(57)【要約】【課題】放熱性を向上できる発光装置用基板及び発光装置を提供する。【解決手段】実施形態によれば、発光装置用基板は、第１面を有する基体と、第１、第２電極と、絶縁層と、を含む。第１電極は、第１面上に設けられ、発光素子の第１素子電極層が接続される第１領域と、第２領域と、を含む。第２電極は、第１面上に設けられ、第１方向において第１領域と離間する。第２電極は、発光素子の第２素子電極層と接続される第３領域と、第４領域と、を含む。絶縁層は、第２、第４領域の上に設けられる。絶縁層は、第１、第３領域と重なる開口部を有する。第１方向に対して垂直な第２方向に沿い第１領域を通過する第１直線上の開口部の第１幅は、第２方向に沿い第１、第３領域との間を通過する第２直線上の開口部の第２幅よりも短い。第２方向に沿い第３領域を通過する第３直線上の開口部の第３幅は、第２幅よりも短い。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１面を有する基体と、
前記第１面の上に設けられた第１電極であって、発光素子の第１素子電極層が接続される第１領域と、前記第１領域とつながる第２領域と、を含む前記第１電極と、
前記第１面の上に設けられた第２電極であって、前記第１面に沿う第１方向において前記第１領域と離間し前記発光素子の第２素子電極層と接続される第３領域と、前記第３領域とつながる第４領域と、を含む第２電極と、
前記第２領域の上及び前記第４領域の上に設けられた絶縁層と、
を備え、
前記絶縁層は、前記第１面に投影したときに前記第１領域及び前記第３領域と重なる開口部を有し、
前記第１面に投影したときに、前記第１面に対して平行で前記第１方向に対して垂直な第２方向に沿い前記第１領域を通過する第１直線上の前記開口部の第１幅は、前記第２方向に沿い前記第１領域と前記第３領域との間を通過する第２直線上の前記開口部の第２幅よりも短く、
前記第１面に投影したときに、前記第２方向に沿い前記第３領域を通過する第３直線上の前記開口部の第３幅は、前記第２幅よりも短い発光装置用基板。
【請求項２】
前記第２幅と前記第１幅との差の絶対値は、前記第１電極の厚さの０．２５倍以上４倍以下である請求項１記載の発光装置用基板。
【請求項３】
前記第２幅と前記第１幅との差の絶対値は、前記絶縁層の厚さの０．２５倍以上４倍以下である請求項１または２に記載の発光装置用基板。
【請求項４】
前記絶縁層の反射率は、前記第１面の反射率よりも高く、前記第１電極の反射率よりも高く、前記第２電極の反射率よりも高い請求項１〜３のいずれか１つに記載の発光装置用基板。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１つに記載の発光装置用基板と、
前記発光素子と、
前記樹脂層と、
を備え、
前記発光素子は、前記樹脂層の一部と前記発光装置用基板との間に配置され、
前記樹脂層の別の一部は、前記発光素子と前記発光装置用基板との間に配置され、
前記樹脂層は、樹脂母体と、前記樹脂母体に分散された複数の粒子と、を含み、
前記複数の粒子の一部は、前記発光素子と前記発光装置用基板との間に配置される発光装置。
【請求項６】
前記複数の粒子の熱伝導率は、前記樹脂母体の熱伝導率よりも高い請求項５記載の発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、発光装置用基板及び発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
発光装置において、例えば、ＬＥＤなどの発光素子が基板上に実装される。このような発光装置において高い光束密度（luminous flux density）が望まれている。光束密度の上昇とともに発光装置の温度が高まり、発光効率を低下させる。さらに信頼性が劣化する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１２−２３８８５５号号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の実施形態は、放熱性を向上できる発光装置用基板及び発光装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の実施形態によれば、発光装置用基板は、第１面を有する基体と、第１電極と、第２電極と、絶縁層と、を含む。前記第１電極は、前記第１面の上に設けられる。前記第１電極は、発光素子の第１素子電極層が接続される第１領域と、前記第１領域とつながる第２領域と、を含む。前記第２電極は、前記第１面の上に設けられ、前記第１面に沿う第１方向において前記第１領域と離間する。前記第２電極は、前記発光素子の第２素子電極層と接続される第３領域と、前記第３領域とつながる第４領域と、を含む。前記絶縁層は、前記第２領域の上及び前記第４領域の上に設けられる。前記絶縁層は、前記第１面に投影したときに前記第１領域及び前記第３領域と重なる開口部を有する。前記第１面に投影したときに、前記第１面に対して平行で前記第１方向に対して垂直な第２方向に沿い前記第１領域を通過する第１直線上の前記開口部の第１幅は、前記第２方向に沿い前記第１領域と前記第３領域との間を通過する第２直線上の前記開口部の第２幅よりも短い。前記第１面に投影したときに、前記第２方向に沿い前記第３領域を通過する第３直線上の前記開口部の第３幅は、前記第２幅よりも短い。
【発明の効果】
【０００６】
本発明の実施形態によれば、放熱性を向上できる発光装置用基板及び発光装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】図１（ａ）〜図１（ｈ）は、第１の実施形態に係る発光装置用基板及び発光装置を例示する模式図である。
【図２】図２（ａ）〜図２（ｃ）は、第１の実施形態に係る発光装置用基板を例示する模式的平面図である。
【図３】図３（ａ）〜図３（ｈ）は、第２の実施形態に係る別の発光装置用基板及び発光装置を例示する模式図である。
【図４】図４（ａ）及び図４（ｂ）は、実施形態に係る発光装置を例示する模式図である。
【図５】図５（ａ）〜図５（ｃ）は、発光装置を例示する模式的平面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下に、本発明の各実施の形態について図面を参照しつつ説明する。  
なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。  
なお、本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
【０００９】
（第１の実施形態）
図１（ａ）〜図１（ｈ）は、第１の実施形態に係る発光装置用基板及び発光装置を例示する模式図である。  
図１（ａ）は、発光装置用基板１５を例示する模式的平面図である。  
図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ１−Ａ２線断面図である。  
図１（ａ）は、図１（ｂ）に示す矢印ＡＡ方向からみた上面図である。  
図１（ｃ）は、図１（ａ）のＢ１−Ｂ２線断面図である。  
図１（ｄ）は、図１（ａ）のＣ１−Ｃ２線断面図である。  
図１（ｅ）は、図１（ｂ）に示すＤ１−Ｄ２線断面図である。  
図１（ｆ）〜図１（ｈ）は、発光装置用基板１５を用いた発光装置１１０の模式的断面図である。  
図１（ｆ）は、図１（ｂ）に対応する位置の断面図である。  
図１（ｇ）は、図１（ｃ）に対応する位置の断面図である。  
図１（ｈ）は、図１（ｄ）に対応する位置の断面図である。
【００１０】
図１（ａ）〜図１（ｄ）に示すように、本実施形態に係る発光装置用基板１５は、基体１０と、第１電極１１ａと、第２電極１１ｂと、絶縁層８０と、を含む。
【００１１】
基体１０は、第１面１０ａと、第２面１０ｂと、を有する。第１面１０ａは、例えば第１主面であり、実装面である。第２面１０ｂは、第１面１０ａと反対の面である。第２面１０ｂは、例えば、第２主面であり、裏面である。基体１０は、絶縁性である。基体１０には、例えば、窒化シリコン基板が用いられる。基体１０として、例えば窒化アルミニウム基板を用いても良い。基体１０は、例えば、セラミック基板である。
【００１２】
第１面１０ａに対して垂直な方向をＺ軸方向とする。Ｚ軸方向に対して垂直な１つの方向をＸ軸方向とする。Ｚ軸方向とＸ軸方向とに対して垂直な方向をＹ軸方向とする。第１面１０ａは、例えば、Ｘ−Ｙ平面である。
【００１３】
第１電極１１ａは、第１面１０ａの上に設けられる。第１電極１１ａは、第１領域ｒ１と、第２領域ｒ２と、を含む。第１領域ｒ１には、発光素子２０の第１素子電極層２１ｆが接続される。第２領域ｒ２は、第１領域ｒ１とつながる。
【００１４】
第２電極１１ｂは、第１面１０ａの上に設けられる。第２電極１１ｂは、第１面１０ａに沿う第１方向（Ｘ軸方向）において第１領域ｒ１と離間する。第２電極１１ｂは、第３領域ｒ３と、第４領域ｒ４と、を含む。第３領域ｒ３は、後述する発光素子２０の第２素子電極層２２ｆと接続される。第４領域ｒ４は、第３領域ｒ３とつながる。
【００１５】
例えば、第２領域ｒ２と第４領域ｒ４との間に、第１領域ｒ１が設けられる。例えば、第１領域ｒ１と第４領域ｒ４との間に、第３領域ｒ３が設けられる。  
第１電極１１ａ及び第２電極１１ｂには、例えば、銅（Ｃｕ）などが用いられる。これらの電極として、アルミニウム（Ａｌ）などを用いても良い。これらの電極は、例えば、Ｃｕ層と、Ｃｕ層の上に設けられたＮｉ層と、Ｎｉ層の上に設けられたＡｕ層と、を含んでも良い。例えばＮｉ層とＡｕ層との間にＰｄを含む領域が設けられても良い。
【００１６】
絶縁層８０は、第２領域ｒ２の上及び第４領域ｒ４の上に設けられる。絶縁層８０は、光反射性である。絶縁層８０の反射率は、例えば、基体１０の第１面１０ａの反射率よりも高い。絶縁層８０の反射率は、第１電極１１ａ（第１領域ｒ１）の反射率よりも高く、第２電極１１ｂ（第３領域ｒ３）の反射率よりも高い。
【００１７】
絶縁層８０には、例えば、光透過性の母体と、母体に分散された複数の微細構造体と、を含む。母体は、例えば酸化シリコンなどを含む。母体として、樹脂を用いても良い。微細構造体には、例えば、酸化ジルコニア、窒化アルミニウムまたは酸化シリコンなどを用いることができる。絶縁層８０は、発光素子２０から放出された光を反射する機能を有する。絶縁層８０は、電極を保護し、必要な絶縁耐圧を得る機能を有する。
【００１８】
上記のように、絶縁層８０は、第２領域ｒ２の上及び第４領域ｒ４を覆う。絶縁層８０は、第１領域ｒ１及び第３領域ｒ３の上には設けられない。第１領域ｒ１及び第３領域ｒ３は、絶縁層８０に覆われていない。
【００１９】
すなわち、絶縁層８０は、開口部８０ｈを有する。開口部８０ｈは、第１面１０ａに投影したときに、第１領域ｒ１及び第３領域ｒ３と重なる。開口部８０ｈから、第１領域ｒ１及び第３領域ｒ３が露出する。基体１０は、第１電極１１ａ及び第２電極１１ｂに覆われていない部分を有する。その覆われていない部分の一部は、開口部８０ｈにおいて露出する。
【００２０】
開口部８０ｈにおいて、絶縁層８０に覆われていない第１領域ｒ１及び第３領域ｒ３の上に、発光素子２０が配置される。発光素子２０の平面形状（Ｘ−Ｙ平面内の形状）は、例えば、略長方形（略正方形も含む）。従って、開口部８０ｈの形状も、発光素子２０の形状に沿うように、略長方形（略正方形も含む）の形状を有している。但し、実施形態においては、第１領域ｒ１と第３領域ｒ３とが互いに対向する領域の延長上において、開口部８０ｈの幅が、他の部分よりも大きくされている。
【００２１】
すなわち、開口部８０ｈは、第１幅ｗ１と、第２幅ｗ２と、第３幅ｗ３と、を有する。  第２方向を、Ｙ軸方向とする。第２方向は、第１面１０ａに対して平行で、第１方向（Ｘ軸方向）に対して垂直な方向である。第１直線Ｌ１を、第１面１０ａに投影したときに、第２方向（Ｙ軸方向）に沿い、第１領域ｒ１を通過する直線とする。第１直線Ｌ１は、図１（ａ）のＡ１−Ａ２線に対応する。第２直線Ｌ２を、第１面１０ａに投影したときに、第２方向（Ｙ軸方向）に沿い、第１領域ｒ１と第３領域ｒ３との間を通過する直線とする。第２直線Ｌ２は、図１（ａ）のＢ１−Ｂ２線に対応する。第３直線Ｌ３を、第１面１０ａに投影したときに、第２方向（Ｙ軸方向）に沿い、第３領域ｒ３を通過する直線とする。第３直線Ｌ３は、図１（ａ）のＣ１−Ｃ２線に対応する。
【００２２】
実施形態においては、第１直線Ｌ１上の開口部８０ｈの第１幅ｗ１は、第２直線Ｌ２上の開口部８０ｈの第２幅ｗ２よりも短い。第３直線Ｌ３上の開口部８０ｈの第３幅ｗ３は、第２直線Ｌ２上の開口部８０ｈの第２幅ｗ２よりも短い。換言すると、第２直線Ｌ２上の開口部８０ｈの第２幅ｗ２は、第１直線Ｌ１上の開口部８０ｈの第１幅ｗ１よりも長く、第３直線Ｌ３上の開口部８０ｈの第３幅ｗ３よりも長い。
【００２３】
このように、第２直線Ｌ２上において、開口部８０ｈの幅（Ｙ軸方向の長さ）が、他の部分の幅よりも長くされている。これにより、発光装置用基板１５の上に発光素子２０を設けたときに、高い放熱性を得やすくできる。
【００２４】
例えば、図１（ｆ）〜図１（ｈ）に例示したように、発光装置用基板１５の上に、発光素子２０が設けられる。発光素子２０は、例えば、ＬＥＤ（Light Emitting Device）である。発光素子２０は、第１素子電極層２１ｆ（例えばｎ側電極）と、第２素子電極層２２ｆ（例えばｐ側電極）と、を有する。第１素子電極層２１ｆが第１電極１１ａの上に位置する。第２素子電極層２２ｆが第２電極１１ｂの上に位置する。第１素子電極層２１ｆと第１電極１１ａとの間に第１接合金属部材２１ｅが設けられ、電気的な接続が行われる。第２素子電極層２２ｆと第２電極１１ｂとの間に第２接合金属部材２２ｅが設けられ、電気的な接続が行われる。第１電極１１ａ及び第２電極１１ｂを介して、発光素子２０に電流が供給され、発光素子２０から光が放出される。発光素子２０は、例えば、フリップチップ型のＬＥＤである。
【００２５】
例えば、発光素子２０の周りに、樹脂層３０が設けられる。樹脂層３０は、例えば、波長変換層３１でも良い。樹脂層３０（または波長変換層３１）は、発光素子２０の周りに設けられる。
【００２６】
樹脂層３０は、例えば、複数の粒子３１ａと、樹脂母体３１ｂ（マトリクス）と、を含む。このとき、樹脂層３０は波長変換層３１となる。樹脂母体３１ｂは、例えば光透過性である。粒子３１ａは、例えば、波長変換粒子（例えば蛍光体粒子）である。樹脂母体３１ｂは、複数の粒子３１ａの周りに設けられる。複数の粒子３１ａは、樹脂母体３１ｂ中に分散されている。波長変換層３１は、発光素子２０から放出された第１光の一部を吸収し、その光の波長（第１波長）とは異なる波長（第２波長）の第２光を放出する。例えば、発光素子２０から青光が放出される。波長変換層３１を通過した光は、例えば白光となる。
【００２７】
実施形態においては、図１（ｇ）に例示したように、樹脂層３０（または波長変換層３１）は、発光素子２０と基体１０との間にも延在する。発光素子２０の第１素子電極層２１ｆと第１電極１１ａとが接続される領域と、発光素子２０の第２素子電極層２２ｆと第２電極１１ｂとが接続される領域と、の間において、発光素子２０と基体１０との間に空間が存在する。この空間に、樹脂層３０（または波長変換層３１）が延在する。
【００２８】
例えば、発光装置用基板１５の上に発光素子２０を実装した後に、発光素子２０を覆うように、樹脂層３０（または波長変換層３１）となる液状の樹脂が設けられる。この樹脂が、発光素子２０と基体１０との間の空間に入る。そして、例えば、熱処理を行うことで、樹脂層３０（または波長変換層３１）が形成される。
【００２９】
すなわち、発光素子２０は、樹脂層３０（または波長変換層３１）の一部と、発光装置用基板１５との間に配置される。樹脂層３０（または波長変換層３１）の別の一部は、発光素子２０と発光装置用基板１５との間に配置される。
【００３０】
実施形態においては、第１電極１１ａの第１領域ｒ１と、第２電極１１ｂの第３領域ｒ３との間の領域を通過する第２直線Ｌ２上において、開口部８０ｈの幅（Ｙ軸方向の長さ）が、他の部分の幅よりも長くされている。これにより、樹脂層３０（または波長変換層３１）となる液状の樹脂が、発光素子２０と基体１０との間の空間に入り易くなる。
【００３１】
例えば、開口部８０ｈの幅（Ｙ軸方向の長さ）が一定で、発光素子２０と絶縁層８０との間の間隙の幅が狭い第１参考例においては、絶縁層８０に、第１電極１１ａ、第２電極１１ｂ及び第１面１０ａに向かって傾斜する部分が形成されていることもあり、液状の樹脂が発光素子２０と基体１０との間の空間に入り難い。このため、この空間に空気などのガスが存在する。このため、発光素子２０から放出される熱の発光装置用基板１５への伝達の効率が低くなる。さらに、ガスを含む空間の周りが樹脂で囲まれるため、高温時などにガスが膨張し、絶縁層８０に損傷が生じる。絶縁層８０と発光装置用基板１５との界面に亀裂が生じる場合もある。
【００３２】
一方、開口部８０ｈの幅（Ｙ軸方向の長さ）が一定で、発光素子２０と絶縁層８０との間の間隙の幅が広い第２参考例においては、液状の樹脂が発光素子２０と基体１０との間の空間に入り易いため、上記の問題は生じない。しかし、発光素子２０と絶縁層８０との間の間隙の幅が広いため、発光素子２０から放出された光の一部は、例えば、基体１０の第１面１０ａに入射して吸収される。このため、光取り出し効率が低い。
【００３３】
これに対して、実施形態においては、第１領域ｒ１と第３領域ｒ３との間の領域を通過する第２直線Ｌ２上において、開口部８０ｈの幅（Ｙ軸方向の長さ）が、他の部分の幅よりも長くされているため、樹脂層３０（または波長変換層３１）となる液状の樹脂が、発光素子２０と基体１０との間の空間に入り易い。そして、第１直線Ｌ１上及び第３直線Ｌ３上においては、開口部８０ｈの幅が狭く維持されているので、発光素子２０から放出された光が基体１０の第１面１０ａに入射することが抑制できる。このため、損出を小さくすることができ、高い光取り出し効率が得られる。
【００３４】
このように、実施形態によれば、高い光取り出し効率を得つつ、放熱性を向上できる。実施形態によれば、放熱性を向上できる発光装置用基板及び発光装置が提供できる。
【００３５】
図１（ｂ）〜図１（ｄ）に例示したように、絶縁層８０の開口部８０ｈにおいて、開口部８０ｈの側面（Ｘ−Ｙ平面と交差する面）が、テーパ状である場合がある。すなわち、側面が、Ｘ−Ｙ平面に対して傾斜している。このとき、開口部８０ｈの幅は、絶縁層８０の上面８０ｕにおける幅とする。
【００３６】
すなわち、絶縁層８０は、基体１０に対向する下面８０ｌと、下面８０ｌとは反対側の上面８０ｕと、を有する。
【００３７】
絶縁層８０の上面８０ｕは、第１面１０ａに投影したときに第１領域ｒ１及び第３領域ｒ３と重なる開口部８０ｈを有する。第１面１０ａに投影したときに、第１直線Ｌ１上の開口部８０ｈの第１幅ｗ１は、第２直線Ｌ２上の開口部８０ｈの第２幅ｗ２よりも短い。第１面１０ａに投影したときに、第３直線Ｌ３上の開口部８０ｈの第３幅ｗ３は、第２幅ｗ２よりも短い。
【００３８】
第２幅ｗ２と第１幅ｗ１との差（絶対値）は、例えば１６０μｍ以上２４０μｍ以下である。第２幅ｗ２と第３幅ｗ３との差（絶対値）は、例えば１６０μｍ以上２４０μｍ以下である。例えば、Ｙ軸方向における１つの端において、絶縁層８０の上面８０ｕにおける開口部８０ｈの第２直線Ｌ２上の端と、絶縁層８０の上面８０ｕにおける開口部８０ｈの第１直線Ｌ１上の端と、の間のＹ軸方向（第２方向）の距離ｄ４は、例えば８０μｍ以上１２０μｍ以下である。
【００３９】
第１面１０ａに投影したときに、絶縁層８０の上面８０ｕにおける開口部８０ｈの端と、第１電極１１ａとの間の、第１直線Ｌ１上における間隙の第１長さｄ１は、例えば７０μｍ以上１３０μｍ以下である。第１面１０ａに投影したときに、絶縁層８０の上面８０ｕにおける開口部８０ｈの端と、第２電極１１ｂとの間の、第３直線Ｌ３上における間隙の第３長さｄ３は、例えば７０μｍ以上１３０μｍ以下である。第１長さｄ１及び第３長さｄ３を１３０μｍ以下にすることで、絶縁層８０から露出する基体１０の面積が小さくでき、光の損出が抑制できる。第１長さｄ１及び第３長さｄ３を７０μｍ以上にすることで、発光素子２０の配置のアライメントが容易になる。
【００４０】
第１面１０ａに投影したときに、第２直線Ｌ２上において、絶縁層８０の上面８０ｕにおける開口部８０ｈの端と、絶縁層８０の下面８０ｌにおける開口部８０ｈの端と、の間の第２長さｄ２は、例えば５０μｍ以上２００μｍ以下である。
【００４１】
第１電極１１ａ及び第２電極１１ｂのそれぞれの厚さｔ１１は、例えば、４０μｍ以上１５０μｍ以下である。
【００４２】
絶縁層８０の厚さｔ８０は、例えば、５０μｍ以上１５０μｍ以下である。
【００４３】
基体１０の厚さｔ１０は、例えば、１５０μｍ以上９００μｍ以下である。
【００４４】
実施形態において、第２幅ｗ２と第１幅ｗ１との差の絶対値は、絶縁層８０の厚さｔ８０の０．２５倍以上である。距離ｄ４は、例えば、厚さｔ８０の０．５倍以上である。第２幅ｗ２と第１幅ｗ１との差の絶対値は、絶縁層８０の厚さｔ８０の０．４倍以上である。距離ｄ４は、例えば、厚さｔ８０の０．８倍以上である。第２幅ｗ２と第１幅ｗ１との差の絶対値が、絶縁層８０の厚さｔ８０の０．２５倍未満であると、樹脂層３０が発光素子２０と基体１０との間に入り難くなる。
【００４５】
実施形態において、第２幅ｗ２と第１幅ｗ１との差の絶対値は、絶縁層８０の厚さｔ８０の４倍以下である。距離ｄ４は、例えば、厚さｔ８０の２倍以下である。第２幅ｗ２と第１幅ｗ１との差の絶対値は、絶縁層８０の厚さｔ８０の２．８倍以下である。距離ｄ４は、例えば、厚さｔ８０の１．４倍以下である。第２幅ｗ２と第１幅ｗ１との差の絶対値が、絶縁層８０の厚さｔ８０の４倍を超えると、絶縁層８０から露出する基体１０の面積が過度に大きくなり、光の損失が大きくなる。
【００４６】
実施形態において、第２幅ｗ２と第１幅ｗ１との差の絶対値は、電極（第１電極１１ａ及び第２電極１１ｂの少なくともいずれか）の厚さｔ１１の０．２５倍以上である。距離ｄ４は、例えば、厚さｔ１１の０．５倍以上である。第２幅ｗ２と第１幅ｗ１との差の絶対値は、電極（第１電極１１ａ及び第２電極１１ｂの少なくともいずれか）の厚さｔ１１の０．４倍以上である。距離ｄ４は、例えば、厚さｔ１１の０．８倍以上である。第２幅ｗ２と第１幅ｗ１との差の絶対値が、電極（第１電極１１ａ及び第２電極１１ｂの少なくともいずれか）の厚さｔ１１の０．２５倍未満であると、樹脂層３０が発光素子２０と基体１０との間に入り難くなる。
【００４７】
実施形態において、第２幅ｗ２と第１幅ｗ１との差の絶対値は電極（第１電極１１ａ及び第２電極１１ｂの少なくともいずれか）の厚さｔ１１の４倍以下である。距離ｄ４は、例えば、厚さｔ１１の２倍以下である。第２幅ｗ２と第１幅ｗ１との差の絶対値は、電極（第１電極１１ａ及び第２電極１１ｂの少なくともいずれか）の厚さｔ１１の２．８倍以下である。距離ｄ４は、例えば、厚さｔ１１の１．４倍以下である。第２幅ｗ２と第１幅ｗ１との差の絶対値が、電極（第１電極１１ａ及び第２電極１１ｂの少なくともいずれか）の厚さｔ１１の４倍を超えると、絶縁層８０から露出する基体１０の面積が過度に大きくなり、光の損失が大きくなる。
【００４８】
本実施形態に係る発光装置用基板１５及び発光装置１１０の製造方法の例について説明する。
【００４９】
ＳｉＮ基板（基体１０）の上に、第１のＣｕ膜をスパッタで形成する。第１のＣｕ膜の厚さは、例えば１００ｎｍ（例えば８０ｎｍ以上１２０ｎｍ以下）である。第１のＣｕ膜の上に、第２のＣｕ膜をめっきで形成する。第２のＣｕ膜の厚さは、例えば、１００μｍ（例えば８０μｍ以上１２０μｍ以下）である。研磨により平坦化を行う。所定の形状のレジストを形成する。エッチングにより、Ｃｕ膜の一部を除去する。その後、Ｎｉ膜、Ｐｄ膜及びＡｕ膜を、この順で無電解めっきにより形成する。Ｎｉ膜の厚さは、例えば５０ｎｍ（例えば４０ｎｍ以上６０ｎｍ以下）である。Ｐｄ膜の厚さは、例えば５０ｎｍ（例えば４０ｎｍ以上６０ｎｍ以下）である。Ａｕ膜の厚さは、例えば２００ｎｍ（例えば１６０ｎｍ以上２４０ｎｍ以下）である。これにより、第１電極１１ａ及び第２電極１１ｂが形成される。
【００５０】
その後、これらの電極が形成されたＳｉＮ基板の上に、絶縁層８０となる樹脂膜を、スクリーン印刷により形成する。樹脂膜は、酸化シリコンを含むマトリクス材と、樹脂と、を含むハイブリット材料である。樹脂膜の上面の平面形状は、図１（ａ）に示した形状である。この平面形状は、発光素子２０が配置される領域を除く領域である。樹脂膜の開口部と電極との間の距離は、約１００μｍ（例えば７０μｍ以上１３０μｍ以下）である。樹脂膜を形成した後に、約３５０℃で加熱処理して、絶縁層８０が得られる。これにより、発光装置用基板１５が得られる。
【００５１】
第１電極１１ａ及び第２電極１１ｂの上に、発光素子２０を配置し、接合部材で接合する。さらに、発光素子２０を覆うように、樹脂層３０を形成する。これにより、発光装置１１０が得られる。
【００５２】
実施形態に係る発光装置用基板１５及び発光装置１１０によれば、絶縁層８０の開口部８０ｈのパターンを上記のようにすることで、高い光取り出し効率を得つつ、放熱性を向上できる発光装置用基板及び発光装置が提供できる。
【００５３】
例えば、窒化物半導体を用いた半導体発光素子（例えばＬＥＤ）を用いた発光装置が、照明などに用いられている。このような発光装置において、高効率化とともに、安定した動作が求められる。特に、高光束発散度の発光装置においては、効率的な放熱性と、高い絶縁耐性が求められる。
【００５４】
例えば、高い放熱性と高い絶縁性を得るために、基板として、高熱伝導性を有するセラミック基板が用いられる。このような基板の反射率は十分に高くないため、光吸収による損失が生じる。損失を低くするために、基板の表面に、高反射率の絶縁層（白色拡散層）を設ける構成がある。白色拡散層のパターン形状によっては、発光素子の２つの電極間の領域と、発光素子と、の間の空間に、樹脂層の材料が入り込むことが困難になる。このため、この空間に空気などのガスが存在する。これにより、この空間において、効率的な放熱が困難になる。発光素子の発光効率が低下する。このため、発光装置において、高出力化が困難になる。発光素子が破壊する場合もある。発光素子の２つの電極間の領域においては、特に温度が上昇するので、この領域における放熱性を高めることが重要である。
【００５５】
本実施形態においては、白色拡散層のパターン形状を上記の形状にすることで、発光素子の２つの電極の間の領域において、効率的に放熱を行うことができる。実施形態によれば、高光束密度な光源において、熱的に安定で、電気的に安定な動作が得られる。
【００５６】
例えば、発光素子２０の平面形状が、１ｍｍ×１ｍｍの正方形である場合、以下の特性である。開口部８０ｈのＹ軸方向の幅が一定で、発光素子２０と絶縁層８０との間の間隙の幅が狭い第１参考例においては、５００ｍＡ以上の電流により、発光素子２０の発光効率が低下し、光出力が低下する。これに対して、本実施形態において、開口部８０ｈの第２幅ｗ２が、第１幅ｗ１及び第３幅ｗ３よりも２００μｍ広い場合、２Ａ以下の電流において高い効率が維持できる。
【００５７】
図２（ａ）〜図２（ｃ）は、第１の実施形態に係る発光装置用基板を例示する模式的平面図である。  
図２（ａ）に例示したように、絶縁層８０の開口部８０ｈの第２直線Ｌ２の近傍の形状は、曲線上でも良い。
【００５８】
図２（ｂ）に例示したように、絶縁層８０の開口部８０ｈのＹ軸方向の幅は、連続的に変化しても良い。
【００５９】
ただし、実施形態において、開口部８０ｈの辺のうち第１直線Ｌ１と重なる部分、及び、開口部８０ｈの辺のうち第３直線Ｌ３と重なる部分は、Ｘ軸方向に対して、実質的に平行であることが好ましい。例えば、発光素子２０の平面形状は長方形（正方向も含む）である場合が多い。辺のうち第１直線Ｌ１と重なる部分、及び、辺のうち第３直線Ｌ３と重なる部分をＸ軸方向に対して実質的に平行とすることで、これらの辺が発光素子２０の辺と、実質的に平行になる。これにより、基体１０のうちで開口部８０ｈに覆われていない部分の面積が小さくできる。これにより、光の損失が抑制できる。
【００６０】
図２（ｃ）に例示したように、第１電極１１ａの第２領域ｒ２のＹ軸方向の幅は、第１電極１１ａの第１領域ｒ１のＹ軸方向の幅と実質的に同じでも良い。第２電極１１ｂの第４領域ｒ４のＹ軸方向の幅は、第２電極１１ｂの第３領域ｒ３のＹ軸方向の幅と実質的に同じでも良い。第１電極１１ａにおいて、絶縁層８０に覆われている部分が第２領域ｒ２となり、絶縁層８０に覆われていない部分が第１領域ｒ１となる。第２電極１１ｂにおいて、絶縁層８０に覆われている部分が第４領域ｒ４となり、絶縁層８０に覆われていない部分が第３領域ｒ３となる。
【００６１】
実施形態において、複数の粒子３１ａは、熱伝導を向上するフィラーでも良い。例えば、実施形態において、複数の粒子３１ａの熱伝導率は、樹脂母体３１ｂの熱伝導率よりも高い。例えば、樹脂母体３１ｂとして、シリコーン系樹脂が用いられる。このとき、複数の粒子３１ａとして、例えば、ダイヤモンドなどの微細構造体を用いても良い。これにより、樹脂層３０において高い放熱性が得られる。
【００６２】
（第２の実施形態）  
図３（ａ）〜図３（ｈ）は、第２の実施形態に係る別の発光装置用基板及び発光装置を例示する模式図である。  
図３（ａ）は、発光装置用基板１５ａを例示する模式的平面図である。  
図３（ｂ）は、図３（ａ）のＡ１−Ａ２線断面図である。  
図３（ａ）は、図３（ｂ）に示す矢印ＡＡ方向からみた上面図である。  
図３（ｃ）は、図３（ａ）のＢ１−Ｂ２線断面図である。  
図３（ｄ）は、図３（ａ）のＣ１−Ｃ２線断面図である。  
図３（ｅ）は、図３（ｂ）に示すＤ１−Ｄ２線断面図である。  
図３（ｆ）〜図３（ｈ）は、発光装置用基板１５ａを用いた発光装置１１０の模式的断面図である。  
図３（ｆ）は、図３（ｂ）に対応する位置の断面図である。  
図３（ｇ）は、図３（ｃ）に対応する位置の断面図である。  
図３（ｈ）は、図３（ｄ）に対応する位置の断面図である。
【００６３】
図３（ａ）〜図３（ｅ）に示すように、本実施形態に係る発光装置用基板１５ａにおいても、第２直線Ｌ２上の開口部８０ｈの第２幅ｗ２は、第１直線Ｌ１上の開口部８０ｈの第１幅ｗ１よりも長く、第３直線Ｌ３上の開口部８０ｈの第３幅ｗ３よりも長い。この例では、第１直線Ｌ１上の開口部８０ｈの部分及び第３直線Ｌ３上の開口部８０ｈの部分において、上面８０ｕでの開口部８０ｈのＹ軸方向上の位置が、下面８０ｌでの開口部８０ｈのＹ軸方向上の位置と実質的に一致する。すなわち、下面８０ｌに絶縁層８０は、第１電極１１ａまたは第２電極１１ｂに接している。そして、上面８０ｕに絶縁層８０は、第１電極１１ａまたは第２電極１１ｂに、近接または接している。
【００６４】
図３（ｆ）〜図３（ｈ）に示すように、第２直線Ｌ２と重なる領域において、樹脂層３０は、発光素子２０と基体１０との間に延在している。これは、この例でも、第２幅ｗ２が、第１幅ｗ１よりも長く第３幅ｗ３よりも長いためである。これにより、高い光取り出し効率を得つつ、放熱性を向上できる。実施形態によれば、放熱性を向上できる発光装置用基板及び発光装置が提供できる。
【００６５】
以下、上記の実施形態に係る発光装置用基板を用いた発光装置の例について説明する。  図４（ａ）及び図４（ｂ）は、実施形態に係る発光装置を例示する模式図である。  
図４（ａ）は平面図である。図４（ｂ）は、図４（ａ）のＡ１−Ａ２線断面を例示す断面図である。  
図４（ａ）及び図４（ｂ）に表したように、実施形態に係る発光装置１１０（発光モジュール）は、発光部４０と、放熱部材５１と、熱伝導部材５２と、を含む。
【００６６】
放熱部材５１の上に、発光部４０が設けられる。放熱部材５１と発光部４０との間に、熱伝導部材５２が設けられる。
【００６７】
図４（ａ）に表したように、放熱部材５１は、例えば板状である。放熱部材５１の平面形状は、例えば矩形である。放熱部材５１は、例えば、第１〜第４辺５５ａ〜５５ｄを有する。第２辺５５ｂは、第１辺５５ａから離間する。第３辺５５ｃは、第１辺５５ａの一端と、第２辺５５ｂの一端と、を接続する。第４辺５５ｄは、第３辺５５ｃと離間し、第１辺５５ａの他端と、第２辺５５ｂの他端と、を接続する。放熱部材５１の平面形状のコーナー部は、曲線状でも良い。放熱部材５１の平面形状は、矩形でなくても良く、任意である。放熱部材５１の縁部５１ｒは、例えば、曲線状でも良い。
【００６８】
放熱部材５１には、例えば、金属などの基板が用いられる。放熱部材５１には、例えば、銅やアルミニウムなどが用いられる。
【００６９】
発光部４０は、光を放出する。発光部４０は熱を発生する。熱伝導部材５２は、発光部４０で発生した熱を、放熱部材５１に効率良く伝導する。熱伝導部材５２には、例えば、はんだなどが用いられる。この場合、熱伝導部材５２は、発光部４０と放熱部材５１とを接合する。例えば、熱伝導部材５２には、例えば、ＡｕＳｎ合金などが用いられる。熱伝導部材５２の厚さｔ５２は、例えば、１０μｍ以下である。
【００７０】
熱伝導部材５２には、液体状または固体状の潤滑油（グリース）などを用いても良い。熱伝導部材５２には、シリコーンにアルミナなどの金属粒子を混合した導電性を有する潤滑油（導電性グリース）などを用いても良い。
【００７１】
発光部４０は、発光装置用基板１５と、発光素子部３５と、を含む。発光装置用基板１５は、基体１０と、絶縁層８０と、電極層１１と、裏面金属層１２と、を含む。基体１０は、Ａｌ及びＣｕの少なくともいずれかを含む。基体１０は、第１面１０ａと、第２面１０ｂと、を有する。第２面１０ｂは、第１面１０ａとは反対側の面である。放熱部材５１は、基体１０の第２面１０ｂと対向する。第１面１０ａは、実装領域１６を含む。実装領域１６は、第１面１０ａの外縁１０ｒ（縁部１０ｕｅ）から離間している。この例では、実装領域１６は、第１面１０ａの中央部分に設けられる。第１面１０ａは、周辺領域１７をさらに含む。周辺領域１７は、実装領域１６の周りに設けられる。電極層１１は、実装領域１６において、第１面１０ａに設けられる。裏面金属層１２は、第２面１０ｂに設けられる。
【００７２】
図５（ａ）〜図５（ｃ）は、発光装置を例示する模式的平面図である。  
図５（ａ）は、基体１０の第１面１０ａを例示する。図５（ｂ）は、電極層１１のパターンを例示する。図５（ｃ）は、裏面金属層１２のパターンを例示する。  
図５（ｂ）に示したように、電極層１１は、第１面１０ａ上に設けられる。電極層１１は、複数の実装パターン１１ｐを含む。複数の実装パターン１１ｐは、実装領域１６に設けられる。複数の実装パターン１１ｐの２つは、互いに離間している。複数の実装パターン１１ｐは、例えば、第１実装パターン１１ｐａ及び第２実装パターン１１ｐｂなどを含む。
【００７３】
複数の実装パターン１１ｐのそれぞれは、例えば、第１実装部分（第１電極１１ａ）と、第２実装部分（第２電極１１ｂ）と、を含む。この例では、実装パターン１１ｐは、第３実装部分１１ｃをさらに含む。第３実装部分１１ｃは、第１実装部分（第１電極１１ａ）と第２実装部分（第２電極１１ｂ）との間に設けられ、第１実装部分（第１電極１１ａ）と第２実装部分（第２電極１１ｂ）とを繋ぐ。
【００７４】
電極層１１は、複数の実装パターン１１ｐを互いに接続する接続部４４をさらに含んでも良い。この例では、電極層１１は、第１コネクタ用電極部４５ｅと第２コネクタ用電極部４６ｅとをさらに含む。第１コネクタ用電極部４５ｅは、複数の実装パターン１１ｐの１つと電気的に接続される。第２コネクタ用電極部４６ｅは、複数の実装パターン１１ｐのその１つとは別の１つと電気的に接続される。１つの実装パターン１１ｐの一部の上に半導体発光素子が配置される。この半導体発光素子により、第１コネクタ用電極部４５ｅが、実装パターン１１ｐの１つと電気的に接続される。さらに、別の１つの実装パターン１１ｐの一部の上に半導体発光素子が配置される。この半導体発光素子により、第２コネクタ用電極部４６ｅが、別の１つの実装パターン１１ｐの１つと電気的に接続される。
【００７５】
この例では、発光部４０は、第１面１０ａ上に設けられた第１コネクタ４５と、第２コネクタ４６と、をさらに含む。第１コネクタ４５は、第１コネクタ用電極部４５ｅと電気的に接続される。第２コネクタ４６は、第２コネクタ用電極部４６ｅと電気的に接続される。この例では、第１コネクタ用電極部４５ｅの上に、第１コネクタ４５が設けられている。第２コネクタ用電極部４６ｅの上に、第２コネクタ４６が設けられている。第１コネクタ４５と、第２コネクタ４６と、の間に発光素子部３５が配置される。これらのコネクタを介して、発光部４０に電力が供給される。
【００７６】
図５（ｃ）に例示したように、裏面金属層１２は、Ｚ軸方向において、実装領域１６及び周辺領域１７と重なる。裏面金属層１２の外縁１２ｒは、基体１０の第２面１０ｂの外縁に沿う。裏面金属層１２の面積を大きくすることで放熱性が高まる。
【００７７】
発光素子部３５は、基体１０の第１面１０ａ上に設けられる。発光素子部３５は、複数の発光素子２０（半導体発光素子）と、樹脂層３０と、を含む。発光素子部３５の上面３５ｕは、例えば、平面である。樹脂層３０として、波長変換層３１が用いられる。
【００７８】
複数の発光素子２０は、第１面１０ａ上に設けられる。複数の発光素子２０のそれぞれは、光を放出する。発光素子２０は、例えば窒化物半導体を含む。発光素子２０は、例えば、ＩｎｙＡｌｚＧａ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，ｘ＋ｙ≦１）を含む。
【００７９】
複数の発光素子２０は、例えば、第１半導体発光素子２０ａ及び第２半導体発光素子２０ｂなどを含む。複数の発光素子２０のそれぞれは、複数の実装パターン１１ｐのうちのいずれかの実装パターン１１ｐと、複数の実装パターン１１ｐのうちの上記のいずれかの隣の別の実装パターン１１ｐと、電気的に接続されている。
【００８０】
例えば、第１半導体発光素子２０ａは、複数の実装パターン１１ｐのうちの第１実装パターン１１ｐａと、第２実装パターン１１ｐｂと、電気的に接続されている。第２実装パターン１１ｐｂは、第１実装パターン１１ｐａの隣の別の実装パターン１１ｐに相当する。
【００８１】
例えば、複数の発光素子２０の１つは、第１導電形の第１半導体層２１と、第２導電形の第２半導体層２２と、発光層２３と、を含む。例えば、第１導電形はｎ形であり、第２導電形はｐ形である。第１導電形がｐ形であり、第２導電形がｎ形でも良い。
【００８２】
第１半導体層２１は、第１の部分（第１半導体部分２１ａ）と、第２の部分（第２半導体部分２１ｂ）と、を含む。第２半導体部分２１ｂは、Ｚ軸方向と交差する方向（例えば、Ｘ軸方向）において、第１半導体部分２１ａと並ぶ。
【００８３】
第２半導体層２２は、第２半導体部分２１ｂと発光装置用基板１５との間に設けられる。発光層２３は、第２半導体部分２１ｂと第２半導体層２２との間に設けられる。発光素子２０は、例えばフリップチップ型のＬＥＤである。
【００８４】
例えば、第１半導体層２１の第１半導体部分２１ａが、実装パターン１１ｐの第１実装部分（第１電極１１ａ）と対向している。第２半導体層２２が、実装パターン１１ｐの第２実装部分（第２電極１１ｂ）と対向している。第１半導体層２１の第１半導体部分２１ａが、第１実装部分（第１電極１１ａ）と電気的に接続される。第２半導体層２２が、第２実装部分（第２電極１１ｂ）と電気的に接続される。この接続には、例えば、はんだや金バンプなどが用いられる。この接続は、例えば、金属溶融はんだ接合により行われる。または、この接続は、例えば、金バンプを用いた超音波熱圧着法により行われる。
【００８５】
例えば、発光素子部３５は、第１接合金属部材２１ｅと、第２接合金属部材２２ｅと、を含む。第１接合金属部材２１ｅは、第１半導体部分２１ａと、いずれかの実装パターン１１ｐ（例えば第１実装部分（第１電極１１ａ））と、の間に設けられる。第２接合金属部材２２ｅは、第２半導体層２２と、別の実装パターン１１ｐ（例えば、第２実装パターン１１ｐｂ）と、の間に設けられる。第１接合金属部材２１ｅ及び第２接合金属部材２２ｅの少なくともいずれかは、はんだ、または、金バンプを含む。これにより、第１接合金属部材２１ｅ及び第２接合金属部材２２ｅのそれぞれの断面積（Ｘ−Ｙ平面で切断したときの断面積）を大きくできる。これにより、第１接合金属部材２１ｅ及び第２接合金属部材２２ｅを介して、熱を効率良く、発光装置用基板１５に伝えることができ、放熱性が高まる。
【００８６】
樹脂層３０（波長変換層３１）は、複数の発光素子２０の少なくとも一部を覆う。波長変換層３１は、複数の発光素子２０から放出される光（例えば第１光）の少なくとも一部を吸収し、第２光を放出する。第２光の波長（例えばピーク波長）は、第１光の波長（例えばピーク波長）とは、異なる。波長変換層３１には、例えば、蛍光体などの複数の粒子と、複数の粒子が分散された樹脂母体と、を含む。第１光は、例えば青色光を含む。第２光は、第１光よりも波長が長い光を含む。第２光は、例えば、黄色光及び赤色光の少なくともいずれかを含む。波長変換層３１の樹脂母体として、例えば、シリコーン樹脂が用いられる。樹脂層３０として、酸化シリコンを含む光透過性の材料を用いても良い。
【００８７】
この例では、発光素子部３５は、光反射性の周辺構造体３２をさらに含む。周辺構造体３２は、Ｘ−Ｙ平面内で波長変換層３１を囲む。周辺構造体３２には、例えば、金属酸化物などの複数の粒子と、その粒子が分散された樹脂母体と、を含む。金属酸化物などの粒子は、光反射性を有する。この金属酸化物などの粒子として、例えば、ＴｉＯ２及びＡｌ２Ｏ３の少なくともいずれか用いることができる。周辺構造体３２を設けることで、発光素子２０から放出された光が、積層方向に沿った方向（例えば上方向）に沿って効率良く出射できる。
【００８８】
発光部４０は、例えば、チップオンボード（ＣＯＢ）型のＬＥＤモジュールである。
【００８９】
本実施形態においては、発光素子部３５から放出される光の光束発散度は、１０ルーメン/平方ミリメートル（ｌｍ／ｍｍ２）以上、１００ルーメン/平方ミリメートル以下である。望ましくは、２０ルーメン/平方ミリメートル以上である。すなわち、本実施形態においては、発光素子部３５から放出される光の発光面積に対する比（光束発散度）が、非常に高い。発光面積は、実質的に実装領域１６の面積に対応する。本実施形態に係る発光装置１１０は、例えば、投光器などに利用される。
【００９０】
図４（ｂ）に表したように、発光装置１１０は、例えば、照明装置部材７１の上に配置される。照明装置部材７１と発光装置１１０との間に、照明装置用接続部材５３が設けられる。照明装置用接続部材５３には、例えば、はんだ、または、グリースなどが用いられる。例えば、発光装置１１０の熱は、照明装置用接続部材５３により、照明装置部材７１に伝導されて、放熱される。
【００９１】
図４（ａ）及び図４（ｂ）は、発光装置１１０を含む照明装置２１０（照明器具）の構成の例も表している。照明装置２１０は、照明装置部材７１と、発光装置１１０と、を含む。照明装置２１０は、照明装置用接続部材５３をさらに含んでも良い。照明装置用接続部材５３は、照明装置部材７１と発光装置１１０との間に設けられ、発光装置１１０の放熱部材５１と、照明装置部材７１と、に接する。照明装置用接続部材５３は、発光装置１１０に含めても良い。
【００９２】
本実施形態に係る発光装置１１０においては、放熱部材５１をＸ−Ｙ平面に投影したときに、放熱部材５１は、実装領域１６の面積の５倍以上の面積を有する。実装領域１６の面積に対して、放熱部材５１の面積が非常に大きく設定されている。これにより、実装領域１６の上に設けられた発光素子部３５で生じる熱を、面積の大きい放熱部材５１により、Ｘ−Ｙ面内に広げる。そして、面内方向に拡がった熱が、例えば、照明装置部材７１に向けて、伝達され、効率良く放熱される。
【００９３】
図５（ａ）に表したように、例えば、実装領域１６のパターンは、実質的に円形である。実装領域１６の中心は、例えば、基体１０の中心に実質的に一致する。例えば、周辺領域１７の面積は、実装領域１６の面積よりも大きい。周辺領域１７の面積は、実装領域１６の面積の４倍以上である。周辺領域１７の面積は、実装領域１６の面積の９倍以下である。
【００９４】
例えば、第１面１０ａに対して平行で実装領域１６の中心を通る１つの方向（例えばＸ軸方向）に沿った、第１面１０ａの端（外縁１０ｒ）と、実装領域１６との間の距離（最短距離）は、上記の中心を通る方向（Ｘ軸方向）に沿った実装領域１６の幅の１／２以上である。例えば、外縁１０ｒと実装領域１６との間の距離１７ｘａは、実装領域１６の幅１６ｘの１／２以上である。例えば、外縁１０ｒと実装領域１６との間の距離１７ｘｂは、実装領域１６の幅１６ｘの１／２以上である。例えば、外縁１０ｒと実装領域１６との間の距離１７ｙａは、実装領域１６の幅１６ｙの１／２以上である。例えば、外縁１０ｒと実装領域１６との間の距離１７ｙｂは、実装領域１６の幅１６ｙの１／２以上である。
【００９５】
これにより、周辺領域１７の面積は、実装領域１６の面積よりも大きくなる。熱が発生する実装領域１６の面積よりも、周辺領域１７の面積を大きくすることで、発生した熱は、面内方向に沿って効率良く広がる。これにより放熱性が高まる。
【００９６】
図５（ｂ）に表したように、電極層１１の一部である複数の実装パターン１１ｐは、実装領域１６内に設けられる。この例では、複数の実装パターン１１ｐは、円形の領域内に設けられている。複数の実装パターン１１ｐが設けられている領域が、実装領域１６となる。実装領域１６は、Ｘ−Ｙ平面に投影したときの複数の実装パターン１１ｐを内包する領域である。複数の実装パターン１１ｐどうしの間の領域は、実装領域１６に含まれる。複数の実装パターン１１ｐのうちの外側に配置される実装パターン１１ｐの外縁を最短距離で繋いだ線の内側が、実装領域１６となる。
【００９７】
図５（ｂ）に表したように、複数の実装パターン１１ｐは、例えば、略円形の領域内に配置される。これにより、光束発散度が高まる。実用的には、複数の実装パターン１１ｐを内包する略円形の領域を実装領域１６として用いても良い。
【００９８】
実装領域１６は、Ｘ−Ｙ平面に投影したときの、複数に実装パターン１１ｐが設けられる領域を含む。実装領域１６は、Ｘ−Ｙ平面に投影したときの、接続部４４、第１コネクタ用電極部４５ｅ及び第２コネクタ用電極部４６ｅが設けられる領域を含まない。この領域は、周辺領域１７に含まれる。
【００９９】
互いに隣接する独立した２つの実装パターン１１ｐは、それらの上に配置される発光素子２０により電気的に接続される。複数の発光素子２０の一部は、例えば、直列に接続される。直列に接続された複数の発光素子２０は、例えば、Ｘ軸方向に沿って並ぶ。
【０１００】
例えば、複数の実装パターン１１ｐの２つは、接続部４４により接続される。これにより、直列に接続された複数の発光素子２０の群が、さらに接続される。Ｘ軸に沿って並び直列に接続された複数の半導体発光素子の群が、Ｙ軸方向に沿って並ぶ。直列に接続された複数の半導体発光素子の群は、互いに並列に接続される。
【０１０１】
さらに、実装パターン１１ｐは、配線パターン４４ｃを介して、第１コネクタ用電極部４５ｅまたは第２コネクタ用電極部４６ｅと電気的に接続される。第１コネクタ用電極部４５ｅの上に設けられた第１コネクタ４５と、第２コネクタ用電極部４６ｅの上に設けられた第２コネクタ４６と、を介して、実装パターン１１ｐに電流が供給される。その電流が発光素子２０に供給され、光が生じる。
【０１０２】
図５（ｃ）に表したように、裏面金属層１２の面積は、大きく設計される。例えば、Ｘ−Ｙ平面に投影したときの裏面金属層１２の外縁１２ｒは、実装領域１６の外縁１６ｒの外側に位置する。裏面金属層１２の面積は、実装領域１６の面積よりも大きい。例えば、裏面金属層１２の面積は、第２主面１０ｂの面積の９５％以上である。裏面金属層１２の面積を大きくすることで、熱の放熱の効率が高まる。
【０１０３】
熱伝導部材５２の平面パターンは、実質的に裏面金属層１２のパターンに沿っている。裏面金属層１２の面積を大きくすることで、熱伝導部材５２の面積を広げることができる。これにより、熱伝導部材５２を介した熱伝導の効率が向上できる。
【０１０４】
実施形態に係る発光装置は、例えば、投光器などの照明装置として利用することができる。
【０１０５】
実施形態によれば、放熱性を向上できる発光装置用基板及び発光装置が提供される。
【０１０６】
なお、本願明細書において、「垂直」及び「平行」は、厳密な垂直及び厳密な平行だけではなく、例えば製造工程におけるばらつきなどを含むものであり、実質的に垂直及び実質的に平行であれは良い。
【０１０７】
以上、具体例を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明の実施形態は、これらの具体例に限定されるものではない。例えば、発光装置用基板に含まれる基体、電極及び絶縁層、並びに、発光装置に含まれる発光素子及び樹脂層などの各要素の具体的な構成に関しては、当業者が公知の範囲から適宜選択することにより本発明を同様に実施し、同様の効果を得ることができる限り、本発明の範囲に包含される。
【０１０８】
また、各具体例のいずれか２つ以上の要素を技術的に可能な範囲で組み合わせたものも、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に含まれる。
【０１０９】
その他、本発明の実施の形態として上述した発光装置用基板及び発光装置を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての発光装置用基板及び発光装置も、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。
【０１１０】
その他、本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。
【０１１１】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【０１１２】
１０…基体、  １０ａ…第１面、  １０ｂ…第２面、  １０ｒ…外縁、  １０ｕｅ…縁部、  １１…電極層、  １１ａ…第１電極（第１実装部分）、  １１ｂ…第２電極（第２実装部分）、  １１ｃ…第３実装部分、  １１ｐ…実装パターン、  １１ｐａ…第１実装パターン、  １１ｐｂ…第２実装パターン、  １２…裏面金属層、  １２ｒ…外縁、  １５、１５ａ…発光装置用基板、  １６…実装領域、  １６ｒ…外縁、  １６ｘ、１６ｙ…幅、  １７…周辺領域、  １７ｘａ、１７ｘｂ、１７ｙａ、１７ｙｂ…距離、  ２０…発光素子、  ２０ａ…第１半導体発光素子、  ２０ｂ…第２半導体発光素子、  ２１…第１半導体層、  ２１ａ…第１半導体部分、  ２１ｂ…第２半導体部分、  ２１ｅ…第１接合金属部材、  ２１ｆ…第１素子電極層、  ２２…第２半導体層、  ２２ｅ…第２接合金属部材、  ２２ｆ…第２素子電極層、  ２３…発光層、  ３０…樹脂層、  ３１…波長変換層、  ３１ａ…粒子、  ３１ｂ…樹脂母体、  ３２…周辺部構造体、  ３５…発光素子部、  ３５ｕ…上面、  ４０…発光部、  ４４…接続部、  ４４ｃ…配線パターン、  ４５…第１コネクタ、  ４５ｅ…第１コネクタ用電極部、  ４６…第２コネクタ、  ４６ｅ…第２コネクタ用電極部、  ５１…放熱部材、  ５１ｒ…縁部、  ５２…熱伝導部材、  ５３…照明装置用接続部材、  ５５ａ〜５５ｄ…第１〜第４辺、  ７１…照明装置部材、  ８０…絶縁層、  ８０ｈ…開口部、  ８０ｌ…下面、  ８０ｕ…上面、  １１０…発光装置、  ２１０…照明装置、  ＡＡ…矢印、  Ｌ１〜Ｌ３…第１〜第３直線、  ｄ１〜ｄ３…長さ、  ｄ４…距離、  ｒ１〜ｒ４…第１〜第４領域、  ｔ１０、ｔ１１、ｔ５２、ｔ８０…厚さ、  ｗ１〜ｗ３…第１〜第３幅
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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