(57)【要約】【課題】製造工程を簡単化しつつ、光反射板の静撓みを低減することができる光スキャナーおよびその製造方法を提供すること、また、かかる光スキャナーを備える画像表示装置およびヘッドマウントディスプレイを提供すること。【解決手段】光スキャナー１は、基部１１１と、基部１１１を揺動可能に支持する軸部と、光を反射する光反射板１１３、および、光反射板１１３を基部１１１に接続するスペーサー１１２を含む光反射部と、基部１１１とスペーサー１１２との間に設けられ、かつ、基部１１１とスペーサーとを接合する接合膜１６と、光反射板１１３のスペーサー１１２側の面に設けられ、かつ、接合膜１６と同じ材料で構成され、光反射板１１３の撓みを低減する撓み低減層１１５と、を有する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基部と、
前記基部を揺動可能に支持する軸部と、
光を反射する光反射板、および、当該光反射板を前記基部に接続する接続部を含む光反射部と、
前記基部と前記接続部との間に設けられ、かつ、前記基部と前記接続部とを接合する接合層と、
前記光反射板の前記接続部側の面に設けられ、かつ、前記接合層と同じ材料で構成され、前記光反射板の撓みを低減する撓み低減層と、を有することを特徴とする光スキャナー。
【請求項２】
前記接合層は、金属で構成されている請求項１に記載の光スキャナー。
【請求項３】
前記撓み低減層の厚さは、前記光反射板の中央部側から外周側に向かうにつれて薄くなる部分を有する請求項１または２に記載の光スキャナー。
【請求項４】
前記撓み低減層は、前記光反射板の外周よりも内側に設けられている請求項１ないし３のいずれか１項に記載の光スキャナー。
【請求項５】
前記光反射部は、ＳＯＩ基板を用いて構成されている請求項１ないし４のいずれか１項に記載の光スキャナー。
【請求項６】
前記光反射板の前記接続部と反対側の面には、金属膜が設けられている請求項１ないし５のいずれか１項に記載の光スキャナー。
【請求項７】
請求項１ないし６のいずれか１項に記載の光スキャナーの製造方法であって、
前記接合層および前記撓み低減層を一括して同時に形成することを特徴とする光スキャナーの製造方法。
【請求項８】
光を反射する光反射板、および、当該光反射板を基部に接続する接続部を含む光反射部を有する光スキャナーの製造方法であって、
前記接続部に接合層を形成するのと同時に、前記光反射板の前記接続部側の面に、前記接合層と同じ材料で、前記光反射板の撓みを低減する撓み低減層を形成することを特徴とする光スキャナーの製造方法。
【請求項９】
前記接合層および前記撓み低減層の形成を、スパッタリング法を用いて行う請求項７または８に記載の光スキャナーの製造方法。
【請求項１０】
請求項１ないし６のいずれか１項に記載の光スキャナーを備えることを特徴とする画像表示装置。
【請求項１１】
請求項１ないし６のいずれか１項に記載の光スキャナーを備えることを特徴とするヘッドマウントディスプレイ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光スキャナー、光スキャナーの製造方法、画像表示装置およびヘッドマウントディスプレイに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
例えば、プロジェクター、ヘッドマウントディスプレイ等に用いられ、光を２次元的に走査する光スキャナーが知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
例えば、特許文献１に記載の光スキャナーは、光反射板と、スペーサーを介して光反射板を支持する基部と、基部を囲んで設けられた枠体部と、基部と枠体部とを接続し基部を枠体部に対して第１の軸まわりに揺動可能に支持する第１軸部と、支持部と、枠体部と支持部とを接続し枠体部を第１の軸に交差する第２の軸まわりに揺動可能に支持する第２軸部と、を有する。
【０００４】
また、特許文献１に記載の光スキャナーを製造するに際しては、光反射板およびスペーサーからなる構造体と、基部、枠体部、第１軸部、支持部および第２軸部からなる構造体との２つの構造体をそれぞれＳＯＩ基板から形成した後、これら２つの構造体を接合する。ここで、光反射板がＳＯＩ基板のＳｉデバイス層で構成され、スペーサーがＳＯＩ基板のＳｉハンドル層およびＳｉＯ２ボックス層で構成される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１３−２３５２００号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１に記載の光スキャナーでは、光反射板の静撓みが生じるという課題がある。より具体的には、特許文献１に記載の光スキャナーでは、例えば、光反射板のＳｉデバイス層とスペーサーのＳｉＯ２ボックス層との線膨張係数差に起因して、光反射板の静撓みが生じてしまう。
【０００７】
このような課題を解決する方法として、前述したような線膨張係数差を相殺するように光反射板に補正層を形成することが考えられるが、このような補正層を単に追加すると、その分製造工程が増えてしまう。
【０００８】
本発明の目的は、製造工程を簡単化しつつ、光反射板の静撓みを低減することができる光スキャナーおよびその製造方法を提供すること、また、かかる光スキャナーを備える画像表示装置およびヘッドマウントディスプレイを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の光スキャナーは、基部と、
前記基部を揺動可能に支持する軸部と、
光を反射する光反射板、および、当該光反射板を前記基部に接続する接続部を含む光反射部と、
前記基部と前記接続部との間に設けられ、かつ、前記基部と前記接続部とを接合する接合層と、
前記光反射板の前記接続部側の面に設けられ、かつ、前記接合層と同じ材料で構成され、前記光反射板の撓みを低減する撓み低減層と、を有することを特徴とする。
【００１０】
このような光スキャナーによれば、接合層および撓み低減層が互いに同じ材料で構成されているため、これらの層を一括して同時に形成することができ、その結果、製造工程の簡単化を図ることができる。
【００１１】
本発明の光スキャナーでは、前記接合層は、金属で構成されていることが好ましい。
これにより、接合層の接合を表面活性化接合により簡単かつ強固に行うことができる。また、金属は、一般に光反射板を構成する材料（例えばシリコン）よりも線膨張係数が大きい。そのため、金属で構成された撓み低減層により光反射板の撓みを効果的に低減することができる。
【００１２】
本発明の光スキャナーでは、前記撓み低減層の厚さは、前記光反射板の中央部側から外周側に向かうにつれて薄くなる部分を有することが好ましい。
【００１３】
光反射板に生じる撓みは、光反射板の中央部側が大きく、外周部側が小さい。したがって、撓み低減層の厚さを光反射板の外周側に向かうにつれて薄くすることにより、光反射板の撓みをバランスよく低減することができる。
【００１４】
本発明の光スキャナーでは、前記撓み低減層は、前記光反射板の外周よりも内側に設けられていることが好ましい。
【００１５】
光反射板に生じる撓みは、光反射板の中央部側が大きく、外周部側が小さい。したがって、撓み低減層を光反射板の外周よりも内側に設けることにより、光反射板の撓みをバランスよく低減することができる。
【００１６】
本発明の光スキャナーでは、前記光反射部は、ＳＯＩ基板を用いて構成されていることが好ましい。
【００１７】
これにより、ボックス層およびハンドル層を用いて接続部を構成し、デバイス層を用いて光反射板を構成することができる。この場合、デバイス層とボックス層との線膨張係数差により光反射板に生じる撓みを撓み低減層により低減することができる。
【００１８】
本発明の光スキャナーでは、前記光反射板の前記接続部と反対側の面には、金属膜が設けられていることが好ましい。
【００１９】
これにより、光反射板の光反射性を優れたものとすることができる。この場合、光反射板と金属膜との線膨張係数差により光反射板に生じる撓みを撓み低減層により低減することができる。
【００２０】
本発明の光スキャナーの製造方法は、本発明の光スキャナーの製造方法であって、
前記接合層および前記撓み低減層を一括して同時に形成することを特徴とする。
【００２１】
このような光スキャナーの製造方法によれば、製造工程を簡単化しつつ、接合層および撓み低減層を形成することができる。
【００２２】
本発明の光スキャナーの製造方法は、光を反射する光反射板、および、当該光反射板を基部に接続する接続部を含む光反射部を有する光スキャナーの製造方法であって、
前記接続部に接合層を形成するのと同時に、前記光反射板の前記接続部側の面に、前記接合層と同じ材料で、前記光反射板の撓みを低減する撓み低減層を形成することを特徴とする。
【００２３】
このような光スキャナーの製造方法によれば、製造工程を簡単化しつつ、接合層および撓み低減層を形成することができる。
【００２４】
本発明の光スキャナーの製造方法では、前記接合層および前記撓み低減層の形成を、スパッタリング法を用いて行うことが好ましい。
【００２５】
これにより、マスクを適宜設定することにより、撓み低減層の厚さや形成領域を調整しつつ、接合層および撓み低減層を同時に形成することができる。
【００２６】
本発明の画像表示装置は、本発明の光スキャナーを備えることを特徴とする。
これにより、優れた表示特性を有する画像表示装置を提供することができる。
【００２７】
本発明のヘッドマウントディスプレイは、本発明の光スキャナーを備えることを特徴とする。
【００２８】
これにより、優れた表示特性を有するヘッドマウントディスプレイを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】本発明の第１実施形態に係る光スキャナーを示す平面図である。
【図２】図１に示す光スキャナーの断面図（Ｘ軸に沿った断面図）である。
【図３】図１に示す光スキャナーが備える駆動部の電圧印加部を説明するためのブロック図である。
【図４】図３に示す第１の電圧発生部および第２の電圧発生部での発生電圧の一例を示す図である。
【図５】図１に示す光スキャナーが備える光反射部および接合層の拡大断面図である。
【図６】図１に示す光スキャナーの製造方法における光反射部の形成工程を説明するための図である。
【図７】図１に示す光スキャナーの製造方法における光反射部の形成工程を説明するための図である。
【図８】図１に示す光スキャナーの製造方法における光反射部形成後の工程を説明するための図である。
【図９】本発明の画像表示装置の実施形態を模式的に示す図である。
【図１０】本発明の画像表示装置の応用例１を示す斜視図である。
【図１１】本発明の画像表示装置の応用例２を示す斜視図である。
【図１２】本発明の画像表示装置の応用例３を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
以下、本発明の光スキャナー、光スキャナーの製造方法、画像表示装置およびヘッドマウントディスプレイの好適な実施形態について、添付図面を参照しつつ説明する。
【００３１】
（光スキャナー）
＜第１実施形態＞
図１は、本発明の第１実施形態に係る光スキャナーを示す平面図、図２は、図１に示す光スキャナーの断面図（Ｘ軸に沿った断面図）である。図３は、図１に示す光スキャナーが備える駆動部の電圧印加部を説明するためのブロック図、図４は、図３に示す第１の電圧発生部および第２の電圧発生部での発生電圧の一例を示す図である。
【００３２】
なお、以下では、説明の便宜上、図２中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
図１および図２に示す光スキャナー１は、可動ミラー部１１と、１対の軸部１２ａ、１２ｂ（第１軸部）と、枠体部１３と、１対の軸部１４ａ、１４ｂ（第２軸部）と、支持部１５と、永久磁石２１と、コイル３１と、電圧印加部４（図３参照）と、を備える。
【００３３】
ここで、可動ミラー部１１、１対の軸部１２ａ、１２ｂ（以下、「軸部１２」ともいう）は、Ｙ軸（第１の軸）周りに揺動（往復回動）する第１の振動系を構成する。また、可動ミラー部１１、１対の軸部１２ａ、１２ｂ、枠体部１３、１対の軸部１４ａ、１４ｂ（以下、「軸部１４」ともいう）および永久磁石２１は、Ｘ軸（第２の軸）周りに揺動（往復回動）する第２の振動系を構成する。
【００３４】
また、永久磁石２１、コイル３１および電圧印加部４は、永久磁石２１およびコイル３１の磁界の相互作用により、前述した第１の振動系および第２の振動系を駆動（すなわち、可動ミラー部１１をＸ軸およびＹ軸周りに揺動）させる「駆動部」を構成する。
【００３５】
以下、光スキャナー１の各部を順次詳細に説明する。
可動ミラー部１１は、基部１１１と、スペーサー１１２（柱部）を介して基部１１１に固定された光反射板１１３とを有する。ここで、スペーサー１１２の一端部に光反射板１１３が接合され、スペーサー１１２の他端部（基部１１１と対向する端部）に接合膜１６が設けられている。また、基部１１１の上面に接合膜１７が設けられている。そして、接合膜１６と接合膜１７とが接合されており、これにより、スペーサー１１２が基部１１１に対して固定されている。ここで、また、スペーサー１１２が光反射板１１３を基部１１１に接続する「接続部」を構成し、スペーサー１１２および光反射板１１３からなる構造体が「光反射部」を構成している。また、接合膜１６は、基部１１１とスペーサー１１２との間に設けられ、かつ、基部１１１とスペーサー１１２とを接合する「接合層」を構成している。
【００３６】
接合膜１６、１７は、それぞれ、特に限定されないが、例えば、Ａｕ、Ｃｒ、Ａｌ、Ａｌ合金、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｔｉ等の金属等で構成された金属膜（金属単体、合金の単層または積層体）である。
【００３７】
そして、接合膜１６と接合膜１７との接合は、表面活性化接合により行われている。このように、接合膜１６、１７を金属で構成することにより、接合膜１６、１７の接合を表面活性化接合により簡単かつ強固に行うことができる。なお、接合膜１６、１７の構成材料は、接合機能を有するとともに、撓み低減層１１５に用いることができるものであれば、金属に限定されず、例えば、金属酸化物、金属窒化物等の金属化合物を用いてもよい。また、接合膜１６と接合膜１７との接合は表面活性化接合に限らない。
【００３８】
光反射板１１３の上面（一方の面）には、光反射性を有する光反射膜１１４が設けられている。この光反射膜１１４は、例えば、アルミニウム等の金属膜で構成されている。
【００３９】
この光反射板１１３は、軸部１２ａ、１２ｂに対して光反射板１１３の板厚方向に離間するとともに、板厚方向からみたときに（以下、「平面視」ともいう）軸部１２ａ、１２ｂと重なって設けられている。そのため、軸部１２ａと軸部１２ｂとの間の距離を短くしつつ、光反射板１１３の板面の面積を大きくすることができる。また、軸部１２ａと軸部１２ｂとの間の距離を短くすることができることから、枠体部１３の小型化を図ることができる。さらに、枠体部１３の小型化を図ることができることから、軸部１４ａと軸部１４ｂとの間の距離を短くすることができる。このようなことから、光反射板１１３の板面の面積を大きくしても、光スキャナー１の小型化を図ることができる。
【００４０】
本実施形態では、光反射板１１３は、平面視にて、円形をなしている。なお、光反射板１１３の平面視形状は、これに限定されず、例えば、楕円形、四角形等の多角形であってもよい。
【００４１】
一方、光反射板１１３の下面（他方の面）は、スペーサー１１２を介して基部１１１に固定されている。すなわち、光反射板１１３の下面は、スペーサー１１２が接続される面ということができる。これにより、軸部１２ａ、１２ｂ、枠体部１３および軸部１４ａ、１４ｂとの接触を抑制しつつ、光反射板１１３をＹ軸周りに揺動させることができる。
【００４２】
また、光反射板１１３の下面には、スペーサー１１２の周囲に撓み低減層１１５が設けられている。これにより、光反射板１１３の静撓みを低減することができる。なお、撓み低減層１１５については、後に詳述する。
【００４３】
枠体部１３は、枠状をなし、前述した可動ミラー部１１の基部１１１を囲んで設けられている。言い換えると、可動ミラー部１１の基部１１１は、枠状をなす枠体部１３の内側に設けられている。
【００４４】
この枠体部１３は、平面視にて、可動ミラー部１１の基部１１１および１対の軸部１２ａ、１２ｂからなる構造体の外形に沿った形状をなしている。これにより、可動ミラー部１１のＹ軸周りの揺動を許容しつつ、枠体部１３の小型化を図ることができる。
【００４５】
また、枠体部１３は、枠体部１３の厚さ方向に軸部１２ａ、１２ｂおよび軸部１４ａ、１４ｂよりも突出したリブ１３１を有する。このようなリブ１３１により枠体部１３の剛性を高めることができる。また、このリブ１３１は、可動ミラー部１１が永久磁石２１に接触するのを抑制する機能（スペーサーとしての機能）も有する。なお、枠体部１３の形状は、枠状であれば、図示のものに限定されない。
【００４６】
また、枠体部１３は、Ｙ軸に沿った方向での長さがＸ軸に沿った方向での長さよりも長くなっている。これにより、軸部１２ａ、１２ｂに必要な長さを確保しつつ、Ｘ軸に沿った方向における光スキャナー１の長さを短くすることができる。
【００４７】
そして、枠体部１３は、軸部１４ａ、１４ｂを介して支持部１５に支持されている。また、可動ミラー部１１の基部１１１は、軸部１２ａ、１２ｂを介して枠体部１３に支持されている。
【００４８】
軸部１２ａ、１２ｂおよび軸部１４ａ、１４ｂは、それぞれ、弾性変形可能である。そして、軸部１２ａ、１２ｂ（第１軸部）は、可動ミラー部１１をＹ軸（第１の軸）周りに揺動（回動）可能とするように、可動ミラー部１１と枠体部１３とを接続している。また、軸部１４ａ、１４ｂ（第２軸部）は、枠体部１３をＹ軸に直交するＸ軸（第２の軸）周りに揺動（回動）可能とするように、枠体部１３と支持部１５とを接続している。
【００４９】
より具体的に説明すると、軸部１２ａ、１２ｂは、可動ミラー部１１の基部１１１を介して（挟んで）互いに対向するように配置されている。また、軸部１２ａ、１２ｂは、それぞれ、Ｙ軸に沿った方向に延びる長手形状（棒状）をなしている。そして、軸部１２ａ、１２ｂは、それぞれ、一方の端部が基部１１１に接続され、他方の端部が枠体部１３に接続されている。また、軸部１２ａ、１２ｂは、それぞれ、中心軸がＹ軸に一致するように配置されている。
【００５０】
このように、軸部１２ａ、１２ｂは、可動ミラー部１１の基部１１１を両側から支持している。そして、軸部１２ａ、１２ｂは、それぞれ、可動ミラー部１１のＹ軸周りの揺動に伴って捩れ変形する。
【００５１】
なお、軸部１２ａ、１２ｂの形状は、それぞれ、可動ミラー部１１を枠体部１３に対してＹ軸周りに揺動可能に支持するものであれば、前述したものに限定されず、例えば、途中の少なくとも１箇所に、屈曲または湾曲した部分、分岐した部分、幅の異なる部分を有していてもよい。
【００５２】
軸部１４ａ、１４ｂは、枠体部１３を介して互いに対向するように配置されている。また、１対の軸部１４ａ、１４ｂは、それぞれ、平面視にてＸ軸上に沿って配置され、Ｘ軸に沿った長手形状（棒状）をなしている。そして、軸部１４ａ、１４ｂは、それぞれ、一方の端部が枠体部１３に接続され、他方の端部が支持部１５に接続されている。また、軸部１４ａ、１４ｂは、それぞれ、中心軸がＸ軸に一致するように配置されている。
【００５３】
このように、軸部１４ａ、１４ｂは、枠体部１３を両側から支持している。そして、軸部１４ａ、１４ｂは、それぞれ、枠体部１３のＸ軸周りの揺動に伴って捩れ変形する。
【００５４】
なお、軸部１４ａ、１４ｂの形状は、それぞれ、枠体部１３を支持部１５に対してＸ軸周りに揺動可能に支持するものであれば、前述したものに限定されず、例えば、途中の少なくとも１箇所に、屈曲または湾曲した部分、分岐した部分、幅の異なる部分を有していてもよい。
【００５５】
支持部１５は、平面視で、基部１１１、軸部１２、枠体部１３および軸部１４からなる構造体を囲むように設けられている。
【００５６】
また、平面視にて、光反射板１１３の外側に位置する部分（本実施形態では、支持部１５）の上面には、反射防止処理が施された反射防止層１５２が設けられている。これにより、光反射板１１３以外に照射された不要光が迷光となるのを抑制することができる。この反射防止層１５２は、特に限定されないが、例えば、シリコン酸化膜である。
【００５７】
このように、可動ミラー部１１をＹ軸周りに揺動可能とするとともに、枠体部１３をＸ軸周りに揺動可能とすることにより、可動ミラー部１１を互いに直交するＸ軸およびＹ軸の２軸周りに揺動（回動）させることができる。
【００５８】
以上説明したような基部１１１、軸部１２ａ、１２ｂ、枠体部１３、軸部１４ａ、１４ｂおよび支持部１５は、一体的に形成されている。
【００５９】
本実施形態では、基部１１１、軸部１２ａ、１２ｂ、枠体部１３、軸部１４ａ、１４ｂおよび支持部１５は、第１のＳｉ層（デバイス層）と、ＳｉＯ２層（ボックス層）と、第２のＳｉ層（ハンドル層）とがこの順に積層したＳＯＩ基板をエッチングすることにより形成されている。これにより、第１の振動系および第２の振動系の振動特性を優れたものとすることができる。また、ＳＯＩ基板は、エッチングにより微細な加工が可能であるため、ＳＯＩ基板を用いて基部１１１、軸部１２ａ、１２ｂ、枠体部１３、軸部１４ａ、１４ｂおよび支持部１５を形成することにより、これらの寸法精度を優れたものとすることができ、また、光スキャナー１の小型化を図ることができる。
【００６０】
そして、基部１１１、軸部１２ａ、１２ｂおよび軸部１４ａ、１４ｂは、それぞれ、ＳＯＩ基板の第１のＳｉ層で構成されている。これにより、軸部１２ａ、１２ｂおよび軸部１４ａ、１４ｂの弾性を優れたものとすることができる。また、基部１１１がＹ軸周りに回動する際に枠体部１３に接触するのを抑制することができる。
【００６１】
また、枠体部１３および支持部１５は、それぞれ、ＳＯＩ基板の第１のＳｉ層、ＳｉＯ２層および第２のＳｉ層からなる積層体で構成されている。これにより、枠体部１３および支持部１５の剛性を優れたものとすることができる。ここで、枠体部１３のＳｉＯ２層および第２のＳｉ層は、枠体部１３の軸部１２ａ、１２ｂまたは軸部１４ａ、１４ｂよりも厚さ方向に突出していて、前述した枠体部１３の剛性を高めるリブ１３１を構成する。
【００６２】
なお、前述した基部１１１、軸部１２ａ、１２ｂ、枠体部１３、軸部１４ａ、１４ｂおよび支持部１５の構成材料および形成方法は、一例であり、本発明は、これに限定されるものではない。例えば、シリコン基板をエッチングすることにより、基部１１１、軸部１２ａ、１２ｂ、枠体部１３、軸部１４ａ、１４ｂおよび支持部１５を形成してもよい。
【００６３】
また、本実施形態では、スペーサー１１２および光反射板１１３も、ＳＯＩ基板をエッチングすることにより形成されている。そして、スペーサー１１２は、ＳＯＩ基板のＳｉＯ２層および第２のＳｉ層からなる積層体で構成されている。また、光反射板１１３は、ＳＯＩ基板の第１のＳｉ層で構成されている。
【００６４】
このように、ＳＯＩ基板を用いてスペーサー１１２および光反射板１１３を形成することにより、互いに接合されたスペーサー１１２および光反射板１１３を簡単かつ高精度に製造することができる。
【００６５】
前述した枠体部１３の下面（光反射板１１３とは反対側の面）、すなわちリブ１３１の先端面には、永久磁石２１が接合されている。
【００６６】
永久磁石２１と枠体部１３との接合方法としては、特に限定されないが、例えば、接着剤を用いた接合方法を用いることができる。
【００６７】
永久磁石２１は、平面視にて、Ｘ軸およびＹ軸に対して傾斜する方向に磁化されている。本実施形態では、永久磁石２１は、Ｘ軸およびＹ軸に対して傾斜する方向に延在する長手形状（棒状）をなす。そして、永久磁石２１は、その長手方向に磁化されている。すなわち、永久磁石２１は、一端部をＳ極とし、他端部をＮ極とするように磁化されている。また、永久磁石２１は、平面視にて、Ｘ軸とＹ軸との交点を中心として対称となるように設けられている。
【００６８】
なお、本実施形態では、枠体部１３に１つの永久磁石の数を設置した場合を例に説明するが、これに限定されず、例えば、枠体部１３に２つの永久磁石を設置してもよい。この場合、例えば、長尺状をなす２つの永久磁石を、平面視にて基部１１１を介して互いに対向するとともに、互いに平行となるように、枠体部１３に設置すればよい。
【００６９】
平面視にてＸ軸に対する永久磁石２１の磁化の方向（延在方向）の傾斜角θは、特に限定されないが、３０°以上６０°以下であるのが好ましく、３０°以上４５°以下であることがより好ましく、４５°であるのがさらに好ましい。このように永久磁石２１を設けることで、円滑かつ確実に可動ミラー部１１をＸ軸の周りに回動させることができる。
【００７０】
これに対し、傾斜角θが前記下限値未満であると、電圧印加部４によりコイル３１に印加される電圧の強さなどの諸条件によっては、可動ミラー部１１を十分にＸ軸周りに回動させることができない場合がある。一方、傾斜角θが前記上限値を超えると、諸条件によっては、可動ミラー部１１を十分にＹ軸周りに回動させることができない場合がある。
【００７１】
このような永久磁石２１としては、例えば、ネオジム磁石、フェライト磁石、サマリウムコバルト磁石、アルニコ磁石、ボンド磁石等を好適に用いることができる。このような永久磁石２１は、硬磁性体を着磁したものであり、例えば、着磁前の硬磁性体を枠体部１３に設置した後に着磁することにより形成される。既に着磁がなされた永久磁石２１を枠体部１３に設置しようとすると、外部や他の部品の磁界の影響により、永久磁石２１を所望の位置に設置できない場合があるからである。
【００７２】
永久磁石２１の直下には、コイル３１が設けられている。すなわち、枠体部１３の下面に対向するように、コイル３１が設けられている。これにより、コイル３１から発生する磁界を効率的に永久磁石２１に作用させることができる。これにより、光スキャナー１の省電力化および小型化を図ることができる。なお、コイル３１は、磁心に巻回されて設けられていてもよい。
【００７３】
このようなコイル３１は、電圧印加部４に電気的に接続されている。そして、電圧印加部４によりコイル３１に電圧が印加されることで、コイル３１からＸ軸およびＹ軸に直交する方向の磁界が発生する。
【００７４】
電圧印加部４は、図３に示すように、可動ミラー部１１をＹ軸周りに回動させるための第１の電圧Ｖ１を発生させる第１の電圧発生部４１と、可動ミラー部１１をＸ軸周りに回動させるための第２の電圧Ｖ２を発生させる第２の電圧発生部４２と、第１の電圧Ｖ１と第２の電圧Ｖ２とを重畳する電圧重畳部４３とを備え、電圧重畳部４３で重畳した電圧をコイル３１に印加する。
【００７５】
第１の電圧発生部４１は、図４（ａ）に示すように、周期Ｔ１で周期的に変化する第１の電圧Ｖ１（水平走査用電圧）を発生させるものである。すなわち、第１の電圧発生部４１は、第１周波数（１／Ｔ１）の第１の電圧Ｖ１を発生させるものである。
【００７６】
第１の電圧Ｖ１は、正弦波のような波形をなしている。そのため、光スキャナー１は効果的に光を主走査することができる。なお、第１の電圧Ｖ１の波形は、これに限定されない。
【００７７】
また、第１周波数（１／Ｔ１）は、水平走査に適した周波数であれば、特に限定されないが、１０〜４０ｋＨｚであるのが好ましい。
【００７８】
本実施形態では、第１周波数は、可動ミラー部１１、１対の軸部１２ａ、１２ｂで構成される第１の振動系（捩り振動系）の捩り共振周波数（ｆ１）と等しくなるように設定されている。つまり、第１の振動系は、その捩り共振周波数ｆ１が水平走査に適した周波数になるように設計（製造）されている。これにより、可動ミラー部１１のＹ軸周りの回動角を大きくすることができる。
【００７９】
一方、第２の電圧発生部４２は、図４（ｂ）に示すように、周期Ｔ１と異なる周期Ｔ２で周期的に変化する第２の電圧Ｖ２（垂直走査用電圧）を発生させるものである。すなわち、第２の電圧発生部４２は、第２周波数（１／Ｔ２）の第２の電圧Ｖ２を発生させるものである。
【００８０】
第２の電圧Ｖ２は、鋸波のような波形をなしている。そのため、光スキャナー１は効果的に光を垂直走査（副走査）することができる。なお、第２の電圧Ｖ２の波形は、これに限定されない。
【００８１】
第２周波数（１／Ｔ２）は、第１周波数（１／Ｔ１）と異なり、かつ、垂直走査に適した周波数であれば、特に限定されないが、３０〜１２０Ｈｚ（６０Ｈｚ程度）であるのが好ましい。このように、第２の電圧Ｖ２の周波数を６０Ｈｚ程度とし、前述したように第１の電圧Ｖ１の周波数を１０〜４０ｋＨｚとすることで、ディスプレイでの描画に適した周波数で、可動ミラー部１１を互いに直交する２軸（Ｘ軸およびＹ軸）のそれぞれの軸周りに回動させることができる。ただし、可動ミラー部１１をＸ軸およびＹ軸のそれぞれの軸周りに回動させることができれば、第１の電圧Ｖ１の周波数と第２の電圧Ｖ２の周波数との組み合わせは、特に限定されない。
【００８２】
本実施形態では、第２の電圧Ｖ２の周波数は、可動ミラー部１１、１対の軸部１２ａ、１２ｂ、枠体部１３、１対の軸部１４ａ、１４ｂおよび永久磁石２１で構成された第２の振動系（捩り振動系）の共振周波数（捩り共振周波数）と異なる周波数となるように調整されている。
【００８３】
このような第２の電圧Ｖ２の周波数（第２周波数）は、第１の電圧Ｖ１の周波数（第１周波数）よりも小さいことが好ましい。すなわち、周期Ｔ２は、周期Ｔ１よりも長いことが好ましい。これにより、より確実かつより円滑に、可動ミラー部１１をＹ軸周りに第１周波数で回動させつつ、Ｘ軸周りに第２周波数で回動させることができる。
【００８４】
また、第１の振動系の捩り共振周波数をｆ１［Ｈｚ］とし、第２の振動系の捩り共振周波数をｆ２［Ｈｚ］としたとき、ｆ１とｆ２とが、ｆ２＜ｆ１の関係を満たすことが好ましく、ｆ１≧１０ｆ２の関係を満たすことがより好ましい。これにより、より円滑に、可動ミラー部１１を、Ｙ軸周りに第１の電圧Ｖ１の周波数で回動させつつ、Ｘ軸周りに第２の電圧Ｖ２の周波数で回動させることができる。これに対し、ｆ１≦ｆ２とした場合は、第２周波数による第１の振動系の振動が起こる可能性がある。
【００８５】
このような第１の電圧発生部４１および第２の電圧発生部４２は、それぞれ、制御部６に接続され、この制御部６からの信号に基づき駆動する。このような第１の電圧発生部４１および第２の電圧発生部４２には、電圧重畳部４３が接続されている。
【００８６】
電圧重畳部４３は、コイル３１に電圧を印加するための加算器４３ａを備えている。加算器４３ａは、第１の電圧発生部４１から第１の電圧Ｖ１を受けるとともに、第２の電圧発生部４２から第２の電圧Ｖ２を受け、これらの電圧を重畳しコイル３１に印加するようになっている。
【００８７】
次に、光スキャナー１の駆動方法について説明する。なお、本実施形態では、前述したように、第１の電圧Ｖ１の周波数は、第１の振動系の捩り共振周波数と等しく設定されており、第２の電圧Ｖ２の周波数は、第２の振動系の捩り共振周波数と異なる値に、かつ、第１の電圧Ｖ１の周波数よりも小さくなるように設定されている（例えば、第１の電圧Ｖ１の周波数が１８ｋＨｚ、第２の電圧Ｖ２の周波数が６０Ｈｚに設定されている）。
【００８８】
例えば、図４（ａ）に示すような第１の電圧Ｖ１と、図４（ｂ）に示すような第２の電圧Ｖ２とを電圧重畳部４３にて重畳し、重畳した電圧をコイル３１に印加する。
【００８９】
すると、第１の電圧Ｖ１によって、永久磁石２１の一方の磁極をコイル３１に引き付けようとするとともに、永久磁石２１の他方の磁極をコイル３１から離間させようとする磁界（この磁界を「磁界Ａ１」という）と、永久磁石２１の一方の磁極をコイル３１から離間させようとするとともに、永久磁石２１の他方の磁極をコイル３１に引き付けようとする磁界（この磁界を「磁界Ａ２」という）とが交互に切り換わる。
【００９０】
ここで、上述したように、図１の平面視において、Ｙ軸を挟んで一方側に永久磁石２１のＮ極が位置し、他方側に永久磁石２１のＳ極が位置している。そのため、磁界Ａ１と磁界Ａ２とが交互に切り換わることで、枠体部１３にＹ軸周りの捩り振動成分を有する振動が励振され、その振動に伴って、軸部１２ａ、１２ｂを捩れ変形させつつ、可動ミラー部１１が第１の電圧Ｖ１の周波数でＹ軸まわりに回動する。
【００９１】
また、第１の電圧Ｖ１の周波数は、第１の振動系の捩り共振周波数と等しい。そのため、第１の電圧Ｖ１によって、効率的に、可動ミラー部１１をＹ軸周りに回動させることができる。すなわち、前述した枠体部１３のＹ軸周りの捩り振動成分を有する振動が小さくても、その振動に伴う可動ミラー部１１のＹ軸周りの回動角を大きくすることができる。
【００９２】
一方、第２の電圧Ｖ２によって、永久磁石２１の一方の磁極をコイル３１に引き付けようとするとともに、永久磁石２１の他方の磁極をコイル３１から離間させようとする磁界（この磁界を「磁界Ｂ１」という）と、永久磁石２１の一方の磁極をコイル３１から離間させようとするとともに、永久磁石２１の他方の磁極をコイル３１に引き付けようとする磁界（この磁界を「磁界Ｂ２」という）とが交互に切り換わる。
【００９３】
ここで、上述したように、図１の平面視において、Ｘ軸を挟んで一方側に永久磁石２１のＮ極が位置し、他方側に永久磁石２１のＳ極が位置している。そのため、磁界Ｂ１と磁界Ｂ２とが交互に切り換わることで、軸部１４ａ、１４ｂをそれぞれ捩れ変形させつつ、枠体部１３が可動ミラー部１１とともに、第２の電圧Ｖ２の周波数でＸ軸周りに回動する。
【００９４】
また、第２の電圧Ｖ２の周波数は、第１の電圧Ｖ１の周波数に比べて極めて低く設定されている。また、第２の振動系の捩り共振周波数は、第１の振動系の捩り共振周波数よりも低く設計されている。そのため、可動ミラー部１１が第２の電圧Ｖ２の周波数でＹ軸周りに回動してしまうことを抑制することができる。
【００９５】
このように、第１の電圧Ｖ１と第２の電圧Ｖ２とを重畳させた電圧をコイル３１に印加することで、可動ミラー部１１を、Ｙ軸周りに第１の電圧Ｖ１の周波数で回動させつつ、Ｘ軸周りに第２の電圧Ｖ２の周波数で回動させることができる。これにより、装置の低コスト化および小型化を図るとともに、電磁駆動方式（ムービングマグネット方式）により、可動ミラー部１１をＸ軸およびＹ軸のそれぞれの軸周りに回動させることができる。また、駆動源を構成する部品（永久磁石およびコイル）の数を少なくすることができるため、簡単かつ小型な構成とすることができる。また、コイル３１が光スキャナー１の振動系と離間しているので、かかる振動系に対するコイル３１の発熱による悪影響を抑制することができる。
【００９６】
このような可動ミラー部１１の挙動は、軸部１２および軸部１４のうちの少なくとも一方の軸部に設けられた歪検出素子（図示せず）の検出信号に基づいて検出される。そして、この検出信号に基づいて、制御部６が電圧印加部４の駆動を制御する。
【００９７】
（撓み低減層）
以下、撓み低減層１１５について詳述する。
図５は、図１に示す光スキャナーが備える光反射部および接合層の拡大断面図である。
【００９８】
撓み低減層１１５は、光反射板１１３のスペーサー１１２側の面に設けられ、かつ、接合膜１６と同じ材料で構成されている。そして、撓み低減層１１５は、光反射板１１３の撓みを低減する機能を有する。このような撓み低減層１１５は、接合膜１６と同じ材料で構成されているため、後に詳述するように接合膜１６と一括して同時に形成することができる。そのため、製造工程の簡単化を図ることができる。なお、撓み低減層１１５の撓みを低減する作用については、後述する光スキャナー１の製造方法の説明とともに後に詳述する。
【００９９】
前述したように、接合膜１６は、金属で構成されている。したがって、撓み低減層１１５も金属で構成されている。金属は、一般に光反射板１１３を構成する材料（本実施形態の場合、シリコン）よりも線膨張係数が大きい。そのため、金属で構成された撓み低減層１１５により光反射板１１３の撓みを効果的に低減することができる。ここで、接合膜１６および撓み低減層１１５を構成する金属は、光反射板１１３の構成材料よりも線膨張係数が大きい。
【０１００】
また、撓み低減層１１５の厚さｔ２は、光反射板１１３の中央部側から外周側に向かうにつれて薄くなる部分を有する。光反射板１１３に生じる撓みは、光反射板１１３の中央部側が大きく、外周部側が小さい。したがって、撓み低減層１１５の厚さｔ２を光反射板１１３の外周側に向かうにつれて薄くすることにより、光反射板１１３の撓みをバランスよく低減することができる。
【０１０１】
また、撓み低減層１１５の厚さｔ２は、光反射板１１３の静撓みができるだけ小さくなるように適宜設定されるが、接合膜１６の厚さｔ１と同等かまたはそれよりも薄い。これにより、光反射板１１３の撓みをバランスよく低減することができる。
【０１０２】
また、撓み低減層１１５は、光反射板１１３の外周よりも内側に設けられている。すなわち、撓み低減層１１５は、光反射板１１３の外周部に設けられていない。前述したように、光反射板１１３に生じる撓みは、光反射板１１３の中央部側が大きく、外周部側が小さい。したがって、撓み低減層１１５をこのように配置することにより、光反射板１１３の撓みをバランスよく低減することができる。
【０１０３】
また、撓み低減層１１５の幅ｗ２（撓み低減層１１５の外周縁とスペーサー１１２との間の距離）は、光反射板１１３の静撓みができるだけ小さくなるように適宜設定されるが、光反射板１１３の外周縁とスペーサー１１２との間の距離ｗ１に対して、０．３以上０．９以下であることが好ましく、０．５以上０．８以下であることがより好ましい。これにより、光反射板１１３の撓みをバランスよく低減することができる。
【０１０４】
前述したように、スペーサー１１２および光反射板１１３からなる構造体（光反射部）は、ＳＯＩ基板を用いて構成されている。これにより、ボックス層およびハンドル層を用いてスペーサー１１２（接続部）を構成し、デバイス層を用いて光反射板１１３を構成することができる。すなわち、スペーサー１１２を、シリコンで構成された柱部１１２１と、シリコン酸化膜１１２２と、で構成し、また、光反射板１１３をシリコンで構成することができる。このような場合、デバイス層とボックス層との線膨張係数差、すなわち、光反射板１１３とシリコン酸化膜１１２２との線膨張係数差により光反射板１１３とシリコン酸化膜１１２２との間に応力が生じてしまう。撓み低減層１１５は、このような応力を相殺させる方向の応力を光反射板１１３との間に生じさせ、光反射板１１３に生じる撓みを低減することができる。
【０１０５】
また、光反射膜１１４が金属で構成されている場合、すなわち、光反射板１１３のスペーサー１１２と反対側の面に金属膜が設けられている場合、光反射板１１３の光反射性を優れたものとすることができるものの、光反射板１１３と光反射膜１１４との線膨張係数差により光反射板１１３と光反射膜１１４との間に応力が生じてしまう。撓み低減層１１５は、このような応力を低減させる方向の応力も光反射板１１３との間に生じさせ、光反射板１１３に生じる撓みを低減することができる。
【０１０６】
（光スキャナーの製造方法）
以下、本発明の光スキャナーの製造方法について、前述した光スキャナー１を製造する場合を例に説明する。
【０１０７】
図６および図７は、図１に示す光スキャナーの製造方法における光反射部の形成工程を説明するための図である。図８は、図１に示す光スキャナーの製造方法における光反射部形成後の工程を説明するための図である。
【０１０８】
光スキャナー１の製造方法は、［１］光反射板１１３、スペーサー１１２および接合膜１６を含む構造体６１（ミラー側構造体）を形成する第１工程と、［２］基部１１１、軸部１２、枠体部１３、軸部１４、支持部１５および接合膜１７を含む構造体６２（アクチュエーター側構造体）を形成する第２工程と、［３］接合膜１６と接合膜１７とを接合する第３工程と、を有する。
【０１０９】
以下、各工程を順次詳細に説明する。
［１］第１工程（ミラー側構造体の形成）
まず、図６（ａ）に示すように、ＳＯＩ基板５０を用意する。このＳＯＩ基板５０は、Ｓｉで構成されたハンドル層５１と、ＳｉＯ２で構成されたボックス層５２と、Ｓｉで構成されたデバイス層５３と、を有し、これらがこの順に積層されている。
【０１１０】
次に、ＳＯＩ基板５０を加工して、図６（ｂ）に示すように、スペーサー１１２および光反射板１１３を形成する。より具体的には、例えば、ＳＯＩ基板５０のデバイス層５３をエッチングにより加工した後に、ＳＯＩ基板５０のハンドル層５１をエッチングにより加工する。その後、ボックス層５２の不要部分等の不要膜を除去し、スペーサー１１２および光反射板１１３を形成する。
【０１１１】
このようにＳＯＩ基板５０を用いて形成されたスペーサー１１２および光反射板１１３からなる構造体は、光反射板１１３の線膨張係数がシリコン酸化膜１１２２の線膨張係数よりも大きく、このような線膨張係数差に起因してシリコン酸化膜１１２２と光反射板１１３との間に生じた歪みにより、光反射板１１３の外周部がスペーサー１１２とは反対側に変位するように光反射板１１３に静撓みが生じる。
【０１１２】
次に、図７（ａ）に示すように、光反射板１１３の上面（スペーサー１１２とは反対側の面）に光反射膜１１４を気相成膜法により形成する。
【０１１３】
光反射膜１１４の線膨張係数が光反射板１１３の線膨張係数よりも大きく、このような線膨張係数差に起因して光反射板１１３と光反射膜１１４との間に生じた歪みにより、光反射板１１３の外周部がスペーサー１１２とは反対側に変位するように（すなわち、前述したような光反射板１１３とシリコン酸化膜１１２２との線膨張係数差に起因する光反射板１１３の静撓みと同方向に）光反射板１１３に静撓みが生じる。
【０１１４】
次に、図７（ｂ）に示すように、スペーサー１１２の端面に接合膜１６を気相成膜法により形成する。このとき、光反射板１１３の下面（スペーサー１１２側の面）に撓み低減層１１５を同時に形成する。
【０１１５】
より具体的に説明すると、スペーサー１１２および光反射板１１３に対し、開口ＭＯを有するマスクＭを用いて接合膜１６の構成材料の成膜を行う。このとき、マスクＭと光反射板１１３との間の距離Ｌ１、および、マスクＭの開口ＭＯの幅ｗ３を適宜設定することにより、撓み低減層１１５の形成範囲、厚さ、厚さ分布等を制御することができる。例えば、距離Ｌ１を小さくするほど、成膜材料の回り込みが生じ難くなるため、得られる撓み低減層１１５の平面視形状が開口ＭＯの平面視形状に近づき撓み低減層１１５の厚さが均一となる。一方、距離Ｌ１が大きくなるほど、成膜材料の回り込みが生じやすくなるため、得られる撓み低減層１１５の平面視形状が開口ＭＯの平面視形状よりも大きくなり撓み低減層１１５の厚さが端部側に向けて薄くなる。また、開口ＭＯの幅ｗ３に応じて、撓み低減層１１５の幅を調整することもできる。
【０１１６】
このように、接合膜１６および撓み低減層１１５を一括して同時に形成することにより、製造工程を簡単化しつつ、接合膜１６および撓み低減層１１５を形成することができる。
【０１１７】
また、接合膜１６および撓み低減層１１５の形成は、スパッタリング法を用いることが好ましい。これにより、マスクＭを適宜設定することにより、撓み低減層１１５の厚さや形成領域を調整しつつ、接合膜１６および撓み低減層１１５を同時に形成することができる。
【０１１８】
［２］第２工程（アクチュエーター側構造体の形成）
次に、図８（ａ）に示すように、構造体６２（基部１１１、軸部１２、枠体部１３、軸部１４、支持部１５および接合膜１７を含む）を形成する。そして、前述した工程［１］で得られた構造体６１の接合膜１６と、この構造体６２の接合膜１７とを表面活性化接合により接合する。
【０１１９】
構造体６２の形成は、例えば、ＳＯＩ基板のデバイス層をエッチングにより加工した後に、ＳＯＩ基板のハンドル層をエッチングにより加工し、その後、ボックス層等の不要膜を除去し、基部１１１、軸部１２、枠体部１３、軸部１４および支持部１５を形成する。その後、接合膜１７を気相成膜法により形成する。
【０１２０】
［３］第３工程（接合工程）
このようにして得られた構造体６２は、構造体６１との接合後、図８（ｂ）に示すように、永久磁石２１を枠体部１３に取り付けるとともに、コイル３１を設置する。これにより、光スキャナー１が得られる。
【０１２１】
以上説明したような光スキャナー１の製造方法によれば、スペーサー１１２に接合膜１６を形成するのと同時に、光反射板１１３のスペーサー１１２側の面に、接合膜１６と同じ材料で、光反射板１１３の撓みを低減する撓み低減層１１５を形成するため、製造工程を簡単化しつつ、接合膜１６および撓み低減層１１５を形成することができる。
【０１２２】
＜画像表示装置の実施形態＞
図９は、本発明の画像表示装置の実施形態を模式的に示す図である。
【０１２３】
本実施形態では、画像表示装置の一例として、光スキャナー１をイメージング用ディスプレイの光スキャナーとして用いた場合を説明する。なお、スクリーンＳの長手方向を「横方向」といい、長手方向に直角な方向を「縦方向」という。また、Ｘ軸がスクリーンＳの横方向と平行であり、Ｙ軸がスクリーンＳの縦方向と平行である。
【０１２４】
画像表示装置（プロジェクター）９は、レーザー等の光を照出する光源装置（光源）９１と、複数のダイクロイックミラー９２Ａ、９２Ｂ、９２Ｃと、光スキャナー１とを有している。
【０１２５】
光源装置９１は、赤色光を照出する赤色光源装置９１１と、青色光を照出する青色光源装置９１２と、緑色光を照出する緑色光源装置９１３とを備えている。
【０１２６】
各ダイクロイックミラー９２Ａ、９２Ｂ、９２Ｃは、赤色光源装置９１１、青色光源装置９１２、緑色光源装置９１３のそれぞれから照出された光を合成する光学素子である。
【０１２７】
このような画像表示装置９は、図示しないホストコンピューターからの画像情報に基づいて、光源装置９１（赤色光源装置９１１、青色光源装置９１２、緑色光源装置９１３）から照出された光をダイクロイックミラー９２Ａ、９２Ｂ、９２Ｃでそれぞれ合成し、この合成された光が光スキャナー１によって２次元走査され、スクリーンＳ上でカラー画像を形成するように構成されている。
【０１２８】
２次元走査の際、光スキャナー１の可動ミラー部１１のＹ軸周りの回動により光反射膜１１４で反射した光がスクリーンＳの横方向に走査（主走査）される。一方、光スキャナー１の可動ミラー部１１のＸ軸周りの回動により光反射膜１１４で反射した光がスクリーンＳの縦方向に走査（副走査）される。
【０１２９】
なお、図９中では、ダイクロイックミラー９２Ａ、９２Ｂ、９２Ｃで合成された光を光スキャナー１によって２次元的に走査した後、その光を固定ミラー９３で反射させてからスクリーンＳに画像を形成するように構成されているが、固定ミラー９３を省略し、光スキャナー１によって２次元的に走査された光を直接スクリーンＳに照射してもよい。
【０１３０】
以下に、画像表示装置の応用例について説明する。
＜画像表示装置の応用例１＞
図１０は、本発明の画像表示装置の応用例１を示す斜視図である。
【０１３１】
図１０に示すように、画像表示装置９は、携帯用画像表示装置１００に適用することができる。
【０１３２】
この携帯用画像表示装置１００は、手で把持することができる寸法で形成されたケーシング１１０と、ケーシング１１０内に内蔵された画像表示装置９とを有している。この携帯用画像表示装置１００により、例えば、スクリーンや、デスク上等の所定の面に、所定の画像を表示することができる。
【０１３３】
また、携帯用画像表示装置１００は、所定の情報を表示するディスプレイ１２０と、キーパット１３０と、オーディオポート１４０と、コントロールボタン１５０と、カードスロット１６０と、ＡＶポート１７０とを有している。
【０１３４】
なお、携帯用画像表示装置１００は、通話機能、ＧＰＳ受信機能等の他の機能を備えていてもよい。
【０１３５】
＜画像表示装置の応用例２＞
図１１は、本発明の画像表示装置の応用例２を示す斜視図である。
【０１３６】
図１１に示すように、画像表示装置９は、ヘッドアップディスプレイシステム２００に適用することができる。
【０１３７】
このヘッドアップディスプレイシステム２００では、画像表示装置９は、自動車のダッシュボードに、ヘッドアップディスプレイ２１０を構成するよう搭載されている。このヘッドアップディスプレイ２１０により、フロントガラス２２０に、例えば、目的地までの案内表示等の所定の画像を表示することができる。
【０１３８】
なお、ヘッドアップディスプレイシステム２００は、自動車に限らず、例えば、航空機、船舶等にも適用することができる。
【０１３９】
＜画像表示装置の応用例３＞
図１２は、本発明の画像表示装置の応用例３を示す斜視図である。
【０１４０】
図１２に示すように、画像表示装置９は、ヘッドマウントディスプレイ３００に適用することができる。
【０１４１】
すなわち、ヘッドマウントディスプレイ３００は、眼鏡３１０と、眼鏡３１０に搭載された画像表示装置９とを有している。そして、画像表示装置９により、眼鏡３１０の本来レンズである部位に設けられた表示部３２０に、一方の目で視認される所定の画像を表示する。
【０１４２】
表示部３２０は、透明であってもよく、また、不透明であってもよい。表示部３２０が透明な場合は、現実世界からの情報に画像表示装置９からの情報を上乗せして使用することができる。
【０１４３】
なお、ヘッドマウントディスプレイ３００に、２つ画像表示装置９を設け、両方の目で視認される画像を、２つの表示部に表示するようにしてもよい。
【０１４４】
以上、本発明の光スキャナー、光スキャナーの製造方法、画像表示装置およびヘッドマウントディスプレイについて、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、本発明の光スキャナー、画像表示装置およびヘッドマウントディスプレイでは、各部の構成は、同様の機能を有する任意の構成のものに置換することができ、また、他の任意の構成を付加することもできる。
【０１４５】
また、本発明は、前記各実施形態のうちの、任意の２以上の構成（特徴）を組み合わせたものであってもよい。
【０１４６】
また、前述した実施形態では、光スキャナーまたはアクチュエーターの駆動方式としてムービングマグネット方式を採用した場合を例に説明したが、これに限定されず、ムービングコイル方式を採用した光スキャナーまたはアクチュエーターにも本発明を適用できる。また、本発明は、ムービングマグネット方式やムービングコイル方式のような電磁駆動方式に限定されず、例えば、圧電駆動方式、静電駆動方式等の他の駆動方式にも適用可能である。
【０１４７】
また、前述した実施形態では、第１軸部が２つ（１対）設けられている場合を例に説明したが、これに限定されず、例えば、第１軸部が４つ（２対）以上設けられていてもよい。
【０１４８】
また、前述した実施形態では、第２軸部が２つ（１対）設けられている場合を例に説明したが、これに限定されず、例えば、第２軸部が４つ（２対）以上であってもよい。
【０１４９】
また、前述した実施形態では、可動ミラー部が第１軸部を介して枠体部に接続され、枠体部が第２軸部を介して支持部に接続され、可動ミラー部がＸ軸周りおよびＹ軸周りに揺動するような２軸走査を行う光スキャナーとなる場合を例に説明した。しかし、これに限定されず、本発明は、例えば、可動ミラー部が第１軸部を介して支持部に接続されるような、１軸走査を行う光スキャナーにも適用可能である。
【０１５０】
また、前述した実施形態では、ＳＯＩ基板を加工することにより光反射板およびスペーサーを形成した場合を例に説明したが、これに限定されず、例えば、光反射板およびスペーサーを別々の基板から形成してもよい。
【符号の説明】
【０１５１】
１‥‥光スキャナー
４‥‥電圧印加部
６‥‥制御部
９‥‥画像表示装置
１１‥‥可動ミラー部
１２‥‥軸部
１２ａ‥‥軸部
１２ｂ‥‥軸部
１３‥‥枠体部
１４‥‥軸部
１４ａ‥‥軸部
１４ｂ‥‥軸部
１５‥‥支持部
１６‥‥接合膜
１７‥‥接合膜
２１‥‥永久磁石
３１‥‥コイル
４１‥‥第１の電圧発生部
４２‥‥第２の電圧発生部
４３‥‥電圧重畳部
４３ａ‥‥加算器
５０‥‥ＳＯＩ基板
５１‥‥ハンドル層
５２‥‥ボックス層
５３‥‥デバイス層
６１‥‥構造体
６２‥‥構造体
９１‥‥光源装置
９２Ａ‥‥ダイクロイックミラー
９２Ｂ‥‥ダイクロイックミラー
９２Ｃ‥‥ダイクロイックミラー
９３‥‥固定ミラー
１００‥‥携帯用画像表示装置
１１０‥‥ケーシング
１１１‥‥基部
１１２‥‥スペーサー
１１３‥‥光反射板
１１４‥‥光反射膜
１１５‥‥撓み低減層
１２０‥‥ディスプレイ
１３０‥‥キーパット
１３１‥‥リブ
１４０‥‥オーディオポート
１５０‥‥コントロールボタン
１５１‥‥凹部
１５２‥‥反射防止層
１６０‥‥カードスロット
１７０‥‥ＡＶポート
２００‥‥ヘッドアップディスプレイシステム
２１０‥‥ヘッドアップディスプレイ
２２０‥‥フロントガラス
３００‥‥ヘッドマウントディスプレイ
３１０‥‥眼鏡
３２０‥‥表示部
９１１‥‥赤色光源装置
９１２‥‥青色光源装置
９１３‥‥緑色光源装置
１１２１‥‥柱部
１１２２‥‥シリコン酸化膜
Ｌ１‥‥距離
Ｍ‥‥マスク
ＭＯ‥‥開口
Ｓ‥‥スクリーン
Ｔ１‥‥周期
Ｔ２‥‥周期
Ｖ１‥‥第１の電圧
Ｖ２‥‥第２の電圧
ｔ１‥‥厚さ
ｔ２‥‥厚さ
ｗ１‥‥距離
ｗ２‥‥幅
ｗ３‥‥幅
θ‥‥傾斜角
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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