(57)【要約】      （修正有）【課題】画像濃度ムラを低減した電子写真感光体を提供する。【解決手段】導電性基体と、光導電層と、表面層を有する電子写真感光体をプラズマＣＶＤ法で製造する方法。表面層がケイ素原子の原子数（Ｓｉ）と炭素原子の原子数（Ｃ）との和に対する炭素原子の原子数（Ｃ）の比が、光導電層側から表面側に向かって漸増している変化領域と、表面側に炭素比率が一定である一定領域とを有し、変化領域が第１３族原子を含有する上部電荷注入阻止部分と、第１３族原子を含有しない表面側部分とを有し、光導電層を成膜後に中断し、第１の内圧設定に変更し、一定の成膜休止期間を保持、その後に上部電荷注入阻止部分を成膜し、成膜中断後、第２の内圧設定に変更し、一定の成膜休止期間を保持、その後に表面側部分を成膜し、成膜中断後、第３の内圧設定に変更し、一定の成膜休止期間を保持、その後に一定領域を成膜する電子写真感光体の製造方法。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性基体と、前記導電性基体上の水素化アモルファスシリコンで構成された光導電層と、前記光導電層上の水素化アモルファスシリコンカーバイドで構成された表面層とを有する電子写真感光体をプラズマＣＶＤ法で製造する電子写真感光体の製造方法において、
前記表面層がケイ素原子の原子数（Ｓｉ）と炭素原子の原子数（Ｃ）との和に対する炭素原子の原子数（Ｃ）の比（以下、炭素比率という）が前記光導電層側から前記電子写真感光体の表面側に向かって漸増している変化領域を形成する工程と、
前記変化領域よりも表面側に位置し炭素比率が一定である一定領域を形成する工程とを有し、
前記変化領域を形成する工程が
第１３族原子を含有する上部電荷注入阻止部分を形成する工程と、
前記上部電荷注入阻止部分よりも表面側に位置し第１３族原子を含有しない表面側部分を形成する工程とを有し、
前記光導電層を成膜した後に成膜を中断し、
第１の内圧設定に変更した後に一定の成膜休止期間を保持し、その後に
前記上部電荷注入阻止部分を成膜した後に成膜を中断し、
第２の内圧設定に変更した後に一定の成膜休止期間を保持し、その後に
前記表面側部分を成膜した後に成膜を中断し、
第３の内圧設定に変更した後に一定の成膜休止期間を保持し、その後に
前記一定領域を成膜することを特徴とする電子写真感光体の製造方法。
【請求項２】
前記それぞれの成膜休止期間は１０分以上である請求項１に記載の電子写真感光体の製造方法。
【請求項３】
前記第２の内圧は前記第１の内圧よりも低く、前記第３の内圧は前記第２の内圧よりも高い請求項１または２に記載の電子写真感光体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はアモルファスシリコンからなる電子写真感光体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子写真の画像濃度ムラを抑制するために反射率のムラができるだけ小さい感光体を製造することが重要な課題となっている。感光体の反射率ムラが光感度の不均一の発生原因の一つとして知られている。反射率が不均一になる理由の一つは、感光体が繰り返し使用され、感光体表面が用紙、トナー、現像器、クリーナー等との摺擦で不均一に摩耗することで感光体表面層の膜厚にムラが発生するためである。
【０００３】
アモルファスシリコンからなる電子写真感光体は通常、導電性基体と導電性基体上の水素化アモルファスシリコンで構成された光導電層と光導電層上の水素化アモルファスシリコンカーバイドで構成された表面層を有する。
特許文献１には下記の点が記載されている。
ａ−ＳｉＣで構成された表面層中に、ケイ素原子の原子数（Ｓｉ）の表面領域と炭素原子の原子数（Ｃ）との和に対する炭素原子の原子数（Ｃ）の比（Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ））が光導電層側から感光体の表面側に向かって漸増している領域を設け滑らかに接続すること、
この変化接続領域において、シリコン原子と炭素原子と、および少なくとも１種の周期律表第１３族に属する原子の含有量を変化させること。以下、周期律表第１３族に属する原子を単に「第１３族原子」と記載する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００２−２３６３７９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
感光体表面が摩耗して経時的に発生する反射率のムラは、反射防止膜の技術、屈折率及び光学的バンドギャップ差の最適化、露光波長の工夫によって改善されてきた。しかしながら近年、電子写真技術の適用が進みつつある高画質な写真やプロダクション市場のポスターやグラフィックアート等の分野では画像濃度ムラに対する要求レベルは非常に厳しい。そのため感光体が摩耗して経時的に発生する反射率のムラを更に抑制する必要がある。そこで、本発明は画像濃度ムラを低減した電子写真感光体を製造する方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
導電性基体と、導電性基体上の水素化アモルファスシリコンで構成された光導電層と、光導電層上の水素化アモルファスシリコンカーバイドで構成された表面層を有する電子写真感光体をプラズマＣＶＤ法で製造する電子写真感光体の製造方法において、
表面層がケイ素原子の原子数（Ｓｉ）と炭素原子の原子数（Ｃ）との和に対する炭素原子の原子数（Ｃ）の比（以下、炭素比率という）が光導電層側から電子写真感光体の表面側に向かって漸増している変化領域を形成する工程と、
変化領域よりも表面側に位置し炭素比率が一定である一定領域を形成する工程とを有し、
変化領域を形成する工程が
第１３族原子を含有する上部電荷注入阻止部分を形成する工程と、
上部電荷注入阻止部分よりも表面側に位置し第１３族原子を含有しない表面側部分を形成する工程とを有し、
光導電層を成膜した後に成膜を中断し、
第１の内圧設定に変更した後に一定の成膜休止期間を保持し、その後に
上部電荷注入阻止部分を成膜した後に成膜を中断し、
第２の内圧設定に変更した後に一定の成膜休止期間を保持し、その後に
表面側部分を成膜した後に成膜を中断し、
第３の内圧設定に変更した後に一定の成膜休止期間を保持し、その後に
一定領域を成膜することを特徴とする電子写真感光体の製造方法。
【発明の効果】
【０００７】
本発明よれば画像濃度ムラを低減した電子写真感光体を提供することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の製造方法によって製造される電子写真感光体の層構成を示す図である。
【図２】光導電層および表面層を成膜する際の、炭素含有ガスおよびホウ素含有ガスの流量の設定および内圧の設定を模式的に示す図である。
【図３】本発明に適用できる堆積膜形成装置の例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
図１は、本発明の電子写真感光体の層構成の例を示す図である。本発明の電子写真感光体５０は、導電性基体５１と、導電性基体上の水素化アモルファスシリコンで構成された光導電層５３と、光導電層上の水素化アモルファスシリコンカーバイドで構成された表面層５４とを有する。負帯電感光体は基体側から光導電層への電荷（正孔）の注入を阻止するため基体５１と光導電層との間に下部電荷注入阻止層５２を有する。
【００１０】
表面層５４は、変化領域５５と、一定領域５６とを有している。
変化領域５５は、ケイ素原子の原子数（Ｓｉ）と炭素原子の原子数（Ｃ）との和に対する炭素原子の原子数（Ｃ）の比（Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ））すなわち炭素比率が、光導電層側から電子写真感光体の表面側に向かって漸増している。一定領域５６は、変化領域よりも表面側に位置し炭素比率が層厚方向に一定である。
変化領域５５は第１３族原子を含有する上部電荷注入阻止部分５８と、上部電荷注入阻止部分５８よりも表面側に位置し、第１３族原子を含有しない表面側部分５９とを有している。これらの各層はプラズマＣＶＤ法により成膜される。以下、基体および各層について説明する。
【００１１】
（基体５１）
基体５１は円筒形状で導電性を有している。基体の材料としては、例えば、銅、アルミニウム、ニッケル、コバルト、鉄、クロム、モリブデン、チタンの金属や、これらの合金を用いることができる。これらの中でも、加工性や製造コストの観点から、アルミニウム（アルミニウム合金）が好ましい。アルミニウム合金としては、例えば、Ａｌ−Ｍｇ系合金、Ａｌ−Ｍｎ系合金などが挙げられる。また、ポリエステル、ポリアミドなどの樹脂製の基体の表面を導電処理してなる基体を用いることもできる。
【００１２】
（下部電荷注入阻止層５２）
下部電荷注入阻止層は水素化アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）に炭素原子、窒素原子および酸素原子のうち少なくとも１種の原子をさらに含有している。必要に応じて下部電荷注入阻止層に電気伝導性を制御するための原子を含有させてもよい。電気伝導性を制御するための原子としては、周期律表第１５族に属する原子を用いることができる。以下、周期律表第１５族に属する原子を単に「第１５族原子」と記載する。
【００１３】
（光導電層５３）
光導電層は水素化アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）からなる。必要に応じて電気伝導性を制御するための原子を含有させてもよい。光導電層に含有させる電気伝導性を制御するための原子としては、光導電層にＰ型電気伝導性を与える第１３族原子、または、光導電層にＮ型電気伝導性を与える第１５族原子を用いることができる。光導電層は単一の層で構成されてもよいし機能の異なる複数の層で構成されてもよい。
【００１４】
（表面層５４の変化領域５５）
図２は光導電層および表面層を成膜する際の、炭素含有ガスおよびホウ素含有ガスの流量の設定および成膜時の内圧の設定の一例を模式的に示している。
Ｔ１１は光導電層の成膜期間、
Ｔ２０は成膜休止期間、Ｔ２１は表面層の変化領域の上部電荷注入阻止部分の成膜期間、Ｔ３０は成膜休止期間、Ｔ３１は表面層の変化領域の表面側部分の成膜期間、
Ｔ４０は成膜休止期間、Ｔ４１は表面層の一定領域の成膜期間をそれぞれ示している。
【００１５】
表面層５４は水素化アモルファスシリコンカーバイド（ａ−ＳｉＣ）からなる。
表面層５４の変化領域５５においては、炭素比率が光導電層側から感光体の表面側に向かって漸増している。層厚方向に組成を漸次変化させた変化領域で接続することで表面層側から露光された光が反射されることを低減し、表面層摩耗に起因した経時的な反射率の変動を抑制することが可能となる。これは組成を漸次変化することで連続した逆位相が形成され、入射光が相殺されるため反射光が低減するためと考えている。また光導電層と表面層内の変化領域とが接する境界部での屈折率の差をなくすかできるだけ小さくすることにより、当該境界部での反射光の量を小さくすることができる。
【００１６】
（変化領域５５の上部電荷注入阻止部分５８）
上部電荷注入阻止部分５８には電気伝導性を制御するための原子として第１３族原子をさらに含有する。上部電荷注入阻止部分における第１３族原子の含有量は、感光体の表面から光導電層への電荷（負電荷）の注入を阻止する能力の観点から、上部電荷注入阻止部分におけるａ−ＳｉＣ中のケイ素原子に対して、０．１〜３０００原子ｐｐｍであることが好ましい。第１３族原子の含有量が多いほど、Ｐ型電気伝導性が高まり、感光体の表面から光導電層への電荷（負電荷）の注入を阻止する能力が高まる。また、第１３族原子の含有量が少ないほど、上部電荷注入阻止部分における厚さ方向の正孔の移動度が小さくなるため、出力画像のボケが生じにくくなる。
【００１７】
変化領域５５の上部電荷注入阻止部分５８は以下のように成膜される。
光導電層５３を成膜した後に成膜を中断し、上部電荷注入阻止部分を成膜する第１の内圧設定に変更した後に一定の成膜休止期間を保持し、その後に上部電荷注入阻止部分５８を成膜する。上部電荷注入阻止部分を成膜する第１の内圧設定は好ましくは５３．３Ｐａ以上であることにより膜構造的な強度が強く、応力に耐性を持つ堆積膜を得ることができる。
一定の休止期間を保持し、その後に上部電荷注入阻止部分５８を成膜することにより変化領域５５が有する干渉防止効果がさらに向上する。この理由は次のように推測されている。
【００１８】
上部電荷注入阻止部分５８を形成するための第１の内圧設定、原料ガス流量およびヒーター設定に変更した直後はそれ以前の状態を引きずる。そのため設定を変更した後に直ちに成膜を開始すると所望の膜ができない。したがって、上部電荷注入阻止部分５８を形成するための第１の内圧設定と原料ガス流量およびヒーター設定に変更した後に一定の成膜休止期間を保持する。このようにすることにより光導電層５３から上部電荷注入阻止部分５８への接続をより滑らかにでき、表面層摩耗に起因した経時的な反射率の変動を抑制することが可能となると考えられる。一定の休止期間は典型的には１０分以上、好ましくは３０分以上を要する。
【００１９】
上部電荷注入阻止部分に含有させる第１３族原子としては、例えば、ホウ素原子（Ｂ）、アルミニウム原子（Ａｌ）、ガリウム原子（Ｇａ）、インジウム原子（Ｉｎ）、タリウム原子（Ｔｌ）などが挙げられる。
上部電荷注入阻止部分は変化領域５５内の炭素比率が０以上０．３以下の部分に設けられていることが好ましい。変化領域５５内の炭素比率が小さいほど第１３族原子のドーピング効率が向上し、上部電荷注入阻止部分における感光体の表面から光導電層への電荷注入を阻止する能力が高まる。
【００２０】
（変化領域５５の表面側部分５９）
変化領域５５の表面側部分５９は第１３族原子を含有しておらず、以下のように成膜される。上部電荷注入阻止部分５８を第１の内圧設定で成膜した後に成膜を中断する。そして、第２の内圧設定に変更した後に一定の成膜休止期間を保持し、その後に表面側部分５９を成膜する。
表面側部分５９を成膜する第２の内圧設定は第1の内圧設定よりも低く、好ましくは２６．６Ｐａ以下であることにより感光体の光メモリが抑制され、ゴースト画像の発生が抑制される。この理由は次のように推測されている。このような条件で成膜された堆積膜は伝導帯近傍の局在準位がブロードに存在する。その結果、露光により伝導帯に遷移したキャリアが伝導帯近傍の局在準位に遷移した後に局在準位間を遷移し、さらに局在準位から価電子帯に遷移する一連の遷移が円滑に起きる。結果的に光キャリアのトラップすなわち光メモリが抑制され、ゴースト画像の発生が抑制される。
【００２１】
本発明者らが鋭意検討した結果、内圧を変更し、内圧が安定したら直ちに成膜を開始するのではなく、休止期間を設けた方が反射率の変動が抑えられるという相関が認められた。表面側部分５９を形成するための第２の内圧設定と原料ガス流量に変更した後に一定の成膜休止期間を保持することにより上部電荷注入阻止部分５８から表面側部分５９への接続をより滑らかにできる。その結果、表面層摩耗に起因した経時的な反射率の変動を抑制することが可能となると考えられる。一定の休止期間は典型的には１０分以上、好ましくは３０分以上を要する。
【００２２】
（表面層５４の一定領域５６）
表面層５４の一定領域５６は層厚方向に一定量の炭素原子を含有するａ−ＳｉＣからなる。表面層５４の一定領域５６は以下のように成膜される。変化領域５５の表面側部分５９を成膜した後に再び成膜を中断し、第３の内圧設定に変更した後に一定の成膜休止期間を保持し、その後に表面層５４の一定領域５６を成膜する。第２の内圧設定よりも高い第３の内圧設定に変更した後に一定の成膜休止期間を保持することにより原子間の結合力が強く、欠陥が少ない、高密度な膜構造を得ることができる。膜構造としては炭素比率が０．６１以上０．７５以下であり、かつＳｉの原子密度とCの原子密度の和が６．６０×１０２２原子／cm3以上のａ-ＳiＣであることが好ましい。
【００２３】
一定領域５６を形成するための第３の内圧設定と原料ガス流量およびヒーター設定に変更した後に一定の成膜休止期間を保持する。このようにすることにより、変化領域５５と一定領域５６の接続をより滑らかにでき、表面層摩耗に起因した経時的な反射率の変動を抑制することが可能となる。一定の休止期間は典型的には１０分以上、好ましくは３０分以上を要する。
【００２４】
(堆積膜の形成)
図３は本発明の電子写真感光体の各層を成膜するためのプラズマＣＶＤによる堆積膜形成装置の模式的な断面図である。堆積膜形成装置１は底部材２、蓋部材３、壁部材４、絶縁部材５で構成される反応容器６を有している。底部材２、蓋部材３は接地電位とされている。壁部材４には高周波マッチングボックス２１を介して高周波電源２２が接続されている。反応容器６には、ミキシング装置２３、原料ガス流入バルブ２４、接続配管２５および原料ガス導入管２６を介してガスが導入される。
【００２５】
ミキシング装置２３は複数のガスの流量を個別に調整した後に混合することができる。反応容器６は排気口２７から排気配管２８を通じて真空ポンプユニット２９により排気することができる。本形態では高周波電源２２を用いているが、高周波に限らず原料ガスを分解できるエネルギーを有するマイクロ波、ＶＨＦ波、ＤＣ、ＤＣパルス等の電力を印加してもよい。反応容器６の内部には円筒状基体７および補助基体８を順に設置した基体ホルダー９が受け台１０に保持されている。受け台１０は回転機構４３により回転可能になっている。
【００２６】
水素化アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）の成膜は以下のように行うことができる。円筒状基体７および補助基体８が装着された基体ホルダー９を反応容器６内のホルダー受け部材１０に配置し、蓋部材３を閉じる。真空ポンプユニット２９により、反応容器６内を排気し、基体加熱用ガスを導入する。基体加熱用ガスとしては、例えば、アルゴン（Ａｒ）、ヘリウム（Ｈｅ）、窒素（Ｎ２）、水素（Ｈ２）などが挙げられる。
【００２７】
反応容器６内が所定の内圧になるように、真空計３０を確認しながら真空ポンプユニット２９の排気速度を調整する。この調整は、例えば、真空ポンプユニット２９のメカニカルブースターポンプの回転周波数を調整することによって行うことができる。反応容器６内が所定の内圧になった後、加熱用ヒーター１１により、円筒状基体７の温度を例えば２００〜４５０℃に制御する。
【００２８】
ミキシング装置２３により、堆積膜形成用のケイ素原子含有ガスと必要に応じて希釈ガスとを混合して、原料ガス導入管２６を介して、混合したガスを反応容器６内に導入する。反応容器６内が所定の内圧（例えば１３．３ｍＰａ〜１３３０Ｐａ）になるように、真空計３０を確認しながら、真空ポンプユニット２９の排気速度を調整する。
【００２９】
反応容器６内の圧力が安定した後、高周波マッチングボックス２１を介して、高周波電源２２から所定の高周波電力を壁部材４に供給する。すると、壁部材４と円筒状基体７および補助基体８との間にグロー放電が生起する。供給電力はＲＦ帯、ＶＨＦ帯の周波数の電力を用いることができる。高周波グロー放電の放電エネルギーによって反応容器６内に導入された堆積膜形成用ガスが励起され励起種が生成し、円筒状基体７上にアモルファスシリコン膜が成膜される。
【００３０】
ケイ素原子含有ガスとしては、シラン（ＳｉＨ４）、ジシラン（Ｓｉ２Ｈ６）、四フッ化ケイ素（ＳｉＦ４）、六フッ化二ケイ素（Ｓｉ２Ｆ６）などが挙げられる。ケイ素原子含有ガスと混合して用いられる希釈ガスとしては、例えば、水素（Ｈ２）、アルゴン（Ａｒ）、ヘリウム（Ｈｅ）などが挙げられる。また形成する堆積膜に求める機能に応じて種々のガスをさらに混合して用いる。光導電層にＰ型電気伝導性を与える第１３族原子を含むガスとしてはジボラン（Ｂ２Ｈ６）が挙げられる。光導電層にＮ型電気伝導性を与える第１５族原子を含むガスとしてフォスフィン（ＰＨ３）が挙げられる。水素化アモルファスシリコンカーバイド（ａ−ＳｉＣ）を形成するためにはケイ素原子含有ガスに加えて炭素含有ガスを用いる。炭素含有ガスとしてはメタン（ＣＨ4）、ジメチルシラン（ＳｉＨ２（ＣＨ３）２）が挙げられる。
【００３１】
堆積膜が形成された後、堆積膜形成用の原料ガスおよび高周波電力の供給および基体の加熱を停止し、反応容器６内を排気する。反応容器６および原料ガス導入管２６内をアルゴン（Ａｒ）、ヘリウム（Ｈｅ）、窒素（Ｎ２）などの不活性なガスを用いてパージ処理する。パージ処理が完了した後に円筒状基体７が所定の温度まで下がったら、基体ホルダー９を反応容器６内から搬出する。
【実施例】
【００３２】
(実施例１)
図１に示す電子写真感光体５０を図３の堆積膜形成装置を用いて作製した。基体５１として、外径φ８４ｍｍ、長さ３８１ｍｍ、肉厚３ｍｍのアルミニウムマグネシウム合金を用いた。
表１に下部電荷注入阻止層５２、光導電層５３の成膜条件を示し、表２に表面層５４の成膜条件を示す。表中の矢印はその左側の値から右側の値に線形に変化させることを表している。
【００３３】
光導電層５３の成膜、表面層５４の上部電荷注入阻止部分５８の成膜および表面層５４の表面側部分５９の成膜のそれぞれを終了した後に高周波電力の供給を一旦停止した。そして、次に成膜する層を成膜するための内圧と原料ガス流量に変更し、それぞれ３０分間の成膜休止期間を設けた。上部電荷注入阻止部分５８から表面側部分５９にかけてヒーター設定は変更しなかった。
【００３４】
【表１】
2016166980.tif 000003
【００３５】
【表２】
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【００３６】
（実施例２）
実施例１において成膜休止期間をそれぞれ１０分間としたほかは実施例１と同様にして電子写真感光体を作製した。
【００３７】
（比較例）
実施例１において成膜休止期間を設けないで、ガス流量および内圧が安定したら直ちに次の部分の成膜を開始した。ガス流量が安定するのに要した時間は１秒未満、内圧が安定するのに要した時間は８秒だった。その他は実施例１と同様にして電子写真感光体を作製した。
【００３８】
(長期使用時の感度ムラ評価)
長期使用時の感度ムラ評価を以下のように実施した。作製した電子写真感光体を、キヤノン（株）製複写機ｉＲＣ６８００を実験用にマイナス帯電方式に改造した電子写真装置（プロセススピード５００ｍｍ／秒）に、設置した。像露光を切った状態で電子写真感光体の長手方向中央位置における現像器位置の暗部電位が−４５０Ｖになるように主帯電器に供給する電流量を調整した。その後、像露光光を照射し現像器位置の明部電位が−５０Ｖになるように像露光光の光量を調整した。
【００３９】
この状態において電子写真感光体における暗部電位と明部電位との電位差（暗部電位−明部電位）の分布を以下の位置で測定し、その(暗部電位−明部電位)の平均値に対する(暗部電位−明部電位)の比を感度ムラとして測定した。電位分布の測定位置は電子写真感光体の長手方向９点（電子写真感光体の長手方向中央を基準として、０ｍｍ、±５０ｍｍ、±９０ｍｍ、±１３０ｍｍ、±１５０ｍｍ）とした。
【００４０】
この９点の測定値の最大値と最小値の比から以下に示す判断基準によってランク判定を行った。また、感度ムラの評価は２５万枚ごとに実施し１００万枚画像出力までの感度ムラを評価しその最悪値を採用した。感度ムラの評価は数値が小さいほど良く、ＤランクからＡランクへ向かうほど良好と判断される。
【００４１】
Ａ：１．０％未満の感度ムラ
Ｂ：１．０％以上２．０％未満の感度ムラ
Ｃ：２．０％以上４．０％未満の感度ムラ
Ｄ：４．０％以上の感度ムラ
【００４２】
長期使用時における感度ムラの評価結果を以下に示す。
実施例１：０．９８％（Ａ評価）、
実施例２：１．８５％（Ｂ評価）、
比較例  ：２．５１％（Ｃ評価）。
本発明の電子写真感光体は長期使用時の摩耗ムラに対して感度の変動が少ないことが分かった。
【符号の説明】
【００４３】
５０  電子写真感光体
５１  導電性基体
５２  上部電荷注入阻止層
５３  光導電層
５４  表面層
５５  変化領域
５６  一定領域
５８  上部電荷注入阻止部分
５９  表面側部分
【図１】
2016166980.tif 000005
【図２】
2016166980.tif 000006
【図３】
2016166980.tif 000007