(57)【要約】【課題】本発明の課題は、ハンドリング時においても、またＥＵＶ光を照射した場合においても、ペリクルフレームの変形を抑制することにより、ペリクル膜が破損することがないＥＵＶマスク用ペリクルを提供することである。【解決手段】ペリクル膜が結晶性シリコン膜からなるＥＵＶマスク用ペリクルにおいて、前記ペリクル膜を支持する枠体であるペリクルフレームがファインセラミクスからなることを特徴とするＥＵＶマスク用ペリクル。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ペリクル膜が結晶性シリコン膜からなるＥＵＶマスク用ペリクルにおいて、
前記ペリクル膜を支持する枠体であるペリクルフレームがファインセラミクスからなることを特徴とするＥＵＶマスク用ペリクル。
【請求項２】
前記ファインセラミクスが、Ｓｉ３Ｎ４またはＳｉＣまたはＡｌ２Ｏ３のいずれか１つ以上の成分を含有していることを特徴とする請求項１に記載のＥＵＶマスク用ペリクル。
【請求項３】
前記ペリクルフレームには貫通孔が形成されており、前記貫通孔は塵埃除去機能を有していることを特徴とする請求項１または２に記載のＥＵＶマスク用ペリクル。
【請求項４】
前記塵埃除去機能が、ＵＬＰＡフィルタであることを特徴とする請求項３に記載のＥＵＶマスク用ペリクル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体製造プロセスのフォトリソグラフィ工程で使用される反射型フォトマスクのペリクルに関する。特に、極端紫外線（ＥＵＶ：Ｅｘｔｒｅｍｅ  Ｕｌｔｒａ  Ｖｉｏｌｅｔ）を使用した露光に使用されるＥＵＶマスクのペリクルに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの製造プロセスにおいては、半導体デバイスの微細化に対応するため、使用するフォトマスクのパターンの微細化に対する要求が高まっている。使用する露光光の波長が１９３ｎｍのＡｒＦエキシマレーザー光を用いたフォトリソグラフィ工程では、単一露光の場合、理論的に３２ｎｍ以下のパターンの解像は困難であるとされている。これに代わる新たな露光技術として露光光の波長が１３．５ｎｍや６ｎｍから７ｎｍ付近のＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ  Ｕｌｔｒａ  Ｖｉｏｌｅｔ：極端紫外線）領域の光を用いた露光技術が注目を集めている。
【０００３】
一般的に、ＫｒＦエキシマレーザー光やＡｒＦエキシマレーザー光を用いたフォトリソグラフィ用フォトマスクにおいては、フォトマスクのパターン形成面に異物が付着するのを防止する目的で、露光光を透過し易い薄い高分子膜を枠体に張ったペリクルを設けたフォトマスクを使用する。ペリクルに用いる薄い高分子膜（ペリクル膜）の材料としては、ニトロセルロース、酢酸セルロースなどのセルロース系樹脂や、フッ素系樹脂などが使用される。ペリクル膜を張る枠体（ペリクルフレームとも称する。）の材料としては、アルミニウムやステンレス鋼などが使用されることが多い。通常、このペリクルフレームとしてはフォトマスクの外径に合わせて角筒状のものが使用され、その一方の開口面の縁部（以後、上端面とも称する。）にペリクル膜を、接着剤を介して貼り、他方の開口面の縁部（以後、下端面とも称する。）には、粘着剤層を形成する。粘着剤層の材料としては、アクリル系やシリコン系の樹脂からなる粘着剤が使用される。
【０００４】
このようにして作製したペリクルをフォトマスクのパターン面に取り付けることにより、ペリクル付フォトマスクが完成する。このようなペリクル付フォトマスクを露光に使用すると、周囲環境からのゴミなどの異物は、ペリクル膜の上に付着するため、フォトマスクのパターン面に焦点を合わせて露光光を照射することにより、ペリクル膜の上に付着した異物の影響を排除することが可能となる。
【０００５】
一方、ＥＵＶ光に対しては、ほとんどの物質が高い吸収性を有するため、従来から使用してきた高分子膜が使用できない。そのため、ＥＵＶ光に対して高い透過性と化学的安定性を有する材料が求められるが、そのような要求を満たせる材料の開発は遅れているのが現状である。
【０００６】
ＥＵＶ光に対して透明な材料は、現在のところ知られていないが、シリコンはＥＵＶ光に対して比較的高い透過率を持っていることから、ＥＵＶ用のペリクル膜材料として注目されており、例えば特許文献１に示すような単結晶シリコン膜を用いたペリクル膜が提案されている。
【０００７】
しかしながら、従来の高分子膜からなるペリクル膜は伸縮性を有していたのに対し、このＥＵＶ用ペリクル膜は単結晶シリコン膜であるため、伸縮性が桁違いに悪くなる。また、ＥＵＶ光を露光光とした場合、ペリクル膜やペリクルフレームにＥＵＶ光が吸収されるため、それらの温度が上昇し、高温に晒される。そのため、従来のペリクルと同様の材料で作製したペリクルフレームを使用すると、ハンドリング時やフォトマスクへの取り付け時にかかる力により、また露光時の温度上昇による熱膨張により、ペリクルフレームが変形するため、ペリクル膜に皺や亀裂が生じ、更にはペリクル膜が破損する事態となり、フォトマスクや露光装置内部を汚染してしまう恐れが懸念される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２０１０−２５６４３４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明はこのような問題点に鑑みてなされたものであり、その課題とするところは、ハンドリング時においても、またＥＵＶ光を照射した場合においても、ペリクルフレームの変形を抑制することにより、ペリクル膜に皺がよったり、更には破損することがないＥＵＶマスク用ペリクルを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記の課題を解決する手段として、請求項１に記載の発明は、ペリクル膜が結晶性シリコン膜からなるＥＵＶマスク用ペリクルにおいて、
前記ペリクル膜を支持する枠体であるペリクルフレームがファインセラミクスからなることを特徴とするＥＵＶマスク用ペリクルである。
【００１１】
また、請求項２に記載の発明は、前記ファインセラミクスが、Ｓｉ３Ｎ４またはＳｉＣまたはＡｌ２Ｏ３のいずれか１つ以上の成分を含有していることを特徴とする請求項１に記載のＥＵＶマスク用ペリクルである。
【００１２】
また、請求項３に記載の発明は、前記ペリクルフレームには貫通孔が形成されており、前記貫通孔は塵埃除去機能を有していることを特徴とする請求項１または２に記載のＥＵＶマスク用ペリクルである。
【００１３】
また、請求項４に記載の発明は、前記塵埃除去機能が、ＵＬＰＡフィルタであることを特徴とする請求項３に記載のＥＵＶマスク用ペリクルである。
【発明の効果】
【００１４】
本発明のペリクルによれば、ペリクル膜としてＥＵＶ光の波長１３．５ｎｍおよび６ｎｍから７ｎｍ付近に対して吸収率が低い結晶性シリコンを使用し、且つペリクルフレームを構成する材料としてファインセラミクスなどの高剛性で且つ熱膨張係数が従来のペリクルフレームの材料であったアルミニウムやステンレス鋼などの値より小さい材料を使用して形成されているため、ペリクルのハンドリング時やペリクルのフォトマスクへの取り付け時、および露光時の温度上昇などによって発生するペリクルフレームの変形によるペリクル膜への損傷を抑制したペリクルを提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明のＥＵＶマスク用ペリクルの一例を示す概略図であり、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は概略断面図である。
【図２】本発明のＥＵＶマスク用ペリクルの製造工程の一例を示すフロー図。
【図３】図２に対応させて、本発明のＥＵＶマスク用ペリクルの製造工程の一例を示した概略説明図。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、図面を参照しつつ、本発明の実施形態について説明する。
【００１７】
＜本発明のＥＵＶマスク用ペリクルについて＞
図１（ａ）は、本発明のＥＵＶマスク用ペリクルの実施形態の例を示した概略平面図である。図１（ｂ）は、図１（ａ）に対応した概略断面図である。
本発明のＥＵＶマスク用ペリクルは、ペリクル膜として１３．５ｎｍのＥＵＶ光に対する光吸収率が低い単結晶シリコン膜または多結晶シリコン膜をペリクル膜として備えている。本発明においては、ペリクル膜の構造およびその製造方法に関しては、特別に制限はなく、公知の製造方法によって製造された１３．５ｎｍのＥＵＶ光に対する光吸収係数が小さいペリクル膜、言い換えれば光透過率が大きいペリクル膜である必要がある。多結晶シリコン（ポリシリコンとも言う。）基板または、シリコン基板を支持基板としたＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）ウェハにおいて、支持基板の上のシリコン酸化膜（ＢＯＸ層とも称する。）を介して形成されている半導体素子を形成するための活性層である単結晶シリコン層をペリクル膜として使用するものや、この単結晶シリコン層の一部または全部をポリシリコン層にしたものであっても良い。この場合、支持基板と活性層の間のＢＯＸ（Ｂｕｒｉｅｄ  Ｏｘｉｄｅ）層と呼ばれるシリコン酸化膜と支持基板のシリコン基板をウェットエッチング法により除去することにより、単結晶シリコンや多結晶シリコンなどのシリコン層からなるペリクル膜を製造することができる。
【００１８】
このようにして製造されたペリクル膜は、そのままペリクル膜として使用することも可能であるが、酸化や薬品に対する耐性を上げる目的で、少なくとも一方の面に保護膜ａまた、もう一方の面には保護膜ｂが形成されていても良い。この場合、保護膜ａまたは保護膜ｂの形成は、公知の薄膜形成技術によって実施することができる。保護膜の材料としては、ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉＯＮ、ＳｉＣ、Ｒｕ等が望ましい。
【００１９】
本発明のペリクル膜は、従来と同様に、角筒状のペリクルフレームの一方の開口部の縁部のうち、ペリクル膜を貼る側の縁部（上端面とも称する。）に接着剤ａを介して接着される。接着剤ａとしては、ポリブデン樹脂系接着剤、アクリル樹脂系接着剤、エポキシ樹脂系接着剤、およびシリコン系粘着剤等を用いることができる。また、接着剤などを使用せずに接合する常温接合法を用いても良い。
【００２０】
本発明のＥＵＶマスク用ペリクルに使用するペリクルフレームには、従来のペリクルに使用して来たアルミニウムやステンレス鋼などより、剛性が高く、熱膨張係数が小さい材料を使用する必要があり、表１に示したようなＳｉＣ、Ａｌ２Ｏ３、ＡｌＮ、Ｓｉ３Ｎ４、ＺｒＯ２、などのファインセラミクスを使用する必要がある。比較のため、ＳＵＳ４０３とＡｌについても示した。これらの材料は、従来の光マスク用ペリクルで一般的に使用されているアルミニウム系の材料と比べ、ヤング率が一桁以上大きく、極めて剛性が高く、熱膨張係数に関しても、半分以下であることから、ＥＵＶ光の照射による熱膨張も極めて小さい。またＳＵＳ４０３はＡｌより優れているが、ＳｉＣやＡｌ２Ｏ３などと比較すると、ヤング率においても線膨張係数においても劣る。
【００２１】
【表１】
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【００２２】
これらのファインセラミクスは、マシナブルセラミクスとも呼ばれるものであり、加工性が良好であることも特徴となっている。そのため、これらのファインセラミクスから作製された板材を機械的に加工することによってペリクルフレームを作製することができる。具体的には、所定のペリクルフレームの厚さの板材を、エンドミルを用いて長方形に切り出した後、厚さ方向の平行度を確保するために、ダイヤモンド、酸化セリウム、シリカ、アルミナ等の砥粒を用いて、上下端面を鏡面研磨することで作製することができる。
【００２３】
また、機械加工に伴う加工歪がペリクルフレームの上下端面の平行度に影響する場合は、その緩和ために、それぞれの素材の最高使用温度以下で熱処理した後、平行度を所望とする規格内にするために研磨などを行い、その後再度、上下端面を鏡面研磨する。熱処理にはオーブンを使用できるが、部分的な熱処理を行う場合は、エキシマレーザーなどの局所的な加熱方法を採用すれば良い。これらの熱処理は、ペリクルの実使用温度以上で行うことが望ましい。
【００２４】
また、ペリクルを光マスクやＥＵＶマスクなどに貼り付ける作業は、通常、大気圧下で行われるが、ＥＵＶ光を使用した露光工程では、露光が真空下または減圧下で行われるため、ペリクルフレームには、圧力調整用に貫通孔が形成されている。フォトマスクにペリクルが接着されると、ペリクル膜とペリクルフレームとフォトマスクによって密閉空間が形成されるため、その内部と外部とを同一の気圧にする目的で、ペリクルフレームの側壁部に貫通孔が形成されている。ＥＵＶ光を使用した露光工程で使用するＥＵＶ露光装置にペリクルが接着されたフォトマスクが装着された後、そのフォトマスクが装着された空間が減圧される時に、その貫通孔を通って、前記の密閉空間の中にある気体が出て行くことによって、ペリクル膜に力が加わらないようになっている。フォトマスクをＥＵＶ露光装置から取り出す場合は、逆に、減圧状態から大気圧に戻すため、貫通孔を通って、前記の密閉空間の中に気体が入ってくる。その際に、周囲環境にある塵埃などの異物が前記の密閉空間に貫通孔を通って入り込み、フォトマスクのパターン面に付着することが考えられる。
【００２５】
そのため、この貫通孔には、気体の流入時に外部から塵埃が混入してこないようにするための塵埃除去機能が備わっている必要がある。例えば、ＵＬＰＡフィルタのように、極めて微細な異物を捕獲可能なフィルタ或いはそれと同等のフィルタとしての機能を持つフィルタ手段を備えている必要がある。同時に、この貫通孔に備えられたフィルタ手段は、気体の流出入時にペリクル膜に力がかかることによりダメージを受け、破損することが無いような断面積を備えている必要がある。そのためには、ＥＵＶ露光装置の露光部の減圧速度や減圧状態から大気圧に戻す速度に対応して、ペリクル膜に力が加わって皺が発生したり、更には破損することが無いような、貫通孔の断面積を備えている必要がある。
【００２６】
＜本発明のペリクルの製造方法＞
次に、本発明のペリクルの製造方法について、図２と図３を用いて説明する。
図２は、本発明のＥＵＶマスク用ペリクルの製造工程の一例を示すフロー図、図３は図２に対応させて、本発明のＥＵＶマスク用ペリクルおよびその構成部材の、Ｓ１からＳ６の各製造工程における、概略断面図を示している。以下に順を追って説明する。
【００２７】
（ペリクル膜の作製）
本発明のＥＵＶマスク用ペリクルの製造方法においては、まずペリクル膜となる結晶性シリコン膜を作製する。結晶性シリコン膜は、単結晶でも多結晶でも良く、公知の製造方法を使用して作製すれば良い。例えば、ＳＯＩウェハを出発材料として、支持基板であるシリコン基板の上に埋め込み酸化膜（ＢＯＸ層）と更にその上に活性シリコン層が形成された構成のＳＯＩウェハを使用して、シリコン基板側からシリコンをエッチング除去し、更に別のエッチング液を使用してＢＯＸ層を選択的にエッチング除去することにより、単結晶膜である活性シリコン層を残す事でペリクル膜を作製する（Ｓ１）。ただし、本発明においては、ペリクル膜の製造方法を、この方法に限定する必要はなく、ＥＵＶ光を露光するのに十分なだけ透過させることができる厚さの結晶性シリコン膜を製造でき、且つハンドリングすることができれば、製造方法を限定するものではない。
【００２８】
（保護膜の形成）
次に、作製したペリクル膜の表裏面にファインセラミクスからなる保護膜ａと保護膜ｂを、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、ガスクラスタ・イオンビーム蒸着法などの薄膜形成技術を用いて形成する（Ｓ２）。保護膜ａと保護膜ｂは、異なる材料でも良いし、
同一の材料からなるものでも良い。材料としては、ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉＯＮ、ＳｉＣ、Ｒｕ等を好適に使用することができる。ここで、ペリクル膜に形成する保護膜の内部応力は小さいことが望ましい。内部応力は、保護膜の種類と成膜条件によって、圧縮応力にもなれば、引張応力にもなる。室温に戻した時に、内部応力が０に近くなるような成膜条件にて成膜することが望ましい。
【００２９】
（ペリクルフレームの作製）
ペリクル膜を製造するのと並行して、ペリクルフレームを製造する（Ｓ３）。ペリクルフレームを構成する材料としては、ペリクル膜を構成する材料の結晶性シリコンより高いヤング率を持ち、且つ線膨張率が結晶性シリコンと同等程度の材料を好適に使用することができる。その材料としては、ファインセラミクスを挙げることができる。ファインセラミクスとしては、Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉＣ、Ａｌ２Ｏ３等を好適に使用することができる。
【００３０】
これらのファインセラミクスを板状に成形した材料を、まずエンドミルを使用し、マシニングセンタなどで加工することにより、所望の厚さ、縦、横などの外径寸法を持った角筒状の枠体としてのペリクルフレームを切り出す。この段階ではまだ荒削りの状態であるため、次にその角筒状の枠体の上端面と下端面を粗研磨する。更に、その角筒状の枠体の側面に貫通孔を形成する。これは、ペリクルをフォトマスクに貼り付けると、それらに囲まれた空間は外部から密閉された空間となるため、大気圧中で作製したペリクル付フォトマスクを、ＥＵＶ露光装置に装着して、減圧して使用する際に、薄いペリクル膜が破損してしまうことを回避するためである。その後、更に最終的に、上下端面を鏡面研磨することにより、鏡面仕上げする。鏡面研磨の順番は、最終的に実施されれば良いため、貫通孔などの加工と前後しても良い。
【００３１】
次に、貫通孔には、ＵＬＰＡフィルタと同等の塵埃除去機能を持たせる必要がある。その理由は、ペリクル付フォトマスクをＥＵＶ露光装置に装着して、減圧した後、減圧状態から大気圧に戻す際に、周囲環境からの塵埃などの異物がフォトマスクのパターン面に付着するのを防ぐためである。ＵＬＰＡフィルタと同等の機能は、その貫通孔の中にＵＬＰＡフィルタと同じフィルタ材料を充填してＵＬＰＡフィルタと同等の機能を付与するか、その貫通孔をＵＬＰＡフィルタに、塵埃を除去したクリーンなパイプやチューブを使用して接続すれば良い。そのような状態で、ペリクル膜にダメージが発生しないような十分な通気量を確保できる断面積としなければならない。その断面積の大きさは、ペリクル付フォトマスクを装着するＥＵＶ露光装置の減圧チャンバーの排気や減圧状態を破る時の圧力変動の速度に対応して決めれば良い。
【００３２】
次に、ペリクルフレームの上端面に接着剤ａを塗布し（Ｓ４）、その上にＳ１、Ｓ２により作製した保護膜付ペリクル膜を貼り合わせる（Ｓ５）。
【００３３】
次に、ペリクルフレームの下端面に接着剤ｂを塗布して（Ｓ６）、図３に図示していないが、その接着剤ｂが塗布された下端面に剥離可能に貼り付けて、保護するためのペリクルライナーを貼り合わせる（Ｓ７）。これは、ペリクルをフォトマスクに貼り合わせるまで、接着剤ｂがペリクルケース、ハンドラー、その他のものと接着するのを防ぐためのものであり、またそのペリクルをフォトマスクに貼り合せる時に、容易に剥離可能なものである。従って、接着剤ｂは剥離可能な粘着剤であることが望ましい。
【００３４】
ここでは、減圧状態への移行時または減圧状態から大気圧状態への移行時に、ペリクル膜の破損を防止するための機構として、ペリクルフレームの側壁部に形成した貫通孔を使用した場合を説明したが、破損を防止できる機構であればこの手段に限定する必要はない。
【００３５】
例えば、減圧状態への移行時または減圧状態から大気圧状態への移行時のペリクル膜の破損を防止するための機構として、フォトマスクのパターン面とペリクルフレームが接する部位に、隙間を形成しておき、その隙間にはＵＬＰＡフィルタと同等の塵埃除去機能を備えた手段としても良い。その隙間は、複数のスペーサがフォトマスクのパターン面とペリクルフレームの間に接着層を介して接着され、隣り合うスペーサ間に、ＵＬＰＡフィルタと同等の塵埃除去機能を備えた手段としても良い。
【実施例】
【００３６】
次に、本発明の実施例について説明する。
＜実施例１＞
本発明のＥＵＶマスク用ペリクルを接着するためのＥＵＶマスクを用意する。
次に、このＥＵＶマスクのパターン面に貼り付けるためのＥＵＶマスク用ペリクルを作製する。
【００３７】
まず、ペリクル膜の作製を行った。ペリクル膜の出発材料として、信越化学工業（株）製のＳＯＩウェハ（直径：２００ｍｍ、厚さ：７２５μｍ、面方位：（１００）、ドーパントタイプ：Ｐ、活性層の厚さと公差：５μｍ±０．５μｍ、ＢＯＸ層の厚さと公差：１μｍ±５％）を使用した。
【００３８】
ＳＯＩウェハは、基体シリコンウェハの上に、埋め込み酸化膜層（ＢＯＸ層）が形成されており、更にその上に活性層（半導体素子を作るこむ単結晶シリコン層）が形成された構成となっている。
【００３９】
まず、基体シリコンウェハ側にエッチング除去する部位を開口としたエッチングマスクを、ネガ型フォトレジストを用いて形成した。この開口は、ＳＯＩウェハの周縁端から５ｍｍの幅でマスクするような円形のパターンである。このパターンをエッチングマスクとして、ＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｅｔｃｈｉｎｇ）にて基体シリコンウェハをエッチング除去した。このようにして、ＳＯＩウェハの周縁端から５ｍｍの幅の枠が形成された。
【００４０】
次にエッチング除去されて形成された基体シリコンの枠をエッチングマスクとして、フッ化水素酸系の湿式エッチング液を用いて酸化シリコンからなるＢＯＸ層をエッチング除去した。このようにして、ＳＯＩウェハの周縁端から５ｍｍの幅で枠が形成され、その枠の内側は、ＳＯＩウェハの活性層である単結晶シリコン層だけからなる膜が形成されたものが形成された。この様にして作製した枠付の単結晶シリコン膜を図２および図３のＳ１に示したペリクル膜として使用した。この枠があることにより、ハンドリングが可能となる。
【００４１】
次にエッチングマスクを剥離除去し、洗浄・乾燥した後、ＳＯＩウェハの枠に支持された単結晶シリコン膜の表裏面に、プラズマＣＶＤ装置を用いて、Ｓｉ３Ｎ４膜を１μｍの厚さになるように形成した。またプラズマＣＶＤの成膜条件として、単結晶シリコン膜の表面に形成されるＳｉ３Ｎ４膜に応力が発生しない条件で成膜した。この条件は、予め、使用するプラズマＣＶＤ装置について、使用するモノシランガスとアンモニアガスの流量比をパラメータとして、ガス圧、ガス流量、プラズマを形成するＲＦ電力密度、成膜時の基板温度などの成膜条件と形成される単結晶シリコン膜上のＳｉ３Ｎ４膜の応力を実験的に把握して置くことによって把握することができる。
【００４２】
一方、ペリクルフレームの作製を同時に並行して進めた。Ａｌ２Ｏ３からなる厚さ６．４ｍｍの平板状の材料を使用して、エンドミルを用いて外寸１４９．４ｍｍ×１１６．６ｍｍ、内寸１４５．４ｍｍ×１１２．６ｍｍの長方形の枠体を切り出した。さらに、ダイヤモンド砥粒（＃８００番〜＃１５００番）を用いて上下端面をラップ研磨することによって、鏡面仕上げし、ペリクルフレームを作製した。この枠体は、先に作製した、ＳＯＩウェハの周縁端から５ｍｍの幅の枠が形成された単結晶シリコン膜の枠の内側に丁度収まる寸法としている。
【００４３】
次に、そのペリクルフレームの側壁部に、圧力調整用の貫通孔を形成した。貫通孔の加工は、レーザー加工機を使用し、直径１ｍｍの貫通孔を１０個形成し、貫通孔の断面積の合計を約０．０８ｃｍ２とした。その貫通孔にＵＬＰＡフィルターを埋め込んで、圧力調整気孔とした。
【００４４】
次に、このペリクルフレームの上端面に、接着剤ａとしてポリブデン樹脂系接着剤を塗布し、その上に、作製したペリクル膜を接着した。さらに、このペリクルフレームの下端面に、接着剤ｂとして剥離可能な粘着剤を塗布し、その粘着剤を介してペリクルライナーを接着することにより、本発明のＥＵＶマスク用ペリクルを完成した。このようにすることで、粘着剤に保管中やハンドリング中に異物などが付着することを防止することが可能となった。
【００４５】
このペリクルライナーを剥離した後、このＥＵＶマスク用ペリクルを予め用意したＥＵＶマスクに接着することで、ペリクル付ＥＵＶマスクを完成させ、ＥＵＶ露光装置に装着して使用したが、そのハンドリング時において特に注意深く取り扱う必要は無く扱う事ができ、またＥＵＶ光の露光時においても、ペリクル膜に皺が発生することも無く、更に破損することなく使用することが可能であった。
【００４６】
＜比較例＞
次に、比較例について説明する。
ペリクルフレームの材質として、アルミニウムを使用した事以外は、実施例１と同じであった。このペリクル付ＥＵＶマスクは、ハンドリング時において注意して取り扱わないと、ペリクルフレームに微妙な変形が生じ、ペリクル膜に僅かな変形が観察できた。注意深く取り扱うことで、ＥＵＶ露光装置に装着できたが、ＥＵＶ露光時におけるペリクルフレームの温度上昇によりペリクルフレームが熱膨張したため、ペリクル膜に皺が発生した。そのため、正常な露光を実施する事ができなかった。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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