(57)【要約】【課題】半導体デバイスを小型化する。【解決手段】半導体デバイスは、上面に端子が設けられた基板と、基板の上面に配置され、基板の端子に電気的に接続された電極を有する半導体素子と、基板の上面で、半導体素子の周囲を囲んで設けられた封止部材と、封止部材に固定されて、半導体素子の上部を覆う有蓋無底の筒状部材と、を備え、筒状部材は、蓋部と側壁とを有し、上面視において側壁が基板の端子と重なり、または、上面視において側壁が基板の端子よりも内側に位置し、筒状部材は、側壁の下端が封止部材に埋め込まれている、または、側壁の下端が封止部材の上面に固定されている。【選択図】図２
2016115769.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面に端子が設けられた基板と、
前記基板の上面に配置され、前記基板の前記端子に電気的に接続された電極を有する半導体素子と、
前記基板の上面で、前記半導体素子の周囲を囲んで設けられた封止部材と、
前記封止部材に固定されて、前記半導体素子の上部を覆う有蓋無底の筒状部材と、を備え、
前記筒状部材は、蓋部と側壁とを有し、上面視において前記側壁が前記基板の前記端子と重なり、または、上面視において前記側壁が前記基板の前記端子よりも内側に位置し、
前記筒状部材は、前記側壁の下端が前記封止部材に埋め込まれている、または、前記側壁の前記下端が前記封止部材の上面に固定されている半導体デバイス。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体デバイスにおいて、
前記半導体素子の前記電極は、前記半導体素子の上面に設けられ、前記半導体素子の前記電極と前記基板の前記端子とは、ワイヤにより電気的に接続されている半導体デバイス。
【請求項３】
請求項２に記載の半導体デバイスにおいて、
前記側壁の前記下端は、前記ワイヤの上端よりも下方に位置する半導体デバイス。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項に記載の半導体デバイスにおいて、
前記側壁の前記下端は、フランジ状に形成されている半導体デバイス。
【請求項５】
半導体デバイスがそれぞれ形成される複数の半導体デバイス形成領域を上面に有し、前記各半導体デバイス形成領域内で端子が形成された素材基板を準備する工程と、
前記素材基板の前記各半導体デバイス形成領域内に、上面に電極を有する半導体素子を配置する工程と、
前記半導体素子それぞれの前記電極と前記素材基板に形成された前記端子をワイヤボンディングする工程と、
前記素材基板上で前記半導体素子それぞれの周囲に封止部材を設ける工程と、
前記半導体素子の上部を覆う複数の有蓋無底の筒状部材のそれぞれを前記封止部材に固定する工程と、
前記素材基板を前記半導体デバイス形成領域毎に分離する工程と、を含み、
前記筒状部材は、蓋部と側壁とを有し、前記半導体デバイスの上面視において前記側壁が前記端子と重なり、または、上面視において前記側壁が前記端子よりも内側に位置する半導体デバイスの製造方法。
【請求項６】
請求項５に記載の半導体デバイスの製造方法において、
前記半導体素子の上部を覆う複数の筒状部材のそれぞれを前記封止部材に固定する工程は、
前記素材基板上で前記半導体素子それぞれの周囲に設けた前記封止部材の硬化前に前記筒状部材の下部を前記封止部材に埋没させる工程と、
前記筒状部材の下部を埋没させた後の前記封止部材を硬化させる工程と、を含む半導体デバイスの製造方法。
【請求項７】
請求項６に記載の半導体デバイスの製造方法において、
前記半導体素子の上部を覆う複数の筒状部材のそれぞれを前記封止部材に固定する工程は、
前記素材基板上で前記半導体素子それぞれの周囲に設けた前記封止部材の硬化前に前記筒状部材の下部を前記封止部材に埋没させて、前記筒状部材を所定の高さ位置で保持する工程と、
前記筒状部材を所定の高さ位置で保持した状態で前記封止部材を硬化させる工程と、を含む半導体デバイスの製造方法。
【請求項８】
請求項５に記載の半導体デバイスの製造方法において、
前記半導体素子の上部を覆う複数の筒状部材のそれぞれを前記封止部材に固定する工程は、
前記素材基板上で前記半導体素子それぞれの周囲に設けた前記封止部材を硬化させる工程と、
硬化後の前記封止部材の上部に前記筒状部材の下部を接着剤で固定する工程と、を含む半導体デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体素子が封止部材により封止された半導体デバイスおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスにおいて、半導体素子を基板上に搭載し、半導体素子の上部に空隙を設けて蓋体で覆ったものが知られている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】実用新案登録第２５０２６１２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、上述した文献に記載の半導体デバイスでは、半導体素子（電子部品素子）を覆うキャップがチップキャリア上の配線パターンよりも外側でチップキャリアに取り付けられている。そのため、キャップを小型化できず、半導体デバイスの小型化が困難である。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
この発明の半導体デバイスは、上面に端子が設けられた基板と、基板の上面に配置され、基板の端子に電気的に接続された電極を有する半導体素子と、基板の上面で、半導体素子の周囲を囲んで設けられた封止部材と、封止部材に固定されて、半導体素子の上部を覆う有蓋無底の筒状部材と、を備え、筒状部材は、蓋部と側壁とを有し、上面視において側壁が基板の端子と重なり、または、上面視において側壁が基板の端子よりも内側に位置し、筒状部材は、側壁の下端が封止部材に埋め込まれている、または、側壁の下端が封止部材の上面に固定されている。
この発明の半導体デバイスの製造方法は、半導体デバイスがそれぞれ形成される複数の半導体デバイス形成領域を上面に有し、各半導体デバイス形成領域内で端子が形成された素材基板を準備する工程と、素材基板の各半導体デバイス形成領域内に、上面に電極を有する半導体素子を配置する工程と、半導体素子それぞれの電極と素材基板に形成された端子をワイヤボンディングする工程と、素材基板上で半導体素子それぞれの周囲に封止部材を設ける工程と、半導体素子の上部を覆う複数の有蓋無底の筒状部材のそれぞれを封止部材に固定する工程と、素材基板を半導体デバイス形成領域毎に分離する工程と、を含み、筒状部材は、蓋部と側壁とを有し、半導体デバイスの上面視において側壁が端子と重なり、または、上面視において側壁が端子よりも内側に位置する。
【発明の効果】
【０００６】
本発明によれば、半導体素子の上部を覆う筒状部材の側壁が上面視において基板の端子と重なり、または、上面視において基板の端子よりも内側に位置するように構成した。そして、筒状部材の側壁の下端が封止部材に埋め込まれる、または、側壁の下端が封止部材の上面に固定されるように構成した。これにより、半導体デバイスを小型化できる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】一実施の形態の半導体デバイスの外観を模式的に示した斜視図。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ線断面図。
【図３】（ａ）は蓋部材の外観斜視図、（ｂ）は（ａ）のｂ−ｂ線断面図。
【図４】半導体デバイスの製造方法を説明するための上方からの平面図であり、基板上に半導体素子を載置する工程を示す。
【図５】図４に続く工程を示す図。
【図６】図５に続く工程を示す図。
【図７】図６に続く工程を示す図。
【図８】変形例を示す図。
【図９】変形例を示す図
【発明を実施するための形態】
【０００８】
［半導体デバイスの構造］
以下、この発明の半導体デバイスの一実施の形態を図面と共に説明する。
図１は、一実施の形態の半導体デバイスの外観を模式的に示した斜視図であり、図２は、図１のＩＩ−ＩＩ線断面図である。説明の便宜上、半導体デバイスの左右方向、前後方向および上下方向を図示の通りとする。また、説明の便宜上、以下に説明する各図において、後述する封止部材には、断面を表す部分以外についてもハッチングを施している。
【０００９】
半導体デバイス１は、基板すなわち回路基板１０と、半導体素子２０と、蓋部材４０と、封止部材５０とを備えている。
半導体素子２０は上面視で矩形形状を有しており、回路基板１０は、上面視で、半導体素子２０より一回り大きい矩形形状を有している。半導体素子２０は、回路基板１０の略中央に配置されており、半導体素子２０の相対向する側辺は、それぞれ、回路基板１０の対応する側辺から等しい長さだけ内側に配置されている。
【００１０】
図２に示すように、半導体素子２０は、回路基板１０の上面１０ａ上にダイボンディングされている。半導体素子２０の上面２０ａの周縁には、複数の電極２２が配列されている。回路基板１０の上面１０ａには、半導体素子２０の周囲に端子１１が配列されている。なお、図２では表れていないが、電極２２は、半導体素子２０の上面２０ａにおける左右の周縁にも配列されている。同様に、端子１１は、回路基板１０の上面１０ａにおいて半導体素子２０の左方および右方にも配列されている。半導体素子２０の各電極２２は、回路基板１０の端子１１にワイヤ２３により電気的に接続されている。電極２２と端子１１との接続は、金、銀、銅、合金などのワイヤを用いたワイヤボンディング法によるものである。回路基板１０の下面１０ｂには、不図示のビアホールを介して、それぞれ、対応する端子１１に接続された外部端子部１２が形成されている。
【００１１】
図１，２に示すように、封止部材５０は、回路基板１０の上面１０ａ上に、半導体素子２０の外周を囲むように形成されている。封止部材５０は、電気絶縁性を有する樹脂等から成る。封止部材５０は、回路基板１０の端子１１およびワイヤ２３の端子１１側の所定範囲を覆っている。
【００１２】
本実施の形態では、封止部材５０が半導体素子２０の側面と接触しているが、半導体素子２０の側面と接触していなくてもよい。本実施の形態では、封止部材５０は、半導体素子２０の上面２０ａに形成された電極２２およびワイヤ２３の電極２２側の所定長を覆っていない。しかし、封止部材５０は、半導体素子２０の機能に影響がなければ、ワイヤ２３の電極２２側の所定範囲および電極２２を覆うように構成してもよい。封止部材５０の形成方法ついては、後述する。
【００１３】
半導体素子２０の上方には、図３に示す蓋部材４０が配置されている。図３（ａ）は、蓋部材４０の外観斜視図であり、図３（ｂ）は、図３（ａ）のｂ−ｂ線断面図である。上述したように、蓋部材４０は、回路基板１０の左右方向および前後方向の略中央に配置されて、半導体素子２０全体を覆っている。蓋部材４０は、有蓋無底の角筒状の部材であり、天板４１と、脚部４２とを備える。蓋部材４０は、金属または樹脂により形成される。天板４１は、矩形形状の平板であり、角筒の蓋に相当する。脚部４２は、天板４１の周縁の４つの辺からそれぞれ下方に延在する４つの側壁、すなわち周壁であり、角筒の筒に相当する。脚部４２の下端には、前後方向外側および左右方向外側に向かってフランジ状に広がったフランジ部４２ａが形成されている。
【００１４】
蓋部材４０は、フランジ部４２ａを含む脚部４２の下部が封止部材５０に埋め込まれている（図２）。フランジ部４２ａは、回路基板１０の上面１０ａや端子１１、ワイヤ２３から離間した状態で封止部材５０に固定されている。すなわち、蓋部材４０は、回路基板１０や半導体素子２０，ワイヤ２３には接触しておらず、封止部材５０を介して回路基板１０に固定されている。天板４１の下面は、半導体素子２０の上面２０ａ、および、ワイヤ２３における、半導体素子２０の上面２０ａから突出する最大の高さの部分２３ａの上方に位置している。半導体素子２０の上面２０ａと蓋部材４０の天板４１の下面との間には空隙部Ｓが形成されている。
【００１５】
上面視における蓋部材４０の寸法は、回路基板１０の寸法よりも小さい（図１，２参照）。半導体デバイス１の小型化のため、蓋部材４０は、前後方向および左右方向の寸法が小さくなるように形成されている。具体的には、図２から明らかなように、上面視における脚部４２の位置を、上面視における回路基板１０の端子１１やワイヤ２３の位置と重ならせることで、蓋部材４０の前後方向および左右方向の寸法を抑制している。なお、上面視における脚部４２の位置が、上面視における回路基板１０の端子１１の位置よりも内側となるように蓋部材４０を構成してもよい。
【００１６】
蓋部材４０と封止部材５０との接合強度確保の観点から、脚部４２が封止部材５０に埋め込まれる深さはある程度以上の深さであることが望ましい。また、半導体デバイス１の高さを抑制するためには、蓋部材４０の天板４１の高さを低くすることが望ましい。そのため、たとえば、図２に示すように、脚部４２の下端、すなわちフランジ部４２ａは、ワイヤ２３における、半導体素子２０の上面２０ａから突出する最大の高さの部分２３ａよりも下方に位置する。
【００１７】
すなわち、本実施の形態では、半導体デバイス１の小型化のために、蓋部材４０の脚部４２の下端と、回路基板１０の端子１１やワイヤ２３とを、近づけている。なお、上述したように、フランジ部４２ａが回路基板１０の上面１０ａや端子１１、ワイヤ２３から離間しているので、蓋部材４０が端子１１同士やワイヤ２３同士を短絡させたり、ワイヤ２３を変形させたりすることはない。
【００１８】
［半導体デバイスの製造方法］
図４〜７を参照して、半導体デバイスの製造方法を説明する。
図１，２に示す半導体デバイス１は、複数個まとめて製造する。回路基板１０、半導体素子２０、蓋部材４０は、それぞれ個別に製造する。
複数の半導体デバイス形成領域１ｒを形成するための素材基板である素材回路基板１０Ｐを準備する。図４では、１つ１つの半導体デバイス形成領域を符号１ｒで示している。素材回路基板１０Ｐの各半導体デバイス形成領域１ｒ内には、素材回路基板１０Ｐの表面に端子１１が形成されている。また、素材回路基板１０Ｐの裏面には、端子１１にビアホールを介して接続された外部端子部１２（図２参照）が形成されている。
なお、以下では、素材回路基板１０Ｐ上に、左右方向４×前後方向３個の半導体デバイス１を形成する場合として例示するが、素材回路基板１０Ｐ上には、これ以上またはこれ以下の数の半導体デバイス１を形成することが可能である。各半導体デバイス形成領域１ｒの平面形状は、半導体デバイス１を上面視した大きさおよび形状と同一である。すなわち、各半導体デバイス形成領域１ｒは、左右方向に延在する２つの長辺と、前後方向に延在する２つの短辺とで囲まれた領域である。
【００１９】
図４に示すように、各半導体デバイス形成領域１ｒに、半導体素子２０をダイボンディングして素材回路基板１０Ｐに半導体素子２０を固定する。そして、ワイヤボンディングにより、半導体素子２０の電極２２と素材回路基板１０Ｐの半導体デバイス形成領域１ｒに形成された端子１１とを接続する。
【００２０】
図５に示すように、不図示のディスペンサを前後方向に移動しながら、左右方向に隣接する半導体素子２０間、および左端側と右端側の半導体デバイス形成領域１ｒの一側縁側に、液状の樹脂材料５０ｐを注入する。同様に、不図示のディスペンサを左右方向に移動しながら、上下方向に隣接する半導体素子２０間、および前端側と後端側の半導体デバイス形成領域１ｒの一側縁側に、液状の樹脂材料５０ｐを注入する。樹脂材料５０ｐは、硬化させる前の封止部材５０である。樹脂材料５０ｐは、素材回路基板１０Ｐの上面に濡れ広がりながら、半導体素子２０の側面に向かって流動する。
なお、樹脂材料５０ｐとしては、例えば、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂を用いることができる。樹脂中にガラス繊維などのフィラを分散してもよい。
【００２１】
樹脂材料５０ｐの注入が完了したら、樹脂材料５０ｐを硬化させる前に、図６に示すように、各半導体デバイス形成領域１ｒ内に、蓋部材４０をそれぞれ配置する。具体的には、不図示の装置によって、蓋部材４０は、脚部４２のフランジ部４２ａが素材回路基板１０Ｐの上面から所定の距離だけ離間するように、所定の高さ位置に配置される（図２参照）。すなわち、蓋部材４０は、脚部４２のフランジ部４２ａが樹脂材料５０ｐの上面から下方に向かって、不図示の装置によって押し込まれる。これにより、蓋部材４０は、脚部４２の下部が硬化前の樹脂材料５０ｐに埋め込まれる。脚部４２の下部を硬化前の樹脂材料５０ｐに埋没させると、蓋部材４０は、回路基板１０の上面１０ａや端子１１、ワイヤ２３等から離間した状態で、樹脂材料５０ｐの粘性によって自立し、樹脂材料５０ｐに仮固定される。
【００２２】
蓋部材４０の仮固定が完了したら、樹脂材料５０ｐを熱や紫外線により、硬化させる。これにより、蓋部材４０は封止部材５０に固定される。
そして、図７に示すように、二点鎖線で示す切断線の位置で、素材回路基板１０Ｐを左右方向および前後方向に切断する。図７で二点鎖線で示した切断線は、各半導体デバイス形成領域１ｒの境界線と重なる。この切断によって、封止部材５０の外周側面が回路基板１０の４つの側面とそれぞれ面一となる。上述した工程によって、図１に示す半導体デバイス１を複数形成できる。
【００２３】
上記一実施の形態によれば、下記の作用効果を奏する。
（１）半導体デバイス１は、回路基板１０の上面１０ａで、半導体素子２０の周囲を囲んで設けられた封止部材５０と、封止部材５０に固定されて、半導体素子２０の上部を覆う蓋部材４０とを備える。蓋部材４０は、蓋部である天板４１と側壁である脚部４２とを有し、上面視において脚部４２が回路基板１０の端子１１と重なる。蓋部材４０は、脚部４２の下端が封止部材５０に埋め込まれている。これにより、蓋部材４０の寸法を抑制でき、蓋部材４０を小型化できるので、半導体デバイス１を小型化できる。
【００２４】
（２）蓋部材４０は、蓋部材４２の下部、すなわち脚部４２下端のフランジ部４２ａが封止部材５０に埋め込まれている。これにより、蓋部材４０の固定構造を簡略化できるので、半導体デバイス１のコスト増を抑制できる。
【００２５】
（３）脚部４２の下端、すなわちフランジ部４２ａは、ワイヤ２３における、半導体素子２０の上面２０ａから突出する最大の高さの部分２３ａよりも下方に位置する。すなわち、上述した半導体デバイス１では、蓋部材４０の脚部４２の下端と、回路基板１０の端子１１やワイヤ２３とを、高さ方向に近づけている。これにより、蓋部材４０と封止部材５０との接合強度を確保しつつ、半導体デバイス１の高さを抑制でき、半導体デバイス１を小型化できる。
【００２６】
（４）脚部４２の下端にフランジ部４２ａを設けたので、蓋部材４０と封止部材５０との接合強度が向上して、半導体デバイス１の信頼性を向上できる。
【００２７】
（５）半導体デバイス１の製造にあたり、半導体デバイス１がそれぞれ形成される複数の半導体デバイス形成領域１ｒを上面に有し、各半導体デバイス形成領域１ｒ内で端子１１が形成された素材基板、すなわち素材回路基板１０Ｐを準備した。そして、素材回路基板１０Ｐの各半導体デバイス形成領域１ｒ内に、上面２０ａに電極２２を有する半導体素子２０を配置した。半導体素子２０それぞれの電極２２と素材回路基板１０Ｐに形成された端子１１をワイヤボンディングにより接続した。素材回路基板１０Ｐ上で半導体素子２０それぞれの周囲に硬化前の封止部材５０である樹脂材料５０ｐを設けた。半導体素子２０の上部を覆う複数の蓋部材４０のそれぞれを封止部材５０に固定した。そして、素材回路基板１０Ｐを半導体デバイス形成領域１ｒ毎に分離した。
これにより、蓋部材４０の位置決めおよび素材回路基板１０Ｐへの取り付けを容易、かつ、能率的に行うことができ、半導体デバイス１の製造工程を簡略化できる。また、半導体デバイス１の製造コストの増加を抑制できる。
【００２８】
（６）半導体素子２０の上部を覆う複数の蓋部材４０のそれぞれを封止部材５０に固定する工程では、素材回路基板１０Ｐ上で半導体素子２０それぞれの周囲に設けた硬化前の封止部材５０に蓋部材４０の下部である脚部４２を埋没させ、その後、封止部材５０を硬化させる。これにより、素材回路基板１０Ｐ上で蓋部材４０を固定しておくためのスペーサが不要となり、スペーサの配置工程を省略できるので、組み立て工数を削減でき、製造コストを低減できる。
【００２９】
［変形例］
（１）上述の説明では、半導体デバイス１の製造工程において、蓋部材４０を樹脂材料５０ｐに仮固定する際に、不図示の装置によって脚部４２のフランジ部４２ａを樹脂材料５０ｐに押し込んでいるが、本発明はこれに限定されない。たとえば、樹脂材料５０ｐの粘度を適宜調整することで、蓋部材４０を樹脂材料５０ｐに仮固定する際に、樹脂材料５０ｐの上面に載置した蓋部材４０が、その自重によって下降して、所定の高さ位置に配置されるようにしてもよい。
【００３０】
（２）上述の説明では、半導体デバイス１の製造工程において、蓋部材４０を樹脂材料５０ｐに仮固定する際に、蓋部材４０が樹脂材料５０ｐの粘性によって自立して、樹脂材料５０ｐに仮固定されるが、本発明はこれに限定されない。たとえば、不図示の位置決め治具を用いることで、蓋部材４０を所定の高さ位置で仮固定するようにしてもよい。
また、たとえば、不図示の装置によって、脚部４２のフランジ部４２ａが素材回路基板１０Ｐの上面から所定の距離だけ離間するように、蓋部材４０を所定の高さ位置に配置して、当該装置によって蓋部材４０を所定の高さ位置に保持した状態で樹脂材料５０ｐを硬化させるようにしてもよい。
【００３１】
（３）上述の説明では、フランジ部４２ａを含む脚部４２の下部が封止部材５０に埋め込まれることで蓋部材４０を封止部材５０に固定するように構成しているが、本発明はこれに限定されない。たとえば、図８に示すように、フランジ部４２ａを硬化後の封止部材５０の上面に接着剤５１等で接着することで、蓋部材４０を封止部材５０に固定するように構成してもよい。このようにして構成される半導体デバイス１Ａは、たとえば、次のようにして製造される。すなわち、上述したように、複数の半導体デバイス形成領域１ｒを形成するための素材回路基板１０Ｐを準備し、液状の樹脂材料５０ｐを注入するまでの工程は、上述のとおりである。
【００３２】
樹脂材料５０ｐの注入が完了したら、樹脂材料５０ｐを熱や紫外線により、硬化させる。その後、各半導体デバイス形成領域１ｒ内に、蓋部材４０をそれぞれ配置して、フランジ部４２ａを封止部材５０の上面に接着剤５１等で接着する。これにより、蓋部材４０は封止部材５０に固定される。そして、図７に示すように、二点鎖線で示す切断線の位置で、素材回路基板１０Ｐを左右方向および前後方向に切断する。
このようにして半導体デバイス１Ａを製造しても、上述した作用効果と同様の作用効果を奏する。
【００３３】
（４）上述の説明では、半導体素子２０の具体的な機能について特に言及していないが、半導体素子２０はたとえば加速度センサやジャイロセンサ、圧力センサ、撮像素子、受光素子、発光素子等としての機能を有する。なお、たとえば、ＭＥＭＳ圧力センサのように、半導体素子２０が半導体デバイス１の外部雰囲気に暴露される必要がある場合には、蓋部材４０の一部に開口等を設けることで、半導体素子２０が半導体デバイス１の外部雰囲気に暴露されるようにしてもよい。
【００３４】
また、撮像素子のように半導体素子２０が半導体デバイス１の外部からの光を受光する必要がある場合には、たとえば蓋部材４０の天板４１を透明な部材で構成するようにしてもよい。具体的には、たとえば、図９に示すように、蓋部材４０Ａの上面に開口部４０ａを設け、この開口部４０ａにガラスや樹脂等で形成された透明な天板４１Ａをはめ込むことによって蓋部材４０Ａを構成してもよい。
【００３５】
（５）上述の説明では、蓋部材４０には、脚部４２の下端にフランジ部４２ａが形成されているが、脚部４２の下端をフランジ状に形成することは必須ではない。たとえば、封止部材５０と蓋部材４０との接合強度が十分であれば、脚部４２の下端にフランジ部４２ａが形成されていなくてもよい。
【００３６】
（６）上述の説明では、半導体素子２０は、４つの側辺に電極２２が配列されたクワッド型として説明した。しかし、本発明は、相対向する一対の側辺のみに電極２２が配列されたデュアル型の半導体素子２０に対しても適用することができる。
【００３７】
（７）上述の説明では、蓋部材４０が上面視で矩形形状を呈する部材であるが、蓋部材４０の形状はこれに限定されない。たとえば、蓋部材４０の上面視おける形状が矩形以外の多角形であってもよく、円や楕円形であってもよく、直線と曲線とを組み合わせた任意の形状であってもよい。
（８）上述した各実施の形態および変形例は、それぞれ組み合わせてもよい。
【００３８】
その他、本発明の半導体デバイスは、発明の趣旨の範囲内において、種々、変形して構成することが可能であり、要は、基板の上面で、半導体素子の周囲を囲んで設けられた封止部材と、封止部材に固定されて、半導体素子の上部を覆う有蓋無底の筒状部材とを備え、上面視において筒状部材の側壁が基板の端子と重なり、または、上面視において側壁が基板の端子よりも内側に位置し、側壁の下端が封止部材に埋め込まれている、または、側壁の下端が封止部材の上面に固定されていればよい。
【符号の説明】
【００３９】
１，１Ａ；半導体デバイス、１ｒ；半導体デバイス形成領域、１０；回路基板（基板）、１０Ｐ；素材回路基板（素材基板）、１１；端子、２０；半導体素子、２２；電極、４０，４０Ａ；蓋部材、４１，４１Ａ；天板、４２；脚部、５０；封止部材、５０ｐ；樹脂材料、Ｓ；空隙部
【図１】
2016115769.tif 000003
【図２】
2016115769.tif 000004
【図３】
2016115769.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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