(57)【要約】【課題】磁気の変化を検出することの可能な変化期間の長さの範囲を広げることの可能な磁気検出装置、および、遊技機を提供する。【解決手段】インダクタ２０と、インダクタ２０の起電力が増幅された信号である増幅信号を生成する信号生成部と、インダクタ２０が磁気の変化を検出したことを示す信号である検出信号を出力する信号処理部であって、増幅信号の電圧値が第１比較値よりも高いときに検出信号を出力し、かつ、増幅信号の電圧値が第１比較値以下である第２比較値よりも低いときに検出信号を出力する信号処理部と、を備える。【選択図】図５
2016030151.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
インダクタと、
前記インダクタの起電力が増幅された信号である増幅信号を生成する信号生成部と、
前記インダクタが磁気の変化を検出したことを示す信号である検出信号を出力する信号処理部であって、前記増幅信号の電圧値が第１比較値よりも高いときに前記検出信号を出力し、かつ、前記増幅信号の電圧値が前記第１比較値以下である第２比較値よりも低いときに前記検出信号を出力する前記信号処理部と、
を備える磁気検出装置。
【請求項２】
前記信号処理部が出力した前記検出信号を保持する保持部と、
前記保持部に接続され、前記保持部が前記検出信号を保持するときに、前記インダクタが磁気の変化を検出したことを報知する報知部と、をさらに備える
請求項１に記載の磁気検出装置。
【請求項３】
前記信号処理部は、
前記増幅信号の電圧値に応じた絶対値を前記検出信号として出力する絶対値回路である
請求項１または２に記載の磁気検出装置。
【請求項４】
前記信号処理部は、
前記増幅信号の電圧値が前記第１比較値よりも高いとき、および、前記第２比較値よりも低いときに前記検出信号を出力するウインドコンパレータ回路である
請求項１または２に記載の磁気検出装置。
【請求項５】
前記第１比較値、および、前記第２比較値の少なくとも１つを変更する比較値変更部をさらに備える
請求項４に記載の磁気検出装置。
【請求項６】
本体と、
フロントパネルと、
磁気検出装置と、を備え、
前記磁気検出装置は、請求項１から５のいずれか一項に記載の磁気検出装置であって、光を透過するセンシングシートをさらに備え、
前記インダクタは、前記センシングシートに位置し、
前記センシングシートは、前記フロントパネルに沿って拡がる
遊技機。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気の変化を信号に変換する変換素子を備える磁気検出装置、および、磁気検出装置を備える遊技機に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気の変化を検出する磁気検出装置には、例えば、サーチコイル方式、ホール素子方式、フラックスゲート方式などの様々な検出方式が、検出の対象に合わせて適宜採用されている。こうした磁気検出装置は、例えば、パチンコ台などの遊技機に搭載されて、遊技機に対する磁気の変化を検出している。特許文献１に記載されるように、例えば、磁気検出装置は、磁気の変化を誘導電流に変換するシート形状を有した変換素子と、磁気の変化があるか否かを変換素子の出力する信号から検出する信号検出部とを備えている。そして、例えば、遊技機に対して磁石が近づけられるとき、変換素子の出力する誘導電流が信号検出部に検出されて、遊技機に対する磁気の変化が磁気検出装置によって検出される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００２−２８２５０５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、変換素子が信号を誘導する期間の長さは、変換素子に対して磁気が変化する期間の長さに相当する。それゆえに、磁気の変化する期間である変化期間の長さが短いほど、変換素子が信号を誘導する期間の長さも短く、誘導された信号が信号検出部に検出される精度も低い。そこで、上述した磁気検出装置においては、磁気の変化を検出することの可能な変化期間の長さの範囲を広げることが望まれている。
【０００５】
本発明は、磁気の変化を検出することの可能な変化期間の長さの範囲を広げることの可能な磁気検出装置、および、遊技機を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決する磁気検出装置は、インダクタと、前記インダクタの起電力が増幅された信号である増幅信号を生成する信号生成部と、前記インダクタが磁気の変化を検出したことを示す信号である検出信号を出力する信号処理部であって、前記増幅信号の電圧値が第１比較値よりも高いときに前記検出信号を出力し、かつ、前記増幅信号の電圧値が前記第１比較値以下である第２比較値よりも低いときに前記検出信号を出力する信号処理部と、を備える。
【０００７】
一般に、インダクタに対する磁場が強まるときには、インダクタにおいて所定の極性を有した起電力が誘導される一方で、インダクタに対する磁場が弱まるときには、インダクタにおいて逆極性を有した起電力が誘導される。この点で、上記磁気検出装置によれば、増幅信号の電圧値が第１比較値よりも高いとき、および、増幅信号が第２比較値よりも低いときの両方において、信号処理部は検出信号を出力する。結果として、増幅信号の電圧値を第１比較値よりも高くする磁気の変化、および、増幅信号の電圧値を第２比較値よりも低くする磁気の変化の両方を、磁気検出装置は検出する。それゆえに、磁気の変化を検出することの可能な変化期間の長さに関して、その範囲が広げられる。
【０００８】
上記磁気検出装置は、前記信号処理部が出力した前記検出信号を保持する保持部を備え、さらに、前記保持部に接続され、前記保持部が前記検出信号を保持するときに、前記インダクタが磁気の変化を検出したことを報知する報知部を備えることが好ましい。
【０００９】
上記磁気検出装置によれば、信号処理部が検出信号を出力し、かつ、その検出信号を保持部が保持する期間において、磁気の変化が検出されたことが報知される。それゆえに、磁気の変化が検出されたことを報知する期間の長さに関して、その範囲が広げられる。
【００１０】
上記磁気検出装置において、前記信号処理部は、前記増幅信号の電圧値に応じた絶対値を前記検出信号として出力する絶対値回路であってもよい。
上記磁気検出装置において、前記信号処理部は、前記増幅信号の電圧値が前記第１比較値よりも高いとき、および、前記第２比較値よりも低いときに前記検出信号を出力するウインドコンパレータ回路であってもよい。
【００１１】
上記磁気検出装置において、前記第１比較値、および、前記第２比較値の少なくとも１つを変更する比較値変更部をさらに備えてもよい。
上記磁気検出装置によれば、磁気検出装置が検出することの可能な磁気の変化の範囲を、磁気検出装置の適用される対象に合わせることが可能である。
【００１２】
上記課題を解決する遊技機は、本体と、フロントパネルと、磁気検出装置と、を備える。前記磁気検出装置は、上記磁気検出装置であって、光を透過するセンシングシートをさらに備え、前記インダクタは、前記センシングシートに位置し、前記センシングシートは、前記フロントパネルに沿って拡がる。
【００１３】
上記遊技機によれば、インダクタが遊技機のフロントパネルに沿って位置しているため、インダクタが本体の内部に位置する構成と比べて、フロントパネルの近傍における磁気の変化に対してインダクタに誘導される起電力が変わりやすい。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、磁気の変化を検出することの可能な変化期間の長さの範囲を広げられる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】一実施形態における磁気検出装置を備える遊技機の斜視構造を示す斜視図であってフロントパネルが開いている状態を示す図である。
【図２】一実施形態におけるフロントパネルに備えられたインダクタの正面構造を示す正面図である。
【図３】一実施形態におけるインダクタの断面構造を示す断面図である。
【図４】一実施形態におけるインダクタの作用を示す作用図であって、フロントパネルに沿って磁石が動かされるときの磁気の変化を示す図である。
【図５】一実施形態における磁気検出装置の構成を示すブロック図である。
【図６】一実施形態における増幅回路の構成を示す回路図である。
【図７】一実施形態におけるフィルタ回路の構成を示す回路図である。
【図８】一実施形態におけるウインドコンパレータ回路の構成を示す回路図である。
【図９】一実施形態におけるラッチ回路の構成を示す回路図である。
【図１０】一実施形態における磁気検出装置の作用を示す作用図である。
【図１１】第１変形例における磁気検出装置の構成を示すブロック図である。
【図１２】第２変形例における磁気検出装置の構成を示すブロック図である。
【図１３】第３変形例における磁気検出装置の構成を示すブロック図である。
【図１４】第３変形例における絶対値回路の構成を示す回路図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
図１から図１０を参照して磁気検出装置の１つの実施形態を説明する。以下では、遊技機の構成、インダクタの構成、磁気検出装置の構成、および、磁気検出装置の作用を順番に説明する。
【００１７】
［遊技機］
図１が示すように、遊技機１０は、本体１１とフロントパネル１２とを備えている。フロントパネル１２は、遊技機１０を構成する１つの面であり、遊技機１０の使用者と対向する面である遊技機１０の表面に位置している。フロントパネル１２は、例えば、表面パネル１２ｆと、裏面パネル１２ｂとを備え、表面パネル１２ｆと裏面パネル１２ｂとの間には、隙間が形成されている。
【００１８】
表面パネル１２ｆおよび裏面パネル１２ｂの各々は、光を透過するガラス板や樹脂製の板である。表面パネル１２ｆおよび裏面パネル１２ｂの各々は、１枚のガラス板や樹脂製の板から構成されてもよいし、複数のガラス板、あるいは、複数の樹脂製の板が積層された積層体でもよい。
【００１９】
表面パネル１２ｆと裏面パネル１２ｂとの間には、フロントパネル１２に沿って拡がる板形状を有するセンシングシート１３が位置している。センシングシート１３は、例えば、表面パネル１２ｆと裏面パネル１２ｂとほぼ同じ形状である矩形板形状を有しているが、円形板形状などの他の形状を有してもよい。また、表面パネル１２ｆおよび裏面パネル１２ｂの各々も矩形板形状を有しているが、円形板形状などの他の形状を有してもよい。センシングシート１３は、例えば、光を透過する樹脂製のシートである。
【００２０】
センシングシート１３は、光を透過する粘着層によって、表面パネル１２ｆ、および、裏面パネル１２ｂの少なくとも一方に貼り付けられていてもよい。あるいは、センシングシート１３は、表面パネル１２ｆ、および、裏面パネル１２ｂと接する一方で、これらパネルに貼り付けられていなくてもよいし、センシングシート１３と各パネルとの間には、隙間が形成されていてもよい。
【００２１】
［インダクタ］
図２が示すように、センシングシート１３は、８つのインダクタ２０を備えている。８つのインダクタ２０は、例えば、センシングシート１３の表面１３ｆと対向する平面視において、２行×４列の状態で配列されている。なお、センシングシート１３は、７つ以下のインダクタ２０、あるいは、９つ以上のインダクタ２０を備えてもよく、要は、１つ以上のインダクタを備えていればよい。また、センシングシート１３において、インダクタ２０は、センシングシート１３における所定の部分に偏って位置してもよい。
【００２２】
インダクタ２０は、平面視において相互に重なる部分を有したらせん形状を有する配線パターン２１と、配線パターン２１における２つの端部の各々に接続するパッド２２とを備えている。配線パターン２１の形成材料は、例えば、金属や透明導電物である。配線パターン２１の形成材料が金属であるとき、配線パターン２１の形成材料は、例えば、銅やアルミニウムである。配線パターン２１の形成材料が透明導電物であるとき、酸化インジウム錫や酸化インジウムガリウム亜鉛などのインジウム、スズ、ガリウム、および、亜鉛などの金属酸化物を含む複合酸化物膜である。
【００２３】
パッド２２は、１つのインダクタ２０に２つずつ設けられて、２つのパッド２２の各々は、１つのインダクタ２０の有する２つの端子に別々に接続され、インダクタ２０の起電力を測定する回路に接続されている。パッド２２の形成材料は、上述した配線パターン２１の形成材料のうちのいずれかであればよく、配線パターン２１の形成材料と相互に同じであってもよいし、あるいは、相互に異なってもよい。
【００２４】
図３が示すように、配線パターン２１において相互に重なる２つの部分のうち、一方の部分がセンシングシート１３の表面１３ｆに位置し、かつ、他方の部分がセンシングシート１３の裏面１３ｂに位置している。インダクタ２０において表面１３ｆに形成された部分と、インダクタにおいて裏面１３ｂに形成された部分とは、センシングシート１３を貫通するパターンによって相互に接続されている。
【００２５】
なお、配線パターン２１において相互に重なる２つの部分の両方が、センシングシート１３の表面１３ｆに位置してもよい。この場合には、配線パターン２１において相互に重なる２つの部分を互いから絶縁するための絶縁膜が、２つの部分の間に位置していればよい。
【００２６】
図４が示すように、例えば、本体１１の内部に位置するパチンコ玉ＰＢを誘導するために、遊技機１０に磁石Ｍが近付けられ、かつ、インダクタ２０に対する磁石Ｍの位置が変わると、インダクタ２０に鎖交する磁束Ｆが変わる。これにより、インダクタ２０の有する２つの端部には、下記式１に示す起電力が生じる。そのため、インダクタ２０に生じた起電力が、例えば電圧計ＶＭによって検出されることによって、遊技機１０の近傍における磁気の変化を検出することができる。なお、図４では、インダクタ２０の一例として、３つのインダクタ２０が直列に接続された構成が示されているが、複数のインダクタ２０の各々に対して別々の電圧計ＶＭが接続されてもよい。
【００２７】
【数１】
2016030151.tif 000003
なお、式１のうち、ｎはコイルの巻数であり、ΔΦは磁束の変化量であり、Δｔは磁束の変化時間である。
【００２８】
上述のように、インダクタ２０は、遊技機１０のフロントパネル１２において、フロントパネル１２に沿って位置しているため、インダクタ２０が本体１１の内部に位置する構成と比べて、フロントパネル１２の近傍における磁気の変化に対してインダクタ２０に誘導される起電力が変わりやすい。
【００２９】
［磁気検出装置］
図５が示すように、磁気検出装置３０は、インダクタ２０、増幅回路３１、フィルタ回路３２、ウインドコンパレータ回路３３、ラッチ回路３４、および、報知部３５を備えている。このうち、増幅回路３１、および、フィルタ回路３２は、信号生成部を構成し、ウインドコンパレータ回路３３は、信号処理部を構成し、ラッチ回路３４は、保持部を構成している。
【００３０】
磁気検出装置３０のうち、増幅回路３１、フィルタ回路３２、ウインドコンパレータ回路３３、および、ラッチ回路３４は、例えば、１つのＩＣチップに搭載され、ＩＣチップは、遊技機１０のうち、本体１１の任意の部位に取り付けられている。インダクタ２０は、インダクタ２０に誘導された起電力を増幅回路３１に入力する。
【００３１】
図６が示すように、増幅回路３１は、例えば、インスツルメンテーションアンプであって、入力側差動増幅回路４０と出力側差動増幅回路５０とから構成されている。
入力側差動増幅回路４０は、２つのオペアンプ４１，４２と、３つの抵抗器４３，４４，４５とを備え、抵抗器４３および抵抗器４４の各々は、抵抗値Ｒ１を有した負帰還抵抗であり、抵抗器４５は抵抗値Ｒ０を有している。
【００３２】
オペアンプ４１の非反転入力端子には、インダクタ２０の有する２つの端子のなかの一方の端子が接続されている。インダクタ２０における一方の端子の有する電圧は、接地電位に対する入力信号Ｖ１としてオペアンプ４１に入力される。また、オペアンプ４２の非反転入力端子には、インダクタ２０の有する２つの端子のなかの他方の端子が接続されている。インダクタ２０における他方の端子の有する電圧は、接地電位に対する入力信号Ｖ２としてオペアンプ４２に入力される。
【００３３】
オペアンプ４１は、抵抗器４３を介して負帰還接続され、オペアンプ４１の出力端子は抵抗器４３を介してオペアンプ４１の反転入力端子に接続されている。また、オペアンプ４２は、抵抗器４４を介して負帰還接続され、オペアンプ４２の出力端子は抵抗器４４を介してオペアンプ４２の反転入力端子に接続されている。また、オペアンプ４１の反転入力端子と、オペアンプ４２の反転入力端子とは、抵抗器４５を介して直列に接続されている。
【００３４】
インダクタ２０に鎖交する磁束Ｆが変わるとき、インダクタ２０においては、入力信号Ｖ１が入力信号Ｖ２よりも高い起電力と、入力信号Ｖ１が入力信号Ｖ２よりも低い起電力とが磁束Ｆの変化に応じて誘導される。インダクタ２０に誘導された起電力は、入力側差動増幅回路４０に入力され、この際に、２つのオペアンプ４１，４２が本来有する高い入力インピーダンスによって、インダクタ２０から入力側差動増幅回路４０への電流の流入が抑えられる。入力側差動増幅回路４０は、２つの入力信号Ｖ１，Ｖ２の間の電圧を増幅して出力側差動増幅回路５０に出力する。
【００３５】
出力側差動増幅回路５０は、オペアンプ５１と、４つの抵抗器５２，５３，５４，５５とを備え、抵抗器５２および抵抗器５３の各々は、抵抗値Ｒ２を有し、負帰還抵抗である抵抗器５４、および、抵抗器５５の各々は抵抗値Ｒ３を有している。
【００３６】
オペアンプ５１の反転入力端子は、抵抗器５２を介してオペアンプ４１の出力端子に接続されている。また、オペアンプ５１の非反転入力端子は、抵抗器５３を介してオペアンプ４２の出力端子に接続されている。オペアンプ５１は、抵抗器５４を介して負帰還接続され、オペアンプ５１の出力端子は、抵抗器５４を介してオペアンプ５１の反転入力端子に接続されている。また、オペアンプ５１の非反転入力端子は、抵抗器５５を介して接地電位に接続されている。
【００３７】
出力側差動増幅回路５０は、４つの抵抗器５２，５３，５４，５５により規定される増幅率で、入力側差動増幅回路４０の出力する電圧を増幅して出力する。増幅回路３１における入力インピーダンスは、入力側差動増幅回路４０によって定められるため、抵抗器５２，５３，５４，５５の各々の有する抵抗値は、増幅回路３１における増幅率に特化した値に設定される。そして、増幅回路３１の出力信号Ｖｏは、入力側差動増幅回路４０による増幅と、出力側差動増幅回路５０による増幅とによって得られる電圧であって、接地電位を基準として下記式２によって示される。
【００３８】
なお、増幅回路３１は、インダクタ２０に誘導された起電力をフィルタ回路３２によって処理できる電圧に増幅する構成であれば、上述したインスツルメンテーションアンプ以外の他の増幅回路であってもよい。
【００３９】
【数２】
2016030151.tif 000004
図７が示すように、フィルタ回路３２は、１次のローパスフィルタである。フィルタ回路３２の入力端子は、増幅回路３１の出力端子に接続され、フィルタ回路３２の入力端子には、増幅回路３１の出力電圧が入力信号Ｖｉとして入力される。
【００４０】
フィルタ回路３２はオペアンプ６１、抵抗器６２、抵抗器６３、および、容量６４を備えている。抵抗器６２は、抵抗値Ｒｆを有した負帰還抵抗であって、オペアンプ６１の反転入力端子と、オペアンプ６１の出力端子とに接続されている。抵抗器６３は、抵抗値Ｒｉを有した入力抵抗であって、オペアンプ６１の反転入力端子に接続されている。容量６４は、静電容量値Ｃを有し、負帰還抵抗と並列に、オペアンプ６１の反転入力端子と出力端子とに接続されている。
【００４１】
フィルタ回路３２のカットオフ周波数ｆ０は、下記式３で示される。フィルタ回路３２に入力された入力信号Ｖｉは、カットオフ周波数ｆ０よりも高い周波数において、周波数が１０倍高くなるごとに０．１倍された出力信号Ｖｏとして出力される。
【００４２】
なお、フィルタ回路３２の出力する出力信号Ｖｏは、増幅信号の一例であって、インダクタ２０の起電力が増幅された信号に基づく信号である。こうしたフィルタ回路３２は、検出の対象となる磁気の変化に応じて適宜選択されるものであって、上述した１次のローパスフィルタに限らず、より高次のローパスフィルタ、あるいは、ローパスフィルタ以外のフィルタ回路であってもよい。
【００４３】
【数３】
2016030151.tif 000005
図８が示すように、ウインドコンパレータ回路３３は、２つのオペアンプ７１，７２、２つの可変抵抗器７３，７４、２つのダイオード７５，７７、２つの抵抗器７６，７８、および、ＮＡＮＤ回路７９を備えている。
【００４４】
オペアンプ７１の反転入力端子、および、オペアンプ７２の非反転入力端子の各々は、フィルタ回路３２の出力端子に接続され、フィルタ回路３２の出力する信号が入力信号Ｖｉとして入力される。オペアンプ７１の非反転入力端子には、第１比較電圧Ｖｒｅｆ１が入力される。第１比較電圧Ｖｒｅｆ１は、所定の電圧が可変抵抗器７３によって抵抗分割された可変値であり、第１比較値の一例である。オペアンプ７２の反転入力端子には、第２比較電圧Ｖｒｅｆ２が入力される。第２比較電圧Ｖｒｅｆ２は、所定の電圧が可変抵抗器７４によって抵抗分割された可変値であり、第１比較値以下である第２比較値の一例であって、第２比較電圧Ｖｒｅｆ２は、第１比較電圧Ｖｒｅｆ１よりも小さい値である。可変抵抗器７３，７４は、比較値変更部の一例である。
【００４５】
オペアンプ７１の出力端子は、ＮＡＮＤ回路７９が有する２つの入力端子の一方にダイオード７５を介して接続されている。オペアンプ７１の出力端子からＮＡＮＤ回路７９の一方の入力端子に向けた方向は、ダイオード７５の順方向である。ダイオード７５の出力端子とＮＡＮＤ回路７９の入力端子との間に位置する端子Ｐは、抵抗器７６を介して接地電位に接続されている。オペアンプ７１の出力端子が正電源側であるとき、端子Ｐには正電源側の電圧が入力されて、ＮＡＮＤ回路７９における一方の入力端子には、論理的にハイレベルである電圧が入力される。反対に、オペアンプ７１の出力端子が負電源側であるとき、端子Ｐには接地電位が設定されて、ＮＡＮＤ回路７９における一方の入力端子には、論理的にローレベルである電圧が入力される。
【００４６】
オペアンプ７２の出力端子は、ＮＡＮＤ回路７９が有する２つの入力端子の他方にダイオード７７を介して接続されている。オペアンプ７２の出力端子からＮＡＮＤ回路７９の他方の入力端子に向けた方向は、ダイオード７７の順方向である。ダイオード７７の出力端子とＮＡＮＤ回路７９の入力端子との間に位置する端子Ｑは、抵抗器７８を介して接地電位に接続されている。オペアンプ７２の出力端子が正電源側であるとき、端子Ｑには正電源側の電圧が入力されて、ＮＡＮＤ回路７９における他方の入力端子には、論理的にハイレベルである電圧が入力される。反対に、オペアンプ７２の出力端子が負電源側であるとき、端子Ｑには接地電位が設定されて、ＮＡＮＤ回路７９における他方の入力端子には、論理的にローレベルである電圧が入力される。表１の真理値表が示すように、端子Ｐにおける電圧と端子Ｑにおける電圧との両方が、論理的にローレベルである場合はない。
【００４７】
入力信号Ｖｉが第２比較電圧Ｖｒｅｆ２よりも小さいとき、端子Ｐにおける電圧が論理的にハイレベルであり、かつ、端子Ｑにおける電圧が論理的にローレベルであり、ＮＡＮＤ回路７９の出力信号Ｖｏは、論理的にハイレベルである。
【００４８】
入力信号Ｖｉが第２比較電圧Ｖｒｅｆ２よりも大きく、かつ、第１比較電圧Ｖｒｅｆ１よりも小さいとき、端子Ｐにおける電圧、および、端子Ｑにおける電圧の両方が、論理的にハイレベルであり、ＮＡＮＤ回路７９の出力信号Ｖｏは、論理的にローレベルである。
【００４９】
入力信号Ｖｉが第１比較電圧Ｖｒｅｆ１よりも大きいとき、端子Ｐにおける電圧は、論理的にローレベルであり、かつ、端子Ｑにおける電圧は、論理的にハイレベルであり、ＮＡＮＤ回路７９の出力信号Ｖｏは、論理的にハイレベルである。
【００５０】
一般に、インダクタ２０に対する磁場が強まるときには、インダクタ２０において所定の極性を有した起電力が誘導される一方で、インダクタ２０に対する磁場が弱まるときには、インダクタ２０において逆極性を有した起電力が誘導される。
【００５１】
この点で、ウインドコンパレータ回路３３によれば、入力信号Ｖｉが第１比較電圧Ｖｒｅｆ１よりも高いとき、および、入力信号Ｖｉが第２比較電圧Ｖｒｅｆ２よりも低いときの両方において、出力信号Ｖｏが論理的にハイレベルである。結果として、入力信号Ｖｉを第１比較電圧Ｖｒｅｆ１よりも高くする磁気の変化、および、入力信号Ｖｉを第２比較電圧Ｖｒｅｆ２よりも低くする磁気の変化の両方を、磁気検出装置３０は検出する。それゆえに、磁気の変化を検出することの可能な変化期間の長さに関して、その範囲が広げられる。
【００５２】
【表１】
2016030151.tif 000006
図９が示すように、ラッチ回路３４は、２つのインバータ回路８１，８２と、２つのＮＡＮＤ回路８３，８４とから構成されるＲＳラッチ回路である。第１インバータ回路８１の入力端子には、ウインドコンパレータ回路３３の出力する信号が入力信号として入力され、第２インバータ回路８２の入力端子には、外部に設けられたリセットスイッチの出力する信号がリセット信号として入力される。なお、ウインドコンパレータ回路３３の出力信号Ｖｏが論理的にハイレベルであるとき、すなわち、入力信号Ｖｉが第１比較電圧Ｖｒｅｆ１よりも高いとき、あるいは、入力信号Ｖｉが第２比較電圧Ｖｒｅｆ２よりも低いとき、ラッチ回路３４には、論理的にハイレベルの入力信号が入力される。反対に、ウインドコンパレータ回路３３の出力信号Ｖｏが論理的にローレベルであるとき、すなわち、入力信号Ｖｉが第２比較電圧Ｖｒｅｆ２以上であって、かつ、第１比較電圧Ｖｒｅｆ１以下であるとき、ラッチ回路３４には、論理的にローレベルの入力信号が入力される。
【００５３】
第１インバータ回路８１の出力端子は、第１ＮＡＮＤ回路８３の有する第１入力端子に接続され、第２インバータ回路８２の出力端子は、第２ＮＡＮＤ回路８４の有する第２入力端子に接続されている。第１ＮＡＮＤ回路８３の第２入力端子は、第２ＮＡＮＤ回路８４の出力端子に接続され、第２ＮＡＮＤ回路８４の第２入力端子は、第１ＮＡＮＤ回路８３の出力端子に接続されている。
【００５４】
表２の真理値表が示すように、リセット信号が論理的にローレベルであり、かつ、ウインドコンパレータ回路３３からの入力信号Ｖｉが論理的にハイレベルであるとき、ラッチ回路３４は論理的にハイレベルを出力する。リセット信号が論理的にローレベルであり、かつ、ウインドコンパレータ回路３３からの入力信号Ｖｉが論理的にローレベルであるとき、ラッチ回路３４は状態を保持する。
【００５５】
リセット信号が論理的にハイレベルであり、かつ、ウインドコンパレータ回路３３の出力する検出信号が論理的にローレベルであるとき、ラッチ回路３４は論理的にローレベルを出力する。リセット信号が論理的にハイレベルであり、かつ、ウインドコンパレータ回路３３の出力する検出信号が論理的にハイレベルであるとき、ラッチ回路３４は論理的にハイレベルを出力する。
【００５６】
すなわち、リセット信号がローレベルである状態から、入力信号Ｖｉが第１比較電圧Ｖｒｅｆ１よりも一度高くなると、ラッチ回路３４は、論理的にハイレベルを出力し始める。また、リセット信号がローレベルである状態から、入力信号Ｖｉが第２比較電圧Ｖｒｅｆ２よりも一度低くなるときも、ラッチ回路３４は、論理的にハイレベルを出力し始める。そして、ラッチ回路３４による論理的にハイレベルの出力は、入力信号Ｖｉが第２比較電圧Ｖｒｅｆ２以上であって、かつ、第１比較電圧Ｖｒｅｆ１以下である状態でリセット信号が論理的にハイレベルになるまで保持される。
【００５７】
【表２】
2016030151.tif 000007
報知部３５は、ラッチ回路３４が論理的にハイレベルを出力しているとき、インダクタ２０が磁気の変化を検出したことを報知する。報知部３５は、例えば、光によって報知するランプや、音によって報知するブザーなどであってもよいし、所定の文字や画像などの情報を表示する表示装置であってもよい。あるいは、報知部３５は、磁気の変化を検出したことを示す信号を有線通信や無線通信で外部装置と通信する通信部であってもよい。
【００５８】
報知部３５は、ウインドコンパレータ回路３３が、一旦、出力信号Ｖｏとして論理的にハイレベルを出力し、かつ、論理的にハイレベルである信号をラッチ回路３４が保持している期間にわたって、磁気の変化が検出されたことを報知し続ける。そのため、磁気の変化が検出されたことを報知する期間の長さに関して、その範囲が広げられる。
【００５９】
［磁気検出装置の作用］
図１０が示すように、本体１１の内部に位置するパチンコ玉ＰＢを所定の方向に動かす目的で遊技機１０のフロントパネル１２に磁石Ｍが近付けられる。このとき、フロントパネル１２に対する磁石Ｍの位置、すなわち、インダクタ２０に対する磁石Ｍの位置の位置が変わることで、インダクタ２０に起電力が生じる。
【００６０】
インダクタ２０に生じた起電力が、第１比較電圧Ｖｒｅｆ１よりも高いときであっても、第２比較電圧Ｖｒｅｆ２よりも低いときであっても、ウインドコンパレータ回路３３が論理的にハイレベルを出力し、論理的にハイレベルである出力はラッチ回路３４によって保持される。これにより、一旦、ラッチ回路３４によって論理的にハイレベルが保持されてからは、インダクタ２０において起電力が生じなくなり、かつ、外部のリセットスイッチからラッチ回路３４にリセット信号が入力されるまで、報知部３５、例えば、ブザーが、磁気の変化が検出されたことを音によって報知し続ける。
【００６１】
以上説明したように、上述した実施形態によれば、以下に列挙する効果が得られる。
（１）ウインドコンパレータ回路３３の出力信号Ｖｏが第１比較電圧Ｖｒｅｆ１よりも高いとき、および、出力信号Ｖｏが第２比較電圧Ｖｒｅｆ２よりも低いときの両方において、ウインドコンパレータ回路３３は論理的にハイレベルを出力する。そのため、出力信号Ｖｏを第１比較電圧Ｖｒｅｆ１よりも高くする磁気の変化、および、出力信号Ｖｏを第２比較電圧Ｖｒｅｆ２よりも低くする磁気の変化の両方を、磁気検出装置３０は検出する。それゆえに、磁気の変化を検出することの可能な変化期間の長さに関して、その範囲が広げられる。
【００６２】
（２）ウインドコンパレータ回路３３の出力した論理的にハイレベルである信号をラッチ回路３４が保持している期間の全体にわたって、磁気の変化が検出されたことが報知される。それゆえに、磁気の変化が検出されたことを報知する期間の長さに関して、その範囲が広げられる。
【００６３】
（３）第１比較電圧Ｖｒｅｆ１が可変値であり、第２比較電圧Ｖｒｅｆ２もまた可変値であるため、磁気検出装置３０が検出することの可能な磁気の変化の範囲を、磁気検出装置の適用される対象に合わせることが可能である。
【００６４】
（４）インダクタ２０が遊技機１０のフロントパネル１２に沿って位置しているため、インダクタ２０が本体１１の内部に位置する構成と比べて、フロントパネル１２の近傍における磁気の変化に対してインダクタ２０に誘導される起電力が変わりやすい。
【００６５】
上記実施形態は以下のように変更して実施することもできる。
［第１変形例］
・図１１が示すように、インダクタ２０の出力信号はフィルタ回路３２に入力され、フィルタ回路３２によって濾波された信号は増幅回路３１に入力される構成でもよい。すなわち、フィルタ回路３２は、インダクタ２０の出力信号を濾波するための回路であって、増幅回路３１は、フィルタ回路３２の出力信号を、ウインドコンパレータ回路３３において取り扱われる電圧に増幅する回路であってもよい。
【００６６】
［第２変形例］
・図１２が示すように、磁気検出装置３０は、濾波の対象となる周波数が相互に異なる２つのフィルタ回路として前段フィルタ回路３２Ａと後段フィルタ回路３２Ｂとを備え、２つのフィルタ回路が直列に接続された構成でもよい。こうした構成では、増幅回路３１によって増幅された信号が前段フィルタ回路３２Ａに入力され、前段フィルタ回路３２Ａによって濾波された信号が後段フィルタ回路３２Ｂに入力され、かつ、後段フィルタ回路３２Ｂによって濾波された信号がウインドコンパレータ回路３３に入力される。
【００６７】
［第３変形例］
・図１３が示すように、磁気検出装置３０は、ウインドコンパレータ回路３３が省略され、かつ、フィルタ回路３２とラッチ回路３４との間に絶対値回路３６を備える構成であってもよい。
【００６８】
図１４が示すように、絶対値回路３６は、理想ダイオード回路９０と、加算回路１００とから構成されている。理想ダイオード回路９０は、オペアンプ９１、２つの抵抗器９２，９３、および、２つのダイオード９４，９５を備え、２つの抵抗器９２，９３の各々は抵抗値Ｒを有している。
【００６９】
オペアンプ９１の反転入力端子には、抵抗器９２を介してフィルタ回路３２から入力信号Ｖｉが入力され、オペアンプ９１の非反転入力端子は、接地電位に接続されている。オペアンプ９１の出力端子は、ダイオード９４を介してオペアンプ９１の反転入力端子に接続されている。また、オペアンプ９１の出力端子は、負帰還抵抗である抵抗器９３とダイオード９５とを介して反転入力端子に接続されている。抵抗器９３およびダイオード９５とから構成される直列回路と、ダイオード９４とは、オペアンプ９１の反転入力端子と出力端子との間に、並列に接続されている。
【００７０】
入力信号Ｖｉが、第１比較値、および、第２比較値である接地電位よりも高い電位であるとき、理想ダイオード回路９０は、加算回路１００に２つの出力信号を出力する。２つの出力信号のうち、一方の出力信号は、絶対値回路３６の入力信号Ｖｉと等しい電位を有する第１出力信号であり、他方の出力信号は、オペアンプ９１とダイオード９５とを介して出力される第２出力信号であって、入力信号Ｖｉの電位と絶対値の等しい負電位の出力信号である。
【００７１】
これに対して、入力信号Ｖｉが接地電位よりも低い電位であるとき、理想ダイオード回路９０は、入力信号Ｖｉと等しい電位を有する信号を第１出力信号として出力し、抵抗器９３を介した接地電位を第２出力信号として出力する。
【００７２】
加算回路１００は、オペアンプ１０１と、３つの抵抗器１０２，１０３，１０４とを備え、抵抗器１０２は抵抗値Ｒを有する一方で、抵抗器１０３および抵抗器１０４は、抵抗器１０２の２倍の抵抗値２Ｒを有している。そのため、抵抗器１０２を介してオペアンプ１０１に入力された信号は、２倍の増幅率で増幅される一方で、抵抗器１０３を介してオペアンプ１０１に入力された信号は、１倍の増幅率で増幅される。
【００７３】
入力信号Ｖｉが接地電位よりも高い電位であるとき、オペアンプ１０１の出力端子には、２ＶｉからＶｉを引いた信号が出力される。結果として、絶対値回路３６の入力信号Ｖｉと等しい信号が、絶対値回路３６の出力信号Ｖｏとして出力される。これに対して、入力信号Ｖｉが接地電位よりも低い電位であるとき、オペアンプ１０１の反転入力端子には、Ｖｉの極性を反転させた信号が出力信号Ｖｏとして出力される。
【００７４】
つまり、絶対値回路３６の出力信号Ｖｏは、下記式４で表される。
【００７５】
【数４】
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なお、第３変形例は、第１変形例および第２変形例の各々と組み合わせて実施することもできる。
【００７６】
［他の変形例］
・インダクタ２０は、センシングシート１３に位置していなくてもよい。この場合には、インダクタ２０は、遊技機１０のフロントパネル１２や本体１１の所定の部位など、磁気の変化を検出する対象に直接取り付けられていればよい。
【００７７】
・磁気検出装置３０は、ラッチ回路３４を備えていなくてもよい。こうした構成であっても、磁気検出装置３０がウインドコンパレータ回路３３を備えていれば、上述した（１）に準じた効果を得ることはできる。
【００７８】
・磁気検出装置３０は、報知部３５を備えていなくてもよい。こうした構成であっても、磁気検出装置３０がウインドコンパレータ回路３３を備えていれば、上述した（１）に準じた効果を得ることはできる。
【００７９】
・磁気検出装置３０は、ラッチ回路３４と報知部３５との両方を備えていなくてもよい。こうした構成であっても、磁気検出装置３０がウインドコンパレータ回路３３を備えていれば、上述した（１）に準じた効果を得ることはできる。
【００８０】
・ウインドコンパレータ回路３３における第１比較電圧Ｖｒｅｆ１と第２比較電圧Ｖｒｅｆ２とは相互に同じ値であってもよい。こうした構成であっても、上述した（１）に準じた効果を得ることはできる。
【００８１】
・他の変形例に記載の構成の各々は、第１変形例から第３変形例の各々、および、他の変形例に記載の構成の各々と、適宜組み合わせて実施することもできる。
【符号の説明】
【００８２】
１０…遊技機、１１…本体、１２…フロントパネル、１２ｆ…表面パネル、１２ｂ…裏面パネル、１３…センシングシート、１３ｆ…表面、１３ｂ…裏面、２０…インダクタ、２１…配線パターン、２２…パッド、３０…磁気検出装置、３１…増幅回路、３２…フィルタ回路、３２Ａ…前段フィルタ回路、３２Ｂ…後段フィルタ回路、３３…ウインドコンパレータ回路、３４…ラッチ回路、３５…報知部、３６…絶対値回路、Ｍ…磁石、ＰＢ…パチンコ玉、ＶＭ…電圧計。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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