(57)【要約】【課題】  半導体洗浄プロセスに用いられる処理液供給システムにおいて、処理液中に溶存する気体を簡便で安価に脱気して供給することを可能とした処理液供給装置およびそれを用いた基板処理装置を提供すること。【解決手段】  処理液供給配管の一部を形成する振動付与手段に処理液が供給され、処理液に振動が付与されることにより処理液中の溶存気体が発泡される。発泡された処理液は処理液貯留タンクへ貯留され、処理液貯留タンク内を負圧にすることにより処理液中の溶存気体は脱気される。これにより、簡便で安価に脱気された処理液を処理液貯留タンクから供給することが可能となる。基板処理装置内部に本処理液供給装置を備える。【選択図】        図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を保持する保持部と、
前記保持部に保持された基板に処理液を吐出する吐出部と、
前記処理液を、前記吐出部へ供給する処理液供給部と、
を備えた基板処理装置であって、
前記処理液供給部は、
前記処理液を貯留する処理液貯留タンクと、
前記処理液貯留タンクに前記処理液を供給する処理液供給配管と、
前記処理液供給配管の一部を形成し、前記処理液に振動を付与する振動付与手段と、
を備えたことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記処理液供給部において、前記振動が超音波振動であることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記処理液供給部は、前記処理液貯留タンク内を負圧にするための負圧発生手段を有することを特徴とする請求項１および２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記処理液供給部において、前記処理液貯留タンクに前記処理液の温度を調節する温度制御手段を有することを特徴とする請求項１〜３に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記処理液供給部は、第二の処理液貯留タンクをさらに備え、
前記振動付与手段により振動を付与された前記処理液が、前記第二の処理液貯留タンクにも供給されることを特徴とする請求項１〜４に記載の基板処理装置。
【請求項６】
基板を処理する基板処理装置に処理液を供給する処理液供給装置であって、
前記処理液を貯留する処理液貯留タンクと、
前記処理液貯留タンクに前記処理液を供給する処理液供給配管と、
前記処理液供給配管の一部を形成し、前記処理液に振動を付与する振動付与手段と、
を備えたことを特徴とする処理液供給装置。
【請求項７】
処理液貯留タンクから処理液を基板に供給する処理液供給方法であって、
処理液供給配管の一部を形成する振動付与手段に処理液を供給する工程と、
前記振動付与手段により前記処理液に振動を付与する工程と、
振動が付与された前記処理液を前記処理液貯留タンクへ供給する工程と、
前記処理液貯留タンク内を負圧にする工程と、
を備えたことを特徴とする処理液供給方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、ＰＤＰ（プラズマディスプレイパネル）用ガラス基板などの各種の被処理基板に対して処理液を供給するための処理液供給方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの製造プロセスにおける洗浄プロセスにおいて、基板を薬液により処理した後、純水リンスにより薬液が洗い流され、最後にイソプロピルアルコール（以後ＩＰＡと表記）等の有機溶剤で純水を置換して乾燥が行われる。このような半導体洗浄プロセスは、半導体の高集積化および微細化がますます進む中、枚葉処理にて洗浄することが主流となっている。基板を枚葉洗浄する場合、薬液や有機溶剤に溶存した気体が基板表面上に供給された際に圧力が下がり発泡して泡となって問題を引き起こす場合がある。すなわち薬液処理の場合、薬液中の泡が基板に付着して洗浄不良が生じたり、ＩＰＡ等の有機溶剤中の泡が基板に付着して乾燥不良が生じたりすることがある。薬液とＩＰＡ等の有機溶剤を含めて以後、処理液と表記する。
【０００３】
このような処理液中に溶存した気体を除去する技術として、中空糸膜を用いた脱気モジュールが用いられる。中空糸膜を用いた脱気モジュールは、真空ポンプを必要とし、設備の大型化、高価格化の問題がある。このような大型化、高価格化の問題を解決するため、例えば特許文献１に記載の脱気方法では、容器内の処理液に超音波振動を印加して、そのキャビテーション作用により処理液中の溶存気体を発泡させることが記載されている。また例えば特許文献２に記載の脱気方法は容器内に収容された処理液体に超音波振動を付与し、収容容器の下部から処理液を取り出すことが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平８−７１３０４号公報
【特許文献２】特開２０００−１４０５０５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１および特許文献２に示された構成では、処理液中に溶存した気体を脱気することができるものの、容器に貯留した状態で処理液に超音波振動を付与させるために、広い面積を有した圧電素子が必要となる。また、貯留された処理液全体に超音波振動を付与するために圧電素子に投入されるエネルギーも大きくなる。
【０００６】
そこで、本件発明は、簡便で安価に処理液を脱気させる処理液供給装置およびそれを用いた基板処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するための請求項１記載の発明は、基板を保持する保持部と、前記保持部に保持された基板に処理液を吐出する吐出部と、前記処理液を、前記吐出部へ供給する処理液供給部と、を備えた基板処理装置であって、前記処理液供給部は、前記処理液を貯留する処理液貯留タンクと、前記処理液貯留タンクに前記処理液を供給する処理液供給配管と、前記処理液供給配管の一部を形成し、前記処理液に振動を付与する振動付与手段と、を備えたことを特徴とする基板処理装置である。
【０００８】
請求項２記載の発明は、前記処理液供給部において、前記振動が超音波振動であることを特徴とする。
【０００９】
請求項３記載の発明は、前記処理液供給部は、前記処理液貯留タンク内を負圧にするための負圧発生手段を有することを特徴とする。
【００１０】
請求項４記載の発明は、前記処理液供給部において、前記処理液貯留タンクに前記処理液の温度を調節する温度制御手段を有することを特徴とする。
【００１１】
請求項５記載の発明は、前記処理液供給部は、第二の処理液貯留タンクをさらに備え、
前記振動付与手段により振動を付与された前記処理液が、前記第二の処理液貯留タンクにも供給されることを特徴とする。
【００１２】
請求項６記載の発明は、基板を処理する基板処理装置に処理液を供給する処理液供給装置であって、前記処理液を貯留する処理液貯留タンクと、前記処理液貯留タンクに前記処理液を供給する処理液供給配管と、前記処理液供給配管の一部を形成し、前記処理液に振動を付与する振動付与手段と、を備えたことを特徴とする処理液供給装置である。
【００１３】
請求項７記載の発明は、処理液貯留タンクから処理液を基板に供給する処理液供給方法であって、処理液供給配管の一部を形成する振動付与手段に処理液を供給する工程と、前記振動付与手段により前記処理液に振動を付与する工程と、振動が付与された前記処理液を前記処理液貯留タンクへ供給する工程と、前記処理液貯留タンク内を負圧にする工程と、を備えたことを特徴とする処理液供給方法である。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、処理液を供給する配管経路で処理液中に溶存する気体が発泡し、処理液貯留タンクへ供給される。これにより、脱気された処理液を基板上に供給することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】実施例に係る基板処理装置の概略構成を示す平面図である。
【図２】洗浄処理部５の概略構成を示す図である。
【図３】処理液供給部６の概略構成を示す図である。
【図４】処理フローを示す図である。
【図５】第二の実施の形態に係る処理液供給部６ａの概略構成を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下では、本発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
【００１７】
図１は、本発明の第１実施形態に係る基板処理装置の平面図である。
本実施例に係る基板処理装置１は、カセットステージ２と、基板受渡部３と、搬送部４と、洗浄処理部５と、処理液供給部６と、制御部７とを備えている。
【００１８】
カセットＣは、複数枚の基板Ｗを積層して収容可能な収容器である。カセットＣは、未処理の基板Ｗを収容し、その状態で複数枚の基板Ｗとともに各工程の装置へ搬送移動される。
【００１９】
未処理の基板Ｗは、カセットＣに収容され、カセットＣはカセットステージ２に載置される。基板受渡部３に未処理の基板Ｗを受け渡す。また、処理済の基板Ｗは基板受渡部３から、カセットステージ２に載置された空のカセットＣに収容される。
【００２０】
基板受渡部３は、搬送ロボットＩＲと、基板を一時的に保管するパス８を備える。搬送ロボットＩＲは、カセットステージ２に載置されたカセットＣから未処理の基板Ｗを受け取り、パス８に載置する。パス８は上下方向に複数段配置されたバッファとして機能し、複数の未処理の基板Ｗを支持する。また、処理済の基板Ｗは、搬送ロボットＩＲによってカセットステージ２に載置されたカセットＣ内に収容される。
【００２１】
搬送ロボットＩＲは、基板Ｗを保持した状態で図１に破線の矢印で概念的に示すように、旋回および進退自在のアームにより、基板Ｗを任意の位置に搬送することが可能である。また図示は省略しているが、上下方向にも進退自在となっている。
【００２２】
搬送部４は、基板Ｗを保持した状態で図１に破線の矢印で概念的に示すように、旋回および進退自在のアームにより、基板Ｗを任意の位置に搬送することが可能な、搬送ロボットＣＲを備えている。搬送ロボットＣＲは、基板受渡部３のパス８に載置された基板Ｗを保持し、後述する洗浄処理部５に対して基板Ｗを受け渡す。
【００２３】
洗浄処理部５は、搬送部４から未処理の基板Ｗを受け取り、その基板Ｗに対して洗浄処理を行うユニットである。
【００２４】
図２は、洗浄処理部５の概略構成を示す図である。搬送部４の搬送ロボットＣＲから受け渡された未処理の基板Ｗは、洗浄処理部５の基板保持部２１によって保持される。基板保持部２１は基板Ｗの裏面を吸着する図示しない吸着機能を備えており、基板Ｗを保持することが可能である。図示していないが、基板Ｗの外周を機械的にチャッキングするメカニカルチャックで保持してもよい。
【００２５】
基板Ｗが基板保持部２１に保持された後、基板Ｗの上方には、処理液を供給するノズル（吐出部の一実施形態）２５が配置される。ノズル２５から基板Ｗに向けて、処理液が供給されることにより、基板Ｗの表面を清浄にする。より具体的には、基板Ｗの表面は、アンモニア水と過酸化水素水との混合溶液であるアルカリ水溶液で洗浄された後、純水リンスによりリンスされ、続いて塩酸と過酸化水素水との混合溶液である酸水溶液で洗浄され、同じく純水リンスによりリンスされる。アルカリ水溶液および酸水溶液の種類はこれらに限るものではない。続いて基板Ｗ上の純水は、ＩＰＡ等の有機溶剤が基板Ｗ上に供給されることによりＩＰＡ等の有機溶剤で置換され、その後スピンドライにより振り切り乾燥される。なお、乾燥はスピンドライに限るものではない。洗浄処理部５で使用される薬液、純水、ＩＰＡ等の有機溶剤は、処理液供給部６より供給される。
【００２６】
基板Ｗ上に供給された処理液は、基板Ｗの中心から外周方向に流出し、カップ２３により回収される。カップ２３に回収された処理液は、図示しない排液手段によって排液される。
【００２７】
制御部７は、ＣＰＵやメモリを内蔵し、搬送ロボットＩＲ、ＣＲや処理液の供給、洗浄手順等、上述した各部を統括的に制御する。また、後述する処理液供給部の各種設備の制御も行う。
【００２８】
図３は、本発明の実施の形態に係る図１の基板処理装置１で示した処理液供給部６の概略構成図である。この処理液供給部６には、処理液が貯留される処理液貯留タンク３１ａ、３１ｂと、処理液貯留タンク３１ａ、３１ｂへ処理液を供給する処理液供給配管３６と、処理液供給配管３６の一部を形成し処理液供給配管３６へ接続される振動付与手段３３と、処理液をノズル２５へ供給するための送液配管３９と送液ポンプ４０と、処理液貯留タンク３１ａ、３１ｂ内を負圧にする吸引配管４１と吸引ポンプ４２が備えられている。
【００２９】
基板処理装置１へ処理液を供給する手段には、工場設備として処理液が集中配管で供給される場合と、処理液が貯留されたタンクからポンプ等により供給される場合がある。工場設備として処理液が集中配管で供給される場合について説明する。工場設備の集中配管が継手３５により振動付与手段３３に接続される。図示していないが、振動付与手段３３に接続される工場設備の集中配管には処理液を供給、停止させるバルブおよび流量計が備えられており、一定流量（１Ｌ／ｍｉｎ〜１０Ｌ／ｍｉｎ）の処理液が供給される。振動付与手段３３は、内径４６ｍｍ、外径５０ｍｍのＰＴＦＥ等のフッ素樹脂製の円筒形状の容器からなり、処理液の入り口側と出口側は配管接続するために内径８ｍｍ、外径１０ｍｍの管形状となっている。振動付与手段３３の胴体部分に超音波振動を付与するための圧電素子３４が外側から挿入接続されている。振動付与手段３３の寸法、形状、材質はこれに限るものではない。圧電素子３４は、処理液が容器の外部に漏れ出ないようにパッキンを挟んで容器に接続されている。継手３５は、外径１０ｍｍのＰＦＡ等のフッ素樹脂配管用の継手である。振動付与手段３３に供給される配管が金属の場合は、振動付与手段３３に用いられる継手３５として、金属と樹脂とを変換する継手が用いられる。また、振動付与手段３３に供給される配管が樹脂の場合は樹脂と樹脂とをつなぐ継手が用いられる。圧電素子３４には図示していない高周波電源が接続されており、高周波電源は制御部７によりコントロールされる。振動付与手段３３は、超音波振動に限らず、撹拌機能を有したものでもよい。振動付与手段３３内で、処理液中に溶存する気体は、超音波振動により発生するキャビテーションにより発泡する。圧電素子に付与する高周波は、処理液にキャビテーションを発生させる周波数が適用され、２０ｋＨｚ〜１００ｋＨｚが好適である。また、振動付与手段３３には、圧電素子３４を複数個設置してより強力に超音波振動を与えることもできる。
【００３０】
振動付与手段３３から継手３５を介して処理液供給配管３６が接続される。処理液供給配管３６は、処理液供給バルブ３６ａ、３６ｂを介して処理液貯留タンク３１ａ、３１ｂへ接続される。処理液供給配管３６は、内径８ｍｍ、外径１０ｍｍのＰＦＡ等のフッ素樹脂からなる。処理液供給配管３６の寸法および材質はこれに限るものではない。
【００３１】
振動が付与されて発泡された処理液は、処理液供給配管３６を通過して、処理液貯留タンク３１ａ、３１ｂに供給される。処理液貯留タンク３１ａ、３１ｂは、容量２０ＬのＰＦＡ等のフッ素樹脂からなる円筒形状もしくは四角柱形状である。処理液貯留タンク３１ａ、３１ｂの容量および材質はこれに限るものではない。処理液貯留タンク３１ａ、３１ｂには、図示していない液面計が備えられており、処理液の液面位置が検知されるようになっている。液面位置の上限位置と下限位置を設定しておき処理液貯留タンク３１ａ、３１ｂに処理液を貯留する際の管理や処理液をノズル２５へ供給する際の管理等、処理液の使用管理に用いられる。振動付与手段３３により発泡した処理液は、処理液供給配管３６を通過して処理液貯留タンク３１ａ、３１ｂ内に貯留される。処理液が処理液貯留タンク３１ａ、３１ｂ内に貯留されると、処理液中に溶存していた気体は配管途上で発泡しているため、発砲した泡は貯留された処理液中を液面上方へ浮上し液面上方空間へ開放される。
【００３２】
処理液貯留タンク３１ａ、３１ｂの側壁には、冷温水配管３２が備えられており、冷水と温水を切り替えて供給することができる。これにより処理液貯留タンク３１ａ、３１ｂにて処理液の温度調節を行うことが可能となっている。超音波振動が付与された処理液は超音波エネルギーにより温度上昇しているため、室温で処理液を使用したい場合には処理液貯留タンク３１ａ、３１ｂに冷水を供給して室温に調節する。また、処理液によっては、７０〜９０℃の温度を使用したい場合があり、この場合には処理液貯留タンク３１ａ、３１ｂに温水を供給して所望の温度に調節する。
【００３３】
処理液貯留タンク３１ａ、３１ｂには、吸引配管バルブ３７ａ、３７ｂを介して処理液貯留タンク３１ａ、３１ｂ内を負圧にする吸引配管４１と吸引ポンプ４２が接続されている。処理液貯留タンク３１ａ、３１ｂへ処理液が供給されると同時に吸引ポンプ４２が駆動される。処理液貯留タンク３１ａ、３１ｂ内で液面上方空間へ開放された泡は、負圧により吸引され、図示していない排気ラインに排気される。このため貯留された処理液の脱気がより効果的に行われる。なお、吸引ポンプ４２のかわりにエジェクター等のように減圧を作り出せるものであればよい。
【００３４】
処理液貯留タンク３１ａ、３１ｂには、送液配管バルブ３８ａ、３８ｂを介して処理液をノズル２５へ供給するための送液配管３９と送液ポンプ４０が接続されている。送液配管３９により、処理液はノズル２５へと供給され、処理液が基板上に吐出される。
【００３５】
圧電素子３４に接続される高周波電源のコントロール、処理液供給バルブ３６ａ、３６ｂの開閉制御、吸引配管バルブ３７ａ、３７ｂの開閉制御、送液配管バルブ３８ａ、３８ｂの開閉制御、吸引ポンプ４２の動作制御、送液ポンプ４０の動作制御、冷温水配管３２へ供給する冷水および温水の供給制御は、基板処理装置１の制御部７により実行される。
【００３６】
図４は、本発明の実施例の流れを説明するためのフロー図である。
【００３７】
まず、一方の処理液貯留タンク３１ａに処理液を供給するフローを説明する。
制御部７からの指示により工場設備の集中配管に接続されるバルブが開かれ、処理液が振動付与手段３３に供給される（ステップＳ１）。このステップＳ１になる以前は、処理液供給バルブ３６ａ、吸引配管バルブ３７ａ、送液配管バルブ３８ａは閉じられた状態である
【００３８】
上記のステップS1が開始されると同時に、制御部７は、超音波付与手段３３の圧電素子３４に高周波電源から所定出力の高周波を印加する。圧電素子３４は高周波が印加されることにより超音波振動を発生させる。処理液は超音波振動付与手段３３を通過する間に、圧電素子から超音波振動が付与される。処理液は、超音波振動が付与されることによりキャビテーションを発生し、処理液中に溶存する気体が発泡される（ステップＳ２）。使用する処理液の流量によっては、超音波付与手段３３に設置する圧電素子３４を複数設けて効率を上げることもできる。
【００３９】
さらに、上記のステップS1が開始されると同時に、制御部７からの指示により、処理液供給バルブ３６ａが開かれる。超音波付与手段３３により発泡した処理液は、処理液供給配管３６を通過して処理液貯留タンク３１ａに貯留される（ステップＳ３）。
【００４０】
また、上記のステップS1と並行して、制御部７は、処理液貯留タンク３１ａの側壁に設置された冷温水配管３２に冷水を供給して処理液貯留タンク３１ａ内を室温に温度調節する（ステップＳ４）。超音波振動が付与された処理液は超音波エネルギーにより温度上昇しているため、室温で処理液を使用したい場合には冷却する必要がある。
【００４１】
また処理液貯留タンク３１ａでは、発泡された処理液の供給と同時に、制御部７からの指示により吸引配管バルブ３７ａが開かれ、吸引ポンプ４２が駆動され、吸引配管４１を通して処理液貯留タンク３１ａ内が減圧される（ステップＳ５）。これにより、発泡された処理液の溶存気体は液面上方空間へ移動しやすくなり、液面上方へ開放された泡は、減圧排気される。
【００４２】
処理液貯留タンク３１ａへの処理液の貯留量が、図示していない液面計の上限まで到達すると、制御部７からの指示により処理液供給バルブ３６ａが閉じられ、処理液貯留タンク３１ａへの供給が停止される（ステップＳ６）。上記のステップＳ６と並行して、制御部７からの指示により、工場設備の集中配管に接続されるバルブが閉じられ、また超音波振動の付与も停止される。
【００４３】
制御部７は、吸引配管バルブ３７ａを閉じて吸引ポンプ４２を停止させる。処理液貯留タンク３１ａ内の減圧が停止されると同時に制御部７は、送液配管バルブ３８ａを開き、送液ポンプ４０を駆動させる。これにより処理液貯留タンク３１ａに貯留された処理液は、送液配管３９を通過してノズル２５から基板上へ吐出される（ステップＳ７）。制御部７は、送液配管バルブ３８ａの開閉を制御して、ノズル２５から基板上へ供給する処理液の吐出および停止を制御する。
【００４４】
次に、他方の処理液貯留タンク３１ｂへ切り替える場合を説明する。
上記ステップＳ６において処理液貯留タンク３１ａへの供給が停止されると同時に、制御部７からの指示により、処理液供給バルブ３６ｂが開かれ、処理液は、処理液貯留タンク３１ｂに供給される。処理液の供給が開始されると同時に、操作部７からの指示により、吸引配管バルブ３７ｂが開かれ吸引ポンプ４２が駆動されて処理液貯留タンク３１ｂ内は減圧される。このとき、処理液供給バルブ３８ｂは閉じられた状態である。
【００４５】
処理液貯留タンク３１ｂへ処理液の供給が完了するまでは、上記説明した動作と同様である。
【００４６】
処理液貯留タンク３１ａの処理液が基板上へ供給され使用される間に、処理液貯留タンク３１ｂへの処理液の供給は完了している。処理液貯留タンク３１ａの処理液が使用されている状態では、吸引配管バルブ３７ｂは開かれたまま吸引ポンプ４２が駆動されて処理液貯留タンク３１ｂ内は減圧される。処理液貯留タンク３１ａの処理液が、図示していない液面計の下限に到達すると、制御部７からの指示により送液配管バルブ３８ａが閉じられる。同時に、制御部７からの指示により吸引配管バルブ３７ｂが閉じられ吸引ポンプ４２が停止されて、処理液供給バルブ３８ｂが開けられ処理液貯留タンク３１ａから処理液貯留タンク３１ｂに運用が切り替えられる。
【００４７】
処理液貯留タンク３１ａの処理液が使用される間、処理液貯留タンク３１ｂの処理液はタンク内で負圧が維持されているので十分に脱気される。よって、処理液貯留タンク３１ｂ側に使用が切り替わってもすぐに十分脱気された処理液を基板上に供給することが可能となる。また、処理液貯留タンク３１ｂを使用している間に、処理液貯留タンク３１ａへ供給する。このように処理液貯留タンク３１ａと処理液貯留タンク３１ｂを交互に使用することにより、十分に脱気された処理液の供給を滞りなく行うことができる。以上のような実施の形態によれば、簡便に安価に十分脱気された処理液を基板上に供給することができる。なお、本件の実施は上記の形態に限るものではない。
【００４８】
第二の実施の形態を以下に説明する。
図５は、第二の実施の形態に係る処理液供給部６ａの概略構成図である。第二の実施の形態は、振動付与手段が直接処理液貯留タンクに接続された形態である。
【００４９】
この処理液供給部６ａには、工場設備の集中配管に接続される振動付与手段３３と、振動付与手段３３で振動が付与された処理液が貯留される処理液貯留タンク５１と、処理液をノズル２５へ供給するための送液配管５５と送液ポンプ５６と、処理液貯留タンク５１内を負圧にする吸引配管５８と吸引ポンプ５９が備えられている。
【００５０】
振動付与手段３３は、工場設備の集中配管に継手３５により接続される。図示していないが、振動付与手段３３に接続される工場設備の集中配管には処理液を供給、停止させるバルブおよび流量計が備えられており、一定流量（１Ｌ／ｍｉｎ〜１０Ｌ／ｍｉｎ）の処理液が振動付与手段３３に供給される。振動付与手段３３の構成要素は実施の形態１と同じである。
【００５１】
処理液貯留タンク５１には振動付与手段３３の出口側と接続するための接続ポート５２が取り付けられており、継手３５により振動付与手段３３と接続される。
【００５２】
処理液貯留タンク５１の側壁には、冷温水配管５３が備えられており、冷水と温水を切り替えて供給することができる。これにより処理液貯留タンク５１にて処理液の温度調節を行うことが可能となっている。
【００５３】
処理液貯留タンク５１には、吸引配管バルブ５７を介して処理液貯留タンク５１内を負圧にする吸引配管５８と吸引ポンプ５９が接続されている。処理液貯留タンク５１内で液面上方空間へ開放された泡は、負圧により吸引され、図示していない排気ラインに排気される。このため貯留された処理液の脱気がより効果的に行われる。なお、吸引ポンプ５９のかわりにエジェクター等のように減圧を作り出せるものであればよい。
【００５４】
処理液貯留タンク５１には、送液配管バルブ５４を介して処理液をノズル２５へ供給するための送液配管５５と送液ポンプ５６が接続されている。送液配管５５により、処理液はノズル２５へと供給され、処理液が基板上に吐出される。
【００５５】
圧電素子３４に接続される高周波電源のコントロール、吸引配管バルブ５７の開閉制御、送液配管バルブ５４の開閉制御、吸引ポンプ５９の動作制御、送液ポンプ５６の動作制御、冷温水配管５３へ供給する冷水および温水の供給制御は、基板処理装置１と同様に、制御部７により実行される。
【００５６】
次に、処理の流れについて説明する。
制御部７からの指示により工場設備の集中配管のバルブが開かれ、処理液が振動付与手段３３に供給される。初期の状態として送液配管バルブ５４および吸引配管バルブ５７は閉じられているが、処理液が振動付与手段３３に供給されると同時に、制御部７からの指示により吸引配管バルブ５７が開けられ、吸引ポンプ５９が駆動される。処理液は、振動付与手段３３を通過する間に、圧電素子３４からの超音波振動が付与される。処理液に超音波振動が付与されることにより、キャビテーションを発生して処理液中に溶存する気体は発泡される。振動付与手段３３により振動が付与されて発泡した処理液は直接、処理液貯留タンク５１に貯留される。処理液貯留タンク５１に処理液の供給が開始されると同時に制御部７は、処理液貯留タンク５１の側壁に設置された冷温水配管５３に冷水を供給して処理液貯留タンク５１内を室温に温度調節する。超音波振動が付与された処理液は超音波エネルギーにより温度上昇しているため、室温で処理液を使用したい場合には冷却する必要がある。
【００５７】
また第二の実施の形態の場合は、図示していない液面計の上限まで処理液が到達した後、振動付与手段３３に供給される処理液の供給が工場設備の集中配管のバルブを閉じることにより停止される。振動付与手段３３へ供給される処理液の供給が停止された後、制御部７からの指示により吸引配管バルブ５７が閉じられ吸引ポンプ５９が停止されて、処理液の脱気が完了する。その後、送液配管バルブ５４が開かれ、送液ポンプ５６が駆動される。これにより処理液貯留タンク５１に貯留された処理液は、送液配管５５を通過してノズル２５から基板上へ吐出される。制御部７は、送液配管バルブ５４の開閉を制御して、ノズル２５から基板上へ供給する処理液の吐出および停止を制御する。
【００５８】
処理液貯留タンク５１の処理液が、図示していない液面計の下限に到達すると制御部７からの指示により工場設備の集中配管のバルブが開かれ再度処理液が振動付与手段３３に供給される。処理液が振動付与手段３３に供給されてからは上記で説明したとおりであり、処理液貯留タンク５１内で処理液は脱気される。尚、処理液貯留タンク５１の温度調節は、最初の処理液が供給開始されてから継続して行われる。基板上への処理液の供給を滞りなく実施する場合には、振動付与手段３３を備えた処理液貯留タンク５１を二組設置し、切り替えて使用することが好ましい。使用する処理液の脱気の程度によっては、図示していない液面計で処理液の貯留量を管理して、処理液貯留タンク５１への処理液の貯留とノズル２５への供給を連続して運用することも可能である。
【００５９】
第二の実施の形態の場合は、配管経路が必要ないというメリットがある。しかし、基板上への処理液を滞りなく実施する場合には、振動付与手段を備えた処理液貯留タンクが二組以上必要となる。
【００６０】
尚、上記実施の形態では、室温で処理液を使用する場合について説明したが、処理液を加熱して使用したい場合には、ステップＳ４において温水を供給して処理液の温度を調節すればよい。
【００６１】
また、上記実施の形態では、工場設備として処理液が集中配管で供給される場合について説明したが、処理液が貯留されたタンクからポンプ等により供給される場合等、これに限るものではない。
【００６２】
また、上記実施の形態では、処理液をノズルへ供給する手段としてポンプを用いた場合について説明したが、圧送やその他の手段を用いてもよい。
【００６３】
上記実施の形態で説明した処理液供給部６および６ａであるが、処理液供給部６および６ａの設置場所は、基板処理装置１の内部にあることが好ましいが、装置外の付帯設備として備えることもできる。基板処理装置１の内部にあると、配管経路を最短で設計できるためコストを安価にすることができる。装置外に備える場合には、複数の基板処理装置へ供給することが可能となる。
【符号の説明】
【００６４】
１      基板処理装置
２      カセットステージ
３      基板受渡部
４      搬送部
５      洗浄処理部
６      処理液供給部
７      制御部
８      パス
２１    基板保持部
２３    カップ
２５    吐出部
３１ａ  処理液貯留タンク  
３１ｂ  処理液貯留タンク
３２    冷温水配管
３３    振動付与手段
３４    圧電素子
３５    継手
３６    処理液供給配管
３６ａ  処理液供給バルブ
３６ｂ  処理液供給バルブ
３７ａ  吸引配管バルブ
３７ｂ  吸引配管バルブ
３８ａ  送液配管バルブ
３８ｂ  送液配管バルブ
３９    送液配管
４０    送液ポンプ
４１    吸引配管
４２    吸引ポンプ
５１    処理液貯留タンク
５２    接続ポート
５３    冷温水配管
５４    送液配管バルブ
５５    送液配管
５６    送液ポンプ
５７    吸引配管バルブ
５８    吸引配管
５９    吸引ポンプ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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