(57)【要約】【課題】本発明の課題の一つは、安価で高環境耐久性、高変換効率で全体最適化が図れる光起電力装置が製造できる光電変換装置の製造方法を提供することにある。【解決手段】ソーダガラスから成る基体；該基体表面に直接設けた透明な光入射側電極、該電極は、ガリウムを含む酸化亜鉛から成り；該電極上に、n型のa-Ｓｉ層、i型のa-Ｓi層、p型のa-Ｓi層からなる第一の光電変換積層部、n型のμc-Ｓｉ層、i型のμc-Ｓｉ層、p型のμc-Ｓｉ層からなる第二の光電変換層部がこの順で積層された光電変換部を直接設け、該光電変換部を構成する前記層の中、n型の層はn型不純物としてガリウムを含み；前記光電変換部上に対向電極、該対向電極上に、パッシベーション膜、熱伝導性接着層、放熱部材がこの順で重畳され、前記光電変換部が、ROT-MSP法によって層形成し、且つHDVSMF-UHFEP 法によって水素終端処理を施すことを特徴とする。【選択図】図１
2016115816.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ソーダガラスから成る基体；
該基体表面に直接設けた透明な光入射側電極、該電極は、ガリウムを含む酸化亜鉛から成り；
該電極上に、n型のa-Ｓｉ層、i型のa-Ｓi層、p型のa-Ｓi層からなる第一の光電変換積層部、n型のμc-Ｓｉ層、i型のμc-Ｓｉ層、p型のμc-Ｓｉ層からなる第二の光電変換層部がこの順で積層された光電変換部を直接設け、該光電変換部を構成する前記層の中、n型の層はn型不純物としてガリウムを含み；
前記光電変換部上に対向電極、該対向電極上に、パッシベーション膜、熱伝導性接着層、放熱部材がこの順で重畳されている；
光電変換装置の製造方法おいて、
前記光電変換部が、ROT-MSP法によって層形成し、且つHDVSMF-UHFEP 法によって水素終端処理を施すことを特徴とする光電変換装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光起電力装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
このところ、地球環境保全、原子力エネルギーなどの視点から、再生エネルギー、特に、光起電力装置である太陽電池機器の大型施設の建築が世界中で進んでいる。
しかし、世界中というと建設地域は、熱帯から寒帯まであり、その架設地の環境条件には、厳しいものがある。
例えば、砂漠地域などでは、日中５０℃以上に外気温が上昇するだけでなく、昼夜の寒暖差が、８０℃以上になることもある。
又、熱帯・亜熱帯地域では降雨量が多く、緯度の高い地域では日照時間がそう長くはない。
このような過酷な環境下では、光起電力特性に優れているだけではなく、対環境性・耐久性に優れていることが必要である。
大型の太陽電池機器の場合、温度上昇が大きい場合や寒暖差が大きくなると、熱膨張により機器部材の伸縮がおこり、部材間の熱膨張の差により、機器に歪が生じ光起電力を起こす半導体膜などに亀裂・剥離などが生じ、起電力特性の低下若しくは喪失を起こす。
従って、太陽電池機器自体の温度上昇を緩和させる対策や、太陽電池機器部材の個々を出来るだけ熱膨張の小さい材料で構成し、或は、個々の機材部材の熱膨張を出来るだけ揃える、適切な膨張係数の関係にするなどの提案がされている（特許文献１乃至特許文献１２）。
【０００３】
一方、太陽光を受光する受光面が比較的大面積化しやすいこと、資源量が他の材料に比べ多いこと等の理由で、光電変換部に非晶質シリコン（アモルファスシリコン：「a-Ｓｉ」と記すこともある）や微結晶Ｓｉ（「μ-Ｓｉ」と記すこともある）、を使用している場合が多い。
しかし、a-Ｓｉやμ-Ｓｉの薄膜（両者若しくは何れか一方の薄膜を示すのに「シリコン（Ｓｉ）薄膜」と記すこともある）を光電変換部に使用する太陽電池の変換効率は、理論値で、２０％を超えているにも拘らず、現状では、精々１０％止まりである。
その要因は、Ｓｉ薄膜を４００〜５００℃で形成している（採算性に合う生産効率とするため）ことにある。即ち、a-Ｓｉ薄膜の形成においては、２３０℃以上で、μ-Ｓｉ薄膜の形成においては、２５０℃以上で、形成する膜中に含まれる水素（Ｈ）が膜から離脱して仕舞い、形成終了後のＳｉ薄膜中に半導体的欠陥が存在する（膜品質が低い）ためである。
Ｓｉ薄膜中に半導体的欠陥が存在しないように、本件の発明者の一人が発明者の一人になって２３０℃未満の低温で生産性良く高品質のＳｉ薄膜が形成出来る成膜装置を提案している（特許文献１３）。
又、一般に、光起電力装置の場合、温度が高くなるほど発電効率が低下すると云う課題を有しているが、例えばａ-Ｓｉで光電変換部を構成した場合は、１℃温度が上がると、効率が０．２２％減少するといわれている。
そのために、光起電力装置自体の環境温度による温度上昇を出来るだけ抑制するために、放熱効果の高い材料で要素部を構成したり放熱効果の高い形状を工夫したりする提案がある（特許文献１４乃至特許文献１６）。
【０００４】
この他、雨天時に水が光起電力装置内部に浸透しないような工夫（特許文献１７）や、低コウト化のためにソーダガラス基板を使用する場合に、ソーダガラス基板から光電変換部内にナトリウム（Ｎａ）が拡散しない工夫（特許文献１７）の提案がなされている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平６−２５２４３３号公報
【特許文献２】特開２０００−３４９３１２号公報
【特許文献３】ＷＯ２０１１／１３６１７７Ａ号公報
【特許文献４】特開２０１２−２８３７６号公報
【特許文献５】特開２０１２−２５０９０２号公報
【特許文献６】特開２０１３−４４０００号公報
【特許文献７】特開２００７−２７３７８１号公報
【特許文献８】特開２００８−１５９８７９号公報
【特許文献９】特開２０１１−１７６２８８号公報
【特許文献１０】特開２０１４−２０７４４１号公報
【特許文献１１】特開２０１０−２８３１６５号公報
【特許文献１２】特開２０１４−９００６２号公報
【特許文献１３】WO２００８／１５３０６４Ａ号公報
【特許文献１４】特開平６−２５２４３３号公報
【特許文献１５】特開２０１２−２２２３０７号公報
【特許文献１６】特開２０１１−１０３３５０号公報
【特許文献１７】特開２０１０−１４１１２１号公報
【特許文献１８】特開２００９６−１９４０２４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記の何れの特許文献も、部分最適化を図るもので、装置トータルとしての全体最適化を図るものではない。
即ち、本件発明者等は、鋭意検討・試作を繰り返す中で、光電変換装置の各構成要素の最適化を図ることが、装置トータルとしての全体最適化が必ずしも図れることにはならないことに至った。
そこで、改めて全体最適化の視点に立って、鋭意研究開発・検討・試作の実装置での特性確認を更に進める中で本発明は成されたものである。
【０００７】
即ち、本発明は、特定の成膜方法に従い、ある特定の成膜条件を適用して、該当の層を形成すれば、全体最適化が図れるという事に至ったことによりなされたものである。
本発明の一つの目的は、安価で高環境耐久性、高変換効率の光起電力装置が製造できる光電変換装置の製造方法を提供することである。
本発明の別の目的は、光電変換装置の各構成要素の最適化を必ずしも図るのではなく、該当の構成要素は、その形成法・形成条件も含め全体最適化のための適正化を図ることで、光電変換装置の全体最適化が図れ、従来よりも格段に優れた特性を備えた光電変換装置が製造できる光電変換装置の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記の課題を解決する本発明は、ソーダガラスから成る基体；
該基体表面に直接設けた透明な光入射側電極、該電極は、ガリウムを含む酸化亜鉛から成り；
該電極上に、n型のa-Ｓｉ層、i型のa-Ｓi層、p型のa-Ｓi層からなる第一の光電変換積層部、n型のμc-Ｓｉ層、i型のμc-Ｓｉ層、p型のμc-Ｓｉ層からなる第二の光電変換層部がこの順で積層された光電変換部を直接設け、該光電変換部を構成する前記層の中、n型の層はn型不純物としてガリウムを含み；
前記光電変換部上に対向電極、該対向電極上に、パッシベーション膜、熱伝導性接着層、放熱部材がこの順で重畳されている；
光電変換装置の製造方法おいて、前記光電変換部が、ROT-MSP法によって層形成し、且つHDVSMF-UHFEP 法によって水素終端処理を施すことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の光電変換装置の製造によれば、従来よりも格段に優れた特性を備えた光電変換装置を提供することが出来る。
又、本発明の光電変換装置の製造によれば、全体最適化が図れた、安価で高環境耐久性・高変換効率の光起電力装置を提供することが出来る。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】図１は、本発明に係る光電変換装置の好適な一例の主要部を説明するための模式的構造断面説明図。
【図２Ａ】図２Ａは、本発明に係る光電変換装置の複数を配設して構成した太陽電池パネルの好適な一例の短辺方向左端部の構造を説明するための模式的構造断面説明図。
【図２Ｂ】図２Ｂは、本発明に係る光電変換装置の複数を配設して構成した太陽電池パネルの好適な一例の短辺方向右端部の構造を説明するための模式的構造断面説明図。
【図２Ｃ】図２Ｃは、本発明に係る光電変換装置の複数を配設して構成した太陽電池パネルの好適な一例の長手方向端部の構造を説明するための模式的構造断面説明図。
【図３】図３は、マグネトロンスパッタ装置の一例を示す断面図。
【図４】図４は、図３における磁石回転機構、磁石列および固定磁石を示す斜視図。
【図５】図５は、本発明で使用するプラズマ処理装置の概略を示す断面図。
【図６Ａ】図６Ａは、図５の円VIA内の拡大図。
【図６Ｂ】図６Ｂは、シャワープレートのガス供給孔の配列を示す図。
【図７Ａ】図７Ａは、図５の装置の磁場形成機構の構成を示す平面図。
【図７Ｂ】図７Ｂは、磁場形成機構の他の例を示す平面図。
【図７Ｃ】図７Ｃは、磁場形成機構のさらに他の例を示す平面図。
【図８】図８は、固定磁石とループ状磁場領域との関係を示す断面図。
【図９】図９は、主面に形成されるループ状磁場領域の水平磁場強度分布を示すグラフ。
【図１０】図１０は、給電部の構造を示す図５のＸ-Ｘ線の断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
図１は、本発明に係る光電変換装置の好適な一例の主要部を説明するための模式的構造断面説明図である。
図１に示す光電変換装置１００は、ソーダガラス基板１０１上に、透明電極１０２、光電変換部１０３、上部電極１０４、フィン構造を有する放熱部材１０５が重畳された構成を有する。
光電変換部１０３は、第一の光電変換積層部１０３−１，第二の光電変換積層１０３−２から構成されている。
上部電極１０４は、ニッケル（Ｎｉ）から成る第一電極１０４−１とアルミニウム（Ａｌ）から成る第二に電極１０４−２とが、この順で第二の光電変換積層部１０３−２上に積層されている構成を備えている。
第一の光電変換積層部１０３−１は、ソーダガラス基板１０１側から、n型のa-Ｓｉ層１０３−１a、i型のa-Ｓi層１０３−１ｂ、p型のa-Ｓi層１０３−１cがこの順で積層されたnipの３層構造を有する。
ここで、本願では、「i型層」とは、半導体分野でいう「真正半導体層」の意味の他に、所謂半導体不純物を含まない「半導体層」の意味も含む。通常、a-Ｓiの場合は、「ややn型：n-型」であると言われている。
第二の光電変換積層部１０３−２は、ソーダガラス基板１０１側から、n型のμc-Ｓｉ層１０３−２a、i型のμc-Ｓｉ層１０３−２ｂ、p型のμc-Ｓｉ層１０３−２cがこの順で積層されたnipの３層構造を有する。
【００１２】
本発明においては、その特徴として、光電変換部１０３を構成するこれらのa-Ｓi層やμc-Ｓｉ層は後述する特定の製法と特定の作成条件で形成される。
光電変換部１０３−２上にＮｉから成る第一電極１０４−１を直接設けている理由は、外部環境温度の上昇、発電による電流の流れに伴って生じる熱による装置内部温度の上昇が原因で、光電変換部１０３を構成するa-Ｓi層やμc-Ｓｉ層から、特に第一電極１０４−１に直接接しているp型のμc-Ｓｉ層１０３−２cから水素（Ｈ）が離脱するのを阻止するためである。
a-Ｓi層やμc-Ｓｉ層に直接設ける電極の金属材料は、その選択如何によっては、低温域からa-Ｓi層やμc-Ｓｉ層中にある水素（Ｈ）が離脱する。
本発明においては、光電変換装置１００の全体最適化の視点から、p型のμc-Ｓｉ層１０３−２c上に直接設ける第一電極１０４−１をＮｉで構成することにより、光電変換装置１００の内部温度が仮に２３０℃程度までになっても、光電変換部１０３からの水素（Ｈ）の離脱を十分抑制することが出来る。
このような理由により、ＮｉがＡｌに比べて高価であり、一般的にはＡｌ電極を採用するが、本発明においては、ＮｉがＡｌに比べて水素（Ｈ）離脱阻止の効果が格段に優れていることで、p型のμc-Ｓｉ層１０３−２cの直接接する電極には、Ｎｉ電極を採用している。
【００１３】
第一電極１０４−１は、水素（Ｈ）離脱効果が発揮できる範囲において、可能な限りその層厚を薄くすることが光電変換装置の低コスト化の視点で重要である。本発明においては、好ましくは、０．７μ以下、より好ましくは、０．５ミクロン以下であるのが望ましい。
上部電極１０４上には、光電変換装置１００が昼夜の温度格差によって熱的歪を起こすのを抑制するために、炭素（Ｃ）を含む窒化シリコン（ＳｉＮ）からなる材料（ＳｉＣＮ）で構成されたパッシベーション膜１０６が設けられている。
本発明においては、パッシベーション膜１０６を構成するＳｉＣＮは、Ｃを２．５  〜６  ％  含むＳｉＣＮの中から光電変換装置１００の全体最適化に適した化学組成のＳｉＣＮが選択されて使用されるのが望ましい。その作成法と作成条件は後述される。
パッシベーション膜１０６の上には、放熱部材１０５が良熱伝導性接着層１０７を介して設けられている。
放熱部材１０４のフィン構造部は、フィン構造を露出させておいてもよく、または、図１に示す様に、良熱伝導性接着層１０７を構成する材料と同様の良熱伝導性接着剤１０５−２中にフィン構造１０５−１を埋設しても良い。フィン構造１０５−１を埋設する場合は、フィンのトップを外気に晒すように露出させる方が、放熱効果がよいので好ましい。
良熱伝導性接着層１０７を構成する材料としては、金属や無機材料に対して接着力の良好な接着剤中に、金属パウダーやカーボンファイバー、ナノカーボンフィラーなどを分散させた高熱伝導性の機能性接着剤が選択される。
放熱部材１０５は、対劣化性に優れ、熱伝導性・熱放熱性に優れた材料で構成される。そのような材料としては、アルミニウム（Ａｌ）やＡｌ系合金、マグネシウム（Ｍｇ）やＭｇ系合金、ステンレスなどが好ましい材料として挙げられる。
その中で、ＭｇやＭｇ系合金は放熱・放射効果に優れているだけでなく軽量という視点からも大型パネルの太陽電池の放熱部材を構成する材料として好ましい。
【００１４】
図１においては、放熱部材１０５は、フィン構造１０５−１を備えているが、本発明においてはこの構造１０５−１に限定されるものではなく、図１に示すフィン構造１０５−１に代えて、網目状構造、ハチの巣構造、格子構造等を備えさせてもよい。何れにしても、放熱・放射効果が大きくなるように放熱部材１０５の外気接触する面積が出来るだけ多くなる様に工夫された構造とされるのが好ましい。
本発明の光電変換装置１００においては、太陽光の受光側は、基板１０１側であるので、放熱部材１０５が、日中において、太陽光に直接晒される機会が少ない状態となる様に光電変換装置１００が設置される。そのため、本発明の光電変換装置１００は、設置状態によって放熱・放射効果をより大きくすることが出来る。
図１に示す光電変換装置１００は、３つの光電変換セル（１００−１，１００−２，１００−３）が基板１０１上に並置されている構造を有する。
本発明においては、光電変換セルはこの３つに限定されるものではなく、所望に従って所定数設けることが出来る。
【００１５】
図１においては、光電変換セル１００−１、１００−３は、その一部が示されている。
光電変換セル（１００−１，１００−２，１００−３）は、Ａｌなどの金属で構成される接続電極１０７（１０７−１、１０７−２）で電気的に直列に接続されている。
接続電極１１１（１１１−１，１１１−２）は、ＳｉＯ２（酸化シリコン）などの電気絶縁材料で構成された電気的絶縁領域１０８（１０８−１，１０８−２）で周囲を囲まれていて、各セルの光電変換部１０３と電気的に絶縁されている。
上部電極１０４は、ＳｉＣＮ等の電気絶縁材料で構成される上部電極分離領域１０９（１０９−１，１０９−２）によってセル（１００−１，１００−２，１００−３）ごとに電気的に絶縁分離されている。
同様に、透明電極１０２もＳｉＣＮ等の電気絶縁材料で構成される下部電極分離領域１１０（１１０−１，１１０−２）によってセル（１００−１，１００−２，１００−３）ごとに電気的に絶縁分離されている。
【００１６】
図２Ａ乃至図２Ｃに別の構成の光電変換装置が示される。
図２Ａは、本発明に係る光電変換装置の複数を配設して構成した太陽電池パネルの好適な一例の短辺方向左端部の構造を説明するための模式的構造断面説明図、図２Ｂは、短辺方向右端部の構造を説明するための模式的構造断面説明図、図２Ｃは、長手方向端部の構造を説明するための模式的構造断面説明図、である。
図２Ａ乃至図２Ｃの符番は、図１の符番のものと同様の機能を備えたものは、図１と同じ符番を記してある。
図２Ａ乃至図２Ｃに示す太陽電池パネル２００のセル（２００−１，２００−２、・・・、２００−ｎ）は、図１に示す光電変換装置１００のセル（１００−１，１００−２、１００−３）と構成は本質的に同じである。
太陽電池パネル２００が光電変換装置１００と異なる特徴のところは、パッシベーション膜１０６をパネル２００の四方端部まで延在させて（１０６−１乃至１０６−４）完全シールドしていることである。
又、太陽電池パネル２００では、上部電極１０４は、外部引き出し電極２０１（２０１−１，２０１−２）と電気的に接続されていて、外部引き出し電極２０１より発電する電力を外部へ供給できる構造を備えている。
【００１７】
次に、本発明の光電変換装置の製法について記述する。
本発明の光電変換装置の製法の好ましい例を以下の表１に示す。
表１において、ROT-MSP法については、例えば、WO2007/043476号公報（特許5147000）に記載されてある。
HDVSMF-UHFEP法については、出願PCT/JP2013/003744に記載されてある。
本発明の特徴の一つは、表１からも理解される様に、光電変換部１０２を構成するa-Ｓｉ層及びμc-Ｓｉ層は、全てROT-MSP法で形成することにある。
本発明のもう一つの特徴は、形成するa-Ｓｉ層及びμc-Ｓｉ層中に、水素（H）を導入して、層中にあるシリコン(Ｓｉ)のダングリングボンド（dangling bond：未結合手）に水素（Ｈ）を結合させて層中の構造欠陥を無くすのに、HDVSMF-UHFEP法を用いることにある。
本発明は、形成される光電変換装置の該当する構成要素は、形成される光電変換装置の全体最適化の視点から検討・試作・検証を鋭意繰り返し行うことによって、ROT-MSP法、HDVSMF-UHFEP法により形成することで、形成される光電変換装置の全体最適化が図られることを見出したことによる。
形成される光電変換装置の該当する構成要素の形成条件は、形成される光電変換装置の全体最適化の視点から、好ましくは、表1に示す条件で形成するのが望ましい。
【００１８】
【表１】
2016115816.tif 000003
＊１：Rotation Magnet Sputtering Method（回転マグネットスパッタリング法）
＊２：Horizontal Direction Very Strong Magnetic
Field Induced Ultra-High Frequency Excited Damage Free High Density Plasma
Method（水平方向強磁界印加超高周波励起高密度プラズマ法）
【００１９】
以下に、ROT-MSP 法とHDVSMF-UHFEP法について本願の技術分野の当業者なら容易に理解することが出来る程度に説明する。
先ず、ROT-MSP 法について記述する。
WO2007/043476号公報には、被処理基板に対向して設置されるべきターゲット取付用バッキングプレートと、前記バッキングプレートの被処理基板側とは反対側に設置された磁石とを有し、前記ターゲットが前記バッキングプレートに取り付けられた際、この磁石によってターゲット表面に磁場を形成することによりターゲット表面にプラズマを閉じ込めるマグネトロンスパッタ装置であって、前記磁石は、複数の板磁石が柱状回転軸に設けられた回転磁石群と、回転磁石群の周辺にターゲット面と平行に設置されかつターゲット面と垂直方向に磁化した固定外周板磁石とを含み、前記回転磁石群を前記柱状回転軸とともに回転させることにより、前記ターゲット表面に、閉じたプラズマ領域が形成され、当該プラズマ領域が前記柱状回転軸の回転と共に、前記柱状回転軸の軸方向に時間と共に動くように構成したことを特徴とするマグネトロンスパッタ装置が記載されている。本発明においては、この装置を使用して成膜することを、「ROT-MSP 法」を用いて成膜すると言う。
【００２０】
本発明においてROT-MSP 法を実施する成膜装置の一例を以下に説明する。
［ROT-MSP装置の基本構成］
図３は本発明が適用されるROT-MSP装置の基本構成を説明するための模式的説明図である。図４は、図３の装置の磁石回転機構、磁石列および固定磁石を示す斜視図である。
図３、４に示される装置は、プラズマ形成空間ＳＰに面するように配置されたターゲット３２１、磁石回転機構３３０、後述する第１の磁石列３３３を構成する複数の磁石３３４、後述する第２の磁石列３３５を構成する複数の磁石３３６、第１および第２の磁石列３３３，３３５の周囲に配置された固定磁石３３８を有する。なお、図３において、３４０はターゲット３２１が接着されているバッキングプレート、３５０は磁性体カバー、３５１はプラズマ励起のためのＲＦ電源、３５２はブロッキングコンデンサ、３５３はプラズマ励起およびターゲット直流電圧制御のための直流電源、３６０はアルミカバー、３５５はターゲット３２１にアルミカバー３６０およびバッキングプレート３４０を介して電力を供給するためフィーダ線、３９０は被処理基板、３２００は被処理基板３９０が設置されてこれを移動させる移動ステージである。
磁石回転機構３３０は、中空の回転軸３３１を有し、回転軸３３１の外周面に第１および第２の磁石列３３３，３３５を支持して、第回転軸線Ｃｔを中心に１および第２の磁石列３３３，３３５を回転させる。回転軸３３１は、その断面の外形形状が正１６角形となっており、それぞれの面に複数の磁石３３４，３３６が取り付けられる。回転軸３３１の両端部は、図示しない支持機構により回転自在に支持されているとともに、一端部は、図示しないギアユニットおよびモータに接続されることで、回転させることが可能となっている。回転軸３３１の材質としては、通常のステンレス鋼等でもよいが、磁気抵抗の低い強磁性体、例えば、Ｎｉ−Ｆｅ系高透磁率合金や鉄で一部または全てを構成することが好ましい。本実施形態においては、回転軸３３１の形成材料は鉄である。
【００２１】
第１の磁石列３３３は、図４に示すように、ターゲット３２１に対してプラズマ形成空間ＳＰとは反対側に配置され、ターゲット３２１のプラズマ形成空間ＳＰ側の表面に沿った回転軸線Ｃｔの周りに螺旋状に配列され、かつ、Ｎ極が半径方向外側を向く複数の磁石３３４からなる。第２の磁石列３３５は、回転軸線Ｃｔの周りに螺旋状に配列されるとともに、第１の磁石列３３３に並列し、Ｓ極が半径方向外側を向く複数の磁石３３６からなる。各磁石３３４，３３６は、板状磁石からなり、好適には、強い磁界を安定して発生させるために、残留磁束密度、保磁力、エネルギー積の高い磁石が用いられる。例えば残留磁束密度が１.１T程度のＳｍ−Ｃｏ系焼結磁石、さらには、残留磁束密度が１．３Ｔ程度あるＮｄ−Ｆｅ−Ｂ系焼結磁石等が好適である。本実施形態においては、Ｎｄ−Ｆｅ−Ｂ系焼結磁石を使用した。各磁石３３４，３３６はその表面に垂直な方向に磁化されている。
【００２２】
固定磁石３３８は、ターゲット３２１側から見て、第１および第２の磁石列３３３，３３５の周囲を囲むように配置され、ターゲット３２１に対向する側にＳ極を有する磁石で形成されている。なお、ターゲット３２１に対向する側にＮ極を有する磁石でもよい。なお、固定磁石３３８は、回転軸線Ｃ方向に設けられた部分とこれに直交する部分との端部が連結されているが、分離されていてもよい。固定磁石３３８についても、各磁石３３４，３３６と同様に、Ｎｄ−Ｆｅ−Ｂ系焼結磁石が用いられている。
【００２３】
バッキングプレート３４０は、図示しない処理室外壁に、図示しない絶縁体を介して設置されている。ＲＦ電源５１の電力周波数は、例えば、１３．５６ＭＨｚである。図示の形態においては直流電源も重畳印加可能なＲＦ−ＤＣ結合放電方式を採用しているが、直流電源のみのＤＣ放電スパッタ方式を採用してもよいし、ＲＦ電源のみのＲＦ放電スパッタ方式を採用してもよい。
【００２４】
次に、HDVSMF-UHFEP法の基本原理について説明する。
シリコンウエハ等の被処理体のイオン照射によるダメージを除去するために、従来から実施されてきたプラズマ励起周波数の高周波化を行う。これに加えて、磁場による閉じ込め効果を利用して、供給される高周波電力をプラズマの加速のためではなく、プラズマ密度を増加させるためのエネルギーに転換する。
プラズマ閉じ込めのための磁場領域が、電極の主面に平行な方向の磁場（以下、水平磁場と呼ぶ。）の強度が３０００ガウス以上の強磁場を有するものにすることにより、プラズマが磁力線に強く巻き付くことでプラズマ閉じ込め効果が向上してプラズマ密度が高まり、プラズマ励起領域のプラズマの電子温度をプラズマ形成用の電極やその周辺の部材のスパッタが実質的に発生しない程度まで下げることができる。プラズマ密度が高まるということは、投入された高周波電力がプラズマ密度の上昇に消費されて、プラズマの電子温度が下がることを意味する。
HDVSMF-UHFEP法の特徴とするところは、平面からなる主面および当該主面とは反対の背面とを有するプラズマ形成用の電極に、周波数が２００ＭＨｚ以上の高周波電力を供給し、前記電極の背面側に設けられ、Ｎ極が前記背面に対向配置された第１の固定磁石とＳ極が前記背面に対向配置された第２の固定磁石とを含む磁場形成機構を用いて、前記第１の固定磁石のＮ極から出て前記電極を透過して前記第２の固定磁石のＳ極に入る磁力線を用いて、前記主面上にループ状の磁場領域を形成して、励起されるプラズマを前記ループ状の磁場領域内で移動するように前記主面付近に閉じ込めるとともに、前記プラズマ形成用の電極のスパッタリングを抑制するために前記主面に平行な方向に３０００ガウス以上の強磁場の領域をもつように前記ループ状の磁場領域を形成する、ことにあるプラズマ発生方法である。
詰り、前記プラズマ発生方法は、プラズマ形成用の電極に、周波数が２００ＭＨｚ以上の高周波電力を供給してプラズマを励起し、励起されたプラズマを電極の主面に形成したループ状の磁場領域に閉じ込める。そして、ループ状の磁場領域を主面に平行な方向の磁場強度が３０００ガウス以上の強磁界を有するものとすることで、プラズマを磁力線に強く巻き付かせてプラズマ密度をさらに高めることができ、その結果、閉じ込められたプラズマの電子温度をプラズマ励起領域周辺に配置されたプラズマ形成用の電極等の部材をスパッタしない程度まで低下させることができる。
本発明において、HDVSMF-UHFEP法で、水素（H）終端処理を行うということは、上記の様に定義されたプラズマ発生方法で行うことを意味する。
このような特徴から、以下に説明するように、a-Ｓｉ層及びμc-Ｓｉ層の水素終端処理を２３０℃未満の低温で行うことが出来、処理中に被処理層から水素が離脱することは実質的にない。
【００２５】
本発明においては、光電変換部１０２を構成するa-Ｓｉ層及びμc-Ｓｉ層は、全てROT-MSP法で形成し、形成するa-Ｓｉ層及びμc-Ｓｉ層中あるシリコン(Ｓｉ)のダングリングボンド（dangling bond：未結合手）に水素（Ｈ）を結合させて（水素終端処理）層中の構造欠陥を無くすのに、HDVSMF-UHFEP法を用いる。
HDVSMF-UHFEP法の適用は、a-Ｓｉ層、μc-Ｓｉ層の各層の形成終了ごとに該当の層に適用してもよいし、a-Ｓｉ層やμc-Ｓｉ層の各層の層厚が薄い場合は、２層以上積層した状態で適用しても良い。この積層状態でa-Ｓｉ層またはμc-Ｓｉ層の表面をHDVSMF-UHFEP法で形成した水素プラズマに晒して水素終端処理を行う方法は、HDVSMF-UHFEP法の適用回数を削減できるので、製造コスト低減にとって好都合であるので好ましい。
本発明者等の実験によれば、n型のa-Ｓｉ層（層厚：１０nm）／i型のa-Ｓi層（層厚：５００nm）／p型のa-Ｓi層（層厚：１０nm）の３層構造に、HDVSMF-UHFEP法を適用しても、十分な水素終端処理が出来ることが確認されている。
【００２６】
本発明に係るHDVSMF-UHFEPプラズマ処理装置（以下、装置５０１という。）は、図５に示すように、種々のプラズマ処理に用いられる。装置５０１は、密閉空間５２０１を画定する金属製の処理チャンバ５２００、処理チャンバ５２００内に設置された窒化アルミニウム等から形成されたシリコンウエハ等の基板Ｗを載置するためのステージ５２２０、ステージ５２２０の上方に設けられたプラズマ形成用の電極５１０、電極５１０に設置された磁場形成機構５５０、電極５１０に電気的に接続された給電部５６０、処理チャンバ５２００の上蓋５２０２上に設けられた整合器５７０、および、電源５１００を有する。ステージ５２０は、回転軸線Ｃを中心に基板Ｗを回転可能になっている。
【００２７】
処理チャンバ５２００は、アルミニウム合金、ステンレス等の導電性材料で形成され、基準電位に接続されている。処理チャンバ５２００の底部には、処理チャンバ５２００内の雰囲気を排気するための排気口５２０５が設けられ、この排気口５２０５に処理チャンバ５２００の外部に設置された図示しない真空ポンプなどの排気装置が接続される。この排気装置により、密閉空間５２０１は減圧される。
【００２８】
電極５１０は、導電性の板状部材で形成され、非磁性材料、例えば、表面に陽極酸化膜が形成されたアルミニウム合金で形成されている。電極５１０は、外周部を酸化アルミニウム等の絶縁体で形成された保持部材５８０で保持され、ステージ５２２０に対向する側に平面からなる主面５１０ａと主面５１０ａとは逆に背面５１０ｂを備えている。保持部材５８０は、処理チャンバ５２００の上部に固定され、電極５１０との間はＯリング５８２でシールされ、処理チャンバ５２００との間はＯリング５８４でシールされている。電極５１０は、図６Ａに示すように、背面５１０ｂに、磁場形成機構５５０の後述する固定磁石５５６，５５８を埋め込むための溝５１１が形成され、主面５１０ａ側には、例えば、ＳｉＨ4、Ｎ2、Ｏ2、Ｎ2Ｏ等の原料ガスを供給するためのガス流路５１２が形成され、内部には電極５１０の過熱を防ぐための冷却水が通過する冷却水流路５１４が形成されている。ガス流路５１２の主面５１０ａ側には、シャワープレート５２０が、主面５１０ａと面一となるように電極５１０に一体的に設けられている。すなわち、シャワープレート５２０の表面は、主面５１０ａの一部を構成している。シャワープレート５２０は、電極５１０と同じ材料で形成されている。シャワープレート５２０には、ガス供給孔５２１が多数形成されており、ガス供給孔５２１は、図６Ｂに示すように配列されており、例えば、孔径０．２ｍｍ、ピッチ０．５ｍｍで圧力５００ｍＴｏｒｒ，ガス流量１０００ｓｃｃｍの条件か５ｍ／ｓのガス流速でガスを供給可能である。なお、シャワープレート５２０の配置については後述する。
【００２９】
磁場形成機構５５０は、平板状に形成されたヨーク５５２と、ヨーク５５２の下面に設けられた第１の固定磁石としての磁石５５６および第２の固定磁石としての磁石５５８とを有する。ヨーク５５２は、鉄で形成されており、下面以外の表面がアルミニウム合金等で形成された導電性カバー５５３で覆われている。これは、抵抗が比較的高い鉄製のヨーク５５２に高周波電流が流れると発熱によるエネルギー損失が生じることから、アルミニウム合金等の抵抗の低い材料でヨーク５５２を覆うことで、これを防ぐためである。
【００３０】
磁石５５６，５５８は、板状磁石からなり、強い磁界を安定して発生させるために、Ｓｍ−Ｃｏ系焼結磁石、Ｎｄ−Ｆｅ−Ｂ系焼結磁石等の残留磁束密度、保磁力、エネルギー積の高い磁石が用いられる。磁石５５６，５５８は、図６Ａに示す電極５１０の背面側に形成された溝５１１に埋め込まれている。磁石５５６，５５８の表面には、フッ化炭素樹脂（商品名：テフロン（登録商標））等の絶縁材料が被覆されており、電極５１０と磁石５５６，５５８との間は電気的に絶縁されている。各磁石５５６，５５８はその表面に垂直な方向に磁化されている。磁石５５６は、Ｎ極が電極５１０の背面５１０ｂに対向配置され、図７Ａに示すように、Ｙ軸方向に延在するとともにＸ軸方向に等間隔で配列されている。磁石５５８は、Ｓ極が電極５１０の背面５１０ｂに対向配置され、隣り合う２つの磁石５５６の間に配置されるとともにＹ軸方向に沿った複数の長手部５５８ａと、複数の長手部５５８ａの両端部を互いに接続する連結部５５８ｂとからなる。磁石５５６と磁石５５８の長手部５５８ａとの間は、一定のギャップが形成されている。磁石５５６と磁石５５８の連結部５５８ｂとの間にも、一定のギャップが形成されている。なお、図７Ａにおいて、Ｘ軸方向の両端部の２つの長手部５５８ａの幅は、他の長手部５５８ａの幅よりも狭くなっている。磁石５５６は、例えば、幅が２０ｍｍ、長さが３３０ｍｍの寸法を有し、磁石５５８は、例えば、Ｘ軸方向の全幅が４１０ｍｍ、Ｙ軸方向の全幅が３９０ｍｍ、両端以外の長手部５５８ａの幅が２０ｍｍ、両端の長手部５５８ａの幅が１５ｍｍ、連結部５５８ｂの幅が１０ｍｍの寸法を有する。
【００３１】
ここで、図８に概略的に示すように、磁石５５６のＮ極から出る磁力線の一部ＭＦＬは、磁石５５６のＮ極と磁石５５８のＳ極とが隣り合わせになっていることから、電極５１０を透過して電極５１０の主面５１０ａを通過し、再び、電極５１０を透過して、隣り合う磁石５５８のＳ極に入る。この磁力線ＭＦＬは、磁石５５６の全周囲に形成され、これにより、図７Ａに点線で示す領域に、励起されるプラズマを主面５１０ａ付近に閉じ込めるためのループ状の磁場領域ＬＭＲが形成される。本発明の製造法を実施する場合は、磁場領域ＬＭＲは、主面５１０ａに平行な方向に３０００ガウス以上の強磁場を有するように、磁場形成機構５５０が構成されるのが好ましい。主面５１０ａに平行な方向の磁場を水平磁場と呼ぶ。
図９のグラフは、電極５１０の主面５１０ａから垂直方向に８ｍｍ離れた位置のＸ軸上の水平磁場の強度分布を示している。磁場領域ＬＭＲは、水平磁場強度が３０００ガウスを越える領域に形成される。ループ状の磁場領域ＬＭＲの幅は、例えば、１０ｍｍ程度である。そして、上記したシャワープレート５２０は、このループ状の磁場領域ＬＭＲに対向する位置に設けられる。これにより、プラズマ化すべき原料ガスをループ状の磁場領域ＬＭＲに直接的に供給可能となる。
【００３２】
電源５１００は、同軸ケーブル５１０１を通じて２００ＭＨｚ以上の高周波電力を整合器５７０および給電部５６０を通じて電極５１０に供給する。本発明の製造法を実施する際に、２００ＭＨｚの高周波電力を供給するのが望ましい。給電部５６０は、整合器５７０と電気的に接続された受電ロッド５６６、受電ロッド５６６と電気的に接続された導電板５６２、導電板５６２に電気的に接続された給電ロッド５６８、および、位相調整板５６４を有する。
図１０に示すように、導電板５６２は、その中央部に受電ロッド５６６が接続されるとともに、中央部から八方向に分岐する第１および第２の分岐部５６２ａ，５６２ｂを有する。各第１および第２の分岐部５６２ａ，５６２ｂの先端部には、それぞれ給電ロッド５６８の一端が接続されている。給電ロッド５６８の他端は、電極５１０の背面５１０ｂに電気的に接続されている。受電ロッド５６６および導電板５６２は、例えば、銅合金で形成され、給電ロッド５６８は、例えば、アルミニウム合金で形成されている。４つの第１の分岐部５６２ａは、電気的に等しい長さを有し、４つの第２の分岐部５６２ａは、電気的に等しい長さを有するとともに、第１の分岐部５６２ａよりも短い。位相調整板５６４は、例えば、石英等の誘電体で形成され、４つの第２の分岐部５６２ａ上に設けられている。位相調整板５６４は、第２の分岐部５６２ａに供給される高周波電力の位相を調整して、８箇所に設けられた給電ロッド５６８に同位相の高周波電力を供給するために設けられている。
【００３３】
装置５０１では、２００ＭＨｚの高周波電力が整合器５７０および給電部５６０を通じて電極５１０に供給されると、電極５１０の主面５１０ａ付近でプラズマが励起される。主面５１０ａ付近のプラズマ励起領域、特に、シャワープレート５２０上には、ループ状の磁場領域ＬＭＲが形成されていることから、励起されたプラズマは、ループ状の磁場領域ＬＭＲによってシャワープレート５２０の表面付近に閉じ込められ、ループに沿って移動する。そして、シャワープレート５２０のガス供給孔２１から供給される原料ガスは、プラズマ化される。このとき、ループ状の磁場領域ＬＭＲの水平磁場強度が３０００ガウス以上とすることにより、プラズマが磁力線に強く巻き付き、プラズマ閉じ込め効果が向上してプラズマ密度が高まる。その結果、磁場領域ＬＭＲに閉じ込められたプラズマの電子温度を、電極５１０、その周辺に配置された部材、処理チャンバ２００の内壁面のスパッタが実質的に発生しない程度まで下げることができることが分かった。これにより、プラズマ処理される基板Ｗ上に、スパッタされた材料が付着することがなくなり、成膜品質を改善できることが分かった。
【００３４】
また、本実施形態では、上記したように、ステージ５２２０上の基板Ｗは、回転軸線Ｃを中心に回転可能になっている。このとき、図７Ａに示すように、円盤状の基板Ｗの中心を回転軸線Ｃに対して例えば１０ｍｍ程度偏心させて回転させると、円盤状の基板Ｗは円ＭＷの領域内を移動する。これにより、磁場領域ＬＭＲを縦長のループ状にしたとしても、基板Ｗ上に形成される膜の均一性を確保できる。
【００３５】
上記実施形態では、磁場形成機構５５０の磁石５５６，５５８をラダー状に配置した場合について説明したが、本発明はこれに限定されない。３０００ガウス以上の強磁場を形成できるものであればいずれの構成も採用できる。例えば、図７Ｂに示すように、第１の固定磁石として、円柱状の磁石５５６Ａおよび環状の磁石５５６Ｂ，５５６Ｃを同心に配置し、第２の固定磁石として、環状の磁石５５８Ａおよび５５８Ｂを磁石５５６Ａと磁石５５６Ｂと磁石５５６Ｃとの間に配置する構成も採用可能である。また、図７Ｃに示すように、第１の固定磁石としての磁石５１５６（５１５６ａ，５１５６ｂ）と、第２の固定磁石としての磁石５１５８とを、酸化アルミニウム等の絶縁体５５９（５５９ａ，５５９ｂ）で分離することも可能である。具体的には、複数の磁石５１５６ａの間、磁石５１５６ａと５１５６ｂとの間、および、複数の磁石５１５８の間に絶縁体５５９ａ，５５９ｂを挿入する。
本発明においては、上記した通り、光電変換部１０２を構成するa-Ｓｉ層及びμc-Ｓｉ層の全てをROT-MSP法で形成し、形成するa-Ｓｉ層及びμc-Ｓｉ層の水素（H）終端処理をHDVSMF-UHFEP法で行うものであるが、本発明の好ましい態様においては、更に、Ni層１０４−１、Al層１０４−２、ＳｉＣＮパッシベーション膜１０６もROT-MSP法で作成するのが望ましい。
【００３６】
次に、図１、図２Ａ乃至２Ｃに示すような光電変換装置を大型パネルとして製造する場合の好ましい製造工程の一例を示す。
［製造工程例］
(1)ソーダガラス基板  1.4 m ×
1.4 m
(2)洗浄・乾燥  （洗浄・乾燥装置）
(3)Ga添加ZnO成膜  （ROT-MSP装置）
(4)紫外線硬化樹脂塗布  （スリットコータ）
(5)ベーキング  （ポストベーク炉）
(6)ZnO膜エッチング  （915MHz MSEP装置＊３）
(7)紫外線硬化樹脂剥離  （剥離装置）
(8)洗浄・乾燥  （洗浄・乾燥装置）
(9)SiCN成膜  （ROT-MSP装置）
(10)SiCN膜全面エッチング  
（915MHzMSEP装置）
(11)6層連続成膜  （ROT-MSP装置）
(a)  n+アモルファスSi成膜  （20nm）
(b)  ノンドープアモルファスSi成膜  （800nm〜900nm）
(c)  p+アモルファスSi成膜  （20nm）
(d)  n+微結晶Si成膜  （30nm）
(e)  ノンドープ微結晶Si成膜  （3μm）
(f)  p+微結晶Si成膜  （30nm）
(12)原子状水素終端化処理  ：基板温度200℃  
（HDVSMF-UHFEP装置）
(13)Ni成膜  （ROT-MSP装置）
(14)紫外線硬化樹脂塗布  （スリットコータ）
(15)ベーキング  (ポストベーク炉）
(16)層連続エッチング（915MHz MSEP装置）
(a)  Niエッチング
(b)  p+微結晶Siエッチング
(c)  ノンドープ微結晶Siエッチング
(d)  n+微結晶Siエッチング
(e)  p+アモルファスSiエッチング
(f)  ノンドープアモルファスSiエッチング
(g)  n+アモルファスSiエッチング
(17)ラジカル酸化  
（HDVSMF-UHFEP装置）
(18)紫外線硬化樹脂剥離  （剥離装置）
(19)洗浄・乾燥  （洗浄・乾燥装置）
(20)Al成膜  （ROT-MSP装置）
(21)紫外線硬化樹脂塗布  （スリットコータ）
(22)ポストベーク （ポストベーク炉）
(23)4層連続エッチング  （915MHz MSEP装置）
(a)  Al膜エッチング
(b)  Ni膜エッチング
(c)  p+微結晶Siエッチング
(d)  ノンドープ微結晶Siエッチング
(24)ラジカル酸化  
（HDVSMF-UHFEP装置）
(25)紫外線硬化樹脂剥離  （剥離装置）
(26)洗浄・乾燥  （洗浄・乾燥装置）
(27)出力端子電極半田付け
(28)SiCN成膜 （ROT-MSP装置）
(29)高熱伝導率接着剤塗布  （スリットコータ ：平田機工製）
(30)放熱板接着  （放熱板接着装置）
(31)端面シール剤としてシリコーンゴム等用いてフレーム装着
＊３：915MHz金属表面波励起高密度プラズマ装置（915MHz
Metal Surfacewave Excitation Plasma 装置／915MHz
MSEP装置）（例えば、ＷＯ２００８／１５３０６４Ａ公報参照）
【００３７】
本発明においては、上記製造工程に示されるように、エッチング処理の際に915MHz MSEP装置が使用されるが、その際ガスの供給は２段シャワープレート方式が採用される。これによって、種々の膜を、しかも多層を同時に効率よく且つ大面積に亘って均一にエッチング処理を行うことが出来る。
MSEP装置の特徴とするところは、プラズマ処理される基板を収納する金属製の処理容器と、前記処理容器内にプラズマを励起させるために必要な電磁波を供給する電磁波源とを備え、前記電磁波源から供給される電磁波を前記処理容器の内部に透過させる、前記処理容器の内部に一部を露出した１または２以上の誘電体を前記処理容器の蓋体下面に備え、前記処理容器の内部に露出した金属面に沿って電磁波を伝搬させる表面波伝搬部が、前記誘電体に隣接して設けられているプラズマ処理装置である。
より具体的には、プラズマ処理される基板を収納する金属製の処理容器と、前記処理容器内にプラズマを励起させるために必要な電磁波を供給する電磁波源とを備え、前記電磁波源から供給される電磁波を前記処理容器の内部に透過させる、前記処理容器の内部に一部を露出した１または２以上の誘電体を前記処理容器の蓋体下面に備えたプラズマ処理装置であって、前記蓋体の下面もしくは前記蓋体に電気的に接続された導電性部材の下面には、電磁波の表面波を外側に伝播させないようにする伝搬障害部で囲まれた領域が形成され、前記誘電体は、前記伝搬障害部で囲まれた領域に配置され、前記誘電体の下面に、前記処理容器の内部に下面が露出する金属電極が設けられ、前記金属電極の周囲を囲んで前記誘電体が前記処理容器の内部に露出した状態であり、前記伝搬障害部で囲まれた領域において、前記誘電体の外側の領域では、前記蓋体の下面もしくは前記導電性部材の下面が前記処理容器の内部に露出し、前記処理容器の内部に露出した前記金属電極の下面と、前記伝搬障害部で囲まれた領域において前記処理容器の内部に露出した前記蓋体の下面もしくは前記導電性部材の下面が表面波を伝搬させる部分であり、前記誘電体の露出部分の面積が、前記表面波を伝搬させる部分の面積の１／５以下であるプラズマ処理装置である。
本発明においては、MSEP装置はエッチング処理の際に使用され、例えば、金属製の処理容器に基板を収納し、前記処理容器内にエッチング処理用のガスを供給し、電磁波源から前記処理容器の蓋体下面に露出している１または２以上の誘電体を透過させて前記処理容器内に周波数が２ＧＨｚ以下の電磁波を供給するとともに前記処理容器の内部に露出する前記誘電体の露出面から前記処理容器の内面に沿って電磁波を伝搬させることにより前記処理容器内にプラズマを励起させてエッチング処理する。
【実施例】
【００３８】
厚さ、０．５mm、面積４０cmＸ４０cmのソーダガラス基板を用意し、通常の半導体製造分野で使用されている表面清浄化処理を施して、上記製造工程で、下記表２の製造条件に従って、光電変換パネルを作成した。
水素終端処理は、a-Si層、μc-Si層の各層形成ごとに施した場合（試料パネルＡ）と、３層のa-Si層、３層のμc-Si層を夫々形成した後に施した場合（試料パネルＢ）の２通りの試料パネルを作成した。
これらの作成したパネルについて−４０℃〜５０℃の範囲でヒートサイクルを施す負荷試験を行った。ヒートサイクルは、５０００回おこなった。負荷試験の前後で、光電変換率と出力電力の測定を行ったが、負荷試験の前後での差は２つのパネルともなかった。光電変換率は従来の市販されている同類のパネルと比べて５０％増加していた。
【００３９】
【表２】
2016115816.tif 000004
【符号の説明】
【００４０】
１００  光電変換装置
１０１  ソーダガラス基板
１０２  透明電極
１０３  光電変換部
１０４  上部電極
１０５  放熱部材
１０６  パッシベーション膜
１０７  接着層
１０８  電気的絶縁領域
１０９  上部電極分離領域
１１０  下部電極分離領域
１１１  接続電極
３２１  ターゲット
３３０  磁石回転機構
３３１  回転軸
３３３、第一の磁石列
３３５  第二の磁石列
３３４、３３６  磁石
３３５  固定磁石
３４０  バッキングプレート
３５０  磁性体カバー
３５１  ＲＦ電源
３５２  ブロッキングコンデンサ
３５３  直流電源
３５５  フィーダ線
３６０  アルミカバー
３９０  被処理基板
３２００  移動ステージ
５０１  装置
５１０  電極
５１１  溝
５１２  ガス流路
５１４  冷却水流路
５２０  シャワープレート
５２１  ガス供給口
５５０  磁場形成機構
５５２  ヨーク
５５３  導電性カバー
５５６  第一の固定磁石
５５８  第二の固定磁石
５５９  絶縁体
５６０  給電部
５６２  導電板
５６４  位相調整板
５６６  受電ロット
５６８  給電ロット
５７０  整合器
５８０  保持部材
５８２、５８４  Ｏリング
５１００  電源
５１５６、５１５８    磁石
５１０１  同軸ケーブル
５２０１  密閉空間
５２００  処理チャンバ
５２０２  上蓋
５２２０  ステージ
【図１】
2016115816.tif 000005
【図２Ａ】
2016115816.tif 000006
【図２Ｂ】
2016115816.tif 000007
【図２Ｃ】
2016115816.tif 000008
【図３】
2016115816.tif 000009
【図４】
2016115816.tif 000010
【図５】
2016115816.tif 000011
【図６Ａ】
2016115816.tif 000012
【図６Ｂ】
2016115816.tif 000013
【図７Ａ】
2016115816.tif 000014
【図７Ｂ】
2016115816.tif 000015
【図７Ｃ】
2016115816.tif 000016
【図８】
2016115816.tif 000017
【図９】
2016115816.tif 000018
【図１０】
2016115816.tif 000019