(57)【要約】【課題】  感度ムラが抑制された電子写真感光体、その製造方法、ならびに、電子写真感光体を有するプロセスカートリッジおよび電子写真装置を提供する。【解決手段】  電子写真感光体の感光層が、ＣｕＫα線のＸ線回折におけるブラッグ角２θ±０．２°において７．８°、１６．４°、２４．３°および２７．８°にピークを有するクロロガリウムフタロシアニン結晶を含有する。【選択図】  図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持体および該支持体上に形成された感光層を有する電子写真感光体であって、
該感光層が、ＣｕＫα線のＸ線回折におけるブラッグ角２θ±０．２°において７．８°、１６．４°、２４．３°および２７．８°にピークを有するクロロガリウムフタロシアニン結晶を含有することを特徴とする電子写真感光体。
【請求項２】
前記クロロガリウムフタロシアニン結晶が、結晶内にＮ−エチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルホルムアミド、およびＮ−［２−（ジメチルアミノ）エチル］−Ｎ−メチルホルムアミドからなる群より選択される少なくとも１つを含有する請求項１に記載の電子写真感光体。
【請求項３】
前記感光層が、電荷発生層、および該電荷発生層上に形成された電荷輸送層を有する請求項１または２に記載の電子写真感光体。
【請求項４】
支持体および該支持体上に形成された感光層を有する電子写真感光体を製造する電子写真感光体の製造方法であって、
（ｉ）ＣｕＫα特性Ｘ線回折における最大ピークの半値幅が０．４°〜１．６°のクロロガリウムフタロシアニン結晶と、Ｎ−エチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルホルムアミド、Ｎ−［２−（ジメチルアミノ）エチル］−Ｎ−メチルホルムアミドからなる群より選択される少なくとも１つの溶剤とを混合して結晶変換し、結晶変換したクロロガリウムフタロシアニン結晶を得る工程、および
（ｉｉ）前記（ｉ）の工程で得られた該クロロガリウムフタロシアニン結晶を含有する該感光層を形成する工程、
を有することを特徴とする電子写真感光体の製造方法。
【請求項５】
前記（ｉ）の工程で得られたクロロガリウムフタロシアニン結晶が、ＣｕＫα線のＸ線回折におけるブラッグ角２θ±０．２°において７．８°、１６．４°、２４．３°および２７．８°にピークを有するクロロガリウムフタロシアニン結晶である請求項４に記載の電子写真感光体の製造方法。
【請求項６】
支持体、該支持体上に形成された電荷発生層および該電荷発生層上に形成された電荷輸送層を有する電子写真感光体を製造する電子写真感光体の製造方法であって、
（ｉ）ＣｕＫα特性Ｘ線回折における最大ピークの半値幅が０．４°〜１．６°のクロロガリウムフタロシアニン結晶と、Ｎ−エチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルホルムアミド、Ｎ−［２−（ジメチルアミノ）エチル］−Ｎ−メチルホルムアミドからなる群より選択される少なくとも１つの溶剤とを混合して結晶変換し、結晶変換したクロロガリウムフタロシアニン結晶を得る工程、および
（ｉｉ）前記（ｉ）の工程で得られた該クロロガリウムフタロシアニン結晶を含有する該電荷発生層を形成する工程、
を有することを特徴とする電子写真感光体の製造方法。
【請求項７】
前記（ｉ）の工程で得られたクロロガリウムフタロシアニン結晶が、ＣｕＫα線のＸ線回折におけるブラッグ角２θ±０．２°において７．８°、１６．４°、２４．３°および２７．８°にピークを有するクロロガリウムフタロシアニン結晶である請求項６に記載の電子写真感光体の製造方法。
【請求項８】
請求項１から３のいずれか１項に記載の電子写真感光体と、帯電手段、現像手段、転写手段およびクリーニング手段からなる群より選択される少なくとも１つの手段とを一体に支持し、電子写真装置本体に着脱自在であるプロセスカートリッジ。
【請求項９】
請求項１から３のいずれか１項に記載の電子写真感光体と、帯電手段、露光手段、現像手段、および転写手段を有する電子写真装置。
【請求項１０】
ＣｕＫα線のＸ線回折におけるブラッグ角２θ±０．２°において７．８°、１６．４°、２４．３°および２７．８°にピークを有するクロロガリウムフタロシアニン結晶。
【請求項１１】
前記クロロガリウムフタロシアニン結晶が、結晶内にＮ−エチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルホルムアミド、およびＮ−［２−（ジメチルアミノ）エチル］−Ｎ−メチルホルムアミドからなる群より選択される少なくとも１つを含有する請求項１０に記載のクロロガリウムフタロシアニン結晶。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は電子写真感光体、その製造方法、電子写真装置、プロセスカートリッジ、及びクロロガリウムフタロシアニン結晶に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子写真感光体に用いられる電荷発生物質として、高い感度を有するガリウムフタロシアニン顔料がよく用いられている。しかしながらその高感度が故に、感度が感光層の膜厚ムラ（以降、感度ムラとも称する）の影響を受けやすいという課題がある。
【０００３】
特許文献１には、Ｘ線回折スペクトルにおいて、ブラッグ角度（２θ±０．２°）の７．４°、１６．６°、２５．５°及び２８．３°に回折ピークを有するクロロガリウムフタロシアニン結晶が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平５−９８１８１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、近年のさらなる高画質化に伴い、電子写真感光体においても更なる特性の改善が望まれている。本発明者らの検討の結果、特許文献１に開示されたクロロガリウムフタロシアニン結晶は、上記の課題を十分に改善できているものではなかった。
【０００６】
本発明の目的は、感度ムラが抑制された電子写真感光体、その製造方法、ならびに、プロセスカートリッジおよび電子写真装置を提供することにある。
【０００７】
さらに、本発明の別の目的は、特定のＸ線回折スペクトルを有するクロロガリウムフタロシアニン結晶を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、支持体および該支持体上に形成された感光層を有する電子写真感光体であって、
該感光層が、ＣｕＫα線のＸ線回折におけるブラッグ角２θ±０．２°において７．８°、１６．４°、２４．３°および２７．８°にピークを有するクロロガリウムフタロシアニン結晶を含有することを特徴とする電子写真感光体である。
【０００９】
また、本発明は、支持体および該支持体上に形成された感光層を有する電子写真感光体を製造する電子写真感光体の製造方法であって、
（ｉ）ＣｕＫα特性Ｘ線回折における最大ピークの半値幅が０．４°〜１．６°のクロロガリウムフタロシアニン結晶と、Ｎ−エチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルホルムアミド、Ｎ−［２−（ジメチルアミノ）エチル］−Ｎ−メチルホルムアミドからなる群より選択される少なくとも１つの溶剤とを混合して結晶変換し、結晶変換したクロロガリウムフタロシアニン結晶を得る工程、および
（ｉｉ）前記（ｉ）の工程で得られた該クロロガリウムフタロシアニン結晶を含有する該感光層を形成する工程、
を有することを特徴とする電子写真感光体の製造方法である。
【００１０】
また、本発明は、支持体、該支持体上に形成された電荷発生層および該電荷発生層上に形成された電荷輸送層を有する電子写真感光体を製造する電子写真感光体の製造方法であって、
（ｉ）ＣｕＫα特性Ｘ線回折における最大ピークの半値幅が０．４°〜１．６°のクロロガリウムフタロシアニン結晶と、Ｎ−エチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルホルムアミド、Ｎ−［２−（ジメチルアミノ）エチル］−Ｎ−メチルホルムアミドからなる群より選択される少なくとも１つの溶剤とを混合して結晶変換し、結晶変換したクロロガリウムフタロシアニン結晶を得る工程、および
（ｉｉ）前記（ｉ）の工程で得られた該クロロガリウムフタロシアニン結晶を含有する該電荷発生層を形成する工程、
を有することを特徴とする電子写真感光体の製造方法である。
【００１１】
また、本発明は、上記電子写真感光体と、帯電手段、現像手段、転写手段、およびクリーニング手段からなる群より選択される少なくとも１つの手段とを一体に支持し、電子写真装置本体に着脱自在であることを特徴とするプロセスカートリッジである。
【００１２】
また、本発明は、上記電子写真感光体と、帯電手段、露光手段、現像手段、および転写手段を有する電子写真装置である。
【００１３】
また、本発明は、ＣｕＫα特性Ｘ線回折におけるブラッグ角２θ±０．２°において７．８°、１６．４°、２４．３°および２７．８°にピークを有するクロロガリウムフタロシアニン結晶である。
【発明の効果】
【００１４】
以上説明したように、本発明によれば、感度ムラが抑制された電子写真感光体、その製造方法、ならびに、プロセスカートリッジおよび電子写真装置を提供することができる。
【００１５】
さらに、本発明によれば、特定のＸ線回折スペクトルを有するクロロガリウムフタロシアニン結晶を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】電子写真感光体を有するプロセスカートリッジを備えた電子写真装置の概略構成の一例を示す図である。
【図２】電子写真感光体の層構成の一例を示す図である。
【図３】合成例１で得られたクロロガリウムフタロシアニン結晶のＸ線回折図である。
【図４】合成例２で得られたクロロガリウムフタロシアニン結晶のＸ線回折図である。
【図５】合成例３で得られたクロロガリウムフタロシアニン結晶のＸ線回折図である。
【図６】合成例４で得られたクロロガリウムフタロシアニン結晶のＸ線回折図である。
【図７】実施例１で得られたクロロガリウムフタロシアニン結晶のＸ線回折図である。
【図８】実施例２で得られたクロロガリウムフタロシアニン結晶のＸ線回折図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
本発明の電子写真感光体は、上記のとおり、支持体および該支持体上に形成された感光層を有する。そして、感光層が、ＣｕＫα特性Ｘ線回折におけるブラッグ角２θ±０．２°の７．８°、１６．４°、２４．３°および２７．８°にピークを有するクロロガリウムフタロシアニン結晶を含有することを特徴とする。
【００１８】
本発明者らは、感光層にブラッグ角２θ±０．２°の７．８°、１６．４°、２４．３°および２７．８°にピークを有する結晶型のクロロガリウムフタロシアニン結晶を含有させることで感度ムラが抑制される理由を以下のように推測している。この特定のＸ線回折ピークを有するクロロガリウムフタロシアニンは、クロロガリウムフタロシアニン分子間のＣＴ相互作用が適度に働き、光電変換量子効率の電界強度依存性が直線となることにより、感度ムラが抑制されると考えられる。
【００１９】
上記クロロガリウムフタロシアニン結晶は、結晶内にＮ−エチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルホルムアミド、およびＮ−［２−（ジメチルアミノ）エチル］−Ｎ−メチルホルムアミドからなる群より選択される少なくとも１つを含有することが好ましい。その含有量は０．１〜１０質量％であることが好ましい。
【００２０】
本発明のクロロガリウムフタロシアニン結晶は、以下の工程により得ることができる。すなわち、ＣｕＫα特性Ｘ線回折における最大ピークの半値幅が０．４°〜１．６°のクロロガリウムフタロシアニン結晶を溶剤と混合した湿式ミリング処理により結晶変換する工程から得られる。上記範囲の半値幅を有するクロロガリウムフタロシアニン結晶は、例えば次の２つの方法で得ることができる。１つは、ガリウム化合物とフタロシアニン環を形成する化合物とをクロロ化芳香族化合物中で反応させて高結晶性クロロガリウムフタロシアニン結晶を得る。これを硫酸と混合してアシッドペースティングを行い、低結晶性ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を得る。この低結晶性ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を塩酸と混合することで、上記範囲の半値幅を有するクロロガリウムフタロシアニン結晶を得ることができる。もう１つは、上記で得られた高結晶性クロロガリウムフタロシアニン結晶をミリングすることで、上記範囲の半値幅を有するクロロガリウムフタロシアニン結晶を得ることができる。この上記範囲の半値幅を有するクロロガリウムフタロシアニン結晶は、結晶性がやや低いことにより、効果的に結晶変換を進めやすくなる。
【００２１】
結晶変換する工程で行う湿式ミリングに用いる溶剤として、Ｎ−エチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルホルムアミド、Ｎ−［２−（ジメチルアミノ）エチル］−Ｎ−メチルホルムアミドからなる群より選択される少なくとも１つが挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、２種類以上を混合して用いることもできる。上記溶剤を用いて湿式ミリング処理することにより、ＣｕＫα線のＸ線回折におけるブラッグ角２θ±０．２°において７．８°、１６．４°、２４．３°および２７．８°にピークを有するクロロガリウムフタロシアニン結晶が得られる。
【００２２】
ここで行う湿式ミリング処理とは、例えば、ガラスビーズ、スチールビーズ、アルミナボールなどの分散剤とともにサンドミル、ボールミル、ペイントシェーカーなどのミリング装置を用いて行う処理である。ミリング時間は、４〜５００時間程度が好ましい。湿式ミリング処理において加える溶剤の量は、質量基準でガリウムフタロシアニンの５〜３０倍が好ましい。
【００２３】
クロロガリウムフタロシアニン結晶が、結晶内にＮ−エチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルホルムアミド、Ｎ−［２−（ジメチルアミノ）エチル］−Ｎ−メチルホルムアミドを含有していることは、ＮＭＲ測定のデータを解析することにより決定する。
【００２４】
本発明のクロロガリウムフタロシアニン結晶のＸ線回折の測定およびＮＭＲの測定は、次の条件で行ったものである。
【００２５】
（粉末Ｘ線回折測定）
使用測定機：理学電気（株）製、Ｘ線回折装置ＲＩＮＴ−ＴＴＲＩＩ
Ｘ線管球：Ｃｕ
管電圧：５０ｋＶ
管電流：３００ｍＡ
スキャン方法：２θ／θスキャン
スキャン速度：４．０°／ｍｉｎ
サンプリング間隔：０．０２°
スタート角度（２θ）：５．０°
ストップ角度（２θ）：４０．０°
アタッチメント：標準試料ホルダー
フィルター：不使用
インシデントモノクロ：使用
カウンターモノクロメーター：不使用
発散スリット：開放
発散縦制限スリット：１０．００ｍｍ
散乱スリット：開放
受光スリット：開放
カウンター：シンチレーションカウンター
【００２６】
（ＮＭＲ測定）
使用測定器：ＢＲＵＫＥＲ製、ＡＶＡＮＣＥＩＩＩ  ５００
溶媒：重硫酸（Ｄ２ＳＯ４）
積算回数：２０００
本発明のクロロガリウムフタロシアニン結晶は、光導電体としての機能に優れ、電子写真感光体以外にも、太陽電池、センサー、スイッチング素子などに適用することができる。
【００２７】
次に、本発明のクロロガリウムフタロシアニン結晶を電子写真感光体における電荷発生物質として適用する場合を説明する
本発明の電子写真感光体は、支持体および感光層を有する。
【００２８】
感光層は、電荷輸送物質と電荷発生物質を同一の層に含有する単層型感光層、電荷発生物質を含有する電荷発生層と電荷輸送物質を含有する電荷輸送層とに分離した積層型（機能分離型）感光層が挙げられる。電子写真特性の観点から、電荷発生層および電荷発生層上に形成された電荷輸送層を有する積層型感光層が好ましい。
【００２９】
図２の（ａ）および（ｂ）は、本発明の電子写真感光体の層構成の一例を示す図である。図２の（ａ）は単層型感光層を示し、支持体１０１上に、下引き層１０２が形成され、下引き層１０２上に感光層１０３が形成されている。図２の（ｂ）は積層型感光層を示し、支持体１０１上に下引き層１０２が形成され、下引き層１０２上に電荷発生層１０４が形成され、電荷発生層１０４上に電荷発生層１０５が形成される。
【００３０】
〔支持体〕
支持体は、導電性を有するもの（導電性支持体）が好ましい。例えば、アルミニウムやステンレス鋼といった金属または合金製の支持体が挙げられる。また、表面に導電性皮膜を設けてなる金属、プラスチック、または紙製の支持体が挙げられる。
【００３１】
また、支持体の形状としては、例えば、円筒状、フィルム状が挙げられる。
【００３２】
支持体と後述の下引き層との間には、支持体の表面のムラの隠蔽、干渉縞の抑制を目的として、導電層を設けてもよい。導電層は、導電性粒子、結着樹脂、および溶剤を分散させて得られる導電層用塗布液の塗膜を形成し、この塗膜を乾燥させることによって形成することができる。
【００３３】
導電性粒子としては、例えば、アルミニウム粒子、酸化チタン粒子、酸化スズ粒子、酸化亜鉛粒子、カーボンブラック、銀粒子が挙げられる。結着樹脂としては、例えば、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリビニルブチラール、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、フェノール樹脂、アルキッド樹脂が挙げられる。導電層用塗布液の溶剤としては、例えば、エーテル系溶剤、アルコール系溶剤、ケトン系溶剤、芳香族炭化水素系溶剤が挙げられる。
【００３４】
導電層の膜厚は、５〜４０μｍであることが好ましく、１０〜３０μｍであることがより好ましい。
【００３５】
支持体と感光層との間には、バリア機能や接着機能を持つ下引き層（中間層とも呼ばれる。）を設けることもできる。下引き層は、結着樹脂、および溶剤を混合させることによって調製された下引き層用塗布液の塗膜を形成し、この塗膜を乾燥させて下引き層を形成することができる。
【００３６】
下引き層に用いられる結着樹脂としては、例えば、ポリビニルアルコール、ポリエチレンオキシド、エチルセルロース、メチルセルロース、カゼイン、ポリアミド、にかわ、ゼラチンが挙げられる。下引き層の膜厚は、０．１〜１０μｍであることが好ましく、０．３〜５．０μｍであることがより好ましい。
【００３７】
〔感光層、電荷発生層〕
感光層が積層型感光層である場合、電荷発生層は、電荷発生物質として本発明のクロロガリウムフタロシアニン結晶を含有する。電荷発生層は、クロロガリウムフタロシアニン結晶および結着樹脂を溶剤に分散させて調製された電荷発生層用塗布液の塗膜を形成し、この塗膜を乾燥させることによって形成することができる。クロロガリウムフタロシアニン結晶を分散させる場合では、結着樹脂を加えていればクロロガリウムフタロシアニン結晶の結晶型は変化しない。
【００３８】
電荷発生層の膜厚は、０．０５〜１μｍであることが好ましく、０．１〜０．３μｍであることがより好ましい。
【００３９】
電荷発生層中の電荷発生物質の含有量は、電荷発生層の全質量に対して３０〜９０質量％であることが好ましく、５０〜８０質量％であることがより好ましい。
【００４０】
電荷発生層に用いられる電荷発生物質として、本発明のクロロガリウムフタロシアニン結晶以外のものを併用してもよい。その場合、本発明のクロロガリウムフタロシアニン結晶は、電荷発生物質の全質量に対して５０質量％以上であることが好ましい。
【００４１】
電荷発生層に用いられる結着樹脂としては、例えば、ポリエステル、アクリル樹脂、フェノキシ樹脂、ポリカーボネート、ポリビニルブチラール、ポリスチレン、ポリビニルアセテート、ポリサルホン、ポリアリレート、塩化ビニル、塩化ビニリデン、アクリロニトリル共重合体、ポリビニルベンザールが挙げられる。これらの中でも、ポリビニルブチラール、ポリビニルベンザールが好ましい。
【００４２】
〔感光層、電荷輸送層〕
電荷輸送層は、電荷輸送物質および結着樹脂を溶剤に溶解させて調製された電荷輸送層用塗布液の塗膜を形成し、この塗膜を乾燥させることによって形成することができる。
【００４３】
電荷輸送物質としては、例えば、トリアリールアミン化合物、ヒドラゾン化合物、スチルベン化合物、ピラゾリン化合物、オキサゾール化合物、チアゾール化合物、トリアリルメタン化合物が挙げられる。これらの中でも、トリアリールアミン化合物が好ましい。
【００４４】
電荷輸送層に用いられる結着樹脂としては、例えば、ポリエステル、アクリル樹脂、フェノキシ樹脂、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリビニルアセテート、ポリサルホン、ポリアリレート（ｐｏｌｙａｒｙｌａｔｅ）、塩化ビニリデン、アクリロニトリル共重合体が挙げられる。これらの中でも、ポリカーボネート、ポリアリレートが好ましい。
【００４５】
電荷輸送層の膜厚は、５〜４０μｍであることが好ましく、１０〜２５μｍであることがより好ましい。電荷輸送層中の電荷輸送物質の含有量は、電荷輸送層の全質量に対して２０〜８０質量％であることが好ましく、３０〜６０質量％であることがより好ましい。
【００４６】
感光層が単層型感光層である場合、単層型感光層用塗布液の塗膜を形成し、この塗膜を乾燥させることによって形成することができる。単層型感光層用塗布液は、電荷発生物質として本発明のクロロガリウムフタロシアニン結晶、電荷輸送物質、結着樹脂、および溶剤を混合させることよって調製することができる。
【００４７】
感光層上には、感光層を保護することを目的として、保護層を設けてもよい。
【００４８】
保護層は、結着樹脂を溶剤に溶解させて調製された保護層用塗布液の塗膜を形成し、この塗膜を乾燥させることによって形成することができる。保護層に用いられる結着樹脂としては、例えば、ポリビニルブチラール、ポリエステル、ポリカーボネート、ナイロン、ポリイミド、ポリアリレート、ポリウレタン、スチレン−ブタジエンコポリマー、スチレン−アクリル酸コポリマー、スチレン−アクリロニトリルコポリマーが挙げられる。
【００４９】
また、保護層に電荷輸送能を持たせるために、電荷輸送能（正孔輸送能）を有するモノマーを種々の重合反応、架橋反応を用いて硬化させることによって保護層を形成してもよい。具体的には、連鎖重合性官能基を有する電荷輸送性化合物（正孔輸送性化合物）を重合または架橋させ、硬化させることによって保護層を形成することが好ましい。
【００５０】
保護層の膜厚は、０．０５〜２０μｍであることが好ましい。
【００５１】
上記各層の塗布液を塗布する方法としては、例えば、浸漬塗布法（ディッピング法）、スプレーコーティング法、スピンナーコーティング法、ビードコーティング法、ブレードコーティング法、ビームコーティング法が挙げられる。
【００５２】
電子写真感光体の表面層となる層には、導電性粒子、紫外線吸収剤、フッ素原子含有樹脂粒子などの潤滑性粒子を含有させてもよい。導電性粒子としては、例えば、酸化スズ粒子などの金属酸化物粒子が挙げられる。
【００５３】
図１は、電子写真感光体を有するプロセスカートリッジを備えた電子写真装置の概略構成の一例を示す図である。
【００５４】
円筒状（ドラム状）の電子写真感光体１は、軸２を中心に矢印方向に所定の周速度（プロセススピード）をもって回転駆動される。
【００５５】
電子写真感光体１の表面（周面）は、回転過程において、帯電手段（一次帯電手段）３により、正または負の所定電位に帯電される。次いで、電子写真感光体１の表面には、露光手段（像露光手段）（不図示）から露光光（像露光光）４が照射され、目的の画像情報に対応した静電潜像が電子写真感光体１の表面に形成される。露光光４は、例えば、スリット露光やレーザービーム走査露光といった露光手段から出力される、目的の画像情報の時系列電気デジタル画像信号に対応して強度変調された光である。
【００５６】
電子写真感光体１の表面に形成された静電潜像は、現像手段５内に収容された現像剤（トナー）で現像（正規現像または反転現像）され、電子写真感光体１の表面にはトナー像が形成される。電子写真感光体１の表面に形成されたトナー像は、転写手段６により、転写材Ｐに転写されていく。このとき、転写手段６には、バイアス電源（不図示）からトナーの保有電荷とは逆極性の電圧（転写バイアス）が印加される。また、転写材Ｐは、転写材供給手段（不図示）から電子写真感光体１の回転と同期して取り出されて、電子写真感光体１と転写手段６との間に給送される。
【００５７】
トナー像が転写された転写材Ｐは、電子写真感光体１の表面から分離されて、定着手段８へ搬送されて、トナー像の定着処理を受け、画像形成物（プリント、コピー）として電子写真装置の外へプリントアウトされる。
【００５８】
トナー像が転写材Ｐに転写された後の電子写真感光体１の表面は、クリーニング手段７により、転写残りの現像剤（転写残りトナー）などの付着物の除去を受けて清浄される。また、転写残トナーを現像手段などで回収することもできる（クリーナーレスシステム）。
【００５９】
さらに、電子写真感光体１の表面は、前露光手段（不図示）からの前露光光（不図示）が照射され、除電処理された後、繰り返し画像形成に使用される。なお、図１に示すように、帯電手段３が帯電ローラーなどを用いた接触帯電手段である場合は、前露光手段は必ずしも必要ではない。
【００６０】
電子写真感光体１、帯電手段３、現像手段５、転写手段６およびクリーニング手段７などの構成要素のうち、複数の構成要素を容器に納めて一体に支持してプロセスカートリッジを形成してもよい。このプロセスカートリッジを電子写真装置本体に対して着脱自在に構成することができる。例えば、帯電手段３、現像手段５およびクリーニング手段７から選択される少なくとも１つの手段を電子写真感光体１とともに一体に支持してカートリッジ化する。そして、電子写真装置本体のレールといった案内手段１０を用いて電子写真装置本体に着脱自在なプロセスカートリッジ９とすることができる。
【００６１】
露光光４は、電子写真装置が複写機やプリンターである場合には、原稿からの反射光や透過光であってもよい。または、センサーで原稿を読み取り、信号化し、この信号に従って行われるレーザービームの走査、ＬＥＤアレイの駆動、液晶シャッターアレイの駆動などにより放射される光であってもよい。
【実施例】
【００６２】
以下に、具体的な実施例を挙げて本発明をさらに詳細に説明する。ただし、本発明は、これらに限定されるものではない。以下に示す「部」は、「質量部」を意味する。なお、実施例および比較例の電子写真感光体の各層の膜厚は、渦電流式膜厚計（ＦＩＳＣＨＥＲＳＣＯＰＥ、フィッシャーインスツルメント社製）、または単位面積当たりの質量から比重換算で求めた。
【００６３】
〔合成例１〕
オルトフタロニトリル３６．７部、三塩化ガリウム２５部、α−クロロナフタレン３００部を窒素雰囲気下２００℃で５．５時間反応させた後、１３０℃で生成物を濾過した。得られた生成物をＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミドを用いて１４０℃で２時間分散洗浄した後、濾過し、濾取物をメタノールで洗浄乾燥し、高結晶性のクロロガリウムフタロシアニンを４６部得た。このクロロガリウムフタロシアニンは、ＣｕＫα特性Ｘ線回折におけるブラッグ角２θの７．４°、１６．６°、２５．６°及び２８．４°にピークを有する結晶形の結晶であった。最大ピークの半値幅は０．１９°であった。結晶形の測定結果（Ｘ線回折図）を図３に示す。
【００６４】
〔合成例２〕
合成例１で得られたクロロガリウムフタロシアニン２４部を５℃の濃硫酸７５０部に溶解させ、氷水２５００部中に攪拌下に滴下して再析出させた。これを減圧濾過した。このときにフィルターとして、Ｎｏ．５Ｃ（アドバンテック社製）を用いた。その後、２％アンモニア水で３０分分散洗浄し、次いでイオン交換水で分散洗浄を４回行った。最後にフリーズドライを行い、低結晶性のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を９７％の収率で得た。このヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶は、ＣｕＫα特性Ｘ線回折におけるブラッグ角２θの６．９°および２６．４°にピークを有する結晶形の結晶であった。
【００６５】
このヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶１０部と、濃度３５質量％で２３℃の塩酸水溶液２００部を混合した。その混合液を、マグネチックスターラーで９０分撹拌した。撹拌後、氷水で冷却された１０００部のイオン交換水に滴下して、マグネチックスターラーで３０分撹拌した。これを減圧濾過した。このときにフィルターとして、Ｎｏ．５Ｃ（アドバンテック社製）を用いた。その後イオン交換水で分散洗浄を４回行った。このようにしてクロロガリウムフタロシアニン結晶９部を得た。このクロロガリウムフタロシアニン結晶は、ＣｕＫα特性Ｘ線回折におけるブラッグ角２θの７．１°、１６．６°、２５．７°、２７．４°および２８．３°にピークを有する結晶形の結晶であった。最大ピークの半値幅は０．８９°であった。結晶形の測定結果（Ｘ線回折図）を図４に示す。なお、合成例２では、ヒドロキシガリウムフタロシアニンと塩酸水溶液が反応して、クロロガリウムフタロシアニンが得られている。
【００６６】
〔合成例３〕
合成例１で得られたクロロガリウムフタロシアニン０．５部と直径１ｍｍのガラスビーズ１５部を、室温（２３℃）下でペイントシェーカー分散を２４時間行い、クロロガリウムフタロシアニン０．４１部を得た。このクロロガリウムフタロシアニン結晶は、ＣｕＫα特性Ｘ線回折におけるブラッグ角２θの７．３°、１６．５°、２５．７°および２８．４°にピークを有する結晶形の結晶であった。最大ピークの半値幅は０．６８°であった。結晶形の測定結果（Ｘ線回折図）を図５に示す。
【００６７】
〔合成例４〕
１，３−ジイミノイソインドリン３０部、三塩化ガリウム８部、ジメチルスルホキシド２３０部を窒素雰囲気下１５０℃で１２時間反応させた後、１３０℃で生成物を濾過した。得られた生成物をＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミドを用いて１４０℃で２時間分散洗浄した後、濾過し、濾取物をメタノールで洗浄乾燥し、クロロガリウムフタロシアニン２８部を得た。このクロロガリウムフタロシアニンを合成例２と同様の処理を行って高結晶性のクロロガリウムフタロシアニン結晶を得た。このクロロガリウムフタロシアニン結晶は、ＣｕＫα特性Ｘ線回折におけるブラッグ角２θの７．１°、１６．６°、２５．７°および２８．２°にピークを有する結晶形の結晶であった。最大ピークの半値幅は０．９２°であった。結晶形の測定結果（Ｘ線回折図）を図６に示す。
【００６８】
〔実施例１〕
直径２４ｍｍ、長さ２５７ｍｍのアルミニウムシリンダー（ＪＩＳ−Ａ３００３、アルミニウム合金）を支持体（導電性支持体）とした。
【００６９】
次に、酸化スズで被覆された硫酸バリウム粒子（商品名：パストランＰＣ１、三井金属鉱業（株）製）６０部、
酸化チタン粒子（商品名：ＴＩＴＡＮＩＸＪＲ、テイカ（株）製）１５部、
レゾール型フェノール樹脂（商品名：フェノライトＪ−３２５、大日本インキ化学工業（株）製、固形分７０質量％）４３部、
シリコーンオイル（商品名：ＳＨ２８ＰＡ、東レシリコーン（株）製）０．０１５部、
シリコーン樹脂粒子（商品名：トスパール１２０、東芝シリコーン（株）製）３．６部、
２−メトキシ−１−プロパノール５０部、および、メタノール５０部をボールミルに入れ、２０時間分散処理することによって、導電層用塗布液を調製した。この導電層用塗布液を支持体上に浸漬塗布して塗膜を形成し、得られた塗膜を１時間１４０℃で加熱して硬化させることによって、膜厚が１５μｍの導電層を形成した。
【００７０】
次に、共重合ナイロン（商品名：アミランＣＭ８０００、東レ（株）製）１０部、および、
メトキシメチル化６ナイロン（商品名：トレジンＥＦ−３０Ｔ、帝国化学（株）製）３０部を、
メタノール４００部／ｎ−ブタノール２００部の混合溶剤に溶解させることによって、下引き層用塗布液を調製した。この下引き層用塗布液を導電層上に浸漬塗布して塗膜を形成し、得られた塗膜を６分間８０℃で乾燥させることによって、膜厚が０．４２μｍの下引き層を形成した。
【００７１】
合成例２で得られたクロロガリウムフタロシアニン結晶１部、Ｎ−エチルホルムアミド２０部、および直径１ｍｍのガラスビーズ３０部を室温（２３℃）下、ボールミルで湿式ミリング処理を２４時間行った。この分散液からテトラヒドロフランを用いてクロロガリウムフタロシアニン結晶を取り出し、濾過し、濾過器上をテトラヒドロフランで十分に洗浄した。濾取物を真空乾燥させて、クロロガリウムフタロシアニン結晶を０．８６部得た。このクロロガリウムフタロシアニン結晶は、ＣｕＫα特性Ｘ線回折におけるブラッグ角２θの７．８°、１６．４°、２４．３°および２７．８°にピークを有する結晶形の結晶であった。結晶形の測定結果（Ｘ線回折図）を図７に示す。また、ＮＭＲ測定により、クロロガリウムフタロシアニン結晶由来のピークの他に、Ｎ−エチルホルムアミド由来のピークが観測された。
【００７２】
このクロロガリウムフタロシアニン結晶を電荷発生物質として２部、ポリビニルブチラール（商品名：エスレックＢＸ−１、積水化学工業（株）製）１部、およびシクロヘキサノン５２部を、直径１ｍｍのガラスビーズを用いたサンドミルに入れ、６時間分散処理した。その後、酢酸エチル７５部を加えることによって、電荷発生層用塗布液を調製した。
【００７３】
この電荷発生層用塗布液を下引き層上に浸漬塗布して塗膜を形成し、得られた塗膜を１０分間１００℃で乾燥させることによって、支持体の上端から３０ｍｍの位置と、１００ｍｍの位置における膜厚が共に０．１６μｍの電荷発生層を形成した。
【００７４】
次に、下記式（Ｃ−１）で示される化合物（電荷輸送物質（正孔輸送性化合物））２８部、
【００７５】
【化１】
2016139004.tif 000003
【００７６】
下記式（Ｃ−２）で示される化合物（電荷輸送物質（正孔輸送性化合物））４部、
【００７７】
【化２】
2016139004.tif 000004
【００７８】
および、ポリカーボネート（商品名：ユーピロンＺ２００、三菱エンジニアリングプラスチックス（株）製）４０部を、
モノクロロベンゼン２００部／ジメトキシメタン５０部の混合溶剤に溶解させることによって電荷輸送層用塗布液を調製した。この電荷輸送層用塗布液を電荷発生層上に浸漬塗布して塗膜を形成し、塗膜を３０分間１２０℃で乾燥させることによって、支持体の上端から３０ｍｍの位置における膜厚が１２μｍで、１００ｍｍの位置における膜厚が１６μｍの電荷輸送層を形成した。
【００７９】
このようにして、円筒状（ドラム状）の実施例１の電子写真感光体を製造した。
【００８０】
〔実施例２〜７〕
実施例１において、湿式ミリング処理するクロロガリウムフタロシアニンと処理条件を表１に示すように変更してクロロガリウムフタロシアニン結晶を作製した以外は実施例１と同様にして電子写真感光体を製造した。
【００８１】
実施例２の電荷発生物質として用いたクロロガリウムフタロシアニン結晶は、ＣｕＫα特性Ｘ線回折におけるブラッグ角２θの７．８°、１６．４°、２４．２°および２７．７°にピークを有する結晶形の結晶であった。
【００８２】
実施例３の電荷発生物質として用いたクロロガリウムフタロシアニン結晶は、ＣｕＫα特性Ｘ線回折におけるブラッグ角２θの７．８°、１６．４°、２４．２°および２７．８°にピークを有する結晶形の結晶であった。
【００８３】
実施例４の電荷発生物質として用いたクロロガリウムフタロシアニン結晶は、ＣｕＫα特性Ｘ線回折におけるブラッグ角２θの７．７°、１６．３°、２４．３°および２７．８°にピークを有する結晶形の結晶であった。
【００８４】
実施例５の電荷発生物質として用いたクロロガリウムフタロシアニン結晶は、ＣｕＫα特性Ｘ線回折におけるブラッグ角２θの７．８°、１６．５°、２４．３°および２７．９°にピークを有する結晶形の結晶であった。
【００８５】
実施例６の電荷発生物質として用いたクロロガリウムフタロシアニン結晶は、ＣｕＫα特性Ｘ線回折におけるブラッグ角２θの７．９°、１６．４°、２４．４°および２７．８°にピークを有する結晶形の結晶であった。
【００８６】
実施例７の電荷発生物質として用いたクロロガリウムフタロシアニン結晶は、ＣｕＫα特性Ｘ線回折におけるブラッグ角２θの７．８°、１６．５°、２４．２°および２７．７°にピークを有する結晶形の結晶であった。
【００８７】
〔比較例１〕
実施例１において、電荷発生物質として合成例１のクロロガリウムフタロシアニンに変更して電荷発生層用塗布液を調製した以外は実施例１と同様にして電子写真感光体を製造した。
【００８８】
〔実施例１〜７および比較例１の評価〕
実施例１〜７および比較例１の電子写真感光体について、感度ムラ評価を行った。
【００８９】
評価用の電子写真装置としては、日本ヒューレットパッカード（株）製のレーザービームプリンター（商品名：Ｃｏｌｏｒ  Ｌａｓｅｒ  Ｊｅｔ  ＣＰ３５２５ｄｎ）を、以下に示す改造を施して用いた。すなわち、前露光は点灯せず、帯電条件と像露光量は可変で作動するようにした。また、シアン色用のプロセスカートリッジに作製した電子写真感光体を装着してシアンのプロセスカートリッジのステーションに取り付け、他の色用のプロセスカートリッジをプリンター本体に装着せずとも作動するようにした。
【００９０】
まず、温度２３℃／湿度５５％ＲＨの常温常湿環境下で、電子写真感光体の支持体上端から１００ｍｍの位置における電子写真感光体の周方向の平均電位において、暗部電位が−４５０Ｖ、明部電位が−１７０Ｖになるように帯電条件と像露光量を調整した。電位設定の際の円筒状の電子写真感光体の表面電位の測定は、カートリッジを改造し、現像位置に電位プローブ（商品名：ｍｏｄｅｌ６０００Ｂ−８、トレック・ジャパン（株）製）を装着する。その後、円筒状の電子写真感光体の中央部の電位を表面電位計（商品名：ｍｏｄｅｌ３４４、トレック・ジャパン（株）製）を使用して測定した。
【００９１】
その後、同条件下で電子写真感光体の支持体上端から３０ｍｍの位置における明部電位を測定し、１００ｍｍ位置における明部電位（−１７０Ｖ）との差を測定し、電荷輸送層の膜厚ムラに伴う感度ムラを評価した。評価結果を表１に示す。使用するにはこの電位差が２０Ｖ以下であることが好ましい。
【００９２】
【表１】
2016139004.tif 000005
【符号の説明】
【００９３】
１  電子写真感光体
２  軸
３  帯電手段（一次帯電手段）
４  露光光（像露光光）
５  現像手段
６  転写手段
７  クリーニング手段
８  定着手段
９  プロセスカートリッジ
１０  案内手段
Ｐ  転写材
【図１】
2016139004.tif 000006
【図２】
2016139004.tif 000007
【図３】
2016139004.tif 000008
【図４】
2016139004.tif 000009
【図５】
2016139004.tif 000010
【図６】
2016139004.tif 000011
【図７】
2016139004.tif 000012
【図８】
2016139004.tif 000013