(57)【要約】【課題】  比較的低温で支持基板を反らせることが可能な技術を提供する。【解決手段】  半導体装置を製造する方法であって、支持基板の一方の表面に液体を付着させる工程と、前記液体を固体化させ、その相変化に伴って生じる体積変化によって前記支持基板を反らせる工程（相変化に起因する反り工程）と、加熱状態において、前記支持基板と異なる線膨張係数を持つ半導体基板を前記支持基板に貼り付ける工程と、前記半導体基板が貼り付けられた前記支持基板を冷却して前記支持基板を反らせる工程（線膨張係数差に起因する反り工程）を有する。相変化に起因する反り方向が線膨張係数差に起因する反り方向と逆向きである。【選択図】図６
2016146449.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持基板の一方の表面に液体を付着させる、付着工程と、
前記液体を固体化させ、その相変化に伴って生じる体積変化によって前記支持基板を反らせる、相変化に起因する反り工程と、
加熱状態において、前記支持基板と異なる線膨張係数を持つ半導体基板を前記支持基板に貼り付ける、貼り付け工程と、
前記半導体基板が貼り付けられた前記支持基板を冷却して前記支持基板を反らせる、線膨張係数差に起因する反り工程と、
を有し、
前記相変化に起因する反り方向が前記線膨張係数差に起因する反り方向と逆向きである
半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記液体に、固体化に伴って体積膨張する液体を選択し、
前記支持基板に、前記半導体基板より大きい線膨張係数を持つ支持基板を選択し、
前記相変化に起因する反り工程を、前記線膨張係数差に起因する反り工程より先に実施し、
前記相変化に起因する反り工程で、前記支持基板が、前記液体の付着側が凸となる向きに反り、
前記相変化に起因する反り工程で凹となった前記支持基板の表面に前記半導体基板を貼り付ける、
請求項１の方法。
【請求項３】
前記液体に、固体化に伴って体積膨張する液体を選択し、
前記支持基板に、前記半導体基板より小さい線膨張係数を持つ支持基板を選択し、
前記相変化に起因する反り工程を、前記線膨張係数差に起因する反り工程より先に実施し、
前記相変化に起因する反り工程で、前記支持基板が、前記液体の付着側が凸となる向きに反り、
前記相変化に起因する反り工程で凸となった前記支持基板の表面に前記半導体基板を貼り付ける、
請求項１の方法。
【請求項４】
前記液体に、固体化に伴って体積膨張する液体を選択し、
前記支持基板に、前記一方の表面に溝が形成されている支持基板を選択し、
前記相変化に起因する反り工程で、前記溝内の前記液体が固体化する、
請求項１〜３のいずれかの１項に記載の方法。
【請求項５】
前記相変化に起因する反り工程で、前記液体を固体化させた層の表面が前記溝の開口部より底部側に位置するように前記液体を固体化させる、請求項４の方法。
【請求項６】
前記溝が、
前記一方の表面の中心の周囲を環状に伸びる第１溝と、
前記第１溝の周囲を環状に伸びる第２溝、
を有する請求項４または５の方法。
【請求項７】
前記半導体基板が貼り付けられた前記支持基板を、前記支持基板の前記一方の表面がステージに接触する向きで、前記ステージ上に載置する工程と、
前記ステージ上に載置された前記半導体基板をエッチングする工程を、
さらに有する請求項６の方法。
【請求項８】
前記液体に、固体化に伴って体積膨張する液体を選択し、
前記支持基板に、前記半導体基板より大きい線膨張係数を持つ支持基板を選択し、
前記線膨張係数差に起因する反り工程を、前記相変化に起因する反り工程より先に実施し、
前記線膨張係数差に起因する反り工程で凹となった前記支持基板の表面に前記液体を付着させる、
請求項１の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本明細書が開示する技術は、半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造工程において、半導体基板の補強のために、半導体基板を支持基板に貼り付ける場合がある。例えば、半導体基板を支持基板に貼り付けた後に、半導体基板を薄板化することで、厚みが薄い半導体装置の製造が可能となる。
【０００３】
特許文献１には、加熱状態で半導体基板を支持基板に貼り付けることで積層基板を作成し、その後、積層基板を常温まで冷却させる技術が開示されている。半導体基板の線膨張係数と支持基板の線膨張係数が異なるため、冷却時に積層基板に反りが生じるおそれがある。特許文献１の技術では、このような積層基板の反りを防止するために、貼り付け前の支持基板を歪み点よりも高い温度で熱処理することで、支持基板に予め反りを生じさせる。そして、反りを有する支持基板に半導体基板を加熱状態で貼り付ける。その後、積層基板を冷却すると、線膨張係数の差によって積層基板が反る。この線膨張係数の差によって生じる反りによって、予め支持基板に生じさせておいた反りが矯正される。すなわち、予め支持基板に生じさせておいた反りが、線膨張係数の差によって生じる反りによって矯正される。その結果、冷却後において平坦な積層基板を得ることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１１−２３４３８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１の技術では、支持基板を歪み点よりも高い温度（６００℃以上の温度）で熱処理することによって、支持基板に反りを生じさせる。支持基板の材質によっては、歪み点がより高温となる場合があり、より高温の熱処理が必要となる。しかしながら、このような高温の熱処理を製造ラインで行うためには、大規模な設備が必要となる。また、このような高温を安定して生成するためには、長時間を要する。このため、特許文献１の方法では、効率的に半導体装置を製造することが困難であった。したがって、本明細書では、より低温で支持基板を反らせることが可能な技術を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本明細書が開示する半導体装置の製造方法は、付着工程と、相変化に起因する反り工程と、貼り付け工程と、線膨張係数差に起因する反り工程を有する。付着工程では、支持基板の一方の表面に液体を付着させる。相変化に起因する反り工程では、前記液体を固体化させ、その相変化に伴って生じる体積変化によって前記支持基板を反らせる。貼り付け工程では、加熱状態において、前記支持基板と異なる線膨張係数を持つ半導体基板を前記支持基板に貼り付ける。線膨張係数差に起因する反り工程では、前記半導体基板が貼り付けられた前記支持基板を冷却して前記支持基板を反らせる。前記相変化に起因する反り方向が前記線膨張係数差に起因する反り方向と逆向きである。
【０００７】
なお、上記の「体積変化」は、膨張であっても収縮であってもよい。また、上記の「相変化に起因する反り工程」と上記の「線膨張係数差に起因する反り工程」は、何れを先に実施してもよい。また、上記の「貼り付け工程」では、半導体基板と支持基板とを分離した状態で加熱し、その加熱状態を維持しながら半導体基板を支持基板の表面に貼り付けることと、加熱前に半導体基板を支持基板に貼り付け、その貼り付けた状態を維持しながら半導体基板と支持基板を加熱することとを含む。また、上記の「反らせる」は、支持基板の反りの度合を変化させることを意味する。「反らせる」には、反りの度合いを大きくすること（例えば、平坦な支持基板を反らせること）と、反りの度合いを小さくすること（例えば、反っている支持基板を平坦にすること）が含まれる。また、上記の「逆向き」は、一方の反りが、他方の反りによって是正されることを意味する。
【０００８】
この方法では、支持基板の一方の表面に付着させた液体を固体化し、その相変化に伴って生じる体積変化によって、支持基板を反らせる。液体が固体化する相変化による体積変化は比較的低い温度（例えば、３００℃程度）の温度で生じさせることができる。このため、この方法によれば、比較的低温で支持基板を反らせることができる。
また、この方法では、半導体基板を支持基板に加熱状態で貼り付け、その後、半導体基板が貼り付けられた支持基板（以下、積層基板という）を冷却する。支持基板の線膨張係数が半導体基板の線膨張係数と異なるので、冷却時に支持基板の収縮量が半導体基板の収縮量と異なる。このため、冷却時に、線膨張係数差に起因して積層基板が反る。
線膨張係数差に起因する反り方向と相変化に起因する反り方向が逆向きであるので、これらの反りが相殺される。その結果、これらの工程の実施後に、積層基板が略平坦となる。このように、この方法によれば、平坦な積層基板を得ることができる。
なお、上記の通り、相変化に起因する反り工程と線膨張係数差に起因する反り工程は、何れを先に実施してもよい。相変化に起因する反り工程を先に実施すると、当該工程において支持基板が反った状態となる。その後の線膨張係数差に起因する反り工程において支持基板（すなわち、積層基板）が略平坦となる。線膨張係数差に起因する反り工程を先に実施すると、当該工程において支持基板（すなわち、積層基板）が反った状態となる。その後の相変化に起因する反り工程において支持基板（すなわち、積層基板）が略平坦となる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】支持基板１０と半導体基板６０の概略斜視図。
【図２】支持基板１０の平面図であって、溝２０を斜線ハッチングにより示す図。
【図３】図２のＩＩＩ−ＩＩＩ線における支持基板１０の縦断面図。
【図４】半導体基板６０の縦断面図。
【図５】反り調整膜２４形成後の支持基板１０の拡大断面図。
【図６】反り調整膜２４形成後の支持基板１０の縦断面図。
【図７】支持基板１０の平面図であって、溝２０の図示を省略し、上面１０ｂの等高線を点線で示す図。
【図８】接着剤３０塗布後の半導体基板６０の縦断面図。
【図９】半導体基板６０上に支持基板１０を重ねた状態を示す縦断面図。
【図１０】加圧した状態の積層基板９８の縦断面図。
【図１１】薄板化した半導体基板６０の縦断面図。
【図１２】ウェットエッチングの説明図。
【図１３】イオン注入後の半導体基板６０の縦断面図。
【図１４】下部電極９２形成後の半導体基板６０の縦断面図。
【図１５】実施例２の反り調整膜形成工程の説明図。
【図１６】実施例３の反り調整膜形成工程の説明図。
【図１７】実施例３の貼り付け及び冷却工程の説明図。
【図１８】実施例４の貼り付け及び冷却工程の説明図。
【図１９】実施例５の反り調整膜形成工程の説明図。
【図２０】実施例５の反り貼り付け及び冷却工程の説明図。
【図２１】実施例６の反り調整膜形成工程の説明図。
【図２２】実施例６の反り貼り付け及び冷却工程の説明図。
【図２３】実施例７の反り貼り付け及び冷却工程の説明図。
【図２４】変形例の支持基板１０の平面図であって、溝２０を斜線ハッチングにより示す図。
【図２５】変形例の支持基板１０の平面図であって、溝２０を斜線ハッチングにより示す図。
【発明を実施するための形態】
【実施例１】
【００１０】
実施例１の半導体装置の製造方法では、図１に示すように、半導体基板６０を支持基板１０に貼り付けて半導体基板６０を補強し、補強された半導体基板６０に対して加工を行う。
【００１１】
図１に示すように、支持基板１０は、円板状の形状を有している。支持基板１０は、サファイアの単結晶により構成されている。支持基板１０は、約７００ｍｍの厚みを有している。支持基板１０（すなわち、サファイア）の線膨張係数は、約５．２ｐｐｍ／Ｋである。
【００１２】
図１に示すように、半導体基板６０は、円板状の形状を有している。半導体基板６０の直径は、支持基板１０の直径よりも少し小さい。図４に示すように、半導体基板６０の内部には、既に半導体装置の構造の一部が形成されている。半導体基板６０は、シリコン基板６２と、シリコン基板６２上に形成された電極と絶縁層を有している。シリコン基板６２の線膨張係数は、約３．４ｐｐｍ／Ｋである。半導体基板６０の大部分はシリコン基板６２によって構成されているので、半導体基板６０の線膨張係数はシリコン基板６２の線膨張係数と略等しい。すなわち、半導体基板６０の線膨張係数は、支持基板１０の線膨張係数よりも小さい。シリコン基板６２の上面には複数のトレンチが形成されており、各トレンチ内にゲート電極７０とゲート絶縁膜７２が配置されている。シリコン基板６２の内部には、ｎ型のエミッタ領域７４、ｐ型のボディ領域７６、ｎ−型のドリフト領域７８、ｐ型のアノード領域８０が形成されている。エミッタ領域７４、ボディ領域７６、ドリフト領域７８及びゲート電極７０等によってＩＧＢＴの一部が構成されており、アノード領域８０とドリフト領域７８によってダイオードの一部が構成されている。シリコン基板６２の上面には、ゲート電極７０を覆う層間絶縁膜８２が形成されている。また、層間絶縁膜８２とシリコン基板６２の上面を覆うように、上部電極８４が形成されている。上部電極８４は、シリコン基板６２側からＡｌＳｉ、Ｔｉ、Ｎｉ及びＡｕを積層した構造を有する。上部電極８４の上面が半導体基板６０の上面６０ｂを構成しており、シリコン基板６２の下面が半導体基板６０の下面６０ａを構成している。半導体基板６０は、約７２５μｍの厚みを有している。
【００１３】
次に、上述した支持基板１０と半導体基板６０を用いて半導体装置を製造する方法について説明する。
【００１４】
（溝形成工程）
まず、図２、３に示すように、支持基板１０の上面１０ｂに複数の溝２０（すなわち、溝２０ａ〜２０ｅ）を形成する。溝２０は、支持基板１０を選択的にエッチングして形成してもよいし、支持基板１０を切削して形成してもよい。溝２０は、上面１０ｂの中心Ｃ１周りに伸びる複数の同心円に沿って形成される。すなわち、溝２０ａは中心Ｃ１の周囲を環状に伸び、溝２０ｂは溝２０ａの周囲を環状に伸びる。同様に、溝２０ｃ〜２０ｅは、溝２０ｂの周囲において同心円に沿って環状に伸びている。図３に示す各溝２０の深さＤ１は、１００μｍ以上である。以下では、溝２０の内面を含めて上面１０ｂと呼ぶ。
【００１５】
（反り調整膜形成工程）
溝２０を形成したら、図５、６に示すように、支持基板１０の上面１０ｂに、ＳＯＧによって構成された反り調整膜２４を形成する。
【００１６】
まず、支持基板１０をその中心Ｃ１周りに回転させながら、支持基板１０の上面１０ｂにＳＯＧ溶液を塗布する。すると、ＳＯＧ溶液が溝２０内に流入する。これによって、支持基板１０の溝２０内に、ＳＯＧ溶液を塗布する。ここでは、溝２０内のＳＯＧ溶液の液面が、溝２０の開口よりも底部側に位置するように（すなわち、液面が溝２０の開口よりも外側に盛り上がらないように）にＳＯＧ溶液を塗布する。
【００１７】
次に、ＳＯＧ溶液を塗布した支持基板１０を炉内にて３００℃〜４００℃の温度で熱処理する。これによって、図５、６に示すように、ＳＯＧ溶液が硬化して、溝２０内にＳＯＧ（すなわち、酸化シリコン膜）によって構成された反り調整膜２４が形成される。反り調整膜２４は、硬化する際に膨張する。すると、膨張する反り調整膜２４によって溝２０の側面が、溝２０の幅を拡大する方向に押される。このため、上面１０ｂ側において支持基板１０が膨張する。他方、下面１０ａ側においては支持基板１０がほとんど膨張しない。したがって、図６に示すように、上面１０ｂが凸となるように支持基板１０が反る（湾曲する）。なお、各溝２０が同心円状に伸びているので、反り調整膜２４の膨張によって、上面１０ｂ側の支持基板１０は半径方向に膨張する。その結果、図６に示すように、支持基板１０は中心Ｃ１が最も盛り上がるように反る。また、図７は、支持基板１０の上面１０ｂを示している。なお、図７において、溝２０の図示が省略されている。また、図７中の点線は、上面１０ｂにおける等高線を示す。図７に示すように、支持基板１０の上面１０ｂの等高線が同心円状に分布し、中心Ｃ１が外周部に比べて最も盛り上がる。反り調整膜２４の膨張は恒久的である。すなわち、熱処理後に支持基板１０が常温に戻されても、反り調整膜２４は膨張後の体積を維持する。したがって、熱処理後においても、支持基板１０は反った状態を維持する。
【００１８】
なお、図５に示すように、反り調整膜２４は、反り調整膜２４の表面が溝２０の開口よりも溝２０の底部側に位置するように形成される。すなわち、反り調整膜２４は、溝２０の内部にのみ形成される。反り調整膜２４は、溝２０の開口から外側に突出していない。反り調整膜２４が溝２０の開口から外側に突出していると、支持基板１０の上面１０ｂに凹凸が形成され、後の工程において支持基板１０のハンドリングが困難となる。例えば、支持基板１０を真空吸着することができなくなる場合がある。これに対し、上記のように反り調整膜２４が溝２０の開口から外側に突出させなければ、支持基板１０を容易にハンドリングすることができる。
【００１９】
（接着剤塗布工程）
次に、図８に示すように、半導体基板６０の上面６０ｂ（すなわち、図４に示す上部電極８４の上面）に、接着剤３０を塗布する。接着剤３０は、半導体基板６０の上面６０ｂの全域に塗布する。接着剤３０は、ポリイミド樹脂により構成されている。ここでは、約３０μｍの厚さで接着剤３０を塗布する。次に、半導体基板６０を３００℃で約１時間熱処理する。これによって、接着剤３０を硬化させる。硬化後の接着剤３０の厚みは、約２０μｍとなる。硬化後の接着剤３０（すなわち、硬化後のポリイミド）は、熱可塑性を有する。
【００２０】
（貼り付け及び冷却工程）
次に、図９に示すように、接着剤３０上に支持基板１０を配置する。すなわち、半導体基板６０上に支持基板１０を重ねる。ここでは、支持基板１０の下面１０ａ（すなわち、凹状の表面）を接着剤３０に接触させる。次に、図１０に示すように、半導体基板６０と支持基板１０の積層基板９８をプレス板３４、３６によって上下から挟み込む。これによって、積層基板９８を上下方向（積層方向）に加圧する。すなわち、支持基板１０を半導体基板６０に向かって押し付ける。加圧によって、支持基板１０が平坦となり、支持基板１０の下面１０ａ全体が接着剤３０に密着する。反っている支持基板１０を加圧によって平坦にしているので、支持基板１０の内部には、上面１０ｂが凸となるように支持基板１０を反らせようとする応力が発生する。以下では、この応力を、第１応力という。また、図１０に示すように、加圧状態において、支持基板１０の中心Ｃ１が半導体基板６０の中心と略一致するように配置される。すなわち、支持基板１０の中心Ｃ１は、積層基板の中心と略一致する。
【００２１】
次に、積層基板９８を加圧した状態を維持しながら、積層基板９８を加熱する。ここでは、積層基板９８を、接着剤３０のガラス転移温度（約３００℃）よりも高い温度まで加熱する。加熱により接着剤３０が軟化する。次に、積層基板９８を徐々に冷却する。積層基板９８の温度が接着剤３０のガラス転移温度よりも低くなると、接着剤３０が硬化する。これによって、半導体基板６０と支持基板１０とが互いに固定される。すなわち、半導体基板６０が、支持基板１０の下面１０ａ（すなわち、加圧前において凹状に湾曲していた表面）に貼り付けられる。その後、積層基板９８が常温となるまで冷却が継続される。
【００２２】
積層基板９８を冷却する際には、支持基板１０と半導体基板６０が収縮しようとする。支持基板１０の線膨張係数は半導体基板６０の線膨張係数よりも大きいので、支持基板１０は半導体基板６０よりも大きく収縮しようとする。また、ガラス転移温度よりも低い温度では、接着剤３０によって半導体基板６０の上面６０ｂと支持基板１０の下面１０ａが互いに固定されている。半導体基板６０と支持基板１０が固定された状態で支持基板１０が半導体基板６０より大きく収縮しようとすると、半導体基板６０側が凸となるように積層基板９８が反ろうとする。但し、積層基板９８はプレス板３４、３６により拘束されているため、実際には積層基板９８は反らない。このため、積層基板９８の内部に、半導体基板６０側が凸となるように積層基板９８を反らせようとする応力が発生する。以下では、この応力を、第２応力という。
【００２３】
上述したように、第１応力は、上面１０ｂが凸となるように支持基板１０を反らせようとする応力である。すなわち、第１応力は、半導体基板６０側が凹となるように積層基板９８を反らせようとする応力である。第１応力は、第２応力とは逆向きの応力である。したがって、第１応力と第２応力が、互いに打ち消し合うように作用する。
【００２４】
積層基板９８が常温まで冷却されたら、プレス板３４、３６を開いて、積層基板９８を取り出す。積層基板９８内に高い応力が作用していると、プレス板３４、３６を開くときにその応力が開放されて、積層基板９８に反りが生じる。しかしながら、実施例１では、積層基板９８の内部に生じる第１応力と第２応力が逆向きに作用するため、第１応力が第２応力を打ち消している。このため、プレス板３４、３６を開いても、積層基板９８はほとんど反らない。実施例１の方法によれば、平坦な積層基板９８を得ることができる。
【００２５】
以上に説明したように、実施例１の方法では、反り調整膜形成工程における支持基板１０の反り方向と、貼り付け及び冷却工程における支持基板１０の反り方向とが逆向きとなるようにすることで、平坦な積層基板を得ることが可能とされている。
【００２６】
なお、積層基板９８の冷却時に、支持基板１０は主にその半径方向に収縮する。このため、積層基板９８の内部には、積層基板９８の中心Ｃ１が最も下側（半導体基板６０側）に凸となるように積層基板９８を反らせようとする応力（上記第２応力）が発生する。他方、上述したように、各溝２０が同心円状に形成されているので、反り調整膜形成工程では、支持基板１０がその半径方向に膨張する。すなわち、上記第１応力は、中心Ｃ１が最も上側（支持基板１０側）に凸となるように積層基板９８を反らせようとする応力である。第１応力と第２応力が、面内で略対称的に発生するので、第１応力と第２応力を面内で均等に相殺することができる。このため、実施例１の方法によれば、より平坦な積層基板９８を得ることができる。
【００２７】
（研磨工程）
プレス板３４、３６から積層基板９８を取り出したら、半導体基板６０の下面６０ａを研磨する。これによって、図１１に示すように、半導体基板６０を薄板化する。
【００２８】
（ウェットエッチング工程）
研磨後に、半導体基板６０の下面６０ａをフッ酸によってウェットエッチングする。研磨工程とウェットエッチング工程を行うことで、半導体基板６０が約１００μｍの厚さまで薄板化される。ウェットエッチングは、図１２に示すように、積層基板９８をステージ４０に載置して実施する。すなわち、支持基板１０の上面１０ｂがステージ４０の表面と接触するように、積層基板９８をステージ４０に載置する。すると、全ての溝２０がステージ４０に覆われる。反り調整膜２４が溝２０の開口から外側に突出していないので、ステージ４０を溝２０の外側の上面１０ｂに密着させることができる。このように積層基板９８をステージ４０に載置した状態で、積層基板９８をフッ酸中に浸漬させる。これによって、半導体基板６０の下面６０ａがエッチングされる。溝２０はステージ４０に覆われている。また、溝２０が環状であり、溝２０が半導体基板６０の外周面まで達していない。したがって、溝２０内にフッ酸が流入することが防止され、溝２０内の反り調整膜２４はフッ酸に曝されない。したがって、反り調整膜２４がダメージを受けることを防止することができる。
【００２９】
（イオン注入工程）
次に、シリコン基板６２の下面（すなわち、半導体基板６０の下面６０ａ）に対して選択的にｐ型不純物及びｎ型不純物を注入する。さらに、シリコン基板６２の下面をレーザアニールすることで、注入したｐ型不純物及びｎ型不純物を活性化させる。これによって、図１３に示すように、ｎ型のバッファ領域８６、ｐ＋型のコレクタ領域８８及びｎ＋型のカソード領域９０を形成する。エミッタ領域７４、ボディ領域７６、ドリフト領域７８、バッファ領域８６、コレクタ領域８８及びゲート電極７０等によってＩＧＢＴが構成される。また、アノード領域８０、ドリフト領域７８、バッファ領域８６及びカソード領域９０によってダイオードが構成される。
【００３０】
なお、イオン注入工程の実施直前に、シリコン基板６２の下面をウェットエッチングして、その下面の自然酸化膜を除去する工程を実施してもよい。この工程を実施する場合も、上述したウェットエッチング工程と同様にステージ４０を用いることで、反り調整膜２４がダメージを受けることが防止される。
【００３１】
（炉アニール工程）
次に、積層基板９８を炉内に入れて、３００℃で熱処理する。これによって、レーザアニール時にシリコン基板６２中に生じた結晶欠陥を回復させる。
【００３２】
（下部電極形成工程）
次に、図１４に示すように、スパッタリングによって、シリコン基板６２の下面に下部電極９２を形成する。
【００３３】
なお、下部電極形成工程の実施直前に、シリコン基板６２の下面をウェットエッチングして、その下面の自然酸化膜を除去する工程を実施してもよい。この工程を実施する場合も、上述したウェットエッチング工程と同様にステージ４０を用いることで、反り調整膜２４がダメージを受けることが防止される。
【００３４】
（ダイシング工程）
次に、支持基板１０から半導体基板６０を分離する。次に、半導体基板６０をダイシングしてチップ化する。これによって、半導体装置が完成する。なお、分離された支持基板１０は、洗浄後に再利用が可能である。エッチング時に反り調整膜２４がダメージをほとんど受けないので、支持基板１０の寿命は長い。
【００３５】
以上に説明したように、実施例１の方法によれば、貼り付け及び冷却工程後に積層基板９８に反りが生じることを抑制することができる。したがって、支持基板１０に半導体基板６０を貼り付けた後に、半導体基板６０に対して好適に加工（すなわち、薄板化加工、イオン注入等）を行うことができる。
【００３６】
また、実施例１の方法によれば、反り調整膜２４の体積変化によって積層基板９８の反りを調節する。反り調整膜２４の体積変化は、比較的低い温度（接着剤３０を軟化させるのと同程度の温度）で生じさせることが可能である。したがって、効率的に半導体装置を製造することができる。また、この方法では、反り調整膜２４の体積変化によって積層基板９８の反りを調節するので、特許文献１の方法とは異なり、支持基板１０の歪み点まで加熱する必要がない。このため、歪み点が高い材料を支持基板１０として採用することができる。すなわち、支持基板１０として、歪み点に係らず自由に材料を選択することができる。
【００３７】
上述した実施例１の構成要素と請求項の構成要素との関係について以下に説明する。実施例１の支持基板１０の上面１０ｂは、請求項の支持基板の一方の表面の一例である。実施例１のＳＯＧ溶液は、請求項の液体の一例である。実施例１の反り調整膜２４は、請求項の液体を固体化させた層の一例である。実施例１の支持基板１０の下面１０ａは、請求項の相変化に起因する反り工程で凹となった支持基板の表面の一例である。実施例１の溝２０ａは、請求項の第１溝の一例である。実施例１の溝２０ｂは、請求項の第２溝の一例である。実施例１の反り調整膜形成工程は、請求項の付着工程及び相変化に起因する反り工程の一例である。実施例１の貼り付け及び冷却工程は、請求項の貼り付け工程及び線膨張係数差に起因する反り工程の一例である。
【実施例２】
【００３８】
実施例２の方法では、溝形成工程を行わない。したがって、支持基板１０の上面１０ｂは、平坦であり、溝２０が形成されていない。溝２０を除いて、実施例２の方法は実施例１の方法と同様にして実施される。反り調整膜形成工程では、図１５に示すように、支持基板１０の平坦な上面１０ｂ上に反り調整膜２４を形成する。すなわち、支持基板１０をその中心Ｃ１周りに回転させながら、支持基板１０の上面１０ｂにＳＯＧ溶液を塗布する。次に、支持基板１０を炉内にて３００℃〜４００℃の温度で熱処理する。これによって、ＳＯＧ溶液が硬化して、反り調整膜２４が形成される。反り調整膜２４は、平坦な上面１０ｂに固着する。また、反り調整膜２４は、硬化する際に膨張する。このため、膨張する反り調整膜２４によって支持基板１０の上面１０ｂが応力を受け、上面１０ｂ側において支持基板１０が膨張する。他方、下面１０ａ側においては支持基板１０がほとんど膨張しない。したがって、図１５に示すように、上面１０ｂが凸となるように支持基板１０が反る。このように、溝２０を有さない支持基板１０を用いる場合でも、反り調整膜２４によって支持基板１０を反らせることができる。但し、溝２０を利用しない実施例２では、溝２０を利用する実施例１よりも、反り調整膜形成工程における支持基板１０の反りが少なくなる。上記のように支持基板１０に反りを生じさせたら、残りの工程を実施例１と同様にして実施する。これによって、実施例２の方法でも、平坦な積層基板９８が得られる。平坦な積層基板９８によって、好適に半導体装置を製造することができる。また、実施例２の方法でも、比較的低い温度で反り調整膜２４を体積変化させることが可能であり、効率的に半導体装置を製造することができる。
【実施例３】
【００３９】
実施例３の方法では、実施例１の方法とは異なり、半導体基板６０の線膨張係数よりも線膨張係数が小さい材料により構成された支持基板１０を使用する。このような支持基板１０の材料としては、例えば、ガラスやセラミックスを用いることができる。また、実施例３の方法で用いる支持基板１０の上面１０ｂ及び下面１０ａは平坦である。また、実施例３では、溝形成工程を行わない。
【００４０】
（反り調整膜形成工程）
実施例３の方法では、図１６に示すように、反り調整膜形成工程において、支持基板１０の平坦な下面１０ａにＳＯＧによって構成されている反り調整膜２４を形成する。したがって、硬化時に反り調整膜２４が膨張するので、下面１０ａが凸となるように支持基板１０が反る。
【００４１】
（接着剤塗布工程）
実施例３の接着剤塗布工程では、実施例１の接着剤塗布工程と同様に半導体基板６０の上面６０ｂに接着剤３０を形成する。
【００４２】
（貼り付け及び冷却工程）
実施例３の貼り付け及び冷却工程では、図１７に示すように、接着剤３０上に支持基板１０を配置する。すなわち、半導体基板６０上に支持基板１０を重ねる。ここでは、支持基板１０の下面１０ａに形成されている反り調整膜２４を接着剤３０に接触させる。次に、半導体基板６０と支持基板１０の積層基板９８をプレス板によって上下から挟み込む。これによって、積層基板９８を上下方向（積層方向）に加圧する。加圧によって、支持基板１０が平坦となり、反り調整膜２４の表面が接着剤３０に密着する。反っている支持基板１０を加圧によって平坦にしているので、支持基板１０の内部には、下面１０ａが凸となるように支持基板１０を反らせようとする応力が発生する。以下では、この応力を第３応力という。次に、積層基板９８を加圧した状態を維持しながら、積層基板９８を接着剤３０のガラス転移温度（約３００℃）よりも高い温度まで加熱する。加熱により接着剤３０が軟化する。次に、積層基板９８を徐々に冷却する。積層基板９８の温度が接着剤３０のガラス転移温度よりも低くなると、接着剤３０が硬化する。これによって、半導体基板６０と支持基板１０とが互いに固定される。すなわち、半導体基板６０が、支持基板１０の下面１０ａ（すなわち、加圧前において凸状に湾曲していた表面）に貼り付けられる。その後、積層基板９８が常温となるまで冷却が継続される。実施例３では、支持基板１０の線膨張係数が半導体基板６０の線膨張係数よりも小さいので、冷却時に積層基板９８が、支持基板１０側が凸となるように反ろうとする。但し、積層基板９８はプレス板により拘束されているため、実際には積層基板９８に反らない。このため、積層基板９８の内部に、支持基板１０側が凸となるように積層基板９８を反らせようとする応力が発生する。以下では、この応力を、第４応力という。第４応力は３応力とは逆向きの応力である。したがって、第３応力と第４応力が、互いに打ち消し合うように作用する。
【００４３】
積層基板９８が常温まで冷却されたら、プレス板を開いて、積層基板９８を取り出す。第３応力と第４応力が互いに打ち消し合うように作用するので、積層基板９８中の応力は小さい。したがって、プレス板を開いても、積層基板９８はほとんど反らない。実施例３の方法によれば、平坦な積層基板９８を得ることができる。その後の工程は、実施例１と同様にして実施される。したがって、実施例３の方法でも、積層基板９８が平坦であるので、好適に半導体装置を製造することができる。また、実施例３の方法でも、比較的低い温度で反り調整膜２４を体積変化させることが可能であり、効率的に半導体装置を製造することができる。
【００４４】
上述した実施例３の構成要素と請求項の構成要素との関係について以下に説明する。実施例３の支持基板１０の下面１０ａは、請求項の支持基板の一方の表面の一例である。実施例３の支持基板１０の下面１０ａは、請求項の凸となった支持基板の表面の一例である。
【００４５】
なお、実施例３では支持基板１０の平坦な下面１０ａに反り調整膜２４を形成した。しかしながら、下面１０ａに溝を形成し、その溝内に反り調整膜２４を形成して膨張させてもよい。この方法によれば、貼り付け前に支持基板１０をより大きく反らせることができる。
【実施例４】
【００４６】
実施例４の方法では、実施例１と同じ半導体基板６０と支持基板１０を使用する。実施例４の方法では、実施例１と同様にして溝形成工程を実施する。また、実施例４の方法では、貼り付け及び冷却工程を、反り調整膜形成工程よりも先に実施する。
【００４７】
（接着剤塗布工程）
貼り付け及び冷却工程に先立って、接着剤塗布工程を実施する。実施例４の接着剤塗布工程では、実施例１の接着剤塗布工程と同様に半導体基板６０の上面６０ｂに接着剤３０を形成する。
【００４８】
（貼り付け及び冷却工程）
次に、半導体基板６０上に支持基板１０を重ねる。この段階では、半導体基板６０と支持基板１０は共に平坦である。次に、プレス板によって積層基板９８を加圧する。次に、実施例１と同様にして、積層基板９８を加圧しながら加熱し、その後、冷却する。これによって、接着剤３０を介して半導体基板６０を支持基板１０の下面１０ａに貼り付ける。実施例４では、支持基板１０の線膨張係数が半導体基板６０の線膨張係数よりも大きいので、冷却時に積層基板９８が、半導体基板６０側が凸となるように反ろうとする。但し、積層基板９８はプレス板により拘束されているため、実際には積層基板９８に反りは生じない。このため、積層基板９８の内部に、半導体基板６０側が凸となるように積層基板９８を反らせようとする応力が発生する。
【００４９】
積層基板９８が常温まで冷却されたら、プレス板を開いて、積層基板９８を取り出す。すると、積層基板９８の内部の応力が開放されて、図１８に示すように、半導体基板６０側が凸となるように積層基板９８が反る。
【００５０】
（反り調整膜形成工程）
次に、反り調整膜形成工程を実施する。反り調整膜形成工程では、実施例１と同様にして、溝２０内に反り調整膜２４を形成する。硬化時に反り調整膜２４が膨張するので、上面１０ｂ側で支持基板１０が膨張する。このため、積層基板９８が貼り付け及び冷却工程とは逆向きに反り、積層基板９８が平坦となる。実施例４の方法によれば、平坦な積層基板９８を得ることができる。その後の工程は、実施例１と同様にして実施される。したがって、実施例４の方法でも、積層基板９８が平坦であるので、好適に半導体装置を製造することができる。また、実施例４の方法でも、比較的低い温度で反り調整膜２４を体積変化させることが可能であり、効率的に半導体装置を製造することができる。
【００５１】
上述した実施例４の構成要素と請求項の構成要素との関係について以下に説明する。実施例４の支持基板１０の上面１０ｂは、請求項の支持基板の一方の表面の一例である。実施例４の支持基板１０の上面１０ｂは、請求項の線膨張係数差に起因する反り工程で凹となった支持基板の表面の一例である。
【００５２】
なお、実施例４では支持基板１０の上面１０ｂに溝２０を形成したが、上面１０ｂに溝２０を形成しなくてもよい。この構成でも、平坦な上面１０ｂに反り調整膜２４を形成し、膨張させることで、平坦な積層基板９８が得られる。
【実施例５】
【００５３】
実施例５の方法では、溝形成工程を実施せず、上面１０ｂ及び下面１０ａが共に平坦な支持基板１０を使用する。実施例５の方法で用いる支持基板１０の線膨張係数は、半導体基板６０の線膨張係数よりも大きい。また、実施例５では、反り調整膜２４として、ＳＯＧではなく、硬化時に収縮する材料を使用する。
【００５４】
（反り調整膜形成工程）
実施例５の反り調整膜形成工程では、反り調整膜２４の原料となる液体を支持基板１０の平坦な下面１０ａに塗布する。次に、塗布した液体を熱処理によって硬化させて、図１９に示すように、下面１０ａに反り調整膜２４を形成する。すると、反り調整膜２４が硬化するとともに収縮する。これによって、図１９に示すように、支持基板１０が、下面１０ａ側で収縮し、上面１０ｂが凸となるように反る。
【００５５】
（接着剤塗布工程）
実施例５の接着剤塗布工程では、実施例１の接着剤塗布工程と同様に半導体基板６０の上面６０ｂに接着剤３０を形成する。
【００５６】
（貼り付け及び冷却工程）
実施例５の貼り付け及び冷却工程では、図２０に示すように、接着剤３０上に支持基板１０を配置する。すなわち、半導体基板６０上に支持基板１０を重ねる。ここでは、支持基板１０の下面１０ａに形成されている反り調整膜２４を接着剤３０に接触させる。その後、実施例１と同様にして、プレス板によって図２０の積層基板９８を加圧しながら積層基板９８を加熱する。次に、積層基板９８を常温まで冷却する。これによって、接着剤３０を介して半導体基板６０を支持基板１０の下面１０ａ（すなわち、加圧前において凹状に湾曲していた表面）に貼り付ける。その後、プレス板から積層基板９８を取り出す。貼り付け前に上面１０ｂが凸となるように支持基板１０が反っており、支持基板１０の線膨張係数が半導体基板６０の線膨張係数よりも大きいので、実施例５でも実施例１と同様に応力が作用し、平坦な積層基板９８を得ることができる。その後の工程は、実施例１と同様にして実施される。実施例５の方法でも、積層基板９８が平坦であるので、好適に半導体装置を製造することができる。また、実施例５の方法でも、比較的低い温度で反り調整膜２４を体積変化させることが可能であり、効率的に半導体装置を製造することができる。
【００５７】
上述した実施例５の構成要素と請求項の構成要素との関係について以下に説明する。実施例５の支持基板１０の下面１０ａは、請求項の支持基板の一方の表面の一例である。
【実施例６】
【００５８】
実施例６の方法では、上面１０ｂ及び下面１０ａが共に平坦な支持基板１０を使用する。実施例６の方法で使用する支持基板１０の線膨張係数は、半導体基板６０の線膨張係数よりも小さい。また、実施例６では、反り調整膜２４として、ＳＯＧではなく、硬化時に収縮する材料を使用する。
【００５９】
（反り調整膜形成工程）
実施例６の反り調整膜形成工程では、反り調整膜２４の原料となる液体を支持基板１０の平坦な上面１０ｂに塗布する。次に、塗布した液体を熱処理によって硬化させて、図２１に示すように、上面１０ｂに反り調整膜２４を形成する。反り調整膜２４は、硬化する際に収縮する。これによって、図２１に示すように、支持基板１０が上面１０ｂ側で収縮し、下面１０ａが凸となるように支持基板１０が反る。
【００６０】
（接着剤塗布工程）
実施例６の接着剤塗布工程では、実施例１の接着剤塗布工程と同様に半導体基板６０の上面６０ｂに接着剤３０を形成する。
【００６１】
（貼り付け及び冷却工程）
実施例６の貼り付け及び冷却工程では、図２２に示すように、接着剤３０上に支持基板１０を配置する。すなわち、半導体基板６０上に支持基板１０を重ねる。ここでは、支持基板１０の下面１０ａを接着剤３０に接触させる。その後、実施例１と同様にして、プレス板によって図２２の積層基板９８を加圧しながら積層基板９８を加熱する。次に、積層基板９８を常温まで冷却する。これによって、接着剤３０を介して半導体基板６０が支持基板１０の下面１０ａ（すなわち、加圧前において凸状に湾曲していた表面）に貼り付けられる。その後、プレス板から積層基板９８を取り出す。貼り付け前において下面１０ａが凸となるように支持基板１０が反っており、支持基板１０の線膨張係数が半導体基板６０の線膨張係数よりも小さいので、実施例６でも実施例３と同様に応力が作用し、平坦な積層基板９８を得ることができる。その後の工程は、実施例１と同様にして実施される。実施例６の方法でも、積層基板９８が平坦であるので、好適に半導体装置を製造することができる。また、実施例６の方法でも、比較的低い温度で反り調整膜２４を体積変化させることが可能であり、効率的に半導体装置を製造することができる。
【００６２】
上述した実施例６の構成要素と請求項の構成要素との関係について以下に説明する。実施例６の支持基板１０の上面１０ｂは、請求項の支持基板の一方の表面の一例である。
【実施例７】
【００６３】
実施例７の方法では、溝形成工程を実施せず、上面１０ｂ及び下面１０ａが共に平坦な支持基板１０を使用する。実施例７の方法で使用する支持基板１０の線膨張係数は、半導体基板６０の線膨張係数よりも小さい。また、実施例７の方法では、反り調整膜２４として、ＳＯＧではなく、硬化時に収縮する材料を使用する。また、実施例７の方法では、貼り付け及び冷却工程を、反り調整膜形成工程よりも先に実施する。
【００６４】
（接着剤塗布工程）
貼り付け及び冷却工程に先立って、接着剤塗布工程を実施する。実施例７の接着剤塗布工程では、実施例１の接着剤塗布工程と同様に半導体基板６０の上面６０ｂに接着剤３０を形成する。
【００６５】
（貼り付け及び冷却工程）
次に、半導体基板６０上に支持基板１０を重ね、実施例４と同様にして貼り付け及び冷却工程を実施する。これによって、半導体基板６０が支持基板１０の下面１０ａに貼り付けられる。その後、プレス板から積層基板９８を取り出す。実施例７では、実施例４と異なり、支持基板１０の線膨張係数が半導体基板６０の線膨張係数よりも小さい。したがって、プレス板から取り出した積層基板９８は、実施例４と逆向きに反る。すなわち、図２３に示すように、積層基板９８が、支持基板１０側が凸となるように反る。
【００６６】
（反り調整膜形成工程）
次に、反り調整膜形成工程を実施する。反り調整膜形成工程では、反り調整膜２４の原料となる液体を支持基板１０の平坦な上面１０ｂに塗布する。次に、塗布した液体を熱処理によって硬化させて、上面１０ｂに反り調整膜２４を形成する。反り調整膜２４は硬化するとともに収縮する。このため、積層基板９８が貼り付け及び冷却工程における反りとは逆向きに反り、積層基板９８が平坦となる。実施例７の方法によれば、平坦な積層基板９８を得ることができる。その後の工程は、実施例１と同様にして実施される。したがって、実施例７の方法でも、積層基板９８が平坦であるので、好適に半導体装置を製造することができる。
【００６７】
また、実施例７の方法でも、比較的低い温度で反り調整膜２４を体積変化させることが可能であり、効率的に半導体装置を製造することができる。
【００６８】
上述した実施例７の構成要素と請求項の構成要素との関係について以下に説明する。実施例７の支持基板１０の上面１０ｂは、請求項の支持基板の一方の表面の一例である。
【００６９】
以上に説明したように、実施例１〜７の何れでも、反り調整膜形成工程における支持基板１０の反り方向と、貼り付け及び冷却工程における支持基板１０の反り方向が、逆向きとなる。このため、最終的に得られる積層基板９８の反りを抑制することができる。
【００７０】
なお、上述した実施例１、４では、溝２０a〜２０eが同心円状に形成されていた。しかしながら、図２４に示すように、溝２０a〜２０eが、支持基板１０の中心Ｃ１を中心とする同心円２６a〜２６eに沿って伸びる多角形状に形成されていてもよい。多角形状に伸びる溝でも、同心円状に伸びる溝と同様の効果を得ることができる。また、支持基板１０の溝２０は、図２５に示すように、格子状に形成されていてもよい。図２５の構成によれば、溝２０の加工が容易である。
【００７１】
また、上述した実施例１〜７では、半導体基板６０、接着剤３０及び支持基板１０を積層した状態で積層基板９８を加熱し、これによって半導体基板６０を支持基板１０に貼り付けた。しかしながら、支持基板１０と半導体基板６０を別個に加熱しておき、加熱した状態で接着剤３０を介して支持基板１０を半導体基板６０に貼り付けてもよい。
【００７２】
また、上述した実施例１〜７では、熱可塑性の接着剤３０を介して半導体基板６０を支持基板１０に貼り付けた。しかしながら、熱硬化性接着剤のような他の接着剤を用いる等、別の方法によって半導体基板６０を支持基板１０に貼り付けてもよい。
【００７３】
また、上述した実施例１〜７では、半導体基板６０が主にシリコンにより構成されていた。しかしながら、半導体基板６０が、ＳｉＣ、ＧａＮ等のような他の半導体により構成されていてもよい。
【００７４】
また、上述した実施例１では、支持基板１０としてサファイア基板を用いた。サファイアは透明性を有するので、支持基板１０の貼り付け後でも半導体基板６０の表面を視認することができる点で優れている。但し、支持基板１０として、サファイア以外の材料を使用してもよい。
【００７５】
本明細書が開示する技術要素について、以下に列記する。なお、以下の各技術要素は、それぞれ独立して有用なものである。
【００７６】
本明細書が開示する一例の方法では、支持基板の線膨張係数が、半導体基板の線膨張係数よりも大きい。膜を形成及び体積変化させる工程を、半導体基板を貼り付け及び冷却する工程よりも先に実施する。膜を形成及び体積変化させる工程では、支持基板に反りを生じさせる。半導体基板を貼り付け及び冷却する工程では、半導体基板を支持基板の凹状の表面に貼り付ける。
【００７７】
本明細書が開示する一例の方法では、液体に、固体化に伴って体積膨張する液体を選択する。支持基板に、半導体基板より大きい線膨張係数を持つ支持基板を選択する。相変化に起因する反り工程を、線膨張係数差に起因する反り工程より先に実施する。相変化に起因する反り工程で、前記支持基板が、液体の付着側が凸となる向きに反る。相変化に起因する反り工程で凹となった支持基板の表面に半導体基板を貼り付ける。
【００７８】
本明細書が開示する一例の方法では、液体に、固体化に伴って体積膨張する液体を選択する。支持基板に、半導体基板より小さい線膨張係数を持つ支持基板を選択する。相変化に起因する反り工程を、線膨張係数差に起因する反り工程より先に実施する。相変化に起因する反り工程で、前記支持基板が、液体の付着側が凸となる向きに反る。相変化に起因する反り工程で凸となった支持基板の表面に半導体基板を貼り付ける。
【００７９】
本明細書が開示する一例の方法では、液体に、固体化に伴って体積膨張する液体を選択する。支持基板に、一方の表面に溝が形成されている支持基板を選択する。相変化に起因する反り工程で、溝内の液体が固体化する。
【００８０】
この方法によれば、支持基板をより大きく反らせることができる。
【００８１】
本明細書が開示する一例の方法では、相変化に起因する反り工程で、液体を固体化させた層の表面が溝の開口部より底部側に位置するように液体を固体化させる。
【００８２】
この方法によれば、液体が固体化した層が溝の開口部から外側に突出しないので、支持基板のハンドリングが容易となる。
【００８３】
本明細書が開示する一例の方法では、溝が、支持基板の一方の表面の中心の周囲を環状に伸びる第１溝と、第１溝の周囲を環状に伸びる第２溝を有する。
【００８４】
この方法によれば、支持基板と半導体基板の積層基板をより平坦化することができる。
【００８５】
本明細書が開示する一例の方法では、半導体基板が貼り付けられた支持基板を、支持基板の一方の表面（溝を有する表面）がステージに接触する向きで、ステージ上に載置する工程と、ステージ上に載置された半導体基板をエッチングする工程を有する。
【００８６】
この方法によれば、ステージによって溝の開口部が覆われるので、溝内の層（液体を固体化させた層）がエッチングされることを防止することができる。このため、支持基板を長寿命化することができる。
【００８７】
本明細書が開示する一例の方法では、液体に、固体化に伴って体積膨張する液体を選択する。支持基板に、半導体基板より大きい線膨張係数を持つ支持基板を選択する。線膨張係数差に起因する反り工程を、相変化に起因する反り工程より先に実施する。線膨張係数差に起因する反り工程で凹となった支持基板の表面に液体を付着させる。
【００８８】
以上、実施形態について詳細に説明したが、これらは例示にすぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例をさまざまに変形、変更したものが含まれる。
本明細書または図面に説明した技術要素は、単独あるいは各種の組み合わせによって技術有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組み合わせに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成するものであり、そのうちの１つの目的を達成すること自体で技術有用性を持つものである。
【符号の説明】
【００８９】
１０    ：支持基板
２０    ：溝
２４    ：反り調整膜
３０    ：接着剤
３４    ：プレス板
３６    ：プレス板
４０    ：ステージ
６０    ：半導体基板
６２    ：シリコン基板
７０    ：ゲート電極
７２    ：ゲート絶縁膜
７４    ：エミッタ領域
７６    ：ボディ領域
７８    ：ドリフト領域
８０    ：アノード領域
８２    ：層間絶縁膜
８４    ：上部電極
８６    ：バッファ領域
８８    ：コレクタ領域
９０    ：カソード領域
９２    ：下部電極
９８    ：積層基板
【図１】
2016146449.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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