(57)【要約】【課題】  蒸着レートセンサの寿命を延ばしつつ、蒸着レート（成膜速度）を所望する目標値に精度良く制御可能な蒸着膜の製造方法等を提供する。【解決手段】  本発明は、蒸着レートセンサ３のシャッター３１を開いて蒸着レートを測定しながら、目標蒸着レート設定値ＳＶ１と蒸着レート測定値ＰＶ１との偏差が小さくなるように、加熱手段１２に供給する電力を操作するフィードバック制御を行う第１制御工程と、蒸着レート測定値の変動量が所定の範囲内に収まったか否かを判定し、所定の範囲内に収まったと判定した場合には、シャッターを閉じて第１制御工程を中断する判定工程と、判定した時点での容器の温度ＰＶ２を目標温度設定値として設定し、温度センサ４で容器の温度を測定しながら、目標温度設定値と温度測定値ＰＶ２との偏差が小さくなるように、前記電力を操作するフィードバック制御を行う第２制御工程とを含む。【選択図】  図３
2016130336.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
蒸着材料を収容する容器と該容器を加熱する加熱手段とを具備する蒸着源を用いて、前記加熱手段で前記容器を加熱することで、前記容器から蒸発した蒸着材料を放出し、前記容器に対向する基材上に放出された前記蒸着材料を堆積させることで、前記基材上に蒸着膜を形成する蒸着膜の製造方法であって、
前記基材上での前記蒸着材料の蒸着レートを測定するシャッター付きの蒸着レートセンサを配置する蒸着レートセンサ配置工程と、
前記容器の温度を測定する温度センサを配置する温度センサ配置工程と、
前記蒸着レートセンサのシャッターを開いて前記容器から放出された蒸着材料を前記蒸着レートセンサに付着させることで蒸着レートを測定しながら、予め設定した目標蒸着レート設定値と前記測定した蒸着レート測定値との偏差が小さくなるように、前記加熱手段に供給する電力を操作するフィードバック制御を行う第１制御工程と、
前記第１制御工程において、前記蒸着レート測定値の変動量が所定の範囲内に収まったか否かを判定し、所定の範囲内に収まったと判定した場合には、前記蒸着レートセンサのシャッターを閉じて前記第１制御工程を中断する判定工程と、
前記判定工程において前記蒸着レート測定値の変動量が所定の範囲内に収まったと判定した場合には、この判定した時点での前記容器の温度を目標温度設定値として設定し、前記温度センサで前記容器の温度を測定しながら、前記目標温度設定値と前記測定した温度測定値との偏差が小さくなるように、前記加熱手段に供給する電力を操作するフィードバック制御を行う第２制御工程とを実行し、
前記第２制御工程を予め定めた所定時間だけ実行した後に、前記第１制御工程、前記判定工程及び前記第２制御工程をこの順で繰り返し実行する、
ことを特徴とする蒸着膜の製造方法。
【請求項２】
前記第１制御工程では、前記蒸着レートセンサのシャッターを開いて蒸着レートを測定しながら、前記目標蒸着レート設定値と前記蒸着レート測定値との偏差が小さくなるように、前記容器の温度設定値を操作する第１フィードバック制御を行うと同時に、前記温度センサで前記容器の温度を測定しながら、前記第１フィードバック制御によって操作される前記温度設定値と前記測定した温度測定値との偏差が小さくなるように、前記加熱手段に供給する電力を操作する第２フィードバック制御を行い、
前記判定工程では、前記第１制御工程において、前記蒸着レート測定値の変動量及び前記温度測定値の変動量の双方がそれぞれ所定の範囲内に収まったか否かを判定し、所定の範囲内に収まったと判定した場合には、前記蒸着レートセンサのシャッターを閉じて前記第１制御工程を中断し、
前記第２制御工程では、前記判定工程において前記蒸着レート測定値の変動量及び前記温度測定値の変動量の双方がそれぞれ所定の範囲内に収まったと判定した時点での前記温度設定値又は前記温度測定値を目標温度設定値として設定し、前記温度センサで前記容器の温度を測定しながら、前記目標温度設定値と前記測定した温度測定値との偏差が小さくなるように、前記加熱手段に供給する電力を操作するフィードバック制御を行う、
ことを特徴とする請求項１に記載の蒸着膜の製造方法。
【請求項３】
前記基材は、長尺帯状の基材であり、
前記蒸着材料は、金属蒸着材料であり、
前記基材をその長手方向に搬送しながら、前記基材上に蒸着膜を形成する、
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の蒸着膜の製造方法。
【請求項４】
蒸着材料を収容する容器及び該容器を加熱する加熱手段を具備する蒸着源と、
前記加熱手段に電力を供給する電源と、
前記蒸着源から放出された蒸着材料が付着することで、基材上での前記蒸着材料の蒸着レートを測定するシャッター付きの蒸着レートセンサと、
前記容器の温度を測定する温度センサと、
前記電源、前記蒸着レートセンサ及び前記温度センサに接続された制御手段とを備え、
前記制御手段は、第１制御部と、判定部と、第２制御部と、前記蒸着レートセンサのシャッターの開閉動作を制御すると共に、前記第１制御部、前記判定部及び前記第２制御部の動作を制御する主制御部とを具備し、
前記主制御部は、前記蒸着レートセンサのシャッターを開き、
前記第１制御部は、前記主制御部によって前記蒸着レートセンサのシャッターが開かれた状態で、予め設定記憶した目標蒸着レート設定値と、前記蒸着レートセンサから入力された蒸着レート測定値との偏差が小さくなるように、前記電源の電力設定値を操作するフィードバック制御を行い、
前記判定部は、前記第１制御部によるフィードバック制御中に、前記蒸着レート測定値の変動量が所定の範囲内に収まったか否かを判定し、
前記判定部が前記蒸着レート測定値の変動量が所定の範囲内に収まったと判定した場合、前記主制御部は、前記蒸着レートセンサのシャッターを閉じ、
前記第２制御部は、前記判定部が前記蒸着レート測定値の変動量が所定の範囲内に収まったと判定した時点での前記容器の温度を目標温度設定値として設定記憶し、前記目標温度設定値と、前記温度センサから入力された温度測定値との偏差が小さくなるように、前記電源の電力設定値を操作するフィードバック制御を行い、
前記主制御部は、前記第２制御部によるフィードバック制御が予め定めた所定時間だけ実行された後に、前記蒸着レートセンサのシャッターの開動作、前記第１制御部によるフィードバック制御、前記判定部による判定、前記蒸着レートセンサのシャッターの閉動作、及び前記第２制御部によるフィードバック制御をこの順で繰り返し実行する、
ことを特徴とする蒸着装置。
【請求項５】
前記第１制御部は、第１フィードバック制御部と、第２フィードバック制御部とを具備し、前記第１フィードバック制御部は、前記主制御部によって前記蒸着レートセンサのシャッターが開かれた状態で、前記目標蒸着レート設定値と前記蒸着レート測定値との偏差が小さくなるように、前記容器の温度設定値を操作するフィードバック制御を行うと同時に、前記第２フィードバック制御部は、前記第１フィードバック制御部によって操作される前記温度設定値と前記温度センサから入力された温度測定値との偏差が小さくなるように、前記電源の電力設定値を操作するフィードバック制御を行い、
前記判定部は、前記第１制御部によるフィードバック制御中に、前記蒸着レート測定値の変動量及び前記温度測定値の変動量の双方がそれぞれが所定の範囲内に収まったか否かを判定し、
前記判定部が前記蒸着レート測定値の変動量及び前記温度測定値の変動量の双方がそれぞれ所定の範囲内に収まったと判定した場合、前記主制御部は、前記蒸着レートセンサのシャッターを閉じ、
前記第２制御部は、前記判定部が前記蒸着レート測定値の変動量及び前記温度測定値の変動量の双方がそれぞれ所定の範囲内に収まったと判定した時点での前記温度設定値又は前記温度センサから入力された温度測定値を目標温度設定値として設定記憶し、前記目標温度設定値と、前記温度センサから入力された温度測定値との偏差が小さくなるように、前記電源の電力設定値を操作するフィードバック制御を行う、
ことを特徴とする請求項４に記載の蒸着装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子などを形成する際に用いられる蒸着膜の製造方法及び蒸着装置に関する。特に、本発明は、蒸着材料を付着させることで蒸着レートを測定する蒸着レートセンサの寿命を延ばしつつ、蒸着レート（成膜速度）を所望する目標値に精度良く制御可能な蒸着膜の製造方法及び蒸着装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネッセンス（以下、エレクトルルミネッセンスを適宜「ＥＬ」と称する）装置は、基材と、基材上に設けられた有機ＥＬ素子とを備える。有機ＥＬ素子には、発光層として機能する有機膜以外に、有機膜に駆動電圧を供給するため、有機膜を挟んだ一対の電極膜が必要である。
【０００３】
有機ＥＬ素子を構成する有機膜や電極膜の形成方法としては、一般に、真空蒸着法や塗布法などが知られている。中でも、有機膜や電極膜の形成材料の純度を高めることができ、なお且つ寿命の長い有機ＥＬ素子を形成し易いことから、真空蒸着法が広く用いられている。
真空蒸着法を実施するための蒸着装置は、一般に、真空チャンバーと、真空チャンバー内に設けられ、蒸着膜を形成する基材に対向して配置された蒸着源とを備える。蒸着源は、蒸着材料を収容する容器（坩堝など）と、容器を加熱する加熱手段とを具備する。加熱手段によって容器を加熱することで、容器から蒸発した蒸着材料を放出し、基材上に堆積させることで、基材上に蒸着膜が形成される。
【０００４】
蒸着装置としては、枚葉状の基材上に蒸着膜を形成する方式（バッチ方式）と、長尺帯状の基材をロール間で搬送しながら該基材上に蒸着膜を形成する方式（ロールツーロール方式）とが知られている（ロールツーロール方式の蒸着装置としては、例えば、特許文献１参照）。
高速で蒸着膜を形成できる（蒸着レートが高い）点では、ロールツーロール方式の蒸着装置が有利である。
【０００５】
蒸着膜の膜厚精度は、有機ＥＬ素子の発光特性や寿命を左右する極めて重要な要素であるため、膜厚精度に影響を及ぼす蒸着レートを一定に保持する（所望する目標値に精度良く制御する）ことが重要である。
特に、ロールツーロール方式の蒸着装置の場合、蒸着レートが高いが故に、不良品の量産を阻止するには、蒸着レートを蒸着開始から短時間で安定させ、なお且つ長時間安定させることが重要である。
【０００６】
従来、蒸着レートの制御は、図１のブロック図に示すような構成で実行されている。すなわち、蒸着源１を構成する蒸着材料を収容した容器１１を加熱手段１２で加熱して基材Ｓ上への蒸着膜の形成を開始すると共に、蒸着レートセンサ３を用いて蒸着レートを測定する。そして、制御手段５Ａには、目標蒸着レート設定値ＳＶ１が予め設定記憶されると共に、蒸着レートセンサ３を用いて測定した蒸着レート測定値ＰＶ１が入力される。制御手段５Ａは、目標蒸着レート設定値ＳＶ１と蒸着レート測定値ＰＶ１との偏差が小さくなるように、加熱手段１２に供給する電力を操作する（加熱手段１２に電力供給する電源２の電力設定値ＭＶ２を操作する）フィードバック制御（ＰＩＤ制御）を行っている。
【０００７】
ここで、蒸着レートセンサ３としては、蒸着材料を付着させるＱＣＭ（Quartz Crystal Microbalance）センサが好ましく用いられる。
ＱＣＭセンサは、水晶振動子の電極表面に物質が付着すると、その質量に応じて共振周波数が低下する性質を利用し、共振周波数の低下量から付着した質量を測定するセンサである。ＱＣＭセンサによって単位時間当たりに付着した蒸着材料の質量を測定することで、単位時間当たりに基材Ｓ上に堆積する蒸着材料の堆積量、すなわち蒸着レート（成膜速度）を算出することが可能である。
蒸着レートセンサ３としてＱＣＭセンサを用いる場合、特に有機ＥＬ素子の電極膜のように質量の大きな金属材料を基材Ｓ上に蒸着する際には、ＱＣＭセンサに金属材料が付着することでセンサの寿命が著しく低下してしまう問題がある。寿命が尽きたＱＣＭセンサを新しいものと交換するには、容器１１の温度を下げ、真空チャンバー内の温度が下がるまで待ってから交換作業を開始する必要がある。また、蒸着を再開するには、真空チャンバー内の真空度を１０−５Ｐａ程度の高真空にする必要があるため、実質１日の無駄時間が生じる。
【０００８】
上記従来の蒸着レートの制御方法によれば、蒸着レートを蒸着開始から比較的短時間で安定させることは可能である。しかしながら、蒸着レートセンサ３として、ＱＣＭセンサのように蒸着材料を付着させることで蒸着レートを測定するセンサを用いた場合、蒸着レートセンサ３の寿命に起因して長時間安定させることが困難である。また、蒸着レートセンサ３の寿命が短時間で尽きてしまうと、手間を要する交換作業を頻繁に行う必要があるため、蒸着膜の製造効率が低下するという問題もある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２０１２−１４０６９５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明は、上記のような従来技術の問題点を解決するためになされたものであり、蒸着材料を付着させることで蒸着レートを測定する蒸着レートセンサの寿命を延ばしつつ、蒸着レート（成膜速度）を所望する目標値に精度良く制御可能な蒸着膜の製造方法及び蒸着装置を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
前記課題を解決するため、本発明は、蒸着材料を収容する容器と該容器を加熱する加熱手段とを具備する蒸着源を用いて、前記加熱手段で前記容器を加熱することで、前記容器から蒸発した蒸着材料を放出し、前記容器に対向する基材上に放出された前記蒸着材料を堆積させることで、前記基材上に蒸着膜を形成する蒸着膜の製造方法であって、以下の各工程を実行する。
（１）蒸着レートセンサ配置工程
前記基材上での前記蒸着材料の蒸着レートを測定するシャッター付きの蒸着レートセンサを配置する。
（２）温度センサ配置工程
前記容器の温度を測定する温度センサを配置する。
（３）第１制御工程
前記蒸着レートセンサのシャッターを開いて前記容器から放出された蒸着材料を前記蒸着レートセンサに付着させることで蒸着レートを測定しながら、予め設定した目標蒸着レート設定値と前記測定した蒸着レート測定値との偏差が小さくなるように、前記加熱手段に供給する電力を操作するフィードバック制御を行う。
（４）判定工程
前記第１制御工程において、前記蒸着レート測定値の変動量が所定の範囲内に収まったか否かを判定し、所定の範囲内に収まったと判定した場合には、前記蒸着レートセンサのシャッターを閉じて前記第１制御工程を中断する。
（５）第２制御工程
前記判定工程において前記蒸着レート測定値の変動量が所定の範囲内に収まったと判定した場合には、この判定した時点での前記容器の温度を目標温度設定値として設定し、前記温度センサで前記容器の温度を測定しながら、前記目標温度設定値と前記測定した温度測定値との偏差が小さくなるように、前記加熱手段に供給する電力を操作するフィードバック制御を行う。
そして、本発明に係る蒸着膜の製造方法は、前記第２制御工程を予め定めた所定時間だけ実行した後に、前記第１制御工程、前記判定工程及び前記第２制御工程をこの順で繰り返し実行する、ことを特徴とする。
【００１２】
本発明によれば、蒸着レートセンサ配置工程でシャッター付きの蒸着レートセンサを配置し、第１制御工程では、シャッターを開いた状態で、目標蒸着レート設定値と蒸着レート測定値との偏差が小さくなるように、加熱手段に供給する電力を操作するフィードバック制御を行う。
すなわち、シャッター付きの蒸着レートセンサを用いる点を除き、従来の蒸着レートの制御方法と同様に、蒸着レート測定値が目標蒸着レート設定値に近づくようにフィードバック制御を行うため、蒸着レートを蒸着開始から比較的短時間で安定させることが可能である。
【００１３】
また、本発明によれば、判定工程において、蒸着レート測定値の変動量が所定の範囲内に収まったか否かを判定し、所定の範囲内に収まったと判定した場合には、蒸着レートセンサのシャッターを閉じて第１制御工程を中断する。そして、後述の第２制御工程では、シャッターを閉じた状態でフィードバック制御を行うことになる。
【００１４】
また、本発明によれば、温度センサ配置工程で容器の温度を測定する温度センサを配置し、第２制御工程では、目標温度設定値と温度測定値との偏差が小さくなるように、加熱手段に供給する電力を操作するフィードバック制御を行う。
本発明者らは、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌなどの金属材料を蒸着させる場合、蒸着レート測定値が安定したとき（蒸着レート測定値の変動量が所定の範囲内に収まったとき）には、容器の温度も安定することを知見した。このため、上記のような金属材料を蒸着させる場合には、第２制御工程で、温度測定値が目標温度設定値に近づくようにフィードバック制御すれば、蒸着レートを測定しなくても、蒸着レートが目標蒸着レート設定値に近づくように制御されることが期待できる。
【００１５】
さらに、本発明によれば、第２制御工程を予め定めた所定時間だけ実行した後に、第１制御工程、判定工程及び第２制御工程をこの順で繰り返し実行する。
すなわち、蒸着レートセンサのシャッター開いた状態でのフィードバック制御（第１制御工程）と、蒸着レートセンサのシャッターを閉じた状態でのフィードバック制御（第２制御工程）とを、交互に繰り返し実行することになる。シャッターを閉じた状態では、蒸着レートセンサに蒸着材料が付着しないため、シャッターが無い、又は、常時シャッターを開いた状態と比べて、蒸着レートセンサの寿命を延ばすことが可能である。また、前述のように、蒸着レートセンサの測定値を用いない第２制御工程でも、蒸着レートが目標蒸着レート設定値に近づくように制御されることが期待できるため、第１制御工程及び第２制御工程によって、蒸着レートを長時間安定させることができる。
【００１６】
以上のように、本発明に係る蒸着膜の製造方法によれば、蒸着レートセンサの寿命を延ばしつつ、蒸着レート（成膜速度）を所望する目標値に精度良く制御可能である。
なお、本発明の第２制御工程における目標温度設定値は、判定工程において蒸着レート測定値の変動量が所定の範囲内に収まったと判定した時点での容器の温度を意味するが、具体的には、前記時点において温度センサで測定した温度測定値を目標温度設定値にすることが例示できる。また、後述のように、前記時点において第１フィードバック制御によって操作される温度設定値を目標温度設定値にすることも可能である。
【００１７】
ここで、前記第１制御工程、前記判定工程及び前記第２制御工程では、それぞれ以下の動作を行うことが好ましい。
（Ａ）第１制御工程
前記蒸着レートセンサのシャッターを開いて蒸着レートを測定しながら、前記目標蒸着レート設定値と前記蒸着レート測定値との偏差が小さくなるように、前記容器の温度設定値を操作する第１フィードバック制御を行うと同時に、前記温度センサで前記容器の温度を測定しながら、前記第１フィードバック制御によって操作される前記温度設定値と前記測定した温度測定値との偏差が小さくなるように、前記加熱手段に供給する電力を操作する第２フィードバック制御を行う。
（Ｂ）判定工程
前記第１制御工程において、前記蒸着レート測定値の変動量及び前記温度測定値の変動量の双方がそれぞれ所定の範囲内に収まったか否かを判定し、所定の範囲内に収まったと判定した場合には、前記蒸着レートセンサのシャッターを閉じて前記第１制御工程を中断する。
（Ｃ）第２制御工程
前記判定工程において前記蒸着レート測定値の変動量及び前記温度測定値の変動量の双方がそれぞれ所定の範囲内に収まったと判定した時点での前記温度設定値又は前記温度測定値を目標温度設定値として設定し、前記温度センサで前記容器の温度を測定しながら、前記目標温度設定値と前記測定した温度測定値との偏差が小さくなるように、前記加熱手段に供給する電力を操作するフィードバック制御を行う。
【００１８】
上記好ましい構成によれば、第１制御工程において、目標蒸着レート設定値と蒸着レート測定値との偏差が小さくなるように、加熱手段に供給する電力を直接操作するのではなく、目標蒸着レート設定値と蒸着レート測定値との偏差が小さくなるように、容器の温度設定値を操作する第１フィードバック制御を行い、第１フィードバック制御によって操作される温度設定値と温度測定値との偏差が小さくなるように、加熱手段に供給する電力を操作する第２フィードバック制御を行う。
すなわち、容器の温度設定値と加熱手段に供給する電力の双方をそれぞれ操作量とするフィードバック制御を２重ループにしたカスケード制御を行うため、蒸着レート測定値をより一層安定して目標蒸着レート設定値に近づけることができると共に、容器の温度も安定化させることが可能である。
【００１９】
そして、上記好ましい構成によれば、判定工程において、蒸着レート測定値の変動量及び温度測定値の変動量の双方がそれぞれ所定の範囲内に収まったか否かを判定し、所定の範囲内に収まったと判定した場合には、蒸着レートセンサのシャッターを閉じて第１制御工程を中断する。
さらに、上記好ましい構成によれば、第２制御工程において、目標温度設定値（蒸着レート測定値の変動量及び温度測定値の変動量の双方がそれぞれ所定の範囲内に収まったと判定した時点での温度設定値又は温度測定値）と温度測定値との偏差が小さくなるように、加熱手段に供給する電力を操作するフィードバック制御を行う。
【００２０】
上記好ましい構成によれば、第１制御工程でカスケード制御を行うことにより、蒸着レート測定値と温度測定値の双方を安定化させ易いと共に、蒸着レート測定値と温度測定値の双方が安定したことを判定工程で判定した上で第２制御工程を実行するため、第２制御工程で蒸着レートを測定しなくても、蒸着レートが目標蒸着レート設定値に近づくように制御されることがより一層期待できる。
【００２１】
本発明に係る蒸着膜の製造方法は、前記基材が長尺帯状の基材であり、前記蒸着材料が金属蒸着材料であり、前記基材をその長手方向に搬送しながら前記基材上に蒸着膜を形成する場合に特に有効である。
換言すれば、蒸着レートが高く、なお且つ、蒸着レートセンサの寿命が低下し易い対象に適用する場合に特に有効である。
【００２２】
また、前記課題を解決するため、本発明は、蒸着材料を収容する容器及び該容器を加熱する加熱手段を具備する蒸着源と、前記加熱手段に電力を供給する電源と、前記蒸着源から放出された蒸着材料が付着することで、基材上での前記蒸着材料の蒸着レートを測定するシャッター付きの蒸着レートセンサと、前記容器の温度を測定する温度センサと、前記電源、前記蒸着レートセンサ及び前記温度センサに接続された制御手段とを備え、前記制御手段は、第１制御部と、判定部と、第２制御部と、前記蒸着レートセンサのシャッターの開閉動作を制御すると共に、前記第１制御部、前記判定部及び前記第２制御部の動作を制御する主制御部とを具備し、前記主制御部は、前記蒸着レートセンサのシャッターを開き、前記第１制御部は、前記主制御部によって前記蒸着レートセンサのシャッターが開かれた状態で、予め設定記憶した目標蒸着レート設定値と、前記蒸着レートセンサから入力された蒸着レート測定値との偏差が小さくなるように、前記電源の電力設定値を操作するフィードバック制御を行い、前記判定部は、前記第１制御部によるフィードバック制御中に、前記蒸着レート測定値の変動量が所定の範囲内に収まったか否かを判定し、前記判定部が前記蒸着レート測定値の変動量が所定の範囲内に収まったと判定した場合、前記主制御部は、前記蒸着レートセンサのシャッターを閉じ、前記第２制御部は、前記判定部が前記蒸着レート測定値の変動量が所定の範囲内に収まったと判定した時点での前記容器の温度を目標温度設定値として設定記憶し、前記目標温度設定値と、前記温度センサから入力された温度測定値との偏差が小さくなるように、前記電源の電力設定値を操作するフィードバック制御を行い、前記主制御部は、前記第２制御部によるフィードバック制御が予め定めた所定時間だけ実行された後に、前記蒸着レートセンサのシャッターの開動作、前記第１制御部によるフィードバック制御、前記判定部による判定、前記蒸着レートセンサのシャッターの閉動作、及び前記第２制御部によるフィードバック制御をこの順で繰り返し実行する、ことを特徴とする蒸着装置としても提供される。
【００２３】
好ましくは、前記第１制御部は、第１フィードバック制御部と、第２フィードバック制御部とを具備し、前記第１フィードバック制御部は、前記主制御部によって前記蒸着レートセンサのシャッターが開かれた状態で、前記目標蒸着レート設定値と前記蒸着レート測定値との偏差が小さくなるように、前記容器の温度設定値を操作するフィードバック制御を行うと同時に、前記第２フィードバック制御部は、前記第１フィードバック制御部によって操作される前記温度設定値と前記温度センサから入力された温度測定値との偏差が小さくなるように、前記電源の電力設定値を操作するフィードバック制御を行い、前記判定部は、前記第１制御部によるフィードバック制御中に、前記蒸着レート測定値の変動量及び前記温度測定値の変動量の双方がそれぞれが所定の範囲内に収まったか否かを判定し、前記判定部が前記蒸着レート測定値の変動量及び前記温度測定値の変動量の双方がそれぞれ所定の範囲内に収まったと判定した場合、前記主制御部は、前記蒸着レートセンサのシャッターを閉じ、前記第２制御部は、前記判定部が前記蒸着レート測定値の変動量及び前記温度測定値の変動量の双方がそれぞれ所定の範囲内に収まったと判定した時点での前記温度設定値又は前記温度センサから入力された温度測定値を目標温度設定値として設定記憶し、前記目標温度設定値と、前記温度センサから入力された温度測定値との偏差が小さくなるように、前記電源の電力設定値を操作するフィードバック制御を行う。
【発明の効果】
【００２４】
本発明によれば、蒸着材料を付着させることで蒸着レートを測定する蒸着レートセンサの寿命を延ばしつつ、蒸着レート（成膜速度）を所望する目標値に精度良く制御可能である。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】図１は、従来の蒸着装置における制御手段の構成を概略的に示すブロック図である。
【図２】図２は、本発明の実施形態に係る蒸着装置の全体構成を概略的に示す図である。
【図３】図３は、本発明の第１実施形態に係る蒸着装置における制御手段の構成を概略的に示すブロック図である。
【図４】図４は、本発明の第１実施形態に係る蒸着装置による蒸着レートの制御結果の一例を模式的に示す図である。
【図５】図５は、本発明の第２実施形態に係る蒸着装置における制御手段の構成を概略的に示すブロック図である。
【図６】図６は、本発明の第２実施形態に係る蒸着装置による蒸着レートの制御結果の一例及び従来の蒸着装置による蒸着レートの制御結果の一例を模式的に示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
以下、添付図面を適宜参照しつつ、本発明の実施形態（第１実施形態及び第２実施形態）について説明する。まず、第１実施形態及び第２実施形態に共通する蒸着装置の全体構成について説明する。なお、各図に示された各部の厚みや長さなどの寸法並びに各部の縮尺比は、図示の便宜上、実際のものとは異なっている。
【００２７】
＜蒸着装置の全体構成＞
図２は、本発明の実施形態に係る蒸着装置の全体構成を概略的に示す図である。
図２に示すように、本実施形態に係る蒸着装置１００は、蒸着材料を収容する坩堝１１及び坩堝１１を加熱する加熱手段１２を具備する蒸着源１と、加熱手段１２に電力を供給する電源２と、蒸着源１から放出された蒸着材料が付着することで、基材Ｓ上での前記蒸着材料の蒸着レートを測定するシャッター３１付きの蒸着レートセンサ３と、坩堝１１の温度を測定する温度センサ４と、電源２、蒸着レートセンサ３及び温度センサ４に接続された制御手段５とを備えている。
【００２８】
加熱手段１２としては、特に限定されるものではないが、例えば、タングステンやタンタルなどの金属ワイヤーを用いたワイヤーヒーターや、赤外線ランプなどが用いられる。ワイヤーヒーターを用いる場合、坩堝１１の外周面に金属ワイヤーが巻き付けられ、この金属ワイヤーに電源２から電力が供給されることで、金属ワイヤー、ひいては坩堝１１が加熱される。  
【００２９】
蒸着レートセンサ３としては、蒸着材料を付着させて蒸着レートを測定するセンサである限り、特に限定されるものではないが、好ましくは、ＱＣＭセンサが用いられる。シャッター付きＱＣＭセンサとしては、例えば、Infocon社製デュアルセンサーを例示できる。
【００３０】
温度センサ４としては、特に限定されるものではないが、例えば、熱電対が用いられる。加熱手段１２として、ワイヤーヒーターを用いる場合には、坩堝１１の外周面とワイヤーヒーターとの間に熱電対を介挿することで、坩堝１１の温度が測定される。
【００３１】
制御手段５としては、特に限定されるものではないが、例えば、後述する制御方法を実行する（制御手段５が備える各部の機能を発揮させる）ためのプログラムがインストールされたＰＬＣ（programmable logic controller）やＰＣ（パーソナルコンピュータ）を挙げることができる。
【００３２】
また、本実施形態に係る蒸着装置１００は、内部が真空とされた真空チャンバー６と、真空チャンバー６内に配置され、基材Ｓを搬送する搬送装置７とを備えている。蒸着源１は、真空チャンバー６内に配置され、気化した蒸着材料が基材Ｓの表面に対して略直交する方向に衝突するように、基材Ｓの表面に対向配置されている。例えば、蒸着源１は、後述する第２室６２の底部に固定されている。
【００３３】
基材Ｓは、長尺帯状に形成されている。基材Ｓは、細長い長方形状のフレキシブルなシート状物である。長尺帯状の基材Ｓの長さ（基材ＳのＭＤ方向の長さ）は、特に限定されないが、例えば、１０ｍ以上であり、好ましくは３０ｍ以上であり、より好ましくは５０ｍ以上であり、その上限は、例えば、３０００ｍ以下であり、好ましくは２０００ｍ以下であり、より好ましくは１０００ｍ以下である。また、長尺帯状の基材Ｓの幅（基材ＳのＴＤ方向の長さ）も特に限定されないが、例えば、５ｍｍ以上であり、好ましくは８ｍｍ以上であり、より好ましくは１０ｍｍ以上であり、その上限は、例えば、５００ｍｍ以下であり、好ましくは４００ｍｍ以下であり、より好ましくは３００ｍｍ以下である。
【００３４】
真空チャンバー６の内部は、例えば、隔壁６３を介して２つの室６１、６２（以下、第１室６１及び第２室６２と称する）に区画されている。搬送装置７は、基材Ｓを蒸着源１が配置された蒸着エリアに搬送する。搬送装置５は、第１室６１内の所定位置に配置された第１ロール７１と、第２室６２に配置されたキャンロール７３と、第１室６１内の所定位置に配置された第２ロール７２とを具備する。第２室６２は、蒸着エリアを構成している。真空チャンバー６には、真空ポンプ（図示せず）が設けられている。また、必要に応じて、真空チャンバー６には、反応ガスを供給する反応ガス供給装置（図示せず）を設けてもよい。
図２においては、長尺帯状の基材Ｓを第１ロール７１から第２ロール７２に巻き取るまでの間に、基材Ｓに蒸着材料を蒸着させる蒸着装置１００（ロールツーロール方式の蒸着装置１００）を例示している。
また、真空チャンバー６は、第１室６１及び第２室６２の２つの室に区画されている場合に限定されず、１つの室で構成されていてもよいし、３つ以上の室に区画されていてもよい。
【００３５】
第１ロール７１から繰り出された基材Ｓは、その長手方向（ＭＤ方向の下流側）に搬送され、キャンロール７３の表面に接しながら第２室６２の蒸着エリアを通過した後、第２ロール７２に巻き取られる。基材Ｓがキャンロール７３の表面（蒸着エリア）を通過している間に、蒸着源１から放出された蒸着材料が堆積して、基材Ｓの表面に蒸着膜（薄膜）が形成される。なお、図２に示す矢印は、基材Ｓの搬送方向を示す。
【００３６】
蒸着源１の上端部（蒸着材料を放出するノズルの上端部）と基材Ｓの表面との距離は、適宜設定できるが、例えば、０．２ｍｍ〜５ｍｍであり、好ましくは０．５ｍｍ〜４ｍｍである。このような距離となるように蒸着源１を設置することにより、蒸着レートが高い蒸着装置１００を構成できる。蒸着レートの高い蒸着装置１００は、長尺帯状の基材Ｓに対して連続的に所望の厚みを有する蒸着膜を形成できる。
【００３７】
基材Ｓは、フレキシブルなシート状物であれば特に限定されず、例えば、ポリエチレンナフタレート、ポリイミドなどの樹脂シート；ステンレススチール（ＳＵＳ）などの金属箔又は金属シート；ガラスシート；などを用いることができる。
基材Ｓの搬送速度は、例えば、０．５ｍ／分以上であり、好ましくは、１ｍ／分〜２０ｍ／分である。
真空チャンバー６内の真空度は、例えば、１×１０−３Ｐａ以下であり、好ましくは１×１０−５Ｐａ〜１×１０−３Ｐａである。
蒸着源１の坩堝１１に入れる蒸着材料は、形成予定の蒸着膜に応じて適宜選定できる。蒸着源１の坩堝１１の加熱温度（目標温度設定値）は、蒸着材料に応じて適宜設定される。
【００３８】
なお、図２では、１つの真空チャンバー６に１つの蒸着源１を配置した構成を例示しているが、本発明に係る蒸着装置は、１つの真空チャンバーに２つ以上の蒸着源を配置した構成とすることも可能である。また、本発明に係る蒸着装置は、蒸着源が配置された真空チャンバーを２つ以上備える構成とすることも可能である。このように１つの真空チャンバーに２つ以上の蒸着源が配置された蒸着装置、又は、蒸着源が配置された真空チャンバーを２つ以上備える蒸着装置を用いることにより、異なる種類の蒸着材料を連続的に蒸着でき、異なる種類の蒸着膜を重ねて形成することができる。
【００３９】
本実施形態に係る蒸着装置１００は、様々な薄膜（蒸着膜）の形成に使用できる。好ましくは、有機ＥＬ素子の電極膜などの金属膜の形成に用いられる。しかしながら、これに限るものではなく、有機ＥＬ素子の有機膜、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の半導体層、薄膜太陽電池などの光起電力素子における光電変換層、有機発光ダイオードや有機発光トランジスタなどにおける半導体発光層（有機ＴＦＴ層）など、各種の薄膜の形成に用いることができる。
有機ＥＬ素子の電極膜を形成する場合、蒸着材料としては、例えば、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）；酸化珪素を含むインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）；アルミニウム；金；白金；ニッケル；タングステン；銅；銀；マグネシウム；合金；アルミニウムなどの導電性金属を添加した酸化亜鉛（ＺｎＯ：Ａｌ）；マグネシウム−銀合金などが挙げられる。
【００４０】
以上に説明した全体構成を有する蒸着装置１００は、蒸着レートの制御方法に特徴を有する。以下、制御方法が互いに異なる（制御手段５の構成が異なる）第１の実施形態及び第２実施形態について順次説明する。
【００４１】
＜第１実施形態＞
図３は、本発明の第１実施形態に係る蒸着装置における制御手段の構成を概略的に示すブロック図である。
図３に示すように、第１実施形態に係る蒸着装置１００が備える制御手段５は、第１制御部５１と、判定部５２と、第２制御部５３と、蒸着レートセンサ３のシャッター３１の開閉動作を制御すると共に、第１制御部５１、判定部５２及び第２制御部の動作を制御する主制御部５４とを具備している。
以上に説明した構成を有する制御手段５により、以下の第１制御工程、判定工程及び第２制御工程が順次実行される。
【００４２】
（第１制御工程）
第１制御工程においては、まず最初に、主制御部５４が蒸着レートセンサ３のシャッター３１を開く（図３において破線で示す位置にシャッター３１を移動させる）。これにより、坩堝１１から放出された蒸着材料が蒸着レートセンサ３に付着し、蒸着レートを測定することができる。
次に、第１制御部５１は、主制御部５４によって蒸着レートセンサ３のシャッター３１が開かれた状態で、予め設定記憶した目標蒸着レート設定値ＳＶ１と、蒸着レートセンサ３から入力された蒸着レート測定値ＰＶ１との偏差が小さくなるように、電源２の電力設定値ＭＶ２を操作するフィードバック制御（例えばＰＩＤ制御）を行う。これにより、電源２は、電力設定値ＭＶ２に応じた電力を加熱手段１２に供給する。
【００４３】
（判定工程）
判定工程においては、判定部５２が、第１制御工程において（第１制御部５１によるフィードバック制御中に）蒸着レート測定値ＰＶ１の変動量が所定の範囲内に収まったか否かを判定する。蒸着レート測定値ＰＶ１の変動量は、例えば、所定時間内における蒸着レート測定値ＰＶ１の標準偏差を平均値で除した値で表わされるＣＶ値（coefficient of variation）で評価され、このＣＶ値が所定のしきい値以下であることと、所定時間内における蒸着レート測定値ＰＶ１と目標蒸着レート設定値ＳＶ１との差が、目標蒸着レート設定値ＳＶ１に対して所定の範囲内（例えば、目標蒸着レート設定値ＳＶ１の±５％の範囲内）にあることの双方を満足すれば、蒸着レート測定値ＰＶ１の変動量が所定の範囲内に収まったと判定することが可能である。
そして、判定部５２が蒸着レート測定値ＰＶ１の変動量が所定の範囲内に収まったと判定した場合、主制御部５４は、蒸着レートセンサ３のシャッター３１を閉じる（図３において実線で示す位置にシャッター３１を移動させる）。これにより、第１制御工程は中断される。
【００４４】
（第２制御工程）
第２制御工程においては、まず最初に、第２制御部５３が、判定部５２が蒸着レート測定値ＰＶ１の変動量が所定の範囲内に収まったと判定した時点での坩堝１１の温度を目標温度設定値として設定記憶する。具体的には、前記時点において温度センサ４で測定した温度測定値ＰＶ２が第２制御部５３に入力され、この入力された温度測定値ＰＶ２が目標温度設定値として第２制御部５３に設定記憶される。
次に、第２制御部５３は、前記目標温度設定値と、温度センサ４から入力された温度測定値ＰＶ２との偏差が小さくなるように、電源２の電力設定値ＭＶ２を操作するフィードバック制御（例えばＰＩＤ制御）を行う。これにより、電源２は、電力設定値ＭＶ２に応じた電力を加熱手段１２に供給する。
【００４５】
主制御部５４は、第２制御工程（第２制御部５３によるフィードバック制御）が予め定めた所定時間だけ実行された後に、前記第１制御工程、前記判定工程及び前記第２制御工程を、基材Ｓ上への蒸着膜の形成が終了するまで、この順で繰り返し実行する。すなわち、蒸着レートセンサ３のシャッター３１の開動作、第１制御部５１によるフィードバック制御、判定部５２による判定、蒸着レートセンサ３のシャッター３１の閉動作、及び第２制御部５３によるフィードバック制御をこの順で繰り返し実行する。
【００４６】
以上に説明した動作を行う制御手段５を備えた第１実施形態に係る蒸着装置１００は、蒸着レート測定値ＰＶ１が安定したときに坩堝１１の温度測定値ＰＶ２も安定するような蒸着材料を蒸着する場合に有効である。
【００４７】
図４は、第１実施形態に係る蒸着装置１００による蒸着レートの制御結果の一例を模式的に示す図である。なお、図４では、第１制御工程、判定工程及び第２制御工程をそれぞれ１回だけ実行した例を示しているが、実際には、これらを繰り返し実行することになる。
図４に示す例では、蒸着レートセンサ３のシャッター３１を開いて蒸着を開始し、目標蒸着レート設定値ＳＶ１と蒸着レート測定値ＰＶ１との偏差が小さくなるように、電源２の電力設定値ＭＶ２を操作するフィードバック制御を行っている（第１制御工程）。
そして、第１制御工程において、蒸着レート測定値ＰＶ１の変動量が所定の範囲内に収まったか否かを判定し、所定の範囲内に収まったと判定した場合、蒸着レートセンサ３のシャッター３１を閉じて第１制御工程を中断している（判定工程）。図４から分かるように、蒸着レートセンサ３のシャッター３１を閉じた時点では、坩堝１１の温度測定値ＰＶ２も安定している。
このため、前記時点での坩堝１１の温度測定値ＰＶ２を目標温度設定値とし、この目標温度設定値と、温度センサ４による温度測定値ＰＶ２との偏差が小さくなるように、電源２の電力設定値ＭＶ２を操作するフィードバック制御（ＰＩＤ制御）を行う（第２制御工程）ことでも、蒸着レート測定値ＰＶ１が目標蒸着レート設定値ＳＶ１に近づくように制御可能である。
なお、判定工程の実行は、第１制御工程の実行を開始すると同時に開始することも可能であるが、第１制御工程の実行を開始してから所定時間経過した後に開始してもよい。
【００４８】
＜第２実施形態＞
図５は、本発明の第２実施形態に係る蒸着装置における制御手段の構成を概略的に示すブロック図である。
図５に示すように、第２実施形態に係る蒸着装置１００が備える制御手段５も、第１実施形態と同様に、第１制御部５１と、判定部５２と、第２制御部５３と、蒸着レートセンサ３のシャッター３１の開閉動作を制御すると共に、第１制御部５１、判定部５２及び第２制御部の動作を制御する主制御部５４とを具備している。ただし、第１実施形態と異なり、第２実施形態の第１制御部５１は、第１フィードバック制御部５１１と、第２フィードバック制御部５１２とを具備している。
以上に説明した構成を有する制御手段５により、以下の第１制御工程、判定工程及び第２制御工程が順次実行される。
【００４９】
（第１制御工程）
第１制御工程においては、まず最初に、主制御部５４が蒸着レートセンサ３のシャッター３１を開き、第１フィードバック制御部５１１は、主制御部５４によって蒸着レートセンサ３のシャッター３１が開かれた状態で、予め設定記憶した目標蒸着レート設定値ＳＶ１と、蒸着レートセンサ３から入力された蒸着レート測定値ＰＶ１との偏差が小さくなるように、坩堝１１の温度設定値ＳＶ２を操作する第１フィードバック制御（例えばＰＩＤ制御）を行う。これと同時に、第２フィードバック制御部５１２は、第１フィードバック制御部５１１によって操作される温度設定値ＳＶ２と温度センサ４から入力された温度測定値ＰＶ２との偏差が小さくなるように、電源２の電力設定値ＭＶ２を操作する第２フィードバック制御（例えばＰＩＤ制御）を行う。これにより、電源２は、電力設定値ＭＶ２に応じた電力を加熱手段１２に供給する。
【００５０】
（判定工程）
判定工程においては、判定部５２が、第１制御工程において（第１制御部５１によるフィードバック制御中に）蒸着レート測定値ＰＶ１の変動量及び温度測定値ＰＶ２の変動量の双方がそれぞれ所定の範囲内に収まったか否かを判定する。蒸着レート測定値ＰＶ１の変動量については、第１実施形態と同様に、ＣＶ値が所定のしきい値以下であることと、所定時間内における蒸着レート測定値ＰＶ１と目標蒸着レート設定値ＳＶ１との差が、目標蒸着レート設定値ＳＶ１に対して所定の範囲内（例えば、目標蒸着レート設定値ＳＶ１の±５％の範囲内）にあることの双方を満足すれば、蒸着レート測定値ＰＶ１の変動量が所定の範囲内に収まったと判定することが可能である。温度測定値ＰＶ２の変動量は、例えば、ＣＶ値で評価され、このＣＶ値が所定のしきい値以下であれば、温度測定値ＰＶ２の変動量が所定の範囲内に収まったと判定することが可能である。
そして、判定部５２が記蒸着レート測定値ＰＶ１の変動量及び温度測定値ＰＶ２の変動量の双方がそれぞれ所定の範囲内に収まったと判定した場合、主制御部５４は、蒸着レートセンサ３のシャッター３１を閉じる。これにより、第１制御工程は中断される。
【００５１】
（第２制御工程）
第２制御工程においては、まず最初に、第２制御部５３が、判定部５２が蒸着レート測定値ＰＶ１の変動量及び温度測定値の変動量ＰＶ２の双方がそれぞれ所定の範囲内に収まったと判定した時点での温度設定値ＳＶ２又は温度測定値ＰＶ２を目標温度設定値として設定記憶する。温度設定値ＳＶ２を目標温度設定値とする場合には、第２フィードバック制御部５１２に入力された温度設定値ＳＶ２が主制御部５４を介して第２制御部５３に入力され、この入力された温度設定値ＳＶ２が目標温度設定値として第２制御部５３に設定記憶される。
次に、第２制御部５３は、前記目標温度設定値と、温度センサ４から入力された温度測定値ＰＶ２との偏差が小さくなるように、電源２の電力設定値ＭＶ２を操作するフィードバック制御（例えばＰＩＤ制御）を行う。これにより、電源２は、電力設定値ＭＶ２に応じた電力を加熱手段１２に供給する。
【００５２】
主制御部５４は、第２制御工程（第２制御部５３によるフィードバック制御）が予め定めた所定時間だけ実行された後に、前記第１制御工程、前記判定工程及び前記第２制御工程を、基材Ｓ上への蒸着膜の形成が終了するまで、この順で繰り返し実行する。すなわち、蒸着レートセンサ３のシャッター３１の開動作、第１制御部５１によるフィードバック制御、判定部５２による判定、蒸着レートセンサ３のシャッター３１の閉動作、及び第２制御部５３によるフィードバック制御をこの順で繰り返し実行する。
【００５３】
以上に説明した動作を行う制御手段５を備えた第２実施形態に係る蒸着装置１００は、第１制御工程において、坩堝１１の温度設定値ＳＶ２と電源２の電力設定値ＭＶ２の双方をそれぞれ操作量とするフィードバック制御を２重ループにしたカスケード制御を行うため、蒸着レート測定値ＰＶ１をより一層安定して目標蒸着レート設定値ＳＶ１に近づけることができると共に、坩堝１１の温度測定値ＰＶ２も安定化させることが可能である。
【００５４】
図６は、本発明の第２実施形態に係る蒸着装置１００による蒸着レートの制御結果の一例（図６（ａ））及び従来の蒸着装置（図１）による蒸着レートの制御結果の一例（図６（ｂ））を模式的に示す図である。なお、図６（ａ）では、第２制御工程を１回だけ実行した例を示しているが、実際には、第１制御工程、判定工程及び第２制御工程を繰り返し実行することになる。
図６（ａ）に示す例では、蒸着レートセンサ３のシャッター３１を開いて蒸着を開始し、目標蒸着レート設定値ＳＶ１と蒸着レート測定値ＰＶ１との偏差が小さくなるように、坩堝１１の温度設定値ＳＶ２を操作する第１フィードバック制御（ＰＩＤ制御）を行うと同時に、温度設定値ＳＶ２と温度測定値ＰＶ２との偏差が小さくなるように、電源２の電力設定値ＭＶ２を操作する第２フィードバック制御（ＰＩＤ制御）を行っている（第１制御工程）。
そして、第１制御工程において、蒸着レート測定値ＰＶ１の変動量及び温度測定値ＰＶ２の変動量の双方がそれぞれ所定の範囲内に収まったか否かを判定し、所定の範囲内に収まったと判定した場合、蒸着レートセンサ３のシャッター３１を閉じて第１制御工程を中断している（判定工程）。図６（ａ）から分かるように、蒸着レートセンサ３のシャッター３１を閉じた時点では、第１制御工程でカスケード制御を行うことにより、蒸着レート測定値ＰＶ１及び温度測定値ＰＶ２の双方が安定している。
次に、前記時点での温度設定値ＳＶ２又は温度測定値ＰＶ２を目標温度設定値とし、この目標温度設定値と、温度センサ４による温度測定値ＰＶ２との偏差が小さくなるように、電源２の電力設定値ＭＶ２を操作するフィードバック制御（ＰＩＤ制御）を行っている（第２制御工程）。これにより、蒸着レート測定値ＰＶ１が目標蒸着レート設定値ＳＶ１に近づくように制御可能である。
なお、第１実施形態と同様に、判定工程の実行は、第１制御工程の実行を開始すると同時に開始することも可能であるが、第１制御工程の実行を開始してから所定時間経過した後に開始してもよい。
【００５５】
一方、図６（ｂ）から分かるように、従来の蒸着装置による制御（単に、目標蒸着レート設定値ＳＶ１と蒸着レート測定値ＰＶ１との偏差が小さくなるように、電源２の電力設定値ＭＶ２を操作する制御）では、蒸着レート測定値ＰＶ１を安定化させることは可能であるものの、温度測定値ＰＶ２や電力設定値ＭＶ２を安定化させることができない。このため、仮に、蒸着レートセンサ３の寿命を延ばすために、シャッター３１付きの蒸着レートセンサ３を用いたとしても、シャッター３１を閉じた後に、温度測定値ＰＶ２や電力設定値ＭＶ２を用いたフィードバック制御を行うことができない。
これに対し、第２実施形態に係る蒸着装置１００は、第１制御工程でカスケード制御を行うことにより、蒸着レート測定値ＰＶ１及び温度測定値ＰＶ２の双方を安定化させることができるため、シャッター３１を閉じた後に、第２制御工程で温度測定値ＰＶ２を用いたフィードバック制御を行うことが可能である。
【符号の説明】
【００５６】
１・・・蒸着源
２・・・電源
３・・・蒸着レートセンサ
４・・・温度センサ
５・・・制御手段
１１・・・容器
１２・・・加熱手段
３１・・・シャッター
１００・・・蒸着装置
Ｓ・・・基材
【図１】
2016130336.tif 000003
【図２】
2016130336.tif 000004
【図３】
2016130336.tif 000005
【図４】
2016130336.tif 000006
【図５】
2016130336.tif 000007
【図６】
2016130336.tif 000008