(57)【要約】      （修正有）【課題】素子構成と製造プロセスを共に簡略化できる発光素子構造の低層化が可能であり、薄膜の安定性に優れた新規イミダゾール化合物の提供。【解決手段】式（１）で示されるイミダゾール化合物；前記イミダゾール化合物を含有する電子デバイス用材料；前記電子デバイス用材料を含有する発光素子；並びに前記発光素子を含む電子デバイス。2016104705.tif 000013（Ｒ１及びＲ２は各々独立に、Ｈ、カルバゾリル基が置換されていてもよい３−（カルバゾリル−９−イル）フェニル基等、Ｒ１及びＲ２のうち少なくとも１つは前記３−（カルバゾリル−９−イル）フェニル基；Ｒ３及びＲ４は各々独立して、フェニル基等）【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（１）で示されるイミダゾール化合物。
【化１】
2016104705.tif 000011
【化２】
2016104705.tif 000012
（式中、Ｒ１及びＲ２は、それぞれ独立して、一般式（２）に示す基、水素原子、一般式（２）に示す基以外の有機基のいずれかであって、Ｒ１及びＲ２のうち少なくとも１つが一般式（２）に示す基であり、Ｒ３〜Ｒ６は、それぞれ独立して、水素原子、一般式（２）に示す基以外の有機基のいずれかである。一般式（２）中の「＊」は結合手であることを示す。）
【請求項２】
請求項１記載のイミダゾール化合物を含有する電子デバイス用材料。
【請求項３】
請求項２記載の電子デバイス用材料を含有する発光素子。
【請求項４】
請求項２記載の電子デバイス用材料をホスト材料として含有する発光素子。
【請求項５】
請求項３又は４記載の発光素子を含む電子デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、新規イミダゾール化合物、電子デバイス用材料、発光素子、及び電子デバイスに関し、とりわけ有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子等の発光素子の発光層を構成する発光材料として、また発光素子の発光層を構成するホスト材料として有用な新規イミダゾール化合物、これを含有する電子デバイス用材料、この電子デバイス用材料を含有する発光素子、及びその発光素子を含む電子デバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
電子デバイス用材料、特には有機ＥＬ素子等の発光素子の発光層を構成する発光材料やホスト材料として、これまで様々な検討が行われてきている。
例えば、特許文献１には、２，４，５−トリアリール置換イミダゾール化合物及び１，２，４，５−テトラアリール置換イミダゾール化合物を青色蛍光発光材料に用いることが記載されている。
また、特許文献２には、フェニルピリジン誘導体を発光材料に用いること、２，４，５−トリス（６−ピリジルビフェニル）イミダゾール誘導体を燐光ホスト材料として用いることが記載されている。
さらに、非特許文献１には、ＣＢＰ（４，４’−ビス（カルバゾリル−９−イル）ビフェニル）やｍＣＰ（１，３−ジ（カルバゾリル−９−イル）ベンゼン）がホスト材料として用いることが記載されている。
また、非特許文献２には、ベンゾジフラン誘導体をバイポーラー性ホスト材料として用いることが記載されている。
【０００３】
燐光発光材料を発光材料（ドーパント）として用いた発光素子におけるホスト材料は、電子とホールの輸送能力を十分に持ち、且つ成膜性を有することが必要である。
【０００４】
しかしながら、良く知られたホスト化合物であるＣＢＰは薄膜の安定性が不十分である。またｍＣＰは素子を形成した際の熱安定性が低いという問題があった。
【０００５】
また、近年、高い発光効率を得るために、素子構造は非常に多くの層からなる多層構造になってきているので、素子構造の低層化による製造工程の簡略化、コストダウンが求められている。例えば非特許文献２に記載のベンゾジフラン誘導体を用いた発光素子においては、有機層の単層化ないし低層化を実現可能であるが、素子構成が特殊であり、製造が困難である。また、その成膜プロセスは真空蒸着法に限られるので、製造工程が煩雑であるという問題もある。すなわち、素子構成と製造プロセスをともに簡略化しうる電子デバイス用材料がこれまで見つかっていないのが現状である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】国際公開第２００５／０８５２０８号
【特許文献２】特開２００３−２８２２７０号公報
【非特許文献】
【０００７】
【非特許文献１】Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．２００３，８２，２４２２
【非特許文献２】Ａｄｖ．Ｍａｔｅｒ．２００９，２１，３７７６
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は上記の事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、発光素子構造の低層化が可能であり、薄膜の安定性に優れた新規イミダゾール化合物を提供することである。また、かかる新規イミダゾール化合物を含有する電子デバイス用材料、この電子デバイス用材料を含有する発光素子、その発光素子を含む電子デバイスを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意検討を重ねた結果、イミダゾール環の１位および／または２位に、特定のカルバゾール構造を有する置換基が結合したイミダゾール化合物が、上記課題を解決しうることを見出した。
また、上記イミダゾール化合物を含有する発光素子、例えば発光層におけるホスト材料として上記イミダゾール化合物を含有する発光素子が好適であることをも見出した。
【００１０】
すなわち、本発明は下記一般式（１）で示されるイミダゾール化合物を提供する。
【化１】
2016104705.tif 000002
【化２】
2016104705.tif 000003
（式中、Ｒ１及びＲ２は、それぞれ独立して、一般式（２）に示す基、水素原子、一般式（２）に示す基以外の有機基のいずれかであって、Ｒ１及びＲ２のうち少なくとも１つが一般式（２）に示す基であり、Ｒ３〜Ｒ６は、それぞれ独立して、水素原子、一般式（２）に示す基以外の有機基のいずれかである。一般式（２）中の「＊」は結合手であることを示す。）
なお、本発明のイミダゾール化合物の範囲には、金属錯体化合物が含まれない。
【００１１】
また、本発明は、本発明のイミダゾール化合物を含有する電子デバイス用材料を提供する。
さらに、本発明の電子デバイス用材料を含有する発光素子、本発明の電子デバイス用材料をホスト材料として含有する発光素子、本発明の発光素子を含む電子デバイスを提供する。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の新規イミダゾール化合物は、薄膜を成膜した場合に薄膜の安定性が高い。したがって、本発明の新規イミダゾール化合物を含有する電子デバイス用材料を用いて、例えば発光素子に適用した場合、発光効率が向上し、発光素子が長寿命化され、かかる発光素子を含む、ディスプレイ装置などの電子デバイスも長寿命化されるという効果が得られる。
本発明のイミダゾール化合物をホスト材料として用いることによって、安定で高い量子効率の発光素子を得ることができる。
また、本発明のイミダゾール化合物を含有する電子デバイス用材料は優れた成膜性を有していることから、溶液塗布、蒸着、溶融塗布法による成膜が可能となる。特に、ホスト材料として、さらに燐光ドーパントのホスト材料として、従来は難しかった溶液塗布、蒸着、溶融塗布法による発光層の成膜が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】実施例３で作成した発光素子の電圧−輝度曲線を示すグラフである。
【図２】実施例３で作成した発光素子の電圧−電流効率曲線を示すグラフである。
【図３】実施例４で作成した発光素子の電圧−輝度曲線を示すグラフである。
【図４】実施例４で作成した発光素子の電圧−電流効率曲線を示すグラフである。
【図５】比較例１で作成した発光素子の電圧−輝度曲線を示すグラフである。
【図６】比較例１で作成した発光素子の電圧−電流効率曲線を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下に、本発明を詳細に述べる。
本発明のイミダゾール化合物は、下記一般式（１）で示されるものである。
【００１５】
【化１】
2016104705.tif 000004
【化２】
2016104705.tif 000005
【００１６】
式中、Ｒ１及びＲ２は、それぞれ独立して、一般式（２）に示す基、水素原子、一般式（２）に示す基以外の有機基のいずれかであり、Ｒ３〜Ｒ６は、それぞれ独立して、水素原子、一般式（２）に示す基以外の有機基のいずれかである。
【００１７】
一般式（２）に示す基におけるＲ５はカルバゾール環の１〜４位の各炭素原子に結合し、Ｒ６はカルバゾール環の５〜８位の各炭素原子に結合していることを示す。なお、一般式（２）中の「＊」は結合手であることを示す。
【００１８】
Ｒ１〜Ｒ６における一般式（２）に示す基以外の有機基としては、例えば、炭素数１〜１０のアルキル基、フェニル基、多環芳香族炭化水素基、ビフェニル基が挙げられる。
【００１９】
Ｒ１〜Ｒ６における炭素数１〜１０のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、アミル基、イソアミル基、ｔｅｒｔ−アミル基、ネオペンチル基、ｎ−ヘキシル基などが挙げられ、好ましくは炭素数１〜８、特に好ましくは炭素数１〜６、さらに好ましくは炭素数１〜４のアルキル基である。
【００２０】
Ｒ１〜Ｒ６における多環芳香族炭化水素基としては、好ましくは炭素数９〜２０、より好ましくは炭素数１０〜１８、特に好ましくは炭素数１０〜１６の多環芳香族炭化水素基が挙げられる。
例えば、ペンタレニル基、インデニル基、アズレニル基、ナフチル基等の炭素縮合二環系、インダセニル基、ビフェニレニル基、アセナフチレニル基、フルオレニル基、フェナレニル基、フェナントリル基、アントラセニル基等の炭素縮合三環系、ピレニル基、クリセニル基等の炭素縮合四環系、ペリレニル基、ペンタフェニル基、ペンタセニル基等の炭素縮合五環系などが挙げられる。好ましくは炭素縮合二〜四環系であり、特に好ましくは炭素縮合二〜三環系である。
好ましくは炭素数１０〜１８の炭素縮合二〜四環系であり、特に好ましくは炭素数１０〜１６の炭素縮合二〜三環系である。
【００２１】
Ｒ１〜Ｒ６における炭素数１〜１０のアルキル基、フェニル基、多環芳香族炭化水素基、及びビフェニル基は、置換基を有していても良く、かかる置換基としては、例えば、アミノ基、芳香族炭化水素基を有するアミノ基（例えば、ジフェニルアミノ基、ジナフチルアミノ基など）、ハロゲン原子（例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子など）、ニトロ基、シアノ基、炭素数１〜６のアルキル基（例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、アミル基、イソアミル基、ｔｅｒｔ−アミル基、ネオペンチル基、ｎ−ヘキシル基など）、炭素数１〜６のアルコキシ基（例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基、ブチルオキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基など）、フェニル基、多環芳香族炭化水素基などが挙げられる。上記の芳香族炭化水素基、フェニル基、および多環芳香族炭化水素基は、アミノ基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、炭素数１〜６のアルコキシ基、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のフッ化アルキル基を有していても良い。
【００２２】
一般式（２）に示す基である場合を除くＲ１、一般式（２）に示す基である場合を除くＲ２、Ｒ３、及びＲ４としては、フェニル基、多環芳香族炭化水素基が好ましく、より好ましくはフェニル基である。フェニル基又は多環芳香族炭化水素基が置換基を有する場合の置換基としては、シアノ基、炭素数１〜４のアルコキシ基、及びジフェニルアミノ基が好ましい。
すなわち、フェニル基；シアノ基、炭素数１〜４のアルコキシ基、及びジフェニルアミノ基から選ばれる少なくとも１つの置換基を有するフェニル基；多環芳香族炭化水素基（例えば、ナフチル基、ピレニル基など）；シアノ基、炭素数１〜４のアルコキシ基、及びジフェニルアミノ基から選ばれる少なくとも１つの置換基を有する多環芳香族炭化水素基（例えば、ナフチル基、ピレニル基など）が好ましく、特には、フェニル基；シアノ基、炭素数１〜４のアルコキシ基、及びジフェニルアミノ基から選ばれる少なくとも１つの置換基を有するフェニル基が好ましい。
【００２３】
本発明においては、一般式（１）におけるイミダゾール環の１位および／または２位に、一般式（２）の基が結合していることが特徴であり、少なくともイミダゾール環の２位に一般式（２）の基が結合していること、すなわち少なくともＲ２が一般式（２）の基であることが好ましい。
【００２４】
一般式（１）で示されるイミダゾール化合物は、公知の方法により製造することができる。
【００２５】
本発明の一般式（１）で示されるイミダゾール化合物は電子デバイス用材料として発光素子や有機薄膜太陽電池等に好適に用いることができる。
詳細には、例えば、有機ＥＬディスプレイや有機ＥＬ照明などの発光素子の発光層に含まれるホスト材料として好適に用いることができる。
【００２６】
本発明の電子デバイス用材料は、本発明の新規イミダゾール化合物を通常１〜１００重量％にて含むものである。目的とする用途により、公知の溶媒、発光材料、他のホスト材料、添加剤等を０〜９９重量％含有していてもよい。
【００２７】
本発明の電子デバイスは、発光素子を含み、例えば、陰極及び陽極と、これら各極間に介在する発光層とを有する発光素子を含む。かかる発光素子としては、例えば、有機ＥＬ素子が挙げられる。有機ＥＬ素子では、陽極から正孔が、陰極から電子が発光層に注入され、それらが発光層中で再結合することにより励起子が生成し、これが失活する際に発光する。この有機ＥＬ素子は、発光光源、照明装置、表示デバイスなどの電子デバイスに応用できる。
なお、有機ＥＬ素子の陰極、陽極、及び発光層を構成するその他の材料などは、公知のものから適宜選択して用いることができる。また、上記素子は、陰極と発光層との間に電子輸送材料を含む電子輸送層を備えていてもよく、陽極と有機薄膜層との間に正孔輸送材料を含む正孔輸送層を備えていてもよい。また、陰極からの電子注入や、陽極からの正孔注入を目的に、キャリア注入材料を含むキャリア注入層を陰極または陽極とキャリア輸送層や発光層との間に備えていてもよい。これらの電子輸送材料、正孔輸送材料やキャリア注入材料も公知の材料を適宜用いることができる。
【００２８】
本発明のイミダゾール化合物は、電子デバイス用材料として発光層に含有されるホスト材料として好適に用いることができる。
２種以上の化合物で構成される発光層中において、混合比（質量比）の最も低い化合物が発光材料であり、混合比（質量比）の最も高い化合物がホスト材料である。例えば、発光層が化合物Ａ、化合物Ｂの２種から構成され、その混合比がＡ：Ｂ＝１０：９０であれば、化合物Ａが発光材料化合物であり、化合物Ｂがホスト化合物である。さらに、発光層が化合物Ａ、化合物Ｂ、化合物Ｃの３種から構成され、その混合比がＡ：Ｂ：Ｃ＝５：１０：８５であれば、化合物Ａが発光材料化合物であり、化合物Ｃがホスト化合物である。
【００２９】
また、かかる電子デバイス用材料は、本発明の新規イミダゾール化合物を含有するので、溶液塗布法、蒸着法、溶融塗布法により基板上に薄膜を成膜し発光素子を製造することが可能である。
例えば、本発明の電子デバイス用材料を用いて発光素子の発光層を成膜する方法としては、該電子デバイス用材料の溶液を基板上に塗布する方法、該電子デバイス用材料を基板上に蒸着する方法、該電子デバイス用材料を溶融させて基板上に塗布する方法が挙げられる。
【００３０】
かかる基板としては、一般的に電子デバイスに用いられる公知の基板が挙げられ、ガラス、水晶、サファイア、シリコン、炭化ケイ素、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリエーテルスルフォン、ポリイミド、ポリアラミド、シクロオレフィン系ポリマーおよびポリカーボネイトなどが挙げられる。
かかる基板は、ＩＴＯ等の透明導電層を有していても良い。
【００３１】
本発明の電子デバイス用材料の溶液を基板上に塗布する方法としては、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法、印刷法などが挙げられる。電子デバイス用材料の溶液に用いられる溶剤としては、例えば、トルエン、キシレンなどの芳香族化合物、１，２−ジクロロエタン、クロロベンゼンなどの含ハロゲン溶剤、エチレングリコールジメチルエーテルなどのエーテル系溶剤、酢酸エチルなどの脂肪族エステル、アセトン、メチルエチルケトンなどのケトン系溶剤、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドなどのアミド系溶剤、ジメチルスルホキシドなどが挙げられる。これらは１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
電子デバイス用材料の溶液を基板や他の層の上に塗布した後、必要に応じて、加熱乾燥や減圧乾燥などを行って溶剤を除去することによって、発光層が成膜される。
【００３２】
本発明の電子デバイス用材料を基板上に蒸着する方法としては、公知の蒸着法を適用することができる。
また、本発明の電子デバイス用材料を基板上に溶融塗布する方法としては、公知の溶融塗布法を適用することができる。
【実施例】
【００３３】
以下、実施例を挙げて本発明を更に具体的に説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の実施例に限定されるものではない。
実施例で得られた化合物は、それぞれ融点（ｍｐ）、赤外分光法（ＩＲ）、核磁気共鳴法（１Ｈ  ＮＭＲ、１３Ｃ  ＮＭＲ）、マトリックス支援レーザー脱離イオン化法（ＭＡＬＤＩ）と飛行時間型（ＴＯＦ）質量分析計（ＭＳ）を用いて同定した。実施例にて採用した分析条件等を実施例中に記載した。
【００３４】
〔参考例１〕
２−（３−ブロモフェニル）−１，４，５−トリフェニルイミダゾールの合成
３−ブロモベンズアルデヒド（５．５５ｇ）とアニリン（２．７９ｇ）に酢酸（３０ｍＬ）を加え、３０分間加熱還流後、ベンジル（６．３１ｇ）と酢酸アンモニウム（２．３１ｇ）を加えて更に５時間加熱還流した。反応混合物を室温まで放冷後、塩化メチレン（１００ｍＬ）を加えて抽出を行い、水（５０ｍＬ）で４回洗浄を行った。減圧下溶媒を留去した後、得られた残渣をエタノールで洗浄し、淡黄色固体として２−（３−ブロモフェニル）−１，４，５−トリフェニルイミダゾール（収率５１％）を得た。
【００３５】
〔実施例１〕
２−［３−（カルバゾリル−９−イル）フェニル］−１，４，５−トリフェニルイミダゾールの合成
【００３６】
【化３】
2016104705.tif 000006
【００３７】
参考例１で得られた２−（３−ブロモフェニル）−１，４，５−トリフェニルイミダゾール（２．００ｇ）、カルバゾール（０．８１ｇ）、ヨウ化銅（Ｉ）（１．０１ｇ）にＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（２８ｍＬ）を加え、５０時間加熱還流した。反応混合物を室温まで放冷後、塩化メチレン（３０ｍＬ）を加え、沈殿物をろ過した後、ろ液を水（４０ｍＬ）で３回洗浄した。減圧下、溶媒を留去した後、得られた残渣をシリカゲルクロマトグラフィーに付し、塩化メチレン溶出分をエタノ−ルで洗浄し、２−［３−（カルバゾリル−９−イル）フェニル］−１，４，５−トリフェニルイミダゾール（収率５１％）を得た。
【００３８】
２−［３−（カルバゾリル−９−イル）フェニル］−１，４，５−トリフェニルイミダゾールの物性値、及びスペクトルデータを示す。
【００３９】
【数１】
2016104705.tif 000007
【００４０】
〔実施例２〕
１−［３−（カルバゾリル−９−イル）フェニル］−２，４，５−トリフェニルイミダゾールの合成
【００４１】
【化４】
2016104705.tif 000008
【００４２】
９−（３−アミノフェニル）カルバゾール（５．００ｇ）とベンズアルデヒド（２．０６ｇ）を酢酸（１０ｍＬ）中で２０分間加熱還流した。その後、ベンジル（４．０７ｇ）と酢酸アンモニウム（１．４９ｇ）を加え２時間加熱還流した。反応終了後、反応混合物にメタノール（１００ｍＬ）を加え、析出してきた固体をろ取し、淡黄色固体を得た。得られた固体をジクロロメタン−エタノール（３：１）で再結晶し１−［３−（カルバゾリル−９−イル）フェニル］−２，４，５−トリフェニルイミダゾール（収率７６％）を得た。
【００４３】
１−［３−（カルバゾリル−９−イル）フェニル］−２，４，５−トリフェニルイミダゾールの物性値、及びスペクトルデータを示す。
【００４４】
【数２】
2016104705.tif 000009
【００４５】
＜真空蒸着法による素子の作成及び評価＞
〔実施例３〕
洗浄済みＩＴＯ基板（膜厚１１０ｎｍ）に真空蒸着にて１，１−ビス［（Ｎ，Ｎ−ジ−ｐ−トリルアミノ）フェニル］シクロヘキサン（４０ｎｍ）を製膜し、ホール輸送層を形成した。これにＩｒ（ｐｐｙ）３と実施例１のイミダゾール化合物を膜厚比２０：１になるように共蒸着に製膜し発光層（２０ｎｍ）を形成した。
次いで１，３，５−トリス［（ｐ−ピリド−３−イル）フェニル］ベンゼン（５０ｎｍ）を製膜し、電子輸送層を製膜した後、フッ化リチウム（０．５ｎｍ）とアルミニウム（１００ｎｍ）を成膜して陰極を形成し、キャップガラスによる封止を行い、発光素子を作成した。
この発光素子に電圧を印加することで緑色発光が確認された。得られた発光素子の素子特性をＩ−Ｖ−Ｌ測定システム（輝度計：コニカミノルタ  ＣＳ−２０００、ソースメーター：ＫＥＩＴＨＬＥＹ  ２４２０）にて評価した。その結果を図１及び図２に示す。
【００４６】
〔実施例４〕
実施例１において用いたイミダゾール化合物を、実施例２のイミダゾール化合物に替えて真空蒸着により製膜し、発光素子を作成した。得られた発光素子の素子特性を図３及び図４に示す。
【００４７】
〔比較例１〕
実施例１において用いたイミダゾール化合物を、一般的なホスト材料であるＣＢＰに替えて真空蒸着により製膜し、発光素子を作成した。得られた発光素子の素子特性を図５及び図６に示す。
【００４８】
真空蒸着により作成した発光素子の２，０００ｃｄ／ｍ２での電流効率、及び４Ｖでの発光輝度を表１に示す。
【００４９】
【表１】
2016104705.tif 000010
【００５０】
以上の結果より、本発明のイミダゾール化合物は優れた成膜性を有していることから、ホスト材料として、特に燐光ドーパントのホスト材料として従来は難しかった塗布法による発光層の成膜が可能となることが分かる。
したがって、本発明のイミダゾール化合物を含有する電子デバイス用材料を、例えば、発光素子に適用した場合、溶液塗布、蒸着、溶融塗布法による発光層の成膜が可能になるとともに、発光効率が向上し、発光素子、ひいては電子デバイスが長寿命化されるという効果が得られる。
【産業上の利用可能性】
【００５１】
本発明の新規イミダゾール化合物を含有する電子デバイス用材料は、発光素子や有機薄膜太陽電池等の様々な電子デバイスに利用することができる。例えば、有機ＥＬ素子等の発光素子を含む様々な電子デバイス、より具体的には、フラットパネル・ディスプレイ（例えば、コンピュータ用ディスプレイや壁掛けテレビ）や面発光体光源（例えば、照明、複写機用光源、液晶ディスプレイ用バックライト光源、計器類のバックライト光源）、表示板、標識灯等の電子デバイスにおいて、好適に利用することができる。
【図１】
2016104705.tif 000014
【図２】
2016104705.tif 000015
【図３】
2016104705.tif 000016
【図４】
2016104705.tif 000017
【図５】
2016104705.tif 000018
【図６】
2016104705.tif 000019