(57)【要約】【課題】大きさを維持しつつ、他の素子による発光素子の発光への影響を低減することができる発光装置を提供する。【解決手段】発光装置１０は、ｐ側端子３４とｎ側端子３３とにより電源が供給されて、ｐ側端子３４に対応する発光領域Ｓ１が発光するフリップチップ型の発光素子３０と、発光素子３０に隣接して配置され、発光素子３０を保護するための保護素子４０と、発光素子３０および保護素子４０が搭載素子として実装されるサブマウント基板２０とを備えている。保護素子４０は、発光素子３０にｎ側端子３３が形成されることによりできる非発光領域Ｓ２に隣接させて、サブマウント基板２０に実装されているため、発光素子３０の発光領域Ｓ１から出射される側方への光を遮断したり吸収したりせず、影響を与えない。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の電極と第２の電極とにより電源が供給されて、前記第１の電極に対応する発光領域が発光するフリップチップ型の発光素子と、
前記発光素子に隣接して配置された他の素子と、
前記発光素子および前記他の素子が搭載素子として実装される基体とを備え、
前記他の素子は、前記発光素子に前記第２の電極が形成されることによりできる非発光領域に隣接させて、前記基体に実装されていることを特徴とする発光装置。
【請求項２】
前記発光素子は、矩形状に形成され、
前記第２の電極は、角部に形成され、
前記他の素子は、前記発光素子の対角線の仮想延長線上に実装されている請求項１記載の発光装置。
【請求項３】
前記発光素子より広い範囲に、蛍光体を含有した蛍光部が形成され、
前記蛍光部は、前記他の素子の一部または全部を含む請求項１または２記載の発光装置。
【請求項４】
前記蛍光部は、前記発光素子および前記他の素子を封止する樹脂封止部に蛍光体を含有させたものである請求項３記載の発光装置。
【請求項５】
前記蛍光部は、前記発光素子の天面と前記他の素子の天面の一部または全部とを覆うシート部材により形成された請求項３記載の発光装置。
【請求項６】
前記発光素子および前記他の素子との周囲に反射部が形成されている請求項５記載の発光装置。
【請求項７】
前記蛍光部には、前記発光素子からの光を散乱させる拡散部が形成されている請求項１から６のいずれかの項に記載の発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数の電極により電源が供給されて発光するフリップチップ型の発光素子と、この発光素子に隣接して配置される１以上の他の素子とが、基体に実装され、封止される発光装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
発光装置は、発光素子だけでなく、例えば、発光素子の保護を目的として、他の素子も、一緒に基板に搭載され、樹脂封止部に封止されたものが知られている（特許文献１、２参照）。
【０００３】
特許文献１に記載の半導体発光装置は、ＬＥＤ素子とツェナーダイオードとが、回路基板の上面にフリップ実装されたものであり、金属膜や反射性微粒子とバインダーとを混練した白色インクにより形成された反射層を、回路基板とツェナーダイオードが接続する面とは反対側の面に備えたものである。
【０００４】
特許文献２に記載の発光装置は、発光素子とツェナーダイオードとが、第１基板および第２基板とを貼り合わせて形成された絶縁基板に搭載されており、発光素子が第１基板に、ツェナーダイオードが第２基板に搭載されることで、ツェナーダイオードを収納する収納部が形成され、発光素子から側方へ出射した光がツェナーダイオードによって阻害されることを防止したものである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１２−１５４３７号公報
【特許文献２】特開２００８−８５１１３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、特許文献１に記載の半導体発光装置では、ツェナーダイオードが、光学的な配慮がなされておらず、ＬＥＤ素子に隣接して実装されているため、ツェナーダイオードがＬＥＤ素子の側方に実装されている。このような実装位置では、ＬＥＤ素子から出射される側方への光はツェナーダイオードにより遮られてしまう。
【０００７】
特許文献２に記載の発光装置では、光学的な配慮により、ツェナーダイオードが発光素子より一段下がった位置に実装されている。しかし、ツェナーダイオードを発光素子の実装位置より一段下げるために、絶縁基板の厚みをツェナーダイオードの厚み以上とする必要がある。従って、特許文献２に記載の発光装置は、特許文献１に記載の半導体発光装置と比較して厚みが厚くなってしまう。
【０００８】
そこで本発明は、大きさを維持しつつ、他の素子による発光素子の発光への影響を低減することができる発光装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の発光装置は、第１の電極と第２の電極とにより電源が供給されて、前記第１の電極に対応する発光領域が発光するフリップチップ型の発光素子と、前記発光素子に隣接して配置された他の素子と、前記発光素子および前記他の素子が搭載素子として実装される基体とを備え、他の素子は、前記発光素子に前記第２の電極が形成されることによりできる非発光領域に隣接させて、前記基体に実装されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の発光装置によれば、他の素子が、発光素子の発光領域から出射される側方への光を遮断したり吸収したりせず影響を与えないため、他の素子の搭載位置を発光素子より一段下げる必要がなく、基体の厚みを厚くしなくてもよい。従って、本発明の発光装置は、大きさを維持しつつ、他の素子による発光素子の発光への影響を低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の実施の形態１に係る発光装置の正面図
【図２】図１に示す発光装置の平面図
【図３】図１に示す発光装置のサブマウント基板を示す平面図
【図４】図１に示す発光装置の発光素子の正面図
【図５】図１に示す発光装置の発光素子の底面図
【図６】図１に示す発光装置の発光素子と保護素子との接続を説明するための回路図
【図７】本発明の実施の形態２に係る発光装置の正面図
【発明を実施するための形態】
【００１２】
本願の第１の発明は、第１の電極と第２の電極とにより電源が供給されて、前記第１の電極に対応する発光領域が発光するフリップチップ型の発光素子と、前記発光素子に隣接して配置された他の素子と、前記発光素子および前記他の素子が搭載素子として実装される基体とを備え、前記他の素子は、前記発光素子に前記第２の電極が形成されることによりできる非発光領域に隣接させて、前記基体に実装されていることを特徴とした発光装置である。
【００１３】
第１の発明によれば、他の素子が発光素子に第２の電極が形成されることによりできる非発光領域に隣接させて配置されているため、他の素子が、発光素子の発光領域から出射される側方への光を遮断したり吸収したりしないため影響を与えない。従って、他の素子の搭載位置を発光素子より一段下げる必要がないため、基体の厚みを厚くしなくてもよい。
【００１４】
本願の第２の発明は、第１の発明において、発光素子は、矩形状に形成され、第２の電極は、角部に形成され、他の素子は、発光素子の対角線の仮想延長線上に実装されていることを特徴とした発光装置である。
【００１５】
第２の発明によれば、矩形状に形成された発光素子の角部に第２の電極が形成されているため、他の素子を発光素子の対角線の仮想延長線上に実装すれば、他の素子を発光素子に隣接して配置するときに、非発光領域に対応させることができる。
【００１６】
本願の第３の発明は、第１または第２の発明において、発光素子より広い範囲に、蛍光体を含有した蛍光部が形成され、蛍光部は、他の素子の一部または全部を含むことを特徴とした発光装置である。
【００１７】
第３の発明によれば、蛍光部が、発光素子からの光を受けると、発光素子の周囲だけでなく、他の素子の周囲の蛍光体が発光するため、発光素子の非発光領域の周囲も明るく発光させることができる。従って、保護素子が発光素子の非発光領域に隣接して配置されていても、樹脂封止部の蛍光体が発光するので、発光効率のよい発光装置とすることができる。
【００１８】
本願の第４の発明は、第３の発明において、蛍光部は、発光素子および他の素子を封止する樹脂封止部に蛍光体を含有させたことを特徴とした発光装置である。
【００１９】
第４の発明によれば、発光素子と他の素子を封止する樹脂封止部に蛍光体を含有させれば、発光素子と他の素子との周囲に蛍光体を含有させた蛍光部を形成することができ、他の素子の上方も蛍光体により明るく発光させることができる。
【００２０】
本願の第５の発明は、第３の発明において、蛍光部は、発光素子の天面と他の素子の天面の一部または全部とを覆うシート部材により形成されていることを特徴とした発光装置である。
【００２１】
第５の発明によれば、蛍光部が発光素子の天面と他の素子の天面の一部または全部とを覆うシート部材により形成されていることで、蛍光体を均一に分散させた蛍光部の厚みを均一とすることができるので、光の波長変換のばらつきを抑えることができる。
【００２２】
本願の第６の発明は、第５の発明において、発光素子および他の素子との周囲に反射部が形成されていることを特徴とした発光装置である。
【００２３】
第６の発明によれば、発光素子および他の素子との周囲に反射部が形成されているので、発光素子からの光を他の素子の影響を受けることなく、発光素子側へ戻すことができる。また、反射部が形成されていても、例えば、他の素子を発光素子の発光領域に隣接させていれば、他の素子が、直上に位置する蛍光部からの光を吸収してしまい、蛍光部の発光を低下させることで、暗部となってしまう。しかし、他の素子が発光素子の非発光領域に隣接して配置されているため、発光領域より外側の蛍光部の発光の妨げにならないため、蛍光部の発光効率の低下を防止することができる。
【００２４】
本願の第７の発明は、第１から第６のいずれかの発明において、蛍光部には、発光素子からの光を散乱させる拡散部が形成されていることを特徴とした発光装置である。
【００２５】
第７の発明によれば、蛍光部からの光を拡散させることにより、蛍光部を通過した発光素子からの光と蛍光体により全方位的に発光する黄色光とをバランスよく混色させることができるので、色ムラを抑えた白色とすることができる。
【００２６】
（実施の形態１）
本発明の実施の形態１に係る発光装置を、図面に基づいて説明する。
【００２７】
図１および図２に示す発光装置１０は、基体であるサブマウント基板２０と、発光素子３０と、他の素子である保護素子４０と、樹脂封止部５０と、拡散部６０とを備えている。
【００２８】
サブマウント基板２０は、図３に示すように、絶縁性基板２１の実装面に配線パターン２２が形成されたものである。配線パターン２２は、ト字状の第１パターン２２ａとコ字状の第２パターン２２ｂとから形成されている。なお、図１では配線パターン２２は図示していない。
【００２９】
サブマウント基板２０は、この配線パターン２２を素子用電極とし、この素子用電極に、発光素子３０と保護素子４０とを搭載素子として搭載している。この素子用電極は、絶縁性基板２１の底面に形成された接続用電極（図示せず）にスルーホール電極を介して接続されている。絶縁性基板２１としては、例えば、ガラスエポキシ樹脂やＢＴレジン（ビスマレイミドトリアジン樹脂系の熱硬化樹脂）、セラミックなどを採用することができる。
【００３０】
発光素子３０は、フリップチップ型の発光ダイオードである。発光素子３０は、バンプＢを介してサブマウント基板２０の搭載面に形成された素子用電極に導通搭載されている。
【００３１】
発光素子３０は、図４に示すように、基板３１と、半導体層３２と、ｎ側端子３３（第２の電極）と、ｐ側端子３４（第１の電極）とを備えている。基板３１は、半導体層を保持する役目を負うと共に、半導体層が積層された面とは反対側となる面が、光を出射する発光面となる。基板の材質としては、絶縁性のサファイアやＧａＮ、ＳｉＣ、ＡｌＧａＮ、ＡｌＮなどを採用することができる。基板３１の天面は、エッチング加工やブラスト加工、レーザーやダイシングブレードによる加工などにより微小な凹凸とした粗面とすることによりマイクロテクスチャ構造を有している。なお、基板３１がサファイア等で、ＧａＮより低屈折率である基板を基材とする場合には、平坦面で形成してもよい。
【００３２】
半導体層３２は、ｎ型層３２ａと、発光層３２ｂと、ｐ型層３２ｃとを基板３１上に順次積層したものである。これらの半導体層３２の材質は、窒化ガリウム系化合物であれば好ましい。具体的には、それぞれ、ｎ型層３２ａをＧａＮ、発光層３２ｂをＩｎＧａＮ、ｐ型層３２ｃをＧａＮとするなどである。なお、ｎ型層３２ａやｐ型層３２ｃとしては、Ａｌ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｎ系を用いることもできる。また、ｎ型層３２ａと基板３１との間に、ＧａＮやＩｎＧａＮで形成したバッファ層を形成することも可能である。更に、例えば、発光層３２ｂは、ＩｎＧａＮとＧａＮとを交互に積層した多層構造（量子井戸構造）とすることもできる。
【００３３】
ｎ側端子３３は、基板３１上に積層したｎ型層３２ａと発光層３２ｂとｐ型層３２ｃの一部から、発光層３２ｂとｐ型層３２ｃを除去し、ｎ型層３２ａを露出させ、この露出させたｎ型層３２ａ上に形成されている。ｐ側端子３４は、ｐ型層３２ｃ上に形成されている。ｐ側端子３４は発光層３２ｂで発した光を基板３１の側に反射するために反射率の高いＡｇやＡｌ、Ｒｈ等により形成された端子である。
【００３４】
ここで、ｐ側端子３４およびｎ側端子３３について、図５に基づいて説明する。
【００３５】
図５に示すように、ｎ側端子３３は、矩形状に形成された基板のそれぞれの角部に、扇の円弧側を内側に向けた形状に形成されている。ｐ側端子３４は、矩形から角部の扇部を除いた領域に形成されている。従って、ｐ側端子３４に対応する基板３１の天面および半導体層３２の側面の領域が発光領域Ｓ１となり、ｎ側端子３３により発光層３２ｂが除去されることで、ｎ側端子３３に対応する基板３１の天面および基板３１の側面の領域が非発光領域Ｓ２となる。
【００３６】
保護素子４０は、図１および図２に示すように、過度な電圧が発光素子３０に印加しないようにするためのものである。本実施の形態では、保護素子４０として、ツェナーダイオードを発光素子３０に接続している。保護素子４０は、矩形状に形成された発光素子３０の角部にｎ側端子３３が形成されているため、発光素子３０の対角線の仮想延長線Ｌ上に実装されている。この保護素子４０に発光素子３０を接続した状態の回路図を図６に示す。本実施の形態１では、保護素子４０をツェナーダイオードＺＤとしたが、ダイオードやバリスタ、コンデンサ、抵抗などとすることもできる。
【００３７】
樹脂封止部５０は、図１および図２に示すように、発光素子３０と保護素子４０との全体を覆うように形成されている。樹脂封止部５０は、樹脂もしくはガラスやセラミックスといった主材である透明媒体中に、発光素子３０からの光に励起されて補色となる光に波長を変換する蛍光体が含有されていることで蛍光部として機能する。
【００３８】
例えば、発光素子３０が青色光を発光する青色発光素子であれば、蛍光体は黄色光を発光するものとすることができる。黄色光を発光する蛍光体を樹脂封止部５０に含有させることで、発光素子３０からの青色光と蛍光体からの黄色光とが混色するので、白色光とすることができる。蛍光体としては、珪酸塩蛍光体やＹＡＧ系蛍光体を使用することができる。
【００３９】
透明媒体としては、例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂及びフッ素樹脂を主成分とする樹脂や、ゾルゲル法で作製されるガラス材料を用いることもできる。ガラス材料は硬化反応温度が摂氏２００度程度のものもあり、バンプや端子各部に用いる材料の耐熱性を考慮しても好適な材料と言える。
【００４０】
拡散部６０は、樹脂を主材とした透明媒体中に、樹脂封止部５０からの光を拡散させる拡散材を含有している。拡散材は、例えば、粒子状の二酸化ケイ素やセラミックなどとすることができる。透明媒体は、シリコーン樹脂、ガラス、アクリル樹脂等とすることができる。拡散部６０は、透明媒体に拡散材を含有させたシート部材を樹脂封止部５０に貼り付けたり、拡散材を含有させた透明媒体を印刷法により塗布したりして形成することができる。
【００４１】
以上のように構成された本発明の実施の形態１に係る発光装置１０の使用状態について説明する。
【００４２】
図１および図２に示す発光装置１０に電源が供給されると、発光素子３０の発光領域Ｓ１が発光する。発光装置１０には、発光素子３０を保護するための保護素子４０が搭載されているが、保護素子４０は、発光素子３０にｎ側端子３３を形成する際に発光層３２ｂが除去されてできる非発光領域Ｓ２に隣接させて配置されているため、保護素子４０が、発光素子３０の発光領域Ｓ１から出射される側方への光を遮断したり吸収したりしないため影響を与えない。
【００４３】
特に、本実施の形態１に係る発光装置１０では、矩形状に形成された発光素子３０の角部にｎ側端子３３が形成されている。そのため、保護素子４０を、発光素子３０の対角線の仮想延長線Ｌ上に実装することで、保護素子４０を発光素子３０に隣接して配置するときに、非発光領域Ｓ２に対応させることができる。
【００４４】
従って、保護素子４０の搭載位置を発光素子３０より一段下げる必要がないため、サブマウント基板２０の厚みを厚くしなくてもよいので、発光装置１０は、従来の発光装置の大きさを維持しつつ、保護素子４０による発光素子３０の発光への影響を低減することができる。
【００４５】
樹脂封止部５０に蛍光体を含有させて蛍光部として機能させることで、発光素子３０と保護素子４０との周囲に蛍光体を含有させた蛍光部を形成することができる。この樹脂封止部５０に発光素子３０からの青色光が入射して、拡散部６０に抜ける光と樹脂封止部５０内の蛍光体を励起する光となる。
【００４６】
蛍光体が含有された樹脂封止部５０は、発光素子３０より広い範囲であり、保護素子４０の全部を含むように形成されているため、発光素子３０からの光を受けると、発光素子３０の周囲だけでなく、保護素子４０の周囲の蛍光体が励起され発光するため、発光素子３０のｎ側端子３３の周囲も明るく発光する。従って、保護素子４０が発光素子３０の非発光領域Ｓ２に隣接して配置されていても、樹脂封止部５０の蛍光体が発光するので、発光面積を広く確保することができ、発光効率のよい発光装置１０とすることができる。
【００４７】
また、発光装置１０の天面であって、樹脂封止部５０の上面に、拡散部６０が形成されているため、樹脂封止部５０からの光を拡散させることにより、樹脂封止部５０を通過した青色光と蛍光体により全方位的に発光する黄色光とをバランスよく混色させることができるので、色ムラを抑えた白色とすることができる。従って、発光装置１０は、樹脂封止部５０での波長変換のばらつきを抑えつつ、拡散部６０から外部へ出射する光の色ムラを抑えることができる。
【００４８】
更に、拡散部６０がシート部材により形成されていれば、所定厚みのシート部材を貼り付けるだけなので、拡散度合いを均一にすることができる。
【００４９】
また、発光素子３０の基板の天面は、マイクロテクスチャ構造により凹凸面に形成されているため、発光素子３０の天面で全反射して、発光素子３０内へ返る戻り光を少なくすることができるので、発光素子３０の光取り出し効率を向上させることができる。従って、発光素子３０の直上方向への発光強度を高くすることができる。
【００５０】
（実施の形態２）
次に、本発明の実施の形態２に係る発光装置について、図面に基づいて説明する。なお、図７においては図１と同じ構成のものは同符号を付して説明を省略する。
【００５１】
図７に示すように、発光装置１０ｘは、発光素子３０の天面に、蛍光部７０と拡散部６０とが形成され、発光素子３０と保護素子４０との周囲に反射部８０が形成されている。
【００５２】
蛍光部７０と拡散部６０とは、シート状の光透過性部材に、蛍光体と拡散材とをそれぞれに含有させ、発光素子３０の天面に接着材により貼り合わせることで、２層構造のシート部材としたものである。蛍光部７０と拡散部６０とは、製造過程において一方の層を他方の層に積層することで密着した状態で貼り合わされる。シート部材は、発光素子３０の天面より大きく、一部が保護素子４０に覆うように形成されている。
【００５３】
蛍光部７０と拡散部６０とを貼り合わせ接合する接着材は、シリコーン樹脂製のものが使用できる。拡散部６０をシリコーン樹脂により形成し、接着材をシリコーン樹脂とすれば、拡散部６０への入射の際の屈折や反射を少ないものとすることができる。
【００５４】
反射部８０は、発光素子３０が搭載されたサブマウント基板２０上の領域であって、発光素子３０の搭載領域の残余の領域に、発光素子３０と、蛍光部７０および拡散部６０との周囲を囲うように、かつ保護素子４０を覆うように形成され、拡散部６０を露出させる高さに形成されている。反射部８０は、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、ユリア樹脂、シリコーン樹脂、フッ素樹脂などの樹脂もしくはガラスといった主材である透明媒体中に発光素子３０からの光を反射する粒状体の反射材を分散させたものである。反射部８０は、光を反射する反射材として酸化チタンや酸化亜鉛の粒子と分散剤とを液状樹脂に含有させたものを硬化させることで形成することができる。反射部８０を、粉体状の酸化チタンと分散剤とを液状樹脂に含有させたものを硬化させて形成することで、絶縁性を保ちつつ、反射機能を備えたものとすることができる。また、反射部８０を形成する際に、流動性を高めることを目的として、液状樹脂にチキソトロピー付与剤を添加してもよい。チキソトロピー付与剤としては、例えば、微粉末シリカ等が使用できる。
【００５５】
なお、本実施の形態２では、反射材として酸化チタンを使用しているが、酸化亜鉛、酸化アルミや二酸化ケイ素、窒化ホウ素なども反射材として使用することが可能である。つまり、反射材は、絶縁性を有すると共に、反射機能を有する金属酸化物であれば、使用することが可能である。
【００５６】
以上のように構成された本発明の実施の形態２に係る発光装置１０ｘの製造方法を説明する。
【００５７】
まず、発光素子３０および保護素子４０を、サブマウント基板２０へバンプＢを介して搭載する。次に、発光素子３０の天面に接着材を塗布して、発光素子３０より大きいサイズに形成された一枚化した蛍光部７０と拡散部６０とを貼り付ける。蛍光部７０と拡散部６０とが１枚のシート部材となっているため、簡単に発光素子３０に貼り付けることができる。
【００５８】
次に、印刷法またはポッティング法により、反射部８０となる反射材を含有した樹脂（反射材含有樹脂）を充填し、硬化させる。このとき反射材含有樹脂は、蛍光部７０と拡散部６０が覆われるように充填する。
【００５９】
そして、拡散部６０が露出するまで、硬化した反射材含有樹脂を切削して反射部８０を形成して、拡散部６０と反射部８０との高さ位置を合わせる。
【００６０】
このように、切削して拡散部６０と反射部８０との高さ位置を合わせることで、反射部８０が拡散部６０より低くなって拡散部６０の側面から光が漏れたり、反射部８０が拡散部６０を覆ってしまって光の出射を遮蔽したりすることを防止することができる。
【００６１】
このように、反射部８０により他の素子である保護素子４０の周囲を覆うことにより、発光素子３０から保護素子４０へ向かう光を発光素子３０へ戻すことができ、発光素子３０の天面から出射させることができる。
【００６２】
反射部８０が形成されていても、例えば、保護素子４０を発光素子３０の発光領域Ｓ１に隣接させていれば、保護素子４０が、直上に位置する蛍光部７０からの光を吸収してしまい、蛍光部７０の発光を低下させることで、暗部となってしまう。しかし、保護素子４０は発光素子３０の非発光領域Ｓ２に隣接して配置されているため、発光領域Ｓ１より外側の蛍光部７０の発光の妨げにならない。従って、蛍光部７０の発光効率の低下を防止することができる。
【００６３】
発光素子３０からの青色光は、蛍光部７０に入射して、蛍光部７０を通過して拡散部６０へ抜ける光と蛍光体を励起する光となるが、蛍光部７０がシート部材の一部として、シート状に形成されているため、蛍光部７０の厚みを均一とすることができるので、蛍光体による波長変換の度合いのばらつきを抑えることができる。また、拡散部６０がシート部材の一部として、シート状に形成されているため、拡散部６０の厚みを均一とすることができる。従って、拡散部６０による拡散の度合いを、全体的に均一にすることができるので、更に、色ムラを抑えたものとすることができる。従って、発光装置１０ｘは、蛍光部７０での波長変換のばらつきを抑えつつ、拡散部６０から外部へ出射する光の色ムラを抑えることができる。
【００６４】
シート部材は、発光素子３０の天面より大きいため、蛍光部７０による発光の面積を広く確保することができる。従って、高輝度な発光装置１０ｘとすることができる。
【００６５】
なお、本実施の形態１、２では、基体としてサブマウント基板２０を例に説明したが、金属薄板により形成されたリードフレームとしてもよい。また、他の素子として１個の保護素子４０がサブマウント基板２０に実装されていたが、発光素子３０のそれぞれの角部のｎ側端子３３に隣接させて２個から４個の保護素子や他の素子を配置させてもよい。
【００６６】
また、保護素子４０を発光素子３０の対角線の仮想延長線Ｌに配置したが、多少ずれていても、保護素子４０が発光素子３０の非発光領域Ｓ２に隣接して、発光領域Ｓ１からの光を遮蔽したり、吸収したりしない位置であればよい。
【００６７】
また、発光素子３０として青色光を発光するものとし、蛍光体として青色光の補色となる黄色光を発光するものを例に説明したが、発光素子は紫外線を発光するものとしたり、他の色を発光するものとしたりすることができる。また、蛍光体も他の色を発光するものとすることができる。
【００６８】
更に、本実施の形態１、２では、ｎ側端子３３が４つの発光素子３０を例に説明したが、１つから３つでも、５以上のｎ側端子が形成された発光素子でもよい。また、第１の電極がｎ側端子で、第２の電極がｐ側端子であったが、非発光領域がｐ側端子に対応する発光素子であれば、第１の電極がｐ側端子で、第２の電極がｎ側端子であってもよい。
【産業上の利用可能性】
【００６９】
本発明は、大きさを維持しつつ、他の素子による発光素子の発光への影響を低減することができるので、複数の電極により電源が供給されて発光するフリップチップ型の発光素子と、この発光素子に隣接して配置される１以上の他の素子とが、基体に実装され、封止される発光装置に好適である。
【符号の説明】
【００７０】
１０、１０ｘ  発光装置
２０  サブマウント基板
２１  絶縁性基板
２２  配線パターン
２２ａ  第１パターン
２２ｂ  第２パターン
３０  発光素子
３１  基板
３２  半導体層
３２ａ  ｎ型層
３２ｂ  発光層
３２ｃ  ｐ型層
３３  ｎ側端子
３４  ｐ側端子
４０  保護素子
５０  樹脂封止部
６０  拡散部
７０  蛍光部
８０  反射部
Ｂ  バンプ
Ｓ１  発光領域
Ｓ２  非発光領域
Ｌ  仮想延長線
ＺＤ  ツェナーダイオード
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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