(57)【要約】【課題】画素内膜厚のバラツキを抑制し、発光ムラを低減することができる、電気光学装置及び電子機器を提供する。【解決手段】基板と、基板の主面に設けられ、駆動素子を有する駆動素子部と、駆動素子部を含み、基板面を覆う下地層と、下地層の基板とは反対側の面に設けられる隔壁と、隔壁により区画され、下地層により底面が形成されてなる少なくとも一つの画素領域と、画素領域の底面に配置される画素電極と、画素領域の底面および画素電極上に配置され、液滴吐出法により形成される機能層と、を備え、画素領域は、第１の領域と、第２の領域と、を少なくとも含み、下地層は、第１の領域において、主面から画素領域の底面までの距離が第１の距離となり、第２の領域において、主面から画素領域の底面までの距離が第２の距離となるように形成され、第１の距離が第２の距離よりも大きい電気光学装置に関する。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の主面に設けられ、駆動素子を有する駆動素子部と、
前記駆動素子部を含み、前記基板を覆う下地層と、
前記下地層の前記基板とは反対側の面に設けられる隔壁と、
前記隔壁により区画され、下地層により底面が形成されてなる少なくとも一つの画素領域と、
前記画素領域の前記底面に配置される画素電極と、
前記画素領域の前記底面および前記画素電極上に配置され、液滴吐出法により形成される機能層と、を備え、
前記画素領域は、
第１の領域と、
第２の領域と、を少なくとも含み、
前記下地層は、
前記第１の領域において、前記主面から前記画素領域の前記底面までの距離が第１の距離となり、
前記第２の領域において、前記主面から前記画素領域の前記底面までの距離が第２の距離となるように形成され、
前記第１の距離が前記第２の距離よりも大きいことを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記第１の領域において、前記下地層は少なくとも絶縁層を含むことを特徴とする求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記第１の領域において、前記下地層は複数の層からなる積層構造を有することを特徴とする請求項１または２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記画素領域内において、前記第１の領域の周辺部の少なくとも一部に第２の領域が形成されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記画素領域内において、前記第２の領域の周囲を囲むように第１の領域が形成されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の電気光学装置。
【請求項６】
少なくとも前記第１の領域と前記第２の領域とにより、前記画素領域の前記底面に凹部が形成されている請求項１乃至５のいずれか１項に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記第１の領域、前記第２の領域、および隔壁により前記画素領域の前記底面に凹部が形成されている請求項１乃至６のいずれか１項に記載の電気光学装置。
【請求項８】
前記機能層の少なくとも一部は、前記第２の領域に入り込んだ状態に形成され、
前記第２の領域内に配置された前記機能層は、厚さが前記第１の領域において前記画素電極を覆う前記機能層の厚さの２倍以上となるように形成される
請求項１乃至７のいずれか１項に記載の電気光学装置。
【請求項９】
前記駆動素子部はスイッチング素子を含み、
前記スイッチング素子と前記画素電極とは前記下地層に形成されたコンタクトホールを介して電気的に接続されており、
前記コンタクトホールは、前記第２の領域に形成されている
請求項１乃至８のいずれか１項に記載の電気光学装置。
【請求項１０】
前記第１の領域において、前記下地層は、前記駆動素子部により前記画素領域において前記底面に生じる段差を緩和させる段差緩和補助層を有する、請求項１乃至９のいずれか１項に記載の電気光学装置。
【請求項１１】
前記段差緩和補助層は、複数の層からなる積層構造により構成されている請求項１０に記載の電気光学装置。
【請求項１２】
請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の電気光学装置を備える電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置及び電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ：Electro Luminecent）素子や発光ポリマー素子などの有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ：Organic Light Emitting Diode）と呼ばれる発光素子を用いた電気光学装置の開発が進められている（例えば、特許文献１参照）。
有機ＥＬ素子を形成する場合、材料の無駄がなく、微細且つ容易にパターニングできる液滴吐出法が用いられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００４−１０３５０２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上述のように液滴吐出法を用いると、下層の段差の影響によって画素内にて有機ＥＬ素子（塗布膜）の膜厚にばらつきが生じてしまうことがある。画素内において膜厚がばらつくと、発光ムラが生じてしまい表示品位が低下してしまうおそれがある。
【０００５】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、画素内膜厚のバラツキを抑制し、発光ムラを低減することができる、電気光学装置及び電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の第１態様に従えば、基板と、前記基板の主面に設けられ、駆動素子を有する駆動素子部と、前記駆動素子部を含み、前記基板面を覆う下地層と、前記下地層の前記基板とは反対側の面に設けられる隔壁と、前記隔壁により区画され、下地層により底面が形成されてなる少なくとも一つの画素領域と、前記画素領域の前記底面に配置される画素電極と、前記画素領域の前記底面および前記画素電極上に配置され、液滴吐出法により形成される機能層と、を備え、前記画素領域は、第１の領域と、第２の領域と、を少なくとも含み、前記下地層は、前記第１の領域において、前記主面から前記画素領域の前記底面までの距離が第１の距離となり、前記第２の領域において、前記主面から前記画素領域の前記底面までの距離が第２の距離となるように形成され、前記第１の距離が前記第２の距離よりも大きい電気光学装置が提供される。
【０００７】
第１態様に係る電気光学装置によれば、画素領域内において画素領域上に液滴吐出法により吐出された機能液がかさ上げ構造の周囲に流れ込んでかさ上げ構造の周囲に機能液の液だまりが生じるようになる。これにより、周囲に液だまりが存在する状態で機能液が乾燥するので、該機能液は中央から順次乾燥して最後に液だまりが乾燥する。よって、機能液が安定して乾燥することで膜厚が均一な機能層を画素電極上に形成することができる。したがって、画素内膜厚のバラツキが抑制された機能層を備えるので、発光ムラを低減することができる。
【０００８】
上記電気光学装置においては、前記第１の領域において、前記下地層は少なくとも絶縁層を含むのが好ましい。
この構成によれば、絶縁層を用いることで第１の距離を簡便且つ確実に大きくすることができる。
【０００９】
上記電気光学装置においては、前記第１の領域において、前記下地層は複数の層からなる積層構造を有するのが好ましい。
この構成によれば、第１の距離を第２の距離よりも簡便且つ確実に大きくすることができる。
【００１０】
上記電気光学装置においては、前記画素領域内において、前記第１の領域の周辺部の少なくとも一部に第２の領域が形成されているのが好ましい。
この構成によれば、第１の領域の周辺部に液だまりを形成することができる。
【００１１】
上記電気光学装置においては、前記画素領域内において、前記第２の領域の周囲を囲むように第１の領域が形成されているのが好ましい。
この構成によれば、第１の領域の周囲を囲むように液だまりが形成されるので、機能層を均一に乾燥させることができる。
【００１２】
上記電気光学装置においては、少なくとも前記第１の領域と前記第２の領域とにより、前記画素領域の前記底面に凹部が形成されているのが好ましい。
この構成によれば、第１の領域と前記第２の領域とで形成された凹部を液だまりとして有効利用することができる。
【００１３】
上記電気光学装置においては、前記第１の領域、前記第２の領域、および隔壁により前記画素領域の前記底面に凹部が形成されているのが好ましい。
この構成によれば、第１の領域、前記第２の領域および隔壁により形成された凹部を液だまりとして有効利用することができる。
【００１４】
上記電気光学装置においては、前記機能層の少なくとも一部は、前記第２の領域に入り込んだ状態に形成され、前記第２の領域内に配置された前記機能層は、厚さが前記第１の領域において前記画素電極を覆う前記機能層の厚さの２倍以上となるように形成されるのが好ましい。
この構成によれば、第２の領域に配置された機能層は膜厚が大きく抵抗値が非常に高くなるため、電圧が印加されても発光することが抑制される。よって、第２の領域を遮光膜で覆う必要が無くなる。
【００１５】
上記電気光学装置においては、前記駆動素子部はスイッチング素子を含み、前記スイッチング素子と前記画素電極とは前記下地層に形成されたコンタクトホールを介して電気的に接続されており、前記コンタクトホールは、前記第２の領域に形成されているのが好ましい。
この構成によれば、コンタクトホールに伴って生じる凹みを液だまり部として有効利用することができる。
【００１６】
上記電気光学装置においては、前記第１の領域において、前記下地層は、前記駆動素子部により前記画素領域において前記底面に生じる段差を緩和させる段差緩和補助層を有するのが好ましい。
この構成によれば、段差緩和補助層によって画素領域内で生じる段差が緩和されるので、第１の領域の上面を平坦化することができる。よって、第１の領域に均一な膜厚の機能層を形成することができる。
【００１７】
上記電気光学装置においては、前記段差緩和補助層は、複数の層からなる積層構造により構成されているのが好ましい。
この構成によれば、第１の領域において第１の高さを容易に稼ぐことができる。
【００１８】
本発明の第２態様に従えば、上記第１態様に係る電気光学装置を備える電子機器が提供される。
【００１９】
第２態様に係る電子機器によれば、上記第１態様に係る電気光学装置を備えるので、本電子機器は表示品質に優れた信頼性の高いものとなる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】電気光学装置の回路構成を示す模式図。
【図２】画素領域の平面構造を示す透視平面図。
【図３】画素領域の断面構造を示す図。
【図４】かさ上げ構造と凹部との位置関係を示した平面図。
【図５】（ａ）、（ｂ）はインクジェットヘッドの構成を示す図。
【図６】凹部の機能を説明するための図。
【図７】第２実施形態の画素領域の断面構造を示す図。
【図８】段差緩和補助層の変形例に係る構成を示す図。
【図９】携帯電話の一例を示す斜視図。
【図１０】腕時計の一例を示す斜視図。
【図１１】携帯型情報処理装置の一例を示す斜視図。
【図１２】変形例に係る構成を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。
なお、以下の説明で用いる図面は、特徴をわかりやすくするために、便宜上特徴となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などが実際と同じであるとは限らない。また、以下の説明において例示される材料、寸法等は一例であって、本発明はそれらに必ずしも限定されるものではなく、その要旨を変更しない範囲で適宜変更して実施することが可能である。
【００２２】
（電気光学装置）
先ず、本発明の一実施形態として図１に示す電気光学装置１の回路構成について説明する。なお、図１は、電気光学装置１の回路構成を示す模式図である。
【００２３】
電気光学装置１は、図１に示すように、基板１００の面上に、所定の間隔で並ぶ複数の走査線１０１と、複数の走査線１０１に対して空間を隔ててほぼ直角に交差する方向に所定の間隔で並ぶ複数の信号線１０２と、複数の信号線１０２に対して空間を隔ててほぼ平行な方向に所定の間隔で並ぶ複数の電源線１０３とを含む配線を備えている。また、複数の走査線１０１と複数の信号線１０２の各交点付近において、複数の画素領域Ａがマトリックス状に配列した状態で設けられている。
【００２４】
各信号線１０２には、シフトレジスター、レベルシフタ、ビデオライン及びアナログスイッチを備える信号側駆動回路１０４が接続されている。また、各走査線１０１には、シフトレジスター及びレベルシフタを備える走査側駆動回路１０５が接続されている。
【００２５】
各画素領域Ａには、走査線１０１を介して走査信号が供給されるスイッチング用ＴＦＴ１０６と、このスイッチング用ＴＦＴ１０６を介して信号線１０２から供給される画素信号を保持する保持容量１０７と、この保持容量１０７によって保持された画素信号が供給される駆動用ＴＦＴ１０８と、この駆動用ＴＦＴ１０８を介して電源線１０３に電気的に接続したときに電源線１０３から駆動電流が流れ込む画素電極１０９と、この画素電極１０９と対向する対向電極（陰極）１１０と、画素電極１０９と対向電極１１０との間に挟み込まれた機能層１０とが設けられている。
【００２６】
以上のような構成を有する電気光学装置１では、走査線１０１が駆動されてスイッチング用ＴＦＴ１０６がオンになると、そのときの信号線１０２の電位が保持容量１０７に保持される。また、この保持容量１０７の状態に応じて、駆動用ＴＦＴ１０８のオン・オフの状態が決まる。
そして、駆動用ＴＦＴ１０８のチャネルを介して、電源線１０３から画素電極１０９に電流が流れ、さらに機能層１０を介して対向電極（陰極）１１０に電流が流れる。機能層１０は、この流れる電流量に応じて発光する。このような画素領域Ａでの発光を制御することで所望の画像を表示することができる。
【００２７】
なお、電気光学装置１には、基板１００側から光を取り出すボトムエミッション構造と、基板１００とは反対側から光を取り出すトップエミッション構造とがある。
【００２８】
近年では、電気光学装置は、ＴＶ、タブレット、スマートフォン等すべての用途において高精細化が要求されている。このように高精細になると画素開口率が低下しディスプレイの輝度低下などの品位低下を招くおそれがある。本実施形態の電気光学装置１では、これを解決するために、トップエミッション構造を採用した。これにより、配線上にも画素領域Ａを形成し開口率を稼ぐことを可能とした。
【００２９】
次に、上記電気光学装置１の画素領域Ａにおける構造について図２及び図３を参照して説明する。なお、図２は、画素領域Ａの平面構造を示す透視平面図である。図３は、画素領域Ａの断面形状において、代表的な断面構造を模式的に一つの図で表した断面図であり、画素領域Ａ内において生じる、各断面構造間の高さの違いを表現したものである。なお、図３においては、封止基板の図示を省略している。
【００３０】
本実施形態の電気光学装置１は、トップエミッション構造を採用した例であり、基板１００としてガラス基板を用いている。なお、トップエミッション構造を採用した場合、基板１００にはガラス基板の他にも、半導体材料（単結晶Ｓｉ、Ｇａ、Ｇｅ等）やセラミックス材料や金属材料などからなる光透過性を有しない基板を用いることができる。
【００３１】
具体的に、この電気光学装置１は、図２及び図３に示すように、上述した基板１００の主面１００ａ上に、駆動素子部１１と、駆動素子部１１を含み主面１００ａを覆う下地層３０と、機能素子部１２と、を順次積層した構造を有している。
【００３２】
駆動素子部１１は、基板１００の面上に形成された、図１で示した各種の配線１０１〜１０３や、スイッチング用ＴＦＴ１０６、保持容量１０７、駆動用ＴＦＴ１０８等を含む。本実施形態においては、駆動素子部１１の構成要素を、各画素領域Ａの中央部分側に優先的に配置している（図２参照）。
【００３３】
駆動用ＴＦＴ１０８は、基板１００の面上に形成された半導体層１７と、ゲート電極１３と、ソース電極１４と、ドレイン電極１５と、を有している。ゲート電極１３は、スイッチング用ＴＦＴ１０６のドレイン電極（図示せず。）と電気的に接続されている。半導体層１７の上には、ゲート絶縁膜１６を介してゲート電極１３が設けられている。
【００３４】
ソース電極１４とドレイン電極１５とは、ゲート絶縁膜１６に形成されたコンタクトプラグ１６ａ，１６ｂを介して半導体層１７のソース領域とドレイン領域とに電気的に接続されている。
【００３５】
ゲート絶縁膜１６の上には、ゲート電極１３の他、駆動素子部１１を構成する第１層メタル１１Ａ１、１１Ａ２、１１Ａ３が配置されている。第１層メタル１１Ａ１、１１Ａ２は、上記駆動素子部１１の構成要素（例えば、図１に示した配線１０１〜１０３等の一部）を含むものである。第１層メタル１１Ａ３は、例えば、保持容量１０７の容量電極を構成するものである。
【００３６】
本実施形態では、画素領域Ａ（開口部４０）の中央側に駆動素子部１１の構成要素を優先的に配置している。そのため、画素領域Ａの中央では、上述した各種の配線１０１〜１０３や保持容量１０７等が立体的に重なり合って配置されたものとなっている。
【００３７】
例えば、電源線１０３の比抵抗を抑えるため、この電源線１０３を２層配線とした場合や、高精細化のため配線の線幅を細くした場合には、電源線１０３の高さ方向の寸法が更に増加することになる。
【００３８】
本実施形態において、下地層３０は、ゲート絶縁膜１６と、第１の層間絶縁膜３１と、第２の層間絶縁膜３２と、を含む。ゲート絶縁膜１６は、例えばＳｉＯ２やＴｉＯ２などの無機絶縁材料から構成される。第１の層間絶縁膜３１及び第２の層間絶縁膜３２は、例えば、アクリル樹脂やポリイミド樹脂等の耐熱性及び絶縁性を有する有機材料から構成されている。
【００３９】
第１の層間絶縁膜３１は、第１層メタル１１Ａ１、１１Ａ２、１１Ａ３の上に設けられている。上述のように第１層メタル１１Ａ３は、保持容量１０７を構成するため、第１層メタル１１Ａ１、１１Ａ２よりも上方に配置されている。
【００４０】
第１の層間絶縁膜３１の上には、第２層メタル１１Ｂ１、１１Ｂ２、ソース電極１４、及びドレイン電極１５等が配置されている。第２層メタル１１Ｂ１、１１Ｂ２は、上記駆動素子部１１の構成要素（例えば、配線１０１〜１０３等の一部）を含むものである。第２層メタル１１Ｂ２は、第１の層間絶縁膜３１を介して、第１層メタル１１Ａ２の上に配置されている。
【００４１】
第２の層間絶縁膜３２は、第２層メタル１１Ｂ１、１１Ｂ２を覆った状態で第１の層間絶縁膜３１の上に配置され、画素領域Ａにおける開口部４０の中央部分を平坦化する平坦化層である。第２の層間絶縁膜３２は、例えば、厚さが４００〜５００ｎｍ程度に設定されている。第２の層間絶縁膜３２の上面は、画素領域Ａの底面を構成する。第１の層間絶縁膜３１、第２の層間絶縁膜３２、および後述するコンタクトホールにおいて露出したメタル層などにより、画素領域Ａの底面が構成される。画素領域Ａにおいて、第２の層間絶縁膜３２により下地層３０を相対的に厚くすることで底面の高さを相対的に高くした領域を有している。
【００４２】
すなわち、本実施形態において、各画素領域Ａは、底面が高い領域と、底面が低い領域とを含んでいる。ここで、底面が高い領域および底面が低い領域とは、基板１００の主面１００ａから画素領域Ａの底面までの距離が相対的に大きい領域、又は、基板１００の主面１００ａから画素領域Ａの底面までの距離が相対的に小さい領域を意味する。
【００４３】
機能素子部１２は、下地層３０上に、上述した画素電極１０９と、機能層１０と、対向電極１１０とを順次積層することによって、有機ＥＬ素子部を構成している。画素電極１０９は、アノード電極として、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明電極材料を用いて矩形状に形成されている。
なお、本実施形態ではトップエミッション構造を採用するため、ＩＴＯなどの透明電極材料からなる画素電極１０９の下側に、例えばＡｌ等の金属材料からなる光反射膜（図示せず。）が設けられている。また、画素電極１０９が光反射特性を有する金属材料（Ａｌ）から構成される場合は、光反射膜を省略することが可能である。
【００４４】
画素電極１０９は、一端部がドレイン電極１５に電気的に接続されるとともに、第２の層間絶縁膜３２の上に引き回されて形成されている。第２の層間絶縁膜３２は、上述のように画素領域Ａ（開口部４０）の中央部分をかさ上げしている。そのため、第２の層間絶縁膜３２上に引き回された画素電極１０９は、画素領域Ａの中央部分において、上方に配置されたものとなっている。
【００４５】
本実施形態において、画素領域Ａは、底面が高い領域、すなわち、主面１００ａから画素領域Ａの底面までの距離（第１の距離）が大きい領域であり、第２の層間絶縁膜３２を介して画素電極１０９をかさ上げした、かさ上げ領域（第１の領域）１１１を含む。
【００４６】
本実施形態において、各画素領域Ａには、かさ上げ領域１１１が中央部分に配置されている。なお、かさ上げ領域１１１は、画素領域Ａの中央部分以外の場所に配置されていてもよい。
【００４７】
かさ上げ領域Ｍ１においては、第２の層間絶縁膜３２の上面３２ａが平坦であるので、該上面３２ａに形成された画素電極１０９は平坦な膜から構成された平坦部分１０９ａを有している。
【００４８】
対向電極１１０は、カソード電極として、低仕事関数の金属であるアルカリ金属やアルカリ土類金属、あるいは、ＭｇＡｇやＬｉＦ、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）などによって形成された透明導電材料からなるものであって、画素電極１０９に対向して設けられている。
【００４９】
機能層１０は、少なくとも発光層９を含む複数の薄膜を積層することによって構成されている。具体的に、本実施形態の機能層１０は、正孔注入層（ＨＩＬ）７、正孔輸送層（ＨＴＬ）８、発光層（ＥＭＬ）９を含む複数の薄膜を積層することによって形成されている。
【００５０】
正孔注入層７、正孔輸送層８は、例えば、３，４−ポリエチレンジオキシチオフェン−ポリスチレンスルフォン酸（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）の分散液、すなわち、ポリスチレンスルフォン酸を分散媒として、３，４−ポリエチレンジオキシチオフェンを分散させ、さらにこれを水に分散させた分散液等の液状材料を乾燥、焼成することによって形成されている。
【００５１】
発光層９は、蛍光あるいは燐光を発光することが可能な公知の発光材料により形成されている。ここで、発光層９の形成材料としては、例えば、（ポリ）フルオレン誘導体（ＰＦ）、（ポリ）パラフェニレンビニレン誘導体（ＰＰＶ）、ポリフェニレン誘導体（ＰＰ）、ポリパラフェニレン誘導体（ＰＰＰ）、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）、ポリチオフェン誘導体、ポリメチルフェニルシラン（ＰＭＰＳ）などのポリシラン系などが好適に用いられる。また、これらの高分子材料に、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素などの高分子系材料や、ルブレン、ペリレン、９，１０−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリドン等の低分子材料をドープして用いることもできる。さらに、Ｉｒ（ｐｐｙ）３などの燐光材料を用いることもできる。
【００５２】
なお、発光層９については、カラー表示を行う場合、画素領域Ａ毎に赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の各色光に対応した有機材料を含む薄膜を形成することによって、それぞれの発色を異ならせることが可能である。また、基板１００の上には、この機能素子部１２が形成された面上を覆うシール層及び封止基板（不図示）が設けられている。
【００５３】
機能素子部１２は、機能層１０が形成される領域を区画する隔壁２４を有している。
機能層１０は、この隔壁２４によって形成された開口部４０の内側に、薄膜毎に種類の異なる機能材料を含む機能液を塗布し乾燥、焼成することによって形成される。
【００５４】
隔壁２４は、図３に示したように、無機隔壁２４ａと、無機隔壁２４ａ上に形成された有機隔壁２４ｂと、を含む。隔壁２４は、画素電極１０９を画素領域Ａごとに区画し、かつ画素電極１０９の上面を露出させる開口部（画素開口部）４０が形成されている。
【００５５】
無機隔壁２４ａは、ＳｉＯ２等の絶縁性の無機材料によって形成されたもので、その表面に親液化処理が施され、濡れ性が向上させられたことにより、親液性を有したものとなっている。有機隔壁２４ｂは、例えば下地層３０と同じ有機材料によって形成されたもので、その表面に撥液化処理（ＣＦ４処理）が施されたことにより、撥液性を有したものとなっている。
【００５６】
本実施形態では、第２の層間絶縁膜３２の上面３２ａが、有機隔壁２４ｂの形成する面、すなわち、無機隔壁２４ａの上面における有機隔壁２４ｂとの界面よりも高い位置に配置されている。
【００５７】
無機隔壁２４ａは、一端が開口部４０内に入り込むように形成されており、画素電極１０９の端部を覆った状態で第２の層間絶縁膜３２の上方に至るように形成されている。無機隔壁２４ａには、画素電極１０９の平坦部分１０９ａを露出させる画素開口２４ａ１が形成されている。画素開口２４ａ１は、画素電極１０９および対向電極１１０間に印加された電圧により発光層９を発光させる有効画素を規定するものである。なお、無機隔壁２４ａのうち開口部４０内に入り込んだ部分には遮光層が設けられていてもよい。
【００５８】
有機隔壁２４ｂは、無機隔壁２４ａを覆って形成されたもので、開口部４０の開口形状を構成するものである。なお、本例では、有機隔壁２４ｂはその開口部４０の内面がテーパ面となっている。
【００５９】
なお、有機隔壁２４ｂは、例えば、その高さが２μｍとなっており、一方、無機隔壁２４ａは有機隔壁２４ｂに比べて十分に薄く形成されている。したがって、隔壁２４の高さとしては、有機隔壁２４ｂの高さによってほぼ決定されることになる。
【００６０】
本実施形態では、上述のように、画素領域Ａの中央部分に、第２の層間絶縁膜３２を介して画素電極１０９をかさ上げした、かさ上げ領域１１１を設けている。そのため、画素領域Ａの周辺領域に、かさ上げ領域１１１に比べて、主面１００ａから画素領域Ａの底面までの距離（第２の距離）が小さい領域を凹み領域（第２の領域）６０が設けられている。
【００６１】
図４はかさ上げ領域１１１と凹み領域６０との位置関係を示した平面図である。
図４に示すように、本実施形態において、凹み領域６０は、かさ上げ領域１１１の周囲を枠状に囲むように画素領域Ａ（開口部４０）内に設けられている。画素領域Ａは、底面に、かさ上げ領域１１１、凹み領域６０、および隔壁２４により形成された凹部６０ａを有している。
【００６２】
本実施形態において、機能層１０は後述のように液滴吐出法を用いて形成される。機能層１０は、液状の機能液を隔壁２４の開口部４０内に吐出（塗布）し、乾燥、焼成することによって形成する。液滴吐出法としては、例えば、インクジェット装置を用いたインクジェット法等が例示できる。
【００６３】
図５（ａ）は、液滴吐出法で液滴を吐出する装置（液滴吐出装置）に備えられた液滴吐出ヘッド５１液滴吐出ヘッド５１の断面図である。この液滴吐出ヘッド５１には、液状体を収容する液体室５２に隣接して、ピエゾ素子５３が設けられている。液体室５２には、液状体を収容する材料タンクを含む液状体供給系５５を介して、液状体が供給されるようになっている。ピエゾ素子５３は、駆動回路５４に接続されており、この駆動回路５４を介してピエゾ素子５３に電圧を印加し、ピエゾ素子５３を変形させる。これにより、液体室５２を変形して内圧を高め、ノズル５６から液状体の液滴を吐出する。すなわち、印加電圧の値を変化させることにより、ピエゾ素子５３の歪み量を制御し、液状体の吐出量を制御するようになっている。
【００６４】
また、この液滴吐出ヘッド５１は、図５（ｂ）に示すようにその下面に多数のノズル５６を、一定間隔で一列（あるいは複数列）に配置した、マルチノズルタイプのものである。これらノズル５６からは、それぞれ独立して、機能層１０の形成材料となる機能液（液状体）の液滴が吐出されるようになっている。
【００６５】
ところで、液滴吐出法を用いて形成される機能層１０の膜厚は、開口部４０内に生じている段差の影響を受けやすい。すなわち、開口部４０の底面における平坦性が低いと、開口部４０内に配置された液状体を乾燥、焼成することで形成した機能層１０の膜厚のバラツキが大きくなってしまう。
このように、機能層１０の膜厚にバラツキが生じると、画素内での発光ムラによる発光輝度の均一性が低下してしまう。
【００６６】
これに対し、本実施形態では、画素領域Ａの中央部分にかさ上げ領域１１１を設けることで、該画素領域Ａの中央部分に画素電極１０９の平坦部分１０９ａを配置させている。
【００６７】
液滴吐出法により隔壁２４の開口部４０内に液状体を吐出し、該液状体を乾燥、焼成することで機能層１０を構成する薄膜を形成する。ここで、開口部４０内に液状体Ｒが吐出されると、図６に示すように、かさ上げ領域１１１を覆う液状体Ｒの一部が凹部６０ａ内にも流れ込んだ状態となる。
【００６８】
乾燥、焼成処理を行った場合、液状体Ｒにおける液膜が薄い部分（かさ上げ領域１１１上の液膜）から徐々に乾燥していく。このとき、凹部６０ａ内に液状体Ｒが配置されることによって、開口部４０を覆う液状体Ｒの乾燥状態が安定するようになり、均一な膜を形成することができる。本実施形態では、図４に示したように、凹部６０ａがかさ上げ領域１１１の周囲を囲むように配置されているため、かさ上げ領域１１１に設けられた画素電極１０９（平坦部分１０９ａ）上において液状体Ｒの乾燥がより安定した状態で進行させることができる。
【００６９】
このように本実施形態によれば、画素領域Ａの中央部分に設けられたかさ上げ領域１１１上には、液状体が乾燥することで平坦性の高い機能層１０の薄膜を形成することができる。なお、機能層１０の一部は、凹部６０ａ内にも形成される。
【００７０】
具体的に、上記液滴吐出ヘッド５１を用いた液滴吐出法により、正孔注入層７及び正孔輸送層８の形成材料であるＰＥＤＯＴ／ＰＳＳの分散液を、開口部４０内に所定量吐出する。
【００７１】
その後、乾燥処理、次いで、焼成処理を例えば２００℃で１０分間程度行うことにより、機能層１０の一部の薄膜を構成する正孔注入層７及び正孔輸送層８を、例えば、厚さ２０ｎｍ〜１００ｎｍ程度に形成する。
【００７２】
本実施形態によれば、上述のように、かさ上げ領域１１１により画素電極１０９の平坦部分１０９ａを形成するとともに、かさ上げ領域１１１の周辺領域に形成した凹部６０ａ内にＰＥＤＯＴ／ＰＳＳの分散液の液だまりを生じさせることができる。これにより、少なくとも有効画素として機能する画素開口２４ａ１内に平坦性が高い正孔注入層７及び正孔輸送層８を形成することができる。なお、正孔注入層７及び正孔輸送層８は、凹部６０ａ内にも一部が入り込んだ状態に形成される。
【００７３】
次いで、この正孔注入層７及び正孔輸送層８上に、発光層９を形成する。この発光層９の形成工程においても、上記の正孔注入層７及び正孔輸送層８の形成工程と同様に、液滴吐出法である液滴吐出法で行う。
【００７４】
その後、例えば、窒素雰囲気中にて１３０℃で３０分間程度熱処理を行い、隔壁２４に形成された開口部４０内、すなわち画素領域Ａ上に、機能層１０を構成する機能膜となる発光層９を、厚さ５０ｎｍ〜２００ｎｍ程度に形成する。なお、発光層９の形成材料中に用いる溶媒としては、正孔注入層７及び正孔輸送層８を再溶解させないもの、例えば、キシレンあるいはシクロヘキシルベンゼンなどが好適に用いられる。
【００７５】
本実施形態によれば、上述のように、画素電極１０９の平坦部分１０９ａにおける平坦性が高いことで画素開口２４ａ１内に平坦な正孔注入層７及び正孔輸送層８が形成されているため、発光層９の形成材料は画素開口２４ａ１内においてほぼ平坦な液膜を形成することができる。また、発光層９の形成材料は凹部６０ａ内に流れ込んで液膜を作るため、乾燥状態が安定することで画素開口２４ａ１内に平坦性が高い発光層９が形成される。なお、発光層９は、凹部６０ａ内にも一部が入り込んだ状態に形成される。
【００７６】
本実施形態の電気光学装置１によれば、液滴吐出法を用いた場合であっても、上記かさ上げ領域１１１を画素領域Ａの中央部分に設けることで、画素電極１０９上に膜厚バラツキの少ない機能層１０が形成されたものとなる。
【００７７】
次いで、発光層９及び有機隔壁２４ｂを覆って透明導電材料を成膜し、対向電極１１０を形成する。この対向電極１１０の形成では、正孔注入層７及び正孔輸送層８や発光層９の形成とは異なり、真空蒸着法等で行うことにより、画素領域Ａにのみ選択的に形成するのでなく、基板１００のほぼ全面に対向電極１１０を形成する。
【００７８】
その後、対向電極１１０上に接着剤を用いて接着層（不図示）を形成し、さらにこの接着層によって封止基板（不図示）を接着し、封止を行う。これにより、電気光学装置１が得られる。
【００７９】
凹部６０ａ内に配置された機能層１０は、画素電極１０９および対向電極１１０間に挟まれるため、リークした電界が印加されるおそれがある。そのため、凹部６０ａ内に配置された機能層１０を遮光膜で覆うようにしても良い。
【００８０】
また、機能層１０のうち発光層９は抵抗体であるため、凹部６０ａ内における発光層９の厚みを閾値以上に設定し、リークした電界が印加されても発光させないようにしてもよい。これによれば、遮光膜を設置する必要が無くなる。なお、上述のように凹部ａ６０内において発光層９を発光させない閾値としては、例えば、かさ上げ領域１１１において画素電極１０９の平坦部分１０９ａを覆っている機能層１０の厚さの２倍以上に設定するのが好ましい。
【００８１】
以上のように、本実施形態によれば、画素領域Ａ内において、機能層１０（正孔注入層７、正孔輸送層８、発光層９）の膜厚ムラを抑えることにより、表示性能を向上できる。
また、本実施形態の電気光学装置１では、画素領域Ａ内で生じる下地層３０の高低差による影響を抑えつつ、各薄膜の膜厚の均一性を確保することができる。その結果、上述のように、発光輝度の均一性の更なる向上を図ることが可能である。そのため、基板１００とは反対側から光を取り出すトップエミッション構造に適用するのに好適である。
【００８２】
（第２実施形態）
続いて、本発明の第２実施形態について説明する。図７は本実施形態の電気光学装置１Ａの画素領域Ａ１の断面構造を示す断面図である。本実施形態と上記実施形態との違いは、かさ上げ構造であり、それ以外は共通である。そのため、以下では、上記実施形態と共通の部材および構成については同じ符号を付し、その詳細な説明については省略する。
【００８３】
本実施形態では、画素領域Ａの中央に、駆動素子部１１の構成要素をより集中配置することで各種の配線１０１〜１０３や保持容量１０７等をより立体的に重なり合って配置するようにしている。この場合、下地層３０のみで上面が平坦化されたかさ上げ領域を実現することは難しく、画素電極１０９の形成面に段差が生じ易くなってしまう。
【００８４】
これに対して、本実施形態では、かさ上げ領域２１１内における、駆動素子部１１によって大きな段差が生じる領域に、段差緩和補助層３５を配置することで第２の層間絶縁膜３２の上面３２ａを平坦化している。
【００８５】
本実施形態において、半導体層１７Ａ上に、ゲート絶縁膜１６、第１層メタル１１Ａ１、第１の層間絶縁膜３１、第２層メタル１１Ｂ１が順に積層されている。第１層メタル１１Ａ３の上には、第２層メタル１１Ｂ２が積層されている。半導体層１７Ｂ上には、メタル層が形成されないため、第２の層間絶縁膜３２に大きな段差を生じさせるおそれがある。
【００８６】
本実施形態では、半導体層１７Ｂを覆うゲート絶縁膜１６上に段差緩和補助層３５を設置した。段差緩和補助層３５は、第１段差緩和補助層３５Ａ、第２段差緩和補助層３５Ｂ、第３段差緩和補助層３５Ｃおよび第４段差緩和補助層３５Ｄを含んでいる。
【００８７】
第１段差緩和補助層３５Ａは、第１層メタル１１Ａ１、１１Ａ３の間に配置されている。なお、第１段差緩和補助層３５Ａは、第１の層間絶縁膜３１によって覆われている。
第１段差緩和補助層３５Ａは、第１層メタル１１Ａ１、１１Ａ３の間に生じる段差を埋め込んで平坦化して緩和する。これにより、第１の層間絶縁膜３１は、第１層メタル１１Ａ１、１１Ａ３の間に生じる段差が緩和されたものとなっている。
【００８８】
第１段差緩和補助層３５Ａの上には、第１の層間絶縁膜３１を介して、第２段差緩和補助層３５Ｂが設けられている。第２段差緩和補助層３５Ｂは、上面の高さが第２層メタル１１Ｂ１、１１Ｂ２の上面の高さとほぼ一致している。
【００８９】
第２層メタル１１Ｂ１と第２段差緩和補助層３５Ｂとの間には、第３段差緩和補助層３５Ｃが配置されている。第３段差緩和補助層３５Ｃは、第１の層間絶縁膜３１上に形成されている。第３段差緩和補助層３５Ｃは、第２層メタル１１Ｂ１と第２段差緩和補助層３５Ｂとの間に生じる段差を緩和している。
【００９０】
また、第２層メタル１１Ｂ２と第２段差緩和補助層３５Ｂとの間には、第４段差緩和補助層３５Ｄが配置されている。第４段差緩和補助層３５Ｄは、第１の層間絶縁膜３１上に形成されている。第４段差緩和補助層３５Ｄは、第２層メタル１１Ｂ２と第２段差緩和補助層３５Ｂとの間に生じる段差を緩和している。
【００９１】
なお、第１段差緩和補助層３５Ａは、第１層メタル１１Ａ１、１１Ａ３と同じ材料あるいは異なる材料で形成されていても良い。
【００９２】
例えば、第１層メタル１１Ａ１、１１Ａ３と同じ材料である金属材料（例えば、Ａｌ、Ａｇ等）で形成される場合、第１段差緩和補助層３５Ａは第１層メタル１１Ａ１、１１Ａ３を形成するパターニング工程と同じ工程で形成可能である。よって、第１段差緩和補助層３５Ａを形成するためにフォトリソ工程を変更する必要が無いので、簡便なプロセスで形成することができる。
【００９３】
一方、第１層メタル１１Ａ１、１１Ａ３と異なる材料である、絶縁材料で形成される場合、第１段差緩和補助層３５Ａは第１層メタル１１Ａ１、１１Ａ３を形成するパターニング工程と別工程で形成可能である。よって、レイアウトの自由度が高くなるので、段差を良好に緩和させることができる。
なお、第１段差緩和補助層３５Ａは絶縁性を有するため、他の配線１０１〜１０３等に接触した状態に配置することができる。よって、下地層３０内の所望の位置に形成することができる。
【００９４】
また、第２段差緩和補助層３５Ｂ、第３段差緩和補助層３５Ｃおよび第４段差緩和補助層３５Ｄは、第２層メタル１１Ｂ１、１１Ｂ２と同じ材料あるいは異なる材料で形成されていても良い。
【００９５】
例えば、第２層メタル１１Ｂ１、１１Ｂ２と同じ材料である金属材料（例えば、Ａｌ、Ａｇ等）で形成される場合、第２段差緩和補助層３５Ｂ、第３段差緩和補助層３５Ｃおよび第４段差緩和補助層３５Ｄは第２層メタル１１Ｂ１、１１Ｂ２を形成するパターニング工程と同じ工程で形成可能である。
よって、第２段差緩和補助層３５Ｂ、第３段差緩和補助層３５Ｃおよび第４段差緩和補助層３５Ｄを形成するためにフォトリソ工程を変更する必要が無いので、簡便なプロセスで形成することができる。
【００９６】
一方、第２層メタル１１Ｂ１、１１Ｂ２と異なる材料である、絶縁材料で形成される場合、第２段差緩和補助層３５Ｂ、第３段差緩和補助層３５Ｃおよび第４段差緩和補助層３５Ｄは第２層メタル１１Ｂ１、１１Ｂ２を形成するパターニング工程と別工程で形成可能である。よって、レイアウトの自由度が高くなるので、段差を良好に緩和させることができる。なお、第２段差緩和補助層３５Ｂ、第３段差緩和補助層３５Ｃおよび第４段差緩和補助層３５Ｄは絶縁性を有するため、他の配線１０１〜１０３等に接触した状態に配置することができる。よって、下地層３０内の所望の位置に形成することができる。
【００９７】
本実施形態において、第２の層間絶縁膜３２は、第２層メタル１１Ｂ１、１１Ｂ２、第２段差緩和補助層３５Ｂ、第３段差緩和補助層３５Ｃおよび第４段差緩和補助層３５Ｄを覆った状態で第１の層間絶縁膜３１の上に配置され、画素領域Ａにおける開口部４０の中央を平坦化している。そのため、第２の層間絶縁膜３２の上面３２ａに形成された画素電極１０９は平坦部分１０９ａを有したものとなっている。
【００９８】
本実施形態では、画素領域Ａの中央部分に、下地層３０の内部に段差緩和補助層３５を設置したかさ上げ領域２１１を設けている。そのため、開口部４０内において、かさ上げ領域２１１の周辺領域は、該かさ上げ領域２１１に比べて、主面１００ａから画素領域Ａの底面までの距離（第２の距離）が小さい領域を凹み領域（第２の領域）１６０が設けられている。
【００９９】
本実施形態においても、凹み領域１６０は、かさ上げ構造２１１の周囲を枠状に囲むように画素領域Ａ（開口部４０）内に設けられている（図４参照）。画素領域Ａは、底面に、かさ上げ領域２１１、凹み領域１６０、および隔壁２４により形成された凹部１６０ａを有している。
【０１００】
画素電極１０９は、第２の層間絶縁膜３２に形成されたコンタクトホール３３を介して、ドレイン電極１５と電気的に接続されている。コンタクトホール３３は、凹部１６０ａ内に形成されている。これにより、コンタクトホール３３に伴って生じる凹みを液だまりとして有効利用することができる。
【０１０１】
本実施形態においても、液滴吐出法により隔壁２４の開口部４０内に吐出された液状体は、画素開口２４ａ１内においてほぼ平坦な液膜を形成することが可能である。また、液状体は凹部１６０ａ内に流れ込んで液膜を作るため、乾燥状態が安定することで画素開口２４ａ１内に平坦性が高い機能層１０（正孔注入層７、正孔輸送層８及び発光層９）を形成することが可能である。なお、機能層１０は、凹部１６０ａ内にも一部が入り込んだ状態に形成される。
【０１０２】
また、本実施形態では、かさ上げ領域２１１の内部に段差緩和補助層３５を埋め込むことでかさ上げ量（高さ）を稼ぐことができるため、第１実施形態に比べて、第２の層間絶縁膜３２の厚みが抑えられている。よって、第２の層間絶縁膜３２として、製造が簡便且つ精度良くできる膜厚範囲のものを採用することができる。
【０１０３】
また、図８に示すように、第１層メタル１１Ａ１、第３段差緩和補助層３５Ｃ、第２段差緩和補助層３５Ｂ、第４段差緩和補助層３５Ｄおよび第２層メタル１１Ｂ２の上に、絶縁材料からなる第５段差緩和補助層３５Ｅをそれぞれ積層することでかさ上げ高さをさらに稼ぐようにしてもよい。この場合において、第２層メタル１１Ｂ２とドレイン電極１５との間に生じる段差を補完するように、第６段差緩和補助層３５Ｆを配置しておき、該第６段差緩和補助層３５Ｆ上にも上記第５段差緩和補助層３５Ｅを積層するようにしている。これにより、第２の層間絶縁膜３２の厚みをさらに抑えつつ、平坦性も確保することができる。
【０１０４】
（電子機器）
次に、上記電気光学装置１を備える電子機器の具体例について、図９、図１０及び図１１を参照して説明する。
図９は、携帯電話２００の一例を示す斜視図である。携帯電話２００は、図９に示すように、携帯電話本体２０１を備え、この携帯電話本体２０１に設けられた表示部２０２に上記電気光学装置１を用いた例である。
【０１０５】
図１０は、腕時計３００の一例を示す斜視図である。腕時計３００は、図１０に示すように、時計本体３０１を備え、この時計本体３０１に設けられた表示部３０２に上記電気光学装置１を用いた例である。
【０１０６】
図１１は、パーソナルコンピューターなどの携帯型情報処理装置４００の一例を示す斜視図である。携帯型情報処理装置４００は、図１１に示すように、装置本体４０１を備え、この装置本体４０１に設けられた表示部４０２に上記電気光学装置１を用いた例である。
【０１０７】
また、上記電気光学装置１を備えた電子機器としては、それ以外にも、例えば、デジタルスチルカメラ、車載用モニター、デジタルビデオカメラ、ビューファインダー型またはモニター直視型のビデオテープレコーダー、カーナビゲーション装置、ページャー、電子手帳、電卓、ワークステーション、テレビ電話機、ＰＯＳ端末機などの表示部を備えた電子機器を挙げることができる。
【０１０８】
なお、本発明は、上記実施形態のものに必ずしも限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
例えば、上記実施形態では、かさ上げ領域１１１，２１１の周囲を囲むように凹み領域６０，１６０を設置する場合を例に挙げたが、本発明はこれに限定されない。例えば、図１２に示すように、画素領域Ａ（開口部４０）の四隅に凹み領域６０，１６０に配置しても良い。この場合、凹部６０ａ，１６０ａは、かさ上げ領域１１０，２１１および凹み領域６０，１６０により構成される。
また、かさ上げ領域１１０，２１１の周囲に凹み領域６０，１６０が配置されていてもよい。
【０１０９】
あるいは、一部が隔壁２４に接触し、残りの周囲にかさ上げ領域１１１，２１１が配置されるように凹み領域６０，１６０を形成して凹部６０ａ，１６０ａを配置するようにしてもよい。
【０１１０】
また、上記実施形態では、隔壁２４が無機隔壁２４ａと有機隔壁２４ｂとを備えた２段構造となっているが、このような構造に必ずしも限定されるものではなく、機能膜を形成する薄膜に合わせて、段差部の構造や配置、数などを適宜変更することが可能である。
【０１１１】
また、上記実施形態では、電気光学装置の一例として、有機ＥＬ素子を有する電気光学装置を例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、電気的な作用により光学特性が変化する電気光学装置に対して幅広く適用することが可能である。
【０１１２】
また、上記実施形態では、アクティブマトリックス型の電気光学装置としてＴＦＴを駆動素子やスイッチング素子として用いた場合を説明したが、駆動素子やスイッチング素子としてＴＦＤ（薄膜ダイオード）を用いることもできる。また、アクティブマトリックス型の電気光学装置ではなく、パッシブマトリックス型の電気光学装置にも同様に適用することが可能である。
【符号の説明】
【０１１３】
Ａ，Ａ１…画素領域、１，１Ａ…電気光学装置、１０…機能層、１１…駆動素子部、１００…基板、２４…隔壁、３０…下地層、３１…第１の層間絶縁膜、３２…第２の層間絶縁膜、３３…コンタクトホール、３５…段差緩和補助層、３５Ａ…第１段差緩和補助層、３５Ｂ…第２段差緩和補助層、３５Ｃ…第３段差緩和補助層、３５Ｄ…第４段差緩和補助層、３５Ｅ…第５段差緩和補助層、３５Ｆ…第６段差緩和補助層、６０，１６０…凹み領域、６０ａ，１６０ａ…凹部、１００…基板、１０８…駆動用ＴＦＴ（スイッチング素子）、１０９…画素電極、１１１，２１１…かさ上げ領域。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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