(57)【要約】      （修正有）【課題】溝の断面がＶ字形状にならないとともに溝の側壁と底壁との角度を直角にすることができるレーザー加工装置を提供する。【解決手段】被加工物保持手段と、レーザー光線照射手段と、被加工物保持手段とレーザー光線照射手段５とを加工送り方向(X軸方向)に相対的に移動せしめるX軸方向送り手段３７と、被加工物保持手段とレーザー光線照射手段とをX軸方向と直交するY軸方向に加工送りするY軸方向送り手段３８と、を具備するレーザー加工装置であって、レーザー光線照射手段は、レーザー光線発振手段と、発振されたレーザー光線を集光してチャックテーブル３６に保持された被加工物に照射する集光レンズ５２と、レーザー光線発振手段と集光レンズとの間に配設され集光レンズの中心軸に対してレーザー光線の光軸を偏心させ、集光側において該集光レンズの中心軸に対してレーザー光線の光軸を傾斜させる光軸傾斜手段５３とを具備している。【選択図】図３
2016002585.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被加工物を保持する被加工物保持手段と、該被加工物保持手段に保持された被加工物にレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段と、被加工物保持手段とレーザー光線照射手段とを加工送り方向(X軸方向)に相対的に移動せしめるX軸方向送り手段と、被加工物保持手段とレーザー光線照射手段とをX軸方向と直交するY軸方向に加工送りするY軸方向送り手段と、を具備するレーザー加工装置であって、
該レーザー光線照射手段は、レーザー光線を発振するレーザー光線発振手段と、該レーザー光線発振手段から発振されたレーザー光線を集光して該チャックテーブルに保持された被加工物に照射する集光レンズと、該レーザー光線発振手段と該集光レンズとの間に配設され該集光レンズの中心軸に対してレーザー光線の光軸を偏心させ、集光側において該集光レンズの中心軸に対してレーザー光線の光軸を傾斜させる光軸傾斜手段と、を具備している、
ことを特徴とするレーザー加工装置。
【請求項２】
該光軸傾斜手段は、該レーザー光線発振手段から発振されたレーザー光線の光軸を該集光レンズの中心軸に対してY軸方向に移動させるY軸方向傾斜ユニットからなっている、請求項１記載のレーザー加工装置。
【請求項３】
該光軸傾斜手段は、該Y軸方向傾斜ユニットと、該レーザー光線発振手段から発振されたレーザー光線の光軸を集光レンズの中心軸に対してX軸方向に移動させるX軸方向スキャンユニットとからなっている、請求項２記載のレーザー加工装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエーハ等の被加工物にレーザー加工を施すためのレーザー加工装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイス製造工程においては、略円板形状である半導体ウエーハの表面に格子状に配列された分割予定ラインによって複数の領域が区画され、この区画された領域にＩＣ、ＬＳＩ等のデバイスを形成する。そして、半導体ウエーハを分割予定ラインに沿って切断することによりデバイスが形成された領域を分割して個々のデバイスを製造している。
【０００３】
上述した半導体ウエーハを分割予定ラインに沿って分割する方法として、ウエーハに対して吸収性を有する波長のパルスレーザー光線を分割予定ラインに沿って照射してアブレーション加工することによりレーザー加工溝を形成し、このレーザー加工溝に沿って破断する方法が提案されている。
【０００４】
このようなレーザー加工を施すレーザー加工装置は、被加工物を保持する被加工物保持手段と、該被加工物保持手段に保持された被加工物にレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段と、被加工物保持手段とレーザー光線照射手段とを加工送り方向に相対的に移動せしめる加工送り手段と、被加工物保持手段とレーザー光線照射手段とを加工送り方向と直交する割り出し送り方向に相対的に移動せしめる割り出し送り手段と、を具備している（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００６−２５３４３２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
而して、被加工物にレーザー光線を照射してレーザー加工溝を形成すると、溝の断面がＶ字形状になり加工が進まないという問題がある。
また、レーザー光線の入射側から溝の底に向かって溝幅が均一にならないため、凹溝を形成すると溝の側壁と底壁との境目が直角にならないという問題がある。
【０００７】
本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術課題は、溝の断面がＶ字形状にならないとともに溝の側壁と底壁との角度を直角にすることができるレーザー加工装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、被加工物を保持する被加工物保持手段と、該被加工物保持手段に保持された被加工物にレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段と、被加工物保持手段とレーザー光線照射手段とを加工送り方向(X軸方向)に相対的に移動せしめるX軸方向送り手段と、被加工物保持手段とレーザー光線照射手段とをX軸方向と直交するY軸方向に加工送りするY軸方向送り手段と、を具備するレーザー加工装置であって、
該レーザー光線照射手段は、レーザー光線を発振するレーザー光線発振手段と、該レーザー光線発振手段から発振されたレーザー光線を集光して該チャックテーブルに保持された被加工物に照射する集光レンズと、該レーザー光線発振手段と該集光レンズとの間に配設され該集光レンズの中心軸に対してレーザー光線の光軸を偏心させ、集光側において該集光レンズの中心軸に対してレーザー光線の光軸を傾斜させる光軸傾斜手段と、を具備している、
ことを特徴とするレーザー加工装置が提供される。
【０００９】
上記光軸傾斜手段は、レーザー光線発振手段から発振されたレーザー光線の光軸を集光レンズの中心軸に対してY軸方向に移動させるY軸方向傾斜ユニットからなる。
また、上記光軸傾斜手段は、Y軸方向傾斜ユニットと、レーザー光線発振手段から発振されたレーザー光線の光軸を集光レンズの中心軸に対してX軸方向に移動させるX軸方向スキャンユニットとからなっている。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によるレーザー加工装置おいては、レーザー光線照射手段は、レーザー光線を発振するレーザー光線発振手段と、該レーザー光線発振手段から発振されたレーザー光線を集光して該チャックテーブルに保持された被加工物に照射する集光レンズと、レーザー光線発振手段と集光レンズとの間に配設され集光レンズの中心軸に対してレーザー光線の光軸を偏心させ、集光側において集光レンズの中心軸に対してレーザー光線の光軸を傾斜させる光軸傾斜手段とを具備しているので、X軸方向にレーザー加工溝を形成する場合には、形成するレーザー加工溝に対してレーザー光線の光軸をY軸方向に交互に揺動させながら斜めにして照射することにより、レーザー光線の入射側から底壁に向かって両側壁が平行なレーザー加工溝を形成することができる。
また、被加工物に形成されているレーザー加工溝（レーザー光線の入射側から溝の底に向かって溝幅が均一にならないため、凹溝を形成すると溝の側壁と底壁との境目が直角にならない）を修正加工する場合には、レーザー光線の光軸を斜めにして凹溝を形成する側壁と底壁との境目に照射することにより、レーザー加工溝における側壁と底壁との境目を略直角に形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明に従って構成されたレーザー加工装置の斜視図。
【図２】図１に示すレーザー加工装置に装備されるレーザー光線照射手段のブロック構成図。
【図３】図２に示すレーザー光線照射手段の他の実施形態を示すブロック構成図。
【図４】図２に示すレーザー光線照射手段に装備されるX軸方向スキャンユニットのブロック構成図。
【図５】図１に示すレーザー加工装置に装備される制御手段のブロック構成図。
【図６】被加工物としてのシリコン基板が環状のフレームに装着されたダイシングテープの表面に貼着した状態を示す斜視図。
【図７】図１に示すレーザー加工装置を用いて被加工物としてのシリコン基板に実施するレーザー加工溝形成工程の説明図。
【図８】従来のレーザー加工によって形成されたレーザー加工溝の断面図。
【図９】図１に示すレーザー加工装置を用いて実施するレーザー加工溝修正工程の説明図。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明に従って構成されたレーザー加工装置の好適な実施形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。
【００１３】
図１には、本発明に従って構成されたレーザー加工装置の斜視図が示されている。図１に示すレーザー加工装置は、静止基台２と、該静止基台２に矢印Ｘで示す加工送り方向（Ｘ軸方向）に移動可能に配設され被加工物を保持するチャックテーブル機構３と、基台２上に配設されたレーザー光線照射手段としてのレーザー光線照射ユニット４とを具備している。
【００１４】
上記チャックテーブル機構３は、静止基台２上にＸ軸方向に沿って平行に配設された一対の案内レール３１、３１と、該案内レール３１、３１上にＸ軸方向に移動可能に配設された第１の滑動ブロック３２と、該第１の滑動ブロック３２上にＸ軸方向と直交する矢印Yで示す加工送り方向（Y軸方向）に移動可能に配設された第２の滑動ブロック３３と、該第２の滑動ブロック３３上に円筒部材３４によって支持された支持テーブル３５と、被加工物保持手段としてのチャックテーブル３６を具備している。このチャックテーブル３６は多孔性材料から形成された吸着チャック３６１を具備しており、吸着チャック３６１の上面である保持面上に被加工物である例えば円板形状の半導体ウエーハを図示しない吸引手段によって保持するようになっている。このように構成されたチャックテーブル３６は、円筒部材３４内に配設された図示しないパルスモータによって回転せしめられる。なお、チャックテーブル３６には、半導体ウエーハ等の被加工物を保護テープを介して支持する環状のフレームを固定するためのクランプ３６２が配設されている。
【００１５】
上記第１の滑動ブロック３２は、その下面に上記一対の案内レール３１、３１と嵌合する一対の被案内溝３２１、３２１が設けられているとともに、その上面にY軸方向に沿って平行に形成された一対の案内レール３２２、３２２が設けられている。このように構成された第１の滑動ブロック３２は、被案内溝３２１、３２１が一対の案内レール３１、３１に嵌合することにより、一対の案内レール３１、３１に沿ってＸ軸方向に移動可能に構成される。図示の実施形態におけるチャックテーブル機構３は、第１の滑動ブロック３２を一対の案内レール３１、３１に沿ってＸ軸方向に移動させるためのX軸方向送り手段３７を具備している。X軸方向送り手段３７は、上記一対の案内レール３１と３１の間に平行に配設された雄ネジロッド３７１と、該雄ネジロッド３７１を回転駆動するためのパルスモータ３７２等の駆動源を含んでいる。雄ネジロッド３７１は、その一端が上記静止基台２に固定された軸受ブロック３７３に回転自在に支持されており、その他端が上記パルスモータ３７２の出力軸に伝動連結されている。なお、雄ネジロッド３７１は、第１の滑動ブロック３２の中央部下面に突出して設けられた図示しない雌ネジブロックに形成された貫通雌ネジ穴に螺合されている。従って、パルスモータ３７２によって雄ネジロッド３７１を正転および逆転駆動することにより、第１の滑動ブロック３２は案内レール３１、３１に沿ってＸ軸方向に移動せしめられる。
【００１６】
上記第２の滑動ブロック３３は、その下面に上記第１の滑動ブロック３２の上面に設けられた一対の案内レール３２２、３２２と嵌合する一対の被案内溝３３１、３３１が設けられており、この被案内溝３３１、３３１を一対の案内レール３２２、３２２に嵌合することにより、Y軸方向に移動可能に構成される。図示の実施形態におけるチャックテーブル機構３は、第２の滑動ブロック３３を第１の滑動ブロック３２に設けられた一対の案内レール３２２、３２２に沿ってY軸方向に移動させるためのY軸方向送り手段３８を具備している。Y軸方向送り手段３８は、上記一対の案内レール３２２と３２２の間に平行に配設された雄ネジロッド３８１と、該雄ネジロッド３８１を回転駆動するためのパルスモータ３８２等の駆動源を含んでいる。雄ネジロッド３８１は、その一端が上記第１の滑動ブロック３２の上面に固定された軸受ブロック３８３に回転自在に支持されており、その他端が上記パルスモータ３８２の出力軸に伝動連結されている。なお、雄ネジロッド３８１は、第２の滑動ブロック３３の中央部下面に突出して設けられた図示しない雌ネジブロックに形成された貫通雌ネジ穴に螺合されている。従って、パルスモータ３８２によって雄ネジロッド３８１を正転および逆転駆動することにより、第２の滑動ブロック３３は案内レール３２２、３２２に沿ってY軸方向に移動せしめられる。
【００１７】
上記レーザー光線照射ユニット４は、上記基台２上に配設された支持部材４１と、該支持部材４１によって支持され実質上水平に延出するケーシング４２と、該ケーシング４２に配設されたレーザー光線照射手段５と、ケーシング４２の前端部に配設されレーザー加工すべき加工領域を検出する撮像手段６を具備している。なお、撮像手段６は、図示の実施形態においては可視光線によって撮像する通常の撮像素子（ＣＣＤ）の外に、被加工物に赤外線を照射する赤外線照明手段と、該赤外線照明手段によって照射された赤外線を捕らえる光学系と、該光学系によって捕らえられた赤外線に対応した電気信号を出力する撮像素子（赤外線ＣＣＤ）等で構成されており、撮像した画像信号を後述する制御手段に送る。
【００１８】
上記レーザー光線照射手段５について、図２を参照して説明する。
レーザー光線照射手段５は、パルスレーザー光線を発振するパルスレーザー光線発振手段５１と、該パルスレーザー光線発振手段５１から発振されたパルスレーザー光線を集光してチャックテーブル３６に保持された被加工物Wに照射する集光レンズ５２を備えた集光器５２０と、パルスレーザー光線発振手段５１と集光レンズ５２との間に配設され集光レンズ５２の中心軸に対してレーザー光線の光軸を偏心させ、集光側において集光レンズ５２の中心軸に対してレーザー光線の光軸を傾斜させる光軸傾斜手段５３とを具備している。パルスレーザー光線発振手段５１は、YAGレーザー発振器５１１と、これに付設された繰り返し周波数設定手段５１２とから構成されている。
【００１９】
光軸傾斜手段５３は、図２に示す実施形態においてはパルスレーザー光線発振手段５１から発振されたレーザー光線の光軸を集光レンズの中心軸に対してY軸方向に移動させるY軸方向傾斜ユニット５４からなっている。Y軸方向傾斜ユニット５４は、第１のガルバノスキャナー５４１と第２のガルバノスキャナー５４２および光軸変更ミラー５４３とからなっている。第１のガルバノスキャナー５４１は第1のミラー５４１aおよび該第１のミラー５４１aの設置角度を調整する角度調整アクチュエータ５４１bとからなっており、角度調整アクチュエータ５４１bが後述する制御手段によって制御される。このように構成された第１のガルバノスキャナー５４１は、上記パルスレーザー光線発振手段５１によって発振されたパルスレーザー光線を第２のガルバノスキャナー５４２に向けて反射せしめる。第２のガルバノスキャナー５４２は第２のミラー５４２aおよび該第２のミラー５４２aの設置角度を調整する角度調整アクチュエータ５４２bとからなっており、角度調整アクチュエータ５４２bが後述する制御手段によって制御される。このように構成された第２のガルバノスキャナー５４２は、上記パルスレーザー光線発振手段５１によって発振され第１のガルバノスキャナー５４１によって反射せしめられたパルスレーザー光線を光軸変更ミラー５４３に向けて反射せしめる。上記光軸変更ミラー５４３は、上記パルスレーザー光線発振手段５１によって発振され第１のガルバノスキャナー５４１および第２のガルバノスキャナー５４２を介して導かれたパルスレーザー光線を集光レンズ５２に向けて方向変換する。なお、集光レンズ５２を備えた集光器５２０は、図１に示すようにケーシング４２の前端部に配設される。なお、集光器５２０は図示しない集光点位置調整手段によって集光点位置調整方向(Z軸方向)に移動せしめられるようになっている。
【００２０】
図示の実施形態におけるY軸方向傾斜ユニット５４は以上のように構成されており、以下その作用について説明する。
第１のガルバノスキャナー５４１および第２のガルバノスキャナー５４２の第１のミラー５４１aおよび第２のミラー５４２aが図２において実線で示す位置に位置付けられている状態においては、パルスレーザー光線発振手段５１によって発振されたパルスレーザー光線は実線で示すように光軸変更ミラー５４３および集光レンズ５２を介して集光点P1に集光される。また、第１のガルバノスキャナー５４１および第２のガルバノスキャナー５４２の第１のミラー５４１aおよび第２のミラー５４２aがそれぞれ図２において破線で示すように実線位置から一方向に同一角度回動した状態においては、パルスレーザー光線発振手段５１によって発振されたパルスレーザー光線は破線で示すように光軸変更ミラー５４３および集光レンズ５２を介して集光レンズ５２の中心軸に対して光軸が傾斜して集光点P1に集光される。また、第１のガルバノスキャナー５４１および第２のガルバノスキャナー５４２の第1のミラー５４１aおよび第２のミラー５４２aがそれぞれ図２において２点鎖線で示すように実線位置から他方向に同一角度回動した状態においては、パルスレーザー光線発振手段５１によって発振されたパルスレーザー光線は２点鎖線で示すように光軸変更ミラー５４３および集光レンズ５２を介して集光レンズ５２の中心軸に対して光軸が傾斜して集光点P1に集光される。
【００２１】
一方、第１のガルバノスキャナー５４１および第２のガルバノスキャナー５４２の第1のミラー５４１aおよび第２のミラー５４２aを上記図２の状態から、第２のガルバノスキャナー５４２の第２のミラー５４２aの回動角度を僅かにずらせると、パルスレーザー光線発振手段５１によって発振されたパルスレーザー光線は図３に示すように破線の状態においては光軸変更ミラー５４３および集光レンズ５２を介して集光レンズ５２の中心軸に対して光軸が傾斜して集光点P2に集光され、２点鎖線の状態においては光軸変更ミラー５４３および集光レンズ５２を介して集光レンズ５２の中心軸に対して光軸が傾斜して集光点P3に集光される。このように、第１のガルバノスキャナー５４１および第２のガルバノスキャナー５４２の第１のミラー５４１aおよび第２のミラー５４２aの設置角度を適宜調整することにより、パルスレーザー光線発振手段５１によって発振されたパルスレーザー光線をY軸方向に任意の位置に任意の傾斜角度で集光させることができる。
【００２２】
次に、光軸傾斜手段５３の他の実施形態について、図４を参照して説明する。
図４に示す光軸傾斜手段５３は、上記Y軸方向傾斜ユニット５４と集光レンズ５２との間に配設されパルスレーザー光線発振手段５１から発振されたレーザー光線の光軸を集光レンズの中心軸に対してX軸方向に移動させるX軸方向スキャンユニット５５からなっている。X軸方向スキャンユニット５５は、上記Y軸方向傾斜ユニット５４の光軸変更ミラー５４３によって反射されたパルスレーザー光線を水平方向に方向変換する方向変換ミラー５５１と、該方向変換ミラー５５１によって方向変換されたパルスレーザー光線の光軸を集光レンズ５２の中心軸に対してX軸方向に移動させる第３のガルバノスキャナー５５２とからなっている。第３のガルバノスキャナー５５２は、第３のミラー５５２aおよび該第３のミラー５５２aの設置角度を調整する角度調整アクチュエータ５５２bとからなっており、角度調整アクチュエータ５５２bが後述する制御手段によって制御される。このように構成されたX軸方向スキャンユニット５５は、第３のガルバノスキャナー５５２の第３のミラー５５２aが図４において実線で示す位置に位置付けられている状態においては、方向変換ミラー５５１を介して導かれたパルスレーザー光線は実線で示すように集光レンズ５２を介して集光点Paに集光される。また、第３のガルバノスキャナー５５２の第３のミラー５５２aが図４において破線で示す位置に位置付けられている状態においては、方向変換ミラー５５１を介して導かれたパルスレーザー光線は破線で示すように集光レンズ５２を介して集光点Pbに集光される。更に、第３のガルバノスキャナー５５２の第３のミラー５５２aが図４において２点鎖線で示す位置に位置付けられている状態においては、方向変換ミラー５５１を介して導かれたパルスレーザー光線は２点鎖線で示すように集光レンズ５２を介して集光点Pcに集光される。このように、角度調整アクチュエータ５５２bの作動を制御することによりパルスレーザー光線発振手段５１によって発振されたパルスレーザー光線の光軸を集光レンズ５２の中心軸に対してX軸方向に揺動させることができる。
【００２３】
図示の実施形態におけるレーザー加工装置は、図５に示す制御手段８を具備している。制御手段８はコンピュータによって構成されており、制御プログラムに従って演算処理する中央処理装置（ＣＰＵ）８１と、制御プログラム等を格納するリードオンリメモリ（ＲＯＭ）８２と、演算結果等を格納する読み書き可能なランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）８３と、入力インターフェース８４および出力インターフェース８５とを備えている。制御手段８の入力インターフェース８４には、撮像手段６等からの検出信号が入力される。そして、制御手段８の出力インターフェース８５からは、上記X軸方向送り手段３７、Y軸方向送り手段３８、パルスレーザー光線発振手段５１、第１のガルバノスキャナー５４１の角度調整アクチュエータ５４１b、第２のガルバノスキャナー５４２の角度調整アクチュエータ５４２b、第３のガルバノスキャナー５５２の角度調整アクチュエータ５５２b等に制御信号を出力する。
【００２４】
図示の実施形態におけるレーザー加工装置は以上のように構成されており、以下その作用について説明する。
図６には、被加工物としてのシリコン基板の斜視図が示されている。図６に示すシリコン基板１０は、例えば厚みが２００μmの円形状に形成されており、表面には加工ライン１０１が設定されている。このシリコン基板１０は、一方の面が環状のフレームFに装着された保護テープTの表面に貼着される。
【００２５】
上述した被加工物としてのシリコン基板１０に上記レーザー加工装置を用いてレーザー加工を施す第１の実施形態について説明する。
先ず、図１に示すレーザー加工装置のチャックテーブル３６上にシリコン基板１０の保護テープT側を載置する。そして、図示しない吸引手段を作動することにより、保護テープTを介してシリコン基板１０をチャックテーブル３６上に吸引保持する（被加工物保持工程）。
【００２６】
上述したようにシリコン基板１０を吸引保持したチャックテーブル３６は、Ｘ軸方向送り手段３７によって撮像手段６の直下に位置付けられる。このようにしてチャックテーブル３６が撮像手段６の直下に位置付けられると、撮像手段６および制御手段８によってシリコン基板１０のレーザー加工すべき加工領域を検出するアライメント作業を実行する。即ち、撮像手段６および制御手段８は、シリコン基板１０に形成されている加工ライン１０１と、加工ライン１０１に沿ってレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段５を構成する集光器５２０との位置合わせを行うためのパターンマッチング等の画像処理を実行し、レーザー光線照射位置のアライメントを遂行する。
【００２７】
以上のようにしてチャックテーブル３６上に保持されているシリコン基板１０に形成されている加工ライン１０１を検出し、レーザー光線照射位置のアライメントが行われたならば、図７の（ａ）で示すようにチャックテーブル３６をレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段５の集光器５２０が位置するレーザー光線照射領域に移動し、所定の加工ライン１０１の一端（図７の（ａ）において左端）をレーザー光線照射手段５の集光器５２０の直下に位置付ける。そして制御手段８は、図示しない集光点位置調整手段を制御して集光器５２０から照射されるパルスレーザー光線の集光点をシリコン基板１０の上面付近に位置付ける。次に制御手段８は、パルスレーザー光線発振手段５１を制御して集光器５２０からシリコン基板１０に対して吸収性を有する波長のパルスレーザー光線を照射しつつ、第１のガルバノスキャナー５４１および第２のガルバノスキャナー５４２の角度調整アクチュエータ５４１bおよび角度調整アクチュエータ５４２bを制御して第1のミラー５４１aおよび第２のミラー５４２aを図２または図３に示すように破線の状態と２点鎖線の状態に交互に変更しながら、X軸方向送り手段３７を制御してチャックテーブル３６を図７の（ａ）において矢印Ｘ１で示す方向に所定の送り速度で移動せしめる(レーザー加工溝形成工程)。従って、図７の(c)に示すようにシリコン基板１０に照射されるレーザー光線は、光軸が破線の状態と２点鎖線の状態とを交互にY軸方向に揺動せしめられる。この結果、シリコン基板１０には図７の(c)に示すように、加工ライン１０１に沿ってレーザー光線の入射側(上面)から底壁１１０aに向かって側壁１１０bと１１０cが平行なレーザー加工溝１１０が形成される。そして、図７の（ｂ）で示すように集光器５２０の照射位置に加工ライン１０１の他端（図７の（b）において右端）が達したら、パルスレーザー光線の照射を停止するとともにチャックテーブル３６の移動を停止する。この結果、シリコン基板１０には図７の(b)に示すように、加工ライン１０１に沿って図７の(c)に示すように側壁１１０bと１１０cが平行で、側壁１１０bと１１０cが底１１０aに対して直角なレーザー加工溝１１０が形成される。
【００２８】
上述したレーザー加工溝形成工程においては、図４に示すX軸方向スキャンユニット５５の第３のガルバノスキャナー５５２を構成する角度調整アクチュエータ５５２bの作動を制御して第３のミラー５５２aを破線で示す位置と２点鎖線で示す位置とに交互に位置付けることにより、レーザー光線の光軸を集光レンズ５２の中心軸に対してX軸方向に揺動させながらレーザー光線を照射することができるので、上記レーザー加工溝１１０の形成を促進させることができる。
【００２９】
なお、上記レーザー加工溝形成工程における加工条件は、例えば次のように設定されている。
レーザー光線の波長      ：３５５ｎｍ
繰り返し周波数          ：５０ｋＨｚ
平均出力                ：３W
集光スポット径          ：φ１０μｍ
加工送り速度            ：１００ｍｍ／秒
【００３０】
次に、上述した被加工物としてのシリコン基板１０に上記レーザー加工装置を用いてレーザー加工を施す第２の実施形態について説明する。
この第２の実施形態は、図８に示すようにシリコン基板１０に加工ライン１０１に沿って形成されているレーザー加工溝１２０の修正加工に関するものである。通常のレーザー加工を施すと、図８に示すように側壁１２０b、１２０cは平行とはならず、テーパー状となり、側壁１２０b、１２０cと底壁１２０aとの境目が直角にならない。第２の実施形態は、レーザー加工溝１２０の側壁１２０b、１２０cを破線で示すように加工して側壁１２０b、１２０cと底壁１２０aとの境目を直角になるように修正する加工である。
【００３１】
上記シリコン基板１０に形成されたレーザー加工溝１２０の側壁１２０b、１２０cと底壁１２０aとの境目を直角になるように修正する加工を実施するには、先ず図９の（ａ）に示すようにレーザー加工溝１２０における側壁１２０bと底壁１２０aとの境目付近を集光レンズ５２の下方に位置付ける。そして制御手段８は、図示しない集光点位置調整手段を制御して図９の（ａ）に示すように集光器５２０から照射されるパルスレーザー光線の照射位置をレーザー加工溝１２０における側壁１２０bと底壁１２０aとの境目付近に位置付ける。次に制御手段８は、パルスレーザー光線発振手段５１を制御して集光器５２０からシリコン基板１０に対して吸収性を有する波長のパルスレーザー光線を照射しつつ、第１のガルバノスキャナー５４１および第２のガルバノスキャナー５４２の角度調整アクチュエータ５４１bおよび角度調整アクチュエータ５４２bを制御して第１のミラー５４１aおよび第２のミラー５４２aを図２または図３に示すように破線の状態と２点鎖線の状態に交互に変更しながら、上記X軸方向送り手段３７を制御してチャックテーブル３６をＸ軸方向（図９の（ａ）において紙面に垂直な方向）に所定の送り速度で移動せしめる(第１のレーザー加工溝修正工程)。この結果、レーザー加工溝１２０における側壁１２０bと底壁１２０aとの境目は、図９の（b）に示すように略直角に形成される。
【００３２】
次に、レーザー加工溝１２０の側壁１２０cと底壁１２０aとの境目を直角になるように修正する加工を実施する。第１のレーザー加工溝修正工程を実施した状態から、制御手段８はY軸方向送り手段３８を制御して図９の（b）に示すようにレーザー加工溝１２０における側壁１２０cと底壁１２０aとの境目付近を集光レンズ５２の下方に位置付ける。そして制御手段８は、図示しない集光点位置調整手段を制御して図９の（b）に示すように集光器５２０から照射されるパルスレーザー光線の照射位置をレーザー加工溝１２０における側壁１２０cと底壁１２０aとの境目付近に位置付ける。次に制御手段８は、上記パルスレーザー光線発振手段５１を制御して集光器５２０からシリコン基板１０に対して吸収性を有する波長のパルスレーザー光線を照射しつつ、第１のガルバノスキャナー５４１および第２のガルバノスキャナー５４２の角度調整アクチュエータ５４１bおよび角度調整アクチュエータ５４２bを制御して第1のミラー５４１aおよび第２のミラー５４２aを図２または図３に示すように破線の状態と２点鎖線の状態に交互に変更しながら、上記X軸方向送り手段３７を制御してチャックテーブル３６をＸ軸方向（図９の（b）において紙面に垂直な方向）に所定の送り速度で移動せしめる(第２のレーザー加工溝修正工程)。この結果、レーザー加工溝１２０における側壁１２０cと底壁１２０aとの境目は、図９の（c）に示すように略直角に形成される。
【００３３】
以上のように上記第１のレーザー加工溝修正工程および第２のレーザー加工溝修正工程を実施することにより、図９の（c）に示すようにシリコン基板１０に形成されているレーザー加工溝１２０は、側壁１２０b、１２０cと底壁１２０aとの境目が略直角に修正される。
なお、上記第１のレーザー加工溝修正工程および第２のレーザー加工溝修正工程を実施する際にも、上記図４に示すX軸方向スキャンユニット５５の第３のガルバノスキャナー５５２を構成する角度調整アクチュエータ５５２bの作動を制御して図４に示すように第３のミラー５５２aを破線で示す位置と２点鎖線で示す位置とに交互に位置付けることにより、レーザー光線の光軸を集光レンズ５２の中心軸に対してX軸方向に揺動させながらレーザー光線を照射することができるので、上記レーザー加工溝１１０の形成を促進させることができる。
【００３４】
以上、本発明を図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明は実施形態のみに限定されるものではなく、本発明の趣旨の範囲で種々の変形は可能である。例えば、上述した実施形態においては光軸傾斜手段５３としてのY軸方向傾斜ユニット５４およびX軸方向スキャンユニット５５はガルバノスキャナーを用いた例を示したが、光軸傾斜手段は音響光学素子(AOE)、電気光学素子（EOD）、ポリゴンミラー等を用いてもよい。
【符号の説明】
【００３５】
２：静止基台
３：チャックテーブル機構
３６：チャックテーブル
３７：Ｘ軸方向送り手段
３８：Ｙ軸方向送り手段
４：レーザー光線照射ユニット
５：レーザー光線照射手段
５１：パルスレーザー光線発振手段
５２：集光レンズ
５３：光軸傾斜手段
５４：Ｙ軸方向傾斜ユニット
５４１：第１のガルバノスキャナー
５４２：第２のガルバノスキャナー
５４３：光軸変更ミラー
５５：Ｘ軸方向スキャンユニット
５５１：方向変換ミラー
５５２：第３のガルバノスキャナー
６：撮像手段
８：制御手段
１０：シリコン基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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