(57)【要約】【課題】フレアの発生と、ボンディング治具による干渉を防止しつつ、インピーダンス特性を向上させ、装置の小型化を図る。【解決手段】カバーガラスと半導体素子との高さを揃えることにより、カバーガラスと半導体素子との距離を最短にすることで、半導体素子の側面に反射して入射する光により生じるフレアの発生を抑制すると共に、半導体素子と半導体撮像素子とのインピーダンス特性を改善させることができる。また、半導体素子に使用する治具の干渉を低減する。本技術は、CMOSイメージセンサに適用することができる。【選択図】図４
2016115840.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体撮像素子がウェハ状態から個片化される前に、画素上に透明耐熱樹脂により接着され、前記画素上を保護する個片化されたカバーガラスと、
前記半導体撮像素子に隣接して搭載された半導体素子と、
前記カバーガラスと、前記半導体素子との隙間、並びに、前記カバーガラス、および前記半導体素子の周辺に充填されるアンダフィル樹脂と
を含む半導体装置。
【請求項２】
前記透明耐熱樹脂の厚み（マイクロメートル）は、前記透明耐熱樹脂の比重を乗じた値が、42um（マイクロメートル）より大きい
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記透明耐熱樹脂は、400nm以上の波長の光を99%以上透過させる
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記半導体素子画素上から画素上に接着されたガラス裏面までの高さが、隣接されて搭載された半導体素子裏面までの高さと同等である
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記アンダフィル樹脂は、380nm乃至1200nmの波長領域の光の透過率が0%である
請求億１に記載の半導体装置。
【請求項６】
半導体撮像素子がウェハ状態から個片化される前に、画素上に透明耐熱樹脂により接着され、前記画素上を保護する個片化されたカバーガラスと、
前記半導体撮像素子に隣接して搭載された半導体素子と、
前記カバーガラスと、前記半導体素子との隙間、並びに、前記カバーガラス、および前記半導体素子の周辺に充填されるアンダフィル樹脂と
を含む固体撮像素子。
【請求項７】
半導体撮像素子がウェハ状態から個片化される前に、画素上に透明耐熱樹脂により接着され、前記画素上を保護する個片化されたカバーガラスと、
前記半導体撮像素子に隣接して搭載された半導体素子と、
前記カバーガラスと、前記半導体素子との隙間、並びに、前記カバーガラス、および前記半導体素子の周辺に充填されるアンダフィル樹脂と
を含む撮像装置。
【請求項８】
半導体撮像素子がウェハ状態から個片化される前に、画素上に透明耐熱樹脂により接着され、前記画素上を保護する個片化されたカバーガラスと、
前記半導体撮像素子に隣接して搭載された半導体素子と、
前記カバーガラスと、前記半導体素子との隙間、並びに、前記カバーガラス、および前記半導体素子の周辺に充填されるアンダフィル樹脂と
を含む電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本技術は、半導体装置、固体撮像素子、撮像装置、および電子機器に関し、特に、フレアの発生と、半導体素子のボンディングにおける治具の干渉を防止しつつ、インピーダンス特性を向上できるようにした半導体装置、固体撮像素子、撮像装置、および電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体実装工程中のパーティクルによる画素ダメージを防ぐために、半導体撮像素子上に個片化されたカバーガラスを、透明樹脂を利用してボンディングすることで、保護する技術が提案されている（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１０−１５３８７４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上述した特許文献１に記載の半導体装置では、画素に隣接して半導体素子が実装される場合、画素上のカバーガラス面よりも半導体素子高さが高い場合は、半導体素子端面や接着材端面から発生するフレアが光学特性へ影響を与えることが懸念される。
【０００５】
また、半導体素子厚みがカバーガラス表面よりも低い場合は、半導体素子ボンディング時にボンディング治具が干渉し、ボンディング治具の大きさで特定されるサイズよりも、半導体素子とカバーガラスとの距離が短縮できない。
【０００６】
本技術は、このような状況に鑑みてなされたものであり、特に、フレアの発生と、ボンディングにおける治具による干渉を防止しつつ、インピーダンス特性を向上できるようにするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本技術の一側面の半導体装置は、半導体撮像素子がウェハ状態から個片化される前に、画素上に透明耐熱樹脂により接着され、前記画素上を保護する個片化されたカバーガラスと、前記半導体撮像素子に隣接して搭載された半導体素子と、前記カバーガラスと、前記半導体素子との隙間、並びに、前記カバーガラス、および前記半導体素子の周辺に充填されるアンダフィル樹脂とを含む。
【０００８】
前記透明耐熱樹脂の厚み（マイクロメートル）は、前記透明耐熱樹脂の比重を乗じた値が、42um（マイクロメートル）より大きくなるようにすることができる。
【０００９】
前記透明耐熱樹脂は、400nm以上の波長の光を99%以上透過させるものとすることができる。
【００１０】
前記半導体素子画素上から画素上に接着されたガラス裏面までの高さが、隣接されて搭載された半導体素子裏面までの高さと同等とすることができる。
【００１１】
前記アンダフィル樹脂は、380nm乃至1200nmの波長領域の光の透過率が0%であるものとすることができる。
【００１２】
本技術の一側面の固体撮像素子は、半導体撮像素子がウェハ状態から個片化される前に、画素上に透明耐熱樹脂により接着され、前記画素上を保護する個片化されたカバーガラスと、前記半導体撮像素子に隣接して搭載された半導体素子と、前記カバーガラスと、前記半導体素子との隙間、並びに、前記カバーガラス、および前記半導体素子の周辺に充填されるアンダフィル樹脂とを含む。
【００１３】
本技術の一側面の撮像装置は、半導体撮像素子がウェハ状態から個片化される前に、画素上に透明耐熱樹脂により接着され、前記画素上を保護する個片化されたカバーガラスと、前記半導体撮像素子に隣接して搭載された半導体素子と、前記カバーガラスと、前記半導体素子との隙間、並びに、前記カバーガラス、および前記半導体素子の周辺に充填されるアンダフィル樹脂とを含む。
【００１４】
本技術の一側面の電子機器は、半導体撮像素子がウェハ状態から個片化される前に、画素上に透明耐熱樹脂により接着され、前記画素上を保護する個片化されたカバーガラスと、前記半導体撮像素子に隣接して搭載された半導体素子と、前記カバーガラスと、前記半導体素子との隙間、並びに、前記カバーガラス、および前記半導体素子の周辺に充填されるアンダフィル樹脂とを含む。
【００１５】
本技術の一側面においては、半導体撮像素子がウェハ状態から個片化される前に、画素上に透明耐熱樹脂により接着された、個片化されたカバーガラスにより、前記画素上が保護され、アンダフィル樹脂により、前記カバーガラスと、前記半導体撮像素子に隣接して搭載された半導体素子との隙間、並びに、前記カバーガラス、および前記半導体素子の周辺が充填される。
【発明の効果】
【００１６】
本技術の一側面によれば、フレアの発生と、半導体装置をボンディングする際における治具による干渉を防止しつつ、インピーダンス特性を向上することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】従来の半導体撮像素子を用いた製造工程を説明する図である。
【図２】図１のカバーガラスに隣接する位置に半導体素子を搭載するとき、半導体素子の方が、その上面が高い場合に生じるフレアを説明する図である。
【図３】図１のカバーガラスに隣接する位置に半導体素子を搭載するとき、カバーガラスの方が、その上面が高い場合に生じる治具の干渉を説明する図である。
【図４】本技術を適用した半導体装置の構成を説明する図である。
【図５】アンダフィル樹脂が充填される位置を説明する図である。
【図６】図４の半導体装置の製造方法を説明する図である。
【図７】図４の半導体装置における透明耐熱樹脂の厚さを説明する図である。
【図８】本技術を適用した半導体撮像素子からなる固体撮像素子を利用した撮像装置および電子機器の構成を説明する図である。
【図９】固体撮像素子の使用例を示す図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
＜従来の固体撮像素子の構造＞
図１は、従来の固体撮像素子の製造工程における、特定の工程を示した側面図である。
【００１９】
図１においては、半導体撮像素子３３上において、個片化されたカバーガラス３１−１，３１−２のそれぞれが、個別の透明耐熱樹脂３２−１，３２−２により、ボンディングされた部材１１が示されている。
【００２０】
このような構成により、半導体実装工程中のパーティクルによる画素ダメージを防止することが可能となる。
【００２１】
そして、次の工程において、この部材１１のカバーガラス３１のそれぞれに対応する位置に、図２で示されるように、半導体素子５１が、はんだバンプ５２を介して接続され、はんだバンプ５２の周囲が液状樹脂５３により充填され、個片化されることにより、固体撮像素子４１が形成される。
【００２２】
ところが、図２で示されるように、半導体素子５１の裏面の高さがカバーガラス３１の高さよりも高い場合（図２では高さの差が高差ｔ１である場合）、図２中の点線で示されるように、入射光の一部が半導体素子５１の側面部に反射して、半導体撮像素子３３に入射し、結果としてフレアが発生する可能性があった。
【００２３】
また、図３で示されるように、半導体素子５１の高さがカバーガラス３１の高さよりも低い場合（図３では高さの差が高さｔ２である場合）、半導体素子５１をはんだバンプ５２を介して半導体撮像素子３３上に搭載するボンディングの治具となるボンディングヘッド６２の先端部６１が、カバーガラス３１と干渉してしまう恐れがある。このため、カバーガラス３１が設置された位置に対して、先端部６１が干渉しない程度に、図中の距離ｄを十分に確保して半導体素子５１を搭載する位置を決定する必要がある。結果として、半導体素子５１とカバーガラス３１との距離ｄをある程度確保する必要があるので、装置小型化を妨げると共に、その間のインピーダンスに悪い影響を与える。
【００２４】
＜本技術の固体撮像素子の構造＞
そこで、本技術の半導体撮像素子の構造は、図４で示されるように構成されている。
【００２５】
すなわち、図４の固体撮像素子１００は、カバーガラス１０１、透明耐熱樹脂１０２、半導体撮像素子１０３、半導体素子１０４、はんだバンプ１０５、およびアンダフィル樹脂１０６より構成される。
【００２６】
ここで、カバーガラス１０１、透明耐熱樹脂１０２、半導体撮像素子１０３、半導体素子１０４、はんだバンプ１０５は、それぞれ図１乃至図３におけるカバーガラス３１、透明耐熱樹脂３２、半導体撮像素子３３、半導体素子５１、および、はんだバンプ５２に対応するものである。
【００２７】
ここで、カバーガラス１０１は、透明耐熱樹脂１０２により、半導体撮像素子１０３に接着された状態とされている。カバーガラス１０１は、温度に対する線膨張の挙動がシリコンSiと同様の挙動を示すものであるほど良く、ガラスの種類は石英ガラス又はホウ珪酸ガラスが望ましい。
【００２８】
また、この透明耐熱樹脂１０２は、カバーガラス１０１と半導体撮像素子１０３とが貼り合わされた後のプロセスや信頼性試験でも耐熱性/耐薬品性/耐光性に問題が無く、且つ撮像特性へ影響を与えないものであり、例えば、400nm以上の波長の光を99%以上透過するものであることが望ましい。
【００２９】
さらに、透明耐熱樹脂１０２の材質は、例えば、シリコン樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、デンドリマ、または、その共重合体である。また、透明耐熱樹脂１０２は、カバーガラス１０１側へ塗布又はラミネートで樹脂膜を形成でき、かつ、半硬化で半導体撮像素子の画素上へカバーガラスを接着できるものが望ましい。さらに、透明耐熱樹脂１０２は、カバーガラス１０１と半導体撮像素子１０３との間で貼り合わされた後は、加熱、またはUV（Ultra Violet）の照射により硬化させることが可能なものが望ましい。
【００３０】
また、半導体素子１０４は、例えば、固体撮像素子１００の全体の動作を制御する演算素子であり、はんだバンプ１０５を介して半導体撮像素子１０３に電気的に接続されている。
【００３１】
カバーガラス１０１、および透明耐熱樹脂１０２と、半導体素子１０４およびはんだバンプ１０５との間、並びに、はんだバンプ１０５の隙間には、黒色などの入射光を遮光する遮光性（または、吸収する光吸収性）を備えたアンダフィル樹脂１０６が充填されている。このアンダフィル樹脂は、例えば、380nm乃至1200nmの波長領域の光の透過率が０％である。
【００３２】
さらに、アンダフィル樹脂１０６は、図５の左部の上面図で示されるように、カバーガラス１０１および半導体素子１０４を取り囲むように充填されている。
【００３３】
また、このとき、カバーガラス１０１の上面と、半導体素子１０４の上面とは、図４の一点鎖線で示されるように、同一の高さになるように構成されている。
【００３４】
このため、半導体素子１０４を半導体撮像素子１０３上に搭載するにあたって、ボンディングの治具となるボンディングヘッド６２の先端部６１がカバーガラス１０１に干渉するといったことが防止される。また、図３で示されるような半導体素子１０４とカバーガラス１０１との図４中の水平方向の距離Ｄを小さくすることができ、さらに、半導体素子１０４とカバーガラス１０１との間に、光の遮光性（または吸収性）の高いアンダフィル樹脂１０６が充填されることにより、外光が半導体素子１０４に反射することで発生するフレアを防止することができると共に、距離Ｄを小さくすることで相互のインピーダンス特性を改善することができ、さらに、固体撮像素子１００の全体のサイズの小型化を実現することが可能となる。
【００３５】
尚、半導体素子１０４は、半導体撮像素子１０３に対して１個のみならず、それ以上の数であってもよく、例えば、４個の場合、図５の右部で示されるように、カバーガラス１０１を取り囲むように半導体素子１０４−１乃至１０４−４が配設されるようにしてもよい。この場合においても、カバーガラス１０１と半導体素子１０４−１乃至１０４−４との隙間、半導体素子１０４−１乃至１０４−４の外周部、並びに半導体素子１０４−１乃至１０４−４のそれぞれを接続するはんだバンプ１０５の隙間には、遮光性または光吸収性の高いアンダフィル樹脂１０６が充填される。結果として、フレアの抑制、インピーダンス特性の改善、および装置全体の小型化を実現することが可能となる。
【００３６】
＜製造方法＞
次に、図６を参照して、固体撮像素子１００の製造方法について説明する。
【００３７】
第一の工程において、図６の左上部で示されるように、個片化されていない状態のカバーガラス１０１の裏面を上面にして、その全面に透明接着樹脂１０２を貼り付ける。
【００３８】
第二の工程において、図６の左下部で示されるように、透明接着樹脂１０２が貼り付けられた状態でカバーガラス１０１を個片化し、例えば、カバーガラス１０１−１，１０１−２、および透明接着樹脂１０２−１，１０２−２にする。
【００３９】
第三の工程において、図６の右上部で示されるように、半導体撮像素子１０３上の固体撮像素子１００を構成する部位に、個片化されたカバーガラス１０１−１，１０１−２を、透明接着樹脂１０２−１，１０２−２により接着する。さらに、電界メッキ、または無電解メッキによりはんだバンプ１０５−１，１０５−２（またはバリアメタルなど）からなる電極を半導体撮像素子１０３上に設ける。
【００４０】
第四の工程において、図６の右下部で示されるように、半導体素子１０４−１，１０４−２をはんだバンプ１０５−１，１０５−２を介して、半導体撮像素子１０３に接続する。このとき、半導体素子１０４−１，１０４−２の裏面の高さと、カバーガラス１０１−１，１０１−２の表面が同一の高さとなるように、半導体素子１０４−１，１０４−２が、はんだバンプ１０５−１，１０５−２を介して、半導体撮像素子１０３に接続される。さらに、はんだバンプ１０５の隙間、並びに、カバーガラス１０１および半導体素子１０４の隙間および周囲が、光に対して遮光性（または吸収性）を備えたアンダフィル樹脂１０６で充填される。
【００４１】
その後、各固体撮像素子１００単位（図中のカバーガラス１０１および半導体素子１０４の単位）で、ダイシング（個片化）することにより、固体撮像素子１００が製造される。結果として、各固体撮像素子１００は、図４で示されるような構造で製造されることになるので、フレアの抑制、インピーダンス特性の改善、および装置全体の小型化を実現することが可能となる。
【００４２】
＜透明耐熱樹脂の厚さ＞
ところで、カバーガラス１０１のように、半導体撮像素子１０３のカバー部材としてガラスが用いられると、ガラスに含まれるウラン２３８（U238）などの重金属類から放出されたα線が半導体撮像素子１０３の特性に悪影響を与えることがわかっており、例えば、α線による影響で撮像白点欠陥が生じることが知られている。
【００４３】
そこで、このα線による影響を低減させるため、カバーガラス１０１と半導体撮像素子１０３との間に設けられる透明耐熱樹脂１０２により、α線による影響を低減させることが可能な厚さを考える必要がある。
【００４４】
すなわち、このα線による影響を低減させる上で、必要となる透明耐熱樹脂１０２の厚さは、例えば、図５で示されるように、半導体撮像素子１０３の上面からカバーガラス１０１の下面までの距離をＡ（um）とし、透明耐熱樹脂１０２の比重をＸとした場合、以下の式（１）が満たされるような厚さとなる。
【００４５】
ＡＸ≧42um
・・・（１）
【００４６】
ここで、42umは、カバーガラス１０１乃至半導体撮像素子１０３上の撮像面までの距離であり、カバーガラス１０１からのα線による撮像白点欠陥を防ぐのに必要な距離をカバーガラス１０１中に含まれるウラン２３８（U238）からのα線の飛程から算出したものである。また、式（１）の条件についての導出根拠は以下の通りである。
【００４７】
すなわち、以下の式（２）で定義される飛程Ｒは、物質によらず、ほぼ一定である。
【００４８】
Ｒ（g/cm2）=ｄ（g/cm3）×ｒ（cm）
・・・（２）
【００４９】
ウラン２３８（U238（E=4.2Mev））の空気中（d=0.0014g/cm3）の飛程ｒは、飛程ｒ（cm）=3.0cmなので、式（２）で定義される飛程Ｒは、以下の式（３）のように求められる。
【００５０】
Ｒ（g/cm2）=ｄ（g/cm3）×ｒ（cm）
=0.0014（g/cm3）×3.0（cm）
=4.2E-03（g/cm2）
・・・（３）
【００５１】
よって、例えば、1（g/cm3）の透明耐熱樹脂１０２中での飛程ｒ（cm）は、以下の式（４）で示されるように求められることになる。
【００５２】
ｒ（cm）=Ｒ（g/cm2）/ｄ（g/cm3）
=4.2E-03（g/cm2）/1.0（g/cm3）
=42（um）
・・・（４）
【００５３】
よって、上述した式（１）により定義される関係が満たされるように求められた厚さＡの透明耐熱樹脂１０２を設けるようにすることで、α線による半導体撮像素子１０３の特性に与える影響を低減することができる。
【００５４】
すなわち、このように、カバーガラス１０１により半導体実装工程中のパーティクルによる画素ダメージを防止するような場合においても、透明耐熱樹脂１０２の材質に応じて、その厚さを適切に設定することで、α線による半導体撮像素子１０３への特性に与える影響を低減させることが可能となる。
【００５５】
以上の如く、本技術の固体撮像素子１００により、半導体素子１０４を半導体撮像素子１０３上に搭載するにあたって、ボンディングの治具となるボンディングヘッド６２の先端部６１がカバーガラス１０１に干渉するといったことが防止される。
【００５６】
また、半導体素子１０４とカバーガラス１０１との水平方向の距離を小さくすることができ、さらに、半導体素子１０４とカバーガラス１０１との間に、光の遮光性（吸収性）の高いアンダフィル樹脂１０６が充填されることにより、外光が半導体素子１０４に反射することで発生するフレアを防止することができる。
【００５７】
さらに、半導体素子１０４とカバーガラス１０１との水平方向の距離を小さくすることができるので、半導体素子１０４と半導体撮像素子１０３との相互のインピーダンス特性を改善することができ、さらに、固体撮像素子小型化を実現することが可能となる。
【００５８】
また、上述したように透明耐熱樹脂１０２の厚さを適切に設定することで、半導体撮像素子１０３のカバー部材として、カバーガラス１０１を利用する場合にでも、材質であるガラスの含まれる重金属からのα線による半導体撮像素子１０３の特性への影響を低減させることが可能となる。
【００５９】
＜電子機器への適用例＞
上述した固体撮像素子は、例えば、デジタルスチルカメラやデジタルビデオカメラなどの撮像装置、撮像機能を備えた携帯電話機、または、撮像機能を備えた他の機器といった各種の電子機器に適用することができる。
【００６０】
図８は、本技術を適用した電子機器としての撮像装置の構成例を示すブロック図である。
【００６１】
図８に示される撮像装置２０１は、光学系２０２、シャッタ装置２０３、固体撮像素子２０４、駆動回路２０５、信号処理回路２０６、モニタ２０７、およびメモリ２０８を備えて構成され、静止画像および動画像を撮像可能である。
【００６２】
光学系２０２は、１枚または複数枚のレンズを有して構成され、被写体からの光（入射光）を固体撮像素子２０４に導き、固体撮像素子２０４の受光面に結像させる。
【００６３】
シャッタ装置２０３は、光学系２０２および固体撮像素子２０４の間に配置され、駆動回路２０５の制御に従って、固体撮像素子２０４への光照射期間および遮光期間を制御する。
【００６４】
固体撮像素子２０４は、上述した固体撮像素子１００、または、固体撮像素子１００を含むパッケージにより構成される。固体撮像素子２０４は、光学系２０２およびシャッタ装置２０３を介して受光面に結像される光に応じて、一定期間、信号電荷を蓄積する。固体撮像素子２０４に蓄積された信号電荷は、駆動回路２０５から供給される駆動信号（タイミング信号）に従って転送される。
【００６５】
駆動回路２０５は、固体撮像素子２０４の転送動作、および、シャッタ装置２０３のシャッタ動作を制御する駆動信号を出力して、固体撮像素子２０４およびシャッタ装置２０３を駆動する。
【００６６】
信号処理回路２０６は、固体撮像素子２０４から出力された信号電荷に対して各種の信号処理を施す。信号処理回路２０６が信号処理を施すことにより得られた画像（画像データ）は、モニタ２０７に供給されて表示されたり、メモリ２０８に供給されて記憶（記録）されたりする。
【００６７】
このように構成されている撮像装置２０１においても、上述した固体撮像素子２０４に代えて、固体撮像素子１００を適用することにより、フレアの低減、装置の小型化、および半導体素子と半導体撮像素子とのインピーダンス特性を向上させることが可能となる。
＜固体撮像素子の使用例＞
【００６８】
図９は、上述の固体撮像素子１００を使用する使用例を示す図である。
【００６９】
上述した固体撮像素子１００は、例えば、以下のように、可視光や、赤外光、紫外光、X線等の光をセンシングする様々なケースに使用することができる。
【００７０】
・ディジタルカメラや、カメラ機能付きの携帯機器等の、鑑賞の用に供される画像を撮影する装置
・自動停止等の安全運転や、運転者の状態の認識等のために、自動車の前方や後方、周囲、車内等を撮影する車載用センサ、走行車両や道路を監視する監視カメラ、車両間等の測距を行う測距センサ等の、交通の用に供される装置
・ユーザのジェスチャを撮影して、そのジェスチャに従った機器操作を行うために、TVや、冷蔵庫、エアーコンディショナ等の家電に供される装置
・内視鏡や、赤外光の受光による血管撮影を行う装置等の、医療やヘルスケアの用に供される装置
・防犯用途の監視カメラや、人物認証用途のカメラ等の、セキュリティの用に供される装置
・肌を撮影する肌測定器や、頭皮を撮影するマイクロスコープ等の、美容の用に供される装置
・スポーツ用途等向けのアクションカメラやウェアラブルカメラ等の、スポーツの用に供される装置
・畑や作物の状態を監視するためのカメラ等の、農業の用に供される装置
【００７１】
尚、本技術は、以下のような構成も取ることができる。
（１）  半導体撮像素子がウェハ状態から個片化される前に、画素上に透明耐熱樹脂により接着され、前記画素上を保護する個片化されたカバーガラスと、
前記半導体撮像素子に隣接して搭載された半導体素子と、
前記カバーガラスと、前記半導体素子との隙間、並びに、前記カバーガラス、および前記半導体素子の周辺に充填されるアンダフィル樹脂と
を含む半導体装置。
（２）  前記透明耐熱樹脂の厚み（マイクロメートル）は、前記透明耐熱樹脂の比重を乗じた値が、42um（マイクロメートル）より大きい
（１）に記載の半導体装置。
（３）  前記透明耐熱樹脂は、400nm以上の波長の光を99%以上透過させる
（１）または（２）に記載の半導体装置。
（４）  前記半導体素子画素上から画素上に接着されたガラス裏面までの高さが、隣接されて搭載された半導体素子裏面までの高さと同等である
（１）乃至（３）のいずれかに記載の半導体装置。
（５）  前記アンダフィル樹脂は、380nm乃至1200nmの波長領域の光の透過率が0%である
（１）乃至（４）のいずれかに記載の半導体装置。
（６）  半導体撮像素子がウェハ状態から個片化される前に、画素上に透明耐熱樹脂により接着され、前記画素上を保護する個片化されたカバーガラスと、
前記半導体撮像素子に隣接して搭載された半導体素子と、
前記カバーガラスと、前記半導体素子との隙間、並びに、前記カバーガラス、および前記半導体素子の周辺に充填されるアンダフィル樹脂と
を含む固体撮像素子。
（７）  半導体撮像素子がウェハ状態から個片化される前に、画素上に透明耐熱樹脂により接着され、前記画素上を保護する個片化されたカバーガラスと、
前記半導体撮像素子に隣接して搭載された半導体素子と、
前記カバーガラスと、前記半導体素子との隙間、並びに、前記カバーガラス、および前記半導体素子の周辺に充填されるアンダフィル樹脂と
を含む撮像装置。
（８）  半導体撮像素子がウェハ状態から個片化される前に、画素上に透明耐熱樹脂により接着され、前記画素上を保護する個片化されたカバーガラスと、
前記半導体撮像素子に隣接して搭載された半導体素子と、
前記カバーガラスと、前記半導体素子との隙間、並びに、前記カバーガラス、および前記半導体素子の周辺に充填されるアンダフィル樹脂と
を含む電子機器。
【符号の説明】
【００７２】
１０１，１０１−１，１０１−２  カバーガラス，  １０２，１０２−１，１０２−２  透明耐熱樹脂，  １０３，１０３−１，１０３−２  半導体撮像素子，  １０４，１０４−１，１０４−２  半導体素子，  １０５，１０５−１，１０５−２  はんだバンプ，  １０６  アンダフィル樹脂
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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