(57)【要約】      （修正有）【課題】フットプリントの小さい光照射装置、基板処理装置及び基板処理装置の製造方法を提供すること。【解決手段】基板の姿勢を水平面（ＸＹ平面）に平行に保持したまま、基板をステージに載置した状態で＋Ｘ方向、あるいは、水平面に交差する所定方向に、基板を移動させる基板移動部８２，８３，８４，８５と、所定方向に移動する基板に対して、所定の波長の光を照射する光照射部８１を、水平移動させる水平移動機構とを備える。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定面を有し、基板を収容可能なチャンバと、
前記所定面に設けられ、前記基板の搬入及び搬出が可能な基板搬入出口と、
前記基板搬入出口を通過して前記チャンバの内部に搬入される前記基板が前記基板搬入出口を通過して前記チャンバの外部へ搬出されるように前記チャンバの内部で前記基板を移動させる基板移動部と、
前記チャンバの内部を移動する前記基板に対して所定の波長の光を照射する光照射部と
を備える光照射装置。
【請求項２】
前記所定面は、水平面に垂直な面に沿って形成されている
請求項１に記載の光照射装置。
【請求項３】
前記基板移動部は、前記基板を水平方向に沿った第一方向に搬送する基板搬送経路を有する
請求項１又は請求項２に記載の光照射装置。
【請求項４】
前記光照射部は、前記基板搬送経路を移動する前記基板に対して前記光を照射可能かつ前記基板搬送経路に沿う方向に移動可能に設けられている
請求項３に記載の光照射装置
【請求項５】
前記光照射部は、前記基板の搬送方向に対して順方向に移動しつつ前記光を照射する
請求項４に記載の光照射装置。
【請求項６】
前記光照射部は、前記基板の搬送方向に対して逆方向に移動しつつ前記光を照射する
請求項４に記載の光照射装置。
【請求項７】
前記基板搬送経路は、前記水平方向に直交する第二方向に複数段に配置されている
請求項３から請求項６のうちのいずれか一項に記載の光照射装置。
【請求項８】
前記光照射部は、複数の前記基板搬送経路のうち前記第二方向の端に配置される前記基板搬送経路を移動する前記基板に対して前記光を照射可能に設けられている
請求項７に記載の光照射装置。
【請求項９】
複数の前記基板搬送経路のうち少なくとも１つには、前記基板の温度を調整する温度調整部が設けられている
請求項７又は請求項８に記載の光照射装置。
【請求項１０】
前記基板搬入出口は、前記基板搬送経路ごとに設けられている
請求項３から請求項９のうちいずれか一項に記載の光照射装置。
【請求項１１】
前記基板搬入出口は、前記第二方向に並んで配置されている
請求項１０に記載の光照射装置。
【請求項１２】
前記基板移動部は、前記基板を保持して前記基板搬送経路を移動可能な基板保持部を有する
請求項３から請求項１１のうちいずれか一項に記載の光照射装置。
【請求項１３】
前記チャンバの内部に配置され、前記基板搬入出口から搬入された前記基板を受ける基板受部を更に備える
請求項１から請求項１２のうちいずれか一項に記載の光照射装置。
【請求項１４】
前記基板受部は、前記水平方向に直交する第二方向に移動可能である
請求項１から請求項１３のうちいずれか一項に記載の光照射装置。
【請求項１５】
前記基板受部は、前記基板の温度を調整する第二温度調整部を有する
請求項１４に記載の光照射装置。
【請求項１６】
前記チャンバは、外部チャンバの上面に配置されている
請求項１から請求項１５のうちいずれか一項に記載の光照射装置。
【請求項１７】
前記チャンバは、前記外部チャンバに接続可能な接続部を有する
請求項１６に記載の光照射装置。
【請求項１８】
前記チャンバの内部に不活性ガスを供給するガス供給部と、
前記チャンバの内部を排気する排気部と
を更に備える請求項１から請求項１７のうちいずれか一項に記載の光照射装置。
【請求項１９】
前記チャンバの内部に供給される前記不活性ガスを加熱するガス加熱部
を更に備える請求項１８に記載の光照射装置。
【請求項２０】
基板に処理膜の塗布処理を行う塗布装置と、
前記基板に塗布された前記処理膜の現像処理を行う現像装置と、
前記塗布処理、前記現像処理及び前記光照射処理の関連処理を行う関連装置と
を備え、前記塗布装置、前記現像装置及び前記関連装置の間で直列的に前記基板を搬送する基板搬送ラインが形成された基板処理装置であって、
前記現像装置又は前記関連装置の上面に配置され、現像後の前記処理膜に光照射処理を行う光照射装置と、
前記基板搬送ラインと前記光照射装置との間で前記基板の受け渡しを行う基板搬送装置と
を更に備え、
前記光照射装置として、請求項１から請求項１９のうちいずれか一項に記載の光照射装置が用いられている
基板処理装置。
【請求項２１】
基板に処理膜の塗布処理を行う塗布装置と、
前記基板に塗布された前記処理膜の現像処理を行う現像装置と、
前記塗布処理、前記現像処理及び前記光照射処理の関連処理を行う関連装置と
を備え、前記塗布装置、前記現像装置及び前記関連装置の間で直列的に前記基板を搬送する基板搬送ラインが形成された基板処理装置の製造方法であって、
現像後の前記処理膜に光照射処理を行う光照射装置を、前記現像装置又は前記関連装置の上面に配置する工程を有し、
前記光照射装置として、請求項１から請求項１９のうちいずれか一項に記載の光照射装置を用いる
基板処理装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光照射装置、基板処理装置及び基板処理装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶ディスプレイなどの表示パネルを構成するガラス基板上には、配線パターンや電極パターンなどの微細なパターンが形成されている。一般的にこのようなパターンは、例えばフォトリソグラフィなどの手法によって形成される。フォトリソグラフィ法では、レジスト膜をガラス基板に塗布する工程、レジスト膜を露光する工程、露光後のレジスト膜を現像する工程及び現像後のレジスト膜に対して紫外線などの光を照射する工程（キュア工程）が行われる。
【０００３】
キュア工程は、基板に対して光を照射する光照射装置によって行われる（例えば、特許文献１参照）。フォトリソグラフィ法によってパターンを形成する既存の基板処理装置の中には、キュア工程を行うための光照射装置が搭載されていない場合がある。この場合、キュア工程を行うためには、既存の基板処理装置に別途光照射装置を取り付ける必要がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平４−９７５１５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、従来の光照射装置は、基板を水平に移動させる構成であるため、基板が移動するためのスペースを確保する必要がある。このため、既存の基板処理装置に取り付ける場合には、フットプリントの面で問題がある。
【０００６】
以上のような事情に鑑み、本発明は、フットプリントの小さい光照射装置、基板処理装置及び基板処理装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の第一の態様に係る光照射装置は、所定面を有し、基板を収容可能なチャンバと、前記所定面に設けられ、前記基板の搬入及び搬出が可能な基板搬入出口と、前記基板搬入出口を通過して前記チャンバの内部に搬入される前記基板が前記基板搬入出口を通過して前記チャンバの外部へ搬出されるように前記チャンバの内部で前記基板を移動させる基板移動部と、前記チャンバの内部を移動する前記基板に対して所定の波長の光を照射する光照射部とを備える。
【０００８】
この構成によれば、基板の搬入及び搬出が可能な基板搬入出口が所定面に設けられ、この基板搬入出口を通過してチャンバの内部に搬入される基板が基板搬入出口を通過してチャンバの外部へ搬出されるようにチャンバの内部で基板が移動するため、基板の搬入及び搬出がチャンバの同一面側（所定面側）で行われることになる。これにより、既存の装置との間の基板の受け渡しに必要なスペースを節約することが可能となるため、フットプリントの小さい光照射装置を提供することができる。
【０００９】
上記の光照射装置において、前記所定面は、水平面に垂直な面に沿って形成されている。
この構成によれば、水平面に垂直な面で基板の搬入及び搬出を行うことになるため、既存の装置との間の基板の受け渡しには基板を水平に搬送する搬送部を配置すればよいだけである。これにより、必要なスペースを節約することが可能となるため、フットプリントの小さい光照射装置を提供することができる。
【００１０】
上記の光照射装置において、前記基板移動部は、前記基板を水平方向に沿った第一方向に搬送する基板搬送経路を有する。
この構成によれば、基板移動部が基板を水平方向に沿った第一方向に搬送する基板搬送経路を有するため、基板を安定して搬送することができる。
【００１１】
上記の光照射装置において、前記光照射部は、前記基板搬送経路を移動する前記基板に対して前記光を照射可能かつ前記基板搬送経路に沿う方向に移動可能に設けられていてもよい。
この構成によれば、光照射部と基板との相対速度を自在に変化させることができるため、より多様な形態で光照射を行うことができる。
【００１２】
上記の光照射装置において、前記光照射部は、前記基板の搬送方向に対して順方向に移動しつつ前記光を照射する構成としてもよい。
この構成によれば、光照射部と基板との相対速度を低下させることができる。したがって、光照射部を移動させない場合と比較して基板に対する単位時間当たりの光照射量を増加させることができる。また、同等の光照射量を確保しつつ基板搬送速度を上昇させたり、光照射強度を低下させたりすることもできる。
【００１３】
上記の光照射装置において、前記光照射部は、前記基板の搬送方向に対して逆方向に移動しつつ前記光を照射する構成としてもよい。
この構成によれば、光照射部と基板との相対速度を上昇させることができる。したがって、光照射部を移動させない場合と比較して基板に対する光照射時間（タクトタイム）を短縮することができる。
【００１４】
上記の光照射装置において、前記基板搬送経路は、前記水平方向に直交する第二方向に複数段に配置されている。
この構成によれば、基板搬送経路が水平方向に直交する第二方向に複数段に配置されているため、複数の基板をチャンバに収容する場合であっても、効率的に搬送することができる。
【００１５】
上記の光照射装置において、前記光照射部は、複数の前記基板搬送経路のうち前記第二方向の端に配置される前記基板搬送経路を移動する前記基板に対して前記光を照射可能に設けられている。
この構成によれば、光照射部が複数の基板搬送経路のうち第二方向の端に配置される基板搬送経路を移動する基板に対して前光を照射可能に設けられているため、光照射部及び基板搬送経路の配置をシンプルにすることができる。
【００１６】
上記の光照射装置において、複数の前記基板搬送経路のうち少なくとも１つには、前記基板の温度を調整する温度調整部が設けられている。
この構成によれば、複数の基板搬送経路のうち少なくとも１つには、基板の温度を調整する温度調整部が設けられているため、光の照射を受ける際の基板の温度を調整することができる。
【００１７】
上記の光照射装置において、前記基板搬入出口は、前記基板搬送経路ごとに設けられている。
この構成によれば、基板搬入出口が基板搬送経路ごとに設けられているため、基板を効率的に搬入出することができる。
【００１８】
上記の光照射装置において、前記基板搬入出口は、前記第二方向に並んで配置されている。
この構成によれば、基板搬入出口が第二方向に並んで配置されているため、外部からチャンバに基板を搬入する際及び基板を搬出する際に複数の基板搬入出口との間で基板の受け渡しを行う場合、第二方向の位置のみを区別すればよい。これにより、基板の受け渡しの制御を容易に行うことができる。
【００１９】
上記の光照射装置において、基板移動部は、前記基板を保持して前記基板搬送経路を移動可能な基板保持部を有する。
この構成によれば、基板を基板保持部に保持させた状態で基板搬送経路を移動させることができる。
【００２０】
上記の光照射装置は、前記チャンバの内部に配置され、前記基板搬入出口から搬入された前記基板を受ける基板受部を更に備える。
この構成によれば、基板搬入出口から搬入された基板が基板受部に支持されるため、チャンバ内で基板の姿勢を安定させることができる。
【００２１】
上記の光照射装置において、前記基板受部は、前記水平方向に直交する第二方向に移動可能である。
この構成によれば、基板受部が第二方向に移動可能であるため、基板の姿勢を安定させたまま搬送することができる。
【００２２】
上記の光照射装置において、前記基板受部は、前記基板の温度を調整する第二温度調整部を有する。
この構成によれば、基板受部が基板の温度を調整する第二温度調整部を有するため、基板の温度をより確実に調整することが可能となる。
【００２３】
上記の光照射装置において、前記チャンバは、外部チャンバの上面に配置されている。
この構成によれば、チャンバが外部チャンバの上面に配置されているため、既存の装置に取り付ける場合に、フットプリントをほとんど要することなく取り付けることができる。
【００２４】
上記の光照射装置において、前記チャンバは、前記外部チャンバに接続可能な接続部を有する。
この構成によれば、チャンバが外部チャンバに接続可能な接続部を有するため、チャンバと外部チャンバとの間がより確実に接続されることになる。
【００２５】
上記の光照射装置は、チャンバの内部に不活性ガスを供給するガス供給部と、前記チャンバの内部を排気する排気部とを更に備える。
この構成によれば、チャンバの内部に不活性ガスを循環させることができる。これにより、チャンバ内部の雰囲気を清浄に維持することができる。
【００２６】
上記の光照射装置は、前記チャンバの内部に供給される前記不活性ガスを加熱するガス加熱部を更に備える。
この構成によれば、加熱部によって加熱された不活性ガスにより、チャンバ内部に収容される基板を加熱することができる。
【００２７】
本発明の第二の態様に係る基板処理装置は、基板に処理膜の塗布処理を行う塗布装置と、前記基板に塗布された前記処理膜の現像処理を行う現像装置と、前記塗布処理、前記現像処理及び前記光照射処理の関連処理を行う関連装置とを備え、前記塗布装置、前記現像装置及び前記関連装置の間で直列的に前記基板を搬送する基板搬送ラインが形成された基板処理装置であって、前記現像装置又は前記関連装置の上面に配置され、現像後の前記処理膜に光照射処理を行う光照射装置と、前記基板搬送ラインと前記光照射装置との間で前記基板の受け渡しを行う基板搬送装置とを更に備え、前記光照射装置として、第一の態様に係る光照射装置が用いられている。
【００２８】
この構成によれば、フットプリントの小さい光照射装置が用いられているため、装置全体の大型化を抑制することが可能な基板処理装置を提供することができる。
【００２９】
本発明の第三の態様に係る基板処理装置の製造方法は、基板に処理膜の塗布処理を行う塗布装置と、前記基板に塗布された前記処理膜の現像処理を行う現像装置と、前記塗布処理、前記現像処理及び前記光照射処理の関連処理を行う関連装置とを備え、前記塗布装置、前記現像装置及び前記関連装置の間で直列的に前記基板を搬送する基板搬送ラインが形成された基板処理装置の製造方法であって、現像後の前記処理膜に光照射処理を行う光照射装置を、前記現像装置又は前記関連装置の上面に配置する工程を有し、前記光照射装置として、本発明の第一の態様に係る光照射装置を用いる。
【００３０】
この構成によれば、現像装置又は関連装置の上面に光照射装置を配置することにより、光照射装置を容易に取り付けることができる。
【発明の効果】
【００３１】
本発明によれば、フットプリントの小さい光照射装置、基板処理装置及び基板処理装置の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】第一実施形態に係る基板処理装置ＳＰＡを示す平面図。
【図２】光処理ユニットＬＰを＋Ｙ方向に見たときの構成を示す図。
【図３】光処理ユニットＬＰの動作を示す図。
【図４】光処理ユニットＬＰの動作を示す図。
【図５】光処理ユニットＬＰの動作を示す図。
【図６】第二実施形態に係る光処理ユニットＬＰ２の構成を示す図。
【図７】光処理ユニットＬＰの動作を示す図。
【図８】光処理ユニットＬＰの動作を示す図。
【図９】光処理ユニットＬＰの動作を示す図。
【図１０】第三実施形態に係る光処理ユニットＬＰ３の構成を示す図。
【図１１】光処理ユニットＬＰの動作を示す図。
【図１２】光処理ユニットＬＰの動作を示す図。
【図１３】光処理ユニットＬＰの動作を示す図。
【図１４】光処理ユニットＬＰの動作を示す図。
【図１５】光処理ユニットＬＰの動作を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００３３】
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。以下の説明においては、ＸＹＺ直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。水平面内の所定方向をＸ軸方向、水平面内においてＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれと直交する方向（すなわち鉛直方向）をＺ軸方向とする。また、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸まわりの回転（傾斜）方向をそれぞれ、θＸ、θＹ、及びθＺ方向とする。
【００３４】
図１は本実施形態に係る基板処理装置ＳＰＡを示す平面図である。
基板処理装置ＳＰＡは、例えばＸ方向に一列に配置されたローダ・アンローダＬＵ、塗布現像処理部ＣＤ、インターフェース部ＩＦ及び制御部ＣＯＮＴを備えている。基板処理装置ＳＰＡは、塗布現像処理部ＣＤがローダ・アンローダＬＵとインターフェース部ＩＦによって挟まれて配置された構成になっている。制御部ＣＯＮＴは、基板処理装置ＳＰＡの各部を統括的に処理する。
【００３５】
（ローダ・アンローダ）
ローダ・アンローダＬＵは、複数の基板Ｇを収容するカセットＣの搬入及び搬出を行う部分である。ローダ・アンローダＬＵは、カセット待機部１０及び搬送機構１１を有している。
【００３６】
カセット待機部１０は、例えば基板処理装置ＳＰＡの−Ｘ側の端部に配置されており、複数のカセットＣを収容する。カセット待機部１０に収容されたカセットＣは、例えばＹ方向に配列されるようになっている。カセット待機部１０は、−Ｘ側に不図示の開口部が形成されており、当該開口部を介して基板処理装置ＳＰＡの外部との間でカセットＣの受け渡しが行われるようになっている。
【００３７】
搬送機構１１は、カセット待機部１０の＋Ｘ側に配置されており、カセットＣと塗布現像処理部ＣＤとの間で基板Ｇの搬送を行う。搬送機構１１は、例えばＹ方向に沿って２つ配置されており、当該２つの搬送機構１１は例えば同一の構成となっている。−Ｙ側に配置される搬送機構１１ａは、ローダ・アンローダＬＵから塗布現像処理部ＣＤへ基板Ｇを搬送する。＋Ｙ側に配置される搬送機構１１ｂは、塗布現像処理部ＣＤからローダ・アンローダＬＵへ基板Ｇを搬送する。
【００３８】
搬送機構１１は搬送アーム１２（１２ａ、１２ｂ）を有している。搬送アーム１２は、ガラス基板を保持する保持部を有し、例えば一方向に伸縮可能に設けられている。搬送アーム１２は、θＺ方向に回転可能に形成されている。搬送アーム１２は、例えばθＺ方向に回転することで、カセット待機部１０と塗布現像処理部ＣＤとのそれぞれの方向に向かせることが可能になっている。搬送アーム１２は、搬送アーム１２を伸縮させることで、カセット待機部１０及び塗布現像処理部ＣＤのそれぞれにアクセス可能になっている。
【００３９】
（塗布現像処理部）
塗布現像処理部ＣＤは、基板Ｇにレジスト塗布及び現像を含む一連の処理を施す部分である。塗布現像処理部ＣＤは、スクラバユニットＳＲ、脱水ベークユニットＤＨ、塗布ユニットＣＴ、プリベークユニットＰＲ、インターフェース部ＩＦ、現像ユニットＤＶ、光処理ユニットＬＰ及びポストベークユニットＰＢを有している。
【００４０】
塗布現像処理部ＣＤは、Ｙ方向に分割された構成になっており、−Ｙ側の部分では、ローダ・アンローダＬＵからの基板Ｇがインターフェース部ＩＦへ向けて＋Ｘ方向に搬送されるようになっている。＋Ｙ側の部分では、インターフェース部ＩＦからの基板Ｇがローダ・アンローダＬＵへ向けて−Ｘ方向に搬送されるようになっている。
【００４１】
スクラバユニットＳＲは、ローダ・アンローダＬＵの下流に接続されており、基板Ｇの洗浄を行うユニットである。スクラバユニットＳＲは、ドライ洗浄装置４１、ウェット洗浄装置４２及びエアナイフ装置４３を有している。ドライ洗浄装置４１の−Ｘ側及びエアナイフ装置４３の＋Ｘ側には、それぞれコンベア機構ＣＶ１、ＣＶ２が設けられている。コンベア機構ＣＶ１、ＣＶ２には、基板Ｇを搬送する不図示のベルト機構が設けられている。
【００４２】
ドライ洗浄装置４１は、例えば基板Ｇにエキシマレーザなどの紫外線を照射することにより、基板Ｇ上の有機物を除去する。ウェット洗浄装置４２は、例えば不図示のスクラビングブラシを有している。ウェット洗浄装置４２は、洗浄液及び当該スクラビングブラシを用いて基板Ｇを洗浄する。エアナイフ装置４３は、例えば不図示のエアナイフ噴射機構を有している。エアナイフ装置４３は、エアナイフ噴射機構を用いて基板Ｇ上にエアナイフを形成し、基板Ｇ上の不純物を除去する。
【００４３】
脱水ベークユニットＤＨは、スクラバユニットＳＲの下流に接続されており、基板Ｇ上を脱水するユニットである。脱水ベークユニットＤＨは、加熱装置４４、ＨＭＤＳ装置４６及び冷却装置４５を有している。加熱装置４４及びＨＭＤＳ装置４６は、Ｚ方向に重ねられた状態で配置されている。Ｚ方向視で加熱装置４４及びＨＭＤＳ装置４６に重なる位置にコンベア機構ＣＶ３が設けられており、Ｚ方向視で冷却装置４５に重なる位置にコンベア機構ＣＶ４が設けられている。加熱装置４４及びＨＭＤＳ装置４６と、冷却装置４５との間には、基板Ｇを搬送する搬送機構ＴＲ１が設けられている。搬送機構ＴＲ１については、例えばローダ・アンローダＬＵに設けられた搬送機構１１と同一の構成とすることができる。
【００４４】
加熱装置４４は、例えば基板Ｇを収容可能なチャンバ内にヒータを有する構成になっている。加熱装置４４は、Ｚ方向に例えば複数段配置されている。加熱装置４４は、基板Ｇを所定の温度で加熱する。ＨＭＤＳ装置４６は、ＨＭＤＳガスを基板Ｇに作用させて疎水化処理を施し、塗布ユニットＣＴにおいて基板Ｇに塗布するレジスト膜と基板Ｇとの密着性を向上させる装置である。冷却装置４５は、例えば基板Ｇを収容可能なチャンバ内に温調機構を有し、基板Ｇを所定の温度に冷却する。
【００４５】
塗布ユニットＣＴは、脱水ベークユニットＤＨの下流に接続されており、基板Ｇ上の所定の領域にレジスト膜を形成する。塗布ユニットＣＴは、塗布装置４７、減圧乾燥装置４８、周縁部除去装置４９を有している。塗布装置４７は、基板Ｇ上にレジスト膜を塗布する装置である。塗布装置４７としては、例えば回転式塗布装置、ノンスピン式塗布装置、スリットノズル塗布装置などが用いられる。これら各種の塗布装置を交換可能な構成であっても構わない。減圧乾燥装置４８は、レジスト膜を塗布した後の基板Ｇの表面を乾燥させる。周縁部除去装置４９は、基板Ｇの周縁部に塗布されたレジスト膜を除去し、レジスト膜の形状を整える装置である。
【００４６】
プリベークユニットＰＲは、塗布ユニットＣＴの下流に接続されており、基板Ｇにプリベーク処理を行うユニットである。プリベークユニットＰＲは、加熱装置５０及び冷却装置５１を有している。加熱装置５０に重なる位置にコンベア機構ＣＶ５が設けられている。冷却装置５１に重なる位置にコンベア機構ＣＶ６が設けられている。加熱装置５０と冷却装置５１とは、搬送機構ＴＲ２を挟むようにＹ方向に沿って配置されている。
【００４７】
現像ユニットＤＶは、プリベークユニットＰＲの冷却装置５１の−Ｘ側に接続されており、露光後の基板Ｇの現像処理を行う。現像ユニットＤＶは、現像装置５５、リンス装置５６及びエアナイフ装置５７を有している。現像装置５５は、基板Ｇに現像液を供給して現像処理を行う。リンス装置５６は、現像後の基板Ｇにリンス液を供給し、基板Ｇを洗浄する。エアナイフ装置５７は、基板Ｇ上にエアナイフを形成し、基板Ｇ上を乾燥させる。現像装置５５の＋Ｘ側にはコンベア機構ＣＶ９が設けられており、エアナイフ装置５７の−Ｘ側には搬送機構ＴＲ４が設けられている。
【００４８】
光処理ユニットＬＰは、搬送機構ＴＲ４の＋Ｙ側（基板Ｇの搬送ラインの側方）に接続されている。光処理ユニットＬＰは、現像後の基板Ｇに例えば所定の波長の光を照射する。搬送機構ＴＲ４は、エアナイフ装置５７からの基板Ｇを光処理ユニットＬＰに搬送し、光処理ユニットＬＰからの基板ＧをポストベークユニットＰＢへと搬送する。搬送機構ＴＲ４は、基板Ｇを保持しつつＺ方向に昇降可能なロボットアームを有している。
【００４９】
ポストベークユニットＰＢは、搬送機構ＴＲ４の下流側に接続されており、光処理後の基板Ｇをベークする。ポストベークユニットＰＢは、加熱装置５９及び冷却装置６０を有している。加熱装置５９と冷却装置６０との間には搬送機構ＴＲ５が設けられている。搬送機構ＴＲ５は、加熱装置５９から冷却装置６０へ基板Ｇを搬送する。加熱装置５９は、現像後の基板Ｇにポストベークを行う。冷却装置６０は、ポストベーク後の基板Ｇを冷却する。
【００５０】
インターフェース部ＩＦは、露光装置ＥＸに接続される部分である。インターフェース部ＩＦは、バッファ装置５２、搬送機構ＴＲ３、コンベア機構ＣＶ７、ＣＶ８及び周辺露光装置ＥＥを有している。バッファ装置５２は、プリベークユニットＰＲの搬送機構ＴＲ２の＋Ｘ側に配置されている。バッファ装置５２の＋Ｘ側には、搬送機構ＴＲ３が設けられている。
【００５１】
バッファ装置５２は、基板Ｇを一時的に待機させておく装置である。バッファ装置５２には、基板Ｇを収容する不図示のチャンバや、当該チャンバ内の温度を調整する温調装置、チャンバ内に収容された基板ＧのθＺ方向の位置を調整する回転制御装置などが設けられている。バッファ装置５２のチャンバ内では、基板Ｇの温度を所定の温度に保持できるようになっている。コンベア機構ＣＶ７、ＣＶ８は、プリベークユニットＰＲの冷却装置５１をＸ方向に挟むように配置されている。
【００５２】
（光照射装置）
図２は、光処理ユニットＬＰを＋Ｙ方向に見たときの構成を示す図である。
図２に示すように、光処理ユニットＬＰは、チャンバ８０、光照射部８１、第一ステージ８２、第一搬送部８３、第二ステージ８４及び第二搬送部８５を有している。チャンバ８０は、直方体の箱状に形成されている。チャンバ８０は、現像ユニットＤＶの上面（＋Ｚ側の面）に配置されている。
【００５３】
チャンバ８０の−Ｘ側の面（所定面）８０ｆには、基板搬入出口８０ａが設けられている。基板搬入出口８０ａは、チャンバ８０に対して基板Ｇの搬入及び搬出を行う。また、チャンバ８０の面８０ｆには、現像ユニットＤＶに接続するための接続部８０ｃが設けられている。接続部８０ｃは、チャンバ８０を現像ユニットＤＶ側に物理的に接続すると共に、チャンバ８０の電気的な配線等を接続させることで、チャンバ８０と現像ユニットＤＶとを電気的にも接続している。
【００５４】
光照射部８１は、チャンバ８０の＋Ｚ側の面に取り付けられている。光照射部８１は、３００ｎｍ以上の波長の光を射出する光射出部８１ａを有している。光射出部８１ａは、−Ｘ方向に平行に光Ｌを射出する光源を有している。このような光源としては、例えばメタルハライドランプなどが挙げられる。光射出部８１ａは、光源から射出される光のうち波長が３００ｎｍよりも低い成分をカットするフィルタ８１ｂが設けられている。光射出部８１ａは、このフィルタを介して光を射出するため、光射出部８１ａから射出される光Ｌの波長は３００ｎｍ以上となる。このように光Ｌの波長を３００ｎｍ以上とすることにより、光Ｌの照射によって基板Ｇの温度が上がり過ぎるのを防ぐことができる。光照射部８１は、＋Ｚ側の端部がチャンバ８０の外部に突出するように配置されている。
【００５５】
第一ステージ８２は、チャンバ８０の内部に設けられている。第一ステージ８２は、チャンバ８０の内部に搬入される基板Ｇを支持する。第一ステージ８２は、基板搬入出口８０ａの＋Ｘ側に配置されており、基板搬入出口８０ａから搬入される基板Ｇを支持可能である。第一ステージ８２は、基板ＧをＸ方向に搬送する不図示の搬送機構を有している。また、第一ステージ８２は、Ｚ方向に昇降可能である。第一ステージ８２は、第一搬送部８３に等しい高さ位置（Ｚ方向上の位置）と、第二搬送部８５に等しい高さ位置との間を移動可能である。第一ステージ８２は、第二搬送部８５に等しい高さ位置においては、第二搬送部８５からの基板Ｇを支持可能である。また、第一ステージ８２は、基板Ｇを支持した状態で昇降可能である。
【００５６】
第一搬送部８３は、第一ステージ８２から搬送される基板Ｇを搬送する。第一搬送部８３は、搬送機構８３ａ及び加熱機構８３ｂを有している。搬送機構８３ａは、基板Ｇの姿勢を水平面（ＸＹ平面）に平行に保持したまま＋Ｘ方向に搬送する。搬送機構８３ａの動作を停止させた状態では、基板Ｇの姿勢を保持したまま基板Ｇを支持することができるようになっている。加熱機構８３ｂは、後に光Ｌの照射を受けることになる基板Ｇの温度が適温となるように基板Ｇの温度を調整する。例えば、加熱機構８３ｂは、基板Ｇの温度を１００℃程度に維持する。
【００５７】
第二ステージ８４は、チャンバ８０の内部であって＋Ｘ側の端部に設けられている。第二ステージ８４は、第一搬送部８３から搬送される基板Ｇを支持する。第二ステージ８４は、基板ＧをＸ方向に搬送する不図示の搬送機構を有している。また、第二ステージ８４は、Ｚ方向に昇降可能である。第二ステージ８４は、第一搬送部８３に等しい高さ位置（Ｚ方向上の位置）と、第二搬送部８５に等しい高さ位置との間を移動可能である。また、第二ステージ８４は、基板Ｇを支持した状態で昇降可能である。第二ステージ８４は、第二搬送部８５に等しい高さ位置に配置される場合、第二搬送部８５へ基板Ｇを送り出すことが可能である。
【００５８】
第二搬送部８５は、第二ステージ８４から搬送される基板Ｇを搬送する。第二搬送部８５は、第一搬送部８３の＋Ｚ側に配置されている。第二搬送部８５は、光照射部８１に対向して配置されている。第二搬送部８５は、搬送機構８５ａ及び加熱機構８５ｂを有している。搬送機構８５ａは、基板Ｇの姿勢を水平面（ＸＹ平面）に平行に保持したまま−Ｘ方向に搬送する。搬送機構８５ａの動作を停止させた状態では、基板Ｇの姿勢を保持したまま基板Ｇを支持することができるようになっている。加熱機構８５ｂは、Ｚ方向において光照射部８１との間で基板Ｇを挟む位置に配置されている。加熱機構８５ｂは、光照射部８１によって光の照射を受ける基板Ｇを−Ｚ側から加熱する。加熱機構８５ｂは、搬送機構８５ａによって支持された基板Ｇを加熱する。搬送機構８５ａは、第二搬送部８５の−Ｘ側に第一ステージ８２が配置されている場合には、基板Ｇを第一ステージ８２へ搬送可能である。
【００５９】
基板搬入出口８０ａから搬入された基板Ｇは、第一ステージ８２及び第一搬送部８３を経て第二ステージ８４へと＋Ｘ方向に搬送される。このように、チャンバ８０内には、基板Ｇを一方向（＋Ｘ方向）に搬送する第一基板搬送経路Ｒ１が形成されている。第二ステージ８４に支持された基板Ｇは、当該第二ステージ８４及び第二搬送部８５を経て第一ステージ８２へと−Ｘ方向に搬送される。このように、チャンバ８０内には、基板Ｇを一方向（−Ｘ方向）に搬送する第二基板搬送経路Ｒ２が形成されている。第二基板搬送経路Ｒ２は、第一基板搬送経路Ｒ１に対して＋Ｚ方向に並んで配置されている。
【００６０】
本実施形態において、光照射部８１は、光を照射される基板Ｇの搬送経路（第二基板搬送経路Ｒ２）に沿って移動可能とすることもできる。すなわち、光照射部８１は、図２におけるＸ軸に平行な方向Ｄ１及び方向Ｄ２に移動可能とすることができる。例えば、チャンバ８０に、光照射部８１を水平移動させる水平移動機構を設けることができる。このような構成とすることで、光照射部８１を方向Ｄ１又は方向Ｄ２に移動させながら基板Ｇに対して光を照射することができる。これにより、第二搬送部８５上で−Ｘ方向に搬送されている基板Ｇと光照射部８１との相対速度を自在に変更することができる。その結果、基板Ｇに対する光照射量やタクトタイムを自在に設定することができる。
【００６１】
具体的には、光照射部８１を基板Ｇと同方向（方向Ｄ１）に移動させながら光照射を行うことで、基板Ｇに対する光照射部８１の相対速度が低下するので、光射出部８１ａの出力を上昇させなくとも基板Ｇに対する光照射量を増大させることができる。このことは、別の観点では、搬送速度を上昇させても基板Ｇに対する光照射量を同等に維持することができることになるため、装置内での基板Ｇの搬送速度を上昇させてスループットを向上させることもできる。
【００６２】
一方、光照射部８１を基板Ｇと反対方向（方向Ｄ２）に移動させながら光照射を行うと、基板Ｇと光照射部８１との相対速度が上昇するため、基板Ｇへの光照射に要する時間（タクトタイム）が短くなる。これにより、光照射工程がボトルネックである場合にはスループットの向上を図ることができる。また、光照射部８１の移動速度を変更することで、基板Ｇの搬送速度や光射出部８１ａの出力を変更することなく、基板Ｇに対する光照射量の調整が可能である。光照射部８１を方向Ｄ２に移動させる場合には、基板Ｇに対する光照射量を低減する方向の調整が容易になる。
【００６３】
なお、光照射部８１の移動方向と、第二搬送部８５における基板搬送方向とは、概ね平行であればよい。具体的には、光照射部８１の移動方向と、第二搬送部８５における基板搬送方向との成す角度が３０度以下であればよい。
【００６４】
（基板処理装置の製造方法）
上記基板処理装置ＳＰＡは、チャンバ８０を含む光処理ユニットＬＰを搬送機構ＴＲ４の側部に接続させることにより、容易に製造することができる。この場合、チャンバ８０の接続部８０ｃを搬送機構ＴＲ４側に接続することで、光処理ユニットＬＰと搬送機構ＴＲ４側との間を物理的に、かつ、電気的に接続することが可能となる。
【００６５】
（基板処理方法、紫外線照射方法）
以上のように構成された基板処理装置ＳＰＡを用いる基板処理方法を説明する。
まず、基板Ｇが収容されたカセットＣをローダ・アンローダＬＵのカセット待機部１０にロードする。カセットＣ内の基板Ｇは、搬送機構１１を介してスクラバユニットＳＲへ搬送される。
【００６６】
スクラバユニットＳＲに搬送された基板Ｇは、コンベア機構ＣＶ１を介してドライ洗浄装置４１へ搬送される。この基板Ｇは、ドライ洗浄装置４１、ウェット洗浄装置４２及びエアナイフ装置４３と順に処理される。エアナイフ装置４３から搬出された基板Ｇは、コンベア機構ＣＶ２を介して脱水ベークユニットＤＨへと搬送される。
【００６７】
脱水ベークユニットＤＨでは、まず加熱装置４４によって基板Ｇの加熱処理が行われる。加熱後の基板Ｇは、例えばＺ方向に搬送され、ＨＭＤＳ装置４６においてＨＭＤＳガスによる処理が行われる。ＨＭＤＳ処理後の基板Ｇは、搬送機構ＴＲ１によって冷却装置４５に搬送され、冷却処理が行われる。冷却処理後の基板Ｇは、コンベア機構ＣＶ４によって塗布ユニットＣＴに搬送される。
【００６８】
その後、基板Ｇは塗布ユニットＣＴにおいてレジスト膜の塗布処理が行われる。塗布処理後の基板ＧはプリベークユニットＰＲに搬送され、加熱装置５０においてプリベーク処理が行われ、冷却装置５１において冷却処理が行われる。プリベークユニットＰＲでの処理を完了させた基板Ｇは、搬送機構ＴＲ２によってインターフェース部ＩＦに搬送される。
【００６９】
インターフェース部ＩＦでは、例えばバッファ装置５２において温度調整が行われた後、周辺露光装置ＥＥにおいて周辺露光が行われる。周辺露光の後、基板Ｇは、搬送機構ＴＲ３によって露光装置ＥＸに搬送され、露光処理が行われる。露光処理後の基板Ｇは、加熱処理及び冷却処理が行われた後、現像ユニットＤＶに搬送される。
【００７０】
現像ユニットＤＶにおいて、基板Ｇには現像処理、リンス処理及び乾燥処理が順に行われる。乾燥処理の後、搬送機構ＴＲ４のロボットアームによって基板Ｇは光処理ユニットＬＰへと搬送される。以下、光処理ユニットＬＰにおいて、基板Ｇが複数搬入される場合、複数の基板を搬入された順にＧ１、Ｇ２、Ｇ３、…と表記する。
【００７１】
制御部ＣＯＮＴは、基板Ｇを保持するロボットアームを＋Ｚ方向に移動させ、図３（ａ）に示すように、基板Ｇ１を基板搬入出口８０ａからチャンバ８０の内部に搬入させる。
光処理ユニットＬＰでは、第一ステージ８２を第一搬送部８３に等しい高さ位置に配置させておく。これにより、チャンバ８０に搬入された基板Ｇ１が第一ステージ８２に載置される。
【００７２】
次に、制御部ＣＯＮＴは、図３（ｂ）に示すように、第一ステージ８２に載置された基板Ｇ１を＋Ｘ方向に搬送させ、第一搬送部８３へと移動させる。制御部ＣＯＮＴは、第一搬送部８３のＸ方向のほぼ中央部に基板Ｇ１を搬送させた後、搬送機構８３ａを一時停止させ、加熱機構８３ｂを作動させる。この動作により、搬送機構８３ａに支持された基板Ｇ１は、加熱機構８３ｂによって所望の温度に調整される。
【００７３】
基板Ｇ１を一定時間、予備的に加熱させた後、制御部ＣＯＮＴは、図３（ｃ）に示すように、搬送機構８３ａによって基板Ｇ１を＋Ｘ方向に搬送させる。基板Ｇ１は、第一搬送部８３から第二ステージ８４へ受け渡される。また、制御部ＣＯＮＴは、現像ユニットＤＶから搬送される他の基板Ｇ２をチャンバ８０に搬入させる。制御部ＣＯＮＴは、搬送機構ＴＲ４のロボットアームを基板搬入出口８０ａまで移動させ、基板Ｇ２を基板搬入出口８０ａからチャンバ８０の内部に搬入させる。チャンバ８０の内部に搬入された基板Ｇ２は、第一ステージ８２に載置される。
【００７４】
次に、制御部ＣＯＮＴは、図４（ａ）に示すように、基板Ｇ１を支持した状態の第二ステージ８４を＋Ｚ側へ移動させ、第二搬送部８５の高さ位置に合わせる。また、制御部ＣＯＮＴは、第一ステージ８２に載置された基板Ｇ２を＋Ｘ方向に搬送させ、第一搬送部８３へと移動させる。制御部ＣＯＮＴは、第一搬送部８３のＸ方向のほぼ中央部に基板Ｇ２を搬送させた後、搬送機構８３ａを一時停止させ、加熱機構８３ｂを作動させる。この動作により、搬送機構８３ａに支持された基板Ｇ２は、加熱機構８３ｂによって所望の温度に調整される。
【００７５】
次に、制御部ＣＯＮＴは、図４（ｂ）に示すように、第一ステージ８２を＋Ｚ方向に移動させ、第二搬送部８５の高さ位置に合わせておく。また、制御部ＣＯＮＴは、第二ステージ８４に載置された基板Ｇ１を−Ｘ方向に搬送させ、第二搬送部８５へと移動させる。制御部ＣＯＮＴは、第二搬送部８５に搬送された基板Ｇ１に対して、光照射部８１による光Ｌの照射を行わせる。制御部ＣＯＮＴは、搬送機構８５ａを作動させて基板Ｇ１を−Ｘ方向に移動させると共に、加熱機構８５ｂを作動させ、基板Ｇ１の温度を１００℃程度に維持する。この状態で制御部ＣＯＮＴは、光照射部８１から光Ｌを射出させる。光照射部８１から射出された光Ｌは、基板Ｇ１に照射される。この動作により、搬送機構８５ａによって水平面に移動する基板Ｇ１に対して、３００ｎｍ以上の波長の光Ｌが照射される。光Ｌの照射は、基板Ｇ１の全体が光照射部８１を−Ｘ方向に通り過ぎるまで行われる。第二搬送部８５によって−Ｘ方向に搬送された基板Ｇ１は、図４（ｃ）に示すように、予め配置させておいた第一ステージ８２に載置される。制御部ＣＯＮＴは、第一ステージ８２に基板Ｇ１が載置された後、第一ステージ８２を−Ｚ方向に移動させ、第一搬送部８３に高さ位置を合わせる。
【００７６】
次に、制御部ＣＯＮＴは、図５（ａ）に示すように、第一ステージ８２及び搬送機構ＴＲ４のロボットアームを用いて、第一ステージ８２上の基板Ｇ１を搬出させる。また、制御部ＣＯＮＴは、第一搬送部８３で予備的な加熱を行っていた基板Ｇ２を＋Ｘ方向に移動させ、第二ステージ８４に載置させる。
【００７７】
次に、制御部ＣＯＮＴは、図５（ｂ）に示すように、基板Ｇ２を支持した状態の第二ステージ８４を＋Ｚ側へ移動させ、第二搬送部８５の高さ位置に合わせる。また、制御部ＣＯＮＴは、第一ステージ８２に載置された基板Ｇ３を＋Ｘ方向に搬送させ、第一搬送部８３へと移動させる。制御部ＣＯＮＴは、第一搬送部８３のＸ方向のほぼ中央部に基板Ｇ３を搬送させた後、搬送機構８３ａを一時停止させ、基板Ｇ３を予備的に加熱する。
【００７８】
以降、制御部ＣＯＮＴは、上記同様に基板Ｇ２、基板Ｇ３に対して順に光Ｌの照射を行い、基板搬入出口８０ａを介してチャンバ８０から搬出させる。また、基板搬入出口８０ａを介して新たな基板をチャンバ８０に搬入させ、光Ｌの照射を行わせる。チャンバ８０から搬出された基板Ｇ１〜Ｇ３は、搬送機構ＴＲ４を介してポストベークユニットＰＢに搬送される。以上の動作を繰り返し行わせることにより、現像ユニットＤＶを経た基板Ｇに対して光照射処理（キュア処理）を行うことができる。
【００７９】
次に、基板Ｇは加熱装置５９においてポストベーク処理が行われ、冷却装置６０において冷却される。冷却処理後、基板Ｇは搬送機構１１を介してカセットＣに収容される。このようにして、基板Ｇに対して塗布処理、露光処理及び現像処理の一連の処理が行われることとなる。
【００８０】
以上のように、本実施形態によれば、基板Ｇの搬入及び搬出が可能な基板搬入出口８０ａが所定面８０ｆに設けられ、この基板搬入出口８０ａを通過してチャンバ８０の内部に搬入される基板Ｇが基板搬入出口８０ａを通過してチャンバ８０の外部へ搬出されるようにチャンバ８０の内部で基板Ｇが移動するため、基板Ｇの搬入及び搬出がチャンバ８０の同一面側（所定面側）で行われることになる。これにより、既存の装置との間の基板Ｇの受け渡しに必要なスペースを節約することが可能となるため、フットプリントの小さい光照射部８１を提供することができる。
【００８１】
なお、図４（ｂ）に示す光照射工程において、制御部ＣＯＮＴは、光照射部８１を方向Ｄ１又は方向Ｄ２に移動させながら、基板Ｇ１に対して光を照射させることもできる。例えば、光照射部８１を方向Ｄ１に移動させながら基板Ｇ１に対して光照射を行う場合、制御部ＣＯＮＴは、光照射部８１を所定の移動開始位置に配置した状態で、第二ステージ８４から第二搬送部８５へ基板Ｇ１を搬入し、基板Ｇ１の先端が上記移動開始位置に達したときに、光照射部８１を方向Ｄ１の移動を開始するとともに基板Ｇ１への光照射を開始する。制御部ＣＯＮＴは光照射部８１を基板Ｇ１よりも遅い速度で移動させながら光を照射させる。制御部ＣＯＮＴは、基板Ｇ１に遅れて移動する光照射部８１が基板Ｇ１の後端に達する位置で、光照射部８１の移動を停止させる。その後、制御部ＣＯＮＴは、光照射部８１を方向Ｄ２に移動させ、上記移動開始位置に戻す。
【００８２】
［第二実施形態］
次に、本発明の第二実施形態を説明する。
図６は、本実施形態に係る光処理ユニットＬＰ２の構成を示す図である。
図６に示すように、光処理ユニットＬＰ２は、チャンバ２８０、光照射部２８１、基板受部２８２、基板加熱部２８３、第一ステージ２８４、第一搬送部２８５、第二ステージ２８６、第二搬送部２８７及び第三ステージ２８８を有している。チャンバ２８０は、直方体の箱状に形成されている。チャンバ２８０は、現像ユニットＤＶの上面（＋Ｚ側の面）に配置されている。
【００８３】
チャンバ２８０は、直方体の箱状に形成されており、Ｘ方向に長手に形成されている。チャンバ２８０の−Ｘ側には、基板搬入出口２８０ａ及び基板搬入出口２８０ｂが設けられている。本実施形態において、基板Ｇの搬入及び搬出は、この基板搬入出口２８０ａ及び基板搬入出口２８０ｂにおいて行われるようになっている。
【００８４】
光照射部２８１は、チャンバ２８０の＋Ｚ側の面に取り付けられている。光照射部２８１は、３００ｎｍ以上の波長の光を射出する光射出部２８１ａを有している。光射出部２８１ａは、−Ｘ方向に平行に光Ｌを射出する光源を有している。光射出部２８１ａには、光源から射出される光のうち波長が３００ｎｍよりも低い成分をカットするフィルタ２８１ｂを有する。光照射部２８１は、＋Ｚ側の端部がチャンバ２８０の外部に突出するように配置されている。光照射部２８１は、光を照射される基板Ｇの搬送経路（第一基板搬送経路Ｒ３）に沿って移動可能とすることもできる。すなわち、光照射部２８１は、図６におけるＸ軸に平行な方向Ｄ１及び方向Ｄ２に移動可能とすることができる。例えば、チャンバ２８０に、光照射部２８１を水平移動させる水平移動機構を設けることができる。
【００８５】
なお、光照射部２８１の移動方向と、第一搬送部２８５における基板搬送方向とは、概ね平行であればよい。具体的には、光照射部２８１の移動方向と、第一搬送部２８５における基板搬送方向との成す角度が３０度以下であればよい。
【００８６】
基板受部２８２は、基板ＧのＸ方向両側の端辺を保持する。これにより、基板Ｇが基板加熱部２８３によって加熱された状態で、−Ｚ方向に移動（落下）することなく支持されることになる。基板加熱部２８３は、矩形の板状に形成されており、内部には電熱線などの加熱機構が設けられている。基板加熱部２８３は、チャンバ２８０に収容される基板Ｇの温度を調整する。
【００８７】
第一ステージ２８４は、基板受部２８２を介した基板Ｇを載置する。第一ステージ２８４は、加熱機構２８４ａを有している。これにより、第一ステージ２８４においても、基板Ｇに対する予備的な加熱が可能である。第一ステージ２８４は、基板Ｇを＋Ｘ方向に搬送する不図示の搬送機構を有している。
【００８８】
第一搬送部２８５は、第一ステージ２８４から搬送される基板Ｇを搬送する。第一搬送部２８５は、光照射部２８１に対向して配置されている。第一搬送部２８５は、搬送機構２８５ａ及び加熱機構２８５ｂを有している。搬送機構２８５ａは、基板Ｇの姿勢を水平面（ＸＹ平面）に平行に保持したまま−Ｘ方向に搬送する。加熱機構２８５ｂは、Ｚ方向において光照射部２８１との間で基板Ｇを挟む位置に配置されている。加熱機構２８５ｂは、光照射部２８１によって光の照射を受ける基板Ｇを−Ｚ側から加熱する。
【００８９】
第二ステージ２８６は、第一搬送部２８５から搬送される基板Ｇを支持する。第二ステージ２８６は、基板ＧをＸ方向に搬送する不図示の搬送機構を有している。また、第二ステージ２８６は、Ｚ方向に昇降可能である。第二ステージ２８６は、第一搬送部２８５に等しい高さ位置（Ｚ方向上の位置）と、第二搬送部２８７に等しい高さ位置との間を移動可能である。また、第二ステージ２８６は、基板Ｇを支持した状態で昇降可能である。
【００９０】
第二搬送部２８７は、第二ステージ２８６から搬送される基板Ｇを搬送する。第二搬送部２８７は、第一搬送部２８５の−Ｚ側に配置されている。第二搬送部２８７は、搬送機構２８７ａを有している。搬送機構２８７ａは、基板Ｇの姿勢を水平面（ＸＹ平面）に平行に保持したまま−Ｘ方向に搬送する。
【００９１】
第三ステージ２８８は、第二搬送部２８７から搬送される基板Ｇを支持する。第三ステージ２８８は、基板Ｇを−Ｘ方向に搬送する不図示の搬送機構を有している。
【００９２】
基板搬入出口２８０ａから搬入された基板Ｇは、第一ステージ２８４及び第一搬送部２８５を経て第二ステージ２８６へと＋Ｘ方向に搬送される。このように、チャンバ２８０内には、基板Ｇを一方向（＋Ｘ方向）に搬送する第一基板搬送経路Ｒ３が形成されている。第二ステージ２８６に支持された基板Ｇは、当該第二ステージ２８６及び第二搬送部２８７を経て第三ステージ２８８へと−Ｘ方向に搬送される。このように、チャンバ２８０内には、基板Ｇを一方向（−Ｘ方向）に搬送する第二基板搬送経路Ｒ４が形成されている。第二基板搬送経路Ｒ４は、第一基板搬送経路Ｒ３に対して−Ｚ方向に並んで配置されている。また、本実施形態では、基板搬入出口２８０ａ、２８０ｂが基板搬送経路Ｒ３、Ｒ４ごとに設けられている。
【００９３】
次に、上記のように構成された光処理ユニットＬＰ２の動作を説明する。
制御部ＣＯＮＴは、基板Ｇ１を保持するロボットアームを＋Ｚ方向に移動させ、図７（ａ）に示すように、基板Ｇ１を＋Ｚ側の基板搬入出口２８０ａからチャンバ２８０の内部に搬入させる。光処理ユニットＬＰ２では、チャンバ２８０に搬入された基板Ｇ１が基板受部２８２によって支持される。これにより、基板Ｇ１は基板加熱部２８３によって所望の温度に調整される。
【００９４】
次に、図７（ｂ）に示すように、制御部ＣＯＮＴは、基板受部２８２による支持を解除し、基板Ｇ１を第一ステージ２８４上に載置させる。また、制御部ＣＯＮＴは、第一ステージ２８４の加熱機構２８４ａを作動させる。これにより、基板Ｇ１は、第一ステージ２８４上で加熱されることになる。
【００９５】
次に、図７（ｃ）に示すように、制御部ＣＯＮＴは、第一ステージ２８４に載置された基板Ｇ１を＋Ｘ方向に搬送させ、第一搬送部２８５へと移動させる。制御部ＣＯＮＴは、第一搬送部２８５に搬送された基板Ｇ１に対して、光照射部２８１による光Ｌの照射を行わせる。制御部ＣＯＮＴは、搬送機構２８５ａを作動させて基板Ｇ１を＋Ｘ方向に移動させると共に、加熱機構２８５ｂを作動させ、基板Ｇ１の温度を１００℃程度に維持する。
【００９６】
この状態で制御部ＣＯＮＴは、光照射部２８１から光Ｌを射出させる。光照射部２８１から射出された光Ｌは、基板Ｇ１に照射される。この動作により、搬送機構２８５ａによって水平面に移動する基板Ｇ１に対して、３００ｎｍ以上の波長の光Ｌが照射される。光Ｌの照射は、基板Ｇ１の全体が光照射部２８１を＋Ｘ方向に通り過ぎるまで行われる。第二搬送部２８７によって＋Ｘ方向に搬送された基板Ｇ１は、図８（ａ）に示すように、第二ステージ２８６に載置される。
【００９７】
また、制御部ＣＯＮＴは、現像ユニットＤＶから搬送される他の基板Ｇ２をチャンバ２８０に搬入させる。制御部ＣＯＮＴは、搬送機構ＴＲ４のロボットアームを基板搬入出口２８０ａまで移動させ、新たな基板Ｇ２を基板搬入出口２８０ａからチャンバ２８０の内部に搬入させる。チャンバ２８０の内部に搬入された基板Ｇ２は、基板受部２８２によって支持される。
【００９８】
次に、図８（ｂ）に示すように、制御部ＣＯＮＴは、第二ステージ２８６に基板Ｇ１が載置された後、第二ステージ２８６を−Ｚ方向に移動させ、第二搬送部２８７に高さ位置を合わせる。また、制御部ＣＯＮＴは、基板受部２８２による支持を解除し、基板Ｇ２を第一ステージ２８４上に載置させる。また、制御部ＣＯＮＴは、第一ステージ２８４の加熱機構２８４ａを作動させる。これにより、基板Ｇ２は、第一ステージ２８４上で加熱される。
【００９９】
次に、図８（ｃ）に示すように、制御部ＣＯＮＴは、第二ステージ２８６から第二搬送部２８７へと基板Ｇ１を−Ｘ方向に搬送させる。また、制御部ＣＯＮＴは、第一ステージ２８４に載置された基板Ｇ２を＋Ｘ方向に搬送させ、第一搬送部２８５へと移動させる。制御部ＣＯＮＴは、第一搬送部２８５に搬送された基板Ｇ２に対して、光照射部２８１による光Ｌの照射を行わせる。制御部ＣＯＮＴは、基板Ｇ１の場合と同様に、搬送機構２８５ａを作動させて基板Ｇ２を＋Ｘ方向に移動させると共に、加熱機構２８５ｂを作動させ、基板Ｇ２の温度を１００℃程度に維持する。第二搬送部２８７によって＋Ｘ方向に搬送された基板Ｇ２は、図９に示すように、第二ステージ２８６に載置される。
【０１００】
この状態で制御部ＣＯＮＴは、光照射部２８１から光Ｌを射出させる。光照射部２８１から射出された光Ｌは、基板Ｇ２に照射される。この動作により、搬送機構２８５ａによって水平面に移動する基板Ｇ２に対して、３００ｎｍ以上の波長の光Ｌが照射される。光Ｌの照射は、基板Ｇ２の全体が光照射部２８１を＋Ｘ方向に通り過ぎるまで行われる。
【０１０１】
次に、図９に示すように、制御部ＣＯＮＴは、第二搬送部２８７から第三ステージ２８８へと−Ｘ方向に基板Ｇ１を搬送させると共に、搬送機構ＴＲ４のロボットアームを用いて、第三ステージ２８８に載置された基板Ｇ１を基板搬入出口２８０ｂからチャンバ２８０の外部へ搬出させる。また、制御部ＣＯＮＴは、搬送機構ＴＲ４のロボットアームを基板搬入出口２８０ａまで移動させ、新たな基板Ｇ３を基板搬入出口２８０ａからチャンバ２８０の内部に搬入させる。チャンバ２８０の内部に搬入された基板Ｇ３は、基板受部２８２によって支持される。以上の動作を繰り返し行わせることにより、現像ユニットＤＶを経た基板Ｇに対して光照射処理（キュア処理）を行うことができる。
【０１０２】
このように、本実施形態によれば、チャンバ２８０の所定面２８０ｆに基板搬入出口２８０ａ及び基板搬入出口２８０ｂが設けられるため、基板搬入出口２８０ａから基板Ｇを搬入し、基板搬入出口２８０ｂから基板Ｇを搬出させることができる。このように、基板搬入出口２８０ａ、２８０ｂが基板搬送経路Ｒ３、Ｒ４ごとに設けられるため、チャンバ２８０内の基板Ｇの流れをスムーズにすることができる。
【０１０３】
なお、図７（ｃ）及び図８（ｃ）に示す光照射工程において、制御部ＣＯＮＴは、光照射部２８１を方向Ｄ１又は方向Ｄ２に移動させながら、基板Ｇ１又は基板Ｇ２に対して光を照射させることもできる。光照射部２８１の移動動作は、第一実施形態と同様であるが、本実施形態では、第一搬送部２８５における基板Ｇ１及び基板Ｇ２の移動方向は＋Ｘ方向であるため、光照射部２８１を基板Ｇ１又は基板Ｇ２と同方向に移動させる場合には、光照射部２８１を方向Ｄ２に移動させる。
【０１０４】
［第三実施形態］
次に、本発明の第二実施形態を説明する。
図１０（ａ）は、本実施形態に係る光処理ユニットＬＰ３を＋Ｙ方向に見たときの構成を示す図である。図１０（ｂ）は、光処理ユニットＬＰ３を＋Ｚ方向に見たときの構成を示す図である。
【０１０５】
図１０（ａ）に示すように、光処理ユニットＬＰ２は、チャンバ３８０、光照射部３８１、基板支持部材（基板保持部）３８２、トレイ支持部材３８３、第一ステージ３８４、第二ステージ３８５、第三ステージ３８６、気体供給部３８７及び排気部３８８を有している。
【０１０６】
チャンバ３８０は、直方体の箱状に形成されており、Ｘ方向に長手に形成されている。チャンバ３８０の−Ｘ側には、基板搬入口３８０ａ及び基板搬出口３８０ｂが設けられている。本実施形態において、基板Ｇの搬入は、基板搬入口３８０ａにおいて行われ、基板Ｇの搬出は基板搬出口３８０ｂにおいて行われる。
【０１０７】
光照射部３８１は、チャンバ３８０の＋Ｚ側の面に取り付けられており、３００ｎｍ以上の波長の光を射出する光射出部３８１ａを有している。光射出部３８１ａは、−Ｘ方向に平行に光を射出するものであり、光源から射出される光のうち波長が３００ｎｍよりも低い成分をカットするフィルタ３８１ｂを有している。光射出部３８１ａは、このフィルタを介して光を射出するため、光射出部３８１ａから射出される光Ｌの波長は３００ｎｍ以上となる。このように光Ｌの波長を３００ｎｍ以上とすることにより、光Ｌの照射によって基板Ｇの温度が上がり過ぎるのを防ぐことができる。
【０１０８】
光照射部３８１は、光を照射される基板Ｇの搬送経路に沿って移動可能とすることもできる。すなわち、光照射部３８１は、図１０（ａ）におけるＸ軸に平行な方向Ｄ１及び方向Ｄ２に移動可能とすることができる。例えば、チャンバ３８０に、光照射部３８１を水平移動させる水平移動機構を設けることができる。基板Ｇが光を照射されるときの搬送経路は、第二ステージ３８５から第三ステージ３８６へ基板Ｇが受け渡される経路である。
なお、光照射部３８１の移動方向と、基板Ｇの搬送方向とは、概ね平行であればよい。具体的には、光照射部３８１の移動方向と、基板Ｇの搬送方向との成す角度が３０度以下であればよい。
【０１０９】
基板支持部材３８２は、基板搬入口３８０ａから搬入される基板Ｇを受けるために当該基板Ｇを保持すると共に、基板搬出口３８０ｂから搬出される基板Ｇを渡すために当該基板Ｇを保持する。基板支持部材３８２は、複数（例えば６本）の支持ピン３８２ａを有している。支持ピン３８２ａは、Ｚ方向に延びており、基板Ｇの−Ｚ側の基板面を支持する。基板支持部材３８２は、不図示の駆動装置によってＺ方向に移動可能（昇降可能）に設けられている。または、支持ピン３８２ａが不図示の駆動装置によってＺ方向に伸縮可能に設けられている。上記構成では、支持ピン３８２ａが基板Ｇを支持した状態で基板支持部材３８２がＺ方向に移動することで、基板ＧがＺ方向に搬送される。または、支持ピン３８２ａが基板Ｇを支持した状態でＺ方向に伸縮することで、基板ＧがＺ方向に搬送される。以下の説明では、支持ピン３８２ａがＺ方向に伸縮することで基板ＧをＺ方向に搬送する場合を例に挙げるが、基板支持部材３８２がＺ方向に移動（昇降）することで基板ＧをＺ方向に搬送してもよい。
【０１１０】
図１０（ａ）では、第一ステージ３８４上にトレイＴが配置されている。トレイＴは、チャンバ３８０に搬入された基板Ｇを収容する。トレイＴは、＋Ｚ方向視で矩形に形成されており、収容した基板Ｇを載置する載置面を有している。トレイＴの当該載置面は、ＸＹ平面に平行に形成されている。本実施形態では、チャンバ３８０内において、基板ＧをトレイＴに収容した状態でトレイＴが搬送される。トレイＴは、上記の支持ピン３８２ａを通過させる不図示の貫通孔を有している。なお、当該トレイＴが貫通孔を有する場合、当該貫通孔を開閉可能に塞ぐ蓋部が設けられた構成としてもよい。この構成によれば、支持ピン３８２ａが貫通孔を通過する場合に蓋部が貫通孔を開き、支持ピン３８２ａが貫通孔を通過しない場合には蓋部が貫通孔を閉じることができる。これにより、トレイＴの温度分布を調整することができる。トレイＴは、例えばアルミニウムなど熱伝導性の高い金属を用いて形成されている。
【０１１１】
トレイ支持部材３８３は、第三ステージ３８６から第一ステージ３８４へトレイＴを移動させるためにトレイＴを保持する。トレイ支持部材３８３は、複数（例えば８本）の支持ピン３８３ａを有している。支持ピン３８３ａは、Ｚ方向に延びており、トレイＴの−Ｚ側の面を支持する。支持ピン３８３ａは、不図示の駆動装置によってＺ方向に移動可能（昇降可能）に設けられている。または、支持ピン３８３ａが不図示の駆動装置によってＺ方向に伸縮可能に設けられている。上記構成では、支持ピン３８３ａがトレイＴを支持した状態でトレイ支持部材３８３がＺ方向に移動することで、トレイＴがＺ方向に搬送される。または、支持ピン３８３ａがトレイＴを支持した状態でＺ方向に伸縮することで、トレイＴがＺ方向に搬送される。以下の説明では、支持ピン３８３ａがＺ方向に伸縮することでトレイＴをＺ方向に搬送する場合を例に挙げるが、トレイ支持部材３８３がＺ方向に移動（昇降）することでトレイＴをＺ方向に搬送してもよい。
【０１１２】
第一ステージ３８４は、トレイＴを載置する。第一ステージ３８４は、＋Ｚ方向視で矩形に形成されており、複数のコロ３８４ｒを有している。コロ３８４ｒは、第一ステージ３８４の＋Ｙ側の辺及び−Ｙ側の辺のそれぞれに沿って一列に並んで配置されている。各コロ３８４ｒは、トレイＴをＸ方向に搬送するように、Ｙ方向に沿った中心軸の軸線回りに回転する。第一ステージ３８４は、加熱機構３８９を有している。加熱機構３８９としては、例えばホットプレートなどが用いられる。加熱機構３８９により、第一ステージ３８４上のトレイＴが加熱される。トレイＴが加熱されることにより、トレイＴに支持された基板Ｇが加熱される。
【０１１３】
第二ステージ３８５は、第一ステージ３８４に対して＋Ｘ側に配置されている。本実施形態では、Ｘ方向に並ぶステージは、第一ステージ３８４（または第三ステージ３８６）と、第二ステージ３８５の２つである。したがって、上記実施形態のチャンバに比べて、チャンバ３８０のＸ方向の寸法を小さくすることができる。第二ステージ３８５は、第一ステージ３８４から搬送されるトレイＴを支持する。また、第二ステージ３８５は、トレイＴを支持した状態でＺ方向に昇降可能に設けられている。第二ステージ３８５は、第一ステージ３８４に等しい高さ（Ｚ方向上の位置）である第一位置３８５Ａと、第三ステージ３８６に等しい高さである第二位置３８５Ｂとの間を移動可能である。第二ステージ３８５は、不図示の昇降機構により、トレイＴに保持される基板ＧがＸＹ平面に沿った姿勢となるように調整されつつ昇降する。第二ステージ３８５は、第二位置３８５Ｂに配置された状態では、光照射部３８１に対向することになる。
【０１１４】
第二ステージ３８５は、＋Ｚ方向視において矩形に形成されている。第二ステージ３８５は、トレイＴをＸ方向に搬送する複数のコロ３８５ｒを有している。コロ３８５ｒは、第二ステージ３８５の＋Ｙ側の辺及び−Ｙ側の辺のそれぞれに沿って一列に並んで配置されている。各コロ３８５ｒは、トレイＴをＸ方向に搬送するように、Ｙ方向に沿った中心軸の軸線回りに回転する。これにより、第一位置３８５Ａにおいては、第一ステージ３８４からのトレイＴを所定の待機位置まで＋Ｘ方向に搬送可能となる。また、第二位置３８５Ｂにおいては、トレイＴを第三ステージ３８６側へ−Ｘ方向に搬送可能となる。
【０１１５】
第三ステージ３８６は、第二ステージ３８５から搬送されるトレイＴを支持する。第三ステージ３８６は、Ｘ方向に沿って２列に配置された複数のコロ３８６ｒを有している。＋Ｙ側の列に配置されるコロ３８６ｒは、第一コロ支持部材３８６ａによって支持されている。−Ｙ側の列に配置されるコロ３８６ｒは、第二コロ支持部材３８６ｂによって支持されている。
【０１１６】
第一コロ支持部材３８６ａ及び第二コロ支持部材３８６ｂは、図１０（ｂ）に示すように、Ｚ方向視においてそれぞれチャンバ３８０の外側に移動可能に設けられている。この第一コロ支持部材３８６ａ及び第二コロ支持部材３８６ｂの移動により、コロ３８６ｒが搬送位置Ｐ１及び退避位置Ｐ２のいずれかの位置に切り替わるように配置される。搬送位置Ｐ１は、コロ３８６ｒがトレイＴのＹ方向の寸法よりも小さい間隔となるように配置される位置である。このため、コロ３８６ｒが搬送位置Ｐ１に配置される場合、第三ステージ３８６においてトレイＴはコロ３８６ｒによって支持される。
【０１１７】
一方、退避位置Ｐ２は、コロ３８６ｒがトレイＴのＹ方向の寸法よりも大きい間隔を空けて配置される位置である。このため、コロ３８６ｒが退避位置Ｐ２に配置される場合、第三ステージ３８６においてトレイＴはコロ３８６ｒによって支持されないことになる。コロ３８６ｒが退避位置Ｐ２に配置される場合、トレイ支持部材３８３によってトレイＴを支持した状態で、当該トレイＴを第三ステージ３８６から第一ステージ３８４へと移動可能となる。
【０１１８】
また、図１０（ａ）に示すように、気体供給部３８７は、チャンバ３８０内に窒素ガスなどの不活性ガスや他のガスを供給する。気体供給部３８７は、気体供給源３８７ａと、ダクト３８７ｂと、気体加熱部３８７ｃとを有している。ダクト３８７ｂは、第二位置３８５Ｂに配置される第二ステージ３８５に対向して配置されている。気体加熱部３８７ｃは、ダクト３８７ｂからチャンバ３８０内に噴出される気体を加熱する。気体加熱部３８７ｃが設けられることにより、ダクト３８７ｂからは加熱された気体が噴出されることになる。このため、ダクト３８７ｂに対向する位置にトレイＴ及び基板Ｇが配置されている場合、基板Ｇを加熱することが可能となる。
【０１１９】
排気部３８８は、チャンバ３８０内の気体をチャンバ３８０の外部に排出する。気体供給部３８７によってチャンバ３８０内に気体を供給しつつ、排気部３８８からチャンバ３８０内の気体を排気することにより、チャンバ３８０内には清浄な気体を循環させることが可能となる。なお、排気部３８８から排気された気体を清浄化し、再度気体供給部３８７に戻す構成としてもよい。
【０１２０】
次に、上記のように構成された光処理ユニットＬＰ３の動作を説明する。
制御部ＣＯＮＴは、基板Ｇを保持するロボットアームを＋Ｚ方向に移動させ、基板搬入口３８０ａからチャンバ３８０の内部に搬入させる。チャンバ３８０の内部において、制御部ＣＯＮＴは、図１１（ａ）に示すように、支持ピン３８２ａの＋Ｚ側の先端が基板Ｇの底面（−Ｚ側の面）を受けるように基板支持部材３８２を＋Ｚ方向に移動させる。これにより、基板Ｇが支持ピン３８２ａに支持される。なお、制御部ＣＯＮＴは、図１１（ａ）に示すように、第二ステージ３８５を第一位置３８５Ａに配置させておく。また、制御部ＣＯＮＴは、気体供給部３８７によりチャンバ３８０内に気体を供給させると共に、排気部３８８から気体を排気させることで、チャンバ３８０内に気体を循環させる。
【０１２１】
次に、図１１（ｂ）に示すように、制御部ＣＯＮＴは、基板支持部材３８２を−Ｚ側に移動させ、支持ピン３８２ａの＋Ｚ側の先端がトレイＴから没するようにする。この動作により、基板ＧがトレイＴ上に載置される。制御部ＣＯＮＴは、基板ＧをトレイＴ上に差位置するのに先立ち、加熱機構３８９によってトレイＴを加熱させておいてもよい。また、基板ＧがトレイＴ上に載置された後、加熱機構３８９によってトレイＴ及び基板Ｇを加熱してもよい。加熱機構３８９の加熱により、トレイＴの温度が上昇し、トレイＴを介して基板Ｇが加熱される。
【０１２２】
次に、図１２（ａ）に示すように、制御部ＣＯＮＴは、第一ステージ３８４のコロ３８４ｒを回転させることにより、トレイＴを＋Ｘ方向に移動させる。これにより、トレイＴは第一ステージ３８４から第二ステージ３８５に移動する。また、制御部ＣＯＮＴは、第二ステージ３８５のコロ３８５ｒを回転させることにより、トレイＴを第二ステージ３８５のＸ方向の所定位置に配置させる。トレイＴは、第二ステージ３８５に移動した後、徐々に温度が低下していくが、余熱によって基板Ｇを加熱し続けることが可能である。
【０１２３】
次に、図１２（ｂ）に示すように、制御部ＣＯＮＴは、第二ステージ３８５上にトレイＴを配置した状態で、基板Ｇの姿勢を維持しつつ、第二ステージ３８５を第二位置３８５Ｂまで＋Ｚ方向に移動させる。第二ステージ３８５が第二位置３８５Ｂに移動することにより、トレイＴ及び基板Ｇがダクト３８７ｂに対向配置される。制御部ＣＯＮＴは、気体供給部３８７の気体加熱部３８７ｃにより、ダクト３８７ｂから供給される気体を加熱させる。これにより、ダクト３８７ｂからトレイＴ及び基板Ｇへ向けて加熱された気体が吹き付けられる。加熱された気体がトレイＴに吹きつけられることにより、トレイＴが加熱される。このトレイＴの加熱により、トレイＴを介して基板Ｇが加熱される。また、加熱された気体ｇが直接基板Ｇに吹きつけられることにより、基板Ｇが加熱される。
【０１２４】
次に、図１３（ａ）に示すように、制御部ＣＯＮＴは、ダクト３８７ｂからの気体ｇにより基板Ｇを加熱しつつ、第二ステージ３８５のコロ３８５ｒ及び第三ステージ３８６のコロ３８６ｒを回転させ、トレイＴを−Ｘ方向に移動させる。この状態で、制御部ＣＯＮＴは、光照射部３８１から光Ｌを射出させる。光Ｌは、光射出部３８１ａから射出された光のうち、フィルタ３８１ｂを通過した波長３００ｎｍ以上の成分である。この動作により、水平面を移動する基板Ｇに対して、３００ｎｍ以上の波長の光Ｌが照射される。光Ｌの照射は、基板Ｇの全体が光照射部３８１を＋Ｘ方向に通り過ぎるまで行われる。図１３（ｂ）に示すように、トレイＴは、光照射部３８１を−Ｘ方向に通り過ぎた後、第三ステージ３８６に載置される。
【０１２５】
次に、図１４（ａ）に示すように、制御部ＣＯＮＴは、基板支持部材３８２の支持ピン３８２ａを＋Ｚ方向に移動させ、第三ステージ３８６上のトレイＴに載置された基板Ｇを持ち上げさせる。その後、制御部ＣＯＮＴは、搬送機構ＴＲ４のロボットアームを用いて、基板支持部材３８２に支持された基板Ｇを基板搬出口３８０ｂからチャンバ３８０の外部へ搬出させる。
【０１２６】
次に、図１４（ｂ）に示すように、制御部ＣＯＮＴは、基板支持部材３８２の支持ピン３８２ａを−Ｚ方向に移動させて所定の待機位置に戻す。また、制御部ＣＯＮＴは、トレイ支持部材３８３の支持ピン３８３ａを＋Ｚ方向に移動させ、第三ステージ３８６上のトレイＴを持ち上げさせる。これにより、トレイＴがコロ３８６ｒに対して浮いた状態となる。
【０１２７】
次に、図１５（ａ）に示すように、制御部ＣＯＮＴは、第一コロ支持部材３８６ａ及び第二コロ支持部材３８６ｂをＹ方向の外側に移動させることにより、コロ３８６ｒを退避位置に移動させる。これにより、トレイＴを支持するコロ３８６ｒが退避されるため、トレイＴが第一ステージ３８４へ向けて−Ｚ方向に移動可能となる。
【０１２８】
次に、図１５（ｂ）に示すように、制御部ＣＯＮＴは、トレイ支持部材３８３の支持ピン３８３ａを−Ｚ方向に移動させる。これにより、トレイＴが第三ステージ３８６を−Ｚ方向に通過して第一ステージ３８４側へ移動する。その後、制御部ＣＯＮＴは、トレイＴを第一ステージ３８４上に載置させる。そして、制御部ＣＯＮＴは、新たな基板を基板搬入口３８０ａからチャンバ３８０の内部に搬入させ、上記動作を繰り返し行わせる。
【０１２９】
このように、本実施形態によれば、Ｘ方向に並ぶステージが、第一ステージ３８４（または第三ステージ３８６）と、第二ステージ３８５の２つであるため、上記実施形態のチャンバに比べて、チャンバ３８０のＸ方向の寸法を小さくすることができる。
【０１３０】
なお、図１３（ａ）に示す光照射工程において、制御部ＣＯＮＴは、光照射部３８１を方向Ｄ１又は方向Ｄ２に移動させながら、基板Ｇに対して光を照射させることもできる。光照射部３８１の移動動作は、第一実施形態と同様である。
【０１３１】
本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更を加えることができる。
例えば、上記実施形態では、光Ｌの波長が３００ｎｍ以上、基板Ｇの温度が１００℃程度として光Ｌの照射を行う場合を例に挙げて説明したが、これに対して、例えば、光Ｌを照射する際の基板Ｇの周囲の水分濃度を露点−４７度程度にすることを加えてもよい。これにより、基板Ｇに塗布されるレジストの状態を更に良好にすることができる。
【０１３２】
また、上記実施形態においては、現像ユニットＤＶ及びポストベークユニットＰＢ間で基板Ｇの受け渡しを行う搬送機構ＴＲ４の側方（すなわち、基板Ｇの搬送ラインの側方）にチャンバ８０を含む光処理ユニットＬＰが接続された場合を例に挙げて説明したが、本発明はこれに限られることは無い。例えば、光処理ユニットＬＰが現像ユニットＤＶの上面に配置されてもよい。また、光処理ユニットＬＰは、現像ユニットＤＶの上面のみならず、例えば、例えば、塗布ユニットＣＴやポストベークユニット等といった他のユニット（関連装置）の上面に配置されていてもよい。
このように光処理ユニットＬＰが現像ユニットＤＶあるいは他のユニットの上面に配置された基板処理装置は、既存のラインを有する装置のうち現像ユニットＤＶあるいは他のユニットの上面に、チャンバ８０を含む光処理ユニットＬＰを接続させることにより、容易に製造することができる。この場合、チャンバ８０の接続部８０ｃを現像ユニットＤＶあるいは他のユニット側に接続することで、光処理ユニットＬＰと現像ユニットＤＶあるいは他のユニット側との間を物理的に、かつ、電気的に接続することができる。
【０１３３】
また、上記第三実施形態では、気体供給部３８７の内部に気体加熱部３８７ｃが設けられた構成を例に挙げて説明したが、これに限られることは無い。例えば、気体加熱部３８７ｃが気体供給部３８７とは別個に設けられた構成としてもよい。この構成であっても、チャンバ３８０の内部のトレイＴ及び基板Ｇを加熱することができる。
【０１３４】
また、上記第三実施形態では、トレイＴが１つ配置された構成を説明したが、これに限られることは無い。例えば、トレイＴと同一構成のトレイが第二ステージ３８５又は第三ステージ３８６に配置され、複数の基板Ｇに対して２つのトレイを交互に用いて搬送する構成としてもよい。また、この場合、最初の基板Ｇをチャンバ３８０内に搬入する前に複数のトレイを加熱し、所定の温度まで上げておくようにしてもよい。例えば、複数のトレイが第一ステージ３８４から第三ステージ３８６を経て第一ステージ３８４に戻る経路を巡回するように当該トレイを搬送することが挙げられる。
【符号の説明】
【０１３５】
ＳＰＡ…基板処理装置  Ｇ…基板  ＬＰ…光処理ユニット  ８０…チャンバ  ８０ｆ…所定面  ８０ａ…基板搬入出口  ８２…第一ステージ（基板移動部）  ８３…第一搬送部（基板移動部）  ８４…第二ステージ（基板移動部）  ８５…第二搬送部（基板移動部）  ８１…光照射部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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