(57)【要約】【課題】高周波信号の伝送遅延を防ぎながら、接続信頼性を低下させない多層プリント配線板およびその製造方法を提供する。【解決手段】絶縁基板上の絶縁層にビア穴を形成し、絶縁層の表面およびビア穴に第１金属被膜を形成し、第１金属皮膜上にレジスト被膜を形成し、第１レジスト被膜を露光、現像し、第１レジスト被膜現像後に露出する第１金属被膜上に第２金属被膜を形成し、第１レジスト被膜を除去し、第１レジスト被膜除去後に露出する第１金属被膜を除去し、第２金属被膜上であって、ソルダーレジストの開口を形成する箇所に第２レジスト被膜を形成し、第２レジスト被膜に被覆されていない第２金属被膜上に第３金属被膜を形成し、第３被膜上に防錆被膜を形成し、第２レジスト被膜を除去し、第２金属被膜および第３金属被膜上にソルダーレジスト被膜を形成し、ソルダーレジスト被膜の一部を除去してソルダーレジスト開口部を形成する。【選択図】図１Ｂ
2016012634.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板上に形成された絶縁層にビア穴を形成する工程と、
前記絶縁層の表面およびビア穴に第１金属被膜を形成する工程と、
前記第１金属皮膜上に第１レジスト被膜を形成する工程と、
第１レジスト被膜を露光、現像する工程と、
前記第１レジスト被膜現像後に露出する前記第１金属被膜上に第２金属被膜を形成する工程と、
前記第１レジスト被膜を除去する工程と、
前記第１レジスト被膜除去後に露出する前記第１金属被膜を除去する工程と、
前記第２金属被膜上であって、ソルダーレジスト被膜の開口を形成する箇所に第２レジスト被膜を形成する工程と、
前記第２レジスト被膜に被覆されていない、前記絶縁層、前記第１および前記第２金属被膜上に第３金属被膜を形成する工程と、
前記第３被膜上に防錆被膜を形成する工程と、
前記第２レジスト被膜を除去する工程と、
前記第２金属被膜および前記第３金属被膜上にソルダーレジスト被膜を形成する工程と、
前記ソルダーレジスト被膜の一部を除去して前記ソルダーレジスト開口部を形成する工程とを含む、多層プリント配線板の製造方法。
【請求項２】
前記第１金属被膜を形成する工程において、
前記第１金属被膜を、無電解めっき法により形成する、請求項１に記載の多層プリント配線板の製造方法。
【請求項３】
前記第２金属被膜を形成する工程において、
前記第２金属被膜を、電解めっき法により形成する、請求項１または２に記載の多層プリント配線板の製造方法。
【請求項４】
前記第３金属被膜を形成する工程において、
前記第３金属被膜を、合金形成置換めっき法により形成する、請求項１〜３のいずれかに記載の多層プリント配線板の製造方法。
【請求項５】
前記第２金属被膜に有機酸タイプのエッチング剤を用いた粗化処理を行わない、請求項１〜４のいずれかに記載の多層プリント配線板の製造方法。
【請求項６】
前記防錆被膜を形成する工程において、
前記防錆被膜を、シランカップリング剤により形成する、請求項１〜５のいずれかに記載の多層プリント配線板の製造方法。
【請求項７】
絶縁基板と、
前記絶縁基板に積層される１層以上の絶縁層と、
開口部を有し、前記絶縁層の最外層に積層されるソルダーレジストと、
前記絶縁層と、前記絶縁基板、他の絶縁層または前記ソルダーレジストのいずれかとに挟まれて配置される１層以上の配線層とを含み、
前記開口部における前記配線層のそれぞれは、少なくとも１種類の金属被膜を含み、
前記開口部に面さない領域の前記配線層のそれぞれは、前記開口部における前記配線層が含む前記少なくとも１種類の金属被膜と、
該前記少なくとも１種類の金属被膜に積層された別の金属被膜と、
該別の金属被膜に積層された防錆被膜とを含む、多層プリント配線板。
【請求項８】
前記絶縁基板にはスルーホールが形成され、両面に複数の配線層が形成されている、請求項７に記載の多層プリント配線板。
【請求項９】
前記配線層は、銅を含み、前記絶縁基板側に積層された第１金属被膜と、前記第１金属被膜を挟んで前記絶縁基板とは反対側に積層された前記第２金属被膜とを有し、前記第１金属被膜は、第２金属被膜より薄い、請求項７または８に記載の多層プリント配線板。
【請求項１０】
前記配線層は、さらに前記第２金属被膜の少なくとも一部を被覆する第３金属被膜を含み、前記第３金属被膜は、錫、金、銀、銅のいずれか１種を含む触媒不要のめっき金属により形成される、請求項９に記載の多層プリント配線板。
【請求項１１】
前記別の金属被膜は、錫、金、銀、銅のいずれか１種を含む触媒不要のめっき金属により形成される、請求項７または８に記載の多層プリント配線板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は多層プリント配線板およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
プリント配線板は、電子部品や半導体素子等を実装するために広く用いられている。そして、近年の電子機器の小型化、高機能化の要求に伴い、プリント配線板には、回路の高密度化や薄型化や高周波対応が望まれている。
【０００３】
高密度なプリント配線板を製造する方法として、ビルドアップ法を用いた多層ビルドアップ配線板が知られている。この方法は、絶縁基板上に配線層を形成したコア層の上に絶縁層を形成し、さらにその上に配線層を形成し、さらに絶縁層を形成するという工程を繰り返すことにより、多層ビルドアップ配線板を形成するというものである。
【０００４】
多層ビルドアップ配線板を例に挙げて、従来のプリント配線板の製造方法を図面に基づいて説明する。図３は、従来のプリント配線板の製造方法で得られる多層ビルドアップ配線板の一例を示す模式断面図である。
【０００５】
まずは、一般的にコア層と呼ばれているビルドアップ配線板のベースとなる層について説明する。図３の（ａ）のように、ガラスエポキシ基板等のリジット材料からなる両面銅張基板２１にドリルやレーザーを用いて貫通孔２２を形成し、高圧洗浄や過マンガン酸塩浴に浸漬することで孔内の樹脂残渣を除去する。次に無電解銅めっき、電解銅めっきを行ない基板表面および貫通孔内に銅膜２３を形成する。銅膜２３で被覆された貫通孔をスクリーン印刷にて孔埋めインク２４で埋め込んだ後、表面にはみ出した余分な樹脂をバフ等の研磨で除去する。
【０００６】
次に図３の（ｂ）のように、感光性のレジストを基板全面に塗布した後、フォトリソグラフィーによりレジストパターン２５を形成する。
【０００７】
次に図３の（ｃ）のように、塩化第二銅液などのエッチング液を用いてレジストパターンで被覆されていない銅膜２３を除去し、レジストを剥離することで第１配線層２６を形成する。一般的にこれらはコア層２７と呼ばれている。
【０００８】
次にコア層２７の上下層に形成するビルドアップ層について説明する。コア層２７の配線層表面を粗化処理した後に、図３の（ｄ）のように、シート状の絶縁樹脂を粘着し、絶縁層２８を形成する。なお、絶縁層２８の形成にあたってはシート状の樹脂を粘着する方法が均一な厚さの樹脂層を簡易に形成できる観点から好ましいが、液状の樹脂を塗布する方法でもよい。絶縁層の材料としてはエポキシ樹脂やポリイミド樹脂等が用いられる。
【０００９】
次に絶縁層２８表面から第１配線層２６のランドに到達するビア穴２９をレーザー照射にて形成する。レーザーとしてはＵＶレーザー、炭酸ガスレーザーやエキシマレーザー等のレーザーが用いられる。そして過マンガン酸塩浴に浸漬することによって、樹脂表面の粗面化と穴内の洗浄を行なう。なお、この穴は上下配線層を電気的に接続するためのビアとなるため、穴の寸法、形状が高密度化と高信頼性の観点から非常に重要である。
【００１０】
次にビルドアップ層の配線層形成について説明する。配線層の形成方法としてはエッチングで配線パターンを形成するサブトラクティブ法とめっきで配線パターンを形成するアディティブ法とに分かれる。さらにアディティブ法には無電解めっきで配線パターンを形成するフルアディティブ法と電解めっきで配線パターンを形成するセミアディティブ法に分かれる。高密度基板にはセミアディティブ法が一般的に適用されているため、セミアディティブ法について説明する。
【００１１】
次に図３の（ｅ）のように絶縁層２８表面及びビア穴２９内を過マンガン酸塩浴により粗化、デスミア処理をした後、無電解銅めっき３０を行なう。これは絶縁層２８に導電性を付与し、電解銅めっきを可能となるようにするために行なうものである。次に感光性レジストを基板全面に塗布する。感光性レジストには厚みの均一性に優れているドライフィルムタイプを用いられることが多い。そしてフォトリソグラフィーによりレジストパターン３１を形成する。そして電解めっき３２によりレジストパターンで被覆されていない部分に銅膜を形成し、配線パターンを形成するとともに、上下層間の電気的接続をとるために空けたビア穴２９へもめっきを行なうことでビア３３が形成される。なお、ビア３３は穴壁をめっきで被覆したコンフォーマルビアと、穴内を全てめっきで充填されたフィルドビアがある。これはめっき液の組成と添加剤を選定することで使い分けることが可能である。近年は高密度化に有利なスタックビア構造を取るためにフィルドビアを用いられることが多い。なお、フィルドビアは前記のように穴をめっきで埋め込む以外に導電性ペーストで埋め込む方法もある。なお、本事例ではめっきで埋め込んだフィルドビア構造を図示した。
【００１２】
次に図３の（ｆ）のように、レジストをＮａＯＨなどのアルカリ水溶液で剥離した後、露出した無電解めっき被膜を過酸化水素／硫酸系などの水溶液で溶解除去することにより、第２配線層３４が形成される。
【００１３】
第２配線層３４表面層と絶縁層２８の密着性を上げるために、第２配線層３４表面に粗化処理を行う。
【００１４】
コア層２７の配線層や第２配線層３４表面の粗化方法としてマイクロエッチング法が挙げられる。マイクロエッチング法としては、例えば硫酸・過酸化水素タイプエッチング剤、過硫酸塩タイプエッチング剤、塩化銅タイプエッチング剤、塩化鉄タイプエッチング剤、硝酸タイプエッチング剤、有機酸タイプエッチング剤等を用いる方法が挙げられる。
【００１５】
上述のように絶縁層と配線層との形成を順次繰り返すことで多層配線層が形成される。最外層の配線層上にソルダーレジスト膜を形成し、ソルダーレジスト膜から露出した配線部にニッケル、金めっき、半田などの必要な表面処理を施し、多層ビルドアップ配線板となる。
【００１６】
マイクロエッチング法での粗化では、粗化後の配線層表面は凹凸形状になる。特許文献１によれば、マイクロエッチング法での粗化の代替技術として、配線層表面にスズ層を形成し、シランカップリング剤で処理をする技術を提案している。これは、第２配線層３４表面層と絶縁層２８を化学的に結合させ密着性をあげる技術である。この技術を用いれば、粗化後の配線層表面は平滑になる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１７】
【特許文献１】特開２０１１−２２８６３２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１８】
絶縁基板上に複数の配線層が絶縁層を介して形成されており、配線層間がフィルドビアにて電気的に接続されてなる多層プリント配線板又は、スルーホールが形成されたコア基板の両面に複数の配線層が絶縁層を介して形成されており、配線層間がフィルドビアにて電気的に接続されてなる多層ビルドアップ配線板の最外層において、セミアディティブ工法にてビルドアップ層配線層を形成する場合、マイクロエッチング法での配線層の粗化では、粗化後の配線層表面は凹凸形状であるので、高周波信号に対して表皮効果により信号の伝送遅延が起きる。高周波対応には、ソルダーレジストの開口部、配線層表面が平滑であることが重要である。
【００１９】
マイクロエッチング法での粗化の代替として、配線層表面にスズ層を形成し、シランカップリング剤で処理をする場合は、配線層表面が平滑であり、高周波信号に対して有効である。しかし、最外層にて配線層表面にスズ層を形成し、シランカップリング剤処理をする場合、最外層の配線層表面にソルダーレジスト膜を形成し、ニッケル、金めっき、半田などの必要な表面処理を施す際に、ソルダーレジストの開口部にシランカップリング剤が残留し接続信頼性に悪影響を及ぼす懸念があるのでシランカップリング剤を完全に除去する必要がある。
【００２０】
本発明は、上記の問題に鑑みなされたものであり、高周波信号の伝送遅延を防ぎながら、接続信頼性を低下させない多層プリント配線板およびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２１】
上記課題を解決するための本発明の一局面は、絶縁基板上に形成された絶縁層にビア穴を形成する工程と、絶縁層の表面およびビア穴に第１金属被膜を形成する工程と、第１金属皮膜上にレジスト被膜を形成する工程と、第１レジスト被膜を露光、現像する工程と、第１レジスト被膜現像後に露出する第１金属被膜上に第２金属被膜を形成する工程と、第１レジスト被膜を除去する工程と、第１レジスト被膜除去後に露出する第１金属被膜を除去する工程と、第２金属被膜上であって、ソルダーレジストの開口を形成する箇所に第２レジスト被膜を形成する工程と、第２レジスト被膜に被覆されていない第２金属被膜上に第３金属被膜を形成する工程と、第３被膜上に防錆被膜を形成する工程と、第２レジスト被膜を除去する工程と、第２金属被膜および第３金属被膜上にソルダーレジスト被膜を形成する工程と、ソルダーレジスト被膜の一部を除去してソルダーレジスト開口部を形成する工程とを含む、多層プリント配線板の製造方法である。
【００２２】
また、第１金属被膜を形成する工程において、第１金属被膜を、無電解めっき法により形成してもよい。
【００２３】
また、第２金属被膜を形成する工程において、第２金属被膜を、電解めっき法により形成してもよい。
【００２４】
また、第３金属被膜を形成する工程において、第３金属被膜を、合金形成置換めっき法により形成してもよい。
【００２５】
また、第２金属被膜に有機酸タイプのエッチング剤を用いた粗化処理を行わなくてもよい。
【００２６】
また、防錆被膜を形成する工程において、防錆被膜を、シランカップリング剤により形成してもよい。
【００２７】
また、本発明の他の局面は、絶縁基板と、絶縁基板に積層される１層以上の絶縁層と、開口部を有し、絶縁層の最外層に積層されるソルダーレジストと、絶縁層と、絶縁基板、他の絶縁層またはソルダーレジストのいずれかとに挟まれて配置される１層以上の配線層とを含み、開口部における配線層のそれぞれは、少なくとも１種類の金属被膜を含み、開口部に面さない領域の配線層のそれぞれは、開口部における配線層が含む少なくとも１種類の金属被膜と、該少なくとも１種類の金属被膜に積層された別の金属被膜と、該別の金属被膜に積層された防錆被膜とを含む、多層プリント配線板である。
【００２８】
また、絶縁基板にはスルーホールが形成され、両面に複数の配線層が形成されていてもよい。
【００２９】
また、配線層は、銅を含み、絶縁基板側に積層された第１金属被膜と、第１金属被膜を挟んで絶縁基板とは反対側に積層された第２金属被膜とを有し、第１金属被膜は、第２金属被膜より薄くてもよい。
【００３０】
また、配線層は、さらに第２金属被膜の少なくとも一部を被覆する第３金属被膜を含み、第３金属被膜は、錫、金、銀、銅のいずれか１種を含む触媒不要のめっき金属により形成されてもよい。
【００３１】
また、上記別の金属被膜は、錫、金、銀、銅のいずれか１種を含む触媒不要のめっき金属により形成されてもよい。
【発明の効果】
【００３２】
本発明は、高周波信号の伝送遅延を防ぎながら、接続信頼性を低下させない多層プリント配線板およびその製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１Ａ】本発明に係る多層プリント配線板の製造方法の一実施形態を示す模式断面図
【図１Ｂ】本発明に係る多層プリント配線板の製造方法の一実施形態を示す模式断面図
【図２】実施例１に係る多層プリント配線板を示す模式断面図
【図３】従来技術に係る多層プリント配線板の製造方法を示す模式断面図
【発明を実施するための形態】
【００３４】
本発明に係る多層プリント配線板の製造方法を図面に基づいて説明する。図１Ａおよび１Ｂは、本発明に係る多層プリント配線板の製造方法の一実施形態を示す模式断面図である。
【００３５】
以下、本発明の実施の形態につき、図１Ａの（ａ）のようにコア基板が絶縁基板１であり、絶縁基板１上には、第１配線層２が絶縁層３と絶縁基板１とに挟まれて形成されることで最外層を形成する場合について説明する。なお、コア基板として、スルーホールが形成され、コア基板の両面に複数の配線層が絶縁層を介して形成されている多層ビルドアップ配線板を用いてもよい。絶縁基板１としてはリジット基板、フレキシブル基板、テープ状のいずれでも良い。絶縁層３としては、絶縁性を有すれば特に限定するものではなく、液状又はシート状の絶縁性樹脂が挙げられる。例えば、エポキシ樹脂系、フェノール樹脂系、ポリイミド樹脂系、不飽和ポリエステル樹脂系、ポリフェニレンエーテル樹脂系等の熱硬化性樹脂がある。
【００３６】
初めに図１Ａの（ｂ）のように絶縁層３にビア穴４をレーザーにて開ける。レーザーとしてはＵＶレーザー、炭酸ガスレーザーやエキシマレーザー等が挙げられる。ビア穴４を開けた際に、ビア穴４内にスミア５が発生する。
【００３７】
次に図１Ａの（ｃ）のようにビア穴４内のスミア５の除去をする。スミア５の除去方法としては、スミア５を溶解可能な溶液に浸漬して除去する方法等が挙げられる。例えば、スプレーや浸漬をして、過マンガン酸カリウム溶液又は過マンガン酸ナトリウム溶液を、絶縁層３に接触させる方法が挙げられる。
【００３８】
次に図１Ａの（ｄ）のように絶縁層３の表面全体およびビア穴４にめっき触媒６を付与する。めっき触媒６は、銅やニッケル等の無電解めっきの触媒として働くものであれば、特に限定するものではない。すなわち、めっき触媒６の周囲に金属を析出することによりめっき触媒６間を接続して絶縁層３に金属被膜を形成するものや、絶縁層３に沈着することにより絶縁層３に導電性を与え、その導電性を用いて絶縁層３に金属被膜を形成する、一般にダイレクトプレーティング（直接めっき）と呼ばれる方法に用いられる導電性を有するものをめっき触媒６として用いることができる。例えばパラジウムを含有するものや、パラジウム及びスズを含有するものや、カーボン、グラファイト等の炭素を含有するものや、銅の錯体を含有するものや、導電性ポリマーを含有するもの等が挙げられる。
【００３９】
次に図１Ａの（ｅ）のように、絶縁層３の表面全体およびビア穴４に第１金属被膜７を形成する。第１金属被膜７は、表面全体およびビア穴４に対して十分に形成されていて絶縁層３が露出せず、なおかつ薄い膜厚であることが好ましい。例えば、第１金属被膜７の形成方法は、無電解めっき、スパッタ法等が挙げられる。この第１金属被膜７としては、後の工程でのエッチングの容易性および導電性が優れる必要があるために銅が好ましい。
【００４０】
次に、第１金属被膜７上に第１レジスト被膜８を形成した後、第１レジスト被膜８を露光、現像することにより、図１Ａの（ｆ）のように、第１レジスト被膜８を、第１金属被膜７表面のうち、回路およびビア９の形成を予定する部分を除く部分に形成する。
【００４１】
第１レジスト被膜８としては、図１Ａの（ｇ）のように第２金属被膜１０を形成するめっき液に耐え、このめっきを行ったときに、その表面に第２金属被膜１０が形成されにくいものであれば特に限定するものではなく、例えば、液状の感光性樹脂又はシート状の感光性フィルム等が挙げられる。
【００４２】
次に図１Ａの（ｇ）のように、第１金属被膜７の表面が露出している部分の表面に、第２金属被膜１０を形成する。例えば、第２金属被膜１０の形成方法は、電解めっき、無電界めっき等が挙げられる。第２金属被膜１０の材料には、銅を含むことが好ましい。なお、このとき形成する第２金属被膜１０の膜厚は、第１レジスト被膜８の膜厚より薄くする必要がある。これは、図１Ａの（ｈ）のように第１レジスト被膜８を除去する際に、第２金属被膜１０の膜厚より第１レジスト被膜８の膜厚が厚いと第１レジスト被膜８が除去されにくいためである。また、第１金属被膜は、第２金属被膜より薄く形成される。なお、第２金属被膜１０には有機酸タイプのエッチング剤を用いて行う粗化処理を行わない。
【００４３】
次に図１Ａの（ｈ）のように、第１レジスト被膜８を除去する。例えば、第１レジスト被膜８を除去する除去液は、アルカリ又は溶剤型の剥離液等が挙げられる。
【００４４】
次に図１Ｂの（ｉ）のように、第１金属被膜７の不要部、すなわち、第１レジスト被膜８の除去後に露出する第１金属被膜７をエッチング除去する。この第１金属被膜７をエッチングして不要部を除去する方法としては、第１金属被膜７を溶解可能な溶液に浸漬する方法等が挙げられる。例えば、スプレーや浸漬をして、過酸化水素／硫酸系などの水溶液を、第１金属被膜７に接触させる方法が挙げられる。
【００４５】
次に図１Ｂの（ｊ）のように、絶縁層３の表面に残留するめっき触媒６を除去して第２配線層１１を形成する。このように絶縁層３の表面に残留するめっき触媒６を除去すると、回路間の絶縁性が向上するため、特に信頼性が優れたプリント配線板となり好ましい。この絶縁層３の表面に残留するめっき触媒６を除去する方法としては、めっき触媒６を溶解可能な溶液に浸漬して除去する方法等が挙げられる。例えば、スプレーや浸漬をして、過マンガン酸カリウム溶液又は過マンガン酸ナトリウム溶液を、絶縁層３に接触させる方法が挙げられる。
【００４６】
次に図１Ｂの（ｋ）のように、第２金属被膜１０表面のうち、ソルダーレジスト被膜の開口を形成する第２金属被膜１０表面に第２レジスト被膜１２を形成する。
【００４７】
次に図１Ｂの（ｌ）のように、第２レジスト被膜１２に被覆されないことにより露出する第２配線層１１に第３金属被膜１３を形成する。第３金属被膜層は導体層を構成するので第３金属被膜１３の表面および側面にめっき触媒残渣の危険性を下げる必要がある。そのために、第３金属被膜１３は、触媒を使用せずにめっき金属被膜を形成できるスズ（錫）、金、銀、銅のいずれか少なくとも１種を含むめっき金属被膜であると好ましい。また、第２配線層１１が銅である場合、第３金属被膜１３としては第３金属被膜１３表面に形成する絶縁層への拡散速度が銅よりも遅い金属であることが好ましい。例えば、スズおよび銅スズ合金等が挙げられる。第３金属被膜１３の過剰被膜部分を選択的に剥離しても良い。剥離液として、硝酸が挙げられる。第３金属被膜１３は、合金形成置換めっき法を用いることができる。
【００４８】
次に図１Ｂの（ｍ）のように、第３金属被膜１３表面に防錆被膜１４を形成する。防錆被膜１４は、第３金属被膜１３表面に絶縁層を形成する場合、防錆被膜１４の成分と絶縁層３の成分とが化学的に結合させることができれば良い。例えば、防錆被膜１４はシランカップリング剤が挙げられる。シランカップリング剤としては、ビニル系、エポキシ系、アミノ系などがあり、絶縁層の種類や性質に応じて適宜選択することができる。シランカップリング剤による防錆被膜処理は、パターン表面の凹凸が大きくならないので、電気抵抗値がばらつきにくくなる。よって、電気特性の向上を達成しやすくなるという利点がある。
【００４９】
次に図１Ｂの（ｎ）のように、第２レジスト被膜１２を除去する。例えば、第２レジスト被膜１２を除去する除去液は、アルカリ又は溶剤型の剥離液等が挙げられる。
【００５０】
次に図１Ｂの（ｏ）のように、第２配線層１１上にソルダーレジスト被膜１５を形成する。ソルダーレジスト被膜１５の形成方法として、ロールコーターもしくはスクリーン印刷によりソルダーレジストを塗工し、乾燥する方法がある。また、ソルダーレジストが半硬化樹脂の場合は真空ラミネータ等により、ラミネートにて形成する方法がある。
【００５１】
次に図１Ｂの（ｐ）のように、第２配線層１１に半田を形成する箇所のソルダーレジスト被膜１５を除去してソルダーレジスト開口部１６を形成する。
【実施例】
【００５２】
＜実施例１＞
図２は、実施例１に係る多層プリント配線板を示す模式断面図である。第１配線層４１、第２配線層（最外層）４２、およびソルダーレジスト層４３で構成される多層ビルドアップ配線板を例にして説明する。第２配線層（最外層）４２を図１Ａの（ａ）のようにフィルム状の絶縁樹脂をラミネートし３５μｍ厚の絶縁樹脂層を形成した。次に図１Ａの（ｂ）のように、絶縁樹脂層にＵＶレーザーにて直径６０μｍのビア穴を形成し、図１Ａの（ｃ）のように、過マンガン酸カリウム溶液でスミアを除去した。次に図１Ａの（ｄ）のように、無電解めっき触媒を付与し、図１Ａの（ｅ）のように、無電解銅めっきにて無電解銅めっき層１．０μｍの厚さに形成した。次に図１Ａの（ｆ）のように、無電解銅めっき層の表面に２５μｍ厚のドライフイルムレジストを被覆し、露光、現像により、レジストパターンを形成した。次に図１Ａの（ｇ）のように、硫酸銅浴を用いて電解銅めっきを施し、厚さが１５μｍの電解銅めっき層を形成して配線パターンおよびビアを形成した。次に図１Ａの（ｈ）のように、レジストを剥離し、図１Ｂの（ｉ）のように、過酸化水素／硫酸系エッチング液を用いて無電解銅めっき層をエッチング除去した。次に図１Ｂの（ｊ）のように、過マンガン酸カリウム溶液で無電解めっき触媒を除去した。次に図１Ｂの（ｋ）のように、ソルダーレジスト被膜の開口を形成する配線層に２５μｍ厚のドライフイルムレジストを被覆し、露光、現像により、レジストパターンを形成した。次に図１Ｂの（ｌ）、（ｍ）のように、合金形成置換スズめっき法にて銅スズ合金を形成し、過剰なスズ層を硝酸にて剥離し、シランカップリング剤を付与した。次に図１Ｂの（ｎ）のように、レジストを剥離した。次に図１Ｂの（ｏ）、（ｐ）のようにロールコーターにて３０μｍのソルダーレジスト被膜を形成し、露光、現像により、６５μｍの開口を形成した。
【００５３】
＜比較例１＞
比較例１は、第２配線層（最外層）４２の形成（図１Ａの（ａ）〜（ｈ）、図１Ｂの（ｉ）および（ｊ））に関してまでは実施例１と同様の処理を行った。その後、第２配線層４２表面を、有機酸タイプエッチング剤を用いて粗化を行った。最後に図１Ｂの（ｏ）、（ｐ）のようにロールコーターにて３０μｍのソルダーレジスト被膜を形成し、露光、現像により、６５μｍの開口を形成した。
【００５４】
実施例１および比較例１で得られた多層プリント配線板にて差動特性インピーダンス、差動透過特性、およびＴＳＴ試験を実施した。ＴＳＴ試験は１０００サイクルを実施し、抵抗変化率２．０％以下であれば合格とした。
【００５５】
表１に、各評価の結果を示す。表１から分かるように実施例１と比較例１とでは、実施例１の方が伝送特性は良い。第２配線層（最外層）のソルダーレジスト層４３開口部と面する領域以外の配線にスズ層を形成後にシランカップリング剤で処理をする場合の方が、第２配線層（最外層）のソルダーレジスト層４３開口部と面する領域以外の配線にマイクロエッチング法で粗化する場合と比較して伝送特性が良いことが分かる。
【００５６】
以上の結果から、第２配線層（最外層）のソルダーレジスト層４３開口部と面する領域以外にスズ層を形成後にシランカップリング剤で処理をし、配線表面を平滑にすることで、高周波信号の伝送特性を良好に保つとともに、開口部にスズ層、シラン層の形成をしない（シラン層除去工程が不要）ことにより、接続信頼性も確保できる多層プリント配線板を得ることができることを確認できた。
【００５７】
【表１】
2016012634.tif 000003
【００５８】
以上より、本発明によれば、高周波信号の伝送遅延を防ぎながら、接続信頼性を低下させないことが可能な多層プリント配線板およびその製造方法を提供することができる。
【産業上の利用可能性】
【００５９】
本発明は、プリント配線板に有用であり、とくに高周波信号に対応したプリント配線板にとくに有用である。
【符号の説明】
【００６０】
１    絶縁基板
２    第１配線層
３    絶縁層
４    ビア穴
５    スミア
６    めっき触媒
７    第１金属被膜
８    第１レジスト被膜
９    ビア
１０    第２金属被膜
１１    第２配線層
１２    第２レジスト被膜
１３    第３金属被膜
１４    防錆被膜
１５    ソルダーレジスト被膜
１６    ソルダーレジスト開口部
２１    両面銅張基板
２２    貫通孔
２３    銅膜
２４    孔埋めインク
２５    レジストパターン
２６    第１配線層
２７    コア層
２８    絶縁層
２９    ビア穴
３０    無電解銅めっき
３１    レジストパターン
３２    電解銅めっき
３３    ビア
３４    第２配線層
４１    第１配線層
４２    第２配線層（最外層）
４３    ソルダーレジスト層
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図２】
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【図３】
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