(57)【要約】【課題】  過負荷検知の再設定をしても、周辺定数の見直しが不要な過負荷検知の方法を提案する。【解決手段】  ＲＣＣ電源装置１０における一次巻線１１の両端間に、電解コンデンサＣ１と抵抗Ｒ５とを並列接続した第一の並列回路１２と、電解コンデンサＣ１と逆極性となるダイオードＤ１とコンデンサＣ２とを並列接続した第二の並列回路１３とを直列に接続し、クランパ型のスナバ回路が形成されている。二次側の負荷が重くなるとフライバック電圧が大きくなるので、一次巻線１１のスナバ回路にあるコンデンサＣ１にチャージされる電圧が高くなり、第一の並列回路１２と第二の並列回路１３との接続点の電位が所定のしきい値よりも高くなったときに、停止回路により、発振用のスイッチングトランジスター１４をオフさせる。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＲＣＣ電源装置であって、一次巻線の両端間に、電解コンデンサと抵抗とを並列接続した第一の並列回路と、前記電解コンデンサと逆極性となるダイオードとコンデンサとを並列接続した第二の並列回路とを、直列に接続してあり、前記第一の並列回路と前記第二の並列回路との接続点の電位が所定のしきい値よりも高くなったときに、発振用のスイッチングトランジスターをオフさせる停止回路を備えたことを特徴とするＲＣＣ電源装置。
【請求項２】
前記一次巻線と直列に前記スイッチングトランジスターとしての第一のＭＯＳＦＥＴが接続され、補助巻線を同第一のＭＯＳＦＥＴのゲートに接続していることを特徴とする請求項１に記載のＲＣＣ電源装置。
【請求項３】
前記第一の並列回路と並列に分圧回路を形成し、前記分圧回路の中間接続点の電位が所定のしきい値よりも高くなったときに、前記停止回路は前記第一のＭＯＳＦＥＴのゲートをソース側に接地させることを特徴とする請求項２に記載のＲＣＣ電源装置。
【請求項４】
前記停止回路は、バイポーラトランジスターで構成されていることを特徴とする請求項３に記載のＲＣＣ電源装置。
【請求項５】
前記停止回路は、前記分圧回路の中間接続点の電位が所定のしきい値よりも高くなったときにオンとなる第二のＭＯＳＦＥＴを備え、同第二のＭＯＳＦＥＴがオンとなったときに前記第一のＭＯＳＦＥＴのゲートを接地させることを特徴とする請求項２に記載のＲＣＣ電源装置。
【請求項６】
前記第一の並列回路と並列に、抵抗とツェナーダイオードの直列回路を形成し、同抵抗とツェナーダイオードの接続点の電位が所定のしきい値よりも高くなったときに、オンとなる第三のＭＯＳＦＥＴを備え、同第三のＭＯＳＦＥＴがオンとなったときに前記第一のＭＯＳＦＥＴのゲートをソース側に接地させることを特徴とする請求項２に記載のＲＣＣ電源装置。
【請求項７】
前記第一の並列回路と前記第二の並列回路との接続点にツェナーダイオードのカソードを接続し、アノードをＮＰＮトランジスターのベースに接続し、同ＮＰＮトランジスターのコレクタを前記第一のＭＯＳＦＥＴのゲートに接続し、同ＮＰＮトランジスターのエミッタを接地し、前記第一の並列回路と前記第二の並列回路との接続点の電位が所定のしきい値よりも高くなったときに、前記ツェナーダイオードがブレークして前記ＮＰＮトランジスターをオンとさせ、前記第一のＭＯＳＦＥＴのゲートをソース側に接地させることを特徴とする請求項２に記載のＲＣＣ電源装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＲＣＣ電源装置に関し、特に、クランプ型のスナバ回路を備えたＲＣＣ電源装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来のＲＣＣ（ＲｉｎｇｉｎｇＣｈｏｋｅＣｏｎｖｅｒｔｅｒ）電源装置では、スイッチング用ＦＥＴのソース抵抗でドレイン電流を電圧に変換することにより、過負荷検知を行っていた。
スナバ回路と電源装置に関し、以下に示すものが知られている。
特許文献１は、分圧抵抗でスナバ回路に流れる電流を検出する電源装置に関する。請求項１と請求項２、および図２には、「スナバ回路の抵抗に並列接続された分圧抵抗でスナバ回路に流れる電流を検出し、過電流保護のための制御及びスイッチング素子の制御を行う」との開示がある。
【０００３】
特許文献２は、ツェナーダイオードを用いたスナバ回路を備えた半導体スイッチ装置に関する。請求項２と図３には、「コンデンサの電圧が上昇すると、ツェナーダイオードによってＩＧＢＴが動作して放電させる。」との開示がある。
特許文献３は、コンデンサの電圧を分圧抵抗で検出する直流電源装置のスナバ回路に関する。請求項１と請求項２には、「分圧抵抗によってコンデンサの充電電圧を検出している。」との開示がある。
【０００４】
また、特許文献４は、分圧抵抗で電圧を検出する半導体スイッチング素子の電圧検出回路に関する。請求項１と請求項２、および図１には、「分圧抵抗とコンデンサを並列接続し、半導体スイッチング素子に印加される電圧を検出する」との開示がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００１−０６１２７２号公報
【特許文献２】特開２００２−２０８８５０号公報
【特許文献３】特開２００２−１３６１４０号公報
【特許文献４】特開２００４−０５６９８０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ソース抵抗でドレイン電流を電圧に変換して過負荷検知を行なう方法では、過負荷検知の再設定のためにソース抵抗の定数を変えると、周辺定数の見直す必要が生じる。その結果、雑端の再測定やノイズの見直し、各種部品の定格の再確認等、電源開発に大きな負担が発生していた。
また、ソース抵抗の変更で雑端が悪化すると、雑端対策部品の追加等、無駄なコストが発生する場合がある。
【０００７】
スナバ回路に関する上述した特許文献１は、スイッチング素子にスナバ回路を備えているが、本発明は、一次巻線にスナバ回路を備えており、それぞれ効果が違い、一つの電源回路に同時に両方のスナバ回路が実装されるとは限らない。
特許文献２は、スイッチング素子に備えたダンパ型のスナバ回路であり、電圧の急激な変化を抑えるものである。一方、一次巻線に備えるスナバ回路はクランプ型であり、電圧の波高値そのものを抑える。従って、動作や効果が異なる。また、単純な置き換えは不可能である。
【０００８】
特許文献３は、スナバ回路のコンデンサに流れる電流を抵抗で電圧に変換し、その電圧の大きさで過負荷を検知している。従って、上述したようにダンパ型として機能するが、クランパ型としては機能しない。
また、特許文献４は、分圧抵抗で電圧を検出するのみで、スナバ回路には関連しない。  本発明は、過負荷検知の再設定をしても、周辺定数の見直すが不要な過負荷検知の方法を提案する。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、ＲＣＣ電源装置であって、一次巻線の両端間に、電解コンデンサと抵抗とを並列接続した第一の並列回路と、前記電解コンデンサと逆極性となるダイオードとコンデンサとを並列接続した第二の並列回路とを、直列に接続してあり、前記第一の並列回路と前記第二の並列回路との接続点の電位が所定のしきい値よりも高くなったときに、発振用のスイッチングトランジスターをオフさせる停止回路を備えた構成としてある。
前記構成において、ＲＣＣ電源装置における一次巻線の両端間に、電解コンデンサと抵抗とを並列接続した第一の並列回路と、前記電解コンデンサと逆極性となるダイオードとコンデンサとを並列接続した第二の並列回路とを、直列に接続してある。これにより、いわゆるクランパ型のスナバ回路が形成されている。
【００１０】
そして、二次側の負荷が重くなるとフライバック電圧が大きくなるので、一次巻線のスナバ回路にあるコンデンサにチャージされる電圧が高くなる。このため、前記第一の並列回路と前記第二の並列回路との接続点の電位が所定のしきい値よりも高くなったときに、停止回路により、本ＲＣＣ電源装置で発振用のスイッチングトランジスターをオフさせる。
【００１１】
このように、本発明はスナバ回路のコンデンサにチャージされた電荷による電圧の上昇で過負荷を検知することができる。例えば、電圧の上昇を分圧によって検知することで、スイッチングトランジスターをオフさせて、電源の発振を停止させており、検知電圧の再設定をする場合は分圧比を調整すれば良いので、周辺定数への影響はほとんどない。
なお、ダンパ型のスナバ回路では、スナバ回路のコンデンサに流れる電流を抵抗で電圧に変換し、その電圧の大きさで過負荷を検知することになり、検知方法が全く異なる。
また、ＲＣＣ電源装置には、疑似共振型のＲＣＣ電源装置と疑似共振型でないＲＣＣ電源装置があるが、本発明はいずれにも適用可能である。
【００１２】
本発明の他の態様として、前記第一の巻線と直列に前記スイッチングトランジスターとしての第一のＭＯＳＦＥＴが接続され、補助巻線を同第一のＭＯＳＦＥＴのゲートに接続する構成としても良い。
前記構成において、前記スイッチングトランジスターとしての第一のＭＯＳＦＥＴが前記第一の巻線と直列に接続されており、この第一の巻線とともに補助巻線を使用して同第一のＭＯＳＦＥＴのゲートに接続し、発振させている。
【００１３】
本発明の他の態様として、前記第一の並列回路と並列に分圧回路を形成し、この分圧回路の中間接続点の電位が所定のしきい値よりも高くなったときに、前記停止回路は前記第一のＭＯＳＦＥＴのゲートをソース側に接地させる構成としても良い。
前記構成において、二次側の負荷が重くなると一次巻線のスナバ回路にあるコンデンサにチャージされる電圧が高くなり、前記第一の並列回路と並列に形成された分圧回路においても中間接続点の電位が上がる。そして、所定のしきい値よりも高くなったときに、前記停止回路は前記第一のＭＯＳＦＥＴのゲートをソース側に接地させるので、前記第一のＭＯＳＦＥＴは継続的にオフとなり、発振は停止する。
【００１４】
本発明の他の態様として、前記停止回路は、バイポーラトランジスターで構成しても良い。
【００１５】
本発明の他の態様として、前記停止回路は、前記分圧回路の中間接続点の電位が所定のしきい値よりも高くなったときにオンとなる第二のＭＯＳＦＥＴを備え、同第二のＭＯＳＦＥＴがオンとなったときに前記第一のＭＯＳＦＥＴのゲートを接地させる構成としても良い。
前記構成において、前記分圧回路の中間接続点の電位が所定のしきい値よりも高くなったときに第二のＭＯＳＦＥＴをオンとさせており、同第二のＭＯＳＦＥＴがオンとなったときに所定の経路を経て前記第一のＭＯＳＦＥＴのゲートを接地させる。この結果、前記第一のＭＯＳＦＥＴは継続的にオフとなり、発振は停止する。
【００１６】
本発明の他の態様として、前記第一の並列回路と並列に、抵抗とツェナーダイオードの直列回路を形成し、同抵抗とツェナーダイオードの接続点の電位が所定のしきい値よりも高くなったときに、オンとなる第三のＭＯＳＦＥＴを備え、同第三のＭＯＳＦＥＴがオンとなったときに前記第一のＭＯＳＦＥＴのゲートをソース側に接地させる構成としても良い。
前記構成において、前記第一の並列回路と並列に、抵抗とツェナーダイオードの直列回路を形成しており、前記分圧回路の中間接続点の電位が所定のしきい値よりも高くなったときにツェナーダイオードがブレークして導通し、抵抗との接続点の電位が上昇する。これを利用して、第三のＭＯＳＦＥＴをオンとさせる。その後は、所定の経路を経て前記第一のＭＯＳＦＥＴのゲートを接地させることにより、前記第一のＭＯＳＦＥＴは継続的にオフとなり、発振は停止する。
【００１７】
本発明の他の態様として、前記第一の並列回路と前記第二の並列回路との接続点にツェナーダイオードのカソードを接続し、アノードをＮＰＮトランジスターのベースに接続し、同ＮＰＮトランジスターのコレクタを前記第一のＭＯＳＦＥＴのゲートに接続し、同ＮＰＮトランジスターのエミッタを接地し、前記第一の並列回路と前記第二の並列回路との接続点の電位が所定のしきい値よりも高くなったときに、前記ツェナーダイオードがブレークして前記ＮＰＮトランジスターをオンとさせ、前記第一のＭＯＳＦＥＴのゲートをソース側に接地させる構成としても良い。
【００１８】
前記構成において、前記第一の並列回路と前記第二の並列回路との接続点にツェナーダイオードのカソードを接続し、アノードをＮＰＮトランジスターのベースに接続しており、前記分圧回路の中間接続点の電位が所定のしきい値よりも低い間は前記ツェナーダイオードは導通していない。しかし、前記分圧回路の中間接続点の電位が所定のしきい値よりも高くなると、前記ツェナーダイオードは導通し、アノードが接続されているＮＰＮトランジスターを導通させる。同ＮＰＮトランジスターのコレクタは前記第一のＭＯＳＦＥＴのゲートに接続し、同ＮＰＮトランジスターのエミッタを接地しているので、上述したように前記第一の並列回路と前記第二の並列回路との接続点の電位が所定のしきい値よりも高くなったときに、前記ツェナーダイオードがブレークして前記ＮＰＮトランジスターをオンとさせると、前記第一のＭＯＳＦＥＴのゲートをソース側に接地させるので、前記第一のＭＯＳＦＥＴは継続的にオフとなり、発振は停止する。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、スナバ回路のコンデンサにチャージされた電荷による電圧の上昇で過負荷を検知することができ、電圧の上昇を分圧比などを利用して電源の発振を停止させるので、検知電圧の再設定をする場合は分圧比を調整すれば良く、周辺定数への影響をなくすことができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の第一の実施例におけるＲＣＣ電源装置の一次巻線側の回路図である。
【図２】本発明の第二の実施例におけるＲＣＣ電源装置の一次巻線側の回路図である。
【図３】本発明の第三の実施例におけるＲＣＣ電源装置の一次巻線側の回路図である。
【図４】本発明の第四の実施例におけるＲＣＣ電源装置の一次巻線側の回路図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
（第一実施例）
以下、図面にもとづいて本発明の実施形態を説明する。
図１は、本発明の第一の実施例におけるＲＣＣ電源装置の一次巻線側の回路図である。
同図において、本ＲＣＣ電源装置１０の一次巻線１１の両端間に、電解コンデンサＣ１と抵抗Ｒ５とを並列接続した第一の並列回路１２と、前記電解コンデンサＣ１と逆極性となるダイオードＤ１とコンデンサＣ２とを並列接続した第二の並列回路１３とを、直列に接続してある。この一次巻線１１の両端間に、直列に接続した第一の並列回路１２と第二の並列回路１３とにより、いわゆるクランパ型のスナバ回路を構成する。
【００２２】
一次巻線１１と直列にスイッチングトランジスターとしての第一のＭＯＳＦＥＴ（スイッチング用ＦＥＴ）１４（Ｑ３）のドレイン端子が接続され、同スイッチング用ＦＥＴ１４のソース端子は抵抗Ｒ６を介して接地されている。このスイッチング用ＦＥＴ１４のゲート端子の電圧によって当該スイッチング用ＦＥＴ１４をオンおよびオフさせることができ、図示しない直流供給源から一次巻線１１へ電流を流したり、停止させたりすることが可能となる。ゲート端子は、ＲＣ回路１５を介して補助巻線１６に接続され、所定の周波数で発振する。
【００２３】
このように、一次巻線１１と直列に前記スイッチングトランジスターとしての第一のＭＯＳＦＥＴ１４が接続され、補助巻線１６を同第一のＭＯＳＦＥＴ１４のゲートに接続している。
【００２４】
第一の並列回路１２と並列に、抵抗Ｒ１と抵抗Ｒ２とを直列接続させた分圧回路１７を形成してあり、この分圧回路１７の中間接続点をＰＮＰトランジスターＱ１のベース端子に接続している。ＰＮＰトランジスターＱ１のエミッタ端子は一次巻線１１の直流供給源側に接続され、コレクタ端子はＰＮＰトランジスターＱ２のベース端子に接続されている。同ベース端子は抵抗Ｒ４を介してエミッタ端子に接続されると共に、同エミッタ端子は前記分圧回路１７の中間接続点にも接続されている。そして、コレクタ端子は、抵抗Ｒ３を介してＮＰＮトランジスターＱ４のベース端子に接続されている。このＮＰＮトランジスターＱ４のコレクタ端子はスイッチング用ＦＥＴ１４のゲート端子に接続されており、エミッタ端子は接地されている。すなわち、ＮＰＮトランジスターＱ４がオンとなると、コレクタ端子の電位をほぼグランドとすることになり、スイッチング用ＦＥＴ１４は継続的にオフとなるので発振は停止する。一方、ＮＰＮトランジスターＱ４がオフである間は、コレクタ端子の電位を接地しないので、ゲート端子はＲＣ回路１５を介して補助巻線１６に接続され、所定の周波数で発振を継続する。
【００２５】
前記構成において、二次側の負荷が軽い間は、電解コンデンサＣ１の電圧は所定のしきい値よりも低い。従って、第一の並列回路１２と第二の並列回路１３との接続点の電位は所定のしきい値よりも低く、この時点ではトランジスターＱ１はオフとなっている。すると、トランジスターＱ２からトランジスターＱ４のベース端子へと電流が流れず、トランジスターＱ４はオフのままである。従って、スイッチング用ＦＥＴ１４は本来の発振を継続する。
なお、トランジスターＱ４のベースには、図示しない二次側の出力電圧がフィードバックされている。このため、二次側の出力電圧が本来の電圧を超えた場合にも、トランジスターＱ４をオンにするので、スイッチング用ＦＥＴ１４の本来の発振を停止させる。すると、二次側の出力電圧は低下し始め、この出力電圧がフィードバックされて、トランジスターＱ４をオフにする。以後、このような制御を繰り返して、スイッチング用ＦＥＴ１４は発振と停止を繰り返し継続する。
【００２６】
しかし、二次側の負荷が重くなると電解コンデンサＣ１の電圧が上昇し、その上昇値が分圧回路１７の抵抗Ｒ１と抵抗Ｒ２で設定した値以上になるとＰＮＰトランジスターＱ１のエミッタ端子とベース端子との電圧差が大きくなり、本ＰＮＰトランジスターＱ１がオンする。その結果、ＰＮＰトランジスターＱ２もオンし、ＮＰＮトランジスターＱ４のベース電流が流れ、当該ＮＰＮトランジスターＱ４がオンとなる。この結果、スイッチング用ＦＥＴ１４のゲート端子が接地されるので、継続的にオフとなり、発振が停止する。なお、二次側の出力電圧をフィードバックする回路がトランジスターＱ４のベース端子に接続されており、二次側の電圧が所定の電圧値よりも高くなった場合にトランジスターＱ４はオンする。これにより、同様にスイッチング用ＦＥＴ１４のゲート端子を接地させ、発振が停止するようになっている。
【００２７】
このように、第一の並列回路１２と並列に分圧回路１７を形成し、この分圧回路１７の中間接続点の電位が所定のしきい値よりも高くなったときに、スイッチング用ＦＥＴ１４（第一のＭＯＳＦＥＴ）のゲートをソース側に接地させることで、同スイッチング用ＦＥＴ１４の発振を停止させる。負荷に応じて検知電圧の再設定をする場合は、分圧回路１７の抵抗Ｒ１と抵抗Ｒ２の分圧比を調整すれば良いだけであるから、スイッチング用ＦＥＴ１４の周辺定数への影響をなくすことができる。
【００２８】
なお、本実施例においては、停止回路は抵抗Ｒ１〜Ｒ４と、トランジスターＱ１，Ｑ２，Ｑ４とによって構成されている。すなわち、抵抗素子を除き、停止回路はバイポーラトランジスターで構成されている。また、一次巻線１１のスナバ回路は、電解コンデンサＣ１と、コンデンサＣ２と、ダイオードＤ１と、抵抗Ｒ５とによって構成されている。
【００２９】
（第二実施例）
図２は、本発明の第二の実施例におけるＲＣＣ電源装置の一次巻線側の回路図である。
本実施例では、第一の実施例におけるＰＮＰトランジスターＱ１，Ｑ２に代えて、ダイオードＤ２と第二のＭＯＳＦＥＴＱ５とを直列接続し、ダイオードＤ２のアノードを一次巻線１１の直流供給源に接続し、カソードを電界効果トランジスター（第二のＭＯＳＦＥＴ）Ｑ５のソースに接続し、ドレインを前記抵抗Ｒ３に接続している。電界効果トランジスターＱ５のゲートは分圧回路１７の中間接続点に接続している。
【００３０】
本実施例では、停止回路は、抵抗Ｒ１〜Ｒ３と、ダイオードＤ２と、トランジスターＱ５，Ｑ４とによって構成されている。
このように構成した場合、停止回路では、分圧回路１７の中間接続点の電位が所定のしきい値よりも高くなったときに電界効果トランジスターＱ５がオンとなる。すると、ダイオードＤ２と電界効果トランジスターＱ５と抵抗Ｒ３とを介して前記直流供給源からトランジスターＱ４のベース電流が流れ、スイッチング用ＦＥＴ１４（第一のＭＯＳＦＥＴ）のゲートを接地させるので、継続的にオフとなり、発振が停止する。
【００３１】
より具体的には、二次側の負荷が重くなると電解コンデンサＣ１の電圧が上昇する。その上昇値が分圧回路１７の抵抗Ｒ１と抵抗Ｒ２で設定した値以上になると、電界効果トランジスターＱ５がオンする。その結果、トランジスターＱ４にベース電流が流れて当該トランジスターＱ４がオンするので、スイッチング用ＦＥＴ１４がオフして、発振が停止する。なお、ダイオードＤ２は、電界効果トランジスターＱ５がオンする時の電流逆流を防止する。
【００３２】
（第三実施例）
図３は、本発明の第三の実施例におけるＲＣＣ電源装置の一次巻線側の回路図である。
本実施例では、第二実施例の抵抗Ｒ１と抵抗Ｒ２とによる分圧回路１７に代え、抵抗Ｒ１とツェナーダイオードＤ３とによる直列回路１８を利用している。
第一の並列回路１２と並列に、抵抗Ｒ１とツェナーダイオードＤ３の直列回路１８を形成し、同抵抗Ｒ１とツェナーダイオードＤ３の接続点を第二実施例と同様の電界効果トランジスター（第三のＭＯＳＦＥＴ）Ｑ５のゲートに接続してある。
【００３３】
本実施例では、停止回路は、抵抗Ｒ１，Ｒ３と、ダイオードＤ２，Ｄ３と、トランジスターＱ５，Ｑ４とによって構成されている。
本実施例においても、抵抗Ｒ１とツェナーダイオードＤ３の接続点の電位が所定のしきい値よりも高くなったときに、電界効果トランジスターＱ５がオンとなり、スイッチング用ＦＥＴ１４の発振を停止させる。
より具体的には、二次側の負荷が重くなると電解コンデンサＣ１の電圧が上昇する。その上昇値がツェナーダイオードＤ３のツェナー電圧以上になると電界効果トランジスターＱ５のゲート電圧が上昇し、当該電界効果トランジスターＱ５がオンする。その結果、トランジスターＱ４にベース電流が流れて当該トランジスターＱ４がオンするので、スイッチング用ＦＥＴ１４がオフして、発振が停止する。なお、ダイオードＤ２は、電界効果トランジスターＱ５がオンする時の電流逆流を防止する。
【００３４】
（第四実施例）
図４は、本発明の第四の実施例におけるＲＣＣ電源装置の一次巻線側の回路図である。
本実施例では、上述した実施例に代え、第一の並列回路と第二の並列回路との接続点の電位を利用して、直にＮＰＮトランジスターＱ４によってスイッチング用ＦＥＴ１４を停止させる。
本実施例では、第一の並列回路１２と第二の並列回路１３との接続点にツェナーダイオードＤ４のカソード端子を接続し、本ツェナーダイオードＤ４のアノード端子をＮＰＮトランジスターＱ４のベースに接続し、同ＮＰＮトランジスターＱ４のコレクタをスイッチング用ＦＥＴ１４（第一のＭＯＳＦＥＴ）のゲートに接続し、同ＮＰＮトランジスターＱ４のエミッタを接地している。
【００３５】
本実施例では、停止回路は、抵抗Ｒ３と、ダイオードＤ４と、トランジスターＱ４とによって構成されている。
このような構成において、第一の並列回路１２と第二の並列回路１３との接続点の電位が所定のしきい値よりも高くなったときに、ツェナーダイオードＤ４がブレークし、スイッチング用ＦＥＴ１４の発振を停止させる。
より具体的には、二次側の負荷が重くなると電界コンデンサＣ１の電圧が上昇する。その上昇値がツェナーダイオードＤ４のツェナー電圧以上になると、トランジスターＱ４にベース電流が流れて当該トランジスターＱ４がオンするので、スイッチング用ＦＥＴ１４がオフして、発振が停止する。
【００３６】
なお、本発明は前記実施例に限られるものでないことは言うまでもない。当業者であれば言うまでもないことであるが、
・前記実施例の中で開示した相互に置換可能な部材および構成等を適宜その組み合わせを変更して適用すること
・前記実施例の中で開示されていないが、公知技術であって前記実施例の中で開示した部材および構成等と相互に置換可能な部材および構成等を適宜置換し、またその組み合わせを変更して適用すること
・前記実施例の中で開示されていないが、公知技術等に基づいて当業者が前記実施例の中で開示した部材および構成等の代用として想定し得る部材および構成等と適宜置換し、またその組み合わせを変更して適用すること
は本発明の一実施例として開示されるものである。
【符号の説明】
【００３７】
１０…ＲＣＣ電源装置、１１…一次巻線、１２…第一の並列回路、１３…第二の並列回路、１４（Ｑ３）…第一のＭＯＳＦＥＴ（スイッチング用ＦＥＴ）、１５…ＲＣ回路、１６…補助巻線、１７…分圧回路、１８…直列回路、Ｄ１，Ｄ２…ダイオード、Ｄ３，Ｄ４…ツェナーダイオード、Ｒ１〜Ｒ６…抵抗、Ｑ１，Ｑ２…ＰＮＰトランジスター、Ｑ４…ＮＰＮトランジスター、Ｑ５…電界効果トランジスター（第二のＭＯＳＦＥＴ、第三のＭＯＳＦＥＴ）。
【図１】
2016005351.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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