(57)【要約】【課題】複数の処理装置及び検査装置を有する基板処理システムにおいて、欠陥検査を適正に行う。【解決手段】基板に対して塗布現像処理を行う基板処理システムは、ウェハＷに所定の処理を行う処理装置を備えた複数の処理ユニットＡ１〜Ａ３と、処理ユニットＡ１〜Ａ３で処理されたウェハＷを撮像してそれぞれ欠陥検査を行う周辺露光検査装置４１と、処理ユニット内の処理装置間でウェハＷを搬送するウェハ搬送装置を有している。ウェハＷの欠陥検査においては、各周辺露光検査装置４１の間で最先に取得された基板画像を基準画像として設定し、この基準画像に基づいて、各処理ユニットで別個に処理された全てのウェハについて欠陥の有無を判定する。【選択図】図１１
2016146404.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に対して塗布現像処理を行う基板処理システムであって、
基板に所定の処理を施す複数の処理装置を備えた処理ユニットと、
前記処理ユニット内の前記各処理装置間で基板を搬送する基板搬送機構と、
前記処理ユニットで処理された基板の表面を撮像する撮像部を備えた欠陥検査装置と、
以下（１）〜（４）の規則に従って欠陥検査を行うように前記欠陥検査装置及び前記基板搬送機構を制御する制御装置と、を有し、
前記処理ユニット、前記基板搬送機構及び前記欠陥検査装置は複数設けられ、
前記各基板搬送機構による基板の搬送ルートは互いに独立していることを特徴とする、基板処理システム。
（１）前記各処理ユニットで処理された基板を予め定められた前記各欠陥検査装置に搬送するように前記基板搬送機構は制御される
（２）前記各欠陥検査装置に搬入された基板は撮像部で撮像されて基板画像が取得される
（３）同一ロットの基板の基板画像のうち、前記各欠陥検査装置の間で最先に取得された基板画像に基づいて基準画像が生成され、当該基準画像が全ての前記欠陥検査装置に共通の基準画像として設定される
（４）前記各欠陥検査装置で取得された基板画像と前記基準画像とが比較されて欠陥の有無が判定される
【請求項２】
前記制御装置では、
前記基準画像が生成される前に、前記基準画像の元となる基板画像以外の基板画像が前記欠陥検査装置で取得された場合は、前記基板画像の画素値の平均値を算出し、前記基準画像の元となる基板画像の画素値の平均値と、前記基準画像の元となる基板画像以外の基板画像の画素値の平均値とが比較され、当該平均値の差分が閾値を超えた場合に欠陥有りと判定され、
前記基準画像が生成された後は、当該基準画像と前記各欠陥検査装置で取得された基板画像とが比較されて欠陥の有無が判定されることを特徴とする、請求項１に記載の基板処理システム。
【請求項３】
前記基板搬送機構は、横方向に延伸する搬送路上を移動し、
前記処理ユニット内の前記各処理装置は、前記搬送路上を移送する前記基板搬送機構の搬送経路に沿って配置されていることを特徴とする、請求項１または２のいずれか一項に記載の基板処理システム。
【請求項４】
前記処理ユニットは、上下方向に多段に積層して設けられていることを特徴とする、請求項３に記載の基板処理システム。
【請求項５】
前記欠陥検査装置は、前記処理ユニットの設置数と同数設けられていることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一項に記載の基板処理システム。
【請求項６】
基板に対して塗布現像処理を行う基板処理システムにおける欠陥検査方法であって、
前記基板処理システムは、
基板に所定の処理を施す複数の処理装置を備えた処理ユニットと、
前記処理ユニット内の前記各処理装置間で基板を搬送する基板搬送機構と、
前記処理ユニットで処理された基板の表面を撮像する撮像部を備えた欠陥検査装置と、を有し、
前記処理ユニット、前記基板搬送機構及び前記欠陥検査装置は複数設けられ、
前記各基板搬送機構による基板の搬送ルートは互いに独立しており、
前記欠陥検査方法は、以下（１）〜（４）の規則に従って行われることを特徴とする、欠陥検査方法。
（１）前記各処理ユニットで処理された基板は、前記各基板搬送機構により、予め定められた前記欠陥検査装置に搬送される
（２）前記各欠陥検査装置に搬入された基板は撮像部で撮像されて基板画像が取得される
（３）同一ロットの基板の基板画像のうち、前記各欠陥検査装置の間で最先に取得された基板画像に基づいて基準画像が生成され、当該基準画像が全ての前記欠陥検査装置に共通の基準画像として設定される
（４）前記各欠陥検査装置で取得された基板画像と前記基準画像とが比較されて欠陥の有無が判定される
【請求項７】
前記基準画像が生成される前に、前記基準画像の元となる基板画像以外の基板画像が前記欠陥検査装置で取得された場合は、前記基板画像の画素値の平均値を算出し、前記基準画像の元となる基板画像の画素値の平均値と、前記基準画像の元となる基板画像以外の基板画像の画素値の平均値とが比較され、当該平均値の差分が閾値を超えた場合に欠陥有りと判定され、
前記基準画像が生成された後は、当該基準画像と前記各欠陥検査装置で取得された基板画像とが比較されて欠陥の有無が判定されることを特徴とする、請求項６に記載の欠陥検査方法。
【請求項８】
請求項６または７のいずれかに一項に記載の欠陥検査方法を、基板処理システムによって実行させるように、当該基板処理システムを制御する制御装置のコンピュータ上で動作するプログラム。
【請求項９】
請求項８に記載のプログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板に所定の処理を行う基板処理システム、当該基板処理システムにおける欠陥検査方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの製造におけるフォトリソグラフィ処理では、例えば基板としての半導体ウェハ（以下、「ウェハ」という。）上にレジスト液を塗布してレジスト膜を形成するレジスト塗布処理、ウェハ周縁部の不要なレジスト膜を選択的に露光する周辺露光処理、周縁部が露光されたレジスト膜に所定のパターンを露光する露光処理、露光後にレジスト膜内の化学反応を促進させる加熱処理（ポストエクスポージャーベーキング）、露光されたレジスト膜を現像する現像処理などが順次行われる。これにより、ウェハ上に所定のレジストのパターンが形成される。これらの一連の処理は、露光装置、及びウェハを処理する各種処理装置やウェハを搬送する搬送機構などを搭載した塗布現像処理システムにより行われている。
【０００３】
特許文献１に記載されるように、塗布現像処理システムでは、例えば１つの処理装置で異常が発生したり、メンテナンスを行ったりするときに、塗布現像処理システム全体を停止させないように処理装置の多重化、冗長化が行われている。
【０００４】
具体的には、レジスト塗布処理や現像処理を行う各種液処理装置、周辺露光処理を行う周辺露光装置、加熱処理を行う熱処理装置など、一連のフォトリソグラフィ処理を実行する処理装置を例えばウェハの処理順に水平方向に沿って並べると共に、これら各処理装置の並びに沿ってウェハの搬送機構を設けて１単位の処理ユニット（以下、１単位の処理ユニットを「単位ユニット」という場合がある）とする。そして、この単位ユニットを上下に多段に積層する。これにより、例えばいずれかの単位ユニット中で異常が発生した場合やメンテナンスを行っている場合であっても、それ以外の単位ユニットでは停止している単位ユニットと干渉することなく引き続きウェハの処理を続行することができる。
【０００５】
このような塗布現像処理システムには、ウェハに対していわゆるマクロ欠陥検査を行う検査装置が設けられている。検査装置では、所定の照明下でウェハを例えばＣＣＤラインセンサなどの撮像装置により撮像してウェハの撮像画像を取得する。そして、取得した撮像画像を基準となるウェハ（基準ウェハ）の画像（基準画像）と比較することで、欠陥の有無を判定する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１４−１６０８６９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、上述の塗布現像処理システムにおいて検査装置も含めた多重化を行う場合、当該検査装置も含めて単位ユニットを構成するか、あるいは単位ユニットと同数の検査装置を設けることが好ましい。そうすることで、例えばいずれかの検査装置に異常が発生した場合でも、他の単位ユニットでは、引き続き検査を含めたウェハ処理を続行することができる。
【０００８】
単位ユニットを多段に積層した塗布現像処理システムに検査装置を複数設ける場合、各検査装置ごとに基準画像が設定されるのが通常である。具体的には、ある検査装置により、どの単位ユニットで処理された基板の欠陥検査を行うかが予め対応付けらており、当該対応付けられた単位ユニットで処理された同一ロットのウェハのうち、最初に処理された（最初に検査装置に搬入された）ウェハの撮像画像がその検査装置における基準画像として設定される。そして、検査装置と対応付けられた単位ユニットで処理された後続のウェハの欠陥検査は、この基準画像に基づいて行われる。
【０００９】
かかる場合においては、例えばある単位ユニットの処理装置に何らかの異常が生じ、それにより欠陥を有するウェハが最先のウェハとして検査装置に搬入されると、その単位ユニットの欠陥検査においては欠陥を有するウェハの撮像画像が基準画像として採用されることがある。そうすると、同一の単位ユニットで処理された後続のウェハに同様の欠陥が生じた場合であっても、検査装置では後続のウェハの欠陥を検出できず、欠陥を有するウェハが大量に生産されてしまうという問題が生じる。
【００１０】
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、複数の処理装置及び検査装置を有する基板処理システムにおいて、欠陥検査を適正に行うことを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
前記の目的を達成するため、本発明は、基板に対して塗布現像処理を行う基板処理システムであって、基板に所定の処理を施す複数の処理装置を備えた処理ユニットと、前記処理ユニット内の前記各処理装置間で基板を搬送する基板搬送機構と、前記処理ユニットで処理された基板の表面を撮像する撮像部を備えた欠陥検査装置と、以下（１）〜（４）の規則に従って欠陥検査を行うように前記欠陥検査装置及び前記基板搬送機構を制御する制御装置と、を有し、前記処理ユニット、前記基板搬送機構及び前記欠陥検査装置は複数設けられ、前記各基板搬送機構による基板の搬送ルートは互いに独立していることを特徴とする、基板処理システム。
（１）前記各処理ユニットで処理された基板を予め定められた前記各欠陥検査装置に搬送するように前記基板搬送機構は制御される
（２）前記各欠陥検査装置に搬入された基板は撮像部で撮像されて基板画像が取得される
（３）同一ロットの基板の基板画像のうち、前記各欠陥検査装置の間で最先に取得された基板画像に基づいて基準画像が生成され、当該基準画像が全ての前記欠陥検査装置に共通の基準画像として設定される
（４）前記各欠陥検査装置で取得された基板画像と前記基準画像とが比較されて欠陥の有無が判定される
【００１２】
本発明によれば、同一ロットの基板画像のうち、各欠陥検査装置の間で最先に取得された基板画像を基準画像として設定する。そして、この基準画像に基づいて全ての基板画像について、換言すれば、各処理ユニットで別個に処理された全ての基板について、共通する単一の基準画像で欠陥の有無を判定する。かかる場合、仮に欠陥を有する基板が欠陥検査装置に最先で搬入され、基準画像が欠陥を含んだものとなった場合は、他の健全な処理ユニットで処理された基板が欠陥有りと判定されるので、基板処理システムに何らかの異常が発生したことを直ちに検出できる。またその反対に、最先の基板が健全なものであった場合、同一ロットの後続の基板に欠陥が生じれば、通常通りその異常を直ちに検出することができる。したがって、処理装置及び検査装置を複数備えた基板処理システムにおいて、欠陥検査を適正に行うことができる。
【００１３】
前記制御装置では、前記基準画像が生成される前に、前記基準画像の元となる基板画像以外の基板画像が前記欠陥検査装置で取得された場合は、前記基板画像の画素値の平均値を算出し、前記基準画像の元となる基板画像の画素値の平均値と、前記基準画像の元となる基板画像以外の基板画像の画素値の平均値とが比較され、当該平均値の差分が閾値を超えた場合に欠陥有りと判定され、前記基準画像が生成された後は、当該基準画像と前記各欠陥検査装置で取得された基板画像とが比較されて欠陥の有無が判定されてもよい。
【００１４】
前記基板搬送機構は、横方向に延伸する搬送路上を移動し、前記処理ユニット内の前記各処理装置は、前記搬送路上を移送する前記基板搬送機構の搬送経路に沿って配置されていてもよい。
【００１５】
前記処理ユニットは、上下方向に多段に積層して設けられていてもよい。
【００１６】
前記欠陥検査装置は、前記処理ユニットの設置数と同数設けられていてもよい。
【００１７】
別の観点による本発明は、基板に対して塗布現像処理を行う基板処理システムにおける欠陥検査方法であって、前記基板処理システムは、基板に所定の処理を施す複数の処理装置を備えた処理ユニットと、前記処理ユニット内の前記各処理装置間で基板を搬送する基板搬送機構と、前記処理ユニットで処理された基板の表面を撮像する撮像部を備えた欠陥検査装置と、を有し、前記処理ユニット、前記基板搬送機構及び前記欠陥検査装置は複数設けられ、前記各基板搬送機構による基板の搬送ルートは互いに独立しており、前記欠陥検査方法は、以下（１）〜（４）の規則に従って行われることを特徴としている。
（１）前記各処理ユニットで処理された基板は、前記各基板搬送機構により、予め定められた前記欠陥検査装置に搬送される
（２）前記各欠陥検査装置に搬入された基板は撮像部で撮像されて基板画像が取得される
（３）同一ロットの基板の基板画像のうち、前記各欠陥検査装置の間で最先に取得された基板画像に基づいて基準画像が生成され、当該基準画像が全ての前記欠陥検査装置に共通の基準画像として設定される
（４）前記各欠陥検査装置で取得された基板画像と前記基準画像とが比較されて欠陥の有無が判定される
【００１８】
前記基準画像が生成される前に、前記基準画像の元となる基板画像以外の基板画像が前記欠陥検査装置で取得された場合は、前記基板画像の画素値の平均値を算出し、前記基準画像の元となる基板画像の画素値の平均値と、前記基準画像の元となる基板画像以外の基板画像の画素値の平均値とが比較され、当該平均値の差分が閾値を超えた場合に欠陥有りと判定され、前記基準画像が生成された後は、当該基準画像と前記各欠陥検査装置で取得された基板画像とが比較されて欠陥の有無が判定されてもよい。
【００１９】
また別な観点による本発明によれば、前記欠陥検査方法を、基板処理システムによって実行させるように、当該基板処理システムを制御する制御装置のコンピュータ上で動作するプログラムが提供される。
【００２０】
さらに別な観点による本発明によれば、前記プログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体が提供される。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、複数の処理装置及び検査装置を有する基板処理システムにおいて、欠陥検査を適正に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本実施の形態にかかる基板処理システムの構成の概略を示す平面図である。
【図２】本実施の形態にかかる基板処理システムの構成の概略を示す正面図である。
【図３】本実施の形態にかかる基板処理システムの構成の概略を示す背面図である。
【図４】第１のブロック内の各処理装置のレイアウトを模式的に示す側面図である。
【図５】第２のブロック内の各処理装置のレイアウトを模式的に示す側面図である。
【図６】周辺露光検査装置の構成の概略を示す横断面図である。
【図７】周辺露光検査装置の構成の概略を示す縦断面図である。
【図８】周辺露光検査装置でウェハの撮像を行う様子を示す説明図である。
【図９】各処理ユニットと各周辺露光検査装置におけるウェハの処理の順序を模式的に示す説明図である。
【図１０】各処理ユニットと各周辺露光検査装置におけるウェハの処理の順序を模式的に示す説明図である。
【図１１】各処理ユニットと各周辺露光検査装置におけるウェハの処理の順序を模式的に示す説明図である。
【図１２】各処理ユニットと各周辺露光検査装置におけるウェハの処理の順序を模式的に示す説明図である。
【図１３】周辺露光検査装置からウェハを搬出する様子を示す説明図である。
【図１４】ウェハの欠陥検査のフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、本発明の実施の形態について説明する。図１は、本実施の形態にかかる基板処理システム１の構成の概略を示す説明図である。図２及び図３は、各々基板処理システム１の内部構成の概略を模式的に示す、正面図と背面図である。なお、本実施の形態では、基板処理システム１がウェハＷに対して塗布現像処理を行う塗布現像処理システムである場合を例にして説明する。
【００２４】
基板処理システム１は、図１に示すように複数枚のウェハＷを収容したカセットＣが搬入出されるカセットステーション１０と、ウェハＷに所定の処理を施す複数の各種処理装置を備えた処理ステーション１１と、処理ステーション１１に隣接する露光装置１２との間でウェハＷの受け渡しを行うインターフェイスステーション１３とを一体に接続した構成を有している。
【００２５】
カセットステーション１０には、カセット載置台２０が設けられている。カセット載置台２０には、基板処理システム１の外部に対してカセットＣを搬入出する際に、カセットＣを載置するカセット載置板２１が複数設けられている。
【００２６】
カセットステーション１０には、図１に示すようにＸ方向に延びる搬送路２２上を移動自在なウェハ搬送装置２３が設けられている。ウェハ搬送装置２３は、上下方向及び鉛直軸周り（θ方向）にも移動自在であり、各カセット載置板２１上のカセットＣと、後述する処理ステーション１１の第３のブロックＧ３の受け渡し装置との間でウェハＷを搬送できる。
【００２７】
処理ステーション１１には、各種装置を備えた複数例えば４つのブロックＧ１、Ｇ２、Ｇ３、Ｇ４が設けられている。例えば処理ステーション１１の正面側（図１のＸ方向負方向側）には、第１のブロックＧ１が設けられ、処理ステーション１１の背面側（図１のＸ方向正方向側）には、第２のブロックＧ２が設けられている。また、処理ステーション１１のカセットステーション１０側（図１のＹ方向負方向側）には、第３のブロックＧ３が設けられ、処理ステーション１１のインターフェイスステーション１３側（図１のＹ方向正方向側）には、第４のブロックＧ４が設けられている。
【００２８】
例えば第１のブロックＧ１には、図４に示すように複数の液処理装置、例えばウェハＷを現像処理する現像処理装置３０、ウェハＷのレジスト膜の下層に反射防止膜（以下「下部反射防止膜」という）を形成する下部反射防止膜形成装置３１、ウェハＷにレジスト液を塗布してレジスト膜を形成するレジスト塗布装置３２、ウェハＷのレジスト膜の上層に反射防止膜（以下「上部反射防止膜」という）を形成する上部反射防止膜形成装置３３がそれぞれ複数配置されている。第１のブロックＧ１の各液処理装置３０〜３３は、処理時にウェハＷを収容するカップＦ、カップ内でウェハＷを吸着保持しながら回転させるスピンチャック（図示せず）、ウェハＷに対して所定の塗布液を供給する塗布ノズルを有している。
【００２９】
これら各液処理装置３０〜３３は、ウェハＷ処理の順序に従って下から上、及びカセットステーション１０側からインターフェイスステーション１３側（図４の左側から右側）に順に配置されている。具体的には、図４に示すように、第１のブロックＧ１の最下段には、カセットステーション１０側からインターフェイスステーション１３側に向かってこの順で下部反射防止膜形成装置３１、レジスト塗布装置３２、上部反射防止膜形成装置３３が配置されている。この下部反射防止膜形成装置３１、レジスト塗布装置３２及び上部反射防止膜形成装置３３により液処理ユニットＭ１が構成される。この液処理ユニットＭ１の上面には、液処理ユニットＭ１と同一の構成を有する液処理ユニットＭ２、Ｍ３が積層して設けられている。即ち、液処理ユニットＭ１、Ｍ２、Ｍ３は上下方向に３段積層して設けられている。
【００３０】
液処理ユニットＭ３の上面には、３つの現像処理装置３０が水平方向に並んで配置されている。この３つの現像処理装置３０は、液処理ユニットＭ４を構成している。この液処理ユニットＭ４の上面には、当該液処理ユニットＭ４と同一の構成を有する液処理ユニットＭ５、Ｍ６が３段に積層して設けられている。したがって、第１のブロックＧ１は、６段の液処理ユニットＭ１〜Ｍ６を有している。なお、各液処理ユニットＭ１〜Ｍ６の配置や設置数などは本実施の形態の内容に限定されるものではなく、任意に設定できる。
【００３１】
例えば図５に示すように、第２のブロックＧ２には、複数の処理装置が水平方向に並べられて構成された熱処理ユニットＴ１〜Ｔ６が、第１のブロックＧ１の各液処理ユニットＭ１〜Ｍ６と同程度の高さに、下から上にこの順で上下方向に積層して設けられている。
【００３２】
図５に示すように、各熱処理ユニットＴ１〜Ｔ３のカセットステーション１０側（図５の左側）には、ウェハＷに対して熱処理を行う熱処理装置４０が水平方向にそれぞれ例えば３つ並んで配置されている。各熱処理ユニットＴ１〜Ｔ３のインターフェイスステーション１３側（図５の右側）には、ウェハＷ上のレジスト膜の周縁部に対して周辺露光処理を行うと共に、当該周辺露光処理が終了したウェハＷの欠陥を検査する周辺露光検査装置４１が１つずつ配置されている。即ち、各熱処理ユニットＴ１〜Ｔ３には、３つの熱処理装置４０と一つの周辺露光検査装置４１がそれぞれカセットステーション１０側からインターフェイスステーション１３側に向けてこの順で並んで配置されている。熱処理装置４０は、ウェハＷを載置して加熱する熱板と、ウェハＷを載置して冷却する冷却板を有し、加熱処理と冷却処理の両方を行うことができる。周辺露光検査装置４１の構成については後述する。
【００３３】
例えば第３のブロックＧ３には、レジスト液とウェハＷとの定着性を高めるためのアドヒージョン装置４２と、受け渡し装置４３がそれぞれ複数配置されている。アドヒージョン装置４２は、液処理ユニットＭ１〜Ｍ３及び熱処理ユニットＴ１〜Ｔ３と同程度の高さにそれぞれ配置されている。受け渡し装置４３は、液処理ユニットＭ１〜Ｍ６及び熱処理ユニットＴ１〜Ｔ６と同程度の高さにそれぞれ配置されている。なお、図２、図３では、液処理ユニットＭ１〜Ｍ３及び熱処理ユニットＴ１〜Ｔ３と同程度の高さの受け渡し装置４３については、描図を省略している。
【００３４】
第４のブロックＧ４には、複数の受け渡し装置６０が、各液処理ユニットＭ１〜Ｍ６及び熱処理ユニットＴ１〜Ｔ６と同程度の高さにそれぞれ配置されている。
【００３５】
図１に示すように第１のブロックＧ１〜第４のブロックＧ４に囲まれた領域には、ウェハ搬送領域Ｄが形成されている。ウェハ搬送領域Ｄには、例えばＹ方向、Ｘ方向、θ方向及び上下方向に移動自在な搬送アームを有し、図示しない搬送路上を移動する、基板搬送機構としてのウェハ搬送装置７０が配置されている。ウェハ搬送装置７０の搬送路（図示せず）は、各液処理ユニットＭ１〜Ｍ６及び各熱処理ユニットＴ１〜Ｔ６と同程度の高さにそれぞれ水平方向に沿って配置されている。即ち、ウェハ搬送装置７０は複数設けられており、例えば本実施の形態では、図３に示すように、下から順にウェハ搬送装置７０ａ〜７０ｆが、各液処理ユニットＭ１〜Ｍ６及び各熱処理ユニットＴ１〜Ｔ６と同程度の高さに配置されている。したがって、例えばウェハ搬送装置７０ａにより、同程度の高さに配置された液処理ユニットＭ１、熱処理ユニットＴ１及びアドヒージョン装置４２の間で、他のウェハ搬送装置７０ｂ〜７０ｆと干渉することなくウェハＷを搬送することができる。その結果、液処理ユニットＭ１、熱処理ユニットＴ１、及び液処理ユニットＭ１や熱処理ユニットＴ１と同程度の高さに配置されたアドヒージョン装置４２により、他の液処理ユニットＭ２〜Ｍ６、熱処理ユニットＴ２〜Ｔ６と干渉することなく一連のウェハ処理を行うことが可能となる。
【００３６】
同様に、各ウェハ搬送装置７０ｂ〜７０ｆも、他のウェハ搬送装置７０ａ〜７０ｆと干渉することなく各液処理ユニットＭ２〜Ｍ６、各熱処理ユニットＴ２〜Ｔ６、各アドヒージョン装置４２及び受け渡し装置４３の間でウェハＷを搬送できる。そのため、各液処理ユニットＭ２〜Ｍ６、各熱処理ユニットＴ２〜Ｔ６、各アドヒージョン装置４２においても、それぞれ別個独立して一連のウェハ処理を行うことができる。
【００３７】
なお、本実施の形態では、例えば液処理ユニットＭ１と熱処理ユニットＴ１及びアドヒージョン装置４２により処理ユニットＡ１が形成されている。また、同様に、液処理ユニットＭ２、Ｍ３と熱処理ユニットＴ２、Ｔ３及びアドヒージョン装置４２、４２によりそれぞれ処理ユニットＡ２、Ａ３が形成されている。そして、例えば処理ユニットＡ１で処理されたウェハＷは、同じく処理ユニットＡ１の周辺露光検査装置４１で検査され、処理ユニットＡ２、Ａ３で処理されたウェハＷは、同じく処理ユニットＡ２、Ａ３の周辺露光検査装置４１で検査される。換言すれば、各処理ユニットＡ１〜Ａ３で処理されたウェハＷを、各ウェハ搬送装置７０ａ〜７０ｃによりどの周辺露光検査装置４１に搬送するかは予め定められている。
【００３８】
図１に示すように第３のブロックＧ３のＸ方向正方向側の隣には、ウェハ搬送装置９０が設けられている。ウェハ搬送装置９０は、例えばＸ方向、θ方向及び上下方向に移動自在な搬送アームを有している。ウェハ搬送装置９０は、ウェハＷを支持した状態で上下に移動して、第３のブロックＧ３内の各アドヒージョン装置４２、各受け渡し装置４３の間でウェハＷを搬送できる。
【００３９】
インターフェイスステーション１３には、ウェハ搬送装置１００と受け渡し装置１０１が設けられている。ウェハ搬送装置１００は、例えばＹ方向、θ方向及び上下方向に移動自在な搬送アームを有している。ウェハ搬送装置１００は、例えば搬送アームにウェハＷを支持して、第４のブロックＧ４内の各受け渡し装置６０、受け渡し装置１０１及び露光装置１２との間でウェハＷを搬送できる。
【００４０】
次に、上述した周辺露光検査装置４１の構成について説明する。周辺露光検査装置４１は、図６及び図７に示すように処理容器１１０を有している。処理容器１１０のウェハ搬送領域Ｄ側（図６及び図７のＸ方向負方向側）の側面には、ウェハＷを搬入出させる搬入出口１１１が形成されている。搬入出口１１１には、開閉シャッタ１１２が設けられている。
【００４１】
処理容器１１０の内部には、ウェハＷを吸着保持する保持部１２０が設けられている。保持部１２０は、水平な上面を有し、当該上面には、例えばウェハＷを吸引する吸引口（図示せず）が設けられている。この吸引口からの吸引により、ウェハＷを保持部１２０上に吸着保持できる。
【００４２】
保持部１２０には、図７に示すように保持部１２０を回転させる駆動部１２１が取り付けられている。処理容器１１０の底面には、処理容器１１０内を延伸するガイドレール１２２が設けられている。駆動部１２１は、ガイドレール１２２上に設けられている。そのため保持部１２０は、ガイドレール１２２に沿って、周辺露光検査装置４１の外部との間でウェハＷの受け渡しを行う受渡位置Ｐ１とウェハＷの周縁部に対して周辺露光処理を行う周辺露光位置Ｐ２との間で移動できる。
【００４３】
処理容器１１０の内部であって周辺露光位置Ｐ２には、保持部１２０に保持されたウェハＷの周縁部の位置を検出する位置検出センサ１３０が設けられている。位置検出センサ１３０は例えばＣＣＤカメラ（図示せず）を有し、保持部１２０に保持されたウェハＷの中心からの偏心量やウェハＷのノッチ部の位置を検出する。
【００４４】
処理容器１１０の内部には、保持部１２０に保持されたウェハＷ上のレジスト膜の周縁部に光を照射して露光する露光部１４０が設けられている。露光部１４０には、当該露光部１４０に光を供給する光源装置としてのランプハウス１４１が設けられている。ランプハウス１４１の内部には、超高圧水銀ランプ（図示せず）や超高圧水銀ランプからの光を集光する集光ミラー（図示せず）が設けられている。これら露光部１４０とランプハウス１４１は、周辺露光位置Ｐ２よりＸ方向正方向側、すなわち処理容器１１０のＸ方向正方向端部に配置されている。
【００４５】
処理容器１１０の内部には、保持部１２０に保持されたウェハＷを撮像する撮像部１５０が設けられている。撮像部１５０は、周辺露光位置Ｐ２よりＸ方向正方向側、すなわち処理容器１１０のＸ方向正方向端部であって、露光部１４０とランプハウス１４１の上方に配置されている。撮像部１５０には、例えばＣＣＤカメラが用いられる。また、撮像部１５０は、後述する制御装置２００に接続されている。撮像部１５０で撮像したウェハＷの撮像画像（以下、ウェハＷの撮像画像を「基板画像」という場合がある）は制御装置２００に入力される。
【００４６】
処理容器１１０の内部であって受渡位置Ｐ１と周辺露光位置Ｐ２との間には、照明を照射する照明部１５２と、保持部１２０に保持されたウェハＷと撮像部１５０との間で形成される光路の方向を変更させる方向変換部１５３とが設けられている。照明部１５２と方向変換部１５３は、撮像部１５０と対向する位置にそれぞれ設けられ、且つ保持部１２０に保持されたウェハＷの上方にそれぞれ設けられている。また、これら照明部１５２と方向変換部１５３は、例えば支持部材（図示せず）によって処理容器１１０に固定されている。
【００４７】
方向変換部１５３は、図７に示すようにそれぞれ所定の角度傾斜した第１の反射鏡１５４、第２の反射鏡１５５及び第３の反射鏡１５６を有している。第１の反射鏡１５４は、照明部１５２の下方に設けられている。当該第１の反射鏡１５４には例えばハーフミラーが用いられ、水平方向から４５度傾斜して設けられている。そのため、照明部１５２からの照明は第１の反射鏡を通過して鉛直方向下方に照射されウェハＷ上で反射する。また、ウェハＷから鉛直方向上方に反射された光は、第１の反射鏡１５４で反射して周辺露光位置Ｐ２側（図７のＸ方向正方向側）に水平方向に進行する。
【００４８】
第２の反射鏡１５５は、第１の反射鏡１５４と対向する位置であって、第１の反射鏡１５４より周辺露光位置Ｐ２側（図７のＸ方向正方向側）に配置されており、第３の反射鏡１５６は、第１の反射鏡１５４と第２の反射鏡１５５との間であって、これら第１の反射鏡１５４と第２の反射鏡１５５の上方に配置されている。そして、第２の反射鏡１５５と第３の反射鏡１５６の傾斜角は同一に設定されている。そのため、第２の反射鏡１５５からの光は、第３の反射鏡１５６で反射して周辺露光位置Ｐ２側（図７のＸ方向正方向側）に水平方向に進行し、撮像部１５０に取り込まれ、撮像部１５０でウェハＷが撮像される。
【００４９】
以上の基板処理システム１には、図１に示すように制御装置２００が設けられている。制御装置２００は、例えばコンピュータであり、プログラム格納部（図示せず）を有している。プログラム格納部には、基板処理システム１におけるウェハＷの処理や搬送、ウェハＷの欠陥検査などを実行するプログラムが格納されている。なお、前記プログラムは、例えばコンピュータ読み取り可能なハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルデスク（ＭＯ）、メモリーカードなどのコンピュータに読み取り可能な記憶媒体Ｈに記録されていたものであって、その記憶媒体Ｈから制御装置２００にインストールされたものであってもよい。
【００５０】
次に、以上のように構成された基板処理システム１を用いて行われるウェハＷの処理方法について説明する。
【００５１】
先ず、同一ロットの複数枚のウェハＷを収容したカセットＣが、カセットステーション１０の所定のカセット載置板２１に載置される。その後、ウェハ搬送装置２３によりカセットＣ内の各ウェハＷが順次取り出され、処理ステーション１１の第３のブロックＧ３の各受け渡し装置４３に順次搬送される。なお、以下では、カセットＣから最初に取り出されたウェハＷをウェハＷ１、それ以降に取り出されたウェハＷを、取り出された順にウェハＷＮ（Ｎは２以上の整数）として表記する。
【００５２】
次に、例えばウェハＷ１〜Ｗ３は、ウェハ搬送装置７０ａ〜７０ｃによって第２のブロックＧ２の熱処理ユニットＴ１〜Ｔ３にそれぞれ搬送され、熱処理装置４０で温度調節される。その後ウェハＷ１〜Ｗ３は、ウェハ搬送装置７０ａ〜７０ｃによって第１のブロックＧ１の液処理ユニットＭ１〜Ｍ３の下部反射防止膜形成装置３１にそれぞれ搬送され、ウェハＷ上に下部反射防止膜が形成される。
【００５３】
次にウェハＷは、各ウェハ搬送装置７０ａ〜７０ｃにより第３のブロックＧ３のアドヒージョン装置４２にそれぞれ搬送され、アドヒージョン処理される。その後ウェハＷは、ウェハ搬送装置７０ａ〜７０ｃによって熱処理装置４０に搬送され、温度調節される。
【００５４】
その後ウェハＷ１〜Ｗ３は、ウェハ搬送装置７０ａ〜７０ｃによって各液処理ユニットＭ１〜Ｍ３のレジスト塗布装置３２に搬送され、ウェハＷ１〜Ｗ３上にそれぞれレジスト膜が形成される。
【００５５】
その後ウェハＷ１〜Ｗ３は、各ウェハ搬送装置７０ａ〜７０ｃによって熱処理装置４０に搬送されて、プリベーク処理される。その後ウェハＷ１〜Ｗ３は、ウェハ搬送装置７０ａ〜７０ｃによって各液処理ユニットＭ１〜Ｍ３の上部反射防止膜形成装置３３に搬送され、ウェハＷ１〜Ｗ３上に上部反射防止膜が形成される。その後ウェハＷ１〜Ｗ３は、ウェハ搬送装置７０ａ〜７０ｃによって熱処理装置４０に搬送されて、加熱され、温度調節される。
【００５６】
その後ウェハＷ１〜Ｗ３は、ウェハ搬送装置７０ａ〜７０ｃによって周辺露光検査装置４１にそれぞれ搬送される。そして、周辺露光検査装置４１において、ウェハＷ上のレジスト膜の周縁部に対して周辺露光処理が行われ、当該周辺露光処理が終了したウェハＷ１〜Ｗ３の欠陥の検査が行われる。なお、この周辺露光検査装置４１におけるウェハＷ１〜Ｗ３の周辺露光処理と欠陥検査の詳細については後述する。
【００５７】
そして、周辺露光検査装置４１において欠陥があると判定されたウェハＷは、その後ウェハ搬送装置２３によって所定のカセット載置板２１のカセットＣに搬送される。一方、周辺露光検査装置４１において欠陥がなく正常であると判定されたウェハＷは、第４のブロックＧ４の受け渡し装置６２に搬送される。なお、本実施の形態では、ウェハＷ１、Ｗ３が欠陥無し（正常）、ウェハＷ２が欠陥有り（異常）であると判断されたものとして説明する。
【００５８】
その後ウェハＷ１、Ｗ３は、インターフェイスステーション１３のウェハ搬送装置１００によって露光装置１２に搬送され、露光処理される。欠陥有りと判定されたウェハＷ２は、カセットＣに回収される。
【００５９】
露光処理後のウェハＷ１、Ｗ３は、ウェハ搬送装置１００によって露光装置１２から第４のブロックＧ４の受け渡し装置６０のうち、例えば液処理ユニットＭ４、Ｍ６及び熱処理ユニットＴ４、Ｔ６と同程度の高さの受け渡し装置６０にそれぞれ搬送される。その後、ウェハＷ１、Ｗ３は、ウェハ搬送装置７０ｄ、７０ｆによって熱処理装置４０に搬送され、露光後ベーク処理される。その後、ウェハＷは、ウェハ搬送装置７０ｄ、７０ｆによって例えば各液処理ユニットＭ４、Ｍ６の現像処理装置３０に搬送され、現像処理される。現像終了後、ウェハＷ１、Ｗ３は、ウェハ搬送装置７０ａ、７０ｃによって熱処理装置４０に搬送され、ポストベーク処理される。こうして、各処理ユニットＡ１〜Ａ３により、並行し且つ別個独立して一連のフォトリソグラフィ工程が行われる。
【００６０】
その後、フォトリソグラフィ工程を終えたウェハＷ１、Ｗ３は、ウェハ搬送装置７０ａ、７０ｃによって第３のブロックＧ３の受け渡し装置４３に搬送され、その後カセット載置板２１のカセットＣに搬送される。そして、この一連のフォトリソグラフィ工程が、後続のウェハＷ４〜ＷＮにおいても順次行われる。
【００６１】
次に、上述した周辺露光検査装置４１における周辺露光処理及びウェハＷの検査について説明する。なお、ここでは、ウェハＷ１、ウェハＷ２、ウェハＷ３の順に、それぞれ熱処理ユニットＴ１、Ｔ２、Ｔ３の周辺露光検査装置４１に搬入されたものとして説明する。
【００６２】
ウェハ搬送装置７０ａによって熱処理ユニットＴ１の周辺露光検査装置４１に搬送されたウェハＷ１は、先ず、受渡位置Ｐ１において保持部１２０に受け渡される。その後、駆動部１２１によって保持部１２０を受渡位置Ｐ１から周辺露光位置Ｐ２側に所定速度で移動させる。
【００６３】
保持部１２０に保持されたウェハＷ１が周辺露光位置Ｐ２に移動すると、駆動部１２１によってウェハＷ１を回転させつつ、露光部１４０からウェハＷ１の周縁部の所定の位置に光が照射され、ウェハＷ１上のレジスト膜の周縁部が露光処理される。
【００６４】
その後、図８に示すように駆動部１２１によって保持部１２０を周辺露光位置Ｐ２から受渡位置Ｐ１側に所定速度で移動させる。そして、ウェハＷ１が第１の反射鏡１５４の下を通過する際に、照明部１５２からウェハＷに対して照明を照らす。この照明によるウェハＷ１上での反射光は、第１の反射鏡１５４、第２の反射鏡１５５及び第３の反射鏡１５６で反射して、光路Ｌに沿って進行し、撮像部１５０に取り込まれる。そして、撮像部１５０によってウェハＷ１が撮像される。撮像されたウェハＷの画像は制御装置２００に出力される。後続のウェハＷ２、Ｗ３についても、同様にレジスト膜の周辺部の露光処理及び撮像部１５０による撮像が行われる。
【００６５】
制御装置２００では、ウェハＷ１〜Ｗ３の内、最先で取得されたウェハＷ１の基板画像に基づいて、欠陥検査の際の基準となる基準画像を生成する。それと共に制御装置２００では、このウェハＷ１の基板画像に基づいて生成された基準画像を、熱処理ユニットＴ１〜Ｔ３の各周辺露光検査装置４１での欠陥検査の際に共通の基準画像として設定する。したがって、このウェハＷ１については、実質的には周辺露光検査装置４１での欠陥検査は行われない。
【００６６】
なお基準画像の作成法の一例としては、ウェハＷの標準的な基板画像に、疑似欠陥と判定されうる色むらを有する基板画像を合成して作成するという手法がある。疑似欠陥とは、実際には欠陥ではないものの、撮像された基板画像上で色むらなどが生じることにより、欠陥と判定されるものである。そして、本実施の形態では、ウェハＷの標準的な基板画像として最先に取得されたウェハＷ１の基板画像が用いられる。
【００６７】
そして、同一ロットの後続のウェハＷ２、Ｗ３が処理ユニットＡ２、Ａ３の各周辺露光検査装置４１で撮像され、制御装置２００に各ウェハＷ２、Ｗ３の基板画像が入力されると、制御装置２００では、基準画像とウェハＷ２の基板画像及びウェハＷ３の基板画像が比較される。そして、制御装置２００では、基準画像と各基板画像とを比較し、両者に規定以上の差異があれば欠陥有りと、差異が規定未満であれば欠陥無しと、それぞれ判定する。このように、最先に基板画像が取得されたウェハＷ１の基板画像を、同一ロットの後続のウェハＷ２〜ＷＮの欠陥検査において基準画像として用いることで、本実施の形態の基板処理システム１のように、ウェハＷを並行して処理する処理ユニットＡ１〜Ａ３及び各処理ユニットＡ１〜Ａ３で処理されたウェハＷを別個に検査する検査装置（本実施の形態では、周辺露光検査装置４１）を備えた基板処理システム１に特有の不具合を解消することができる。以下、具体的に説明する。
【００６８】
例えば本実施の形態のように、並行して３つの処理ユニットＡ１〜Ａ３でウェハＷの処理及び検査を行う場合、例えば図９に示すように、ウェハＷ１、Ｗ４、Ｗ７が順次、処理ユニットＡ１で、ウェハＷ２、Ｗ５、Ｗ８が順次、処理ユニットＡ２で、ウェハＷ３、Ｗ６、Ｗ９が順次、処理ユニットＡ３で処理され、各処理ユニットＡ１〜Ａ３に対応する周辺露光検査装置４１で欠陥の検査が行われる。
【００６９】
かかる場合において、例えば各処理ユニットＡ１〜Ａ３の周辺露光検査装置４１毎に独立して基準画像を設定する場合、各周辺露光検査装置４１毎に最先で取得された基板画像を基準画像として設定するのが通常である。しかしながら、このように基準画像を設定すると、例えば図１０に示すように、処理ユニットＡ２において最先のウェハであるウェハＷ２に欠陥が生じたときに、基準画像が欠陥を含んだものとなってしまう場合がある。そうすると、後続のウェハＷ５、Ｗ８は、この欠陥を含んだ基準画像との比較により欠陥が判定されることとなるが、例えば後続のウェハＷ５、Ｗ８においても同様の欠陥が生じると、これら後続のウェハＷ５、Ｗ８も欠陥無しと判定されてしまう。そうすると、処理ユニットＡ２で処理された後続のウェハに同様の欠陥が生じた場合であっても、周辺露光検査装置４１では後続のウェハの欠陥を検出できず、欠陥を有するウェハＷが大量に生産されてしまうという問題が生じる。特に、塗布現像処理では、例えば液処理装置において塗布ノズルを移動させるアームから当該塗布ノズルが脱落してしまうトラブルや、カップＦ内の気流の異常、アームの駆動系の異常などにより、同様の欠陥が連続して発生することが多いため、欠陥を検出できないことの不利益は甚大なものとなる。なお、図１０では、欠陥が生じたウェハＷであって、その欠陥が周辺露光検査装置４１で検出されないウェハ、或いは周辺露光検査装置４１で検査される前のウェハを、「ｄｅｆ」と表記している。そして、各周辺露光検査装置４１毎に独立して基準画像を設定すると、上述の通り、後続のウェハＷ５、Ｗ８は、周辺露光検査装置４１で検査された後も、依然として「ｄｅｆ」のままとなる。
【００７０】
そこで、本実施の形態では、上述のように、各処理ユニットＡ１〜Ａ３で処理されたウェハＷ１〜Ｗ３の内、最先で取得されたウェハＷの基板画像に基づいて、欠陥検査の際の基準となる基準画像を生成する。それと共に制御装置２００では、このウェハＷ１の基板画像に基づいて生成された基準画像を、全ての周辺露光検査装置４１に対して共通の基準画像として設定する。それにより、例えば欠陥を有さないウェハＷ１が最先のウェハであり、基準画像がウェハＷ１の基板画像に基づいて生成された場合は、後続のウェハＷ２で欠陥が生じた場合、図１１に示すように、そのウェハＷ２に異常が生じていることを検出できる。なお、図１１では、欠陥有りと判定されたウェハＷに「ｆａｉｌ」と表記している。同様に欠陥を有する「ｄｅｆ」の状態である後続のウェハＷ５、Ｗ８についても、周辺露光検査装置４１で検査後に、順次異常を検出することができる。即ち、ウェハＷ５、Ｗ８については「ｆａｉｌ」の状態となる。
【００７１】
また、仮に、最先のウェハＷ１に欠陥が生じており、全ての周辺露光検査装置４１に対して共通の基準画像が欠陥を含むものとなった場合であっても、図１２に示すように、他の健全な処理ユニットＡ２、Ａ３で処理、検査されるウェハＷ２、Ｗ３において、欠陥有りと判定され、この状態が継続するため、基板処理システム１に何らかの異常が発生していることを速やかに検知することができる。これが、本実施の形態において、最先に基板画像が取得されたウェハＷの基板画像を、同一ロットの後続のウェハＷの欠陥検査において基準画像として用いる理由である。
【００７２】
撮像部１５０による撮像が終了すると、図１３に示すように保持部１２０に保持されたウェハＷ１が周辺露光位置Ｐ２に移動し、保持部１２０からウェハ搬送装置７０ａにウェハＷ１が受け渡される。そして、搬入出口１１１を介してウェハＷ１は周辺露光検査装置４１から搬出される。
【００７３】
以上の実施の形態によれば、同一ロットのウェハＷの基板画像のうち、各周辺露光検査装置４１の間で最先に取得された基板画像を基準画像として設定する。そして、この基準画像に基づいて全てのウェハＷの基板画像について、換言すれば、各処理ユニットＡ１〜Ａ３で別個に処理された全てのウェハＷについて、共通する単一の基準画像で欠陥の有無を判定する。かかる場合、最先の基板が健全なものであれば、同一ロットの後続の基板に欠陥が生じたときに、その異常を直ちに検出することができる。また、その反対に、仮に欠陥を有するウェハＷが周辺露光検査装置４１に最先で搬入され、基準画像が欠陥を含んだものとなった場合であっても、他の健全な処理ユニットで処理された基板が欠陥有りと判定されるので、基板処理システム１に何らかの異常が発生したことを直ちに検出できる。
したがって、複数の処理ユニットＡ１〜Ａ３及び複数の周辺露光検査装置４１を備えた基板処理システム１において、欠陥検査を適正に行うことができる。
【００７４】
また、従来のように、各処理ユニットＡ１〜Ａ３ごとに最先のウェハＷから基準画像を生成すると、ウェハＷ１、Ｗ２、Ｗ３の全てが未検査の状態となるが、本実施の形態のように、最先のウェハＷからのみ基準画像を生成し、後続のウェハＷＮを基準画像に基づいて検査することで、未検査のウェハＷを最小限に抑えることができる。
【００７５】
なお以上の実施の形態では、ウェハＷの基板画像を基準画像と比較することで欠陥の有無を判定したが、制御装置２００で基準画像を作成するには所定の時間を要する。そのため、例えばウェハＷ１の基板画像に基づいて基準画像を作成する間に、後続のウェハＷ２〜ＷＮが順次周辺露光検査装置４１で撮像を終えてしまう場合がある。そうすると、適切なタイミングで欠陥検査を行うことができず、基板処理システム１内でウェハ処理に渋滞が生じてしまう可能性がある。
【００７６】
そこで、基準画像が生成される前に、最先のウェハＷ１以外の基板画像が周辺露光検査装置４１で取得された場合は、基板画像の画素値（輝度）の平均値に基づいて簡易的に欠陥検査を行うようにしてもよい。基板画像からの画素値の抽出及び平均化は、基準画像の作成に要する時間よりも大幅に短い時間で行うことができるので、基板処理システム１内で欠陥検査の遅延に起因するウェハ処理の渋滞を回避することができる。
【００７７】
画素値に基づく欠陥検査について図１４のフローチャートと共に具体的に説明する。先ず、周辺露光検査装置４１でウェハＷ１の基板画像が最先で取得される（図１４のＳ１）。これにより、制御装置２００では、基準画像の作成を行う（図１４のＳ２）。なお、一般に、基準画像の作成時にはウェハＷ１の基板画像の画素値も同時に取得されるため、基準画像の作成時に平行してウェハＷ１の基板画像の画素値の平均値を算出しておいてもよい。次いで、後続のウェハＷＮの基板画像が取得されたときに（図１４のＳ３）、基準画像が生成されていなければ（図１４のＳ４）、換言すれば、基準画像が生成される前に、後続のウェハＷＮの基板画像が取得された場合、後続のウェハＷＮの基板画像の画素値の平均値が算出される（図１４のＳ５）。そして、ウェハＷ１の基板画像の画素値の平均値と、後続のウェハＷＮの基板画像の画素値の平均値とがそれぞれ比較され（図１４のＳ６）、画素値の平均値の差分が閾値以内であれば欠陥無しと、閾値を超えた場合は欠陥有りと、それぞれ判定される（図１４のＳ７、Ｓ８、Ｓ９）。
【００７８】
また、後続のウェハＷＮの基板画像が取得されたときに基準画像の生成が完了している場合、または、当初は画素値の平均値による簡易検査を行い、さらに後続のウェハＷ（Ｎ＋１）の基板画像取得時に基準画像の生成が完了した場合（図１４のＳ４）、基準画像とウェハＷＮ（またはウェハＷ（Ｎ＋１））の基板画像が比較される（図１４のＳ１０）。そして、既述の通り、その差異が規定以上であれば欠陥有り、規定未満であれば欠陥無しと判定される（図１４のＳ１１）。
【００７９】
なお、以上の実施の形態では、後続のウェハＷＮの基板画像が取得されたときに基準画像の生成が完了しているか否かにより欠陥検査方法の選択を行ったが、図１４のＳ４の判断をどのタイミングで行うかについては本実施の形態の内容に限定されるものではなく、任意に設定できる。例えば後続のウェハＷＮが周辺露光検査装置４１に搬入されたタイミングで基準画像の生成状況を確認し、そのタイミングでいずれの方法で欠陥判定を行うかを決定してもよい。また、例えば制御装置２００においては各ウェハＷの搬送プログラムから各ウェハの基板画像の取得タイミングを予測し、後続のウェハＷＮの基板画像取得までに基準画像の生成が完了しないと判断された場合は、画素値の平均値に基づく欠陥検査を行うようにしてもよい。
【００８０】
なお、以上の実施の形態では、ウェハＷに対して周辺露光と欠陥検査を連続して行う周辺露光検査装置４１を用いていたが、周辺露光を行う装置と欠陥検査を行う装置は、夫々個別に設けられていてもよい。
【００８１】
また、例えば各処理ユニットＡ１〜Ａ３を構成する各種処理装置の配置についても、各ウェハ搬送装置７０ａ〜７０ｆにより別箇独立してウェハＷの搬送が可能なように配置されていれば、本実施の形態の内容に限定されるものではなく、任意に設定が可能である。即ち、例えば第２のブロックＧ２に配置されていた周辺露光検査装置４１をインターフェイスステーション１３に配置したり、第３のブロックに配置されていたアドヒージョン装置４２を、処理ステーション１１の第３のブロックＧ３や第４のブロックＧ４に配置してもよい。
【００８２】
なお、処理ユニットＡ１〜Ａ３を構成する処理装置の種類についても本実施の形態の内容に限定されるものではなく、ウェハＷに対して施す処理に応じて任意に設定できる。また、本実施の形態における「処理ユニット」とは、例えばウェハＷの検査を行う検査装置（本実施の形態では周辺露光検査装置４１）にウェハＷが搬入されるまでにウェハＷに対して処理を行う装置の集合的な概念である。したがって、例えば、露光装置１２での処理前に行う欠陥検査に代えて、現像処理後にウェハＷの欠陥検査を行う場合、例えば液処理ユニットＭ４〜Ｍ６に欠陥検査装置が設けられると共に、液処理ユニットＭ４〜Ｍ６もそれぞれ処理ユニットＡ１〜Ａ３に含まれるものと理解される。
【００８３】
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。本発明はこの例に限らず種々の態様を採りうるものである。本発明は、基板がウェハ以外のＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）、フォトマスク用のマスクレチクルなどの他の基板である場合にも適用できる。
【符号の説明】
【００８４】
１    基板処理システム
３０  現像処理装置
３１  下部反射防止膜形成装置
３２  レジスト塗布装置
３３  上部反射防止膜形成装置
３４  裏面洗浄装置
４０  熱処理装置
４１  周辺露光検査装置
４２  アドヒージョン装置
７０  ウェハ搬送装置
１１０  処理容器
１５０  撮像部
２００  制御装置
Ａ１〜Ａ３  処理ユニット
Ｍ１〜Ｍ６  液処理ユニット
Ｔ１〜Ｔ６  熱処理ユニット
Ｌ    光路
Ｐ１  受渡位置
Ｐ２  周辺露光位置
Ｗ    ウェハ
【図１】
2016146404.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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