(57)【要約】【課題】第１バリア層および第２バリア層の界面における剥がれを抑制する。【解決手段】電子デバイス１は、基板１０と、基板１０に形成されたスペーサー層２０と、スペーサー層２０に形成された空洞部８０と、空洞部８０の側壁の少なくとも基板１０側の一部に形成されたバリア層３１と、空洞部８０の側壁の他の一部から上面にかけて形成されたバリア層３２と、バリア層３２の空洞部８０と反対の面に形成されたＭＥＭＳ構造体（４０、５０）とを有する。【選択図】図１
2016030304.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板に形成されたスペーサー層と、
前記スペーサー層に形成された第１空洞部と、
前記第１空洞部の側壁の少なくとも前記基板側の一部に形成された第１バリア層と、
前記第１空洞部の側壁の他の一部から上面にかけて形成された第２バリア層と、
前記第２バリア層の前記第１空洞部と反対の面に形成されたＭＥＭＳ構造体と
を有する電子デバイス。
【請求項２】
前記スペーサー層に形成された第２空洞部を有し、
前記第２バリア層は、前記第１空洞部および前記第２空洞部の間の壁面において、前記第１空洞部の側壁の前記ＭＥＭＳ構造体側の一部から前記第２空洞部の側壁の前記ＭＥＭＳ構造体側の一部にかけて形成されている
ことを特徴とする請求項１に記載の電子デバイス。
【請求項３】
基板上にスペーサー層を形成する工程と、
前記スペーサー層にトレンチを形成する工程と、
前記トレンチの少なくとも側壁に、第１バリア層を形成する工程と、
前記トレンチを埋める犠牲層を形成する工程と、
前記犠牲層の表面の平坦化をする工程と、
前記平坦化の後で、前記第１バリア層の表面側の一部のエッチングをする工程と、
前記エッチングの後で、前記犠牲層および前記スペーサー層に第２バリア層を形成する工程と、
前記第２バリア層にＭＥＭＳ構造体を形成する工程と、
前記犠牲層上の前記第２バリア層に開口部を形成する工程と、
前記開口部を介して前記犠牲層を除去する工程と
を有する電子デバイスの製造方法。
【請求項４】
前記犠牲層を除去する工程において、当該犠牲層は、ウェットエッチングにより除去される
ことを特徴とする請求項３に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項５】
前記第１バリア層の表面側の一部のエッチングをする工程において、当該エッチングはドライエッチングである
ことを特徴とする請求項３または４に記載の電子デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）構造体を有する電子デバイスおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
いわゆるＭＥＭＳデバイスは、例えば、ロボット、ＦＡ（Factory Automation）、物流、医療、介護・福祉、またはセキュリティなど様々な分野において、様々な物理状態（例えば、温度、光、音、加速度、傾きなど）のセンシングに用いられている。
【０００３】
例えば特許文献１は、ＭＥＭＳデバイスを用いた熱型光検出装置を開示している。この熱型光検出装置においては、空洞部の上にメンブレンが形成され、メンブレンの上に焦電型の熱検出素子が設けられている。この空洞部を形成する方法は以下のとおりである。まず、基板上に形成したスペーサー層（絶縁膜）にトレンチを形成し、トレンチおよびスペーサー層の表面に第１バリア層を形成する。トレンチを埋める犠牲層を形成する。犠牲層が形成された表面を平坦化する。平坦化した表面に第２バリア層を形成する。第２バリア層の上に、メンブレンを含むＭＥＭＳ構造体を形成する。第２バリア層に孔を形成する。この孔を介して犠牲層を除去し、空洞部とする。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平９−１３３５７８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
第１バリア層および第２バリア層のうち下部の層（例えばスペーサー層）との接続部分には応力が集中しやすい。この応力により、例えば犠牲層を除去するプロセス中に第１バリア層と第２バリア層とが剥がれ、エッチング液がスペーサー層に染み出してしまうという問題があった。あるいは、使用中にこの応力により第１バリア層と第２バリア層とが剥がれ、製品が破壊されてしまうという問題があった。
【０００６】
これに対し本発明は、第１バリア層および第２バリア層の界面における剥がれを抑制する技術を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、基板と、前記基板に形成されたスペーサー層と、前記スペーサー層に形成された第１空洞部と、前記第１空洞部の側壁の少なくとも前記基板側の一部に形成された第１バリア層と、前記第１空洞部の側壁の他の一部から上面にかけて形成された第２バリア層と、前記第２バリア層の前記第１空洞部と反対の面に形成されたＭＥＭＳ構造体とを有する電子デバイスを提供する。
【０００８】
この電子デバイスによれば、第１バリア層および第２バリア層の界面における剥がれを抑制することができる。
【０００９】
この電子デバイスは、前記スペーサー層に形成された第２空洞部を有し、前記第２バリア層は、前記第１空洞部および前記第２空洞部の間の壁面において、前記第１空洞部の側壁の前記ＭＥＭＳ構造体側の一部から前記第２空洞部の側壁の前記ＭＥＭＳ構造体側の一部にかけて形成されていてもよい。
【００１０】
この電子デバイスによれば、前記第１空洞部および前記第２空洞部の間における第１バリア層および第２バリア層の界面における剥がれを抑制することができる。
【００１１】
また、本発明は、基板上にスペーサー層を形成する工程と、前記スペーサー層にトレンチを形成する工程と、前記トレンチの少なくとも側壁に、第１バリア層を形成する工程と、前記トレンチを埋める犠牲層を形成する工程と、前記犠牲層の表面の平坦化をする工程と、前記平坦化の後で、前記第１バリア層の表面側の一部のエッチングをする工程と、前記エッチングの後で、前記犠牲層および前記スペーサー層に第２バリア層を形成する工程と、前記第２バリア層にＭＥＭＳ構造体を形成する工程と、前記犠牲層上の前記第２バリア層に開口部を形成する工程と、前記開口部を介して前記犠牲層を除去する工程とを有する電子デバイスの製造方法を提供する。
【００１２】
この製造方法によれば、第１バリア層および第２バリア層の界面における剥がれを抑制することができる。
【００１３】
前記犠牲層を除去する工程において、当該犠牲層は、ウェットエッチングにより除去されてもよい。
【００１４】
この製造方法によれば、ウェットエッチング時の第１バリア層および第２バリア層の界面における剥がれを抑制することができる。
【００１５】
前記第１バリア層の表面側の一部のエッチングをする工程において、当該エッチングはドライエッチングであってもよい。
【００１６】
この製造方法によれば、第１バリア層を容易にエッチングすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】一実施形態に係る電子デバイス１の断面構造を示す模式図。
【図２】電子デバイス１の平面構造を示す模式図。
【図３】電子デバイス１の製造方法を示すフローチャート。
【図４】ステップＳ１００の後の状態を例示する図。
【図５】ステップＳ１１０の後の状態を例示する図。
【図６】ステップＳ１２０の後の状態を例示する図。
【図７】ステップＳ１３０の後の状態を例示する図。
【図８】ステップＳ１４０の後の状態を例示する図。
【図９】ステップＳ１５０の後の状態を例示する図。
【図１０】ステップＳ１６０の後の状態を例示する図。
【図１１】ステップＳ１７０の後の状態を例示する図。
【図１２】ステップＳ１８０の後の状態を例示する図。
【図１３】ステップＳ１９０の後の状態を例示する図。
【図１４】ステップＳ２００の後の状態を例示する図。
【図１５】バリア層３２が基板１０側に突出していることの効果を示す図。
【図１６】アレイセンサー２００の回路構成を例示する図。
【図１７】電子機器４００を例示する図。
【図１８】電子機器５００を例示する図。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
１．構造
図１は、一実施形態に係る電子デバイス１の断面構造を示す模式図である。この例で、
電子デバイス１は、焦電型の赤外線検出装置である。電子デバイス１は、基板１０と、スペーサー層２０と、バリア層３０と、空洞部８０と、支持部４０と、赤外線検出素子６０とを有する。
【００１９】
基板１０はＭＥＭＳ構造体を形成するための基板である。基板１０としては例えばＳｉ基板が用いられる。ＭＥＭＳ構造体とは、空洞部の上に形成される支持体（メンブレン等。この例では支持部４０）、および支持体の上に形成されるデバイス（センサー素子、アクチュエーター素子、スイッチング素子等。この例では赤外線検出素子６０）を含む構造体である。
【００２０】
スペーサー層２０は、空洞部８０を形成するための層である。この例で、スペーサー層２０は、スペーサー層２１およびスペーサー層２２を含み、いずれも絶縁体、例えば酸化膜（ＳｉＯ2）で形成される。
【００２１】
空洞部８０は、スペーサー層２０の一部、具体的にはスペーサー層２２の一部に形成されている。空洞部８０の底面は、支持部４０の裏面（基板１０側の面）とほぼ平行である。空洞部８０は、底面、側壁、および支持部４０により囲まれている。支持部４０は、開口部６５を有する。空洞部８０の側壁は、底面から上面へ向かうにつれ広がるテーパー形状を有する。
【００２２】
バリア層３０は、空洞部８０の底面および側壁、並びに支持部４０の裏面に設けられている。バリア層３０は、赤外線を反射する機能（赤外線反射膜）および後述する犠牲層のエッチングにおけるエッチングストッパー層としての機能を有する。これら２つの機能を兼ね備えた材料として、例えば、Ｔｉ膜、ＡｌＯx膜、またはＳｉ3Ｎ4／Ｔｉの積層膜が用いられる。バリア層３０は、バリア層３１およびバリア層３２を有する。バリア層３１およびバリア層３２の詳細は後述する。
【００２３】
支持部４０はいわゆるメンブレンであり、空洞部８０の上部およびスペーサー層２０の上に形成されている。支持部４０は、例えば、ＡｌＯx膜またはＳｉ3Ｎ4膜により形成されている。支持部４０の裏面は空洞部８０に面しており、空洞部８０と反対側の表面には赤外線検出素子６０が形成される。
【００２４】
赤外線検出素子６０は、赤外線をセンシングする素子である。赤外線検出素子６０は、キャパシター５０と赤外線吸収部材７０とを有する
【００２５】
キャパシター５０は温度に応じて分極量が変化する素子であり、電極５１、電極５２、および焦電体５３を有する。これらの層は、支持部４０に近い方向から順に、電極５１、焦電体５３、および電極５２の順に積層されている。すなわち、焦電体５３は、電極５１および電極５２に挟まれている。電極５１および電極５２としては、例えば、ＰｔまたはＩｒが用いられる。焦電体５３としては、例えば、ＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛）またはＰＺＴＮ（ＰＺＴにＮｂを添加したもの）が用いられる。
【００２６】
キャパシター５０の表面には保護膜５４が形成されている。保護膜５４は、製造工程における還元雰囲気から焦電体５３を保護するためのものである。さらに、保護膜５４の上には絶縁膜５５が形成されている。保護膜５４および絶縁膜５５には、電極５１に通ずるコンタクトホール５６、および電極５２に通ずるコンタクトホール５７が形成されている。
【００２７】
コンタクトホール５６にはプラグ６１が形成されている。絶縁膜５５および支持部４０の上には、プラグ６１に接続される配線層５８が形成されている。同様に、コンタクトホ
ール５７にはプラグ６２が形成されている。絶縁膜５５および支持部４０の上には、プラグ６２に接続される配線層５９が形成されている。
【００２８】
配線層５８および配線層５９の上には、パッシベーション膜６３が形成されている。パッシベーション膜６３は、例えば、ＳｉＯ2またはＳｉ3Ｎ4により形成される。パッシベーション膜６３の上には、赤外線吸収部材７０が形成されている。赤外線吸収部材７０は、例えば、ＳｉＯ2またはＳｉ3Ｎ4により形成される。
【００２９】
赤外線吸収部材７０を含む電子デバイス１の表面には、保護膜７１が形成されている。保護膜７１は、例えばＡｌ2Ｏ3により形成される。保護膜７１は、赤外線の透過を阻害しないように、１０〜５０ｎｍの厚さ、例えば２０ｎｍの厚さで形成される。保護膜７１は、開口部６５の側壁にも形成されている。
【００３０】
図２は、電子デバイス１の平面構造を示す模式図である。この図では、電極５２より上の層は省略されている。なお図１は、図２のＩ−Ｉ断面を表している。
【００３１】
支持部４０は、支持部４０の本体部分から延びる２本のアーム（アーム４５およびアーム４６）を有している。アーム４５およびアーム４６の自由端部（本体部分と反対側の端部）は、ポスト２８およびポスト２９に接続されている。赤外線検出素子６０はポスト２８およびポスト２９と接続されている以外は基板１０またはスペーサー層２０とは非接触である。平面視したとき、赤外線検出素子６０の下方には空洞部８０が形成されており、周囲には開口部６５が形成されている。この構造により、赤外線検出素子６０は、基板１０から熱的に分離されている。
【００３２】
電子デバイス１が赤外線検出装置として動作する原理は以下のとおりである。赤外線検出素子６０に入射した赤外線は、赤外線吸収部材７０で吸収される。また、空洞部８０の底面で反射される等して支持部４０に達した赤外線は、支持部４０で吸収される。赤外線を吸収すると、赤外線吸収部材７０および支持部４０は発熱する。この熱により、キャパシター５０の自発分極量が変化する。自発分極による電荷を検出することにより、赤外線を検出することができる。
【００３３】
２．製造方法
図３は、電子デバイス１の製造方法を示すフローチャートである。また、図４〜１４は、各工程後の断面構造を例示する図である。
【００３４】
ステップＳ１００において、基板１０の上にスペーサー層２１およびスペーサー層２２が形成される（図４）。スペーサー層２１およびスペーサー層２２は、例えば、スパッタリングまたはＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）により形成される。
【００３５】
ステップＳ１１０において、スペーサー層２２にトレンチ（凹部または溝）が形成される（図５）。具体的には以下のとおりである。まず、スペーサー層２２の表面の全面にレジストが塗布される。レジストはフォトリソグラフィー工程によりパターニングされる。すなわち、トレンチを形成する領域からレジストは除去され、他の領域はレジストで覆われている。次に、エッチング（例えばウェットエッチング）によりトレンチが形成される。トレンチ形成後、レジストは除去される。なお、エッチングは、スペーサー層２２で止まる。すなわち、スペーサー層２１は、ステップＳ１１０で用いられるエッチャントによるエッチング速度がスペーサー層２２よりも遅い材料で形成されている。
【００３６】
ステップＳ１２０において、この時点において露出している表面、すなわちスペーサー層２１の表面およびトレンチにバリア層３１が形成される（図６）。バリア層３１は、例
えば、スパッタリングまたはＣＶＤにより形成される。
【００３７】
ステップＳ１３０において、犠牲層２３が形成される（図７）。犠牲層２３は例えばＣＶＤを用いて、ＳｉＯ2により形成される。犠牲層２３は、この時点において露出している表面、すなわちトレンチ部分およびそれ以外の部分を含め、バリア層３１の上に一様に形成される。この層は、少なくともトレンチの深さ以上の厚みを有している。
【００３８】
ステップＳ１４０において、犠牲層２３の表面が平坦化される（図８）。犠牲層２３の表面は、例えば、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）を用いて平坦化される。ステップＳ１３０において形成される犠牲層２３は、トレンチの形状に倣って段差を有している。ＣＭＰにより、スペーサー層２２の表面においてトレンチ以外の部分に形成されたバリア層３１および犠牲層２３は除去される。すなわちステップＳ１４０が終了した時点で、基板の表面において、トレンチ以外の部分は基板１０が露出しており、トレンチ部分は犠牲層２３が露出している。また、トレンチの壁面においてはバリア層３１が露出している。
【００３９】
ステップＳ１５０において、バリア層３１の一部がエッチングされる（図９）。このエッチングには、例えばドライエッチングが用いられる。バリア層３１は、表面から、トレンチの壁面の途中までエッチングされる。すなわち、ステップＳ１５０の終了時点で、基板の表面のうちトレンチの壁面部分は窪んでいる。
【００４０】
ステップＳ１６０において、バリア層３２が形成される（図１０）。バリア層３２は、この時点において露出している表面、すなわち、基板１０の表面、犠牲層２３、およびトレンチの壁面において露出しているバリア層３１の表面に形成される。バリア層３２の形状は平坦ではなく、トレンチの壁面に相当する領域では基板１０側に突出している。なお、バリア層３２は、例えば、スパッタリングまたはＣＶＤにより形成される。
【００４１】
ステップＳ１７０において、バリア層３２の上にＭＥＭＳ構造体が形成される（図１１）。すなわち、バリア層３２の上に、支持部４０および赤外線検出素子６０が形成される。なおここでは図面が煩雑になるのを避けるため、ＭＥＭＳ構造体の詳細な構造については図示を省略している。
【００４２】
ステップＳ１８０において、ＭＥＭＳ構造体に、犠牲層２３まで達する開口部６５が形成される（図１２）。開口部６５は、例えばフォトリソグラフィー工程およびエッチングを用いて形成される。まず、基板の全面にレジストが塗布され、開口部６５を形成する領域のレジストが除去される。次に、エッチング（例えばドライエッチングまたはウェットエッチング）により開口部６５が形成される。開口部６５の形成後、レジストは除去される。なお、犠牲層２３まで達するため、開口部６５は、少なくともバリア層３２における開口を含む。
【００４３】
ステップＳ１９０において、基板の表面に保護膜７１が形成される（図１３）。保護膜７１は、例えば、スパッタリングまたはＣＶＤにより形成される。
【００４４】
ステップＳ２００において、犠牲層２３が除去される（図１４）。犠牲層２３は、例えば、ウェットエッチングにより除去される。ウェットエッチングに先立ち、基板の表面にレジストが塗布される。レジストは、開口部６５の側壁および底面にも塗布される。さらに、フォトリソグラフィー工程により、開口部６５の底面のレジストが除去される。その後、開口部６５を介してエッチング液が導入される。
【００４５】
図１５は、バリア層３２が基板１０側に突出していることの効果を示す図である。図１
５（Ａ）は対比例として、バリア層３２の下面が基板１０側に突出していない、平坦な例を示している。すなわちこの面で、犠牲層２３の表面、バリア層３１とバリア層３２との界面、および（トレンチ以外の）スペーサー層２２の表面はほぼ平坦（フラット）である。ここで、支持部４０が何らかの原因で反り上がった場合、バリア層３１とバリア層３２との界面部分に集中する。この応力集中により、バリア層３１とバリア層３２とが剥がれてしまう場合がある。すると、エッチング液がトレンチの壁面に漏れ出してしまい、トレンチの壁面が意図せずエッチングされてしまう。
【００４６】
図１５（Ｂ）は、電子デバイス１におけるバリア層３１とバリア層３２との界面を示している。バリア層３２はトレンチの壁面に沿って埋没している（基板１０側に突出しているということもできる）ため、アンカー効果により、バリア層３１とバリア層３２との剥がれを抑制することができる。なお、この図のように、電子デバイスが断面において２つの空洞部（図の右側の空洞部と左側の空洞部）を有している場合、この間の壁面に応力がより集中しやすい。したがって、このような壁面において、図１５（Ａ）の構造に代わり図１５（Ｂ）の構造を採用すると、バリア層３１とバリア層３２との界面における剥がれを抑制することができる。
【００４７】
３．適用例
３−１．アレイセンサー
図１６は、電子デバイス１の適用例の一つであるアレイセンサー２００の回路構成を例示する図である。アレイセンサー２００は、複数の光検出セル３００を有する。複数の光検出セル３００は、二次元的に、より具体的にはマトリクス状に配置されている。アレイセンサー２００は、さらに、複数の走査線Ｗ１および複数のデータ線Ｄ１を有する。走査線Ｗ１およびデータ線Ｄ１は、複数の光検出セル３００の中から１つの光検出セル３００を選択するために用いられる。
【００４８】
アレイセンサー２００は、複数のトランジスターＭ２と、複数のトランジスターＭ３と、Ｉ／Ｖ変換回路３１０と、アンプ３２０と、Ａ／Ｄ変換器３３０とを有する。トランジスターＭ２は、データ線Ｄ１の電位を初期化するためのトランジスターである。トランジスターＭ３は、データ線Ｄ１からの信号を読み出すタイミングを制御するためのトランジスターである。トランジスターＭ３は、複数のデータ線Ｄ１の中から１本のデータ線Ｄ１を選択するためのトランジスターであるということもできる。トランジスターＭ２およびＭ３は、データ線Ｄ１毎に設けられている。
【００４９】
光検出セル３００は、電子デバイス１と、トランジスターＭ１とを有する。電子デバイス１は、上で説明したように焦電型の赤外線検出装置である。トランジスターＭ１は、光検出セル３００を選択するためのトランジスターである。
【００５０】
走査線Ｗ１には、複数の走査線Ｗ１に供給される信号、および複数のトランジスターＭ３の制御信号ＣＧを制御することにより、複数の光検出セル３００の中から、１本の走査線Ｗ１および１本のデータ線Ｄ１の交差に対応する光検出セル３００の信号を時分割で取り出すことができる。
【００５１】
選択されているデータ線Ｄ１を介して得られる電流信号は、選択されている走査線Ｗ１に対応する光検出セル３００に含まれるキャパシター５０における分極量に依存している。Ｉ／Ｖ変換回路３１０は、この電流信号を電圧信号に変換する。アンプ３２０は、この電圧信号を増幅する。Ａ／Ｄ変換器３３０は、増幅された電圧信号をデジタルデータに変換する。
【００５２】
こうして、アレイセンサー２００は、赤外線の強度分布を得ることができる。
【００５３】
３−２．電子機器
図１７は、電子デバイス１の適用例の一つである電子機器４００を例示する図である。この例で、電子機器４００は、赤外線カメラである。
【００５４】
電子機器４００は、光学系４１０と、センサーデバイス４２０と、画像処理部４３０と、処理部４４０と、記憶部４５０と、操作部４６０と、表示部４７０とを有する。
【００５５】
光学系４１０は、検出対象となる映像を、センサーデバイス４２０に供給する。光学系４１０は、例えば、レンズ、プリズム、およびこれらの駆動回路を含む。光学系４１０は、検出対象となる映像を、センサーデバイス４２０に結像させる。光学系４１０は、フォーカス調整の機能を有してもよい。
【００５６】
センサーデバイス４２０は、赤外線像を検出する装置、例えば上述のアレイセンサー２００である。
【００５７】
画像処理部４３０は、センサーデバイス４２０からのデジタルの画像データ（画素データ）に基づいて、画像補正処理等の各種の画像処理を行う。
【００５８】
処理部４４０は、電子機器４００の全体の制御を行う。処理部４４０は、例えばＣＰＵを含む。記憶部４５０は、各種の情報を記憶する装置であり、例えば処理部４４０や画像処理部４３０のワーク領域として機能する。操作部４６０は、ユーザーが電子機器４００を操作するためのインターフェイスとなるものであり、ボタン、キーパッド、またはタッチスクリーンなどの入力装置を含む。表示部４７０は、画像を表示する装置であり、例えばセンサーデバイス４２０により取得された画像やＧＵＩ画面等を表示する。表示部４７０は、例えば、液晶ディスプレイや有機ＥＬディスプレイ等のディスプレイを含む。
【００５９】
このように、センサーデバイス４２０としてアレイセンサー２００を用いることにより、赤外線（熱）分布の画像を得ることができる。電子機器４００は、サーモグラフィー、監視カメラ等として用いることができる。
【００６０】
なお、センサーデバイス４２０は、アレイセンサー２００を用いるものに限定されない。センサーデバイス４２０は、アレイではなくディスクリートのセンサー素子を有するものであってもよい。赤外線（熱）の分布に関する情報は得られないが、物理情報の解析（測定）を行う解析機器（測定機器）、火や発熱を検知するセキュリティ機器、工場等工程監視機器等として用いることができる。
【００６１】
３−３．工程監視装置
図１８は、電子デバイス１の適用例の一つである電子機器５００を例示する図である。この例で、電子機器５００は、工場等の装置の温度（発熱）を監視しながら、装置に異常がある場合には警告を行う装置である。
【００６２】
電子機器５００は、赤外線カメラ５１０と、温度分析部５２０と、人検出部５３０と、制御部５４０と、情報通知装置５５０とを有する。
【００６３】
赤外線カメラ５１０は、赤外線像を取得する装置である。赤外線カメラ５１０としては、上述の電子機器４００が用いられる。赤外線カメラ５１０は、工程の対象領域を撮影し、撮影された領域の画像情報を温度分析部５２０に出力する。
【００６４】
温度分析部５２０は、画像読取処理ユニットおよび温度分析処理ユニットを含む（いず
れも図示略）。画像読取処理ユニットは、赤外線カメラ５１０から出力された熱分布画像を読み取る。温度分析処理ユニットは、画像読取処理ユニットから出力されたデータおよび画像分析設定テーブルに基づいて温度分析テーブルを作成する。温度分析部５２０は、温度分析テーブルに基づいて温度データを制御部５４０へ出力する。
【００６５】
人検出部５３０は、赤外線カメラ５１０から出力される熱分布画像を用いて、対象領域に人間５７０がいるかどうかを検出する。人検出部５３０は、熱分布画像のうち人間の体温に相当する領域の動きから、人間５７０を検出する。人検出部５３０は、人間の有無を示す情報を制御部５４０に出力する。
【００６６】
制御部５４０は、温度分析部５２０から出力されたデータを用いて、工程内の装置５６０に異常が無いかを判断する。装置５６０が高温になる等の異常がある場合には、情報通知装置５５０にデータを送信する。また、装置５６０に異常がある場合において、人間５７０が検出されたときには、制御部５４０は、情報通知装置５５０にデータを送信する。
【００６７】
情報通知装置５５０は、人間５７０に異常を通知する。例えば、情報通知装置５５０は、警報音を出力することにより、異常の発生を通知する。このとき、装置５６０に異常がある場合において、人間５７０が検出されたときは、異なる警報音を用いてその旨を通知してもよい。
【００６８】
４．変形例
本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、種々の変形実施が可能である。以下、変形例をいくつか説明する。以下の変形例のうち２つ以上のものが組み合わせて用いられてもよい。
【００６９】
電子デバイス１の構造は、実施形態で説明したものに限定されない。例えば実施形態では、スペーサー層２１の上にスペーサー層２２を形成し、さらにスペーサー層２２にトレンチを形成する例を説明した。例えば、基板１０上に単一のスペーサー層を形成し、そのスペーサー層にトレンチを形成してもよい。あるいは、スペーサー層を用いず基板１０に直接トレンチを形成してもよい。
【００７０】
電子デバイス１は、焦電型の赤外線検出装置（赤外線センサー）に限定されない。超音波センサーや加速度センサーなど、赤外線センサー以外のセンサーであってもよい。
【００７１】
電子デバイス１を構成する各層の材料は実施形態で例示したものに限定されない。
【００７２】
本発明は、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において広く適用が可能である。
【符号の説明】
【００７３】
１…電子デバイス、１０…基板、２０…スペーサー層、２１…スペーサー層、２２…スペーサー層、２３…犠牲層、２８…ポスト、２９…ポスト、３０…バリア層、３１…バリア層、３２…バリア層、４０…支持部、４５…アーム、４６…アーム、５０…キャパシター、５１…電極、５２…電極、５３…焦電体、５４…保護膜、５５…絶縁膜、５６…コンタクトホール、５７…コンタクトホール、５８…配線層、５９…配線層、６０…赤外線検出素子、６１…プラグ、６２…プラグ、６３…パッシベーション膜、６５…開口部、７０…赤外線吸収部材、７１…保護膜、８０…空洞部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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