミックス基体５１下面外周部の少なくとも１つの辺の縁端に対して直角に延出する線路導体５４を有している。この線路導体５４は、信号線路導体をグランド線路導体で両側から挟むようにして設けられている。そして、高周波用半導体素子収納用パッケージ５０は、セラミックス基体５１上に形成される線路導体５４に外部接続端子のリード端子５５を接合し、このリード端子５５及び線路導体５４を介して外部と、搭載部５３に気密封止する半導体素子間の電気信号の出し入れを行っている。
【０００５】
この高周波用半導体素子収納用パッケージ５０は、パッケージの小型化と、信号の高周波化の両方を達成するために、リード端子５５のそれぞれの端子幅をリード端子５５自体の機械的強度を確保できる程度に小さくすると共に、それぞれのリード端子５５間のピッチを狭くしている。また、従来から高周波用半導体素子収納用パッケージ５０は、セラミックス基体５１に設ける線路導体５４にリード端子５５の一方の端子側を接合させるために、線路導体５４の導体幅をリード端子５５の端子幅より大きい一定の大きさとしている。更に、従来からセラミックス基体５１下面の線路導体５４にリード端子５５の一方の端子側を接合させ、他方の端子側を実装用の樹脂基板５６に接合させる付近は、高い誘電率を持つセラミックスと樹脂で挟まれた誘電率の高い雰囲気のエリア５７となっている。  
【０００６】
上記のエリア５７付近は、狭ピッチの線路導体５４とリード端子５５周りの実効誘電率が高くなり、高周波信号配線の特性インピーダンスの低下を招き、電気信号の反射損失の要因となっている。従って、従来の高周波用半導体素子収納用パッケージ５０は、この特性インピーダンスを高くするために、リード端子５５の端子幅、及び線路導体５４の導体幅を狭くする、あるいは線路導体５４と隣接する線路導体５４との間隔を広くする必要がある。しかしながら、前者は、リード端子５５幅を小さくし過ぎると、リード端子５５自体の機械的強度を確保できなくなり、後者は、線路導体５４と隣接する線路導体５４との間隔を広くし過ぎると、パッケージの小型化要求に反するという矛盾を抱えていた。
【０００７】
上記の問題に対応するための、従来の高周波用半導体素子収納用パッケージには、下面にグランド導体層が形成された誘電体基板（本願の「セラミックス基体」に相当）の上面に高周波用半導体素子を搭載するための搭載部と、この搭載部近傍から誘電体基板の外周近傍にかけて互いに平行に配設された複数の線路導体とを形成するとともに、誘電体基板上に搭載部を囲むとともに線路導体の各々の一部を挟み込む、線路導体の上側の部位の誘電率が残部よりも低い誘電体枠体（本願の「セラミックス枠体」に相当）を接合してなり、誘電体枠体の少なくとも片側で、線路導体間の誘電体基板に幅が０．２ｍｍ以上、深さが誘電体基板の厚みの２分の１以上の空気層の溝（本願の「切り欠き」に相当）を設けたことにより、線路導体周りの実効誘電率を溝がないときよりも低くしたものの開示がある（例えば、特許文献１参照）。
【０００８】
また、従来の高周波用半導体素子収納用パッケージには、上面に高周波回路部品の実装領域を有する誘電体基板と、この誘電体基板上に実装領域を取り囲んで接合された、高周波回路部品を収容する凹部を形成する枠体と、枠体の上面に凹部を覆うように取着される蓋体と、凹部内の誘電体基板の上面に内部線路導体およびその両側の内部同一面グランド導体が形成されて成る内部コプレーナ線路と、誘電体基板の下面に外部線路導体およびその両側の外部同一面グランド導体が形成されて成る外部コプレーナ線路と、内部線路導体および外部線路導体の端部間を電気的に接続する信号用貫通導体と、内部同一面グランド導体および外部同一面グランド導体の間を信号用貫通導体の周囲に疑似同軸構造をなすように配置されて接続する複数のグランド用貫通導体とを具備し、外部線路導体と外部同一面グランド導体との間に位置する誘電体基板の表面に、信号用貫通導体及びグランド用貫通導体間を誘電体基板の下面側でのみ横切るようにして切り欠き部を設けたものの開示がある（例えば、特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特許第３４９３３０１号公報
【特許文献２】特許第３６６７２７４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、前述したような従来の高周波用半導体素子収納用パッケージは、次のような問題がある。
特許第３４９３３０１号公報で開示される高周波用半導体素子収納用パッケージは、グランド導体層をセラミックス基体の一方の主面である下面に設け、上面に設ける複数本の信号用の線路導体の間にグランド線路導体を設けない場合には、例え、下面にグランド導体層と、上面にそれぞれの信号線路導体間に切り欠きを設けたとしても、樹脂基板に実装した際に、上面に集中するリード端子が接合される信号線路導体部における特性インピーダンス不整合増大を原因とする反射特性の低下を防止しながら高周波の信号を通すことが難しくなっている。また、特許第３４９３３０１号公報で開示される高周波用半導体素子収納用パッケージは、例え、グランド導体層を下面に設けたとしても、リード端子を信号線路導体に接合するリード端子と同一水平上に設けることができないので、樹脂基板への実装ができなくなっている。
【００１１】
特許第３４９３３０１号公報で開示される高周波用半導体素子収納用パッケージは、グランド導体層をセラミックス基体の一方の主面である下面に設け、上面に設ける複数本の信号線路導体のそれぞれの間に設けられるグランド線路導体の部分を切り欠くことでセラミックス基体の他方の主面である上面に信号線路導体のみを形成する場合には、セラミックス基体の信号線路導体が設けられる部位の横幅が大きくなり、パッケージの小型化に対応できなくなっている。また、特許第３４９３３０１号公報で開示される高周波用半導体素子収納用パッケージは、例え、グランド線路導体を上、下面、あるいは下面に設けたとしても、下面に設けるグランド線路導体にはリード端子を信号線路導体に接合するリード端子と同一水平上に設けることができないので、樹脂基板への実装ができなくなっている。
【００１２】
また、特許第３４９３３０１号公報で開示される高周波用半導体素子収納用パッケージは、セラミックス基体の外周部がセラミックス枠体の外壁より突出する形態であるので、パッケージの小型化に対応できない形態となっている。
【００１３】
特許第３６６７２７４号公報で開示される高周波用半導体素子収納用パッケージは、リード端子が接合される線路導体部が信号線路導体を両側からグランド線路導体で挟み込んだコプレーナ線路であるものの信号線路導体が１本からなり、等長、等間隔の２本の線路導体を利用して電気信号を送る方法で、１本の線路導体に元の信号を、もう１本の線路導体に位相を反転させた信号を送る差動信号線路導体となっていないので、耐ノイズ性能の低い伝送方式であり、例え、全ての信号線路導体とグランド線路導体間に切り欠きを設けたとしても、樹脂基板に実装した際に、上面に集中するリード端子が接合される信号線路導体部における特性インピーダンス不整合増大を原因とする反射特性の低下を防止しながら高周波の信号を通すことが難しくなっている。
【００１４】
また、特許第３６６７２７４号公報で開示される高周波用半導体素子収納用パッケージは、信号線路導体とグランド線路導体との全ての間に切り欠きを設けたとしても、信号線路導体とグランド線路導体間の電界が差動信号線路導体間の電界程に集中しないので効果が薄い上に、狭い隙間の全てに切り欠きを設けることがパッケージ製造上の問題を抱えることとなっている。
【００１５】
特許第３４９３３０１号公報、及び特許第３６６７２７４号公報で開示される高周波用半導体素子収納用パッケージは、全ての線路導体間に間隔が狭く細長い切り欠きを設けているので、セラミックス基体の切り欠き部にカケや、クラック等が発生しやすくなっており、高周波用半導体素子を収納する搭載部の気密信頼性低下の要因となっている。
【００１６】
本発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであって、樹脂基板に実装した際の線路導体部における高周波信号の特性インピーダンス不整合増大を原因とする反射特性の劣化を防止でき、パッケージの小型化に対応でき、気密信頼性の高い高周波用半導体素子収納用パッケージを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
前記目的に沿う本発明に係る高周波用半導体素子収納用パッケージは、四角形状のセラミックス基体と、セラミックス基体の上面中央部に搭載する高周波用の半導体素子を囲繞するのに上面外周部に設けられる窓枠状のセラミックス枠体と、セラミックス基体下面中央部にグランド導体層と、セラミックス基体下面外周部の少なくとも１つの辺の縁端から直角に延出してグランド導体層と電気的接続状態となるグランド線路導体と、グランド線路導体で両側から挟まれながらグランド線路導体に対して平行して延出する２本ペアの線路導体からなる差動信号線路導体と、差動信号線路導体の間にセラミックス基体の端面から差動信号線路導体に沿って延出する溝状の切り欠きを有する。
【００１８】
特に、上記の高周波用半導体素子収納用パッケージは、切り欠きは、差動信号線路導体のそれぞれに沿って接合されるリード端子のセラミックス基体端面からリード端子先端までの１／２位置以上の長さを有するのがよい。
【発明の効果】
【００１９】
本発明の高周波用半導体素子収納用パッケージは、四角形状のセラミックス基体と、セラミックス基体の上面中央部に搭載する高周波用の半導体素子を囲繞するのに上面外周部に設けられる窓枠状のセラミックス枠体と、セラミックス基体下面中央部にグランド導体層と、セラミックス基体下面外周部の少なくとも１つの辺の縁端から直角に延出してグランド導体層と電気的接続状態となるグランド線路導体と、グランド線路導体で両側から挟まれながらグランド線路導体に対して平行して延出する２本ペアの線路導体からなる差動信号線路導体と、差動信号線路導体の間にセラミックス基体の端面から差動信号線路導体に沿って延出する溝状の切り欠きを有するので、樹脂基板に実装した際に、上面に集中するリード端子が接合される差動信号線路導体部における特性インピーダンス不整合増大を原因とする反射特性の低下を防止しながら高周波の信号を通すことが容易となっている。
【００２０】
また、本発明の高周波用半導体素子収納用パッケージは、信号線路導体が差動信号線路導体となっているので、１本の線路導体に元の信号を、もう１本の線路導体に位相を反転させた信号を送ることで耐ノイズ性能の高い伝送方式で、しかも、２本の信号線路導体間に設ける溝状の切り欠きによる空間部によって差動信号線路導体間の容量値が低くなり電気的干渉が低減されることで、樹脂基板に実装した際に、上面に集中するリード端子が接合される差動信号線路導体部における特性インピーダンス不整合増大を原因とする反射特性の低下を防止しながら高周波の信号を通すことができるようになっている。
【００２１】
更に、本発明の高周波用半導体素子収納用パッケージの切り欠きは、差動信号線路導体である２本ペアーの線路導体間にのみ設けているので、線路導体が設けられる部位の横幅を大きくすることなく、パッケージの小型化に対応できると共に、必要最小限の切り欠きによって、切り欠き部に発生しやすいセラミックス基体のカケや、クラック等の発生を防止できるようになっている。更には、本発明の高周波用半導体素子収納用パッケージは、セラミックス基体の外周部がセラミックス枠体の外壁より突出する形態ではないので、パッケージの小型化に対応できるようになっている。
【００２２】
特に、本発明の高周波用半導体素子収納用パッケージは、切り欠きが差動信号線路導体のそれぞれに沿って接合されるリード端子のセラミックス基体端面からリード端子先端までの１／２位置以上の長さを有するので、セラミックス基体のカケや、クラック等の発生を防止して差動信号線路導体部における特性インピーダンス不整合増大を原因とする反射特性の低下を確実に防止しながら高周波の信号を通すことができるようになっている。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】（Ａ）〜（Ｄ）はそれぞれ本発明の一実施の形態に係る高周波用半導体素子収納用パッケージの部分斜視図、下面側部分平面図、リード端子側部分側面図、樹脂基板に実装する説明図である。
【図２】同高周波用半導体素子収納用パッケージと、従来の高周波用半導体素子収納用パッケージの信号線路導体の差動反射を有限要素法によるシミュレーション測定結果を示すグラフである。
【図３】（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ従来の高周波用半導体素子収納用パッケージの部分斜視図、樹脂基板に実装する説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
続いて、図１（Ａ）〜（Ｄ）を参照しながら本発明を具体化した実施するための形態、及び図２を参照しながら本発明の実施例のシミュレーション測定結果について説明し、本発明の理解に供する。
図１（Ａ）に示すように、本発明の一実施形態の高周波用半導体素子収納用パッケージ１０は、四角形平板状のセラミックス基体１１と、セラミックス基体１１の上面外周部に設けられる窓枠状のセラミック枠体１２を有している。この高周波用半導体素子収納用パッケージ１０は、セラミックス基体１１と、セラミック枠体１２とで、セラミックス基体１１の上面中央部に搭載する高周波用半導体素子を囲繞するのに収納するための搭載部１３を形成している。
【００２５】
上記のセラミックス基体１１や、セラミックス枠体１２には、セラミックスにアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）や、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）等からなる焼成前の複数枚のそれぞれのセラミックグリーンシートが用いられている。また、このセラミックス基体１１や、セラミックス枠体１２には、メタライズ導体配線にタングステン（Ｗ）や、モリブデン（Ｍｏ）等の高融点金属からなる導体ペーストが用いられている。複数枚のそれぞれのセラミックグリーンシートには、スクリーン印刷で導体ペーストを所定の位置に設ける貫通孔に充填したり、表面の所定の位置に導体配線パターンを設けている。更に、セラミックス枠体１２用のセラミックグリーンシートには、搭載部１３用の貫通孔を設けている。そして、セラミックス基体１１用と、セラミックス枠体１２用のセラミックグリーンシートは、重ね合わせて温度と圧力を掛けて積層した後、セラミックスと高融点金属を還元性雰囲気中の高温で同時焼成してセラミックス基体１１と、セラミックス枠体１２の焼成体を形成している。
【００２６】
図１（Ｂ）、（Ｃ）に示すように、本発明の高周波用半導体素子収納用パッケージ１０は、セラミックス基体１１下面中央部にグランド導体層１４を有している。更に、通常、このグランド導体層１４には、高周波用半導体素子から発生する高熱をセラミックス基体１１下面から放熱させるためのＦｅ−Ｎｉ系合金や、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ系合金の金属板からなるヒートシンク板１５が銀銅ろう等でろう付け接合されている。また、このヒートシンク板１５は、高周波用半導体素子を実装させた後、装置にねじ締め等で固定させるための取り付け部を備えている場合がある。
【００２７】
この高周波用半導体素子収納用パッケージ１０は、セラミックス基体１１下面外周部の少なくとも１つの辺の縁端に対して直角に延出する線路導体１６を有している。この線路導体１６には、グランド導体層１４と電気的接続状態となるグランド線路導体１６ａと、グランド線路導体１６ａと一定の絶縁間隔を設けて両側から挟まれながらグランド線路導体１６ａに対して平行して延出する２本の間で一定の絶縁間隔を設ける２本ペアの線路導体１６からなる差動信号線路導体１６ｂを有している。
【００２８】
この高周波用半導体素子収納用パッケージ１０は、２本ペアの線路導体１６からなる差動信号線路導体１６ｂの間にセラミックス基体１１の端面から差動信号線路導体１６ｂに沿って延出する切り欠き１７を有している。この切り欠き１７は、グランド線路導体１６ａと差動信号線路導体１６ｂの間にはなく、２本ペアの線路導体１６の差動信号線路導体１６ｂの間にのみあり、特にその形状を限定するものではないが、直線状の溝で深さがセラミックス基体１１の厚みの１／３〜２／３程度あればよい。この溝で形成される空気層は、２本ペアの線路導体１６からなる差動信号線路導体１６ｂ間の容量を低下させることができ、インピーダンスの低減を図ることができる。
【００２９】
上記の高周波用半導体素子収納用パッケージ１０には、通常、セラミックス基体１１下面外周部の少なくとも１つの辺の縁端に対して直角に延出する線路導体１６からセラミックス基体１１上面中央部の高周波用半導体素子を収納するための搭載部１３に延出する線路導体１６にコプレーナ線路構造が採用されている。この高周波用半導体素子収納用パッケージ１０は、セラミックス基体１１下面上に形成される線路導体１６にＦｅ−Ｎｉ系合金や、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ系合金の金属板からなる外部接続端子のリード端子１８を銀銅ろう等でろう付け接合し、このリード端子１８及び線路導体１６を介して外部と、搭載部１３に収納する高周波用半導体素子間の電気信号の出し入れを行っている。
【００３０】
なお、上記の高周波用半導体素子収納用パッケージ１０は、パッケージの小型化と、信号の高周波化の両方を達成するために、リード端子１８のそれぞれの端子幅をリード端子１８自体の機械的強度を確保できる程度に小さくすると共に、それぞれのリード端子１８間のピッチを狭くしている。また、この高周波用半導体素子収納用パッケージ１０は、セラミックス基体１１に設ける線路導体１６にリード端子１８の一方の端子側を強固に接合させるための良好なメニスカス形状を形成するために、線路導体１６の導体パターン幅をリード端子１８の端子幅より大きくしている。更に、上記の切り欠き１７は、電気的には狭い線路導体１６間の全てに設けてもよいが、逆に差動信号線路導体１６ｂの間にのみ設けることで、切り欠き１７作成時に切り欠き１７周辺に発生する形状変形によるリード端子１８接合時の接合強度低下を防止している。
【００３１】
図１（Ｄ）に示すように、本発明の高周波用半導体素子収納用パッケージ１０は、セラミックス基体１１下面の線路導体１６に接合したリード端子１８の他方の端子側を実装用の樹脂基板１９に搭載するリード端子１８付近が誘電率の高いセラミックスと樹脂で挟まれたエリア２０となっている。このエリア２０は、狭ピッチの線路導体１６とリード端子１８周り、特に、差動信号線路導体１６ｂとリード端子１８周りの実効誘電率が高くなる場所となっている。
【００３２】
しかしながら、本発明の高周波用半導体素子収納用パッケージ１０は、２本ペアの差動信号線路導体１６ｂの間にセラミックス基体１１の端面から差動信号線路導体１６ｂに沿って延出する溝状の切り欠き１７によって、差動信号線路導体１６ｂ間に発生する容量を低下させ、特性インピーダンスの向上を計っている。また、本発明の高周波用半導体素子収納用パッケージ１０は、信号用線路導体が差動信号線路導体１６ｂで構成されているので、１本の線に元の信号を、もう一方の線に位相を反転させた（逆位相の）信号を送る（信号が平衡関係にある状態）ことで耐ノイズ性能が高い伝送方式を構成している。従って、本発明の高周波用半導体素子収納用パッケージ１０は、４０ＧＨｚを超えるような高周波信号を送ることができると共に、パッケージの小型化にも対応できるパッケージを提供できる。
【００３３】
本発明の高周波用半導体素子収納用パッケージ１０は、通常、外部からの電気信号のシール用に、セラミックス基体１１と、セラミックス枠体１２の焼成体のセラミック枠体１２外壁の可能な部分にモリブデン−マンガン（Ｍｏ−Ｍｎ）の高融点金属からなる導体膜を設けている。このように形成された高周波用半導体素子収納用パッケージ１０には、搭載部１３に高周波用半導体素子を収納して気密封止するために、通常、セラミックス枠体１２の上面にタングステンや、モリブデン等の高融点金属からなる導体ペーストで形成する枠状導体にＦｅ−Ｎｉ系合金や、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ系合金の金属板からなる枠状金属板２１を銀銅ろう等でろう付け接合し、この枠状金属板２１上にＦｅ−Ｎｉ系合金や、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ系合金の金属板からなる蓋体（図示せず）を金スズろう等でろう付け接合することで行っている。
【００３４】
なお、高周波用半導体素子収納用パッケージ１０は、ヒートシンク板１５、リード端子１８、枠状金属板２１等のろう付け接合時には、セラミックス基体１１とセラミックス枠体１２の焼成体の外部に露出する全ての高融点金属部分にニッケルやニッケルコバルト等からなるニッケルめっき被膜を形成した後、ろう付け接合している。次いで、この高周波用半導体素子収納用パッケージ１０は、外部に露出する全ての金属部分にＮｉめっき被膜、更にこの上にＡｕめっき被膜を形成している。そして、高周波用半導体素子収納用パッケージ１０の搭載部１３には、高周波用半導体素子を実装して、前述した蓋体を枠状金属板２１に金スズろう等でろう付け接合して気密封止している。
【００３５】
本発明の高周波用半導体素子収納用パッケージ１０は、切り欠き１７の溝長さが差動信号線路導体１６ｂのそれぞれに沿って接合されるリード端子１８のセラミックス基体１１端面からリード端子１８先端までの位置以上であるのが好ましい。この溝長さが長い切り欠き１７で形成される空気層は、２本ペアの線路導体１６からなる差動信号線路導体１６ｂ間の容量を低下させることができ、特定インピーダンスの低下を防止して確実に４０ＧＨｚを超える高周波信号の高周波特性を向上させることができる。
【実施例】
【００３６】
差動信号線路導体間に切り欠きを設ける本発明の実施例の高周波用半導体素子収納用パッケージと、切り欠きを設けない従来例の高周波用半導体素子収納用パッケージについて、信号線路導体の差動反射（ｄＢ）を有限要素法によるシミュレーション測定を行った。この測定に用いる実施例及び従来例のサンプルは、セラミックス基体に取り付けるリード端子を端子間ピッチ０．６ｍｍ、端子幅０．２ｍｍとし、セラミックス基体に設ける線路導体を導体幅０．３５ｍｍとした。また、実施例のサンプルは、セラミックス基体に設ける切り欠きを切り欠き幅０．２５ｍｍ、切り欠き長さ０．３５ｍｍ、切り欠き深さ０．１５ｍｍとした。シミュレーション測定結果を図２に示す。
【００３７】
本発明の高周波用半導体素子収納用パッケージである実施例は、切り欠きを設けない従来例の高周波用半導体素子収納用パッケージより４０ＧＨｚ以上の高周波において信号線路導体の差動反射（ｄＢ）が少ない効果が得られるということが確認できた。
【産業上の利用可能性】
【００３８】
本発明の高周波用半導体素子収納用パッケージは、樹脂基板に実装した際に、上面に集中するリード端子が接合される差動信号線路導体部における特性インピーダンス不整合増大を原因とする反射特性の低下を防止しながら高周波、特に４０ＧＨｚ以上の信号を通すことが必要である電子デバイスに用いることができる。
【符号の説明】
【００３９】
１０：高周波用半導体素子収納用パッケージ、１１：セラミックス基体、１２：セラミックス枠体、１３：搭載部、１４：グランド導体層、１５：ヒートシンク板、１６：線路導体、１６ａ：グランド線路導体、１６ｂ：差動信号線路導体、１７：切り欠き、１８：リード端子、１９：樹脂基板、２０：エリア、２１：枠状金属板
【図１】
2016146439.tif 000003
【図２】
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【図３】
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