(57)【要約】【課題】導電層、透明導電層の構成からなる透明電極を備えた有機ＥＬ等の発光装置において、発光装置に使用されている導電性細線を見え難くさせること。【解決手段】透明基材１１と、透明基材１１の一の面１１ａに形成され、導電材料または絶縁材料からなる反射防止層１２と、を備え、前記透明基材１１及び前記反射防止層１２上に少なくとも導電層１３、透明導電層１４、発光機能層２１及び電極２２をこの順で積層して発光装置１を形成する。【選択図】  図１
2016162537.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基材と、
前記透明基材の一の面に形成され、導電材料または絶縁材料からなる反射防止層と、を備え、
前記透明基材の前記反射防止層の側に、少なくとも導電層、透明導電層、発光機能層及び電極をこの順で積層したことを特徴とする発光装置。
【請求項２】
前記反射防止層の表面は、平滑形状、或いは凹凸形状であることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記反射防止層は、上面視において、第１の方向の長さが当該第１の方向と直交する第２の方向の長さよりも長い形状の反射防止細線を複数含み、複数の前記反射防止細線は、一方向に並列に配置されてストライプ形状を成すことを特徴とする請求項１または２に記載の発光装置。
【請求項４】
前記反射防止層は、上面視において、第１の方向の長さが当該第１の方向と直交する第２の方向の長さよりも長い形状の反射防止細線と、前記第２の方向の長さが前記第１の方向の長さよりも長い形状の反射防止細線と、を複数含み、前記第１の方向の長さが前記第２の方向の長さよりも長い反射防止細線と、前記第２の方向の長さが前記第１の方向の長さよりも長い反射防止細線とは、互いに直交するように配置されて格子形状を成すことを特徴とする請求項１または２に記載の発光装置。
【請求項５】
前記導電層の前記反射防止細線と接する面の幅は、前記反射防止細線の前記透明基材と接する面の幅以下であることを特徴とする請求項３または４に記載の発光装置。
【請求項６】
前記反射防止細線の前記透明基材と接する面の幅は、０．１μｍ以上、１０００μｍ以下であることを特徴とする請求項３から５のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項７】
前記反射防止層は、単層構造、或いは積層構造であることを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項８】
透明基材の一の面に導電材料または絶縁材料からなる反射防止層を形成する工程と、
前記透明基材の前記反射防止層の側に少なくとも導電層、透明導電層、発光機能層及び電極をこの順で積層して形成する工程と、を含むことを特徴とする発光装置の製造方法。
【請求項９】
前記反射防止層は、平滑形状、或いは凹凸形状であることを特徴とする請求項８に記載の発光装置の製造方法。
【請求項１０】
前記反射防止層は、上面視において、第１の方向の長さが当該第１の方向と直交する第２の方向の長さよりも長い形状の反射防止細線を複数含み、複数の前記反射防止細線は、一方向に並列に配置されてストライプ形状を成すことを特徴とする請求項８または９に記載の発光装置の製造方法。
【請求項１１】
前記反射防止層は、上面視において、第１の方向の長さが当該第１の方向と直交する第２の方向の長さよりも長い形状の反射防止細線と、前記第２の方向の長さが前記第１の方向の長さよりも長い形状の反射防止細線と、を複数含み、前記第１の方向の長さが前記第２の方向の長さよりも長い反射防止細線と、前記第２の方向の長さが前記第１の方向の長さよりも長い反射防止細線とは、互いに直交するように配置されて格子形状を成すことを特徴とする請求項８または９に記載の発光装置の製造方法。
【請求項１２】
前記導電層の前記反射防止細線と接する面の幅は、前記反射防止細線の前記透明基材と接する面の幅以下であることを特徴とする請求項１０または１１に記載の発光装置の製造方法。
【請求項１３】
前記反射防止細線の前記透明基材と接する面の幅は、０．１μｍ以上、１０００μｍ以下であることを特徴とする請求項１０から１２のいずれか１項に記載の発光装置の製造方法。
【請求項１４】
前記反射防止層は、単層構造、或いは積層構造であることを特徴とする請求項８から１３のいずれか１つに記載の発光装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光装置、及び発光装置の製造方法に関し、特に有機エレクトロルミネッセンスとして構成可能な発光装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、液晶表示素子（ＬＣＤ）に続く次世代表示デバイスとして、有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、「有機ＥＬ素子」と記す）等の自発発光素子が実用化されている。また、このような自発発光素子を２次元配列した発光素子型の表示パネルを備えた発光装置の研究開発が行われている。
有機ＥＬ素子は、陽極と、電極と、これらの一対の電極間に形成される、例えば発光機能層、正孔注入層等を有する有機ＥＬ層（発光機能層）を備える。有機ＥＬ素子は、発光機能層において正孔と電子が再結合することによって発生するエネルギーによって発光する。
【０００３】
このような有機ＥＬ素子の光を取り出す側の透明電極は、一般的に錫ドープ酸化インジウム（Indium Thin Oxide;ITO）や亜鉛ドープ酸化インジウム（Indium Zinc Oxide;IZO）等を用いて形成される。これらの透明導電性層は、光の透過性が高く、高輝度を確保できるといった利点を有している。しかしながら、これらの透明導電性層は電気抵抗値が大きく導電率が低い。このため、例えば、有機エレクトロルミネッセンス素子に透明電導層を用いた場合には、所定の光量を得ようとすると消費電力が大きくなってしまうという問題がある。
【０００４】
透明電極の消費電力を抑える透明電極として、ＩＴＯを用いない透明電極がある。ＩＴＯを用いない透明電極では、例えば、一様な網目状、ストライプ型あるいはグリッド型等の金属及び合金の少なくとも一方で形成された細線構造部を配置した導電層が作製される。そして、導電層の上に例えば、導電性高分子材料を適当な溶媒に溶解または分散したインクを、塗布法や印刷法を用いて透明導電層を形成することにより、透明電極を形成する。このような透明電極は、例えば、特許文献１、特許文献２に記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００５−３０２５０８号公報
【特許文献２】特開２００６−９３１２３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、透明電極の導電層に金属細線構造を用いた場合、金属の反射率、幅、光沢度合いによっては金属配線構造が視認されやすくなる。このため、金属配線構造を有する透明電極は、有機ＥＬ発光装置として配線が認識されると不具合がある用途（例えば、直視、或いは間接視用途）には使用できないという問題があった。
本発明は、上記した点に鑑みてなされたものであって、有機ＥＬ素子に使用されている導電性細線が見え難く、用途が限定されることのない発光装置及び発光装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するため、本発明の発光装置の一態様は、透明基材と、透明基材の一の面に形成され、導電材料または絶縁材料からなる反射防止層と、を備え、透明基材の反射防止層の側に少なくとも導電層、透明導電層、発光機能層及び電極をこの順で積層して形成される。
本発明の発光装置の製造方法の一態様は、透明基材の一の面に導電材料または絶縁材料からなる反射防止層を形成する工程と、透明基材の反射防止層側に少なくとも導電層、透明導電層、発光機能層及び電極をこの順で積層して形成する工程と、を含む。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の発光装置により、透明基板上に形成される導電層下に反射防止層を形成するため、導電層が認識しづらい発光装置及び発光装置の製造方法が得られる。そのため、用途が限定されることのない発光装置及び発光装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の第１実施形態の発光装置を説明するための図である。
【図２】既存の発光装置を示した図である。
【図３】図１（ａ）に示した反射防止層の他の例を示した図である。
【図４−１】第１実施形態の発光装置の製造方法を説明するための図である。
【図４−２】図４−１に続く第１実施形態の発光装置の製造方法を説明するための図である。
【図５】本発明の第２実施形態の発光装置を説明するための図である。
【図６】本発明の第３実施形態の発光装置を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明の第１実施形態、第２実施形態及び第３実施形態の発光装置及び発光装置の製造方法について説明する。
［第１実施形態］
以下、第１実施形態に係る発光装置、及び発光装置の製造方法について説明する。第１実施形態の発光装置は、有機ＥＬ素子である。
【００１１】
（発光装置）
図１（ａ）、（ｂ）は、第１実施形態の発光装置１を説明するための図であり、図１（ａ）は発光装置１の上面図、図１（ｂ）は図１（ａ）に示した上面を線Ｂ−Ｂ’で切った断面図である。図１に示した発光装置１は、図１（ａ）、（ｂ）に示すように、透明基材１１と、透明基材の一の面に形成され、導電材料または絶縁材料からなる反射防止層１２０と、を備え、透明基材１１及び反射防止層１２０上に少なくとも導電層１３、透明導電層１４、発光機能層２１及び電極２２をこの順で積層して形成されている。
【００１２】
即ち、発光装置１は、透明基材１１と、透明基材１１の一の面である上面１１ａに形成され、導電材料または絶縁材料からなる反射防止層１２０と、反射防止層１２０の透明基材１１と接する面に対する裏面１２ａに形成された導電層１３と、上面１１ａと接する透明電導層１４の面に対する裏面１４ａに形成され、発光の機能を有する発光機能層２１と、発光機能層２１が透明電導層１４と接する面に対する裏面２１ａに形成された電極２２と、を有している。さらに、第１実施形態の発光装置１は、透明導電層１４、発光機能層２１、電極２２を覆う接着層２３と、接着層２３と貼り合わせられて透明導電層１４、発光機能層２１、電極２２を封止する封止基材２４を有している。
【００１３】
発光装置１のうち、透明基材１１、反射防止層１２０、導電層１３及び透明導電層１４は、透明電極１０を構成する。
また、図１に示した発光装置１において、透明電極１０は陽極、電極２２は陰極として機能する。
発光装置１の反射防止層１２０は、上面視において第１の方向（ｙ方向とする）の長さが、ｙ方向と直交する第２の方向（ｘ方向）の長さよりも長い形状の導電材料または絶縁材料からなる反射防止細線１２を複数含む。複数の反射防止細線１２は、ｘ方向に並列に配置されている。このように配置された複数の反射防止細線１２を、第１実施形態では「ストライプ形状を成す」とも記す。図１（ａ）は、複数の反射防止細線１２が透明基材１１上でストライプ形状を成すように配置された状態を示している。
【００１４】
ここで、第１実施形態の発光装置と比較するため、既存の発光装置１００の断面を図２に示す。図２に示した発光装置は、図１（ｂ）に示した発光装置と同様に、透明基材１１、導電層１３、透明導電層１４、発光機能層２１、電極２２、接着層２３及び封止基材２４を有している。発光装置１００は、反射防止層１２０を備えていない点で発光装置１と相違する。
【００１５】
既存の発光装置１００は、透明基材１１上に導電層１３のみを形成している。このため、発光装置１００を直視、或いは間接視する場合には導電層１３となる細線から光が反射してくるため細線である導電層１３が視認されやすかった。
しかし、図１（ａ）、（ｂ）に示したように、第１実施形態は、導電層１３直下に反射防止細線１２を形成している。反射防止細線１２を形成したことにより、第１実施形態は、細線の導電層１３から反射されてくる光が低減され、導電層１３が視認され難くなる。このため、第１実施形態は、直視、或いは間接視する用途等に使用される場合、導電層１３が視認されない輝度の高い発光装置を提供することができる。
【００１６】
以下、図１（ａ）、図１（ｂ）に示した各部材について、詳細に説明する。
（透明電極）
前記したように、透明電極１０は、透明基材１１、反射防止層１２０、導電層１３及び透明電導層１４によって構成される。導電層１３は、反射防止層１２０に含まれる反射防止細線１２のｘ方向の長さ（以下、「幅」と記す）と同等あるいはそれ以下の幅を持つ細い金属及び合金の少なくとも一方によって構成される。透明導電層１４は、塗布法や印刷法を用いて形成される。透明電極１０は、透明基材１１から反射防止層１２０、導電層１３、透明電導層１４の順に作製される。
【００１７】
第１実施形態の透明電極１０は、有機ＥＬ素子に用いた場合に輝度を向上させる観点から、導電性面の表面抵抗率がシート抵抗で０．０１Ω／□以上、１００Ω／□以下であることが好ましく、さらに好ましくは０．１Ω／□以上、１０Ω／□以下であることが好ましい。
また、第１実施形態の透明電極１０は、ＬＣＤ、エレクトロルミネッセンス素子、プラズマディスプレイ、エレクトロクロミックディスプレイ、太陽電池、タッチパネル等の透明電極、電子ペーパー及び電磁波遮蔽材等に用いることができる。さらに、導電性、透明性に優れ、また平滑性も高いため、有機ＥＬ素子に用いることが好ましい。
【００１８】
（透明基材）
本発明では、透明基材１１として、プラスチックフィルム、プラスチック板、ガラス等を用いることができる。
プラスチックフィルム及びプラチック板の原料としては、例えば、ポリエチレンテレフタラート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル類、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリスチレン、ＥＶＡ等のポリオレフィン類、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン等のビニル系樹脂、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリサルホン（ＰＳＦ）、ポリエーテルサルホン（ＰＥＳ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリアミド、ポリイミド、アクリル樹脂及びトリアセチルセルロース（ＴＡＣ）等を用いることができる。
【００１９】
透明基材１１は、表面平滑性に優れているものが好ましい。表面の平滑性は算術平均粗さＲａが５ｎｍ以下、かつ最大高さＲｙが５０ｎｍ以下であることが好ましく、さらに好ましくはＲａが１ｎｍ以下かつＲｙが２０ｎｍ以下である。第１実施形態は、透明基材１１の表面に、熱硬化性樹脂、紫外線硬化性樹脂、電子線硬化性樹脂、放射線硬化性樹脂等の下塗り層を付与して平滑化してもよい。また、第１実施形態は、研磨等の機械加工によって透明基材１１表面を平滑にすることもできる。さらに、第１実施形態は、透明基材１１に対する透明導電層１４の塗布、接着性を向上させるため、コロナ、プラズマ、ＵＶ／オゾンによる表面処理をしてもよい。ここで、透明基材１１の表面の平滑性は、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）等による測定から算出することができる。
【００２０】
また、透明基材１１の表面には、大気中の酸素、水分を遮断する目的でガスバリア層を設けるのが好ましい。ガスバリア層の形成材料としては、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム等の金属酸化物及び金属窒化物が使用できる。これらの材料は、水蒸気バリア機能の他に酸素バリア機能も有する。特に、バリア性、耐溶剤性、透明性が良好な窒化シリコン、酸化窒化シリコンが好ましい。また、ガスバリア層は必要に応じて多層構造にすることも可能である。多層構造は、無機層のみで構成してもよいし、無機層と有機層で構成してもよい。ガスバリア層の形成方法は、透明基材１１の材料に応じて、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、反応性蒸着法、イオンプレーティング法及びスパッタリング法を用いることができる。また、ガスバリア層の厚みに関しては特に限定されないが、典型的には１層あたり５ｎｍ〜５００ｎｍの範囲内であることが好ましく、さらに好ましくは１層あたり１０ｎｍ〜２００ｎｍである。ガスバリア層は透明基材１１の少なくとも一方の面に設けられ、両面に設けられるのが好ましい。
【００２１】
（反射防止層）
第１実施形態の反射防止層１２０としては、反射率が１０％以下と低いことが好ましく、単層構造の場合、光重合系の材料が使用される。光重合系の材料の反射防止層の具体例としては、液晶ディスプレイ用のカラーフィルターとして利用されているカーボンブラックを用いた樹脂ブラックマトリクス（ＢＭ）のような低反射材料が好ましい。また、一般的なアンチグレア（ＡＧ）構造にしてもよい。また、積層構造の場合、反射防止層１２０は、一般的なアンチリフレクション（ＡＲ）構造であってもよい。
【００２２】
また、本実施形態は、反射防止層１２０の表面に微細な凹凸を設けてＡＧ構造にするか、平滑材料を積層させてＡＲ構造にすることもできる。
第１実施形態では、図１（ａ）に示したように、反射防止層１２０を、複数の反射防止細線１２を使ってストライプ形状に形成したことにより、導電層１３を透明基材１１の直上に配置させるよりも非視認性を向上させることができる。導電性１３或いは反射防止細線１２の透明基材１１と接する底面の幅は任意であるが、０．１μｍ程度から１０００μｍの間が好ましい。反射防止細線１２の間隔は、５μｍから５ｃｍの間隔のピッチであることが好ましく、特に、１０μｍから、１ｃｍピッチが好ましい。
【００２３】
また、反射防止細線１２の図１（ａ）、図１（ｂ）に示したｚ方向の長さ（高さ、あるいは厚み）は、０．０５μｍ以上、１０μｍ以下が好ましく、さらに好ましくは０．１μｍ以上、１μｍ以下である。
第１実施形態は、反射防止層１２０を配置することで、光の透過率が減少する。透過率の減少はできるだけ小さいことが重要であるため、反射防止細線１２の間隔を狭くしすぎたり、反射防止細線１２の幅を大きくしすぎたりすることなく、好ましくは８０％以上の光の透過率を確保することが望ましい。
【００２４】
（導電層）
第１実施形態の導電層１３は、反射防止細線１２上に形成される。このため、導電層１３も反射防止細線１２と同様にｘ方向よりもｙ方向に長い線状の形状を有している。そして、複数の導電層１３は、一方向に並列に配置されてストライプ形状を成している。導電層１３の材料としては、電気抵抗が低いことが好ましく、１０７Ｓ／ｃｍ以上の電気伝導度を有する材料が使用される。導電材料の具体例としては、アルミニウム、銀、クロミニウム、金、銅、タンタル、モリブデン等の金属、あるいはその合金のいずれか１つを使用することができる。このような材料の中でも、電気導電度の高さや材料のハンドリングの容易さの観点から、アルミニウム、クロミニウム、銅、銀及びその合金の少なくとも一方を使用することが好ましい。
導電層１３の高さ（厚み）は、０．０５μｍ以上、１０μｍ以下が好ましく、さらに好ましくは０．１μｍ以上、１μｍ以下である。各導電層１３の幅と高さの関係については、所望の導電性に応じて決めればよい。導電層１３は、同一の導電層のみで構成してもよいし、異なる導電層を組み合わせて構成してもよい。
【００２５】
（透明導電層）
第１実施形態の透明導電層１４は、塗布法によって形成される塗布電極層として形成することができる。塗布電極層を塗布法により形成する際に用いられる溶液は、塗布電極層となる材料と溶媒とを含む。塗布電極層は導電性を示す高分子化合物を含むことが好ましい。この高分子化合物は、ドーパントを含有していてもよい。高分子化合物の導電性は通常、導電率で１０−５〜１０５Ｓ／ｃｍであり、好ましくは１０−３〜１０５Ｓ／ｃｍである。また、透明導電層１４は、実質的に導電性を示す高分子化合物から成ることが好ましい。透明導電層１４の構成材料としては、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体等を使用することができる。
【００２６】
高分子化合物に含まれるドーパントとしては、公知のドーパントを用いることができる。公知のドーパントの例としては、ポリスチレンスルホン酸、ドデシルベンゼンスルホン酸等の有機スルホン酸、ＰＦ５、ＡｓＦ５、ＳｂＦ５等のルイス酸がある。また導電性を示す高分子化合物は、ドーパントが高分子化合物に直接結合した自己ドープ型の高分子化合物であってもよい。
【００２７】
透明導電層１４は、ポリチオフェン及びポリチオフェンの誘導体の少なくとも一方を含んで構成されることが好ましく、実質的にポリチオフェン及びポリチオフェンの誘導体の少なくとも一方から成ることが好ましい（ポリチオフェン及びポリチオフェンの誘導体の少なくとも一方は、ドーパントを含有していてもよい）。ポリチオフェン、ポリチオフェンの誘導体、または、ポリチオフェンとポリチオフェンの誘導体との混合物は、水及びアルコール等の水系溶媒に溶解、もしくは分散しやすいため、塗布法の塗布液の溶質として好適に用いられる。
【００２８】
また、ポリチオフェン、ポリチオフェンの誘導体、または、ポリチオフェンとポリチオフェンの誘導体との混合物は、導電性が高く、電極材料として好適に用いられる。さらに、ポリチオフェン、ポリチオフェンの誘導体、または、ポリチオフェンとポリチオフェンの誘導体との混合物は、ＨＯＭＯエネルギーが５．０ｅＶ程度であり、公知の有機ＥＬ素子に用いられる発光機能層のＨＯＭＯエネルギーとの差が１ｅＶ程度と低い。このため、ポリチオフェン、ポリチオフェンの誘導体、または、ポリチオフェンとポリチオフェンの誘導体との混合物は、発光機能層に正孔を効率的に注入することができるので、特に、陽極の材料として好適に用いることができる。また、透明性が高く、有機ＥＬ素子の発光取り出し側の電極として好適に用いられる。
【００２９】
透明導電層１４は、ポリアニリン及びポリアニリンの誘導体の少なくとも一方を含んで構成されることが好ましく、実質的にポリアニリン及びポリアニリンの誘導体の少なくとも一方から成ることが好ましい。このとき、ポリアニリン及びポリアニリンの誘導体の少なくとも一方は、ドーパントを含有していてもよい。ポリアニリン及びポリアニリンの誘導体の少なくとも一方は、導電性及び安定性に優れるため、電極材料として好適に用いられる。また、透明性が高く、有機ＥＬ素子の発光取り出し側の電極として好適に用いられる。
【００３０】
有機ＥＬ素子として構成される第１実施形態の発光装置１は、以上説明した透明電極１０を陽極として使用する。そして、透明電極１０に対し、発光機能層２１、陰極として機能する電極２２を設ける。そして、電極２２の周囲を接着層２３で覆い、封止基材２４によって封止している。接着層２３、封止基材２４による構造（以下、「封止構造」と記す）については有機ＥＬ素子に使われている公知の材料、構成等の任意のものを用いることができる。
【００３１】
第１実施形態の発光装置の層構造としては、以下のものが考えられる。なお、以下の表記において、記号「／」は、記号「／」を挟む各層が隣接して積層されていることを示す。また、以下の表記において、「陽極」は第１実施形態の透明導電層１４に相当し、「陰極」は第１実施形態の電極２２に相当する。
陽極／発光機能層／陰極
陽極／正孔輸送層／発光機能層／電子輸送層／陰極
陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光機能層／電子輸送層／陰極
陽極／正孔注入層／発光機能層／電子輸送層／電子注入層／陰極
陽極／正孔注入層／発光機能層／電子注入層／陰極
【００３２】
第１実施形態の発光装置１は、２層以上の発光機能層を有していてもよく、２層以上の発光機能層を有する発光装置１としては、例えば、以下に示す層構造を用いることができる。
陽極／電荷注入層／正孔輸送層／発光機能層／電子輸送層／電荷注入層／電荷発生層／電荷注入層／正孔輸送層／発光機能層／電子輸送層／電荷注入層／陰極
【００３３】
また、３層以上の発光機能層を有する発光装置１としては、具体的には、
「電荷発生層／電荷注入層／正孔輸送層／発光機能層／電子輸送層／電荷注入層」を一つの繰り返し単位とし、この繰り返し単位を２つ以上含む以下の層構造を用いることができる。
陽極／電荷注入層／正孔輸送層／発光機能層／電子輸送層／電荷注入層／「繰り返し単位」／「繰り返し単位」／・・・／陰極
上記層構造において、陽極、陰極、発光機能層以外の各層は必要に応じて削除することができる。ここで、電荷発生層とは、電界を印加することにより、正孔と電子を発生する層である。電荷発生層としては、例えば、酸化バナジウム、ＩＴＯ、酸化モリブデン等からなる薄膜を用いることができる。
【００３４】
以下、正孔注入層、正孔輸送層、発光機能層、電子輸送層、電子注入層、陰極の各層、及び封止構造について説明する。
（透明電極と発光機能層との間に設けられる層）
必要に応じて透明電極１０（陽極）と発光機能層２１との間に設けられる層としては、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層等がある。正孔注入層は、透明電極１０からの正孔注入効率を改善する機能を有する層である。正孔輸送層とは、正孔注入層または透明電極１０により近い層からの正孔注入を改善する機能を有する層である。また、正孔注入層または正孔輸送層が電子の輸送を止める機能を有する場合には、これらの層を電子ブロック層と称することがある。電子の輸送を止める機能を有することは、例えば、電子電流のみを流す素子を作製し、その電流値の減少で確認することが可能である、
【００３５】
（正孔注入層）
正孔注入層は、陽極と正孔輸送層との間、または陽極と発光機能層との間に設けることができる。正孔注入層の材料としては、公知の材料を適宜用いることができ、特に制限はない。正孔注入層の材料としては、例えば、フェニルアミン系、スターバースト型アミン系、フタロシアニン系、ヒドラゾン誘導体、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、アミノ基を有するオキサジアゾール誘導体、酸化バナジウム、酸化タンタル、酸化モリブデン等の酸化物、アモルファスカーボン、ポリアニリン、ポリチオフェン誘導体等がある。
【００３６】
正孔注入層の成膜方法としては、例えば、正孔注入層となる材料（正孔注入材料）を含む溶液から成膜をする方法がある。溶液から成膜をする場合に用いられる溶媒としては、正孔注入材料を溶解させるものであれば、特に制限はなく、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート等のエステル系溶媒、及び水がある。
【００３７】
溶液から成膜を行う方法には、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、スリットコート法、インクジェットプリント法及びノズルプリント法等の塗布法がある。
また、正孔注入層の厚みは、５〜３００ｎｍ程度であることが好ましい。正孔注入層の厚みが５ｎｍ未満では、製造が困難になる傾向がある。他方、正孔注入層の厚みが３００ｎｍを越えると、駆動電圧、及び正孔注入層に印加される電圧が大きくなる傾向となる。
【００３８】
（正孔輸送層）
正孔輸送層を構成する材料としては、特に制限はないが、例えば、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（３−メチルフェニル）４，４’−ジアミノビフェニル（ＴＰＤ）、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（ＮＰＢ）等の芳香族アミン誘導体、ポリビニルカルバゾールもしくはその誘導体、ポリシランもしくはその誘導体、側鎖もしくは主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体、ポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体、ポリアリールアミンもしくはその誘導体、ポリピロールもしくはその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）もしくはその誘導体、またはポリ（２，５−チエニレンビニレン）もしくはその誘導体等が例示される。
【００３９】
上記した材料のうち、正孔輸送層に用いる正孔輸送材料としては、ポリビニルカルバゾールもしくはその誘導体、ポリシランもしくはその誘導体、側鎖もしくは主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体ポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体、ポリアリールアミンもしくはその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）もしくはその誘導体、またはポリ（２，５−チエニレンビニレン）もしくはその誘導体等の高分子正孔輸送材料が好ましい。低分子の正孔輸送材料を用いる場合は、高分子バインダーに分散させて用いることが好ましい。
【００４０】
正孔輸送層の成膜方法としては、特に制限はないが、低分子の正孔輸送材料を用いる場合には、高分子バインダーと正孔輸送材料とを含む混合液から成膜をする方法がある。また、高分子の正孔輸送材料を用いる場合には、正孔輸送材料を含む溶液から成膜を行う方法がある。溶液からの成膜に用いられる溶媒としては、正孔輸送材料を溶解させるものであれば、特に制限はなく、例えば、正孔注入層で使用される溶媒を使用することができる。溶液からの成膜には、上述した正孔注入層の塗布法と同様の塗布法を使用することができる。
【００４１】
正孔輸送層の厚みは、特に制限されないが、目的とする設計に応じて適宜変更することができ、１〜１０００ｎｍ程度であることが好ましい。正孔輸送層の厚みが１ｎｍ未満になると、製造が困難になる、または正孔輸送の効果が十分に得られない等の傾向がある。他方、正孔輸送層の厚みが１０００ｎｍを超えると、駆動電圧及び正孔輸送層に印加される電圧が大きくなる傾向がある。したがって正孔輸送層の厚みは、好ましくは、１〜１０００ｎｍであるが、より好ましくは、２〜５００ｎｍであり、さらに好ましくは、５〜２００ｎｍである。
【００４２】
（発光機能層）
発光機能層２１は、主として蛍光または燐光を発光する有機物（低分子化合物及び高分子化合物）を有する。なお、発光機能層２１は、さらにドーパント材料を含んでいてもよい。第１実施形態において用いられる発光機能層を形成する材料としては、例えば、以下の材料がある。
【００４３】
色素系材料
発光機能層２１の色素系材料としては、例えば、シクロペンダミン誘導体、キナクドリン誘導体、クマリン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体化合物、トリフェニルアミン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ピラゾロキノリン誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、ジスチリルアリーレン誘導体、ピロール誘導体、チオフェン環化合物、ピリジン環化合物、ペリノン誘導体、ペリレン誘導体、オリゴチオフェン誘導体、オキサジアゾールダイマー及びピラゾリンダイマー等がある。
【００４４】
金属錯体系材料
発光機能層２１の金属錯体系材料としては、例えば、イリジウム錯体、白金錯体等の三重項励起状態からの発光を有する金属錯体、アルミキノリノール錯体、ベンゾキノリノールベリリウム錯体、ベンゾオキサゾリル亜鉛錯体、ベンゾチアゾール亜鉛錯体、アゾメチル亜鉛錯体、ポルフィリン亜鉛錯体、ユーロピウム錯体等、中心金属に、Ａｌ、Ｚｎ、Ｂｅ等またはＴｂ、Ｅｕ、Ｄｙ等の希土類金属を有し、配位子にオキサジアゾール、チアジアゾール、フェニルピリジン、フェニルベンゾイミダゾール及びキノリン構造等を有する金属錯体等がある。
【００４５】
高分子系材料
発光機能層２１の高分子系材料としては、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリシラン誘導体、ポリアセチレン誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリビニルカルバゾール誘導体及び上記色素体や金属錯体系発光材料を高分子化したもの等がある。
上記高分子系材料のうち、青色に発光する材料としては、ジスチリルアリーレン誘導体、オキサジアゾール誘導体及びそれらの重合体、ポリビニルカルバゾール誘導体、ポリパラフェニレン誘導体及びポリフルオレン誘導体等がある。
【００４６】
また、緑色に発光する材料としては、キナクドリン誘導体、クマリン誘導体、及びそれらの重合体、ポリパラフェニレンビニレン誘導体及びポリフルオレン誘導体等がある。
また、赤色に発光する材料としては、クマリン誘導体、チオフェン環化合物、及びそれらの重合体、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体及びポリフルオレン誘導体等がある。
【００４７】
ドーパント材料
発光機能層中に発光効率の向上や発光波長を変化させる目的で、ドーパントを添加することができる。このよう等パントとしては、例えば、ペリレン誘導体、クマリン誘導体、ルブレン誘導体、キナクドリン誘導体、スクアリウム誘導体、ポルフィリン誘導体、スチリル系色素、テトラセン誘導体、ピラゾロン誘導体、デカシクレン、フェノキサゾン等がある。なお、発光機能層の厚さは、通常約２〜２００ｎｍである。
発光機能層の成膜方法としては、有機発光材料を含む溶液から成膜を行う方法がある。溶液からの成膜に用いられる溶媒としては、有機発光材料を溶解させるものであれば、特に制限はなく、正孔注入層の成膜に使用される溶媒を使用することができる。また、溶液からの成膜方法としては、上述した正孔注入層と同様の塗布法を使用することができる。
【００４８】
（電極と発光機能層との間に設けられる層）
必要に応じて電極２２（陰極）と発光機能層２１の間に設けられる層としては、電子注入層、電子輸送層、正孔ブロック層等がある。電極２２と発光機能層２１との間に電子注入層と電子輸送層との両方の層が設けられる場合、電極２２に接する層を電子注入層といい、電子注入層を除く層を電子輸送層という。
電子注入層は、電極２２からの電子注入効率を改善する機能を有する層である。電子輸送層は、電極２２、電子注入層または電極２２により近い層からの電子注入を改善する機能を有する層である。正孔ブロック層は、正孔の輸送を止める機能を有する層である。なお電子注入層、及び電子輸送層の少なくとも一方が正孔の輸送を止める機能を有する場合には、電子注入層、及び電子輸送層の少なくとも一方が正孔ブロック層を兼ねることがある。
【００４９】
（電子輸送層）
電子輸送層を構成する電子輸送材料としては、公知の電子輸送材料を使用することができる。具体的には、電子輸送材料として、オキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタン若しくはその誘導体、ベンゾキノン若しくはその誘導体、ナフトキノン若しくはその誘導体、アントラキノン若しくはその誘導体、テトラシアノアンスラキノジメタン若しくはその誘導体、フルオレノン若しくはその誘導体、ジフェニルジシアノエチレン若しくはその誘導体、ジフェノキノン誘導体、または８−ヒドロキシキノリン若しくはその誘導体の金属錯体、ポリキノリン若しくはその誘導体、ポリキノキサリン若しくはその誘導体及びポリフルオレン若しくはその誘導体等がある。
【００５０】
これらのうち、電子輸送材料としては、オキサジアゾール誘導体、ベンゾキノン若しくはその誘導体、アントラキノン若しくはその誘導体、８−ヒドロキシキノリン若しくはその誘導体の金属錯体、ポリキノリン若しくはその誘導体、ポリキノキサリン若しくはその誘導体、ポリフルオレン若しくはその誘導体が好ましく、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、ベンゾキノン、アントラキノン、トリス（８−キノリノール）アルミニウム及びポリキノリンがさらに好ましい。
【００５１】
電子輸送層の成膜方法としては、特に制限はないが、低分子の電子輸送材料では、高分子バインダーと電子輸送材料とを含む混合液から成膜をする方法がある。また、高分子の電子輸送材料では、電子輸送材料を含む溶液から成膜をする方法がある。溶液からの成膜に用いられる溶媒としては、電子輸送材料を溶解させるものであれば、特に制限はなく、正孔注入層の溶媒として使用される溶媒を使用することができる。溶液からの成膜方法としては、上述した正孔注入層の成膜法と同様の塗布法がある。
【００５２】
電子輸送層の厚みは、用いる材料によって最適値が異なり、目的とする設計に応じて適宜変更することができる。電子輸送層には、少なくともピンホールが発生しない厚さが必要である。ピンホールが発生しない膜厚として、例えば、１〜１０００ｎｍ程度であることが好ましく、より好ましくは、２〜５００ｎｍであり、さらに好ましくは、５〜２００ｎｍである。
【００５３】
（電子注入層）
電子注入層を構成する材料としては、発光機能層の種類に応じて最適な材料が適宜選択される。電子注入層の材料としては、例えば、アルカリ金属、アルカリ土類金属、アルカリ金属及びアルカリ土類金属のうちの１種類以上含む合金、アルカリ金属若しくはアルカリ土類金属の酸化物、ハロゲン化物、炭酸化物、またはこれらの物質の混合物等がある。
【００５４】
アルカリ金属、アルカリ金属の酸化物、ハロゲン化物、及び炭酸化物の例としては、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、酸化リチウム、フッ化リチウム、酸化ナトリウム、フッ化ナトリウム、酸化カリウム、フッ化カリウム、酸化ルビジウム、フッ化ルブジウム、酸化セシウム、フッ化セシウム、炭酸リチウム等がある。また、アルカリ土類金属、アルカリ土類金属の酸化物、ハロゲン化物、及び炭酸化物の例としては、マグネシウム、カルシウム、バリウム、ストロンチウム、酸化マグネシウム、フッ化マグネシウム、酸化カルシウム、フッ化カルシウム、酸化バリウム、フッ化バリウム、酸化ストロンチウム、フッ化ストロンチウム、炭酸マグネシウム等がある。電子注入層は、２層以上を積層した積層体で構成されていてもよく、例えばフッ化リチウム／カルシウム等の二層構造とすることができる。電子注入層は、各種蒸着法、スパッタリング法、各種塗布法等により形成される。電子注入層の膜厚としては、１〜１０００ｎｍ程度が好ましい。
【００５５】
（電極）
電極２２の材料としては、仕事関数が小さく、発光機能層への電子注入が容易な材料、電気導電度が高い材料、可視光反射率の高い材料の少なくとも一つが好ましい。かかる電極２２の材料としては、具体的には、金属、金属酸化物、合金、グラファイトまたはグラファイト層間化合物及び酸化亜鉛等の無機半導体等がある。
【００５６】
上記金属としては、アルカリ金属やアルカリ土類金属、遷移金属やＩＩＩ−ｂ属金属等を用いることができる。これらの金属の具体的例としては、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、金、銀、白金、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、錫、アルミニウム、スカンジウム、バナジウム、亜鉛、イットリウム、インジウム、セリウム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム及びイッテルビウム等がある。
【００５７】
また、合金としては、上記金属の少なくとも一種を含む合金を使用することができる。具体的には、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、インジウム−銀合金、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−マグネシウム合金、リチウム−インジウム合金及びカルシウム−アルミニウム合金等が使用される。
【００５８】
電極２２は、必要に応じて透明電極として構成される。電極２２の材料としては、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化錫、ＩＴＯ、ＩＺＯ等の導電性酸化物、ポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体等の導電性有機物がある。
なお、電極２２は、２層以上の積層構造であってもよい。また、電子注入層が電極２２として用いられる場合もある。電極２２の膜厚は、電気導電度や耐久性を考慮して、適宜選択することができるが、例えば、１０〜１００００ｎｍであり、好ましくは２０〜１０００ｎｍであり、さらに好ましくは、５０〜５００ｎｍである。
【００５９】
（封止構造）
第１実施形態の封止構造は、透明電極１４、発光機能層２１、電極２２の側面及び上面に接着層２３を形成し、電極２２の上面の接着層２３上に封止基材２４を貼り合わせることによって構成されている。
接着層２３としては、熱硬化型の接着層を使用することができるが、有機ＥＬを構成する材料への影響を鑑みると光硬化型の接着剤が好ましい。光硬化型の接着剤としては、例えば、エステルアクリレート、ウレタンアクリレート、エポキシアクリレート、メラミンアクリレート、アクリル樹脂アクリレート等の各種アクリレート、ウレタンポリエステル等の樹脂を用いたラジカル系接着剤や、エポキシ、ビニルエーテル等の樹脂を用いたカチオン系接着剤及びチオール・エン付加型樹脂系接着剤等がある。このような接着剤の中でも、接着層２３に用いられる接着剤として、酸素による阻害がなく、光照射後も重合反応が進行するカチオン系接着剤が好ましい。
【００６０】
接着層２３に用いられるカチオン系硬化型タイプの接着剤としては、紫外線硬化型エポキシ樹脂接着剤が好ましく、また、１００ｍＷ／ｃｍ２以上の紫外線を照射した際に、１０〜９０秒以内に硬化する紫外線硬化型接着剤が特に好ましい。接着剤を１０〜９０秒以内に硬化させることにより、紫外線照射による他の構成要素への影響を排除しつつ、接着剤が充分に硬化して適切な接着強度を得ることができる。
【００６１】
また、発光装置１を生産する生産工程の効率の観点からも、接着剤を１０〜９０秒以内に硬化させることが好ましい。さらに、接着剤は、種類に関わらず、低透湿性、かつ高接着性のものが好ましい。接着層２３を封止基材２４との接触面に形成する方法の一例として、ディスペンス法、押出ラミネート法、溶融・ホットメルト法、カレンダー法、ノズル塗布法、スクリーン印刷法、真空ラミネート法及び熱ロールラミネート法等がある。接着層２３の厚みとしては特に制限はないが、薄膜であるとこが好ましく、好ましくは１〜１００μｍであり、特に好ましくは５〜５０μｍである。
【００６２】
発光装置１がトップエミッション型の有機ＥＬ素子である場合には、封止基材２４に透明性が必要になる。このような場合、封止基材２４にはガラス、ポリエチレンテレフタラート（ＰＥＴ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等及びプラスチックフィルムを用いることができる。また、発光装置１が特に透明性が必要ないボトムエミッション型の有機ＥＬ素子である場合には、封止基材２４として上記の材料に加えてステンレスやアルミ等の金属材料や不透明なガラス、プラスチック材料、或いはＰＥＴとアルミ箔に接着剤を介して貼り合せた基材、例えばアルペット等も用いることができる。
【００６３】
有機ＥＬ素子として構成される第１実施形態の発光装置は、上記した構成を有している。このような有機ＥＬ素子は、自発光型ディスプレイ、液晶用及び広告媒体バックライト、照明等に用いることができる。
また、以上説明した第１実施形態の発光装置は、ストライプ形状に配置された反射防止細線１２で構成される反射防止層１２０を設ける構成に限定されるものではない。
【００６４】
図３は、他の反射防止層１５０を示すための上面図である。反射防止層１５０は、例えば、上面視において、ｙ方向の長さがｘ方向の長さよりも長い形状の導電材料または絶縁材料からなる複数の反射防止細線１５１と、ｘ方向の長さがｙ方向の長さよりも長い形状の導電材料または絶縁材料からなる複数の反射防止細線１５２と、を含み、反射防止細線１５１と反射防止細線１５２を互いに直交するように配置している。図３に示したように、反射防止層１５０は、上面視において格子形状を成す。
なお、第３実施形態においては、反射防止細線１５１においてはｘ方向の長さを幅といい、反射防止細線１５２においてはｙ方向の長さを幅という。
【００６５】
（発光装置の製造方法）
次に、以上説明した第１実施形態の発光装置１の製造方法について説明する。第１実施形態の発光装置１の製造方法は、特に発光装置の透明電極１０の製造方法に関する。第１実施形態の透明電極１０の製造方法においては、透明基材１１上において、反射防止層１２０、導電層１３、透明導電層１４が透明基材１１の側からこの順に作製されて製造される。
【００６６】
図４−１（ａ）、（ｂ）、（ｃ）及び図４−２（ｄ）、（ｅ）は、第１実施形態の発光装置の製造方法を説明するための図である。図４−１（ａ）に示すように、第１実施形態では、先ず、透明基材１１上に反射防止層１２０を形成するための反射防止膜１２２と、導電層１３を形成するための導電膜１３２と、を成膜する。
反射防止膜１２２及び導電膜１３２を形成する方法としては、特に制限はなく、例えば、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、スパッタリング法、または金属薄膜を熱圧縮するラミネート法等を用いることができる。反射防止膜１２２及び導電膜１３２は、フォトレジストを用いたエッチング法によってパター二ングされ、図１（ｂ）に示した反射防止細線１２及び導電層１３となる。
【００６７】
また、第１実施形態は、反射防止細線１２及び導電層１３を溶液から形成することができる。反射防止細線１２を形成する溶液の溶媒としては、反射防止細線１２、導電層１３となる材料を溶解させるものであれば、特に制限はない。
反射防止細線１２及び導電層１３を溶液から形成する方法としては、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、スリットコート法、インクジェットプリント法、ノズルプリント法等の塗布法がある。このような方法のうち、反射防止細線１２及び導電層１３のパターンを直接形成できる成膜方法が好ましい。成膜方法は適宜選択可能であるが、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法等の印刷法、インクジェットプリント法、ノズルプリント法等の吐出による塗布法が好適である。成膜された膜は、その後、乾燥固化して反射防止細線１２及び導電層１３となる。
【００６８】
次に、第１実施形態では、透明電極１４の形成領域に塗布導電材料を塗布して、透明導電層を成膜する。この時、透明基材と貼り合せる封止基材（詳細は後述する）の封止接着剤が形成される領域を除くように、透明導電層を形成する。成膜方法としては、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、スリットコート法、インクジェットプリント法、ノズルプリント法等の塗布法を使用することができる。特に、透明電極の形成領域を全面に渡って成膜するため、一様に塗布成膜する方法が好ましく、適宜選択可能であるが、スピンコート法、バーコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スリットコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、ロールコート法等の塗布法が好適である。
【００６９】
次いで、透明電極の形成領域全面に塗布導電材料が塗布された透明基材１１を、乾燥処理室内で、例えば１００℃以上の温度条件で加熱処理する。これにより、塗布導電材料溶液に含まれる溶媒を気化させて、透明基材１１、及び反射防止細線１２の上に塗布導電材料を固着させて、透明導電層１４を形成する。図４−１（ｃ）は、透明導電層１４を含む透明電極１０が形成された状態を示す。
【００７０】
さらに、第１実施形態では、図４−２（ｄ）に示すように、透明電極１４上に発光機能層２１及び電極２２を形成する。発光機能層２１は、発光機能層２１を形成するための溶液を塗布、成膜する方法によっても形成することができる。また、電極２２は、塗布による成膜、スパッタリング、ＣＶＤ（chemical vapor deposition）等のいずれの方法によっても実現することができる。
【００７１】
次に、第１実施形態では、図４−２（ｅ）に示すように、透明電極１０、発光機能層２１及び電極２２を覆うように接着層２３を塗布する。そして、接着層２３上に封止基材２４を貼り合わせて封止する。
以上説明した第１実施形態によれば、導電層１３と透明基材１１との間に反射防止層１２０を設けたので、透明基材１１の側から発光装置を見た場合に導電層１３が視認し難くなる。このため、第１実施形態の発光装置は、透明度が高く、高品質なディスプレイを実現することができる。
【００７２】
［第２実施形態］
次に、本発明の第２実施形態について説明する。第２実施形態の発光装置２は、有機ＥＬ素子として構成されている。第２実施形態は、第２実施形態と透明電極５０内の反射防止細線５２及び導電層５３の形状が異なっていて、他の部材は同様に構成されている。第２実施形態においては、第１実施形態と同様の構成については同様の符号を付し、その説明を一部略す。
【００７３】
（反射防止細線）
図５（ａ）、（ｂ）は、第２実施形態の発光装置２を説明するための図である。図５（ａ）は発光装置２のｘ軸に沿う断面図、図５（ｂ）は図２（ａ）に示した反射防止細線５２及び導電層５３を拡大して示した図である。図５（ｂ）に示すように、ここでは、反射防止細線５２のｘ方向に対向する２つの側面を各々側面５２ｂ、側面５２ｄとする。また、反射防止細線５２の透明基材１１と接する面を底面５２ａとし、底面５２ａに対する裏面を上面５２ｃとする。
【００７４】
また、図５（ｂ）に示すように、導電層５３のｘ方向に対向する２つの側面を各々側面５３ｂ、側面５３ｄとする。また、導電層５３の透明基材１１と接する面を底面５３ａとし、底面５３ａに対する裏面を上面５３ｃとする。
図５（ａ）及び図５（ｂ）に示したように、第２実施形態の発光装置２が備える反射防止細線５２及び導電層５３は、いずれも断面が台形を有している。そして、導電層５３の底面５３ａの幅Ｌ２は、反射防止細線５２の底面５２ａの幅Ｌ１より短くなっている。このような構成により、第２実施形態の発光装置２は、透明基材１１の側から見た場合、反射防止細線５２の底面５２ａが導電層５３の底面５３ａを確実に隠すことになり、導電層５３を透明基材１１の側からより視認し難くすることができる。
【００７５】
即ち、第２実施形態では、反射防止細線５２、及び導電層５３の断面形状が台形となり、いずれもｘ方向に対向する側面にテーパーが付くように形成されている。
具体的には、図５（ｂ）に示すように、反射防止細線５２のｘ軸に沿う断面において、底面５２ａと側面５２ｂとがなす角度を下底角θ１とする。また、上面５２ｃと側面５２ｄとがなす角度を上底角θ２とする。また、第２実施形態では、導電層５３のｘ軸に沿う断面において、底面５３ａと側面５３ｂとがなす角度を下底角θ３とする。また、上面５３ｃと側面５３ｄとがなす角度を上底角θ４とする。
【００７６】
第２実施形態において、下底角θ１は９０°以下が好ましく、上底角θ２は９０°以上が好ましい。また、導電層５３の下底角θ３は９０°以下が好ましく、上底角θ４は９０°以上が好ましい。
なお、第２実施形態においても、反射防止細線５２としては、反射率が１０％以下と低いことが好ましく、単層構造の場合、光重合系の材料が使用される。光重合系の材料の反射防止層の具体例としては、液晶ディスプレイ用のカラーフィルターとして利用されているカーボンブラックを用いた樹脂ブラックマトリスク（ＢＭ）のような低反射材料が好ましい。また、一般的なアンチグレア（ＡＧ）構造にしてもよい。また、多層構造の場合、反射防止層５２０は、一般的なアンチリフレクション（ＡＲ）構造であってもよい。
【００７７】
また、第２実施形態において、反射防止細線５２となる膜を形成する方法としては、特に制限はなく、例えば、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、スパッタリング法、または金属薄膜を熱圧縮するラミネート法等を用いて成膜を行い、膜をフォトレジストを用いたエッチング法によってパター二ングすることが考えられる。
このとき、第２実施形態は、エッチング時に反射防止細線５２となる膜をオーバーエッチングすることによって断面が台形の反射防止細線５２を形成することができる。
【００７８】
（導電層）
第１実施形態と同様に、第２実施形態の導電層５３は、反射防止細線５２上に形成される。このため、導電層５３も反射防止細線５２と同様にｘ方向よりもｙ方向に長い線状の形状を有している。そして、複数の導電層５３は、一方向に並列に配置されてストライプ形状をなしている。導電層５３の材料としては、電気抵抗が低いことが好ましく、１０７Ｓ／ｃｍ以上の電気伝導度を有する材料が使用される。導電材料の具体例としては、アルミニウム、銀、クロミニウム、金、銅、タンタル、モリブデン等の金属、あるいはその合金のいずれか１つを使用することができる。このような材料の中でも、電気導電度の高さや材料のハンドリングの容易さの観点から、アルミニウム、クロミニウム、銅、銀及びその合金を使用することが好ましい。
【００７９】
導電層５３の高さ（厚み）は、０．０５μｍ以上、１０μｍ以下が好ましく、さらに好ましくは０．１μｍ以上、１μｍ以下である。各導電層５３の幅と高さの関係については、所望の導電性に応じて決めればよい。導電層５３は、同一の導電層のみで構成してもよいし、異なる導電層を組み合わせて構成してもよい。
また、第２実施形態は、反射防止細線５２及び導電層５３を溶液から形成することができる。反射防止細線５２を形成する溶液の溶媒としては、反射防止細線５２、導電層５３となる材料を溶解させるものであれば、特に制限はない。
【００８０】
反射防止細線５２及び導電層５３を溶液から形成する方法としては、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、スリットコート法、インクジェットプリント法、ノズルプリント法等の塗布法がある。このような方法のうち、反射防止細線５２及び導電層５３のパターンを直接形成できる成膜方法が好ましい。成膜方法は適宜選択可能であるが、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法等の印刷法、インクジェットプリント法、ノズルプリント法等の吐出による塗布法が好適である。成膜された膜は、その後、乾燥固化して反射防止細線５２あるいは導電層５３となる。
【００８１】
このとき、第２実施形態は、印刷に使用される溶液を多層に塗布することにより、断面が台形の反射防止細線５２及び導電層５３を形成することができる。即ち、第２実施形態では、溶液の塗布において、溶液を複数回重ねて塗布し、複数の膜を重ねて形成する。このとき、第２実施形態では、複数の膜の幅が、下の側の膜から上の側の膜に向かって順に狭くなるようにする。
以上説明した第２実施形態によれば、反射防止細線５２、及び導電層５３の両辺にテーパーが形成されることによって、第１実施形態で得られる効果を維持しながら、透明導電膜の被覆性を高め、導電層５３のエッジ部への電流集中も低減し、発光特性を向上させることができる。
【００８２】
［第３実施形態］
次に、本発明の第３実施形態について説明する。第３実施形態の発光装置３は、有機ＥＬ素子として構成されている。第３実施形態は、第１実施形態及び第２実施形態と透明電極６０内の反射防止細線６２及び導電層６３の形状が異なっていて、他の部材は同様に構成されている。第３実施形態においては、第１実施形態、第２実施形態と同様の構成については同様の符号を付し、その説明を一部略す。
【００８３】
（反射防止部材）
図６（ａ）、（ｂ）は、第３実施形態の発光装置３を説明するための図である。図６（ａ）は発光装置３のｘ軸に沿う断面図、図６（ｂ）は図２（ａ）に示した反射防止細線６２及び導電層６３を拡大して示した図である。図６（ｂ）に示すように、ここでは、反射防止細線６２の透明基材１１と接する底面６２ａに対する裏面を上面６２ｃとする。また、導電層６３の上面６２ｃと接する面を底面６３ａとし、底面６３ａに対する裏面を上面６３ｃとする。そして、上面６３ｃに続く側面の一方を側面６３ｄとする。上面６３ｃと側面６３ｄとがなす角度を、上底角θ５とする。
第３実施形態の発光装置３は、反射防止細線６２の上に形成される導電層６３の底面６３ａの幅が反射防止細線６２の上面６２ｃの幅よりも広く形成されている点で第２実施形態と相違する。
【００８４】
図６（ａ）及び図６（ｂ）に示したように、第３実施形態の発光装置３が備える反射防止細線６２及び導電層６３は、いずれも断面が台形を有している。第３実施形態は、図６（ｂ）に示すように、導電層６３の上底角θ５が９０°以上であることが好ましい。なお、第３実施形態においても、導電層６３の底面６３ａの幅Ｌ４は、反射防止細線５２の底面６２ａの幅Ｌ３より短くなっている。このような構成により、第３実施形態の発光装置３は、透明基材１１の側から見た場合、反射防止細線６２の底面６２ａが導電層６３の底面６３ａを確実に隠すことになり、導電層６３を透明基材１１の側からより視認し難くすることができる。
【００８５】
第３実施形態の反射防止細線６２としては、反射率が１０％以下と低いことが好ましく、単層構造の場合、光重合系の材料が使用される。光重合系の材料の反射防止層の具体例としては、液晶ディスプレイ用のカラーフィルターとして利用されているカーボンブラックを用いた樹脂ブラックマトリスク（ＢＭ）のような低反射材料が好ましい。また、一般的なアンチグレア（ＡＧ）構造にしてもよい。また、多層構造の場合、反射防止層５２０は、一般的なアンチリフレクション（ＡＲ）構造であってもよい。
【００８６】
また、第３実施形態の導電層６３は、反射防止細線６２上に形成される。このため、導電層６３も反射防止細線６２と同様にｘ方向に長い線状の形状を有している。そして、複数の導電層６３は、一方向に並列に配置されてストライプ形状をなしている。導電層６３の材料としては、電気抵抗が低いことが好ましく、１０７Ｓ／ｃｍ以上の電気伝導度を有する材料が使用される。導電材料の具体例としては、アルミニウム、銀、クロミニウム、金、銅、タンタル、モリブデン等の金属、あるいはその合金のいずれか１つを使用することができる。このような材料の中でも、電気導電度の高さや材料のハンドリングの容易さの観点から、アルミニウム、クロミニウム、銅、銀及びその合金を使用することが好ましい。
【００８７】
また、第３実施形態において、反射防止細線６２及び導電層６３となる膜を形成する方法としては、特に制限はなく、例えば、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、スパッタリング法、または金属薄膜を熱圧縮するラミネート法等を用いて成膜を行い、膜をフォトレジストを用いたエッチング法によってパター二ングすることが考えられる。
このとき、第３実施形態においても、エッチング時に反射防止細線６２及び導電層６３となる膜をオーバーエッチングすることによって断面が台形の反射防止細線６２を形成することができる。
【００８８】
また、第３実施形態は、反射防止細線６２及び導電層６３を溶液から形成することができる。反射防止細線６２を形成する溶液の溶媒としては、反射防止細線６２、導電層６３となる材料を溶解させるものであれば、特に制限はない。
反射防止細線６２及び導電層６３を溶液から形成する方法としては、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、スリットコート法、インクジェットプリント法、ノズルプリント法等の塗布法がある。このような方法のうち、反射防止細線６２及び導電層６３のパターンを直接形成できる成膜方法が好ましい。成膜方法は適宜選択可能であるが、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法等の印刷法、インクジェットプリント法、ノズルプリント法等の吐出による塗布法が好適である。成膜された膜は、その後、乾燥固化して反射防止細線６２あるいは導電層６３となる。
【００８９】
このとき、第３実施形態は、印刷に使用される溶液を多層に塗布することにより、断面が台形の反射防止細線６２及び導電層６３を形成することができる。即ち、第３実施形態では、溶液の塗布において、溶液を複数回重ねて塗布し、複数の膜を重ねて形成する。このとき、第３実施形態では、複数の膜の幅が、下の側の膜から上の側の膜に向かって順に狭くなるようにする。
【００９０】
なお、以上説明した第１実施形態から第３実施形態の説明において、図面は模式的なものであり、厚みと平面寸法との関係、各層の厚みの比率等は現実のものとは異なることに留意すべきである。したがって、具体的な厚みや寸法は以下の説明を参酌して判断すべきものである。又、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることはもちろんである。
【００９１】
また、上記した第１実施形態から第３実施形態は、本発明の技術的思想を具体化するための装置や方法を例示するものであって、本発明の技術的思想は、構成部品の材質、形状、構造、配置等を下記のものに特定するものでない。本発明の技術的思想は、特許請求の範囲に記載された請求項が規定する技術的範囲内において、種々の変更を加えることができる。
【符号の説明】
【００９２】
１，２，３  発光装置、１０，５０，６０  透明電極、１１  透明基材
１２，１５，５２，６２  反射防止細線、１３，５３，６３  導電層
１４  透明電極、２１  発光機能層、２２  電極、２３  接着層
２４  封止基材、１２０，１５０  反射防止層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４−１】
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【図４−２】
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【図５】
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【図６】
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