(57)【要約】【課題】検出素子に加えて配線を照射する光も検出される感度の良い赤外センサーを提供する。【解決手段】焦電型赤外センサー１は赤外光１１を反射する基板２と、基板２に設置され赤外光１１を透過する赤外光透過層１０と、赤外光透過層１０の上方に設置され赤外光１１を検出する検出素子３と、赤外光透過層１０の上方に設置され検出素子３と接続する第１配線４及び第２配線５と、を備え、第１配線４及び第２配線５は赤外光を透過する。【選択図】図２
2016205913.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
赤外光を反射する基板と、
前記基板に設置され赤外光を透過する赤外光透過膜と、
前記赤外光透過膜の上方に設置され赤外光を検出する検出素子と、
前記赤外光透過膜の上方に設置され前記検出素子と接続する配線と、を備え、
前記配線は赤外光を透過することを特徴とする赤外センサー。
【請求項２】
請求項１に記載の赤外センサーであって、
前記配線はＩＴＯ膜であることを特徴とする赤外センサー。
【請求項３】
請求項１または２に記載の赤外センサーであって、
前記配線は露出することを特徴とする赤外センサー。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか一項に記載の赤外センサーであって、
前記配線と前記基板との間には反射膜を備えることを特徴とする赤外センサー。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか一項に記載の赤外センサーであって、
前記検出素子を複数備えることを特徴とする赤外センサー。
【請求項６】
基板上に赤外光透過膜を設置し、
前記赤外光透過膜上に赤外光を透過する配線を設置し、
前記配線上に導電膜を設置し、
前記導電膜の一部を除去することを特徴とする赤外センサーの製造方法。
【請求項７】
請求項６に記載の赤外センサーの製造方法であって、
前記導電膜を設置する前に行われ前記配線上に酸化イリジウム膜を設置し、
前記導電膜は前記酸化イリジウム膜上に設置され、
前記導電膜上に所定の形状のマスクとなるマスク膜を設置し、
前記マスク膜の設置されていない場所の前記酸化イリジウム膜を還元して、前記酸化イリジウム膜をイリジウム膜にして体積を減少させ、
前記イリジウム膜及び前記導電膜を剥離することを特徴とする赤外センサーの製造方法。
【請求項８】
請求項１〜５のいずれか一項に記載の赤外センサーを備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、赤外センサー、赤外センサーの製造方法および電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
赤外光の検出装置には焦電型及びボロメーター型の赤外線検出装置が知られている。赤外線検出装置が赤外光を受光するとき、受光した光量に応じて温度が上昇する。そして、温度上昇によって焦電体材料の自発分極量が変化する。このことを焦電効果またはパイロ電子効果と称す。焦電効果またはパイロ電子効果を利用して焦電体の両端に起電力を生じさせる方式のセンサーが焦電型赤外センサーである。一方、温度によって抵抗値を変化させて赤外線を検出するボロメーター型赤外センサーがある。焦電型赤外センサーは、ボロメーター型赤外センサーと比較して、製造工程が複雑である反面、検出感度が優れるという利点がある。
【０００３】
焦電型赤外センサーが特許文献１に開示されている。それによると、この焦電型赤外センサーには複数の検出素子が格子状に配列して設置されている。各検出素子は焦電体を下部電極と上部電極とで挟んだ構造をしている。そして、下部電極及び上部電極には配線が接続され、赤外線の光量を示す電気信号が配線により伝送されていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１２−８０６８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１の焦電型赤外センサーでは基板上に検出素子及び配線が設置されていた。検出素子を照射する赤外光は検出素子を加熱するので、検出素子を照射する赤外光は検出素子により検出される。一方、配線は赤外光を反射する材料により形成されていた。従って、配線を照射する赤外光は検出素子に検出されなかった。従って、検出素子に加えて配線を照射する赤外光も検出する感度の良い赤外センサーが望まれていた。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上述の課題を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【０００７】
［適用例１］
本適用例にかかる赤外センサーであって、赤外光を反射する基板と、前記基板に設置され赤外光を透過する赤外光透過膜と、前記赤外光透過膜の上方に設置され赤外光を検出する検出素子と、前記赤外光透過膜の上方に設置され前記検出素子と接続する配線と、を備え、前記配線は赤外光を透過することを特徴とする。
【０００８】
本適用例によれば、基板には赤外光透過膜が設置され、赤外光透過膜上には検出素子が設置されている。そして、赤外光透過膜上には配線が設置され、配線は検出素子と接続されている。検出素子が赤外光を検出したとき配線を通して赤外光を検出した信号を伝達することができる。配線及び赤外光透過膜は赤外光を透過する。そして、基板は赤外光を反射する。配線を照射する赤外光は配線及び赤外光透過膜を透過して基板に至る。基板では赤外光の一部を反射し、反射された赤外光の一部は検出素子を照射する。従って、配線を照射した赤外光の一部は検出素子を照射する為、赤外センサーは感度良く赤外光を検出することができる。
【０００９】
［適用例２］
上記適用例にかかる赤外センサーにおいて、前記配線はＩＴＯ膜であることを特徴とする。
【００１０】
本適用例によれば、配線はＩＴＯ膜（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）である。ＩＴＯ膜は赤外光を透過する。さらに、耐熱性があるので検出素子を形成するときにも配線が熱による損傷を受けることを抑制できる。
【００１１】
［適用例３］
上記適用例にかかる赤外センサーにおいて、前記配線は露出することを特徴とする。
【００１２】
本適用例によれば、配線は露出している。従って、配線上に膜が設置されているときに比べて効率良く赤外光を透過させることができる。
【００１３】
［適用例４］
上記適用例にかかる赤外センサーにおいて、前記配線と前記基板との間には反射膜を備えることを特徴とする。
【００１４】
本適用例によれば、配線と基板との間に反射膜が設置されている。従って、配線を透過した赤外光を効率よく反射して検出素子に向けて進行させることができる。
【００１５】
［適用例５］
上記適用例にかかる赤外センサーにおいて、前記検出素子を複数備えることを特徴とする。
【００１６】
本適用例によれば、赤外センサーには検出素子が複数設置されている。従って、赤外センサーを照射する赤外光の分布を検出することができる。
【００１７】
［適用例６］
本適用例にかかる赤外センサーの製造方法であって、基板上に赤外光透過膜を設置し、前記赤外光透過膜上に赤外光を透過する配線を設置し、前記配線上に導電膜を設置し、前記導電膜の一部を除去することを特徴とする。
【００１８】
本適用例によれば、基板上に赤外光透過膜を設置し、赤外光透過膜上に赤外光を透過する配線を設置している。そして、配線上に導電膜を設置し、導電膜の一部を除去している。従って、照射する赤外光に配線を透過させて赤外光透過膜に進行させることができる。そして、赤外光を基板にて反射させて赤外光が照らす場所を広くすることができる。
【００１９】
［適用例７］
上記適用例にかかる赤外センサーの製造方法において、前記導電膜を設置する前に行われ前記配線上に酸化イリジウム膜を設置し、前記導電膜は前記酸化イリジウム膜上に設置され、前記導電膜上に所定の形状のマスクとなるマスク膜を設置し、前記マスク膜の設置されていない場所の前記酸化イリジウム膜を還元して、前記酸化イリジウム膜をイリジウム膜にして体積を減少させ、前記イリジウム膜及び前記導電膜を剥離することを特徴とする。
【００２０】
本適用例によれば、配線上に酸化イリジウム膜が設置され、酸化イリジウム膜上に導電膜が設置される。そして、導電膜上に所定の形状のマスク膜が設置され、マスク膜の設置されていない場所の酸化イリジウム膜が還元される。これにより、酸化イリジウム膜はイリジウム膜になり、脱落した酸素に対応する体積が減少する。これにより、導電膜と基板との間でイリジウム膜が収縮して導電膜が変形する。そして、マスク膜の設置されていない場所ではイリジウム膜及び導電膜は基板から剥がれやすくなる。このイリジウム膜及び導電膜を剥離することにより、容易に酸化イリジウム膜及び導電膜をマスク膜の形状に形成することができる。そして、酸化イリジウム膜を還元する工程は金属膜や樹脂膜に影響を及ぼし難いので品質良く赤外センサーを製造することができる。
【００２１】
［適用例８］
本適用例にかかる電子機器であって、上記のいずれか一項に記載の赤外センサーを備えることを特徴とする。
【００２２】
本適用例によれば、本適用例の電子機器は上記の赤外センサーを備えている。従って、電子機器は照射される赤外光を感度良く電気信号に変換する赤外センサーを備えた装置とすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】第１の実施形態にかかわり、（ａ）は、焦電型赤外センサーの構造を示す模式平面図、（ｂ）は、焦電型赤外センサーの構造を示す要部模式拡大平面図。
【図２】焦電型赤外センサーの断面構造を示す要部模式側断面図。
【図３】焦電型赤外センサーの製造方法を説明するための模式側断面図。
【図４】焦電型赤外センサーの製造方法を説明するための模式側断面図。
【図５】焦電型赤外センサーの製造方法を説明するための模式側断面図。
【図６】焦電型赤外センサーの製造方法を説明するための模式側断面図。
【図７】第２の実施形態にかかわるカメラの構成を示すブロック図。
【図８】第３の実施形態にかかわる運転支援装置の構成を示すブロック図。
【図９】カメラの設置場所を説明するための概略斜視図。
【図１０】第４の実施形態にかかわるセキュリティー機器の構成を示すブロック図。
【図１１】カメラの設置場所を説明するための模式側面図。
【図１２】第５の実施形態にかかわるゲーム機器の構成を示す概略斜視図。
【図１３】コントローラーの構成を示すブロック図。
【図１４】第６の実施形態にかかわる体温測定装置の構成を示すブロック図。
【図１５】第７の実施形態にかかわる特定物質探知装置の構成を示すブロック図。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、実施形態について図面に従って説明する。尚、各図面における各部材は、各図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各部材毎に縮尺を異ならせて図示している。
【００２５】
（第１の実施形態）
本実施形態では、焦電型赤外センサーと、この焦電型赤外センサーを製造する焦電型赤外センサーの製造方法との特徴的な例について、図に従って説明する。第１の実施形態にかかわる焦電型赤外センサーの構造について図１及び図２に従って説明する。図１（ａ）は、焦電型赤外センサーの構造を示す模式平面図である。図１（ａ）に示すように、赤外センサーとしての焦電型赤外センサー１は基板２を備えている。基板２の材質は耐熱性及び強度のある基板であれば良く例えば、ガラス基板、シリコン基板等を用いることができる本実施形態では、例えば、基板２にシリコン基板を用いている。図中の基板２は上下方向に長い長方形の形状であるが、基板２の形状は特に限定されない、正方形でも良く多角形、円形でもよい。
【００２６】
基板２上には赤外光を検出する検出素子３が格子状に配列して設置されている。図を見易くするために図中では検出素子３が１０行、１０列に配置されており、検出素子３が１００個配置されている。検出素子３の行数、列数及び個数は特に限定されない。検出素子３の個数が多い程検出素子３が検出する像の空間分解能を高くすることができる。検出素子３が格子状に複数設置されることにより焦電型赤外センサー１を照射する赤外光の分布を検出できる。
【００２７】
検出素子３には配線としての第１配線４と配線としての第２配線５とが接続されている。基板２の図中左右の端には端面と平行な仮想線に沿って第１端子６及び第２端子７が設置されている。そして、第１端子６は第１配線４と接続され、第２端子７は第２配線５と接続されている。従って、基板２に設置された総ての検出素子３は第１端子６及び第２端子７と接続されている。第１配線４及び第２配線５は検出素子３とそれぞれ接続されているので、第１配線４及び第２配線５の本数は検出素子３と同じ個数である。このため、基板２において第１配線４及び第２配線５が占める面積が広くなっている。
【００２８】
図１（ｂ）は、焦電型赤外センサーの構造を示す要部模式拡大平面図である。図１（ｂ）に示すように、第１配線４は検出素子３と直接接続され、第２配線５は検出素子３とマスク膜としての中間配線８を介して接続されている。第１配線４と第２配線５とは平行に配置され、第１配線４の一端に第１端子６が位置し、第２配線５の一端に第２端子７が位置している。第１端子６及び第２端子７はフレキシブルケーブルやワイヤーボンディング等の接続に用いられる端子である。
【００２９】
図２は焦電型赤外センサーの断面構造を示す要部模式側断面図であり、図１（ｂ）のＡ−Ａ’線に沿う断面を示している。焦電型赤外センサー１は基板２上に複数の層が積層された構造になっている。基板２はシリコン基板であり、シリコンウエハーを切り出して形成された基板である。基板２上には反射膜としての反射層９が設置されている。反射層９の材質は赤外光を反射し耐熱性のある材質であれば良く特に限定されない。本実施形態では、例えば、反射層９の材質にアルミニウムを用いている。
【００３０】
反射層９上には赤外光透過膜としての赤外光透過層１０が設置されている。赤外光透過層１０は赤外光１１を透過させる膜であり、絶縁膜として機能する。赤外光透過層１０の材質は赤外光１１を透過させ絶縁性を有し耐熱性のある材質であれば良く特に限定されない。本実施形態では、例えば、赤外光透過層１０の材質には酸化シリコンが用いられている。
【００３１】
赤外光透過層１０上には第１配線４及び第２配線５が設置されている。第１配線４及び第２配線５の材質は赤外光１１を透過させ導電性を有し耐熱性のある材質であれば良く特に限定されない。第１配線４及び第２配線５の材質にはＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）、ＺｎＯ（Ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）、ＩＧＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−ｇａｌｌｉｕｍ−ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）、ＳｎＯｘ（酸化錫）、ＩＧＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−ｇａｌｌｉｕｍ  ｏｘｉｄｅ）、ＩＣＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−ｃｅｒｉｕｍ  ｏｘｉｄｅ）を用いることができる。本実施形態では、例えば、第１配線４及び第２配線５にＩＴＯ膜が用いられている。ＩＴＯ膜は耐熱性があるので検出素子３を形成するときにも第１配線４及び第２配線５が熱による損傷を受けることを抑制できる。
【００３２】
第１端子６では第１配線４上に第１下地層１２、第１導電層１３、マスク膜としての第２導電層１４がこの順に積層されている。第１下地層１２は第１配線４と第１導電層１３とを密着性良く接続するための層であり、本実施形態では、例えば、ＩｒＯｘ（酸化イリジウム）が用いられている。第１導電層１３は低抵抗の層であり、Ｐｔ（白金）が用いられている。Ｐｔの層は検出素子３を形成するときに必要となる層である。
【００３３】
第２導電層１４は第１端子６からワイヤーボンディング等の配線を接続するときの接続面になる層である。第２導電層１４には導通性があり硬度のある材質であれば良く特に限定されない。本実施形態では、例えば、第２導電層１４の材料にＴｉ（チタン）、Ａｌ（アルミニウム）、ＴｉＮ（窒化チタン）及びこれらを積層して設置することができる。本実施形態では、例えば、第２導電層１４の材料にＴｉ、Ａｌ、ＴｉＮを積層して設置した。同様に、第２端子７では第２配線５の上に第１下地層１２、第１導電層１３、第２導電層１４がこの順に積層されている。この構成は第１端子６と同じ構成である。
【００３４】
次に、検出素子３の構造について説明する。検出素子３の構造は公知であり概要を説明する。第１配線４上には第１下地層１２及び第１導電層１３が設置されている。第１下地層１２はＩｒＯｘからなり第１導電層１３と第１配線４との密着性を向上させる機能を有している。第１導電層１３の上には焦電体１５が設置されている。第１導電層１３はＰｔからなる層であり、Ｐｔ層の上に焦電体１５を形成するとき焦電体１５が品質良く形成される。
【００３５】
焦電体１５はＰＺＴ（ジルコン酸チタン酸鉛）の膜である。ＰＺＴは圧電セラミックスの一種であり、温度変化に応じて表面に帯電する電荷が増減する焦電効果を有する。検出素子３に赤外光１１が照射されて焦電体１５の温度が上昇するとき、焦電体１５には電圧差が生じる。
【００３６】
焦電体１５の上には第３導電層１６、第２下地層１７が積層されている。焦電体１５、第３導電層１６及び第２下地層１７を覆ってマスク膜としての保護層１８が設置されている。第２下地層１７上では保護層１８にコンタクトホール１８ａが設置され、中間配線８がコンタクトホール１８ａを介して第２下地層１７と接続されている。
【００３７】
第３導電層１６は第１導電層１３と同様にＰｔからなる層である。第１導電層１３と第３導電層１６とで焦電体１５を挟む構造にすることにより焦電体１５が品質良く形成される。第２下地層１７は第１下地層１２と同様にＩｒＯｘからなり第３導電層１６と中間配線８との密着性を向上させる機能を有している。保護層１８は検出素子３を保護する機能を有する。保護層１８の材質は検出素子３を保護する材質であれば良く特に限定されない。保護層１８の材質にはＡｌＯｘ（酸化アルミニウム）やＡｌＯｘの下層とＳｉＯｘ（酸化シリコン）の上層との２層積層膜を用いても良い。ＡｌＯｘの膜は水素分子の進入を防ぐ機能を備えている。水素分子は焦電体１５が劣化させるので、保護層１８の材質にはＡｌＯｘを用いることにより焦電体１５の寿命を長くすることができる。ＳｉＯｘの膜は厚くすることが容易であり、通常の半導体装置を製造する装置を用いることができるので容易に製造することができる。
【００３８】
第２配線５の検出素子３側には第２配線５上に第１下地層１２及び第１導電層１３が積層された中間端子２１が設置されている。中間端子２１と検出素子３との間には保護層１８が設置されている。保護層１８は検出素子３における第１配線４、第１下地層１２及び第１導電層１３と中間端子２１における第２配線５、第１下地層１２及び第１導電層１３との間を絶縁する。
【００３９】
中間配線８は保護層１８上に設置され、第２下地層１７と中間端子２１とを接続する。これにより、第３導電層１６は第２下地層１７、中間配線８、中間端子２１、第２配線５を介して第２端子７と接続される。従って、第３導電層１６は第２端子７と導通する。第１導電層１３は第１下地層１２、第１配線４、を介して第１端子６と接続される。従って、第１導電層１３は第１端子６と導通する。
【００４０】
焦電型赤外センサー１に赤外光１１が照射されるとき一部の赤外光１１は直接検出素子３を照射する。検出素子３を照射する赤外光１１は第１下地層１２〜保護層１８に吸収されて温度が上昇する。検出素子３と第１端子６との間では第１配線４が露出している。第１配線４及び赤外光透過層１０は赤外光１１を透過するので、第１配線４を照射する赤外光１１は第１配線４を透過して赤外光透過層１０に入る。反射層９は赤外光１１を反射するので、赤外光透過層１０内を進行する赤外光１１の一部は反射層９にて反射して検出素子３を基板２側から照射する。
【００４１】
同様に、検出素子３と第２端子７との間では第２配線５が露出している。第２配線５及び赤外光透過層１０は赤外光１１を透過するので、第２配線５を照射する赤外光１１は第２配線５を透過して赤外光透過層１０に入る。反射層９は赤外光１１を反射するので、赤外光透過層１０内を進行する赤外光１１の一部は反射層９にて反射して検出素子３を基板２側から照射する。
【００４２】
赤外光透過層１０において第１配線４、第２配線５及び保護層１８と接していない場所は露出している。赤外光透過層１０は赤外光１１を透過するので、赤外光透過層１０を照射する赤外光１１は赤外光透過層１０に入る。反射層９は赤外光１１を反射するので、赤外光透過層１０内を進行する赤外光１１の一部は反射層９にて反射して検出素子３を基板２側から照射する。
【００４３】
露出する第１配線４、第２配線５及び赤外光透過層１０を照射する赤外光１１は反射層９にて反射し一部の赤外光１１は検出素子３を照射する。そして、検出素子３の近傍を照射する赤外光１１の一部は検出素子３を照射する。従って、第１配線４及び第２配線５が赤外光１１を反射するときに比べて検出素子３を照射する赤外光１１の光量が大きい為、赤外光１１の照射に対して感度良く検出素子３の温度を変化させることができる。検出素子３の熱は焦電体１５に伝熱するので、検出素子３では温度変化に対応して焦電体１５の温度が変化する。
【００４４】
検出素子３では焦電体１５を第１導電層１３及び第３導電層１６で挟んだキャパシター２２の構造をしている。焦電効果により焦電体１５の温度変化に応じて第１導電層１３と第３導電層１６との間の電圧が変化する。第１導電層１３は第１端子６と接続し、第３導電層１６は第２端子７と接続する。従って、第１端子６と第２端子７との間の電圧を検出することにより検出素子３を照射する赤外光１１の光量を推定することができる。
【００４５】
次に、図３〜図６を用いて焦電型赤外センサー１の製造方法について説明する。図３〜図６は焦電型赤外センサーの製造方法を説明するための模式側断面図である。焦電型赤外センサー１はシリコンウエハー上に形成され、ダイサーによりチップに分割される。焦電型赤外センサー１は半導体装置を製造する装置を用いて製造される。
【００４６】
図３（ａ）に示すように、基板２上に反射層９を設置する。反射層９はアルミニウムの層であり、スパッタ法を用いて設置される。反射層９の上に赤外光透過層１０を設置する。赤外光透過層１０は酸化シリコンの層であり、ＣＶＤ（ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｖａｐｏｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法を用いて設置される。赤外光透過層１０の上に配線材料層２３を設置する。配線材料層２３は第１配線４及び第２配線５の材料になる層であり、ＩＴＯ膜の層である。ＩＴＯ膜はスパッタ法を用いて設置され、例えば、ＩＴＯのターゲットにアルゴンイオンを衝突させて形成される。
【００４７】
配線材料層２３の上に第１下地材料層２４を設置する。第１下地材料層２４は第１下地層１２の材料になる層であり、ＩｒＯｘ膜の層である。第１下地材料層２４はスパッタ法を用いて設置される。第１下地材料層２４の上に第１導電材料層２５を設置する。第１導電材料層２５は第１導電層１３の材料になる層であり、Ｐｔ膜の層である。第１導電材料層２５はスパッタ法を用いて設置される。
【００４８】
第１導電材料層２５の上に焦電体材料層２６を設置する。焦電体材料層２６は焦電体１５の材料になる層であり、ＰＺＴ膜の層である。焦電体材料層２６はスパッタ法やゾルゲル法を用いて設置される。スパッタ法では特定成分のＰＺＴ焼結体をスパッタリングのターゲットとして用い、第１導電材料層２５上にスパッタリングによりアモルファス状の圧電体膜前駆体膜を形成する。
【００４９】
次に、このアモルファス状の圧電体膜前駆体膜を加熱し結晶化し、焼結させる。この加熱は例えば、酸素または酸素とアルゴン等の不活性ガスとの混合ガス等の酸素雰囲気中において行われる。加熱工程では酸素雰囲気中で圧電体膜前駆体膜を５００〜７００℃の温度で加熱する。加熱によって圧電体膜前駆体膜を結晶化する。
【００５０】
ゾルゲル法では焦電体材料層２６の材料となるチタン、ジルコニウム、鉛等の水酸化物の水和錯体であるゾル作成する。このゾルを脱水処理してゲルとする。このゲルを加熱焼成して無機酸化物である焦電体材料層２６を調製する。チタン、ジルコニウム、鉛、さらには他の金属成分のそれぞれのアルコキシドまたはアセテートを出発原料とする。この出発原料がゾルになっている。このゾルは有機高分子化合物と混合された組成物として用いられる。この有機高分子化合物は、乾燥及び焼成時に焦電体材料層２６の残留応力を吸収し、焦電体材料層２６にクラックが生ずることを防止する。
【００５１】
次に、第１導電材料層２５上にゾル組成物を塗布する。塗布方法には各種のコート法や印刷法が用いられる。塗布後ゾル組成物の膜を乾燥する。乾燥は自然乾燥、または８０℃以上２００℃以下の温度に加熱して乾燥する。次に、ゾル組成物の膜を焼成する。焼成温度は３００〜４５０℃の範囲で１０〜１２０分程度焼成する。焼成によりゾル組成物の膜がゲル化する。
【００５２】
次に温度を変えて再焼成する。焼成温度としては４００〜８００℃の範囲で、０．１〜５時間程度焼成する。再焼成では４００〜６００℃の範囲の温度の第一段階を行い。次に、６００〜８００℃以下の範囲の温度で第二段階を行う。これにより、多孔質ゲル薄膜が結晶質の金属酸化物からなる膜に変換される。この膜を積層膜にするときには出発原料の塗布から焼成までの工程を繰り返す。その後でプレアニールする。
【００５３】
焦電体材料層２６の上に第３導電材料層２７を設置する。第３導電材料層２７は第３導電層１６の材料になる層であり、Ｐｔ膜の層である。第３導電材料層２７はスパッタ法を用いて設置される。第３導電材料層２７の上に第２下地材料層２８を設置する。第２下地材料層２８は第２下地層１７の材料になる層であり、ＩｒＯｘ膜の層である。第２下地材料層２８はスパッタ法を用いて設置される。
【００５４】
図３（ｂ）に示すように、第２下地材料層２８の上に第１マスク膜２９を設置する。まず、第２下地材料層２８上に第１マスク膜の材料を塗布する。第１マスク膜の材料は感光性の樹脂材料を溶剤に溶解した物である。塗布方法には各種のコート法や印刷法を用いることができる。具体的には例えば、スピンコート、ディップコート、ロールコート、バーコート等のコート法を用いることができる。他にも、フレキソ印刷、スクリーン印刷、オフセット印刷等の印刷法を用いても良い。次に、第１マスク膜の材料を乾燥する。続いて、フォトリソグラフィ法を用いて露光及び現像し第１マスク膜の材料からなる膜をパターニングして第１マスク膜２９を形成する。そして、第１マスク膜２９の形状を焦電体１５の形状にする。
【００５５】
図３（ｃ）に示すように、第１マスク膜２９をマスクにしたドライエッチング法を用いて焦電体材料層２６、第３導電材料層２７及び第２下地材料層２８の一部を除去する。そして、剥離液を用いて第１マスク膜２９を剥離する。その結果、図４（ａ）に示すように、第１導電材料層２５上に焦電体１５、第３導電層１６及び第２下地層１７が形成される。
【００５６】
図４（ｂ）に示すように、続いて、第１導電材料層２５及び第２下地層１７上に第２マスク膜３０を設置する。第２マスク膜３０の材料は第１マスク膜２９と同様の材料であり、第２マスク膜３０は第１マスク膜２９と同様の方法で設置される。そして、第２マスク膜３０の平面形状を第１配線４及び第２配線５の形状にする。
【００５７】
図４（ｂ）及び図４（ｃ）に示すように、次に、第２マスク膜３０をマスクにしたドライエッチング法をもちいて配線材料層２３、第１下地材料層２４及び第１導電材料層２５の一部を除去する。そして、剥離液を用いて第２マスク膜３０を剥離する。その結果、赤外光透過層１０上に第１配線４、第２配線５、酸化イリジウム膜としての第１下地中間材料層３１及び導電膜としての第１導電中間材料層３２が形成される。そして、第１下地中間材料層３１及び第１導電中間材料層３２の平面形状を第１配線４及び第２配線５と同じ形状にする。
【００５８】
図５（ａ）に示すように、続いて、赤外光透過層１０、第１導電中間材料層３２及び第２下地層１７上に保護材料層３３を設置する。保護材料層３３は保護層１８の材料になる層であり、ＡｌＯｘの膜を下地にしてＳｉＯｘの膜を重ねた層である。ＡｌＯｘの膜はアトミックレイヤーＣＶＤ法を用いて設置される。これにより、ＡｌＯｘの膜が緻密になり水素分子の進入を確実に抑制することができる。ＳｉＯｘはスパッタ法を用いて設置される。
【００５９】
図５（ａ）及び図５（ｂ）に示すように、次に、保護材料層３３を形成して保護層１８を設置する。まず、保護材料層３３上にマスク膜の材料を塗布する。マスク膜の材料は感光性の樹脂材料を溶剤に溶解した物である。塗布方法には各種のコート法や印刷法を用いることができる。次に、マスク膜の材料を乾燥する。続いて、フォトリソグラフィ法を用いて露光及び現像しマスク膜の材料からなる膜をパターニングしてマスク膜を形成する。そして、マスク膜の形状を保護層１８の形状にする。
【００６０】
次に、マスク膜をマスクにして保護材料層３３をドライエッチングする。続いて、剥離液を用いてマスク膜を剥離する。その結果、第１導電中間材料層３２及び第２下地層１７上に保護層１８が形成される。さらに、第１配線４と第２配線５との間にも保護層１８が設置される。この工程では保護層１８にコンタクトホール１８ａが形成される。
【００６１】
図５（ｃ）に示すように、続いて、第１導電中間材料層３２及び保護層１８上に中間配線材料層３４を設置する。中間配線材料層３４はＴｉＮ（窒化チタン）層、Ａｌ（アルミニウム）層、Ｔｉ（チタン）層がこの順に積層された層である。中間配線材料層３４はコンタクトホール１８ａを介して第２下地層１７上にも設置される。まず、ＴｉＮがスパッタ法を用いて設置され、次に、Ａｌがスパッタ法を用いて設置される。続いて、Ｔｉがスパッタ法を用いて設置される。
【００６２】
図６（ａ）に示すように、次に、中間配線材料層３４上に第３マスク膜３５を設置する。第３マスク膜３５の材料は第１マスク膜２９と同様の材料であり、第３マスク膜３５は第１マスク膜２９と同様の方法で設置される。そして、第３マスク膜３５の平面形状を中間配線８及び第２導電層１４の形状にする。第２導電層１４は焦電型赤外センサー１の完成時に第１端子６及び第２端子７の表面になる層である。
【００６３】
図６（ａ）及び図６（ｂ）に示すように、続いて、第３マスク膜３５をマスクにしたドライエッチング法を用いて中間配線材料層３４の一部を除去する。ドライエッチングは塩素ガスを用いることにより良好にエッチングすることができる。中間配線材料層３４から中間配線８、第１端子６の第２導電層１４及び第２端子７の第２導電層１４が形成される。そして、第１導電中間材料層３２が露出する。
【００６４】
図６（ｂ）及び図６（ｃ）に示すように、次に、第３マスク膜３５を除去する。並行して、検出素子３と第１端子６との間の第１下地中間材料層３１及び第１導電中間材料層３２を除去する。さらに、中間端子２１と第２端子７との間の第１下地中間材料層３１及び第１導電中間材料層３２を除去する。メタノールを用いてプラズマアッシングを行う。これにより、第３マスク膜３５をプラズマと反応させて気相中で分解し除去する。
【００６５】
このとき、第１導電中間材料層３２が露出する場所では第１下地中間材料層３１を構成するＩｒＯｘとメタノールの水素とが反応し、ＩｒＯｘが還元される。これにより、ＩｒＯｘから酸素が分離して第１下地中間材料層３１から離脱する。そして、第１下地中間材料層３１は体積が減少して収縮し第１配線４から剥離する。次に、剥離液を用いて第１下地中間材料層３１を第１配線４から確実に剥離する。第１導電中間材料層３２は第１下地中間材料層３１に積層しているので、第１下地中間材料層３１と一緒に第１配線４から剥離する。さらに、純水洗浄を行って残っている第３マスク膜３５、第１下地中間材料層３１の一部及び第１導電中間材料層３２の一部を確実に除去する。
【００６６】
これにより、第１下地中間材料層３１から第１下地層１２が形成され、第１導電中間材料層３２から第１導電層１３が形成される。従って、第１下地層１２及び第１導電層１３は第１下地中間材料層３１及び第１導電中間材料層３２の一部を剥離して一部を残すことにより形成される。この形成方法をリフトオフ法と称す。酸化イリジウム膜の還元する工工程では保護層１８、第１配線４及び第２配線５に影響を及ばし難いので品質良く焦電型赤外センサー１を製造することができる。
【００６７】
シリコンウエハー上に形成された複数の焦電型赤外センサー１をダイサーを用いて焦電型赤外センサー１のチップに分割する。以上の工程により、焦電型赤外センサー１の製造工程を終了する。
【００６８】
上述したように、本実施形態によれば、以下の効果を有する。
（１）本実施形態によれば、基板２には赤外光透過層１０が設置され、赤外光透過層１０上には検出素子３が設置されている。そして、赤外光透過層１０上には第１配線４及び第２配線５が設置され、第１配線４及び第２配線５は検出素子３と接続されている。検出素子３が赤外光１１を検出したとき第１配線４及び第２配線５を通して赤外光１１を検出した信号を伝達することができる。
【００６９】
第１配線４及び第２配線５及び赤外光透過層１０は赤外光１１を透過する。そして、反射層９は赤外光１１を反射する。第１配線４及び第２配線５を照射する赤外光１１は第１配線４及び第２配線５及び赤外光透過層１０を透過して反射層９に至る。反射層９では赤外光１１の一部を反射し、反射された赤外光１１の一部は検出素子３を照射する。従って、第１配線４及び第２配線５を照射した赤外光１１の一部は検出素子３を照射する為、焦電型赤外センサー１は感度良く赤外光１１を検出することができる。
【００７０】
（２）本実施形態によれば、第１配線４及び第２配線５はＩＴＯ膜（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）である。ＩＴＯ膜は赤外光１１を透過する。さらに、耐熱性があるので検出素子３を形成するときにも第１配線４及び第２配線５が熱による損傷を受けることを抑制できる。
【００７１】
（３）本実施形態によれば、第１配線４及び第２配線５は露出している。従って、第１配線４及び第２配線５上に膜が設置されているときに比べて効率良く赤外光１１を透過させることができる。
【００７２】
（４）本実施形態によれば、第１配線４及び第２配線５と基板２との間に反射層９が設置されている。従って、第１配線４及び第２配線５を透過した赤外光１１を効率よく反射して検出素子３に向けて進行させることができる。
【００７３】
（５）本実施形態によれば、焦電型赤外センサー１には検出素子３が複数設置されている。そして、検出素子３が格子状に設置されている。従って、焦電型赤外センサー１を照射する赤外光１１の分布を検出することができる。
【００７４】
（６）本実施形態によれば、基板２上に赤外光透過層１０を設置し、赤外光透過層１０上に赤外光１１を透過する第１配線４及び第２配線５を設置している。そして、第１配線４及び第２配線５上に第１下地中間材料層３１及び第１導電中間材料層３２を設置し、第１下地中間材料層３１及び第１導電中間材料層３２の一部を除去している。従って、照射する赤外光１１に第１配線４及び第２配線５を透過させて赤外光透過層１０に進行させることができる。そして、赤外光１１を基板２にて反射させて赤外光１１が照らす場所を広くすることができる。
【００７５】
（７）本実施形態によれば、第１配線４上に第１下地中間材料層３１が設置され、第１下地中間材料層３１上に第１導電中間材料層３２が設置される。そして、第１導電中間材料層３２上に所定の形状の中間配線８、保護層１８及び第２導電層１４が設置され、中間配線８、保護層１８及び第２導電層１４の設置されていない場所では第１下地中間材料層３１の酸化イリジウムが還元される。これにより、酸化イリジウム膜である第１下地中間材料層３１はイリジウム膜になり、脱落した酸素に対応する体積が減少する。これにより、第１導電中間材料層３２と基板２との間で第１下地中間材料層３１が収縮して第１導電中間材料層３２が変形する。
【００７６】
中間配線８、保護層１８及び第２導電層１４の設置されていない場所では第１下地中間材料層３１及び第１導電中間材料層３２は基板２から剥がれやすくなる。この第１下地中間材料層３１及び第１導電中間材料層３２を剥離することにより、容易に第１下地中間材料層３１及び第１導電中間材料層３２を中間配線８、保護層１８及び第２導電層１４の形状に形成することができる。そして、酸化イリジウムが還元するときには中間配線８、保護層１８及び第２導電層１４に与える損傷が少ない。従って、品質良く焦電型赤外センサー１を製造することができる。
【００７７】
（第２の実施形態）
次に、焦電型赤外センサー１を用いた電子機器の一実施形態であるカメラについて図７のカメラの構成を示すブロック図を用いて説明する。尚、第１の実施形態と同じ点については説明を省略する。
【００７８】
すなわち、本実施形態では、図７に示すように、電子機器としてのカメラ３８は光学系３９を備え、光学系３９は撮像ユニット４０と接続されている。撮像ユニット４０には撮像デバイス４１と撮像デバイス４１を駆動する駆動回路４２が設置されている。撮像デバイス４１には第１の実施形態の焦電型赤外センサー１が用いられている。撮像ユニット４０は画像処理部４３と接続され、画像処理部４３はデータバス４４と接続されている。データバス４４には制御部４５、記憶部４６、操作部４７及び表示部４８が接続されている。
【００７９】
操作者が被写体４９にカメラ３８を向けるとき、被写体４９からでる赤外光１１が光学系３９に入力する。光学系３９は被写体４９からの赤外光１１を取り込む。光学系３９は被写体４９から進行する赤外光１１を撮像デバイス４１に集光する。そして、撮像デバイス４１に被写体４９の像を結像させる。
【００８０】
撮像デバイス４１には複数の検出素子３が格子状に配置されている。検出素子３は光を検出し、検出した光の量に応じた信号を出力する。光学系３９によって取り込まれた被写体４９からの赤外光１１は、撮像デバイス４１に像として結像される。結像された像における光量の分布が、複数の検出素子３によって検知される。結像された像における光量の分布は、画像として表現される。尚、駆動回路４２は撮像デバイス４１によって検知された像における光量の分布をデジタルデータである画像データに変換して画像処理部４３に出力する。
【００８１】
画像処理部４３は、画像データに示される画像に対して、補正処理等の各種の画像処理を行う。制御部４５は、カメラ３８における各構成の動作を制御する。記憶部４６は各種の情報を記憶する。記憶部４６にはカメラ３８における動作の制御手順が記述されたプログラムソフトを記憶する領域や、各種のデータを一時的に展開する領域等が設定されている。さらに、記憶部４６は撮影した画像データを記憶する。操作部４７は操作者がカメラ３８を操作するためのインターフェイスとなるものであり、各種の入力ボタン等を有している。表示部４８は画像データに示される画像を表示するものである。
【００８２】
カメラ３８は被写体４９を撮影し被写体４９の画像を画像データとして記憶し表示部４８に表示する。尚、本実施形態では、撮像デバイス４１の検出素子３が赤外光１１を検出する。これにより、カメラ３８をサーモグラフィーや、暗視装置等として活用することができる。
【００８３】
上述したように、本実施形態によれば、以下の効果を有する。
（１）本実施形態によれば、カメラ３８は焦電型赤外センサー１を備えている。従って、カメラ３８は照射される赤外光１１を感度良く電気信号に変換する焦電型赤外センサー１を備えた装置とすることができる。
【００８４】
（第３の実施形態）
次に、焦電型赤外センサー１を用いた電子機器である運転支援装置の一実施形態について図８及び図９を用いて説明する。図８は運転支援装置の構成を示すブロック図である。図９はカメラの設置場所を説明するための概略斜視図である。尚、第１の実施形態及び第２の実施形態と同じ点については説明を省略する。
【００８５】
すなわち、本実施形態では図８に示すように、電子機器としての運転支援装置５２は処理ユニット５３を備えている。処理ユニット５３には第２の実施形態におけるカメラ３８、ヨーレートセンサー５４、車速センサー５５、ブレーキセンサー５６、スピーカー５７及び表示装置５８が接続されている。
【００８６】
処理ユニット５３は、運転支援装置５２を制御するＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｕｎｉｔ）を有している。カメラ３８は車両外部の所定の撮像領域における赤外線を検出する。ヨーレートセンサー５４は車両のヨーレートを検出する。車速センサー５５は車両の走行速度を検出する。ブレーキセンサー５６は運転者のブレーキ操作の有無を検出する。
【００８７】
処理ユニット５３は、カメラ３８の撮像により得られる自車両周辺の赤外線画像に基づいて、自車両の周囲に存在する物体及び歩行者等の対象物を検出する。そして、処理ユニット５３は、対象物の検出結果と、ヨーレートセンサー５４、車速センサー５５、及びブレーキセンサー５６により検出される自車両の走行状態にかかる検出信号とに基づいて、自車両が対象物に接触する可能性を判断する。そして、可能性があると判断したときにスピーカー５７や表示装置５８を介して警報を出力する。
【００８８】
図９に示すように、カメラ３８は自動車５９の前部において車幅方向の中心付近に配置されている。表示装置５８は、フロントウィンドーにおいて運転者の前方視界を妨げない位置に各種情報を表示するＨＵＤ６０（Ｈｅａｄ  Ｕｐ  Ｄｉｓｐｌａｙ）を有する構成になっている。
【００８９】
上述したように、本実施形態によれば、以下の効果を有する。
（１）本実施形態によれば、運転支援装置５２に設置されたカメラ３８は焦電型赤外センサー１を備えている。従って、運転支援装置５２は照射される赤外光１１を感度良く電気信号に変換する焦電型赤外センサー１を有するカメラ３８を備えた装置とすることができる。
【００９０】
（第４の実施形態）
次に、焦電型赤外センサー１を用いた電子機器であるセキュリティー機器の一実施形態について図１０及び図１１を用いて説明する。図１０はセキュリティー機器の構成を示すブロック図である。図１１はカメラの設置場所を説明するための模式側面図である。尚、第１の実施形態及び第２の実施形態と同じ点については説明を省略する。
【００９１】
すなわち、本実施形態では図１０に示すように、電子機器としてのセキュリティー機器６３は第２の実施形態におけるカメラ３８、人感センサー６４、動き検知処理部６５、人感センサー検知処理部６６、画像圧縮部６７、通信処理部６８及び制御部６９を有する。カメラ３８は監視エリアを撮像する。人感センサー６４は監視エリアへの侵入者を検知する。動き検知処理部６５はカメラ３８から出力された画像データを処理して監視エリアに侵入した移動体を検知する。人感センサー検知処理部６６は人感センサー６４の検知処理を行う。
【００９２】
画像圧縮部６７はカメラ３８から出力された画像データを所定の方式で圧縮する。通信処理部６８は圧縮された画像データや侵入者検知情報等の送信及び外部装置からセキュリティー機器６３への各種設定情報等の受信を行う。制御部６９はＣＰＵを有し、ＣＰＵはセキュリティー機器６３の各処理部に対して条件設定、処理コマンド送信、レスポンス処理を行う。
【００９３】
動き検知処理部６５は、図示しないバッファメモリー及び状態変化検出部を備える。そして、監視エリアが静止状態であれば状態変化検出部は動画で撮影した異なるフレームを同一画像データに編集する。移動体の侵入等の状態変化があるとき、状態変化検出部はフレーム間の画像データで差が生じることを利用して状態変化を検知する。図１１に示すように軒下にカメラ３８及び人感センサー６４が設置されている。そして、カメラ３８は、監視エリア７０を撮像し、人感センサー６４は検知エリア７１を検出する。
【００９４】
上述したように、本実施形態によれば、以下の効果を有する。
（１）本実施形態によれば、セキュリティー機器６３に設置されたカメラ３８は焦電型赤外センサー１を備えている。従って、セキュリティー機器６３は照射される赤外光１１を感度良く電気信号に変換する焦電型赤外センサー１を有するカメラ３８を備えた装置とすることができる。
【００９５】
（第５の実施形態）
次に、焦電型赤外センサー１を用いた電子機器であるゲーム機器の一実施形態について図１２及び図１３を用いて説明する。図１２はゲーム機器の構成を示す概略斜視図である。図１３はコントローラーの構成を示すブロック図である。尚、第１の実施形態及び第２の実施形態と同じ点については説明を省略する。
【００９６】
すなわち、本実施形態では図１２に示すように、電子機器としてのゲーム機器７２は、コントローラー７３、本体７４、ディスプレイ７５、ＬＥＤモジュール７６及びＬＥＤモジュール７７を有している。プレイヤー７８は一方の手でコントローラー７３を把持してゲームを行う。ディスプレイ７５の画面７５ａには映像が表示され、プレイヤー７８は映像を見てコントローラー７３を操作する。
【００９７】
図１３に示すように、コントローラー７３はプロセッサー７９を備えている。プロセッサー７９には撮像情報演算ユニット８０、操作スイッチ８１、加速度センサー８２、コネクター８３及び無線モジュール８４が接続されている。
【００９８】
撮像情報演算ユニット８０は、第２の実施形態におけるカメラ３８と、カメラ３８で撮像した画像データを処理する画像処理回路８５とを有する。画像処理回路８５はカメラ３８から得られた赤外線画像データを画像処理する。画像処理回路８５は撮影した画像の高輝度部分を抽出し、高輝度部分の重心位置や面積を演算する。そして演算したこれらのデータをプロセッサー７９に出力する。プロセッサー７９は、操作スイッチ８１が検出する操作内容を示す操作データと、加速度センサー８２が検出するコントローラー７３の加速度を示す加速度データ及び高輝度部分データをコントロールデータとして無線モジュール８４に出力する。無線モジュール８４は所定周波数の搬送波をこのコントロールデータで変調する。無線モジュール８４はアンテナ８４ａを備え、アンテナ８４ａから変調したデータを電波信号にして出力する。尚、コントローラー７３に設けられているコネクター８３を通して入力されたデータもプロセッサー７９によって上述のデータと同様に処理されてコントロールデータとして無線モジュール８４及びアンテナ８４ａを介して出力される。アンテナ８４ａから出力されたデータは本体７４に受信される。
【００９９】
コントローラー７３のカメラ３８をディスプレイ７５の画面７５ａに向けると、ディスプレイ７５の近傍に設置された二つのＬＥＤモジュール７６及びＬＥＤモジュール７７から出力される赤外線をカメラ３８が検知する。そして、コントローラー７３は、二つのＬＥＤモジュール７６及びＬＥＤモジュール７７の位置や面積情報を高輝度点の情報として取得する。輝点の位置や大きさのデータがコントローラー７３から無線で本体７４に送信され、本体７４で受信される。プレイヤー７８がコントローラー７３を動かすと、輝点の位置や大きさのデータが変化する。それを利用して、本体７４はコントローラー７３の動きを検出する。そして、コントローラー７３の動きにしたがってゲーム機器７２はゲームを進行させる。
【０１００】
上述したように、本実施形態によれば、以下の効果を有する。
（１）本実施形態によれば、ゲーム機器７２のコントローラー７３に設置されたカメラ３８は焦電型赤外センサー１を備えている。従って、ゲーム機器７２は照射される赤外光１１を感度良く電気信号に変換する焦電型赤外センサー１を有するカメラ３８を備えた装置とすることができる。
【０１０１】
（第６の実施形態）
次に、焦電型赤外センサー１を用いた電子機器である体温測定装置の一実施形態について図１４を用いて説明する。図１４は体温測定装置の構成を示すブロック図である。尚、第１の実施形態及び第２の実施形態と同じ点については説明を省略する。
【０１０２】
すなわち、本実施形態では図１４に示すように、電子機器としての体温測定装置８８は第２の実施形態におけるカメラ３８、体温分析装置８９、情報通信装置９０及びケーブル９１を有している。カメラ３８は、所定の対象領域を撮像する。カメラ３８は撮像された対象者９２の画像情報をケーブル９１を介して体温分析装置８９に送信する。体温分析装置８９には画像読取処理ユニット９３及び体温分析処理ユニット９４が設置されている。画像読取処理ユニット９３はカメラ３８からの熱分布画像を読み取る。
【０１０３】
体温分析処理ユニット９４は画像読取処理ユニット９３からのデータ及び画像分析設定テーブルに基づいて体温分析テーブルを作成する。体温分析処理ユニット９４は、体温分析テーブルに基づいて対象者９２の体温の分布を演算する。そして、対象者９２の体温の分布である体温情報送信用データを情報通信装置９０へ出力する。情報通信装置９０は外部機器に体温情報送信用データを送信する。
【０１０４】
上述したように、本実施形態によれば、以下の効果を有する。
（１）本実施形態によれば、体温測定装置８８に設置されたカメラ３８は焦電型赤外センサー１を備えている。従って、体温測定装置８８は照射される赤外光１１を感度良く電気信号に変換する焦電型赤外センサー１を有するカメラ３８を備えた装置とすることができる。
【０１０５】
（第７の実施形態）
次に、焦電型赤外センサー１を用いた電子機器である特定物質探知装置の一実施形態について図１５を用いて説明する。図１５は特定物質探知装置の構成を示すブロック図である。尚、第１の実施形態及び第２の実施形態と同じ点については説明を省略する。
【０１０６】
すなわち、本実施形態では図１５に示すように、電子機器としての特定物質探知装置９７は制御ユニット９８を備え、制御ユニット９８には第２の実施形態におけるカメラ３８、照射光ユニット９９及び表示部１００が接続されている。カメラ３８には光学フィルター１０１が設置されている。特定物質探知装置９７では、カメラ３８の検出素子３が検出する赤外線の波長域がテラヘルツ域に設定されている。
【０１０７】
制御ユニット９８は、特定物質探知装置９７の全体を制御するシステムコントローラーを備えている。このシステムコントローラーは、制御ユニット９８に含まれる光源駆動部及び画像処理ユニットを制御する。照射光ユニット９９は、波長が１００μｍ〜１０００μｍの範囲にある電磁波であるテラヘルツ光を射出するレーザー装置と光学系を含み、テラヘルツ光を検査対象の人物１０２に照射する。人物１０２から反射した反射テラヘルツ光は、探知対象である特定物質１０３の分光スペクトルのみを通過させる光学フィルター１０１を通過してカメラ３８に受光される。
【０１０８】
カメラ３８で生成された画像信号は、制御ユニット９８内の画像処理ユニットで所定の画像処理が施され、その画像信号が表示部１００へ出力される。そして人物１０２の衣服内等に特定物質１０３が存在するときには表示部１００に特定物質１０３の像が表示される。従って、操作者は表示部１００に特定物質１０３の像が表示されるか否かにより特定物質１０３の存在を判別する。
【０１０９】
上述したように、本実施形態によれば、以下の効果を有する。
（１）本実施形態によれば、特定物質探知装置９７に設置されたカメラ３８は焦電型赤外センサー１を備えている。従って、特定物質探知装置９７は照射される赤外光１１を感度良く電気信号に変換する焦電型赤外センサー１を有するカメラ３８を備えた装置とすることができる。
【０１１０】
尚、本実施形態は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想内で当分野において通常の知識を有する者により種々の変更や改良を加えることも可能である。変形例を以下に述べる。
（変形例１）
前記第１の実施形態では、基板２と赤外光透過層１０との間に反射層９が設置された。基板２が高い反射率にて赤外光１１を反射するときには反射層９を省いても良い。反射層９を設置する工程を省略できるので、生産性良く焦電型赤外センサー１を製造することができる。
【０１１１】
（変形例２）
前記第１の実施形態では、焦電型赤外センサー１において第１配線４及び第２配線５が赤外光１１を透過する構造とした。焦電型赤外センサー１に限らずボロメーター型赤外センサーにおいても第１配線４及び第２配線５を設置し、第１配線４及び第２配線５が赤外光１１を透過する構造としても良い。このときにも、ボロメーター型の検出素子に基板２側から赤外光１１を照射させることができる。
【０１１２】
（変形例３）
前記第１の実施形態では、第１配線４及び第２配線５は基板２の検出素子３側の面に設置されていた。第１配線４及び第２配線５の一部は貫通電極を介して検出素子３の反対側の面に設置してもよい。他にも、第１配線４及び第２配線５の一部は基板２と赤外光透過層１０との間に設置しても良い。第１配線４及び第２配線５が基板２の検出素子３側を占める面積を小さくすることができる。尚、変形例１〜３の内容は他の実施形態及び他の変形例にも適用できる。
【符号の説明】
【０１１３】
１…赤外センサーとしての焦電型赤外センサー、２…基板、３…検出素子、４…配線としての第１配線、５…配線としての第２配線、８…マスク膜としての中間配線、９…反射膜としての反射層、１０…赤外光透過膜としての赤外光透過層、１１…赤外光、１４…マスク膜としての第２導電層、１８…マスク膜としての保護層、３１…酸化イリジウム膜としての第１下地中間材料層、３２…導電膜としての第１導電中間材料層、３８…電子機器としてのカメラ、５２…電子機器としての運転支援装置、６３…電子機器としてのセキュリティー機器、７２…電子機器としてのゲーム機器、８８…電子機器としての体温測定装置、９７…電子機器としての特定物質探知装置。
【図１】
2016205913.tif 000003
【図２】
2016205913.tif 000004
【図３】
2016205913.tif 000005
【図４】
2016205913.tif 000006
【図５】
2016205913.tif 000007
【図６】
2016205913.tif 000008
【図７】
2016205913.tif 000009
【図８】
2016205913.tif 000010
【図９】
2016205913.tif 000011
【図１０】
2016205913.tif 000012
【図１１】
2016205913.tif 000013
【図１２】
2016205913.tif 000014
【図１３】
2016205913.tif 000015
【図１４】
2016205913.tif 000016
【図１５】
2016205913.tif 000017