(57)【要約】【課題】不揮発性記憶装置への書き込み回数を低減する記憶システムを提供する。【解決手段】記憶システム１０は、外部装置からの書き込みコマンド５に含まれる書き込みアドレスと一致するアドレスがキャッシュメモリ部２に記憶されていない場合であって、書き込みアドレスおよび書き込みデータをメモリ部２に追加記憶できない場合には、所定の規則に従ってメモリ部２に記憶されている何れか一つのデータを選択し、選択されたデータを当該データと対応付けてメモリ部２に記憶されているアドレスで示される不揮発性記憶装置４内に書き込むと共に、メモリ部２に記憶されている前記選択されたデータおよびアドレスをそれぞれ書き込みコマンド５に含まれている書き込みデータおよび書き込みアドレスで更新し、書き込みコマンド５に含まれる書き込みアドレスと一致するアドレスがメモリ部２に記憶されていない場合以外には、何れのデータも記憶装置４に書き込まない。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
不揮発性記憶手段と、
複数のデータと、該複数のデータがそれぞれ書き込まれるべき前記不揮発性記憶手段内の記憶場所を示す複数のアドレスとを対応づけて記憶する揮発性記憶手段と、
制御手段と
を含み、
前記制御手段は、
外部装置からの書き込みコマンドに含まれる書き込みアドレスと一致するアドレスが前記揮発性記憶手段に記憶されていない場合であって、前記書き込みアドレスおよび前記書き込みコマンドに含まれる書き込みデータを前記揮発性記憶手段に追加記憶できる場合には、前記書き込みコマンドに含まれる前記書き込みアドレスと前記書き込みデータとを対応付けて前記揮発性記憶手段に記憶し、
前記外部装置からの前記書き込みコマンドに含まれる前記書き込みアドレスと一致するアドレスが前記揮発性記憶手段に記憶されていない場合であって、前記書き込みアドレスおよび前記書き込みコマンドに含まれる前記書き込みデータを前記揮発性記憶手段に追加記憶できない場合には、所定の規則に従って、前記揮発性記憶手段に記憶されている何れか一つの前記データを選択し、当該選択されたデータを、当該データと対応付けて前記揮発性記憶手段に記憶されている前記アドレスで示される前記不揮発性記憶手段内の記憶場所に書き込むと共に、前記揮発性記憶手段に記憶されている前記選択されたデータおよび当該データと対応付けて前記揮発性記憶手段に記憶されている前記アドレスをそれぞれ前記書き込みコマンドに含まれている前記書き込みデータおよび書き込みアドレスで更新し、
前記外部装置からの前記書き込みコマンドに含まれる前記書き込みアドレスと一致するアドレスが前記揮発性記憶手段に記憶されている場合には、当該アドレスと対応付けられて前記揮発性記憶手段に記憶されている前記データを前記書き込みコマンドに含まれている前記書き込みデータで更新し、
前記外部装置からの前記書き込みコマンドに含まれる前記書き込みアドレスと一致するアドレスが前記揮発性記憶手段に記憶されていない場合以外には、前記書き込みデータおよび前記揮発性記憶手段に記憶されている何れのデータも前記不揮発性記憶装置に書き込まない
ことを特徴とする記憶システム。
【請求項２】
複数のデータと該複数のデータがそれぞれ書き込まれるべき不揮発性記憶手段内の記憶場所を示す複数のアドレスとを対応づけて記憶する揮発性記憶手段に、外部装置からの書き込みコマンドに含まれる書き込みアドレスと一致するアドレスが記憶されていない場合であって、前記書き込みアドレスおよび前記書き込みコマンドに含まれる書き込みデータを前記揮発性記憶手段に追加記憶できる場合には、前記書き込みコマンドに含まれる前記書き込みアドレスと前記書き込みデータとを対応付けて前記揮発性記憶手段に記憶する追加記憶ステップと、
前記外部装置からの前記書き込みコマンドに含まれる前記書き込みアドレスと一致するアドレスが前記揮発性記憶手段に記憶されていない場合であって、前記書き込みアドレスおよび前記書き込みコマンドに含まれる前記書き込みデータを前記揮発性記憶手段に追加記憶できない場合には、所定の規則に従って、前記揮発性記憶手段に記憶されている何れか一つの前記データを選択し、当該選択されたデータを、当該データと対応付けて前記揮発性記憶手段に記憶されている前記アドレスで示される前記不揮発性記憶手段内の記憶場所に書き込むと共に、前記揮発性記憶手段に記憶されている前記選択されたデータおよび当該データと対応付けて前記揮発性記憶手段に記憶されている前記アドレスをそれぞれ前記書き込みコマンドに含まれている前記書き込みデータおよび書き込みアドレスで更新する第１の更新ステップと、
前記外部装置からの前記書き込みコマンドに含まれる前記書き込みアドレスと一致するアドレスが前記揮発性記憶手段に記憶されている場合には、当該アドレスと対応付けられて前記揮発性記憶手段に記憶されている前記データを前記書き込みコマンドに含まれている前記書き込みデータで更新する第２の更新ステップと
を含み、
前記外部装置からの前記書き込みコマンドに含まれる前記書き込みアドレスと一致するアドレスが前記揮発性記憶手段に記憶されていない場合以外には、前記書き込みデータおよび前記揮発性記憶手段に記憶されている何れのデータも前記不揮発性記憶装置に書き込まない
ことを特徴とする記憶制御方法。
【請求項３】
複数のデータと該複数のデータがそれぞれ書き込まれるべき不揮発性記憶手段内の記憶場所を示す複数のアドレスとを対応づけて記憶する揮発性記憶手段に、外部装置からの書き込みコマンドに含まれる書き込みアドレスと一致するアドレスが記憶されていない場合であって、前記書き込みアドレスおよび前記書き込みコマンドに含まれる書き込みデータを前記揮発性記憶手段に追加記憶できる場合には、前記書き込みコマンドに含まれる前記書き込みアドレスと前記書き込みデータとを対応付けて前記揮発性記憶手段に書き込む追加記憶処理と、
前記外部装置からの前記書き込みコマンドに含まれる前記書き込みアドレスと一致するアドレスが前記揮発性記憶手段に記憶されていない場合であって、前記書き込みアドレスおよび前記外部装置からの前記書き込みコマンドに含まれる前記書き込みアドレスと一致するアドレスが前記揮発性記憶手段に記憶されていない場合であって、前記書き込みアドレスおよび前記書き込みコマンドに含まれる前記書き込みデータを前記揮発性記憶手段に追加記憶できない場合には、所定の規則に従って、前記揮発性記憶手段に記憶されている何れか一つの前記データを選択し、当該選択されたデータを、当該データと対応付けて前記揮発性記憶手段に記憶されている前記アドレスで示される前記不揮発性記憶手段内の記憶場所に書き込むと共に、前記揮発性記憶手段に記憶されている前記選択されたデータおよび当該データと対応付けて前記揮発性記憶手段に記憶されている前記アドレスをそれぞれ前記書き込みコマンドに含まれている前記書き込みデータおよび書き込みアドレスで更新する第１の更新処理と、
前記外部装置からの前記書き込みコマンドに含まれる前記書き込みアドレスと一致するアドレスが前記揮発性記憶手段に記憶されている場合には、当該アドレスと対応付けられて前記揮発性記憶手段に記憶されている前記データを前記書き込みコマンドに含まれている前記書き込みデータで更新する第２の更新処理と
をコンピュータに実行させ、
前記外部装置からの前記書き込みコマンドに含まれる前記書き込みアドレスと一致するアドレスが前記揮発性記憶手段に記憶されていない場合以外には、前記コンピュータには、前記書き込みデータおよび前記揮発性記憶手段に記憶されている何れのデータも前記不揮発性記憶装置に書き込ませない
ことを特徴とする記憶制御プログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、記憶システム、記憶制御方法および記憶制御プログラムに関する。
【背景技術】
【０００２】
複数の半導体記憶素子から構成される半導体メモリの一種であるフラッシュメモリを使用したＳＳＤ（Ｓｏｌｉｄ＿Ｓｔａｔｅ＿Ｄｒｉｖｅ）等の不揮発性記憶装置が知られている。
【０００３】
係る不揮発性記憶装置においては、半導体記憶素子へのデータの書き込みおよび消去が繰り返されることにより該記憶素子が劣化していき、最終的には、不揮発性記憶装置へのデータの書き込みができなくなる。
【０００４】
このため、係る不揮発性記憶装置へのデータの書き込みおよび消去の回数を減少させるための種々の技術が提案されている。
【０００５】
例えば、特許文献１には、補助記憶手段２５（上記不揮発性記憶装置に相当する。）へのデータの書き込みコマンドに基づいて、書き込みが集中する集中記録領域を特定し、特定された集中記録領域に書き込まれるデータを、補助記憶手段２５には書き込むことなく、キャッシュ領域７１のみに書き込む技術が開示されている。
【０００６】
そして、特許文献１には、その領域７１がデータで満杯になった場合や、データを領域７１に記憶したのち定期時間が経過した場合等に、領域７１に記憶されたデータをまとめて記憶手段２５に書き込むことで、記憶手段２５への書き込み回数を低減し、記憶手段２５の寿命を延伸する技術が開示されている。
【０００７】
なお、関連技術として、特許文献２には、アクセス速度の速い記憶装置およびアクセス速度の遅い記憶装置のキャッシュ・データのアクセス頻度データが等しい場合に掃き出し順位を決める際、キャッシュ・データを元々格納している記憶装置のアクセス速度が速い方の記憶装置のキャッシュ・データを掃き出し、アクセス速度の効率を改善する技術が開示されている。
【０００８】
また、特許文献３には、ディスク装置における複数の不連続なセグメントにデータを書き込む際に、データが書き込まれるディスク装置の論理ブロックアドレスとデータの大きさとを要素とするリストをディスク装置に転送することにより、データを一括して書き込み、データ転送効率を向上させる技術が開示されている。
【０００９】
また、特許文献４には、フラッシュインターフェースと、ホストインターフェースと、ホストインターフェースに第１駆動クロックを供給する第１クロック発生器と、フラッシュインターフェースに第２駆動クロックを供給する第２クロック発生器とを含む半導体ディスク装置において、外部ホストとフラッシュメモリとの間のデータ交換をする際に、最適周波数の駆動クロックで動作させる技術が開示されている。
【００１０】
また、特許文献５には、インターネットを介したサーバなどの情報源から取得した情報の、それぞれの意味タイプ（例えば、天気予報などの動的な情報や、用語辞典などの静的な情報等の情報の種類）に応じたキャッシュ方法に基づいてキャッシュメモリを制御することにより、情報取得の際の遅延を最小化する技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特開２０１０−１９８３６８号公報
【特許文献２】特開平１０−１８７５４０号公報
【特許文献３】特開平１１−３３８６４４号公報
【特許文献４】特開２００７−１３３８６８号公報
【特許文献５】特表２００３−５３０６２２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
しかしながら、特許文献１に記載された技術では、所定の条件を満足した場合に、領域７１にキャッシュされた「複数のデータ」が記憶手段２５にまとめて書き込まれるので、記憶手段２５への書き込み回数の低減が不十分であるという問題点がある。
【００１３】
なお、特許文献２乃至５のいずれにも、上記不揮発性記憶装置に相当する記憶装置の寿命を延伸する技術は何ら記載されていない。
【００１４】
本発明の目的は、上述した問題点を解決した記憶システム、記憶制御方法および記憶制御プログラムを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明の記憶システムは、
不揮発性記憶手段と、
複数のデータと、該複数のデータがそれぞれ書き込まれるべき前記不揮発性記憶手段内の記憶場所を示す複数のアドレスとを対応づけて記憶する揮発性記憶手段と、
制御手段と
を含み、
前記制御手段は、
外部装置からの書き込みコマンドに含まれる書き込みアドレスと一致するアドレスが前記揮発性記憶手段に記憶されていない場合であって、前記書き込みアドレスおよび前記書き込みコマンドに含まれる書き込みデータを前記揮発性記憶手段に追加記憶できる場合には、前記書き込みコマンドに含まれる前記書き込みアドレスと前記書き込みデータとを対応付けて前記揮発性記憶手段に記憶し、
前記外部装置からの前記書き込みコマンドに含まれる前記書き込みアドレスと一致するアドレスが前記揮発性記憶手段に記憶されていない場合であって、前記書き込みアドレスおよび前記書き込みコマンドに含まれる前記書き込みデータを前記揮発性記憶手段に追加記憶できない場合には、所定の規則に従って、前記揮発性記憶手段に記憶されている何れか一つの前記データを選択し、当該選択されたデータを、当該データと対応付けて前記揮発性記憶手段に記憶されている前記アドレスで示される前記不揮発性記憶手段内の記憶場所に書き込むと共に、前記揮発性記憶手段に記憶されている前記選択されたデータおよび当該データと対応付けて前記揮発性記憶手段に記憶されている前記アドレスをそれぞれ前記書き込みコマンドに含まれている前記書き込みデータおよび書き込みアドレスで更新し、
前記外部装置からの前記書き込みコマンドに含まれる前記書き込みアドレスと一致するアドレスが前記揮発性記憶手段に記憶されている場合には、当該アドレスと対応付けられて前記揮発性記憶手段に記憶されている前記データを前記書き込みコマンドに含まれている前記書き込みデータで更新し、
前記外部装置からの前記書き込みコマンドに含まれる前記書き込みアドレスと一致するアドレスが前記揮発性記憶手段に記憶されていない場合以外には、前記書き込みデータおよび前記揮発性記憶手段に記憶されている何れのデータも前記不揮発性記憶装置に書き込まない。
【００１６】
また、本発明の記憶制御方法は、
複数のデータと該複数のデータがそれぞれ書き込まれるべき不揮発性記憶手段内の記憶場所を示す複数のアドレスとを対応づけて記憶する揮発性記憶手段に、外部装置からの書き込みコマンドに含まれる書き込みアドレスと一致するアドレスが記憶されていない場合であって、前記書き込みアドレスおよび前記書き込みコマンドに含まれる書き込みデータを前記揮発性記憶手段に追加記憶できる場合には、前記書き込みコマンドに含まれる前記書き込みアドレスと前記書き込みデータとを対応付けて前記揮発性記憶手段に記憶する追加記憶ステップと、
前記外部装置からの前記書き込みコマンドに含まれる前記書き込みアドレスと一致するアドレスが前記揮発性記憶手段に記憶されていない場合であって、前記書き込みアドレスおよび前記書き込みコマンドに含まれる前記書き込みデータを前記揮発性記憶手段に追加記憶できない場合には、所定の規則に従って、前記揮発性記憶手段に記憶されている何れか一つの前記データを選択し、当該選択されたデータを、当該データと対応付けて前記揮発性記憶手段に記憶されている前記アドレスで示される前記不揮発性記憶手段内の記憶場所に書き込むと共に、前記揮発性記憶手段に記憶されている前記選択されたデータおよび当該データと対応付けて前記揮発性記憶手段に記憶されている前記アドレスをそれぞれ前記書き込みコマンドに含まれている前記書き込みデータおよび書き込みアドレスで更新する第１の更新ステップと、
前記外部装置からの前記書き込みコマンドに含まれる前記書き込みアドレスと一致するアドレスが前記揮発性記憶手段に記憶されている場合には、当該アドレスと対応付けられて前記揮発性記憶手段に記憶されている前記データを前記書き込みコマンドに含まれている前記書き込みデータで更新する第２の更新ステップと
を含み、
前記外部装置からの前記書き込みコマンドに含まれる前記書き込みアドレスと一致するアドレスが前記揮発性記憶手段に記憶されていない場合以外には、前記書き込みデータおよび前記揮発性記憶手段に記憶されている何れのデータも前記不揮発性記憶装置に書き込まない。
【００１７】
さらに、本発明の記憶制御プログラムは、
複数のデータと該複数のデータがそれぞれ書き込まれるべき不揮発性記憶手段内の記憶場所を示す複数のアドレスとを対応づけて記憶する揮発性記憶手段に、外部装置からの書き込みコマンドに含まれる書き込みアドレスと一致するアドレスが記憶されていない場合であって、前記書き込みアドレスおよび前記書き込みコマンドに含まれる書き込みデータを前記揮発性記憶手段に追加記憶できる場合には、前記書き込みコマンドに含まれる前記書き込みアドレスと前記書き込みデータとを対応付けて前記揮発性記憶手段に書き込む追加記憶処理と、
前記外部装置からの前記書き込みコマンドに含まれる前記書き込みアドレスと一致するアドレスが前記揮発性記憶手段に記憶されていない場合であって、前記書き込みアドレスおよび前記外部装置からの前記書き込みコマンドに含まれる前記書き込みアドレスと一致するアドレスが前記揮発性記憶手段に記憶されていない場合であって、前記書き込みアドレスおよび前記書き込みコマンドに含まれる前記書き込みデータを前記揮発性記憶手段に追加記憶できない場合には、所定の規則に従って、前記揮発性記憶手段に記憶されている何れか一つの前記データを選択し、当該選択されたデータを、当該データと対応付けて前記揮発性記憶手段に記憶されている前記アドレスで示される前記不揮発性記憶手段内の記憶場所に書き込むと共に、前記揮発性記憶手段に記憶されている前記選択されたデータおよび当該データと対応付けて前記揮発性記憶手段に記憶されている前記アドレスをそれぞれ前記書き込みコマンドに含まれている前記書き込みデータおよび書き込みアドレスで更新する第１の更新処理と、
前記外部装置からの前記書き込みコマンドに含まれる前記書き込みアドレスと一致するアドレスが前記揮発性記憶手段に記憶されている場合には、当該アドレスと対応付けられて前記揮発性記憶手段に記憶されている前記データを前記書き込みコマンドに含まれている前記書き込みデータで更新する第２の更新処理と
をコンピュータに実行させ、
前記外部装置からの前記書き込みコマンドに含まれる前記書き込みアドレスと一致するアドレスが前記揮発性記憶手段に記憶されていない場合以外には、前記コンピュータには、前記書き込みデータおよび前記揮発性記憶手段に記憶されている何れのデータも前記不揮発性記憶装置に書き込ませない。
【発明の効果】
【００１８】
本発明には、不揮発性記憶装置への書き込み回数を低減できるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の実施形態を示すブロック図である。
【図２】本発明の実施形態におけるキャッシュメモリ装置１０における処理の流れを示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
次に、本発明の実施形態について図面を参照して詳細に説明する。
＜実施形態＞
図１は、本発明の実施形態を示すブロック図である。
【００２１】
図１を参照すると、本実施形態は、キャッシュメモリ装置１０とＳＳＤ等の不揮発性記憶装置４とから構成され、キャッシュメモリ装置１０は、揮発性記憶手段であるキャッシュメモリ部２と、キャッシュメモリ制御部３とを含む。
【００２２】
キャッシュメモリ部２は、中央処理装置等の外部装置（図１には図示せず）からのデータを記憶するとともに、所定の条件を満足した場合に、データを不揮発性記憶装置４に書き込む。
【００２３】
キャッシュメモリ部２には、複数のデータと、該複数のデータがそれぞれ書き込まれるべき不揮発性記憶装置４内の記憶場所を示す複数のアドレスとが一対一に対応付けられて記憶される。
【００２４】
次に、本実施形態の動作について説明する。
【００２５】
図２は、キャッシュメモリ装置１０における処理の流れを示すフローチャートである。
【００２６】
キャッシュメモリ制御部３は、外部装置から書き込みコマンド５を受信すると（図２のステップＳ２１）、当該コマンド５に含まれる書き込みアドレスと一致するアドレスが、キャッシュメモリ部２に記憶済みか否かを確認する（ステップＳ２２）。
【００２７】
キャッシュメモリ制御部３は、ステップＳ２２において、書き込みアドレスと一致するアドレスが、キャッシュメモリ部２に記憶されていなければ（ステップＳ２２においてＮＯ）、書き込みアドレスおよび書き込みコマンド５に含まれる書き込みデータをキャッシュメモリ部２に追加記憶できるか（すなわち、キャッシュメモリ部２に、書き込みアドレスおよび書き込みデータを記憶できるだけの記憶場所があるか）否かを確認する（ステップＳ２４）。
【００２８】
キャッシュメモリ制御部３は、ステップＳ２４において、書き込みアドレスおよび書き込みデータをキャッシュメモリ部２に追加記憶できなければ（ステップＳ２４においてＮＯ）、所定の規則（例えば、ＬＲＵ（Ｌｅａｓｔ＿Ｒｅｃｅｎｔｌｙ＿Ｕｓｅｄ）方式や、ＬＦＵ（Ｌｅａｓｔ＿Ｆｒｅｑｕｅｎｔｌｙ＿Ｕｓｅｄ）方式等がある）に従って、キャッシュメモリ部２に記憶されている一つのデータを選択する。
【００２９】
そして、キャッシュメモリ制御部３は、当該選択されたデータを、当該データと対応付けられてキャッシュメモリ部２に記憶されているアドレスで示される不揮発性記憶装置４内の記憶場所に書き込むと共に、キャッシュメモリ部２に記憶されている当該アドレスおよび当該データを書き込みコマンド５に含まれている書き込みアドレスおよびデータでそれぞれ更新する（ステップＳ２５）。
【００３０】
書き込みコマンド５に含まれている書き込みデータの不揮発性記憶装置４への書き込みは行われない。
【００３１】
その後、キャッシュメモリ制御部３は、次の書き込みコマンドを受信するステップ３１の処理を実行する。
【００３２】
キャッシュメモリ制御部３は、ステップＳ２４において、書き込みアドレスおよび書き込みデータをキャッシュメモリ部２に追加記憶できる場合（ステップＳ２４においてＹＥＳ）には、書き込みアドレスおよび書き込みデータをキャッシュメモリ部２に追加記憶する（ステップＳ２６）。
【００３３】
書き込みコマンド５に含まれている書き込みデータの不揮発性記憶装置４への書き込みは行われない。
【００３４】
その後、キャッシュメモリ制御部３は、次の書き込みコマンドを受信するステップ２１の処理を実行する。
【００３５】
キャッシュメモリ制御部３は、ステップＳ２２において、コマンド５に含まれる書き込みアドレスと一致するアドレスが、キャッシュメモリ部２に記憶されていれば（ステップＳ２２においてＹＥＳ）、キャッシュメモリ部２に記憶されている当該アドレスと対応付けられてキャッシュメモリ部２に記憶されているデータを書き込みコマンド５に含まれるデータで更新する（ステップＳ２３）。
【００３６】
書き込みコマンド５に含まれている書き込みデータの不揮発性記憶装置４への書き込みは行われない。
【００３７】
本実施形態では、外部装置からの書き込みコマンド５に含まれる書き込みアドレスと一致するアドレスがキャッシュメモリ部２に記憶されていない場合以外には、如何なる時点でも、コマンド５に含まれている書き込みデータおよびキャッシュメモリ部２に記憶されている何れのデータも不揮発性記憶装置４に書き込まれない。
【００３８】
なお、停電等により、キャッシュメモリ部２への供給電力が喪失する場合に備えて、そのような場合には、バッテリ（電池）等から電力を供給するようにし、キャッシュメモリ部２内の各アドレスおよびデータの内容を保持するようにしてもよい。
【００３９】
また、キャッシュメモリ制御部３の一部または全部は、専用のハードウェアで実現されてもよいし、プログラム制御で動作するマイクロプロセッサ等のコンピュータで実現されてもよい。
【００４０】
以上、本実施形態には、不揮発性記憶装置への書き込み回数を低減できるという効果がある。
【００４１】
その理由は、キャッシュメモリ制御部３が書き込みコマンド５を受信した時に、当該書き込みコマンド５に含まれる書き込みアドレスおよび書き込みデータをキャッシュメモリ部２に追加記憶できない場合に、キャッシュメモリ部２に記憶されているいずれか一つのデータのみを不揮発性記憶装置４に書き込むようにしたからである。
【００４２】
それと共に、外部装置からの書き込みコマンド５に含まれる書き込みアドレスと一致するアドレスがキャッシュメモリ部２に記憶されていない場合以外には、キャッシュメモリ制御部３が如何なる時点でも、コマンド５に含まれている書き込みデータおよびキャッシュメモリ部２に記憶されている何れのデータも不揮発性記憶装置４に書き込まないようにしたからである。
【符号の説明】
【００４３】
２    キャッシュメモリ部
３    キャッシュメモリ制御部
４    不揮発性記憶装置
５    書き込みコマンド
１０    キャッシュメモリ装置
【図１】
2016157398.tif 000003
【図２】
2016157398.tif 000004