(57)【要約】【課題】シリコン単結晶基板等の結晶性基板に形成されるアライメントマークを用いて、容易に相対位置の確認を行うことができる電子デバイスの製造方法を提供する。【解決手段】シリコン単結晶基板２９′の第１の面に形成された第１のアライメントマーク４１と、第１の面とは異なる第２の面に形成された第２のアライメントマーク４３と、を重ねあわせて、当該第１のアライメントマーク４１と第２のアライメントマーク４３との位置ずれを確認する工程を含む記録ヘッド３の製造方法であって、シリコン単結晶基板２９′の第１の面にアモルファス層４０を製膜する成膜工程と、アモルファス層４０をエッチングすることにより、当該アモルファス層４０に第１のアライメントマーク４１を形成するエッチング工程と、を含むこと。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
結晶性基板の第１の面に形成された第１のアライメントマークと、第１の面とは異なる第２の面に形成された第２のアライメントマークと、を重ねあわせて、当該第１のアライメントマークと第２のアライメントマークとの位置ずれを確認する工程を含む電子デバイスの製造方法であって、
前記結晶性基板の前記第１の面にアモルファス層を製膜する成膜工程と、
前記アモルファス層をエッチングすることにより、当該アモルファス層に第１のアライメントマークを形成するエッチング工程と、を含むことを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【請求項２】
前記エッチングは、等方性エッチングであることを特徴とする請求項１に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項３】
前記エッチングは、異方性エッチングであることを特徴とする請求項１に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項４】
前記第１のアライメントマーク及び前記第２のアライメントマークは、正方形状又は長方形状に形成されたことを特徴とする請求項１から請求項３の何れか一項に記載の電子デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板上に圧電素子等の素子や配線が積層された電子デバイスの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
電子デバイスは、例えば、電圧の印加により変形する圧電素子等の駆動素子を備えたデバイスであり、各種の装置やセンサー等に応用されている。例えば、液体噴射装置では、電子デバイスを利用した液体噴射ヘッドから各種の液体を噴射している。この液体噴射装置としては、例えば、インクジェット式プリンターやインクジェット式プロッター等の画像記録装置があるが、最近ではごく少量の液体を所定位置に正確に着弾させることができるという特長を生かして各種の製造装置にも応用されている。例えば、液晶ディスプレイ等のカラーフィルターを製造するディスプレイ製造装置，有機ＥＬ（Electro Luminescence）ディスプレイやＦＥＤ（面発光ディスプレイ）等の電極を形成する電極形成装置，バイオチップ（生物化学素子）を製造するチップ製造装置に応用されている。そして、画像記録装置用の記録ヘッドでは液状のインクを噴射し、ディスプレイ製造装置用の色材噴射ヘッドではＲ（Red）・Ｇ（Green）・Ｂ（Blue）の各色材の溶液を噴射する。また、電極形成装置用の電極材噴射ヘッドでは液状の電極材料を噴射し、チップ製造装置用の生体有機物噴射ヘッドでは生体有機物の溶液を噴射する。
【０００３】
上記の液体噴射ヘッドに使用される電子デバイスは、ノズルに連通する圧力室が形成された圧力室形成基板、圧力室に圧力変動を生じさせる圧電素子、及び、圧力室に液体を供給する連通口が形成された連通基板等が積層されている。これらの基板等は、アライメントマークにより相対位置が確認されて積層されている。例えば、圧力室形成基板側に設けられたアライメントマークと、連通基板側に設けられたアライメントマークとがカメラ等により撮影されて、これらの相対位置が確認される。また、圧力室形成基板の一方面側に振動板を介して積層される圧電素子等と、当該圧力室形成基板に形成される圧力室等との相対位置もアライメントマークにより、これらの相対位置が確認される。このようなアライメントマークは、連通基板や圧力室形成基板等となる基板自体をウェットエッチングすることにより作成される（例えば、特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平６−４５６１５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、圧力室形成基板や連通基板等は、製造上の理由から表面の結晶面方位が（１１０）面であるシリコン単結晶基板が用いられる。このようなシリコン単結晶基板にアライメントマークに対応したレジストパターンを形成した後、ＫＯＨを成分とする溶液等を用いてウェットエッチングしてアライメントマークを形成すると、結晶面或いはシリコンの結晶性に起因する面が形成される。このため、アライメントマークは、例えば、基板の表面から見て４辺が結晶面からなる平行四辺形状に形成される。すなわち、アライメントマークは、隣り合う辺同士が直角に交わらない形状となる。このようなアライメントマークを重ね合わせてそのずれ量を求める場合、直交座標に沿って距離を測定するため、この測定結果からずれ量を求める計算が必要になっていた。
【０００６】
具体的には、図５（ａ）に示すように、一方の面に形成された平行四辺形状の第１のアライメントマーク９１と、他方の面に第１のアライメントマーク９１よりも大きく且つ第１のアライメントマーク９１と相似形に形成された第２のアライメントマーク９２と、を重ねる場合、両アライメントマークの中心位置が重なるところが基準位置となる。例えば、図５（ｂ）に示すように、第１のアライメントマーク９１が直交座標におけるｘ方向（図５（ｂ）における左右方向）に平行にずれた場合、ｘ方向に対して交わる方向に延びる第１のアライメントマーク９１の辺と、これに対応する第２のアライメントマーク９２の辺との間隔Ｄ２を測定し、基準位置であった場合の両辺の間隔Ｄ１との差を求めることで、ｘ方向のずれ量を求めることができる。ところが、図５（ｃ）に示すように、第１のアライメントマーク９１が直交座標におけるｘ方向（図５（ｃ）における左右方向）及び直交座標におけるｙ方向（図５（ｃ）における上下方向）にずれた場合、ｘ方向に対して交わる方向に延びる第１のアライメントマーク９１の辺と、これに対応する第２のアライメントマーク９２の辺との間隔Ｄ３を測定し、基準位置であった場合の間隔Ｄ１との差を求めたとしても、ｘ方向のずれ量を求めることができない。この場合、ｙ方向のずれ量と上記した間隔Ｄ３とから三角関数を用いて、ｙ方向にずれていなかった場合の第１のアライメントマーク９１の辺と、これに対応する第２のアライメントマーク９２の辺との間隔Ｄ３′を計算し、当該間隔Ｄ３′から基準位置であった場合の両辺の間隔Ｄ１との差を求めることで、ｘ方向のずれ量を導くことができる。このように、アライメントマークが平行四辺形状等であった場合、アライメントマーク同士のずれ量を求める計算が必要になり、アライメントマークを用いた相対位置の確認が煩雑になっていた。
【０００７】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、シリコン単結晶基板等の結晶性基板に形成されるアライメントマークを用いて、容易に相対位置の確認を行うことができる電子デバイスの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の電子デバイスの製造方法は、上記目的を達成するために提案されたものであり、結晶性基板の第１の面に形成された第１のアライメントマークと、第１の面とは異なる第２の面に形成された第２のアライメントマークと、を重ねあわせて、当該第１のアライメントマークと第２のアライメントマークとの位置ずれを確認する工程を含む電子デバイスの製造方法であって、
前記結晶性基板の前記第１の面にアモルファス層を製膜する成膜工程と、
前記アモルファス層をエッチングすることにより、当該アモルファス層に第１のアライメントマークを形成するエッチング工程と、を含むことを特徴とする。
なお、第２の面には、第１の面が形成された結晶性基板と同一の基板に設けられる場合のほか、当該結晶性基板とは異なる基板に設けられる場合も含まれる。
【０００９】
この方法によれば、第１のアライメントマークの形状を任意に設定できるため、第１のアライメントマークと第２のアライメントマークとの位置ずれを容易に確認できるようになる。
【００１０】
また、上記方法において、前記エッチングは、等方性エッチングであることが望ましい。
【００１１】
この方法によれば、ウェットエッチングによりエッチングの時間を短縮することができる。これにより、電子デバイスの製造時間を短縮することができる。
【００１２】
さらに、上記方法において、前記エッチングは、異方性エッチングであることが望ましい。
【００１３】
この方法によれば、ドライエッチングにより第１のアライメントマークの加工精度を向上させることができる。これにより、第１のアライメントマークと第２のアライメントマークとの位置ずれをより正確に確認できるようになる。
【００１４】
また、上記各方法において、前記第１のアライメントマーク及び前記第２のアライメントマークは、正方形状又は長方形状に形成されたことが望ましい。
【００１５】
この方法によれば、第１のアライメントマークと第２のアライメントマークとの位置ずれが確認し易くなる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】プリンターの構成を説明する斜視図である。
【図２】記録ヘッドの構成を説明する断面図である。
【図３】アライメントマークの構成を説明する平面図である。
【図４】アライメントマークの構成を説明する断面図である。
【図５】従来のアライメントマークの構成を説明する平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明を実施するための形態を、添付図面を参照して説明する。なお、以下に述べる実施の形態では、本発明の好適な具体例として種々の限定がされているが、本発明の範囲は、以下の説明において特に本発明を限定する旨の記載がない限り、これらの態様に限られるものではない。また、以下においては、本発明に係る電子デバイスとして、液体噴射装置の一種であるインクジェット式プリンター（以下、プリンター）に搭載される液体噴射ヘッドの一種であるインクジェット式記録ヘッド（以下、記録ヘッド）を例に挙げて説明する。
【００１８】
プリンター１の構成について、図１を参照して説明する。プリンター１は、記録紙等の記録媒体２（着弾対象の一種）の表面に対してインク（液体の一種）を噴射して画像等の記録を行う装置である。このプリンター１は、記録ヘッド３、この記録ヘッド３が取り付けられるキャリッジ４、キャリッジ４を主走査方向に移動させるキャリッジ移動機構５、記録媒体２を副走査方向に移送する搬送機構６等を備えている。ここで、上記のインクは、液体供給源としてのインクカートリッジ７に貯留されている。このインクカートリッジ７は、記録ヘッド３に対して着脱可能に装着される。なお、インクカートリッジがプリンターの本体側に配置され、当該インクカートリッジからインク供給チューブを通じて記録ヘッドに供給される構成を採用することもできる。
【００１９】
上記のキャリッジ移動機構５はタイミングベルト８を備えている。そして、このタイミングベルト８はＤＣモーター等のパルスモーター９により駆動される。したがってパルスモーター９が作動すると、キャリッジ４は、プリンター１に架設されたガイドロッド１０に案内されて、主走査方向（記録媒体２の幅方向）に往復移動する。キャリッジ４の主走査方向の位置は、位置情報検出手段の一種であるリニアエンコーダー（図示せず）によって検出される。リニアエンコーダーは、その検出信号、即ち、エンコーダーパルス（位置情報の一種）をプリンター１の制御部に送信する。
【００２０】
また、キャリッジ４の移動範囲内における記録領域よりも外側の端部領域には、キャリッジ４の走査の基点となるホームポジションが設定されている。このホームポジションには、端部側から順に、記録ヘッド３のノズル面（ノズルプレート２１）に形成されたノズル２２を封止するキャップ１１、及び、ノズル面を払拭するためのワイピングユニット１２が配置されている。
【００２１】
次に記録ヘッド３について説明する。図２は、記録ヘッド３の構成を説明する断面図である。本実施形態における記録ヘッド３は、図２に示すように、アクチュエーターユニット１４および流路ユニット１５が積層された状態でヘッドケース１６に取り付けられている。なお、便宜上、各部材の積層方向を上下方向として説明する。
【００２２】
ヘッドケース１６は、合成樹脂製の箱体状部材であり、その内部には各圧力室３０にインクを供給するリザーバー１８が形成されている。このリザーバー１８は、複数並設された圧力室３０に共通なインクが貯留される空間であり、ノズル列方向に沿って形成されている。なお、ヘッドケース１６の上方には、インクカートリッジ７側からのインクをリザーバー１８に導入するインク導入路（図示せず）が形成されている。また、ヘッドケース１６の下面側には、当該下面からヘッドケース１６の高さ方向の途中まで直方体状に窪んだ収容空間１７が形成されている。後述する流路ユニット１５がヘッドケース１６の下面に位置決めされた状態で接合されると、連通基板２４上に積層されたアクチュエーターユニット１４（圧力室形成基板２９、封止板３３等）が収容空間１７内に収容されるように構成されている。
【００２３】
ヘッドケース１６の下面に接合される流路ユニット１５は、連通基板２４、ノズルプレート２１およびコンプライアンスシート２８を有している。連通基板２４は、シリコン製の板材であり、本実施形態では、表面（上面および下面）の結晶面方位を（１１０）面としたシリコン単結晶基板から作製されている。この連通基板２４には、図２に示すように、リザーバー１８と連通し、各圧力室３０に共通なインクが貯留される共通液室２５と、この共通液室２５を介してリザーバー１８からのインクを各圧力室３０に個別に供給する個別連通路２６とが、エッチングにより形成されている。また、連通基板２４の各ノズル２２に対応する位置には、連通基板２４の板厚方向を貫通したノズル連通路２７が形成されている。このノズル連通路２７によって、圧力室３０とノズル２２とが連通する。本実施形態では、個別連通路２６が圧力室３０の長手方向における一側の端部と連通し、ノズル連通路２７が圧力室３０の長手方向における他側の端部と連通する。
【００２４】
ノズルプレート２１は、連通基板２４の下面（圧力室形成基板２９とは反対側の面）に接合されたシリコン製の基板（例えば、シリコン単結晶基板）である。本実施形態のノズルプレート２１は、連通基板２４におけるコンプライアンスシート２８（共通液室２５）から外れた領域に接合されている。このノズルプレート２１には、複数のノズル２２が直線状（列状）に開設されている。この列設された複数のノズル２２（ノズル列）は、一端側のノズル２２から他端側のノズル２２までドット形成密度に対応したピッチ（例えば６００ｄｐｉ）で、主走査方向に直交する副走査方向に沿って等間隔に設けられている。
【００２５】
コンプライアンスシート２８は、連通基板２４のノズルプレート２１が接合された領域から外れた領域であって、共通液室２５に対応する領域に、当該共通液室２５となる空間の下面側の開口を塞ぐ状態で接合されている。このコンプライアンスシート２８は、可撓性を有する可撓膜２８ａと、この可撓膜２８ａが上面に固定される硬質な固定板２８ｂと、からなる。固定板２８ｂの共通液室２５に対応する位置には、可撓膜２８ａの可撓変形が阻害されないように開口が設けられている。これにより、共通液室２５の下面側は、可撓膜２８ａのみによって区画されたコンプライアンス部となる。このコンプライアンス部によって、リザーバー１８および共通液室２５内のインクに発生する圧力変化を吸収することができる。
【００２６】
アクチュエーターユニット１４は、図２に示すように、圧力室形成基板２９、振動板３１、圧電素子３２および封止板３３が積層されてユニット化されている。なお、アクチュエーターユニット１４は、収容空間１７内に収容可能なように、収容空間１７よりも小さく形成されている。
【００２７】
圧力室形成基板２９は、シリコン製の硬質な板材であり、本実施形態では、表面（上面および下面）の結晶面方位を（１１０）面としたシリコン単結晶基板から作製されている。この圧力室形成基板２９には、エッチングにより一部が板厚方向に完全に除去されて、圧力室３０となるべき空間が形成されている。この空間、すなわち圧力室３０は、各ノズル２２に対応して複数並設されている。各圧力室３０は、ノズル列方向に直交する方向に長尺な空部であり、長手方向の一側の端部に個別連通路２６が連通し、他側の端部にノズル連通路２７が連通している。
【００２８】
振動板３１は、弾性を有する薄膜状の部材であり、圧力室形成基板２９の上面（連通基板２４側とは反対側の面）に積層されている。この振動板３１によって、圧力室３０となるべき空間の上部開口が封止されている。換言すると、振動板３１によって、圧力室３０が区画されている。この振動板３１における圧力室３０（詳しくは、圧力室３０の上部開口）に対応する部分は、圧電素子３２の撓み変形に伴ってノズル２２から遠ざかる方向あるいは近接する方向に変位する変位部として機能する。すなわち、振動板３１における圧力室３０の上部開口に対応する領域が、撓み変形が許容される駆動領域となる。一方、振動板３１における圧力室３０の上部開口から外れた領域が、撓み変形が阻害される非駆動領域となる。なお、振動板３１は、例えば、圧力室形成基板２９の上面に形成された二酸化シリコン（ＳｉＯ２）からなる弾性膜と、この弾性膜上に形成された酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）からなる絶縁体膜と、から成る。
【００２９】
本実施形態の圧電素子３２は、所謂撓みモードの圧電素子であり、振動板３１上の各圧力室３０に対応する領域にそれぞれ積層されている。例えば、圧電素子３２は、下電極層（個別電極）、圧電体層および上電極層（共通電極）が順次積層されてなる。このように構成された圧電素子３２は、下電極層および上電極層に駆動信号（駆動電圧）が供給されると、ノズル２２から遠ざかる方向あるいは近接する方向に撓み変形する。また、圧電素子３２の長手方向における両側には、当該圧電素子３２に駆動信号供給する配線（図示せず）が形成されている。各配線には、それぞれ対応するバンプ電極３４（後述）が接合されている。
【００３０】
封止板３３は、平板状に形成されたシリコン製の板材である。本実施形態では、表面（上面および下面）の結晶面方位を（１１０）面としたシリコン単結晶基板から作製されている。また、本実施形態の封止板３３は、各圧電素子３２を個々に駆動するための駆動回路３３ａ（ドライバー回路）を備えている。この駆動回路３３ａは、例えば、封止板３３となるシリコン単結晶基板（シリコンウェハ）の表面に、半導体プロセス（即ち、成膜工程、フォトリソグラフィー工程及びエッチング工程など）を用いて作成される。
【００３１】
そして、振動板３１及び圧電素子３２が積層された圧力室形成基板２９と封止板３３とは、バンプ電極３４を介在させた状態で、接着剤３５により接合されている。具体的には、図２に示すように、圧電素子３２を挟んで圧力室３０の長手方向の両側にバンプ電極３４及び接着剤３５が配置されている。これらのバンプ電極３４及び接着剤３５により振動板３１と封止板３３との間隔が保持されている。なお、この間隔は、圧電素子３２の歪み変形を阻害しない程度に設定され、例えば、約５μｍ〜約２５μｍに設定されている。
【００３２】
このように形成された記録ヘッド３は、インクカートリッジ７からのインクをインク導入路、リザーバー１８、共通液室２５および個別連通路２６を介して圧力室３０に導入する。この状態で、駆動回路３３ａからの駆動信号を、バンプ電極３４を介して圧電素子３２に供給することで、圧電素子３２を駆動させて圧力室３０に圧力変動を生じさせる。この圧力変動を利用することで、記録ヘッド３はノズル連通路２７を介してノズル２２からインク滴を噴射する。
【００３３】
次に、上記した記録ヘッド３の製造方法、特に記録ヘッド３を構成する基板内に形成されたパターン同士のアライメント方法について説明する。図３はアライメントマーク４１、４３の構成を説明する平面図であり、図４はアライメントマーク４１、４３の構成を説明する断面図である。以下では、圧力室形成基板２９の一方面側（振動板３１側）に形成されたパターン（例えば、圧電素子３２等）と、他方面側（連通基板３３側）に形成されたパターン（例えば、圧力室３０）との相対位置を確認するアライメントマーク４１、４３に注目して説明する。
【００３４】
まず、圧力室形成基板２９となる、表面及び裏面の結晶面方位が（１１０）面からなるシリコン単結晶基板２９′の一方面（本発明における第１の面）側に、半導体プロセスを用いて振動板３１及び圧電素子３２等を形成する。次に、成膜工程において、同面側に第１のアモルファス層４０を製膜する。この第１のアモルファス層４０としては、例えば二酸化シリコン（ＳｉＯ２）からなるアモルファス層が用いられる。この状態で、第１のアモルファス層４０上にレジストを塗布し、露光マスクを介して露光および現像することで、第１のアライメントマーク４１に対応するレジストパターン等を形成する。そして、エッチング工程において、第１のアモルファス層４０をエッチングすることにより、図４に示すように、当該第１のアモルファス層４０に圧電素子３２の基準となるパターンとの相対位置が確認された第１のアライメントマーク４１を形成する。なお、レジストは、エッチング終了後に除去される。本実施形態では、図３に示すように、第１のアモルファス層４０を正方形状に除去したパターンを第１のアライメントマーク４１として用いている。また、第１のアライメントマークは、シリコン単結晶基板の圧力室形成基板が形成された領域から外れた領域に形成しても良いし、圧力室形成基板が形成された領域であって、記録ヘッドの製造及びその機能に影響を及ぼさない領域に形成しても良い。さらに、振動板自体を第１のアモルファス層とし、当該振動板に第１のアライメントマークを設けることもできる。
【００３５】
次に、成膜工程において、シリコン単結晶基板２９′の他方面（本発明における第２の面）側に、第２のアモルファス層４２を製膜する。この第２のアモルファス層４２としては、第１のアモルファス層４０と同様に、例えば二酸化シリコン（ＳｉＯ２）からなるアモルファス層が用いられる。この状態で、第２のアモルファス層４２上にレジストを塗布し、露光マスクを介して露光および現像することで、第２のアライメントマーク４３及び圧力室３０に対応するレジストパターンを形成する。そして、エッチング工程において、第２のアモルファス層４２をエッチングすることにより、図４に示すように、当該第２のアモルファス層４２に第２のアライメントマーク４３を形成する。また、レジストパターンを残したまま、シリコン単結晶基板２９′をエッチングすることにより、圧力室３０を形成する。そして、エッチング終了後にレジストを除去する。本実施形態では、図３に示すように、第２のアモルファス層４２を第１のアライメントマーク４１よりも大きく且つ第１のアライメントマーク４１と相似形、すなわち正方形状に除去したパターンを第２のアライメントマーク４３として用いている。また、第１のアライメントマーク４１の中心と第２のアライメントマーク４３の中心とが重なる位置が基準位置となるように設定している。
【００３６】
このように、圧力室形成基板２９となるシリコン単結晶基板２９′の一方面側に第１のアライメントマーク４１が形成され、他方面側に第２のアライメントマーク４３が形成されたならば、両アライメントマーク４１、４３の相対位置（すなわち、重なり度合い）を確認する。例えば、赤外線等を用いてシリコン単結晶基板２９′を透過させ、その透過光をカメラで撮影することで、第１のアライメントマーク４１と第２のアライメントマーク４３との重なり度合いを確認する。或いは、両面顕微鏡等を用いて、シリコン単結晶基板２９′を両面側から撮影し、画像処理にて第１のアライメントマーク４１と第２のアライメントマーク４３とを重ねあわせて、その重なり度合いを確認する。ここで、第１のアライメントマーク４１と第２のアライメントマーク４３とは、それぞれ正方形状に形成されているため、直交座標系におけるｘ方向及びｙ方向に沿って対応する辺の距離をそれぞれ測定するだけで、第１のアライメントマーク４１と第２のアライメントマーク４３との相対的なずれ量を求めることができる。そして、第１のアライメントマーク４１と第２のアライメントマーク４３との相対的なずれ量を測定したならば、そのずれ量に応じて、露光条件等を補正する。
【００３７】
このように、圧力室形成基板２９の両面側にパターンが形成されたならば、封止板３３となるシリコン単結晶基板を接合し、その後、切断して個片化する。そして、連通基板２４、ノズルプレート２１等を積層して記録ヘッド３を作製する。
【００３８】
このように、シリコン単結晶基板２９′にアモルファス層（第１のアモルファス層４０及び第２のアモルファス層４２）を積層し、当該アモルファス層４０、４２にアライメントマーク（第１のアライメントマーク４１及び第２のアライメントマーク４３）をエッチングにより形成したので、シリコン単結晶基板２９′の結晶面方位によらずアライメントマーク４１、４３の形状を任意に設定できる。これにより、第１のアライメントマーク４１と第２のアライメントマーク４３との位置ずれ量の確認が容易になる。また、第１のアライメントマーク４１及び第２のアライメントマーク４３は、正方形状に形成されたので、第１のアライメントマーク４１と第２のアライメントマーク４３との位置ずれがより確認し易くなる。なお、第１のアライメントマーク及び第２のアライメントマークは、長方形状に形成されてもよい。その他、正方形及び長方形を組み合わせた形状や十字形状等、任意の形状に設定できる。要するに、直交する線分を含む形状であればどのようなものであってもよい。また、第１のアライメントマークと第２のアライメントマークとは、相似形に形成されなくても良い。第１のアライメントマークと第２のアライメントマークとが、それぞれ別の形状に形成されてもよい。
【００３９】
なお、上記のエッチング工程において、第１のアモルファス層４０のエッチング又は第２のアモルファス層４２のエッチングは、等方性エッチングであっても良いし、異方性エッチングであっても良い。等方性エッチングの場合は、比較的エッチング速度の速いウェットエッチングが用いられるため、エッチングの時間を短縮することができる。これにより、記録ヘッド３の製造時間を短縮することができる。なお、二酸化シリコン（ＳｉＯ２）からなるアモルファス層のウェットエッチングに用いられるエッチング溶液としては、フッ化水素（ＨＦ）を含む水溶液等が好適である。一方、異方性エッチングの場合は、比較的加工精度の高いドライエッチングが用いられるため、第１のアライメントマーク又は第２のアライメントマークをより正確に形成することができる。これにより、第１のアライメントマークと第２のアライメントマークとの位置ずれをより正確に確認できるようになる。なお、二酸化シリコン（ＳｉＯ２）からなるアモルファス層のドライエッチングに用いられるエッチングガスとしては、フッ素系ガス（ＣＨＦ３，Ｃ２Ｆ６）等が好適である。
【００４０】
ところで、上記した実施形態では、圧力室形成基板２９の表裏に形成されたアライメントマーク４１、４３について説明したが、これには限られない。例えば、その他の基板の表裏にアライメントマークを形成する場合にも、本発明を適用できる。また、積層される基板間の位置ずれを確認するために、一方の基板の一の面（本発明における第１の面に相当）に製膜された第１のアモルファス層に第１のアライメントマークを形成し、他方の基板の一の面（本発明における第２の面に相当）に製膜された第２のアモルファス層に第２のアライメントマークを形成しても良い。具体的には、連通基板側に第１のアライメントマークを形成すると共に、圧力室形成基板側に第２のアライメントマークを形成し、これらの基板を重ねあわせる際に両アライメントマークを用いて両基板の相対位置を確認する。或いは、圧力室形成基板側に第１のアライメントマークを形成すると共に、封止板側に第２のアライメントマークを形成し、これらの基板を重ねあわせる際に両アライメントマークを用いて両基板の相対位置を確認する。その他、２枚の基板を接合する際において、両基板の相対位置を確認するために、本発明のアライメント方法を用いることができる。これにより、接合される２枚の基板の相対位置を、容易に確認できるようになる。
【００４１】
また、上記した実施形態では、表面の結晶面方位を（１１０）面としたシリコン単結晶基板２９′を例に挙げたが、これには限られない。表面がその他の結晶面方位からなるシリコン単結晶基板や、他の材料からなる結晶性基板にアライメントマークを設ける場合にも本発明を利用できる。さらに、アモルファス層４０、４２として、二酸化シリコン（ＳｉＯ２）からなるアモルファス層が用いられたが、その他のシリコン酸化膜やシリコン窒化膜等からなるアモルファス層を用いることができる。
【００４２】
そして、以上では、電子デバイスとして、インクジェットプリンターに搭載されるインクジェット式記録ヘッドを例示したが、インク以外の液体を噴射する液体噴射ヘッドにも適用することができる。例えば、液晶ディスプレイ等のカラーフィルターの製造に用いられる色材噴射ヘッド、有機ＥＬ（Electro Luminescence）ディスプレイ、ＦＥＤ（面発光ディスプレイ）等の電極形成に用いられる電極材噴射ヘッド、バイオチップ（生物化学素子）の製造に用いられる生体有機物噴射ヘッド等にも本発明を適用することができる。また、液体噴射ヘッドには限られず、例えば、各種センサー等に使用される電子デバイス等にも適用することができる。
【符号の説明】
【００４３】
１…プリンター，３…記録ヘッド，１４…電子デバイス，１５…流路ユニット，１６…ヘッドケース，１７…収容空間，１８…リザーバー，２１…ノズルプレート，２２…ノズル，２４…連通基板，２５…共通液室，２６…個別連通路，２８…コンプライアンスシート，２９…圧力室形成基板，３０…圧力室，３１…振動板，３２…圧電素子，３３…封止板，３４…バンプ電極，３５…接着剤，４０…第１のアモルファス層，４１…第１のアライメントマーク，４２…第２のアモルファス層，４３…第２のアライメントマーク
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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