(57)【要約】【課題】結露が発生するリスクを抑えることが可能な基板処理装置を提供することを目的とする。【解決手段】基板処理装置１において、処理室２は、ＨＭＤＳ液を気化させて生成したＨＭＤＳガスで基板Ｗを処理する。気化部２３は、窒素ガスおよびＨＭＤＳ液を取り入れて、処理室２に供給するためのＨＭＤＳガスを生成する。その気化部２３は、処理室２に隣接して設けられている。これにより、気化部２３から処理室２までの間の配管３７ｄの長さを抑えることができ、その間で生じる結露が発生するリスクを抑えることができる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理液を気化させて生成した処理ガスで基板を処理する処理室と、
前記処理室に隣接して設けられ、不活性ガスおよび処理液を取り入れて、前記処理室に供給するための前記処理ガスを生成する気化部と、
を備えていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の基板処理装置において、
前記処理室は、内部空間に収容した基板を載置する載置台と、基板を加熱するヒータとを備え、
前記ヒータは、基板を加熱すると同時に前記気化部も加熱することを特徴とする基板処理装置。
【請求項３】
請求項２に記載の基板処理装置において、
前記ヒータは、基板を挟んで前記載置台と対向して設けられ、基板を表面側から加熱する表面側ヒータであることを特徴とする基板処理装置。
【請求項４】
請求項２または３に記載の基板処理装置において、
前記ヒータは、前記載置台に載置された基板の表面に沿うように複数で構成されており、
前記気化部は、複数の前記ヒータの一部の少なくとも１つで加熱されることを特徴とする基板処理装置。
【請求項５】
請求項１から４のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記処理室は、複数で構成され、
前記気化部は、前記処理室ごとに設けられていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項６】
請求項１から５のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記気化部および、前記気化部を介在しないで前記処理室に不活性ガスを供給する不活性ガス供給部を更に備えていることを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体基板、液晶表示用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等（以下、「基板」と呼ぶ）に対して処理ガスを供給して所定の処理を行う基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、この種の基板処理装置として、レジスト膜を形成する前に、ＨＭＤＳガスを供給して基板表面を処理することで、基板へのレジスト膜の密着性を向上させるものがある（例えば、特許文献１，２参照）。
【０００３】
従来の基板処理装置１０１は、図７のように、基板Ｗを収容する処理室１０２と、処理室１０２にＨＭＤＳガス（ＨＭＤＳ蒸気）および窒素（Ｎ２）ガスを供給するガス供給部１０３とを備えている。ガス供給部１０３は、ＨＭＤＳガスを生成する気化部として、バブリングタンク１２３を備えている。バブリングタンク１２３には、ＨＭＤＳ液と窒素ガス（キャリアガス）が供給され、貯留するＨＭＤＳ液中に窒素ガスを通過させることで、窒素ガスを混合するＨＭＤＳガスが生成される。そして、生成されたＨＭＤＳガスは、配管１３７ｄを通って処理室１０２に供給される。なお、バブリングタンク１２３には、ヒータ等の温調部が設けられている。
【０００４】
なお、図７において、基板処理装置１０１は、レギュレータ１３９と、可変絞り弁１４０と、フィルタ１４３と、開閉弁ＡＶと、流量計ＦＭと等を備えている。また、基板処理装置１０１は、複数の処理ユニットＵを備えている。
【０００５】
このような従来の基板処理装置１０１には、配管１３７ｄ中で結露が生じて、処理ムラが起こる問題がある。そこで、結露を防止するために種々の対策がなされている。例えば、特許文献１では、バブリングタンクに設けられた温調部によって、ＨＭＤＳガスを送る配管内のＨＭＤＳガスの温度をクリーンルーム内の温度よりも低くするように構成されている。また、特許文献２では、ＨＭＤＳガスを送る配管の周囲をヒータで巻いており、また、処理室の天井部にヒータが設けられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特許第３４２５８２６号公報
【特許文献２】特開２０１１−２５３８９９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、従来の基板処理装置１０１は次のような問題がある。図７の二点鎖線の枠１０１ｂで示すように、ＨＭＤＳガスを生成する気化部（バブリングタンク）１２３やそれに関連する配管等の構成（以下、「気化部１２３等」と呼ぶ）は、設置スペースを抑えるために、基板処理装置本体１０１ａと個別に設置されている。すなわち、気化部１２３等は、基板処理装置本体１０１ａが設置されるフロアの床下に設置されている。そのため、気化部１２３から処理室１０２までの配管１３７ｄの長さが長く、また、設置先ごとに床上までの配管の経路および長さが異なるので、外乱の影響を受けやすい問題がある。よって、結露が発生するリスクが高くなる問題がある。更に、処理ユニットＵごとに配管の経路および長さが異なるので、結露を個々に管理することが難しい問題がある。
【０００８】
また、処理室１０２の温調部とは別に、気化部１２３を単独で加熱するヒータを備える場合は、次のような２つの問題がある。１つ目は、ヒータを別で備えるのでコスト高になる。２つ目は、処理室１０２と気化部１２３との間で同じ温度にならず、温度差が生じるので、飽和水蒸気量に差が生まれる。そのため、結露が発生するリスクが高くなる問題がある。この結果、処理ガス量が安定しなくなる。
【０００９】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、結露が発生するリスクを抑えることが可能な基板処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、本発明に係る基板処理装置は、処理液を気化させて生成した処理ガスで基板を処理する処理室と、前記処理室に隣接して設けられ、不活性ガスおよび処理液を取り入れて、前記処理室に供給するための前記処理ガスを生成する気化部と、を備えていることを特徴とするものである。
【００１１】
本発明に係る基板処理装置によれば、処理室は、処理液を気化させて生成した処理ガスで基板を処理する。気化部は、不活性ガスおよび処理液を取り入れて、処理室に供給するための処理ガスを生成する。その気化部は、処理室に隣接して設けられている。これにより、気化部から処理室までの間の配管の長さを抑えることができ、その間で生じる結露が発生するリスクを抑えることができる。
【００１２】
また、上述の基板処理装置において、前記処理室は、内部空間に収容した基板を載置する載置台と、基板を加熱するヒータとを備え、前記ヒータは、基板を加熱すると同時に前記気化部も加熱することが好ましい。これにより、基板を加熱するヒータとは別に、気化部を加熱するヒータを設けなくてもよく、構成を簡易なものとすることができる。そのため、ヒータを別に設けることによるコスト高を抑えることができる。
【００１３】
また、ヒータは、基板を加熱して、基板とその周囲の雰囲気、すなわち処理室の内部空間を加熱する。そして、ヒータは、処理室の内部空間を加熱すると同時に気化部も加熱する。すなわち、同一のヒータで、気化部および処理室を同時に加熱する。そのため、気化部および処理室の内部空間との温度差を抑えることができる。これにより、結露が発生するリスクを抑えることができる。
【００１４】
また、上述の基板処理装置において、前記ヒータは、基板を挟んで前記載置台と対向して設けられ、基板を表面側から加熱する表面側ヒータであることが好ましい。これにより、例えば、載置台に内蔵されている裏面側ヒータよりも設置が容易にできる。また、一般的に、処理ガスを処理室の内部空間に供給する供給口は、載置台よりも表面側ヒータの近くに設置されるので、配管をより短くすることができる。
【００１５】
また、上述の基板処理装置において、前記ヒータは、前記載置台に載置された基板の表面に沿うように複数で構成されており、前記気化部は、複数の前記ヒータの一部の少なくとも１つで加熱されることが好ましい。複数のヒータの一部の少なくとも１つのヒータを、気化部の温度調整に比較的優先して用いることができる。なお、この場合、複数のヒータ等の総合的な加熱により、基板の加熱が管理される。
【００１６】
また、上述の基板処理装置において、前記気化部は、前記処理室は、複数で構成され、前記処理室ごとに設けられていることが好ましい。これにより、処理室ごとに、気化部から処理室までの配管の長さを揃えることができるので、処理室ごとの結露の管理がしやすい。また、基板処理装置本体と個別に設置していた従来の気化部を分散させて、処理室ごとに気化部を設けているので、従来、床下に設置していた構成の設置スペースを抑えることができる。
【００１７】
また、上述の基板処理装置において、前記気化部および、前記気化部を介在しないで前記処理室に不活性ガスを供給する不活性ガス供給部を更に備えていることが好ましい。従来の不活性ガス供給部は、気化部を介在しないで処理室に不活性ガスを供給していたが、本発明の不活性ガス供給部は、気化部および、気化部を介在しないで処理室に不活性ガスを供給する。これにより、従来、床下に設けられ、気化部のみに不活性ガスを供給していた配管等の構成を省略することができる。
【発明の効果】
【００１８】
本発明に係る基板処理装置によれば、処理室は、処理液を気化させて生成した処理ガスで基板を処理する。気化部は、不活性ガスおよび処理液を取り入れて、処理室に供給するための処理ガスを生成する。その気化部は、処理室に隣接して設けられている。これにより、気化部から処理室までの間の配管の長さを抑えることができ、その間で生じる結露が発生するリスクを抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】実施例に係る基板処理装置の概略構成を示すブロック図である。
【図２】基板処理時の処理室を示す縦断面図である。
【図３】基板の搬入・搬出時の処理室を示す縦断面図である。
【図４】処理室を供給口側から見た図２の平面図である。
【図５】変形例に係る処理室と気化部の構成を示す縦断面図である。
【図６】変形例に係る処理室を供給口側から見た図５の平面図である。
【図７】従来の基板処理装置の概略構成を示すブロック図である。
【実施例】
【００２０】
以下、図面を参照して本発明の実施例を説明する。図１は、実施例に係る基板処理装置の概略構成を示すブロック図である。
【００２１】
図１を参照する。基板処理装置（基板処理装置本体）１は、例えばＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）液を気化させて生成したＨＭＤＳガスで基板Ｗを処理する処理室２と、処理室２にＨＭＤＳガスおよび窒素ガスを供給するガス供給部３とを備えている。また、基板処理装置１は、複数の処理ユニットＵを備えており、各処理ユニットＵは、単一の処理室２を備えている。なお、ＨＭＤＳ液が本発明の処理液に相当し、ＨＭＤＳガスが本発明の処理ガスに相当する。
【００２２】
まず、処理室２の構成を説明する。図２は、基板処理時の処理室２を示す縦断面図である。処理室２は、基板Ｗを載置する載置台５と、載置台５を支持する支持部７と、少なくとも載置台５を貫通して昇降可能に設けられたリフトピン９とを備えている。なお、支持部７は、既知の熱伝導性の高い物質（例えば鉄、銅又はアルミニウム）で構成されているが、既知の断熱材で構成されていてもよい。
【００２３】
載置台５は、基板Ｗよりも大きい直径の円板状で構成されている。また、載置台５の内部には、裏面側ヒータ１１が設けられており、載置台５上に載置された基板Ｗは、載置台５により加熱される。なお、裏面側ヒータ１１を内蔵する載置台５は、ホットプレートとも呼ばれる。また、載置台５は、例えば基板Ｗの裏面を減圧して吸着させる等、基板Ｗを保持するようにしてもよい。リフトピン９は、図示しないリフトピン昇降機構により昇降される。
【００２４】
また、処理室２は、載置台５に載置された基板Ｗの上方および側方を覆う蓋部（壁部）１３を備えている。蓋部１３は、基板Ｗの上方を覆う円板状の天井部材１３ａと、天井部材１３ａから下方に延長して設けられ、基板Ｗの側方を覆う円筒状の円筒部材１３ｂとを備えている。図２の基板処理時では、基板Ｗは、載置台５，支持部７および蓋部１３により囲まれた処理室２の内部空間Ｓ内に存在することとなる。
【００２５】
基板Ｗが収容される内部空間Ｓを内側とする場合、蓋部１３の外側には、基板Ｗを表面側から加熱するための表面側ヒータ１５が設けられている。すなわち、表面側ヒータ１５は、基板Ｗを挟んで載置台５と対向して設けられている。表面側ヒータ１５は、基板Ｗを表面側から加熱する。具体的には、表面側ヒータ１５、蓋部１３を加熱することで、基板Ｗとその周囲の雰囲気、すなわち、処理室２の内部空間Ｓを加熱する。また、表面側ヒータ１５は、蓋部１３を加熱することで、後述する供給口１７とその周囲も加熱する。なお、表面側ヒータ１５は、本発明のヒータに相当する。
【００２６】
また、蓋部１３には、基板Ｗの上方に対応する位置に供給口１７が設けられており、供給口１７から処理室２の内部空間ＳにＨＭＤＳガスや窒素ガスが供給される。その一方、支持部７には、載置台５を囲むように、環状の複数の排気口１９が設けられており、供給されたＨＭＤＳガスを排気する。また、排気口１９には、図示しない真空ポンプが接続される。真空ポンプは、排気口１９から処理室２の内部空間Ｓの気体を強制的に排気し、また、処理室２の内部空間Ｓを減圧させて真空状態にする。
【００２７】
図３は、基板の搬入・搬出時の処理室２を示す縦断面図である。図示しない蓋昇降機構により、蓋部１３が上昇して基板Ｗの側方が解放される。また、リフトピン昇降機構によりリフトピン９が上昇し、リフトピン９で基板Ｗが持ち上げられる。この図３の状態で、基板搬送機構のハンド２１により基板Ｗが保持されて、処理済みの基板Ｗが搬出されて、また、未処理の基板Ｗが搬入される。
【００２８】
図１に戻る。次に、ガス供給部３の構成を説明する。ガス供給部３は、ＨＭＤＳ液を気化部２３に送る処理液供給部２５と、気化部２３でＨＭＤＳガスを生成し、生成されたＨＭＤＳガスを処理室２に送る処理ガス供給部２７と、気化部２３および、気化部２３を介在しないで処理室２に窒素ガスを供給する不活性ガス供給部２９とを備えている。これらを順番に説明する。
【００２９】
処理液供給部２５は、ＨＭＤＳ液を基板処理装置１内に貯留するための内部タンク３１と、内部タンク３１に貯留されたＨＭＤＳ液を吸い上げて気化部２３に送るためのポンプ３３とを備えている。内部タンク３１には、処理液供給源３５からＨＭＤＳ液が供給されるようになっている。処理液供給源３５および後述する不活性ガス供給源４５は、例えば、小型のボトルや、基板処理装置１が設置される建物に並設された大型のタンクなどであってもよい。
【００３０】
また、処理液供給部２５は、内部タンク３１とポンプ３３に加えて、配管３７ａ，３７ｂ，３７ｃと、圧力を調整するレギュレータ３９と、例えばエアオペレートバルブで構成される開閉弁ＡＶ１，ＡＶ２と、流量を計測する流量計ＦＭ１と、分岐配管４１とを備えている。
【００３１】
処理液供給源３５と内部タンク３１との間のＨＭＤＳ液の移送は、配管３７ａを通じて行われる。配管３７ａには、圧力を調整するレギュレータ３９と、開閉弁ＡＶ１とが介在して設けられている。また、内部タンク３１と分岐配管４１との間のＨＭＤＳ液の移送は、配管３７ｂを通じて行われる。配管３７ｂには、ポンプ３３が介在して設けられている。
【００３２】
また、分岐配管４１と各処理ユニットＵの気化部２３との間のＨＭＤＳ液の移送は、配管３７ｃを通じて行われる。配管３７ｃには、流量計ＦＭ１とフィルタ４３と開閉弁ＡＶ２とが介在して設けられている。
【００３３】
処理ガス供給部２７は、気化部２３と、配管３７ｄとを備えている。気化部２３は、キャリアガスおよびＨＭＤＳ液を取り入れて、処理室２に供給するためのＨＭＤＳガスを生成する。気化部２３と処理室２の供給口１７との間のＨＭＤＳガスの移送は、配管３７ｄを通じて行われる。
【００３４】
不活性ガス供給部２９は、気化部２３および処理室２の各々に、窒素ガスを供給する。気化部２３に供給された窒素ガスは、キャリアガスとして用いられる。処理室２に供給された窒素ガスは、例えば、処理室２の内部空間ＳのＨＭＤＳガスを置き換えるガスとして用いられる。不活性ガス供給部２９は、配管３７ｅ，３７ｆ，３７ｇと、流量計ＦＭ２と、フィルタ４７と、開閉弁ＡＶ３とを備えている。窒素ガスは、不活性ガス供給源４５より供給される。
【００３５】
不活性ガス供給源４５と開閉弁ＡＶ３との間の窒素ガスの移送は、配管３７ｅを通じて行われる。配管３７ｅには、流量計ＦＭ２と、フィルタ４７とが介在して設けられている。また、開閉弁ＡＶ３と気化部２３との間の窒素ガスの移送は、配管３７ｆを通じて行われる。また、開閉弁ＡＶ３と処理室２（図１では配管３７ｄ）との間の窒素ガスの移送は、配管３７ｇを通じて行われる。なお、開閉弁ＡＶ３は、気化部２３および処理室２への窒素ガスの供給を停止したり、気化部２３および処理室２のいずれか一方および両方に窒素ガスを供給したりする。
【００３６】
なお、流量計ＦＭ２は、流量調整できるフローコントローラであってもよい。
【００３７】
ここで、気化部２３について詳細に説明する。気化部２３は、処理室２に隣接して設けられている。本実施例では、図２等のように、気化部２３は、表面側ヒータ１５を介在して処理室２に隣接して設けられている。図７の従来の基板処理装置１０１では、基板処理装置本体１０１ａの床下のバブリングタンク１２３でＨＭＤＳガスを生成していたが、処理室２に隣接して気化部２３が設けられているので、ＨＭＤＳガスを送る配管３７ｄを短くすることができる。また、例えば、仮に、裏面側ヒータ１１の気化部２３を設ける場合よりも、配管３７ｄを短くすることができる。
【００３８】
気化部２３には、図１、図２のように、ＨＭＤＳ液および窒素ガスが供給される。気化室２３に供給されたＨＭＤＳ液は、図２のように、貯留される。貯留されたＨＭＤＳ液は、表面側ヒータ１５により直接加熱されて気化が促される。気化されたＨＭＤＳガスは、キャリアガスである窒素ガスと混合して、ＨＭＤＳガスとして配管３７ｄに送られる。なお、窒素ガスは、気化部２３に貯留されたＨＭＤＳ液の上方を通過するが、ＨＭＤＳ液中を通過させてもよい。
【００３９】
気化部２３により生成するＨＭＤＳガスの濃度は、表面側ヒータ１５の温度、供給する窒素ガスの流量、および貯留するＨＭＤＳ液の液量などで調整される。例えば、ＨＭＤＳ液量は、一滴でもよい。
【００４０】
また、図４は、処理室を供給口側から見た図２の平面図である。図４のように、表面側ヒータ１５は、載置台５に載置された基板Ｗの表面に沿うように、複数（例えば２つ）で構成されている。なお、図４では、２つの表面側ヒータ１５を、符号１５ａ，１５ｂで示すが、特に区別しない場合は、符号１５で説明する。また、図１において、表面側ヒータ１５ａは、図示の都合上、左方向に延長して示されている。
【００４１】
気化部２３は、２つの表面側ヒータ１５ａ，１５ｂの一部の少なくとも１つ、すなわち、図４の左側の表面側ヒータ１５ａで加熱されるようになっている。２つの表面側ヒータ１５ａ，１５ｂは各々調整される（例えば１１０℃程度）。そして、２つの表面側ヒータ１５ａ，１５ｂおよび裏面側ヒータ１１は、処理室２の基板Ｗを加熱する温度が、予め設定された温度になるように調整される。なお、この温度調整は、例えば、後述する主制御部５１により制御される。また、図４では、気化部２３は、左側の表面側ヒータ１５ａで加熱されるが、右側の表面側ヒータ１５ｂで加熱してもよい。
【００４２】
なお、表面側ヒータ１５の数は、２つに限定されず、３つ以上であってもよい。また、例えば、３つの表面側ヒータ１５を備える場合、その内の１つで気化部２３を加熱してもよいし、その内の２つで気化部２３を加熱してもよい。
【００４３】
次に、基板処理装置１のその他の構成を説明する。基板処理装置１は、中央演算処理装置（ＣＰＵ）などで構成され、基板処理装置１の各構成を制御する主制御部５１と、ハードディスク等の図示しない記憶部と、液晶モニタなどの表示部やジョイスティック、マウス、キーボードおよびボタンなど入力部を有する操作部５３とを備えている。主制御部５１は、ポンプ、開閉弁ＡＶ１〜ＡＶ３および表面側ヒータ１５等を各々制御する。
【００４４】
次に、基板処理装置１の動作について説明する。図３のように、ハンド２１により基板Ｗが処理室２の載置台５上に搬入される。図２の処理室２の内部空間Ｓは、予め設定された状態にされる。
【００４５】
すなわち、処理室２には、配管３７ｅ，３７ｇ、流量計ＦＭ２および開閉弁ＡＶ３を通じて、供給口１７から窒素ガスが供給される。この窒素ガスにより、処理室２の内部空間Ｓが満たされてもよい。また、図示しない真空ポンプにより予め設定された圧力に減圧された状態であってもよい。この減圧の際、窒素ガスが供給されていてもよい。また、裏面側ヒータ１１を内蔵した載置部５により、基板Ｗを裏面側から加熱する一方、表面側ヒータ１５により、蓋部１３を加熱して、基板Ｗを表面側から加熱する。表面側ヒータ１５は、裏面側ヒータ１１よりも設定温度が高くてもよいし、低くてもよいし、同じであってもよい。
【００４６】
図１において、内部タンク３１には、ＨＭＤＳ液が貯留されている。内部タンク３１には、配管３７ａ、レギュレータ３９、および開閉弁ＡＶ１を通じて、処理液供給源３５からＨＭＤＳ液が供給される。また、内部タンク３１に貯留されたＨＭＤＳ液は、ポンプ３３により汲み上げられる。汲み上げられたＨＭＤＳ液は、配管３７ｂ，３７ｃ、分岐配管４１、流量計ＦＭ１、フィルタ４３および開閉弁ＡＶ１を通じて、各処理ユニットＵの気化部２３に送られる。
【００４７】
気化部２３に送られたＨＭＤＳ液は、図２のように、気化部２３に貯留される。表面側ヒータ１５ａは、ＨＭＤＳガスの供給口１７が設けられた蓋部１３を加熱して基板Ｗを加熱すると同時に、気化部２３も加熱する。気化部２３に貯留されたＨＭＤＳ液は、表面側ヒータ１５ａの加熱により、気化が促される。そこに、キャリアガスとしての窒素ガスが供給される。これにより、気化したＨＭＤＳガスと窒素ガスとが混合した混合ガスが生成され、生成された混合ガスがＨＭＤＳガスとして気化部２３から送り出される。
【００４８】
なお、気化部２３には、配管３７ｅ，３７ｆ、流量計ＦＭ２、フィルタ４７および開閉弁ＡＶ３を通じて、不活性ガス供給源４５から窒素ガスが供給される。
【００４９】
上述のように、処理室２の内部空間Ｓは、予め設定された状態にされている。この処理室２にＨＭＤＳガスが供給される。なお、処理室２には、配管３７ｄを通じて気化部２３からＨＭＤＳガスが供給される。また、処理室２へのＨＭＤＳガスの供給は、開閉弁ＡＶ３の開閉動作により行われる。基板Ｗは、予め設定された時間でＨＭＤＳガスに晒されることで、基板Ｗの表面の疎水化処理が行われる。表面処理の後、排気部１９からＨＭＤＳガスが排気され、内部空間Ｓが減圧されている場合は、大気圧に戻される。そして、図３のように、基板搬送機構のハンド２１により基板Ｗが搬送される。
【００５０】
本実施例によれば、処理室２は、ＨＭＤＳ液を気化させて生成したＨＭＤＳガスで基板Ｗを処理する。気化部２３は、窒素ガスおよびＨＭＤＳ液を取り入れて、処理室２に供給するためのＨＭＤＳガスを生成する。その気化部２３は、処理室２に隣接して設けられている。これにより、気化部２３から処理室２までの間の配管３７ｄの長さを抑えることができ、その間で生じる結露が発生するリスクを抑えることができる。
【００５１】
また、処理室２は、内部空間Ｓに収容した基板Ｗを載置する載置台５と、基板を加熱する表面側ヒータ１５とを備え、表面側ヒータ１５は、基板Ｗを加熱すると同時に気化部２３も加熱する。これにより、基板Ｗを加熱する表面側ヒータ１５とは別に、気化部２３を加熱するヒータを設けなくてもよく、構成を簡易なものとすることができる。そのため、ヒータを別に設けることによるコスト高を抑えることができる。
【００５２】
また、表面側ヒータ１５は、基板Ｗを表面側から加熱して、基板Ｗとその周囲の雰囲気、すなわち処理室２の内部空間Ｓを加熱する。そして、表面側ヒータ１５は、処理室２の内部空間Ｓを加熱すると同時に気化部２３も加熱する。すなわち、同一の表面側ヒータ１５ａで、気化部２３および処理室２を同時に加熱する。そのため、気化部２３および処理室２の内部空間との温度差を抑えることができる。これにより、結露が発生するリスクを抑えることができる。
【００５３】
また、基板処理装置１は、基板Ｗを挟んで載置台５と対向して設けられ、基板Ｗを表面側から加熱する表面側ヒータ１５を備えている。これにより、例えば、載置台５に内蔵されている裏面側ヒータ１１よりも設置が容易にできる。すなわち、裏面側ヒータ１１は、処理室２の載置台５に内蔵され、蓋部１３の外側に設けられた表面側ヒータ１５よりも設置が難しい。また、一般的に、ＨＭＤＳガスを処理室２の内部空間Ｓに供給する供給口１７は、載置台５よりも表面側ヒータ１５の近くに設置されるので、配管３７ｄをより短くすることができる。
【００５４】
また、表面側ヒータ１５は、載置台５に載置された基板Ｗの表面に沿うように２つで構成されており、気化部２３は、２つの表面側ヒータ１５ａ，１５ｂの一部の少なくとも１つ、すなわち、表面側ヒータ１５ａで加熱される。表面側ヒータ１５ａを、気化部２３の温度調整に比較的優先して用いることができる。なお、この場合、２つの表面側ヒータ１５ａ，１５ｂや裏面側ヒータ１１の総合的な加熱により、基板Ｗの加熱が管理される。
【００５５】
また、気化部２３は、処理室２ごとに設けられている。これにより、処理室２（処理ユニットＵ）ごとに、気化部２３から処理室２までの配管３７ｄの長さを揃えることができるので、処理室２ごとの結露の管理がしやすい。また、基板処理装置１本体と個別に設置していた従来の大型のバブリングタンク１２３を分散させて、処理室２ごとに気化部２３を設けているので、従来、床下に設置していた構成の設置スペースを抑えることができる。
【００５６】
また、基板処理装置１は、気化部２３および、気化部２３を介在しないで処理室２に窒素ガスを供給する不活性ガス供給部２９を更に備えている。従来の不活性ガス供給部は、バブリングタンク１２３を介在しないで処理室１０２に窒素ガスを供給していたが、本発明の不活性ガス供給部２９は、気化部２３および、気化部２３を介在しないで処理室２に窒素ガスを供給する。これにより、従来、床下に設けられていた、バブリングタンク１２３のみに不活性ガスを供給していた配管等の構成を省略することができる。すなわち、図７において、配管１３７ｈ、開閉弁ＡＶ、レギュレータ１３９および可変絞り弁１４０等を省略することができる。
【００５７】
本発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。
【００５８】
（１）上述した実施例では、気化部２３は、表面側ヒータ１５ａを介在して処理室２に隣接して設けられていたが、表面側ヒータ１５ａを介在させないで処理室２に隣接して設けられてもよい。例えば、気化部２３は、処理室２に直接設けられてもよいし、板状やペースト状などの熱伝導性の高い中間部材６１（図５、図６参照）を介在して設けられてもよい。気化部２３は、主に、蓋部１３および中間部材６１を通じて表面側ヒータ１５ａ，１５ｃにより加熱される。なお、実施例のように、気化部２３が、表面側ヒータ１５（１５ａ）を介在して処理室２に隣接して設けられている方が、他の表面側ヒータ１５ｂの熱の影響を受けにくく、温度調整しやすい利点がある。
【００５９】
また、気化部２３は、空気などの気体の隙間を介在して処理室２に隣接して設けられていてもよい。この場合、気化部２３は、表面側ヒータ１５による熱の影響が及ぶ範囲に存在することが望ましい。また、気化部２３は、表面側ヒータ１５ａ、中間部材６１および隙間の少なくともいずれかを組み合わせたものを介在して処理室２に隣接して設けられてもよい。
【００６０】
また、表面側ヒータ１５は、図５、図６のように、４つで構成されてもよい。また、図５、図６において、例えば、表面側ヒータ１５ｃ，１５ｄが省略された構成でもよい。また、図５、図６において、上述のように、気化部２３は、４つの表面側ヒータ１５ａ〜１５ｄの少なくとも１つに介在して処理室２と隣接して設けられてもよい。
【００６１】
（２）上述した実施例および変形例（１）では、気化部２３は、表面側ヒータ１５で加熱されたが、裏面側ヒータ１１で加熱してもよい。なお、裏面側ヒータ１１も基板Ｗの表面に沿って複数で構成されていてもよい。気化部２３は、複数の裏面側ヒータ１１の全部または一部の少なくとも１つで加熱されるように構成されてもよい。裏面側ヒータ１１は、本発明のヒータに相当する。
【００６２】
（３）上述した実施例および各変形例では、気化部２３には、処理液として、ＨＭＤＳの液体が供給されていたが、これに限定されない。例えば、処理液として、Ｎ−トリメチルシリルジメチルアミン（ＴＭＳＤＭＡ）やＮ−トリメチルシリルジエチルアミン（ＴＭＳＤＥＡ）等のシリル化剤であってもよい。
【００６３】
（４）上述した実施例および各変形例では、基板処理装置１は、複数の処理ユニットＵを備えていたが、単一の処理ユニットＵを備えてもよい。また、基板処理装置１は、複数の表面側ヒータ１５を備えていたが、単一の表面側ヒータ１５を備えてもよい。
【００６４】
（５）上述した実施例および各変形例では、気化部２３および処理室２に窒素ガスが供給されるが、不活性ガスとして、ヘリウムやアルゴンなどを供給してもよい。
【００６５】
（６）上述した実施例および各変形例では、レギュレータ、開閉弁、流量計およびフィルタは、図１の構成に加え、あるいは、図１の構成に代えて、必要とする位置に設けられるようにしてもよい。
【符号の説明】
【００６６】
１        …  基板処理装置（基板処理装置本体）
２        …  処理室
３        …  ガス供給部
５        …  載置台
１１      …  裏面側ヒータ
１５      …  表面側ヒータ
２３      …  気化部
２９      …  不活性ガス供給部
３７ａ〜３７ｇ  …  配管
４５      …  不活性ガス供給源
５１      …  主制御部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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