(57)【要約】【課題】光共振構造を有する有機ＥＬ装置の製造工程を短くし、生産性を高めること。【解決手段】反射電極３５上に絶縁膜６１，６２，６３を形成する工程（ステップＳ１，Ｓ２，Ｓ４）と、絶縁膜６１，６２，６３を貫くコンタクトホール７５を形成する工程（ステップＳ６）と、コンタクトホール７５に第２の中継電極４１を形成する工程（ステップＳ７）と、絶縁膜６５，６６を形成する工程（ステップＳ８，Ｓ１０）と、第２の中継電極４１上の絶縁膜６５，６６を貫くコンタクトホール７２を形成する工程（ステップＳ１１）と、Ｂ画素発光領域５２Ｂの絶縁膜６５，６６を除去する工程（ステップＳ１１）と、を含み、第２の中継電極４１上の絶縁膜６５，６６を貫くコンタクトホール７２を形成する工程と、Ｂ画素発光領域５２Ｂの絶縁膜６５，６６を除去する工程とは、同時に行われることを特徴とする。【選択図】図７
2016170935.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
反射電極と、絶縁層と、光学調整層と、第１の電極と、発光層と、第２の電極と、が積層された第１の発光領域と、
前記反射電極と、前記絶縁層と、前記第１の電極と、前記発光層と、前記第２の電極と、が積層された第２の発光領域と、
前記反射電極と前記第１の電極とを電気的に接続するコンタクト電極とを有するコンタクト領域と、
を含む電気光学装置の製造方法であって、
前記反射電極上に前記絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層を貫く第１のコンタクトホールを形成する工程と、
前記第１のコンタクトホールに前記コンタクト電極を形成する工程と、
前記絶縁層及び前記コンタクト電極上に前記光学調整層を形成する工程と、
前記コンタクト電極上の前記光学調整層を貫く第２のコンタクトホールを形成する工程と、
前記第２の発光領域上の前記光学調整層を除去する工程と、
を含み、
前記第２のコンタクトホールを形成する工程と、前記光学調整層を除去する工程とは、同時に行われることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項２】
前記絶縁層の前記反射電極に対向する側と反対側の面は窒化シリコンで構成され、前記光学調整層は酸化シリコンで構成されていることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項３】
反射電極と、絶縁層と、第１の光学調整層と、第２の光学調整層と、第１の電極と、発光層と、第２の電極と、が積層された第１の発光領域と、
前記反射電極と、前記絶縁層と、前記第１の電極と、前記発光層と、前記第２の電極と、が積層された第２の発光領域と、
前記反射電極と、前記絶縁層と、前記第２の光学調整層と、前記第１の電極と、前記発光層と、前記第２の電極と、が積層された第３の発光領域と、
前記反射電極と前記第１の電極とを電気的に接続するコンタクト電極とを有するコンタクト領域と、
を含む電気光学装置の製造方法であって、
前記反射電極上に前記絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層を貫く第１のコンタクトホールを形成する工程と、
前記第１のコンタクトホールに前記コンタクト電極を形成する工程と、
前記絶縁層及び前記コンタクト電極上に前記第１の光学調整層を形成する工程と、
前記第３の発光領域上の前記第１の光学調整層を除去する工程と、
前記第１の光学調整層及び前記絶縁層上に前記第２の光学調整層を形成する工程と、
前記コンタクト電極上の前記第１の光学調整層及び前記第２の光学調整層を貫く第２のコンタクトホールを形成する工程と、
前記第２の発光領域上の前記第１の光学調整層及び前記第２の光学調整層を除去する工程と、を含み、
前記第２のコンタクトホールを形成する工程と、前記第１の光学調整層及び前記第２の光学調整層を除去する工程とは、同時に行われることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項４】
前記絶縁層の前記反射電極に対向する側と反対側の面は窒化シリコンで構成され、前記第１の光学調整層及び前記第２の光学調整層は酸化シリコンで構成されていることを特徴とする請求項３に記載の電気光学装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
電気光学装置の一例として、例えばトランジスターや有機エレクトロルミネッセンス（以降、有機ＥＬと称す）素子を有する画素がマトリックス状に配列された有機ＥＬ装置が提案されている（特許文献１）。
【０００３】
特許文献１に記載の有機ＥＬ装置では、トランジスターからの信号を有機ＥＬ素子の陽極（画素電極）に供給するコンタクト部と、有機ＥＬ素子が発光する発光部とが、各画素に設けられている。
【０００４】
コンタクト部では、トランジスターのソースまたはドレインに電気的に接続された中継電極と、層間絶縁膜（第１層間絶縁膜、第２層間絶縁膜）と、遮光層と、光学調整層（第１光学調整層、第２光学調整層）と、画素電極とが順に積層されている。層間絶縁膜（第１層間絶縁膜、第２層間絶縁膜）を微細加工し、遮光層と中継電極とを電気的に接続させる第１のコンタクトホールを形成する。光学調整層を微細加工し、画素電極と中継電極とを電気的に接続させる第２のコンタクトホールを形成する。
遮光層を第１コンタクトホール及び第２コンタクトホールよりも広く形成することで、有機ＥＬ素子で発せられた光が、第１コンタクトホール及び第２コンタクトホールを介して、トランジスターに入射しにくくなり、遮光性を高めることができる。
【０００５】
発光部は、中継電極と同層に形成された反射層と有機ＥＬ素子の陰極との間の光路長が、画素毎に異なるように設定された光共振構造を有し、各画素で特定波長の光を共振（増幅）させることができる。例えば、赤色の光を発する画素では、赤色の光が増幅されるように光路長を設定し、緑色の光を発する画素では、第２光学調整層を微細加工し、緑色の光が増幅されるように光路長を設定し、青色の光を発する画素では、第１光学調整層及び第２光学調整層を微細加工し、青色の光が増幅されるように光路長を設定する。つまり、第１光学調整層及び第２光学調整層を微細加工し、各画素の光路長を調整する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１３−２３８７２５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
特許文献１に記載の有機ＥＬ装置では、層間絶縁膜（第１層間絶縁膜、第２層間絶縁膜）や光学調整層（第１光学調整層、第２光学調整層）を微細加工し、上述したコンタクトホールや光共振構造を形成する必要があった。ところが、層間絶縁膜（第１層間絶縁膜、第２層間絶縁膜）や光学調整層（第１光学調整層、第２光学調整層）を微細加工するために、有機ＥＬ装置の製造工程が長くなり、生産性が低いという課題があった。すなわち、光共振構造を有する有機ＥＬ装置は、光共振構造を有さない有機ＥＬ装置と比べて、製造工程が長くなり、生産性が低いという課題があった。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【０００９】
［適用例１］本適用例に係る電気光学装置の製造方法は、反射電極と、絶縁層と、光学調整層と、第１の電極と、発光層と、第２の電極と、が積層された第１の発光領域と、前記反射電極と、前記絶縁層と、前記第１の電極と、前記発光層と、前記第２の電極と、が積層された第２の発光領域と、前記反射電極と前記第１の電極とを電気的に接続するコンタクト電極とを有するコンタクト領域と、を含む電気光学装置の製造方法であって、前記反射電極上に前記絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層を貫く第１のコンタクトホールを形成する工程と、前記第１のコンタクトホールに前記コンタクト電極を形成する工程と、前記絶縁層及び前記コンタクト電極上に前記光学調整層を形成する工程と、前記コンタクト電極上の前記光学調整層を貫く第２のコンタクトホールを形成する工程と、前記第２の発光領域上の前記光学調整層を除去する工程と、を含み、前記第２のコンタクトホールを形成する工程と、前記光学調整層を除去する工程とは、同時に行われることを特徴とする。
【００１０】
本適用例に係る電気光学装置の製造方法は、反射電極上に絶縁層を形成する工程と、絶縁層を貫く第１のコンタクトホールを形成する工程と、第１のコンタクトホールにコンタクト電極を形成する工程と、絶縁層及びコンタクト電極上に光学調整層を形成する工程と、コンタクト電極上の光学調整層を貫く第２のコンタクトホールを形成する工程と、第２の発光領域上の光学調整層を除去する工程と、を含み、第２のコンタクトホールを形成する工程と光学調整層を除去する工程とが同時に行われるので、第２のコンタクトホールを形成する工程と光学調整層を除去する工程とが別々に行われる場合と比べて、製造工程が短くなり、電気光学装置の生産性を高めることができる。
【００１１】
［適用例２］上記適用例に記載の電気光学装置の製造方法において、前記絶縁層の前記反射電極に対向する側と反対側の面は窒化シリコンで構成され、前記光学調整層は酸化シリコンで構成されていることが好ましい。
【００１２】
例えば、フッ素系ガスを反応ガスとするドライエッチングでは、窒化シリコンは酸化シリコンよりもエッチングされにくく、窒化シリコンは酸化シリコンに対して高いエッチング選択性を有する。よって、絶縁層（窒化シリコン）の膜厚に影響を及ぼすことなく、絶縁層の上に形成された光学調整層（酸化シリコン）をエッチング除去し、絶縁層と光学調整層とが配置された第１の発光領域と、絶縁層が配置された第２の発光領域とを、形成することができる。
【００１３】
第１の発光領域及び第２の発光領域では、絶縁層の膜厚変化が抑制されているので、絶縁層の膜厚変化が抑制されていない場合と比べて、絶縁層や光学調整層によって光路長を高精度に制御し、所定の光を共振させる光共振構造を各画素に形成することができる。
【００１４】
［適用例３］本適用例に係る電気光学装置の製造方法は、反射電極と、絶縁層と、第１の光学調整層と、第２の光学調整層と、第１の電極と、発光層と、第２の電極と、が積層された第１の発光領域と、前記反射電極と、前記絶縁層と、前記第１の電極と、前記発光層と、前記第２の電極と、が積層された第２の発光領域と、前記反射電極と、前記絶縁層と、前記第２の光学調整層と、前記第１の電極と、前記発光層と、前記第２の電極と、が積層された第３の発光領域と、前記反射電極と前記第１の電極とを電気的に接続するコンタクト電極とを有するコンタクト領域と、を含む電気光学装置の製造方法であって、前記反射電極上に前記絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層を貫く第１のコンタクトホールを形成する工程と、前記第１のコンタクトホールに前記コンタクト電極を形成する工程と、前記絶縁層及び前記コンタクト電極上に前記第１の光学調整層を形成する工程と、前記第３の発光領域上の前記第１の光学調整層を除去する工程と、前記第１の光学調整層及び前記絶縁層上に前記第２の光学調整層を形成する工程と、前記コンタクト電極上の前記第１の光学調整層及び前記第２の光学調整層を貫く第２のコンタクトホールを形成する工程と、前記第２の発光領域上の前記第１の光学調整層及び前記第２の光学調整層を除去する工程と、を含み、前記第２のコンタクトホールを形成する工程と、前記第１の光学調整層及び前記第２の光学調整層を除去する工程とは、同時に行われることを特徴とする。
【００１５】
本適用例に係る電気光学装置の製造方法は、反射電極上に絶縁層を形成する工程と、絶縁層を貫く第１のコンタクトホールを形成する工程と、第１のコンタクトホールにコンタクト電極を形成する工程と、絶縁層及びコンタクト電極上に第１の光学調整層を形成する工程と、第３の発光領域上の第１の光学調整層を除去する工程と、第１の光学調整層及び絶縁層上に第２の光学調整層を形成する工程と、コンタクト電極上の第１の光学調整層及び第２の光学調整層を貫く第２のコンタクトホールを形成する工程と、第２の発光領域上の第１の光学調整層及び第２の光学調整層を除去する工程と、を含み、第２のコンタクトホールを形成する工程と第１の光学調整層及び第２の光学調整層を除去する工程とは、同時に行われるので、第２のコンタクトホールを形成する工程と第１の光学調整層及び第２の光学調整層を除去する工程とが、別々に行われる場合と比べて、製造工程が短くなり、電気光学装置の生産性を高めることができる。
【００１６】
［適用例４］上記適用例に記載の電気光学装置の製造方法において、前記絶縁層の前記反射電極に対向する側と反対側の面は窒化シリコンで構成され、前記第１の光学調整層及び前記第２の光学調整層は酸化シリコンで構成されていることが好ましい。
【００１７】
例えば、フッ素系ガスを反応ガスとするドライエッチングでは、窒化シリコンは酸化シリコンよりもエッチングされにくく、窒化シリコンは酸化シリコンに対して高いエッチング選択性を有する。よって、絶縁層の膜厚に影響を及ぼすことなく、絶縁層の上に形成された光学調整層（第１の光学調整層、第２の光学調整層）をエッチング除去し、絶縁層と第１の光学調整層と第２の光学調整層とが配置された第１の発光領域と、絶縁層が配置された第２の発光領域と、絶縁層と第２の光学調整層とが配置された第３の発光領域とを、形成することができる。
【００１８】
第１の発光領域〜第３の発光領域では、絶縁層の膜厚変化が抑制されているので、絶縁層の膜厚変化が抑制されていない場合と比べて、絶縁層や光学調整層（第１の光学調整層、第２の光学調整層）によって光路長を高精度に制御し、所定の光を共振させる光共振構造を各画素に形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】実施形態に係る有機ＥＬ装置の概要を示す概略平面図。
【図２】実施形態に係る有機ＥＬ装置の電気的な構成を示す図。
【図３】画素回路の電気的な構成を示す図。
【図４】画素の主要な構成要素の状態を示す概略平面図。
【図５】図４の線分Ａ−Ａ’に沿った画素発光領域の概略断面図。
【図６】図４の線分Ｂ−Ｂ’に沿った画素コンタクト領域の概略断面図。
【図７】実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法を示す工程フロー。
【図８】図７に示す工程フローの主要な工程を経た後の画素発光領域の状態を示す概略断面図。
【図９】図７に示す工程フローの主要な工程を経た後の画素発光領域の状態を示す概略断面図。
【図１０】図７に示す工程フローの主要な工程を経た後の画素コンタクト領域の状態を示す概略断面図。
【図１１】図７に示す工程フローの主要な工程を経た後の画素コンタクト領域の状態を示す概略断面図。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。かかる実施形態は、本発明の一態様を示すものであり、この発明を限定するものではなく、本発明の技術的思想の範囲内で任意に変更可能である。また、以下の各図においては、各層や各部位を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部位の縮尺を実際とは異ならせしめてある。
【００２１】
（実施形態）
「有機エレクトロルミネッセンス装置の概要」
図１は、実施形態に係る有機ＥＬ装置の概要を示す概略平面図である。図２は、本実施形態に係る有機ＥＬ装置の電気的な構成を示す図である。図３は、画素回路の電気的な構成を示す図である。
まず、図１乃至図３を参照して、本実施形態に係る有機ＥＬ装置１００の概要について説明する。
【００２２】
図１に示すように、有機ＥＬ装置１００は、素子基板１０と、保護基板７０とを有している。素子基板１０と保護基板７０とは、互いに対向した状態で、図示を省略する接着剤によって接合されている。なお、接着剤には、例えばエポキシ樹脂やアクリル樹脂などを使用することができる。
なお、有機ＥＬ装置１００は、「電気光学装置」の一例である。
【００２３】
素子基板１０は、赤色（Ｒ）の光を発する有機ＥＬ素子３０Ｒが配置された画素２０Ｒと、緑色（Ｇ）の光を発する有機ＥＬ素子３０Ｇが配置された画素２０Ｇと、青色（Ｂ）光を発する有機ＥＬ素子３０Ｂが配置された画素２０Ｂとがマトリックス状に配列された表示領域Ｅを有している。
以降の説明では、有機ＥＬ素子３０Ｒと有機ＥＬ素子３０Ｇと有機ＥＬ素子３０Ｂとをまとめて、有機ＥＬ素子３０として扱う場合がある。
【００２４】
有機ＥＬ装置１００では、画素２０Ｒと画素２０Ｇと画素２０Ｂとをまとめて１つの表示単位２２となってフルカラーの表示が提供される。
以降の説明では、画素２０Ｒと画素２０Ｇと画素２０Ｂとをまとめて画素２０として扱う場合がある。
【００２５】
表示領域Ｅには、カラーフィルター層５０が設けられている。カラーフィルター層５０のうち、画素２０Ｒの有機ＥＬ素子３０Ｒの上には赤色のカラーフィルター層５０Ｒが配置され、画素２０Ｇの有機ＥＬ素子３０Ｇの上には緑色のカラーフィルター層５０Ｇが配置され、画素２０Ｂの有機ＥＬ素子３０Ｂの上には青色のカラーフィルター層５０Ｂが配置されている。
【００２６】
本実施形態では、同色の発光が得られる画素２０が一方向に配列し、異なる色の発光が得られる画素２０が当該一方向に対して交差（直交）する方向に配列している。従って、画素２０の配置（配列）は、所謂ストライプ方式となっている。この画素の配置（配列）に応じて、画素２０Ｒ、画素２０Ｇ、及び画素２０Ｂはそれぞれストライプ状に配置されており、赤色のカラーフィルター層５０Ｒ、緑色のカラーフィルター層５０Ｇ、青色のカラーフィルター層５０Ｂもまたストライプ状に配置されている。なお、画素２０の配置は、ストライプ方式に限定されず、モザイク方式やデルタ方式などであってもよい。
【００２７】
以降の説明では、同色の発光が得られる画素２０が配列された方向をＹ方向とし、Ｙ方向に交差する方向（異なる色の発光が得られる画素２０が配列された方向）をＸ方向とし、素子基板１０から保護基板７０に向かう方向をＺ方向とする。
さらに、図中で各方向を示す矢印の先端側を（＋）とし、基端側を（−）とする。また、Ｚ方向から見ることを平面視と称す。
【００２８】
有機ＥＬ素子３０で発せられた光は、素子基板１０のカラーフィルター層５０を透過して保護基板７０の側から表示光として射出される。すなわち、有機ＥＬ装置１００は、トップエミッション構造を有している。
【００２９】
有機ＥＬ装置１００がトップエミッション構造であることから、素子基板１０の基材には、透明な石英基板やガラス基板などに加えて、セラミック材料や半導体材料などで構成される不透明基板を用いることができる。なお、本実施形態では、素子基板１０の基材はシリコンで構成されている。
【００３０】
表示領域Ｅの外側には、素子基板１０の長辺側の一辺に沿って、複数の外部接続用端子１０３が配列されている。複数の外部接続用端子１０３と表示領域Ｅとの間には、データ線駆動回路１０１が設けられている。素子基板１０の短辺側の二辺と表示領域Ｅとの間には、走査線駆動回路１０２が設けられている。
【００３１】
保護基板７０は、素子基板１０よりも小さく、外部接続用端子１０３が露出されるように素子基板１０と対向して配置されている。外部接続用端子１０３は、フレキシブル配線基板（図示省略）と接続されている。これにより、有機ＥＬ装置１００は、フレキシブル配線基板を介して外部回路（図示省略）と電気的に接続することが可能となっている。
【００３２】
保護基板７０は、透光性の基板であり、石英基板やガラス基板などを使用することができる。保護基板７０は、表示領域Ｅに配置された有機ＥＬ素子３０が傷つかないように保護する役割を有し、表示領域Ｅよりも広く設けられている。
【００３３】
図２に示すように、素子基板１０には、ｍ行の走査線１２がＸ方向に延在して設けられ、ｎ列のデータ線１４がＹ方向に延在して設けられている。また、素子基板１０には、データ線１４に沿って列毎に電源線１９がＹ方向に延在して設けられている。
【００３４】
素子基板１０には、ｍ行の走査線１２とｎ列のデータ線１４との交差部に対応して、画素回路１１０が設けられている。画素回路１１０は、画素２０の一部をなす。すなわち、表示領域Ｅには、ｍ行×ｎ列の画素回路１１０が、マトリックス状に配列されている。
【００３５】
電源線１９には、初期化用のリセット電位Ｖｏｒｓｔが供給（給電）されている。さらに、図示を省略するが、制御信号Ｇｃｍｐ，Ｇｅｌ，Ｇｏｒｓｔを供給する３つの制御線が、走査線１２に並行して設けられている。
【００３６】
走査線１２は、走査線駆動回路１０２に電気的に接続されている。データ線１４は、データ線駆動回路１０１に電気的に接続されている。走査線駆動回路１０２には、走査線駆動回路１０２を制御するための制御信号Ｃｔｒ１が供給されている。データ線駆動回路１０１には、データ線駆動回路１０１を制御するための制御信号Ｃｔｒ２が供給されている。
【００３７】
走査線駆動回路１０２は、フレームの期間にわたって走査線１２を１行毎に走査するための走査信号Ｇｗｒ（１）、Ｇｗｒ（２）、Ｇｗｒ（３）、…、Ｇｗｒ（ｍ− １）、Ｇｗｒ（ｍ）を、制御信号Ｃｔｒ１に従って生成する。さらに、走査線駆動回路１０２は、走査信号Ｇｗｒの他に、制御信号Ｇｃｍｐ，Ｇｅｌ，Ｇｏｒｓｔを制御線に供給する。なお、フレームの期間とは、有機ＥＬ装置１００で１カット（コマ）分の画像が表示される期間であり、例えば同期信号に含まれる垂直同期信号の周波数が１２０Ｈｚであれば、１フレームの期間は約８．３ミリ秒となる。
【００３８】
データ線駆動回路１０１は、走査線駆動回路１０２によって選択された行に位置する画素回路１１０に対し、当該画素回路１１０の階調データに応じた電位のデータ信号Ｖｄ（１）、Ｖｄ（２）、…、Ｖｄ（ｎ）を、１、２、…、ｎ列目のデータ線１４に供給する。
【００３９】
図３に示すように、画素回路１１０は、ＰチャネルＭＯＳ型のトランジスター１２１，１２２，１２３，１２４，１２５と、有機ＥＬ素子３０と、容量２１とを有している。画素回路１１０には、上述した走査信号Ｇｗｒや制御信号Ｇｃｍｐ，Ｇｅｌ，Ｇｏｒｓｔなどが供給される。
【００４０】
有機ＥＬ素子３０は、互いに対向する画素電極３１と対向電極３３とで発光機能層３２を挟持した構造を有している。つまり、有機ＥＬ素子３０は、画素電極３１の上に発光機能層３２と対向電極３３とが順に積層された構造を有している。
なお、画素電極３１は「第１の電極」の一例であり、発光機能層３２は「発光層」の一例であり、対向電極３３は「第２の電極」の一例である。
【００４１】
画素電極３１は、発光機能層３２に正孔を供給するアノードであり、光透過性を有する導電材料、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜で構成されている。画素電極３１の膜厚は、例えば膜厚２０ｎｍと薄くなっている。画素電極３１は、トランジスター１２４のドレイン及びトランジスター１２５のソース又はドレインの一方に電気的に接続されている。
【００４２】
対向電極３３は、発光機能層３２に電子を供給するカソードであり、例えばマグネシウム（Ｍｇ）と銀（Ａｇ）との合金などの光透過性と光反射性とを有する導電材料により形成されている。対向電極３３は、複数の画素２０に跨って設けられた共通電極であり、電源線８に電気的に接続されている。電源線８には、画素回路１１０において電源の低位側となる電位Ｖｃｔが供給されている。
【００４３】
発光機能層３２は、画素電極３１の側から順に積層された正孔注入層、正孔輸送層、有機発光層、及び電子輸送層などを有している。有機ＥＬ素子３０では、画素電極３１から供給される正孔と、対向電極３３から供給される電子とが、発光機能層３２の中で結合することによって、発光機能層３２が発光する。
【００４４】
また、素子基板１０には、各電源線１９に交差して電源線６がＸ方向に延在して設けられている。なお、電源線１９はＹ方向に延在して設けられてもよいし、Ｘ方向及びＹ方向の両方に延在するように設けられてもよい。トランジスター１２１は、ソースが電源線６に電気的に接続され、ドレインがトランジスター１２３のソース又はドレインの他方と、トランジスター１２４のソースとにそれぞれ電気的に接続されている。また、電源線６には、画素回路１１０において電源の高位側となる電位Ｖｅｌが供給されている。また、電源線６には、容量２１の一端が電気的に接続されている。トランジスター１２１は、トランジスター１２１のゲート及びソース間の電圧に応じた電流を流す駆動トランジスターとして機能する。
【００４５】
トランジスター１２２は、ゲートが走査線１２に電気的に接続され、ソース又はドレインの一方がデータ線１４に電気的に接続されている。また、トランジスター１２２は、ソース又はドレインの他方が、トランジスター１２１のゲートと、容量２１の他端と、トランジスター１２３のソース又はドレインの一方とに、それぞれ電気的に接続されている。トランジスター１２２は、トランジスター１２１のゲートとデータ線１４との間に電気的に接続され、トランジスター１２１のゲートとデータ線１４との間の電気的な接続を制御する書込トランジスターとして機能する。
【００４６】
トランジスター１２３は、ゲートが制御線に電気的に接続され、制御信号Ｇｃｍｐが供給される。トランジスター１２３は、トランジスター１２１のゲート及びドレインの間の電気的な接続を制御する、閾値補償トランジスターとして機能する。
【００４７】
トランジスター１２４は、ゲートが制御線に電気的に接続され、制御信号Ｇｅｌが供給される。トランジスター１２４は、ドレインがトランジスター１２５のソース又はドレインの一方と有機ＥＬ素子３０の画素電極３１とにそれぞれ電気的に接続されている。トランジスター１２４は、トランジスター１２１のドレインと、有機ＥＬ素子３０の画素電極３１との間の電気的な接続を制御する、発光制御トランジスターとして機能する。
【００４８】
なお、有機ＥＬ素子３０の画素電極３１は、第１の中継電極２８を介して、トランジスター１２４のドレイン及びトランジスター１２５のソース又はドレインの一方に電気的に接続されている。
【００４９】
トランジスター１２５は、ゲートが制御線に電気的に接続され、制御信号Ｇｏｒｓｔが供給される。また、トランジスター１２５のソース又はドレインの他方は、電源線１９に電気的に接続され、リセット電位Ｖｏｒｓｔが供給されている。トランジスター１２５は、電源線１９と、有機ＥＬ素子３０の画素電極３１との間の電気的な接続を制御する初期化トランジスターとして機能する。
【００５０】
「画素の概要」
次に、画素の概要について説明する。
図４は、画素の主要な構成要素の状態を示す概略平面図である。
なお、図４には、表示単位２２を構成する画素２０（画素２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｇ）が図示されている。同図において、反射電極３５が網掛けで示され、画素電極３１が太い破線で示され、第２の中継電極４１が太い一点鎖線で示され、コンタクトホール７２，７３，７５が細い破線で示され、開口５１が細い実線で示され、画素２０の輪郭（境界）が二点鎖線で示されている。
【００５１】
図４に示すように、画素２０（画素２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂ）は、平面視で長方形状をなし、画素２０の短手方向がＸ方向と平行となるように配置され、画素２０の長手方向がＹ方向と平行となるように配置されている。
【００５２】
画素２０（画素２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂ）のそれぞれに、反射電極３５と、第２の中継電極４１と、画素電極３１とが、Ｚ（＋）方向に配置されている。
第２の中継電極４１は、「コンタクト電極」の一例である。
【００５３】
反射電極３５は、画素２０のそれぞれに島状に配置されている。反射電極３５は、平面視で長方形状をなし、Ｙ方向に長くなっている。反射電極３５は、光反射性を有する導電材料で構成され、光反射性を有している。詳しくは、反射電極３５は、アルミニウム（Ａｌ）を主成分とする合金、例えばＡｌとチタン（Ｔｉ）との合金で構成される。反射電極３５の膜厚は、概略１３０ｎｍである。
反射電極３５は、第１の中継電極２８（図３参照）を介して、トランジスター１２４のドレイン及びトランジスター１２５のソース又はドレインの一方に電気的に接続されている。
【００５４】
第２の中継電極４１は、平面視で反射電極３５及び画素電極３１と重なり、画素２０のＹ（＋）方向側に配置されている。第２の中継電極４１は、平面視で長方形状をなし、Ｘ方向に長くなっている。第２の中継電極４１は、例えば窒化チタン（ＴｉＮ）で構成され、第２の中継電極４１の厚みは概略５０ｎｍである。
【００５５】
画素電極３１は、画素２０のそれぞれに島状に配置され、平面視で反射電極３５に重なり、反射電極３５よりも一回り小さい。画素電極３１は、平面視で長方形状をなし、Ｙ方向に長くなっている。
【００５６】
図４では図示を省略するが、反射電極３５と第２の中継電極４１との間には絶縁膜６１，６２，６３，６４（図６参照）が配置され、絶縁膜６１，６２，６３，６４を貫くコンタクトホール７５が形成されている。画素２０Ｒでは、第２の中継電極４１と画素電極３１との間に絶縁膜６５，６６（図６参照）が配置され、絶縁膜６５，６６を貫くコンタクトホール７２が形成されている。画素２０Ｇでは、第２の中継電極４１と画素電極３１との間に第６絶縁膜６６（図６参照）が配置され、第６絶縁膜６６を貫くコンタクトホール７３が形成されている。
【００５７】
反射電極３５は、コンタクトホール７５を介して、第２の中継電極４１に電気的に接続されている。画素２０Ｒにおいて、画素電極３１は、コンタクトホール７２を介して、第２の中継電極４１に電気的に接続されている。画素２０Ｇにおいて、画素電極３１は、コンタクトホール７３を介して、第２の中継電極４１に電気的に接続されている。なお、画素２０Ｂでは、画素電極３１は、第２の中継電極４１に直接接し、第２の中継電極４１に電気的に接続されている。
【００５８】
第２の中継電極４１は、画素電極３１と反射電極３５とを電気的に接続する画素コンタクトを形成する。つまり、第２の中継電極４１が配置された領域が、各画素２０のコンタクト領域を形成する。
以降、画素２０Ｒの第２の中継電極４１が配置された領域をＲ画素コンタクト領域４２Ｒと称し、画素２０Ｇの第２の中継電極４１が配置された領域をＧ画素コンタクト領域４２Ｇと称し、画素２０Ｂの第２の中継電極４１が配置された領域をＢ画素コンタクト領域４２Ｂと称す。さらに、Ｒ画素コンタクト領域４２ＲとＧ画素コンタクト領域４２ＧとＢ画素コンタクト領域４２Ｂとをまとめて、画素コンタクト領域４２として扱う場合がある。
なお、Ｒ画素コンタクト領域４２Ｒは、「コンタクト領域」の一例である。
【００５９】
画素コンタクト領域４２では、画素電極３１は、第２の中継電極４１と、反射電極３５と、第１の中継電極２８とを介して、トランジスター１２４のドレイン及びトランジスター１２５のソース又はドレインの一方に電気的に接続され、画素回路１１０の信号が供給される。
【００６０】
画素電極３１の外縁は、保護絶縁膜２９（図５参照）で覆われている。保護絶縁膜２９には、画素電極３１を露出させる開口５１が形成されている。開口５１は、平面視で長方形状をなし、Ｙ方向に長くなっている。
【００６１】
開口５１によって露出された画素電極３１の上に、発光機能層３２（図３参照）と、対向電極３３（図３参照）とが順に積層される。そして、画素電極３１から供給される正孔と、対向電極３３から供給される電子とが、発光機能層３２の中で結合することによって、発光機能層３２が発光する。つまり、開口５１で露出された画素電極３１に接する部分の発光機能層３２の発光が開口５１から射出する。
【００６２】
よって、開口５１が形成された領域が、有機ＥＬ素子３０の発光領域となる。
以降、画素２０Ｒの開口５１が形成された領域をＲ画素発光領域５２Ｒと称し、画素２０Ｇの開口５１が形成された領域をＧ画素発光領域５２Ｇと称し、画素２０Ｂの開口５１が形成された領域をＢ画素発光領域５２Ｂと称す。さらに、Ｒ画素発光領域５２ＲとＧ画素発光領域５２ＧとＢ画素発光領域５２Ｂとをまとめて、画素発光領域５２として扱う場合がある。
なお、Ｒ画素発光領域５２Ｒは「第１の発光領域」の一例であり、Ｂ画素発光領域５２Ｂは「第２の発光領域」の一例であり、Ｇ画素発光領域５２Ｇは「第３の発光領域」の一例である。
【００６３】
「画素の構造」
図５は、図４の線分Ａ−Ａ’に沿った画素発光領域の概略断面図である。図６は、図４の線分Ｂ−Ｂ’に沿った画素コンタクト領域の概略断面図である。
図５及び図６では、上述した発光機能層３２及び対向電極３３の図示が省略されている。
【００６４】
また、図５及び図６において、基板１１は、シリコンで構成された基材に、電源線６，８，１９、走査線１２、データ線１４、制御線、第１の中継電極２８、容量２１、トランジスター１２１，１２２，１２３，１２４，１２５、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０２（図２、図３参照）などが形成された半導体基板である。
【００６５】
最初に、図５を参照し、画素２０における画素発光領域５２の構造について説明する。
図５に示すように、基板１１の上には、反射電極３５が画素２０のそれぞれに島状に形成されている。反射電極３５は、光反射性を有し、発光機能層３２で発せられた光をＺ（＋）方向に反射する。
【００６６】
反射電極３５の表面を覆うように、第１絶縁膜６１が形成されている。第１絶縁膜６１は、反射電極３５による反射特性を高める役割を有し、光透過性を有する絶縁材料で構成される。第１絶縁膜６１は、例えば膜厚４０ｎｍの酸化シリコン（ＳｉＯ2）で構成される。
【００６７】
詳細は後述するが、反射電極３５及び第１絶縁膜６１は、同じ形状にパターニングされている。その結果、画素２０の反射電極３５及び第１絶縁膜６１と、隣り合う画素２０の反射電極３５及び第１絶縁膜６１との間に、第１の溝７４が形成されている。
【００６８】
第２絶縁膜６２は、第１絶縁膜６１の表面及び第１の溝７４を覆い、複数の画素２０に跨って配置される。第２絶縁膜６２は、光透過性を有する絶縁材料、例えば膜厚４０ｎｍの窒化シリコン（ＳｉＮ）で構成される。第２絶縁膜６２は、第１絶縁膜６１が侵されないように、第１絶縁膜６１を保護する役割を有している。
【００６９】
第１の溝７４は、第２絶縁膜６２で覆われ、第１の溝７４の形状が反映された第２の溝７７が第１の溝７４の内側に形成される。第２の溝７７には、埋め込み絶縁膜４０が充填されている（埋め込まれている）。埋め込み絶縁膜４０は、光透過性を有する絶縁材料、例えば酸化シリコンで構成されている。そして、埋め込み絶縁膜４０と第２絶縁膜６２とによって、平坦な面が形成される。
【００７０】
埋め込み絶縁膜４０と第２絶縁膜６２とによって形成された平坦な面は、第３絶縁膜６３で覆われている。第３絶縁膜６３は、光透過性を有する絶縁材料、例えば窒化シリコンで構成され、埋め込み絶縁膜４０が侵されないように、埋め込み絶縁膜４０を保護する役割を有している。
【００７１】
Ｒ画素発光領域５２Ｒでは、反射電極３５の上に、第１絶縁膜６１と、第２絶縁膜６２と、第３絶縁膜６３と、第５絶縁膜６５と、第６絶縁膜６６と、画素電極３１と、発光機能層３２（図３参照）と、対向電極３３（図３参照）とが順に積層されている。
なお、第１絶縁膜６１と第２絶縁膜６２と第３絶縁膜６３とは「絶縁層」の一例であり、第５絶縁膜６５は「第１の光学調整層」の一例であり、第６絶縁膜６６は「第２の光学調整層」の一例であり、第５絶縁膜６５及び第６絶縁膜６６とは「光学調整層」の一例である。
【００７２】
Ｇ画素発光領域５２Ｇでは、反射電極３５の上に、第１絶縁膜６１と、第２絶縁膜６２と、第３絶縁膜６３と、第６絶縁膜６６と、画素電極３１と、発光機能層３２（図３参照）と、対向電極３３（図３参照）とが順に積層されている。
【００７３】
Ｂ画素発光領域５２Ｂでは、反射電極３５の上に、第１絶縁膜６１と、第２絶縁膜６２と、第３絶縁膜６３と、画素電極３１と、発光機能層３２（図３参照）と、対向電極３３（図３参照）とが順に積層されている。
【００７４】
第５絶縁膜６５は、光透過性を有する絶縁材料、例えば酸化シリコンで構成されている。表示領域Ｅにおいて、第５絶縁膜６５は、Ｙ方向に配列された複数の画素２０Ｒに跨って配置され、Ｙ方向に長くなったストライプ形状をなしている。
【００７５】
第６絶縁膜６６は、光透過性を有する絶縁材料、例えば酸化シリコンで構成されている。表示領域Ｅにおいて、第６絶縁膜６６は、Ｙ方向に配列された複数の画素２０Ｒ及びＹ方向に配列された複数の２０Ｇに跨って配置され、Ｙ方向に長くなったストライプ形状をなしている。
【００７６】
このため、反射電極３５と対向電極３３との間の光学的距離（光路長）は、Ｒ画素発光領域５２Ｒ、Ｇ画素発光領域５２Ｇ、Ｂ画素発光領域５２Ｂの順に小さくなっている。
【００７７】
上述したように、対向電極３３は、光透過性と光反射性とを有し、発光機能層３２で発せられた光を反射する一方の反射層となる。反射電極３５は、光反射性を有し、発光機能層３２で発せられた光を反射する他方の反射層となる。
発光機能層３２で発せられた光は、対向電極３３と反射電極３５との間で繰り返し反射され、対向電極３３と反射電極３５との間の光学的距離に対応する特定波長（共振波長）の光が増幅される。さらに、対向電極３３と反射電極３５との間で共振波長に増幅された光は、対向電極３３からＺ（＋）方向に射出され、カラーフィルター層５０を通過し、表示光となる。
【００７８】
Ｒ画素発光領域５２Ｒでは、共振波長（輝度が最大となるピーク波長）が６１０ｎｍとなるように、反射電極３５と対向電極３３との間の光学的距離が設定されている。つまり、共振波長が６１０ｎｍとなるように、第３絶縁膜６３と第５絶縁膜６５と第６絶縁膜６６との厚さが調整されている。その結果、Ｒ画素発光領域５２Ｒから、６１０ｎｍをピーク波長とする赤色の光がＺ（＋）方向に射出される。さらに、６１０ｎｍをピーク波長とする赤色の光は、赤色のカラーフィルター層５０Ｒを通過し、赤色の光の色純度が高められている。
【００７９】
Ｇ画素発光領域５２Ｇでは、共振波長が５４０ｎｍとなるように、反射電極３５と対向電極３３との間の光学的距離が設定されている。つまり、共振波長が５４０ｎｍとなるように、第３絶縁膜６３と第６絶縁膜６６との厚さが調整されている。その結果、Ｇ画素発光領域５２Ｇから、５４０ｎｍをピーク波長とする緑色の光がＺ（＋）方向に射出される。さらに、５４０ｎｍをピーク波長とする緑色の光は、緑色のカラーフィルター層５０Ｇを通過し、緑色の光の色純度が高められている。
【００８０】
Ｂ画素発光領域５２Ｂでは、共振波長が４７０ｎｍとなるように、反射電極３５と対向電極３３との間の光学的距離が設定されている。つまり、共振波長が４７０ｎｍとなるように、第３絶縁膜６３の厚さが調整されている。その結果、Ｂ画素発光領域５２Ｂから、４７０ｎｍをピーク波長とする青色の光がＺ（＋）方向に射出される。さらに、４７０ｎｍをピーク波長とする青色の光は、青色のカラーフィルター層５０Ｂを通過し、青色の光の色純度が高められている。
【００８１】
次に、図６を参照し、画素２０における画素コンタクト領域４２の構造について説明する。
図６に示すように、画素コンタクト領域４２では、反射電極３５の上に、第１絶縁膜６１と、第２絶縁膜６２と、第３絶縁膜６３と、第４絶縁膜６４と、第２の中継電極４１とが順に積層されている。
【００８２】
第４絶縁膜６４は、例えば膜厚６５ｎｍの酸化シリコンで構成される。詳細は後述するが、第２の中継電極４１からはみ出した第４絶縁膜６４がエッチング除去され、第４絶縁膜６４は、第３絶縁膜６３と第２の中継電極４１との間に配置されている。このため、第４絶縁膜６４は、画素コンタクト領域４２に配置され、画素発光領域５２に配置されていない。
なお、画素コンタクト領域４２は、第４絶縁膜６４を含まない構成であってもよい。
【００８３】
第１絶縁膜６１と第２絶縁膜６２と第３絶縁膜６３と第４絶縁膜６４とを貫き反射電極３５に至るコンタクトホール７５が形成されている。コンタクトホール７５は第２の中継電極４１で覆われ、第２の中継電極４１がコンタクトホール７５を介して反射電極３５に電気的に接続されている。
【００８４】
Ｒ画素コンタクト領域４２Ｒでは、第２の中継電極４１の上に、第５絶縁膜６５と第６絶縁膜６６と画素電極３１とが順に積層されている。第５絶縁膜６５と第６絶縁膜６６とを貫き画素電極３１に至るコンタクトホール７２が形成されている。コンタクトホール７２は画素電極３１で覆われ、画素電極３１がコンタクトホール７２を介して第２の中継電極４１に電気的に接続されている。
【００８５】
Ｇ画素コンタクト領域４２Ｇでは、第２の中継電極４１の上に、第６絶縁膜６６と画素電極３１とが順に積層されている。第６絶縁膜６６を貫き画素電極３１に至るコンタクトホール７３が形成されている。コンタクトホール７３は画素電極３１で覆われ、画素電極３１がコンタクトホール７３を介して第２の中継電極４１に電気的に接続されている。
【００８６】
Ｂ画素コンタクト領域４２Ｂでは、第２の中継電極４１の上に画素電極３１が積層されている。つまり、画素電極３１は、第２の中継電極４１との間に絶縁膜を介さずに接し、第２の中継電極４１に電気的に接続されている。
【００８７】
「有機ＥＬ装置の製造方法」
図７は、本実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法を示す工程フローである。図８及び図９は、図５に対応する図であり、図７に示す工程フローの主要な工程を経た後の画素発光領域の状態を示す概略断面図である。図１０及び図１１は、図６に対応する図であり、図７に示す工程フローの主要な工程を経た後の画素コンタクト領域の状態を示す概略断面図である。
以下、図７乃至図１１を参照し、本実施形態に係る有機ＥＬ装置１００の製造方法を説明する。
【００８８】
図７に示すように、本実施形態に係る有機ＥＬ装置１００の製造方法は、反射電極３５及び第１絶縁膜６１を形成する工程（ステップＳ１）と、第２絶縁膜６２を形成する工程（ステップＳ２）と、埋め込み絶縁膜４０を形成する工程(ステップＳ３)と、第３絶縁膜６３を形成する工程(ステップＳ４)と、第４絶縁膜６４を形成する工程（ステップＳ５）と、第１絶縁膜６１と第２絶縁膜６２と第３絶縁膜６３と第４絶縁膜６４とをエッチングする工程（ステップＳ６）と、第２の中継電極４１を形成する工程（ステップＳ７）と、第５絶縁膜６５を形成する工程(ステップＳ８)と、第５絶縁膜６５をエッチングする工程（ステップＳ９）と、第６絶縁膜６６を形成する工程（ステップＳ１０）と、第５絶縁膜６５及び第６絶縁膜６６をエッチングする工程(ステップＳ１１)と、画素電極３１を形成する工程（ステップＳ１２）と、を含む。
【００８９】
なお、ステップＳ１，Ｓ２，Ｓ４は、「反射電極上に絶縁層を形成する工程」の一例である。ステップＳ６は、「第１のコンタクトホールを形成する工程」の一例である。ステップＳ７は、「コンタクト電極を形成する工程」の一例である。ステップＳ８は、「第１の光学調整層を形成する工程」の一例である。ステップＳ１０は、「第２の光学調整層を形成する工程」の一例である。ステップＳ８，Ｓ１０は、「光学調整層」を形成する工程の一例である。
【００９０】
さらに、ステップＳ１１は、「第２のコンタクトホールを形成する工程」、「光学調整層を除去する工程」、及び「第１の光学調整層及び第２の光学調整層を除去する工程」の一例である。すなわち、本願における「第２のコンタクトホールを形成する工程」、「光学調整層を除去する工程」、及び「第１の光学調整層及び第２の光学調整層を除去する工程」は、ステップＳ１１によって同時に行われている。
【００９１】
ステップＳ１では、例えばスパッタ法を用いてＡｌとＴｉとからなるＡｌ合金を基板１１の上に堆積した後、例えばプラズマＣＶＤ法を用いて酸化シリコンを堆積する。続いて、例えばドライエッチング法を用いて、酸化シリコン膜とＡｌ合金とを連続的にエッチングし、基板１１の上にＡｌ合金からなる反射電極３５と、酸化シリコンからなる第１絶縁膜６１とを順に形成する。
【００９２】
図８（ａ）及び図１０（ａ）に示すように、画素発光領域５２及び画素コンタクト領域４２では、反射電極３５及び第１絶縁膜６１が同じ形状にパターニングされ、画素２０のそれぞれに島状に形成される。さらに、画素２０の反射電極３５及び第１絶縁膜６１と、隣り合う画素２０の反射電極３５及び第１絶縁膜６１との間に、第１の溝７４が形成される。
【００９３】
ステップＳ２では、例えばプラズマＣＶＤ法を用いて窒化シリコンを堆積し、窒化シリコンからなる第２絶縁膜６２を形成する。第２絶縁膜６２は、第１絶縁膜６１の表面、及び第１の溝７４を覆うように形成される。第１の溝７４を覆う第２絶縁膜６２によって、第１の溝７４の内側に、第１の溝７４の形状が反映された第２の溝７７が形成される。
【００９４】
ステップＳ３では、例えばプラズマＣＶＤ法を用いて酸化シリコンを堆積する。第２の溝７７の中に酸化シリコンが充填される（埋め込まれる）ように、第２の溝７７の深さよりよりも厚い酸化シリコンを堆積する。酸化シリコンは、第１絶縁膜６１の表面及び第２の溝７７を覆うように形成される。続いて、酸化シリコンに、例えばＣＭＰ（Chemical  Mechanical  Polishing）による平坦化処理を施し、第２の溝７７の中に埋め込み絶縁膜４０を形成する（埋め込む）。さらに、埋め込み絶縁膜４０と第２絶縁膜６２とによって、平坦な面が形成される。
【００９５】
なお、例えばドライエッチング法を用いて、酸化シリコンにＺ（−）方向の異方性エッチングを施し、第２の溝７７の中に埋め込み絶縁膜４０を形成し、埋め込み絶縁膜４０と第２絶縁膜６２とによる平坦な面を形成してもよい。つまり、ドライエッチング法によって平坦化処理を施してもよい。
【００９６】
ステップＳ４では、例えばプラズマＣＶＤ法を用いて窒化シリコンを堆積し、第２絶縁膜６２の表面及び埋め込み絶縁膜４０の表面を覆う第３絶縁膜６３を形成する。
【００９７】
ステップＳ５では、例えばプラズマＣＶＤ法を用いて酸化シリコンを堆積し、第３絶縁膜６３の表面を覆う第４絶縁膜６４を形成する。
【００９８】
図８（ｂ）には、ステップＳ５を経た後の画素発光領域５２の状態が示されている。図１０（ｂ）には、ステップＳ５を経た後の画素コンタクト領域４２の状態が示されている。
図８（ｂ）及び図１０（ｂ）に示すように、画素発光領域５２及び画素コンタクト領域４２では、ステップＳ３によって、第１の溝７４の形状が反映された第２の溝７７の中に埋め込み絶縁膜４０が充填され、埋め込み絶縁膜４０と第２絶縁膜６２とによって平坦な面が形成される。ステップＳ４及びステップＳ５によって、埋め込み絶縁膜４０と第２絶縁膜６２とによって形成された平坦な面は、第３絶縁膜６３と第４絶縁膜６４とで覆われる。
そして、画素発光領域５２は、反射電極３５の上に、第１絶縁膜６１（酸化シリコン）と、第２絶縁膜６２（窒化シリコン）と、第３絶縁膜６３（窒化シリコン）と、第４絶縁膜６４（酸化シリコン）とが、順に積層された状態になる。
【００９９】
上述したように、第１絶縁膜６１と第２絶縁膜６２と第３絶縁膜６３とで構成される膜は「絶縁層」の一例である。画素発光領域５２では、第１絶縁膜６１と第２絶縁膜６２と第３絶縁膜６３とで構成される膜において、当該膜の反射電極３５に対向する側と反対側の面は、窒化シリコン（第３絶縁膜６３）で構成されている。
【０１００】
ステップＳ６では、例えばフッ素系ガスを用いたドライエッチング法によって絶縁膜６１，６２，６３，６４にＺ（−）方向のエッチングを施し、図１０（ｃ）に示すように、絶縁膜６１，６２，６３，６４を貫き反射電極３５に至るコンタクトホール７５を、画素コンタクト領域４２に形成する。
【０１０１】
ステップＳ６では、画素発光領域５２の絶縁膜６１，６２，６３，６４がエッチングされないように、画素発光領域５２をマスク（例えばレジスト）で保護した状態でＺ（−）方向のエッチングを施す。このため、図８（ｃ）に示すように、画素発光領域５２では、反射電極３５の上に、第１絶縁膜６１と、第２絶縁膜６２と、第３絶縁膜６３と、第４絶縁膜６４とが順に積層された状態が維持される。
【０１０２】
ステップＳ７では、例えばスパッタ法を用いてＴｉＮを堆積する。次に、例えば塩素系ガスを用いたドライエッチング法によってＴｉＮをパターニングして、画素コンタクト領域４２に第２の中継電極４１を形成する。塩素系ガスを用いたドライエッチングでは、ＴｉＮはエッチングされやすく、酸化シリコン（第４絶縁膜６４）はエッチングされにくい。このため、第４絶縁膜６４は、ＴｉＮをドライエッチングする際のエッチングストッパーになる。
【０１０３】
さらに、例えばフッ素系ガスを用いたドライエッチング法によって、第２の中継電極４１からはみ出した第４絶縁膜６４をエッチング除去する。フッ素系ガスを用いたドライエッチングでは、例えば窒化シリコンのエッチングレートを１とすると、酸化シリコンエッチングレートは１０以上であり、窒化シリコンは酸化シリコンに対して高いエッチング選択性を有する。
【０１０４】
第４絶縁膜６４は酸化シリコンで構成され、第４絶縁膜６４の下地膜（第３絶縁膜６３）は窒化シリコンで構成されるので、フッ素系ガスを用いたドライエッチング法では、第３絶縁膜６３は第４絶縁膜６４に対して高いエッチング選択性を有する。従って、第３絶縁膜６３を窒化シリコンで構成することによって、ステップＳ７において第３絶縁膜６３が侵されにくくなり、画素発光領域５２における第３絶縁膜６３の膜厚変動を抑制し、画素発光領域５２の光学的距離を所定の範囲に設定することができる。
【０１０５】
図１０（ｄ）に示すように、画素コンタクト領域４２では、コンタクトホール７５を覆うように第２の中継電極４１が形成され、第２の中継電極４１と第３絶縁膜６３との間に第４絶縁膜６４が配置される。
【０１０６】
図８（ｄ）に示すように、画素発光領域５２では、第４絶縁膜６４がエッチング除去されるので、反射電極３５の上に、第１絶縁膜６１と、第２絶縁膜６２と、第３絶縁膜６３とが、順に積層された状態になる。
【０１０７】
ステップＳ８では、例えばプラズマＣＶＤ法を用いて酸化シリコンを堆積し、第５絶縁膜６５を形成する。詳しくは、画素発光領域５２では、第３絶縁膜６３の上に第５絶縁膜６５を形成する。画素コンタクト領域４２では、第３絶縁膜６３の表面及び第２の中継電極４１の表面を覆うように、第５絶縁膜６５を形成する。
【０１０８】
図８（ｅ）に示すように、画素発光領域５２では、反射電極３５の上に、第１絶縁膜６１と、第２絶縁膜６２と、第３絶縁膜６３と、第５絶縁膜６５とが、順に積層された状態になる。図１０（ｅ）に示すように、画素コンタクト領域４２では、第２の中継電極４１の上に第５絶縁膜６５が積層された状態になる。
【０１０９】
ステップＳ９では、例えばフッ素系ガスを用いたドライエッチング法によって、画素２０Ｇに配置された第５絶縁膜６５をエッチング除去し、画素２０Ｒ及び画素２０Ｂに跨った第５絶縁膜６５を形成する。
【０１１０】
上述したように、フッ素系ガスを用いたドライエッチングでは、例えば窒化シリコンのエッチングレートを１とすると、酸化シリコンエッチングレートは１０以上であり、窒化シリコンは酸化シリコンに対して高いエッチング選択性を有する。
【０１１１】
第５絶縁膜６５は酸化シリコンで構成され、第５絶縁膜６５の下地膜（第３絶縁膜６３）は窒化シリコンで構成されるので、フッ素系ガスを用いたドライエッチング法では、第３絶縁膜６３は第５絶縁膜６５に対して高いエッチング選択性を有する。従って、第３絶縁膜６３を窒化シリコンで構成することによって、ステップＳ９において第３絶縁膜６３が侵されにくくなり、画素発光領域５２における第３絶縁膜６３の膜厚変動を抑制し、画素発光領域５２の光学的距離を所定の範囲に設定することができる。
【０１１２】
図９（ａ）に示すように、Ｒ画素発光領域５２Ｒ及びＢ画素発光領域５２Ｂでは、反射電極３５の上に、第１絶縁膜６１と、第２絶縁膜６２と、第３絶縁膜６３と、第５絶縁膜６５とが、順に積層された状態になる。Ｇ画素発光領域５２Ｇでは、第５絶縁膜６５がエッチング除去され、反射電極３５の上に、第１絶縁膜６１と、第２絶縁膜６２と、第３絶縁膜６３とが、順に積層された状態になる。
【０１１３】
図１１（ａ）に示すように、Ｒ画素コンタクト領域４２Ｒ及びＢ画素コンタクト領域４２Ｂでは、第２の中継電極４１の上に、第５絶縁膜６５が積層された状態になる。Ｇ画素コンタクト領域４２Ｇでは、第５絶縁膜６５がエッチング除去され、第２の中継電極４１が露出した状態になる。
【０１１４】
ステップＳ１０では、例えばプラズマＣＶＤ法を用いて酸化シリコンを堆積し、第６絶縁膜６６を形成する。
図９（ｂ）に示すように、Ｒ画素発光領域５２Ｒ及びＢ画素発光領域５２Ｂでは、反射電極３５の上に、第１絶縁膜６１と、第２絶縁膜６２と、第３絶縁膜６３と、第５絶縁膜６５と、第６絶縁膜６６とが、順に積層された状態になる。Ｇ画素発光領域５２Ｇでは、反射電極３５の上に、第１絶縁膜６１と、第２絶縁膜６２と、第３絶縁膜６３と、第６絶縁膜６６とが、順に積層された状態になる。
【０１１５】
図１１（ｂ）に示すように、Ｒ画素コンタクト領域４２Ｒ及びＢ画素コンタクト領域４２Ｂでは、第２の中継電極４１の上に、第５絶縁膜６５と、第６絶縁膜６６とが、順に積層された状態になる。Ｇ画素コンタクト領域４２Ｇでは、第２の中継電極４１の上に、第６絶縁膜６６が積層された状態になる。
【０１１６】
ステップＳ１１では、例えばフッ素系ガスを用いたドライエッチング法によって、第５絶縁膜６５及び第６絶縁膜６６をエッチングする。
【０１１７】
ステップＳ１１では、Ｒ画素発光領域５２Ｒ及びＧ画素発光領域５２Ｇをマスク（例えばレジスト）で保護した状態で、第５絶縁膜６５及び第６絶縁膜６６をエッチングする。従って、図９（ｃ）に示すように、Ｒ画素発光領域５２Ｒでは、反射電極３５の上に、第１絶縁膜６１と、第２絶縁膜６２と、第３絶縁膜６３と、第５絶縁膜６５と、第６絶縁膜６６とが、順に積層された状態が維持される。Ｇ画素発光領域５２Ｇでは、反射電極３５の上に、第１絶縁膜６１と、第２絶縁膜６２と、第３絶縁膜６３と、第６絶縁膜６６とが、順に積層された状態が維持される。Ｂ画素発光領域５２Ｂでは、第５絶縁膜６５及び第６絶縁膜６６がエッチング除去され、反射電極３５の上に、第１絶縁膜６１と、第２絶縁膜６２と、第３絶縁膜６３とが、順に積層された状態になる。
このように、ステップＳ１１は、Ｂ画素発光領域５２Ｂ上の第５絶縁膜６５と第６絶縁膜６６とを除去する工程である。
【０１１８】
さらに、第５絶縁膜６５及び第６絶縁膜６６は酸化シリコンで構成され、第５絶縁膜６５及び第６絶縁膜６６の下地膜（第３絶縁膜６３）は窒化シリコンで構成されるので、フッ素系ガスを用いたドライエッチング法では、第３絶縁膜６３は、第５絶縁膜６５及び第６絶縁膜６６に対して高いエッチング選択性を有する。従って、ステップＳ１１によって第３絶縁膜６３はエッチングされにくく、絶縁膜６１，６２，６３の膜厚が変化しにくいので、Ｂ画素発光領域５２Ｂにおける絶縁膜６１，６２，６３の膜厚変動を抑制し、Ｂ画素発光領域５２Ｂの光学的距離を所定の範囲に設定することができる。
【０１１９】
図１１（ｃ）に示すように、Ｒ画素コンタクト領域４２Ｒでは、第５絶縁膜６５及び第６絶縁膜６６をエッチングし、第５絶縁膜６５と第６絶縁膜６６とを貫き第２の中継電極４１を露出させるコンタクトホール７２を形成する。Ｇ画素コンタクト領域４２Ｇでは、第６絶縁膜６６をエッチングし、第６絶縁膜６６を貫き第２の中継電極４１を露出させるコンタクトホール７３を形成する。Ｂ画素コンタクト領域４２Ｂでは、第５絶縁膜６５及び第６絶縁膜６６をエッチング除去し、第２の中継電極４１を露出させる。
このように、ステップＳ１１は、Ｒ画素コンタクト領域４２Ｒにおいてコンタクトホール７２を形成し、Ｇ画素コンタクト領域４２Ｇにおいてコンタクトホール７３を形成する工程である。
【０１２０】
本実施形態では、Ｂ画素発光領域５２Ｂ上の第５絶縁膜６５と第６絶縁膜６６とを除去する工程と、Ｒ画素コンタクト領域４２Ｒのコンタクトホール７２を形成する工程と、Ｇ画素コンタクト領域４２Ｇのコンタクトホール７３を形成する工程とが、同じ工程（ステップＳ１１）で同時に行われるので、Ｒ画素発光領域５２Ｒ上の第５絶縁膜６５と第６絶縁膜６６とを除去する工程と、Ｒ画素コンタクト領域４２Ｒのコンタクトホール７２を形成する工程と、Ｇ画素コンタクト領域４２Ｇのコンタクトホール７３を形成する工程とを別々に行う場合と比べて、有機ＥＬ装置１００の製造工程が短くなり、有機ＥＬ装置１００の生産性を高めることができる。
【０１２１】
ステップＳ１２では、例えばスパッタ法を用いてＩＴＯ膜を堆積した後、例えばドライエッチング法を用いてＩＴＯ膜をパターニングし用いて、画素２０のそれぞれに画素電極３１を形成する。
【０１２２】
図９（ｄ）に示すように、Ｒ画素発光領域５２Ｒでは、反射電極３５の上に、第１絶縁膜６１と、第２絶縁膜６２と、第３絶縁膜６３と、第５絶縁膜６５と、第６絶縁膜６６と、画素電極３１とが、順に積層された状態になる。Ｇ画素発光領域５２Ｇでは、反射電極３５の上に、第１絶縁膜６１と、第２絶縁膜６２と、第３絶縁膜６３と、第６絶縁膜６６と、画素電極３１とが、順に積層された状態になる。Ｂ画素発光領域５２Ｂでは、反射電極３５の上に、第１絶縁膜６１と、第２絶縁膜６２と、第３絶縁膜６３と、画素電極３１とが、順に積層された状態になる。
【０１２３】
図１１（ｄ）に示すように、Ｒ画素コンタクト領域４２Ｒでは、第２の中継電極４１の上に、第５絶縁膜６５と第６絶縁膜６６と画素電極３１とが順に積層され、画素電極３１は、第５絶縁膜６５と第６絶縁膜６６とを貫くコンタクトホール７２を介して第２の中継電極４１に電気的に接続される。Ｇ画素コンタクト領域４２Ｇでは、第２の中継電極４１の上に、第６絶縁膜６６と画素電極３１とが順に積層され、画素電極３１は、第６絶縁膜６６を貫くコンタクトホール７３を介して第２の中継電極４１に電気的に接続される。Ｂ画素コンタクト領域４２Ｂでは、画素電極３１は、第２の中継電極４１に直接接し、第２の中継電極４１に電気的に接続される。
【０１２４】
さらに、保護絶縁膜２９を形成する工程と、発光機能層３２を形成する工程と、対向電極３３を形成する工程とを経て、赤色の光を発する画素２０Ｒと緑色の光を発する画素２０Ｇと青色の光を発する画素２０ＢとがＹ方向にストライプ状に配列され、光共振構造を有する有機ＥＬ装置１００（図１参照）を製造することができる。
【０１２５】
本実施形態の製造方法によれば、以下の効果を得ることができる。
画素発光領域５２では、窒化シリコンで構成される第３絶縁膜６３の上に、酸化シリコンで構成される第４絶縁膜６４や第５絶縁膜６５や第６絶縁膜６６を形成する。このため、ステップＳ７とステップＳ９とステップＳ１１とのフッ素系ガスを用いたドライエッチングにおいて、第３絶縁膜６３がエッチングストッパーとなり、第４絶縁膜６４や第５絶縁膜６５や第６絶縁膜６６を所定の形状にパターニングできる。さらに、第３絶縁膜６３の膜厚変動が抑制され、画素発光領域５２の光学的距離を所定の範囲に設定することができる。
【０１２６】
Ｂ画素発光領域５２Ｂ上の第５絶縁膜６５と第６絶縁膜６６とを除去する工程と、Ｒ画素コンタクト領域４２Ｒのコンタクトホール７２を形成する工程と、Ｇ画素コンタクト領域４２Ｇのコンタクトホール７３を形成する工程とを、ステップＳ１１によって同時に行うので、これら工程を別々に行う場合と比べて、有機ＥＬ装置１００の製造工程が短くなり、有機ＥＬ装置１００の生産性を高めることができる。
【符号の説明】
【０１２７】
１０…素子基板、１１…基板、１２…走査線、１４…データ線、６，８，１９…電源線、２０，２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂ…画素、２１…容量、２２…表示単位、２８…第１の中継電極、２９…保護絶縁膜、３０，３０Ｒ，３０Ｇ，３０Ｂ…有機ＥＬ素子、３１…画素電極、３２…発光機能層、３３…対向電極、３５…反射電極、４０…埋め込み絶縁膜、４１…第２の中継電極、４２…画素コンタクト領域、４２Ｒ…Ｒ画素コンタクト領域、４２Ｇ…Ｇ画素コンタクト領域、４２Ｂ…Ｂ画素コンタクト領域、５０，５０Ｂ，５０Ｇ，５０Ｒ…カラーフィルター層、５１…保護絶縁膜の開口、５２…画素発光領域、５２Ｒ…Ｒ画素発光領域、５２Ｇ…Ｇ画素発光領域、５２Ｂ…Ｂ画素発光領域、６１…第１絶縁膜、６２…第２絶縁膜、６３…第３絶縁膜、６４…第４絶縁膜、６５…第５絶縁膜、６６…第６絶縁膜、７０…封止基板、７２…コンタクトホール、７３…コンタクトホール、７４…第１の溝、７５…コンタクトホール、７７…第２の溝、１００…有機ＥＬ装置、１０１…データ線駆動回路、１０２…走査線駆動回路、１０３…外部接続用端子、１１０…画素回路、１２１〜１２５…トランジスター。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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