(57)【要約】【課題】スパッタリングにより低ダメージな膜を成膜するスパッタリング装置を提供する。【解決手段】スパッタリング装置は、ターゲット５０を保持する保持部３１１を有し保持部３１１を介してターゲット５０に電位を与える電極３１０と、基板が配置されるべき基板配置面ＳＳと保持部３１１との間の空間ＳＰを挟むように、かつ、基板配置面ＳＳに沿った方向に互いに離隔して配置された一対の第１マグネット３３１ａ，３３２ａおよび一対の第２マグネット３３１ｂ，３３２ｂと、基板配置面ＳＳと保持部３１１との間の位置に配置されるシールド３４０と、を備える。ターゲット５０は、空間ＳＰを挟んで平行に設けられた平板状の第１部分５１と第２部分５２とを有する。また、一対の第１マグネット３３１ａ，３３２ａの形成する磁界の向きと一対の第２マグネット３３１ｂ，３３２ｂの形成する磁界の向きは逆方向である。【選択図】図４
2016141825.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャンバの中でスパッタリングによって基板に膜を形成するスパッタリング装置であって、
ターゲットを保持する保持部を介して前記ターゲットに電位を与える電極と、
基板が配置されるべき基板配置面と前記保持部との間の空間を挟むように、かつ、前記基板配置面に沿った方向に互いに離隔して配置された第１の対向マグネット部と、
基板が配置されるべき基板配置面と前記保持部との間の空間を挟むように、かつ、前記基板配置面に沿った方向に互いに離隔し、前記第１の対向マグネット部と基板搬送方向に沿って所定の距離離間して配置された第２の対向マグネット部と、
前記第１の対向マグネット部および前記第２の対向マグネット部のそれぞれの間の位置であり、かつ前記基板配置面と前記保持部との間の位置に配置されるシールドと、を備え、
前記ターゲットは、前記空間を挟んで対向して設けられた第１部分と第２部分を含み、
前記第１の対向マグネット部および前記第２の対向マグネット部はそれぞれ、前記第１部分および前記第２部分が互いに対向する面に垂直な方向の磁界を前記空間に形成し、
前記第１の対向マグネット部および前記第２の対向マグネット部は互いに逆方向の磁界を形成することを特徴とするスパッタリング装置。
【請求項２】
前記第１の対向マグネット部が形成する磁界を第１磁界とし、前記第２の対向マグネット部が形成する磁界を第２磁界とすると、
前記第１磁界は、前記第２の対向マグネット部の間の空間に電子を近づける力を生じるように磁界の向きが設定され、
前記第２磁界は、前記第１の対向マグネット部の間の空間に電子を近づける力を生じるように磁界の向きが設定されることを特徴とする請求項１に記載のスパッタリング装置。
【請求項３】
前記第１の対向マグネット部が形成する磁界を第１磁界とし、前記第２の対向マグネット部が形成する磁界を第２磁界とすると、
前記第１磁界は、前記第２の対向マグネット部の間の空間から電子を離間させる力を生じるように磁界の向きが設定され、
前記第２磁界は、前記第１の対向マグネット部の間の空間から電子を離間させる力を生じるように磁界の向きが設定されることを特徴とする請求項１に記載のスパッタリング装置。
【請求項４】
前記所定の距離は、前記第１の対向マグネット部を構成する磁石と、前記第２の対向マグネット部を構成する磁石との間で磁界が形成されない距離であること特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のスパッタリング装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、スパッタリング装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、処理対象の基板の１つの面が対面する空間を挟むように対向して配置された一対のターゲットを備える箱型対向ターゲット式スパッタ装置が記載されている。各ターゲットの背面側には永久磁石が配置され、ターゲットと永久磁石との間には冷却ジャケットが配置されている。各ターゲットは、冷却ジャケットを構成する部分や永久磁石などとともに組み上げられてターゲット部を構成している。各ターゲット部は、それぞれ枠体に固定される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００５−４８２２７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に記載された箱型対向ターゲット式スパッタ装置では、一対のターゲット部のそれぞれを枠体に取り付ける必要がある。しかも、各ターゲット部は、ターゲットの他に冷却ジャケットを構成する部分や永久磁石などを含むので大型である。したがって、特許文献１に記載された箱型対向ターゲット式スパッタ装置では、ターゲットの交換などのメンテナンスにかなりの時間を要すると考えられる。また、永久磁石とターゲットとの間に冷却ジャケットを配置した構成では、永久磁石が発生する磁界が冷却ジャケット中の冷媒などによって減衰するので永久磁石を大型化する必要がある。
【０００５】
本発明は、新規且つ有用な構造を有するスパッタリング装置およびスパッタリング用ターゲットを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明にかかるスパッタリング装置は、チャンバの中でスパッタリングによって基板に膜を形成するスパッタリング装置であって、ターゲットを保持する保持部を介して前記ターゲットに電位を与える電極と、基板が配置されるべき基板配置面と前記保持部との間の空間を挟むように、かつ、前記基板配置面に沿った方向に互いに離隔して配置された第１の対向マグネット部と、基板が配置されるべき基板配置面と前記保持部との間の空間を挟むように、かつ、前記基板配置面に沿った方向に互いに離隔し、前記第１の対向マグネット部と基板搬送方向に沿って所定の距離離間して配置された第２の対向マグネット部と、  前記第１の対向マグネット部および前記第２の対向マグネット部のそれぞれの間の位置であり、かつ前記基板配置面と前記保持部との間の位置に配置されるシールドと、を備え、前記ターゲットは、前記空間を挟んで対向して設けられた第１部分と第２部分を含み、前記第１の対向マグネット部および前記第２の対向マグネット部はそれぞれ、前記第１部分および前記第２部分が互いに対向する面に垂直な方向の磁界を前記空間に形成し、前記第１の対向マグネット部および前記第２の対向マグネット部は互いに逆方向の磁界を形成することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、新規且つ有用な構造を有するスパッタリング装置およびスパッタリング用ターゲットが提供される。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の１つの実施形態の処理システムの構成を概略的に示す平面図。
【図２】成膜装置の構成を示す図。
【図３】成膜装置の構成を示す図。
【図４】成膜装置の構成を示す図。
【図５】図４のＣ−Ｃ断面矢視図。
【図６】図５のＤ−Ｄ断面図。
【図７Ａ】ターゲットの１つの構成例を示す図。
【図７Ｂ】ターゲットの１つの構成例を示す図。
【図８】第２実施形態の成膜装置の構成を示す図。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、添付図面を参照しながら本発明をその例示的な実施形態を通して説明する。
【００１０】
図１は、本発明の１つの実施形態の処理システム１００の構成を概略的に示す平面図である。処理システム１００は、インライン式の処理装置として構成されている。インライン式とは、連結された複数のチャンバを経由して基板を搬送しながら基板を処理する方式をいう。図１に示す成膜装置では、複数のチャンバ１１１〜１３０が方形のレイアウトを構成するように無端状に連結されている。チャンバ１１１〜１３０の各々には、キャリア１０によって保持された基板１を搬送する搬送装置が備えられている。チャンバ１１１〜１３０における互いに隣接するチャンバは、ゲートバルブを介して連結されている。チャンバ１１１は、キャリア１０に基板１を取り付ける処理が行われるロードロック室である。チャンバ１１６は、キャリア１０から基板１を取り外す処理が行われるアンロードロック室である。
【００１１】
より具体的な例を提示するために、処理システム１００がハードディスクを製造するための処理装置に適用された例を説明する。基板１は、例えば、中心部分に孔を有する金属製若しくはガラス製の円板状部材でありうる。キャリア１０は、２枚の基板を保持するように構成されうる。
【００１２】
まず、チャンバ１１１内で未処理の基板１が先頭のキャリア１０に取り付けられる。本実施形態で用いたキャリア１０は、２枚の基板１を搭載できるタイプである。基板１を搭載したキャリア１０は、密着層を形成するためのチャンバ１１７に移動して、基板１に密着層が形成される。この間に、２番目のキャリア１０に対して２枚の未処理の基板１が取り付けられる。
【００１３】
次いで、先頭のキャリア１０が軟磁性層を形成するためのチャンバ１１８、１１９、１２０に順に移動しながら基板１に軟磁性層が形成される。この間、２番目のキャリア１０が密着層を形成するためのチャンバ１１７に移動し、基板１に密着層が形成され、更に、チャンバ１１１内では、３番目のキャリア１０に対して基板１が取り付けられる。このようにして、先頭のキャリア１０およびそれに続くキャリア１０が移動する度に、チャンバ１１１内において後続のキャリア１０に対して基板１が取り付けられる。
【００１４】
軟磁性層が形成された基板１を保持している先頭のキャリア１０は、シード層を形成するためのチャンバ１２１に移動し、基板１にシード層が形成される。その後、先頭のキャリア１０は、中間層を形成するためのチャンバ１２３、１２４、磁性膜を形成するためのチャンバ１２６、１２７、保護膜を形成するためのチャンバ１２９に順に移動する。
【００１５】
方形のレイアウトにおける四隅の部分には、チャンバ１１２、１１３、１１４、１１５が配置されている。チャンバ１１２、１１３、１１４、１１５は、キャリア１０（基板１）の搬送方向を９０度転換する方向転換装置を備えたチャンバである。
【００１６】
チャンバ１１７〜１３０（１１２〜１１４を除く）は、それぞれ成膜装置の構成要素である。図２および図３は、１つの成膜装置の構成を示す図であり、チャンバ１１７〜１３０（１１２〜１１４を除く）の各々は、図２のチャンバ２０１に対応する。図２は、成膜装置２００をキャリア１０（基板１）の搬送方向に直交する面（搬送方向に沿った面）で切断した断面図である。図３には、図２のＡ−Ａ’線に沿った断面矢視図が示されている。図４には、ターゲット（スパッタリング用ターゲット）５０の周辺部分の構成が示されている。成膜装置２００は、スパッタリング装置として構成されている。
【００１７】
成膜装置（スパッタリング装置）２００は、チャンバ２０１と、キャリア１０を搬送する搬送装置２３０と、搬送装置２３０によるキャリア１０の搬送経路の上流側および下流側に配置されたゲートバルブ２２０を有する。チャンバ２０１は、ゲートバルブ２２０を介して隣接するチャンバと接続されている。
【００１８】
成膜装置２００は、ガス供給部２９０および排気装置２０２を備える。チャンバ２０１には、ガス供給部２９０によってガスが供給され、チャンバ２０１内のガスは、排気装置２０２により排気され、これによってチャンバ２０１内の圧力が目標圧力に制御される。
【００１９】
この実施形態では、チャンバ２０１の中では、２枚の基板１のそれぞれの２つの成膜面に対して、同時に、スパッタリングによって膜が形成される。チャンバ２０１の中には、４つのターゲット５０が配置されている。具体的には、第１の基板の１つの面に第１のターゲット５０が対向し、第１の基板の他の面に第２のターゲット５０が対向し、第２の基板の１つの面に第３のターゲット５０が対向し、第２の基板の他の面に第４のターゲット５０が対向する。なお、成膜装置２００は、１つのチャンバ２０１の中で一度に１枚の基板１にのみ膜が形成されるように構成されてもよい。
【００２０】
図４に例示されるように、成膜装置２００は、バッキングプレートとしての電極（カソード）３１０と、第１マグネット３３１（３３１ａ，３３１ｂ）と、第２マグネット３３２（３３２ａ，３３２ｂ）と、シールド３４０とを備えている。電極３１０は、ターゲット５０を保持する保持部３１１を有し、保持部３１１を介してターゲット５０に電位を与えるように構成されている。電極３１０には、例えば、ベース部材３２０を介して電源３７１から電位が与えられうる。電源３７１は、例えば、パルスＤＣ電源でありうるが、他の電源であってもよい。
【００２１】
第１マグネット３３１および第２マグネット３３２は、例えば永久磁石で構成されうる。第１マグネット３３１および第２マグネット３３２は、基板１が配置されるべき基板配置面ＳＳと保持部３１１との間の放電空間ＳＰを挟むように、かつ、基板配置面ＳＳに沿った方向に互いに離隔して配置されている。シールド３４０は、第１マグネット３３１と第２マグネット３３２との間かつ基板配置面ＳＳと保持部３１１との間の位置に配置されている。
【００２２】
シールド３４０は、放電空間ＳＰ内の磁場に影響を与えないように、非磁性の金属で構成されうる。例えば、シールド３４０は、非磁性の金属であるアルミニウムで構成されてもよいし、非磁性のステンレスで構成されてもよい。
【００２３】
ターゲット５０は、図７Ａ、７Ｂに例示的に示されるように、第１マグネット３３１と放電空間ＳＰとの間に配置されるべき第１部分５１と、第２マグネット３３２と放電空間ＳＰとの間に配置されるべき第２部分５２と、第１部分５１と第２部分５２とを連結する連結部分５３とを含む。ターゲット５０は、連結部分５３が保持部３１１に固定される。保持部３１１は、ターゲット５０を固定するための固定部材３１５が係合される係合部３１２を有する。一例において、係合部３１２は、ねじ穴であり、固定部材３１５は、ねじである。固定部材３１５は、ターゲット５０の連結部分５３に設けられた穴５５を貫通して係合部３１２に捩じ込まれる。第１部分５１および第２部分５２には、電極３１０から連結部分５３を介して電位が与えられる。
【００２４】
電極３１０の保持部３１１がターゲット５０の第１部分５１、第２部分５２および連結部分５３のうち連結部分５３を保持することによってターゲット５０が支持される構造は、電極３１０へのターゲット５０の装着および電極３１０からのターゲット５０の取り外しの作業の容易化に有利である。ターゲット５０については図７Ａ，７Ｂに基づいて後述する。
【００２５】
図５に図４のＣ−Ｃ断面矢視図を示す。図５に基づいて、第１マグネット３３１および第２マグネット３３２について説明する。第１マグネット３３１は、２つの第１マグネット３３１ａ，３３１ｂから構成されている。第１マグネット３３１ａ，３３１ｂは基板の搬送方向に沿って、間隔E（所定の距離）を挟んで並んで配置されている。同様に、第２マグネット３３２は、２つの第２マグネット３３２ａ，３３２ｂから構成されている。第２マグネット３３２ａ，３３２ｂは基板の搬送方向に沿って、間隔Eを挟んで並んで配置されている。第１マグネット３３１ａと第２マグネット３３２ａが放電空間ＳＰを挟んで向かい合っている。第１マグネット３３１ｂと第２マグネット３３２ｂが放電空間ＳＰを挟んで向かい合っている。
【００２６】
図５には、第１マグネット３３１ａおよび第２マグネット３３２ａの磁極が例示されている。第１マグネット３３２ａはＳ極が放電空間ＳＰに向くように配置され、第２マグネット３３２aはＮ極が放電空間ＳＰに向くように配置されている。この配置により、第１マグネット３３１ａのＳ極と第２マグネット３３２ａのＮ極とが対向して配置され、第１部分５１および第２部分５２が互いに対向する面（放電空間ＳＰ側の面）に垂直な方向に向きが一致する磁界Ｗ１（第１の磁界）が形成される。本明細書では、以後、「第１部分５１および第２部分５２が互いに対向する面（放電空間ＳＰ側の面）に垂直な方向に向きが一致する方向」を、「ターゲット面に垂直な方向」と記載することがある。第１マグネット３３１ｂはＮ極が放電空間ＳＰに向くように配置され、第２マグネット３３２ｂはＳ極が放電空間ＳＰに向くように配置されている。この配置により、第１マグネット３３１ｂのＮ極と第２マグネット３３２ｂのＳ極とが対向して配置され、ターゲット面に垂直な方向の磁界Ｗ２（第２の磁界）が形成される。  磁界Ｗ１を形成する第１マグネット３３１ａと第２マグネット３３２ａを「第１の対向マグネット部Ｍ１」、磁界Ｗ２を形成する第１マグネット３３１ｂと第２マグネット３３２ｂを「第２の対向マグネット部Ｍ２」とする。
【００２７】
間隔Ｅは、２つの第１マグネット３３１ａ，３３１ｂの間で磁界が形成されない距離が望ましい。少なくとも、第１マグネット３３１ａ，３３１ｂの間に形成される磁界もしくは第２マグネット３３２ａ，３３２ｂの間に形成される磁界（以下、ターゲット面に沿った方向の磁界、とする）が、磁界Ｗ１、もしくは磁界Ｗ２に比べて十分に小さく、放電空間ＳＰ内において、磁界Ｗ１と磁界Ｗ２が支配的な磁界であることが望ましい。例えば、間隔Eが近すぎると、ターゲット面に沿った方向の磁界が、磁界Ｗ１もしくは磁界Ｗ２に比べて大きくなり、対向配置されただけの２つのマグネトロンスパッタとして機能するため、膜質改善の効果が低下する。一方、間隔Eが遠すぎると、マグネット間距離が広がるので装置寸法が大きくなり、さらに基板の面内分布も低下するおそれがある。距離Ｅを適切に設定することで、ターゲット５０の第１部分５１および第２部分５２（放電空間ＳＰ側の面）に対して垂直な方向に向きが一致する磁場を形成し、放電空間ＳＰに均一な磁場を形成することができる。放電空間ＳＰに均一な磁場は、ターゲット５０へのリデポを抑える効果がある。
【００２８】
さらに、隣り合う磁界（磁界Ｗ１と磁界Ｗ２）を逆向きにすることで、放電空間ＳＰに形成されるプラズマの偏りを防ぐことができる。具体的には、磁界Ｗ１により電子には放電空間ＳＰの中心方向に移動する力Ｆ１が働くため、プラズマは磁界Ｗ１よりも放電空間ＳＰの中心側に形成される。また、磁界Ｗ２により、電子には放電空間ＳＰの中心方向に移動する力Ｆ２が働くため、プラズマは磁界Ｗ２よりも放電空間ＳＰの中心側に形成される。すなわち、磁界Ｗ１，Ｗ２は電子を放電空間ＳＰの中心に近づける力を生じ、プラズマを放電空間ＳＰの中心側に形成できる。間隔Ｅをより長い距離に設定することができる。
【００２９】
なお、図５に示された例とは反対に、第１マグネット３３１ａのＮ極と第２マグネット３３２ａのＳ極とが対向するように第１マグネット３３１ａおよび第２マグネット３３２ａを配置し、第１マグネット３３１ｂのＳ極と第２マグネット３３２ｂのＮ極とが対向するように第１マグネット３３１ｂおよび第２マグネット３３２ｂを配置してもよい。磁界Ｗ１，Ｗ２の向きを逆にすると、電子を放電空間ＳＰの中心から離間する力を生じる。磁界Ｗ１の周辺に形成されるプラズマと、磁界Ｗ２の周辺に形成されるプラズマは離れる方向の力を受ける。このため、放電空間ＳＰに形成されるプラズマは広がり、基板の面内分布を改善できる。
【００３０】
図６に図５のＤ−Ｄ断面図を示す。第２マグネット３３２ａ，３３２ｂはいずれも断面矩形の筒状の永久磁石であり、中心部には空洞３３３が形成されている。第１マグネット３３１ａ，３３１ｂも同様の形状の永久磁石を用いている。断面矩形の筒状磁石を用いることにより磁界Ｗ２，Ｗ１の断面積を広くすることができる。このため、プラズマの形成範囲が広がり、エロージョンをより均一にすることができる。
【００３１】
なお、本実施形態では、１つのターゲット５０に、対向するマグネットを２セット用いた装置について説明したが、３セット以上用いてもよい。ここで、対向するマグネットのセットとは、ターゲット面に垂直な方向の磁界を生じる磁石の組み合わせであり、上述の実施形態では、第１マグネット３３１ａと第２マグネット３３２ａ、および第１マグネット３３１ｂと第２マグネット３３２ｂのような磁石セットのことである。対向するマグネットを３セット用いる場合は、隣り合うセットの磁極の向きを逆方向にするとよい。すなわち、第１マグネット３３１ａと第２マグネット３３２ａを第１マグネットセット、第１マグネット３３１ｂと第２マグネット３３２ｂを第２マグネットセットとして、第１マグネットセットと第２マグネットセットが基板搬送方向に並んでいる状態において、第２マグネットセットの搬送方向下流側に第３マグネットセットをさらに配置した場合を考えると、第３マグネットセットが形成する磁界の向きは第１マグネットセットと同じになる。そして、第３マグネットセットのさらに下流側に第４マグネットセットを配置すると、第４マグネットセットが形成する磁界の向きは第２マグネットセットと同じになる。このように、隣り合う磁界の向きを逆にすることで、放電空間ＳＰに形成されるプラズマを均一にすることができる。
【００３２】
図７Ａ、７Ｂには、ターゲット５０の１つの構成例が示されている。ターゲット５０の第１部分５１および第２部分５２は、図７Ａ、７Ｂに例示されるように、互いに平行でありうる。ターゲット５０の第１部分５１および第２部分５２は、いずれも平板状の形状を有しうる。第１部分５１と第２部分５２との間の空間では、第１部分５１から第２部分５２へ、もしくは、第２部分５２から第１部分５１へ向かう向きを有する磁場が形成される。
【００３３】
第１部分５１、第２部分５２および連結部分５３は、同一材料で一体的に構成されることが好ましい。しかしながら、第１部分５１および第２部分５２を同一材料（ターゲット材料、例えば炭素）で構成し、連結部分５３を第１部分５１および第２部分５２の材料とは異なる材料で構成してもよい。この場合は、第１部分５１および第２部分５２の効率的な冷却、並びに、第１部分５１および第２部分５２への効率的な電位の供給のために、電気伝導性および熱伝導性に優れた材料で連結部分５３を形成するべきである。
【００３４】
更に、第１部分５１と第２部分５２とを互いに異なる材料で構成してもよく、この場合、互いに異なる材料からなる膜を基板１の上に形成すること、即ち同時スパッタリングが実現される。
【００３５】
シールド３４０には、ターゲット５０の連結部分５３がスパッタリングされることを防止することができる電位、例えば接地電位が与えられうる。シールド３４０は、連結部分５３と短絡しないように、連結部分５３から離隔して配置される。
【００３６】
保持部３１１は、ターゲットを保持するための第１面Ｓ１と、第１面Ｓ１の反対側の第２面Ｓ２とを有し、成膜装置２００は、保持部３１１の第２面Ｓ２の側に、電極３１０を冷却するための冷却チャネル３７０を備えうる。冷却チャネル３７０は、電極３１０（保持部３１１）とベース部材３２０との間に形成されうる。ターゲット５０の第１部分５１および第２部分５２は、冷却チャネル３７０を流れる冷却媒体によって保持部３１１を介してターゲット５０の連結部分５３が冷却されることによって冷却される。
【００３７】
第１マグネット３３１（３３１ａ，３３１ｂ）とターゲット５０の第１部分５１が配置されるべき位置との間、および、第２マグネット３３２（３３２ａ，３３２ｂ）とターゲット５０の第２部分５２が配置されるべき位置との間には、冷却媒体を流すための冷却チャネルが設けられていないことが好ましい。第１マグネット３３１とターゲット５０の第１部分５１が配置されるべき位置との間、および、第２マグネット３３２とターゲット５０の第２部分５２が配置されるべき位置との間に冷却チャネルを配置しないことによって、第１マグネット３３１および第２マグネット３３２が発生する磁界を少ない減衰で空間ＳＰに導くことができる。これは、第１マグネット３３１および第２マグネット３３２の小型化に有利である。
【００３８】
成膜装置２００は、更に、第１マグネット３３１および第２マグネット３３２が配置された位置と基板配置面ＳＳとの間に第２シールド３６１を備えることが好ましい。第１マグネット３３１および第２マグネット３３２の外側には、ブロック３５１が配置されうる。ブロック３５１は、例えば、アルミニウムで構成されうる。ブロック３５１の外側には、ブロック３５１、電極３１０およびベース部材３２０を取り囲むように第３シールド３５２が配置されうる。第３シールド３５２は、第２シールド３６１と電気的に接続されうる。第２シールド３６１および第３シールド３５２は、接地されうる。
【００３９】
ガス供給部２９０からチャンバ２０１内にガスを供給しつつ排気装置２０２によってチャンバ２０１内のガスを排気することによってチャンバ２０１内の圧力を目標圧力に制御しながら、電源３７１から電極３１０を介してターゲット５０の第１部分５１および第２部分５２に電位を与えることによって空間ＳＰにおいて放電が生じる。これによって発生したイオンによってターゲット５０の第１部分５１および第２部分５２がスパッタリングされる。これにより、ターゲット５０の第１部分５１および第２部分５２から飛び出した粒子によって基板１の上に膜が形成される。
【００４０】
図８には、本発明の第２実施形態におけるターゲット（スパッタリング用ターゲット）５０の周辺部分の構成が示されている。第２実施形態では、シールド３４０に対して電源３７２から正電位が与えられる。第２実施形態として言及しない事項は、記述の実施形態に従いうる。シールド３４０に正電位を与えることにより、第１部分５１と第２部分５２との間にある正電位のイオンを基板１に向けて押し出すことができる。一方、中性粒子は、シールド３４０の電位からの影響を受けない。ターゲット５０がカーボンで構成されている場合は、カーボンイオンによる成膜をより効率よく行うことができる。つまり、中性カーボンが基板１に付着することを減少させて、相対的にカーボンイオン量を基板上で増加させることができる。そのため、より硬度の高いカーボン膜を形成することができる。電源３７２からシールド３４０に印加する正電位の大きさは調整可能である。第２実施形態では、成膜時における基板は、フローティング電位とされうる。
【００４１】
ターゲット５０の第１部分５１および第２部分５２は、いずれも平板状の形状を有しうる。また、ターゲット５０の第１部分５１および第２部分５２は互いに平行でありうる。第１マグネット３３１ａ，３３１ｂおよび第２マグネット３３２ａ，３３２ｂは、第１部分５１および第２部分５２（の放電空間ＳＰ側の面）に対して垂直方向に向きが一致する磁場が形成されるように配置されうる。ターゲット５０の第１部分５１および第２部分５２（の放電空間ＳＰ側の面）に対して垂直な方向に向きが一致する磁場を形成することで放電空間ＳＰに均一な磁場を形成することができる。放電空間ＳＰに均一な磁場は、ターゲット５０へのリデポを抑える効果がある。
【００４２】
本発明は上記実施の形態に制限されるものではなく、本発明の精神及び範囲から離脱することなく、様々な変更及び変形が可能である。従って、本発明の範囲を公にするために、以下の請求項を添付する。
【符号の説明】
【００４３】
ＳＰ  放電空間  
Ｗ１，Ｗ２  磁界  
Ｍ１  第１の対向マグネット部（第１マグネット３３１ａと第２マグネット３３２ａ）  
Ｍ２  第２の対向マグネット部（第１マグネット３３１ｂと第２マグネット３３２ｂ）  
１  基板  
１０  キャリア  
５０  ターゲット  
５１  第１部分  
５２  第２部分  
５３  連結部分  
１００  処理システム  
２００  成膜装置  
３１０  電極（バッキングプレート）  
３３１（３３１ａ，３３１ｂ）  第１マグネット  
３３２（３３２ａ，３３２ｂ）  第２マグネット  
３４０  シールド  
３７１  電源  
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図８】
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