(57)【要約】【課題】ソルダーレジストの開口内に導体を確実に形成し、パッケージ基板と半導体との接続部となる端子の高さのばらつきを低減することである。【解決手段】樹脂絶縁層と、前記樹脂絶縁層上に形成された、導体パッドを含む導体層と、前記樹脂絶縁層および前記導体層上に形成されるとともに前記導体パッドの少なくとも一部を露出させるソルダーレジスト層と、前記導体パッド上に形成された金属ポストと、を有する金属ポスト付きプリント配線板であって、前記金属ポストは、前記ソルダーレジスト層から突出しており、前記金属ポストの側面は、前記ソルダーレジスト層の表面と角度をなしている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂絶縁層と、
前記樹脂絶縁層上に形成された、導体パッドを含む導体層と、
前記樹脂絶縁層および前記導体層上に形成されるとともに前記導体パッドの少なくとも一部を露出させるソルダーレジスト層と、
前記導体パッド上に形成された金属ポストと、
を具える金属ポスト付きプリント配線板であって、
前記金属ポストは、前記ソルダーレジスト層から突出しており、
前記金属ポストの側面は、前記ソルダーレジスト層内の部分と前記ソルダーレジスト層から突出した部分とが連続しており、
前記金属ポストの側面の、前記ソルダーレジスト層から突出した部分は、前記ソルダーレジスト層の表面と角度をなしている。
【請求項２】
請求項１記載の金属ポスト付きプリント配線板であって、
前記金属ポストの側面の、前記ソルダーレジスト層から突出した部分と、前記ソルダーレジスト層の表面との間の角度は４５°以上で９０°以下である。
【請求項３】
請求項１記載の金属ポスト付きプリント配線板であって、
前記金属ポストは無電解ニッケルめっきで形成されている。
【請求項４】
請求項３記載の金属ポスト付きプリント配線板であって、
前記無電解ニッケルめっき内のリンの含有量は５％以上で１２％以下である。
【請求項５】
請求項１記載の金属ポスト付きプリント配線板であって、
前記金属ポストの上面上と側面上とのうち上面上のみに中間金属層が設けられている。
【請求項６】
請求項５記載の金属ポスト付きプリント配線板であって、
前記中間金属層はパラジウム層と金層とを順次に積層したものである。
【請求項７】
請求項１記載の金属ポスト付きプリント配線板であって、
前記金属ポストが貫通する前記ソルダーレジスト層の開口の内壁面は前記導体パッドの表面に対して直線的に交差している。
【請求項８】
請求項１記載の金属ポスト付きプリント配線板であって、
前記金属ポストが貫通する前記ソルダーレジスト層の開口の内壁面は前記導体パッドの表面に対して曲線的に交差している。
【請求項９】
請求項１から８までの何れか１項記載の金属ポスト付きプリント配線板であって、
前記金属ポストを複数本有し、
前記金属ポスト同士のピッチは３０μｍ以上で８０μｍ以下である。
【請求項１０】
樹脂絶縁層と、前記樹脂絶縁層上に形成された、導体パッドを含む導体層と、を有するプリント配線板を準備することと、
前記樹脂絶縁層および前記導体層上にソルダーレジスト層を形成することと、
前記ソルダーレジスト層上に接着層付樹脂フィルムを貼り付けることと、
前記ソルダーレジスト層と前記接着層付樹脂フィルムとを貫通して前記導体パッドに至る開口を形成することと、
前記開口内に前記導体パッドに電気的に接続する金属ポストを形成することと、
前記接着層付樹脂フィルムを前記ソルダーレジスト層から剥がすことと、
を有する、金属ポスト付きプリント配線板の製造方法。
【請求項１１】
請求項１０記載の金属ポスト付きプリント配線板の製造方法であって、
前記開口はレーザで形成される。
【請求項１２】
請求項１０記載の金属ポスト付きプリント配線板の製造方法であって、
前記開口はエッチングで形成される。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、金属ポスト付きプリント配線板およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１は、パッケージ基板を開示している。そして、特許文献1は、パッケージ基板と半導体素子との接続部となる端子をソルダーレジストの開口内の導体パッド上へのはんだボールの搭載により形成することを示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００６−０７４００２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
パッケージ基板と半導体素子との接続部となる端子は、ソルダーレジストの開口内の導体パッド上へのはんだボールの搭載やはんだペーストの印刷によって形成されているが、端子ピッチの微細化の要求に伴い、既存の方法ではソルダーレジストの開口内にはんだを確実に充填することが困難になってきている。
【０００５】
また、ソルダーレジストの開口内の導体パッド上にはんだバンプが形成されて端子が構成されていることから、端子高さがさほど高くならないので、端子間の絶縁と半導体素子の接着のためのアンダーフィル材をソルダーレジスト表面と半導体素子との隙間に充填するのは容易でないと考えられる。
【０００６】
本発明の目的は、ソルダーレジストの開口内に導体を確実に形成し、パッケージ基板と半導体素子との接続部となる端子の高さのばらつきを低減することである。別の目的は、めっき導体の横方向への拡張を抑えて隣接する端子間の絶縁信頼性を高くすることである。その他の目的は、端子の高さを高めてアンダーフィル材を充填しやすいプリント配線板を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の金属ポスト付きプリント配線板は、
樹脂絶縁層と、
前記樹脂絶縁層上に形成された、導体パッドを含む導体層と、
前記樹脂絶縁層および前記導体層上に形成されるとともに前記導体パッドの少なくとも一部を露出させるソルダーレジスト層と、
前記導体パッド上に形成された金属ポストと、
を具えるものであって、
前記金属ポストは、前記ソルダーレジスト層から突出しており、
前記金属ポストの側面は、前記ソルダーレジスト層の表面と角度をなしている。
【０００８】
本発明の金属ポスト付きプリント配線板の製造方法は、
樹脂絶縁層と、前記樹脂絶縁層上に形成された、導体パッドを含む導体層と、を有するプリント配線板を準備することと、
前記樹脂絶縁層および前記導体層上にソルダーレジスト層を形成することと、
前記ソルダーレジスト層上に接着層付樹脂フィルムを貼り付けることと、
前記ソルダーレジスト層と前記接着層付樹脂フィルムとを貫通して前記導体パッドに至る開口を形成することと、
前記開口内に前記導体パッドに電気的に接続する金属ポストを形成することと、
前記接着層付樹脂フィルムを前記ソルダーレジスト層から剥がすことと、
を有する。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の金属ポスト付きプリント配線板の一実施形態を示す断面図である。
【図２】（Ａ）〜（Ｄ）は、図１に示されるプリント配線板を製造するための、本発明のプリント配線板の製造方法の一実施形態を示す断面図である。
【図３】本発明の金属ポスト付きプリント配線板の他の一実施形態を示す断面図である。
【図４】本発明の金属ポスト付きプリント配線板のさらに他の一実施形態を示す断面図である。
【図５】本発明の実施形態の金属ポスト付きプリント配線板の一適用例を示す断面図である。
【図６】本発明の実施形態の金属ポスト付きプリント配線板の他の一適用例を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
図１は、本発明の金属ポスト付きプリント配線板の一実施形態を示す断面図である。実施形態の金属ポスト付きプリント配線板は、樹脂絶縁層１と、樹脂絶縁層１に形成された、複数の導体パッド２ａを含む導体層２と、樹脂絶縁層１および導体層２上に形成されるとともに各導体パッド２ａの少なくとも一部を露出させる開口３ａを有するソルダーレジスト層３と、複数の導体パッド２ａ上にそれぞれ形成された複数の金属ポスト４と、を具えるものであり、各金属ポスト４は、無電解金属めっきで形成されて、ソルダーレジスト層３から突出している。各金属ポスト４上に中間金属層５を介してはんだバンプ６が形成されて、例えばパッケージ基板と半導体素子との接続部となる端子が構成されている。
【００１１】
金属ポスト４同士のピッチ（中心間距離）は３０μｍ以上で８０μｍ以下である。これにより例えば搭載した半導体素子同士を超高密度配線で接続するパッケージ基板を形成できる。金属ポスト４を形成する無電解金属めっきは、端子ピッチの微細化の要求に伴って微細化したソルダーレジスト層３および後述するＰＥＴフィルムの開口３ａ、７ａ内に確実に充填されるので、金属ポスト４の高さが揃う。また、ソルダーレジスト層３から突出した金属ポスト４上にはんだバンプ６が設けられているので端子高さが高くなり、端子間の絶縁と半導体素子の接着のためのアンダーフィル材をソルダーレジスト層３の表面と金属ポスト４上のはんだバンプ６に接続される半導体素子との隙間に容易に充填できる。
【００１２】
各導体パッド２ａは、ＳＭＤ（Ｓｏｌｄｅｒ  Ｍａｓｋ  Ｄｅｆｉｎｅｄ）タイプのものでも、ＮＳＭＤ（Ｎｏｎ  Ｓｏｌｄｅｒ  Ｍａｓｋ  Ｄｅｆｉｎｅｄ）タイプのものでもよい。ＳＭＤタイプの導体パッドでは、図示されるように導体パッド２ａの一部がソルダーレジスト層３の開口３ａから露出される。一方、ＮＳＭＤタイプの導体パッドでは、図示されないが、導体パッド２ａの全体がソルダーレジスト層３の開口３ａから露出される。
【００１３】
各金属ポスト４の側面４ａは、ソルダーレジスト層３内の部分４ｂとソルダーレジスト層３から突出した部分４ｃとを有し、それらの部分４ｂ、４ｃは、導体パッド２ａの表面に垂直な図示の断面上で互いに滑らかに接続されて、互いに連続している。これにより側面４ａに突起がないため、超高密度配線における金属ポスト４間の絶縁距離が確保される。
【００１４】
金属ポスト４の側面４ａの、ソルダーレジスト層３から突出した部分４ｃは、ソルダーレジスト層３の表面に対し角度αをなしている。金属ポスト４の側面４ａの、ソルダーレジスト層３から突出した部分４ｃと、ソルダーレジスト層３の表面との間の角度αは、４５°以上で９０°以下とすることが好ましい。４５°未満では金属ポスト４の上端部の外径が大きくなり過ぎて隣接する金属ポスト４間の絶縁距離が不足し、９０°以上となると金属ポスト４の上端部の外径が小さくなり過ぎて、はんだバンプ６の充分な高さが確保できない場合がある。なお、ソルダーレジスト層３の表面との間の角度αは、９０°未満とすることがより好ましい。ソルダーレジスト層３の表面における開口３ａ間距離をより大きくしてマイグレーションに対する絶縁距離をより大きくできる。
【００１５】
金属ポスト４を形成する無電解金属めっきは、無電解銅めっきでもよいが、無電解ニッケルめっきであると好ましい。無電解ニッケルめっきは無電解銅めっきよりも短時間で厚く形成されるので、ソルダーレジスト層３の開口３ａおよびＰＥＴフィルムの開口７ａ内に確実に充填することができる。また、ニッケルは銅よりもマイグレーションに強いので、電気的な信頼性が高くなる。
【００１６】
金属ポスト４を形成する無電解ニッケルめっき内のリンの含有量は、５％以上で１２％以下であると好ましい。リンの含有量が５％よりも少ないとマイグレーションによる絶縁低下を起こし易くなり、リンの含有量が１２％よりも多いと後述のはんだバンプ６の密着強度が低下する。
【００１７】
各金属ポスト４の上面４ｄ上と側面４ａ上とのうち上面４ｄ上のみに中間金属層５が設けられている。これにより中間金属層５が側面４ａから突出しないため、金属ポスト４間の絶縁距離が確保される。中間金属層５上には、はんだバンプ６が形成されている。中間金属層５はパラジウム層５ａと金層５ｂとを順次に積層したものであると好ましい。パラジウムおよび金は、金属ポスト４のニッケルとはんだバンプ６のはんだとの間にニッケル合金層が形成されるのを助け、金属ポスト４へのはんだバンプ６の密着強度を高める。
【００１８】
以下に、本発明の金属ポスト付きプリント配線板の製造方法の実施形態が図面に基づいて説明される。図２（Ａ）〜（Ｄ）は、本発明の金属ポスト付きプリント配線板の製造方法の実施形態を示す断面図である。
【００１９】
実施形態のプリント配線板の製造方法では、図２（Ａ）に示されるように、樹脂絶縁層１と樹脂絶縁層１上に形成されている導体層２とを有する中間基板が準備される。導体層２は、例えばアディティブ法、セミアディティブ法、サブトラクティブ法等によって形成される。導体層２は、例えば、銅で形成されている。導体層２は、半導体素子などの電子部品を搭載するための複数の導体パッド２ａと、信号線や電源等の図示されない配線とを含む。
【００２０】
樹脂絶縁層１および導体層２上にソルダーレジスト層３が形成され、このソルダーレジスト層３上に接着層付樹脂フィルムとして例えば接着層付のＰＥＴフィルム７が貼り付けられる。ＰＥＴフィルム７の厚みは７〜３０μｍ、好ましくはレーザで溶融させやすい１０〜１５μｍとする。
【００２１】
図２（Ｂ）に示されるように、ソルダーレジスト層３およびＰＥＴフィルム７に、それらソルダーレジスト層３とＰＥＴフィルム７とを貫通して導体パッド２ａに至る開口３ａ、７ａが形成される。ソルダーレジスト層３の開口３ａとＰＥＴフィルム７の開口７ａとは、同一の手段で実質的に同時に形成されて互いに滑らかに接続され、互いに連続している。この実施形態では開口３ａおよび開口７ａはレーザ、好ましくは小径孔の形成に適しているＵＶレーザで形成される。レーザの出力を高くすることにより、ソルダーレジスト層３が十分に溶融し、開口３ａの内壁面は導体パッド２ａの表面に対し直線的に交差する倒立裁頭円錐状となる。レーザ光束を絞ることにより、交差角αを４５°以上で９０°未満とする。
【００２２】
図２（Ｂ）に示されるように、ソルダーレジスト層３の開口３ａおよびＰＥＴフィルム７の開口７ａ内に、無電解めっきにより金属ポスト４が形成される。金属ポスト４は、例えば無電解ニッケルめっきで形成される。金属ポスト４は、無電解銅めっきで形成されてもよい。金属ポスト４は、電解銅めっきで形成されてもよい。
【００２３】
金属ポスト４の側面４ａは、ソルダーレジスト層３の開口３ａによって形成される、ソルダーレジスト層３内の部分４ｂと、ＰＥＴフィルム７の開口７ａによって形成される、ソルダーレジスト層３から突出した部分４ｃとからなっており、開口３ａと開口７ａとの内壁面同士が互いに滑らかに接続されていることから、部分４ｂ、４ｃも互いに滑らかに接続されて互いに連続している。
【００２４】
図２（Ｃ）に示されるように、ＰＥＴフィルム７の開口７ａ内で、金属ポスト４の上面４ｄ上に、例えば無電解めっきにより中間金属層５が形成される。金属ポスト４の側面４ａはＰＥＴフィルム７の開口７ａの内壁面に密接しているので、中間金属層５は金属ポスト４の側面４ａ上と上面４ｄ上とのうち上面４ｄ上のみに形成される。
【００２５】
中間金属層５は、例えば金属ポスト４の上面４ｄ上に先ずパラジウム層５ａを積層し、そのパラジウム層５ａ上に金層５ｂを積層することで形成する。パラジウム層５ａを省略して金層５ｂだけで中間金属層５を形成してもよい。
【００２６】
図２（Ｄ）に示されるように、ＰＥＴフィルム７が例えば手でソルダーレジスト層３上から剥がされて、ソルダーレジスト層３と、金属ポスト４の側面４ａの、ソルダーレジスト層３から突出した部分４ｃと、中間金属層５とが露出する。この中間金属層５上に、好ましくは中間金属層５の外周縁からはみ出さないようにはんだバンプ６を形成する。はんだバンプ６は、例えばマスクを用いた印刷等により中間金属層５上にはんだペーストを搭載してそれを加熱リフローさせることにより形成される。
はんだバンプ６は、ＰＥＴフィルム７がソルダーレジスト層３上から剥がされる前に中間金属層５上に形成されてもよい。
これにより、図１に示される実施形態のプリント配線板が製造される。
【００２７】
図３は、本発明の金属ポスト付きプリント配線板の他の実施形態を示す断面図である。この実施形態のプリント配線板は、金属ポスト４の側面４ａが導体パッド２ａの表面に対し曲線的に交差するカップ状になっている点のみ、先の実施形態のプリント配線板と異なっており、他の点では先の実施形態と同一の構成を具えている。このプリント配線板を製造する実施形態の製造方法も、ソルダーレジスト層３の開口３ａとＰＥＴフィルム７の開口７ａとの形成方法の点のみ、先の実施形態の製造方法と異なっており、他の点では先の実施形態と同一の構成を具えている。
【００２８】
図３に示される実施形態では、レーザの出力がさほど高くない場合、あるいはＰＥＴフィルム７の厚みが大きい場合に、ソルダーレジスト層３が導体パッド２ａの表面付近で十分に溶融せず、開口３ａおよび開口７ａの内壁面ひいてはそれらに密接して形成される金属ポスト４の側面４ａが、導体パッド２ａの表面に対し曲線的に交差するカップ状になっている。
【００２９】
図４は、本発明の金属ポスト付きプリント配線板のさらに他の実施形態を示す断面図である。この実施形態のプリント配線板は、金属ポスト４の側面４ａが導体パッド２ａの表面に対し直交する円筒状（角度αが９０°）になっている点のみ、先の実施形態のプリント配線板と異なっており、他の点では先の実施形態と同一の構成を具えている。このプリント配線板を製造する実施形態の製造方法も、ソルダーレジスト層３の開口３ａとＰＥＴフィルム７の開口７ａとの形成方法の点のみ、先の実施形態の製造方法と異なっており、他の点では先の実施形態と同一の構成を具えている。
【００３０】
図４に示される実施形態では、ソルダーレジスト層３の開口３ａとＰＥＴフィルム７の開口７ａとは、レーザの代わりに例えばドライエッチング、プラズマエッチング、ライトエッチング等のエッチングを行い、その後にアルカリ脱脂処理を施すことで形成され、この場合には開口３ａおよび開口７ａの内壁面ひいてはそれらに密接して形成される金属ポスト４の側面４ａは、導体パッド２ａの表面に対し直交する円筒状（角度αが９０°）に形成されている。
【００３１】
なお、この発明の金属ポスト付きプリント配線板は、例えばはんだバンプを有する半導体素子を搭載する場合等のために、何れかもしくは全ての金属ポスト４上に、はんだバンプ６を具えていなくてもよい。
【００３２】
図５は、この発明の実施形態の金属ポスト付きプリント配線板の一適用例を示す断面図である。この適用例では、半導体素子Ｅ１，Ｅ２を搭載した下側パッケージ基板Ｐ１上に、半導体素子Ｅ３を搭載した上側パッケージ基板Ｐ２が積層されるとともに電気的に接続されたパッケージオンパッケージ（ＰＯＰ）型のプリント配線基板のうち下側パッケージ基板Ｐ１に、先の実施形態と同様にして製造された実施形態の金属ポスト付きプリント配線板が適用されており、下側パッケージ基板Ｐ１は、半導体素子Ｅ１，Ｅ２の微細化した端子ピッチに対応したピッチの中央部領域の導体パッド２ａ上にこの発明に基づいて形成された小径金属ポスト４Ａとその上のはんだバンプ６とを介して半導体素子Ｅ１，Ｅ２の端子と接続するとともに、上側パッケージ基板Ｐ２の大きな端子ピッチに対応した周辺領域の導体パッド２ａ上にこの発明に基づいて形成された、金属ポスト４Ａよりも大径で高さも高い大径金属ポスト４Ｂとその上のはんだバンプ６とを介して上側パッケージ基板Ｐ２の下面の端子に接続している。
【００３３】
この下側パッケージ基板Ｐ１を製造する際は、大径金属ポスト４Ｂ用のソルダーレジスト層３と小径金属ポスト４Ａ用のソルダーレジスト層３とを一緒にＰＥＴフィルム７で覆ってから、大径金属ポスト４Ｂ用のソルダーレジスト層３とその上のＰＥＴフィルム７の開口３ａ，７ａを、小径金属ポスト４Ａ用のソルダーレジスト層３とその上のＰＥＴフィルム７の開口３ａ，７ａと一緒に同じ例えばＵＶレーザで、もしくは順次に別の例えばＣＯ２レーザで形成し、それらの開口３ａ，７ａ内に無電解めっきで金属ポスト４Ａ，４Ｂを一緒にもしくは別個に形成し、その後にＰＥＴフィルム７を剥がしてもよく、あるいは、１回目に小径金属ポスト４Ａ用のソルダーレジスト層３をＰＥＴフィルム７で覆って、小径金属ポスト４Ａ用のソルダーレジスト層３とその上のＰＥＴフィルム７の開口３ａ，７ａを例えばＵＶレーザで形成し、その開口３ａ，７ａ内に無電解めっきで小径金属ポスト４Ａを形成してから、２回目に小径金属ポスト４Ａ用のソルダーレジスト層３上のＰＥＴフィルム７の開口７ａと、大径金属ポスト４Ｂ用のソルダーレジスト層３とを別のＰＥＴフィルム７で覆って、大径金属ポスト４Ｂ用のソルダーレジスト層３とその上のＰＥＴフィルム７の開口３ａ，７ａを例えばＵＶレーザもしくは別の例えばＣＯ２レーザあるいはエッチング等で形成し、その開口３ａ，７ａ内に無電解めっきで大径金属ポスト４Ｂを形成し、その後にそれらのＰＥＴフィルム７を剥がしてもよい。
【００３４】
図６は、この発明の実施形態の金属ポスト付きプリント配線板の他の一適用例を示す断面図である。この適用例では、多層プリント配線板Ｐ３の外層２層分に形成された凹部内に、先の実施形態と同様にして製造された実施形態の金属ポスト付きプリント配線板Ｐ４が埋設されており、プリント配線板Ｐ４は、多層プリント配線基板Ｐ３上に実装される半導体素子としての例えばメモリチップＣ１とＣＰＵチップＣ２とのそれぞれの微細化した端子ピッチに対応したピッチの導体パッド２ａ上にこの発明に基づいて形成された小径の金属ポスト４とその上のはんだバンプ６とを介して、メモリチップＣ１とＣＰＵチップＣ２との端子同士を接続し、基板上（内）広帯域信号伝送路（Ｗｉｄｅ  Ｂａｎｄ  Ｓｉｇｎａｌｉｎｇ  ｏｎ／ｉｎ  Ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）を構成する。なお、実施形態の金属ポスト付きプリント配線板Ｐ４は、多層プリント配線基板Ｐ３の２層の外層上に搭載されて、例えばメモリチップＣ１とＣＰＵチップＣ２とを接続してもよい。
【符号の説明】
【００３５】
１  樹脂絶縁層
２  導体層
２ａ  導体パッド
３  ソルダーレジスト層
３ａ  開口
４  金属ポスト
４Ａ  小径金属ポスト
４Ｂ  大径金属ポスト
４ａ  側面
４ｂ，４ｃ  部分
４ｄ  上面
５  金属層
５ａ  パラジウム層
５ｂ  金層
６  はんだバンプ
７  ＰＥＴフィルム
７ａ  開口
Ｃ１  メモリチップ
Ｃ２  ＣＰＵチップ
Ｅ１，Ｅ２，Ｅ３  半導体素子
Ｐ１  下側パッケージ基板
Ｐ２  上側パッケージ基板
Ｐ３  多層プリント配線板
Ｐ４  金属ポスト付きプリント配線板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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