(57)【要約】【課題】発色ムラがなく、応答速度の優れた、エレクトロクロミック素子の提供。【解決手段】  第１の支持体上に形成した第１の電極層と、前記第１の電極層に対向するように設けたられた第２の支持体上に形成された第２の電極層と、前記第１の電極層と前記第２の電極層の間に設けられた電解質層と、前記第１の電極層及び前記第２の電極層のいずれか一方に接するように設けられたエレクトロクロミック層と、を有するエレクトロクロミック素子であって、前記エレクトロクロミック層を有する側の電極層よりも低抵抗な材料からなる補助電極を、前記補助電極が前記エレクトロクロミック層を有する側の前記電極層に接するように有しており、前記補助電極が、前記エレクトロクロミック層を有する側の前記支持体の表面に埋設されるとともに、前記補助電極の表面及び前記エレクトロクロミック層を有する側の支持体の表面とが成す面が平滑であるエレクトロクロミック素子である。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の支持体上に形成した第１の電極層と、
前記第１の電極層に対向するように設けたられた第２の支持体上に形成された第２の電極層と、
前記第１の電極層と前記第２の電極層の間に設けられた電解質層と、
前記第１の電極層及び前記第２の電極層のいずれか一方に接するように設けられたエレクトロクロミック層と、を有するエレクトロクロミック素子であって、
前記エレクトロクロミック層を有する側の電極層よりも低抵抗な材料からなる補助電極を、前記補助電極が前記エレクトロクロミック層を有する側の前記電極層に接するように有しており、
前記補助電極が、前記エレクトロクロミック層を有する側の前記支持体の表面に埋設されるとともに、前記補助電極の表面及び前記エレクトロクロミック層を有する側の支持体の表面とが成す面が平滑であることを特徴とするエレクトロクロミック素子。
【請求項２】
前記補助電極の表面と前記エレクトロクロミック層を有する側の支持体の表面との平均段差が５０ｎｍ以下である請求項１に記載のエレクトロクロミック素子。
【請求項３】
前記エレクトロクロミック層を有しない側の電極層よりも低抵抗な材料からなる補助電極を、前記エレクトロクロミック層を有しない側の電極層に接するように有しており、
前記補助電極が、前記エレクトロクロミック層を有しない側の支持体の表面に埋設されるとともに、前記補助電極の表面及び前記エレクトロクロミック層を有しない側の支持体の表面とが成す面が平滑である請求項１から２のいずれかに記載のエレクトロクロミック素子。
【請求項４】
前記補助電極の平均幅が、５μｍ〜５０μｍである請求項１から３のいずれかに記載のエレクトロクロミック素子。
【請求項５】
前記補助電極の平均厚みが、０．５μｍ〜１０μｍである請求項１から４のいずれかに記載のエレクトロクロミック素子。
【請求項６】
前記補助電極の材料が、金、銀、銅、アルミニウム、ニッケル、スズ、及びカーボンから選択される少なくとも一種である請求項１から５のいずれかに記載のエレクトロクロミック素子。
【請求項７】
前記第１の電極層及び前記第２の電極層が、導電性酸化物、導電性粒子又は導電性カーボンを含有する層である請求項１から６のいずれかに記載のエレクトロクロミック素子。
【請求項８】
請求項１から７のいずれかに記載のエレクトロクロミック素子を備えたことを特徴とするエレクトロクロミック調光部材。
【請求項９】
前記エレクトロクロミック調光部材が、調光眼鏡、調光ガラス、及び防眩ミラーのいずれかである請求項８に記載のエレクトロクロミック調光部材。
【請求項１０】
第１の支持体及び第２の支持体の少なくとも一方の、互いに対向する側の面に凹部を形成する凹部形成工程と、
前記凹部に、補助電極を形成する補助電極形成工程と、
前記第１の支持体及び前記第２の支持体のうち、少なくともエレクトロクロミック層を備えた側の支持体の前記補助電極が形成された面を平滑にする表面平滑工程と、
を少なくとも含むことを特徴とするエレクトロクロミック素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、エレクトロクロミック素子及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電圧を印加することで、可逆的に酸化還元反応が起こり、可逆的に色が変化する現象をエレクトロクロミズムという。前記エレクトロクロミズムは、一般に対向する２つの電極間に形成され、イオン伝導可能な電解質が電極間に満たされた構成で酸化還元反応する。対向する２つの電極のうちの一方の近傍で還元反応が生じるときには、他方の電極の近傍では、逆反応である酸化反応が生じる。このようなエレクトロクロミック素子において、透明な表示デバイスを得ようとする場合は、無色透明の状態を有する材料により構成されることが必要である。
【０００３】
前記エレクトロクロミズムは電気化学現象であるため、前記電極の抵抗値が前記エレクトロクロミック素子の応答速度に影響する。前記電極の抵抗値を下げることで前記エレクトロクロミック素子の応答を高速化し、且つ、前記エレクトロクロミック素子を大面積化する際の電圧降下を抑制できるため、これまでも様々な検討がなされている。
【０００４】
特許文献１には、表示電極パターンよりも導電性の高い細い金属層、あるいは金属ペースト層を前記表示電極パターンの周辺を囲み且つ接するように設けることが提案されている。しかしながら前記表示電極パターンの周辺を囲む構成であるため、高速に応答させた時の表示パターン内部の電圧降下、応答速度の高速化には効果が低い。また、表示パターン内部に関して、品質を損なわない程度に網目状の導電層を設けることも有効であるとの記述があるが、具体的な例示がなく実現性に乏しい。
【０００５】
特許文献２には、透明電極に接して、又は該透明電極内部に、良導電層が部分的に設けられた、エレクトロクロミック素子が提案されている。しかし、前記特許文献２の良導電層は、巾と厚みが規定されており、規定どおりの良導電層は、視認できてしまい、透明性が著しく低下してしまう。さらに良導電層のパターンが凹凸として存在するため、前記パターンに従って、エレクトロクロミック層の厚みが変わってしまう。均一なエレクトロクロミック層であれば、前記エレクトロクロミック層の厚さが吸光度と比例関係にあるが、特許文献２のエレクトロクロミック層は、厚みにムラがあるため、エレクトロクロミック素子の発色の濃淡（発色ムラ）として発現する。
【０００６】
特許文献３には、透明導電膜に金属製のグリッド電極を配設することが提案されている。前記透明電膜の表面に、前記金属性グリッド電極に従った凹凸が存在している場合は、特許文献２と同様、金属性グリッド電極のパターンにしたがったエレクトロクロミック層の厚みムラがでてしまう。一方で、提案されている数値範囲において、前記透明電膜表面の凹凸がなくなり平滑になる組み合わせが存在する。例えばグリッド電極厚さ１μｍ、透明電膜１μｍ以上の場合である。しかしながら、前記透明電膜の厚さが１μｍを超えるものは現実的ではなく、１μｍを超える透明電膜では透明性が著しく低下してしまう。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
したがって、発色ムラがなく、応答速度の優れた、エレクトロクロミック素子は提供されていないのが現状である。
そこで、本発明は、従来における前記諸問題点を解決し、以下の目的を達成することを課題とする。即ち、本発明は、発色ムラがなく、応答速度の優れた、エレクトロクロミック素子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記課題を解決するための手段としての本発明のエレクトロクロミック素子は、第１の支持体上に形成した第１の電極層と、
前記第１の電極層に対向するように設けたられた第２の支持体上に形成された第２の電極層と、
前記第１の電極層と前記第２の電極層の間に設けられた電解質層と、
前記第１の電極層及び前記第２の電極層のいずれか一方に接するように設けられたエレクトロクロミック層と、を有するエレクトロクロミック素子であって、
前記エレクトロクロミック層を有する側の電極層よりも低抵抗な材料からなる補助電極を、前記補助電極が前記エレクトロクロミック層を有する側の前記電極層に接するように有しており、
前記補助電極が、前記エレクトロクロミック層を有する側の前記支持体の表面に埋設されるとともに、前記補助電極の表面及び前記エレクトロクロミック層を有する側の支持体の表面とが成す面が平滑である。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によると、従来における諸問題を解決することができ、発色ムラがなく、応答速度の優れた、エレクトロクロミック素子を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】図１は、本発明のエレクトロクロミック素子の一例を示す概略断面図である。
【図２】図２は、本発明のエレクトロクロミック素子の別の一例を示す概略断面図である。
【図３Ａ】図３Ａは、従来のエレクトロクロミック素子の一例を示す概略断面図である。
【図３Ｂ】図３Ｂは、図３Ａの一点鎖線部分を示す部分拡大図である。
【図４】図４は、従来のエレクトロクロミック素子の別の一例を示す概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
（エレクトロクロミック素子）
本発明のエレクトロクロミック素子は、第１及び第２の支持体と、第１及び第２の電極層と、補助電極と、エレクトロクロミック層と、電解質層とを有してなり、更に必要に応じてその他の部材を有してなる。
【００１２】
＜第１の支持体、第２の支持体＞
前記支持体としては、各層を支持できる透明材料で形成され、各層を支持することができる構造であり、前記第１の支持体及び前記第２の支持体の表面うち、少なくとも後述するエレクトロクロミック層を有する側の支持体の電極層が形成される側の表面において、凹部が形成されていれば、その形状、構造、大きさ、材質などについて特に限定はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
【００１３】
前記支持体の形状としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、平板形状、曲面を有する形状などが挙げられる。
【００１４】
前記支持体の構造としては、前記第１の支持体及び前記第２の支持体の表面のうち、少なくとも前記エレクトロクロミック層を有する側の前記支持体の前記電極層が形成される側の表面において、凹部が形成されていれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
【００１５】
前記凹部としては、前記支持体に複数形成され、後述する補助電極が埋設されるものであれば、凹部の幅、凹部の深さ、凹部のピッチ、凹部を形成する手段などに特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
前記凹部の幅としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、前記補助電極が埋め込まれることを考慮し、前記支持体の開口率を著しく低下させない観点から、５μｍ〜５０μｍが好ましい。
前記凹部の深さとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、０．５μｍ〜１０μｍが好ましい。
前記凹部のピッチとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、１００μｍ〜５０，０００μｍが好ましく、５００μｍ〜５，０００μｍがより好ましい。
前記凹部を形成する手段（凹部形成工程）としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、レーザを用いた形成手段、フォトリソ・エッチングプロセスを利用した形成手段、スタンパによる微細加工手段などが挙げられる。
【００１６】
なお、前記凹部は、凹条である溝形状としてもよく、前記溝の短手方向の幅を、前記凹部の幅の範囲とすることが好ましい。
前記溝のパターン形状としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、前記溝を形成する上での簡易性の観点から、ライン状、格子状などが挙げられる。
【００１７】
前記支持体の大きさとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
【００１８】
前記支持体の材質としては、透明であればよく、周知の有機材料又は無機材料をそのまま用いることができ、例えば、無アルカリガラス、硼珪酸ガラス、フロートガラス、及びソーダ石灰ガラス等のガラス基板、並びに、ポリカーボネイト樹脂、アクリル樹脂、ポリエチレン、ポリ塩化ビニル、ポリエステル、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、フェノール樹脂、ポリウレタン樹脂、及びポリイミド樹脂等の樹脂基板などが挙げられる。
【００１９】
なお、前記支持体の表面に、水蒸気バリア性、ガスバリア性、紫外線耐性、及び視認性を高めるために、透明絶縁層、ＵＶカット層、反射防止層などを有していてもよい。
【００２０】
＜第１の電極層、第２の電極層＞
前記第１の電極層及び第２の電極層の材料としては、導電性を有する透明材料であれば特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、スズをドープした酸化インジウム（以下、「ＩＴＯ」と称する）、フッ素をドープした酸化スズ（以下、「ＦＴＯ」と称する）、アンチモンをドープした酸化スズ（以下、「ＡＴＯ」と称する）、酸化亜鉛等の無機材料などが挙げられる。これらの中でも、ＩｎＳｎＯ、ＧａＺｎＯ、ＳｎＯ、Ｉｎ２Ｏ３、ＺｎＯが好ましい。
更に、透明性を有するカーボンナノチューブや、他のＡｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｃｕなど高導電性の非透過性材料等を微細なネットワーク状に形成して、透明度を保持したまま、導電性を改善した電極を用いてもよい。
【００２１】
前記第１の電極層及び前記第２の電極層の各々の厚みは、エレクトロクロミック層の酸化還元反応に必要な電気抵抗値が得られるように調整される。
前記第１の電極層及び前記第２の電極層の材料として前記ＩＴＯを用いた場合、前記第１の電極層及び前記第２の電極層の各々の厚みは、例えば、５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下が好ましい。
【００２２】
前記第１の電極層及び前記第２の電極層の各々の作製方法としては、例えば、真空蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法等を用いることができる。
前記第１の電極層及び前記第２の電極層の各々の材料が塗布形成できるものであれば特に制限はなく、例えば、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スリットコート法、キャピラリーコート法、スプレーコート法、ノズルコート法、グラビア印刷法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、反転印刷法、インクジェットプリント法等の各種印刷法を用いることができる。
【００２３】
＜第１の補助電極、第２の補助電極＞
前記第１の補助電極と前記第２の補助電極のうち、少なくとも前記エレクトロクロミック層を有する側の補助電極が前記エレクトロクロミック層を有する側の支持体に埋設されており、前記エレクトロクロミック層を有する側の支持体の表面と面一となるように、前記エレクトロクロミック層を有する側の補助電極と共に前記エレクトロクロミック層を有する側の支持体の前記表面が成す面が平滑であれば、その材質、形成方法などに特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。また、前記エレクトロクロミック層を有する側の補助電極と同様に、前記エレクトロクロミック層を有しない側の補助電極が、前記エレクトロクロミック層を有しない側の支持体に埋設されており、前記エレクトロクロミック層を有しない側の支持体の表面と面一となるように、前記エレクトロクロミック層を有しない側の補助電極と共に前記エレクトロクロミック層を有しない側の支持体の前記表面が成す面が平滑であってもよい。
【００２４】
なお、前記補助電極の表面と前記エレクトロクロミック層を有する側の支持体の表面との平均段差は、５０ｎｍ以下であることが好ましい。前記平均段差が５０ｎｍ以下であると、平滑なエレクトロクロミック層を形成することができる。
【００２５】
前記補助電極の材料としては、電気伝導度に優れていれば特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、銀ペースト、銅ペースト、銀インク、銅インク、低抵抗金属（金，銀，銅，アルミ，ニッケル，スズ）、カーボンナノチューブなどを用いることができる。
【００２６】
前記補助電極の平均幅としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、前記支持体の開口率を著しく低下させない観点から、５μｍ〜５０μｍが好ましい。前記補助電極の平均幅が５μｍ以上であると、前記エレクトロクロミック素子の応答性を向上させることができ、５０μｍ以下であると、前記エレクトロクロミック素子の視認性の低下を防ぐことができる。
【００２７】
前記補助電極の平均厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、前記エレクトロクロミック素子の応答性の観点から、０．５μｍ〜１０μｍが好ましい。前記補助電極の平均厚みが０．５μｍ以上であると、前記エレクトロクロミック素子の応答性を向上させることができ、１０μｍ以下であると、前記エレクトロクロミック素子の厚みを抑えることができる。
【００２８】
前記補助電極の形成方法（補助電極形成工程）としては、前記支持体の前記凹部又は前記溝に形成することができれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、スクリーン印刷、グラビアオフセット印刷、インクジェット印刷など各種印刷手段による形成方法、スパッタ、蒸着、イオンプレーティング法を用い、非電極部分をマスク保護することで所望の部位にのみ電極を形成する方法、前記凹部又は前記溝にシード層をパターニングした後、無電解めっき、あるいは電解めっきによる電極形成方法などが挙げられる。前記シード層は、前記無電解めっきの場合は、前記無電解めっきの触媒となり得るものであればよく、前記無電解めっきにより析出させる金属の種類や用いるめっき液に応じて選択され、例えば、ＰｄＴｉＯ3・６Ｈ2Ｏ（金属酸化物水和物）微粒子や、酸化チタンなどの金属酸化物にＰｄを担持させた微粒子などが用いることができる。また、前記電解めっきの場合は導通のとれる材料であれば良く、例えば、銀ペースト、銅ペースト、銀インク、銅インク、ＩＴＯなどを用いることができる。
なお、前記支持体上に前記補助電極を形成した後の前記支持体の開口率が、９０％以上となるように前記補助電極を形成することが好ましく、９５％以上となるように前記補助電極を形成することがより好ましい。
【００２９】
前記補助電極が埋設された前記支持体の表面を、前記補助電極とともに平滑にする方法（表面平滑工程）に、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。例えば、パターン化された前記凹部又は前記溝を形成した前記支持体上へ、任意の方法で補助電極材料を製膜し、平面研磨機で研磨処理を施すことで、前記補助電極と共に前記支持体の表面を平滑にすることができる。前記補助電極材料の製膜方法は、パターン化された前記凹部又は前記溝が前記補助電極材料で満たされていれば特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、前述した前記補助電極の形成方法などを用いてもよい。
その他にも、平滑面を有する別の支持体上の前記平滑面において、前記補助電極をパターン化して凸部又は凸条となるように形成し、前記補助電極が埋設されるための、軟化または溶融した支持体を充填させた後、前記支持体を硬化させ、前記別の支持体上から前記補助電極が埋設されたまま剥離させることで、前記補助電極と共に前記支持体の面を平滑にすることも可能である。前記補助電極のパターン化の形成に特に制限はなく、前述した補助電極形成方法などを用いてもよい。
【００３０】
＜エレクトロクロミック層＞
前記エレクトロクロミック層は、エレクトロクロミック材料を含む層である。
前記エレクトロクロミック材料としては、無機エレクトロクロミック化合物及び有機エレクトロクロミック化合物のいずれであっても構わない。また、エレクトロクロミズムを示すことで知られる導電性高分子を用いてもよい。
【００３１】
前記無機エレクトロクロミック化合物としては、例えば、酸化タングステン、酸化モリブデン、酸化イリジウム、酸化チタンなどが挙げられる。
前記有機エレクトロクロミック化合物としては、例えば、ビオロゲン、希土類フタロシアニン、スチリルなどが挙げられる。
前記導電性高分子としては、例えば、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリアニリン、又はそれらの誘導体などが挙げられる。
【００３２】
前記エレクトロクロミック層としては、導電性又は半導体性微粒子に有機エレクトロクロミック化合物を担持した構造を用いることが好ましい。具体的には、電極表面に粒径５ｎｍ〜５０ｎｍ程度の微粒子を結着し、前記微粒子の表面にホスホン酸やカルボキシル基、シラノール基等の極性基を有する有機エレクトロクロミック化合物を吸着した構造である。
前記構造は、微粒子の大きな表面効果を利用して、効率よく有機エレクトロクロミック化合物に電子が注入されるため、従来のエレクトロクロミック表示素子と比較して高速応答が可能となる。更に、微粒子を用いることで表示層として透明な膜を形成することができるため、エレクトロクロミック色素の高い発色濃度を得ることができる。また、複数種類の有機エレクトロクロミック化合物を導電性又は半導体性微粒子に担持することもできる。さらに導電性粒子は電極層としての導電性を兼ねることができる。
具体的には、ポリマー系及び色素系のエレクトロクロミック化合物としては、例えば、アゾベンゼン系、アントラキノン系、ジアリールエテン系、ジヒドロプレン系、ジピリジン系、スチリル系、スチリルスピロピラン系、スピロオキサジン系、スピロチオピラン系、チオインジゴ系、テトラチアフルバレン系、テレフタル酸系、トリフェニルメタン系、ベンジジン系、トリフェニルアミン系、ナフトピラン系、ビオロゲン系、ピラゾリン系、フェナジン系、フェニレンジアミン系、フェノキサジン系、フェノチアジン系、フタロシアニン系、フルオラン系、フルギド系、ベンゾピラン系、メタロセン系等の低分子系有機エレクトロクロミック化合物、ポリアニリン、ポリチオフェン等の導電性高分子化合物などが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
これらの中でも、発消色電位が低く良好な色値を示す点から、ビオロゲン系化合物、ジピリジン系化合物が好ましく、例えば、下記一般式（１）で表されるジピリジン系化合物がより好ましい。
【００３３】
＜一般式（１）＞
【化１】
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前記一般式（１）において、Ｒ１及びＲ２は、それぞれ独立に置換基を有していてもよい炭素数１〜８のアルキル基、及びアリール基のいずれかを表し、Ｒ１及びＲ２の少なくとも一方は、ＣＯＯＨ、ＰＯ（ＯＨ）２、及びＳｉ（ＯＣｋＨ２ｋ＋１）３（ただし、ｋは、１〜２０を表す）から選択される置換基を有する。
前記一般式（１）において、Ｘは、一価のアニオンを表す。前記一価のアニオンとしては、カチオン部と安定に対をなすものであれば特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、Ｂｒイオン（Ｂｒ−）、Ｃｌイオン（Ｃｌ−）、ＣｌＯ４イオン（ＣｌＯ４−）、ＰＦ６イオン（ＰＦ６−）、ＢＦ４イオン（ＢＦ４−）などが挙げられる。
前記一般式（１）において、ｎ、ｍ、及びｌは、それぞれ独立に０、１、又は２を表す。
前記一般式（１）において、Ａ、Ｂ、及びＣは、各々独立に置換基を有してもよい炭素数１〜２０のアルキル基、アリール基、及び複素環基のいずれかを表す。
【００３４】
また、金属錯体系及び金属酸化物系のエレクトロクロミック化合物としては、例えば、酸化チタン、酸化バナジウム、酸化タングステン、酸化インジウム、酸化イリジウム、酸化ニッケル、プルシアンブルー等の無機系エレクトロクロミック化合物を用いることができる。
【００３５】
前記エレクトロクロミック化合物を担持する導電性又は半導体性微粒子としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、金属酸化物を用いることが好ましい。
前記金属酸化物の材料としては、例えば、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化スズ、酸化ジルコニウム、酸化セリウム、酸化イットリウム、酸化ホウ素、酸化マグネシウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カリウム、チタン酸バリウム、チタン酸カルシウム、酸化カルシウム、フェライト、酸化ハフニウム、酸化タングステン、酸化鉄、酸化銅、酸化ニッケル、酸化コバルト、酸化バリウム、酸化ストロンチウム、酸化バナジウム、アルミノケイ酸、リン酸カルシウム、アルミノシリケート等を主成分とする金属酸化物などが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
これらの中でも、電気伝導性等の電気的特性や光学的性質等の物理的特性の点から、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化スズ、酸化ジルコニウム、酸化鉄、酸化マグネシウム、酸化インジウム、及び酸化タングステンから選択される少なくとも１種が好ましく、より発消色の応答速度に優れた色表示が可能である点から、酸化チタンが特に好ましい。
【００３６】
また、導電性又は半導体性微粒子の形状は、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、エレクトロクロミック化合物を効率よく担持するために、単位体積当たりの表面積（以下、比表面積という）が大きい形状が用いられる。例えば、微粒子が、ナノ粒子の集合体であるときは、大きな比表面積を有するため、より効率的にエレクトロクロミック化合物が担持され、発消色の表示コントラスト比が優れる。
【００３７】
前記エレクトロクロミック層及び導電性又は半導体性微粒子層は真空製膜により形成することも可能であるが、生産性の点で粒子分散ペーストとして塗布形成することが好ましい。
【００３８】
前記エレクトロクロミック層の厚みは、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、０．２μｍ〜５．０μｍが好ましい。前記厚みが、０．２μｍ以上であると、発色濃度を確実に得られ、５．０μｍを以下であると、製造コストを抑えることができる共に、着色による視認性の低下を防止することができる。
【００３９】
なお、前記エレクトロクロミック層は、前記第１の電極層及び前記第２の電極層のいずれか一方に接するように設ける構成としても、又は、前記第１の電極層に接する前記エレクトロミック層を設け、前記第２の電極層と接する別のエレクトロクロミック層を設けた構成としてもよい。
前記別のエレクトロクロミック層としては、前記エレクトロクロミック層と同様に、平滑に形成されていることが好ましく、前記エレクトロクロミック層と同様の材料及び同様の厚みで形成してもよく、また別の材料及び厚みで形成してもよい。
【００４０】
＜電解質層＞
前記電解質層は、前記第１の電極と前記第２の電極との間に電解質が充填されている。
前記電解質としては、例えば、アルカリ金属塩、アルカリ土類金属塩等の無機イオン塩、４級アンモニウム塩や酸類、アルカリ類の支持塩を用いることができ、具体的には、ＬｉＣｌＯ４、ＬｉＢＦ４、ＬｉＡｓＦ６、ＬｉＰＦ６、ＬｉＣＦ３ＳＯ３、ＬｉＣＦ３ＣＯＯ、ＫＣｌ、ＮａＣｌＯ３、ＮａＣｌ、ＮａＢＦ４、ＮａＳＣＮ、ＫＢＦ４、Ｍｇ（ＣｌＯ４）２、Ｍｇ（ＢＦ４）２などが挙げられる。
【００４１】
前記電解質の材料としては、イオン性液体を用いることもできる。これらの中でも、有機のイオン性液体は、室温を含む幅広い温度領域で液体を示す分子構造を有しているため、用いることが好ましい。
前記有機のイオン性液体の分子構造として、カチオン成分としては、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルイミダゾール塩、Ｎ，Ｎ−メチルエチルイミダゾール塩、Ｎ，Ｎ−メチルプロピルイミダゾール塩等のイミダゾール誘導体；Ｎ，Ｎ−ジメチルピリジニウム塩、Ｎ，Ｎ−メチルプロピルピリジニウム塩等のピリジニウム誘導体；トリメチルプロピルアンモニウム塩、トリメチルヘキシルアンモニウム塩、トリエチルヘキシルアンモニウム塩等の脂肪族４級アンモニウム系などが挙げられる。
また、アニオン成分としては、大気中での安定性を考慮して、フッ素を含んだ化合物を用いることが好ましく、例えば、ＢＦ４−、ＣＦ３ＳＯ３−、ＰＦ４−、（ＣＦ３ＳＯ２）２Ｎ−などが挙げられる。
【００４２】
前記電解質の材料としては、前記カチオン成分と前記アニオン成分とを任意に組み合わせたイオン性液体を用いることが好ましい。
前記イオン性液体は、光重合性モノマー、オリゴマー、及び液晶材料のいずれかに直接溶解させてもよい。なお、溶解性が悪い場合は、少量の溶媒に溶解させて、該溶液を光重合性モノマー、オリゴマー、及び液晶材料のいずれかと混合して用いればよい。
前記溶媒としては、例えば、プロピレンカーボネート、アセトニトリル、γ−ブチロラクトン、エチレンカーボネート、スルホラン、ジオキソラン、テトラヒドロフラン、２−メチルテトラヒドロフラン、ジメチルスルホキシド、１，２−ジメトキシエタン、１，２−エトキシメトキシエタン、ポリエチレングリコール、アルコール類、又はこれらの混合溶媒などが挙げられる。
【００４３】
前記電解質は低粘性の液体である必要はなく、ゲル状や高分子架橋型、液晶分散型などの様々な形態をとることが可能である。電解質はゲル状、固体状に形成することで、素子強度向上、信頼性向上などの利点が得られる。
固体化手法としては、電解質と溶媒をポリマー樹脂中に保持することが好ましい。これにより高いイオン伝導度と固体強度が得られるためである。更に、前記ポリマー樹脂としては光硬化可能な樹脂が好ましい。熱重合や溶剤を蒸発させることにより薄膜化する方法に比べて、低温かつ短時間で素子を製造できるためである。
【００４４】
前記電解質からなる電解質層の平均厚みは、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、１００ｎｍ〜１００μｍが好ましい。
【００４５】
＜その他の部材＞
前記その他の部材としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、絶縁性多孔質層、劣化防止層、保護層、などが挙げられる。
【００４６】
＜＜絶縁性多孔質層＞＞
前記絶縁性多孔質層は、前記第１の電極層と前記第２の電極層とが電気的に絶縁されるように隔離すると共に、電解質を保持する機能を有する。前記絶縁性多孔質層の材料としては、多孔質であれば特に制限はなく、絶縁性及び耐久性が高く成膜性に優れた有機材料や無機材料、及びそれらの複合体を用いることが好ましい。
前記絶縁性多孔質層の形成方法としては、例えば、焼結法（高分子微粒子や無機粒子を、バインダ等を添加して部分的に融着させ粒子間に生じた孔を利用する）、抽出法（溶剤に可溶な有機物又は無機物類と溶剤に溶解しないバインダ等で構成層を形成した後に、溶剤で有機物又は無機物類を溶解させ細孔を得る）、発泡させる発泡法、良溶媒と貧溶媒を操作して高分子類の混合物を相分離させる相転換法、各種放射線を輻射して細孔を形成させる放射線照射法などが挙げられる。
【００４７】
＜＜劣化防止層＞＞
前記劣化防止層の役割は、前記エレクトロクロミック層と逆の化学反応をし、電荷のバランスをとって前記第１の電極層や前記第２の電極層が不可逆的な酸化還元反応により腐食や劣化することを抑制することである。なお、逆反応とは、劣化防止層が酸化還元する場合に加え、キャパシタとして作用することも含む。
前記劣化防止層の材料としては、前記第１の電極層及び第２の電極層の不可逆的な酸化還元反応による腐食を防止する役割を担う材料であれば特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、酸化アンチモン錫や酸化ニッケル、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化錫、又はそれらを複数含む導電性又は半導体性金属酸化物を用いることができる。
前記劣化防止層は、電解質の注入を阻害しない程度の多孔質薄膜から構成することができる。例えば、酸化アンチモン錫や酸化ニッケル、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化錫等の導電性又は半導体性金属酸化物微粒子を、例えば、アクリル系、アルキド系、イソシアネート系、ウレタン系、エポキシ系、フェノール系等のバインダにより第２の電極に固定化することで、電解質の浸透性と、劣化防止層としての機能を満たす、好適な多孔質薄膜を得ることができる。
【００４８】
＜＜保護層＞＞
前記保護層の役割は、外的応力や洗浄工程の薬品から素子を守ることや、電解質の漏洩を防ぐこと、大気中の水分や酸素など前記エレクトロクロミック素子が安定的に動作するために不要なものの侵入を防ぐことなどである。
前記保護層の厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、１μｍ〜２００μｍが好ましい。
前記保護層の材料としては、例えば、紫外線硬化型や熱硬化型の樹脂を用いることができ、具体的には、アクリル系、ウレタン系、エポキシ系樹脂などが挙げられる。
【００４９】
＜用途＞
本発明のエレクトロクロミック素子は、例えば、エレクトロクロミックディスプレイ、株価の表示板等の大型表示板、防眩ミラー、調光ガラス等の調光素子、タッチパネル式キースイッチ等の低電圧駆動素子、光スイッチ、光メモリー、電子ペーパー、電子アルバムなどに好適に使用することができる。
【００５０】
以下、本発明の実施形態につき、図面を参照しながら説明するが、本発明はこの実施形態に何ら限定されるものではない。なお、各図面における「１」等の符号は、それぞれ同じものを意味している。
【００５１】
図１は、本発明のエレクトロクロミック素子の一例を示す概略断面図である。図２は、本発明のエレクトロクロミック素子の別の一例を示す概略断面図である。
【００５２】
図１に示すように、エレクトロクロミック素子１０は、第１の支持体２２上に形成された連続した凹部である溝２６に第１の補助電極４２が埋め込まれ、第１の支持体２２と第１の補助電極４２とからなる面が平滑となるように構成される。第１の支持体２２と第１の補助電極４２とからなる面上へ、第１の電極層３２を形成し、さらに第１の電極層３２上へエレクトロクロミック層５２が積層される。第２の支持体２４の上に第２の補助電極４４が形成される。第２の支持体２４と第２の補助電極４４とからなる面上へ、第２の電極層３４が形成される。そして、電解質層６０を介して、第１の支持体２２側の第１の電極層３２と、第２の支持体２４側の第２の電極層３４とが、対向するように形成されて、本発明のエレクトロクロミック素子１０が形成される。
【００５３】
第１の支持体２２と第１の補助電極４２とからなる面を平滑にすることで、積層する層の膜厚を均一化することが可能となる。これはエレクトロクロミック層の厚さが発色ムラへ影響するエレクトロクロミック素子にとって特に有利な点となる。
【００５４】
また、図２に示すように、第２の支持体２４の上に形成された溝２８に、第２の補助電極４４が埋め込まれ、第２の支持体２４と第２の補助電極４４とからなる面が平滑となるようにした構造でもよい。この構造では、第２の支持体２４と第２の補助電極４４とからなる面上へ、第２の電極層３４が平滑に形成される。そして、図１に示すエレクトロクロミック素子１０と同様に、電解質層６０を介して、第１の支持体２２側の第１の電極層３２と、第２の支持体２４側の第２の電極層３４とが、対向するように形成されて、本発明のエレクトロクロミック素子１０が形成される。
【００５５】
エレクトロクロミック素子１０は、第１の電極層３２よりも低抵抗な第１の補助電極４２がパターンとなるように、パターン化された第１の支持体２２の溝２６へと埋め込むことで、第１の補助電極４２及び第２の補助電極４４が無い場合と比較して、エレクトロクロミックの応答速度を高速化させることも可能となる。
【００５６】
更に、第１の補助電極４２及び第２の補助電極４４の材料を、金属またはカーボンなどの電気伝導率が高い材料を用いることで、より効率良く、エレクトロクロミックの応答速度の向上を行うことができる。また、第１の電極層３２と第２の電極層３４を全面に製膜することで、エレクトロクロミック層５２及び別のエレクトロクロミック層（図示しない）が面内で均一に反応することが可能となる。更に、第１の電極層３２と第２の電極層３４とを、導電性酸化物、導電性粒子または導電性カーボンを含有する層とすることで、導電性と透明性を両立させるだけでなく、第１の補助電極４２及び第２の補助電極４４の保護層としても機能し、エレクトロクロミック素子１０の長期にわたる安定化を可能とする。
【００５７】
（エレクトロクロミック調光部材）
本発明のエレクトロクロミック調光部材は、本発明の前記エレクトロクロミック素子を備え、更に必要に応じてその他の部材を有してなる。前記エレクトロクロミック調光部材としては、例えば、調光眼鏡、調光ガラス、及び防眩ミラーなどに好適に使用することができる。
【実施例】
【００５８】
以下、本発明の実施例を説明するが、本発明は、これらの実施例に何ら限定されるものではない。
【００５９】
（実施例１）
図２に示す構成のエレクトロクロミック素子を作製し、評価した。
【００６０】
＜第１の支持体上へ第１の補助電極、及び第１の電極層の形成＞
第１の支持体としてガラス基板（４０ｍｍ×４０ｍｍ×０．７ｍｍ）を用意した。
前記第１の支持体の面上へ、レーザにより幅２０μｍ、深さ３μｍ、ピッチ５ｍｍとなるよう十字格子状の溝をパターニングした。前記十字格子状の前記溝をパターニングした前記第１の支持体上へ、金をスパッタ法により製膜した後、電解めっき法により、銅を前記溝が埋まるまで製膜した。前記銅めっきされた前記第１の支持体に、平面研磨機で研磨処理を施すことで、前記銅が第１の補助電極として前記第１の支持体に面が平滑になるように埋め込まれた構成を形成した。
次に、作製した前記第１の補助電極が前記第１の支持体面と平滑になるように埋め込まれた第１の支持体上へ、ＩＴＯ膜をスパッタ法により厚み約１００ｎｍに製膜し、第１の電極層を形成し、第１の積層体を得た。
【００６１】
＜第２の支持体上へ第２の補助電極、及び第２の電極層の形成＞
前記第１の積層体と同様に、第２の支持体としてガラス基板（４０ｍｍ×４０ｍｍ×０．７ｍｍ）を用意した。
前記第２の支持体の面上へ、レーザにより幅２０μｍ、深さ３μｍ、ピッチ５ｍｍとなるよう十字格子状の溝をパターニングした。前記十字格子状の前記溝をパターニングした前記第２の支持体上へ、金をスパッタ法により製膜した後、電解めっき法により、銅を前記溝が埋まるまで製膜した。前記銅めっきされた前記第２の支持体に、平面研磨機で研磨処理を施すことで、前記銅が第２の補助電極として前記第２の支持体に面が平滑になるように埋め込まれた構成を形成した。
次に、作製した前記第２の補助電極が前記第２の支持体面と平滑になるように埋め込まれた第２の支持体上へ、ＩＴＯ膜をスパッタ法により厚み約１００ｎｍに製膜し、第２の電極層を形成し、第２の積層体を得た。
【００６２】
＜エレクトロクロミック層の形成＞
作製した前記第１の積層体の前記第１の電極上へ酸化チタンナノ粒子分散液（商品名：ＳＰ２１０、昭和タイタニウム株式会社製、平均粒子径：２０ｎｍ）をスピンコート法により塗布し、１２０℃で１５分間アニール処理を行うことによって、厚み約１．０μｍの酸化チタン粒子膜からなるナノ構造半導体材料を形成した。次に、前記ナノ構造半導体材料に、エレクトロクロミック化合物として、下記構造式Ａで表される化合物を１．５質量％含む２，２，３，３−テトラフロロプロパノール溶液をスピンコート法により塗布した後、１２０℃で１０分間アニール処理を行うことにより、酸化チタン粒子膜に担持（吸着）させて、エレクトロクロミック層を形成した。
［構造式Ａ］
【化２】
2016133648.tif 000004
【００６３】
＜電解質層の形成、及びエレクトロクロミック素子の作製＞
以下に示す組成の電解質液を調製した。
・ＩＲＧＡＣＵＲＥ１８４（ＢＡＳＦジャパン株式会社製）：５質量部
・ＰＥＧ４００ＤＡ（日本化薬株式会社製）：１００質量部
・１−エチル−３−メチルイミダゾリウムテトラシアノボレート（メルク社製）：５０質量部
【００６４】
得られた前記電解質液をマイクロピペットで３０ｍｇ測り取り、前記第１の積層体上のエレクトロクロミック層へ滴下した。その上に、前記第２の積層体を貼り合せ、貼り合せ素子を作製した。
得られた貼り合せ素子をＵＶ（波長２５０ｎｍ）照射装置（ウシオ電機株式会社製、ＳＰＯＴ  ＣＵＲＥ）により１０ｍＷで６０秒間照射した。以上により、エレクトロクロミック素子を作製した。
【００６５】
＜平均段差の測定＞
前記第１の支持体の表面と前記第１の補助電極の表面との前記段差の測定としては、触針式段差計（アルファステップＩＱ：ヤマト科学株式会社製）を用いて、任意の１０点の段差を計測し、平均値を求めて平均段差を算出した。なお、段差の測定値は、ノイズ補正後の値である。
【００６６】
＜応答性評価＞
前記エレクトロクロミック素子の前記第１の電極層と前記第２の電極層の間に、前記第１の電極層がマイナスになるように−３Ｖの電圧を５秒間印加し発色させた。さらに、前記第１の電極層がプラスになるように＋３Ｖの電圧を５秒間印加し消色させた。前記のごとく発色、及び消色させたエレクトロクロミック素子の応答性を、以下の基準にて評価した。
〔評価基準〕
◎：発色、または消色が２秒間以下で完了する
○：発色、または消色が２秒間超５秒間以下で完了する
×：発色、または消色に５秒間を超える時間を要する
【００６７】
＜透明性評価＞
消色状態のエレクトロクロミック素子の透明性を、視認性と透過率から以下の基準で評価した。
【００６８】
＜＜視認性評価＞＞
〔評価基準〕
◎：３０ｃｍ離れた距離から見て、補助電極に気づかない。
○：３０ｃｍ離れた距離から見て、補助電極がほとんど確認できない。
×：３０ｃｍ離れた距離から見て、明らかに補助電極が確認できる。
【００６９】
＜＜透過率評価＞＞
波長４００ｎｍ〜８００ｎｍにおける透過率の平均値を求め、下記の基準にて評価した。なお、透過率はＯｃｅａｎ Ｏｐｔｉｃｓ社製ＵＳＢ４０００にて測定した。
〔評価基準〕
◎：透過率が６０％以上
○：透過率が５０％以上６０％未満
×：透過率が５０％未満
【００７０】
＜発色ムラ評価＞
発色状態のエレクトロクロミック素子の発色ムラを、以下の基準にて目視評価した。
〔評価基準〕
◎：３０ｃｍ離れた距離から見て、発色ムラに気づかない。
○：３０ｃｍ離れた距離から見て、発色ムラがほとんど確認できない。
×：３０ｃｍ離れた距離から見て、明らかな発色ムラがある。
【００７１】
（実施例２）
実施例１において、前記第１の支持体の表面へ、レーザにより幅５μｍ、深さ０．５μｍ、ピッチ５ｍｍとなるよう十字格子状の溝をパターニングし、第１の補助電極を幅５μｍ、厚み０．５μｍ、ピッチ５ｍｍとした以外は、実施例１と同様にして、エレクトロクロミック素子を作製し、評価した。
【００７２】
（実施例３）
実施例１において、前記第１の支持体の表面へ、レーザにより幅５μｍ、深さ１０μｍ、ピッチ５ｍｍとなるよう十字格子状の溝をパターニングし、第１の補助電極を幅５μｍ、厚み１０μｍ、ピッチ５ｍｍとした以外は、実施例１と同様にして、エレクトロクロミック素子を作製し、評価した。
【００７３】
（実施例４）
実施例１において、前記第１の支持体の表面へ、レーザにより幅５０μｍ、深さ０．５μｍ、ピッチ５ｍｍとなるよう十字格子状の溝をパターニングし、第１の補助電極を幅５０μｍ、厚み０．５μｍ、ピッチ５ｍｍとした以外は、実施例１と同様にして、エレクトロクロミック素子を作製し、評価した。
【００７４】
（実施例５）
実施例１において、前記第１の支持体の表面へ、レーザにより幅５０μｍ、深さ１０μｍ、ピッチ５ｍｍとなるよう十字格子状の溝をパターニングし、第１の補助電極を幅５０μｍ、厚み１０μｍ、ピッチ５ｍｍとした以外は、実施例１と同様にして、エレクトロクロミック素子を作製し、評価した。
【００７５】
（比較例１）
図３Ａに示すエレクトロクロミック素子を作製し、実施例１と同様にして、評価した。
＜支持体上へ補助電極、及び電極層の形成＞
第１の支持体としてガラス基板（４０ｍｍ×４０ｍｍ×０．７ｍｍ）を用意した。
前記第１の支持体表面の前記補助電極を形成しない非補助電極部をマスク保護し、ＩＴＯをスパッタ法にて製膜した後、前記マスクを除去し、電解めっき法により、銅を幅２０μｍ、線厚３μｍ、ピッチ５ｍｍの十字格子状となるように形成した。
前記第１の補助電極を形成した前記第１の支持体上へ、ＩＴＯ膜をスパッタ法により厚み約１００ｎｍに製膜し、第１の電極層を形成した。
第２の支持体、第２の補助電極、及び第２の電極層も、上記と同様にして形成した。
【００７６】
＜エレクトロクロミック層の形成＞
スピンコート法に代わり、デイップコート法を用いた以外は、実施例１と同様にして、エレクトロクロミック層を形成した。
【００７７】
（比較例２）
比較例１と同様にして、図３Ａに示すエレクトロクロミック素子を作製し、実施例１と同様にして、評価した。
第１の補助電極及び第２の補助電極の幅を６０μｍ、線厚０．３μｍとした以外は、比較例１と同様である。
【００７８】
（比較例３）
比較例１と同様にして、図３Ａに示すエレクトロクロミック素子を作製し、実施例１と同様にして、評価した。
第１の補助電極及び第２の補助電極の線幅を２μｍ、線厚０．３μｍとした以外は、比較例１と同様である。
【００７９】
（比較例４）
図４に示すエレクトロクロミック素子を作製し、実施例１と同様にして、評価した。
＜支持体上へ電極層の形成＞
第１の支持体としてガラス基板（４０ｍｍ×４０ｍｍ×０．７ｍｍ）を用意した。前記第１の補助電極を形成せずに、前記第１の支持体上へ、ＩＴＯ膜をスパッタ法により厚み約１００ｎｍに製膜して、第１の電極層を形成した。
第２の支持体、及び第２の電極層も、上記と同様にして形成した。
それ以外は、実施例１と同様である。
【００８０】
実施例１〜５及び比較例１〜４について、応答性評価、透明性評価、発色ムラ評価の結果を表１に示す。実施例１〜５で作製したエレクトロクロミック素子の、第１の支持体の表面と第１の補助電極の表面との平均段差は０±３ｎｍであり、全て５０ｎｍ以下であることを確認した。
なお、比較例１〜３については、第１の補助電極を含む第１の支持体が平滑ではないため、段差の測定は省略している。また、比較例４については、補助電極を有しないため、段差の測定は省略している。
【００８１】
【表１】
2016133648.tif 000005
【００８２】
表１の結果から、実施例１〜５は、「×」となる評価項目がなく、発色ムラがなく、応答速度に優れた、エレクトロクロミック素子を提供可能であることが明らかである。
即ち、図３Ａに示すように、第１の支持体２２上に第１の補助電極４２が埋め込まれずに形成された場合、第１の補助電極４２の線厚と線幅によって、第１の支持体２２上において、凸が形成される。特に、第１の補助電極４２の線厚にしたがって、図３Ａの破線で示す領域（図３Ｂ参照）のエレクトロクロミック層５２の垂直方向の厚みが増し、エレクトロクロミック層５２の膜厚ムラとなる。前記膜厚ムラが前記エレクトロクロミック素子を発色させた際の発色ムラとして出てきてしまう。エレクトロクロミック層５２の前記膜厚ムラは、第１の支持体２２上の凸に応じて生じるため、図１に示したごとく、前記凸をなくし、支持体と補助電極を平滑にすることでのみ前記発色ムラは解決される。
【００８３】
本発明の態様としては、例えば、以下のとおりである。
＜１＞  第１の支持体上に形成した第１の電極層と、
前記第１の電極層に対向するように設けたられた第２の支持体上に形成された第２の電極層と、
前記第１の電極層と前記第２の電極層の間に設けられた電解質層と、
前記第１の電極層及び前記第２の電極層のいずれか一方に接するように設けられたエレクトロクロミック層と、を有するエレクトロクロミック素子であって、
前記エレクトロクロミック層を有する側の電極層よりも低抵抗な材料からなる補助電極を、前記補助電極が前記エレクトロクロミック層を有する側の前記電極層に接するように有しており、
前記補助電極が、前記エレクトロクロミック層を有する側の前記支持体の表面に埋設されるとともに、前記補助電極の表面及び前記エレクトロクロミック層を有する側の支持体の表面とが成す面が平滑であることを特徴とするエレクトロクロミック素子である。
＜２＞  前記補助電極の表面と前記エレクトロクロミック層を有する側の支持体の表面との平均段差が５０ｎｍ以下である前記＜１＞に記載のエレクトロクロミック素子である。
＜３＞  前記エレクトロクロミック層を有しない側の電極層よりも低抵抗な材料からなる補助電極を、前記エレクトロクロミック層を有しない側の電極層に接するように有しており、前記補助電極が、前記エレクトロクロミック層を有しない側の支持体の表面に埋設されるとともに、前記補助電極の表面及び前記エレクトロクロミック層を有しない側の支持体の表面とが成す面が平滑である前記＜１＞から＜２＞のいずれかに記載のエレクトロクロミック素子である。
＜４＞  前記補助電極の平均幅が、５μｍ〜５０μｍである前記＜１＞から＜３＞のいずれかに記載のエレクトロクロミック素子である。
＜５＞  前記補助電極の平均厚みが、０．５μｍ〜１０μｍである前記＜１＞から＜４＞のいずれかに記載のエレクトロクロミック素子である。
＜６＞  前記補助電極の材料が、金、銀、銅、アルミニウム、ニッケル、スズ、及びカーボンから選択される少なくとも一種である前記＜１＞から＜５＞のいずれかに記載のエレクトロクロミック素子である。
＜７＞  前記第１の電極層及び前記第２の電極層が、導電性酸化物、導電性粒子又は導電性カーボンを含有する層である前記＜１＞から＜６＞のいずれかに記載のエレクトロクロミック素子である。
＜８＞  前記＜１＞から＜７＞のいずれかに記載のエレクトロクロミック素子を備えたことを特徴とするエレクトロクロミック調光部材である。
＜９＞  前記エレクトロクロミック調光部材が、調光眼鏡、調光ガラス、及び防眩ミラーのいずれかである前記＜８＞に記載のエレクトロクロミック調光部材である。
＜１０＞  第１の支持体及び第２の支持体の少なくとも一方の、互いに対向する側の面に凹部を形成する凹部形成工程と、
前記凹部に、補助電極を形成する補助電極形成工程と、
前記第１の支持体及び前記第２の支持体のうち、少なくともエレクトロクロミック層を備えた側の支持体の前記補助電極が形成された面を平滑にする表面平滑工程と、
を少なくとも含むことを特徴とするエレクトロクロミック素子の製造方法である。
【符号の説明】
【００８４】
１０    エレクトロクロミック素子
２２    第１の支持体
２４    第２の支持体
２６    溝
２８    溝
３２    第１の電極層
３４    第２の電極層
４２    第１の補助電極
４４    第２の補助電極
５２    エレクトロクロミック層
６０    電解質層
【先行技術文献】
【特許文献】
【００８５】
【特許文献１】特公昭６０−３８７１１号公報
【特許文献２】特開平１−９０４２２号公報
【特許文献３】特開２０１０−１４９１７号公報
【図１】
2016133648.tif 000006
【図２】
2016133648.tif 000007
【図３Ａ】
2016133648.tif 000008
【図３Ｂ】
2016133648.tif 000009
【図４】
2016133648.tif 000010