(57)【要約】【課題】機械的強度及び流動特性が同時に向上したディスプレイ装置シーリング用組成物、それを含んだ有機発光ディスプレイ装置、及びその製造方法を提供する。【解決手段】ディスプレイ領域及びディスプレイ領域の外郭に周辺領域を有する下部基板、ディスプレイ領域上に配置されるディスプレイ部、下部基板に対向し、ディスプレイ部上部に配置される上部基板、下部基板の周辺領域上に配置され、下部基板と上部基板とを接合させ、ガラス粒子３１０、セラミックス材料を含んだ第１フィラー３２０、及び酸化鉄を含んだ第２フィラー３３０を含むシーリング部材３００を具備する有機発光ディスプレイ装置。【選択図】図４
2016213182.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ディスプレイ領域、及び前記ディスプレイ領域の外郭に周辺領域を有する下部基板と、
前記下部基板の前記ディスプレイ領域上に配置されるディスプレイ部と、
前記下部基板に対向し、前記ディスプレイ部の上部に配置される上部基板と、
前記下部基板の前記周辺領域上に配置され、前記下部基板と前記上部基板とを接合しているシーリング部材と、を具備し、
前記シーリング部材は、ガラス粒子、セラミックス材料を含んだ第１フィラー、及び酸化鉄を含んだ第２フィラーを含む、有機発光ディスプレイ装置。
【請求項２】
前記第２フィラーに含まれた前記酸化鉄は、Ｆｅ２Ｏ３である、請求項１に記載の有機発光ディスプレイ装置。
【請求項３】
前記酸化鉄は、結晶性粒子であり、直径が０．１ないし２μｍである、請求項１または２に記載の有機発光ディスプレイ装置。
【請求項４】
前記第１フィラーは、熱膨張係数（ＣＴＥ）が（−９０〜５０）×１０−７／Ｋ以下の低熱膨張セラミックス材料を含む、請求項１〜３のいずれか一つに記載の有機発光ディスプレイ装置。
【請求項５】
前記第１フィラーは、ジルコニウム（Ｚｒ）系セラミックス、コーディエライト、非晶質シリカ、ユークリプタイト、チタン酸アルミナ、スポジュメン、ウィレマイト及びムライトから構成された群から１種以上を含む、請求項１〜４のいずれか一つに記載の有機発光ディスプレイ装置。
【請求項６】
前記ガラス粒子は、Ｖ２Ｏ５が３０ないし５０モル％、ＺｎＯが５ないし３０モル％、ＢａＯが０ないし２０モル％、ＴｅＯ２が０ないし３０モル％、Ｎｂ２Ｏ５が０ないし７モル％、Ａｌ２Ｏ３が０ないし７モル％、ＳｉＯ２が０ないし７モル％、ＣｕＯが０ないし５モル％、ＭｎＯ２が０ないし５モル％、ＣａＯが０ないし５モル％の組成比である、請求項１〜５のいずれか一つに記載の有機発光ディスプレイ装置。
【請求項７】
前記シーリング部材は、前記ガラス粒子を５０ないし９０重量％、前記第１フィラーを１ないし５０重量％、前記第２フィラーを１ないし５重量％、含む、請求項１〜６のいずれか一つに記載の有機発光ディスプレイ装置。
【請求項８】
ディスプレイ領域、及び前記ディスプレイ領域の外郭に周辺領域を有する下部基板を準備する段階と、
前記下部基板の前記ディスプレイ領域上に、ディスプレイ部を形成する段階と、
前記下部基板の前記周辺領域上に、ガラス粒子、セラミックス材料を含んだ第１フィラー、及び酸化鉄を含んだ第２フィラーを含むシーリング用組成物を形成する段階と、
前記下部基板上に上部基板を位置させた後、前記シーリング用組成物を媒介にして、前記下部基板と前記上部基板とを接合する段階と、を含む、有機発光ディスプレイ装置の製造方法。
【請求項９】
前記第２フィラーに含まれた前記酸化鉄は、Ｆｅ２Ｏ３である、請求項８に記載の有機発光ディスプレイ装置の製造方法。
【請求項１０】
前記酸化鉄は、結晶性粒子であり、直径が０．１ないし２μｍである、請求項８または９に記載の有機発光ディスプレイ装置の製造方法。
【請求項１１】
前記第１フィラーは、熱膨張係数（ＣＴＥ）が（−９０〜５０）×１０−７／Ｋ以下の低熱膨張セラミックス材料を含む、請求項８〜１０のいずれか一つに記載の有機発光ディスプレイ装置の製造方法。
【請求項１２】
前記第１フィラーは、ジルコニウム（Ｚｒ）系セラミックス、コーディエライト、非晶質シリカ、ユークリプタイト、チタン酸アルミナ、スポジュメン、ウィレマイト及びムライトから構成された群から１種以上を含む、請求項８〜１１のいずれか一つに記載の有機発光ディスプレイ装置の製造方法。
【請求項１３】
前記ガラス粒子は、Ｖ２Ｏ５が３０ないし５０モル％、ＺｎＯが５ないし３０モル％、ＢａＯが０ないし２０モル％、ＴｅＯ２が０ないし３０モル％、Ｎｂ２Ｏ５が０ないし７モル％、Ａｌ２Ｏ３が０ないし７モル％、ＳｉＯ２が０ないし７モル％、ＣｕＯが０ないし５モル％、ＭｎＯ２が０ないし５モル％、ＣａＯが０ないし５モル％の組成比である、請求項８〜１０のいずれか一つに記載の有機発光ディスプレイ装置の製造方法。
【請求項１４】
前記シーリング用組成物は、ガラス粒子を５０ないし９０重量％、前記第１フィラーを１ないし５０重量％、前記第２フィラーを１ないし５重量％、含む、請求項８に記載の有機発光ディスプレイ装置の製造方法。
【請求項１５】
前記下部基板と前記上部基板とを接合する段階は、前記シーリング用組成物が形成された前記上部基板または前記下部基板にレーザを照射し、前記下部基板と前記上部基板とを接合する段階である、請求項８に記載の有機発光ディスプレイ装置の製造方法。
【請求項１６】
Ｖ２Ｏ５系のガラス粒子と、
セラミックス材料を含む第１フィラーと、
酸化鉄を含む第２フィラーと、を具備する、ディスプレイ装置シーリング用組成物。
【請求項１７】
前記第２フィラーに含まれた前記酸化鉄は、Ｆｅ２Ｏ３である、請求項１６に記載のディスプレイ装置シーリング用組成物。
【請求項１８】
前記酸化鉄は、結晶性粒子であり、直径が０．１ないし２μｍである、請求項１６または１７に記載のディスプレイ装置シーリング用組成物。
【請求項１９】
前記第１フィラーは、熱膨張係数（ＣＴＥ）が（３０〜９０）×１０−７／Ｋ以下の低熱膨張セラミックス材料を含む、請求項１６〜１８のいずれか一つに記載のディスプレイ装置シーリング用組成物。
【請求項２０】
前記第１フィラーは、ジルコニウム（Ｚｒ）系セラミックス、コーディエライト、非晶質シリカ、ユークリプタイト、チタン酸アルミナ、スポジュメン、ウィレマイト及びムライトから構成された群から１種以上を含む、請求項１６〜１９のいずれか一つに記載のディスプレイ装置シーリング用組成物。
【請求項２１】
前記ガラス粒子は、Ｖ２Ｏ５が３０ないし５０モル％、ＺｎＯが５ないし３０モル％、ＢａＯが０ないし２０モル％、ＴｅＯ２が０ないし３０モル％、Ｎｂ２Ｏ５が０ないし７モル％、Ａｌ２Ｏ３が０ないし７モル％、ＳｉＯ２が０ないし７モル％、ＣｕＯが０ないし５モル％、ＭｎＯ２が０ないし５モル％、ＣａＯが０ないし５モル％の組成比である、請求項１６〜２０のいずれか一つに記載のディスプレイ装置シーリング用組成物。
【請求項２２】
前記ディスプレイ装置シーリング用組成物は、前記ガラス粒子を５０ないし９０重量％、前記第１フィラーを１ないし５０重量％、前記第２フィラーを１ないし５重量％、含む、請求項１６〜２１のいずれか一つに記載のディスプレイ装置シーリング用組成物。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ディスプレイ装置シーリング用組成物、それを含んだ有機発光ディスプレイ装置、及びその製造方法に係り、さらに詳細には、機械的強度及び流動特性が同時に向上したディスプレイ装置シーリング用組成物、それを含んだ有機発光ディスプレイ装置、及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ディスプレイ装置において、有機発光ディスプレイ装置は、視野角が広く、コントラストにすぐれるだけではなく、応答速度が速いという長所を有しており、次世代ディスプレイ装置として注目を集めている。
【０００３】
一般的に、有機発光ディスプレイ装置は、基板上に、薄膜トランジスタ及び有機発光素子を形成し、有機発光素子が自ら光を発光して作動する。有機発光ディスプレイ装置は、携帯電話のような小型製品のディスプレイ部として使用されたり、テレビのような大型製品のディスプレイ部として使用されたりする。
【０００４】
有機発光ディスプレイ装置は、薄膜トランジスタ、有機発光素子及び配線パターンが形成される下部基板と、上部基板とが密封された構造である。具体的には、下部基板の外郭に沿って、シーリング物質を塗布し、そこに上部基板を搭載した後、紫外線（ＵＶ）を照射するような方法で、シーリング物質を硬化させることにより、下部基板と上部基板とを合着させている。ここで、シーリング物質は、ガラスフリットと、その内部に挿入されるフィラーとからなる。
【０００５】
しかし、従来の有機発光ディスプレイ装置には、ガラスフリットにフィラーを添加する場合、シーリング物質の機械的強度は向上する一方、流動性が低下し、製造過程においてハンドリングが容易ではなく、シーリング物質と基板との界面において結合力が弱化してしまうという問題点が存在した。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、前述のような問題点を含み、多くの問題点を解決するためのものであり、機械的強度及び流動特性が同時に向上したディスプレイ装置シーリング用組成物、それを含んだ有機発光ディスプレイ装置、及びその製造方法を提供することを目的にする。しかし、かような課題は、例示的なものであり、それらによって、本発明の範囲が限定されるものではない。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一観点によれば、ディスプレイ領域、及び前記ディスプレイ領域の外郭に周辺領域を有する下部基板、前記下部基板の前記ディスプレイ領域上に配置されるディスプレイ部、前記下部基板に対向し、前記ディスプレイ部の上部に配置される上部基板、及び前記下部基板の前記周辺領域上に配置され、前記下部基板と前記上部基板とを接合させているシーリング部材と、を具備し、前記シーリング部材は、ガラス粒子、セラミックス材料を含んだ第１フィラー、及び酸化鉄を含んだ第２フィラーを含む、有機発光ディスプレイ装置が提供される。
【０００８】
本実施形態によれば、前記第２フィラーに含まれた前記酸化鉄は、Ｆｅ２Ｏ３でもある。
【０００９】
本実施形態によれば、前記第２フィラーは、結晶性粒子であり、直径が０．１ないし２μｍでもある。
【００１０】
本実施形態によれば、前記第１フィラーは、熱膨張係数（ＣＴＥ：ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ  ｏｆ  ｔｈｅｒｍａｌ  ｅｘｐａｎｓｉｏｎ（熱膨張率ともいう））が（−９０〜５０）×１０−７／Ｋ以下の低熱膨張セラミックス材料を含んで形成されてもよい。
【００１１】
本実施形態によれば、前記第１フィラーは、ジルコニウム（Ｚｒ）系セラミックス、コーディエライト（ｃｏｒｄｉｅｒｉｔｅ）、非晶質シリカ（ｓｉｌｉｃａ）、ユークリプタイト（ｅｕｃｒｙｐｔｉｔｅ）、チタン酸アルミナ（ａｌｕｍｉｎｕｍ  ｔｉｔａｎａｔｅ）、スポジュメン（ｓｐｏｄｕｍｅｎｅ）、ウィレマイト（ｗｉｌｌｅｍｉｔｅ）及びムライト（ｍｕｌｉｔｅ）から構成された群から１種以上を含んでもよい。
【００１２】
本実施形態によれば、前記ガラス粒子は、Ｖ２Ｏ５が３０ないし５０モル％、ＺｎＯが５ないし３０モル％、ＢａＯが０ないし２０モル％、ＴｅＯ２が０ないし３０モル％、Ｎｂ２Ｏ５が０ないし７モル％、Ａｌ２Ｏ３が０ないし７モル％、ＳｉＯ２が０ないし７モル％、ＣｕＯが０ないし５モル％、ＭｎＯ２が０ないし５モル％、ＣａＯが０ないし５モル％の組成比で形成されていてもよい。
【００１３】
本実施形態によれば、前記シーリング部材は、前記ガラス粒子を５０ないし９０重量％（ｗｔ％）、前記第１フィラーを１ないし５０重量％、前記第２フィラーを１ないし５重量％、含んでもよい。
【００１４】
本発明の他の一観点によれば、ディスプレイ領域、及び前記ディスプレイ領域の外郭に周辺領域を有する下部基板を準備する段階と、前記下部基板の前記ディスプレイ領域上に、ディスプレイ部を形成する段階と、前記下部基板の前記周辺領域上に、ガラス粒子、セラミックス材料を含んだ第１フィラー、及び酸化鉄を含んだ第２フィラーを含むシーリング用組成物を形成する段階と、前記下部基板上に上部基板を位置させた後、前記シーリング用組成物を媒介にして、前記下部基板と前記上部基板とを接合する段階と、を含む、有機発光ディスプレイ装置の製造方法が提供される。
【００１５】
本実施形態によれば、前記第２フィラーに含まれた前記酸化鉄は、Ｆｅ２Ｏ３でもある。
【００１６】
本実施形態によれば、前記酸化鉄は、結晶性粒子であり、直径が０．１ないし２μｍでもある。
【００１７】
本実施形態によれば、前記第１フィラーは、熱膨張係数（ＣＴＥ）が（−９０〜５０）×１０−７／Ｋ以下の低熱膨張セラミックス材料を含んで形成することができる。
【００１８】
本実施形態によれば、前記第１フィラーは、ジルコニウム（Ｚｒ）系セラミックス、コーディエライト、非晶質シリカ、ユークリプタイト、チタン酸アルミナ、スポジュメン、ウィレマイト及びムライトから構成された群から１種以上を含んで形成することができる。
【００１９】
本実施形態によれば、前記ガラス粒子は、Ｖ２Ｏ５が３０ないし５０モル％、ＺｎＯが５ないし３０モル％、ＢａＯが０ないし２０モル％、ＴｅＯ２が０ないし３０モル％、Ｎｂ２Ｏ５が０ないし７モル％、Ａｌ２Ｏ３が０ないし７モル％、ＳｉＯ２が０ないし７モル％、ＣｕＯが０ないし５モル％、ＭｎＯ２が０ないし５モル％、ＣａＯが０ないし５モル％の組成比で形成することができる。
【００２０】
本実施形態によれば、前記シーリング用組成物は、ガラス粒子を５０ないし９０重量％（ｗｔ％）、第１フィラーを１ないし５０重量％、第２フィラーを１ないし５重量％で形成することができる。
【００２１】
本実施形態によれば、前記下部基板と前記上部基板とを接合する段階は、前記シーリング用組成物が形成された前記上部基板または前記下部基板にレーザを照射し、前記下部基板及び前記上部基板を接合する段階でもある。
【００２２】
本発明の他の一観点によれば、Ｖ２Ｏ５系のガラス粒子と、セラミックス材料を含む第１フィラーと、酸化鉄を含む第２フィラーと、を具備する、ディスプレイ装置シーリング用組成物が提供される。
【００２３】
本実施形態によれば、前記第２フィラーに含まれた前記酸化鉄は、Ｆｅ２Ｏ３でもある。
【００２４】
本実施形態によれば、前記酸化鉄は、結晶性粒子であり、直径が０．１ないし２μｍでもある。
【００２５】
本実施形態によれば、前記第１フィラーは、熱膨張係数（ＣＴＥ）が（−９０〜５０）×１０−７／Ｋ以下の低熱膨張セラミックス材料を含んで形成されてもよい。
【００２６】
本実施形態によれば、第１フィラーは、ジルコニウム（Ｚｒ）系セラミックス、コーディエライト、非晶質シリカ、ユークリプタイト、チタン酸アルミナ、スポジュメン、ウィレマイト及びムライトから構成された群から１種以上を含んで形成することができる。
【００２７】
本実施形態によれば、前記ガラス粒子は、Ｖ２Ｏ５が３０ないし５０モル％、ＺｎＯが５ないし３０モル％、ＢａＯが０ないし２０モル％、ＴｅＯ２が０ないし３０モル％、Ｎｂ２Ｏ５が０ないし７モル％、Ａｌ２Ｏ３が０ないし７モル％、ＳｉＯ２が０ないし７モル％、ＣｕＯが０ないし５モル％、ＭｎＯ２が０ないし５モル％、ＣａＯが０ないし５モル％の組成比で形成されてもよい。
【００２８】
本実施形態によれば、前記ディスプレイ装置シーリング用組成物は、前記ガラス粒子を５０ないし９０重量％（ｗｔ％）、前記第１フィラーを１ないし５０重量％、前記第２フィラーを１ないし５重量％、含んでもよい。
【００２９】
前述のところ以外の他の側面、特徴、利点は、以下の図面、特許請求の範囲、及び発明の詳細な説明から明確になるであろう。
【００３０】
このような一般的であって具体的な側面は、システム、方法、コンピュータプログラム、あるいはいかなるシステム、方法、コンピュータプログラムの組み合わせを使用して実施される。
【発明の効果】
【００３１】
本発明の一実施形態によれば、機械的強度及び流動特性が同時に向上したディスプレイ装置シーリング用組成物、それを含んだ有機発光ディスプレイ装置、及びその製造方法を具現することができる。しかし、このような効果によって、本発明の範囲が限定されるものではないということは言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】本発明の一実施形態に係わる有機発光ディスプレイ装置を概略的に図示する平面図である。
【図２】図１の有機発光ディスプレイ装置を、ＩＩ−ＩＩ線に沿って切り取った断面を概略的に図示する断面図である。
【図３】図２のディスプレイ部構造を詳細に図示した断面図である。
【図４】図２のシーリング部材を拡大して模式的に図示した拡大図である。
【図５】本発明の一実施形態に係わるシーリング用組成物と比較例との、温度による粘度を測定したグラフである。
【図６】図５のシーリング用組成物と比較例との機械的強度を測定して示した表である。
【図７】本発明の一実施形態に係わる有機発光ディスプレイ装置の製造方法を概略的に図示する断面図である。
【図８】本発明の一実施形態に係わる有機発光ディスプレイ装置の製造方法を概略的に図示する断面図である。
【図９】本発明の一実施形態に係わる有機発光ディスプレイ装置の製造方法を概略的に図示する断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３３】
本発明は、多様な変換を加えることができ、さまざまな実施形態を有することができるが、特定実施形態を図面に例示し、詳細な説明において詳細に説明する。本発明の効果、特徴、及びそれらを達成する方法は、図面と共に詳細に説明する実施形態を参照すれば明確になるであろう。しかし、本発明は、以下で開示される実施形態に限定されるものではなく、多様な形態によっても具現される。
【００３４】
以下、添付された図面を参照し、本発明の実施形態について詳細に説明するが、図面を参照して説明するとき、同一であるか対応する構成要素は、同一図面符号を付し、それに係わる重複説明は省略する。
【００３５】
以下の実施形態において、第１、第２のような用語は、限定的な意味ではなく、１つの構成要素を他の構成要素と区別する目的で使用された。また、単数の表現は、文脈上明白に異なって意味しない限り、複数の表現を含む。
【００３６】
一方、「含む」または「有する」というような用語は、明細書上に記載された特徴または構成要素が存在するということを意味するものであり、１以上の他の特徴または構成要素が付加される可能性を事前に排除するものではない。また、膜、領域、構成要素などの部分が他の部分の「上に」または「上部に」あるとするとき、他の部分の「真上に」または「すぐ上部に」にある場合だけではなく、その中間に、他の膜、領域、構成要素などが介在されている場合も含む。
【００３７】
図面では、説明の便宜のために、構成要素が、その大きさが誇張されていたり縮小されていたりすることがある。例えば、図面に示された各構成の大きさ及び厚みは、説明の便宜のために任意に示されているので、本発明は、必ずしも図示されたところに限定されるものではない。
【００３８】
ｘ軸、ｙ軸及びｚ軸は、直交座標系上の３つの軸に限定されるものではなく、それを含む広い意味に解釈される。例えば、ｘ軸、ｙ軸及びｚ軸は、互いに直交してもよいが、互いに直交せずに、互いに異なる方向を指してもよい。
【００３９】
ある実施形態が異なって具現可能な場合、特定の工程順序は、説明する手順と異なるように遂行されてもよい。例えば、連続して説明する２つの工程が、実質的に同時に遂行されもし、説明する順序と反対の順序に進められてもよい。
【００４０】
図１は、本発明の一実施形態に係わる有機発光ディスプレイ装置を概略的に図示する平面図であり、図２は、図１の有機発光ディスプレイ装置をＩＩ−ＩＩ線に沿って切り取った断面を概略的に図示する断面図である。
【００４１】
図１及び図２を参照すれば、本発明の一実施形態による有機発光ディスプレイ装置は、下部基板１００、下部基板１００上に配置されるディスプレイ部２００、下部基板１００と対向する上部基板４００、及び下部基板１００と上部基板４００とを接合させるシーリング部材３００を含む。
【００４２】
下部基板１００は、ＳｉＯ２を主成分にする透明なガラス材質からなってもよい。下部基板１００は、必ずしもそれに限定されるものではなく、透明なプラスチック材によって形成されてもよい。下部基板１００を形成するプラスチック材は、絶縁性有機物でもあるが、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ：ｐｏｌｙｅｔｈｅｒｓｕｌｐｈｏｎｅ）、ポリアクリレート（ＰＡＲ：ｐｏｌｙａｃｒｙｌａｔｅ）、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ：ｐｏｌｙｅｔｈｅｒｉｍｉｄｅ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ：ｐｏｌｙｅｔｈｙｅｌｅｎｅｎ  ｎａｐｔｈａｌａｔｅ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ：ｐｏｌｙｅｔｈｙｅｌｅｎｅ  ｔｅｒｅｐｔｈａｌａｔｅ）、ポリフェニレンスルフィド（ＰＰＳ：ｐｏｌｙｐｈｅｎｙｌｅｎｅ  ｓｕｌｆｉｄｅ）、ポリアリレート（ｐｏｌｙａｌｌｙｌａｔｅ）、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、セルローストリアセテート（ＴＡＣ）、セルロースアセテートプロピオネート（ＣＡＰ：ｃｅｌｌｕｌｏｓｅ  ａｃｅｔａｔｅ  ｐｒｏｐｉｏｎａｔｅ）からなるグループから選択される有機物でもある。
【００４３】
画像が下部基板１００側に具現される背面発光型である場合、下部基板１００は、透明な材質から形成されなければならない。しかし、画像が下部基板１００の反対側に具現される前面発光型である場合、下部基板１００は、必ずしも透明な材質で形成する必要はない。その場合、金属で下部基板１００を形成することができる。金属で下部基板１００を形成する場合、下部基板１００は、鉄、クロム、マンガン、ニッケル、チタン、モリブデン、ステンレススチール（ＳＵＳ）、Ｉｎｖａｒ合金、Ｉｎｃｏｎｅｌ合金及びＫｏｖａｒ合金からなる群から選択された１以上を含んでもよいが、それらに限定されるものではなく、例えば、炭素が含まれてもよい。
【００４４】
また、図１及び図２には図示されていないが、下部基板１００の上面には、下部基板１００の平滑性、及び不純元素の浸透遮断のためにバッファ層（図示せず）がさらに具備されてもよい。
【００４５】
このような下部基板１００は、複数個の画素が配置されるディスプレイ領域ＤＡと、ディスプレイ領域ＤＡの外郭であって、ディスプレイ領域ＤＡを取り囲む周辺領域ＰＡとを有する。
【００４６】
上部基板４００は、ディスプレイ部２００が具備された下部基板１００上部に配置されてもよい。上部基板４００は、下部基板１００に対向し、ディスプレイ部２００上に配置され、後述するシーリング部材３００を媒介にして、下部基板１００と合着される。
【００４７】
このような上部基板４００も、下部基板１００と同様に、ガラス材基板だけではなく、上述したような多様なプラスチック材の基板を使用することもでき、さらに金属板を使用することもできる。その場合にも、画像が上部基板４００側に具現される前面発光型である場合には、上部基板４００は、透明な材質によって形成されなければならない。しかし、画像が下部基板１００の反対側に具現される前面発光型である場合、下部基板１００は、必ずしも透明な材質から形成する必要はない。
【００４８】
ディスプレイ部２００は、下部基板１００上に配置され、複数個の画素ＰＸを含んでもよい。例えば、それぞれの画素ＰＸは、複数個の薄膜トランジスタＴＦＴ（図３）と、それに電気的に連結された有機発光素子２４０（図３）とを具備することができる。ディスプレイ部２００の詳細な構造については、図３を参照して後述する。
【００４９】
シーリング部材３００は、下部基板１００の周辺領域ＰＡ上に配置され、それを介して、下部基板１００と上部基板４００とが合着される。シーリング部材３００は、ディスプレイ領域ＤＡに配置されたディスプレイ部２００と所定程度離隔されて配置され、下部基板１００の外郭から、やはり所定程度離隔されて内側に配置される。このようなシーリング部材３００は、例えば、ガラスフリットでもある。シーリング部材３００は、前述のように、下部基板１００と上部基板４００とを合着させる役割を行い、それを介して、ディスプレイ部２００が外部から密封される。
【００５０】
図３は、図２のディスプレイ部２００の構造を詳細に図示した断面図である。
【００５１】
図３を参照すれば、下部基板１００上には、薄膜トランジスタ層１９０が配置されるが、このような薄膜トランジスタ層１９０は、薄膜トランジスタＴＦＴ及びキャパシタＣＡＰが配置され、薄膜トランジスタＴＦＴと電気的に連結される有機発光素子２４０が位置することができる。薄膜トランジスタＴＦＴは、非晶質シリコン、多結晶シリコンまたは有機半導体物質を含む半導体層１２０、ゲート電極１４０、ソース電極１６０ｓ及びドレイン電極１６０ｄを含む。以下、薄膜トランジスタＴＦＴの一般的な構成について詳細に説明する。
【００５２】
ます、下部基板１００上には、下部基板１００の面を平坦化させるため、または薄膜トランジスタＴＦＴの半導体層１２０に、不純物などが侵透することを防止するために、酸化シリコンまたは窒化シリコンなどによって形成されたバッファ層１１０が配置され、該バッファ層１１０上に、半導体層１２０が位置する。
【００５３】
半導体層１２０の上部には、ゲート電極１４０が配置されるが、該ゲート電極１４０に印加される信号によって、ソース電極１６０ｓ及びドレイン電極１６０ｄが電気的に疎通される。ゲート電極１４０は、隣接層との密着性、積層される層の表面平坦性、及び加工性などを考慮し、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、マグネシウム（Ｍｇ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、クロム（Ｃｒ）、リチウム（Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）、銅（Ｃｕ）のうち１以上の物質によって、単層または多層に形成される。
【００５４】
このとき、半導体層１２０とゲート電極１４０との絶縁性を確保するために、酸化シリコン及び／または窒化シリコンなどによって形成されるゲート絶縁膜１３０が半導体層１２０とゲート電極１４０との間に介在される。
【００５５】
ゲート電極１４０の上部には、層間絶縁膜１５０が配置されるが、それは、酸化シリコンまたは窒化シリコンなどの物質におり、単層に形成されるか、または多層に形成される。
【００５６】
層間絶縁膜１５０の上部には、ソース電極１６０ｓ及びドレイン電極１６０ｄが配置される。ソース電極１６０ｓ及びドレイン電極１６０ｄは、層間絶縁膜１５０とゲート絶縁膜１３０とに形成されるコンタクトホールを介して、半導体層１２０にそれぞれ電気的に連結される。ソース電極１６０ｓ及びドレイン電極１６０ｄは、導電性などを考慮し、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、マグネシウム（Ｍｇ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、クロム（Ｃｒ）、リチウム（Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）、銅（Ｃｕ）のうち１以上の物質によって、単層または多層に形成される。
【００５７】
一方、図面には図示されていないが、このような構造の薄膜トランジスタＴＦＴの保護のために、薄膜トランジスタＴＦＴを覆う保護膜（図示せず）が配置されてもよい。保護膜は、例えば、酸化シリコン、窒化シリコンまたは酸窒化シリコンのような無機物によって形成される。
【００５８】
一方、下部基板１００の上に、第１絶縁膜１７０が配置される。その場合、第１絶縁膜１７０は、平坦化膜でもあり、保護膜でもある。このような第１絶縁膜１７０は、薄膜トランジスタＴＦＴの上部に、有機発光素子が配置される場合、薄膜トランジスタＴＦＴの上面を概して平坦化させ、薄膜トランジスタＴＦＴ及び各種素子を保護する役割を行う。このような第１絶縁膜１７０は、例えば、アクリル系有機物またはＢＣＢ（ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ）などによって形成される。このとき、図３に図示されているように、バッファ層１１０、ゲート絶縁膜１３０、層間絶縁膜１５０及び第１絶縁膜１７０は、下部基板１００の全面に形成される。
【００５９】
一方、薄膜トランジスタＴＦＴの上部には、第２絶縁膜１８０が配置される。その場合、第２絶縁膜１８０は、画素定義膜でもある。第２絶縁膜１８０は、前述の第１絶縁膜１７０上に位置し、開口を有することができる。このような第２絶縁膜１８０は、下部基板１００上で、画素領域を定義する役割を行う。
【００６０】
このような第２絶縁膜１８０は、例えば、有機絶縁膜によって具備される。このような有機絶縁膜としては、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）のようなアクリル系高分子、ポリスチレン（ＰＳ）、フェノール基を有する高分子誘導体、イミド系高分子、アリールエーテル系高分子、アミド系高分子、フッ素系高分子、ｐ−キシレン系高分子、ビニルアルコール系高分子、及びそれらの混合物などを含んでもよい。
【００６１】
一方、第２絶縁膜１８０上には、有機発光素子２４０が配置される。有機発光素子２４０は、画素電極２１０、発光層（ＥＭＬ：ｅｍｉｓｓｉｏｎ  ｌａｙｅｒ）を含む中間層２２０及び対向電極２３０を含んでもよい。
【００６２】
画素電極２１０は、半透明電極（以下（半）と記す）または透明電極、または反射型電極によって形成される。（半）透明電極に形成されるときには、例えば、ＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）、ＺｎＯ、Ｉｎ２Ｏ３、ＩＧＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｇａｌｌｉｕｍ  ｏｘｉｄｅ）またはＡＺＯ（ａｌｕｍｉｎｕｍ  ｄｏｐｅｄ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）によって形成される。反射型電極に形成されるとき、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒ及びそれらの化合物などによって形成された反射漠と、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ、Ｉｎ２Ｏ３、ＩＧＯまたはＡＺＯによって形成された層とを有することができる。しかし、本発明は、それらに限定されるものではなく、多様な材質によって形成され、その構造も、単層または多層になってもよいなど多様な変形が可能であるということは言うまでもない。
【００６３】
第２絶縁膜１８０によって定義された画素領域には、中間層２２０がそれぞれ配置される。このような中間層２２０は、電気的信号によって光を発光する発光層（ＥＭＬ）を含み、発光層（ＥＭＬ）以外にも発光層（ＥＭＬ）と画素電極２１０との間に配置されるホール注入層（ＨＩＬ：ｈｏｌｅ  ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ  ｌａｙｅｒ）、ホール輸送層（ＨＴＬ：ｈｏｌｅ  ｔｒａｎｓｐｏｒｔ  ｌａｙｅｒ）、及び発光層（ＥＭＬ）と対向電極２３０との間に配置される電子輸送層（ＥＴＬ：ｅｌｅｃｔｒｏｎ  ｔｒａｎｓｐｏｒｔ  ｌａｙｅｒ）、電子注入層（ＥＩＬ：ｅｌｅｃｔｒｏｎ  ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ  ｌａｙｅｒ）などが、単一あるいは複合の構造に積層されて形成される。しかし、中間層２２０は、必ずしもそれらに限定されるものではなく、多様な構造を有するということは言うまでもない。このとき、ホール輸送層（ＨＴＬ）、ホール注入層（ＨＩＬ）、電子輸送層（ＥＴＬ）及び電子注入層（ＥＩＬ）は、基板全面に一体に形成され、発光層だけインクジェットプリンティング工程で画素別に形成される。
【００６４】
このような中間層２２０は、低分子有機物または高分子有機物でもある。
【００６５】
中間層２２０が低分子有機物である場合、発光層（ＥＭＬ）を中心に、ホール輸送層（ＨＴＬ）、ホール注入層（ＨＩＬ）、電子輸送層（ＥＴＬ）及び電子注入層（ＥＩＬ）などが積層される。それ以外にも、必要によって多様な層が積層になってもよい。このとき、使用可能な有機材料で、銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ：ｃｏｐｐｅｒ  ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ）、Ｎ’−ジ（ナフタレン−１−イル）−Ｎ、Ｎ’−ジフェニル−ベンジジン（ＮＰＢ）、トリス−８−ヒドロキシキノリンアルミニウム（Ａｌｑ３）などを含め、多様に適用可能である。
【００６６】
中間層２２０が高分子有機物である場合、中間層２２０以外に、ホール輸送層（ＨＴＬ）が含まれてもよい。ホール輸送層は、ポリエチレンジヒドロキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）やポリアニリン（ＰＡＮＩ）などを使用することができる。このとき、使用可能な有機材料として、ＰＰＶ（ｐｏｌｙ−ｐｈｅｎｙｌｅｎｅ  ｖｉｎｙｌｅｎｅ）系及びポリフルオレン（ｐｏｌｙｆｌｕｏｒｅｎｅ）系などの高分子有機物を使用することができる。また、中間層２２０、画素電極２１０及び対向電極２３０の間には無機材料がさらに具備されもする。
【００６７】
発光層（ＥＭＬ）を含む中間層２２０を覆い、画素電極２１０に対向する対向電極２３０が、下部基板１００の全面にかけて配置される。対向電極２３０は、（半）透明電極または反射型電極に形成される。
【００６８】
対向電極２３０が（半）透明電極に形成されるときには、仕事関数が小さい金属、すなわち、Ｌｉ、Ｃａ、ＬｉＦ／Ｃａ、ＬｉＦ／Ａｌ、Ａｌ、Ａｇ、Ｍｇ、及びそれらの化合物によって形成された層と、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯまたはＩｎ２Ｏ３などの（半）透明導電層とを有することができる。対向電極２３０が反射型電極に形成されるときには、Ｌｉ、Ｃａ、ＬｉＦ／Ｃａ、ＬｉＦ／Ａｌ、Ａｌ、Ａｇ、Ｍｇ、及びそれらの化合物によって形成された層を有することができる。しかし、対向電極２３０の構成及び材料は、それらに限定されるものではなく、多様な変形が可能であるということは言うまでもない。
【００６９】
図４は、図２のシーリング部材３００を拡大して模式的に図示した拡大図である。
【００７０】
図４を参照すれば、シーリング部材３００は、ガラス粒子３１０、第１フィラー３２０及び第２フィラー３３０を含んでもよい。本実施形態によるシーリング部材３００は、例えば、ガラスフリットでもある。
【００７１】
このようなシーリング部材３００を形成するためには、図示されていないが、まずガラスフリットペースト（ｇｌａｓｓ  ｆｒｉｔ  ｐａｓｔｅ）を作らなければならない。このようなガラスフリットペーストは、固形分であるガラス粒子３１０と、液状であるビークル（ｖｅｈｉｃｌｅ）とから構成される。ここで、ガラス粒子３１０は、普通４個以上の化合物組成を有するガラスを満遍なく砕いた粉であり、焼成が終わった後のシーリング部材３００の厚みをｔｆｒｉｔとすれば、その直径がｔｆｒｉｔの２０％以内になるように、乾式ミリング（ｍｉｌｌｉｎｇ）を行う。普通ｔｆｒｉｔがおよそ３〜３０μｍであるので、ガラス粒子３１０の平均粒径は、およそ０．６〜６μｍに形成される。
【００７２】
本実施形態によるガラス粒子３１０は、Ｖ２Ｏ５系物質によって形成される。詳細には、ガラス粒子３１０は、Ｖ２Ｏ５が３０ないし５０モル％、ＺｎＯが５ないし３０モル％、ＢａＯが０ないし２０モル％、ＴｅＯ２が０ないし３０モル％、Ｎｂ２Ｏ５が０ないし７モル％、Ａｌ２Ｏ３が０ないし７モル％、ＳｉＯ２が０ないし７モル％、ＣｕＯが０ないし５モル％、ＭｎＯ２が０ないし５モル％、ＣａＯが０ないし５モル％の組成比を有するように形成される。
【００７３】
このようなシーリング部材３００を使用する有機発光ディスプレイ装置の下部基板１００及び上部基板４００は、熱工程前／後のパターン精度維持のために、低い熱膨張係数（ＣＴＥ：ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ  ｏｆ  ｔｈｅｒｍａｌ  ｅｘｐａｎｓｉｏｎ）を有するガラスを使用するために、ガラスフリットペーストに使用されるガラス粒子３１０も、下部基板１００及び上部基板４００との熱膨張係数を合わせるために、それと最大限類似している熱膨張係数を有するようにすることが好ましい。
【００７４】
シーリング部材３００を局所的に溶融させ、下部基板１００と上部基板４００とを接合するためには、シーリング部材３００が可能な限り低温で溶けなければならず、溶けた後には、良好に流れ、下部基板１００及び上部基板４００と強い機械的な結合を形成しなければならない。このようなガラスは、物理的に高い熱膨張係数を有し、分子間の結合力も脆弱であり、極めて弱い耐衝撃性を有する。すなわち、小さい外力にもクラック（ｃｒａｃｋ）が発生しやすくなる。
【００７５】
従って、ガラス粒子３１０のこのような弱い耐衝撃性及び高い熱膨張係数を補償するために、ガラスフリットペーストを構成するとき、熱膨張係数が高いガラス粒子３１０に、熱膨張係数が相対的に低いセラミックス材料を含む第１フィラー３２０（ｆｉｌｌｅｒ）を添加する。このように、第１フィラー３２０は、基本的に、ガラス粒子３１０の熱膨張係数より低い熱膨張係数を有する物質であるならばよく、最適には、構造的な安定性及び低い熱膨張係数を具現するために、熱膨張係数が（−９０〜５０）×１０−７／Ｋ以下の低熱膨張セラミックス材料を含んで形成される。このような物質としては、例えば、ジルコニウム（Ｚｒ）系セラミックスまたはコーディエライト（ｃｏｒｄｉｅｒｉｔｅ）、非晶質シリカ（ｓｉｌｉｃａ）、ユークリプタイト（ｅｕｃｒｙｐｔｉｔｅ）、チタン酸アルミナ（ａｌｕｍｉｎｕｍ  ｔｉｔａｎａｔｅ）、スポジュメン（ｓｐｏｄｕｍｅｎｅ）、ウィレマイト（ｗｉｌｌｅｍｉｔｅ）、ムライト（ｍｕｌｉｔｅ）及びリン酸ケイ酸ジルコニウム（ＺＷＰ）などが使用される。このように、第１フィラー３２０をガラス粒子３１０と混合することにより、シーリング部材３００の機械的な強度（例えば、Ｙｏｕｎｇ’ｓ  ｍｏｄｕｌｕｓ、ｆｒａｃｔｕｒｅ  ｔｏｕｇｈｎｅｓｓなど）を向上させることができる。
【００７６】
しかし、このように、シーリング部材３００が第１フィラー３２０を含む場合、シーリング部材３００の機械的な強度が向上するにはするが、落下衝撃時、第１フィラー３２０に応力が集中し、むしろ製品が破損されるという現象が発生してしまう。
【００７７】
また、そのように、ガラス粒子３１０に第１フィラー３２０を添加する場合、流動性（ｆｌｏｗａｂｉｌｉｔｙ）が急激に低下してしまうという問題点が発生する。言い換えれば、シーリング部材３００のガラス転移温度（Ｔｇ：ｇｌａｓｓ  ｔｒａｎｓｉｔｉｏｎ  ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ）は、下部基板１００及び上部基板４００のガラス転移温度（Ｔｇ）より低いという関係で、下部基板１００及び上部基板４００と、シーリング部材３００との界面で化学的な結合が行われず、界面において、シーリング部材３００の分子が、下部基板１００及び上部基板４００の分子を取り押さえる、いわゆる、機械的な結合が起きる。このような機械的な結合が円滑に行われるためには、高い流動性が要求されるが、前述のように、ガラス粒子に第１フィラー３２０のみを添加する場合、シーリング部材３００の流動性が急激に低下する。
【００７８】
結果として、ガラス粒子３１０に第１フィラー３２０を添加することにより、ガラス粒子３１０の弱い耐衝撃性の補完、高い熱膨張係数の補償、及び機械的な強度が向上するのに比べ、シーリング部材３００が、下部基板１００と上部基板４００とを合着させるのに必要な流動性が低下するという問題点がある。
【００７９】
従って、本発明の実施形態による有機発光ディスプレイ装置では、シーリング部材３００に、第１フィラー３２０以外の酸化鉄を含む第２フィラー３３０を添加することにより、ガラス粒子３１０の特性を改善すると共に、第１フィラー３２０だけ添加した場合に発生しうる流動性イシューを画期的に補完することができる。
【００８０】
第２フィラー３３０は、酸化鉄を含んで形成され、第２フィラー３３０を形成する酸化鉄は、Ｆｅ２Ｏ３でもある。このような第２フィラー３３０は、直径が０．１ないし２μｍである結晶性粒子によって形成される。
【００８１】
シーリング部材３００は、前述のように、ガラス粒子３１０、第１フィラー３２０及び第２フィラー３３０を含んでもよい。その場合、シーリング部材３００は、５０ないし９０重量％（ｗｔ％）のガラス粒子３１０、１ないし５０重量％の第１フィラー３２０、１ないし５重量％の第２フィラー３３０を含んでもよく、望ましくは、７０ないし８５重量％のガラス粒子３１０、２５ないし３０重量％の第１フィラー３２０、１ないし３重量％の第２フィラー３３０を含んでもよい。
【００８２】
そのように、シーリング部材３００が第１フィラー３２０以外に、酸化鉄から形成された第２フィラー３３０を含むことにより、シーリング部材３００の機械的強度を改善させると共に、流動性を画期的に補完することができる。
【００８３】
図５は、本発明の一実施形態に係わるシーリング用組成物と比較例との、温度による粘度を測定したグラフである。
【００８４】
図５を参照すれば、第２フィラー３３０添加による粘度−温度特性について測定したグラフにおいて、Ｘ軸は、温度勾配を示し、Ｙ軸は、温度による粘度変化を示している。図５のグラフは、比較例及び実施形態としてＡ、Ａ’及びＢを開示しているが、ここで、Ａは、比較例１、Ａ’は、比較例２、そしてＢは、本発明の実施形態を意味する。図５のグラフは、ガラス基板上に、Ａ、Ａ’及びＢを塗布した後、その特性を測定したものである。実施形態であるＢは、本発明の一実施形態によるディスプレイ装置シーリング用組成物、比較例１であるＡは、フィラーの添加なしにガラス粒子３１０だけで形成されたガラスフリットペースト、比較例２であるＡ’は、Ａに第１フィラー３２０のみを添加した場合の温度による粘度特性を示したものである。
【００８５】
まず、粘度による温度の定義について述べれば、粘度が１３．３である場合の温度をガラス転移温度（Ｔｇ）、粘度が８．９である場合の温度を「ｆｉｒｓｔ  ｓｈｒｉｎｋａｇｅ」、すなわち、収縮が起こり始める温度（ＴＦＳ）、粘度が７．９である場合の温度を「ｍａｘｉｍｕｍ  ｓｈｒｉｎｋａｇｅ」、すなわち、最大収縮が起こる温度、粘度が６．６である場合の温度を「ｓｏｆｔｅｎｉｎｇ  ｐｏｉｎｔ」、すなわち、ガラスが溶け始める温度（ＴＳＰ）、粘度が４．５である場合の温度を「ｈａｌｆ  ｂａｌｌ  ｐｏｉｎｔ」、すなわち、ガラスが溶けて半球状になる温度（ＴＨＰＢ）、粘度が３．１である場合の温度を「ｆｌｏｗ  ｐｏｉｎｔ」、すなわち、ガラスが完全に溶けて広がる温度と定義する。
【００８６】
図５を参照すれば、Ａ、Ａ’及びＢは、いずれも約２７６℃でガラス転移温度を有する。その後、ガラス転移温度から温度がだんだんと高くなる場合、まず、Ａは、ｆｉｒｓｔ  ｓｈｒｉｎｋａｇｅ（ＴＦＳ）が約２７４℃、ｓｏｆｔｅｎｉｎｇ  ｐｏｉｎｔ（ＴＳＰ）が約３３１℃、ｈａｌｆ  ｂａｌｌ  ｐｏｉｎｔ（ＴＨＰＢ）が約５００℃であると分かった。ここに対し、第１フィラー３２０を添加したＡ’は、ｆｉｒｓｔ  ｓｈｒｉｎｋａｇｅ（ＴＦＳ）が約２７０℃、ｓｏｆｔｅｎｉｎｇ  ｐｏｉｎｔ（ＴＳＰ）が約６６８℃、ｈａｌｆ  ｂａｌｌ  ｐｏｉｎｔ（ＴＨＰＢ）は、測定温度範囲を外れるほどに高く特定された。すなわち、第１フィラー３２０のみを添加したＡ’では、同粘度に達するための温度が非常に上昇するように示されることが分かり、それは、第１フィラー３２０の添加により、シーリング用組成物の機械的強度は上昇するが、流動性が非常に低下するということが分かる。
【００８７】
このとき、Ｆｅ２Ｏ３からなる酸化鉄を含む第２フィラー３３０が添加された本実施形態Ｂでは、ｆｉｒｓｔ  ｓｈｒｉｎｋａｇｅ（ＴＦＳ）が約２８０℃、ｓｏｆｔｅｎｉｎｇ  ｐｏｉｎｔ（ＴＳＰ）が約４３４℃、ｈａｌｆ  ｂａｌｌ  ｐｏｉｎｔ（ＴＨＰＢ）が約５４３℃と、Ａよりは若干上昇したが、Ａ’に比べては、温度が顕著に低くなった。それは、第２フィラー３３０の添加により、シーリング用組成物の機械的強度を補完しながらも、流動特性が非常に向上するということが分かる。
【００８８】
図６は、図５のシーリング用組成物と比較例との機械的強度を測定して示した表である。
【００８９】
図６を参照すれば、実施形態Ｂは、本発明の一実施形態によるディスプレイ装置シーリング用組成物、比較例に提示されたＡは、第１フィラー３２０のみを添加した場合である。図６では、それぞれ比較例Ａと実施形態Ｂとを使用して、有機発光ディスプレイパネルを封止した後、パネルの機構強度を測定したものである。すなわち、封止されたパネルの接着強度と衝撃強度とを測定し、シーリング用組成物の封止能を比較評価した。ここで、衝撃強度（動的強度）とは、シーリング用組成物を、条件別にそれぞれ２０個ずつパネル上端中央部分に、一定重さ（３００ｇ）を有する振り子を落下させ、パネルのシーリング部材３００が破壊される高さから強度を算出する方式である。また、接着強度（静的強度）とは、パネル封止のエッジ部分をマウントで接着させた後、パネルを上下に引っ張りながら、シーリング部材３００が破壊される力から強度を算出する方式である。
【００９０】
まず、衝撃強度の実験結果を見れば、比較例Ａは、平均して７．６５ｃｍでディスプレイパネルのシーリング部材３００が破壊された一方、第２フィラー３３０が含まれた実施形態Ｂでは、１２．０５ｃｍの高さでディスプレイパネルのシーリング部材３００が破壊されたということが分かる。すなわち、第２フィラー３３０を含む実施形態Ｂのシーリング用組成物が、比較例Ａに比べ、外部衝撃に対して約２倍に近い衝撃強度の優秀性を示した。
【００９１】
また、接着強度の実験結果でも、比較例Ａは、平均して６．０４ＫｇＦの力でディスプレイパネルを引っ張ったとき、シーリング部材３００が破壊された一方、第２フィラー３３０が含まれた実施形態Ｂでは、６．５２ＫｇＦの力でディスプレイパネルを引っ張ったとき、シーリング部材３００が破壊されたということが分かる。すなわち、第２フィラー３３０を含む実施形態Ｂのシーリング用組成物が、比較例Ａに比べ、下部基板１００と上部基板４００とを接合させる能力が向上した。
【００９２】
以上、ディスプレイ装置シーリング用組成物、及びそれを含んだ有機発光ディスプレイ装置についてのみ主に説明したが、本発明は、それらに限定されるものではない。例えば、このようなディスプレイ装置シーリング用組成物、及びそれを含んだ有機発光ディスプレイ装置を製造するための有機発光ディスプレイ装置の製造方法も、本発明の範囲に属するものである。
【００９３】
図７ないし図９は、本発明の一実施形態に係わる有機発光ディスプレイ装置の製造方法を概略的に図示する断面図である。
【００９４】
図７を参照すれば、まず、ディスプレイ領域ＤＡと、ディスプレイ領域ＤＡ外郭の周辺領域ＰＡとを有する下部基板１００を準備する段階を経る。このような下部基板１００は、ＳｉＯ２を主成分とする透明なガラス材質からなってもよい。下部基板１００は、必ずしもそれに限定されるものではなく、透明なプラスチック材から形成されてもよい。下部基板１００を形成するプラスチック材は、絶縁性有機物でもあるが、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリアクリレート（ＰＡＲ）、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリフェニレンスルフィド（ＰＰＳ）、ポリアリレート、ポリイミド、ポリカーボネート（ＰＣ）、セルローストリアセテート（ＴＡＣ）、セルロースアセテートプロピオネート（ＣＡＰ）からなるグループから選択される有機物でもある。
【００９５】
画像が下部基板１００側に具現される背面発光型である場合、下部基板１００は、透明な材質から形成されなければならない。しかし、画像が下部基板１００の反対側に具現される前面発光型である場合、下部基板１００は、必ずしも透明な材質から形成する必要はない。その場合、金属で下部基板１００を形成することができる。金属で下部基板１００を形成する場合、下部基板１００は、鉄、クロム、マンガン、ニッケル、チタン、モリブデン、ステンレススチール（ＳＵＳ）、Ｉｎｖａｒ合金、Ｉｎｃｏｎｅｌ合金及びＫｏｖａｒ合金からなる群から選択された１以上を含んでもよいが、それらに限定されるものではなく、例えば、炭素も含まれてもよい。
【００９６】
下部基板１００のディスプレイ領域ＤＡ上に、ディスプレイ部２００を形成する段階を経る。ディスプレイ部２００は、複数個の画素ＰＸを含んで形成することができる。前述のように、それぞれの画素ＰＸは、複数個の薄膜トランジスタＴＦＴと、それに電気的に連結された有機発光素子２４０とを具備することができる。ディスプレイ部２００の詳細な構造及び製造過程については、図３の説明を援用する。
【００９７】
次に、図８を参照すれば、下部基板１００の周辺領域ＰＡ上に、シーリング用組成物３００’を塗布する段階を経る。シーリング用組成物３００’は、ガラス粒子３１０、セラミックス材料を含んだ第１フィラー３２０、及び酸化鉄を含んだ第２フィラー３３０を含んでもよい。
【００９８】
ガラス粒子３１０は、Ｖ２Ｏ５系物質から形成され、詳細には、Ｖ２Ｏ５が３０ないし５０モル％、ＺｎＯが５ないし３０モル％、ＢａＯが０ないし２０モル％、ＴｅＯ２が０ないし３０モル％、Ｎｂ２Ｏ５が０ないし７モル％、Ａｌ２Ｏ３が０ないし７モル％、ＳｉＯ２が０ないし７モル％、ＣｕＯが０ないし５モル％、ＭｎＯ２が０ないし５モル％、ＣａＯが０ないし５モル％の組成比を有するように形成される。
【００９９】
このようなガラス粒子３１０は、物理的に高い熱膨張係数を有することになり、分子間の結合力も脆弱であって極めて弱い耐衝撃性を有する。従って、ガラス粒子３１０のこのような弱い耐衝撃性及び高い熱膨張係数を補償するために、ガラスフリットペーストを構成するとき、熱膨張係数が高いガラス粒子３１０に、熱膨張係数が相対的に低いセラミックス材料を含む第１フィラー３２０を添加する。
【０１００】
そのように、第１フィラー３２０は、基本的に、ガラス粒子３１０の熱膨張係数より低い熱膨張係数を有する物質であるならばよく、最適に構造的な安定性及び低い熱膨張係数を具現するために、熱膨張係数が（−９０〜５０）×１０−７／Ｋ以下の低熱膨張セラミックス材料を含んで形成される。このような物質としては、例えば、ジルコニウム（Ｚｒ）系セラミックス、コーディエライト、非晶質シリカ、ユークリプタイト、チタン酸アルミナ、スポジュメン、ウィレマイト、ムライト及びＺＷＰなどが使用される。そのように、第１フィラー３２０をガラス粒子３１０と混合し、シーリング部材３００の機械的な強度を向上させることができる。
【０１０１】
しかし、そのように、ガラス粒子３１０に第１フィラー３２０を添加することにより、ガラス粒子３１０の弱い耐衝撃性が補完され、高い熱膨張係数の補償及び機械的な強度が向上するのに比べ、シーリング部材３００が、下部基板１００と上部基板４００とを合着させるのに必要な流動性が低下するという問題点がある。
【０１０２】
従って、本発明の実施形態による有機発光ディスプレイ装置においては、シーリング部材３００に、第１フィラー３２０以外の酸化鉄を含む第２フィラー３３０を添加することにより、ガラス粒子３１０の特性を改善すると共に、第１フィラー３２０だけ添加した場合に発生しうる流動性イシューを画期的に補完することができる。
【０１０３】
このような第２フィラー３３０は、酸化鉄を含んで形成され、第２フィラー３３０を形成する酸化鉄は、Ｆｅ２Ｏ３でもある。このような第２フィラー３３０は、直径が０．１ないし２μｍである結晶性粒子によって形成される。
【０１０４】
シーリング部材３００は、前述のように、ガラス粒子３１０、第１フィラー３２０及び第２フィラー３３０を含んでもよい。その場合、シーリング部材３００は、５０ないし９０重量％（ｗｔ％）のガラス粒子３１０、１ないし５０重量％の第１フィラー３２０、１ないし５重量％の第２フィラー３３０を含んでもよく、望ましくは、７０ないし８５重量％のガラス粒子３１０、２５ないし３０重量％の第１フィラー３２０、１ないし３重量％の第２フィラー３３０を含んでもよい。
【０１０５】
その後、図９を参照すれば、下部基板１００上に、上部基板４００を位置させた後、シーリング部材３００を媒介にして、下部基板１００と上部基板４００とを接合する段階を経る。すなわち、下部基板１００に形成されたシーリング部材３００上に、上部基板４００を位置させた後、シーリング部材３００が形成された上部基板４００に、レーザ５００を照射し、上部基板４００と下部基板１００とを接合させることができる。図９には図示されていないが、シーリング部材３００が形成された下部基板１００にレーザを照射し、上部基板４００と下部基板１００とを接合させることもできる。
【０１０６】
そのように、シーリング部材３００が第１フィラー３２０以外に、酸化鉄から形成された第２フィラー３３０を含むことにより、シーリング部材３００の機械的強度を改善させると共に、流動性を画期的に補完することができる。
【０１０７】
本発明は、図面に図示された実施形態を参照して説明したが、それらは例示的なものに過ぎず、当該技術分野で当業者であるならば、それらから多様な変形及び均等な他の実施形態が可能であるという点を理解するであろう。従って、本発明の真の技術的保護範囲は、特許請求の範囲の技術的思想によって定められるものである。
【産業上の利用可能性】
【０１０８】
本発明のディスプレイ装置シーリング用組成物、それを含んだ有機発光ディスプレイ装置、及びその製造方法は、例えば、ディスプレイ関連の技術分野に効果的に適用可能である。
【符号の説明】
【０１０９】
１００    下部基板
１１０    バッファ層
１２０    半導体層
１３０    ゲート絶縁膜
１４０    ゲート電極
１５０    層間絶縁膜
１６０ｄ    ドレイン電極
１６０ｓ    ソース電極
１７０    第１絶縁膜
１８０    第２絶縁膜
１９０    薄膜トランジスタ層
２００    ディスプレイ部
２１０    画素電極
２２０    中間層
２３０    対向電極
２４０    有機発光素子
３００    シーリング部材
３００’    シーリング用組成物
３１０    ガラス粒子
３２０    第１フィラー
３３０    第２フィラー
４００    上部基板
５００    レーザ
ＣＡＰ    キャパシタ
ＤＡ    ディスプレイ領域
ＰＡ    周辺領域
ＰＸ    画素
ＴＦＴ    薄膜トランジスタ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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