(57)【要約】【課題】レーザーが分割予定ラインに沿って照射されることを視覚的に容易に確認できるレーザー加工装置を提供する。【解決手段】オペレータは、レーザー光線を照射する範囲を示すＸ、Ｙ座標情報を設定する。オペレータにより設定されたＸ、Ｙ座標情報に基づいて、レーザー光線が照射される予定の位置を示す仮想線ＶＬを作成する。チャックテーブル２０に保持されたウェーハＷを撮像手段により撮像し、撮像されたウェーハＷをタッチパネルに表示する際に、ウェーハＷの撮像画像と仮想線ＶＬとを重ねて表示させ、仮想線ＶＬと分割予定ラインＰＬとの位置関係を画像で確認する。【選択図】図８
2016146403.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに間隔を持って配列する複数のデバイス領域が表面に設定されたウェーハにおいて該間隔を分割予定ラインとし、レーザー光線を該分割予定ラインに照射して該ウェーハを加工するレーザー加工装置であって、
ウェーハを保持するチャックテーブルと、
該チャックテーブルに保持されたウェーハに該レーザー光線を照射するレーザー光線照射手段と、
該チャックテーブルと該レーザー光線照射手段とを加工送り方向であるＸ軸方向及び割り出し送り方向であるＹ軸方向に相対移動させる移動手段と、
該チャックテーブルに保持されたウェーハを撮像する撮像手段と、
該撮像手段で撮像した画像を表示する表示手段と、
ウェーハの表面に設定されたキーパターンを撮像し、該チャックテーブルに保持されたウェーハのＸ、Ｙ座標の起点を割り出す起点算出手段と、
該分割予定ラインに照射する該レーザー光線の始点と終点のＸ、Ｙ座標情報を入力する入力手段と、
該始点と該終点の該Ｘ、Ｙ座標情報に基づいて該レーザー光線が照射される予定の位置を仮想線として表示する仮想線情報を生成する座標情報変換手段と、を備え、
該チャックテーブルに保持されたウェーハを該表示手段で表示する際に、ウェーハの画像と該仮想線とを重ねて表示させ、該仮想線と該分割予定ラインとの位置関係を画像で確認することを特徴とするレーザー加工装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レーザー加工装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの製造工程では、切削ブレードを用いウェーハをダイシングしてデバイスチップへ分割する加工方法が長年実施されてきたが、近年、切り代が非常に小さいレーザー加工装置が用いられることも多くなってきた。レーザー加工装置は、レーザー照射のＯＮ／ＯＦＦを容易に設定できる。これにより、レーザー加工装置は、サイズの異なるデバイスが混載されたマルチプロジェクトタイプのウェーハの加工や、通常はウェーハの端から端まで連続する直線として設定されている分割予定ラインが途切れるようなウェーハの加工を容易に実施できる（特許文献１）。
【０００３】
マルチプロジェクトタイプ等のようなウェーハを加工する場合、ウェーハを横断する直線で加工することができないので、加工条件としてレーザーを照射する位置、すなわちレーザー照射の始点及び終点の位置を示す座標情報を設定する必要がある。従来のように分割予定ラインの間隔を設定すれば自動的にウェーハを格子状に切断するような加工ではないので、レーザー照射の始点及び終点の位置が非常に重要になり、当該位置がずれるとデバイスを分断してしまう。このように、マルチプロジェクトタイプ等のウェーハを加工するためのデータ設定は、従来よりも非常に複雑になる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１０−１２３７２３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、レーザーを照射する分割予定ラインの始点及び終点の位置を設定した後、設定したデータで実際に試験用のウェーハを加工しなければ、レーザーが所望の分割予定ラインに沿って照射されるかということを視覚的に確認することができなかった。このため、確認作業が非常に困難であり、工数がかかるという課題があった。
【０００６】
そこで、本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、レーザーが分割予定ラインに沿って照射されることを視覚的に容易に確認できるレーザー加工装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明に係るレーザー加工装置は、互いに間隔を持って配列する複数のデバイス領域が表面に設定されたウェーハにおいて該間隔を分割予定ラインとし、レーザー光線を該分割予定ラインに照射して該ウェーハを加工するレーザー加工装置であって、ウェーハを保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持されたウェーハに該レーザー光線を照射するレーザー光線照射手段と、該チャックテーブルと該レーザー光線照射手段とを加工送り方向であるＸ軸方向及び割り出し送り方向であるＹ軸方向に相対移動させる移動手段と、該チャックテーブルに保持されたウェーハを撮像する撮像手段と、該撮像手段で撮像した画像を表示する表示手段と、ウェーハの表面に設定されたキーパターンを撮像し、該チャックテーブルに保持されたウェーハのＸ、Ｙ座標の起点を割り出す起点算出手段と、該分割予定ラインに照射する該レーザー光線の始点と終点のＸ、Ｙ座標情報を入力する入力手段と、該始点と該終点の該Ｘ、Ｙ座標情報に基づいて該レーザー光線が照射される予定の位置を仮想線として表示する仮想線情報を生成する座標情報変換手段と、を備え、該チャックテーブルに保持されたウェーハを該表示手段で表示する際に、ウェーハの画像と該仮想線とを重ねて表示させ、該仮想線と該分割予定ラインとの位置関係を画像で確認することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明のレーザー加工装置によれば、分割予定ラインを含むウェーハの画像とレーザー照射予定位置である仮想線とを重ねて表示させることにより、レーザーが分割予定ラインに沿って照射されることを視覚的に容易に確認できる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】図１は、レーザー加工装置の構成例を示す斜視図である。
【図２】図２は、ウェーハの構成例を示す斜視図である。
【図３】図３は、レーザー加工装置の動作例を示すフローチャートである。
【図４】図４は、ウェーハの設計情報を示す図である。
【図５】図５は、仮想線の設定例を示す図である。
【図６】図６は、仮想線の表示例を示す図である。
【図７】図７は、ウェーハの撮像例を示す図である。
【図８】図８は、ウェーハの撮像画像と仮想線との重畳例を示す図である。
【図９】図９は、ウェーハの撮像画像と仮想線との重畳例を示す一部拡大図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換又は変更を行うことができる。
【００１１】
〔実施形態〕
実施形態に係るレーザー加工装置１の構成例について説明する。図１は、レーザー加工装置の構成例を示す斜視図である。図２は、ウェーハの構成例を示す斜視図である。レーザー加工装置１は、レーザー光線をウェーハＷの分割予定ラインＰＬに照射してウェーハＷを加工するものである。レーザー加工装置１は、本体１０と、チャックテーブル２０と、レーザー光線照射手段３０と、撮像手段４０と、Ｘ軸移動手段５０と、Ｙ軸移動手段６０と、タッチパネル７０と、制御手段８０とを備えている。
【００１２】
ここで、Ｘ軸方向は、チャックテーブル２０に保持されたウェーハＷを加工送りする加工送り方向である。Ｙ軸方向は、Ｘ軸方向に同一水平面上で直交し、レーザー光線照射手段３０に対して、チャックテーブル２０に保持されたウェーハＷを割り出し送りする割り出し送り方向である。Ｚ軸方向は、Ｘ軸方向及びＹ軸方向に直交する方向、すなわち鉛直方向である。
【００１３】
被加工物であるウェーハＷは、円板状に形成され、半導体デバイスや光デバイスが形成された半導体ウェーハや光デバイスウェーハ、無機材料基板、延性樹脂材料基板、セラミック基板やガラス板等、各種加工材料である。ウェーハＷは、図２に示すように、環状フレームＦに貼着された保護テープＴの粘着面の中央に、ウェーハＷの表面側が貼着されている。すなわち、ウェーハＷは、環状フレームＦにより保護テープＴを介して支持されている。
【００１４】
ウェーハＷは、サイズの異なる矩形状のデバイスＤ（Ｄ１，Ｄ２）が混載されるマルチプロジェクトタイプのウェーハである。デバイスＤ２のサイズは、デバイスＤ１のサイズよりも大きく形成されている。ウェーハＷの表面は、分割予定ラインＰＬによって異なるサイズの領域に区画され、各領域にデバイスＤ１，Ｄ２が形成されている。すなわち、ウェーハＷは、互いに一定の間隔を有して配列する複数のデバイスＤ１，Ｄ２の領域が設定され、各デバイスＤ１，Ｄ２の領域における間隔を分割予定ラインＰＬとしている。デバイスＤ１，Ｄ２には、アライメントを行ったり、分割予定ラインＰＬを検出したりするためのキーパターンＫＰ（図７参照）が形成されている。キーパターンＫＰは、例えば十字形状を成しており、デバイスＤ１，Ｄ２の所定位置に１個設定されている。
【００１５】
本体１０は、直方体形状の基台１１と、基台１１の後端１１ａからＺ軸方向に延在する壁部１２とから構成されている。本体１０には、チャックテーブル２０等が配設されている。
【００１６】
チャックテーブル２０は、その表面２１にウェーハＷを保持するものであり、円盤形状に形成されている。チャックテーブル２０は、本体１０の基台１１上に回転自在に配設され、チャックテーブル２０の表面２１を構成する部分がポーラスセラミック等から形成されている。チャックテーブル２０は、図示しない真空吸引源の負圧により、表面２１に載置されたウェーハＷを吸引することで、ウェーハＷを保持する。チャックテーブル２０の周囲には、等間隔で４個のクランプ部２２が設けられている。クランプ部２２は、図示しないアクチュエータにより駆動し、保護テープＴを介してウェーハＷが保持されている環状フレームＦを挟持する。
【００１７】
レーザー光線照射手段３０は、チャックテーブル２０に保持されたウェーハＷに、ウェーハＷを透過する波長のレーザー光線を照射してウェーハＷの内部に所定の長さの連続する改質層を形成するものである（ステルスダイシング加工）。ここで、改質層とは、密度、屈折率、機械的強度やその他の物理的特性が周囲のそれとは異なる状態になった領域のことを意味し、溶融処理領域、クラック領域、絶縁破壊領域、屈折率変化領域、及びこれらの領域が混在した領域等である。レーザー光線照射手段３０は、本体１０の壁部１２の上方中央からＹ軸方向に前方に向けて延在する支持柱１２ａの先端部１２ｂに配設されている。レーザー光線照射手段３０は、図示しない発振器と、図示しない集光器とを備えている。発振器は、レーザー光線を発生させるものである。集光器は、発振器により発生されたレーザー光線を集光してＺ軸方向の下向きにレーザー光線を送出するものである。集光器から送出されたレーザー光線は、ウェーハＷの裏面ＷＲに対して垂直に照射される。
【００１８】
撮像手段４０は、チャックテーブル２０に保持されたウェーハＷを撮像するものであり、レーザー光線照射手段３０とＸ軸方向に並列して支持柱１２ａの先端部１２ｂに配設されている。撮像手段４０は、ウェーハＷの表面に設定されたキーパターンＫＰを撮像する。例えば、撮像手段４０は、ウェーハＷに吸収され難い赤外領域の光を検出する撮像素子を備え、ウェーハＷの裏面ＷＲ側からウェーハＷのキーパターンＫＰを撮像する。
【００１９】
Ｘ軸移動手段５０及びＹ軸移動手段６０は、移動手段を構成する。Ｘ軸移動手段５０は、本体１０の基台１１上に配設され、チャックテーブル２０とレーザー光線照射手段３０とをＸ軸方向に相対移動させるものである。例えば、Ｘ軸移動手段５０は、Ｘ軸方向に延在された一対のガイドレール５１と、ガイドレール５１と平行に配設されたボールネジ５２と、ボールネジ５２に螺合された図示しないナットに固定され、ガイドレール５１にスライド自在に配設された移動基台５３と、ボールネジ５２を回転させるパルスモータ５４とを備えている。Ｘ軸移動手段５０は、パルスモータ５４によりボールネジ５２を回転させることにより、チャックテーブル２０を支持する移動基台５３をＸ軸方向に移動させる。
【００２０】
Ｙ軸移動手段６０は、本体１０の基台１１上に配設され、チャックテーブル２０とレーザー光線照射手段３０とをＹ軸方向に相対移動させるものである。例えば、Ｙ軸移動手段６０は、Ｙ軸方向に延在された一対のガイドレール６１と、ガイドレール６１と平行に配設されたボールネジ６２と、ボールネジ６２に螺合された図示しないナットに固定され、ガイドレール６１にスライド自在に配設された移動基台６３と、ボールネジ６２を回転させるパルスモータ６４とを備えている。Ｙ軸移動手段６０は、パルスモータ６４によりボールネジ６２を回転させることにより、Ｘ軸移動手段５０を支持する移動基台６３をＹ軸方向に移動させる。
【００２１】
タッチパネル７０は、表示手段であり、撮像手段４０で撮像したウェーハＷの画像を表示する。また、タッチパネル７０は、入力手段であり、レーザー光線をウェーハＷに照射する位置、すなわちＸ、Ｙ座標情報が入力される。例えば、オペレータは、タッチパネル７０をタップして、分割予定ラインＰＬに沿って照射するレーザー光線の始点と終点を示すＸ、Ｙ座標情報を入力する。タッチパネル７０は、本体１０の所定位置に配設されている。
【００２２】
制御手段８０は、レーザー加工装置１を制御するものである。例えば、制御手段８０は、パルスモータ５４，６４を駆動する図示しない駆動回路に接続され、駆動回路を制御してチャックテーブル２０の位置を決定する。また、制御手段８０は、レーザー光線照射手段３０に接続され、発振器及び集光器を制御してレーザー光線の照射を制御する。また、制御手段８０は、撮像手段４０及びタッチパネル７０に接続され、撮像手段４０により撮像されたウェーハＷの画像データを入力し、タッチパネル７０にウェーハＷを表示させる。タッチパネル７０にウェーハＷを表示する際に、ウェーハＷは、Ｘ、Ｙ座標軸上に表示される。例えば、制御手段８０は、ウェーハＷのＸ、Ｙ座標の起点（原点）を割り出す起点算出手段８１を備えている。起点算出手段８１は、撮像手段４０により撮像されたキーパターンＫＰに基づいて、チャックテーブル２０に保持されたウェーハＷのＸ、Ｙ座標の起点を割り出す。制御手段８０は、起点算出手段８１により割り出された起点をＸ、Ｙ座標軸上の原点とする。また、制御手段８０は、Ｘ、Ｙ座標情報を後述する仮想線情報に変換する座標情報変換手段８２を備えている。座標情報変換手段８２は、オペレータにより入力された始点と終点のＸ、Ｙ座標情報に基づいて、レーザー光線が照射される予定の位置を示す仮想線をタッチパネル７０に表示するための仮想線情報を生成する。また、制御手段８０は、記憶手段８３を備えている。記憶手段８３には、デバイスＤ上に形成されたキーパターンＫＰを検出するための基準キーパターンなどが記憶されている。
【００２３】
次に、レーザー加工装置１の動作例について説明する。図３は、レーザー加工装置の動作例を示すフローチャートである。図４は、ウェーハの設計情報を示す図である。図５は、仮想線の設定例を示す図である。図６は、仮想線の表示例を示す図である。図７は、ウェーハの撮像例を示す図である。図８は、ウェーハの撮像画像と仮想線との重畳例を示す図である。図９は、ウェーハの撮像画像と仮想線との重畳例を示す一部拡大図であり、図８に示す囲い部分Ｑの拡大図である。
【００２４】
先ず、オペレータは、図４に示すウェーハＷの設計情報に基づいて、分割予定ラインＰＬに沿って照射するレーザー光線の始点と終点を示すＸ、Ｙ座標情報を入力する（ステップＳ１）。ウェーハＷの設計情報には、異なるサイズのデバイスＤ、すなわちデバイスＤ１及びデバイスＤ２の配置位置や寸法等が含まれている。
【００２５】
デバイスＤ２を形成する領域は、デバイスＤ１を２個形成する領域に相当する。例えば、デバイスＤ１の両側に隣接する分割予定ラインＰＬの間隔Ｈ１は、２ｍｍである。間隔Ｈ１は、デバイスＤ１の両側に隣接する分割予定ラインＰＬの幅方向における各中央を結ぶ長さである。デバイスＤ２の長手方向の両側に隣接する分割予定ラインＰＬの間隔Ｈ２は、４ｍｍである。間隔Ｈ２は、デバイスＤ２の長手方向の両側に隣接する分割予定ラインＰＬの幅方向における各中央を結ぶ長さである。デバイスＤ２の短手方向の両側に隣接する分割予定ラインＰＬの間隔Ｈ３と、デバイスＤ１の両側に隣接する分割予定ラインＰＬの間隔Ｈ４は、同一の長さである。
【００２６】
オペレータは、図４に示すウェーハＷの設計情報を参照して、例えば、Ｘ軸方向と平行な第１行目Ｌ１において、Ｙ軸（０ｍｍ地点）から４ｍｍ地点までの領域、すなわちデバイスＤ１の２個分の領域にレーザー光線を照射しないことを確認する。また、４ｍｍ地点から１６ｍｍ地点までの領域、すなわちデバイスＤ１の２個分の領域とデバイスＤ２の長手方向における２個分の領域にレーザー光線を照射することを確認する。また、１６ｍｍ地点から２０ｍｍ地点までの領域、すなわちデバイスＤ１の２個分の領域にレーザー光線を照射しないことを確認する。
【００２７】
Ｙ軸から４ｍｍ地点までの距離は４ｍｍであり、４ｍｍ地点から１６ｍｍ地点までの距離は１２ｍｍであり、１６ｍｍ地点から２０ｍｍ地点までの距離は４ｍｍである。そこで、オペレータは、図５に示すように、第１行目Ｌ１に対して、「４（ｏｆｆ）」、「１２（ｏｎ）」、「４（ｏｆｆ）」とＸ，Ｙ座標情報を決定し、タッチパネル７０のソフトウェアキーを使用して入力する。なお、図５において、第１行目を示す「Ｌ１」等は、Ｙ座標の値を示し、「４」、「１２」等の数値は加工距離、すなわちＸ座標の値を示す。また、「ｏｎ」はレーザー光線を照射することを示し、「ｏｆｆ」は、レーザー光線を照射しないことを示す。
【００２８】
オペレータは、ウェーハＷの設計情報に基づいて、第２行目Ｌ２に対して、「４（ｏｆｆ）」、「１２（ｏｎ）」、「４（ｏｆｆ）」とＸ，Ｙ座標情報を決定し、第３行目Ｌ３に対して、「２０（ｏｎ）」とＸ，Ｙ座標情報を決定し、タッチパネル７０のソフトウェアキーを使用して入力する。また、第４行目Ｌ４に対して、「２（ｏｆｆ）」、「４（ｏｎ）」、「２（ｏｆｆ）」、「４（ｏｎ）」、「２（ｏｆｆ）」、「４（ｏｎ）」、「２（ｏｆｆ）」とＸ，Ｙ座標情報を決定し、第５行目Ｌ５及び第６行目Ｌ６に対して、「２０（ｏｎ）」とＸ，Ｙ座標情報を決定して入力する。このように、オペレータは、Ｘ軸方向に平行な全ての分割予定ラインＰＬに対してＸ，Ｙ座標情報を決定して入力する。また、Ｘ軸方向に平行な分割予定ラインＰＬと直交するＹ軸方向に平行な分割予定ラインＰＬについても、Ｘ軸方向に平行な分割予定ラインＰＬと同様にＸ、Ｙ座標情報を入力する。制御手段８０は、入力されたＸ、Ｙ座標情報を記憶手段８３に記憶する。なお、隣接する分割予定ラインＰＬの最小間隔が２ｍｍで、加工すべき領域の最大長さが２０ｍｍのウェーハＷを例示しているが、隣接する分割予定ラインＰＬの最小間隔等は適宜変更できる。
【００２９】
次に、オペレータにより入力されたＸ、Ｙ座標情報に基づいて仮想線ＶＬを表示する（ステップＳ２）。例えば、制御手段８０は、オペレータにより入力された第１行目Ｌ１のＸ、Ｙ座標情報を記憶手段８３から読み出し、第１行目Ｌ１が示すＹ座標の値と、第１行目Ｌ１におけるＸ座標の値及びレーザー光線の照射、未照射を示す「４（ｏｆｆ）」、「１２（ｏｎ）」、「４（ｏｆｆ）」に基づいて、図６に示すように、レーザー光線を照射する範囲をＸＹ軸上にプロットして仮想線ＶＬ１を表示する。第２行目Ｌ２以降に関しても、第１行目Ｌ１と同様に、Ｘ、Ｙ座標情報に基づいてレーザー光線を照射する範囲をＸＹ軸上にプロットして全ての仮想線ＶＬを表示させる。
【００３０】
次に、ウェーハＷをチャックテーブル２０に吸引保持させる（ステップＳ３）。例えば、オペレータは、環状フレームＦに支持されたウェーハＷをチャックテーブル２０に載置する。チャックテーブル２０にウェーハＷが載置された状態で、クランプ部２２により環状フレームＦを挟持し、真空吸引源の負圧によりウェーハＷをチャックテーブル２０の表面２１に保護テープＴを介して吸引保持する。
【００３１】
次に、アライメントを実施する（ステップＳ４）。例えば、制御手段８０は、Ｘ軸方向に位置する複数のキーパターンＫＰを検出し、検出した複数のキーパターンＫＰがＸ軸方向と平行な同一直線上に位置するように制御する。例えば、制御手段８０は、図７に示すように、Ｘ軸方向に位置するキーパターンＫＰ１，ＫＰ２を検出し、検出したキーパターンＫＰ１，ＫＰ２がＸ軸方向と平行な同一直線上に位置するようにチャックテーブル２０を回転させて角度調整する。
【００３２】
次に、制御手段８０は、キーパターンＫＰに基づいてウェーハＷの分割予定ラインＰＬを検出する（ステップＳ５）。例えば、キーパターンＫＰと分割予定ラインＰＬとの距離Ｇは、予めオペレータにより設定されている。制御手段８０は、キーパターンＫＰから距離ＧだけＹ軸方向に離間した位置を分割予定ラインＰＬと決定する。例えば、制御手段８０は、−Ｙ軸方向において、最も端に位置するキーパターンＫＰ１，ＫＰ２から距離Ｇだけ−Ｙ軸方向に離間した点を結ぶ直線を分割予定ラインＰＬ１と決定する。
【００３３】
また、分割予定ラインＰＬ１と直交する分割予定ラインＰＬ２も、分割予定ラインＰＬ１と同様に決定する。例えば、制御手段８０は、チャックテーブル２０を９０°回転させ、Ｘ軸方向に位置する複数のキーパターンＫＰを検出し、検出したキーパターンＫＰがＸ軸方向と平行な同一直線上に位置するようにチャックテーブル２０を回転させて角度調整する（アライメント）。次に、制御手段８０は、Ｙ軸方向において、最も端に位置するキーパターンＫＰから距離ＧだけＹ軸方向に離間した点を結ぶ直線を分割予定ラインＰＬ２と決定する。
【００３４】
次に、起点算出手段８１は、ウェーハＷのＸ、Ｙ座標の起点を割り出す（ステップＳ６）。起点算出手段８１は、図７に示すように、分割予定ラインＰＬ１と分割予定ラインＰＬ２とが交わる点をウェーハＷの撮像画像におけるＸ、Ｙ座標の起点（原点）Ｐとして割り出す。
【００３５】
次に、制御手段８０は、ウェーハＷの撮像画像と仮想線ＶＬとを重ねてタッチパネル７０に表示する（ステップＳ７）。例えば、制御手段８０は、ステップＳ６で算出したウェーハＷの撮像画像におけるＸ、Ｙ座標の起点ＰをＸ、Ｙ座標軸上の原点（ゼロ）とし、Ｙ軸方向における最も端の分割予定ラインＰＬ１をＹ座標軸上に配置し、Ｘ軸方向における最も端の分割予定ラインＰＬ２をＸ座標軸上に配置する。さらに、図８に示すように、ステップＳ２で表示した仮想線ＶＬを、ウェーハＷの撮像画像が表示されたＸ、Ｙ座標軸上に重ねて表示する。このとき、ウェーハＷの撮像画像に表示された分割予定ラインＰＬ上に仮想線ＶＬが重ねられてタッチパネル７０に表示される。オペレータは、全ての分割予定ラインＰＬ上に仮想線ＶＬが重ねて表示されているかを視覚的に確認する。例えば、図９に示すように、仮想線ＶＬの始点ＶＬｐが分割予定ラインＰＬからはみ出して、デバイスＤの領域にまで及んでいる場合は、仮想線ＶＬの始点ＶＬｐが分割予定ラインＰＬからはみ出さないように始点ＶＬｐのＸ、Ｙ座標情報を修正する。また、仮想線ＶＬが分割予定ラインＰＬ上に表示されていない場合は、仮想線ＶＬが分割予定ラインＰＬ上に表示されるようにＸ、Ｙ座標情報を修正する。
【００３６】
全ての分割予定ラインＰＬ上に仮想線ＶＬが重ねて表示されていることをオペレータが確認後、レーザー加工を実施する（ステップＳ８）。例えば、制御手段８０は、Ｘ軸移動手段５０を制御してチャックテーブル２０に保持されたウェーハＷを加工送り方向であるＸ軸方向に移動させると共に、Ｘ、Ｙ座標情報、すなわち仮想線ＶＬに基づいてレーザー光線照射手段３０を制御し、レーザー光線を分割予定ラインＰＬに沿って照射してウェーハＷの内部に改質層を形成する。例えば、制御手段８０は、第１行目Ｌ１における「４（ｏｆｆ）」、「１２（ｏｎ）」、「４（ｏｆｆ）」というＸ、Ｙ座標情報に基づいて、第１行目Ｌ１が示すＹ軸から４ｍｍ地点まではレーザー光線を照射せず、４ｍｍ地点から１６ｍｍ地点まではレーザー光線を照射し、１６ｍｍ地点から２０ｍｍ地点まではレーザー光線を照射しないようにレーザー光線照射手段３０を制御する。制御手段８０は、第２行目Ｌ２以降に関しても、第１行目Ｌ１と同様に、Ｘ、Ｙ座標情報に基づいてレーザー光線を照射するようにレーザー光線照射手段３０を制御する。
【００３７】
以上のように、実施形態に係るレーザー加工装置１によれば、チャックテーブル２０に保持されたウェーハＷをタッチパネル７０に表示する際に、ウェーハＷの撮像画像と仮想線ＶＬとを重ねて表示させ、レーザー光線を照射することを示す仮想線ＶＬと分割予定ラインＰＬとの位置関係を画像で確認するものである。これにより、レーザー光線が分割予定ラインＰＬに沿って照射されることを視覚的に容易に確認できる。
【００３８】
また、仮想線ＶＬが分割予定ラインＰＬからはみ出したり、ずれが生じたり、又は仮想線ＶＬが分割予定ラインＰＬ上に表示されていなかったりした場合は、仮想線ＶＬが分割予定ラインＰＬ上に表示されるようにＸ、Ｙ座標情報を修正することにより、分割予定ラインＰＬに沿ってレーザー光線を確実に照射できるようになる。
【００３９】
〔変形例〕
ウェーハＷ内部に改質層を形成するステルスダイシング加工に本発明を適用したが、これに限定されない。例えば、ウェーハＷに加工溝を形成するアブレーション加工に本発明を適用してもよい。アブレーション加工においては、分割予定ラインＰＬに沿って形成する加工溝の始点と終点を示すＸ、Ｙ座標情報をタッチパネル７０から入力する。座標情報変換手段８２は、加工溝の始点と終点を示すＸ、Ｙ座標情報に基づいて加工溝が形成される位置を示す仮想線ＶＬの情報を生成する。制御手段８０は、ウェーハＷの撮像画像と仮想線ＶＬとを重ねてタッチパネル７０に表示する。レーザー光線照射手段３０は、Ｘ、Ｙ座標情報に基づいてレーザー光線を分割予定ラインＰＬに沿って照射し、ウェーハＷに加工溝を形成する。
【００４０】
また、仮想線ＶＬと分割予定ラインＰＬとの位置関係をオペレータにより視覚的に確認する方法を説明したが、制御手段８０が仮想線ＶＬと分割予定ラインＰＬとの位置関係を判断してもよい。例えば、制御手段８０は、ウェーハＷの撮像画像に基づいて、Ｘ、Ｙ座標軸上にデバイスＤの領域と分割予定ラインＰＬの領域とを検出する。そして、制御手段８０は、仮想線ＶＬがデバイスＤの領域に含まれていると判断した場合、又は、仮想線ＶＬが分割予定ラインＰＬ上に含まれていないと判断した場合、該当する箇所の表示態様を変更するなどしてオペレータにＸ、Ｙ座標情報の入力が間違っていることを知らせる。
【００４１】
また、図３のフローチャートにおいては、仮想線ＶＬを作成後に、ウェーハＷを撮像して分割予定ラインＰＬを検出したが、これに限定されない。例えば、分割予定ラインＰＬを検出後に、仮想線ＶＬを作成するようにしてもよいし、分割予定ラインＰＬを検出中に仮想線ＶＬを作成するように作業を同時進行するようにしてもよい。
【００４２】
また、図３のフローチャートにおいては、Ｘ，Ｙ座標情報を入力後に、ステップＳ２で仮想線ＶＬを表示させたが、ステップＳ２の処理を省略してもよい。ウェーハＷの撮像画像と仮想線ＶＬとを重ねて表示することが重要であり、仮想線ＶＬのみを表示させなくてもよい。
【００４３】
また、Ｘ、Ｙ座標情報は、タッチパネル７０のソフトウェアキーから入力する例を説明したが、これに限定されない。例えば、不要な仮想線ＶＬを消去する場合、当該仮想線ＶＬをタップすることで、タップされた仮想線ＶＬを一定の長さ、例えばデバイスＤの一辺の長さを削除するようにしてもよい。また、キーボードなどの外部インターフェースを用いてＸ、Ｙ座標情報を入力してもよい。
【００４４】
また、仮想線情報は、過去に入力した仮想線情報を流用してもよい。例えば、過去に入力した仮想線情報を記憶手段８３に記憶しておき、今回のウェーハＷの設計情報に最も近い仮想線情報を選択し、今回のウェーハＷの設計情報と異なる箇所のＸ、Ｙ座標情報を変更する。
【００４５】
また、分割予定ラインＰＬ１を決定後にチャックテーブル２０を９０°回転させて分割予定ラインＰＬ２を分割予定ラインＰＬ１と同様に決定したが、これに限定されない。例えば、分割予定ラインＰＬ１を決定後に、分割予定ラインＰＬの方向とＸＹ軸方向が一致している状態で、Ｙ軸方向において隣り合う分割予定ラインＰＬの距離ずつ＋Ｘ軸方向に撮像手段４０を相対移動させながら、ウェーハＷの＋Ｘ軸方向において最も端に位置するキーパターンＫＰを探して分割予定ラインＰＬ２を決定してもよい。この場合、チャックテーブル２０を９０°回転させてアライメントする処理が不要となる。なお、撮像手段４０をウェーハＷの中央付近で＋Ｘ軸方向に移動させることにより、ウェーハＷのＸ軸方向において最も端に位置するキーパターンＫＰを確実に探しだすことができる。
【符号の説明】
【００４６】
１  レーザー加工装置
２０  チャックテーブル
３０  レーザー光線照射手段
４０  撮像手段
５０  Ｘ軸移動手段
６０  Ｙ軸移動手段
７０  タッチパネル
Ｄ  デバイス
Ｆ  環状フレーム
ＫＰ  キーパターン
Ｐ  起点
ＰＬ  分割予定ライン
Ｔ  保護テープ
ＶＬ  仮想線
Ｗ  ウェーハ
ＷＲ  裏面
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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