(57)【要約】【課題】単一の配線導体層を有する微細配線で薄型の配線基板を良好に形成することが可能な配線基板の製造方法を提供すること。【解決手段】主面に銅箔５が剥離可能に保持された平坦な第１の支持基板４を準備し、次に銅箔５上に銅めっき層から成る配線導体層１を所定パターンに析出させ、次に露出する銅箔５上および配線導体層１上に、配線導体層１の一部を露出させる開口部２ａを有する第１のソルダーレジスト層２を形成し、次に第１のソルダーレジス層２上に平坦な第２の支持基板７を剥離可能に積層し、次に銅箔５から第１の支持基板４を剥離除去して銅箔５を露出させ、次に銅箔５をエッチング除去し、次に第１のソルダーレジスト層２および配線導体層１における銅箔５が除去された面に、配線導体層１の一部を露出させる開口部３ａを有する第２のソルダーレジスト層３を形成し、最後に第２の支持基板７を剥離除去する。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一方の主面に銅箔が剥離可能に保持された平坦な第１の支持基板を準備する工程と、前記銅箔上に銅めっき層から成る配線導体層を所定パターンに析出させる工程と、露出する前記銅箔上および前記配線導体層上に、前記配線導体層の一部を露出させる開口部を有する第１のソルダーレジスト層を形成する工程と、前記第１のソルダーレジスト層上に平坦な第２の支持基板を剥離可能に積層する工程と、前記銅箔から前記第１の支持基板を剥離除去して前記銅箔を露出させる工程と、前記銅箔をエッチング除去する工程と、前記第１のソルダーレジスト層および前記配線導体層における前記銅箔が除去された面に、前記配線導体層の一部を露出させる開口部を有する第２のソルダーレジスト層を形成する工程と、前記第１のソルダーレジスト層から前記第２の支持基板を剥離除去する工程と、を行うことを特徴とする配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子を搭載するため等に用いられる配線基板の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体集積回路素子等の半導体素子を搭載するための配線基板として、単一の配線導体層を有するものがある。このような配線基板の従来例を図４に示す。
【０００３】
図４に示すように、従来の配線基板２０は、絶縁層１１と、接着層１２と、配線導体層１３と、ソルダーレジスト層１４とを備えている。配線導体層１３は、絶縁層１１の上面に接着層１２を介して被着されている。さらにその上にソルダーレジスト層１４が被着されている。ソルダーレジスト層１４には、配線導体層１３の上面の一部を露出させる開口部１４ａが形成されている。この開口部１４ａから露出する配線導体層１３の上面には、半田バンプＢ１を介して半導体素子Ｓの電極が接続される。
【０００４】
絶縁層１１および接着層１２には、配線導体層１３の下面の一部を露出させる開口部１１ａが形成されている。この開口部１１ａから露出する配線導体層１３の下面には、外部の電気回路基板と接続するための半田ボール端子Ｂ２が被着される。
【０００５】
絶縁層１１は、例えばガラスクロス等の強化繊維にエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させた絶縁材料から成る。絶縁層１１の厚みは、例えば０．１ｍｍ程度である。接着層１２は、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂から成る。接着層１２の厚みは、例えば５０μｍ程度である。配線導体層１３は、銅箔から成る。配線導体層１３の厚みは、例えば１８μｍ程度である。ソルダーレジスト層１４は、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂から成る。ソルダーレジスト層１４の厚みは、配線導体層１３上で例えば２０μｍ程度である。
【０００６】
ここで、このような配線基板２０の製造方法を図５（ａ）〜（ｄ）を基に説明する。先ず、図５（ａ）に示すように、絶縁層１１上に接着層１２を積層するとともに、その上面から下面にかけて開口部１１ａを形成する。次に、図５（ｂ）に示すように、接着層１２上に銅箔１３Ｐを接着する。次に、図５（ｃ）に示すように、銅箔１３Ｐにエッチング加工を施すことにより所定パターンの配線導体層１３を形成する。最後に、図５（ｄ）に示すように、配線導体層１３から露出する接着層１２上および配線導体層１３上にソルダーレジスト層１４を形成する。
【０００７】
しかしながら、この従来の配線基板２０においては、配線導体層１３の下面側には、厚みが５０μｍの接着層１２と厚みが０．１ｍｍの絶縁層１１とが存在しており、その分、厚みが厚いものとなる。配線基板２０の厚みを薄いものとするために、絶縁層１１と接着層１２の厚みを薄いものとした場合、その分、絶縁層１１および接着層１２の強度が低下する。その結果、配線基板２０を形成する際に絶縁層１１および接着層１２に曲りや撓みが発生して配線基板２０を良好に製造することが困難となる。また、この従来の配線基板２０によれば、配線導体層１３は、厚みが１８μｍの銅箔１３Ｐにエッチング加工を施すことにより形成されることから、得られる配線パターンがサイドエッチングの影響を大きく受けるので微細な配線を形成することが困難である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開平８−１４８８２５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明が解決しようとする課題は、単一の配線導体層を有する微細配線で薄型の配線基板を良好に形成することが可能な配線基板の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の配線基板の製造方法は、少なくとも一方の主面に銅箔が剥離可能に保持された平坦な第１の支持基板を準備する工程と、前記銅箔上に銅めっき層から成る配線導体層を所定パターンに析出させる工程と、露出する前記銅箔上および前記配線導体層上に、前記配線導体層の一部を露出させる開口部を有する第１のソルダーレジスト層を形成する工程と、前記第１のソルダーレジスト層上に平坦な第２の支持基板を剥離可能に積層する工程と、前記銅箔から前記第１の支持基板を剥離除去して前記銅箔を露出させる工程と、前記銅箔をエッチング除去する工程と、前記第１のソルダーレジスト層および前記配線導体層における前記銅箔が除去された面に、前記配線導体層の一部を露出させる開口部を有する第２のソルダーレジスト層を形成する工程と、前記第１のソルダーレジスト層から前記第２の支持基板を剥離除去する工程と、を行うことを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の配線基板の製造方法によれば、平坦な第１の支持基板上に保持された銅箔上に配線導体層および第１のソルダーレジスト層を形成することから、配線導体層および第１のソルダーレジスト層を平坦な状態を保ったままで良好に形成することができる。また、配線導体層は、銅箔上に銅めっき層を所定パターンに析出させることにより形成されることから、得られる配線パターンがサイドエッチングに影響を受けることがないので微細配線の配線基板を提供することができる。さらに、第１のソルダーレジスト層上に平坦な第２の支持基板を剥離可能に積層した後、第１の支持基板を剥離除去して銅箔を露出させるとともにその銅箔をエッチング除去し、しかる後、平坦な第２の支持基板上に支持された状態の第１のソルダーレジスト層および配線導体層における銅箔が除去された面に第２のソルダーレジスト層を形成することから、第２のソルダーレジスト層を平坦な状態を保ったままで良好に形成することができる。またさらに、第２の支持基板を剥離除去した後は、第１のソルダーレジスト層と第２のソルダーレジスト層との間に配線導体層が積層された構造となることから、薄型の配線基板を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】図１は、本発明により製造される配線基板の例を示す概略断面図である。
【図２】図２（ａ）〜（ｄ）は、本発明の配線基板の製造方法を説明するための工程毎の概略断面図である。
【図３】図３（ｅ）〜（ｈ）は、本発明の配線基板の製造方法を説明するための工程毎の概略断面図である。
【図４】図４は、従来の配線基板を示す概略断面図である。
【図５】図５（ａ）〜（ｄ）は、従来の配線基板の製造方法を説明するための工程毎の概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
次に、本発明により製造される配線基板の一例を図１に示す。本例の配線基板１０は、配線導体層１と、第１のソルダーレジスト層２と、第２のソルダーレジスト層３とを備えている。
【００１４】
配線導体層１は、微細配線を含む多数の配線パターンを備えている。微細配線の線幅および間隔は、１０〜２０μｍ程度である。配線導体層１は、銅めっき層から成る。配線導体層１の厚みは、５〜２５μｍ程度である。
【００１５】
第１のソルダーレジスト層２は、配線導体層１の上面側に被着されている。第１のソルダーレジスト層２には、配線導体層１の上面の一部を露出させる開口部２ａが形成されている。この開口部２ａから露出する配線導体層１の上面には、半田バンプＢ１を介して半導体素子Ｓの電極が接続される。
【００１６】
第２のソルダーレジスト層３は、配線導体層１の下面側に被着されている。第２のソルダーレジスト層３には、配線導体層１の下面の一部を露出させる開口部３ａが形成されている。この開口部３ａから露出する配線導体層１の下面には、外部の電気回路基板と接続するための半田ボール端子Ｂ２が被着される。
【００１７】
第１のソルダーレジスト層２および第２のソルダーレジスト層３は、アクリル変性エポキシ樹脂等の感光性熱硬化性樹脂から成る。第１のソルダーレジスト層２および第２のソルダーレジスト層３の厚みは、配線導体層１の上下において、それぞれ５〜２５μｍ程度である。
【００１８】
本例の配線基板１０によれば、第１のソルダーレジスト層２および第２のソルダーレジスト層３は、配線導体層１の上下における厚みが５〜２５μｍと薄いことから、極めて薄型の配線基板１０を提供することができる。
【００１９】
次に、本発明の配線基板の製造方法における実施形態の一例を添付の図１〜図３を基に説明する。なお、図１〜図３において、上述の配線基板１０と同様の箇所には同様の符号を付し、その詳細な説明は省略する。
【００２０】
先ず、図２（ａ）に示すように、上面に銅箔５が剥離可能に保持された平坦な第１の支持基板４を準備する。第１の支持基板４は、配線基板の製造工程において、その平坦性を保つのに十分な剛性を有している。第１の支持基板４は、例えばガラスクロス等の強化繊維にエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させた絶縁材料から成る。第１の支持基板４の厚みは、０．１〜１ｍｍ程度である。
【００２１】
銅箔５は、キャリア銅箔６とともに第１の支持基板４上に保持されている。銅箔５とキャリア銅箔６との間は、図示しない粘着層により剥離可能に密着している。キャリア銅箔６と第１の支持基板４との間は、第１の支持基板４の熱硬化性樹脂を介して直接接合されている。したがって、銅箔５と第１の支持基板４とは、キャリア銅箔６の上面を境界にして剥離可能となっている。銅箔５の厚みは、３〜５μｍ程度である。キャリア銅箔６の厚みは、１２〜１８μｍ程度である。
【００２２】
次に、図２（ｂ）に示すように、銅箔５の上面に銅めっき層から成る配線導体層１を所定のパターンに析出させる。配線導体層１を析出させるには、以下の方法が採用される。まず、銅箔５上に、配線導体層１のパターンに対応する開口パターンを有するめっきマスクを形成する。次に、めっきマスクの開口パターン内の銅箔５上に電解めっき法により銅めっき層を析出させる。最後に、めっきマスクを剥離除去する。この場合、配線導体層１は、めっきマスクの開口パターン内に銅めっき層を析出させることにより形成されるので、得られる配線パターンがサイドエッチングの影響を全く受けない。そのため、例えば配線パターンの幅および間隔が１０〜２０μｍ程度の微細配線を形成することができる。なお、析出させる銅めっき層の厚みは、６〜３０μｍ程度とする。
【００２３】
次に、図２（ｃ）に示すように、露出する銅箔５上および配線導体層１上に、開口部２ａを有する第１のソルダーレジスト層２を形成する。第１のソルダーレジスト層２は、感光性熱硬化性の樹脂ペーストを、露出する銅箔５上および配線導体層１上に所定厚みに塗布した後、乾燥および露光・現像を行い、最後に紫外線硬化および熱硬化を行うことにより形成される。
【００２４】
この場合、銅箔５は平坦な第１の支持基板４上に保持されているので、配線導体層１および第１のソルダーレジスト層２を平坦な状態を保ったままで良好に形成することができる。
【００２５】
次に、図２（ｄ）に示すように、第１のソルダーレジスト層２上に、平坦な第２の支持基板７を剥離可能に積層する。第２の支持基板７の下面には、例えば銅箔から成る介在層８を設けておく。第２の支持基板７は、第１の支持基板４と同様の絶縁材料から成る。第２の支持基板７と介在層８との間は、第２の支持基板７の熱硬化性樹脂を介して直接接合されている。介在層８と第１のソルダーレジスト層２との間は、図示しない粘着層により剥離可能に密着している。したがって、第１のソルダーレジスト層２と第２の支持基板７とは、介在層８の下面を境界にして剥離可能となっている。介在層８の厚みは、１２〜１８μｍである。
【００２６】
次に、図３（ｅ）に示すように、銅箔５から第１の支持基板４をキャリア銅箔６とともに剥離除去して銅箔５を露出させる。銅箔５とキャリア銅箔６との間は図示しない粘着層により密着しているので、この間を引き剥すことにより銅箔５から第１の支持基板４を容易に除去することができる。
【００２７】
次に、図３（ｆ）に示すように、露出した銅箔５をエッチング除去する。銅箔５のエッチングには塩化第二鉄等を含む周知のエッチング液を用いる。このとき、第１のソルダーレジスト層２の下面に銅箔５が残らないようにするため、配線導体層１の下面が第１のソルダーレジスト層２の下面から１〜５μｍ程度凹むまでエッチングを行う。これにより配線導体層１の厚みは、減少して５〜２５μｍ程度となる。
【００２８】
次に、図３（ｇ）に示すように、銅箔５がエッチング除去された面に、開口部３ａを有する第２のソルダーレジスト層３を形成する。第２のソルダーレジスト層３は、第１のソルダーレジスト層２と同様の材料および同様の方法により形成される。
【００２９】
この場合、配線導体層１および第１のソルダーレジスト層２は平坦な第２の支持基板７に保持されているので、第２のソルダーレジスト層３を平坦な状態を保ったままで良好に形成することができる。
【００３０】
最後に、図３（ｈ）に示すように、第１のソルダーレジスト層２上から第２の支持基板７を剥離除去することにより、配線基板１０が完成する。このとき、介在層８と第１のソルダーレジスト層２との間は図示しない粘着層により密着しているので、この間を引き剥すことにより第１のソルダーレジスト層２から第２の支持基板７を容易に除去することができる。
【００３１】
かくして、本発明の配線基板の製造方法によれば、単一の配線導体層を有する微細配線で薄型の配線基板を良好に形成することができる。
【００３２】
なお、本発明は、上述の実施形態例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば、種々の変更は可能である。例えば、上述の実施形態例では、第１の支持基板４の上面のみに銅箔５を保持させたが、第１の支持基板４の上下両面に銅箔５を保持させ、それら両面の銅箔５上に配線導体層１および第１のソルダーレジスト層２を両面同時に形成しても良い。
【符号の説明】
【００３３】
１・・・配線導体層
２・・・第１のソルダーレジスト層
２ａ・・第１のソルダーレジスト層の開口部
３・・・第２のソルダーレジスト層
３ａ・・第２のソルダーレジスト層の開口部
４・・・第１の支持基板
５・・・銅箔
７・・・第２の支持基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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