(57)【要約】【課題】抗折試験、たわみ試験、リフロー多回通し、ヒートサイクル試験などを行う際に最も応力が集中しやすい、セラミック素体の、外部電極の回り込み先端部に対応する部分にクラックが発生しにくく、信頼性の高いセラミック電子部品を提供する。【解決手段】内部電極２（２ａ，２ｂ）を備え、かつ、内部電極が端面３（３ａ，３ｂ）に引き出された構造を有するセラミック素体１０と、セラミック素体の端面に引き出された内部電極と導通する外部電極４（４ａ，４ｂ）であって、セラミック素体の端面３から側面１５に回り込むようにセラミック素体の端部に形成された外部電極とを備えたセラミック電子部品において、セラミック素体の側面に回り込んだ外部電極の回り込み部１４の先端領域１４ａと、セラミック素体１０の表面の間（間隙２１）に樹脂層２０を存在させる。  外部電極の表面に応力が４０ＭＰａ以下のＮｉめっき膜層１２を設ける。【選択図】図１
2016009836.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部電極を備え、かつ、前記内部電極が端面に引き出された構造を有するセラミック素体と、前記セラミック素体の端面に引き出された内部電極と導通する外部電極であって、前記セラミック素体の端面から側面に回り込むように前記セラミック素体の端部に形成された外部電極とを備えたセラミック電子部品において、
前記セラミック素体の側面に回り込んだ前記外部電極の回り込み部の先端領域と、前記セラミック素体の表面との間には樹脂層が存在していること
を特徴とするセラミック電子部品。
【請求項２】
前記外部電極は、その表面に応力が４０ＭＰａ以下のＮｉめっき膜層を備えていることを特徴とする請求項１記載のセラミック電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、セラミック電子部品に関し、詳しくは、端面に導出された内部電極を有するセラミック素体と、その端面において内部電極と導通し、かつ、端面から稜線部を経てセラミック素体の側面にまで回り込むように配設された外部電極を備えたセラミック電子部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
代表的なセラミック電子部品の一つに、例えば、図６に示すような構造を有する積層セラミックコンデンサがある。
【０００３】
この積層セラミックコンデンサは、図６に示すように、誘電体層であるセラミック層５１を介して複数の内部電極５２（５２ａ，５２ｂ）が積層されたセラミック積層体（セラミック素体）６０の一対の端面５３に、内部電極５２（５２ａ，５２ｂ）と導通するように一対の外部電極６３が配設された構造を有している。そして、外部電極６３は、セラミック素体６０との接合信頼性を向上させるため、セラミック素体６０の端面５３から、稜線部５４を経て側面５５に回り込むように形成されている。
【０００４】
ところで、このような積層セラミックコンデンサを製造する場合、外部電極６３は、セラミック積層体（セラミック素体）に導電性ペーストを塗布して焼成することにより形成する方法が広く用いられている。
【０００５】
しかしながら、上述のように導電性ペーストを焼き付けることにより外部電極を形成する場合、セラミック素体６０の端面５３から側面５５に回り込んだ外部電極６３の回り込み部６４の先端（以下「回り込み先端部」ともいう）６５がセラミック素体６０の表面から浮きあがるという不具合が発生する場合がある。
【０００６】
そこで、このような不具合が生じないようにするために、特許文献１には、図７に示すように、外部電極６３の回り込み部６４と、セラミック素体６０の間にガラス層６６が配設された構造を有する積層セラミック電子部品が提案されている。なお、図７において、図６と同一符号を付した部分は、同一または相当する部分を示す。
【０００７】
この特許文献１の積層セラミック電子部品のように、外部電極６３の回り込み部６４と、セラミック素体６０の間にガラス層６６を配設することにより、外部電極６３の回り込み先端部６５のセラミック素体６０の表面から浮き上がることを抑制、防止することできる。
【０００８】
しかしながら、特許文献１の積層セラミック電子部品のように、外部電極６３の回り込み部６４と、セラミック素体６０の間にガラス層６６を配設するようにした場合、ガラスペーストを塗布してガラス層６６を形成し、その上に外部電極形成用の導電性ペースト（外部電極ペースト）を塗布した後、導電性ペーストを焼き付ける工程で、ガラス層６６中のガラス成分とセラミック素体６０とが反応して、ガラス層６６と接する部分でセラミック素体６０の強度が低下する（脆弱化する）という問題点がある。
【０００９】
そして、セラミック素体６０の、ガラス層６６と接する部分（外部電極６３の回り込み先端部６５と対向する領域）は、例えば、抗折試験、たわみ試験、リフロー多回通し、ヒートサイクル試験などを行う際に、最も応力が集中する領域であり、この部分でセラミック素体６０の強度が低下すると、当該領域でクラックが発生し易くなり、積層セラミックコンデンサの熱機械強度が低下し、信頼性が損なわれるという問題点がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開２０１１−２０４７７８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明は、上記課題を解決するものであり、抗折試験、たわみ試験、リフロー多回通し、ヒートサイクル試験などを行う際に最も応力が集中しやすい、セラミック素体の、外部電極が端面から側面に回り込んだ部分の先端領域と対向する領域からクラックが発生することを抑制することが可能で、信頼性の高いセラミック電子部品を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記課題を解決するために、本発明のセラミック電子部品は、
内部電極を備え、かつ、前記内部電極が端面に引き出された構造を有するセラミック素体と、前記セラミック素体の端面に引き出された内部電極と導通する外部電極であって、前記セラミック素体の端面から側面に回り込むように前記セラミック素体の端部に形成された外部電極とを備えたセラミック電子部品において、
前記セラミック素体の側面に回り込んだ前記外部電極の回り込み部の先端領域と、前記セラミック素体の表面との間には樹脂層が存在していること
を特徴としている。
【００１３】
また、本発明のセラミック電子部品においては、前記外部電極は、その表面に応力が４０ＭＰａ以下のＮｉめっき膜層を備えていることが好ましい。
【００１４】
応力が４０ＭＰａ以下のＮｉめっき膜層を設ける（Ｎｉめっき膜の応力を小さくする）ことにより、セラミック素体の、外部電極の回り込み部の先端領域と対向する部分に、応力が集中して加わることがさらに緩和され、熱機械強度がさらに改善されることになり、本発明をより実効あらしめることが可能になる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明のセラミック電子部品は、上述のように構成されており、セラミック素体の側面に回り込んだ外部電極の回り込み部の先端領域と、セラミック素体の表面との間に樹脂層を存在させるようにしているので、抗折試験、たわみ試験、リフロー多回通し、ヒートサイクル試験などを行う際に最も応力が集中しやすい、セラミック素体の、外部電極の回り込み部の先端領域と対向する領域からクラックが発生することを防止することが可能で、信頼性の高いセラミック電子部品を  提供することが可能になる。
【００１６】
すなわち、本発明では、外部電極の回り込み部の先端領域と、セラミック素体の間に樹脂層を設けるようにしており、上記の樹脂層は外部電極よりもヤング率が低い材料であることから、抗折試験、たわみ試験、リフロー多回通し、ヒートサイクル試験などを行う際の、セラミック素体の、外部電極の回り込み部の先端領域と対向する領域への応力の集中が緩和される。その結果、セラミック電子部品の熱機械強度を改善することが可能になり、信頼性の高いセラミック電子部品を得ることが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の一実施形態（実施形態１）にかかるセラミック電子部品（積層セラミックコンデンサ）の構成を示す正面断面図である。
【図２】（ａ）は、外部電極に対して、引張応力が加わっている状態を模式的に示す図、（ｂ）は、外部電極に対して、圧縮応力が加わっている状態を模式的に示す図である。
【図３】本発明の他の実施形態（実施形態２）において、外部電極の回り込み部の先端領域と、セラミック素体の表面との間に間隙を形成する方法の一工程を説明する図である。
【図４】本発明の実施形態２において、外部電極の回り込み部の先端領域と、セラミック素体の表面との間に間隙を形成する方法の他の工程を説明する図である。
【図５】本発明の実施形態２において、外部電極の回り込み部の先端領域と、セラミック素体の表面との間に間隙を形成する方法のさらに他の工程を説明する図である。
【図６】従来の積層セラミックコンデンサの構成を示す正面断面図である。
【図７】従来の他の積層セラミックコンデンサの構成を示す正面断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下に本発明の実施形態を示して、本発明の特徴とするところをさらに詳しく説明する。
【００１９】
［実施形態１］
図１は、本発明の一実施形態（実施形態１）にかかるセラミック電子部品である積層セラミックコンデンサを示す正面断面図である。  
この積層セラミックコンデンサは、図１に示すように、誘電体層であるセラミック層１を介して複数の内部電極２（２ａ，２ｂ）が積層されたセラミック素体（積層セラミックコンデンサ素子）１０の両側の端面３（３ａ，３ｂ）に、内部電極２（２ａ，２ｂ）と導通するように外部電極４（４ａ，４ｂ）が配設された構造を有している。
【００２０】
なお、外部電極４（４ａ，４ｂ）は、セラミック素体１０の両側の端面３（３ａ，３ｂ）から、セラミック素体の４つの側面１５にまで回り込むように配設されている。
【００２１】
また、外部電極４（４ａ，４ｂ）は、その表面に形成されたＮｉめっき膜層１２と、Ｎｉめっき膜層１２の表面に形成されたＳｎめっき膜層１３とを備えている。
【００２２】
そして、この積層セラミックコンデンサにおいては、セラミック素体１０の側面１５に回り込んだ外部電極４の回り込み部１４の先端領域１４ａと、セラミック素体１０の表面との間（間隙２１）には樹脂層２０が配設されている。
【００２３】
次に、この積層セラミック電子部品（積層セラミックコンデンサ）の製造方法について説明する。
【００２４】
［１］セラミック素体の作製
（１）Ｂａ、Ｔｉを主成分とするＢａＴｉＯ3系セラミックを用いて形成したセラミックグリーンシートを、焼成後に、所定の厚みを有する外層部が形成されるように所定枚数積層して、下側外層部を形成した。
【００２５】
（２）上記（１）の工程で形成した下側外層部上に、上記（１）の工程で使用したセラミックグリーンシートと同じセラミックグリーンシートに、Ｎｉを主成分とする内部電極ペーストをスクリーン印刷で塗布した、電極パターン形成セラミックグリーンシートを所定枚数積層した。
【００２６】
（３）上記（２）の工程で積層した電極パターン形成セラミックグリーンシート上に、焼成後に、上記（１）の工程で使用したセラミックグリーンシートを所定の厚みを有する外層部が形成されるように所定枚数積層する（上側外層部を形成する）ことにより未焼成積層ブロックを形成した。
【００２７】
（４）上記（３）の工程で作製した未焼成積層ブロックを所定の位置でカットすることにより、未焼成セラミック素体を得た。
【００２８】
（５）上記（４）の工程で得た未焼成セラミック素体を、バッチ炉を使用して還元雰囲気で焼成し、外部電極形成前の焼成済みのセラミック素体１０（図１参照）を得た。
なお、このセラミック素体は、長さ：１．０ｍｍ、幅：０．５ｍｍ、厚さ：０．５ｍｍの寸法を有する直方体形状のものである。
【００２９】
［２］外部電極形成用の導電性ペーストの作製
外部電極を形成するために用いる導電性ペーストとして、以下の（１）Ｃｕ粉末、（２）ガラスフリット、（３）ワニス、（４）溶剤を配合することにより、外部電極形成用の導電性ペーストを作製した。
【００３０】
（１）Ｃｕ粉末（導電成分）
導電性ペーストを構成する導電成分として、平均粒径（Ｄ50）が０．５〜５．０μｍのＣｕ粉末を用意した。
【００３１】
（２）ガラスフリット
導電性ペーストを構成するガラスフリット（ガラス成分）として、Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2系ガラスを用意した。
ガラスの軟化点は、ＴＧ−ＤＴＡで測定した。
また、ガラスの軟化点は、主にカリウム、ナトリウムなどのアルカリ酸化物、バリウム、ストロンチウムなどのアルカリ土類酸化物の添加量を調整することにより制御した。
【００３２】
また、ガラスの耐めっき性を確保するために、ＳｉＯ2を含有割合が１５ｍｏｌ％以上のガラスフリットを用いた。
なお、この実施形態１では、ガラス量がペースト中の固形分（導電成分＋ガラスフリット）に対して１８〜２２ｖｏｌ％となるようにした。
【００３３】
（３）ワニス
また、ワニスとして、アクリルをターピネオールを主成分とする有機溶剤に溶解させたものを用いた。
（４）溶剤
ターピネオールを主成分とする溶剤を使用した。
【００３４】
そして、上記の導電成分、ガラスフリット、ワニス、および溶剤を所定量秤量し、３本ロールで分散・混合することにより、外部電極形成用の導電性ペーストを作製した。
【００３５】
なお、この実施形態１では、［ガラスの軟化点（℃）−Ｃｕ粉末の焼結開始温度（℃）］の値が、−２０℃，１０℃，３０℃，５０℃，７０℃，９０℃，および１００℃となるように、ガラス、および、Ｃｕ粉末（導電成分）を選定して、導電性ペーストを作製した（表１参照）。
【００３６】
［３］外部電極の形成
（１）外部電極を形成するにあたっては、まず、上述のようにして作製した導電性ペーストに、セラミック素体を浸漬する方法で塗布した。例えば、定盤に所定の厚さで外部電極形成用の導電性ペーストを塗布し、その上から保持冶具により保持したセラミック素体の一方の端面側を浸漬し、セラミック素体の端面および端面から側面に回り込む領域に外部電極ペーストを塗布した。
【００３７】
そして、塗布した導電性ペーストを乾燥させた後、同様にして、セラミック素体の他方の端面側を浸漬し、セラミック素体の他方側の端面と、端面から側面に回り込む領域に導電性ペーストを塗布した。
【００３８】
（２）セラミック素体に塗布した外部電極形成用の導電性ペーストを焼成するため、導電性ペーストが塗布されたセラミック素体をベルト炉を用いて熱処理した。
【００３９】
熱処理は、ＴＯＰ温度（８００〜９００℃）を５分間保持する温度プロファイルにて行い、セラミック素体の両端部に外部電極（Ｃｕ焼き付け電極）３（図１参照）を形成した。
なお、熱処理工程では、外部電極の酸化を抑制するため、キャリアガスをＮ2とし、ＴＯＰ温度ではキャリアガス（Ｎ2）中にＨ2を添加して起電力＝６００〜９００ｍＶとなるように雰囲気を調整して焼成を行った。
【００４０】
ここで、導電性ペーストに含まれるガラスの軟化点がＣｕ粉の焼結開始温度よりも高い場合には、Ｃｕ粉の焼結収縮時にガラスが軟化流動しにくいことから、外部電極の側面への回り込み部の先端領域とセラミック素体とがガラスを介して固着しないため、回り込み部の先端領域がセラミック素体の表面から浮いた構造を有する外部電極を作製することができる（表１の試料番号３〜１４参照）。
一方、導電性ペーストに含まれるガラスの軟化点がＣｕ粉の焼結開始温度よりも低い場合には、Ｃｕ粉が焼結を開始するよりも先にガラスが軟化溶融してしまうため、回り込み部の先端領域がセラミック素体の表面から浮いた構造を有する外部電極を作製することができなくなる（表１の試料番号１および２参照）。
【００４１】
［４］樹脂層の形成
（１）樹脂の含浸
上述のようにして形成した外部電極を有するセラミック素体を、エポキシ系の樹脂に浸漬して、外部電極の回り込み部の先端領域と、セラミック素体の表面との間隙にエポキシ系樹脂を含浸させた後、所定の温度に加熱して、エポキシ系樹脂を硬化させることにより、外部電極の回り込み部の先端領域と、セラミック素体の表面との間（間隙２１）に樹脂層２０（図１参照）を形成した。
【００４２】
なお、本発明において、樹脂層２０の幅（外部電極の回り込み先端部からの距離）Ｗ（図１参照）が、外部電極の回り込み先端部からセラミック素体の先端までの距離に対して、５％〜８０％程度であることが望ましい。
これは、Ｗが５％未満になると、セラミック素体の、外部電極の回り込み部の先端領域と対向する領域への応力の集中を抑制する効果が不十分になり、８０％を超えると、外部電極の回り込み部のセラミック素体との接触面積が不十分になり、セラミック素体への接合強度が低下して好ましくないことによる。
また、樹脂層２０の厚みＴ（図１参照）は０．５μｍ以上であることが好ましい。これは、樹脂層の厚みを０．５μｍ以上とすることにより、セラミック素体の、外部電極の回り込み部の先端領域と対向する領域への応力の集中を確実に抑制することが可能になる。ただし、厚みが５μｍを超えても効果の顕著な向上は認められないことから、樹脂層の厚みは５μｍ以下とすることが望ましい。
【００４３】
（２）余剰樹脂の除去
それから、玉石を使用したバレル研磨の方法により、外部電極表面に付着しているエポキシ系樹脂を除去した。
なお、余剰樹脂の除去を行うにあたっては、バレル研磨の方法に代えて、サンドブラストによる方法を用いることも可能である。
【００４４】
［５］外部電極へのＮｉめっきおよびＳｎめっき
形成された外部電極に対し、湿式電解めっきの方法でＮｉめっきを行って、外部電極４の表面にＮｉめっき膜１２（図１参照）を形成し、さらに湿式電解めっきの方法でＳｎめっきを行って、Ｎｉめっき膜上にＳｎめっき膜１３（図１参照）を形成した。これにより、図１に示すような構成を備えた積層セラミックコンデンサを得た。
なお、Ｎｉめっきに関しては、形成されるＮｉめっき膜として、応力が４０ＭＰａのＮｉめっき膜と、応力が１００ＭＰａのＮｉめっき膜の、２種類のＮｉめっき膜が形成されるように、以下の２種類のめっき浴を使用した。
【００４５】
＜Ｎｉめっき浴１＞
ディップソールＮｉ−１８３０（ディップソール社製）
このＮｉめっき浴１を用いることにより、応力が４０ＭＰａのＮｉめっき膜が形成される。
【００４６】
＜Ｎｉめっき浴２＞
ワット浴
（組成）
硫酸ニッケル：３００ｇ／Ｌ
塩化ニッケル：４５ｇ／Ｌ
ホウ酸      ：４０ｍｇ／Ｌ
（条件）
ｐＨ        ：４．０
浴温        ：５５℃
このＮｉめっき浴２を用いることにより、応力が１００ＭＰａのＮｉめっき膜が形成される。
【００４７】
［６］Ｎｉめっき膜の応力の測定
μ−ＸＲＤ（微小部Ｘ線回折装置(micro area X-Ray Diffractometer））を使用して、外部電極の表面に形成したＮｉめっき膜の応力を測定した。測定にあたっては、１０個の試料についてＮｉめっき膜の応力を測定して平均値を求めた。
【００４８】
この測定で得られた応力の値が正の数であれば、セラミック素体に対してＮｉめっき膜が「引張応力」を生じており、逆に、得られた応力の値が負の数であれば、セラミック素体に対してＮｉめっき膜が「圧縮応力」が生じていることを示す。なお、この実施形態１では、後述の表１に示すように、Ｎｉめっき膜の応力は正の数となっており、「引張応力」を生じていることがわかる。
【００４９】
なお、引張応力が生じている場合、図２（ａ）に示すように、外部電極に対して、矢印Ｙ１に示す方向に引張応力が加わり、圧縮応力が生じている場合、図２（ｂ）に示すように、外部電極に対して、矢印Ｙ２に示す方向に圧縮応力が加わる。
【００５０】
なお、Ｎｉめっき膜層の厚みは、通常０．５μｍ以上であることが好ましい。これは、Ｎｉめっき膜層の厚みを０．５μｍ以上とすることにより、外部電極の導電性成分を完全に覆い、実装不良を抑制することによる。
ただし、厚みが１０μｍを超えても効果の顕著な向上は認められないので、Ｎｉめっき膜層の厚みは１０μｍ以下とすることが望ましい。
【００５１】
［７］機械的強度の測定
Ｎｉめっき膜およびＳｎめっき膜を形成した後の積層セラミックコンデンサ（試料）について、下記の条件で３点曲げによる抗折試験を行った。
なお、抗折強度の値が４０Ｎ未満のものは、抗折強度が不十分で好ましくない試料である。
（条件）
（１）押し冶具の降下スピード     ：０．１［ｍｍ／ｓｅｃ］
（２）押し冶具先端の径            ：０．２Ｒ［ｍｍ］
（３）押し位置                    ：試料中央
（４）評価対象とした試料数ｎ      ：２０
【００５２】
［８］耐湿負荷試験
実施形態１で作製した積層セラミックコンデンサ（試料）の品質を評価するため、耐湿負荷試験を以下の条件で行った。
（条件）
（１）温度および湿度              ：８５℃、８５％（相対湿度）
（２）印加電圧                    ：２５Ｖ、１０００時間
（３）試料数                      ：７２
そして、１０００時間後の絶縁抵抗を測定し、絶縁抵抗の低下が１／５程度までのものは、そのロットの耐湿信頼性が良（○）であると評価し、絶縁抵抗の低下が１／５〜１／１０の範囲のものは、そのロットを耐湿信頼性が可（△）であると評価し、絶縁抵抗が１／１０以下にまで低下したものは、そのロットを耐湿信頼性が不良（×）であると評価することにした。ただし、表１の試料番号１〜１４の試料では、耐湿信頼性が不良（×）のものはなかった。
【００５３】
［９］評価
上述の［ガラスの軟化点（℃）−Ｃｕ粉末の焼結開始温度（℃）］の値、Ｎｉめっき膜の応力、外部電極の回り込み部の先端領域とセラミック素体の間隙の有無（すなわち間隙に形成された樹脂層の有無）、抗折強度、耐湿信頼性、および、総合評価を示す表１を参照しつつ、各試料の評価について説明する。
【００５４】
【表１】
2016009836.tif 000003
【００５５】
表１の試料番号１および２の試料においては、外部電極の回り込み部の先端領域とセラミック素体の間に間隙が形成されなかった。これは、Ｃｕの焼結開始温度よりもガラスの軟化点のほうが低いため、Ｃｕ粉が焼結する前に、外部電極とセラミック素体の界面にガラスが軟化流動し、外部電極の回り込み部の先端領域とセラミック素体の間がガラスにより埋まってしまったことによるものである。
【００５６】
そして、この試料番号１および２の試料では、上述のような間隙が形成されず、樹脂が充填される余地がないため、抗折試験では外部電極の回り込み部の先端領域とセラミック素体の接合部に大きな応力が発生し、抗折強度が低くなることが確認された。
【００５７】
また、試料番号１および２の試料の場合、Ｎｉめっき膜の応力が４０ＭＰａで、抗折強度が高くなる傾向にある試料番号２の試料においても、抗折強度は３７Ｎと低い値であり、Ｎｉめっき膜の応力が１００ＭＰａである試料番号１の試料の場合、抗折強度が３０Ｎとさらに低い値となり、好ましくないことが確認された。
【００５８】
なお、上述の試料番号１および２の試料は、外部電極の回り込み部の先端領域とセラミック素体の間に間隙がなく、樹脂層が形成されていない本発明の要件を備えていない試料である。
【００５９】
これに対し、試料番号３〜１２の試料は、外部電極の回り込み部の先端領域とセラミック素体の間に間隙が形成された試料であり、この間隙に樹脂層が形成された試料、すなわち、本発明の要件を満たす試料である。
試料番号３〜１２の試料において、外部電極の回り込み部の先端領域とセラミック素体の間に間隙が形成されているのは、Ｃｕの焼結開始温度よりもガラスの軟化点が高く、ガラスが外部電極と素体の界面に軟化流動する前にＣｕ粉が焼結するため、外部電極の回り込み部の先端領域とセラミック素体の間に間隙が形成された（浮きが生じた）ものと考えられる。
【００６０】
そして、試料番号３〜１２の試料の場合、外部電極の回り込み部の先端領域とセラミック素体との間隙に樹脂が浸入することで、両者の間に樹脂層が形成され、外部電極の回り込み部の先端領域からセラミック素体に加わる応力が緩和されるため、抗折試験における抗折強度が大きくなる。
【００６１】
また、試料番号３〜１２の試料のうち、Ｎｉめっき膜の応力が４０ＭＰａと小さく、抗折強度が高くなる傾向にある試料番号４，６，８，１０，１２の試料の場合、抗折強度がさらに大きくなることが確認された。
【００６２】
ただし、試料番号３〜１２の試料のうち、Ｎｉめっき膜の応力が１００ＭＰａと大きい試料番号３，５，７，９，１１の試料の場合にも、特に問題のない抗折強度が実現できることが確認された。
【００６３】
また、試料番号１３，１４の試料は、外部電極の回り込み部の先端領域とセラミック素体の間に間隙が形成された試料であり、この間隙に樹脂層が形成された試料（すなわち、本発明の要件を満たす試料）であるが、試料番号１３，１４の試料は、［ガラスの軟化点（℃）−Ｃｕ粉末の焼結開始温度（℃）］の値が１００と大きく、Ｃｕの焼結が阻害される結果、外部電極の緻密性が低下して、耐湿信頼性が低下する傾向が認められた。ただし、この試料番号１３，１４の試料も、実用が可能な耐湿信頼性を備えたものである。この試料番号１３，１４の試料の耐湿信頼性をみると、［ガラスの軟化点（℃）−Ｃｕ粉末の焼結開始温度（℃）］の値は、試料番号３〜１２の試料のように、９０℃以下にすることが望ましいものと考えられる。
【００６４】
また、各試料のＮｉめっき膜の応力の違い（応力が４０ＭＰａの場合と１００ＭＰａの場合）で比較すると、Ｎｉめっき膜の応力が小さい（４０ＭＰａの場合）ほうが、抗折強度が大きくなることが確認された。これは、Ｎｉめっき膜の応力が小さいほうが、外部電極の回り込み部の先端領域への応力の集中を低減することができるためである。
【００６５】
この結果から、Ｎｉめっき膜の応力に関しては、４０ＭＰａ以下の応力とすることがより望ましいものと考えられる。
なお、Ｎｉめっき膜の応力は、マイナスの値である場合（すなわち、セラミック素体に対して圧縮応力となる場合）でも効果があることが確認されている。
【００６６】
［実施形態２］
上記実施形態１の試料番号３〜１４の試料では、導電性ペーストに含まれるガラスとして、軟化点がＣｕ粉の焼結開始温度よりも高く、Ｃｕ粉の焼結収縮時にガラスが軟化流動しにくいガラスを用い、外部電極の側面への回り込み部の先端領域とセラミック素体とがガラスを介して固着しないようにして、回り込み部の先端領域がセラミック素体の表面から浮いた構造を有する外部電極が形成されるようにしたが、以下に説明する、この実施形態２の方法でも、回り込み部の先端領域がセラミック素体の表面から浮いた構造を有する外部電極を形成することができる。
【００６７】
＜実施形態２における外部電極の形成方法＞
図３に示すように、外部電極ペーストを塗布する前のセラミック素体１０の側面部１５の、セラミック素体１０の端面３（３ａ，３ｂ）寄りの領域（外部電極の回り込み部の先端領域に対応する領域）に、エトセルやアクリルなど熱分解性の樹脂を有機溶剤に溶解させた樹脂ペースト３０を印刷し、乾燥させる。
【００６８】
それから、図４に示すように、セラミック素体１０の両端部に例えば浸漬塗布などの方法で外部電極ペースト２４を塗布する。
【００６９】
その後、外部電極ペーストが塗布されたセラミック素体を上記実施形態１で説明した方法と同様の方法で焼成することにより、上述のようにしてセラミック素体に塗布したエトセルやアクリルなど熱分解性の樹脂が、熱分解して、図５に示すように、外部電極４（４ａ，４ｂ）の回り込み部１４の先端領域１４ａと、セラミック素体１０の間隙２１を形成することができる。すなわち、回り込み部１４の先端領域１４ａがセラミック素体１０の表面から浮いた構造を有する外部電極４（４ａ，４ｂ）を形成することができる。
【００７０】
そして、その後は、上記実施形態１の場合と同様の方法で図１に示すような構造を有する積層セラミックコンデンサを作製することができる。
【００７１】
このようにして作製した積層セラミックコンデンサにおいても、上記実施形態１の方法で作製した積層セラミックコンデンサの場合と同様の効果を得ることができる。
【００７２】
なお、上記実施形態では、積層セラミックコンデンサを例にとって説明したが、本発明は、積層セラミックコンデンサに限らず、例えば、積層型ＬＣ複合部品、積層バリスタなどの、セラミック素体の内部に電極（内部電極）を備え，かつ、セラミック素体の端面から側面に回り込むような態様で外部電極を備えた種々の積層セラミック電子部品に適用することが可能である。
【００７３】
本発明はさらにその他の点においても上記実施形態に限定されるものではなく、発明の範囲内において、種々の応用、変形を加えることが可能である。
【符号の説明】
【００７４】
１                        セラミック層
２（２ａ，２ｂ）          内部電極
３（３ａ，３ｂ）          セラミック素体の端面
４（４ａ，４ｂ）          外部電極
１０                      セラミック素体
１２                      Ｎｉめっき膜層
１３                      Ｓｎめっき膜層
１４                      回り込み部
１４ａ                    回り込み部の先端領域
１５                      セラミック素体の４つの側面
２０                      樹脂層
２１                      間隙
２４                      外部電極ペースト
３０                      樹脂ペースト
Ｔ                        樹脂層の厚み
Ｗ                        樹脂層の幅
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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