(57)【要約】      （修正有）【課題】信号の到達時間のずれを低減する。【解決手段】プリント基板１は、複数のガラス繊維４で織られたガラスクロス５に樹脂６を含浸させた絶縁層２と、前記絶縁層２と接して配置された信号配線３と、を備え、電子装置は、上記プリント基板１と、前記信号配線３と電気的に接続された半導体チップを有する半導体パッケージと、を備え、前記信号配線３の幅が、前記ガラス繊維４のピッチの５０％以上７０％以下である。【選択図】図１
2016115753.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のガラス繊維で織られたガラスクロスに樹脂を含浸させた絶縁層と、
前記絶縁層と接して配置された信号配線と、
を備え、
前記信号配線の幅が、前記ガラス繊維のピッチの５０％以上７０％以下であることを特徴とするプリント基板。
【請求項２】
前記絶縁層の比誘電率をεｒ（εｒ≦６．９）としたとき、前記信号配線の幅が、前記ガラス繊維のピッチの６０×（１＋（３．８−εｒ）／３．８×０．２）％であることを特徴とする請求項１に記載のプリント基板。
【請求項３】
εｒ≠３．８のときの前記絶縁層の厚みをＴとする場合、下記の式を満たすことを特徴とする請求項２に記載のプリント基板。
Ｔ＝ｔ×（１−（３．８−εｒ）／３．８×０．８）
ただし、ｔはεｒ＝３．８のときの前記絶縁層の厚みである。
【請求項４】
複数のガラス繊維で織られたガラスクロスに樹脂を含浸させた絶縁層及び前記絶縁層と接して配置された信号配線を有するプリント基板と、
前記信号配線と電気的に接続された半導体チップを有する半導体パッケージと、
を備え、
前記信号配線の幅が、前記ガラス繊維のピッチの５０％以上７０％以下であることを特徴とする電子装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プリント基板及び電子装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
コンピュータ内部の電気信号の伝送には、プリント基板（回路基板）が用いられている。プリント基板として、絶縁層と配線パターンが形成された導体層とが交互に積層された多層回路基板が知られている。導体層同士の絶縁やプリント基板の剛性を保つために、プリント基板の絶縁層として、ガラス繊維を織り込んだガラスクロスに樹脂を含浸させた絶縁材料が用いられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００４−２２１５５８号公報
【特許文献２】特開２０１４−１３０８６０号公報
【特許文献３】米国特許出願公開第２００６／０１２３３７１号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
プリント基板の絶縁層の比誘電率が低いほど、配線を介して伝播される信号の伝播時間が短くなる。ガラス繊維の誘電率と樹脂の誘電率とは異なるため、ガラス繊維と配線との位置関係により、配線を介して伝播される信号の伝播時間が変動する。例えば、絶縁層内に一対の配線層を配置した場合、各配線を介して伝播される信号の伝播時間差は、ガラス繊維と各配線との位置関係により影響を受ける。したがって、ガラス繊維を用いるプリント基板では、ガラス繊維と各配線との位置関係により、各配線を介して伝播される信号の伝播時間が異なるため、各配線を介して伝播される信号の到達時間（伝播時間）がずれる。
【０００５】
絶縁層及び導体層に用いる材料や配線構造によって異なるが、信号の到達時間のずれ（Skew）は、信号の伝播時間の１〜５％程度になる。このため、信号が高速化し、信号を送る時間間隔が狭まるほど、信号の到達時間のずれの問題が大きくなる。信号の到達時間のずれは、信号の伝播遅延時間差である。例えば、１０cmの配線長では、信号が配線を伝播するのに７００psec程度の伝播時間がかかる。信号の到達時間のずれが信号の伝播時間の１％である場合、信号の到達時間のずれは７psec程度となる。
【０００６】
例えば、２０Gbps（bits per second）の信号を伝送する場合、信号の間隔は５０psec
である。信号の間隔の１０％程度の値を、信号の到達時間のずれの許容範囲とすると、２０Gbpsの信号を伝送する場合、５psec（５０psec×１０％）までは、信号の到達時間のずれを許容できる。そのため、２０Gbps以上の信号を伝送する場合、信号の到達時間のずれを５psec以下に収めることになる。しかし、１０cmの配線長の場合、信号が配線を伝播するのに７００psec程度の伝播時間がかかるため、信号の到達時間のずれは７psec程度となり、信号の到達時間のずれの許容範囲に収まらない。
【０００７】
本件は、信号の到達時間のずれを低減することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本件の一観点によるプリント基板は、複数のガラス繊維で織られたガラスクロスに樹脂を含浸させた絶縁層と、前記絶縁層と接して配置された信号配線と、を備え、前記信号配
線の幅が、前記ガラス繊維のピッチの５０％以上７０％以下である。
【発明の効果】
【０００９】
本件によれば、信号の到達時間のずれを低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】図１は、プリント基板の断面図である。
【図２】図２は、プリント基板が備えるガラスクロスの平面図（上面図）である。
【図３】図３は、Skewと信号損失との関係を示すグラフである。
【図４Ａ】図４Ａは、ガラス繊維と配線との位置関係を示す図である。
【図４Ｂ】図４Ｂは、ガラス繊維と配線との位置関係を示す図である。
【図５Ａ】図５Ａは、ガラス繊維と配線との位置関係を示す図である。
【図５Ｂ】図５Ｂは、ガラス繊維と配線との位置関係を示す図である。
【図６Ａ】図６Ａは、Skewと配線幅／ガラス繊維ピッチとの関係を示すシミュレーション結果である。
【図６Ｂ】図６Ｂは、Skewと配線幅／ガラス繊維ピッチとの関係を示すシミュレーション結果である。
【図７Ａ】図７Ａは、配線の特性インピーダンスと配線幅／ガラス繊維ピッチとの関係を示すシミュレーション結果である。
【図７Ｂ】図７Ｂは、配線の特性インピーダンスと配線幅／ガラス繊維ピッチとの関係を示すシミュレーション結果である。
【図８】図８は、Skewの実測結果を示す図である。
【図９】図９は、プリント基板の断面図である。
【図１０】図１０は、プリント基板の断面図である。
【図１１】図１１は、プリント基板を備える電子装置を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、図面を参照して実施形態に係るプリント基板及び電子装置について説明する。以下に示すプリント基板及び電子装置の構成は例示であり、実施形態に係るプリント基板及び電子装置の構成は、以下に示す構成に限定されない。
【００１２】
図１は、プリント基板１の断面図である。プリント基板（回路基板）１は、絶縁層２と、絶縁層２と接して配置された配線３とを備える。絶縁層２は、複数のガラス繊維４で織られたガラスクロス（ガラス布）５に樹脂６を含浸させて形成されている。ガラスクロス５は、絶縁層２の平面方向に広がって配置されている。ガラス繊維４の太さや織り目の間隔は、略一定になるように製造されている。樹脂６は、例えば、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂等である。
【００１３】
絶縁層２は、複数層のガラスクロス５を有している。図１に示す例では、絶縁層２は、配線３の上方に２層のガラスクロス５を有し、配線３の下方に２層のガラスクロス５を有する。図１に示す例に限定されず、絶縁層２は、配線３の上方に３層以上のガラスクロス５を有してもよいし、配線３の上方に１層のガラスクロス５を有してもよい。また、絶縁層２は、配線３の下方に３層以上のガラスクロス５を有してもよいし、配線３の下方に１層のガラスクロス５を有してもよい。
【００１４】
図２は、プリント基板１が備えるガラスクロス５の平面図（上面図）である。ガラスクロス５は、縦方向に配置された複数のガラス繊維４Ａと、横方向に配置された複数のガラス繊維４Ｂとで織られた構造であり、ガラス繊維４Ａとガラス繊維４Ｂとが交差している領域と、ガラス繊維４Ａとガラス繊維４Ｂとが交差していない領域とを有する。
【００１５】
配線３は、信号が伝播（送信）される信号線であり、例えば、２０Gbps以上の信号伝送に使用される。配線３は、信号配線の一例である。絶縁層２の厚さ方向で隣接するガラスクロス５の間に配線３が配置されている。したがって、絶縁層２は、配線３の全面を覆っている。配線３は、ガラスクロス５と平行に配置されている。配線３は、例えば、銅（Cu）等の導電材料を用いて形成されている。
【００１６】
配線３の幅（図１ではＷ１）は、ガラス繊維４のピッチ（図１ではＰ１）よりも小さく、ガラス繊維４のピッチの５０％以上７０％以下である。ガラス繊維４のピッチは、絶縁層２の平面方向で隣接する２つのガラス繊維４の間の距離（図１ではＤ１）と、ガラス繊維４の幅（図１ではＷ２）との合計値である。絶縁層２の上面に導体層１１が形成され、絶縁層２の下面に導体層１２が形成されている。導体層１１、１２は、グランド（GND）
に接続されており、グランド層として機能する。また、導体層１１、１２を電源に接続し、電源層として機能させてもよい。
【００１７】
図３は、Skewと信号損失との関係を示すグラフである。図３の縦軸は、信号損失（dB）を示しており、図３の横軸は、データレート（Gbps）を示している。Skewは、各配線３を介して伝播される信号の到達時間のずれ（信号の伝播遅延時間差）である。図３では、Skew（psec／１０cm）が２psec／１０cm、４psec／１０cm、６psec／１０cm、８psec／１０cm、１２psec／１０cm及び２５psec／１０cmの場合の信号損失の変化を、実線Ａ〜Ｆで示している。Skewが２psecの場合の信号損失の変化と比較して、Skewが４psec／１０cmの場合の信号損失の変化では、３０Gbpsのデータレートで損失が増加している。一方、Skewが２psec／１０cmの場合の信号損失の変化と比較して、Skewが６psec／１０cmの場合の信号損失の変化では、２０Gbpsのデータレートで損失が増加している。したがって、２０Gbpsのデータレートで許容されるSkewは、配線長１０cmあたり５psec程度までである。
【００１８】
図４Ａ、図４Ｂ、図５Ａ及び図５Ｂは、配線３とガラス繊維４との位置関係を示す図である。図４Ａ及び図５Ａに示す配線構造は、配線３の中心の位置と、絶縁層２の平面方向で隣接する２つのガラス繊維４の間の中間の位置とが一致している。図４Ｂ及び図５Ｂに示す配線構造は、配線３の中心の位置とガラス繊維４の中心の位置とが一致している。
【００１９】
ガラス繊維４の誘電率は、樹脂６の誘電率より大きい。したがって、絶縁層２は、誘電率の大きい部分と誘電率の小さい部分とを有する。絶縁層２内の配線３で発生する電界が、誘電率が高い部分の絶縁層２を通る場合、配線３の信号速度が遅くなる。図４Ａに示す配線構造は、配線３で発生する電界の大半が樹脂６を通る。一方、図４Ｂに示す配線構造は、配線３で発生する電界の大半がガラス繊維４を通る。そのため、図４Ａに示す配線構造と比較して、図４Ｂに示す配線構造は、配線３で伝播される信号の到達時間が長くなる。
【００２０】
図４Ａ及び図４Ｂに示す配線構造と比較して、図５Ａ及び図５Ｂに示す配線構造は、配線３の幅が大きい。図５Ａ及び図５Ｂに示す配線構造は、配線３で発生する電界が広がっているため、配線３で発生する電界がガラス繊維４及び樹脂６を略均等に通る。したがって、図５Ａ及び図５Ｂに示す配線構造は、配線３で伝播される信号の到達時間が略均等になり、Skewが低減される。例えば、Skewは、図５Ａに示す配線構造における配線３で信号を送信するときに要する時間から、図５Ｂに示す配線構造における配線３で信号を送信するときに要する時間を減算することにより算出される。
【００２１】
図６Ａ及び図６Ｂは、Skewと配線幅／ガラス繊維ピッチとの関係を示すシミュレーション結果である。図６Ｂは、図６Ａの一部を拡大している。図６Ａ及び図６Ｂの縦軸は、Skew（psec／cm）を示しており、図６Ａ及び図６Ｂの横軸は、配線幅／ガラス繊維ピッチを示している。配線幅は、配線３の幅であり、ガラス繊維ピッチは、ガラス繊維４のピッチ
である。図６Ａ及び図６Ｂには、絶縁層２の厚みが５０μｍ、１００μｍ、１５０μｍ、２００μｍである場合のシミュレーション結果が示されている。絶縁層２の厚みは、例えば、配線３と導電層１２との間に存在する絶縁層２の厚み（図１ではＴ１）である。図６Ａ及び図６Ｂに示すシミュレーション結果では、ガラス繊維４のピッチを３００μｍに設定している。
【００２２】
図６Ｂに示すように、絶縁層２の厚みが２００μｍについては、配線幅／ガラス繊維ピッチが５０％以上７０％以下の範囲において、Skewが−０．５以上＋０．５以下の範囲に収まっている。図６Ｂに示すように、絶縁層２の厚みが１５０μｍについては、配線幅／ガラス繊維ピッチが５７％以上７４％以下の範囲において、Skewが−０．５以上＋０．５以下の範囲に収まっている。図６Ｂに示すように、絶縁層２の厚みが１００μｍについては、配線幅／ガラス繊維ピッチが６３％以上８０％以下の範囲において、Skewが−０．５以上＋０．５以下の範囲に収まっている。
【００２３】
高周波用プリント基板では、信号の反射が問題となっている。信号が通る経路において特性インピーダンスと呼ばれる値を特定の値に近づけることで、信号の反射を抑制し、信号の品質が向上する。そのため、信号が通る経路間において、特性インピーダンスの整合が行われている。例えば、特性インピーダンスを所望の値に近づけるため、キャパシタンスを調整し、シグナル−グランド間の導体距離や配線幅を調整することでキャパシタンスを増減させるという設計手法が用いられている。
【００２４】
特性インピーダンスを整合させるために、まず狙いとなる特性インピーダンスの値（例えば５０Ω）が決定され、次に、使用する絶縁材料の種類により誘電率が決定される。更に、絶縁層２の材料の種類に応じて、製造可能な絶縁層２の厚みの範囲が決定される。配線３の厚み（図１ではＴ２）は、例えば、銅箔の厚みである１８μｍ、３５μｍ、７０μｍ、１４０μｍから選択されるが、この値に限定されず、他の値であってもよい。特性インピーダンスの値が５０Ωと決定される場合、配線３の幅だけを変えると、配線３の特性インピーダンスの値が５０Ωからずれてしまい、反射による信号劣化が発生する。
【００２５】
配線３の特性インピーダンス（Ｚ０）は、無損失線路の場合、Ｚ０＝（Ｌ／Ｃ）１／２となる。Ｌは、配線３のインダクタンスである。Ｃは、配線３の容量（キャパシタンス）であり、Ｃ＝ε０×εｒ×Ｓ／ｄで表すことができる。ε０は、真空の誘電率（８．８５４×１０−１２［Ｆ／ｍ］）である。εｒは、絶縁層２の比誘電率である。Ｓは、配線３の面積である。配線３の面積は、配線３の幅（Ｗ１）×配線３の配線長である。ｄは、配線３と導体層１２との間の距離、すなわち絶縁層２の厚み（Ｔ１）である。配線３の厚み（Ｔ２）を所定値とし、配線３の配線長を所定値とする場合、配線３の幅（Ｗ１）、絶縁層２の厚み（Ｔ１）及び絶縁層２の比誘電率を決定することで、配線３の特性インピーダンスの値が決定される。
【００２６】
図７Ａ及び図７Ｂは、配線３の特性インピーダンスと配線幅／ガラス繊維ピッチとの関係を示すシミュレーション結果である。図７Ａ及び図７Ｂの縦軸は、配線３の特性インピーダンスの値（Ω）を示しており、図７Ａ及び図７Ｂの横軸は、配線幅／ガラス繊維ピッチを示している。図７Ａ及び図７Ｂに示すシミュレーション結果では、ガラス繊維４のピッチを３００μｍに設定している。図７Ａは、比誘電率が３．８である材料を絶縁層２として用いた場合のシミュレーション結果であり、図７Ｂは、比誘電率が２．７である材料を絶縁層２として用いた場合のシミュレーション結果である。また、図７Ａ及び図７Ｂには、絶縁層２の厚みが５０μｍ、１００μｍ、１５０μｍ、２００μｍである場合のシミュレーション結果が示されている。
【００２７】
図７Ａに示すように、絶縁層２の比誘電率が３．８の場合、絶縁層２の厚みが２００μ
ｍ、かつ、配線幅／ガラス繊維ピッチが６０％程度のとき、配線３の特性インピーダンスの値が５０Ω程度となっている。図７Ｂに示すように、絶縁層２の比誘電率が２．７の場合、絶縁層２の厚みが１５０μｍ、かつ、配線幅／ガラス繊維ピッチが６３％程度のとき、配線３の特性インピーダンスの値が５０Ω程度となっている。図７Ａ及び図７Ｂに示すシミュレーション結果から、絶縁層２の比誘電率の減少に応じて、絶縁層２の厚みを減少させるとともに、配線幅／ガラス繊維ピッチを増加させることにより、配線３の特性インピーダンスの値が５０Ω程度に維持されることが分かる。
【００２８】
図６Ｂに示すように、絶縁層２の厚みが２００μｍ、かつ、配線幅／ガラス繊維ピッチが６０％程度のとき、Skewが略ゼロとなる。したがって、絶縁層２の比誘電率が３．８の場合、絶縁層２の厚みが２００μｍ、かつ、配線幅／ガラス繊維ピッチが６０％程度のとき、Skewが略ゼロとなり、配線３の特性インピーダンスの値が５０Ω程度に維持される。図６Ｂに示すように、絶縁層２の厚みが１５０μｍ、かつ、配線幅／ガラス繊維ピッチが６３〜６４％程度のとき、Skewが略ゼロとなる。したがって、絶縁層２の比誘電率が２．７の場合、絶縁層２の厚みが１５０μｍ、かつ、配線幅／ガラス繊維ピッチが６３％程度のとき、Skewが略ゼロとなり、配線３の特性インピーダンスの値が５０Ω程度に維持される。このように、絶縁層２の比誘電率に応じて、絶縁層２の厚み及び配線幅／ガラス繊維ピッチを決定することにより、Skewを低減するとともに、反射による信号劣化を抑制することができる。
【００２９】
絶縁層２の比誘電率を３．８から２．７に変更した場合、絶縁層２の比誘電率は２９％の減少となる。配線幅／ガラス繊維ピッチを６０％から６３％に変更した場合、配線幅／ガラス繊維ピッチは５％の増加となる。絶縁層２の比誘電率の減少分である２９％に０．２を乗じると５．８％となり、配線３の幅の増加分である５％に近似する。このように、絶縁層２の比誘電率と配線幅／ガラス繊維ピッチとは相関関係があることから、絶縁層２の比誘電率に応じて、配線幅／ガラス繊維ピッチを下記の式１のように表すことができる。
配線幅／ガラス繊維ピッチ＝０．６×（１＋（３．８−εｒ）／３．８×０．２）・・・（式１）
【００３０】
上記の式１によれば、絶縁層２の比誘電率を３．８とする場合、配線幅／ガラス繊維ピッチは６０％となり、絶縁層２の比誘電率を２．７とする場合、配線幅／ガラス繊維ピッチは６３％となる。また、式１によれば、絶縁層２の比誘電率を６．９とする場合、配線幅／ガラス繊維ピッチは５０％となり、絶縁層２の比誘電率を７．０とする場合、配線幅／ガラス繊維ピッチは４９％となる。
【００３１】
絶縁層２の厚みを２００μｍから１５０μｍに変更した場合、絶縁層２の厚みは２５％の減少となる。絶縁層２の比誘電率の減少分である２９％に０．８を乗じると２３．２％となり、絶縁層２の厚みの減少分である２５％に近似する。このように、絶縁層２の比誘電率と絶縁層２の厚みとは相関関係があることから、絶縁層２の比誘電率に応じて、絶縁層２の厚みを下記の式２のように表すことができる。
Ｔ＝ｔ×（１−（３．８−εｒ）／３．８×０．８）・・・（式２）
ただし、Ｔはεｒ≠３．８のときの絶縁層２の厚みであり、ｔはεｒ＝３．８のときの絶縁層２の厚みである。
【００３２】
ここで、プリント基板分野において、各パラメータの決定に関し、ストリップライン構造やマイクロストリップライン構造の正確な理論式や、実測と完全に一致するシミュレーター等は存在しない。そのため、実際に基板を作製して測定を行い、測定値に基づいて、絶縁層厚み、比誘電率、配線幅等の設計値の微調整が行われている。
【００３３】
プリント基板１を作製して測定を行い、測定値に基づいて、絶縁層厚み、比誘電率、配線幅等の設計値の微調整を行った。この結果、絶縁層２の厚みが１５０μｍ、絶縁層２の比誘電率が３．８、配線３の幅が１６２μｍ、ガラス繊維４のピッチが２７０μｍのとき、配線３の特性インピーダンスの値が５０Ω程度に維持され、Skewが略ゼロになることが確認された。比誘電率が３．８である絶縁層２として、パナソニック社製のＭＥＧＴＲＯＮ（登録商標）４を用いた。なお、配線３として、１８μｍの厚みの銅箔又は３５μｍの厚みの銅箔を用いて確認したが、配線３の厚みの違いによる大きな差は生じなかった。そのため、以下では、配線３の厚みについての記述は省略する。
【００３４】
絶縁層厚み、比誘電率、配線幅等の設計値に対して、上記の式１及び式２を適用してもよい。例えば、ガラス繊維４のピッチが２７０μｍであり、絶縁層２の比誘電率を３．８から２．７に変更した場合、配線３の幅を１６２μｍ×（１００＋５．８）／１００＝１７１μｍとし、絶縁層２の厚みを１５０μｍ×（１００−２３．２）／１００＝１１５μｍとする。配線３の幅が、ガラス繊維４のピッチの５０％以上７０％以下の場合、１cmの配線長でSkewが−０．５以上＋０．５以下の範囲に収まるため、Skewが２０Gbpsのデータレートで許容される範囲に収まる。
【００３５】
プリント基板１の製造では、設計上の配線幅に対して１０％程度の製造誤差が生じることが知られている。そのため、中心値であり、Skewが略ゼロとなる値、すなわち、配線幅／ガラス繊維ピッチが６０％となることを目標とすることが好ましい。例えば、配線３の幅の設計値を１６２μｍとし、製造誤差を１０％とする場合、配線３の幅は１４６μｍ以上１７８μｍ以下程度の仕上がりとなる。ガラス繊維４のピッチを２７０μｍとする場合、配線幅／ガラス繊維ピッチは、５４％以上６６％以下となる。
【００３６】
配線３の断面の形状が数学的な相似構造であってもよい。例えば、絶縁層２の比誘電率が３．８である場合、ガラス繊維４のピッチを２７０μｍの２倍の５４０μｍとし、配線３の幅を１６２μｍの２倍の３２４μｍとし、絶縁層２の厚みを１５０μｍの２倍の３００μｍとしてもよい。ガラス繊維４のピッチ、配線３の幅及び絶縁層２の厚みを２倍にしても、Skewが−０．５以上＋０．５以下の範囲に収まり、配線３の特性インピーダンスの値が５０Ω程度に維持される。
【００３７】
図８は、Skewの実測結果を示す図である。図８の縦軸は、Skew（psec／１０cm）を示しており、図８の横軸は、配線幅／ガラス繊維ピッチを示している。図８に示す実測では、プリント基板１の配線構造をストリップライン構造とし、絶縁層２の厚みを１５０μｍとし、絶縁層２の比誘電率を３．８としている。また、図９に示す実測では、配線３の伝送信号のデータレートを５０Gbps（周波数を２５GHz）とした場合のSkew（サンプル数＝１
０）を取得している。図８に示すように、配線幅／ガラス繊維ピッチが６０％の周辺では、５０Gbpsのデータレートで許容される範囲（配線長１０cmあたり２psec）に収まっている。
【００３８】
上記のプリント基板１の配線構造は、ストリップライン構造を用いる例を示しているが、プリント基板１の配線構造は、図９に示すように、マイクロストリップライン構造であってもよい。図９は、プリント基板１の断面図である。配線３は、絶縁層２と接しており、絶縁層２上に配置されている。したがって、配線３の底面（下面）が絶縁層２と接しているが、絶縁層２は配線３の側面及び上面を覆っていない。絶縁層２の下面に導体層１２が形成されている。また、図１０に示すように、絶縁層２上にソルダレジスト（絶縁膜）１３を形成してもよい。ソルダレジスト１３は、配線３の側面及び上面を覆うようにして絶縁層２上に形成されている。図１０は、プリント基板１の断面図である。
【００３９】
マイクロストリップライン構造の場合であっても、配線３の幅（図９ではＷ１）をガラ
ス繊維４のピッチ（図９ではＰ１）の５０％以上７０％以下とすることにより、Skewが−０．５以上＋０．５以下の範囲に収まる。マイクロストリップライン構造において、絶縁層２の比誘電率が３．８である場合、例えば、絶縁層２の厚み（図９ではＴ１）を８０μｍ程度とし、配線３の幅をガラス繊維４のピッチの６０％程度とする。配線３の幅は１６２μｍ、ガラス繊維４のピッチは２７０μｍとする。これにより、Skewが略ゼロとなり、配線３の特性インピーダンスの値が５０Ω程度に維持される。
【００４０】
図１１は、プリント基板１を備える電子装置２１を示す図である。電子装置２１は、プリント基板１と、プリント基板１上に設けられた半導体パッケージ２２とを備える。プリント基板１は、複数の絶縁層と複数の導体層とが交互に積層されている。絶縁層２Ａ内に配線３が設けられている。絶縁層２Ａの下面に導体層３１が形成されている。絶縁層２Ａと絶縁層２Ｂとの間に導体層３２が形成されている。絶縁層２Ｂと絶縁層２Ｃとの間に導体層３３が形成されている。
【００４１】
プリント基板１は、絶縁層２Ａ内に配線３が設けられ、絶縁層２Ａの下面に導体層３１が形成され、絶縁層２Ａの上面に導体層３２が形成されたストリップライン構造を有する。導体層３１、３２は、グランド（GND）に接続されており、グランド層として機能する
。また、導体層３１、３２を電源に接続し、電源層として機能させてもよい。絶縁層２Ａ〜２Ｃは、複数のガラス繊維４が交差して織られたガラスクロス５（図１１では図示せず）に樹脂６を含浸させて形成されている。配線３の幅は、ガラス繊維４のピッチよりも小さく、ガラス繊維４のピッチの５０％以上７０％以下である。なお、図１１は、配線３の配線長を図示しており、配線３の幅及びガラス繊維４のピッチ等は、図１と同様である。
【００４２】
プリント基板１は、プリント基板１を貫通するスルーホール３４と、スルーホール３４の側面に形成されたスルーホールビア３５とを有する。配線３は、スルーホールビア３５に接触しており、配線３とスルーホールビア３５とが電気的に接続されている。スルーホールビア３５は、プリント基板１上に形成された電極３６と電気的に接続されている。電極３６上に設けられた半田ボール３７を介して、プリント基板１と半導体パッケージ２２とが電気的に接続されている。
【００４３】
半導体パッケージ２２は、パッケージ基板４１と、パッケージ基板４１上に設けられた半導体チップ４２とを有する。半導体チップ４２は、パッケージ基板４１にフリップチップ実装されている。半導体チップ４２は、パッケージ基板４１内に形成された配線パターン及びビアと、プリント基板１上に形成された電極３６及び半田ボール３７と、プリント基板１内に形成されたスルーホールビア３５とを介して、配線３に電気的に接続されている。半導体チップ４２は、例えば、ＬＳＩ（Large Scale Integration）チップである。
【００４４】
実施形態に係るプリント基板１及び電子装置２１によれば、配線３及びガラス繊維４がどのような位置関係であっても、Skewを低減することができる。また、実施形態に係るプリント基板１及び電子装置２１によれば、配線３及びガラス繊維４がどのような位置関係であっても、Skewを低減するとともに、反射による信号劣化を抑制することができる。
【００４５】
配線３は、シングルエンド配線であってもよいし、差動配線であってもよい。差動配線は、一対で信号を伝播する２つの信号線である。差動配線の場合、Skewは、一方の信号線で信号を送信するときに要する時間から、他方の信号線で信号を送信するときに要する時間を減算することにより算出される。
【００４６】
上記実施形態に関し、更に以下の付記を示す。
（付記１）
複数のガラス繊維で織られたガラスクロスに樹脂を含浸させた絶縁層と、
前記絶縁層と接して配置された信号配線と、
を備え、
前記信号配線の幅が、前記ガラス繊維のピッチの５０％以上７０％以下であることを特徴とするプリント基板。
（付記２）
前記絶縁層の比誘電率をεｒ（εｒ≦６．９）としたとき、前記信号配線の幅が、前記ガラス繊維のピッチの６０×（１＋（３．８−εｒ）／３．８×０．２）％であることを特徴とする付記１に記載のプリント基板。
（付記３）
εｒ≠３．８のときの前記絶縁層の厚みをＴとする場合、下記の式を満たすことを特徴とする付記２に記載のプリント基板（１）。
Ｔ＝ｔ×（１−（３．８−εｒ）／３．８×０．８）
ただし、ｔはεｒ＝３．８のときの前記絶縁層の厚みである。
（付記４）
前記絶縁層の上面及び下面にそれぞれ形成された導体層を備え、
前記絶縁層は前記信号配線を覆っていることを特徴とする付記１から付記３の何れか一つに記載のプリント基板。
（付記５）
複数のガラス繊維で織られたガラスクロスに樹脂を含浸させた絶縁層及び前記絶縁層と接して配置された信号配線を有するプリント基板と、
前記信号配線と電気的に接続された半導体チップを有する半導体パッケージと、
を備え、
前記信号配線の幅が、前記ガラス繊維のピッチの５０％以上７０％以下であることを特徴とする電子装置。
（付記６）
前記絶縁層の比誘電率をεｒ（εｒ≦６．９）としたとき、前記信号配線の幅が、前記ガラス繊維のピッチの６０×（１＋（３．８−εｒ）／３．８×０．２）％であることを特徴とする付記５に記載の電子装置。
（付記７）
εｒ≠３．８のときの前記絶縁層の厚みをＴとする場合、下記の式を満たすことを特徴とする付記６に記載の電子装置。
Ｔ＝ｔ×（１−（３．８−εｒ）／３．８×０．８）
ただし、ｔはεｒ＝３．８のときの前記絶縁層の厚みである。
（付記８）
前記プリント基板は、前記絶縁層の上面及び下面にそれぞれ形成された導体層を有し、
前記絶縁層は前記信号配線を覆っていることを特徴とする付記５から付記７の何れか一つに記載の電子装置。
【符号の説明】
【００４７】
１    プリント基板
２、２Ａ、２Ｂ、２Ｃ    絶縁層
３    配線
４、４Ａ、４Ｂ    ガラス繊維
５    ガラスクロス
６    樹脂
１１、１２、３１、３２、３３  導体層
１３  ソルダレジスト
２１  電子装置
２２  半導体パッケージ
３４  スルーホール
３５  スルーホールビア
３６  電極
３７  半田ボール
４１  パッケージ基板
４２  半導体チップ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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