(57)【要約】【課題】本発明は、回路基板および回路基板の製造方法に関する。【解決手段】グラファイトまたはグラフェン材質からなる層が金属材の間に備えられてなる熱伝達用構造体が絶縁層に挿入され、回路基板の放熱性能の向上、軽薄短小化、信頼性の向上、ノイズの減少、製造効率の向上の少なくとも一つが可能な回路基板が開示される。【選択図】図１Ａ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層と、前記絶縁層の少なくとも一部の絶縁層に少なくとも一部が挿入される熱伝達用構造体と、前記絶縁層に形成される金属層と、前記絶縁層の少なくとも一つの絶縁層を貫通して、前記金属層の少なくとも二つの金属層を連結するビアと、を含む回路基板であって、
前記熱伝達用構造体は、グラファイトまたはグラフェン材質の第１層と、前記第１層の一面に備えられ、金属材質からなる第２層と、前記第１層の他面に備えられ、金属材質からなる第３層と、を含み、
前記第１層と前記第２層との間の境界面または前記第１層と前記第３層との間の境界面は、前記絶縁層の間の境界面に対して垂直をなす、回路基板。
【請求項２】
前記第１層を貫通し、前記第２層および前記第３層をなす金属材質と同一の金属が充填される複数のスルーホールをさらに含む、請求項１に記載の回路基板。
【請求項３】
前記第２層および前記第３層と、前記複数のスルーホールに充填される金属は一体をなすように構成される、請求項２に記載の回路基板。
【請求項４】
前記グラファイトまたは前記グラフェンのＸＹ平面は、前記第１層と前記第２層との間の境界面と平行をなす、請求項１〜３のいずれか１項に記載の回路基板。
【請求項５】
前記第１層が複数個互いに離隔して配置されて前記熱伝達用構造体をなす、請求項４に記載の回路基板。
【請求項６】
前記熱伝達用構造体の少なくとも一部が挿入されるキャビティ（ｃａｖｉｔｙ）を含む第１絶縁層と、
前記第１絶縁層の上方に備えられる第２絶縁層を通過する第１ビアと、
前記第１絶縁層の下方に備えられる第３絶縁層を通過する第２ビアと、
前記第２絶縁層の外面に備えられ、前記第１ビアの一端が接触する第１金属パターンと、
前記第３絶縁層の外面に備えられ、前記第２ビアの一端が接触する第２金属パターンと、をさらに含み、
前記第１層と前記第２層との間の境界面および前記第１層と前記第３層との間の境界面は、前記第１絶縁層と前記第２絶縁層との間の境界面と垂直をなす、請求項１〜５のいずれか１項に記載の回路基板。
【請求項７】
絶縁層と、前記絶縁層の少なくとも一部の絶縁層に少なくとも一部が挿入される熱伝達用構造体と、前記絶縁層に形成される金属層と、前記絶縁層の少なくとも一つの絶縁層を貫通して、前記金属層の少なくとも二つの金属層を連結するビアと、を含む回路基板であって、
前記熱伝達用構造体は、
グラファイトまたはグラフェン材質からなり、複数のスルーホールを含む第１層と、
前記第１層の一面および他面にそれぞれ備えられる金属材質の第２層および第３層と、を含み、
前記複数のスルーホールを貫通する金属材により前記第２層と前記第３層が一体をなすように構成される、回路基板。
【請求項８】
前記第１層と前記第２層との間の境界面または前記第１層と前記第３層との間の境界面は、前記絶縁層の間の境界面に対して水平をなす、請求項７に記載の回路基板。
【請求項９】
前記グラファイトまたは前記グラフェンのＸＹ平面は、前記第１層と前記第２層との間の境界面と平行をなす、請求項８に記載の回路基板。
【請求項１０】
絶縁層と、前記絶縁層の少なくとも一部の絶縁層に少なくとも一部が挿入される熱伝達用構造体と、前記絶縁層に形成される金属層と、前記絶縁層の少なくとも一つの絶縁層を貫通して、前記金属層の少なくとも二つの金属層を連結するビアと、を含む回路基板を製造する回路基板の製造方法であって、
前記熱伝達用構造体を形成する過程は、
グラファイトまたはグラフェン材質からなり、複数のスルーホールが備えられた第１層を提供する段階と、
前記第１層の一面、前記第１層の他面および前記複数のスルーホールに金属材を提供して第２層および第３層を一体をなすように形成する段階と、を含む、回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路基板および回路基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子機器の軽量化、小型化、高速化、多機能化、および高性能化の傾向に対応するために、プリント回路基板（Ｐｒｉｎｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ  Ｂｏａｒｄ；ＰＣＢ）などの回路基板に複数の配線層を形成する、いわゆる多層基板技術が開発されており、さらに、能動素子や受動素子などの電子部品を多層基板に搭載する技術も開発されている。
【０００３】
一方、多層基板に連結されるアプリケーションプロセッサ（Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ  ｐｒｏｃｅｓｓｏｒ；ＡＰ）などの多機能化および高性能化により、発熱量が著しく増加している状況である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】韓国登録特許第１０−０９７６２０１号公報
【特許文献２】特開２０００−３４９４３５号公報
【特許文献３】特開平１１−２８４３００号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の一つの目的は、回路基板の放熱性能の向上、軽薄短小化、信頼性の向上、ノイズの減少、製造効率の向上の少なくとも一つが可能な技術を提供することにある。
【０００６】
本発明が解消しようとする技術的課題は、上述の技術的課題に制限されず、言及されていない他の技術的課題は、以下の記載から本発明が属する技術分野における通常の知識を有する者が明確に理解することができる。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の例示的な実施形態による回路基板は、グラファイトまたはグラフェン材質の第１層と、前記第１層の一面に備えられ、金属材質からなる第２層と、前記第１層の他面に備えられ、金属材質からなる第３層と、を含む熱伝達用構造体の少なくとも一部が絶縁層に挿入される。
【０００８】
この際、前記第１層と前記第２層との間の境界面または前記第１層と前記第３層との間の境界面は、前記絶縁層の間の境界面に対して垂直をなすことができる。
【０００９】
また、前記第１層を貫通し、前記第２層および前記第３層をなす金属材質と同一の金属が充填される複数のスルーホールをさらに含むことができ、前記第２層および前記第３層と、前記複数のスルーホールに充填される金属は一体をなすように構成されることができる。
【００１０】
また、前記グラファイトまたは前記グラフェンのＸＹ平面は、前記第１層と前記第２層との間の境界面と平行をなすことができる。
【００１１】
また、前記第１層が複数個互いに離隔して配置されることができる。
【００１２】
また、前記熱伝達用構造体の少なくとも一部が挿入されるキャビティを含む第１絶縁層と、前記第１絶縁層の上方に備えられる第２絶縁層を通過する第１ビアと、前記第１絶縁層の下方に備えられる第３絶縁層を通過する第２ビアと、前記第２絶縁層の外面に備えられ、前記第１ビアの一端が接触する第１金属パターンと、前記第３絶縁層の外面に備えられ、前記第２ビアの一端が接触する第２金属パターンと、をさらに含み、前記第１層と前記第２層との間の境界面および前記第１層と前記第３層との間の境界面は、前記第１絶縁層と前記第２絶縁層との間の境界面と垂直をなすことができる。
【００１３】
本発明の一実施形態による回路基板は、絶縁層と、前記絶縁層に形成される金属層と、前記絶縁層の少なくとも一つの絶縁層を貫通して、前記金属層の少なくとも二つの金属層を連結するビアと、熱伝達用構造体と、を含む回路基板であって、前記熱伝達用構造体は、グラファイトまたはグラフェン材質からなり、複数のスルーホールを含む第１層と、前記第１層の一面および他面にそれぞれ備えられる金属材質の第２層および第３層と、を含み、前記スルーホールを貫通する金属材により前記第２層と前記第３層が一体をなすように構成されることができる。
【００１４】
この際、前記第１層と前記第２層との間の境界面または前記第１層と前記第３層との間の境界面は、前記絶縁層の間の境界面に対して水平をなすことができる。
【００１５】
また、前記グラファイトまたは前記グラフェンのＸＹ平面は、前記第１層と前記第２層との間の境界面と平行をなすことができる。
【００１６】
本発明の一実施形態による回路基板の製造方法は、グラファイトまたはグラフェン材質からなり、複数のスルーホールが備えられた第１層の一面、前記第１層の他面および前記複数のスルーホールに金属材を提供して第２層および第３層を一体をなすように形成する段階を含んで熱伝達用構造体を形成し、この熱伝達用構造体を絶縁層に挿入する。
【発明の効果】
【００１７】
本発明の一実施形態によれば、回路基板が軽薄短小化するとともに、放熱性能が向上する。
【００１８】
また、回路基板の信頼性を確保するとともに、放熱性能を向上させることができることから、電子製品の高性能化による発熱問題に効果的に対応することができる。
【００１９】
また、一実施形態において電源ノイズなどの問題を減少させるとともに、ホットスポットなど局地的領域の発熱による問題を解決することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１Ａ】本発明の一実施形態による回路基板を概略的に例示した断面図である。
【図１Ｂ】本発明の一実施形態による第１熱伝達用構造体の一例を概略的に例示した斜視図である。
【図１Ｃ】本発明の一実施形態による第１熱伝達用構造体の他の例を概略的に例示した斜視図である。
【図１Ｄ】本発明の一実施形態による第１熱伝達用構造体のさらに他の例を概略的に例示した斜視図である。
【図１Ｅ】本発明の一実施形態による第１熱伝達用構造体のさらに他の例を概略的に例示した斜視図である。
【図１Ｆ】本発明の一実施形態による第１熱伝達用構造体のさらに他の例を概略的に例示した斜視図である。
【図１Ｇ】本発明の一実施形態による第１熱伝達用構造体のさらに他の例を概略的に例示した斜視図である。
【図２】本発明の他の実施形態による回路基板を概略的に例示した断面図である。
【図３】本発明の一実施形態による回路基板の平面形状を概略的に例示した図面である。
【図４】本発明の一実施形態による回路基板を概略的に例示した水平断面図である。
【図５】本発明の他の実施形態による回路基板を概略的に例示した水平断面図である。
【図６】本発明の一実施形態による回路基板の主要部を概略的に例示した部分抜粋断面図である。
【図７】本発明の一実施形態による第２熱伝達用構造体を説明するための図面である。
【図８】本発明の他の実施形態による第２熱伝達用構造体を説明するための図面である。
【図９】本発明のさらに他の実施形態による第２熱伝達用構造体を説明するための図面である。
【図１０Ａ】熱伝達用構造体の表面にプライマー層を備えた状態でリフローテストを行った結果を概略的に例示した図面である。
【図１０Ｂ】熱伝達用構造体の表面にプライマー層を備えた状態で半田ポットテストを行った結果を概略的に例示した図面である。
【図１１Ａ】熱伝達用構造体に絶縁部を直接接触した状態でリフローテストを行った結果を概略的に例示した図面である。
【図１１Ｂ】熱伝達用構造体に絶縁部を直接接触した状態で半田ポットテストを行った結果を概略的に例示した図面である。
【図１２】本発明の一実施形態による熱伝達用構造体の製造過程を説明するための図面である。
【図１３】本発明の一実施形態による熱伝達用構造体の製造過程を説明するための図面である。
【図１４Ａ】本発明の一実施形態による熱伝達用構造体の製造過程を説明するための図面である。
【図１４Ｂ】本発明の他の実施形態による熱伝達用構造体の製造過程を説明するための図面である。
【図１５】本発明のさらに他の実施形態による熱伝達用構造体の製造過程を説明するための図面である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下では、添付の図面を参照して、本発明の構成および作用効果についてより詳細に説明する。
【００２２】
図１Ａは本発明の一実施形態による回路基板を概略的に例示した断面図であり、図１Ｂ〜図１Ｇは本発明の一実施形態による第１熱伝達用構造体の様々な例を概略的に例示した斜視図である。
【００２３】
また、図２は本発明の他の実施形態による回路基板を概略的に例示した断面図であり、図３は本発明の一実施形態による回路基板の平面形状を概略的に例示した図面であり、図４は本発明の一実施形態による回路基板を概略的に例示した水平断面図であり、図５は本発明の他の実施形態による回路基板を概略的に例示した水平断面図であり、図６は本発明の一実施形態による回路基板の主要部を概略的に例示した部分抜粋断面図であり、図７は本発明の一実施形態による第２熱伝達用構造体を説明するための図面であり、図８は本発明の他の実施形態による第２熱伝達用構造体を説明するための図面であり、図９は本発明のさらに他の実施形態による第２熱伝達用構造体を説明するための図面である。
【００２４】
本発明の一実施形態による回路基板１００は、第１熱伝達用構造体１１０を含み、第１熱伝達用構造体１１０は、少なくとも一部が絶縁部１２０に挿入される。この際、第１熱伝達用構造体１１０は、熱伝導性の高い材料からなる。また、第１熱伝達用構造体１１０は、塊形状からなる。一実施形態において、第１熱伝達用構造体１１０は、上面と下面を含む円柱または多角柱の形状からなることができる。また、第１熱伝達用構造体１１０は、銅（Ｃｕ）などの金属材質からなることができる。他の実施形態において、第１熱伝達用構造体１１０は、黒鉛、グラファイト、グラフェンなど、熱伝導性の高い非金属材質からなることができる。
【００２５】
一方、図１Ａ〜図１Ｇを参照すれば、金属材質からなる層の間にグラファイトまたはグラフェンからなる層が備えられ、第１熱伝達用構造体１１０が具現されることができる。
【００２６】
説明の便宜上、以下では、グラファイトまたはグラフェンからなる層を第１層１１９と称し、金属材質からなる層を第２層１１８‐１、第３層１１８‐２と称する。
【００２７】
通常、グラファイトまたはグラフェンは、炭素が相互結合してなる板状構造からなり、このような板状構造が複数の層に積層されることもある。ここで、炭素が板状構造をなす平面をＸＹ平面と称することができ、複数の板状構造が積層される方向をＺ軸方向と称することができる。また、グラファイトまたはグラフェンは、一般的な銅などの金属材質に比べて熱伝導度が著しく高く、特に、Ｚ軸方向に比べてＸＹ平面方向への熱伝導度が著しく高い。
【００２８】
したがって、図１Ｂ〜図１Ｄに例示されたように、第１層１１９が垂直方向に配列される場合、第１熱伝達用構造体１１０の上面と下面との間の熱伝導性能が向上することができる。特に、グラファイトまたはグラフェンのＸＹ平面が垂直方向に配列される場合、垂直方向の熱伝導性能がより向上することができる。これにより、第１電子部品５００で発生した熱が、第１熱伝達用構造体１１０を経て迅速に下方に移動することができる。
【００２９】
また、図１Ｅ〜図１Ｇに例示されたように、第１層１１９が水平方向に配列される場合、第１熱伝達用構造体１１０の側面方向、すなわち水平方向への熱伝導性能が向上することができる。特に、グラファイトまたはグラフェンのＸＹ平面が水平方向に配列される場合、水平方向の熱伝導性能がより向上することができる。これにより、第１電子部品５００で発生した熱が第１熱伝達用構造体１１０に移動した後、水平方向に迅速に分散されることができ、特に、回路基板１００に水平方向の熱伝達のための要素、例えば、第２熱伝達用構造体からなる第１コア層１１などが備えられる場合、放熱性能の向上においてより有利になることができる。第２熱伝達用構造体については後述する。
【００３０】
一方、第１層１１９の一面には金属材質の第２層１１８‐１が備えられ、第１層１１９の他面には金属材質の第３層１１８‐２が備えられる方式で、第１熱伝達用構造体１１０が具現されることができる。
【００３１】
勿論、場合に応じて、第１熱伝達用構造体１１０に、第１層１１９（１１９‐１、１１９‐２、１１９‐３）が複数個備えられることができる。
【００３２】
ここで、第１層１１９をなすグラファイトまたはグラフェンは、銅などの金属材質に比べて熱伝導度がより大きいため、第１層１１９が多く備えられるほど、第１熱伝達用構造体１１０の熱伝達性能はより増加することができる。
【００３３】
ただし、第１熱伝達用構造体１１０に接触されるビアＶ１、Ｖ２が電気信号を伝送する機能を果たすこともできるため、第１熱伝達用構造体１１０の体積、形状および厚さ、回路配線などを考慮して、第１層１１９の厚さや数量が決定されることができる。
【００３４】
他方、グラファイトまたはグラフェンは、金属材質に比べて硬度が相対的に低い。特に、板状構造が積層されてなるグラファイトまたはグラフェンの場合、積層された板と板との結合力が相対的に低い。また、グラファイトまたはグラフェンからなる第１層１１９と、金属材質の第２、３層１１８‐１、１１８‐２とは、その材質が互いに異なるため、境界面における結合力が相対的に弱化されうる。
【００３５】
本発明の一実施形態による回路基板は、第１層１１９を貫通する金属材が、第２層１１８‐１および第３層１１８‐２をなす金属材質と一体をなすように構成されることで、第１熱伝達用構造体１１０の信頼性を向上させることができる。すなわち、第１層１１９をなすグラファイトまたはグラフェンの板状構造の相互間の結合力が向上することができ、異種材質からなる第１層１１９と、第２層１１８‐１および第３層１１８‐２との間の境界面における密着力または結合力も向上することができる。ここで、第１層１１９を貫通するホールをスルーホール１１９Ｈと表示した。
【００３６】
図面における説明されていない符号１１８‐３、１１８‐４は、金属材質からなる層を意味する。
【００３７】
一実施形態において、絶縁部１２０は、一つの絶縁層からなったり、複数の絶縁層からなる。ここで、図１Ａには、絶縁部１２０が３個の絶縁層１０、１２１、１２１´からなり、中心部に位置する絶縁層がコア部１０である場合が示されているが、これに限定されるものではない。
【００３８】
一実施形態において、第１熱伝達用構造体１１０は、絶縁部１２０の中間に位置する。図示されているように、コア部１０が備えられた場合、コア部１０を貫通するキャビティＣ１が形成されて、キャビティＣ１内に第１熱伝達用構造体１１０が挿入されることができる。
【００３９】
一実施形態において、絶縁部１２０に形成されるビアが、第１熱伝達用構造体１１０に接触することができる。以下では、第１熱伝達用構造体１１０の上部に位置するビアを第１ビアＶ１、下部に位置するビアを第２ビアＶ２と称する。この際、絶縁部１２０には、少なくとも一つの金属パターンが備えられることができ、以下では、第１ビアＶ１に接触する金属パターンを第１金属パターン１３１、第２ビアＶ２に接触する金属パターンを第２金属パターン１４１と称する。また、絶縁部１２０には第４ビアＶ４および第５ビアＶ５が備えられることができ、第４ビアＶ４の一端に接触する金属パターンを第３金属パターン１３３、第５ビアＶ５の他端に接触する金属パターンを第４金属パターン１４２と称する。
【００４０】
一実施形態において、第１熱伝達用構造体１１０は、熱を保持する機能を果たすことができ、このような機能は、第１熱伝達用構造体１１０の体積が大きいほど増加する。したがって、図１Ａなどに図示されているように、第１熱伝達用構造体１１０は、柱形状からなることができる。このように柱形状からなることにより、下面の面積が一致する場合には、第１熱伝達用構造体１１０の体積を最大化することができる。また、第１熱伝達用構造体１１０の下面および上面の形状が多角形、特に四角形をなすと、第１熱伝達用構造体１１０の下面および上面の形状が円形や楕円形である場合に比べて、第１電子部品５００の小型化の傾向や回路基板１００の小型化、パターンピッチの微細化などに対応することができる。また、図示されているように、第１熱伝達用構造体１１０は、第１ビアＶ１〜第７ビアＶ７のような一般的なビアに比べて体積が著しく大きい。したがって、第１熱伝達用構造体１１０の表面、特に、上面や下面にはビアが複数個接触することができる。すなわち、第１熱伝達用構造体１１０の上面および下面の面積自体が通常のビアよりは大きいだけでなく、全体の体積もまた２倍以上大きいということになる。これにより、熱源から熱を迅速に吸収して、第１熱伝達用構造体１１０と連結された他の経路に分散することができる。また、第１熱伝達用構造体１１０の厚さを増加させると、第１熱伝達用構造体１１０とホットスポットとの距離が減少して、ホットスポットの熱が第１熱伝達用構造体１１０に移動する時間がより短縮されることができる。
【００４１】
一実施形態において、回路基板１００の一方には第１電子部品５００が実装されることができる。また、回路基板１００は、メインボードなどの付加基板８００の一方に実装されることができる。ここで、第１電子部品５００は、アプリケーションプロセッサ（Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ  Ｐｒｏｃｅｓｓｏｒ；ＡＰ）などの部品であってもよく、動作の際に熱が発生することがある。
【００４２】
一方、第１電子部品５００が動作するに伴い熱が発生するが、第１電子部品５００で発生した熱を検知すると、他の領域に比べて相対的に発熱がひどくて温度が高く測定される領域が存在する。このような領域をホットスポット（Ｈｏｔ  ｓｐｏｔ）と称することもある。このようなホットスポットは、回路基板１００のうち所定の領域に形成されることができ、特に第１電子部品５００の一箇所または複数の箇所を中心にホットスポットが形成されることができる。また、このようなホットスポットは、第１電子部品５００の電源端子の付近や、スイッチング素子が相対的に密集した領域に形成されることもある。
【００４３】
他方、第１電子部品５００は、相対的に高性能のスペックを有する領域と、相対的に低性能のスペックを有する領域をそれぞれ含むことができる。例えば、クロックスピード（Ｃｌｏｃｋ  Ｓｐｅｅｄ）が１．８ＧＨｚであるコアが連結されたプロセッサと、クロックスピードが１．２ＧＨｚであるコアが連結されたプロセッサが、第１電子部品５００において異なる領域に備えられることができる。図３を参照すれば、一実施形態において、第１電子部品５００は、第１単位領域５１０と、第２単位領域５２０と、を含むことができる。この際、第１単位領域５１０は、第２単位領域５２０に比べてより速いスピードで演算過程を行うことになり、これに伴い、第１単位領域５１０は、第２単位領域５２０より多い電力を消費することになり、また、第１単位領域５１０は、第２単位領域５２０より多い熱を発生させることができる。
【００４４】
本発明の一実施形態による回路基板１００は、ホットスポットに隣接した領域に第１熱伝達用構造体１１０が位置する。これにより、ホットスポットで発生した熱の迅速な伝達を受け、回路基板１００の他の領域や、回路基板１００が結合するメインボード（例えば、図１Ａにおける付加基板８００）などの他のデバイスに熱を迅速に分散させることができる。
【００４５】
一実施形態において、第１熱伝達用構造体１１０の少なくとも一部は、第１電子部品５００の垂直下方領域に位置する。
【００４６】
一方、本発明の一実施形態による回路基板１００には、第２電子部品２００がさらに備えられることができる。この際、キャパシタ、インダクタ、抵抗などの素子が、第２電子部品２００に該当することができる。
【００４７】
第１電子部品５００がアプリケーションプロセッサである場合、電源ノイズを減少させるためにキャパシタなどが第１電子部品５００と連結されることができる。この際、キャパシタと第１電子部品５００との間の経路が短くなるほど、電源ノイズの減少効果が増大する。
【００４８】
したがって、第２電子部品２００の少なくとも一部は、第１電子部品５００の垂直下方領域に位置することができ、これにより、電源ノイズの減少効果を高めることができる。
【００４９】
一実施形態において、第１電子部品５００の垂直下方領域に、第１熱伝達用構造体１１０のほとんどが位置することができる。また、第１熱伝達用構造体１１０の上面の面積は、第１電子部品５００の上面の面積より小さいことがある。さらに、第１熱伝達用構造体１１０の上面の面積は、第１電子部品５００のホットスポット領域の幅に対応するように決定されることができる。
【００５０】
これにより、ホットスポットの熱が第１熱伝達用構造体１１０に迅速に移動することができる。また、回路基板１００の軽量化および反りの減少に有利である。それだけでなく、第１熱伝達用構造体１１０を回路基板１００に配置させる工程の効率性が向上することができる。
【００５１】
一方、第１電子部品５００の垂直下方領域に第２電子部品２００のほとんどが位置することができる。この際、第１電子部品５００の垂直下方領域のうち、上述の第１熱伝達用構造体１１０が位置しない領域に第２電子部品２００が位置することができる。また、第１熱伝達用構造体１１０は、第２電子部品２００に比べてホットスポットに近い領域に位置することができる。
【００５２】
図１Ａ〜図４を参照すれば、コア部１０に備えられたキャビティＣ１、Ｃ２の内部に第１熱伝達用構造体１１０と第２電子部品２００が挿入可能であることを理解することができる。すなわち、コア部１０に第１キャビティＣ１および第２キャビティＣ２が備えられ、第１キャビティＣ１には第１熱伝達用構造体１１０が挿入され、第２キャビティＣ２には第２電子部品２００が挿入されることができる。また、第１電子部品５００の垂直下方領域で第１熱伝達用構造体１１０と第２電子部品２００が隣接して配置されることができ、特に、第１熱伝達用構造体１１０は、図３に例示されたホットスポットの付近に集中して配置可能であることを理解することができる。一方、図５には絶縁部１２０にコア部１０が存在しない場合の平面形状が概略的に例示されている。
【００５３】
これにより、第２電子部品２００による電源ノイズの減少効果を最大化するとともに、ホットスポットの熱を迅速に移動させることができる。
【００５４】
一実施形態において、第１電子部品５００は、半田Ｓなどにより、回路基板１００に結合することができる。この際、第１電子部品５００は、半田Ｓにより、第１金属パターン１３１、第３金属パターン１３３、第７金属パターン１３４などに結合することができる。
【００５５】
また、回路基板１００の第２金属パターン１４１、第４金属パターン１４２、第５金属パターン１４３、第６金属パターン１４４などは、半田Ｓを媒介としてメインボードなどの付加基板８００に連結されることができる。一実施形態において、第２金属パターン１４１と付加基板８００との間には一般的な半田Ｓではなく、第１熱伝達用構造体１１０と類似の材質および形状からなる第３熱伝達用構造体Ｌ１が備えられることができる。すなわち、第１熱伝達用構造体１１０の熱を付加基板８００に迅速に伝達するために、一般的な半田Ｓより熱伝導性が大きい物質で塊形状をなす第３熱伝達用構造体Ｌ１を用いて、第２金属パターン１４１と付加基板８００を連結することができる。また、第３熱伝達用構造体Ｌ１の熱を迅速に受けて分散または発散できるように、付加基板８００に放熱部Ｌ２を備えることができる。この放熱部Ｌ２は、付加基板８００の上面方向に露出し、必要に応じて、下面方向にも露出して、熱発散効率を向上させることができる。
【００５６】
一方、基板の最外側に備えられ、他の電子部品、例えば、上述の第１電子部品５００または付加基板８００などと連結される金属パターンをパッド（Ｐａｄ）と称することができる。この際、最外側の金属層にはパッドの他にも各種の回路パターンなどが備えられることができ、半田レジスト（ｓｏｌｄｅｒ  ｒｅｓｉｓｔ）層（図示せず）を備えて、このような回路パターンや絶縁部１２０などが保護されるようにすることもできる。ここで、外部デバイスとの連結が必要なパッドは、少なくとも一部が半田レジスト層の外部に露出することができる。また、このように半田レジスト層の外部に露出したパッドと外部デバイスの端子との間には、半田Ｓやワイヤ（図示せず）などの結合部材が備えられて、物理的結合が具現される。
【００５７】
ここで、図１Ａに例示されたように、第１〜第７金属パターンが絶縁部１２０の外面に露出して備えられる場合、第１〜第７金属パターンは、上述のパッドとして理解することができる。また、半田レジスト層の外部に露出した金属パターンの表面には、ニッケル‐金めっき層など、様々な表面処理層が備えられることができる。
【００５８】
また、図示されてはいないが、第１金属パターン１３１の外面を覆う絶縁層およびこの絶縁層の外面に形成されたパッドがさらに備えられ、この絶縁層を貫通するビアにより、第１金属パターン１３１とパッドが連結されることができる。すなわち、必要に応じて、絶縁層および金属層を含むビルドアップ層がさらに備えられることができる。この場合、上述の第１金属パターン１３１は、パッドではなく、回路基板の最外側の金属層に形成されたパッドとビアなどを介して連結されることができる。
【００５９】
これにより、ホットスポットで発生した熱が、第１金属パターン１３１‐第１ビアＶ１‐第１熱伝達用構造体１１０‐第２ビアＶ２‐第２金属パターン１４１の経路を経て付加基板８００に迅速に伝達されることができる。
【００６０】
他方、第１電子部品５００の端子のうち、第１金属パターン１３１に連結される端子が信号送受信用端子である場合には、第１ビアＶ１と、第１熱伝達用構造体１１０と、第２ビアＶ２と、第２金属パターン１４１と、を含む経路は、信号伝送の機能を果たすことができる。この際、第２金属パターン１４１に連結される付加基板８００の接続パッドまたは端子もまた信号伝送の機能を果たすことができる。
【００６１】
反面、第１電子部品５００の端子のうち、第１金属パターン１３１に連結される端子が信号送受信用端子でない場合には、第１ビアＶ１と、第１熱伝達用構造体１１０と、第２ビアＶ２と、第２金属パターン１４１と、を含む経路は、不図示の別の接地端子（Ｇｒｏｕｎｄ  ｔｅｒｍｉｎａｌ）と電気的に連結されることができる。この際、第２金属パターン１４１に連結される付加基板８００の接続パッドまたは端子もまた不図示の別の接地端子と電気的に連結されることができる。ここで、接地端子は、回路基板１００や付加基板８００の少なくとも一つに備えられることができる。
【００６２】
また、第１電子部品５００の端子のうち、第１金属パターン１３１に連結される端子が電源端子である場合には、第１ビアＶ１と、第１熱伝達用構造体１１０と、第２ビアＶ２と、第２金属パターン１４１と、を含む経路は、不図示の別の電源提供回路と電気的に連結されることができる。この際、第２金属パターン１４１に連結される付加基板８００の接続パッドまたは端子もまた不図示の別の電源提供回路と電気的に連結されることができる。ここで、電源提供回路は、回路基板１００や付加基板８００の少なくとも一つに備えられることができる。
【００６３】
また、第１電子部品５００の端子のうち、第１金属パターン１３１に連結される端子がダミー（ｄｕｍｍｙ）端子であってもよい。この際、ダミー端子は、第１電子部品５００の熱を第１電子部品５００の外部に伝達する通路としての機能のみを行うものであってもよい。
【００６４】
上述のように、第１電子部品５００の端子は、信号入出力用端子、電源入出力用端子、および熱放出用端子に区分されることができる。この際、特定の端子がそれぞれ一つの機能のみを行う必要はない。すなわち、信号や電源を入出力しながらも熱放出に活用されることもできる。ただし、第１電子部品５００のホットスポット領域に備えられる端子が熱放出機能を果たすことができるようになると、ホットスポットの熱がより迅速に排出されることができる。このように熱放出機能を果たす端子に上述の第１結合部材が接触し、この第１結合部材に第１金属パターン１３１が接触するようにすることで、ホットスポットと第１熱伝達用構造体１１０との間の熱移動がよりスムーズになることができる。
【００６５】
一実施形態において、第１熱伝達用構造体１１０に電気的に連結される第１電子部品５００の少なくとも一つの端子が熱放出機能のみを果たすダミー端子であってもよい。この際、第１電子部品５００の端子のうち信号伝送のみのための他の端子が第１熱伝達用構造体１１０に連結される場合、信号損失の現象が発生することがある。したがって、第１電子部品５００の端子のうち信号伝送のみのための端子は、第１熱伝達用構造体１１０に電気的に連結されないようにすることができる。すなわち、第１電子部品５００の端子のうち信号伝送のみのための端子に連結されるパッドに連結されるビアや回路パターンなどは、第１熱伝達用構造体１１０に電気的に連結されないようにすることができる。
【００６６】
図１Ａ〜図９を参照すれば、本発明の一実施形態による回路基板１００は、コア部１０を含むことができる。コア部１０は、回路基板１００の剛性を補強して、反り（ｗａｒｐａｇｅ）による問題を緩和する役割を果たすことができる。また、熱伝導性の大きい物質をコア部１０が含むことにより、上述のホットスポットなどの局地的領域で発生した熱を回路基板１００の他の部分に迅速に分散させて、過熱による問題を緩和することもできる。
【００６７】
一方、コア部１０の上面には第１上部絶縁層１２１が備えられ、コア部１０の下面には第１下部絶縁層１２１´が備えられることができる。また、必要に応じて、第２上部絶縁層１２２および第２下部絶縁層１２２´がさらに備えられることもできる。
【００６８】
一実施形態において、コア部１０には、第２熱伝達用構造体が含まれることができる。例えば、コア部１０は、グラファイトまたはグラフェンなどからなる第１コア層１１を含むことができる。ここで、グラファイトなどは、ＸＹ平面方向への熱伝導度が著しく高く、これにより、熱を効果的且つ迅速に拡散させることができる。
【００６９】
一実施形態において、第２熱伝達用構造体は、第１熱伝達用構造体１１０の側面に直接接触することができる。例えば、コア部１０に備えられる第１キャビティＣ１に第２熱伝達用構造体の側面が露出し、第１熱伝達用構造体１１０が第１キャビティＣ１に接触することができる。他の実施形態において、第２熱伝達用構造体と第１熱伝達用構造体１１０との間の領域に熱伝導性の高い物質が備えられることもできる。この際、熱伝導性の高い物質としてサーマルインターフェースマテリアル（Ｔｈｅｒｍａｌ  Ｉｎｔｅｒｆａｃｅ  Ｍａｔｅｒｉａｌ；ＴＩＭ）を適用することができる。このＴＩＭには、高分子‐金属複合材料、セラミック複合材料および炭素系複合材料などが含まれることができる。例えば、エポキシと炭素繊維充填剤が混合された物質（熱伝導度約６６０Ｗ／ｍｋ）、窒化シリコン（Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｎｉｔｒｉｄｅ;Ｓｉ３Ｎ４、熱伝導度約２００〜３２０Ｗ／ｍｋ）、エポキシと窒化ホウ素（Ｂｏｒｏｎ  Ｎｉｔｒｉｄｅ；ＢＮ、熱伝導度約１９Ｗ／ｍｋ）がサーマルインターフェースマテリアルとして適用されることができる。これにより、第１熱伝達用構造体１１０に流入した熱が、垂直方向に移動するだけでなく、第２熱伝達用構造体を介して水平方向にも迅速に分散されることができる。
【００７０】
このように、第１熱伝達用構造体１１０と第２熱伝達用構造体が直接接触したり、ＴＩＭを媒介として連結されることにより、第１電子部品５００などの熱が、第１熱伝達用構造体１１０に迅速に移動した後、下方にのみ伝達される場合に比べて、より迅速に熱が分散されることができる。また、回路基板１００の観点でホットスポットなどの特定の領域のみが過剰に温度が上昇する場合に比べて、回路基板１００の全体に均一に熱が分散されることにより、回路基板１００に搭載された各種部品や要素それぞれの温度偏差が緩和することができることから、信頼性が向上することができる。また、回路基板１００の全体に迅速に熱が分散されることから、回路基板１００の全体が一種の放熱板の役割を果たすことになり、結果、放熱面積が増加する効果を具現することができる。
【００７１】
一実施形態において、コア部１０の表面には第１回路パターンＰ１および第２回路パターンＰ２などが備えられることができ、コア部１０を貫通するスルービアＴＶにより、第１回路パターンＰ１と第２回路パターンＰ２が電気的に連結されることができる。また、第１回路パターンＰ１は、第４ビアＶ４により、第３金属パターン１３３と連結されることができ、第２回路パターンＰ２は、第５ビアＶ５により、第４金属パターン１４２と連結されることができる。また、第３金属パターン１３３は、半田Ｓにより、第１電子部品５００と連結されることができ、第４金属パターン１４２は、半田Ｓにより、付加基板８００の接続パッド８１０と連結されることができる。これにより、第１電子部品５００と付加基板８００との間に電気的信号を送受信することができる経路をさらに確保することができる。
【００７２】
一方、第１コア層１１の一面には第２コア層１２が備えられ、第１コア層１１の他面には第３コア層１３が備えられることができる。一実施形態において、第２コア層１２および第３コア層１３の少なくとも一つは、ＰＰＧ（Ｐｒｅｐｒｅｇ）などの絶縁物質からなることができる。他の実施形態において、第２コア層１２および第３コア層１３は、銅やインバー（Ｉｎｖａｒ）などの金属からなることもできる。さらに他の実施形態において、第１コア層１１がインバー（Ｉｎｖａｒ）からなり、第２コア層１２および第３コア層１３が銅からなることもできる。ここで、第２コア層１２および第３コア層１３の少なくとも一つが導電性物質からなる場合には、コア部１０の表面に第１回路パターンＰ１や第２回路パターンＰ２などが備えられることにより、意図しなかった経路に信号が伝送される問題が発生することがあるため、コア部１０の表面に絶縁性を確保するための手段が備えられることができる。
【００７３】
一実施形態において、コア部１０の第２キャビティＣ２には、第２電子部品２００が挿入される。また、第２電子部品２００は、第６ビアＶ６により、第７金属パターン１３４と連結され、第７ビアＶ７により、第６金属パターン１４４と連結されることができる。一方、第２電子部品２００は、インダクタ（ｉｎｄｕｃｔｏｒ）、キャパシタ（ｃａｐａｃｉｔｏｒ）などの受動素子であってもよく、必要に応じて、ＩＣなどの能動素子が第２電子部品２００として搭載されることができる。特に、第２電子部品２００がキャパシタである場合、第７金属パターン１３４と連結される第１電子部品５００の端子は、電源端子であってもよい。すなわち、第２電子部品２００がデカップリングキャパシタ（ｄｅｃｏｕｐｌｉｎｇ  ｃａｐａｃｉｔｏｒ）として搭載されて、第１電子部品５００の電源ノイズを減少させる役割を果たすことができる。
【００７４】
この場合、第２電子部品２００と第１電子部品５００との間の経路が短くなるほどノイズ減少効果が向上するが、このために本発明の一実施形態による回路基板１００では第２電子部品２００の少なくとも一部が第１電子部品５００の垂直下方領域に配置される。
【００７５】
図示されていないが、コア部１０を貫通するキャビティ（ｃａｖｉｔｙ）の代わりにコア部１０の一部が陥没したリセス（ｒｅｃｅｓｓ）部が備えられることができ、このリセス部に第１熱伝達用構造体１１０や第２電子部品２００を挿入することができる。
【００７６】
一方、図１Ａを参照すれば、第１熱伝達用構造体１１０の厚さは、第２回路パターンＰ２の下面から第１回路パターンＰ１の上面までの厚さより厚く具現されることができる。さらに、第１熱伝達用構造体１１０の上面は、第１回路パターンＰ１の上面に比べて回路基板１００の上面近くに位置することができる。これにより、第１熱伝達用構造体１１０の熱容量が増加して、熱を保持する機能が向上することができる。また、第１熱伝達用構造体１１０とホットスポットとの距離が減少して、ホットスポットの熱が第１熱伝達用構造体１１０に移動する時間がより短縮されることができる。
【００７７】
一実施形態において、第１熱伝達用構造体１１０の底面は、第２回路パターンＰ２の下面と同一の水平面上に位置することができる。この場合にも、第１熱伝達用構造体１１０の厚さを第２回路パターンＰ２の下面から第１回路パターンＰ１の上面までの厚さより大きくすることにより、第１熱伝達用構造体の熱容量をより増加させ、ホットスポットとの距離を短縮することができる。
【００７８】
図示されていないが、他の実施形態において、第１熱伝達用構造体１１０の上面が第１回路パターンＰ１の上面と同一の水平面に位置することができる。この場合にも、第１熱伝達用構造体１１０の厚さを第２回路パターンＰ２の下面から第１回路パターンＰ１の上面までの厚さより大きくすることにより、第１熱伝達用構造体の熱容量をより増加させることができる。以上では、理論的または理想的な幾何学的関係について説明しているが、このような構造を実際の設計に反映して製品に具現する場合、製造工程で反映される各種偏差が発生する。例えば、コア部の両面が完全な平面をなさなかったり、コア部に回路パターンを形成する過程で回路パターン間の厚さ偏差が発生することもある。したがって、本発明の権利範囲を解釈するにあたり、現実的な工程偏差などを考慮しなければならない。また、電子製品のスリム化および配線パターンの高密度化の傾向などに伴い、回路基板を製造する過程においてある程度の反り現象（Ｗａｒｐａｇｅ）が発生することがある。このような反り現象がひどくなると、配線の短絡（ｓｈｏｒｔ）やクラック（ｃｒａｃｋ）などの問題を誘発するため、反り現象を最小化するための努力が続いている。しかし、現実的に反り現象を完全に排除することは困難であり、所定の許容範囲内では反り現象が発生しても良品として扱うことがある。したがって、本発明の一実施形態による回路基板もまた、実際に具現される場合、所定の範囲内での反り現象は許容され、上述の第１熱伝達用構造体１１０の厚さや位置に関する説明を理解するにあたり、反り現状の許容範囲も考慮しなければならない。
【００７９】
また、図２を参照すれば、第１上部絶縁層１２１上に第２上部絶縁層１２２が形成されることもできるが、この場合にも、回路基板１００の外面と第１熱伝達用構造体１１０との間に備えられる第１ビアＶ１または第２ビアＶ２の高さを回路基板１００の外面と内層パターンＰ１´、Ｐ２´との間を連結するビアの高さより小さくすることにより、第１熱伝達用構造体１１０の熱容量を増加させるとともに熱分散速度を向上させることができることを理解することができる。図示されていないが、第１熱伝達用構造体の上部面が第１上部絶縁層で覆われることができる。また、第１熱伝達用構造体に一面が接触するビアの他面が第１上部絶縁層に備えられる回路パターンに接触することができる。また、第２上部絶縁層を貫通する他のビアおよび第２上部絶縁層の表面に備えられる他の回路パターンおよび半田ボールを経て第１電子部品と連結されることもできる。すなわち、第１熱伝達用構造体１１０上に形成されるビルドアップ層の数は、必要に応じて変更されることができ、ただし、少なくとも熱容量の面では第１熱伝達用構造体の厚さが大きいほど有利であるという点を理解することができる。
【００８０】
図６を参照すれば、コア部１０の表面に絶縁膜１４が備えられることができる。一実施形態において、第１コア層１１〜第３コア層１３が熱伝導性を有するだけでなく、電気伝導性を有することもできる。したがって、コア部１０の表面に第１回路パターンＰ１などを備える場合、コア部１０によって所望しない経路に通電される現象を防止する必要がある。ここで、絶縁膜１４は、パリレン（Ｐａｒｙｌｅｎｅ）などをコア部１０の表面に気相蒸着して形成されることができる。すなわち、図６に例示したスルービアＴＶを形成するためのスルービアホールをコア部１０に加工した状態で、コア部１０の表面に絶縁物質を提供することでスルービアホールの内部にも絶縁膜１４を形成することができる。これにより、スルービアＴＶや第１回路パターンＰ１、第２回路パターンＰ２などとコア部１０との間の絶縁性を確保することができる。
【００８１】
一方、一実施形態において、第２コア層１２と第３コア層１３を貫通して第１コア層１１の一部を露出するコアビアホール（ｃｏｒｅ  ｖｉａ  ｈｏｌｅ）が形成されることができる。このコアビアホールに導電性物質が備えられてなる第８ビアＶ８は、第１コア層１１と直接接触することができる。ここで、コアビアホールが備えられた状態でコア部１０の表面に絶縁膜１４を形成する場合、露出した第１コア層１１の表面にも絶縁膜１４が形成されることから、第１コア層１１と第８ビアＶ８は、絶縁膜１４を挟んで接触することができる。このように第１コア層１１と直接（または絶縁膜１４が存在する場合には間接）的に接触する第８ビアＶ８に熱が移動する場合、第１コア層１１に沿って回路基板１００に対して水平の方向に熱が迅速に分散されることができる。
【００８２】
一実施形態において、第２熱伝達用構造体がグラファイトまたはグラフェンからなることができる。これにより、第１電子部品５００などの熱源から第１熱伝達用構造体１１０に移動した熱が、第２熱伝達用構造体を介して水平方向にも迅速に分散されることができる。特に、図１Ｅ〜図２に例示されたように、第１層が水平方向に配列される方式で第１熱伝達用構造体１１０が具現される場合、図６に例示されたように、第１コア層１１を介して水平方向への放熱効率が向上することができる。
【００８３】
ここで、図６に例示されたように、第１コア層１１にスルーホール１１ｃが備えられ、第２コア層１２および第３コア層１３がスルーホール１１ｃを介して一体に連結されて第１コア層１１を強固に支持するようにすることができる。これにより、第１コア層１１がグラファイトなどからなっても層間結合力が強化されることができる。
【００８４】
一方、図７を参照すれば、第１コア層１１´の外面にプライマー層１１１が備えられた例が図示されている。すなわち、グラファイトシートの外面にプライマー層１１１を備えることで、層間結合力を向上させることができる。この際、プライマー層１１１は、グラファイト同士の層間結合力を向上させるだけでなく、第１コア層１１´と第２コア層１２との間および第１コア層１１´と第３コア層１３との間の層間結合力を向上させる機能も果たすことができる。
【００８５】
他の実施形態において、図８を参照すれば、グラファイトの表面にプライマー層１１１が備えられてなる単位体１１‐１、１１‐２、１１‐３、１１‐４を垂直方向に積層して第１コア層１１´´を具現することができる。この場合、第１コア層１１´´の水平放熱機能の減少を最小化するとともに、第１コア層１１´´の垂直方向の剥離問題を緩和することができる。
【００８６】
さらに他の実施形態において、図９を参照すれば、グラファイトの表面にプライマー層１１１が備えられてなる単位体１１‐１´、１１‐２´、１１‐３´、１１‐４´を水平方向に結合して、第１コア層１１´´´を具現することができる。ここで、グラファイトのＸＹ平面は、垂直方向に対して平行に配置されることができる。この場合、水平方向の放熱機能は多少減少するが、第１コア層１１´´´を用いた垂直放熱性能が向上することができる。
【００８７】
一方、本発明の一実施形態による回路基板１００に含まれる第１熱伝達用構造体１１０は、絶縁部１２０との密着力の向上のための密着力向上部を備える。
【００８８】
第１熱伝達用構造体１１０の表面が絶縁部１２０と直接接触する場合、リフロー（Ｒｅｆｌｏｗ）工程や半田ポット（ｓｏｌｄｅｒ  ｐｏｔ）工程などを行う過程で、第１熱伝達用構造体１１０と絶縁部１２０との間が離れる現象が発生することがあり、このような現象をデラミネーション（Ｄｅｌａｍｉｎａｔｉｏｎ）現象と称することもある。この際、絶縁部１２０との密着力を向上させるための手段として、第１熱伝達用構造体１１０の表面に備えられたプライマー層１１１を含むことができる。一実施形態において、プライマー層１１１は、イソプロピルアルコール（Ｉｓｏ  Ｐｒｏｐｙｌ  ａｌｃｏｈｏｌ）およびアクリル（Ａｃｒｙｌ）系シラン（Ｓｉｌａｎ）を含むプライマーからなることができる。
【００８９】
また、プライマー層１１１は、ＭＰＳ（３‐（ｔｒｉｍｅｔｈｏｘｙｓｉｌｙｌ）ｐｒｏｐｙｌｍｅｔｈａｃｒｙｌａｔｅ）からなることができ、プライマー層１１１には、シラン系添加剤が追加されることができる。
【００９０】
図１０Ａは熱伝達用構造体の表面にプライマー層１１１を備えた状態でリフローテストを行った結果を概略的に例示しており、図１０Ｂは熱伝達用構造体の表面にプライマー層１１１を備えた状態で半田ポットテストを行った結果を概略的に例示している。また、図１１Ａは熱伝達用構造体に絶縁部１２０を直接接触した状態でリフローテストを行った結果を概略的に例示しており、図１１Ｂは熱伝達用構造体に絶縁部１２０を直接接触した状態で半田ポットテストを行った結果を概略的に例示している。
【００９１】
図１０Ａ〜図１１Ｂを参照すれば、プライマー層１１１が存在しない場合、リフロー工程を行ったり、半田ポット工程を行うと、熱伝達用構造体と絶縁部１２０との間に隙間の空間Ｄが形成されるが、熱伝達用構造体の表面にプライマーが備えられることにより、熱伝達用構造体と絶縁部１２０との密着力が向上することができることを理解することができる。ここで、熱伝達用構造体は、上述の第１熱伝達用構造体１１０または第２熱伝達用構造体の少なくとも一つを意味することができる。
【００９２】
一方、第１熱伝達用構造体１１０の表面に黒化処理および粗面化処理などの表面処理を施すことにより、第１熱伝達用構造体１１０と絶縁部１２０との密着力が向上することもできる。
【００９３】
ただし、第１熱伝達用構造体１１０の表面に上述のような表面処理を施すことになると、製造工程において一部の問題が発生することがある。例えば、表面処理により、第１熱伝達用構造体１１０の色が変化することがあるが、この場合、第１熱伝達用構造体１１０などを絶縁部１２０上の所定の位置に実装する自動化装備が第１熱伝達用構造体１１０を認識する過程で誤謬が頻繁に起こりうる。
【００９４】
これにより、本発明の一実施形態による回路基板１００は、第１熱伝達用構造体１１０と絶縁部１２０との間のデラミネーション現象が減少することができる。
【００９５】
一方、図１Ａなどをまた参照すれば、第１熱伝達用構造体１１０の表面にプライマー層１１１が備えられた場合、上述の第１ビアＶ１や第２ビアＶ２は、プライマー層１１１もまた貫通して第１熱伝達用構造体１１０と直接接触することができる。これにより、プライマー層１１１による熱伝達性能の減少を最小化することができる。ここで、プライマー層１１１に関する理解を容易にするために、図面では、プライマー層１１１の厚さを誇張して表現した場合がある。しかし、プライマー層１１１は、薄膜形態に具現されることがあるため、実際に具現された回路基板では図示されたものより著しく薄い厚さを有することができる。したがって、本発明を理解するにあたり、図面における誇張した表現もまた考慮しなければならない。特に、図１Ａにはプライマー層１１１の下面が第２回路パターンＰ２と同一の平面に位置するものと表現されており、これにより、プライマー層１１１以外の第１熱伝達用構造体１１０の底面が第２回路パターンＰ２より若干高いところに位置するものと表現されている。しかし、プライマー層１１１の厚さは、第２回路パターンＰ２の厚さや第１熱伝達用構造体１１０の厚さに比べて非常に小さいため、第１熱伝達用構造体１１０と第２回路パターンＰ２の位置関係を理解するにあたり、プライマー層１１１の厚さが無視されることがある。
【００９６】
図１２〜図１４Ａは本発明の一実施形態による第１熱伝達用構造体１１０の製造過程を説明するための図面である。
【００９７】
図１２〜図１４Ａを参照すれば、本発明の一実施形態による回路基板の製造方法は、グラファイトまたはグラフェン材質の第１層１１９の両面に金属材質の第２層１１８‐１および第３層１１８‐２を形成することにより、第１熱伝達用構造体１１０を具現するものである。
【００９８】
この際、所定の面積を有する予備第１層１１９´〜予備第３層１１８‐２´を用いて、第１熱伝達用構造体１１０を大量に製造することができる。例えば、厚さに比べて相対的に面積の広いシート形状になるように予備第１層１１９´〜予備第３層１１８‐２´を具現することができ、以降、ダイシング工程を行うことにより、第２層１１８‐１‐第１層１１９‐第３層１１８‐２を含む第１熱伝達用構造体１１０を大量に製造することができる。ここで、予備第１層１１９´に該当する部分は、ダイシング工程を行った後、第１層１１９となり、予備第２層１１８‐１´に該当する部分は、ダイシング工程を行った後、第２層１１８‐１となり、予備第３層１１８‐２´に該当する部分は、ダイシング工程を行った後、第３層１１８‐２になることができる。
【００９９】
図１２などには第１層１１９〜第３層１１８‐２が積層方式で具現されるものと理解されることができるが、図１５に例示されたように、第１層１１９‐１の上面と下面にめっき工程などを行って第２層１１８‐１および第３層１１８‐２を形成することもできる。この際、第１層１１９‐１にスルーホール１１９Ｈが備えられた状態で、めっき工程などを行って金属材質を提供することにより、第２層１１８‐１、第３層１１８‐２およびスルーホール１１９Ｈの内部に充填される金属材質が一体をなすように構成されることができ、これにより、第１層１１９‐１と第２層１１８‐１との結合力、および第１層１１９‐１と第３層１１８‐２との結合力が増加することができる。また、第１層１１９‐１をなすグラファイトまたはグラフェンの層間結合力もまた増加することができる。また、第３層１１８‐２の外面に第１層１１９‐２がさらに提供された後、第３層１１８‐３が追加に形成されることもできる。
【０１００】
一方、図１４Ｂを参照すれば、予備第２層１１８‐１´‐予備第１層１１９´‐予備第３層１１８‐２´を形成した後、ダイシングラインを調整してダイシング工程を行うことにより、第１層が水平方向に配列される形態の第１熱伝達用構造体１１０‐１を具現することができることを理解することができる。
【符号の説明】
【０１０１】
１００  回路基板
１１０  第１熱伝達用構造体
１１１  プライマー層
１１９  第１層
１１８‐１  第２層
１１８‐２  第３層
１２０  絶縁部
１２１  第１上部絶縁層
１２１´  第１下部絶縁層
１２２  第２上部絶縁層
１２２´  第２下部絶縁層
１３１  第１金属パターン
１３３  第３金属パターン
１３４  第７金属パターン
１４１  第２金属パターン
１４２  第４金属パターン
１４３  第５金属パターン
１４４  第６金属パターン
Ｓ  半田
２００  第２電子部品
Ｖ１  第１ビア
Ｖ２  第２ビア
Ｖ４  第４ビア
Ｖ５  第５ビア
Ｖ６  第６ビア
Ｖ７  第７ビア
Ｖ８  第８ビア
１０  コア部
１１  第１コア層
１２  第２コア層
１３  第３コア層
１４  絶縁膜
Ｐ１  第１回路パターン
Ｐ２  第２回路パターン
ＴＶ  スルービア
５００  第１電子部品
８００  付加基板
８１０  接続パッド
Ｌ１  第３熱伝達用構造体
Ｌ２  放熱部
Ｃ１  第１キャビティ
Ｃ２  第２キャビティ
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図１Ｃ】
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【図１Ｄ】
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【図１Ｅ】
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【図１Ｆ】
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【図１Ｇ】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０Ａ】
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【図１０Ｂ】
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【図１１Ａ】
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【図１１Ｂ】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４Ａ】
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【図１４Ｂ】
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【図１５】
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