(57)【要約】【課題】発熱体の周囲を被覆している被膜の破れを精度良く検知できる、ヒータ異常検出装置およびヒータ異常検出方法を提供する。金属汚染のない処理液を供給できる処理液供給装置を提供する。金属汚染の発生を回避しながら、処理液を用いた処理を基板に施すことができる、基板処理システムを提供する。【解決手段】第１のヒータ２０は、電熱線２９と、電熱線２９の周囲を被覆する樹脂製の被膜とを有している。第１のヒータ２０は、薬液タンク１５に貯留されている薬液に浸漬されている。ヒータ異常検出ユニットは、薬液タンク１５中の薬液を接地する第１の接地ユニット３５と、電熱線２９を流れる電流を計測する電流計３６と、電流計３６により検出された電流の大きさに基づいて、被膜の破れの発生を検知する破れ発生検知ユニットとを含む。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属製の発熱体と、前記発熱体の周囲を被覆する樹脂製の被膜とを有し、処理液に接液して当該処理液を加熱するヒータの異常を検出するための装置であって、
前記ヒータに接している処理液を接地する接地手段と、
前記発熱体を発熱させるために当該発熱体に電力を供給する電力供給手段と、
前記発熱体を流れる電流を計測する電流計測手段と、
前記電流計測手段により検出された電流の大きさに基づいて、前記被膜の破れの発生を検知する破れ発生検知手段とを含む、ヒータ異常検出装置。
【請求項２】
前記電源供給手段は、交流電源に接続される第１の電源線と、交流電源に接続され、前記第１の電源線とは別の第２の電源線とを含み、
前記発熱体は、有端の電熱線を含み、前記電熱線の一端が前記第１の電源線に接続され、かつ前記電熱線の他端が前記第２の電源線に接続されており、
前記電流計測手段は、前記電熱線の前記一端側の第１の部分を流れる電流と、前記電熱線の前記他端側の第２の部分を流れる電流との差を計測する電流差計測手段を含む、請求項１に記載のヒータ異常検出装置。
【請求項３】
前記電流差計測手段は架線電流計を含む、請求項２に記載のヒータ異常検出装置。
【請求項４】
前記架線電流計は、前記第１の部分および前記第２の部分を流れる電流を一括して計測する、請求項３に記載のヒータ異常検出装置。
【請求項５】
処理対象に処理液による処理を施すための処理部に処理液を供給するための処理液供給装置であって、
処理液が流通する流通経路と、
流通経路の内部に存在する処理液と接触して、当該処理液を加熱するためのヒータであって、金属製の発熱体と、前記発熱体の周囲を被覆する樹脂製の被膜とを含むヒータと、
請求項１〜４のいずれか一項に記載のヒータ異常検出装置とを含む、処理液供給装置。
【請求項６】
前記流通経路は、前記処理部に供給すべき処理液が貯留される処理液タンクと、前記処理液タンクから前記処理部へと処理液を導く処理液配管とを含み、
前記ヒータは、前記処理液タンクに貯留されている処理液中に浸漬されて、当該処理液を加熱する第１のヒータを含み、
前記接地手段は、前記処理液タンクに貯留されている処理液を接地する第１の接地手段を含む、請求項５に記載の処理液供給装置。
【請求項７】
前記第１の接地手段は、
前記処理液タンクに貯留されている処理液に接触するように設けられた導電性部材と、
前記導電性部材を接地するための第１のアース線とを含む、請求項６に記載の処理液供給装置。
【請求項８】
前記流通経路は、前記処理部に供給すべき処理液が貯留される処理液タンクと、前記処理液タンクから前記処理部へと処理液を導く処理液配管とを含み、
前記ヒータは、前記処理液配管に介装され、当該処理液配管を流通する処理液を加熱する第２のヒータを含み、
前記接地手段は、前記処理液配管を流通する処理液を接地する第２の接地手段を含む、請求項５に記載の処理液供給装置。
【請求項９】
前記処理液配管は、少なくとも前記第２のヒータに接続される部分が、導電性を有する材料を用いて形成された導電性配管によって設けられており、
前記第２の接地手段は、前記導電性液体供給管を接地するための第２のアース線を含む、請求項８に記載の処理液供給装置。
【請求項１０】
請求項７〜９のいずれか一項に記載の処理液供給装置と、
前記処理対象としての処理部とを含み、
前記処理部内で前記処理液供給装置から供給される処理液を基板に供給して当該基板を処理する、基板処理システム。
【請求項１１】
前記破れ検知手段が前記被膜の破れの発生を検知した場合に、前記処理液供給装置から前記基板への処理液の供給を停止する、請求項１０に記載の基板処理システム。
【請求項１２】
金属製の発熱体と、前記発熱体の周囲を被覆する樹脂製の被膜とを有し、処理液に接液して当該処理液を加熱するヒータの異常を検出するための方法であって、
前記ヒータに接している処理液を接地する接地ステップと、
前記発熱体を発熱させるために当該発熱体に電力を供給する電力供給ステップと、
前記電力供給ステップと並行して、前記発熱体を流れる電流を計測し、その計測結果に基づいて、前記被膜の破れの発生を検知する破れ発生検知ステップとを含む、ヒータ異常検出方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ヒータの異常を検出するためのヒータ異常検出装置およびヒータ異常検出方法、処理液を供給するための処理液供給装置、および処理液を用いて基板を処理する基板処理システムに関する。処理対象となる基板の例には、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、ＦＥＤ(Field Emission Display)用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板などが含まれる。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置や液晶表示装置などの製造工程では、半導体ウエハや液晶表示装置用ガラス基板などの基板を、処理液を用いて処理する基板処理システムが用いられる。このような基板処理システムでは、基板に対して処理を施す処理部とは別に、処理部に薬液を供給するための薬液供給ユニットが備えられる。薬液供給装置は、所定の温度に調節された薬液を処理部に供給する。
【０００３】
たとえば、下記特許文献１に記載の基板処理装置（基板処理システム）に備えられる薬液キャビネット（薬液供給装置）は、処理部に供給される薬液を貯留する薬液タンクと、薬液タンク内の薬液が流通する薬液循環路と、薬液循環路に配置されたヒータとを備えている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１０−２３２５２０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
このような薬液加熱用のヒータは、電熱線と、電熱線を被覆する樹脂製の被膜とを含む。ヒータは、流通経路を流れる処理液（薬液）に直接接触し、当該処理液を加熱する。
しかしながら、ヒータにおける異常過熱および静電気の発生、ならびに被膜の経時劣化等により、発熱体（電熱線）の周囲を覆う被膜に破れが発生することがある。この場合、発熱体における、被膜の破れによって剥き出しになっている部分から金属が溶出し、処理液供給ユニット（薬液供給ユニット）内の処理液が金属汚染される。そして、金属汚染された処理液が、処理液供給ユニットから処理部に供給される結果、処理対象の基板に金属汚染が発生するおそれがある。
【０００６】
このような、ヒータの被膜の破れを検出する装置は設けられていない。そのため、そのような被膜の破れを検知することが難しい。とくに、被膜の破れが小さい（ホールが形成されている）場合には、基板処理システムの作動状態に影響を与えないから、そのような被膜の破れを検知することが、より一層困難である。
そこで、この発明の一の目的は、発熱体の周囲を被覆している被膜の破れを精度良く検知できる、ヒータ異常検出装置およびヒータ異常検出方法を提供することである。
【０００７】
また、この発明の他の目的は、金属汚染のない処理液を供給できる処理液供給装置を提供することである。
また、この発明のさらに他の目的は、金属汚染の発生を回避しながら、処理液を用いた処理を基板に施すことができる、基板処理システムを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記の目的を達成するための請求項１に記載の発明は、金属製の発熱体と、前記発熱体の周囲を被覆する樹脂製の被膜とを有し、処理液に接液して当該処理液を加熱するヒータの異常を検出するための装置であって、前記ヒータに接している処理液を接地する接地手段と、前記発熱体を発熱させるために当該発熱体に電力を供給する電力供給手段と、前記発熱体を流れる電流を計測する電流計測手段と、前記電流計測手段により検出された電流の大きさに基づいて、前記被膜の破れの発生を検知する破れ発生検知手段とを含む、ヒータ異常検出装置を提供する。
【０００９】
この構成によれば、ヒータに接している処理液が接地されているので、被膜において破れが発生している場合には、被膜の破れによって剥き出しになっている発熱体から薬液中に電流が漏れ出し、薬液中に漏れ電流が流れる。そのため、被膜に破れが発生していない場合と比較して、発熱体を流れる電流の大きさが変化する。したがって、電流計測手段により発熱体を流れる電流を計測し、計測した電流の変化を監視することにより、被膜の破れを検知できる。これにより、発熱体の周囲を被覆している被膜の破れを精度良く検知できる。
【００１０】
請求項２に記載の発明は、前記電源供給手段は、交流電源に接続される第１の電源線と、交流電源に接続され、前記第１の電源線とは別の第２の電源線とを含み、前記発熱体は、有端の電熱線を含み、前記電熱線の一端が前記第１の電源線に接続され、かつ前記電熱線の他端が前記第２の電源線に接続されており、前記電流計測手段は、前記電熱線の前記一端側の第１の部分を流れる電流と、前記電熱線の前記他端側の第２の部分を流れる電流との差を計測する電流差計測手段を含む、請求項１に記載のヒータ異常検出装置である。
【００１１】
この構成によれば、第１および第２の部分の一方を介して電熱線に流入する電流が、第１および第２の部分の他方から流出する。そのため、第１の部分を流れる電流と、第２の部分を流れる電流とが相殺される。被膜に破れが発生していない場合には、第１の部分を流れる電流と第２の部分を流れる電流との差は零である。一方、被膜に破れが発生している場合には、処理液中に漏れ電流が流れるから、第１の部分を流れる電流と第２の部分を流れる電流との差が零にならない。すなわち、当該電流の差が零でないことに基づいて被膜の破れを検知することができる。これにより、被膜の破れを、より一層精度良く検知できる。
【００１２】
請求項３に記載の発明は、前記電流差計測手段は架線電流計を含む、請求項２に記載のヒータ異常検出装置である。
この構成によれば、電熱線を流れる電流を、架線電流計によって当該電流による磁界を計ることで間接的に計測する。電熱線に直接触れることなく電流を計測できるため、電流の計測を安全に行うことができる。
【００１３】
請求項４に記載の発明は、前記架線電流計は、前記第１の部分および前記第２の部分を流れる電流を一括して計測する、請求項３に記載のヒータ異常検出装置である。
この構成によれば、第１の部分および第２の部分を流れる電流を、架線電流計によって一括して計測するので、第１の部分および第２の部分を流れる電流を個別に計測する場合と比較して電流の計測誤差の影響を少なくできる。これにより、被膜の破れを、より一層精度良く検知できる。
【００１４】
前記の目的を達成するための請求項５に記載の発明は、処理対象に処理液による処理を施すための処理部に処理液を供給するための処理液供給装置であって、処理液が流通する流通経路と、流通経路の内部に存在する処理液と接触して、当該処理液を加熱するためのヒータであって、金属製の発熱体と、前記発熱体の周囲を被覆する樹脂製の被膜とを含むヒータと、請求項１〜４のいずれか一項に記載のヒータ異常検出装置とを含む、処理液供給装置を提供する。
【００１５】
この構成によれば、発熱体の周囲を被覆している被膜の破れを精度良く検知できるので、処理液供給装置の内部での金属汚染を未然に防止できる。これにより、処理液供給装置から処理部に対し、金属汚染のない処理液を供給できる。
請求項６に記載の発明は、前記流通経路は、前記処理部に供給すべき処理液が貯留される処理液タンクと、前記処理液タンクから前記処理部へと処理液を導く処理液配管とを含み、前記ヒータは、前記処理液タンクに貯留されている処理液中に浸漬されて、当該処理液を加熱する第１のヒータを含み、前記接地手段は、前記処理液タンクに貯留されている処理液を接地する第１の接地手段を含む、請求項５に記載の処理液供給装置である。
【００１６】
この構成によれば、処理液タンクに貯留されている処理液にヒータが浸漬されており、この処理液が第１の接地手段によって接地されている。電流計測手段により発熱体を流れる電流を計測し、計測した電流の変化を監視することにより、被膜の破れを精度良く検知できる。
請求項７に記載の発明は、前記第１の接地手段は、前記処理液タンクに貯留されている処理液に接触するように設けられた導電性部材と、前記導電性部材を接地するための第１のアース線とを含む、請求項６に記載の処理液供給装置である。
【００１７】
この構成によれば、処理液タンクに貯留されている処理液が、導電性部材および第１のアース線によって接地されている。そのため、処理液タンクに貯留されている処理液の接地を良好に実現できる。
請求項８に記載の発明は、前記流通経路は、前記処理部に供給すべき処理液が貯留される処理液タンクと、前記処理液タンクから前記処理部へと処理液を導く処理液配管とを含み、前記ヒータは、前記処理液配管に介装され、当該処理液配管を流通する処理液を加熱する第２のヒータを含み、前記接地手段は、前記処理液配管を流通する処理液を接地する第２の接地手段を含む、請求項５に記載の処理液供給装置である。
【００１８】
この構成によれば、処理液配管を流通する処理液にヒータが接触しており、この処理液が第２の接地手段によって接地されている。電流計測手段により電熱線を流れる電流を計測し、計測した電流の変化を監視することにより、被膜の破れを精度良く検知できる。
請求項９に記載の発明は、前記処理液配管は、少なくとも前記第２のヒータに接続される部分が、導電性を有する材料を用いて形成された導電性配管によって設けられており、前記第２の接地手段は、前記導電性液体供給管を接地するための第２のアース線を含む、請求項８に記載の処理液供給装置である。
【００１９】
この構成によれば、処理液配管を流通している処理液が、導電性配管および第２のアース線によって接地されている。そのため、処理液配管を流通している処理液の接地を良好に実現できる。
前記の目的を達成するための請求項１０に記載の発明は、請求項７〜９のいずれか一項に記載の処理液供給装置と、前記処理対象としての処理部とを含み、前記処理部内で前記処理液供給装置から供給される処理液を基板に供給して当該基板を処理する、基板処理システムである。
【００２０】
この構成によれば、処理液供給装置から処理部に、金属汚染のない処理液が供給されるので、金属汚染の発生を回避しながら、処理液を用いた処理を基板に施すことができる。
請求項１１に記載の発明は、前記破れ検知手段が前記被膜の破れの発生を検知した場合に、前記処理液供給装置から前記基板への処理液の供給を停止する、請求項１０に記載の基板処理システムである。
【００２１】
この構成によれば、被膜の破れの発生が検知された場合には、処理液供給装置から基板への処理液の供給が停止される。金属汚染のおそれのある処理液の供給が停止されるので、不良品の発生を最小限に抑えることができる。
前記の目的を達成するための請求項１２に記載の発明は、金属製の発熱体と、前記発熱体の周囲を被覆する樹脂製の被膜とを有し、処理液に接液して当該処理液を加熱するヒータの異常を検出するための方法であって、前記ヒータに接している処理液を接地する接地ステップと、前記発熱体を発熱させるために当該発熱体に電力を供給する電力供給ステップと、前記電力供給ステップと並行して、前記発熱体を流れる電流を計測し、その計測結果に基づいて、前記被膜の破れの発生を検知する破れ発生検知ステップとを含む、ヒータ異常検出方法を提供する。
【００２２】
この方法によれば、請求項１に関連して説明した作用効果と同等の作用効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る基板処理システムを水平方向に見た図である。
【図２】図１に示す基板処理システムに含まれる薬液タンクの周囲の構成を示す図である。
【図３】図２に示す処理液供給装置に搭載されるヒータの構成を示す図である。
【図４】前記ヒータの異常検出の流れを示すフローチャートである。
【図５】本発明の第２の実施形態に係る基板処理システムを水平方向に見た図である。
【図６】図５に示す基板処理システムに含まれる加熱ユニットの周囲の構成を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、本発明の第１の実施形態に係る基板処理システム１を水平方向に見た図である。基板処理システム１は、基板Ｗの一例としての半導体ウエハを１枚ずつ処理する枚葉型の装置である。基板処理システム１は、基板Ｗを処理する処理ユニット（処理部）２と、この処理ユニット２に薬液を供給する薬液供給装置（処理液供給装置）としての薬液供給ユニット３と、基板処理システム１に備えられた装置やバルブの開閉を制御する制御装置４とを含む。処理ユニット２および薬液供給ユニット３は、共通の装置の一部であってもよいし、互いに独立したユニット（互いに独立して移動させることができるユニット）であってもよい。すなわち、基板処理システム１は、処理ユニット２および薬液供給ユニット３を含む基板処理システムを備えていてもよいし、処理ユニット２を含む基板処理装置と、基板処理装置から離れた位置に配置された薬液供給ユニット３とを備えていてもよい。また、処理ユニット２は、基板Ｗを一枚ずつ処理する枚葉式のユニットであってもよいし、複数枚の基板Ｗを一括して処理するバッチ式のユニットであってもよい。図１は、処理ユニット２が、枚葉式のユニットである例を示している。また、図１では、薬液供給ユニット３が１つのみ図示されているが、薬種を複数設ける場合には、その薬種に応じた個数の薬液供給ユニット３を設けてもよい。
【００２５】
処理ユニット２は、内部空間を有する箱形のチャンバ５と、チャンバ５内で一枚の基板Ｗを水平な姿勢で保持して、基板Ｗの中心を通る鉛直な回転軸線まわりに基板Ｗを回転させるスピンチャック６と、スピンチャック６に保持されている基板Ｗに、薬液を供給するための薬液ノズル７と、スピンチャック６に保持されている基板Ｗにリンス液を供給するためのリンス液ノズル８とを含む。
【００２６】
図１に示すように、薬液ノズル７は、薬液供給ユニット３に接続されている。薬液ノズル７は、薬液供給バルブ９が介装された薬液供給配管１０に接続されている。薬液供給配管１０には、薬液供給ユニット３から、たとえば４０℃〜７０℃の範囲内の一定温度の薬液が供給される。
薬液ノズル７に供給される薬液は、高温（室温以上の温度）にすることで処理能力が向上する薬液である。このような薬液として、硫酸、ＳＣ１（アンモニア過酸化水素水混合液：ammonia−hydrogen peroxide mixture）、ＳＣ２（hydrochloric acid/hydrogen peroxide mixture：塩酸過酸化水素水）等を例示できる。
リンス液ノズル８は、リンス液バルブ１１が介装されたリンス液配管１２に接続されている。リンス液ノズル８には、リンス液の一例である純水（脱イオン水：Ｄeionzied Ｗater）が供給される。リンス液ノズル８に供給されるリンス液は、純水に限らず、炭酸水、電解イオン水、水素水、オゾン水、および希釈濃度（たとえば、１０〜１００ｐｐｍ程度）の塩酸水のいずれかであってもよい。
スピンチャック６は、基板Ｗをほぼ水平に保持して鉛直軸線まわりに回転可能な円板状のスピンベース１３と、このスピンベース１３を鉛直軸線まわりに回転させる、モータ等の回転駆動ユニット１４とを含む。薬液ノズル７およびリンス液ノズル８は、それぞれ、基板Ｗ上での薬液およびリンス液の着液位置が固定された固定ノズルであってもよいし、薬液およびリンス液の着液位置が基板Ｗの回転中心から基板Ｗの周縁に至る範囲で移動されるスキャンノズルであってもよい。
【００２７】
基板Ｗに処理が行われる際には、制御装置４は、スピンチャック６によって基板Ｗを水平に保持させながらこの基板Ｗを鉛直な軸線まわりに回転させる。この状態で、制御装置４は、薬液供給バルブ９を開いて、薬液ノズル７から基板Ｗの上面に向けて薬液を吐出させる。基板Ｗに供給された薬液は、基板Ｗの回転による遠心力によって基板Ｗ上を外方に広がり、基板Ｗの上面周縁部から基板Ｗの周囲に排出される。制御装置４は、薬液ノズル７からの薬液の吐出を停止させた後、リンス液バルブ１１を開閉することにより、リンス液ノズル８から回転状態の基板Ｗの上面に向けて純水を吐出させる。これにより、基板Ｗ上の薬液が純水によって洗い流される。その後、制御装置４は、スピンチャック６によって基板Ｗを高速回転させることにより、基板Ｗを乾燥させる。このようにして、基板Ｗに対する一連の処理が行われる。
【００２８】
薬液供給ユニット３は、薬液を貯留する薬液タンク（処理液タンク）１５と、薬液タンク１５内の薬液を処理ユニット２（薬液ノズル７）に案内する薬液配管（処理液配管）１６と、薬液タンク１５内の薬液を薬液配管１６に移動させる送液装置１７と、薬液配管１６の内部を流れる薬液をろ過するフィルタ１８と、薬液配管１６を開閉する薬液バルブ１９と、薬液タンク１５に貯留されている薬液中に浸漬され、当該薬液を加熱して温度調節する第１のヒータ２０と、薬液タンク１５に貯留されている薬液の温度を計測する温度計２１と、薬液タンク１５内の液量を監視する液量センサ２２と、薬液の新液を薬液タンク１５に補充する補充配管２３とを含む。
【００２９】
送液装置１７は、タンク内の液体を配管内に吸引するポンプであってもよいし、気体の供給によってタンク内の気圧を上昇させることにより、タンク内の液体を配管内に送る加圧配管であってもよい。図１は、送液装置１７が薬液配管１６に介装されたポンプである例を示している。
薬液配管１６は、その一端が薬液供給配管１０に接続されており、その他端が薬液タンク１５に接続されている。送液装置１７、フィルタ１８および薬液バルブ１９は、薬液流通方向に沿って薬液配管１６にこの順に介装されている。
【００３０】
薬液供給ユニット３は、薬液バルブ１９よりも薬液流通方向の下流側で、薬液配管１６と薬液タンク１５とを接続するリターン配管２４と、リターン配管２４を開閉するためのリターンバルブ２５とをさらに含む。薬液タンク１５、薬液配管１６、およびリターン配管２４により、薬液タンク１５内の薬液を循環させる循環経路（流通経路）２６が形成されている。
【００３１】
図１に示すように、送液装置１７が駆動されている状態において、薬液バルブ１９およびリターンバルブ２５が開かれ、かつ薬液供給バルブ９が閉じられると、薬液タンク１５から汲み出された薬液が、フィルタ１８、薬液バルブ１９、リターンバルブ２５およびリターン配管２４を通って、薬液タンク１５に帰還する。これにより、薬液タンク１５内の薬液が循環経路２６を循環する。
【００３２】
この状態から、リターンバルブ２５が閉じられかつ薬液供給バルブ９が開かれると、循環経路２６を循環している薬液が、薬液供給バルブ９を通って薬液ノズル７に供給され、薬液ノズル７から薬液が吐出される。これにより、基板Ｗに薬液が供給され、薬液を用いて基板Ｗが処理される。
図２は、薬液タンク１５の周囲の構成を示す図である。図３は、第１のヒータ２０の構成を示す図である。
【００３３】
第１のヒータ２０は、シースヒータであり、その全体形状が、たとえば、有端の円環部２７と、円環部２７の一端部および他端部から上方に延びる一対の直線部２８とを含む形状をなす。図２では、説明の関係上、直線部２８を屈曲状に描いている。第１のヒータ２０の円環部２７の全体が、薬液タンク１５に貯留されている薬液に浸漬されている。
図３に示すように、シースヒータ（第１のヒータ２０）は、電熱線２９と、電熱線２９を被覆する被膜３０とを含む。電熱線２９の材質として金属が採用されている。このような金属として、Ｆｅ、Ｎｉ、Ａｌ等を例示できる。また、被膜３０の材質として、合成樹脂が用いられている。このような樹脂として、ＰＴＦＥ（poly tetra-fluoro ethylene）、ＰＦＡ(perfluoro-alkylvinyl-ether-tetrafluoro-ethlene-copolymer)等の耐薬性を有する樹脂の他、塩ビ(poly-vinyl-chloride)のような耐薬性を有さない樹脂を用いることもできる。
【００３４】
薬液供給ユニット３は、さらに、第１のヒータ２０の電熱線２９を発熱させるために当該電熱線２９に電力を供給する電力供給ユニット（電力供給手段）３１を含む。
電力供給ユニット３１は、機外の交流電源３２に接続するための第１の電源線３３と、システム外の交流電源３２に接続するための第２の電源線３４とを含む。第１の電源線３３に電熱線２９の一端２９ａが第１の端子４５を介して接続されており、第２の電源線３４に電熱線２９の他端２９ｂが第２の端子４６を介して接続されている。薬液供給ユニット３（または基板処理システム１）の差込プラグ（図示しない）がコンセントに差し込まれることにより、第１の電源線３３および第２の電源線３４に交流電源３２が接続される。これにより、電熱線２９に交流電源３２からの交流電圧が付与される。
【００３５】
薬液供給ユニット３は、薬液タンク１５内に設けられている第１のヒータ２０の異常を検出するヒータ異常検出ユニットをさらに含む。ヒータ異常検出ユニットは、薬液タンク１５に貯留されている薬液を接地する第１の接地ユニット（第１の接地手段。図２参照）３５と、第１のヒータ２０の電熱線２９を流れる電流を計測する電流計（電流差計測手段、電流計測手段）３６と、電流計３６により検出された電流の大きさに基づいて、被膜３０の破れの発生を検知する破れ発生検知ユニットとを含む。
【００３６】
電流計３６として、たとえば、計測対象を内部に挟む、変流器方式の架線電流計（クランプメーター）が採用される。電流計３６は、センサ３９と、センサ３９の検出出力に基づいて、計測対象の電流値を演算によって求める演算回路４０とを含む。センサ３９は、計測対象を取り囲む円環状の磁気コア４１と、磁気コア４１に巻回されたコイル４２とを有する。電熱線２９の一端２９ａ側の第１の部分４３と、電熱線２９の他端２９ｂ側の第２の部分４４とが一括して、電流計３６による計測対象とされる。つまり、電熱線２９の第１の部分４３および第２の部分４４の双方が、電流計３６の磁気コア４１によって取り囲まれる。演算回路４０によって求められた電流値が制御装置４に与えられる。架線電流計からなる電流計３６によって、電熱線２９の第１の部分４３および第２の部分４４を流れる電流を、当該電流による磁界を計測することで間接的に計測する。電流計３６は、電熱線２９に直接触れることなく電流を計測する。そのため、電流の計測が安全に行われる。
【００３７】
第１の接地ユニット３５は、薬液タンク１５に貯留されている薬液に、下端３７ｂが接触するように設けられた、たとえば棒状の導電性部材３７と、導電性部材３７の上端３７ａに接続され、当該上端３７ａを接地する第１のアース線３８とを含む。導電性部材３７および第１のアース線３８によって、薬液タンク１５に貯留されている薬液が接地されているので、被膜３０において破れが発生している場合には、被膜３０の破れによって剥き出しになっている電熱線２９から薬液中に電流が漏れ出し、薬液中に漏れ電流が流れる。そのため、被膜３０に破れが発生していない場合と比較して、電熱線２９を流れる電流の大きさが変化する。このとき、電流計３６により電熱線２９の電流を計測することにより、電熱線２９を被覆している被膜３０の破れを検知できる。すなわち、第１のヒータ２０の異常を検出できる。
【００３８】
図４は、第１のヒータ２０の異常検出の流れを示すフローチャートである。
制御装置４は、電流計３６から付与される電流値（計測電流値）を監視している（ステップＳ１）。電力供給ユニット３１では、第１および第２の部分４３，４４の一方を介して電熱線２９に流入する電流が、第１および第２の部分４３，４４の他方から流出するので、第１の部分４３を流れる電流と、第２の部分４４を流れる電流とが相殺される。被膜３０に破れが発生していない場合には、電流計３６の計測値（すなわち、第１の部分４３を流れる電流と第２の部分４４を流れる電流との差）は略零である。一方、被膜３０に破れが発生している場合には、処理液中に漏れ電流が流れるから、電流計３６の計測値は略零にはならない。この実施形態では、計測電流値の閾値（たとえば１．０ｍＡ）が予め定められている。
【００３９】
制御装置４は、計測電流値が所定の閾値（たとえば１．０ｍＡ）を超えると（ステップＳ２でＹＥＳ）、被膜３０の破れが発生しているとして、エラー処理を行う（ステップＳ３）。エラー処理として、たとえば、薬液供給バルブ９が停止される。これにより、薬液供給ユニット３から処理ユニット２への薬液の供給が停止される。
以上により、この実施形態によれば、薬液タンク１５に貯留されている薬液に第１のヒータ２０が浸漬されており、この薬液が導電性部材３７および第１のアース線３８を介して接地されている。そのため、第１のヒータ２０の被膜３０に破れが発生した場合には薬液中に漏れ電流が流れ、被膜３０に破れが発生していない場合と比較して、電熱線２９を流れる電流の大きさが変化する。したがって、電流計３６により電熱線２９を流れる電流を計測し、計測した電流の変化を監視することにより、被膜３０の破れを検知できる（第１のヒータ２０の異常を検出できる）。微小な電流の変化に基づいて被膜３０の破れを検知可能であるから、被膜３０の破れの判断基準になる電流閾値を低め（たとえば数ｍＡ）に設定しておくことにより、被膜３０の破れを精度良く検出でき、したがって、被膜３０の破れを早期に（被膜３０の破れの小さい段階で）発見することが可能である。これにより、薬液供給ユニット３の内部での金属汚染を未然に防止でき、薬液供給ユニット３から処理ユニット２に対し、金属汚染のない薬液を供給できる。ゆえに、金属汚染の発生を回避しながら、薬液処理を基板Ｗに施すことができる基板処理システム１を提供できる。
【００４０】
また、電流計３６によって、第１の部分４３を流れる電流と第２の部分４４を流れる電流との差を計測し、計測値（電流の差）が所定の閾値を超える場合に被膜３０の破れの発生があると判断する。そのため、精度の高い被膜３０の破れの検出を、簡便に行うことができる。とくに、第１および第２の部分４３，４４を流れる電流を、架線電流計からなる電流計３６で一括して計測するので、第１および第２の部分４３，４４を流れる電流を個別に計測する場合と比較して誤差の影響を少なくできるから、被膜３０の破れを、より一層精度良く検知できる。
【００４１】
また、被膜３０の破れの発生が検知された場合には、薬液供給ユニット３から処理ユニット２への薬液の供給が停止される。金属汚染のおそれのある薬液の、処理ユニット２への供給が停止されるので、不良品の発生を最小限に抑えることができる。
図５は、本発明の第２の実施形態に係る基板処理システム２０１を水平方向に見た図である。図６は、図５に示す基板処理システム２０１に含まれる加熱ユニット２０８の周囲の構成を示す図である。第２の実施形態において、第１の実施形態に示された各部に対応する部分には、図１〜図４の場合と同一の参照符号を付して示し、説明を省略する。
【００４２】
図５は、本発明の第２の実施形態に係る基板処理システム２０１を水平方向に見た図である。第２の実施形態において、第１の実施形態に示された各部に対応する部分には、図１〜図４の場合と同一の参照符号を付して示し、説明を省略する。
第２の実施形態に係る基板処理システム２０１が、第１の実施形態に係る基板処理システム１と相違する点は、薬液タンクの内部にヒータを設けるのではなく、薬液配管（処理液配管）２０２の途中部に、第２のヒータ２０３を含む加熱ユニット２０８を介装した点にある。
【００４３】
基板処理システム２０１は、処理ユニット２と、この処理ユニット２に薬液を供給する薬液供給装置（処理液供給装置）としての薬液供給ユニット２０４と、制御装置４とを含む。制御装置４は、基板処理システム２０１に備えられた装置やバルブの開閉を制御する。
薬液供給ユニット２０４は、薬液を貯留する薬液タンク（処理液タンク）２０５と、薬液タンク２０５内の薬液を処理ユニット２（薬液ノズル７）に案内する薬液配管（処理液配管）２０２と、送液装置１７と、薬液配管２０２の内部を流通する薬液と接触して、当該薬液を加熱して温度調節する加熱ユニット２０８と、フィルタ１８と、薬液バルブ１９と、温度計２１と、液量センサ２２と、補充配管２３と、リターン配管２４と、リターンバルブ２５と、加熱ユニット２０８に含まれる第２のヒータ２０３の異常を検出するヒータ異常検出ユニットとを含む。薬液タンク２０５に貯留されている薬液には、ヒータは浸漬されていない。薬液配管２０２は、その一端が薬液供給配管１０に接続されており、その他端が薬液タンク２０５に接続されている。薬液配管２０２には、送液装置１７、加熱ユニット２０８、フィルタ１８および薬液バルブ１９が、薬液流通方向に沿ってこの順に介装されている。薬液バルブ１９は薬液配管２０２を開閉する。温度計２１は、薬液タンク２０５に貯留されている薬液の温度を計測する。液量センサ２２は、薬液タンク２０５内の液量を監視する。補充配管２３は、薬液の新液を薬液タンク２０５に補充する。リターン配管２４は、薬液バルブ１９よりも薬液流通方向の下流側で、薬液配管２０２と薬液タンク２０５とを接続する。薬液タンク２０５、薬液配管２０２、およびリターン配管２４により、薬液タンク２０５内の薬液を循環させる循環経路（流通経路）２０７が形成されている。
【００４４】
図６に示すように、加熱ユニット２０８は、円筒状のケーシング２０９と、第２のヒータ２０３とを含む。ケーシング２０９の内部が、薬液配管２０２の内部と連通している。ケーシング２０９の長手方向の上流側端部には流入口２１０が設けられている。流入口２１０には、薬液配管２０２の上流側部分としての第１の配管（導電性配管）２１１が接続されている。ケーシング２０９の長手方向の下流側端部には流出口２１２が設けられている。流出口２１２には、薬液配管２０２の下流側部分としての第２の配管（導電性配管）２１３が接続されている。
【００４５】
図６に示すように、第２のヒータ２０３は、シースヒータであり、その全体形状が、たとえば、有端の円環部２１４と、円環部２１４の一端部および他端部から直線状に延びる一対の直線部２１５とを含む形状をなす。図６では、説明の関係上、直線部２１５を屈曲状に描いている。第２のヒータ２０３の円環部２１４の全体が、ケーシング２０９の内部空間に収容されている。直線部２１５の両端は、ケーシング２０９外に引き出されている。図３に示すように、シースヒータ（第２のヒータ２０３）は、電熱線２１６と、被膜２１７とを含む。電熱線２１６は、第１の実施形態に係る電熱線２９と同等の構成である。被膜２１７は、第１の実施形態に係る被膜３０と同等の構成である。電熱線２１６の一端２１６ａが第３の端子２１８を介して第１の電源線３３に接続されており、電熱線２１６の他端２１６ｂが第４の端子２２０を介して第２の電源線３４に接続されている。
【００４６】
図６に示すように、ヒータ異常検出ユニットは、加熱ユニット２０８のケーシング２０９内を流れている薬液を接地する第２の接地ユニット２２２と、電流計３６と、電流計３６により検出された電流の大きさに基づいて、被膜２１７の破れの発生を検知する破れ発生検知ユニットとを含む。
図６に示すように、電流計３６では、電熱線２１６の一端２１６ａ側の第３の部分２２３と、電熱線２１６の他端２１６ｂ側の第４の部分２２４とが一括して、電流計３６による計測対象とされる。つまり、電熱線２１６の第３の部分２２３および第４の部分２２４の双方が、電流計３６の磁気コア４１によって取り囲まれる。演算回路４０によって求められた電流値が制御装置４に与えられる。架線電流計からなる電流計３６によって、電熱線２１６の第３の部分２２３および第４の部分２２４を流れる電流を、当該電流による磁界を計測することで間接的に計測する。
【００４７】
図６に示すように、第２の接地ユニット２２２は、第１および第２の配管２１１，２１３のそれぞれに、外周に密着状態で外嵌された筒状の導電バンド２２５と、導電バンド２２５に接続されて、当該導電バンド２２５を接地する第２のアース線２２６とを含む。
各導電バンド２２５および第２のアース線２２６によって、加熱ユニット２０８のケーシング２０９の内部を流通している薬液が接地されているので、被膜２１７において破れが発生している場合には、被膜２１７の破れによって剥き出しになっている電熱線２１６から薬液中に電流が漏れ出し、薬液中に漏れ電流が流れる。そのため、被膜２１７に破れが発生していない場合と比較して、電熱線２１６を流れる電流の大きさが変化する。電流計３６により電熱線２１６の電流を計測することにより、電熱線２１６を被覆している被膜２１７の破れを検知できる。すなわち、第２のヒータ２０３の異常を検出できる。
【００４８】
制御装置４は、電流計３６から付与される電流値（計測電流値）を監視している。制御装置４は、計測電流値が所定の閾値（たとえば１．０ｍＡ）を超えると、被膜２１７の破れが発生しているとして、エラー処理を行う。エラー処理として、たとえば、薬液供給バルブ９が停止される。これにより、薬液供給ユニット２０４から処理ユニット２への薬液の供給が停止される。
【００４９】
第２の実施形態によれば、加熱ユニット２０８のケーシング２０９の内部を流通している薬液が第２のヒータ２０３に接触しており、この薬液が、導電性の第１および第２の配管２１１，２１３、導電バンド２２５ならびに第２のアース線２２６を介して接地されている。そのため、第２のヒータ２０３の被膜２１７に破れが発生した場合には薬液中に漏れ電流が流れ、被膜２１７に破れが発生していない場合と比較して、電熱線２１６を流れる電流の大きさが変化する。したがって、電流計３６により電熱線２１６を流れる電流を計測し、計測した電流の変化を監視することにより、被膜２１７の破れを検知できる（第２のヒータ２０３の異常を検出できる）。微小な電流の変化に基づいて被膜２１７の破れを検知可能であるから、被膜２１７の破れの判断基準になる電流閾値を低め（たとえば数ｍＡ）に設定しておくことにより、被膜２１７の破れを精度良く検出でき、したがって、被膜２１７の破れを早期に（被膜３０の破れの小さい段階で）発見することが可能である。被膜２１７の破れの判断基準になる電流閾値を低め（たとえば数ｍＡ）に設定しておくことにより、被膜２１７の破れを精度良く検出できるから、被膜２１７の破れを早期に（被膜２１７の破れの小さい段階で）発見することが可能である。これにより、薬液供給ユニット２０４の内部での金属汚染を未然に防止でき、薬液供給ユニット２０４から処理ユニット２に対し、金属汚染のない薬液を供給できる。ゆえに、金属汚染の発生を回避しながら、薬液処理を基板Ｗに施すことができる基板処理システム２０１を提供できる。
【００５０】
また、電流計３６によって、第３の部分２２３を流れる電流と第４の部分２２４を流れる電流との差を計測し、計測値（電流の差）が所定の閾値を超える場合に被膜２１７の破れの発生があると判断する。そのため、精度の高い被膜２１７の破れの検出を、簡便に行うことができる。とくに、第３および第４の部分２２３，２２４を流れる電流を、架線電流計からなる電流計３６で一括して計測するので、第３および第４の部分２２３，２２４を流れる電流を個別に計測する場合と比較して誤差の影響を少なくできるから、被膜２１７の破れを、より一層精度良く検知できる。
【００５１】
また、被膜２１７の破れの発生が検知された場合には、薬液供給ユニット２０４から処理ユニット２への薬液の供給が停止される。金属汚染のおそれのある薬液の、処理ユニット２への供給が停止されるので、不良品の発生を最小限に抑えることができる。
以上、この発明の２つの実施形態について説明したが、この発明は、さらに他の形態で実施することもできる。
【００５２】
たとえば、前述の各実施形態では、架線電流計の電流計３６を用いて、第１の部分４３（第３の部分２２３）および第２の部分４４（第４の部分２２４）を流れる電流の差を一括して計測するものを例に挙げて説明したが、第１の部分４３（第３の部分２２３）を流れる電流と、第２の部分４４（第４の部分２２４）を流れる電流とを個別に計測し、その計測結果に基づいて、第１の部分４３（第３の部分２２３）および第２の部分４４（第４の部分２２４）を流れる電流の差を演算によって求めるようにしてもよい。
【００５３】
架線電流計の電流計３６として、変流器方式の他、ホール素子方式やフラックスゲート方式を採用してもよい。
また、電流計３６として、架線電流計以外の電流計が採用されてもよい。
また、前述の各実施形態では、交流電源として、システム外の交流電源３２を用いるものとして説明したが、基板処理システム１，２０１に、ヒータ２０，２０３への電力供給のための専用の交流電源が設けられていてもよい。
【００５４】
また、前述の各実施形態では、被膜３０，２１７の破れの発生が検知された場合に、薬液供給バルブ９が停止され、薬液供給ユニット３，２０４から処理ユニット２への薬液の供給が停止されるものとして説明した。しかし、被膜３０，２１７の破れの発生が検知された場合に、制御装置４は、ヒータ２０，２０３への給電を停止するようにしてもよいし、また、薬液供給ユニット３の電源をオフにしてもよいし、基板処理システム１，２０１全体の電源をオフにしてもよい。
【００５５】
また、第２の実施形態では、ヒータ２０，２０３が、円環部２７，２１４を備えた形状であるとして説明したが、ヒータ２０，２０３が、他の形態を有していてもよい。
また、ヒータ２０，２０３を、電熱線２９，２１６を被膜３０，２１７で被覆したものとして説明したが、たとえば板状や棒状の発熱体の周囲を、樹脂製の被膜（被膜３０，２１７と同等）で被覆するようにしてもよい。
【００５６】
また、前述の各実施形態において、第１の配管２１１および第２の配管２１３の双方が導電性配管であることが好ましいが、少なくとも一方の配管が導電性配管であれば足りる。また、薬液配管２０２の第１の配管２１１および第２の配管２１３以外の部分は、導電性配管であってもよいし、その他の配管であってもよい。
また、本発明の異常検出方法は、ヒータ２０，２０３によって薬液を加熱する場合だけでなく、ヒータ２０，２０３によって水を加熱する場合にも適用できる。この場合の水は、純水（脱イオン水：Ｄeionzied Ｗater）、炭酸水、電解イオン水、水素水、オゾン水、および希釈濃度（たとえば、１０〜１００ｐｐｍ程度）の塩酸水のうちの少なくとも一つを含む。
【００５７】
また、前述の各実施形態では、基板処理システム１，２０１が円板状の基板Ｗを処理するシステムである場合について説明したが、基板処理システム１，２０１が、液晶表示装置用ガラス基板などの多角形の基板を処理するシステムであってもよい。
また、前述の実施形態では、処理対象となる基板として基板Ｗを取り上げたが、基板Ｗに限らず、たとえば、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ用基板、ＦＥＤ用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板などの他の種類の基板が処理対象とされてもよい。
【００５８】
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能で
ある。
【符号の説明】
【００５９】
１    基板処理システム
２    処理ユニット（処理部）
３    薬液供給ユニット（処理液供給装置）
１５    薬液タンク（処理液タンク）
１６    薬液配管（処理液配管）
２６    循環経路（流通経路）
２９    電熱線
２９ａ  電熱線の一端
２９ｂ  電熱線の他端
３０    被膜
３１    電力供給ユニット（電力供給手段）
３３    第１の電源線
３４    第２の電源線
３５    第１の接地ユニット（第１の接地手段）
３６    電流計（電流差計測手段、電流計測手段）
３７    導電性部材
３８    第１のアース線
２０２    薬液配管（処理液配管）
２０４    薬液供給ユニット（処理液供給装置）
２０５    薬液タンク（処理液タンク）
２０７    循環経路（流通経路）
２１１    第１の配管（導電性配管）
２１３    第２の配管（導電性配管）
２１６    電熱線
２１６ａ  電熱線の一端
２１６ｂ  電熱線の他端
２１７    被膜
２２２    第２の接地ユニット（第２の接地手段）
２２６    第２のアース線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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