(57)【要約】【課題】  成形精度の高い半導体発光装置を提供すること。【解決手段】本発明に係る半導体発光装置は、下記一般式（１）で表されるイソシアヌレート化合物と顔料を含む反射体を有する。【化１】2016139798.tif 000007  式中、Ｒ１はヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数４〜３０の炭化水素基であり、Ｒ２及びＲ３は炭素数３〜６のアルケニル基を示し、Ｒ２及びＲ３は同一であってもよいし、異なっていてもよい。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（１）で表されるイソシアヌレート化合物と顔料を含む反射体を有する半導体発光装置。
【化１】
2016139798.tif 000006
［式中、Ｒ１はヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数４〜３０の炭化水素基であり、Ｒ２及びＲ３は炭素数３〜６のアルケニル基を示し、Ｒ２及びＲ３は同一であってもよいし、異なっていてもよい。］
【請求項２】
前記顔料が、白色顔料又は黒色顔料である、請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項３】
前記反射体がシリカを含む請求項１又は２に記載の光半導体発光装置。
【請求項４】
前記反射体が流動性向上剤を含む請求項１〜３のいずれか１項に記載の光半導体発光装置。
【請求項５】
前記反射体がポリオレフィン樹脂を含む請求項１〜４のいずれか１項に記載の光半導体発光装置。
【請求項６】
前記反射体が電離放射線により硬化してなる硬化物からなる請求項１〜５のいずれか１項に記載の光半導体発光装置。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれかに記載の半導体発光装置に備えられる反射体を形成する反射体形成用樹脂組成物。
【請求項８】
請求項７に記載の反射体形成用樹脂組成物の硬化物からなるリフレクター付きリードフレーム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体発光装置、反射体形成用樹脂組成物及びリフレクター付きリードフレームに関する。
【０００２】
従来、電子部品を基板等に実装させる方法として、所定の場所に予め半田が点着された基板上に電子部品を仮固定した後、この基板を赤外線、熱風等の手段により加熱して半田を溶融させて電子部品を固定する方法（リフロー法）が採用されている。この方法により基板表面における電子部品の実装密度を向上させることができる。
【０００３】
また、半導体発光装置の一つであるＬＥＤ素子は、小型で長寿命であり、省電力性に優れることから、表示灯等の光源として広く利用されている。そして近年では、より輝度の高いＬＥＤ素子が比較的安価に製造されるようになったことから、蛍光ランプ及び白熱電球に替わる光源としての利用が検討されている。このような光源に適用する場合、大きな照度を得るために、表面実装型ＬＥＤパッケージ、即ち、アルミニウム等の金属製の基板（ＬＥＤ実装用基板）上に複数のＬＥＤ素子を配置し、各ＬＥＤ素子の周りに光を所定方向に反射させるリフレクター（反射体）を配設する方式が多用されている。
【０００４】
しかし、ＬＥＤ素子は発光時に発熱を伴うため、このような方式のＬＥＤ照明装置では、ＬＥＤ素子の発光時の温度上昇によりリフレクターが劣化してその反射率が低下することで輝度が低下し、ＬＥＤ素子の短寿命化等を招くこととなる。従って、リフレクターには耐熱性が要求されることとなる。
【０００５】
上記耐熱性の要求に応えるべく、特許文献１では、発光ダイオードのリフレクターに用いるポリマー組成物を提案し、具体的には、ポリフタルアミド、カーボンブラック、二酸化チタン、ガラス繊維、及び酸化防止剤を含むポリマー組成物を開示している。そして、当該組成物について熱老化後の反射率を測定し、カーボンブラックを含有しないポリマー組成物に比べて、当該組成物では良好な反射率が得られ、黄変も少ないことを示している。しかし、特許文献１に記載のポリマー組成物の熱老化試験は１７０℃で３時間という短時間での評価であり、より長時間の実用的な条件での耐熱耐久性で良好な結果が得られるかどうかは不明である。
また、特許文献２では、光半導体素子と蛍光体等の波長変換手段とを組み合わせた光半導体装置に用いる熱硬化性光反射用樹脂組成物が開示されている。この特許文献２に記載の熱硬化性光反射用樹脂組成物の熱老化試験は１５０℃で５００時間というより実用的な条件で検証しているが、成形時間が９０秒と熱可塑性樹脂に比べ長く、またポストキュアとして１５０℃で２時間が必要なため、生産性に問題があった。
【０００６】
これらの問題点を解決するために、特許文献３では、ポリメチルペンテンと分子量が１０００以下であるアリル系置換基を有する架橋処理剤とを含む電子線硬化性樹脂組成物が提案されている。この特許文献３には、白色顔料を含むこと、更に白色顔料以外の無機粒子を含む電子線硬化性組成物がリフロー工程において、優れた耐熱性を有し、リフレクター等の成形体とした場合において、優れた耐熱性が得られることが記載されている。この特許文献３には、アリル系置換基を有する架橋処理剤として、３個のアリル基を有するイソシアヌレートや２個のアリル基とエポキシ基を有するイソシアヌレートが使用されている。このような架橋処理剤を用いて、電子線を照射して樹脂組成物を硬化させる際に、電子線照射量を大きくする必要があった。また、電子線照射量が大きくなれば、使用するポリメチルペンテン等のポリオレフィン系樹脂を劣化させる恐れがあることから、電子線照射量はできるだけ小さくすることが望まれている。
上述のように、半導体発光装置においては、高い生産性のもとで成形精度の高い半導体発光装置が要求されていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特表２００６−５０３１６０号公報
【特許文献２】特開２００９−１４９８４５号公報
【特許文献３】特開２０１３−１６６９２６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、成形精度の高い半導体発光装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明者等は、特定のイソシアヌレート化合物を用いることにより、前記課題を解決した。すなわち、本発明は、
［１］下記一般式（１）で表されるイソシアヌレート化合物と顔料を含む反射体を有する半導体発光装置。
【化１】
2016139798.tif 000002
式中、Ｒ１はヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数４〜３０の炭化水素基であり、Ｒ２及びＲ３は炭素数３〜６のアルケニル基を示し、Ｒ２及びＲ３は同一であってもよいし、異なっていてもよい。
［２］前記顔料が、白色顔料又は黒色顔料である、［１］に記載の半導体発光装置。
［３］前記反射体がシリカを含む［１］又は［２］に記載の光半導体発光装置。
［４］前記反射体が流動性向上剤を含む［１］〜［３］のいずれか１項に記載の光半導体発光装置。
［５］前記反射体がポリオレフィン樹脂を含む［１］〜［４］のいずれかに記載の光半導体発光装置。
［６］前記反射体が電離放射線の硬化物からなる光半導体発光装置。
［７］［１］〜［６］のいずれかに記載の半導体発光装置に備えられる反射体を形成する反射体形成用樹脂組成物。
［８］［７］に記載の反射体形成用樹脂組成物の硬化物からなる、リフレクター付きリードフレーム。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、成形精度の高い半導体発光装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の実施形態に係る半導体発光装置の一例を示す概略断面図である。
【図２】本発明の実施形態に係る半導体発光装置の一例を示す概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
［半導体発光装置］
本発明の実施形態に係る半導体発光装置について、図面を用いて説明する。なお、本明細書において、好ましいとされる規定は任意に採用することができ、好ましいもの同士の組み合わせは、より好ましいといえる。
本実施形態に係る半導体発光装置は、下記一般式（１）で表されるイソシアヌレート化合物と顔料を含む反射体（以下、リフレクターという）を有する。
【化２】
2016139798.tif 000003
式中、Ｒ１はヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数４〜３０の炭化水素基であり、Ｒ２及びＲ３は炭素数３〜６のアルケニル基を示し、Ｒ２及びＲ３は同一であってもよいし、異なっていてもよい。
【００１３】
図１に示すように、本実施形態に係る半導体発光装置は、光半導体素子１０と、この光半導体素子１０の周りに設けられ、光半導体素子１０からの光を所定方向に反射させる光反射面を有するリフレクター１２とを基板１４上に有してなる。光半導体素子１０は、ＬＥＤ素子又はＬＥＤパッケージであることが好ましい。半導体発光装置において、リフレクター１２は、光反射面の少なくとも一部（図１の場合は全部）が、後述する反射体形成用樹脂組成物からなる成形体で構成されている。
【００１４】
光半導体素子１０は、放射光（一般に、白色光ＬＥＤにおいてはＵＶ又は青色光）を放出する、例えば、ＡｌＧａＡｓ、ＡｌＧａＩｎＰ、ＧａＰ又はＧａＮからなる活性層を、ｎ型及びｐ型のクラッド層により挟んだダブルヘテロ構造を有する半導体チップ（発光体）であり、例えば、一辺の長さが０．５ｍｍ程度の六面体の形状をしている。そして、ワイヤーボンディング実装の形態の場合には、リード線１６を介して不図示の電極（接続端子）に接続されている。
【００１５】
リフレクター１２の形状は、レンズ１８の端部（接合部）の形状に準じており、通常、角形、円形、楕円形等の筒状又は輪状である。図１の概略断面図においては、リフレクター１２は、筒状体（輪状体）であり、リフレクター１２のすべての端面が基板１４の表面に接触、固定されている。
なお、リフレクター１２の内面は、光半導体素子１０からの光の指向性を高めるために、テーパー状に上方に広げられていてもよい（図１参照）。
また、リフレクター１２は、レンズ１８側の端部を、当該レンズ１８の形状に応じた形に加工された場合には、レンズホルダーとしても機能させることができる。
【００１６】
図２に示すように、リフレクター１２が光反射面側だけを、反射体形成用樹脂組成物からなる光反射層１２ｂとして形成されていてもよい。この場合、光反射層１２ｂの厚さは、熱抵抗を低くする等の観点から、５００μｍ以下とすることが好ましく、３００μｍ以下とすることがより好ましい。光反射層１２ｂが形成される部材１２ａは、公知の耐熱性樹脂で構成することができる。
【００１７】
既述のようにリフレクター１２上にはレンズ１８が設けられている。レンズ１８は、樹脂製であり、目的、用途等により様々な構造が採用され、着色されることもある。
【００１８】
基板１４とリフレクター１２とレンズ１８とで形成される空間部は、透明封止部であってよいし、必要により空隙部であってもよい。この空間部は、通常、透光性及び絶縁性を与える材料等が充填された透明封止部であり、ワイヤーボンディング実装において、リード線１６に直接接触することにより加わる力、及び、間接的に加わる振動、衝撃等により、光半導体素子１０との接続部、及び／又は、電極との接続部からリード線１６が外れたり、切断したり、短絡したりすることによって生じる電気的な不具合を防止することができる。また、同時に、湿気、塵埃等から光半導体素子１０を保護し、長期間に渡って信頼性を維持することができる。
【００１９】
この透光性及び絶縁性を与える材料（透明封止剤組成物）としては、通常、シリコーン樹脂、エポキシシリコーン樹脂、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリカーボネート樹脂等が挙げられる。これらのうち、耐熱性、耐候性、低収縮性及び耐変色性の観点から、シリコーン樹脂が好ましい。
【００２０】
以下に、図１に示す半導体発光装置の製造方法の一例について説明する。
まず、後述する反射体形成用樹脂組成物を、所定形状のキャビティ空間を備える金型を用いたトランスファー成形、圧縮成形、射出成形等により、所定形状のリフレクター１２を成形する。その後、別途準備した光半導体素子１０及び電極を、接着剤又は接合部材により基板１４に固定し、リード線１６によりＬＥＤ素子と電極を接続する。次いで、基板１４及びリフレクター１２により形成された凹部に、シリコーン樹脂等を含む透明封止剤組成物を注入し、加熱、乾燥等により硬化させて透明封止部とする。その後、透明封止部上にレンズ１８を配設して、図１に示す半導体発光装置が得られる。
なお、透明封止剤組成物が未硬化の状態でレンズ１８を載置してから、組成物を硬化させてもよい。
後述する反射体形成用樹脂組成物から得られる成形体は、電離放射線を照射して硬化させる際、電離放射線照射量を少なくすることができるので、電離放射線による劣化の少ないリフレクター、或いはリフレクター付きリードフレームを得ることができる。
【００２１】
［反射体形成用樹脂組成物］
次に、本実施形態に係る半導体発光装置に用いられる反射体の形成に用いられる樹脂組成物（反射体形成用樹脂組成物という）について説明する。
反射体形成用樹脂組成物は、イソシアヌレート化合物と、顔料とを含む。また、反射体形成用樹脂組成物は、熱可塑性樹脂を含む。
【００２２】
＜イソシアヌレート化合物＞
反射体形成用樹脂組成物に用いられるイソシアヌレート化合物は、下記一般式（１）で表わされる化合物である。
【化３】
2016139798.tif 000004
式中、Ｒ１はヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数４〜３０の炭化水素基であり、Ｒ２及びＲ３は炭素数３〜６のアルケニル基を示し、Ｒ２及びＲ３は同一であってもよいし、異なっていてもよい。
【００２３】
Ｒ１はヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数４〜３０の炭化水素基である。炭化水素基中には、オレフィン性の不飽和結合を有さない炭化水素基であることが好ましい。これらの炭化水素基としては、例えば、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基等が挙げられる。アルキル基としては、例えば、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、エイコシル基等の直鎖状のアルキル基や分岐状のアルキル基を挙げることができる。シクロアルキル基としては、例えば、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロノニル基、シクロデシル基、シクロウンデシル基、シクロドデシル基等を挙げることができる。アリール基としては、フェニル基、ナフチル基、アントリル基等を挙げることができる。アラルキル基としては、ベンジル基、フェネチル基、トリチル基、ナフチルメチル基、アントラセニルメチル基等を挙げることができる。これら炭化水素基には、前述したとおり、ヘテロ原子を含んでいてもよく、ヘテロ原子としては、酸素原子、窒素原子、硫黄原子等のヘテロ原子を挙げることができる。前記Ｒ１はアルキル基であることが好ましく、特に、炭素数６〜２０のアルキル基であることが好ましい。
【００２４】
Ｒ２及びＲ３は炭素数３〜６のアルケニル基を示し、プロペニル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基のアルケニル基を挙げることができる。これらのアルケニル基中の炭素−炭素の二重結合の位置は、末端位であってもよいし、内部位であってもよい。Ｒ２及びＲ３は同一であってもよいし、異なっていてもよい。Ｒ２及びＲ３としては、特にプロペニル基が好ましく、プロペニル基の中でもアリル基であることが好ましい。そして、Ｒ２及びＲ３が共にアリル基であることが好ましい。
【００２５】
前記一般式（１）で表わされるイソシアヌレート化合物として、例えば、Ｒ２及びＲ３が共にアリル基である場合の具体的な化合物を例示すれば、５−ノニル−１，３−ジアリルイソシアヌレート、５−デシル−１，３−ジアリルイソシアヌレート、５−ドデシル−１，３−ジアリルイソシアヌレート、５−トリデシル−１，３−ジアリルイソシアヌレート、５−テトラデシル−１，３−ジアリルイソシアヌレート、５−シクロヘキシル−１，３−ジアリルイソシアヌレート、５−フェニル−１，３−ジアリルイソシアヌレート、５−ベンジル−１，３−ジアリルイソシアヌレート等を挙げることができる。
【００２６】
本発明の反射体形成用樹脂組成物は、一般式（１）で表わされるイソシアヌレート系化合物を用いることにより、樹脂組成物の成形性と硬化処理を改善することができる。樹脂組成物を成形した後の硬化処理には、通常、電離放射線を照射して硬化処理を行うが、一般式（１）で表わされるイソシアヌレート系化合物を用いることにより、電離放射線の照射量を少なくすることができる。従って、使用する熱可塑性樹脂や顔料等の劣化を少なくすることができる。また、一般式（１）で表わされるイソシアヌレート系化合物は、Ｒ１が、比較的大きな分子量を有していることから、熱可塑性樹脂としてポリオレフィン樹脂を使用した際に、ポリオレフィン樹脂との相溶性が上がり、樹脂組成物の流動性が高くなり、射出成形等を行って成形体とする際に、成形金型内の未充填箇所を少なくすることができ、成形性よく成形体を得ることができる。特に、成形体としてリフレクターを得る場合、１回の射出成形により、小さなリフレクターを多数個、成形性良く得ることができる。
【００２７】
＜顔料＞
本実施形態に係る反射体形成用樹脂組成物は、顔料を含む。顔料として、白色顔料又は黒色顔料が好ましく用いられる。
白色顔料としては、酸化チタン、アルミナ、タルク、水酸化アルミニウム、マイカ、炭酸カルシウム、硫化亜鉛、酸化亜鉛、硫酸バリウム、チタン酸カリウム等を単独もしくは混合して用いることが可能である。白色顔料は、本発明の樹脂組成物を硬化させて得られる硬化物に白色系の色調を付与するために用いられるものであり、特にその色調を高度の白色とすることにより、硬化物の光線反射率を向上させることができる。本発明の樹脂組成物を硬化させて得られる硬化物の光線反射率を向上させたものは、リフレクターとして用いることができる。特に硬化物をリフレクターとして用いる場合、良好な光線反射率が要求されるため、白色顔料としては、入手が容易で、光線反射率にも優れる酸化チタンを用いることが好ましい。白色顔料の平均粒径は成形性を考慮し、かつ高い反射率を得る観点から一次粒度分布において０．１〜１００μｍであることが好ましく、０．１〜１０μｍであることがより好ましく、０．２〜１μｍであることがさらに好ましい。平均粒径は、レーザー光回折法による粒度分布測定における質量平均値Ｄ５０として求めることができる。
また、黒色顔料とは少なくとも可視光線領域（４００〜７００ｎｍ）において、光線反射率が１％未満を示す粉末であるものであり、本発明の樹脂組成物を硬化させて得られる硬化物に黒色系の色調を付与するために用いられ、硬化物の光線反射率を低下させることができる。このような光線反射率を低下させた硬化物も特定用途のＬＥＤのリフレクターとして用いられている。黒色顔料としては、カーボンブラック又はグラファイトが好ましく用いられる。
【００２８】
＜熱可塑性樹脂＞
反射体形成用樹脂組成物は、熱可塑性樹脂を含んでいてもよい。
熱可塑性樹脂としては、成形温度で分解することなく、耐薬品性及び電気絶縁性に優れたものであればよく、アクリル樹脂、ポリビニルブチラールなどのポリビニルアセタール（ブチラール樹脂）、ポリエチレンテレフタレート，ポリブチレンテレフタレートなどのポリエステル樹脂、塩化ビニル樹脂、ウレタン樹脂、ポリオレフィン樹脂、ポリスチレン，α−メチルスチレンなどのスチレン系樹脂、ポリアミド、ポリカーボネート、ポリオキシメチレンなどのアセタール樹脂、エチレン−４フッ化エチレン共重合体などのフッ素樹脂、ポリイミド、ポリ乳酸、ポリビニルアセタール樹脂、液晶性ポリエステル樹脂などが挙げられ、１種単独でも又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。２種以上組み合わせる場合は、これらの樹脂を構成するモノマーの共重合体でもよいし、それぞれの樹脂を混合して用いてもよい。
これらのなかから、成形品であるリフレクターのサイズ、リフレクターの微細構造等に応じた流動性等を鑑みて選択することができる。なかでも、耐光性に優れることからポリオレフィン樹脂を用いることが好ましい。
【００２９】
（ポリオレフィン樹脂）
本発明の実施形態において、反射体形成用樹脂組成物に用いられるポリオレフィン樹脂とは、主鎖が炭素−炭素結合からなる構成単位の重合体であり、炭素結合には環状の構造を含む場合もある。単独重合体でもよく、他のモノマーと共重合してなる共重合体でもよい。炭素−炭素結合は加水分解反応を起こさないので、耐水性に優れる。オレフィン樹脂としては、例えば、ノルボルネン誘導体を開環メタセシス重合させた樹脂あるいはその水素添加、エチレン、プロピレン等のオレフィンのそれぞれ単独重合体、あるいはエチレン−プロピレンのブロック共重合体、ランダム共重合体、あるいはエチレン及び／又はプロピレンと、ブテン、ペンテン、ヘキセン等の他のオレフィンとの共重合体、更には、エチレン及び／又はプロピレンと、酢酸ビニル等の他の単量体との共重合体等が挙げられる。なかでも、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリメチルペンテンが好ましく、融点が２３０〜２４０℃と高く、成形温度が２８０℃程度でも分解せず、耐薬品性及び電気絶縁性に優れているという特性を有することから反射率変化が少なく、着色性の少ないポリメチルペンテンがより好ましい。
【００３０】
ポリエチレンとは、エチレンの単独重合体であってもよいし、エチレンと、エチレンと共重合可能な他のコモノマー（例えば、プロピレン、１−ブテン、１−ヘキセン、１−オクテン等のα−オレフィン、酢酸ビニル、ビニルアルコール等）との共重合体であってもよい。ポリエチレン樹脂としては、例えば、高密度ポリエチレン（ＨＤＰＥ）、中密度ポリエチレン（ＭＤＰＥ）、低密度ポリエチレン（ＬＤＰＥ）、直鎖低密度ポリエチレン（ＬＬＤＰＥ）、超低密度ポリエチレン（ＶＬＤＰＥ）、超高分子量ポリエチレン（ＵＨＭＷＰＥ）、架橋ポリエチレン（ＰＥＸ）等が挙げられる。これらのポリエチレンは１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００３１】
ポリプロピレンとは、プロピレンの単独重合体であってもよいし、プロピレンと、プロピレンと共重合可能な他のコモノマー（例えば、エチレン、１−ブテン、１−ヘキセン、１−オクテン等のα−オレフィン、酢酸ビニル、ビニルアルコール等）との共重合体であってもよい。これらのポリプロピレンは１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００３２】
ポリメチルペンテン樹脂としては４−メチルペンテン−１の単独重合体が好ましいが、４−メチルペンテン−１と他のα−オレフィン、例えばエチレン、プロピレン、１−ブテン、１−ペンテン、１−ヘキセン、１−オクテン、１−デセン、１−ドデセン、１−テトラデセン、１−オクタデセン、１−エイコセン、３−メチル−１−ブテン、３−メチル−１−ペンテン等の炭素数２ないし２０のα−オレフィンとの共重合体で、４−メチル−１−ペンテンを主体とした共重合体でもよい。該共重合体である場合は、耐熱性の観点から、炭素数１０〜１８のアルケンが共重合されたものが好ましく、炭素数１６以上のアルケンが共重合されたものがより好ましい。
【００３３】
反射体形成用樹脂組成物に用いられるポリオレフィン樹脂の屈折率を１．４０〜１．６０とすることにより、特に、顔料として白色顔料を用いて樹脂組成物を成形して得られた成形体をリフレクターとした場合、光線反射率を向上させることができる。また、ポリオレフィン樹脂の重量平均分子量が２２０，０００〜８００，０００であることが好ましい。重量平均分子量が２２０，０００以上であると、樹脂組成物を成形して得られた成形体にクラックが発生しにくくなるので好ましい。例えば、半導体発光装置中にクラックが発生していると、水分が浸入し半導体発光素子が故障するため極端に製品寿命が短くなる。また、重量平均分子量が８００，０００以下であると、樹脂組成物を成形することが困難とならないので好ましい。ポリオレフィン樹脂の重量平均分子量の下限値は、好ましくは２３０，０００以上、より好ましくは２４０，０００以上である。また、重量平均分子量の上限値は、好ましくは７００，０００以下、より好ましくは６５０，０００以下である。なお、重量平均分子量は、ゲルパーミッションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）で測定したポリスチレン換算の重量平均分子量が好ましいが、再現性良く重量平均分子量が測定できる手法であれば、これに限定されない。例えば、適切な溶媒で抽出した材料を例示した方法で重量平均分子量を測定することができる。
【００３４】
ＧＰＣによる重量平均分子量測定条件の例としては、以下の条件を例示することができる。
溶離液：ｏ−ジクロロベンゼン
温度：１４０〜１６０℃
流速：１．０ｍＬ／ｍｉｎ
試料濃度：１．０／Ｌ
注入量：３００μＬ
【００３５】
＜各成分の配合割合＞
本実施形態に係る反射体形成用樹脂組成物は、熱可塑性樹脂としてポリオレフィン樹脂を用いる場合には、反射体形成用樹脂組成物中におけるイソシアヌレート化合物の配合量は、ポリオレフィン樹脂１００質量部に対して、通常、１〜１００質量部、好ましくは、８〜６０質量部、より好ましくは、１０〜５０質量部である。イソシアヌレート化合物の含有量を上記範囲内とすることにより、反射体形成用樹脂組成物の成形性と、反射体形成用樹脂組成物を硬化させた硬化物の耐熱性とを両立させることができる。
また、熱可塑性樹脂としてポリオレフィン樹脂を用いる場合には、反射体形成用樹脂組成物において、顔料の配合量は、ポリオレフィン樹脂１００質量部に対して、通常、１０〜１０００質量部、好ましくは、５０〜８００質量部、より好ましくは、１００〜６００質量部である。顔料の含有量を上記範囲内とすることにより、樹脂組成物から得られる硬化物において、顔料の効果を十分に発揮させることができ、かつ樹脂組成物を成形する際に成形性を確保することができる。
【００３６】
＜顔料を除く無機フィラー＞
本発明の樹脂組成物には、さらに顔料を除く無機フィラー（以下、無機フィラーと称することもある。）を含ませることができる。無機フィラーを含ませることにより、本発明の樹脂組成物を硬化させて得られる硬化物の強度を向上させることができる。このような無機フィラーとしては、繊維状無機フィラー、板状や粒子状等のその他の無機フィラーを用いることができる。
【００３７】
（繊維状無機フィラー）
繊維状無機フィラーとしては、ガラス繊維、アスベスト繊維、炭素繊維、グラファイト繊維、金属繊維、ホウ酸アルミニウムウイスカー、マグネシウム系ウィスカー、珪素系ウィスカー、ワラストナイト、イモゴライト、セピオライト、スラグ繊維、ゾノライト、石膏繊維、シリカ繊維、シリカ−アルミナ繊維、ジルコニア繊維、窒化ホウ素繊維、窒化珪素繊維およびホウ素繊維等を挙げることができる。
【００３８】
（その他の無機フィラー）
その他の無機フィラーとしては、シリカ粒子、層状珪酸塩、有機オニウムイオンで交換された層状珪酸塩、ガラスフレーク、非膨潤性雲母、グラファイト、金属箔、セラミックビーズ、クレイ、マイカ、セリサイト、ゼオライト、ベントナイト、ドロマイト、カオリン、粉末珪酸、長石粉、シラスバルーン、石膏、ノバキュライト、ドーソナイトおよび白土フラーレンなどのカーボンナノ粒子等の板状や粒子状の無機フィラーが挙げられる。
【００３９】
反射体として使用される反射体形成用樹脂組成物は、半導体発光装置として使用した際の機械的強度や温度による形状安定性に優れるという観点から、ガラス繊維を用いることが好ましく、特に、二酸化ケイ素を６０質量％以上含むガラス繊維を用いることが好ましい。ガラス繊維における二酸化ケイ素の割合は、６５質量％以上であることがより好ましく、７０質量％以上であることがさらに好ましい。
繊維状フィラーの断面形状は、一般的な、略円形状であってもよいし、扁平形状等の異形断面であってもよい。さらに断面形状、断面積が一定の繊維でなくともよい。この場合の断面績は長さ方向に異なる断面積を平均して得られた断面積として規定される。一例として、繊維状フィラーがガラス繊維の場合には、断面のサイズとしては、上述の断面積の規定を満足し、かつ断面の短径Ｄ１が０．５μｍ以上２５μｍ以下、長径Ｄ２が０．５μｍ以上３００μｍ以下、Ｄ１に対するＤ２の比Ｄ２／Ｄ１が１．０以上３０以下であることが好ましい。また、ガラス繊維の平均繊維長は、０．７５μｍ以上３００μｍ以下であることが好ましい。このようなガラス繊維は、ミルドファイバーとも呼ばれ、長繊維を粉砕して得ることができる。前記顔料を除く無機フィラーは、ポリオレフィン樹脂１００質量部に対して、通常、１０〜５００質量部の範囲内で用いることができる。
【００４０】
＜流動性向上剤＞
本実施形態に係る半導体発光装置において、反射体は、流動性向上剤を含んでいてもよい。すなわち、反射体形成用樹脂組成物に、流動性向上剤を含ませることができる。流動性向上剤を含ませることにより、顔料や顔料を除く無機フィラーを含む反射体形成用樹脂組成物の成形性を向上させることができる。
流動性向上剤としては、ポリエチレンワックス、ポリプロピレンワックス、極性ワックス、流動パラフィン、シランカップリング剤として使用されているシラン化合物、及び金属せっけん等が挙げられる。上記流動性向上剤は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００４１】
本実施形態においては、樹脂に対する無機物質の分散性、相溶性が高く、リフレクターとした際の反射率、機械的特性、寸法安定性を向上させることができる観点から、流動性向上剤として、シランカップリング剤として使用されているシラン化合物を用いることが好ましい。これらのシラン化合物としては、例えば、ヘキサメチルジシラザン等のジシラザン；環状シラザン；トリメチルシラン、トリメチルクロルシラン、ジメチルジクロルシラン、メチルトリクロルシラン、アリルジメチルクロルシラン、トリメトキシシラン、ベンジルジメチルクロルシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、イソブチルトリメトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、トリメチルメトキシシラン、ヒドロキシプロピルトリメトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、ｎ−ブチルトリメトキシシラン、ｎ−ヘキサデシルトリメトキシシラン、ｎ−オクタデシルトリメトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、γ−メタクリルオキシプロピルトリメトキシシラン、及びビニルトリアセトキシシラン等のアルキルシラン化合物；γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−（２−アミノエチル）アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−（２−アミノエチル）アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）３−アミノプロピルトリメトキシシラン、及びＮ−β−（Ｎ−ビニルベンジルアミノエチル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、ヘキシルトリメトキシシラン等のアミノシラン化合物；等を挙げることができる。
【００４２】
流動性向上剤は、ポリオレフィン樹脂１００質量部に対して、通常、０．１〜５０質量部の範囲内で用いることができる。
【００４３】
＜その他の添加剤＞
なお、本発明の樹脂組成物には、本発明の効果を損なわない限り、種々の添加剤を含有させることができる。例えば、樹脂組成物の性質を改善する目的で、種々のシリコーンパウダー、熱可塑性エラストマー、有機合成ゴム、脂肪酸エステル、グリセリン酸エステル、ステアリン酸亜鉛、ステアリン酸カルシウム等の内部離型剤や、ベンゾフェノン系、サリチル酸系、シアノアクリレート系、イソシアヌレート系、シュウ酸アニリド系、ベンゾエート系、ヒンダートアミン系、ベンゾトリアゾール系、フェノール系等の酸化防止剤や、ヒンダードアミン系、ベンゾエート系等の光安定剤といった添加剤を配合することができる。
【００４４】
本実施形態において、反射体形成用樹脂組成物は、上述した熱可塑性樹脂、イソシアヌレート化合物、及び顔料及び必要に応じて使用される顔料を除く無機フィラー、流動性向上剤及びその他の添加剤を溶融混練してペレット等の造粒物として製造することができる。溶融混練方法としては、溶融混練押出機、２本ロールあるいは３本ロール、ホモジナイザー、プラネタリーミキサー等の撹拌機、ポリラボシステムやラボプラストミル等の溶融混練機等の公知の溶融混練方法を用いることができる。
【００４５】
また、反射体形成用樹脂組成物から得られる硬化物は、該反射体形成用樹脂組成物を、各種成形方法を用いて所定形状の成形体とし、その成形体を硬化処理することにより得られる。
成形方法としては、トランスファー成形、圧縮成形、射出成形等の成形方法を用いることができる。例えば、射出成形方法を用いる場合、シリンダー温度２００〜４００℃、金型温度２０〜１５０℃で射出成形して得ることができる。このようにして得られた成形体を硬化処理する方法としては、通常は、電離放射線を照射することにより硬化物を得ることができる。すなわち、反射体は、反射体形成用樹脂組成物を電離放射線により硬化してなる硬化物からなることが好ましい。電離放射線としては、電子線、紫外線等を挙げることができるが、比較的短時間で硬化物を得ることができる観点から、電子線を用いることが好ましい。
【００４６】
電離放射線として、電子線を用いる場合、電子線の加速電圧については、用いる樹脂組成物の大きさや成形体の厚みに応じて適宜選定し得る。例えば、厚みが１ｍｍ程度の成形体の場合は通常加速電圧２５０〜３０００ｋＶ程度で、使用した架橋処理剤を架橋し、硬化させることができる。なお、電子線の照射においては、加速電圧が高いほど透過能力が増加するため、基材として電子線により劣化する基材を使用する場合には、電子線の透過深さと成形体の厚みが実質的に等しくなるように、加速電圧を選定することにより、成形体への余分の電子線の照射を抑制することができ、過剰電子線による成形体の劣化を最小限にとどめることができる。また、電子線を照射する際の吸収線量は樹脂組成物の組成により適宜設定されるが、成形体中の架橋密度が飽和する量が好ましく、照射線量は５０〜６００ｋＧｙであることが好ましく、特に１００〜２５０ｋＧｙであることが好ましい。
さらに、電子線源としては、特に制限はなく、例えばコックロフトワルトン型、バンデグラフト型、共振変圧器型、絶縁コア変圧器型、あるいは直線型、ダイナミトロン型、高周波型などの各種電子線加速器を用いることができる。
【００４７】
［リフレクター付きリードフレーム］
本発明の実施形態に係るリフレクター付きリードフレームは、上述の反射体形成用樹脂組成物の硬化物からなる。リードフレームは、リフレクターを載置するための基板を示す。
リフレクターは、上述した半導体発光装置の一部として、組み込まれていてもよいし、他の材料からなる半導体発光装置（ＬＥＤ実装用基板）と組み合わせてもよい。リフレクターは、主として、半導体発光装置のＬＥＤ素子からの光をレンズ（出光部）の方へ反射させる作用を有する。リフレクターの詳細については、上述したリフレクター１２と同じであるためここでは省略する。
リードフレームは、半導体発光装置の分野で用いられるものあればいかなるものであっても使用可能である。リードフレームの材料としては、例えば、アルミナや、窒化アルミニウム、ムライト、ガラスなどの焼結体から構成されるセラミック等を挙げることができる。これ以外にも、ポリイミド樹脂等のフレキシブル性を有する樹脂材料等を挙げることができる。特に金属よりなるリードフレームとしては、アルミニウム、銅及び銅の合金が用いられることが多く、反射率の向上のため銀などの反射率が高い貴金属によりメッキされることも多い。特に金属で形成されたリフレクター用基板は、リードフレームと呼称されることも多い。リードフレームに形成された端子部等は、ハーフエッチングにより形成されていてもよい。具体的には、上記のリードフレームに、上述した反射体形成用樹脂組成物を射出成形することにより、所望のリフレクター形状に成形し、硬化させることで、本発明のリフレクター付きリードフレームが製造される。
【００４８】
本実施形態に係るリフレクター付きリードフレームの厚さ（リフレクターの厚み）は、０．１〜３．０ｍｍであることが好ましく、０．１〜１．０ｍｍであることがより好ましく、０．１〜０．８ｍｍであることがさらに好ましい。
【００４９】
本実施形態に係るリフレクター付きリードフレームは、これにＬＥＤチップを載せてさらに公知の封止剤により封止を行い、ダイボンディングを行なって所望の形状にすることで、半導体発光装置とすることができる。なお、本実施形態に係るリフレクター付きリードフレームは、リフレクターとして作用するが、半導体発光装置を支える枠としても機能している。
【実施例】
【００５０】
本発明を、実施例を用いて詳細に説明する。本発明はこれらの実施例に限定されない。
［測定方法］
＜流動性（ＭＶＲ）の測定＞
樹脂組成物のＭＶＲ（単位：ｃｍ３／６０秒）は、ＪＩＳ  Ｋ  ７２１０:１９９９ 熱可塑性プラスチックのＭＶＲに記載の方法に準拠した方法により測定した。具体的には、試験温度２８０℃、試験荷重２．１６ｋｇ、６０秒で行う。測定装置としては、チアスト社製 メルトフローテスターを用いた。
【００５１】
＜成形性＞
上記で得たペレットを射出成形機  ソディックＴＲ４０ＥＲソディック（プリプラ式）を用いて、樹脂組成物（厚み：５００μｍ、外形寸法：５０ｍｍ×５０ｍｍ）を成形した。射出成形機条件は、シリンダー温度：２７０℃、金型温度：８０℃、射出速度：１００ｍｍ／ｓｅｃ、保圧力：８０ＭＰａ、保圧時間：１ｓｅｃ、冷却時間：８ｓｅｃとした。成形性は成形時のプランジャ安定性より評価した。
Ａ：成形性良好、プランジャ位置安定
Ｂ：成形可能だが、プランジャ位置不安定（不良発生の可能性がある）
Ｃ：成形不可能
【００５２】
＜寸法安定性＞
各実施例及び比較例にて作製した光半導体実装用基板をダイシングして個片化したものについて、デジタルマイクロスコープ（ＶＨＸ１０００ 株式会社キーエンス製）にて倍率を適宜調節し、縦方向と横方向の寸法を測定した。次に、表面温度２６５℃に設定したホットプレート上で２０秒間加熱した。加熱後の個片について、加熱前と同様にデジタルマイクロスコープで縦方向と横方向の寸法を測定した。上記個片の加熱前後の寸法差から、寸法変化率を算出した。寸法変化率は、上記個片の縦方向と横方向についてそれぞれ算出し、このときの寸法変化率がより大きかった方向の結果を寸法安定性として、測定結果を第１表に示す。上記個片を、２６５℃で２０秒間放置することは、加熱して半田を溶融させて半導体発光装置を固定するなどの半導体発光装置の配線基板への実装における高熱処理を想定した条件である。
【００５３】
＜高温高湿動作試験＞
各実施例及び比較例にて作製した半導体発光装置について、配線基板上に半田を設けておき、その半田上に該半導体発光装置を載せ、リフロー炉により２４０℃に加熱し、半田を溶融させて配線基板上に半導体発光装置を実装した。配線基板に実装された半導体発光装置について、定電流２００ｍＡで発光させた際の光束を瞬間マルチ測光システム（広ダイナミックレンジタイプ）  ＭＣＰＤ−９８００（大塚電子株式会社製）にて測定し初期光束（Φ０）とした。また、同一の半導体時発光装置を温度８５℃、湿度８５％ＲＨの環境下で定電流２００ｍＡにて連続発光させた。累積で５００時間経過後に定電流２００ｍＡで発光させた際の光束を瞬間マルチ測光システム（広ダイナミックレンジタイプ）  ＭＣＰＤ−９８００（大塚電子株式会社製）にて測定し５００時間後光束（Φ５００）とした。
測定した初期光束（Φ０）、及び５００時間後光束（Φ５００）から下記の式Ａに従って光束劣化率を算出した。
光束劣化率（％）＝｜（Φ５００−Φ０）／Φ０×１００｜  ・・・式Ａ
初期光束（Φ０）と、５００時間後光束（Φ５００）より算出した光束劣化率を第１表に示す。
【００５４】
［実施例１〜６、比較例１〜２］
下記第１表に示すように各種材料を配合、混練し、樹脂組成物を得た。
なお、樹脂組成物は、各種材料を配合し、押出機（日本プラコン株式会社  ＭＡＸ３０：ダイス径３．０ｍｍ）とペレタイザー（株式会社東洋精機製作所  ＭＰＥＴＣ１）を用いて行い作製した。これらの樹脂組成物につき、射出成形機（ソディック株式会社  ＴＲ４０ＥＲ）で成形し、成形体を作製した。成形体に、加速電圧を８００ｋＶで２００ｋＧｙの吸収線量にて電子線を照射し、硬化物を得た。得られた硬化物の諸特性を上述した評価方法に基づいて評価した。結果を下記第１表に示す。
【００５５】
【表１】
2016139798.tif 000005
【００５６】
ただし、第１表において、
＊１  トリアリルイソシアヌレート
＊２  ５−ドデシル−１，３−ジアリルイソシアヌレート［一般式（１）において、Ｒ１がｎ−ドデシル基であり、Ｒ２及びＲ３がアリル基である化合物］
＊３  モノアリルジグリシジルイソシアヌレート
＊４  酸化チタン  ＰＦ−６９１（石原産業株式会社製  ルチル型構造  平均粒径０．２１μｍ）
＊５  カーボンブラック  ＃４５（三菱化学株式会社製）
＊６  シリカ  ガラス繊維  ＳＳ０５ＤＥ−４１３（日東紡株式会社製、繊維長１００μｍ、繊維径６．５μｍ）
＊７  ポリメチルペンテン樹脂  ＴＰＸ  ＲＴ１８（三井化学株式会社製）
＊８  ポリプロピレン  Ｊ１３７Ｇ（株式会社プライムポリマー製）
＊９  ポリエチレン樹脂  ハイゼックス１３００（株式会社プライムポリマー製）
＊１０  ステアリン酸亜鉛  ＳＺ−２０００（離型剤、  堺化学株式会社製）
＊１１  酸化防止剤  ＩＲＧＡＮＯＸ  １０１０  （ＢＡＳＦジャパン株式会社製）
＊１２  酸化防止剤  アデカスタブＰＥＰ３６  ［ビス（２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４-メチルフェニル）ペンタエリスリトールジホスファイト、株式会社ＡＤＥＫＡ製］
＊１３  ＫＢＭ−３０６３  （信越化学株式会社製）
【００５７】
上記実施例の結果から明らかなとおり、実施例１〜６で得られた樹脂組成物は、特定のイソシアヌレート化合物を用いたことにより、電子線照射量が少なくても、十分な硬化性を有していることが示されている。また、実施例１〜６で得られた樹脂組成物は、ＭＶＲが６ｃｍ３／６０秒以上であるので、成形性に優れていることが示されている。
これに対して、比較例１，２で得られた樹脂組成物は、実施例とは異なるイソシアヌレート化合物を用いたものである。この場合、樹脂組成物は、流動性や成形性が低下することが示されている。
比較例１，２では、硬化不良のために、耐熱性が不足し、半導体発光装置を製造する際の、はんだ付け工程及びリフロー工程において、樹脂組成物の硬化物が溶融変形し、寸法変化率が１０％以上になった。このため、半導体発光装置を製造することができなかった。
【符号の説明】
【００５８】
１０…光半導体素子、  １２…リフレクター、  １４…基板、  １６…リード線、  １８…レンズ
【図１】
2016139798.tif 000008
【図２】
2016139798.tif 000009