(57)【要約】【課題】  発光表示装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】  発光表示装置は、第１方向と、前記第１方向と交差する第２方向とに沿って配列される複数の画素を含む基板と、前記基板上に前記複数の画素別に配置される第１電極と、前記第１電極を露出する開口部を有し、前記基板上に配置される画素定義膜と、前記画素定義膜の前記開口部の内部で前記第１電極から前記画素定義膜の側面に沿って配置され、前記第１電極上に位置する第１部分及び前記画素定義膜の前記側面上に位置し、前記画素定義膜の前記側面から上面方向で薄くなる厚さを有する第２部分を含む発光層と、前記発光層上に形成される第２電極と、前記第１電極と前記発光層との間又は前記発光層と前記第２電極との間で、前記画素定義膜の前記側面上に配置され、均一な厚さを有する漏洩電流遮断層とを含む。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１方向と、前記第１方向と交差する第２方向とに沿って配列される複数の画素を含む基板と、
前記基板上に前記複数の画素別に配置される第１電極と、
前記第１電極を露出する開口部を有し、前記基板上に配置される画素定義膜と、
前記画素定義膜の前記開口部の内部で前記第１電極から前記画素定義膜の側面に沿って配置され、前記第１電極上に位置する第１部分及び前記画素定義膜の前記側面上に位置し、前記画素定義膜の前記側面から上面方向に薄くなる厚さを有する第２部分を含む発光層と、
前記発光層上に形成される第２電極と、
前記第１電極と前記発光層との間又は前記発光層と前記第２電極との間で、前記画素定義膜の前記側面上に配置され、均一な厚さを有する漏洩電流遮断層と
を含む、発光表示装置。
【請求項２】
前記漏洩電流遮断層は、有機絶縁物質又は無機絶縁物質で形成される請求項１に記載の発光表示装置。
【請求項３】
前記漏洩電流遮断層は、隣接した前記画素の間で連続的な形態を有する請求項１に記載の発光表示装置。
【請求項４】
前記漏洩電流遮断層は、前記第２方向に沿って延長され、前記第１方向に沿って離隔した前記画素定義膜の前記開口部の間に配置される第１遮断部と、前記第１方向に沿って延長され、前記第２方向に沿って離隔した前記画素定義膜の開口部の間に配置される第２遮断部とが、交差する形態で形成される請求項３に記載の発光表示装置。
【請求項５】
第１方向と、前記第１方向と交差する第２方向とに沿って配列される複数の画素を含む基板と、
前記基板上に前記複数の画素別に形成される第１電極と、
前記第１電極を露出する開口部を有し、前記基板上に配置される画素定義膜と、
前記画素定義膜の前記開口部の内部で前記第１電極から前記画素定義膜の側面に沿って配置される発光層と、
前記発光層上に形成される第２電極と、
前記第１電極と前記発光層との間又は前記発光層と前記第２電極との間で、前記画素定義膜の前記側面から前記画素定義膜の上面に延長するように配置され、隣接した前記画素の間で連続的な形態を有する漏洩電流遮断層と
を含む、発光表示装置。
【請求項６】
前記漏洩電流遮断層は、前記第２方向に沿って延長され、前記第１方向に沿って離隔した前記画素定義膜の前記開口部の間に配置される第１遮断部と、前記第１方向に沿って延長され、前記第２方向に沿って離隔した前記画素定義膜の開口部の間に配置される第２遮断部とが、交差する形態で形成される請求項５に記載の発光表示装置。
【請求項７】
前記発光層は、前記第１電極上に位置する第１部分と、前記画素定義膜の前記側面上に位置し、前記画素定義膜の前記側面から前記上面方向に薄くなる厚さを有する第２部分とを含む、請求項５に記載の発光表示装置。
【請求項８】
第１方向と、前記第１方向と交差する第２方向とに沿って配列される複数の画素を含む基板上に、前記複数の画素別に第１電極を形成する段階と、
前記基板上に前記第１電極を露出する開口部を有する画素定義膜を形成する段階と、
前記画素定義膜の前記開口部の内部に、前記第１電極から前記画素定義膜の側面に沿って配置され、前記第１電極上に位置する第１部分及び前記画素定義膜の前記側面上に位置し、前記画素定義膜の前記側面から上面方向に薄くなる厚さを有する第２部分を含む発光層を形成する段階と、
前記発光層上に第２電極を形成する段階と、
前記第１電極と前記発光層との間又は前記発光層と前記第２電極との間で前記画素定義膜の前記側面上に配置され、均一な厚さを有する漏洩電流遮断層を形成する段階と
を含む、発光表示装置の製造方法。
【請求項９】
前記漏洩電流遮断層を形成する段階は、
前記基板上に第１開口を有する第１マスクを配置し、前記第１開口が前記第１方向において前記画素定義膜の前記開口部の内部で対向する前記画素定義膜の側部を露出させるように配置される工程と、
蒸着方法を利用して、前記漏洩電流遮断層の形成物質を前記第１マスクの前記第１開口を介して露出された前記画素定義膜の側面上及び上面上に蒸着させて、第１遮断部を形成する工程と、
前記基板上に第２開口を有する第２マスクを配置し、前記第２開口が前記第２方向において前記画素定義膜の前記開口部の内部で対向する前記画素定義膜の側部を露出させるように配置される工程と、
前記蒸着方法を利用して、前記漏洩電流遮断層の形成物質を前記第２マスクの前記第２開口を介して露出された前記画素定義膜の側面上及び上面上に蒸着させて、第２遮断部を形成する工程と
を含む、請求項８に記載の発光表示装置の製造方法。
【請求項１０】
前記第１開口は、前記第２方向に沿って延長された形態を有し、かつ前記第１方向で前記画素定義膜の隣接した前記開口部の間で連続した形態を有し、
前記第２開口は、前記第１方向に沿って延長された形態を有し、かつ前記第２方向で前記画素定義膜の隣接した前記開口部の間で連続した形態を有する、請求項９に記載の発光表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光表示装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
発光表示装置のうち、有機発光表示装置は、自体発光型表示素子として視野角が広くかつコントラストが優れるだけではなく、応答速度が速いという長所を有するため、次世代表示装置として注目をあびている。
【０００３】
有機発光表示装置は、アノード電極とカソード電極との間に、有機発光物質からなる発光層を備えている。これらの電極に陽極電圧及び陰極電圧がそれぞれ印加されることによって、アノード電極から注入された正孔（ｈｏｌｅ）が正孔注入層及び正孔輸送層を経由して発光層に移動し、電子がカソード電極から電子注入層と電子輸送層を経由して発光層に移動し、発光層で電子と正孔が再結合される。このような再結合によって、励起子（ｅｘｉｔｏｎ）が生成され、この励起子が励起状態から基底状態に変化し、発光層が発光されることによって画像が表示される。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
有機発光表示装置は、画素別に形成されるアノード電極を露出するように開口部を有する画素定義膜を含む。この画素定義膜の開口部を介して露出されるアノード電極上に、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層及びカソード電極が形成される。ここで、発光層は、例えばインクジェットプリント方法又はノズルプリント方法を利用して、画素定義膜の開口部の内部に発光溶液を吐出させて形成され得る。
【０００５】
一方、インクジェットプリント方法又はノズルプリント方法を利用して、画素定義膜の開口部の内部に発光物質を含む発光溶液を吐出させて発光層を形成させるとき、発光溶液が画素定義膜の開口部の外に流れ出ないように、画素定義膜は撥液性を有するように形成される。
【０００６】
しかし、画素定義膜が撥液性を有しても、画素定義膜の開口部の内部に吐出される発光溶液が画素定義膜と所定の湿潤性（ｗｅｔｔｉｎｇ  ｐｒｏｐｅｒｔｙ）を有するため、画素定義膜の開口部の内部に発光溶液が吐出されて形成される発光層が、アノード電極から画素定義膜の側面に行くほど薄くなる厚さを有し得る。この場合、発光層の薄くなった部分でアノード電極とカソード電極との間に漏洩電流が発生し得る。漏洩電流によって発光層の発光効率が低下し、発光表示装置の表示品質が低下し得るという問題があった。
【０００７】
そこで、本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、本発明の目的とするところは、アノード電極とカソード電極との間に漏洩電流が発生することを抑制し、発光層の発光効率の低下を抑制することによって、表示品質の低下を抑制することが可能な、新規かつ改良された発光表示装置及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記課題を達成するための本発明の一実施形態による発光表示装置は、第１方向と、前記第１方向と交差する第２方向とに沿って配列される複数の画素を含む基板と、前記基板上に前記複数の画素別に配置される第１電極と、前記第１電極を露出する開口部を有し、前記基板上に配置される画素定義膜と、前記画素定義膜の前記開口部の内部で前記第１電極から前記画素定義膜の側面に沿って配置され、前記第１電極上に位置する第１部分及び前記画素定義膜の前記側面上に位置し、前記画素定義膜の前記側面から上面方向に薄くなる厚さを有する第２部分を含む発光層と、前記発光層上に形成される第２電極と、前記第１電極と前記発光層との間又は前記発光層と前記第２電極との間で、前記画素定義膜の前記側面上に配置され、均一な厚さを有する漏洩電流遮断層とを含む。
【０００９】
前記漏洩電流遮断層は、前記発光層の電気抵抗性より大きい電気抵抗性を有し得る。
【００１０】
前記漏洩電流遮断層は、有機絶縁物質又は無機絶縁物質で形成され得る。
【００１１】
前記漏洩電流遮断層は、隣接した前記画素の間で連続的な形態を有し得る。
【００１２】
前記漏洩電流遮断層は、前記第２方向に沿って延長され、前記第１方向に沿って離隔した前記画素定義膜の前記開口部の間に配置される第１遮断部と、前記第１方向に沿って延長され、前記第２方向に沿って離隔した前記画素定義膜の開口部の間に配置される第２遮断部とが、交差する形態で形成され得る。
【００１３】
また、前記発光表示装置は、前記画素定義膜の前記開口部の内部で前記第１電極と前記発光層との間に配置され、前記第１電極から前記画素定義膜の前記側面に行くほど薄くなる厚さを有する正孔注入層をさらに含み、前記漏洩電流遮断層は前記正孔注入層と前記発光層との間に配置され得る。
【００１４】
また、前記発光表示装置は、前記画素定義膜の前記開口部の内部で前記第１電極と前記発光層との間に配置され、前記第１電極から前記画素定義膜の前記側面に行くほど薄くなる厚さを有する正孔注入層と、前記画素定義膜の前記開口部の内部で前記正孔注入層と前記発光層との間に配置され、前記第１電極から前記画素定義膜の前記側面に行くほど薄くなる厚さを有する正孔輸送層とをさらに含み、前記漏洩電流遮断層は、前記正孔輸送層と前記発光層との間に配置され得る。
【００１５】
また、前記発光表示装置は、前記発光層と前記第２電極との間に配置される電子輸送層をさらに含み、前記漏洩電流遮断層は前記発光層と前記電子輸送層との間に配置され得る。
【００１６】
また、前記発光表示装置は、前記漏洩電流遮断層が均一な厚さを有し得る。
【００１７】
前記課題を達成するための本発明の他の実施形態による発光表示装置は、第１方向と、前記第１方向と交差する第２方向とに沿って配列される複数の画素を含む基板と、前記基板上に前記複数の画素別に形成される第１電極と、前記第１電極を露出する開口部を有し、前記基板上に配置される画素定義膜と、前記画素定義膜の前記開口部の内部で前記第１電極から前記画素定義膜の側面に沿って配置される発光層と、前記発光層上に形成される第２電極と、前記第１電極と発光層との間又は前記発光層と前記第２電極との間で、前記画素定義膜の前記側面から前記画素定義膜の上面に延長するように配置され、隣接した前記画素の間で連続的な形態を有する漏洩電流遮断層とを含む。
【００１８】
前記漏洩電流遮断層は、前記発光層の電気抵抗性より大きい電気抵抗性を有し得る。
【００１９】
前記漏洩電流遮断層は、有機絶縁物質又は無機絶縁物質で形成され得る。
【００２０】
前記漏洩電流遮断層は、前記第２方向に沿って延長され、前記第１方向に沿って離隔した前記画素定義膜の前記開口部の間に配置される第１遮断部と、前記第１方向に沿って延長され、前記第２方向に沿って離隔した前記画素定義膜の開口部の間に配置される第２遮断部とが、交差する形態で形成され得る。
【００２１】
前記発光層は、前記第１電極上に位置する第１部分と、前記画素定義膜の前記側面上に位置し、前記画素定義膜の前記側面から前記上面方向に薄くなる厚さを有する第２部分とを含み得る。
【００２２】
また、前記発光表示装置は、前記画素定義膜の前記開口部の内部で前記第１電極と前記発光層との間に配置され、前記第１電極から前記画素定義膜の前記側面に行くほど薄くなる厚さを有する正孔注入層をさらに含み、前記漏洩電流遮断層は、前記正孔注入層と前記発光層との間に配置され得る。
【００２３】
また、前記発光表示装置は、前記画素定義膜の前記開口部の内部で前記第１電極と前記発光層との間に配置され、前記第１電極から前記画素定義膜の前記側面に行くほど薄くなる厚さを有する正孔注入層と、前記画素定義膜の前記開口部の内部で前記正孔注入層と前記発光層との間に配置され、前記第１電極から前記画素定義膜の前記側面に行くほど薄くなる厚さを有する正孔輸送層をさらに含み、前記漏洩電流遮断層は、前記正孔輸送層と前記発光層との間に配置され得る。
【００２４】
また、前記発光表示装置は、前記発光層と前記第２電極との間に配置される電子輸送層をさらに含み、前記漏洩電流遮断層は、前記発光層と前記電子輸送層との間に配置され得る。
【００２５】
前記他の課題を達成するための本発明の一実施形態による発光表示装置の製造方法は、第１方向と、前記第１方向と交差する第２方向とに沿って配列される複数の画素を含む基板上に前記複数の画素別に第１電極を形成する段階と、前記基板上に前記第１電極を露出する開口部を有する画素定義膜を形成する段階と、前記画素定義膜の前記開口部の内部に、前記第１電極から前記画素定義膜の側面に沿って配置され、前記第１電極上に位置する第１部分及び前記画素定義膜の前記側面上に位置し、前記画素定義膜の前記側面から上面方向に薄くなる厚さを有する第２部分を含む発光層を形成する段階と、前記発光層上に第２電極を形成する段階と、前記第１電極と前記発光層との間又は前記発光層と前記第２電極との間で前記画素定義膜の前記側面上に配置される漏洩電流遮断層を形成する段階とを含む。
【００２６】
前記漏洩電流遮断層を形成する段階は、前記基板上に第１開口を有する第１マスクを配置し、前記第１開口が前記第１方向において前記画素定義膜の前記開口部の内部で対向する前記画素定義膜の側部を露出させるように配置される工程と、蒸着方法を利用して、前記漏洩電流遮断層の形成物質を前記第１マスクの前記第１開口を介して露出された前記画素定義膜の側面上及び上面上に蒸着させて、第１遮断部を形成する工程と、前記基板上に第２開口を有する第２マスクを配置し、前記第２開口が前記第２方向において前記画素定義膜の前記開口部の内部で対向する前記画素定義膜の側部を露出させるように配置される工程と、前記蒸着方法を利用して、前記漏洩電流遮断層の形成物質を前記第２マスクの前記第２開口を介して露出された前記画素定義膜の側面上及び上面上に蒸着させて、第２遮断部を形成する工程とを含み得る。
【００２７】
前記第１開口は、前記第２方向に沿って延長された形態を有し、かつ前記第１方向で前記画素定義膜の隣接した前記開口部の間で連続した形態を有し得、前記第２開口は、前記第１方向に沿って延長された形態を有し、かつ前記第２方向で前記画素定義膜の隣接した前記開口部の間で連続した形態を有し得る。
【００２８】
また、前記発光表示装置の製造方法は、前記画素定義膜の前記開口部の内部において、前記第１電極と前記発光層との間に、前記第１電極から前記画素定義膜の前記側面に行くほど薄くなる厚さを有する正孔注入層を形成する段階と、前記画素定義膜の前記開口部の内部において、前記正孔注入層と前記発光層との間に、前記第１電極から前記画素定義膜の前記側面に行くほど薄くなる厚さを有する正孔輸送層を形成する段階と、前記発光層と前記第２電極との間に、電子輸送層を形成する段階とをさらに含み、前記漏洩電流遮断層を形成する段階は、前記正孔注入層と前記正孔輸送層との間、前記正孔輸送層と前記発光層の間、又は前記発光層と前記電子輸送層との間に配置させることを含み得る。
【００２９】
その他の実施形態の具体的な内容は、詳細な説明及び図面に含まれている。
【発明の効果】
【００３０】
以上説明したように本発明によてば、アノード電極とカソード電極との間に漏洩電流が発生することを抑制し、発光層の発光効率の低下を抑制することによって、表示品質の低下を抑制することが可能な、新規かつ改良された発光表示装置及びその製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】本発明の一実施形態による発光表示装置の画素を示す概略的な平面図である。
【図２】図１のＩ−Ｉ’線に沿って切断した部分の断面図である。
【図３】図２のＡ部分の拡大断面図である。
【図４】図２の漏洩電流遮断層の平面図である。
【図５】図２とは異なる、本発明の他の実施形態による発光表示装置の断面図である。
【図６】図２及び図５とは異なる、本発明の他の実施形態による発光表示装置の断面図である。
【図７】図２、図５及び図６とは異なる、本発明の他の実施形態による発光表示装置の断面図である。
【図８】図２及び図５〜図７とは異なる、本発明の他の実施形態による発光表示装置の断面図である。
【図９】図２及び図５〜図８とは異なる、本発明の他の実施形態による発光表示装置の断面図である。
【図１０】本発明の一実施形態による発光表示装置の製造方法を説明するための図である。
【図１１】本発明の一実施形態による発光表示装置の製造方法を説明するための図である。
【図１２】本発明の一実施形態による発光表示装置の製造方法を説明するための図である。
【図１３】本発明の一実施形態による発光表示装置の製造方法を説明するための図である。
【図１４】本発明の一実施形態による発光表示装置の製造方法を説明するための図である。
【図１５】本発明の一実施形態による発光表示装置の製造方法を説明するための図である。
【図１６】本発明の一実施形態による発光表示装置の製造方法を説明するための図である。
【図１７】本発明の一実施形態による発光表示装置の製造方法を説明するための図である。
【図１８】本発明の一実施形態による発光表示装置の製造方法を説明するための図である。
【図１９】本発明の一実施形態による発光表示装置の製造方法を説明するための図である。
【図２０】本発明の一実施形態による発光表示装置の製造方法を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００３２】
本発明の利点及び特徴、並びにこれらを達成する方法は、添付する図面と共に詳細に後述する実施形態において明確となる。しかし、本発明は、以下で開示する実施形態に限定されるものではなく、互いに異なる多様な形態で実現されるものである。本実施形態は、単に本発明の開示を完全にし、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者に、発明の範疇を完全に知らせるために提供されるものである。本発明は、特許請求項の範囲の記載によってのみ定義される。
【００３３】
素子（ｅｌｅｍｅｎｔｓ）又は層が、他の素子又は層の上と指称された場合、他の素子の真上に又は中間に他の層又は他の素子を介在する場合のすべてを含む。本明細書全体において、同一の参照符号は同一の構成要素を指称する。
【００３４】
第１、第２などが多様な素子及び構成要素を叙述するために使用されるが、これら素子及び構成要素は、これらの用語によって制限されない。これらの用語は、単に一つ構成要素を他の構成要素と区別するために使用するものである。したがって、以下で言及される第１構成要素は、本発明の技術的思想内で第２構成要であり得る。
【００３５】
以下、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。
【００３６】
図１は、本発明の一実施形態による発光表示装置の画素を示す概略的な平面図である。図２は、図１のＩ−Ｉ’線に沿って切断した部分の断面図である。図３は、図２のＡ部分の拡大断面図である。図４は、図２の漏洩電流遮断層の平面図である。
【００３７】
図１及び図２を参照すると、本発明の一実施形態による発光表示装置１００は、基板１０５、第１電極１１０、画素定義膜１２０、正孔注入層１３０、漏洩電流遮断層１４０、正孔輸送層１５０、発光層１６０、電子輸送層１７０、電子注入層１８０及び第２電極１９０を含む。各部材は、図２のＺ方向に順次に積層される。
【００３８】
基板１０５は、画像を表示する複数の画素ＰＸを含む表示領域ＤＡと、表示領域ＤＡの外側に位置する非表示領域ＮＤＡを含む。複数の画素ＰＸは、第１方向Ｘと、第１方向Ｘと交差する第２方向Ｙに沿って配列されたマトリックス形態を有し、赤色を放出する赤色画素、緑色を放出する緑色画素及び青色を放出する青色画素を含み得る。基板１０５の表示領域ＤＡのうち、隣接した画素ＰＸの間には、図２に示すように非画素ＮＰＸが配置される。
【００３９】
基板１０５は、絶縁基板を含み得る。前記絶縁基板は、透明なＳｉＯ２を主成分とする透明材質のグラス材で形成され得る。いくつかの実施形態で、前記絶縁基板は不透明材質からなるか、またはプラスチック材質からなる。さらに、前記絶縁基板は、フレキシブル基板であり得る。
【００４０】
図面に示していないが、基板１０５は絶縁基板上に形成された他の構造物をさらに含み得る。前記他の構造物の例としては、配線、電極及び絶縁膜などが挙げられる。いくつかの実施形態で、基板１０５は絶縁基板上に形成された複数の薄膜トランジスタを含み得る。前記複数の薄膜トランジスタのうち、少なくとも一部のドレイン電極は、第１電極１１０と電気的に接続され得る。前記薄膜トランジスタは、非晶質シリコン、多結晶シリコン、又は単結晶シリコンなどからなるアクティブ領域を含み得る。他の実施形態で、前記薄膜トランジスタは、酸化物半導体で形成されるアクティブ領域を含み得る。
【００４１】
第１電極１１０は、基板１０５上に各画素ＰＸ別に配置される。第１電極１１０は、前記薄膜トランジスタのドレイン電極に印加された信号を受けて、発光層１６０に正孔を提供するアノード電極又は電子を提供するカソード電極であり得る。第１電極１１０は、透明電極又は反射電極として使用され得る。第１電極１１０が透明電極として使用されるときはＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）、ＺｎＯ（Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）又はＩｎ２Ｏ３で形成される。第１電極１１０が反射電極として使用されるときは、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒ及びこれらの化合物などで反射膜を形成した後、その反射膜の上にＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ又はＩｎ２Ｏ３を形成して構成され得る。第１電極１１０は、例えばフォトリソグラフィー法により形成され得るが、これに限定されない。
【００４２】
画素定義膜１２０は、第１電極１１０を露出する開口部ＯＰを有するように、基板１０５上に配置され、基板１０５上に各画素ＰＸを区切る。画素定義膜１２０は、開口部ＯＰを介して第１電極１１０上に正孔注入層１３０が形成されるようにする。画素定義膜１２０は、絶縁物質からなり得る。
【００４３】
本発明による一実施形態において、画素定義膜１２０は、例えばインクジェットプリント方法又はノズルプリント方法を利用して、正孔注入溶液を画素定義膜１２０の開口部ＯＰの内部に吐出させて、正孔注入層１３０を形成させる場合において、正孔注入溶液が画素定義膜１２０の開口部ＯＰから外に流れ出ないように、撥液性を有するように形成される。このため、画素定義膜１２０は、画素定義膜１２０に対する正孔注入溶液の接触角が約４０°以上になるようにする絶縁物質で形成され得る。画素定義膜１２０は、フルオリンを含む高分子樹脂などの有機絶縁物質、例えばベンゾシクロブテン（Ｂｅｎｚｏ  Ｃｙｃｌｏ  Ｂｕｔｅｎｅ、ＢＣＢ）、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ、ＰＩ）、ポリアマイド（ｐｏｌｙ  ａｍａｉｄｅ、ＰＡ）、アクリル樹脂及びフェノール樹脂などから選択された少なくとも一つで形成され得る。画素定義膜１２０は、例えばフォトリソグラフィー法により形成され得るが、これに限定されない。前記インクジェットプリント方法は、所望する位置にプリントしようとする溶液をインク滴形態で落とす方法である。また、前記ノズルプリント方法は、プリントしようとする溶液を所望する位置を含むラインに沿って流れるようにする方法である。
【００４４】
正孔注入層１３０は、画素定義膜１２０の開口部ＯＰの内部において、第１電極１１０と画素定義膜１２０の側面に沿って配置され得る。正孔注入層１３０は、例えばインクジェットプリント方法又はノズルプリント方法を利用して、正孔注入物質を含む正孔注入溶液を画素定義膜１２０の開口部ＯＰの内部に吐出させて形成され得る。この場合、正孔注入層１３０は、第１電極１１０で画素定義膜１２０の側面に行くほど薄くなる厚さを有し得る。このような厚さを有し得るのは、画素定義膜１２０が撥液性を有するように形成されても、正孔注入溶液と所定の湿潤性（ｗｅｔｔｉｎｇ  ｐｒｏｐｅｒｔｙ）を有し得るからである。具体的には、正孔注入層１３０は、第１電極１１０上に位置し、均一な厚さを有する第１部分と、画素定義膜１２０の側面上に位置し、画素定義膜１２０の側面から上面方向に薄くなる第２部分を含み得る。
【００４５】
正孔注入層１３０は、第１電極１１０と正孔輸送層１５０との間のエネルギー障壁を低くする緩衝層として、第１電極１１０から提供される正孔が正孔輸送層１５０に容易に注入されるようにする役割を果たす。このため、正孔注入層１３０は、適切な電気導電性と正孔導電性を有する正孔注入物質で形成され得る。正孔注入層１３０は有機化合物、例えば、ＭＴＤＡＴＡ（４、４’、４”−トリス（３−メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（４，４’，４”−ｔｒｉｓ（３−ｍｅｔｈｙｌｐｈｅｎｙｌｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｏ）ｔｒｉｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｅ））、ＣｕＰｃ（銅フタロシアニン（ｃｏｐｐｅｒ  ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ））又はＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ（ポリ（３、４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリスチレンスルフォネート（ｐｏｌｙ（３，４−ｅｔｈｙｌｅｎｅｄｉｏｘｙｔｈｉｏｐｈｅｎｅ／ｐｏｌｙｓｔｙｒｅｎｅ  ｓｕｌｆｏｎａｔｅ））などで形成されるが、これに限定されない。
【００４６】
漏洩電流遮断層１４０は、第１電極１１０と発光層１６０との間で画素定義膜１２０の側面上に配置され得る。具体的には、漏洩電流遮断層１４０は、正孔注入層１３０のうち画素定義膜１２０の側面上に配置される側部上に配置される。このような漏洩電流遮断層１４０は、画素定義膜１２０の開口部ＯＰの内部に配置される発光層１６０が画素定義膜１２０の側面の部分で薄くなる厚さを有し、発光層１６０の薄くなった厚さを有する部分（図３の第２部分１６０ｂ）を介して第１電極１１０と第２電極１９０との間の間隔が近くなることを抑制することができる。これによって、漏洩電流遮断層１４０は、発光層１６０の薄い部分（図３の第２部分１６０ｂ）を介して、第１電極１１０と第２電極１９０と間の漏洩電流が発生することを抑制したり防止したりすることができる。一方、画素定義膜１２０の側面の部分で薄くなる厚さを有する構成が、発光層１６０である場合を例示したが、かかる構成としては、正孔注入層１３０及び正孔輸送層１５０のうち少なくとも何れか一つをさらに含み得る。
【００４７】
漏洩電流遮断層１４０は、第１電極１１０と第２電極１９０との間で漏洩電流が流れることを防止するために、発光層１６０の電気抵抗度より大きい電気抵抗度を有する。漏洩電流遮断層１４０上に配置される正孔輸送層１５０が、例えばインクジェットプリント方法又はノズルプリント方法を利用して正孔輸送溶液を画素定義膜１２０の開口部ＯＰの内部に吐出させて形成されるとき、正孔輸送溶液が画素定義膜１２０の開口部ＯＰから外に流れ出ないように撥液性を有するように形成される。このため、漏洩電流遮断層１４０は、漏洩電流遮断層１４０に対する正孔輸送溶液の接触角が約４０°以上になるようにする絶縁物質で形成される。例えば、漏洩電流遮断層１４０はフルオリンを含む高分子樹脂などの有機絶縁物質例えば、ベンゾシクロブテン（Ｂｅｎｚｏ  Ｃｙｃｌｏ  Ｂｕｔｅｎｅ：ＢＣＢ）、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ：ＰＩ）、ポリアマイド（ｐｏｌｙ  ａｍａｉｄｅ：ＰＡ）、アクリル樹脂及びフェノール樹脂などから選択された少なくとも一つで形成され得る。
【００４８】
漏洩電流遮断層１４０は、均一な厚さＴを有し得る。したがって、画素定義膜１２０の開口部ＯＰの内部に配置される発光層１６０が、第１電極１１０から画素定義膜１２０の側面に行くほど徐々に薄くなる場合以外のパターン（例えば凸凹形状）で、画素定義膜１２０の側面上で薄い部分を有する場合であっても、第１電極１１０と第２電極１９０との間の間隔が近くなることを抑制し、第１電極１１０と第２電極１９０との間の漏洩電流が発生することを抑制したり防止したりすることができる。ここで、漏洩電流遮断層１４０は、均一な厚さＴを有するために、例えば蒸着方法により形成され得る。前記蒸着方法は、漏洩電流遮断層１４０を所望する位置に形成させることを制御するのに容易な方法であり得る。前記蒸着方法としては、蒸着物質を増発させて所望する位置に蒸着させる蒸発（ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ）蒸着方法が選択され得る。
【００４９】
一方、漏洩電流遮断層１４０は、平面上で隣接した画素ＰＸの間で連続的な形態を有するように形成されるように、画素定義膜１２０の側面から上面に延長するように形成される。この場合、図４に示すように、漏洩電流遮断層１４０は、画素定義膜１２０の上面上において、第２方向Ｙに沿って延長され、第１方向Ｘに沿って離隔した開口部ＯＰの間に配置される第１遮断部１４０ａと、第１方向Ｘに沿って延長され、第２方向Ｙに沿って離隔した開口部ＯＰの間に配置される第２遮断部１４０ｂとが、交差する形態を有し得る。
【００５０】
正孔輸送層１５０は、画素定義膜１２０の開口部ＯＰの内部において正孔注入層１３０と漏洩電流遮断層１４０の上に配置され得る。正孔輸送層１５０は、例えばインクジェットプリント方法又はノズルプリント方法を利用して、正孔輸送物質を含む正孔輸送溶液を画素定義膜１２０の開口部ＯＰの内部に吐出させて形成され得る。この場合、正孔輸送層１５０は、第１電極１１０の上で画素定義膜１２０の側面に行くほど薄くなる厚さを有し得る。このような厚さを有し得るのは、画素定義膜１２０の側面上に配置される漏洩電流遮断層１４０が撥液性を有するように形成されても、正孔輸送溶液と所定の湿潤性（ｗｅｔｔｉｎｇ  ｐｒｏｐｅｒｔｙ）を有し得るからである。具体的には、正孔輸送層１５０は、第１電極１１０上に位置し、均一な厚さを有する第１部分と、画素定義膜１２０の側面上に位置し、画素定義膜１２０の側面から上面方向に薄くなる第２部分を含み得る。
【００５１】
正孔輸送層１５０は、正孔注入層１３０を介して提供される正孔を発光層１６０に伝達する役割を果たす。正孔輸送層１５０は、正孔注入層１３０より低い電気導電性を有する正孔輸送物質で形成される。正孔輸送層１５０は、有機化合物、例えばＴＰＤ（Ｎ、Ｎ’−ジフェニル−Ｎ、Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−１、１’−ビフェニル−４、４’−ジアミン（Ｎ，Ｎ’−ｄｉｐｈｅｎｙｌ−Ｎ，Ｎ’−ｂｉｓ（３−ｍｅｔｈｙｌｐｈｅｎｙｌ）−１，１’−ｂｉｐｈｅｎｙｌ−４，４’−ｄｉａｍｉｎｅ））又はＮＰＢ（Ｎ、Ｎ’−ジ（ナフタレン−１−イル）−Ｎ、Ｎ’−ジフェニル−ベンジディン（Ｎ，Ｎ’−ｄｉ（ｎａｐｈｔｈａｌｅｎ−１−ｙｌ）−Ｎ，Ｎ’−ｄｉｐｈｅｎｙｌ−ｂｅｎｚｉｄｉｎｅ））などで形成され得るが、これに限定されない。
【００５２】
発光層１６０は、画素定義膜１２０の開口部ＯＰの内部において正孔輸送層１５０上に配置される。発光層１６０は、例えばインクジェットプリント方法又はノズルプリント方法を利用して発光物質を含む発光溶液を、画素定義膜１２０の開口部ＯＰの内部に吐出させて形成され得る。この場合、発光層１６０は、第１電極１１０から画素定義膜１２０の側面に行くほど薄くなる厚さを有し得る。このような厚さを有し得るのは、画素定義膜１２０の側面上に配置される漏洩電流遮断層１４０が撥液性を有するように形成されても、発光溶液と所定の湿潤性（ｗｅｔｔｉｎｇ  ｐｒｏｐｅｒｔｙ）を有し得るからである。具体的には、発光層１６０は、第１電極１１０上に位置し、均一な厚さを有する第１部分１６０ａと、画素定義膜１２０の側面上に位置し、画素定義膜１２０の側面から上面方向に薄くなる第２部分１６０ｂを含み得る。
【００５３】
発光層１６０は、第１電極１１０から提供される正孔と第２電極１９０から提供される電子を再結合させて光を放出する。より詳細に説明すると、発光層１６０に正孔及び電子が提供されると、正孔及び電子が結合してエクシトンを形成し、このようなエクシトンが励起状態から基底状態に変化しながら光を放出させる。発光層１６０は、正孔注入層１３０の電気導電性より小さく、正孔輸送層１５０の電気導電性と類似の電気導電性を有する発光物質で形成され得る。発光層１６０は、赤色を放出する赤色発光層、緑色を放出する緑色発光層及び青色を放出する青色発光層を含み得る。
【００５４】
前記赤色発光層は、一つの赤色発光物質を含んだり、ホストと赤色ドーパントを含んで形成され得る。前記赤色発光層のホストの例としては、Ａｌｑ３（トリス(８-キノリノラト)アルミニウム（Ｔｒｉｓ（８−ｈｙｄｒｏｘｙｑｕｉｎｏｌｉｎａｔｏ）ａｌｕｍｉｎｕｍ））、ＣＢＰ（（４、４’−Ｎ、Ｎ’−ジカルバゾール）ビフェニル（４，４’−Ｎ，Ｎ’−ｄｉｃａｒｂａｚｏｌ−ｂｉｐｈｅｎｙｌ）、ＰＶＫ（ポリ（ｎ−ビニルカルバゾール）（ｐｏｌｙ（ｎ−ｖｉｎｙｌｃａｒｂａｘｏｌ）））、ＡＤＮ（９、１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（９，１０−Ｄｉ（２−ｎａｐｈｔｈｙｌ）ａｎｔｈｒａｃｅｎｅ））、ＴＣＴＡ（４、４’、４”−トリス（Ｎ−カルバゾリル）トリフェニルアミン（４、４’、４”−ｔｒｉｓ（Ｎ−ｃａｒｂａｚｏｌｙｌ）ｔｒｉｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｅ））、ＴＰＢＩ（（１、３、５−トリス（Ｎ−フェニルベンズイミダゾール−２−イル）ベンゼン（１，３，５−ｔｒｉｓ（Ｎ−ｐｈｅｎｙｌｂｅｎｚｉｍｉｄａｚｏｌｅ−２−ｙｌ）ｂｅｎｚｅｎｅ））、ＴＢＡＤＮ（３−ｔｅｒｔ−ブチル−９、１０−ジ（ナフス−２−イル）アントラセン（３−ｔｅｒｔ−ｂｕｔｙｌ−９，１０−ｄｉ（ｎａｐｈｔｈ−２−ｙｌ）ａｎｔｈｒａｃｅｎｅ））、Ｅ３（ｔｅｒ−フルオレン（ｔｅｒ−ｆｌｕｏｒｅｎｅ））、ＤＳＡ（ジスチリルアリーレン（ｄｉｓｔｙｒｙｌａｒｙｌｅｎｅ））などを使用し得るが、これらに限定されない。また、前記赤色ドーパントとして、ＰｔＯＥＰ、Ｉｒ（ｐｉｑ）３、Ｂｔｐ２Ｉｒ（ａｃａｃ）などを利用できるが、これらに限定されない。
【００５５】
前記緑色発光層は、一つの緑色発光物質を含んだり、ホストと緑色ドーパントを含んで形成され得る。前記緑色発光層のホストとしては、前記赤色発光層のホストが使用され得る。また前記緑色ドーパントとしては、Ｉｒ（ｐｐｙ）３、Ｉｒ（ｐｐｙ）２（ａｃａｃ）及びＩｒ（ｍｐｙｐ）３などを利用し得るが、これらに限定されない。
【００５６】
前記青色発光層は、一つの青色発光物質を含んだり、ホストと青色ドーパントを含んで形成され得る。前記青色発光層のホストとしては、前記赤色発光層のホストが使用され得る。また前記青色ドーパントとして、Ｆ２Ｉｒｐｉｃ、（Ｆ２ｐｐｙ）２Ｉｒ（ｔｍｄ）、Ｉｒ（ｄｆｐｐｚ）３、ｔｅｒ−フルオレン（ｔｅｒ−ｆｌｕｏｒｅｎｅ）、ＤＰＡＶＢｉ（４，４'−ビス[４−(ジ−ｐ−トリルアミノ)スチリル]ビフェニル（４，４’−ｂｉｓ［４−（ｄｉ−ｐ−ｔｏｌｙｌａｍｉｎｏ）ｓｔｙｒｙｌ］ｂｉｐｈｅｎｙｌ）及びＴＢＰｅ（２，５，８，１１−テトラ−ｔｅｒｔ−ブチルペリレン（２，５，８，１１−ｔｅｔｒａ−ｔｉ−ｂｕｔｙｌｐｈｅｒｙｌｅｎｅ））などを利用し得るが、これらに限定されない。
【００５７】
電子輸送層１７０は、発光層１６０上に配置され、隣接した画素ＰＸの間で連続的な形態を有するように配置され得る。電子輸送層１７０は、第２電極１９０から電子注入層１８０を介して提供された電子を発光層１６０に伝達する役割を果たす。電子輸送層１７０は有機化合物、例えば、Ｂｐｈｅｎ（４、７−ジフェニル−１、１０−フェナントロリン（４，７−ｄｉｐｈｅｎｙｌ−１，１０−ｐｈｅｎａｎｔｈｒｏｌｉｎｅ））、ＢＡｌｑ（アルミニウム（ＩＩＩ）ビス（２−メチル−８−ヒドロキシキノキナト）４−フェニル  フェノラート）（ａｌｕｍｉｎｕｍ（ＩＩＩ）ｂｉｓ（２−ｍｅｔｈｙｌ−８−ｈｙｄｒｏｘｙｑｕｉｎｏｌｉｎａｔｏ）４−ｐｈｅｎｙｌ  ｐｈｅｎｏｌａｔｅ））、Ａｌｑ３（トリス(８-キノリノラト)アルミニウム（Ｔｒｉｓ（８−ｑｕｉｎｏｌｉｎｏｒａｔｅ）ａｌｕｍｉｎｕｍ））、Ｂｅｂｑ２（ベリリウムビス（ベンゾキノリン−１０−オラト）（（ｂｅｒｙｌｌｉｕｍｂｉｓ（ｂｅｎｚｏｑｕｉｎｏｌｉｎ−１０−ｏｌａｔｅ））及びＴＰＢＩ（（１、３、５−トリス（Ｎ−フェニルベンズイミダゾール−２−イル）ベンゼン（１、３、５−ｔｒｉｓ（Ｎ−ｐｈｅｎｙｌｂｅｎｚｉｍｉｄａｚｏｌｅ−２−ｙｌ）ｂｅｎｚｅｎｅ））などで形成され得るが、これに限定されない。電子輸送層１７０は、例えば蒸着方法などを介して形成され得るが、これに限定されない。
【００５８】
電子注入層１８０は、電子輸送層１７０上に配置され得る。電子注入層１８０は、電子輸送層１７０と第２電極１９０との間のエネルギー障壁を低くする緩衝層として、第２電極１９０から提供される電子が電子輸送層１７０に容易に注入されるようにする役割を果たす。電子注入層１８０は、例えば、ＬｉＦ又はＣｓＦなどで形成され得るが、これらに限定されない。電子注入層１８０は、例えば蒸着方法などを介して形成され得るが、これに限定されない。
【００５９】
第２電極１９０は、電子注入層１８０上に配置され、発光層１６０に電子を提供するカソード電極又は正孔を提供するアノード電極であり得る。第２電極１９０も第１電極１１０と同様に、透明電極又は反射電極として使用され得る。第２電極１９０は、例えば蒸着方法などにより形成され得るが、これに限定されない。
【００６０】
図面に示していないが、発光表示装置１００は、第２電極１９０の上部に配置される封止基板をさらに含み得る。前記封止基板は、絶縁基板からなる。画素定義膜１２０上の第２電極１９０と封止基板との間には、スペーサが配置され得る。本発明の他のいくつかの実施形態において、前記封止基板は、省略することもできる。この場合、絶縁物質からなる封止膜が、全体の構造物を覆って保護し得る。
【００６１】
上記したように本発明の一実施形態による発光表示装置１００は、第１電極１１０と発光層１６０との間で画素定義膜１２０の側面上に均一な厚さを有して配置される漏洩電流遮断層１４０を含む。これにより、画素定義膜１２０の開口部ＯＰの内部に配置される発光層１６０が、画素定義膜１２０の側面の部分で薄くなる厚さを有し、薄くなる厚さを有する部分を介して第１電極１１０と第２電極１９０との間の間隔が近くなることを抑制することができる。
【００６２】
したがって、本発明の一実施形態による発光表示装置１００は、第１電極１１０と第２電極１９０との間に漏洩電流が発生することを抑制したり、防止したりして発光層１６０の発光効率の低下を抑制することによって、表示品質の低下を抑制することができる。
【００６３】
次に、本発明の他の実施形態による発光表示装置について説明する。
【００６４】
図５は、図２とは異なる、本発明の他の実施形態による発光表示装置の断面図である。
【００６５】
図５を参照すると、本発明の他の実施形態による発光表示装置２００は、図１の発光表示装置１００と比較して、電子輸送層２７０、電子注入層２８０及び第２電極２９０のみが異なり、その他は同様の構成を有する。したがって、本発明の他の実施形態による発光表示装置２００では、電子輸送層２７０、電子注入層２８０及び第２電極２９０を重点的に説明する。
【００６６】
発光表示装置２００は、基板１０５、第１電極１１０、画素定義膜１２０、正孔注入層１３０、漏洩電流遮断層１４０、正孔輸送層１５０、発光層１６０、電子輸送層２７０、電子注入層２８０及び第２電極２９０を含む。各部材は図５のＺ方向に順次に積層される。
【００６７】
電子輸送層２７０は、図２の電子輸送層１７０と類似する。ただし、電子輸送層２７０は発光層１６０上にのみ配置される。すなわち、電子輸送層１７０は、隣接した画素ＰＸの間で分離された形態を有するように形成される。
【００６８】
電子注入層２８０は、図２の電子注入層１８０と類似する。ただし、電子注入層２８０は、隣接した画素ＰＸの間で分離した形態を有するように形成される電子輸送層２７０と、対応する形態で形成される。
【００６９】
第２電極２９０は、図２の第２電極１９０と類似する。ただし、第２電極２９０は、隣接した画素ＰＸの間で分離した形態を有するように形成される電子注入層２８０によって露出する漏洩電流遮断層１４０の一部と接触する。
【００７０】
前記のような本発明の他の実施形態による発光表示装置２００は、第１電極１１０と発光層１６０との間において、画素定義膜１２０の側面上に均一な厚さを有して配置される漏洩電流遮断層１４０を含むことによって、画素定義膜１２０の開口部ＯＰの内部に配置される発光層１６０が画素定義膜１２０の側面の部分で薄くなる厚さを有し、薄くなる厚さを有する部分を介して第１電極１１０と第２電極１９０との間の間隔が近くなることを抑制することができる。
【００７１】
したがって、本発明の他の実施形態による発光表示装置２００は、第１電極１１０と第２電極２９０との間の漏洩電流が発生することを抑制又は防止し、発光層１６０の発光効率の低下を抑制することによって、表示品質の低下を抑制することができる。
【００７２】
次に、本発明の他の実施形態による発光表示装置について説明する。
【００７３】
図６は、図２及び図５とは異なる、本発明の他の実施形態による発光表示装置の断面図である。
【００７４】
図６を参照すると、本発明の他の実施形態による発光表示装置３００は、図１の発光表示装置１００と比較して漏洩電流遮断層３４０、正孔輸送層３５０及び発光層３６０のみ異なり、その他は同様の構成を有する。したがって、本発明の他の実施形態による発光表示装置３００では、漏洩電流遮断層３４０、正孔輸送層３５０及び発光層３６０を重点的に説明する。
【００７５】
発光表示装置３００は、基板１０５、第１電極１１０、画素定義膜１２０、正孔注入層１３０、漏洩電流遮断層３４０、正孔輸送層３５０、発光層３６０、電子輸送層１７０、電子注入層１８０及び第２電極１９０を含む。各部材は図６のＺ方向に順次積層される。
【００７６】
漏洩電流遮断層３４０は、図２の漏洩電流遮断層１４０と類似する。ただし、漏洩電流遮断層３４０は、正孔輸送層３５０と発光層３６０との間に配置される。このような漏洩電流遮断層３４０は、図２の漏洩電流遮断層１４０と同じ役割を果たし得る。
【００７７】
正孔輸送層３５０は、図２の正孔輸送層１５０と類似する。ただし、正孔輸送層３５０は、正孔注入層１３０と漏洩電流遮断層３４０との間に配置される。このような正孔輸送層３５０は、図２の正孔輸送層１５０と同じ役割を果たし得る。
【００７８】
発光層３６０は、図２の発光層１６０と類似する。ただし、発光層３６０は、画素定義膜１２０の開口部ＯＰの内部において正孔輸送層３５０と漏洩電流遮断層３４０の上に配置され得る。このような発光層３６０は、図２の発光層１６０と同じ役割を果たし得る。
【００７９】
前記のような本発明の他の実施形態による発光表示装置３００は、第１電極１１０と発光層３６０との間で、画素定義膜１２０の側面上に均一な厚さを有して配置される漏洩電流遮断層３４０を含む。これにより、画素定義膜１２０の開口部ＯＰの内部に配置される発光層３６０が、画素定義膜１２０の側面の部分でにおいて薄くなる厚さを有する部分を介して、第１電極１１０と第２電極１９０との間の間隔が近くなることを抑制することができる。
【００８０】
したがって、本発明の他の実施形態による発光表示装置３００は、第１電極１１０と第２電極１９０との間の漏洩電流が発生することを抑制又は防止し、発光層３６０の発光効率の低下を抑制することによって、表示品質の低下を抑制することができる。
【００８１】
一方、図面に示していないが、発光表示装置３００において、電子輸送層１７０と電子注入層１８０の代わりに、図５の電子輸送層２７０と電子注入層２８０が適用され得る。
【００８２】
次に、本発明の他の実施形態による発光表示装置について説明する。
【００８３】
図７は、図２、図５及び図６とは異なる、本発明の他の実施形態による発光表示装置の断面図である。
【００８４】
図７を参照すると、本発明の他の実施形態による発光表示装置４００は、図１の発光表示装置１００と比較して、第１共通層４３０、漏洩電流遮断層４４０及び発光層４６０のみ異なり、その他は同様の構成を有する。したがって、本発明の他の実施形態による発光表示装置４００では、第１共通層４３０、漏洩電流遮断層４４０及び発光層４６０を重点的に説明する。
【００８５】
発光表示装置４００は、基板１０５、第１電極１１０、画素定義膜１２０、第１共通層４３０、漏洩電流遮断層４４０、発光層４６０、電子輸送層１７０、電子注入層１８０及び第２電極１９０を含む。各部材は図７のＺ方向に順次積層される。
【００８６】
第１共通層４３０は、画素定義膜１２０の開口部ＯＰの内部で第１電極１１０と画素定義膜１２０の側面に沿って配置され得る。第１共通層４３０は、例えばインクジェットプリント方法又はノズルプリント方法を利用して、第１共通物質を含む第１共通溶液を画素定義膜１２０の開口部ＯＰの内部に吐出させて形成され得る。この場合、第１共通層４３０は、第１電極１１０から画素定義膜１２０の側面に行くほど薄くなる厚さを有し得る。第１共通層４３０は、図２の正孔注入層１３０又は正孔輸送層１５０であり得る。すなわち、発光表示装置４００では、図２の正孔輸送層１５０又は正孔注入層１３０が省略され得る。
【００８７】
一方、図面に示していないが、第１共通層４３０は、図５の発光表示装置２００において、正孔輸送層１５０を省略させて正孔注入層１３０の代わりに適用され得る。
【００８８】
漏洩電流遮断層４４０は、図２の漏洩電流遮断層１４０と類似する。ただし、漏洩電流遮断層４４０は、第１共通層４３０と発光層４６０との間に配置される。このような漏洩電流遮断層４４０は、図２の漏洩電流遮断層１４０と同じ役割を果たし得る。
【００８９】
発光層４６０は、図２の発光層１６０と類似する。ただし、発光層４６０は、画素定義膜１２０の開口部ＯＰの内部において、第１共通層４３０と漏洩電流遮断層４４０上に配置され得る。このような発光層４６０は、図２の発光層１６０と同じ役割を果たし得る。
【００９０】
前記のような本発明の他の実施形態による発光表示装置４００は、第１電極１１０と発光層４６０との間で、画素定義膜１２０の側面上に均一な厚さを有して配置される漏洩電流遮断層４４０を含む。これにより、画素定義膜１２０の開口部ＯＰの内部に配置される発光層４６０が、画素定義膜１２０の側面の部分において薄くなる厚さを有する部分を介して、第１電極１１０と第２電極１９０との間の間隔が近くなることを抑制することができる。
【００９１】
したがって、本発明の他の実施形態による発光表示装置４００は、第１電極１１０と第２電極１９０との間の漏洩電流が発生することを抑制又は防止し、発光層４６０の発光効率の低下を抑制することによって、表示品質の低下を抑制することができる。
【００９２】
次に、本発明の他の実施形態による発光表示装置について説明する。
【００９３】
図８は、図２及び図５〜図７とは異なる、本発明の他の実施形態による発光表示装置の断面図である。
【００９４】
図８を参照すると、本発明の他の実施形態による発光表示装置５００は、図１の発光表示装置１００と比較して、第１共通層４３０、漏洩電流遮断層４４０、発光層４６０、第２共通層５７０及び第２電極５９０のみ異なり、その他は同様の構成を有する。したがって、本発明の他の実施形態による発光表示装置５００では、第１共通層４３０、漏洩電流遮断層４４０、発光層４６０、第２共通層５７０及び第２電極５９０を重点的に説明する。
【００９５】
発光表示装置５００は、基板１０５、第１電極１１０、画素定義膜１２０、第１共通層４３０、漏洩電流遮断層４４０、発光層４６０、第２共通層５７０及び第２電極５９０を含む。各部材は、図８のＺ方向に順次に積層される。
【００９６】
第１共通層４３０、漏洩電流遮断層４４０及び発光層４６０については、図７の発光表示装置４００において詳細に説明したので、重複する説明は省略する。
【００９７】
第２共通層５７０は、発光層４６０の上に配置され、隣接した画素ＰＸの間で連続的な形態を有するように配置され得る。第２共通層５７０は、図２の電子輸送層１７０又は電子注入層１８０であり得る。すなわち、発光表示装置５００では、図２の電子注入層１８０又は電子輸送層１７０が省略され得る。第２共通層５７０は、例えば蒸着方法などにより形成され得るが、これに限定されない。
【００９８】
一方、図面に示していないが、第２共通層５７０は、図２の発光表示装置１００において電子輸送層１７０と電子注入層１８０の代わりに適用され得、図５の発光表示装置２００において電子輸送層２７０と電子注入層２８０の代わりに発光層１６０上にのみ形成される形態に適用され得、図６の発光表示装置６００において電子輸送層１７０と電子注入層１８０の代わりに適用され得る。
【００９９】
第２電極５９０は、図２の第２電極１９０と類似する。ただし、第２電極５９０は、第２共通層５７０上に配置される。第２電極５９０は、図２の第２電極１９０と同じ役割を果たし得る。
【０１００】
前記のような本発明の他の実施形態による発光表示装置５００は、第１電極１１０と発光層４６０との間で、画素定義膜１２０の側面上に均一な厚さを有して配置される漏洩電流遮断層４４０を含む。これにより、画素定義膜１２０の開口部ＯＰの内部に配置される発光層４６０が、画素定義膜１２０の側面の部分において薄くなる厚さを有する部分を介して、第１電極１１０と第２電極５９０との間の間隔が近くなることを抑制することができる。
【０１０１】
したがって、本発明の他の実施形態による発光表示装置５００は、第１電極１１０と第２電極５９０との間の漏洩電流が発生することを抑制又は防止し、発光層３６０の発光効率の低下を抑制することによって、表示品質の低下を抑制することができる。
【０１０２】
次は、本発明の他の実施形態による発光表示装置について説明する。
【０１０３】
図９は、図２及び図５〜図８とは異なる、本発明の他の実施形態による発光表示装置の断面図である。
【０１０４】
図９を参照すると、本発明の他の実施形態による発光表示装置６００は、図１の発光表示装置１００と比較して、漏洩電流遮断層６４０、正孔輸送層６５０、発光層６６０及び電子輸送層６７０のみ異なり、その他は同様の構成を有する。したがって、本発明の他の実施形態による発光表示装置６００では、漏洩電流遮断層６４０、正孔輸送層６５０、発光層６６０及び電子輸送層６７０を重点的に説明する。
【０１０５】
発光表示装置６００は、基板１０５、第１電極１１０、画素定義膜１２０、正孔注入層１３０、漏洩電流遮断層６４０、正孔輸送層６５０、発光層６６０、電子輸送層６７０、電子注入層１８０及び第２電極１９０を含む。各部材は、図９のＺ方向に順次に積層される。
【０１０６】
漏洩電流遮断層６４０は、図２の漏洩電流遮断層１４０と類似する。ただし、漏洩電流遮断層６４０は、発光層６６０と第２電極１９０との間で画素定義膜１２０の側面上に配置される。具体的には、漏洩電流遮断層６４０は、発光層６６０と正孔輸送層６５０との間において、発光層６６０のうち画素定義膜１２０の側面上に配置される側部上に配置され得る。
【０１０７】
また、漏洩電流遮断層６４０上には、例えば蒸着方法により形成される電子輸送層６７０が形成されるため、漏洩電流遮断層６４０は撥液性を有する必要はない。したがって、漏洩電流遮断層６４０は、第１電極１１０と第２電極１９０との間で漏洩電流が流れることを防止するため、発光層１６０の電気抵抗度より大きい電気抵抗度を有する絶縁物質で形成されるだけでよい。したがって、漏洩電流遮断層６４０は、無機絶縁物質、例えば、シリコン酸化物（Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｏｘｉｄｅ）、シリコン窒化物（Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｎｉｔｒｉｄｅ）又はシリコン酸窒化物（Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｏｘｙｎｉｔｒｉｄｅ）などの無機絶縁物質で形成され得る。この場合、漏洩電流遮断層６４０は、例えば、エネルギーを有する粒子によって蒸着物質からなるターゲットの表面に衝撃を加え、この際の運動量交換によりターゲットの表面から蒸着物質が離脱するようにすることによって、所望する位置に蒸着させる方法であって、高い直進性を有するスパッタリング蒸着方法により形成され得る。また、漏洩電流遮断層６４０は、高分子樹脂などの有機絶縁物質、例えば、ベンゾシクロブテン（Ｂｅｎｚｏ  Ｃｙｃｌｏ  Ｂｕｔｅｎｅ；ＢＣＢ）、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ；ＰＩ）、ポリアマイド（ｐｏｌｙ  ａｍａｉｄｅ；ＰＡ）、アクリル樹脂及びフェノール樹脂などから選択された少なくとも一つで形成され得る。この場合、漏洩電流遮断層６４０は、例えば蒸発蒸着方法により形成され得るが、これに限定されない。
【０１０８】
このような漏洩電流遮断層６４０は、図２の漏洩電流遮断層１４０と同じ役割を果たす。
【０１０９】
正孔輸送層６５０は、図２の正孔輸送層１５０と類似する。ただし、正孔輸送層６５０は、正孔注入層１３０と発光層６６０との間に配置される。このような正孔輸送層６５０は、図２の正孔輸送層１５０と同じ役割を果たす。
【０１１０】
発光層６６０は、図２の発光層１６０と類似する。ただし、発光層６６０は、画素定義膜１２０の開口部ＯＰの内部において、正孔輸送層６５０と漏洩電流遮断層６４０の上に配置され得る。このような発光層６６０は、図２の発光層１６０と同じ役割を果たす。
【０１１１】
電子輸送層６７０は、図２の電子輸送層１７０と類似する。ただし、電子輸送層６７０は、発光層６６０と漏洩電流遮断層６４０の上に配置される。このような電子輸送層６７０は、図２の電子輸送層１７０と同じ役割を果たす。
【０１１２】
前記のような本発明の他の実施形態による発光表示装置６００は、発光層６６０と第２電極１９０との間において、画素定義膜１２０の側面上に均一な厚さを有して配置される漏洩電流遮断層６４０を含む。これにより、画素定義膜１２０の開口部ＯＰの内部に配置される発光層６６０が、画素定義膜１２０の側面の部分において薄くなる厚さを有する部分を介して、第１電極１１０と第２電極１９０との間の間隔が近くなることを抑制することができる。
【０１１３】
したがって、本発明の他の実施形態による発光表示装置６００は、第１電極１１０と第２電極１９０との間の漏洩電流が発生することを抑制又は防止し、発光層６６０の発光効率の低下を抑制することによって、表示品質の低下を抑制することができる。
【０１１４】
一方、図面に示していないが、図９の発光表示装置６００において、電子輸送層６７０と電子注入層１８０の代わりに、図５の電子輸送層２７０と電子注入層２８０が適用され得、また正孔輸送層６５０を省略させて正孔注入層１３０の代わりに図７の第１共通層４３０が適用され得、また電子輸送層６７０と電子注入層１８０の代わりに図８の第２共通層５７０が適用され得、また正孔輸送層６５０を省略させて正孔注入層１３０の代わりに図７の第１共通層４３０が適用され得、電子輸送層６７０と電子注入層１８０の代わりに図８の第２共通層５７０が適用され得る。
【０１１５】
以下、前述した本発明の多様な実施形態による発光表示装置を製造するための、例示的な方法について説明する。
【０１１６】
図１０〜図２０は、本発明の一実施形態による発光表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
【０１１７】
図１０を参照すると、複数の画素ＰＸが定義される基板１０５上に、各画素別に第１電極１１０を形成する。第１電極１１０は、基板１０５上に透明電極物質又は反射物質を蒸着及びパターニングすることにより、形成され得る。
【０１１８】
次いで、図１１を参照すると、基板上に各画素ＰＸを区切り、第１電極１１０を露出する開口部ＯＰを有する画素定義膜１２０を形成する。画素定義膜１２０は、第１電極１１０を覆うように、基板１０５の全面に、例えば蒸着方法を利用して絶縁物質を蒸着し、蒸着された絶縁物質をパターニングして形成され得る。
【０１１９】
一方、画素定義膜１２０は、例えばインクジェットプリント方法又はノズルプリント方法を利用して、正孔注入溶液を画素定義膜１２０の開口部ＯＰの内部に吐出させて正孔注入層１３０を形成させるとき、正孔注入溶液が画素定義膜１２０の開口部ＯＰから外に流れ出ないように、撥液性を有するように形成される。例えば、画素定義膜１２０は、画素定義膜１２０に対する正孔注入溶液の接触角が約４０°以上になるようにする絶縁物質で形成され得る。
【０１２０】
次いで、図１２を参照すると、第１電極１１０上に正孔注入層１３０を形成する。正孔注入層１３０は、画素定義膜１２０の開口部ＯＰの内部において、第１電極１１０と画素定義膜１２０の側面に沿って配置され得る。正孔注入層１３０は、例えばインクジェットプリント方法又はノズルプリント方法を利用して、正孔注入溶液を画素定義膜１２０の開口部ＯＰの内部に吐出させて形成され得る。このとき、正孔注入層１３０は、第１電極１１０の上で画素定義膜１２０の側面に行くほど薄くなる厚さを有し得る。
【０１２１】
次いで、図１３〜図１７を参照すると、画素定義膜１２０の開口部ＯＰの内部における画素定義膜１２０の側面（具体的には正孔注入層（図１２の１３０）の側部）と、画素定義膜１２０の上面上に、漏洩電流遮断層１４０を形成する。
【０１２２】
具体的には、図１３に示すように正孔注入層（図１２の１３０）を含む基板１０５上に、第１開口１０ａを有する第１マスク１０を配置させる。第１開口１０ａは、第１方向Ｘにおいて画素定義膜１２０の開口部ＯＰのそれぞれの内部で対向する正孔注入層（図１２の１３０）の側部が、露出するように配置され得る。この際、第１開口１０ａ、は第２方向Ｙに沿って延長した形態を有し、第１方向Ｘにおいて隣接した画素定義膜１２０の開口部ＯＰの間で、連続した形態を有し得る。
【０１２３】
正孔注入層（図１２の１３０）を含む基板１０５上に、第１開口１０ａを有する第１マスク１０を配置させた後には、例えば蒸発蒸着方法と同じ蒸着方法により、漏洩電流遮断層１４０の形成物質を、第１マスク１０の第１開口１０ａを介して露出された正孔注入層（図１２の１３０）の側部及び画素定義膜１２０の上面に蒸着させる。そうすると、図１４に示すように、第１マスク１０の第１開口１０ａを介して露出された正孔注入層（図１２の１３０）の側部及び画素定義膜１２０の上面に、第１遮断部１４０ａが形成される。
【０１２４】
第１遮断部１４０ａが形成された後には、図１５に示すように、第１遮断部１４０ａが形成された基板１０５上に、第２開口２０ａを有する第２マスク２０を配置させる。第２開口２０ａは、第２方向Ｙで画素定義膜１２０の開口ＯＰのそれぞれの内部で対向する正孔注入層（図１２の１３０）の側部が露出するように配置され得る。このとき、第２開口２０ａは、第１方向Ｘに沿って延長された形態を有し、第２方向Ｙにおいて隣接した画素定義膜１２０の開口ＯＰの間で、連続した形態を有し得る。
【０１２５】
第１遮断部１４０ａが形成された基板１０５上に、第２開口２０ａを有する第２マスク２０を配置させた後には、例えば蒸発蒸着方法と同様の蒸着方法により、漏洩電流遮断層１４０の形成物質を、第２マスク２０の第２開口２０ａを介して露出された正孔注入層（図１２の１３０）の側部及び画素定義膜１２０の上面にに蒸着させる。そうすると、図１６に示すように、第２マスク２０の第２開口２０ａを介して露出された正孔注入層（図１２の１３０）の側部及び画素定義膜１２０の上面に、第２遮断部１４０ｂが形成される。これによって、画素定義膜１２０の上面上で、第１遮断部１４０ａと第２遮断部１４０ｂが交差する形態の漏洩電流遮断層１４０が形成される。このような漏洩電流遮断層１４０は、例えば蒸着方法により形成されるため、図１７に示すように均一な厚さを有し得る。
【０１２６】
次いで、図１８を参照すると、画素定義膜１２０の開口部ＯＰの内部で、正孔注入層１３０と漏洩電流遮断層１４０上に正孔輸送層１５０を形成する。正孔輸送層１５０は、例えばインクジェットプリント方法又はノズルプリント方法を利用して、正孔輸送溶液を画素定義膜１２０の開口部ＯＰの内部に吐出させて形成され得る。このとき、正孔輸送層１５０は、第１電極１１０の上で画素定義膜１２０の側面に行くほど薄くなる厚さを有し得る。
【０１２７】
次いで、図１９を参照すると、画素定義膜１２０の開口部ＯＰの内部で、正孔輸送層１５０上に発光層１６０を形成する。発光層１６０は、例えばインクジェットプリント方法又はノズルプリント方法を利用して、発光溶液を画素定義膜１２０の開口部ＯＰの内部に吐出させて形成され得る。この際、発光層１６０は、第１電極１１０の上で画素定義膜１２０の側面に行くほど薄くなる厚さを有し得る。具体的には、発光層１６０は、第１電極１１０上に位置し、均一な厚さを有する第１部分１６０ａと、画素定義膜１２０の側面上に位置し、画素定義膜１２０の側面から上面方向に薄くなる第２部分１６０ｂを含み得る。
【０１２８】
次いで、図２０を参照すると、発光層１６０上に電子輸送層１７０、電子注入層１８０及び第２電極１９０を形成する。電子輸送層１７０、電子注入層１８０及び第２電極１９０は、例えば蒸着方法により、連続的に形成され得る。
【０１２９】
図面に示していないが、本発明の一実施形態による発光表示装置の製造方法は、第２電極１９０の上部に封止基板を配置する段階をさらに含み得る。また、本発明の一実施形態による発光表示装置の製造方法は、第２電極１９０と封止基板との間にスペーサを配置する段階をさらに含み得る。前記封止基板を配置すること及びスペーサを配置する多様な方法は、当業界に広く公知されているので、具体的な説明は省略する。
【０１３０】
以上において、添付する図面を参照して本発明の実施形態について説明したが、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者は、本発明のその技術的思想や必須の特徴を変更しない範囲で、他の具体的な形態で実施され得ることを理解できるであろう。したがって、上記実施形態はすべての面で例示的なものであり、限定的なものとして理解しなければならない。
【０１３１】
なお、本発明の課題は、以上で言及した技術的課題に制限されない。言及されていないまたは他の技術的課題は、本明細書の記載から当業者に明確に理解できるであろう。
【０１３２】
また、本発明の一実施形態による発光表示装置は、第１電極と発光層との間で画素定義膜の側面上に配置される漏洩電流遮断層を含むことによって、画素定義膜の開口部の内部に配置される発光層が、画素定義膜の側面の部分で薄くなる厚さを有し、薄くなる厚さを有する部分により第１電極と第２電極との間の間隔が近くなることを抑制することができる。
【０１３３】
したがって、本発明の一実施形態による発光表示装置は、第１電極と第２電極との間の漏洩電流が発生することを抑制又は防止し、発光層の発光効率の低下を抑制又は防止することによって、表示品質の低下を抑制又は防止することができる。
【０１３４】
なお、本発明による効果は、以上で例示した内容によって制限されず、より多様な効果が本明細書内に含まれている。
【符号の説明】
【０１３５】
１００、２００、３００、５００、６００    発光表示装置
１０５    基板
１１０    第１電極
１２０    画素定義膜
１３０    正孔注入層
１４０、３４０、４４０、６４０    漏洩電流遮断層
１５０、３５０、６５０    正孔輸送層
１６０、３６０、４６０、６６０    発光層
１７０、２７０、５７０、６７０    電子輸送層
１８０、２８０    電子注入層
１９０、２９０、５９０    第２電極
４３０    第１共通層
５７０    第２共通層
【図１】
2016157678.tif 000003
【図２】
2016157678.tif 000004
【図３】
2016157678.tif 000005
【図４】
2016157678.tif 000006
【図５】
2016157678.tif 000007
【図６】
2016157678.tif 000008
【図７】
2016157678.tif 000009
【図８】
2016157678.tif 000010
【図９】
2016157678.tif 000011
【図１０】
2016157678.tif 000012
【図１１】
2016157678.tif 000013
【図１２】
2016157678.tif 000014
【図１３】
2016157678.tif 000015
【図１４】
2016157678.tif 000016
【図１５】
2016157678.tif 000017
【図１６】
2016157678.tif 000018
【図１７】
2016157678.tif 000019
【図１８】
2016157678.tif 000020
【図１９】
2016157678.tif 000021
【図２０】
2016157678.tif 000022