(57)【要約】【課題】  コクリングの発生を抑制することができる画像記録装置および画像記録方法を提供する。【解決手段】  画像記録装置１は、画像データに基づき複数のインク滴を吐出するヘッド部４と、ヘッド部４から吐出され、基材の表面に付着したインクに電磁波を照射して当該インクを加熱する乾燥部５と、乾燥部５により乾燥処理された基材のコクリングを測定する測定部６と、測定部６による測定結果に基づいて、電磁波による定在波のピークｐ位置を変更するように乾燥部を制御する制御部８と、ヘッド部４および乾燥部５に対して基材を搬送させる搬送駆動部９０と、を備える。【選択図】図７
2016147396.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材に向けて、画像データに基づき複数のインク滴を吐出するヘッド部と、
ヘッド部から吐出され、基材の表面に付着したインクに電磁波を照射して当該インクを加熱する乾燥部と、
乾燥部により乾燥処理された基材のコクリングを測定する測定部と、
測定部による測定結果に基づいて、電磁波による定在波のピーク位置を変更するように乾燥部を制御する制御部と、
ヘッド部および乾燥部に対して基材を相対移動させる移動部と、
を備える画像記録装置。
【請求項２】
請求項１に記載される画像記録装置において、
乾燥部は、
電磁波を発生させる電磁波発生部と、
電磁波発生部で発生された電磁波が出射される位相器部と、
位相器部から出射された電磁波を反射する反射部と、
位相器部から出射され、反射部により反射された電磁波により定在波が、その内部に発生する導波管部と、
を有する導波部を備え、
制御部は、導波管部内に発生している定在波の節の位置を変更してピーク位置を変更する画像記録装置。
【請求項３】
請求項２に記載される画像記録装置において、
位相器部は電磁波の進行方向に配列された複数の位相器を有し、
反射部は電磁波の進行方向に配列された複数の反射面を有し、
制御部は複数の位相器を導波管部に対して選択的に進退させるとともに、複数の反射面を導波管部に対して選択的に進退させる画像記録装置。
【請求項４】
請求項２または請求項３に記載される画像記録装置において、
乾燥部は複数の導波部を有し、各導波部における位相器部および反射部が電磁波の進行方向においてずれている画像記録装置。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれかに記載される画像記録装置において、
ヘッド部は、それぞれ異なる色の液滴を吐出する複数のヘッドを有し、
乾燥部は、複数のヘッドよりも、移動部による基材の相対移動方向における下流側の位置に配置される画像記録装置。
【請求項６】
請求項１から請求項４のいずれかに記載される画像記録装置において、
ヘッド部は、それぞれ異なる色の液滴を吐出する複数のヘッドを有し、
乾燥部は、複数の乾燥部を有し、
各ヘッドよりも、移動部による基材の相対移動方向における下流側の位置にそれぞれ乾燥部が配置される画像記録装置。
【請求項７】
相対移動する基材に向けて、画像データに基づき複数のインク滴を吐出す吐出工程と、
吐出工程により吐出され、基材の表面に付着したインクに電磁波を照射して当該インクを加熱する乾燥工程と、
乾燥工程後の基材のコクリングを測定する測定工程と、
測定工程による測定結果に基づいて、電磁波による定在波のピーク位置を変更する変更工程と、
を含む画像記録方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インクジェット方式により、用紙等の基材に向けてインク滴を吐出して基材の表面に画像を記録する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来のインクジェット方式の画像記録装置は、例えば、ヘッドに対してその長手方向に移動する長尺帯状（ウエブ状）の基材の表面に向けて、ヘッドに設けられた複数の吐出口からインク滴を画像データに基づいて吐出することにより、基材の表面にインクを付着させる。その後、インクが付着した基材に対して乾燥処理が施されて、基材の表面に画像が記録される。
【０００３】
上記乾燥処理において、基材の表面に付着したインクに対して電磁波を照射する乾燥方式が例えば、特許文献１、特許文献２に開示されている。また、上記乾燥方式に関し、電磁波の一種であるマイクロ波を用いた加熱装置について例えば特許文献３に開示されている。
【０００４】
上記特許文献１乃至３に記載する乾燥方式によると、基材の表面に付着したインクに電磁波を照射して、インクの溶剤（水性インクの場合は水分）の分子を振動させ、加熱してインクを乾燥させる。この乾燥方式はインクの溶剤のみを選択的に加熱するので、他の乾燥方式、例えば、基材に熱風を吹き付けたり、基材にヒートドラムを接触させたりする乾燥方式と比べて、効率の良い乾燥方式である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特許第５０５４６５１号公報（例えば段落００１９、図３）
【特許文献２】特許第３６４２７６４号公報（例えば段落００１８、図４）
【特許文献３】特許第５５３６７４３号公報（例えば段落００４０、図１）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
基材の表面に付着するインクの分布は、基材の表面に記録すべき画像に応じた値となるため、基材の表面におけるインクの付着量は、当該表面内において不均一となる。この結果、基材の表面から吸収されるインクの溶剤（水性インクの場合は水分）量も表面内において不均一となる。
【０００７】
上述のようにインクの吸収量が表面内において不均一な基材の表面に対して、電磁波を照射すると、吸収量が不均一な状態で乾燥処理が進行する。この結果、基材が変形したり収縮したりして、基材に波打ち状の皺が発生するコクリングが生じる、という問題が発生する。このコクリングに起因して、基材に記録される画像に劣化が生じる。また、コクリングがヘッドに対向している基材の上流側にも及ぶと、ヘッドから吐出されたインク滴が基材の所望位置に着液しないという問題も発生する。
【０００８】
コクリングを抑制するために、基材に照射する電磁波のエネルギーを下げる方法が考えられるが、この方法では基材表面のインク付着量が多い領域においてインクを十分に乾燥させることができず基材に記録される画像に劣化が生じる、という別の問題が発生する。また、未乾燥のインクが搬送ローラ等に付着し、このインクが後続の画像に転写されるとこの画像にも劣化が生じる。
【０００９】
本発明の目的は、上述のような点に鑑み、コクリングの発生を抑制することができる画像記録装置および画像記録方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
請求項１に係る第１発明（画像記録装置）は、基材に向けて、画像データに基づき複数のインク滴を吐出するヘッド部と、ヘッド部から吐出され、基材の表面に付着したインクに電磁波を照射して当該インクを加熱する乾燥部と、乾燥部により乾燥処理された基材のコクリングを測定する測定部と、測定部による測定結果に基づいて、電磁波による定在波のピーク位置を変更するように乾燥部を制御する制御部と、ヘッド部および乾燥部に対して基材を相対移動させる移動部と、を備える。
【００１１】
請求項２に係る第２発明は、第１発明において、乾燥部は、電磁波を発生させる電磁波発生部と、電磁波発生部で発生された電磁波が出射される位相器部と、位相器部から出射された電磁波を反射する反射部と、位相器部から出射され、反射部により反射された電磁波により定在波が、その内部に発生する導波管部と、を有する導波部を備え、制御部は、導波管部内に発生している定在波の節の位置を変更してピーク位置を変更する。
【００１２】
請求項３に係る第３発明は、第２発明において、位相器部は電磁波の進行方向に配列された複数の位相器を有し、反射部は電磁波の進行方向に配列された複数の反射面を有し、制御部は複数の位相器を導波管部に対して選択的に進退させるとともに、複数の反射面を導波管部に対して選択的に進退させる。
【００１３】
請求項４に係る第４発明は、第２発明または第３発明において、乾燥部は複数の導波部を有し、各導波部における位相器部および反射部が電磁波の進行方向においてずれている。
【００１４】
請求項５に係る第５発明は、第１発明からまたは第４発明のいずれかにおいて、ヘッド部は、それぞれ異なる色の液滴を吐出する複数のヘッドを有し、乾燥部は、複数のヘッドよりも、移動部による基材の相対移動方向における下流側の位置に配置される。
【００１５】
請求項６に係る第６発明は、第１発明からまたは第４発明のいずれかにおいてヘッド部は、それぞれ異なる色の液滴を吐出する複数のヘッドを有し、乾燥部は、複数の乾燥部を有し、各ヘッドよりも、移動部による基材の相対移動方向における下流側の位置にそれぞれ乾燥部が配置される。
【００１６】
請求項７に係る第７発明（画像記録方法）は、相対移動する基材に向けて、画像データに基づき複数のインク滴を吐出す吐出工程と、吐出工程により吐出され、基材の表面に付着したインクに電磁波を照射して当該インクを加熱する乾燥工程と、乾燥工程後の基材のコクリングを測定する測定工程と、測定工程による測定結果に基づいて、電磁波による定在波のピーク位置を変更する変更工程と、を含む。
画像記録方法。
【発明の効果】
【００１７】
請求項１から請求項７のいずれかに係る発明によれば、コクリングの発生を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の画像記録装置の第１実施形態を示す概略側面図である。
【図２】乾燥部を示す斜視図である。
【図３】乾燥部の内部構造を示す平面図および正面図である。
【図４】シャッター機構を示す概略側面図である。
【図５】ピークを移動するための動作を説明するための図である。
【図６】コクリングの測定部を説明するための図である。
【図７】制御部の機能構成を示すブロック図である。
【図８】画像記録の動作を示すフロー図である。
【図９】第２実施形態を示す概略側面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明の実施の形態について添付図面を参照して説明する。
＜第１実施形態＞
図１は、本発明の一実施形態（第１実施形態）である画像記録装置１を示す概略側面図である。この画像記録装置は、インクジェット方式により、長尺帯状（ウエブ状）である用紙等の基材２に向けてインク滴を吐出して基材の表面に画像を記録するものである。画像記録装置１は巻出し部３、ヘッド部４、乾燥部５、測定部６、巻取り部７および制御部８を主に備える。
【００２０】
画像記録装置１においてウエブ状の基材２は、搬送駆動部９０（図７）によりロール状態で配置される巻出し部３から巻き出された後、その長手方向（Ｙ方向）に水平搬送されて、巻取り部７にてロール状に巻き取られる。搬送駆動部９０は例えば巻取り部７に設けられた駆動モータを回転駆動させるとともに、基材２の搬送速度や位置情報等をロータリーエンコーダ等で検出する。なお、搬送駆動部９０等が本発明の移動部に相当する。
【００２１】
基材２が水平搬送される区間に、ヘッド部４と乾燥部５が基材２の搬送方向に沿って設けられている。ヘッド部４は水平搬送される基材２の上方に配置され、Ｙ方向に配列された第１ヘッド４１、第２ヘッド４２、第３ヘッド４３および第４ヘッド４４を備える。例えば、第１ヘッド４１はＣ（シアン）のインク滴を、第２ヘッド４２はＭ（マゼンタ）のインク滴を、第３ヘッド４３はＹ（イエロー）のインク滴を、第４ヘッド４４はＫ（ブラック）のインク滴を、基材２の表面（上面）に向けてそれぞれ複数、吐出する。また、第１ヘッド４１、第２ヘッド４２、第３ヘッド４３および第４ヘッド４４は、例えば、異なる３種類のサイズの大、中、小のインク滴を選択的に吐出可能な構成となっている。
【００２２】
第１ヘッド４１は、基材２と対向する底面に、Ｘ方向に亘って配列された複数の吐出口（図示せず）を有し、この複数の吐出口からＣのインク滴をそれぞれ吐出する。複数の吐出口は、基材２の幅方向（Ｘ方向）において画像を記録すべき寸法以上に亘って設けられている。同様に、第２ヘッド４２、第３ヘッド４３、第４ヘッド４４にも複数の吐出口がそれぞれ設けられている。
【００２３】
乾燥部５は、ヘッド部４の基材２の搬送方向における下流側（＋Ｙ側）に配置されている。乾燥部５は、ヘッド部４により基材２に向けて吐出され、その表面にインクが付着している基材２に電磁波（マイクロ波）を照射し、基材２に対して乾燥処理を施す。乾燥部５にて基材２に照射される電磁波は、例えば波長が１５０ｍｍ、周波数が２．４５ＧＨｚのマイクロ波である。
【００２４】
乾燥部５は、図２に示すように電磁波発生部５１、位相器部５２、導波管部５３、反射部５５を主に備える。図２（ａ）は乾燥部５の概略断面平面図であり、図２（ｂ）は乾燥部５の概略断面正面図である。
【００２５】
導波管部５３の内部には、位相器部５２から出射され、反射部５５により反射された電磁波による定在波が発生する。導波管部５３の＋Ｙ側の側壁５３ｓにはスリット状の開口である基材通し部５４が設けられ、また、対向する−Ｙ側の側壁にも同様に基材通し部が設けられている。基材２は導波管部５３の−Ｙ方向側の基材通し部から導波管部５３内に進入した後、導波管部５３内部を通過し、＋Ｙ方向側の基材通し部５４から退出する。
【００２６】
電磁波発生部５１はマイクロ波等の電磁波を発生させるマグネトロンを備える。図３（ａ）に示すように導波管部５３の内部には基材２の搬送方向であるＹ方向に沿って３個の第１導波部１０、第２導波部２０および第３導波部３０が２枚の仕切り板５３ｐにより形成されている。各仕切り板５３ｐには基材通し部５４と同様の基材２を通過させるためのスリット状の開口が設けられている。
【００２７】
位相器部５２は、電磁波発生部５１で発生された電磁波を出射するものであり、電磁波の進行方向であるＹ方向に、第１導波部１０の−Ｘ側に配置された第１位相器１１、第２位相器１２および第３位相器１３が配列されている。同様に、位相器部５２は第２導波部２０の−Ｘ側に配置された第１位相器２１、第２位相器２２および第３位相器２３、第３導波部３０の−Ｘ側に配置された第１位相器３１、第２位相器３２および第３位相器３３を備える。
【００２８】
第１位相器１１は、誘電率の高い材料で構成されており、例えば、材料として高密度ポリエチレン（ＵＨＭＷ）、ポリテトラフルオロエチレン等の樹脂材料、石英、その他の高誘電率材料を利用することができる。また、できるだけ加熱されにくい材料で構成されるのが好ましい。加工容易性並びにコスト面の観点から、実用的には高密度ポリエチレンを用いるのが好適である。
【００２９】
第１位相器１１のＸ方向における幅寸法は、電磁波発生部５１が発生させるマイクロ波の波長λ（例えば１５０ｍｍ）の１／４（４分の１）の寸法（１／４λ）である。他の第２位相器１２、第３位相器１３、第１位相器２１、第２位相器２２、第３位相器２３、第１位相器３１、第２位相器３２および第３位相器３３の材料と幅寸法についても第１位相器１１と同じである。
【００３０】
第１導波部１０にある第１位相器１１、第２位相器１２および第３位相器１３は、この順序で互いに当接するように配列されている。また、第２導波部２０にある第１位相器２１、第２位相器２２および第３位相器２３も、この順序で互いに当接するように配列されているが、全体として、第１位相器１１、第２位相器１２および第３位相器１３に対して１／４λ未満の寸法（例えば１／１２λ）分だけ、＋Ｘ方向にずれて配置されている。また、第３導波部３０にある第１位相器３１、第２位相器３２および第３位相器３３も、この順序で互いに当接するように配列されているが、全体として、第１位相器２１、第２位相器２２および第３位相器２３に対して１／４λ未満の寸法（例えば１／１２λ）分だけ、＋Ｘ方向にずれて配置されている。
【００３１】
第１導波部１０にある第２位相器１２および第３位相器１３は、第１導波部１０内にある位置と、第１導波部１０外にある位置との間で進退自在に配置されている。また、第２導波部２０にある第２位相器２２および第３位相器２３は第２導波部２０に対して進退自在に、また、第３導波部３０にある第２位相器３２および第３位相器３３は第３導波部３０に対して進退自在に配置されている。
【００３２】
第１位相器１１の第１導波部１０内に向いている出射面（＋Ｘ側面）が、第１導波部１０内に対して露出しているときには、当該出射面に第１導波部１０内に発生する電磁波による定在波の節が位置することとなる。第２位相器１２および第３位相器３３についても、同様に、その出射面が第１導波部１０内に対して露出しているときには、当該出射面に第１導波部１０内に発生する電磁波による定在波の節が位置することとなる。また、第１位相器２１、第２位相器２２および第３位相器２３の出射面が第２導波部２０内に対して露出しているときには、当該出射面に第２導波部２０内に発生する電磁波による定在波の節が位置することとなる。また、第１位相器３１、第２位相器３２および第３位相器３３の出射面が第３導波部３０内に対して露出しているときには、当該出射面に第３導波部３０内に発生する電磁波による定在波の節が位置することとなる。
【００３３】
反射部５５は、位相器部５２から出射された電磁波を反射するものであり、Ｙ方向に配列された複数の反射面を有する。具体的には、反射部５５は第１導波部１０の＋Ｘ側に配置された第１反射部１４、第２反射部１５および反射面１６、第２導波部２０の＋Ｘ側に配置された第１反射部２４、第２反射部２５および反射面２６、第３導波部３０の＋Ｘ側に配置された第１反射部３４、第２反射部３５および反射面３６を備える。
【００３４】
第１反射部１４の第１導波部１０内に向いている反射面（−Ｘ側面）は、電磁波を反射する材質で形成され、例えば、ＳＵＳ等の金属である。同様に第２反射部１５の反射面および反射面１６もＳＵＳ等の金属で形成されている。
【００３５】
第１反射部１４は、その反射面と第１位相器１１の出射面との間で生成される定在波の節が当該反射面に位置するように配置されている。第２反射部１５はその反射面が第１反射部１４の反射面から１／４λ分だけ＋Ｘ側に位置するように配置されている。また、第２反射部１５は、その反射面と第２位相器１５の出射面との間で生成される定在波の節が当該反射面に位置するように配置されている。また、第１導波部１０における導波管５３の＋Ｘ側の端内面もＳＵＳ等の金属で形成され反射面１６として機能する。この反射面１６は、当該反射面５３ｅと第３位相器１６との間で生成される定在波の節が位置する配置関係となっている。
【００３６】
第２導波部２０における第１反射部２４の反射面、第２反射部２５の反射面および反射面２６の材質もＳＵＳ等の金属製である。第１反射部２４は、その反射面と第１位相器２１の出射面との間で生成される定在波の節が当該反射面に位置するように配置されている。第２反射部２５はその反射面が第１反射部２４の反射面から１／４λ分だけ＋Ｘ側に位置するように配置されている。また、第２反射部２５は、その反射面と第２位相器２５の出射面との間で生成される定在波の節が当該反射面に位置するように配置されている。また、反射面２６は、当該反射面２６と第３位相器２３との間で生成される定在波の節が位置する配置関係となっている。
【００３７】
第２導波部２０における第１反射部２４の反射面、第２反射部２５の反射面および反射面２６は全体として、第１導波部１０における第１反射部１４の反射面、第２反射部１５の反射面および反射面１６に対して１／４λ未満の寸法（例えば１／１２λ）分だけ、＋Ｘ方向にずれて配置されている。
【００３８】
第３導波部３０における第１反射部３４の反射面、第２反射部３５の反射面および反射面３６の材質もＳＵＳ等の金属製である。第１反射部３４は、その反射面と第１位相器３１の出射面との間で生成される定在波の節が当該反射面に位置するように配置されている。第２反射部３５はその反射面が第１反射部３４の反射面から１／４λ分だけ＋Ｘ側に位置するように配置されている。また、第２反射部３５は、その反射面と第２位相器３５の出射面との間で生成される定在波の節が当該反射面に位置するように配置されている。また、反射面３６は、当該反射面３６と第３位相器３３との間で生成される定在波の節が位置する配置関係となっている。
【００３９】
第３導波部３０における第１反射部３４の反射面、第２反射部３５の反射面および反射面３６は全体として、第２導波部２０における第１反射部２４の反射面、第２反射部２５の反射面および反射面２６に対して１／４λ未満の寸法（例えば１／１２λ）分だけ、＋Ｘ方向にずれて配置されている。
【００４０】
第１導波部１０にある第１反射部１４および第２反射部１５は、第１導波部１０内にある位置と、第１導波部１０外にある位置との間で進退自在に配置されている。また、第２導波部２０にある第１反射部２４および第２反射部２５は第２導波部２０に対して進退自在に、また、第３導波部３０にある第１反射部３４および第２反射部３５は第３導波部３０に対して進退自在に配置されている。
【００４１】
図４は、第１反射部１４を第１導波部１０に対して進退させるためのシャッター機構７０を示す概略側面図である。図４（ａ）は第１反射部１４が第１導波部１０外の退出位置にある状態を示し、図４（ｂ）は第１反射部１４が第１導波部１０内の進出位置にある状態を示している。
【００４２】
図４に示すように、シャッター機構７０はフレーム７１、バネ７２、ソレノイド７３、
可動部７４および作用部７５を備える。フレーム７１は、導波管部５３の天井壁に形成された開口７６を跨ぐように天井壁の表面に固定されている。開口７６は第１反射部１４が通過可能な大きさを有する。
【００４３】
第１反射部１４はバネ７２を介してフレーム７１の梁部に取り付けられている。バネ７２は圧縮時には第１反射部１４を下側（進出位置側）に付勢している。フレーム７１の梁部にはソレノイド７３が固定されている。可動部７４はソレノイド７３の内部に対して昇降自在に設けられている。可動部７４の下端は第１反射部１４に対して固定された作用部７５と連結している。
【００４４】
図４（ａ）に示す退出状態において、可動部７４は上昇位置においてソレノイド７３の励磁作用により固定されている。これに伴い、第１反射部１４および作用部７５も上昇位置（退出位置）に固定され、このときバネ７２は圧縮状態となっている。
【００４５】
ソレノイド７３の励磁作用が解除されると、可動部７４が昇降自在となる。このときバネ７２の下側への付勢力により第１反射部１４、作用部７５および可動部７４が下側（進出位置側）に向かって一体的に下降する。そして、図４（ｂ）に示すように第１反射部１４の下端が導波管部５３の底壁上面に当接すると第１反射部１４等の下降が停止する。この状態においても第１反射部１４はバネ７２により下側に付勢されているので、この付勢力により第１反射部１４は第１導波部１０内において導波管部５３の底壁面に押し付けられた状態で固定される。
【００４６】
図４（ｂ）に示す進出状態から図４（ａ）に示す退出状態に第１反射部１４を復帰させる際には、ソレノイド７３の励磁動作により可動部７４を上昇させて停止させる。
【００４７】
他の反射部である第２反射部１５、第１反射部２４、第２反射部２５、第１反射部３４および第２反射部３５についても、上述のシャッター機構７０と同様のシャッター機構がそれぞれ設けられ、各反射部を昇降させる構成となっている。また、第２位相器１２，２２，３２および第３位相器１３，２３，３３にも上述のシャッター機構７０と同様のシャッター機構がそれぞれ設けられ、各位相器を昇降させる構成となっている。
【００４８】
図５は、第１導波部１０内において定在波のピークをＸ方向に沿って移動させる動作を説明するための図である。なお、ピークにおいて定在波（電磁波）のエネルギーが最も大きい。図５（ａ）は位相器部５２の第２位相器１２および第３位相器１３がシャッター機構７０により第１導波部１０内から退出され、第１位相器１１、反射部５５の第１反射部１４および第２反射部１５が第１導波部１０内に配置されている状態を示している。この状態において電磁波発生部５１から出射され第１位相器１１を通過して、その出射面から出射した電磁波は第１反射部１４の反射面で反射される。この結果、第１導波部１０内に第１定在波Ｗ１が生成される。この第１定在波Ｗ１の−Ｘ側端の節ｎは第１位相器１１の出射面の位置Ｎ１にあり、＋Ｘ側端の節ｎは第１反射部１４の反射面に位置している。Ｐ１は第１定在波Ｗ１のエネルギーが最大となる位置であるピークｐ（定在波の腹）のＸ方向における位置を示している。
【００４９】
図５（ｂ）は第３位相器１３および第１反射部１４がシャッター機構７０により第１導波部１０内から退出され、第１位相器１１、第２位相器１２および第２反射部１５が第１導波部１０内に配置されている状態を示している。この状態において電磁波発生部５１から出射され第１位相器１１および第２位相器１２を通過して、第２位相器１２の出射面から出射した電磁波は第２反射部１５の反射面で反射される。この結果、第１導波部１０内に第２定在波Ｗ２が生成される。この第２定在波Ｗ２の−Ｘ側端の節ｎは第２位相器１２の出射面の位置Ｎ２にあり、＋Ｘ側端の節ｎは第２反射部１５の反射面に位置している。Ｐ２は第２定在波Ｗ２のエネルギーが最大となる位置であるピークｐのＸ方向における位置を示している。
【００５０】
図５（ａ）に示す第１定在波Ｗ１の位相と図５（ｂ）に示す第２定在波Ｗ２の位相は、電磁波の４分の１波長（１／４λ）に相当する第２位相器１２の幅寸法分だけ＋Ｘ方向にずれている。この結果、第１定在波Ｗ１のピークｐは第２定在波Ｗ２のピークｐに対して１／４λ分だけ＋Ｘ方向にずれている。
【００５１】
図５（ｃ）は第１反射部１４および第２反射部１５がシャッター機構７０により第１導波部１０内から退出され、第１位相器１１、第２位相器１２および第３位相器１３が第１導波部１０内に配置されている状態を示している。この状態において電磁波発生部５１から出射され第１位相器１１、第２位相器１２および第３位相器１３を通過して、第３位相器１２の出射面から出射した電磁波は導波管部５３の反射面１６で反射される。この結果、第１導波部１０内に第３定在波Ｗ３が生成される。この第３定在波Ｗ３の−Ｘ側端の節は第３位相器１３の出射面の位置Ｎ３にあり、＋Ｘ側端の節ｎは反射面１６に位置している。Ｐ３は第３定在波Ｗ３のエネルギーが最大となる位置であるピークｐのＸ方向における位置を示している。
【００５２】
図５（ａ）に示す第１定在波Ｗ１の位相と図５（ｃ）に示す第３定在波Ｗ３の位相は、電磁波の２分の１波長（１／２λ）に相当する第２位相器１２の幅寸法と第３位相器１３の幅寸法の合計分だけ＋Ｘ方向にずれている。この結果、第３定在波Ｗ３のピークｐは第１定在波のピークｐに対して１／２λ分だけ＋Ｘ方向にずれている。また、図５（ｂ）に示す第２定在波Ｗ２の位相と図５（ｃ）に示す第３定在波Ｗ３の位相は、電磁波の４分の１波長（１／４λ）に相当する第３位相器１３の幅寸法分だけ＋Ｘ方向にずれている。この結果、第３定在波Ｗ３のピークｐは第２定在波Ｗ２のピークｐに対して１／４λ分だけ＋Ｘ方向にずれている。
【００５３】
上述のように第１定在波Ｗ１、第２定在波Ｗ２、第３定在波Ｗ３は１／４λずつＸ方向に位相がずれており、この結果、各ピークｐの位置も１／４λずつＸ方向にずれている。
【００５４】
乾燥部５は、第２導波部２０においても第１導波部１０と同様に１／４λずつＸ方向に位相がずれた３つの定在波である第１定在波Ｗ４、第２定在波Ｗ５および第３定在波Ｗ６を選択的に発生させることが可能な構成となっている。これらの第１定在波Ｗ４、第２定在波Ｗ５および第３定在波Ｗ６のぞれぞれのピークｐの位置も１／４λずつＸ方向にずれている。
【００５５】
また、乾燥部５は、第３導波部３０においても第１導波部１０と同様に１／４λずつＸ方向に位相がずれた３つの定在波である第１定在波Ｗ７、第２定在波Ｗ８および第３定在波Ｗ９を選択的に発生させることが可能な構成となっている。これらの第１定在波Ｗ７、第２定在波Ｗ８および第３定在波Ｗ９のぞれぞれのピークｐの位置も１／４λずつＸ方向にずれている。
【００５６】
ここで、上述のように第２導波部２０にある第１位相器２１、第２位相器２２、第３位相器２３、第１反射部２４および第２反射部２５は、全体として、第１導波部１０にある第１位相器１１、第２位相器１２、第３位相器１３、第１反射部１４および第２反射部１５に対して１／４λ未満の寸法（例えば１／１２λ）分だけ、＋Ｘ方向に配置されている。この結果、第２導波部２０における第１定在波Ｗ４のピークｐ、第２定在波Ｗ５のピークｐおよび第３定在波Ｗ６のピークｐの位置は、第２導波部１０における第１定在波Ｗ１のピークｐ、第２定在波Ｗ２のピークｐおよび第３定在波Ｗ３のピークｐの位置に対して、それぞれ１／４λ未満の寸法（例えば１／１２λ）分だけ、＋Ｘ方向にずれた位置となる。
【００５７】
また、第３導波部３０にある第１位相器３１、第２位相器３２、第３位相器３３、第１反射部３４および第２反射部３５は、全体として、第２導波部２０にある第１位相器２１、第２位相器２２、第３位相器２３、第１反射部２４および第２反射部２５に対して１／４λ未満の寸法（例えば１／１２λ）分だけ、＋Ｘ方向に配置されている。この結果、第２導波部３０における第１定在波Ｗ７のピークｐ、第２定在波Ｗ８のピークｐおよび第３定在波Ｗ９のピークｐの位置は、第２導波部１０における第１定在波Ｗ４のピークｐ、第２定在波Ｗ５のピークｐおよび第３定在波Ｗ６のピークｐの位置に対して、それぞれ１／４λ未満の寸法（例えば１／１２λ）分だけ、＋Ｘ方向にずれた位置となる。
【００５８】
上述のように構成される乾燥部５では、第１乃至第９定在波Ｗ１乃至Ｗ９のピークｐのＸ方向における位置をそれぞれ１／４λ未満の寸法（例えば１／１２λ）分だけ、＋Ｘ方向にずれた位置に配置させることができる。
【００５９】
図１に戻って、検出部６は乾燥部５の下流側（＋Ｙ側）に配置され、基材２に発生している波打ち状の皺であるコクリングを検出するものである。検出部６は例えば、図６（ａ）に示すようにレーザー変位計６１を備える。検出部６はレーザー変位計６１を図示しない駆動手段により基材２上をＸ方向に基材２の全幅に亘って移動させつつ、レーザー変位計６１と基材２表面との間隔寸法を測定する。この間隔寸法はコクリングの発生状態に応じて変化するため、間隔寸法を検出することにより、コクリングを測定する。基材２を搬送駆動部９０により間欠的に移動させつつ、基材２の停止時にレーザー変位計６１による上記検出動作を実行し、これを繰り返すことにより、基材２の全面における間隔寸法を測定する。
【００６０】
また、測定部６は例えば、図６（ｂ）に示すように撮像部６２および照明部６３を備える構成であっても良い。撮像部６２および照明部６３はＹ方向に沿って、基材２上に配置される。照明部６３は基材２の幅方向（Ｘ方向）に亘って照明光を斜めに照射する。撮像部６２は、照明光が照射されている基材２から斜め方向に反射した反射光を幅方向に亘って撮像する。このとき、基材２を搬送駆動部９０により連続移動させつつ、撮像部６２による撮像動作を実行することにより、基材２表面の陰影画像データが全面に亘って取得して、コクリングを測定する。
【００６１】
図７は制御部８の機能構成を示すブロック図である。制御部８は、導波管部５３内で発生している定在波Ｗ１乃至Ｗ９の節の位置をそれぞれ変更して、定在波Ｗ１乃至Ｗ９のピーク位置をそれぞれ変更するものである。例えば制御部８は、第２位相器１２，２２，３２、第３位相器１３，２３，３３、第１反射部１４，２４，３４、第２反射部１５，２５，３５にそれぞれ設けられたシャッター機構７０の進退動作を選択的に制御する。
【００６２】
制御部８は、ＣＰＵやメモリ（ＲＯＭ，ＲＡＭ等）などを有するコンピュータであり、ヘッド部４、乾燥部５および搬送駆動部９０にそれぞれ電気的に接続されている。また、制御部８は、インターフェース（Ｉ／Ｆ）８２を介してコンピュータ１００に電気的に接続されている。制御部８は、全体制御部８１、画像データ処理部８３、画像メモリ８４、記録信号生成部８５、ヘッド制御部８６、位相制御部８７および搬送制御部８８を主に備える。
【００６３】
全体制御部８１は制御部８内の上記各部を全体的に制御する。画像メモリ８４は、コンピュータ１００からＩ／Ｆ８２等を介して送信された画像記録すべき元画像のデータ（元画像データ）を記憶する。
【００６４】
画像データ処理部８３は、網点化部８３１を備える。網点化部８３１は、画像メモリ８４から取得した元画像データに対してハーフトーニング処理を施し、多階調の元画像を網点化した網点画像として示す網点画像データを生成する。また、画像データ処理部８３は、網点画像データから画像記録動作に従った処理済画像データを生成し、このデータを記録信号生成部８５に送信する。
【００６５】
記録信号生成部８５は画像データ処理部８３から受信した処理済画像データを、ヘッド部４を駆動するための記録信号に変換し、この記録信号をヘッド制御部８６および位相制御部８７にそれぞれ送信する。この記録信号は、画像を記録すべき基材２上の記録領域内における複数の画素に向けて、大、中、小のいずれのサイズのインク滴をヘッド部４から吐出するか、または、いずれのサイズのインク滴も吐出しないかを示す信号である。
【００６６】
ヘッド制御部８６は記録信号生成部８５から受信した記録信号に基づいて、ヘッド部４を制御するための吐出制御信号をヘッド部４に送信する。この吐出制御信号を受信したヘッド部４は、制御信号に基づいて第１ヘッド４１、第２ヘッド４２、第３ヘッド４３および第４ヘッド４４がそれぞれ有する複数の吐出口から、大、中、小のいずれのサイズのインク滴を吐出させるか、または、いずれのサイズのインク滴も吐出させない、という吐出動作を実行する。
【００６７】
搬送制御部８８は、搬送駆動部９０による基材２のＹ方向への搬送開始、停止動作やその搬送速度を、搬送駆動部９０からフィードバックされるロータリーエンコーダの検出結果に基づく基材２のＹ方向における位置情報等に応じて制御する。
【００６８】
位相制御部８７は、コクリング検出部８７１およびシャッター機構制御部８７２を備え、乾燥部５にて生成される第１乃至第９定在波Ｗ１乃至Ｗ９の各ピークｐのＸ方向における位置を変更するための位相制御信号を生成する。具体的には、コクリング検出部８７１は、検出部６から受信した上記間隔寸法または陰影画像データに基づいて、基材２の凹凸状態を検出する。例えば、基材２に発生している凹凸の分布、その起伏の度合を基材２の全面に亘って算出し、凹凸が集中している領域や凹凸の起伏が激しい領域をコクリングの発生領域として検出する。
【００６９】
位相制御部８７のシャッター機構制御部８７２は、図４に示す上記シャッター機構７０のソレノイド７３の励磁状態を制御することにより、シャッター機構７０がそれぞれ連動連結された第２位相器１２，２２，３２、第３位相器１３，２３，３３、第１反射部１４，２４，３４または第２反射部１５，２５，３５の進退動作を実行させるための進退制御信号を生成する。具体的には、コクリング検出部８７１により求められたコクリングの発生領域と、搬送制御部８８より送信された搬送される基材２のＹ方向における位置情報とに基づいて、上記進退制御信号を生成する。この進退制御信号は乾燥部５に送信される。
【００７０】
次に上記画像記録装置１による画像記録の動作を図８に示すフロー図を用いて説明する。まず、図８に示す実際の画像記録処理（ステップＳ２１）に先立って、ステップＳ１０の準備工程が実行される。この準備工程は吐出工程（ステップＳ１１）、乾燥工程（ステップＳ１２）、測定工程（ステップＳ１３）、判定工程（ステップＳ１４）および変更工程（ステップＳ１５）を含む。準備工程は、画像記録処理（ステップＳ２１）において基材２のＹ方向に複数（例えば千個）のほぼ同一の画像を記録する場合に、予備的に、１個から数個の画像を記録して実行される。
【００７１】
吐出工程（ステップＳ１１）において、搬送駆動部９０により＋Ｙ方向に向かって搬送される基材２の表面にヘッド部４から複数のインク滴が吐出される。より具体的には、ヘッド部４はヘッド制御部８６から送信された吐出制御信号に基づいて第１ヘッド４１、第２ヘッド４２、第３ヘッド４３および第４ヘッド４４がそれぞれ有する複数の吐出口から、大、中、小のいずれのサイズのインク滴を吐出させるか、または、いずれのサイズのインク滴も吐出させない、という吐出動作を、Ｙ方向に搬送される基材２に対して実行する。この結果、元画像に対応する網点画像に即して、Ｃ（シアン）、Ｍ（マゼンタ）、Ｙ（イエロー）およびＫ（ブラック）のそれぞれの複数のインク滴が基材２の表面に付着する。
【００７２】
上記吐出工程（ステップＳ１１）が施され、インクが付着している基材２の表面が、基材２の搬送に伴って乾燥部５に達すると、当該表面に対して乾燥処理が実行される（乾燥工程、ステップＳ１２）。この乾燥工程（ステップＳ１２）では、基材２に対し、第１導波部１０、第２導波部２０および第３導波部３０において電磁波の第１乃至第９定在波Ｗ１乃至Ｗ９がそれぞれ照射される。
【００７３】
乾燥工程（ステップＳ１２）後の基材２に対し、測定工程（ステップＳ１３）が実行される。具体的にはＹ方向に搬送される基材２に発生しているコクリングを測定部６により測定する。
【００７４】
次に、測定工程による測定結果に基づき、判定工程（ステップＳ１４）が実行される。具体的には、判定工程において、コクリングが許容範囲にあるか否かが判定され、許容範囲外にある場合、第１乃至第９定在波Ｗ１乃至Ｗ９の各ピークｐの位置が適切ではなかったと判断し、ピークｐ位置の変更が必要であると判定する（Ｙｅｓと判定する）。
【００７５】
逆に、コクリングが許容範囲内にある場合、第１乃至第９定在波Ｗ１乃至Ｗ９の各ピークｐの位置が適切であったと判断し、ピークｐ位置の変更が不要であると判定する（Ｎｏと判定する）。
【００７６】
ステップＳ１４でＹｅｓの場合、ステップＳ１５の変更工程に移行する。この変更工程では、第１乃至第９定在波Ｗ１乃至Ｗ９の各ピークｐが、基材２上のコクリング発生領域に位置するように変更される。ここで、コクリングの発生は、基材２に付着しているインク量の分布に起因する。電磁波のエネルギーが最大となるピークｐの位置がインクの付着量が大きい領域からずれていると、当該領域での乾燥の進行が他の領域よりも遅くなる。この結果、基材２に皺上の凹凸が生じてコクリングとなる。そこで、コクリング発生領域をインクの付着量が大きい領域として、この領域に各ピークｐが位置するように変更する。
【００７７】
具体的には、変更工程において、搬送駆動部９０により検出された基材２のＹ方向における位置と、コクリング検出部８７１により検出された当該Ｙ方向位置におけるコクリングのＸ方向における発生位置に、各ピークｐの位置とが一致するように位相制御部８７に制御されるように画像データごとに位相制御データがメモリ等に記憶される。
【００７８】
例えば、図５（ａ）に示すように、乾燥部５の第１導波部１０において第１定在波Ｗ１を基材２に照射しているときは、乾燥部５は、シャッター機構７０の動作状態等から第１定在波Ｗ１のピークｐが位置Ｐ１にあることを検出する。次に、例えば、乾燥部５はシャッター機構７０を制御して、第１導波部１０で発生させる第１定在波Ｗ１を図５（ｂ）、（ｃ）に示す第２定在波Ｗ２または第３定在波Ｗ３のいずれかに変更して、ピークｐの位置Ｐ１がコクリングの発生位置に一致するように位置Ｐ２または位置Ｐ３に変更するように位相制御データが変更され記憶される。このピークｐの位置変更動作の完了により、準備工程が完了する。
【００７９】
準備工程後に、実際の画像記録処理（ステップＳ２１）が実行される。この画像記録処理では、基材２を搬送させつつ、上述の吐出工程および乾燥工程と同様の処理が実行される。すなわち、搬送される基材２に対して画像データに基づいて複数のインク滴が吐出された後、インクが付着した基材２に対して乾燥処理が実行される。
【００８０】
この乾燥工程は、上記変更工程に変更された位相制御データに基づき、エネルギーが最大である電磁波のピークｐがインクの付着量の大きい領域に設定されているので、効率よくインクを乾燥させることができる。また、インクの付着量の小さい領域に照射される電磁波のエネルギーは比較的小さくなるので、基材２の面内において乾燥処理が均一に進行する傾向となる。この結果、コクリングの発生を抑制することができる。
【００８１】
ステップＳ２２では、記録処理すべき基材２上の画像記録領域が、まだ存在するか否かが判定される。記録処理すべき基材２上の画像記録領域が、まだ存在する場合は記録処理が完了していない（Ｎｏ）と判断して、ステップＳ２１に戻る。記録処理すべき基材２上の画像記録領域が、存在しない場合は記録処理が完了した（Ｎｏ）と判断して、記録処理を完了する。
【００８２】
上述のように乾燥処理工程（ステップＳ２０）では第１導波部１０において発生させる定在波を、インクの付着量に応じて第１乃至第３定在波Ｗ１乃至Ｗ３のいずれかに設定することによって、定在波のピークｐを位置Ｐ１乃至Ｐ３のいずれかに一致させることができる。このように、エネルギーが最大である電磁波のピークｐをインクの付着量の大きい領域に設定することにより、効率よくインクを乾燥させることができる。また、インクの付着量の小さい領域に照射される電磁波のエネルギーは比較的小さくなるので、基材２の面内において乾燥処理が均一に進行する傾向となる。この結果、コクリングの発生を抑制することができる。
【００８３】
また、第２導波部２０および第３導波部３０においても同様に、第１導波部１０と同期するように第４乃至第９定在波Ｗ４乃至Ｗ９のいずれかが生成される。例えば、第１導波部１０で第１定在波Ｗ１が生成されているときには、これと同期して、第２導波部２０では第４定在波Ｗ４が生成され、第３導波部３０では第７定在波Ｗ７が生成される。同様に、第２定在波Ｗ２、第５定在波Ｗ５および第８定在波Ｗ８の組み合わせで定在波を生成したり、第３定在波Ｗ３、第６定在波Ｗ６および第９定在波Ｗ９の組み合わせで定在波を生成したりしても良い。
【００８４】
また、第１導波部１０、第２導波部２０および第３導波部３０における定在波の生成動作を同期させずに第１乃至第９定在波Ｗ１乃至Ｗ９を選択的に生成しても良い。
【００８５】
この第１実施形態によれば、上述の基材２へのインクの付着量分布に基づいて定在波の位相を制御しつつ乾燥処理が実行されるので、コクリングの発生を抑制することができる。
【００８６】
＜第２実施形態＞
次に、本発明の第２実施形態について説明する。図９は、本発明の第２実施形態）である画像記録装置１ａを示す概略側面図である。第１実施形態と第２実施形態との相違点は次の通りである。すなわち、第１実施形態において乾燥部５は第１ヘッド４１、第２ヘッド４２、第３ヘッド４３および第４ヘッド４４を有するヘッド部４の基材２の搬送方向下流側（＋Ｙ側）に配置されている。これに対し、第２実施形態では、図８に示すように、第１ヘッド４１、第２ヘッド４２、第３ヘッド４３および第４ヘッド４４をＹ方向において互いに間隔を空けて配置し、このヘッド間に乾燥部５ａ、乾燥部５ｂ、乾燥部５ｃおよび乾燥部５ｄがそれぞれ配置されている。
【００８７】
また、第１実施形態において測定部６は乾燥部５の下流側に配置されているが、第２実施形態では、図９に示すように乾燥部５ａ、乾燥部５ｂ、乾燥部５ｃおよび乾燥部５ｄのそれぞれの下流側に、測定部６ａ、測定部６ｂ、測定部６ｃおよび測定部６ｄがそれぞれ配置されている。
【００８８】
換言すれば、第１ヘッド４１の下流側（＋Ｙ側）に乾燥部５ａおよび乾燥部５ａが配置され、第２ヘッド４２の下流側に乾燥部５ｂおよび乾燥部５ｂが配置され、第３ヘッド４３の下流側に乾燥部５ｃおよび乾燥部５ｃが配置され、第４ヘッド４４の下流側に乾燥部５ｄおよび乾燥部５ｄが配置されている。乾燥部５ａ、乾燥部５ｂ、乾燥部５ｃおよび乾燥部５ｄの構成は第１実施形態の乾燥部５と同様であり、測定部６ａ、測定部６ｂ、測定部６ｃおよび測定部６ｄの構成は第１実施形態の測定部５と同様である。
【００８９】
この第２実施形態では、第１ヘッド４１から吐出される、例えばシアンのインク滴の基材２への付着により発生するコクリングに基づいて、乾燥部５ａ内で発生させる定在波の位相を変更し、定在波のピークが付着量の大きい位置に設定される。同様に、第２ヘッド４２から吐出されるマゼンタのインク滴の基材２への付着により発生するコクリング、第３ヘッド４３から吐出されるイエローのインク滴の基材２への付着量により発生するコクリング、第４ヘッド４４から吐出されるブラックのインク滴の基材２への付着により発生するコクリングにそれぞれ基づいて、乾燥部５ｂ、５ｃ、５ｄ内でそれぞれ発生させる定在波の位相を変更し、定在波のピークが付着量の大きい位置に設定される。
【００９０】
上述の第１実施形態では、複数色のインクが吐出された後に乾燥処理が実行された後にコクリングが測定される。この場合、各色の合計の付着量により発生するコクリングに基づいて位相変更された定在波によりステップＳ２１の画像記録処理工程における乾燥処理が実行される。例えば、先に基材２に付着したシアンの付着量が大きく、後で基材２に付着したブラックの付着量が小さい場合と、先に基材２に付着したシアンの付着量が小さく、後で基材２に付着したブラックの付着量が大きい場合とでも、合計した付着量が同じであれば同様のコクリングが発生するので、同様に位相変更された定在波により乾燥処理が実行される。
【００９１】
ここで、第１実施形態では、先に基材２に付着したシアンのインクに対して乾燥処理が実行されるまでの経過時間は、後で基材２に付着したブラックのインクに対して乾燥処理が実行されるまでの経過時間よりも長くなる。この結果、シアンのインクの方が乾燥処理までに基材２に滲み込む液量が大きくなる傾向にある。つまり、各色の合計付着量が同じであっても、付着した時期の相違によって、基材２に滲み込んでいるインク量が異なる場合があるが、第１実施形態では、この点を考慮せず、乾燥処理を実行している。
【００９２】
一方、第２実施形態では、色毎に乾燥処理を実行しているので、基材２へのインクの付着時から乾燥開始までの時間差が色毎に生じない。この結果、基材２へのインクの滲み込み量による影響が少ない状態で、各色インクによるコクリングを測定することができる。そして、各色ごとにコクリングの発生を抑制するように電磁波の位相が変更されるので、コクリングの発生をより確実に抑制することができる。上述の構成以外は第１実施形態と同様であるので、その詳細な説明は省略する。
【００９３】
上述の第１実施形態および第２実施形態において、ヘッド部４および乾燥部５に対して基材２を移動させて相対移動を実現させていたが、逆に、固定された基材２に対して、ヘッド部４および乾燥部５を一体的に移動させて相対移動を実現させても良い。
【符号の説明】
【００９４】
１，１ａ  画像記録装置
２        基材
５        乾燥部
６        測定部
８        制御部
５１      電磁波発生部
５２      位相器部
５３      導波管部
５５      反射部
７０      シャッター機構
Ｗ１      定在波
Ｐ        ピーク
ｎ        節
【図１】
2016147396.tif 000003
【図２】
2016147396.tif 000004
【図３】
2016147396.tif 000005
【図４】
2016147396.tif 000006
【図５】
2016147396.tif 000007
【図６】
2016147396.tif 000008
【図７】
2016147396.tif 000009
【図８】
2016147396.tif 000010
【図９】
2016147396.tif 000011