(57)【要約】【課題】フィルム外装体との密着性、耐食性、溶接性及び曲げ性に優れると共に、生産性にも優れたフィルム外装電池用タブリード材料及びその製造方法を提供する。【解決手段】フィルム外装電池１００の内部の電極に接続されると共に該フィルム外装電池の外部に取り出されるフィルム外装電池用タブリード材料であって、Ｃｕ又はＣｕ合金からなる基材１ａの表面に第１Ｎｉめっき層１ｂが形成され、その上に第２Ｎｉめっき層１ｃが形成されてなり、第１Ｎｉめっき層が８００質量ｐｐｍ以下のＳを含み、かつ第２Ｎｉめっき層が１０００〜２５０００質量ｐｐｍのＳを含む。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
フィルム外装電池の内部の電極に接続されると共に該フィルム外装電池の外部に取り出されるフィルム外装電池用タブリード材料であって、
Ｃｕ又はＣｕ合金からなる基材の表面に第１Ｎｉめっき層が形成され、その上に第２Ｎｉめっき層が形成されてなり、
前記第１Ｎｉめっき層が８００質量ｐｐｍ以下のＳを含み、かつ前記第２Ｎｉめっき層が１０００〜２５０００質量ｐｐｍのＳを含むフィルム外装電池用タブリード材料。
【請求項２】
前記第１Ｎｉめっき層の厚みが０．２〜７．０μｍ、かつ前記第２Ｎｉめっき層の厚みが０．２〜２．０μｍである請求項１に記載のフィルム外装電池用タブリード材料。
【請求項３】
前記第２Ｎｉめっき層の表面に、厚みが１〜１０ｎｍの３価Ｃｒの化成処理膜が形成されてなる請求項１又は２に記載のフィルム外装電池用タブリード材料。
【請求項４】
フィルム外装電池の内部の電極に接続されると共に該フィルム外装電池の外部に取り出されるフィルム外装電池用タブリード材料の製造方法であって、
Ｃｕ又はＣｕ合金からなる基材の表面に、８００質量ｐｐｍ以下のＳを含む第１Ｎｉめっき層をめっきした後、１０００〜２５０００質量ｐｐｍのＳを含む第２Ｎｉめっき層をめっきするフィルム外装電池用タブリード材料の製造方法。
【請求項５】
前記第１Ｎｉめっき層の厚みを０．２〜７．０μｍ、かつ前記第２Ｎｉめっき層の厚みを０．２〜２．０μｍとする請求項４に記載のフィルム外装電池用タブリード材料の製造方法。
【請求項６】
前記第２Ｎｉめっき層の表面に、厚みが１〜１０ｎｍの３価Ｃｒの化成処理膜を形成する請求項４又は５に記載のフィルム外装電池用タブリード材料の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、リチウムイオンポリマー電池や電気二重層キャパシタ等に好適に用いられるフィルム外装電池用タブリード材料及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯機器等の電源として、リチウムイオン二次電池や電気二重層キャパシタ等（以下、これらをまとめて「電池」と称する）が用いられているが、これら電池の軽量化や薄型化がますます要望されている。このようなことから、電池の外装体として、金属ケースよりも軽量で薄いラミネートフィルムが用いられてきている。
このフィルム外装電池は、電極及び電解質を含む電池本体をフィルム外装体で密封して包装した構造になっている。そして、電池内部の電極（正極及び負極）に導電性のタブリードが接続され、この一対のタブリードがフィルム外装体の合わせ目のシール部から外部に露出して外部と電気的接続が可能となっている。
【０００３】
ところで、フィルム外装体の密封を維持するため、タブリードはフィルム外装体と隙間なく密着する必要があり、例えばタブリードとフィルム外装体の内面とは接着テープによって接着されている。また、タブリードは、電池内部で電解質に接触するため、電解質に対する耐食性が求められる。
このようなことから、リード線金属の表面に樹脂成分と金属塩とを含む処理液を噴霧して複合皮膜層を形成し、さらにその上に絶縁体を貼り合わせ、耐フッ酸性を向上させた技術が開示されている（特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１１−０８１９９２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１記載の技術の場合、樹脂を含んだ処理液を噴霧する工程や、その後に乾燥硬化する工程などが必要となり、生産性が低下したり製造工程が複雑になるという問題がある。また、樹脂を含む複合皮膜層がリード線金属の接点部や端子部に塗着すると、接点部の電気接続性や端子部の溶接性が低下する。このため、接点部や端子部をマスキングしたり、余分な皮膜を剥離、研磨する必要が生じ、生産性がさらに低下するおそれがある。
さらに、タブリードを電池内部に引き回したり、電池を携帯機器内に収容する際に電池外部のタブリードを曲げることがあり、タブリードにはある程度の曲げ性が要求されるが、特許文献１記載の技術の場合、リードを曲げると複合皮膜層がひび割れたり脱落する可能性がある。
一方、タブリードとしてＮｉが用いられているが、Ｎｉは高価であるため、Ｃｕ又はＣｕ合金に代替することが考えられる。しかしながら、Ｃｕ又はＣｕ合金はＮｉに比べて溶接性が劣ることが判明した。
【０００６】
従って、本発明の目的は、フィルム外装体との密着性、耐食性、溶接性及び曲げ性に優れると共に、生産性にも優れたフィルム外装電池用タブリード材料及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者らは種々検討した結果、Ｃｕ又はＣｕ合金からなる基材の表面にＮｉめっき層を２層めっきし、そのうち上層側のＮｉめっき層中のＳ濃度を高くすることで、上層側のＮｉめっき層が優先的に腐食され、下層側のＮｉめっき層の耐食性を確保できることを見出した。
上記の目的を達成するために、本発明のフィルム外装電池用タブリード材料は、フィルム外装電池の内部の電極に接続されると共に該フィルム外装電池の外部に取り出されるフィルム外装電池用タブリード材料であって、Ｃｕ又はＣｕ合金からなる基材の表面に第１Ｎｉめっき層が形成され、その上に第２Ｎｉめっき層が形成されてなり、前記第１Ｎｉめっき層が８００質量ｐｐｍ以下のＳを含み、かつ前記第２Ｎｉめっき層が１０００〜２５０００質量ｐｐｍのＳを含む。
【０００８】
前記第１Ｎｉめっき層の厚みが０．２〜７．０μｍ、かつ前記第２Ｎｉめっき層の厚みが０．２〜２．０μｍであることが好ましい。
前記第２Ｎｉめっき層の表面に、厚みが１〜１０ｎｍの３価Ｃｒの化成処理膜が形成されてなることが好ましい。
【０００９】
本発明のフィルム外装電池用タブリード材料の製造方法は、フィルム外装電池の内部の電極に接続されると共に該フィルム外装電池の外部に取り出されるフィルム外装電池用タブリード材料の製造方法であって、Ｃｕ又はＣｕ合金からなる基材の表面に、８００質量ｐｐｍ以下のＳを含む第１Ｎｉめっき層をめっきした後、１０００〜２５０００質量ｐｐｍのＳを含む第２Ｎｉめっき層をめっきする。
【００１０】
本発明のフィルム外装電池用タブリード材料の製造方法において、前記第１Ｎｉめっき層の厚みを０．２〜７．０μｍ、かつ前記第２Ｎｉめっき層の厚みを０．２〜２．０μｍとすることが好ましい。
前記第２Ｎｉめっき層の表面に、厚みが１〜１０ｎｍの３価Ｃｒの化成処理膜を形成することが好ましい。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、フィルム外装体との密着性、耐食性、溶接性及び曲げ性に優れると共に、生産性にも優れたフィルム外装電池用タブリード材料が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】タブリードを備えたフィルム外装電池を示す斜視図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線に沿う断面図である。
【図３】実施例１の試料の腐食試験後の外観を示す図である。
【図４】比較例１の試料の腐食試験後の外観を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明の実施形態について説明する。
図１は、タブリード１を備えたフィルム外装電池１００を示す斜視図、図２は図１のＡ−Ａ線に沿う断面図である。
図１に示すように、フィルム外装電池１００は、電極及び電解質を含む電池本体（図示せず）をフィルム外装体５で熱融着等により密封して包装した構造になっている。そして、電池内部の電極（正極及び負極）に導電性の一対のタブリード１が接続され、各タブリード１がフィルム外装体５の合わせ目のシール部５ａから外部に露出して外部と電気的接続が可能となっている。又、図１のフィルム外装電池１００は、非水電解質と、所定の活物質が塗布された正極及び負極と、セパレータとを電池本体とするリチウムイオン電池となっているが、電解質及び一対の電極を有し、電気エネルギーを蓄えて放出できるものであれば良く、電気二重層キャパシタ等を用いることもできる。
【００１４】
正極としては、例えば正極活性物質をアルミニウム等の正極集電材に塗布したものを用いることができる。負極としては、例えば負極活性物質をＣｕ等の負極集電材に塗布したものを用いることができる。
電解質としては、例えば有機溶媒等の非水溶媒にリチウム塩を配合した、液状、ゲル状および高分子ポリマー状の各種非水電解質を用いることができる。
フィルム外装体５としては、例えば金属箔の少なくとも片面に樹脂フィルムを積層したラミネートフィルムを用いることができる。金属箔としては、水を透過しないニッケル、銅、アルミニウム、ステンレス等の箔を用いることができる。樹脂フィルムとしては、ナイロン、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレートなどの熱融着フィルムを用いることができる。なお、少なくともタブリード１側のフィルム外装体５は、タブリード１と絶縁を図るために金属箔が露出していない樹脂フィルム側とする必要がある。通常は、金属箔の両面に樹脂フィルムを積層する。
【００１５】
又、図２に示すように、フィルム外装体５のシール部５ａは、一枚のフィルム外装体５を折り返した外縁部の合わせ目に形成され、タブリード１が電池の内部からシール部５ａを通って外部に取り出されている。
タブリード１は、Ｃｕ又はＣｕ合金からなる基材１ａと、基材１ａの両面にそれぞれ形成された第１Ｎｉめっき層１ｂと、各第１Ｎｉめっき層１ｂ上にそれぞれ形成された第２Ｎｉめっき層１ｃを有している。そして、シール部５ａ近傍のフィルム外装体５の内面と、タブリード１の表裏面との間は、それぞれ接着層３で隙間なく密封されている。接着層３としては、例えばポリエチレンやポリプロピレン等の粘着テープを用いることができる。
一方、フィルム外装体５の内部には電解質９及び図示しない電極（正極及び負極）が収容されている。そして、フィルム外装体５の内部で、タブリード１は、電解質９に接触すると共に、各電極のうち活物質が塗布されていない集電材露出部７に溶接等により接続されている。
なお、本実施形態では、各第２Ｎｉめっき層１ｃの表面に３価Ｃｒの化成処理膜２が形成されているが、この化成処理膜２は必須ではない。
【００１６】
次に、本発明の実施形態に係るフィルム外装電池用タブリード材料について詳細に説明する。図２に示すように、フィルム外装電池用タブリード材料は、Ｃｕ又はＣｕ合金からなる基材１ａの表面に第１Ｎｉめっき層１ｂが形成され、その上に第２Ｎｉめっき層１ｃが形成されてなる。
【００１７】
＜基材＞
ＣｕおよびＣｕ合金は導電性に優れ、かつ耐食性も比較的良好であるため、基材としてＣｕ又はＣｕ合金を用いる。Ｃｕ又はＣｕ合金は、例えば、ＪＩＳ−Ｈ３１００（Ｃ１０２０）に規格する無酸素銅、ＪＩＳ−Ｈ３１００（Ｃ１１００）に規格するタフピッチ銅、ＪＩＳ−Ｈ３１００（Ｃ２２００）に規格する丹銅、ＪＩＳ−Ｈ３１１０（５１９１）に規格するリン青銅、ＪＩＳ−Ｈ３１００（Ｃ２６００）に規格する黄銅、ＣＤＡ掲載合金（Ｃ７０２５）に規格するコルソン銅などが挙げられる。
特に、比較的大電流を流すタイプの電池のタブリードには、無酸素銅やタフピッチ銅などの高導電材料が好ましい。
基材の厚みは特に限定されないが、好ましくは０．１〜０．８ｍｍ、より好ましくは０．１〜０．６、さらに好ましくは０．１〜０．４ｍｍである。基材の幅は特に限定されないが、例えば幅３〜１００ｍｍ程度である。
基材は、インゴットを圧延し、さらにスリット加工して所定幅の条として製造できる。さらに必要に応じ、連続プレスにより所定形状（例えば、部分的に穴が開いた形状）の条に加工してもよい。Ｎｉめっき後のタブリードをプレス等で加工すると、加工部のめっき層が薄くなったりクラックが生じる可能性があるが、予め基材を加工した後にＮｉめっきを施すと、耐食性がより向上する。従って、耐食性をより一層向上させたい場合は、基材を加工後にＮｉめっきを施すとよい。
【００１８】
＜第１Ｎｉめっき層＞
本発明においては、基材の表面にＮｉめっき層を２層めっきし、そのうち上層側のＮｉめっき層中のＳ濃度を高くすることで、上層側のＮｉめっき層が優先的に腐食され、下層側のＮｉめっき層の耐食性を確保できる。又、Ｎｉめっき層はタブリードの溶接性を向上させる。
このうち、第１Ｎｉめっき層は、基材を保護する下地めっき層として機能し、８００質量ｐｐｍ以下のＳを含む。第１Ｎｉめっき層のＳの濃度は好ましくは６００質量ｐｐｍ以下である。なお、後述するウッド浴やスルファミン酸浴など工業的に公知のＮｉめっき液には硫酸塩やスルファミン酸塩が含有され、これらの成分がめっき過程において不可避的にめっき皮膜中に微量取り込まれるため、Ｓ濃度の下限は２０〜３０質量ｐｐｍである。
Ｎｉめっき層中のＳ濃度が高くなるほど腐食し易くなる。このため、第１Ｎｉめっき層のＳの濃度が８００質量ｐｐｍを超えると、第１Ｎｉめっき層の耐食性が低下し、その下層の基材の腐食を抑制することが困難となる。
【００１９】
第１Ｎｉめっき層の厚みは、０．２〜７．０μｍが好ましく、０．５〜５．０μｍがより好ましく、０．７〜２．０μｍが最も好ましい。
第１Ｎｉめっき層の厚みが０．２μｍ未満であると、めっき層のピンホールが多くなって耐食性が低下する場合がある。第１Ｎｉめっき層の厚みが７．０μｍを超えると耐食性の効果が飽和すると共に、曲げ性が低下する場合がある。
【００２０】
第１Ｎｉめっき層及び第２Ｎｉめっき層の境界は、フィルム外装電池用タブリード材料の断面をＦＩＢ（Focused Ion Beam；集束イオンビーム）により観察して区別することができる。
又、第１Ｎｉめっき層及び第２Ｎｉめっき層中のＳ濃度は、グロー放電質量分析法（ＧＤ−ＭＳ法）により、深さ方向にＳ濃度を測定することで求める。
具体的には、グロー放電質量分析法（ＧＤ−ＭＳ法）により、第２Ｎｉめっき層の表面から深さ方向にアルゴンスパッタし、厚さ方向の中央部まで削ったときのＳ濃度と、Ｃ（炭素）濃度を測定した。さらに、第２Ｎｉめっき層をアルゴンスパッタで除去した後、第１Ｎｉめっき層を深さ方向にアルゴンスパッタし、厚さ方向の中央部まで削ったときのＳ，Ｃ濃度を同様に測定した。
【００２１】
＜第２Ｎｉめっき層＞
第２Ｎｉめっき層は第１Ｎｉめっき層の表面に形成されている。上記したように第２Ｎｉめっき層中のＳ濃度を１０００〜２５０００質量ｐｐｍに高くすることで、第２Ｎｉめっき層が優先的に腐食され、下層側の第１Ｎｉめっき層の耐食性を確保できる。又、第２Ｎｉめっき層を介して相手材と溶接が行われる。
ここで、例えば第２Ｎｉめっき層に微細なピンホールが存在する場合に、第２Ｎｉめっき層より第１Ｎｉめっき層が腐食し易いと、ピンホールを介して下地の第１Ｎｉめっき層が集中的に腐食し、基材に達すると考えられる。一方、第２Ｎｉめっき層が第１Ｎｉめっき層より腐食し易いと、上記ピンホールが存在しても、ピンホール周囲で第２Ｎｉめっき層が優先的に腐食し、第１Ｎｉめっき層の腐食を抑制できると考えられる。
【００２２】
第２Ｎｉめっき層のＳの濃度が１０００ｐｐｍ未満であると、第２Ｎｉめっき層が第１Ｎｉめっき層に比べて優先的に腐食し難くなり、上記しためっき層全体の耐食性が低下する。一方、第２Ｎｉめっき層のＳの濃度が２５０００ｐｐｍを超えると、曲げ性が低下すると共に、めっき層が割れやすくなって耐食性も低下する。
第２Ｎｉめっき層のＳの濃度は、好ましくは１０００〜１５０００ｐｐｍである。
【００２３】
第２Ｎｉめっき層の厚みは、０．２〜３．０μｍが好ましく、０．３〜２．０μｍがより好ましく、０．５〜１．０μｍが最も好ましい。
第２Ｎｉめっき層の厚みが０．２μｍ未満であると、第２Ｎｉめっき層が第１Ｎｉめっき層に比べて優先的に腐食し難くなり、上記しためっき層全体の耐食性が低下する場合がある。第２Ｎｉめっき層の厚みが３．０μｍを超えると、曲げ性が低下する場合がある。
【００２４】
第１Ｎｉめっき層及び第２Ｎｉめっき層は、例えばウッド浴やスルファミン酸浴など工業的に公知のＮｉめっき液を用いた電解Ｎｉめっきで形成することができる。めっき条件も公知の条件を適用できる。
ここで、第１Ｎｉめっき層用のめっき液と、第２Ｎｉめっき層用のめっき液とに、それぞれ異なる濃度でＳ含有化合物からなる光沢剤を添加することで、各Ｎｉめっき層にＳが取り込まれ、各Ｎｉめっき層中のＳ濃度を調整することができる。Ｓ含有化合物からなる光沢剤としては、例えばスルフォン酸塩（飽和または不飽和の脂肪族のスルフォン酸塩、芳香族のスルフォン酸塩等）が挙げられ、具体的にはサッカリン、クマリン、ブチンジオール等が挙げられる。
【００２５】
本発明の実施形態に係るフィルム外装電池用タブリード材料は、例えば基材の条を連続めっきライン（フープめっきライン）で、電解脱脂、酸洗等の前処理に続いて電解Ｎｉめっきして工業的に製造することができる。ここで、最初にめっきする第１Ｎｉめっき層用のめっき漕のめっき液には少ない量の上記光沢剤を添加し、次にめっきする第２Ｎｉめっき層用のめっき漕のめっき液にはこれより多い量の上記光沢剤を添加すればよい。
【００２６】
＜３価Ｃｒ（クロム）の化成処理膜＞
第２Ｎｉめっき層の表面に、厚みが１〜１０ｎｍの３価Ｃｒの化成処理膜が形成されていてもよい。化成処理膜は、フィルム外装体５との密着性を向上させる。
化成処理膜の厚みが１ｎｍ未満であると、密着性が低いフィルムと積層した場合の浸漬試験後の密着強度が低くなる場合がある。化成処理膜の厚みが１０ｎｍを超えると、接触抵抗が大きくなって溶接性が低下する場合がある。密着性が低いフィルムとしては、例えば市販のポリエチレン系低粘性圧着フィルムが挙げられる。
化成処理膜の厚みは、ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光分析）により、アルゴンスパッタしながら深さ方向に成分分析を行ってＣｒ濃度が２％以上の領域を化成膜厚さとした。なおＸＰＳでは３価Ｃｒと６価Ｃｒを区別可能である。
化成処理膜の厚みが１．５〜５ｎｍであるとより好ましい。
【００２７】
化成処理膜は、例えば３価クロムを含有する溶液中に、第２Ｎｉめっき層を形成したタブリード材料を浸漬した後、乾燥して形成することができる。
３価クロムを含有する溶液としては、主成分の３価クロムの他に、亜鉛、ニッケルなどを含有する水溶性化合物を溶解した水溶液を使用することができる。水溶性の３価クロム化合物としては、例えば、硝酸クロム、硫酸クロム、塩化クロム、燐酸クロム、酢酸クロム等の塩類の他、クロム酸や重クロム酸塩等の六価クロム化合物を還元剤により３価に還元した化合物を使用することも可能である。また、これらを複数併用することもできる。
化成処理膜は、例えば上述の連続めっきラインのＮｉめっき、その後の水洗処理の工程の後に３価クロム処理槽を設け、連続的に形成する方法が効率的であり好ましい。又、めっきラインと別個に３価クロム処理ラインを設けてもよい。化成処理膜の形成は、３価クロム処理に通常使用される条件で行うことができ、処理温度、処理ｐＨ、処理時間、任意の添加剤などについて、当業者が通常行う通りに、具体的な実施の態様に応じた処理条件の変更を行うことができる。
【実施例】
【００２８】
以下に実施例をあげて、本発明を詳細に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
【００２９】
＜タブリード材の製造＞
基材となるＣｕおよびＣｕ合金として、それぞれタフピッチ銅（ＪＩＳ−Ｃ１１００）、リン青銅（ＪＩＳ−Ｃ５２００）、コルソン銅（ＪＩＳ−Ｃ７０２５）を用いた。これらの厚さ０．２ｍｍの銅合金板を、幅３０ｍｍ、長さ１００ｍｍの短冊状に切断した。
基材の両面に、第１Ｎｉめっき層と第２Ｎｉめっき層をこの順でめっきしてタブリード材料を製造した。又、一部の試料については、第２Ｎｉめっき層の表面にクロム化成処理を行って３価Ｃｒの化成処理膜を形成した。
第１Ｎｉめっき層及びの第２Ｎｉめっき層のめっき浴は、スルファミン酸浴（スルファミン酸ニッケルとホウ酸を含有、液温５５℃）に、光沢剤としてサッカリンを０〜２０ｇ/Ｌの間で種々調整し、１，４ブチンジオールを０〜５ｇ/Ｌの間で種々調整したものを用いた。これにより、各Ｎｉめっき層中のＳ濃度を調整した。
クロム化成処理は市販の３価Ｃｒ含有処理液（４０℃，ｐＨ４．５）を用い、処理液中に第２Ｎｉめっき層をめっきした後の試料を浸漬させて行った。化成処理膜の厚さは、処理液への浸漬時間を変えることで調整した。このようにして短冊状のタブリード材を製造した。
【００３０】
各Ｎｉめっき層の厚さはＦＩＢ（ＳＩＩナノテクノノジー社製  ＳＭＩ−３０５０ＳＥ）での断面像で各Ｎｉめっき層の境界を識別して測定した。
各Ｎｉめっき層中のＳとＣ濃度はグロー放電質量分析計（VG マイクロトレース社製  VG 9000）を用いて、上述のように測定した。
化成処理膜（クロメート層）の厚さは、ＸＰＳ（アルバックファイ社製  ＰＨＩ-５０００）による深さ方向分析を行って、上述のように測定した。
【００３１】
得られた試料につき、以下の評価を行った。
＜耐食性（腐食試験）＞
リチウムイオン電池の電解液として一般的に使用されているエチレンカーボネート＋ジメチルカーボネート＋ジエチルカーボネート液（１：１：１（モル比））にＬｉＰＦ６を１ｍｏｌ／Ｌ添加し、次に純水を電解液に対して１０００質量ｐｐｍ添加した腐食液を準備した。この腐食液に各試料を浸漬して６０℃の恒温槽の中に７２時間放置した。なお、上述のように試料は短冊形状であり、Ｎｉめっきの際にめっきセルに保持した一方の端面がめっきされずに基材が露出しているため、この露出部を腐食液に浸漬させないようにして試験を行った。
腐食試験後の試料を取出して洗浄、乾燥した後、試料表面の外観を光学顕微鏡（２０〜２００倍）で観察し、以下の基準で耐食性を評価した。評価が○、△であれば実用上問題はない。
○：腐食が観察されなかった
△：腐食点の数が１〜２個／ｍｍ２
×：腐食点の数が３個／ｍｍ２以上
なお、腐食の有無は、図４に示すようにめっき面の色調と異なる基材の銅のスポット状の色味（図４の暗部）が出たか否かで判定した。
【００３２】
＜溶接性（接触抵抗）＞
ＪＩＳ−Ｃ５４０２（５．３）に準拠して、各試料の接触抵抗を測定した。接触抵抗は、ロレスタ２端子法ＡＰプローブを使用し、直流抵抗として測定した。
＜曲げ性（曲げ試験）＞
日本伸銅協会技術標準ＪＣＢＡ  Ｔ３０７に従い、Ｗ型の金型を用いて各試料を曲げ半径Ｒ＝１．０ｍｍで曲げた。曲げ部のＮｉめっき層の割れの有無、割れの大きさを光学顕微鏡（５００倍）で観察し、以下の基準で曲げ性を評価した。評価が○、△であれば実用上問題はない。
○：Ｎｉめっき層の割れが観察されなかった
△：Ｎｉめっき層が割れたが基材は観察されなかった
×：Ｎｉめっき層が割れ、基材が観察された
なお、基材は、Ｎｉめっき層と色調と異なるので識別可能である。
【００３３】
＜フィルムとの密着性＞
タブリード材の片面に、メタロセン系ポリプロピレンからなる市販のシーラントフィルム（日本ポリプロ社製、ＷＩＮＴＥＣ）を重ね、１３０℃で５秒間熱圧着させた。この試験片につき、ＪＩＳ−Ｃ５０１６に従う１８０°ピール試験を行って密着性を評価した。
○：ピール強度が５Ｎ／１０ｍｍ以上
×：ピール強度が５Ｎ／１０ｍｍ未満
【００３４】
得られた結果を表１、表２に示す。
【００３５】
【表１】
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【００３６】
【表２】
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【００３７】
表１、表２から明らかなように、各実施例の場合、フィルムとの密着性、耐食性、溶接性及び曲げ性に優れていた。
なお、実施例１７は、第１Ｎｉめっき層をめっきする際、めっき浴中の光沢剤（サッカリン）濃度を０としたものである。
【００３８】
一方、第１Ｎｉめっき層を形成しなかった比較例１の場合、第２Ｎｉめっき層が腐食し易いために下地の基材が露出して腐食し、耐食性が劣った。
第２Ｎｉめっき層を形成しなかった比較例２の場合、第２Ｎｉめっき層が優先的に腐食されることによる下層側の第１Ｎｉめっき層の保護が実現されず、下地の基材が露出して腐食し、耐食性が劣った。これは、第１Ｎｉめっき層の微細なピンホールやめっき欠陥を通して下地の基材が直接腐食したためと考えられる。
第１Ｎｉめっき層のＳの濃度が８００質量ｐｐｍを超えた比較例３の場合、第１Ｎｉめっき層の耐食性が低下し、その下層の基材が露出して腐食し、耐食性が劣った。
第２Ｎｉめっき層のＳの濃度が１０００ｐｐｍ未満である比較例４の場合、第２Ｎｉめっき層が優先的に腐食し難くなり、下層側の第１Ｎｉめっき層の保護が十分でなくなったため、下地の基材が露出して腐食し、耐食性が劣った。
第２Ｎｉめっき層のＳの濃度が２５０００ｐｐｍを超えた比較例５の場合、曲げ性が劣ったと共に、第２Ｎｉめっき層が割れて耐食性も劣った。
【００３９】
なお、図３、図４は、それぞれ実施例１、比較例１の試料の腐食試験後の外観を示す。実施例１の場合、試料の表面に腐食点が観察されなかったが、比較例１の場合、濃色の腐食点が観察された。
【符号の説明】
【００４０】
１    タブリード
１ａ  基材
１ｂ  第１Ｎｉめっき層
１ｃ  第２Ｎｉめっき層
１００  フィルム外装電池
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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