(57)【要約】【課題】、影響半径の小さい現象に起因するパターン寸法変動を抑制するための補正データのデータ処理効率を向上させる。【解決手段】描画データは、荷電粒子ビーム描画装置に入力される、近接効果を補正するためのドーズ量情報を有する。この描画データの作成方法は、描画領域に対応するドーズ量情報を含む補正マップを持つ補正マップ付き描画データを入力する工程と、描画領域を複数のサブフレームに分割し、該サブフレームを複数のブロックに分割し、前記補正マップを分割した分割マップを各ブロックに割り当てる工程と、各ブロックに含まれる分割マップのメッシュサイズ、メッシュ数、及び各メッシュにおけるドーズ量情報をサブフレーム単位でファイル化する工程と、複数のサブフレームに対応する複数のファイルを有する階層化補正マップを持つ階層化補正マップ付き描画データを出力する工程と、を備える。【選択図】図９
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
荷電粒子ビームによって基板上の描画領域にパターンを描画する描画部と、
前記描画領域を分割したブロック単位のドーズ量情報を含む分割マップがサブフレーム単位でファイル化されている複数のファイルを有する階層化補正マップを持つ階層化補正マップ付き描画データが入力され、描画データに対してデータ変換処理を行ってショットデータを生成し、階層化補正マップから描画対象領域のブロックに対応する分割マップを読み込んでドーズ量を算出し、前記ショットデータ及び算出したドーズ量に基づいて前記描画部を制御する制御部と、
を備える荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項２】
前記階層化補正マップでは、各ブロックに含まれる分割マップのメッシュサイズ及びメッシュ数の情報を含む分割マップインデックスと、各メッシュにおけるドーズ量情報を含む分割マップデータとが分割マップ毎に定義されてサブフレーム単位でファイル化され、
各ファイルは、ファイル内の各ブロックの分割マップインデックスの格納位置を示すブロックポインタを有することを特徴とする請求項１に記載の荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項３】
少なくとも１つの図形を含む複数のセルがチップ領域に定義された設計データ、及び補正条件パラメータを入力する工程と、
前記設計データを図形の形状及び位置が定義された描画データに変換する工程と、
前記設計データ及び前記補正条件パラメータを用いて、近接効果を補正するためのドーズ量情報を求め、描画領域を複数のサブフレームに分割し、該サブフレームを複数のブロックに分割し、各ブロックに、前記ドーズ量情報を含む分割マップを割り当てる工程と、
各ブロックに含まれる分割マップのメッシュサイズ、メッシュ数、及び各メッシュにおけるドーズ量情報をサブフレーム単位でファイル化する工程と、
複数のサブフレームに対応する複数のファイルを有する階層化補正マップと、前記描画データとを含む階層化補正マップ付き描画データを出力する工程と、
を備える荷電粒子ビーム描画装置の描画データ作成方法。
【請求項４】
荷電粒子ビーム描画装置に入力される、近接効果を補正するためのドーズ量情報を有する描画データの作成方法であって、
描画領域に対応するドーズ量情報を含む補正マップを持つ補正マップ付き描画データを入力する工程と、
描画領域を複数のサブフレームに分割し、該サブフレームを複数のブロックに分割し、前記補正マップを分割した分割マップを各ブロックに割り当てる工程と、
各ブロックに含まれる分割マップのメッシュサイズ、メッシュ数、及び各メッシュにおけるドーズ量情報をサブフレーム単位でファイル化する工程と、
複数のサブフレームに対応する複数のファイルを有する階層化補正マップを持つ階層化補正マップ付き描画データを出力する工程と、
を備える荷電粒子ビーム描画装置の描画データ作成方法。
【請求項５】
少なくとも１つの図形を含む複数のセルがチップ領域に定義された設計データ、及び補正条件パラメータを入力する工程と、
前記設計データを図形の形状及び位置が定義された描画データに変換する工程と、
前記設計データ及び前記補正条件パラメータを用いて、近接効果を補正するためのドーズ量情報を求め、描画領域に対応するドーズ量情報を含む補正マップと前記描画データとを用いて前記補正マップ付き描画データを作成する工程と、
をさらに備えることを特徴とする請求項４に記載の荷電粒子ビーム描画装置の描画データ作成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、荷電粒子ビーム描画装置及び描画データ作成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＬＳＩの高集積化に伴い、半導体デバイスに要求される回路線幅は年々微細化されてきている。半導体デバイスへ所望の回路パターンを形成するためには、縮小投影型露光装置を用いて、石英上に形成された高精度の原画パターン（マスク、或いは特にステッパやスキャナで用いられるものはレチクルともいう。）をウェーハ上に縮小転写する手法が採用されている。高精度の原画パターンは、電子ビーム描画装置によって描画され、所謂、電子ビームリソグラフィ技術が用いられている。
【０００３】
電子ビーム描画を行うにあたり、まず半導体集積回路のレイアウトが設計され、レイアウトデータ（設計データ）が生成される。そして、レイアウトデータを描画データに変換し、電子ビーム描画装置に入力する。電子ビーム描画装置は描画データに基づいて描画を行う。
【０００４】
電子ビーム描画では、寸法変動を引き起こす様々な現象があり、例えば近接効果の影響半径は１０μｍ程度であり、フォギング効果やローディング効果の影響半径は数ｍｍ程度である。描画装置の内部では、これらの影響による寸法変動を抑制するため、ドーズ量補正演算がリアルタイムで行われていた。
【０００５】
寸法変動を引き起こす現象として、影響半径が３００ｎｍ〜４００ｎｍ程度と極めて短いＥＵＶマスク特有の近接効果が知られている（例えば非特許文献１参照）。この影響を考慮したドーズ量補正演算を行う場合、描画領域を例えば５０ｎｍ〜１００ｎｍ程度でメッシュ分割し、分割した小領域毎に演算を行う必要があるため、補正計算の処理時間が膨大になる。このような演算を描画装置の内部でリアルタイムに行うことは困難であるため、外部で予め補正量を算出し、作成した補正情報を描画装置に入力することが好ましい。
【０００６】
しかし、マップ形式の補正情報はデータ量が大きく、データ転送を効率良く行うことができなかった。また、１つのデータファイルで構成された補正情報は、並列分散処理に適さず、効率良くデータ処理を行うことができなかった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特許第４９８９１５８号公報
【非特許文献】
【０００８】
【非特許文献１】TakashiKamikubo et al., "Mask Process Correction (MPC) modeling and itsapplication to EUV mask for Electron beam mask writer, EBM-7000", Proc. ofSPIE Vol. 7823,782331-9 (2010)
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、上記従来の実状に鑑みてなされたものであり、影響半径の小さい現象に起因するパターン寸法変動を抑制するための補正情報を持つ描画データのデータ処理効率を向上させることができる荷電粒子ビーム描画装置及び描画データ作成方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の一態様による荷電粒子ビーム描画装置は、荷電粒子ビームによって基板上の描画領域にパターンを描画する描画部と、前記描画領域を分割したブロック単位のドーズ量情報を含む分割マップがサブフレーム単位でファイル化されている複数のファイルを有する階層化補正マップを持つ階層化補正マップ付き描画データが入力され、描画データに対してデータ変換処理を行ってショットデータを生成し、階層化補正マップから描画対象領域のブロックに対応する分割マップを読み込んでドーズ量を算出し、前記ショットデータ及び算出したドーズ量に基づいて前記描画部を制御する制御部と、を備えるものである。
【００１１】
本発明の一態様による荷電粒子ビーム描画装置において、前記階層化補正マップでは、各ブロックに含まれる分割マップのメッシュサイズ及びメッシュ数の情報を含む分割マップインデックスと、各メッシュにおけるドーズ量情報を含む分割マップデータとが分割マップ毎に定義されてサブフレーム単位でファイル化され、各ファイルは、ファイル内の各ブロックの分割マップインデックスの格納位置を示すブロックポインタを有することを特徴とする。
【００１２】
本発明の一態様による描画データ作成方法は、少なくとも１つの図形を含む複数のセルがチップ領域に定義された設計データ、及び補正条件パラメータを入力する工程と、前記設計データを図形の形状及び位置が定義された描画データに変換する工程と、前記設計データ及び前記補正条件パラメータを用いて、近接効果を補正するためのドーズ量情報を求め、描画領域を複数のサブフレームに分割し、該サブフレームを複数のブロックに分割し、各ブロックに、前記ドーズ量情報を含む分割マップを割り当てる工程と、各ブロックに含まれる分割マップのメッシュサイズ、メッシュ数、及び各メッシュにおけるドーズ量情報をサブフレーム単位でファイル化する工程と、複数のサブフレームに対応する複数のファイルを有する階層化補正マップと、前記描画データとを含む階層化補正マップ付き描画データを出力する工程と、を備えるものである。
【００１３】
本発明の一態様による描画データ作成方法は、荷電粒子ビーム描画装置に入力される、近接効果を補正するためのドーズ量情報を有する描画データの作成方法であって、描画領域に対応するドーズ量情報を含む補正マップを持つ補正マップ付き描画データを入力する工程と、描画領域を複数のサブフレームに分割し、該サブフレームを複数のブロックに分割し、前記補正マップを分割した分割マップを各ブロックに割り当てる工程と、各ブロックに含まれる分割マップのメッシュサイズ、メッシュ数、及び各メッシュにおけるドーズ量情報をサブフレーム単位でファイル化する工程と、複数のサブフレームに対応する複数のファイルを有する階層化補正マップを持つ階層化補正マップ付き描画データを出力する工程と、を備えるものである。
【００１４】
本発明の一態様による描画データ作成方法は、少なくとも１つの図形を含む複数のセルがチップ領域に定義された設計データ、及び補正条件パラメータを入力する工程と、前記設計データを図形の形状及び位置が定義された描画データに変換する工程と、前記設計データ及び前記補正条件パラメータを用いて、近接効果を補正するためのドーズ量情報を求め、描画領域に対応するドーズ量情報を含む補正マップと前記描画データとを用いて前記補正マップ付き描画データを作成する工程と、をさらに備えるものである。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、影響半径の小さい現象に起因するパターン寸法変動を抑制するための補正情報を持つ描画データのデータ処理効率を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】第１の実施形態によるデータ変換方法を説明するフローチャートである
【図２】第１の実施形態による電子ビーム描画システムの概略構成図である。
【図３】第１の実施形態による補正・変換装置のブロック図である。
【図４】データの階層構造の一例を示す図である。
【図５】サブフレーム及びブロックの例を示す図である。
【図６】１つのブロックに１つの分割マップが含まれる例を示す図である。
【図７】１つのブロックに２つの分割マップが含まれる例を示す図である。
【図８】１つのブロックにメッシュサイズの異なる複数の分割マップが含まれる例を示す図である。
【図９】階層化補正マップのデータ構造を示す図である。
【図１０】マップ領域のオフセットを示す図である。
【図１１】メッシュ値定義順を示す図である。
【図１２】サブフレーム及びブロックの例を示す図である。
【図１３】階層化補正マップの例を示す図である。
【図１４】同一のチップに対応する補正マップが隣接している状態を示す図である。
【図１５】補正マップの分割例を示す図である。
【図１６】チップを２つのブロックで分割する例を示す図である。
【図１７】ブロックに応じて補正マップを分割する例を示す図である。
【図１８】第２の実施形態による階層化補正マップを説明する図である。
【図１９】隣接する２つのチップの補正マップを示す図である。
【図２０】チップを２つのブロックで分割する例を示す図である。
【図２１】ブロックに応じて補正マップを分割する例を示す図である。
【図２２】ブロックに応じて補正マップを分割する例を示す図である。
【図２３】第３の実施形態による階層化補正マップを説明する図である。
【図２４】第３の実施形態による階層化補正マップを説明する図である。
【図２５】第３の実施形態による描画データのデータ構造を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
【００１８】
［第１の実施形態］
図１は、描画データが持つ、影響半径の小さい現象に起因するパターン寸法変動を抑制するためのドーズ量情報を、階層的なフォーマットのデータに変換して出力するデータ変換方法を説明するフローチャートである。図１に示すように、この方法は、設計データＤ１及び補正条件パラメータの入力工程（ステップＳ１０２）と、１ファイルで構成されたマップ形式のドーズ量情報（補正マップ）を持つ描画データの作成工程（ステップＳ１０４）と、補正マップを分割して各ブロックに割り当てる工程（ステップＳ１０６）と、分割した補正マップ（分割マップ）をサブフレーム単位でファイル化する工程（ステップＳ１０８）と、階層構造の補正マップを持つ描画データを出力する工程（ステップＳ１１０）と、を備える。
【００１９】
図２は、電子ビーム描画システムの概略構成図である。図２に示すように、電子ビーム描画システムは、補正・変換装置２００と、制御部２２０及び描画部２３０を有する描画装置とを備える。
【００２０】
描画部２３０は、電子鏡筒２４０、ＸＹステージ２５０、電子銃２４１、照明レンズ２４２、第１アパーチャ２４３、投影レンズ２４４、偏向器２４５、第２アパーチャ２４６、対物レンズ２４７、偏向器２４８を有している。
【００２１】
補正・変換装置２００は、設計データＤ１及び補正条件パラメータを用いて、階層化補正マップ付き描画データＤ２を生成する。設計データＤ１は、半導体集積回路のレイアウトに基づくレイアウトデータであり、これを描画装置に入力可能となるように変換して描画データが生成される。補正マップは補正条件パラメータに基づいて設定され、１ファイルで構成されている。階層化補正マップは、この補正マップを分割し、階層構造を持たせたものである。
【００２２】
制御部２２０は、描画データに対し、複数段のデータ変換処理を行い、装置固有のショットデータを生成する。また、制御部２２０は、階層化補正マップを用いて、所定サイズのメッシュ領域毎のドーズ量を算出する。制御部２２０は、ショットデータ、及び算出したドーズ量に基づいて描画部２３０を制御し、描画対象となるマスク基板２７０に所望の図形パターンを描画する。
【００２３】
電子銃２４１から出た電子ビーム２６０は、照明レンズ２４２により矩形の穴を持つ第１アパーチャ２４３全体を照明する。ここで、電子ビーム２６０をまず矩形に成形する。そして、第１アパーチャ２４３を通過した第１アパーチャ像の電子ビーム２６０は、投影レンズ２４４により第２アパーチャ２４６上に投影される。第２アパーチャ２４６上での第１アパーチャ像の位置は、偏向器２４５によって制御され、ビーム形状と寸法を変化させることができる。そして、第２アパーチャ２４６を通過した第２アパーチャ像の電子ビーム２６０は、対物レンズ２４７により焦点を合わせ、偏向器２４８により偏向されて、移動可能に配置されたＸＹステージ２５０上のマスク基板２７０の所望する位置に照射される。
【００２４】
図３は補正・変換装置２００の概略構成図である。補正・変換装置２００は、設計データＤ１及び補正条件パラメータを用いて補正マップを作成するとともに、設計データを描画データに変換する補正部２０１と、補正マップを各ブロックに割り当てる割当部２０２と、各ブロックに割り当てた分割マップをサブフレーム単位でファイル化し、補正マップに描画データと同様の階層構造を持たせ、階層化補正マップ付き描画データＤ２を作成するファイル作成部２０４とを備える。図４は、データの階層構造の一例を示す図である。
【００２５】
レイアウトデータでは、チップ上に複数のセルが配置され、そして、各セルには図形が配置される。補正部２０１は、レイアウトデータ（設計データ）を、図形の形状及び位置が定義された描画データに変換する。描画データでは、図４に示すように、描画領域が、チップの層、チップ領域を描画面と平行するある方向（例えばｙ方向）に向かって短冊状に分割したフレームの層、フレーム領域を所定の大きさの領域に分割したサブフレームの層、サブフレーム領域を所定の大きさの領域に分割したブロックの層、上述したセルの層、セルを構成するパターンとなる図形の層といった一連の複数の内部構成単位ごとに階層化されている。
【００２６】
補正マップは、例えばセルに対応してドーズ量情報が設定されており、１つのブロック、又はブロックの一部に対応するドーズ量情報が分割マップとなる。分割マップはメッシュ分割され、メッシュ値としてドーズ量情報（ドーズ量又はドーズ変調率）が定義されている。
【００２７】
補正マップは、影響半径が１μｍ以下、例えば３００ｎｍ〜４００ｎｍ程度と極めて短いＥＵＶマスク特有の近接効果による寸法変動を抑制するためのドーズ量情報を有する。そのため、分割マップをメッシュ分割するメッシュサイズは、影響半径の１／１０程度であり、例えば３０ｎｍ〜１００ｎｍ程度となっている。
【００２８】
補正マップでは、図５に示すように、複数のサブフレームによりマップ領域１０が定義され、各サブフレームは複数のブロックから構成される。図５に示す例では、マップ領域１０は４つのサブフレーム（０，０）（０，１）（１，０）（１，１）を有する。各サブフレームは８つのブロック（０，０）（０，１）（０，２）（０，３）（１，０）（１，１）（１，２）（１，３）を有する。
【００２９】
各ブロックには、分割マップが含まれ得る。図６は、１つのブロックに１つの分割マップが含まれる例を示し、図７は、１つのブロックに２つの分割マップが含まれる例を示す。なお、分割マップが含まれないブロックがあってもよい。
【００３０】
図８に示すように、１つのブロックに含まれる複数の分割マップが、メッシュサイズの異なるものであってもよい。
【００３１】
割当部２０２は、補正マップをサブフレーム及びブロックに分割し、各ブロックに分割マップを割り当てる。ファイル作成部２０４は、各ブロックに対応する分割マップをサブフレーム単位でファイル化し、階層化補正マップ付き描画データＤ２を作成する。例えば、図５に示す例では、マップ領域１０から４つのファイルが作成される。
【００３２】
図９は、階層化補正マップのデータ構造を示す。階層化補正マップは、設定データ、ブロックポインタ、及び補正データを有する。ブロックポインタ及び補正データは、サブフレーム単位でファイル化される。設定データには、アドレスユニット、マップ領域サイズ、ブロックサイズ、サブフレームサイズ、及びオフセットが定義されている。
【００３３】
階層化補正マップに含まれる（幾何学的）サイズ及び（オフセット値等の）座標の情報は、設定データに定義されるアドレスユニットの整数倍として定義される。例えば、アドレスユニットが１ｎｍである時、マップのＸ方向の領域サイズが２ｍｍであるならば、設定データのマップ領域サイズＸには、２×１０００×１０００／１＝２００００００という値が定義される。マップ領域サイズＸ、マップ領域サイズＹは、マップ領域１０のｘ方向、ｙ方向のサイズを示す。ブロックサイズＸ、ブロックサイズＹは、１つのブロックのｘ方向、ｙ方向のサイズを示す。サブフレームサイズＸ、サブフレームサイズＹは、１つのサブフレームのｘ方向、ｙ方向のサイズを示す。図５に示す例では、サブフレームサイズＸはブロックサイズＸの２倍となり、サブフレームサイズＹはブロックサイズＹの４倍となる。
【００３４】
オフセットＰＸ、ＰＹは、原点からみたマップ領域１０のｘ方向、ｙ方向のオフセットを示す。図１０（ａ）、（ｂ）に示すように、原点はチップ原点又はマスク原点である。
【００３５】
階層化補正マップの補正データには、ブロックインデックス、分割マップインデックス及び分割マップデータが含まれる。ブロックインデックスはブロック毎に定義され、サブフレーム内でのブロックのＩＤ、及び包含する分割マップの数を示す。ブロックインデックスに続いて、当該ブロックに含まれる分割マップ毎に分割マップインデックス及び分割マップデータが格納される。
【００３６】
分割マップインデックスには、マップ種別、メッシュサイズ、メッシュ数、オフセット、メッシュ値定義データ長、メッシュ値定義順フラグ、及び圧縮タイプ識別フラグが含まれる。例えば、マップ種別にはドーズマップと記述される。メッシュサイズＸ、メッシュサイズＹは、分割マップにおけるｘ方向、ｙ方向のメッシュサイズを示す。ブロック毎にメッシュサイズの情報を定義することで、図８に示すように、１ブロックにメッシュサイズの異なる分割マップが配置可能となる。
【００３７】
メッシュ数Ｘ、メッシュ数Ｙは、分割マップ内のｘ方向、ｙ方向のメッシュ数を示す。オフセットＸ、オフセットＹは、ブロックの基準点（例えば左下の頂点）からのｘ方向、ｙ方向のオフセットを示す。メッシュ値定義データ長は、メッシュ値のデータ長を示す。
【００３８】
メッシュ値定義順フラグは、分割マップにおけるメッシュ値の定義順を示す。例えば、メッシュ値定義順フラグが０の場合、図１１（ａ）に示すようにメッシュ値はｘ方向に定義されていることを示す。メッシュ値定義順フラグが１の場合、図１１（ｂ）に示すようにメッシュ値はｙ方向に定義されていることを示す。
【００３９】
圧縮タイプ識別フラグは、分割マップインデックスに続く分割マップデータが圧縮されているか否かを示す。例えば、圧縮タイプ識別フラグが０の場合、分割マップデータは非圧縮であることを示し、圧縮タイプ識別フラグが１の場合、分割マップデータは圧縮されていることを示す。ファイル作成部２０４は、分割マップデータのデータサイズが所定値以上の場合に分割マップデータを圧縮し、圧縮タイプ識別フラグに１を設定する。
【００４０】
非圧縮の分割マップデータには、マップデータ長及びマップデータが含まれる。圧縮された分割マップデータには、圧縮マップデータ長、非圧縮マップデータ長、及び圧縮マップデータが含まれる。マップデータは、分割マップのメッシュ値（ドーズ量又はドーズ変調率）を有する。分割マップデータはパディング処理されている。
【００４１】
図９に示すように、補正データには、１つのサブフレームに含まれる複数のブロックに対応するブロックインデックス、分割マップインデックス及び分割マップデータが一続きに並べられている。例えば、図５に示すサブフレーム（０，０）に対応する階層化補正マップには、ブロック（０，０）、ブロック（０，１）、ブロック（０，２）、ブロック（０，３）、ブロック（１，０）ブロック（１，１）ブロック（１，２）、ブロック（１，３）の順に、ブロックインデックスとブロックに含まれる分割マップ毎の分割マップインデックス及び分割マップデータとが、並べられている。
【００４２】
ブロックポインタは、１つのサブフレームに含まれる各ブロックのブロックＩＤと、対応する補正データの開始位置を示す情報を含む。ブロックポインタを参照することで、所望のブロックの補正データに容易にアクセスすることができる。
【００４３】
図１２及び図１３に示す具体例を用いて、階層化補正マップについてさらに説明する。図１２は、サブフレームの一例を示し、このサブフレームは、ブロック（０，０）、ブロック（０，１）、ブロック（１，０）、ブロック（１，１）の４つのブロックから構成されるものとする。
【００４４】
ブロック（０，０）には、分割マップ２１、２２が含まれる。ブロック（０，１）には、分割マップ２３が含まれる。ブロック（１，０）には、分割マップ２４、２５が含まれる。ブロック（１，１）には、分割マップ２６、２７が含まれる。
【００４５】
図１３は、図１２に示すサブフレームについての階層化補正マップを示す。ブロックポインタは、ブロック（０，０）、ブロック（０，１）、ブロック（１，０）、ブロック（１，１）の補正データの開始位置を示す。
【００４６】
ブロック（０，０）のブロックインデックスに続いて、分割マップ２１の分割マップインデックス、分割マップ２１の分割マップデータ、分割マップ２２の分割マップインデックス、分割マップ２２の分割マップデータが格納される。さらに、ブロック（０，１）のブロックインデックス、分割マップ２３の分割マップインデックス、及び分割マップ２３の分割マップデータが格納される。続いて、ブロック（１，０）のブロックインデックス、分割マップ２４の分割マップインデックス、分割マップ２４の分割マップデータ、分割マップ２５の分割マップインデックス、分割マップ２５の分割マップデータが格納される。さらに続いて、ブロック（１，１）のブロックインデックス、分割マップ２６の分割マップインデックス、分割マップ２６の分割マップデータ、分割マップ２７の分割マップインデックス、分割マップ２７の分割マップデータが格納される。
【００４７】
例えば、ブロック（０，０）のブロックインデックスは、包含する分割マップが２つであることを示す。分割マップ２１の分割マップインデックス領域には、分割マップ２１のメッシュサイズ、メッシュ数、ブロック（０，０）の原点からのオフセット等が含まれる。分割マップ２１の分割マップデータ領域には、分割マップ２１のメッシュ値が圧縮又は非圧縮の状態で格納される。ブロックポインタ及び補正データはサブフレーム単位でファイル化される。
【００４８】
本実施形態では、マップ形式のドーズ量情報を持つ補正マップを、サブフレーム毎にファイル化して階層構造を持たせるように変換し、補正マップを複数のファイルで表現する。つまり、階層化補正マップ付き描画データＤ２において、階層化補正マップは描画データと同様の階層構造を持ち、描画データに対応する区画毎にファイル化されている。そのため、描画装置の制御部２２０における演算処理では、演算対象の領域に対応する階層化補正マップのファイルにアクセスすればよい。例えば、制御部２２０は、演算対象領域が存在するフレームを検索し、次にサブフレームを検索し、続いてブロックを検索して、そのブロックに張り付けられているマップを読み込む。補正マップ全体が１ファイルで構成される場合と比較して、演算処理に必要なメモリサイズを低減し、処理速度を高速化し、データ処理効率を向上させることができる。
【００４９】
また、分割マップ毎に分割マップインデックスを持ち、メッシュサイズ等を定義するため、異なるメッシュサイズの分割マップを併用できる。必要な精度に応じてメッシュサイズを変えることができるため、精度を維持しつつ、階層化補正マップのデータ量を低減できる。
【００５０】
上記実施形態において、設計データＤ１及び補正条件パラメータから１ファイルで構成された補正マップを持つ補正マップ付き描画データを設計ツールで作成して出力し、補正・変換装置２００が、この補正マップ付き描画データから階層化補正マップ付き描画データＤ２を作成してもよい。
【００５１】
［第２の実施形態］
図１４は、同一のチップに対応する補正マップが隣接している状態を示す。図１４のチップＡの補正マップのメッシュ数は、ｘ方向及びｙ方向にそれぞれ６つとしている。
【００５２】
左右のチップＡは、左右両端部の周辺環境が異なるため、メッシュ値が異なる。具体的には、左側のチップＡの右端と右側のチップＡの左端とが互いに影響しあうため、左側チップＡのメッシュｍ００〜ｍ０５と、右側チップＡのメッシュｍ´００〜ｍ´０５とではメッシュ値が異なる。同様に、左側チップＡのメッシュｍ５０〜ｍ５５と、右側チップＡのメッシュｍ´５０〜ｍ´５５とではメッシュ値が異なる。そのため、２つのチップＡを１種類の補正マップで表現することが出来ない。２つのチップＡのそれぞれについてチップ全体の補正マップを持つ場合、データ量が大きくなる。
【００５３】
そこで、本実施形態では、図１５に示すように、チップＡの補正マップを左端部、中央部、右端部に分割する。左側チップＡの左端部をマップＯ１Ｌ、中央部をマップＣ、右端部をマップＯ１Ｒとする。右側チップＡの左端部をマップＯ２Ｌ、中央部をマップＣ、右端部をマップＯ２Ｒとする。左右のチップＡで補正値が異なるのは左右両端部であり、中央部は同じマップである。
【００５４】
さらに、図１６に示すように、チップＡが２つのブロックＢ００、Ｂ１０により構成される場合を考える。この場合、図１７に示すように、チップＡの中央部のマップＣがマップＣＬとマップＣＲとに分割される。
【００５５】
このような補正マップを定義する際には、分割マップインデックスにジョブデックリンクコードを追加する。例えば、図１８（ａ）に示すように、ブロックＢ００、Ｂ１０に定義するマップとリンクコードを定める。そして、分割マップインデックスに図１８（ｂ）に示すようなジョブデックを記述する。
【００５６】
これにより、図１４に示すように、同一チップがマスク上に複数配置され、周辺環境の違いによりチップ境界領域のみ両者のマップデータが異なる場合に、チップ中央部のマップデータを重複して持つ必要がなく、階層化補正マップのデータ量を低減できる。
【００５７】
［第３の実施形態］
上記第１の実施形態では、影響半径の小さい現象に起因するパターン寸法変動を抑制するためのドーズ量情報を含む補正マップについて説明したが、影響半径の大きい現象をさらに考慮に入れた補正情報としてもよい。
【００５８】
図１９に示すように、チップＡとチップＢとが隣接している場合を考える。チップＡの補正マップをマップＭＡ、チップＢの補正マップをマップＭＢとする。チップＡでは、隣接するチップＢの影響を無視するため、中央部のみ、影響半径の小さい現象及び影響半径の大きい現象に対するドーズ量補正を行う。同様に、チップＢでは、隣接するチップＡの影響を無視するため、中央部のみ、影響半径の小さい現象及び影響半径の大きい現象に対するドーズ量補正を行う。
【００５９】
チップＡ、チップＢのその他の領域は、影響半径の大きい現象に対するドーズ量補正は行わず、影響半径の小さい現象に対するドーズ量補正のみ行う。これらの領域における影響半径の大きい現象に対するドーズ量補正は、描画装置内で行われる。
【００６０】
影響半径の小さい現象及び影響半径の大きい現象に対するドーズ量補正を行ったことを示す補正コードを導入する。チップＡの中央部を補正コード指定領域とし、この領域のマップをマップＣＣＡとする。チップＢの中央部を補正コード指定領域とし、この領域のマップをマップＣＣＢとする。マップＣＣＡ、マップＣＣＢのフォーマットは分割マップと同じとする。
【００６１】
さらに、図２０に示すように、チップＡが２つのブロックＢＡ００、ＢＡ１０により構成され、チップＢが２つのブロックＢＢ００、ＢＢ１０により構成される場合を考える。この場合、図２１に示すように、マップＭＡはマップＭＡ００、ＭＡ１０に分割され、マップＭＢはマップＭＢ００、ＭＢ１０に分割される。また、図２２に示すように、補正コード指定領域のマップＣＣＡは、マップＣＣＡ１、ＣＣＡ２に分割され、マップＣＣＢは、マップＣＣＢ１、ＣＣＢ２に分割される。
【００６２】
図２１、図２２を組み合わせると、チップＡは、図２３（ａ）のように表現され、図２３（ｂ）のようにマップが定義される。チップＢは、図２４（ａ）のように表現され、図２４（ｂ）のようにマップが定義される。マップＣＣＡ１、ＣＣＡ２、ＣＣＢ１、ＣＣＢ２は、分割マップインデックスのマップ種別（図９参照）に“補正コード指定枠”が記述される。
【００６３】
このように、補正コード指定領域を定義することで、描画装置では、影響半径の大きい現象に対するドーズ量補正が外部装置で計算された領域を判別することができる。隣接するチップからの影響を無視できるチップ中央部については、影響半径の小さい現象及び影響半径の大きい現象に対するドーズ量補正を外部装置で予め行っておくことで、描画装置内での計算量を削減し、処理効率を向上させることができる。
【００６４】
［第４の実施形態］
上記第１の実施形態で説明したように、階層化補正マップと描画データは同様の階層構造を持っている。そのため、描画データ（セル配置情報ファイル）の各ブロック先頭に対応する補正マップデータへのポインタを定義し、そこから、階層化補正マップの対応するブロックの補正データにリンクさせてもよい。
【００６５】
図２５は、描画データのデータ構造の一例を示す。描画データは、セル配置情報ファイル、リンク情報ファイル、及びセルパターン情報ファイルを有する。図２５は、４つのブロック（０，０）、（０，１）、（１，０）、（１，１）にセルＣＡ、ＣＢ、ＣＣの少なくともいずれか１つが配置された場合の描画データを示す。
【００６６】
セル配置情報ファイルには、ブロック領域ごとに、複数の構成要素パターンであるセルＣＡ、ＣＢ、ＣＣのいずれかを配置するための配置情報が含まれている。セル配置情報は、セルの基準点の配置位置を示す座標等で示される。ここでは、セル配置情報ファイルのファイルヘッダに続き、ブロック（０，０）ヘッダ、ブロック（０，０）の補正マップデータへのポインタ、ブロック（０，０）内に配置されたセル配置情報Ｌ１、セル配置情報Ｌ２、ブロック（０，１）ヘッダ、ブロック（０，１）の補正マップデータへのポインタ、ブロック（０，１）内に配置されたセル配置情報Ｌ３、セル配置情報Ｌ４、ブロック（１，０）ヘッダ、ブロック（１，０）の補正マップデータへのポインタ、ブロック（１，０）内に配置されたセル配置情報Ｌ５、セル配置情報Ｌ６、ブロック（１，１）ヘッダ、ブロック（１，１）の補正マップデータへのポインタ、ブロック（１，１）内に配置されたセル配置情報Ｌ７が格納されている。
【００６７】
各セル配置情報Ｌｎには、セル配置座標、及びリンク情報インデックスが含まれている。これらのデータにより、セル配置情報ファイルでは、各ブロックに配置されるセルの位置を表す座標、及び後述するセルパターン情報へとリンクさせるための情報を把握することができる。
【００６８】
セルパターンデータファイルには、セルＣＡ、ＣＢ、ＣＣのパターン情報が含まれている。ここでは、セルＣＡのパターンデータを示すセルパターンデータＣＡ、セルＣＢのパターンデータを示すセルパターンデータＣＢ、セルＣＣのパターンデータを示すセルパターンデータＣＣが順に１回ずつ格納されている。
【００６９】
リンク情報ファイルには、セル配置情報とセルパターン情報とをリンクさせるリンク情報が含まれる。例えば、セル配置情報Ｌ１からリンク情報ｋ１を通してセルパターンデータＣＡが参照される。このように、セル配置情報とセルパターンデータとを別々のファイルに作成することにより、配置位置ごとにパターンデータを持つ必要がなくなるため、描画データのデータ量の低減を図ることができる。
【００７０】
本実施形態では、図２５に示すように、セル配置情報ファイルの各ブロックのヘッダに続いて、対応するブロックの補正マップへのポインタが格納されている。このポインタを参照することで、描画データから、階層化補正マップの対応ブロックへ直接リンクされる。これにより、描画装置内での演算処理において、描画データ及び階層化補正マップのそれぞれ対応するブロックのデータに容易にアクセスすることができ、データ処理効率をさらに向上させることができる。
【００７１】
図２５に示す描画データは、図示しない描画データ作成装置により設計データから作成する。描画データ作成装置は、設計データに基づいて、描画領域を複数のブロックに分割し、分割されたブロック毎に、複数のセルのいずれかを配置するための配置情報、及び階層化補正マップ内の対応ブロックの分割マップインデックスの格納位置を示すポインタを含むセル配置情報ファイルを作成する。
【００７２】
描画データ作成装置は、設計データに基づいて、セルのパターンデータを含むセルパターンデータファイルを作成する。また、描画データ作成装置は、設計データに基づいて、セル配置情報とセルパターンデータとをリンクさせるリンク情報を含むリンク情報ファイルを作成する。そして、描画データ作成装置は、セル配置情報ファイル、セルパターンデータファイル、及びリンク情報ファイルを有する描画データを作成して出力する。
【００７３】
上記実施形態では、荷電粒子ビームの一例として、電子ビームを用いた構成について説明したが、荷電粒子ビームは電子ビームに限るものではなく、イオンビーム等の他の荷電粒子ビームでもよい。
【００７４】
上記実施形態で説明した補正・変換装置２００の少なくとも一部は、ハードウェアで構成してもよいし、ソフトウェアで構成してもよい。ソフトウェアで構成する場合には、変換装置２００の少なくとも一部の機能を実現するプログラムをフレキシブルディスクやＣＤ−ＲＯＭ等の記録媒体に収納し、コンピュータに読み込ませて実行させてもよい。記録媒体は、磁気ディスクや光ディスク等の着脱可能なものに限定されず、ハードディスク装置やメモリなどの固定型の記録媒体でもよい。
【００７５】
また、補正・変換装置２００の少なくとも一部の機能を実現するプログラムを、インターネット等の通信回線（無線通信も含む）を介して頒布してもよい。さらに、同プログラムを暗号化したり、変調をかけたり、圧縮した状態で、インターネット等の有線回線や無線回線を介して、あるいは記録媒体に収納して頒布してもよい。
【００７６】
なお、本発明は上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。
【符号の説明】
【００７７】
２００  補正・変換装置
２２０  制御部
２３０  描画部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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