(57)【要約】      （修正有）【課題】本発明は、ゲートのリークを低減させ、トランジスタの破壊電圧、電力性能を向上させ、ダイナミックオン抵抗の退化効果を低減させることができる、エンハンスメント型高電子移動度トランジスタおよびその製作方法を提供する。【解決手段】基板１と、基板１の上に位置するチャネル層４と、チャネル層４の上に位置し、チャネル層４との界面に二次元電子ガス６が形成されるバリア層５と、バリア層５内に位置する溝と、溝の上に位置するディオーキシー成長半導体エピタキシャル層７と、ディオーキシー成長半導体エピタキシャル層７の上に位置するインサイチュ誘電体層８と、インサイチュ誘電体層８の上に位置するゲート９と、バリア層５の上に位置するソース１０と、バリア層５の上に位置するドレイン１１と、を含む。【選択図】図１
2016139781.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エンハンスメント型高電子移動度トランジスタであって、
基板と、
前記基板の上に位置するチャネル層と、
前記チャネル層の上に位置し、前記チャネル層とヘテロ接合構造を形成し、前記チャネル層との界面に二次元電子ガスが形成されるバリア層と、
前記バリア層内に位置し、その下方のバリア層とチャネル層との界面における二次元電子ガスが部分的または全部に空乏化される溝と、
前記溝の上に位置するディオーキシー成長半導体エピタキシャル層と、
前記ディオーキシー成長半導体エピタキシャル層の上に位置するインサイチュ誘電体層と、
前記インサイチュ誘電体層の上に位置するゲートと、
前記バリア層の上に位置し、前記バリア層とオーム接触を形成するソースと、
前記バリア層の上に位置し、前記バリア層とオーム接触を形成するドレインと、
を含むことを特徴とするエンハンスメント型高電子移動度トランジスタ。
【請求項２】
前記インサイチュ誘電体層の調製過程は、前記ディオーキシー成長半導体エピタキシャル層の成長が完成した上で、同一のチャンバー内で行われ、かつ、前記インサイチュ誘電体層の成長過程では、外界の雰囲気に接触しないことを特徴とする請求項１に記載のエンハンスメント型高電子移動度トランジスタ。
【請求項３】
前記溝の深さは、前記バリア層の厚さより小さく、または前記バリア層の厚さ以上であり、前記溝の形状は、矩形、Ｕ型、Ｖ型、または台形であることを特徴とする請求項１に記載のエンハンスメント型高電子移動度トランジスタ。
【請求項４】
前記溝の形成方法は、水素ガス、塩素ガス、またはアンモニアガスを用いて、有機金属化学気相成長システムにおいて前記バリア層をエッチングし、または前記バリア層をドライエッチングし、または前記バリア層をウェットエッチングすることであることを特徴とする請求項１に記載のエンハンスメント型高電子移動度トランジスタ。
【請求項５】
前記バリア層の上に位置するインサイチュマスク層をさらに含み、前記インサイチュ誘電体層が前記ディオーキシー成長半導体エピタキシャル層および前記インサイチュマスク層の上に位置することを特徴とする請求項１に記載のエンハンスメント型高電子移動度トランジスタ。
【請求項６】
前記インサイチュマスク層の調製過程は、前記バリア層の成長が完成した上で、同一のチャンバー内で行われ、かつ、前記インサイチュマスク層の成長過程では、外界の雰囲気に接触しなく、前記インサイチュマスク層の材料は、窒化ケイ素、または他の窒化物であることを特徴とする請求項５に記載のエンハンスメント型高電子移動度トランジスタ。
【請求項７】
前記ディオーキシー成長半導体エピタキシャル層および前記インサイチュ誘電体層が前記ドレイン側に延びることを特徴とする請求項６に記載のエンハンスメント型高電子移動度トランジスタ。
【請求項８】
前記バリア層が、チャネル層から、ディオーキシー成長半導体エピタキシャル層の方向へ、第１バリア層および第２バリア層に分けられることを特徴とする請求項１に記載のエンハンスメント型高電子移動度トランジスタ。
【請求項９】
前記第１バリア層と前記第２バリア層との成分が異なり、前記溝のエッチング過程は、前記第１バリア層と前記第２バリア層との界面に停止することを特徴とする請求項８に記載のエンハンスメント型高電子移動度トランジスタ。
【請求項１０】
前記基板の材料は、シリコン、窒化ガリウム、炭化ケイ素、またはサファイアであり、前記チャネル層の材料は、窒化ガリウム、または他のIII−Ｖ族化合物であり、前記バリア層の材料は、窒化アルミニウムガリウム、または他のIII−Ｖ族化合物であり、前記ディオーキシー成長半導体エピタキシャル層の材料は、窒化アルミニウムガリウム、ｎ型窒化ガリウム、ｐ型窒化ガリウム、または他のIII−Ｖ族化合物であり、前記インサイチュ誘電体層の材料は、窒化ケイ素、または他の窒化物であることを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項に記載のエンハンスメント型高電子移動度トランジスタ。
【請求項１１】
エンハンスメント型高電子移動度トランジスタの製作方法であって、
基板の上に、核形成層、バッファ層、チャネル層、およびバリア層を順次に形成し、
ウェハーを成長チャンバー外に置き、ドライエッチングまたはウェットエッチングの方法を用いて、前記バリア層内に溝を形成し、
ウェハーを成長チャンバー内に置き、前記溝の上に、ディオーキシー成長半導体エピタキシャル層、インサイチュ誘電体層を順次に形成し、
ゲート、ソース、およびドレインを形成する、
ことを含むことを特徴とするエンハンスメント型高電子移動度トランジスタの製作方法。
【請求項１２】
前記基板の上に、核形成層、バッファ層、チャネル層、およびバリア層を順次に形成した後に、
ウェハーを成長チャンバー外に置き、前記バリア層の上にインサイチュマスク層を形成する、ことをさらに含み、
前記バリア層内に溝を形成することは、
ウェハーを成長チャンバー外に置き、前記インサイチュマスク層をエッチングして、ウィンドウを形成し、
ウェハーを有機金属化学気相成長の成長チャンバー内に置き、成長チャンバー内に水素ガスを導入し、かつ、基板の温度を７００〜１２００摂氏度に維持し、前記バリア層の上にエッチングして、溝を形成する、ことを含み、
前記バリア層内に溝を形成した後に、
前記有機金属化学気相成長の成長チャンバー内で、前記溝の上にディオーキシー成長半導体エピタキシャル層を形成し、
前記有機金属化学気相成長の成長チャンバー内で、前記ディオーキシー成長半導体エピタキシャル層の上にインサイチュ誘電体層を形成し、
ゲート、ソース、およびドレインを形成する、ことを含む、
ことを特徴とする請求項１１に記載のエンハンスメント型高電子移動度トランジスタの製作方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体技術分野に関し、特にエンハンスメント型高電子移動度トランジスタおよびその製作方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
窒化ガリウム（ＧａＮ）を初めとする第３世代広バンドギャップ半導体材料は、広いバンドギャップ、高い破壊電界強度、高い飽和電子ドリフト速度、高い熱伝導率、高いヘテロ界面二次元電子ガス濃度などの優れた材料性能特徴を有し、シリコン（Ｓｉ）材料よりも、ＧａＮが、ハイパワー、高電圧、高スイッチング速度の電力電子デバイスの製作に好適である。従来のＳｉデバイスに比べると、ＧａＮデバイスが、より高い電力密度に耐えることができ、より高いエネルギー転換効率を有し、システム全体の体積および重量を軽減することができ、システムのコストを低減させる。
【０００３】
現在、大部分の研究は、ただ、デプレッション型ＧａＮ高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ：Ｈｉｇｈ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｏｂｉｌｉｔｙ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）に対するものである。その理由として、窒化アルミニウムガリウム／窒化ガリウム（ＡｌＧａＮ／ＧａＮ）のヘテロ接合の界面には、自発分極および圧電分極によって生じる電荷が大量に存在し、高濃度の二次元電子ガス（２ＤＥＧ）が生じることで、ＧａＮ  ＨＥＭＴデバイスの閾値電圧が負値となり、ＡｌＧａＮ／ＧａＮ  ＨＥＭＴでは、自発分極および圧電分極によって生じる高濃度の２ＤＥＧにより、その閾値電圧が−４Ｖ程度となる。ＧａＮ  ＨＥＭＴのゲートに十分に大きな負バイアスが接続される場合のみに、ＡｌＧａＮ／ＧａＮのヘテロ接合の界面におけるチャネル２ＤＥＧがデプレッション状態にあり、デバイスを遮断することが可能になる。伝統的なデプレッション型ＧａＮ  ＨＥＭＴは、負の立ち上がり電圧を用いる必要があるため、無線周波数マイクロ波および高電圧の応用では、回路構成を複雑化させる。特に、高電圧スイッチの応用では、フェイルセーフから、ゲート電圧を印加しない場合にスイッチングデバイスが遮断状態にあることが要求される。そこで、エンハンスメント型ＧａＮ  ＨＥＭＴｓデバイスを設計・調製し、即ち、デバイスの閾値電圧を正値に変化させ、実際の応用では、正のバイアスを加えるだけで、デバイスを動作またはピンチオフさせることができるようにする必要がある。負バイアスの回路設計をなくして、回路を簡単化し、回路設計の複雑さおよび調製のコストを軽減させる。
【０００４】
最初にエンハンスメント型ＧａＮ  ＨＥＭＴを実現する方法は、ヒ化ガリウム（ＧａＡｓ）のプロセスを参考にして、ゲート下に溝を刻み、バリア層の厚さを薄化することにより、閾値電圧の変化を調整し制御する。現在、国内外の研究者およびベンダーは、ドライエッチング方法を用いてゲート下に溝を形成することが多いが、このような方法で形成されたＧａＮ  ＨＥＭＴは、閾値電圧が低くて０〜１Ｖ程度であり、ゲートのリークが大きく、ゲート電圧のダイナミックレンジが小さい。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ＧａＮ金属絶縁体半導体電界効果トランジスタ（Ｍｅｔａｌ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  Ｆｉｅｌｄ  Ｅｆｆｅｃｔ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒｓ）構造は、ゲート電圧のダイナミックレンジが大きくて、ゲートのリークが小さい特徴を有する。しかし、ＧａＮ  ＨＥＭＴは、これまで適当なゲート誘電体層がないことによって制限され、その誘電体層とバリア層との界面状態密度が高くなる。この界面状態の充放電は、閾値電圧のドリフトを引き起こすことがあり、デバイスの高周波数特性を低下させる。例えば、伝統的な方法では、通常、溝のエッチングを完成した上で、誘電体層を成長させ、この過程において、バリア層の表面が空気中に暴露して、酸化層およびダングリングボンドが形成され、誘電体層を成長させた後に、バリア層と誘電体層との界面に高密度の界面状態欠陥が存在し、デバイスの磁気ヒステリシス効果および直流交流分散効果を引き起こす。
【０００６】
ＧａＮ  ＨＥＭＴにインサイチュＳｉＮ技術を導入することにより、絶縁層の界面状態密度を低下させる目的を達成し、磁気ヒステリシス効果を低減させることができる。しかし、ＧａＮ分極電荷の存在により、エンハンスメント型ＧａＮ  ＨＥＭＴを形成することが難しい。１つの手法として、ドライエッチングを用いて溝を形成してから、誘電体層を堆積して、エンハンスメント型ＧａＮ  ＨＥＭＴを形成する。しかし、ドライエッチングを用いると、ＡｌＧａＮバリア層および材料表面に多くのダメージおよび欠陥を発生させ、これら材料ダメージおよび欠陥によって、高密度の界面状態が導入され、ゲートのリークを増やし、電流コラプスをもたらし、ダイナミックパラメータの退化を引き起こし、デバイスの性能に深刻な影響を与える。そこで、低界面状態密度のエンハンスメント型ＧａＮ  ＨＥＭＴを実現するデバイス構造および製作方法を提供する必要がある。
【０００７】
本発明は、従来技術における上記の不足を解決するためになされたものであり、従来技術における誘電体層の界面状態密度が高い問題を解決するとともに、エンハンスメント型デバイスを実現することが可能なエンハンスメント型高電子移動度トランジスタおよびその製作方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
この目的を達成するために、本発明は、以下の解決手段を採用する。
【０００９】
第１局面において、本発明は、エンハンスメント型高電子移動度トランジスタを開示しており、このエンハンスメント型高電子移動度トランジスタは、
基板と、
前記基板の上に位置するチャネル層と、
前記チャネル層の上に位置し、前記チャネル層とヘテロ接合構造を形成し、前記チャネル層との界面に二次元電子ガスが形成されるバリア層と、
前記バリア層内に位置し、その下方のバリア層とチャネル層との界面における二次元電子ガスが部分的または全部に空乏化される溝と、
前記溝の上に位置するディオーキシー成長半導体エピタキシャル層と、
前記ディオーキシー成長半導体エピタキシャル層の上に位置するインサイチュ誘電体層と、
前記インサイチュ誘電体層の上に位置するゲートと、
前記バリア層の上に位置し、前記バリア層とオーム接触を形成するソースと、
前記バリア層の上に位置し、前記バリア層とオーム接触を形成するドレインと、を含む。
【００１０】
さらに、前記インサイチュ誘電体層の調製過程は、前記ディオーキシー成長半導体エピタキシャル層の成長が完成した上で、同一のチャンバー内で行われ、かつ、前記インサイチュ誘電体層の成長過程では、外界の雰囲気に接触しない。
【００１１】
さらに、前記溝の深さは、前記バリア層の厚さより小さく、または前記バリア層の厚さ以上であり、前記溝の形状は、矩形、Ｕ型、Ｖ型、または台形である。
【００１２】
さらに、前記溝の形成方法は、水素ガス、塩素ガス、またはアンモニアガスを用いて、有機金属化学気相成長システムにおいて前記バリア層をエッチングし、または前記バリア層をドライエッチングし、または前記バリア層をウェットエッチングすることである。
【００１３】
さらに、前記エンハンスメント型高電子移動度トランジスタは、前記バリア層の上に位置するインサイチュマスク層をさらに含み、前記インサイチュ誘電体層が前記ディオーキシー成長半導体エピタキシャル層および前記インサイチュマスク層の上に位置する。
【００１４】
さらに、前記インサイチュマスク層の調製過程は、前記バリア層の成長が完成した上で、同一のチャンバー内で行われ、かつ、前記インサイチュマスク層の成長過程では、外界の雰囲気に接触しなく、前記インサイチュマスク層の材料は、窒化ケイ素、または他の窒化物である。
【００１５】
さらに、前記ディオーキシー成長半導体エピタキシャル層および前記インサイチュ誘電体層が前記ドレイン側に延びる。
【００１６】
さらに、前記バリア層が、チャネル層から、ディオーキシー成長半導体エピタキシャル層の方向へ、第１バリア層および第２バリア層に分けられる。
【００１７】
さらに、前記第１バリア層と前記第２バリア層との成分が異なり、前記溝のエッチング過程は、前記第１バリア層と前記第２バリア層との界面に停止する。
【００１８】
さらに、前記基板の材料は、シリコン、窒化ガリウム、炭化ケイ素、またはサファイアであり、前記チャネル層の材料は、窒化ガリウム、または他のIII−Ｖ族化合物であり、前記バリア層の材料は、窒化アルミニウムガリウム、または他のIII−Ｖ族化合物であり、前記ディオーキシー成長半導体エピタキシャル層の材料は、窒化アルミニウムガリウム、ｎ型窒化ガリウム、ｐ型窒化ガリウム、または他のIII−Ｖ族化合物であり、前記インサイチュ誘電体層の材料は、窒化ケイ素、または他の窒化物である。
【００１９】
第２局面において、本発明は、エンハンスメント型高電子移動度トランジスタの製作方法を開示しており、このエンハンスメント型高電子移動度トランジスタの製作方法は、
基板の上に、核形成層、バッファ層、チャネル層、およびバリア層を順次に形成し、
ウェハーを成長チャンバー外に置き、ドライエッチングまたはウェットエッチングの方法を用いて、前記バリア層内に溝を形成し、
ウェハーを成長チャンバー内に置き、前記溝の上に、ディオーキシー成長半導体エピタキシャル層、インサイチュ誘電体層を順次に形成し、
ゲート、ソース、およびドレインを形成する、ことを含む。
【００２０】
さらに、前記基板の上に、核形成層、バッファ層、チャネル層、およびバリア層を順次に形成した後に、
ウェハーを成長チャンバー外に置き、前記バリア層の上にインサイチュマスク層を形成する、ことをさらに含み、
前記バリア層内に溝を形成することは、
ウェハーを成長チャンバー外に置き、前記インサイチュマスク層をエッチングして、ウィンドウを形成し、
ウェハーを有機金属化学気相成長の成長チャンバー内に置き、成長チャンバー内に水素ガスを導入し、かつ、基板の温度を７００〜１２００摂氏度に維持し、前記バリア層の上にエッチングして、溝を形成する、ことを含み、
前記バリア層内に溝を形成した後に、
前記有機金属化学気相成長の成長チャンバー内で、前記溝の上にディオーキシー成長半導体エピタキシャル層を形成し、
前記有機金属化学気相成長の成長チャンバー内で、前記ディオーキシー成長半導体エピタキシャル層の上にインサイチュ誘電体層を形成し、
ゲート、ソース、およびドレインを形成する、ことを含む。
【発明の効果】
【００２１】
本発明におけるエンハンスメント型高電子移動度トランジスタは、溝とゲートとの間にディオーキシー成長半導体エピタキシャル層およびインサイチュ誘電体層を導入することにより、溝のエッチングによる材料ダメージおよび欠陥を低減させ、溝とディオーキシー成長半導体エピタキシャル層との界面状態密度、および、インサイチュ誘電体層とディオーキシー成長半導体エピタキシャル層との界面状態密度を低下させ、さらに、ゲートのリークを低減させ、トランジスタのゲート特性を向上させ、閾値電圧の安定性を増やし、トランジスタの破壊電圧および電力性能を向上させ、電流コラプス効果を低減させることができる。
【００２２】
本発明の模式的な実施例の解決手段をさらに明確に説明するために、以下、実施例の説明に使用する必要がある図面を簡単的に紹介する。明らかなように、紹介される図面は、説明しようとする本発明の一部分の実施例の図面にすぎず、全部の図面ではなく、当業者にとって、創造的な労働をしていない前提で、これら図面から他の図面を得ることもできる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明の実施例１で提供されたエンハンスメント型高電子移動度トランジスタの構成図である。
【図２Ａ】本発明の実施例１で提供されたエンハンスメント型高電子移動度トランジスタの製作方法の手順に応じた構成図である。
【図２Ｂ１】本発明の実施例１で提供されたエンハンスメント型高電子移動度トランジスタの製作方法の手順に応じた構成図である。
【図２Ｂ２】本発明の実施例１で提供されたエンハンスメント型高電子移動度トランジスタの製作方法の手順に応じた構成図である。
【図２Ｃ１】本発明の実施例１で提供されたエンハンスメント型高電子移動度トランジスタの製作方法の手順に応じた構成図である。
【図２Ｃ２】本発明の実施例１で提供されたエンハンスメント型高電子移動度トランジスタの製作方法の手順に応じた構成図である。
【図３】本発明の実施例２で提供されたエンハンスメント型高電子移動度トランジスタの構成図である。
【図４Ａ】本発明の実施例２で提供されたエンハンスメント型高電子移動度トランジスタの製作方法の手順に応じた構成図である。
【図４Ｂ１】本発明の実施例２で提供されたエンハンスメント型高電子移動度トランジスタの製作方法の手順に応じた構成図である。
【図４Ｂ２】本発明の実施例２で提供されたエンハンスメント型高電子移動度トランジスタの製作方法の手順に応じた構成図である。
【図４Ｃ】本発明の実施例２で提供されたエンハンスメント型高電子移動度トランジスタの製作方法の手順に応じた構成図である。
【図４Ｄ１】本発明の実施例２で提供されたエンハンスメント型高電子移動度トランジスタの製作方法の手順に応じた構成図である。
【図４Ｄ２】本発明の実施例２で提供されたエンハンスメント型高電子移動度トランジスタの製作方法の手順に応じた構成図である。
【図４Ｄ３】本発明の実施例２で提供されたエンハンスメント型高電子移動度トランジスタの製作方法の手順に応じた構成図である。
【図５】本発明の実施例３で提供されたエンハンスメント型高電子移動度トランジスタの構成図である。
【図６Ａ】本発明の実施例３で提供されたエンハンスメント型高電子移動度トランジスタの製作方法の手順に応じた構成図である。
【図６Ｂ１】本発明の実施例３で提供されたエンハンスメント型高電子移動度トランジスタの製作方法の手順に応じた構成図である。
【図６Ｂ２】本発明の実施例３で提供されたエンハンスメント型高電子移動度トランジスタの製作方法の手順に応じた構成図である。
【図６Ｃ１】本発明の実施例３で提供されたエンハンスメント型高電子移動度トランジスタの製作方法の手順に応じた構成図である。
【図６Ｃ２】本発明の実施例３で提供されたエンハンスメント型高電子移動度トランジスタの製作方法の手順に応じた構成図である。
【図６Ｄ】本発明の実施例３で提供されたエンハンスメント型高電子移動度トランジスタの製作方法の手順に応じた構成図である。
【図７】本発明の実施例４で提供されたエンハンスメント型高電子移動度トランジスタの構成図である。
【図８】本発明の実施例５で提供されたエンハンスメント型高電子移動度トランジスタの構成図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
本発明の目的、解決手段、およびメリットをさらに明確にするために、以下、本発明の実施例における図面を参照しながら、具体的な実施形態を通じて、本発明の解決手段を完全に説明する。明らかなように、説明される実施例は、本発明の一部分の実施例であるが、全部の実施例ではなく、本発明の実施例に基づき、当業者が創造的な労働をしていない前提で得たあらゆる他の実施例は、全て本発明の保護範囲内に属する。
【００２５】
＜実施例１＞
図１は、本発明の実施例１で提供されたエンハンスメント型高電子移動度トランジスタの構成図である。図１に示すように、本発明の実施例１で提供されたエンハンスメント型高電子移動度トランジスタは、
基板１と、
基板１の上に位置する核形成層２と、
核形成層２の上に位置するバッファ層３と、
バッファ層３の上に位置するチャネル層４と、
チャネル層４の上に位置し、チャネル層４とヘテロ接合構造を形成し、チャネル層４との界面に二次元電子ガス６が形成されるバリア層５と、
バリア層５内に位置し、深さがバリア層５の厚さより小さい溝と、
溝の上に位置するディオーキシー成長半導体エピタキシャル層７と、
ディオーキシー成長半導体エピタキシャル層７の上に位置するインサイチュ誘電体層８と、
インサイチュ誘電体層８の上に位置するゲート９と、
バリア層５の上に位置し、バリア層５とオーム接触を形成するソース１０と、
バリア層５の上に位置し、バリア層５とオーム接触を形成するドレイン１１と、を含む。
【００２６】
本実施例において、基板の材料は、シリコン、窒化ガリウム、炭化ケイ素、またはサファイアであってもよい。
【００２７】
本実施例において、核形成層の材料は、窒化アルミニウム、窒化ガリウム、または他のIII−Ｖ族化合物であってもよい。
【００２８】
本実施例において、バッファ層の材料は、窒化アルミニウムガリウム、または他のIII−Ｖ族化合物であってもよい。
【００２９】
本実施例において、チャネル層の材料は、窒化ガリウム、または他のIII−Ｖ族化合物であってもよい。
【００３０】
本実施例において、バリア層の材料は、窒化アルミニウムガリウム、または他のIII−Ｖ族化合物であってもよい。
【００３１】
本実施例において、溝の形状は、矩形、Ｕ型、Ｖ型、または台形構造であってもよい。
ここで、ディオーキシー成長半導体エピタキシャル層の材料は、窒化アルミニウムガリウム、ｎ型窒化ガリウム、ｐ型窒化ガリウム、または他のIII−Ｖ族化合物であってもよい。
【００３２】
ここで、インサイチュ誘電体層の材料は、窒化ケイ素、または他の窒化物であってもよい。
【００３３】
本実施例において、溝の存在により、ゲートの二次元電子ガスからの距離が近いので、ゲートによる二次元電子ガスへの制御能力が強い。
【００３４】
ここで、ゲートは、単層のゲート金属、または多層のゲート金属の積層であってもよい。
本実施例において、ソースは、単層のソース金属、または多層のソース金属の積層であってよく、ソース金属は、チタン、アルミニウム、ニッケルや金のうちのいずれか１つまたは少なくとも２つの組み合わせであってもよい。
【００３５】
本実施例において、ソースおよびドレインは、単層の金属、または多層の金属の積層であってよく、ソースおよびドレインの金属は、チタン、アルミニウム、ニッケルや金のうちのいずれか１つまたは少なくとも２つの組み合わせであってもよい。
【００３６】
本実施例では、バリア層とチャネル層との間に圧電分極および自発分極効果が存在し、バリア層とチャネル層との界面に二次元電子ガス（２ＤＥＧ）が存在する。一方、溝におけるバリア層の厚さが薄く、その自発分極および圧電分極は、溝下において高濃度の二次元電子ガスを誘導するに足りなく、ここでの二次元電子ガスのチャネルが空乏化される。このため、常時閉状態のトランジスタ、即ち、エンハンスメント型デバイスを得ることができる。また、溝におけるゲートは、チャネルからの距離がより短くなり、チャネルへの制御能力がより強くなる。溝におけるディオーキシー成長半導体エピタキシャル層にも分極電荷を導入することができ、二次元電子ガスをさらに空乏化し、閾値電圧を高める。インサイチュ誘電体層は、ディオーキシー成長半導体エピタキシャル層の成長が完成した上で、ディオーキシー成長半導体エピタキシャル層と同様の調製方法を用いてインサイチュ成長させることにより、結晶体の品質が良い誘電体層を得ることができ、かつ、ディオーキシー成長半導体エピタキシャル層とインサイチュ誘電体層との間の界面状態密度が低く、デバイスの閾値電圧ドリフト現象を顕著に低減させ、ゲートのリークを低減させ、デバイスのダイナミック特性を向上させることができる。
【００３７】
本発明の実施例１で提供されたエンハンスメント高電子移動度トランジスタの製作方法は、以下のステップを含む。
【００３８】
ステップ２０１で、基板１の上に、核形成層２、バッファ層３、チャネル層４、およびバリア層５を順次に堆積する。
【００３９】
図２Ａに示すように、成長チャンバー内で、有機金属化学気相成長法を用いて、基板１の上に、核形成層２、バッファ層３、チャネル層４、およびバリア層５を順次に形成する。
【００４０】
ステップ２０２で、バリア層５内に溝を形成する。
好ましくは、ステップ２０２は、以下のステップを含む。
ステップ２１２で、バリア層５の上にマスクウィンドウを形成する。
【００４１】
図２Ｂ１に示すように、ウェハーを成長チャンバー外に置き、フォトエッチングプロセスを用いて、バリア層５の上にマスクウィンドウを形成し、ここで、２１は、このステップで形成された窒化ケイ素または他の窒化物のマスク層である。
【００４２】
ステップ２２２で、バリア層５をエッチングして、溝を形成する。
図２Ｂ２に示すように、ドライエッチングまたはウェットエッチングを用いて、バリア層５をエッチングして、溝を形成する。
【００４３】
ステップ２０３で、ウェハーを成長チャンバー内に置き、溝の上に、ディオーキシー成長半導体エピタキシャル層７、インサイチュ誘電体層８、ゲート９、ソース１０、およびドレイン１１を順次に形成する。
【００４４】
好ましくは、ステップ２０３は、以下のステップを含む。
ステップ２１３で、ウェハーの表面に対してクリーニング処理を行う。
本ステップにおいて、ウェハーの表面に対してクリーニング処理を行って、表面の吸着ガスを除去する。
【００４５】
ステップ２２３で、溝の上に、ディオーキシー成長半導体エピタキシャル層７を形成する。
図２Ｃ１に示すように、成長チャンバー内で、有機金属化学気相成長法を用いて、溝の上に、ディオーキシー成長半導体エピタキシャル層７を形成する。
【００４６】
ステップ２３３で、ディオーキシー成長半導体エピタキシャル層７の上に、インサイチュ誘電体層８を形成する。
図２Ｃ１に示すように、ウェハーを空気中に暴露せず、成長チャンバー内で、有機金属化学気相成長法を用いて、ディオーキシー成長半導体エピタキシャル層７の上に、インサイチュ誘電体層８を形成する。
【００４７】
ステップ２４３で、インサイチュ誘電体層８の上に、ゲート９、ソース１０、およびドレイン１１を形成する。
【００４８】
本ステップにおいて、ソースおよびドレインを形成する過程は、ドライエッチングでマスク層を除去することを含み、最終的に、図２Ｃ２に示すデバイスが形成される。
【００４９】
本発明の実施例１で提供されたエンハンスメント型高電子移動度トランジスタおよびその製作方法は、溝とゲートとの間にディオーキシー成長半導体エピタキシャル層を導入することにより、溝のエッチングによる材料ダメージおよび欠陥を低減させ、ディオーキシー成長半導体エピタキシャル層と誘電体層との界面状態密度を低下させ、デバイスの閾値電圧ドリフト現象を顕著に低減させ、ゲートのリークを低減させ、デバイスのダイナミック特性を向上させることができる。
【００５０】
＜実施例２＞
図３は、本発明の実施例２で提供されたエンハンスメント型高電子移動度トランジスタの構成図である。図３に示すように、本発明の実施例１と異なる点は、本発明の実施例２で提供されたエンハンスメント高移動度トランジスタにおいて、ディオーキシー成長半導体エピタキシャル層７がドレイン１１の方向へ拡張し、接合終端構造が導入されることであり、ディオーキシー成長半導体エピタキシャル層７におけるＡｌ成分がバリア層５におけるＡｌ成分より小さい場合、接合終端下の二次元電子ガスに対して一定の空乏化の作用があるため、ゲート９のエッジにおける電界スパイクを低下させ、デバイスの破壊電圧を向上させることができる。
【００５１】
本発明の実施例２で提供されたエンハンスメント高電子移動度トランジスタの製作方法は、以下のステップを含む。
【００５２】
ステップ４０１で、基板１の上に、核形成層２、バッファ層３、チャネル層４、およびバリア層５を順次に堆積する。
【００５３】
図４Ａに示すように、成長チャンバー内で、有機金属化学気相成長法を用いて、基板１の上に、核形成層２、バッファ層３、チャネル層４、およびバリア層５を順次に形成する。
【００５４】
ステップ４０２で、バリア層５内に溝を形成する。
好ましくは、ステップ４０２は、以下のステップを含む。
ステップ４１２で、バリア層５の上にマスクウィンドウを形成する。
【００５５】
図４Ｂ１に示すように、ウェハーを成長チャンバー外に置き、フォトエッチングプロセスを用いて、バリア層５の上にマスクウィンドウを形成し、ここで、２１は、このステップで形成された窒化ケイ素または他の窒化物のマスク層である。
【００５６】
ステップ４２２で、バリア層５をエッチングして、溝を形成する。
図４Ｂ２に示すように、ドライエッチングまたはウェットエッチングを用いて、バリア層５をエッチングして、溝を形成する。
【００５７】
ステップ４０３で、図４Ｃに示すように、フォトエッチングによって、マスク層２１の階段を形成する。
【００５８】
ステップ４０４で、溝の上に、ディオーキシー成長半導体エピタキシャル層７、インサイチュ誘電体層８、ゲート９、ソース１０、およびドレイン１１を順次に形成する。
好ましくは、ステップ４０４は、以下のステップを含む。
【００５９】
ステップ４１４で、ウェハーの表面に対してクリーニング処理を行う。
本ステップにおいて、ウェハーの表面に対してクリーニング処理を行って、表面の吸着ガスを除去する。
【００６０】
ステップ４２４で、溝の上に、ディオーキシー成長半導体エピタキシャル層７を形成する。
図４Ｄ１に示すように、成長チャンバー内で、有機金属化学気相成長法を用いて、溝の上に、ディオーキシー成長半導体エピタキシャル層７を形成する。
【００６１】
ステップ４３４で、ディオーキシー成長半導体エピタキシャル層７の上に、インサイチュ誘電体層８を形成する。
【００６２】
図４Ｄ２に示すように、ウェハーを空気中に暴露せず、成長チャンバー内で、有機金属化学気相成長法を用いて、ディオーキシー成長半導体エピタキシャル層７の上に、インサイチュ誘電体層８を形成する。
【００６３】
ステップ４４４で、インサイチュ誘電体層８の上に、ゲート９、ソース１０、およびドレイン１１を形成する。
【００６４】
本ステップにおいて、ソースおよびドレインを形成する過程は、ドライエッチングでマスク層を除去することを含み、最終的に、図４Ｄ３に示すデバイスが形成される。
【００６５】
本発明の実施例１に比べると、本発明の実施例２で提供されたエンハンスメント型高電子移動度トランジスタにおいて、ディオーキシー成長半導体エピタキシャル層がドレインへ拡張し、低い界面状態密度、高いダイナミック特性という特徴を有することに加えて、ディオーキシー成長半導体エピタキシャル層は、ｎ型ＧａＮ、ｐ型ＧａＮ、ｐ型ＡｌＧａＮである場合、または、Ａｌ成分がその下のバリア層におけるＡｌ成分より小さい場合、その下の二次元電子ガスに対して空乏化の作用があり、ゲートのエッジにおける電界スパイクを低下させ、デバイスの破壊電圧を向上させることができる。
【００６６】
＜実施例３＞
図５は、本発明の実施例３で提供されたエンハンスメント型高電子移動度トランジスタの構成図である。図５に示すように、本発明の実施例２と異なる点は、本発明の実施例３で提供されたエンハンスメント型高電子移動度トランジスタにおいて、バリア層５の上に位置するインサイチュマスク層１２をさらに含み、インサイチュ誘電体層８がディオーキシー成長半導体エピタキシャル層７およびインサイチュマスク層１２の上に位置することである。
【００６７】
本実施例において、インサイチュマスク層は、バリア層の成長が完了した後、ウェハーを成長チャンバーから持ち出さずに、同様の調製方法を用いて、バリア層の上にインサイチュ成長させることにより得られるものである。このような調製方法は、良い結晶体品質のインサイチュマスク層を得られ、マスク層とバリア層との界面状態を効果的に低下させる。
【００６８】
ここで、インサイチュマスク層の材料は、窒化ケイ素、または他の窒化物であってもよい。
【００６９】
本発明の実施例３で提供されたエンハンスメント高電子移動度トランジスタの製作方法は、以下のステップを含む。
【００７０】
ステップ６０１で、基板１の上に、核形成層２、バッファ層３、チャネル層４、バリア層５、およびインサイチュマスク層１２を順次に堆積する。
【００７１】
図６Ａに示すように、成長チャンバー内で、有機金属化学気相成長法を用いて、基板１の上に、核形成層２、バッファ層３、チャネル層４、バリア層５、およびインサイチュマスク層１２を順次に形成する。
【００７２】
ステップ６０２で、バリア層５内に溝を形成する。
好ましくは、ステップ６０２は、以下のステップを含む。
【００７３】
ステップ６１２で、バリア層５の上にマスクウィンドウを形成する。
図６Ｂ１に示すように、ウェハーを成長チャンバー外に置き、フォトエッチングプロセスを用いて、バリア層５の上にマスクウィンドウを形成する。
【００７４】
ステップ６２２で、バリア層５をエッチングして、溝を形成する。
図６Ｂ２に示すように、有機金属化学気相成長法を用いて、バリア層５をエッチングして、溝を形成する。本ステップにおいて、有機金属化学気相成長法を用いて、成長チャンバー内に水素ガス、塩素ガス、アンモニアガス、または他のガスを導入することにより、バリア層５に対するエッチングを完成し、ここで、基板の温度は、７００〜１２００摂氏度であり、溝の深さは、エッチングの時間によって制御することができる。
【００７５】
ステップ６０３で、ウェハーを成長チャンバー外に置かず、溝の上に、ディオーキシー成長半導体エピタキシャル層７、インサイチュ誘電体層８を順次に形成する。
【００７６】
好ましくは、ステップ６０３は、以下のステップを含む。
ステップ６１３で、溝の上に、ディオーキシー成長半導体エピタキシャル層７を形成する。
【００７７】
図６Ｃ１に示すように、ウェハーを空気中に暴露せず、成長チャンバー内で、有機金属化学気相成長法を用いて、溝の上に、ディオーキシー成長半導体エピタキシャル層７を形成する。
【００７８】
ステップ６２３で、ディオーキシー成長半導体エピタキシャル層７の上に、インサイチュ誘電体層８を形成する。
【００７９】
図６Ｃ２に示すように、ウェハーを空気中に暴露せず、成長チャンバー内で、有機金属化学気相成長法を用いて、ディオーキシー成長半導体エピタキシャル層７およびインサイチュマスク層１２の上に、インサイチュ誘電体層８を形成する。
【００８０】
ステップ６３３で、インサイチュ誘電体層８の上に、ゲート９を形成し、バリア層５の上に、ソース１０およびドレイン１１を形成する。最終的に、図６Ｄに示すデバイスが形成される。
【００８１】
本発明の実施例２に比べると、本発明の実施例３で提供されたエンハンスメント型高電子移動度トランジスタおよびその製作方法は、インサイチュマスク層を導入することにより、ウェハーを空気中に暴露せず、バリア層のエッチング界面に酸化層が導入されることない。バリア層が、有機金属化学気相成長システムにおいて、水素ガス、塩素ガス、アンモニアガス、または他のガスでエッチングされると、すぐに半導体層の成長を行い、成長界面において、点欠陥および転位が大幅に低減される。そのため、該実施例は、インサイチュ誘電体層とインサイチュ半導体層との間の界面状態密度を低下させることができるだけでなく、インサイチュ半導体層とバリア層との間の、溝のエッチングに起因する界面状態密度も低下させることができる。デバイスの閾値電圧ドリフト現象を顕著に低減させ、ゲートのリークを低減させ、デバイスのダイナミック特性を向上させることができる。
【００８２】
＜実施例４＞
図７は、本発明の実施例４で提供されたエンハンスメント型高電子移動度トランジスタの構成図である。図７に示すように、本発明の実施例３と異なる点は、溝がバリア層５を貫通し、ゲート９下の溝の底部がチャネル層４の上面まで延びることである。
【００８３】
本発明の実施例３に比べると、本発明の実施例４で提供されたエンハンスメント型高電子移動度トランジスタの製作方法は、有機金属化学気相成長法を用いてバリア層５をエッチングする際に、溝の底部がちょうどチャネル層４の上面に位置するように、水素ガスによるエッチングの時間および温度を制御する必要がある。
【００８４】
本発明の実施例３に比べると、本発明の実施例４で提供されたエンハンスメント型高電子移動度トランジスタおよびその製作方法は、同様に、低い界面状態密度を有し、ゲートのリークが低くて、閾値電圧が安定して、ダイナミック特性が良いという性能を得ることができる。また、本発明の実施例４で提供されたエンハンスメント型高電子移動度トランジスタは、溝の底部がチャネル層の上面に位置することで、ゲート下の二次元電子ガスの濃度がより低くなり、デバイスの正閾値電圧がより高くなり、トランジスタのノイズの発生およびゲートのリークをより良く抑えることができる。また、本発明の実施例４の調製プロセスは、制御しやすく、かつ、より容易に実現できる。
【００８５】
＜実施例５＞
図８は、本発明の実施例５で提供されたエンハンスメント型高電子移動度トランジスタの構成図である。図８に示すように、本発明の実施例３と異なる点は、バリア層が、チャネル層４から、ディオーキシー成長半導体エピタキシャル層７の方向へ、第１バリア層５１および第２バリア層５２に分けられ、溝の底部が、第１バリア層５１と第２バリア層５２との界面に位置し、第１バリア層５１と第２バリア層５２との成分が異なる。
本発明の実施例３に比べると、本発明の実施例５で提供されたエンハンスメント型高電子移動度トランジスタの製作方法は、バリア層の溝のエッチング過程において、溝の底部が、第２バリア層５２と第１バリア層５１との界面に停止する。
【００８６】
本発明の実施例３に比べると、実施例５で提供されたエンハンスメント型高電子移動度トランジスタおよびその製作方法は、同様に、低い界面状態密度を有し、ゲートのリークが低くて、閾値電圧が安定して、ダイナミック特性が良いという特性を得ることができる。また、第１バリア層の厚さを、溝下の二次元電子ガスが異なる程度の空乏に達するように調節することにより、エンハンスメント型高電子移動度トランジスタの閾値電圧を調節するという目的を達成するようにしてもよい。
【００８７】
上記は、本発明の好ましい実施例、および運用される技術原理にすぎない。本発明は、ここで説明している特定の実施例に限定されず、当業者にとって実行可能な種々の明らかな変更、新たな調整、および置換えは、全て本発明の保護範囲を逸脱することない。そのため、上記の実施例を通じて、本発明をより詳しく説明しているが、本発明は、上記の実施例のみに限定されるものではなく、本発明の構想を逸脱しない場合で、より多くの他の等価の実施例をさらに含むことができ、本発明の範囲は、特許請求の範囲によって定められる。
【符号の説明】
【００８８】
１  基板
２  核形成層
３  バッファ層
４  チャネル層
５  バリア層
６  二次元電子ガス
７  ディオーキシー成長半導体エピタキシャル層
８  インサイチュ誘電体層
９  ゲート
１０  ソース
１１  ドレイン
１２  インサイチュマスク層
２１  マスク層
５１  第１バリア層
５２  第２バリア層
【図１】
2016139781.tif 000003
【図２Ａ】
2016139781.tif 000004
【図２Ｂ１】
2016139781.tif 000005
【図２Ｂ２】
2016139781.tif 000006
【図２Ｃ１】
2016139781.tif 000007
【図２Ｃ２】
2016139781.tif 000008
【図３】
2016139781.tif 000009
【図４Ａ】
2016139781.tif 000010
【図４Ｂ１】
2016139781.tif 000011
【図４Ｂ２】
2016139781.tif 000012
【図４Ｃ】
2016139781.tif 000013
【図４Ｄ１】
2016139781.tif 000014
【図４Ｄ２】
2016139781.tif 000015
【図４Ｄ３】
2016139781.tif 000016
【図５】
2016139781.tif 000017
【図６Ａ】
2016139781.tif 000018
【図６Ｂ１】
2016139781.tif 000019
【図６Ｂ２】
2016139781.tif 000020
【図６Ｃ１】
2016139781.tif 000021
【図６Ｃ２】
2016139781.tif 000022
【図６Ｄ】
2016139781.tif 000023
【図７】
2016139781.tif 000024
【図８】
2016139781.tif 000025