(57)【要約】【課題】短時間でインプリント処理を実行することができるパターン形成方法を提供すること。【解決手段】実施形態のパターン形成方法では、テンプレートのおもて面側に形成されたテンプレートパターンと、レジストの配置された基板との間の距離を所定の距離に近づける接触ステップが実行される。また、前記パターン形成方法では、前記テンプレートの裏面側の雰囲気圧力である背面側圧力を負圧に調整する圧力調整ステップが実行される。前記パターン形成方法では、前記負圧の状態で前記レジストを前記テンプレートパターンに充填する充填ステップと、前記レジストを硬化させる硬化ステップと、が実行される。【選択図】図２
2016157784.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
テンプレートのおもて面側に形成されたテンプレートパターンと、レジストの配置された基板との間の距離を所定の距離に近づける接触ステップと、
前記テンプレートの裏面側の雰囲気圧力である背面側圧力を負圧に調整する圧力調整ステップと、
前記負圧の状態で前記レジストを前記テンプレートパターンに充填する充填ステップと、
前記レジストを硬化させる硬化ステップと、
含むことを特徴とするパターン形成方法。
【請求項２】
前記充填ステップでは、前記レジストのテンプレートパターン面からのはみ出し状態を検出し、前記背面側圧力を前記はみ出し状態に応じた負圧に調整しながら、前記レジストを前記テンプレートパターンに充填する、
ことを特徴とする請求項１に記載のパターン形成方法。
【請求項３】
前記充填ステップでは、前記レジストのテンプレートパターン面からのはみ出し状態を検出し、前記背面側圧力を調整する際の排気速度を前記はみ出し状態に応じた速度に調整しながら、前記レジストを前記テンプレートパターンに充填する、
ことを特徴とする請求項１に記載のパターン形成方法。
【請求項４】
前記充填ステップでは、前記テンプレートの平坦度を計測し、前記背面側圧力を前記平坦度に応じた負圧に調整しながら、前記レジストを前記テンプレートパターンに充填する、
ことを特徴とする請求項１に記載のパターン形成方法。
【請求項５】
前記充填ステップでは、前記テンプレートの平坦度を計測し、前記背面側圧力を調整する際の排気速度を前記平坦度に応じた速度に調整しながら、前記レジストを前記テンプレートパターンに充填する、
ことを特徴とする請求項１に記載のパターン形成方法。
【請求項６】
テンプレートのおもて面側に形成されたテンプレートパターンと、レジストの配置された基板との間の距離を所定の距離に近づける接触処理を行ない、前記レジストを前記テンプレートパターンに充填させる接触処理部と、
前記テンプレートの裏面側の雰囲気圧力である背面側圧力を調整する圧力調整部と、
前記レジストを硬化させる硬化処理部と、
前記圧力調整部を制御する制御部と、
を備え、
前記制御部は、前記充填の際に、前記背面側圧力を負圧に調整させる指示を前記圧力調整部に送る、
ことを特徴とするパターン形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、パターン形成方法およびパターン形成装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置などの微細パターンを高生産性で形成する技術として、基板に原版の型を転写するインプリント法が注目されている。インプリント法においては、凹凸パターン（テンプレートパターン）が形成されたテンプレート（原版）と、基板上に塗布されたレジストとが接触させられる。これにより、テンプレートの凹凸パターンにレジストが充填される。この充填されたレジストを硬化させることによって、基板上のレジストにテンプレートパターンが転写される。
【０００３】
インプリント法では、レジストにテンプレートを押印する際に、テンプレートに応力がかかる。このため、テンプレートが歪み、さらにレジストがテンプレートのパターン形成用の凹凸面からはみ出す。特に従来のインプリント法では、テンプレートの背面を加圧しながらテンプレートをレジストに押し当てるので、レジストのはみ出し量が多かった。そして、テンプレートの歪みやレジストのはみ出しを回復させるには長時間を要するので、インプリント法での生産性が悪かった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特表２０１３−５３２３６９号公報
【特許文献２】特開２０１２−９９７９０号公報
【特許文献３】特開２０１２−９９７８９号公報
【特許文献４】特許第５２５８９７３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明が解決しようとする課題は、短時間でインプリント処理を実行することができるパターン形成方法およびパターン形成装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
実施形態によれば、パターン形成方法が提供される。前記パターン形成方法では、テンプレートのおもて面側に形成されたテンプレートパターンと、レジストの配置された基板との間の距離を所定の距離に近づける接触ステップが実行される。また、前記パターン形成方法では、前記テンプレートの裏面側の雰囲気圧力である背面側圧力を負圧に調整する圧力調整ステップが実行される。前記パターン形成方法では、前記負圧の状態で前記レジストを前記テンプレートパターンに充填する充填ステップと、前記レジストを硬化させる硬化ステップと、が実行される。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】図１は、第１の実施形態に係るインプリント装置の構成を示す図である。
【図２】図２は、第１の実施形態に係るインプリント工程の処理手順を示す図である。
【図３】図３は、第１の実施形態に係るインプリント工程における圧力制御を説明するための図である。
【図４】図４は、第２の実施形態に係るインプリント工程の処理手順を示す図である。
【図５】図５は、第２の実施形態に係るインプリント工程における圧力制御を説明するための図である。
【図６】図６は、第３の実施形態に係るインプリント工程の処理手順を示す図である。
【図７】図７は、第３の実施形態に係るインプリント工程における圧力制御を説明するための図である。
【図８】図８は、第４の実施形態に係るインプリント工程の処理手順を示す図である。
【図９】図９は、第４の実施形態に係るインプリント工程における圧力制御を説明するための図である。
【図１０】図１０は、第５の実施形態に係るインプリント工程の処理手順を示す図である。
【図１１】図１１は、第５の実施形態に係るインプリント工程で観察されるレジストのはみ出し状態を説明するための図である。
【図１２】図１２は、第６の実施形態に係るインプリント工程の処理手順を示す図である。
【図１３】図１３は、第７の実施形態に係るインプリント装置の構成を示す図である。
【図１４】図１４は、第７の実施形態に係るインプリント工程の処理手順を示す図である。
【図１５】図１５は、第７の実施形態に係るインプリント工程における圧力制御および排気速度を説明するための図である。
【図１６】図１６は、第８の実施形態に係る回転塗布機構の構成を示す図である。
【図１７】図１７は、第８の実施形態に係るインプリント工程の処理手順を示す図である。
【図１８】図１８は、第８の実施形態に係るインプリント工程における圧力制御を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下に添付図面を参照して、実施形態に係るパターン形成方法およびパターン形成装置を詳細に説明する。なお、これらの実施形態により本発明が限定されるものではない。
【０００９】
（第１の実施形態）
図１は、第１の実施形態に係るインプリント装置の構成を示す図である。インプリント装置１Ａは、ウエハＷａなどの被転写基板に、モールド基板であるテンプレート１０Ａのテンプレートパターンを転写する装置である。インプリント装置１Ａは、光ナノインプリントリソグラフィ法などのインプリント法を用いてウエハＷａ上にパターンを形成する。
【００１０】
本実施形態のインプリント装置１Ａは、テンプレートパターン内にレジスト３０を充填させる際に、テンプレート１０Ａの背面側圧力（裏面側の雰囲気）を負圧に調整する。テンプレート１０Ａは、原版の型である。テンプレートパターンは、ウエハＷａに転写される回路パターンなどであり、テンプレート１０Ａのおもて面側に形成されている。テンプレート１０Ａは、概略平板状の石英ガラス基板などを用いて形成されている。
【００１１】
本実施形態のテンプレート１０Ａは、凹凸パターンであるテンプレートパターンの裏面に段差が設けられていない（コア・アウトされていない）、Rigidテンプレートである。また、インプリント装置１Ａは、インプリントショットごとにレジスト３０の滴下処理と、テンプレート１０Ａのレジスト３０への押印処理と、テンプレート１０Ａのレジスト３０からの離型処理とを繰り返す装置である。
【００１２】
インプリント装置１Ａは、加工機構２０Ａと、制御装置２１とを備えている。加工機構２０Ａは、制御装置２１からの指示に従って、ウエハＷａにテンプレートパターンを転写する。
【００１３】
加工機構２０Ａは、原版ステージ２、ステージ定盤３、基板チャック４、試料ステージ５、基準マーク６、アライメントセンサ７、ＵＶ光源８、ステージベース９、液滴下装置１１を備えている。また、加工機構２０Ａは、原版搬送アーム１３、背面側圧力調整機構（圧力調整部）１４、平坦性計測装置１５、背面カバー１８、ＣＣＤカメラ５０を備えている。
【００１４】
ステージ定盤３は、水平方向の主面を有しており、この主面の上を試料ステージ５が移動する。試料ステージ５は、ウエハＷａを載置するとともに、載置したウエハＷａと平行な平面内（水平面内）を移動する。また、試料ステージ５は、ウエハＷａに転写材としてのレジスト３０を滴下する際には、ウエハＷａを液滴下装置１１の下方側に移動させる。また、試料ステージ５は、ウエハＷａへの押印処理を行う際には、ウエハＷａをテンプレート１０Ａの下方側に移動させる。
【００１５】
また、試料ステージ５上には、基板チャック４が設けられている。基板チャック４は、ウエハＷａを試料ステージ５上の所定位置に固定する。また、試料ステージ５上には、基準マーク６が設けられている。基準マーク６は、試料ステージ５の位置を検出するためのマークであり、ウエハＷａを試料ステージ５上にロードする際の位置合わせに用いられる。
【００１６】
ステージベース９の底面側であるウエハＷａ側には、原版ステージ２が設けられている。原版ステージ２は、テンプレート１０Ａの裏面側（テンプレートパターンの形成されていない側の面）からテンプレート１０Ａを真空吸着などによって所定位置に固定する。
【００１７】
ステージベース９は、原版ステージ２によってテンプレート１０Ａを支持するとともに、テンプレート１０ＡのテンプレートパターンをウエハＷａ上のレジスト３０に押し当てる。ステージベース９は、鉛直方向に移動することにより、テンプレート１０Ａ上のレジスト３０への押し当てと、テンプレート１０Ａのレジスト３０からの引き剥がし（離型）と、を行う。
【００１８】
また、ステージベース９の上方側には、アライメントセンサ７が設けられている。アライメントセンサ７は、ウエハＷａの位置検出やテンプレート１０Ａの位置検出を行うセンサである。
【００１９】
液滴下装置１１は、インクジェット法によってウエハＷａ上にレジスト３０を滴下する装置である。液滴下装置１１が備えるインクジェットヘッド（図示せず）は、レジスト３０の液滴を噴出する複数の微細孔を有している。
【００２０】
原版搬送アーム１３は、インプリント装置１Ａ内でテンプレート１０Ａを搬送するアームである。原版搬送アーム１３は、インプリント装置１Ａの外部から搬入されてきたテンプレート１０Ａを、原版ステージ２の下方に搬送する。
【００２１】
ＵＶ光源（硬化処理部）８は、レジスト３０を硬化させることができる波長（例えば、３００〜３８０ｎｍ）の光を含んだＵＶ光を照射する光源である。ＵＶ光源８は、ステージベース９の上方に設けられている。ＵＶ光源８は、テンプレート１０Ａがレジスト３０に押し当てられた状態で、テンプレート１０Ａ上からＵＶ光を照射する。
【００２２】
背面カバー１８は、原版ステージ２の上部側に設けられた板状部材のカバーである。背面カバー１８は、原版ステージ２の上部側およびテンプレート１０Ａの裏面側を板状部材でカバーしている。背面カバー１８とテンプレート１０Ａの裏面側との間には、所定の空間１９が設けられており、この空間１９内の圧力は、背面側圧力調整機構１４によって調整される。
【００２３】
背面側圧力調整機構１４は、テンプレート１０Ａの裏面側（背面側）の圧力を調整する装置である。背面側圧力調整機構１４は、テンプレート１０Ａの裏面側の雰囲気圧力である背面側圧力を調整する。具体的には、背面側圧力調整機構１４は、背面カバー１８とテンプレート１０Ａの裏面と原版ステージ２の側面とで囲まれた空間１９の圧力を調整する。背面側圧力調整機構１４は、空間１９を減圧する機能と加圧する機能とを有している。
【００２４】
背面側圧力調整機構１４は、テンプレート１０ＡをウエハＷａ上のレジスト３０に押し当てる際には、空間１９の圧力を大気圧または正圧に調整する。また、背面側圧力調整機構１４は、テンプレートパターン内にレジスト３０を充填させる際には、空間１９の圧力を負圧に調整する。
【００２５】
平坦性計測装置１５は、テンプレートパターン面の平坦性を計測する装置である。平坦性計測装置１５は、原版ステージ２の上部側に設けられている。平坦性計測装置１５は、テンプレートパターン面またはテンプレート１０Ａの裏面側に所定波長の光を照射し、照射した光を、テンプレート１０Ａの裏面側で反射させる。平坦性計測装置１５は、テンプレート１０Ａからの反射光の干渉度合に基づいて、テンプレートパターン面の平坦性を計測する。
【００２６】
ＣＣＤカメラ５０は、テンプレート１０Ａまたは後述するテンプレート１０Ｂ上からレジスト３０を撮像する。具体的には、ＣＣＤカメラ５０は、テンプレートパターンの裏面側と、テンプレートパターンからはみ出したレジスト３０とを撮像する。ＣＣＤカメラ５０は、撮像した画像を制御装置２１に送る。
【００２７】
制御装置２１は、加工機構２０Ａの各構成要素に接続され、各構成要素を制御する。本実施形態の制御装置２１は、テンプレートパターン内にレジスト３０を充填させる際に、空間１９の圧力を負圧に調整する指示を背面側圧力調整機構１４に送る。
【００２８】
ウエハＷａへのインプリントを行う際には、試料ステージ５に載せられたウエハＷａが液滴下装置１１の直下まで移動させられる。そして、ウエハＷａの所定ショット領域内にレジスト３０が滴下される。
【００２９】
ウエハＷａ上にレジスト３０が滴下された後、試料ステージ５上のウエハＷａがテンプレート１０Ａの直下に移動させられる。そして、テンプレート１０ＡがウエハＷａ上のレジスト３０に押し当てられる。
【００３０】
テンプレート１０Ａとレジスト３０とを所定時間だけ接触させた後、この状態でＵＶ光がレジスト３０に照射されるとレジスト３０が硬化する。これにより、テンプレートパターンに対応する転写パターンがウエハＷａ上のレジスト３０にパターニングされる。この後、次のショットへのインプリント処理が行われる。
【００３１】
なお、インプリント装置１Ａは、テンプレートパターンをレジスト３０に押し当てる代わりに、レジスト３０をテンプレートパターンに押し当ててもよい。この場合、試料ステージ５がウエハＷａ上のレジスト３０をテンプレートパターンに押し当てる。このように、テンプレートパターンと、レジスト３０の配置されたウエハＷａとの間の距離を所定の距離に近づける接触処理部は、試料ステージ５またはステージベース９である。インプリント装置１Ａは、テンプレートパターンをレジスト３０に押し当てる際には、テンプレートパターンと、レジスト３０の配置されたウエハＷａとの間の距離を所定の距離に近づける。
【００３２】
図２は、第１の実施形態に係るインプリント工程の処理手順を示す図である。また、図３は、第１の実施形態に係るインプリント工程における圧力制御を説明するための図である。図３では、インプリント工程におけるウエハＷａやテンプレート１０Ａなどの断面図を示している。
【００３３】
第１の実施形態に係るインプリント工程では、テンプレート１０Ａがインプリント装置１Ａに搬入される。そして、テンプレート１０Ａが加工機構２０Ａ内の所定位置に配置される（ステップＳ１０）。具体的には、テンプレート１０Ａが原版ステージ２によって固定される。このとき、原版ステージ２は、テンプレート１０Ａの裏面のうちの一部の領域（外周領域）を、静電チャックまたは真空チャック（例えば、−７０ｋＰａ）を用いて吸着する。
【００３４】
また、ウエハＷａがインプリント装置１Ａに搬入される。そして、ウエハＷａが加工機構２０Ａ内の所定位置に配置される（ステップＳ２０）。具体的には、ウエハＷａが基板チャック４によって固定される。
【００３５】
この後、ウエハＷａは、試料ステージ５によって所定位置（液滴下装置１１の下方側）に移動させられる（ステップＳ３０）。そして、液滴下装置１１が、ウエハＷａ上にレジスト３０を滴下する（ステップＳ４０）。レジスト３０は、光硬化性樹脂などの樹脂である。さらに、ウエハＷａは、試料ステージ５によって所定位置（テンプレート１０Ａの下方側）に移動させられる。
【００３６】
そして、テンプレート１０Ａをレジスト３０に押印する際には、テンプレート１０ＡとウエハＷａとの間の距離を所定の距離に近づけられる。具体的には、ステージベース９は、原版ステージ２によって支持しているテンプレート１０Ａをレジスト３０に押印する（ステップＳ５０）。このとき、制御装置２１は、テンプレート１０Ａの背面側圧力（空間１９）を大気圧（０ｋＰａ）に調整する指示を背面側圧力調整機構１４に送る。これにより、背面側圧力調整機構１４は、図３の（ａ）に示すように、空間１９を０ｋＰａに調整する。このように、インプリント装置１Ａは、テンプレート１０Ａをレジスト３０に押し当てる際には、テンプレート１０Ａの裏面側を大気圧に調整する。
【００３７】
テンプレート１０Ａがレジスト３０に押し当てられた際には、テンプレート１０Ａが歪む（反り返る）とともに、レジスト３０がテンプレートパターン面からはみ出す。この状態で、レジスト３０のテンプレートパターンへの充填が始まる。このように、石英基板等を掘り込んで作ったテンプレート１０Ａをレジスト３０に接触させると、毛細管現象によりテンプレートパターン内へのレジスト３０の流入が始まる。
【００３８】
テンプレート１０Ａがレジスト３０に押し当てられた後、制御装置２１は、テンプレート１０Ａの背面側圧力を負圧（例えば、−１０〜−２００ｋＰａ）に調整する指示を背面側圧力調整機構１４に送る。これにより、背面側圧力調整機構１４は、空間１９（テンプレート１０Ａの裏面のうち原版ステージ２によってチャックされていない領域）を減圧する。この結果、空間１９は、図３の（ｂ）に示すように、−８０ｋＰａなどの負圧に調整される（ステップＳ６０）。このように、インプリント装置１Ａは、テンプレートパターンにレジスト３０を充填させる際には、テンプレート１０Ａの裏面側を負圧に調整する。
【００３９】
テンプレート１０Ａの裏面側が負圧に調整されると、テンプレート１０Ａの歪み（変形）が短時間で解消する。また、テンプレート１０Ａの裏面側が負圧に調整されると、レジスト３０のテンプレートパターン面からのはみ出しが短時間で解消する。この結果、テンプレートパターンへのレジスト３０の充填が短時間で完了する。
【００４０】
レジスト３０の充填が完了すると、制御装置２１は、テンプレート１０Ａの背面側圧力を大気圧に調整する指示を背面側圧力調整機構１４に送る。これにより、背面側圧力調整機構１４は、空間１９を加圧する。この結果、空間１９は、図３の（ｃ）に示すように、大気圧（０ｋＰａ）に調整される（ステップＳ７０）。
【００４１】
そして、ＵＶ光源８が、テンプレート１０Ａを介してレジスト３０にＵＶ光を照射する（ステップＳ８０）。これにより、レジスト３０は、硬化する。このように、インプリント装置１Ａは、レジスト３０を硬化させる際には、テンプレート１０Ａの裏面側を大気圧に調整する。
【００４２】
レジスト３０が硬化した後、テンプレート１０Ａが、硬化したレジスト３０（レジストパターン）から離型されることにより、テンプレートパターンを反転させたレジストパターンがウエハＷａ上に形成される。
【００４３】
この後、制御装置２１は、ウエハＷａ上の指定エリア（所望領域）へのインプリントが全て完了したかを確認する（ステップＳ９０）。換言すると、ウエハＷａ上の全てのインプリントショットに対して、ステップＳ３０〜Ｓ８０の処理が実行されたか否かが確認される。
【００４４】
ウエハＷａ上の指定エリアへのインプリントが完了していなければ（ステップＳ９０、Ｎｏ）、インプリント装置１ＡがステップＳ３０〜Ｓ８０までの処理を繰り返す。インプリント装置１Ａは、ウエハＷａ上の指定エリアへのインプリントが全て完了するまで、ステップＳ３０〜Ｓ９０までの処理を繰り返す。
【００４５】
ウエハＷａ上の指定エリアへのインプリントが全て完了すると（ステップＳ９０、Ｙｅｓ）、ウエハＷａが移動させられて（ステップＳ１００）、ウエハＷａがインプリント装置１Ａの外部に搬出される。
【００４６】
半導体装置（半導体集積回路）が製造される際には、本実施形態のインプリント処理が、例えばウエハプロセスのレイヤ毎に行われる。具体的には、インプリント処理によってウエハＷａ上にレジストパターンが形成される。そして、レジストパターンをマスクとしてレジストパターンの下層側がエッチングされる。これにより、レジストパターンに対応する実パターンがウエハＷａ上に形成される。半導体装置が製造される際には、上述したインプリント処理、エッチング処理などがレイヤ毎に繰り返される。
【００４７】
本実施形態のインプリント処理は、半導体装置が製造される際に限らず、ＭＥＭＳ（Micro  Electro  Mechanical  System：微小電気機械システム）装置などの電子デバイス、磁気記録装置、磁気記録媒体などが製造される際に用いてもよい。
【００４８】
なお、本実施形態のインプリント法を実行する場合、インプリント装置１Ａは、背面側圧力調整機構１４、平坦性計測装置１５、ＣＣＤカメラ５０を備えていなくてもよい。また、空間１９が大気圧に調整される調整処理が開始された後、前記調整処理が完了する前（大気圧に到達する前）に、レジスト３０にＵＶ光を照射する処理が開始されてもよい。また、空間１９が大気圧に調整される調整処理と、レジスト３０にＵＶ光を照射する処理とが同時に開始されてもよい。
【００４９】
このように第１の実施形態によれば、テンプレート１０Ａの背面側圧力を負圧にした状態でレジスト３０をテンプレートパターンに充填するので、テンプレート１０Ａがレジスト３０に押印された際のテンプレート１０Ａの歪みを短時間で回復させることができる。また、レジスト３０のはみ出しを短時間で解消することができる。したがって、短時間でインプリント処理を実行することが可能となる。
【００５０】
（第２の実施形態）
つぎに、図４および図５を用いて第２の実施形態について説明する。第２の実施形態では、第１の実施形態と同様に、テンプレートパターンの裏面に段差が設けられていないRigidテンプレートが用いられる。また、第２の実施形態では、レジスト３０にＵＶ光が照射された後に、テンプレート１０Ａの背面側圧力が負圧から大気圧に調整される。
【００５１】
図４は、第２の実施形態に係るインプリント工程の処理手順を示す図である。また、図５は、第２の実施形態に係るインプリント工程における圧力制御を説明するための図である。図５では、インプリント工程におけるウエハＷａやテンプレート１０Ａなどの断面図を示している。
【００５２】
なお、図４の各処理のうち、図２に示す第１の実施形態に係るインプリント工程の処理と同様の処理については、その説明を省略する。図５の（ａ）は、テンプレート１０Ａをレジスト３０に押し当てる際のテンプレート１０Ａ（背面側圧力：０ｋＰａ）を示している。また、図５の（ｂ）は、テンプレートパターン内にレジスト３０を充填させる際のテンプレート１０Ａ（背面側圧力：−８０ｋＰａなどの負圧）を示している。また、図５の（ｃ）は、レジスト３０を硬化させる際のテンプレート１０Ａ（背面側圧力：−８０ｋＰａなどの負圧）を示している。
【００５３】
図４に示すインプリント工程のうち、ステップＳ１０〜Ｓ６０，Ｓ９０，Ｓ１００の処理は、図２に示した第１の実施形態に係るインプリント工程と同様の処理である。第１の実施形態では、ステップＳ７０，Ｓ８０の処理が実施されるのに対して、第２の実施形態では、ステップＳ７１，Ｓ８１の処理が実施される。
【００５４】
すなわち、第２の実施形態に係るインプリント工程では、テンプレート１０Ａの裏面側が負圧に調整されて（ステップＳ６０）、レジスト３０の充填が完了すると、ＵＶ光源８が、テンプレート１０Ａを介してレジスト３０にＵＶ光を照射する（ステップＳ７１）。このときの、テンプレート１０Ａの背面側圧力は、図５の（ｃ）に示すように、−８０ｋＰａなどの負圧のままである。
【００５５】
レジスト３０が硬化した後、制御装置２１は、テンプレート１０Ａの背面側圧力を大気圧に調整する指示を背面側圧力調整機構１４に送る。これにより、背面側圧力調整機構１４は、空間１９を加圧する。この結果、空間１９は、大気圧（０ｋＰａ）に調整される（ステップＳ８１）。
【００５６】
この後、テンプレート１０Ａが、硬化したレジスト３０から離型される。そして、制御装置２１は、ウエハＷａ上の指定エリア（所望領域）へのインプリントが全て完了したかを確認する（ステップＳ９０）。
【００５７】
ウエハＷａ上の指定エリアへのインプリントが完了していなければ（ステップＳ９０、Ｎｏ）、インプリント装置１ＡがステップＳ３０〜Ｓ８１までの処理を繰り返す。インプリント装置１Ａは、ウエハＷａ上の指定エリアへのインプリントが全て完了するまで、ステップＳ３０〜Ｓ９０までの処理を繰り返す。
【００５８】
ウエハＷａ上の指定エリアへのインプリントが全て完了すると（ステップＳ９０、Ｙｅｓ）、ウエハＷａが移動させられて（ステップＳ１００）、ウエハＷａがインプリント装置１Ａの外部に搬出される。
【００５９】
なお、レジスト３０にＵＶ光を照射する照射処理が開始された後、前記照射処理が完了する前（レジスト３０の全てが硬化する前）に、空間１９が大気圧に調整される調整処理が開始されてもよい。
【００６０】
このように第２の実施形態によれば、第１の実施形態と同様に、テンプレート１０Ａがレジスト３０に押印された際の、テンプレート１０Ａの歪みおよびレジスト３０のはみ出しを短時間で解消することができる。したがって、短時間でインプリント処理を実行することが可能となる。
【００６１】
（第３の実施形態）
つぎに、図６および図７を用いて第３の実施形態について説明する。第３の実施形態では、コア・アウトされたテンプレート（Fastテンプレート）が用いられる。また、第３の実施形態では、レジスト３０にＵＶ光が照射された後に、テンプレートの背面側圧力が負圧から大気圧に調整される。
【００６２】
図６は、第３の実施形態に係るインプリント工程の処理手順を示す図である。また、図７は、第３の実施形態に係るインプリント工程における圧力制御を説明するための図である。図７では、インプリント工程におけるウエハＷａや後述するテンプレート１０Ｂなどの断面図を示している。
【００６３】
なお、図６の各処理のうち、第１または第２の実施形態に係るインプリント工程の処理と同様の処理については、その説明を省略する。図７の（ａ）は、テンプレート１０Ｂをレジスト３０に押し当てる際のテンプレート１０Ｂ（背面側圧力：＋５０ｋＰａなどの正圧）を示している。また、図７の（ｂ）は、テンプレートパターン内にレジスト３０を充填させる際のテンプレート１０Ｂ（背面側圧力：−１００ｋＰａなどの負圧）を示している。また、図７の（ｃ）は、レジスト３０を硬化させる際のテンプレート１０Ｂ（背面側圧力：−１００ｋＰａなどの負圧）を示している。
【００６４】
本実施形態で用いられるテンプレート１０Ｂは、テンプレートパターンの形成されている領域（中央領域）の裏面側が、テンプレートパターンの形成されていない領域（外周部領域）の裏面側よりも薄く形成されている。テンプレート１０Ｂが形成される際には、テンプレートパターンの形成されている領域の裏面側が所定の厚さだけ削られる。これにより、テンプレート１０Ｂは、中央領域が外周部領域よりも薄くなっている。このように、テンプレート１０Ｂは、テンプレートパターンの形成されている領域の裏面側に座繰りが設けられている。
【００６５】
図６に示すインプリント工程のうち、ステップＳ１０〜Ｓ４０，Ｓ７１〜Ｓ１００の処理は、図４に示した第２の実施形態に係るインプリント工程と同様の処理である。第２の実施形態では、ステップＳ５０，Ｓ６０の処理が実施されるのに対して、第２の実施形態では、ステップＳ４１，Ｓ５０，Ｓ５１，Ｓ６０の処理が実施される。
【００６６】
すなわち、第３の実施形態に係るインプリント工程では、液滴下装置１１が、ウエハＷａ上にレジスト３０を滴下した後（ステップＳ４０）、制御装置２１は、テンプレート１０Ｂの背面側圧力を正圧（例えば、０〜２００ｋＰａ）に調整する指示を背面側圧力調整機構１４に送る。これにより、背面側圧力調整機構１４は、空間１９を加圧する。この結果、空間１９は、図７の（ａ）に示すように、＋５０ｋＰａなどの正圧に調整される（ステップＳ４１）。
【００６７】
ステージベース９は、原版ステージ２によって支持しているテンプレート１０Ｂをレジスト３０に押印する（ステップＳ５０）。これにより、レジスト３０のテンプレートパターンへの充填が始まる。このとき、制御装置２１は、テンプレート１０Ｂの背面側圧力（空間１９）を大気圧に調整する指示を背面側圧力調整機構１４に送る。これにより、背面側圧力調整機構１４は、テンプレート１０Ｂの背面側圧力を大気圧（０ｋＰａ）に調整する（ステップＳ５１）。
【００６８】
さらに、制御装置２１は、テンプレート１０Ｂの背面側圧力を負圧に調整する指示を背面側圧力調整機構１４に送る。これにより、背面側圧力調整機構１４は、図７の（ｂ）に示すように、空間１９を−１００ｋＰａなどの負圧に調整する（ステップＳ６０）。このように、インプリント装置１Ａは、テンプレートパターンにレジスト３０を充填させる際には、テンプレート１０Ｂの裏面側を負圧に調整する。この後、インプリント装置１Ａは、第２の実施形態と同様の手順によって、Ｓ７１〜Ｓ１００の処理を実行する。なお、ステップＳ４１の処理は、ステップＳ１０の処理後からステップＳ５０の処理前であれば、何れのタイミングで実行されてもよい。
【００６９】
このように第３の実施形態によれば、第２の実施形態と同様に、テンプレート１０Ｂがレジスト３０に押印された際の、テンプレート１０Ｂの歪みおよびレジスト３０のはみ出しを短時間で解消することができる。したがって、短時間でインプリント処理を実行することが可能となる。
【００７０】
また、テンプレート１０Ｂをレジスト３０に押し当てる際に、テンプレート１０Ｂの背面側圧力を正圧に調整しているので、レジスト３０内に泡が入ることを防止できる。
【００７１】
（第４の実施形態）
つぎに、図８および図９を用いて第４の実施形態について説明する。第４の実施形態では、第３の実施形態と同様に、コア・アウトされたテンプレートが用いられる。また、第４の実施形態では、第１の実施形態と同様に、テンプレートの背面側圧力が負圧から大気圧に調整された後にレジスト３０にＵＶ光が照射される。
【００７２】
図８は、第４の実施形態に係るインプリント工程の処理手順を示す図である。また、図９は、第４の実施形態に係るインプリント工程における圧力制御を説明するための図である。図９では、インプリント工程におけるウエハＷａやテンプレート１０Ｂなどの断面図を示している。
【００７３】
なお、図８の各処理のうち、第１〜第３の実施形態に係るインプリント工程の処理と同様の処理については、その説明を省略する。図９の（ａ）は、テンプレート１０Ｂをレジスト３０に押し当てる際のテンプレート１０Ｂ（背面側圧力：＋５０ｋＰａなどの正圧）を示している。また、図９の（ｂ）は、テンプレートパターン内にレジスト３０を充填させる際のテンプレート１０Ｂ（背面側圧力：−１００ｋＰａなどの負圧）を示している。また、図９の（ｃ）は、レジスト３０を硬化させる際のテンプレート１０Ｂ（背面側圧力：大気圧）を示している。
【００７４】
図８に示すインプリント工程のうち、ステップＳ１０〜Ｓ６０，Ｓ９０，Ｓ１００の処理は、図６に示した第３の実施形態に係るインプリント工程と同様の処理である。第３の実施形態では、ステップＳ７１，Ｓ８１の処理が実施されるのに対して、第４の実施形態では、第１の実施形態と同様のステップＳ７０，Ｓ８０の処理が実施される。
【００７５】
すなわち、第４の実施形態に係るインプリント工程では、テンプレート１０Ｂの裏面側が負圧に調整されて（ステップＳ６０）、レジスト３０の充填が完了すると、制御装置２１は、テンプレート１０Ｂの背面側圧力を大気圧に調整する指示を背面側圧力調整機構１４に送る。これにより、背面側圧力調整機構１４は、空間１９を加圧する。この結果、空間１９は、図９の（ｃ）に示すように、大気圧（０ｋＰａ）に調整される（ステップＳ７０）。
【００７６】
そして、ＵＶ光源８が、テンプレート１０Ｂを介してレジスト３０にＵＶ光を照射する（ステップＳ８０）。これにより、レジスト３０は硬化する。このように、インプリント装置１Ａは、レジスト３０を硬化させる際には、テンプレート１０Ｂの裏面側を大気圧に調整する。
【００７７】
この後、テンプレート１０Ｂが、硬化したレジスト３０から離型される。そして、制御装置２１は、ウエハＷａ上の指定エリアへのインプリントが全て完了したかを確認する（ステップＳ９０）。
【００７８】
ウエハＷａ上の指定エリアへのインプリントが完了していなければ（ステップＳ９０、Ｎｏ）、インプリント装置１ＡがステップＳ３０〜Ｓ８０までの処理を繰り返す。インプリント装置１Ａは、ウエハＷａ上の指定エリアへのインプリントが全て完了するまで、ステップＳ３０〜Ｓ９０までの処理を繰り返す。
【００７９】
ウエハＷａ上の指定エリアへのインプリントが全て完了すると（ステップＳ９０、Ｙｅｓ）、ウエハＷａが移動させられて（ステップＳ１００）、ウエハＷａがインプリント装置１Ａの外部に搬出される。
【００８０】
このように第４の実施形態によれば、第３の実施形態と同様に、テンプレート１０Ｂがレジスト３０に押印された際の、テンプレート１０Ｂの歪みおよびレジスト３０のはみ出しを短時間で解消することができる。したがって、短時間でインプリント処理を実行することが可能となる。
【００８１】
（第５の実施形態）
つぎに、図１０および図１１を用いて第５の実施形態について説明する。第５の実施形態では、ＣＣＤカメラ５０が、レジスト３０のテンプレートパターン面からのはみ出し状態を観察する。そして、レジスト３０のはみ出し状態に基づいて、テンプレート１０Ｂの背面側圧力が制御される。
【００８２】
図１０は、第５の実施形態に係るインプリント工程の処理手順を示す図である。なお、図１０の各処理のうち、第１〜第４の実施形態に係るインプリント工程の処理と同様の処理については、その説明を省略する。
【００８３】
図１０に示すインプリント工程のうち、ステップＳ１０〜Ｓ５１，Ｓ９０，Ｓ１００の処理は、図６に示した第３の実施形態に係るインプリント工程と同様の処理である。第３の実施形態では、ステップＳ６０，Ｓ７１，Ｓ８１の処理が実施されるのに対して、第５の実施形態では、ステップＳ６１，Ｓ７２の処理が実施される。
【００８４】
すなわち、第５の実施形態に係るインプリント工程では、テンプレート１０Ｂがレジスト３０に押印される（ステップＳ５０）。そして、テンプレート１０Ｂの背面側圧力が大気圧に調整された後（ステップＳ５１）、ＣＣＤカメラ５０がレジスト３０の状態観察を開始する。
【００８５】
ＣＣＤカメラ５０は、レジスト３０がテンプレートパターン内に充填されている間、テンプレート１０Ｂ上からレジスト３０を撮像する。これにより、テンプレートパターンの裏面側と、テンプレートパターンからはみ出したレジスト３０とが、撮像される。ＣＣＤカメラ５０は、撮像した各画像を制御装置２１に送る。
【００８６】
制御装置２１は、撮像された画像に基づいて、レジスト３０のはみ出し状態（はみ出し量など）を検出する。さらに、制御装置２１は、検出したはみ出し状態に基づいて、テンプレート１０Ｂの背面側圧力を制御する。このとき、制御装置２１は、検出したはみ出し状態に応じた負圧を空間１９の圧力に設定する指示を背面側圧力調整機構１４に送る。
【００８７】
制御装置２１は、例えば、テンプレート１０Ｂの歪み量が所定値よりも大きい場合には、第１の圧力（例えば、−５０ｋＰＡ）に調整する指示を背面側圧力調整機構１４に送る。これにより、背面側圧力調整機構１４は、制御装置２１からの指示に応じた圧力制御を行う。このように、インプリント装置１Ａは、レジスト３０のはみ出し状態を観察しながらテンプレート１０Ｂの背面側圧力を負圧に調整する（ステップＳ６１）。
【００８８】
図１１は、第５の実施形態に係るインプリント工程で観察されるレジストのはみ出し状態を説明するための図である。図１１では、テンプレートパターンを裏面側から見た場合のテンプレート１０Ｂの上面図を示している。図１１では、テンプレートパターン領域６１の裏面側と、テンプレートパターン領域６１からはみ出したレジスト３０とを図示している。
【００８９】
図１１の状態６０Ａは、テンプレート１０Ｂをレジスト３０に押し当てた際（背面側圧力：＋５０ｋＰａ）のレジスト３０のはみ出し状態を示している。また、図１１の状態６０Ｂおよび状態６０Ｃは、テンプレートパターン内にレジスト３０を充填させ始めてから所定の時間が経過した時点でのレジスト３０のはみ出し状態を示している。状態６０Ｂは、テンプレート１０Ｂの背面側圧力が−５０ｋＰａに設定された場合のレジスト３０のはみ出し状態である。また、状態６０Ｃは、テンプレート１０Ｂの背面側圧力が−１００ｋＰａに設定された場合のレジスト３０のはみ出し状態である。
【００９０】
テンプレート１０Ｂの背面側圧力が−１００ｋＰａの場合、テンプレート１０Ｂの背面側圧力が−５０ｋＰａの場合よりも、レジスト３０のはみ出し量が少なくなっている。これは、所定時間経過後には、テンプレート１０Ｂの背面側圧力に応じた量だけテンプレート１０Ｂの歪みが解消されるからである。
【００９１】
すなわち、レジスト３０のはみ出しの解消速度は、テンプレート１０Ｂの背面側圧力に応じた速度となっている。このため、制御装置２１は、検出したレジスト３０のはみ出し状態に基づいて、テンプレート１０Ｂの背面側圧力を決定する。
【００９２】
例えば、制御装置２１は、最初はレジスト３０のはみ出し量が多いので、大きな値（第１の値）の背面側圧力を背面側圧力調整機構１４に指示する。その後、制御装置２１は、レジスト３０のはみ出し量が少なくなると、小さな値（第１の値よりも小さな第２の値）の背面側圧力を背面側圧力調整機構１４に指示する。
【００９３】
これにより、レジスト３０の充填時における初期段階では、高速なはみ出し解消が行われる。また、レジスト３０の充填時における末期段階では、高精度なはみ出し解消が行われる。
【００９４】
レジスト３０の充填が完了すると、ＵＶ光源８が、テンプレート１０Ｂを介してレジスト３０にＵＶ光を照射する（ステップＳ７２）。この後、硬化したレジスト３０からテンプレート１０Ｂが離型される。そして、制御装置２１は、ウエハＷａ上の指定エリアへのインプリントが全て完了したかを確認する（ステップＳ９０）。
【００９５】
ウエハＷａ上の指定エリアへのインプリントが完了していなければ（ステップＳ９０、Ｎｏ）、インプリント装置１ＡがステップＳ３０〜Ｓ７２までの処理を繰り返す。インプリント装置１Ａは、ウエハＷａ上の指定エリアへのインプリントが全て完了するまで、ステップＳ３０〜Ｓ９０までの処理を繰り返す。
【００９６】
ウエハＷａ上の指定エリアへのインプリントが全て完了すると（ステップＳ９０、Ｙｅｓ）、ウエハＷａが移動させられて（ステップＳ１００）、ウエハＷａがインプリント装置１Ａの外部に搬出される。
【００９７】
なお、レジスト３０の充填後にテンプレート１０Ｂの背面側圧力を大気圧に戻すタイミングは、何れのタイミングであってもよい。すなわち、レジスト３０が充填された後には、インプリント装置１Ａは、ＵＶ光の照射処理と、テンプレート１０Ｂの背面側圧力を大気圧に調整する処理との何れの処理を先に実行してもよい。換言すると、ＵＶ光を照射する際のテンプレート１０Ｂの背面側圧力は、負圧であってもよいし大気圧であってもよい。また、インプリント装置１Ａは、空間１９内を、レジスト３０のはみ出し状態に応じた排気速度で排気しながらレジスト３０をテンプレートパターン内に充填してもよい。
【００９８】
このように第５の実施形態によれば、インプリント装置１Ａは、レジスト３０のはみ出し状態を観察しながらテンプレート１０Ｂの背面側圧力を負圧に調整するので、テンプレート１０Ｂの歪みおよびレジスト３０のはみ出しを短時間で解消することができる。したがって、短時間でインプリント処理を実行することが可能となる。
【００９９】
（第６の実施形態）
つぎに、図１２を用いて第６の実施形態について説明する。第６の実施形態では、平坦性計測装置１５が、テンプレート１０Ｂの平坦度を計測する。そして、テンプレート１０Ｂの平坦度に基づいて、テンプレート１０Ｂの背面側圧力が制御される。
【０１００】
図１２は、第６の実施形態に係るインプリント工程の処理手順を示す図である。なお、図１２の各処理のうち、第１〜第５の実施形態に係るインプリント工程の処理と同様の処理については、その説明を省略する。
【０１０１】
図１２に示すインプリント工程のうち、ステップＳ１０〜Ｓ５１，Ｓ７２，Ｓ９０，Ｓ１００の処理は、図１０に示した第５の実施形態に係るインプリント工程と同様の処理である。第５の実施形態では、ステップＳ６１の処理が実施されるのに対して、第６の実施形態では、ステップＳ６２の処理が実施される。
【０１０２】
すなわち、第６の実施形態に係るインプリント工程では、テンプレート１０Ｂがレジスト３０に押印される（ステップＳ５０）。そして、テンプレート１０Ｂの背面側圧力が大気圧に調整された後（ステップＳ５１）、平坦性計測装置１５が、テンプレート１０Ｂの平坦度を計測する。
【０１０３】
平坦性計測装置１５は、レジスト３０がテンプレートパターン内に充填されている間、テンプレート１０Ｂの裏面側からテンプレート１０Ｂの平坦度を計測する。平坦性計測装置１５は、計測した各平坦度を制御装置２１に送る。制御装置２１は、計測された平坦度に基づいて、テンプレート１０Ｂの背面側圧力を制御する。制御装置２１は、平坦度に応じた負圧を空間１９の圧力に設定する指示を背面側圧力調整機構１４に送る。制御装置２１は、テンプレート１０Ｂのパターン面が平坦になる負圧の設定指示を背面側圧力調整機構１４に送る。
【０１０４】
制御装置２１は、例えば、テンプレート１０Ｂの歪み量が所定値よりも大きい場合には、第１の圧力（例えば、−５０ｋＰＡ）に調整する指示を背面側圧力調整機構１４に送る。これにより、背面側圧力調整機構１４は、制御装置２１からの指示に応じた圧力制御を行う。このように、インプリント装置１Ａは、テンプレートパターン面の平坦度を観察しながらテンプレート１０Ｂの背面側圧力を負圧に調整する（ステップＳ６２）。
【０１０５】
この後、第５の実施形態と同様の処理手順によって、ステップＳ７２，Ｓ９０，Ｓ１００の処理が実行される。すなわち、ウエハＷａ上の指定エリアへのインプリントが完了していなければ（ステップＳ９０、Ｎｏ）、インプリント装置１ＡがステップＳ３０〜Ｓ７２までの処理を繰り返す。インプリント装置１Ａは、ウエハＷａ上の指定エリアへのインプリントが全て完了するまで、ステップＳ３０〜Ｓ９０までの処理を繰り返す。
【０１０６】
ウエハＷａ上の指定エリアへのインプリントが全て完了すると（ステップＳ９０、Ｙｅｓ）、ウエハＷａが移動させられて（ステップＳ１００）、ウエハＷａがインプリント装置１Ａの外部に搬出される。
【０１０７】
なお、インプリント装置１Ａは、空間１９内を、レジスト３０のはみ出し状態およびテンプレート１０Ｂの平坦度に応じた負圧に設定しながらレジスト３０をテンプレートパターン内に充填してもよい。
【０１０８】
このように第６の実施形態によれば、インプリント装置１Ａは、テンプレート１０Ｂの平坦度を観察しながらテンプレート１０Ｂの背面側圧力を負圧に調整するので、テンプレート１０Ｂの歪みおよびレジスト３０のはみ出しを短時間で解消することができる。したがって、短時間でインプリント処理を実行することが可能となる。
【０１０９】
また、レジスト３０をテンプレートパターン内に充填する際に、テンプレート１０Ｂのパターン面が平坦になるよう、テンプレート１０Ｂの背面側圧力を負圧に調整するので、テンプレートパターンの歪みを短時間で解消することができる。
【０１１０】
（第７の実施形態）
つぎに、図１３〜図１５を用いて第７の実施形態について説明する。第７の実施形態では、テンプレート１０Ｂの平坦度に基づいて、テンプレート１０Ｂの背面側圧力を調整する際の排気速度が制御される。
【０１１１】
図１３は、第７の実施形態に係るインプリント装置の構成を示す図である。インプリント装置１Ｂは、加工機構２０Ｂと、制御装置２１とを備えている。本実施形態の加工機構２０Ｂは、加工機構２０Ａが有する構成要素に加えて、排気速度調整機構１２を備えている。
【０１１２】
排気速度調整機構１２は、背面側圧力調整機構１４に接続されている。排気速度調整機構１２は、制御装置２１からの指示に従って、背面側圧力調整機構１４が背面側圧力を調整する際の排気速度を調整する。
【０１１３】
本実施形態では、平坦性計測装置１５が、テンプレート１０Ｂの平坦度を計測する。そして、排気速度調整機構１２が、テンプレート１０Ｂの背面側圧力を調整する際の排気速度を、テンプレート１０Ｂの平坦度に応じた排気速度に調整する。
【０１１４】
図１４は、第７の実施形態に係るインプリント工程の処理手順を示す図である。また、図１５は、第７の実施形態に係るインプリント工程における圧力制御および排気速度を説明するための図である。図１５では、インプリント工程におけるウエハＷａやテンプレート１０Ｂなどの断面図を示している。
【０１１５】
なお、図１４の各処理のうち、第１〜第６の実施形態に係るインプリント工程の処理と同様の処理については、その説明を省略する。図１５の（ａ）は、テンプレート１０Ｂをレジスト３０に押し当てる際のテンプレート１０Ｂ（背面側圧力：＋５０ｋＰａ）を示している。また、図１５の（ｂ）および図１５の（ｃ）は、テンプレートパターン内にレジスト３０を充填させる際のテンプレート１０Ｂ（排気速度）を示している。また、図１５の（ｄ）は、レジスト３０を硬化させる際のテンプレート１０Ｂ（背面側圧力：大気圧）を示している。
【０１１６】
図１４に示すインプリント工程のうち、ステップＳ１０〜Ｓ５１，Ｓ７２，Ｓ９０，Ｓ１００の処理は、図１２に示した第６の実施形態に係るインプリント工程と同様の処理である。第６の実施形態では、ステップＳ６２の処理が実施されるのに対して、第７の実施形態では、ステップＳ６３の処理が実施される。
【０１１７】
すなわち、第７の実施形態に係るインプリント工程では、テンプレート１０Ｂがレジスト３０に押印される（ステップＳ５０）。そして、テンプレート１０Ｂの背面側圧力が大気圧に調整された後（ステップＳ５１）、平坦性計測装置１５が、テンプレート１０Ｂの平坦度を計測し、計測した平坦度（計測結果）を制御装置２１に送る。
【０１１８】
制御装置２１は、計測された平坦度に基づいて、テンプレート１０Ｂの背面側圧力を調整する際の排気速度を制御する。制御装置２１は、平坦度に応じた排気速度を設定する指示を排気速度調整機構１２に送る。
【０１１９】
制御装置２１は、例えば、テンプレート１０Ｂの歪み量が所定値よりも大きい場合には、第１の排気速度で排気させる指示を背面側圧力調整機構１４に送る。これにより、排気速度調整機構１２は、制御装置２１からの指示に応じた排気速度の調整を行う。このように、インプリント装置１Ｂは、テンプレートパターン面の平坦性を観察しながら排気速度を調整してテンプレート１０Ｂの背面側圧力を負圧に調整する（ステップＳ６３）。
【０１２０】
例えば、制御装置２１は、レジスト３０の充填時における初期段階では、図１５の（ｂ）に示すように、１５Ｌ／ｍｉｎでテンプレート１０Ｂの背面側圧力を排気する指示を排気速度調整機構１２に送る。これにより、排気速度調整機構１２は、背面側圧力調整機構１４に１５Ｌ／ｍｉｎで排気させる。この結果、空間１９は、例えば、−６０ｋＰａに調整される。
【０１２１】
また、制御装置２１は、レジスト３０の充填時における末期段階では、図１５の（ｃ）に示すように、１０Ｌ／ｍｉｎでテンプレート１０Ｂの背面側圧力を排気する指示を排気速度調整機構１２に送る。これにより、排気速度調整機構１２は、背面側圧力調整機構１４に１０Ｌ／ｍｉｎで排気させる。この結果、空間１９は、例えば、−１００ｋＰａに調整される。
【０１２２】
これにより、レジスト３０の充填時における初期段階では、高速なはみ出し解消が行われる。また、レジスト３０の充填時における末期段階では、高精度なはみ出し解消が行われる。
【０１２３】
レジスト３０の充填が完了した後、第６の実施形態と同様の処理手順によって、ステップＳ７２，Ｓ９０，Ｓ１００の処理が実行される。すなわち、ウエハＷａ上の指定エリアへのインプリントが完了していなければ（ステップＳ９０、Ｎｏ）、インプリント装置１ＢがステップＳ３０〜Ｓ７２までの処理を繰り返す。インプリント装置１Ｂは、ウエハＷａ上の指定エリアへのインプリントが全て完了するまで、ステップＳ３０〜Ｓ９０までの処理を繰り返す。
【０１２４】
ウエハＷａ上の指定エリアへのインプリントが全て完了すると（ステップＳ９０、Ｙｅｓ）、ウエハＷａが移動させられて（ステップＳ１００）、ウエハＷａがインプリント装置１Ｂの外部に搬出される。
【０１２５】
なお、インプリント装置１Ｂは、空間１９内を、レジスト３０のはみ出し状態およびテンプレート１０Ｂの平坦度に応じた排気速度で排気しながらレジスト３０をテンプレートパターン内に充填してもよい。
【０１２６】
また、インプリント装置１Ｂは、空間１９内を、レジスト３０のはみ出し状態およびテンプレート１０Ｂの平坦度に応じた排気速度に設定しながらレジスト３０をテンプレートパターン内に充填してもよい。
【０１２７】
このように第７の実施形態によれば、インプリント装置１Ｂは、テンプレート１０Ｂの平坦度を観察しながら排気速度を調整するので、テンプレート１０Ｂの歪みおよびレジスト３０のはみ出しを短時間で解消することができる。したがって、短時間でインプリント処理を実行することが可能となる。
【０１２８】
（第８の実施形態）
つぎに、図１６〜図１８を用いて第８の実施形態について説明する。第８の実施形態では、スピン塗布によってレジスト３０が塗布されたウエハＷａに対して、テンプレートパターンが転写される。
【０１２９】
本実施形態のインプリント装置１Ｃ（図示せず）は、ウエハＷａの略全面にレジスト３０を塗布した後に、インプリントショットごとにテンプレート１０Ｂのレジスト３０への押印処理と、テンプレート１０Ｂのレジスト３０からの離型処理とを繰り返す装置である。
【０１３０】
インプリント装置１Ｃは、インプリント装置１Ｂが有する液滴下装置１１の代わりに回転塗布機構４０を備えている。図１６は、第８の実施形態に係る回転塗布機構の構成を示す図である。回転塗布機構４０は、吐出ノズル１６と、回転テーブル１７とを備えている。
【０１３１】
回転テーブル１７は、ウエハＷａを裏面側から支持するとともに、ウエハＷａの主面と平行な面内でウエハＷａを回転させる。吐出ノズル１６は、レジスト３０を吐出するノズルである。吐出ノズル１６は、回転テーブル１７の上方側に配置されており、回転テーブル１７上のウエハＷａにレジスト３０を吐出する。
【０１３２】
ウエハＷａへのインプリントを行う際には、ウエハＷａが回転テーブル１７上に固定される。そして、回転テーブル１７は、ウエハＷａを回転させる。この後、吐出ノズル１６がレジスト３０をウエハＷａ上に吐出する。これにより、ウエハＷａの略全面にレジスト３０が塗布される。
【０１３３】
ウエハＷａ上にレジスト３０が塗布された後、ウエハＷａは、試料ステージ５上に固定される。この後、試料ステージ５上のウエハＷａがテンプレート１０Ｂの直下に移動させられる。そして、テンプレート１０ＢがウエハＷａ上のレジスト３０に押し当てられる。
【０１３４】
図１７は、第８の実施形態に係るインプリント工程の処理手順を示す図である。また、図１８は、第８の実施形態に係るインプリント工程における圧力制御を説明するための図である。図１８では、インプリント工程におけるウエハＷａやテンプレート１０Ｂなどの断面図を示している。
【０１３５】
なお、図１７の各処理のうち、第１〜第７の実施形態に係るインプリント工程の処理と同様の処理については、その説明を省略する。図１８の（ａ）は、テンプレート１０Ｂをレジスト３０に押し当てる際のテンプレート１０Ｂ（背面側圧力：＋５０ｋＰａ）を示している。また、図１８の（ｂ）は、テンプレートパターン内にレジスト３０を充填させる際のテンプレート１０Ｂ（背面側圧力：−１００ｋＰａ）を示している。また、図１８の（ｃ）は、レジスト３０を硬化させる際のテンプレート１０Ｂ（背面側圧力：−１００ｋＰａ）を示している。
【０１３６】
図１７に示すインプリント工程のうち、ステップＳ１０，Ｓ３０，Ｓ４１〜Ｓ１００の処理は、図６に示した第３の実施形態に係るインプリント工程と同様の処理である。第３の実施形態では、ステップＳ２０の処理が実施されるのに対して、第８の実施形態では、ステップＳ２１の処理が実施される。また、第３の実施形態では、ステップＳ４０の処理が実施されるのに対して、第８の実施形態では、ステップＳ４０の処理は実施されない。
【０１３７】
すなわち、第８の実施形態に係るインプリント工程では、テンプレート１０Ｂが加工機構２０Ｂ内の所定位置に配置される（ステップＳ１０）。そして、予めレジスト３０が略全面に塗布されたウエハＷａが、加工機構２０Ｂ内の所定位置に配置される（ステップＳ２１）。
【０１３８】
この後、ウエハＷａは、試料ステージ５によって所定位置（液滴下装置１１の下方側）に移動させられる（ステップＳ３０）。そして、制御装置２１は、テンプレート１０Ｂの背面側圧力を正圧に調整する指示を背面側圧力調整機構１４に送る。これにより、背面側圧力調整機構１４は、空間１９を加圧する。この結果、空間１９は、図１８の（ａ）に示すように、＋５０ｋＰａなどの正圧に調整される（ステップＳ４１）。この後、第３の実施形態と同様の処理手順によって、ステップＳ５０〜Ｓ１００の処理が実行される。
【０１３９】
このように第８の実施形態では、インプリント装置１Ｃは、スピン塗布されたレジスト３０を充填する際のテンプレート１０Ｂの背面側圧力を負圧にしている。このため、テンプレート１０Ｂがレジスト３０に押印された際のテンプレート１０Ｂの歪みを短時間で回復させることができる。また、レジスト３０のはみ出しを短時間で解消することができる。したがって、短時間でインプリント処理を実行することが可能となる。
【０１４０】
なお、第１〜第８の実施形態で説明したインプリント法を組合せてもよい。例えば、第１〜第８の実施形態で説明したインプリント法では、テンプレート１０Ａを用いてもよいし、テンプレート１０Ｂを用いてもよい。
【０１４１】
また、第１〜第８の実施形態で説明したインプリント法では、レジスト３０をインクジェット法でウエハＷａに滴下してもよいし、レジスト３０をスピン塗布でウエハＷａに塗布してもよい。
【０１４２】
また、第１〜第８の実施形態で説明したインプリント法では、テンプレート１０Ａ，１０Ｂをレジスト３０に押し当てる際（押し当て開始時）に、テンプレート１０Ａ，１０Ｂの背面側圧力を正圧に調整してもよいし大気圧に調整してもよい。
【０１４３】
また、第５の実施形態で説明したインプリント法を第５以外の実施形態で説明したインプリント法に適用してもよい。また、第６の実施形態で説明したインプリント法を第６以外の実施形態で説明したインプリント法に適用してもよい。また、第７の実施形態で説明したインプリント法を第７以外の実施形態で説明したインプリント法に適用してもよい。
【０１４４】
また、第５〜第７の実施形態で説明したインプリント法では、レジスト３０を硬化させる処理と、テンプレート１０Ａ，１０Ｂの背面側圧力を大気圧に戻す処理と、の何れを先に実行してもよい。
【０１４５】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【０１４６】
１Ａ，１Ｂ…インプリント装置、８…ＵＶ光源、１０Ａ，１０Ｂ…テンプレート、１１…液滴下装置、１２…排気速度調整機構、１４…背面側圧力調整機構、１５…平坦性計測装置、１８…背面カバー、１９…空間、２０Ａ，２０Ｂ…加工機構、２１…制御装置、３０…レジスト、５０…ＣＣＤカメラ、Ｗａ…ウエハ。
【図１】
2016157784.tif 000003
【図２】
2016157784.tif 000004
【図３】
2016157784.tif 000005
【図４】
2016157784.tif 000006
【図５】
2016157784.tif 000007
【図６】
2016157784.tif 000008
【図７】
2016157784.tif 000009
【図８】
2016157784.tif 000010
【図９】
2016157784.tif 000011
【図１０】
2016157784.tif 000012
【図１１】
2016157784.tif 000013
【図１２】
2016157784.tif 000014
【図１３】
2016157784.tif 000015
【図１４】
2016157784.tif 000016
【図１５】
2016157784.tif 000017
【図１６】
2016157784.tif 000018
【図１７】
2016157784.tif 000019
【図１８】
2016157784.tif 000020