(57)【要約】【課題】酸化モリブデンの含有量を減らさずに酸化モリブデンを含む正孔注入層（または正孔輸送層）の導電性を低下させてクロストークの発生を防止する。【解決手段】陽極と陰極の間に少なくとも正孔注入層と、発光層と、を有するＥＬ層が挟持され、前記正孔注入層は前記陽極と前記発光層の間に配され、前記正孔注入層は酸化モリブデンと添加物を含む発光素子とする。前記添加物は、アルカリ金属若しくはアルカリ土類金属、ＬＵＭＯ準位が−５．８ｅＶ以下の物質、またはホール移動度が１０−７ｃｍ２／Ｖｓ以下の物質であればよい。【選択図】図５
2016076732.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
陽極と陰極の間に、少なくとも正孔注入層及び発光層を有するＥＬ層が設けられ、
前記正孔注入層は、前記陽極と前記発光層の間に設けられ、
前記正孔注入層は、酸化モリブデンを含み、
前記正孔注入層は、ジベンゾキノキサリン系の物質を含むことを特徴とする発光素子。
【請求項２】
陽極と陰極の間に、少なくとも正孔注入層及び発光層を有するＥＬ層が設けられ、
前記正孔注入層は、前記陽極と前記発光層の間に設けられ、
前記正孔注入層は、酸化モリブデンを含み、
前記正孔注入層は、フェナントロリン系の物質を含むことを特徴とする発光素子。
【請求項３】
陽極と陰極の間に、少なくとも正孔注入層及び発光層を有するＥＬ層が設けられ、
前記正孔注入層は、前記陽極と前記発光層の間に設けられ、
前記正孔注入層は、酸化モリブデンを含み、
前記正孔注入層は、トリアゾール系の物質を含むことを特徴とする発光素子。
【請求項４】
陽極と陰極の間に、少なくとも正孔注入層及び発光層を有するＥＬ層が設けられ、
前記正孔注入層は、前記陽極と前記発光層の間に設けられ、
前記正孔注入層は、酸化モリブデンを含み、
前記正孔注入層は、オキサジアゾール系の物質を含むことを特徴とする発光素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光素子と発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、発光装置であるＥＬ表示装置の開発が進められており、次第に実用化されつつあ
る。その一方で、照明器具として、ＥＬ表示装置に設けられる発光素子と同様の発光素子
を用いたＥＬ照明装置についても開発が進められている。
【０００３】
このような発光素子の作製に際して、発光材料などの被蒸着面である下部電極の平坦性
を維持しつつ発光素子のホール注入性を向上させるために、正孔注入層に酸化モリブデン
を添加する技術が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１１−９２０５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
正孔注入層（または正孔輸送層）に酸化モリブデンを添加すると発光素子の導電性（ホ
ール注入性）が向上する。しかし、発光素子の導電性が向上することで、正孔注入層（ま
たは正孔輸送層）を介して隣接する画素の発光素子に電流が流れるため、当該隣接する画
素の発光素子が発光してしまう。すなわち、クロストークを生じる。このとき、導電性の
向上を抑制するために正孔注入層（または正孔輸送層）における酸化モリブデンの含有量
を単純に減らしてしまうと、正孔注入層（または正孔輸送層）が結晶化しやすくなる。正
孔注入層（または正孔輸送層）などのＥＬ層に含まれる層が結晶化すると、正孔注入層（
または正孔輸送層）の厚さにばらつきが生じてしまい、発光素子の信頼性が低下するとい
う問題がある。
【０００６】
本発明の一態様は、正孔注入層（または正孔輸送層）における酸化モリブデンの含有量
を減らすことなく酸化モリブデンを含む正孔注入層（または正孔輸送層）の導電性を低下
させて、クロストークの発生を防止することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一態様は、酸化モリブデンが添加された正孔注入層（または正孔輸送層）に添
加物を添加することで、正孔注入層（または正孔輸送層）の結晶化を抑制しつつ、隣接す
る画素間のクロストークの発生を防止した発光素子、発光装置、及びその作製方法である
。前記添加物は、蒸着可能な材料であればよい。
【０００８】
本発明の一態様では、前記添加物として、例えばドナー性物質を用いることができる。
ドナー性物質は、アルカリ金属またはアルカリ土類金属である。ドナー性物質として、好
ましくはＬｉまたはＣａを用いるとよい。Ｌｉは、正孔注入層を形成する材料に均一に混
合させることが容易だからであり、Ｃａは、Ｌｉよりも空気及び水との反応性に乏しく、
取り扱いが容易だからである。前記添加物としてＬｉを用いる場合には、Ｌｉの濃度は１
重量パーセント以上１０重量パーセント以下とすることが好ましい。
【０００９】
本発明の一態様では、前記添加物として、例えば酸化モリブデンとの反応性が乏しい物
質を用いてもよい。前記添加物として用いる物質は、正孔注入層の導電性を低下させるた
めに用いるものであるため、サイズが大きい（ホスト材料と同程度以上である）ことが好
ましい。
【００１０】
なお、酸化モリブデンとの反応性が乏しい前記物質は、ＨＯＭＯ準位が−５．８ｅＶ以
下、好ましくは−５．９ｅＶ以下の物質であればよく、ジベンゾキノキサリン系、フェナ
ントロリン系、トリアゾール系、オキサジアゾール系の物質を用いることができる。
【００１１】
ジベンゾキノキサリン系の物質としては、例えば、２−［３−（ジベンゾチオフェン−
４−イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン、２−［４−（３，６−ジフェニ
ル−９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン、２−
［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］−３−フェニルジベンゾ［ｆ，ｈ］
キノキサリン、７−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，
ｈ］キノキサリン、２ーフェニルジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン、２−［３−（３，６
−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサ
リン、２−［４−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ、ｈ］キノ
キサリン、２−［３−（３´−ジベンゾチオフェン−４−イル）ビフェニル］ジベンゾ［
ｆ、ｈ］キノキサリン、２−［３−（ジベンゾフラン−４−イル）フェニル］ジベンゾ［
ｆ、ｈ］キノキサリン、６−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］−ジベ
ンゾキノキサリン、２−［４−（ジベンゾチオフェン−２−イル）フェニル］ジベンゾ［
ｆ、ｈ］キノキサリンが挙げられる。
【００１２】
フェナントロリン系の物質としては、例えば、２，９−ジメチル−４，７―ジフェニル
−１，１０−フェナントロリン、２−（４−ｔ−ブチルフェニル）−４，７−ジフェニル
−１，１０−フェナントロリン、２−ナフチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナ
ントロリン、２−（ナフタレン−２−イル）−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナン
トロリンが挙げられる。
【００１３】
トリアゾール系の物質としては、例えば、９−［４−（３，５−ジフェニル−１Ｈ−１
，２，４−トリアゾール−１−イル）］フェニル−９Ｈ−カルバゾール  （略称：ＣｚＴ
ＡＺ（１Ｈ）、９−［４’’’−（３，５−ジフェニル−１Ｈ−１，２，４−トリアゾー
ル−１−イル）−［１，１’：２’，１’’：２’’，１’’’］クアテルフェニル−４
−イル］−９Ｈ−カルバゾール  （略称：Ｚ−ＣｚＰＴＡＺ（１Ｈ）、３−［４−（ジベ
ンゾチオフェン−４−イル）フェニル）］−４，５−ジフェニル−４Ｈ−１，２，４−ト
リアゾール（略称：ＤＢＴＴＡＺ−２）が挙げられる。
【００１４】
オキサジアゾール系の物質としては、例えば、９−［４−（３−フェニル−１，２，４
−オキサジアゾール−５−イル）］フェニル−９Ｈ−カルバゾール  （略称：ＣｚＯｄ）
、２，５−［４−（ジベンゾチオフェン−１−イル）ジフェニル］−１，３，４−オキサ
ジアゾール、２，５−［４−（２，７−ジフェニルジベンゾチオフェン−４−イル）ジフ
ェニル］−１，３，４−オキサジアゾール、２，５−ビス［４，４´´（ジベンゾチオフ
ェン−１−イル）フェニル］−１，３，４−オキサジアゾールが挙げられる。
【００１５】
本発明の一態様では、前記添加物としてホール移動度が１０−７ｃｍ２／Ｖｓ以下の物
質を用いてもよい。ここで、前記添加物は、有機物であることが好ましい。
【００１６】
なお、発光素子の陽極と陰極に挟持された部分には少なくとも正孔注入層と発光層が設
けられていればよく、その他の層は必要に応じて適宜設けられていればよい。ここで、電
子注入層、電子輸送層及び正孔輸送層などが、その他の層に相当する。
【発明の効果】
【００１７】
本発明の一態様によれば、正孔注入層（または正孔輸送層）における酸化モリブデンの
含有量を減らすことなく正孔注入層（または正孔輸送層）の導電性を低下させてクロスト
ークの発生を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の一態様である発光素子を説明する図。
【図２】本発明の一態様である発光装置を説明する図。
【図３】本発明の一態様である発光装置を説明する図。
【図４】本発明の一態様である発光装置を説明する図。
【図５】本発明の一態様である発光装置を説明する図。
【図６】本発明の一態様である発光装置を説明する図。
【図７】本発明の一態様である発光装置を搭載した電子機器を説明する図。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下では、本発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。ただし、本発明
は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及
び詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。したがって、本発
明は、以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【００２０】
（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様である発光素子と発光装置について説明する。
【００２１】
図１は、本実施の形態の発光素子の構造を示す。図１に示す発光素子は、基板１００上
に設けられた陽極１０２と、陽極１０２上に設けられた正孔注入層１０４と、正孔注入層
１０４上に設けられた正孔輸送層１０６と、正孔輸送層１０６上に設けられた発光層１０
８と、発光層１０８上に設けられた電子輸送層１１０と、電子輸送層１１０上に設けられ
た電子注入層１１２と、電子注入層１１２上に設けられた陰極１１４と、を有する。
【００２２】
基板１００は、発光素子の支持体として用いられるものである。基板１００としては、
例えばガラス基板、石英基板、プラスチック基板などを用いることができる。
【００２３】
ガラス基板の具体例としては、バリウムホウケイ酸ガラス、アルミノホウケイ酸ガラス
、またはアルミノシリケートガラスなどのフュージョン法やフロート法で作製される無ア
ルカリガラス基板及びセラミック基板の他に、本作製工程の処理温度に耐えうる耐熱性を
有するプラスチック基板などを用いることができる。例えば、成分比として酸化ホウ素（
Ｂ２Ｏ３）よりも酸化バリウム（ＢａＯ）を多く含み、歪み点が７３０℃以上のガラス基
板を用いることが好ましい。発光素子とともに設けられるトランジスタの半導体層を７０
０℃程度の高温で熱処理する場合でも、ガラス基板を歪ませないからである。
【００２４】
基板１００がマザーガラスの場合、第１世代（３２０ｍｍ×４００ｍｍ）、第２世代（
４００ｍｍ×５００ｍｍ）、第３世代（５５０ｍｍ×６５０ｍｍ）、第４世代（６８０ｍ
ｍ×８８０ｍｍ、または７３０ｍｍ×９２０ｍｍ）、第５世代（１０００ｍｍ×１２００
ｍｍまたは１１００ｍｍ×１２５０ｍｍ）、第６世代（１５００ｍｍ×１８００ｍｍ）、
第７世代（１９００ｍｍ×２２００ｍｍ）、第８世代（２１６０ｍｍ×２４６０ｍｍ）、
第９世代（２４００ｍｍ×２８００ｍｍ、２４５０ｍｍ×３０５０ｍｍ）、第１０世代（
２９５０ｍｍ×３４００ｍｍ）のいずれを用いてもよい。
【００２５】
また、ステンレス合金などの金属基板の表面に絶縁膜を設けた基板を適用してもよい。
また、プラスチック基板は軽量であり、可撓性を有し、可視光を透過するなどの発光素子
の基板として魅力的な特徴を有する。また、プラスチック基板に防湿性を有する膜を形成
し、または貼り付け、発光素子を水などの不純物から保護できる基板を用いてもよい。
【００２６】
また、基板１００上に下地膜として絶縁膜を形成してもよい。下地膜は、ＣＶＤ法また
はスパッタリング法などを用いて、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン
膜または窒化酸化シリコン膜を単層で、または積層して形成すればよい。
【００２７】
なお、「窒化酸化シリコン」とは、その組成として、酸素よりも窒素の含有量が多いも
のであって、好ましくは、ラザフォード後方散乱法（ＲＢＳ：Ｒｕｔｈｅｒｆｏｒｄ  Ｂ
ａｃｋｓｃａｔｔｅｒｉｎｇ  Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）及び水素前方散乱法（ＨＦＳ
：Ｈｙｄｒｏｇｅｎ  Ｆｏｒｗａｒｄ  ｓｃａｔｔｅｒｉｎｇ  Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒ
ｙ）を用いて測定した場合に、酸素が５〜３０原子％、窒素が２０〜５５原子％、シリコ
ンが２５〜３５原子％、水素が１０〜３０原子％の範囲で含まれるものをいう。
【００２８】
なお、「酸化窒化シリコン」とは、窒素よりも酸素の含有量が多いものであって、好ま
しくは、ＲＢＳ及びＨＦＳを用いて測定した場合に、酸素が５０〜７０原子％、窒素が０
．５〜１５原子％、シリコンが２５〜３５原子％、水素が０．１〜１０原子％の範囲で含
まれるものをいう。
【００２９】
ただし、酸化窒化シリコンまたは窒化酸化シリコンを構成する原子の合計を１００原子
％としたとき、窒素、酸素、シリコン及び水素の含有比率が前記範囲内に含まれるものと
する。
【００３０】
陽極１０２は、仕事関数の大きい（具体的には４．０ｅＶ以上）金属、合金、電気伝導
性化合物及びこれらの混合物などにより設けられた電極である。このような陽極１０２の
材料として、具体的には、酸化インジウム−酸化スズ（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  
Ｏｘｉｄｅ）、シリコン若しくは酸化シリコンを含有した酸化インジウム−酸化スズ、酸
化インジウム−酸化亜鉛、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウムなど
が挙げられる。この他、陽極１０２の材料としては、金、白金、ニッケル、タングステン
、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、チタンまたは該金属材料の窒化
物（例えば、窒化チタン）などが挙げられる。
【００３１】
陽極１０２は、スパッタリング法を用いて形成すればよい。例えば、陽極１０２の材料
が酸化インジウム−酸化亜鉛である場合には、酸化インジウムに１重量パーセント以上２
０重量パーセント以下の酸化亜鉛が加えられたターゲットを用いればよい。または、陽極
１０２の材料が酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウムである場合には
、酸化インジウムに０．５重量パーセント以上５重量パーセント以下の酸化タングステン
と、０．１重量パーセント以上１重量パーセント以下の酸化亜鉛が加えられたターゲット
を用いればよい。その他、ゾル−ゲル法などを応用して、インクジェット法またはスピン
コート法などにより形成してもよい。
【００３２】
なお、陽極１０２は、反射電極と透光性の電極が積層されて設けられた構成であっても
よい。
【００３３】
陽極１０２上のＥＬ層の材料には公知の物質を用いればよく、低分子系化合物及び高分
子系化合物のどちらを用いることもできる。なお、ＥＬ層の材料には、有機化合物のみか
らなるものだけでなく、無機化合物を一部に含むものも用いることができる。
【００３４】
正孔注入層１０４は、ホール移動度が１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の有機化合物と、酸化
モリブデンと、添加物と、を含む混合層を用いることができる。
【００３５】
有機化合物には低分子系化合物及び高分子系化合物のどちらも用いることができる。低
分子系化合物としては、４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）トリフ
ェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（３−メチルフェ
ニル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）、４，４’−
ビス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称
：ＤＰＡＢ）、Ｎ，Ｎ’−ビス｛４−［ビス（３−メチルフェニル）アミノ］フェニル｝
−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−（１，１’−ビフェニル）−４，４’−ジアミン（略称：ＤＮ
ＴＰＤ）、１，３，５−トリス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニル
アミノ］ベンゼン（略称：ＤＰＡ３Ｂ）、３−［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−
イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ１）、
３，６−ビス［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−
９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ２）、３−［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ
−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）アミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称
：ＰＣｚＰＣＮ１）、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセ
ン（略称：ｔ−ＢｕＤＮＡ）などを用いることができる。
【００３６】
また、高分子系化合物としては、オリゴマー、デンドリマーまたはポリマーなどを用い
ることができる。例えば、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）（略称：ＰＶＫ）、ポリ（４
−ビニルトリフェニルアミン）（略称：ＰＶＴＰＡ）、ポリ［Ｎ−（４−｛Ｎ’−［４−
（４−ジフェニルアミノ）フェニル］フェニル−Ｎ’−フェニルアミノ｝フェニル）メタ
クリルアミド］（略称：ＰＴＰＤＭＡ）、ポリ［Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）
−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）ベンジジン］（略称：Ｐｏｌｙ−ＴＰＤ）などの高分子化
合物を用いることができる。
【００３７】
正孔輸送層１０６は、正孔輸送性の高い物質（正孔移動度が１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上
であることが好ましい）を含む層である。正孔輸送性の高い物質としては、４，４’−ビ
ス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢ）、Ｎ，Ｎ
’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１，１’−ビフェニル］−
４，４’−ジアミン（略称：ＴＰＤ）、４−フェニル−４’−（９−フェニルフルオレン
−９−イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＰＡＦＬＰ）、４，４’−ビス［Ｎ−（９，
９−ジメチルフルオレン−２−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＦＬ
ＤＰＢｉ）、４，４’−ビス［Ｎ−（スピロ−９，９’−ビフルオレン−２−イル）−Ｎ
―フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＢＳＰＢ）などの芳香族アミン化合物を用いるこ
とができる。ここに述べた物質は、主に１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する
物質である。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用
いてもよい。なお、正孔輸送性の高い物質を含む層は、単層で形成してもよいし、前記物
質からなる層が二層以上積層して形成されていてもよい。
【００３８】
また、正孔輸送層１０６には、４，４’−ジ（Ｎ−カルバゾリル）ビフェニル（略称：
ＣＢＰ）、９−［４−（Ｎ−カルバゾリル）フェニル］−１０−フェニルアントラセン（
略称：ＣｚＰＡ）、９−フェニル−３−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェ
ニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＰＣｚＰＡ）のようなカルバゾール誘導体や、ｔ−
ＢｕＤＮＡ、９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ＤＮＡ）、９，１０−
ジフェニルアントラセン（略称：ＤＰＡｎｔｈ）のようなアントラセン誘導体を用いても
よい。
【００３９】
また、正孔輸送層１０６には、ＰＶＫ、ＰＶＴＰＡ、ＰＴＰＤＭＡ、Ｐｏｌｙ−ＴＰＤ
などの高分子化合物を用いることもできる。
【００４０】
発光層１０８は、発光材料を含む層である。発光材料としては、例えば、蛍光を発光す
る蛍光性化合物や燐光を発光する燐光性化合物を用いることができる。発光層１０８に用
いることができる蛍光性物質としては、例えば、青色系の発光材料として、Ｎ，Ｎ’−ビ
ス［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルスチルベ
ン−４，４’−ジアミン（略称：ＹＧＡ２Ｓ）、４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）
−４’−（１０−フェニル−９−アントリル）トリフェニルアミン（略称：ＹＧＡＰＡ）
、４−（１０−フェニル−９−アントリル）−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾー
ル−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡＰＡ）などが挙げられる。また、緑
色系の発光材料として、Ｎ−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）−Ｎ，９−ジフ
ェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＰＡ）、Ｎ−［９，１０−ビ
ス（１，１’−ビフェニル−２−イル）−２−アントリル］−Ｎ，９−ジフェニル−９Ｈ
−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＢＰｈＡ）、Ｎ−（９，１０−ジフェニル
−２−アントリル）−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン（略
称：２ＤＰＡＰＡ）、Ｎ−［９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル−２−イル）−２−
アントリル］−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン（略称：２
ＤＰＡＢＰｈＡ）、Ｎ−［９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル−２−イル）］−Ｎ−
［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ−フェニルアントラセン−２−
アミン（略称：２ＹＧＡＢＰｈＡ）、Ｎ，Ｎ，９−トリフェニルアントラセン−９−アミ
ン（略称：ＤＰｈＡＰｈＡ）などが挙げられる。また、黄色系の発光材料としては、ルブ
レン、５，１２−ビス（１，１’−ビフェニル−４−イル）−６，１１−ジフェニルテト
ラセン（略称：ＢＰＴ）などが挙げられる。また、赤色系の発光材料としては、Ｎ，Ｎ，
Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メチルフェニル）テトラセン−５，１１−ジアミン（略称
：ｐ−ｍＰｈＴＤ）、７，１４−ジフェニル−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メ
チルフェニル）アセナフト［１，２−ａ］フルオランテン−３，１０−ジアミン（略称：
ｐ−ｍＰｈＡＦＤ）などが挙げられる。
【００４１】
また、発光層１０８に用いることができる燐光性化合物としては、例えば、緑色系の発
光材料として、トリス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）（
略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）３）、ビス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（
ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）２（ａｃａｃ））、ビス（１，２
−ジフェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾラト）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート
（略称：Ｉｒ（ｐｂｉ）２（ａｃａｃ））、ビス（ベンゾ［ｈ］キノリナト）イリジウム
（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｚｑ）２（ａｃａｃ））、トリス（ベ
ンゾ［ｈ］キノリナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｂｚｑ）３）などが挙げら
れる。また、黄色系の発光材料としては、ビス（２，４−ジフェニル−１，３−オキサゾ
ラト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｄｐｏ）
２（ａｃａｃ））、ビス［２−（４’−パーフルオロフェニルフェニル）ピリジナト］イ
リジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐ−ＰＦ−ｐｈ）２（ａｃａｃ
））、ビス（２−フェニルベンゾチアゾラト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチ
ルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｔ）２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス［
２，３−ビス（４−フルオロフェニル）−５−メチルピラジナト］イリジウム（ＩＩＩ）
（略称：Ｉｒ（Ｆｄｐｐｒ−Ｍｅ）２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス｛２
−（４−メトキシフェニル）−３，５−ジメチルピラジナト｝イリジウム（ＩＩＩ）（略
称：Ｉｒ（ｄｍｍｏｐｐｒ）２（ａｃａｃ））などが挙げられる。また、橙色系の発光材
料としては、トリス（２−フェニルキノリナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略
称：Ｉｒ（ｐｑ）３）、ビス（２−フェニルキノリナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩ
Ｉ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｑ）２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナ
ト）ビス（３，５−ジメチル−２−フェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：
Ｉｒ（ｍｐｐｒ−Ｍｅ）２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス（５−イソプロ
ピル−３−メチル−２−フェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｍｐ
ｐｒ−ｉＰｒ）２（ａｃａｃ））などが挙げられる。また、赤色系の発光材料としては、
ビス［２−（２’−ベンゾ［４，５−α］チエニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ３’］イリジウ
ム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｔｐ）２（ａｃａｃ））、ビス（１
−フェニルイソキノリナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（
略称：Ｉｒ（ｐｉｑ）２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス［２，３−ビス（
４−フルオロフェニル）キノキサリナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（Ｆｄｐｑ
）２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス（２，３，５−トリフェニルピラジナ
ト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｔｐｐｒ）２（ａｃａｃ））、（ジピバロイル
メタナト）ビス（２，３，５−トリフェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：
Ｉｒ（ｔｐｐｒ）２（ｄｐｍ））、２，３，７，８，１２，１３，１７，１８−オクタエ
チル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィリン白金（ＩＩ）（略称：ＰｔＯＥＰ）などの有機金属
錯体が挙げられる。また、トリス（アセチルアセトナト）（モノフェナントロリン）テル
ビウム（ＩＩＩ）（略称：Ｔｂ（ａｃａｃ）３（Ｐｈｅｎ））、トリス（１，３−ジフェ
ニル−１，３−プロパンジオナト）（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（
略称：Ｅｕ（ＤＢＭ）３（Ｐｈｅｎ））、トリス［１−（２−テノイル）−３，３，３−
トリフルオロアセトナト］（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：Ｅ
ｕ（ＴＴＡ）３（Ｐｈｅｎ））などの希土類金属錯体は、希土類金属イオンからの発光（
異なる多重度間の電子遷移）であるため、燐光性化合物として用いることができる。
【００４２】
また、発光材料として高分子化合物を用いてもよい。具体的には、青色系の発光材料と
して、ポリ（９，９−ジオクチルフルオレン−２，７−ジイル）（略称：ＰＦＯ）、ポリ
［（９，９−ジオクチルフルオレン−２，７−ジイル）−ｃｏ−（２，５−ジメトキシベ
ンゼン−１，４−ジイル）］（略称：ＰＦ−ＤＭＯＰ）、ポリ｛（９，９−ジオクチルフ
ルオレン−２，７−ジイル）−ｃｏ−［Ｎ，Ｎ’−ジ−（ｐ−ブチルフェニル）−１，４
−ジアミノベンゼン］｝（略称：ＴＡＢ−ＰＦＨ）などが挙げられる。また、緑色系の発
光材料としては、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）（略称：ＰＰＶ）、ポリ［（９，９−
ジヘキシルフルオレン−２，７−ジイル）−ａｌｔ−ｃｏ−（ベンゾ［２，１，３］チア
ジアゾール−４，７−ジイル）］（略称：ＰＦＢＴ）、ポリ［（９，９−ジオクチル−２
，７−ジビニレンフルオレニレン）−ａｌｔ−ｃｏ−（２−メトキシ−５−（２−エチル
ヘキシロキシ）−１，４−フェニレン）］などが挙げられる。また、橙色〜赤色系の発光
材料としては、ポリ［２−メトキシ−５−（２’−エチルヘキソキシ）−１，４−フェニ
レンビニレン］（略称：ＭＥＨ−ＰＰＶ）、ポリ（３−ブチルチオフェン−２，５−ジイ
ル）（略称：Ｒ４−ＰＡＴ）、ポリ｛［９，９−ジヘキシル−２，７−ビス（１−シアノ
ビニレン）フルオレニレン］−ａｌｔ−ｃｏ−［２，５−ビス（Ｎ，Ｎ’−ジフェニルア
ミノ）−１，４−フェニレン］｝、ポリ｛［２−メトキシ−５−（２−エチルヘキシロキ
シ）−１，４−ビス（１−シアノビニレンフェニレン）］−ａｌｔ−ｃｏ−［２，５−ビ
ス（Ｎ，Ｎ’−ジフェニルアミノ）−１，４−フェニレン］｝（略称：ＣＮ−ＰＰＶ−Ｄ
ＰＤ）などが挙げられる。
【００４３】
また、発光性の有機化合物を含む層を複数設け、それぞれの層の発光色を異なるものに
することで、発光素子全体として、所望の色の発光を得ることができる。例えば、発光性
の有機化合物を含む層を２つ有する発光素子において、第１の発光性の有機化合物を含む
層の発光色と第２の発光性の有機化合物を含む層の発光色を補色の関係になるようにする
ことで、発光素子全体として白色発光する発光素子を得ることもできる。なお、補色とは
、混合すると無彩色になる色をいう。つまり、補色の関係にある色を発光する物質から得
られた光を混合すると、白色発光を得ることができる。また、発光性の有機化合物を含む
層を３つ以上有する発光素子の場合でも同様である。
【００４４】
電子輸送層１１０は、電子輸送性の高い（好ましくは電子移動度が１０−６ｃｍ２／Ｖ
ｓ以上の）物質を含む層である。電子輸送性の高い物質としては、トリス（８−キノリノ
ラト）アルミニウム（略称：Ａｌｑ３）、トリス（４−メチル−８−キノリノラト）アル
ミニウム（略称：Ａｌｍｑ３）、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリ
リウム（略称：ＢｅＢｑ２）、ＢＡｌｑ、Ｚｎ（ＢＯＸ）２、ビス［２−（２−ヒドロキ
シフェニル）ベンゾチアゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＴＺ）２）などの金属錯体が挙げ
られる。また、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１
，３，４−オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）、１，３−ビス［５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブ
チルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ−
７）、３−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４−フェニル−５−（４−ビフェニリル
）−１，２，４−トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、３−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル
）−４−（４−エチルフェニル）−５−（４−ビフェニリル）−１，２，４−トリアゾー
ル（略称：ｐ−ＥｔＴＡＺ）、バソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、バソキュプ
ロイン（略称：ＢＣＰ）、４，４’−ビス（５−メチルベンゾオキサゾール−２−イル）
スチルベン（略称：ＢｚＯｓ）などの複素芳香族化合物も用いることができる。また、ポ
リ（２，５−ピリジン−ジイル）（略称：ＰＰｙ）、ポリ［（９，９−ジヘキシルフルオ
レン−２，７−ジイル）−ｃｏ−（ピリジン−３，５−ジイル）］（略称：ＰＦ−Ｐｙ）
、ポリ［（９，９−ジオクチルフルオレン−２，７−ジイル）−ｃｏ−（２，２’−ビピ
リジン−６，６’−ジイル）］（略称：ＰＦ−ＢＰｙ）のような高分子化合物が挙げられ
る。なお、正孔よりも電子の輸送性の高い物質であれば、前記物質以外のものを電子輸送
層の材料として用いてもよい。
【００４５】
また、電子輸送層１１０は、単層のものだけでなく、前記物質からなる層が二層以上積
層されたものであってもよい。
【００４６】
電子注入層１１２は、電子注入性の高い物質を含む層である。電子注入層１１２には、
リチウム、セシウム、カルシウム、フッ化リチウム、フッ化セシウム、フッ化カルシウム
若しくはリチウム酸化物などのようなアルカリ金属、アルカリ土類金属またはこれらの化
合物を用いることができる。また、フッ化エルビウムのような希土類金属化合物を用いて
もよい。または、電子輸送層１１０を構成する物質を用いてもよい。
【００４７】
陰極１１４は、仕事関数の小さい（具体的には３．８ｅＶ以下）金属、合金、電気伝導
性化合物またはこれらの混合物などを用いることができる。このような陰極１１４の材料
として具体的には、元素周期表の第１族または第２族に属する元素、すなわち、リチウム
やセシウムなどのアルカリ金属、及びマグネシウム、カルシウム、ストロンチウムなどの
アルカリ土類金属並びにこれらを含む合金（例えば、ＭｇＡｇまたはＡｌＬｉ）、ユーロ
ピウム、イッテルビウムなどの希土類金属並びにこれらを含む合金などが挙げられる。
【００４８】
なお、アルカリ金属、アルカリ土類金属またはこれらを含む合金を用いて陰極１１４を
形成する場合には、真空蒸着法またはスパッタリング法を用いることができる。また、銀
ペーストなどを用いる場合には、塗布法やインクジェット法などを用いてもよい。
【００４９】
なお、本実施の形態の発光素子は、図１に示す構成に限定されない。
【００５０】
本実施の形態の発光素子では、図１に示すものとは陽極側と陰極側が逆であってもよい
。すなわち、本実施の形態の発光素子は、基板上に設けられた陰極と、該陰極上に設けら
れた電子注入層と、該電子注入層上に設けられた電子輸送層と、該電子輸送層上に設けら
れた発光層と、該発光層上に設けられた正孔輸送層と、該正孔輸送層上に設けられた正孔
注入層と、該正孔注入層上に設けられた陽極と、を有する構成であってもよい。
【００５１】
また、本実施の形態の発光素子では、少なくとも正孔注入層と発光層が設けられていれ
ばよく、電子注入層、電子輸送層及び正孔輸送層が設けられていなくてもよい。
【００５２】
図１に示す本実施の形態の発光素子は、発光装置に適用することができる。図２は、図
１に示す発光素子を適用した発光装置の構造の一例を示す。
【００５３】
図２に示す発光装置は、基板１５０上に第１のトランジスタ１５２Ａ及び第２のトラン
ジスタ１５２Ｂを有し、第１のトランジスタ１５２Ａのソース及びドレインの一方には第
１の陽極１５４Ａが電気的に接続され、第２のトランジスタ１５２Ｂのソース及びドレイ
ンの一方には第２の陽極１５４Ｂが電気的に接続され、第１の陽極１５４Ａ上には正孔注
入層１５６を有し、正孔注入層１５６上の第１の陽極１５４Ａと重畳する部分の一部（発
光領域）には第１の発光層１５８Ａを有し、正孔注入層１５６上の第２の陽極１５４Ｂと
重畳する部分の一部（発光領域）には第２の発光層１５８Ｂを有し、正孔注入層１５６の
発光層が設けられていない部分、第１の発光層１５８Ａ及び第２の発光層１５８Ｂ上には
電子注入層１６０を有し、電子注入層１６０上には陰極１６２を有する。
【００５４】
なお、図２には、ＥＬ層として正孔注入層１５６、第１の発光層１５８Ａ、第２の発光
層１５８Ｂ、電子注入層１６０を有する一形態例を示したが、本発明はこれに限定されな
い。すなわち、図１にて説明したように正孔輸送層及び電子輸送層を有していてもよいし
、電子注入層１６０が設けられていなくてもよい。なお、電子注入層１６０が設けられて
いない形態を図３に示す。
【００５５】
図２に示す発光装置は、第１の画素と、該第１の画素に隣接する第２の画素と、を有す
る。第１の画素の発光領域は第１の発光層１５８Ａを用いて設けられ、第２の画素の発光
領域は第２の発光層１５８Ｂを用いて設けられている。
【００５６】
なお、第１のトランジスタ１５２Ａ及び第２のトランジスタ１５２Ｂとしては、トップ
ゲート型トランジスタを示しているが、本発明はこれに限定されない。第１のトランジス
タ１５２Ａ及び第２のトランジスタ１５２Ｂは図示したようにトップゲート型であっても
よいし、ボトムゲート型であってもよい。更には、第１のトランジスタ１５２Ａ及び第２
のトランジスタ１５２Ｂを構成する半導体層の材料も特に限定されず、第１のトランジス
タ１５２Ａ及び第２のトランジスタ１５２Ｂを構成する半導体層の材料はシリコンであっ
てもよいし、酸化物半導体であってもよい。
【００５７】
なお、陰極１６２は、所定の電位に固定されている。
【００５８】
ここで、第１の画素を発光させ、第２の画素を発光させない場合について説明する。第
１の画素を発光させる場合には、第１の陽極１５４Ａと陰極１６２の間に電位差を生じさ
せ、第１の陽極１５４Ａから陰極１６２まで電流を流す（第１の電流経路１７０）ことで
発光させる。
【００５９】
しかし、図２に示す発光装置において、正孔注入層１５６は、第１の画素上から第２の
画素上まで繋がって設けられている。そのため、正孔注入層１５６が低抵抗である場合に
は、第１の画素を発光させると、電流は正孔注入層１５６及び第２の発光層１５８Ｂを通
過して陰極１６２まで流れて（第２の電流経路１７２）第２の画素も発光させることがあ
るという問題がある。このようにして隣接する画素が発光することでクロストークが発生
する。
【００６０】
そこで、本実施の形態では、酸化モリブデンを含む正孔注入層に添加物を添加すること
で、正孔注入層の結晶化を抑制しつつ、隣接する画素間のクロストークの発生を防止する
。前記添加物は、蒸着により形成可能な材料であればよい。
【００６１】
前記添加物としては、例えばドナー性物質を用いることができる。ドナー性物質は、ア
ルカリ金属またはアルカリ土類金属である。ドナー性物質として、好ましくはＬｉまたは
Ｃａを用いる。Ｌｉは、正孔注入層を形成する材料に均一に混合させることが容易だから
である。前記添加物としてＬｉを用いる場合には、Ｌｉの濃度は１重量パーセント以上１
０重量パーセント以下とすることが好ましい。Ｃａは、Ｌｉよりも空気及び水との反応性
に乏しく、取り扱いが容易である。
【００６２】
また、前記添加物としては、例えば酸化モリブデンとの反応性が乏しい物質を用いても
よい。前記添加物として用いる物質は、正孔注入層の導電性を低下させるために用いるも
のであるため、サイズが大きい（ホスト材料と同程度以上である）ことが好ましい。
【００６３】
なお、酸化モリブデンとの反応性が乏しい前記物質は、ＨＯＭＯ準位が−５．８ｅＶ以
下、好ましくは−５．９ｅＶ以下の物質であればよく、ジベンゾキノキサリン系、フェナ
ントロリン系、トリアゾール系、オキサジアゾール系の物質を用いることができる。
【００６４】
ジベンゾキノキサリン系の物質としては、例えば、２−［３−（ジベンゾチオフェン−
４−イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン、２−［４−（３，６−ジフェニ
ル−９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン、２−
［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］−３−フェニルジベンゾ［ｆ，ｈ］
キノキサリン、７−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，
ｈ］キノキサリン、２ーフェニルジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン、２−［３−（３，６
−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサ
リン、２−［４−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ、ｈ］キノ
キサリン、２−［３−（３´−ジベンゾチオフェン−４−イル）ビフェニル］ジベンゾ［
ｆ、ｈ］キノキサリン、２−［３−（ジベンゾフラン−４−イル）フェニル］ジベンゾ［
ｆ、ｈ］キノキサリン、６−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］−ジベ
ンゾキノキサリン、２−［４−（ジベンゾチオフェン−２−イル）フェニル］ジベンゾ［
ｆ、ｈ］キノキサリンが挙げられる。
【００６５】
フェナントロリン系の物質としては、例えば、２，９−ジメチル−４，７―ジフェニル
−１，１０−フェナントロリン、２−（４−ｔ−ブチルフェニル）−４，７−ジフェニル
−１，１０−フェナントロリン、２−ナフチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナ
ントロリン、２−（ナフタレン−２−イル）−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナン
トロリンが挙げられる。
【００６６】
トリアゾール系の物質としては、例えば、９−［４−（３，５−ジフェニル−１Ｈ−１
，２，４−トリアゾール−１−イル）］フェニル−９Ｈ−カルバゾール  （略称：ＣｚＴ
ＡＺ（１Ｈ）、９−［４’’’−（３，５−ジフェニル−１Ｈ−１，２，４−トリアゾー
ル−１−イル）−［１，１’：２’，１’’：２’’，１’’’］クアテルフェニル−４
−イル］−９Ｈ−カルバゾール  （略称：Ｚ−ＣｚＰＴＡＺ（１Ｈ）、３−［４−（ジベ
ンゾチオフェン−４−イル）フェニル）］−４，５−ジフェニル−４Ｈ−１，２，４−ト
リアゾール（略称：ＤＢＴＴＡＺ−２）が挙げられる。
【００６７】
オキサジアゾール系の物質としては、例えば、９−［４−（３−フェニル−１，２，４
−オキサジアゾール−５−イル）］フェニル−９Ｈ−カルバゾール  （略称：ＣｚＯｄ）
、２，５−［４−（ジベンゾチオフェン−１−イル）ジフェニル］−１，３，４−オキサ
ジアゾール、２，５−［４−（２，７−ジフェニルジベンゾチオフェン−４−イル）ジフ
ェニル］−１，３，４−オキサジアゾール、２，５−ビス［４，４´´（ジベンゾチオフ
ェン−１−イル）フェニル］−１，３，４−オキサジアゾールが挙げられる。
【００６８】
または、本発明の一態様では、前記添加物としてホール移動度が１０−７ｃｍ２／Ｖｓ
以下の物質を用いてもよい。ここで、前記添加物は、有機物であることが好ましい。
【００６９】
なお、第１の発光層１５８Ａ及び第２の発光層１５８Ｂと重畳する平坦部における正孔
注入層１５６の厚さと、隔壁１５７上の平坦部における正孔注入層の厚さは、概略等しい
ものとするとよい。
【００７０】
ところで、本実施の形態の発光装置は、アクティブマトリクス型であってもよいし、パ
ッシブマトリクス型であってもよい。図４には、本実施の形態の発光装置の一例であるア
クティブマトリクス型の構成を示す。
【００７１】
図４（Ａ）は発光装置を示す上面図であり、図４（Ｂ）は図４（Ａ）をＰ−Ｑで切断し
た断面図である。図４（Ａ）及び（Ｂ）に示す発光装置は、ソース側駆動回路２０１、画
素部２０２、ゲート側駆動回路２０３、封止基板２０４及びシール材２０５を有し、シー
ル材２０５で囲まれた内側は、空間２０７である。
【００７２】
なお、引き回し配線２０８はソース側駆動回路２０１及びゲート側駆動回路２０３に入
力される信号を伝送し、外部入力端子となるＦＰＣ２０９からビデオ信号、クロック信号
、スタート信号及びリセット信号などを受け取る。なお、ここではＦＰＣしか図示されて
いないが、このＦＰＣにプリント配線基板（ＰＷＢ）が取り付けられていてもよい。
【００７３】
次に、断面構造について図４（Ｂ）を用いて説明する。基板２１０上にはソース側駆動
回路２０１、ゲート側駆動回路２０３及び複数の画素を有する画素部２０２が設けられて
いるが、ここでは、ソース側駆動回路２０１と画素部２０２に複数形成された画素のうち
一つの画素が示されている。
【００７４】
なお、ソース側駆動回路２０１は、ｎチャネル型トランジスタ２２３とｐチャネル型ト
ランジスタ２２４を組み合わせたＣＭＯＳ回路を有することが好ましいが、ＰＭＯＳ回路
またはＮＭＯＳ回路のみにより構成されていてもよい。
【００７５】
なお、図４には、基板上に駆動回路（ソース側駆動回路２０１及びゲート側駆動回路２
０３）が設けられている構成を示しているが、これに限定されず、異なる基板に設けられ
た駆動回路（ソース側駆動回路２０１及びゲート側駆動回路２０３）を用いてもよい。
【００７６】
また、画素部２０２は、スイッチング用トランジスタ２１１と、電流制御用トランジス
タ２１２と、電流制御用トランジスタ２１２のドレインに電気的に接続された第１の電極
２１３と、を含む複数の画素により構成されている。なお、第１の電極２１３の端部を覆
って隔壁２１４が設けられている。隔壁２１４は、例えばポジ型の感光性アクリル樹脂材
料により形成すればよい。
【００７７】
また、隔壁２１４上のカバレッジを良好なものとするため、隔壁２１４の上端部または
下端部に曲率を有する曲面が形成されるようにするとよい。例えば、隔壁２１４の材料と
してポジ型の感光性アクリルを用いた場合、隔壁２１４の上端部に曲率半径が０．２μｍ
〜３μｍの曲面が設けられていることが好ましい。また、隔壁２１４の材料としては、露
光によってエッチャントに対して不溶性となるネガ型の感光性材料を用いてもよいし、露
光によってエッチャントに対して溶解性となるポジ型の感光性材料を用いてもよい。
【００７８】
第１の電極２１３上には、ＥＬ層２１６及び第２の電極２１７が設けられている。第１
の電極２１３は、図２における第１の陽極１５４Ａ及び第２の陽極１５４Ｂに相当し、第
２の電極２１７は、図２における陰極１６２に相当する。
【００７９】
ＥＬ層２１６の特徴に関しては、図２を用いて説明した通りである。
【００８０】
なお、図４では、シール材２０５で封止基板２０４と基板２１０を貼り合わせることに
より、基板２１０、封止基板２０４及びシール材２０５で囲まれた空間２０７に発光素子
２１８が備えられた構成になっている。なお、空間２０７は、不活性気体（窒素またはア
ルゴンなど）により充填されていてもよいし、シール材２０５により充填されていてもよ
い。
【００８１】
なお、発光素子２１８の劣化を防ぐために、空間２０７を囲む構造物である基板２１０
、封止基板２０４及びシール材２０５は、水分及び酸素を透過しにくいものであることが
好ましい。
【００８２】
封止基板２０４は、ガラス基板または石英基板であってもよいし、プラスチック基板で
あってもよい。封止基板２０４として用いられるプラスチック基板の材料としては、ＦＲ
Ｐ（Ｆｉｂｅｒｇｌａｓｓ−Ｒｅｉｎｆｏｒｃｅｄ  Ｐｌａｓｔｉｃｓ）、ＰＶＦ（Ｐｏ
ｌｙＶｉｎｙｌ  Ｆｌｕｏｒｉｄｅ）、ポリエステル（Ｐｏｌｙｅｓｔｅｒ）またはアク
リル樹脂などが挙げられる。
【００８３】
封止基板２０４として、好ましくは水蒸気透過率が１．０×１０−７ｇ／ｍ２／ｄａｙ
以下であるバリア性の高い樹脂フィルムを用いることが好ましい。このようなバリア性の
高い樹脂フィルムは、水蒸気透過率がガラス基板と同程度の低さであるにも関わらず可撓
性を有するため、可撓性のデバイスを作製することができる。更には、可撓性を有するた
め巻き取ることができ、生産性が高く、低コスト化できる。なお、二枚の封止基板で挟ん
で発光素子２１８を含むデバイスを密封してもよい。
【００８４】
図５（Ａ）乃至（Ｃ）には、本実施の形態の発光装置の一例であるパッシブマトリクス
型の構成を示す。図５（Ａ）は、パッシブマトリクス型の発光装置の斜視図を示し、図５
（Ｂ）は、図５（Ａ）のＳ−Ｔにおける断面図を示し、図５（Ｃ）は、図５（Ａ）のＸ−
Ｙにおける断面図を示す。
【００８５】
図５（Ａ）乃至（Ｃ）において、基板２５１上には、第１の電極２５２、第２の電極２
５７、第１の電極２５２と第２の電極２５７に挟持された正孔注入層２５５及び発光層２
５６が設けられている。そして、第１の電極２５２の端部は絶縁層２５３で覆われ、絶縁
層２５３上には隔壁２５４が設けられている。
【００８６】
図５（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、隔壁２５４の側壁は、基板２５１に近くなるに伴
って、一方の側壁と他方の側壁との間隔が狭くなるような傾斜を有する。つまり、隔壁２
５４の短辺方向の断面は、逆台形であり、底辺（絶縁層２５３に接する側の辺）の方が上
辺（正孔注入層２５５に接する側の辺）よりも短い。このように、隔壁２５４を設けるこ
とで、静電気などに起因した発光素子の不良を防ぐことができる。
【００８７】
図５（Ｃ）に示すように、隣接する画素間の正孔注入層２５５は繋がっている。そのた
め、正孔注入層２５５が低抵抗である場合には、一の画素を発光させると、前記画素に隣
接する画素も発光させることがある。このようにして隣接する画素間でクロストークが発
生する。図２を参照して説明したように、本発明の一態様により、このクロストークの発
生を防止することができる。
【００８８】
なお、本発明の一態様である発光装置は、トップエミッション型とすることが好ましい
。トップエミッション型とすることで、発光した光を配線層などによって遮光されること
なく取り出せるため、開口率を高くすることができる。
【００８９】
なお、本発明の一態様である発光装置は、白色光を発光させ、発光素子と重畳して設け
られたカラーフィルターにより赤色、青色、緑色の光をそれぞれ取り出すことができる構
成とすることが好ましい。このような構成とすると、発光素子を各色で塗り分ける必要が
ないからである。
【００９０】
このように、白色光を発光させ、発光素子と重畳して設けられたカラーフィルターによ
り赤色、青色、緑色の光をそれぞれ取り出す構成とすると、偏光板が不要となるため好ま
しい。
【００９１】
また、白色光を発光させ、発光素子と重畳して設けられたカラーフィルターにより赤色
、青色、緑色の光をそれぞれ取り出す構成とすると、各色の発光素子を塗り分ける場合と
比較して隔壁の幅を狭くすることができるため、開口率が向上し、好ましい。
【００９２】
また、白色光を発光させ、発光素子と重畳して設けられたカラーフィルターにより赤色
、青色、緑色の光をそれぞれ取り出す構成とすると、各色の発光素子を塗り分ける工程を
行わないため、発光素子の塗り分けに用いるメタルマスクが不要となり、好ましい。また
、メタルマスクが不要であると、発光素子を大型基板上に形成することができ、好ましい
。
【００９３】
また、白色光を発光させ、発光素子と重畳して設けられたカラーフィルターにより赤色
、青色、緑色の光をそれぞれ取り出す構成とすると、各色の発光素子を塗り分ける工程が
不要となるため、好ましい。また、工程が簡略化するため歩留まりが向上し、好ましい。
【００９４】
このように、白色光を発光させ、発光素子と重畳して設けられたカラーフィルターによ
り赤色、青色、緑色の光をそれぞれ取り出す構成とすると、発光素子を各色で塗り分ける
必要がないなど数多くのメリットを有する。このような構成とする場合には、隣接する画
素間で発光層が繋がっていてもよい。しかし、隣接する画素間で発光層が繋がっていると
、隣接する画素間で発光層が導通することによるクロストークも生じうる。
【００９５】
図６に示す発光装置は、第１の画素と、該第１の画素に隣接する第２の画素と、を有す
る。第１の画素の発光領域及び第２の画素の発光領域は連続した発光層１５８を用いて設
けられている。
【００９６】
図６に示す発光装置において、隣接する画素間での発光層の導通は、発光層に中間層が
含まれている場合に起こりうる。これは中間層に酸化モリブデンを含ませるために起こる
。
【００９７】
中間層は、少なくとも電荷発生領域を含んで形成されていればよく、電荷発生領域以外
の層と積層された構成であってもよい。例えば、電荷発生領域、電子リレー層及び電子注
入バッファーが陰極側からこの順に設けられた構造を適用することができる。
【００９８】
中間層における電子とホールの挙動について説明する。陽極と陰極の間に、発光素子の
しきい値電圧より高い電圧を印加すると、電荷発生領域において、ホールと電子が発生し
、ホールは陰極へ移動し、電子は電子リレー層へ移動する。電子リレー層は電子輸送性が
高く、電荷発生領域で生じた電子を電子注入バッファーに速やかに受け渡す。電子注入バ
ッファーは電子注入バッファーに隣接する陽極側の層に電子を注入する障壁を緩和し、電
子注入バッファーに隣接する陽極側の層への電子注入効率を高める。従って、電荷発生領
域で発生した電子は、電子リレー層と電子注入バッファーを経て、電子注入バッファーに
隣接する陽極側の層のＬＵＭＯ準位に注入される。
【００９９】
なお、図６に示す発光装置は、隣接する画素間の発光層が繋がっていることを除けば、
図２に示す発光装置の構成と同様である。
【０１００】
（実施の形態２）
本発明の一態様である発光素子を適用した電子機器として、ビデオカメラやデジタルカ
メラなどのカメラ、ゴーグル型ディスプレイ、ナビゲーションシステム、音響再生装置（
カーオーディオ、オーディオコンポなど）、コンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末（
モバイルコンピュータ、携帯電話、携帯型ゲーム機または電子書籍など）、記録媒体を備
えた画像再生装置（具体的には、Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ  Ｄｉｓｃ（ＤＶ
Ｄ）などの記録媒体を再生し、その画像を表示しうる表示装置を備えた装置）などが挙げ
られる。これらの電子機器の具体例を図７に示す。
【０１０１】
図７（Ａ）は、本発明の一態様である発光素子を適用したテレビ装置であり、筐体３０
１、支持台３０２、表示部３０３、スピーカ部３０４、ビデオ入力端子３０５などを含む
。このテレビ装置において、表示部３０３は、実施の形態１で説明した発光素子をマトリ
クス状に配列して構成されている。
【０１０２】
図７（Ｂ）は、本発明の一態様である発光素子を適用したコンピュータであり、本体３
１１、筐体３１２、表示部３１３、キーボード３１４、外部接続ポート３１５、ポインテ
ィングデバイス３１６などを含む。このコンピュータにおいて、表示部３１３は、実施の
形態１で説明した発光素子をマトリクス状に配列して構成されている。
【０１０３】
図７（Ｃ）は、本発明の一態様である発光素子を適用した携帯電話であり、筐体３２１
に組み込まれた表示部３２２の他、操作ボタン３２３、外部接続ポート３２４、スピーカ
３２５、マイク３２６などを備えている。表示部３２２を指などで触れることで、情報を
入力することができる。また、電話を掛ける、或いはメールを打つ操作は、表示部３２２
を指などで触れることにより行うことができる。この携帯電話において、表示部３２２は
、実施の形態１で説明した発光素子をマトリクス状に配列して構成されている。
【０１０４】
図７（Ｄ）は、本発明の一態様である発光素子を適用したカメラであり、本体３３１、
表示部３３２、筐体３３３、外部接続ポート３３４、リモコン受信部３３５、受像部３３
６、バッテリー３３７、音声入力部３３８、操作キー３３９、接眼部３４０などを含む。
このカメラにおいて、表示部３３２は、実施の形態１で説明した発光素子をマトリクス状
に配列して構成されている。
【０１０５】
なお、本実施の形態では、発光装置を用いた表示装置のみを記載しているがこれに限定
されず、照明器具に本発明の一態様である発光装置を用いてもよい。
【符号の説明】
【０１０６】
１００    基板
１０２    陽極
１０４    正孔注入層
１０６    正孔輸送層
１０８    発光層
１１０    電子輸送層
１１２    電子注入層
１１４    陰極
１５０    基板
１５２Ａ    第１のトランジスタ
１５２Ｂ    第２のトランジスタ
１５４Ａ    第１の陽極
１５４Ｂ    第２の陽極
１５６    正孔注入層
１５７    隔壁
１５８    発光層
１５８Ａ    第１の発光層
１５８Ｂ    第２の発光層
１６０    電子注入層
１６２    陰極
１７０    第１の電流経路
１７２    第２の電流経路
２０１    ソース側駆動回路
２０２    画素部
２０３    ゲート側駆動回路
２０４    封止基板
２０５    シール材
２０７    空間
２０８    配線
２０９    ＦＰＣ
２１０    基板
２１１    スイッチング用トランジスタ
２１２    電流制御用トランジスタ
２１３    第１の電極
２１４    隔壁
２１６    ＥＬ層
２１７    第２の電極
２１８    発光素子
２２３    ｎチャネル型トランジスタ
２２４    ｐチャネル型トランジスタ
２５１    基板
２５２    第１の電極
２５３    絶縁層
２５４    隔壁
２５５    正孔注入層
２５６    発光層
２５７    第２の電極
３０１    筐体
３０２    支持台
３０３    表示部
３０４    スピーカ部
３０５    ビデオ入力端子
３１１    本体
３１２    筐体
３１３    表示部
３１４    キーボード
３１５    外部接続ポート
３１６    ポインティングデバイス
３２１    筐体
３２２    表示部
３２３    操作ボタン
３２４    外部接続ポート
３２５    スピーカ
３２６    マイク
３３１    本体
３３２    表示部
３３３    筐体
３３４    外部接続ポート
３３５    リモコン受信部
３３６    受像部
３３７    バッテリー
３３８    音声入力部
３３９    操作キー
３４０    接眼部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
2016076732.tif 000008
【図７】
2016076732.tif 000009