(57)【要約】【課題】レジスト剥離性に優れ、また、レジスト剥離工程において金属表面への析出物の発生を抑制することができるフォトレジスト剥離液を提供すること。【解決手段】ジメチルスルホキシド、水酸化第四級アンモニウム、アミン、水及びアミノ酸を含むフォトレジスト剥離液であって、水の含有量が３０重量％以下であり、アミノ酸は、アラニン、トレオニン、システイン及びプロリンからなる群より選ばれる少なくとも一種であることを特徴とするフォトレジスト剥離液。【選択図】    なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
ジメチルスルホキシド、水酸化第四級アンモニウム、アミン、水及びアミノ酸を含むフォトレジスト剥離液であって、
水の含有量が３０重量％以下であり、
アミノ酸は、アラニン、トレオニン、システイン及びプロリンからなる群より選ばれる少なくとも一種であることを特徴とするフォトレジスト剥離液。
【請求項２】
アミノ酸がシステインである、請求項１に記載のフォトレジスト剥離液。
【請求項３】
ネガ型フォトレジストの剥離に用いられる、請求項１又は２に記載のフォトレジスト剥離液。
【請求項４】
下記工程（１）〜（３）を含むことを特徴とする、銅又は銅合金層パターンを有する基板の製造方法：
（１）基板上にフォトレジストパターンを形成する工程、
（２）フォトレジストパターンをマスクとして銅又は銅合金層パターンを形成する工程、
（３）請求項１〜３のいずれか一項に記載のフォトレジスト剥離液を用いて基板からフォトレジストパターンを剥離する工程。
【請求項５】
工程（３）の前に、銅又は銅合金層パターン上に錫又は錫合金層を形成する工程（４）を含む、請求項４に記載の銅又は銅合金層パターンを有する基板の製造方法。
【請求項６】
フォトレジストがネガ型フォトレジストであり、銅又は銅合金層パターンがめっき処理により形成される、請求項４又は５に記載の銅又は銅合金層パターンを有する基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はフォトレジスト剥離液に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体基板等は微細な配線を施した電極構造を有しており、その製造工程でフォトレジストが使用されている。電極構造は、例えば、基板上に形成されたアルミニウム等の導電性金属層やＳｉＯ２膜等の絶縁膜上にフォトレジストを塗布し、これに露光、現像の処理を施してフォトレジストパターンを形成し、このフォトレジストパターンをマスクとして導電性金属層や絶縁膜等をエッチング処理したり、めっき処理により金属層パターンを形成したりすることで微細配線を形成した後、不要となったフォトレジストを剥離液で除去して製造される。微細配線の金属材料としては、近年、アルミニウムより抵抗率が低い銅が注目されている。
【０００３】
めっき処理により金属層パターンを形成するめっき法において、マスクに使用されるフォトレジストとしては、めっき耐性に優れるネガ型フォトレジストが好ましい。しかしながら、ネガ型フォトレジストはその性質上、硬化後パターンの剥離が困難であるといった問題がある。そのため、ネガ型フォトレジストの除去に使用されるフォトレジスト剥離液には高いレジスト剥離性が要求される。例えば、特許文献１には、微細配線やバンプ形成等回路基板製造に必要なフォトレジスト、特にアルカリ現像が可能なネガ型液状フォトレジスト及びネガ型ドライフィルムレジストに極めて優れた剥離能を有し、剥離されるフォトレジスト下層のアルミニウム等金属基板あるいは配線に対する腐食性のない極めて優れたレジスト用剥離液組成物として、水溶性有機溶剤６０〜９５重量％、テトラアルキルアンモニウムヒドロキシド及び有機アミンの群から選ばれる少なくとも１種のアルカリ性化合物０.０５〜１０重量％、分子量３００以下のグリコール類から選ばれる少なくとも１種の化合物０.０５〜１５重量％及び水０.０５〜１５重量％を含有するフォトレジスト用剥離液組成物が提案されている。
【０００４】
しかしながら、特許文献１に記載された強アルカリ性のフォトレジスト用剥離液組成物を銅配線の製造工程に適用すると、レジスト剥離工程において銅由来の析出物が発生することがわかった。この析出物は通常の洗浄では除去できず、別途、析出物除去処理が必要となるという問題があった。
【０００５】
なお、半導体の製造工程において、ウェハ表面を化学的、機械的に研磨する工程が導入され、研磨後のウェハ上に残留する研磨微粒子、金属腐食を防ぐための防食剤、配線金属が研磨されることで発生する金属残渣等を除去し洗浄するための洗浄剤が検討されている。例えば、特許文献２には、有機溶剤と、金属イオン不含ケイ酸塩とを含有しない、水性アルカリ性洗浄組成物であって、特定のチオアミノ酸、第四級アンモニウム水酸化物、特定の脂肪族および脂環式アミンからなる群から選択される少なくとも１つのキレート剤および／または腐食防止剤等を有する水性アルカリ性洗浄組成物が提案されている。この水性アルカリ性洗浄組成物は、非常に希釈された水性組成物であり、５０質量％より多い、より好ましくは７５質量％より多い、最も好ましくは９０質量％より多い水を含むことが開示されている。
【０００６】
しかしながら、この水性アルカリ性洗浄組成物は、あくまで半導体の製造工程中にウェハ表面に付着した残渣や異物を洗浄するものに過ぎず、フォトレジスト剥離液としての性能はなく、一切検討されていなかった。更に、この水性アルカリ性洗浄組成物は非常に希釈された水性組成物であるため、銅材料の洗浄に適用した際でも上述した銅由来の析出物が発生せず、本発明の課題そのものが存在しなかった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００１−２１５７３６号公報
【特許文献２】特表２０１３−５３３３６０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、レジスト剥離性に優れ、また、レジスト剥離工程において金属表面への析出物の発生を抑制することができるフォトレジスト剥離液を提供することを目的とする。また、該フォトレジスト剥離液を用いて基板からフォトレジストパターンを剥離する工程を含む、銅又は銅合金層パターンを有する基板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明者は、鋭意検討の結果、ジメチルスルホキシド、水酸化第四級アンモニウム、アミン、水及び特定のアミノ酸を含み、水の含有量を特定量以下に抑えたフォトレジスト剥離液が、レジスト剥離性に優れ、また、レジスト剥離工程における金属表面への析出物の発生を抑制することができることを見出し、本発明を完成した。
【００１０】
即ち、本発明のフォトレジスト剥離液は、
ジメチルスルホキシド、水酸化第四級アンモニウム、アミン、水及びアミノ酸を含むフォトレジスト剥離液であって、
水の含有量が３０重量％以下であり、
アミノ酸は、アラニン、トレオニン、システイン及びプロリンからなる群より選ばれる少なくとも一種であることを特徴とする。
【００１１】
本発明のフォトレジスト剥離液において、アミノ酸がシステインであることが好ましい。
【００１２】
本発明のフォトレジスト剥離液は、ネガ型フォトレジストの剥離に用いられることが好ましい。
【００１３】
本発明の銅又は銅合金層パターンを有する基板の製造方法は、下記工程（１）〜（３）を含むことを特徴とする：
（１）基板上にフォトレジストパターンを形成する工程、
（２）フォトレジストパターンをマスクとして銅又は銅合金層パターンを形成する工程、
（３）本発明のフォトレジスト剥離液を用いて基板からフォトレジストパターンを剥離する工程。
【００１４】
本発明の銅又は銅合金層パターンを有する基板の製造方法は、工程（３）の前に、銅又は銅合金層パターン上に錫又は錫合金層を形成する工程（４）を含むことが好ましい。
【００１５】
本発明の銅又は銅合金層パターンを有する基板の製造方法は、フォトレジストがネガ型フォトレジストであり、銅又は銅合金層パターンがめっき処理により形成されることが好ましい。
【発明の効果】
【００１６】
本発明のフォトレジスト剥離液は、ジメチルスルホキシド、水酸化第四級アンモニウム、アミン、水及び特定のアミノ酸を含むフォトレジスト剥離液であって、水の含有量が特定量以下であるため、レジスト剥離性に優れ、また、レジスト剥離工程において金属表面への析出物の発生を抑制することができる。
また、本発明の銅又は銅合金層パターンを有する基板の製造方法によれば、本発明のフォトレジスト剥離液を用いて基板からフォトレジストパターンを剥離する工程を含むため、銅又は銅合金層パターンを有する基板を好適に製造することができる。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
＜＜フォトレジスト剥離液＞＞
本発明のフォトレジスト剥離液は、
ジメチルスルホキシド、水酸化第四級アンモニウム、アミン、水及びアミノ酸を含むフォトレジスト剥離液であって、
水の含有量が３０重量％以下であり、
アミノ酸は、アラニン、トレオニン、システイン及びプロリンからなる群より選ばれる少なくとも一種であることを特徴とする。
【００１８】
＜ジメチルスルホキシド＞
本発明のフォトレジスト剥離液において、ジメチルスルホキシドの含有量は特に限定されないが、２０〜８７重量％であることが好ましく、３５〜７５重量％であることがより好ましい。ジメチルスルホキシドの含有量が２０重量％未満であると、レジスト剥離性の低下と金属表面への析出物の発生を抑制する効果が低下することがあり、８７重量％を超えると、レジスト剥離性が低下することがある。
【００１９】
＜水酸化第四級アンモニウム＞
水酸化第四級アンモニウムとしては、例えば下記一般式（１）で表される化合物を用いることができる。
【００２０】
【化１】
2016170337.tif 000002
【００２１】
一般式（１）中、Ｒ１〜Ｒ４は炭素数１〜３のアルキル基、または、炭素数１〜３のヒドロキシ置換アルキル基を表し、同一であっても異なっていてもよい。
【００２２】
水酸化第四級アンモニウムとしては、特に限定されないが、例えば、水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）、水酸化テトラエチルアンモニウム、水酸化テトラプロピルアンモニウム、水酸化トリメチルエチルアンモニウム、水酸化トリメチル（２−ヒドロキシエチル）アンモニウム、水酸化トリプロピル（２−ヒドロキシエチル）アンモニウム、水酸化トリメチル（１−ヒドロキシプロピル）アンモニウム等が挙げられる。これらは単独で用いても良いし、２種以上を併用しても良い。これらの中では、レジスト剥離性の観点から、水酸化テトラメチルアンモニウム、水酸化テトラエチルアンモニウム、水酸化トリメチル（２−ヒドロキシエチル）アンモニウムが好ましい。
【００２３】
本発明のフォトレジスト剥離液において、水酸化第四級アンモニウムの含有量は特に限定されないが、３〜２０重量％であることが好ましく、５〜１５重量％であることがより好ましい。水酸化第四級アンモニウムの含有量が３重量％未満であると、レジスト剥離性が低下することがあり、２０重量％を超えると、金属表面への析出物の発生を抑制する効果が低下することがある。
【００２４】
＜アミン＞
アミンとしては、特に限定されないが、例えば、モノメチルアミン、モノエチルアミン、プロピルアミン、ブチルアミン、２−エチルヘキシルアミン、２−エチルヘキシルオキシプロピルアミン、２−エトシキプロピルアミン、ジメチルアミン、ジエチルアミン、ジプロピルアミン、ジブチルアミン、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、３−ジエチルアミノプロピルアミン、ジ−２−エチルヘキシルアミン、ジブチルアミノプロピルアミン、テトラメチルエチレンジアミン、トリ−ｎ−オクチルアミン、ｔ−ブチルアミン、ｓｅｃ−ブチルアミン、メチルアミノプロピルアミン、ジメチルアミノプロピルアミン、メチルイミノビスプロピルアミン、３−メトシキプロピルアミン、アリルアミン、ジアリルアミン、トリアリルアミン、イソプロピルアミン、ジイソプロピルアミン、イミノプロピルアミン、イミノビスプロピルアミン、エチレンジアミン、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、テトラエチレンペンタミン、ペンタエチレンヘキサミン、モノエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジエチルエタノールアミン、アミノエチルエタノールアミン、Ｎ−メチル−Ｎ，Ｎ−ジエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジブチルエタノールアミン、Ｎ−メチルエタノールアミン、３−アミノ−１−プロパノール、Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）シクロヘキシルアミン等が挙げられる。これらは単独で用いても良いし、２種以上を併用しても良い。これらの中では、金属表面への析出物の発生の抑制の観点から、アルカノールアミン、アルキレンアミンが好ましく、より具体的には、トリエチレンテトラミン、テトラエチレンペンタミン、モノエタノールアミン、Ｎ−メチルエタノールアミン、３−アミノ−１−プロパノールが好ましい。
【００２５】
本発明のフォトレジスト剥離液において、アミンの含有量は特に限定されないが、５〜３０重量％であることが好ましく、１０〜２５重量％であることがより好ましい。アミンの含有量が５重量％未満であると、経時安定性が低下し、ひいては金属表面への析出物の発生を抑制する効果が低下することがあり、３０重量％を超えると、レジスト剥離性が低下することがある。
【００２６】
＜水＞
本発明のフォトレジスト剥離液において、水の含有量は３０重量％以下である限り特に限定されないが、３〜３０重量％であることが好ましい。水の含有量が３重量％未満であると、金属表面への析出物の発生を抑制する効果が低下することがあり、３０重量％を超えると、レジスト剥離性が低下することがある。なお、ネガ型液状フォトレジストに適用する場合は１０〜２０重量％がさらに好ましく、ネガ型ドライフィルムレジストに適用する場合は３〜１０重量％がさらに好ましい。
【００２７】
＜アミノ酸＞
本発明のフォトレジスト剥離液は、アミノ酸として、アラニン、トレオニン、システイン及びプロリンからなる群より選ばれる少なくとも一種を含有する。これらの中で、銅防食性の観点からは、システインを含有することが好ましい。これらのアミノ酸は、単独で用いても良いし、２種以上を併用しても良い。
【００２８】
本発明のフォトレジスト剥離液において、アミノ酸の含有量は特に限定されないが、０．１〜５重量％であることが好ましく、０．３〜１重量％であることがより好ましい。アミノ酸の含有量が０．１重量％未満であると、金属表面への析出物の発生を抑制する効果が低下することがあり、５重量％を超えると、レジスト剥離性が低下することがある。
【００２９】
＜任意成分＞
本発明のフォトレジスト剥離液は、ジメチルスルホキシド、水酸化第四級アンモニウム、アミン、水及び特定のアミノ酸に加えて、任意に他の成分を含有していても良い。他の成分としては、特に限定されないが、ジメチルスルホキシド以外の有機溶媒、界面活性剤（例えば、アルキルベンゼンスルホン酸塩、ポリオキシエチレンアルキルエーテル）、消泡剤（例えばシリコーンオイル）、金属防食剤等が挙げられる。これらの他の成分の含有量は、その種類によるので一概に定めないが、例えば、０．００１〜５重量％が好ましく、より好ましくは０．０１〜１重量％である。
【００３０】
本発明のフォトレジスト剥離液は、上述した各成分を常法により混合することで調製することができる。
【００３１】
本発明のフォトレジスト剥離液は、半導体基板（素子）、プリント基板やＦＰＤ基板等の製造工程において、金属バンプ、金属ビアや金属配線等の金属層パターンの形成後に不要となったフォトレジストパターンを剥離するために用いられる。
【００３２】
本発明のフォトレジスト剥離液を用いて銅又は銅合金層パターンを有する基板のフォトレジストを剥離すると、レジスト剥離工程において銅由来の析出物の発生を抑制することができる。更に、アミノ酸としてシステインを含有するフォトレジスト剥離液を使用することにより、銅又は銅合金層パターンが過度に腐食されて銅配線又は銅合金配線の線幅がやせてしまうことを防止でき、形成された配線断面形状を損なうことなく、良好な金属配線を形成することができる。
また、本発明のフォトレジスト剥離液を用いて、表面層に銅又は銅合金層を有する基板のフォトレジストを剥離する場合にも、上記と同様の効果が期待できる。更に、アミノ酸としてシステインを含有するフォトレジスト剥離液を使用することにより、銅又は銅合金層が過度に腐食されて基板表面の荒れが生じることを防止することができる。
また更に、本発明のフォトレジスト剥離液は、錫又は錫合金の過度な腐食を防止できるため、表面層に錫又は錫合金層を有する基板や、錫又は錫合金層パターンを有する基板のフォトレジストを剥離する場合にも好ましく用いることができる。アミノ酸としてシステインを含有するフォトレジスト剥離液は、例えば、銅又は銅合金層と、錫又は錫合金層とを有する金属層パターンを有する基板のフォトレジストを剥離する場合にも好適である。
【００３３】
本発明のフォトレジスト剥離液は、ポジ型、ネガ型のいずれのフォトレジストの剥離にも使用することができるが、高い剥離性を有することから、ネガ型フォトレジストの剥離に好適に用いられる。
【００３４】
＜＜銅又は銅合金層パターンを有する基板の製造方法＞＞
本発明の銅又は銅合金層パターンを有する基板の製造方法は、下記工程（１）〜（３）を含むことを特徴とする：
（１）基板上にフォトレジストパターンを形成する工程、
（２）フォトレジストパターンをマスクとして銅又は銅合金層パターンを形成する工程、
（３）本発明のフォトレジスト剥離液を用いて基板からフォトレジストパターンを剥離する工程。
【００３５】
＜工程（１）＞
まず、基板上にフォトレジストパターンを形成する工程（１）について説明する。
基板の材質としては、特に限定されないが、例えば、シリコン、セラミックス、ガラス等が挙げられる。
工程（１）では、基板の表面にスパッタリング、めっき等により金属薄膜を形成しても良い。
この金属薄膜の表面にフォトレジスト膜を形成し、マスクを介して露光・現像を行うことで、基板上にフォトレジストパターンを形成する。ここで使用するフォトレジスト膜は、所望する金属層パターンの寸法や、めっき液等の種類等に応じて選択されるが、めっき耐性に優れる点からは、ネガ型フォトレジストが好ましい。なお、ネガ型フォトレジストは液状とドライフィルムに大別され、微細パターン加工が求められる場合には液状が、厚膜加工が求められる場合にはドライフィルムが、それぞれ好適に使用される。
【００３６】
フォトレジストパターンの膜厚は、特に限定されないが、１０〜１００μｍであることが好ましい。膜厚が１０μｍ未満であると、所望の金属厚みを確保する事が困難となることがあり、１００μｍを超えると、微細加工が困難となることがある。
【００３７】
＜工程（２）＞
次に、フォトレジストパターンをマスクとして銅又は銅合金層パターンを形成する工程（２）について説明する。銅又は銅合金層パターンの形成方法としては、特に限定されないが、フォトレジストパターンをマスクとしてエッチング処理するエッチング法や、フォトレジストパターンをマスクとしてめっき処理するめっき法等が挙げられる。本発明の銅又は銅合金層パターンを有する基板の製造方法では、金属厚みを確保する観点から、銅又は銅合金層パターンがめっき処理により形成されることが好ましい。以下、めっき法について詳細に説明する。
【００３８】
めっき法では、工程（１）で形成されたフォトレジストパターンをマスクとしてめっき処理を行う。めっきは無電解めっき、電気めっきのいずれの方法で行ってもよい。めっきは一回に限らず、二回以上実施することもできるが、少なくとも一回は銅又は銅合金を用いて実施する。めっきを二回以上実施する場合、銅又は銅合金を用いためっきと、銅又は銅合金以外の金属を用いためっきとを組み合わせても良い。銅又は銅合金以外の金属としては、特に限定されないが、錫又は錫合金、ニッケル又はニッケル合金等を挙げることができる。
【００３９】
工程（２）において銅又は銅合金層パターンを形成する際、基板表面に金属薄膜として銅（合金）シード層を形成し、これにフォトレジストパターンをマスクとして銅めっきを施すことで、露出している銅（合金）シード層上に銅又は銅合金層パターンを形成することができる。更に、銅又は銅合金層パターン上に、必要に応じてその他の金属層を介して、はんだとなる錫又は錫合金層を形成してもよい。
【００４０】
＜工程（３）＞
次に、本発明のフォトレジスト剥離液を用いて基板からフォトレジストパターンを剥離する工程（３）について説明する。本発明のフォトレジスト剥離液を用いて基板からフォトレジストパターンを剥離する方法としては、特に限定されないが、本発明のフォトレジスト剥離液に基板を浸漬する方法や、本発明のフォトレジスト剥離液を基板にシャワーやスプレー等で吹き付ける方法等が挙げられる。この際、ブラシ洗浄を併用することにより、レジスト剥離性を向上させることができる。
【００４１】
本発明のフォトレジスト剥離液の温度は特に限定されず、常温のほか、例えば３０〜８０℃に加熱して使用することができる。剥離に要する時間は、フォトレジストの変質度合い等によるが、一般には、例えば３０秒間〜６０分間程度である。本発明のフォトレジスト剥離液に基板を浸漬する方法では、必要に応じてフォトレジスト剥離液を攪拌したり、基板を振動してもよい。
【００４２】
フォトレジストを剥離した後、好ましくは純水で、剥離したレジストを含むフォトレジスト剥離液を洗浄除去し、フォトレジストを基板上から除去する。その後、エアブロー等で、基板上の液体を吹き飛ばし、基板を乾燥させる。
【００４３】
＜工程（４）＞
本発明の銅又は銅合金層パターンを有する基板の製造方法は、高集積化の観点から、工程（３）の前に、銅又は銅合金層パターン上に錫又は錫合金層を形成する工程（４）を含むことが好ましい。銅又は銅合金層パターン上に錫又は錫合金層を形成する方法としては、特に限定されず、上述の工程（２）におけるめっき処理と同様の方法を採用することができる。
【００４４】
銅又は銅合金層パターンを有する基板において、金属配線の多層態様としては、特に限定されないが、下層から順に、銅又は銅合金の１層配線、銅又は銅合金／下層とは異なる組成の銅又は銅合金の２層配線、銅又は銅合金／錫又は錫合金の２層配線、銅又は銅合金／ニッケル又はニッケル合金の２層配線、銅又は銅合金／ニッケル又はニッケル合金／錫又は錫合金の３層配線等が挙げられる。ここで、銅合金は例えば錫銅合金であってもよい。
【実施例】
【００４５】
以下に実施例を挙げて本発明を説明するが、本発明はこれら実施例のみに限定されるものではない。
【００４６】
（実施例１〜９、比較例１〜４）
下記表１に示す重量比で各成分を混合し、フォトレジスト剥離液を得た。得られたフォトレジスト剥離液を用いて、後述する方法により、レジスト剥離性、粒析出状況、銅及び錫合金に対する防食性を評価した。結果を表１に示す。
【００４７】
（評価方法）
１．レジスト剥離性
ガラス基板上に銅シード膜をスパッタリングで成膜した上に、フォトレジスト（ネガ型液状レジスト：ＪＳＲ社製、１２６Ｎ）を膜厚３０μｍとなるよう成膜し、ＵＶ露光および現像によりフォトレジストのパターニングを行った後、電気めっきにて銅めっき層（膜厚１０μｍ）、無電解めっきにてＮｉめっき層（膜厚０．２μｍ）、電解めっきにてＳｎ−Ａｇ合金めっき層（膜厚１５μｍ）を形成した基板を評価対象とした。３５℃に調整したフォトレジスト剥離液に基板を浸漬し、５分間処理をした。浸漬処理後、基板を水洗及び空気ブロー乾燥した。電子顕微鏡を用いて基板を観察し、フォトレジストの剥離具合を確認し、下記２段階で評価した。
○：剥離残りなし
×：剥離残りあり
【００４８】
２．粒析出状況
上記１．にて浸漬処理後の基板表面を観察し、粒析出の状況を確認し、下記３段階で評価した。
○：粒析出が全くみられない
△：粒析出が一部にみられる
×：粒析出が全面にみられる
【００４９】
３．防食性
銅に対する防食性については、ガラス基板上に５０ｎｍ厚の銅膜をスパッタリングにより成膜した基板を評価対象物とした。また、錫合金に対する防食性については、ガラス基板上に５０ｎｍ厚の錫−銀合金膜をめっき法により成膜した基板を評価対象物とした。いずれも３５℃に調整したフォトレジスト剥離液に基板を浸漬し、５分間処理をした。浸漬処理後、基板を水洗及び空気ブロー乾燥した。基板の銅膜／錫合金膜の残り具合を目視にて観察し、下記３段階で評価した。
○：変化なし
△：銅膜／錫合金膜の表面荒れ又は一部消失あり
×：銅膜／錫合金膜が大部分又は全部が消失
【００５０】
【表１】
2016170337.tif 000003
【００５１】
（考察）
表１より、特定のアミノ酸を含有する実施例１〜９のフォトレジスト剥離液は、レジスト剥離性が高く、粒析出抑制効果が高いことが分かる。また、実施例６〜９で比較すると、特定のアミノ酸としてシステインを含有する実施例８のフォトレジスト剥離液は、システイン以外の特定のアミノ酸を含有する実施例６、７及び９のフォトレジスト剥離液と比較して、銅に対する防食性が高いことが分かる。