(57)【要約】【課題】透明電極のシート抵抗上昇の影響を軽減すること。【解決手段】  電流阻止層１８は、ｐ層１３と透明電極１４の間に形成されている。電流阻止層１８上の透明電極１４の領域１４ａは、他の透明電極１４の領域よりもシート抵抗が高くなっている。電流阻止層１８の平面パターンは円形であり、コンタクト部１６ｃを内包するパターンである。また、ｐ電極１６のコンタクト部１６ｃにおける任意の位置を通り、その位置からｎ電極１７のコンタクト部１７ｃまでが最短距離となる直線をＬとする。直線Ｌ方向での電流阻止層１８の幅の中心Ｏ’が、直線Ｌ方向でのｐ電極１６のコンタクト部１６ｃの幅の中心Ｏよりもｎ電極１７のコンタクト部１７ｃから遠い位置となっている。これにより透明電極１４の領域１４ａのシート抵抗上昇による駆動電圧上昇を軽減できる。【選択図】図３．Ａ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
III 族窒化物半導体からなり、ｎ層、発光層、ｐ層の順に積層された半導体層と、前記ｐ層上に位置し、透明導電性酸化物からなる透明電極と、前記透明電極上に接して位置する単数または複数のｐ側電流注入部と、前記ｎ層に接続する単数または複数のｎ側電流注入部と、前記ｐ層と前記透明電極との間であって前記ｐ側電流注入部の下方に位置する絶縁体からなる電流阻止層と、を有したIII 族窒化物半導体からなる発光素子において、
前記電流阻止層は、平面視において前記ｐ側電流注入部を含む領域に設けられていて、
前記ｐ側電流注入部の任意の位置を通り、その位置から前記ｎ側電流注入部までの距離が最短となる直線をＬ、直線Ｌ方向での前記ｐ側電流注入部の幅の中心をＯ、直線Ｌ方向での前記電流阻止層の幅の中心をＯ’として、その直線Ｌ方向において中心Ｏと中心Ｏ’が重ならないようにした、
ことを特徴とする発光素子。
【請求項２】
直線Ｌ方向での前記電流阻止層の幅の中心Ｏ’が、直線Ｌ方向での前記ｐ側電流注入部の幅の中心Ｏよりも直線Ｌ方向において前記ｎ側電流注入部から遠い位置とした、ことを特徴とする請求項１に記載の発光素子。
【請求項３】
直線Ｌ方向での前記電流阻止層の幅の中心Ｏ’が、直線Ｌ方向での前記ｐ側電流注入部の幅の中心Ｏよりも直線Ｌ方向において前記ｎ側電流注入部に近い位置とした、ことを特徴とする請求項１に記載の発光素子。
【請求項４】
直線Ｌ方向での前記電流阻止層の幅の中心Ｏ’が、直線Ｌ方向での前記ｐ側電流注入部の幅の中心Ｏよりも直線Ｌ方向において前記ｎ側電流注入部から遠い位置とする配置と、  直線Ｌ方向での前記電流阻止層の幅の中心Ｏ’が、直線Ｌ方向での前記ｐ側電流注入部の幅の中心Ｏよりも直線Ｌ方向において前記ｎ側電流注入部に近い位置とする配置が混在していることを特徴とする請求項１に記載の発光素子。
【請求項５】
前記ｐ型電流注入部とそのｐ型電流注入部に最近接した前記ｎ型電流注入部との間の距離に関して異なる複数の値が存在する場合において、最大距離と最小距離の和の１／２を平均距離とするとき、
前記最大距離と前記平均距離との間に、前記距離が存在するｐ型電流注入部については、直線Ｌ方向での前記電流阻止層の幅の中心Ｏ’が、直線Ｌ方向での前記ｐ側電流注入部の幅の中心Ｏよりも直線Ｌ方向において前記ｎ側電流注入部から遠い位置とした配置としたことを特徴とする請求項４に記載の発光素子。
【請求項６】
前記ｐ型電流注入部とそのｐ型電流注入部に最近接した前記ｎ型電流注入部との間の距離に関して異なる複数の値が存在する場合において、最大距離と最小距離の和の１／２を平均距離とするとき、
前記最小距離と前記平均距離との間に、前記距離が存在するｐ型電流注入部については、直線Ｌ方向での前記電流阻止層の幅の中心Ｏ’が、直線Ｌ方向での前記ｐ側電流注入部の幅の中心Ｏよりも直線Ｌ方向において前記ｎ側電流注入部に近い位置とした配置としたことを特徴とする請求項４または請求項５に記載の発光素子。
【請求項７】
前記ｐ型電流注入部の前記中心Ｏと前記電流阻止層の前記中心Ｏ’とを一致させた場合の面上の発光分布よりも一様な発光分布とするように、前記各ｐ型電流中入部に対して、前記電流阻止層の前記中心Ｏ’のｐ側電流注入部の前記中心Ｏに対する位置偏差及びその方向を決定したことを特徴とする請求項１に記載の発光素子。
【請求項８】
前記電流阻止層の平面パターンの前記ｐ側電流注入部を包含する阻止層外形線の全部又は一部は、前記ｐ側電流注入部の平面パターンの注入部外線線の相似拡大である、ことを特徴とする請求項１ないし請求項７のいずれか１項に記載の発光素子。
【請求項９】
前記阻止層外形線は、前記注入部外形線の重心を重心としてその注入部外形線を相似拡大させた形状の一部を切り欠いた形状である、ことを特徴とする請求項８に記載の発光素子。
【請求項１０】
前記透明電極は、前記電流阻止層上の領域が前記ｐ層上の領域よりもシート抵抗が高い、ことを特徴とする請求項１ないし請求項９のいずれか１項に記載の発光素子。
【請求項１１】
前記透明電極は、酸化インジウム系材料であることを特徴とする請求項１ないし請求項１０に記載の発光素子。
【請求項１２】
前記透明電極は、ＩＺＯであることを特徴とする請求項１１に記載の発光素子。
【請求項１３】
前記電流阻止層は、酸素を構成元素として含む透明な絶縁体である、ことを特徴とする請求項１ないし請求項１２のいずれか１項に記載の発光素子。
【請求項１４】
前記電流阻止層は、ケイ素化合物であることを特徴とする請求項１ないし請求項１３のいずれか１項に記載の発光素子。
【請求項１５】
前記電流阻止層は、ＳｉＯ2 であることを特徴とする請求項１４に記載の発光素子。
【請求項１６】
前記透明電極上に位置し、前記透明電極に電流を注入するための孔を有した絶縁膜と、前記絶縁膜上に位置するｐ電極とをさらに有し、
前記ｐ電極は、前記孔を介して前記透明電極と接触しており、その前記ｐ電極のうち前記孔内部の前記透明電極と接触する部分が前記ｐ側電流注入部となっている、
ことを特徴とする請求項１ないし請求項１５のいずれか１項に記載の発光素子。
【請求項１７】
前記透明電極上に接触して位置する中間電極と、前記透明電極および前記中間電極上に位置し、前記中間電極に電流を注入するための孔を有した絶縁膜と、前記絶縁膜上に位置するｐ電極と、をさらに有し、
前記ｐ電極は、前記孔を介して前記中間電極と接触しており、前記中間電極が前記ｐ側電流注入部となっている、
ことを特徴とする請求項１ないし請求項１５のいずれか１項に記載の発光素子。
【請求項１８】
前記透明電極上接触してに位置するｐ電極とをさらに有し、
前記ｐ電極は、素子外部と電気的に接続される接続部と、前記接続部から配線状に延びる配線状部と、を有し、
前記ｐ電極が前記ｐ側電流注入部となっている、
ことを特徴とする請求項１ないし請求項１５のいずれか１項に記載の発光素子。
【請求項１９】
前記電流阻止層の前記中心Ｏ’とｐ側電流注入部の前記中心Ｏとの位置偏差の最小値は２μｍであることを特徴とする請求項１ないし請求項１８のいずれか１項に記載の発光素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、III 族窒化物半導体からなる発光素子に関する。特に、電流阻止層の位置や平面パターンに特徴を有するものに関する。
【背景技術】
【０００２】
III 族窒化物半導体からなる発光素子において、平面視でｐ電極と重なる位置の発光層を発光させないようにすることで、ｐ電極による光の吸収を防ぎ、発光効率を向上させる技術が知られている。
【０００３】
特許文献１、２には、ｐ層と透明電極との間であって、ｐパッド電極直下の領域に透光性の絶縁体からなる電流阻止層を設け、ｐパッド電極直下の発光層が発光しないようにするとともに、ｐ層と電流阻止層との界面で光を反射させることによって、発光効率を向上させたIII 族窒化物半導体からなる発光素子が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−１９２７１０号公報
【特許文献２】特開２０１０−２３２６４９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ｐ層上に電流阻止層を設ける場合、ｐ層と電流阻止層を覆うようにして透明電極を設け、さらにｐ層上部であって透明電極上にｐ電極を設けた構成となる。透明電極によって電流阻止層が設けられた領域以外に電流が拡散するようにしている。したがって、透明電極のシート抵抗は低くする必要がある。
【０００６】
しかし、電流阻止層と透明電極の選定材料の組み合わせ、電流阻止層や透明電極の構成、形成後の処理条件などによって、電流阻止層上の透明電極は、その形成後にシート抵抗が高くなり、発光素子の駆動電圧が上昇してしまうという問題があった。たとえば、透明電極として酸化インジウムを主とする材料を用い、電流阻止層としてＳｉＯ2 やＳｉＯＮなどの酸素を構成元素として含む材料を用いた場合である。
【０００７】
そこで本発明は、電流阻止層上に位置する透明電極のシート抵抗増大の影響を軽減することを目的とする。特に発光素子の駆動電圧の上昇の軽減を図ることを目的とする。また、特に発光素子の発光の均一性を高めることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、III 族窒化物半導体からなり、ｎ層、発光層、ｐ層の順に積層された半導体層と、ｐ層上に位置し、透明導電性酸化物からなる透明電極と、透明電極上に接して位置する単数または複数のｐ側電流注入部と、ｎ層に接続する単数または複数のｎ側電流注入部と、ｐ層と透明電極との間であってｐ側電流注入部の下方に位置する絶縁体からなる電流阻止層と、を有したIII 族窒化物半導体からなる発光素子において、電流阻止層は、平面視においてｐ側電流注入部を含む領域に設けられていて、ｐ側電流注入部の任意の位置を通り、その位置からｎ側電流注入部までの距離が最短となる直線をＬ、直線Ｌ方向でのｐ側電流注入部の幅の中心をＯ、直線Ｌ方向での電流阻止層の幅の中心をＯ’として、その直線Ｌ方向において中心Ｏと中心Ｏ’が重ならないようにした、ことを特徴とする発光素子である。
【０００９】
直線Ｌ方向での電流阻止層の幅の中心Ｏ’が、直線Ｌ方向でのｐ側電流注入部の幅の中心Ｏよりも直線Ｌ方向においてｎ側電流注入部から遠い位置とすれば、電流阻止層上に位置する透明電極のシート抵抗上昇による駆動電圧の上昇を軽減することができる。
また、直線Ｌ方向での電流阻止層の幅の中心Ｏ’が、直線Ｌ方向でのｐ側電流注入部の幅の中心Ｏよりも直線Ｌ方向においてｎ側電流注入部から近い位置とすれば、素子内の電子の流れを制御して発光の均一性を高めることができる。
また、電流阻止層の幅の中心Ｏ’のｐ側電流注入部の幅の中心Ｏに対する変位方向について、上記２つの場合を１チップに混在させても良い。
その一つの構成例は、ｐ型電流注入部とそのｐ型電流注入部に最近接したｎ型電流注入部との間の距離に関して異なる複数の値が存在する場合において、最大距離と最小距離の和の１／２を平均距離とするとき、最大距離と平均距離との間に、距離が存在するｐ型電流注入部については、直線Ｌ方向での電流阻止層の幅の中心Ｏ’が、直線Ｌ方向でのｐ側電流注入部の幅の中心Ｏよりも直線Ｌ方向においてｎ側電流注入部から遠い位置とした配置とする。他の一つの構成例は、最小距離と平均距離との間に、距離が存在するｐ型電流注入部については、直線Ｌ方向での電流阻止層の幅の中心Ｏ’が、直線Ｌ方向でのｐ側電流注入部の幅の中心Ｏよりも直線Ｌ方向においてｎ側電流注入部に近い位置とした配置とすることである。また、両者の構成例を組み合わせる構成としても良い。
この構成より、面上においてより一様な発光を実現することができる。
さらに、他の構成例は、ｐ型電流注入部の前記中心Ｏと電流阻止層の中心Ｏ’とを一致させた場合の面上の発光分布よりも一様な発光分布とするように、各ｐ型電流中入部に対して、電流阻止層の前記中心Ｏ’のｐ側電流注入部の前記中心Ｏに対する位置偏差及びその方向を決定することである。電極の構造に係わらず１チップの面上においてより一様な発光を得ることができる。また、電流密度を均一とする結果、駆動電圧を中心Ｏ’と中心Ｏを一致させた場合に比べて低減することができる。
【００１０】
電流阻止層の平面パターンは任意のパターンとすることができるが、電流阻止層の平面パターンのｐ側電流注入部を包含する阻止層外形線の全部又は一部を、ｐ側電流注入部の平面パターンの注入部外線線の相似拡大とすることが望ましい。発光の均一性や作製の容易さの点からである。
【００１１】
ｐ側電流注入部の直線Ｌ方向での幅の中心Ｏと、電流阻止層の直線Ｌ方向での幅の中心Ｏ’とが、その直線Ｌ方向において異なるようにする方法としては、電流阻止層の平面パターンの位置そのものをずらす方法の他、次の方法を用いてもよい。すなわち、ｐ側電流注入部を包含する部分の阻止層外形線は、注入部外形線の重心を重心としてその注入部外形線を相似拡大させた形状の一部を切り欠いた形状とする。つまりは、平面パターンの位置をずらすのではなく平面パターンの形状を変えるのである。
【００１２】
本発明は、透明電極の電流阻止層上の領域がｐ層上の領域よりもシート抵抗が高い場合に特に有効であるが、それ以外の場合に対しても適用することができる。
【００１３】
透明電極は、任意の透明導電性酸化物を用いることができるが、作製の容易さやコストなどの点でＩＺＯ（亜鉛ドープの酸化インジウム）、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）などの酸化インジウム系材料が好ましい。
【００１４】
電流阻止層は、任意の絶縁体からなる材料を用いることができるが、光取り出しなどの点で酸素を構成元素として含む透明な絶縁体からなる任意の材料を用いることが好ましい。ここで透明とは発光素子の発光波長に対して高い透過率を有することである。ＳｉＯ2 、ＳｉＯＮ、Ａｌ2 Ｏ3 、ＴｉＯ2 、ＺｒＯ2 、ＨｆＯ2 、Ｎｂ2 Ｏ5 、などを用いることができ、特にケイ素化合物が望ましい。
【００１５】
本発明は、特に以下の構成の発光素子に対して有効である。
【００１６】
透明電極上に位置し、透明電極に電流を注入するための孔を有した絶縁膜と、絶縁膜上に位置するｐ電極とをさらに有し、ｐ電極は、孔を介して透明電極と接触しており、そのｐ電極のうち孔内部の透明電極と接触する部分がｐ側電流注入部となっている、ことを特徴とする発光素子。
【００１７】
透明電極上に接触して位置する中間電極と、透明電極および中間電極上に位置し、中間電極に電流を注入するための孔を有した絶縁膜と、絶縁膜上に位置するｐ電極と、をさらに有し、ｐ電極は、孔を介して中間電極と接触しており、中間電極がｐ側電流注入部となっている、ことを特徴とする発光素子。
【００１８】
透明電極上接触してに位置するｐ電極とをさらに有し、ｐ電極は、素子外部と電気的に接続される接続部と、接続部から配線状に延びる配線状部と、を有し、ｐ電極がｐ側電流注入部となっている、ことを特徴とする発光素子。
上記全発明において、電流阻止層の前記中心Ｏ’とｐ側電流注入部の中心Ｏとの位置偏差の最小値は２μｍとすることが望ましい。位置偏差の最大値は、電流阻止層上へのｐ型電流注入部の正射影が、その電流阻止層の面内に存在することを条件に中心Ｏ’を中心Ｏに対して最大限変位させた時の位置偏差である。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、電流阻止層上の透明電極のシート抵抗が高くなっても、その影響を受けにくくすることができ、発光効率を向上させたり、発光の均一性を高めたりすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】実施例１の発光素子の構成を示した断面図。
【図２】実施例１の発光素子を上方から見た平面図。
【図３．Ａ】実施例１の変形例の発光素子の構成を示した断面図。
【図３．Ｂ】図３．Ａにおいてコンタクト部１６ｃ部分の平面図。
【図４】図２の平面図においてコンタクト部１６ｃ部分を拡大した図。
【図５】電流阻止層１８の平面パターンの変形例を示した図。
【図６】本発明の原理を模式的に示した図。
【図７】実施例１の発光素子の製造工程を示した図。
【図８】実施例２の発光素子の構成を示した断面図。
【図９】実施例２の発光素子のコンタクト部１６ｃ部分を拡大した図。
【図１０】実施例３の発光素子の構成を示した断面図。
【図１１】実施例３の発光素子を上方から見た平面図。
【図１２】実施例４の発光素子を上方から見た平面図。
【図１３】実施例４の発光素子の構成を示した断面図。
【図１４】実施例５の発光素子を上方から見た平面図。
【図１５】実施例６の発光素子を上方から見た平面図。
【図１６】実施例７の発光素子を上方から見た平面図。
【図１７】実施例８の発光素子を上方から見た平面図。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、本発明の具体的な実施例について図を参照に説明するが、本発明は実施例に限定されるものではない。
【実施例１】
【００２２】
図１は、実施例１のIII 族窒化物半導体からなる発光素子の１チップの構成を示した断面図である。また、図２は、実施例１のIII 族窒化物半導体からなる発光素子を上方から見た平面図である。図１は、図２におけるＡ−Ａでの断面である。図２のように、実施例１のIII 族窒化物半導体からなる発光素子は、平面視で長方形のフェイスアップ型素子である。チップは長方形であり、短辺片が２００μｍ、長辺が８００μｍである。なお、短辺は２００〜３００μｍ、長辺は７００〜８００μｍの範囲で形成しても良い。
【００２３】
図１のように、実施例１のIII 族窒化物半導体からなる発光素子は、基板１０と、基板１０上にバッファ層（図示しない）を介して位置するｎ層１１と、ｎ層１１上に位置する発光層１２と、発光層１２上に位置するｐ層１３を有している。ｎ層１１、発光層１２、ｐ層１３はIII 族窒化物半導体からなる。また、ｐ層１３表面側からｎ層１１に達する溝が形成され、溝の底面にはｎ層１１が露出する。また、ｐ層１３上に位置する透明電極１４と、透明電極１４上、および溝底面に露出するｎ層１１上に連続して位置する絶縁膜１５と、を有している。そして、絶縁膜１５上にはｐ電極１６とｎ電極１７がそれぞれ分離して設けられている。さらに、ｐ層１３と透明電極１４との間の所定領域には、電流阻止層１８が設けられている。以下、各構成についてより詳細に説明する。
【００２４】
基板１０は、ｎ層１１側の表面に凹凸加工（図示しない）が施されたサファイア基板である。凹凸加工は光取り出し効率を向上させるために設けている。基板１０の材料にはサファイア以外にも、III 族窒化物半導体を結晶成長可能な任意の材料の基板を用いることができる。たとえば、ＳｉＣ、Ｓｉ、ＺｎＯなどである。
【００２５】
ｎ層１１は、基板１０側から順に、ｎ型コンタクト層、ｎ型ＥＳＤ層、ｎ型ＳＬ層が積層された構造である。ｎ型コンタクト層はｎ電極１７が接触する層である。ｎ型コンタクト層は、Ｓｉ濃度が１×１０18／ｃｍ3 以上のｎ−ＧａＮからなる。ｎ型コンタクト層をキャリア濃度の異なる複数の層で構成することでｎ電極１７のコンタクト抵抗を低減することも可能である。ｎ型ＥＳＤ層は、素子の静電破壊を防止するための静電耐圧層である。ｎ型ＥＳＤ層は、ノンドープのＧａＮとＳｉドープのｎ−ＧａＮの積層構造である。ｎ型ＳＬ層は、ＩｎＧａＮと、ＧａＮと、ｎ−ＧａＮとを順に積層した構造を単位として、これを複数単位繰り返し積層した超格子構造を有するｎ型超格子層である。ｎ型ＳＬ層は、発光層１２にかかる応力を緩和するための層である。
【００２６】
発光層１２は、ＩｎＧａＮからなる井戸層と、ＡｌＧａＮからなる障壁層とを繰り返し積層したＭＱＷ構造である。井戸層と障壁層との間に、Ｉｎの蒸発を防ぐための保護層を設けてもよい。
【００２７】
ｐ層１３は、発光層１２側から順に、ｐ型クラッド層、ｐ型コンタクト層が積層された構造である。ｐ型クラッド層は、電子がｐ型コンタクト層側に拡散するのを防止するための層である。ｐ型クラッド層は、ｐ−ＩｎＧａＮとｐ−ＡｌＧａＮを順に積層した構造を単位として、これを複数回繰り返し積層させた構造である。ｐ型コンタクト層は、ｐ電極１６がｐ層１３に良好にコンタクトをとるために設ける層である。ｐ型コンタクト層は、Ｍｇ濃度が１×１０19〜１×１０22／ｃｍ3 で厚さ１００〜１０００Åのｐ−ＧａＮからなる。
【００２８】
なお、ｎ層１１、発光層１２、ｐ層１３の構成は、上記記載の構成に限るものではなく、従来、III 族窒化物半導体からなる発光素子に用いられている任意の構成を採用することができる。
【００２９】
透明電極１４は、ＩＺＯ（亜鉛ドープの酸化インジウム）からなる。他にも、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）、などの酸化インジウム系材料や、その他の透明導電性酸化物を用いることができる。透明電極１４は、ｐ層１３上および電流阻止層１８上に連続して形成されている。そのため、透明電極１４は、電流阻止層１８の上部で凸に波打った膜状の形状に形成されている。透明電極１４の表面に微細な凹凸形状を設け、光取り出し効率を向上させてもよい。
【００３０】
透明電極１４のうち、電流阻止層１８上に位置する領域１４ａは、透明電極１４の他の領域よりもシート抵抗が高くなっている。これは主に、透明電極１４のうちｐ層１３上に接して位置する領域は、電極形成プロセスにおける熱処理を経てもシート抵抗はさほど変化しないのに対し、電流阻止層１８上に接して位置する領域１４ａは、熱処理後にシート抵抗が上昇することに起因する。また、後述するように、電流阻止層１８上に接して位置する領域１４ａの抵抗の上昇は、電流阻止層１８の表面の凹凸による影響も起因している。
【００３１】
絶縁膜１５は、溝の底面に露出するｎ層１１表面から透明電極１４表面にかけて覆うようにして形成されている。絶縁膜１５は、ＳｉＯ2 からなる。ＳｉＯ2 以外にも、ＳｉＮ、Ａｌ2 Ｏ3 、ＴｉＯ2 などを用いることができる。また、絶縁膜１５の所定の位置にｐ電極１６用の孔２１ｐとｎ電極１７用の孔２１ｎとが設けられ、絶縁膜１５を貫通している。この孔２１ｐは、後に説明するｐ電極１６の配線状部１６ｂによって埋められ、孔２１ｎは、ｎ電極１７の配線状部１７ｂによって埋められている。透明電極１４と孔２１ｐに充填された配線状部１６ｂとの接触部がｐ電極１６のコンタクト部１６ｃ（中間電極）であり、ｎ層１１のｎ型コンタクト層と孔２１ｎに充填された配線状部１７ｂとの接触部がｎ電極１７のコンタクト部１７ｃである。
【００３２】
絶縁膜１５中であって、平面視においてｐ電極１６、ｎ電極１７に重なる領域（ただし、コンタクト部１６ｃ、１７ｃを除く）には、図２に示すように、反射膜１９が設けられている。反射膜１９は絶縁膜１５中にあるため、電気的に絶縁されており、マイグレーションが防止される。この反射膜１９は、ｐ電極１６、ｎ電極１７方向へ向かう光を反射させることでｐ電極１６、ｎ電極１７による光の吸収を抑制し、これにより発光効率を向上させるために設けるものである。
【００３３】
反射膜１９は、Ａｌ、Ａｇ、Ａｌ合金、Ａｇ合金など、ｐ電極１６やｎ電極１７の材料よりも反射率の高い材料からなる。反射膜１９は単層としてもよいし多層としてもよい。多層とする場合、Ａｌ合金／Ｔｉ、Ａｇ合金／Ａｌ、Ａｇ合金／Ｔｉ、Ａｌ／Ａｇ／Ａｌ、Ａｇ合金／Ｎｉなどを用いることができる。ここで記号「／」は、積層を意味し、Ａ／ＢはＡを成膜した後Ｂを成膜した積層構造であることを意味する。以下においても材料の説明において「／」を同様の意味で用いる。反射膜１９と絶縁膜１５との密着性を向上させるために、Ｔｉ、Ｃｒ、Ａｌなどの薄膜を、反射膜１９と絶縁膜１５との間に設けてもよい。
【００３４】
また、反射膜１９として、誘電体多層膜を採用することもできる。誘電体多層膜は、低屈折率材料と高屈折率材料が交互に積層され、それぞれの光学膜厚が発光波長の１／４に設計された多層膜である。低屈折率材料としては、ＳｉＯ2 、ＭｇＦ2 、などを用いることができ、高屈折率材料としては、ＳｉＮ、ＴｉＯ2 、ＺｒＯ2 、Ｔａ2 Ｏ5 、Ｎｂ2 Ｏ5 などを用いることができる。誘電体多層膜の反射率を向上させるために、低屈折率材料と高屈折率材料の屈折率差は大きいほど望ましい。また、積層ペア数も大きいほど望ましく、５ペア以上とすることが望ましい。ただし、誘電体多層膜の総膜厚が大きくなり、製造工程において不具合を生じないよう、積層ペア数は３０ペア以下とするのがよい。
【００３５】
ｐ電極１６は、図２に示すように、ワイヤボンディング部１６ａ、配線状部１６ｂ、コンタクト部１６ｃ（本発明のｐ側電流注入部、中間電極）によって構成されている。図４は、図２の平面図におけるコンタクト部１６ｃを拡大して示した図である。図４は、配線状部１６ｂ、孔２１ｐ、コンタクト部１６ｃ、電流阻止層１８の正射影の関係を示す、上部から下方を見た平面図であり、絶縁膜１５、透明電極１４は存在しない（透明として）表現されている。以下、図３．Ｂ、図５、図９において同じ。コンタクト部１６ｃは、Ｎｉ／Ａｕ／Ａｌからなり、ワイヤボンディング部１６ａおよび配線状部１６ｂは、Ｔｉ／Ａｕ／Ａｌからなる。
【００３６】
ワイヤボンディング部１６ａは、絶縁膜１５上に位置した円形の領域であり、ワイヤと接続される領域である。配線状部１６ｂは、絶縁膜１５上に位置し、ワイヤボンディング部１６ａから延びる配線状の部分であり、配線状とすることで電流を面方向に拡散させるものである。また、配線状部１６ｂは、絶縁膜１５に設けられた孔２１ｐの内部にも形成されている。コンタクト部１６ｃは、透明電極１４上に設けられた複数のドット状の円形の領域である。また、コンタクト部１６ｃは、絶縁膜１５に設けられた孔２１ｐを介して、配線状部１６ｂと接続されている。このコンタクト部１６ｃは、ｐ電極１６と透明電極１４とが良好にコンタクトをとるために設けるものである。なお、孔２１ｐとコンタクト部１６ｃは、平面視で同一形状である必要はなく、平面視において孔２１ｐがコンタクト部１６ｃに含まれる形状であればよい。
【００３７】
図２のように、ワイヤボンディング部１６ａは、一方の短辺中央近傍に位置している。そのワイヤボンディング部１６ａから、２本の直線状の配線状部１６ｂが延びている。配線状部１６ｂは、一方の長辺近傍に、その長辺に沿って延びる直線状の部分と、他方の長辺近傍に、その長辺に沿って延びる直線状の部分とを有している。その直線状部分は、孔２１ｐによって面垂直方向に分岐していて、その分岐端で円形のコンタクト部１６ｃに接続している。なお、電流拡散性の点から、孔２１ｐの中心とコンタクト部１６ｃの中心を一致させることが望ましい。
【００３８】
ｎ電極１７は、ｐ電極１６と同様に、ワイヤボンディング部１７ａ、配線状部１７ｂ、コンタクト部１７ｃ（本発明のｎ側電流注入部）によって構成されていて、それぞれの部分の役割もｐ電極１６の場合と同様である。図２のように、ワイヤボンディング部１７ａは、ワイヤボンディング部１６ａが位置する側とは反対側の端辺中央近傍に位置している。そして、ワイヤボンディング部１７ａから一本の直線状の配線状部１７ｂが長辺に平行に延びていて、配線状部１６ｂの２本の直線状の間において、短辺の中央部に位置している。また、ｎ電極１７のワイヤボンディング部１７ａ、配線状部１７ｂは、ｐ電極１６のワイヤボンディング部１６ａ、配線状部１６ｂと同一材料で構成され、コンタクト部１７ｃはコンタクト部１６ｃと同一材料で構成されている。
【００３９】
なお、図３．Ａ及び図３．Ａにおけるｐ電極１６の配線状部１６ｂと孔２１ｐの部分の平面図を示した図３．Ｂに示すように、コンタクト部１６ｃを設けずに、配線状部１６ｂが直接透明電極１４に接触して接続する構成としてもよい。この場合、配線状部１６ｂの透明電極１４との接触部分（コンタクト部１６ｄ）が本発明のｐ側電流注入部に相当する。同様に、コンタクト部１７ｃを設けずに配線状部１７ｂを直接ｎ層１１に接触させて接続する構成としてもよい。この場合、配線状部１７ｂのｎ層１１のコンタクト層との接触部分（コンタクト部１７ｄ）が本発明のｎ側電流注入部に相当する。図３．Ａに、コンタクト部１６ｃ、１７ｃの双方を設けなかった場合の構成を例示する。また、ｐ電極１６、ｎ電極１７は、必ずしも配線状部１６ｂ、１７ｂを有した構成である必要はない。
【００４０】
ｐ電極１６のワイヤボンディング部１６ａおよびｎ電極１７のワイヤボンディング部１７ａを除く領域は、保護膜（図示しない）が覆うようにして形成されている。電流のショートなどを防止するためである。
【００４１】
電流阻止層１８は、その領域の電流をブロックして、発光層１２のうち平面視において電流阻止層１８と重なる領域（電流阻止層１８の発光層１２上への正射影領域）を光らせないようにする。さらに、ｐ層１３と電流阻止層１８との界面における全反射によって、電流阻止層１８の上部に光が向かわないようにする。これら２つの作用により、電流阻止層１８上部に位置するｐ電極１６による光の吸収・遮蔽を抑制し、発光効率を向上させることができる。
【００４２】
電流阻止層１８は、図１、２、図３．Ｂ、図４に示すように、ｐ層１３上であって、平面視においてコンタクト部１６ｃ、１６ｄを含む領域に設けられている。つまり、平面視において電流阻止層１８はコンタクト部１６ｃ、１６ｄを内包している。このように電流阻止層１８をコンタクト部１６ｃ、１６ｄよりも広めな領域に設けることで、コンタクト部１６ｃ、１６ｄによる光の吸収、遮蔽を効果的に抑制している。本実施例では、ｐ電極１６の他の部分、すなわち、ワイヤボンディング部１６ａと配線状部１６ｂの下方の正射影領域には、電流阻止層１８は設けられていない。しかし、ワイヤボンディング部１６ａや配線状部１６ｂの正射影領域に電流阻止層１８を設けてもかまわない。
【００４３】
また、図１、４、３．Ｂのように、電流阻止層１８は平面視においてコンタクト部１６ｃ、１６ｄを内包する円形であり、コンタクト部１６ｃ、１６ｄの中心と電流阻止層１８の中心とは一致していない。このような場合が、電流阻止層１８の平面パターンのｐ側電流注入部１６ｃ、１６ｄを包含する阻止層外形線の全部が、ｐ側電流注入部１６ｃ、１６ｄの平面パターンの注入部外線線の相似拡大である場合に相当する。
【００４４】
そられの中心を一致させない方法は、次のようにしている。平面視において、ｐ電極１６のコンタクト部１６ｃにおける任意の位置（例えば、平面視での円形の中心）を通り、ｎ電極１７の多数のコンタクト部１７ｃのうち、そのコンタクト部１６ｃに最も近いコンタクト部１７ｃの任意の位置（例えば、平面視での円形の中心）を通る直線をＬとする。そして、直線Ｌ方向でのｐ電極１６のコンタクト部１６ｃの幅の中心をＯ、直線Ｌ方向での電流阻止層１８の幅の中心をＯ’とする。幅とは、直線Ｌがコンタクト部１６ｃあるいは電流阻止層１８の両端によって切り取られる線分の長さである。このとき、中心Ｏ’が、中心Ｏよりもｎ電極１７のコンタクト部１７ｃから遠い位置となっている。ただし、中心Ｏ’の中心Ｏに対する位置偏差は、電流阻止層１８がコンタクト部１６ｃを内包する範囲内での偏差である。
また、直線Ｌは電流阻止層１８の平面視での中心（円形の中心）を通るとは限らないので、直線Ｌ方向での電流阻止層１８の幅の中心Ｏ’は、電流阻止層１８の平面視での中心（円形の中心）と必ずしも一致しない。同様に、直線Ｌをコンタクト部１６ｃの円形の中心とコンタクト部１７ｃの円形の中心とを通るように設定しない場合もあるので、コンタクト部１６ｃの直線Ｌ方向の幅の中心Ｏは、コンタクト部１６ｃの平面視での中心（円形の中心）に一致するとは限らない。
実施例１においては、コンタクト部１６ｃの円形パターンの中心に対して、電流阻止層１８の円形のパターンの中心を、発光素子の短辺方向にコンタクト部１７ｃから遠ざけた位置とすることにより、上記の中心Ｏ、Ｏ’の関係を満たすようにしている。
【００４５】
図１、４では、一例として、直線Ｌをｐ電極１６のコンタクト部１６ｃの円形の中心とｎ電極１７のコンタクト部１７ｃの円形の中心とを結ぶ直線とし、その直線Ｌ方向でのコンタクト部１６ｃの幅の中心Ｏを、実際のコンタクト部１６ｃの平面視での円形の中心と一致させた場合について示している。図１の断面図は、図２の直線Ｌに沿ったＡ−Ａ矢視断面図である。
【００４６】
なお、実施例１では電流阻止層１８の平面パターンを円形とし、コンタクト部１６ｃの相似拡大パターンとしたが、電流阻止層１８の平面形状を必ずしも相似形とする必要はない。たとえば、電流阻止層１８の平面パターンとして、平面視での中心（重心）がコンタクト部１６ｃの中心（重心）と一致する相似拡大パターンとし、そのパターンの一部を切り欠いたパターンとすれば、直線Ｌ方向において、直線Ｌ方向での電流阻止層１８の幅の中心Ｏ’と直線Ｌ方向でのコンタクト部１６ｃの幅の中心Ｏとを容易に異なるようにすることができる。つまり、中心を同一とする相似拡大パターンとする従来の電流阻止層１８のパターンに対して切り欠きを設ける、という簡易な手段によって中心Ｏ’とＯとを異ならせる（中心Ｏと中心Ｏ’が重ならないようにする）ことができる。
【００４７】
図５にその一例を示す。図５は、直線Ｌとしてコンタクト部１６ｃの円形の中心を通る場合（直線Ｌ方向での幅の中心Ｏと円形の中心が一致する場合）である。電流阻止層１８の平面パターンとして、その中心をコンタクト部１６ｃの中心と同一とし直径がコンタクト部１６ｃよりも大きな円形とし、その円形のうち、ｎ電極１７のコンタクト部１７ｃに近い側の一部を切り欠いたものである。このように切り欠きにより、直線Ｌ方向での電流阻止層１８の幅の中心Ｏ’はコンタクト部１６ｃの幅の中心Ｏから直線Ｌ方向においてコンタクト部１７ｃから遠ざかる方向にシフトさせることができる。このような場合が、電流阻止層１８の平面パターンのｐ側電流注入部１６ｃを包含する阻止層外形線の一部が、ｐ側電流注入部１６ｃの平面パターンの注入部外線線の相似拡大である場合に相当する。
【００４８】
電流阻止層１８には、ＳｉＯ2 以外にも、酸素を構成元素として含む透明な絶縁体、特にケイ素化合物を用いることができる。たとえば、金属酸化物、金属酸窒化物などであり、具体的にはＳｉＯＮ、Ａｌ2 Ｏ3 、ＴｉＯ2 、ＺｒＯ2 、ＨｆＯ2 、Ｎｂ2 Ｏ5 、などを用いることができる。他にも、ＡｌＮ、ＳｉＮなどの窒化物、ＳｉＣなどの炭化物、フッ化物、など種々の絶縁体を用いることができる。ただし、酸素を構成元素として含む絶縁体の場合、電流阻止層１８上に位置する透明電極１４の領域１４ａが、透明電極１４の他の領域よりもシート抵抗が高くなりやすく、本発明の効果を得やすい。それらの材料の単層でも多層でもよく、単結晶、多結晶、アモルファスのいずれの結晶状態であってもよい。また、光学膜厚が１／４波長で屈折率が異なる２種類の膜を交互に積層させた誘電体多層膜としてもよい。そのような誘電体多層膜を用いると反射率の向上によってｐ電極１６へと向かう光が減少し、ｐ電極１６による光の吸収が低減されるため、発光効率をより向上させることが可能である。
【００４９】
また、電流阻止層１８は、ｐ層１３より屈折率の小さな任意の材料を用いることが望ましい。ｐ層１３と電流阻止層１８との界面で光を全反射させ、光をｐ電極１６側へ向かわせないことで光取り出し効率を向上させることができる。ｐ層１３が複数の層で構成される場合には、最も電流阻止層１８に近い層よりも屈折率が低ければよい。ｐ層１３が基板側から順にｐ型クラッド層、ｐ型コンタクト層の積層である場合には、ｐ型コンタクト層よりも低い材料であればよい。
【００５０】
また、電流阻止層１８は、その側面がｐ層１３表面に対して５〜６０°の傾斜を有する形状とするのがよい。すなわち、素子に垂直な断面での形状は台形状（テーパー形状）となっていることが好ましい。このような形状とすることで、透明電極１４、ｐ電極１６、ワイヤなどの断切れを防止することができる。より望ましい傾斜角度は５〜３０°である。なお、このように電流阻止層１８の側面が傾斜を有する場合には、直線Ｌ方向での電流阻止層１８の幅は、電流阻止層１８下面（ｐ層１３側表面）での幅とし、その幅の中心をＯ’とする。また、コンタクト部１６ｃの側面が傾斜している場合には、直線Ｌ方向でのコンタクト部１６ｃの幅はコンタクト部１６ｃの下面（透明電極１４と接する側の表面）での幅とし、その幅の中心をＯとする。
【００５１】
電流阻止層１８の厚さは、λ／（４ｎ）（λは発光波長、ｎは電流阻止層１８の屈折率）より厚くすることが望ましい。λ／（４ｎ）より厚くすることで絶縁性と反射機能を十分とすることができる。より望ましくは１００ｎｍ以上である。また、電流阻止層１８の厚さは、１５００ｎｍ未満とすることが望ましい。これよりも厚いと、その厚さに起因する段差によって、ワイヤや透明電極１４、ｐ電極１６などに断切れなどの不具合が生じてしまう可能性があるためである。より望ましくは５００ｎｍ以下である。
【００５２】
以上のように、実施例１のIII 族窒化物半導体からなる発光素子では、平面視において電流阻止層１８はコンタクト部１６ｃを含むパターンであり、かつ、コンタクト部１６ｃにおける任意の位置を通り、その位置からｎ電極１７のコンタクト部１７ｃまでが最短距離となる直線をＬとして、直線Ｌ方向での電流阻止層１８の幅の中心Ｏ’が、直線Ｌ方向でのｐ電極１６のコンタクト部１６ｃの幅の中心Ｏよりもｎ電極１７のコンタクト部１７ｃから遠い位置となるように電流阻止層１８を設けている。これにより、駆動電圧の上昇が抑制されるという利点がある。以下、その理由について述べる。
【００５３】
ＳｉＯ2 からなる電流阻止層１８上にＩＺＯからなる透明電極１４を形成し、その後熱処理を行うと、透明電極１４のうち電流阻止層１８上に位置する領域１４ａのシート抵抗が熱処理前よりも高くなる。これは、電流阻止層１８に含まれる酸素が、熱処理時に拡散して透明電極１４に取り込まれ、透明電極１４の酸素が過剰となってキャリアが減少するために生じる現象と考えられる。
【００５４】
あるいは、電流阻止層１８表面の凹凸に起因して、透明電極１４の領域１４ａのシート抵抗が高くなることも考えられる。つまり、電流阻止層１８表面の凹凸に沿って透明電極１４が形成されるため、凹凸が大きいと電流阻止層１８上の透明電極１４の厚さがばらついて不均一となったり段切れが生じたりし、その結果、透明電極１４のうち領域１４ａのシート抵抗が他の領域よりも高くなってしまうのである。
【００５５】
直線Ｌ方向でのコンタクト部１６ｃの幅の中心Ｏと、直線Ｌ方向での電流阻止層１８の幅の中心Ｏ’とを一致させている場合には、図６（ｂ）のように、コンタクト部１６ｃから透明電極１４の領域１４ａを水平方向に流れ、ｐ層１３へと向かう電流は、領域１４ａを流れる距離が長くなるため流れにくくなる。その結果、駆動電圧が上昇してしまう。
【００５６】
そこで実施例１では、直線Ｌ方向での電流阻止層１８の幅の中心Ｏ’を、直線Ｌ方向でのコンタクト部１６ｃの幅の中心Ｏよりもコンタクト部１７ｃから遠い位置としている。これにより、図６（ａ）のように、コンタクト部１６ｃから透明電極１４の領域１４ａを水平方向にコンタクト部１７ｃ側に流れ、ｐ層１３へと向かう電流において、領域１４ａを流れる距離が短くなる。そのためシート抵抗の高い領域１４ａの影響を受けにくくなり電流は流れやすくなる。よって、駆動電圧の上昇が抑えられる。
【００５７】
なお、より駆動電圧の上昇を軽減するためには、図４、５におけるα−β間の距離が小さければ小さいほどよい。すなわち、直線Ｌ方向での電流阻止層１８の幅を２×ｄ１、直線Ｌ方向での電流注入部（図１、４、５に示す実施例１においてはコンタクト部１６ｃ、図３．Ａ、図３．Ｂに示す変形例においては孔２１ｐ）の幅を２×ｄ２として、α−β間の距離がｄ１−ｄ２よりも小さければ小さいほどよい（図１〜６参照）。α−β間の距離がｄ１−ｄ２と等しくなる場合が中心Ｏと中心Ｏ’が一致する場合であり、α−β間の距離がｄ１−ｄ２よりも小さくなるときが中心Ｏ’を中心Ｏよりもコンタクト部１６ｃから遠い位置とする場合である（図６参照）。ｐ電極１６のコンタクト部１６ｃの幅望ましくはコンタクト部１６ｃの直径の１／２以下、最も望ましいのはαとβを一致させることである。ここでαは、直線Ｌと電流阻止層１８の外周とが交わる２点のうち、ｎ電極１７のコンタクト部１７ｃに近い側の点である。また、βは、直線Ｌと電流注入部（図１、４、５に示す実施例１においてはコンタクト部１６ｃ、図３．Ａ、図３．Ｂに示す変形例においては孔２１ｐ）の外周とが交わる２点のうち、ｎ電極１７のコンタクト部１７ｃに近い側の点である。
【００５８】
次に、実施例１のIII 族窒化物半導体からなる発光素子の製造方法について、図７を参照に説明する。
【００５９】
まず、表面に凹凸加工が施されたサファイアからなる基板１０を用意し、水素雰囲気下で熱処理して表面に付着する不純物を除去した。
【００６０】
次に、ＭＯＣＶＤ法を用いて、基板１０上にｎ層１１、発光層１２、ｐ層１３を順に積層した（図７（ａ））。原料ガスには、Ｇａ源としてＴＭＧ（トリメチルガリウム）、Ａｌ源としてＴＭＡ（トリメチルアルミニウム）、Ｉｎ源としてＴＭＩ（トリメチルインジウム）、Ｎ源としてアンモニア、ｐ型ドーパントガスとしてビスシクロペンタジエニルマグネシウム、ｎ型ドーパントガスとしてシランを用いた。キャリアガスには水素と窒素を用いた。
【００６１】
次に、ｐ層１３上に電流阻止層１８を形成した。電流阻止層１８は、蒸着またはＣＶＤによってＳｉＯ2 膜を形成後、フォトリソグラフィとウェットエッチングによってパターン形成した。フォトリソグラフィ、スパッタまたは蒸着、リフトオフによってパターン形成してもよい。また、電流阻止層１８は、後に形成されるｐ電極１６のコンタクト部１６ｃの円形の平面パターンを内包する円形のパターンとした。さらに、電流阻止層１８の平面パターンとして、コンタクト部１６ｃの円形の中心に対して、電流阻止層１８の円形の中心を発光素子の短辺方向に後に形成されるｎ電極１７のコンタクト部１７ｃから遠ざけたパターンとした。
【００６２】
次に、ｐ層１３および電流阻止層１８上の所定領域に、透明電極１４を形成した（図７（ｂ））。透明電極１４は、スパッタによってＩＺＯ膜を形成後、フォトリソグラフィとウェットエッチングによってパターン形成した。その後、真空中、６５０℃で５分間、熱処理を行い、透明電極１４を焼成して低抵抗化した。
【００６３】
次に、ｐ層１３表面の所定の領域をドライエッチングして溝を形成し、溝の底面にｎ層１１を露出させた。そして、透明電極１４上の所定領域にｐ電極１６のコンタクト部１６ｃ、溝底面に露出するｎ層１１上の所定領域にｎ電極１７のコンタクト部１７ｃを形成した（図７（ｃ）参照）。コンタクト部１６ｃ、１７ｃは、フォトリソグラフィ、蒸着、リフトオフによってパターン形成した。コンタクト部１６ｃ、１７ｃはそれぞれ別に形成してもよいが、コンタクト部１６ｃ、１７ｃを同一材料とする場合には、コンタクト部１６ｃ、１７ｃを同時に形成してもよい。製造工程を簡略化でき、製造コストを低減することができる。その後、１５Ｐａの減圧酸素雰囲気下、５５０℃で５分間熱処理を行い、コンタクト部１６ｃ、１７ｃをアロイ化した。
【００６４】
ここで、透明電極１４の焼成、あるいはコンタクト部１６ｃ、１７ｃのアロイ化の熱処理により、透明電極１４のうち電流阻止層１８上に位置する領域１４ａの透明電極１４のシート抵抗が上昇する。透明電極１４の焼成のための熱処理ではおよそ１０〜２０倍、アロイ化の熱処理ではおよそ６００〜８００倍シート抵抗が上昇する。これは、透明電極１４であるＩＺＯが、電流阻止層１８であるＳｉＯ2 に起因する酸素を取り込んだためと考えられる。したがって、透明電極１４として透明導電性酸化物を用い、電流阻止層１８として酸素を構成元素として含む透明な絶縁体を用いた場合には、同様の現象が生じて透明電極１４のシート抵抗が上昇してしまうと考えられる。
【００６５】
次に、上方全面を覆うようにして絶縁膜１５を形成する。続いて全面に反射膜１９を形成し、フォトリソグラフィ、エッチングにより絶縁膜１５と反射膜１９との所定のパターンを形成した。その後に、さらに、全面に絶縁膜１５を形成し、絶縁膜１５の所定領域（コンタクト部１６ｃ、１７ｃの上部にあたる領域）をドライエッチングして絶縁膜１５を貫通する孔２１ｐ、２１ｎを形成した。孔２１ｐ、２１ｎの底面には、それぞれ、コンタクト部１６ｃ、１７ｃが露出する。そして、絶縁膜１５上に、フォトリソグラフィ、蒸着、リフトオフによって、ｐ電極１６のワイヤボンディング部１６ａ、配線状部１６ｂ、およびｎ電極１７のワイヤボンディング部１７ａ、配線状部１７ｂを形成した。ここで、配線状部１６ｂ、１７ｂは孔２１ｐ、２１ｎのそれぞれの内部も埋めるようにして形成し、孔２１ｐ、２１ｎの内部で、それぞれ、配線状部１６ｂとコンタクト部１６ｃ、および配線状部１７ｂとコンタクト部１７ｃが接続するようにした。反射膜１９は、絶縁膜１５の内部であって、ｐ電極１６のワイヤボンディング部１６ａ、配線状部１６ｂ、およびｎ電極１７のワイヤボンディング部１７ａ、配線状部１７ｂの正射影を含む下方領域に存在する。
【００６６】
次に、ワイヤボンディング部１６ａ、１７ａを除く全面に、ＣＶＤ法、フォトリソグラフィ、ドライエッチングによって保護膜を形成した。以上の方法により、図１に示す実施例１のIII 族窒化物半導体発光素子を作製した。
【実施例２】
【００６７】
図８は、実施例２のIII 族窒化物半導体からなる発光素子の断面図である。実施例２の発光素子は、実施例１の発光素子における電流阻止層１８に替えて電流阻止層２８としたものであり、電流阻止層２８は実施例１の電流阻止層１８の平面パターンを変更したものである。他の構成は実施例１の発光素子と同様である。
【００６８】
図９は、実施例２の発光素子を上方から見た時のコンタクト部１６ｃを拡大した図である。図８、９のように、電流阻止層２８の平面パターンは円形であり、平面視においてコンタクト部１６ｃを内包するパターンに形成されている。また、実施例１と同様にして直線Ｌを定義した場合に、直線Ｌ方向での電流阻止層２８の幅の中心Ｏ’を、直線Ｌ方向でのコンタクト部１６ｃの幅の中心Ｏよりもコンタクト部１７ｃに近い位置としたパターンである。
【００６９】
電流阻止層２８の平面パターンをこのようにすると、コンタクト部１６ｃから透明電極１４の領域１４ａを水平方向にコンタクト部１７ｃ側に流れ、ｐ層１３へと向かう電流は、領域１４ａを流れる距離が長くなり、流れにくくなる。一方でコンタクト部１７ｃ側とは反対側に向かう電流は、領域１４ａを流れる距離が短くなり、流れやすくなる。そのため、従来多く流れていたコンタクト部１７ｃ側の電流が減り、従来は少なかったコンタクト部１７ｃ側とは反対側の電流が多くなり、電流分布が均等化し、発光の均一性が向上されている。
【００７０】
なお、電流分布を均等とするためには、図８、９におけるα−β間の距離が大きければ大きいほどよい。すなわち、実施例１と同様にｄ１、ｄ２を定義した場合に、α−β間の距離がｄ１−ｄ２よりも大きければ大きいほどよい（図８、９参照）。α−β間の距離がｄ１−ｄ２よりも大きくなるときが中心Ｏ’を中心Ｏよりもコンタクト部１６ｃに近い位置とする場合である（図８、９参照）。望ましくはコンタクト部１６ｃの直径の１／２以上とすることである。α、βは実施例１と同様の定義である。
【実施例３】
【００７１】
図１０は、実施例３のIII 族窒化物半導体からなる発光素子の断面図である。また、図１１は、実施例３の発光素子を上方から見た平面図である。図１０は、図１１におけるＢ−Ｂでの断面である。Ｂ−Ｂは発光素子の短辺方向である。図１０のように、実施例３の発光素子は、平面視で長方形のフェイスアップ型素子である。図１０、１１中、実施例１の発光素子と同一構成部分については同一の符号を付している。
【００７２】
図１０のように、実施例３の発光素子は、透明電極１４上の構成が実施例１とは相違している。実施例１の発光素子は透明電極１４上に絶縁膜１５を設け、絶縁膜１５上にｐ電極１６を設けた構成であったが、実施例３の発光素子では、透明電極１４上に直接ｐ電極３６を設けている。また、ｎ電極３７がｎ層１１上に直接設けられている。また、電流阻止層１８に替えて電流阻止層３８が設けられている。電流阻止層３８は、平面パターン以外は電流阻止層１８と同様である。
【００７３】
図１１のように、ｐ電極３６は、透明電極１４上に接して設けられ、ワイヤボンディング部３６ａと、配線状部３６ｂを有している。それぞれ実施例１のワイヤボンディング部１６ａ、配線状部１６ｂと同一の平面パターンである。また、図１１のように、ｎ電極３７は、ｎ層１１上に接して設けられ、ワイヤボンディング部３７ａと、配線状部３７ｂを有している。それぞれ実施例１のワイヤボンディング部１７ａ、配線状部１７ｂと同一の平面パターンである。ｐ電極３６全体が本発明のｐ側電流注入部に相当し、ｎ電極３７全体が本発明のｎ側電流注入部に相当している。
【００７４】
電流阻止層３８は、ｐ層１３と透明電極１４との間に設けられている。電流阻止層３８の平面パターンは、ｐ電極３６を相似拡大したパターンであり、ｐ電極３６を内包するパターンである。また、実施例１と同様に直線Ｌを定義した場合に、直線Ｌ方向での電流阻止層３８の幅の中心Ｏ’が、直線Ｌ方向でのｐ電極３６の幅の中心Ｏよりもｎ電極３７から遠い位置となっている。また、実施例１と同様に、透明電極１４のうち電流阻止層３８上に位置する領域は、他の領域に比べてシート抵抗の高い領域１４ａとなっている。
【００７５】
直線Ｌの具体例として、図１１のように、Ｂ−Ｂと配線状部３６ｂとの交点Ｐを選んだ場合を説明する。この場合、点Ｐからｎ電極３７（配線状部３７ｂ）まで最短となる直線Ｌは、発光素子の短辺に平行な直線、つまり、Ｂ−Ｂと同一となる。配線状部３６ｂ、配線状部３７ｂが発光素子の長辺方向に平行であるためである。
【００７６】
以上のように電流阻止層３８を形成すると、実施例１と同様の効果を得ることができる。つまり、直線Ｌ方向での電流阻止層３８の幅の中心Ｏ’を、直線Ｌ方向でのｐ電極３６の配線状部３６ｂの幅の中心Ｏよりもｎ電極３７の配線状部３７ｂから遠い位置としているので、ｐ電極の配線状部３６ｂから透明電極１４の領域１４ａを水平方向にｎ電極３７の配線状部３７ｂへ向かって流れ、ｐ層１３へと向かう電流において、領域１４ａを流れる距離が短くなる。そのためシート抵抗の高い領域１４ａの影響を受けにくくなり電流は流れやすくなる。よって、駆動電圧の上昇が抑えられる。
【００７７】
より駆動電圧の上昇を軽減するためには、実施例１の場合と同様に、図１０におけるα−β間の距離が小さければ小さいほどよい。すなわち、実施例１と同様にｄ１、ｄ２を定義した場合に、α−β間の距離がｄ１−ｄ２よりも小さければ小さいほどよい（図１０参照）。望ましくはコンタクト部である配線状部３６ｂの線幅の１／２以下、最も望ましいのはαとβを一致させることである。α、βは実施例１の場合と同様の定義である。
【００７８】
なお、実施例３において、電流阻止層３８の直線Ｌ方向での中心Ｏ’が、ｐ電極３６の配線状部３６ｂの直線Ｌ方向での中心Ｏよりもｎ電極３７の配線状部３７ｂに近い位置となるようにすれば、実施例２と同様の効果を得ることができる。つまり、発光の均一性を高めることができる。この場合は、実施例２と同様に、α−β間の距離が大きければ大きいほどよい。すなわち、α−β間の距離がｄ１−ｄ２よりも大きければ大きいほどよい。望ましくはコンタクト部である配線状部３６ｂの線幅の１／２以上とすることである。
【実施例４】
【００７９】
実施例４の発光素子は、直線Ｌ方向での電流阻止層１８の幅の中心Ｏ’を、直線Ｌ方向でのコンタクト部１６ｃ（特別なコンタクト部１６ｃを有さない図３．Ａの変形例では孔２１ｐ）の幅の中心Ｏよりもｎ電極１７のコンタクト部１７ｃから遠い位置とした実施例１と、電流阻止層２８の幅の中心Ｏ’を、中心Ｏよりもｎ電極１７のコンタクト部１７ｃに近い位置とした実施例２とを組み合わせた例である。その構造を図１２と図１２のＡ２−Ａ２矢視断面図である図１３に示す。同図は、特別なコンタクト部１６ｃ、１７ｃを有さずに、配線状部１６ｂが孔２１ｐを介して透明電極１４に直接、接合し、配線状部１７ｂが、孔２１ｎを介してｎ層１１のコンタクト層に、直接、接合している例である。それらの接合部がコンタクト部１６ｃ、１７ｃの機能を兼ねる。したがって、配線状部１６ｂと透明電極１４との接合部と、配線状部１７ｂとｎ層１１のコンタクト層との接合部とを、以下の全実施例において、「コンタクト部」という。
【００８０】
ラインＹ１上にあるｐ電極１６の直線状の配線状部１６ｂｙ１については、実施例１の構造を用い、ラインＹ２上にあるｐ電極１６の直線状の配線状部１６ｂｙ２については、実施例２の構造を用いるものである。ラインＹ２上の配線状部１６ｂｙ２は、ラインＹ１上の配線状部１６ｂｙ１よりは、チップ短辺の中央部から長辺に平行に伸びた直線状の配線状部１７ｂ（ｎ電極１７の）に近い。したがって、ラインＹ１上の配線状部１６ｂｙ１のコンタクト部１６ｄｙ１とｎ電極１７の配線状部１７ｂのコンタクト１７ｄ部間の第１経路の距離は、ラインＹ２上の配線状部１６ｂｙ２のコンタクト部１６ｄｙ２とｎ電極１７の配線状部１７ｄのコンタクト部１７ｄ間の第２経路の距離よりは長い。このため、第１経路の抵抗は第２経路の抵抗よりも大きくなる。
【００８１】
そこで、面上において均一な電流分布を実現するために、ラインＹ１上の電流阻止層１８ｙ１の幅の中心Ｏ’を、配線状部１６ｂｙ１のコンタクト部１６ｄｙ１の幅の中心Ｏに対して、チップ中央部の配線状部１７ｂから遠ざけることで、コンタクト部１７ｄに向かう電流阻止層１８ｙ１上の電流路を短くして、第１経路の抵抗を低減している。また、ラインＹ２上の電流阻止層１８ｙ２の幅の中心Ｏ’を、配線状部１６ｂｙ２のコンタクト部１６ｄｙ２の幅の中心Ｏに対して、チップ中央部の配線状部１７ｂに近づける。これにより、抵抗の小さい第２経路では、電流阻止層１８ｙ２上の経路の抵抗を大きくしている。逆に、電流阻止層１８ｙ２上のチップの長辺に向かう経路における電流阻止層１８ｙ２上の抵抗を、実施例２のように、小さくしている。これによりにチップ長辺に平行な直線状の配線状部１６ｂｙ１と配線状部１６ｂｙ２とが、チップ短辺の中点に対して非対称に配置されていても、チップの面上、したがって、発光層１２を垂直に流れる電流の面上の電流密度分布をより均一一様とすることができる。この結果、発光輝度を面上、一様且つ均一にすることができる。
なお、本実施例において、実施例１の図１、実施例２の図８に示された、特別のコンタクト部１６ｃ、１７ｃを有しても良い。
【実施例５】
【００８２】
実施例５の発光素子は、図１１に示す実施例３の構造に、実施例４のｐ電極の配線状部の配置をチップ短辺の中点に対して非対称とした例である。
実施例５の発光素子は、図１４に示すように、チップ長辺に平行に直線状に伸びた電流阻止層３８ｙ１の直線Ｌ方向での幅（チップ短辺に平行）の中心Ｏ’を、チップ長辺に平行に直線状に伸びた配線状部３６ｂｙ１の直線Ｌ方向での幅の中心Ｏよりもｎ電極３７の配線状部３７ｂから遠い位置とした実施例１と、電流阻止層３８ｙ２の幅の中心Ｏ’を、配線状部３６ｂｙ２の幅の中心Ｏよりもｎ電極１７の配線状部３７ｂに近い位置とした例とを組み合わせた例である。
【００８３】
ラインＹ１上にあるｐ電極３６の直線状の配線状部３６ｂｙ１については、実施例３の構造を用いている。ラインＹ２上の直線状の配線状部３６ｂｙ２は、ラインＹ１上の配線状部３６ｂｙ１よりは、チップ短辺の中央部から長辺に平行に伸びた直線状の配線状部３７ｂ（ｎ電極３７の）に近い。したがって、ラインＹ１上の透明電極１４に直接整合する配線状部３６ｂｙ１と、ｎ層１１のｎコンタクト層に直接接合する直線状の配線状部３７ｂ間の第１経路の距離は、ラインＹ２上の配線状部３６ｂｙ２とｎ電極３７の配線状部３７ｂ間の第２経路の距離よりは長い。このため、第１経路の抵抗は第２経路の抵抗よりも大きくなる。
【００８４】
そこで、面上において均一な電流分布を実現するために、ラインＹ１上の電流阻止層３８ｙ１の幅の中心Ｏ’を、配線状部３６ｂｙ１の幅の中心Ｏに対して、チップ中央部の配線状部３７ｂから遠ざけることで、電流阻止層３８ｙ１上の配線状部３７ｂに向かう経路を短くして、第１経路の抵抗を低減している。また、ラインＹ２上の電流阻止層３８ｙ２の幅の中心Ｏ’を、配線状部３６ｂｙ２の幅の中心Ｏに対して、チップ中央部の配線状部３７ｂに接近させる。これにより、抵抗の小さい第２経路では、電流阻止層３８ｙ２上の経路の配線状部３７ｂに向かう電流路の抵抗を大きくしている。逆に、電流阻止層３８ｙ２上のチップの長辺に向かう電流路における電流阻止層３８ｙ２上の抵抗を、実施例２と同様に、小さくしている。これによりにチップ長辺に平行な直線状の配線状部３６ｂｙ１と配線状部３６ｂｙ２とが、チップ短辺の中点に対して非対称に配置されていても、チップの面上、したがって、発光層１２を垂直に流れる電流の面上の電流密度分布をより均一一様とすることができる。この結果、発光輝度を面上、一様且つ均一にすることができる。
【実施例６】
【００８５】
本実施例６の発光素子は、実施例１と実施例２の構造を、チップ長辺方向において組み合わせた構造である。
図１５において、ｐ電極の配線状部４６ｂは、コンタクト部４６ｄとチップ短辺の中央部において長辺に平行に伸びたｎ電極４７の配線状部４７ｂのコンタクト部４７ｄとの距離（以下、「ｐ−ｎコンタクト部間距離」という）が、長い領域Ｅ１と短い領域Ｅ２とがチップ長辺方向に交互に表れるように波形に形成されている。本実施例は、図１に示すような特別なコンタクト部１６ｃ、１７ｃを有さずに、配線状部４６ｂが、図３に示すように、孔２１ｐを介して透明電極１４に直接、接合し、配線状部４７ｂが、図３に示すように、孔２１ｎを介してｎ層１１のコンタクト層に、直接、接合している例である。それらの接合部がコンタクト部１６ｃ、１７ｃの機能を兼ねる。したがって、配線状部４６ｂと透明電極１４との接合部をコンタクト部４６ｄｅ１、４６ｄｅ２、配線状部４７ｂとｎ層１１のコンタクト層との接合部とコンタクト部４７ｄとして表記する。
【００８６】
ｐ−ｎコンタクト部間距離の長い領域Ｅ１では、実施例１の構造を用い、ｐ−ｎコンタクト部間距離の短い領域Ｅ２では、実施例２の構造を用いる。領域Ｅ１の配線状部４６ｂのコンタクト部４６ｄｅ１と、配線状部４７ｂのコンタクト部４７ｄ間の最短経路である第１経路は、領域Ｅ２における配線状部４６ｂのコンタクト部４６ｄｅ２と、配線状部４７ｂのコンタクト部４７ｄ間の最短経路である第２経路よりも長い。このため、第１経路の抵抗は第２経路の抵抗よりも大きくなる。
【００８７】
そこで、面上において均一な電流分布を実現するために、領域Ｅ１にけおる電流阻止層１８ｅ１の幅の中心Ｏ’を、配線状部４６ｂのコンタクト部４６ｄｅ１の幅の中心Ｏに対して、チップ中央部の配線状部４７ｂから遠ざけることで、コンタクト部４７ｄに向かう電流阻止層１８ｅ１上の電流路短くして、第１経路の抵抗を低減している。また、領域Ｅ２においては、電流阻止層１８ｅ２の幅の中心Ｏ’を、配線状部４６ｂのコンタクト部ｄｅ２の幅の中心Ｏに対して、チップ中央部の配線状部４７ｂに接近させる。これにより、抵抗の小さい第２経路では、コンタクト部４７ｄに向かう電流阻止層１８ｅ２上の電流路の抵抗を大きくしている。逆に、電流阻止層１８ｅ２上のチップの長辺に向かう経路における電流阻止層１８ｅ２上の抵抗を、実施例２のように、小さくしている。これにより、チップの面上、したがって、発光層１２を垂直に流れる電流の面上の電流密度分布をより均一一様とすることができる。この結果、発光輝度を面上、一様且つ均一にすることができる。
なお、本実施例において、実施例１の図１、実施例２の図８に示された、特別のコンタクト部１６ｃ、１７ｃを有しても良い。
【実施例７】
【００８８】
本実施例は、実施例１の構造をｐ電極の配線状部の４個の端部に用い、実施例２の構造を他の領域に用いたものである。図１６に示すように、チップ中央部の領域Ｅ２においては、ｐ電極４８の配線状部４６ｂの一つのコンタクト部４６ｄｅ２と、それに最近接するｎ電極４７のコンタクト部４７ｄは２つ存在する。一方、チップの４隅である領域Ｅ１に存在するｐ電極４６の一つのコンタクト部４６ｄｅ１は、それに最近接するｎ電極４７のコンタクト部４７ｄは一つしか存在しない。したがって、領域Ｅ２におけるｐ電極４６の一つのコンタクト部４６ｄｅ２とｎ電極４７のコンタクト部４７ｄとの間の第２経路の抵抗は小さい。これに対して、領域Ｅ１におけるｐ電極４６の一つのコンタクト部４６ｄｅ１とｎ電極４７のコンタクト部４７ｄとの間の第１経路の抵抗は大きい。
【００８９】
そこで、面上において均一な電流分布を実現するために、領域Ｅ１にけおる電流阻止層１８ｅ１の幅の中心Ｏ’を、配線状部４６ｂのコンタクト部４６ｄｅ１の幅の中心Ｏに対して、チップ中央部の最近接のコンタクト部４７ｄから遠ざけることで、電流阻止層１８ｅ１上のコンタクト部４７ｄに向かう経路を短くして、第１経路の抵抗を低減している。また、領域Ｅ２においては、電流阻止層１８ｅ２の幅の中心Ｏ’を、配線状部４６ｂのコンタクト部ｄｅ２の幅の中心Ｏに対して、チップ中央部の配線状部４７ｂに接近させる。これにより、抵抗の小さい第２経路では、電流阻止層１８ｅ２上のコンタクト部４７ｄに向かう経路の抵抗を大きくしている。逆に、電流阻止層１８ｅ２上のチップの長辺に向かう経路の抵抗を、実施例２のように、小さくしている。これにより、チップの面上、したがって、発光層１２を垂直に流れる電流の面上の電流密度分布をより均一一様とすることができる。この結果、発光輝度を面上、一様且つ均一にすることができる。
なお、本実施例において、実施例１の図１、実施例２の図８に示された、特別のコンタクト部１６ｃ、１７ｃを有しても良い。
【実施例８】
【００９０】
本実施例８を、図１７に示す。実施例８は、図１１に示す実施例３の構造において、チップ長辺方向に電流阻止層とｐ電極のコンタクト部との位置関係を、チップ長辺方向に交互に変化させた構造である。図１１と同一機能を有する部分には、同一符号が付されている。ｐ電極３６のチップ長辺に平行な直線状に伸びた配線状部３６ｂはチップ短辺の中点に対して対称に配置されている。領域Ｅ１にけおる電流阻止層３８ｅ１の幅の中心Ｏ’を、配線状部３６ｂの幅の中心Ｏに対して、チップ中央部の配線状部３７ｂから遠ざける。一方、領域Ｅ２においては、電流阻止層３８ｅ２の幅の中心Ｏ’を、配線状部３６ｂの幅の中心Ｏに対して、チップ中央部の配線状部３７ｂに接近させる。そして、チップ長辺方向に、領域Ｅ１と領域Ｅ２とを交互に配置している。なお、チップの４隅は、領域Ｅ１とする。
【００９１】
このような構成とすると、領域Ｅ１では、配線状部３６ｂからチップ中央部の配線状部３７ｂの方向における電流阻止層３８ｅ１上の経路を短くして、抵抗を低減している。一方、領域Ｅ２においては、配線状部３６ｂからチップ中央部の配線状部３７ｂの方向における電流阻止層３８ｅ２上の経路を長くして、電流阻止層３８ｅ２上の経路の抵抗を大きくしている。逆に、電流阻止層３８ｅ２上のチップの長辺に向かう経路における電流阻止層３８ｅ２上の抵抗を、実施例２のように、小さくしている。このように、ｎ電極３７の配線状部３７ｂに向かう電流密度を大きくする領域Ｅ１と、チップ長辺に向かう電流密度を大きくする領域Ｅ２とを混在させている。発光層１２を垂直に流れる電流の面上の電流密度分布をより均一一様とすることができる。この結果、発光輝度を面上、一様且つ均一にすることができる。チップの４隅は、配線状部３６ｂとチップ中央部の配線状部３７ｂ間の電流密度が、中央部に比べて小さくなるので、この領域は領域Ｅ１とするのが良い。      
【００９２】
以上、実施例１〜８まで、多くの実施例で説明したが、本発明は、駆動電圧の上昇を抑制すると共にチップ面上の発光分布を均一することを目的としている。したがって、上記実施例の他、上記の実施例の思想を組み合わせて、以下の実施例とすることができる。
ｐ型電流注入部の中心Ｏと電流阻止層の前記中心Ｏ’とを一致させた場合の面上の発光分布よりも一様な発光分布とするように、各ｐ型電流中入部に対して、電流阻止層の中心Ｏ’とｐ側電流注入部の中心Ｏとの位置偏差及びその方向を決定する。すなわち、中心Ｏ’と中心Ｏを一致させた場合において、ｐ型電流中入部からそれに最近接したｎ型電流注入部へ向かう電流密度がチップの長辺に向かう電流密度よりも大きいところのｐ型電流注入部については、実施例２の中心Ｏ’を中心Ｏに対してｎ型電流中入部に近づける構造を採用する。逆に、ｐ型電流中入部からそれに最近接したｎ型電流注入部へ向かう電流密度がチップの長辺に向かう電流密度よりも小さいところのｐ型電流注入部については、実施例１の中心Ｏ’を中心Ｏに対してｎ型電流中入部から遠ざける構造を採用する。
以上の構成により駆動電圧の低減と発光分布の一様性を向上させることができる。
【００９３】
また、本実施例４−８は、直線Ｌ方向での電流阻止層の幅の中心Ｏ’が、直線Ｌ方向でのｐ側電流注入部の幅の中心Ｏよりも直線Ｌ方向においてｎ側電流注入部から遠い位置とする配置と、直線Ｌ方向での電流阻止層の幅の中心Ｏ’が、直線Ｌ方向での前記ｐ側電流注入部の幅の中心Ｏよりも直線Ｌ方向においてｎ側電流注入部に近い位置とする配置が混在している例である。
また、実施例４、６は、ｐ型電流注入部とそのｐ型電流注入部に最近接したｎ型電流注入部との間の距離に関して異なる複数の値が存在する場合において、最大距離と最小距離の和の１／２を平均距離とするとき、最大距離と平均距離との間に、距離が存在するｐ型電流注入部（１６ｄｙ１、４６ｄｅ１）については、直線Ｌ方向での電流阻止層の幅の中心Ｏ’が、直線Ｌ方向での前記ｐ側電流注入部の幅の中心Ｏよりも直線Ｌ方向においてｎ側電流注入部から遠い位置とした配置とし最小距離と平均距離との間に、距離が存在するｐ型電流注入部（（１６ｄｙ２、４６ｄｅ２）については、直線Ｌ方向での前記電流阻止層の幅の中心Ｏ’が、直線Ｌ方向での前記ｐ側電流注入部の幅の中心Ｏよりも直線Ｌ方向において前記ｎ側電流注入部に近い位置とした配置とした一例の特別な場合である。図１５のような場合において、ｐ型電流注入部がランダムに配置されている場合には、最近接のｎ型電流注入部との距離が多数存在するので、そのような場合に、距離に関して２郡に分けて、実施例１の配置と実施例２の配置を混在させても良い。
【００９４】
［変形例］
実施例１〜８の発光素子はいずれもフェイスアップ型素子であるが、本発明はフェイスアップ型に限らず、フリップチップ型の素子にも適用することができる。
【００９５】
また、実施例１において示した各種変形例は、他の実施例においても採用することができる。
【産業上の利用可能性】
【００９６】
本発明の発光素子は、照明装置、表示装置などに利用することができる。
【符号の説明】
【００９７】
１０：基板
１１：ｎ層
１２：発光層
１３：ｐ層
１４：透明電極
１５：絶縁膜
１６、３６：ｐ電極
１６ａ、１７ａ、３６ａ、３７ａ：ワイヤボンディング部
１６ｂ、１６ｂｙ１、１６ｂｙ２、１７ｂ、３６ｂ、３６ｂｙ１、３６ｂｙ２、３７ｂ、４６ｂ：配線状部
１６ｃ、１６ｄ、１７ｃ、１７ｄ、１６ｄｙ１、１６ｄｙ２、４６ｄ、４６ｄｅ１、４６ｄｅ２、４７ｄ：コンタクト部
１７、３７：ｎ電極
１８、１８ｅ１、１８ｅ２、１８ｙ１、１８ｙ２、２８、３８、３８ｙ１、３８ｙ２、３８ｅ１、３８ｅ２、４８ｅ１、４８ｅ２：電流阻止層
１９：反射膜
２１ｐ、２１ｎ：孔
【図１】
2016115920.tif 000003
【図２】
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【図３．Ａ】
2016115920.tif 000005
【図３．Ｂ】
2016115920.tif 000006
【図４】
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【図５】
2016115920.tif 000008
【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
2016115920.tif 000014
【図１２】
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【図１３】
2016115920.tif 000016
【図１４】
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【図１５】
2016115920.tif 000018
【図１６】
2016115920.tif 000019
【図１７】
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