(57)【要約】    【課題】  高密度な配線を有するプリント配線板の絶縁信頼性の向上    【解決手段】  第１導体層１５８を形成する第１導体回路１５８Ｃは、第１樹脂絶縁層１５０に埋まっていて、上面が第１樹脂絶縁層１５０から露出している。第１導体回路１５８Ｃの側面と下面は粗化されていない。このため、第１樹脂絶縁層で第１導体回路１５８Ｃ間のスペースを充填することができる。第１導体層１５８の配線密度が高くても、絶縁信頼性が低下し難い。【選択図】  図１
2016115823.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１面と前記第１面と反対側の第２面とを有し、前記第１面側に形成されている複数の凹部を有する第１樹脂絶縁層と、
前記第１樹脂絶縁層の前記凹部のそれぞれに形成されている第１導体回路を含む第１導体層と、
前記第１樹脂絶縁層の前記第２面上に形成されている複数の第２導体回路を含む第２導体層と、
前記第１樹脂絶縁層を貫通し前記第１導体層と前記第２導体層を接続している第１ビア導体と、
前記第１樹脂絶縁層の前記第２面と前記第２導体層上に形成されている第２樹脂絶縁層とからなるプリント配線板であって、
前記第１導体回路は上面と前記上面と反対側の下面と前記上面と前記下面との間の２つの側面を有し、前記第２導体回路はトップ面と前記トップ面と反対側のバック面と前記トップ面と前記バック面との間の２つの側面を有し、前記第１樹脂絶縁層は前記第１導体回路の前記下面と前記第２導体回路の前記トップ面で挟まれていて、前記上面は前記第１面から露出していて、前記第１導体回路の前記側面と前記下面は粗化されてなく、前記第２導体回路の前記側面と前記バック面は粗化されていて、前記第１導体回路の内、最も細い第１導体回路の線幅Ｌ１は、前記第２導体回路の内、最も細い第２導体回路の線幅Ｌ２より小さい。
【請求項２】
請求項１のプリント配線板であって、前記第１導体層は、さらに、隣接する前記第１導体回路間に形成されている複数の第１スペースを有し、前記第２導体層は、さらに、隣接する前記第２導体回路間に形成されている複数の第２スペースを有し、前記第１スペースの内、最も狭い第１スペースの幅Ｓ１は、前記第２スペースの内、最も狭い第２スペースの幅Ｓ２より狭い。
【請求項３】
請求項１のプリント配線板であって、前記上面は粗面を有する。
【請求項４】
請求項１のプリント配線板であって、前記上面と前記第１面は露出している。
【請求項５】
請求項１のリント配線板であって、さらに、第３面と前記第３面と反対側の第４面とを有し、前記第４面が前記第１面と対向するように前記第１面と前記第１導体回路の前記上面上に形成されている第３樹脂絶縁層と前記第３面上に形成されている第３導体層とを有し、前記第３導体層は前記第３面から突出している。
【請求項６】
請求項５のプリント配線板であって、前記第１導体層と前記第３導体層は前記第３樹脂絶縁層に埋まっていない。
【請求項７】
請求項１のプリント配線板であって、さらに、第１電子部品と第２電子部品を搭載するための実装面を有し、前記第１導体回路で前記第１電子部品から前記第２電子部品にデータが伝送される。
【請求項８】
請求項５のプリント配線板であって、前記第３樹脂絶縁層の厚みは、前記第１樹脂絶縁層の厚みより厚い。
【請求項９】
請求項１のプリント配線板であって、前記線幅Ｌ１は、２．５μｍ以上であって７．５μｍ以下である。
【請求項１０】
請求項２のプリント配線板であって、前記線幅Ｌ１は、２．５μｍ以上であって７．５μｍ以下であり、前記幅Ｓ１は、２．５μｍ以上であって、７．５μｍ以下である。
【請求項１１】
請求項５のプリント配線板であって、さらに、第１電子部品と第２電子部品を搭載するための実装面を有し、前記第１導体回路で前記第１電子部品から前記第２電子部品にデータが伝送される。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、樹脂絶縁層と樹脂絶縁層に埋まっている導体層を有するプリント配線板に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１は配線基板を開示している。特許文献１の図１によれば、特許文献１の配線基板は、最外の絶縁層と最外の絶縁層に埋まっているパッドと最外の絶縁層上に形成されている配線層と最外の絶縁層を貫通しパッドと配線層を接続するビアを有する。そして、パッドの側面とビアと接するパッドの面は粗化されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平２０１０−６７８８７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１の３４段落にパッドの径が開示されている。その段落によれば、パッドが外部端子に用いられる場合、パッドの径は２００〜１０００μｍ程度であり、パッドに半導体素子が搭載される場合、パッドの径は５０〜１５０μｍ程度である。従って、絶縁層に埋まっている導体回路により高密度な導体層を形成することは特許文献１で考慮されていないと考えられる。
【０００５】
本発明の目的は、高密度なプリント配線板の一実施形態を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明のプリント配線板は、第１面と前記第１面と反対側の第２面とを有し、前記第１面側に形成されている複数の凹部を有する第１樹脂絶縁層と、前記第１樹脂絶縁層の前記凹部のそれぞれに形成されている第１導体回路を含む第１導体層と、前記第１樹脂絶縁層の前記第２面上に形成されている複数の第２導体回路を含む第２導体層と、前記第１樹脂絶縁層を貫通し前記第１導体層と前記第２導体層を接続している第１ビア導体と、前記第１樹脂絶縁層の前記第２面と前記第２導体層上に形成されている第２樹脂絶縁層とからなる。そして、前記第１導体回路は上面と前記上面と反対側の下面と前記上面と前記下面との間の２つの側面を有し、前記第２導体回路はトップ面と前記トップ面と反対側のバック面と前記トップ面と前記バック面との間の２つの側面を有し、前記第１樹脂絶縁層は前記第１導体回路の前記下面と前記第２導体回路の前記トップ面で挟まれていて、前記上面は前記第１面から露出していて、前記第１導体回路の前記側面と前記下面は粗化されてなく、前記第２導体回路の前記側面と前記バック面は粗化されていて、前記第１導体回路の内、最も細い第１導体回路の線幅Ｌ１は、前記第２導体回路の内、最も細い第２導体回路の線幅Ｌ２より小さい。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】図１（Ａ）は本発明の第１実施形態に係るプリント配線板の断面図であり、図１（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）、（Ｅ）は参考例の導体回路の模式図である。
【図２】図２（Ａ）は第１応用例の断面図であり、図２（Ｂ）は専用配線の平面図である。
【図３】図３（Ａ）は第２実施形態のプリント配線板の断面図であり、図３（Ｂ）は第２応用例の断面図である。
【図４】第１実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図５】第１実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図６】第２実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図７】図７（Ａ）は専用配線の断面図であり、図７（Ｂ）は第１導体層と第２導体層の拡大図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
[第１実施形態]
図１（Ａ）に第１実施形態のプリント配線板１０の断面が示されている。図１（Ａ）に示されるように、プリント配線板１０は、第１面Ｆと第１面Ｆと反対側の第２面Ｇとを有する第１樹脂絶縁層１５０と第１樹脂絶縁層１５０を挟んでいる第１導体層１５８と第２導体層２５８と第１樹脂絶縁層１５０を貫通し第１導体層１５８と第２導体層２５８を接続している第１ビア導体１６０と第１樹脂絶縁層１５０の第２面Ｇと第２導体層２５８上に形成されている第２樹脂絶縁層２５０で形成されている。そして、第１導体層１５８は第１樹脂絶縁層１５０に埋まっていて、第２導体層２５８は第１樹脂絶縁層の第２面Ｇ上に形成されている。第２導体層２５８は、第１樹脂絶縁層の第２面Ｇから突出している。
【０００９】
図１（Ａ）に示されるように、第１樹脂絶縁層１５０は第１樹脂絶縁層１５０の第１面Ｆ側に複数の凹部ＣＰを有している。そして、第１導体層１５８は凹部ＣＰに形成されている。第１導体層１５８は複数の第１導体回路１５８Ｃで形成されている。各第１導体回路１５８Ｃが各凹部ＣＰに形成されている。
【００１０】
各第１導体回路１５８Ｃは第１樹脂絶縁層１５０の第１面Ｆに向いている上面ＵＰと第１樹脂絶縁層１５０の第２面Ｇに向いている下面ＵＮと上面ＵＰと下面ＵＮとの間の２つの側面ＬＲ、ＬＬを有する。図面で右の側面が側面ＬＲであり、左の側面が側面ＬＬである。各第１導体回路１５８Ｃは線幅Ｌ１を有する。線幅Ｌ１は側面ＬＲと側面ＬＬとの間の距離である。複数の第１導体回路１５８Ｃの内、最も細い第１導体回路は最小の第１導体回路１５８ＣＭである。最小の第１導体回路１５８ＣＭの線幅Ｌ１Ｍは２．５μｍ以上であって、７．５μｍ以下である。最小の第１導体回路１５８ＣＭの線幅Ｌ１Ｍは、２．５μｍから７．５μｍの間の所定の値である。
【００１１】
各第１導体回路１５８Ｃは第１樹脂絶縁層１５０に埋まっている。第１導体層１５８は第１樹脂絶縁層１５０に埋まっている。図１（Ａ）では、各第１導体回路１５８Ｃは第１樹脂絶縁層１５０に完全に埋まっている。図１（Ａ）では、上面ＵＰが第１面Ｆから凹んでいる。上面ＵＰは第１面Ｆと第２面Ｇとの間に位置している。上面ＵＰは第１面Ｆから露出している。上面ＵＰ上に第１樹脂絶縁層１５０が形成されていない。上面ＵＰは第１樹脂絶縁層１５０と接していない。上面ＵＰは第１面と同一平面に位置してもよい。
【００１２】
第１導体回路１５８Ｃの側面ＬＲ、ＬＬと下面ＵＮは第１樹脂絶縁層１５０で覆われている。側面ＬＲ、ＬＬと下面ＵＮは第１樹脂絶縁層１５０と接している。
【００１３】
第１導体層は、隣接する第１導体回路間に第１スペースＳＰ１を有する。第１スペースＳＰ１は幅Ｓ１を有する。第１スペースの幅Ｓ１は、１つの第１導体回路の側壁ＬＲとその１つの第１導体回路に隣接する第１導体回路の側壁ＬＬとの間の距離である。複数の第１スペースＳＰ１の内、最も狭い第１スペースＳＰ１は最小の第１スペースＳＰ１Ｍである。最小の第１スペースＳＰ１Ｍの幅Ｓ１Ｍは２．５μｍから７．５μｍの間の所定の値である。幅Ｓ１Ｍは、２．５μｍ以上、７．５μｍ以下である。
第１導体回路を伝送するデータの進行方向に対し垂直な面で第１導体層を切断することで得られる第１導体層の断面から線幅Ｌ１や第１スペースの幅Ｓ１は求められる。他の導体層の線幅やスペースの巾は同様な方法で求められる。
【００１４】
第１導体層１５８は、最小の第１導体回路１５８ＣＭと最小の第１スペースＳＰ１Ｍが交互に形成されている領域Ｄを有している。図１（Ａ）では、プリント配線板１０の略中央部分に領域Ｄが形成されている。図１（Ａ）では、線幅Ｌ１Ｍは５μｍであり、幅Ｓ１Ｍは５μｍである。
【００１５】
第１導体回路の側面ＬＲ、ＬＬと下面ＵＮは粗面を有していない。第１導体回路の側面ＬＲ、ＬＬと下面ＵＮは粗化されていない。第１導体回路の上面ＵＰは粗面を有することが好ましい。第１導体回路の上面ＵＰは粗化されていることが好ましい。
【００１６】
図１（Ｂ）と図１（Ｃ）、図１（Ｄ）、図１（Ｅ）は参考例の導体回路１５８Ｅを示す。図１（Ｂ）と図１（Ｃ）、図１（Ｄ）、図１（Ｅ）の参考例の導体回路１５８Ｅは図１（Ａ）のプリント配線板１０の第１導体回路１５８Ｃと同様に樹脂絶縁層１５０Ｅに埋まっている。図１（Ｂ）と図１（Ｃ）は常温での導体回路１５８Ｅの断面図である。図１（Ｄ）と図１（Ｅ）は高温での導体回路１５８Ｅの断面図である。図１（Ｂ）と図１（Ｄ）の導体回路１５８Ｅの線幅Ｌは同じであって、２．５μｍから７．５μｍの間の所定の値である。例えば、図１（Ｂ）と図１（Ｄ）の導体回路１５８Ｅの線幅Ｌは７．５μｍである。図１（Ｃ）と図１（Ｅ）の導体回路１５８Ｅの線幅Ｌは１０μｍである。また、図１（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）、（Ｅ）に示されている導体回路１５８Ｅの側面と下面は粗化されている。
図１（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）、（Ｅ）に示されている導体回路１５８Ｅの形状は予想図である。導体回路１５８Ｅの材質と樹脂絶縁層１５０Ｅの材質が異なるので、両者の熱膨張係数は異なる。そのため、プリント配線板の温度が常温から高温に移ると、導体回路１５８Ｅと樹脂絶縁層１５０Ｅとの間の界面にストレスが働く。図１（Ｂ）の導体回路１５８Ｅの線幅Ｌは小さいので、導体回路１５８Ｅの強度は低い。そのため、プリント配線板１０が高温になると、図１（Ｄ）に示されるように、ストレスにより導体回路１５８は曲がると予想される。ヒートサイクルで図１（Ｂ）の形状から図１（Ｄ）の形状に変化することと図１（Ｄ）の形状から図１（Ｂ）の形状に変化することが繰り返される。側面や下面に形成されている粗面の凹凸は微細なので、形状変化の繰り返しで、粗面の割れが予想される。粗面は導電材料で形成されているので、粗面が割れるとマイグレーションや樹脂絶縁層１５０Ｅのクラックが発生する。従って、実施形態の第１導体回路１５８Ｃの線幅Ｌ１が７．５μｍ以下になると、第１導体回路１５８Ｃの側面ＬＬ、ＬＲと下面ＵＮは粗化されていないことが好ましい。７．５μｍ以下の線幅Ｌ１を有する第１導体回路１５８Ｃの側面ＬＬ、ＬＲと下面ＵＮは粗面を有しないことが好ましい。第１導体回路１５８Ｃの線幅Ｌ１が２．５μｍ未満になると、強度が著しく低下する。そのため、第１導体回路１５８Ｃの変形量が多くなる。２．５μｍ未満の線幅Ｌ１を有する第１導体回路が粗面を有すると、粗面の凹部もしくは凸部にストレスが集中する。そのため、凹部もしくは凸部から第１導体回路１５８Ｃにクラックが発生すると考えられる。また、２．５μｍ未満の線幅Ｌ１を有する第１導体回路が粗面を有していないと、第１導体回路１５８Ｃの変形が大きいので、第１樹脂絶縁層１５０が第１導体回路１５８Ｃから剥がれる。第１樹脂絶縁層１５０にクラックが発生すると予想される。クラックにより絶縁信頼性が小さくなる。クラックにより導体層の断線が発生する。このような不具合が発生すると予想される。従って、最小の第１導体回路１５８ＣＭの線幅Ｌ１Ｍは、２．５μｍから７．５μｍの間の所定の値を有し、第１導体回路１５８ＣＭの側面ＬＲ、ＬＬと下面ＵＮは粗化されていない。
【００１７】
粗面の割れが発生すると、第１導体回路１５８Ｃから微細な導電性物質がスペースＳＰ１内の樹脂絶縁層１５０に混入する。それらは、マイグレーションや隣接する第１導体回路１５８Ｃ間のショートに影響を与える。第１スペースの幅Ｓ１が大きいと、粗面が割れても、不具合が発生しがたい。しかしながら、第１スペースの幅Ｓ１が７．５μｍ以下になると、プリント配線板は、粗面の割れの影響を受ける。従って、第１スペースの幅Ｓ１が７．５μｍ以下であると、第１導体回路１５８Ｃの側面ＬＲ、ＬＬと下面ＵＮは粗化されていないことが好ましい。また、第１スペースの幅Ｓ１が５μｍ以下になると、第１スペース内に形成されている樹脂絶縁層１５０の量が少なくなる。第１スペースＳＰ１内の樹脂絶縁層１５０の強度が低下する。そのため、もし、第１導体回路の側面ＬＲ、ＬＬと下面ＵＮが粗面を有すると、粗面の凹凸にストレスが集中する。そのため、粗面の凹凸により、第１スペースＳＰ１内の樹脂絶縁層１５０にクラックが入りやすい。そのクラックを介し、マイグレーション等により、隣接する第１導体回路１５８Ｃ間でショートが発生する。従って、第１スペースＳＰ１の幅Ｓ１が５μｍ以下であると、第１導体回路１５８Ｃの側面ＬＬ、ＬＲと下面ＵＮは粗化されないことが好ましい。第１スペースＳＰ１の幅Ｓ１が２．５μｍ未満になると、第１スペースＳＰ１内の樹脂絶縁層１５０を挟む第１導体回路１５８Ｃにより第１スペースＳＰ１内の樹脂絶縁層１５０がヒートサイクルで繰り返し圧力を受ける。従って、第１スペースＳＰ１の幅Ｓ１が２．５μｍ未満になると、第１導体回路１５８Ｃの側面ＬＲ、ＬＬや下面ＵＮが粗面を有していなくても、第１スペースＳＰ１内の樹脂絶縁層１５０にクラックが発生しやすい。従って、最小の第１スペースＳＰ１Ｍは、２．５μｍから７．５μｍの間の所定の幅Ｓ１Ｍを有し、最小の第１導体回路１５８ＣＭの側面ＬＲ、ＬＬと下面ＵＮは粗化されていない。
【００１８】
図１（Ｅ）の導体回路１５８Ｅの線幅Ｌは１０μｍなので、導体回路１５８Ｅの強度が高い。そのため、プリント配線板が高温になっても、導体回路１５８Ｅが曲がりがたい。従って、図１（Ａ）に示されるプリント配線板１０では、１０μｍ以上の線幅Ｌ１を有する第１導体回路１５８Ｃの側面ＬＲ、ＬＬと下面ＵＮは粗化されてもよい。１０μｍ以上の線幅Ｌ１を有する第１導体回路１５８Ｃの側面ＬＲ、ＬＬと下面ＵＮは粗面を有してもよい。
【００１９】
７．５μｍ以下の線幅を有する最小の第１導体回路１５８ＣＭの側面ＬＲ、ＬＬと下面ＵＮは粗化されていなくて、１０μｍ以上の線幅を有する第１導体回路１５８ＣＭ以外の第１導体回路１５８Ｃの側面ＬＲ、ＬＬと下面ＵＮは粗化されていてもよい。但し、工程が複雑になるので、第１導体層１５８内の全ての第１導体回路１５８Ｃの側面ＬＲ、ＬＬと下面ＵＮは粗化されていないことが好ましい。
【００２０】
図１（Ａ）に示されるように、第２導体層２５８は第１樹脂絶縁層１５０の第２面Ｇから突出している。第２導体層２５８は複数の第２導体回路２５８Ｃで形成されていて、各第２導体回路２５８Ｃはトップ面Ｔとトップ面Ｔと反対側のバック面Ｂとトップ面Ｔとバック面Ｂとの間の２つの側面Ｌｒ、Ｌｌを有する。図１（Ａ）で側面Ｌｒは右側の側面であり、側面Ｌｌは左側の側面である。トップ面Ｔは第２面Ｇに接している。各第２導体回路２５８Ｃは線幅Ｌ２を有する。線幅Ｌ２は側面Ｌｒと側面Ｌｌとの間の距離である。複数の第２導体回路２５８Ｃの内、最も細い第２導体回路は最小の第２導体回路２５８ＣＭである。最小の第２導体回路２５８ＣＭの線幅Ｌ２Ｍは１０μｍから５０μｍの間の所定の値である。最小の第２導体回路２５８ＣＭの線幅Ｌ２Ｍは１０μｍ以上であって、５０μｍ以下である。最小の第１導体回路の線幅Ｌ１Ｍの値は、最小の第２導体回路の線幅Ｌ２Ｍの値より小さい。
【００２１】
第１導体層１５８は第１樹脂絶縁層１５０に埋まっていて、第２導体層２５８は第１樹脂絶縁層に埋まっていない。そのため、第１導体層１５８による第１樹脂絶縁層の強化と第２導体層２５８による第１樹脂絶縁層１５０の強化が比較されると、第１導体層１５８の強化の効率が高い。従って、第１導体層１５８と第２導体層２５８が同様であると、プリント配線板１０の反りが大きくなる。反りを小さくするため、プリント配線板１０では線幅Ｌ１Ｍの値は線幅Ｌ２Ｍの値より小さい。
【００２２】
第２導体層２５８は隣接する第２導体回路２５８Ｃ間に第２スペースＳＰ２を有する。第２スペースは幅Ｓ２を有する。幅Ｓ２の内、最小の幅は最小の第２スペースＳＰ２Ｍである。最小の第２スペースＳＰ２Ｍは、幅Ｓ２Ｍを有する。幅Ｓ２Ｍは、１０μｍ以上、５０μｍ以下である。幅Ｓ１Ｍの値は幅Ｓ２Ｍの値より小さい。
【００２３】
全ての第２導体回路の側面Ｌｒ、Ｌｌと下面Ｂは粗化されている。線幅Ｌ２Ｍは１０μｍ以上であるので、側面Ｌｒ、Ｌｌと下面Ｂが粗面を有しても、不具合が発生しない。
【００２４】
第１樹脂絶縁層１５０は第１導体層１５８と第２導体層２５８を接続するための第１ビア導体１６０用の開口１６１を有する。開口１６１に第１ビア導体１６０が形成されていて、第１ビア導体１６０は第１導体回路１５８Ｃの下面ＵＮと第２導体回路２５８Ｃのトップ面Ｔを接続している。トップ面Ｔと接している第１ビア導体１６０の径は下面ＵＮと接している第１ビア導体の径より大きい。概ね、第１ビア導体１６０は第２面Ｇから第１面Ｆに向かって細くなっている。そのため、第２面Ｇ側のビア導体１６０の体積は第１面Ｆ側のビア導体１６０の体積より大きい。プリント配線板１０の反りが小さくなる。
【００２５】
第１樹脂絶縁層１５０の第２面Ｇと第２導体層２５８上に第２樹脂絶縁層２５０が形成されている。第２樹脂絶縁層２５０は第２導体層２５８を露出する開口２５０Ｏを有する。図１（Ａ）では、第２樹脂絶縁層２５０は下側のソルダーレジスト層２５０である。開口２５０Ｏから露出する導体層２５８は下側のパッド２５８Ｐである。下側のパッド２５８Ｐ上に半田バンプを形成することができる。２５８Ｐ上の半田バンプを介して、プリント配線板１０はマザーボードに搭載される。
【００２６】
［第１応用例］
図２（Ａ）にプリント配線板１０の第１応用例１００１の断面が示される。第１応用例１００１はプリント配線板１０とプリント配線板１０の実装面ＳＭＦ上に搭載されている電子部品１１０Ｌ、１１０Ｍで形成されている。第１応用例１００１の電子部品は複数であることが好ましい。図１では、プリント配線板上に２つの電子部品１１０Ｌ、１１０Ｍが搭載されている。電子部品１１０Ｌは例えばロジック系のＩＣであり、電子部品１１０Ｍはメモリである。電子部品１１０Ｌ、１１０Ｍは、第１導体層１５８に含まれる上側のパッド１５８Ｐ（１５８ＰＭ、１５８ＰＬ）を介してプリント配線板１０に搭載されている。電子部品１１０Ｌは第１の上側のパッド１５８ＰＬ上に形成されている第１の上側の半田バンプ７６Ｆｆを介してプリント配線板１０に搭載されている。電子部品１１０Ｍは第２の上側のパッド１５８ＰＭ上に形成されている第２の上側の半田バンプ７６Ｆｓを介してプリント配線板１０に搭載されている。電子部品１１０Ｌ、１１０Ｍとプリント配線板１０の間に封止樹脂１１４が形成されている。ロジック系のＩＣを搭載する第１の上側の半田バンプ７６Ｆｆとメモリを搭載する第２の上側の半田バンプ７６Ｆｓの材質が異なり、ロジック系のＩＣを搭載する半田バンプの融点がメモリを搭載する半田バンプの融点より低いことが好ましい。例えば、電子部品１１０Ｌと電子部品１１０Ｍを別に実装することができる。実装歩留まりが向上する。
【００２７】
図２（Ａ）と図２（Ｂ）に示されるように、第１導体層１５８は専用配線１５８Ｓを有する。図２（Ｂ）は専用配線１５８Ｓの平面図であって略図である。図２（Ｂ）に示されるように、専用配線１５８Ｓは第１の上側のパッド１５８ＰＬと第２の上側のパッド１５８ＰＭを繋ぐ配線である。専用配線１５８Ｓの一端は第１の上側のバッド１５８ＰＬに繋がり、他端は第２の上側のバッド１５８ＰＭに繋がる。専用配線１５８Ｓにより、電子部品１１０Ｌから電子部品１１０Ｍへデータが伝送される。専用配線１５８Ｓにより、電子部品１１０Ｍから電子部品１１０Ｌへデータが伝送される。専用配線は第１電子部品１１０Ｌと第２電子部品１１０Ｍ間のデータ伝送以外の機能を有していない。
【００２８】
プリント配線板１０が専用配線１５８Ｓを有する場合、専用配線１５８Ｓの側壁ＬＲ、ＬＬと下面ＵＮは粗化されておらず、第１導体層中の専用配線１５８Ｓ以外の第１導体回路１５８Ｃは粗化されている。第１導体層の配線密度が高くなる。第１導体層が第１樹脂絶縁層から剥がれない。第１樹脂絶縁層にクラックが入らない。導体層の断線が発生しない。
【００２９】
図２（Ｂ）に示されるように、全ての専用配線１５８Ｓの内、半分以上の専用配線１５８Ｓは最小の第１導体回路１５８ＣＭで形成される。また、専用配線間１５８Ｓの全ての第１スペースＳＰ１の内、半分以上の第１スペースＳＰ１は最小の第１スペースＳＰ１Ｍで形成される。これにより、プリント配線板１０は高機能な電子部品を搭載することができる。全ての専用配線１５８Ｓが最小の第１導体回路１５８ＣＭで形成され、専用配線間１５８Ｓの全ての第１スペースＳＰ１が最小の第１スペースＳＰ１Ｍで形成されることが好ましい。高機能な電子部品が搭載されても、第１応用例のサイズが小さくなる。
【００３０】
図２（Ａ）に示されるように専用配線１５８Ｓ下に形成されている第２導体回路２５８Ｃはグランド２５８Ｇである。専用配線１５８Ｓと専用配線１５８Ｓ下のグランド２５８Ｇでマイクロストリップラインが形成されている。
【００３１】
[第２実施形態]
図３（Ａ）は第２実施形態のプリント配線板２０の断面図である。第２実施形態のプリント配線板２０は、図１（Ａ）に示される第１実施形態のプリント配線板１０とプリント配線板１０の第１導体層１５８の上面ＵＰと第１樹脂絶縁層１５０の第１面Ｆ上に形成されている第３樹脂絶縁層３５０と第３樹脂絶縁層３５０上に形成されている第３導体層３５８と第３樹脂絶縁層３５０を貫通し第１導体層１５８と第３導体層３５８を接続する第２ビア導体２６０とを有する。第２実施形態のプリント配線板は、さらに、第３樹脂絶縁層３５０と第３導体層３５８上に第４樹脂絶縁層４５０を有してもよい。第２実施形態では、第４樹脂絶縁層４５０は上側のソルダーレジスト層として機能する。第３樹脂絶縁層３５０は第３面と第３面と反対側の第４面を有する。第３樹脂絶縁層の第４面が第１樹脂絶縁層の第１面と対向している。第３面上に第３導体層が形成されている。
【００３２】
図３（Ａ）に示されるように、第１導体層１５８は第１ビア導体１６０と第２ビア導体２６０で挟まれている。
【００３３】
第３導体層３５８は第２導体層２５８と同様である。従って、第３導体層３５８は複数の第３導体回路３５８Ｃで形成されていて、各第３導体回路３５８Ｃはトップ面Ｔとトップ面Ｔと反対側のバック面Ｂとトップ面Ｔとバック面Ｂとの間の２つの側面Ｌｒ、Ｌｌを有する。図３（Ａ）で側面Ｌｒは右側の側面であり、側面Ｌｌは左側の側面である。トップ面Ｔは第３樹脂絶縁層の第３面に接している。各第３導体回路３５８Ｃは線幅Ｌ３を有する。線幅Ｌ３は側面Ｌｒと側面Ｌｌとの間の距離である。複数の第３導体回路３５８Ｃの内、最も細い第３導体回路は最小の第３導体回路３５８ＣＭである。最小の第３導体回路３５８ＣＭの線幅Ｌ３Ｍは１０μｍから５０μｍの間の所定の値である。最小の第３導体回路３５８ＣＭの線幅Ｌ３Ｍは１０μｍ以上であって、５０μｍ以下である。最小の第１導体回路１５８ＣＭの線幅Ｌ１Ｍの値は、最小の第３導体回路３５８ＣＭの線幅Ｌ３Ｍの値より小さい。最小の第１スペースＳＰ１Ｍの幅Ｓ１Ｍは最小の第３スペースＳＰ３Ｍの幅Ｓ３Ｍよりも小さい。各第３導体回路３５８Ｃの側面Ｌｒ、Ｌｌは粗化されている。各第３導体回路３５８Ｃのバック面Ｂは粗化されている。
【００３４】
第２実施形態のプリント配線板２０は第１実施形態のプリント配線板１０と同様に実装面ＳＭＦを有する。実装面ＳＭＦは第１導体層１５８の上面ＵＰ上に形成されていて、電子部品は第３導体層３５８を介してプリント配線板２０上に搭載される。
【００３５】
［第２応用例］
図３（Ｂ）に第２応用例１００２が示されている。第２応用例１００２は第２実施形態のプリント配線板２０とプリント配線板２０上の電子部品１１０Ｌ、１１０Ｍで形成されている。第２応用例の電子部品は複数であることが好ましい。図２（Ｂ）では、プリント配線板２０上に２つの電子部品１１０Ｌ、１１０Ｍが搭載されている。電子部品１１０Ｌは例えばロジック系のＩＣであり、電子部品１１０Ｍはメモリである。電子部品１１０Ｌは第３導体層３５８に含まれる第１の上側のパッド３５８ＰＬ上に形成されている第１の上側の半田バンプ７６Ｆｆを介してプリント配線板２０に搭載されている。電子部品１１０Ｍは第３導体層３５８に含まれる第２の上側のパッド３５８ＰＭ上に形成されている第２の上側の半田バンプ７６Ｆｓを介してプリント配線板２０に搭載されている。第１の上側のパッド３５８ＰＬと第２の上側のパッド３５８ＰＭは第３樹脂絶縁層を貫通するビア導体２６０の直上に形成されている。電子部品１１０Ｌ、１１０Ｍとプリント配線板１０の間に封止樹脂１１４が形成されている。
【００３６】
第２実施形態のプリント配線板２０の第１導体層１５８と第１実施形態のプリント配線板１０の第１導体層１５８は同様である。従って、プリント配線板２０はプリント配線板１０に形成されている専用配線１５８Ｓを有する。第２応用例の専用配線１５８Ｓは、第１の上側のパッド３５８ＰＬ直下のビア導体と第２の上側のパッド３５８ＰＭ直下のビア導体間に形成されている。そして、第２応用例の専用配線１５８Ｓは、第１電子部品１１０Ｌと第２電子部品１１０Ｍ間のデータ伝送のみに用いられる。専用配線１５８Ｓの一端は第１の上側のバッド３５８ＰＬに繋がり、他端は第２の上側のバッド３５８ＰＭに繋がる。
【００３７】
専用配線１５８Ｓは第２導体層内のグランド２５８Ｇと第３導体層内のグランド３５８Ｇで挟まれている。これらでストリップラインが形成される。
【００３８】
第２応用例１００２では、第３樹脂絶縁層３５０に埋まっている導体層が存在しない。そのため、略平坦な面に第３樹脂絶縁層が形成される。従って、第１導体層１５８と第３導体層３５８との間の距離が一定になりやすい。専用配線１５８Ｓのインピーダンスの制御が容易に行われる。
【００３９】
第１応用例や第２応用例では、第１導体回路の側面が粗化されていないので、第１導体回路の線幅をコントロールすることが出来る。第１導体回路の下面が粗化されていないので、第１導体回路の厚みをコントロールすることが出来る。専用配線１５８Ｓのインピーダンスの制御が容易に行われる。
【００４０】
上側のパッド１５８ＰＬ、１５８ＰＭ、３５８ＰＬ、３５８ＰＭや下側のパッド２５８Ｐ上にＮｉ／Ａｕ又はＮｉ／Ｐｄ／Ａｕなどの金属膜を形成することができる。金属膜によりパッド１５８ＰＬ、１５８ＰＭ、３５８ＰＬ、３５８ＰＭ、２５８Ｐの酸化が防止される。
【００４１】
実施形態のプリント配線板１０、２０では、第１導体層１５８の厚みは、第１導体層以外の導体層２５８、３５８の厚みより薄い。第１導体層以外の各導体層の厚みは略等しい。図１（Ａ）では、第１導体層１５８の厚みは第２導体層２５８の厚みより薄い。図３（Ａ）では、第１導体層１５８の厚みは第２導体層２５８と第３導体層３５８の厚みより薄い。第２導体層２５８と第３導体層３５８の厚みは略等しい。例えば、第１導体層の厚みは第１導体層以外の導体層の厚みの１／２以下であり、３μｍ以上である。例えば、第１導体層の厚みは約５μｍであり、第１導体層以外の導体層の厚みは約１０μｍである。これにより、第１導体層１５８に微細な導体回路を形成することができる。プリント配線板１０、２０に高機能な電子部品が搭載される。
【００４２】
[プリント配線板１０と第１応用例１００１の製造方法]
第１実施形態のプリント配線板１０の製造方法が図４〜図５に示される。
両面銅張積層板１２ｚと両面銅張積層板１２ｚの両面に積層されている銅箔１６、１６とからなる基板１２０が用意される（図４（Ａ））。両面銅張積層板１２ｚは支持板である。
基板１２０の銅箔１６、１６上にめっきレジスト２２が形成される（図４（Ｂ））。めっきレジストから露出する銅箔１６、１６上に電解銅めっきにより電解銅めっき膜２４が形成される（図４（Ｃ））。
【００４３】
めっきレジストが除去される。電解銅めっき膜２４から成る第１導体層１５８が形成される（図４（Ｄ））。図４（Ｄ）に示されるように、第１導体層１５８は専用配線１５８Ｓを有する。図４（Ｄ）の専用配線１５８Ｓは、図２（Ｂ）中のＸ１とＸ１との間の専用配線１５８Ｓの断面が示されている。図７（Ａ）は図２（Ｂ）中のＹ１とＹ１との間に形成されている専用配線１５８Ｓの断面を示す。図７（Ａ）では、図２（Ｂ）に示されている専用配線１５８Ｓ以外の第１導体回路１５８Ｃも示されている。各専用配線１５８Ｓの線幅Ｌ１は２．５μｍ以上であって７．５μｍ以下である。隣接する専用配線間のスペースＳＰ１の幅Ｓ１は２．５μｍ以上であって７．５μｍ以下である。
【００４４】
第１導体層１５８は、２．５μｍから７．５μｍの間の線幅を有する第１導体回路１５８Ｃを有する。２．５μｍから７．５μｍの間の線幅を有する第１導体回路１５８Ｃは微細な配線１５８Ｆと称される。そのため、第１導体層が形成されるとき、微細な配線１５８Ｆの幅や厚みを考慮して、製造条件などが設定される。従って、微細な配線１５８Ｆの幅や厚みのバラツキが小さくなる。複数の微細な配線１５８Ｆで信号が伝送されるとき、各微細な配線１５８Ｆの伝送速度がほぼ同じになる。信号が適切に処理される。誤動作が発生しない。情報量が多くても処理が遅くならない。従って、各専用配線１５８Ｓが微細な配線１５８Ｆで形成されると、複雑な処理が誤動作なく短時間に行われる。
【００４５】
第１導体層１５８上と第１導体回路１５８Ｃ間の第１スペースＳＰ１内に第１樹脂絶縁層１５０が形成される。第１導体層は複数の微細な配線１５８Ｆを有する。そのため、隣接する微細な配線１５８Ｆ間に狭いスペースＳ１Ｎが形成される。狭いスペースＳ１Ｎの幅は２．５μｍ以上であって７．５μｍ以下である。第１導体層が狭いスペースＳ１Ｎを有すると、狭いスペースを第１樹脂絶縁層で充填することが難しい。もし、微細な配線１５８Ｆの側面ＬＲ、ＬＬが粗化されると、スペース内に第１樹脂絶縁層１５０が埋められる時、粗化で形成される粗面は抵抗として働く。狭いスペースＳ１Ｎを第１樹脂絶縁層で埋めることが難しい。隣接する微細な配線１５８Ｆ間の絶縁信頼性が低くなる。従って、第１導体層が微細な配線１５８Ｆと狭いスペースＳ１Ｎを有すると、図４（Ｄ）と図４（Ｅ）の間で第１導体層を粗化することは好ましくない。つまり、第１導体層の側面ＬＲ、ＬＬと下面ＵＮは粗化されない。粗化は薬品やブラスト等で第１導体層の側面ＬＲ、ＬＬと下面ＵＮを荒らすことである。薬品の例はメック社製のメックエッチボンド（MECetchBOND）である。ブラストに用いられる研磨剤の例はアルミナである。
第１導体層の側面ＬＲ、ＬＬと下面ＵＮが粗化されないと、狭いスペースＳ１Ｎが第１樹脂絶縁層１５０で充填される。隣接する微細な配線１５８Ｆ間の絶縁信頼性が高くなる。
【００４６】
第１樹脂絶縁層は補強材と無機粒子と樹脂で形成される。第１樹脂絶縁層が補強材を有しても、第１導体層が粗化されていないので、狭いスペースＳ１Ｎを第１樹脂絶縁層を構成する樹脂と無機粒子で充填することができる。また、補強材で狭いスペースＳ１Ｎに第１樹脂絶縁層を構成する樹脂と無機粒子を押し込むことができる。
【００４７】
第１導体層が微細な配線１５８Ｆと狭いスペースＳ１Ｎを有する場合、第１導体層の側面と下面は粗化されない。粗化の代わりに、第１導体層の側面ＬＲ、ＬＬと下面ＵＮ上に密着層を形成することができる。密着層を介して第１導体層の側面ＬＲ、ＬＬと第１樹脂絶縁層１５０間の接着力が高くなる。密着層を介して第１導体層の下面ＵＮと第１樹脂絶縁層１５０間の接着力が高くなる。密着層の例はトリアジン系化合物やイミダゾール系化合物を含む層である。
【００４８】
第１導体層の側面ＬＲ、ＬＬと下面ＵＮの算術平均粗さ（Ｒａ）は０．１μｍ以上であって、０．２５μｍ以下である。そのため、狭いスペースＳ１Ｎ内に第１樹脂絶縁層１５０を充填することができる。
【００４９】
第１導体層の厚みは１０μｍ以下であることが好ましい。厚みが薄いので、狭いスペースＳ１Ｎ内に第１樹脂絶縁層１５０を充填することができる。第１導体層の厚みが２μｍ以上、８μｍ以下であると、第１樹脂絶縁層１５０の第２面Ｇの平坦度が高くなる。インピーダンスの制御が容易である。
【００５０】
ＣＯ２ガスレーザで第１樹脂絶縁層１５０に第１導体層１５８に至るビア導体用の開口１６１が形成される（図５（Ａ））。
【００５１】
樹脂絶縁層１５０の第２面Ｇ上と開口１６１の内壁に無電解銅めっき膜２６が形成される。
無電解銅めっき膜２６上にめっきレジストが形成される。
めっきレジストから露出する無電解銅めっき膜２６上に、電解銅めっき膜３２が形成される。この時、開口１６１は電解銅めっき膜３２で充填される。開口１６１内に第１ビア導体１６０が形成される。
めっきレジストが除去される。電解銅めっき膜３２から露出している無電解銅めっき膜２６が除去される。樹脂絶縁層１５０の第２面Ｇ上に第２導体層２５８が形成される。第２導体層２５８の厚みは１２μｍ以上であって、１８μｍ以下である。第２導体層の厚みは第１導体層の厚みより厚い。第２導体層の厚みと第１導体層の厚みの比（第２導体層の厚み／第１導体層の厚み）は１．５から２．５である。第１ビア導体１６０のランドを含む第２導体層２５８のバック面Ｂと側面Ｌｌ、Ｌｒが粗化される（図５（Ｂ））。粗化は薬品やブラスト等で行われる。図７（Ｂ）の粗面３５はメック社製のメックエッチボンド（MECetchBOND）で形成されている。
【００５２】
図７（Ｂ）に第１導体層１５８と第２導体層２５８の拡大図が示されている。第２導体層は粗面３５を有するが、第１導体層１５８は粗面を有していない。
第２導体回路２５８Ｃのバック面Ｂと側面Ｌｌ、Ｌｒの算術平均粗さ（Ｒａ）は０．３μｍ以上であって、０．８５μｍ以下である。最小の第２導体回路２５８ＣＭの線幅Ｌ２Ｍは１０μｍ以上であって、５０μｍ以下である。隣接する第２導体回路間の第２スペースＳＰ２の内、最も小さな幅を有する第２スペースは最小の第２スペースＳＰ２Ｍである。最小の第２スペースＳＰ２Ｍの幅Ｓ２Ｍは、１０μｍ以上であって、５０μｍ以下である。最も狭い第２スペースの幅は最も狭い第１スペースの幅より大きい。
【００５３】
第１樹脂絶縁層１５０の第２面Ｇと第２導体層２５８上に第２樹脂絶縁層２５０が形成される。第２スペースＳＰ２の幅は大きいので、第２導体回路が粗化されても、第２スペースを第２樹脂絶縁層２５０で充填することができる。また、第２導体層の厚みが厚くても、第２スペースを樹脂で充填することができる。
【００５４】
第２樹脂絶縁層２５０はエポキシ等の樹脂とシリカ等の無機粒子を含む。第２樹脂絶縁層２５０は、さらに、ガラスクロス等の補強材を含んでも良い。
【００５５】
第２樹脂絶縁層２５０に第２導体層２５８を露出する開口２５０Ｏが形成される（図５（Ｃ）。下側のパッド２５８Ｐが露出する。図１（Ａ）では、第２樹脂絶縁層２５０はソルダーレジスト層として機能する。図５（Ｃ）に示されるように、支持板１２ｚ上に銅箔１６と第１導体層１５８と第１樹脂絶縁層１５０と第１ビア導体１６０と第２導体層２５８と第２樹脂絶縁層２５０とからなる中間基板１０Ｍが形成される。
【００５６】
支持板１２ｚと中間基板１０Ｍが分離される（図５（Ｄ））。中間基板１０Ｍから銅箔１６がエッチングで除去される。図１（Ａ）に示されるプリント配線板１０が完成する。
【００５７】
第１導体回路１５８Ｃの上面ＵＰと下側のパッド２５８Ｐ上に保護膜を形成することができる。保護膜によりパッドの酸化が防止される。保護膜の例は、Ｎｉ／ＡｕやＮｉ／Ｐｄ／ＡｕやＯＳＰ膜である。
【００５８】
上側のパッド１５８Ｐに半田バンプ７６Ｆｓ、７６Ｆｆが形成される。
半田バンプ７６Ｆｆ、７６Ｆｓを介して電子部品１１０Ｍ、１１０Ｌがプリント配線板１０に実装される。電子部品１１０Ｌ、１１０Ｍがモールド樹脂でモールドされる。図２（Ｂ）に示される第１応用例１００１が完成する。
【００５９】
[プリント配線板２０と第２応用例１００２の製造方法]
図６（Ａ）に支持板１２ｚと支持板１２ｚ上の第２実施形態の途中基板２０Ｍが示される。途中基板２０Ｍは第１実施形態と同様な方法で製造される。途中基板２０Ｍに開口２５０Ｏが形成されると、図５（Ｃ）に示される中間基板１０Ｍが形成される。途中基板２０Ｍは、銅箔１６と第１導体層１５８と第１樹脂絶縁層１５０と第１ビア導体１６０と第２導体層２５８と第２樹脂絶縁層２５０とを有する。中間基板１０Ｍは開口２５０Ｏを有するが、途中基板２０Ｍは２５０Ｏを有していない。
【００６０】
途中基板２０Ｍが支持板１２ｚから分離される。途中基板２０Mから銅箔１６が除去される（図６（Ｂ））。図６（Ｂ）に示されるように、第２実施形態のプリント配線板２０の第１導体層１５８の上面ＵＰと第１樹脂絶縁層の第１面Ｆが露出する。図６（Ｂ）では、第１導体層１５８の上面ＵＰと第１樹脂絶縁層の第１面は同一平面上に位置する。図１（Ａ）では、第１実施形態のプリント配線板１０の上面ＵＰは第１樹脂絶縁層の第１面から凹んでいる。しかしながら、第１実施形態のプリント配線板１０の第１導体層１５８の上面ＵＰと第１樹脂絶縁層の第１面は同一平面上に位置してもよい。
【００６１】
第１導体層１５８の上面ＵＰが粗化される（図６（Ｃ））。第１導体回路１５８Ｃの上面ＵＰは粗面を有し、側面ＬＬ、ＬＲと下面ＵＮは粗面を有していない。
【００６２】
第１樹脂絶縁層１５０の第１面Ｆと第１導体層１５８の上面ＵＰ上に第３樹脂絶縁層３５０が積層される。第３樹脂絶縁層の厚みＴ３と第１樹脂絶縁層の厚みＴ１が図３（Ａ）に示されている。厚みＴ３と厚みＴ１は隣接する導体層間の距離であり、厚みＴ３は厚みＴ１より厚い。厚みＴ３が厚いので、電子部品１１０Ｌ、１００Ｍを搭載する面ＳＭＦが第３樹脂絶縁層３５０で強化される。実装面ＳＭＦの平坦度が増す。電子部品を搭載し易いプリント配線板が提供される。第３樹脂絶縁層３５０内に導体層１５８、３５８が埋まっていない。第３樹脂絶縁層３５０に第１導体層１５８の上面ＵＰに到る第２ビア導体２６０用の開口が形成される。第３樹脂絶縁層上と第２ビア導体２６０用の開口内にシード層が形成される。シード層上にめっきレジストが形成される。めっきレジストから露出するシード層上に電解銅めっき膜が形成される。めっきレジストが除去される。電解銅めっき膜から露出するシード層が除去される。第３導体層３５８と第２ビア導体２６０が形成される。第２ビア導体で第１導体層１５８と第３導体層３５８は接続される。図３（Ａ）に示されるように、第３導体層３５８のボトム面Ｂと側面Ｌｌ、Ｌｒが粗化される。第３導体層３５８と第３樹脂絶縁層３５０上に第４樹脂絶縁層４５０が形成される。第２樹脂絶縁層２５０に第２導体層２５８を露出する開口２５０Ｏが形成される。第４樹脂絶縁層４５０に第３導体層３５８を露出する開口４５０Ｏが形成される。図３（Ａ）に示されるプリント配線板２０が形成される。第４樹脂絶縁層４５０は上側のソルダーレジスト層として機能し、第２樹脂絶縁層２５０は下側のソルダーレジスト層として機能する。上側のソルダーレジスト層４５０の開口４５０Ｏから露出する第３導体層３５８は電子部品を搭載するための上側のパッド３５８Ｐとして機能する。下側のソルダーレジスト層２５０の開口２５０Ｏから露出する第２導体層２５８はマザーボードと接続するための下側のパッド２５８Ｐとして機能する。
【００６３】
第３樹脂絶縁層３５０が形成されるとき、第１樹脂絶縁層１５０の第１面Ｆ上に第１導体層１５８が形成されていない。そのため、第３樹脂絶縁層３５０が樹脂フィルムから形成されても、第３樹脂絶縁層の厚みが均一である。第１導体層１５８に含まれる信号配線のインピーダンスのコントロールが容易である。専用配線は信号配線に含まれる。プリント配線板２０では、第１導体層上に第３樹脂絶縁層３５０と第３導体層３５８が形成されている。従って、第１導体層１５８内の信号線上に第３導体層内のグランドを形成することができる。第１導体層１５８に含まれる信号配線のインピーダンスのコントロールが容易である。
【００６４】
図３（Ｂ）の第２応用例の製造方法は図２（Ａ）の第１応用例と同様な方法で製造される。図３（Ａ）のプリント配線板２０の上側のパッド上に半田バンプ７６Ｆｆ、７６Ｆｓが形成される。半田バンプ７６Ｆｆ、７６Ｆｓを介して電子部品１１０Ｍ、１１０Ｌがプリント配線板２０に実装される。電子部品１１０Ｌ、１１０Ｍがモールド樹脂でモールドされる。図３（Ｂ）に示される第２応用例１００２が完成する。
【符号の説明】
【００６５】
１０、２０  プリント配線板
３５  粗面
１５０  第１樹脂絶縁層
１５８  第１導体層
１６０  第１ビア導体
２５０  第２樹脂絶縁層
２５８  第２導体層  
２６０  第２ビア導体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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