(57)【要約】      （修正有）【課題】耐熱性が高く、さらには転写性に優れるフィルム材を提供する。【解決手段】基材１と、基材１の一方の主面に配置されたフィルム層２と、を備え、フィルム層２は、繊維状の第１樹脂および未硬化または半硬化状態の熱硬化性の第２樹脂２Ｒを含み、前記第１樹脂の軟化開始温度ＳＴ１が、前記未硬化または半硬化状態の前記第２樹脂の軟化開始温度ＳＴ２より高く、フィルム層２の厚みをＴとするとき、フィルム層２の基材１側の表面から０．５Ｔまでの領域における繊維２Ｆの体積割合ＶＦ１0.5が、フィルム層２の他方の表面から０．５Ｔまでの領域における繊維２Ｆの体積割合ＶＦ２0.5よりも大きい、フィルム材。【選択図】図１Ａ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材と、
前記基材の一方の主面に配置されたフィルム層と、を備え、
前記フィルム層は、繊維状の第１樹脂および未硬化または半硬化状態の熱硬化性の第２樹脂を含み、
前記第１樹脂の軟化開始温度ＳＴ１が、未硬化または半硬化状態の前記第２樹脂の軟化開始温度ＳＴ２より高く、
前記フィルム層の厚みをＴとするとき、
前記フィルム層の前記基材側の表面から０．５Ｔまでの領域における前記繊維の体積割合ＶＦ１0.5が、
前記フィルム層の他方の表面から０．５Ｔまでの領域における前記繊維の体積割合ＶＦ２0.5よりも大きい、フィルム材。
【請求項２】
前記繊維の繊維径が、１μｍ以下である、請求項１に記載のフィルム材。
【請求項３】
前記繊維が、前記フィルム層に不織布状で含まれている、請求項１または２に記載のフィルム材。
【請求項４】
前記フィルム層の前記基材側の表面から０．１５Ｔまでの領域における前記繊維の体積割合ＶＦ１0.15が、
前記フィルム層の他方の表面から０．８５Ｔまでの領域における前記繊維の体積割合ＶＦ２0.85よりも大きい、請求項１〜３のいずれか一項に記載のフィルム材。
【請求項５】
前記体積割合ＶＦ１0.15が、０．５〜１である、請求項４に記載のフィルム材。
【請求項６】
前記フィルム層が、導電性材料を含む、請求項１〜５のいずれか一項に記載のフィルム材。
【請求項７】
前記フィルム層の前記基材側の表面から０．５Ｔまでの領域における前記導電性材料の体積割合が、
前記フィルム層の他方の表面から０．５Ｔまでの領域における前記導電性材料の体積割合よりも小さい、請求項６に記載のフィルム材。
【請求項８】
第一回路部材と、
第二回路部材と、を具備し、
前記第二回路部材は、接合材料を介して前記第一回路部材に実装されており、
前記接合材料は、繊維状の第１樹脂および硬化状態の熱硬化性の第２樹脂を含み、
前記第１樹脂の軟化開始温度ＳＴ１が、硬化状態の前記第２樹脂のガラス転移温度Ｔｇより高い、電子部品。
【請求項９】
前記第一回路部材および前記第二回路部材が、互いに対向する電極を有しており、
前記接合材料が、導電性材料を含んでいる、請求項８に記載の電子部品。
【請求項１０】
基材および前記基材の一方の主面に配置されたフィルム層を備えるフィルム材を準備する工程と、
第一回路部材と前記フィルム層とが対向するように、前記第一回路部材に前記フィルム材を積層する工程と、
前記基材を剥離する工程と、
前記フィルム層と第二回路部材とが対向するように、前記第一回路部材に前記第二回路部材を積層し、前記第一回路部材と前記第二回路部材とを熱圧着する工程と、を含み、
前記フィルム層が、繊維状の第１樹脂および未硬化または半硬化状態の熱硬化性の第２樹脂を含み、
前記第１樹脂の軟化開始温度ＳＴ１が、未硬化または半硬化状態の前記第２樹脂の軟化開始温度ＳＴ２より高く、
前記フィルム層の厚みをＴとするとき、
前記フィルム層の前記基材側の表面から０．５Ｔまでの領域における前記繊維の体積割合ＶＦ１0.5が、
前記フィルム層の他方の表面から０．５Ｔまでの領域における前記繊維の体積割合ＶＦ２0.5よりも大きい、電子部品の製造方法。
【請求項１１】
前記フィルム材が、
前記基材に前記第１樹脂を繊維状に堆積させる工程と、
前記基材の前記繊維が堆積された面に前記第２樹脂を塗工する工程と、を含む製造方法により製造される、請求項１０に記載の電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フィルム材およびこれを用いた電子部品ならびに電子部品の製造方法に関し、特に、耐熱性および転写性に優れるフィルム材に関する。
【背景技術】
【０００２】
多数の接続部位を有する回路部材を他の回路部材に実装する方法として、ワイヤボンディング法やフリップチップ法が広く用いられている。なかでも、ファインピッチ接続や、電子機器の軽量化および薄型化が可能である点で、フリップチップ法が注目されている。
【０００３】
フリップチップ法としては、はんだバンプによって回路部材同士を接続し、両者の間をアンダーフィル材で封止する方法、導電性接着剤を介して両者を接続する方法（特許文献１等）、ＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film）を介して両者を接合および接続する方法、ＮＣＦ（Non-conductive Film）によって両者を接合するとともに、はんだバンプによって両者を接続する方法などがある。特に、接合材料としてＡＣＦまたはＮＣＦなどのフィルム材を用いる方法は、製造工程が簡便なため有用である。
【０００４】
また、個片化された半導体チップなどの回路部材をピックアップし、支持体となる他の回路部材に接合させる際、ダイボンドフィルムといわれるフィルム状の接着剤が用いられる場合がある（特許文献２）。ＡＣＦ、ＮＣＦおよびダイボンドフィルムは、一旦、基材上に形成された後、一方の回路部材に熱転写されて使用される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００８−６９３１６号公報
【特許文献２】特開２００３−２６１８３３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ＡＣＦ、ＮＣＦおよびダイボンドフィルムなどを構成する樹脂には、接合性および耐熱性などの観点からエポキシ樹脂のような熱硬化性樹脂のフィルム層を有するフィルム材が使用される。回路部材同士を接合するための熱圧着工程や、その後のリフロー工程を想定すると、フィルム層には高い耐熱性が求められる。
【０００７】
そこで、熱硬化性樹脂とともに、エンジニアリングプラスチックや、特に優れた耐熱性を備えるスーパーエンプラ（以下、併せてエンプラと称する）といわれる樹脂を用いることが考えられる。エンプラを用いることにより、フィルム層の耐熱性は飛躍的に高まることが期待される。
【０００８】
例えばエポキシ樹脂をフィルム状に成形するには、エポキシ樹脂を有機溶媒に溶解させ、この溶液を基材上にキャストし、有機溶媒を除去する方法（溶液キャスト法）が一般的に用いられる。しかし、エンプラなどの耐熱性に優れる樹脂は、一般的に、それ以外の樹脂（例えば、エポキシ樹脂など）の溶解に用いられる汎用の有機溶媒に溶解し難い。そのため、エンプラを含むフィルム層の均質性は低下し、接合性が低下する。
【０００９】
フィルムの均質性を高めるために、エンプラを溶解させる有機溶媒（例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドンなど）を使用することが考えられる。しかし、これらの有機溶媒は沸点が高い。そのため、フィルムの材料としてこれらの有機溶媒を使用すると、有機溶媒を除去するために、高温で乾燥処理を行わなければならない。この乾燥処理によって、エポキシ樹脂の硬化が進行してしまうという不具合が生じる。
【００１０】
また、エポキシ樹脂の硬化剤として、硬化成分をポリマーで被覆した潜在性硬化剤が用いられる場合がある。しかし、上記のようなエンプラを溶解させる有機溶媒によって、硬化成分を被覆するポリマーが溶解し、フィルムを成形する前にエポキシ樹脂の硬化が進行してしまうという不具合が生じる。
【００１１】
エンプラを含む均質なフィルム層を有するフィルム材が得られたとしても、エンプラは軟化温度が高いため、フィルム層を電子部品あるいは電子回路基板に熱転写するのは困難である。エンプラを軟化させるために熱転写の処理温度を上げると、上記同様、エポキシ樹脂の硬化が進行してしまう。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の一局面は、基材と、前記基材の一方の主面に配置されたフィルム層と、を備え、前記フィルム層は、繊維状の第１樹脂および未硬化または半硬化状態の熱硬化性の第２樹脂を含み、前記第１樹脂の軟化開始温度ＳＴ１が、前記未硬化または半硬化状態の前記第２樹脂の軟化開始温度ＳＴ２より高く、前記フィルム層の厚みをＴとするとき、前記フィルム層の前記基材側の表面から０．５Ｔまでの領域における前記繊維の体積割合ＶＦ１0.5が、前記フィルム層の他方の表面から０．５Ｔまでの領域における前記繊維の体積割合ＶＦ２0.5よりも大きい、フィルム材に関する。
【００１３】
本発明の他の一局面は、第一回路部材と、第二回路部材と、を具備し、前記第二回路部材は、接合材料を介して前記第一回路部材に実装されており、前記接合材料は、繊維状の第１樹脂および硬化状態の第２樹脂を含み、前記第１樹脂の軟化開始温度ＳＴ１が、前記硬化状態の前記第２樹脂のガラス転移温度Ｔｇより高い、電子部品に関する。
【００１４】
本発明のさらに他の一局面は、基材および前記基材の一方の主面に配置されたフィルム層を備えるフィルム材を準備する工程と、第一回路部材と前記フィルム層とが対向するように、前記第一回路部材に前記フィルム材を積層する工程と、前記基材を剥離する工程と、前記フィルム層と第二回路部材とが対向するように、前記第一回路部材に前記第二回路部材を積層し、前記第一回路部材と前記第二回路部材とを熱圧着する工程と、を含み、前記フィルム層は、繊維状の第１樹脂および未硬化または半硬化状態の熱硬化性の第２樹脂を含み、前記第１樹脂の軟化開始温度ＳＴ１が、前記未硬化または半硬化状態の前記第２樹脂の軟化開始温度ＳＴ２より高く、前記フィルム層の厚みをＴとするとき、前記フィルム層の前記基材側の表面から０．５Ｔまでの領域における前記繊維の体積割合ＶＦ１0.5が、前記フィルム層の他方の表面から０．５Ｔまでの領域における前記繊維の体積割合ＶＦ２0.5よりも大きい、電子部品の製造方法に関する。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、耐熱性が高く、さらには転写性に優れるフィルム材を提供することができる。また、このフィルム材を用いて製造される電子部品は、接続信頼性に優れる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１Ａ】本発明の一実施形態に係るフィルム材を模式的に示す断面図である。
【図１Ｂ】本発明の他の一実施形態に係るフィルム材を模式的に示す断面図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る電子部品を模式的に示す断面図である。
【図３】本発明の一実施形態に係る電子部品の製造方法を説明するための断面図である（（ａ）〜（ｅ））。
【図４】本発明の一実施形態に係るフィルム材の製造から電子部品を製造するまでの工程を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
本発明に係るフィルム材は、基材と、基材の一方の主面に配置されたフィルム層とを備える。フィルム層は、繊維状の第１樹脂および未硬化または半硬化状態の熱硬化性の第２樹脂を含み、第１樹脂の軟化開始温度ＳＴ１は、未硬化または半硬化状態の第２樹脂の軟化開始温度ＳＴ２より高い。この場合、フィルム層の厚みをＴとして、フィルム層の基材側の表面から０．５Ｔまでの領域における繊維の体積割合ＶＦ１0.5が、フィルム層の他方の表面から０．５Ｔまでの領域における繊維の体積割合ＶＦ２0.5よりも大きい。これにより、フィルム材の耐熱性および熱転写性が向上する。フィルム材とは、例えば、ＡＣＦ、ＮＣＦ、ダイボンドフィルムなどである。
【００１８】
フィルム層に含まれる繊維の径は、１μｍ以下であることが好ましい。フィルム層を接合材料として回路部材間の接合に使用する場合、熱圧着時に第２樹脂の流動が阻害され難いためである。また、フィルム層が導電性材料を含む場合、導電性材料が移動し易くなり、導通を確保し易い。
【００１９】
繊維は、不織布状でフィルム層に含まれていることが好ましい。フィルム層における繊維の体積割合の調整が容易となるためである。また、柔軟性に関して方向性を持たないため、熱転写の際に、凹凸を有する被転写体にも追随し易い。
【００２０】
フィルム層の基材側の表面から０．１５Ｔまでの領域における繊維の体積割合ＶＦ１0.15は、フィルム層の他方の表面から０．８５Ｔまでの領域における繊維の体積割合ＶＦ２0.85よりも大きいことが好ましい。この場合、体積割合ＶＦ１0.15は、０．５〜１であることが好ましい。これにより、フィルム材の耐熱性と熱転写性がさらに向上する。
【００２１】
フィルム層がさらに導電性材料を含む場合、フィルム層をフィルム状の導電性接着剤として、互いに対向する電極を有する回路部材間の接続に利用できる。この場合、フィルム層の基材側の表面から０．５Ｔまでの領域における導電性材料の体積割合は、フィルム層の他方の表面から０．５Ｔまでの領域における導電性材料の体積割合よりも小さいことが好ましい。対向する電極同士の間に導電性材料が入り込みやすくなるためである。
【００２２】
本発明に係る電子部品は、第一回路部材と、第二回路部材と、を具備し、第二回路部材は、接合材料を介して第一回路部材に実装されており、接合材料は、繊維状の第１樹脂硬および化状態の熱硬化性の第２樹脂を含む。このとき、第１樹脂の軟化開始温度ＳＴ１は、硬化状態の第２樹脂のガラス転移温度Ｔｇより高い。これにより、電子部品の耐熱性が向上する。
【００２３】
上記の場合、接合材料の厚みをＴＪとするとき、接合材料の第一回路部材側の表面から０．５ＴＪまでの領域における繊維の体積割合ＶＪ１0.5は、接合材料の第二回路部材側の表面から０．５ＴＪまでの領域における繊維の体積割合ＶＪ２0.5よりも小さくなり得る。
【００２４】
第一回路部材および第二回路部材が互いに対向する電極を有する場合、接合材料は、導電性材料を含んでいることが好ましい。接合材料により、対向電極間の電気的な接続が可能となるためである。
【００２５】
本発明に係る電子部品の製造方法は、基材および基材の一方の主面に配置されたフィルム層を備えるフィルム材を準備する工程と、第一回路部材とフィルム層とが対向するように、第一回路部材にフィルム材を積層する工程と、基材を剥離する工程と、フィルム層と第二回路部材とが対向するように、第一回路部材に第二回路部材を積層し、第一回路部材と第二回路部材とを熱圧着する工程と、を含む。
【００２６】
この場合、第一回路部材に転写されるフィルム層は、繊維状の第１樹脂および未硬化または半硬化状態の熱硬化性の第２樹脂を含んでおり、第１樹脂の軟化開始温度ＳＴ１は、未硬化または半硬化状態の第２樹脂の軟化開始温度ＳＴ２より高い。フィルム層の厚みをＴとするとき、フィルム層の基材側の表面から０．５Ｔまでの領域における繊維の体積割合ＶＦ１0.5は、フィルム層の他方の表面から０．５Ｔまでの領域における繊維の体積割合ＶＦ２0.5よりも大きい。このようなフィルム層は転写性に優れるため、生産性が向上する。さらに、フィルム層の耐熱性が高いため、得られる電子部品の耐熱性も向上する。
【００２７】
フィルム材は、基材に第１樹脂を繊維状に堆積させる工程と、基材の繊維が堆積された面に第２樹脂を塗工する工程と、を含む製造方法により製造されることが好ましい。フィルム材の製造工程が簡略化され、生産性が向上するためである。
【００２８】
［フィルム材］
以下、図１Ａおよび１Ｂを参照しながら、本発明に係るフィルム材の一実施形態を説明する。本実施形態では、主に、フィルム材が回路部材に熱転写され、ＡＣＦまたはＮＣＦとして用いられる場合について説明する。図１Ａおよび１Ｂは、本発明のそれぞれ異なる一実施形態に係るフィルム材を模式的に示す断面図である。
【００２９】
フィルム材１０は、基材１と、基材１の一方の主面に配置されたフィルム層２と、を備える。フィルム層２は、未硬化または半硬化状態であって、かつ、常温（例えば、２０〜３５℃）で固化している状態の第２樹脂（熱硬化性樹脂２Ｒ）および繊維状の第１樹脂（繊維２Ｆ）を含む。半硬化状態とは、完全に硬化していないものの、流動性を失った状態である。固化しているとは、流動性を失った状態であり、例えば、後述するように、熱硬化性樹脂２Ｒを含む液体を基材１上に塗工する場合、当該溶液に含まれる溶媒の一部または全部が除去された状態である。
【００３０】
繊維２Ｆは、フィルム層２に含まれる熱硬化性樹脂２Ｒの軟化開始温度よりも高い軟化開始温度ＳＴ１（軟化点ＳＴ１）を有する。フィルム層２に含まれる熱硬化性樹脂２Ｒの軟化開始温度とは、未硬化または半硬化状態であって、かつ、常温で固化している状態の熱硬化性樹脂２Ｒの軟化開始温度（以下、単に「熱硬化性樹脂２Ｒの軟化点ＳＴ２」と称する）である。軟化点は、その材料の耐熱性を示す指標の一つであり、軟化点の高い材料は、耐熱性に優れるといえる。
【００３１】
軟化点ＳＴは、樹脂が軟化し始める温度であり、熱機械分析装置（ＴＭＡ）により測定される。具体的には、フィルム層２を所定の厚み（例えば、０．５ｍｍ）になるように重ね合わせ、所定の長さおよび幅（例えば、長さ３０ｍｍ×幅５ｍｍ）に切り出して試料を作製する。得られた試料の長手方向の両端部を、それぞれ引っ張り冶具でチャッキングし、一定の温度で昇温させながら、微小な引っ張り荷重を加える。試料の伸び量が急激に大きくなるときの温度を、そのフィルム層２を形成する樹脂の軟化開始温度（軟化点ＳＴ）とする（以下、同じ）。
【００３２】
熱硬化性樹脂２Ｒの軟化点ＳＴ２は特に限定されないが、転写性の点で、４０〜１００℃であることが好ましい。繊維２Ｆの軟化点ＳＴ１も、ＳＴ２より高ければ特に限定されない。なかでも、耐熱性の点で、軟化点ＳＴ１は１５０〜２５０℃であることが好ましい。繊維２Ｆの軟化点ＳＴ１の測定が困難（軟化点がない）である場合、繊維２Ｆは、軟化点ＳＴ２よりも十分に高い軟化点ＳＴ１を有するものとする。
【００３３】
フィルム材１０は、耐熱性が要求される回路部材同士の接合材料（例えば、ＡＣＦ、ＮＣＦ、ダイボンドフィルムなど）として用いることができる。この場合、フィルム層２は一方の回路部材に熱転写され、基材１は剥離される。次いで、他方の回路部材を積層し、熱圧着することにより、回路部材同士は接合される。そのため、フィルム材には、耐熱性に加えて、優れた転写性が求められる。
【００３４】
［フィルム層］
フィルム層２には、軟化点ＳＴの高い第１樹脂２Ｆａが繊維の形状で含まれている。言い換えれば、繊維状に成形した第１樹脂２Ｆａを、基材１上に配置させている。そのため、高い軟化点を有する第１樹脂２Ｆａを溶解させるための沸点の高い有機溶媒を用いることなく、フィルム材１０を製造することができる。つまり、有機溶媒の除去工程において高温で処理する必要がなく、フィルム材の製造工程において熱硬化性樹脂の硬化は進行し難い。よって、熱転写工程において、フィルム層２と被転写体（例えば、後述する第一回路部材）との密着性が損なわれない。その結果、回路部材同士の接合性が向上する。
【００３５】
さらに、フィルム層２の厚み方向において、繊維２Ｆの体積割合は一方向に勾配を有している。つまり、フィルム層２の厚みをＴとするとき、フィルム層２の基材１側の表面から０．５Ｔまでの領域における繊維２Ｆの体積割合ＶＦ１0.5は、フィルム層２の他方の表面から０．５Ｔまでの領域における繊維２Ｆの体積割合ＶＦ２0.5よりも大きい（図１Ａ参照）。これによって、フィルム材１０は転写性に優れる。すなわち、熱転写工程において、軟化し難い繊維２Ｆが基材１側により多く配置されているため、フィルム層２は基材１から剥離され易い。一方、軟化し易い熱硬化性樹脂２Ｒが、被転写体により多く対向するため、被転写体との密着性がさらに向上する。
【００３６】
繊維２Ｆの体積割合は、フィルム材１０の主面に対して垂直な断面を写真に撮り、フィルム層２の基材１側の表面から所定の位置までの領域に含まれる繊維２Ｆの面積を求める。これを、フィルム層２の基材１側の表面から前記所定の位置までの領域の面積で除することによって求めることができる。繊維２Ｆの面積は、例えば、撮影された画像を二値化処理することにより、繊維２Ｆが占める部分を特定して、算出することができる。
【００３７】
特に、転写性の観点から、フィルム層２の基材１側の表面から０．１５Ｔまでの領域における繊維２Ｆの体積割合ＶＦ１0.15が、フィルム層２の他方の表面から０．８５Ｔまでの領域における繊維２Ｆの体積割合ＶＦ２0.85よりも大きい（体積割合ＶＦ１0.15＞体積割合ＶＦ２0.85）ことが好ましい（図１Ｂ参照）。
【００３８】
体積割合ＶＦ１0.15は、０．５〜１であることが好ましく、０．６〜１であることがより好ましい。フィルム層２の基材１側の表面から０．１５Ｔまでの領域の多くを繊維２Ｆが占めることにより、フィルム層２の剥離性はさらに向上する。また、体積割合ＶＦ２0.85は、密着性の観点から、０〜０．４であることが好ましく、０〜０．２であることがより好ましい。
【００３９】
フィルム層２全体に対する繊維２Ｆの体積割合ＶＦは、０．０１〜０．５であることが好ましく、０．０４〜０．５であることがより好ましい。体積割合ＶＦがこの範囲であれば、フィルム層２は、高い耐熱性を有するとともに、柔軟性に優れる。これにより、被転写体との密着性がさらに向上する。さらに、回路部材同士の接合材料として使用する場合、体積割合ＶＦがこの範囲であれば、熱圧着の際に熱硬化性樹脂２Ｒの流動が妨げられ難い。そのため、回路部材同士の接合性が向上する。
【００４０】
フィルム材１０は、熱硬化性樹脂２Ｒが硬化しないような比較的低温（例えば、１００℃以下）で熱転写される。そのため、被転写体との密着性の観点から、フィルム層２は常温においても柔軟であることが好ましい。
【００４１】
フィルム層２の常温での柔軟性は、例えば、引張り強度により表わされる。引張り強度は、引張り試験機を用いて測定することができる。具体的には、フィルム層２を所定の厚さ（例えば、０．１ｍｍ）になるように重ね合わせ、所定の長さおよび幅（例えば、長さ３０ｍｍ×幅５ｍｍ）に切り出して試料を作製する。得られた試料の長手方向の両端部を、それぞれ引っ張り冶具でチャッキング（チャッキング間隔２０ｍｍ）し、一定の速度（例えば、速度１００ｍｍ／分）で、引っ張り冶具を離間させる。試料が破断したときの強度を、フィルム層２の引張り強度とする。このようにして測定されるフィルム層２の引張り強度は、１０〜２００ｍＮであることが好ましく、２０〜１００ｍＮであることがより好ましい。
【００４２】
フィルム層２は、導電性材料３を含んでいても良い。これにより、フィルム層２により接合される部材間（例えば、後述する第一回路部材と第二回路部材との間）が導通される。そのため、フィルム層２を、対向する電極（対向電極）同士を接続するためのＡＣＦのようなフィルム状の導電性接着剤として用いることができる。
【００４３】
導電性材料３としては、例えば、銀粒子、はんだ粒子、絶縁性の球状粒子に金属めっきした粒子、ニッケル粒子などが挙げられる。金属めっきに用いられる金属としては、例えば、金、銀、ニッケル−リン合金、パラジウムなどが挙げられる。球状粒子の材料としては、シリカなどの無機材料や、ポリウレタン樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、ポリアミド、ポリイミド、シリコーン樹脂、フッ素樹脂、ポリエステル、ポリフェニレンスルフィド、ポリフェニレンエーテルなどの耐熱性の樹脂などが挙げられる。なかでも、導電性の点で、導電性材料３としてはんだ粒子を用いることが好ましい。
【００４４】
導電性材料３の含有量は特に限定されないが、接合性および導通性の観点から、フィルム層２に１〜１０体積％含まれていることが好ましい。また、導電性材料３が粒子状である場合、その平均粒径Ｄ５０は特に限定されない。なかでも、回路部材間の導通性の観点から、１〜１０μｍであることが好ましく、２〜５μｍであることがより好ましい。なお、平均粒径Ｄ５０とは、レーザー回折式の粒度分布測定装置により求められる体積粒度分布におけるメディアン径である（以下、同じ）。
【００４５】
フィルム層２の基材１側の表面から０．５Ｔまでの領域における導電性材料３の体積割合ＶＰ１0.5は、フィルム層２の他方の表面から０．５Ｔまでの領域における導電性材料３の体積割合ＶＰ２0.5よりも小さいことが好ましい。フィルム層２の転写面側に導電性材料３がより多く含まれることにより、熱転写の段階で、被転写体である回路部材の電極の上方近傍に導電性材料３が配置され易くなる。そのため、もう一方の回路部材を積層し、熱圧着したとき、対向電極同士の間に導電性材料が入り込みやすくなり、導通性がさらに向上する。
【００４６】
また、繊維２Ｆの体積割合ＶＦが少ない領域に導電性材料３が多く含まれることにより、上記熱圧着工程において、導電性材料３の流動が容易となる。よって、対向電極同士の間に導電性材料が入り込みやすくなる。例えば、体積割合ＶＦが体積割合ＶＦ１0.15＞体積割合ＶＦ２0.85の関係を満たす場合、フィルム層２の基材１側の表面から０．１５Ｔまでの領域における導電性材料３の体積割合ＶＰ１0.15は、フィルム層２の他方の表面から０．８５Ｔまでの領域における導電性材料３の体積割合ＶＰ２0.85よりも小さい（体積割合ＶＰ１0.15＜体積割合ＶＰ２0.85）ことが好ましい。この場合、フィルム層２の基材１側の表面から０．１５Ｔまでの領域に導電性材料３は含まれていないことがより好ましい。なお、熱圧着工程により、導電性材料３は、対向電極同士の間にある繊維２Ｆ同士の空隙に入り込むため、対向電極同士の間に繊維２Ｆが存在していても、導通は確保される。
【００４７】
フィルム層２に含まれる熱硬化性樹脂２Ｒは特に限定されず、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド、フェノール樹脂、シリコーン樹脂、メラミン樹脂、尿素樹脂、アルキド樹脂、ポリウレタン、不飽和ポリエステルなどを主剤として含むことができる。これらは単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。なかでも、取扱い性の点でエポキシ樹脂が好ましい。
【００４８】
エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＤ型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ポリエーテル型エポキシ樹脂、シリコーン変性エポキシ樹脂などが挙げられる。なかでも、接合性の点で、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂が好ましい。エポキシ樹脂は、常温で、液状であっても良いし、固形であっても良い。
【００４９】
熱硬化性樹脂２Ｒは、熱可塑性樹脂、硬化剤、硬化促進剤および有機溶媒などと混合され、フィルム層２の原料となる。熱可塑性樹脂は、フィルム層２の粘着性や溶融粘度を調整する目的で混合される。熱可塑性樹脂としては、例えば、フェノキシ樹脂、ポリウレタン、ポリアセタールなどが好ましく用いられる。熱硬化性樹脂２Ｒがエポキシ樹脂である場合、硬化剤として、例えば、酸無水物、アミン化合物などが用いられる。硬化促進剤としては、イミダゾール系促進剤、リン系硬化促進剤、ホスホニウム塩系硬化促進剤、双環式アミジン類、有機金属錯体、ポリアミンの尿素化物などが用いられる。有機溶媒は、使用する熱硬化性樹脂の硬化温度よりも低い沸点を有することが好ましい。有機溶媒としては、例えば、トルエン（沸点１１０℃）、ヘキサン（沸点６９℃）、酢酸エチル（沸点７７℃）、メチルエチルケトン（沸点８０℃）などが好ましく用いられる。これらは、単独あるいは２種以上を組み合わせて用いても良い。
【００５０】
フィルム層２全体の厚みＴは、５〜１００μｍであることが好ましく、１０〜３０μｍであることがより好ましい。フィルム層２の厚みＴがこの範囲であれば、柔軟性が向上するとともに、これを接合材料として使用する電子部品の厚みを薄くすることができる。厚みとは、フィルム層２の２つの主面の間の距離である。
【００５１】
第１樹脂２Ｆａは特に限定されないが、耐熱性の点で、エンプラが好ましく用いられる。エンプラは、一般的に、引っ張り強度５００ｋｇ／ｃｍ2以上の樹脂であるとされており、強度、耐衝撃性、耐熱性などに優れている。エンプラとしては、例えば、ポリアミド（ＰＡ）、ポリアセタール（ＰＯＭ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリアミドイミド（ＰＡＩ）、ポリサルホン（ＰＳＦ）、ポリエーテルサルホン（ＰＥＳ）、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、ポリアリレート（ＰＡＲ）、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）、ポリイミド（ＰＩ）などが挙げられる。これらは、単独あるいは２種以上を組み合わせて用いても良い。なかでも、電界紡糸法に適している点で、第１樹脂２ＦａはＰＥＳが好ましい。
【００５２】
繊維２Ｆの繊維径は、１μｍ未満であることが好ましく、８００ｎｍ未満であることがより好ましく、６００ｎｍ未満であることが特に好ましい。また、繊維２Ｆの繊維径は、１０ｎｍ以上であることが好ましく、５０ｎｍ以上であることがより好ましく、２００ｎｍ以上であることが特に好ましい。フィルム層を接合材料として回路部材間の接合に使用する場合、熱圧着工程において、熱硬化性樹脂の流動が阻害されないためである。さらに、繊維２Ｆの繊維径がこの範囲であれば、フィルム層２は柔軟性に優れる。また、フィルム層２が粒子状の導電性材料３を含む場合、繊維２Ｆの繊維径は導電性材料３の平均粒径Ｄ５０よりも小さいことが好ましい。繊維２Ｆによって導電性材料３の移動が妨げられ難く、接合材料とした場合の導通性が確保し易くなるためである
【００５３】
ここで、繊維径とは、繊維の直径である。繊維の直径とは、繊維の長さ方向に対して垂直な断面の直径である。そのような断面が円形でない場合には、最大径を直径と見なしてよい。また、フィルム材１０の一方の主面の法線方向から見たときの、繊維２Ｆの長さ方向に対して垂直な方向の幅を、繊維２Ｆの直径と見なしても良い。
【００５４】
繊維２Ｆのフィルム層２における単位面積当たりの質量は、耐熱性の観点から、０．０５〜５ｇ／ｍ2であることが好ましく、０．１〜１ｇ／ｍ2であることがより好ましい。
【００５５】
繊維２Ｆは、接合性の観点から、例えば、一本以上の繊維２Ｆがランダムに重なった（あるいは、絡まった）繊維の集合体である不織布の形状で、フィルム層２の基材１側に含まれることが好ましい。不織布は、２種以上の繊維２Ｆにより構成されていても良い。なかでも、生産性の観点から、不織布に含まれる繊維２Ｆは１種類であることが好ましい。不織布の平均厚みは、接合性の観点から、フィルム層の厚みＴに対して０．０５Ｔ〜０．２Ｔであることが好ましい。具体的には、不織布の平均厚みは、１〜３μｍであることが好ましい。
【００５６】
平均厚みとは、例えば、不織布の任意の１０箇所の厚みの平均値である。厚みとは、不織布の２つの主面の間の距離である。具体的に、不織布の厚みは、上記と同じようにフィルム材１０の断面を写真に取り、フィルム層２の基材１とは反対側の表面上にある任意の１地点から基材１まで、当該表面に対して垂直な線を引いたとき、この線と重なる繊維２Ｆのうち、最も離れた位置にある２つの繊維２Ｆの間の距離として求められる。他の任意の複数地点（例えば、９地点）についても同様にして不織布の厚みを算出し、これらを平均化した数値を、不織布の平均厚みとする。上記厚みの算出に際しては、二値化処理された画像を用いても良い。
【００５７】
［基材シート］
基材１の材質は特に限定されず、例えば、樹脂シート、紙シート、布シート、ガラス繊維シートなどを用いることができる。なかでも、取扱い性の点で、樹脂シートであることが好ましい。樹脂シートを構成する樹脂としては、ポリプロピレン、ポリエチレン、ポリエステル（ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートなど）などを用いることができる。なかでも、寸法安定性、耐溶剤性、コストの観点から、ポリエチレンテレフタレートであることが好ましい。基材１の厚みも特に限定されないが、１０〜１００μｍであることが好ましく、２０〜５０μｍであることがより好ましい。
【００５８】
基材１は、転写性の観点から、フィルム層２と対向する面が離型剤によりコーティングされていることが好ましい。離型剤としては、シリコーン樹脂、フッ素系化合物などが挙げられる。
【００５９】
［フィルム材の製造方法］
フィルム材１０は、例えば、以下の方法により製造される。すなわち、フィルム材１０は、基材１に繊維２Ｆを、例えば、不織布の形状で配置した後、フィルム状の熱硬化性樹脂２Ｒを積層する方法により製造される。この場合、繊維２Ｆと熱硬化性樹脂２Ｒとは、それぞれ単独の層状に積層され得る。また、基材１に繊維２Ｆを、例えば、不織布の形状で配置した後、熱硬化性樹脂２Ｒを含む液体を塗工し、次いで溶液中の有機溶媒を除去することにより、フィルム材１０は製造される。この場合、繊維２Ｆ同士の空隙に熱硬化性樹脂２Ｒを含む液体が浸透し、不織布の一部または全部は熱硬化性樹脂２Ｒを含む液体に埋没あるいは浸漬する。十分な量の熱硬化性樹脂２Ｒを塗工することにより、フィルム層２の基材１側とは反対の表面側の繊維２Ｆの体積割合を小さくすることができる。
【００６０】
基材１に、繊維２Ｆを不織布の形状で配置する方法としては、電界紡糸法が好ましく例示できる。電界紡糸法では、まず、第１樹脂２Ｆａを含む繊維２Ｆの原料を有機溶媒に溶解した溶液（原料液）を準備する。次いで、基材１をグランドさせるかマイナスに帯電させ、そこにプラスの電圧に印加された原料液をノズルから噴射させる。基材１に到達する過程において原料液に含まれる有機溶媒は揮発し、基材１には、第１樹脂２Ｆａの繊維状物（繊維２Ｆ）が不織布状に堆積する。繊維２Ｆの堆積後、熱硬化性樹脂２Ｒのフィルムを積層する、あるいは、熱硬化性樹脂２Ｒを含む液体を塗工して乾燥することにより、フィルム材１０が得られる。
【００６１】
熱硬化性樹脂２Ｒを含む液体を塗工する方法は、特に限定されない。例えば、マイクログラビア法、スロットダイコーティング法、ナイフコーティング法などが挙げられる。
【００６２】
特に、基材１上に繊維２Ｆを配置した後、連続して熱硬化性樹脂２Ｒをフィルム状で積層する、あるいは、熱硬化性樹脂２Ｒを含む液体を塗工する（以下、併せて熱硬化性樹脂２Ｒの付与と称する場合がある）ことが好ましい。製造工程が簡略化されるためである。
【００６３】
例えば、ロールに巻き取られた長尺の基材１を搬送ベルト上に送り出しながら、基材１上に繊維２Ｆを配置する。繊維２Ｆが配置された基材１をそのまま搬送させながら、引き続き、熱硬化性樹脂２Ｒの付与を行う。必要に応じて、引き続き、基材１を乾燥機内に搬送して乾燥することにより、フィルム材が得られる。フィルム材は、その後、ロールに巻き取られても良い。
【００６４】
基材１上に配置された繊維２Ｆが１μｍ以下の繊維径を有する場合、繊維２Ｆは、飛散したり切断したりし易い。そのため、連続して熱硬化性樹脂２Ｒが付与されない場合、繊維２Ｆの配置後、基材１に、繊維２Ｆを挟むようにして保護シートを張り合わせることが好ましい。その後、必要に応じて、ロール状に巻き取る工程および裁断工程などが行われる。保護シートは特に限定されず、例えば、ポリエチレンテレフタレート製のシートなどが用いられる。
【００６５】
繊維２Ｆの原料液に含まれる有機溶媒としては、Ｎ−メチル−２−ピロリドン（沸点２０２℃）、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（沸点１５３℃）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ、沸点１６５℃）、シクロヘキサノン（沸点１５６℃）などを用いることができる。これらは単独で用いてもよく、複数種を組み合わせて用いてもよい。これらの有機溶媒に第１樹脂２Ｆａなどを溶解させ、原料液が得られる。原料液には、その他の溶媒が含まれていても良い。原料液における有機溶媒と第１樹脂２Ｆａとの混合比率は、選定される有機溶媒の種類と第１樹脂２Ｆａの種類により異なる。原料液における有機溶媒の割合は、例えば、６０質量％から９５質量％である。
【００６６】
上記有機溶媒はいずれも高い沸点を有する。しかし、上記のように、原料液が噴射されてから基材１上に繊維２Ｆが堆積されるまでの間に有機溶媒は揮発し、基材１上にはほとんど残留しない。そのため、フィルム材１０を形成する過程において、第１樹脂２Ｆａを溶解させていた有機溶媒を除去する工程は特に不要である。
【００６７】
［電子部品］
次に、図２を参照しながら、本発明に係る電子部品の一実施形態を説明する。図２は、本発明の一実施形態に係る電子部品２０を模式的に示す断面図である。
【００６８】
電子部品２０は、第一回路部材５と、第二回路部材４と、を具備し、第二回路部材４は、接合材料を介して第一回路部材５に実装されている。接合材料は、繊維状の第１樹脂および硬化状態の熱硬化性の第２樹脂を含む。第１樹脂の軟化開始温度は、硬化状態の第２樹脂のガラス転移温度Ｔｇより高い。つまり、接合材料は、高い軟化点を有する繊維を含むため、得られる電子部品２０は耐熱性に優れる。なお、ガラス転移点Ｔｇは、ＤＭＡ法により、昇温温度２℃／分、周波数１Ｈｚの測定条件により測定される（以下、同じ）。
【００６９】
このような接合材料は、例えば、上記フィルム層２である。繊維２Ｆの軟化点ＳＴ１は、熱硬化性樹脂２Ｒの軟化点ＳＴ２より高く、同時に、硬化状態の熱硬化性樹脂２Ｒのガラス転移点Ｔｇよりも高い。熱硬化性樹脂２Ｒのガラス転移点Ｔｇは特に限定されないが、接続信頼性の点で、１００〜１５０℃であることが好ましい。
【００７０】
硬化状態の熱硬化性樹脂２Ｒとは、熱硬化性樹脂２Ｒが硬化剤および硬化促進剤により硬化された状態の第２樹脂であり、熱硬化性樹脂２Ｒ、硬化剤および硬化促進剤を含んでいる。言い換えれば、硬化状態の熱硬化性樹脂２Ｒは、接合材料のうち、繊維２Ｆ、および、導電性材料が含まれる場合には導電性材料３を除いた部分を占める。
【００７１】
接合材料として、上記フィルム層２を用いる場合、接合材料の厚みをＴＪとすると、接合材料の第一回路部材５側の表面から０．５ＴＪまでの領域における繊維２Ｆの体積割合ＶＪ１0.5は、接合材料の第二回路部材４側の表面から０．５ＴＪまでの領域における繊維２Ｆの体積割合ＶＪ２0.5よりも小さくなり得る。なお、各回路部材が対向電極（６ａ、６ｂ）を有する場合、対向電極の間に挟まれる領域を除いた領域について、上記体積割合ＶＪを算出する。
【００７２】
第一回路部材５および第二回路部材４は、例えば、半導体素子、ＩＣやＬＳＩなどの半導体チップ、これらのベアチップ、電子部品モジュール、受動素子（チップ部品）半導体パッケージ、ガラス基板、樹脂基板、セラミック基板およびシリコン基板である。樹脂基板としては、例えば、エポキシ樹脂基板（例えば、ガラスエポキシ基板）、フッ素樹脂基板、ビスマレイミドトリアジン基板、フレキシブル樹脂基板（例えば、ポリイミド樹脂基板）などが挙げられる。第一回路部材５および第二回路部材４は、同じであっても良いし、異なっていても良い。
【００７３】
すなわち、本発明の電子部品２０は、チップ・オン・ウエハ(ＣｏＷ)、チップ・オン・フィルム（ＣｏＦ）、チップ・オン・グラス（ＣｏＧ）などのチップ・オン・ボード（ＣｏＢ）構造、チップ・オン・チップ（ＣｏＣ）構造、フレキシブル基板・オン・ボード（ＦｏＢ）構造、フレキシブル基板・オン・フレキシブル基板（ＦｏＦ）構造であり得る。
【００７４】
第一回路部材５および第二回路部材４が互いに対向する電極（６ａ、６ｂ）を有する場合、接合材料は、導電性材料を含んでいることが好ましい。接合材料により、対向電極間の接続が可能となるためである。電極の材料としては、例えば、アルミニウム、アルミニウム合金、銅、銀、金（めっき）、ニッケル、炭素あるいはこれらの化合物などが挙げられる。電子部品２０に含まれる導電性材料は、上記導電性材料３であっても良いし、上記導電性材料３が一旦溶融した後、固化したものであっても良い。
【００７５】
［電子部品の製造方法］
図３および４を参照しながら、本発明に係る電子部品の製造方法の一実施形態を具体的に説明する。図３（ａ）〜（ｅ）は、本発明の一実施形態に係る電子部品の製造方法を説明するための断面図である。図４は、長尺体である基材１の捲き出しから、電子部品２０の回収までの一連の工程を示す説明図である。
【００７６】
（１）フィルム材の準備工程
基材および基材の一方の主面に配置されたフィルム層を備えるフィルム材を準備する。このようなフィルム材としては、例えば、上記フィルム材１０が用いられる。
【００７７】
フィルム材１０は、上記方法のうち、基材１に繊維２Ｆを堆積させた後、連続して基材１の繊維２Ｆが堆積された面に熱硬化性樹脂２Ｒを付与する方法により製造されることが好ましい。フィルム材１０の製造工程が簡略化され、生産性が向上するためである。このようにして製造されたフィルム材１０は、必要に応じて、所定の形状および大きさに裁断され、第一回路部材５に積層される。
【００７８】
フィルム材１０をこの方法で製造することにより、図４に示すように、基材１の捲き出しから、後述する方法により製造される電子部品２０の回収までを一連の工程（いわゆる、ロールツーロール（Roll to roll）工程）として行うことが可能となる。
【００７９】
例えば、まず、供給リール３０に捲回された長尺の基材１が搬送ベルトに供給され、繊維堆積装置３１に搬送される。繊維堆積装置３１において、基材１に繊維２Ｆが堆積される。続いて、基材１は樹脂付与装置３２に搬送され、基材１に熱硬化性樹脂２Ｒが付与されてフィルム材１０が形成される。引き続き、フィルム材１０を反転させ、転写装置３４に搬送する。
【００８０】
フィルム材１０が形成されてから転写装置３４に搬送されるまでの間に、裁断装置３３が配置されている。裁断装置３３は、基材１のフィルム層２に、フィルム層２が所定の形状および大きさになるようにスリットを形成する。フィルム材１０が形成されてから裁断装置３３までの間、あるいは、裁断装置３３から転写装置３４に搬送されるまでの間に、フィルム材１０を巻き取るためのリール（図示せず）を備えていても良い。これにより、フィルム材１０の製造工程と電子部品２０の製造工程との搬送スピードの差を解消させる。
【００８１】
転写装置３４には、別途、第一回路部材５が供給される。転写装置３４は、第一回路部材５の上方で昇降する昇降機構（図示せず）を備えている。第一回路部材５が転写装置３４の所定の位置に配置され、スリットが形成されたフィルム材１０が第一回路部材５に対向するように配置されると、転写装置３４は下降する。転写装置３４は加熱機構（図示せず）を備えており、フィルム層２は第一回路部材５に熱転写される。
【００８２】
フィルム層２が第一回路部材５に熱転写されると、基材１は、回収リール３５に巻き取られ、回収される。一方、フィルム層２が積層された第一回路部材５には、第二回路部材４が積層され、熱圧着装置３６に搬送される。熱圧着装置３６により、第一回路部材５と第二回路部材４とが熱圧着され、電子部品２０が完成する。最後に、電子部品２０はトレー３７に回収され、一連の工程が終了する。この方法によれば、電子部品２０の生産性はさらに向上する。
【００８３】
（２）第一回路部材の積層工程
第一回路部材５に、フィルム層２が対向するようにフィルム材１０を積層する（図３（ａ））。第一回路部材５および第二回路部材４がそれぞれ電極（６ａ、６ｂ）を有する場合、導電性材料３を有するフィルム材１０を用いても良い。
【００８４】
（３）熱転写工程
第一回路部材５にフィルム層２を熱転写する。熱転写は、フィルム材１０を、熱硬化性樹脂２Ｒが軟化するが硬化しない程度の低い温度で、例えば０．２〜０．８ＭＰａ程度の圧力をかけながら１〜３秒間、第一回路部材５に圧着して行われる（図３（ｂ））。温度条件は、例えば、１００℃以下であり、６０〜９０℃である。圧着後、基材１は剥離される（図３（ｃ））。
【００８５】
このとき、フィルム層２の基材１側の面は、熱硬化性樹脂２Ｒよりも高い軟化点ＳＴ１を有する繊維２Ｆの体積割合が高いため、軟化され難く、基材１から容易に剥離する。一方、繊維２Ｆの体積割合のより小さい第一回路部材５に対向する面は軟化され易く、第一回路部材５に密着し易い。
【００８６】
（４）第二回路部材の積層および熱圧着工程
第一回路部材５のフィルム層２が積層された面に、第二回路部材４を積層する。このとき、第一回路部材５および第二回路部材４がそれぞれ電極を有する場合、第一回路部材５の電極６ｂに第二回路部材４の電極６ａが対向するように、第二回路部材４を積層する（図３（ｄ））。
【００８７】
最後に、フィルム層２の熱硬化性樹脂２Ｒが硬化する温度で、例えば１〜４ＭＰａ程度の圧力をかけながら１０〜３０秒間、第一回路部材５と第二回路部材４とを熱圧着して、電子部品２０が製造される（図３（ｅ））。温度条件は、例えば、１２０℃以上であり、１４０〜２００℃が一般的である。
【００８８】
得られる電子部品２０は、接合材料として耐熱性に優れるフィルム層２を備えている。そのため、後工程であるリフロー工程や、高温下での使用環境においても接合性が高く維持される。よって、得られる電子部品２０は接続信頼性に優れる。
【００８９】
以下、本発明の実施例を具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
［実施例１］
（１）フィルム材の作製
ＰＥＳ（第１樹脂２Ｆａ）を２０質量％含むＤＭＡｃ溶液を原料液として用いて、電界紡糸法により、シリコーン樹脂コート層を有する基材１（ポリエチレンテレフタレート製、厚み３８μｍ）上に繊維２Ｆを不織布状に堆積させた。繊維２Ｆの繊維径は４４０ｎｍであり、繊維２Ｆは基材１上に０．２ｇ／ｍ2堆積していた。不織布の平均厚みは１．４μｍであった。
【００９０】
続いて、基材１の繊維２Ｆが堆積された面に、フィルム層２を形成するための溶液を塗工した。溶液の組成は、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂２２質量％（熱硬化性樹脂２Ｒ、液状の上記エポキシ樹脂と固形の上記エポキシ樹脂との混合物）、マスターバッチ型イミダゾール系潜在性硬化剤２２質量％、トルエン２０質量％、酢酸エチル２０質量％、はんだ粒子（平均粒径Ｄ５０：４．５μｍ、融点１３９℃）１６質量％である。次いで、７０〜８０℃の温風を用いて乾燥し、フィルム層２の厚みが２０μｍであり、繊維２Ｆにより形成される不織布の厚みが１μｍであるフィルム材を得た。
【００９１】
繊維２Ｆの軟化点ＳＴ１は２１９℃であり、熱硬化性樹脂２Ｒの軟化点ＳＴ２は５５℃であった。フィルム層２の引張り強度は、７８ｍＮであった。また、上記の方法により算出される繊維２Ｆの体積割合ＶＦ１0.5は０．０９であり、体積割合ＶＦ２0.5は０であった。同様に、体積割合ＶＦ１0.15は０．６２、体積割合ＶＦ２0.85は０．０２、フィルム層２全体に対する繊維２Ｆの体積割合ＶＦは約０．０５であった。また、導電性材料３の体積割合ＶＰ１0.5は０．０１８であり、体積割合ＶＰ２0.5は０．０２３であった。
【００９２】
（２）電子部品の作製
第一回路部材５としてガラスエポキシ基板、第二回路部材４としてシリコン製ＩＣチップ、接合材料として上記フィルム材１０を用いて、上記方法により電子部品２０を１０個作製した。熱転写工程は、８０℃の条件下、０．５ＭＰａで２秒間圧着を行った。熱転写工程後に剥離された基材１にフィルム層２は残留せず、すべてのフィルム層２は第一回路部材５に転写されていた。また、圧着工程では、１８０℃の条件下、１ＭＰａで２０秒間の熱圧着を行った。硬化後の上記熱硬化性樹脂２Ｒのガラス転移点Ｔｇは、１２７℃であった。得られた１０個の電子部品２０に対して、以下の耐熱性評価試験を行った。結果を表１に示す。
【００９３】
［実施例２］
繊維２Ｆの堆積量を０．５ｇ／ｍ2、繊維２Ｆにより形成される不織布の厚みを３μｍとしたこと以外は、実施例１と同様にしてフィルム材および１０個の電子部品を得た。
【００９４】
フィルム層２の引張り強度は、９６ｍＮであった。また、上記の方法により算出される繊維２Ｆの体積割合ＶＦ１0.5は０．２７であり、体積割合ＶＦ２0.5は０．０１であった。同様に、体積割合ＶＦ１0.15は０．９４、体積割合ＶＦ２0.85は０．１１、フィルム層２全体に対する繊維２Ｆの体積割合ＶＦは約０．１４であった。導電性材料３の体積割合ＶＰ１0.5は０．００８であり、体積割合ＶＰ２0.5は０．０３２であった。また、電子部品２０の製造工程において、熱転写後に剥離された基材１にフィルム層２は残留せず、すべてのフィルム層２は第一回路部材５に転写されていた。１０個の電子部品２０の耐熱性評価試験の結果を、表１に示す。
【００９５】
［比較例１］
基材に繊維を堆積する工程を省略し、熱硬化性樹脂２Ｒとして、液状のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂７質量％およびフェノキシ樹脂１５質量％を用いたこと以外は、実施例１と同様にしてフィルム材および１０個の電子部品を得た。フィルム層の引張り強度は、４８ｍＮであった。また、電子部品の製造工程において、熱転写後に剥離された基材にフィルム層が残留していた。熱硬化性樹脂２Ｒの軟化点ＳＴ２は６１℃であり、硬化後の上記熱硬化性樹脂２Ｒのガラス転移点Ｔｇは、１２５℃であった。１０個の電子部品の耐熱性評価試験の結果を、表１に示す。
【００９６】
［評価法］
（１）耐熱性
ＪＩＳ  Ｃ  ５０１２  １０．４．２に基づいて評価した。温度プロファイルは、ピーク温度１８０℃、はんだ粒子が溶融する温度を保持した時間３０秒、予備加熱時間１２０秒、温度勾配２．５℃／秒とした。市販のリフロー装置を用い、上記条件で３回リフローソルダリングを行った。その後、超音波探傷装置を用いて、電子部品内部の接合材料の剥離の有無を確認した。ＩＣチップ下面の剥離面積比率が１０％以上のものを剥離ＮＧとし、１０個中の剥離ＮＧとなった個数をカウントした。
【００９７】
【表１】
2016182698.tif 000003
【産業上の利用可能性】
【００９８】
本発明のフィルム材は、耐熱性が高く、転写性にも優れるため、回路部材同士を接合するための接合材料として適する。さらに、本発明のフィルム材を用いて接合された電子部品は、耐熱性に優れるため、接続信頼性が高い。
【符号の説明】
【００９９】
１：基材、２：フィルム層、２Ｆ：繊維、２Ｒ：熱硬化性樹脂、３：導電性材料、４：第二回路部材、５：第一回路部材、６ａ、６ｂ：電極、１０、１０Ａ、１０Ｂ：フィルム材、２０：電子部品、３０：供給リール、３１：繊維堆積装置、３２：樹脂付与装置、３３：裁断装置、３４：転写装置、３５：回収リール、３６：熱圧着装置、３７：トレー
【図１Ａ】
2016182698.tif 000004
【図１Ｂ】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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