(57)【要約】      （修正有）【課題】金属膜を適切に除去することができる表示パネルの製造方法を提供する。【解決手段】表示パネルの製造方法であって、基板１０の上方に設けられた、銅とモリブデンとの積層構造を有する配線パターン２０の一部（ショート欠陥部）２１に、緑色のパルスレーザ光を複数回、直接照射することで、当該一部を除去する工程を含む。【選択図】図１
2016102964.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の上方に設けられた、銅とモリブデンとの積層構造を有する配線パターンの一部に、緑色のパルスレーザ光を複数回、直接照射することで、当該一部を除去する工程を含む
表示パネルの製造方法。
【請求項２】
前記パルスレーザ光のピーク波長は、４９０ｎｍ以上５７０ｎｍ以下である
請求項１に記載の表示パネルの製造方法。
【請求項３】
前記除去する工程では、１．６Ｊ／ｃｍ２以上３．９Ｊ／ｃｍ２以下のエネルギー密度で、５Ｈｚ以上の周波数の前記パルスレーザ光を、前記配線パターンの前記一部に複数回、直接照射する
請求項１又は２に記載の表示パネルの製造方法。
【請求項４】
前記配線パターンは、複数の配線を含み、
前記表示パネルの製造方法は、さらに、
前記配線パターンの前記一部であって、前記複数の配線のうち２つの間を短絡するショート欠陥部の有無を検査する工程を含み、
前記除去する工程では、前記ショート欠陥部が存在する場合に、前記パルスレーザ光を前記ショート欠陥部に照射することで、前記ショート欠陥部を除去して前記複数の配線のうち前記２つを絶縁する
請求項１〜３のいずれか１項に記載の表示パネルの製造方法。
【請求項５】
前記表示パネルの製造方法は、さらに、
前記複数の配線の１つをゲート電極として有するトランジスタを形成する工程と、
前記トランジスタによって発光が制御される発光素子を形成する工程とを含む
請求項４に記載の表示パネルの製造方法。
【請求項６】
前記発光素子は、有機ＥＬ素子である
請求項５に記載の表示パネルの製造方法。
【請求項７】
基板の上方に設けられた、銅とモリブデンとの積層構造を有する配線パターンの一部であって、前記配線パターンが含む複数の配線のうち２つの間を短絡するショート欠陥部に、緑色のパルスレーザ光を複数回、直接照射することで、前記ショート欠陥部を除去して前記複数の配線のうち前記２つを絶縁する工程を含む
表示パネルのリペア方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、表示パネルの製造方法及び表示パネルのリペア方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、電流駆動型の発光素子を用いた表示パネルとして、有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）素子を用いた有機ＥＬディスプレイが知られている。有機ＥＬディスプレイなどのアクティブマトリクス型の表示パネルでは、複数の画素が行列状に配置されている。画素は、有機ＥＬ素子と、有機ＥＬ素子を発光させるための駆動トランジスタ及び選択トランジスタなどの薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）とを有する。
【０００３】
このとき、ＴＦＴの電極が互いに接続されてショート欠陥が発生する場合がある。特許文献１には、ショート欠陥を修復するために、電極の接続部（ショート欠陥部）にレーザ光を照射して、当該接続部を除去する技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−１９９９５６号公報
【非特許文献】
【０００５】
【非特許文献１】E.D.Palik, “Handbook of Optical Constants of Solids”, Academic Press Inc., 1985
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１に記載の技術では、紫外領域の２６６ｎｍの波長のレーザ光を用いてショート欠陥部を除去している。しかしながら、当該波長のレーザ光ではショート欠陥部が除去しきらずに、ショート欠陥が修復されない場合がある。つまり、金属膜を適切に除去することができない。
【０００７】
そこで、本開示は、金属膜を適切に除去することができる表示パネルの製造方法及び表示パネルのリペア方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するため、本開示に係る表示パネルの製造方法は、基板の上方に設けられた、銅とモリブデンとの積層構造を有する配線パターンの一部に、緑色のパルスレーザ光を複数回、直接照射することで、当該一部を除去する工程を含む。
【０００９】
また、本開示に係る表示パネルのリペア方法は、基板の上方に設けられた、銅とモリブデンとの積層構造を有する配線パターンの一部であって、前記配線パターンが含む複数の配線のうち２つの間を短絡するショート欠陥部に、緑色のパルスレーザ光を複数回、直接照射することで、前記ショート欠陥部を除去して前記複数の配線のうち前記２つを絶縁する工程を含む。
【発明の効果】
【００１０】
本開示によれば、金属膜を適切に除去することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】実施の形態に係る表示パネルのリペア方法において各工程の断面及び平面を示す図である。
【図２】銅（Ｃｕ）及びモリブデン（Ｍｏ）の各々の光の吸収率を示す図である。
【図３】実施の形態に係るパルスレーザ光を示す図である。
【図４】実施の形態に係るパルスレーザ光の照射結果を出力エネルギー（アパーチャ値）毎に示す図である。
【図５】実施の形態に係るパルスレーザ光のエネルギー密度とアパーチャ値との関係を示す図である。
【図６】実施の形態に係るパルスレーザ光の照射結果を照射回数（パルス数）毎に示す図である。
【図７Ａ】実施の形態に係るパルスレーザ光の周波数が５Ｈｚの場合の照射結果を示す図である。
【図７Ｂ】実施の形態に係るパルスレーザ光の周波数が１０Ｈｚの場合の照射結果を示す図である。
【図８】実施の形態に係る表示パネルの構成を示す図である。
【図９】実施の形態に係る画素の回路構成を示す電気回路図である。
【図１０】実施の形態に係る画素の一部のレイアウトを示す平面図である。
【図１１】実施の形態に係る画素の一部の断面構成を示す表示パネルの概略断面図である。
【図１２】実施の形態に係る表示パネルの製造方法を示すフローチャートである。
【図１３Ａ】実施の形態に係る表示パネルの製造方法において各工程の断面及び平面を示す図である。
【図１３Ｂ】実施の形態に係る表示パネルの製造方法において各工程の断面及び平面を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、適宜図面を参照しながら、実施の形態を詳細に説明する。ただし、必要以上に詳細な説明は省略する場合がある。例えば、すでによく知られた事項の詳細説明、及び、実質的に同一の構成に対する重複説明などを省略する場合がある。これは、以下の説明が不必要に冗長になるのを避け、当業者の理解を容易にするためである。
【００１３】
なお、発明者らは、当業者が本開示を十分に理解するために添付図面及び以下の説明を提供するのであって、これらによって特許請求の範囲に記載の主題を限定することを意図するものではない。
【００１４】
また、各図は、模式図であり、必ずしも厳密に図示されたものではない。また、各図において、同じ構成部材については同じ符号を付している。
【００１５】
（実施の形態）
［１．リペア方法］
まず、本実施の形態に係る表示パネルのリペア方法の概要について、図１を用いて説明する。図１は、本実施の形態に係る表示パネルのリペア方法において各工程の断面及び平面を示す図である。なお、図１において、右側の図が平面図であり、左側の図が右側の図のＩ−Ｉ線における断面図である。
【００１６】
図１の（ａ）に示すように、基板１０の上方には、配線パターン２０が設けられている。配線パターン２０は、銅（Ｃｕ）とモリブデン（Ｍｏ）との積層構造を有する。例えば、配線パターン２０では、厚さ１０ｎｍのＭｏ膜上に、厚さ３００ｎｍのＣｕ膜が形成されている。
【００１７】
また、配線パターン２０は、複数の配線を含んでいる。図１の（ａ）に示す例では、配線パターン２０は、第１配線２２及び第２配線２３を含んでいる。なお、基板１０は、例えば、ガラス基板である。
【００１８】
まず、図１の（ａ）に示すように、配線パターン２０のショート欠陥部２１の有無を検査する。具体的には、ショート欠陥部２１の有無を判定し、ショート欠陥部２１が存在する場合には、その場所を特定する。
【００１９】
ショート欠陥部２１の有無の検査は、例えば、顕微鏡などを用いた目視により実行される。あるいは、平面視において配線パターン２０を撮像し、当該撮像によって取得した画像を画像処理（例えば、正常な配線パターン２０とのマッチング）することで、ショート欠陥部２１を特定してもよい。あるいは、配線パターン２０に含まれる複数の配線にプローブを接触させて、配線間の導通及び非導通を検査することで、ショート欠陥部２１の有無を判定してもよい。
【００２０】
ここで、ショート欠陥部２１は、配線パターン２０の一部であって、配線パターン２０が含む複数の配線のうち２つ（例えば、第１配線２２及び第２配線２３）の間を短絡する部分である。具体的には、ショート欠陥部２１は、同層内での短絡部分である。
【００２１】
第１配線２２と第２配線２３との間にショート欠陥部２１が形成されていることで、第１配線２２と第２配線２３とが短絡し、表示パネルは正常に動作しなくなる。言い換えると、正常に動作する表示パネル、すなわち、ショート欠陥部２１が形成されていない表示パネルでは、第１配線２２と第２配線２３とは、電気的に絶縁されている。
【００２２】
次に、図１の（ｂ）に示すように、ショート欠陥部２１が存在する場合に、緑色のレーザ光をショート欠陥部２１に直接照射する。緑色のレーザ光のピーク波長は、例えば、４９０ｎｍ以上５７０ｎｍ以下である。本実施の形態では、一例として、ピーク波長が５３２ｎｍのレーザ光をショート欠陥部２１に直接照射する。
【００２３】
なお、直接照射とは、表示パネルの他の層（例えば、配線パターン２０の上層に形成される絶縁層など）を透過させずに、ショート欠陥部２１にレーザ光を当てることである。具体的には、配線パターン２０（ショート欠陥部２１）の形成直後に、レーザ光の照射処理を行う。つまり、配線パターン２０の上方に次の層を形成する前に、ショート欠陥部２１の有無を検査し、ショート欠陥部２１にレーザ光を照射する。
【００２４】
これにより、図１の（ｃ）に示すように、ショート欠陥部２１を除去して第１配線２２と第２配線２３とを電気的に絶縁する。具体的には、ショート欠陥部２１では、レーザ光が照射されることにより、Ｃｕ及びＭｏが昇華する。厚み方向における全てのＣｕ及びＭｏが昇華することにより、ショート欠陥部２１は除去（切断）される。
【００２５】
以上のように、本実施の形態では、緑色のレーザ光をショート欠陥部２１に照射することで、ショート欠陥部２１のＣｕ及びＭｏを昇華させて、第１配線２２と第２配線２３とを電気的に絶縁することができる。
【００２６】
以下では、緑色のレーザ光の詳細な照射条件について、図面を用いて説明する。
【００２７】
［２．レーザ光のピーク波長］
本実施の形態では、緑色のレーザ光を用いて、Ｃｕ膜とＭｏ膜との積層構造を有する金属膜（以下、Ｃｕ／Ｍｏ膜と記載）を除去する。以下では、緑色のレーザ光を用いる理由について、図２を用いて説明する。
【００２８】
図２は、銅（Ｃｕ）及びモリブデン（Ｍｏ）の各々の光の吸収率を示す図である。横軸は光の波長を示し、縦軸は吸収率を示している。
【００２９】
金属膜を構成する金属材料に光を照射した場合の吸収率Ａは、以下のようにして求めることができる。
【００３０】
まず、反射率Ｒと吸収率Ａとの和が略１であると仮定する（（式１）を参照）。
【００３１】
（式１）  Ｒ＋Ａ≒１
【００３２】
ここで、反射率Ｒは、垂直入射光に対する、完全に滑らかな材料表面の反射率として、以下の（式２）で表される。
【００３３】
【数１】
2016102964.tif 000003
【００３４】
ここで、ｎは金属材料の屈折率であり、ｋは金属材料の消衰係数である。ｎ及びｋの値としては、非特許文献１に記載された値を利用した。
【００３５】
図２に示すように、Ｃｕの吸収率を示す曲線（図中の破線）と、Ｍｏの吸収率を示す曲線（図中の実線）とは、５３２ｎｍの波長（緑色）の近傍で略一致している。したがって、Ｃｕ／Ｍｏ膜に、ピーク波長が５３２ｎｍのレーザ光を照射した場合、Ｃｕ膜とＭｏ膜とは略同じ吸収率でレーザ光を吸収するので、Ｃｕ膜とＭｏ膜とが略同時に昇華すると考えられる。
【００３６】
一方で、従来のピーク波長が２６６ｎｍのレーザ光をＣｕ／Ｍｏ膜に照射した場合は、Ｍｏ膜が昇華しきらずに残った。これは、図２に示すように、Ｍｏ膜の光の吸収率がＣｕ膜の光の吸収率より低いためと考えられる。
【００３７】
つまり、Ｃｕ膜の光の吸収率とＭｏ膜の光の吸収率との差が所定の範囲（例えば、±１０％程度）内である波長をピーク波長として有するレーザ光を照射することで、Ｃｕ／Ｍｏ膜を除去することができる。言い換えると、Ｃｕ／Ｍｏ膜を除去するためには、Ｃｕ膜の光の吸収率とＭｏ膜の光の吸収率とが略一致する波長をピーク波長として有するレーザ光を照射すればよい。例えば、レーザ光は、ピーク波長が４９０ｎｍ以上５７０ｎｍ以下であればよい。
【００３８】
なお、緑色のレーザ光は、例えば、ＹＡＧレーザを用いて生成することができる。ＹＡＧレーザの波長は、一般的には、１０６４ｎｍであり、ＹＡＧレーザの第二高調波の波長が５３２ｎｍになる。したがって、例えば、ＹＡＧレーザを非線形の結晶に通過させることで、緑色のレーザ光が出力される。
【００３９】
一般的に、高調波のレーザ光程、出力エネルギーが低下する。したがって、従来の２６６ｎｍのレーザ光（第四高調波）に比べて、本実施の形態に係る５３２ｎｍのレーザ光の方が、エネルギーを有効に利用することができる。
【００４０】
また、レーザ光は、大気中を透過（進行）する際に減衰する。レーザ光が大気中を透過する際の透過率は、レーザ光の波長によって異なる。例えば、５３２ｎｍのレーザ光は、２６６ｎｍのレーザ光よりも透過率が大きい。具体的には、５３２ｎｍのレーザ光の透過率は約１３％であるのに対して、２６６ｎｍのレーザ光の透過率は約５％である。このため、Ｃｕ膜の実質的な透過率は、５３２ｎｍのレーザ光の方が、２６６ｎｍのレーザ光よりも大きくなる。
【００４１】
以上のように、緑色のレーザ光を用いることで、Ｃｕ／Ｍｏ膜を効率良く除去することができる。例えば、他の層に影響を与えないように、短期間の照射でＣｕ／Ｍｏ膜を除去することができる。
【００４２】
［３．レーザ光のパラメータ］
続いて、本実施の形態に係る緑色のレーザ光のピーク波長以外のパラメータについて説明する。本実施の形態では、レーザ光としてパルスレーザ光を照射する。レーザ光のパラメータとしては、パルスレーザ光の周波数、照射回数、及び、出力エネルギーなどがある。
【００４３】
［３−１．パルスレーザ光］
図３は、本実施の形態に係るパルスレーザ光を示す図である。具体的には、図３では、上から順に、周波数が１０Ｈｚ、５Ｈｚ、２Ｈｚ及び１Ｈｚのパルスレーザ光を示している。なお、図３において、横軸は時間を示し、縦軸はレーザ光のエネルギーの大きさを示している。
【００４４】
図３に示すように、パルスレーザ光の周波数は、１秒間におけるパルスレーザ光の照射回数（パルス数）である。周波数が大きい程、１秒間におけるパルスレーザ光の照射回数が多くなる。つまり、周波数が大きい程、より短い間隔で、パルスレーザ光を連続的に照射することができる。なお、各パルスの幅、すなわち、１回のパルスレーザ光の照射時間は、例えば、７ナノ秒である。
【００４５】
図３では、例えば２回のパルスレーザ光を照射する場合、１回目のパルスレーザ光をドットの網掛けで示し、２回目のパルスレーザ光を斜め格子状の網掛けで示している。同じ２回のパルスレーザ光の照射であっても、周波数が異なることで、１回目と２回目との照射間隔が異なる。周波数が小さく、照射間隔が長い場合、１回目と２回目との間で照射部分の温度低下が大きくなるので、周波数が大きい場合に比べて、Ｃｕ／Ｍｏ膜の昇華の程度が異なると考えられる。
【００４６】
以下では、パルスレーザ光の出力エネルギー、照射回数及び周波数の各々の適した範囲について、図面を用いて説明する。
【００４７】
［３−２．出力エネルギー］
図４は、本実施の形態に係るパルスレーザ光の照射結果を出力エネルギー（アパーチャ値）毎に示す図である。
【００４８】
ここでは、ガラス基板上に形成された、厚さ１０ｎｍのＭｏ膜と厚さ３００ｎｍのＣｕ膜との積層構造を有する金属膜（Ｃｕ／Ｍｏ膜）に対してパルスレーザ光を照射した。なお、照射回数は１０回であり、周波数は１０Ｈｚを用いた。
【００４９】
また、出力エネルギーの設定は、パルスレーザ光の発振源の絞りの値であるアパーチャ値を設定することで行った。図５は、本実施の形態に係るパルスレーザ光のエネルギー密度とアパーチャ値との関係を示す図である。図５において、横軸はアパーチャ値を示し、縦軸はエネルギー密度を示している。
【００５０】
ピーク波長が５３２ｎｍの緑色レーザ光を出力し、パワーメータによって実測することで、図５に示すプロットを得た。得られたプロットを線形近似することで、図５に示すように、レーザ光のエネルギー密度ｙは、アパーチャ値ｘとしたとき、以下の（式３）で示される。
【００５１】
（式３）  ｙ＝０．０１８９ｘ＋０．１２８１
【００５２】
このときの近似直線のＲ−２乗値は、０．９９４３である。したがって、アパーチャ値は、レーザ光の出力エネルギー（エネルギー密度）と線形の関係を有するとみなすことができる。
【００５３】
図４に戻り、アパーチャ値が６０〜３００の範囲で、Ｃｕ／Ｍｏ膜に緑色のレーザ光の照射を行った。なお、アパーチャ値が６０〜３００の範囲に相当するエネルギー密度の範囲は、（式３）により、１．２６Ｊ／ｃｍ２〜５．８０Ｊ／ｃｍ２となる。
【００５４】
アパーチャ値が６０の場合（エネルギー密度が１．２６Ｊ／ｃｍ２の場合）、Ｃｕ／Ｍｏ膜は昇華しきらずに残った。アパーチャ値が８０〜３００の範囲（エネルギー密度が１．６４Ｊ／ｃｍ２〜５．８０Ｊ／ｃｍ２の範囲）では、いずれもＣｕ／Ｍｏ膜が完全に昇華された。すなわち、ショート欠陥部に照射した場合は、ショート欠陥部の切断（除去）が可能になる。しかしながら、アパーチャ値が２５０及び３００の場合（エネルギー密度が４．８５Ｊ／ｃｍ２及び５．８０Ｊ／ｃｍ２の場合）、Ｃｕ／Ｍｏ膜は完全に昇華するものの、周辺部が隆起した。
【００５５】
したがって、周辺部への影響を押さえるためには、アパーチャ値は８０以上２００以下の範囲、すなわち、エネルギー密度が１．６４Ｊ／ｃｍ２以上３．９１Ｊ／ｃｍ２以下であることが好ましい。したがって、誤差などを鑑みて、例えば、１．６Ｊ／ｃｍ２以上３．９Ｊ／ｃｍ２以下のエネルギー密度でもよい。
【００５６】
なお、Ｃｕ／Ｍｏ膜の切断とは、レーザ光を照射した部分が貫通し、基板（下層）が露出したことを意味する。
【００５７】
［３−３．照射回数］
図６は、本実施の形態に係るパルスレーザ光の照射結果を照射回数（パルス数）毎に示す図である。
【００５８】
ここでは、図４の場合と同様に、ガラス基板上に形成された、厚さ１０ｎｍのＭｏ膜と厚さ３００ｎｍのＣｕ膜との積層構造を有する金属膜（Ｃｕ／Ｍｏ膜）に対してパルスレーザ光を照射した。なお、アパーチャ値は２００（エネルギー密度は３．９１Ｊ／ｃｍ２）であり、周波数は１０Ｈｚである。
【００５９】
図６に示すように、照射回数が１回の場合は、Ｃｕ／Ｍｏ膜が昇華しきらずに残った。なお、ここでは、アパーチャ値が２００の場合で行ったが、アパーチャ値が５００の場合でも照射回数が１回のときはＣｕ／Ｍｏ膜が昇華しきらずに残った。
【００６０】
一方で、照射回数が２回以上の場合は、Ｃｕ／Ｍｏ膜が昇華された。したがって、緑色のレーザ光を複数回ショート欠陥部に照射することで、ショート欠陥部が切断（除去）されることが分かる。
【００６１】
［３−４．周波数］
図７Ａ及び図７Ｂはそれぞれ、本実施の形態に係るパルスレーザ光の周波数が５Ｈｚ及び１０Ｈｚの場合の照射結果を示す図である。
【００６２】
ここでは、図４の場合と同様に、ガラス基板上に形成された、厚さ１０ｎｍのＭｏ膜と厚さ３００ｎｍのＣｕ膜との積層構造を有する金属膜（Ｃｕ／Ｍｏ膜）に対してパルスレーザ光を照射した。なお、アパーチャ値及び照射回数のいずれも設定値を変えて行った。
【００６３】
図７Ａ及び図７Ｂに示すように、周波数に関わらず、図４で示したように、レーザ光の出力エネルギー（アパーチャ値）が大きくなると、Ｃｕ／Ｍｏ膜が完全に昇華されることが分かる。また、アパーチャ値が６０で照射回数が１０回の場合、図７Ａに示すように、周波数が５Ｈｚのとき、Ｃｕ／Ｍｏ膜は昇華されずに残ったのに対して、図７Ｂに示すように、周波数が１０Ｈｚのときは、Ｃｕ／Ｍｏ膜は僅かに昇華されて、一部が切断された。また、アパーチャ値が８０で照射回数が５回又は１０回の場合、図７Ａに示すように、周波数が５Ｈｚのとき、Ｃｕ／Ｍｏ膜は一部が昇華されずに残ったのに対して、図７Ｂに示すように、周波数が１０Ｈｚのときは、Ｃｕ／Ｍｏ膜は完全に昇華されて切断された。
【００６４】
このように、周波数が大きい程、Ｃｕ／Ｍｏ膜は昇華されて切断されやすくなることが分かる。例えば、アパーチャ値が８０（エネルギー密度が１．６４Ｊ／ｃｍ２）前後の低エネルギーの場合においても、周波数は５Ｈｚ以上であれば、Ｃｕ／Ｍｏ膜を昇華させて切断することができる。
【００６５】
［４．表示パネルの構成］
［４−１．全体構成］
以下では、上述した表示パネルのリペア方法を行う工程を経て製造された表示パネルの構成について説明する。
【００６６】
図８は、本実施の形態に係る表示パネル１００の構成を示す図である。
【００６７】
表示パネル１００は、電流駆動型の発光素子を用いた表示パネルである。本実施の形態では、表示パネル１００は、発光素子の一例である有機ＥＬ素子を備えるトップエミッション型の有機ＥＬ表示パネルである。なお、表示パネル１００は、トップエミッション型に限定されず、ボトムエミッション型でもよい。また、表示パネル１００は、液晶表示パネルなどの他のアクティブマトリクス型の表示パネルでもよい。
【００６８】
図８に示すように、表示パネル１００は、表示領域１１０と、走査線駆動回路１２０と、データ線駆動回路１３０と、複数の配線１４０及び１５０とを備える。なお、表示パネル１００は、走査線駆動回路１２０及びデータ線駆動回路１３０の動作タイミングを制御するタイミングコントローラ（ＴＣＯＮ）を備えてもよい。
【００６９】
表示領域１１０には、複数の画素２００が行列状に配置されている。複数の画素２００の各々は、発光素子（有機ＥＬ素子）と、発光素子を駆動するためのトランジスタとを有する。画素２００の回路構成の一例については、図９を用いて後で説明する。
【００７０】
走査線駆動回路１２０は、画素２００に含まれる有機ＥＬ素子の発光のタイミングなどを制御する。走査線駆動回路１２０は、例えば、ゲートドライバＩＣであり、複数の配線１４０の各々を介して、制御信号を出力する。制御信号は、例えば、ＥＮＢ信号、ＳＣＡＮ信号、ＲＥＦ信号及びＩＮＩ信号である。
【００７１】
データ線駆動回路１３０は、画素２００に含まれる有機ＥＬ発光素子の発光量（輝度）などを制御する。データ線駆動回路１３０は、例えば、ソースドライバＩＣであり、複数の配線１５０の各々を介して、輝度値（画素値）を示すデータ信号を出力する。
【００７２】
なお、走査線駆動回路１２０及びデータ線駆動回路１３０は、いわゆるＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）方式でパネル基板に直接実装されてもよい。あるいは、走査線駆動回路１２０及びデータ線駆動回路１３０は、パネル基板に接続されたＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ  Ｐｒｉｎｔ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）基板上に実装されてもよい。
【００７３】
複数の配線１４０は、表示パネル１００の表示領域１１０に、行方向に沿って設けられて、複数の画素２００に行毎に接続される。複数の配線１４０は、具体的には、図９に示すように、ＳＣＡＮ信号線１４１、ＥＮＢ信号線１４２、ＲＥＦ信号線１４３及びＩＮＩ信号線１４４を画素行毎に含んでいる。
【００７４】
複数の配線１５０は、表示パネル１００の表示領域１１０に、列方向に沿って設けられて、複数の画素２００に列毎に接続される。複数の配線１５０は、具体的には、図９に示すように、データ信号線１５１を含んでいる。
【００７５】
なお、表示パネル１００には、図８には示していないが、複数の電源線が配置されている。複数の電源線は、例えば、画素２００の行方向又は列方向に沿って設けられている。
【００７６】
［４−２．画素の回路構成］
続いて、本実施の形態に係る表示パネル１００の表示領域１１０に設けられた画素２００の回路構成について、図９を用いて説明する。図９は、本実施の形態に係る画素２００の回路構成を示す電気回路図である。
【００７７】
図９に示すように、画素２００は、発光素子２１０と、駆動トランジスタ２２０と、選択トランジスタ２３０と、イネーブルトランジスタ２４０と、ＲＥＦトランジスタ２５０と、ＩＮＩトランジスタ２６０と、保持容量２７０とを備える。本実施の形態では、画素２００は、例えば、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）及び青色（Ｂ）のいずれかの光を発するサブ画素である。
【００７８】
発光素子２１０は、有機ＥＬ素子であり、ＯＬＥＤ（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）とも呼ばれる発光素子の一例である。発光素子２１０は、流れる電流の大きさに応じた明るさで発光する電流駆動型の発光素子の一例である。発光素子２１０のアノードは、駆動トランジスタ２２０のソースに接続され、発光素子２１０のカソードは、Ｖｅｌ電源線１６２に接続される。
【００７９】
駆動トランジスタ２２０は、発光素子２１０に電流を供給するドライバである。駆動トランジスタ２２０のゲートは、保持容量２７０の一方の電極に接続され、ドレインは、イネーブルトランジスタ２４０を介してＶｔｆｔ電源線１６１に接続され、ソースは、保持容量２７０の他方の電極及び発光素子２１０のアノードに接続される。
【００８０】
この接続により、駆動トランジスタ２２０のゲートとソースとの間には保持容量２７０に保持された電圧、つまり、発光すべき輝度を示す電圧が印加される。これにより、駆動トランジスタ２２０は、保持容量２７０の電圧に応じた量の電流を発光素子２１０に供給する。
【００８１】
選択トランジスタ２３０は、保持容量２７０に輝度を表す電圧を画素データとして書き込むためのスイッチトランジスタである。選択トランジスタ２３０のゲートには、ＳＣＡＮ信号線１４１が接続されている。また、選択トランジスタ２３０のソース及びドレインの一方は、データ信号線１５１（配線１５０）に接続され、他方は、駆動トランジスタ２２０のゲートに接続されている。
【００８２】
選択トランジスタ２３０は、ＳＣＡＮ信号線１４１を介してゲートに供給されるＳＣＡＮ信号に従って導通及び非導通する。なお、ＳＣＡＮ信号は、行列状の複数の画素２００を行単位に選択し、選択された行に属する画素２００に輝度を表す電圧を書き込むための書き込み信号である。
【００８３】
イネーブルトランジスタ２４０は、駆動トランジスタ２２０による発光素子２１０への電流供給をオン及びオフするスイッチトランジスタである。イネーブルトランジスタ２４０のゲートには、ＥＮＢ信号線１４２が接続されている。イネーブルトランジスタ２４０のソース及びドレインの一方は、Ｖｔｆｔ電源線１６１に接続され、他方は、駆動トランジスタ２２０のドレインに接続されている。イネーブルトランジスタ２４０は、ＥＮＢ信号線１４２を介してゲートに供給されるＥＮＢ信号に従って導通及び非導通する。
【００８４】
ＲＥＦトランジスタ２５０は、基準電圧ＶＲＥＦを保持容量２７０の一方の電極に与えるためのスイッチトランジスタである。ＲＥＦトランジスタ２５０のゲートは、ＲＥＦ信号線１４３に接続されている。ＲＥＦトランジスタ２５０のソース及びドレインの一方は、Ｖｒｅｆ電源線１６３に接続され、他方は、保持容量２７０の一方の電極に接続されている。ＲＥＦトランジスタ２５０は、ＲＥＦ信号線１４３を介してゲートに供給されるＲＥＦ信号に従って導通及び非導通する。
【００８５】
ＩＮＩトランジスタ２６０は、初期化電圧ＶＩＮＩを保持容量２７０の他方の電極に供給するためのスイッチトランジスタである。ＩＮＩトランジスタ２６０のゲートは、ＩＮＩ信号線１４４に接続されている。ＩＮＩトランジスタ２６０のソース及びドレインの一方は、Ｖｉｎｉ電源線１６４に接続され、他方は、保持容量２７０の他方の電極に接続されている。ＩＮＩトランジスタ２６０は、ＩＮＩ信号線１４４を介してゲートに供給されるＩＮＩ信号に従って導通及び非導通する。なお、ＲＥＦトランジスタ２５０及びＩＮＩトランジスタ２６０は、駆動トランジスタ２２０の閾値補償に用いられる。
【００８６】
保持容量２７０は、駆動トランジスタ２２０のゲート−ソース間に接続されている。保持容量２７０は、輝度を表す電圧を画素データとして保持する。
【００８７】
なお、画素２００に設けられる各トランジスタは、例えば、ボトムゲート型のＴＦＴである。このとき、各ＴＦＴは、チャネル保護型及びチャネルエッチ型のいずれでもよい。また、各ＴＦＴは、トップゲート型のＴＦＴでもよい。また、各ＴＦＴは、ｎ型ＴＦＴ及びｐ型ＴＦＴのいずれでもよい。
【００８８】
また、図９に示す画素２００の回路構成は、一例であって、これに限らない。例えば、画素２００は、発光素子２１０と、駆動トランジスタ２２０と、選択トランジスタ２３０と、保持容量２７０とを備える、いわゆる２Ｔｒ１Ｃ構成を有してもよい。
【００８９】
［４−３．画素のレイアウト及び断面構成］
続いて、本実施の形態に係る画素２００の一部のレイアウト及び断面構成について、図１０及び図１１を用いて説明する。図１０は、本実施の形態に係る画素２００の一部のレイアウトを示す平面図である。図１１は、本実施の形態に係る画素２００の一部の断面構成を示す表示パネル１００の概略断面図である。なお、図１１は、図１０に示すＸＩ−ＸＩ線における断面を示している。
【００９０】
図１０及び図１１には、画素２００のうち、選択トランジスタ２３０及びＲＥＦトランジスタ２５０を示している。図１０において、例えば、同層に位置し、同じ材料を用いて同じ工程で形成される配線パターンには、同じハッチングを付している。
【００９１】
具体的には、第１配線パターン３２０は、ＳＣＡＮ信号線１４１、ＲＥＦ信号線１４３及びＶｒｅｆ電源線１６３を含み、これらの全てが同層に位置する。第１配線パターン３２０は、例えば、第２配線パターン３６０より下層にある下層配線である。
【００９２】
また、第２配線パターン３６０は、データ信号線１５１、選択トランジスタ２３０のドレイン電極２３３及びソース電極２３４、ＲＥＦトランジスタ２５０のドレイン電極２５３及びソース電極２５４、並びに、Ｖｅｌ電源線１６２を含み、これらの全てが同層に位置する。第２配線パターン３６０は、第１配線パターン３２０の上方に位置する上層配線である。
【００９３】
以下では、図１１を用いて、画素２００の一部の断面構成について説明する。
【００９４】
図１１に示すように、表示パネル１００は、基板３１０と、第１配線パターン３２０と、ゲート絶縁層３３０と、半導体層３４０と、絶縁層３５０と、第２配線パターン３６０とを備える。
【００９５】
基板３１０は、例えば、電気絶縁性を有する材料から構成される基板である。例えば、基板３１０は、無アルカリガラスなどのガラス材料、又は、ポリイミドなどの樹脂材料から構成される基板である。なお、基板３１０は、可撓性を有してもよい。
【００９６】
第１配線パターン３２０は、基板３１０の上方に設けられた、銅（Ｃｕ）とモリブデン（Ｍｏ）との積層構造を有する金属膜から構成される配線パターンである。例えば、第１配線パターン３２０では、厚さ１０ｎｍのＭｏ膜上に、厚さ３００ｎｍのＣｕ膜が形成されている。なお、Ｍｏ膜及びＣｕ膜の膜厚は一例であって、これに限らない。
【００９７】
本実施の形態では、図１１に示すように、第１配線パターン３２０は、基板３１０上に設けられている。なお、第１配線パターン３２０は、アンダーコート層（例えば、シリコン窒化膜）などを介して基板３１０の上方に設けられてもよい。
【００９８】
第１配線パターン３２０は、複数の配線を含んでいる。具体的には、第１配線パターン３２０は、図１０及び図１１に示すように、複数の配線として、ＳＣＡＮ信号線１４１と、ＲＥＦ信号線１４３と、Ｖｒｅｆ電源線１６３と、選択トランジスタ２３０のゲート電極２３１と、ＲＥＦトランジスタ２５０のゲート電極２５１とを含んでいる。なお、ゲート電極２３１は、ＳＣＡＮ信号線１４１の一部であり、ゲート電極２５１は、ＲＥＦ信号線１４３の一部である。
【００９９】
図１０及び図１１に示すように、ＳＣＡＮ信号線１４１及びゲート電極２３１と、ＲＥＦ信号線１４３及びゲート電極２５１と、Ｖｒｅｆ電源線１６３とは、互いに電気的に絶縁されている。このとき、例えば、ＳＣＡＮ信号線１４１とＲＥＦ信号線１４３との間にショート欠陥部が形成された場合、ＳＣＡＮ信号線１４１とＲＥＦ信号線１４３とは短絡するので、好ましくない。本実施の形態では、当該ショート欠陥部に緑色のレーザ光を照射することで、ショート欠陥部を除去する。詳細については、後で説明する。
【０１００】
なお、図示しないが、第１配線パターン３２０は、画素２００に含まれる他のトランジスタ（例えば、駆動トランジスタ２２０など）のゲート電極、他の配線（例えば、ＩＮＩ信号線１４４など）、及び、保持容量２７０の一方の電極などを含んでいてもよい。
【０１０１】
ゲート絶縁層３３０は、第１配線パターン３２０と半導体層３４０との間に設けられている。具体的には、ゲート絶縁層３３０は、選択トランジスタ２３０のゲート電極２３１とチャネル層２３２との間、及び、ＲＥＦトランジスタ２５０のゲート電極２５１とチャネル層２５２との間に設けられている。
【０１０２】
ゲート絶縁層３３０は、例えば、酸化物絶縁層又は窒化物絶縁層を用いた単層絶縁層又は積層絶縁層である。ゲート絶縁層３３０としては、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、シリコン酸窒化膜、酸化アルミニウム膜などを利用することができる。例えば、ゲート絶縁層３３０は、厚さ３５０ｎｍのシリコン窒化膜と、厚さ５０ｎｍのシリコン酸化膜との積層構造を有する。つまり、ゲート絶縁層３３０の膜厚は、例えば、４００ｎｍである。
【０１０３】
半導体層３４０は、画素２００が有するトランジスタのチャネル層を含んでいる。半導体層３４０は、トランジスタのゲート電極に対向するように基板３１０の上方に形成される。具体的には、図１１に示すように、チャネル層２３２がゲート電極２３１の対向する位置に設けられ、チャネル層２５２がゲート電極２５１の対向する位置に設けられる。
【０１０４】
半導体層３４０は、具体的には、酸化物半導体から構成される。例えば、半導体層３４０の材料としては、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）及び亜鉛（Ｚｎ）のうち、少なくとも１種を含む酸化物半導体材料を用いる。例えば、半導体層３４０は、アモルファス酸化インジウムガリウム亜鉛（ＩｎＧａＺｎＯ：ＩＧＺＯ）などの透明アモルファス酸化物半導体（ＴＡＯＳ：Ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ  Ａｍｏｒｐｈｏｕｓ  Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）から構成される。なお、半導体層３４０の材料としては、アモルファスシリコン、又は、シリコンの単結晶などを用いてもよい。半導体層３４０の膜厚は、例えば、９０ｎｍである。
【０１０５】
絶縁層３５０は、半導体層３４０上に形成され、半導体層３４０を保護するチャネル保護層として機能する。具体的には、絶縁層３５０は、半導体層３４０の上方に形成する第２配線パターン３６０のパターニングの際に、半導体層３４０がエッチングされることを防止するエッチングストッパ層として機能する。これにより、ボトムゲート型のＴＦＴにおいて、半導体層３４０のバックチャネル側のプロセスダメージを低減することができる。
【０１０６】
絶縁層３５０は、例えば、酸化物絶縁層又は窒化物絶縁層を用いた単層絶縁層又は積層絶縁層である。絶縁層３５０としては、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、シリコン酸窒化膜、酸化アルミニウム膜などを利用することができる。絶縁層３５０の膜厚は、例えば、１９０ｎｍである。
【０１０７】
第２配線パターン３６０は、基板３１０の上方に、第１配線パターン３２０及び絶縁層（具体的には、ゲート絶縁層３３０及び絶縁層３５０）を介して設けられた、銅（Ｃｕ）とモリブデン（Ｍｏ）との積層構造を有する金属膜から構成される配線パターンである。例えば、第２配線パターン３６０は、絶縁層３５０上に順に形成された、厚さ２０ｎｍのＭｏ膜と、厚さ３００ｎｍのＣｕ膜と、厚さ６５ｎｍのＣｕＭｎ合金膜とを有する。なお、Ｍｏ膜、Ｃｕ膜及びＣｕＭｎ合金膜の膜厚は一例であって、これに限らない。また、ＣｕＭｎ合金膜は設けられていなくてもよい。
【０１０８】
第２配線パターン３６０は、複数の配線を含んでいる。具体的には、第２配線パターン３６０は、図１０及び図１１に示すように、複数の配線として、データ信号線１５１と、選択トランジスタ２３０のドレイン電極２３３及びソース電極２３４と、ＲＥＦトランジスタ２５０のドレイン電極２５３及びソース電極２５４と、Ｖｅｌ電源線１６２とを含んでいる。なお、ドレイン電極２３３は、データ信号線１５１の一部である。
【０１０９】
なお、図示しないが、第２配線パターン３６０は、画素２００に含まれる他のトランジスタ（例えば、駆動トランジスタ２２０など）のドレイン電極又はソース電極、他の配線（例えば、Ｖｔｆｔ電源線１６１など）、及び、保持容量２７０の他方の電極などを含んでいてもよい。
【０１１０】
［５．表示パネルの製造方法］
以下では、図８に示す表示パネル１００の製造方法について、図１２〜図１３Ｂを用いて説明する。
【０１１１】
図１２は、本実施の形態に係る表示パネル１００の製造方法を示すフローチャートである。図１３Ａ及び図１３Ｂは、本実施の形態に係る表示パネル１００の製造方法において各工程の断面及び平面を示す図である。なお、図１３Ａ及び図１３Ｂにおいて、右側の図が平面図であり、左側の図が右側の図のＸＩ−ＸＩ線における断面図である。
【０１１２】
図１２に示すように、本実施の形態に係る表示パネル１００の製造方法は、ＴＦＴを形成する工程（Ｓ１０）と、リペア処理を実行する工程（Ｓ２０）と、有機ＥＬ素子を形成する工程（Ｓ３０）とを含んでいる。以下では、ＴＦＴを形成する工程（Ｓ１０）を中心に、図１３Ａ及び図１３Ｂに示す断面図及び平面図を用いて詳細に説明する。
【０１１３】
まず、図１２及び図１３Ａの（ａ）に示すように、銅（Ｃｕ）とモリブデン（Ｍｏ）との積層構造を有する金属膜（Ｃｕ／Ｍｏ膜）を基板３１０の上方に成膜する（Ｓ１１）。例えば、スパッタリング装置を用いて、厚さ１０ｎｍのＭｏ膜を基板３１０上に成膜し、さらに、Ｍｏ膜上に厚さ３００ｎｍのＣｕ膜を成膜する。
【０１１４】
次に、Ｃｕ／Ｍｏ膜をパターニングすることで、第１配線パターン３２０を形成する（Ｓ１２）。Ｃｕ／Ｍｏ膜のパターニングは、フォトリソグラフィ及びウェットエッチングによって行うことができる。Ｃｕ／Ｍｏ膜のウェットエッチングは、例えば、過酸化水素水（Ｈ２Ｏ２）及び有機酸を混合した薬液を用いることができる。これにより、図１３Ａの（ａ）に示すように、ＳＣＡＮ信号線１４１、ＲＥＦ信号線１４３及びＶｒｅｆ電源線１６３を含む第１配線パターン３２０を形成する。
【０１１５】
次に、図１２に示すように、リペア処理を実行する（Ｓ２０）。
【０１１６】
まず、ショート欠陥部の有無を検査する（Ｓ２２）。具体的には、図１を用いて説明したように、ショート欠陥部の有無を判定し、ショート欠陥部が存在する場合には、その場所を特定する。当該検査は、例えば、顕微鏡を用いた目視などによって実行される。
【０１１７】
ショート欠陥部は、例えば、ＳＣＡＮ信号線１４１とＲＥＦ信号線１４３との間、あるいは、ＲＥＦ信号線１４３とＶｒｅｆ電源線１６３との間に発生しうる。ショート欠陥部は、例えば、フォトリソグラフィ及びウェットエッチングの工程において、Ｃｕ／Ｍｏ膜がエッチングにより除去されなかったことにより発生する。ショート欠陥部が発生した場合、表示パネル１００には、「横線欠陥」が発生する。
【０１１８】
検査の結果、ショート欠陥部が存在する場合には、当該ショート欠陥部に緑色のレーザ光を照射する（Ｓ２４）。具体的には、４９０ｎｍ以上５７０ｎｍ以下のピーク波長を有する緑色のパルスレーザ光を複数回照射する。より具体的には、１．６Ｊ／ｃｍ２以上３．９Ｊ／ｃｍ２以下のエネルギー密度で、５Ｈｚ以上の周波数のパルスレーザ光を、ショート欠陥部に複数回照射する。これにより、ショート欠陥部を除去（切断）することで、第１配線パターン３２０のリペア、すなわち、短絡した配線の絶縁化を行う。
【０１１９】
なお、本実施の形態では、緑色のレーザ光をショート欠陥部に直接照射する。すなわち、Ｃｕ／Ｍｏ膜を成膜し、パターニングした後、次の層（具体的には、ゲート絶縁膜）を形成する前に、リペア処理を実行する。つまり、ＴＦＴの形成工程（Ｓ１０）の途中でリペア処理（Ｓ２０）を実行する。
【０１２０】
これにより、レーザ光のエネルギーを効率良くＣｕ／Ｍｏ膜に伝えることができ、ショート欠陥部の除去を効率良く行うことができる。また、他の層（上層に形成するゲート絶縁層３３０及び半導体層３４０など）への影響を少なくすることができる。
【０１２１】
次に、第１配線パターン３２０の上方に、ゲート絶縁層３３０を形成する（Ｓ１３）。例えば、プラズマＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）などによって、第１配線パターン３２０を覆うように、厚さ３５０ｎｍのシリコン窒化膜と厚さ５０ｎｍのシリコン酸化膜とを順に成膜することで、ゲート絶縁層３３０を形成する。
【０１２２】
シリコン窒化膜は、例えば、シランガス（ＳｉＨ４）、アンモニアガス（ＮＨ３）及び窒素ガス（Ｎ２）を導入ガスに用いることで成膜することができる。シリコン酸化膜は、例えば、シランガス（ＳｉＨ４）と亜酸化窒素ガス（Ｎ２Ｏ）とを導入ガスに用いることで成膜することができる。
【０１２３】
さらに、基板３１０の上方に半導体膜３４１を成膜する（Ｓ１４）。例えば、スパッタリングによって、ゲート絶縁層３３０上に、ＩｎＧａＺｎＯ膜を半導体膜３４１として成膜する。具体的には、組成比がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１のターゲット材を用いた、酸素（Ｏ２）とアルゴン（Ａｒ）との混合ガス雰囲気でのスパッタリングによって、ゲート絶縁層３３０上に、厚さ９０ｎｍのアモルファスＩｎＧａＺｎＯ膜を成膜する。
【０１２４】
これにより、図１３Ａの（ｂ）に示すように、基板３１０上に、第１配線パターン３２０、ゲート絶縁層３３０及び半導体膜３４１が順に積層される。
【０１２５】
次に、半導体膜３４１をパターニングすることで、半導体層３４０（チャネル層２３２及びチャネル層２５２）を形成する（Ｓ１５）。具体的には、フォトリソグラフィ及びウェットエッチングによって、ＩｎＧａＺｎＯ膜をパターニングする。ＩｎＧａＺｎＯ膜のウェットエッチングは、例えば、リン酸（Ｈ３ＰＯ４）、硝酸（ＨＮＯ３）、酢酸（ＣＨ３ＣＯＯＨ）及び水（Ｈ２Ｏ）を混合した薬液を用いて行うことができる。
【０１２６】
これにより、図１３Ａの（ｃ）に示すように、基板３１０の上方であって、ゲート電極２３１に対向する位置にチャネル層２３２を形成し、ゲート電極２５１に対向する位置にチャネル層２５２を形成する。
【０１２７】
次に、図１３Ａの（ｄ）に示すように、半導体層３４０を覆うように、層間絶縁膜３５１を成膜する（Ｓ１６）。例えば、プラズマＣＶＤによって、半導体層３４０を覆うように、厚さ１９０ｎｍのシリコン酸化膜を成膜する。
【０１２８】
次に、図１３Ｂの（ｅ）に示すように、成膜した層間絶縁膜３５１をパターニングすることで、コンタクトホール３７１〜３７５を形成する（Ｓ１７）。これにより、コンタクトホール３７１〜３７５が形成された絶縁層３５０（チャネル保護層）が形成される。
【０１２９】
具体的には、フォトリソグラフィ及ドライエッチングによって、層間絶縁膜３５１（シリコン酸化膜）をパターニングする。シリコン酸化膜のドライエッチングは、例えば、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）によって行うことができる。エッチングガスとしては、例えば、四フッ化炭素（ＣＦ４）及び酸素ガス（Ｏ２）を用いることができる。ガス流量、圧力、印加電力及び周波数などのパラメータは、基板サイズ、エッチングの膜厚などによって適宜設定される。
【０１３０】
なお、コンタクトホール３７１は、選択トランジスタ２３０のドレイン電極２３３をチャネル層２３２に電気的及び物理的に接続するために、チャネル層２３２の一部（ドレイン領域）を露出させる開口部である。コンタクトホール３７２は、選択トランジスタ２３０のソース電極２３４をチャネル層２３２に電気的及び物理的に接続するために、チャネル層２３２の一部（ソース領域）を露出させる開口部である。
【０１３１】
コンタクトホール３７３は、ＲＥＦトランジスタ２５０のドレイン電極２５３をチャネル層２５２に電気的及び物理的に接続するために、チャネル層２５２の一部（ドレイン領域）を露出させる開口部である。コンタクトホール３７４は、ＲＥＦトランジスタ２５０のソース電極２５４をチャネル層２５２に電気的及び物理的に接続するために、チャネル層２５２の一部（ソース領域）を露出させる開口部である。
【０１３２】
コンタクトホール３７５は、ＲＥＦトランジスタ２５０のソース電極２５４をＶｒｅｆ電源線１６３に電気的及び物理的に接続するために、Ｖｒｅｆ電源線１６３の一部を露出させる開口部である。
【０１３３】
次に、図１３Ｂの（ｆ）に示すように、絶縁層３５０の上方にソースドレイン金属膜３６１を成膜する（Ｓ１８）。具体的には、コンタクトホール３７１〜３７５を埋めるようにして、絶縁層３５０上にソースドレイン金属膜３６１を成膜する。例えば、スパッタリング装置を用いて、厚さ２０ｎｍのＭｏ膜を絶縁層３５０上に成膜し、さらに、Ｍｏ膜上に厚さ３００ｎｍのＣｕ膜を成膜し、Ｃｕ膜上に厚さ６５ｎｍのＣｕＭｎ合金膜を成膜する。
【０１３４】
次に、図１３Ｂの（ｇ）に示すように、ソースドレイン金属膜３６１をパターニングすることで、第２配線パターン３６０を形成する（Ｓ１９）。具体的には、フォトリソグラフィ及びウェットエッチングによって、ソースドレイン金属膜３６１（ＣｕＭｎ／Ｃｕ／Ｍｏ膜）をパターニングする。ＣｕＭｎ／Ｃｕ／Ｍｏ膜のウェットエッチングは、例えば、過酸化水素水（Ｈ２Ｏ２）及び有機酸を混合した薬液を用いることができる。
【０１３５】
これにより、図１３Ｂの（ｇ）に示すように、選択トランジスタ２３０のドレイン電極２３３及びソース電極２３４と、ＲＥＦトランジスタ２５０のドレイン電極２５３及びソース電極２５４と、データ信号線１５１とを含む第２配線パターン３６０を形成する。
【０１３６】
以上のようにして、選択トランジスタ２３０及びＲＥＦトランジスタ２５０などのＴＦＴを形成することができる。なお、第２配線パターン３６０を形成した後、有機ＥＬ素子を形成する前に、リペア処理（Ｓ２０）を実行してもよい。
【０１３７】
最後に、ＴＦＴの上方に、発光素子２１０として有機ＥＬ素子を形成する（Ｓ３０）。具体的には、ポリイミドなどからなる平坦化膜を形成した後、平坦化膜上に有機ＥＬ素子を形成する。より具体的には、平坦化膜上に、陽極、発光層を含む有機機能層、及び、陰極を順に積層することで、有機ＥＬ素子を形成する。
【０１３８】
［６．まとめ］
以上のように、本実施の形態に係る表示パネル１００の製造方法は、基板３１０の上方に設けられた、銅とモリブデンとの積層構造を有する第１配線パターン３２０の一部に、緑色のレーザ光を照射することで、当該一部を除去する工程を含む。
【０１３９】
これにより、緑色のレーザ光を用いることで、Ｃｕ／Ｍｏ膜を適切に除去することができる。したがって、第１配線パターン３２０の加工及びショート欠陥部の除去（切断）などを行うことができる。
【０１４０】
また、例えば、本実施の形態では、レーザ光のピーク波長は、４９０ｎｍ以上５７０ｎｍ以下である。
【０１４１】
これにより、Ｃｕ膜及びＭｏ膜の各々の光の吸収率が略同じである範囲のピーク波長を有するレーザ光を用いるので、Ｃｕ／Ｍｏ膜にレーザ光のエネルギーを略均等に伝えることができる。したがって、Ｃｕ／Ｍｏ膜が略同時に昇華されて適切に除去することができる。
【０１４２】
また、例えば、本実施の形態では、除去する工程では、第１配線パターン３２０の一部に緑色のパルスレーザ光を複数回照射する。
【０１４３】
これにより、パルスレーザ光を複数回照射することで、Ｃｕ／Ｍｏ膜が昇華されないで残ることを抑制することができる。
【０１４４】
また、例えば、本実施の形態では、除去する工程では、１．６Ｊ／ｃｍ２以上３．９Ｊ／ｃｍ２以下のエネルギー密度で、５Ｈｚ以上の周波数のパルスレーザ光を、第１配線パターン３２０の一部に複数回照射する。
【０１４５】
これにより、パルスレーザ光のエネルギーが弱すぎて、Ｃｕ／Ｍｏ膜が昇華されないで残ることを抑制することができる。また、パルスレーザ光のエネルギーが強すぎて、照射範囲の周辺部が隆起するなどのダメージを与えることを抑制することができる。また、５Ｈｚ以上の周波数のパルスレーザ光を照射するので、Ｃｕ／Ｍｏ膜が昇華されないで残ることを抑制することができる。
【０１４６】
また、例えば、本実施の形態では、除去する工程では、レーザ光を第１配線パターン３２０の一部に直接照射する。
【０１４７】
これにより、第１配線パターン３２０を形成直後にレーザ光を照射するので、レーザ光が他の層へ与える影響を小さくすることができる。
【０１４８】
また、例えば、本実施の形態では、第１配線パターン３２０は、複数の配線を含み、表示パネル１００の製造方法は、さらに、第１配線パターンの一部であって、複数の配線のうち２つの間を短絡するショート欠陥部の有無を検査する工程を含み、除去する工程では、ショート欠陥部が存在する場合に、レーザ光をショート欠陥部に照射することで、ショート欠陥部を除去して複数の配線のうち２つを絶縁する。
【０１４９】
これにより、第１配線パターン３２０のショート欠陥を修復することができる。
【０１５０】
また、例えば、本実施の形態では、表示パネル１００の製造方法は、さらに、複数の配線の１つをゲート電極として有するトランジスタを形成する工程と、トランジスタによって発光が制御される発光素子を形成する工程とを含む。
【０１５１】
また、例えば、本実施の形態では、発光素子は、有機ＥＬ素子である。
【０１５２】
なお、有機ＥＬ素子を駆動するための画素回路では、例えば５つのトランジスタを有するなど配線パターンの高精細化が求められる。本実施の形態によれば、緑色のレーザ光を用いた微細加工が可能になるので、より有用である。
【０１５３】
また、例えば、本実施の形態に係る表示パネル１００のリペア方法は、基板３１０の上方に設けられた、銅とモリブデンとの積層構造を有する第１配線パターン３２０の一部であって、第１配線パターン３２０が含む複数の配線のうち２つの間を短絡するショート欠陥部に、緑色のレーザ光を照射することで、ショート欠陥部を除去して複数の配線のうち２つを絶縁する工程を含む。
【０１５４】
これにより、緑色のレーザ光を用いることで、Ｃｕ／Ｍｏ膜を適切に除去することができる。したがって、第１配線パターン３２０のショート欠陥部の除去（切断）を行うことができる。
【０１５５】
（他の実施の形態）
以上のように、本出願において開示する技術の例示として、実施の形態を説明した。しかしながら、本開示における技術は、これに限定されず、適宜、変更、置き換え、付加、省略などを行った実施の形態にも適用可能である。
【０１５６】
そこで、以下では、他の実施の形態を例示する。
【０１５７】
例えば、上記実施の形態では、ショート欠陥部に緑色のレーザ光を照射することで、当該ショート欠陥部を除去（切断）する例について示したが、これに限らない。つまり、上記実施の形態では、意図せずにできたショート欠陥部（配線パターンの一部）に緑色のレーザ光を照射したが、意図して形成した配線パターンの一部に緑色のレーザ光を照射してもよい。すなわち、緑色のレーザ光を照射することで、配線パターンを加工してもよい。これにより、配線パターンの微細加工を実現することができる。
【０１５８】
また、例えば、上記実施の形態では、銅（Ｃｕ）とモリブデン（Ｍｏ）との積層構造について、Ｍｏ膜上にＣｕ膜が形成された例について示したが、これに限らない。例えば、Ｃｕ膜上にＭｏ膜が形成されてもよい。また、Ｃｕ膜とＭｏ膜との間に他の金属層が含まれてもよい。このときの他の金属層は、例えば、光の吸収率がＣｕ及びＭｏと同等である金属材料を主成分として含んでいることが好ましい。
【０１５９】
また、例えば、上記実施の形態では、レーザ光としてパルスレーザ光を用いたが、これに限らない。レーザ光は、ＣＷレーザ光でもよい。この場合、レーザ光の照射時間を適切に設定することで、配線パターンの一部を除去することができる。
【０１６０】
また、例えば、上記実施の形態では、パルスレーザ光を複数回照射する例について示したが、１回でもよい。例えば、極薄の金属膜などを加工する場合は、１回の照射で十分な場合も考えられる。
【０１６１】
また、例えば、上記実施の形態では、配線パターンを形成直後にレーザ光を照射する例について示したが、これに限らない。例えば、ゲート絶縁膜を成膜した後に、レーザ光を照射してもよい。また、レーザ光を基板側から照射してもよい。
【０１６２】
以上のように、本開示における技術の例示として、実施の形態を説明した。そのために、添付図面及び詳細な説明を提供した。
【０１６３】
したがって、添付図面及び詳細な説明に記載された構成要素の中には、課題解決のために必須な構成要素だけでなく、上記技術を例示するために、課題解決のためには必須でない構成要素も含まれ得る。そのため、それらの必須ではない構成要素が添付図面や詳細な説明に記載されていることをもって、直ちに、それらの必須ではない構成要素が必須であるとの認定をするべきではない。
【０１６４】
また、上述の実施の形態は、本開示における技術を例示するためのものであるから、特許請求の範囲又はその均等の範囲において種々の変更、置き換え、付加、省略などを行うことができる。
【産業上の利用可能性】
【０１６５】
本開示に係る表示パネルの製造方法及びリペア方法は、銅とモリブデンとの積層構造を有する金属膜の加工、又は、不要な金属膜の除去などを行うことができ、例えば、有機ＥＬ表示パネルなどの表示パネルの製造方法及びリペア方法などに利用することができる。
【符号の説明】
【０１６６】
１０、３１０  基板
２０  配線パターン
２１  ショート欠陥部
２２  第１配線
２３  第２配線
１００  表示パネル
１１０  表示領域
１２０  走査線駆動回路
１３０  データ線駆動回路
１４０、１５０  配線
１４１  ＳＣＡＮ信号線
１４２  ＥＮＢ信号線
１４３  ＲＥＦ信号線
１４４  ＩＮＩ信号線
１５１  データ信号線
１６１  Ｖｔｆｔ電源線
１６２  Ｖｅｌ電源線
１６３  Ｖｒｅｆ電源線
１６４  Ｖｉｎｉ電源線
２００  画素
２１０  発光素子
２２０  駆動トランジスタ
２３０  選択トランジスタ
２３１、２５１  ゲート電極
２３２、２５２  チャネル層
２３３、２５３  ドレイン電極
２３４、２５４  ソース電極
２４０  イネーブルトランジスタ
２５０  ＲＥＦトランジスタ
２６０  ＩＮＩトランジスタ
２７０  保持容量
３２０  第１配線パターン
３３０  ゲート絶縁層
３４０  半導体層
３４１  半導体膜
３５０  絶縁層
３５１  層間絶縁膜
３６０  第２配線パターン
３６１  ソースドレイン金属膜
３７１、３７２、３７３、３７４、３７５  コンタクトホール
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３Ａ】
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【図１３Ｂ】
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