(57)【要約】【課題】電極間のショートを抑制できると共に、放熱性の低下を抑制できる電子装置を提供すること。【解決手段】電子装置１００は、回路基板１０と、半導体素子２０と、第１接合部材３１と、クリップ５０とを備えて構成されている。クリップ５０は、ドレイン電極に対向して第１接合部材３１が接続された接続部５５を含む第１対向部５１と、回路基板１０に対向しており回路基板１０と接続された第２対向部５２と、第１対向部５１と第２対向部５２とを連結している連結部５３とを有している。第１接合部材３１内には、ドレイン電極と接続部５５との対向領域全域の間隔を規定するための金属ボール４０が配置されている。第１対向部５１は、接続部５５の周辺に、対向領域外の第１接合部材３１を吸い取る吸い取り部５４が形成されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
一面に形成された第１電極と、一面の反対面に形成された第２電極とを有した半導体素子（２０）と、
前記第２電極が対向した状態で、前記半導体素子が実装された回路基板（１０）と、
前記第１電極と、前記回路基板における前記半導体素子が実装された実装面とを電気的及び機械的に接続しており、前記半導体素子から発せられた熱を放熱するための放熱機能を有する導電性接続部材（５０，５０ａ〜５０ｅ）と、
前記第１電極と前記導電性接続部材とを電気的及び機械的に接続している第１接合部材（３１）と、を備えており、
前記導電性接続部材は、前記第１電極に対向して前記第１接合部材が接続された接続部（５５）を含む第１対向部（５１，５１ａ，５１ｄ，５１ｅ）と、前記回路基板に対向しており前記回路基板と接続された第２対向部（５２，５２ａ，５２ｄ，５２ｅ）と、前記第１対向部と前記第２対向部とを連結している連結部（５３，５３ａ，５３ｄ，５３ｅ）とを有しており、
前記第１接合部材内には、前記第１電極と前記接続部との対向領域全域の間隔を規定するための金属ボール（４０）が配置されており、
前記第１対向部は、前記接続部の周辺に、前記対向領域外の前記第１接合部材を吸い取る吸い取り部（５４，５４ａ〜５４ｅ）が形成されていることを特徴とする電子装置。
【請求項２】
前記吸い取り部（５４，５４ａ，５４ｂ）は、毛細管現象によって前記第１接合部材を吸い取るものであることを特徴とする請求項１に記載の電子装置。
【請求項３】
前記吸い取り部（５４，５４ａ）は、毛細管現象によって前記第１接合部材を吸い取るための複数の溝が形成されていることを特徴とする請求項２に記載の電子装置。
【請求項４】
前記吸い取り部（５４ｂ）は、毛細管現象によって前記第１接合部材を吸い取るための金属ウールが形成されていることを特徴とする請求項２に記載の電子装置。
【請求項５】
前記吸い取り部（５４ｃ）は、めっき加工された部位であることを特徴とする請求項１に記載の電子装置。
【請求項６】
前記第１電極は、矩形形状を有しており、
前記接続部は、前記第１電極と同じ矩形形状を有しており、
前記吸い取り部は、前記接続部の少なくとも一つの辺に沿って設けられていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の電子装置。
【請求項７】
前記吸い取り部は、前記接続部を囲って環状に形成されていることを特徴とする請求項６に記載の電子装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、両面に電極を有した半導体素子を含む電子装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、両面に電極を有した半導体素子を含む電子装置の一例として、特許文献１に開示された半導体装置がある。
【０００３】
この半導体装置は、回路基板と、回路基板の実装面に実装された半導体素子と、回路基板及び半導体素子に電気的に接続された金属片とを備えて構成されている。金属片は、Ｌ字形状に屈曲された部材である。半導体素子は、一面にドレイン電極が形成され、一面の反対面にソース電極とゲート電極が形成されている。そして、半導体素子は、ソース電極とゲート電極とが回路基板の実装面に対向した状態で実装されている。また、金属片は、屈曲部の先端が、回路基板の実装面に電気的に接続されており、半導体素子のドレイン電極上に配置される部位が、はんだなどの接合部材を介してドレイン電極と電気的に接続されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００２−２６０６７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
半導体装置は、半導体素子のドレイン電極に金属片が接続されているため、放熱性を向上できる。しかしながら、半導体装置は、金属片とドレイン電極とを接続している接合部材の量がばらつくことで、ドレイン電極に対して金属片が傾いたり、ドレイン電極と金属片との間隔が開きすぎたりすることが起こりうる。このような場合、半導体装置は、放熱性が低下する可能性がある。また、半導体装置は、接合部材の量が多すぎた場合、ドレイン電極と金属片との間から接合部材があふれることが起こりうる。このような場合、半導体装置は、ドレイン電極とソース電極、又はドレイン電極とゲート電極がショートしてしまう可能性がある。
【０００６】
本発明は、上記問題点に鑑みなされたものであり、電極間のショートを抑制できると共に、放熱性の低下を抑制できる電子装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために本発明は、
一面に形成された第１電極と、一面の反対面に形成された第２電極とを有した半導体素子（２０）と、
第２電極が対向した状態で、半導体素子が実装された回路基板（１０）と、
第１電極と、回路基板における半導体素子が実装された実装面とを電気的及び機械的に接続しており、半導体素子から発せられた熱を放熱するための放熱機能を有する導電性接続部材（５０，５０ａ〜５０ｅ）と、
第１電極と導電性接続部材とを電気的及び機械的に接続している第１接合部材（３１）と、を備えており、
導電性接続部材は、第１電極に対向して第１接合部材が接続された接続部（５５）を含む第１対向部（５１，５１ａ，５１ｄ，５１ｅ）と、回路基板に対向しており回路基板と接続された第２対向部（５２，５２ａ，５２ｄ，５２ｅ）と、第１対向部と第２対向部とを連結している連結部（５３，５３ａ，５３ｄ，５３ｅ）とを有しており、
第１接合部材内には、第１電極と接続部との対向領域全域の間隔を規定するための金属ボール（４０）が配置されており、
第１対向部は、接続部の周辺に、対向領域外の第１接合部材を吸い取る吸い取り部（５４，５４ａ〜５４ｅ）が形成されていることを特徴とする。
【０００８】
このように、本発明は、放熱機能を有した導電性接続部材で半導体素子と回路基板とを電気的及び機械的に接続しているため半導体素子を放熱できる。また、本発明は、半導体素子の第１電極と、第１対向部の接続部とを接続している第１接続部材内に、第１電極と接続部との対向領域全域の間隔を規定するための金属ボールが配置されている。このため、本発明は、第１接合部材の量がばらついたとしても、第１電極に対して第１対向部が傾くことを抑制できる。よって、本発明は、第１電極に対して第１対向部が傾くことで放熱性が低下することを抑制できる。
【０００９】
更に、本発明は、第１対向部における接続部の周辺に、第１電極と接続部との対向領域外の第１接合部材を吸い取る吸い取り部が形成されている。このため、本発明は、第１接合部材の量が多すぎて、第１電極と接続部との対向領域外に第１接合部材があふれた場合であっても、吸い取り部で第１接合部材の余剰分を吸い取ることができる。よって、本発明は、対向領域外にあふれた第１接合部材が第２電極と接触して、第１電極が第２電極とショートすることを抑制できる。
【００１０】
なお、特許請求の範囲、及びこの項に記載した括弧内の符号は、ひとつの態様として後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものであって、発明の技術的範囲を限定するものではない。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】実施形態における電子装置の概略構成を示す断面図である。
【図２】実施形態における対向部の概略構成を示す平面図である。
【図３】変形例１における電子装置の概略構成を示す断面図である。
【図４】変形例２における電子装置の概略構成を示す断面図である。
【図５】変形例３における電子装置の概略構成を示す断面図である。
【図６】変形例３における対向部の概略構成を示す平面図である。
【図７】変形例４における対向部の概略構成を示す平面図である。
【図８】変形例５における対向部の概略構成を示す平面図である。
【図９】変形例６における電子装置の概略構成を示す断面図である。
【図１０】変形例７における電子装置の概略構成を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下において、図面を参照しながら、発明を実施するための複数の形態を説明する。各形態において、先行する形態で説明した事項に対応する部分には同一の参照符号を付して重複する説明を省略する場合がある。各形態において、構成の一部のみを説明している場合は、構成の他の部分については先行して説明した他の形態を参照し適用することができる。
【００１３】
図１に示すように、電子装置１００は、回路基板１０、回路基板１０に実装された半導体素子２０、半導体素子２０と回路基板１０とを電気的及び機械的に接続しているクリップ５０などを備えて構成されている。なお、以下においては、特に断りがない限り、電気的及び機械的に接続されていることを単に接続されていると記載する。
【００１４】
回路基板１０は、樹脂やセラミックスなどの絶縁基材１１に、Ｃｕなどの導体パターンによって配線やパッド１２が形成されたものである。パッド１２は、回路基板１０の配線の一部とみなすこともできる。また、回路基板１０は、半導体素子２０が実装され、半導体素子２０と接続されている。つまり、回路基板１０は、自身の実装面に形成されたパッド１２に、半導体素子２０の電極が接続されることで、半導体素子２０が実装されている。また、回路基板１０は、自身の実装面に半導体素子２０のゲート電極とソース電極が対向した状態で、半導体素子２０が実装されている。半導体素子２０の電極とパッド１２とは、第２接合部材３２を介して接続されている。パッド１２は、例えば、自身に対向するソース電極やゲート電極と同様の形状を有している。
【００１５】
第２接合部材３２は、はんだや銀ペーストや金属焼結体などの導電性接合材を採用できる。本実施形態では、第２接合部材３２としてはんだを採用する。よって、以下においては、第２接合部材３２を第２はんだ３２と記載することもある。
【００１６】
なお、回路基板１０は、絶縁基材１１を介して導体パターンが積層された積層基板であっても採用できる。更に、回路基板１０は、リードフレームであっても採用できる。リードフレームは、例えば、主にＣｕによって構成されたものや、主にＡｌによって構成されたものや、主にＦｅによって構成されたものなどを採用できる。
【００１７】
半導体素子２０は、動作することで熱を発する素子であり、ＭＯＳＦＥＴやＩＧＢＴなどの所謂パワー素子を採用できる。よって、半導体素子２０としてパワー素子を採用した場合、半導体素子２０は、大電流に対応しており、高放熱の対策が要求されることになる。また、半導体素子２０は、両面に電極が形成されたベアチップ状態の素子であり縦型素子と言える。この半導体素子２０は、例えば、主にＳｉによって構成された素子や、主にＳｉＣによって構成された素子などを採用できる。
【００１８】
本実施形態では、一例として、一面にドレイン電極が形成され、一面の反対面にゲート電極とソース電極が形成された半導体素子２０を採用する。ドレイン電極は、特許請求の範囲における第１電極に相当する。一方、ゲート電極とソース電極は、特許請求の範囲における第２電極に相当する。半導体素子２０の反対面とは、半導体素子２０が回路基板１０に実装された状態において、回路基板１０と対向する面である。
【００１９】
なお、ドレイン電極は、ゲート電極やソース電極よりも面積が広い。また、ソース電極は、ゲート電極よりも面積が広い。ここでの面積とは、半導体素子２０におけるゲート電極、ソース電極の形成面や、ドレイン電極の形成面に沿う面の面積である。
【００２０】
ドレイン電極は、例えば、平面形状が矩形形状をなしており、表面が平坦に形成されている。同様に、ソース電極及びゲート電極は、例えば、平面形状が矩形形状をなしており、表面が平坦に形成されている。
【００２１】
半導体素子２０は、上記のように、第２はんだ３２を介して回路基板１０に実装されている。詳述すると、半導体素子２０は、ゲート電極とソース電極の夫々が第２はんだ３２を介して、回路基板１０と接続されている。
【００２２】
なお、半導体素子２０は、一面にゲート電極とエミッタ電極が形成され、反対面にコレクタ電極が形成された素子であっても採用できる。
【００２３】
クリップ５０は、特許請求の範囲における導電性接続部材に相当する。クリップ５０は、Ｃｕなどの金属を主成分とした部材である。クリップ５０は、第１対向部５１、第２対向部５２、連結部５３を備えて構成されている。クリップ５０は、例えば、均一な厚みの金属板を屈曲させることで、第１対向部５１、第２対向部５２、連結部５３が形成されている。よって、クリップ５０は、第１対向部５１、第２対向部５２、連結部５３を含む一体物である。また、クリップ５０は、第１対向部５１の一方の端部のみに連結部５３と第２対向部５２が形成されている。更に、クリップ５０は、吸い取り部５４を備えて構成されている。
【００２４】
第１対向部５１は、ドレイン電極に対向して第１接合部材３１が接続された接続部５５を含む部位である。よって、第１対向部５１は、第１接合部材３１によってドレイン電極と接続されている。第１対向部５１は、ドレイン電極と対向する面が平坦面をなしている。このため、接続部５５は、平坦に形成されている。
【００２５】
また、接続部５５は、ドレイン電極が対向する部位である。接続部５５は、ドレイン電極と同じ形状をなしている。そして、接続部５５とドレイン電極は、互いの対向面の全領域が対向している。よって、接続部５５は、第１対向部５１におけるドレイン電極の投影領域とも言える。このため、図２の符号５５は、ドレイン電極の平面形状とみなすこともできる。なお、第１接合部材３１に関しては、後程詳しく説明する。
【００２６】
第２対向部５２は、回路基板１０に対向しており回路基板１０のパッド１２と接続された部位である。第２対向部５２は、第２はんだ３２によってパッド１２に接続されている。連結部５３は、第１対向部５１と第２対向部５２とを連結している部位である。また、連結部５３は、第１対向部５１に対して屈曲された部位とも言える。
【００２７】
このように、クリップ５０は、ドレイン電極に接続されている。このため、半導体素子２０から発せられた熱は、ドレイン電極からクリップ５０の第１対向部５１に伝達される。よって、クリップ５０は、半導体素子２０から発せられた熱がドレイン電極から放熱されやすくなるように設けられていると言える。従って、クリップ５０は、半導体素子２０から発せられた熱を放熱する放熱部材としての機能に加えて、半導体素子２０と回路基板１０との間における電流経路としての機能を有していると言える。なお、クリップ５０は、放熱部材としての要求と、電流経路としての要求を満たす厚みであると好ましい。
【００２８】
本実施形態では、金属板を屈曲させることで形成されたクリップ５０を採用している。しかしながら、本発明は、これに限定されない。本発明は、第１対向部５１と、第２対向部５２と、第１対向部５１と第２対向部５２とを連結している連結部５３を備えていればよい。
【００２９】
第１接合部材３１は、上記のように、ドレイン電極とクリップ５０とを接続している。第１接合部材３１は、第２接合部材３２と同様に、はんだや銀ペーストや金属焼結体などの導電性接合材を採用できる。また、本実施形態では、第１接合部材３１としてはんだを採用する。よって、以下においては、第１接合部材３１を第１はんだ３１と記載することもある。
【００３０】
例えば、半導体素子２０とクリップ５０とは、半導体素子２０が回路基板１０に実装される前に、リフロー工程によって第１はんだ３１で接合される。つまり、電子装置１００は、半導体素子２０とクリップ５０とが第１はんだ３１で接続された構造体を製造した後に、この構造体を回路基板１０に実装する。なお、第１はんだ３１は、リフロー後においてドレイン電極と接続部５５との対向領域の全域を満たす程度に供給され、リフロー工程が実施される。しかしながら、第１はんだ３１の供給量はばらつくこともありうる。
【００３１】
第１はんだ３１内には、ドレイン電極と接続部５５との対向領域全域の間隔を規定するための金属ボール４０が配置されている。つまり、金属ボール４０は、ドレイン電極と接続部５５とを平行に保つための部材と言える。また、金属ボール４０は、ドレイン電極と接続部５５との間隔の下限を規定する部材とも言える。更に、金属ボール４０は、第１はんだ３１の厚みの下限を規定する部材とも言える。
【００３２】
金属ボール４０は、第１はんだ３１が溶融した状態でも、ドレイン電極と接続部５５との間隔を維持する必要がある。このため、金属ボール４０は、融点温度が第１はんだ３１の融点温度及び硬化温度よりも高い材料で形成されている。例えば、金属ボール４０は、Ｎｉを主成分として形成されたＮｉボールなどを採用できる。以下においては、特に断りがない場合、ドレイン電極と接続部５５との対向領域を対向領域と記載する。
【００３３】
金属ボール４０は、ドレイン電極と接続部５５とを平行に保つために、対向領域に均等に配置されると好ましい。また、金属ボール４０は、接続部５５の四隅のうちの少なくとも三か所に配置されると、ドレイン電極と接続部５５とを平行に保つことができる。なお、第１はんだ３１は、金属ボール４０を含有する接合部材とも言える。また、第１はんだ３１は、ドレイン電極と接続部５５とを平行に保つためのスペーサとして金属ボール４０を含んでいると言える。
【００３４】
吸い取り部５４は、クリップ５０における半導体素子２０との対向面に設けられている。詳述すると、吸い取り部５４は、第１対向部５１におけるドレイン電極と対向する面側であり、且つ、接続部５５の周辺に設けられている。吸い取り部５４は、対向領域外の第１はんだ３１を吸い取る部位である。つまり、吸い取り部５４は、ドレイン電極と接続部５５とを接続している第１はんだ３１のうち、対向領域からはみ出した余剰分を吸い取る部位である。また、吸い取り部５４は、第１はんだ３１の余剰分が流れ込んでくる単なる窪みとは異なり、余剰分を積極的に吸い取る部位であるため吸収部とも言える。
【００３５】
吸い取り部５４は、一例として、毛細管現象によって第１はんだ３１の余剰分を吸い取るものを採用する。吸い取り部５４は、図２に示すように、毛細管現象によって第１はんだ３１の余剰分を吸い取るための複数の溝が形成されている。言い換えると、第１対向部５１は、吸い取り部５４として、第１はんだ３１の余剰分を毛細管現象によって吸い取り可能な細さの複数の溝が平行に形成されている。よって、吸い取り部５４は、平行溝構造とも言える。更に、吸い取り部５４は、毛細管現象を促進する部位である毛管現象促進部とも言える。
【００３６】
また、吸い取り部５４の各溝は、例えば、接続部５５の各辺に対する直交方向に沿って設けられている。つまり、各溝は、接続部５５の各辺に直交する仮想直線に沿って設けられている。しかしながら、各溝は、仮想直線に対して９０度より小さい角度で傾いていてもよい。この吸い取り部５４の溝は、第１対向部５１を例えばレーザ加工することで形成できる。
【００３７】
第１はんだ３１は、対向領域からあふれる場合、どの方向にもあふれる可能性がある。このため、吸い取り部５４は、図２に示すように、接続部５５の各辺に対応して設けられている。また、吸い取り部５４は、接続部５５の各辺に沿って、複数の溝が設けられていると言える。更に、第１対向部５１は、接続部５５の四方に吸い取り部５４が設けられているとも言える。
【００３８】
第１はんだ３１は、対向領域からあふれた場合、吸い取り部５４に達すると、毛細管現象によって、吸い取り部５４に吸い取られる。また、吸い取り部５４には、リフロー工程のプレヒート時に析出されるフラックスが付着する可能性がある。よって、吸い取り部５４は、フラックスが付着すると、第１はんだ３１の余剰分を吸い取りやすくなる。
【００３９】
なお、吸い取り部５４は、接続部５５に接して設けられていると、ドレイン電極と接続部５５との接続に必要な分の第１はんだ３１まで吸い取る可能性がある。このため、吸い取り部５４は、接続部５５に接していない方が好ましい。しかしながら、吸い取り部５４は、接続部５５から離れ過ぎると、第１はんだ３１の余剰分を吸い取り難くなる可能性がある。このため、吸い取り部５４は、接続部５５から離れ過ぎない方が好ましい。よって、吸い取り部５４と接続部５５との間隔は、第１はんだ３１の余剰分の量、第１はんだ３１の余剰分の到達距離などの経験値などによって設定することができる。
【００４０】
以上のように、電子装置１００は、放熱機能を有したクリップ５０で半導体素子２０と回路基板１０とを電気的及び機械的に接続しているため、半導体素子２０を回路基板１０と導通させつつ、半導体素子２０を放熱できる。また、電子装置１００は、半導体素子２０のドレイン電極と、第１対向部５１の接続部５５とを接続している第１はんだ３１内に、対向領域全域の間隔を規定するための金属ボール４０が配置されている。このため、電子装置１００は、第１はんだ３１の量がばらついたとしても、ドレイン電極に対して第１対向部５１が傾くことを抑制できる。言い換えると、電子装置１００は、金属ボール４０を有しているので、クリップ５０の実装高さや傾きのばらつきを抑えられることができる。よって、電子装置１００は、ドレイン電極に対して第１対向部５１が傾くことで放熱性が低下することを抑制できる。
【００４１】
また、電子装置１００は、対向領域に金属ボール４０が配置されているため、金属ボール４０の加工ばらつき程度に、クリップ５０の実装高さや傾きのばらつきを抑えられることができる。金属ボール４０は、比較的、高精度に加工することができる。例えば、対向領域の間隔の狙い値を８０μｍとした場合、金属ボール４０の直径は、８０μｍとすることになる。この場合、金属ボール４０としてのＮｉボールの直径ばらつきは、１μｍ程度である。
【００４２】
更に、電子装置１００は、第１対向部５１における接続部５５の周辺に、対向領域外の第１はんだ３１を吸い取る吸い取り部５４が形成されている。このため、電子装置１００は、第１はんだ３１の量が多すぎて、対向領域外に第１はんだ３１があふれた場合であっても、吸い取り部５４で第１はんだ３１の余剰分を吸い取ることができる。よって、電子装置１００は、対向領域外にあふれた第１はんだ３１がソース電極やゲート電極と接触して、ドレイン電極がソース電極やゲート電極とショートすることを抑制できる。なお、電子装置１００は、金属ボール４０を備えているため、第１はんだ３１が吸い取り部５４に吸い取られ過ぎても、ドレイン電極と接続部５５との間隔を狙い通りの間隔とすることができる。
【００４３】
特に、電子装置１００は、要求電流容量が大きい場合や要求熱抵抗が小さい場合、ドレイン電極と接続部５５との接合面積を広くとる必要がある。よって、電子装置１００は、第１はんだ３１の供給量を減らし難い。このような場合、電子装置１００は、第１はんだ３１の余剰分がでやすい。しかしながら、電子装置１００は、上記のように吸い取り部５４を有しているため、電流容量や熱抵抗の要求に対応しやすい。
【００４４】
なお、吸い取り部５４は、環状に設けられていると、第１はんだ３１の余剰分を吸い取りやすくて好ましい。つまり、吸い取り部５４は、図２の接続部５５の四隅に対向する位置にも設けられていると好ましい。
【００４５】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明した。しかしながら、本発明は、上述した実施形態に何ら制限されることはなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、種々の変形が可能である。以下に、本発明の変形例１〜７に関して説明する。上述の実施形態及び変形例１〜７は、夫々単独で実施することも可能であるが、適宜組み合わせて実施することも可能である。本発明は、実施形態において示された組み合わせに限定されることなく、種々の組み合わせによって実施可能である。
【００４６】
（変形例１）
図３を用いて、変形例１の電子装置１００ａに関して説明する。ここでは、電子装置１００ａと電子装置１００とで異なる点を中心に説明する。電子装置１００ａと電子装置１００とで同様の点に関しては、同じ符号を付与して説明を省略する。電子装置１００ａは、金属ボール４０ａを備えている点で電子装置１００と異なる。
【００４７】
電子装置１００ａは、第２はんだ３２に金属ボール４０ａが配置されている。なお、金属ボール４０ａは、金属ボール４０と同様の材料を採用できる。
【００４８】
金属ボール４０ａは、パッド１２とソース電極、及びパッド１２とゲート電極とを平行に保つと共に、パッド１２と、第２対向部５２におけるパッド１２との対向面とを平行に保つための部材と言える。また、金属ボール４０ａは、回路基板１０と半導体素子２０との間隔、及び回路基板１０と第２対向部５２との間隔の下限値を規定する部材とも言える。更に、金属ボール４０ａは、第２はんだ３２の厚みの下限を規定する部材とも言える。金属ボール４０ａは、このように平行を保つために、パッド１２とソース電極などの対向領域に均等に配置されると好ましい。また、金属ボール４０ａは、各パッドの四隅のうちの少なくとも三か所に配置されると、平行に保つことができる。
【００４９】
例えば、電子装置１００は、構造体を製造した後にリフロー工程によって、回路基板１０と半導体素子２０とが第２はんだ３２で接続されると共に、回路基板１０とクリップ５０とが第２はんだ３２で接続される。第２はんだ３２は、このリフロー工程後において、パッド１２とソース電極との対向領域の全域、パッド１２とゲート電極との対向領域の全域、及び第２対向部５２とパッド１２との対向領域の全域を満たす程度に供給され、リフロー工程が実施される。ところが、第２はんだ３２の供給量はばらつくころもありうる。
【００５０】
しかしながら、電子装置１００ａは、第２はんだ３２の量がばらついたとしても、金属ボール４０ａを備えているため、回路基板１０に対して半導体素子２０と第２対向部５２が傾くことを抑制できる。よって、電子装置１００ａは、ドレイン電極に対して第１対向部５１が傾くことを電子装置１００よりも抑制できる。このため、電子装置１００ａは、放熱性が低下することを電子装置１００よりも抑制できる。なお、電子装置１００ａは、電子装置１００と同様の効果を奏することができる。
【００５１】
（変形例２）
図４を用いて、変形例２の電子装置１００ｂに関して説明する。ここでは、電子装置１００ｂと電子装置１００ａとで異なる点を中心に説明する。電子装置１００ｂと電子装置１００ａとで同様の点に関しては、同じ符号を付与して説明を省略する。電子装置１００ａは、金属ボール４０ａのかわりにソルダーレジスト１３を備えている点で電子装置１００ａと異なる。
【００５２】
電子装置１００ｂは、回路基板１０と半導体素子２０との間、及び回路基板１０と第２対向部５２との間に、ソルダーレジスト１３を備えている。
【００５３】
ソルダーレジスト１３は、パッド１２とソース電極、及びパッド１２とゲート電極とを平行に保つと共に、パッド１２と、第２対向部５２におけるパッド１２との対向面とを平行に保つための部材と言える。また、ソルダーレジスト１３は、回路基板１０と半導体素子２０との間隔、及び回路基板１０と第２対向部５２との間隔の下限値を規定する部材とも言える。更に、ソルダーレジスト１３は、第２はんだ３２の厚みの下限を規定する部材とも言える。ソルダーレジスト１３は、各パッドの四隅のうちの少なくとも三か所に配置されると、平行に保つことができる。
【００５４】
電子装置１００ｂは、電子装置１００ａと同様の効果を奏することができる。また、ソルダーレジスト１３は、重ね塗り回数によって、厚みを制御することが可能である。よって、電子装置１００ｂは、パッド１２とソース電極などを平行に保ちやすい。
【００５５】
（変形例３）
図５，図６を用いて、変形例３の電子装置１００ｃに関して説明する。ここでは、電子装置１００ｃと電子装置１００とで異なる点を中心に説明する。電子装置１００ｃと電子装置１００とで同様の点に関しては、同じ符号を付与して説明を省略する。電子装置１００ｃは、クリップ５０ａの形状、吸い取り部５４ａの位置が電子装置１００と異なる。
【００５６】
電子装置１００ｃは、クリップ５０ａを備えている。クリップ５０ａは、第１対向部５１ａ、第２対向部５２ａ、連結部５３ａ、吸い取り部５４ａを備えて構成されている。クリップ５０ａは、半導体素子２０に対する第１対向部５１ａの大きさ、吸い取り部５４ａの形成位置がクリップ５０と異なる。なお、第２対向部５２ａは、第２対向部５２と同様である。また、連結部５３ａは、連結部５３と同様である。
【００５７】
第１対向部５１ａは、図６に示すように、接続部５５の周辺領域のうち、接続部５５から連結部５３ａまでの領域が、その他の領域よりも広く設けられている。そして、吸い取り部５４ａは、図５、図６に示すように、接続部５５から連結部５３ａまでの領域のみに設けられている。つまり、吸い取り部５４ａは、接続部５５の一つの辺に沿って設けられている。よって、電子装置１００ｃは、対向領域における吸い取り部５４ａに近い位置からあふれた第１はんだ３１を積極的に吸い取ることができる。なお、吸い取り部５４ａは、上記吸い取り部５４や、下記吸い取り部５４ｂ，５４ｃと同様のものを採用できる。
【００５８】
また、電子装置１００は、第２はんだ３２の供給量にばらつきが生じることがある。例えば、半導体素子２０は、ゲート電極の面積よりもソース電極の面積の方が広い。そして、第２はんだ３２は、例えば印刷工法にて供給される場合、ソース電極とゲート電極とで印刷マスクの開口面積差による印刷転写率差が発生する。印刷転写率は、印刷マスクの開口面積広い方が小さくなる傾向がある。よって、第２はんだ３２は、ソース電極上よりもゲート電極上の方が厚くなる。つまり、半導体素子２０は、回路基板１０からの高さが、ソース電極側よりもゲート電極側の方が高くなるように傾く可能性がある。
【００５９】
よって、電子装置１００ｃは、半導体素子２０が傾いた場合に低くなる側に、吸い取り部５４ａが設けられていることになる。つまり、吸い取り部５４ａは、第１対向部５１ａにおける、傾いた半導体素子２０の高い方から低い方へ向かう延長線上に設けられている。よって、電子装置１００ｃは、ソース電極側の第１はんだ３１を十分に吸い取ることができる。
【００６０】
なお、本発明は、上記実施形態と同様に、接続部５５の各辺に対応して吸い取り部が設けられており、且つ、接続部５５の一つの辺に対応して設けられた吸い取り部５４ａが他の吸い取り部よりも面積が広く設けられていてもよい。
【００６１】
電子装置１００ｃは、電子装置１００と同様の効果を奏することができる。また、電子装置１００ｃは、吸い取り部５４ａのみが設けられているため、電子装置１００よりも効率的に目的を達成できる。
【００６２】
（変形例４）
図７を用いて、変形例４の電子装置に関して説明する。ここでは、変形例４の電子装置は、吸い取り部５４ｂの構成が電子装置１００と異なる。変形例４と変形例１とで同様の点に関しては、同じ符号を付与して説明を省略する。
【００６３】
図７に示すように、クリップ５０ｂは、吸い取り部５４ｂが形成されている。この吸い取り部５４ｂは、毛細管現象によって第１はんだ３１を吸い取るための金属ウールが形成されている。第１対向部５１は、金属ウールからなる吸い取り部５４ｂが貼り付けられた部位である。金属ウールとは、金属が繊維構造をなしている部材である。これによって、変形例４の電子装置は、電子装置１００と同様の効果を奏することができる。
【００６４】
（変形例５）
図８を用いて、変形例５の電子装置に関して説明する。ここでは、変形例５の電子装置は、吸い取り部５４ｃの構成が電子装置１００と異なる。変形例５と変形例１とで同様の点に関しては、同じ符号を付与して説明を省略する。
【００６５】
図８に示すように、クリップ５０ｃは、吸い取り部５４ｃが形成されている。この吸い取り部５４ｃは、吸い取り部５４などとは異なり、毛細管現象によって第１はんだ３１を吸い取るものではない。吸い取り部５４ｃは、例えばＡｕめっきなど、めっき加工された部位である。Ａｕめっきは、はんだとの濡れ性が良好である。よって、対向領域からあふれた第１はんだ３１は、吸い取り部５４ｃに吸い取られる。これによって、変形例５の電子装置は、電子装置１００と同様の効果を奏することができる。
【００６６】
（変形例６）
図９を用いて、変形例６の電子装置１００ｄに関して説明する。ここでは、電子装置１００ｄと電子装置１００とで異なる点を中心に説明する。電子装置１００ｄと電子装置１００とで同様の点に関しては、同じ符号を付与して説明を省略する。電子装置１００ｄは、クリップ５０ｄの形状が電子装置１００と異なる。
【００６７】
クリップ５０ｄは、第１対向部５１ｄ、第２対向部５２ｄ、連結部５３ｄ、吸い取り部５４ｄを備えて構成されている。クリップ５０ｄは、クリップ５０と異なり、第１対向部５１ｄの両端夫々に連結部５３ｄを介して第２対向部５２ｄが形成されている。
【００６８】
第１対向部５１ｄは、両端に連結部５３ｄが形成されている点が第１対向部５１と異なるものの、その他の点は第１対向部５１と同様である。また、各第２対向部５２ｄは、第２対向部５２と同様である。連結部５３ｄは、連結部５３と同様である。吸い取り部５４ｄは、上記吸い取り部５４、５４ｂ，５４ｃと同様のものを採用できる。
【００６９】
電子装置１００ｄは、電子装置１００と同様の効果を奏することができる。また、電子装置１００ｄは、クリップ５０ｄが二か所の第２対向部５２ｄで回路基板１０と接続されているので、回路基板１０と半導体素子２０との接続強度を電子装置１００よりも向上できる。
【００７０】
（変形例７）
図１０を用いて、変形例７の電子装置１００ｅに関して説明する。ここでは、電子装置１００ｅと電子装置１００ｄとで異なる点を中心に説明する。電子装置１００ｅと電子装置１００ｄとで同様の点に関しては、同じ符号を付与して説明を省略する。電子装置１００ｅは、主にクリップ５０ｅの形状が電子装置１００ｄと異なる。
【００７１】
クリップ５０ｅは、第１対向部５１ｅ、第２対向部５２ｅ、連結部５３ｅ、吸い取り部５４ｅを備えて構成されている。クリップ５０ｅは、第１対向部５１ｅの両端夫々に連結部５３ｅを介して第２対向部５２ｅが形成されている。また、クリップ５０ｅは、クリップ５０ｄと異なり、第１対向部５１ｅに対して、屈曲することなく第２対向部５２ｅが形成されている。このように、クリップ５０ｅは、第１対向部５１ｅ、第２対向部５２ｅ、連結部５３ｅを含む平板状の部材である。なお、吸い取り部５４ｅは、吸い取り部５４ｄと同様である。
【００７２】
電子装置１００ｅは、回路基板１０と第２対向部５２ｅとを接続するために、第３接合部材３３、ターミナル６０を備えている。つまり、電子装置１００ｅは、第２接合部材３２上に、ターミナル６０と第３接合部材３３とがこの順番で積層されている。
【００７３】
第３接合部材３３は、第１接合部材３１や第２接合部材３２と同様の材料を採用できる。また、第３接合部材３３は、金属ボール４０と同様の金属ボール４０ｂが配置されている。そして、第３接合部材３３は、第１接合部材３１と同様の厚みに設けられている。この第３接合部材３３は、ターミナル６０と第２対向部５２ａを接続している。なお、金属ボール４０ｂは、設けられていなくてもよい。
【００７４】
ターミナル６０は、金属を主成分としたブロック体であり、半導体素子２０と同様の厚みに設けられている。ターミナル６０は、第２接合部材３２及び第３接合部材３３に接続されている。
【００７５】
これによって、電子装置１００ｅは、平板状のクリップ５０ｅであっても採用できる。また、電子装置１００ｅは、電子装置１００ｄと同様の効果を奏することができる。
【符号の説明】
【００７６】
１０  回路基板、１１  絶縁基材、１２  パッド、２０  半導体素子、３１  第１接合部材、３２  第２接合部材、４０  金属ボール、５０  クリップ、５１  第１対向部、５２  第２対向部、５３  連結部、５４  吸い取り部、１００  電子装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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