(57)【要約】【課題】下側ＩＧＢＴのオフによる出力の電圧急上昇などで誘起される上側ＩＧＢＴの誤オンと、続く下側ＩＧＢＴのオンによるＩＧＢＴ上下同時オンによる破壊を防止する。【解決手段】直流電源にハイサイドスイッチ素子とロウサイドスイッチ素子とでトーテムポール型に直列接続されるスイッチ素子群で構成されたモータ駆動装置において、ハイサイドスイッチ素子は、レベルシフト回路によりオン／オフ制御されるものであって、ロウサイドスイッチ素子オン指令時には、前記レベルシフト回路を介してハイサイドスイッチ素子をオフする構成とした。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
直流電源にハイサイドスイッチ素子とロウサイドスイッチ素子とでトーテムポール型に直列接続されるスイッチ素子群で構成されたモータ駆動装置において、
ハイサイドスイッチ素子は、レベルシフト回路によりオン／オフ制御されるものであって、ロウサイドスイッチ素子オン指令時には、前記レベルシフト回路を介してハイサイドスイッチ素子をオフする構成としたモータ駆動装置。
【請求項２】
直流電源にハイサイドスイッチ素子とロウサイドスイッチ素子とでトーテムポール型に直列接続されるスイッチ素子群で構成されたモータ駆動装置において、
ハイサイドスイッチ素子は、オン／オフ指令信号が、オフからオン切り替わり時にセットパルスを発生し、オンからオフに切り替わる時にリセットパルスを発生するパルス発生器のセットパルス発生時にオン、リセットパルス発生時にオフするレベルシフト回路によりオン／オフ制御するものであって、ロウサイドスイッチ素子のオフからオン切り替わり時にもリセットパルスを発生するよう構成したモータ駆動装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載のモータ駆動装置を備えた電動機。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、例えば、ＰＷＭインバータ、モータ駆動装置などにおける、電力逆変換用ブリッジ回路の上側アームの半導体スイッチング素子のような、入力する制御駆動信号の電位基準となる電極（エミツタ、ソース等）の電位がグランドなどの共通電位に対して変動する可制御半導体素子の制御電極へ、共通電位に接続された回路から、電位絶縁を行わずにオン／オフ信号を伝達する場合などに使用されるレベルシフト回路、さらに望ましくは、ＨＶＩＣ（高耐圧ＩＣ）の形で利用できるレベルシフト回路に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ＰＷＭインバータ等の電力逆変換（直流→交流変換）用ブリッジ回路の上側アームを構成する半導体スイッチング素子をオン／オフ駆動する回路としては、最近はコスト低減のため、トランスやフォトカプラ等による電位絶縁を行わない、いわゆるレベルシフト回路が使用されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
図５は、この種の従来のレベルシフト回路の構成例を示す。同図において、１７と１８は、例えば４００Ｖの高圧の主直流電源Ｖｄｃ（正極側）と、この電源の負極側である共通電位ＣＯＭとの間に、直列に接続されてＰＷＭインバータの電力逆変換用ブリッジ回路の例えば一相分を形成する出力用ＩＧＢＴである。
【０００４】
そしてＯＵＴはブリッジ回路の上側アームのＩＧＢＴ１７のエミツタと、同じく下側アームのＩＧＢＴ１８のコレクタとの接続点であり、ＩＧＢＴ１７と１８の交互のオン／オフによって生成される交流電力の出力端子である。
【０００５】
Ｅ２は負極が共通電位ＣＯＭ  に接続された、例えば１５Ｖの補助直流電源（ドライバ電源ともいう）、２０は下側アームのＩＧＢＴ１８をオン／オフ駆動するためのドライバで、この補助直流電源Ｅ２のもとで動作する。
【０００６】
その他の回路部分はブリッジ回路の上側アームのＩＧＢＴ１７を駆動するためのレベルシフト回路であり、１は図外の回路で作られたパルスのオン信号２５を入力して導通し、これによる負荷抵抗３の電圧降下を信号としてＩＧＢＴ１７をオンさせる高耐圧ＭＯＳＦＥＴ、２は同じく図外の回路で作られたパルスのオフ信号２６を入力して導通し、これによる負荷抵抗４の電圧降下を信号としてＩＧＢＴ１７をオフさせる高耐圧ＭＯＳＦＥＴである。
【０００７】
ここで、高耐圧ＭＯＳＦＥＴ１と２、及び負荷抵抗３と４は通常、それぞれ互いに等しく構成されている。なお、負荷抵抗３、４にそれぞれ並列接続された定電圧ダイオード５と定電圧ダイオード６は、負荷抵抗３、４の過大な電圧降下を制限し、以下に述べるＮＯＴ回路８、９等を保護する役割を持つ。
【０００８】
レベルシフト回路のうち、２つのＭＯＳＦＥＴ１と２は静止した共通電位ＣＯＭを基準とした信号を入力する回路部分となる。一方、破線で囲まれた回路部分は出力ＩＧＢＴ１７、１８のオン／オフにより共通電位ＣＯＭと高圧の主直流電源の電位Ｖｄｃとに交互に追従する交流出力端子ＯＵＴの電位を基準として動作する、電位変動する回路部分となる。
【０００９】
なお、破線で囲まれた回路内のＥ１は、正極がラインＶｃｃ１に接続され、負極が交流出力端子ＯＵＴに接続された例えば１５Ｖの補助直流電源（ドライバ電源ともいう）であ
り、ＮＯＴ回路８、ＮＯＴ回路９及びその後段の回路〔ローパスフィルタ回路（ＬＰＦとも略記する）３  ０、３１、ＲＳフリップフロップ（ＲＳラッチ、ＲＳ−ＦＦとも略記する）１５、ドライバ１６等からなる〕は補助直流電源Ｅ１を電源として動作する
図６は、従来技術の動作を示すタイムチャートである。図６において、ＨＩＮ、ＬＩＮは、上側アームＩＧＢＴ１７、下側ＩＧＢＴ１８のオン／オフ指令信号で、Ｈレベルをオン指令、Ｌレベルがオフ指令である。２５、２６は、図５に図示しないパルスジェネレータが発生するパルス信号で、それぞれ、ＨＩＮ信号の立ち上がり、立下り時に一定パルス幅の信号を発生して、高耐圧ＭＯＳＦＥＴ１、２に入力される。
【００１０】
Ｓ、Ｒは、レベルシフト回路の構成要素であるＲＳフリップフロップ１５のセットとリセットの入力信号で、高耐圧ＭＯＳＦＥＴ１、２を介して２５、２６のパルス信号が伝達される。Ｑは、１５のＲＳフリップフロップの出力を示し、先のセットパルス信号のよりＨレベル出力、リセットパルス信号によりＬ出力になる。１７、１８がそれぞれ上側、下側のＩＧＢＴのオン、オフ状態を示し、オンがＨレベル、オフがＬレベルである。ＯＵＴは、出力電圧を示す。
【００１１】
図６において、今、ｔ＝０において、ＨＩＮはＬレベル、ＬＩＮはＨレベルでＩＧＢＴ１７はオフ、ＩＧＢＴ１８はオン状態にあり、ＯＵＴの電位はＧＮＤレベルである。
【００１２】
次に時刻ｔ＝ｔ１でＬＩＮがＨからＬレベルに切り替わるとＩＧＢＴ１８がオンからオフになって、ＯＵＴ電位は、ＧＮＤレベルから、ＶＤＣレベルへ急激に増大する。
【００１３】
次に時刻ｔ＝ｔ２になると、ＨＩＮレベルがＬレベルからＨレベルになる。図示しないパルスジェネレータの信号２５は、幅Δｔのパルス信号が出力されて高耐圧ＭＯＳＦＥＴ１などを介してＲＳフリップフロップ１５のＳ入力端子へ入力される。ＲＳフリップフロップ１５の出力ＱはＨレベルとなり、ＩＧＢＴ１７はオン状態になる。
【００１４】
次に時刻ｔ＝ｔ３になると、ＨＩＮがＨレベルからＬレベルに切り替わる。図示しないパルスジェネレータの信号２６は、幅Δｔのパルス信号が出力されて高耐圧ＭＯＳＦＥＴ２などを介してＲＳフリップフロップ１５のＲ入力端子へ入力される。ＲＳフリップフロップ１５の出力ＱはＬレベルとなり、ＩＧＢＴ１７はオフ状態になる。
【００１５】
以上のような動作を、ＨＩＮ、ＬＩＮ信号のレベル切り替わり毎に行うのであるが、図中の時刻ｔ＝ｔ４のようにＬＩＮ信号がＨレベルからＬレベルに切り替わってＩＧＢＴ１８がオフしてＯＵＴ電位が急増した際に、ＲＳフリップフロップ１５のＳ端子に、ＨＩＮによらない誤パルスが誘起される場合がある。誤パルスにより１５の出力ＱがＨレベル、ＩＧＢＴ１７が誤ＯＮし、次に時刻ｔ＝ｔ５で、ＬＩＮが再びＬレベルがＨレベルになってＩＧＢＴ１８が再びＯＮすると、ＩＧＢＴ１７、１８が上下同時オン状態となって、電源短絡による過大電流で、ＩＧＢＴ１７、１８が破壊もしくは周辺の構成要素も破壊するという課題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１６】
【特許文献１】特許第３６３５９７５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１７】
解決しようとする課題は、下側ＩＧＢＴのオフによる出力の電圧急上昇などで誘起される上側ＩＧＢＴの誤オンと、続く下側ＩＧＢＴのオンによるＩＧＢＴ上下同時オンによる破壊である。
【００１８】
本発明は、前記従来の課題を解決するもので、ＩＧＢＴの上下同時オンによる破壊を防ぐ信頼性の高いモータ駆動装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
前記従来の課題を解決するために、直流電源にハイサイドスイッチ素子とロウサイドスイッチ素子とでトーテムポール型に直列接続されるスイッチ素子群で構成されたモータ駆動装置において、ハイサイドスイッチ素子は、レベルシフト回路によりオン／オフ制御されるものであって、ロウサイドスイッチ素子オン指令時には、前記レベルシフト回路を介してハイサイドスイッチ素子をオフする構成としたものである。これによって、ロウサイドスイッチ素子オン時には、ハイサイドスイッチは、その状態のいかんにかかわらずオフすることで、ハイサイドスイッチ素子とロウサイドスイッチ素子の上下同時オンの発生を防いで上下同時オンによる破壊が起きえないモータ駆動装置とした。
【００２０】
また、本発明のモータの駆動装置は、直流電源にハイサイドスイッチ素子とロウサイドスイッチ素子とでトーテムポール型に直列接続されるスイッチ素子群で構成されたモータ駆動装置において、ハイサイドスイッチ素子は、オン／オフ指令信号が、オフからオン切り替わり時にセットパルスを発生し、オンからオフに切り替わる時にリセットパルスを発生するパルス発生器のセットパルス発生時にオン、リセットパルス発生時にオフするレベルシフト回路によりオン／オフ制御するものであって、ロウサイドスイッチ素子のオフからオン切り替わり時にもリセットパルスを発生するよう構成としたものである。
【００２１】
これによって、ロウサイドスイッチ素子オン時には、ハイサイドスイッチ素子をオフするリセットパルスを発生して、ハイサイドスイッチは、その状態のいかんにかかわらずオフすることで、ハイサイドスイッチ素子とロウサイドスイッチ素子の上下同時オンの発生を防いで、上下同時オンによる破壊が起きえないモータ駆動装置とした。
【発明の効果】
【００２２】
本発明のモータの駆動装置は、ハイサイドスイッチ素子とロウサイドスイッチ素子の上下同時オンの発生を防いで、上下同時オンによる破壊が起きえないという信頼性を極めて高める効果がある。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明の実施の形態１におけるモータ駆動装置の構成図
【図２】本発明の実施の形態１におけるタイムチャート
【図３】本発明の実施の形態２におけるモータ駆動装置の構成図
【図４】本発明の実施の形態２におけるタイムチャート
【図５】従来技術のモータ駆動装置の構成図
【図６】従来技術のモータ駆動装置のタイムチャート
【発明を実施するための形態】
【００２４】
第１の発明は、直流電源にハイサイドスイッチ素子とロウサイドスイッチ素子とをトーテムポール型に直列接続されるスイッチ素子群で構成するモータ駆動装置において、ハイサイドスイッチ素子は、レベルシフト回路によりオン／オフ制御されるものであって、ロウサイドスイッチ素子オン指令時には、前記レベルシフト回路を介してハイサイドスイッチ素子をオフする構成としたものである。
【００２５】
これによって、ロウサイドスイッチ素子オン時には、ハイサイドスイッチは、その状態のいかんにかかわらずオフ状態となるよう作用することで、ハイサイドスイッチ素子とロウサイドスイッチ素子の上下同時オンの発生を防いで、上下同時オンによる破壊が起きえ
ない効果がある。
【００２６】
第２の発明は、直流電源にハイサイドスイッチ素子とロウサイドスイッチ素子とでトーテムポール型に直列接続されるスイッチ素子群で構成されたモータ駆動装置において、ハイサイドスイッチ素子は、オン／オフ指令信号が、オフからオン切り替わり時にセットパルスを発生し、オンからオフに切り替わる時にリセットパルスを発生するパルス発生器のセットパルス発生時にオン、リセットパルス発生時にオフするレベルシフト回路によりオン／オフ制御するものである。
【００２７】
ロウサイドスイッチ素子のオフからオン切り替わり時にもリセットパルスを発生するよう構成することにより、ロウサイドスイッチ素子オン時には、ハイサイドスイッチは、その状態のいかんにかかわらずオフ状態となるよう作用することで、ハイサイドスイッチ素子とロウサイドスイッチ素子の上下同時オンの発生を防いで、上下同時オンによる破壊が起きえない効果がある。
【００２８】
（実施の形態１）
図１は、本発明の第１の実施の形態におけるモータ駆動装置の構成図を示すものである。図１において、主電源７の正負出力端子に、ハイサイドスイッチ素子１９、ロウサイドスイッチ素子２１が、トーテムポール型に直列接続され、１９の他端と２０の一端の共通接続箇所は出力端子ＯＵＴを成して、モータ巻線１２の一端に接続される。ＨＩＮは１９のオン／オフ指令信号入力端子で第１のヒステリシスコンパレータ１０に入力され、１０の出力は、レベルシフト回路１３に入力される。
【００２９】
１３の出力は、１９の図示しないゲートに入力される。ＬＩＮは、２１のオン／オフ指令信号入力端子で、第２のヒステリシスコンパレータ１１に入力される。１１の出力は、２１の図示しないゲートに入力される。
【００３０】
図１では、複数相の巻線を有するモータ駆動装置の１相分のみ図示している。
【００３１】
以上のように構成されたモータ駆動装置について、図２のタイムチャートを用い以下その動作、作用について説明する。
【００３２】
図２において、ＨＩＮ、ＬＩＮは、ハイサイドスイッチ素子１９、ロウサイドスイッチ素子２１のオン／オフ指令信号で、Ｈレベルをオン指令、Ｌレベルがオフ指令である。
【００３３】
１９、２１がそれぞれハイサイド、ロウサイドのスイッチ素子のオン、オフ状態を示し、オンがＨレベル、オフがＬレベルである。ＯＵＴは、出力電圧を示す。
【００３４】
今、時刻ｔ＝０において、ＨＩＮはＬレベル、ＬＩＮはＨレベルでハイサイドスイッチ素子１９はオフ、ロウサイドスイッチ素子２１はオン状態にあり、ＯＵＴの電位はＧＮＤレベルである。
【００３５】
次に時刻ｔ＝ｔ１でＬＩＮがＨからＬレベルに切り替わるとロウサイドスイッチ素子２１がオンからオフになって、ＯＵＴ電位は、ＧＮＤレベルから、ＶＤＣレベルへ急激に増大する。
【００３６】
次に時刻ｔ＝ｔ２になると、ＨＩＮレベルがＬレベルからＨレベルになると、レベルシフト回路１３の作用によりハイサイドスイッチ素子１９はオン状態になる。
【００３７】
次に時刻ｔ＝ｔ３になると、ＨＩＮがＨレベルからＬレベルに切り替わると、レベルシ
フト回路１３の作用によりハイサイドスイッチ素子１９はオフ状態になる。
【００３８】
以上のような動作を、ＨＩＮ、ＬＩＮ信号のレベル切り替わり毎に行うのであるが、図中の時刻ｔ＝ｔ４のようにＬＩＮ信号がＨレベルからＬレベルに切り替わってロウサイドスイッチ素子２１がオフしてＯＵＴ電位が急増した際の影響によりハイサイドＭＯＳＦＥＴがオンしたとする。しかしながら、次の時刻ｔ＝ｔ５で、ＬＩＮ信号がＬレベルからＨレベルへ切り替わると、ロウサイドスイッチ素子２１にオンするだけでなく、レベルシフト回路１３に作用してハイサイドスイッチ素子１９のオフが同時に行われ、１９、２１の同時オンは発生しないので、電源短絡による破壊が無い。
（実施の形態２）
図３は、本発明の第１の実施の形態におけるモータ駆動装置の構成図を示すものである。図３において、主電源７の正負出力端子に、ハイサイドＭＯＳＦＥＴ２２、ロウサイドＭＯＳＦＥＴ２３、電流検出抵抗２７が、トーテムポール型に直列接続され、２２の他端と２３の一端の共通接続箇所は出力端子ＯＵＴを成して、モータ巻線１２の一端に接続される。
【００３９】
ＨＩＮは２２のオン／オフ指令信号入力端子で第１のヒステリシスコンパレータ１０に入力され、１０の出力は、パルスジェネレータ２４の入力端子ＩＮに入力される。パルスジェネレータ２４のＯＵＴ１端子（２５）は、第１の高耐圧ＭＯＳＦＥＴ１のゲートに接続され、ＯＵＴ２端子（２６）は、第２の高耐圧ＭＯＳＦＥＴのゲートに接続される。
【００４０】
第１の高耐圧ＭＯＳＦＥＴ１のドレインは負荷抵抗３に接続されるとともに、ＲＳフリップフロップ１５のセット入力端子Ｓに、第２の高耐圧ＭＯＳＦＥＴ２のドレインは第２の抵抗に接続されるとともに、ＲＳフリップフロップ１５のリセット入力端子Ｒに接続される。
【００４１】
ＲＳフリップフロップ１５の出力Ｑは第１の増幅器２８を介してハイサイドＭＯＳＦＥＴ２２のゲートに接続される。パルスジェネレータ２４、第１の高耐圧ＭＯＳＦＥＴ１、第２の高耐圧ＭＯＳＦＥＴ２と、負荷抵抗３、４、ＲＳフリップフロップ１５、第１の増幅器２８は、レベルシフト回路１３の構成要素である。
【００４２】
ＬＩＮは、２３のオン／オフ指令信号入力端子で、第２のヒステリシスコンパレータ１１に入力される。レベルシフト回路１３のパルスジェネレータ２４のリセット入力に接続されるとともに、第２の増幅器を介してロウサイドＭＯＳＦＥＴ２３のゲートに入力される。
【００４３】
図３では、複数相の巻線を有するモータ駆動装置の１相分のみ図示している。
【００４４】
図４は、本発明の第２の実施の形態におけるモータ駆動装置の動作を示すタイムチャートである。図４において、ＨＩＮ、ＬＩＮは、ハイサイドＭＯＳＦＥＴ２２、ロウサイドＭＯＳＦＥＴ２３のオン／オフ指令信号で、Ｈレベルをオン指令、Ｌレベルがオフ指令である。２５、２６は、パルスジェネレータ２４のＯＵＴ１端子、ＯＵＴ２端子が発生するパルス信号で、それぞれ、ＨＩＮ信号の立ち上がり、立下り時に一定パルス幅の信号を発生して、高耐圧ＭＯＳＦＥＴ１、２に入力される。
【００４５】
Ｓ、Ｒは、レベルシフト回路１３の構成要素であるＲＳフリップフロップ１５のセットとリセットの入力信号で、高耐圧ＭＯＳＦＥＴ１、２を介して２５、２６のパルス信号が伝達される。Ｑは、１５のＲＳフリップフロップの出力を示し、先のセットパルス信号のよりＨレベル出力、リセットパルス信号によりＬ出力になる。２２、２３がそれぞれハイサイド、ロウサイドのＭＯＳＦＥＴ２２、２３のオン、オフ状態を示し、オンがＨレベル
、オフがＬレベルである。ＯＵＴは、出力電圧を示す。
【００４６】
一方、ＬＩＮ信号は、第２の増幅器２９を介して、ロウサイドＭＯＳＦＥＴ２３のゲートへ入力されるだけでなく、パルスジェネレータ２４のリセット入力端子にも入力されて、ＬＩＮ信号がＬレベルからＨレベルへの立ち上がる時に、パルスジェネレータ２４のＯＵＴ２端子からリセットパルス信号（２６）が出力するよう構成されている。
【００４７】
図４において、今、ｔ＝０において、ＨＩＮはＬレベル、ＬＩＮはＨレベルでハイサイドＭＯＳＦＥＴ２２はオフ、ロウサイドＭＯＳＦＥＴ２３はオン状態にあり、ＯＵＴの電位はＧＮＤレベルである。
【００４８】
次に時刻ｔ＝ｔ１でＬＩＮがＨからＬレベルに切り替わるとロウサイドＭＯＳＦＥＴ２３がオンからオフになって、ＯＵＴ電位は、ＧＮＤレベルから、ＶＤＣレベルへ急激に増大する。
【００４９】
次に時刻ｔ＝ｔ２になると、ＨＩＮレベルがＬレベルからＨレベルになる。パルスジェネレータ２４のセットパルス信号２５は、幅Δｔのパルス信号が出力されて高耐圧ＭＯＳＦＥＴ１などを介してＲＳフリップフロップ１５のＳ入力端子へ入力される。ＲＳフリップフロップ１５の出力ＱはＨレベルとなり、ハイサイドＭＯＳＦＥＴ２２はオン状態になる。
【００５０】
次に時刻ｔ＝ｔ３になると、ＨＩＮがＨレベルからＬレベルに切り替わる。パルスジェネレータ２４のリセットパルス信号２６は、幅Δｔのパルス信号が出力されて高耐圧ＭＯＳＦＥＴ２などを介してＲＳフリップフロップ１５のＲ入力端子へ入力される。ＲＳフリップフロップ１５の出力ＱはＬレベルとなり、ハイサイドＭＯＳＦＥＴ２２はオフ状態になる。
【００５１】
続いて、時刻ｔ＝ｔ３ａになると、ＬＩＮがＬレベルからＨレベルに切り替わる。ＬＩＮ信号は第２の増幅器２９を介してロウサイドＭＯＳＦＥＴ２３をオフからオンにする一方で、パルスジェネレータ２４に作用して２６のリセットパルス信号を出力する。
【００５２】
以上のような動作を、ＨＩＮ、ＬＩＮ信号のレベル切り替わり毎に行うのであるが、図中の時刻ｔ＝ｔ４のようにＬＩＮ信号がＨレベルからＬレベルに切り替わってロウサイドＭＯＳＦＥＴ２３がオフしてＯＵＴ電位が急増した際に、ＲＳフリップフロップ１５のＳ端子に、ＨＩＮによらない誤パルスが誘起される場合がある。誤パルスにより１５の出力ＱがＨレベル、ＩＧＢＴ１７が誤オン状態になる。
【００５３】
次に時刻ｔ＝ｔ５で、ＬＩＮが再びＬレベルがＨレベルになってロウサイドＭＯＳＦＥＴ２３が再びＯＮするが、一方、ＬＩＮ信号が立ち上がる際に、２４のパルスジェネレータに作用して、２６のリセットパルス信号が出力されて、ＲＳフリップフロップ１５をリセットして、誤オンしていたハイサイドＭＯＳＦＥＴ２２をＯＦＦ状態にするのでハイサイドＭＯＳＦＥＴ２２、ロウサイドＭＯＳＦＥＴ２３が上下同時オン状態となることが必ず回避される効果がある。
【産業上の利用可能性】
【００５４】
以上のように本発明のモータの駆動装置は、レベルシフト回路の誤動作によるトーテムポール型に２個上下直列接続されたＭＯＳＦＥＴの上下同時オンを必ず回避する効果があるので、極めて信頼性の高いモータ駆動装置を提供することが可能となるので、モータ駆動装置だけでなく、レベルシフト回路を用いた様々なインバータ機器へも適用できる。
【符号の説明】
【００５５】
１  第１の高耐圧ＭＯＳＦＥＴ
２  第２の高耐圧ＭＯＳＦＥＴ
３、４  負荷抵抗
５、６  定電圧ダイオード
７  主電源
８、９  ＮＯＴ回路
１０  第１のヒステリシスコンパレータ
１１  第２のヒステリシスコンパレータ
１２  モータ巻線
１３  レベルシフト回路
１７  上側アームのＩＧＢＴ
１８  下側アームのＩＧＢＴ
１９  ハイサイドスイッチ素子
２１  ロウサイドスイッチ素子
２２  ハイサイドＭＯＳＦＥＴ
２３  ロウサイドＭＯＳＦＥＴ
２４  パルスジェネレータ
２７  電流検出抵抗
２８  第１の増幅器
２９  第２の増幅器
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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