(57)【要約】【課題】光源ユニットをコンパクト化する。【解決手段】光源ユニットは、基板と、基板に対して固定され、発振状態のレーザ光である前方光Ｌ１を出射する第１の出射部３２ｍと、第１の出射部３２ｍの反対側に位置し発振状態のレーザ光である後方光Ｌ２を出射する第２の出射部３２ｎと、第１の出射部３２ｍ及び第２の出射部３２ｎと異なる位置にある光漏洩部５２ａ〜５２ｄと、を有する光源３２と、基板に設けられ、光漏洩部５２ａ〜５２ｄから漏洩する漏洩光５１ａ〜５１ｄを検出する受光面３３ａを備えた光検出器３３と、を有している。【選択図】図５
2016146223.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板に対して固定され、発振状態のレーザ光である前方光を出射する第１の出射部と、前記第１の出射部の反対側に位置し発振状態のレーザ光である後方光を出射する第２の出射部と、前記第１の出射部及び前記第２の出射部と異なる位置にある光漏洩部と、を有する光源と、
前記基板に設けられ、前記光漏洩部から漏洩する漏洩光を検出する受光面を備えた光検出器と、を有する、光源ユニット。
【請求項２】
前記光漏洩部は前記光源の前記基板との対向面に位置しており、前記光検出器の前記受光面の少なくとも一部は前記光漏洩部と対向している、請求項１に記載の光源ユニット。
【請求項３】
前記光漏洩部は、前記対向面の前記第１の出射部に近接する第１の辺に沿って延びる第１の光漏洩部と、前記第２の出射部に近接する第２の辺に沿って延びる第２の光漏洩部とを有し、前記光検出器の前記受光面の少なくとも一部は、前記基板と垂直な方向に見たときに、前記第１の光漏洩部または前記第２の光漏洩部と重なっている、請求項２に記載の光源ユニット。
【請求項４】
前記光漏洩部は、前記対向面の前記第１の出射部に近接する第１の辺と前記第２の出射部に近接する第２の辺の両者と交差する第３の辺に沿って延びる第３の光漏洩部を有し、前記光検出器の前記受光面の少なくとも一部は、前記基板と垂直な方向に見たときに、第３の光漏洩部と重なっている、請求項２に記載の光源ユニット。
【請求項５】
前記光検出器の前記受光面は、前記基板と垂直な方向に見たときに、前記光源の外側まで延びている、請求項３または４に記載の光源ユニット。
【請求項６】
前記光源は、前記第１の出射部が設けられた第１の側面と、前記第２の出射部が設けられた第２の側面と、前記基板との対向面並びに前記第１及び第２の側面と隣接する第３の側面とを有し、前記光検出器の前記受光面の少なくとも一部は、前記基板と垂直な方向に見たときに、前記第３の側面に関し前記光源の外側に位置している、請求項１に記載の光源ユニット。
【請求項７】
前記光検出器の前記受光面は、前記基板の前記光源との対向面と同一面内にある、請求項１から６のいずれか１項に記載の光源ユニット。
【請求項８】
磁気ヘッドスライダと、前記磁気ヘッドスライダに対して固定された請求項１から７のいずれか１項に記載の光源ユニットと、を有し、
前記磁気ヘッドスライダは、前記光源ユニットを出射した前記前方光から記録媒体対向面で近接場光を発生させる近接場光発生手段と、前記近接場光発生手段に隣接して設けられ、前記記録媒体対向面に端部が位置する記録用磁極と、を有する、熱アシスト磁気記録ヘッド。
【請求項９】
基板に対して固定されるようにされた光源であって、発振状態のレーザ光である前方光を出射する第１の出射部と、前記第１の出射部の反対側に位置し発振状態のレーザ光である後方光を出射する第２の出射部と、前記第１の出射部及び前記第２の出射部と異なる位置にある光漏洩部と、を有し、前記光漏洩部は前記光源の前記基板との対向面に位置しており、前記対向面の一部に前記光源を前記基板に接合する接合層が形成されており、前記対向面の前記接合層が設けられない領域は前記光漏洩部を形成している、光源。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光源ユニットとこれを用いた熱アシスト磁気記録ヘッド、及び光源ユニットに用いられる光源に関し、特に光源ユニットの光検出器の配置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ハードディスク装置の高記録密度化に伴い、薄膜磁気ヘッドの性能向上が要求されている。磁気記録媒体は、磁性微粒子が集合した不連続媒体であり、各磁性微粒子は単磁区構造をとる。磁気記録媒体上の各記録ビットは複数の磁性微粒子によって構成されている。記録密度を高めるためには、互いに隣接する記録ビット間の境界線の凹凸を小さくしなければならず、そのためには、磁性微粒子を小さくしなくてはならない。一方、小さい磁性微粒子、すなわち体積の小さい磁性微粒子は磁化の熱安定性が低下する。この問題を解消するには、磁性微粒子の異方性エネルギーを大きくすることが効果的である。しかし、磁性微粒子の大きな異方性エネルギーは磁気記録媒体の保磁力を高め、既存の磁気ヘッドでの情報の記録を困難にする。
【０００３】
この問題を解決する方法として、いわゆる熱アシスト磁気記録が提案されている。この方法では、保磁力の大きな磁気記録媒体を使用することができる。情報の記録時には、磁気記録媒体の情報が記録される部分に磁界と熱を同時に加えることで、当該部分の温度を上昇させる。それによって保磁力の低下した当該部分に、磁界によって情報が記録される。以下、熱アシスト磁気記録に用いられる磁気ヘッドを、熱アシスト磁気記録ヘッドと呼ぶ。
【０００４】
特許文献１に開示された熱アシスト磁気記録ヘッドは、磁気記録媒体に記録を行う磁気ヘッドスライダと、磁気ヘッドスライダに対して固定され磁気ヘッドスライダにレーザ光を供給する光源ユニットと、を有している。光源ユニットは基板上に搭載された端面発光型のレーザダイオードを有している。端面発光型のレーザダイオードは磁気ヘッドスライダと対向する面からレーザ光（前方光）を照射すると同時に、背面側からもレーザ光（後方光）を照射する。磁気ヘッドスライダは、光源ユニットから出射した前方光を伝搬させ記録媒体対向面で近接場光を発生させる近接場光発生手段を有している。近接場光発生手段は前方光を伝搬させる導波路と、近接場光を発生させるプラズモンジェネレータと、を有している。
【０００５】
プラズモンジェネレータは高温となりやすく、それ自体の損傷の他、プラズモンジェネレータの周囲にある誘電体の損傷、クラックの発生などを招く。そのため、前方光の出力を適切に制御する必要がある。特許文献１、２にはレーザダイオードの背面側に光検出器を有する光源ユニットが開示されている。前方光と後方光の光強度の比率は予め分かっているため、後方光の光強度を測定することで前方光の光強度を制御することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】米国特許第８６８７４６９号明細書
【特許文献２】特開２０１３−６２４６８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
特許文献１、２に開示された光検出器は後方光を検出するため、基板上にレーザダイオード（以下、光源という）から所定の距離だけ離れて設けられている。このため、光源と光検出器を直列で配置することができる寸法の基板が必要となり、コンパクトな光源ユニットを実現することが困難となる。その結果、光源ユニットの軽量化も困難となる。光検出器を基板と別に設ける場合も、光検出器の基板が必要となり光源ユニットの軽量化は難しい。ハードディスク装置は磁気記録媒体の半径方向に回動するアームを有し、磁気ヘッドスライダはアームの先端に取り付けられている。このため、光源ユニットの重量増加はアームの回動性能に大きな影響を及ぼす。
【０００８】
本発明はコンパクト化が容易な光源ユニットを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の光源ユニットは、基板と、基板に対して固定され、発振状態のレーザ光である前方光を出射する第１の出射部と、第１の出射部の反対側に位置し発振状態のレーザ光である後方光を出射する第２の出射部と、第１の出射部及び第２の出射部と異なる位置にある光漏洩部と、を有する光源と、光漏洩部から漏洩する漏洩光を検出する受光面を備えた光検出器と、を有している。
【００１０】
本発明では、後方光の光強度を検出する代わりに光漏洩部から漏洩する漏洩光を検出する。漏洩光の強度は前方光の光強度と相関関係があるため、漏洩光を検出することで前方光の光強度を推定することができる。光漏洩部から漏洩する漏洩光は光源の近傍で検出することが可能である。このため、光検出器を従来より光源の近傍に配置することができ、光源ユニットのコンパクト化が可能となる。
【発明の効果】
【００１１】
以上説明したように、本発明によれば、コンパクト化が容易な光源ユニットを提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】ハードディスク装置のヘッドアームアセンブリを示す斜視図である。
【図２】熱アシスト磁気記録ヘッドの斜視図である。
【図３】熱アシスト磁気記録ヘッドの断面図である。
【図４】光源（レーザダイオード）の断面図である。
【図５】漏洩光の種類と発生個所を示す模式図である。
【図６】第１の実施形態に係る光源ユニットの平面図と断面図である。
【図７】第２の実施形態に係る光源ユニットの平面図と断面図である。
【図８】第３の実施形態に係る光源ユニットの平面図と断面図である。
【図９】第４の実施形態に係る光源ユニットの平面図と断面図である。
【図１０】実施例で用いた光源ユニットの平面図である。
【図１１】実施例におけるレーザダイオードの電流・光出力特性と光検出器の出力電流の関係を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
（第１の実施形態）
本発明の光源ユニットを備えた熱アシスト磁気記録ヘッドはハードディスク装置に適用される。図１は、ハードディスク装置のヘッドアームアセンブリを示す斜視図である。ヘッドアームアセンブリ１１９はヘッドジンバルアセンブリ１１５と、ヘッドジンバルアセンブリ１１５が取り付けられたアーム１０３と、を有している。ヘッドジンバルアセンブリ１１５は、熱アシスト磁気記録ヘッド１と、熱アシスト磁気記録ヘッド１を弾性的に支持するサスペンション１０５と、を備えている。サスペンション１０５は、ステンレス鋼によって形成された板ばね状のロードビーム１１６と、ロードビーム１１６の一端部に設けられたフレクシャ１１７と、ロードビーム１１６の他端部に設けられたベースプレート１１８と、を有している。フレクシャ１１７には熱アシスト磁気記録ヘッド１が接合され、熱アシスト磁気記録ヘッド１に適度な自由度を与える。アーム１０３の一端にはベースプレート１１８が取り付けられている。アーム１０３の他端部には、ボイスコイルモータの一部となるコイル１０６が取り付けられている。アーム１０３の中間部には軸受け部１２１が設けられている。アーム１０３は、軸受け部１２１に取り付けられた軸１２２によって回動自在に支持され、熱アシスト磁気記録ヘッド１を磁気記録媒体１４のクロストラック方向ｘに移動させる。
【００１４】
図２は、熱アシスト磁気記録ヘッドの全体斜視図、図３は図２のＡ−Ａ線で切断した熱アシスト磁気記録ヘッドの断面図、図４は図３に示すレーザダイオードの拡大断面図である。
【００１５】
熱アシスト磁気記録ヘッド１は、磁気ヘッドスライダ２と、磁気ヘッドスライダ２に対して固定された光源ユニット３１と、を有している。磁気ヘッドスライダ２は、ほぼ六面体形状をなしており、そのうちの一面は磁気記録媒体１４と対向する媒体対向面Ｓとなっている。磁気ヘッドスライダ２は、ＭＲ素子４と、記録用の記録用磁極１０を含む磁気記録素子５と、光源ユニット３１から出射したレーザ光を伝搬光として伝搬し、伝搬光から媒体対向面Ｓで近接場光を発生させる近接場光発生手段４１と、を有している。記録用磁極１０は、近接場光発生手段４１に隣接して設けられ、媒体対向面Ｓに端部が位置している。これらの要素は基板３上に形成されている。
【００１６】
光源ユニット３１は、磁気ヘッドスライダ２の媒体対向面Ｓと反対側の面に対向して位置している。光源ユニット３１は、磁気ヘッドスライダ２の導波路１７に向け、媒体対向面Ｓと垂直な方向にレーザ光を出射する。光源ユニット３１は接着層３７によって磁気ヘッドスライダ２に接続されている。
【００１７】
磁気ヘッドスライダ２は、媒体対向面Ｓに先端部を露出して位置するＭＲ素子４と、ＭＲ素子４を積層方向Ｌに上下から挟むように設けられた上部シールド層８及び下部シールド層９と、を有している。これらの要素は再生ヘッド部を構成する。ＭＲ素子４は、センス電流が膜面と平行な方向（ｘ方向）に流れるＣＩＰ（Current In Plane）−ＧＭＲ（Gigantic Magneto Resistive）素子、センス電流が膜面と垂直な方向（ｚ方向）に流れるＣＰＰ（Current Perpendicular To Plane）−ＧＭＲ（Gigantic Magneto Resistive）素子、トンネル効果を利用したＴＭＲ（Tunneling Magneto Resistive）素子など、磁気抵抗効果を利用した任意の構成を適用することができる。ＣＰＰ−ＧＭＲ素子及びＴＭＲ素子を適用した場合、上部シールド層８及び下部シールド層９は、センス電流を供給する電極としても利用される。
【００１８】
磁気ヘッドスライダ２は、記録ヘッド部を構成する、いわゆる垂直磁気記録用の磁気記録素子５を備えている。磁気記録素子５は、記録のための記録用磁極１０を有している。記録用磁極１０は後述するプラズモンジェネレータ１６に隣接して設けられている。記録用磁極１０は第１本体部１０ａと第２本体部１０ｂと磁極先端部１０ｃとを有し、これらはＮｉ，Ｆｅ，Ｃｏのいずれか２つまたは３つからなる合金などで形成されている。記録用磁極１０の端部である磁極先端部１０ｃは媒体対向面Ｓに位置している。記録用磁極１０の積層方向Ｌ下方にはリターンシールド層１１が設けられている。リターンシールド層１１は第１本体部１１ａと第２本体部１１ｂとを有し、これらもＮｉ，Ｆｅ，Ｃｏのいずれか２つまたは３つからなる合金などで形成されている。記録用磁極１０とリターンシールド層１１は、コンタクト部１２で磁気的に互いに連結されている。記録用磁極１０の積層方向上方にはＡｌ２Ｏ３からなるオーバーコート層１９が設けられている。
【００１９】
記録用磁極１０の周りには、コンタクト部１２を中心としてコイル１３ａ，１３ｂが巻回している。図３は、コンタクト部１２よりも媒体対向面Ｓ側の部分だけを示している。外部からコイル１３ａ，１３ｂに印加された電流によって、記録用磁極１０に磁束が発生する。コイル１３ａ，１３ｂはＣｕ等の導電材料から形成されている。
【００２０】
磁気記録媒体１４は垂直磁気記録用の構成を有している。磁極先端部１０ｃから放出された磁束は磁気記録媒体１４に入り、各記録ビットを垂直方向に磁化させる。磁束は磁気記録媒体１４の面内方向（ｚ方向）に磁路を変え、さらにリターンシールド層１１の近傍で再度垂直方向（ｙ方向）に向きを変え、リターンシールド層１１に吸収される。
【００２１】
磁気ヘッドスライダ２は、近接場光を発生させる近接場光発生手段４１を有している。近接場光発生手段４１は、光源ユニット３１で発生したレーザ光を伝搬光４０として伝搬可能なコア１５と、コア１５を覆いコア１５より屈折率の小さいクラッド１８と、コア１５の一部と対向しながらコア１５に沿って媒体対向面Ｓまで延び、媒体対向面Ｓで近接場光を発生させるプラズモンジェネレータ１６と、を備えている。コア１５は、磁気ヘッドスライダ２の光源ユニット３１と対向する端部から媒体対向面Ｓまたはその近傍まで延びている。コア１５とクラッド１８は導波路１７を構成する。
【００２２】
コア１５は記録用磁極１０とリターンシールド層１１との間を延びている。コア１５は媒体対向面Ｓの近傍で終端しているが、媒体対向面Ｓまで延びていてもよい。図示は省略しているが、コア１５とコンタクト部１２との間には、クラッド１８が設けられている。
【００２３】
クラッド１８は例えばＳｉＯ２で、コア１５は例えばＡｌ２Ｏ３で形成することができる。クラッド１８がＡｌ２Ｏ３で形成される場合、コア１５は、例えば酸化タンタル（ＴａＯｘ）で形成することができる。ＴａＯｘは任意組成の酸化タンタルを意味し、Ｔａ２Ｏ５，ＴａＯ，ＴａＯ２等が典型的であるが、これらに限定されない。
【００２４】
光源ユニット３１で発生したレーザ光は、伝搬光４０としてコア１５を伝搬する。熱アシスト磁気記録ヘッド１は、近接場光発生手段４１によって媒体対向面Ｓで近接場光を発生させ、これによって磁気記録媒体１４の記録が行われる部分を加熱する。近接場光発生手段４１としては、コアを伝搬する伝搬光から導電性の板状部材によって直接近接場光を発生させる方法、または図示のプラズモンジェネレータ１６によって間接的に近接場光を発生させる方法を用いることができる。以下の説明ではプラズモンジェネレータ１６を用いた実施形態について説明する。
【００２５】
プラズモンジェネレータ１６は、コア１５の一部と対向しながら媒体対向面Ｓまで延びている。プラズモンジェネレータ１６は、Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ａｌ，Ｐｄ，Ｒｕ，Ｐｔ，Ｒｈ，Ｉｒ、またはこれらの金属を主成分とする合金から形成されている。プラズモンジェネレータ１６は本実施形態では、長方形断面を有する概ね四角柱形状の金属片である。従って、プラズモンジェネレータ１６の先端面は長方形であるが、正方形、三角形などの形状であってもよい。プラズモンジェネレータ１６のｙ方向に延びる４つの側面のうち、コア１５と対向する面は伝搬面を構成している。伝搬面は、コア１５を伝播する伝搬光４０と表面プラズモンモードで結合して表面プラズモンを発生させる。伝搬面は、発生した表面プラズモンをプラズモンジェネレータ１６の媒体対向面Ｓ側の先端面まで伝播させ、先端面で近接場光を発生させる。
【００２６】
光源ユニット３１はシリコンからなる基板３９と、基板３９に対して固定された光源３２と、を備えている。光源３２は、端面発光型のレーザダイオードであり、ＩｎＰ系、ＧａＡｓ系、ＧａＮ系などの通信用、光学系ディスクストレージ用または材料分析用として通常用いられるものが使用可能である。放射されるレーザ光の波長は特に限定されないが、３７５ｎｍ〜１.７μｍの範囲の波長が利用可能である。図５（ａ）に示すように、光源３２は概ね直方体の形状を有し、基板３９と対向する対向面３２ｐ（下面）と、対向面３２ｐに対向する上面３２ｘと、第１の出射部３２ｍが形成された第１の側面３２ｒと、第２の出射部３２ｎが形成された第２の側面３２ｓと、それぞれが第１及び第２の側面３２ｒ、３２ｓに隣接する２つの第３の側面３２ｔと、を有している。光源３２の対向面３２ｐは前方光Ｌ１の出射方向を長軸とする長方形である。
【００２７】
光源３２は、以下の構成に限定されないが一例では、ｎ電極３２ａと、ｎ−ＧａＡｓ基板３２ｂと、ｎ−ＩｎＧａＡｌＰクラッド層３２ｃと、第１のＡｌＧａＡｓガイド層３２ｄと、多重量子井戸（ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ）等からなる活性層３２ｅと、第２のＡｌＧａＡｓガイド層３２ｆと、ｐ−ＩｎＧａＡｌＰクラッド層３２ｇと、ｐ電極下地層３２ｈと、ｐ電極３２ｊと、が順次積層された構成となっている。第１のガイド層３２ｄはＩｎＧａＡｌＰから形成されてもよく、活性層３２ｅはＩｎＧａＰ／ＩｎＧａＡｌＰの多重量子井戸から形成されてもよく、第２のガイド層３２ｆはＩｎＧａＡｌＰから形成されてもよい。ｎ電極３２ａはｎ−ＧａＡｓ基板３２ｂ上に形成された厚さ０．１μｍ程度のＡｕまたはＡｕ合金層で形成することができる。光源３２の磁気ヘッドスライダ２と対向する劈開面には、反射層（ハーフミラー）３２ｋが、反対側の劈開面には反射層（フルミラー）３２ｌが形成されている。光源３２で生起された光は反射層３２ｋと反射層３２ｌの間で全反射を繰り返し、共振または発振状態となって、磁気ヘッドスライダ２に対向する反射層３２ｋから前方光Ｌ１として出射する。一部の光は後方光Ｌ２として反射層３２ｌからも出射する。従って、活性層３２ｅの磁気ヘッドスライダ２に対向する端面は前方光Ｌ１を出射する第１の出射部３２ｍを構成し、活性層３２ｅの反対側に位置する端面は、第１の出射部３２ｍの反対側に位置し後方光Ｌ２を出射する第２の出射部３２ｎを構成する。ｐ電極下地層３２ｈとｐ電極３２ｊは後述する第１の接合層３４が形成されている領域のみに形成されており、ｐ−ＩｎＧａＡｌＰクラッド層３２ｇが部分的に基板３９に対向して露出している。
【００２８】
本実施形態では、ｐ電極３２ｊが基板３９に対向する向きで、光源３２が基板３９に対して固定されている。この理由は以下の通りである。一般に、端面発光型のレーザダイオードでは、活性層３２ｅは光源の積層方向で見たときにｎ電極３２ａよりもｐ電極３２ｊに近い位置にある。従って、動作時の発熱量が最も多い活性層３２ｅにより近いｐ電極を底面として（ジャンクションダウン）、光源３２を基板３９に搭載することによって、光源３２の自己発熱を効率的に放熱することができる。
【００２９】
光源３２は半導体素子であるため、同じ電流を投入しても、素子のばらつきにより出力される光の強度が大きく変化する。そこで、熱アシスト磁気記録ヘッド１が組込まれたハードディスク装置の初期設定を行う際に、レーザ光の出力が適正となる電流を求め、以降の作動時には初期設定で求められた電流を光源３２に供給することが望ましい。従来の端面発光型のレーザダイオードにおいては、第２の出射部３２ｎから出射する後方光Ｌ２の強度を検出することで、第１の出射部３２ｍから出射する前方光Ｌ１の強度を評価している。前方光Ｌ１と後方光Ｌ２は共振状態のレーザ光であり、本明細書ではこのような光を第１のＬＤ光という。一方、第１のＬＤ光が作られる際に、光源３２内で反射を繰り返し共振状態となった光の一部が反射層３２ｋや反射層３２ｌで反射し、光源３２の内部を通って光源３２の外部に放出される。本明細書ではこのような光を第２のＬＤ光という。さらに、光源３２の内部には共振状態となっていない光も存在しており、本明細書ではこのような光をＬＥＤ光という。第２のＬＤ光は主に第１の出射部３２ｍ及び第２の出射部３２ｎの近傍で、それらと異なる位置にある光漏洩部５２ａ〜５２ｂから漏洩する。ＬＥＤ光は第１の出射部３２ｍ及び第２の出射部３２ｎと異なる位置にある光漏洩部５２ａ〜５２ｄから漏洩する。第２のＬＤ光とＬＥＤ光は本発明の漏洩光５１ａ〜５１ｄを構成する。換言すれば漏洩光５１ａ〜５１ｂは第２のＬＤ光とＬＥＤ光からなり、漏洩光５１ｃ〜５１ｄは実質的にＬＥＤ光からなる。本発明では、光源３２から漏洩する漏洩光５１ａ〜５１ｄの強度を測定し、それに基づいて第１の出射部３２ｍから出射する前方光の強度を制御する。
【００３０】
図５は漏洩光の種類と発生個所を示す模式図である。図５（ａ），（ｂ）は光源３２を同じ方向から見た斜視図であり、それぞれ別の種類の漏洩光を示している。図５（ｃ）は図５（ａ），（ｂ）のＡ−Ａ線から見た光源の底面図であり、図５（ｄ）は図５（ａ），（ｂ）のＢ−Ｂ線から見た光源の側面図である。漏洩光５１ａ〜５１ｄが漏洩する光漏洩部５２ａ〜５２ｄは第１の出射部３２ｍ及び第２の出射部３２ｎと異なる位置にある。後述するように、光源３２と基板３９の接合のため、ｐ電極３２ｊ上には第１の接合層３４が形成されており、ｐ電極３２ｊを被覆している第１の接合層３４からは漏洩光は漏洩しない。
【００３１】
光源３２を単体の状態で観察すると、ＬＥＤ光は光源３２の様々な部位（光漏洩部５２ａ〜５２ｄ）から光源３２の外部に漏洩する。図５（ａ），（ｃ）、（ｄ）に示すように、主要な光漏洩部の一つは、第１の光漏洩部５２ａと第２の光漏洩部５２ｂである。第１の光漏洩部５２ａと第２の光漏洩部５２ｂは第１の接合層３４の長手方向の両側に位置している。第１の光漏洩部５２ａと第２の光漏洩部５２ｂは、ｐ電極下地層３２ｈ、ｐ電極３２ｊ及び第１の接合層３４が形成されていない。第１の光漏洩部５２ａは対向面３２ｐの第１の出射部３２ｍに近接する第１の辺３２ｕに沿って延び、第２の光漏洩部５２ｂは対向面３２ｐの第２の出射部３２ｎに近接する第２の辺３２ｖに沿って延びている。第１の光漏洩部５２ａと第２の光漏洩部５２ｂはそれぞれ第１の辺３２ｕと第２の辺３２ｖからの幅が１０μｍ以下の帯状部である。第１の漏洩部５２ａからは第１の漏洩光５１ａが、第２の光漏洩部５２ｂからは第２の漏洩光５１ｂが漏洩する。第１の漏洩光５１ａは第２のＬＤ光の一部とＬＥＤ光の一部を含み、第１の光漏洩部５２ａから漏洩する。第２の漏洩光５１ｂは第２のＬＤ光の一部とＬＥＤ光の一部を含み、第２の光漏洩部５２ｂから漏洩する。
【００３２】
他の光漏洩部は、図５（ａ），（ｃ）、（ｄ）に示すように、第１の接合層３４の短手方向両側に位置する第３の光漏洩部５２ｃである。第３の光漏洩部５２ｃもｐ電極下地層３２ｈ、ｐ電極３２ｊ及び第１の接合層３４が形成されていない。第３の光漏洩部５２ｃは、対向面３２ｐの第１の出射部３２ｍに近接する第１の辺３２ｕと第２の出射部３２ｎに近接する第２の辺３２ｖの両者と交差する２つの第３の辺３２ｗに沿って延びている。第３の光漏洩部５２ｃからはＬＥＤ光である第３の漏洩光５１ｃが漏洩する。
【００３３】
他の光漏洩部は、図５（ｂ），（ｄ）に示すように、光源３２の第３及び第４の側面３２ｔに位置する第４の光漏洩部５２ｄである。第４の光漏洩部５２ｄからはＬＥＤ光である第４の漏洩光５１ｄが漏洩する。
【００３４】
図６は第１の実施形態に係る光源ユニットの平面図と断面図である。図６（ａ）は平面図を、図６（ｂ）は図６（ａ）のＡ−Ａ線で切った断面図を、図６（ｃ）は図６（ａ）のＢ−Ｂ線で切った断面図を示している。図６（ｃ）では図面を見やすくするため、基板中央の配線の一部を省略している。基板３９の光源３２との対向面３９ｄはＳｉＯ２からなる絶縁層３８で覆われている。絶縁層３８の上には、Ａｌからなる放熱層３７を介して、Ａｕからなる配線層３６が設けられている。放熱層３７と配線層３６は、絶縁層３８の上を光源３２の下方からパッド４６まで、Ｕ字形状で延びている。配線層３６の光源３２と対向する面にＡｕＳｎからなる第２の接合層３５が設けられている。光源３２の基板３９との対向面３２ｐ、すなわち光源３２のｐ電極３２ｊの表面は第１の接合層３４で被覆されている。第１の接合層３４はＡｕ，Ａｇ、Ｃｕなどから形成することができる。第１の接合層３４と第２の接合層３５は熱によって溶融され、接合されている。この接合はＡｕＳｎ接合である。パッド４６は、ワイヤボンディング等の適宜の手段によって、熱アシスト磁気記録ヘッド１を支持するヘッドジンバルアセンブリ１１５に設けられた電気配線（図示せず）に接続されている。光源３２の上面、すなわちｎ電極３２ａにもパッド５３が設けられ、同様に、ワイヤボンディング等の適宜の手段によって、ヘッドジンバルアセンブリ１１５の電気配線（図示せず）に接続されている。ハードディスク装置の作動時には、ハードディスク装置内の電源からパッド４６，５３及びｐ電極３２ｊとｎ電極３２ａを介して、光源３２への給電が行われる。
【００３５】
ＬＥＤ光の強度を検出するため、光源ユニット３１は光検出器３３を有している。光検出器３３はフォトダイオードであり、第１の光漏洩部５２ａから漏洩する第１の漏洩光５１ａを検出する第１の受光面３３ａを備えている。本実施形態では第１の出射部３２ｍの近傍に発生する第２のＬＤ光及びＬＥＤ光の強度を測定し、その測定結果に基づいて第１の出射部３２ｍから出射する前方光の強度を制御する。本実施形態では基板３９と垂直な方向Ｄに見たときに、光源３２の第１の辺３２ｕが第１の受光面３３ａと対向している。第１の受光面３３ａは基板３９と垂直な方向Ｄに見たときに、第１の光漏洩部５２ａの直下の領域と第１の光漏洩部５２ａの外側の領域を跨いでおり、第１の受光面３３ａの幅方向の一部が第１の光漏洩部５２ａの直下に位置している。第１の受光面３３ａの幅方向の全てが第１の光漏洩部５２ａの直下にあってもよい。本実施形態では、第１の受光面３３ａは、基板３９と垂直な方向Ｄに見たときに、対向面３２ｐの第３の辺３２ｗを超えて光源３２の外側まで延びている。これによって第４の漏洩光５１ｄをさらに検出することができる。ＬＥＤ光は前方光Ｌ１及び後方光Ｌ２のような指向性を有しておらず、広い範囲に拡散する。このため、第１の受光面３３ａは必ずしも第１の光漏洩部５２ａの直下にある必要はない。第１の受光面３３ａの全面が第１の光漏洩部５２ａと対向している必要はなく、第１の受光面３３ａの少なくとも一部が、基板３９と垂直な方向Ｄに見たときに、第１の光漏洩部５２ａと重なっていればよい。
【００３６】
光検出器３３は基板３９に形成されており、基板３９の上面に受光面３３ａが形成されている。基板３９はｎ＋型（高濃度ｎ型）層３９ａとｎ−型（低濃度ｎ型）層３９ｂを有し、ｎ−型層３９ｂの上部にｐ型層３９ｃが形成されている。ｎ＋型層３９ａとｐ型層３９ｃはｎ−型層３９ｂによって絶縁されている。ｎ＋型層３９ａは接続部４５、放熱層４３、配線層４２を介してパッド４８（カソード電極）に接続されている。ｐ型層３９ｃは接続部４４、放熱層４１、配線層４０を介してパッド４７（アノード電極）に接続されている。ｐ型層３９ｃの光源３２と対向する領域は受光面３３ａを形成している。
【００３７】
光検出器３３の受光面３３ａは、基板３９の光源３２との対向面３９ｄと同一の面内にある。すなわち、光検出器３３は基板３９に埋め込まれている。しかし、光検出器３３の受光面３３ａは、基板３９の光源３２との対向面３９ｄよりも光源３２側に突出していてもよい。
【００３８】
（第２の実施形態）
図７は、本発明の第２の実施形態に係る光源ユニット３１の、図６と同様の図である。以下に説明されていない構成は第１の実施形態と同様である。特に本実施形態は光検出器３３の第２の受光面３３ｂが第２の出射部３２ｎの近傍に位置している点を除き第１の実施形態と同じである。本実施形態では、第２の受光面３３ｂの少なくとも一部が、基板３９と垂直な方向Ｄに見たときに、第２の光漏洩部５２ｂと重なっている。本実施形態では第２の出射部３２ｎの近傍に発生するＬＤ光及びＬＥＤ光の強度を測定し、その測定結果に基づいて第１の出射部３２ｍから出射する前方光の強度を制御する。本実施形態では基板３９と垂直な方向Ｄに見たときに、光源３２の第２の辺３２ｖが第２の受光面３３ｂと対向している。第２の受光面３３ｂは基板３９と垂直な方向Ｄに見たときに、第２の光漏洩部５２ｂの直下の領域と第２の光漏洩部５２ｂの外側の領域を跨いでおり、第２の受光面３３ｂの幅方向の一部が第２の光漏洩部５２ｂの直下に位置している。第２の受光面３３ｂの幅方向の全てが第２の光漏洩部５２ｂの直下にあってもよい。本実施形態では、第２の受光面３３ｂは、基板３９と垂直な方向Ｄに見たときに、対向面３２ｐの第３の辺３２ｗを超えて光源３２の外側まで延びている。これによって第４の漏洩光５１ｄをさらに検出することができる。
【００３９】
（第３の実施形態）
図８は、本発明の第３の実施形態に係る光源ユニット３１の、図６と同様の図である。以下に説明されていない構成は第１の実施形態と同様である。本実施形態では、第３の漏洩光５１ｃを検出するため、光検出器３３の第３の受光面３３ｃの少なくとも一部は、基板３９と垂直な方向Ｄに見たときに、第３の光漏洩部５２ｃと重なっている。これによって、第３の漏洩光５１ｃを検出することができる。第３の受光面３３ｃは本実施形態では光源３２の長手方向中央を光源３２の短手方向に横断しているが、第３の受光面３３ｃの形状、幅、延びる方向はこれに限定されない。本実施形態では、第３の受光面３３ｃは、基板３９と垂直な方向Ｄに見たときに、光源３２の外側まで延びている。これによって第４の漏洩光５１ｄをさらに検出することができる。
【００４０】
（第４の実施形態）
図９は、本発明の第４の実施形態に係る光源ユニット３１の、図６と同様の図である。以下に説明されていない構成は第１の実施形態と同様である。本実施形態では、光検出器の第４の受光面３３ｄの少なくとも一部は、基板３９と垂直な方向Ｄに見たときに、光源３２の第３の側面３２ｔに関し、光源３２の外側に位置している。光検出器３３の第４の受光面３３ｄは、光源３２の第３の側面３２ｔに沿って延びている。第４の受光面３３ｄは光源３２の第３の側面３２ｔ（第４の光漏洩部５２ｄ）から漏洩する第４の漏洩光５１ｄを検出することができる。本実施形態では第４の受光面３３ｄが光源３２のほぼ全長に渡って設けられているため、光源３２の長辺に沿って漏洩する漏洩光を効果的に検出することができる。第４の受光面３３ｄは基板３９と垂直な方向Ｄに見たときに、さらに光源３２の内側に設けることもできる。それによって第４の漏洩光５１ｄだけでなく、第３の光漏洩部５２ｃから漏洩する第３の漏洩光５１ｃを検出することができる。なお、光検出器３３の第４の受光面３３ｄは図９（ａ）において光源３２の左側に設けられているが、右側に設けてもよいし、両側に設けてもよい。
【００４１】
上述したいずれの実施形態でも、光検出器を光源に対し上下方向に重ねて配置することが可能である。従来は、光源ユニットの寸法は光源の長さと光検出器の受光面の長さの合計に必要な寸法を付加して決定している。これに対し、第１及び第２の実施形態では受光面の寸法は実質的に光源ユニットの寸法に影響を及ぼすことがなく、第３及び第４の実施形態でも受光面の寸法は光源ユニットの寸法にほとんど影響を及ぼさない。
【００４２】
（実施例）
第１の実施形態の光検出器の配置を用いて、光検出器と光源の相対位置関係と光検出器の光強度測定結果との関係を測定した。図１０は測定に用いた光源ユニットの平面図を示す。図を分かりやすくするため、光検出器の受光面３３ａと光源３２のみを符号で示している。その他の部位の符号については図６を参照されたい。受光面の寸法は図に記載のとおり、Ｘ１＝７０μｍ、Ｙ＝１４０μｍとした。受光面と基板の縁部との距離Ｘ２は３０μｍである。光検出器と光源の相対位置は図１０にｘで示されている。ｘは基板の縁部と光源の縁部の距離を示し、符号が正の場合光源は基板の内側にあり、負の場合基板から張り出している。光源を基板に対して移動させ、光源への印加電流と光検出器の検出電流の関係を測定した。図１１（ａ）は光源への印加電流と第１のＬＤ光（前方光Ｌ１）の光強度の関係を示す。図１１（ｂ）〜（ｅ）は光源への印加電流と光検出器の検出電流の関係を様々な寸法ｘに対して示している。図１１（ｂ）〜（ｅ）において、図１１（ａ）に示す光源への印加電流と第１のＬＤ光（前方光）の光強度の関係は同一である。
【００４３】
図１１（ａ）は、電流が所定値（実施例では約２０ｍＡ）を超えると発振が生じ、強いＬＤ光が出射されることを示している。
【００４４】
図１１（ｅ）ではｘは約３０μｍであり、光源の第１の出射部３２ｍが光受光部の縁部とほぼ一致しており、光検出器の受光面３３ａの少なくとも一部は光漏洩部５２ａと対向し、第１の漏洩光５１ａを受光する。光検出器の受光面３３ａは光源３２の側方の一部にも掛かっており、第３及び第４の漏洩光５１ｃ、５１ｄも受光する。すなわち、光検出器の受光面３３ａは第２のＬＤ光とＬＥＤ光を受光する。図１１（ｅ）に示すグラフは図１１（ａ）に示すグラフと強い相関関係にあり、光検出器が主として第１の光漏洩部５２ａから漏洩した第２のＬＤ光を検出していることを示している。
【００４５】
図１１（ｃ）ではｘは約１０μｍであり、光源の光漏洩部５２ａは光受光部の縁部より２０μｍ程度外側にある。光検出器の出力電流が光源への印加電流に対しほぼ線形の関係にあり、光検出器が主にＬＥＤ光を検出していることを示している。光検出器の受光面３３ａの少なくとも一部は第３の光漏洩部５２ｃと対向しており、第３の漏洩光５１ｃを受光している。光検出器の出力電流は第２のＬＤ光を検出している図１１（ｅ）と比べて小さい。
【００４６】
図１１（ｄ）ではｘは約２０μｍであり、光源の第１の出射部３２ｍは光受光部の縁部より１０μｍ程度外側にある。光検出器の出力電流は、約２０ｍＡより小さい範囲では光源への印加電流に対しほぼ線形の関係にある。これに対し、光検出器の出力電流が約２０ｍＡを超えると、発振の発生を示す勾配の急変化が生じており、発振発生の閾値電流の存在が確認された。これより、図１１（ｄ）はＬＥＤ光とＬＤ光の両者を検出していることを示している。光検出器の受光面３３ａの少なくとも一部は第３の光漏洩部５２ｃと対向しており、第３の漏洩光５１ｃ（ＬＥＤ光）を受光しつつ、さらには第１の光漏洩部５２ａからの第１の漏洩光５１ａ（第２のＬＤ光）の一部を受光する。
【００４７】
図１１（ｂ）ではｘが負の値をとっており、図１１（ｃ）〜（ｅ）に示すグラフとは異なる傾向を示している。光検出器の出力電流も小さく、ＬＤ光（前方光Ｌ１の反射光）がほとんど検出されず、主にＬＥＤ光が検出される。
【００４８】
図１１（ｅ）は受光面が光漏洩部の直下にあり、ＬＤ光である漏洩光を最も効率的に検出することができる。漏洩光と前方光の関係はあらかじめ分かっているため、漏洩光の強度を測定することで前方光の強度が推定でき、望ましい前方光の強度が得られるように、光源への印加電流の制御が可能となる。
【符号の説明】
【００４９】
１  熱アシスト磁気記録ヘッド
２  磁気ヘッドスライダ
３１  光源ユニット
３２  光源
３２ｍ  第１の出射部
３２ｎ  第２の出射部
３２ｐ  対向面
３３  光検出器
３３ａ  受光面
３４  第１の接合層
３５  第２の接合層
３９  基板
５２  光漏洩部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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