(57)【要約】【課題】タッチパネル等に組み込んで使用された場合にペン入力に起因し発生する薄膜層と透明導電膜層間の剥離が起こり難い透明導電性積層体とタッチパネルを提供する。【解決手段】透明基材と該透明基材の少なくとも片面に設けられた酸化珪素若しくは窒化珪素から成る薄膜層と透明導電膜層を備え、薄膜層と透明導電膜層が隣接して設けられる透明導電性積層体であって、上記薄膜層と透明導電膜層との間に、酸化インジウムを主成分としかつシリコンを含有する膜厚１ｎｍ以上３０ｎｍ以下の密着層が設けられると共に、上記透明導電膜層が、酸化インジウムを主成分とする膜厚４ｎｍ以上１００ｎｍ以下の薄膜により構成されていることを特徴とする。上記密着層は酸化インジウムを主成分としかつシリコンを含有するため薄膜層と透明導電膜層に対し化学的親和力が強く、薄膜層と透明導電膜層間に発生する剥離を回避できる。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基材と、該透明基材の少なくとも片面に設けられた酸化珪素若しくは窒化珪素から成る薄膜層と透明導電膜層を備え、上記薄膜層と透明導電膜層が隣接して設けられる透明導電性積層体において、
上記薄膜層と透明導電膜層との間に、酸化インジウムを主成分としかつシリコンを含有する膜厚１ｎｍ以上３０ｎｍ以下の密着層が設けられると共に、上記透明導電膜層が、酸化インジウムを主成分とする膜厚４ｎｍ以上１００ｎｍ以下の薄膜により構成されていることを特徴とする透明導電性積層体。
【請求項２】
上記密着層におけるシリコンの含有量がＳｉ／（Ｉｎ＋Ｓｉ）原子数比で０．０２以上０．６以下であることを特徴とする請求項１に記載の透明導電性積層体。
【請求項３】
上記透明導電膜層がスズ若しくはチタンを含有することを特徴とする請求項１に記載の透明導電性積層体。
【請求項４】
上記透明導電膜層におけるスズの含有量がＳｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）原子数比で０．０１以上０．４以下、チタンの含有量がＴｉ／（Ｉｎ＋Ｔｉ）原子数比で０．００２以上０．０８以下であることを特徴とする請求項３に記載の透明導電性積層体。
【請求項５】
上記透明基材が高分子フィルム若しくはガラスで構成され、かつ、酸化珪素若しくは窒化珪素から成る薄膜層の上記密着層とは反対側に位置する面上に、膜厚１〜２０ｎｍでかつ酸化二オブ、酸化タンタル、酸化チタンから選択された少なくとも１種の高屈折率層が設けられていることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の透明導電性積層体。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれかに記載の透明導電性積層体を有することを特徴とするタッチパネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、透明基材と透明導電膜層を備えかつ該透明基材と透明導電膜層間に酸化珪素若しくは窒化珪素から成る薄膜層が介在された透明導電性積層体に係り、特に、タッチパネル等に組み込んで使用された場合に、ペン入力に起因し発生する薄膜層と透明導電膜層間の剥離が起こり難い透明導電性積層体とタッチパネルの改良に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
透明導電膜層を有する透明導電性フィルムや透明導電性ガラス等の透明導電性積層体は、高い導電性と可視光領域での高い透過率を有するため、従来、液晶ディスプレイ、エレクトロルミネッセンスディスプレイ等の表示素子における電極、太陽電池、その他の各種受光素子における電極等に利用されている。また、自動車や建築物の窓ガラス等の熱線反射膜、各種の帯電防止膜、冷凍ショーケース等の防曇用の透明発熱体としても広く利用されている。
【０００３】
透明で電気を通す材料として各種の金属酸化物が知られているが、その中で、透明性が良好でかつ比抵抗が低いことから、一般にＩＴＯと呼ばれるインジウムとスズの酸化物が広く用いられている。特に、プラスチックフィルム上にＩＴＯを成膜した透明導電性フィルムは、低コストでかつ大面積の透明電極を形成できると共に耐衝撃性にも優れていることから、携帯用途の表示機器、調光液晶シート、タッチパネル等に用いられている。
【０００４】
そして、上記タッチパネルには、位置検出の方法により、光学方式、超音波方式、静電容量方式、抵抗膜方式等がある。この内、抵抗膜方式のタッチパネルは、その構造が単純でコストパフォーマンスに優れているため、近年、急速に普及しており、例えば、銀行の現金自動受払機（ＡＴＭ）や交通機関の切符販売機等の表示板に用いられている。
【０００５】
上記抵抗膜方式のタッチパネルは、透明導電性積層体と透明導電性薄膜付ガラスがスペーサーを介し対向配置されており、透明導電性積層体に電流を流し透明導電性薄膜付ガラスに於ける電圧を計測するような構造となっている。そして、指やペン等による押圧操作を介して上記透明導電性積層体を透明導電性薄膜付きガラスに接触させ、その接触部分が通電されることで接触部分の位置が検知される。
【０００６】
ところで、抵抗膜方式のタッチパネルにおいては、指やペン等の押圧操作による度重なる接触のため、上記透明導電性積層体が劣化し、その電気抵抗が上昇することでタッチパネルが正常に動作しなくなる問題が存在した。
【０００７】
そこで、特許文献１においては、上記透明基材（透明高分子フィルム）と透明導電膜層（透明導電膜）間にＳｉＯx層（薄膜層）を介在させることで透明導電性積層体の耐摩擦性を向上させる方法を提案し、特許文献２においては、上記タッチパネルにおける狭額縁化の要請に対処するため透明基材（透明なフィルム基材）と透明導電膜層（透明な導電性薄膜）間にＳｉＯx層とＳｉＯ2層（薄膜層）を介在させてタッチパネルの周縁部近傍でのペン入力耐久性を向上させる方法を提案している。更に、特許文献３においては、透明基材（透明なフィルム基材）上に、高屈折率層、低屈折率層（ＳｉＯ2層等の薄膜層）および透明導電膜層（透明導電性薄膜層）が順に積層された透明導電性フィルムにおいて、上記高屈折率層に用いるＩＴＯ膜を非晶質な膜にすることでタッチパネルのペン入力耐久性を向上させる方法を提案している。
【０００８】
しかしながら、特許文献１〜３で提案された上述の方法を採用しても、度重なるペン入力に起因して酸化珪素等の薄膜層と透明導電膜層間に発生する剥離を防止することが困難なため、依然として透明導電性積層体の劣化を回避できない問題が存在した。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開平８−１３２５５４号公報
【特許文献２】特許第４５０８０７４号公報
【特許文献３】特開２００９−２８３３４８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明はこのような問題点に着目してなされたもので、その課題とするところは、タッチパネル等に組み込んで使用された場合にペン入力に起因し発生する薄膜層（酸化珪素等から成る薄膜層）と透明導電膜層間の剥離が起こり難い透明導電性積層体を提供し、合わせて該透明導電性積層体が組み込まれたタッチパネルを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
すなわち、本発明に係る第１の発明は、
透明基材と、該透明基材の少なくとも片面に設けられた酸化珪素若しくは窒化珪素から成る薄膜層と透明導電膜層を備え、上記薄膜層と透明導電膜層が隣接して設けられる透明導電性積層体において、
上記薄膜層と透明導電膜層との間に、酸化インジウムを主成分としかつシリコンを含有する膜厚１ｎｍ以上３０ｎｍ以下の密着層が設けられると共に、上記透明導電膜層が、酸化インジウムを主成分とする膜厚４ｎｍ以上１００ｎｍ以下の薄膜により構成されていることを特徴とするものである。
【００１２】
また、本発明に係る第２の発明は、
第１の発明に記載の透明導電性積層体において、
上記密着層におけるシリコンの含有量がＳｉ／（Ｉｎ＋Ｓｉ）原子数比で０．０２以上０．６以下であることを特徴とし、
第３の発明は、
第１の発明に記載の透明導電性積層体において、
上記透明導電膜層がスズ若しくはチタンを含有することを特徴とし、
第４の発明は、
第３の発明に記載の透明導電性積層体において、
上記透明導電膜層におけるスズの含有量がＳｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）原子数比で０．０１以上０．４以下、チタンの含有量がＴｉ／（Ｉｎ＋Ｔｉ）原子数比で０．００２以上０．０８以下であることを特徴とする。
【００１３】
次に、本発明に係る第５の発明は、
第１の発明〜第４の発明のいずれかに記載の透明導電性積層体において、
上記透明基材が高分子フィルム若しくはガラスで構成され、かつ、酸化珪素若しくは窒化珪素から成る薄膜層の上記密着層とは反対側に位置する面上に、膜厚１〜２０ｎｍでかつ酸化二オブ、酸化タンタル、酸化チタンから選択された少なくとも１種の高屈折率層が設けられていることを特徴とし、
第６の発明は、
タッチパネルにおいて、
第１の発明〜第５の発明のいずれかに記載の透明導電性積層体を有することを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１４】
第１の発明〜第４の発明に記載の透明導電性積層体は、
透明基材と、該透明基材の少なくとも片面に設けられた酸化珪素若しくは窒化珪素から成る薄膜層と透明導電膜層を備え、上記薄膜層と透明導電膜層が隣接して設けられる透明導電性積層体において、
酸化珪素若しくは窒化珪素から成る薄膜層と透明導電膜層との間に、酸化インジウムを主成分としかつシリコンを含有する膜厚１ｎｍ以上３０ｎｍ以下の密着層が設けられると共に、上記透明導電膜層が、酸化インジウムを主成分とする膜厚４ｎｍ以上１００ｎｍ以下の薄膜により構成されていることを特徴としている。
【００１５】
そして、上記薄膜層と透明導電膜層との間に設けられる密着層は酸化インジウムを主成分としかつシリコンを含有するため、酸化珪素若しくは窒化珪素から成る薄膜層と親和性を有し、かつ、酸化インジウムを主成分とする透明導電膜層とも親和性を有している。
【００１６】
このため、第１の発明〜第４の発明に記載の透明導電性積層体がタッチパネル等に組み込んで使用された場合、酸化インジウムを主成分としかつシリコンを含有する密着層の作用により上記薄膜層と透明導電膜層間の剥離を回避することが可能となる。
【００１７】
また、第５の発明に記載の透明導電性積層体は、
上記透明基材が高分子フィルム若しくはガラスで構成され、かつ、酸化珪素若しくは窒化珪素から成る薄膜層の上記密着層とは反対側に位置する面上に、膜厚１〜２０ｎｍでかつ酸化二オブ、酸化タンタル、酸化チタンから選択された少なくとも１種の高屈折率層が設けられていることを特徴としている。
【００１８】
そして、第５の発明に記載の透明導電性積層体によれば、酸化二オブ、酸化タンタル、酸化チタンから選択された高屈折率層に対して酸化珪素若しくは窒化珪素から成る上記薄膜層は低屈折率層として作用するため、光の干渉効果による反射防止機能を具備させることが可能となる。
【００１９】
更に、第６の発明に記載のタッチパネルによれば、
第１の発明〜第５の発明のいずれかに記載の透明導電性積層体を有していることから酸化珪素若しくは窒化珪素から成る薄膜層と透明導電膜層間の剥離が回避されるため、タッチパネルにおける周縁部近傍でのペン入力耐久性を向上させることが可能となる。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、本発明の実施の形態について詳細に説明する。
【００２１】
本発明に係る透明導電性積層体は、透明基材と、該透明基材の少なくとも片面に設けられた酸化珪素若しくは窒化珪素から成る薄膜層と透明導電膜層を備え、上記薄膜層と透明導電膜層が隣接して設けられる透明導電性積層体において、
酸化珪素若しくは窒化珪素から成る薄膜層と透明導電膜層との間に、酸化インジウムを主成分としかつシリコンを含有する膜厚１ｎｍ以上３０ｎｍ以下の密着層が設けられると共に、上記透明導電膜層が、酸化インジウムを主成分とする膜厚４ｎｍ以上１００ｎｍ以下の薄膜により構成されていることを特徴とするものである。
【００２２】
そして、上記薄膜層と透明導電膜層との間に設けられる密着層は酸化インジウムを主成分としかつシリコンを含有し、酸化珪素若しくは窒化珪素から成る薄膜層と上記密着層はシリコンを共通成分とするため親和性を有し、かつ、酸化インジウムを主成分とする透明導電膜層とも酸化インジウムを共通成分とするため親和性を有している。
【００２３】
従って、本発明に係る透明導電性積層体がタッチパネル等に組み込んで使用された場合、酸化インジウムを主成分としかつシリコンを含有する密着層の作用により薄膜層と透明導電膜層間の剥離を回避することが可能となる。
【００２４】
１．透明基材
（１）透明な高分子フィルムまたはガラスから成る透明基材
本発明に係る透明基材としては透明な高分子フィルムまたはガラスが挙げられる。
【００２５】
上記高分子フィルム基材として、特に制限はないが、加工適正や用途等を考慮した場合、高い透明性を有するプラスチックフィルムが好ましく、例えば、三酢酸セルロース（トリアセチルセルロース）、アセテート等のセルロール系樹脂、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル系樹脂、ポリエチレンメタクレート等のアクリル系樹脂、ポリカーボネート樹脂類、ポリスルフォン樹脂、ポリイミド系樹脂等から成るフィルムが好ましい。これらのフィルムの中で、透明性、耐熱性、強度や伸度等機械的性質等から、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリカーボネートフィルム、トリアセチルセルロースフィルムの使用が特に好ましい。
【００２６】
これ等フィルムの厚さは、通常、１０μｍ以上３００μｍ以下のものが用いられる。フィルムの厚さがあまりに薄いと基材としての機械的強度が不足し、逆にあまりに厚くすると可撓性の不足につながる。
【００２７】
次に、ガラス基材としては、一般的に石英ガラスや青板ガラスを用いることが好ましく、厚さは、通常、０．３ｍｍ以上２．０ｍｍ以下のものが用いられる。
【００２８】
（２）アンカーコート層、ハードコート層および防汚層
透明導電膜層が設けられる側の透明基材面には、例えば、ウレタン系硬化樹脂、フェノキシ系硬化樹脂等から選択されるアンカーコート層を設けてもよく、また、透明導電膜層が設けられる側とは反対の透明基材面には、タッチパネルとした際の耐擦傷性を改善させるハードコート層（例えば、メラニン系樹脂、ウレタン系樹脂、アクリル系樹脂、シリコーン系樹脂等）、および、フッ素有機ケイ素化合物から選択される汚れ防止層としての防汚層を設けてもよい。
【００２９】
２．酸化珪素若しくは窒化珪素から成る薄膜層
（１）酸化珪素若しくは窒化珪素から成る薄膜層
上記透明基材の少なくとも片面（透明導電膜層が設けられる側）には酸化珪素若しくは窒化珪素から成る薄膜層が設けられる。尚、酸化珪素若しくは窒化珪素は、酸素欠損や窒素欠損により価数が変化した状態を取り得る。加えて、薄膜層の厚さは１ｎｍ以上１００ｎｍ以下が好ましい。厚さが１ｎｍ未満の場合、透明基材に対し十分なガスバリア効果やアンカー効果（薄膜層はアンカーコート層としての機能も有する）が得られないため、ペン耐久性が悪化する。また、１００ｎｍを超えた場合、透明性の低下を引き起こすため有効でない。
【００３０】
酸化珪素若しくは窒化珪素から成る薄膜層の形成法は特に限定されず、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法といった物理的気相成長法や公知の成膜法が適宜選択される。尚、上記物理的気相成長法の他、プラズマＣＶＤ法、ゾルゲル法といった化学的気相形成法を適用し、シラザンポリマーを塗布した後に加熱乾燥させる塗布法を適用することも可能である。但し、後述する密着層と透明導電膜層の成膜は物理的気相成長法が好ましいことから、連続成膜が可能となる観点からは、酸化珪素若しくは窒化珪素から成る薄膜層の成膜に物理的気相成長法を用いることが好適である。
【００３１】
尚、アンカーコート層が設けられた透明基材を適用した場合には、該アンカーコート層上に酸化珪素若しくは窒化珪素から成る薄膜層が形成される。
【００３２】
（２）高屈折率層
以下に述べる密着層とは反対側に位置する上記酸化珪素若しくは窒化珪素から成る薄膜層の面上に、酸化二オブ、酸化タンタル、酸化チタンから選択された少なくとも１種の高屈折率層を形成してもよい。高屈折率層が設けられた場合、酸化珪素若しくは窒化珪素から成る上記薄膜層は低屈折率層として作用するため、光の干渉効果による反射防止機能を具備させることが可能となる。高屈折率層の膜厚は１ｎｍ以上２０ｎｍ以下が適当であり、シミュレーションを行い最適な値に設定することが好ましい。
【００３３】
尚、アンカーコート層が設けられた透明基材を適用した場合には、該アンカーコート層上に酸化二オブ、酸化タンタル、酸化チタンから選択された高屈折率層が形成され、該高屈折率層上に酸化珪素若しくは窒化珪素から成る薄膜層が形成される。
【００３４】
３．密着層
上記薄膜層と透明導電膜層間に設けられる密着層は酸化インジウムを主成分としかつシリコンを含有することから、酸化珪素若しくは窒化珪素から成る上記薄膜層とシリコンを共通成分とするため化学的親和性を有し（すなわち、化学的親和力が強く）、かつ、酸化インジウムを主成分とする上記透明導電膜層とも酸化インジウムを共通成分とするため化学的親和性を有している（すなわち、化学的親和力が強い）。
【００３５】
このため、薄膜層と透明導電膜層間に上記密着層が設けられた本発明に係る透明導電性積層体がタッチパネル等に組み込んで使用された場合、酸化インジウムを主成分としかつシリコンを含有する密着層の作用により薄膜層と透明導電膜層間の剥離を回避することが可能となる。
【００３６】
また、密着層の成膜方法として、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法といった物理的気相成長法等、公知の成膜法が適宜採用される。そして、上記スパッタリング法が採用された場合、スパッタリングターゲットにシリコンの含有量がＳｉ／（Ｉｎ＋Ｓｉ）原子数比で０．０２以上０．６以下である酸化インジウムを使用し、かつ、スパッタガスにアルゴン等不活性ガスを用いた直流（ＤＣ）あるいは高周波（ＲＦ）マグネトロンスパッタ法が利用できる。また、密着層の透明性を向上させるため、スパッタガス中に０．１〜２０％程度の酸素ガスを混合することが好ましい。尚、スパッタリングターゲットとしてインジウム・シリコン合金を用いることも可能である。
【００３７】
上記密着層の厚さは１ｎｍ以上３０ｎｍ以下にすることを要する。上記厚さが１ｎｍ未満の場合、連続した皮膜の形成が困難で十分な密着性を得ることが難しい。他方、厚さが３０ｎｍを超えたとしても密着性に関する効果は一定であるため、生産性の悪化を招くことになり得策でないからである。
【００３８】
４．透明導電膜層
（１）透明導電膜層
上記透明導電膜層は酸化インジウムを主成分とする薄膜で構成され、スズ若しくはチタンが含まれていてもよい。特に、密着層との密着性を高めるためには、スズよりも酸素との結合力が高いチタンが含まれていると好ましい。尚、スズ若しくはチタンは酸化物の状態で含まれていてもよく、透明導電膜層としては酸素欠損により価数が変化していてもよい。
【００３９】
透明導電膜層の成膜方法として、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法といった物理的気相成長法等、公知の成膜法が適宜採用される。そして、上記スパッタリング法が採用された場合、スパッタリングターゲットにスズの含有量がＳｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）原子数比で０．０１以上０．４以下である酸化インジウム、若しくは、チタンの含有量がＴｉ／（Ｉｎ＋Ｔｉ）原子数比で０．００２以上０．０８以下である酸化インジウムを使用し、かつ、スパッタガスにアルゴン等不活性ガスを用いたＤＣあるいはＲＦマグネトロンスパッタ法が利用できる。加えて、透明導電膜層の透明性および導電性を向上させるため、スパッタガス中に０．１〜２０％程度の酸素ガスを混合することが好ましい。尚、スパッタリングターゲットとしてインジウム・スズ合金若しくはインジウム・チタン合金を用いることも可能である。
【００４０】
上記透明導電膜層の厚さは４ｎｍ以上１００ｎｍ以下にすることを要する。上記厚さが４ｎｍ未満の場合、連続した皮膜の形成が困難で十分な導電性を得ることが難しい。他方、厚さが１００ｎｍよりも厚い場合、透明性が低下し易くなり得策で無いからである。
【００４１】
（２）金属透明導電性薄膜層
酸化インジウムを主成分とする薄膜で構成される上記透明導電膜層については、その片面側にＡｇ等から成る金属透明導電性薄膜層を積層してもよく、Ａｇ／ＩＴＯ、ＩＴＯ／Ａｇ／ＩＴＯ等の積層体が例示される。
【００４２】
（３）反射防止層、透明なプラスチック薄膜層
また、本発明に係る透明導電性積層体においては、上記透明基材の透明導電膜層が形成される透明基材側若しくは透明導電膜層より外側に反射防止層が設けられた構成を採用してもよく、また、上記透明導電膜層より外側に透明なプラスチック薄膜層が設けられた構成を採用してもよい。
【実施例】
【００４３】
以下、本発明の実施例について比較例も挙げて具体的に説明する。
【００４４】
尚、以下の実施例と比較例では、各実施例と比較例に係る透明導電性積層体の耐摩耗性を次の方法により評価した。
【００４５】
（１）擬似タッチパネルの形成
まず、各実施例と比較例に係る透明導電性積層体を１０ｃｍ×１０ｃｍの大きさに切り取り、かつ、上記サイズの透明導電性積層体両端のみを、厚さ８０μｍの粘着テープを用いてガラス板上にＩＴＯ膜が形成された基板（透明導電性薄膜付ガラス）のＩＴＯ面に張り合わせて擬似タッチパネルを形成する。
【００４６】
（２）往復摺動試験（ペン入力耐久性試験）
そして、各擬似タッチパネルに対して、先端がφ０．８ｍｍのポリアセタールから成るペンを用い、荷重２５０ｇ、ペンスピード１５０ｍｍ／秒、摺動回数１０万回、摺動距離４０ｍｍを往復摺動させた後、四端子四探針計（三菱化学製）にて各擬似タッチパネルの抵抗値を測定し、往復摺動前Ｒ０、往復摺動後Ｒ1とした場合のＲ1／Ｒ0を算出した。
【００４７】
尚、Ｒ1／Ｒ0の値は１．０に近い程、抵抗値の変化率が小さいためペン入力耐久性が良好であり、タッチパネルとしては１．１以下であることが望ましい。
【００４８】
（３）剥離の有無
各透明導電性積層体における剥離（薄膜層と透明導電膜層間の剥離）の有無については次の方法により観察した。
【００４９】
すなわち、各透明導電性積層体の往復摺動部分を横切るように切断し、該断面についてＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）を用いて観察し、剥離の有無を確認した。
【００５０】
［実施例１］
厚さ１００μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムに厚さ１０ｎｍ分の酸化二オブ膜（高屈折率層）が形成されている透明基材の酸化二オブ膜側の面にＤＣスパッタリング法を用いて５０ｎｍの酸化珪素から成る薄膜層を形成し、かつ、ＤＣスパッタリング法を用いて上記薄膜層上にシリコンの含有量がＳｉ／（Ｉｎ＋Ｓｉ）原子数比で０．５である酸化インジウムから成る密着層を形成すると共に、ＤＣスパッタリング法を用いて上記密着層上にチタンの含有量がＴｉ／（Ｉｎ＋Ｔｉ）原子数比で０．００９である酸化インジウムから成る透明導電膜層を形成して膜厚４ｎｍの密着層と膜厚１５ｎｍの透明導電膜層を有する実施例１に係る透明導電膜積層体を得た。
【００５１】
往復摺動試験の結果、Ｒ1／Ｒ0は１．０３（表１参照）、酸化珪素から成る薄膜層と透明導電膜層間の剥離は確認されなかった。
【００５２】
［実施例２］
密着層の膜厚を２ｎｍにした以外は実施例１と同様の方法で実施例２に係る透明導電性積層体を得た。
【００５３】
往復摺動試験の結果、Ｒ1／Ｒ0は１．０５（表１参照）、酸化珪素から成る薄膜層と透明導電膜層間の剥離は確認されなかった。
【００５４】
［実施例３］
密着層の膜厚を３０ｎｍにした以外は実施例１と同様の方法で実施例３に係る透明導電性積層体を得た。
【００５５】
往復摺動試験の結果、Ｒ1／Ｒ0は１．０１（表１参照）、酸化珪素から成る薄膜層と透明導電膜層間の剥離は確認されなかった。
【００５６】
［実施例４］
密着層の膜厚を３０ｎｍ、スズの含有量がＳｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）原子数比で０．０３である酸化インジウムから成る透明導電膜層とした以外は実施例１と同様の方法で実施例４に係る透明導電性積層体を得た。
【００５７】
往復摺動試験の結果、Ｒ1／Ｒ0は１．０９（表１参照）、酸化珪素から成る薄膜層と透明導電膜層間の剥離は確認されなかった。
【００５８】
［実施例５］
厚さ１００μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムに厚さ１０ｎｍ分の酸化チタン膜（高屈折率層）が形成されている透明基材を使用した以外は実施例１と同様の方法で実施例５に係る透明導電性積層体を得た。
【００５９】
往復摺動試験の結果、Ｒ1／Ｒ0は１．０２（表１参照）、酸化珪素から成る薄膜層と透明導電膜層間の剥離は確認されなかった。
【００６０】
［実施例６］
厚さ１００μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムに厚さ１０ｎｍ分の酸化二オブ膜（高屈折率層）が形成されている透明基材の該酸化二オブ膜側の面にＲＦスパッタリング法を用いて８０ｎｍの窒化珪素から成る薄膜層を形成した以外は実施例１と同様の方法で実施例６に係る透明導電性積層体を得た。
【００６１】
往復摺動試験の結果、Ｒ1／Ｒ0は１．０２（表１参照）、窒化珪素から成る薄膜層と透明導電膜層間の剥離は確認されなかった。
【００６２】
［実施例７］
厚さ１．１ｍｍの石英ガラスに厚さ１０ｎｍ分の酸化二オブ膜（高屈折率層）が形成されている透明基材を使用した以外は実施例１と同様の方法で実施例７に係る透明導電性積層体を得た。
【００６３】
往復摺動試験の結果、Ｒ1／Ｒ0は１．０４（表１参照）、酸化珪素から成る薄膜層と透明導電膜層間の剥離は確認されなかった。
【００６４】
［実施例８］
透明基材として、高屈折率層が形成されていない厚さ１００μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムを使用した以外は実施例１と同様の方法で実施例８に係る透明導電性積層体を得た。
【００６５】
往復摺動試験の結果、Ｒ1／Ｒ0は１．０３（表１参照）、酸化珪素から成る薄膜層と透明導電膜層間の剥離は確認されなかった。
【００６６】
［比較例１］
酸化珪素から成る薄膜層と透明導電膜層との間に上記密着層を形成しない以外は実施例１と同様の方法で比較例１に係る透明導電性積層体を得た。
【００６７】
往復摺動試験の結果、Ｒ1／Ｒ0は１．５５（表１参照）、酸化珪素から成る薄膜層と透明導電膜層間の剥離が確認された。
【００６８】
［比較例２］
酸化珪素から成る薄膜層と透明導電膜層との間に上記密着層を形成しない以外は実施例４と同様の方法で比較例２に係る透明導電性積層体を得た。
【００６９】
往復摺動試験の結果、Ｒ1／Ｒ0は１．６０（表１参照）、酸化珪素から成る薄膜層と透明導電膜層間の剥離が確認された。
【００７０】
【表１】
2016157297.tif 000002
【００７１】
［評  価］
（１）実施例１〜８に係る透明導電性積層体の往復摺動試験の結果、Ｒ1／Ｒ0の値が全て１．１以下、かつ、酸化珪素若しくは窒化珪素から成る薄膜層と透明導電膜層間の剥離も発生していないことが確認され、従来の透明導電性積層体と較べてペン入力耐久性が著しく改善されていることが確認される。
【００７２】
（２）これに対し、比較例１〜２に係る透明導電性積層体においては、Ｒ1／Ｒ0の値が全て１．１を超えており、かつ、酸化珪素から成る薄膜層と透明導電膜層間の剥離も発生していることが確認される。
【産業上の利用可能性】
【００７３】
本発明に係る透明導電性積層体によれば、酸化インジウムを主成分としかつシリコンを含有する密着層の作用により薄膜層と透明導電膜層間の剥離が回避されるため、タッチパネル等に組み込んで使用される産業上の利用可能性を有している。