(57)【要約】【課題】ガラス基板の熱収縮率のばらつきを低減する。【解決手段】ガラス基板の製造方法は、作製された複数のガラス基板をそれぞれシート体の間に挟んだ状態で厚さ方向に積層してガラス基板の積層体を作製する工程と、積層体を熱処理することにより、ガラス基板の熱収縮率を低下させる熱処理工程と、を含む。熱処理工程において、ガラス基板よりも熱伝導率が低い１対の断熱板で積層体を積層方向に挟んだ状態で、前記複数のガラス基板の熱分布を揃えるように、積層体をガラス基板の面内方向外側から加熱する。【選択図】  図１
2016011233.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
作製されたガラス基板のアニーリング工程を含むガラス基板の製造方法であって、
前記アニーリング工程は、
作製された複数のガラス基板をそれぞれシート体の間に挟んだ状態で厚さ方向に積層してガラス基板の積層体を作製する工程と、
作製した前記積層体を熱処理することにより、ガラス基板の熱収縮率を低下させる熱処理工程と、を含み、
前記熱処理工程において、前記ガラス基板よりも熱伝導率が低い１対の断熱板で前記積層体を積層方向に挟んだ状態で、前記複数のガラス基板の熱分布を揃えるように、前記積層体を前記ガラス基板の面内方向外側から加熱することを特徴とするガラス基板の製造方法。
【請求項２】
前記熱処理工程では、前記ガラス基板の端部領域から前記端部領域により囲まれた中央領域にかけての熱分布を一様にすることで、前記端部領域から前記中央領域にかけての歪分布が一様になるよう前記ガラス基板の積層体を熱処理する、請求項１に記載のガラス基板の製造方法。
【請求項３】
前記ガラス基板の積層体を作製する工程において、前記積層方向における一端から他端の間に選択的に加熱板を介在させる、請求項１又は２に記載のガラス基板の製造方法。
【請求項４】
前記断熱板は、セラミック、アルミナ、シリカ、及び、ロックウールから選ばれた一種、又は、それらの組合せからなる、請求項１〜３のいずれか一項に記載のガラス基板の製造方法。
【請求項５】
前記シート体は、カーボングラファイト、アルミナ繊維、シリカ繊維、ガラス繊維、及び、多孔質セラミックスから選ばれた一種、又は、それらの組合せからなる、請求項１〜４のいずれか一項に記載のガラス基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、作製されたガラス基板のアニーリング工程を含むガラス基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ディスプレイパネルの分野では、画質の向上のために画素の高精細化が進展している。この高精細化の進展に伴って、ディスプレイパネルに用いるガラス基板にも寸法精度が高いことが望まれている。例えば、ディスプレイパネルの製造工程中に、ガラス基板が高温で熱処理されても寸法が変化しにくいように、熱収縮の小さいガラス基板が求められている。
【０００３】
一般に、ガラス基板の熱収縮率は、ガラスの歪点が高いほど小さくなる。また、ガラス基板の熱収縮率は、ガラス基板の製造工程中の徐冷速度を小さくするほど小さくなることが知られている。しかし、徐冷速度を小さくするとガラス基板の徐冷工程を行う徐冷炉を長くする必要があるが、製造ライン上の徐冷装置を長くすることは困難である。
【０００４】
そこで、製造ラインで作製された複数のガラス基板に対し、オフラインにおいて時間をかけて熱処理を施すことで、熱収縮率をより低くすることが行われる。例えば、複数のガラス板の間に紙を挟んだ状態で積層した積層体を所定の温度で所要時間保持することで熱収縮率を低減するガラス板の処理方法が知られている（特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平８−１５１２２４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
複数のガラス板の積層体に対して熱処理を行うと、積層方向の外側のガラス板では面方向外側から全体が加熱又は冷却されるのに対し、積層方向の中央部のガラス板ではガラス板の周辺部から中央部に向けて加熱又は冷却される。このため、積層方向の外側のガラス板と積層方向の中央部のガラス板とで熱履歴が異なり、同一の積層体を構成する複数のガラス板において熱収縮率に差異が生じるという問題がある。
【０００７】
そこで、本発明は、複数のガラス板の積層体に対する熱処理後のガラス基板の熱収縮率のばらつきを低減することができるガラス基板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一態様は、作製されたガラス基板のアニーリング工程を含むガラス基板の製造方法である。前記アニーリング工程は、作製された複数のガラス基板をそれぞれシート体の間に挟んだ状態で厚さ方向に積層してガラス基板の積層体を作製する工程と、作製した前記積層体を熱処理することにより、ガラス基板の熱収縮率を低下させる熱処理工程と、を含み、前記熱処理工程において、前記ガラス基板よりも熱伝導率が低い１対の断熱板で前記積層体を積層方向に挟んだ状態で、前記複数のガラス基板の熱分布を揃えるように、前記積層体を前記ガラス基板の面内方向外側から加熱する。
【０００９】
前記熱処理工程では、前記ガラス基板の端部領域から前記端部領域により囲まれた中央領域にかけての熱分布を一様にすることで、前記端部領域から前記中央領域にかけての歪分布が一様になるよう前記ガラス基板の積層体を熱処理する、ことが好ましい。
【００１０】
例えば、前記ガラス基板の積層体を作製する工程において、前記積層方向における一端から他端の間に選択的に加熱板を介在させ、この加熱板を用いて複数のガラス基板間の熱分布を均等にしてもよい。
【００１１】
前記断熱板は、セラミック、アルミナ、シリカ、及び、ロックウールから選ばれた一種、又は、それらの組合せからなる、ことが好ましい。
【００１２】
前記シート体は、カーボングラファイト、アルミナ繊維、シリカ繊維、ガラス繊維、及び、多孔質セラミックスから選ばれた一種、又は、それらの組合せからなることが好ましい。
【発明の効果】
【００１３】
上述のガラス基板の製造方法によれば、ガラス基板よりも熱伝導率が低い１対の断熱板でガラス基板の積層体を積層方向に挟んだ状態で、積層体をガラス基板の面内方向外側から加熱することで、複数のガラス基板間の熱分布を揃えることができる。このため、熱処理後のガラス基板の熱収縮率のばらつきを低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本実施形態のガラス板の製造方法の流れを示すフローチャートである。
【図２】本実施形態で行なわれる熱処理においてガラス基板の積層体が載せられたパレットを示す側面図である。
【図３】（ａ）は、ガラス基板上での位置を示した図であり、（ｂ）は、ガラス基板上の各位置における熱履歴を示す図である。
【図４】熱履歴の差を示す面積と歪との関係を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明のガラス基板の製造方法について詳細に説明する。
図１は、本実施形態のガラス板の製造方法の流れを示すフローチャートである。製造されるガラス基板は、特に制限されないが、例えば縦寸法及び横寸法のそれぞれが５００ｍｍ〜３５００ｍｍであることが好ましい。ガラス基板の厚さは、０．１〜１．１（ｍｍ）の極めて薄い矩形形状の板であることが好ましい。
まず、熔融されたガラスが、例えばフュージョン法あるいはフロート法等の公知の方法により、所定の厚さの帯状ガラスであるシートガラスが成形される（ステップＳ１）。
次に、成形されたシートガラスが所定の長さの素板であるガラス基板に採板される（ステップＳ２）。採板により得られたガラス基板は、ガラス基板を保護するシート体と交互に積層してガラス基板の積層体を作製する（ステップＳ３）。次に、このガラス基板の積層体に対して熱処理を行なう（ステップＳ４）。このステップＳ３の処理およびステップＳ４の処理が本実施形態のアニーリング工程である。アニーリング工程の詳細については後述する。
【００１６】
熱処理後のガラス基板は切断工程に搬送され、製品のサイズに切断され、ガラス基板が得られる（ステップＳ５）。得られたガラス基板には、端面の研削、研磨およびコーナカットを含む端面加工が行われた後、ガラス基板は洗浄される（ステップＳ６）。洗浄されたガラス基板はキズ、塵、汚れあるいは光学欠陥を含む傷が無いか、光学的検査が行われる（ステップＳ７）。検査により品質の適合したガラス基板は、ガラス基板を保護する紙と交互に積層された積層体としてパレットに積載されて梱包される（ステップＳ８）。梱包されたガラス基板は納入先業者に出荷される。
【００１７】
このようなガラス基板として、以下のガラス組成のガラス基板が例示される。つまり、以下のガラス組成のガラス基板が製造されるように、熔融ガラスの原料が調合される。
ＳｉＯ2  ５５〜８０モル％、 
Ａｌ2Ｏ3  ８〜２０モル％、 
Ｂ2Ｏ3  ０〜１２モル％、 
ＲＯ  ０〜１７モル％（ＲＯはＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ及びＢａＯの合量)。
【００１８】
ＳｉＯ2は６０〜７５モル％、さらには、６３〜７２モル％であることが、熱収縮率を小さくするという観点から好ましい。
ＲＯのうち、ＭｇＯが０〜１０モル％、ＣａＯが０〜１０モル％、ＳｒＯが０〜１０％、ＢａＯが０〜１０％であることが好ましい。
【００１９】
また、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｂ2Ｏ3、及びＲＯを少なくとも含み、モル比（（２×ＳｉＯ2）＋Ａｌ2Ｏ3）／（（２×Ｂ2Ｏ3）＋ＲＯ）は４．５以上であるガラスであってもよい。また、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、及びＢａＯの少なくともいずれか含み、モル比（ＢａＯ＋ＳｒＯ）／ＲＯは０．１以上であることが好ましい。
【００２０】
また、モル％表示のＢ2Ｏ3の含有率の２倍とモル％表示のＲＯの含有率の合計は、３０モル％以下、好ましくは１０〜３０モル％であることが好ましい。
また、上記ガラス組成のガラス基板におけるアルカリ金属酸化物の含有率は、０モル％以上０．４モル％以下であってもよい。
また、ガラス中で価数変動する金属の酸化物（酸化スズ、酸化鉄）を合計で０．０５〜１．５モル％含み、Ａｓ２Ｏ３、Ｓｂ２Ｏ３及びＰｂＯを実質的に含まないということは必須ではなく任意である。
【００２１】
〔アニーリング工程〕
次に、アニーリング工程について詳細に説明する。まず、ステップＳ２で採板された複数のガラス基板１１と複数のシート体１２とを交互に１枚ずつ積層してガラス基板の積層体１０を作製する（ステップＳ３）。
【００２２】
図２は、ガラス基板の積層体１０（以下、積層体１０という）が載せられたパレット２０を示す側面図である。ここで、図２の左側をパレット２０の前側、図２の右側をパレット２０の後側とする。パレット２０には、積層体１０が積層方向をほぼ前後方向として載置される。ここで、積層体１０の積層方向は前後方向と完全に一致している必要はない。例えば、図２に示すように、ガラス基板１１を斜めに立てかける場合、積層方向と前後方向とのなす角はガラス基板１１の上下方向とのなす角となる。
パレット２０は、基台部２１と、載置部２２と、背面板２３と、等を備える。
基台部２１、載置部２２および背面板２３は、例えば鋼鉄等の金属からなり、溶接等により一体に形成されている。
基台２１は略長方形の板状であり、端面にフォークリフトの爪を挿入するための開口２１ａが設けられている。
載置部２２は基台２１の上部に固定されており、載置部２２の上部にガラス基板の積層体１０が載せられる。ここで、載置部２２の上面は完全に水平である必要はない。例えば、図２に示すように、ガラス基板１１を斜めに立てかける場合、ガラス基板１１の立てかけ角度に応じて載置部２２の上面を傾斜させておいてもよい。
背面板２３は略長方形の板状であり、基台２１の上部において、載置部２２の後端に載置部２２とほぼ垂直に固定されている。背面板２３は載置部２２の上部に載せられる積層体１０の積層方向の後端部を支持する。ここで、背面板２３は完全に垂直である必要はない。例えば、図２に示すように、ガラス基板１１を斜めに立てかける場合、ガラス基板１１の立てかけ角度に応じて背面板２３を傾斜させておいてもよい。
【００２３】
次に、積層体１０について説明する。積層体１０は、複数のガラス基板１１と、複数のシート体１２と、を有する。
【００２４】
シート体１２は、ガラス基板１１同士の間に挟まれる。シート体１２は積層されるガラス基板１１同士の密着を防ぐ役割を果たす。シート体１２には、積層体１０を熱処理する際の温度に耐えうる耐熱性を有する材料を用いることができる。シート体１２は、ガラス基板１１よりも高い熱伝導率を有することが好ましい。
このようなシート体１２の材料として、例えば、カーボングラファイト、アルミナ繊維、シリカ繊維、ガラス繊維、及び、多孔質セラミックスから選ばれた一種、又は、それらの組合せを選択することができる。
シート体１２の厚さは、ガラス基板１１の面内方向の熱伝導率を高めるために厚いことが好ましい。一方、積層体１０の体積を低減するためにシート体１２の厚さは薄いことが好ましい。このため、シート体１２の厚さは、０．０２ｍｍ〜３ｍｍ程度であることが好ましい。シート体１２の面積は、ガラス基板１１同士の密着を防ぐ役割から、ガラス基板１１と同程度またはそれ以上であることが好ましい。
【００２５】
なお、任意の複数のガラス基板１１の間に、シート体１２に代えて、又はシート体１２とともに、積層体１０を加熱するための加熱板を介在させてもよい。加熱板として、例えば、電流が流されることで発熱する電極板を用いることができる。この場合、電極板の抵抗値が電極板の温度に応じて変化するため、電極板の温度に応じて電極板を流れる電流量が変化する。このため、電極板を流れる電流量に基づいて加熱板の温度を制御することができる。これにより、複数のガラス基板１１間の熱分布を均等に調整することができる。
【００２６】
本実施形態においては、上記の積層体１０を、１対の断熱板１５ａ、１５ｂで挟んだ状態で、積層体１０に対し熱処理が行われる。
１対の断熱板１５ａ、１５ｂは、積層体１０の積層方向の両端部に配置されている。図２では、断熱板１５ａが後端部に、断熱板１５ｂが前端部に配置されている。断熱材１５ａ、１５ｂは、ガラス基板よりも熱伝導率が低い材料からなる。ガラス基板よりも熱伝導率が低い材料として、例えば、セラミック、アルミナ、シリカ、及び、ロックウールから選ばれた一種、又は、それらの組合せを選択することができる。
断熱板１５ａ、１５ｂの熱抵抗は、断熱性能を維持するために０．１℃／Ｗ以上であることが好ましい。一方、積層体１０の端部に配置されるガラス基板１１の加熱および冷却を妨げないように、断熱板１５ａ、１５ｂの熱抵抗は１０℃／Ｗ以下であることが好ましい。断熱板１５ａ、１５ｂの厚さは、断熱性能を維持するために厚いことが好ましい。一方、断熱板１５ａ、１５ｂの厚さは、積層体１０の体積を低減するために薄いことが好ましい。このため、断熱板１５ａ、１５ｂの厚さは、１０〜５０ｍｍ程度であることが好ましい。断熱板１５ａ、１５ｂの面積は、積層体の積層方向の外側から端部のガラス基板１１への同士の密着を防ぐ役割から、ガラス基板１１と同程度またはそれ以上であることが好ましい。
【００２７】
次に、ステップＳ４の熱処理について説明する。
ステップＳ３の処理で作製された積層体１０に対して、製造ラインから外れたオフラインで熱処理が行われる。この熱処理では、ガラス基板の積層体を所定の温度の雰囲気下に所定時間放置し、ガラス基板の端部領域から端部領域により囲まれた中央領域にかけての熱分布を一様にすることで、端部領域から中央領域にかけての歪分布が一様になるように調整する。
【００２８】
具体的には、熱処理を行う炉に上記の積層体１０が載せられたパレット２０を搬入し、炉内の空気を加熱して所定時間放置することによりガラス基板１１を熱処理する。また、ガラス基板１１の間に加熱板を介在させる場合には、炉内の空気を加熱するとともに、加熱板により積層体１０を内部から加熱する。
熱処理の温度は、ガラス基板１１の歪点−４００℃の温度から歪点の温度範囲であることが、熱収縮率を低減させ、ガラス基板の歪分布を一様とする点から好ましい。熱処理の時間は、例えば１〜１２０時間である。熱処理における雰囲気中の温度の時間履歴は特に制限されず、雰囲気の温度が、歪点−４００℃の温度から歪点の温度範囲にある時間が少なくとも１時間以上あるとよい。１時間未満であると、熱収縮率が十分に低下せず、１２０時間より長いと、熱収縮率は十分低減するが、ガラス基板１１の生産効率が低下する。
なお、ガラス基板１１の歪点は、高精細ディスプレイ用ガラス基板とするために、６００℃〜７６０℃であることが好ましい。例えば、歪点は、６６１℃である。歪点が低いガラス基板であっても、熱処理することにより、歪点が高いガラス基板と同程度の熱収縮率を実現することができる。この場合、熱処理温度の最低温度は、２００℃（＝６００℃―４００℃）以上である。
ガラス基板の積層体が晒される高温の雰囲気は、特に制限されず、酸素含率が５〜５０％である雰囲気であってもよく、例えば空気からなる大気雰囲気であってもよい。
【００２９】
図３（ａ）は、ガラス基板１１上での点Ａ、Ｂの位置を示した図であり、図３（ｂ）は、図３（ａ）のガラス基板１１上の点Ａ、Ｂの各位置における熱履歴を示す図である。ここで、熱履歴とは、熱処理によって変化するガラス基板１１の温度の履歴を示すものである。ガラス基板１１の積層体１０を積層方向に挟んだ状態で、積層体１０を熱処理を行う炉に搬入し、炉内の雰囲気の温度を上昇させると、雰囲気の熱が積層体１０の積層方向の外側からガラス基板１１に伝わる。ガラス基板１１の縁を含む縁領域１１ａは、高温の雰囲気から熱の伝導を受けて、ガラス基板１１の縁領域１１ａに囲まれた中央領域１１ｂに比べて早く昇温する。また、雰囲気を降温し、低温となった雰囲気に高温状態のガラス基板１１の縁領域１１ａは晒されて放熱し、ガラス基板１１の中央領域１１ｂに比べて早く降温する。このため、図３（ｂ）に示すように、ガラス基板１１上では、点Ａ周辺は、点Ｂ周辺より早く昇温、降温する。このように熱履歴に差が生じると、縁領域１１ａから中央領域１１ｂにかけて（点Ａ周辺から点Ｂ周辺にかけて）、熱収縮率が異なり、引っ張りと圧縮応力が生じるために歪が発生する。ガラス基板１１面内での熱収縮率を均一して、歪の発生を抑制するためには、ガラス基板１１の縁領域１１ａから中央領域１１ｂかけての温度変化の差をなくす、つまり、熱履歴の差を小さくする必要がある。
【００３０】
ここで、ＬＴＰＳ、ＩＧＺＯから構成される半導体層をガラス基板１１に形成する温度は、４００℃〜６００℃（歪点が６６１℃である場合、歪点より６０℃〜２６０℃低い温度）であるため、この温度範囲におけるガラス基板１１の熱収縮率を低減できればよい。このため本実施形態では、ガラス基板１１の点Ａ及び点Ｂの周辺の温度が、４００℃〜５００℃の温度範囲になるよう熱処理を行う。熱収縮率は、ガラス基板１１を熱処理した時の最高温度だけでなく、熱履歴によっても変化する。特に、図３（ｂ）に示すように、熱処理温度の最高温度（例えば、５００℃）から、最高温度より５０℃〜３００℃低い温度（例えば、４５０℃〜２００℃）までの熱履歴が、熱収縮率に大きく影響する。熱収縮率は、熱収縮率を評価する温度、ここでは、ＬＴＰＳ、ＩＧＺＯから構成される半導体層をガラス基板１１に形成する温度である例えば４００℃〜５００℃で熱処理することにより、この温度領域において熱収縮率が低減する。また、この温度領域４００℃〜５００℃以下の温度領域においても熱収縮が低減する。つまり、熱収縮率を評価する温度に近い温度では、熱収縮率に大きく影響し、温度が離れるほど、熱収縮率への影響は小さくなる。このため本実施形態では、熱処理温度の最高温度から５０℃〜３００℃低い温度になるまでの温度領域において、ガラス基板１１の面方向での熱履歴の差が抑制されるよう熱処理を行う。図３（ｂ）では、３００℃〜５００℃の温度範囲における熱履歴の差を示している。ガラス基板１１の縁領域１１ａ（点Ａ周辺）と中央領域１１ｂ（点Ｂ周辺）との熱履歴の差（図３（ｂ）における面積Ｓ）を小さくすることにより、ガラス基板１１面上の熱収縮率のばらつきが抑制され、歪の発生を抑制することができる。
【００３１】
点Ａの熱履歴と点Ｂの熱履歴との差によって形成される面積Ｓが小さいほど、歪の値は小さくなる。図４は、熱履歴の差を示す面積と歪との関係を示すグラフである。同図に示すように、歪を２ kgf/cm2以下にする場合には、面積がＳ１以下になるように、ガラス基板１１を熱処理する。また、歪を４ kgf/cm2以下にする場合には面積をＳ２以下に、歪を９ kgf/cm2以下にする場合には面積をＳ３以下になるように、ガラス基板１１を熱処理する。面積Ｓ１〜Ｓ３の値は、時間×温度、つまり、熱量である。面積Ｓ１〜Ｓ３の値は、ガラス基板１１の大きさ、厚さ、組成等によって任意に変更できる。これにより、高精細ディスプレイのパネル製造時に求められる歪の許容値に応じて、ガラス基板１１の熱処理における温度、時間を適宜変更することもできる。
【００３２】
また、ガラス基板１１の中央領域１１ｂ（点Ｂ周辺）の温度が、縁領域１１ａ（点Ａ周辺）の温度と同様の最高温度に達するように熱処理する。ガラス基板１１の中央領域１１ｂ（点Ｂ周辺）の温度が最高温度に達することにより、縁領域１１ａ（点Ａ周辺）と中央領域１１ｂ（点Ｂ周辺）との熱収縮率の差が小さくなり、歪の発生を低減することができる。中央領域１１ｂ（点Ｂ周辺）の温度が最高温度を継続（保持）する時間は、任意であり、例えば、１時間〜４時間であり、より好ましくは、１時間〜２時間である。所定の熱収縮率を達成するために、縁領域１１ａ（点Ａ周辺）から中央領域１１ｂ（点Ｂ周辺）にかけてのガラス基板１１の温度が、最高温度に到達するように熱処理し、歪の発生を抑制するために、ガラス基板１１での面方向での熱履歴の差が小さくなるように熱処理する。    
【００３３】
このような熱処理により、ガラス基板１１の熱収縮率を０〜１５ｐｐｍとすることができる。ガラス基板１１の熱収縮率は、０〜１２ｐｐｍとすることが好ましく、０〜６ｐｐｍとすることがより好ましい。このような熱収縮率が、ガラス基板のガラス組成と、熱処理の温度と熱処理時間を調整することにより達成することができる。
【００３４】
本実施形態では、ガラス基板１１よりも熱伝導率が低い１対の断熱板１５ａ、１５ｂでガラス基板１１の積層体１０を積層方向に挟んだ状態で、積層体１０を熱処理を行う炉に搬入し、炉内の雰囲気の温度を上昇させるため、雰囲気の熱が積層体１０の積層方向の外側からガラス基板１１に伝わることを断熱板１５ａ、１５ｂにより抑制することができる。このため、積層体１０を構成する全てのガラス基板１１が面内方向外側のみから加熱されることとなり、複数のガラス基板１１間の熱分布を一様にすることができる。したがって、熱処理後の各ガラス基板１１の熱収縮率のばらつきを低減することができる。
ここで、積層体１０の積層方向の任意の位置に加熱板を配置し、複数のガラス基板１１間の熱分布が一様となるように加熱板により積層体１０を加熱してもよい。
さらに、シート体１２としてガラス基板１１よりも高い熱伝導率を有する材料を用いることで、ガラス基板１１の面内方向の伝熱を促進し、ガラス基板１１の端部領域と中央領域との熱分布を一様にすることができる。このため、ガラス基板の歪分布を一様にすることができる。
【００３５】
本実施形態で製造されるガラス基板は、フラットパネルディスプレイ用ガラス基板、例えば、液晶ディスプレイ用ガラス基板あるいは、有機ＥＬディスプレイ用のガラス基板として好適である。さらに、本実施形態で製造されるガラス基板は、高精細ディスプレイに用いるＬＴＰＳ（Low-temperature poly silicon）・ＴＦＴディスプレイ用ガラス基板、あるいは、酸化物半導体・ＴＦＴディスプレイ用のガラス基板として特に好適である。
【００３６】
本実施形態における熔融ガラスからシートガラスを成形する方法として、フロート法やフュージョン法等が用いられるが、本実施形態のガラス基板のオフラインにおける熱処理を含むガラス基板の製造方法では、フュージョン法（オーバーダウンドロー法）において製造ライン上の徐冷装置を長くすることが困難である点から、フュージョン法に適している。
【００３７】
（実験例）
下記ガラス組成を有するガラス基板をフュージョン法の１つであるオーバダウンドロー法により複数作製した。ガラス基板の歪点は６６０℃であった。
【００３８】
（ガラス組成）
ＳｉＯ2  ６７．０モル％、 
Ａｌ2Ｏ3  １０．６モル％、 
Ｂ2Ｏ3  １１．０モル％、 
ＲＯ  １１．４モル％（ＲＯはＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ及びＢａＯの合量)。
【００３９】
〔アニーリング〕
このガラス基板に対し、アニーリングを行った。実施例では、ガラス基板を積層し、１対の断熱材の間に挟んで積層体を形成し、熱処理を行なった。比較例では、ガラス基板を積層し、断熱材の間に挟まずに積層体を形成し、熱処理を行った（従来例）。熱処理は、雰囲気温度を５００℃とし、放置時間を８時間とした。
【００４０】
〔熱収縮率の測定〕
熱処理前に所定のサイズの長方形にガラス基板を切りだし、長辺両端部にケガキ線を入れ、短辺中央部で半分に切断し、２つのガラスサンプルを得る。このうちの一方のガラスサンプルを、熱処理（昇温速度が１０℃／分、４５０℃で１時間放置）する。熱処理をしない他方のガラスサンプルの長さを計測する。さらに、熱処理したガラスサンプルと未処理のガラスサンプルとをつき合わせてケガキ線のずれ量を、レーザ顕微鏡等で測定して、ガラスサンプルの長さの差分を求めることでサンプルの熱収縮量を求めることができる。この熱収縮量である差分と、熱処理前のガラスサンプルの長さを用いて、以下の式により熱収縮率が求められる。このガラスサンプルの熱収縮率をガラス基板の熱収縮率とした。
熱収縮率（ｐｐｍ）＝（差分）／（熱処理前のガラスサンプルの長さ）×１０６
【００４１】
アニーリング前のガラス基板について熱収縮率を調べたところ、５０ｐｐｍであった。
アニーリング後のガラス基板について熱収縮率を調べたところ、実施例では、積層方向の端部のガラス基板の熱収縮率は２ｐｐｍ、積層方向の中央部のガラス基板の熱収縮率は３ｐｐｍであった。一方、従来例では、積層方向の端部のガラス基板の熱収縮率は１０ｐｐｍ、積層方向の中央部のガラス基板の熱収縮率は１８ｐｐｍであった。
このように、１対の断熱板でガラス基板の積層体を積層方向に挟んだ状態で、積層体をガラス基板の面内方向外側から加熱することで、複数のガラス基板間の熱分布を均等にすることができる。このため、熱処理後の各ガラス基板の熱収縮率のばらつきを低減することができる。
【００４２】
以上、本発明のガラス基板の製造方法について詳細に説明したが、本発明は上記実施形態及び実施例等に限定されず、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々の改良や変更をしてもよいのはもちろんである。
【符号の説明】
【００４３】
１０  積層体
１１  ガラス基板
１２  シート体
１５ａ、１５ｂ  断熱板
２０  パレット
２１  基台部
２２  載置部
２３  背面板
【図１】
2016011233.tif 000003
【図２】
2016011233.tif 000004
【図３】
2016011233.tif 000005
【図４】
2016011233.tif 000006