(57)【要約】【課題】噴霧ＣＶＤ法を用いて低抵抗且つ緻密な金属膜を製造する金属張基板の製造方法を提供し、金属張基板を提供し、金属張基板製造用組成物を提供する。【解決手段】金属張基板製造用組成物１１は、周期表の第１０族および第１１族の金属よりなる群から選ばれる１種以上の金属の塩である金属塩並びにアミン化合物を含有する。金属張基板の製造方法は、装置１０を用い、不活性ガス雰囲気下、基板９を成膜槽４内の加熱プレート８上に載置して加熱する工程（１）と、その基板９に、噴霧ユニット３を用いて金属張基板製造用組成物１１を噴霧する工程（２）とを有し、金属張基板を製造する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を加熱する工程（１）と、
前記基板に、少なくとも、周期表の第１０族及び第１１族の金属よりなる群から選ばれる１種以上の金属の塩である金属塩並びにアミン化合物を含有する金属張基板製造用組成物を噴霧する工程（２）と
を有することを特徴とする金属張基板の製造方法。
【請求項２】
前記金属塩が、銅塩またはニッケル塩である請求項１に記載の金属張基板の製造方法。
【請求項３】
前記金属塩が、カルボン酸塩または水酸化物塩である請求項１または２に記載の金属張基板の製造方法。
【請求項４】
少なくとも、前記工程（２）が、不活性ガス雰囲気下で行われる請求項１〜３のいずれか１項に記載の金属張基板の製造方法。
【請求項５】
前記工程（１）の前記基板の加熱温度が、１１０℃〜３００℃である請求項１〜４のいずれか１項に記載の金属張基板の製造方法。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載の金属張基板の製造方法によって製造されることを特徴とする金属張基板。
【請求項７】
少なくとも、周期表の第１０族及び第１１族の金属よりなる群から選ばれる１種以上の金属の塩である金属塩、並びにアミン化合物を含有し、ＳＰＤ法による金属張基板の製造方法に用いられることを特徴とする金属張基板製造用組成物。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、金属張基板の製造方法、及びその使用に関し、特に、銅張基板等の金属張基板の製造方法、それによって製造される金属張基板、及びその金属張基板の製造方法に有用な金属張基板製造用組成物に関する。
【背景技術】
【０００２】
配線基板は、プリント配線基板等とも称され、電子機器の分野において、他の電子部品を固定して配線するための主要な機器となっている。この配線基板は、パターニングされた金属膜が基板上に形成されて、配線、電極及び端子等を構成している。
【０００３】
電子機器の分野において、プリント配線基板と同様にパターニングされた金属膜を基板上に形成し、それらを配線等として用いるものとしては、他にタッチパネル、液晶表示素子及び有機ＥＬ素子等がある。
【０００４】
配線基板を製造する場合、基板上に金属膜である配線等のパターンを形成する方法としては、例えば、フォトリソグラフィ技術を利用する方法が知られている。この方法では、先ず、均質なベタ状の金属膜を基板上に形成する。このようなベタ状の金属膜を基板上に形成する方法として、特許文献１では、ギ酸銅と、アンモニア水を含む溶液を、加熱した基板に噴霧することで銅膜を形成する方法が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００９−１６７５２２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の課題は、低抵抗且つ緻密な金属膜を製造する金属張基板の製造方法を提供することにあり、また、該金属張基板の製造方法によって形成される金属張基板、及び該金属張基板の製造方法に有用な金属張基板製造用組成物、を提供することにある。
【０００７】
本発明の他の課題及び利点は、以下の記載から明らかとなるであろう。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者は上記課題を解決すべく鋭意検討を行った。その結果、以下の構成を有するレーザー加工用銅膜形成用組成物を用いることで、上記課題を解決できることを見出し、本発明を完成するに至った。
【０００９】
すなわち本発明は、以下の［１］〜［７］に関する。
［１］基板を加熱する工程（１）と、
前記基板に、少なくとも、周期表の第１０族及び第１１族の金属よりなる群から選ばれる１種以上の金属の塩である金属塩並びにアミン化合物を含有する金属張基板製造用組成物を噴霧する工程（２）と
を有することを特徴とする金属張基板の製造方法。
［２］前記金属塩が、銅塩またはニッケル塩である［１］に記載の金属張基板の製造方法。
［３］前記金属塩が、カルボン酸塩または水酸化物塩である［１］または［２］に記載の金属張基板の製造方法。
［４］少なくとも、前記工程（２）が、不活性ガス雰囲気下で行われる［１］〜［３］のいずれかに記載の金属張基板の製造方法。
［５］前記工程（１）の前記基板の加熱温度が、１１０℃〜３００℃である［１］〜［４］のいずれかに記載の金属張基板の製造方法。
［６］［１］〜［５］のいずれかに記載の金属張基板の製造方法によって製造されることを特徴とする金属張基板。
［７］少なくとも、周期表の第１０族及び第１１族の金属よりなる群から選ばれる１種以上の金属の塩である金属塩、並びにアミン化合物を含有し、ＳＰＤ法による金属張基板の製造方法に用いられることを特徴とする金属張基板製造用組成物。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の金属張基板の製造方法は、低抵抗且つ緻密な金属張基板を製造できる。
【００１１】
本発明の金属張基板は、本発明の金属張基板の製造方法によって製造される金属張基板であることから、低抵抗且つ緻密な金属張基板である。
【００１２】
本発明の金属張基板製造用組成物は、本発明の金属張基板の製造方法に好適に用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の第１実施形態の金属張基板の製造方法で用いられる装置の例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
噴霧により塗膜を形成する方法は、ＳＰＤ法（Ｓｐｒａｙ  Ｐｙｒｏｌｙｓｉｓ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ法）とも称さる。
【００１５】
以下、適宜図面を用いて、金属張基板の製造方法（第１実施形態）について説明する。次いで、本第１実施形態の金属張基板の製造方法によって製造される金属張基板（第２実施形態）について説明し、次いで、金属張基板製造用組成物（第３実施形態）について説明する。
【００１６】
第１実施形態
＜金属張基板の製造方法＞
本発明の金属張基板の製造方法は、ＳＰＤ法を用いてなる金属張基板の製造方法である。
【００１７】
本発明の金属張基板の製造方法は、基板を加熱する工程（１）（以下、単に、工程（１）ということがある。）、並びに、その基板に、後述する本発明の第２実施形態の金属張基板製造用組成物を噴霧する工程（２）（以下、単に、工程（２）ということがある。）を有して構成される。
【００１８】
そして、本発明の第１実施形態の金属張基板の製造方法では、ＳＰＤ法を実施するための装置を用いて、金属張基板を製造することができる。
【００１９】
本発明の金属張基板の製造方法では、例えば、図１に示す装置１０を使用することができる。装置１０を用い、後述する本発明の金属張基板製造用組成物を用いて、ＳＰＤ法により、金属張基板を製造することができる。
【００２０】
以下、適宜、図１を参照しながら、本発明の金属張基板の製造方法について説明する。
【００２１】
装置１０は、図１に示すように、窒素１３の導入口となる不活性ガス流入口５及びガス排出口６を備えた成膜槽４内に、金属張基板製造用の基板９を載置して加熱することができる加熱プレート８と、加熱プレート８上の基板９に後述する本発明の第２実施形態の金属張基板製造用組成物１１を噴霧するための噴霧ユニット３とを有する。
【００２２】
装置１０の噴霧ユニット３は、図１に示すように、成膜槽４の外に配置された、本発明の第２実施形態の金属張基板製造用組成物を供給するための供給タンク１及び噴霧に使用される圧縮不活性ガスを供給するための圧縮ガス供給部２にそれぞれ配管７を用いて接続される。そして、噴霧ユニット３は、加熱プレート８の上に載置された基板９上に、本発明の金属張基板製造用組成物を、連続的、又は間欠的に噴霧できるように構成されている。
【００２３】
本発明の金属張基板の製造方法で用いられる基板９としては、配線基板、半導体装置、タッチパネル、液晶表示素子及び有機ＥＬ素子等に採用されている基板を用いることができる。
【００２４】
基板９としては、例えば、低密度ポリエチレン樹脂基板、高密度ポリエチレン樹脂基板、ＡＢＳ樹脂基板、アクリル樹脂基板、スチレン樹脂基板、塩化ビニル樹脂基板、ポリエステル基板、ポリアセタール基板、及びセルロース誘導体樹脂基板等の樹脂基板；銅板、鉄板、及びアルミ板等の金属基板；ソーダガラス基板、ホウケイ酸ガラス基板、石英ガラス基板、アルミナ基板、サファイア基板、ジルコニア基板、チタニア基板、酸化イットリウム基板、及びＩＴＯ基板の無機酸化物基板；並びに窒化ケイ素基板等の無機窒化物基板が挙げられる。
【００２５】
工程（１）においては、上述のような基板９が、成膜槽４内に挿入され、加熱プレート８上に載置される。成膜槽４には、下方側に不活性ガス流入口５を備え、上方側に不活性ガス及び熱分解ガス等が排出されるガス排出口６を備えている。そして、成膜槽４内は、不活性ガス流入口５から供給された不活性ガスによって不活性ガス雰囲気となる。
【００２６】
前記加熱プレート８は、内部にヒータ１２を備えており、その上の基板９を所定の温度で加熱することができる。
【００２７】
基板９の加熱温度は、使用される本発明の第２実施形態の金属張基板製造用組成物が金属塩を還元し、且つアミン化合物が揮発又は分解してから揮発する温度であればよく、通常、１１０〜３００℃の範囲、好ましくは１１０℃〜２５０℃の範囲が好ましく、１１０℃〜２００℃の範囲がより好ましい。
【００２８】
工程（２）においては、工程（１）により、不活性ガス雰囲気の下で所定の温度に加熱されている基板９の一面側に向けて、本発明の金属張基板製造用組成物１１を、噴霧ユニット３から噴霧する。噴霧ユニット３には、成膜槽４の外側に設けられた供給タンク１から配管７を経由して、本発明の金属張基板製造用組成物１１が供給される。
【００２９】
噴霧ユニット３からの金属張基板製造用組成物１１の噴霧は、基板９の温度を可及的に維持できるように間欠的に行うことが好ましい。噴霧ユニット３から基板９に向けて金属張基板製造用組成物１１を連続して噴霧していると、噴霧された霧滴中の溶媒等の揮発成分の蒸発によって基板９の温度が低下しやすくなり、所望とする金属膜形成反応の効率が低下するためである。
【００３０】
工程（２）において噴霧ユニット３から基板９に向けて噴霧された金属張基板製造用組成物１１の霧滴は、成膜槽４内の雰囲気温度及び基板９の加熱温度で溶媒等の揮発成分が蒸発して析出した成分が熱反応して、基板９の一面側に金属膜を形成する。
【００３１】
前記不活性ガスとしては、窒素、ヘリウム及びアルゴン等が挙げられる。
【００３２】
第２実施形態
＜金属張基板＞
本発明の金属張基板は、金属張基板の製造方法によって製造されることを特徴とする。本発明の金属張基板は、低抵抗且つ緻密な金属膜、例えば、低抵抗且つ緻密な銅膜を有し、基板上にそのような金属膜を配置した基板として使用することができる。また、本発明の金属張基板は、その基板上の金属膜をフォトリソグラフィ法等の公知の方法を利用してパターニングすることで、配線基板の他、タッチパネル、液晶表示素子及び有機ＥＬ素子等の基板を構成することができる。
【００３３】
第３実施形態
＜金属張基板製造用組成物＞
本発明の金属張基板製造用組成物は、周期表の第１０族及び第１１族の金属よりなる群から選ばれる１種以上の金属の塩である金属塩（以下、（Ａ）成分ともいう）、並びにアミン化合物（以下、（Ｂ）成分ともいう）を含む組成物であり、還元反応型の金属膜形成用組成物である。
【００３４】
本発明の金属張基板製造用組成物は、本発明の金属張基板の製造方法に用いられる。本発明の金属張基板製造用組成物は、上述の組成を有することにより、本発明の金属張基板の製造方法に適用することで、２５０℃以下の加熱温度で金属膜を形成することが可能である。
【００３５】
［（Ａ）成分］
（Ａ）成分は、周期表の第１０族及び第１１族の金属よりなる群から選ばれる１種以上の金属の塩である金属塩である。
【００３６】
（Ａ）成分としては、ニッケル（Ｎｉ）、パラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）及び金（Ａｕ）よりなる群から選ばれる１種以上の金属を含む金属塩が挙げられる。
【００３７】
これらの中で、ＳＰＤ法への適用に好適で、より低い製造コストにて低抵抗の金属膜を形成するという観点から、銅塩及びニッケル塩よりなる群から選ばれる少なくとも１種を含む金属塩を含有することが好ましい。
【００３８】
前記、銅塩としては、例えば、水酸化銅、銅フッ化物、銅塩化物、銅臭化物、銅ヨウ化物、亜硝酸銅塩、硝酸銅塩、亜硫酸銅塩、硫酸銅塩、亜リン酸銅塩、リン酸銅塩、ピロリン酸銅塩、及びカルボン酸銅塩、並びにこれらの水和物等が挙げられる。これら銅塩のなかでも、カルボン酸銅塩、及びこれらの水和物が、良好な銅膜を形成できることから好ましい。銅塩（Ａ）は、１種単独でも用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
【００３９】
銅カルボン酸塩、及びその水和物としては、酢酸銅、トリフルオロ酢酸銅、プロピオン酸銅、酪酸銅、イソ酪酸銅、２−メチル酪酸銅、２−エチル酪酸銅、吉草酸銅、イソ吉草酸銅、ピバリン酸銅、ヘキサン酸銅、ヘプタン酸銅、オクタン酸銅、２−エチルヘキサン酸銅、及びノナン酸銅等の脂式カルボン酸との銅塩；マロン酸銅、コハク酸銅、及びマレイン酸銅等のジカルボン酸との銅塩；安息香酸銅、サリチル酸銅等の芳香族カルボン酸との銅塩；ギ酸銅、ヒドロキシ酢酸銅、グリオキシル酸銅、乳酸銅、シュウ酸銅、酒石酸銅、リンゴ酸銅、クエン酸銅等の還元力を有するカルボン酸との銅塩；並びに前記銅塩の水和物等が挙げることができる。
【００４０】
銅水酸化物としては、例えば、水酸化銅を挙げることができる。そして、好ましい水酸化銅としては、Ｃｕ（ＯＨ）２で表される２価の銅の水酸化物塩（水酸化第二銅）を挙げることができる。
【００４１】
これらの中でも、ＳＰＤ法に適用されて低抵抗の金属膜（銅膜）を形成する観点から、酢酸銅、トリフルオロ酢酸銅、プロピオン酸銅、酪酸銅、イソ酪酸銅、２−メチル酪酸銅、ピバリン酸銅、ギ酸銅、ヒドロキシ酢酸銅、グリオキシル酸銅、シュウ酸銅、及びこれらの水和物、並びに、水酸化第二銅がより好ましい。
【００４２】
前記、ニッケル塩としては、ニッケルカルボン酸塩、及びニッケル水酸化物、並びにその水和物が挙げられる。
【００４３】
ニッケルカルボン酸塩、及びその水和物としては、ニッケルオクトアート、ギ酸ニッケル、酢酸ニッケル、アクリル酸ニッケル、メタクリル酸ニッケル、吉草酸ニッケル、グルコン酸ニッケル、クエン酸ニッケル、フマル酸ニッケル、乳酸ニッケル、マレイン酸ニッケル、シュウ酸ニッケル、２-エチルへキサン酸ニッケル、ネオデカン酸ニッケル、ナフテン酸ニッケル、ステアリン酸ニッケル、オレイン酸ニッケル、安息香酸ニッケル、及びピコリン酸ニッケル、並びにこれらの水和物等が挙げられる。
【００４４】
ニッケル水酸化物塩としては、水酸化ニッケル（ＩＩ）が挙げられる。
【００４５】
これら金属塩の中でも、低抵抗の銅膜や銅配線を形成できることから、ギ酸銅（ＩＩ）、及びギ酸銅（ＩＩ）４水和物、並びにこれらの組み合わせが好ましい。
【００４６】
（Ａ）成分の純度については特に限定されない。しかしながら、低純度であると金属膜を形成した際に、導電性（抵抗特性）に悪影響を与えるおそれがある。したがって、（Ａ）成分の金属塩の純度は９０％以上が好ましく、９５％以上がさらに好ましい。
【００４７】
［（Ｂ）成分］
アミン化合物としては、例えば、下記一般式（１）、下記一般式（２）及び下記一般式（３）で示される化合物を挙げることができる。
【００４８】
【化１】
2016141852.tif 000003
【００４９】
上記一般式（１）中、Ｒ１、Ｒ２は、それぞれ独立に水素原子、炭素数１〜１８のアルキル基、または、炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基を示す。Ｒ３は、単結合、メチレン基、炭素数２〜１２のアルキレン基、または、フェニレン基を示す。Ｒ４は、水素原子、炭素数１〜１８のアルキル基、炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基、アミノ基、ジメチルアミノ基、または、ジエチルアミノ基を示す。
【００５０】
【化２】
2016141852.tif 000004
【００５１】
上記一般式（２）中、Ｒ５、Ｒ６は、それぞれ独立に水素原子、炭素数１〜１８のアルキル基、または、炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基を示す。Ｒ７は、メチレン基、炭素数２〜１２のアルキレン基、または、フェニレン基を示す。Ｒ８は、炭素数１〜１８のアルキル基、または、炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基を示す。但し、Ｒ５及びＲ６が水素原子の場合、Ｒ８はメチル基及びエチル基以外を示す。
【００５２】
【化３】
2016141852.tif 000005
【００５３】
上記一般式（３）中、Ｒ９、Ｒ１０は、それぞれ独立に水素原子、炭素数１〜１８のアルキル基、または、炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基を示す。Ｒ１１は、炭素数２〜１２の三価の炭化水素基を示す。Ｒ１２、Ｒ１３は、それぞれ独立に、炭素数１〜１８のアルキル基、または、炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基を示す。
【００５４】
前記Ｒ１、Ｒ２、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ９、及びＲ１０の炭素数１〜１８のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、ステアリル基、イソプロピル基、ｓｅｃ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、１−エチルプロピル基、１，１−ジメチルプロピル基、１，２−ジメチルプロピル基、１，１，２−トリメチルプロピル基、１，２，２−トリメチルプロピル基、１，３−ジメチルブチル基、ネオペンチル基、１，５−ジメチルヘキシル基、２−エチルヘキシル基、４−ヘプチル基、２−ヘプチル基等が挙げられる。Ｒ１及びＲ２の炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基としては、シクロヘキシル基、及びシクロペンチル基等が挙げられる。
【００５５】
前記Ｒ３、及びＲ７の炭素数２〜１２のアルキレン基としては、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、イソブチレン基、及びノニル基等が挙げられる。
【００５６】
前記Ｒ４、Ｒ８、Ｒ１２、及びＲ１３の炭素数１〜１８のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、ステアリル基、イソプロピル基、ｓｅｃ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、１−エチルプロピル基、１，１−ジメチルプロピル基、１，２−ジメチルプロピル基、１，１，２−トリメチルプロピル基、１，２，２−トリメチルプロピル基、１，３−ジメチルブチル基、ネオペンチル基、１，５−ジメチルヘキシル基、２−エチルヘキシル基、４−ヘプチル基、及び２−ヘプチル基等が挙げられる。Ｒ４、Ｒ８、Ｒ１２、及びＲ１３の炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基としては、シクロヘキシル基、及びシクロペンチル基等が挙げられる。
【００５７】
上記一般式（１）で表されるアミン化合物としては、メチルアミン、エチルアミン、プロピルアミン、ブチルアミン、ペンチルアミン、ヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチルアミン、ノニルアミン、デシルアミン、ウンデシルアミン、ドデシルアミン、ステアリルアミン、イソプロピルアミン、ｓｅｃ−ブチルアミン、イソブチルアミン、ｔｅｒｔ−ブチルアミン、イソペンチルアミン、ネオペンチルアミン、ｔｅｒｔ−ペンチルアミン、１−エチルプロピルアミン、１，１−ジメチルプロピルアミン、１，２−ジメチルプロピルアミン、２−メチルブチルアミン、１，１，２−トリメチルプロピルアミン、１，２，２−トリメチルプロピルアミン、１，３−ジメチルブチルアミン、ネオペンチルアミン、１，５−ジメチルヘキシルアミン、２−エチルヘキシルアミン、４−ヘプチルアミン、２−ヘプチルアミン、シクロヘキシルアミン、シクロペンチルアミン、エチレンジアミン、Ｎ−メチルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジメチルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルエチレンジアミン、Ｎ−エチルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジエチルエチレンジアミン、１，３−プロパンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジメチル−１，３−プロパンジアミン、１，４−ブタンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジメチル−１，４−ブタンジアミン、１，５−ペンタンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジメチル−１，５−ペンタンジアミン、１，６−ヘキサンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジメチル−１，６−ヘキサンジアミン等が挙げられる。
【００５８】
前記Ｒ８としては、Ｒ１及びＲ２に挙げた基が挙げられる。
【００５９】
上記一般式（２）で表されるアミン化合物としては、メトキシ（メチル）アミン、２−メトキシエチルアミン、３−メトキシプロピルアミン、４−メトキシブチルアミン、エトキシ（メチル）アミン、２−エトキシエチルアミン、３−エトキシプロピルアミン、４−エトキシブチルアミン、プロポキシメチルアミン、２−プロポキシエチルアミン、２−イソプロポキシプロピルアミン、３−イソプロポキシプロピルアミン、２−プロポキシプロピルアミン、３−プロポキシプロピルアミン、４−プロポキシブチルアミン、ブトキシメチルアミン、ブトキシエチルアミン、２−ブトキシプロピルアミン、３−ブトキシプロピルアミン、３−（２−エチルヘキシルオキシ）プロピルアミン、３−イソブトキシプロピルアミン、４−ブトキシブチルアミン、オキシビス（エチルアミン）等が挙げられる。
【００６０】
上記一般式（３）で表されるアミン化合物としては、アミノアセトアルデヒドジエチルアセタール等が挙げられる。
【００６１】
金属張基板製造用組成物中に含まれるアミン化合物の含有割合としては、通常、０．１質量％〜９９質量％、好ましくは１質量％〜９０質量％、さらに好ましくは２質量％〜７０質量％である。
【００６２】
金属張基板製造用組成物中に含まれる（Ｂ）アミン化合物の含有割合を前記範囲とすることによって、より低い温度での加熱によって、より低い抵抗値の金属膜を形成することができる。
【００６３】
本発明の金属張基板製造用組成物は、上述した（Ａ）成分及び（Ｂ）成分に加え、本発明の目的や効果を損なわない限りにおいて、溶剤、銅粒子、分散剤、酸化防止剤、濃度調整剤、表面張力調整剤、粘度調整剤、及び塗膜形成補助剤等の成分を含有することが可能である。
【００６４】
［溶剤］
溶剤は、金属張基板製造用組成物の粘度調整を行うために用いられるものである。
【００６５】
前記溶剤としては、金属張基板製造用組成物中に含まれる成分を溶解または分散することができるものであればよく、例えば、水、アルコール類、エーテル類、エステル類、脂肪族炭化水素類、及び芳香族炭化水素類、並びにこれらの組み合わせが挙げられる。
【００６６】
前記アルコール類としては、メタノール、エタノール、ｎ−プロピルアルコール（１−プロパノール）、ｉ−プロピルアルコール、ｎ−ブチルアルコール（１−ブタノール）、ｉ−ブチルアルコール、ｓｅｃ−ブチルアルコール、ペンタノール、ヘキサノール、ヘプタノール、オクタノール、ノニルアルコール、デカノール、シクロヘキサノール、ベンジルアルコール、ターピネオール、ジヒドロターピネオール等が挙げられる。
【００６７】
エーテル類としては、ヘキシルメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、トリエチレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル等が挙げられる。
エステル類としては、ギ酸メチル、ギ酸エチル、ギ酸ブチル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、プロピオン酸メチル、プロピオン酸エチル、プロピオン酸ブチル、γ−ブチロラクトン、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールエチルエーテルアセテート、及びジプロピレングリコールメチルエーテルアセテート等が挙げられる。
脂肪族炭化水素類としては、ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−ヘプタン、ｎ−オクタン、ｎ−ノナン、ｎ−デカン、ｎ−ウンデカン、ｎ−ドデカン、テトラデカン、シクロヘキサン、及びデカリン等が挙げられる。
芳香族炭化水素類としては、ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、ｎ−プロピルベンゼン、ｉ−プロピルベンゼン、ｎ−ブチルベンゼン、メシチレン、テトラリン、クロロベンゼン、及びジクロロベンゼン等が挙げられる。
これらの中でも、金属張基板製造用組成物の粘度の調整のし易さの観点から、エーテル類が好ましい。
【００６８】
［金属張基板製造用組成物の製造］
金属張基板製造用組成物は、少なくとも、（Ａ）成分及び（Ｂ）成分を混合することで、製造することができる。混合する順序は特に限定されるものではない。また、ゴミを取り除くために、各成分を均一に混合した後、得られた混合物をフィルター等で濾過してもよい。
【００６９】
前記混合は、例えば、撹拌羽による撹拌、スターラー、及び撹拌子による撹拌、超音波ホモジナイザー、ビーズミル、ペイントシェーカー、並びに攪拌脱泡装置を使用して行う。
【実施例】
【００７０】
以下、本発明を実施例に基づいてさらに具体的に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されない。以下の実施例等の記載において、特に言及しない限り、「部」は「質量部」の意味で用いる。
【００７１】
＜［１］金属張基板製造用組成物の製造＞
［製造例１］
下記の表１に示す各種成分を均一に混合することで、製造例１〜製造例４、及び、比較製造例１の金属張基板製造用組成物を製造した。
尚、表１中に記載の各種成分の詳細は以下の通りである。
【００７２】
Ａ１：無水ギ酸銅（ＩＩ）
Ａ２：水酸化銅（ＩＩ）
Ａ３：酢酸銅（ＩＩ）１水和物
Ａ４：ギ酸銅（ＩＩ）４水和物
Ｂ１：２−メチルブチルアミン
Ｂ２：２−エチルヘキシルアミン
Ｂ３：３−エトキシプロピルアミン
Ｂ４：ヘプチルアミン
Ｃ１：ヘキサノール
Ｃ２：プロピレングリコールジメチルエーテル
Ｃ３：ヘキシルメチルエーテル
Ｃ４：エタノール
Ｄ１：ギ酸
Ｄ２：２５重量％アンモニア水
【００７３】
【表１】
2016141852.tif 000006
【００７４】
＜［２］金属張基板の製造＞
［実施例１］
上述の、図１に示した装置１０を使用して、本実施例においては、ビスマレイミドトリアジン樹脂基板（商品名「ＣＣＬ−ＨＬ８３０」、三菱瓦斯化学社製）に、エポキシ樹脂膜（商品名「ＡＢＦ−ＧＸ１３」、味の素ファインテクノ社製）をラミネートした基板９のエポキシ樹脂膜面に、銅膜を形成した。
【００７５】
初めに、本実施例では、製造例１の金属張基板製造用組成物を供給タンク１に入れ、基板９を加熱プレート８の上に載置し、基板９の表面を１５０℃に加熱した。次いで、成膜槽４に不活性ガス流入口５から窒素ガスを５０リットル／分で流入させ、成膜槽４内の酸素濃度を１００ｐｐｍ以下の窒素雰囲気にした。次に、噴霧ユニット３から、間欠的に噴霧０．５秒／インターバル１０秒を１００回繰り返し、基板９のエポキシ樹脂膜面に膜厚４５０ｎｍの銅膜を有する金属張基板を製造した。
【００７６】
［実施例２〜４、及び比較例１］
実施例２〜４、及び比較例１においては、上述の実施例１で使用された製造例１の金属張基板製造用組成物に代えて、製造例２〜４及び比較製造例１の金属張基板製造用組成物を用い、それ以外は上述した実施例１と同様の方法と操作によって、膜厚４５０ｎｍの銅膜を有する実施例２〜４、及び比較例１の金属張基板を製造した。
【００７７】
［比較例２］
ビスマレイミドトリアジン樹脂基板（商品名「ＣＣＬ−ＨＬ８３０」、三菱瓦斯化学社製）に、エポキシ樹脂膜（商品名「ＡＢＦ−ＧＸ１３」、味の素ファインテクノ社製）をラミネートした基板上に、バーコーターにて製造例１の金属張基板製造用組成物の塗膜を形成した。次いで、形成された塗膜を、酸素濃度が１００ｐｐｍ以下の窒素雰囲気下で、ホットプレートで１５０℃１０分加熱し、膜厚４２０ｎｍの銅膜を有する比較例２の金属張基板を製造した。
【００７８】
＜［３］評価＞
［実施例５：体積抵抗値の評価］
上述の実施例１〜４及び比較例１〜２の各基板を用い、各基板の銅膜の体積抵抗値（μΩ・ｃｍ）を、四探針抵抗測定機（商品名「Ｍｏｄｅｌ  ｓｉｇｍａ−５」、ＮＰＳ社製）を用いて測定した。評価結果を表２に示す。
【００７９】
［実施例６：緻密性の評価］
上述の実施例１〜４及び比較例１〜２の各基板を用い、各基板の銅膜を収束イオンビーム加工（ＦＩＢ）にて断面加工し、高分解能走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）にて観測し、充填性すなわちボイド発生の状態を評価した。評価は以下の２段階で行った。評価結果を表２に示す。
○：ボイドなし
×：ボイドあり
【００８０】
【表２】
2016141852.tif 000007
【００８１】
上記表２に示す評価結果より、実施例１〜４の金属張基板は、いずれも低抵抗且つ緻密な銅膜を有することがわかった。それに対し、比較例１〜２の金属張基板はいずれも、その銅膜が、低抵抗性と緻密性とを両立させることができないことがわかった。
【００８２】
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。
【産業上の利用可能性】
【００８３】
本発明の金属張基板は、低抵抗且つ緻密な金属膜を有して構成されることから、プリント配線基板の製造用として有用であり、その工業的な実用性は極めて高い。また、タッチパネル、液晶表示素子及び有機ＥＬ素子等の製造用としても有用である。
【符号の説明】
【００８４】
１    供給タンク
２    圧縮ガス供給部
３    噴霧ユニット
４    成膜槽
５    不活性ガス流入口
６    ガス排出口
７    配管
８    加熱プレート
９    基板
１０    装置
１１    金属張基板製造用組成物
１２    ヒータ
１３    窒素
【図１】
2016141852.tif 000008