(57)【要約】【課題】信頼性が高く高精細な表示装置およびその製造方法、ならびに電子機器を提供する。【解決手段】本技術による表示装置は、基板と、基板上に設けられると共に、それぞれ、互いに異なる色を発する発光素子を有する複数の画素と、少なくとも互いに異なる色の発光素子を有する画素の間に設けられた凹部とを備える。【選択図】図１
2016115747.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に設けられると共に、それぞれ、互いに異なる色を発する発光素子を有する複数の画素と、
少なくとも互いに異なる色の前記発光素子を有する前記画素の間に設けられた凹部と
を備えた表示装置。
【請求項２】
前記複数の画素は、基板側から第１電極、少なくとも発光層を含む有機層および第２電極からなる発光素子と、前記第１電極の周縁を被覆すると共に、前記画素の間に一定の膜厚で形成された画素分離膜とを有し、
前記凹部の深さは、前記第１電極の周縁を被覆する前記画素分離膜の膜厚よりも大きい、請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記凹部の深さは、０．５μｍ以上２μｍ以下である、請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記複数の画素の間の距離（Ａ）と、前記第１電極の表面から前記凹部の底面までの距離（Ｂ）の比（Ａ：Ｂ）は、１：１以上１００：１以下である、請求項２に記載の表示装置。
【請求項５】
前記複数の画素は、基板側から薄膜トランジスタと、前記発光素子とを備えると共に、前記薄膜トランジスタと前記発光素子との間に前記複数の画素間に共通の平坦化層を有し、
前記凹部は、前記平坦化層の凹凸によって形成されている、請求項２に記載の表示装置。
【請求項６】
前記複数の画素は、基板側から薄膜トランジスタと、前記発光素子とを備えると共に、前記薄膜トランジスタと前記発光素子との間に前記複数の画素間に共通の平坦化層を有し、
前記凹部は、前記平坦化層と前記第１電極との段差によって形成されている、請求項２に記載の表示装置。
【請求項７】
基板上に少なくとも互いに異なる色を発する発光素子を有する画素の間に凹部を形成する工程と、
前記画素にそれぞれ、互いに異なる色を発する発光素子を形成する工程と、
を含む、表示装置の製造方法。
【請求項８】
前記基板上に前記発光素子を構成する有機材料層を形成し、
前記有機材料層上の所定の画素の上にマスクを形成したのち、前記有機材料層を選択的に除去して前記所定の画素に有機層を形成する、請求項７に記載の表示装置の製造方法。
【請求項９】
表示装置を備え、
前記表示装置は、
基板と、
前記基板上に設けられると共に、それぞれ、互いに異なる色を発する発光素子を有する複数の画素と、
少なくとも互いに異なる色の前記発光素子を有する前記画素の間に設けられた凹部と
を有する電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本技術は、例えば印刷法を用いる表示装置およびその製造方法、ならびにこれを備えた電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、有機ＥＬ（Electroluminescence）素子の有機層を、印刷法により形成する方法
が提案されている。印刷法は、真空蒸着法に比べてプロセスコストが低く、また、大型化も容易であること等から期待されている。
【０００３】
印刷法はその方式として非接触方式と接触方式とに大別される。非接触方式としては、例えば、インクジェット法やノズルプリンティング法等が挙げられる。一方、接触方式の印刷方法としては、例えば、フレキソ印刷法、グラビアオフセット印刷法および反転オフセット印刷法等が挙げられる。
【０００４】
反転オフセット印刷法は、ブランケット表面にインクを均一に成膜した後、これを版に押圧して非印刷部分を除き、残ったブランケット上のパターンを被印刷体に転写する方法である。ブランケット表面は例えばシリコンゴムにより形成されている。この反転オフセット印刷法は均一な膜厚で形成でき、且つ、高精細なパターニングを行うことができるため、有機ＥＬ素子への適用が有望視されている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１０−１５８７９９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、反転オフセット印刷法を用いて、例えば、有機ＥＬ素子の発光層を形成する場合には、例えば、印刷位置やパターンサイズのばらつきを考慮して画素間に一定の距離を保持する必要があり、高精細な表示装置を実現することは困難であった。
【０００７】
本技術はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、信頼性が高く高精細な表示装置およびその製造方法、ならびに電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本技術による表示装置は、基板と、基板上に設けられると共に、それぞれ、互いに異なる色を発する発光素子を有する複数の画素と、少なくとも互いに異なる色の発光素子を有する画素の間に設けられた凹部とを備えたものである。
【０００９】
本技術による表示装置の製造方法は、基板上に少なくとも互いに異なる色を発する発光素子を有する画素の間に凹部を形成する工程と、画素にそれぞれ、互いに異なる色を発する発光素子を形成する工程とを含むものである。
【００１０】
本技術による電子機器は、本技術の上記表示装置を用いたものである。
【００１１】
本技術の表示装置およびその製造方法、ならびに電子機器では、少なくとも互いに異なる色を発する発光素子が設けられた画素の間に凹部を設けることにより、例えば、印刷位置やパターンサイズのばらつきを考慮した画素間の間隔を狭く設計することが可能となる。
【発明の効果】
【００１２】
本技術の表示装置およびその製造方法、ならびに電子機器によれば、少なくとも互いに異なる色を発する発光素子が設けられた画素の間に凹部を設けるようにした。これにより、例えば、印刷位置やパターンサイズのばらつきを考慮した画素間の距離（ピッチ）を小さくすることが可能となる。即ち、画像解像度を向上させることが可能となり、信頼性が高く高精細な表示装置およびこれを備えた電子機器を提供することができる。なお、ここに記載された効果は必ずしも限定されるものではなく、本開示中に記載されたいずれの効果であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本技術の一実施の形態に係る表示装置の断面図および平面図である。
【図２】図１に示した表示装置の断面図である。
【図３】図２に示した画素駆動回路の一例を表す図である。
【図４Ａ】図１に示した表示装置の製造方法の一工程を表す断面図である。
【図４Ｂ】図４Ａに続く工程を表す断面図である。
【図４Ｃ】図４Ｂに続く工程を表す断面図である。
【図４Ｄ】図４Ｃに続く工程を表す断面図である。
【図５Ａ】図４Ｄに続く工程を表す断面図である。
【図５Ｂ】図５Ａに続く工程を表す断面図である。
【図５Ｃ】図５Ｂに続く工程を表す断面図である。
【図６Ａ】図５Ｃに続く工程を表す断面図である。
【図６Ｂ】図６Ａに続く工程を表す断面図である。
【図６Ｃ】図６Ｂに続く工程を表す断面図である。
【図７Ａ】図６Ｃに続く工程を表す断面図である。
【図７Ｂ】図７Ａに続く工程を表す断面図である。
【図７Ｃ】図７Ｂに続く工程を表す断面図である。
【図７Ｄ】図７Ｃに続く工程を表す断面図である。
【図８Ａ】比較例に係る発光層の形成方法の一工程を表す断面図である。
【図８Ｂ】図８Ａに続く工程を表す断面図である。
【図８Ｃ】図８Ｂに続く工程を表す断面図である。
【図８Ｄ】図８Ｃに続く工程を表す断面図である。
【図９Ａ】図９Ａに続く工程を表す断面図である。
【図９Ｂ】図９Ａに続く工程を表す断面図である。
【図９Ｃ】図９Ｂに続く工程を表す断面図である。
【図９Ｄ】図９Ｃに続く工程を表す断面図である。
【図１０】本技術の変形例に係る表示装置の断面図である。
【図１１】上記表示装置を含むモジュールの概略構成を表す平面図である。
【図１２Ａ】上記表示装置の適用例１の表側から見た外観を表す斜視図である。
【図１２Ｂ】図１２Ａに示した適用例２の裏側から見た外観を表す斜視図である。
【図１３Ａ】上記表示装置の適用例２の外観の一例を表す斜視図である。
【図１３Ｂ】上記表示装置の適用例２の外観の他の例を表す斜視図である。
【図１４】上記表示装置を照明装置として用いた外観の一例を表す斜視図である。
【図１５】上記表示装置を照明装置として用いた外観の他の例を表す斜視図である。
【図１６】上記表示装置を照明装置として用いた外観の他の例を表す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本技術の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、説明
は以下の順序で行う。
１．実施の形態（平坦化層に凹凸を形成することで画素間に凹部を設けた例）
１−１．要部構成
１−２．全体構成
１−３．製造方法
１−４．作用・効果
２．変形例（画素電極の厚みによって画素間に凹部を設けた例）
３．適用例
【００１５】
＜実施の形態＞
図１（Ａ）は、本技術の一実施の形態に係る表示装置（表示装置１）の断面構成を表したものであり、図１（Ｂ）は、図１に示した表示装置１の画素開口（開口１５Ａ）等の平面構成を模式的に表したものである。なお、図１Ａは、図１Ｂに示したＩ−Ｉ線における断面図である。この表示装置１は、例えば、タブレットやスマートフォン等の携帯端末装置として用いられるものである。表示装置１は有機ＥＬ表示装置であり、例えば、駆動基板１１上に、ＴＦＴ(Thin Film Transistor)層１２および平坦化層１３を介して、発光素子として赤色有機ＥＬ素子１０Ｒ，緑色有機ＥＬ素子１０Ｇおよび青色有機ＥＬ素子１０Ｂが形成された構成を有する。
【００１６】
（１−１．要部構成）
本実施の形態の表示装置１では、図２に示したように、駆動基板１１の表示領域１１０に、マトリクス状に配置された複数の副画素（赤副画素５Ｒ，緑副画素５Ｇおよび青副画素５Ｂ）のうち、異なる色の副画素間に図１（Ａ）、図1（Ｂ）に示した凹部（凹部１３１Ａ）が設けられている。
【００１７】
凹部１３１Ａは、図１（Ａ）および図１（Ｂ）に示したように、異なる色の副画素（赤副画素５Ｒ，緑副画素５Ｇ，青副画素５Ｂ）の間に設けられている。この凹部１３１Ａは、詳細は後述するが、有機ＥＬ素子１０（赤色有機ＥＬ素子１０Ｒ，緑色有機ＥＬ素子１０Ｇおよび青色有機ＥＬ素子１０Ｂ）の製造工程において、発光層１６３Ｒ，１６３Ｇ，１６３Ｂを、例えば印刷法を用いて形成する際に、例えば、後述する他の色の発光層１６３Ｒ，１６３Ｇ，１６３Ｂとの重複部分におけるレジストの残存を防ぐためのものである。
【００１８】
凹部１３１Ａは、本実施の形態では平坦化層１３によって形成されている。凹部１３１Ａの底面までの距離、即ち、平坦化層１３の凸部の表面から副画素間に設けられた凹部１３１Ａの底面までの距離、深さ（Ｂ）は、画素電極１４の周縁部から凹部１３１Ａの側面および底面を被覆する隔壁１５の、画素電極１４上の画素分離膜（隔壁１５）の厚み（Ｃ）よりも大きいことが好ましい。具体的には、表示装置１の構成にもよるが、例えば、０．５μｍ以上２μｍ以下であることが好ましい。画素間の距離（Ａ）および凹部の深さ（Ｂ）の比（Ａ：Ｂ）は、加工の容易さや後述するマスク（マスク３１Ｒ，３１Ｇ，３１Ｂ、例えば、図７Ｃ参照）が転写されないための深さから、例えば１：１以上１００：１以下であることが好ましい。本実施の形態では、凹部１３１Ａは、後述するＴＦＴ層１２上に設けられた平坦化層１３に形成されている。なお、凹部１３１Ａは側面にテーパを有することが好ましい。側面がテーパ状になっていることにより、対向電極１７が段差により導通しなくなる虞が低減される。
【００１９】
（１−２．全体構成）
図２は、この表示装置１の全体構成を表したものである。表示装置１は、駆動基板１１の上に表示領域１１０として、複数の副画素（赤副画素５Ｒ，緑副画素５Ｇおよび青副画素５Ｂ）がマトリクス状に配置されたものである。表示領域１１０の周辺には、映像表示用のドライバである信号線駆動回路１２０および走査線駆動回路１３０が設けられている。なお、副画素５Ｒ，５Ｇ，５Ｂには、それぞれ対応する有機ＥＬ素子１０（赤色有機ＥＬ素子１０Ｒ，緑色有機ＥＬ素子１０Ｇおよび青色有機ＥＬ素子１０Ｂ）が設けられており、隣り合う副画素５Ｒ，５Ｇ，５Ｂの組み合わせが１つの画素（ピクセル）を構成している。
【００２０】
表示領域１１０には、赤色有機ＥＬ素子１０Ｒ，緑色有機ＥＬ素子１０Ｇおよび青色有機ＥＬ素子１０Ｂと共に、これらを駆動するための画素駆動回路１４０が設けられている。図３は、画素駆動回路１４０の一例を表したものである。画素駆動回路１４０は、後述する画素電極１４の下層（例えばＴＦＴ層１２）に形成されたアクティブ型の駆動回路である。即ち、この画素駆動回路１４０は、駆動トランジスタＴｒ１および書き込みトランジスタＴｒ２と、これらトランジスタＴｒ１，Ｔｒ２の間のキャパシタ（保持容量）Ｃｓと、第１の電源ライン（Ｖｃｃ）および第２の電源ライン（ＧＮＤ）の間において駆動トランジスタＴｒ１に直列に接続された赤色有機ＥＬ素子１０Ｒ（または緑色有機ＥＬ素子１０Ｇ，青色有機ＥＬ素子１０Ｂ）とを有する。駆動トランジスタＴｒ１および書き込みトランジスタＴｒ２は、一般的な薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）により構成され、その構成は例えば逆スタガ構造（いわゆるボトムゲート型）でもよいしスタガ構造（トップゲート型）でもよく特に限定されない。
【００２１】
画素駆動回路１４０において、列方向には信号線１２０Ａが複数配置され、行方向には走査線１３０Ａが複数配置されている。各信号線１２０Ａと各走査線１３０Ａとの交差点が、赤色有機ＥＬ素子１０Ｒ，緑色有機ＥＬ素子１０Ｇ，青色有機ＥＬ素子１０Ｂのいずれか一つに対応している。各信号線１２０Ａは、信号線駆動回路１２０に接続され、この信号線駆動回路１２０から信号線１２０Ａを介して書き込みトランジスタＴｒ２のソース電極に画像信号が供給されるようになっている。各走査線１３０Ａは走査線駆動回路１３０に接続され、この走査線駆動回路１３０から走査線１３０Ａを介して書き込みトランジスタＴｒ２のゲート電極に走査信号が順次供給されるようになっている。
【００２２】
信号線駆動回路１２０は、信号供給源（図示せず）から供給される輝度情報に応じた映像信号の信号電圧を、信号線１２０Ａを介して選択された赤色有機ＥＬ素子１０Ｒ，緑色有機ＥＬ素子１０Ｇ，青色有機ＥＬ素子１０Ｂに供給するものである。走査線駆動回路１３０は、入力されるクロックパルスに同期してスタートパルスを順にシフト（転送）するシフトレジスタ等によって構成されている。走査線駆動回路１３０は、各画素１０への映像信号の書き込みに際し行単位でそれらを走査し、各走査線１３０Ａに走査信号を順次供給するものである。信号線１２０Ａには信号線駆動回路１２０からの信号電圧が、走査線１３０Ａには走査線駆動回路１３０からの走査信号がそれぞれ供給されるようになっている。
【００２３】
次に、再び図１を参照して、駆動基板１１、ＴＦＴ層１２、平坦化層１３および有機ＥＬ素子１０（赤色有機ＥＬ素子１０Ｒ，緑色有機ＥＬ素子１０Ｇ，青色有機ＥＬ素子１０Ｂ）等の詳細な構成について説明する。
【００２４】
駆動基板１１は、平坦面を有し、その平坦面に赤色有機ＥＬ素子１０Ｒ，緑色有機ＥＬ素子１０Ｇ，青色有機ＥＬ素子１０Ｂが配列形成される支持体である。駆動基板１１の材料としては、例えば石英、ガラス、金属箔、もしくは樹脂製のフィルムやシート等の公知のものを用いればよい。中でも、石英やガラスを用いることが好ましい。樹脂製のものを使用する場合には、その材質としてポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）に代表されるメタクリル樹脂類、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリブチレンナフタレート（ＰＢＮ）等のポリエステル類、もしくはポリカーボネート樹脂等を用いることが可能であるが、この場合には透水性や透ガス性を抑えるため、積層構造とし、表面処理を行うことが好ましい。
【００２５】
ＴＦＴ層１２には、上述のように画素駆動回路１４０が形成されており、駆動トランジスタＴｒ１は、画素電極１４に電気的に接続されている。平坦化層１３は、この画素駆動回路１４０が形成された駆動基板１１（ＴＦＴ層１２）の表面を平坦化するためのものであり、駆動トランジスタＴｒ１と画素電極１４とを接続するための微細な接続孔（図示せず）が形成されるためパターン精度が良い材料により構成されていることが好ましい。平坦化層１３の構成材料としては、例えば、ポリイミド等の有機材料、あるいは酸化シリコン（ＳｉＯ2）等の無機材料が挙げられる。本実施の形態では、凹部１３１Ａはこの平坦化層１３に形成されている。
【００２６】
赤色有機ＥＬ素子１０Ｒ，緑色有機ＥＬ素子１０Ｇおよび青色有機ＥＬ素子１０Ｂは、それぞれ駆動基板１１の側から、陽極としての画素電極１４、隔壁１５、有機層１６および陰極としての対向電極１７をこの順に有している。有機層１６は、画素電極１４側から正孔注入層１６１、正孔輸送層１６２、発光層１６３、電子輸送層１６４および電子注入層１６５をこの順に有するものである。発光層１６３は、赤色発光層１６３Ｒ、緑色発光層１６３Ｇおよび青色発光層１６３Ｂにより構成され、赤色有機ＥＬ素子１０Ｒに赤色発光層１６３Ｒ、緑色有機ＥＬ素子１０Ｇに緑色発光層１６３Ｇ、青色有機ＥＬ素子１０Ｂに青色発光層１６３Ｂがそれぞれ設けられている。
【００２７】
画素電極１４は、平坦化層１３上にそれぞれ赤色有機ＥＬ素子１０Ｒ，緑色有機ＥＬ素子１０Ｇ，青色有機ＥＬ素子１０Ｂごとに設けられ、例えばクロム（Ｃｒ），金（Ａｕ），白金（Ｐｔ），ニッケル（Ｎｉ），銅（Ｃｕ），タングステン（Ｗ）あるいは銀（Ａｇ）等の金属元素の単体または合金の透明材料からなる。あるいは、上述の金属膜と透明導電膜との積層構造としてもよい。透明導電膜としては、例えば、インジウムとスズの酸化物（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩｎＺｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）とアルミニウム（Ａｌ）との合金等が挙げられる。画素電極１４が陽極として用いられる場合には、正孔注入性の高い材料により構成されていることが好ましいが、アルミニウム合金のような仕事関数の大きさが十分でない材料であっても、適切な正孔注入層１６１を設けることにより、陽極として機能させることが可能である。
【００２８】
隔壁１５は、画素電極１４と対向電極１７との間の絶縁性を確保すると共に、発光領域を所望の形状に成形するためのものであり、発光領域の形状に対応する開口を有している。隔壁１５の上層、即ち、正孔注入層１６１ないし対向電極１７は、開口だけでなく隔壁１５の上に設けられていてもよいが、発光が生じるのは開口のみである。隔壁１５は、例えば酸化ケイ素等の無機絶縁材料や感光性ポリイミド等の有機絶縁材料により構成されている。本実施の形態では、隔壁１５は、画素間に設けられた凹部１３１Ａの形状を保持するように凹部１３１Ａの側面から底面にかけて一様に厚みで形成されている。隔壁１５の厚み（Ｃ）は、凹部１３１Ａの深さ（Ｂ）よりも薄いことが好ましく、有機ＥＬ素子１０の全体構成によるが、例えば、０．１μｍ以上１μｍ以下であることが好ましい。なお、隔壁１５の厚みは、副画素間の凹部１３１Ａを保持できれば、画素電極１４上や、凹部１３１Ａの側面および底面における厚みが必ずしも一定でなくてもよい。
【００２９】
正孔注入層１６１は、赤色有機ＥＬ素子１０Ｒ，緑色有機ＥＬ素子１０Ｇおよび青色有機ＥＬ素子１０Ｂに共通して設けられており、正孔注入効率を高めると共に、リークを防止するバッファ層としての機能を有する。この正孔注入層１６１は、例えば、５ｎｍ〜１００ｎｍの厚みで形成されていることが好ましく、８ｎｍ〜５０ｎｍであることがより好ましい。
【００３０】
正孔注入層１６１の構成材料は、例えば、ポリアニリンおよびその誘導体、ポリチオフェンおよびその誘導体、ポリピロールおよびその誘導体、ポリフェニレンおよびその誘導体、ポリチエニレンビニレンおよびその誘導体、ポリキノリンおよびその誘導体、ポリキノキサリンおよびその誘導体、芳香族アミン構造を主鎖または側鎖に含む重合体等の導電性高分子、金属フタロシアニン（銅フタロシアニン等）またはカーボン等が挙げられるが、電極や隣接する層の材料との関係で適宜選択すればよい。
【００３１】
正孔注入層１６１が、高分子材料からなる場合、重量平均分子量（Ｍｗ）は、例えば２０００〜３０００００程度であり、５０００〜２０００００程度であることが好ましい。Ｍｗが５０００未満では、正孔輸送層１６２以降を形成する際に溶解してしまう虞があり、３０００００を超えると、材料のゲル化により成膜が困難になる虞がある。
【００３２】
正孔注入層１６１に使用される典型的な高分子材料としては、例えば、ポリアニリンおよび／またはオリゴアニリンあるいはポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）（ＰＥＤＯＴ）等のポリジオキシチオフェンが挙げられる。具体的には、例えばエイチ・シー・スタルク製の商品名Nafion（商標）および商品名Liquion （商標）、日産化学製の商品名エルソース（商標）および綜研化学製の導電性ポリマーベラゾール等を使用することができる。
【００３３】
画素電極１４を陽極として用いる場合には、正孔注入性の高い材料により画素電極１４を形成することが好ましい。ただし、適切な正孔注入層１６１を設けることにより、例えばアルミニウム合金等の仕事関数の値が比較的小さな材料であっても、これを陽極の材料に用いることが可能となる。
【００３４】
正孔輸送層１６２は、発光層１６３への正孔輸送効率を高めるためのものであり、正孔注入層１６１の上に赤色有機ＥＬ素子１０Ｒ，緑色有機ＥＬ素子１０Ｇ，青色有機ＥＬ素子１０Ｂに共通して設けられている。
【００３５】
正孔輸送層１６２の厚みは、素子の全体構成にもよるが、例えば、１０ｎｍ〜２００ｎｍであることが好ましく、１５ｎｍ〜１５０ｎｍであることがより好ましい。正孔輸送層１６２を構成する高分子材料としては、有機溶媒に可溶な発光材料、例えば、ポリビニルカルバゾールおよびその誘導体、ポリフルオレンおよびその誘導体、ポリアニリンおよびその誘導体、ポリシランおよびその誘導体、側鎖または主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体、ポリチオフェンおよびその誘導体あるいはポリピロール等が使用できる。
【００３６】
高分子材料の重量平均分子量（Ｍｗ）は、例えば５００００〜３０００００程度であり、特に１０００００〜２０００００程度であることが好ましい。Ｍｗが５００００未満では、発光層を形成するときに、高分子材料中の低分子成分が脱落し、正孔注入・輸送層にドットが生じるため、有機ＥＬ素子の初期性能が低下したり、素子の劣化を引き起こす虞がある。一方、３０００００を超えると、材料のゲル化により成膜が困難になる虞がある。
【００３７】
なお、重量平均分子量（Ｍｗ）は、テトラヒドロフランを溶媒として、ゲルパーエミーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）により、ポリスチレン換算の重量平均分子量を求めた値である。
【００３８】
発光層１６３は、電界をかけることにより電子と正孔との再結合が起こり発光するものである。赤色発光層１６３Ｒは例えば波長６２０ｎｍ〜７５０ｎｍの範囲に、緑色発光層１６３Ｇは波長４９５ｎｍ〜５７０ｎｍの範囲に、青色発光層１６３Ｂは波長４５０ｎｍ〜４９５ｎｍの範囲にそれぞれ少なくとも１つのピークを有する発光材料により構成されている。発光層１６３の厚みは、素子の全体構成にもよるが、例えば１０ｎｍ〜２００ｎｍであることが好ましく、さらに好ましくは１５ｎｍ〜１００ｎｍである。
【００３９】
発光層１６３には、例えば、高分子（発光）材料に低分子材料（モノマーまたはオリゴマー）を添加した混合材料を用いることが可能である。発光層１６３を構成する高分子材料としては、例えば、ポリフルオレン系高分子誘導体，（ポリ）パラフェニレンビニレン誘導体，ポリフェニレン誘導体，ポリビニルカルバゾール誘導体，ポリチオフェン誘導体，ペリレン系色素，クマリン系色素，ローダミン系色素あるいは上記高分子材料に有機ＥＬ材料をドープしたものが挙げられる。ドープ材料としては、例えば、ルブレン，ペリレン，９, １０ジフェニルアントラセン，テトラフェニルブタジエン，ナイルレッドまたはクマリン６等を用いることができる。
【００４０】
電子輸送層１６４は、発光層１６３への電子輸送効率を高めるためのものであり、赤色有機ＥＬ素子１０Ｒ，緑色有機ＥＬ素子１０Ｇおよび青色有機ＥＬ素子１０Ｂの共通層として設けられている。電子輸送層１６４の材料としては、例えば、キノリン、ペリレン、フェナントロリン、フェナントレン、ピレン、ビススチリル、ピラジン、トリアゾール、オキサゾール、フラーレン、オキサジアゾール、フルオレノン、アントラセン、ナフタレン、ブタジエン、クマリン、アクリジン、スチルベンまたはこれらの誘導体や金属錯体、例えばトリス（８−ヒドロキシキノリン）アルミニウム（略称Ａｌｑ3）を用いることが
できる。
【００４１】
電子注入層１６５は、電子注入効率を高めるためのものであり、電子輸送層１６４の全面に共通層として設けられている。電子注入層１６５の材料としては、例えば、リチウム（Ｌｉ）の酸化物である酸化リチウム（Ｌｉ2Ｏ）やセシウムの複合酸化物である炭酸セシウム（Ｃｓ2ＣＯ3）あるいはこれらの混合物を用いることができる。また、カルシウム（Ｃａ），バリウム（Ｂａ）等のアルカリ土類金属、リチウム，セシウム等のアルカリ金属，インジウム（Ｉｎ）あるいはマグネシウム等の仕事関数の小さい金属を単体あるいは合金で用いてもよく、または、これらの金属の酸化物，複合酸化物，フッ化物の単体あるいは混合物を用いてもよい。
【００４２】
対向電極１７は、画素電極１４と絶縁された状態で電子注入層１６５の上に全面に亘り設けられている。即ち、赤色有機ＥＬ素子１０Ｒ、緑色有機ＥＬ素子１０Ｇおよび青色有機ＥＬ素子１０Ｂの共通電極となっている。対向電極１７は、例えば、２００ｎｍの厚さのアルミニウム（Ａｌ）により構成されている。
【００４３】
このような赤色有機ＥＬ素子１０Ｒ，緑色有機ＥＬ素子１０Ｇ，青色有機ＥＬ素子１０Ｂは、例えば保護層（図示せず）により被覆され、更にこの保護層上に熱硬化型樹脂または紫外線硬化型樹脂等の封止層１８を間にしてガラス等よりなる対向基板２１が全面にわたって張り合わされている。
【００４４】
保護層は、絶縁性材料，導電性材料のいずれにより構成されていてもよく、例えば２μｍ〜３μｍの厚みで形成されている。例えば、アモルファスシリコン（α−シリコン），アモルファス炭化シリコン（α−ＳｉＣ），アモルファス窒化シリコン（α−Ｓｉ1-XＮX）あるいはアモルファスカーボン（α−Ｃ）等の無機アモルファス性の絶縁性材料を用いることができる。このような材料は、グレインを構成しないため透水性が低く、良好な保護膜となる。
【００４５】
対向基板２１は、赤色有機ＥＬ素子１０Ｒ，緑色有機ＥＬ素子１０Ｇおよび青色有機ＥＬ素子１０Ｂの対向電極１７の側に位置し、接着層と共に赤色有機ＥＬ素子１０Ｒ，緑色有機ＥＬ素子１０Ｇおよび青色有機ＥＬ素子１０Ｂを封止するものである。
【００４６】
表示装置１では、赤色有機ＥＬ素子１０Ｒ，緑色有機ＥＬ素子１０Ｇ，青色有機ＥＬ素子１０Ｂの光が駆動基板１１および対向基板２１のどちらから取り出されるようにしてもよく、ボトムエミッション型およびトップエミッション型のどちらであってもよい。表示装置１がボトムエミッション型のとき、カラーフィルタ（図示せず）を赤色有機ＥＬ素子１０Ｒ，緑色有機ＥＬ素子１０Ｇ，青色有機ＥＬ素子１０Ｂと駆動基板１１との間に設けるようにしてもよい。表示装置１がトップエミッション型のとき、カラーフィルタは赤色有機ＥＬ素子１０Ｒ，緑色有機ＥＬ素子１０Ｇ，青色有機ＥＬ素子１０Ｂと対向基板２１との間に設けられる。
【００４７】
カラーフィルタは、赤色有機ＥＬ素子１０Ｒ，緑色有機ＥＬ素子１０Ｇ，青色有機ＥＬ素子１０Ｂそれぞれに対向して、赤色フィルタ，緑色フィルタ，青色フィルタを有している。これら赤色フィルタ，緑色フィルタおよび青色フィルタは、顔料を含む樹脂により構成されており、顔料を適宜選択することにより、目的とする赤，緑あるいは青の波長域における光透過率が高く、他の波長域における光透過率が低くなるように調整することができる。
【００４８】
カラーフィルタには、赤色フィルタ，緑色フィルタ，青色フィルタと共に、ブラックマトリクスとしての遮光膜が設けられている。これにより赤色有機ＥＬ素子１０Ｒ，緑色有機ＥＬ素子１０Ｇおよび青色有機ＥＬ素子１０Ｂで発生した光が取り出されると共に、赤色有機ＥＬ素子１０Ｒ，緑色有機ＥＬ素子１０Ｇ，青色有機ＥＬ素子１０Ｂ並びにその間の配線において反射された外光が吸収され、良好なコントラストが得られる。遮光膜は、例えば黒色の着色剤を含み、光学濃度が１以上の黒色の樹脂膜または薄膜の干渉を利用した薄膜フィルタにより構成されている。黒色の樹脂膜は、安価且つ容易に形成することができるため好ましい。薄膜フィルタは、例えば、金属，金属窒化物あるいは金属酸化物からなる薄膜を少なくとも１層有し、薄膜の干渉を利用して光を減衰させるものである。具体的には、クロム（Ｃｒ）と酸化クロム（Ｃｒ2Ｏ3）とを交互に積層させたものを用いることができる。
【００４９】
（１−３．製造方法）
図４Ａ〜図７Ｃは、本実施の形態に係る表示装置１の製造工程を模式的に表わしたものである。まず、図４Ａに示したように、上述した材料よりなる駆動基板１１の上にＴＦＴ層１２を形成したのち、例えば、感光性のポリイミドを用いて平坦化層１３を形成する。次いで、図４Ｂに示したように、画素電極１４と駆動トランジスタＴｒ１（ＴＦＴ層１２）のドレイン電極との接続孔１３Ａに対応する位置に開口を有するマスクＭ１を用いて露光（光Ｌ）したのち、図４Ｃに示したように、例えば、隣り合う異なる色の副画素間に対応する位置に開口を有するマスクＭ２を用いてハーフ露光（光Ｌ）する。この後、現像することで図４Ｄに示したように、平坦化層１３に接続孔１３Ａおよび凹部１３１Ａが形成される。
【００５０】
続いて、図５Ａに示したように、駆動基板１１の全面に例えばＩＴＯよりなる透明導電膜を形成し、この導電膜をパターニングすることにより、画素電極１４を形成する。このとき、画素電極１４は接続孔１３（図示せず）を介して駆動トランジスタＴｒ１（ＴＦＴ層１２）のドレイン電極と導通させておく。次いで、図中では省略するが、平坦化層１３上および画素電極１４上に、例えばＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition；化学気相成長法）によりＳｉＯ2等の無機絶縁材料を成膜した後、これに感光性樹脂を積層させてパターニングを行い、隔壁１５を形成する。この他、感光性ポリイミド等の有機絶縁材料を用いてパターニングを行い形成してもよい。
【００５１】
続いて、駆動基板１１の表面、即ち画素電極１４および隔壁１５を形成した側の面を酸素プラズマ処理し、表面に付着した有機物等の汚染物を除去して濡れ性を向上させる。具体的には、駆動基板１１を所定温度、例えば７０℃〜８０℃程度に加熱し、続いて大気圧下で酸素を反応ガスとするプラズマ処理（Ｏ2プラズマ処理）を行う。
【００５２】
次いで、図中では省略するが、正孔注入層１６１および正孔輸送層１６２を赤色有機ＥＬ素子１０Ｒ，緑色有機ＥＬ素子１０Ｇおよび青色有機ＥＬ素子１０Ｂに共通して形成する。正孔注入層１６１は、例えば、スピンコート法により上述の正孔注入層１６１の材料を画素電極１４上および隔壁１５上に成膜して、大気中で１時間ベークすることにより形成する。正孔輸送層１６２は、正孔注入層１６１を形成した後、同様にスピンコート法により成膜し、窒素（Ｎ2）雰囲気下、１８０℃で１時間ベークして形成する。
【００５３】
続いて、図５Ａ〜図７Ｄに示したように、赤色有機ＥＬ素子１０Ｒに赤色発光層１６３Ｒ、緑色有機ＥＬ素子１０Ｇに緑色発光層１６３Ｇ、青色有機ＥＬ素子１０Ｂに青色発光層１６３Ｂを形成する。本実施の形態では、この発光層１６３（赤色発光層１６３Ｒ，緑色発光層１６３Ｇ，青色発光層１６３Ｂ）を、マスク（後述のマスク３１Ｒ，３１Ｇ，３１Ｂ）を用いて形成する。詳細は後述するが、これにより製造工程中での赤色有機ＥＬ素子１０Ｒ，緑色有機ＥＬ素子１０Ｇ，青色有機ＥＬ素子１０Ｂの劣化を抑えることが可能となる。なお、上記のように、隔壁１５、正孔注入層１６１および正孔輸送層１６２は図中では省略している。
【００５４】
発光層１６３は、例えば、赤色発光層１６３Ｒ、緑色発光層１６３Ｇおよび青色発光層１６３Ｂの順に形成する。具体的には、まず、図５Ａに示したように、正孔輸送層１６２の全面に、例えばスリットコート法を用いて上述の赤色発光層１６３Ｒの構成材料を含むインクを塗布し、赤色材料層１６３ＲＡを形成する。インクには、赤色発光層１６３Ｒの構成材料を溶剤に溶解させたものを用いる。インクは、例えば、スピンコート法またはインクジェット法等により塗布するようにしてもよい。
【００５５】
次いで、図５Ｂに示したように、赤色材料層１６３ＲＡ上の赤副画素領域（赤色有機ＥＬ素子１０Ｒの画素電極１４上）に選択的にマスク３１Ｒを形成する。マスク３１Ｒは赤色材料層１６３ＲＡに接するように形成する。この後、このマスク３１Ｒから露出した赤色材料層１６３ＲＡを、例えば、ウェットエッチングにより除去する（図５Ｃ）。これによりマスク３１Ｒと同一の平面形状の赤色発光層１６３Ｒが形成される。マスク３１Ｒは、例えば、反転オフセット印刷法を用いて形成することができる。
【００５６】
次に、緑色発光層１６３Ｇを形成する。まず、図６Ａに示したように、赤色発光層１６３Ｒを設けた正孔輸送層１６２（図示せず）上に上記赤色材料層１６３ＲＡと同様にして、緑色発光層１６３Ｇの構成材料からなる緑色材料層１６３ＧＡを形成する。このとき、緑色材料層１６３ＧＡがマスク３１Ｒ上を覆うようにしてもよい。次いで、図６Ｂに示したように、この緑色材料層１６３ＧＡ上の緑副画素領域にマスク３１Ｇを形成した後、マスク３１Ｇから露出した緑色材料層１６３ＧＡを除去する（図６Ｃ）。マスク３１Ｇは緑色材料層１６３ＧＡに接するように形成する。これによりマスク３１Ｇと同一の平面形状の緑色発光層１６３Ｇが形成される。マスク３１Ｇは、例えば、マスク３１Ｒと同様にして、反転オフセット印刷法により形成すればよい。
【００５７】
青色発光層１６３Ｂは、例えば、以下のようにして形成する。まず、図７Ａに示したように、赤色発光層１６３Ｒおよび緑色発光層１６３Ｇを設けた正孔輸送層１６２（図示せず）上に上記赤色材料層１６３ＲＡと同様にして、青色発光層１６３Ｂの構成材料からなる青色材料層１６３ＢＡを形成する。このとき、青色材料層１６３ＢＡがマスク３１Ｒ，３１Ｇ上を覆うようにしてもよい。次いで、図７Ｂに示したように、この青色材料層１６３ＢＡ上の青副画素領域にマスク３１Ｂを形成した後、マスク３１Ｂから露出した青色材料層１６３ＢＡを除去する（図７Ｃ）。マスク３１Ｂは青色材料層１６３ＢＡに接するように形成する。これにより青色発光層１６３Ｂが形成される。マスク３１Ｇは、例えば、上記マスク３１Ｒおよびマスク３１Ｇと同様にして、反転オフセット印刷法により形成すればよい。赤色発光層１６３Ｒ、緑色発光層１６３Ｇおよび青色発光層１６３Ｂの形成順はどのようにしてもよく、例えば、緑色発光層１６３Ｇ、赤色発光層１６３Ｒおよび青色発光層１６３Ｂの順に形成するようにしてもよい。
【００５８】
このようにして発光層１６３（赤色発光層１６３Ｒ，緑色発光層１６３Ｇ，青色発光層１６３Ｂ）を形成した後、マスク３１Ｒ，３１Ｇ，３１Ｂを例えば溶剤に溶かして除去する（図７Ｄ）。この溶剤はマスク３１Ｒ，３１Ｇ，３１Ｂの材料に応じて選択すればよく、マスク３１Ｒ，３１Ｇ，３１Ｂを溶解させ、且つ、発光層１６３が不溶となる溶剤を用いることが好ましい。このようなマスク材料と溶剤の組合せとしては、例えば、水溶性樹脂と水、アルコール可溶性樹脂とアルコール系溶剤、フッ素系樹脂とフッ素系溶剤等が挙げられる。
【００５９】
マスク３１Ｒ，３１Ｇ，３１Ｂを除去した後、発光層１６３上に例えば蒸着法により、上述した材料よりなる電子輸送層１６４，電子注入層１６５および対向電極１７をこの順に形成する。これら電子輸送層１６４，電子注入層１６５および対向電極１７は、同一の成膜装置内で連続して形成することが好ましい。
【００６０】
対向電極１７を形成した後、例えば蒸着法やＣＶＤ法により、保護層を形成する。この際、発光層１６３等の劣化に伴う輝度の低下を防止するため、成膜温度を常温に設定し、加えて保護層の剥がれを防止するため、膜のストレスが最小となる条件で成膜を行うことが好ましい。発光層１６３，電子輸送層１６４，電子注入層１６５，対向電極１７および保護層は、大気に曝露されることなく同一の成膜装置内で連続して形成されることが好ましい。大気中の水分による劣化が防止されるためである。
【００６１】
保護層を形成した後、封止層１８を間にして保護層の上に対向基板２１を貼り合わせる。以上により、表示装置１が完成する。
【００６２】
（１−４．作用・効果）
この表示装置１では、各副画素５Ｒ，５Ｇ，５Ｂに対して走査線駆動回路１３０から書き込みトランジスタＴｒ２のゲート電極を介して走査信号が供給されると共に、信号線駆動回路１２０から画像信号が書き込みトランジスタＴｒ２を介して保持容量Ｃｓに保持される。即ち、この保持容量Ｃｓに保持された信号に応じて駆動トランジスタＴｒ１がオンオフ制御され、これにより、赤色有機ＥＬ素子１０Ｒ，緑色有機ＥＬ素子１０Ｇおよび青色有機ＥＬ素子１０Ｂに駆動電流Ｉｄが注入され、正孔と電子とが再結合して発光が起こる。
【００６３】
このとき、赤色有機ＥＬ素子１０Ｒ，緑色有機ＥＬ素子１０Ｇ，青色有機ＥＬ素子１０Ｂからは、それぞれ赤色の光（波長６２０ｎｍ〜７５０ｎｍ），緑色の光（波長４９５ｎｍ〜５７０ｎｍ），青色の光（波長４５０ｎｍ〜４９５ｎｍ）がそれぞれ生じる。
【００６４】
近年、有機ＥＬ表示装置には大画面化、且つ、高精細化が求められている。印刷法は、真空蒸着法と比べてプロセスコストが低く、また、大型化も容易であることから、有機ＥＬ表示装置の製造方法として用いられている。特に、反転オフセット印刷法は、均一な膜厚で形成できると共に、高精細なパターニングが可能であるため、有機ＥＬ表示装置の製造方法としての適用が有望視されている。しかしながら、反転オフセット印刷法を用いて、例えば、有機ＥＬ素子の発光層を形成する場合には、印刷ブランケット材料に含まれるシロキサン等の不純物が発光層に混入し、発光効率や発光寿命等の特性を低下させることがある。また、ブランケットに浸透した発光材料インクが他色の画素に転移して混色の原因となることがある。
【００６５】
そこで、例えば、図８Ａ〜図９Ｄに示したように、上記発光層１６３Ｒ，１６３Ｇ，１６３Ｂの形成方法と同様に、各色の発光層１１６３Ｒ，１１６３Ｇ，１１６３Ｂをマスク１３１Ｒ，１３１Ｇ，１３１Ｂを用いてパターニングする方法が考えられる。このような方法をとることで、印刷ブランケットから発光層に転移した不純物はパターニング時に取り除かれる。また、発光材料に親和性の無いマスク材料を使用することで発光効率や発光寿命の低下も回避することができる。
【００６６】
しかしながら、図８Ａ〜図９Ｄに示したように、平坦な平坦化層１１３上に各副画素５Ｒ，５Ｇ，５Ｂが配置され、副画素間に画素電極よりも表面に突出した隔壁が設けられた表示装置では、各副画素５Ｒ，５Ｇ，５Ｂ上に単純にマスク１３１Ｒ，１３１Ｇ，１３１Ｂを用いて赤色発光層１１６３Ｒ，緑色発光層１１６３Ｇ，青色発光層１１６３Ｂをパターニングした場合、図９Ｄに示したように、隣接する異なる副画素間においてマスク（例えば、マスク１３１Ｒ）が重なり合った部分で、発光層が保護膜となってマスクが溶解、除去されずに残存する虞がある。残存したマスクの材料である水溶性樹脂、アルコール可溶性樹脂、フッ素系樹脂等はアウトガスを放出する虞があり、発光不良の原因となる。
【００６７】
また、印刷の位置ずれや印刷パターンサイズのばらつきがあった場合でもマスクの重なりを回避するためには、副画素間の間隔を十分に広くとる必要があり、画像解像度を上げたり、あるいは発光画素の面積（いわゆる開口率）を大きくする観点からは不利となる。
【００６８】
これに対して、本実施の形態では、隣接する異なる副画素５Ｒ，５Ｇ，５Ｂの間に凹部１３１Ａを設けるようにした。これにより、印刷位置やパターンサイズのばらつきを考慮した画素間の間隔を狭く設計することが可能となる。また、図８Ａ〜図９Ｄに示したようなマスク１３１Ｒ，１３１Ｇ，１３１Ｂを用いて各発光層１１６３Ｒ，１１６３Ｇ，１１６３Ｂを形成する際の隣接する異なる色の発光層１１６３Ｒ，１１６３Ｇ，１１６３Ｂの重なりによるマスク１３１Ｒ，１３１Ｇ，１３１Ｂの残存を防ぐことが可能となる。
【００６９】
以上のように、本実施の形態の表示装置１およびその製造方法では、隣接する異なる副画素５Ｒ，５Ｇ，５Ｂの間に凹部１３１Ａを設けるようにし、マスク３１Ｒ，３１Ｇ，３１Ｂを用いて各発光層１６３Ｒ，１６３Ｇ，１６３Ｂを形成するようにした。これにより、例えば、上記図８Ａ〜図９Ｄに示したような、所定の発光層上にマスク（マスク１３１Ｒ，１３１Ｇ，１３１Ｂ）を設けることで発光層への不純物の混入等を抑制する方法を用いた際に生じる虞のある、印刷位置ずれによるマスクの重なりを防止することができる。よって、位置ずれの発生を考慮した画素間の距離（ピッチ）を小さくすることが可能となる。即ち、画像解像度を向上させることが可能となり、信頼性が高く高精細な表示装置およびこれを備えた電子機器を提供することが可能となる。
【００７０】
以下、本実施の形態の変形例について説明するが、以降の説明において上記実施の形態と同一構成部分については同一符号を付してその説明は適宜省略する。
【００７１】
＜２．変形例＞
図１０は、上記実施の形態の変形例１に係る表示装置（表示装置２）の断面構成を表したものである。この表示装置１は、例えば、タブレットやスマートフォン等の携帯端末装置として用いられるものである。表示装置１は有機ＥＬ表示装置であり、例えば、駆動基板１１上に、ＴＦＴ(Thin Film Transistor)層１２および平坦化層１３を介して、発光素子として赤色有機ＥＬ素子１０Ｒ，緑色有機ＥＬ素子１０Ｇおよび青色有機ＥＬ素子１０Ｂを有している。本変形例では、異なる色の副画素間に設けられた凹部２３１Ａが画素電極１４の厚みによって設けられた点が上記実施の形態とは異なる。
【００７２】
図１０に示したように、凹部２３１Ａは、表面が平坦な平坦化膜１３上に画素電極１４の厚みによって形成してもよい。画素電極１４の厚みは、上記図５Ａ〜図７Ｄに示した方法を用いて発光層１６３Ｒ，１６３Ｇ，１６３Ｂを形成する際に、マスク３１Ｒ，３１Ｇ，３１Ｂが所定の領域以外（例えば、画素間）に転写されない高さであればよい。具体的には、電極膜（画素電極１４）成膜時の残留応力による駆動基板１１の反りや材料コスト等を考慮して、例えば、０．５μｍ以上２μｍ以下であることが好ましい。凹部２３１Ａは、加工の容易さやマスクが転写されないようにするため、上記実施の形態と同様に、凹部２３１Ａの画素間の距離（Ａ）および凹部の深さ（Ｂ）の比（Ａ：Ｂ）が、例えば１：１以上１００：１以下であることが好ましい。
【００７３】
＜３．適用例＞
以下、上記実施の形態および変形例で説明した表示装置１，２の適用例について説明する。上記実施の形態等の表示装置は、テレビジョン装置，デジタルカメラ，ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置あるいはビデオカメラ等、外部から入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、画像あるいは映像として表示するあらゆる分野の電子機器の表示装置に適用することが可能である。
【００７４】
（モジュール）
上記実施の形態の有機ＥＬ素子１０を備えた表示装置１は、例えば、図１１に示したようなモジュールとして、後述する適用例１，２等の種々の電子機器に組み込まれる。このモジュールは、例えば、駆動基板１１の一辺に、保護膜１６および対向基板２１から露出した領域２１０を設け、この露出した領域２１０に、信号線駆動回路１２０および走査線駆動回路１３０の配線を延長して外部接続端子（図示せず）を形成したものである。外部接続端子には、信号の入出力のためのフレキシブルプリント配線基板（ＦＰＣ；Flexible Printed Circuit）２２０が設けられていてもよい。
【００７５】
（適用例１）
図１２Ａおよび図１２Ｂは、適用例１に係るスマートフォン３２０の外観を表したものである。このスマートフォン３２０は、例えば、表側に表示部３２１および操作部３２２を有し、裏側にカメラ３２３を有しており、表示部３２１に上記実施の形態の表示装置１が搭載されている。
【００７６】
（適用例２）
図１３Ａおよび図１３Ｂは、適用例２に係るタブレットパーソナルコンピュータの外観を表したものである。このタブレットパーソナルコンピュータは、例えば、表示部４１０および操作部４３０が配置された筐体（非表示部）４２０を有しており、表示部４１０に上記実施の形態の表示装置１が搭載されている。
【００７７】
（照明装置）
上記実施の形態および変形例で説明した赤色有機ＥＬ素子１０Ｒ，緑色有機ＥＬ素子１０Ｇ，青色有機ＥＬ素子１０Ｂにより照明装置を構成することも可能である。図１４および図１５は、この赤色有機ＥＬ素子１０Ｒ，緑色有機ＥＬ素子１０Ｇ，青色有機ＥＬ素子１０Ｂを複数配置することにより構成された卓上用の照明装置の外観を表したものである。この照明装置は、例えば、基台４１に設けられた支柱４２に、照明部４３を取り付けたものであり、この照明部４３が上記実施の形態等の赤色有機ＥＬ素子１０Ｒ，緑色有機ＥＬ素子１０Ｇ，青色有機ＥＬ素子１０Ｂにより構成されている。照明部４３は、駆動基板１１として樹脂基板等の湾曲可能なものを用いることにより、図１４に示した筒状、または図１５に示した曲面状等、任意の形状とすることが可能である。
【００７８】
図１６は、上記実施の形態等の赤色有機ＥＬ素子１０Ｒ，緑色有機ＥＬ素子１０Ｇ，青色有機ＥＬ素子１０Ｂが適用される室内用の照明装置の外観を表したものである。この照明装置は、例えば、上記実施の形態等に係る赤色有機ＥＬ素子１０Ｒ，緑色有機ＥＬ素子１０Ｇ，青色有機ＥＬ素子１０Ｂにより構成された照明部４４を有している。照明部４４は、建造物の天井５０Ａに適宜の個数および間隔で配置されている。なお、照明部４４は、用途に応じて、天井５０Ａに限らず、壁５０Ｂまたは床（図示せず）等任意の場所に設置することが可能である。
【００７９】
以上、実施の形態および変形例を挙げて本技術を説明したが、本技術は上記実施の形態等に限定されるものではなく、種々変形が可能である。例えば、上記実施の形態等では、発光層１６３をパターニングする場合について説明したが、有機層１６のこの他の層をマスクを用いてパターニングするようにしてもよい。例えば、正孔注入層１６１、正孔輸送層１６２、発光層１６３、電子輸送層１６４、電子注入層１６５を赤色有機ＥＬ素子１０Ｒ，緑色有機ＥＬ素子１０Ｇ，青色有機ＥＬ素子１０Ｂ毎に複数の層を一括でパターニングするようにしてもよい。
【００８０】
また、上記実施の形態等では有機層１６が正孔注入層１６１、正孔輸送層１６２、発光層１６３、電子輸送層１６４および電子注入層１６５を含む場合について説明したが、発光層１６３以外の層は適宜省略するようにしてもよい。
【００８１】
更に、例えば、上記実施の形態等では、駆動方式がアクティブマトリクス方式の表示装置について説明したが、パッシブマトリクス方式の表示装置としてもよい。
【００８２】
加えて、例えば上記実施の形態等では、第１電極１４を陽極、第２電極１７を陰極とする場合について説明したが、陽極および陰極を逆にして、第１電極１４を陰極、第２電極１７を陽極としてもよい。
【００８３】
加えてまた、例えば、上記実施の形態において説明した各層の材料および厚み、または成膜方法および成膜条件等は限定されるものではなく、他の材料および厚みとしてもよく、または他の成膜方法および成膜条件としてもよい。
【００８４】
なお、本明細書に記載された効果はあくまで例示であって限定されるものではなく、また他の効果があってもよい。
【００８５】
なお、本技術は、以下のような構成をとることも可能である。
（１）基板と、前記基板上に設けられると共に、それぞれ、互いに異なる色を発する発光素子を有する複数の画素と、少なくとも互いに異なる色の前記発光素子を有する前記画素の間に設けられた凹部とを備えた表示装置。
（２）前記複数の画素は、基板側から第１電極、少なくとも発光層を含む有機層および第２電極からなる発光素子と、前記第１電極の周縁を被覆すると共に、前記画素の間に一定の膜厚で形成された画素分離膜とを有し、前記凹部の深さは、前記第１電極の周縁を被覆する前記画素分離膜の膜厚よりも大きい、前記（１）に記載の表示装置。
（３）前記凹部の深さは、０．５μｍ以上２μｍ以下である、前記（２）に記載の表示装置。
（４）前記複数の画素の間の距離（Ａ）と、前記第１電極の表面から前記凹部の底面までの距離（Ｂ）の比（Ａ：Ｂ）は、１：１以上１００：１以下である、前記（２）または（３）に記載の表示装置。
（５）前記複数の画素は、基板側から薄膜トランジスタと、前記発光素子とを備えると共に、前記薄膜トランジスタと前記発光素子との間に前記複数の画素間に共通の平坦化層を有し、前記凹部は、前記平坦化層の凹凸によって形成されている、前記（２）乃至（４）のうちいずれか１つに記載の表示装置。
（６）前記複数の画素は、基板側から薄膜トランジスタと、前記発光素子とを備えると共に、前記薄膜トランジスタと前記発光素子との間に前記複数の画素間に共通の平坦化層を有し、前記凹部は、前記平坦化層と前記第１電極との段差によって形成されている、前記（２）乃至（５）のうちいずれか１つに記載の表示装置。
（７）基板上に少なくとも互いに異なる色を発する発光素子を有する画素の間に凹部を形成する工程と、前記画素にそれぞれ、互いに異なる色を発する発光素子を形成する工程と、を含む、表示装置の製造方法。
（８）前記基板上に前記発光素子を構成する有機材料層を形成し、前記有機材料層上の所定の画素の上にマスクを形成したのち、前記有機材料層を選択的に除去して前記所定の画素に有機層を形成する、前記（７）に記載の表示装置の製造方法。
（９）表示装置を備え、前記表示装置は、基板と、前記基板上に設けられると共に、それぞれ、互いに異なる色を発する発光素子を有する複数の画素と、少なくとも互いに異なる色の前記発光素子を有する前記画素の間に設けられた凹部とを有する電子機器。
【符号の説明】
【００８６】
１，２，…表示装置、１０Ｒ…赤色有機ＥＬ素子、１０Ｇ…緑色有機ＥＬ素子、１０Ｂ…青色有機ＥＬ素子、１１…基板、１２…ＴＦＴ層、１３…平坦化層、１４…下部電極、１５，１５Ａ…隔壁、１６…有機層、１６１…正孔注入層、１６２…正孔輸送層、１６３…発光層、１６３Ｒ…赤色発光層、１６３Ｇ…緑色発光層、１６３Ｂ，２６３Ｂ…青色発光層、１６４…電子輸送層、１６５…電子注入層、１７…上部電極、３１Ｒ，３１Ｇ，３１Ｂ…マスク。
【図１】
2016115747.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
2016115747.tif 000007
【図４Ｃ】
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【図４Ｄ】
2016115747.tif 000009
【図５Ａ】
2016115747.tif 000010
【図５Ｂ】
2016115747.tif 000011
【図５Ｃ】
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【図６Ａ】
2016115747.tif 000013
【図６Ｂ】
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【図６Ｃ】
2016115747.tif 000015
【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図７Ｃ】
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【図７Ｄ】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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【図８Ｃ】
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【図８Ｄ】
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【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
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【図９Ｃ】
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【図９Ｄ】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２Ａ】
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【図１２Ｂ】
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【図１３Ａ】
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【図１３Ｂ】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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