(57)【要約】【課題】本発明は、銅張積層板及びこれを用いたプリント回路基板の製造方法を提供する。【解決手段】本発明は、絶縁層の一面に備えられた第１銅箔層と、上記絶縁層の他面に備えられた第２銅箔層と、を含み、上記第２銅箔層は、高分子樹脂層、キャリアホイル層及び第２銅層を含む銅張積層板を提供し、上記銅張積層板を用いたプリント回路基板の製造方法を提供して、微細パターン及び微細ビアホールの形成されたプリント回路基板を製造することができる。【選択図】図１
2016213446.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層の一面に備えられた第１銅箔層と、
前記絶縁層の他面に備えられた第２銅箔層と、を含み、
前記第２銅箔層は、高分子樹脂層、第２銅層及びキャリアホイル層を含む銅張積層板。
【請求項２】
前記高分子樹脂層は、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリアミド、液晶高分子（ＬＣＰ、Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｐｏｌｙｍｅｒ）、環状オレフィン高分子（ＣＯＰ、Ｃｙｃｌｉｃ  Ｏｌｅｆｉｎ  Ｐｏｌｙｍｅｒ）のうちのいずれか１種または２種以上を混合したものである請求項１に記載の銅張積層板。
【請求項３】
前記キャリアホイル層は、ベンゾトリアゾール系有機剥離剤またはコバルトなどの金属剥離剤でコーティングしたものである請求項１または請求項２に記載の銅張積層板。
【請求項４】
絶縁層の一面に備えられた第１銅箔層と、
前記絶縁層の他面に備えられた第２銅箔層と、を含み、
前記第１銅箔層は、第１銅層及び表面処理層を含み、
前記第２銅箔層は、高分子樹脂層、第２銅層及びキャリアホイル層を含む銅張積層板。
【請求項５】
前記高分子樹脂層は、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリアミド、液晶高分子（ＬＣＰ、Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｐｏｌｙｍｅｒ）、環状オレフィン高分子（ＣＯＰ、Ｃｙｃｌｉｃ  Ｏｌｅｆｉｎ  Ｐｏｌｙｍｅｒ）のうちのいずれか１種または２種以上を混合したものである請求項４に記載の銅張積層板。
【請求項６】
前記キャリアホイル層は、ベンゾトリアゾール系有機剥離剤またはコバルトなどの金属剥離剤でコーティングしたものである請求項４または請求項５に記載の銅張積層板。
【請求項７】
前記表面処理層は、第１銅層に黒化処理により酸化銅を析出させたものである請求項４から請求項６のいずれか一項に記載の銅張積層板。
【請求項８】
絶縁層の一面に備えられた第１銅箔層と、
前記絶縁層の他面に備えられた第２銅箔層と、を含み、
前記第１銅箔層は、ニッケル酸化物またはコバルト酸化物でコーティングされた極箔銅箔を含み、
前記第２銅箔層は、高分子樹脂層、第２銅層及びキャリアホイル層を含む銅張積層板。
【請求項９】
前記高分子樹脂層は、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリアミド、液晶高分子（ＬＣＰ、Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｐｏｌｙｍｅｒ）、環状オレフィン高分子（ＣＯＰ、Ｃｙｃｌｉｃ  Ｏｌｅｆｉｎ  Ｐｏｌｙｍｅｒ）のうちのいずれか１種または２種以上を混合したものである請求項８に記載の銅張積層板。
【請求項１０】
前記キャリアホイル層は、ベンゾトリアゾール系有機剥離剤またはコバルトなどの金属剥離剤でコーティングしたものである請求項８または請求項９に記載の銅張積層板。
【請求項１１】
絶縁層の一面に備えられた第１銅箔層と、
前記絶縁層の他面に備えられた第２銅箔層と、を含み、
前記第１銅箔層及び前記第２銅箔層は、それぞれ高分子樹脂層、第２銅層及びキャリアホイル層を含む銅張積層板。
【請求項１２】
前記高分子樹脂層は、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリアミド、液晶高分子（ＬＣＰ、Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｐｏｌｙｍｅｒ）、環状オレフィン高分子（ＣＯＰ、Ｃｙｃｌｉｃ  Ｏｌｅｆｉｎ  Ｐｏｌｙｍｅｒ）のうちのいずれか１種または２種以上を混合したものである請求項１１に記載の銅張積層板。
【請求項１３】
前記キャリアホイル層は、ンゾトリアゾール系有機剥離剤またはコバルトなどの金属剥離剤でコーティングしたものである請求項１１または請求項１２に記載の銅張積層板。
【請求項１４】
絶縁層の一面に第１銅箔層を、他面に高分子樹脂層、キャリアホイル層及び第２銅層を含む第２銅箔層を形成するステップと、
前記第１銅箔層の表面にビアホールを形成するステップと、
前記第２銅箔層を前記高分子樹脂層のみを残して除去し、前記第１銅箔層をエッチングした後に銅シード層を形成するステップと、
前記一面に回路パターンを形成し、ビア及び外層回路を形成するステップと、
を含むプリント回路基板の製造方法。
【請求項１５】
絶縁層の一面に第１銅層及び表面処理層を含む第１銅箔層を形成し、他面に高分子樹脂層、キャリアホイル層及び第２銅層を含む第２銅箔層を形成するステップと、
前記第１銅箔層の表面にビアホールを形成するステップと、
前記第２銅箔層を前記高分子樹脂層のみを残して除去し、前記第１銅箔層をエッチングした後に銅シード層を形成するステップと、
前記一面に回路パターンを形成し、ビア及び外層回路を形成するステップと、
を含むプリント回路基板の製造方法。
【請求項１６】
絶縁層の一面にニッケル酸化物またはコバルト酸化物でコーティングされた極箔銅箔を含む第１銅箔層を形成し、他面に高分子樹脂層、キャリアホイル層及び第２銅層を含む第２銅箔層を形成するステップと、
前記第１銅箔層の表面にビアホールを形成するステップと、
前記第２銅箔層を前記高分子樹脂層のみを残して除去し、前記第１銅箔層をエッチングした後に銅シード層を形成するステップと、
前記一面に回路パターンを形成し、ビア及び外層回路を形成するステップと、
を含むプリント回路基板の製造方法。
【請求項１７】
絶縁層の一面及び他面に高分子樹脂層、キャリアホイル層及び第２銅層を含む第２銅箔層を形成するステップと、
前記一面の第２銅箔層にビアホールを形成するステップと、
前記第２銅箔層を前記高分子樹脂層のみを残して除去し、銅シード層を形成するステップと、
前記一面及び他面に回路パターンを形成し、ビア及び外層回路を形成するステップと、
を含むプリント回路基板の製造方法。
【請求項１８】
前記ビアホールを形成するステップは、
前記第１銅箔層の表面にレーザを照射して上記ビアホールを形成する請求項１４から請求項１６のいずれか１項に記載のプリント回路基板の製造方法。
【請求項１９】
前記銅シード層を形成するステップは、
前記第１銅箔層をエッチングした後に無電解メッキで銅シード層を形成する請求項１４から請求項１６のいずれか１項に記載のプリント回路基板の製造方法。
【請求項２０】
前記ビア及び外層回路を形成するステップは、
セミアディティブ（ＳＡＰ、Ｓｅｍｉ−Ａｄｄｉｔｉｖｅ  Ｐｒｏｃｅｓｓ）法により前記回路パターンを形成する請求項１４から請求項１６のいずれか１項に記載のプリント回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、銅張積層板及びこれを用いたプリント回路基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器に対する要求が小型化、軽量化にとどまらず、高速通信への対応、大容量通信への対応がともに要求されている。これに伴って、電子部品の小型化、部品数の増加、入力・出力数の増加等が行われつつある。このため、小型化、軽量化の観点からは、このような電子部品を搭載するプリント回路基板の面積に制約があり、より高密度の配線の形成が求められる。
【０００３】
プリント回路基板においては、内層回路を形成するコア層よりもビルドアップ層の外層回路に高密度の回路パターンを形成するのが一般的である。これは、内層回路が主にグラウンドや電源パターンを重点に構成されているからであり、内層を形成するために使用される材料がテンティング（Ｔｅｎｔｉｎｇ）法、あるいはモディファイドセミアディティブ法（ｍＳＡＰ、ｍｏｄｉｆｉｅｄ  ｓｅｍｉ−ａｄｄｉｔｉｖｅ  ｐｒｏｃｅｓｓ）に適合するからでもある。
【０００４】
テンティング（Ｔｅｎｔｉｎｇ）法は、不要な部分をエッチング加工して除去するサブトラックティブ（ｓｕｂｔｒａｃｔｉｖｅ）法であって回路加工が簡単であるという利点があるが、微細加工するには限界がある。またモディファイドセミアディティブ法（ｍＳＡＰ、ｍｏｄｉｆｉｅｄ  ｓｅｍｉ−ａｄｄｉｔｉｖｅ  ｐｒｏｃｅｓｓ）は、銅箔をエッチングし、薄いシード層上に回路を形成する方法であって、Ｌ／Ｓの１５／１５μｍ以上を形成するには有利であるが、それ以下のＬ／Ｓを形成するためには解決しなければならない技術的課題が多くある。モディファイドセミアディティブ法を用いてＬ／Ｓの１５／１５μｍ以下の微細パターンを形成するためには、回路をプリプレグに埋め込んで回路の密着力を高めるＥＰＰ（Ｅｍｂｅｄｄｅｄ  ｐａｔｔｅｒｎ  ｐｒｏｃｅｓｓ）の改善が必要である。
【０００５】
Ｌ／Ｓの１２／１２μｍ以下の微細回路加工は、セミアディティブ法が有利である。該工法は、メッキで回路を形成するが、回路の上部と下部とに線幅の差がほとんど生じない。しかし、工程が複雑であり、材料表面に無電解メッキが必要であるという特殊性が要求される短所がある。一般的に使用されるコア材料であるＣＣＬ（ｃｏｐｐｅｒ  ｃｌａｄ  ｌａｍｉｎａｔｅ）を構成するプリプレグは、メッキの密着力が低くて、セミアディティブ法によりパターンを形成するには適さない。
【０００６】
また、高密度の回路を形成するためには、微細パターン以外にも微細ビアホールの形成が必要である。一般のＣＯ２レーザ加工では、４０μｍ以下のホールを形成しにくにため、ＹＡＧレーザあるいはピコレーザを用いることがある。しかし、ＹＡＧレーザやピコレーザは、ＣＯ２レーザに比べて費用が高いという短所があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】韓国公開特許第２０１０−００５２８３５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、従来プリント回路基板の微細パターン及び微細ビアホールの加工の際に発生する上記諸般の短所や問題点を解決するために提案されたものであって、絶縁層と、上記絶縁層の一面に備えられた第１銅箔層と、上記絶縁層の他面に備えられた第２銅箔層と、を含み、上記第２銅箔層は、高分子樹脂層、第２銅層及びキャリアホイル層を含んでおり、プリント回路基板の微細パターン及び微細ビアホールを加工できる銅張積層板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の上記目的は、絶縁層と、上記絶縁層の一面に備えられた第１銅箔層と、上記絶縁層の他面に備えられた第２銅箔層と、を含み、上記第２銅箔層は、高分子樹脂層、第２銅層及びキャリアホイル層を含む銅張積層板が提供されることにより達成できる。
【００１０】
上記絶縁層は、補強基材、充填材及び樹脂を含むことができ、上記補強基材としては、ガラス繊維織物、ガラス繊維不織布、炭素繊維織物または有機高分子繊維織物を用いることができ、上記充填材としては、シリカ、アルミナ、硫酸バリウム、タルク、クレイ、雲母パウダー、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、酸化マグネシウム、窒化ホウ素、ホウ酸アルミニウム、チタン酸バリウム、チタン酸カルシウム、チタン酸マグネシウム、チタン酸ビスマス、酸化チタン、ジルコン酸バリウム、ジルコン酸カルシウムのうちのいずれか１種または２種以上を用いることができ、上記第１銅箔層は、第１銅層及び黒化処理などの表面処理層を含み、上記絶縁層から外側方向へ第１銅層、表面処理層の順に形成することができ、上記第１銅箔層としては、上記第１銅層及び表面処理層の代わりに、レーザの吸収率を高めた極箔銅箔を用いることができる。
【００１１】
また、上記第２銅箔層は、上記絶縁層を基準にして外側方向へ上記高分子樹脂層、上記キャリアホイル層、上記第２銅層の順に形成することができ、上記高分子樹脂層としては、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリアミド、液晶高分子（ＬＣＰ、Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｐｏｌｙｍｅｒ）、環状オレフィン高分子（ＣＯＰ、Ｃｙｃｌｉｃ  Ｏｌｅｆｉｎ  Ｐｏｌｙｍｅｒ）のうちのいずれか１種または２種以上を混合したものを用いることができる。
【００１２】
本発明の他の目的は、絶縁層を準備するステップと、上記絶縁層の一面に第１銅箔層を形成し、他面に高分子樹脂層、キャリアホイル層及び第２銅層を含む第２銅箔層を形成して、銅張積層板を形成するステップと、上記第１銅箔層の表面にレーザを照射してビアホールを形成するステップと、上記第２銅箔層を上記高分子樹脂層のみを残して除去し、上記第１銅箔層をエッチングした後に無電解メッキで銅シード層を形成するステップと、上記一面にセミアディティブ法（ＳＡＰ、Ｓｅｍｉ−Ａｄｄｉｔｉｖｅ  Ｐｒｏｃｅｓｓ）により微細回路パターンを形成し、ビア及び外層回路を形成するステップと、を含むプリント回路基板の製造方法が提供されることにより達成できる。
【発明の効果】
【００１３】
以上のように、本発明に係る銅張積層板を用いてプリント回路基板を製造すると、微細パターン及び微細ビアホールが形成されたプリント回路基板を製造することができ、特に安価であるＣＯ２レーザを用いて微細ビアホールを加工できるので、製造コストの低減を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の第１実施例に係る銅張積層板の断面図である。
【図２】本発明の第２実施例に係る銅張積層板の断面図である。
【図３】本発明の第３実施例に係る銅張積層板の断面図である。
【図４】本発明の第４実施例に係る銅張積層板の断面図である。
【図５】本発明の第１実施例に係るプリント回路基板の製造方法における絶縁層の断面図である。
【図６】本発明の第１実施例に係るプリント回路基板の製造方法における第１銅箔層及び第２銅箔層を形成した後の断面図である。
【図７】本発明の第１実施例に係るプリント回路基板の製造方法におけるレーザを用いてビアホールを形成した後の断面図である。
【図８】本発明の第１実施例に係るプリント回路基板の製造方法におけるシード層（ｓｅｅｄ  ｌａｙｅｒ）を形成した後の断面図である。
【図９】本発明の第１実施例に係るプリント回路基板の製造方法における微細回路パターン及びソルダーレジストを形成した後の断面図である。
【図１０】本発明の第２実施例に係るプリント回路基板の製造方法における絶縁層の断面図である。
【図１１】本発明の第２実施例に係るプリント回路基板の製造方法における第１銅層及び第２銅箔層を形成した後の断面図である。
【図１２】本発明の第２実施例に係るプリント回路基板の製造方法における第１銅層に表面処理を施して表面処理層を形成した後の断面図である。
【図１３】本発明の第２実施例に係るプリント回路基板の製造方法におけるレーザでビアホールを形成した後の断面図である。
【図１４】本発明の第２実施例に係るプリント回路基板の製造方法におけるシード層（ｓｅｅｄ  ｌａｙｅｒ）を形成した後の断面図である。
【図１５】本発明の第２実施例に係るプリント回路基板の製造方法における微細回路パターン及びソルダーレジストを形成した後の断面図である。
【図１６】本発明の第３実施例に係るプリント回路基板の製造方法における絶縁層の断面図である。
【図１７】本発明の第３実施例に係るプリント回路基板の製造方法における第１銅箔層及び第２銅箔層を形成した後の断面図である。
【図１８】本発明の第３実施例に係るプリント回路基板の製造方法におけるレーザを用いてビアホールを形成した後の断面図である。
【図１９】本発明の第３実施例に係るプリント回路基板の製造方法におけるシード層（ｓｅｅｄ  ｌａｙｅｒ）を形成した後の断面図である。
【図２０】本発明の第３実施例に係るプリント回路基板の製造方法における微細回路パターン及びソルダーレジストを形成した後の断面図である。
【図２１】本発明の第４実施例に係るプリント回路基板の製造方法における絶縁層の断面図である。
【図２２】本発明の第４実施例に係るプリント回路基板の製造方法における絶縁層の一面及び他面に第２銅箔層を形成した後の断面図である。
【図２３】本発明の第４実施例に係るプリント回路基板の製造方法におけるレーザを用いてビアホールを形成した後の断面図である。
【図２４】本発明の第４実施例に係るプリント回路基板の製造方法におけるシード層（ｓｅｅｄ  ｌａｙｅｒ）を形成した後の断面図である。
【図２５】本発明の第４実施例に係るプリント回路基板の製造方法における絶縁層の一面及び他面に微細回路パターン及びソルダーレジストを形成した後の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
本発明の利点及び特徴、そしてそれらを達成する方法は、添付の図面とともに詳細に後述する実施例を参照すると明確になるであろう。しかし、本発明は、以下で開示する実施形態に限られず、異なる多様な形態に実現されることができる。本実施形態は単に本発明の開示が完全になるようにし、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者に発明の範疇を完全に知らせるために提供されることができる。本明細書の全文にかけて同一の参照符号は、同一の構成要素を示す。
【００１６】
本明細書で使用される用語は、実施形態を説明するためのものであって本発明を限定するものではない。本明細書において、単数型は文章で特に言及しない限り複数型も含む。明細書で使用される「含む（ｃｏｍｐｒｉｓｅ）」及び／または「含んでいる（ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ）」は言及された構成要素、ステップ、動作及び／または素子は一つ以上の他の構成要素、ステップ、動作及び／または素子の存在または追加を排除しない。
【００１７】
また、本明細書で記述する実施例は、本発明の理想的な例示図である断面図及び／または平面図を参考して説明される。図面において、膜及び領域の厚さは、技術的内容の効果的な説明のために誇張されている。よって、製造技術及び／または許容誤差などによって例示図の形態が変更できる。よって、本発明の実施形態は、図示された特定形態に限らず、製造工程によって生成される形態の変化も含むものである。例えば、直角に図示されたエッチング領域は、ラウンドされたり、所定の曲率を有する形態も含む。
【００１８】
以下、添付された図面を参照して本発明を詳細に説明する。
【００１９】
図１は、本発明の第１実施例に係る銅張積層板の断面図であり、図９は、本発明の第１実施例に係る銅張積層板を用いて製造されたプリント回路基板の断面図である。
【００２０】
図１及び図９を参照すると、本実施例に係る銅張積層板は、絶縁層２００と、上記絶縁層２００の一面５１０に備えられた第１銅箔層４００と、上記絶縁層２００の他面５２０に備えられた第２銅箔層３００と、を含み、上記第２銅箔層３００は、高分子樹脂層３１０、第２銅層３２０及びキャリアホイル層３３０を含むことができる。
【００２１】
上記絶縁層２００は、補強基材、充填材及び樹脂を含むことができ、上記補強基材としては、ガラス繊維織物、ガラス繊維不織布、炭素繊維織物または有機高分子繊維織物を用いることができる。
【００２２】
また、上記充填材としては、シリカ、アルミナ、硫酸バリウム、タルク、クレイ、雲母パウダー、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、酸化マグネシウム、窒化ホウ素、ホウ酸アルミニウム、チタン酸バリウム、チタン酸カルシウム、チタン酸マグネシウム、チタン酸ビスマス、酸化チタン、ジルコン酸バリウム、ジルコン酸カルシウムのうちのいずれか１種または２種以上を用いることができるが、これに限定されない。
【００２３】
上記第１銅箔層４００は、銅を含むことができ、上記第２銅箔層３００は、上記絶縁層２００を基準にして外側方向へ高分子樹脂層３１０、第２銅層３２０、キャリアホイル層３３０の順に形成されることができる。
【００２４】
上記高分子樹脂層３１０としては、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリアミド、液晶高分子（ＬＣＰ、Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｐｏｌｙｍｅｒ）、環状オレフィン高分子（ＣＯＰ、Ｃｙｃｌｉｃ  Ｏｌｅｆｉｎ  Ｐｏｌｙｍｅｒ）のうちのいずれか１種または２種以上を混合したものを用いることができ、エポキシ及び有機溶剤に溶ける高分子をワニス化して用いることもできる。
【００２５】
上記高分子樹脂層３１０は、セミアディティブ工程（ＳＡＰ、Ｓｅｍｉ−Ａｄｄｉｔｉｖｅ  Ｐｒｏｃｅｓｓ）を適用できる高分子樹脂層であってもよく、セミアディティブ工程中に金属シード層との接合性に優れ、これによりプリント回路基板１１０に微細回路パターン８１０を形成することができる。
【００２６】
上記キャリアホイル層３３０は、ベンゾトリアゾール系の有機剥離剤またはコバルトなどの金属剥離剤でコーティングしたものであってもよい。
【００２７】
図２は、本発明の第２実施例に係る銅張積層板の断面図であり、図１５は、本発明の第２実施例に係る銅張積層板を用いて製造されたプリント回路基板の断面図である。
【００２８】
図２及び図１５を参照すると、本実施例に係る銅張積層板は、絶縁層２００と、上記絶縁層２００の一面５１０に備えられた第１銅箔層４１０と、上記絶縁層２００の他面５２０に備えられた第２銅箔層３００と、を含み、上記第１銅箔層４１０は、第１銅層４１１及び表面処理層４１２を含むことができ、上記第２銅箔層３００は、高分子樹脂層３１０、第２銅層３２０及びキャリアホイル層３３０を含むことができる。
【００２９】
上記絶縁層２００は、補強基材、充填材及び樹脂を含むことができ、上記補強基材としては、ガラス繊維織物、ガラス繊維不織布、炭素繊維織物または有機高分子繊維織物を用いることができる。
【００３０】
また、上記充填材としては、シリカ、アルミナ、硫酸バリウム、タルク、クレイ、雲母パウダー、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、酸化マグネシウム、窒化ホウ素、ホウ酸アルミニウム、チタン酸バリウム、チタン酸カルシウム、チタン酸マグネシウム、チタン酸ビスマス、酸化チタン、ジルコン酸バリウム、ジルコン酸カルシウムのうちのいずれか１種または２種以上を用いることができるが、これに限定されない。
【００３１】
上記第１銅箔層４００は、第１銅層４１１及び表面処理層４１２を含むことができ、上記表面処理層４１２は、上記第１銅層４１１の表面を黒化処理して酸化させ、ＣｕＯ、Ｃｕ２Ｏなどの酸化銅を銅層の表面に析出させる方法により形成することができ、Ｈ２ＳＯ４などで表面をエッチングした後に、ＣｌＯ２（Ｃｈｌｏｒｉｔｅ）などのオキサイド溶液により銅層の表面を均一に酸化させることができる。
【００３２】
上記表面処理層４１２は、上記表面に析出されたＣｕＯとＣｕ２Ｏの割合に応じて赤色または黒色を示すことになり、これにより、ビアホールを形成するためのレーザによるエッチング工程においてのレーザの反射を低減して精密なビアホールを加工することができる。
【００３３】
上記第２銅箔層３００は、上記絶縁層２００を基準にして外側方向へ高分子樹脂層３１０、第２銅層３２０、キャリアホイル層３３０の順に形成することができる。
【００３４】
上記高分子樹脂層３１０は、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリアミド、液晶高分子（ＬＣＰ、Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｐｏｌｙｍｅｒ）、環状オレフィン高分子（ＣＯＰ、Ｃｙｃｌｉｃ  Ｏｌｅｆｉｎ  Ｐｏｌｙｍｅｒ）のうちのいずれか１種または２種以上を混合したものを用いることができ、エポキシ及び有機溶剤に溶ける高分子をワニス化して用いることもできる。
【００３５】
上記高分子樹脂層３１０は、セミアディティブ工程（ＳＡＰ、Ｓｅｍｉ−Ａｄｄｉｔｉｖｅ  Ｐｒｏｃｅｓｓ）を適用できる高分子樹脂層であってもよく、セミアディティブ工程中に金属シード層との接合性に優れ、これにより、プリント回路基板１１１に微細回路パターン８１０を形成することができる。
【００３６】
上記キャリアホイル層３３０は、ベンゾトリアゾール系有機剥離剤またはコバルトなどの金属剥離剤でコーティングしたものであってもよい。
【００３７】
図３は、本発明の第３実施例に係る銅張積層板の断面図であり、図２０は、本発明の第３実施例に係る銅張積層板を用いて製造されたプリント回路基板の断面図である。
【００３８】
図３及び図２０を参照すると、本実施例に係る銅張積層板は、絶縁層２００と、上記絶縁層２００の一面５１０に備えられた第１銅箔層４２０と、上記絶縁層２００の他面５２０に備えられた第２銅箔層３００と、を含み、上記第１銅箔層４２０は、極箔銅箔４２１及び金属酸化物コーティング層４２２を含むことができ、上記第２銅箔層３００は、高分子樹脂層３１０、第２銅層３２０及びキャリアホイル層３３０を含むことができる。
【００３９】
上記絶縁層２００は、補強基材、充填材及び樹脂を含むことができ、上記補強基材としては、ガラス繊維織物、ガラス繊維不織布、炭素繊維織物または有機高分子繊維織物を用いることができる。
【００４０】
上記充填材としては、シリカ、アルミナ、硫酸バリウム、タルク、クレイ、雲母パウダー、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、酸化マグネシウム、窒化ホウ素、ホウ酸アルミニウム、チタン酸バリウム、チタン酸カルシウム、チタン酸マグネシウム、チタン酸ビスマス、酸化チタン、ジルコン酸バリウム、ジルコン酸カルシウムのうちのいずれか１種または２種以上を用いることができるが、これに限定されない。
【００４１】
上記第１銅箔層４２０は、極箔銅箔４２１及び金属酸化物コーティング層４２２を含むことができ、上記金属酸化物コーティング層４２２は、ニッケル酸化物またはコバルト酸化物を上記極箔銅箔４２１にコーティングしたものであってもよく、レーザによるビアホールの形成工程においてのレーザの吸収率を高めて精密なビアホールを加工することができる。
【００４２】
上記第２銅箔層３００は、上記絶縁層２００を基準にして外側方向へ高分子樹脂層３１０、第２銅層３２０、キャリアホイル層３３０の順に形成することができる。
【００４３】
上記高分子樹脂層３１０は、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリアミド、液晶高分子（ＬＣＰ、Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｐｏｌｙｍｅｒ）、環状オレフィン高分子（ＣＯＰ、Ｃｙｃｌｉｃ  Ｏｌｅｆｉｎ  Ｐｏｌｙｍｅｒ）のうちのいずれか１種または２種以上を混合したものを用いることができ、エポキシ及び有機溶剤に溶ける高分子をワニス化して用いることもできる。
【００４４】
上記高分子樹脂層３１０は、セミアディティブ工程（ＳＡＰ、Ｓｅｍｉ−Ａｄｄｉｔｉｖｅ  Ｐｒｏｃｅｓｓ）を適用できる高分子樹脂層であってもよく、セミアディティブ工程中に金属シード層との接合性に優れ、これにより、プリント回路基板１１２に微細回路パターン８１０を形成することができる。
【００４５】
上記キャリアホイル層３３０は、ベンゾトリアゾール系有機剥離剤またはコバルトなどの金属剥離剤でコーティングしたものであってもよい。
【００４６】
図４は、本発明の第４実施例に係る銅張積層板の断面図であり、図２５は、本発明の第４実施例に係る銅張積層板を用いて製造されたプリント回路基板の断面図である。
【００４７】
図４及び図２５を参照すると、本実施例に係る銅張積層板は、絶縁層２００と、上記絶縁層の一面５１０及び他面５２０に備えられた第２銅箔層３００、３００'と、を含むことができ、上記第２銅箔層は、高分子樹脂層３１０、３１０'、第２銅層３２０、３２０'及びキャリアホイル層３３０、３３０'を含むことができる。
【００４８】
上記第２銅箔層３００、３００'は、上記絶縁層２００を基準にして外側方向へ高分子樹脂層３１０、３１０'、第２銅層３２０、３２０'、キャリアホイル層３３０、３３０'の順に形成することができる。
【００４９】
上記高分子樹脂層３１０、３１０'は、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリアミド、液晶高分子（ＬＣＰ、Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｐｏｌｙｍｅｒ）、環状オレフィン高分子（ＣＯＰ、Ｃｙｃｌｉｃ  Ｏｌｅｆｉｎ  Ｐｏｌｙｍｅｒ）のうちのいずれか１種または２種以上を混合したものを用いることができ、エポキシ及び有機溶剤に溶ける高分子をワニス化して用いることもできる。
【００５０】
上記高分子樹脂層３１０、３１０'は、セミアディティブ工程（ＳＡＰ、Ｓｅｍｉ−Ａｄｄｉｔｉｖｅ  Ｐｒｏｃｅｓｓ）を適用できる高分子樹脂層であってもよく、セミアディティブ工程中に金属シード層との接合性に優れ、これにより、プリント回路基板１１３に微細回路パターン８１０を形成することができる。
【００５１】
上記キャリアホイル層３３０、３３０'は、ベンゾトリアゾール系有機剥離剤またはコバルトなどの金属剥離剤でコーティングしたものであってもよい。
【００５２】
図５は、本発明の第１実施例に係るプリント回路基板の製造方法における絶縁層の断面図であり、図６は、本発明の第１実施例に係るプリント回路基板の製造方法における第１銅箔層及び第２銅箔層を形成した後の断面図であり、図７は、本発明の第１実施例に係るプリント回路基板の製造方法におけるレーザでビアホールを形成した後の断面図であり、図８は、本発明の第１実施例に係るプリント回路基板の製造方法におけるシード層（ｓｅｅｄ  ｌａｙｅｒ）を形成した後の断面図であり、図９は、本発明の第１実施例に係るプリント回路基板の製造方法における微細回路パターン及びソルダーレジストを形成した後の断面図である。
【００５３】
図５から図９を参照すると、本実施例に係るプリント回路基板の製造方法は、絶縁層を準備するステップと、上記絶縁層の一面に第１銅箔層を形成し、他面に高分子樹脂層、キャリアホイル層及び第２銅層を含む第２銅箔層を形成して、銅張積層板を形成するステップと、上記第１銅箔層の表面にレーザを照射してビアホールを形成するステップと、上記第２銅箔層を上記高分子樹脂層のみを残して除去し、上記第１銅箔層をエッチングした後に無電解メッキで銅シード層を形成するステップと、上記一面にセミアディティブ（ＳＡＰ、Ｓｅｍｉ−Ａｄｄｉｔｉｖｅ  Ｐｒｏｃｅｓｓ）法により微細回路パターンを形成し、ビア及び外層回路を形成するステップと、を含むことができる。
【００５４】
上記絶縁層２００は、補強基材、充填材及び樹脂を含むことができ、上記補強基材としては、ガラス繊維織物、ガラス繊維不織布、炭素繊維織物または有機高分子繊維織物を用いることができる。
【００５５】
また、上記充填材としては、シリカ、アルミナ、硫酸バリウム、タルク、クレイ、雲母パウダー、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、酸化マグネシウム、窒化ホウ素、ホウ酸アルミニウム、チタン酸バリウム、チタン酸カルシウム、チタン酸マグネシウム、チタン酸ビスマス、酸化チタン、ジルコン酸バリウム、ジルコン酸カルシウムのうちのいずれか１種または２種以上を用いることができるが、これに限定されない。
【００５６】
上記絶縁層２００の一面５１０に第１銅箔層４００を形成し、他面５２０に高分子樹脂層３１０、第２銅層３２０及びキャリアホイル層３３０を含む第２銅箔層３００を形成して銅張積層板を形成するステップでは、上記絶縁層２００を中心にして一面５１０に第１銅箔層４００を、他面５２０に第２銅箔層３００を積層して銅張積層板を製造することができる。
【００５７】
上記第２銅箔層３００は、上記絶縁層２００を基準にして外側方向へ上記高分子樹脂層３１０、上記第２銅層３２０、上記キャリアホイル層３３０の順に形成することができる。
【００５８】
上記第１銅箔層の表面にレーザを照射してビアホール６００を形成するステップでは、図６の銅張積層板１００の一面５１０にレーザを照射してビアホールを形成する。
【００５９】
上記レーザは、ＹＡＧレーザ、ＣＯ２レーザまたはピコレーザなどを用いることができるが、これに限定されない。
【００６０】
レーザによるビアホールの加工の際には、ビアホールの入口に比べてビアホールの底側のホールの直径が小さく形成されるのが一般的であるが、本実施例においては、銅張積層板の一面５１０から他面５２０方向へビアホールを加工するため、他面５２０側のビアホールの直径が小さく形成され、微細ビアホールの加工が可能となり、他面５２０側に微細ビア６１０と微細パターン８１０とをともに形成できるという利点がある。
【００６１】
上記ビアホール６００は、高分子樹脂層３１０までエッチングすることができる。
【００６２】
上記第２銅箔層を上記高分子樹脂層のみを残して除去し、上記第１銅箔層をエッチングした後に無電解メッキで銅シード層を形成するステップにおいては、上記第２銅層３２０と上記キャリアホイル層３３０とをデタッチ（ｄｅｔａｃｈ）方式により除去することができ、上記第１銅箔層４００は、エッチングにより除去することができる。
【００６３】
但し、上記第１銅箔層は、図８に示すように、エッチングにより完全に除去されず、一部が残されて、無電解メッキによる銅シード層の形成の際に銅シード層と絶縁層との間の結合力の向上を高めることができる。
【００６４】
以後、無電解メッキにより銅シード層７００を形成することになるが、上記銅シード層は、外層回路パターン８００、微細パターン８１０、ビア６１０を形成するための電解メッキの際にシード層の役割をすることができる。
【００６５】
特に、他面５２０側の銅シード層７００は、高分子樹脂層３１０上にメッキされるが、上記高分子樹脂層３１０のために絶縁層２００との密着力が向上するので、セミアディティブ法による微細パターン８１０を形成することが容易となる。
【００６６】
以後、ソルダーレジスト９００を塗布し、開口部を形成することができ、必要によって、さらにビルドアップ層の積層及び回路パターンを形成することにより多層のプリント回路基板を形成することができる。
【００６７】
図１０は、本発明の第２実施例に係るプリント回路基板の製造方法における絶縁層の断面図であり、図１１は、本発明の第２実施例に係るプリント回路基板の製造方法における第１銅層及び第２銅箔層を形成した後の断面図であり、図１２は、本発明の第２実施例に係るプリント回路基板の製造方法における第１銅層に、表面処理による表面処理層を形成した後の断面図であり、図１３は、本発明の第２実施例に係るプリント回路基板の製造方法におけるレーザでビアホールを形成した後の断面図であり、図１４は、本発明の第２実施例に係るプリント回路基板の製造方法におけるシード層（ｓｅｅｄ  ｌａｙｅｒ）を形成した後の断面図であり、図１５は、本発明の第２実施例に係るプリント回路基板の製造方法における微細回路パターン及びソルダーレジストを形成した後の断面図である。
【００６８】
図１０から図１５を参照すると、本実施例に係るプリント回路基板の製造方法は、絶縁層を準備するステップと、上記絶縁層の一面に第１銅層及び表面処理層を含む第１銅箔層を形成し、他面に高分子樹脂層、キャリアホイル層及び第２銅層を含む第２銅箔層を形成して銅張積層板を形成するステップと、上記第１銅箔層の表面にレーザを照射してビアホールを形成するステップと、上記第２銅箔層を上記高分子樹脂層のみ残して除去し、上記第１銅箔層をエッチングした後に無電解メッキで銅シード層を形成するステップと、上記一面にセミアディティブ（ＳＡＰ、Ｓｅｍｉ−Ａｄｄｉｔｉｖｅ  Ｐｒｏｃｅｓｓ）法により微細回路パターンを形成し、ビア及び外層回路を形成するステップと、を含むことができる。
【００６９】
上記絶縁層２００は、補強基材、充填材及び樹脂を含むことができ、上記補強基材としては、ガラス繊維織物、ガラス繊維不織布、炭素繊維織物または有機高分子繊維織物を用いることができる。
【００７０】
また、上記充填材としては、シリカ、アルミナ、硫酸バリウム、タルク、クレイ、雲母パウダー、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、酸化マグネシウム、窒化ホウ素、ホウ酸アルミニウム、チタン酸バリウム、チタン酸カルシウム、チタン酸マグネシウム、チタン酸ビスマス、酸化チタン、ジルコン酸バリウム、ジルコン酸カルシウムのうちのいずれか１種または２種以上を用いることができるが、これに限定されない。
【００７１】
上記絶縁層２００の一面５１０に第１銅層４１１及び表面処理層４１２を含む第１銅箔層４１０を形成し、他面５２０に高分子樹脂層３１０、第２銅層３２０及びキャリアホイル層３３０を含む第２銅箔層３００を形成することで銅張積層板を形成するステップにおいては、上記絶縁層２００を中心にして一面５１０に絶縁層から外層方向へ、第１銅層４１１、表面処理層４１２の順に積層して第１銅箔層４００を形成し、他面５２０に第２銅箔層３００を積層することで銅張積層板を製造することができる。
【００７２】
上記第２銅箔層３００は、上記絶縁層２００を基準にして外側方向へ上記高分子樹脂層３１０、上記第２銅層３２０、上記キャリアホイル層３３０の順に形成することができる。
【００７３】
上記表面処理層４１２は、上記第１銅層４１１の表面を黒化処理して酸化させ、ＣｕＯ、Ｃｕ２Ｏなどの酸化銅を銅層の表面に析出させる方法により形成することができ、Ｈ２ＳＯ４などで表面をエッチングした後に、ＣｌＯ２（Ｃｈｌｏｒｉｔｅ）などのオキサイド溶液により銅層の表面を均一に酸化させることができる。
【００７４】
上記表面処理層４１２は、上記表面に析出されたＣｕＯとＣｕ２Ｏの割合に応じて赤色または黒色を示すが、これにより、ビアホールを形成するためのレーザによるエッチング工程においてのレーザの反射を低減し、精密なビアホールを加工することができる。
【００７５】
上記第１銅箔層４１０の表面にレーザを照射してビアホール６００を形成するステップにおいては、図１２の銅張積層板１０１の一面５１０にレーザを照射してビアホール６００を形成する。
【００７６】
上記レーザは、ＹＡＧレーザ、ＣＯ２レーザまたはピコレーザなどを用いることができるが、これに限定されない。
【００７７】
ここで、表面処理層４１２により、レーザによる反射を低減できるので、比較的安価で行えるＣＯ２レーザの使用が容易となる。
【００７８】
レーザによるビアホールの加工の際には、ビアホールの入口に比べてビアホールの底側のホールの直径が小さく形成されるのが一般的であるが、本実施例においては銅張積層板の一面５１０から他面５２０方向へビアホールを加工するので、他面５２０側のビアホールの直径が小さく形成されて、微細ビアホールを加工でき、他面５２０側に微細ビア６１０と微細パターン８１０とをともに形成できるという利点がある。
【００７９】
上記ビアホール６００は、高分子樹脂層３１０までエッチングすることができる。
【００８０】
上記第２銅箔層を上記高分子樹脂層のみを残して除去し、上記第１銅箔層をエッチングした後に無電解メッキで銅シード層を形成するステップにおいては、上記第２銅層３２０と上記キャリアホイル層３３０とをデタッチ（ｄｅｔａｃｈ）方式により除去することができ、上記第１銅箔層は、エッチングにより除去することができる。
【００８１】
但し、上記第１銅箔層の表面処理層４１２は完全に除去されるが、第１銅層４１１は、図１４に示すように、エッチングにより完全に除去されず、一部が残されて、無電解メッキによる銅シード層の形成の際に銅シード層と絶縁層との間の結合力の向上を高めることができる。
【００８２】
以後、無電解メッキにより銅シード層７００を形成することになるが、上記銅シード層は、外層回路パターン８００、微細パターン８１０、ビア６１０を形成するための電解メッキの際にシード層の役割をすることができる。
【００８３】
特に、他面５２０側の銅シード層７００は、高分子樹脂層３１０上にメッキされるが、上記高分子樹脂層３１０のために絶縁層２００との密着力が向上するので、セミアディティブ法による微細パターン８１０を形成することが容易となる。
【００８４】
以後、ソルダーレジスト９００を塗布して開口部を形成でき、必要によって、さらにビルドアップ層の積層及び回路パターンを形成して多層のプリント回路基板を形成することができる。
【００８５】
図１６は、本発明の第３実施例に係るプリント回路基板の製造方法における絶縁層の断面図であり、図１７は、本発明の第３実施例に係るプリント回路基板の製造方法における第１銅箔層及び第２銅箔層を形成した後の断面図であり、図１８は、本発明の第３実施例に係るプリント回路基板の製造方法におけるレーザでビアホールを形成した後の断面図であり、図１９は、本発明の第３実施例に係るプリント回路基板の製造方法におけるシード層（ｓｅｅｄ  ｌａｙｅｒ）を形成した後の断面図であり、図２０は、本発明の第３実施例に係るプリント回路基板の製造方法における微細回路パターン及びソルダーレジストを形成した後の断面図である。
【００８６】
図１６から図２０を参照すると、本実施例に係るプリント回路基板の製造方法は、絶縁層を準備するステップと、上記絶縁層の一面にニッケル酸化物またはコバルト酸化物がコーティングされた極箔銅箔を含む第１銅箔層を形成し、他面に高分子樹脂層、キャリアホイル層及び第２銅層を含む第２銅箔層を形成して、銅張積層板を形成するステップと、上記第１銅箔層の表面にレーザを照射してビアホールを形成するステップと、上記第２銅箔層を上記高分子樹脂層のみを残して除去し、上記第１銅箔層をエッチングした後に無電解メッキで銅シード層を形成するステップと、上記一面にセミアディティブ（ＳＡＰ、Ｓｅｍｉ−Ａｄｄｉｔｉｖｅ  Ｐｒｏｃｅｓｓ）法により微細回路パターンを形成し、ビア及び外層回路を形成するステップと、を含むことができる。
【００８７】
上記絶縁層２００は、補強基材、充填材及び樹脂を含むことができ、上記補強基材としては、ガラス繊維織物、ガラス繊維不織布、炭素繊維織物または有機高分子繊維織物を用いることができる。
【００８８】
また、上記充填材としては、シリカ、アルミナ、硫酸バリウム、タルク、クレイ、雲母パウダー、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、酸化マグネシウム、窒化ホウ素、ホウ酸アルミニウム、チタン酸バリウム、チタン酸カルシウム、チタン酸マグネシウム、チタン酸ビスマス、酸化チタン、ジルコン酸バリウム、ジルコン酸カルシウムのうちのいずれか１種または２種以上を用いることができるが、これに限定されない。
【００８９】
上記絶縁層２００の一面５１０にニッケル酸化物またはコバルト酸化物がコーティングされた極箔銅箔を含む第１銅箔層４２０を形成し、他面５２０に高分子樹脂層３１０、第２銅層３２０及びキャリアホイル層３３０を含む第２銅箔層３００を形成して銅張積層板を形成するステップにおいては、上記絶縁層２００を中心にして一面５１０に、絶縁層から外層方向へ極箔銅箔４２１、ニッケル酸化物またはコバルト酸化物で構成された金属酸化物コーティング層４２２の順に積層して第１銅箔層４００を形成し、他面５２０には、第２銅箔層３００を積層して銅張積層板を製造することができる。
【００９０】
上記第２銅箔層３００は、上記絶縁層２００を基準にして外側方向へ上記高分子樹脂層３１０、上記第２銅層３２０、上記キャリアホイル層３３０の順に形成することができる。
【００９１】
上記金属酸化物コーティング層４２２は、レーザの吸収率を高めるために極箔銅箔４２１にコーティングしたものを用いることができる。
【００９２】
上記第１銅箔層４２０の表面にレーザを照射してビアホール６００を形成するステップにおいては、図１７の銅張積層板１０２の一面５１０にレーザを照射してビアホール６００を形成する。
【００９３】
上記レーザとしては、ＹＡＧレーザ、ＣＯ２レーザまたはピコレーザなどを用いることができるが、これに限定されない。
【００９４】
このとき、金属酸化物コーティング層４２２を介してレーザの吸収率を高めることができるので、比較的安価で行えるＣＯ２レーザの使用が容易となる。
【００９５】
レーザによりビアホールを加工する際には、ビアホールの入口に比してビアホールの底側のホールの直径が小さく形成されるのが一般的であるが、本実施例では、銅張積層板の一面５１０から他面５２０方向へビアホールを加工するので、他面５２０側のビアホールの直径が小さく形成され、微細ビアホールを加工でき、他面５２０側に微細ビア６１０と微細パターン８１０とをともに形成できるという利点がある。
【００９６】
上記ビアホール６００は、高分子樹脂層３１０までエッチングすることができる。
【００９７】
上記第２銅箔層を上記高分子樹脂層のみを残して除去し、上記第１銅箔層をエッチングした後に無電解メッキで銅シード層を形成するステップにおいては、上記第２銅層３２０と上記キャリアホイル層３３０とをデタッチ（ｄｅｔａｃｈ）方式により除去でき、上記第１銅箔層４２０は、エッチングにより除去できる。
【００９８】
但し、上記第１銅箔層の金属酸化物コーティング層４２２は完全に除去されるが、極箔銅箔４２１は、図１９に示すように、エッチングにより完全に除去されず、一部が残されて、無電解メッキによる銅シード層の形成の際に銅シード層と絶縁層との間の結合力の向上を高めることができる。
【００９９】
以後、無電解メッキにより銅シード層７００を形成するが、上記銅シード層は、外層回路パターン８００、微細パターン８１０、ビア６１０を形成するための電解メッキの際にシード層の役割をすることができる。
【０１００】
特に、他面５２０側の銅シード層７００は、高分子樹脂層３１０上にメッキされるが、上記高分子樹脂層３１０のために絶縁層２００との密着力が向上するので、セミアディティブ法による微細パターン８１０を形成することが容易となる。
【０１０１】
以後、ソルダーレジスト９００を塗布して開口部を形成することができ、必要によって、さらにビルドアップ層の積層及び回路パターンを形成して多層のプリント回路基板を形成することができる。
【０１０２】
図２１は、本発明の第４実施例に係るプリント回路基板の製造方法における絶縁層の断面図であり、図２２は、本発明の第４実施例に係るプリント回路基板の製造方法における絶縁層の一面と他面に第２銅箔層を形成した後の断面図であり、図２３は、本発明の第４実施例に係るプリント回路基板の製造方法におけるレーザでビアホールを形成した後の断面図である。図２４は、本発明の第４実施例に係るプリント回路基板の製造方法におけるシード層（ｓｅｅｄ  ｌａｙｅｒ）を形成した後の断面図であり、図２５は、本発明の第４実施例に係るプリント回路基板の製造方法における絶縁層の一面及び他面に微細回路パターンとソルダーレジストとを形成した後の断面図である。
【０１０３】
図２１から図２５を参照すると、本実施例に係るプリント回路基板の製造方法は、絶縁層を準備するステップと、上記絶縁層の一面及び他面に、高分子樹脂層、キャリアホイル層及び第２銅層を含む第２銅箔層を形成して、銅張積層板を形成するステップと、上記一面の第２銅箔層にレーザを照射してビアホールを形成するステップと、上記第２銅箔層を上記高分子樹脂層のみを残して除去し、無電解メッキで銅シード層を形成するステップと、上記一面及び他面にセミアディティブ（ＳＡＰ、Ｓｅｍｉ−Ａｄｄｉｔｉｖｅ  Ｐｒｏｃｅｓｓ）法により微細回路パターンを形成し、ビア及び外層回路を形成するステップと、を含むことができる。
【０１０４】
上記絶縁層２００は、補強基材、充填材及び樹脂を含むことができ、上記補強基材としては、ガラス繊維織物、ガラス繊維不織布、炭素繊維織物または有機高分子繊維織物を用いることができる。
【０１０５】
また、上記充填材としては、シリカ、アルミナ、硫酸バリウム、タルク、クレイ、雲母パウダー、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、酸化マグネシウム、窒化ホウ素、ホウ酸アルミニウム、チタン酸バリウム、チタン酸カルシウム、チタン酸マグネシウム、チタン酸ビスマス、酸化チタン、ジルコン酸バリウム、ジルコン酸カルシウムのうちのいずれか１種または２種以上を用いることができるが、これに限定されない。
【０１０６】
上記絶縁層の一面にニッケル酸化物またはコバルト酸化物がコーティングされた極箔銅箔を含む第１銅箔層を形成し、他面に高分子樹脂層、キャリアホイル層及び第２銅層を含む第２銅箔層を形成して、銅張積層板を形成するステップにおいては、絶縁層の一面５１０及び他面５２０に、絶縁層２００を基準にして外側方向へ高分子樹脂層３１０、３１０'、第２銅層３２０、３２０'、キャリアホイル層３３０、３３０'の順に積層して銅張積層板１０３を形成する。
【０１０７】
上記一面の第２銅箔層にレーザを照射してビアホールを形成するステップにおいては、上記銅張積層板の一面５１０に形成されている第２銅箔層３００'の表面にレーザを照射してビアホール６００を形成する。
【０１０８】
上記ビアホール６００は、他面５２０に形成された第２銅箔層３００の高分子樹脂層３１０までエッチングすることができる。
【０１０９】
上記レーザとしては、ＹＡＧレーザ、ＣＯ２レーザまたはピコレーザなどを用いることができるが、これに限定されない。
【０１１０】
上記第２銅箔層を上記高分子樹脂層のみを残して除去し、無電解メッキで銅シード層を形成するステップにおいては、上記第２銅層３２０、３２０'と上記キャリアホイル層３３０、３３０'とをデタッチ（ｄｅｔａｃｈ）方式により除去することができ、無電解メッキにより銅シード層を形成することができる。
【０１１１】
以後、上記一面及び他面にセミアディティブ（ＳＡＰ、Ｓｅｍｉ−Ａｄｄｉｔｉｖｅ  Ｐｒｏｃｅｓｓ）法により微細回路パターンを形成し、ビア及び外層回路を形成できるが、絶縁層２００の一面５１０と他面５２０の両方に高分子樹脂層３１０、３１０'が残っているので、一面５１０と他面５２０の両方にセミアディティブ法による微細回路パターン８１０、８１０'を形成することができる。
【０１１２】
以後、ソルダーレジストを形成する工程をさらに行うことができる。
【０１１３】
以上の詳細な説明は本発明を例示するものである。また上述した内容は、本発明の好ましい実施形態を示して説明することに過ぎず、本発明は多様な他の組み合わせ、変更及び環境で用いることができる。すなわち、本明細書に開示された発明の概念の範囲、記述した開示内容と均等な範囲及び／または当業界の技術または知識の範囲内で変更または修正することが可能である。上述した実施例は、本発明を実施するにあたり最善の状態を説明するためのものであり、本発明のように他の発明を用いるにおいて当業界に公知された異なる他の状態での実施、そして発明の具体的な適用分野及び用途で要求される多様な変更も可能である。したがって、以上の発明の詳細な説明は開示された実施状態に本発明を制限しようとする意図ではない。また添付された特許請求の範囲は他の実施状態も含むと解釈されるべきである。
【符号の説明】
【０１１４】
１００、１０１、１０２、１０３  銅張積層板
１１０、１１１、１１２、１１３  プリント回路基板
２００  絶縁層
３００、３００'  第２銅箔層
３１０、３１０'  高分子樹脂層
３２０、３２０'  第２銅層
３３０、３３０'  キャリアホイル層
４００、４１０、４２０  第１銅箔層
４１１  第１銅層
４１２  表面処理層
４２１  極箔銅箔
４２２  金属酸化物コーティング層
５１０  一面
５２０  他面
６００  ビアホール
６１０  ビア
７００  銅シード層
８００  外層回路パターン
８１０  微細パターン
９００  ソルダーレジスト
【図１】
2016213446.tif 000003
【図２】
2016213446.tif 000004
【図３】
2016213446.tif 000005
【図４】
2016213446.tif 000006
【図５】
2016213446.tif 000007
【図６】
2016213446.tif 000008
【図７】
2016213446.tif 000009
【図８】
2016213446.tif 000010
【図９】
2016213446.tif 000011
【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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