(57)【要約】    【課題】  高いインダクタンスを内蔵するプリント配線板を提供する。    【解決手段】  下側のビルドアップ層４５０Ｓは、１層の下側の樹脂絶縁層４７０Ｓから構成され、該下側の樹脂絶縁層４７０Ｓ上に導体層は形成されない。このため、インダクタ部品１０からの磁束が、下側のビルドアップ層４５０Ｓの導体層に影響されないため、該インダクタ部品のインダクタを高めることができる。【選択図】  図１
2016076630.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
インダクタ部品を収容するキャビティを有し、第１面と該第１面と反対側の第２面とを備えるコア基板と、
前記コア基板の第１面に形成されている第１導体層と、
前記コア基板の第２面に形成されている第２導体層と、
前記コア基板の第１面に形成されている上側の樹脂絶縁層と、
前記上側の樹脂絶縁層上に形成されている上側の導体層と、
前記コア基板の第２面に形成されている下側の樹脂絶縁層とを備えるプリント配線板であって、
前記上側の樹脂絶縁層の層数が、前記下側の樹脂絶縁層の層数よりも多い。
【請求項２】
請求項１のプリント配線板であって、
前記上側の樹脂絶縁層を構成する樹脂絶縁層は芯材を備えず、
前記下側の樹脂絶縁層を構成する樹脂絶縁層は芯材を備える。
【請求項３】
請求項１又は請求項２のプリント配線板であって、
前記下側の樹脂絶縁層が、前記コア基板の第２面上の導体回路を露出させる開口を備える１層の樹脂絶縁層から成る。
【請求項４】
請求項１のプリント配線板であって、
最外の前記上側の導体層上に電子部品実装用のパッドが設けられ、
最外の前記下層の樹脂絶縁層の開口にＢＧＡパッドが設けられる。
【請求項５】
請求項１のプリント配線板であって、
前記インダクタ部品は、
複数の第１開口と前記第１開口間に設けられる第２開口とを有し、前記コア基板の第１面と同じ側の第１面と、前記コア基板の第２面側と同じ側の第２面を備える樹脂絶縁層と、
前記第１開口に充填される導電性材料からなるスルーホール導体と、
前記第２開口に充填される磁性材料からなる磁性体と、
前記第１面、前記第２面に配置され前記スルーホール導体を接続する配線と、を備え、前記スルーホール導体及び前記配線がヘリカル状に配置されて成る。
【請求項６】
請求項５のプリント配線板であって、
前記インダクタ部品は、
前記第２開口の側壁には凹凸が形成され、前記凹部は前記スルーホール導体に対応する位置に設けられ、前記凸部は前記スルーホール導体と前記スルーホール導体との間に対応する位置に設けられている。
【請求項７】
請求項１のプリント配線板であって、
前記インダクタ部品は、
前記第１開口は前記第１面側から前記第２面側に向かって縮径すると共に、前記第２面側から前記第１面側に向かって縮径するテーパの付けられた円筒形状であり、
前記第２開口は、前記第１面側から前記第２面側に向かって幅が狭くなると共に、前記第２面側から前記第１面側に向かって幅が狭くなる形状である。
【請求項８】
請求項７のプリント配線板であって、
前記インダクタ部品は、
前記第１開口の径の最小となる前記第１面からの距離と、
前記第２開口の幅の最小となる前記第１面からの距離とがほぼ等しい。
【請求項９】
請求項５のプリント配線板であって、
前記インダクタ部品の前記樹脂絶縁層は、積層された３層の樹脂絶縁層から成り、中央の樹脂絶縁層に前記第２開口が形成され、
前記中央の樹脂絶縁層の上下の樹脂絶縁層によって前記第２開口が塞がれている。
【請求項１０】
請求項６のプリント配線板であって、
前記インダクタ部品は、
前記第１開口は２列に並べられ、
前記第２開口は前記第１開口の列と列の間に配置され、
前記第２開口の側壁の凹部は一列の前記スルーホール導体に対応する位置に設けられ、前記凸部は前記一列の前記スルーホール導体と前記スルーホール導体との間に対応する位置に設けられている。
【請求項１１】
請求項１のプリント配線板であって、
前記インダクタ部品と前記キャビティの側壁との間に樹脂が充填されている。
【請求項１２】
第１面と該第１面と反対側の第２面とを備え、複数の第１開口と前記第１開口間に設けられる第２開口とを有するコア基板と、
前記コア基板の第１面に形成されている第１導体層と、
前記コア基板の第２面に形成されている第２導体層と、
前記コア基板の第１面に形成されている上側の樹脂絶縁層と、
前記上側の樹脂絶縁層上に形成されている上側の導体層と、
前記コア基板の第２面に形成されている下側の樹脂絶縁層とを備えるプリント配線板であって、
前記コア基板に、前記第１開口の充填される導電性材料からなるスルーホール導体と、前記第２開口に充填される磁性材料からなる磁性体と、前記第１面、前記第２面に配置され前記スルーホール導体をヘリカル状に接続する配線と、から成るインダクタ部が設けられ、
前記上側の樹脂絶縁層の層数が、前記下側の樹脂絶縁層の層数よりも多い。
【請求項１３】
請求項１２のプリント配線板であって、
前記第２開口の側壁には凹凸が形成され、前記凹部は前記スルーホール導体に対応する位置に設けられ、前記凸部は前記スルーホール導体と前記スルーホール導体との間に対応する位置に設けられている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インダクタ部品を備えるプリント配線板、インダクタを内蔵するプリント配線板に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１は、インダクタの抵抗を小さくするため、厚い金属板（例えば１００〜３００μｍ）からプレス加工でインダクタ部品を製造している。そのインダクタ部品は特許文献１の図２に示されている。そのインダクタ部品が基板上に接着される。その後、特許文献１の図８に示されているように、特許文献１は基板とインダクタ部品上にビルドアップ層を形成している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００８−２７０５３２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１のインダクタ部品は金属板から形成されているので、特許文献１の技術でスパイラル状のインダクタが積層されると、異なる層のインダクタを接続することは困難であると考えられる。
【０００５】
本発明の目的は、高いインダクタを内蔵するプリント配線板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本願発明のプリント配線板は、インダクタ部品を収容するキャビティを有し、第１面と該第１面と反対側の第２面とを備えるコア基板と、前記コア基板の第１面に形成されている第１導体層と、前記コア基板の第２面に形成されている第２導体層と、前記コア基板の第１面に形成されている上側の樹脂絶縁層と、前記上側の樹脂絶縁層上に形成されている上側の導体層と、前記コア基板の第２面に形成されている下側の樹脂絶縁層とを備える。そして、前記上側の樹脂絶縁層の層数が、前記下側の樹脂絶縁層の層数よりも多い。
【発明の効果】
【０００７】
本発明のプリント配線板は、下側の樹脂絶縁層の層数が、上側の樹脂絶縁層の層数よりも少ない。このため、インダクタ部品からの磁束が下側の樹脂絶縁層の導体層に影響され難くなり、インダクタ部品のインダクタを高めることができる。
【０００８】
好適な態様において、インダクタが、インダクタ部品を構成する樹脂絶縁層の平面に対して平行方向の軸線上に沿って、形成されるヘリカル状であり、インダクタ部品の厚み方向では無く、横方向にループするため、インダクタ部品の厚みを厚くすることなくターン数を増やすことができ、所望のインダクタンス特性（インダクタンス値、Ｑ値）を得ることができる。
【０００９】
好適な態様において、磁性体を収容する第２開口の側壁に凹凸が形成される。凹部はスルーホール導体に対応する位置に設けられる。凸部はスルーホール導体とスルーホール導体との間に対応する位置に設けられている。凹凸により磁性体とスルーホール導体との距離が狭まり、インダクタンス値が高められる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】第１実施形態に係るインダクタ部品を内蔵するプリント配線板の断面図。
【図２】第１実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図３】第１実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図４】第１実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図５】第１実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図６】本発明の第１実施形態に係るインダクタ部品を示す断面図。
【図７】図７（Ａ）、図７（Ｃ）は第１実施形態のインダクタ構造体の平面図、図７（Ｂ）は側面図、図７（Ｄ）は開口の凹部を示す拡大図。
【図８】第１実施形態に係るインダクタ部品の製造方法を示す工程図。
【図９】第１実施形態に係るインダクタ部品の製造方法を示す工程図。
【図１０】第１実施形態に係るインダクタ部品の製造方法を示す工程図。
【図１１】第１実施形態の第１改変例に係るインダクタ部品を内蔵するプリント配線板の断面図。
【図１２】第１実施形態の第１改変例に係るプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図１３】第１実施形態の第１改変例に係るプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図１４】第２実施形態に係るインダクタ部を内蔵するプリント配線板の断面図。
【図１５】第２実施形態に係るコア基板の製造方法を示す工程図。
【図１６】第２実施形態に係るコア基板の製造方法を示す工程図。
【図１７】第２実施形態に係るコア基板の製造方法を示す工程図。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
[第１実施形態]
図１は、第１実施形態のインダクタ部品１０を内蔵するプリント配線板４１０の断面図を示す。プリント配線板４１０は、第１面Ｆと第１面Ｆと反対側の第２面Ｓを有する絶縁性基材４３０Ｚと絶縁性基材の第１面Ｆ上の第１導体層４３４Ａと絶縁性基材の第２面Ｓ上の第２導体層４３４Ｂと第１導体層４３４Ａと第２導体層４３４Ｂを接続しているスルーホール導体４３６とで形成されているコア基板４３０を有する。コア基板は第１面Ｆと第１面Ｆと反対側の第２面Ｓを有する。コア基板４３０の第１面と絶縁性基材４３０Ｚの第１面は同じ面であり、コア基板の第２面と絶縁性基材の第２面は同じ面である。スルーホール導体４３６は、絶縁性基材４３０Ｚに形成されている貫通孔４２８内をめっき膜で充填することにより形成される。
【００１２】
コア基板４３０には、開口（キャビティ）４２０が形成され、開口内にインダクタ部品１０が収容されている。開口４２０の側壁とインダクタ部品１０の側壁との間には充填樹脂４５０が充填されている。インダクタ部品１０の側壁は、樹脂製のコア基材２０と第１樹脂絶縁層５０Ｆと第２樹脂絶縁層５０Ｓとにより構成され樹脂である。ガラスクロスの芯材に樹脂を含浸させて成るコア基板４３０の開口４２０の側壁は樹脂が露出している。このため、インダクタ部品の側壁と開口４２０の側壁は互いに充填樹脂との密着性が高い。なお、充填樹脂４５０は磁性粒子を含んでも良い。インダクタのＱ値やインダクタンスの値が低下し難い。磁性粒子として、酸化鉄（III）やコバルト酸化鉄、鉄、珪素鉄、磁性合金、フェライト等が挙げられる。
【００１３】
プリント配線板４１０は、さらに、コア基板４３０の第１面Ｆ上に上側のビルドアップ層４５０Ｆを有する。上側のビルドアップ層４５０Ｆはコア基板４３０の第１面Ｆ上に形成されている絶縁層（上側の層間樹脂絶縁層）４５０Ａと絶縁層４５０Ａ上の導体層（上側の導体層）４５８Ａと絶縁層４５０Ａを貫通し第１導体層４３４Ａ、スルーホール導体４３６、インダクタ部品１０の電極６２ｐ、６２ｅと導体層４５８Ａを接続しているビア導体（上側のビア導体）４６０Ａとを有する。上側のビルドアップ層４５０Ｆはさらに絶縁層４５０Ａと導体層４５８Ａ上の絶縁層（上側の層間樹脂絶縁層）４５０Ｂと絶縁層４５０Ｂ上の導体層（上側の導体層）４５８Ｂと絶縁層４５０Ｂを貫通し導体層４５８Ａやビア導体４６０Ａと導体層４５８Ｂとを接続するビア導体（上側のビア導体）４６０Ｂを有する。上側のビルドアップ層４５０Ｆはさらに絶縁層４５０Ｂと導体層４５８Ｂ上の絶縁層（最上の層間樹脂絶縁層）４５０Ｃと絶縁層４５０Ｃ上の導体層（最上の導体層）４５８Ｃと絶縁層４５０Ｃを貫通し導体層４５８Ｂと導体層４５８Ｃとを接続するビア導体（最上のビア導体）４６０Ｃを有する。
【００１４】
プリント配線板４１０は、さらに、コア基板４３０の第２面Ｓ上に下側のビルドアップ層４５０Ｓを有する。下側のビルドアップ層４５０Ｓはコア基板４３０の第２面Ｓ上に形成されている絶縁層（下側の樹脂絶縁層）４７０Ｓから成る。樹脂絶縁層４７０Ｓの開口４７１Ｓにより露出している第２導体層４３４Ｂやスルーホール導体４３６の下面（スルーホールランド）はパッド４７３Ｓとして機能する。
【００１５】
第１実施形態のプリント配線板は、さらに、上側のビルドアップ層４５０Ｆ上に開口４７１Ｆを有するソルダーレジスト層４７０Ｆを有する。ソルダーレジスト層４７０Ｆの開口４７１Ｆにより露出している導体層４５８Ｃやビア導体４６０Ｃの上面はパッド４７３Ｆとして機能する。パッド４７３Ｓ、４７３Ｓ上に、Ｎｉ／ＡｕやＮｉ／Ｐｄ／Ａｕ、Ｐｄ／Ａｕ、ＯＳＰから成る金属膜（保護膜）４７２が形成されている。その保護膜上に半田バンプ４７６Ｓ、４７６Ｆが形成されている。上側のビルドアップ層４５０Ｆ上に形成されている半田バンプ４７６Ｆを介して図示しないＩＣチップがプリント配線板４１０に搭載される。下側のビルドアップ層４５０Ｓ上に形成されている半田バンプ４７６Ｓを介してプリント配線板４１０はマザーボードに搭載される。
【００１６】
第１実施形態のプリント配線板は、コア基板４３０に形成した開口（キャビティ）４２０にインダクタ部品１０を内蔵するため、高いインダクタを内蔵することができる。
【００１７】
第１実施形態のプリント配線板では、下側のビルドアップ層４５０Ｓは、１層の下側の樹脂絶縁層４７０Ｓから構成され、該下側の樹脂絶縁層４７０Ｓ上に導体層は形成されない。このため、インダクタ部品１０からの磁束が、下側のビルドアップ層４５０Ｓの導体層に影響されないため、該インダクタ部品のインダクタを高めることができる。
【００１８】
第１実施形態のプリント配線板は、コア基板４３０の第１面Ｓ側には１層の樹脂絶縁層４７０Ｓが形成され、第２面Ｆ側には３層の樹脂絶縁層４５０Ａ、４５０Ｂ、４５０Ｃが形成されている非対称構造である。更に、コア基板４３０にキャビティ（開口）４２０が形成されており、コア基板の剛性が低下している。コア基板４３０、樹脂絶縁層４５０Ａ、４５０Ｂ、４５０Ｃに熱応力が加わった際に、プリント配線板に反りが生じ易い。このため、第１面側の樹脂絶縁層４５０Ａ、４５０Ｂ、４５０Ｃが剛性の低い芯材を備えない樹脂フィルムから構成され、第２面側の樹脂絶縁層４７０Ｓが芯材を備える剛性の高いプリプレグで構成される。これにより、コア基板の第１面側と第２面側の剛性差が緩和され、反りの発生が抑制される。
【００１９】
図６は、第１実施形態に係るインダクタ部品１０の断面図である。図７（Ａ）は、該インダクタ部品１０の平面図であり、図７（Ｂ）は側面図である。図６（Ａ）は図７（Ａ）中のＸａ−Ｘａ断面に対応し、図６（Ｂ）は図７（Ａ）中のＸｂ−Ｘｂ断面に対応する。図６中に示されるように、インダクタ部品１０は、磁性体材料を含む磁性体２４を開口（第２開口）２２内に備える樹脂製のコア基材２０と、コア基材の第１面Ｆ側に形成された第１樹脂絶縁層５０Ｆと、コア基材の第２面Ｓ側に形成された第２樹脂絶縁層５０Ｓと、第１樹脂絶縁層５０Ｆ上に形成された第１導体パターン５８Ｆと、第２樹脂絶縁層５０Ｓ上に形成された第２導体パターン５８Ｓと、該第１導体パターン５８Ｆ、第２導体パターン５８Ｓを接続するスルーホール導体３６とを備える。コア基材の厚みは１００μｍ〜０．５００μｍが好ましい。
【００２０】
図７（Ａ）、図７（Ｂ）中に示されるように、第１面側の第１導体パターン５８Ｆは、スルーホール導体３６の直上に形成されるスルーホールランド５８ＦＲと、スルーホールランド５８ＦＲとスルーホールランド５８ＦＲとを接続する接続パターン５８ＦＬとから成る。第２面側の第２導体パターン５８Ｓは、スルーホール導体３６の直下に形成されるスルーホールランド５８ＳＲと、スルーホールランド５８ＳＲとスルーホールランド５８ＳＲとを接続する接続パターン５８ＳＬとから成る。第１導体パターン５８Ｆ、第２導体パターン５８Ｓは、スルーホール導体３６を介してヘリカル状（インダクタ部品の表裏面に対して平行方向の軸線上に沿って螺旋状）に配置され、該第１導体パターン５８Ｆ、第２導体パターン５８Ｓ、スルーホール導体３６によりインダクタ５９が形成される。
【００２１】
図６中に示すようにインダクタ部品１０では、コア基材２０の第１面Ｆ上に樹脂絶縁層５０Ｆが形成され、該樹脂絶縁層５０Ｆ上に第１導体パターン５８Ｆが形成されている。コア基材２０の第２面Ｓ側に樹脂絶縁層５０Ｓが形成され、該樹脂絶縁層５０Ｓ上に第２導体パターン５８Ｓが形成されている。第１導体パターン５８Ｆと第２導体パターン５８Ｓとを接続するスルーホール導体３６は、コア基材２０に形成された貫通孔（第１開口）２６内に形成されている。スルーホール導体３６は、貫通孔２６内に導電性材料である銅がフィルドめっきで充填され形成されている。貫通孔２６は、第１面Ｆ側から第２面Ｓ側に向かって縮径するテーパの付けられた裁頭円錐形状（円筒形状）の第１開口部２６Ｆと、第２面側から第１面側に向かって縮径するテーパの付けられた裁頭円錐形状の第２開口部２６Ｓとから成る。磁性体２４を収容する開口２２の側壁２２Ｈも、貫通孔２６と同様に中央側に傾斜している。即ち、開口２２は、第１面Ｆ側から第２面Ｓ側に向かって幅が狭くなると共に、第２面Ｓ側から第１面Ｆ側に向かって幅が狭くなる断面が横Ｖ字形状である。開口２２の幅の最も狭い位置２２ｍは積層体３０の中央位置であり、貫通孔２６の径の最も狭い位置２６ｍも積層体３０の中央位置である。開口２２の位置２２ｍの第１面Ｆからの距離ｃ１と、貫通孔２６の位置２６ｍの第１面Ｆからの距離ｃ２はほぼ等しい。
【００２２】
図７（Ｃ）は、図７（Ａ）に示されるインダクタ部品中のスルーホール導体３６を構成する貫通孔２６と、磁性体２４を収容する開口２２の配置を示す平面図である。図６（Ａ）は図７（Ｃ）中のＸａ’−Ｘａ’断面に対応し、図６（Ｂ）は図７（Ｃ）中のＸｂ’−Ｘｂ’断面に対応する。貫通孔２６は、第１列の貫通孔２６Ｎと、第２列の貫通孔２６Ｍとの２列配置である。図７（Ａ）中に示される第１列の貫通孔２６Ｎのスルーホール導体と、第２列の貫通孔２６Ｍのスルーホール導体とがそれぞれ交互に接続される。第１列の貫通孔２６Ｎと、第２列の貫通孔２６Ｍとの間に磁性体２４を収容する開口２２が配置される。開口２２の側壁２２Ｈには凹部２２ｊと凸部２２ｅとが形成されている。凹部２２ｊは貫通孔（スルーホール導体）に対応する位置に設けられ、凸部２２ｅは貫通孔（スルーホール導体）と貫通孔（スルーホール導体）との間に対応する位置に設けられている。凸部２２ｅは、一列の貫通孔の側壁を結ぶ線分Ｓ１−Ｓ１よりも貫通孔側に突出するように形成されている。図７（Ｄ）に示されるように凹部２２ｊは、貫通孔２６の外周に沿って距離ｄ１が均一になるように形成されている。
【００２３】
実施形態のインダクタ部品では、磁性体を収容する開口２２の側壁２２Ｈに凹凸が形成される。凹部２２ｊは個々のスルーホール導体３６に対応する位置に設けられる。凸部２２ｅは一列のスルーホール導体とスルーホール導体との間に対応する位置に設けられている。凹部２２ｊ、凸部２２ｅにより磁性体２４とスルーホール導体３６との距離が狭まり、インダクタンス値が高められる。
【００２４】
第１実施形態のインダクタ部品は、コア基材２０の表裏の第１導体パターン５８Ｆ、第２導体パターン５８Ｓとは、コア基材のスルーホール導体３６を介してヘリカル状（螺旋状）に配置され、インダクタを形成する。螺旋状に配置される第１導体パターン５８Ｆ、第２導体パターン５８Ｓに囲まれた空間には磁束が集中し、この磁束の集中する箇所に磁性体材料（磁性体）２４が存在し、磁束の密度が高まり所望のインダクタンス特性（インダクタンス値、Ｑ値）を得ることができる。
【００２５】
第１実施形態では、図７（Ａ）中に示されるようにインダクタ部品１０のインダクタ５９が、プリント配線板のコア基板４３０の平面に対して平行方向の軸線上にループするヘリカル状であり、プリント配線板の厚み方向では無く、横方向にループするため、プリント配線板の厚みを厚くすることなくターン数を増やすことができ、所望のインダクタンス特性（インダクタンス値、Ｑ値）を得ることができる。インダクタ部品１０の磁束が、図１中に示されるプリント配線板４１０のコア基板４３０の平面に対して平行方向の軸線上に発生するので、該磁束に干渉するスルーホール導体４３６との距離が遠くなり、高い磁束を発生させることができる。即ち、インダクタ部品の配線がループ状に形成された場合、磁束がコア基板４３０の平面に対して垂直方向に発生するため、インダクタ部品の配線と導体層４５８Ａとの距離が近づき、該導体層４５８Ａに干渉されて磁束が減じられる。第１実施形態のプリント配線板において、インダクタ部品の配線とスルーホール導体３６０とは数１００μｍのオーダで離れている。インダクタ部品の配線と導体層４５８Ａとは、層間樹脂絶縁層４５０Ａの厚み分の数１０μｍのオーダしか離れていない。
【００２６】
第１実施形態のインダクタ部品は、コア基材２０上の樹脂絶縁層５０Ｆ、５０Ｓ上に導体パターン５８Ｆ、５８Ｓが設けられる。この場合、導体パターンが樹脂絶縁層上に設けられることとなる。よって、導体パターンと磁性体とが接する場合と比較して、導体パターンの密着性が確保されやすくなる。
【００２７】
第１実施形態のインダクタ部品は、磁性体２４とスルーホール導体３６とは、コア基材に形成された開口２２、貫通孔２６に形成される。これにより、磁性体２４とスルーホール導体３６との接触が避けられる。その結果、スルーホール導体の密着性が確保されやすくなる。
【００２８】
[第１実施形態のインダクタ部品の製造方法]
図８〜図１０に第１実施形態のインダクタ部品の製造方法が示される。
厚さ１５０μｍのコア基材２０が用意される（図８（Ａ））。コア基板は、ガラスクロスの芯材に樹脂を含浸させて成るプリプレグを積層して成る。開口２２がレーザ加工でコア基材２０に形成される（図８（Ｂ））。図８（Ｃ）はコア基材の平面図である。図８（Ｂ）は、図８（Ｃ）中のＸｃ−Ｘｃ断面に対応する。図７（Ｃ）が参照され上述されたように、開口２２の側壁２２Ｈには凹部２２ｊと凸部２２ｅとが形成されている。開口２２の側壁２２Ｈは、後述される貫通孔を形成するレーザで両面から形成されるため、貫通孔と同様に中央側に傾斜している。更に、開口２２は溝状にレーザで形成されるため、図７（Ｃ）中に示される最小幅Ｗ１は、貫通孔２６の最大径ｈ１以上である。コア基材２０が治具２１に載置され、開口２２内に磁性体２４がメタルマスクを用い、真空印刷される（図８（Ｄ））。磁性体は、磁性金属と樹脂等の有機材料からなる複合体である。磁性体の透磁率は２〜２０で、磁気飽和が０．１Ｔ〜２Ｔであることが、所望のインダクタンス特性（インダクタンス値、Ｑ値）を得るため望ましい。コア基材２０の表面が研磨され、基材表面の凹凸が±１０μｍに平滑化される（図９（Ａ））。
【００２９】
コア基材２０の第１面Ｆ及び第２面Ｓに４０μｍのプリプレグが積層され、第１樹脂絶縁層５０Ｆ、第２樹脂絶縁層５０Ｓが形成され、積層体３０が完成する（図９（Ｂ））。開口２２を形成したレーザで、積層体３０のスルーホール形成部位に貫通孔２６が形成される（図９（Ｃ））。開口２２に対する貫通孔２６の形成位置が図７（Ｃ）中に示される。
【００３０】
第１樹脂絶縁層５０Ｆ、第２樹脂絶縁層５０Ｓ上、及び、貫通孔２６の内壁に無電解めっき膜５２が形成される（図９（Ｄ））。無電解めっき膜５２上にめっきレジスト５４が形成される（図１０（Ａ））。めっきレジスト５４の非形成部の無電解めっき膜５２上に電解銅めっき膜５６が形成される。貫通孔２６内に電解めっき膜が充填されスルーホール導体３６が形成される（図１０（Ｂ））。めっきレジストが剥離され、電解銅めっき膜５６非形成部の無電解めっき膜が除去され、第１導体パターン５８Ｆ、第２導体パターン５８Ｓが形成される（図１０（Ｃ））。インダクタ部品が完成する（図６）。第１実施形態のインダクタ部品は、プリント配線板と同様な製造方法で形成できるので、製造が容易である。
【００３１】
第１実施形態のプリント配線板４１０の製造方法が図２〜図５に示される。
絶縁性基材４３０Ｚとその両面に銅箔４３２が積層されている両面銅張積層板４３０Ａが出発材料である（図２（Ａ））。絶縁性基材の厚さは、１００〜４００μｍである。厚みが１００μｍより薄いと基板強度が低すぎる。厚みが４００μｍを越えるとプリント配線板の厚さが厚くなる。絶縁性基材は第１面Ｆとその第１面と反対側の第２面Ｓを有する。銅箔４３２の表面に図示されない黒化処理が施される。
【００３２】
両面銅張積層板が加工され、金属箔４３２と無電解めっき膜４２３、電解めっき膜４２６から成る上側の第１導体層４３４Ａと下側の第２導体層４３４Ｂ、貫通孔４３１に形成されているスルーホール導体４３６を備えるコア基板４３０が完成する（図２（Ｂ））。コア基板４３０の第１面と絶縁性基材４３０Ｚの第１面は同じ面であり、コア基板４３０の第２面と絶縁性基材４３０Ｚの第２面は同じ面である。コア基板４３０は例えば、ＵＳ７７８６３９０に開示されている方法で製造される。
【００３３】
コア基板４３０の中央部にインダクタ部品を収容するための開口４２０がレーザにより形成される（図２（Ｃ））。
【００３４】
コア基板が反転され、コア基板４３０の第１面ＦにＰＥＴフィルム４９４が貼られる（図２（Ｄ））。ＰＥＴフィルム４９４で開口４２０が塞がれる。
【００３５】
電子部品収容用の開口４２０により露出するＰＥＴフィルム上にインダクタ部品１０が置かれる。インダクタ部品１０が開口４２０内に収容される（図３（Ａ））。インダクタ部品１０は、ＰＥＴフィルム４９４の粘着力により、ＰＥＴフィルム４９４上に保持される。コア基板４３０の第１導体層４３４Ａの上面とインダクタ部品１０の電極６２ｐ、６２ｅの上面は略同一平面上に位置する。
【００３６】
コア基板４３０の第２面とインダクタ部品上に下側の樹脂絶縁層用のプリプレグが積層される。下側の樹脂絶縁層用のプリプレグはエポキシ等の樹脂とシリカ等の無機粒子を含み、ガラスクロス等の補強部材を有する。プリプレグ上に銅箔等の金属箔４４８Ｓが積層される（図３（Ｂ））。金属箔４４８Ｓは、プリプレグ端部の接着箇所ＡＰ分、該プリプレグを露出させている。
【００３７】
加熱プレスを行うことで、下側のプリプレグから下側の樹脂絶縁層４７０Ｓがコア基板４３０の第２面Ｓとインダクタ部品１０上に形成される。同時に、下側の樹脂絶縁層４７０Ｓ上に銅箔４４８Ｓが接着される（図３（Ｂ））。この際、プリプレグに含まれる樹脂と無機粒子が開口４２０の側壁とインダクタ部品１０との間の隙間に流れ込む。隙間中の樹脂を硬化することで隙間を充填する充填樹脂４５０が形成される。充填剤によりインダクタ部品はコア基板に内蔵される。充填剤によりインダクタ部品はコア基板に固定される。充填樹脂４５０と下側の樹脂絶縁層４７０Ｓは同時に形成される。下側の樹脂絶縁層は樹脂と無機粒子と補強部材を含む。充填剤は樹脂と無機粒子を含む。充填剤に含まれる樹脂と下側の樹脂絶縁層に含まれる樹脂は同じである。充填剤に含まれる無機粒子と下側の樹脂絶縁層に含まれる無機粒子は同じである。
下側の樹脂絶縁層４７０Ｓは熱硬化タイプの樹脂絶縁層である。
【００３８】
コア基板４３０からＰＥＴフィルム４９４が剥離される（図３（Ｃ））。コア基板４３０とコア基板４３０に内蔵されているインダクタ部品１０とインダクタ部品とコア基板間の隙間を充填している充填樹脂４５０とコア基板の第２面とインダクタ部品上に形成されている下側の樹脂絶縁層４７０Ｓと下側の樹脂絶縁層４７０Ｓ上の銅箔４４８Ｓとからなる中間基板３００が得られる。
【００３９】
２つの中間基板３００が準備される。１つの中間基板３００の銅箔４４８Ｓと別の中間基板３００の銅箔４４８Ｓが向かい合うように、２つの中間基板が重ねられる（図４（Ａ））。この時、１つの中間基板の外周と別の中間基板の外周が接着箇所ＡＰで、樹脂絶縁層４７０Ｓ同士が接着される。２つの中間基板のコア基板の第１面が外を向いている。外周の接着箇所ＡＰで２つの中間基板が接着されている。接着箇所より内側に位置する中間基板は接着されていない。
【００４０】
中間基板のコア基板の第１面とインダクタ部品上に1番目の上側の樹脂絶縁層用の樹脂フィルムが積層される。上側の樹脂絶縁層用の樹脂フィルム（上側の樹脂フィルム）はエポキシ等の樹脂とシリカ等の無機粒子を含む。上側の樹脂フィルムは、ガラスクロス等の補強部材を有しない。
加熱プレスにより、上側の樹脂フィルムから１番目の上側の樹脂絶縁層４５０Ａが形成される（図４（Ｂ））。１番目の上側の樹脂絶縁層４５０Ａは熱硬化タイプの樹脂絶縁層である。
【００４１】
次に、ＣＯ２ガスレーザにて樹脂絶縁層４５０Ａにビア導体用の開口４５１Ａが形成される。開口４５１Ａは電極６２ｐ、６２ｅと第１導体層４３４Ａに至る。樹脂絶縁層４５０Ａ上と開口４５１Ａの内壁に無電解銅めっき層４５２が形成される。無電解銅めっき層４５２上にめっきレジストが形成される。めっきレジストから露出する無電解銅めっき層４５２上に、電解銅めっき層４５６が形成される。めっきレジストが除去される。電解銅めっき層４５６間の無電解銅めっき層４５２がエッチングで除去される。１番目の上側の樹脂絶縁層４５０Ａ上に１番目の上側の導体層４５８Ａが形成される。同時に、１番目の上側の樹脂絶縁層を貫通し、第１導体層４３４Ａや電極６２ｐ、６２ｅに至る１番目の上側のビア導体４６０Ａが形成される（図４（Ｃ））。
【００４２】
１番目の上側の樹脂絶縁層４５０Ａと１番目の上側の導体層４５８Ａ上に２番目の上側の樹脂絶縁層４５０Ｂが形成される。２番目の上側の樹脂絶縁層に２番目の上側のビア導体用の開口が形成される。２番目の上側の樹脂絶縁層の形成方法は、１番目の上側の樹脂絶縁層の形成方法と同様である。２番目の上側の樹脂絶縁層は２番目の上側のビア導体用の開口を有する。２番目の上側の樹脂絶縁層４５０Ｂは熱硬化タイプの樹脂絶縁層である。
２番目の上側の樹脂絶縁層上に２番目の上側の導体層４５８Ｂが形成される。２番目の上側の導体層の形成方法は、１番目の上側の導体層の形成方法と同様である。
２番目の上側のビア導体用の開口に２番目の上側のビア導体４６０Ｂが形成される。２番目の上側のビア導体の形成方法は、１番目の上側のビア導体の形成方法と同様である。
【００４３】
前の段落に示されている方法と同様な方法で最外層の上側の樹脂絶縁層４５０Ｃと最上の上側の導体層４５８Ｃと最上の上側のビア導体４６０Ｃが形成される。
【００４４】
上側の最外層の樹脂絶縁層４５０Ｃと最外層の導体層４５８Ｃ上にソルダーレジスト層４７０Ｆが形成される。ソルダーレジスト層は光硬化タイプの樹脂絶縁層である。ソルダーレジスト層に露光処理と現像処理により開口４７１Ｆが形成される（図５（Ａ））。開口４７１Ｆにより最上の導体層が露出される。開口４７１Ｆにより露出される導体部分は上側のパッド４７３Ｆとして機能する。また、以上のプロセスにより、図５（Ａ）に示される積層体ＬＢが形成される。
【００４５】
接着箇所ＡＰより内側で積層体ＬＢが切断される。切断により１つの積層体から２つの中間の回路基板ＭＣＢが得られる。中間の回路基板ＭＣＢが図５（Ｂ）に示される。中間の回路基板ＭＣＢはコア基板とコア基板の第１面上に形成されている上側の樹脂絶縁層と上側と導体層と上側のビア導体と下側の樹脂絶縁層４７０Ｓと金属箔４４８Ｓを有する。
【００４６】
一番目の下側の樹脂絶縁層上の金属箔４４８Ｓがエッチングにより除去される（図５（Ｃ））。この時、上側のパッドがエッチングで溶解されないように、上側のソルダーレジスト層上に保護フィルムが貼られている。上側のパッドが露出しない。保護フィルムは図に示されていない。また、金属箔４４８Ｓの除去により、金属箔の粗面が下側のソルダーレジスト層に転写される。下側のソルダーレジスト層は粗面を有する。
【００４７】
一番目の下側の樹脂絶縁層４７０Ｓにレーザで開口４７１Ｓが形成される（図５（Ｃ））。金属箔４４８Ｓにレーザを照射することで、開口４７１Ｓが形成されてもよい。開口４７１Ｓにより、下側のパッド４７３Ｓが露出される。下側のパッドは第２導体層に含まれる。下側の樹脂絶縁層４７０Ｓは下側のソルダーレジスト層（下側の保護層）として機能する。インダクタ部品の電極６２ｐ、６２ｅを露出する開口を下側のソルダーレジスト層に形成することができる。
【００４８】
上側のパッド４７３Ｆと下側のパッド４７３Ｓ上に保護膜を形成することができる。保護膜は、パッドや電極の酸化を防止するための膜である。保護膜は、例えば、Ｎｉ／Ａｕ、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ、Ｐｄ／ＡｕやOＳP（Organic Ｓolderability Preservative）膜で形成される。
【００４９】
上側のパッド７４７３Ｆ上に半田バンプ４７６Ｆが形成される。プリント配線板の下側のパッド４７３Ｓに半田バンプ４７６Ｓを形成される。半田バンプを有するプリント配線板４１０が完成する（図１）。
図１に示されるプリント配線板は３層の上側の樹脂絶縁層と１層の下側の樹脂絶縁層を有する。
【００５０】
半田バンプ４７６Ｆを介してＩＣチップ等の半導体素子がプリント配線板４１０へ実装される（図示せず）。その後、半田バンプ４７６Ｓを介してプリント配線板がマザーボード等の外部基板に搭載される。
【００５１】
[第１実施形態の第１改変例]
図１１は、第１実施形態の第１改変例に係るプリント配線板４１０の断面図である。
第１実施形態の第１改変例のプリント配線板はコア基板４３０の開口４２０にインダクタ部品１０を内蔵する。コア基板４３０の第１面Ｆ上に第１実施形態と同様な上側のビルドアップ層４５０Ｆを有する。
【００５２】
プリント配線板４１０は、コア基板４３０の第２面Ｓ上に下側のビルドアップ層４５０Ｓを有する。下側のビルドアップ層４５０Ｓはコア基板４３０の第２面Ｓ上に形成されている絶縁層（下側の層間樹脂絶縁層）４５０Ｄと絶縁層４５０Ｄ上の導体層（下側の導体層）４５８Ｄと絶縁層４５０Ｄを貫通し第２導体層４３４Ｂ、スルーホール導体４３６と導体層４５８Ｄを接続しているビア導体（下側のビア導体）４６０Ｄとを有する。下側のビルドアップ層４５０Ｓはさらに絶縁層４５０Ｄと導体層４５８Ｄ上の絶縁層（最下の樹脂絶縁層）４７０Ｓを備える。樹脂絶縁層４７０Ｓの開口４７１Ｓにより露出している導体層４３４Ｂはパッド４７３Ｓとして機能する。
【００５３】
第１実施形態のプリント配線板４１０の製造方法が図１２、図１３に示される。図２〜図３（Ｂ）が参照され、上述された第１実施形態と同様に、開口４２０の形成されたコア基板４３０の第２面ＳにＰＥＴフィルム４９４が貼られる。開口４２０により露出するＰＥＴフィルム上にインダクタ部品１０が置かれる。コア基板４３０の第１面とインダクタ部品上に上側の樹脂絶縁層用の樹脂フィルムが積層され、加熱プレスを行うことで、樹脂絶縁層４５０Ａが形成される（図１２（Ａ））。
【００５４】
ＰＥＴフィルム４９４が剥離され（図１２（Ｂ））、コア基板４３０の第２面Ｓに下側の樹脂絶縁層用の樹脂フィルムが積層される。加熱プレスを行うことで、下側の樹脂フィルムから下側の樹脂絶縁層４５０Ｄがコア基板４３０の第２面Ｓとインダクタ部品１０上に形成される（図１２（Ｃ））。
【００５５】
上側の樹脂絶縁層４５０Ａ上に導体層４５８Ａが形成され、該樹脂絶縁層４５０Ａを貫通し導体層４５８と第１導体層４３４Ａや電極６２ｐ、６２ｅを接続するビア導体４６０Ａが形成される。下側の樹脂絶縁層４５０Ｄ上に導体層４５８Ｄが形成され、該樹脂絶縁層４５０Ｄを貫通し導体層４５８Ｄと第２導体層４３４Ｂを接続する下側のビア導体４６０Ｄが形成される（図１２（Ｄ））。
【００５６】
上側の樹脂絶縁層４５０Ａ上に上側の樹脂絶縁層用の樹脂フィルムが積層される。下側の樹脂絶縁層４５０Ｄ上に下側の樹脂絶縁層用のプリプレグ、銅箔４４８Ｓが積層される。加熱プレスにより、上側の樹脂絶縁層４５０Ｂ、下側の樹脂絶縁層４７０Ｓが形成される。中間基板３００が得られる（図１２（Ｅ））。
【００５７】
２つの中間基板３００が準備される。１つの中間基板３００の銅箔４４８Ｓと別の中間基板３００の銅箔４４８Ｓが向かい合うように、２つの中間基板が重ねられる（図１３（Ａ））。この時、１つの中間基板の外周と別の中間基板の外周が接着箇所ＡＰで、樹脂絶縁層４７０Ｓ同士が接着される。
【００５８】
１番目の上側の樹脂絶縁層４５０Ａと１番目の上側の導体層４５８Ａ上に２番目の上側の樹脂絶縁層４５０Ｂが形成される。２番目の上側の樹脂絶縁層４５０Ｂは熱硬化タイプの樹脂絶縁層である。２番目の上側の樹脂絶縁層上に２番目の上側の導体層４５８Ｂが形成される。２番目の上側のビア導体用の開口に２番目の上側のビア導体４６０Ｂが形成される。
【００５９】
最外層の上側の樹脂絶縁層４５０Ｃと最上の上側の導体層４５８Ｃと最上の上側のビア導体４６０Ｃが形成される。
【００６０】
上側の最外層の樹脂絶縁層４５０Ｃと最外層の導体層４５８Ｃ上にソルダーレジスト層４７０Ｆが形成される。ソルダーレジスト層は光硬化タイプの樹脂絶縁層である。ソルダーレジスト層に露光処理と現像処理により開口４７１Ｆが形成される（図１３（Ｂ））。開口４７１Ｆにより最上の導体層が露出される。開口４７１Ｆにより露出される導体部分は上側のパッド４７３Ｆとして機能する。また、以上のプロセスにより、図１３（Ｂ）に示される積層体ＬＢが形成される。
【００６１】
接着箇所ＡＰより内側で積層体ＬＢが切断される。切断により１つの積層体から２つの中間の回路基板ＭＣＢが得られる。第１実施形態と同様に、銅箔４４８Ｓが剥離され、樹脂絶縁層４７０Ｓにパッド４７３Ｓを露出する開口が形成される（図１１）。
図１１に示される第１実施形態の第１改変例に係るプリント配線板は３層の上側の樹脂絶縁層と２層の下側の樹脂絶縁層を有する。
【００６２】
[第２実施形態]
第２実施形態に係るプリント配線板４１０の断面が図１４に示される。プリント配線板４１０は、第１面Ｆと第１面Ｆと反対側の第２面Ｓを有する積層体３０と積層体の第１面Ｆ上の第１導体層４３４Ａと積層体の第２面Ｓ上の第２導体層４３４Ｂと第１導体層４３４Ａと第２導体層４３４Ｂを接続しているスルーホール導体４３６とで形成されているコア基板４３０を有する。積層体３０は、コア基材２０の両面に樹脂絶縁層５０Ｆ、５０Ｓが積層された３層構造である。第２実施形態のプリント配線板の上側のビルドアップ層４５０Ｆ、下側のビルドアップ層４５０Ｓの構成は第１実施形態と同様である。
【００６３】
コア基板４３０には、インダクタ部１１０が形成されている。インダクタ部１１０は、コア基板４３０を貫通する貫通孔２６にめっき充填されたスルーホール導体３６を備える。更に、インダクタ部１１０は、コア基板の第１面側のスルーホールランド５８ＦＲとスルーホールランド５８ＦＲとを接続する接続パターン５８ＦＬと、第２面側のスルーホールランド５８ＳＲとスルーホールランド５８ＳＲとを接続する接続パターン５８ＳＬとを備える。図７を参照して上述された第１実施形態と同様に、接続パターン５８ＦＬ、接続パターン５８ＳＬは、スルーホール導体３６を介してヘリカル状（コア基板の表裏面に対して平行方向の軸線上に沿って螺旋状）に配置され、該第接続パターン５８ＦＬ、接続パターン５８ＳＬ、スルーホール導体３６によりインダクタが形成される。
【００６４】
コア基板のコア基材２０には開口２２が形成され、該開口２２内に磁性体２４が収容されている。開口２２は、図７（Ｃ）が参照され、上述された第１実施形態と同様に、磁性体を収容する開口２２の側壁に凹凸が形成される。凹部は個々のスルーホール導体３６に対応する位置に設けられる。凸部は一列のスルーホール導体とスルーホール導体との間に対応する位置に設けられている。凹部、凸部により磁性体２４とスルーホール導体３６との距離が狭まり、インダクタンス値が高められる。
【００６５】
[第２実施形態のインダクタ部を備えるコア基板の製造方法]
図１５〜図１７に第２実施形態のコア基板の製造方法が示される。
厚さ１５０μｍのコア基材２０が用意される（図１５（Ａ））。コア基板は、ガラスクロスの芯材に樹脂を含浸させて成るプリプレグを積層して成る。開口２２がレーザ加工でコア基材２０に形成される（図１５（Ｂ））。図１５（Ｃ）はコア基材の平面図である。図１５（Ｂ）は、図１５（Ｃ）中のＸ２−Ｘ２断面に対応する。開口２２の側壁２２Ｈには、第１実施形態と同様に凹部２２ｊと凸部２２ｅとが形成されている。コア基材２０が治具２１に載置され、開口２２内に磁性体２４がメタルマスクを用い、真空印刷される（図１５（Ｄ））。磁性体は、磁性金属と樹脂等の有機材料からなる複合体である。コア基材２０の表面が研磨される（図１６（Ａ））。
【００６６】
コア基材２０の第１面Ｆ及び第２面Ｓにプリプレグが積層され、第１樹脂絶縁層５０Ｆ、第２樹脂絶縁層５０Ｓが形成され、積層体３０が完成する（図１６（Ｂ））。開口２２を形成したレーザで、積層体３０のスルーホール形成部位にインダクタ部用の貫通孔２６、コア基板の第１面と第２面の接続用の貫通孔４２８が形成される（図１６（Ｃ））。
【００６７】
第１樹脂絶縁層５０Ｆ、第２樹脂絶縁層５０Ｓ上、及び、貫通孔２６、４２８の内壁に無電解めっき膜５２が形成される（図１６（Ｄ））。無電解めっき膜５２上にめっきレジスト５４が形成される（図１７（Ａ））。めっきレジスト５４の非形成部の無電解めっき膜５２上に電解銅めっき膜５６が形成される。貫通孔２６、４２８内に電解めっき膜が充填されスルーホール導体３６、４３６が形成される（図１７（Ｂ））。めっきレジストが剥離され、電解銅めっき膜５６非形成部の無電解めっき膜が除去され、接続パターン５８ＦＬを含む第１導体パターン５８Ｆ、接続パターン５８ＳＬを含む第２導体パターン５８Ｓが形成される（図１７（Ｃ））。コア基板が完成する。第２実施形態のインダクタ部は、プリント配線板の製造工程中に形成できるので、製造が容易である。
【符号の説明】
【００６８】
１０  インダクタ部品
２０  コア基材
２２  開口（第２開口）
２４  磁性体
２６  貫通孔（第１開口）
３６  スルーホール導体
５０Ｆ、  ５０Ｓ  樹脂絶縁層
５８Ｆ  第１導体パターン
５８Ｓ  第２導体パターン
１１０  インダクタ部
４１０  プリント配線板
４２０  開口
４３０  コア基板
４５０Ｆ  上側のビルドアップ層
４５０Ｓ  下側のビルドアップ層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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