(57)【要約】【課題】  圧電体層の結晶性を制御しながら絶縁体膜の薄膜化を可能にする圧電素子を備えた液体噴射ヘッドを提供する。【解決手段】  絶縁体膜５５上に形成された第１電極膜６０、該第１電極膜６０上に形成された圧電体層７０及び該圧電体層７０上に形成された第２電極膜８０を有する圧電素子３００を、該圧電素子３００の駆動により変位が生じる振動膜５０上に配設して構成した圧電素子の製造方法であって、前記絶縁体膜５５を形成した後、前記絶縁体膜５５に対してラフネス処理を行う。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁体膜上に形成された第１電極膜、該第１電極膜上に形成された圧電体層及び該圧電体層上に形成された第２電極膜を有する圧電素子を、該圧電素子の駆動により変位が生じる振動膜上に配設して構成した圧電素子の製造方法であって、
前記絶縁体膜を形成した後、前記絶縁体膜に対してラフネス処理を行うことを特徴とする圧電素子の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載する圧電素子の製造方法において、
前記ラフネス処理は、プラズマを利用して行うことを特徴とする圧電素子の製造方法。
【請求項３】
請求項２に記載する圧電素子の製造方法において、
前記プラズマを利用する処理は、アルゴン、酸素、反応性ガスから選択されるいずれか一つ、または複数のガスを成分とする処理であることを特徴とする圧電素子の製造方法。
【請求項４】
請求項２または請求項３に記載する圧電素子の製造方法において、
前記絶縁体膜は、ジルコニウム、アルミニウム、シリコン、チタン、、イットリウム、またはタンタルのいずれか１種類を含むことを特徴とする圧電素子の製造方法。
【請求項５】
請求項１に記載する圧電素子の製造方法において、
前記ラフネス処理は、前記絶縁体膜と同一材料を液相法によりオーバーコートすることにより行うことを特徴とする圧電素子の製造方法。
【請求項６】
請求項５に記載する圧電素子の製造方法において、
前記液相法によりオーバーコートした絶縁体膜の表面粗さＲａは、０．７ｎｍ以上であることを特徴とする圧電素子の製造方法。
【請求項７】
請求項５または請求項６に記載する圧電素子の製造方法において、
前記液相法により成膜した絶縁体膜には１０％以下のイットリウムを添加したことを特徴とする圧電素子の製造方法。
【請求項８】
流路形成基板に形成された圧力発生室内に充填された液体に圧力を作用させ、ノズル開口を介して前記液体をノズル開口から吐出する液体噴射ヘッドであって、
前記液体に前記圧力を発生させる圧力発生手段として請求項１〜請求項７のいずれか一項に記載する圧電素子の製造方法により得る圧電素子を前記流路形成基板上に配設したことを特徴とする液体噴射ヘッド。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は圧電素子の製造方法及び液体噴射ヘッドに関し、特に圧電素子の高密度化を図る場合に適用して有用なものである。
【背景技術】
【０００２】
電圧を印加することにより変位する圧電素子は、例えば、液滴を噴射する液体噴射ヘッド等に搭載される。このような液体噴射ヘッドとしては、例えば、ノズル開口と連通する圧力発生室の一部を振動膜で構成し、この振動膜を圧電素子により変形させて圧力発生室内に充填されたインクを加圧してノズル開口からインク滴を吐出させるインクジェット式記録ヘッド（以下、記録ヘッドともいう）が知られている。
【０００３】
この種の記録ヘッドにおいて、絶縁体膜上に配設された圧電素子の高密度化を図るには、前記振動膜の変位を稼ぐため、例えばジルコニア膜で形成される絶縁体膜を薄くする必要がある。
【０００４】
特許文献１には、絶縁体膜となるジルコニア膜の成膜条件を規定することで前記ジルコニア膜の表面粗さを制御し、これにより圧電体層の特性を向上させる技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００５−２６０００３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
図８は、絶縁体膜の表面粗さ（ラフネス）Ｒａと圧電体層（ＰＺＴ）結晶の（１００）配向率との相関を示すグラフである。同図に示すように、表面粗さＲａの数値が大きくなる程、圧電体層の配向率も大きくなり良好な結晶となる。このことは、表面粗さＲａを大きくすれば圧電体層の結晶性を制御しながら絶縁体膜の薄膜化が可能となることを示唆している。すなわち、絶縁体膜の薄膜化を実現できれば、圧電素子の駆動に伴う変位を大きくとることができる。
【０００７】
しかしながら、特許文献１に示すように、絶縁体膜（ジルコニア膜）の成膜条件だけで表面粗さＲａを制御することは難しい。したがって、成膜条件だけで圧電体層の結晶性を向上させることは難しい。すなわち、特許文献１等に示す従来技術においては、圧電素子の高密度化のために絶縁体膜の膜厚を薄くしたいが、薄くすると表面粗さＲａが大きくならず、圧電体層の配向率が低くなってしまう。そこで、絶縁体膜の膜厚を厚くせざるを得なかった。
【０００８】
本発明は、上記従来技術に鑑み、圧電体層の結晶性を制御しながら絶縁体膜の薄膜化を可能にする圧電素子の製造方法及び液体噴射ヘッドを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成する本発明の態様は、絶縁体膜上に形成された第１電極膜、該第１電極膜上に形成された圧電体層及び該圧電体層上に形成された第２電極膜を有する圧電素子を、該圧電素子の駆動により変位が生じる振動膜上に配設して構成した圧電素子の製造方法であって、前記絶縁体膜を形成した後、前記絶縁体膜に対してラフネス処理を行うことを特徴とする圧電素子の製造方法にある。
本態様によれば、絶縁体膜をラフネス処理しているので、絶縁体膜の表面粗さを大きくすることができる。この結果、圧電体層（ＰＺＴ）配向率を大きくすることができ、圧電体層の結晶性を制御しながら絶縁体膜の薄膜化が可能となり、圧電素子の駆動に伴う変位を大きくとることができる。
【００１０】
ここで、前記ラフネス処理は、プラズマを利用して行うことができる。この場合、前記プラズマを利用する処理は、アルゴン、酸素、反応性ガスから選択されるいずれか一つ、または複数のガスを成分とする処理であることが望ましい。また、前記絶縁体膜は、ジルコニウム、アルミニウム、シリコン、チタン、イットリウム、またはタンタルのいずれか１種類を含むのが望ましい。
【００１１】
一方、前記ラフネス処理は、前記絶縁体膜と同一材料を液相法によりオーバーコートすることにより行うのが望ましい。液相法で形成される絶縁体膜は、粒状結晶となり、プラズマを利用したスパッタ膜（Ｒａ≒０．６ｎｍ）等よりもラフネスが大きい（Ｒａ≒３ｎｍ）からである。ここで、前記液相法によりオーバーコートした絶縁体膜の表面粗さＲａは、０．７ｎｍ以上であるのが望ましい。図１に示すように、表面粗さＲａが、０．７ｎｍ以上である場合に配向率が９０％以上となり、良好な結晶となるからである。
【００１２】
さらに、前記液相法により成膜した絶縁体膜には１０％以下のイットリウムを添加するのが望ましい。結晶が安定するからである。
【００１３】
本発明の他の態様は、流路形成基板に形成された圧力発生室内に充填された液体に圧力を作用させ、ノズル開口を介して前記液体をノズル開口から吐出する液体噴射ヘッドであって、前記液体に前記圧力を発生させる圧力発生手段として上述の如き圧電素子の製造方法により得る圧電素子を前記流路形成基板上に配設したことを特徴とする液体噴射ヘッドにある。
【００１４】
本態様によれば、絶縁体膜の薄膜化を図っても、圧電素子の駆動に伴う変位を大きくとることができるので、液体噴射ヘッドとしての良好な吐出特性を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】実施形態に係る記録ヘッドの分解斜視図である。
【図２】実施形態に係る記録ヘッドの平面図及び断面図である。
【図３】実施形態に係る記録ヘッドの製造工程を示す断面図である。
【図４】結晶構造が異なる２層の絶縁体膜を示す模式図である。
【図５】実施形態に係る記録ヘッドの製造工程を示す断面図である。
【図６】実施形態に係る記録ヘッドの製造工程を示す断面図である。
【図７】実施形態に係る記録ヘッドの製造工程を示す断面図である。
【図８】絶縁体膜のラフネスと圧電体層配向率との相関を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下に本発明を実施形態に基づいて詳細に説明する。
図１は、本発明の実施形態に係るインクジェット式記録ヘッドを示す分解斜視図、図２は、図１の平面図及び断面図である。これら図１及び図２に示すように、流路形成基板１０は、本実施形態では面方位（１１０）のシリコン単結晶基板からなり、その一方の面には予め熱酸化により形成した二酸化シリコンからなる振動膜５０が形成されている。流路形成基板１０には、その他方面側から異方性エッチングすることにより形成され、隔壁１１によって区画された複数の圧力発生室１２がその幅方向に並設されている。また、流路形成基板１０の圧力発生室１２の長手方向外側の領域には連通部１３が形成され、連通部１３と各圧力発生室１２とが、各圧力発生室１２毎に設けられたインク供給路１４を介して連通されている。なお、連通部１３は、後述する保護基板のマニホールド部と連通して各圧力発生室１２の共通のインク室となるマニホールドの一部を構成する。インク供給路１４は、圧力発生室１２よりも狭い幅で形成されており、連通部１３から圧力発生室１２に流入するインクの流路抵抗を一定に保持している。
【００１７】
また、流路形成基板１０の開口面側には、各圧力発生室１２のインク供給路１４とは反対側の端部近傍に連通するノズル開口２１が穿設されたノズルプレート２０が、後述するマスク膜を介して接着剤や熱溶着フィルム等によって固着されている。なお、ノズルプレート２０は、厚さが例えば、０．０１〜１ｍｍで、線膨張係数が３００℃以下で、例えば２．５〜４．５［×１０-6／℃］であるガラスセラミックス、シリコン単結晶基板又はステンレス鋼などからなる。
【００１８】
一方、このような流路形成基板１０の開口面側とは反対側には、上述したように、厚さが例えば約０．５μｍの二酸化シリコン（ＳｉＯ２）からなる振動膜５０が形成され、この振動膜５０上には、ジルコニア（酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２））からなる絶縁体膜５５が形成されている。かかる絶縁体膜５５は、所定のラフネス処理が行われている。ラフネス処理の具体的な内容に関しては、後に詳述する。
【００１９】
絶縁体膜５５上には、下電極膜である第１電極膜６０と、圧電体層７０と、上電極膜である第２電極膜８０とが、後述するプロセスで積層形成されて、圧電素子３００を構成している。ここで、圧電素子３００は、第１電極膜６０、圧電体層７０及び第２電極膜８０を含む部分をいう。一般的には、圧電素子３００の何れか一方の電極を共通電極とし、他方の電極及び圧電体層７０を各圧力発生室１２毎にパターニングして構成する。そして、ここではパターニングされた何れか一方の電極及び圧電体層７０から構成され、両電極への電圧の印加により圧電歪みが生じる部分を圧電体能動部という。本実施形態では、第１電極膜６０を圧電素子３００の共通電極とし、第２電極膜８０を圧電素子３００の個別電極としているが、駆動回路や配線の都合でこれを逆にしても構わない。何れの場合においても、各圧力発生室１２毎に圧電体能動部が形成されていることになる。また、本形態では、振動膜５０、絶縁体膜５５及び第１電極膜６０が振動膜としての役割を果たす。
【００２０】
また、このような各圧電素子３００の第２電極膜８０には、リード電極９０がそれぞれ接続され、このリード電極９０を介して各圧電素子３００に選択的に電圧が印加されるようになっている。
【００２１】
また、流路形成基板１０上の圧電素子３００側の面には、圧電素子３００に対向する領域に圧電素子保持部３１を有する保護基板３０が接着剤を介して接合されている。圧電素子３００は、この圧電素子保持部３１内に形成されているため、外部環境の影響を殆ど受けない状態で保護されている。さらに、保護基板３０には、流路形成基板１０の連通部１３に対応する領域にマニホールド部３２が設けられている。このマニホールド部３２は、本実施形態では、保護基板３０を厚さ方向に貫通して圧力発生室１２の並設方向に沿って設けられており、上述したように流路形成基板１０の連通部１３と連通されて各圧力発生室１２の共通のインク室となるマニホールド１００を構成している。
【００２２】
保護基板３０の圧電素子保持部３１とマニホールド部３２との間の領域には、保護基板３０を厚さ方向に貫通する貫通孔３３が設けられ、この貫通孔３３内に第１電極膜６０の一部及びリード電極９０の先端部が露出され、これら第１電極膜６０及びリード電極９０には、図示しないが、一端が駆動ＩＣに接続された接続配線の他端が接続される。
【００２３】
なお、保護基板３０の材料としては、例えば、ガラス、セラミックス材料、金属、樹脂等が挙げられるが、流路形成基板１０の熱膨張率と略同一の材料で形成されていることがより好ましく、本実施形態では、流路形成基板１０と同一材料のシリコン単結晶基板を用いて形成した。
【００２４】
また、保護基板３０上には、封止膜４１及び固定板４２とからなるコンプライアンス基板４０が接合されている。封止膜４１は、剛性が低く可撓性を有する材料（例えば、厚さが６μｍのポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）フィルム）からなり、この封止膜４１によってマニホールド部３２の一方面が封止されている。また、固定板４２は、金属等の硬質の材料（例えば、厚さが３０μｍのステンレス鋼（ＳＵＳ）等）で形成される。この固定板４２のマニホールド１００に対向する領域は、厚さ方向に完全に除去された開口部４３となっているため、マニホールド１００の一方面は可撓性を有する封止膜４１のみで封止されている。
【００２５】
このような本実施形態のインクジェット式記録ヘッドでは、図示しない外部インク供給手段からインクを取り込み、マニホールド１００からノズル開口２１に至るまで内部をインクで満たした後、図示しない駆動ＩＣからの記録信号に従い、圧力発生室１２に対応するそれぞれの第１電極膜６０と第２電極膜８０との間に電圧を印加し、振動膜５０、絶縁体膜５５、第１電極膜６０及び圧電体層７０をたわみ変形させることにより、各圧力発生室１２内の圧力が高まりノズル開口２１からインクが吐出する。
【００２６】
次に、上述の如きインクジェット式記録ヘッドの製造方法について、図３〜図７を参照して説明する。なお、図３および図５〜図７は、圧力発生室１２の長手方向の断面図である。まず、図３（ａ）に示すように、シリコンウェハである流路形成基板用ウェハ１１０を約１１００℃の拡散炉で熱酸化し、その表面に振動膜５０を構成する二酸化シリコン膜５１を形成する。なお、本実施形態では、流路形成基板１０として、膜厚が約６２５μｍと比較的厚く剛性の高いシリコンウェハを用いている。
【００２７】
次いで、図３（ｂ）に示すように、振動膜５０（二酸化シリコン膜５１）上に、酸化ジルコニウムからなる絶縁体膜５５を形成する。具体的には、振動膜５０（二酸化シリコン膜５１）上に、ジルコニウム（Ｚｒ）層を形成する。次に、ジルコニウム層を熱酸化して酸化ジルコニウムからなる絶縁体膜５５を形成し、その後絶縁体膜５５をラフネス処理する。具体的なラフネス処理方法としては、次の２種類の方法で実現できる。
【００２８】
第１のラフネス処理方法は、プラズマを利用して行うものである。この場合、プラズマを利用する処理は、アルゴン、酸素、反応性ガスから選択されるいずれか一つ、または複数のガスを成分とする処理で好適に実現し得る。また、処理条件は、例えば１Ｐａ，プラズマパワーは１０００Ｗ（ソース側）、５０Ｗ（バイアス側）とすることができ、特にバイアス側のパワーは１００Ｗ以下とすることが好ましい。高すぎると振動膜５０の表面を削りすぎてしまい、表面粗さＲａを大きくすることができないからである。
【００２９】
なお、本形態では、絶縁体膜５５は，ジルコニウムを含むものとしたが、他にもアルミニウム、シリコン、チタン、イットリウム、またはタンタルのいずれか１種類を含むもので形成することもできる。
【００３０】
第２のラフネス処理方法は、絶縁体膜５５と同一材料（本形態ではジルコニウム）を液相法によりオーバーコートすることにより行うものである。この場合、液相法によりオーバーコートした絶縁体膜５５の表面粗さＲａは、０．７ｎｍ以上で３ｎｍ未満とするのが好ましい。表面粗さＲａを０．７ｎｍ以上とすることにより、図８に示すように、圧電体層７０の配向率を９０％以上とすることができるからである。また、このように、液相法により成膜した絶縁体膜５５には１０％以下のイットリウムを添加するのが望ましい。絶縁体膜５５の結晶を安定させるためである。
【００３１】
上述の如く本形態における絶縁体膜５５は、絶縁体膜５５と同一材料であるジルコニウム膜を液相法によりオーバーコートして形成される。この結果、図４に模式的に示すように、本実施形態における絶縁体膜５５は、振動膜５０（例えば、図１参照）上に成膜された下絶縁体膜５５Ａと下絶縁体膜５５Ａ上に成膜された上絶縁体膜５５Ｂの２層構造となっている。そして、本実施形態においては、下絶縁体膜５５Ａはスパッタ法により成膜され、また上絶縁体膜５５Ｂは液相法により成膜されている。
【００３２】
この結果、スパッタ法により成膜された下絶縁体膜５５Ａは柱状の粒子が密に集合した結晶構造となり圧電体層７０からのＰｂの拡散を良好に抑制することができる。一方、液相法により成膜された上絶縁体膜５５Ｂは小径の粒子が疎に集合した結晶構造となりヤング率が小さい柔軟な膜とすることができる。ここで、下絶縁体膜５５Ａの膜厚ｔ１＞上絶縁体膜５５Ｂの膜厚ｔ２の関係が成立するように成膜してある。
【００３３】
ここで、絶縁体膜５５の膜厚は、１００ｎｍ〜１５０ｎｍの範囲に収まるように成膜してある。さらに詳言すると、上絶縁体膜５５Ｂの膜厚が、基準値を７０ｎｍとして５０ｎｍ〜１００ｎｍの範囲に収まるように成膜するとともに、下絶縁体膜５５Ａの膜厚を５０ｎｍとしつつ、下絶縁体膜５５Ａと上絶縁体膜５５Ｂの合計膜厚が、基準値を１２５ｎｍとして１００ｎｍ〜１５０ｎｍの範囲に収まるように成膜する。このことにより、従来、約４００ｎｍとなっていた絶縁体膜５５の膜厚を、約１２５ｎｍまで薄膜化することができる。
【００３４】
なお、本実施形態においては、スパッタ法による膜を下絶縁体膜５５Ａ、液相法による膜を上絶縁体膜５５Ｂとしたが、この関係により、上述の如くスパッタ法による成膜に伴うメリットと、液相法による成膜に伴うメリットとを同時に享有できる。ただ、下絶縁体膜５５Ａと上絶縁体膜５５Ｂとの上下関係は、本実施形態に限定する必要はない。上下関係が逆でも構わない。要するに、絶縁体膜５５が、下絶縁体膜と、該下絶縁体膜上に成膜した下絶縁体膜と同一材料で結晶構造が異なる上絶縁体膜とからなる２層構造となっていれば良い。
【００３５】
上述の如き２種類の方法で、絶縁体膜５５のラフネス処理を行った後、図５（ａ）に示すように、例えば、少なくとも白金とイリジウムとからなる下電極膜である第１電極膜６０を絶縁体膜５５の全面にスパッタ法等により形成する。その後、第１電極膜６０を所定形状にパターニングする。なお、この第１電極膜６０の表面粗さＲａは、絶縁体膜５５の表面粗さＲａに依存する。本実施形態では、絶縁体膜５５の表面をラフネス処理して表面粗さＲａを大きくしてあるので、第１電極膜６０上に成膜される圧電体層７０の配向性を良好に維持することができる。
【００３６】
次に、図５（ｂ）に示すように、第１電極膜６０及び絶縁体膜５５上に、チタン（Ｔｉ）をスパッタ法、例えば、ＤＣスパッタ法で２回以上、本実施形態では２回塗布することにより所定の厚さで連続する種チタン層６５を形成する。この種チタン層６５の膜厚は、１ｎｍ〜８ｎｍの範囲内となるように形成するのが好ましい。種チタン層６５をこのような厚さで形成することにより、後述する工程で形成される圧電体層７０の結晶性を向上させることができるからである。
【００３７】
次に、このように形成した種チタン層６５上に、例えば、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）からなる圧電体層７０を形成する。本実施形態では、金属有機物を溶媒に溶解・分散したいわゆるゾルを塗布乾燥してゲル化し、さらに高温で焼成することで金属酸化物からなる圧電体層７０を得る、いわゆるゾル−ゲル法を用いてＰＺＴからなる圧電体層７０を形成する。
【００３８】
かかる圧電体層７０を形成した後は、図５（ｃ）に示すように、例えば、イリジウムからなる第２電極膜８０を流路形成基板用ウェハ１１０の全面に形成する。次いで、図５（ｄ）に示すように、圧電体層７０及び第２電極膜８０を、各圧力発生室１２に対向する領域にパターニングして圧電素子３００を形成する。
【００３９】
次に、リード電極９０を形成する。具体的には、図６（ａ）に示すように、流路形成基板用ウェハ１１０の全面に亘って、例えば、金（Ａｕ）等からなる金属層９１を形成する。その後、例えば、レジスト等からなるマスクパターン（図示なし）を介して金属層９１を圧電素子３００毎にパターニングすることでリード電極９０を形成する。
【００４０】
次に、図６（ｂ）に示すように、流路形成基板用ウェハ１１０の圧電素子３００側に、シリコンウェハであり複数の保護基板３０となる保護基板用ウェハ１３０を接合する。なお、この保護基板用ウェハ１３０は、例えば、４００μｍ程度の厚さを有するため、保護基板用ウェハ１３０を接合することによって流路形成基板用ウェハ１１０の剛性は著しく向上することになる。
【００４１】
次いで、図６（ｃ）に示すように、流路形成基板用ウェハ１１０をある程度の厚さとなるまで研磨した後、さらにフッ硝酸によってウェットエッチングすることにより流路形成基板用ウェハ１１０を所定の厚みにする。例えば、本実施形態では、約７０μｍ厚になるように流路形成基板用ウェハ１１０をエッチング加工した。
【００４２】
次いで、図７（ａ）に示すように、流路形成基板用ウェハ１１０上に、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮ）からなるマスク膜５２を新たに形成し、所定形状にパターニングする。
【００４３】
そして、このマスク膜５２を介して流路形成基板用ウェハ１１０を異方性エッチングすることにより、図７（ｂ）に示すように、流路形成基板用ウェハ１１０に圧力発生室１２、連通部１３及びインク供給路１４等を形成する。
【００４４】
その後は、流路形成基板用ウェハ１１０及び保護基板用ウェハ１３０の外周縁部の不要部分を、例えば、ダイシング等により切断することによって除去する。そして、流路形成基板用ウェハ１１０の保護基板用ウェハ１３０とは反対側の面にノズル開口２１が穿設されたノズルプレート２０を接合すると共に、保護基板用ウェハ１３０にコンプライアンス基板４０を接合し、流路形成基板用ウェハ１１０等を図１に示すような一つのチップサイズの流路形成基板１０等に分割することによって、本実施形態のインクジェット式記録ヘッドとする。
【００４５】
（他の実施形態）
以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明は、上述した実施形態に限定されるものではない。例えば、上述した実施形態においては、液体噴射装置に用いるヘッドの一例としてインクジェット式記録ヘッドを例示したが、本発明は、広く液体噴射ヘッドの全般を対象としたものであり、インク以外の液体を噴射するものにも勿論適用することができる。その他の液体噴射ヘッドとしては、例えば、プリンター等の画像記録装置に用いられる各種の記録ヘッド、液晶ディスプレイ等のカラーフィルターの製造に用いられる色材噴射ヘッド、有機ＥＬディスプレイ、ＦＥＤ（電界放出ディスプレイ）等の電極形成に用いられる電極材料噴射ヘッド、バイオｃｈｉｐ製造に用いられる生体有機物噴射ヘッド等が挙げられる。また、本発明は、このような液体噴射ヘッド（インクジェット式記録ヘッド）に液体吐出手段として搭載されるアクチュエーター装置だけでなく、あらゆる装置に搭載されるアクチュエーター装置に適用することができる。例えば、アクチュエーター装置は、上述したヘッドの他に、センサー等にも適用することができる。
【符号の説明】
【００４６】
１０  流路形成基板、  １２  圧力発生室、  ２０  ノズルプレート、  ２１  ノズル開口、  ３０  保護基板、  ４０  コンプライアンス基板、  ５０  振動膜、  ５５  絶縁体膜、  ５５Ａ  下絶縁体膜、  ５５Ｂ  上絶縁体膜、  ６０  第１電極膜、  ７０  圧電体層、  ８０  第２電極膜、  ３００  圧電素子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図４】
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