(57)【要約】【課題】適用される露光装置の限定がなく、一般的な半導体製造で適用される測定器にてフォーカスの測定が可能となり、デバイス製造マスクに挿入可能なパターンを持ち、フォーカスの把握、調整が容易となるようにする。【解決手段】マスクパターンを基板上に転写する露光マスクにおいて、２つの矩形をＬ字状に配置した形状における一方の矩形１１ａの右辺及び他方の矩形１１ｂの上辺に三角状突起集合形５０が形成されたＬ字状パターン１０や、４つの矩形１５ａ〜１５ｄを四角枠状に配置した形状における水平方向の矩形１５ａのみ及び垂直方向の矩形１５ｂのみに三角状突起集合形５０が形成された枠状パターン１４を用い、三角状突起集合形５０を有する矩形の線幅Ｌ’の変動によりフォーカス状態を計測する。【選択図】図１
2016188979.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マスクパターンを基板上に転写する投影露光装置の露光マスクにおいて、
２つの矩形をＬ字状に配置した形状における一方の矩形の左右の少なくとも一方の辺及び他方の矩形の上下の少なくとも一方の辺に三角状突起の集合形が形成されたパターンを含むことを特徴とする露光マスク。
【請求項２】
前記パターンは、４つの矩形を四角枠状に配置した形状における水平方向のいずれか一方の矩形のみ及び垂直方向のいずれか一方の矩形のみに三角状突起の集合形が形成された枠状パターンとしたことを特徴とする請求項１記載の露光マスク。
【請求項３】
前記枠状パターンとして、Ｂｏｘ−ｉｎ−Ｂｏｘパターンを適用することを特徴とする請求項２記載の露光マスク。
【請求項４】
請求項１乃至３の露光マスクを用いて、感光性レジストが形成された基板へパターン転写を行い、
基板上に転写された前記パターンの線幅の変動を測定することにより、投影露光装置のフォーカスのズレ量を計測することを特徴とするフォーカス測定方法。
【請求項５】
請求項１乃至３の露光マスクを用い、基板内又は露光マスク内に段差を形成し、フォーカス位置が異なる複数の位置に前記パターンの転写を行い、
基板上の複数位置の前記パターンの線幅の変動を測定することにより、投影露光装置のフォーカスのズレ量を計測することを特徴とするフォーカス測定方法。
【請求項６】
請求項４又は５のフォーカス測定方法を用い、複数の位置のパターンの線幅の変動を測定し、複数の位置の測定値の差分からデフォーカスの向きを判定し、このデフォーカス判定に基づきフォーカス調整することを特徴とするフォーカス管理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、露光マスクに形成されたパターンを感光基板上に投影露光する半導体デバイスの製造工程において、特に投影露光装置のフォーカスを管理する上で必要とされるデフォーカス量を管理することができる露光マスク、フォーカス測定方法及びフォーカス管理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の電子デバイスの高集積化を実現する露光技術が向上したことに伴い、露光工程における許容焦点深度（フォーカスマージン）が狭くなり、安定した歩留りを維持するため、その少ないマージンで製造することが要求されており、投影光学装置の光学系のフォーカス管理が厳密に行われることが求められる。一方で、装置管理に要する時間、所謂ダウンタイムは生産に寄与しないことから短縮化が望まれ、光学特性を短時間に精度良く測定することが必要である。これらは、高度に高集積化した半導体デバイスの製造工程だけではなく、投影光学系を用いたパターン転写製法に共通した要求となっている。
【０００３】
前記露光工程のパターンを用いてフォーカスを測定する方法としては、ＣＤ／フォーカス法やＳＭＰ法（例えば特許文献１）、ＰＳＦＭ法（例えば特許文献２）等があり、前記ＣＤ／フォーカス法やＳＭＰ法は、転写されたパターンがベストフォーカス（最適な焦点位置）で最大になることを利用した方法であり、特にＳＭＰ法はデフォーカスに対して敏感になるように菱型パターンを用いている。ＣＤ／フォーカス法は、転写されたパターンの短手方向の線幅がフォーカスに依存することを利用しており、これを更に発展させたのがＳＭＰ法である。これらの手法の露光方法は簡便であり、マスクも安価であり、露光機メーカーの装置調整ツールとして提供されている。
【０００４】
前記ＳＭＰ法を図５により説明する。
ＳＭＰ法では、図５（ａ）に示される菱型パターンが配置された露光マスクを使用した場合、図５（ｂ）の菱型の投影状態と図５（ｃ）のフォーカス状態で示されるように、ベストフォーカスで菱型の長手方向の幅Ｌが最大となることを利用しており、フォーカスに対して敏感に幅Ｌが変動するように、パターンが菱型とされる。これを発展させ、図５（ｄ）に示されるように、菱型の長手方向の幅Ｌを光学式線幅測定器で測定可能な大きさにし、それを多数並べて線とし、かつ先端の間隔（スペース）Ｓを露光限界寸法以下にすると、菱型の先端は直線状となり、線幅Ｌの測定が可能になる。この線幅Ｌは、前述の通りにベストフォーカスで最大になり、デフォーカスに伴い狭くなるので、この線幅Ｌの変動を測定することで、フォーカスの状態が把握できることになる。
【０００５】
一方、ＰＳＦＭ法は、所謂レベンソン型の位相シフトマスクを用いて、孤立線上の遮光パターンの両側で位相差が１８０°以外となるようなパターンをデフォーカス状態で露光した時に、前述の孤立線パターンの像が当該パターンの短手方向に移動する現象を利用した測定方法である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】米国特許第４９０８６５６号明細書
【特許文献２】米国特許第５３００７８６号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、前記のＣＤ／フォーカス法やＳＭＰ法は、転写されたパターンの寸法を測定することでベストフォーカスを決定するので、フォーカス条件を変更して露光したパターンを測定することが必要である。また、パターン寸法の測定には走査型電子顕微鏡若しくは光学式顕微鏡による線幅測定器を使用することになるが、より簡便に測定するため光学式の測定をする場合は、一般的にはマスクの重ね合せ測定を行なう装置を改造して線幅の測定をしている。実際に、重ね合せ測定装置では、追加機能として、線幅測定が可能であったり、ＳＭＰ法によるフォーカス測定が可能であったりするが、これらは追加機能であるから装置の改造が必要となる。
【０００８】
また、重ね合せ機能を用いたフォーカスの測定方法も提案されているが、レジスト層が２層必要であることから簡便ではなく、デバイス製造用のマスクに搭載可能という訳でもない。また、これらの手法は、露光現像後の次の工程によってはパターンが剥離する等の問題が発生するので、デバイス製造マスクにモニタ用パターンを挿入することが困難であり、更にベストフォーカス位置で線幅が最大になるという特徴だけなので、デフォーカスの向きが分からないという問題がある。
【０００９】
一方、ＰＳＦＭ法は、近年の高集積化した半導体製造において使用されている位相シフト露光用の装置調整ツールとして使用されているが、露光条件や使用する露光マスクが特殊であることから、適用露光装置が限定され、露光マスクも一般的な製造方法とは異なることから高額になる。また、デバイス製造マスクとして１８０°以外の位相シフターを使用するので、デバイス製造マスクにモニタ用パターンを挿入するのが困難になる等の問題がある。
【００１０】
本発明は前記問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、適用される露光装置の限定がなく、一般的な半導体デバイス製造で適用される測定器にてフォーカスの測定が可能となり、デバイス製造マスクに挿入可能なパターンを持ち、フォーカス状態の把握、調整が容易となる露光マスク、フォーカス測定方法及びフォーカス管理方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
前記目的を達成するために、請求項１の発明は、マスクパターンを基板上に転写する投影露光装置の露光マスクにおいて、２つの矩形をＬ字状（Ｌ字方向）に配置した形状における一方の矩形の左右の少なくとも一方の辺及び他方の矩形の上下の少なくとも一方の辺に三角状突起の集合形が形成されたパターンを含むことを特徴とする。
請求項２の発明に係る前記パターンは、４つの矩形を四角枠状に配置した形状における水平方向のいずれか一方の矩形のみ及び垂直方向のいずれか一方の矩形のみに三角状突起の集合形が形成された枠状パターンとしたことを特徴とする。
請求項３の発明に係る露光マスクは、前記枠状パターンとして、Ｂｏｘ−ｉｎ−Ｂｏｘパターンを適用することを特徴とする。
【００１２】
請求項４の発明に係るフォーカス測定方法は、請求項１乃至３の露光マスクを用いて、感光性レジストが形成された基板へパターン転写を行い、基板上に転写された前記パターンの線幅の変動を測定することにより、投影露光装置のフォーカスのズレ量を計測することを特徴とする。
請求項５の発明に係るフォーカス測定方法は、請求項１乃至３の露光マスクを用い、基板内又は露光マスク内に段差を形成し、フォーカス位置が異なる複数の位置に前記パターンの転写を行い、基板上の複数位置の前記パターンの線幅の変動を測定することにより、投影露光装置のフォーカスのズレ量を計測することを特徴とする。
請求項６の発明に係るフォーカス管理方法は、請求項４又は５のフォーカス測定方法を用い、複数の位置のパターンの線幅の変動を測定し、複数の位置の測定値の差分からデフォーカスの向きを判定し、このデフォーカス判定に基づきフォーカス調整することを特徴とする。
なお、前記パターンの三角状突起は、長手方向にテーパーとなる形状であれば、三角形、台形、鋸刃形等でもよい。
【００１３】
前記の構成によれば、例えば逆Ｌ字状の垂直方向矩形（所定幅を持つ線）の右辺（外側）と水平方向矩形の上辺（外側）に三角状突起集合形が形成されたパターン、或いは四角枠状（Ｂｏｘ−ｉｎ−Ｂｏｘ状）に配置された４つの矩形のうちの右側矩形の右辺（外側）と上側矩形の上辺（外側）に三角状突起集合形が形成されたパターンを有する露光マスクとされる。このときの三角状突起集合形の三角状突起の間隔は、投影露光のベストフォーカスにおける解像限界よりも狭く設定される。
【００１４】
基板に転写された前記パターンの線幅を線幅測定器にて測定し、例えば枠状パターンでは、三角状突起集合形が形成された矩形とこの集合形が形成されていない矩形の両方の線幅が測定され、その対称性が評価される。即ち、三角状突起集合形を持つ側は、デフォーカスにより線幅が変動するので、これによりベストフォーカスからのデフォーカスの向きと量を把握できる。
【００１５】
また、露光する基板内に２以上の段差を設け、深さの異なる面のそれぞれに前述のパターンを転写し、これらを測定すれば、ベストフォーカスからのデフォーカスの向きと量を把握することが可能になる。これらの手法は、半導体デバイス製造に用いられる露光マスクに適用できるので、半導体デバイスの製造時点でのフォーカス位置が把握できることになる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、適用される露光装置の限定がなくなり、一般的な半導体製造で適用される測定器にてフォーカスの測定が可能となり、半導体デバイス製造マスクに挿入可能なパターンとなるので、フォーカス状態（焦点ボケ）の把握、調整も容易になるという効果がある。
【００１７】
即ち、フォーカス測定に使用する露光マスクとして単純なバイナリーマスクを使用することが可能になり、管理対象である露光装置も、半導体製造で一般的に使用されているステップ・アンド・リピート式の縮小投影露光装置から液晶ディスプレイ等でも使用されているミラー投影露光装置（所謂ＭＰＡ）や電子デバイス製造等で使用されている近接露光装置（所謂ＰＬＡ）や一括投影露光装置まで幅広くなる。また、フォーカスを測定する装置を改造する必要がなく、一般的なマスク重ね合せ装置を用いることが可能となり、露光装置の管理も安価で簡便になり、ダウンタイムの低減や歩留りの安定化を図ることが可能になる。更に、半導体デバイス製造マスクに本発明のパターンを挿入し、ネットワークに接続された重ね合せズレ測定器を使用することで、リアルタイムに異常の検知が可能になり、かつ後続ロットへデフォーカス量をフィードバックできるようになるという利点がある。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の第１実施例に係る露光マスクのパターンの構成を示し、図（ａ）は枠状パターンの図、図（ｂ）は逆Ｌ字状パターンの図、図（ｃ），（ｄ）は枠状パターンでの線幅測定の図、図（ｅ）はパターンの他の例の図である。
【図２】第１実施例において層が重ね合せされる場合の構成を示し、図（ａ）は上面図、図（ｂ）は側面図、図（ｃ）は測定線幅の図である。
【図３】異なる深さの複数位置にパターンを形成する第２実施例［図（ａ）は２段，図（ｂ）は３段］を示す図である。
【図４】第２実施例においてフォーカス位置とフォーカス測定値の関係を示すグラフ図である。
【図５】ＳＭＰフォーカス法を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
図１に、第１実施例の露光マスク等の構成が示されており、図１（ａ）は露光マスクの枠状パターン、図１（ｂ）は基本的なＬ字状（逆Ｌ字状）パターンである。図１（ｂ）のＬ字状パターン１０は、水平方向矩形（所定幅を持つ線体）１１ａの上辺と垂直方向矩形１１ｂの右辺に三角状突起集合形５０を形成してなる。この三角状（略三角形）突起集合形５０は、外側へ向けてテーパー状となっていればよく、図１（ｅ）のＬ字状パターン１２に示されるように、台形突起の集合形５１であってもよく、鋸刃状突起等でもよい。但し、よりセンシティブにする必要がある場合には、三角状突起の先端を先鋭にするのが好ましい。
【００２０】
図１（ａ）の枠状パターン１４は、Ｂｏｘ−ｉｎ−Ｂｏｘ形と同様の四角枠状に４つの矩形１５ａ〜１５ｃを配置しており、上側矩形１５ａの上辺と右側矩形１５ｂの右辺に三角状突起集合形５０が形成されている。なお、前記Ｌ字状パターン１０の矩形１１ａ，１１ｂと枠状パターン１４の矩形１５ａ〜１５ｄは、全て繋がっているが、互いに分離した状態であってもよい。また、これらのパターン１０，１４は、図１（ｅ）のＬ字状パターン１２のように、基準のＸＹ軸に対し４５°の傾けた状態にしてもよい。このようなパターン１０，１４は、縦横のそれぞれの大きさが１５〜３５μｍ程度であり、１層のみの測定パターンとして使用される。
【００２１】
図１（ｃ），（ｄ）には、露光マスクの枠状パターン［図１（ａ）を用いて転写した枠状パターン］１４での計測が示されており、図１（ｃ）のように、三角状突起集合形５０のある部分とない部分を計測するが、例えば図１（ｄ）にも示されるように、垂直方向の矩形１５ｂの線幅Ｌ’は、ベストフォーカスであれば、矩形１５ｃの線幅Ｌと同一となるが、フォーカスズレがある場合は、線幅Ｌよりも小さくなる。従って、このＬとＬ’を比較し、Ｌ’の変動を計測することで、デフォーカスの状態が把握される。
【００２２】
前記のパターンは、三角状突起の間隔Ｓの大きさにより感度が変わるので、適用する投影露光装置によりこの間隔Ｓを最適な値にすることが望ましい。例えば、紫外光のｇ線（４３６ｎｍ）を使用するステッパーであれば、０．８μｍ以下が推奨されるが、使用する光学系やレジスト等により最適な値を設定することになる。矩形１１ａ，１１ｂ，１５ａ〜１５ｃの線幅は、各測定器から要求された値にするのが望ましく、また次工程でパターンが剥離することがない大きさであれば問題ない。例えば、枠状パターン１４の大きさを３０μｍとした場合、矩形の線幅は７．５μｍ程度となる。
【００２３】
これらのパターン１０，１４を露光マスクに配置し、適当な位置にフォーカスを振り分けるようにして基板に転写させると、フォーカス位置がベストフォーカスから離れるに従い、図１（ｃ）のＬ’が短くなり、ＬとＬ’の対称性が崩れる。なお、フォーカス位置を振り分ける手法は、露光ソフト上でフォーカス位置を変動できる露光装置であればソフト的に行なうことができる。ソフト的にフォーカス位置を振り分けることができない露光装置であれば、露光マスクのパターン部を傾斜させるか、階段状にしたマスクを制作するか、基板内でフォーカス位置を振り分けるような段差を設けることでフォーカス位置を振り分けることができる。
【００２４】
次に、前記のように露光した基板を用いて、フォーカスの測定が行われるが、基本的には、図１（ｃ）のＬとＬ’の線幅を測定して、左右若しくは上下のズレ量を算出する方法による。例えば、（Ｌ−Ｌ’）／２の計算で算出し、Ｌ’がベストフォーカスで最大になるので、前述の式で算出すると、ベストフォーカスで最小となる値となる。前記線幅Ｌ，Ｌ’の測定及び評価は、Ｘ軸方向だけでなく、Ｙ軸方向についても行われる。このように測定されたベストフォーカスによって、フォーカス管理が行われるが、投影露光装置の管理においては、装置の光学系が調整される。
【００２５】
前記Ｌ字状パターン１０を用いる場合でも、三角状突起集合形５０を設けない部分の線幅Ｌや別に設けた矩形の線幅Ｌを測定することで、基準となるＬを把握することができ、また既知のＬから線幅Ｌ’の変動を計測してもよい。
【００２６】
図２には、層が重ね合わせられる場合の例が示されており、図２（ｂ）に示されるように、第１層１８の上に絶縁層１９を介して第２層２０が形成される場合に、図２（ａ）のようなＢｏｘ−ｉｎ−Ｂｏｘパターン２２が形成されることになる。このＢｏｘ−ｉｎ−Ｂｏｘパターン２２は、図１で示した枠状パターン１４と同様であり、外側のＢｏｘの大きさは１５〜３５μｍ程度、内側のＢｏｘは７〜２０μｍ程度が推奨されるが、このパターン２２においても、Ｘ方向とＹ方向のそれぞれの外側の辺を三角状突起集合形５０とする。この三角状突起集合形５０のみを、従来のＢｏｘ−ｉｎ−Ｂｏｘパターンから変更すればよく、この三角状突起集合形５０は、図示のような範囲が好ましく、図２（ａ）よりも小さい場合は測定感度が低下する可能性がある。この例でも、三角状突起集合形５０の三角突起の間隔Ｓを最適な値にすることが望ましく、例えば紫外光のｇ線を使用するステッパーであれば、０．８μｍ以下が推奨される。また、外側Ｂｏｘと内側Ｂｏｘの幅、即ち矩形１５ａ〜１５ｃの線幅は、例えば外側Ｂｏｘの大きさを３０μｍとし、内側Ｂｏｘを１５μｍとした場合、７．５μｍ程度となるようにする。
【００２７】
この場合のフォーカス測定は、図２（ａ）に示すＢｏｘ−ｉｎ−Ｂｏｘパターン２２を用いて形成されたパターンを測定して行う。具体的には、図１（ｂ）に示すように形成されたパターンについて、図１の場合と同様の算出によって行われ、投影露光装置にてフォーカスにズレが生じると、図２（ｃ）のように、Ｂｏｘ−ｉｎ−Ｂｏｘパターン２２での線幅ＬとＬ’の対称性の崩れが生じ、これにより重ね合わせのフォーカスズレが測定される。前記Ｌはデフォーカスに対して非常に鈍感であるが、Ｌ’はデフォーカスに対して敏感であるからである。なお、フォーカス以外の使用する露光関係の諸条件により線幅Ｌ，Ｌ’が変動するが、ベストフォーカスであっても露光マスクからの線幅変動があるので、使用する露光関係の条件に則した基本となる線幅がＬとして提供されるのもデフォーカスを把握するのにも都合がよく、従来よりも純粋にデフォーカスを検出し易くなる。露光マスクにおいて、複数ポイントに該パターン２２を挿入することで、露光領域におけるフォーカスの傾向や均一性が把握できる。なお、ＬとＬ’の対称性を測定することができれば、フォーカス測定が可能であるので、図２（ｂ）のＬとＬ’の線幅のみの測定でも、必要な計測が可能である。投影露光装置の管理においては、このように測定されたベストフォーカスによって、装置の光学系が調整される。
【００２８】
前述したパターン１０，１４，２２を用いて形成されたパターンは、露光現像後にエッチング等を行なってもそのパターンが剥離する危険性が少なく、デバイス製造マスクに搭載しても問題はない。そのため、デバイス製造用の露光マスクに前記１０，１４，２２パターンを挿入してもデバイス製造上問題はなく、デバイス製造の各露光工程にてフォーカス状態を管理することも可能になる。図２の層の重ね合せにおいては、測定自体も重ね合せズレ測定なので、本来の重ね合せズレ測定と同時に行えば、短時間で済ませることができる。また、デバイス製造マスクにおいても、露光領域の多点に同パターンを配置していれば、フォーカスの傾向や均一性等を把握することができる。
【００２９】
図３には、第２実施例の構成が示されており、これは、異なる深さの複数位置にパターンを形成したものである。投影露光装置のフォーカスは、基板全体若しくは露光領域を平均化したフォーカス位置（以下、基板面）を設定しているので、局所的にフォーカス位置がズレた場合はデフォーカスとなる。第２実施例は、これを意図的に利用している。
【００３０】
図３（ａ）は、２段の位置にパターンが形成されたもので、基板全体乃至露光領域の平均化されたフォーカス位置と同じ位置となるような基板面位置Ｈ0 と、そこから既知の量Ｚ（例えば０．１μｍ以上）だけ下側（−Ｚとする）に離れた位置Ｈ1 のフォーカス位置（少なくと２つ以上の位置）に、図１の四角枠パターン１４（又はＬ字状パターン１０）が形成された場合を示している。
【００３１】
図３（ｂ）は、３段の位置にパターンが形成されたもので、基準位置Ｈ0 、前記の位置Ｈ1 に加えて、位置Ｈ0 から量Ｚ（例えば０．１μｍ以上）だけ上側（＋Ｚとする）に離れた位置Ｈ2 のフォーカス位置に、枠状パターン１４が形成される。これらパターン１４を形成する位置は、４段等でもよい。このような２つ以上のフォーカス位置は、図３（ａ），（ｂ）のように、基板内に既知の段差を設ける方法ではなく、露光マスクに段差を設ける方法でも形成可能である。
【００３２】
図４には、第２実施例のフォーカス位置とフォーカス測定値の関係（特性）が示されており、図４のｈ0 が基準面位置Ｈ0 の特性、ｈ1 が−Ｚだけ離れた位置Ｈ1 の特性を示している。図３（ａ）のようにフォーカス位置を振り分けた場合、基板面位置Ｈ0 に設けたパターン１４の測定値Ｆ0 はベストフォーカスで最小になるが、−Ｚの段差を設けた位置Ｈ1 においては、図４に示されるように、ベストフォーカスから−Ｚの段差分離れているため、フォーカス測定値Ｆ1 は大きくなる。ベストフォーカスよりも−Ｚ段差（位置Ｈ1 ）側にフォーカスが少しズレた場合は、特性がｈ01へシフトして測定値はＦ01となり、測定値（Ｆ0 −Ｆ1 ）の差異が減少し、位置Ｈ1 を超えて大きくズレた場合は、特性がｈ02へシフトして測定値はＦ02となり、符号が反転する。図３（ｂ）のように、基準面Ｈ0 から＋Ｚの段差側へフォーカスがズレた場合も、前記と同様となり、Ｆ0 −Ｆ1 の差異を把握することで、−Ｚの段差とは反対方向のデフォーカスの状態を計測することができる。
【００３３】
図３（ｂ）のように、２つの既知の段差（−Ｚ，＋Ｚ）にパターン１４を転写した場合は、より簡便にフォーカスのズレがいずれの向き（−又は＋の方向）にあるのかを把握することができる。この差異を事前に検証しておけば、デバイス製造時に２つ以上の深さのフォーカス位置にあるパターン１４を測定することで、デバイス製造時の投影露光装置の光学系の異常を測定することができ、速やかに後続ロットへ情報をフィードバックすることで、フォーカス調整をデバイス製造しながら行なうことが可能になる。第２実施例では、基板内に設けた既知の段差によりフォーカス位置を振り分けた例を示したが、露光マスクのパターン部を傾斜させたり、階段状にしたりすることによっても同様の結果が得られる。
【符号の説明】
【００３４】
１０，１２…Ｌ字状パターン、
１４…枠状パターン、
１１ａ，１１ｂ，１５ａ〜１５ｄ…矩形、
２２…Ｂｏｘ−ｉｎ−Ｂｏｘパターン、
５０，５１…三角状突起集合形。
【図１】
2016188979.tif 000003
【図２】
2016188979.tif 000004
【図３】
2016188979.tif 000005
【図４】
2016188979.tif 000006
【図５】
2016188979.tif 000007