(57)【要約】      （修正有）【課題】通電後、発熱し、空気が通過すると周辺のスーパーオキシドアニオン（Ｏ２−）濃度を増加可能なセラミック半導体の提供。【解決手段】セラミック半導体は成形時に空間電荷効果を増強可能な酸化物材料がドープされ、複数の貫通する貫通孔１１を具えるセラミック半導体１０。前記酸化物材料は、ＴｉＯ２、Ｚｎ、ＷＯ３、Ｆｅ２Ｏ３又はＳｒＴｉＯ３であり、貫通孔１１の孔径は１〜２ｍｍであるセラミック半導体１０。【効果】セラミック半導体１０は通電後に電流と熱を発生し、セラミック半導体の外層電子が離脱してセラミック半導体１０の貫通孔１１に留まり、貫通孔１１にて累積して電子雲を形成し、空気が貫通孔１１を通過した後、空気中の酸素と電子が衝突した後に再結合し、スーパーオキシドアニオン（Ｏ2-）を形成し、周辺のＯ2-量を増加し、この高濃度Ｏ2-で殺菌、細胞活性化及び傷口癒着補助の効果を形成する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
成形時に空間電荷効果を増強可能な酸化物材料がドープされ、複数の貫通する貫通孔を具える該セラミック半導体が、通電により電流と熱を発生して外層電子を離脱させ、離脱した電子が該貫通孔に留まり、該貫通孔に累積して電子雲を形成し、該貫通孔を通過する空気中の酸素と電子が衝突して結合し、スーパーオキシドアニオンを形成し、該スーパーオキシドアニオンを釈放することを特徴とする、発熱後に周辺スーパーオキシドアニオン濃度を増加可能なセラミック半導体。
【請求項２】
該空間電荷効果を増強可能な酸化物材料は、二酸化チタン（ＴｉＯ2）とされることを特徴とする、請求項１記載の発熱後に周辺スーパーオキシドアニオン濃度を増加可能なセラミック半導体。
【請求項３】
該空間電荷効果を増強可能な酸化物材料は、酸化亜鉛（ＺｎＯ）とされることを特徴とする、請求項１記載の発熱後に周辺スーパーオキシドアニオン濃度を増加可能なセラミック半導体。
【請求項４】
該空間電荷効果を増強可能な酸化物材料は、三酸化タングステン（ＷＯ3）とされることを特徴とする、請求項１記載の発熱後に周辺スーパーオキシドアニオン濃度を増加可能なセラミック半導体。
【請求項５】
該空間電荷効果を増強可能な酸化物材料は、三酸化二鉄（Ｆｅ2Ｏ3）とされることを特徴とする、請求項１記載の発熱後に周辺スーパーオキシドアニオン濃度を増加可能なセラミック半導体。
【請求項６】
該空間電荷効果を増強可能な酸化物材料は、チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ3）とされることを特徴とする、請求項１記載の発熱後に周辺スーパーオキシドアニオン濃度を増加可能なセラミック半導体。
【請求項７】
該貫通孔の孔径はΦ１ｍｍ〜２ｍｍとされることを特徴とする、請求項１記載の発熱後に周辺スーパーオキシドアニオン濃度を増加可能なセラミック半導体。
【請求項８】
該セラミック半導体の外側にファンが設置され、該ファンが該セラミック半導体の貫通孔に向けて送風することを特徴とする、請求項１乃至７のいずれか記載の発熱後に周辺スーパーオキシドアニオン濃度を増加可能なセラミック半導体。
【請求項９】
該セラミック半導体は駆動機構により駆動されて移動することを特徴とする、請求項１乃至７のいずれか記載の発熱後に周辺スーパーオキシドアニオン濃度を増加可能なセラミック半導体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は一種の、発熱後に周辺スーパーオキシドアニオン濃度を増加可能なセラミック半導体に係り、特に一種の、セラミック半導体成形時に空間電荷効果を増強可能な酸化物材料がドープされ、該セラミック半導体は複数の貫通する貫通孔を具え、該セラミック半導体は通電後に電流と熱を発生し、該セラミック半導体の外層電子が離脱して該セラミック半導体の貫通孔に留まり、該貫通孔部分に累積して電子雲を形成し、空気が該貫通孔を通過することで、空気中の酸素と電子が衝突した後に再結合し、スーパーオキシドアニオンを形成し、これにより、周辺スーパーオキシドアニオン濃度をアップするものに関する。
【背景技術】
【０００２】
我々が呼吸する空気中の、酸素の占める体積は２１％であり、該酸素はＯ2
【０００３】
【化１】
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分子の遊離状態（ｆｒｅｅ  ｓｔａｔｅ）で存在する。この酸素分子は二つの酸素原子が一対の電子を共有し、そのうち一つの酸素原子は対を成していない一つの電子を有し、ゆえに、電子に対して非常に大きな親和力を有する。該Ｏ2と電子（ｅ）が衝突後に再結合し、すなわち、Ｏ2＋ｅ→Ｏ2-  或いはＯ2＋ｅ→Ｏ＋Ｏ-  でスーパーオキシドアニオンが発生する。該スーパーオキシドアニオンは、そのイオン解離及びイオン化に必要なエネルギーが、１．６２〜２２．９ｅｖ（電子ボルト）であり、化学活性は極めて高く、殺菌、細胞活性化及び傷口癒着補助等の効果を具える。本発明者の前には特許文献１、２、３等のＰＴＣ発熱器に関係する発明があり、スーパーオキシドアニオンに上述の作用効果があることを鑑み、すなわち、ＰＴＣ発熱器（すなわちセラミック半導体）に通電後に熱を発生する特性に対してさらに発明をなし、これによりセラミック半導体は発熱できるのみならず、さらにスーパーオキシドアニオンを発生できるものとなる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】台湾特許第Ｉ３３７５０７号明細書
【特許文献２】台湾実用新案第０４１３３１号及びその追加一
【特許文献３】台湾実用新案第０５３０５５号及びその追加二
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、周辺スーパーオキシドアニオン濃度を増加可能なセラミック半導体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上述の目的を達成するため、該セラミック半導体は成形時に、空間電荷効果を増強可能な酸化物材料がドープされ、該セラミック半導体は複数の貫通する貫通孔を具える。該セラミック半導体は通電後に電流と熱を発生し、該セラミック半導体の外層電子を離脱させ離脱した電子がセラミック半導体の貫通孔に留まり、該貫通孔にて累積して電子雲を形成し、空気が該貫通孔を通過した後、空気中の酸素と電子が衝突後に再結合し、スーパーオキシドアニオンを形成し、これにより、周辺スーパーオキシドアニオン濃度を増加する。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によると、該セラミック半導体は通電されて発熱する以外に、同時にスーパーオキシドアニオンを釈放する（Ｏ2＋ｅ→Ｏ2-  或いはＯ2＋ｅ→Ｏ＋Ｏ- ）。該セラミック半導体は通電後にスーパーオキシドアニオンを釈放し、該スーパーオキシドアニオンは化学活性が極めて高く、殺菌、細胞活性化及び傷口癒着幇助等の効果を有し、これにより該セラミック半導体を通電して使用すると、殺菌、細胞活性化、傷口癒着幇助等の作用効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の実施例の単一セラミック半導体の立体図である。
【図２】本発明の実施例の複数のセラミック半導体の組合せ立体図である。
【図３】本発明の実施例の使用表示図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下に本発明の技術内容、構造特徴、達成する目的及び作用効果について、以下に例を挙げ並びに図面を組み合わせて詳細に説明する。
【００１０】
図１、２に示されるように、該セラミック半導体１０は成形時に、空間電荷効果を増強可能な酸化物材料がドープされ、該酸化物材料は、原子最外層の電子を容易に移動させ、たとえば、二酸化チタン（ＴｉＯ2）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、三酸化タングステン（ＷＯ3）、三酸化二鉄（Ｆｅ2Ｏ3）、チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ3）とされる。該セラミック半導体１０は複数の貫通する貫通孔１１を具える。各貫通孔１１の孔径はΦ１ｍｍ〜２ｍｍがよい。
【００１１】
該セラミック半導体１０は通電後、該空間電荷効果を増強可能な酸化物材料が電流と熱を受けて、電子離脱を形成し得て、離脱した電子は貫通孔１１に留まり、該電子の累積量は密度の高い電子雲を形成することができるほど多い。図３に示されるように、該セラミック半導体１０外に設置されたファン２０が該セラミック半導体１０に送風し、空気が貫通孔１１を通過すると、空気中の酸素（Ｏ2）が該セラミック半導体１０より離脱した電子と衝突して再結合し、こうしてスーパーオキシドアニオンを形成し、これにより、該セラミック半導体１０は通電されて発熱する以外に、同時にスーパーオキシドアニオンを釈放する（Ｏ2＋ｅ→Ｏ2-  或いはＯ2＋ｅ→Ｏ＋Ｏ-）。該セラミック半導体１０は通電によりスーパーオキシドアニオンを釈放し、該スーパーオキシドアニオンは化学活性が極めて高く、殺菌、細胞活性化及び傷口癒着幇助等の効果を有し、これにより該セラミック半導体１０に通電して使用しても、殺菌、細胞活性化、傷口癒着幇助等の作用効果を有する。
【００１２】
次に、本発明はまた、ファン２０を設置しないでもよく、駆動機構で該セラミック半導体１０を駆動して移動させることで、空気に急速に貫通孔１１を通過させ、空気中の酸素（Ｏ2）を迅速に電子（ｅ）と衝突再結合させて、ずっと急速にスーパーオキシドアニオンを釈放させることができる。
【００１３】
以上は本発明の好ましい実施例の説明に過ぎず、並びに本発明を限定するものではなく、本発明に提示の精神より逸脱せずに完成されるその他の同等の効果の修飾或いは置換は、いずれも本発明の権利請求範囲内に属する。
【符号の説明】
【００１４】
１０  セラミック半導体
１１  貫通孔
２０  ファン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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