(57)【要約】【課題】常温常湿環境下だけでなく、特に厳しい条件である低温低湿環境下であっても、ゴースト現象による画像欠陥が少ない画像を出力可能な電子写真感光体、ならびに、該電子写真感光体を有するプロセスカートリッジおよび電子写真装置を提供する。【解決手段】支持体、支持体上に電荷発生材料を含有する電荷発生層と電荷輸送材料を含有する電荷輸送層とを有する電子写真感光体を、電荷発生材料が、ジメチルスルホキシド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ−プロピルホルムアミド、Ｎ−ビニルホルムアミド及びＮ−メチルピロリドンから選択された少なくとも１種をガリウムフタロシアニンに対して０．１質量％以上１．５質量％以下で含有するガリウムフタロシアニン結晶であり、電荷輸送材料が、下記式（１）で示される化合物である構成とする。2016102858.tif 000034【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持体、該支持体上に電荷発生層と電荷輸送層とを有する電子写真感光体であって、
該電荷発生層が、有機化合物を結晶内に含有するガリウムフタロシアニン結晶を含有し、
該有機化合物が、ジメチルスルホキシド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ−プロピルホルムアミド、Ｎ−ビニルホルムアミド及びＮ−メチルピロリドンからなる群から選択される少なくとも１種であり、
該有機化合物の含有量が、該ガリウムフタロシアニン結晶中のガリウムフタロシアニンに対して０．１質量％以上１．５質量％以下であり、
該電荷輸送層が、下記式（１）で示される化合物を電荷輸送物質として含有する
ことを特徴とする電子写真感光体。
【化１】
2016102858.tif 000033
（式（１）中Ａｒ１〜Ａｒ１２はそれぞれ独立して置換または無置換の一価の芳香族炭化水素環基、または、置換または無置換の一価の芳香族複素環基を示し、Ｚ１〜Ｚ９はそれぞれ独立して置換または無置換の二価の芳香族炭化水素環基、または、置換または無置換の二価の芳香族複素環基を示し、ｎ１〜ｎ６は０または１である。）
【請求項２】
前記有機化合物の含有量が、前記ガリウムフタロシアニン結晶中のガリウムフタロシアニンに対して０．４質量％以上１．４質量％以下である請求項１に記載の電子写真感光体。
【請求項３】
前記有機化合物がＮ−メチルホルムアミド、Ｎ−プロピルホルムアミド、およびＮ−ビニルホルムアミドからなる群から選択される少なくとも１種である請求項１または２に記載の電子写真感光体。
【請求項４】
前記ガリウムフタロシアニン結晶が、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶である請求項１〜３のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
【請求項５】
前記ガリウムフタロシアニン結晶が、クロロガリウムフタロシアニン結晶である請求項１〜３のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
【請求項６】
前記式（１）中のＡｒ１〜Ａｒ１２の少なくとも１つが、９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル基である請求項１〜５のいずれか一項に記載の電子写真感光体。
【請求項７】
前記式（１）中のＡｒ１およびＡｒ１２が、９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル基である請求項６に記載の電子写真感光体。
【請求項８】
前記式（１）中のＺ１〜Ｚ９の少なくとも１つが、置換または無置換のフェニレン基、置換または無置換のビフェニレン基、置換または無置換のターフェニレン基、置換または無置換のジベンゾフラニレン基、および置換または無置換のジベンゾチオフェニレン基のうちいずれか１つである請求項１〜７のいずれか一項に記載の電子写真感光体。
【請求項９】
前記式（１）中のＺ１〜Ｚ９の少なくとも１つが、置換または無置換のターフェニレン基、置換または無置換のジベンゾフラニレン基、および置換または無置換のジベンゾチオフェニレン基のうちいずれか１つである請求項８に記載の電子写真感光体。
【請求項１０】
前記式（１）中のＺ５が、置換または無置換のターフェニレン基、置換または無置換のジベンゾフラニレン基、および置換または無置換のジベンゾチオフェニレン基のうちいずれか１つである請求項９のいずれか一項に記載の電子写真感光体。
【請求項１１】
前記式（１）中のｎ１〜ｎ６のうち、ｎ３およびｎ４が１であり、その他が０である請求項１〜１０のいずれか一項に記載の電子写真感光体。
【請求項１２】
請求項１〜１１のいずれか１項に記載の電子写真感光体と、帯電手段、現像手段、および、クリーニング手段からなる群より選ばれる少なくとも１つの手段とを一体に支持し、電子写真装置本体に着脱自在であることを特徴とするプロセスカートリッジ。
【請求項１３】
請求項１〜１１のいずれか１項に記載の電子写真感光体、ならびに、帯電手段、露光手段、現像手段、および、転写手段を有することを特徴とする電子写真装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子写真感光体、電子写真感光体を有するプロセスカートリッジおよび電子写真装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、電子写真感光体としては、支持体上に感光層を設け、感光層が電荷発生機能（電荷発生層）と電荷輸送機能（電荷輸送層）とをそれぞれ別々の層に分担させた機能分離型積層構造を有する電子写真感光体が一般的である。
【０００３】
電荷発生機能を有する電荷発生物質としては、像露光手段としてよく用いられている半導体レーザーの発振波長が６５０〜８２０ｎｍと長波長であるため、これらの長波長の光に高い感度を有する電荷発生物質の開発が進められている。
【０００４】
フタロシアニン顔料は、こうした長波長領域までの光に高い感度を有する電荷発生物質として有効である。特にオキシチタニウムフタロシアニンやガリウムフタロシアニンは、優れた感度特性を有しており、これまでに様々な結晶形や改良製法が報告されている。
【０００５】
特許文献１には、極性溶剤を含有するヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶が開示されている。Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドなどの極性溶剤を変換溶剤に使用することにより、極性溶剤が結晶内に取り込まれ、優れた感度特性を有する結晶が得られている。しかしながら、その反面、生成したフォトキャリアが感光層に残存しやすく、一種のメモリーとして、ゴースト現象などの電位変動を起こしやすい場合があるという課題があった。
【０００６】
一方、電荷輸送機能を有する電荷輸送物質としては、電荷発生物質で生成したフォトキャリアを短時間で輸送できる高い移動度を有する電荷輸送物質の開発が進められている。
【０００７】
特許文献２、特許文献３には、高移動度の電荷輸送物質が開示されている。
【０００８】
しかしながら、単に高感度の電荷発生物質と高移動度の電荷輸送物質を選んで組合わせて感光体を作成しても、電荷発生物質と電荷輸送物質との間でのフォトキャリアの注入性の影響で、ゴースト現象が生じるという課題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開平７−３３１１０７号公報
【特許文献２】特表２００６−５１１０７２号公報
【特許文献３】特開２００４−１０９９９９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
上述したように、電子写真感光体に関して、これまで、様々な開発が試みられている。
しかしながら、近年のさらなる高画質化に対しては、様々な環境下においてゴースト現象による画質劣化の改善が望まれている。
【００１１】
本発明の目的は、上記課題を解決し、常温常湿環境下だけでなく、特に厳しい条件である低温低湿環境下であっても、ゴースト現象による画像欠陥が少ない画像を出力可能な電子写真感光体、ならびに、該電子写真感光体を有するプロセスカートリッジおよび電子写真装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明は、支持体、該支持体上に電荷発生層と電荷輸送層とを有する電子写真感光体であって、
該電荷発生層が、有機化合物を結晶内に含有するガリウムフタロシアニン結晶を含有し、
該有機化合物が、ジメチルスルホキシド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ−プロピルホルムアミド、Ｎ−ビニルホルムアミド及びＮ−メチルピロリドンからなる群から選択される少なくとも１種であり、
該有機化合物の含有量が、該ガリウムフタロシアニン結晶中のガリウムフタロシアニンに対して０．１質量％以上１．５質量％以下であり、
該電荷輸送層が、下記式（１）で示される化合物を電荷輸送物質として含有する
ことを特徴とする電子写真感光体を提供する。        
【化１】
2016102858.tif 000002
（式（１）中Ａｒ１〜Ａｒ１２はそれぞれ独立して置換または無置換の一価の芳香族炭化水素環基、または、置換または無置換の一価の芳香族複素環基を示し、Ｚ１〜Ｚ９はそれぞれ独立して置換または無置換の二価の芳香族炭化水素環基、または、置換または無置換の二価の芳香族複素環基を示し、ｎ１〜ｎ６は０または１である。）
【００１３】
また、本発明は、上記電子写真感光体と、帯電手段、現像手段、および、クリーニング手段からなる群より選ばれる少なくとも１つの手段とを一体に支持し、電子写真装置本体に着脱自在であることを特徴とするプロセスカートリッジを提供する。
【００１４】
また、本発明は、上記電子写真感光体、ならびに、帯電手段露光手段、現像手段、および、転写手段を有することを特徴とする電子写真装置を提供する。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、常温常湿環境下だけでなく、特に厳しい条件である低温低湿環境下であっても、ゴースト現象による画像欠陥が少ない画像を出力可能な電子写真感光体、ならびに、該電子写真感光体を有するプロセスカートリッジおよび電子写真装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の電子写真感光体を有するプロセスカートリッジを備えた電子写真装置の概略構成の一例を示す図である。
【図２】調製例１で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折図である。
【図３】調製例９で得られたクロロガリウムフタロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
本発明の電子写真感光体は、支持体と、該支持体上に電荷発生層と電荷輸送層とを有する。電荷発生層は、有機化合物を結晶内に含有するガリウムフタロシアニン結晶（以下、有機化合物含有ガリウムフタロシアニン結晶という）を含有する。このガリウムフタロシアニン結晶に含まれる有機化合物は、ジメチルスルホキシド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ−プロピルホルムアミド、Ｎ−ビニルホルムアミド及びＮ−メチルピロリドンからなる群から選択される少なくとも１種である。有機化合物含有ガリウムフタロシアニン結晶は、有機化合物を、ガリウムフタロシアニン結晶中のガリウムフタロシアニンに対して０．１質量％以上１．５質量％以下の割合で含有する。なお、この有機化合物の含有割合は、２種以上の有機化合物を含む場合は、各有機化合物の合計量に基づく含有割合である。また、電荷輸送層は、前記式（１）で示される化合物を電荷輸送物質として含有する。
【００１８】
有機化合物含有ガリウムフタロシアニン結晶における有機化合物の含有量はガリウムフタロシアニンに対して０．４質量％以上１．４質量％以下であることがより好ましい。
【００１９】
有機化合物がＮ−メチルホルムアミド、Ｎ−プロピルホルムアミド、およびＮ−ビニルホルムアミドであることが好ましい。
【００２０】
前記式（１）中Ａｒ１〜Ａｒ１２はそれぞれ独立して置換または無置換の一価の芳香族炭化水素環基、または、置換または無置換の一価の芳香族複素環基を示す。Ｚ１〜Ｚ９はそれぞれ独立して置換または無置換の二価の芳香族炭化水素環基、または、置換または無置換の二価の芳香族複素環基を示す。ｎ１〜ｎ６は０または１である。
【００２１】
前記式（１）中のＡｒ１〜Ａｒ１２の少なくとも１つが、９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル基であることが好ましい。
【００２２】
さらには、前記式（１）中のＡｒ１およびＡｒ１２が、９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル基であることがより好ましい。
【００２３】
前記式（１）中のＡｒ１〜Ａｒ１２で示される置換または無置換の一価の芳香族炭化水素環基としては、例えばフェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、フルオレニル基、ナフチル基、アントラセニル基、ピレニル基などが挙げられる。置換または無置換の一価の芳香族複素環基としては、ピリジル基、インドリル基、キノリニル基、ベンゾフラニル基、ジベンゾフラニル基、ベンゾチオフェニル基、ジベンゾチオフェニル基などが挙げられる。
【００２４】
前記式（１）中のＺ１〜Ｚ９で示される置換または無置換の二価の芳香族炭化水素環基としては、フェニレン基、ビフェニレン基、ターフェニレン基、フルオレニレン基、ナフチレン基、アントラセニレン基、ピレニレン基などが挙げられる。置換または無置換の二価の芳香族複素環基としては、ピリジニレン基、インドリレン基、キノリニレン基、ベンゾフラニレン基、ジベンゾフラニレン基、ベンゾチオフェニレン基、ジベンゾチオフェニレン基などが挙げられる。また、上述の二価の芳香族炭化水素環または二価の芳香族複素環基は、２つの芳香族炭化水素環または芳香族複素環基がＲ１０を介して結合して導かれる二価の基であってもよい。Ｒ１０としては、置換または無置換の炭素数が１〜４のアルキレン基、アルキリデン基、置換または無置換のケイ素数が１〜４のシリレン基、酸素原子、硫黄原子が挙げられる。
【００２５】
前記式（１）中のＺ１〜Ｚ９の少なくとも１つが、置換または無置換のフェニレン基、置換または無置換のビフェニレン基、置換または無置換のターフェニレン基、置換または無置換のジベンゾフラニレン基、および置換または無置換のジベンゾチオフェニレン基のうちいずれか１つであることが好ましい。
【００２６】
また、前記式（１）中のＺ１〜Ｚ９の少なくとも１つが、置換または無置換のターフェニレン基、置換または無置換のジベンゾフラニレン基、および置換または無置換のジベンゾチオフェニレン基のうちいずれか１つであることがさらに好ましい。
【００２７】
前記式（１）中のＺ５が、置換または無置換のターフェニレン基、置換または無置換のジベンゾフラニレン基、および置換または無置換のジベンゾチオフェニレン基のうちいずれか１つであることが好ましい。
【００２８】
Ａｒ１〜Ａｒ１２およびＺ１〜Ｚ９についての上記置換基としては、水素原子、炭素数が１〜８のアルキル基、炭素数が１〜８のアルコキシ基、ハロゲン原子、フッ化アルキル基、シアノ基、およびニトロ基などが挙げられる。
【００２９】
前記式（１）中のｎ１〜ｎ６のうち、ｎ３およびｎ４が１であり、その他が０であることが好ましい。
【００３０】
前記式（１）の化合物は、その１種を単独で、あるいは２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００３１】
以下に、電荷輸送物質としての式（１）で示される化合物の好ましい具体例（例示化合物）を示すが、本発明は、これらに限定されるものではない。
例示化合物（１）
【化２】
2016102858.tif 000003
例示化合物（２）
【化３】
2016102858.tif 000004
例示化合物（３）
【化４】
2016102858.tif 000005
例示化合物（４）
【化５】
2016102858.tif 000006
例示化合物（５）
【化６】
2016102858.tif 000007
例示化合物（６）
【化７】
2016102858.tif 000008
例示化合物（７）
【化８】
2016102858.tif 000009
例示化合物（８）
【化９】
2016102858.tif 000010
例示化合物（９）
【化１０】
2016102858.tif 000011
例示化合物（１０）
【化１１】
2016102858.tif 000012
例示化合物（１１）
【化１２】
2016102858.tif 000013
例示化合物（１２）
【化１３】
2016102858.tif 000014
例示化合物（１３）
【化１４】
2016102858.tif 000015
例示化合物（１４）
【化１５】
2016102858.tif 000016
例示化合物（１５）
【化１６】
2016102858.tif 000017
例示化合物（１６）
【化１７】
2016102858.tif 000018
例示化合物（１７）
【化１８】
2016102858.tif 000019
例示化合物（１８）
【化１９】
2016102858.tif 000020
例示化合物（１９）
【化２０】
2016102858.tif 000021
例示化合物（２０）
【化２１】
2016102858.tif 000022
例示化合物（２１）
【化２２】
2016102858.tif 000023
例示化合物（２２）
【化２３】
2016102858.tif 000024
例示化合物（２３）
【化２４】
2016102858.tif 000025
例示化合物（２４）
【化２５】
2016102858.tif 000026
例示化合物（２５）
【化２６】
2016102858.tif 000027
例示化合物（２６）
【化２７】
2016102858.tif 000028
【００３２】
ガリウムフタロシアニン結晶とは、中心金属にガリウムを有するフタロシアニン化合物の結晶である。ガリウムフタロシアニン結晶の中でも、優れた感度を有する、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶、クロロガリウムフタロシアニン結晶、ブロモガリウムフタロシアニン結晶、ヨードガリウムフタロシアニン結晶が、本発明が有効に作用し好ましい。特には、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶、クロロガリウムフタロシアニン結晶が好ましい。ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶は、ガリウム原子が軸配位子としてヒドロキシ基を有するものである。クロロガリウムフタロシアニン結晶は、ガリウム原子が軸配位子として塩素原子を有するものである。ブロモガリウムフタロシアニン結晶は、ガリウム原子が軸配位子として臭素原子を有するものである。ヨードガリウムフタロシアニン結晶は、ガリウム原子が軸配位子としてヨウ素原子を有するものである。
【００３３】
さらに、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶の中でも、ＣｕＫα線のＸ線回折におけるブラッグ角２θにおいて７．４°±０．３°および２８．３°±０．３°にピークを有するヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶であることが高感度の点でより好ましい。
【００３４】
また、クロロガリウムフタロシアニン結晶の中でも、ＣｕＫα線のＸ線回折におけるブラッグ角２θ±０．２°において７．４°、１６．６°、２５．５°および２８．３°にピークを有するクロロガリウムフタロシアニン結晶であることが高感度の点でより好ましい。
【００３５】
有機化合物含有ガリウムフタロシアニン結晶の製造方法について説明する。
有機化合物含有ガリウムフタロシアニン結晶は、ガリウムフタロシアニン原料を有機化合物を含む溶剤に加えて湿式ミリング処理することにより、ガリウムフタロシアニンの結晶変換を行う工程で得られる。湿式ミリング処理に用いるガリウムフタロシアニン原料は、アシッドペースティング法、または乾式ミリング処理により得られたガリウムフタロシアニンが好ましい。
【００３６】
ここで行う湿式ミリング処理とは、例えば、ガラスビーズ、スチールビーズ、アルミナボールなどのミリング用の媒体としての分散剤とともにサンドミル、ボールミルなどのミリング装置を用いて行う処理である。湿式ミリング時間は、３０〜３０００時間程度が好ましい。特に好ましい方法は、１０〜１００時間おきにサンプルをとり、ＮＭＲ測定によりガリウムフタロシアニン結晶中の有機化合物の含有量を確認することである。湿式ミリング処理で用いる分散剤の量は、質量基準でガリウムフタロシアニンの１０〜５０倍が好ましい。
【００３７】
有機化合物の使用量は、質量基準でガリウムフタロシアニン結晶中のガリウムフタロシアニンの５〜３０倍が好ましい。
【００３８】
有機化合物含有ガリウムフタロシアニン結晶が有機化合物を結晶内に含有しているかどうかについて、本発明においては、得られたガリウムフタロシアニン結晶をＮＭＲ測定することにより決定した。
【００３９】
本発明の電子写真感光体に含まれる有機化合物含有ガリウムフタロシアニン結晶のＸ線回折およびＮＭＲの測定は、次の条件で行ったものである。
［粉末Ｘ線回折測定］
使用測定機：理学電気（株）製、Ｘ線回折装置ＲＩＮＴ−ＴＴＲＩＩ
Ｘ線管球：Ｃｕ
管電圧：５０ＫＶ
管電流：３００ｍＡ
スキャン方法：２θ／θスキャン
スキャン速度：４．０°／ｍｉｎ
サンプリング間隔：０．０２°
スタート角度（２θ）：５．０°
ストップ角度（２θ）：４０．０°
アタッチメント：標準試料ホルダー
フィルター：不使用
インシデントモノクロ：使用
カウンターモノクロメーター：不使用
発散スリット：開放
発散縦制限スリット：１０．００ｍｍ
散乱スリット：開放
受光スリット：開放
平板モノクロメーター：使用
カウンター：シンチレーションカウンター
［１Ｈ−ＮＭＲ測定］
使用測定器：ＢＲＵＫＥＲ製、ＡＶＡＮＣＥＩＩＩ  ５００
溶媒：重硫酸（Ｄ２ＳＯ４）
【００４０】
本発明の電子写真感光体の電荷発生層と電荷輸送層の積層位置の関係は電荷発生層が下層である。
【００４１】
本発明に用いられる支持体は、導電性を有するもの（導電性支持体）が好ましい。例えば、アルミニウムやステンレスなどの金属や合金、あるいは導電層を設けた金属、合金、プラスチックおよび紙などが挙げられる。支持体の形状としては円筒状またはフィルム状などが挙げられる。
【００４２】
本発明において、支持体と電荷発生層の間には、バリア機能と接着機能を持つ下引き層（中間層とも呼ばれる。）を設けることもできる。
下引き層の材料としては、ポリビニルアルコール、ポリエチレンオキシド、エチルセルロース、メチルセルロース、カゼイン、ポリアミド、にかわおよびゼラチンなどが用いられる。下引き層は、上記材料を含有する下引き層用塗布液を支持体上に塗布して塗膜を形成し、塗膜を乾燥させて形成することができる。また、抵抗制御剤として金属酸化物を添加することもある。
下引き層の膜厚は０．３〜５．０μｍであることが好ましい。
【００４３】
さらに、支持体と下引き層との間に、支持体のムラや欠陥の被覆、干渉縞防止を目的とした導電層を設けることが好適である。
導電層は、カーボンブラック、金属粒子および金属酸化物などの導電性粒子を、結着樹脂中に分散して形成することができる。
導電層の膜厚は５〜４０μｍであることが好ましく、特には１０〜３０μｍであることが好ましい。
【００４４】
電荷発生層は、有機化合物を結晶内に含有するガリウムフタロシアニン結晶及び結着樹脂を含有する電荷発生層用塗布液の塗膜を形成し、この塗膜を乾燥させることによって形成することができる。電荷発生層用塗布液は、有機化合物含有ガリウムフタロシアニン結晶を結着樹脂とともに溶剤に分散させることによって調製することができる。
電荷発生層の膜厚は、０．０５〜１μｍであることが好ましく、０．１〜０．３μｍであることがより好ましい。
【００４５】
電荷発生層における有機化合物含有ガリウムフタロシアニン結晶の含有量は、電荷発生層の全質量に対して４０質量％以上８５質量％以下であることが好ましく、６０質量％以上８０質量％以下であることがより好ましい。
【００４６】
電荷発生層に用いる結着樹脂としては、例えば、ポリエステル、アクリル樹脂、ポリカーボネート、ポリビニルブチラール、ポリスチレン、ポリビニルアセテート、ポリサルホン、アクリロニトリル共重合体およびポリビニルベンザールなどの樹脂が挙げられる。これらの中でも、有機化合物含有ガリウムフタロシアニン結晶の分散性の観点から、ポリビニルブチラール、ポリビニルベンザールが好ましい。これらの樹脂の１種または２種以上の組合せを用いることができる。
【００４７】
電荷輸送層は、電荷輸送物質を含む層であり、上記式（１）で示される化合物及び結着樹脂を含有する電荷発生層用塗布液の塗膜を形成し、この塗膜を乾燥させて形成することができる。また、電荷輸送層にトナーの転写効率を上げる目的で、離型剤、汚れなどを防止する目的で指紋付着防止剤、削れを抑制する目的でフィラー、およびドラム表面の潤滑性を上げる目的で滑剤などから選択した添加剤の少なくとも１種を添加しても良い。
【００４８】
電荷輸送層の膜厚は、５〜４０μｍであることが好ましく、特には１０〜２５μｍであることが好ましい。
【００４９】
電荷輸送層における前記式（１）で示される化合物の含有量は、電荷輸送層の全質量に対して１０質量％以上６０質量％以下であることが好ましく、２０質量％以上５０質量％以下であることがより好ましい。また、電荷輸送層には前記式（１）で示される化合物以外の電荷輸送物質を加えても良く、電荷輸送層における前記式（１）で示される化合物以外の電荷輸送物質の含有量の総量は、電荷輸送層の全質量に対して２０〜６０質量％であることが好ましい。特には３０〜５０質量％であることが好ましい。ただし、前記式（１）で示される化合物の含有量は、加えられる電荷輸送物質の含有量よりも多いことが好ましい。
【００５０】
加えられる電荷輸送物質としては、トリアリールアミン化合物、ヒドラゾン化合物、スチルベン化合物、ピラゾリン化合物、オキサゾール化合物、チアゾール化合物およびトリアリルメタン化合物などが挙げられる。これら電荷輸送物質の１種または２種以上を組合せて加えて用いることができる。
【００５１】
電荷輸送層に用いる結着樹脂としては、例えば、ポリエステル、アクリル樹脂、フェノキシ樹脂、ポリカーボネート、ポリサルホン、ポリアリレート（ｐｏｌｙａｒｙｌａｔｅ）、およびアクリロニトリル共重合体などの樹脂が挙げられる。これらの中でも、ポリカーボネート、ポリアリレートが好ましい。これらの樹脂の１種または２種以上の組合せを用いることができる。  
【００５２】
各層の塗布方法としては、浸漬塗布法（ディッピング法）、スプレーコーティング法、スピンナーコーティング法、ビードコーティング法、ブレードコーティング法およびビームコーティング法などから選択した塗布方法を用いることができる。
【００５３】
本発明のプロセスカートリッジは、電子写真感光体と、帯電手段、現像手段、および、クリーニング手段からなる群より選ばれる少なくとも１つの手段とを一体に支持し、電子写真装置本体に着脱自在である。また、本発明の電子写真装置は、電子写真感光体、ならびに、帯電手段、露光手段、現像手段、および、転写手段を有することを特徴とする。
【００５４】
図１は、本発明の電子写真感光体を有するプロセスカートリッジを備えた電子写真装置の概略構成の一例を示す図である。この電子写真装置は、円筒状（ドラム状）の電子写真感光体１を有する。電子写真感光体１は、軸２を中心に矢印方向に所定の周速度（プロセススピード）をもって回転駆動される。電子写真感光体１の表面は、回転過程において、帯電手段３により、正または負の所定電位に帯電される。次いで、帯電された電子写真感光体１の表面には、露光手段（不図示）から露光光４が照射され、目的の画像情報に対応した静電潜像が形成されていく。露光光４は、例えば、スリット露光やレーザービーム走査露光などの露光手段から出力される、目的の画像情報の時系列電気デジタル画像信号に対応して強度変調された光である。
【００５５】
電子写真感光体１の表面に形成された静電潜像は、現像手段５内に収容されたトナーで現像（正規現像または反転現像）され、電子写真感光体１の表面にはトナー像が形成される。電子写真感光体１の表面に形成されたトナー像は、転写手段６により、転写材７に転写されていく。このとき、転写手段６には、バイアス電源（不図示）からトナーの保有電荷とは逆極性のバイアス電圧が印加される。また、転写材７が紙である場合、転写材７は給紙部（不図示）から取り出されて、電子写真感光体１と転写手段６との間に電子写真感光体１の回転と同期して給送される。
【００５６】
電子写真感光体１からトナー像が転写された転写材７は、電子写真感光体１の表面から分離されて、像定着手段８へ搬送されて、トナー像の定着処理を受けることにより、画像形成物（プリント、コピー）として電子写真装置の外へプリントアウトされる。
【００５７】
転写材７にトナー像を転写した後の電子写真感光体１の表面は、クリーニング手段９により、トナー（転写残りトナー）などの付着物の除去を受けて清浄される。近年、クリーナレスシステムも開発され、転写残りトナーを直接、現像手段などで除去することもできる。さらに、電子写真感光体１の表面は、前露光手段（不図示）からの前露光光１０により除電処理された後、繰り返し画像形成に使用される。なお、帯電手段３が帯電ローラーなどを用いた接触帯電手段である場合は、前露光手段は必ずしも必要ではない。
【００５８】
本発明においては、上述の電子写真感光体１、帯電手段３、現像手段５およびクリーニング手段９などの構成要素のうち、複数の構成要素を容器に納めて一体に支持してプロセスカートリッジを形成してもよい。そして、このプロセスカートリッジを電子写真装置本体に対して着脱自在に構成することができる。例えば、帯電手段３、現像手段５およびクリーニング手段９から選択される少なくとも１つを電子写真感光体１とともに一体に支持してカートリッジ化して、電子写真装置本体のレールなどの案内手段１２を用いて電子写真装置本体に着脱自在なプロセスカートリッジ１１とすることができる。
【００５９】
露光光４は、電子写真装置が複写機やプリンターである場合には、原稿からの反射光や透過光であってもよい。または、センサーで原稿を読み取り、信号化し、この信号に従って行われるレーザービームの走査、ＬＥＤアレイの駆動もしくは液晶シャッターアレイの駆動などにより放射される光であってもよい。
【００６０】
本発明の電子写真感光体１は、レーザービームプリンター、ＣＲＴプリンター、ＬＥＤプリンター、ＦＡＸ、液晶プリンターおよびレーザー製版などの電子写真応用分野にも幅広く適用することができる。
【実施例】
【００６１】
以下に、具体的な実施例を挙げて本発明をさらに詳細に説明する。ただし、本発明は、これらに限定されるものではない。以下に記載の「部」は、「質量部」を意味する。なお、実施例および比較例の電子写真感光体の各層の膜厚は、渦電流式膜厚計（Ｆｉｓｃｈｅｒｓｃｏｐｅ、フィッシャーインスツルメント社製）で求め、または、単位面積当たりの質量から比重換算で求めた。
【００６２】
〔合成例１〕
窒素フローの雰囲気下、フタロニトリル５．４６部およびα−クロロナフタレン４５部を反応釜に投入した後、加熱し、温度３０℃まで昇温させた後、この温度を維持した。次に、この温度（３０℃）で三塩化ガリウム３．７５部を投入した。投入時の混合液の水分値は１５０ｐｐｍであった。その後、温度２００℃まで昇温させた。次に、窒素フローの雰囲気下、温度２００℃で４．５時間反応させた後、冷却し、温度１５０℃に達したときに生成物を濾過した。得られた濾過物をＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミドを用いて温度１４０℃で２時間分散洗浄した後、濾過した。得られた濾過物をメタノールで洗浄した後、乾燥させ、クロロガリウムフタロシアニン顔料を４．６５部（収率７１％）得た。
【００６３】
〔合成例２〕
合成例１で得られたクロロガリウムフタロシアニン顔料４．６５部を、温度１０℃で濃硫酸１３９．５部に溶解させ、攪拌下、氷水６２０部中に滴下して再析出させて、フィルタープレスを用いて濾過した。得られたウエットケーキ（濾過物）を２％アンモニア水で分散洗浄した後、フィルタープレスを用いて濾過した。次いで、得られたウエットケーキ（濾過物）をイオン交換水で分散洗浄した後、フィルタープレスを用いた濾過を３回繰り返し、その後、固形分２３％のヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料（含水ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料）を得た（アシッドペースティング処理）。
【００６４】
次に、得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料（含水ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料）６．６ｋｇをハイパー・ドライ乾燥機（商品名：ＨＤ−０６Ｒ、周波数（発振周波数）：２４５５ＭＨｚ±１５ＭＨｚ、日本バイオコン（株）製）を用いて以下のように乾燥させた。
【００６５】
得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料を、専用円形プラスチックトレイにフィルタープレスより取り出したままの固まりの状態（含水ケーキ厚４ｃｍ以下）で載せ、遠赤外線はオフ、乾燥機の内壁の温度は５０℃になるように設定した。そして、マイクロ波照射時は真空ポンプとリークバルブを調整し、真空度を４．０〜１０．０ｋＰａに調整した。
【００６６】
まず、第１工程として、４．８ｋＷのマイクロ波をヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料に５０分間照射し、次に、マイクロ波を一旦切ってリークバルブを一旦閉じて２ｋＰａ以下の高真空にした。この時点でのヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料の固形分は８８％であった。
【００６７】
第２工程として、リークバルブを調整し、真空度（乾燥機内の圧力）を前記設定値内（４．０〜１０．０ｋＰａ）に調整した。その後、１．２ｋＷのマイクロ波をヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料に５分間照射し、また、マイクロ波を一旦切ってリークバルブを一旦閉じて２ｋＰａ以下の高真空にした。この第２工程をさらに１回繰り返した（計２回）。この時点でのヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料の固形分は９８％であった。
【００６８】
さらに第３工程として、第２工程でのマイクロ波を１．２ｋＷから０．８ｋＷに代えた以外は第２工程と同様にしてマイクロ波照射を行った。この第３工程をさらに１回繰り返した（計２回）。
【００６９】
さらに第４工程として、リークバルブを調整し、真空度（乾燥機内の圧力）を前記設定値内（４．０〜１０．０ｋＰａ）に復圧した。その後、０．４ｋＷのマイクロ波をヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料に３分間照射し、また、マイクロ波を一旦切ってリークバルブを一旦閉じて２ｋＰａ以下の高真空にした。この第４工程をさらに７回繰り返した（計８回）。
【００７０】
以上、合計３時間で、含水率１％以下のヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料を１．
５２ｋｇ得た。
【００７１】
〔調製例１〕
合成例２で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料０．５部、および、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド１０部を、直径０．８ｍｍのガラスビーズ２０部とともにボールミルで湿式ミリング処理を室温（２３℃）下で４００時間行った。この際、容器は規格びん（製品コード：ＰＳ−６、柏洋硝子製）を用い、容器が１分間に１２０回転する条件で行った。こうして得られた分散液から有機化合物含有ガリウムフタロシアニン結晶をＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミドを用いて取り出し、濾過し、濾過器上をテトラヒドロフランで十分に洗浄した。濾取物を真空乾燥させて、有機化合物含有ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を０．４５部得た。得られた結晶の粉末Ｘ線回折図を図２に示す。
【００７２】
また、ＮＭＲ測定により、本調製例で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内に、プロトン比率から換算し、ヒドロキシガリウムフタロシアニンに対して、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドが１．４質量％含有されていることが確認された。Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドはテトラヒドロフランに相溶することから、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドは結晶内に含有することが分かる。
【００７３】
〔調製例２〕
調製例１において、ミリング処理時間を４００時間から２０００時間に変更した以外は、調製例１と同様に処理し、有機化合物含有ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を０．４３部得た。得られた有機化合物含有ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折は、図２と同様であった。
【００７４】
また、ＮＭＲ測定により、本調製例で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内に、プロトン比率から換算し、ヒドロキシガリウムフタロシアニンに対して、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドが０．８質量％含有されていることが確認された。
【００７５】
〔調製例３〕
調製例１において、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド１０部をジメチルスルホキシド１０部に、湿式ミリング処理時間を４００時間から２０００時間に変更した。それ以外は、調製例１と同様に処理し、有機化合物含有ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を０．３９部得た。得られた有機化合物含有ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折は、図２と同様であった。
【００７６】
また、ＮＭＲ測定により、本調製例で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内に、プロトン比率から換算し、ヒドロキシガリウムフタロシアニンに対して、ジメチルスルホキシドが０．７質量％含有されていることが確認された。
【００７７】
〔調製例４〕
調製例１において、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド１０部をＮ−メチルホルムアミド１０部に、湿式ミリング処理時間を４００時間から２００時間に変更した。それ以外は、調製例１と同様に処理し、有機化合物含有ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を０．４５部得た。得られた有機化合物含有ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折は、図２と同様であった。
【００７８】
また、ＮＭＲ測定により、本調製例で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内に、プロトン比率から換算し、ヒドロキシガリウムフタロシアニンに対して、Ｎ−メチルホルムアミドが１．２質量％含有されていることが確認された。
【００７９】
〔調製例５〕
調製例４において、湿式ミリング処理時間を２００時間から１０００時間に変更した以外は、調製例４と同様に処理し、有機化合物含有ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を０．４３部得た。得られた有機化合物含有ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折は、図２と同様であった。
【００８０】
また、ＮＭＲ測定により、本調製例で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内に、プロトン比率から換算し、ヒドロキシガリウムフタロシアニンに対して、Ｎ−メチルホルムアミドが０．５質量％含有されていることが確認された。
【００８１】
〔調製例６〕
調製例１において、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド１０部をＮ−ｎ−プロピルホルムアミド１０部に、湿式ミリング処理時間を４００時間から１０００時間に変更した。それ以外は、調製例１と同様に処理し、有機化合物含有ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を０．４３部得た。得られた有機化合物含有ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折は、図２と同様であった。
【００８２】
また、ＮＭＲ測定により、本調製例で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内に、プロトン比率から換算し、ヒドロキシガリウムフタロシアニンに対して、Ｎ−ｎ−プロピルホルムアミドが０．９質量％含有されていることが確認された。
【００８３】
〔調製例７〕
調製例１において、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド１０部をＮ−ビニルホルムアミド１０部に、湿式ミリング処理時間を４００時間から６００時間に変更した。それ以外は、調製例１と同様に処理し、有機化合物含有ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を０．４５部得た。得られた有機化合物含有ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折は、図２と同様であった。
【００８４】
また、ＮＭＲ測定により、本調製例で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内に、プロトン比率から換算し、ヒドロキシガリウムフタロシアニンに対して、Ｎ−ビニルホルムアミドが１．５質量％含有されていることが確認された。
【００８５】
〔調製例８〕
調製例１において、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド１０部をＮ−メチル−２−ピロリドン１０部に、湿式ミリング処理時間を４００時間から８００時間に変更した。それ以外は、調製例１と同様に処理し、有機化合物含有ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を０．４４部得た。得られた有機化合物含有ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折は、図２と同様であった。
【００８６】
また、ＮＭＲ測定により、本調製例で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内に、プロトン比率から換算し、ヒドロキシガリウムフタロシアニンに対して、Ｎ−メチル−２−ピロリドンが１．４質量％含有されていることが確認された。
【００８７】
〔調製例９〕
合成例１で得られたクロロガリウムフタロシアニン０．５部、および、直径０．８ｍｍのガラスビーズ２０部とともにボールミルで乾式ミリング処理を室温（２３℃）下で４０時間行った。そこにＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド１０部を加え湿式ミリング処理を室温（２３℃）下で１００時間行った。
【００８８】
この分散液からクロロガリウムフタロシアニン結晶をＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミドを用いて取り出し、濾過し、濾過器上をテトラヒドロフランで十分に洗浄した。濾取物を真空乾燥させて、有機化合物含有クロロガリウムフタロシアニン結晶を０．４４部得た。得られた結晶の粉末Ｘ線回折図を図３に示す。
【００８９】
また、ＮＭＲ測定により、本調製例で得られたクロロガリウムフタロシアニン結晶内に、プロトン比率から換算し、クロロガリウムフタロシアニンに対して、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドが１．０質量％含有されていることが確認された。
【００９０】
〔調製例１０〕
調製例９において、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド１０部をＮ−メチルホルムアミド１０部に変更した以外は、調製例９と同様に処理し、クロロガリウムフタロシアニン結晶を０．４５部得た。得られたクロロガリウムフタロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折は、図３と同様であった。
【００９１】
また、ＮＭＲ測定により、本調製例で得られたクロロガリウムフタロシアニン結晶内に、プロトン比率から換算し、クロロガリウムフタロシアニンに対して、Ｎ−メチルホルムアミドが１．５質量％含有されていることが確認された。
【００９２】
〔比較調製例１〕
調製例１において、湿式ミリング処理時間を４００時間から４８時間に変更した以外は、調製例１と同様に処理し、有機化合物含有ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を０．４６部得た。
【００９３】
また、ＮＭＲ測定により、本比較調製例で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内に、プロトン比率から換算し、ヒドロキシガリウムフタロシアニンに対して、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドが２．１質量％含有されていることが確認された。
【００９４】
〔比較調製例２〕
調製例３において、湿式ミリング処理時間を２０００時間から４８時間に変更した以外は、調製例３と同様に処理し、有機化合物含有ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を０．４１部得た。
【００９５】
また、ＮＭＲ測定により、本比較調製例で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内に、プロトン比率から換算し、ヒドロキシガリウムフタロシアニンに対して、ジメチルスルホキシドが２．１質量％含有されていることが確認された。
【００９６】
〔実施例１〕
以下の各成分からなる溶液を２０時間、ボールミルで分散処理することによって、導電層用塗布液を調製した。
・酸化スズで被覆した硫酸バリウム粒子（商品名：パストランＰＣ１、三井金属鉱業（株）製）６０部
・酸化チタン粒子（商品名：ＴＩＴＡＮＩＸ  ＪＲ、テイカ（株）製）１５部
・レゾール型フェノール樹脂（商品名：フェノライト  Ｊ−３２５、ＤＩＣ（株）製、固形分７０質量％）４３部
・シリコーンオイル（商品名：ＳＨ２８ＰＡ、東レシリコーン（株）製）０．０１５部
・シリコーン樹脂（商品名：トスパール１２０、東芝シリコーン（株）製）３．６部
・２−メトキシ−１−プロパノール  ５０部
・メタノール  ５０部
この導電層用塗布液を、支持体としてのアルミニウムシリンダーの外周面上に浸漬塗布し、得られた塗膜を３０分間１４０℃で乾燥させることによって、膜厚が１５μｍの導電層を形成した。
【００９７】
次に、共重合ナイロン樹脂（商品名：アミランＣＭ８０００、東レ（株）製）１０部およびメトキシメチル化６ナイロン樹脂（商品名：トレジンＥＦ−３０Ｔ、帝国化学（株）製）３０部を、メタノール４００部／ｎ−ブタノール２００部の混合溶剤に溶解させることによって、下引き層用塗布液を調製した。
この下引き層用塗布液を導電層上に浸漬塗布し、得られた塗膜を乾燥させることによって、膜厚が０．５μｍの下引き層を形成した。
【００９８】
次に、調製例１で得られた有機化合物含有ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶（電荷発生物質）１０部、ポリビニルブチラール（商品名：エスレックＢＸ−１、積水化学工業（株）製）５部、および、シクロヘキサノン２５０部を、直径１ｍｍのガラスビーズを用いたサンドミルに入れ、６時間分散処理し、これに酢酸エチル２５０部を加えて希釈することによって、電荷発生層用塗布液を調製した。
この電荷発生層用塗布液を下引き層上に浸漬塗布し、得られた塗膜を１０分間１００℃で乾燥させることによって、膜厚が０．１８μｍの電荷発生層を形成した。
【００９９】
次に、以下の各成分を、ｏ−キシレン７０部およびジメトキシメタン２０部の混合溶媒に溶解させることによって、電荷輸送層用塗布液を調製した。
・例示化合物（１０）で示される化合物（電荷輸送物質）８部
・下記式（ＰｃＳｉ−１）で示される滑剤を０．１部
・ポリカーボネート（商品名：ユーピロンＺ−２００、三菱ガス化学（株）製）１０部
【化２８】
2016102858.tif 000029
この電荷輸送層用塗布液を電荷発生層上に浸漬塗布し、得られた塗膜を１時間１２５℃で乾燥させることによって、膜厚が２２μｍの電荷輸送層を形成した。
【０１００】
このようにして、円筒状（ドラム状）の実施例１の電子写真感光体を作製した。
【０１０１】
〔実施例２〕
実施例１において、電荷発生層用塗布液を調製する際の調製例１で得られた有機化合物含有ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を調製例２で得られた有機化合物含有ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶に変更した。さらに、電荷輸送層用塗布液を調製する際の例示化合物（１０）を例示化合物（１８）に変更した以外は、実施例１と同様にして実施例２の電子写真感光体を作製した。
【０１０２】
〔実施例３〕
実施例１において、電荷発生層用塗布液を調製する際の調製例１で得られた有機化合物含有ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を調製例３で得られた有機化合物含有ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶に変更した。さらにまた、電荷輸送層用塗布液を調製する際の例示化合物（１０）を例示化合物（７）に変更した以外は、実施例１と同様にして実施例３の電子写真感光体を作製した。
【０１０３】
〔実施例４〕
実施例１において、電荷発生層用塗布液を調製する際の調製例１で得られた有機化合物含有ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を調製例４で得られた有機化合物含有ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶に変更した。さらに、電荷輸送層用塗布液を調製する際の例示化合物（１０）を例示化合物（２）に変更した以外は、実施例１と同様にして実施例４の電子写真感光体を作製した。
【０１０４】
〔実施例５〕
実施例４において、電荷輸送層用塗布液を調製する際の例示化合物（１０）８部を例示化合物（９）６部と下記式（ＣＴＭ−１）で示される化合物（電荷輸送物質）３部に変更した以外は、実施例４と同様にして本実施例の電子写真感光体を作製した。
【化２９】
2016102858.tif 000030
【０１０５】
〔実施例６〕
実施例４において、電荷輸送層用塗布液を調製する際の例示化合物（１０）８部を例示化合物（１１）５部と下記式（ＣＴＭ−２）で示される化合物（電荷輸送物質）３部に変更した以外は、実施例４と同様にして本実施例の電子写真感光体を作製した。
【化３０】
2016102858.tif 000031
【０１０６】
〔実施例７〕
実施例１において、電荷発生層用塗布液を調製する際の調製例１で得られた有機化合物含有ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を調製例５で得られた有機化合物含有ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶に変更した。さらに、電荷輸送層用塗布液を調製する際の例示化合物（１０）８部を例示化合物（２５）４部と例示化合物（１１）４部に変更した以外は、実施例１と同様にして実施例７の電子写真感光体を作製した。
【０１０７】
〔実施例８〕
実施例１において、電荷発生層用塗布液を調製する際の調製例１で得られた有機化合物含有ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を調製例６で得られた有機化合物含有ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶に変更した。さらに、電荷輸送層用塗布液を調製する際の例示化合物（１０）を例示化合物（４）に変更した以外は、実施例１と同様にして実施例８の電子写真感光体を作製した。
【０１０８】
〔実施例９〕
実施例１において、電荷発生層用塗布液を調製する際の調製例１で得られた有機化合物含有ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を調製例７で得られた有機化合物含有ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶に変更した。さらに、電荷輸送層用塗布液を調製する際の例示化合物（１０）を例示化合物（２３）に変更した以外は、実施例１と同様にして実施例９の電子写真感光体を作製した。
【０１０９】
〔実施例１０〕
実施例１において、電荷発生層用塗布液を調製する際の調製例１で得られた有機化合物含有ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を調製例８で得られた有機化合物含有ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶に変更した。さらに、電荷輸送層用塗布液を調製する際の例示化合物（１０）を例示化合物（２３）に変更した以外は、実施例１と同様にして実施例１０の電子写真感光体を作製した。
【０１１０】
〔実施例１１〕
実施例１において、電荷発生層用塗布液を調製する際の調製例１で得られた有機化合物含有ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を調製例９で得られた有機化合物含有クロロガリウムフタロシアニン結晶に変更した。さらに、電荷輸送層用塗布液を調製する際の例示化合物（１０）を例示化合物（２６）に変更した以外は、実施例１と同様にして実施例１１の電子写真感光体を作製した。
【０１１１】
〔実施例１２〕
実施例１において、電荷発生層用塗布液を調製する際の調製例１で得られた有機化合物含有ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を調製例１０で得られた有機化合物含有クロロガリウムフタロシアニン結晶に変更した。さらに、電荷輸送層用塗布液を調製する際の例示化合物（１０）を例示化合物（２４）に変更した以外は、実施例１と同様にして実施例１２の電子写真感光体を作製した。
【０１１２】
〔比較例１〕
実施例１において、電荷発生層用塗布液を調製する際の調製例１で得られた有機化合物含有ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を比較調製例１で得られた有機化合物含有ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶に変更した。さらに、電荷輸送層用塗布液を調製する際の例示化合物（１０）８部を前記式（ＣＴＭ−１）で示される化合物（電荷輸送材料）４部と前記式（ＣＴＭ−２）で示される化合物（電荷輸送材料）４部に変更した。それ以外は、実施例１と同様にして比較例１の電子写真感光体を作製した。
【０１１３】
〔比較例２〕
比較例１において、電荷発生層用塗布液を調製する際の比較調製例１で得られた有機化合物含有ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を比較調製例２で得られた有機化合物含有ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶に変更した。それ以外は、比較例１と同様にして比較例２の電子写真感光体を作製した。
【０１１４】
〔比較例３〕
実施例１において、電荷発生層用塗布液を調製する際の調製例１で得られた有機化合物含有ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を比較調製例１で得られた有機化合物含有ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶に変更した。それ以外は、実施例１と同様にして比較例３の電子写真感光体を作製した。
【０１１５】
〔比較例４〕
比較例１において、電荷発生層用塗布液を調製する際の比較調製例１で得られた有機化合物含有ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を調製例９で得られた有機化合物含有クロロガリウムフタロシアニン結晶に変更した。それ以外は、比較例１と同様にして比較例４の電子写真感光体を作製した。
【０１１６】
〔実施例１〜１２および比較例１〜４の電子写真感光体についての評価〕
実施例１〜１２および比較例１〜４の電子写真感光体について、ゴースト画像評価を行った。
【０１１７】
評価用の電子写真装置としては、日本ヒューレットパッカード（株）製のレーザービームプリンター（商品名：Ｃｏｌｏｒ  Ｌａｓｅｒ  Ｊｅｔ  ＣＰ３５２５ｄｎ）を、以下に示す改造を施して用いた。すなわち、前露光は点灯せず、帯電条件と像露光量は可変で作動するようにした。また、シアン色用のプロセスカートリッジに作製した電子写真感光体を装着してシアンのプロセスカートリッジのステーションに取り付け、他の色用のプロセスカートリッジをプリンター本体に装着せずとも作動するようにした。
画像の出力に際しては、シアン色用のプロセスカートリッジのみを本体に取り付け、シアントナーのみによる単色画像を出力した。
【０１１８】
まず、温度２３℃／湿度５５％ＲＨの常温常湿環境下で、初期の暗部電位が−５００Ｖ、明部電位が−１００Ｖになるように帯電条件と像露光量を調整した。電位設定の際のドラム状電子写真感光体の表面電位の測定は、カートリッジを改造し、現像位置に電位プローブ（商品名：ｍｏｄｅｌ６０００Ｂ−８、トレック・ジャパン（株）製）を装着した。そして、円筒状の電子写真感光体の中央部の電位を表面電位計（商品名：ｍｏｄｅｌ３４４、トレック・ジャパン（株）製）を使用して測定した。
【０１１９】
その後、同条件下でゴースト画像評価を行った。その後、１０００枚の繰り返し通紙試験を行い、繰り返し通史試験直後および繰り返し通史試験１５時間後でのゴースト画像評価を行った。常温常湿環境下における評価結果を表１に示す。
【０１２０】
次に、電子写真感光体を評価用の電子写真装置とともに温度１５℃／湿度１０％ＲＨの低温低湿環境下で３日間放置した後、ゴースト画像評価を行った。そして、同条件下で１０００枚の繰り返し通紙試験を行い、繰り返し通紙試験直後および繰り返し通紙試験１５時間後でのゴースト画像評価を行った。低温低湿環境下における評価結果を表１に合わせて示す。
なお、繰り返し通紙試験は、印字率１％でＥ文字画像をＡ４サイズの普通紙にシアン単色で印字する条件で行った。
【０１２１】
また、ゴースト画像評価の方法は、以下のようにした。
ゴースト画像評価は、１枚目にベタ白画像を出力し、その後ゴーストチャートを４種各１枚の計４枚出力し、次に、ベタ黒画像を１枚出力した後に再度ゴーストチャートを４種各１枚の計４枚出力する、という順番で行い、計８枚のゴースト画像で評価した。ゴーストチャートは、プリント画像書き出し（紙上端１０ｍｍ）位置から３０ｍｍの範囲をベタ白背景に２５ｍｍ四方のべた黒の正方形を等間隔かつ平行に４つ並べ、プリント画像書き出し位置から３０ｍｍ以降はハーフトーンの印字パターンを４種類出力する。ランク分けを行った。
４種類のゴーストチャートとは、プリント書き出し位置から３０ｍｍ以降のハーフトーンパターンのみ異なるチャートで、ハーフトーンは以下の４種類である。
（１）横＊１ドット、１スペースの印字（レーザー露光）パターン。
（２）横＊２ドット、２スペースの印字（レーザー露光）パターン。
（３）横＊２ドット、３スペースの印字（レーザー露光）パターン。
（４）桂馬パターンの印字（レーザー露光）パターン。（将棋の桂馬の動きのように６マスに２ドット印字するパターン）
＊：横とは、レーザースキャナーの走査方向（出力された用紙では水平方向）を指す。
【０１２２】
ゴースト画像のランク分けは以下のように行った。なお、ランク４、５、６は、本発明の効果が十分に得られていないと判断した。
ランク１：いずれのゴーストチャートでもゴーストは見えない。
ランク２：特定のゴーストチャートでゴーストがうっすら見える。
ランク３：いずれのゴーストチャートでもゴーストがうっすら見える。
ランク４：特定のゴーストチャートでゴーストが見える。
ランク５：いずれのゴーストチャートでもゴーストが見える。
ランク６：特定のゴーストチャートでゴーストがはっきり見える。
【０１２３】
【表１】
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【符号の説明】
【０１２４】
１  電子写真感光体
２  軸
３  帯電手段
４  像露光光
５  現像手段
６  転写手段
７  転写材
８  像定着手段
９  クリーニング手段
１０  前露光光
１１  プロセスカートリッジ
１２  案内手段
【図１】
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【図２】
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【図３】
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