(57)【要約】【課題】  第１の本発明の目的は、裏面保護フィルムと半導体ウエハを貼り合わせた後に半導体ウエハのノッチを検出することが可能で、裏面保護フィルムのはみ出しを防止できる裏面保護フィルムなどを提供することである。第２の本発明の目的は、裏面保護フィルムと半導体ウエハを貼り合わせた後に半導体ウエハのノッチを検出できる裏面保護フィルムなどを提供することである。【解決手段】  第１の本発明は、半導体ウエハの裏面に貼りつけるための裏面保護フィルムなどに関する。裏面保護フィルムの外周は半導体ウエハの外周より小さく、裏面保護フィルムにはノッチが設けられている。第２の本発明は、波長５５５ｎｍの全光線透過率が３％以上である裏面保護フィルムなどに関する。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウエハの裏面に貼りつけるための裏面保護フィルムであって、
外周が前記半導体ウエハの外周より小さく、ノッチが設けられた裏面保護フィルム。
【請求項２】
セパレータと、
前記セパレータ上に配置された請求項１に記載の裏面保護フィルムとを含むフィルム。
【請求項３】
ロール状をなす請求項２に記載のフィルム。
【請求項４】
半導体ウエハ、および外周が前記半導体ウエハの外周より小さく、ノッチが設けられた裏面保護フィルムを貼り合わせる工程を含む半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記半導体ウエハおよび前記裏面保護フィルムを貼り合わせる工程は、前記半導体ウエハおよび前記裏面保護フィルムを貼り合わせることにより、前記半導体ウエハおよび前記半導体ウエハの裏面と接した前記裏面保護フィルムを含み、前記裏面保護フィルムを手前に配置し前記半導体ウエハに対して直角の方向で見たときに、前記裏面保護フィルムの前記ノッチが、前記半導体ウエハに設けられたノッチの輪郭の一部と重なった輪郭をなす積層板を形成する工程である請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記半導体ウエハおよび前記裏面保護フィルムを貼り合わせる工程は、前記半導体ウエハおよび前記裏面保護フィルムを貼り合わせることにより、前記半導体ウエハおよび前記半導体ウエハの裏面と接した前記裏面保護フィルムを含み、前記裏面保護フィルムを手前に配置し前記半導体ウエハに対して直角の方向で見たときに、前記半導体ウエハに設けられたノッチの輪郭が、前記裏面保護フィルムの前記ノッチの輪郭より前記半導体ウエハの半径方向における外側に位置する形状をなす積層板を形成する工程である請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
半導体素子および前記半導体素子の裏面上に配置された保護膜を含む保護チップの製造方法であって、
半導体ウエハ、および外周が前記半導体ウエハの外周より小さく、ノッチが設けられた裏面保護フィルムを貼り合わせる工程を含む保護チップの製造方法。
【請求項８】
半導体ウエハの裏面に貼りつけるための裏面保護フィルムであって、
波長５５５ｎｍの全光線透過率が３％以上である裏面保護フィルム。
【請求項９】
セパレータと、
前記セパレータ上に配置された請求項８に記載の裏面保護フィルムとを含むフィルム。
【請求項１０】
半導体ウエハおよび波長５５５ｎｍの全光線透過率が３％以上である裏面保護フィルムを貼り合わせる工程を含む半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
半導体素子および前記半導体素子の裏面上に配置された保護膜を含む保護チップの製造方法であって、
半導体ウエハおよび波長５５５ｎｍの全光線透過率が３％以上である裏面保護フィルムを貼り合わせる工程を含む保護チップの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、裏面保護フィルム、フィルム、半導体装置の製造方法および保護チップの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体チップなどの半導体素子が基板上にフリップチップボンディングにより実装されたフリップチップ型の半導体装置が広く利用されている。フリップチップ型の半導体装置では、半導体素子の損傷などを防止するために、半導体素子の裏面に裏面保護フィルムが設けられることがある。通常、レーザーで印字されたマーク（以下、「レーザーマーク」という）を視認可能とするために、裏面保護フィルムは着色されている（たとえば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特許４７６２９５９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
裏面保護フィルムは着色されているため、裏面保護フィルムと半導体ウエハを貼り合わせた後に半導体ウエハのノッチを検出することは困難である。また、裏面保護フィルムと半導体ウエハを貼り合わせることにより裏面保護フィルムのはみ出しが生じることがある。
【０００５】
第１の本発明の目的は、裏面保護フィルムと半導体ウエハを貼り合わせた後に半導体ウエハのノッチを検出することが可能で、裏面保護フィルムのはみ出しを防止できる裏面保護フィルムおよびフィルムを提供することである。第１の本発明の目的は、裏面保護フィルムと半導体ウエハを貼り合わせた後に半導体ウエハのノッチを検出することが可能で、裏面保護フィルムのはみ出しを防止できる半導体装置の製造方法および保護チップの製造方法を提供することである。
【０００６】
第２の本発明の目的は、裏面保護フィルムと半導体ウエハを貼り合わせた後に半導体ウエハのノッチを検出できる裏面保護フィルムおよびフィルムを提供することである。第２の本発明の目的は、裏面保護フィルムと半導体ウエハを貼り合わせた後に半導体ウエハのノッチを検出できる半導体装置の製造方法および保護チップの製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
第１の本発明は、半導体ウエハの裏面に貼りつけるための裏面保護フィルムに関する。裏面保護フィルムの外周は半導体ウエハの外周より小さく、裏面保護フィルムにはノッチが設けられている。裏面保護フィルムの外周が半導体ウエハの外周より小さいことにより、裏面保護フィルムのはみ出しを防止できる。裏面保護フィルムにノッチが設けられていることにより、裏面保護フィルムと半導体ウエハを貼り合わせた後に半導体ウエハのノッチを検出できる。
【０００８】
第１の本発明はまた、セパレータおよびセパレータ上に配置された裏面保護フィルムを含むフィルムに関する。フィルムは、好ましくはロール状をなす。
【０００９】
第１の本発明はまた、半導体ウエハおよび裏面保護フィルムを貼り合わせる工程を含む半導体装置の製造方法に関する。半導体ウエハおよび裏面保護フィルムを貼り合わせる工程は、好ましくは半導体ウエハおよび裏面保護フィルムを貼り合わせることにより積層板を形成する工程である。積層板は、半導体ウエハおよび半導体ウエハの裏面と接した裏面保護フィルムを含む。
【００１０】
裏面保護フィルムを手前に配置し半導体ウエハに対して直角の方向で積層板を見たときに、裏面保護フィルムのノッチが、半導体ウエハに設けられたノッチの輪郭の一部と重なった輪郭をなすことがある。裏面保護フィルムを手前に配置し半導体ウエハに対して直角の方向で積層板を見たときに、半導体ウエハに設けられたノッチの輪郭が、裏面保護フィルムのノッチの輪郭より半導体ウエハの半径方向における外側に位置することもある。
【００１１】
第１の本発明はまた、半導体ウエハおよび裏面保護フィルムを貼り合わせる工程含む保護チップの製造方法に関する。保護チップは、半導体素子および半導体素子の裏面上に配置された保護膜を含む。
【００１２】
本発明者は、裏面保護フィルムにおける波長５５５ｎｍの全光線透過率を高めることにより、裏面保護フィルムと半導体ウエハを貼り合わせた後に半導体ウエハのノッチを検出できることを見出し、第２の本発明を完成させた。
【００１３】
第２の本発明は、半導体ウエハの裏面に貼りつけるための裏面保護フィルムに関する。裏面保護フィルムにおける波長５５５ｎｍの全光線透過率が３％以上である。３％以上であることにより、裏面保護フィルムと半導体ウエハを貼り合わせた後に半導体ウエハのノッチを検出できる。
【００１４】
第２の本発明はまた、セパレータおよびセパレータ上に配置された裏面保護フィルムを含むフィルムに関する。
【００１５】
第２の本発明はまた、半導体ウエハおよび裏面保護フィルムを貼り合わせる工程を含む半導体装置の製造方法に関する。
【００１６】
第２の本発明はまた、半導体ウエハおよび裏面保護フィルムを貼り合わせる工程を含む保護チップの製造方法に関する。保護チップは、半導体素子および半導体素子の裏面上に配置された保護膜を含む。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】実施形態１におけるフィルムの概略平面図である。
【図２】フィルムの一部の概略断面図である。
【図３】裏面保護フィルムの概略平面図である。
【図４】半導体ウエハの概略平面図である。
【図５】積層板の概略平面図である。
【図６】半導体装置の製造工程の概略断面図である。
【図７】半導体装置の製造工程の概略断面図である。
【図８】半導体装置の製造工程の概略断面図である。
【図９】変形例１における積層板の概略平面図である。
【図１０】変形例２における裏面保護フィルムの概略平面図である。
【図１１】変形例３における裏面保護フィルムの概略平面図である。
【図１２】実施形態２におけるフィルムの概略平面図である。
【図１３】フィルムの一部の概略断面図である。
【図１４】裏面保護フィルムの概略平面図である。
【図１５】積層板の概略平面図である。
【図１６】半導体装置の製造工程の概略断面図である。
【図１７】半導体装置の製造工程の概略断面図である。
【図１８】半導体装置の製造工程の概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下に実施形態を掲げ、本発明を詳細に説明するが、本発明はこれらの実施形態のみに限定されるものではない。
【００１９】
［実施形態１］
（半導体装置の製造方法・保護チップ５の製造方法）
図１および図２に示すように、フィルム１はロール状をなす。フィルム１は、セパレータ１２およびセパレータ１２上に配置された裏面保護フィルム１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃ、……、１１１ｍ（以下、「裏面保護フィルム１１１」と総称する。）を含む。フィルム１は、裏面保護フィルム１１１上に配置されたセパレータ１３をさらに含む。裏面保護フィルム１１１は、セパレータ１２と接する第１面、および第１面に対向した第２面で両面を定義できる。第２面はセパレータ１３と接する。
【００２０】
裏面保護フィルム１１１ａと裏面保護フィルム１１１ｂのあいだの距離、裏面保護フィルム１１１ｂと裏面保護フィルム１１１ｃのあいだの距離、……裏面保護フィルム１１１ｌと裏面保護フィルム１１１ｍのあいだの距離は一定である。セパレータ１３は、巻芯と接する第１端、および第１端と対をなす第２端で両端を定義できる。ノッチ１０１ａ、１０１ｂ、１０１ｃ、……、１０１ｍ（以下、「ノッチ１０１」と総称する。）は、第１端と第２端を結ぶ方向の第１端よりに位置する。第１端よりに位置することにより、裏面保護フィルム１１１と半導体ウエハ４を容易に貼り合わせることができる。
【００２１】
図３に示すように、裏面保護フィルム１１１は、ノッチ１０１が設けられた円盤状をなす。
【００２２】
裏面保護フィルム１１１に設けられたノッチ１０１の形状は、ノッチ４１の一部の形状と同じである。裏面保護フィルム１１１にノッチ１０１が設けられていることにより、裏面保護フィルム１１１と半導体ウエハ４を貼り合わせた後に半導体ウエハ４のノッチ４１を検出できる。
【００２３】
裏面保護フィルム１１１の外周は、半導体ウエハ４の外周より小さい。裏面保護フィルム１１１の外周が小さいことにより、裏面保護フィルム１１１のはみ出しを防止できる。
【００２４】
図４に示すように、半導体ウエハ４にはノッチ４１が設けられている。半導体ウエハ４は、回路面、および回路面に対向した裏面（非回路面、非電極形成面などとも称される）で両面を定義できる。半導体ウエハ４としては、シリコンウエハを好適に用いることができる。
【００２５】
図５に示すように、裏面保護フィルム１１１と半導体ウエハ４を貼り合わせることにより積層板７を形成する。具体的には、セパレータ１３を剥離し、裏面保護フィルム１１１と半導体ウエハ４を貼り合わせることにより積層板７を形成する。
【００２６】
積層板７は、半導体ウエハ４および半導体ウエハ４の裏面と接した裏面保護フィルム１１１を含む。裏面保護フィルム１１１を手前に配置し半導体ウエハ４に対して直角の方向で積層板７を見たときに、裏面保護フィルム１１１のノッチ１０１は、半導体ウエハ４のノッチ４１の輪郭の一部と重なった輪郭をなす。
【００２７】
必要に応じて積層板７を加熱することにより、裏面保護フィルム１１１を硬化する。加熱温度は適宜設定できる。
【００２８】
ノッチ４１を検出するための検出センサーにより、裏面保護フィルム１１１と接した半導体ウエハ４のノッチ４１を検出する。これにより、半導体ウエハ４に設けられたノッチ４１の位置情報を得ることが可能で、裏面保護フィルム１１１におけるレーザーをあてる領域を特定できる。検出センサーとしては、マイクロスコープなどが挙げられる。
【００２９】
必要に応じて積層板７の裏面保護フィルム１１１にレーザーで印字する。なお、レーザーで印字する際には、公知のレーザーマーキング装置を利用することができる。また、レーザーとしては、気体レーザー、個体レーザー、液体レーザーなどを利用することができる。具体的には、気体レーザーとしては、特に制限されず、公知の気体レーザーを利用することができるが、炭酸ガスレーザー（ＣＯ２レーザー）、エキシマレーザー（ＡｒＦレーザー、ＫｒＦレーザー、ＸｅＣｌレーザー、ＸｅＦレーザーなど）が好適である。また、固体レーザーとしては、特に制限されず、公知の固体レーザーを利用することができるが、ＹＡＧレーザー（Ｎｄ：ＹＡＧレーザーなど）、ＹＶＯ４レーザーが好適である。
【００３０】
ノッチ４１を検出するための検出センサーにより、裏面保護フィルム１１１と接した半導体ウエハ４のノッチ４１を検出する。これにより、半導体ウエハ４に設けられたノッチ４１の位置情報を得ることが可能で、半導体ウエハ４の位置とダイシングテープ１７の位置を合わせることができる。
【００３１】
図６に示すように、積層板７とダイシングテープ１７を貼り合わせる。ダイシングテープ１７は、基材１７１および基材１７１上に配置された粘着剤層１７２を含む。粘着剤層１７２は、放射線により硬化する性質を有することが好ましい。放射線としては紫外線が好ましい。
【００３２】
図７に示すように、半導体ウエハ４のダイシングを行う。これにより、保護チップ５を形成する。保護チップ５は、半導体素子４１および半導体素子４１の裏面上に配置された保護膜１１２を含む。半導体素子４１は、回路面（表面、回路パターン形成面、電極形成面などとも称される）、および回路面に対向した裏面で両面を定義できる。ダイシングは、ダイシングテープ１７を吸着台８に真空吸着させた状態で、たとえば、半導体ウエハ４の回路面側から常法に従い行われる。フルカットと呼ばれる切断方式などを採用できる。本工程で用いるダイシング装置としては特に限定されず、従来公知のものを用いることができる。半導体素子４１は、好ましくはフリップチップである。
【００３３】
次いで、保護チップ５を粘着剤層１７２から剥離する。すなわち、保護チップ５をピックアップする。ピックアップの方法としては特に限定されず、従来公知の種々の方法を採用できる。たとえば、保護チップ５をニードルによって突き上げ、突き上げられた保護チップ５をピックアップ装置によってピックアップする方法などが挙げられる。
【００３４】
図８に示すように、フリップチップボンディング方式（フリップチップ実装方式）により、保護チップ５を被着体６に固定する。具体的には、半導体素子４１の回路面が被着体６と対向する形態で、保護チップ５を被着体６に固定する。たとえば、半導体素子４１の回路面上に設けられたバンプ５１を、被着体６の接続パッドに被着された接合用の導電材（半田など）６１に接触させて押圧しながら導電材６１を溶融させることにより、半導体素子４１と被着体６との電気的導通を確保し、保護チップ５を被着体６に固定することができる（フリップチップボンディング工程）。このとき、保護チップ５と被着体６との間には空隙が形成されており、その空隙間距離は、一般的に３０μｍ〜３００μｍ程度である。なお、保護チップ５を被着体６上にフリップチップボンディング（フリップチップ接続）した後は、保護チップ５と被着体６との対向面や間隙を洗浄し、間隙に封止材（封止樹脂など）を充填させて封止することができる。
【００３５】
被着体６としては、リードフレームや回路基板（配線回路基板など）などの基板を用いることができる。このような基板の材質としては、特に限定されるものではないが、セラミック基板や、プラスチック基板が挙げられる。プラスチック基板としては、たとえば、エポキシ基板、ビスマレイミドトリアジン基板、ポリイミド基板などが挙げられる。
【００３６】
バンプや導電材の材質としては、特に限定されず、たとえば、錫−鉛系金属材、錫−銀系金属材、錫−銀−銅系金属材、錫−亜鉛系金属材、錫−亜鉛−ビスマス系金属材などの半田類（合金）や、金系金属材、銅系金属材などが挙げられる。
【００３７】
なお、導電材６１の溶融時の温度は、通常、２６０℃程度（たとえば、２５０℃〜３００℃）である。裏面保護フィルム１１１がエポキシ樹脂を含むことにより、かかる温度に耐えることが可能である。
【００３８】
本工程では、保護チップ５と被着体６との対向面（電極形成面）や間隙の洗浄を行うのが好ましい。洗浄に用いられる洗浄液としては、特に制限されず、たとえば、有機系の洗浄液や、水系の洗浄液が挙げられる。
【００３９】
次に、フリップチップボンディングされた保護チップ５と被着体６との間の間隙を封止するための封止工程を行う。封止工程は、封止樹脂を用いて行われる。このときの封止条件としては特に限定されないが、通常、１７５℃で６０秒間〜９０秒間の加熱を行うことにより、封止樹脂の熱硬化が行われるが、本発明はこれに限定されず、たとえば１６５℃〜１８５℃で、数分間キュアすることができる。また、当該工程により、保護膜１１２を完全にまたはほぼ完全に熱硬化させることができる。さらに、保護膜１１２は、未硬化状態であっても当該封止工程の際に、封止材と共に熱硬化させることができるので、保護膜１１２を熱硬化させるための工程を新たに追加する必要がない。
【００４０】
封止樹脂としては、絶縁性を有する樹脂（絶縁樹脂）であれば特に制限されない。封止樹脂としては、弾性を有する絶縁樹脂がより好ましい。封止樹脂としては、たとえば、エポキシ樹脂を含む樹脂組成物などが挙げられる。また、エポキシ樹脂を含む樹脂組成物による封止樹脂としては、樹脂成分として、エポキシ樹脂以外に、エポキシ樹脂以外の熱硬化性樹脂（フェノール樹脂など）や、熱可塑性樹脂などが含まれていてもよい。なお、フェノール樹脂としては、エポキシ樹脂の硬化剤としても利用することができる。封止樹脂の形状は、フィルム状、タブレット状などである。
【００４１】
以上の方法により得られた半導体装置（フリップチップ実装の半導体装置）は、被着体６および被着体６に固定された保護チップ５を含む。かかる半導体装置の保護膜１１２にレーザーで印字することが可能である。
【００４２】
フリップチップ実装方式で実装された半導体装置は、ダイボンディング実装方式で実装された半導体装置よりも、薄く、小さい。このため、各種の電子機器・電子部品またはそれらの材料・部材として好適に用いることができる。具体的には、フリップチップ実装の半導体装置が利用される電子機器としては、いわゆる「携帯電話」、「ＰＨＳ」、小型のコンピュータ（たとえば、いわゆる「ＰＤＡ」（携帯情報端末）、いわゆる「ノートパソコン」、いわゆる「ネットブック（商標）」、いわゆる「ウェアラブルコンピュータ」など）、「携帯電話」およびコンピュータが一体化された小型の電子機器、いわゆる「デジタルカメラ（商標）」、いわゆる「デジタルビデオカメラ」、小型のテレビ、小型のゲーム機器、小型のデジタルオーディオプレイヤー、いわゆる「電子手帳」、いわゆる「電子辞書」、いわゆる「電子書籍」用電子機器端末、小型のデジタルタイプの時計などのモバイル型の電子機器（持ち運び可能な電子機器）などが挙げられるが、もちろん、モバイル型以外（設置型など）の電子機器（たとえば、いわゆる「ディスクトップパソコン」、薄型テレビ、録画・再生用電子機器（ハードディスクレコーダー、ＤＶＤプレイヤーなど）、プロジェクター、マイクロマシンなど）などであってもよい。また、電子部品または、電子機器・電子部品の材料・部材としては、たとえば、いわゆる「ＣＰＵ」の部材、各種記憶装置（いわゆる「メモリー」、ハードディスクなど）の部材などが挙げられる。
【００４３】
以上のとおり、半導体装置の製造方法は、半導体ウエハ４と裏面保護フィルム１１１を貼り合わせる工程を含む。半導体装置の製造方法は、半導体ウエハ４と裏面保護フィルム１１１を貼り合わせる工程の後に、レーザーで裏面保護フィルム１１１に印字する工程をさらに含む。レーザーで裏面保護フィルム１１１に印字する工程は、半導体ウエハ４のノッチ４１を検出するステップを含む。半導体装置の製造方法は、半導体ウエハ４と裏面保護フィルム１１１を貼り合わせる工程により形成された積層板７とダイシングテープ１７を貼り合わせる工程をさらに含む。積層板７とダイシングテープ１７を貼り合わせる工程は、半導体ウエハ４のノッチ４１を検出するステップを含む。
【００４４】
積層板７とダイシングテープ１７を貼り合わせる工程の後に、ダイシングにより保護チップ５を形成する工程をさらに含む。半導体装置の製造方法は、保護チップ５を被着体６に固定する工程をさらに含む。保護チップ５を被着体６に固定する工程は、好ましくはフリップチップ接続により、保護チップ５を被着体６に固定する工程である。
【００４５】
（裏面保護フィルム１１１）
裏面保護フィルム１１１は有色であることが好ましい。裏面保護フィルム１１１が有色であることにより、レーザーマークを容易に視認できる。裏面保護フィルム１１１は、たとえば、黒色、青色、赤色などの濃色であることが好ましい。黒色が特に好ましい。
【００４６】
濃色とは、基本的には、Ｌ*ａ*ｂ*表色系で規定されるＬ*が、６０以下（０〜６０）［好ましくは５０以下（０〜５０）、さらに好ましくは４０以下（０〜４０）］となる濃い色のことを意味している。
【００４７】
また、黒色とは、基本的には、Ｌ*ａ*ｂ*表色系で規定されるＬ*が、３５以下（０〜３５）［好ましくは３０以下（０〜３０）、さらに好ましくは２５以下（０〜２５）］となる黒色系色のことを意味している。なお、黒色において、Ｌ*ａ*ｂ*表色系で規定されるａ*やｂ*は、それぞれ、Ｌ*の値に応じて適宜選択することができる。ａ*やｂ*としては、たとえば、両方とも、−１０〜１０であることが好ましく、より好ましくは−５〜５であり、特に−３〜３の範囲（中でも０またはほぼ０）であることが好適である。
【００４８】
なお、Ｌ*ａ*ｂ*表色系で規定されるＬ*、ａ*、ｂ*は、色彩色差計（商品名「ＣＲ−２００」ミノルタ社製；色彩色差計）を用いて測定することにより求められる。なお、Ｌ*ａ*ｂ*表色系は、国際照明委員会（ＣＩＥ）が１９７６年に推奨した色空間であり、ＣＩＥ１９７６（Ｌ*ａ*ｂ*）表色系と称される色空間のことを意味している。また、Ｌ*ａ*ｂ*表色系は、日本工業規格では、ＪＩＳ Ｚ ８７２９に規定されている。
【００４９】
裏面保護フィルム１１１は通常、未硬化状態である。未硬化状態は半硬化状態を含む。裏面保護フィルム１１１は、好ましくは半硬化状態である。
【００５０】
８５℃および８５％ＲＨの雰囲気下で１６８時間放置したときの、裏面保護フィルム１１１の吸湿率は、好ましくは１重量％以下、より好ましくは０．８重量％以下である。１重量％以下であることにより、レーザーマーキング性を向上できる。吸湿率は、無機充填剤の含有量などによってコントロールできる。
【００５１】
裏面保護フィルム１１１における吸湿率の測定方法は、以下のとおりである。すなわち、８５℃、８５％ＲＨの恒温恒湿槽に裏面保護フィルム１１１を１６８時間放置し、放置前後の重量減少率から、吸湿率を求める。
【００５２】
裏面保護フィルム１１１を硬化させることにより得られる硬化物を、８５℃および８５％ＲＨの雰囲気下で１６８時間放置したときの吸湿率は、好ましくは１重量％以下、より好ましくは０．８重量％以下である。１重量％以下であることにより、レーザーマーキング性を向上できる。吸湿率は、無機充填剤の含有量などによってコントロールできる。
【００５３】
硬化物における吸湿率の測定方法は、以下のとおりである。すなわち、８５℃、８５％ＲＨの恒温恒湿槽に硬化物を１６８時間放置し、放置前後の重量減少率から、吸湿率を求める。
【００５４】
裏面保護フィルム１１１におけるエタノール抽出のゲル分率は、好ましくは５０％以上、より好ましくは７０％以上、よりさらに好ましくは９０％以上である。５０％以上であると、半導体製造プロセスにおける治具などへの固着を防ぐことができる。
【００５５】
なお、裏面保護フィルム１１１のゲル分率は、樹脂成分の種類やその含有量、架橋剤の種類やその含有量の他、加熱温度や加熱時間などによりコントロールすることができる。
【００５６】
裏面保護フィルム１１１の未硬化状態における２３℃での引張貯蔵弾性率は、好ましくは０．５ＧＰａ以上、より好ましくは０．７５ＧＰａ以上、さらに好ましくは１ＧＰａ以上である。１ＧＰａ以上であると、裏面保護フィルム１１１がキャリアテープに付着することを防止できる。２３℃での引張貯蔵弾性率の上限は、たとえば５０ＧＰａである。２３℃での引張貯蔵弾性率は、樹脂成分の種類やその含有量、充填材の種類やその含有量などによりコントロールすることができる。
【００５７】
裏面保護フィルム１１１は導電性であっても、非導電性であってもよい。
【００５８】
裏面保護フィルム１１１の半導体ウエハ４に対する接着力（２３℃、剥離角度１８０°、剥離速度３００ｍｍ／分）は、好ましくは１Ｎ／１０ｍｍ幅以上、より好ましくは２Ｎ／１０ｍｍ幅以上、さらに好ましくは４Ｎ／１０ｍｍ幅以上である。一方、かかる接着力は、好ましくは１０Ｎ／１０ｍｍ幅以下である。１Ｎ／１０ｍｍ幅以上であることにより、優れた密着性で半導体ウエハ４や半導体素子に貼着されており、浮きなどの発生を防止することができる。また、半導体ウエハ４のダイシングの際にチップ飛びが発生するのを防止することもできる。なお、裏面保護フィルム１１１の半導体ウエハ４に対する接着力は、たとえば、次の通りにして測定した値である。すなわち、裏面保護フィルム１１１の一方の面に、粘着テープ（商品名「ＢＴ３１５」日東電工株式会社製）を貼着して裏面補強する。その後、裏面補強した長さ１５０ｍｍ、幅１０ｍｍの裏面保護フィルム１１１の表面（おもてめん）に、厚み０．６ｍｍの半導体ウエハ４を、５０℃で２ｋｇのローラーを一往復して熱ラミネート法により貼り合わせる。その後、熱板上（５０℃）に２分間静置した後、常温（２３℃程度）で２０分静置する。静置後、剥離試験機（商品名「オートグラフＡＧＳ−Ｊ」島津製作所社製）を用いて、温度２３℃の下で、剥離角度：１８０°、引張速度：３００ｍｍ／ｍｉｎの条件下で、裏面補強された裏面保護フィルム１１１を引き剥がす。裏面保護フィルム１１１の半導体ウエハ４に対する接着力は、このときの裏面保護フィルム１１１と半導体ウエハ４との界面で剥離させて測定された値（Ｎ／１０ｍｍ幅）である。
【００５９】
裏面保護フィルム１１１の厚みは、好ましくは２μｍ以上、より好ましくは４μｍ以上、さらに好ましくは６μｍ以上、特に好ましくは１０μｍ以上である。一方、裏面保護フィルム１１１の厚みは、好ましくは２００μｍ以下、より好ましくは１６０μｍ以下、さらに好ましくは１００μｍ以下、よりさらに好ましくは８０μｍ以下、特に好ましくは５０μｍ以下である。
【００６０】
裏面保護フィルム１１１は、好ましくは着色剤を含む。着色剤としては、たとえば、染料、顔料を挙げることができる。なかでも、染料が好ましい。
【００６１】
染料としては、濃色系染料が好ましい。濃色系染料としては、たとえば、黒色染料、青色染料、赤色染料などを挙げることができる。なかでも、黒色染料が好ましい。色材は単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００６２】
裏面保護フィルム１１１における着色剤の含有量は、好ましくは０．５重量％以上、より好ましくは１重量％以上、さらに好ましくは２重量％以上である。裏面保護フィルム１１１における着色剤の含有量は、好ましくは１０重量％以下、より好ましくは８重量％以下、さらに好ましくは５重量％以下である。
【００６３】
裏面保護フィルム１１１は、熱可塑性樹脂を含むことができる。
【００６４】
熱可塑性樹脂としては、たとえば、天然ゴム、ブチルゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、エチレン−アクリル酸エステル共重合体、ポリブタジエン樹脂、ポリカーボネート樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、６−ナイロンや６，６−ナイロンなどのポリアミド樹脂、フェノキシ樹脂、アクリル樹脂、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）やＰＢＴ（ポリブチレンテレフタレート）などの飽和ポリエステル樹脂、ポリアミドイミド樹脂、またはフッ素樹脂などが挙げられる。熱可塑性樹脂は単独でまたは２種以上を併用して用いることができる。なかでも、アクリル樹脂、フェノキシ樹脂が好適である。
【００６５】
アクリル樹脂としては、特に限定されるものではなく、炭素数３０以下（好ましくは炭素数４〜１８、さらに好ましくは炭素数６〜１０、特に好ましくは炭素数８または９）の直鎖もしくは分岐のアルキル基を有するアクリル酸またはメタクリル酸のエステルの１種または２種以上を成分とする重合体などが挙げられる。すなわち、本発明では、アクリル樹脂とは、メタクリル樹脂も含む広義の意味である。アルキル基としては、たとえば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔ−ブチル基、イソブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、へキシル基、ヘプチル基、２−エチルヘキシル基、オクチル基、イソオクチル基、ノニル基、イソノニル基、デシル基、イソデシル基、ウンデシル基、ドデシル基（ラウリル基）、トリデシル基、テトラデシル基、ステアリル基、オクタデシル基などが挙げられる。
【００６６】
また、アクリル樹脂を形成するための他のモノマー（アルキル基の炭素数が３０以下のアクリル酸またはメタクリル酸のアルキルエステル以外のモノマー）としては、特に限定されるものではなく、たとえば、アクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチルアクリレート、カルボキシペンチルアクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸もしくはクロトン酸などの様なカルボキシル基含有モノマー、無水マレイン酸もしくは無水イタコン酸などの様な酸無水物モノマー、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６−ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８−ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０−ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２−ヒドロキシラウリルもしくは（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）−メチルアクリレートなどの様なヒドロキシル基含有モノマー、スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレートもしくは（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸などの様なスルホン酸基含有モノマー、または２−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェートなどの様な燐酸基含有モノマーなどが挙げられる。なお、（メタ）アクリル酸とはアクリル酸および／またはメタクリル酸をいい、本発明の（メタ）とは全て同様の意味である。
【００６７】
裏面保護フィルム１１１における熱可塑性樹脂の含有量は、好ましくは１０重量％以上、より好ましくは３０重量％以上である。裏面保護フィルム１１１における熱可塑性樹脂の含有量は、好ましくは９０重量％以下、より好ましくは７０重量％以下である。
【００６８】
裏面保護フィルム１１１は、熱硬化性樹脂を含むことができる。
【００６９】
熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アミノ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコーン樹脂、熱硬化性ポリイミド樹脂などが挙げられる。熱硬化性樹脂は、単独でまたは２種以上併用して用いることができる。熱硬化性樹脂としては、特に、半導体素子を腐食させるイオン性不純物など含有が少ないエポキシ樹脂が好適である。また、エポキシ樹脂の硬化剤としてはフェノール樹脂を好適に用いることができる。
【００７０】
エポキシ樹脂としては、特に限定は無く、たとえば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、臭素化ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、水添ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、フルオレン型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂、トリスヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂、テトラフェニロールエタン型エポキシ樹脂などの二官能エポキシ樹脂や多官能エポキシ樹脂、またはヒダントイン型エポキシ樹脂、トリスグリシジルイソシアヌレート型エポキシ樹脂もしくはグリシジルアミン型エポキシ樹脂などのエポキシ樹脂を用いることができる。
【００７１】
なかでも、ノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、トリスヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂、テトラフェニロールエタン型エポキシ樹脂が特に好ましい。これらのエポキシ樹脂は、硬化剤としてのフェノール樹脂との反応性に富み、耐熱性などに優れるからである。
【００７２】
さらに、フェノール樹脂は、エポキシ樹脂の硬化剤として作用するものであり、たとえば、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ｔｅｒｔ−ブチルフェノールノボラック樹脂、ノニルフェノールノボラック樹脂などのノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂、ポリパラオキシスチレンなどのポリオキシスチレンなどが挙げられる。フェノール樹脂は単独でまたは２種以上を併用して用いることができる。これらのフェノール樹脂のうちフェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂が特に好ましい。半導体装置の接続信頼性を向上させることができるからである。
【００７３】
エポキシ樹脂とフェノール樹脂の配合割合は、たとえば、エポキシ樹脂中のエポキシ基１当量当たりフェノール樹脂中の水酸基が０．５当量〜２．０当量になるように配合することが好適である。より好適なのは、０．８当量〜１．２当量である。
【００７４】
裏面保護フィルム１１１における熱硬化性樹脂の含有量は、好ましくは２重量％以上、より好ましくは５重量％以上である。裏面保護フィルム１１１における熱硬化性樹脂の含有量は、好ましくは４０重量％以下、より好ましくは２０重量％以下である。
【００７５】
裏面保護フィルム１１１は、エポキシ樹脂とフェノール樹脂の熱硬化促進触媒を含むことができる。熱硬化促進触媒としては、特に制限されず、公知の熱硬化促進触媒の中から適宜選択して用いることができる。熱硬化促進触媒は単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。熱硬化促進触媒としては、たとえば、アミン系硬化促進剤、リン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、ホウ素系硬化促進剤、リン−ホウ素系硬化促進剤などを用いることができる。
【００７６】
裏面保護フィルム１１１を予めある程度架橋させておくため、作製に際し、重合体の分子鎖末端の官能基などと反応する多官能性化合物を架橋剤として添加させておくことが好ましい。これにより、高温下での接着特性を向上させ、耐熱性の改善を図ることができる。
【００７７】
架橋剤としては、特に制限されず、公知の架橋剤を用いることができる。具体的には、たとえば、イソシアネート系架橋剤、エポキシ系架橋剤、メラミン系架橋剤、過酸化物系架橋剤、尿素系架橋剤、金属アルコキシド系架橋剤、金属キレート系架橋剤、金属塩系架橋剤、カルボジイミド系架橋剤、オキサゾリン系架橋剤、アジリジン系架橋剤、アミン系架橋剤などが挙げられる。架橋剤としては、イソシアネート系架橋剤やエポキシ系架橋剤が好適である。また、架橋剤は単独でまたは２種以上組み合わせて使用することができる。
【００７８】
イソシアネート系架橋剤としては、たとえば、１，２−エチレンジイソシアネート、１，４−ブチレンジイソシアネート、１，６−ヘキサメチレンジイソシアネートなどの低級脂肪族ポリイソシアネート類；シクロペンチレンジイソシアネート、シクロへキシレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、水素添加トリレンジイソシアネ−ト、水素添加キシレンジイソシアネ−トなどの脂環族ポリイソシアネート類；２，４−トリレンジイソシアネート、２，６−トリレンジイソシアネート、４，４’−ジフェニルメタンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネートなどの芳香族ポリイソシアネート類などが挙げられ、その他、トリメチロールプロパン／トリレンジイソシアネート３量体付加物［日本ポリウレタン工業（株）製、商品名「コロネートＬ」］、トリメチロールプロパン／ヘキサメチレンジイソシアネート３量体付加物［日本ポリウレタン工業（株）製、商品名「コロネートＨＬ」］なども用いられる。また、エポキシ系架橋剤としては、たとえば、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラグリシジル−ｍ−キシレンジアミン、ジグリシジルアニリン、１，３−ビス（Ｎ，Ｎ−グリシジルアミノメチル）シクロヘキサン、１，６−ヘキサンジオールジグリシジルエーテル、ネオペンチルグリコールジグリシジルエーテル、エチレングリコールジグリシジルエーテル、プロピレングリコールジグリシジルエーテル、ポリエチレングリコールジグリシジルエーテル、ポリプロピレングリコールジグリシジルエーテル、ソルビトールポリグリシジルエーテル、グリセロールポリグリシジルエーテル、ペンタエリスリトールポリグリシジルエーテル、ポリグリセロールポリグリシジルエーテル、ソルビタンポリグリシジルエーテル、トリメチロールプロパンポリグリシジルエーテル、アジピン酸ジグリシジルエステル、ｏ−フタル酸ジグリシジルエステル、トリグリシジル−トリス（２−ヒドロキシエチル）イソシアヌレート、レゾルシンジグリシジルエーテル、ビスフェノール−Ｓ−ジグリシジルエーテルの他、分子内にエポキシ基を２つ以上有するエポキシ系樹脂などが挙げられる。
【００７９】
なお、本発明では、架橋剤を用いる代わりに、あるいは、架橋剤を用いるとともに、電子線や紫外線などの照射により架橋処理を施すことも可能である。
【００８０】
裏面保護フィルム１１１は、充填剤を含むことができる。充填剤を含むことにより、裏面保護フィルム１１１の弾性率の調節などを図ることができる。
【００８１】
充填剤としては、無機充填剤、有機充填剤のいずれであってもよいが、無機充填剤が好適である。無機充填剤としては、たとえば、シリカ、クレー、石膏、炭酸カルシウム、硫酸バリウム、アルミナ、酸化ベリリウム、炭化珪素、窒化珪素などのセラミック類、アルミニウム、銅、銀、金、ニッケル、クロム、鉛、錫、亜鉛、パラジウム、半田などの金属、または合金類、その他カーボンなどからなる種々の無機粉末などが挙げられる。充填剤は単独でまたは２種以上を併用して用いることができる。充填剤としては、なかでも、シリカ、特に溶融シリカが好適である。なお、無機充填剤の平均粒径は０．１μｍ〜８０μｍの範囲内であることが好ましい。無機充填剤の平均粒径は、たとえば、レーザー回折型粒度分布測定装置によって測定することができる。
【００８２】
裏面保護フィルム１１１における充填剤の含有量は、好ましくは１０重量％以上、より好ましくは２０重量％以上である。裏面保護フィルム１１１における充填剤の含有量は、好ましくは７０重量％以下、より好ましくは５０重量％以下である。
【００８３】
裏面保護フィルム１１１は、他の添加剤を適宜含むことができる。他の添加剤としては、たとえば、難燃剤、シランカップリング剤、イオントラップ剤、増量剤、老化防止剤、酸化防止剤、界面活性剤などが挙げられる。
【００８４】
難燃剤としては、たとえば、三酸化アンチモン、五酸化アンチモン、臭素化エポキシ樹脂などが挙げられる。難燃剤は、単独で、または２種以上を併用して用いることができる。シランカップリング剤としては、たとえば、β−（３、４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシランなどが挙げられる。シランカップリング剤は、単独でまたは２種以上を併用して用いることができる。イオントラップ剤としては、たとえばハイドロタルサイト類、水酸化ビスマスなどが挙げられる。イオントラップ剤は、単独でまたは２種以上を併用して用いることができる。
【００８５】
熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂および溶媒などを混合して混合液を調製し、混合液を剥離紙上に塗布し乾燥する方法などにより、裏面保護フィルム１１１を得ることができる。
【００８６】
（セパレータ１２）
セパレータ１２としては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムなどが挙げられる。セパレータ１２は、好ましくは離型処理が施されたものである。セパレータ１２の厚みは適宜設定できる。
【００８７】
（セパレータ１３）
セパレータ１３としては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムなどが挙げられる。セパレータ１３は、好ましくは離型処理が施されたものである。セパレータ１３の厚みは適宜設定できる。
【００８８】
（変形例１）
図９に示すように、裏面保護フィルム１１１を手前に配置し半導体ウエハ４に対して直角の方向で積層板７を見たときに、積層板７は特定の形状をなす。すなわち、半導体ウエハ４のノッチ４１の輪郭が、裏面保護フィルム１１１のノッチ１０１の輪郭より半導体ウエハ４の半径方向における外側に位置する。
【００８９】
（変形例２）
図１０に示すように、ノッチ１０１はＶ字状である。
【００９０】
（変形例３）
図１１に示すように、ノッチ１０１は矩形状である。
【００９１】
（変形例４）
ノッチ１０１はノッチ４１と相似する。ノッチ１０１はノッチ４１より大きい。
【００９２】
（変形例５）
ノッチ１０１の形状は、ノッチ４１の形状と同一である。
【００９３】
（変形例６）
裏面保護フィルム１１１は、第１層および第１層上配置された第２層を含む複層形状をなす。
【００９４】
（その他の変形例）
変形例１〜変形例６などは、任意に組み合わせることができる。
【００９５】
［実施形態２］
以下に実施形態２を説明する。実施形態１で説明した部材と同一の部材の説明は基本的に省略する。
【００９６】
（半導体装置の製造方法）
図１２および図１３に示すように、フィルム９はロール状をなす。フィルム９は、セパレータ１２およびセパレータ１２上に配置された裏面保護フィルム９１１ａ、９１１ｂ、９１１ｃ、……、９１１ｍ（以下、「裏面保護フィルム９１１」と総称する。）を含む。フィルム９は、裏面保護フィルム９１１上に配置されたセパレータ１３をさらに含む。裏面保護フィルム９１１は、セパレータ１２と接する第１面、および第１面に対向した第２面で両面を定義できる。第２面はセパレータ１３と接する。
【００９７】
裏面保護フィルム９１１ａと裏面保護フィルム９１１ｂのあいだの距離、裏面保護フィルム９１１ｂと裏面保護フィルム９１１ｃのあいだの距離、……裏面保護フィルム９１１ｌと裏面保護フィルム９１１ｍのあいだの距離は一定である。
【００９８】
図１４に示すように、裏面保護フィルム９１１は円盤状をなす。
【００９９】
裏面保護フィルム９１１の外周は、半導体ウエハ４の外周より小さい。裏面保護フィルム９１１の外周が小さいことにより、裏面保護フィルム９１１のはみ出しを防止できる。
【０１００】
図１５に示すように、裏面保護フィルム９１１と半導体ウエハ４を貼り合わせることにより積層板２を形成する。具体的には、セパレータ１３を剥離し、裏面保護フィルム９１１と半導体ウエハ４を貼り合わせることにより積層板２を形成する。
【０１０１】
積層板２は、半導体ウエハ４および半導体ウエハ４の裏面と接した裏面保護フィルム９１１を含む。
【０１０２】
必要に応じて積層板２を加熱することにより、裏面保護フィルム９１１を硬化する。加熱温度は適宜設定できる。
【０１０３】
ノッチ４１を検出するための検出センサーにより、裏面保護フィルム９１１と接した半導体ウエハ４のノッチ４１を検出する。これにより、半導体ウエハ４に設けられたノッチ４１の位置情報を得ることが可能で、裏面保護フィルム９１１におけるレーザーをあてる領域を特定できる。検出センサーとしては、マイクロスコープ、透過型センサー、反射型センサーなどが挙げられる。
【０１０４】
必要に応じて積層板２の裏面保護フィルム９１１にレーザーで印字する。
【０１０５】
ノッチ４１を検出するための検出センサーにより、裏面保護フィルム９１１と接した半導体ウエハ４のノッチ４１を検出する。これにより、半導体ウエハ４に設けられたノッチ４１の位置情報を得ることが可能で、半導体ウエハ４の位置とダイシングテープ１７の位置を合わせることができる。
【０１０６】
図１６に示すように、積層板２とダイシングテープ１７を貼り合わせる。
【０１０７】
図１７に示すように、半導体ウエハ４のダイシングを行う。これにより、保護チップ３を形成する。保護チップ３は、半導体素子４１および半導体素子４１の裏面上に配置された保護膜９１２を含む。半導体素子４１は、回路面（表面、回路パターン形成面、電極形成面などとも称される）、および回路面に対向した裏面で両面を定義できる。ダイシングは、ダイシングテープ１７を吸着台８に真空吸着させた状態で、たとえば、半導体ウエハ４の回路面側から常法に従い行われる。フルカットと呼ばれる切断方式などを採用できる。本工程で用いるダイシング装置としては特に限定されず、従来公知のものを用いることができる。
【０１０８】
次いで、保護チップ３を粘着剤層１７２から剥離する。すなわち、保護チップ３をピックアップする。
【０１０９】
図１８に示すように、フリップチップボンディング方式（フリップチップ実装方式）により、保護チップ３を被着体６に固定する。具体的には、半導体素子４１の回路面が被着体６と対向する形態で、保護チップ３を被着体６に固定する。たとえば、半導体素子４１の回路面上に設けられたバンプ５１を、被着体６の接続パッドに被着された接合用の導電材（半田など）６１に接触させて押圧しながら導電材６１を溶融させることにより、半導体素子４１と被着体６との電気的導通を確保し、保護チップ３を被着体６に固定することができる（フリップチップボンディング工程）。このとき、保護チップ３と被着体６との間には空隙が形成されており、その空隙間距離は、一般的に３０μｍ〜３００μｍ程度である。なお、保護チップ３を被着体６上にフリップチップボンディング（フリップチップ接続）した後は、保護チップ３と被着体６との対向面や間隙を洗浄し、間隙に封止材（封止樹脂など）を充填させて封止することができる。
【０１１０】
本工程では、保護チップ３と被着体６との対向面（電極形成面）や間隙の洗浄を行うのが好ましい。
【０１１１】
次に、フリップチップボンディングされた保護チップ３と被着体６との間の間隙を封止するための封止工程を行う。封止工程は、封止樹脂を用いて行われる。このときの封止条件としては特に限定されないが、通常、１７５℃で６０秒間〜９０秒間の加熱を行うことにより、封止樹脂の熱硬化が行われるが、本発明はこれに限定されず、たとえば１６５℃〜１８５℃で、数分間キュアすることができる。また、当該工程により、裏面保護フィルム９１１を完全にまたはほぼ完全に熱硬化させることができる。さらに、裏面保護フィルム９１１は、未硬化状態であっても当該封止工程の際に、封止材と共に熱硬化させることができるので、裏面保護フィルム９１１を熱硬化させるための工程を新たに追加する必要がない。
【０１１２】
以上の方法により得られた半導体装置（フリップチップ実装の半導体装置）は、被着体６および被着体６に固定された保護チップ３を含む。かかる半導体装置の保護膜９１２にレーザーで印字することが可能である。
【０１１３】
以上のとおり、半導体装置の製造方法は、半導体ウエハ４と裏面保護フィルム９１１を貼り合わせる工程を含む。半導体装置の製造方法は、半導体ウエハ４と裏面保護フィルム９１１を貼り合わせる工程の後に、レーザーで裏面保護フィルム９１１に印字する工程をさらに含む。レーザーで裏面保護フィルム９１１に印字する工程は、半導体ウエハ４のノッチ４１を検出するステップを含む。半導体装置の製造方法は、半導体ウエハ４と裏面保護フィルム９１１を貼り合わせる工程により形成された積層板２とダイシングテープ１７を貼り合わせる工程をさらに含む。積層板２とダイシングテープ１７を貼り合わせる工程は、半導体ウエハ４のノッチ４１を検出するステップを含む。
【０１１４】
半導体装置の製造方法は、積層板２とダイシングテープ１７を貼り合わせる工程の後に、ダイシングにより保護チップ３を形成する工程をさらに含む。半導体装置の製造方法は、保護チップ３を被着体６に固定する工程をさらに含む。保護チップ３を被着体６に固定する工程は、好ましくはフリップチップ接続により、保護チップ３を被着体６に固定する工程である。
【０１１５】
（裏面保護フィルム９１１）
裏面保護フィルム９１１における波長５５５ｎｍの全光線透過率は３％以上、好ましくは５％以上、より好ましくは７％以上である。３％以上であることにより、裏面保護フィルム９１１と半導体ウエハ４を貼り合わせた後に半導体ウエハ４のノッチ４１を検出できる。裏面保護フィルム９１１における波長５５５ｎｍの全光線透過率の上限は、たとえば５０％、３０％、２０％である。
【０１１６】
波長５５５ｎｍの全光線透過率は、裏面保護フィルム９１１の厚み、着色剤の種類などによってコントロールできる。たとえば、裏面保護フィルム９１１の厚みを小さくすること、着色剤として顔料を使用することにより、波長５５５ｎｍの全光線透過率を高めることができる。
【０１１７】
裏面保護フィルム９１１は有色であることが好ましい。裏面保護フィルム９１１が有色であることにより、レーザーマークを容易に視認できる。裏面保護フィルム９１１は、たとえば、黒色、青色、赤色などの濃色であることが好ましい。黒色が特に好ましい。
【０１１８】
濃色とは、基本的には、Ｌ*ａ*ｂ*表色系で規定されるＬ*が、６０以下（０〜６０）［好ましくは５０以下（０〜５０）、さらに好ましくは４０以下（０〜４０）］となる濃い色のことを意味している。
【０１１９】
また、黒色とは、基本的には、Ｌ*ａ*ｂ*表色系で規定されるＬ*が、３５以下（０〜３５）［好ましくは３０以下（０〜３０）、さらに好ましくは２５以下（０〜２５）］となる黒色系色のことを意味している。なお、黒色において、Ｌ*ａ*ｂ*表色系で規定されるａ*やｂ*は、それぞれ、Ｌ*の値に応じて適宜選択することができる。ａ*やｂ*としては、たとえば、両方とも、−１０〜１０であることが好ましく、より好ましくは−５〜５であり、特に−３〜３の範囲（中でも０またはほぼ０）であることが好適である。
【０１２０】
なお、Ｌ*ａ*ｂ*表色系で規定されるＬ*、ａ*、ｂ*は、色彩色差計（商品名「ＣＲ−２００」ミノルタ社製；色彩色差計）を用いて測定することにより求められる。なお、Ｌ*ａ*ｂ*表色系は、国際照明委員会（ＣＩＥ）が１９７６年に推奨した色空間であり、ＣＩＥ１９７６（Ｌ*ａ*ｂ*）表色系と称される色空間のことを意味している。また、Ｌ*ａ*ｂ*表色系は、日本工業規格では、ＪＩＳ Ｚ ８７２９に規定されている。
【０１２１】
裏面保護フィルム９１１は通常、未硬化状態である。未硬化状態は半硬化状態を含む。裏面保護フィルム９１１は、好ましくは半硬化状態である。
【０１２２】
８５℃および８５％ＲＨの雰囲気下で１６８時間放置したときの、裏面保護フィルム９１１の吸湿率は、好ましくは１重量％以下、より好ましくは０．８重量％以下である。１重量％以下であることにより、レーザーマーキング性を向上できる。吸湿率は、無機充填剤の含有量などによってコントロールできる。
【０１２３】
裏面保護フィルム９１１における吸湿率の測定方法は、以下のとおりである。すなわち、８５℃、８５％ＲＨの恒温恒湿槽に裏面保護フィルム９１１を１６８時間放置し、放置前後の重量減少率から、吸湿率を求める。
【０１２４】
裏面保護フィルム９１１を硬化させることにより得られる硬化物を、８５℃および８５％ＲＨの雰囲気下で１６８時間放置したときの吸湿率は、好ましくは１重量％以下、より好ましくは０．８重量％以下である。１重量％以下であることにより、レーザーマーキング性を向上できる。吸湿率は、無機充填剤の含有量などによってコントロールできる。
【０１２５】
硬化物における吸湿率の測定方法は、以下のとおりである。すなわち、８５℃、８５％ＲＨの恒温恒湿槽に硬化物を１６８時間放置し、放置前後の重量減少率から、吸湿率を求める。
【０１２６】
裏面保護フィルム９１１におけるエタノール抽出のゲル分率は、好ましくは５０％以上、より好ましくは７０％以上、よりさらに好ましくは９０％以上である。５０％以上であると、半導体製造プロセスにおける治具などへの固着を防ぐことができる。
【０１２７】
なお、裏面保護フィルム９１１のゲル分率は、樹脂成分の種類やその含有量、架橋剤の種類やその含有量の他、加熱温度や加熱時間などによりコントロールすることができる。
【０１２８】
裏面保護フィルム９１１の未硬化状態における２３℃での引張貯蔵弾性率は、好ましくは０．５ＧＰａ以上、より好ましくは０．７５ＧＰａ以上、さらに好ましくは１ＧＰａ以上である。１ＧＰａ以上であると、裏面保護フィルム９１１がキャリアテープに付着することを防止できる。２３℃での引張貯蔵弾性率の上限は、たとえば５０ＧＰａである。２３℃での引張貯蔵弾性率は、樹脂成分の種類やその含有量、充填材の種類やその含有量などによりコントロールすることができる。
【０１２９】
裏面保護フィルム９１１は導電性であっても、非導電性であってもよい。
【０１３０】
裏面保護フィルム９１１の半導体ウエハ４に対する接着力（２３℃、剥離角度１８０°、剥離速度３００ｍｍ／分）は、好ましくは１Ｎ／１０ｍｍ幅以上、より好ましくは２Ｎ／１０ｍｍ幅以上、さらに好ましくは４Ｎ／１０ｍｍ幅以上である。一方、かかる接着力は、好ましくは１０Ｎ／１０ｍｍ幅以下である。１Ｎ／１０ｍｍ幅以上であることにより、優れた密着性で半導体ウエハ４や半導体素子に貼着されており、浮きなどの発生を防止することができる。また、半導体ウエハ４のダイシングの際にチップ飛びが発生するのを防止することもできる。なお、裏面保護フィルム９１１の半導体ウエハ４に対する接着力は、たとえば、次の通りにして測定した値である。すなわち、裏面保護フィルム９１１の一方の面に、粘着テープ（商品名「ＢＴ３１５」日東電工株式会社製）を貼着して裏面補強する。その後、裏面補強した長さ１５０ｍｍ、幅１０ｍｍの裏面保護フィルム９１１の表面（おもてめん）に、厚み０．６ｍｍの半導体ウエハ４を、５０℃で２ｋｇのローラーを一往復して熱ラミネート法により貼り合わせる。その後、熱板上（５０℃）に２分間静置した後、常温（２３℃程度）で２０分静置する。静置後、剥離試験機（商品名「オートグラフＡＧＳ−Ｊ」島津製作所社製）を用いて、温度２３℃の下で、剥離角度：１８０°、引張速度：３００ｍｍ／ｍｉｎの条件下で、裏面補強された裏面保護フィルム９１１を引き剥がす。裏面保護フィルム９１１の半導体ウエハ４に対する接着力は、このときの裏面保護フィルム９１１と半導体ウエハ４との界面で剥離させて測定された値（Ｎ／１０ｍｍ幅）である。
【０１３１】
裏面保護フィルム９１１の厚みは、好ましくは２μｍ以上、より好ましくは４μｍ以上、さらに好ましくは６μｍ以上、特に好ましくは１０μｍ以上である。一方、裏面保護フィルム９１１の厚みは、好ましくは２００μｍ以下、より好ましくは１６０μｍ以下、さらに好ましくは１００μｍ以下、よりさらに好ましくは８０μｍ以下、特に好ましくは５０μｍ以下である。
【０１３２】
裏面保護フィルム９１１は、好ましくは着色剤を含む。着色剤としては、たとえば、染料、顔料を挙げることができる。なかでも、染料が好ましい。
【０１３３】
染料としては、濃色系染料が好ましい。濃色系染料としては、たとえば、黒色染料、青色染料、赤色染料などを挙げることができる。なかでも、黒色染料が好ましい。色材は単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。
【０１３４】
裏面保護フィルム９１１における着色剤の含有量は、好ましくは０．５重量％以上、より好ましくは１重量％以上、さらに好ましくは２重量％以上である。裏面保護フィルム９１１における着色剤の含有量は、好ましくは１０重量％以下、より好ましくは８重量％以下、さらに好ましくは５重量％以下である。
【０１３５】
裏面保護フィルム９１１は、熱可塑性樹脂を含むことができる。
【０１３６】
熱可塑性樹脂としては、たとえば、天然ゴム、ブチルゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、エチレン−アクリル酸エステル共重合体、ポリブタジエン樹脂、ポリカーボネート樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、６−ナイロンや６，６−ナイロンなどのポリアミド樹脂、フェノキシ樹脂、アクリル樹脂、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）やＰＢＴ（ポリブチレンテレフタレート）などの飽和ポリエステル樹脂、ポリアミドイミド樹脂、またはフッ素樹脂などが挙げられる。熱可塑性樹脂は単独でまたは２種以上を併用して用いることができる。なかでも、アクリル樹脂、フェノキシ樹脂が好適である。
【０１３７】
アクリル樹脂としては、特に限定されるものではなく、炭素数３０以下（好ましくは炭素数４〜１８、さらに好ましくは炭素数６〜１０、特に好ましくは炭素数８または９）の直鎖もしくは分岐のアルキル基を有するアクリル酸またはメタクリル酸のエステルの１種または２種以上を成分とする重合体などが挙げられる。すなわち、本発明では、アクリル樹脂とは、メタクリル樹脂も含む広義の意味である。アルキル基としては、たとえば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔ−ブチル基、イソブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、へキシル基、ヘプチル基、２−エチルヘキシル基、オクチル基、イソオクチル基、ノニル基、イソノニル基、デシル基、イソデシル基、ウンデシル基、ドデシル基（ラウリル基）、トリデシル基、テトラデシル基、ステアリル基、オクタデシル基などが挙げられる。
【０１３８】
また、アクリル樹脂を形成するための他のモノマー（アルキル基の炭素数が３０以下のアクリル酸またはメタクリル酸のアルキルエステル以外のモノマー）としては、特に限定されるものではなく、たとえば、アクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチルアクリレート、カルボキシペンチルアクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸もしくはクロトン酸などの様なカルボキシル基含有モノマー、無水マレイン酸もしくは無水イタコン酸などの様な酸無水物モノマー、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６−ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８−ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０−ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２−ヒドロキシラウリルもしくは（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）−メチルアクリレートなどの様なヒドロキシル基含有モノマー、スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレートもしくは（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸などの様なスルホン酸基含有モノマー、または２−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェートなどの様な燐酸基含有モノマーなどが挙げられる。なお、（メタ）アクリル酸とはアクリル酸および／またはメタクリル酸をいい、本発明の（メタ）とは全て同様の意味である。
【０１３９】
裏面保護フィルム９１１における熱可塑性樹脂の含有量は、好ましくは１０重量％以上、より好ましくは３０重量％以上である。裏面保護フィルム９１１における熱可塑性樹脂の含有量は、好ましくは９０重量％以下、より好ましくは７０重量％以下である。
【０１４０】
裏面保護フィルム９１１は、熱硬化性樹脂を含むことができる。
【０１４１】
熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アミノ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコーン樹脂、熱硬化性ポリイミド樹脂などが挙げられる。熱硬化性樹脂は、単独でまたは２種以上併用して用いることができる。熱硬化性樹脂としては、特に、半導体素子を腐食させるイオン性不純物など含有が少ないエポキシ樹脂が好適である。また、エポキシ樹脂の硬化剤としてはフェノール樹脂を好適に用いることができる。
【０１４２】
エポキシ樹脂としては、特に限定は無く、たとえば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、臭素化ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、水添ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、フルオレン型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂、トリスヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂、テトラフェニロールエタン型エポキシ樹脂などの二官能エポキシ樹脂や多官能エポキシ樹脂、またはヒダントイン型エポキシ樹脂、トリスグリシジルイソシアヌレート型エポキシ樹脂もしくはグリシジルアミン型エポキシ樹脂などのエポキシ樹脂を用いることができる。
【０１４３】
なかでも、ノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、トリスヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂、テトラフェニロールエタン型エポキシ樹脂が特に好ましい。これらのエポキシ樹脂は、硬化剤としてのフェノール樹脂との反応性に富み、耐熱性などに優れるからである。
【０１４４】
さらに、フェノール樹脂は、エポキシ樹脂の硬化剤として作用するものであり、たとえば、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ｔｅｒｔ−ブチルフェノールノボラック樹脂、ノニルフェノールノボラック樹脂などのノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂、ポリパラオキシスチレンなどのポリオキシスチレンなどが挙げられる。フェノール樹脂は単独でまたは２種以上を併用して用いることができる。これらのフェノール樹脂のうちフェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂が特に好ましい。半導体装置の接続信頼性を向上させることができるからである。
【０１４５】
エポキシ樹脂とフェノール樹脂の配合割合は、たとえば、エポキシ樹脂中のエポキシ基１当量当たりフェノール樹脂中の水酸基が０．５当量〜２．０当量になるように配合することが好適である。より好適なのは、０．８当量〜１．２当量である。
【０１４６】
裏面保護フィルム９１１における熱硬化性樹脂の含有量は、好ましくは２重量％以上、より好ましくは５重量％以上である。裏面保護フィルム９１１における熱硬化性樹脂の含有量は、好ましくは４０重量％以下、より好ましくは２０重量％以下である。
【０１４７】
裏面保護フィルム９１１は、エポキシ樹脂とフェノール樹脂の熱硬化促進触媒を含むことができる。熱硬化促進触媒としては、特に制限されず、公知の熱硬化促進触媒の中から適宜選択して用いることができる。熱硬化促進触媒は単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。熱硬化促進触媒としては、たとえば、アミン系硬化促進剤、リン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、ホウ素系硬化促進剤、リン−ホウ素系硬化促進剤などを用いることができる。
【０１４８】
裏面保護フィルム９１１を予めある程度架橋させておくため、作製に際し、重合体の分子鎖末端の官能基などと反応する多官能性化合物を架橋剤として添加させておくことが好ましい。これにより、高温下での接着特性を向上させ、耐熱性の改善を図ることができる。
【０１４９】
架橋剤としては、特に制限されず、公知の架橋剤を用いることができる。具体的には、たとえば、イソシアネート系架橋剤、エポキシ系架橋剤、メラミン系架橋剤、過酸化物系架橋剤、尿素系架橋剤、金属アルコキシド系架橋剤、金属キレート系架橋剤、金属塩系架橋剤、カルボジイミド系架橋剤、オキサゾリン系架橋剤、アジリジン系架橋剤、アミン系架橋剤などが挙げられる。架橋剤としては、イソシアネート系架橋剤やエポキシ系架橋剤が好適である。また、架橋剤は単独でまたは２種以上組み合わせて使用することができる。
【０１５０】
イソシアネート系架橋剤としては、たとえば、１，２−エチレンジイソシアネート、１，４−ブチレンジイソシアネート、１，６−ヘキサメチレンジイソシアネートなどの低級脂肪族ポリイソシアネート類；シクロペンチレンジイソシアネート、シクロへキシレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、水素添加トリレンジイソシアネ−ト、水素添加キシレンジイソシアネ−トなどの脂環族ポリイソシアネート類；２，４−トリレンジイソシアネート、２，６−トリレンジイソシアネート、４，４’−ジフェニルメタンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネートなどの芳香族ポリイソシアネート類などが挙げられ、その他、トリメチロールプロパン／トリレンジイソシアネート３量体付加物［日本ポリウレタン工業（株）製、商品名「コロネートＬ」］、トリメチロールプロパン／ヘキサメチレンジイソシアネート３量体付加物［日本ポリウレタン工業（株）製、商品名「コロネートＨＬ」］なども用いられる。また、エポキシ系架橋剤としては、たとえば、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラグリシジル−ｍ−キシレンジアミン、ジグリシジルアニリン、１，３−ビス（Ｎ，Ｎ−グリシジルアミノメチル）シクロヘキサン、１，６−ヘキサンジオールジグリシジルエーテル、ネオペンチルグリコールジグリシジルエーテル、エチレングリコールジグリシジルエーテル、プロピレングリコールジグリシジルエーテル、ポリエチレングリコールジグリシジルエーテル、ポリプロピレングリコールジグリシジルエーテル、ソルビトールポリグリシジルエーテル、グリセロールポリグリシジルエーテル、ペンタエリスリトールポリグリシジルエーテル、ポリグリセロールポリグリシジルエーテル、ソルビタンポリグリシジルエーテル、トリメチロールプロパンポリグリシジルエーテル、アジピン酸ジグリシジルエステル、ｏ−フタル酸ジグリシジルエステル、トリグリシジル−トリス（２−ヒドロキシエチル）イソシアヌレート、レゾルシンジグリシジルエーテル、ビスフェノール−Ｓ−ジグリシジルエーテルの他、分子内にエポキシ基を２つ以上有するエポキシ系樹脂などが挙げられる。
【０１５１】
なお、本発明では、架橋剤を用いる代わりに、あるいは、架橋剤を用いるとともに、電子線や紫外線などの照射により架橋処理を施すことも可能である。
【０１５２】
裏面保護フィルム９１１は、充填剤を含むことができる。充填剤を含むことにより、裏面保護フィルム９１１の弾性率の調節などを図ることができる。
【０１５３】
充填剤としては、無機充填剤、有機充填剤のいずれであってもよいが、無機充填剤が好適である。無機充填剤としては、たとえば、シリカ、クレー、石膏、炭酸カルシウム、硫酸バリウム、アルミナ、酸化ベリリウム、炭化珪素、窒化珪素などのセラミック類、アルミニウム、銅、銀、金、ニッケル、クロム、鉛、錫、亜鉛、パラジウム、半田などの金属、または合金類、その他カーボンなどからなる種々の無機粉末などが挙げられる。充填剤は単独でまたは２種以上を併用して用いることができる。充填剤としては、なかでも、シリカ、特に溶融シリカが好適である。なお、無機充填剤の平均粒径は０．１μｍ〜８０μｍの範囲内であることが好ましい。無機充填剤の平均粒径は、たとえば、レーザー回折型粒度分布測定装置によって測定することができる。
【０１５４】
裏面保護フィルム９１１における充填剤の含有量は、好ましくは１０重量％以上、より好ましくは２０重量％以上である。裏面保護フィルム９１１における充填剤の含有量は、好ましくは７０重量％以下、より好ましくは５０重量％以下である。
【０１５５】
裏面保護フィルム９１１は、他の添加剤を適宜含むことができる。他の添加剤としては、たとえば、難燃剤、シランカップリング剤、イオントラップ剤、増量剤、老化防止剤、酸化防止剤、界面活性剤などが挙げられる。
【０１５６】
難燃剤としては、たとえば、三酸化アンチモン、五酸化アンチモン、臭素化エポキシ樹脂などが挙げられる。難燃剤は、単独で、または２種以上を併用して用いることができる。シランカップリング剤としては、たとえば、β−（３、４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシランなどが挙げられる。シランカップリング剤は、単独でまたは２種以上を併用して用いることができる。イオントラップ剤としては、たとえばハイドロタルサイト類、水酸化ビスマスなどが挙げられる。イオントラップ剤は、単独でまたは２種以上を併用して用いることができる。
【０１５７】
熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂および溶媒などを混合して混合液を調製し、混合液を剥離紙上に塗布し乾燥する方法などにより、裏面保護フィルム９１１を得ることができる。
【０１５８】
（変形例１）
裏面保護フィルム９１１は、第１層および第１層上配置された第２層を含む複層形状をなす。
【実施例】
【０１５９】
以下に、この発明の好適な実施例を例示的に詳しく説明する。ただし、この実施例に記載されている材料や配合量などは、特に限定的な記載がない限りは、この発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではない。
【０１６０】
［裏面保護フィルムの作製］
裏面保護フィルムを作製するために使用した成分について説明する。
エポキシ樹脂：ＤＩＣ社製「ＨＰ−４７００」
フェノール樹脂：明和化成社製「ＭＥＨ−７８５１Ｈ」
アクリルゴム：ナガセケムテックス社製「テイサンレジンＳＧ−Ｐ３」
シリカフィラー：アドマテックス社製「ＳＥ−２０５０−ＭＣＶ」（平均一次粒径０．５μｍ）
着色剤１：オリエント化学工業社製「ＮＵＢＩＡＮ ＢＬＡＣＫ ＴＮ８７７」
着色剤２：オリエント化学工業社製「ＳＯＭ−Ｌ−０５４３」
着色剤３：オリエント化学工業社製「ＯＲＩＰＡＣＳ Ｂ−３５」
【０１６１】
表１に記載の配合比に従い、各成分をメチルエチルケトンに溶解し、固形分濃度が２２重量％の接着剤組成物の溶液を調製した。接着剤組成物の溶液を、剥離ライナー（シリコーン離型処理した厚みが５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム）上に塗布した後、１３０℃で２分間乾燥させることにより、裏面保護フィルムを作製した。裏面保護フィルムの厚みを表１に示す。
【０１６２】
［評価］
裏面保護フィルムについて、以下の評価を行った。結果を表１に示す。
【０１６３】
（波長５５５ｎｍの全光線透過率）
裏面保護フィルムについて下記の条件にて波長５５５ｎｍの全光線透過率（％）を測定した。
＜光線透過率測定条件＞
測定装置：  紫外可視近赤外分光光度計Ｖ−６７０ＤＳ（日本分光株式会社製）
速度：  ２０００ｎｍ／ｍｉｎ
測定範囲：  ４００〜１６００ｎｍ
積分球：  ＩＳＮ−７２３
スポット径：  １ｃｍ角
【０１６４】
（ノッチ検出）
裏面保護フィルムと８ｉｎｃｈミラーウエハを７０℃で貼り合わせ、デジタルマイクロスコープ光量５０％にてノッチが検出できた場合を○、できなかった場合を×と判定した。
【０１６５】
（ゲル分率）
裏面保護フィルムから約０．１ｇをサンプリングして精秤し（試料の重量）、サンプルをメッシュ状シートで包んだ後、約５０ｍｌのエタノール中に室温で１週間浸漬させた。その後、溶剤不溶分（メッシュ状シートの内容物）をエタノールから取り出し、１３０℃で約２時間乾燥させ、乾燥後の溶剤不溶分を秤量し（浸漬・乾燥後の重量）、下記式（ａ）よりゲル分率（％）を算出した。
ゲル分率（％）＝［（浸漬・乾燥後の重量）／（試料の重量）］×１００  （ａ）
【０１６６】
（引張貯蔵弾性率）
レオメトリック社製の動的粘弾性測定装置「Ｓｏｌｉｄ  Ａｎａｌｙｚｅｒ  ＲＳ  Ａ２」を用いて、引張モードにて、サンプル幅：１０ｍｍ、サンプル長さ：２２．５ｍｍ、サンプル厚み：０．２ｍｍで、周波数：１Ｈｚ、昇温速度：１０℃／分、窒素雰囲気下、所定の温度（２３℃）にて、引張貯蔵弾性率を測定した。
【０１６７】
【表１】
2016210837.tif 000003
【符号の説明】
【０１６８】
１      フィルム
１２      セパレータ
１３      セパレータ
１１１      裏面保護フィルム
１０１      ノッチ
４      半導体ウエハ
４１      ノッチ
７      積層板
１７      ダイシングテープ
１７１      基材
１７２      粘着剤層
８      吸着台
４１      半導体素子
５      保護チップ
６      被着体
５１      バンプ
６１      導電材
【０１６９】
９      フィルム
９１１      裏面保護フィルム
２      積層板
３      保護チップ
【図１】
2016210837.tif 000004
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
2016210837.tif 000009
【図７】
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【図８】
2016210837.tif 000011
【図９】
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【図１０】
2016210837.tif 000013
【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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