(57)【要約】【課題】ＨＡＭＲ媒体上の記録信号の品質を向上させる。【解決手段】データ記憶装置は、少なくとも、レーザを有し、コントローラに接続された熱アシスト磁気記録ヘッドで構成されてもよい。熱アシスト磁気記録ヘッドは、隣接するデータ記憶媒体上に格納された第１および第２のデータビットの近位に位置付けられ得る。第１のデータビットが第２のデータビットとは異なる磁気極性であることに応じて、第１のレーザパワーがレーザによって印加されてもよく、第１および第２のデータビットが共通の磁気極性を有することに応じて、異なる第２のレーザパワーがレーザによって印加され得る。【選択図】図１
2016162477.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
方法であって、
データ記憶媒体に格納された第１および第２のデータビットの近位に熱アシスト磁気記録（ＨＡＭＲ）ヘッドを位置付けるステップを含み、前記ＨＡＭＲヘッドはレーザを含み、コントローラに接続されており、前記方法はさらに、
前記第１のデータビットが前記第２のデータビットとは異なっていることに応じて、前記レーザを用いて第１のレーザパワーを印加するステップと、
前記第１のデータビットが前記第２のデータビットと同じであることに応じて、前記レーザを用いて第２のレーザパワーを印加するステップとを含み、前記第１および第２のレーザパワーは異なっている、方法。
【請求項２】
前記第１および第２のデータビットは、反対の磁気極性を有することによって異なっている、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第２のレーザパワーは前記第１のレーザパワーよりも大きい、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記コントローラは、前記第１および第２のレーザパワーのパルス状印加のために、第１および第２の波形を前記レーザに提供する、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記コントローラは、前記第１の波形が実現されるまで、前記ＨＡＭＲヘッドを用いたデータの書込みを遅延させる、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記第１の波形は第１のパルス形状を有し、前記第２の波形は第２のパルス形状を有し、前記第１および第２のパルス形状は異なっている、請求項４に記載の方法。
【請求項７】
前記第１の波形は、異なる幅および振幅を有することによって、前記第２の波形とは異なっている、請求項４に記載の方法。
【請求項８】
前記異なる幅および振幅は、測定されたＨＡＭＲヘッドの浮上高さおよびデータレートに応じて、前記コントローラによって選択される、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記データ記憶媒体は、近接場トランスデューサを通して結合されたレーザーダイオードを異なる電流が通されることで各々生成される前記第１および第２のレーザパワーを用いて加熱される、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記ＨＡＭＲヘッドが前記第１のデータビットから前記第２のデータビットへと飛ぶ間、前記レーザはアクティブ状態に維持される、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
データ記憶媒体に格納された第１および第２のデータビットの近位に位置付けられた熱アシスト磁気記録（ＨＡＭＲ）ヘッドを含む機器であって、前記ＨＡＭＲヘッドはレーザを含み、コントローラに接続されており、前記コントローラは、前記第１のデータビットが前記第２のデータビットとは異なっていることに応じて第１のレーザパワーを提供し、前記第１のデータビットが前記第２のデータビットと同じであることに応じて第２のレーザパワーを提供し、前記第１および第２のレーザパワーは異なっている、機器。
【請求項１２】
前記コントローラは、書込ドライバと、前記ＨＡＭＲヘッドの書込磁極に接続されたコンパレータとを含み、前記コンパレータとレーザドライバとは前記レーザに接続されている、請求項１１に記載の機器。
【請求項１３】
前記コントローラは、パルス発生器と書込遅延回路とを含む、請求項１１に記載の機器。
【請求項１４】
前記書込遅延回路は、複数の異なる遅延時間にプログラミング可能である、請求項１３に記載の機器。
【請求項１５】
前記書込ドライバおよびレーザドライバはそれぞれ別個のレーザおよび書込電流源に接続される、請求項１２に記載の機器。
【請求項１６】
方法であって、
データ記憶媒体に格納された第１および第２のデータビットの近位に熱アシスト磁気記録（ＨＡＭＲ）ヘッドを位置付けるステップを含み、前記ＨＡＭＲヘッドはレーザと書込磁極とを含み、コントローラに接続されており、前記方法はさらに、
前記第１のデータビットが前記第２のデータビットとは異なる磁気極性であることに応じて、前記レーザを用いて第１のレーザパワーを印加するステップと、
前記書込磁極を用いて前記第１のデータビットに第１の極性を書込むステップと、
前記第１のデータビットが前記第２のデータビットと共通の磁気極性を有することに応じて、前記レーザを用いて前記第２のレーザパワーを印加するステップとを含み、前記第１および第２のレーザパワーは異なっており、前記方法はさらに、
前記書込磁極を用いて前記第２のデータビットに第２の極性を書込むステップを含む、方法。
【請求項１７】
各書込むステップごとに、前記ＨＡＭＲヘッドおよびコントローラに接続されたプリアンプが、少なくとも１つの連続波形を前記レーザに提供する、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
第１の連続波形は非対称形である、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
第１の連続波形は対称形であり、第２の連続波形は非対称形である、請求項１７に記載の方法。
【請求項２０】
前記第１の連続波形は、前記ＨＡＭＲヘッドが前記第１のデータビットを書込んでいるときに前記レーザに提供され、前記第２の連続波形は、前記ＨＡＭＲヘッドが前記第２のデータビットを書込んでいるときに前記レーザに提供される、請求項１９に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００１】
発明の詳細な説明
概要
分類された実施形態によれば、データ記憶装置は、レーザを有し、コントローラに接続され、隣接するデータ記憶媒体上に格納された第１および第２のデータビットの近位に位置付けられた熱アシスト磁気記録（heat assisted magnetic recording：ＨＡＭＲ）ヘッドを有する。第１のデータビットが第２のデータビットとは異なる磁気極性であることに応じて、第１のレーザパワーがレーザによって印加され、第１および第２のデータビットが共通の磁気極性を有することに応じて、異なる第２のレーザパワーがレーザによって印加される。
【図面の簡単な説明】
【０００２】
【図１】いくつかの実施形態に従って構成され操作される例示的なデータ記憶システムの一部の線表現である。
【図２Ａ】さまざまな実施形態に従って配置される例示的なデータ記憶装置の一部の線表現を表示する図である。
【図２Ｂ】さまざまな実施形態に従って配置される例示的なデータ記憶装置の一部の線表現を表示する図である。
【図３Ａ】分類された実施形態に従って構築され操作されるデータ記憶装置の例示的なプリアンプ部分を示す図である。
【図３Ｂ】分類された実施形態に従って構築され操作されるデータ記憶装置の例示的なプリアンプ部分を示す図である。
【図４】いくつかの実施形態に従って構成される例示的なデータ記憶装置の構造部分および操作部分の線表現を示す図である。
【図５】さまざまな実施形態に従って配置される例示的なデータ記憶装置の構造部分および操作部分を示す図である。
【図６】分類された実施形態に従って構成される例示的なデータ記憶装置の構造部分および操作部分を提供する図である。
【図７】いくつかの実施形態に従って実行される例示的な劣化緩和ルーチンを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００３】
詳細な説明
モバイルコンピューティング装置の使用が、生成、転送および格納されるデータの量を増加させるにつれて、データ記憶装置上のデータの密度は、２．５”および３．５”のディスクドライブといった共通のフォームファクタでより大きいデータ記憶容量を提供するために増加してきた。熱アシスト磁気記録（ＨＡＭＲ）などの書込アシスト技術の到来は、回転するデータ記憶媒体上の面データ密度を増加させて、大きいデータ記憶装置容量を提供する。しかしながら、ＨＡＭＲデータ記憶装置における熱の印加の適正な制御は、たとえば一定の印加電力と比較すると、追加の記憶面密度または記録信号品質を提供できる。このため、データ記憶媒体への熱の印加を良好に制御するＨＡＭＲデータ記憶実施形態に引き続き関心が持たれている。
【０００４】
したがって、さまざまな実施形態で、データ記憶装置は、レーザで構成され、コントローラに接続され、隣接するデータ記憶媒体上に格納された第１および第２のデータビットの近位に位置付けられた熱アシスト磁気記録ヘッドを有する。第１のデータビットが第２のデータビットとは異なる磁気極性であることに応じて、第１のレーザパワーがレーザによって印加され、第１および第２のデータビットが共通の磁気極性を有することに応じて、異なる第２のレーザパワーがレーザによって印加される。レーザパワーおよびレーザによって供給される熱の波形形状を制御する能力は、データ記憶装置がＨＡＭＲ媒体上の記録信号の品質を向上させることを可能にする。
【０００５】
図１は、さまざまな実施形態が実践され得るデータ記憶システム１００の一部のブロック表現を表示する。必須または限定的ではないものの、データ記憶システム１００は、データタイプ、容量、速度、および物理的サイズといった構成が類似する、または類似していない、１つ以上のデータ記憶装置１０２を有し得る。図１に示すように、回転するハードディスクドライブデータ記憶装置１０２が、マイクロプロセッサまたは特定用途向け集積回路（application specific integrated circuit：ＡＳＩＣ）などのローカルプロセッサ１０４に接続され、ローカルプロセッサ１０４によって制御される。なお、一時的および／または永続的なデータ記憶能力を供給するために、少なくとも１つの固体データ記憶装置またはバッファが同時にプロセッサ１０４に接続されてもよい。
【０００６】
データ記憶装置１０２は、空気軸受１１０を作成するように中央スピンドル１０８を介して回転する任意の数のデータ記憶媒体１０６で構成されてもよく、変換ヘッド１１２が空気軸受１１０上を浮上し、データアクセス動作を行なう。変換ヘッド１１２は、典型的にはジンバルなどのサスペンション１２０を介してアクチュエータ１１８に取付けられた、データライタ１１４およびリーダ１１６などのコンピューティング構成要素を、任意の数組込むことができる。変換ヘッド１１２およびアセンブリは、データビット１２２を個々におよびまとめて読出し、格納するためにデータ記憶媒体１０６上のデータビットおよびデータトラックの上方にデータライタ１１４およびリーダ１１６要素を位置付けることを容易にする、マイクロアクチュエータ、ヒータ、接触検出センサ、スライダ本体、および電気的相互接続などの他の構成要素からなっていてもよい、ということが考えられる。
【０００７】
より大きいデータ容量および面データ密度を提供するようにデータビット１２２がより小さいデータトラック１２４においてより接近して配置されることに対処するために、変換ヘッド１１２は、熱アシストされない記録環境と比較してデータライタ１１４が高密度の磁気信号をより効果的に記録できるようにデータ記憶媒体１０６の一部を加熱するＨＡＭＲアセンブリ１２６を採用できる。
【０００８】
ＨＡＭＲアセンブリ１２６は、書込み中、予め定められた極性の磁束が予め定められた磁性状態を書込むことができるように、選択されたデータビット１２２の磁気保磁力を低下させるようにデータ記憶媒体１０６の一部を一時的に加熱するために、変換ヘッド１１２の懸架部分上に部分的にまたは完全に組込まれ得る。
【０００９】
データ記憶媒体１０６は、データビット１２２がデータ記憶媒体のキュリー温度を超え、データライタ１１４からの磁束がデータビット１２２を磁化できるようにするために、近接場トランスデューサ１３０を通るように光エネルギーのビームを通過させる、レーザダイオード１２８などの熱生成手段を任意の数介して加熱されてもよい。ＨＡＭＲアセンブリ１２６によって生じる熱の制御は、記録された磁気信号の品質に対応し得る。たとえば、低すぎる熱エネルギーは、低品質の記録信号をもたらす場合があり、高すぎる熱エネルギーは、隣接するデータが消去されること、および／または記録信号が劣化することをもたらす場合がある。
【００１０】
プリアンプにおいてレジスタを設定することは、ＨＡＭＲアセンブリ１２６によって供給される熱エネルギーの量を制御できる、ということが考えられる。プリアンプは、書込イネーブル信号がアサートされるとプログラミングされたレジスタ値を印加電流に変換するために、デジタル／アナログ変換器（digital-to-analog converter：ＤＡＣ）とトランスコンダクタンス増幅器とを含み得る。プリアンプにおいてレーザ１２８がイネーブルとなったものの、書込イネーブル信号がアサートされない場合、プリアンプは、低すぎて消去条件を引き起こすことはできないものの、レーザ１２８をアクティブ状態に遷移させることに関与する時間の量を最小限に抑えるバイアス電流を、レーザ１２８に供給するように構成され得る。
【００１１】
いくつかの実施形態では、レーザダイオード１２８および近接場トランスデューサ１３０として特徴付けられ得る、ＨＡＭＲアセンブリ１２６の加熱手段は、さまざまな磁気サイズおよび磁気形状を有する記録パターンを作成することができる。図２Ａおよび図２Ｂはそれぞれ、いくつかの実施形態に従った、少なくとも１つのＨＡＭＲデータライタを採用する例示的なデータ記憶装置１３０の磁気媒体状態の一部の上面図の線表現を示す。図２Ａでは、データ記憶装置１４０が、データビット１４４をコード化する磁化領域として変換ヘッドによって読出される複数の磁気極性を格納するデータトラック１４２を有して表示される。
【００１２】
ＨＡＭＲデータライタは、データトラック１４２上のデータ密度の増加を可能にし得るものの、図示されるように不均一な形状の磁性領域１４４を生成する場合がある。すなわち、データビットを格納する磁性領域１４４のクロストラック幅１４６は、その領域のダウントラック長さ１４８の関数として変わる（すなわち、同じ値の連続するビットの数として変わる）場合がある。ライタからの印加磁界と結合されたＨＡＭＲアセンブリからのエネルギーは、異なる磁気長さを有する領域においてさまざまな程度の前方１５０および後方１５２湾曲および幅を作成し得る。なお、短い１ビットの領域１５４などの短い磁性領域は、領域１５６などの同じ極性のビットを複数格納する領域よりも幅が小さい。
【００１３】
図２Ｂは、図２Ａのデータトラック１４２上に、データトラック１４２の線形データ密度に依存して格納され得る、複数の異なるデータビット１４４を表示する。図示されるように、以前に書込まれたビットの磁気極性またはデータパターンにかかわらず類似した形状およびサイズのＨＡＭＲデータビット１４４を提供するために、小さい線形データビット密度が、データ記憶媒体の特定の部分にわたって、ＨＡＭＲアセンブリにより多くの時間を提供する。増加した線形データ密度を提供するためにデータビット１５４および１５６をより近づけて位置付けることは、ＨＡＭＲアセンブリが磁気極性を切替えてデータを書込まなければならない時間を減少させることができ、それは、異なるクロストラック幅１４６、ダウントラック長さ１４８、前縁形状１５０、および後縁形状１５２を有するＨＡＭＲデータビット１５４および１５６をもたらし得る。
【００１４】
増加した線形データ密度およびデータストリームのための磁気極性の遷移が、異なるサイズおよび形状の磁性領域をもたらす場合があり、それらは読出して区別することが困難である、ということが図２Ａおよび図２Ｂから分かる。このため、さまざまな実施形態は、ますます均一なＨＡＭＲデータビット形状およびサイズを提供するために線形データ密度およびデータパターンに適応する能力を有するＨＡＭＲデータライタおよびシステムを構成する。言い換えれば、分類された実施形態は、より一貫した形状およびサイズを有する磁性領域を提供するために、連続するデータビットのプログラミングされた磁気極性に応じて異なる加熱パワー間で遷移することによって書込まれるデータパターンおよびデータビットの間隔に適応する。
【００１５】
図３Ａおよび図３Ｂはそれぞれ、図２Ａの磁性領域と比較してより均一な幅を有するＨＡＭＲデータビットを記録するために印加エネルギーを調整する、さまざまな実施形態に従って配置されるデータ記憶システム１６０の例示的なプリアンプ部分のブロック表現である。データ記憶システム１６０はコンパレータ１６２を有し、それは、コントローラから差動書込データ信号を受信して、書込遅延回路１６４およびパルス発生器１６６に両極性デジタル信号を出力する。書込遅延回路１６４は、パルスおよび磁性相調節を可能にし得る、１％および１０％といったさまざまな増分での予め設定された書込信号時間遅延を可能にするプログラマブルセルを有し得る。パルス発生器１６６は、たとえば対称形１６８および非対称形１７０のパルス波形によって示されるようなさまざまな異なるパルス形状を提供できるデュアルエッジ再トリガ可能パルス発生器であってもよい。なお、図３に示すもの以外のパルス形状が、分類された実施形態に従って適用され得る。
【００１６】
変換ヘッド１７８のデータライタ１７６部分への書込電流を制御するために、遅延回路１６４からの出力信号は、書込ＤＡＣ１７４からの電流制御信号とともに演算トランスコンダクタンス増幅器１７２に入る。図示されていないものの、増幅器１７２は、遷移プリエンファシスなどの信号等化を可能にする制御を有し得る。パルス発生器１６６からの信号は、レーザＤＡＣ１８２からのレーザ電流制御と合計されて書込ドライバ１８０に供給される。ライタドライバ１８０は、生成された波形を有するレーザ電流を変換ヘッド１７８のＨＡＭＲアセンブリ１８４に出力する演算トランスコンダクタンス増幅器であり得る。データ記憶システム１６０の構成は、ＷＤＡＴＡ信号の遷移が、ベースラインレーザ電流に追加されるパルスを出力するようにパルス発生器１６６をトリガすることを可能にする。
【００１７】
パルスが送信された際に追加の磁気遷移が生じた場合、パルス発生器１６６は、書込遅延回路１６４と共同で実現される新しいパルスを始めることができる。図３Ａおよび図３Ｂのプリアンプの動作を通して、レーザ電流が連続モードまたはパルス状モードでＨＡＭＲアセンブリ１８４に供給され得る。連続モードでは、レーザパワーは、書込動作の開始時に電流をブーストする明らかな例外を除き、書込みの間概して一定に保持される。パルス状モード時、ＨＡＭＲアセンブリ１８４は、１ビットセル当たり１回（１Ｔ）パルスを発し、それは、対象データ記憶媒体の平均熱を減少させ、ビットセル間の遷移鮮明性を増加させる。パルシング動作の制御は、データ読出チャネルからの制御信号の差動対をプリアンプに追加することによって提供可能であり、それは、信号の遷移が、プリアンプ制御レジスタにおいて設定される波形および持続時間によって規定されるレーザ電流のバーストをレーザダイオードに送信するようにプリアンプをトリガすることを可能にする。
【００１８】
なお、変化する環境パターンおよびデータパターンに適応するレーザ電流／パワーを提供するようにプリアンプパルシング回路を活用することにより、データライタ差動対は、データライタ入力およびＨＡＭＲパルシング入力になり得る。いくつかの実施形態によれば、レーザ電流をブーストするためにデータライタ磁気極性の遷移を使用する連続波形を提供するために、プリアンプタイミングパラメータおよび電流値が調節される。
【００１９】
図３Ｂは、図２Ａの磁性領域と比較してより均一な幅を有するＨＡＭＲデータビットを記録するために印加エネルギーを調整する、さまざまな実施形態に従って配置されるデータ記憶システム１９０の例示的なプリアンプ部分の一部のブロック表現の代替的な一実施形態である。データ記憶システム１９０はコンパレータ１９２を有し、それは、コントローラから差動書込データ信号（ＷＤＡＴＡ）を受信して、書込遅延回路１９４、Ｄフリップフロップ２０６、およびＸＯＲゲート２０８に両極性デジタル信号を出力する。書込遅延回路１９４は、レーザおよび磁性相調節を可能にし得る、１％および１０％といったさまざまな増分での予め設定された書込信号時間遅延を可能にするプログラマブルセルを有し得る。
【００２０】
変換ヘッド２００のデータライタ２２０部分への書込電流を制御するために、遅延回路１９４からの出力信号は、書込ＤＡＣ１９８からの電流制御信号とともに演算トランスコンダクタンス増幅器１９６に入る。図示されていないものの、増幅器１９６は、遷移プリエンファシスなどの信号等化を可能にする制御を有し得る。
【００２１】
データ記憶システム１９０はさらに、コントローラＡＳＩＣから２Ｔクロック信号を受信するコンパレータ２０２を含む。コンパレータ２０２からのクロックの遷移から１Ｔクロックを生成するために、単安定マルチバイブレータ２０４が使用される。これに代えて、コントローラＡＳＩＣから１Ｔクロックを供給することによって単安定をなくすことができるが、これは、コントローラからプリアンプに送信されるクロック周波数を２倍にするという欠点を有する。単安定２０４からの１Ｔクロック信号は、Ｄフリップフロップ２０６およびカウンタ２１０に供給される。
【００２２】
Ｄフリップフロップ２０６とＸＯＲゲート２０８との組合せは、カウンタ２１０をリセットするために使用される磁気遷移検出を生成する。なお、この回路の適正な動作のために、クロック遷移はＷＤＡＴＡ遷移の若干後に受信されなければならない。クロッキングのこの遅延は、コントローラまたはプリアンプで行なうことができる。コンパレータ回路の動作は、磁気遷移が検出されるたびにカウンタが状態０にリセットされるようになっている。クロック時に磁気遷移が検出されない場合、カウンタはインクリメントされる。カウンタ２１０からの出力は、マルチプレクサ回路２１４に供給される。マルチプレクサ２１４は、１組のレーザ電流レジスタ２１２からレーザ電流値を選択する。マルチプレクサ回路２１４の出力はデジタル／アナログ変換器回路２１６に供給され、それはトランスコンダクタンス増幅器２１８に供給され、それは記録ヘッド２００のレーザダイオード２２２に供給される電流を生成する。
【００２３】
データ記憶システム１９０の回路のこの構成は、遷移幅に対するレーザ電流のプログラミング制御を可能にし、図２Ａの均一な幅の制御を容易にする。
【００２４】
図４は、環境およびデータパターン条件にかかわらず均一なビットセル形状およびサイズを提供するために、さまざまな実施形態に従った図３のプリアンプによって生成可能な例示的なレーザ波形２３０を図示する。波形２３０は、共通のデータトラック２３６上に位置付けられた一連のデータビット２３４に対して磁気遷移（１）が行なわれている間、ベースラインレーザ電流レベル２３２が維持される、連続レーザ動作モードと一致する。言い換えれば、一連のデータビット１９４が異なる磁気極性を有する場合、ベースライン連続レーザ電流は維持される。
【００２５】
一連のデータビット２３４が共通の磁気極性（０）を有することに応じて、ベースラインレーザ電流レベル２３２は、突然または領域２３８によって示されるように段階的に徐々に減少する。共通の磁気極性に書込まれる低い線形データ密度のデータビット２３４のための書込幅を最適化するために、レーザ電流は、１％、５％、または２５％などの任意の量または割合だけ減少され得る。分類された実施形態は、温度、浮上高さ、および書込コイル動作といったさまざまな変換ヘッドおよび媒体の特徴に依存してレーザ電流レベルおよび波形を調整して、ベースラインレーザ電流レベル２３２および減少したレーザ電流領域２３８を最適化し、最高面データ容量を達成する。
【００２６】
波形２３０は、対応するデータ記憶媒体に書込まれたデータパターンに基づいてレーザパワーがどのように最適化され得るかを示す。なお、データ書込電流も、データパターンに応じて最適化され得る。領域２３８でのレーザパワーの減少を通して、データライタＨＡＭＲアセンブリの近接場トランスデューサ部分へのパワーが減少し、ＨＡＭＲアセンブリの信頼性を高め、全体的な消費電力を減少させる。しかしながら、最適化されたレーザパワーは、連続レーザ動作モードに限定されない。
【００２７】
図５は、パルス状レーザ動作モードにおけるＨＡＭＲデータ書込みを最適化するために、いくつかの実施形態に従った図３のプリアンプによって生成可能な例示的な波形２４０を図示する。パルス状波形２４０は、プリアンプが、データビット２４４間の遷移が体験される場合には高いパルスレーザ電流値２４２を、共通のデータトラック２５０上に格納された一連のデータビット２４６において共通の磁気極性がある場合には１つ以上の減少したパルスレーザ電流値２４６および２４８を、どのように提供できるかを示す。なお、図５に示す放物線状の対称形のレーザ電流パルスは、必須または限定的ではない。なぜなら、データビット２４４のパターンに応じて、対称形または非対称形のパルス波形が選択的に適用され得るためである。
【００２８】
レーザ電流波形のパルシングは、プリアンプが、類似する、または類似していない連続するパルスを適用することを可能にし、それは、ほぼ均一なＨＡＭＲデータビット２４４の物理的サイズを提供するように、種々様々なデータパターンおよび環境条件に対処できる。図示されるように、類似していない磁気極性を有する連続するデータビット２４４は、プリアンプが高いレーザ電流値２４２を送信することと一致する。連続するデータビット２４４が共通の磁気極性を有することに応じて、単一の減少したレーザ電流値２４６が適用され得るが、いくつかの実施形態は、レーザ電流を第１の減少値２０６から第２の減少値２４８まで漸進的に減少させる。プリアンプはさらに、レーザ電流を第２の値２４８よりも低くなるよう減少させてもよい、ということが考えられる。
【００２９】
図５の波形２４０は、レーザ電流が循環される際にパルスごとに波形を適用し、図４の波形２３０は、高いレーザ電流２３２を維持する連続波形を適用する、ということが分かる。図６は、均一なビットセル形状およびサイズを提供するために、分類された実施形態に従った図３のプリアンプによって生成可能な例示的なレーザ波形２６０を表示する。波形２６０は、データトラック２６６上のデータビット２６４のデータパターンにかかわらずベースラインレーザ電流２６２を維持することにより、波形２３０および２４０の局面を組合わせる。
【００３０】
波形２６０は、レーザ電流を高い電流値２６８に衝突させることにより、ＨＡＭＲデータライタ磁気極性および類似していない連続するデータビット２６４の遷移に応答する。衝突したレーザ電流は、対称形または非対称形であり、全体的な波形２２０から独立した波形２７０を有し得る。そのため、衝突したレーザ電流の値２６８は、ベースラインレーザ電流２６２からの増加２７２によって規定され得る。ベースラインレーザ電流２６２の維持を衝突した電流の値２６８と組合わせることは、高い線形データ密度環境における消去条件の危険を減少させ、それは、データ記憶媒体の１インチ当たりのデータトラック密度を増加させる。いくつかの実施形態では、衝突した波形２７０は、データビット遷移（１）が生じるたびに方向を変更するデータ書込電流によってトリガされる。
【００３１】
図７は、分類された実施形態に従って実行される例示的な適応性ＨＡＭＲパワールーチン２８０を示す。ルーチン２８０は、ステップ２８２で、ＨＡＭＲアセンブリを採用する少なくとも１つの変換ヘッドがデータ記憶媒体の近位に位置付けられた状態で始まる。データ記憶媒体の異なる表面上に格納されたデータビットに対してデータアクセス動作を同時に行なう空気軸受表面によって、複数の別個の変換ヘッドが単一のデータ記憶媒体から分離されてもよい、ということが考えられる。
【００３２】
判定２８４で、極性遷移が存在するかどうか判断するために、データ記憶媒体表面上のデータビット磁気極性のパターンが評価される。類似していない連続するデータビット極性は、ステップ２８６をトリガして、１つ以上のデータビットを書込むためるためにレーザパワーオーバーシュートを利用してレーザ電流（またはパワー）値を増加させる。遷移が存在しないと判定２８４が判断した場合、ステップ２８８は、少なくとも１つのデータビットを書込むためにより低いレーザ電流（またはパワー）値を利用してから、判定２８４に戻る。なお、ステップ２８６および２８８は、図４に示すような連続波形、図５に示すようなパルス状波形、または図６に示すような衝突波形で行なわれ得る。
【００３３】
次に、ステップ２９０は、ステップ２８６および／または２８８で選択されたレーザパワー波形サイズを補足するようにレーザパワー波形形状を調節する。レーザパワー値および波形の調節は、レーザパワーおよび波形の補償を可能にするためにプリアンプにおいてデータ書込信号を遅延させるステップ２９２と一致する。なお、レーザパワーおよび波形の調節は、ステップ２９２の書込信号遅延が無効にされるように先を見越した態様で実現されてもよい。ステップ２９４で、少なくとも１つのデータビットを書込むために、遅延された書込信号および適応したレーザ波形は一体となる。ステップ２９４で書込まれるデータビットは、ステップ２８６、２８８、および２９０で、以前に書込まれたデータパターン、書込まれることになっているデータパターン、ならびに、装置温度および変換ヘッドスキュー角度といった、ＨＡＭＲデータ書込みが行なわれることになっている環境に適応され得る。
【００３４】
なお、ルーチン２８０は、必須または限定的ではない。なぜなら、ちょうどステップおよび判定が追加可能であるように、さまざまな局面が変更および除去可能であるためである。たとえば、分類された実施形態は、複数の共通のデータビット磁気極性に応じて、漸進的なより低いレーザ電流（またはパワー）値を実行してもよい。ＨＡＭＲデータ書込動作時に、書込まれるべきデータパターンの関数としてレーザパワー（または電流）を変更することを通して、ＨＡＭＲデータビットは、増加した線形データ密度を提供するより均一な形状およびサイズを有し得る。磁気極性の遷移に応じて追加のレーザ電流またはパワーを印加することは、ほぼ均一な形状およびサイズを有するデータビットを書込むために十分なパワーを保証できる。一方、類似する磁気極性に応じて印加レーザ電流またはパワーを減少させることは、消去条件の危険を減少させる。
【００３５】
各磁気遷移時に送信された予め規定されたパルシング波形を使用してレーザパワーまたは電流を適応させる能力は、対称形および／または非対称形の波形が、ほぼ均一な形状およびサイズを有するＨＡＭＲデータビットを提供することを可能にする。いくつかの実施形態では、変換ヘッドの浮上高さ、データ書込レート、装置温度、およびヒータ位置といった環境条件に応じて、レーザ電流波形の幅および／または振幅が調整される。書込遅延回路を組込むことにより、プリアンプは、プリアンプ回路を変更することなく、レーザ電流の振幅および波形形状を補償することができる。すなわち、プリアンプは、調整されたレーザ電流出力を生成するために、その既存のパルシング回路を活用することができる。たとえば、データライタ差動対は、データライタおよびＨＡＭＲパルシング入力の双方に接続可能である。別の非限定的な例として、連続レーザ電流波形を提供し、データライタ磁気遷移を使用してレーザ電流をブーストするために、プリアンプタイミングパラメータおよび電流値を調節することができる。
【００３６】
前述の説明において、この開示のさまざまな実施形態の多くの特徴が、さまざまな実施形態の構造および機能の詳細とともに述べられてきたものの、この詳細な説明は単なる例示であり、特に部分の構造および構成に関して、この技術の原理の範囲内で、添付される請求項が表現される用語の広範な一般的意味によって示される最大限まで変更が詳細に行なわれてもよい、ということが理解されるべきである。たとえば、特定の要素が特定の用途に依存して、この開示の精神および範囲から逸脱することなく変更されてもよい。
【符号の説明】
【００３７】
１００、１６０、１９０：データ記憶システム、１０２、１４０：データ記憶装置、１０６：データ記憶媒体、１１２、１７８、２００：変換ヘッド、１２２、１５４、１５６、２３４、２４４、２６４：データビット、１２８、２２２：レーザダイオード。
【図１】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【外国語明細書】
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