(57)【要約】【課題】プリント配線板の電子部品が搭載されるパッドの接続信頼性の向上。【解決手段】金属箔を用意することと、金属箔上に、金属箔と異なる材料からなる金属膜を形成することと、金属膜上に、第１開口を有する第１マスクを形成することと、第１マスクの第１開口で露出される金属膜を除去することで、金属膜からなる第２マスクを形成することと、第２開口と第１開口で露出される金属箔上に導体を形成することと、第１マスクを除去することと、導体および第２マスク上に樹脂絶縁層を形成することと、金属箔を除去することと、第２マスクを除去することと、導体を部分的に除去することで、ピラーとピラーを支えるパッドとからなる電極１７を形成すること、を含む。【選択図】図１
2016162851.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１面と前記第１面と反対側の第２面とを有する金属箔を用意することと、
前記金属箔の第２面上に、該金属箔と異なる金属膜を形成することと、
前記金属膜上に、前記金属膜の一部を露出する第１開口を有する第１マスクを形成することと、
前記第１マスクの前記第１開口で露出される前記金属膜を除去することで、前記金属箔を露出する第２開口を有する前記金属膜からなる第２マスクを形成することと、
前記第２開口と前記第１開口で露出される前記金属箔の第２面上に導体を形成することと、
前記第１マスクを除去することと、
前記導体および前記第２マスク上に樹脂絶縁層を形成することと、
前記金属箔を除去することで前記導体の一面を露出することと、
前記第２マスクを選択的に除去することと、
前記導体の前記一面を部分的に覆う第３マスクを形成することと、
前記第３マスクから露出する前記導体を部分的に除去することで、前記導体の一面を含むピラーと前記ピラーを支えるパッドとからなる電極を形成することと、
前記３マスクを除去すること、
とを有するプリント配線板の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載のプリント配線板の製造方法であって、
前記樹脂絶縁層の前記導体側と反対側の第２表面側から、前記樹脂絶縁層を貫通し、前記導体の前記一面と反対面を露出させる開口部を形成することと、
前記開口部内に導電体を埋め込むことでビア導体を形成すると共に、前記樹脂絶縁層の前記第２表面に第２導体層を形成することと、
前記電極の形成の際に、前記ビア導体に接続されていて前記導体の一部の除去により薄くされた第１パターンを含む第１導体層を形成することと、
前記樹脂絶縁層および前記第１導体層上に、前記電極が開口部で露出するようにソルダーレジスト層を形成すること、
とをさらに有している。
【請求項３】
請求項１記載のプリント配線板の製造方法であって、
前記前記ピラーと前記パッドとの境界部の外形が湾曲面に形成されている。
【請求項４】
請求項１記載のプリント配線板の製造方法であって、
前記パッドのトップ面とボトム面の間の距離である厚さは、前記ピラーの下から外周部に行くにつれて薄くなるように前記導体がエッチングされる。
【請求項５】
請求項１記載のプリント配線板の製造方法であって、
前記ピラーと前記パッドとの境界部は、外形が直角に交わり、前記パッドのトップ面が前記ボトム面と平行になるように前記導体がエッチングされる。
【請求項６】
請求項５記載のプリント配線板の製造方法であって、
前記ピラーの下面と前記パッドのトップ面とが同一平面になるように前記導体がエッチングされる。
【請求項７】
請求項１記載のプリント配線板の製造方法であって、
前記ピラーの上面側と下面側とで前記ピラーの径を異ならせる。
【請求項８】
請求項１記載のプリント配線板の製造方法であって、
前記導体が電気めっき法で形成される。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品搭載用の電極を有するプリント配線板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１は、回路基板と半導体パッケージを開示している。そして、特許文献１の回路基板は、絶縁膜と絶縁膜の下面に形成されている下層配線と絶縁膜上に形成されている上層配線と絶縁膜を貫通し上層配線と下層配線を接続するビアホールを有している。絶縁膜の下面には凹部が形成されている。下層配線は、その凹部内に埋め込まれている。凹部内に埋め込まれた下層配線にエッチングバリア層が形成されている。エッチングバリア層上にバンプが接続されている。半導体デバイスがバンプに接続されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】米国特許第７３９７０００号明細書
【発明の概要】
【背景技術の課題】
【０００４】
特許文献１は、特許文献１の図５に半導体パッケージを示している。特許文献１の図５によれば、半導体素子は回路基板の下層配線上に実装されている。特許文献１の図５に示されるように、下層配線は絶縁層から凹んでいる。そのため、半導体素子と下層配線との間の距離が長くなると考えられる。回路基板に半導体素子を実装することが難しいと予想される。半導体デバイスと絶縁膜との間隔が狭くなると考えられる。また、回路基板と半導体素子間にアンダーフィルを充填することが難しいと予想される。さらに、下層配線は一面を除いた全ての面が絶縁膜により囲まれている。左右への曲げの自由度がないと考えられる。回路基板と半導体デバイス間の接続信頼性が低いと予想される。また、回路基板の下層配線に半導体デバイスが直接バンプにより接続されている。半導体デバイスと回路基板との間に熱膨張率の差があると、熱膨張率差に基づく応力が吸収され難いと予想される。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明のプリント配線板の製造方法は、第１面と前記第１面と反対側の第２面とを有する金属箔を用意することと、前記金属箔の第２面上に、該金属箔と異なる金属膜を形成することと、前記金属膜上に、前記金属膜の一部を露出する第１開口を有する第１マスクを形成することと、前記第１マスクの前記第１開口で露出される前記金属膜を除去することで、前記金属箔を露出する第２開口を有する前記金属膜からなる第２マスクを形成することと、前記第２開口と前記第１開口で露出される前記金属箔の第２面上に導体を形成することと、前記第１マスクを除去することと、前記導体および前記第２マスク上に樹脂絶縁層を形成することと、前記金属箔を除去することで前記導体の一面を露出することと、前記第２マスクを選択的に除去することと、前記導体の前記一面を部分的に覆う第３マスクを形成することと、前記第３マスクから露出する前記導体を部分的に除去することで、前記導体の一面を含むピラーと前記ピラーを支えるパッドとからなる電極を形成することと、前記３マスクを除去すること、を有する。
【０００６】
本発明の実施形態のプリント配線板の製造方法によれば、パッドとピラーとが一体に形成される。ピラーは樹脂絶縁層の第１表面より突出している。そのため、電子部品の搭載作業が容易である。電子部品を実装する歩留まりが高くなる。ピラーの周囲は空間であり、曲げなどの自由度が高い。電子部品とプリント配線板との間の熱膨張率差に対しても接続信頼性が大幅に高くなる。
【０００７】
電子部品を搭載するピラーが樹脂絶縁層の第１表面から突出している。電子部品の搭載が容易になる。電子部品とプリント配線板との間隔が広くなる。アンダーフィルを電子部品とプリント配線板との間に充填しやすい、
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の一実施形態により製造されるプリント配線板を説明するための断面図。
【図２Ａ】電極の一例を示す図。
【図２Ｂ】電極の別例を示す図。
【図２Ｃ】電極の別例を示す図。
【図２Ｄ】電極の別例を示す図。
【図２Ｅ】図２Ａ、２Ｃ、２Ｄの電極が形成される理由を示す図。
【図３Ａ】本発明の一実施形態のプリント配線板の製造方法を示す図。
【図３Ｂ】本発明の一実施形態のプリント配線板の製造方法を示す図。
【図３Ｃ】本発明の一実施形態のプリント配線板の製造方法を示す図。
【図３Ｄ】本発明の一実施形態のプリント配線板の製造方法を示す図。
【図３Ｅ】本発明の一実施形態のプリント配線板の製造方法を示す図。
【図３Ｆ】本発明の一実施形態のプリント配線板の製造方法を示す図。
【図３Ｇ】本発明の一実施形態のプリント配線板の製造方法を示す図。
【図３Ｈ】本発明の一実施形態のプリント配線板の製造方法を示す図。
【図３Ｉ】本発明の一実施形態のプリント配線板の製造方法を示す図。
【図３Ｊ】本発明の一実施形態のプリント配線板の製造方法を示す図。
【図３Ｋ】本発明の一実施形態のプリント配線板の製造方法を示す図。
【図３Ｌ】本発明の一実施形態のプリント配線板の製造方法を示す図。
【図３Ｍ】本発明の一実施形態のプリント配線板の製造方法を示す図。
【図３Ｎ】本発明の一実施形態のプリント配線板の製造方法を示す図。
【図４Ａ】図１の電極のピラーの構造の別例を示す図。
【図４Ｂ】図１の電極のピラーの構造の別例を示す図。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
本発明のプリント配線板の製造方法の一実施形態が、図面を参照して説明される。図１は、実施形態により製造されたプリント配線板１の断面図である。実施形態の製造方法は、図３Ａから３Ｎに示されている。実施形態のプリント配線板１の製造方法では、第１面Ｆ１と第１面Ｆ１と反対側の第２面Ｆ２とを有する金属箔１３が用意される（図３Ａ参照）。金属箔１３の第２面Ｆ２上に、金属箔１３と異なる材料からなる金属膜１９ａが形成される。その金属膜１９ａ上に、金属膜１９ａの一部を露出する第１開口２０ａを有する第１マスク２０が形成される（図３Ｂ参照）。第１マスク２０の第１開口２０ａで露出される金属膜１９ａが除去される。金属箔１３を露出する第２開口１９ｂを有する金属膜１９ａからなる第２マスク１９が形成される（図３Ｃ参照）。第２開口１９ｂと第１開口２０ａで露出される金属箔１３の第２面Ｆ２上に導体２１が形成される（図３Ｄ参照）。第１マスク２０が除去される（図３Ｅ参照）。導体２１および第２マスク１９上に樹脂絶縁層３０が形成される（図３Ｆ参照）。金属箔１３が除去されることで導体２１の一面Ｍ１が露出する（図３Ｊ参照）。第２マスク１９が選択的に除去される（図３Ｋ参照）。導体２１の一面Ｍ１を部分的に覆う第３マスク２３が形成される（図３Ｌ参照）。第３マスク２３から露出する導体２１が部分的に除去される。それにより、導体２１の一面Ｍ１を含むピラー１７ｂとピラー１７ｂを支えるパッド１７ａとからなる電極１７が形成される（図３Ｍ参照）。第３マスク２３が除去される（図３Ｎ参照）。
【００１０】
実施形態は、電子部品の搭載用の電極１７の製造方法を特徴としている。実施形態は、さらに、ビア導体の形成工程や支持板１８の除去工程を含んでいてもよい。その具体例は図３Ｇ〜３Ｉに示されている。この方法は一例であって、この方法には限定されない。
【００１１】
すなわち、実施形態のプリント配線板１の製造方法は、次の工程をさらに有していてもよい。前述の樹脂絶縁層３０が形成された後に、樹脂絶縁層３０の導体２１側と反対側の第２表面ＳＦ２側から、樹脂絶縁層３０を貫通して導体２１の第２面Ｍ２を露出させる開口部３１が形成される（図３Ｇ参照）。導体２１の第２面Ｍ２は導体２１の一面Ｍ１と反対面である。開口部３１内に導体を埋め込むことでビア導体１５が形成される。ビア導体１５と同時に、樹脂絶縁層３０の第２表面ＳＦ２の上に電気めっき膜１４ｃを有する第２導体層１４が形成される（図３Ｈ参照）。電極１７の形成の際に、ビア導体１５に接続されていて導体２１の一部の除去により薄くされた第１パターン２２ａを含む第１導体層２２が形成される（図３Ｍ参照）。樹脂絶縁層３０の第１表面ＳＦ１および第１導体層２２上に、電極１７が開口部１６ａで露出するように第１ソルダーレジスト層１６が形成される。また、第２表面ＳＦ２および第２導体層１４の表面には第２ソルダーレジスト層１６０が形成される（図１参照）。
【００１２】
なお、ピラー１７ｂの平面形状は特定の形状に限定されない。たとえば、ピラー１７ｂの平面形状は、円形、矩形、多角形、または、楕円形であってよい。
【００１３】
また、搭載される電子部品の例は、半導体素子、受動素子（キャパシタや抵抗器など）、再配置層を有するインターポーザ、再配線層を有する半導体素子、ＷＬＰ（Wafer Level Package）などである。ピラー１７ｂは、パッド１７ａより細い径（幅）で形成された柱状の部分で、パッド１７ａより細く柱状に立っている部分である。後述する図２Ｂに示されるように、ピラー１７ｂとパッド１７ａとの境界に角部Ｃが形成されている場合には、その角部Ｃを通る平面がピラー１７ｂの下面１７Ｕになる。図２Ａに示されるように境界がコーナ部になっている場合には、そのコーナ部のいずれかの点Ｃ２を通る面がピラー１７ｂの下面１７Ｕになる。ピラー１７ｂは、下面１７Ｕと上面１７Ｕとの間のｈ（図２Ａ参照）の長さで示される部分である。
【００１４】
図１は、実施形態により製造されたプリント配線板の断面図である。図１を参照すると、電子部品実装用の電極１７が樹脂絶縁層３０の第１表面ＳＦ１で、第１ソルダーレジスト層１６から露出している。電極１７以外の第１導体層２２は第１ソルダーレジスト層１６で覆われている。電極１７のみが第１ソルダーレジスト層１６の開口部１６ａに露出している。電極１７の上面１７Ｔは第１ソルダーレジスト層１６の上面１６Ｔよりも上側に位置することが好ましい。電極１７に電子部品を実装することが容易になる。電極１７と第１パターン２２ａおよび第２パターン２２ｂとは、同じ材料から形成されている。電極１７のエッチングのされ方は、第１および第２パターン２２ａ、２２ｂと異なる。そのため、電極１７と、第１および第２パターン２２ａ、２２ｂとは、異なる形状に形成されている。電極１７はパッド１７ａとピラー１７ｂとを有している（図２Ａ参照）。第１パターン２２ａ、第２パターン２２ｂおよび電極１７は、纏めて第１導体層とよばれる。
【００１５】
電極１７の構造は、図２Ａに拡大図で示されている。電極１７はパッド１７ａとパッド１７ａ上のピラー１７ｂとで形成されている。パッド１７ａとピラー１７ｂとは同じ金属材料により形成されている。パッド１７ａとピラー１７ｂとは一体である。例えば、これらは同じめっき膜で形成されている。パッド１７ａは樹脂絶縁層３０と対向するバック面Ｂとバック面Ｂと反対側のトップ面Ｔを有する。そして、パッド１７ａのトップ面Ｔは、図２Ａに示されるように、樹脂絶縁層３０の第１表面ＳＦ１から凹んでいる。第１表面ＳＦ１とトップ面Ｔの間に空間が存在している。
【００１６】
ピラー１７ｂは上面１７Ｔと上面１７Ｔと反対側の下面１７Ｕを有する。下面１７Ｕは図中に点線で描かれている。ピラー１７ｂの上面１７Ｔ上に電子部品が実装される。ピラー１７ｂは下面１７Ｕを介してパッド１７ａに接続している。ピラー１７ｂの長さｈは１５μｍ以上であって、３５μｍ以下である。長さｈが所定の長さを有するので、電子部品の実装歩留まりが高い。また、ピラー１７ｂは空中に晒されている。電子部品の熱膨張係数とプリント配線板１の熱膨張係数の違いに起因するストレスがピラー１７ｂで緩和される。電子部品とプリント配線板間のヒートサイクルに対する接続信頼性が長期間安定する。ピラー１７ｂの下面１７Ｕとパッド１７ａのトップ面Ｔとは、図２Ｂのように同一平面でもよい。図２Ａのように、トップ面Ｔが下面１７Ｕより下がり、傾斜する曲面でもよい。または、トップ面Ｔは、図２Ｃのように、傾斜する平坦面となるように形成されてもよい。エッチングの仕方でパッド１７ａの形状が定められる。
【００１７】
実施形態により製造されるプリント配線板１のパッド１７ａとピラー１７ｂは一体に形成される。例えば、両者は同じめっき膜で形成される。電気銅めっきが好ましい。従って、図２Ａ〜２Ｄのピラー１７ｂの下面１７Ｕとパッド１７ａとの境界部には接合面は存在しない。一方、ピラー１７ｂの上面１７Ｔの横方向にかかる力によるストレスは、ピラー１７ｂとパッド１２ａとの境界部、すなわちピラー１７ｂの下面１７Ｕに集中し易いと考えられる。この境界部が電極１７の幅の変化部であるからである。図２Ａの例では、点Ｃ２は、ピラー１７ｂの下面１７Ｕの外周上にある。図２Ｂおよび図２Ｃの例では、角部Ｃおよび角部Ｃ３はピラー１７ｂの下面１７Ｕの外周上にある。実施形態では、前述のように、下面１７Ｕとパッド１７ａとの境界部には接合面は存在しない。そのため、両者の境界部から電極１７にクラックが発生し難い。境界部にストレスが集中しても電極１７が劣化し難い。
【００１８】
また、実施形態では、ピラー１７ｂの周囲は空間である。そのため、ピラー１７ｂは容易に変形および変位し得る。下面１７Ｕへのストレス集中が緩和され易いと考えられる。また、図２Ａに示される例では、ピラー１７ｂは、点Ｃ２付近で、上面１７Ｔ側から下面１７Ｕ側に向かって徐々に太くなっている。図２Ｃに示される例では、ピラー１７ｂは、上面１７Ｔ側から下面１７Ｕ側に向かって徐々に太くなっている。このようなピラー１７ｂの場合には、点Ｃ２や角部Ｃ３に集中する傾向にあるストレスは、その周囲にも分散すると考えられる。図２Ａの例では、長さｈと太さ（径）Ｗ３とのバランスで一番応力がかかるところが点Ｃ２である。点Ｃ２の位置の径は、径Ｗ３である。図２Ｃの例では、角部Ｃ３に一番応力がかかると考えられる。角部Ｃ３の位置の径が、径Ｗ３である。径Ｗ３と、ピラー１７ｂの上面１７Ｔの径Ｗ１との比（Ｗ３／Ｗ１）は１.２以下で、１.０５以上が好ましい。径Ｗ３が径Ｗ１よりも大きくなっている。そのため強度が向上する。このような点Ｃ２や角部Ｃ３に応力が集中しても、電極１７が劣化し難い。電極１７の破壊は生じ難い。図２Ａ〜２Ｄの例のいずれにおいても、点Ｃ２または角部Ｃもしくは角部Ｃ３を外周に含むピラー１７ｂの下面１７Ｕはパッド１７ａと一体である。その境界部には接合面が存在しない。そのため、境界部にクラックが入りにくい。
【００１９】
電子部品搭載用のピラー１７ｂはパッド１７ａ上に形成されている。樹脂絶縁層３０の第１表面ＳＦ１から突出している。パッド１７ａのトップ面Ｔが第１表面ＳＦ１から凹んでいても、ピラー１７ｂの上面１７Ｔは第１表面ＳＦ１から突出しているので、電子部品がプリント配線板１上に確実に実装される。突出している高さＨ１は図２Ａに示されている。高さＨ１は１８μｍ以上、３０μｍ以下である。ピラー１７ｂに電子部品が確実に実装される。電子部品とプリント配線板１間にアンダーフィルが充填され得る。プリント配線板１への電子部品の実装によりプリント配線板１と電子部品とで形成される応用例が得られる。
【００２０】
図２Ａのピラー１７ｂの形状は円柱である。パッド１７ａの平面形状は円である。そして、図２Ａでは、ピラー１７ｂとパッド１７ａは、上面１７Ｔの中心を通り上面１７Ｔに垂直な面で切断されている。また、上面１７Ｔの中心を通り上面１７Ｔに垂直な直線はパッド１７ａのトップ面Ｔの中心を通ることが好ましい。しかし、これには限定されない。ピラー１７ｂおよびパッド１７ａは、それぞれ異なる外形に形成されてもよい。ピラー１７ｂおよびパッド１７ａは、四角形または多角形で形成されるかもしれない。
【００２１】
図２Ａに示されるようにピラー１７ｂはパッド１７ａの略中央に形成されている。そして、ピラー１７ｂの上面１７Ｔの径Ｗ１はパッド１７ａの径Ｗ２より小さい。従って、パッド１７ａのトップ面Ｔはピラー１７ｂの外周部に露出している。ピラー１７ｂの径Ｗ１はピラー１７ｂの上面１７Ｔの径である。もしくは、ピラー１７ｂが角柱などのように、円柱でない場合には、上面１７Ｔの外周に属する２点間の距離の内、最大の値が径Ｗ１に相当する。パッド１２ａの径Ｗ２はパッドのトップ面Ｔの径である。もしくは、トップ面Ｔの外周に属する２点間の距離の内、最大の値が径Ｗ２に相当する。
【００２２】
径Ｗ１は１５μｍ以上であって、７５μｍ以下である。径Ｗ２は３０μｍ以上であって、１００μｍ以下である。そして、径Ｗ２と径Ｗ１の比（径Ｗ２／径Ｗ１）は１.５以上であって、２.５以下である。比（径Ｗ２／径Ｗ１）が所定の値を有するので、ピラー１７ｂでストレスが緩和される。また、ヒートサイクルでピラー１７ｂが劣化し難い。図２Ａの径Ｗ１は２０μｍであり、径Ｗ２は３５μｍである。
【００２３】
図２Ａに示されるように、トップ面Ｔは第１表面ＳＦ１から凹んでいて、第１表面ＳＦ１とピラー１７ｂの下面１７Ｕとの間の距離Ｈ２は５μｍ以下である。図２Ａの例では、トップ面Ｔは、下面１７Ｕよりさらに凹んでいる。
【００２４】
図２Ａの例では、ピラー１７ｂとパッド１７ａとの境界部分が、凹曲面でなだらかに変化している。しかし、図２Ｂのように、ピラー１７ｂとパッド１７ａが直角に交わっていてもよい。このような構造は、イオンスパッタリングのような機械的要素を含むドライエッチングにより得られる。図２Ｂの例では、ピラー１７ｂの径Ｗ１は、下面１７Ｕでも上面１７Ｔの径Ｗ１と殆ど同じである。このような構造であれば、ピラー１７ｂの下面１７Ｕとパッド１７ａのトップ面Ｔとが同一平面になる。ピラー１７ｂの上面１７Ｔにストレスがかかると、ピラー１７ｂとパッド１７ａの交点である角部Ｃに一番力がかかる。角部Ｃを通る平面、すなわちピラー１７ｂの下面１７Ｕは、同じ材料により一体に形成されたパッド１７ａとピラー１７ｂとの境界面である。従って、この角部Ｃにストレスがかかっても、この境界面は破断または剥離し難い。また、クラックが入ることもない。また、図２Ａの構造と同様に、電子部品の熱膨張係数とプリント配線板１の熱膨張係数の違いに起因するストレスがピラー１７ｂで緩和される。そのため、ヒートサイクルを受けても、電子部品とプリント配線板間の接続信頼性が長期間安定する。また、図２Ａの構造と同様に、電子部品の実装歩留まりが高い。
【００２５】
図２Ｃに示される構造も、図２Ａと同様に、ピラー１７ｂの太さが変り得る。パッド１７ａのトップ面Ｔが傾斜している。湾曲している図２Ａのトップ面Ｔと異なり、パッド１７ａのトップ面Ｔは平面状で傾斜している。このような傾斜面は、次の方法により得られる。例えば後述されるエッチング液が、図２Ｅ（ａ）に矢印で示されるように、上側から吹き付けられる。それにより、導体２１の周縁部Ｐ１の近傍はエッチング液の当たりがよくエッチングされやすい。第３マスク２３の近傍Ｐ２ではエッチング液が当たり難い。そのため、第３マスク２３の近傍Ｐ２ではエッチング量が少なく、導体２１の周縁部Ｐ１ではエッチング量が多くなる。その結果、導体２１の表面は図２Ｅ（ｂ）に示されるように、傾斜面になる。その後もエッチング液が上方から吹き付けられることにより、斜面を流れるエッチング液と吹き付けられるエッチング液とで周縁部がより低くなり、図２Ｃに示される形状が得られる。このエッチング液の吹付力が弱くなると、周縁部のエッチング量も小さくなる。その結果、図２Ａに示されるような湾曲面になる。さらに吹付力が弱くなると、樹脂絶縁層３０と接する周縁部では、樹脂絶縁層３０の障害による吹付圧の低下により、エッチング液の照射が弱められ、周縁部のエッチング量が減る。その場合の形状が図２Ｄに示されている。すなわち、周縁端部Ｅはパッド１７ａのトップ面Ｔの一番低い所ではなくなる。図２Ｄで、図２Ａと同じ部分は図２Ａ同じ符号が付されている。
【００２６】
図１に示されるプリント配線板の製造方法の一実施形態が、図３Ａ〜３Ｎを参照して具体例により説明される。
【００２７】
図３Ａに示されるように、第１面Ｆ１とその第１面Ｆ１と反対側の第２面Ｆ２とを有する金属箔１３が用意される。たとえば、金属箔１３の第１面Ｆ１が支持板１８に貼り付けられる。例えば金属箔１３の厚さは２〜７μｍである。好ましい厚さは５μｍである。このように金属箔１３は薄いため、工程中の取り扱いを容易にするため、通常は、支持板１８などの適度な合成を備える支持体に固定される。工程内で支障が無ければ、金属箔１３は、単独で、または、他の支持体に固定されて、用いられてもよい。金属箔１３は、例えば銅箔である。ニッケル箔が用いられてもよい。支持板１８の例は、金属板や銅張積層板である。図３Ａでは、支持板１８として、両面銅張積層板が用いられる。そして、両面銅張積層板（支持板）１８の両面に金属箔１３が積層される。両面銅張積層板（支持板）１８は、例えば基板１８ａの両面にキャリア銅箔１８ｂが貼り付けられている。基板１８ａの厚さは１００μｍである。キャリア銅箔１８ｂの厚さは１５μｍ以上、３０μｍ以下である。キャリア銅箔１８ｂの厚さは、好ましくは１８μｍである。支持板１８と金属箔１３間に、図示されていないリバアルファ（日東電工製のREVALPHA）が形成されていて、リバアルファで支持板１８と金属箔１３間は接着されている。リバアルファの接着力は加熱で低下する。リバアルファ以外の接着剤が用いられてもよい。
【００２８】
このキャリア銅箔１８ｂと基板１８ａとからなる支持板１８は、後の工程で除去される。そのため、後述される導体２１等と分離できるように、この表面に金属箔１３が設けられている。金属箔１３とキャリア銅箔１８ｂとが、先に積層されてもよい。その金属箔１３付きのキャリア銅箔１８ｂが基板１８ａに接合されてもよい。金属箔１３とキャリア銅箔１８ｂとの接合は、前述の日東電工製のリバアルファが用いられてよい。金属箔１３付きのキャリア銅箔１８ｂは、基板１８ａ等に熱圧着などにより接合される。基板１８ａにはプリプレグが用いられ得る。金属箔１３と支持板１８またはキャリア銅箔１８ｂとは、製品領域外の外周で接合されてもよい。支持板１８には、プリプレグが用いられる必要はない。支持板１８の材料は金属箔１３が固定されるものであればよい。例えば金属板、セラミック板、樹脂板、など薄い金属箔１３を支持できるものが用いられる。
【００２９】
図３Ｂに示されるように、金属箔１３の第２面Ｆ２上に、金属箔１３と異なる材料からなる金属膜１９ａが形成される。金属膜１９ａは、金属箔１３とは異なる材料が用いられる。金属箔１３が銅箔である場合には、金属膜１９ａは、例えばニッケルのめっき膜が用いられる。それにより、導体２１や金属箔１３と、金属膜１９ａとが、一方ずつ選択的にエッチングされる。従って、金属膜１９ａの材料は、選択的にエッチングすることができる材料であれば、特に限定されない。金属膜１９ａは数μｍの厚さに形成される。
【００３０】
金属膜１９ａ上に、第１開口２０ａを有する第１マスク２０が形成される。第１開口２０ａは金属膜１９ａの一部を露出する。この第１開口２０ａは、電極１７を含む第１導体層２２のパターンの形成場所に形成される。第１マスク２０は、金属膜１９ａの選択的エッチングのために形成される。第１マスク２０の下側の金属膜１９ａの部分だけがエッチング後に残存する。第１マスク２０には、通常のレジスト膜が用いられる。フォトリソグラフィ技術により第１開口２０ａが形成される。
【００３１】
図３Ｃに示されるように、第１マスク２０の第１開口２０ａで露出される金属膜１９ａが除去される。その結果、金属膜１９ａに第２開口１９ｂが形成される。第１開口２０ａおよび第２開口１９ｂに金属箔１３が露出する。すなわち、金属膜１９ａからなる第２マスク１９が形成される。たとえば、ニッケルをエッチングし、銅はエッチングしないエッチング液が用いられる。エッチング液の例は、例えばメック社製のＮＨ−１８６０シリーズである。第１マスク２０で被覆されないで露出するニッケルからなる金属膜１９ａのみがエッチングされる。銅からなる金属箔１３はエッチングされないで露出する。すなわち、第１マスク２０と同じパターンで、金属膜１９ａからなる第２マスク１９が形成される。その結果、第１マスク２０および第２マスク１９のそれぞれの開口２０ａ、１９ｂに金属箔１３が露出する。
【００３２】
図３Ｃに示される状態のプリント配線板全体が、例えば、銅めっき液に浸漬される。金属膜１３をシード層として、第１および第２の開口２０ａ、１９ａから露出する金属箔１３上のみに銅からなる電気めっき膜が形成される。図３Ｄに示されるように、電気めっき膜からなる導体２１が形成される。この導体２１の厚さは、２０μｍ以上、５０μｍ以下である。
【００３３】
図３Ｅに示されるように、たとえば、レジスト剥離液により第１マスク２０のみが除去される。レジスト剥離液としては、例えば有機酸系の薬液等が用いられる。第２マスク１９や導体２１は、金属であるため、何ら侵されない。
【００３４】
樹脂絶縁層３０用の樹脂フィルムおよび第２導体層１４の一部となる第２金属箔１４ａが、導体２１上および第２マスク１９上に積層される。その後、加熱プレスが行われる。樹脂フィルムが軟化した後硬化する。樹脂フィルムから樹脂絶縁層３０が形成される。樹脂絶縁層３０は、第１表面ＳＦ１と第１表面と反対側の第２表面ＳＦ２とを有する。樹脂絶縁層３０の第１表面ＳＦ１が金属箔１３と対向するように、樹脂絶縁層３０は積層される。樹脂絶縁層３０の第１表面ＳＦ１側に導体２１から形成される第１導体層２２が埋められる。第２金属箔１４ａは樹脂フィルムと重ねて接着されている。樹脂絶縁層３０の第２表面ＳＦ２側に第２金属箔１４ａが接着される。第２金属箔１４ａは、好ましくは、銅箔である。
【００３５】
樹脂絶縁層３０は、例えばシリカ等の無機粒子とエポキシ等の樹脂で形成される。樹脂絶縁層３０は、さらに、ガラスクロス等の補強材を有してもよい。図３Ｆの樹脂絶縁層３０は無機粒子と補強材と樹脂で形成されている。また、樹脂絶縁層３０は、１層であってもよく、複数の絶縁層から形成されていてもよい。その場合、たとえば、樹脂絶縁層３０の熱膨張率、柔軟性、厚さが容易に調整され得る。樹脂絶縁層３０の厚さは、好ましくは、２５μｍ以上、１００μｍ以下である。
【００３６】
この後の図３Ｇ〜３Ｉの工程は、実施形態の発明に必須の方法ではない。一例が示されているだけである。第２導体層１４の形成が、図３Ｇに示されている。樹脂絶縁層３０の導体２１側と反対側の第２表面ＳＦ２側から、開口部３１が形成される。開口部３１は、樹脂絶縁層３０を貫通し、導体２１の一面Ｍ１と反対側の面Ｍ２を露出させる。開口部３１は、例えばレーザ光の照射により形成される。第１導体層２２と第２導体層１４とが接続される部分に開口部３１が形成される。図３Ｇに示される例では、第２金属箔１４ａの露出面から、ＣＯ2レーザ光等が照射されることにより開口部３１は形成される。開口部３１により導体２１の第２面Ｍ２が露出する。開口部３１内および第２金属箔１４ａ上に無電解めっき膜等により金属被膜１４ｂが形成される。この金属被膜１４ｂは、スパッタリングや真空蒸着などの方法により形成されてもよい。この金属被膜１４ｂの厚さは数μｍ程度である。金属被膜１４ｂは第２導体層１４の一部になる。
【００３７】
図３Ｈに示されるように、例えば電気めっきにより、ビア導体１５が形成される。このビア導体１５と共に、金属被膜１４ｂの上に電気めっき膜１４ｃが形成される。例えば金属被膜１４ｂの表面に、図示しないめっきレジスト膜が形成される。このめっきレジスト膜の所定の部分に開口が設けられる。めっきレジスト膜の開口内に金属被膜１４ｂをシード層として電気めっき膜が形成される。その後、めっきレジスト膜が除去される。第２導体層１４の電気めっき膜１４ｃが形成される。その後、全面がエッチング液に浸漬される。これにより、金属被膜１４ｂおよび第２金属箔１４ａの露出部がエッチングされる。すなわち、電気めっき膜１４ｃのパターンに合せてパターニングされる。この第２金属箔１４ａと、金属被膜１４ｂと、電気めっき膜１４ｃとからなる第２導体層１４のパターンが形成される。なお、金属被膜１４ｂおよび第２金属箔１４ａのパターニングの際に、電気めっき膜１４ｃも一部エッチングされる。しかし、第２金属被膜１４ｂおよび第２金属箔１４ａは薄いため、電気めっき膜１４ｃのエッチングされる量は少ない。電気めっき膜１４ｃは十分な厚さを維持し得る。
【００３８】
電気めっき膜１４ｃは、サブトラクト法により形成されてもよい。この場合は、電気めっき膜１４ｃのパターニングと同時に金属被膜１４ｂおよび第２金属箔１４ａのパターニングも行われる。
【００３９】
第２導体層１４の材料は、銅が例示される。第２導体層１４の厚さは、３μｍ以上、２０μｍ以下に形成される。第２導体層１４は、図１では１層として示されている。第２導体層１４は、図３Ｈに示されるように、例えば金属箔１４ａと金属被膜１４ｂと電気めっき膜１４ｃとにより形成されてもよい。しかし、第２導体層１４は、金属箔１層で形成されてもよい。ビア導体１５も、電気めっきにより形成されることには限定されない。導電体が開口部３１内に埋め込まれてもよい。
【００４０】
図３Ａ〜３Ｈに示される例のように、支持板１８が用いられている場合、図３Ｉに示されるように、支持板１８が除去される。それにより、金属箔１３の第１面Ｆ１が露出される。中間組立体１００が得られる。図３Ａ〜３Ｈに示される例では、支持板１８が除去されると、支持板１８の両面に形成された２組の中間組立体１００が得られる。図３Ｉには、その一方のみが示されている。前述のように、支持板１８（キャリア銅箔１８ｂ）と金属箔１３とは、温度を上昇させると接着力が弱くなる材料で接合されている。そのため、温度を上昇させることにより、容易に分離される。すなわち、温度が上昇した状態で引き剥がすことにより容易に分離される。その結果、金属箔１３のキャリア銅箔１８ｂとの接触面である第１面Ｆ１が露出する。
【００４１】
中間組立体１００の銅からなる金属箔１３がエッチングされる。たとえば、中間組立体１００が、銅のエッチング液に浸漬される。図３Ｊに示されるように、導体２１の一面Ｍ１が露出される。この際、第２導体層１４を被覆するようにレジストなどの保護膜が形成されることが好ましい。しかし、第２導体層１４が少々薄くなっても問題にならないほど充分な厚さに形成されていれば、保護膜の形成なしでエッチングがなされてもよい。金属箔１３の厚さは２〜６μｍと非常に薄い。第２導体層１４が被覆されない状態でエッチングがなされても影響が少ないと考えられる。
【００４２】
その後に、図３Ｋに示されるように、第２マスク１９が選択的に除去される。例えば中間組立体１００が、ニッケルからなる第２マスク１９をエッチングするエッチング液に浸漬される。銅をエッチングしないエッチング液が用いられる。エッチング液の例としては、例えばメック社製のＮＨ−１８６０シリーズが挙げられる。その結果、第２マスク１９のみが選択的に除去される。導体２１は殆ど影響を受けない。
【００４３】
導体２１の一面Ｍ１にレジスト膜が形成される。そして、フォトリソグラフィ技術により、パッド１７ａ上のピラー１７ｂの形成場所のみにレジスト膜が残るようにパターニングされる。その結果、図３Ｌに示されるように、第３マスク２３が形成される。電子部品が搭載されるピラー１７ｂ以外の部分の導体２１上には、全くレジスト膜は残されない。
【００４４】
第３マスク２３の平面形状は円形である。第３マスク２３が円形であれば円柱状のピラー１７ｂが形成される。第３マスク２３の平面形状は四角形でも多角形でもよい。
【００４５】
第３マスク２３から露出する導体２１が部分的に除去される。たとえば、導体２１を構成する銅をエッチングするエッチング液が用いられる。エッチング液を上方から吹き付けるエッチング方法によりエッチングがなされる。第３マスク２３で覆われる部分の近傍の導体２１には、エッチング液が充分に当らない。第３マスク２３の近傍部分のエッチングがやや遅れる。第３マスク２３から離れた部分では、エッチング液が充分に当る。この部分の導体２１はエッチングされやすい。そのため、第３マスク２３から離れた側でエッチングが進む。その結果、図２Ａに示されるように、導体２１は、全体として末広がりの形でエッチングされる。前述のように、エッチング液の吹付力が弱くなると、パッド１７ａの外周部でも、樹脂絶縁層３０によりエッチング液が当たり難いことがある。外周部でもエッチング量が少なくなるかもしれない。その場合は、図２Ｄ示されるように、パッド１７ａのトップ面Ｔにも凹部が形成されるかもしれない。第３マスク２３の下は全くエッチングされない。ピラー１７ｂが形成される。そのピラー１７ｂの裾は段々広がる。換言すると、径（幅）が徐々に広がる。パッド１７ａの厚さは徐々に減る。その結果、ピラー１７ｂとパッド１７ａとの境界部は、前述のように、コーナ部が形成される。そのコーナ部内の或る点Ｃ２を通る面がピラー１７ｂの下面１７Ｕになる。すなわち、ピラー１７ｂとパッド１７ａとの境界面になる。点Ｃ２は、ピラー１７ｂの上面１７Ｔに力が掛ったときに一番力がかかると想定される点である。下面１７Ｕの径はＷ３である。Ｗ３／Ｗ１は、１.２以下で１.０５以上が好ましい。図３Ｍに示されるように、導体２１の一面Ｍ１を含むピラー１７ｂとピラー１７ｂを支えるパッド１７ａとからなる電極１７が形成される。
【００４６】
このピラー１７ｂの下面１７Ｕは、ピラー１７ｂとパッド１７ａとが一体に形成されている。２種類の部分の接合面ではないので、下面１７Ｕは非常に堅固である。接合面のような剥離とかクラックが入り難い。従って、単に高いピラー１７ｂが形成されているだけでなく、高い耐久性を備える電極１７が得られる。電子部品搭載後の使用時とオフ時との温度差に伴うヒートサイクルに対する電極１７の信頼性が大幅に向上する。
【００４７】
この電極１７の形状は、導体２１のエッチングの仕方により変る。図２Ｂに示される形状の電極１７は、イオンスパッタ等の機械的エッチングを含むドライエッチングにより形成される。前述のエッチング液を用いる方法と同様に、第３マスク２３がマスクとして用いられ得る。ピラー１７ｂが全長にわたって上面１７Ｔの径とほぼ同じ径で形成される。ピラー１７ｂとパッド１７ａとの境界部は、ほぼ直角に交わっている。パッド１７ａのトップ面Ｔは樹脂絶縁層３０の第１表面ＳＦ１とほぼ平行に形成される。このトップ面Ｔは樹脂絶縁層３０の第１表面ＳＦ１より凹んでいる。凹み量は、５μｍ以下である。
【００４８】
ピラー１７ｂの上面１７Ｔにかかる力は、ピラー１７ｂの下面１７Ｕに最も及びやすいと考えられる。しかし、図２Ｂに示される例でも、パッド１７ａとピラー１７ｂとは同じ材料で一体に（同じ電気めっき膜で）形成されている。下面１７Ｕは接合面ではない。そのため、図２Ａに示される例と同様に、下面１７Ｕに剥離やクラックは入りにくい。すなわち、このようなエッチングでも、堅固な電極１７が得られる。また、信頼性の高い電極１７が得られる。
【００４９】
図２Ｃは、電極１７のさらに異なる形状の例である。図２Ｃの例では、パッド１７ａのトップ面Ｔが平面状で傾斜している。この形状も図２Ａの場合と同様に、ピラー１７ｂの径は一定とは限らない。ピラー１７ｂの径は下面１７Ｕ側ほど大きくなり得る。図２Ｃに示される形状は、たとえば、前述のように、エッチング液が上方から吹き付けられることにより得られる。ピラー１７ｂの周囲のエッチングが抑制されると共に、斜面を流れるエッチング液と吹き付けられるエッチング液とで周縁部がより低くなるからである。この場合、角部Ｃ３が形成される。角部Ｃ３を通る面がピラー１７ｂの下面１７Ｕになる。この場合も、ピラー１７ｂの下面１７Ｕの径Ｗ３は、図２Ａと同様に、上面１７Ｔの径Ｗ１より大きくなり得る。Ｗ３が大きくなり過ぎると、ピラー１７ｂの剛性が大きくなる。ピラー１７ｂの応力吸収機能が低下すると考えられる。一方、ピラー１７ｂが長いほど応力は吸収され易い。しかし、ピラー１７ｂが長くなるほど、（Ｗ１に対して）Ｗ３は大きくなる。Ｗ３／Ｗ１が適切な値であると、適度な剛性と応力吸収機能とが得られると考えられる。下面１７Ｕは、この両者のバランスの位置にあるのが好ましい。Ｗ３／Ｗ１は、好ましくは、１.２以下で１.０５以上である。
【００５０】
ピラー１７ｂから露出するパッド１７ａのトップ面Ｔは樹脂絶縁層３０の第１表面ＳＦ１に対し傾いている。外周に行くほど第１表面ＳＦ１からの凹みが大きくなる。換言すると、パッド１７ａの厚さ（パッド１７ａのボトム面Ｂとトップ面Ｔとの間の距離）は外周に行くほど薄くなる。ピラー１７ｂの側壁とパッド１７ａのトップ面Ｔとの間の角度は９０度より大きい。ピラー１７ｂの側壁とパッド１７ａのトップ面Ｔが９０度で交わっていないので、点Ｃ２にかかるストレスが分散される。電極１７の信頼性が高くなる。
【００５１】
電子部品が搭載される電極１７以外の部分の導体２１は、第３のマスク２３に覆われていない。そのため、電極１７の形成のためのエッチングの際に、露出している導体２１は全面に亘ってエッチングされる。その結果、図３Ｍに示されるように、露出している導体２１の表面全体がエッチングされる。第１パターン２２ａ、第２パターン２２ｂが通常の配線程度の厚さになる。第１パターン２２ａおよび第２パターン２２ｂも樹脂絶縁層３０の第１表面ＳＦ１から凹んでいる。第１パターン２２ａにはビア導体１５が接続される。第２パターン２２ｂは配線等である。この第１パターン２２ａおよび第２パターン２２ｂと電極１７とを有する第１導体層２２が形成される。
【００５２】
図３Ｎに示されるように、第３マスク２３が除去される。例えば有機酸系のレジスト剥離液等が用いられる。これにより、電子部品搭載用の電極１７の上面１７Ｔが露出する。
【００５３】
第１ソルダーレジスト層１６が樹脂絶縁層３０の第１表面ＳＦ１側に形成される。第１ソルダーレジスト層１６には、開口部１６ａが設けられる。開口部１６ａには、電子部品が搭載される電極１７のみが露出する。第１パターン２２ａ、第２パターン２２ｂおよび樹脂絶縁層３０の第１表面ＳＦ１はソルダーレジスト層１６により被覆されている。樹脂絶縁層３０の第２表面ＳＦ２にほぼ全面に第２ソルダーレジスト層１６０が形成される。第２ソルダーレジスト層１６０にも、マザーボードなどと接続されるパッドを露出させる開口部１６０ａが形成される。例えばソルダーレジストが第１表面ＳＦ１側、第２表面ＳＦ２側の略全面に塗布される。塗布されたソルダーレジストがフォトリソグラフィ技術を用いてパターニングされる。開口部１６ａまたは開口部１６０ａを有する第１および第２ソルダーレジスト層１６、１６０が形成される。これにより図１に示されるプリント配線板１が得られる。
【００５４】
図１に示される例では、電極１７の形成領域全体が開口部１６ａ内に露出している。第１ソルダーレジスト層１６は、開口部１６ａの範囲を除く周囲全体に形成されている。しかし、第１ソルダーレジスト層１６が、電極１７の形成領域内にまで形成されてもよい。その場合、開口部１６ａは、電極１７毎に設けられてよい。ソルダーレジスト層１６を構成する材料は、熱硬化性エポキシ樹脂が例示される。ソルダーレジスト層１６の厚さは、例えば２０μｍ程度に形成される。
【００５５】
この後、図示されていないが、電極１７および第１導体層２２の露出面には、ＯＳＰ、Ｎｉ／Ａｕ、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ、Ｓｎ等の表面処理が行われる。
【００５６】
図４Ａは電極１７の形状の別の例を示している。前述の図２Ａ〜２Ｄは主としてピラー１７ｂの下のパッド１７ａの形状例であった。図４Ａでは、ピラー１７ｂの上面１７Ｔからパッド１７ａに向かって、ピラー１７ｂは、徐々に太くなっている。ピラー１７ｂの側壁は、パッド１７ａからピラー１７ｂの上面１７Ｔに向かってテーパーしている。従って、ピラー１７ｂが劣化し難い。ヒートサイクルでピラー１７ｂの抵抗が高くならない。
【００５７】
図４Ａに示されるピラー１７ｂは次の方法で得られる。例えば、図２Ｂの構造に形成された後に、プリント配線板がピラー１７ｂの上面１７Ｔからエッチング液に浸漬される。エッチング液はピラー１７ｂの側壁に向かう流れを有している。ピラー１７ｂの側面のエッチング量が下面１７Ｕから上面１７Ｔに向かって大きくなる。そのため、ピラー１７ｂの側壁は図４Ａに示される形状を有する。
【００５８】
図４Ｂはピラー１７ｂの形状の他の例を示している。図４Ｂでは、ピラー１７ｂの上面１７Ｔからパッド１７ａに向かって、ピラー１７ｂは、徐々に細くなっている。ピラー１７の側壁は、ピラー１７ｂの上面１７Ｔからパッド１２ａに向かってテーパーしている。従って、ピラー１７ｂが変形しやすい。ピラー１７ｂでストレスが緩和される。ヒートサイクルでプリント配線板と電子部品間の接続抵抗が高くならない。
【００５９】
図４Ｂに示されるピラー１７ｂは次の方法で得られる。例えば、図２Ｂの構造に形成された後に、プリント配線板が樹脂絶縁層３０の第２表面ＳＦ２側からエッチング液に浸漬される。ピラー１７ｂの上面１７Ｔが、最後に、エッチング液内に入る。エッチング液はピラー１７ｂの側壁に向かう流れを有している。ピラー１７ｂの側面のエッチング量が上面１７Ｔから下面１７Ｕに向かって大きくなる。そのため、ピラー１７ｂの側壁は図４Ｂに示される形状を有する。
【００６０】
第１導体層２２は、樹脂絶縁層３０の第１表面ＳＦ１側に埋め込まれている。このように、第１導体層２２が樹脂絶縁層３０内に埋め込まれることは、プリント配線板１の薄型化に寄与する。さらに、第１導体層２２と樹脂絶縁層３０との密着性が向上する。一方で、導体層の量が第１表面ＳＦ１と第２表面ＳＦ２とで異なることにより、樹脂絶縁層３０の反りが生じやすい。しかし、実施形態では、電極１７に高いピラー１７ｂが形成されている。そのため、反りが生じても電子部品との接続が確実に行われやすい。また、ピラー１７ｂにより応力が吸収されやすい。そのため、接続の信頼性が大幅に向上すると考えられる。電子部品の搭載後の動作によりヒートサイクルが繰り返されても、電子部品との接続部の不具合が生じ難いと考えられる。
【００６１】
樹脂絶縁層３０と第２導体層１４上に樹脂絶縁層と導体層を交互に積層することができる。それにより多層のプリント配線板が形成され得る。
【００６２】
実施形態によれば、パッド１７ａとピラー１７ｂが１つの導体２１からエッチングにより形成される。導体２１は電気めっきにより形成される。ピラー１７ｂ付き電極１７の製造工程が短縮される。プリント配線板のコストダウンが達成される。パッド１７ａとピラー１７ｂは一体であり、その境界部に接合面がない。そのため、ピラー１７ｂにストレスが掛っても、ピラー１７ｂとパッド１２ａ間に剥離やクラックは発生し難いと考えられる。
【００６３】
また、実施形態の製造方法によれば、電子部品の搭載用の電極１７に高さの高いピラー１７ｂが形成される。そのピラー１７ｂの周囲は空間である。そのため曲げなどの変形の自由度が大きい。長いピラーは応力を吸収しやすい。また、ピラー１７ｂが樹脂絶縁層３０の第１表面ＳＦ１から突出している。そのため、電子部品の実装が容易である。
【００６４】
導体２１のエッチングの方法により、前述のように、種々の電極１７の形状が得られる。パッド１７ａの表面形状、ピラー１７ｂの外形形状が、図２Ａ〜２Ｄ、図４Ａ〜４Ｂのように、種々採用され得る。使用目的に応じてエッチング方法が採用され得る。
【００６５】
また、実施形態の製造方法によれば、ピラー１７ｂおよびパッド１７ａの材料とは異なる金属材料が第２マスクとして使用されている。そのため、樹脂絶縁層３０の第１表面ＳＦ１からの突出部分の長いピラー１７ｂが形成されやすい。さらに、ピラー１７ｂの下面１７Ｕを含む第１導体層２２が、樹脂絶縁層３０の第１表面ＳＦ１よりも樹脂絶縁層３０の内部側に潜っている。その結果、ピラー１７ｂが長くされ得る。ピラー１７ｂの応力吸収機能が高まる。しかも、ピラー１７ｂの上面は、樹脂絶縁層３０の第１表面ＳＦ１からあまり高くならない。その結果、電子部品の薄型化の要求が満たされながら、電子部品の接続の信頼性が向上されると考えられる。
【符号の説明】
【００６６】
１      プリント配線板
１３    金属箔
１４    第２導体層
１４ａ  第２金属箔
１４ｂ  金属被膜
１４ｃ  電気めっき膜
１５    ビア導体
１６    第１ソルダーレジスト層
１６ａ  開口部
１６０  第２ソルダーレジスト層
１７    電極
１７ａ  パッド
１７ｂ  ピラー
１８    支持板
１９    第２マスク
１９ａ  金属膜
２０    第１マスク
２１    導体
２２    第１導体層
２２ａ  第１パターン
２２ｂ  第２パターン
２３    第３マスク
３０    樹脂絶縁層
３１    開口部
ＳＦ１  第１表面
ＳＦ２  第２表面
【図１】
2016162851.tif 000003
【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図２Ｃ】
2016162851.tif 000006
【図２Ｄ】
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【図２Ｅ】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
2016162851.tif 000010
【図３Ｃ】
2016162851.tif 000011
【図３Ｄ】
2016162851.tif 000012
【図３Ｅ】
2016162851.tif 000013
【図３Ｆ】
2016162851.tif 000014
【図３Ｇ】
2016162851.tif 000015
【図３Ｈ】
2016162851.tif 000016
【図３Ｉ】
2016162851.tif 000017
【図３Ｊ】
2016162851.tif 000018
【図３Ｋ】
2016162851.tif 000019
【図３Ｌ】
2016162851.tif 000020
【図３Ｍ】
2016162851.tif 000021
【図３Ｎ】
2016162851.tif 000022
【図４Ａ】
2016162851.tif 000023
【図４Ｂ】
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