(57)【要約】【課題】繰り返し熱が加えられたとしても、スタックドビアにクラックが発生することがない電気的接続信頼性の高い配線基板を提供すること。【解決手段】配線導体層２と絶縁層１とが交互に積層されて成り、各絶縁層１を貫通して上下の配線導体層２同士を接続するビア導体４が複数上下に積み重なったスタックドビア４Ｓを有する配線基板１０であって、スタックドビア４Ｓが形成された複数の絶縁層１のうち、スタックドビア４Ｓにおける最も応力が集中するビア導体４が形成された絶縁層１の厚みが他の絶縁層１の厚みよりも薄い。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線導体層と絶縁層とが交互に積層されて成り、前記各絶縁層を貫通して上下の前記配線導体層同士を接続するビア導体が複数上下に積み重なったスタックドビアを有する配線基板であって、前記スタックドビアが形成された複数の前記絶縁層のうち、前記スタックドビアにおける最も応力が集中するビア導体が形成された絶縁層の厚みが他の絶縁層の厚みよりも薄いことを特徴とする配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、スタックドビアを有する配線基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体素子を搭載するため等に用いられる配線基板としてビルドアップ法により形成された配線基板が知られている。この配線基板では、スタックドビアが用いられることがある。
【０００３】
スタックドビアを有する従来の配線基板を図４に要部拡大断面図で示す。図４に示すように、従来の配線基板４０は、絶縁層２１と配線導体層２２とが交互に多層に積層されている。各絶縁層２１には、下層の配線導体層２２を底面としたビアホール２３が形成されている。ビアホール２３内は上層の配線導体層２２と一体的に形成されたビア導体２４により充填されている。これにより下層の配線導体層２２と上層の配線導体層２２とがビア導体２４により電気的に接続されている。
【０００４】
配線基板４０においては、一部のビアホール２３は互いに上下に重なる位置に形成されている。これらのビアホール２３内に充填されたビア導体２４は互いに積み重なってスタックドビア２４Ｓを形成している。
【０００５】
しかしながら、ビア導体２４が互いに積み重なったスタックドビア２４Ｓにおいては、配線基板４０に熱が繰り返し加えられると、その熱により発生する熱応力がスタックドビア２４Ｓの一部分に大きく集中してスタックドビア２４Ｓにクラックが発生して断線しやすくなる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００６−７３５９３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、複数のビア導体が互いに積み重なったスタックドビアを有する配線基板において、繰り返し熱が加えられたとしても、スタックドビアにクラックが発生することがない電気的接続信頼性の高い配線基板を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の配線基板は、配線導体層と絶縁層とが交互に積層されて成り、前記各絶縁層を貫通して上下の前記配線導体層同士を接続するビア導体が複数上下に積み重なったスタックドビアを有する配線基板であって、前記スタックドビアが形成された複数の前記絶縁層のうち、前記スタックドビアにおける最も応力が集中するビア導体が形成された絶縁層の厚みが他の絶縁層の厚みよりも薄いことを特徴とするものである。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の配線基板によれば、スタックドビアにおける最も熱応力が集中するビアが形成された絶縁層の厚みが他の絶縁層の厚みよりも薄いことから、その絶縁層に形成されたビアに加わる熱応力を緩和することができる。その結果、配線基板に繰り返し熱が加えられたとしても、スタックドビアにクラックが発生することのない電気的接続信頼性に優れる配線基板を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】図１は、本発明の配線基板の実施形態の一例を示す要部拡大断面図である。
【図２】図２は、本発明の配線基板の実施形態の別の例を示す要部拡大断面図である。
【図３】図３は、本発明の配線基板の実施形態の更に別の例を示す要部拡大断面図である。
【図４】図４は、従来の配線基板を示す要部拡大断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
次に、本発明の配線基板を、添付の図面を基に説明する。図１は、本発明の実施形態の一例を示す要部拡大断面図である。図１に示すように、本例の配線基板１０は、絶縁層１と配線導体層２とが交互に多層に積層されている。
【００１２】
絶縁層１は、熱硬化性樹脂に無機絶縁フィラーが分散された樹脂系の電気絶縁材料から成る。熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂やポリイミド樹脂、ポリフェニレンエーテール樹脂、フェノール樹脂等が用いられる。無機絶縁フィラーとしては、シリカやアルミナ等が用いられる。絶縁層１の厚みは１０〜５０μｍ程度である。配線導体層２は、銅から成る。配線導体層２の厚みは、２〜２５μｍ程度である。
【００１３】
各絶縁層１には、下層の配線導体層２を底面としたビアホール３が形成されている。ビアホール３の直径は、３０〜１００μｍ程度である。ビアホール３は、絶縁層１にレーザー加工を施すことにより形成される。
【００１４】
ビアホール３内は上層の配線導体層２と一体的に形成されたビア導体４により充填されている。これにより下層の配線導体層２と上層の配線導体層２とがビア導体４により電気的に接続されている。配線導体層２およびビア導体４は、周知のセミアディティブ法により形成されている。
【００１５】
この配線基板１０においては、一部のビアホール３は互いに上下に重なる位置に形成されている。これらのビアホール３内に充填されたビア導体４は互いに積み重なってスタックドビア４Ｓを形成している。ここでは、３個のビア導体４が上下に積み重なった３段のスタックドビア４Ｓを示している。
【００１６】
さらに、本例の配線基板１０においては、スタックドビア４Ｓが形成された３層の絶縁層１のうちの一つの厚みが他の絶縁層１の厚みよりも薄くなっている。この厚みが薄い絶縁層１は、配線基板１０に熱が加えられた場合に、スタックドビア４Ｓにおいて最も応力が集中するビア導体４が形成されている絶縁層１である。
【００１７】
このように、本例の配線基板１０によれば、スタックドビア４Ｓにおける最も熱応力が集中するビア導体４が形成された絶縁層１の厚みが他の絶縁層１の厚みよりも薄いことから、その絶縁層１に形成されたビア導体４に加わる応力を緩和することができる。その結果、配線基板１０に繰り返し熱が加えられたとしても、スタックドビア４Ｓにクラックが発生することのない電気的接続信頼性に優れる配線基板１０を提供することができる。
【００１８】
なお、配線基板１０に熱が加えられた場合に、スタックドビア４Ｓにおいて最も応力が集中するビア導体４が形成されている絶縁層１の厚みは、他の絶縁層１の厚みに対して５０〜９０％の厚みであることが好ましい。スタックドビア４Ｓにおいて最も応力が集中するビア導体４が形成されている絶縁層１の厚みが他の絶縁層１の厚みの９０％以上の厚みであると、スタックドビア４Ｓにおいて最も応力が集中するビア導体４に加わる応力を十分に緩和することができなくなり、逆に５０％未満の厚みであると、厚みの薄い絶縁層１を挟んで上下に位置する配線導体層２同士の電気的な絶縁を良好に確保することが困難となる。
【００１９】
なお、本発明は、上述の例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば、種々の変更は可能である。例えば上述の実施形態の一例では、スタックドビア４Ｓにおいて最も応力が集中するビア導体４は、スタックドビア４Ｓを構成するビア導体４のうちの中段のビア導体４であった。しかしながら、応力が最も集中するビア導体４は、スタックドビア４Ｓを構成するビア導体４のうちの上段のビア導体４であったり、下段のビア導体４であったりする。その場合、図３，図４に示すように、その上段や下段のビア導体４が形成された絶縁層１の厚みを他の絶縁層１の厚みよりも薄くすればよい。スタックドビア４Ｓにおける応力が最も集中するビア導体４は、例えば、有限要素法を用いた応力解析シミュレーターにより応力解析することにより特定することができる。また、上述の例では、スタックドビア４Ｓは、３個のビア導体４が積み重なった３段のスタックドビア４Ｓであったが、２個や４個以上のビア導体４が積み重なったスタックドビア４Ｓであっても良い。
【符号の説明】
【００２０】
１・・・絶縁層
２・・・配線導体層
４・・・ビア導体
４Ｓ・・スタックドビア
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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