(57)【要約】      （修正有）【課題】スペーサを設けるための工程を発生させることなく、基板間隔の調整を容易にする。【解決手段】発光部を含む画素が形成された第１の基板７１と、第１の基板と対向配置された第２の基板７２と、第１の基板と第２の基板との間に設けられたカラーフィルタ８０Ｒ、８０Ｇ、８０Ｂと、第１の基板の、画素が形成されて成る表示領域の少なくとも周辺部に設けられ、第１の基板と第２の基板との間の基板間隔を設定する基板間隔設定部７６と、を備え、基板間隔設定部は、第１の基板上に所定のパターンにて形成される第１の調整層、及び、カラーフィルタの形成工程にてカラーフィルタと同じ材料で第１の調整層上に積層される第２の調整層の少なくとも２層から成る表示装置。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光部を含む画素が形成された第１の基板と、
第１の基板と対向配置された第２の基板と、
第１の基板と第２の基板との間に設けられたカラーフィルタと、
第１の基板の、画素が形成されて成る表示領域の少なくとも周辺部に設けられ、第１の基板と第２の基板との間の基板間隔を設定する基板間隔設定部と、を備え、
基板間隔設定部は、
第１の基板上に所定のパターンにて形成される第１の調整層、及び、
カラーフィルタの形成工程にてカラーフィルタと同じ材料で第１の調整層上に積層される第２の調整層の少なくとも２層から成る、
表示装置。
【請求項２】
第１の調整層は、カラーフィルタの形成工程にてカラーフィルタと同じ材料でパターン形成される、
請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
第１の調整層は、金属材料でパターン形成される、
請求項１に記載の表示装置。
【請求項４】
第１の調整層は、金属の配線パターンから成る、
請求項３に記載の表示装置。
【請求項５】
第１の調整層は、酸化膜でパターン形成される、
請求項１に記載の表示装置。
【請求項６】
第１の基板は、半導体基板から成る、
請求項１に記載の表示装置。
【請求項７】
第１の基板は、画素が形成される面と反対側の面側に形成された、外部との電気的な接続を行うためのパッド部を有する、
請求項６に記載の表示装置。
【請求項８】
発光部を含む画素が形成された第１の基板と、
第１の基板と対向配置された第２の基板と、
第１の基板と第２の基板との間に設けられたカラーフィルタと、
第１の基板の、画素が形成されて成る表示領域の少なくとも周辺部に設けられ、第１の基板と第２の基板との間の基板間隔を設定する基板間隔設定部と、を備える表示装置の製造に当たって、
第１の基板上に所定のパターンにて第１の調整層を形成し、
しかる後、カラーフィルタの形成工程にてカラーフィルタと同じ材料で第１の調整層上に第２の調整層を積層し、少なくとも２層から成る基板間隔設定部を形成する、
表示装置の製造方法。
【請求項９】
発光部を含む画素が形成された第１の基板と、
第１の基板と対向配置された第２の基板と、
第１の基板と第２の基板との間に設けられたカラーフィルタと、
第１の基板の、画素が形成されて成る表示領域の少なくとも周辺部に設けられ、第１の基板と第２の基板との間の基板間隔を設定する基板間隔設定部と、を備え、
基板間隔設定部は、
第１の基板上に所定のパターンにて形成される第１の調整層、及び、
カラーフィルタの形成工程にてカラーフィルタと同じ材料で第１の調整層上に積層される第２の調整層の少なくとも２層から成る、
表示装置を有する電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、表示装置、表示装置の製造方法、及び、電子機器に関し、特に、平面型表示装置、その製造方法、及び、当該表示装置を有する電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
平面型（フラットパネル型）表示装置では、発光部（発光素子）の保護の観点から、発光部が形成された第１の基板に対して、ガラス基板等の第２の基板を貼り合わせて密封構造をとることになる。この貼り合わせを行う際に、第１の基板と第２の基板とが当接しないようにするために、発光部を含む画素が配置されて成る表示領域の周辺部にギャップ材を設け、適正な基板間隔を確保するようにしている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００９−１６３９７５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上述した特許文献１に記載の従来技術では、光硬化性のエポキシ樹脂材料から成る樹脂中にギャップ材が分散されたシール材を、表示領域の周辺部に塗布するすることにより、ギャップ材を含有するシール材にスペーサの役割を持たせた構造となっている。しかしながら、当該従来技術では、スペーサを設けるための工程が発生するため工程数が増加し、また、スペーサ自体のサイズで基板間隔が決まることになることから基板間隔の調整が難しい。
【０００５】
そこで、本開示は、スペーサを設けるための工程を発生させることなく、基板間隔の調整が容易なスペーサを備える表示装置及び当該表示装置を有する電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記の目的を達成するための本開示の表示装置は、
発光部を含む画素が形成された第１の基板と、
第１の基板と対向配置された第２の基板と、
第１の基板と第２の基板との間に設けられたカラーフィルタと、
第１の基板の、画素が形成されて成る表示領域の少なくとも周辺部に設けられ、第１の基板と第２の基板との間の基板間隔を設定する基板間隔設定部と、を備え、
基板間隔設定部は、
第１の基板上に所定のパターンにて形成される第１の調整層、及び、
カラーフィルタの形成工程にてカラーフィルタと同じ材料で第１の調整層上に積層される第２の調整層の少なくとも２層から成る。また、上記の目的を達成するための本開示の電子機器は、上記の構成を備える表示装置を有する。
【０００７】
また、上記の目的を達成するための本開示の表示装置の製造方法は、
発光部を含む画素が形成された第１の基板と、
第１の基板と対向配置された第２の基板と、
第１の基板と第２の基板との間に設けられたカラーフィルタと、
第１の基板の、画素が形成されて成る表示領域の少なくとも周辺部に設けられ、第１の基板と第２の基板との間の基板間隔を設定する基板間隔設定部と、を備える表示装置の製造に当たって、
第１の基板上に所定のパターンにて第１の調整層を形成し、
しかる後、カラーフィルタの形成工程にてカラーフィルタと同じ材料で第１の調整層上に第２の調整層を積層し、少なくとも２層から成る基板間隔設定部を形成する。
【０００８】
上記の構成の表示装置、その製造方法、あるいは、当該表示装置を有する電子機器において、基板間隔設定部をカラーフィルタの形成工程にてカラーフィルタと同じ材料で形成できることで、スペーサとしての機能を持つ基板間隔設定部を設けるための工程が不要となる。また、パターン形成された第１の調整層の上に第２の調整層を積層することで、第２の調整層の材料自体の流動性によって第１の調整層の凹部と凸部との間に膜厚差が生じる。従って、第１の調整層のパターン密度を調整することで、第２の調整層の膜厚、ひいては、基板間隔設定部のトータルの高さを調整できる。その結果、基板間隔設定部の高さで決まる、第１の基板と第２の基板との間の基板間隔の調整が容易になる。
【発明の効果】
【０００９】
本開示によれば、カラーフィルタの形成工程にてカラーフィルタと同じ材料で基板間隔設定部を形成できるため、基板間隔設定部を設けるための工程が不要となる。しかも、第１の調整層のパターン密度を調整することで、基板間隔設定部の高さを調整できるため、第１の基板と第２の基板との間の基板間隔の調整が容易である。
【００１０】
尚、ここに記載された効果に必ずしも限定されるものではなく、本明細書中に記載されたいずれかの効果であってもよい。また、本明細書に記載された効果はあくまで例示であって、これに限定されるものではなく、また付加的な効果があってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】図１は、本開示の前提となるアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置の基本的な構成の概略を示すシステム構成図である。
【図２】図２は、２Ｔｒ２Ｃの単位画素（画素回路）の回路構成を示す回路図である。
【図３】図３は、従来例に係る表示パネルの密封構造を示す断面図である。
【図４】図４は、本開示の第１実施形態に係る表示パネルの密封構造を示す断面図である。
【図５】図５は、１層目（下地を含む直前のカラーレジスト）のパターン密度に対するスペーサの積層時のトータルの膜厚の関係を示す図である。
【図６】図６Ａ、図６Ｂ、図６Ｃ、及び、図６Ｄは、１層目及び２層目が共にカラーレジスト材料から成る場合のスペーサの積層構造の具体例を示す断面図である。
【図７】図７Ａ、図７Ｂ、及び、図７Ｃは、１層目としてカラーレジスト材料以外の材料を用いる場合のスペーサの積層構造の具体例を示す断面図である。
【図８】図８Ａは、１層目が島状にパターン形成された場合の積層構造を示す斜視図であり、図８Ｂは、カラーレジストの相対的な高さが１つの場合を示す断面図であり、図８Ｃは、カラーレジストの相対的な高さが２つの場合を示す断面図である。
【図９】図９は、スペーサの積層構造における１層目のパターンのレイアウトの具体例を示す平面パターン図（その１）である。
【図１０】図１０は、スペーサの積層構造における１層目のパターンのレイアウトの具体例を示す平面パターン図（その２）である。
【図１１】図１１は、スペーサの積層構造における１層目のパターンのレイアウトの具体例を示す平面パターン図（その３）である。
【図１２】図１２は、スペーサの積層構造における１層目のパターンのレイアウトの具体例を示す平面パターン図（その４）である。
【図１３】図１３は、スペーサの積層構造における１層目のパターンのレイアウトの具体例を示す平面パターン図（その５）である。
【図１４】図１４は、本開示の第２実施形態に係る表示パネルの密封構造を示す断面図である。
【図１５】図１５は、レンズ交換式一眼レフレックスタイプのデジタルスチルカメラの外観図であり、図１５Ａにその正面図を示し、図１５Ｂにその背面図を示す。
【図１６】図１６は、ヘッドマウントディスプレイの外観図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本開示の技術を実施するための形態（以下、「実施形態」と記述する）について図面を用いて詳細に説明する。本開示の技術は実施形態に限定されるものではなく、実施形態における種々の数値や材料などは例示である。以下の説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。尚、説明は以下の順序で行う。
１．本開示の表示装置、表示装置の製造方法、及び、電子機器、全般に関する説明
２．本開示の前提となる表示装置
２−１．システム構成
２−２．画素回路
２−３．カラー表示方式
２−４．表示パネルの密封構造
３．第１実施形態
３−１．カラーレジストの形成方法
３−２．スペーサの積層構造
４．第２実施形態
５．電子機器
【００１３】
＜本開示の表示装置、表示装置の製造方法、及び、電子機器、全般に関する説明＞
本開示の表示装置は、発光色が異なる複数の副画素から成る単位画素が行列状に配置されて成るカラー表示装置である。カラー表示装置において、１つの画素は、赤色を発光する赤色発光副画素、緑色を発光する緑色発光副画素、及び、青色を発光する青色発光副画素の３つの副画素、あるいは、４つ以上の副画素から構成される。
【００１４】
カラー表示装置にあっては、１つの副画素の発光機能層について、白色光を発光する構成とすることができる。また、１つの副画素の発光機能層について、赤色光を発光する赤色発光機能層、緑色光を発光する緑色発光機能層、及び、青色光を発光する青色発光機能層が積層されて成る構成とすることができる。１つの副画素の発光機能層が白色発光機能層から成る表示装置にあっては、カラーフィルタを備える構成とし、各色の副画素を、白色光を発光する発光部（発光素子）とカラーフィルタとの組合せから成る構成とすることができる。
【００１５】
また、カラー表示装置にあっては、１つの副画素の発光機能層について、例えば、赤色を発光する赤色発光機能層、緑色を発光する緑色発光機能層、及び、青色を発光する青色発光機能層から成る構成とすることができる。このようなカラー表示装置にあっても、発光素子及び素子間の配線電極における外光反射の防止や色純度の向上を目的として、カラーフィルタを用いる構成とすることができる。
【００１６】
本開示の表示装置、表示装置の製造方法、及び、電子機器にあっては、第１の基板と第２の基板との基板間隔を設定するスペーサとしての基板間隔設定部については、第１の基板の表示領域の少なくとも周辺領域に設けられていればよい。すなわち、表示領域内に基板間隔設定部が設けられる構成を排除するものではない。また、カラーフィルタと同じ材料から成る第２の調整層の材料としては、複数色から成るカラーフィルタのいずれの色のフィルタ材料を用いてもよい。基板間隔設定部の層数については、第１の調整層及び第２の調整層の最低限２層から成る積層構造であればよく、第２の調整層の上に、第２の調整層の材料とは異なる他の色のフィルタ材料を用いて更に層を積層する多層構造とすることも可能である。
【００１７】
上述した好ましい構成を含む本開示の表示装置、表示装置の製造方法、及び、電子機器にあっては、第１の調整層について、カラーフィルタの形成工程にてカラーフィルタと同じ材料で形成される構成とすることができる。この場合、第１の調整層は、第２の調整層の材料と異なる色のフィルタ材料を用いて形成されることになる。
【００１８】
あるいは又、上述した好ましい構成を含む本開示の表示装置、表示装置の製造方法、及び、電子機器にあっては、第１の調整層について、金属材料でパターン形成される構成とすることができる。また、第１の調整層について、金属の配線パターンから成る構成とすることができる。
【００１９】
あるいは又、上述した好ましい構成を含む本開示の表示装置、表示装置の製造方法、及び、電子機器にあっては、第１の調整層について、酸化膜でパターン形成される構成とすることができる。
【００２０】
上述した好ましい構成を含む本開示の表示装置、表示装置の製造方法、及び、電子機器にあっては、第１の基板について、半導体基板から成る構成とすることができる。また、第１の基板について、画素が形成される面（表面）と反対側の面側（裏面側）に形成された、外部との電気的な接続を行うためのパッド部を有する構成とすることができる。
【００２１】
上述した好ましい構成を含む本開示の表示装置、表示装置の製造方法、及び、電子機器にあっては、表示装置を、複数の副画素が自発光素子である有機エレクトロルミネッセンス（Electro Luminescence：ＥＬ）素子から成る発光部（発光素子）を有する有機ＥＬ表示装置の構成とすることができる。すなわち、有機ＥＬ表示装置にあっては、有機ＥＬ素子のそれぞれによって副画素が構成される。
【００２２】
有機ＥＬ表示装置は、例えば、パーソナルコンピュータやビデオカメラ、デジタルスチルカメラを構成するモニター装置として使用することができるし、テレビジョン受像機や携帯電話機、ＰＤＡ（Personal Digital Assistant，携帯情報端末）、ゲーム機器に組み込まれたモニター装置として使用することができる。あるいは又、電子ビューファインダー（Electronic View Finder：ＥＶＦ）や、ヘッドマウントディスプレイと称される頭部装着型ディスプレイ（Head Mounted Display：ＨＭＤ）に適用することができる。あるいは又、その他、液晶表示装置用のバックライト装置や面状光源装置を含む照明装置を挙げることができる。
【００２３】
有機ＥＬ素子において、発光機能層である有機層は、発光層（例えば、有機発光材料から成る発光層）を備えている。この有機層は、具体的には、例えば、正孔輸送層と発光層と電子輸送層との積層構造、正孔輸送層と電子輸送層を兼ねた発光層との積層構造、正孔注入層と正孔輸送層と発光層と電子輸送層と電子注入層との積層構造等から構成することができる。また、これらの積層構造等をタンデムユニットとする場合、有機層は、第１のタンデムユニット、接続層、及び、第２のタンデムユニットが積層された２段のタンデム構造を有していてもよく、更には、３つ以上のタンデムユニットが積層された３段以上のタンデム構造を有していてもよい。これらの場合、発光色を赤色、緑色、青色と各タンデムユニットで変えることで、全体として白色を発光する有機層を得ることができる。
【００２４】
有機層の形成方法として、真空蒸着法等の物理的気相成長法（ＰＶＤ法）；スクリーン印刷法やインクジェット印刷法といった印刷法；転写用基板上に形成されたレーザ吸収層と有機層の積層構造に対してレーザ光を照射することでレーザ吸収層上の有機層を分離して、有機層を転写するといったレーザ転写法、各種の塗布法を例示することができる。有機層を真空蒸着法に基づき形成する場合、例えば、所謂メタルマスクを用い、当該メタルマスクに設けられた開口を通過した材料を堆積させることによって有機層を得ることができるし、有機層を、パターニングすること無く、全面に形成してもよい。
【００２５】
＜本開示の前提となる表示装置＞
［システム構成］
図１は、本開示の前提となるアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置の基本的な構成の概略を示すシステム構成図である。
【００２６】
アクティブマトリクス型表示装置は、発光部（発光素子）の駆動を、当該発光部と同じ画素内に設ける能動素子、例えば絶縁ゲート型電界効果トランジスタによって行う表示装置である。絶縁ゲート型電界効果トランジスタとしては、典型的には、薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor：ＴＦＴ）を用いることができる。
【００２７】
ここでは、一例として、単位画素（画素回路）の発光部（発光素子）が有機ＥＬ素子から成るアクティブマトリクス方式の有機ＥＬ表示装置の場合を例に挙げて説明するものとする。有機ＥＬ素子は、デバイスに流れる電流値に応じて発光輝度が変化する電流駆動型の電気光学素子である。以下では、「単位画素／画素回路」を単に「画素」と記述する場合もある。
【００２８】
図１に示すように、本開示の前提となるアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置１０は、複数の単位画素２０が行列状（２次元マトリクス状）に２次元配置されて成る画素アレイ部３０と、その周辺領域に配置されて画素２０を駆動する駆動部（周辺回路）とを有する構成となっている。駆動部は、例えば、書込み走査部４０、電源供給走査部５０、及び、信号出力部６０等から成り、画素アレイ部３０の各画素２０を駆動する。
【００２９】
本例では、書込み走査部４０、電源供給走査部５０、及び、信号出力部６０は、画素アレイ部３０の周辺回路として当該画素アレイ部３０と同じ基板上、即ち、表示パネル７０上に搭載されている。但し、書込み走査部４０、電源供給走査部５０、及び、信号出力部６０のいくつか、あるいは全部を表示パネル７０の外部に設ける構成を採ることも可能である。また、書込み走査部４０及び電源供給走査部５０をそれぞれ、画素アレイ部３０の一方側に配置する構成としているが、画素アレイ部３０を挟んで両側に配置する構成を採ることも可能である。表示パネル７０の基板としては、ガラス基板等の透明絶縁性基板を用いることもできるし、シリコン基板等の半導体基板を用いることもできる。
【００３０】
カラー表示対応の有機ＥＬ表示装置１０では、カラー画像を形成する際の単位となる１つの画素（単位画素／ピクセル）は複数の色の副画素（サブピクセル）から構成される。このとき、副画素の各々が図１の画素２０に相当することになる。より具体的には、カラー表示対応の表示装置では、１つの画素は、例えば、赤色（Ｒｅｄ：Ｒ）光を発光する副画素、緑色（Ｇｒｅｅｎ：Ｇ）光を発光する副画素、及び、青色（Ｂｌｕｅ：Ｂ）光を発光する副画素の３つの副画素から構成される。
【００３１】
但し、１つの画素としては、ＲＧＢの３原色の副画素の組み合わせに限られるものではなく、３原色の副画素に更に１色あるいは複数色の副画素を加えて１つの画素を構成することも可能である。より具体的には、例えば、輝度向上のために白色（Ｗｈｉｔｅ；Ｗ）光を発光する副画素を加えて１つの画素を構成したり、色再現範囲を拡大するために補色光を発光する少なくとも１つの副画素を加えて１つの画素を構成したりすることも可能である。
【００３２】
画素アレイ部３０には、ｍ行ｎ列の画素２０の配列に対して、行方向（画素行の画素の配列方向／水平方向）に沿って走査線３１（３１1〜３１m）と電源供給線３２（３２1〜３２m）とが画素行毎に配線されている。更に、ｍ行ｎ列の画素２０の配列に対して、列方向（画素列の画素の配列方向／垂直方向）に沿って信号線３３（３３1〜３３n）が画素列毎に配線されている。
【００３３】
走査線３１1〜３１mは、書込み走査部４０の対応する行の出力端にそれぞれ接続されている。電源供給線３２1〜３２mは、電源供給走査部５０の対応する行の出力端にそれぞれ接続されている。信号線３３1〜３３nは、信号出力部６０の対応する列の出力端にそれぞれ接続されている。
【００３４】
書込み走査部４０は、シフトレジスタ回路等によって構成されている。この書込み走査部４０は、画素アレイ部３０の各画素２０への映像信号の信号電圧の書込みに際して、走査線３１（３１1〜３１m）に対して書込み走査信号ＷＳ（ＷＳ1〜ＷＳm）を順次供給することによって画素アレイ部３０の各画素２０を行単位で順番に走査する、所謂、線順次走査を行う。
【００３５】
電源供給走査部５０は、書込み走査部４０と同様に、シフトレジスタ回路等によって構成されている。この電源供給走査部５０は、書込み走査部４０による線順次走査に同期して、第１電源電圧Ｖccpと当該第１電源電圧Ｖccpよりも低い第２電源電圧Ｖiniとで切り替わることが可能な電源電圧ＤＳ（ＤＳ1〜ＤＳm）を電源供給線３２（３２1〜３２m）に供給する。後述するように、電源電圧ＤＳのＶccp／Ｖiniの切替えによって、画素２０の発光／非発光（消光）の制御が行われる。
【００３６】
信号出力部６０は、信号供給源（図示せず）から供給される、輝度情報に応じた映像信号の信号電圧（以下、単に「信号電圧」と記述する場合もある）Ｖsigと基準電圧Ｖofsとを選択的に出力する。ここで、基準電圧Ｖofsは、映像信号の信号電圧Ｖsigの基準となる電圧（例えば、映像信号の黒レベルに相当する電圧）であり、後述する閾値補正処理の際に用いられる。
【００３７】
信号出力部６０から出力される信号電圧Ｖsig／基準電圧Ｖofsは、信号線３３（３３1〜３３n）を介して画素アレイ部３０の各画素２０に対して、書込み走査回路４０による走査によって選択された画素行の単位で書き込まれる。すなわち、信号出力部６０は、信号電圧Ｖsigを行（ライン）単位で書き込む線順次書込みの駆動形態を採っている。
【００３８】
［画素回路］
図２は、単位画素（画素回路）２０の具体的な回路構成の一例を示す回路図である。画素２０の発光部は、デバイスに流れる電流値に応じて発光輝度が変化する電流駆動型の電気光学素子の一例である有機ＥＬ素子２１から成る。
【００３９】
図２に示すように、画素２０は、有機ＥＬ素子２１と、有機ＥＬ素子２１に電流を流すことによって当該有機ＥＬ素子２１を駆動する駆動回路とによって構成されている。有機ＥＬ素子２１は、全ての画素２０に対して共通に配線された共通電源線３４にカソード電極が接続されている。
【００４０】
有機ＥＬ素子２１を駆動する駆動回路は、駆動トランジスタ２２、書込みトランジスタ２３、保持容量２４、及び、補助容量２５、即ち、２つのトランジスタ（Ｔｒ）と２つの容量素子（Ｃ）を有する、２Ｔｒ２Ｃの回路構成となっている。ここでは、駆動トランジスタ２２及び書込みトランジスタ２３としてＮチャネル型の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を用いている。但し、ここで示した、駆動トランジスタ２２及び書込みトランジスタ２３の導電型の組み合わせは一例に過ぎず、これらの組み合わせに限られるものではない。
【００４１】
駆動トランジスタ２２は、一方の電極（ソース／ドレイン電極）が電源供給線３２（３２1〜３２m）に接続され、他方の電極（ソース／ドレイン電極）が有機ＥＬ素子２１のアノード電極に接続されている。書込みトランジスタ２３は、一方の電極（ソース／ドレイン電極）が信号線３３（３３1〜３３n）に接続され、他方の電極（ソース／ドレイン電極）が駆動トランジスタ２２のゲート電極に接続されている。また、書込みトランジスタ２３のゲート電極は、走査線３１（３１1〜３１m）に接続されている。
【００４２】
駆動トランジスタ２２及び書込みトランジスタ２３において、一方の電極とは、一方のソース／ドレイン領域に電気的に接続された金属配線を言い、他方の電極とは、他方のソース／ドレイン領域に電気的に接続された金属配線を言う。また、一方の電極と他方の電極との電位関係によって一方の電極がソース電極ともなればドレイン電極ともなり、他方の電極がドレイン電極ともなればソース電極ともなる。
【００４３】
保持容量２４は、一方の電極が駆動トランジスタ２２のゲート電極に接続され、他方の電極が駆動トランジスタ２２の他方の電極、及び、有機ＥＬ素子２１のアノード電極に接続されている。補助容量２５は、一方の電極が有機ＥＬ素子２１のアノード電極に、他方の電極が有機ＥＬ素子２１のカソード電極にそれぞれ接続されている、即ち、有機ＥＬ素子２１に対して並列に接続されている。
【００４４】
上記の構成において、書込みトランジスタ２３は、書込み走査部４０から走査線３１を通してゲート電極に印加される、高電圧の状態がアクティブ状態となる書込み走査信号ＷＳに応答して導通状態となる。これにより、書込みトランジスタ２３は、信号線３３を通して信号出力部６０から異なるタイミングで供給される、輝度情報に応じた映像信号の信号電圧Ｖsig又は基準電圧Ｖofsをサンプリングし、画素２０内に書き込む。書込みトランジスタ２３によって書き込まれた信号電圧Ｖsig又は基準電圧Ｖofsは保持容量２４に保持される。
【００４５】
駆動トランジスタ２２は、電源供給線３２（３２1〜３２m）の電源電圧ＤＳが第１電源電圧Ｖccpにあるときには、一方の電極がドレイン電極、他方の電極がソース電極となって飽和領域で動作する。これにより、駆動トランジスタ２２は、電源供給線３２から電流の供給を受けて有機ＥＬ素子２１を電流駆動にて発光駆動する。より具体的には、駆動トランジスタ２２は、飽和領域で動作することにより、保持容量２４に保持された信号電圧Ｖsigの電圧値に応じた電流値の駆動電流を有機ＥＬ素子２１に供給し、当該有機ＥＬ素子２１を電流駆動することによって発光させる。
【００４６】
駆動トランジスタ２２は更に、電源電圧ＤＳが第１電源電圧Ｖccpから第２電源電圧Ｖiniに切り替わったときには、一方の電極がソース電極、他方の電極がドレイン電極となってスイッチングトランジスタとして動作する。これにより、駆動トランジスタ２２は、有機ＥＬ素子２１への駆動電流の供給を停止し、有機ＥＬ素子２１を非発光状態にする。すなわち、駆動トランジスタ２２は、有機ＥＬ素子２１の発光／非発光を制御するトランジスタとしての機能をも併せ持っている。
【００４７】
この駆動トランジスタ２２のスイッチング動作により、有機ＥＬ素子２１が非発光状態となる期間（非発光期間）を設け、有機ＥＬ素子２１の発光期間と非発光期間の割合（デューティ）を制御することができる。このデューティ制御により、１表示フレーム期間に亘って画素が発光することに伴う残像ボケを低減できるために、特に、動画の画品位をより優れたものとすることができる。
【００４８】
電源供給走査部５０から電源供給線３２を通して選択的に供給される第１，第２電源電圧Ｖccp，Ｖiniのうち、第１電源電圧Ｖccpは有機ＥＬ素子２１を発光駆動する駆動電流を駆動トランジスタ２２に供給するための電源電圧である。また、第２電源電圧Ｖiniは、有機ＥＬ素子２１に対して逆バイアスを掛けるための電源電圧である。この第２電源電圧Ｖiniは、基準電圧Ｖofsよりも低い電圧、例えば、駆動トランジスタ２２の閾値電圧をＶthとするときＶofs−Ｖthよりも低い電圧、好ましくは、Ｖofs−Ｖthよりも十分に低い電圧に設定される。
【００４９】
画素アレイ部３０の各画素２０は、駆動トランジスタ２２の特性のばらつきに起因する駆動電流のばらつきを補正する機能を有している。駆動トランジスタ２２の特性としては、例えば、駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖthや、駆動トランジスタ２２のチャネルを構成する半導体薄膜の移動度ｕ（以下、単に「駆動トランジスタ２２の移動度ｕ」と記述する）を例示することができる。
【００５０】
閾値電圧Ｖthのばらつきに起因する駆動電流のばらつきの補正（以下、「閾値補正」と記述する）は、駆動トランジスタ２２のゲート電圧Ｖgを基準電圧Ｖofsに初期化することによって行われる。具体的には、駆動トランジスタ２２のゲート電圧Ｖgの初期化電圧（基準電圧Ｖofs）を基準として当該初期化電圧から駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖthを減じた電位に向けて、駆動トランジスタ２２のソース電圧Ｖsを変化させる動作が行われる。この動作が進むと、やがて、駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間電圧Ｖgsが駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖthに収束する。この閾値電圧Ｖthに相当する電圧は保持容量２４に保持される。そして、保持容量２４に閾値電圧Ｖthに相当する電圧が保持されていることで、映像信号の信号電圧Ｖsigによる駆動トランジスタ２２の駆動の際に、駆動トランジスタ２２に流れるドレイン−ソース間電流Ｉdsの閾値電圧Ｖthに対する依存性を抑えることができる。
【００５１】
一方、移動度ｕのばらつきに起因する駆動電流のばらつきの補正（以下、「移動度補正」と記述する）は、書込みトランジスタ２３が導通状態となり、映像信号の信号電圧Ｖsigを書き込んでいる状態で、駆動トランジスタ２２を介した電流を保持容量２４に流すことによって行われる。換言すれば、駆動トランジスタ２２に流れる電流Ｉdsに応じた帰還量（補正量）で保持容量２４に負帰還をかけることによって行われる。上記の閾値補正により、映像信号を書き込んだときには既にドレイン−ソース間電流Ｉdsの閾値電圧Ｖthに対する依存性が打ち消されており、当該ドレイン−ソース間電流Ｉdsは、駆動トランジスタ２２の移動度ｕに依存したものとなっている。従って、駆動トランジスタ２２に流れる電流Ｉdsに応じた帰還量で駆動トランジスタ２２のドレイン−ソース間電圧Ｖdsに負帰還をかけることで、駆動トランジスタ２２に流れるドレイン−ソース間電流Ｉdsの移動度ｕに対する依存性を抑えることができる。
【００５２】
［カラー表示方式］
ところで、上述した有機ＥＬ表示装置１０には、カラー表示を実現する方式（カラー表示方式）として、白色発光方式とＲ（赤色）Ｇ（緑色）Ｂ（青色）マスク塗り分け方式とがある。
【００５３】
白色発光方式は、１つの副画素の発光機能層が白色発光機能層から成る白色有機ＥＬ素子とカラーフィルタとの組合せから成る方式である。発光機能層（有機層）は、有機発光材料から成る発光層を備えている。この発光機能層は、具体的には、例えば、正孔輸送層と発光層と電子輸送層との積層構造、正孔輸送層と電子輸送層を兼ねた発光層との積層構造、正孔注入層と正孔輸送層と発光層と電子輸送層と電子注入層との積層構造等から構成することができる。
【００５４】
これらの積層構造等をタンデムユニットとする場合、発光機能層（有機層）は、第１のタンデムユニット、接続層、及び、第２のタンデムユニットが積層された２段のタンデム構造を有していてもよい。更には、発光機能層は、３つ以上のタンデムユニットが積層された３段以上のタンデム構造を有していてもよい。これらの場合、発光色を赤色、緑色、青色と各タンデムユニットで変えることで、全体として白色を発光する白色発光機能層を得ることができ、タンデム構造の白色有機ＥＬ素子となる。
【００５５】
ＲＧＢマスク塗り分け方式は、赤色、緑色、及び、青色の有機ＥＬ材料を、マスクを利用して蒸着で塗り分ける方式である。ＲＧＢマスク塗り分け方式の場合、１つの副画素の発光機能層が、赤色を発光する赤色発光機能層、緑色を発光する緑色発光機能層、及び、青色を発光する青色発光機能層から成る。このＲＧＢマスク塗り分け方式を採る有機ＥＬ表示装置にあっても、有機ＥＬ素子及び素子間の配線電極における外光反射の防止や色純度の向上を図るために、カラーフィルタを用いる構成を採る場合がある。
【００５６】
［表示パネルの密封構造］
カラー表示の有機ＥＬ表示装置では、有機ＥＬ素子及び保護膜を形成した後に、貼り合わせ手法もしくはオンチップ手法によってカラーフィルタを形成する。そして、貼り合わせ、オンチップのいずれの手法でも、有機ＥＬ素子の保護の観点から、有機ＥＬ素子が形成された第１の基板に対して、ガラス基板等の第２の基板を貼り合わせて密封構造をとることになる（表示パネル７０の密封構造）。
【００５７】
図３は、従来例に係る表示パネルの密封構造を示す断面図である。図３には、図面の簡略化のために、例えば赤色、緑色、及び、青色の３つの副画素から成る１つの画素（単位画素）の構成を図示している。
【００５８】
図３に示す従来例に係る表示パネルの密封構造において、第１の基板７１は、例えばシリコン基板等の半導体基板から成り、第２の基板７２は、例えばホウケイ酸ガラス等のガラス基板から成る。第１の基板７１の第１面側（表面側）には、有機ＥＬ素子を含む画素、その駆動回路、配線等の回路部７３が形成されている。また、第１の基板７１及び第２の基板７２の各対向面側には、両基板７１，７２の相対的な位置決めに用いるアライメントマーク７４Ａ，７４Ｂが設けられている。
【００５９】
また、第１の基板７１と第２の基板７２との間には、赤色、緑色、及び、青色の３つの副画素２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂに対応してカラーフィルタ８０Ｒ，８０Ｇ，８０Ｂが設けられている。そして、画素が配置されて成る表示領域は、その周辺部にスペーサ７５が配されることによって密封されている。スペーサ７５は、第１の基板７１と第２の基板７２とを貼り合わせる際に、両基板７１，７２が当接しないように適正な基板間隔を確保する作用をなす。このスペーサ７５による密封空間内には、周知の手法によって樹脂が充填されている。
【００６０】
上記の構成の従来例に係る表示パネルの密封構造において、スペーサ７５は、光硬化性のエポキシ樹脂材料から成る樹脂中にギャップ材が分散されたシール材を表示領域の周辺部に塗布することによって形成されることになる。従って、従来例に係る密封構造では、スペーサ７５を設けるための工程が発生するため工程数が増加し、また、スペーサ７５自体のサイズで第１の基板７１と第２の基板７２との間の基板間隔が決まることになるため当該基板間隔の調整が難しい。
【００６１】
＜第１実施形態＞
本開示の技術を実現する第１実施形態は、スペーサ７５を設けるための工程が不要で、しかも、第１の基板７１と第２の基板７２との間の基板間隔の調整が容易なスペーサ７５を提供するためになされたものである。
【００６２】
ところで、カラー表示の有機ＥＬ表示装置において、カラーレジストの形成からパネル組立てまでのフローとして２つのパターンが挙げられる。第１のパターンは、有機ＥＬ素子の保護膜上に直接もしくは平坦化膜の上にカラーレジストを形成した後に、例えばガラス基板から成る第２の基板７２を貼り合わせて封止を行うフローである。第２のパターンは、第２の基板７２側にブラックマトリクス、カラーレジストを形成し、有機ＥＬ素子及び保護膜を形成したバックプレーン基板である第１の基板７１を第２の基板７２に貼り合わせるフローである。
【００６３】
本開示の技術は、カラーレジストの形成からパネル組立てまでのフローに関しての、上記の第１のパターン及び第２のパターンのいずれのパターンにも適用可能である。以下に説明する第１実施形態では、カラーレジストの形成からパネル組立てまでのフローとして、第２のパターンを適用する場合を例に挙げて説明するものとする。
【００６４】
図４は、本開示の第１実施形態に係る表示パネルの密封構造を示す断面図である。図４に示す第１実施形態に係る表示パネルの密封構造において、第１の基板７１は、半導体基板、例えばシリコン基板から成り、第１面側（表面側）に有機ＥＬ素子を含む画素、その駆動回路、配線等の回路部７３が形成されたバックプレーン基板である。但し、第１の基板７１としては、シリコン基板等の半導体基板に限られるものではなく、ガラス基板等の透明絶縁性基板から成る構成とすることもできる。
【００６５】
第２の基板７２は、透明絶縁性基板、例えばホウケイ酸ガラス等のガラス基板から成り、第１の基板７１と対向配置される対向基板（あるいは、封止基板）である。第２の基板７２がガラス基板から成ることで、第２の基板７２を透して光を取り出すことができる。これにより、本有機ＥＬ表示装置の光の取り出し方式は、第２の基板７２側から光を取り出すトップエミッション方式となっている。
【００６６】
第１の基板７１と第２の基板７２との間には、有機ＥＬ素子を含む赤色、緑色、及び、青色の３つの副画素２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂに対応してカラーフィルタ８０Ｒ，８０Ｇ，８０Ｂが設けられている。また、画素（副画素２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂ）が配置されて成る表示領域の少なくとも周辺部（周辺領域）には、第１の基板７１と第２の基板７２との間の適正な基板間隔を設定する（確保する）スペーサ７６が基板間隔設定部として設けられている。スペーサ７６は、適正な基板間隔を確保するとともに、第１の基板７１と第２の基板７２との間の空間を密封する機能を有する。このスペーサ７６による密封空間内には、周知の手法によって樹脂が充填されている。
【００６７】
第１の基板７１は、一端部が第２の基板７２よりも突出した形状、即ち、平面視で第２の基板７２よりも一端部が大きい形状となっている。この第１の基板７１の一端部の、回路部７３が形成された面側（表面側）には、外部との電気的な接続を行うためのパッド部７７が形成されている。このパッド部７７には、例えばフレキシブルプリント基板（図示せず）が圧着される。
【００６８】
表示領域の周辺部において、第１の基板７１と第２の基板７２との間に介在するスペーサ７６は、カラーフィルタ８０（８０Ｒ，８０Ｇ，８０Ｂ）の形成工程にて、カラーフィルタ８０と同じ材料、即ち同じカラーレジスト材料で形成される。本例では、カラーレジストの形成からパネル組立てまでのフローとして、先述した第２のパターンを適用していることから、第２の基板７２側にブラックマトリクスやカラーレジストを形成する際に並行してスペーサ７６が形成されることになる。ブラックマトリクスは、ＲＧＢの混色防止のために形成される。
【００６９】
一例として、カラーフィルタ８０Ｒ，８０Ｇ，８０Ｂは、約２［ｕｍ］程度の厚さに形成される。これにより、カラーフィルタ８０Ｒ，８０Ｇ，８０Ｂの下面と、第１の基板７１の表面、具体的には有機ＥＬ素子の保護膜７８との間のギャップは約０．９［ｕｍ］程度となる。一方、スペーサ７６は約３．６［ｕｍ］程度の厚さ（高さ）に形成される。そして、第１の基板７１と第２の基板７２とを貼り合わせた後は、スペーサ７６は約３．６［ｕｍ］から約２．７［ｕｍ］程度の厚さまで圧縮される。
【００７０】
［カラーレジストの形成方法］
カラーレジストは、第１の基板７１上に、緑、赤、青のそれぞれに対応した感光性レジストを用いて形成される。カラーレジストの形成からパネル組立てまでのフローとして、先述した第１のパターンを適用する場合には、カラーレジストは、第２の基板７１上に、緑、赤、青のそれぞれに対応した感光性レジストを用いて形成される。
【００７１】
通常は、カラーレジストを塗布・感光して現像処理を行い、所定の形状にパターニングした後に、更に、ベーク等でレジストを硬化させる。この処理を緑、赤、青で繰り返して行い、パネル内の画素（副画素２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂ）に対応した箇所にカラーフィルタ８０Ｒ，８０Ｇ，８０Ｂを形成していく。本実施形態では、例えば、カラーフィルタ８０Ｇ、カラーフィルタ８０Ｒ、及び、カラーフィルタ８０Ｂの順番でカラーフィルタを形成する工程において、同様の手法で表示領域の周辺領域にカラーレジストを積層することによってスペーサ７６を基板間隔設定部として形成する。
【００７２】
カラーレジストを形成する際、先に形成した（１層目の）カラーレジストの影響で、後に形成する（２層目の）カラーレジストの膜厚が変化する。このことについて、カラーレジストをパターン形成する場合を例に挙げて具体的には説明する。ここで、「パターン」とは、面方向に対して１層目のカラーレジストが任意の形状で凹凸を形成し、凹凸の相対的な高さがコントロールされたものや、ピラーを形成する箇所に対し、Ｘ方向、Ｙ方向又はＸＹ両方向に周期的に凹凸を形成したものを言う。また、「パターン形成」とは、カラーレジストをパターニングして任意の形状に形成することを言う。
【００７３】
カラーレジストを例えば凹凸のストライプ状にパターン形成する場合、例えば、直前に形成したカラーレジストの凸部（リブ）の断面形状のピッチが６［ｕｍ］、膜厚が２［ｕｍ］とし、その後に形成するカラーレジストが同様にピッチが６［ｕｍ］、膜厚が２［ｕｍ］だったとする。この場合、カラーレジストの凸部のパターン密度の影響で、直前のカラーレジストの凸部間（凹部）では２［ｕｍ］強の膜厚になるが、カラーレジストが被った箇所、即ち凸部では２［ｕｍ］以下の膜厚になる。ここで、「パターン密度」とは、カラーレジストの形成領域の面積に対する、実際にカラーレジストをパターン形成する領域（例えば、凸部）が占める面積の割合を言う。
【００７４】
この直前のカラーレジストの凹部とカラーレジストが被った凸部との間での膜厚差は、カラーレジストの塗布量は一定量に決まっているものの、カラーレジスト自体が流動性を持ち、平坦になろうとするために発生する。表示領域の周辺部へのスペーサ７６の形成においても、下地を含む直前のカラーレジストをパターン形成することにより、そのパターン密度の影響で、スペーサ７６のトータルの膜厚が変化することになる。換言すれば、下地を含む直前のカラーレジストをパターン形成し、そのパターン密度を調整することで、スペーサ７６のトータルの膜厚（高さ）を調整することができる。
【００７５】
図５は、１層目（先に形成するカラーレジスト）のパターン密度に対するスペーサ７６の積層時のトータルの膜厚の関係を示す図である。図５には、１層目（先に形成するカラーレジスト）の膜厚と２層目（後に形成するカラーレジスト）の膜厚との比（１層目と２層目の膜厚比）が１：１の場合を実線で示し、１．２：１の場合を破線で示し、０．８：１の場合を一点鎖線で示している。例えば、第１の調整層である１層目と第２の調整層である２層目の膜厚比が１：１の場合、１層目のパターン密度が１００［％］のときのトータルの膜厚が２［ｕｍ］であるのに対して、パターン密度が５０［％］のときのトータルの膜厚が１．５［ｕｍ］となる。
【００７６】
このように、カラーフィルタ８０Ｒ，８０Ｇ，８０Ｂの形成工程において、同じカラーレジスト材料でスペーサ７６を形成する際に、１層目をパターン形成し、そのパターン密度を調整することにより、スペーサ７６のトータルの膜厚を調整することができる。ここでは、理解を容易にするために、２層の積層構造の場合を例に挙げて説明したが、３層以上の積層構造であっても同様である。例えば、３層の積層構造の場合、１層目をパターン形成し、その上に２層目、３層目を順に積層する構成や、１層目をパターン形成し、その上に２層目もパターン形成し、その上に３層目を積層する構成を採ることができる。
【００７７】
カラーレジストは緑、赤、青を用いるが、下地に透明なコート膜を付ける場合、４種類のレジストを用いることができる。これらのレジストを複数種類組み合わせ、且つ、下地のコート膜を含めてパターンの粗密（パターン密度）を調整し、重ね合わせることで、任意の高さにスペーサ７６を形成することが可能になる。
【００７８】
［スペーサの積層構造］
図６Ａ、図６Ｂ、図６Ｃ、及び、図６Ｄに、１層目及び２層目が共にカラーレジスト材料から成る場合のスペーサ７６の積層構造の具体例を示す。図６Ａの例は、層間膜７６１上に緑のカラーレジスト７６２をパターン形成し、その上に赤のカラーレジスト７６３を積層した２層の積層構造の例である。カラーレジスト自体が流動性を持つことから、緑のカラーレジスト７６２が存在していない領域を赤のカラーレジスト７６３が埋めることになる。図６Ｂの例は、図６Ａの例の赤のカラーレジスト７６３の上に、青のカラーレジスト７６４を積層した３層の積層構造の例である。
【００７９】
図６Ｃの例は、層間膜７６１上に緑のカラーレジスト７６２をパターン形成するとともに、緑のカラーレジスト７６２が存在しない領域上に赤のカラーレジスト７６３をパターン形成し、その上に青のカラーレジスト７６４を積層した３層の積層構造の例である。図６Ｃの例の場合には、緑のカラーレジスト７６２が存在しない領域上に赤のカラーレジスト７６３をパターン形成することで、３層目の青のカラーレジスト７６４が、２層目の赤のカラーレジスト７６３が存在していない領域を埋めることになるため、図６Ｂの例の場合よりもスペーサ７６の膜厚を薄くすることができる。
【００８０】
図６Ｄの例は、層間膜７６１上に緑のカラーレジスト７６２をパターン形成するとともに、緑のカラーレジスト７６２が存在する領域上に赤のカラーレジスト７６３をパターン形成し、その上に青のカラーレジスト７６４を積層した３層の積層構造の例である。図６Ｄの例の場合には、緑のカラーレジスト７６２が存在する領域上に赤のカラーレジスト７６３をパターン形成することで、３層目の青のカラーレジスト７６４が、１層目の緑のカラーレジスト７６２及び２層目の赤のカラーレジスト７６３が共に存在していない領域を埋めることになるため、図６Ｃの例の場合よりもスペーサ７６の膜厚を更に薄くすることができる。
【００８１】
図６Ａ、図６Ｂ、図６Ｃ、及び、図６Ｄの例は、１層目及び２層目が共にカラーレジスト材料から成る場合の具体例であるが、１層目としてカラーレジスト材料以外の材料を用いる構成を採ることも可能である。
【００８２】
図７Ａ、図７Ｂ、及び、図７Ｃに、１層目としてカラーレジスト材料以外の材料を用いる場合のスペーサ７６の積層構造の具体例を示す。ここでは、理解を容易にするために、２層の積層構造を例に挙げて説明するが、３層以上の積層構造に対しても同様に適用することができる。
【００８３】
図７Ａの例は、１層目が金属材料から成り、２層目がカラーレジスト材料から成る例である。具体的には、層間膜７６１上に形成（配線）されたＡｌ（アルミニウム）配線パターン７６５を１層目として用い、この１層目のＡｌ配線パターン７６５上に緑のカラーレジスト７６２を積層した２層の積層構造となっている。配線材料、即ち１層目の金属材料としては、Ａｌの他、Ｗ（タングステン）、Ｔｉ（チタン）、ＴｉＮ（窒化チタン）等を用いることができる。
【００８４】
図７Ｂの例は、１層目が酸化膜から成り、２層目がカラーレジスト材料から成る例である。具体的には、酸化膜から成る層間膜（層間絶縁膜）７６１を１層目として用い、この１層目の層間膜７６１をパターン形成し、その上に緑のカラーレジスト７６２を積層した２層の積層構造となっている。層間膜７６１の材料としては、ＳｉＯ，ＳｉＮ，ＳｉＯＣ等の絶縁材料として使用するものを例示することができる。１層目の層間膜７６１については、リソグラフィでパターニングし、ＤＥＴ加工で形状を作るようにする。
【００８５】
図７Ｃの例は、図７Ｂの例と同様に、１層目が酸化膜から成り、２層目がカラーレジスト材料から成る例である。図７Ｂの例は、１層目の層間膜７６１をパターン形成する例であるの対して、図７Ｃの例は、１層目の層間膜７６１をＡｌ配線パターン７６５上に成膜する例である。具体的には、１層目の層間膜７６１の下のＡｌ配線等がパターニングされており、このＡｌ配線パターン７６５によって１層目の層間膜７６１の下に凹凸が形成される。従って、Ａｌ配線パターン７６５の上に層間膜７６１を成膜することにより、層間膜７６１をパターン形成しなくても、層間膜７６１をパターン形成した場合と同様に、下地の凹凸に応じて層間膜７６１に凹凸が形成される。この場合も、１層目の層間膜７６１がパターン形成されている概念に含まれるものとする。本例では、Ａｌ配線パターン７６５の他に、コンフォーマルなＳｉＯ成膜や、形状が変化するＨＤＰ（高密度プラズマ）成膜のような場合もある。
【００８６】
図６及び図７の例では、１層目について、例えば凹凸のストライプ状にパターン形成する場合を例に挙げて説明したが、ストライプ状に限られるものではない。ストライプ状の他に島状にパターン形成する、具体的には、図８Ａに示すように、１層目の緑のカラーレジスト７６２を例えば矩形の島状にパターン形成することも可能である。図８Ａには、理解を容易にするために、層間膜７６１上に緑のカラーレジスト７６２が矩形の島状に２つパターン形成された構成を例示している。
【００８７】
図８Ａの例において、２つのカラーレジスト７６２の高さを、図８Ｂに示すように、同じ高さｈ1に設定する、即ち、相対的な高さを１つ（高さｈ1）に設定する構成を採ることができる。あるいは又、図８Ｃに示すように、高さｈ1と高さｈ2という具合に、相対的な高さを２つ以上に設定する構成を採ることもできる。図８Ｂ及び図８Ｃは、図７Ｃの例に対応している。島状の複数のカラーレジスト７６２の高さについては、例えば、ＳｉＯ成膜後、ＣＭＰ（化学的機械研磨）で研磨することにより、任意の高さにコントロールすることは可能である。完全な平坦化を行わない場合、凹凸の高さはパターン密度（図８Ｃの場合、Ａｌ配線パターン７６５）で決まる。
【００８８】
［パターンのレイアウト］
続いて、１層目のパターンのレイアウトについて、図９乃至図１３を用いて説明する。図９乃至図１３は、スペーサの積層構造における１層目のパターンのレイアウトの具体例を示す平面パターン図（その１乃至その５）である。
【００８９】
図９乃至図１３において、図４に示す第２の基板７２（又は、第１の基板７１）のスペーサ７６を形成する表示領域の周辺部がピラー形成部分となる。このピラー形成部分に、１層目のパターン（凸部）が形成されることになる。図９乃至図１３には、理解を容易にするために、１層目の凸部から成るパターンを網掛けで図示し、凹部を白抜きで図示している。１層目のパターンは、図９乃至図１３に破線で囲った例えば四角形の形成領域Ｓを単位としてＸ方向及びＹ方向に配列されることになる。
【００９０】
図９Ａに示すレイアウトは、Ｙ方向に延びる、形成領域Ｓの１／２程度の幅のリブ状の凸部Ｔが、Ｘ方向に形成領域Ｓのピッチで配列されたパターンとなっている。図９Ｂに示すレイアウトは、形成領域Ｓの１／４程度のサイズで、形成領域Ｓの左上の角部に位置する平面形状が正方形の凸部ＴがＸ方向及びＹ方向に形成領域Ｓのピッチで配列されたパターンとなっている。図９Ｃに示すレイアウトは、形成領域Ｓの１／４程度のサイズで、形成領域Ｓの中心に位置する平面形状が正方形の凸部ＴがＸ方向及びＹ方向に形成領域Ｓのピッチで配列されたパターンとなっている。
【００９１】
図９Ａ、図９Ｂ、及び、図９Ｃに示すレイアウトにおいて、凸部（網掛け部分、以下同様）と凹部（白抜き部分、以下同様）との関係が入れ替わったレイアウトとすることも可能である。
【００９２】
図１０Ａに示すレイアウトは、形成領域Ｓの１／９程度のサイズの平面形状が正方形の凸部Ｔが、形成領域Ｓ内に斜めに３個配置され、この３個の凸部Ｔ1，Ｔ2，Ｔ3を単位としてＸ方向及びＹ方向に形成領域Ｓのピッチで配列されたパターンとなっている。図１０Ｂに示すレイアウトは、形成領域Ｓの１／３程度の幅で、形成領域Ｓのサイズの長さのリブ状の凸部Ｔ1と、凸部Ｔ1と同程度の幅で、凸部Ｔ1よりも長さが短い凸部Ｔ2とを単位として、Ｘ方向及びＹ方向に形成領域Ｓのピッチで配列されたパターンとなっている。図１０Ｃに示すレイアウトは、形成領域Ｓの１／３程度の幅の２つの凸部Ｔ1，Ｔ2が形成領域Ｓ内に間隔をあけて斜めに配置され、この２つの凸部Ｔ1，Ｔ2を単位としてＸ方向及びＹ方向に形成領域Ｓのピッチで配列されたパターンとなっている。
【００９３】
図１０Ａ、図１０Ｂ、及び、図１０Ｃに示すレイアウトにおいても、凸部と凹部との関係が入れ替わったレイアウトとすることも可能である。
【００９４】
図１１Ａに示すレイアウトは、平面形状が長方形の３個の凸部Ｔ1，Ｔ2，Ｔ3が形成領域Ｓ内に三角形の頂点に対応する位置に配置され、この３個の凸部Ｔ1，Ｔ2，Ｔ3を単位としてＸ方向及びＹ方向に形成領域Ｓのピッチで配列されたパターンとなっている。図１１Ｂに示すレイアウトは、形成領域Ｓの１／４のサイズの平面形状が正方形の凸部Ｔ1と、形成領域Ｓの１／２程度のサイズの平面形状が正方形の凸部Ｔ2とが形成領域Ｓ内に配置され、この２個の凸部Ｔ1，Ｔ2を単位としてＸ方向及びＹ方向に形成領域Ｓのピッチで配列されたパターンとなっている。
【００９５】
図１１Ａ、図１１Ｂ、及び、図１１Ｃに示すレイアウトにおいても、凸部と凹部との関係が入れ替わったレイアウトとすることも可能である。
【００９６】
図１２Ａに示すレイアウトは、平面形状が六角形の基本形状Ｕを６等分して得られる、飛び飛びの３個の三角形の凸部Ｔと、この３個の凸部Ｔを含む基本形状Ｕが隣接して配列されたパターンとなっている。図１２Ｂに示すレイアウトは、平面形状が６角形の基本形状Ｕを６等分して得られる６個の三角形の凸部Ｔと、この６個の凸部Ｔを含む基本形状Ｕがさ方向において２個おきに配列されたパターンとなっている。
【００９７】
図１２Ａ及び図１２Ｂに示すレイアウトにおいても、凸部と凹部との関係が入れ替わったレイアウトとすることも可能である。
【００９８】
図１３Ａ、図１３Ｂ、及び、図１３Ｃは、平面形状が三角形の基本形状Ｖがデルタ配置されたパターンとなっており、基本形状Ｖ内に形成される凸部Ｔの形状が、３つのパターン例間において異なっている。図１３Ａ、図１３Ｂ、及び、図１３Ｃに示すレイアウトにおいても、凸部と凹部との関係が入れ替わったレイアウトとすることも可能である。
【００９９】
上述した第１実施形態に係る表示パネルの密封構造によれば、第１の基板７１と第２の基板７２との間の適正な基板間隔を設定するスペーサ７６を、カラーフィルタ８０の形成工程にてカラーフィルタ８０と同じ材料で形成するため、スペーサ７６を形成するための工程が不要となる。これにより、特許文献１に記載の従来技術と比較して、表示パネル製造の工程数を削減できる。
【０１００】
また、パターン形成された１層目（第１の調整層）の上に２層目（第２の調整層）を積層することで、２層目のカラーレジスト自体が流動性を持ち、平坦になろうとするため、１層目の凹部と凸部との間に膜厚差が生じる。従って、１層目のパターン密度を調整することで、２層目の膜厚、ひいては、スペーサ７６のトータルの高さを調整できる。その結果、スペーサ７６の高さで決まる、第１の基板７１と第２の基板７２との間の基板間隔の調整が容易となる。
【０１０１】
電子ビューファインダ（ＥＶＦ）やヘッドマウントディスプレイに用いられるような１インチ程度もしくはそれ以下の小型ディスプレイの場合、中・大型ディスプレイのような直視型に比べて、画素サイズ・ピッチが非常に小さい。そのため、１インチ程度もしくはそれ以下の小型ディスプレイでは、適正な色や輝度を維持するための視野角特性が重要視される。従って、第１の基板７１と第２の基板７２との間の基板間隔の調整が容易な本実施形態に係る表示パネルの密封構造は、基板間隔の調整によって適正な視野角特性を容易に得ることができるため、特に、１インチ程度もしくはそれ以下の小型ディスプレイに有用なものとなる。
【０１０２】
＜第２実施形態＞
第２実施形態でも、第１実施形態と同様の表示パネルの密封構造となっている。すなわち、スペーサ７６に関して、少なくとも１層目をパターン形成し、カラーフィルタ８０の形成工程にてカラーフィルタ８０と同じ材料で形成することで、スペーサ７６を形成するための工程を不要とし、基板間隔の調整が容易な構成となっている。但し、第１実施形態では、第１の基板７１として、シリコン基板等の半導体基板の他、ガラス基板等の透明絶縁性基板を用いることができるようになっている。これに対して、第２実施形態では、第１の基板７１として、シリコン基板等の半導体基板を用いることを前提としている。
【０１０３】
図１４は、本開示の第２実施形態に係る表示パネルの密封構造を示す断面図である。図１４において、第１の基板７１は、半導体基板、例えばシリコン基板から成り、第１面側（表面側）に有機ＥＬ素子を含む画素、その駆動回路、配線等の回路部７３が形成されたバックプレーン基板である。この第１の基板７１の第２面側（裏面側）には、外部との電気的な接続を行うためのパッド部７７が形成されている。すなわち、第１の基板７１が半導体基板から成ることで、表面側の回路部７３と裏面側のパッド部７７との間を、基板を貫通して電気的に接続する裏面貫通電極構造を採っている。パッド部７７には、例えばフレキシブルプリント基板（図示せず）が圧着される。
【０１０４】
このように、バックプレーン基板である第１の基板７１の裏面側にパッド部７７を設ける構成を採ることで、図４との対比から明らかなように、第１実施形態に係る表示パネルよりもチップサイズ（平面形状の基板サイズ／パネルサイズ）を小型化できる。これにより、理収（理論的収率）の向上を図ることができる。また、バックプレーン基板に関して、第１の基板７１に対して更に半導体基板を積層する積層構造を採ることも可能である。バックプレーン基板を積層構造とし、第１の基板７１に搭載されている回路部７３の回路の一部又は全部を、積層する半導体基板に搭載することで、第１の基板７１の平面形状のサイズ、ひいてはバックプレーン基板全体の平面形状のサイズを更に小型化できる。
【０１０５】
＜電子機器＞
以上説明した本開示の表示装置は、電子機器に入力された映像信号、若しくは、電子機器内で生成した映像信号を、画像若しくは映像として表示するあらゆる分野の電子機器の表示部（表示装置）として用いることができる。一例として、例えば、テレビジョンセット、デジタルスチルカメラ、ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話機等の携帯端末装置、ビデオカメラ、ヘッドマウントディスプレイ（頭部装着型ディスプレイ）等の表示部として用いることができる。
【０１０６】
このように、あらゆる分野の電子機器において、その表示部として本開示の表示装置を用いることにより、次のような効果を得ることができる。すなわち、本開示の技術によれば、基板間隔の調整が容易であることにより、視野角特性に影響する基板間隔を適正に設定し、適正な色や輝度を維持することができるため、表示品位の向上に寄与することができる。
【０１０７】
本開示の表示装置は、封止された構成のモジュール形状のものをも含む。一例として、画素アレイ部に透明なガラス等の対向部が貼り付けられて形成された表示モジュールが該当する。尚、表示モジュールには、外部から画素アレイ部への信号等を入出力するための回路部やフレキシブルプリントサーキット（ＦＰＣ）などが設けられていてもよい。以下に、本開示の表示装置を用いる電子機器の具体例として、デジタルスチルカメラ及びヘッドマウントディスプレイを例示する。但し、ここで例示する具体例は一例に過ぎず、これに限られるものではない。
【０１０８】
（具体例１）
図１５は、レンズ交換式一眼レフレックスタイプのデジタルスチルカメラの外観図であり、図１５Ａにその正面図を示し、図１５Ｂにその背面図を示す。レンズ交換式一眼レフレックスタイプのデジタルスチルカメラは、例えば、カメラ本体部（カメラボディ）１１１の正面右側に交換式の撮影レンズユニット（交換レンズ）１１２を有し、正面左側に撮影者が把持するためのグリップ部１１３を有している。
【０１０９】
そして、カメラ本体部１１１の背面略中央にはモニタ１１４が設けられている。モニタ１１４の上部には、ビューファインダ（接眼窓）１１５が設けられている。撮影者は、ビューファインダ１１５を覗くことによって、撮影レンズユニット１１２から導かれた被写体の光像を視認して構図決定を行うことが可能である。
【０１１０】
上記の構成のレンズ交換式一眼レフレックスタイプのデジタルスチルカメラにおいて、そのビューファインダ１１５として本開示の表示装置を用いることができる。すなわち、本例に係るレンズ交換式一眼レフレックスタイプのデジタルスチルカメラは、そのビューファインダ１１５として本開示の表示装置を用いることによって作製される。
【０１１１】
（具体例２）
図１６は、ヘッドマウントディスプレイの外観図である。ヘッドマウントディスプレイは、例えば、眼鏡形の表示部２１１の両側に、使用者の頭部に装着するための耳掛け部２１２を有している。このヘッドマウントディスプレイにおいて、その表示部２１１として本開示の表示装置を用いることができる。すなわち、本例に係るヘッドマウントディスプレイは、その表示部２１１として本開示の表示装置を用いることによって作製される。
【０１１２】
尚、本開示は以下のような構成をとることもできる。
［１］発光部を含む画素が形成された第１の基板と、
第１の基板と対向配置された第２の基板と、
第１の基板と第２の基板との間に設けられたカラーフィルタと、
第１の基板の、画素が形成されて成る表示領域の少なくとも周辺部に設けられ、第１の基板と第２の基板との間の基板間隔を設定する基板間隔設定部と、を備え、
基板間隔設定部は、
第１の基板上に所定のパターンにて形成される第１の調整層、及び、
カラーフィルタの形成工程にてカラーフィルタと同じ材料で第１の調整層上に積層される第２の調整層の少なくとも２層から成る、
表示装置。
［２］第１の調整層は、カラーフィルタの形成工程にてカラーフィルタと同じ材料でパターン形成される、
上記［１］に記載の表示装置。
［３］第１の調整層は、金属材料でパターン形成される、
上記［１］に記載の表示装置。
［４］第１の調整層は、金属の配線パターンから成る、
上記［３］に記載の表示装置。
［５］第１の調整層は、酸化膜でパターン形成される、
上記［１］に記載の表示装置。
［６］第１の基板は、半導体基板から成る、
上記［１］から上記［５］のいずれかに記載の表示装置。
［７］第１の基板は、画素が形成される面と反対側の面側に形成された、外部との電気的な接続を行うためのパッド部を有する、
上記［６］に記載の表示装置。
［８］発光部を含む画素が形成された第１の基板と、
第１の基板と対向配置された第２の基板と、
第１の基板と第２の基板との間に設けられたカラーフィルタと、
第１の基板の、画素が形成されて成る表示領域の少なくとも周辺部に設けられ、第１の基板と第２の基板との間の基板間隔を設定する基板間隔設定部と、を備える表示装置の製造に当たって、
第１の基板上に所定のパターンにて第１の調整層を形成し、
しかる後、カラーフィルタの形成工程にてカラーフィルタと同じ材料で第１の調整層上に第２の調整層を積層し、少なくとも２層から成る基板間隔設定部を形成する、
表示装置の製造方法。
［９］発光部を含む画素が形成された第１の基板と、
第１の基板と対向配置された第２の基板と、
第１の基板と第２の基板との間に設けられたカラーフィルタと、
第１の基板の、画素が形成されて成る表示領域の少なくとも周辺部に設けられ、第１の基板と第２の基板との間の基板間隔を設定する基板間隔設定部と、を備え、
基板間隔設定部は、
第１の基板上に所定のパターンにて形成される第１の調整層、及び、
カラーフィルタの形成工程にてカラーフィルタと同じ材料で第１の調整層上に積層される第２の調整層の少なくとも２層から成る、
表示装置を有する電子機器。
【符号の説明】
【０１１３】
１０・・・有機ＥＬ表示装置、２０（２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂ）・・・単位画素（画素／画素回路）、２１・・・有機ＥＬ素子、２２・・・駆動トランジスタ、２３・・・書込みトランジスタ、２４・・・保持容量、２５・・・補助容量、３０・・・画素アレイ部、３１（３１1〜３１m）・・・走査線、３２（３２1〜３２m）・・・電源供給線、３３（３３1〜３３n）・・・信号線、３４・・・共通電源線、４０・・・書込み走査部、５０・・・電源供給走査部、６０・・・信号出力部、７０・・・表示パネル、７１・・・第１の基板、７２・・・第２の基板、７３・・・回路部、７５，７６・・・スペーサ、７７・・・パッド部、７８・・・保護膜、８０（８０Ｒ，８０Ｇ，８０Ｂ）・・・カラーフィルタ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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