(57)【要約】【課題】金属膜を適切に除去することができる表示パネルの製造方法を提供する。【解決手段】基板１０の上方に設けられた第１配線パターン２０と、絶縁層３０を介して第１配線パターン２０の上方に設けられた第２配線パターン４０とを備える表示パネルの製造方法であって、第２配線パターン４０は、銅とモリブデンとの積層構造を有し、表示パネルの製造方法は、第２配線パターン４０の一部に、緑色のパルスレーザ光を１パルス照射することで、第１配線パターン２０を残しつつ、当該一部を除去する工程を含む。【選択図】図１
2016102949.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の上方に設けられた第１配線パターンと、絶縁層を介して前記第１配線パターンの上方に設けられた第２配線パターンとを備える表示パネルの製造方法であって、
前記第２配線パターンは、銅とモリブデンとの積層構造を有し、
前記表示パネルの製造方法は、
前記第２配線パターンの一部であって、平面視において前記第１配線パターンと重複する重複部に、緑色のパルスレーザ光を１パルス照射することで、前記第１配線パターンを残しつつ、前記重複部を除去する工程を含む
表示パネルの製造方法。
【請求項２】
前記パルスレーザ光のピーク波長は、４９０ｎｍ以上５７０ｎｍ以下である
請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】
前記除去する工程では、１．６０Ｊ／ｃｍ２以上２．０２Ｊ／ｃｍ２以下のエネルギー密度で、前記パルスレーザ光を前記重複部に１パルスのみ照射する
請求項１又は２に記載の製造方法。
【請求項４】
前記除去する工程では、前記パルスレーザ光を前記重複部に直接照射する
請求項１〜３のいずれか１項に記載の表示パネルの製造方法。
【請求項５】
前記第２配線パターンは、複数の配線を含み、
前記表示パネルの製造方法は、さらに、
前記複数の配線のうち２つの間を短絡するショート欠陥部である前記重複部の有無を検査する工程を含み、
前記除去する工程では、前記ショート欠陥部が存在する場合に、前記パルスレーザ光を前記ショート欠陥部に照射することで、前記ショート欠陥部を除去して前記複数の配線のうち前記２つを絶縁する
請求項１〜４のいずれか１項に記載の表示パネルの製造方法。
【請求項６】
前記表示パネルの製造方法は、さらに、
前記複数の配線の１つをソース電極又はドレイン電極として有するトランジスタを形成する工程と、
前記トランジスタによって発光が制御される発光素子を形成する工程とを含む
請求項５に記載の表示パネルの製造方法。
【請求項７】
前記発光素子は、有機ＥＬ素子である
請求項６に記載の表示パネルの製造方法。
【請求項８】
基板の上方に設けられた第１配線パターンと、絶縁層を介して前記第１配線パターンの上方に設けられた第２配線パターンとを備える表示パネルのリペア方法であって、
前記第２配線パターンは、銅とモリブデンとの積層構造を有し、
前記表示パネルのリペア方法は、
前記第２配線パターンの一部であって、平面視において前記第１配線パターンと重複し、かつ、前記第２配線パターンが含む複数の配線のうち２つの間を短絡するショート欠陥部に、緑色のパルスレーザ光を１パルス照射することで、前記第１配線パターンを残しつつ、前記ショート欠陥部を除去して前記複数の配線のうち前記２つを絶縁する工程を含む
表示パネルのリペア方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、表示パネルの製造方法及び表示パネルのリペア方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、電流駆動型の発光素子を用いた表示パネルとして、有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）素子を用いた有機ＥＬディスプレイが知られている。有機ＥＬディスプレイなどのアクティブマトリクス型の表示パネルでは、複数の画素が行列状に配置されている。画素は、有機ＥＬ素子と、有機ＥＬ素子を発光させるための駆動トランジスタ及び選択トランジスタなどの薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）とを有する。
【０００３】
このとき、ＴＦＴの電極が互いに接続されてショート欠陥が発生する場合がある。特許文献１には、ショート欠陥を修復するために、電極の接続部（ショート欠陥部）にレーザ光を照射して、当該接続部を除去する技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−１９９９５６号公報
【非特許文献】
【０００５】
【非特許文献１】E.D.Palik, “Handbook of Optical Constants of Solids”, Academic Press Inc., 1985
【非特許文献２】E.D.Palik, “Handbook of Optical Constants of Solids III”, Academic Press Inc., 1998
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１に記載の技術では、紫外領域の２６６ｎｍの波長のレーザ光を用いてショート欠陥部を除去している。しかしながら、当該波長のレーザ光ではショート欠陥部が除去しきらずに、ショート欠陥が修復されない場合がある。つまり、金属膜を適切に除去することができない。
【０００７】
そこで、本開示は、金属膜を適切に除去することができる表示パネルの製造方法及び表示パネルのリペア方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するため、本開示に係る表示パネルの製造方法は、基板の上方に設けられた第１配線パターンと、絶縁層を介して前記第１配線パターンの上方に設けられた第２配線パターンとを備える表示パネルの製造方法であって、前記第２配線パターンは、銅とモリブデンとの積層構造を有し、前記表示パネルの製造方法は、前記第２配線パターンの一部であって、平面視において前記第１配線パターンと重複する重複部に、緑色のパルスレーザ光を１パルス照射することで、前記第１配線パターンを残しつつ、前記重複部を除去する工程を含む。
【０００９】
また、本開示に係る表示パネルのリペア方法は、基板の上方に設けられた第１配線パターンと、絶縁層を介して前記第１配線パターンの上方に設けられた第２配線パターンとを備える表示パネルのリペア方法であって、前記第２配線パターンは、銅とモリブデンとの積層構造を有し、前記表示パネルのリペア方法は、前記第２配線パターンの一部であって、平面視において前記第１配線パターンと重複し、かつ、前記第２配線パターンが含む複数の配線のうち２つの間を短絡するショート欠陥部に、緑色のパルスレーザ光を１パルス照射することで、前記第１配線パターンを残しつつ、前記ショート欠陥部を除去して前記複数の配線のうち前記２つを絶縁する工程を含む。
【発明の効果】
【００１０】
本開示によれば、金属膜を適切に除去することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】実施の形態に係る表示パネルのリペア方法において各工程の断面及び平面を示す図である。
【図２】銅（Ｃｕ）、モリブデン（Ｍｏ）及びマンガン（Ｍｎ）の各々の光の吸収率を示す図である。
【図３】実施の形態に係るパルスレーザ光を示す図である。
【図４Ａ】実施の形態において、周波数が５Ｈｚのパルスレーザ光を照射したときの膜の掘れ量を示す図である。
【図４Ｂ】実施の形態において、周波数が１０Ｈｚのパルスレーザ光を照射したときの膜の掘れ量を示す図である。
【図５】実施の形態に係るパルスレーザ光のエネルギー密度とアパーチャ値との関係を示す図である。
【図６】実施の形態において、照射回数が１回又は２回のときの第１配線パターン及び第２配線パターンの目視結果を出力エネルギー（アパーチャ値）毎に示す図である。
【図７】実施の形態に係るパルスレーザ光の照射結果を出力エネルギー（アパーチャ値）毎に示す図である。
【図８】実施の形態に係る表示パネルの構成を示す図である。
【図９】実施の形態に係る画素の回路構成を示す電気回路図である。
【図１０】実施の形態に係る画素の一部のレイアウトを示す平面図である。
【図１１】実施の形態に係る画素の一部の断面構成を示す表示パネルの概略断面図である。
【図１２】実施の形態に係る表示パネルの製造方法を示すフローチャートである。
【図１３Ａ】実施の形態に係る表示パネルの製造方法において各工程の断面及び平面を示す図である。
【図１３Ｂ】実施の形態に係る表示パネルの製造方法において各工程の断面及び平面を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、適宜図面を参照しながら、実施の形態を詳細に説明する。ただし、必要以上に詳細な説明は省略する場合がある。例えば、すでによく知られた事項の詳細説明、及び、実質的に同一の構成に対する重複説明などを省略する場合がある。これは、以下の説明が不必要に冗長になるのを避け、当業者の理解を容易にするためである。
【００１３】
なお、発明者らは、当業者が本開示を十分に理解するために添付図面及び以下の説明を提供するのであって、これらによって特許請求の範囲に記載の主題を限定することを意図するものではない。
【００１４】
また、各図は、模式図であり、必ずしも厳密に図示されたものではない。また、各図において、同じ構成部材については同じ符号を付している。
【００１５】
（実施の形態）
［１．リペア方法］
まず、本実施の形態に係る表示パネルのリペア方法の概要について、図１を用いて説明する。図１は、本実施の形態に係る表示パネルのリペア方法において各工程の断面及び平面を示す図である。なお、図１において、右側の図が平面図であり、左側の図が右側の図のＩ−Ｉ線における断面図である。
【００１６】
図１の（ａ）に示すように、基板１０の上方には、第１配線パターン２０、絶縁層３０、第２配線パターン４０がこの順で積層されている。つまり、本実施の形態に係る表示パネルは、基板１０の上方に設けられた第１配線パターン２０と、絶縁層３０を介して第１配線パターン２０の上方に設けられた第２配線パターン４０とを備える。
【００１７】
基板１０は、例えば、ガラス基板である。
【００１８】
第１配線パターン２０は、銅（Ｃｕ）とモリブデン（Ｍｏ）との積層構造を有する下層配線である。例えば、第１配線パターン２０では、厚さ１０ｎｍのＭｏ膜上に、厚さ３００ｎｍのＣｕ膜が形成されている。
【００１９】
絶縁層３０は、酸化物絶縁層又は窒化物絶縁層などを用いた単層絶縁層又は積層絶縁層である。絶縁層３０は、例えば、厚さ３５０ｎｍのシリコン窒化膜と、厚さ２４０ｎｍのシリコン酸化膜との積層構造を有する。
【００２０】
第２配線パターン４０は、銅（Ｃｕ）とモリブデン（Ｍｏ）との積層構造を有する上層配線である。例えば、第２配線パターン４０では、厚さ２０ｎｍのＭｏ膜と、厚さ３００ｎｍのＣｕ膜と、厚さ６５ｎｍのＣｕＭｎ膜（Ｍｎ含有量は１０ｗｔ％未満）とが順に積層されている。また、第２配線パターン４０は、複数の配線を含んでいる。図１の（ａ）に示す例では、第２配線パターン４０は、第１配線４２及び第２配線４３を含んでいる。
【００２１】
まず、図１の（ａ）に示すように、第２配線パターン４０のショート欠陥部４１の有無を検査する。具体的には、ショート欠陥部４１の有無を判定し、ショート欠陥部４１が存在する場合には、その場所を特定する。
【００２２】
ショート欠陥部４１の有無の検査は、例えば、顕微鏡などを用いた目視により実行される。あるいは、平面視において第２配線パターン４０を撮像し、当該撮像によって取得した画像を画像処理（例えば、正常な第２配線パターン４０とのマッチング）することで、ショート欠陥部４１を特定してもよい。あるいは、第２配線パターン４０に含まれる複数の配線にプローブを接触させて、配線間の導通及び非導通を検査することで、ショート欠陥部４１の有無を判定してもよい。
【００２３】
ここで、ショート欠陥部４１は、第２配線パターン４０の一部であって、第２配線パターン４０が含む複数の配線のうち２つ（例えば、第１配線４２及び第２配線４３）の間を短絡する部分である。具体的には、ショート欠陥部４１は、同層内での短絡部分である。
【００２４】
また、本実施の形態では、ショート欠陥部４１は、平面視において、第１配線パターン２０と重複する重複部である。言い換えると、ショート欠陥部４１は、第１配線パターン２０の一部の直上方向に位置している。なお、平面視とは、基板１０の主面（積層面）の法線方向に見ることを意味する。
【００２５】
第１配線４２と第２配線４３との間にショート欠陥部４１が形成されていることで、第１配線４２と第２配線４３とが短絡し、表示パネルは正常に動作しなくなる。言い換えると、正常に動作する表示パネル、すなわち、ショート欠陥部４１が形成されていない表示パネルでは、第１配線４２と第２配線４３とは、電気的に絶縁されている。
【００２６】
次に、図１の（ｂ）に示すように、ショート欠陥部４１が存在する場合に、緑色のパルスレーザ光をショート欠陥部４１に直接照射する。このとき、ショート欠陥部４１より下層にはダメージを与えないような条件で、緑色のパルスレーザ光を照射する。当該条件は、具体的には、ショート欠陥部４１の下層に位置する第１配線パターン２０を除去せずに残すような条件である。なお、当該条件を満たす緑色のパルスレーザ光を照射することで、絶縁層３０の一部が除去されてもよい。
【００２７】
なお、直接照射とは、表示パネルの他の層（例えば、第２配線パターン４０の上層に形成される絶縁層など）を透過させずに、ショート欠陥部４１にパルスレーザ光を当てることである。具体的には、第２配線パターン４０（ショート欠陥部４１）の形成直後に、パルスレーザ光の照射処理を行う。つまり、第２配線パターン４０の上方に次の層を形成する前に、ショート欠陥部４１の有無を検査し、ショート欠陥部４１にパルスレーザ光を照射する。
【００２８】
本実施の形態では、緑色のパルスレーザ光を１パルス（１回）照射する。具体的には、１．６０Ｊ／ｃｍ２以上２．０２Ｊ／ｃｍ２以下のエネルギー密度で、緑色のパルスレーザ光をショート欠陥部４１に１パルスのみ照射する。緑色のパルスレーザ光のピーク波長は、例えば、４９０ｎｍ以上５７０ｎｍ以下である。本実施の形態では、一例として、ピーク波長が５３２ｎｍのパルスレーザ光をショート欠陥部４１に照射する。
【００２９】
これにより、図１の（ｃ）に示すように、ショート欠陥部４１を除去して第１配線４２と第２配線４３とを電気的に絶縁する。具体的には、ショート欠陥部４１では、パルスレーザ光が照射されることにより、Ｃｕ及びＭｏが昇華する。厚み方向における全てのＣｕ及びＭｏが昇華することにより、ショート欠陥部４１は除去（切断）される。なお、切断とは、パルスレーザ光を照射した部分が貫通し、下層（この場合は、絶縁層３０）が露出したことを意味する。
【００３０】
パルスレーザ光のエネルギーは、ショート欠陥部４１のＣｕ及びＭｏの昇華に用いられ、第１配線パターン２０にはほとんど届かない。このため、第１配線パターン２０を、除去せずに残すことができる。
【００３１】
以上のように、本実施の形態では、緑色のパルスレーザ光をショート欠陥部４１に１パルスのみ照射することで、ショート欠陥部４１のＣｕ及びＭｏを昇華させて、第１配線４２と第２配線４３とを電気的に絶縁することができる。
【００３２】
以下では、緑色のパルスレーザ光の詳細な照射条件について、図面を用いて説明する。
【００３３】
［２．パルスレーザ光のピーク波長］
本実施の形態では、緑色のパルスレーザ光を用いて、Ｃｕ膜とＭｏ膜との積層構造を有する金属膜（以下、Ｃｕ／Ｍｏ膜と記載）を除去する。以下では、緑色のパルスレーザ光を用いる理由について、図２を用いて説明する。
【００３４】
図２は、銅（Ｃｕ）、モリブデン（Ｍｏ）及びマンガン（Ｍｎ）の各々の光の吸収率を示す図である。横軸は光の波長を示し、縦軸は吸収率を示している。
【００３５】
金属膜を構成する金属材料に光を照射した場合の吸収率Ａは、以下のようにして求めることができる。
【００３６】
まず、反射率Ｒと吸収率Ａとの和が略１であると仮定する（（式１）を参照）。
【００３７】
（式１）  Ｒ＋Ａ≒１
【００３８】
ここで、反射率Ｒは、垂直入射光に対する、完全に滑らかな材料表面の反射率として、以下の（式２）で表される。
【００３９】
【数１】
2016102949.tif 000003
【００４０】
ここで、ｎは金属材料の屈折率であり、ｋは金属材料の消衰係数である。ｎ及びｋの値としては、非特許文献１に記載された値を利用した。
【００４１】
図２に示すように、Ｃｕの吸収率を示す曲線（図中の破線）と、Ｍｏの吸収率を示す曲線（図中の実線）とは、５３２ｎｍの波長（緑色）の近傍で略一致している。したがって、Ｃｕ／Ｍｏ膜に、ピーク波長が５３２ｎｍのパルスレーザ光を照射した場合、Ｃｕ膜とＭｏ膜とは略同じ吸収率でパルスレーザ光を吸収するので、Ｃｕ膜とＭｏ膜とが略同時に昇華すると考えられる。
【００４２】
一方で、従来のピーク波長が２６６ｎｍのパルスレーザ光をＣｕ／Ｍｏ膜に照射した場合は、Ｍｏ膜が昇華しきらずに残った。これは、図２に示すように、Ｍｏ膜の光の吸収率がＣｕ膜の光の吸収率より低いためと考えられる。
【００４３】
つまり、Ｃｕ膜の光の吸収率とＭｏ膜の光の吸収率との差が所定の範囲（例えば、±１０％程度）内である波長をピーク波長として有するパルスレーザ光を照射することで、Ｃｕ／Ｍｏ膜を除去することができる。言い換えると、Ｃｕ／Ｍｏ膜を除去するためには、Ｃｕ膜の光の吸収率とＭｏ膜の光の吸収率とが略一致する波長をピーク波長として有するパルスレーザ光を照射すればよい。例えば、パルスレーザ光は、ピーク波長が４９０ｎｍ以上５７０以下であればよい。
【００４４】
本実施の形態では、第２配線パターン４０は、Ｃｕ膜上にＣｕＭｎ膜が形成されている。このとき、ＣｕＭｎ膜におけるＭｎの含有率は、１０ｗｔ％である。したがって、ＣｕＭｎ膜は、Ｃｕ膜と略同じ性質を有するとみなすことができる。
【００４５】
なお、図２に示すように、Ｍｎの吸収率を示す曲線（図中の一点鎖線）は、５３２ｎｍの波長（緑色）の近傍で、Ｃｕの吸収率を示す曲線とＭｏの吸収率を示す曲線と略一致している。したがって、ＣｕＭｎ／Ｃｕ／Ｍｏ膜に、ピーク波長が５３２ｎｍのパルスレーザ光を照射した場合も、Ｃｕ／Ｍｏ膜と同様に、ＣｕＭｎ膜とＣｕ膜とＭｏ膜とは略同じ吸収率でパルスレーザ光を吸収するので、ＣｕＭｎ膜とＣｕ膜とＭｏ膜とが略同時に昇華すると考えることもできる。なお、Ｍｎの光の吸収率の算出には、非特許文献２に記載されたｎ及びｋの値と、上述した（式１）及び（式２）とを利用した。
【００４６】
なお、緑色のパルスレーザ光は、例えば、ＹＡＧレーザを用いて生成することができる。ＹＡＧレーザの波長は、一般的には、１０６４ｎｍであり、ＹＡＧレーザの第二高調波の波長が５３２ｎｍになる。したがって、例えば、ＹＡＧレーザを非線形の結晶に通過させることで、緑色のパルスレーザ光が出力される。
【００４７】
一般的に、高調波のパルスレーザ光程、出力エネルギーが低下する。したがって、従来の２６６ｎｍのパルスレーザ光（第四高調波）に比べて、本実施の形態に係る５３２ｎｍのパルスレーザ光の方が、エネルギーを有効に利用することができる。
【００４８】
また、パルスレーザ光は、大気中を透過（進行）する際に減衰する。パルスレーザ光が大気中を透過する際の透過率は、パルスレーザ光の波長によって異なる。例えば、５３２ｎｍのパルスレーザ光は、２６６ｎｍのパルスレーザ光よりも透過率が大きい。具体的には、５３２ｎｍのパルスレーザ光の透過率は約１３％であるのに対して、２６６ｎｍのパルスレーザ光の透過率は約５％である。このため、Ｃｕ膜の実質的な透過率は、５３２ｎｍのパルスレーザ光の方が、２６６ｎｍのパルスレーザ光よりも大きくなる。
【００４９】
以上のように、緑色のパルスレーザ光を用いることで、Ｃｕ／Ｍｏ膜を効率良く除去することができる。例えば、他の層に影響を与えないように、短期間の照射でＣｕ／Ｍｏ膜を除去することができる。
【００５０】
［３．パルスレーザ光のパラメータ］
続いて、本実施の形態に係る緑色のパルスレーザ光のピーク波長以外のパラメータについて説明する。パルスレーザ光のパラメータとしては、パルスレーザ光の周波数、照射回数、及び、出力エネルギーなどがある。
【００５１】
［３−１．パルスレーザ光］
図３は、本実施の形態に係るパルスレーザ光を示す図である。具体的には、図３では、上から順に、周波数が１０Ｈｚ、５Ｈｚ、２Ｈｚ及び１Ｈｚのパルスレーザ光を示している。なお、図３において、横軸は時間を示し、縦軸はパルスレーザ光のエネルギーの大きさを示している。
【００５２】
図３に示すように、パルスレーザ光の周波数は、１秒間におけるパルスレーザ光の照射回数（パルス数）である。周波数が大きい程、１秒間におけるパルスレーザ光の照射回数が多くなる。つまり、周波数が大きい程、より短い間隔で、パルスレーザ光を連続的に照射することができる。なお、各パルスの幅、すなわち、１回のパルスレーザ光の照射時間は、例えば、７ナノ秒である。
【００５３】
図３では、例えば２回のパルスレーザ光を照射する場合、１回目のパルスレーザ光をドットの網掛けで示し、２回目のパルスレーザ光を斜め格子状の網掛けで示している。同じ２回のパルスレーザ光の照射であっても、周波数が異なることで、１回目と２回目との照射間隔が異なる。周波数が小さく、照射間隔が長い場合、１回目と２回目との間で照射部分の温度低下が大きくなるので、周波数が大きい場合に比べて、Ｃｕ／Ｍｏ膜の昇華の程度が異なると考えられる。
【００５４】
以下では、パルスレーザ光の出力エネルギー、照射回数及び周波数の各々の適した範囲について、図面を用いて説明する。
【００５５】
［３−２．出力エネルギー］
図４Ａ及び図４Ｂはそれぞれ、本実施の形態において、周波数が５Ｈｚ及び１０Ｈｚのパルスレーザ光を照射したときの膜の掘れ量を示す図である。
【００５６】
ここでは、図１の（ａ）に示すような積層構造を有するサンプルにパルスレーザ光を照射した。具体的には、第１配線パターン２０は、厚さ１０ｎｍのＭｏ膜と厚さ３００ｎｍのＣｕ膜との積層構造を有する金属膜（Ｃｕ／Ｍｏ膜）を有する。絶縁層３０は、厚さ３５０ｎｍのシリコン窒化膜と、厚さ２４０ｎｍのシリコン酸化膜との積層構造を有する。第２配線パターン４０は、厚さ２０ｎｍのＭｏ膜と、厚さ３００ｎｍのＣｕ膜と、厚さ６５ｎｍのＣｕＭｎ膜との積層構造を有する。
【００５７】
したがって、第２配線パターン４０の上面（ＣｕＭｎ膜の上面）から基板１０までの厚さ（深さ）は、１２８５ｎｍになる。パルスレーザ光を照射したときに、第２配線パターン４０を厚み方向に全て除去するためには、掘れ量が少なくとも３８５ｎｍの深さであればよい。また、第１配線パターン２０を残すためには、掘れ量が１０７５ｎｍ未満の深さであればよい。
【００５８】
図４Ａ及び図４Ｂは、パルスレーザ光の照射回数（パルス数）及び出力エネルギー（アパーチャ値）の組み合わせに対する膜の掘れ量を示している。膜の掘れ量は、段差測定器を用いて測定した。なお、図４Ａにおいて、出力エネルギー（アパーチャ値）が８０で照射回数が３回及び４回のときは、正確な測定値が得られなかった。
【００５９】
出力エネルギーの設定は、パルスレーザ光の発振源の絞りの値であるアパーチャ値を設定することで行った。図５は、本実施の形態に係るパルスレーザ光のエネルギー密度とアパーチャ値との関係を示す図である。図５において、横軸はアパーチャ値を示し、縦軸はエネルギー密度を示している。
【００６０】
ピーク波長が５３２ｎｍの緑色レーザ光を出力し、パワーメータによって実測することで、図５に示すプロットを得た。得られたプロットを線形近似することで、図５に示すように、パルスレーザ光のエネルギー密度ｙは、アパーチャ値ｘとしたとき、以下の（式３）で示される。
【００６１】
（式３）  ｙ＝０．０１８９ｘ＋０．１２８１
【００６２】
このときの近似直線のＲ−２乗値は、０．９９４３である。したがって、アパーチャ値は、パルスレーザ光の出力エネルギー（エネルギー密度）と線形の関係を有するとみなすことができる。
【００６３】
図４Ａ及び図４Ｂに戻り、アパーチャ値が６０〜１４０の範囲で、ＣｕＭｎ／Ｃｕ／Ｍｏ膜に緑色のパルスレーザ光の照射を行った。なお、アパーチャ値が６０〜１４０の範囲に相当するエネルギー密度の範囲は、（式３）により、１．２６Ｊ／ｃｍ２〜２．７７Ｊ／ｃｍ２となる。また、照射回数は、２回〜１０回の範囲である。
【００６４】
図４Ａ及び図４Ｂに示すように、周波数に関わらず、アパーチャ値が６０の場合（エネルギー密度が１．２６Ｊ／ｃｍ２の場合）、照射回数が大きくなるにつれて掘れ量が増加する傾向が見える。しかしながら、掘れ量は、いずれも約５０ｎｍ以下であり、ＣｕＭｎ／Ｃｕ／Ｍｏ膜はほとんど昇華しきらずに残った。
【００６５】
一方で、図４Ａに示すように、周波数が５Ｈｚの場合、アパーチャ値が８０〜１４０の範囲（エネルギー密度が１．６４Ｊ／ｃｍ２〜２．７７Ｊ／ｃｍ２の範囲）では、照射回数が２回のとき、掘れ量が３２７ｎｍ〜４６５ｎｍであった。具体的には、アパーチャ値が８０のときの掘れ量が３２７ｎｍであり、第２配線パターン４０は、一部が除去しきれずに残っていることが分かる。また、アパーチャ値が１４０のときの掘れ量が４６５ｎｍであり、第２配線パターン４０は、完全に除去されて、絶縁層３０の一部まで掘れていることが分かる。また、アパーチャ値が１００又は１２０のときの掘れ量もアパーチャ値が１４０のときと略同等であり、第２配線パターン４０は完全に除去されたことが分かる。
【００６６】
また、図４Ｂに示すように、周波数が１０Ｈｚの場合、アパーチャ値が８０〜１４０の範囲（エネルギー密度が１．６４Ｊ／ｃｍ２〜２．７７Ｊ／ｃｍ２の範囲）では、照射回数が２回のとき、掘れ量が４７３ｎｍ〜５２７ｎｍであった。したがって、アパーチャ値の値に関わらず、第２配線パターン４０は完全に除去されて、絶縁層３０の一部まで掘れていることが分かる。
【００６７】
また、照射回数が３回以上の場合は、周波数に関わらず、アパーチャ値が８０〜１４０の範囲（エネルギー密度が１．６４Ｊ／ｃｍ２〜２．７７Ｊ／ｃｍ２の範囲）では、掘れ量がいずれも１０００ｎｍ以上であった。つまり、第１配線パターン２０まで掘られている、あるいは、掘られている可能性が高い。
【００６８】
以上のことから、周波数に関わらず、照射回数は２回以下の条件でパルスレーザ光を照射すればよいことが分かる。また、出力エネルギー（アパーチャ値）は、約８０以上であればよいことが分かる。
【００６９】
続いて、パルスレーザ光のより好適な照射条件を定めるために、照射回数が１回又は２回の場合に、第１配線パターン２０及び第２配線パターン４０の状態を目視により調べた。
【００７０】
図６は、本実施の形態において、照射回数が１回又は２回のときの第１配線パターン２０及び第２配線パターン４０の目視結果を出力エネルギー（アパーチャ値）毎に示す図である。なお、図６において、上層配線が第２配線パターン４０に相当し、下層配線が第１配線パターン２０に相当する。
【００７１】
図６に示すように、照射回数が２回の場合、アパーチャ値が７６（エネルギー密度が１．５６Ｊ／ｃｍ２）以下のとき、第１配線パターン２０は残存しているものの、第２配線パターン４０も未昇華で残存していた。また、照射回数が２回の場合、アパーチャ値が７８（エネルギー密度が１．６０Ｊ／ｃｍ２）以上のとき、第２配線パターン４０は昇華されて除去（切断）することができたが、第１配線パターン２０も昇華されてしまった。
【００７２】
したがって、照射回数が２回の場合は、掘れ量の観点からは第１配線パターン２０が残存している結果が得られたが、実際は、第１配線パターン２０も昇華して除去されてしまっていたことが分かった。ゆえに、照射回数は、１回のみであることが好ましい。なお、照射回数が１回であるので、周波数は特に限定されない。
【００７３】
照射回数が１回の場合、アパーチャ値が７６以下のとき、第１配線パターン２０は残存しているものの、第２配線パターン４０も未昇華で残存していた。照射回数が１回の場合、アパーチャ値が７８以上のとき、第２配線パターン４０は昇華されて除去（切断）することができ、かつ、第１配線パターン２０は残存していた。
【００７４】
したがって、目視による結果からは、アパーチャ値は、７８以上であることが好ましいことが分かった。
【００７５】
以下では、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ：Ｓｃａｎｎｉｎｇ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）を用いて、パルスレーザ光の照射後の積層構造の断面状態を評価した。
【００７６】
図７は、本実施の形態に係るパルスレーザ光の照射結果を出力エネルギー毎に示す図である。具体的には、図７は、アパーチャ値毎の断面ＳＥＭ画像を示している。
【００７７】
なお、図７に示す断面ＳＥＭ画像において、「ＧＭ」は第１配線パターン２０に相当し、「ＥＳ／ＧＩ」は絶縁層３０に相当し、「ＳＤ」は第２配線パターン４０に相当する。
【００７８】
図７に示すように、アパーチャ値が７８のときは、第２配線パターン４０は、未昇華であった。すなわち、第２配線パターン４０は、パルスレーザ光の照射によって一部は掘れるものの、絶縁層３０を露出させるまでには至らなかった。つまり、第２配線パターン４０は、切断されなかった。
【００７９】
一方で、アパーチャ値が８０、８２及び８４の場合はいずれも、第２配線パターン４０は、昇華されて絶縁層３０が露出された。すなわち、第２配線パターン４０は切断された。なお、いずれの場合でも、第１配線パターン２０は、除去されることなく、残存していた。
【００８０】
以上のことから、誤差などを鑑みて、アパーチャ値は、７８以上１００以下の範囲、すなわち、エネルギー密度が１．６０Ｊ／ｃｍ２以上２．０２Ｊ／ｃｍ２以下であることが好ましい。
【００８１】
［４．表示パネルの構成］
［４−１．全体構成］
以下では、上述した表示パネルのリペア方法を行う工程を経て製造された表示パネルの構成について説明する。
【００８２】
図８は、本実施の形態に係る表示パネル１００の構成を示す図である。
【００８３】
表示パネル１００は、電流駆動型の発光素子を用いた表示パネルである。本実施の形態では、表示パネル１００は、発光素子の一例である有機ＥＬ素子を備えるトップエミッション型の有機ＥＬ表示パネルである。なお、表示パネル１００は、トップエミッション型に限定されず、ボトムエミッション型でもよい。また、表示パネル１００は、液晶表示パネルなどの他のアクティブマトリクス型の表示パネルでもよい。
【００８４】
図８に示すように、表示パネル１００は、表示領域１１０と、走査線駆動回路１２０と、データ線駆動回路１３０と、複数の配線１４０及び１５０とを備える。なお、表示パネル１００は、走査線駆動回路１２０及びデータ線駆動回路１３０の動作タイミングを制御するタイミングコントローラ（ＴＣＯＮ）を備えてもよい。
【００８５】
表示領域１１０には、複数の画素２００が行列状に配置されている。複数の画素２００の各々は、発光素子（有機ＥＬ素子）と、発光素子を駆動するためのトランジスタとを有する。画素２００の回路構成の一例については、図９を用いて後で説明する。
【００８６】
走査線駆動回路１２０は、画素２００に含まれる有機ＥＬ素子の発光のタイミングなどを制御する。走査線駆動回路１２０は、例えば、ゲートドライバＩＣであり、複数の配線１４０の各々を介して、制御信号を出力する。制御信号は、例えば、ＥＮＢ信号、ＳＣＡＮ信号、ＲＥＦ信号及びＩＮＩ信号である。
【００８７】
データ線駆動回路１３０は、画素２００に含まれる有機ＥＬ発光素子の発光量（輝度）などを制御する。データ線駆動回路１３０は、例えば、ソースドライバＩＣであり、複数の配線１５０の各々を介して、輝度値（画素値）を示すデータ信号を出力する。
【００８８】
なお、走査線駆動回路１２０及びデータ線駆動回路１３０は、いわゆるＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）方式でパネル基板に直接実装されてもよい。あるいは、走査線駆動回路１２０及びデータ線駆動回路１３０は、パネル基板に接続されたＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ  Ｐｒｉｎｔ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）基板上に実装されてもよい。
【００８９】
複数の配線１４０は、表示パネル１００の表示領域１１０に、行方向に沿って設けられて、複数の画素２００に行毎に接続される。複数の配線１４０は、具体的には、図９に示すように、ＳＣＡＮ信号線１４１、ＥＮＢ信号線１４２、ＲＥＦ信号線１４３及びＩＮＩ信号線１４４を画素行毎に含んでいる。
【００９０】
複数の配線１５０は、表示パネル１００の表示領域１１０に、列方向に沿って設けられて、複数の画素２００に列毎に接続される。複数の配線１５０は、具体的には、図９に示すように、データ信号線１５１を含んでいる。
【００９１】
なお、表示パネル１００には、図８には示していないが、複数の電源線が配置されている。複数の電源線は、例えば、画素２００の行方向又は列方向に沿って設けられている。
【００９２】
［４−２．画素の回路構成］
続いて、本実施の形態に係る表示パネル１００の表示領域１１０に設けられた画素２００の回路構成について、図９を用いて説明する。図９は、本実施の形態に係る画素２００の回路構成を示す電気回路図である。
【００９３】
図９に示すように、画素２００は、発光素子２１０と、駆動トランジスタ２２０と、選択トランジスタ２３０と、イネーブルトランジスタ２４０と、ＲＥＦトランジスタ２５０と、ＩＮＩトランジスタ２６０と、保持容量２７０とを備える。本実施の形態では、画素２００は、例えば、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）及び青色（Ｂ）のいずれかの光を発するサブ画素である。
【００９４】
発光素子２１０は、有機ＥＬ素子であり、ＯＬＥＤ（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）とも呼ばれる発光素子の一例である。発光素子２１０は、流れる電流の大きさに応じた明るさで発光する電流駆動型の発光素子の一例である。発光素子２１０のアノードは、駆動トランジスタ２２０のソースに接続され、発光素子２１０のカソードは、Ｖｅｌ電源線１６２に接続される。
【００９５】
駆動トランジスタ２２０は、発光素子２１０に電流を供給するドライバである。駆動トランジスタ２２０のゲートは、保持容量２７０の一方の電極に接続され、ドレインは、イネーブルトランジスタ２４０を介してＶｔｆｔ電源線１６１に接続され、ソースは、保持容量２７０の他方の電極及び発光素子２１０のアノードに接続される。
【００９６】
この接続により、駆動トランジスタ２２０のゲートとソースとの間には保持容量２７０に保持された電圧、つまり、発光すべき輝度を示す電圧が印加される。これにより、駆動トランジスタ２２０は、保持容量２７０の電圧に応じた量の電流を発光素子２１０に供給する。
【００９７】
選択トランジスタ２３０は、保持容量２７０に輝度を表す電圧を画素データとして書き込むためのスイッチトランジスタである。選択トランジスタ２３０のゲートには、ＳＣＡＮ信号線１４１が接続されている。また、選択トランジスタ２３０のソース及びドレインの一方は、データ信号線１５１（配線１５０）に接続され、他方は、駆動トランジスタ２２０のゲートに接続されている。
【００９８】
選択トランジスタ２３０は、ＳＣＡＮ信号線１４１を介してゲートに供給されるＳＣＡＮ信号に従って導通及び非導通する。なお、ＳＣＡＮ信号は、行列状の複数の画素２００を行単位に選択し、選択された行に属する画素２００に輝度を表す電圧を書き込むための書き込み信号である。
【００９９】
イネーブルトランジスタ２４０は、駆動トランジスタ２２０による発光素子２１０への電流供給をオン及びオフするスイッチトランジスタである。イネーブルトランジスタ２４０のゲートには、ＥＮＢ信号線１４２が接続されている。イネーブルトランジスタ２４０のソース及びドレインの一方は、Ｖｔｆｔ電源線１６１に接続され、他方は、駆動トランジスタ２２０のドレインに接続されている。イネーブルトランジスタ２４０は、ＥＮＢ信号線１４２を介してゲートに供給されるＥＮＢ信号に従って導通及び非導通する。
【０１００】
ＲＥＦトランジスタ２５０は、基準電圧ＶＲＥＦを保持容量２７０の一方の電極に与えるためのスイッチトランジスタである。ＲＥＦトランジスタ２５０のゲートは、ＲＥＦ信号線１４３に接続されている。ＲＥＦトランジスタ２５０のソース及びドレインの一方は、Ｖｒｅｆ電源線１６３に接続され、他方は、保持容量２７０の一方の電極に接続されている。ＲＥＦトランジスタ２５０は、ＲＥＦ信号線１４３を介してゲートに供給されるＲＥＦ信号に従って導通及び非導通する。
【０１０１】
ＩＮＩトランジスタ２６０は、初期化電圧ＶＩＮＩを保持容量２７０の他方の電極に供給するためのスイッチトランジスタである。ＩＮＩトランジスタ２６０のゲートは、ＩＮＩ信号線１４４に接続されている。ＩＮＩトランジスタ２６０のソース及びドレインの一方は、Ｖｉｎｉ電源線１６４に接続され、他方は、保持容量２７０の他方の電極に接続されている。ＩＮＩトランジスタ２６０は、ＩＮＩ信号線１４４を介してゲートに供給されるＩＮＩ信号に従って導通及び非導通する。なお、ＲＥＦトランジスタ２５０及びＩＮＩトランジスタ２６０は、駆動トランジスタ２２０の閾値補償に用いられる。
【０１０２】
保持容量２７０は、駆動トランジスタ２２０のゲート−ソース間に接続されている。保持容量２７０は、輝度を表す電圧を画素データとして保持する。
【０１０３】
なお、画素２００に設けられる各トランジスタは、例えば、ボトムゲート型のＴＦＴである。このとき、各ＴＦＴは、チャネル保護型及びチャネルエッチ型のいずれでもよい。また、各ＴＦＴは、トップゲート型のＴＦＴでもよい。また、各ＴＦＴは、ｎ型ＴＦＴ及びｐ型ＴＦＴのいずれでもよい。
【０１０４】
また、図９に示す画素２００の回路構成は、一例であって、これに限らない。例えば、画素２００は、発光素子２１０と、駆動トランジスタ２２０と、選択トランジスタ２３０と、保持容量２７０とを備える、いわゆる２Ｔｒ１Ｃ構成を有してもよい。
【０１０５】
［４−３．画素のレイアウト及び断面構成］
続いて、本実施の形態に係る画素２００の一部のレイアウト及び断面構成について、図１０及び図１１を用いて説明する。図１０は、本実施の形態に係る画素２００の一部のレイアウトを示す平面図である。図１１は、本実施の形態に係る画素２００の一部の断面構成を示す表示パネル１００の概略断面図である。なお、図１１は、図１０に示すＸＩ−ＸＩ線における断面を示している。
【０１０６】
図１０及び図１１には、画素２００のうち、選択トランジスタ２３０及びＲＥＦトランジスタ２５０を示している。図１０において、例えば、同層に位置し、同じ材料を用いて同じ工程で形成される配線パターンには、同じハッチングを付している。
【０１０７】
具体的には、第１配線パターン３２０は、ＳＣＡＮ信号線１４１、ＲＥＦ信号線１４３及びＶｒｅｆ電源線１６３を含み、これらの全てが同層に位置する。第１配線パターン３２０は、例えば、第２配線パターン３６０より下層にある下層配線である。
【０１０８】
また、第２配線パターン３６０は、データ信号線１５１、選択トランジスタ２３０のドレイン電極２３３及びソース電極２３４、ＲＥＦトランジスタ２５０のドレイン電極２５３及びソース電極２５４、並びに、Ｖｅｌ電源線１６２を含み、これらの全てが同層に位置する。第２配線パターン３６０は、第１配線パターン３２０の上方に位置する上層配線である。
【０１０９】
以下では、図１１を用いて、画素２００の一部の断面構成について説明する。
【０１１０】
図１１に示すように、表示パネル１００は、基板３１０と、第１配線パターン３２０と、ゲート絶縁層３３０と、半導体層３４０と、絶縁層３５０と、第２配線パターン３６０とを備える。
【０１１１】
基板３１０は、例えば、電気絶縁性を有する材料から構成される基板である。例えば、基板３１０は、無アルカリガラスなどのガラス材料、又は、ポリイミドなどの樹脂材料から構成される基板である。なお、基板３１０は、可撓性を有してもよい。
【０１１２】
第１配線パターン３２０は、基板３１０の上方に設けられた、銅（Ｃｕ）とモリブデン（Ｍｏ）との積層構造を有する金属膜から構成される配線パターンである。例えば、第１配線パターン３２０では、厚さ１０ｎｍのＭｏ膜上に、厚さ３００ｎｍのＣｕ膜が形成されている。なお、Ｍｏ膜及びＣｕ膜の膜厚は一例であって、これに限らない。
【０１１３】
本実施の形態では、図１１に示すように、第１配線パターン３２０は、基板３１０上に設けられている。なお、第１配線パターン３２０は、アンダーコート層（例えば、シリコン窒化膜）などを介して基板３１０の上方に設けられてもよい。
【０１１４】
第１配線パターン３２０は、複数の配線を含んでいる。具体的には、第１配線パターン３２０は、図１０及び図１１に示すように、複数の配線として、ＳＣＡＮ信号線１４１と、ＲＥＦ信号線１４３と、Ｖｒｅｆ電源線１６３と、選択トランジスタ２３０のゲート電極２３１と、ＲＥＦトランジスタ２５０のゲート電極２５１とを含んでいる。なお、ゲート電極２３１は、ＳＣＡＮ信号線１４１の一部であり、ゲート電極２５１は、ＲＥＦ信号線１４３の一部である。
【０１１５】
なお、図示しないが、第１配線パターン３２０は、画素２００に含まれる他のトランジスタ（例えば、駆動トランジスタ２２０など）のゲート電極、他の配線（例えば、ＩＮＩ信号線１４４など）、及び、保持容量２７０の一方の電極などを含んでいてもよい。
【０１１６】
ゲート絶縁層３３０は、第１配線パターン３２０と半導体層３４０との間に設けられている。具体的には、ゲート絶縁層３３０は、選択トランジスタ２３０のゲート電極２３１とチャネル層２３２との間、及び、ＲＥＦトランジスタ２５０のゲート電極２５１とチャネル層２５２との間に設けられている。
【０１１７】
ゲート絶縁層３３０は、例えば、酸化物絶縁層又は窒化物絶縁層を用いた単層絶縁層又は積層絶縁層である。ゲート絶縁層３３０としては、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、シリコン酸窒化膜、酸化アルミニウム膜などを利用することができる。例えば、ゲート絶縁層３３０は、厚さ３５０ｎｍのシリコン窒化膜と、厚さ５０ｎｍのシリコン酸化膜との積層構造を有する。つまり、ゲート絶縁層３３０の膜厚は、例えば、４００ｎｍである。
【０１１８】
半導体層３４０は、画素２００が有するトランジスタのチャネル層を含んでいる。半導体層３４０は、トランジスタのゲート電極に対向するように基板３１０の上方に形成される。具体的には、図１１に示すように、チャネル層２３２がゲート電極２３１の対向する位置に設けられ、チャネル層２５２がゲート電極２５１の対向する位置に設けられる。
【０１１９】
半導体層３４０は、具体的には、酸化物半導体から構成される。例えば、半導体層３４０の材料としては、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）及び亜鉛（Ｚｎ）のうち、少なくとも１種を含む酸化物半導体材料を用いる。例えば、半導体層３４０は、アモルファス酸化インジウムガリウム亜鉛（ＩｎＧａＺｎＯ：ＩＧＺＯ）などの透明アモルファス酸化物半導体（ＴＡＯＳ：Ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ  Ａｍｏｒｐｈｏｕｓ  Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）から構成される。なお、半導体層３４０の材料としては、アモルファスシリコン、又は、シリコンの単結晶などを用いてもよい。半導体層３４０の膜厚は、例えば、９０ｎｍである。
【０１２０】
絶縁層３５０は、半導体層３４０上に形成され、半導体層３４０を保護するチャネル保護層として機能する。具体的には、絶縁層３５０は、半導体層３４０の上方に形成する第２配線パターン３６０のパターニングの際に、半導体層３４０がエッチングされることを防止するエッチングストッパ層として機能する。これにより、ボトムゲート型のＴＦＴにおいて、半導体層３４０のバックチャネル側のプロセスダメージを低減することができる。
【０１２１】
絶縁層３５０は、例えば、酸化物絶縁層又は窒化物絶縁層を用いた単層絶縁層又は積層絶縁層である。絶縁層３５０としては、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、シリコン酸窒化膜、酸化アルミニウム膜などを利用することができる。絶縁層３５０の膜厚は、例えば、１９０ｎｍである。
【０１２２】
第２配線パターン３６０は、基板３１０の上方に、第１配線パターン３２０及び絶縁層（具体的には、ゲート絶縁層３３０及び絶縁層３５０）を介して設けられた、銅（Ｃｕ）とモリブデン（Ｍｏ）との積層構造を有する金属膜から構成される配線パターンである。例えば、第２配線パターン３６０は、絶縁層３５０上に順に形成された、厚さ２０ｎｍのＭｏ膜と、厚さ３００ｎｍのＣｕ膜と、厚さ６５ｎｍのＣｕＭｎ合金膜（Ｍｎ含有率は、１０ｗｔ％未満）とを有する。なお、Ｍｏ膜、Ｃｕ膜及びＣｕＭｎ合金膜の膜厚は一例であって、これに限らない。また、ＣｕＭｎ合金膜は設けられていなくてもよい。
【０１２３】
第２配線パターン３６０は、複数の配線を含んでいる。具体的には、第２配線パターン３６０は、図１０及び図１１に示すように、複数の配線として、データ信号線１５１と、選択トランジスタ２３０のドレイン電極２３３及びソース電極２３４と、ＲＥＦトランジスタ２５０のドレイン電極２５３及びソース電極２５４と、Ｖｅｌ電源線１６２とを含んでいる。なお、ドレイン電極２３３は、データ信号線１５１の一部である。
【０１２４】
図１０及び図１１に示すように、Ｖｅｌ電源線１６２と、データ信号線１５１と及び選択トランジスタ２３０のドレイン電極２３３と、選択トランジスタ２３０のソース電極２３４及びＲＥＦトランジスタ２５０のドレイン電極２５３と、ＲＥＦトランジスタ２５０のソース電極２５４とは、互いに電気的に絶縁されている。このとき、例えば、Ｖｅｌ電源線１６２とデータ信号線１５１との間にショート欠陥部が形成された場合、Ｖｅｌ電源線１６２とデータ信号線１５１とは短絡するので、好ましくない。本実施の形態では、当該ショート欠陥部に緑色のレーザ光を照射することで、ショート欠陥部を除去する。詳細については、後で説明する。
【０１２５】
なお、図示しないが、第２配線パターン３６０は、画素２００に含まれる他のトランジスタ（例えば、駆動トランジスタ２２０など）のドレイン電極又はソース電極、他の配線（例えば、Ｖｔｆｔ電源線１６１など）、及び、保持容量２７０の他方の電極などを含んでいてもよい。
【０１２６】
［５．表示パネルの製造方法］
以下では、図８に示す表示パネル１００の製造方法について、図１２〜図１３Ｂを用いて説明する。
【０１２７】
図１２は、本実施の形態に係る表示パネル１００の製造方法を示すフローチャートである。図１３Ａ及び図１３Ｂは、本実施の形態に係る表示パネル１００の製造方法において各工程の断面及び平面を示す図である。なお、図１３Ａ及び図１３Ｂにおいて、右側の図が平面図であり、左側の図が右側の図のＸＩ−ＸＩ線における断面図である。ここで、図１３Ａ及び図１３Ｂにおける右側の平面図は、配線パターンの配置及び形状を模式的に示すことを目的としており、表示パネル１００の全ての層を示している訳ではない。
【０１２８】
図１２に示すように、本実施の形態に係る表示パネル１００の製造方法は、ＴＦＴを形成する工程（Ｓ１０）と、リペア処理を実行する工程（Ｓ２０）と、有機ＥＬ素子を形成する工程（Ｓ３０）とを含んでいる。以下では、ＴＦＴを形成する工程（Ｓ１０）を中心に、図１３Ａ及び図１３Ｂに示す断面図及び平面図を用いて詳細に説明する。
【０１２９】
まず、図１２及び図１３Ａの（ａ）に示すように、銅（Ｃｕ）とモリブデン（Ｍｏ）との積層構造を有するゲート金属膜（Ｃｕ／Ｍｏ膜）を基板３１０の上方に成膜する（Ｓ１１）。例えば、スパッタリング装置を用いて、厚さ１０ｎｍのＭｏ膜を基板３１０上に成膜し、さらに、Ｍｏ膜上に厚さ３００ｎｍのＣｕ膜を成膜する。なお、基板３１０と第１配線パターン３２０との間にアンダーコート層などを形成してもよい。
【０１３０】
次に、ゲート金属膜（Ｃｕ／Ｍｏ膜）をパターニングすることで、第１配線パターン３２０を形成する（Ｓ１２）。Ｃｕ／Ｍｏ膜のパターニングは、フォトリソグラフィ及びウェットエッチングによって行うことができる。Ｃｕ／Ｍｏ膜のウェットエッチングは、例えば、過酸化水素水（Ｈ２Ｏ２）及び有機酸を混合した薬液を用いることができる。これにより、図１３Ａの（ａ）に示すように、ＳＣＡＮ信号線１４１、ＲＥＦ信号線１４３及びＶｒｅｆ電源線１６３を含む第１配線パターン３２０を形成する。
【０１３１】
なお、第１配線パターン３２０を形成した後、ゲート絶縁層３３０を形成する前に、後述するリペア処理（Ｓ２０）を行ってもよい。この場合は、下層に配線パターンが存在しないので、第２配線パターン３６０のリペア処理のときよりエネルギー密度、照射回数及び周波数を大きくしてもよい。
【０１３２】
次に、第１配線パターン３２０の上方に、ゲート絶縁層３３０を形成する（Ｓ１３）。例えば、プラズマＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）などによって、第１配線パターン３２０を覆うように、厚さ３５０ｎｍのシリコン窒化膜と厚さ５０ｎｍのシリコン酸化膜とを順に成膜することで、ゲート絶縁層３３０を形成する。
【０１３３】
シリコン窒化膜は、例えば、シランガス（ＳｉＨ４）、アンモニアガス（ＮＨ３）及び窒素ガス（Ｎ２）を導入ガスに用いることで成膜することができる。シリコン酸化膜は、例えば、シランガス（ＳｉＨ４）と亜酸化窒素ガス（Ｎ２Ｏ）とを導入ガスに用いることで成膜することができる。
【０１３４】
さらに、基板３１０の上方に半導体膜３４１を成膜する（Ｓ１４）。例えば、スパッタリングによって、ゲート絶縁層３３０上に、ＩｎＧａＺｎＯ膜を半導体膜３４１として成膜する。具体的には、組成比がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１のターゲット材を用いた、酸素（Ｏ２）とアルゴン（Ａｒ）との混合ガス雰囲気でのスパッタリングによって、ゲート絶縁層３３０上に、厚さ９０ｎｍのアモルファスＩｎＧａＺｎＯ膜を成膜する。
【０１３５】
これにより、図１３Ａの（ｂ）に示すように、基板３１０上に、第１配線パターン３２０、ゲート絶縁層３３０及び半導体膜３４１が順に積層される。
【０１３６】
次に、半導体膜３４１をパターニングすることで、半導体層３４０（チャネル層２３２及びチャネル層２５２）を形成する（Ｓ１５）。具体的には、フォトリソグラフィ及びウェットエッチングによって、ＩｎＧａＺｎＯ膜をパターニングする。ＩｎＧａＺｎＯ膜のウェットエッチングは、例えば、リン酸（Ｈ３ＰＯ４）、硝酸（ＨＮＯ３）、酢酸（ＣＨ３ＣＯＯＨ）及び水（Ｈ２Ｏ）を混合した薬液を用いて行うことができる。
【０１３７】
これにより、図１３Ａの（ｃ）に示すように、基板３１０の上方であって、ゲート電極２３１に対向する位置にチャネル層２３２を形成し、ゲート電極２５１に対向する位置にチャネル層２５２を形成する。
【０１３８】
次に、図１３Ａの（ｄ）に示すように、半導体層３４０を覆うように、層間絶縁膜３５１を成膜する（Ｓ１６）。例えば、プラズマＣＶＤによって、半導体層３４０を覆うように、厚さ１９０ｎｍのシリコン酸化膜を成膜する。
【０１３９】
次に、図１３Ｂの（ｅ）に示すように、成膜した層間絶縁膜３５１をパターニングすることで、コンタクトホール３７１〜３７５を形成する（Ｓ１７）。これにより、コンタクトホール３７１〜３７５が形成された絶縁層３５０（チャネル保護層）が形成される。
【０１４０】
具体的には、フォトリソグラフィ及ドライエッチングによって、層間絶縁膜３５１（シリコン酸化膜）をパターニングする。シリコン酸化膜のドライエッチングは、例えば、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）によって行うことができる。エッチングガスとしては、例えば、四フッ化炭素（ＣＦ４）及び酸素ガス（Ｏ２）を用いることができる。ガス流量、圧力、印加電力及び周波数などのパラメータは、基板サイズ、エッチングの膜厚などによって適宜設定される。
【０１４１】
なお、コンタクトホール３７１は、選択トランジスタ２３０のドレイン電極２３３をチャネル層２３２に電気的及び物理的に接続するために、チャネル層２３２の一部（ドレイン領域）を露出させる開口部である。コンタクトホール３７２は、選択トランジスタ２３０のソース電極２３４をチャネル層２３２に電気的及び物理的に接続するために、チャネル層２３２の一部（ソース領域）を露出させる開口部である。
【０１４２】
コンタクトホール３７３は、ＲＥＦトランジスタ２５０のドレイン電極２５３をチャネル層２５２に電気的及び物理的に接続するために、チャネル層２５２の一部（ドレイン領域）を露出させる開口部である。コンタクトホール３７４は、ＲＥＦトランジスタ２５０のソース電極２５４をチャネル層２５２に電気的及び物理的に接続するために、チャネル層２５２の一部（ソース領域）を露出させる開口部である。
【０１４３】
コンタクトホール３７５は、ＲＥＦトランジスタ２５０のソース電極２５４をＶｒｅｆ電源線１６３に電気的及び物理的に接続するために、Ｖｒｅｆ電源線１６３の一部を露出させる開口部である。
【０１４４】
次に、図１３Ｂの（ｆ）に示すように、絶縁層３５０の上方にソースドレイン金属膜３６１を成膜する（Ｓ１８）。具体的には、コンタクトホール３７１〜３７５を埋めるようにして、絶縁層３５０上にソースドレイン金属膜３６１を成膜する。例えば、スパッタリング装置を用いて、厚さ２０ｎｍのＭｏ膜を絶縁層３５０上に成膜し、さらに、Ｍｏ膜上に厚さ３００ｎｍのＣｕ膜を成膜し、Ｃｕ膜上に厚さ６５ｎｍのＣｕＭｎ合金膜を成膜する。
【０１４５】
次に、図１３Ｂの（ｇ）に示すように、ソースドレイン金属膜３６１をパターニングすることで、第２配線パターン３６０を形成する（Ｓ１９）。具体的には、フォトリソグラフィ及びウェットエッチングによって、ソースドレイン金属膜３６１（ＣｕＭｎ／Ｃｕ／Ｍｏ膜）をパターニングする。ＣｕＭｎ／Ｃｕ／Ｍｏ膜のウェットエッチングは、例えば、過酸化水素水（Ｈ２Ｏ２）及び有機酸を混合した薬液を用いることができる。
【０１４６】
これにより、図１３Ｂの（ｇ）に示すように、選択トランジスタ２３０のドレイン電極２３３及びソース電極２３４と、ＲＥＦトランジスタ２５０のドレイン電極２５３及びソース電極２５４と、データ信号線１５１とを含む第２配線パターン３６０を形成する。
【０１４７】
以上のようにして、選択トランジスタ２３０及びＲＥＦトランジスタ２５０などのＴＦＴを形成することができる。
【０１４８】
次に、図１２に示すように、リペア処理を実行する（Ｓ２０）。
【０１４９】
まず、ショート欠陥部の有無を検査する（Ｓ２２）。ショート欠陥部は、第２配線パターン３６０の一部であって、平面視において、第１配線パターン３２０と重複する重複部である。具体的には、図１を用いて説明したように、ショート欠陥部の有無を判定し、ショート欠陥部が存在する場合には、その場所を特定する。当該検査は、例えば、顕微鏡を用いた目視などによって実行される。
【０１５０】
ショート欠陥部は、例えば、データ信号線１５１とＶｅｌ電源線１６２との間、あるいは、ドレイン電極２３３とソース電極２３４との間、あるいは、ドレイン電極２５３とソース電極２５４との間に発生しうる。ショート欠陥部は、例えば、フォトリソグラフィ及びウェットエッチングの工程において、ＣｕＭｎ／Ｃｕ／Ｍｏ膜がエッチングにより除去されなかったことにより発生する。例えば、データ信号線１５１とＶｅｌ電源線１６２との間にショート欠陥部が発生した場合、表示パネル１００には、「縦線欠陥」が発生する。
【０１５１】
検査の結果、ショート欠陥部が存在する場合には、当該ショート欠陥部に緑色のパルスレーザ光を１パルス（１回）照射する（Ｓ２４）。具体的には、４９０ｎｍ以上５７０ｎｍ以下のピーク波長を有する緑色のパルスレーザ光を１パルスのみ照射する。より具体的には、１．６０Ｊ／ｃｍ２以上２．０２Ｊ／ｃｍ２以下のエネルギー密度で、パルスレーザ光をショート欠陥部に１パルスのみ照射する。これにより、ショート欠陥部を除去（切断）することで、第２配線パターン３６０のリペア、すなわち、短絡した配線の絶縁化を行う。
【０１５２】
なお、本実施の形態では、緑色のパルスレーザ光をショート欠陥部に直接照射する。すなわち、ＣｕＭｎ／Ｃｕ／Ｍｏ膜を成膜し、パターニングした後、次の層（具体的には、パッシベーション膜、平坦化層、有機ＥＬ素子など）を形成する前に、リペア処理を実行する。
【０１５３】
これにより、レーザ光のエネルギーを効率良くＣｕＭｎ／Ｃｕ／Ｍｏ膜に伝えることができ、ショート欠陥部の除去を効率良く行うことができる。また、他の層（上層に形成する有機ＥＬ素子など）への影響を少なくすることができる。
【０１５４】
最後に、ＴＦＴの上方に、発光素子２１０として有機ＥＬ素子を形成する（Ｓ３０）。具体的には、ポリイミドなどからなる平坦化膜を形成した後、平坦化膜上に有機ＥＬ素子を形成する。より具体的には、平坦化膜上に、陽極、発光層を含む有機機能層、及び、陰極を順に積層することで、有機ＥＬ素子を形成する。
【０１５５】
［６．まとめ］
以上のように、本実施の形態に係る表示パネル１００の製造方法は、基板３１０の上方に設けられた第１配線パターン３２０と、絶縁層３５０を介して第１配線パターン３２０の上方に設けられた第２配線パターン３６０とを備える表示パネルの製造方法であって、第２配線パターン３６０は、銅とモリブデンとの積層構造を有し、表示パネル１００の製造方法は、第２配線パターン３６０の一部であって、平面視において第１配線パターン３２０と重複する重複部に、緑色のパルスレーザ光を１パルス照射することで、第１配線パターン３２０を残しつつ、重複部を除去する工程を含む。
【０１５６】
これにより、緑色のパルスレーザ光を１回照射することで、Ｃｕ／Ｍｏ膜を適切に除去することができ、かつ、下層に位置する第１配線パターン３２０を残存させることができる。したがって、第１配線パターン３２０へのダメージを抑制しつつ、第２配線パターン３６０の加工及びショート欠陥部の除去（切断）などを行うことができる。簡単に言うと、下層配線にダメージを与えることなく、上層配線を適切に除去し切断することができる。
【０１５７】
また、例えば、本実施の形態では、パルスレーザ光のピーク波長は、４９０ｎｍ以上５７０ｎｍ以下である。
【０１５８】
これにより、Ｃｕ膜及びＭｏ膜の各々の光の吸収率が略同じである範囲のピーク波長を有するパルスレーザ光を用いるので、Ｃｕ／Ｍｏ膜にパルスレーザ光のエネルギーを略均等に伝えることができる。したがって、Ｃｕ／Ｍｏ膜が略同時に昇華されて適切に除去することができる。
【０１５９】
また、例えば、本実施の形態では、除去する工程では、１．６０Ｊ／ｃｍ２以上２．０２Ｊ／ｃｍ２以下のエネルギー密度で、パルスレーザ光を重複部に１パルスのみ照射する。
【０１６０】
これにより、パルスレーザ光のエネルギーが弱すぎて、Ｃｕ／Ｍｏ膜が昇華されないで残ることを抑制することができる。また、パルスレーザ光のエネルギーが強すぎて、照射範囲の周辺部が隆起するなどのダメージを与えること、及び、下層の第１配線パターン２０を除去してしまうことを抑制することができる。
【０１６１】
また、例えば、本実施の形態では、除去する工程では、パルスレーザ光を重複部に直接照射する。
【０１６２】
これにより、第２配線パターン３６０を形成直後にパルスレーザ光を照射するので、パルスレーザ光が他の層へ与える影響を小さくすることができる。
【０１６３】
また、例えば、本実施の形態では、第２配線パターン３６０は、複数の配線を含み、表示パネル１００の製造方法は、さらに、複数の配線のうち２つの間を短絡するショート欠陥部である重複部の有無を検査する工程を含み、除去する工程では、ショート欠陥部が存在する場合に、パルスレーザ光をショート欠陥部に照射することで、ショート欠陥部を除去して複数の配線のうち２つを絶縁する。
【０１６４】
これにより、第１配線パターン３２０が除去されるのを抑制しつつ、第２配線パターン３６０のショート欠陥を修復することができる。
【０１６５】
また、例えば、本実施の形態では、表示パネル１００の製造方法は、さらに、複数の配線の１つをソース電極又はドレイン電極として有するトランジスタを形成する工程と、トランジスタによって発光が制御される発光素子を形成する工程とを含む。
【０１６６】
また、例えば、本実施の形態では、発光素子は、有機ＥＬ素子である。
【０１６７】
なお、有機ＥＬ素子を駆動するための画素回路では、例えば５つのトランジスタを有するなど配線パターンの高精細化が求められる。本実施の形態によれば、緑色のパルスレーザ光を用いた微細加工が可能になるので、より有用である。
【０１６８】
また、例えば、本実施の形態に係る表示パネル１００のリペア方法は、基板３１０の上方に設けられた第１配線パターン３２０と、絶縁層３５０を介して第１配線パターン３２０の上方に設けられた第２配線パターン３６０とを備える表示パネル１００のリペア方法であって、第２配線パターン３６０は、銅とモリブデンとの積層構造を有し、表示パネル１００のリペア方法は、第２配線パターン３６０の一部であって、平面視において第１配線パターン３２０と重複し、かつ、第２配線パターン３６０が含む複数の配線のうち２つの間を短絡するショート欠陥部に、緑色のパルスレーザ光を１パルス照射することで、第１配線パターン３２０を残しつつ、ショート欠陥部を除去して複数の配線のうち２つを絶縁する工程を含む。
【０１６９】
これにより、緑色のパルスレーザ光を用いることで、Ｃｕ／Ｍｏ膜を適切に除去することができる。したがって、第１配線パターン３２０が除去されるのを抑制しつつ、第２配線パターン３６０のショート欠陥部の除去（切断）を行うことができる。
【０１７０】
（他の実施の形態）
以上のように、本出願において開示する技術の例示として、実施の形態を説明した。しかしながら、本開示における技術は、これに限定されず、適宜、変更、置き換え、付加、省略などを行った実施の形態にも適用可能である。
【０１７１】
そこで、以下では、他の実施の形態を例示する。
【０１７２】
例えば、上記実施の形態では、ショート欠陥部に緑色のパルスレーザ光を照射することで、当該ショート欠陥部を除去（切断）する例について示したが、これに限らない。つまり、上記実施の形態では、意図せずにできたショート欠陥部（配線パターンの一部）に緑色のパルスレーザ光を照射したが、意図して形成した配線パターンの一部に緑色のパルスレーザ光を照射してもよい。すなわち、緑色のパルスレーザ光を照射することで、配線パターンを加工してもよい。これにより、配線パターンの微細加工を実現することができる。
【０１７３】
また、例えば、上記実施の形態では、銅（Ｃｕ）とモリブデン（Ｍｏ）との積層構造について、Ｍｏ膜上にＣｕ膜が形成された例について示したが、これに限らない。例えば、Ｃｕ膜上にＭｏ膜が形成されてもよい。また、Ｃｕ膜とＭｏ膜との間に他の金属層が含まれてもよい。このときの他の金属層は、例えば、光の吸収率がＣｕ及びＭｏと同等である金属材料を主成分として含んでいることが好ましい。
【０１７４】
また、例えば、上記実施の形態では、パルスレーザ光を用いたが、これに限らない。パルスレーザ光の代わりに、ＣＷレーザ光を用いてもよい。この場合、ＣＷレーザ光の照射時間を適切に設定することで、配線パターンの一部を除去することができる。
【０１７５】
また、例えば、上記実施の形態では、パルスレーザ光を１回のみ照射する例について示したが、これに限らない。例えば、上述した条件のパルスレーザ光を１回照射した後又は照射する前に、微弱なパルスレーザ光を照射してもよい。つまり、上述したエネルギー密度、パルス幅、ピーク波長を有するパルスレーザ光を１回のみ照射するが、当該パルスレーザ光よりエネルギー密度及びパルス幅が十分に小さいパルスレーザ光を追加照射してもよい。すなわち、実質的に１回のみのパルスレーザ光の照射であればよい。
【０１７６】
また、例えば、上記実施の形態では、配線パターンを形成直後にパルスレーザ光を照射する例について示したが、これに限らない。例えば、パッシベーション膜又は平坦化膜を成膜した後に、パルスレーザ光を照射してもよい。
【０１７７】
以上のように、本開示における技術の例示として、実施の形態を説明した。そのために、添付図面及び詳細な説明を提供した。
【０１７８】
したがって、添付図面及び詳細な説明に記載された構成要素の中には、課題解決のために必須な構成要素だけでなく、上記技術を例示するために、課題解決のためには必須でない構成要素も含まれ得る。そのため、それらの必須ではない構成要素が添付図面や詳細な説明に記載されていることをもって、直ちに、それらの必須ではない構成要素が必須であるとの認定をするべきではない。
【０１７９】
また、上述の実施の形態は、本開示における技術を例示するためのものであるから、特許請求の範囲又はその均等の範囲において種々の変更、置き換え、付加、省略などを行うことができる。
【産業上の利用可能性】
【０１８０】
本開示に係る表示パネルの製造方法及びリペア方法は、銅とモリブデンとの積層構造を有する金属膜の加工、又は、不要な金属膜の除去などを行うことができ、例えば、有機ＥＬ表示パネルなどの表示パネルの製造方法及びリペア方法などに利用することができる。
【符号の説明】
【０１８１】
１０、３１０  基板
２０、３２０  第１配線パターン
３０  絶縁層
４０、３６０  第２配線パターン
４１  ショート欠陥部
４２  第１配線
４３  第２配線
１００  表示パネル
１１０  表示領域
１２０  走査線駆動回路
１３０  データ線駆動回路
１４０、１５０  配線
１４１  ＳＣＡＮ信号線
１４２  ＥＮＢ信号線
１４３  ＲＥＦ信号線
１４４  ＩＮＩ信号線
１５１  データ信号線
１６１  Ｖｔｆｔ電源線
１６２  Ｖｅｌ電源線
１６３  Ｖｒｅｆ電源線
１６４  Ｖｉｎｉ電源線
２００  画素
２１０  発光素子
２２０  駆動トランジスタ
２３０  選択トランジスタ
２３１、２５１  ゲート電極
２３２、２５２  チャネル層
２３３、２５３  ドレイン電極
２３４、２５４  ソース電極
２４０  イネーブルトランジスタ
２５０  ＲＥＦトランジスタ
２６０  ＩＮＩトランジスタ
２７０  保持容量
３３０  ゲート絶縁層
３４０  半導体層
３４１  半導体膜
３５０  絶縁層
３５１  層間絶縁膜
３６１  ソースドレイン金属膜
３７１、３７２、３７３、３７４、３７５  コンタクトホール
【図１】
2016102949.tif 000004
【図２】
2016102949.tif 000005
【図３】
2016102949.tif 000006
【図４Ａ】
2016102949.tif 000007
【図４Ｂ】
2016102949.tif 000008
【図５】
2016102949.tif 000009
【図６】
2016102949.tif 000010
【図８】
2016102949.tif 000011
【図９】
2016102949.tif 000012
【図１０】
2016102949.tif 000013
【図１１】
2016102949.tif 000014
【図１２】
2016102949.tif 000015
【図１３Ａ】
2016102949.tif 000016
【図１３Ｂ】
2016102949.tif 000017
【図７】
2016102949.tif 000018