(57)【要約】【課題】省電力化と検出精度の高精度化との両立を図ることができるセンサー回路を提供すること、また、このセンサー回路を備える時計、携帯機器および電子機器を提供すること。【解決手段】本発明のセンサー回路１は、圧力を検出してその圧力に応じたアナログ信号を出力する気圧センサー１０６と、アナログ信号を第１分解能で第１デジタル信号に変換する機能と、アナログ信号を第１分解能と異なる第２分解能で第２デジタル信号に変換する機能とを有するアナログデジタル変換部７７と、第１デジタル信号を補正するための第１温度補正情報と、第２デジタル信号を補正するための第２温度補正情報と、を記憶している記憶部８１、８２と、を備える。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
物理量を検出して前記物理量に応じたアナログ信号を出力するセンサー部と、
前記アナログ信号を第１分解能で第１デジタル信号に変換する機能と、前記アナログ信号を前記第１分解能と異なる第２分解能で第２デジタル信号に変換する機能と、を有するアナログデジタル変換部と、
前記第１デジタル信号を補正するための第１温度補正情報と、前記第２デジタル信号を補正するための第２温度補正情報、または前記第１温度補正情報を前記第２温度補正情報に補正するための補正情報と、を記憶している記憶部と、
を備えることを特徴とするセンサー回路。
【請求項２】
温度を検出する温度検出部を備え、
前記第１温度補正情報は、前記第１デジタル信号および前記温度検出部の検出温度を用いて求めたものである請求項１に記載のセンサー回路。
【請求項３】
前記記憶部は、前記第２温度補正情報を記憶しており、
前記第２温度補正情報は、前記第２デジタル信号および前記温度検出部の検出温度を用いて求めたものである請求項２に記載のセンサー回路。
【請求項４】
前記記憶部は、前記補正情報を記憶しており、
前記第１温度補正情報および前記補正情報を用いて前記第２温度補正情報を求める機能を有する請求項２に記載のセンサー回路。
【請求項５】
前記センサー部は、
受圧により撓み変形するダイヤフラム部と、
前記ダイヤフラム部に設けられているセンサー素子と、
を有する請求項１ないし４のいずれか１項に記載のセンサー回路。
【請求項６】
前記記憶部は、
前記第１温度補正情報を記憶している第１記憶装置と、
前記第２温度補正情報または前記補正情報を記憶している第２記憶装置と、
を有する請求項１ないし５のいずれか１項に記載のセンサー装置。
【請求項７】
前記第１温度補正情報を用いて前記第１デジタル信号を補正する第１状態と、前記第２温度補正情報を用いて前記第２デジタル信号を補正する第２状態とを、前記アナログ信号の大きさの変化率に基づいて切り換える切換部を備える請求項１ないし６のいずれか１項に記載のセンサー回路。
【請求項８】
前記第２分解能が前記第１分解能よりも高く、
前記切換部は、前記アナログ信号の大きさの変化率が設定値未満であるときに、前記第１状態とし、前記アナログ信号の大きさの変化率が前記設定値以上であるときに、前記第２状態とする請求項７に記載のセンサー回路。
【請求項９】
請求項１ないし８のいずれか１項に記載のセンサー回路を備えることを特徴とする時計。
【請求項１０】
請求項１ないし８のいずれか１項に記載のセンサー回路を備えることを特徴とする携帯機器。
【請求項１１】
請求項１ないし８のいずれか１項に記載のセンサー回路を備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、センサー回路、時計、携帯機器および電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
物理量を検出してアナログ信号を出力するセンサーと、そのセンサーからのアナログ信号をデジタル信号に変換するアナログデジタル変換回路と、を備えるセンサー回路が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
例えば、特許文献１に記載の携帯型圧力測定装置は、圧力センサーと、圧力センサーからのアナログ信号をデジタル信号に変換するＡ／Ｄ変換部と、測定圧力から演算により高度を求める圧力／高度演算部と、を有する。この携帯型圧力測定装置は、高度変化率がしきい値未満であるときに、圧力センサーのサンプリング周波数を小さくすることで、省電力化を図っている。
【０００４】
しかし、特許文献１に記載の携帯型圧力測定装置では、省電力化を図ろうとサンプリング周波数を小さくすると、測定精度の低下が著しいという問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００２−０４８６６３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は、省電力化と検出精度の高精度化との両立を図ることができるセンサー回路を提供すること、また、このセンサー回路を備える時計、携帯機器および電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
このような目的は、下記の本発明により達成される。
［適用例１］
本発明のセンサー回路は、物理量を検出して前記物理量に応じたアナログ信号を出力するセンサー部と、
前記アナログ信号を第１分解能で第１デジタル信号に変換する機能と、前記アナログ信号を前記第１分解能と異なる第２分解能で第２デジタル信号に変換する機能と、を有するアナログデジタル変換部と、
前記第１デジタル信号を補正するための第１温度補正情報と、前記第２デジタル信号を補正するための第２温度補正情報、または前記第１温度補正情報を前記第２温度補正情報に補正するための補正情報と、を記憶している記憶部と、
を備えることを特徴とする。
【０００８】
このようなセンサー回路によれば、第１分解能（第１ｂｉｔ数）および第２分解能（第２ｂｉｔ数）のうち高い方の分解能を用いることで、高精度な検出を行うことができ、一方、低い方の分解能を用いることで、サンプリング周波数を変更しなくても、消費電力を低減することができる。また、第１分解能および第２分解能のそれぞれの分解能の状態において、適した温度補正情報を用いてデジタル信号を温度補正することができ、検出精度を高めることができる。このようなことから、アナログデジタル変換部の分解能を適宜切り換えることで、省電力化と検出精度の高精度化との両立を図ることができる。
【０００９】
［適用例２］
本発明のセンサー回路では、温度を検出する温度検出部を備え、
前記第１温度補正情報は、前記第１デジタル信号および前記温度検出部の検出温度を用いて求めたものであることが好ましい。
【００１０】
これにより、キャリブレーションを行って、第１温度補正情報を求めることができる。そのため、製品ごとのバラツキを考慮した第１温度補正情報を用いることができる。
【００１１】
［適用例３］
本発明のセンサー回路では、前記記憶部は、前記第２温度補正情報を記憶しており、
前記第２温度補正情報は、前記第２デジタル信号および前記温度検出部の検出温度を用いて求めたものであることが好ましい。
【００１２】
これにより、キャリブレーションを行って、第２温度補正情報を求めることができる。そのため、製品ごとのバラツキを考慮した第２温度補正情報を用いることができる。
【００１３】
［適用例４］
本発明のセンサー回路では、前記記憶部は、前記補正情報を記憶しており、
前記第１温度補正情報および前記補正情報を用いて前記第２温度補正情報を求める機能を有することが好ましい。
【００１４】
これにより、例えば、第２温度補正情報を求めるためのキャリブレーションが不要となり、装置の起動に要する時間を短縮することができる。
【００１５】
［適用例５］
本発明のセンサー回路では、前記センサー部は、
受圧により撓み変形するダイヤフラム部と、
前記ダイヤフラム部に設けられているセンサー素子と、
を有することが好ましい。
【００１６】
これにより、圧力を検出することができる。また、このようなダイヤフラム部およびセンサー素子を用いたセンサー部は、温度特性（温度変化による特性変化）が大きい。したがって、このようなセンサー部を有するセンサー回路に本発明を適用することで、その効果が顕著となる。
【００１７】
［適用例６］
本発明のセンサー回路では、前記記憶部は、
前記第１温度補正情報を記憶している第１記憶装置と、
前記第２温度補正情報または前記補正情報を記憶している第２記憶装置と、
を有することが好ましい。
これにより、回路の設計を簡単化することができる。
【００１８】
［適用例７］
本発明のセンサー回路では、前記第１温度補正情報を用いて前記第１デジタル信号を補正する第１状態と、前記第２温度補正情報を用いて前記第２デジタル信号を補正する第２状態とを、前記アナログ信号の大きさの変化率に基づいて切り換える切換部を備えることが好ましい。
【００１９】
これにより、高精度な検出が特に必要な場合とそうでない場合とでアナログデジタル変換部の分解能を自動的に切り換えることができる。
【００２０】
［適用例８］
本発明のセンサー回路では、前記第２分解能が前記第１分解能よりも高く、
前記切換部は、前記アナログ信号の大きさの変化率が設定値未満であるときに、前記第１状態とし、前記アナログ信号の大きさの変化率が前記設定値以上であるときに、前記第２状態とすることが好ましい。
【００２１】
これにより、高精度な検出が特に必要な場合にアナログデジタル変換部の分解能を第２分解能とし、検出精度を高め、一方、それ以外の場合にアナログデジタル変換部の分解能を第１分解能とし、消費電力を低減することができる。
【００２２】
［適用例９］
本発明の時計は、本発明のセンサー回路を備えることを特徴とする。
【００２３】
このような時計によれば、センサー回路の省電力化と検出精度の高精度化との両立を図ることができる。
【００２４】
［適用例１０］
本発明の携帯機器は、本発明のセンサー回路を備えることを特徴とする。
【００２５】
このような携帯機器によれば、センサー回路の省電力化と検出精度の高精度化との両立を図ることができる。
【００２６】
［適用例１１］
本発明の電子機器は、本発明のセンサー回路を備えることを特徴とする。
【００２７】
このような電子機器によれば、センサー回路の省電力化と検出精度の高精度化との両立を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】本発明の実施形態に係る携帯機器（電子機器、時計）を示す平面図である。
【図２】図１に示す携帯機器の制御系を示すブロック図である。
【図３】図１に示す携帯機器が備える圧力センサー（気圧センサー）を示す断面図である。
【図４】図３に示す圧力センサーのピエゾ抵抗素子（センサー素子）の配置を示す平面図である。
【図５】図１に示す携帯機器が備えるセンサー回路を示す図である。
【図６】図５に示すセンサー回路の動作を示すフローチャートである。
【図７】（ａ）は、アナログデジタル変換部の分解能と検出精度との関係を示すグラフ、（ｂ）は、アナログデジタル変換部の分解能ごとのピエゾ抵抗素子の抵抗値と消費電力との関係を示すグラフである。
【図８】図５に示すセンサー回路の第１状態と第２状態との切り換え例（第１例）を示す図である。
【図９】図５に示すセンサー回路の第１状態と第２状態との切り換え例（第２例）を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
以下、本発明のセンサー回路、時計、携帯機器および電子機器を添付図面に示す好適な実施形態について説明する。なお、以下では、本発明の電子機器を携帯機器（時計）に適用した場合を例に説明する。
【００３０】
（携帯機器）
図１は、本発明の実施形態に係る携帯機器（電子機器、時計）を示す平面図、図２は、図１に示す携帯機器の制御系を示すブロック図である。
【００３１】
図１に示す携帯機器１０（電子機器）は、腕時計型の携帯機器（時計）である。この携帯機器１０は、図１に示すように、ケース１０１と、ケース１０１の一方の面（表面）に設けられた表示部１０２と、ケース１０１の側面に設けられた複数の操作ボタン１０３と、を備えている。また、ケース１０１には、使用者の腕に装着する際に用いるバンド１０４が取り付けられている。
【００３２】
ケース１０１は、中空の偏平形状をなしている。このケース１０１の一方の偏平面側には、表示部１０２が設けられている。
【００３３】
図２に示すように、携帯機器１０は、表示部１０２、ＧＰＳ受信部１０５（時刻情報生成部）、気圧センサー１０６、温度センサー１０７、加速度センサー１０８、ジャイロセンサー１０９、無線通信部１１１、制御部１１０、電源回路１１２およびバッテリー１１３を有しており、これらが前述したケース１０１内に収納されている。なお、ＧＰＳ受信部１０５、温度センサー１０７、加速度センサー１０８、ジャイロセンサー１０９および無線通信部１１１のうちの少なくとも１つを省略してもよい。また、携帯機器１０は、磁気センサー等の他のセンサーや、バイブレーション機能を有する振動部、音声を発生させる音声発生部（スピーカー）等を有していてもよい。
【００３４】
表示部１０２は、時刻情報、温度情報（外気温情報）、気圧情報、位置情報、標高情報、斜度情報、計時情報等の各種情報を必要に応じて表示可能に構成されている。このような表示部１０２は、例えば、液晶パネルまたは有機エレクトロルミネッセンスパネル等の表示パネルと、表示パネルを駆動する駆動回路とを含んで構成されている。
【００３５】
ＧＰＳ受信部１０５は、人工衛星を利用した全地球航法衛星システム（ＧＮＳＳ：Global Navigation Satellite System）の１つであるＧＰＳ（Global Positioning System）に用いるＧＰＳ衛星から送信された衛星信号を受信する機能を有する。また、ＧＰＳ受信部１０５は、衛星信号に重畳されている軌道情報や時刻情報に基づいてＧＰＳ受信部１０５の現在位置（すなわち携帯機器１０の現在位置）や時刻情報を算出する処理や、時刻が１秒ごとに更新される正確なタイミング信号（１ＰＰＳ）を生成する処理等を行う。
【００３６】
このようなＧＰＳ受信部１０５は、ＧＰＳ受信機１０５１およびＧＰＳアンテナ１０５２を有している。ＧＰＳ受信機１０５１は、例えば、ＲＦ（Radio Frequency）部およびベースバンド部を含んで構成されている。ＲＦ部は、例えば、ＬＮＡ（Low Noise Amplifier）、ミキサ、ＶＣＯ（Voltage Controlled Oscillator）、ＰＬＬ（Phase Locked Loop）回路、ＩＦアンプ、ＩＦ（Intermediate Frequency）フィルタ、ＡＤＣ（Ａ／Ｄ変換器）等を含んで構成されている。ベースバンド部は、例えば、ＤＳＰ（Digital Signal Processor）、ＣＰＵ（Central Processing Unit）、ＳＲＡＭ（Static Random Access Memory）、ＲＴＣ（リアルタイムクロック）を含んで構成されている。また、ベースバンド部には、温度補償回路付き水晶発振回路（ＴＣＸＯ：Temperature Compensated Crystal Oscillator）やフラッシュメモリ等が接続されている。
【００３７】
気圧センサー１０６は、ケース１０１外の気圧を検出する機能を有する。この気圧センサー１０６は、例えば、半導体製造技術を用いて製造された小型な気圧センサー（例えばＭＥＭＳ型気圧センサー）を含んで構成されている。ここで、気圧センサー１０６は、物理量として圧力（気圧）を検出してその圧力に応じたアナログ信号を出力する「センサー部」である。なお、気圧センサー１０６については、後に詳述する。
【００３８】
温度センサー１０７は、ケース１０１外の温度を検出する機能を有する。この温度センサー１０７は、例えば、熱電対またはサーミスタ等を含んで構成されている。
【００３９】
加速度センサー１０８は、携帯機器１０に加わる加速度を３軸で検出する機能を有する。この加速度センサー１０８は、例えば、ＭＥＭＳ技術を用いて製造された加速度センサー素子を含んで構成されている。
【００４０】
ジャイロセンサー１０９は、携帯機器１０に加わる角速度を３軸で検出する機能を有する。このジャイロセンサー１０９は、例えば、ＭＥＭＳ技術を用いて製造された角速度センサー素子を含んで構成されている。
【００４１】
無線通信部１１１は、無線通信（送信および受信）機能を有する。より具体的には、無線通信部１１１は、前述した各センサーの検出結果またはそれを利用して得られた情報を無線送信する機能を有する。これにより、使用者は、無線通信部１１１から無線送信された情報を、例えば、パーソナルコンピューター等のホスト（図示せず）で受信して利用することができる。
【００４２】
また、無線通信部１１１は、例えば、使用者の身体に取り付けられた無線機能付きのセンサーからの情報を受信する機能をさらに有する。例えば、かかるセンサーとして加速度センサー、角速度センサー等を用いることにより、使用者の身体の動き（姿勢の変化）を検出することができる。かかる検出結果を単独または他の検知情報と組み合わせて、有益な情報を得ることができる。
このような無線通信部１１１は、アンテナ１１１１および通信回路１１１２を有する。
【００４３】
アンテナ１１１１は、特に限定されないが、例えば、金属材料、カーボン等で構成され、巻線、薄膜等の形態をなす。なお、アンテナ１１１１は、送信および受信に共通して１つのアンテナで構成されていてもよいし、送信および受信のそれぞれに対応して２つのアンテナで構成されていてもよい。
【００４４】
通信回路１１１２は、例えば、電磁波を送信するための送信回路と、送信する信号を変調する機能を有する変調回路と、電磁波を受信するための受信回路と、受信する信号を復調する機能を有する復調回路とを有する。なお、通信回路１１１２は、信号の周波数を小さく変換する機能を有するダウンコンバータ回路、信号の周波数を大きく変換する機能を有するアップコンバータ回路、信号を増幅する機能を有する増幅回路等を有していてもよい。
【００４５】
制御部１１０は、携帯機器１０の各部を制御する機能を有する。具体的には、例えば、制御部１１０は、携帯機器１０が備えるセンサー等から得られる情報に基づいて、時刻情報、温度情報（外気温情報）、気圧情報、位置情報、標高情報、斜度情報、計時情報等の各種情報を必要に応じて表示部１０２に表示する。また、制御部１１０は、操作ボタン１０３の操作により、表示部１０２に表示する情報の種類や表示形態を変更したり、携帯機器１０の動作モードの切り換えを行ったりする機能を有する。
【００４６】
ここで、表示部１０２に表示する情報は、各センサーの検出結果をそのまま表示してもよいし、その検出結果に基づいて必要に応じて計算を行った結果を表示してもよい。例えば、時刻情報は、ＧＰＳ受信部１０５からの出力またはその出力に基づく計算結果から得られる。温度情報は、温度センサー１０７の検出結果またはその検出結果に基づく計算結果から得られる。気圧情報は、気圧センサー１０６の検出結果またはその検出結果に基づく計算結果から得られる。位置情報は、緯度情報、経度情報および高度情報（標高情報）からなり、緯度情報および経度情報は、ＧＰＳ受信部１０５からの出力に基づく計算結果から得られ、高度情報は、気圧センサー１０６の検出結果に基づく計算結果から得られる。斜度情報は、ＧＰＳ受信部１０５からの出力（時刻情報、緯度情報および経度情報）と、気圧センサー１０６の検出結果（高度情報）とに基づく計算結果から得られる。計時情報は、ＧＰＳ受信部１０５からの出力（時刻情報）に基づく計算結果から得られる。これらの情報は、１つを単独でまたは２つ以上を組み合わせて表示部１０２に表示される。また、あるセンサーの検出結果を他のセンサーの検出結果に基づいて補正してもよい。
【００４７】
このような制御部１１０は、例えば、ＣＰＵ（Central Processing Unit）、ＲＯＭ（read only memory）、ＲＡＭ（Random Access Memory）、Ｉ／Ｏ（input/output）ポート、Ａ／Ｄ変換回路等を含んで構成されている。なお、制御部１１０の気圧検出に関する構成については、後に詳述する。
【００４８】
電源回路１１２は、バッテリー１１３からの電力を、前述したケース１０１内の電子部品または電子回路に対して必要に応じて供給する機能を有する。バッテリー１１３としては、特に限定されないが、例えば、リチウム電池等の一次電池、または、リチウムイオン電池、ニッケル水素電池等の二次電池を用いることができる。
【００４９】
なお、電源回路１１２による電力の供給は、常時行ってもよいが、携帯機器１０が電源スイッチを有する場合、電源スイッチの操作によりオンオフできるようになっていてもよく、また、携帯機器１０が電力入力端子を有する場合、電力入力端子から電力が入力されるときに、電力入力端子からの電力により供給を行い、バッテリー１１３からの電力供給を停止してもよい。
【００５０】
以上、携帯機器１０の全体構成を簡単に説明した。以下、この携帯機器１０が備える気圧センサー１０６について詳述する。
【００５１】
（気圧センサー）
図３は、図１に示す携帯機器が備える圧力センサー（気圧センサー）を示す断面図、図４は、図３に示す圧力センサーのピエゾ抵抗素子（センサー素子）の配置を示す平面図である。
【００５２】
図３に示す気圧センサー１０６は、ダイヤフラム部２０を有する基板２と、ダイヤフラム部２０に配置されている機能素子である複数のピエゾ抵抗素子５（センサー素子）と、基板２とともに空洞部Ｓ（圧力基準室）を形成している積層構造体６と、基板２と積層構造体６との間に配置されている中間層３と、を備えている。
【００５３】
以下、気圧センサー１０６を構成する各部を順次説明する。
−基板−
基板２は、半導体基板２１と、半導体基板２１の一方の面上に設けられた絶縁膜２２と、絶縁膜２２の半導体基板２１とは反対側の面上に設けられた絶縁膜２３と、を有している。
【００５４】
半導体基板２１は、単結晶シリコンで構成されているシリコン層２１１（ハンドル層）と、シリコン酸化膜で構成されている酸化シリコン層２１２（ボックス層）と、単結晶シリコンで構成されているシリコン層２１３（デバイス層）とがこの順で積層されたＳＯＩ基板である。なお、半導体基板２１は、ＳＯＩ基板に限定されず、例えば、単結晶シリコン基板等の他の半導体基板であってもよい。
【００５５】
絶縁膜２２は、例えば、シリコン酸化膜であり、絶縁性を有する。また、絶縁膜２３は、例えば、シリコン窒化膜であり、絶縁性を有するとともに、フッ酸を含むエッチング液に対する耐性をも有する。ここで、半導体基板２１（シリコン層２１３）と絶縁膜２３（シリコン窒化膜）との間に絶縁膜２２（シリコン酸化膜）が介在していることにより、絶縁膜２３の成膜時に生じた応力が半導体基板２１に伝わるのを絶縁膜２２により緩和することができる。また、絶縁膜２２は、半導体基板２１およびその上方に半導体回路を形成する場合、素子間分離膜として用いることもできる。なお、絶縁膜２２、２３は、前述した構成材料に限定されず、また、必要に応じて、絶縁膜２２、２３のうちのいずれか一方を省略してもよい。
【００５６】
このような基板２の絶縁膜２３上には、パターニングされた中間層３が配置されている。この中間層３は、平面視でダイヤフラム部２０の周囲を囲むように形成されており、中間層３の上面と基板２の上面との間であって、ダイヤフラム部２０の中心側（内側）に中間層３の厚さ分の段差部を形成する。これにより、ダイヤフラム部２０が受圧により撓み変形したとき、ダイヤフラム部２０の段差部との間の境界部分に応力を集中させることができる。そのため、かかる境界部分（またはその付近）にピエゾ抵抗素子５を配置することにより、検出感度を向上させることができる。
【００５７】
この中間層３は、例えば、単結晶シリコン、多結晶シリコン（ポリシリコン）またはアモルファスシリコンで構成されている。また、中間層３は、例えば、単結晶シリコン、多結晶シリコン（ポリシリコン）またはアモルファスシリコンにリン、ボロン等の不純物をドープ（拡散または注入）して構成されていてもよい。この場合、中間層３は、導電性を有するため、例えば、空洞部Ｓの外側において基板２上にＭＯＳトランジスタを形成する場合、中間層３の一部をＭＯＳトランジスタのゲート電極として用いることができる。また、中間層３の一部を配線として用いることもできる。
【００５８】
このような基板２には、周囲の部分よりも薄肉であり、受圧によって撓み変形するダイヤフラム部２０が設けられている。ダイヤフラム部２０は、半導体基板２１の下面に有底の凹部２４を設けることで形成されている。すなわち、ダイヤフラム部２０は、基板２の一方の面に開口している凹部２４の底部を含んで構成されている。このダイヤフラム部２０は、その下面が受圧面２５となっている。本実施形態では、図４に示すように、ダイヤフラム部２０は、正方形（矩形）の平面視形状である。
【００５９】
本実施形態の基板２では、凹部２４がシリコン層２１１を貫通しており、ダイヤフラム部２０が酸化シリコン層２１２、シリコン層２１３、絶縁膜２２および絶縁膜２３の４層で構成されている。ここで、酸化シリコン層２１２は、気圧センサー１０６の製造工程において凹部２４をエッチングにより形成する際にエッチングストップ層として利用することができ、ダイヤフラム部２０の厚さの製品ごとのバラツキを少なくすることができる。
【００６０】
なお、凹部２４がシリコン層２１１を貫通せず、ダイヤフラム部２０がシリコン層２１１の薄肉部、酸化シリコン層２１２、シリコン層２１３、絶縁膜２２および絶縁膜２３の５層で構成されていてもよい。
【００６１】
−ピエゾ抵抗素子（センサー素子）−
複数のピエゾ抵抗素子５は、図３に示すように、それぞれ、ダイヤフラム部２０の空洞部Ｓ側に形成されている。ここで、ピエゾ抵抗素子５は、半導体基板２１のシリコン層２１３に形成されている。
【００６２】
図４に示すように、複数のピエゾ抵抗素子５は、ダイヤフラム部２０の外周部に配置されている複数のピエゾ抵抗素子５ａ、５ｂ、５ｃ、５ｄで構成されている。
【００６３】
基板２の厚さ方向から見た平面視（以下、単に「平面視」という）で四角形をなすダイヤフラム部２０の４つの辺にそれぞれ対応して、ピエゾ抵抗素子５ａ、ピエゾ抵抗素子５ｂ、ピエゾ抵抗素子５ｃ、ピエゾ抵抗素子５ｄが配置されている。
【００６４】
ピエゾ抵抗素子５ａは、ダイヤフラム部２０の対応する辺に対して垂直な方向に沿って延びている。そして、ピエゾ抵抗素子５ａの両端部には、１対の配線２１４ａが電気的に接続されている。同様に、ピエゾ抵抗素子５ｂは、ダイヤフラム部２０の対応する辺に対して垂直な方向に沿って延びている。そして、ピエゾ抵抗素子５ｂの両端部には、１対の配線２１４ｂが電気的に接続されている。
【００６５】
一方、ピエゾ抵抗素子５ｃは、ダイヤフラム部２０の対応する辺に対して平行な方向に沿って延びている。そして、ピエゾ抵抗素子５ｃの両端部には、１対の配線２１４ｃが電気的に接続されている。同様に、ピエゾ抵抗素子５ｄは、ダイヤフラム部２０の対応する辺に対して平行な方向に沿って延びている。そして、ピエゾ抵抗素子５ｄの両端部には、１対の配線２１４ｄが電気的に接続されている。
【００６６】
なお、以下では、配線２１４ａ、２１４ｂ、２１４ｃ、２１４ｄをまとめて「配線２１４」ともいう。
【００６７】
このようなピエゾ抵抗素子５および配線２１４は、それぞれ、例えば、リン、ボロン等の不純物をドープ（拡散または注入）したシリコン（単結晶シリコン）で構成されている。ここで、配線２１４における不純物のドープ濃度は、ピエゾ抵抗素子５における不純物のドープ濃度よりも高い。なお、配線２１４は、金属で構成されていてもよい。
【００６８】
また、複数のピエゾ抵抗素子５は、例えば、自然状態における抵抗値が互いに等しくなるように構成されている。
【００６９】
以上説明したようなピエゾ抵抗素子５は、配線２１４等を介して、ホイートストンブリッジ回路（後述する図５に示すブリッジ回路７０）を構成している。
【００７０】
−積層構造体−
積層構造体６は、前述した基板２との間に空洞部Ｓを画成するように形成されている。ここで、積層構造体６は、ダイヤフラム部２０のピエゾ抵抗素子５側に配置されていてダイヤフラム部２０（または基板２）とともに空洞部Ｓ（内部空間）を区画形成（構成）している。
【００７１】
この積層構造体６は、基板２上に平面視でピエゾ抵抗素子５を取り囲むように形成された層間絶縁膜６１と、層間絶縁膜６１上に形成された配線層６２と、配線層６２および層間絶縁膜６１上に形成された層間絶縁膜６３と、層間絶縁膜６３上に形成され、複数の細孔６４２（開孔）を備えた被覆層６４１を有する配線層６４と、配線層６４および層間絶縁膜６３上に形成された表面保護膜６５と、被覆層６４１上に設けられた封止層６６とを有している。
【００７２】
層間絶縁膜６１、６３は、それぞれ、例えば、シリコン酸化膜で構成されている。また、配線層６２、６４および封止層６６は、それぞれ、アルミニウム等の金属で構成されている。また、封止層６６は、被覆層６４１が有する細孔６４２を封止している。また、表面保護膜６５は、例えば、シリコン窒化膜である。
【００７３】
このような積層構造体６は、ＣＭＯＳプロセスのような半導体製造プロセスを用いて形成することができる。なお、シリコン層２１３上およびその上方には、半導体回路が作り込まれていてもよい。この半導体回路は、ＭＯＳトランジスタ等の能動素子、その他必要に応じて形成されたコンデンサ、インダクタ、抵抗、ダイオード、配線（ピエゾ抵抗素子５に接続されている配線を含む）等の回路要素を有している。
【００７４】
基板２と積層構造体６とによって画成された空洞部Ｓは、密閉された空間である。この空洞部Ｓは、気圧センサー１０６が検出する圧力の基準値となる圧力基準室として機能する。本実施形態では、空洞部Ｓが真空状態（３００Ｐａ以下）となっている。空洞部Ｓを真空状態とすることによって、気圧センサー１０６を、真空状態を基準として圧力を検出する「絶対圧センサー」として用いることができ、その利便性が向上する。
【００７５】
ただし、空洞部Ｓは、真空状態でなくてもよく、大気圧であってもよいし、大気圧よりも気圧が低い減圧状態であってもよいし、大気圧よりも気圧が高い加圧状態であってもよい。また、空洞部Ｓには、窒素ガス、希ガス等の不活性ガスが封入されていてもよい。
【００７６】
以上のように構成された気圧センサー１０６は、ダイヤフラム部２０の受圧面２５が受ける圧力に応じて、ダイヤフラム部２０が変形し、これにより、ピエゾ抵抗素子５ａ、５ｂ、５ｃ、５ｄが歪み、ピエゾ抵抗素子５ａ、５ｂ、５ｃ、５ｄの抵抗値が変化する。それに伴って、ピエゾ抵抗素子５ａ、５ｂ、５ｃ、５ｄが構成するブリッジ回路の出力が変化し、その出力に基づいて、受圧面２５で受けた圧力の大きさを求めることができる。
【００７７】
以上説明したような気圧センサー１０６は、前述した制御部１１０に接続されており、制御部１１０は、気圧センサー１０６の検出結果を用いて、気圧情報を得る。
【００７８】
（センサー回路）
図５は、図１に示す携帯機器が備えるセンサー回路を示す図である。
【００７９】
図５に示すセンサー回路１は、前述した気圧センサー１０６と、制御部１１０が備えるセンシングＩＣ１１０１と、で構成されている。
【００８０】
センシングＩＣ１１０１は、電源入力端子７１ａ（VDD）と、グランド端子７１ｂ（GND）と、１対の電源出力端子７２ａ、７２ｂ（INP、INN）と、１対の信号入力端子７３ａ、７３ｂ（VDDB）と、マルチプレクサ回路７４（MUX）と、温度センサー７５（Temp sensor）と、増幅回路７６（AMP）と、アナログデジタル変換部７７（ADC）と、電圧レギュレーター回路７８（Voltage Regulator）と、クロック回路７９（CLOCK）と、デジタルシグナルプロセッサー８０（DSP）と、記憶部８１、８２（Memory）と、通信回路８３（I2C）と、１対の信号出力端子８４ａ、８４ｂ（SCL、SDA）と、パワーオンリセット回路８５（POR）と、を有する。
【００８１】
電源入力端子７１ａは、前述した電源回路１２に電気的に接続されている。そして、センシングＩＣ１１０１には、電源入力端子７１ａとグランド端子７１ｂとの間の電位差の電力が供給される。
【００８２】
１対の電源出力端子７２ａ、７２ｂおよび１対の信号入力端子７３ａ、７３ｂは、それぞれ、前述した気圧センサー１０６のピエゾ抵抗素子５ａ、５ｂ、５ｃ、５ｄで構成されたブリッジ回路７０に電気的に接続されている。そして、センシングＩＣ１１０１の１対の電源出力端子７２ａ、７２ｂからブリッジ回路７０に駆動電圧が供給され、また、１対の信号入力端子７３ａ、７３ｂ間に、ピエゾ抵抗素子５の抵抗値に応じた電位差が生じ、気圧センサー１０６からセンシングＩＣ１１０１へアナログ信号が圧力検出信号（負差動入力信号および正差動入力信号）として入力される。ここで、ブリッジ回路７０に入力される駆動電圧は、電圧レギュレーター回路７８により一定電圧となるように調整される。また、電圧レギュレーター回路７８は、増幅回路７６およびアナログデジタル変換部７７にも一定電圧となるように駆動電圧をそれぞれ供給する。
【００８３】
温度センサー７５は、温度を検出する「温度検出部」であり、前述した温度センサー１０７と同様に構成されている。なお、温度センサー１０７が温度センサー７５を兼ねていてもよい。
【００８４】
マルチプレクサ回路７４は、気圧センサー１０６からの圧力検出信号（負差動入力信号および正差動入力信号）と、温度センサー７５からの温度検出信号とがそれぞれ入力され、これら３つの信号のうちの２つの信号を選択して出力する。
【００８５】
増幅回路７６は、マルチプレクサ回路７４からの２つの信号を用いて差動増幅する。より具体的には、増幅回路７６は、気圧センサー１０６からの圧力検出信号（負差動入力信号および正差動入力信号）が入力された場合、これら２つの信号を差動増幅して、増幅された圧力検出信号（アナログ信号）を出力する。また、増幅回路７６は、気圧センサー１０６からの負差動入力信号または正差動入力信号と温度センサー７５からの温度検出信号とが入力された場合、これら２つの信号を差動増幅して、増幅された温度検出信号（アナログ信号）を出力する。
【００８６】
アナログデジタル変換部７７は、増幅回路７６からのアナログ信号（圧力検出信号または温度検出信号）をデジタル信号に変換する。ここで、アナログデジタル変換部７７は、クロック回路７９からのクロック信号に基づいて所定のサンプリング周波数で変換を行う。なお、このサンプリング周波数は、後述する第１状態と第２状態とで同じであってもよいし異なっていてもよい。
【００８７】
また、アナログデジタル変換部７７は、分解能を変更可能に構成されている。すなわち、アナログデジタル変換部７７は、アナログ信号を第１分解能（第１ｂｉｔ数）でアナログデジタル変換して第１デジタル信号を生成する第１状態（以下、単に「第１状態」ともいう）と、アナログ信号を第１分解能と異なる第２分解能（第２ｂｉｔ数）でアナログデジタル変換して第２デジタル信号を生成する第２状態（以下、単に「第２状態」ともいう）と、を切換可能である。ここで、アナログデジタル変換部７７は、アナログ信号を第１分解能（第１ｂｉｔ数）で第１デジタル信号に変換する機能と、アナログ信号を第１分解能と異なる第２分解能（第２ｂｉｔ数）で第２デジタル信号に変換する機能とを有する「アナログデジタル変換部」である。本実施形態では、第２分解能は、第１分解能よりも高い。
【００８８】
記憶部８１、８２は、それぞれ、デジタルシグナルプロセッサー８０の演算に必要な情報を記憶する機能を有する。より具体的には、記憶部８１（第１記憶装置）は、第１状態での圧力検出信号である第１デジタル信号を補正（温度補正）するための第１温度補正係数（第１温度補正情報）を記憶する。また、記憶部８２（第２記憶装置）は、第２状態での圧力検出信号である第２デジタル信号を温度補正するための第２温度補正係数（第２温度補正情報）または第１温度補正係数を第２温度補正係数に補正するための補正情報（補正値）を記憶する。このような個別の記憶部８１、８２（記憶装置）をセンサー回路１が有することにより、センサー回路１の設計を簡単化することができる。
【００８９】
ここで、第１温度補正係数および第２温度補正係数は、それぞれ、特に限定されないが、例えば、温度値と圧力値との関係を表す高次の多項式の各項の係数である。また、第１温度補正情報および第２温度補正情報として、温度値と圧力値とが対応した変換テーブルを用いてもよい。
【００９０】
また、第１温度補正係数は、第１デジタル信号および温度センサー７５の検出温度を用いて求めたものであることが好ましい。これにより、キャリブレーションを行って、第１温度補正係数を求めることができる。そのため、製品ごとのバラツキを考慮した第１温度補正係数を用いることができる。
【００９１】
また、第２温度補正係数は、第２デジタル信号および温度センサー７５の検出温度を用いて求めたものであるか、または、第１温度補正係数および補正情報を用いて求めたものであることが好ましい。第２温度補正係数が第２デジタル信号および温度センサー７５の検出温度を用いて求めたものである場合、上記と同様、キャリブレーションを行って、第２温度補正係数を求めることができる。そのため、製品ごとのバラツキを考慮した第２温度補正係数を用いることができる。また、センサー回路１が第１温度補正係数および補正情報を用いて第２温度補正係数を求める機能を有する場合、例えば、上述したような第２温度補正係数を求めるためのキャリブレーションが不要となり、装置の起動に要する時間を短縮することができる。
【００９２】
デジタルシグナルプロセッサー８０は、アナログデジタル変換部７７からのデジタル信号を用いて所定の演算処理を行う。より具体的には、デジタルシグナルプロセッサー８０は、圧力検出信号、温度検出信号および温度補正係数（第１温度補正係数または第２温度補正係数）を用いて、圧力検出信号を温度補正する演算処理を行う。このとき、デジタルシグナルプロセッサー８０は、必要に応じて、第１温度補正係数および補正情報を用いて第２温度補正係数を生成する演算処理を行う。また、デジタルシグナルプロセッサー８０は、必要に応じて、温度特性信号を用いて温度補正係数を求める演算処理を行う。これらの演算処理は、必要に応じて、記憶部８１、８２に記憶された情報を用いて行われる。また、これらの演算処理の結果は、必要に応じて、記憶部８１または記憶部８２に記憶されたり、通信回路８３に入力されたりする。
【００９３】
通信回路８３は、デジタルシグナルプロセッサー８０から入力された圧力検出信号を他のＩＣとの通信可能な形式に変換して送信する機能を有する。図示の例では、通信回路８３は、Ｉ２Ｃ（登録商標）（Inter-Integrated Circuit）であり、クロック信号およびデータ信号を出力する。通信回路８３から出力されたクロック信号は、信号出力端子８４ａからセンシングＩＣ１１０１の外部へ出力される。また、通信回路８３から出力されたデータ信号は、信号出力端子８４ｂからセンシングＩＣ１１０１の外部へ出力される。なお、通信回路８３の通信形式は、上述したものに限定されず、例えば、ＳＰＩ（登録商標）（Serial Peripheral Interface）等であってもよい。
【００９４】
以上のように構成されたセンサー回路１は、以下のようにして動作する。なお、以下では、記憶部８２に第２温度補正係数が記憶されている場合を例にセンサー回路１の動作を説明する。
【００９５】
図６は、図５に示すセンサー回路の動作を示すフローチャートである。
まず、センサー回路１を起動すると、デジタルシグナルプロセッサー８０が記憶部８１から第１温度補正係数を含む各種設定情報を読み込む（ステップＳ１）。なお、アナログデジタル変換部７７の初期設定は、低分解能（第１分解能）でのアナログデジタル変換を行う低分解能モード（第１状態）となっている。
【００９６】
その後、気圧測定、温度測定および温度補正をこの順で順次行う（ステップＳ２〜Ｓ４）。
【００９７】
ステップＳ２の気圧測定時では、マルチプレクサ回路７４は、気圧センサー１０６からの２つの圧力検出信号（負差動入力信号および正差動入力信号）を選択して出力する。そして、増幅回路７６は、これら２つの信号を差動増幅して、増幅された圧力検出信号（アナログ信号）を出力する。アナログデジタル変換部７７は、圧力検出信号を第１分解能（第１ｂｉｔ数）でアナログデジタル変換してデジタルシグナルプロセッサー８０に入力する。
【００９８】
ステップＳ３の温度測定時では、マルチプレクサ回路７４は、気圧センサー１０６からの負差動入力信号または正差動入力信号と温度センサーからの温度検出信号との２つの信号を選択して出力する。そして、増幅回路７６は、これら２つの信号を差動増幅して、増幅された温度検出信号（アナログ信号）を出力する。アナログデジタル変換部７７は、温度検出信号を第１分解能（第１ｂｉｔ数）でアナログデジタル変換してデジタルシグナルプロセッサー８０に入力する。
【００９９】
ステップＳ４の温度補正時では、デジタルシグナルプロセッサー８０は、前述したようにして入力された圧力検出信号（第１デジタル信号）および温度検出信号と、ステップＳ１で読み込んだ第１温度補正係数とを用いて演算処理（温度検出信号および第１温度補正係数を用いて圧力検出信号を温度補正する演算処理）を行う。
【０１００】
このようなステップＳ２〜Ｓ４は、高分解能（第２分解能）でのアナログデジタル変換を行う高分解能モード（第２状態）への変更指示があるまで繰り返される（ステップＳ５）。なお、低分解能モードから高分解能モードへの変更指示については、後に詳述する。
【０１０１】
高分解能モードへの変更指示があった場合、アナログデジタル変換部７７の分解能を第２分解能とする設定変更を行う（ステップＳ６）。
【０１０２】
その後、デジタルシグナルプロセッサー８０が記憶部８２から第２温度補正係数を含む各種設定情報を読み込む（ステップＳ７）。
【０１０３】
その後、気圧測定、温度測定および温度補正をこの順で順次行う（ステップＳ８〜Ｓ１０）。
【０１０４】
ステップＳ８の気圧測定時では、マルチプレクサ回路７４および増幅回路７６をステップ２の気圧測定と同様に動作させるが、アナログデジタル変換部７７は、圧力検出信号を第２分解能（第２ｂｉｔ数）でアナログデジタル変換してデジタルシグナルプロセッサー８０に入力する。
【０１０５】
ステップＳ９の温度測定時では、マルチプレクサ回路７４および増幅回路７６をステップ３の温度測定と同様に動作させるが、アナログデジタル変換部７７は、温度検出信号を第２分解能（第２ｂｉｔ数）でアナログデジタル変換してデジタルシグナルプロセッサー８０に入力する。
【０１０６】
ステップＳ１０の温度補正時では、デジタルシグナルプロセッサー８０は、前述したようにして入力された圧力検出信号（第２デジタル信号）および温度検出信号と、ステップＳ７で読み込んだ第２温度補正係数とを用いて演算処理（温度検出信号および第２温度補正係数を用いて圧力検出信号を温度補正する演算処理）を行う。
【０１０７】
このようなステップＳ８〜Ｓ１０は、低分解能モード（第１状態）への変更指示があるまで繰り返される（ステップＳ１１）。なお、高分解能モードから低分解能モードへの変更指示については、後に詳述する。
【０１０８】
低分解能モードへの変更指示があった場合、アナログデジタル変換部７７の分解能を第１分解能とする設定変更を行う（ステップＳ１２）。その後、ステップＳ１に移行して、前述した処理を繰り返す。
【０１０９】
図７（ａ）は、アナログデジタル変換部の分解能と検出精度との関係を示すグラフ、図７（ｂ）は、アナログデジタル変換部の分解能ごとのピエゾ抵抗素子の抵抗値と消費電力との関係を示すグラフである。
【０１１０】
図７（ａ）に示すように、アナログデジタル変換部７７の分解能が大きくなるほど、検出精度が高くなり、一方、アナログデジタル変換部７７の分解能が小さくなるほど、検出精度が低くなる。ここで、図７（ａ）から、分解能が１４ｂｉｔを下回ると、検出精度が急激に低くなることがわかる。
【０１１１】
また、図７（ｂ）に示すように、アナログデジタル変換部７７の分解能が大きくなるほど、消費電力が大きくなり、一方、アナログデジタル変換部７７の分解能が小さくなるほど、消費電力が小さくなる。また、ピエゾ抵抗素子５の抵抗値が小さいほど、消費電力が大きくなり、一方、ピエゾ抵抗素子５の抵抗値が大きくなるほど、消費電力が小さくなる。
【０１１２】
このような図７に示す結果に基づき、省電力化と検出精度の向上との両立の観点から、第１分解能は、１０ｂｉｔ以上１４ｂｉｔ以下であることが好ましく、１１ｂｉｔ以上１３ｂｉｔ以下であることがより好ましい。また、第２分解能は、１４ｂｉｔ以上２０ｂｉｔ以下であることが好ましく、１７ｂｉｔ以上１９ｂｉｔ以下であることがより好ましい。
【０１１３】
また、低分解能モードと高分解能モードとの間の切り換えは、以下のようにして行うことが好ましい。
【０１１４】
図８は、図５に示すセンサー回路の第１状態と第２状態との切り換え例（第１例）を示す図である。なお、図８では、第１分解能が１２ｂｉｔ、第２分解能が１８ｂｉｔである場合を例に図示している。
【０１１５】
図８に示す例では、例えば操作ボタン１０３の操作により、ユーザーが低分解能モード（第１状態）と高分解能モード（第２状態）とを切換可能に構成する。これにより、図８に示すように、高精度な検出精度をあまり必要としない日常生活等の通常時には、低分解能モードとし、省電力化を図り、一方、高精度な検出精度を必要とする運動時等の必要時には、検出精度の高精度化を図る。
【０１１６】
図９は、図５に示すセンサー回路の第１状態と第２状態との切り換え例（第２例）を示す図である。
【０１１７】
図９に示す例では、気圧センサー１０６の検出圧力に基づき、低分解能モード（第１状態）と高分解能モード（第２状態）とを自動的に切り換える。例えば、制御部１１０が、気圧センサー１０６の検出圧力を常時モニターし、その検出圧力の変動の大きさに基づいて、低分解能モード（第１状態）と高分解能モード（第２状態）とを自動的に切り換える。これにより、ユーザーの高度が急激に変化した場合であっても、気圧センサー１０６の検出圧力に基づいて高精度な高度情報を得ることができる。
【０１１８】
ここで、制御部１１０は、前述したように気圧センサー１０６からのアナログ信号の大きさの変化率に基づいて、第１温度補正係数を用いて第１デジタル信号を補正する第１状態と、第２温度補正係数を用いて第２デジタル信号を補正する第２状態とを切り換える「切換部」を含むといえる。このような切換部により、高精度な検出が特に必要な場合とそうでない場合とでアナログデジタル変換部７７の分解能を自動的に切り換えることができる。
【０１１９】
以上説明したようなセンサー回路１によれば、第１分解能および第２分解能のうち高い方の分解能（本実施形態では第２分解能）を用いることで、高精度な検出を行うことができ、一方、低い方の分解能（本実施形態では第１分解能）を用いることで、サンプリング周波数を変更しなくても、消費電力を低減することができる。また、第１分解能および第２分解能のそれぞれにおいて、適した温度補正係数を用いてデジタル信号を温度補正することができ、検出精度を高めることができる。このようなことから、アナログデジタル変換部７７の分解能を適宜切り換えることで、省電力化と検出精度の高精度化との両立を図ることができる。
【０１２０】
特に、前述したようなダイヤフラム部２０およびピエゾ抵抗素子５を用いた気圧センサー１０６は、温度特性（温度変化による特性変化）が大きい。したがって、このような気圧センサー１０６を有するセンサー回路１において、前述したように分解能ごとに適した温度補正係数を用いることで、前述したような効果が顕著となる。
【０１２１】
また、前述したように、制御部１１０は、気圧センサー１０６からのアナログ信号の大きさの変化率が設定値未満であるときに、第１温度補正係数を用いて第１デジタル信号（第１分解能で変換したデジタル信号）を補正する第１状態とし、アナログ信号の大きさの変化率が設定値以上であるときに、第２温度補正係数を用いて第２デジタル信号（第１分解能よりも高い第２分解能で変換したデジタル信号）を補正する第２状態とする。これにより、高精度な検出が特に必要な場合にアナログデジタル変換部７７の分解能を第２分解能とし、検出精度を高め、一方、それ以外の場合にアナログデジタル変換部７７の分解能を第１分解能とし、消費電力を低減することができる。
【０１２２】
以上、本発明のセンサー回路、時計、携帯機器および電子機器を図示の各実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものではなく、各部の構成は、同様の機能を有する任意の構成のものに置換することができる。また、他の任意の構成物が付加されていてもよい。
【０１２３】
また、前述した実施形態では、本発明の電子機器として腕時計型の携帯機器（時計）を例に説明したが、これに限定されず、本発明の電子機器は、例えば、パーソナルコンピューター、携帯機器（例えば携帯電話、スマートフォン、タブレット端末等）、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡）、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシミュレーター等に適用することができる。
【符号の説明】
【０１２４】
１‥‥センサー回路
２‥‥基板
３‥‥中間層
５‥‥ピエゾ抵抗素子
５ａ‥‥ピエゾ抵抗素子
５ｂ‥‥ピエゾ抵抗素子
５ｃ‥‥ピエゾ抵抗素子
５ｄ‥‥ピエゾ抵抗素子
６‥‥積層構造体
１０‥‥携帯機器
１２‥‥電源回路
２０‥‥ダイヤフラム部
２１‥‥半導体基板
２２‥‥絶縁膜
２３‥‥絶縁膜
２４‥‥凹部
２５‥‥受圧面
６１‥‥層間絶縁膜
６２‥‥配線層
６３‥‥層間絶縁膜
６４‥‥配線層
６５‥‥表面保護膜
６６‥‥封止層
７０‥‥ブリッジ回路
７１ａ‥‥電源入力端子
７１ｂ‥‥グランド端子
７２ａ、７２ｂ‥‥電源出力端子
７３ａ、７３ｂ‥‥信号入力端子
７４‥‥マルチプレクサ回路
７５‥‥温度センサー
７６‥‥増幅回路
７７‥‥アナログデジタル変換部
７８‥‥電圧レギュレーター回路
７９‥‥クロック回路
８０‥‥デジタルシグナルプロセッサー
８１‥‥記憶部
８２‥‥記憶部
８３‥‥通信回路
８４ａ‥‥信号出力端子
８４ｂ‥‥信号出力端子
８５‥‥パワーオンリセット回路
１０１‥‥ケース
１０２‥‥表示部
１０３‥‥操作ボタン
１０４‥‥バンド
１０５‥‥ＧＰＳ受信部
１０６‥‥気圧センサー
１０７‥‥温度センサー
１０８‥‥加速度センサー
１０９‥‥ジャイロセンサー
１１０‥‥制御部
１１１‥‥無線通信部
１１２‥‥電源回路
１１３‥‥バッテリー
２１１‥‥シリコン層
２１２‥‥酸化シリコン層
２１３‥‥シリコン層
２１４‥‥配線
２１４ａ‥‥配線
２１４ｂ‥‥配線
２１４ｃ‥‥配線
２１４ｄ‥‥配線
６４１‥‥被覆層
６４２‥‥細孔
１０５１‥‥ＧＰＳ受信機
１０５２‥‥アンテナ
１１１１‥‥アンテナ
１１１２‥‥通信回路
１１０１‥‥センシングＩＣ
Ｓ‥‥空洞部
【図１】
2016205897.tif 000003
【図２】
2016205897.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
2016205897.tif 000008
【図７】
2016205897.tif 000009
【図８】
2016205897.tif 000010
【図９】
2016205897.tif 000011