(57)【要約】【課題】半導体素子の一面に対してウェッジボンディングによりワイヤを接合するにあたって、ワイヤボンディング条件を反映して半導体素子の一面の傾きを精度よく検出する。【解決手段】ボンディングステージ２００上の半導体素子３０に対して、ボンディングツール１００によって、ワイヤ４０の径Ｄよりもはみ出した潰れ部４１を形成する仮ボンディングを行う。続いて、超音波振動の方向を第１方向Ｙ、これに直交する方向を第２方向Ｘ、潰れ部４１のうち第１方向Ｙに最大寸法Ｌを有する第１最大寸法部４１ａにおける両端の厚さをｔ１、ｔ２、潰れ部４１を含んで第２方向Ｘに最大寸法Ｗを有する第２最大寸法部４１ｂにおける両端の厚さをｔ３、ｔ４、第１の方向Ｙ、第２の方向Ｘにおける半導体素子３０の一面３１の傾き角度をθ１、θ２として、ｔａｎθ１＝（ｔ１−ｔ２）／Ｌおよびｔａｎθ２＝（ｔ３−ｔ４）／Ｗの関係から傾き角度θ１、θ２を求める。【選択図】図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
一面（３１）がボンディング面とされた半導体素子（３０）の当該一面に対してワイヤ（４０）を接触させた状態で、該一面の上方からボンディングツール（１００）にて前記ワイヤに荷重および超音波振動を印加することにより、前記ワイヤを潰すように変形させて接合するウェッジボンディングによるワイヤボンディング方法であって、
前記半導体素子をボンディングステージ（２００）に搭載する搭載工程と、
前記半導体素子の一面の水平面からの傾きを求める傾き判定工程と、
前記傾き判定工程にて求められた前記半導体素子の一面の傾きを修正する傾き修正工程と、
しかる後、ウェッジボンディングによる前記ワイヤの接合を行うボンディング工程と、を備え、
前記傾き判定工程では、前記ボンディングツールによって、前記半導体素子の一面に前記ワイヤを接触させ、該ワイヤに対して荷重および超音波振動を印加して前記ワイヤを潰すように変形させ、前記ワイヤの径よりもはみ出して変形した部分である潰れ部（４１）を形成する仮ボンディングとしての第１の工程と、
前記水平面内において前記超音波振動の方向を第１方向Ｙ、前記第１方向Ｙと直交する方向を第２方向Ｘとし、
前記潰れ部のうち前記第１方向Ｙに沿った最大寸法Ｌを有する部分を第１最大寸法部（４１ａ）、前記潰れ部を含んで前記第２方向Ｘに沿った最大寸法Ｗを有する部分を第２最大寸法部（４１ｂ）とし、
前記第１最大寸法部の前記第１方向Ｙにおける両端の厚さをｔ１およびｔ２、前記第２最大寸法部の前記第２方向Ｘにおける両端の前記潰れ部の厚さをｔ３およびｔ４、前記第１の方向Ｙにおける前記半導体素子の一面の傾き角度をθ１、前記第２の方向Ｘにおける前記半導体素子の一面の傾き角度をθ２としたとき、
ｔａｎθ１＝（ｔ１−ｔ２）／Ｌ、および、ｔａｎθ２＝（ｔ３−ｔ４）／Ｗの関係から、前記傾き角度θ１、θ２を求める第２の工程と、を行うものであり、
前記傾き修正工程では、前記第２の工程で求められた前記傾き角度θ１、θ２に基づいて前記ボンディングステージを調整し、前記半導体素子の一面が水平面に平行となるように前記半導体素子の一面の傾きを修正することを特徴とするワイヤボンディング方法。
【請求項２】
前記第１の工程における前記荷重は、前記ボンディング工程における荷重よりも小さい荷重であり、前記第１の工程における前記超音波振動のパワーは、前記ボンディング工程における超音波振動のパワーよりも小さいパワーであることを特徴とする請求項１に記載のワイヤボンディング方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子の一面に対してウェッジボンディングによりワイヤを接合するワイヤボンディング方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、この種のウェッジボンディングによるボンディング方法では、たとえば特許文献１に記載のものが提案されている。具体的には、一面がボンディング面とされた半導体素子の当該一面に対してワイヤを接触させた状態で、該一面の上方からボンディングツールにてワイヤに荷重および超音波振動を印加する。これにより、ワイヤが潰されて変形するので、ワイヤが半導体素子の一面に接合される。
【０００３】
ここで、半導体素子はボンディングステージに搭載された状態でボンディングされるが、半導体素子とステージとの間に異物が介在すると、半導体素子の一面が水平面より傾きやすい。また、しばしば、半導体素子は、基板上にはんだ等で接着された状態でボンディングステージに搭載されるが、はんだ厚さの不均一等によっても、半導体素子の一面が水平面より傾きやすい。
【０００４】
このように半導体素子の一面が傾いた状態でウェッジボンディングを行うと、ボンディングツールによって薄く変形したワイヤの潰れ部が、非対称性の大きい形状となりやすく、接合信頼性の低下を引き起こしやすい。
【０００５】
そこで、従来では、たとえば特許文献１に記載されているように、ボンディング面である半導体素子の一面の傾きを、レーザやカメラを用いた撮像等の光学的手段で検出して求め、求められた傾きを修正してワイヤボンディングを行うようにしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平１１−１５０１４８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、従来における半導体素子の一面の傾きを求める方法は、上述のように、レーザやカメラ撮像等の光学的手段により、半導体素子の一面の傾き状態を直接検出するものである。
【０００８】
しかし、この場合、半導体素子の一面の傾きは、実際のワイヤボンディング中の状態、すなわちボンディング荷重や超音波振動をワイヤに印加した状態に基づいて求められたものではない。そのため、当該傾きを精度よく修正して正常なボンディングを実現するためには、ワイヤボンディング条件を反映した傾き検出が望まれる。
【０００９】
本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、半導体素子の一面に対してウェッジボンディングによりワイヤを接合するにあたって、ワイヤボンディング条件を反映した精度のよい傾き検出を可能とすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、一面（３１）がボンディング面とされた半導体素子（３０）の当該一面に対してワイヤ（４０）を接触させた状態で、該一面の上方からボンディングツール（１００）にてワイヤに荷重および超音波振動を印加することにより、ワイヤを潰すように変形させて接合するウェッジボンディングによるワイヤボンディング方法であって、以下の点を特徴としている。
【００１１】
すなわち、請求項１のワイヤボンディング方法は、半導体素子をボンディングステージ（２００）に搭載する搭載工程と、半導体素子の一面の水平面からの傾きを求める傾き判定工程と、傾き判定工程にて求められた半導体素子の一面の傾きを修正する傾き修正工程と、しかる後、ウェッジボンディングによるワイヤの接合を行うボンディング工程と、を備える。
【００１２】
さらに、傾き判定工程では、次のような第１の工程と、第２の工程とを行う。第１の工程は、ボンディングツールによって、半導体素子の一面にワイヤを接触させ、該ワイヤに対して荷重および超音波振動を印加してワイヤを潰すように変形させ、ワイヤの径よりもはみ出して変形した部分である潰れ部（４１）を形成する仮ボンディングとして工程である。
【００１３】
続く、第２の工程は、水平面内において超音波振動の方向を第１方向Ｙ、第１方向Ｙと直交する方向を第２方向Ｘとし、潰れ部のうち第１方向Ｙに沿った最大寸法Ｌを有する部分を第１最大寸法部（４１ａ）、潰れ部を含んで第２方向Ｘに沿った最大寸法Ｗを有する部分を第２最大寸法部（４１ｂ）とし、第１最大寸法部の第１方向Ｙにおける両端の厚さをｔ１およびｔ２、第２最大寸法部の第２方向Ｘにおける両端の潰れ部の厚さをｔ３およびｔ４、第１の方向Ｙにおける半導体素子の一面の傾き角度をθ１、第２の方向Ｘにおける半導体素子の一面の傾き角度をθ２としたとき、ｔａｎθ１＝（ｔ１−ｔ２）／Ｌ、および、ｔａｎθ２＝（ｔ３−ｔ４）／Ｗの関係から、傾き角度θ１、θ２を求める工程である。
【００１４】
そして、傾き修正工程では、第２の工程で求められた傾き角度θ１、θ２に基づいてボンディングステージを調整し、半導体素子の一面が水平面に平行となるように半導体素子の一面の傾きを修正する。請求項１のワイヤボンディング方法は、これらの点を特徴とするものである。
【００１５】
それによれば、半導体素子の一面の傾きの有無を、仮ボンディングによって形成されたワイヤの潰れ部の状態に基づいて判定することができるため、ワイヤボンディング条件を反映した精度のよい傾き検出が行える。
【００１６】
なお、特許請求の範囲およびこの欄で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の実施形態にかかる半導体装置の要部を示す概略側面図である。
【図２】図１中の一点鎖線Ａ−Ａに沿った概略断面図である。
【図３】図１におけるワイヤの平面構成を示す概略上面図である。
【図４】上記実施形態にかかるワイヤボンディング方法におけるウェッジボンディングによるボンディング工程を示す工程図であり、（ａ）は概略側面図、（ｂ）は（ａ）中の一点鎖線Ｂ−Ｂに沿った概略断面図である。
【図５】図４に続くボンディング工程を示す工程図であり、（ａ）は概略側面図、（ｂ）は（ａ）中の一点鎖線Ｃ−Ｃに沿った概略断面図である。
【図６】ボンディングステージ上の半導体素子の一面の傾きの発生原因の一例を示す概略断面図であり、（ａ）は第１の例、（ｂ）は第２の例を示す。
【図７】上記実施形態にかかるワイヤボンディング方法の第１方向Ｙにおける傾き判定工程を示す工程図であり、（ａ）は概略側面図、（ｂ）は（ａ）中の概略上面図である。
【図８】上記実施形態にかかるワイヤボンディング方法の第２方向Ｘにおける傾き判定工程を示す工程図であり、（ａ）は概略断面図、（ｂ）は（ａ）中の概略上面図である。
【図９】上記実施形態にかかるワイヤボンディング方法の傾き修正工程を示す工程図であり、（ａ）は第１の例、（ｂ）は第２の例を示す。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各図相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、説明の簡略化を図るべく、図中、同一符号を付してある。また、以下の各図には、必要に応じて、仮想面としての水平面を破線にて示してある。
【００１９】
まず、本発明の実施形態にかかるワイヤボンディング構造体としての半導体装置について、図１〜図３を参照して述べる。この半導体装置は、たとえば自動車などの車両に搭載され、車両用の各種電子装置を駆動するための装置として適用されるものである。
【００２０】
本実施形態の半導体装置は、大きくは、基板１０と、基板１０上に接合部材２０を介して接合された半導体素子３０と、半導体素子３０に結線されたワイヤ４０と、を備えて構成されている。
【００２１】
基板１０は、たとえばプリント基板、セラミック基板等の配線基板、あるいは、リードフレームなどであり、半導体素子３０を支持するものである。半導体素子３０は、シリコン半導体等よりなるＩＣチップやトランジスタ素子等であり、半導体プロセスにより形成されたものである。
【００２２】
ここで、半導体素子３０は、チップ状のものであり、表裏の板面の一方である一面３１をボンディング面とするものである。つまり、半導体素子３０は、一面３１とは反対側の板面を基板１０に対向させた状態で、接合部材２０を介して基板１０に接合され、固定されている。この接合部材２０としては、たとえば、はんだや導電性接着剤、あるいは、絶縁性の接着剤等のダイボンド材が挙げられる。
【００２３】
ワイヤ４０は、Ａｕ（金）、Ａｌ（アルミニウム）、Ｃｕ（銅）等よりなるもので、半導体素子３０の一面３１に接合されている。詳しくは、半導体素子３０の一面３１のうちワイヤ４０の接合部は、図示しないアルミ等よりなるボンディングパッドとして構成されており、このパッドに対してワイヤ４０が結線されている。
【００２４】
なお、半導体素子３０の一面３１に接合されるワイヤ４０は、１本でもよいが、典型的には、複数本である。また、このワイヤ４０と半導体素子３０との接合部分については、ワイヤボンディングにおける一次ボンディングによる接合でもよいし、二次ボンディングによる接合でもよい。
【００２５】
ワイヤ４０は、後述するウェッジボンディングにより接合されたものであり、半導体素子３０の一面３１の上方からボンディングツール１００（図４、図５等参照）にて荷重および超音波振動を印加されることにより、潰されて変形することで接合されている。
【００２６】
ここで、図１〜図３に示されるように、ワイヤ４０には、ボンディングツール１００の荷重および超音波振動の印加により、潰れ部４１が形成されている。潰れ部４１は、ワイヤ４０の原形に対してワイヤ４０の径Ｄ（図３参照）よりもはみ出して薄く変形した部分であり、ワイヤ４０の軸（長手方向の軸）に対して両側に形成されている。
【００２７】
そして、ワイヤ４０は、この潰れ部４１にて半導体素子３０の一面３１に接合されている。なお、図１〜図３には、水平面内においてワイヤボンディング時の超音波振動の方向である第１方向Ｙ、および、第１方向Ｙと直交する方向である第２方向Ｘが示されている。ここで、第１の方向Ｙは、ワイヤ４０の軸方向と実質的に平行であり、第２の方向Ｘは、ワイヤ４０の径方向と実質的に平行である。
【００２８】
そして、図１、図２に示される例では、接合部材２０の厚さの不均一のため、半導体素子３０の一面３１は、各方向Ｙ、Ｘにて水平面から傾いている。しかし、後述するように、ワイヤボンディング時には、半導体素子３０の一面３１と水平面とは平行となるように合わされる。
【００２９】
次に、本実施形態の半導体装置の製造方法について、図４〜図９を参照して、ワイヤボンディング方法を中心に述べる。まず、基板１０の上に、接合部材２０を介して半導体素子３０を搭載し、接合する。そして、この半導体素子３０の一面３１に対して、ワイヤボンディングを行い、ワイヤ４０の結線を行う。
【００３０】
このワイヤボンディングは、典型的なウェッジボンディングに準じて行うものであるが、このウェッジボンディングの概要を述べておく。まず、半導体素子３０をボンディングステージ２００（図６参照）に搭載する（搭載工程）。ここでは、基板１０に半導体素子３０を固定したものをボンディングステージ２００に搭載する。
【００３１】
そして、図４、図５に示されるように、ウェッジボンディング法によってワイヤ４０を半導体素子３０の一面３１に接合するボンディング工程を行う。このボンディング工程は１ｓｔボンディング（一次ボンディング）、２ｎｄボンディング（二次ボンディング）の両方に共通である。
【００３２】
これら工程では、図４、図５に示されるように、ワイヤ４０の押し付けを行うボンディングツール１００と、ワイヤ４０の移動を行う図示しないワイヤガイドと、ワイヤ４０をカットする図示しないワイヤカッタとを備えたボンディング装置を用いる。これらボンディングツール１００、ワイヤガイドおよびワイヤカッタは、図示しないアクチュエータ等によって所望の位置に移動可能とされている。
【００３３】
本実施形態のウェッジボンディングでは、まず、ボンディング部分である半導体素子３０の一面３１までワイヤ４０を引き回し、そこでボンディングを行う。そして、このボンディング後に、必要に応じてワイヤカットを行う。
【００３４】
図４、図５に示されるように、ボンディングツール１００は、ワイヤ４０の押し付けを行うワイヤ押さえ面１０１にワイヤ４０の径Ｄ相当の幅の溝１０２を有するものである。ここでは、溝１０２は、断面半円状をなし、ワイヤ押さえ面１０１の一端からこれに対向する他端までの全体に渡って延びるように設けられている。
【００３５】
そして、ボンディングツール１００は、溝１０２でワイヤ４０を支持しながら、ワイヤ４０を半導体素子３０の一面３１に押し付け、超音波振動および荷重を印加するウェッジボンディングを行うようになっている。
【００３６】
ここで、図４に示されるように、本実施形態のボンディング工程では、このボンディングツール１００を用い、ワイヤ４０の一部を溝１０２に入り込ませる。そして、図５に示されるように、超音波振動および荷重を印加してワイヤ４０を潰すように変形させる。
【００３７】
これにより、図５に示されるように、ワイヤ４０には、ワイヤ４０の径Ｄよりもはみ出して変形した部分、すなわち潰れ部４１が形成される。こうして、製品としての接合されたワイヤ４０が形成され、ワイヤボンディングが完了する。
【００３８】
ここで、ボンディング面である半導体素子３０の一面３１の水平面からの傾きが発生している場合、潰れ部４１全体で荷重や振動の印加が不均一になるため、潰れ部４１の平面形状、厚さ形状はワイヤ４０の軸に対して非対称性の大きなものとなる。この傾きの発生原因の一例を図６に示す。
【００３９】
図６（ａ）の第１の例に示されるように、当該傾きは、基板１０と半導体素子３０との間の接合部材２０の厚さばらつきや、図６（ｂ）の第２の例に示されるように、基板１０とボンディングステージ２００との間に介在する異物Ｋ１等により発生する。ここで、異物Ｋ１とは、たとえばゴミや破片等である。そして、潰れ部４１形状の非対称は、ボンディング強度の低下等につながるため、好ましくない。
【００４０】
そこで、本実施形態のワイヤボンディング方法では、搭載工程と本番のボンディングであるワイヤボンディング工程との間に、さらに、ボンディングステージ２００上における半導体素子３０の一面３１の傾きを求め、この傾きを修正するようにした。
【００４１】
この場合、当該傾きが潰れ部４１の非対称形状の発生要因であることに着目して、ボンディングツール１００における実際のボンディング動作に基づいて、仮ボンディングを行い、そのときの潰れ部４１の形状から当該傾きを求めるようにした。
【００４２】
具体的には、半導体素子３０の一面３１の水平面からの傾きを求める傾き判定工程と、傾き判定工程にて求められた半導体素子３０の一面３１の傾きを修正する傾き修正工程と、を行う。しかる後、上記図４、図５に示したように、ウェッジボンディングによるワイヤの接合を行う本番のボンディングとしてのボンディング工程、を行う。
【００４３】
傾き判定工程では、まず図７、図８に示されるように、仮ボンディングとしての第１の工程を行う。この第１の工程では、上記図４、図５に示したボンディングツール１００の動作と同様の動作により、仮ボンディングを行う。
【００４４】
具体的には、第１の工程では、ボンディングツール１００によって、半導体素子３０の一面３１にワイヤ４０を接触させ、ワイヤ４０に対して荷重および超音波振動を印加してワイヤ４０を潰すように変形させる。これにより、第１の工程において、ワイヤ４０の径Ｄよりもはみ出して変形した部分である潰れ部４１が形成され、ワイヤ４０が仮ボンディングされる。
【００４５】
しかし、上記図６に示される原因等により、この仮ボンディングの際に、半導体素子３０の一面３１に傾きが発生している場合、図７、図８に示されるように、潰れ部４１は、ワイヤ４０の軸の両側で非対称性の大きな形状となる。
【００４６】
図７、図８に示されるように、水平面内において超音波振動の方向である第１方向Ｙ、第１方向Ｙと直交する方向である第２方向Ｘのいずれにおいても、当該傾きによって低くなっている方が潰れ部４１は厚く、拡がり度合が小さいものとされている。つまり、傾きの方向と潰れ部４１の非対称性の傾向とは、相関がある。
【００４７】
ここで、図７に示されるように、潰れ部４１のうち第１方向Ｙに沿った最大寸法Ｌを有する部分を、第１最大寸法部４１ａとする。一方、図８に示されるように、ワイヤ４０において潰れ部４１を含んで第２方向Ｘに沿った最大寸法Ｗを有する部分を、第２最大寸法部４１ｂとする。つまり、第２最大寸法部４１ｂは、ワイヤ４０の軸の両側の潰れ部４１と、これら両方の潰れ部４１間に介在するワイヤ４０の径Ｄの幅の領域と、により構成される。
【００４８】
また、図７に示されるように、第１最大寸法部４１ａの第１方向Ｙにおける両端の厚さのうち一方をｔ１とし、他方をｔ２とする。また、図８に示されるように、第２最大寸法部４１ｂの第２方向Ｘにおける両端の潰れ部４１の厚さのうち一方をｔ３とし、他方をｔ４とする。
【００４９】
そして、図７に示されるように、第１の方向Ｙにおける半導体素子３０の一面３１の傾き角度をθ１とし、図８に示されるように、第２の方向Ｘにおける半導体素子３０の一面３１の傾き角度をθ２とする。そして、これら図７、図８における各寸法においては、ｔａｎθ１＝（ｔ１−ｔ２）／Ｌの関係、および、ｔａｎθ２＝（ｔ３−ｔ４）／Ｗの関係が成立する。
【００５０】
そこで、傾き判定工程では、第２の工程として、レーザやカメラ等の光学的手段を用いて、上記第１の工程で得られた潰れ部４１の各寸法ｔ１、ｔ２、ｔ３、ｔ４、Ｌ、Ｗを求める。そして、第２の工程では、パソコン等による計算を行い、ｔａｎθ１＝（ｔ１−ｔ２）／Ｌ、および、ｔａｎθ２＝（ｔ３−ｔ４）／Ｗの関係から、第１の方向Ｙの傾き角度θ１、および、第２の方向Ｘの傾き角度θ２を求める。
【００５１】
なお、ワイヤ４０の軸の両側に潰れ部４１が形成されているが、この場合、どちらか一方の潰れ部４１を第１最大寸法部４１ａとすればよい。あるいは、両方の潰れ部４１を第１最大寸法部４１ａとしてもよく、この場合、たとえば各寸法ｔ１、ｔ２、Ｌは両者の平均値を採ればよい。
【００５２】
こうして、傾き判定工程を終えた後、本実施形態では、図９に示されるように、傾き修正工程を行う。この傾き修正工程では、第２の工程で求められた傾き角度θ１、θ２に基づいてボンディングステージ２００を調整し、半導体素子３０の一面３１が水平面に平行となるように半導体素子３０の一面３１の傾きを修正する。
【００５３】
この傾き修正は、たとえば、ボンディングステージ２００の傾きを電動アクチュエータ等で調整することにより容易に行える。図９では、電動で上下するロッド３００を用いてボンディングステージ２００の傾きを調整している。この場合、傾き角度θ１、θ２が分かっているので、精度のよい調整が行える。
【００５４】
こうして、傾き修正工程で半導体素子３０の一面３１を水平面に平行とした後、ウェッジボンディングによる本番のワイヤボンディング、すなわち、上記図４、５に示したボンディング工程を行う。
【００５５】
このワイヤボンディング工程では、仮ボンディングされたワイヤ４０は残したまま、同じ半導体素子３０の一面３１に対して、ワイヤ４０の接合、すなわち本番のボンディングを行ってもよい。また、仮ボンディングされたワイヤ４０を、治具等を用いて引っ張ることにより、半導体素子３０の一面３１から剥離させた後、仮ボンディング部分に、改めて本番のワイヤ４０の接合を行ってもよい。
【００５６】
以上が、本実施形態のワイヤボンディング方法であり、これにより、本実施形態の半導体装置ができあがる。なお、傾き判定工程で、上記した方向Ｙ、Ｘにおける傾き角度θ１、θ２の一方が０の場合、傾き修正工程では、傾きが発生している方向のみの修正を行えばよい。また、両方の傾き角度θ１、θ２がともに０の場合には、傾き修正工程は省略して、本番のボンディング工程を行えばよい。
【００５７】
ところで、本実施形態によれば、仮ボンディングは実際のボンディング動作により行われるものであり、半導体素子３０の一面３１の傾きの有無は、この仮ボンディングによるワイヤ４０の潰れ部４１の状態に基づいて判定するようにしている。そのため、半導体素子３０の一面３１の傾きを、ワイヤボンディング条件を反映して精度よく検出することが可能となる。
【００５８】
ここで、仮ボンディングである傾き判定工程の第１の工程における荷重や超音波振動のパワーは、本番のワイヤボンディングであるボンディング工程と同等のものであってもよい。
【００５９】
しかし、第１の工程はあくまで仮ボンディングであるから、第１の工程における荷重は、ボンディング工程における荷重よりも小さい荷重であり、第１の工程における超音波振動のパワーは、ボンディング工程における超音波振動のパワーよりも小さいパワーであってもよい。
【００６０】
第１の工程にて半導体素子３０の一面３１が傾いた状態で、ボンディングツール１００から荷重および超音波振動を半導体素子３０に印加すると半導体素子３０へのダメージが懸念される。しかし、第１の工程におけるボンディングツール１００による荷重および超音波振動のパワーを本番のボンディングよりも小さくすることで、そのような懸念を回避しやすい。
【００６１】
（他の実施形態）
なお、半導体装置としては、ワイヤ４０が半導体素子３０の一面３１にウェッジボンディングされたものであればよく、可能ならば、基板１０が省略された構成の半導体装置であってもよい。また、半導体装置としては、必要に応じて、半導体素子３０およびワイヤ４０がモールド樹脂で封止された構成であってもよい。
【００６２】
また、ボンディングツール１００の溝１０２は、上記した断面半円形の溝以外にも、断面がＶ字状のものであってもよい。
【００６３】
また、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。また、上記各実施形態は、互いに無関係なものではなく、組み合わせが明らかに不可な場合を除き、適宜組み合わせが可能であり、また、上記各実施形態は、上記の図示例に限定されるものではない。また、上記各実施形態において、実施形態を構成する要素は、特に必須であると明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。また、上記各実施形態において、実施形態の構成要素の個数、数値、量、範囲等の数値が言及されている場合、特に必須であると明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合等を除き、その特定の数に限定されるものではない。また、上記各実施形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および原理的に特定の形状、位置関係等に限定される場合等を除き、その形状、位置関係等に限定されるものではない。
【符号の説明】
【００６４】
３０    半導体素子
３１    半導体素子の一面
４０    ワイヤ
４１    ワイヤにおける潰れ部
４１ａ  第１最大寸法部
４１ｂ  第２最大寸法部
１００  ボンディングツール
２００  ボンディングステージ
【図１】
2016139687.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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