(57)【要約】      （修正有）【課題】有機物全体を効率良く加熱できる改質装置を提供する。【解決手段】固形状の有機物１を内部に流通させる炉本体１０１と、炉本体１０１の内部の有機物１を間接的に加熱する間接加熱手段２１と、炉本体１０１の内部にて、間接加熱手段２１により加熱されて所定の温度となり、有機物１が積層した有機物層内に酸素を含有するガス１３を供給するガス供給手段１１５と、ガス１３により有機物１がさらに加熱され乾留されて改質された固形状の改質物３を送出する送出手段と、を備えている改質装置１００。【選択図】図１
2016037587.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
固形状の有機物を内部に流通させる炉本体と、
前記炉本体の内部の前記有機物を間接的に加熱する間接加熱手段と、
前記炉本体の内部にて、前記間接加熱手段により加熱されて所定の温度となり、前記有機物が積層した有機物層内に酸素を含有するガスを供給するガス供給手段と、
前記ガスにより前記有機物がさらに加熱され乾留されて改質された固形状の改質物を送出する送出手段と、を備えていることを特徴とする改質装置。
【請求項２】
請求項１に記載された改質装置であって、
前記ガス供給手段は、前記有機物層内に前記ガスを供給するガス供給ノズルを有する
ことを特徴とする改質装置。
【請求項３】
請求項２に記載された改質装置であって、
前記ガス供給ノズルは複数あり、複数の供給ノズルは、前記有機物が２５０℃以上となる領域に前記ガスを供給するように配置される
ことを特徴とする改質装置。
【請求項４】
請求項２または請求項３に記載された改質装置であって、
前記ガス供給ノズルは、前記炉本体の中心を通る垂線に対し当該炉本体の回転方向にて安息角±安息角（０°〜２×安息角）の範囲で延在する
ことを特徴とする改質装置。
【請求項５】
請求項２から請求項４の何れか一項に記載された改質装置であって、
前記供給ノズルの先端部は、水平または前記水平よりも下方へ屈曲している
ことを特徴とする改質装置。
【請求項６】
請求項１に記載された改質装置であって、
前記炉本体を覆う外筒を備え、
前記ガス供給手段は、前記炉本体に設けられ、前記間接加熱手段による加熱ガスが流通可能な孔部と、前記炉本体と前記外筒の間に配置され当該内筒の下部側以外を覆う断熱材とを有する
ことを特徴とする改質装置。
【請求項７】
請求項１から請求項６の何れか一項に記載された改質装置であって、
前記炉本体が１つである
ことを特徴とする改質装置
【請求項８】
請求項１から請求項６の何れか一項に記載された改質装置であって、
前記炉本体が２つであり、
一方の前記炉本体にて、前記間接加熱手段により前記有機物を前記所定の温度まで加熱し、
他方の前記炉本体にて、前記ガス供給手段が供給する前記ガスにより前記有機物をさらに加熱し乾留して改質した固形状の改質物を生成する
ことを特徴とする改質装置。
【請求項９】
請求項８に記載された改質装置であって、
一方の前記炉本体と他方の前記炉本体が連結している
ことを特徴とする改質装置。
【請求項１０】
請求項１から請求項９の何れか一項に記載された改質装置であって、
前記ガスの前記炉本体内への供給流速は、０．０５ｍ／秒〜３ｍ／秒に調整される
ことを特徴とする改質装置。
【請求項１１】
請求項１から請求項１０の何れか一項に記載された改質装置であって、
前記ガスの前記有機物層内への供給量は、３（ＮＬ−Ｏ2／分／ｋｇ−前記有機物）以上３０（ＮＬ−Ｏ2／分／ｋｇ−前記有機物）以下となるように調整される
ことを特徴とする改質装置。
【請求項１２】
請求項１から請求項１１の何れか一項に記載された改質装置であって、
前記ガスの酸素濃度は、１〜１０％である
ことを特徴とする改質装置。
【請求項１３】
請求項１から請求項１２の何れか一項に記載された改質装置であって、
前記有機物は、低品位炭である
ことを特徴とする改質装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、固形状の有機物を流通させながら加熱して連続的に乾留することにより改質する改質装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
固形状の有機物を流通させながら加熱して連続的に乾留することにより改質する場合、例えば、下記特許文献１に記載された外熱キルンを適用することができる。この特許文献１に記載の外熱キルンは、内筒内に処理物（有機物）を供給して当該内筒を回転させることにより当該内筒の内部で前記処理物を流通させながら、内筒の外周を覆う外筒内に吹き込む加熱ガスにより処理物を加熱して連続的に乾留する一方、内筒内に酸素含有ガスを供給して処理物の加熱により生じる可燃ガスを燃焼することができるようになっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００４−３７３８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、前記特許文献１に記載の外熱キルンにおいては、前記酸素含有ガスが前記可燃ガスの燃焼を目的とするものであり、前記可燃ガスの燃焼が前記内筒内の気相や前記処理物が積層した処理物層の表面でしか生じず、前記処理物の加熱が主として前記外筒内の前記加熱ガスによるもので前記内筒と接する箇所で行われることから、前記処理物を大量に加熱しようとすると、外熱キルン自体が長くなってしまい、処理物全体を効率良く加熱できないおそれがあった。
【０００５】
このようなことから、本発明は、前述した課題を解決するために為されたものであって、有機物全体を効率良く加熱できる改質装置を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上述した課題を解決する第１の発明に係る改質装置は、
固形状の有機物を内部に流通させる炉本体と、
前記炉本体の内部の前記有機物を間接的に加熱する間接加熱手段と、
前記炉本体の内部にて、前記間接加熱手段により加熱されて所定の温度となり、前記有機物が積層した有機物層内に酸素を含有するガスを供給するガス供給手段と、
前記ガスにより前記有機物がさらに加熱され乾留されて改質された固形状の改質物を送出する送出手段と、を備えている
ことを特徴とする。
【０００７】
上述した課題を解決する第２の発明に係る改質装置は、前述した第１の発明に係る改質装置であって、
前記ガス供給手段は、前記有機物層内に前記ガスを供給するガス供給ノズルを有する
ことを特徴とする。
【０００８】
上述した課題を解決する第３の発明に係る改質装置は、前述した第２の発明に係る改質装置であって、
前記ガス供給ノズルは複数あり、複数の供給ノズルは、前記有機物が２５０℃以上となる領域に前記ガスを供給するように配置される
ことを特徴とする。
【０００９】
上述した課題を解決する第４の発明に係る改質装置は、前述した第２または第３の発明に係る改質装置であって、
前記ガス供給ノズルは、前記炉本体の中心を通る垂線に対し当該炉本体の回転方向にて安息角±安息角（０°〜２×安息角）の範囲で延在する
ことを特徴とする。
【００１０】
上述した課題を解決する第５の発明に係る改質装置は、前述した第２から第４の何れか一つの発明に係る改質装置であって、
前記供給ノズルの先端部は、水平または前記水平よりも下方へ屈曲している
ことを特徴とする。
【００１１】
上述した課題を解決する第６の発明に係る改質装置は、前述した第１の発明に係る改質装置であって、
前記炉本体を覆う外筒を備え、
前記ガス供給手段は、前記炉本体に設けられ、前記間接加熱手段による加熱ガスが流通可能な孔部と、前記炉本体と前記外筒の間に配置され当該内筒の下部側以外を覆う断熱材とを有する
ことを特徴とする。
【００１２】
上述した課題を解決する第７の発明に係る改質装置は、前述した第１から第６の何れか一つの発明に係る改質装置であって、
前記炉本体が１つである
ことを特徴とする。
【００１３】
上述した課題を解決する第８の発明に係る改質装置は、前述した第１から第６の何れか一つの発明に係る改質装置であって、
前記炉本体が２つであり、
一方の前記炉本体にて、前記間接加熱手段により前記有機物を前記所定の温度まで加熱し、
他方の前記炉本体にて、前記ガス供給手段が供給する前記ガスにより前記有機物をさらに加熱し乾留して改質した固形状の改質物を生成する
ことを特徴とする。
【００１４】
上述した課題を解決する第９の発明に係る改質装置は、前述した第８の発明に係る改質装置であって、
一方の前記炉本体と他方の前記炉本体が連結している
ことを特徴とする。
【００１５】
上述した課題を解決する第１０の発明に係る改質装置は、前述した第１から第９の何れか一つの発明に係る改質装置であって、
前記ガスの前記炉本体内への供給流速は、０．０５ｍ／秒〜３ｍ／秒に調整される
ことを特徴とする。
【００１６】
上述した課題を解決する第１１の発明に係る改質装置は、前述した第１から第１０の何れか一つの発明に係る改質装置であって、
前記ガスの前記有機物層内への供給量は、３（ＮＬ−Ｏ2／分／ｋｇ−前記有機物）以上３０（ＮＬ−Ｏ2／分／ｋｇ−前記有機物）以下となるように調整される
ことを特徴とする。
【００１７】
上述した課題を解決する第１２の発明に係る改質装置は、前述した第１から第１１の何れか一つの発明に係る改質装置であって、
前記ガスの酸素濃度は、１〜１０％である
ことを特徴とする。
【００１８】
上述した課題を解決する第１３の発明に係る改質装置は、前述した第１から第１２の何れか一つの発明に係る改質装置であって、
前記有機物は、低品位炭である
ことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、固形状の有機物を内部に流通させる炉本体と、前記炉本体の内部の前記有機物を間接的に加熱する間接加熱手段と、前記炉本体の内部にて、前記間接加熱手段により加熱されて所定の温度となり、前記有機物が積層した有機物層内に酸素を含有するガスを供給するガス供給手段と、前記ガスにより前記有機物がさらに加熱され乾留されて改質された固形状の改質物を送出する送出手段と、を備えていることにより、有機物を間接加熱すると共に、所定の温度に加熱された有機物に酸素を含有するガスを接触させて発熱反応を生じさせて直接加熱することから、前記有機物を間接加熱する場合と比べ、前記有機物を効率良く加熱することができる。これにより、前記有機物の処理時間を短縮でき、装置の小型化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明に係る改質装置の第一番目の実施形態の概略構成図である。
【図２】前記改質装置が具備するガス供給ノズルの説明図であって、図２（ａ）に一例を示し、図２（ｂ）に他例を示し、図２（ｃ）にさらに他例を示す。
【図３】本発明に係る改質装置の第二番目の実施形態の概略構成図である。
【図４】本発明に係る改質装置の第三番目の実施形態の概略構成図である。
【図５】本発明に係る改質装置の第四番目の実施形態の概略構成図であって、図５（ａ）にその全体を示し、図５（ｂ）にそれが具備する内筒の径断面を示す。
【図６】前記改質装置が具備するガス供給構造の説明図であって、図６（ａ）に一例を示し、図６（ｂ）に他例を示す。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
本発明に係る改質装置の各実施形態を図面に基づいて説明するが、本発明は、図面に基づいて説明する以下の実施形態のみに限定されるものではない。
【００２２】
［第一番目の実施形態］
本発明に係る改質装置の第一番目の実施形態を図１〜図２に基づいて説明する。なお、図２（ａ）および図２（ｂ）および図２（ｃ）において、符号Ａが示す矢印の向きは、内筒１０１の回転方向を示している。
【００２３】
改質装置１００は、図１に示すように、回転可能に支持される内筒（炉本体）１０１と、内筒１０１の外周を覆い固定支持された外筒１０２とを備える。内筒１０１の基端側には、固形状の有機物である乾燥された褐炭や亜瀝青炭等のような低品位炭（低質炭）１を供給する供給フィーダ１０３が当該内筒１０１の回転を可能としつつ連結されている。
【００２４】
供給フィーダ１０３の基端側には、前記低品位炭１が入れられる供給ホッパ１０４が設けられている。供給ホッパ１０４は、搬送ライン１０５の先端側と連絡しており、搬送ライン１０５により搬送された前記低品位炭１を受け入れ可能になっている。なお、搬送ライン１０５は、窒素ガスからなる不活性化ガスでシールされており、当該不活性ガスが前記低品位炭１と共に供給ホッパ１０４および供給フィーダ１０３を介して内筒１０１内に供給されている。
【００２５】
内筒１０１の先端側には、前記低品位炭１を乾留して改質した固形状の改質物（乾留物）である改質炭（乾留炭）３を下方へ落下送出すると共に、当該低品位炭１の乾留に伴って生成した乾留ガス１ａを上方から送出する送出手段であるシュータ１０６が当該内筒１０１の回転を可能としつつ連結されている。シュータ１０６の上方には、前記乾留ガス１ａを排出する排気管１０７の基端側が連結されている。
【００２６】
内筒１０１の先端側近傍の内周部には、板状の堰１２１が設けられている。堰１２１の端部１２１ａは、内筒１０１の回転移動により下方に配置されたときに、詳細につき後述するガス供給ノズル１１５の先端部１１５ａよりも上方となるように形成されている。これにより、低品位炭１は、内筒１０１の先端側にあっては、堰１２１を乗り越えてはじめて移動することから、内筒１０１の回転に伴う内筒１０１の先端側への移動が内筒１０１の基端側と比べて遅く、その分内筒１０１内に長く留まることになり、ガス供給ノズル１１５により供給される酸素含有ガス１３と長く接触することになる。
【００２７】
外筒１０２には、当該外筒１０２内に加熱ガス２１（温度：９００〜１２００℃）を供給する加熱ガス供給ライン１０８の先端側が連結され、前記内筒１０１を加熱した後の加熱ガス２１ａを排出する加熱ガス排出ライン１０９の基端側が連結される。
【００２８】
上述した改質装置１００は、前記内筒１０１内における先端側にて前記低品位炭１が積層した低品位炭層２内に酸素含有ガス１３を直接供給するガス供給装置１１０をさらに備える。ガス供給装置１１０は、ガス供給管１１４、ガス供給ノズル１１５などを備える。ガス供給管１１４の基端側は、酸素含有ガス送給管１１３の先端側と連結している。酸素含有ガス送給管１１３の基端側は、空気１１を送給する空気送給管１１１の先端側と連結し、窒素ガスなどの不活性ガス１２を送給する不活性ガス送給管１１２の先端側と連結している。空気送給管１１１の基端側は、ブロア１１１ａのガス吐出口と連結している。不活性ガス送給管１１２の基端側は、不活性ガス１２を溜めるタンクなどの不活性ガス供給源１１２ａと連結している。空気送給管１１１および不活性ガス送給管１１２には、流量調整弁１１１ｂ，１１２ｂがそれぞれ設けられている。よって、前記流量調整弁１１１ｂ，１１２ｂの開度および前記ブロア１１１ａの作動の制御により、前記空気１１および前記不活性ガス１２を送給し混合してなる酸素含有ガス（処理ガス）１３が酸素含有ガス送給管１１３を介してガス供給管１１４へ流通することになる。
【００２９】
ガス供給管１１４は、内筒１０１の中心Ｃ１の延在方向と同じ方向に延在するように配置されると共に、中心が内筒１０１の中心Ｃ１と一致する様に配置される。ガス供給管１１４は、基端側がシュータ１０６に固定され、先端側が固定具１１６を介して支持具１１７に支持されている。支持具１１７は、内筒１０１の回転を可能としつつ当該内筒１０１の基端側に固定されている。
【００３０】
ガス供給管１１４には、複数（図示れでは８本）のガス供給ノズル１１５が設けられている。複数のガス供給ノズル１１５は、ガス供給管１１４の長手方向（図１における左右方向）で隣接して配置される。複数のガス供給ノズル１１５は、前記低品位炭１が積層した低品位炭層２内まで延在している。
【００３１】
なお、本実施形態においては、外筒１０２および加熱ガス供給ライン１０８などにより間接加熱手段を構成し、ガス供給装置１１０などによりガス供給手段を構成している。
【００３２】
ここで、上述した構成の改質装置１００の作動を説明する。
【００３３】
先ず、加熱ガス供給ライン１０８により外筒１０２内に加熱ガス２１（温度：９００〜１２００℃）を供給し、外筒１０２内の加熱ガス２１により内筒１０１を加熱する。なお、加熱ガス２１は、前記低品位炭１を熱処理している最中は、加熱ガス供給ライン１０８を介して外筒１０２内に供給され、内筒１０１を加熱した後の加熱ガス２１ａは、加熱ガス排出ライン１０９を介して系外へ排出される。内筒１０１内には、内筒１０１に設けられた不活性ガス供給手段（図示せず）などにより窒素ガスなどの不活性ガスが供給されている。
【００３４】
前記低品位炭１は、搬送ライン１０５により搬送されて供給ホッパ１０４に入れる。供給ホッパ１０４に入れられた前記低品位炭１は、供給フィーダ１０３により前記内筒１０１の基端側へ供給される。内筒１０１内に供給された前記低品位炭１は、内筒１０１の回転に伴い、加熱ガス２１により間接加熱されつつ内筒１０１の基端側から先端側へ撹拌されながら流通（移動）することになる。前記低品位炭１は、内筒１０１の先端部側の領域Ｌ１２にあっては、前記加熱ガス２１により間接加熱されて所定の温度（例えば、２５０℃、好ましくは４００℃）以上となる。この領域Ｌ１２において、酸素含有ガス１３がガス供給ノズル１１５を介して前記低品位炭層２内に直接供給される。酸素含有ガス１３は、低品位炭層２内を流通することから低品位炭層２全体と直接接触することになり、所定の温度（例えば、２５０℃）まで高められた低品位炭１をさらに昇温することになる。これは、前記低品位炭１が前記所定の温度まで高められると、反応性が高くなり、酸素含有ガス１３中の酸素と反応して発熱するからである。これにより、内筒１０１内に供給された前記低品位炭１は、外筒１０２内に供給された加熱ガス２１により間接加熱されると共に、当該低品位炭層２内に供給される酸素含有ガス１３との発熱反応により直接加熱されることになり、効率良く加熱されることになる。その結果、前記加熱ガス２１による間接加熱だけの場合と比べて、前記低品位炭１の処理時間を短くできると共に、改質装置１００自体を小型化することができる。
【００３５】
また、内筒１０１の先端部近傍に設けられた堰１２１により、低品位炭層２が堰１２１よりも高くなるまでシュータ１０６側への移動が阻止されることから、内筒１０１の基端側と比べて内筒１０１の先端近傍にて低品位炭１がより長く留まることになる。これにより、酸素含有ガス１３を低品位炭層２と効率良く接触させることができる。
【００３６】
低品位炭１を例えば５００℃まで加熱し乾留して改質した改質炭３は、堰１２１を乗り越えシュータ１０６から下方へ落下送出することになる。
【００３７】
したがって、本実施形態によれば、内筒１０１内に供給された低品位炭１を加熱ガス２１により間接的に加熱すると共に、所定の温度（例えば、２５０℃、好ましくは４００℃）以上となった、低品位炭１が積層した低品位炭層２内に酸素含有ガス１３を供給し低品位炭１と直接接触させることにより当該酸素含有ガス１３の酸素が低品位炭１と反応し発熱して当該低品位炭１を昇温することから、低品位炭層２全体を効率良く加熱し、改質炭３の製造効率を向上させることができる。これにより、処理時間の短縮や装置の小型化を図ることができる。
【００３８】
なお、内筒１０１は当該内筒１０１を回転駆動する駆動機構（図示せず）を備えており、内筒１０１の回転速度を例えば１ｒｐｍ〜５ｒｐｍとなるように調整することが好ましい。
【００３９】
内筒１０１での低品位炭１の充填率は、１０％〜３０％であることが好ましい。これは、１０％より少ないと処理量自体が少なく、３０％より多いと低品位炭１が積層した低品位炭層２全体を効率良く加熱できず、生産効率の低下を招いてしまう可能性があるからである。
【００４０】
ガス供給ノズル１１５として、例えば、図２（ａ）に示すような直管１１５Ａ、図２（ｂ）に示すようなＬ字状の管１１５Ｂ、図２（ｃ）に示すような先端部近傍に屈曲部を有す管１１５Ｃなど種々の形状のものを用いることができる。直管１１５Ａを用いる場合には、直管１１５Ａの延在方向Ｌ１が内筒１０１の中心Ｃ１を通る垂線Ｌ２に対し回転方向Ａの角度Ｘ１が安息角Ｘ２（低品位炭層２の表面と接線Ｌ３とがなす角）±安息角Ｘ２、すなわち、０°〜安息角Ｘ２の２倍であることが好ましく、安息角Ｘ２の１／２倍〜安息角Ｘ２の３／２倍であることがより好ましく、安息角Ｘ２であることがより一層好ましい。これは、０°よりも小さかったり安息角Ｘ２の２倍よりも大きかったりすると、前記低品位炭１のうちの微粉がガス供給ノズル１１５Ａの内部に入り込みやすくなってしまうからである。直管１１５Ａの延在方向Ｌ１が安息角Ｘ２であると、直管１１５Ａの先端部が低品位炭層２で最も深い箇所となり、酸素含有ガス１３を低品位炭１と効率良く接触させることができる。
【００４１】
管１１５Ｃを用いる場合には、この先端部が水平から内筒１０１の径方向の間で延在することが好ましい。これは、水平よりも内筒１０１の回転方向Ａ側へ傾いたり内筒１０１の径方向よりも内筒１０１の回転方向Ａの反対方向、すなわち、内筒１０１の反回転方向に傾いたりすると、前記低品位炭１のうちの微粉が内部に入り込みやすくなってしまうからである。
【００４２】
ガス供給ノズル１１５は、低品位炭層２の表面２ａから低品位炭層２の５０％まで延在することが好ましく、低品位炭層２の８０％まで延在することがより好ましい。これは、ガス供給ノズル１１５が低品位炭層２の表面２ａから低品位炭層２の５０％よりも短いと、前記低品位炭層２内にて低品位炭１と酸素含有ガス１３とを直接接触させることができないおそれがあるからである。
【００４３】
なお、内筒１０１の内周面には、図２（ａ）および図２（ｂ）および図２（ｃ）に示すように、径方向にて隣接する複数（図示例では４つ）のリフタ１０１ａが設けられている。
【００４４】
前記低品位炭層２への前記酸素含有ガス１３の供給流速は、例えば、０．０５ｍ／秒〜３ｍ／秒に調整されると好ましく、０．１ｍ／秒〜１ｍ／秒に調整されるとより好ましい。これは、前記酸素含有ガス１３の供給流速が０．０５ｍ／秒よりも小さいと、粉塵（微粉炭）が前記ガス供給ノズル１１５内に入り込みやすくなるからであり、前記酸素含有ガス１３の供給流速が３ｍ／秒よりも大きいと、前記酸素含有ガス１３が慣性力により前記内筒１０１の壁面方向へ流れてしまい、前記低品位炭層２内を十分に酸素含有ガス１３が流通せずに通過してしまうからである。
【００４５】
酸素含有ガス１３の低品位炭層２内への供給量は、例えば、３（ＮＬ−Ｏ2／分／ｋｇ−前記低品位炭１）以上３０（ＮＬ−Ｏ2／分／ｋｇ−前記低品位炭１）以下となるように調整されると好ましい。これは、前記酸素含有ガス１３の前記低品位炭層２内への供給量が３（ＮＬ／分／ｋｇ−前記低品位炭１）よりも少ないと、低品位炭層２内に十分に酸素を供給できない可能性があるからであり、前記酸素含有ガス１３の前記低品位炭層２内への供給量が３０（ＮＬ／分／ｋｇ−前記低品位炭１）よりも多いと、酸素が過多となり反応が進行しすぎてしまう可能性があるからである。
【００４６】
酸素含有ガス１３の酸素濃度は、１〜１０％であることが好ましい。これは、酸素濃度が１％より低いと、低品位炭層２を十分に昇温できない可能性を高めてしまうからであり、酸素濃度が１０％より高いと、酸素が過多となり反応が進行しすぎてしまう可能性があるからである。
【００４７】
［第二番目の実施形態］
本発明に係る改質装置の第二番目の実施形態を図３に基づいて説明する。本実施形態は、上述した第一番目の実施形態に係る改質装置を２つの改質装置本体で構成したものである。本実施形態では、第一番目の実施形態と同一機器には同一符号を付記している。
【００４８】
改質装置２００は、図３に示すように、第一改質装置本体２００Ａと第二改質装置本体２００Ｂとを備え、第一改質装置本体２００Ａにて低品位炭を所定の温度まで加熱し、第二改質装置本体２００Ｂにて、所定の温度の低品位炭をさらに加熱し乾留して改質するようになっている。
【００４９】
第一改質装置本体２００Ａは、回転可能に支持される内筒２０１と、内筒２０１の外周を覆い固定支持された外筒２０２と、内筒２０１の回転を可能としつつ当該内筒２０１に連結される供給フィーダ２０３と、供給フィーダ２０３の基端側に設けられる供給ホッパ２０４とを備える。供給ホッパ２０４は、固形状の有機物である乾燥された褐炭や亜瀝青炭等のような低品位炭（低質炭）３１を搬送する搬送ライン２０５の先端側と連絡しており、搬送ライン２０５により搬送された前記低品位炭３１を受け入れ可能になっている。
【００５０】
内筒２０１の先端側には、前記低品位炭３１を加熱して所定の温度（例えば、２５０℃、好ましくは４００℃）以上の加熱炭３２を下方へ落下送出すると共に、当該低品位炭３１の加熱に伴って生成したガス３１ａを上方から送出する送出手段であるシュータ２０６が当該内筒２０１の回転を可能としつつ連結されている。シュータ２０６の上方には、前記ガス３１ａを排出する排気管２０７の基端側が連結されている。
【００５１】
外筒２０２には、当該外筒２０２内に加熱ガス４１（温度：９００〜１２００℃）を供給する加熱ガス供給ライン２０８の先端側が連結され、前記内筒２０１を加熱した後の加熱ガス４１ａを排出する加熱ガス排出ライン２０９の基端側が連結される。
【００５２】
第二改質装置本体２００Ｂは、上述した改質装置１００と同様、内筒１０１、外筒１０２、供給フィーダ１０３、供給ホッパ１０４、シュータ１０６、排気ライン１０７、加熱ガス供給ライン１０８、加熱ガス排気ライン１０９、ガス供給装置１１０を備える。第二改質装置本体２００Ｂの供給ホッパ１０４は、第一改質装置本体２００Ａのシュータ２０６により下方に落下送出される加熱炭３２を受け入れ可能に配置される。なお、第一改質装置本体２００Ａのシュータ２０６と第二改質装置本体２００Ｂの供給ホッパ１０４の間は、不活性ガスによりシールされている。
【００５３】
なお、本実施形態においては、第一改質装置本体２００Ａなどが一方の炉本体を構成し、第二改質装置本体２００Ｂなどが他方の炉本体を構成している。
【００５４】
ここで、上述した構成の改質装置２００の作動を説明する。
【００５５】
先ず、第一，第二改質装置本体２００Ａ，２００Ｂにおいては、加熱ガス供給ライン２０８，１０８により外筒２０２，１０２内に加熱ガス４１，２１（温度：９００〜１２００℃）を供給し、外筒２０２，１０２内の加熱ガス４１，２１により内筒２０１，１０１を加熱する。なお、加熱ガス４１，２１は、前記低品位炭３１および前記加熱炭３２を熱処理している最中は、加熱ガス供給ライン２０８，１０８を介して外筒２０２，１０２内に供給され、内筒２０１，１０１を加熱した後の加熱ガス４１ａ，２１ａは、加熱ガス排出ライン２０９，１０９を介して系外へ排出される。内筒２０１，１０１内には、内筒２０１，１０１に設けられた不活性ガス供給手段（図示せず）などにより窒素ガスなどの不活性ガスが供給されている。
【００５６】
前記低品位炭３１は、搬送ライン２０５により搬送されて供給ホッパ２０４に入れる。供給ホッパ２０４に入れられた前記低品位炭３１は、供給フィーダ２０３により前記内筒２０１の基端側へ供給される。内筒２０１内に供給された前記低品位炭３１は、内筒２０１の回転に伴い、加熱ガス４１により間接加熱されつつ内筒２０１の基端側から先端側へ撹拌されながら流通（移動）することになる。前記低品位炭３１は、内筒２０１の先端部側にあっては、所定の温度（例えば、２５０℃、好ましくは４００℃）以上となる。
【００５７】
前記所定の温度以上に加熱された加熱炭３２は、第一改質装置本体２００Ａのシュータ２０６から下方へ落下送出され、第二改質装置本体２００Ｂの供給ホッパ１０４に受け入れられる。第二改質装置本体２００Ｂの供給ホッパ１０４に受け入れられた加熱炭３２は、供給フィーダ１０３により内筒１０１内に供給される。内筒１０１内に供給された加熱炭３２は、内筒１０１の回転に伴い、加熱ガス２１により間接加熱されつつ、撹拌されながら先端側へ流通（移動）することになる。内筒１０１にて加熱ガス２１により間接加熱される領域にあっては、ガス供給ノズル１１５により加熱炭３２が積層した加熱炭層３３内に酸素含有ガス１３が直接供給されており、加熱炭３２が酸素含有ガス１３の酸素と反応して発熱することになる。これにより、加熱炭３２は、加熱ガス２１によって間接加熱されると共に、前記発熱反応によって直接加熱されることになり、効率良く加熱されることになる。その結果、前記加熱ガス４１，２１による間接加熱だけの場合と比べて、前記低品位炭３１の処理時間を短くできると共に、改質装置２００自体を小型化することができる。
【００５８】
第二改質装置本体２００Ｂは、上述の改質装置１００と同様に、内筒１０１の先端部近傍に設けられた堰１２１を備えており、加熱炭層３３が堰１２１よりも高くなるまでシュータ１０６側への移動が阻止されることから、内筒１０１内にて加熱炭３２をより長く留まることになる。これにより、酸素含有ガス１３を加熱炭層３３と効率良く接触させることができる。
【００５９】
加熱炭３２を例えば５００℃まで加熱し乾留して改質した改質炭３４は、堰１２１を乗り越えシュータ１０６から下方へ落下送出することになる。
【００６０】
したがって、本実施形態によれば、第一改質装置本体２００Ａの内筒２０１内に供給された低品位炭３１を加熱ガス４１により間接的に加熱し所定の温度（例えば、２５０℃、好ましくは４００℃）以上となった加熱炭３２をシュータ２０６により落下送出して第二改質装置本体２００Ｂの供給ホッパ１０４で受け入れ、当該供給ホッパ１０４に受け入れられた加熱炭３２を供給フィーダ１０３により内筒１０１内に供給し、内筒１０１の回転に伴い、撹拌されながら先端側へ移動することになる。このとき、加熱炭３２は、加熱ガス２１により間接加熱されと共に、直接供給される酸素含有ガス１３との発熱反応により直接加熱されて昇温することになる。よって、低品位炭３１（加熱炭３２）全体を効率良く加熱することができ、改質炭３４の製造効率を向上させることができる。これにより、処理時間の短縮や装置の小型化を行うことができる。
【００６１】
改質装置２００が第一改質装置本体２００Ａを有する場合、改質装置本体２００Ｂのみを新たに設置するだけであり、設備コスト増を抑制できる。
【００６２】
なお、内筒２０１は当該内筒２０１を回転駆動する駆動機構（図示せず）を備えており、内筒２０１の回転速度を例えば１ｒｐｍ〜５ｒｐｍとなるように調整することが好ましい。
【００６３】
内筒２０１での低品位炭３１の充填率は、１０％〜３０％であることが好ましい。これは、１０％より少ないと処理量自体が少なく、３０％より多いと低品位炭３１が積層した低品位炭層全体を効率良く加熱できず、生産効率の低下を招いてしまう可能性があるからである。
【００６４】
［第三番目の実施形態］
本発明に係る改質装置の第三番目の実施形態を図４に基づいて説明する。本実施形態は、上述した第一番目の実施形態に係る改質装置を２つの装置本体で構成したものである。本実施形態では、第一番目の実施形態と同一機器には同一符号を付記している。
【００６５】
改質装置３００は、図４に示すように、第一改質装置本体３００Ａと第二改質装置本体３００Ｂとを備え、第一改質装置本体３００Ａが具備する内筒３０１と第二改質装置本体３００Ｂが具備する内筒１０１とが連結し同期回転可能になっている。
【００６６】
第一改質装置本体３００Ａは、回転可能に支持される内筒３０１と、内筒３０１の外周を覆い固定支持された外筒３０２と、内筒３０１の回転を可能としつつ当該内筒３０１に連結される供給フィーダ３０３と、供給フィーダ３０３の基端側に設けられる供給ホッパ３０４とを備える。供給ホッパ３０４は、固形状の有機物である乾燥された褐炭や亜瀝青炭等のような低品位炭（低質炭）５１を搬送する搬送ライン３０５の先端側と連絡しており、搬送ライン３０５により搬送された前記低品位炭５１を受け入れ可能になっている。
【００６７】
外筒３０２には、当該外筒３０２内に加熱ガス６１（温度：９００〜１２００℃）を供給する加熱ガス供給ライン３０８の先端側が連結され、前記内筒３０１を加熱した後の加熱ガス６１ａを排出する加熱ガス排出ライン３０９の基端側が連結される。
【００６８】
内筒３０１の先端側は、第二改質装置本体３００Ｂの内筒１０１の基端側が連結しており、前記低品位炭５１を加熱して所定の温度（例えば、２５０℃、好ましくは４００℃）以上の加熱炭５２を改質装置本体３００Ｂの内筒１０１へ送出可能になっている。
【００６９】
改質装置本体３００Ｂは、上述した改質装置１００と同様、内筒１０１、外筒１０２、シュータ１０６、排気ライン１０７、加熱ガス供給ライン１０８、加熱ガス排気ライン１０９、ガス供給装置１１０を備える。
【００７０】
なお、本実施形態においては、第一改質装置本体３００Ａなど一方の炉本体を構成し、第二改質装置本体３００Ｂなど他方の炉本体を構成している。
【００７１】
ここで、上述した構成の改質装置３００の作動を説明する。
【００７２】
先ず、第一，第二改質装置本体３００Ａ，３００Ｂにおいては、加熱ガス供給ライン３０８，１０８により外筒３０２，１０２内に加熱ガス６１，２１（温度：９００〜１２００℃）を供給し、外筒３０２，１０２内の加熱ガス６１，２１により内筒３０１，１０１を加熱する。なお、加熱ガス６１，２１は、前記低品位炭５１および前記加熱炭５２を熱処理している最中は、加熱ガス供給ライン３０８，１０８を介して外筒３０２，１０２内に供給され、内筒３０１，１０１を加熱した後の加熱ガス４１ａ，２１ａは、加熱ガス排出ライン３０９，１０９を介して系外へ排出される。内筒３０１，１０１内には、内筒３０１，１０１に設けられた不活性ガス供給手段（図示せず）などにより窒素ガスなどの不活性ガスが供給されている。
【００７３】
前記低品位炭５１は、搬送ライン３０５により搬送されて供給ホッパ３０４に入れる。供給ホッパ３０４に入れられた前記低品位炭５１は、供給フィーダ３０３により前記内筒３０１の基端側へ供給される。内筒３０１内に供給された前記低品位炭５１は、内筒３０１の回転に伴い、加熱ガス６１により間接加熱されつつ内筒３０１の基端側から先端側へ撹拌されながら流通（移動）することになる。前記低品位炭５１は、内筒３０１の先端部側にあっては、所定の温度（例えば、２５０℃、好ましくは４００℃）以上となる。
【００７４】
前記所定の温度以上に加熱された加熱炭５２は、内筒３０１の先端から第二改質装置本体３００Ｂの内筒１０１に送給される。第二改質装置本体３００Ｂの内筒１０１に送給された加熱炭５２は、内筒１０１の回転に伴い、加熱ガス２１により間接加熱されつつ、撹拌されながら先端側へ流通（移動）することになる。内筒１０１にて加熱ガス２１により間接加熱される領域にあっては、ガス供給ノズル１１５により加熱炭５２が積層した加熱炭層５３内に酸素含有ガス１３が直接供給されており、加熱炭５２が酸素含有ガス１３の酸素と反応して発熱することになる。これにより、加熱炭５２は、加熱ガス２１によって間接加熱されると共に、前記発熱反応によって直接加熱されることになり、効率良く加熱されることになる。その結果、前記加熱ガス６１，２１による間接加熱だけの場合と比べて、前記低品位炭５１の処理時間を短くできると共に、改質装置３００自体を小型化することができる。
【００７５】
第二改質装置本体３００Ｂは、上述の改質装置１００と同様に、内筒１０１の先端部近傍に設けられた堰１２１を備えており、加熱炭層５３が堰１２１よりも高くなるまでシュータ１０６側への移動が阻止されることから、内筒１０１内にて加熱炭５２をより長く留まることになる。これにより、酸素含有ガス１３を加熱炭層５３と効率良く接触させることができる。
【００７６】
加熱炭５２を例えば５００℃まで加熱し乾留して改質した改質炭５４は、堰１２１を乗り越えシュータ１０６から下方へ落下送出することになる。
【００７７】
したがって、本実施形態によれば、第一改質装置本体３００Ａの内筒３０１内に供給された低品位炭５１を加熱ガス６１により間接的に加熱し所定の温度（例えば、２５０℃、好ましくは４００℃）以上となった加熱炭５２をそのまま第二改質装置本体３００Ｂの内筒１０１内に供給し、内筒１０１の回転に伴い、撹拌されながら先端側へ移動することになる。このとき、加熱炭５２は、加熱ガス２１により間接加熱されと共に、直接供給される酸素含有ガス１３との発熱反応により直接加熱されることになる。よって、低品位炭５１（加熱炭５２）全体を効率良く加熱することができ、改質炭５４の製造効率を向上させることができる。これにより、処理時間の短縮や装置の小型化を行うことができる。
【００７８】
改質装置３００が第一改質装置本体３００Ａを有する場合、改質装置本体３００Ｂを新たに設置するだけであり、設備コスト増を抑制できる。
【００７９】
なお、内筒３０１，１０１は、当該内筒３０１，１０１を回転駆動する駆動機構（図示せず）を備えており、内筒３０１，１０１の回転速度を例えば１ｒｐｍ〜５ｒｐｍとなるように調整することが好ましい。
【００８０】
内筒３０１での低品位炭５１の充填率は、１０％〜３０％であることが好ましい。これは、１０％より少ないと処理量自体が少なく、３０％より多いと低品位炭５１が積層した低品位炭層全体を効率良く加熱できず、生産効率の低下を招いてしまう可能性があるからである。
【００８１】
［第四番目の実施形態］
本発明に係る改質装置の第四番目の実施形態を図５および図６に基づいて説明する。本実施形態は、上述した第一番目の実施形態に係る改質装置が具備するガス供給装置を変更したものである。本実施形態では、第一番目の実施形態と同一機器には同一符号を付記している。
【００８２】
改質装置４００は、図５（ａ）および図５（ｂ）に示すように、外筒１０２に外側が覆われ、回転可能に設けられた内筒４０１と、内筒４０１の先端側にて、当該内筒４０１と外筒１０２との間に配置され、固定支持された断熱材４１８とを備える。内筒４０１の先端部近傍の内周部には、板状の堰１２１が設けられている。断熱材４１８は、内筒４０１の所定の領域（後述のガイド機構４１５Ａ，４１５Ｂの設置箇所）以外を覆うように設けられている。なお、断熱材４１８として、例えば、加熱ガス２１との反応性が無く、一般的なものを用いることが可能である。
【００８３】
内筒４０１の基端側には、固形状の有機物である乾燥された褐炭や亜瀝青炭等のような低品位炭（低質炭）７１を供給する供給フィーダ１０３が当該内筒４０１の回転を可能としつつ連結されている。
【００８４】
内筒４０１の先端側には、前記低品位炭７１を乾留して改質した固形状の改質物（乾留物）である改質炭（乾留炭）７３を下方へ落下送出すると共に、当該低品位炭１の乾留に伴って生成した乾留ガス７１ａを上方から送出する送出手段であるシュータ１０６が当該内筒７０１の回転を可能としつつ連結されている。
【００８５】
上述した改質装置４００は、前記内筒４０１内にて前記低質炭７１が積層した低質炭層７２内に酸素含有ガスとして加熱ガス２１を直接供給するガス供給手段をさらに備える。前記ガス供給手段として、前記断熱材４１８と、例えば、図６（ａ）に示すように、内筒４０１の一部に設けられた複数の孔４１５Ａａと、孔４１５Ａａの縁に設けられたＬ字板４１５Ａｂおよび直板４１５Ａｃとを有し、加熱ガス２１が蛇行して内筒４０１内に流通するガイド機構４１５Ａを用いることが可能である。また、前記ガス供給手段として、前記断熱材４１８と、例えば、図６（ｂ）に示すように、内筒４０１の一部に設けられた複数の孔４１５Ｂａと、孔４１５Ｂａの縁に設けられるＵ字板４１５Ｂｂおよび直板４１５Ｂｃとを有し、加熱ガス２１が蛇行して内筒４０１内に流通するガイド機構４１５Ｂを用いることが可能である。
【００８６】
なお、本実施形態では、内筒４０１に設けられ、加熱ガス２１が流通可能な孔４１５Ａａ，４１５Ｂａと、内筒４０１と外筒１０２の間に配置され当該内筒４０１の下部側以外を覆う断熱材４１８とを有するガイド機構４１５Ａ，４１５Ｂなどがガス供給手段を構成している。
【００８７】
ここで、上述した構成の改質装置４００の作動を説明する。
【００８８】
先ず、加熱ガス供給ライン１０８により外筒１０２内に加熱ガス２１（温度：９００〜１２００℃）を供給し、外筒１０２内の加熱ガス２１により内筒４０１を加熱する。なお、加熱ガス２１は、前記低品位炭７１を熱処理している最中は、加熱ガス供給ライン１０８を介して外筒１０２内に供給され、内筒１０１を加熱した後の加熱ガス２１ａは、加熱ガス排出ライン１０９を介して系外へ排出される。内筒４０１内には、内筒４０１に設けられた不活性ガス供給手段（図示せず）などにより窒素ガスなどの不活性ガスが供給されている。
【００８９】
前記低品位炭７１は、搬送ライン１０５により搬送されて供給ホッパ１０４に入れる。供給ホッパ１０４に入れられた前記低品位炭７１は、供給フィーダ１０３により前記内筒４０１の基端側へ供給される。内筒４０１内に供給された前記低品位炭７１は、内筒４０１の回転に伴い、加熱ガス２１により間接加熱されつつ内筒４０１の基端側から先端側へ撹拌されながら流通（移動）することになる。前記低品位炭７１は、内筒４０１の先端部側の領域Ｌ１２にあっては、前記加熱ガス２１により間接加熱されて所定の温度（例えば、２５０℃、好ましくは４００℃）以上となる。この領域Ｌ１２において、酸素含有ガスとして加熱ガス２１が前記ガス供給手段により低品位炭７１が積層した低品位炭層７２内に直接供給される。加熱ガス２１は、低品位炭層７２内を流通することから低品位炭層７２全体と直接接触することになり、所定の温度（例えば、２５０℃）まで高められた低品位炭７１をさらに昇温することになる。これは、前記低品位炭７１が前記所定の温度まで高められると、反応性が高くなり、加熱ガス２１中の酸素と反応して発熱するからである。これにより、内筒４０１内に供給された前記低品位炭７１は、外筒１０２内に供給された加熱ガス２１により間接加熱されると共に、当該低品位炭層７２内に供給される加熱ガス２１との発熱反応により直接加熱されることになり、効率良く加熱されることになる。その結果、前記加熱ガス２１による間接加熱だけの場合と比べて、前記低品位炭７１の処理時間を短くできると共に、改質装置４００自体を小型化することができる。
【００９０】
また、内筒４０１の先端部近傍に設けられた堰１２１により、低品位炭層７２が堰１２１よりも高くなるまでシュータ１０６側への移動が阻止されることから、内筒４０１の基端側と比べて内筒４０１の先端近傍にて低品位炭７１がより長く留まることになる。これにより、加熱ガス２１を低品位炭層７２と効率良く接触させることができる。
【００９１】
低品位炭７１を例えば５００℃まで加熱し乾留して改質した改質炭７３は、堰１２１を乗り越えシュータ１０６から下方へ落下送出することになる。
【００９２】
したがって、本実施形態によれば、内筒４０１内に供給された低品位炭７１を加熱ガス２１により間接的に加熱すると共に、所定の温度（例えば、２５０℃、好ましくは４００℃）以上の低品位炭７１が積層した低品位炭層７２内に酸素含有ガスとして加熱ガス２１を供給し低品位炭７１と直接接触させることにより当該加熱ガス２１の酸素が低品位炭７１と反応し発熱して当該低品位炭７１を昇温することから、低品位炭層７２全体を効率良く加熱することができ、改質炭７３の製造効率を向上させることができる。これにより、処理時間の短縮や装置の小型化を行うことができる。
【００９３】
なお、内筒４０１は当該内筒４０１を回転駆動する駆動機構（図示せず）を備えており、内筒４０１の回転速度を例えば１ｒｐｍ〜５ｒｐｍとなるように調整することが好ましい。
【００９４】
内筒４０１での低品位炭７１の充填率は、１０％〜３０％であることが好ましい。これは、１０％より少ないと処理量自体が少なく、３０％より多いと低品位炭７１が積層した低品位炭層７２全体を効率良く加熱できず、生産効率の低下を招いてしまう可能性があるからである。
【００９５】
前記低品位炭層７２への前記加熱ガス２１の供給流速は、例えば、０．０５ｍ／秒〜３ｍ／秒に調整されると好ましく、０．１ｍ／秒〜１ｍ／秒に調整されるとより好ましい。これは、前記加熱ガス２１の供給流速が０．０５ｍ／秒よりも小さいと、粉塵（微粉炭）が前記ガイド機構４１５Ａ，４１５Ｂ内に入り込みやすくなるからであり、前記加熱ガス２１の供給流速が３ｍ／秒よりも大きいと、前記加熱ガス２１が慣性力により前記内筒１０１の中心Ｃ１へ流れてしまい、前記低品位炭層７２内を十分に加熱ガス２１が流通せずに通過してしまうからである。
【００９６】
加熱ガス２１の低品位炭層７２内への供給量は、例えば、３（ＮＬ−Ｏ2／分／ｋｇ−前記低品位炭７１）以上３０（ＮＬ−Ｏ2／分／ｋｇ−前記低品位炭７１）以下となるように調整されると好ましい。これは、前記加熱ガス２１の前記低品位炭層７２内への供給量が３（ＮＬ／分／ｋｇ−前記低品位炭７１）よりも少ないと、低品位炭層７２内に十分に酸素を供給できない可能性があるからであり、前記加熱ガス２１の前記低品位炭層７２内への供給量が３０（ＮＬ／分／ｋｇ−前記低品位炭７１）よりも多いと、酸素が過多となり反応が進行しすぎてしまう可能性があるからである。
【００９７】
加熱ガス２１の酸素濃度は、１〜１０％であることが好ましい。これは、酸素濃度が１％より低いと、低品位炭層７２を十分に昇温できない可能性を高めてしまうからであり、酸素濃度が１０％より高いと、酸素が過多となり反応が進行しすぎてしまう可能性があるからである。
【００９８】
［他の実施形態］
なお、上記では、ガス供給管１１４の基端に酸素含有ガス送給管１１３を接続した改質装置を用いて説明したが、ガス供給管１１４およびガス供給ノズルを二重管とし、一方に不活性ガス供給源１１２ａおよび不活性ガス送給管１１２を接続し、他方に空気送給管１１１およびブロア１１１ａを接続した改質装置とすることも可能である。このような場合であっても、上述した改質装置と同様な作用効果を奏する。
【００９９】
上記では、乾燥された低品位炭１，３１，５１，７１を加熱し乾留して改質する場合について説明したが、本発明はこれに限らず、固形状の有機物を加熱し乾留して改質する場合であれば、上述した実施形態の場合と同様に適用して、前述した実施形態の場合と同様な作用効果を得ることができる。
【産業上の利用可能性】
【０１００】
本発明に係る改質装置は、有機物全体を効率良く加熱できるので、発電産業などにおいて、極めて有益に利用することができる。
【符号の説明】
【０１０１】
１              低品位炭（低質炭）
１ａ            乾留ガス
２              低品位炭層
３              改質炭（乾留炭）
１１            空気
１２            不活性ガス（窒素ガス）
１３            酸素含有ガス
２１            加熱ガス
３１            低品位炭（低質炭）
３１ａ          乾留ガス
３２            加熱炭
３３            加熱炭層
３４            改質炭（乾留炭）
４１            加熱ガス
５１            低品位炭（低質炭）
５１ａ          乾留ガス
５２            加熱炭
５３            加熱炭層
５４            改質炭（乾留炭）
６２            加熱ガス
１００          改質装置
１０１          内筒
１０２          外筒
１０３          供給フィーダ
１０４          供給ホッパ
１０５          供給ライン
１０６          シュータ
１０７          排気ライン
１０８          加熱ガス供給ライン
１０９          加熱ガス排出ライン
１１０          酸素含有ガス供給装置
１１１          空気送給管
１１１ａ        ブロア
１１１ｂ        流量調整弁
１１２          不活性ガス送給管
１１２ａ        不活性ガス供給源
１１２ｂ        流量調整弁
１１３          酸素含有ガス送給管
１１４          ガス供給管
１１５          ガス供給ノズル
１１６          固定具
１１７          支持具
２００          改質装置
２００Ａ        第一改質装置本体
２００Ｂ        第二改質装置本体
３００          改質装置
３００Ａ        第一改質装置本体
３００Ｂ        第二改質装置本体
４００          改質装置
４０１          内筒
４１５Ａ，４１５Ｂ  ガイド機構
４１８          断熱材
Ａ１            内筒１０１の回転方向
Ｃ１            内筒１０１の中心軸
Ｌ１            ガス供給ノズルの延在方向の補助線
Ｌ２            内筒の中心を通る垂線
Ｌ３            内筒の接線（補助線）
Ｌ１１          加熱ガスによる加熱領域
Ｌ１２          酸素含有ガス（加熱ガス）による加熱領域
【図１】
2016037587.tif 000003
【図２】
2016037587.tif 000004
【図３】
2016037587.tif 000005
【図４】
2016037587.tif 000006
【図５】
2016037587.tif 000007
【図６】
2016037587.tif 000008