(57)【要約】【課題】電磁シールド層とセンサパネルとの熱膨張量の相違に起因するセンサパネルの反りを低減する。【解決手段】放射線検出装置１は、複数の光電変換素子が平面状に配列されたセンサパネル１０１と、センサパネル１０１に積層して配置され入射した放射線を光電変換素子が検出可能な光に変換するシンチレータ１０２と、シンチレータ１０２のセンサパネル１０１とは反対側の面に積層して配置されノイズを遮断する電磁シールド層１０３とを有し、電磁シールド層１０３は複数に分割されている。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の光電変換素子が配列されたセンサパネルと、
前記センサパネルに積層して配置され、入射した放射線を前記光電変換素子が検出可能な光に変換するシンチレータと、
導電性材料からなる導電層を有し、前記シンチレータの前記センサパネルとは反対側の面に積層して配置される電磁シールド層と、
を有し、
前記電磁シールド層は複数に分割されていることを特徴とする放射線検出装置。
【請求項２】
隣り合う前記電磁シールド層は、一部が互いに重畳していることを特徴とする請求項１に記載の放射線検出装置。
【請求項３】
前記複数の電磁シールド層の前記導電層には、定電位が供給されることを特徴とする請求項１または２に記載の放射線検出装置。
【請求項４】
前記複数の電磁シールド層には、前記シンチレータの外周部に配置され中央部に開口部が設けられる第１の電磁シールド層と、前記シンチレータの中央部に配置され前記開口部を塞ぐ第２の電磁シールド層とが含まれることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の放射線検出装置。
【請求項５】
前記第１の電磁シールド層は、さらに複数に分割されることを特徴とする請求項４に記載の放射線検出装置。
【請求項６】
前記複数の電磁シールド層は、交差する２本の直線により規定される４つの領域のそれぞれに配置されることを特徴とする請求項４に記載の放射線検出装置。
【請求項７】
前記電磁シールド層は、前記シンチレータが発する光を反射する機能と、外部から光が入射することを防止する機能と、前記シンチレータに外部から水分が浸入することを防止する機能と、前記シンチレータを外力から保護する機能の少なくとも１つの機能をさらに有することを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の放射線検出装置。
【請求項８】
請求項１から７のいずれか１項に記載の放射線検出装置と、
前記放射線検出装置によって得られた信号を処理する信号処理手段と、
を有することを特徴とする放射線検出システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、放射線検出装置および放射線検出システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、放射線検出装置の構成が記載されている。この放射線検出装置は、放射線が入射する側から順に、光センサが設けられたセンサパネルと、入射した放射線を光センサが検出できる光に変換するシンチレータと、シンチレータを包む保護層と、シンチレータの光を反射させる反射層とが積層する構成を有する。保護膜には、熱ＣＶＤ法やプラズマＣＶＤ法等の気相重合で得られる有機膜が用いられる。反射層には、波長選択性を有するダイクロイックフィルタが適用される。ダイクロイックフィルタは、加熱状態での蒸着法により形成される。このように、放射線検出装置は、複数の異なる材質の部材が積層された構成を有する。このような構成であると、組み付け工程における加熱と冷却により、部材どうしの熱伸縮量の相違に起因して、組み付け後の放射線検出装置に反りが発生する。この反りが大きくなると、その後の製造工程の部品実装において実装ずれが発生して実装ができないことがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１２−２２９９４０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、センサパネルをノイズから保護するために、センサパネルを電磁シールド層で覆いたいという要求がある。しかしながら、電磁シールド層をシンチレータ層などに積層して接合すると、前述と同様に、電磁シールド層とセンサパネルとの熱膨張量の差によってセンサパネルに反りが生じることがある。本発明は、上記の課題認識を契機としてなされたものであり、電磁シールド層とセンサパネルとの熱膨張量の差によって生じる反りを低減することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、複数の光電変換素子が配列されたセンサパネルと、前記センサパネルに積層して配置され、入射した放射線を前記光電変換素子が検出可能な光に変換するシンチレータと、導電性材料からなる導電層を有し、前記シンチレータの前記センサパネルとは反対側の面に積層して配置される電磁シールド層と、を有し、前記電磁シールド層は複数に分割されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００６】
本発明によれば電磁シールド層を複数に分割することにより、電磁シールド層の熱変形量を小さくできる。このため、電磁シールド層とセンサパネルとの熱膨張量の差によって生じるセンサパネルの反りを低減できる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本発明の実施形態の放射線検出装置の断面模式図である。
【図２】本発明の実施形態の放射線検出装置の平面模式図である。
【図３】電磁シールド層の分割構造の第２の例を示す平面模式図である。
【図４】電磁シールド層の分割構造の第３の例を示す平面模式図である。
【図５】電磁シールド層の分割構造の第４の例を示す平面模式図である。
【図６】電磁シールド層の分割構造の第５の例を示す平面模式図である。
【図７】電磁シールド層の分割構造の第６の例を示す平面模式図である。
【図８】放射線検出システムの構成例を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
（放射線検出装置）
以下に、本発明の実施形態に係る放射線検出装置について、図を用いて説明する。図１は、本発明の実施形態に係る放射線検出装置１の構成例を断面模式図である。図２は、その平面模式図である。なお、図１の矢印Ｘは、放射線検出装置１に入射する放射線の方向を示す。
【０００９】
図１において、１０１は、センサパネルである。センサパネル１０１は、ガラスなどの電気的な絶縁性を有する基板と、この基板の表面に配列された複数の光電変換素子およびスイッチング素子と、光電変換素子からの電気信号を伝達する配線およびスイッチング素子を駆動する信号を伝達する配線とを有する。光電変換素子とスイッチング素子とにより画素が構成される。そして、センサパネル１０１には、複数の画素が２次元マトリックス状に配列された画素領域が設けられる。さらに、センサパネル１０１には、光電変換素子とスイッチング素子と配線とを被覆して保護する保護膜と、この保護膜の表面に設けられるパッシベーション膜とを有する。
【００１０】
１０２はシンチレータ（蛍光体）である。シンチレータ１０２は、入射した放射線により励起し、光電変換素子が検出可能な波長帯域の光を発する。シンチレータ１０２は、センサパネル１０１の画素領域を覆うように、センサパネル１０１の一方の表面に積層して配置される。シンチレータ１０２には、例えば、柱状結晶構造を有するＣｓＩ（Ｔｌ）などの蛍光体が適用できる。ただし、シンチレータ１０２は、これに限定されるものではなく、公知の各種構成が適用できる。また、図１に示すように、放射線検出装置１は裏面入射方式であり、シンチレータ１０２は、センサパネル１０１に放射線Ｘを入射させる側とは反対側の面に配置される。
【００１１】
図２において、１０５はフレキシブル回路板であり、１０６は電気回路板であり、１０７はフレキシブル回路板であり、１０８は電気回路板である。フレキシブル回路板１０５は、センサパネル１０１が出力したアナログ形式の電気信号を電気回路板１０６に伝達する。電気回路板１０６には、センサパネル１０１が出力した電気信号をアナログ形式からデジタル形式に変換する電気回路が設けられる。電気回路板１０８には、センサパネル１０１を駆動する駆動信号を発生させる駆動回路が設けられる。フレキシブル回路板１０７は、電気回路板１０８の駆動回路が発生させた駆動信号をセンサパネル１０１に伝達する。
【００１２】
図１と図２において、１０３は電磁シールド層である。電磁シールド層１０３は、電磁波（ノイズ）を遮断する機能を有する。放射線検出装置１は、微弱な電気信号を扱うため、他の装置からの電磁波に対する耐性を有する（ＥＭＳを有する）ことが好ましい。また、放射線検出装置１は、外部に電磁波を放出しない（ＥＭＩを生じない）ことが好ましい。このように、放射線検出装置１には、ＥＭＣ（Electro-Magnetic Compatibility）を有する構成であることが好ましい。そこで、本実施形態では、ＥＭＣのために電磁シールド層１０３が設けられる。
【００１３】
さらに、電磁シールド層１０３は、シンチレータ１０２が発した光を反射する機能と、外部からシンチレータ１０２に光が入射しないように遮光する機能と、シンチレータ１０２を外力による損傷から保護する機能と、外部からの水分の浸入を防止する機能を有する。ただし、電磁シールド層１０３は、シンチレータ１０２を外力による損傷から保護する機能や、外部からの水分の浸入を防止する機能を有する部材（保護膜）とは別部材であってもよい。
【００１４】
電磁シールド層１０３は、基材層１１１と、基材層１１１の一方の表面に積層して配置される導電層１１２と、導電層１１２の表面に積層して配置される熱可塑性樹脂層１１３との積層構造を有する。電磁シールド層１０３は、図１と図２に示すように、シンチレータ１０２の表面および側面の全体を被覆する。さらに、電磁シールド層１０３の周縁部は、シンチレータ１０２の外周縁の外側において、センサパネル１０１に密着している。
【００１５】
基材層１１１は、導電層１１２や熱可塑性樹脂層１１３を保持する。基材層１１１には、例えばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、アクリル樹脂、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合体（ＡＢＳ）、セルロース、エポキシ樹脂、フッ素樹脂、ポリアミド、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリプロピレン、ポリウレタン、シリコーン、ビニル重合体、ビニル共重合体などのシートが適用できる。
【００１６】
導電層１１２は、導電性材料により形成される。そして、導電層１１２に定電位が供給されることによって、ノイズ除去の効果の向上を図っている。さらに導電層１１２は、外部からシンチレータ１０２に光が入射することを防止する遮光機能と、シンチレータ１０２が発する光をセンサパネル１０１に向けて反射する機能と、外部からの水分の浸入を防止する防水機能とを有する。シンチレータ１０２が発する光を反射することにより、センサパネル１０１の光電変換素子に入射する光量を多くできる。また、シンチレータ１０２として適用されるＣｓＩ（Ｔｌ）は潮解性を有し、水分により変質しやすいため、外部からの水分の浸入を防止することにより、シンチレータ１０２の水分による変質から保護する。このため導電層１１２は、導電性に加え、遮光性と、高い反射率と、防水性とを有する材料により形成される。このような材料としては、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、クロム（Ｃｒ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ロジウム（Ｒｈ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）などの金属材料が適用できる。なお、導電層１１２は、基材層１１１の表面にシート状の金属材料が貼付されることによって形成されてもよく、基材層１１１の表面に金属材料を蒸着することによって形成されてもよい。
【００１７】
熱可塑性樹脂層１１３は、シンチレータ１０２およびセンサパネル１０１に接合される層であり、導電層１１２の表面に積層して配置される。熱可塑性樹脂層１１３は、極性溶媒と溶剤と水とを含んでいないホットメルト樹脂（ホットメルト接着剤）が好適である。熱可塑性樹脂層１１３にホットメルト樹脂が適用される構成であれば、シンチレータ１０２に潮解性を有するＣｓＩ（Ｔｌ）が適用される構成において、熱可塑性樹脂層１１３がシンチレータ１０２に接触しても、シンチレータ１０２は溶解しない。
【００１８】
電磁シールド層１０３を固定する方法としては、熱可塑性樹脂層１１３を加熱（例えば１００〜１５０℃）して可塑化させ、その状態でシンチレータ１０２およびセンサパネル１０１に貼り合わせ、その後冷却して熱可塑性樹脂層１１３を硬化させる、という方法が用いられる。これにより、電磁シールド層１０３は、シンチレータ１０２およびセンサパネル１０１に固定される。このような構成であると、電磁シールド層１０３をシンチレータ１０２およびセンサパネル１０１に固定する際の加熱と冷却により、電磁シールド層１０３とセンサパネル１０１の熱伸縮量の相違に起因して、センサパネル１０１に反りが発生することがある。この反りが大きくなると、その後の製造工程の部品実装において実装ずれが発生して実装ができないことがある。
【００１９】
このようなセンサパネル１０１の反りは、電磁シールド層１０３の熱伸縮量が大きくなるにしたがって大きくなる。特に、本実施形態では、放射線をシンチレータ１０２の側からではなくセンサパネル１０１の側から入射させる裏面入射方式が適用されている。このような構成では、センサパネル１０１の基板による放射線の吸収量を低減するため、センサパネル１０１の基板を薄くする構成が考えられる。しかしながら、基板を薄くすると剛性が低下して変形しやすくなるから、前述の反りも大きくなる。
【００２０】
そこで、本実施形態では、電磁シールド層１０３を複数に分割することによって、各々の電磁シールド層１０３の熱伸縮量を小さくし、センサパネル１０１の反りを低減する。すなわち、単一の電磁シールド層１０３をシンチレータ１０２およびセンサパネル１０１に固定するのではなく、シンチレータ１０２およびセンサパネル１０１の寸法よりも小さい寸法の複数の別体の電磁シールド層１０３ａ，１０３ｂを並べて固定する。これにより、電磁シールド層１０３が分割されていない構成、すなわち、単一の電磁シールド層１０３でシンチレータ１０２およびセンサパネル１０１を覆う構成に比較して、各々の電磁シールド層１０３ａ，１０３ｂの熱伸縮量を小さく抑えることができる。したがって、センサパネル１０１の全体の反りを小さくできる。そして、このような構成であれば、裏面入射方式の放射線検出装置１において、センサパネル１０１の基板の厚さを薄くした場合であっても、温度変化によって生じるセンサパネル１０１の全体の反りを低減できる。
【００２１】
なお、これら複数の電磁シールド層１０３ａ，１０３ｂ（１０３）は、シンチレータ１０２の表面および側面を隙間なく覆うように配置される。そして、隣接する電磁シールド層１０３ａ，１０３ｂ（１０３）は互いに一部が重畳している。このため、隣接する電磁シールド層１０３ａ，１０３ｂの導電層１１２どうしも、基材層１１１と熱可塑性樹脂層１１３とを介して互いに一部が重畳している。このような構成によれば、隣り合う電磁シールド層１０３ａ，１０３ｂ（１０３）の境界において、電磁波（ノイズ）の遮蔽の機能など、前述の各機能の低下を防止できる。
【００２２】
なお、本実施形態では、電磁シールド層１０３がシンチレータ１０２を保護する機能（保護膜の機能）を有する構成を示したが、電磁シールド層１０３と、シンチレータ１０２の保護膜とは、別部材であってもよい。このような構成であっても、電磁シールド層１０３がシンチレータ１０２やセンサパネル１０１などに固定されていると、熱膨張率の相違によって熱収縮量に差が生じ、センサパネル１０１に反りが発生することがある。そこで、電磁シールド層１０３がシンチレータ１０２の保護膜と別部材である構成においても、電磁シールド層１０３を複数に分割することにより、センサパネル１０１の全体の反りを抑制できる。
【００２３】
複数に分割された電磁シールド層１０３ａ，１０３ｂ（１０３）の導電層１１２には定電位が供給され、ノイズ除去の効果の向上を図っている。例えば、各々の電磁シールド層１０３ａ，１０３ｂ（１０３）の導電層１１２は接地されている。また、複数の電磁シールド層１０３ａ，１０３ｂ（１０３）のうちの１つの電磁シールド層１０３（例えば、第１の電磁シールド層１０３ａ）の導電層１１２が接地され、他の電磁シールド層１０３（例えば、第２の電磁シールド層１０３ｂ）の導電層１１２は、接地されている電磁シールド層１０３の導電層１１２に電気的に接続される構成であってもよい。このような構成により、複数の電磁シールド層１０３ａ，１０３ｂ（１０３）の導電層１１２の全てに定電位が供給されて同電位となる。なお、複数の電磁シールド層１０３の導電層１１２に定電位を供給するための具体的な構成は後述する。
【００２４】
（電磁シールドの分割構造の第１の例）
次いで、電磁シールド層１０３の分割構造の各例について説明する。図１と図２は、電磁シールド層１０３の分割構造の第１の例を示している。第１の例では、電磁シールド層１０３が、第１の電磁シールド層１０３ａと、第２の電磁シールド層１０３ｂとの２つに分割されている。
【００２５】
第１の電磁シールド層１０３ａは略四辺形で、外形寸法はシンチレータ１０２の外形寸法よりも大きい。中央部には厚さ方向に貫通する四辺形の開口が形成されており、第１の電磁シールド層１０３ａは、全体として、略四辺形の額縁状の形状を有する。そして、第１の電磁シールド層１０３ａは、シンチレータ１０２の表面の外周部を覆うとともに、シンチレータ１０２の側面を覆う。さらに、第１の電磁シールド層１０３ａの外周縁部は、シンチレータ１０２の外側に延出しており、センサパネル１０１の画素領域の外側に固定されている。第２の電磁シールド層１０３ｂは、第１の電磁シールド層１０３ａの開口部と略相似の四辺形で、この開口部よりも大きい寸法を有する。第２の電磁シールド層１０３ｂは、第１の電磁シールド層１０３ａの開口部を塞ぐように、すなわち、第１の電磁シールド層１０３ａの開口部から露出するシンチレータ１０２を覆うように配置されて固定される。第２の電磁シールド層１０３ｂの外周縁部と第１の電磁シールド層１０３ａの開口の内周縁部とは重畳している。
【００２６】
第１の例によれば、電磁シールド層１０３は、第１の電磁シールド層１０３ａと、第２の電磁シールド層１０３ｂとに分割されている。このため、単一の電磁シールド層１０３でシンチレータ１０２およびセンサパネル１０１を被覆する構成に比較して、各々の電磁シールド層１０３ａ，１０３ｂの寸法を小さくできる。したがって、センサパネル１０１と電磁シールド層１０３ａ，１０３ｂの熱膨張率の差によって生じるセンサパネル１０１の反りを小さくできる。特に、第１の例によれば、第１の電磁シールド層１０３ａと第２の電磁シールド層１０３ｂの両方について、センサパネル１０１の対角線方向の寸法を小さくできる。したがって、このような構成によれば、センサパネル１０１の対角線方向に掛かる力を小さくできるから、センサパネル１０１の対角線方向の反りを小さくできる。
【００２７】
ここで、電磁シールド層１０３の導電層１１２に定電位を供給する構成について説明する。第１の電磁シールド層１０３ａには、定電位を供給する定電位端子部１１４が設けられる。定電位端子部１１４は導電性の材料からなり、第１の電磁シールド層１０３ａの導電層１１２に電気的に接続されるとともに接地されている。例えば、定電位端子部１１４は、第１の電磁シールド層１０３ａの外周縁から面方向外側に延伸し、センサパネル１０１や、電気回路板１０６や、電気回路板１０８に設けられる接地された配線パターン（ＧＮＤパターン）に電気的に接続される。このほか、定電位端子部１１４は、図略の電源回路から固定電位が供給される配線パターンに電気的に接続されてもよい。また、定電位端子部１１４は、第１の電磁シールド層１０３ａの導電層１１２に一体に設けられる構成であってもよい。すなわち、第１の電磁シールド層１０３ａの導電層１１２に、外周縁から局所的に面方向の外側に向かって延出する部分を設け、この部分を定電位端子部１１４としてもよい。第２の電磁シールド層１０３ｂにも、第１の電磁シールド層１０３ａと同様の定電位端子部１１４が設けられる。このような構成によれば、第１の電磁シールド層１０３ａと第２の電磁シールド層１０３ａの導電層１１２は、定電位が供給されて同電位に維持される。なお、第２の電磁シールド層１０３ｂの定電位端子部１１４は、第１の電磁シールド層１０３ａの導電層１１２に電気的に接続される構成であってもよい。要は、第１の電磁シールド層１０３ａと第２の電磁シールド層１０３ｂの導電層１１２が、定電位が供給される部分に電気的に接続される構成であればよい。
【００２８】
（電磁シールド層の分割構造の第２の例）
次いで、電磁シールド層１０３の分割構造の第２の例について説明する。図３は、電磁シールド層１０３の分割構造の第２の例を示す模式図である。第２の例では、電磁シールド層１０３は、第３〜第５の電磁シールド層１０３ｃ〜１０３ｅの３つに分割されている。第３と第４の電磁シールド層１０３ｃ，１０３ｄは、第１の例の第１の電磁シールド層１０３ａに対応し、中央部に開口部が形成された額縁状の形状を有する。また、第３の電磁シールド層１０３ｃの外形寸法は、シンチレータ１０２の外形寸法より大きい。第４の電磁シールド層１０３ｄの外形寸法は、第３の電磁シールド層１０３ｃの開口部の内周縁の寸法よりも大きい。第５の電磁シールド層１０３ｅは、第１の例に示す第２の電磁シールド層１０３ｂに対応し、第４の電磁シールド層１０３ｄの開口部と略相似形の形状を有する。第５の電磁シールド層１０３ｅの外形寸法は、第４の電磁シールド層１０３ｄの開口部の内周縁の寸法よりも大きい。そして、第３の電磁シールド層１０３ｃがシンチレータ１０２の外周部および側面を覆うように配置される。第３の電磁シールド層１０３ｃの外周縁は、センサパネル１０１の画素領域の外側に重畳して固定されている。第４の電磁シールド層１０３ｄは、第３の電磁シールド層１０３ｃの開口部を塞ぐように配置される。第４の電磁シールド層１０３ｄの外周縁部は、第３の電磁シールド層１０３ｃの開口部の内周縁部に重畳している。第５の電磁シールド層１０３ｅは、第４の電磁シールド層１０３ｄの開口部を塞ぐように配置される。第５の電磁シールド層１０３ｅの外周縁部は、第４の電磁シールド層１０３ｄの開口部の内周縁部に重畳している。
【００２９】
このように、第２の例では、電磁シールド層１０３は、第３〜第５の電磁シールド層１０３ｃ〜１０３ｅに３分割される。このため、第１の例と比較すると、各々の電磁シールド層１０３ｃ〜１０３ｅの寸法を小さくできるから、センサパネル１０１の反りをさらに低減できる。なお、第２の例では、電磁シールド層１０３が３分割される構成を示したが、分割される数は限定されない。電磁シールド層１０３が４分割以上される構成であってもよい。
【００３０】
なお、第３〜第５の電磁シールド層１０３ｃ〜１０３ｅの各々には、定電位端子部１１４が設けられ、これらの定電位端子部１１４を介して定電位が供給される。なお、定電位端子部１１４の構成は、第１の例と同じでよい。
【００３１】
（電磁シールド層の分割構造の第３の例）
図４は、電磁シールド層１０３の分割構造の第３の例を示す平面模式図である。図４に示すように、第３の例では、電磁シールド層１０３が４分割される。具体的には、シンチレータ１０２の各辺に平行または直角でシンチレータ１０２の中心で交差する２本の直線により規定される４つの四辺形の領域に、それぞれ別体に分割された４つの電磁シールド層１０３ｆ〜１０３ｉが配置される。なお、隣接する電磁シールド層１０３ｆ〜１０３ｉの一部が重畳している。また、各々の電磁シールド層１０３ｆ〜１０３ｉには定電位端子部１１４が設けられており、定電位端子部１１４を介して定電位が供給されて同電位に維持される。このように、第３の例では、電磁シールド層１０３は、シンチレータ１０２の四辺に平行な方向についても分割される。このため、第３の例によれば、４つの電磁シールド層１０３ｆ〜１０３ｉの各辺のおよび対角線の長さは、シンチレータ１０２の各辺のおよび対角線の長さの約半分となる。このように、各々の電磁シールド層１０３ｆ〜１０３ｉの熱変形量は、シンチレータ１０２を１枚で覆うことができる電磁シールド層１０３に比較して小さくなるから、センサパネル１０１の全体の反りが低減される。特に、センサパネル１０１の対角線の方向のみならず、四辺に平行な方向についても、センサパネル１０１に掛かる力を低減して反りを低減できる。
【００３２】
（電磁シールド層の分割構造の第４の例）
図５は、電磁シールド層１０３の分割構造の第４の例を示す平面模式図である。第４の例では、センサパネル１０１の２本の対角線と各辺により規定される４つの三角形の領域の各々に、４つの電磁シールド層１０３ｊ〜１０３ｍの各々が配置される。このような構成であれば、電磁シールド層１０３は、センサパネル１０１の四辺に平行な方向については２分割または３分割され、対角線の方向については２分割されることになる。したがって、対角線の方向および四辺と平行な方向について、センサパネル１０１に掛かる力が低減されるから、センサパネル１０１の全体の反りが低減される。
【００３３】
（電磁シールド層の分割構造の第５の例）
図６は、電磁シールド層１０３の分割構造の第５の例を示す平面模式図である。図６に示すように、第５の例においては、シンチレータ１０２の外周部に４つの電磁シールド層１０３ｎ〜１０３ｒが配置される。そして、４つの電磁シールド層１０３ｎ〜１０３ｑに囲まれる領域に１つの電磁シールド層１０３ｒが配置される。すなわち、第５の例は、第１の例の第１の電磁シールド層１０３ａが、第３の例と同じ態様で複数に分割された構成を有する。このような構成によれば、第１の例と第３の例の両方の効果を奏することができる。また、第１の例および第３の例と比較して、電磁シールド層１０３がさらに分割されるため、センサパネル１０１の反りのさらなる低減が達成できる。
【００３４】
（電磁シールド層の分割構造の第６の例）
図７は、電磁シールド層１０３の分割構造の第６の例を示す平面模式図である。図７に示すように、第６の例においても、シンチレータ１０２の外周部に４つの電磁シールド層１０３ｓ〜１０３ｖが配置される。第６の例では、これら４つの電磁シールド層１０３ｓ〜１０３ｖは、第１の例の第１の電磁シールド層１０３ａが、第４の例と同じ態様で分割された構成を有する。そして、４つの電磁シールド層１０３ｓ〜１０３ｖに囲まれる領域に１つの電磁シールド層１０３ｗが配置される。このような構成によれば、第１の例と第４の例の両方の効果を奏することができる。また、第１の例と第４の例に比較して、電磁シールド層１０３がさらに分割されるため、さらなる反りの低減が達成できる。
【００３５】
（放射線検出システムの例）
次に、図８を用いて、本発明の実施形態の放射線検出装置１を用いた放射線検出システムを説明する。図８は、本発明の実施形態の放射線検出装置１を用いた放射線検出システムの構成例を模式的に示す図である。図８に示すように、放射線源であるＸ線チューブ６０５０が出射した放射線６０６０（Ｘ線）は、患者あるいは被験者６０６１の胸部６０６２を透過し、本発明の実施形態の放射線検出装置１に含まれるシンチレータ１０２に入射する。シンチレータ１０２は、入射した放射線によって励起して光を発し、シンチレータ１０２が発した光は光電変換素子に入射する。この入射した光には患者あるいは被験者６０６１の体内部の情報が含まれている。放射線検出装置１は、光の入射に対応して放射線を電荷に変換して、電気的情報を得る。この情報はデジタルデータに変換され信号処理手段となるイメージプロセッサ６０７０により画像処理され制御室の表示手段となるディスプレイ６０８０で観察できる。また、この情報は電話回線６０９０等の伝送処理手段により遠隔地へ転送でき、別の場所のドクタールームなど表示手段となるディスプレイ６０８１に表示もしくは光ディスク等の記録手段に保存することができ、遠隔地の医師が診断することも可能である。また記録手段となるフィルムプロセッサ６１００により記録媒体となるフィルム６１１０に記録することもできる。
【００３６】
以上、本発明の実施形態について詳細に説明したが、前記実施形態は、本発明を実施するにあたっての具体例を示したに過ぎない。本発明の技術的範囲は、前記実施形態に限定されるものではない。本発明は、その趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能であり、それらも本発明の技術的範囲に含まれる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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