(57)【要約】【課題】優れた導電性及び摺動性及び耐摩耗性を長期に亘って維持することができ、且つ、材料コストの高いメッキ層の厚みを押さえて低コスト化を図ることのでき、更には、フッ素ドープ酸化スズ膜を構成する資源の節約を実現することのできる端子金具を提供すること。【解決手段】母材金属により隆起形状に形成された接点部１２ｂ，１３ｂと、前記母材金属よりも導電性に優れた金属材料で接点部１２ｂ，１３ｂの上を覆ったメッキ層３１と、を備える端子金具であって、接点部１２ｂ，１３ｂ上のメッキ層３１の上をスポット的に覆うフッ素ドープ酸化スズ膜３２を備えた構造。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
母材金属により隆起形状に形成された接点部と、前記母材金属よりも導電性に優れた金属材料で前記接点部の上を覆ったメッキ層と、を備える端子金具であって、
前記接点部の表面を覆う前記メッキ層の上に、スポット的にフッ素ドープ酸化スズ膜を形成したことを特徴とする端子金具。
【請求項２】
前記フッ素ドープ酸化スズ膜を、ＳＰＤ法により形成したことを特徴とする請求項１に記載の端子金具。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、母材金属製の接点部が前記母材金属よりも導電性に優れたメッキ層で覆われる端子金具に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、金属板のプレス成形により形成される端子金具は、優れた導電性を確保するために、表面に銀メッキを施すことが知られている。
【０００３】
しかし、銀メッキは、酸化し易く、酸化によって変色したり、導電性が低下するという問題があった。そこで、銀メッキの表面に、変色防止剤をコーティングすることが知られている。
【０００４】
また、下記特許文献１には、銀メッキ層を有するメッキ材の強度を向上させる技術として、銀メッキ層の形成後に、２００℃の加熱を６０分間維持する時効処理を行う技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１４−８０６７２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところが、従来より行われている変色防止剤のコーティングは、物理的ストレスに弱く、プレス加工や、端子金具相互の嵌合時の摩擦で剥がれやすく、長期に亘って変色防止を行うことができない。
【０００７】
また、特許文献１の技術では、端子金具に応用した場合に、端子金具相互間の摺動性を改善することができるが、銀メッキ層の耐摩耗性はそれほど改善することができない。そのため、優れた導電性などの銀メッキ層の特徴を長期に亘って維持するには、銀メッキ層を厚く形成しておく必要があり、材料コストの高い銀の使用量が増大するため、端子金具の高額化を招くという問題があった。
【０００８】
そこで、本発明の目的は、上記課題を解消することに係り、優れた導電性及び摺動性及び耐摩耗性を長期に亘って維持することができ、且つ、材料コストの高いメッキ層の厚みを押さえて低コスト化を図ることのできる端子金具を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の前述した目的は、下記の構成により達成される。
（１）  母材金属により隆起形状に形成された接点部と、前記母材金属よりも導電性に優れた金属材料で前記接点部の上を覆ったメッキ層と、を備える端子金具であって、
前記接点部の表面を覆う前記メッキ層の上に、スポット的にフッ素ドープ酸化スズ膜を形成したことを特徴とする端子金具。
【００１０】
（２）前記フッ素ドープ酸化スズ膜を、ＳＰＤ法により形成したことを特徴とする上記（１）に記載の端子金具。
【００１１】
上記（１）の構成によれば、メッキ層の上をスポット的に覆うフッ素ドープ酸化スズ膜は、次の（ａ）〜（ｄ）の特徴を有している。
（ａ）金や銀と比較して、材料コストが安い。
（ｂ）銅やスズと比較して優れた導電性を備えており、銀や金などと比較してもそれほど遜色のない優れた導電性を有している。そのため、良好な導電性を確保するために金や銀を使ったメッキ層の膜厚を低減させて、材料コストの高い金や銀の使用量の低減により、コストの低減を図ることができる。
（ｃ）銀や銅などと比較して、酸などの環境ストレスに強く、酸化による変色や腐食が発生し難く、酸化防止のためのコーティングなどが不要になり、コスト低減を促進することができる。
（ｄ）金や銀と比較して耐摩耗性が高く、また摩擦係数が小さく摺動性能に優れるため、接点に使った場合に、嵌合や摺動を繰り返しても、摩耗が生じ難く、寿命を延ばすことができる。
【００１２】
以上より、上記（１）の構成によれば、優れた導電性及び摺動性及び耐摩耗性を長期に亘って維持することができ、且つ、材料コストの高いメッキ層の厚みを押さえて低コスト化を図ることができる。
【００１３】
また、フッ素ドープ酸化スズ膜は、隆起した接点部であるインデントやビードの表面の摺動接触部となる一部領域にのみスポット的に装備する。そのため、形成するフッ素ドープ酸化スズ膜を必要最小限に抑えて、資源を節約すると共に、コストの低減を促進することができる。
【００１４】
上記（２）の構成によれば、フッ素ドープ酸化スズ膜は、錫を溶解した原料溶液の濃度調整や、前記原料溶液を噴霧塗布するノズルの噴射性能の調整、ノズルによって噴霧塗布する回数の増減によって、フッ素ドープ酸化スズ膜を形成する範囲及び形成する膜厚を自在に調整することができ、形成するフッ素ドープ酸化スズ膜の厚み及び面積をピンポイントで、所望値に調整することができる。
【００１５】
そのため、接点部であるインデントやビードの一部にスポット的に、所望の厚み、面積のフッ素ドープ酸化スズ膜を確実に形成することができる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明による端子金具によれば、優れた導電性及び摺動性及び耐摩耗性を長期に亘って維持することができ、且つ、材料コストの高いメッキ層の厚みを押さえて低コスト化を図ることができる。
【００１７】
以上、本発明について簡潔に説明した。さらに、以下に説明される発明を実施するための形態（以下、「実施形態」という。）を添付の図面を参照して通読することにより、本発明の詳細は更に明確化されるであろう。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明に係る端子金具の一実施形態の縦断面図である。
【図２】図１のＡ部の拡大図である。
【図３】図２に示した接点部として複数のインデントを備えた端子金具の要部の平面図である。
【図４】図２に示した接点部として複数のビードを備えた端子金具の要部の平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明に係る端子金具の好適な実施形態について、図面を参照して詳細に説明する。
【００２０】
図１は本発明に係る端子金具の一実施形態の縦断面図、図２は図１のＡ部の拡大図である。
図１では、雌端子金具１０と雄端子金具２０との嵌合状態を示している。
【００２１】
雌端子金具１０は、母材金属である銅又は銅合金製の板材のプレス成形により所定の構造に形成されたもので、相手端子金具（雄端子金具２０）が嵌合する角筒状の嵌合筒部１１の内側に、雄端子金具２０の舌状片２１を挟持するばね板部１２，１３が装備されている。
【００２２】
それぞれのばね板部１２，１３は、端子相互の嵌合方向に沿って延在するばね板片１２ａ，１３ａに、表面が滑らか凸曲面状の接点部１２ｂ，１３ｂをプレス成形したものである。
【００２３】
各接点部１２ｂ，１３ｂは、嵌合筒部１１に挿入された舌状片２１が摺動接触する接点であり、母材金属である銅又は銅合金製の板材のプレス成形で形成されている。
【００２４】
接点部１２ｂは、具体的には、図３に示すインデント１４であり、接点部１３ｂは、具体的には、図４示すビード１５である。インデント１４は、略半球状の突起である。また、ビード１５は、長円形の隆起構造である。これらのインデント１４又はビード１５の表面の一部は、舌状片２１が摺動する摺動接触面となる。
【００２５】
雄端子金具２０の舌状片２１は、平板状の芯金２２の両面を表面板２３，２４で挟んで所定の厚み寸法を確保している。
【００２６】
表面板２３，２４は、雌端子金具１０と雄端子金具２０が嵌合するときに、接点部１２ｂ，１３ｂが摺動接触する平板状の接点部である。
【００２７】
本実施形態の場合、雌端子金具１０の接点部１２ｂ，１３ｂの表面と、雄端子金具２０の接点部である表面板２３，２４の表面は、図２に示すように、メッキ層３１で覆われている。そして、接点部１２ｂの表面を覆っているメッキ層３１は、その一部が、スポット的にフッ素ドープ酸化スズ膜３２で覆われている。
【００２８】
メッキ層３１は、母材金属である銅又は銅合金よりも導電性に優れた銀や金などの金属材料による層である。
【００２９】
即ち、本実施形態の雌端子金具１０は、銅又は銅合金により所定の形状に形成された接点部１２ｂ，１３ｂと、母材金属である銅又は銅合金よりも導電性に優れた金又は銀で接点部１２ｂ，１３ｂの上を覆ったメッキ層３１と、これらのメッキ層３１の表面の一部の領域上をスポット的に覆うフッ素ドープ酸化スズ膜３２と、を備えている。
【００３０】
接点部１２ｂの表面のメッキ層にフッ素ドープ酸化スズを薄板状に設けるには、例えば、スプレー熱分解（ＳＰＤ：Spray Pyrolysis Deposition）法により設けることができる。ＳＰＤ法はよく知られているように、基材を成膜温度まで加熱し、そこに向けて霧化器等の噴霧手段を用いて膜の原料となる溶液を噴霧することにより、反応初期には、基材表面に付着した液滴中の溶媒の蒸発と、溶質の熱分解に続く加水分解反応および熱酸化反応することにより結晶を形成させ、反応が進むにつれその結晶上に、液滴が付着し、液滴中の溶媒蒸発と共に、溶質および下部の結晶間で結晶成長を進行させ、薄膜を形成する方法である。ＳＰＤ法を採用することにより、なおフッ素ドープ酸化スズは、ＳＰＤ法以外にも公知の方法を採用し、形成することができる。
【００３１】
フッ素ドープ酸化スズは、金や銀と比較して材料コストが低い。また、フッ素ドープ酸化スズの膜（ＦＴＯ膜）は、スズ（Ｓｎ）の純金属と比較すると体積抵抗率が一桁小さく、金や銀と比較してもそれほど遜色のない優れた導電性を有している。また、フッ素ドープ酸化スズは、導電性の温度依存度が低く、耐食性や耐摩耗性も優れていて、優れた耐久性を示す。
【００３２】
以上の雌端子金具１０と雄端子金具２０の嵌合時は、図１及び図２に示すように、互いの接点部１２ｂ，１３ｂ，２３，２４同士が摺動接触して、端子相互が導通接続される。
【００３３】
以上に説明した一実施形態の接点構造において、メッキ層３１の上をスポット的に覆うフッ素ドープ酸化スズ膜３２は、次の（ａ）〜（ｄ）の特徴を有している。
（ａ）金や銀と比較して、材料コストが安い。
（ｂ）銅やスズと比較して優れた導電性を備えており、銀や金などと比較してもそれほど遜色のない優れた導電性を有している。そのため、良好な導電性を確保するために金や
銀を使ったメッキ層３１の膜厚を低減させて、材料コストの高い金又は銀の使用量の低減により、コストの低減を図ることができる。
（ｃ）銀や銅などと比較して、酸などの環境ストレスに強く、酸化による変色や腐食が発生し難く、酸化防止のためのコーティングなどが不要になり、コスト低減を促進することができる。
（ｄ）金や銀と比較して耐摩耗性が高く、また摩擦係数が小さく摺動性能に優れるため、接点に使った場合に、嵌合や摺動を繰り返しても、摩耗が生じ難く、寿命を延ばすことができる。
【００３４】
以上より、本実施形態の構成によれば、優れた導電性及び摺動性及び耐摩耗性を長期に亘って維持することができ、且つ、材料コストの高いメッキ層３１の厚みを抑えて低コスト化を図ることができる。
【００３５】
また、フッ素ドープ酸化スズ膜３２は、接点部１２ｂ，１３ｂであるインデント１４やビード１５の表面の摺動接触部となる一部領域にのみスポット的に装備する。そのため、形成するフッ素ドープ酸化スズ膜３２を必要最小限に抑えて、資源を節約すると共に、コストの低減を促進することができる。
【００３６】
また、一実施形態の接点構造の場合、フッ素ドープ酸化スズ膜３２は、錫を溶解した原料溶液の濃度調整や、前記原料溶液を噴霧塗布するノズルの噴射性能の調整、ノズルによって噴霧塗布する回数の増減によって、フッ素ドープ酸化スズ膜３２を形成する範囲及び形成する膜厚を自在に調整することができ、形成するフッ素ドープ酸化スズ膜３２の厚み及び面積をピンポイントで、所望値に調整することができる。
【００３７】
そのため、接点部であるインデント１４やビード１５の一部にスポット的にフッ素ドープ酸化スズ膜３２を形成する作業を容易にすることができる。
【００３８】
なお、本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく、適宜、変形、改良、等が可能である。その他、上述した実施形態における各構成要素の材質、形状、寸法、数、配置箇所、等は本発明を達成できるものであれば任意であり、限定されない。
【００３９】
例えば、接点部を形成する母材金属は、前述した銅又は銅合金に限るものではなく、アルミニウムやニッケル又はニッケル合金を使用することができる。また、メッキ層の金属も、銀や金に限るものではなく、母材金属よりも導電性に優れる各種の金属を使用することができる。
【００４０】
ここで、上述した本発明に係る端子金具の実施形態の特徴をそれぞれ以下［１］〜［２］に簡潔に纏めて列記する。
【００４１】
［１］  母材金属により隆起形状に形成された接点部（１２ｂ，１３ｂ）と、前記母材金属よりも導電性に優れた金属材料で前記接点部（１２ｂ，１３ｂ）の上を覆ったメッキ層（３１）と、を備える端子金具であって、
前記接点部の表面を覆う前記メッキ層（３１）の上に、スポット的にフッ素ドープ酸化スズ膜（３２）を形成したことを特徴とする端子金具。
【００４２】
［２］  前記フッ素ドープ酸化スズ膜（３２）を、ＳＰＤ法により形成したことを特徴とする上記［１］に記載の端子金具。
【符号の説明】
【００４３】
１０  雌端子金具
１２ｂ，１３ｂ  接点部
１４  インデント（接点部）
１５  ビード（接点部）
２０  雄端子金具
２３，２４  表面板（接点部）
３１  メッキ層
３２  フッ素ドープ酸化スズ膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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