(57)【要約】    【課題】  信頼性に優れるプリント配線板の提供    【解決手段】  導体層３４Ｆの側部３４Ｆｓはテーパしているため、端部ＣＰまで層間樹脂絶縁層用のフィルム５０Ｆαを構成する樹脂を充填させることが容易である。層間樹脂絶縁層用のフィルムを積層した際に、環状凹部４４ａｃ、４６ａｃ、４８ａｃに層間樹脂絶縁層用のフィルムを構成するが入り込むことで、アンカー効果が生じ、導体層から層間樹脂絶縁層が剥がれにくくなり、信頼性が向上する。【選択図】  図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板と、
前記絶縁基板を貫通する貫通穴に形成されているスルーホール導体と、
前記絶縁基板上に形成されているスルーホール導体に直接繋がっているスルーホール導体ランドと、
前記絶縁基板上に形成されている樹脂絶縁層と、を有するプリント配線板であって、
前記スルーホール導体に直接繋がっているランドは交互に積層されている電解めっき膜と無電解めっき膜からなり、前記無電解めっき膜は前記電解めっき膜の側壁からへこんでいる。
【請求項２】
請求項１のプリント配線板であって、
さらに前記絶縁基板に形成されているビア導体と前記ビア導体に直接繋がっているビア導体ランドは交互に積層されている電解めっき膜と無電解めっき膜からなり、前記無電解めっき膜は前記電解めっき膜の側壁からへこんでいる。
【請求項３】
請求項１のプリント配線板であって、
前記樹脂絶縁層に接している前記スルーホール導体ランド径と前記ビア導体ランド径は前記絶縁基板に接している前記スルーホール導体ランド径と前記ビア導体ランド径は小さい。
【請求項４】
請求項１のプリント配線板であって、
前記無電解めっき膜のへこみ深さは０．５μｍ〜３μｍである。
【請求項５】
請求項１のプリント配線板であって、
前記スルーホール導体ランドと前記ビア導体ランドは絶縁基板と接している側から金属箔、第１無電解めっき膜、第１電解めっき膜、第２無電解めっき膜、第２電解めっき膜、第３無電解めっき膜、第３電解めっき膜の７層で構成させている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、多層コア基板上にビルドアップ層を設けたプリント配線板に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１は、多層コア基板上にビルドアップ層を設けたプリント配線板を開示している。多層コア基板上の導体層は、銅箔と３層の導体膜とをエッチングすることで形成される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１４−２１６３７５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１では、多層コア基板上の導体層は、銅箔と３層の導体膜とで構成されるため、厚みが厚い。従って、該導体層上に層間樹脂絶縁層を積層する際に、導体層の端部（エッジ部分）まで層間樹脂絶縁層を完全に充填することが難しいと考えられる。
【０００５】
本発明の目的は、信頼性の高いプリント配線板を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係るプリント配線板は、絶縁基板と、前記絶縁基板を貫通する貫通穴に形成されているスルーホール導体と、前記絶縁基板上に形成されているスルーホール導体に直接繋がっているスルーホール導体ランドと、前記絶縁基板上に形成されている樹脂絶縁層と、を有する。そして、前記スルーホール導体に直接繋がっているランドは交互に積層されている電解めっき膜と無電解めっき膜からなり、前記無電解めっき膜は前記電解めっき膜の側壁からへこんでいる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本発明の実施形態に係るプリント配線板の製造工程図
【図２】実施形態のプリント配線板の製造工程図
【図３】実施形態のプリント配線板の製造工程図
【図４】実施形態のプリント配線板の製造工程図
【図５】実施形態のプリント配線板の製造工程図
【図６】実施形態のプリント配線板の製造工程図
【図７】実施形態のプリント配線板の製造工程図
【発明を実施するための形態】
【０００８】
本発明の実施形態に係るプリント配線板が図７（Ｂ）の断面図を参照して説明される。実施形態のプリント配線板１０は、第１面Ｆと第１面Ｆと反対側の第２面Ｓを有する多層コア基板３０と多層コア基板の第１面上に形成されている上側のビルドアップ層５５Ｆと多層コア基板の第２面下に形成されている下側のビルドアップ層５５Ｓを有する。
【０００９】
図４（Ｂ）は図７（Ｂ）中の多層コア基板３０を示す。多層コア基板３０は、表面と表面の反対側の裏面とを有する３枚の絶縁基板２０が、絶縁層２８を介して積層されて成る。絶縁基板２０の表面側には表面導体パターン２４Ｆが形成され、裏面側には裏面導体パターン２４Ｓが形成されている。即ち、多層コア基板３０の内層に６層の導体パターン２４Ｆ、２４Ｓが形成されている。多層コア基板３０の第１面Ｆ側には第１導体層３４Ｆが形成され、第２面Ｓ側には第２導体層３４Ｓが形成されている。最上層の絶縁層２８Ｆには、該最上層の絶縁層を貫通するビア導体４２Ｆが形成されている。最下層の絶縁層２８Ｓには、該最下層の絶縁層を貫通するビア導体４２Ｓが形成されている。多層コア基板３０には、全絶縁層及び絶縁基板２０を貫通する貫通孔３２が形成されており、貫通孔３２の内壁にスルーホール導体３６が形成されている。スルーホール導体の内側には樹脂と無機粒子を含む充填剤（樹脂充填剤）３８が充填されている。スルーホール導体の開口側の樹脂充填剤３８の端部には蓋めっき膜３６ＦＲ、３６ＳＲが形成されている。
【００１０】
図７（Ｂ）に示されるように、多層コア基板３０の第１面Ｆ上に上側のビルドアップ層５５Ｆが形成されている。上側のビルドアップ層５５Ｆは、上側の第１層間樹脂絶縁層５０Ｆ、第２層間樹脂絶縁層１５０Ｆ、第３層間樹脂絶縁層２５０Ｆ、第４層間樹脂絶縁層３５０Ｆ、第５層間樹脂絶縁層４５０Ｆ、第６層間樹脂絶縁層５５０、第７層間樹脂絶縁層６５０の７層の層間樹脂絶縁層を有する。上側の第１層間樹脂絶縁層５０Ｆ上には導体層５８Ｆが形成され、該導体層５８Ｆは、第１層間樹脂絶縁層５０Ｆを貫通するビア導体６０Ｆで第１導体層３４Ｆと接続されている。上側の第２層間樹脂絶縁層１５０Ｆ上には導体層１５８Ｆが形成され、該導体層１５８Ｆは、第２層間樹脂絶縁層１５０Ｆを貫通するビア導体１６０Ｆで導体層５８Ｆと接続されている。上側の第３層間樹脂絶縁層２５０Ｆ上には導体層２５８Ｆが形成され、該導体層２５８Ｆは、第３層間樹脂絶縁層２５０Ｆを貫通するビア導体２６０Ｆで導体層１５８Ｆと接続されている。上側の第４層間樹脂絶縁層３５０Ｆ上には導体層３５８Ｆが形成され、該導体層３５８Ｆは、第４層間樹脂絶縁層３５０Ｆを貫通するビア導体３６０Ｆで導体層２５８Ｆと接続されている。上側の第５層間樹脂絶縁層４５０Ｆ上には導体層４５８Ｆが形成され、該導体層４５８Ｆは、第５層間樹脂絶縁層４５０Ｆを貫通するビア導体４６０Ｆで導体層３５８Ｆと接続されている。上側の第６層間樹脂絶縁層５５０Ｆ上には導体層５５８Ｆが形成され、該導体層５５８Ｆは、第６層間樹脂絶縁層５５０Ｆを貫通するビア導体５６０Ｆで導体層４５８Ｆと接続されている。上側の第７層間樹脂絶縁層６５０Ｆ上には導体層（最上の導体層）５６８Ｆが形成され、該導体層６５８Ｆは、第７層間樹脂絶縁層６５０Ｆを貫通するビア導体６６０Ｆで導体層５５８Ｆと接続されている。
【００１１】
多層コア基板３０の第２面Ｓ下に下側のビルドアップ層５５Ｓが形成されている。下側のビルドアップ層５５Ｓは、下側の第１層間樹脂絶縁層５０Ｓ、第２層間樹脂絶縁層１５０Ｓ、第３層間樹脂絶縁層２５０Ｓ、第４層間樹脂絶縁層３５０Ｓ、第５層間樹脂絶縁層４５０Ｓ、第６層間樹脂絶縁層５５０Ｓ、第７層間樹脂絶縁層６５０Ｓの７層の層間樹脂絶縁層を有する。下側の第１層間樹脂絶縁層５０Ｓ下には導体層５８Ｓが形成され、該導体層５８Ｓは、第１層間樹脂絶縁層５０Ｓを貫通するビア導体６０Ｓで第２導体層３４Ｓと接続されている。下側の第２層間樹脂絶縁層１５０Ｓ下には導体層１５８Ｓが形成され、該導体層１５８Ｓは、第２層間樹脂絶縁層１５０Ｓを貫通するビア導体１６０Ｓで導体層５８Ｓと接続されている。下側の第３層間樹脂絶縁層２５０Ｓ下には導体層２５８Ｓが形成され、該導体層２５８Ｓは、第３層間樹脂絶縁層２５０Ｓを貫通するビア導体２６０Ｓで導体層１５８Ｓと接続されている。下側の第４層間樹脂絶縁層３５０Ｓ下には導体層３５８Ｓが形成され、該導体層３５８Ｓは、第４層間樹脂絶縁層３５０Ｓを貫通するビア導体３６０Ｓで導体層２５８Ｓと接続されている。下側の第５層間樹脂絶縁層４５０Ｓ下には導体層４５８Ｓが形成され、該導体層４５８Ｓは、第５層間樹脂絶縁層４５０Ｓを貫通するビア導体４６０Ｓで導体層３５８Ｓと接続されている。下側の第６層間樹脂絶縁層５５０Ｓ下には導体層５５８Ｓが形成され、該導体層５５８Ｓは、第６層間樹脂絶縁層５５０Ｓを貫通するビア導体５６０Ｓで導体層４５８Ｓと接続されている。下側の第７層間樹脂絶縁層６５０Ｓ下には導体層（最下の導体層）６５８Ｓが形成され、該導体層６５８Ｓは、第７層間樹脂絶縁層６５０Ｓを貫通するビア導体６６０Ｓで導体層５５８Ｓと接続されている。
【００１２】
上側のビルドアップ層５５Ｆ上に上側のソルダーレジスト層７０Ｆが形成され、下側のビルドアップ層５５Ｓ下に下側のソルダーレジスト層７０Ｓが形成されている。ソルダーレジスト層７０Ｆ，７０Ｓは、それぞれ最上の導体層６５８Ｆと最下の導体層６５８Ｓの少なくとも一部を露出している開口７１Ｆ，７１Ｓを有する。開口７１Ｆの内部に半田バンプ７６Ｆが形成されている。開口７１Ｓの内部に形成された半田７６Ｓを介して、電子部品９０が実装されている。
【００１３】
[製造方法]
実施形態のプリント配線板１０の製造方法が図１〜図６に示される。
補強材と樹脂を含む絶縁基板２０と絶縁基板２０の両面に形成されている銅箔２２から成る銅張り積層板２０Ａが用意される（図１（Ａ））。補強材として、例えばガラスクロス、アラミド繊維、ガラス繊維などが挙げられる。ガラスクロスが好適である。樹脂としては、エポキシ樹脂、ＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂などが挙げられる。銅箔２２にエッチングレジストが形成され、エッチングレジスト非形成部の銅箔が除去され、エッチングレジストが除去されることで、絶縁基板２０の表面側に表面導体パターン２４Ｆが形成され、裏面側に裏面導体パターン２４Ｓが形成される（図１（Ｂ））。
【００１４】
３枚の絶縁基板２０の間にプリプレグ２８αが配置され、最上の絶縁基板２０上にプリプレグ２８Ｆαを介して銅箔２６Ｆが配置され、最下の絶縁基板２０下にプリプレグ２８Ｓαを介して銅箔２６Ｓが配置される（図１（Ｃ））。ここで、最上の絶縁基板２０上のプリプレグ２８Ｆα、及び、最下の絶縁基板２０下のプリプレグ２８Ｓαとしては、層間樹脂絶縁層用樹脂フィルム（味の素社製：商品名；ＡＢＦ−４５ＳＨ））用いることが出来る。絶縁基板２０及びプリプレグ２８α、２８Ｆα、２８Ｓαが積層され、プリプレグが絶縁層２８、２８Ｆ、２８Ｓに硬化されて積層体１３０が形成される（図１（Ｄ））。積層体１３０は多層コア基板３０と同じ面に第１面Ｆ、第２面Ｓを有する。
【００１５】
ＣＯ２レーザで最上層の絶縁層２８Ｆに、該最上層の絶縁層を貫通するビア用開口４１Ｆが形成される。最下層の絶縁層２８Ｓに、該最下層の絶縁層を貫通するビア用開口４１Ｓが形成される（図２（Ａ１））。図２（Ａ２）に図２（Ａ１）中の円Ｃ１部分が拡大されて示される。銅箔２６Ｆに開口２６Ｆａが設けられ、ビア用開口４１Ｆは表面導体パターン２４Ｆに至る。第１無電解めっき膜４４ａ、第１電解めっき膜４４ｂによりビア用開口４１Ｆ、４１Ｓが充填され、ビア導体４２Ｆ、４２Ｓが形成される。同時に、銅箔２６Ｆ、２６Ｓ表面に第１無電解めっき膜４４ａ、第１電解めっき膜４４ｂが形成される（図２（Ｂ１））。図２（Ｂ２）に図２（Ｂ１）中の円Ｃ２部分が拡大されて示される。第１無電解めっき膜４４ａ、第１電解めっき膜４４ｂにより第１導体膜４４が構成される。
【００１６】
ドリルにより、ビア導体４２Ｆ、４２Ｓを有する積層体１３０にスルーホール導体用の貫通孔３２が形成される（図２（Ｃ１））。図２（Ｃ２）に図２（Ｃ１）中の円Ｃ３部分が拡大されて示される。スルーホール導体用の貫通孔３２により、銅箔などの金属箔２６Ｆと銅箔上の第１無電解めっき膜４４ａと第１無電解めっき膜上の第１電解めっき膜４４ｂの側壁が露出する。
【００１７】
ビア導体４２Ｆ、４２Ｓを有する積層体の表面、及び、スルーホール導体用の貫通孔３２の内壁に、第２無電解めっき膜４６ａが形成される。更に、第２無電解めっき膜４６ａ上に第２電解めっき膜４６ｂが形成される（図３（Ａ１））。図３（Ａ２）に図３（Ａ１）中の円Ｃ４部分が拡大されて示される。第２無電解めっき膜４６ａと第２無電解めっき膜上の第２電解めっき膜４６ｂで第２導体膜４６が構成される。第２導体膜４６によりスルーホール導体３６が形成される。第２無電解めっき膜４６ａは、貫通孔３２により露出されている金属箔２６Ｆの側壁と第１無電解めっき膜４４ａの側壁と第１電解めっき膜４４ｂの側壁上に形成される。第２電解めっき膜４６ｂも第２無電解めっき膜４６ａを介して金属箔の側壁と第１無電解めっき膜の側壁と第１電解めっき膜の側壁上に形成される。スルーホール導体３６は、貫通孔３２により露出している多層コア基板の絶縁層の側壁と金属箔２６Ｆ、２６Ｓの側壁と第１無電解めっき膜４４ａの側壁と第１電解めっき膜４４ｂの側壁上に形成される。
【００１８】
筒状のスルーホール導体３６内に樹脂充填剤３８が充填され、硬化された後、表面が研磨される（図３（Ｂ１））。樹脂充填材は、シリカ等の無機粒子とエポキシ等の樹脂を含む。図３（Ｂ２）に図３（Ｂ１）中の円Ｃ５部分が拡大されて示される。
【００１９】
第２電解めっき膜と樹脂充填剤３８上に第３無電解めっき膜４８ａが形成される。続いて、第３無電解めっき膜上に第３電解めっき膜４８ｂが形成される（図３（Ｃ１））。図３（Ｃ２）に図３（Ｃ１）中の円Ｃ６部分が拡大されて示される。第３無電解めっき膜と第３電解めっき膜で第３導体膜４８が形成される。スルーホール導体３６の開口側の樹脂充填剤３８の端部に、第３導体膜４８から成る蓋めっき膜３６ＦＲ、３６ＳＲが形成される。
【００２０】
第３導体膜４８上にエッチングレジスト６８が形成される（図４（Ａ１））。図４（Ａ２）に図４（Ａ１）中の円Ｃ７部分が拡大されて示される。
【００２１】
エッチングレジスト６８から露出する第３電解めっき膜４８ｂ、第３無電解めっき膜４８ａ、第２電解めっき膜４６ｂ、第２無電解めっき膜４６ａ、第１電解めっき膜４４ｂ、第１無電解めっき膜４４ａと金属箔２６Ｆ、２６Ｓが除去される。そして、エッチングレジスト６８が除去される。これにより、積層体１３０の第１面Ｆに第１導体層３４Ｆが形成され、第２面Ｓに第２導体層３４Ｓが形成される（図４（Ｂ１））。多層コア基板３０が完成する。第１導体層３４Ｆの平面図が図４（Ｃ１）中に示される。第１導体層３４Ｆには、配線３４ＦＬ、ビア導体ランド４２ＦＦ、スルーホール導体ランド３６ＦＦが含まれる。第２導体層３４Ｓには配線（図示されず）、ビア導体ランド４２ＳＳ、スルーホール導体ランド３６ＳＳが含まれる。
【００２２】
図４（Ｂ２）に図４（Ｂ１）中の円Ｃ８部分が拡大されて示される。第１導体層３４Ｆの厚みｂは３０〜４０μｍである。エッチングは、第３電解めっき膜４８ｂ、第３無電解めっき膜４８ａ、第２電解めっき膜４６ｂ、第２無電解めっき膜４６ａ、第１電解めっき膜４４ｂ、第１無電解めっき膜４４ａ、金属箔２６Ｆ、２６Ｓの順で除去されて行く。このため、エッチングの速度、及び、時間を調整することで、第１導体層３４Ｆ、第２導体層３４Ｓの側部３４Ｆｓ、３４Ｓｓにテーパが形成される。図４（Ｃ１）中に示されるように、第１導体層３４Ｆを構成する配線３４ＦＬは、頂部３４ＦＬｔ側の幅Ｇ２が小さく、底部３４ＦＬｂ側の幅Ｇ１が大きくなるように形成される。ビア導体ランド４２ＦＦは、
樹脂絶縁層５０Ｆ（図６参照）と接する頂部４２ＦＦｔ側の径Ｄ２が小さく、多層コア基板を構成する絶縁層２８と接している底部４２ＦＦｂ側の径Ｄ１が大きくなるように形成される。スルーホール導体ランド３６ＦＦは、樹脂絶縁層５０Ｆ（図６参照）と接する頂部３６ＦＦｔ側の径Ｅ２が小さく、多層コア基板を構成する絶縁層２８と接している底部３６ＦＦｂ側の径Ｅ１が大きくなるように形成される。ここで、無電解めっき膜は、電解めっき膜、銅箔よりも粒径が大きく、エッチングの進行速度が速い。このため、エッチングの液流、速度、及び、時間を調整することで、第３無電解めっき膜４８ａの側壁に環状凹部４８ａｃが形成され、第２無電解めっき膜４６ａの側壁に環状凹部４８ａｃが形成され、第１無電解めっき膜４４ａの側壁に環状凹部４８ａｃが形成される。環状凹部４８ａｃ、環状凹部４８ａｃ、環状凹部４８ａｃの深さｄ１は、０５μｍ〜３μｍの範囲である。ここで、深さｄ１とは、図４（Ｃ２）中に示されるように、電解めっき膜４４ｂ、４６ｂ、４８ｂの側面を結ぶ仮想線Ｌ１から最も凹んでいる部位４４ａｃｂへの深さを意味する。
【００２３】
多層コア基板３０の第１面Ｆに層間樹脂絶縁層用のフィルム５０Ｆαが、第２面Ｓに層間樹脂絶縁層用のフィルム５０Ｓαが圧着される（図５（Ａ１）。図５（Ａ２）に図５（Ａ１）中の円Ｃ９部分が拡大されて示される。銅箔２６Ｆ、第１導体膜４４、第２導体膜４６、第３導体膜４８から成る第１導体層３４Ｆは厚みが厚く（３０μｍ〜４０μｍ）、第１導体層３４Ｆの端部（底部３４Ｆｂの外端）ＣＰまで層間樹脂絶縁層を充填させることが難しい。しかし、実施形態のプリント配線板では、第１導体層３４Ｆ、第２導体層３４Ｓの側部３４Ｆｓ、３４Ｓｓはテーパしているため、端部ＣＰまで層間樹脂絶縁層用のフィルムを構成する樹脂を充填させることが容易である。更に、第１導体層３４Ｆ、第２導体層３４Ｓを構成する第１無電解めっき膜４４ａ、第２無電解めっき膜４６ａ、第３無電解めっき膜４８ａの側部に環状凹部４４ａｃ、４６ａｃ、４８ａｃが形成されている。このため、層間樹脂絶縁層用のフィルムを積層した際に、環状凹部４４ａｃ、４６ａｃ、４８ａｃに層間樹脂絶縁層用のフィルムを構成するが入り込むことで、アンカー効果が生じ、導体層から層間樹脂絶縁層が剥がれにくくなり、信頼性が向上する。
【００２４】
層間樹脂絶縁層用のフィルムが硬化され上側の第１層間樹脂絶縁層５０Ｆ、下側の第１層間樹脂絶縁層５０Ｓが形成される。ＣＯ２ガスレーザにて層間樹脂絶縁層５０Ｆ，５０Ｓにそれぞれ上側と下側のビア導体用の開口５１Ｆ、５１Ｓが形成される。下側と上側の層間樹脂絶縁層５０Ｆ，５０Ｓの表面と開口５１Ｆ、５１Ｓの内壁に無電解めっき膜５２，５２が形成される。無電解めっき膜５２上にめっきレジストが形成される。めっきレジストから露出する無電解めっき膜５２上に、電解めっき膜５６が形成される。めっきレジストが除去される。電解めっき膜間の無電解めっき膜５２がエッチングで除去される。上側と下側の導体層５８Ｆ，５８Ｓ及び上側と下側のビア導体６０Ｆ，６０Ｓが形成される（図５（Ｂ））。
【００２５】
次に上述の図５（Ａ１）、図５（Ｂ）の工程が繰り返され、７層の導体層５８Ｆ、１５８Ｆ、２５８Ｆ、３５８Ｆ、４５８Ｆ、５５８Ｆ、６５８Ｆを備える上側のビルドアップ層５５Ｆと、７層の導体層５８Ｓ、１５８Ｓ、２５８Ｓ、３５８Ｓ、４５８Ｓ、５５８Ｓ、６５８Ｓを備える下側のビルドアップ層５５Ｓが完成する（図６（Ａ））。
【００２６】
上側のビルドアップ層５５Ｆ上に開口７１Ｆを有する上側のソルダーレジスト層７０Ｆが形成され、下側のビルドアップ層５５Ｓ下に開口７１Ｓを有する下側のソルダーレジスト層７０Ｓが形成される（図６（Ｂ））。開口７１Ｆ，７１Ｓから露出される最上の導体層６５８Ｆと最下の導体層６５８Ｓがパッド７３Ｆ、７３Ｓとして機能する。
【００２７】
パッド７３Ｆ、７３Ｓ上にニッケルめっき膜、金めっき膜から成る保護膜７２が形成される（図７（Ａ））。
【００２８】
開口７１Ｆ，７１Ｓ内に半田ボールが搭載され、リフローが行われ、上側のビルドアップ層の半田パッド上に半田バンプ７６Ｆが形成される。下側のビルドアップ層の半田パッド下に半田７６Ｓが形成される。プリント配線板１０を完成する（図７（Ａ））。半田７６Ｓには電子部品９０が実装される。
【符号の説明】
【００２９】
２０  絶縁基板
２６Ｆ、２６Ｓ  銅箔
２８  絶縁層
３０  多層コア基板
３２  貫通孔
３４Ｆ  第１導体層
３６  スルーホール導体
４１Ｆ、４１Ｓ  ビア用開口
４４  第１導体膜
４４ａ  第１無電解めっき膜
４４ｂ  第１電解めっき膜
４６  第２導体膜
４６ａ  第２無電解めっき膜
４６ｂ  第２電解めっき膜
４８  第３導体膜
４８ａ  第３無電解めっき膜
４８ｂ  第３電解めっき膜
４４ａｃ、４６ａｃ、４８ａｃ  環状凹部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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