(57)【要約】【課題】ＩＰＳ方式を採用しながらも開口率の向上を図ることができる液晶表示装置とその製造方法を提供する。【解決手段】複数の壁状構造物１４と平坦化層１９が絶縁材料により一体に形成され、それぞれの画素を挟む一対の壁状構造物１４の壁面上にそれぞれ画素電極２０が形成され、平坦化層１９の上に配置されている画素電極２０の平面部分２０ｂが平坦化層１９を介して共通配線２６に対向することで、画素電極２０と共通配線２６との間に平坦化層１９の存在による蓄積容量が形成され、第１の共通電極１８と共通配線２６は同層の透明導電層から一体に形成されている。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板と第２の基板とが液晶層を介して互いに対向し、前記第１の基板の前記液晶層側の表面上に平坦化層が形成されると共に前記平坦化層の上に複数の壁状構造物が突出形成され、それぞれ互いに隣接する一対の前記壁状構造物に挟まれるように区画された複数の画素がマトリクス状に配置され、前記壁状構造物の下に前記複数の画素にまたがる共通配線が前記平坦化層の下に形成された液晶表示装置であって、
それぞれの画素は、
それぞれの画素を挟む一対の前記壁状構造物の壁面上に配置された画素電極と、
それぞれの画素を挟む一対の前記壁状構造物の間で且つ前記平坦化層の下に配置された共通電極と
を有し、
前記平坦化層と前記壁状構造物が絶縁材料から一体に形成され、
それぞれの画素における前記共通電極と前記共通配線とが同層の透明導電層から形成され、
それぞれの画素における前記画素電極と前記共通配線との間に前記平坦化層の存在による蓄積容量が形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記画素電極は、前記平坦化層を挟んで前記共通配線に重なるように配置された平面部分を有し、
前記蓄積容量は、前記画素電極の前記平面部分と、前記共通配線と、前記画素電極の前記平面部分と前記共通配線との間に挟まれた前記平坦化層により形成されている請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記平坦化層と前記壁状構造物を形成する前記絶縁材料は、１０以上の比誘電率を有する請求項１または２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記壁状構造物の壁面は、前記平坦化層の表面に対して垂直に延びている請求項１〜３のいずれか一項に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記壁状構造物の壁面は、前記平坦化層の表面に対して鈍角をなす方向に延びている請求項１〜３のいずれか一項に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか一項に記載の液晶表示装置を製造する方法であって、
前記第１の基板の表面上に共通の透明導電層からなる前記共通配線およびそれぞれの画素の前記共通電極を形成し、
前記共通配線およびそれぞれの画素の前記共通電極が形成された前記第１の基板の表面上に絶縁材料からなる前記平坦化層と前記複数の壁状構造物を一体に形成し、
それぞれの画素を挟む一対の前記壁状構造物の壁面上に前記画素電極を形成する
ことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項７】
前記平坦化層と前記複数の壁状構造物は、光インプリント法またはフォトリソグラフィ法により一体に形成される請求項６に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項８】
前記平坦化層と前記複数の壁状構造物は、エチレン性不飽和結合含有基を有するモノマーと光ラジカル開始剤と含有する光硬化性組成物を用いて光インプリント法により形成される請求項７に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項９】
前記平坦化層と前記複数の壁状構造物は、ハーフトーン露光を用いたフォトリソグラフィ法により形成される請求項７に記載の液晶表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、液晶表示装置およびその製造方法に係り、特に、液晶分子を基板と平行な面内で回転させる、いわゆるＩＰＳ（In Plane Switching）方式の液晶表示装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置は、薄型、軽量および低消費電力を可能にするという利点を有するため、各種の電子機器に広く利用されている。
特に、近年、テレビ、コンピュ−タ用ディスプレイ等への用途においては、大画面化に対応して、視野角の広い液晶表示装置が要求されている。視野角を広げる表示方式として、基板に平行な電界を発生させることにより、液晶分子を基板と平行な面内で回転させる、いわゆるＩＰＳ方式が注目されている。このＩＰＳ方式においては、オン状態においてもオフ状態においても、液晶分子の長軸が常に基板にほぼ平行であり、基板に対して起伏することがないので、視野角に応じた液晶の光学特性の変化が小さく、広視野角が得られることとなる。
【０００３】
ＩＰＳ方式を用いた液晶表示装置が、例えば、特許文献１に開示されている。この液晶表示装置では、図６に示されるように、第１の基板１０１と第２の基板１０２が液晶層１０３を介して対向配置されている。第１の基板１０１の上に絶縁膜１０４を介して複数の凸状絶縁膜１０５が突出形成され、互いに隣接する一対の凸状絶縁膜１０５に挟まれるように、それぞれの画素が区画されている。一対の凸状絶縁膜１０５の壁面上には、それぞれ画素電極１０６が形成され、これらの画素電極１０６に挟まれる画素の中央部には、第１の基板１の絶縁膜１０４上に第１の共通電極１０７が形成されると共に第２の基板１０２側に第２の共通電極１０８が形成されている。
また、図７に示されるように、画素電極１０６は、それぞれの画素の周囲を囲むように配置され、第１の共通電極１０７および第２の共通電極１０８は、画素電極１０６の内側に配置されている。
【０００４】
そして、第１の共通電極１０７および第２の共通電極１０８に共通の一定電位が印加された状態で、画素内に形成された図示しない薄膜トランジスタを介して画素電極１０６に画像信号が供給されることにより、画素電極１０６と第１の共通電極１０７および第２の共通電極１０８との間に電界が生成され、液晶層１０３の液晶分子が、第１の基板１０１および第２の基板１０２と平行な面内で回転駆動される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１２−２２０５７５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
このようにしてマトリクス状に配列された複数の画素における液晶層１０３の液晶分子を回転駆動するために、すべての画素に配置された第１の共通電極１０７を互いに電気的に接続すると共にすべての画素に配置された第２の共通電極１０８を互いに電気的に接続し、第1の共通電極１０７または第２の共通電極１０８と電気的に接続される共通配線と画素電極１０６との間に補助容量を形成する必要がある。
【０００７】
しかしながら、従来技術の構造では、図６に示されるように、第１の基板１０１側において、第１の共通電極１０７は、画素電極１０６と同層の透明導電膜から形成されている。従って、図７に示したように、それぞれの画素の周囲に配置されている共通電極１０７を画素電極１０６との短絡を回避しつつ隣接する画素の共通電極と電気的に接続したり、画素電極１０６と共通電極の一部を誘電体となる層を挟んで重ねて補助容量の形成を可能とするためには、画素電極１０６および画素電極１０６の内側に配置されている第１の共通電極１０７とは別の層に、複数の画素を通る共通配線を形成し、この共通配線にそれぞれの画素の第１の共通電極１０７を接続しなければならない。このため、第１の共通電極１０７の下に絶縁膜１０４等を貫通するコンタクトホールを形成する必要が生じ、コンタクトホールの存在により光が透過し得る有効面積が減じられ、画素の開口率が低下するという問題があった。
【０００８】
この発明は、このような従来の問題点を解消するためになされたもので、ＩＰＳ方式を採用しながらも開口率の向上を図ることができる液晶表示装置を提供することを目的とする。
また、この発明は、このような液晶表示装置の製造方法を提供することも目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
この発明に係る液晶表示装置は、第１の基板と第２の基板とが液晶層を介して互いに対向し、第１の基板の液晶層側の表面上に平坦化層が形成されると共に平坦化層の上に複数の壁状構造物が突出形成され、それぞれ互いに隣接する一対の壁状構造物に挟まれるように区画された複数の画素がマトリクス状に配置され、壁状構造物の下に複数の画素にまたがる共通配線が平坦化層の下に共通配線が形成された液晶表示装置であって、それぞれの画素は、それぞれの画素を挟む一対の壁状構造物の壁面上に配置された画素電極と、それぞれの画素を挟む一対の壁状構造物の間で且つ平坦化層の下に配置された共通電極とを有し、平坦化層と壁状構造物が絶縁材料から一体に形成され、それぞれの画素における共通電極と共通配線とが同層の透明導電層から形成され、それぞれの画素における画素電極と共通配線との間に平坦化層の存在による蓄積容量が形成されているものである。
【００１０】
好ましくは、画素電極は、平坦化層を挟んで共通配線に重なるように配置された平面部分を有し、蓄積容量は、画素電極の平面部分と、共通配線と、画素電極の平面部分と共通配線との間に挟まれた平坦化層により形成されている。
平坦化層と壁状構造物を形成する絶縁材料は、１０以上の比誘電率を有することが好ましい。
また、好ましくは、壁状構造物の壁面は、平坦化層の表面に対して垂直に延びている、あるいは、平坦化層の表面に対して鈍角をなす方向に延びている。
【００１１】
この発明に係る液晶表示装置の製造方法は、第１の基板の表面上に共通の透明導電層からなる共通配線およびそれぞれの画素の共通電極を形成し、共通配線およびそれぞれの画素の共通電極が形成された第１の基板の表面上に絶縁材料からなる平坦化層と複数の壁状構造物を一体に形成し、それぞれの画素を挟む一対の壁状構造物の壁面上に画素電極を形成する方法である。
【００１２】
平坦化層と複数の壁状構造物は、光インプリント法またはフォトリソグラフィ法により一体に形成することが好ましい。
この場合、平坦化層と複数の壁状構造物を、エチレン性不飽和結合含有基を有するモノマーと光ラジカル開始剤と含有する光硬化性組成物を用いて光インプリント法により形成する、あるいは、平坦化層と複数の壁状構造物を、ハーフトーン露光を用いたフォトリソグラフィ法により形成することができる。
【発明の効果】
【００１３】
この発明によれば、平坦化層と壁状構造物が絶縁材料から一体に形成され、それぞれの画素における共通電極と共通配線とが同層の透明導電層から形成され、それぞれの画素における画素電極と共通配線との間に平坦化層の存在による蓄積容量が形成されているので、それぞれの画素の共通電極と共通配線とを接続するためのコンタクトホールが不要となり、ＩＰＳ方式を採用しながらも開口率の向上を図ることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】この発明の実施の形態１に係る液晶表示装置の構造を示す部分断面図である。
【図２】実施の形態１に係る液晶表示装置の１つの画素を示す部分平面図である。
【図３】図２のＢ−Ｂ線に沿った部分断面図である。
【図４】実施の形態１に係る液晶表示装置の製造方法を段階的に示す部分断面図である。
【図５】実施の形態２に係る液晶表示装置の構造を示す部分断面図である。
【図６】従来の液晶表示装置の構造を示す部分断面図である。
【図７】従来の液晶表示装置の１つの画素の構造を示す部分平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、この発明の実施の形態を添付図面に基づいて説明する。
実施の形態１
図１に実施の形態１に係る液晶表示装置の構造を示す。第１の基板１１と第２の基板１２が液晶層１３を介して対向配置されている。第１の基板１１の上に複数の壁状構造物１４が互いに間隔を隔てて突出形成され、互いに隣接する一対の壁状構造物１４に挟まれるように、それぞれの画素が区画されている。
第１の基板１１の表面上に絶縁膜１５が形成され、絶縁膜１５上で且つ複数の壁状構造物１４の直下にそれぞれドレイン線１６が形成されている。絶縁膜１５の上には、ドレイン線１６を覆うように絶縁膜１７が形成されており、絶縁膜１７上で且つ互いに隣接する一対の壁状構造物１４の間に第１の共通電極１８が形成されている。
【００１６】
さらに、絶縁膜１７の上には、第１の共通電極１８を覆うように平坦化層１９が形成されている。この平坦化層１９は、絶縁材料により、複数の壁状構造物１４と一体に形成されている。また、それぞれの壁状構造物１４の壁面は、平坦化層１９の表面に対して垂直に延びている。
それぞれの画素を挟む一対の壁状構造物１４の壁面上に、それぞれ画素電極２０が形成されている。この画素電極２０は、壁状構造物１４の壁面上に配置される壁面部分２０ａと、壁面部分２０ａの下端に接続され且つ平坦化層１９の上に配置される平面部分２０ｂとを有しており、それぞれの画素において、一対の壁状構造物１４の壁面上に配置された壁面部分２０ａが、第１の基板１１の表面と平行な方向に、液晶層１３を介して互いに対向するように構成されている。
【００１７】
一方、第１の基板１１に対向する第２の基板１２の表面上には、互いに隣接する画素と画素の間にブラックマトリクス層２１が形成されると共に、それぞれの画素に対応してカラーフィルタ２２が形成されている。さらに、第２の基板１２の全面にわたってカラーフィルタ２２の表面上にオーバーコート層２３が形成され、オーバーコート層２３の表面上に、第１の基板１１側の第１の共通電極１８と対向するように第２の共通電極２４が形成されている。
そして、オーバーコート層２３の表面が平坦化層１９の表面に対向するように、第１の基板１１側の複数の壁状構造物１４の上にそれぞれスペーサ２５を介して第２の基板１２側のオーバーコート層２３が接合されている。
さらに、液晶層１３とは反対方向を向いた第１の基板１１の面上および第２の基板１２の面上に、それぞれ、第１の偏光板Ｐ１および第２の偏光板Ｐ２が配置されている。
【００１８】
図２に示されるように、画素電極２０は、互いに隣接する一対の壁状構造物１４に挟まれることで区画されたそれぞれの画素の周囲を囲むように配置されており、一対の壁状構造物１４に沿った方向の画素電極２０の端部においては、平面部分２０ｂが、一対の壁状構造物１４の壁面上に配置された壁面部分２０ａを互いに接続して連結するように配置されている。この画素電極２０の平面部分２０ｂの直下に、壁状構造物１４の下を横切って複数の画素を通るように壁状構造物１４に対して直交する方向に延びる共通配線２６が形成され、それぞれの画素に形成された第１の共通電極１８が共通配線２６に接続されている。第１の共通電極１８と共通配線２６は、同層の透明導電層から一体に形成されており、コンタクトホールを介することなく、互いに接続されている。
【００１９】
また、壁状構造物１４の下を横切って複数の画素を通るように壁状構造物１４に対して直交する方向に延びるゲート線２７が、共通配線２６に沿って形成されており、ゲート線２７の電位に応じて画素電極２０の平面部分２０ｂと対応するドレイン線１６との間の接続をオン／オフする薄膜トランジスタ２８が形成されている。共通配線２６は、画素電極２０の平面部分２０ｂの下に切り欠き部２９を有し、切り欠き部２９の内側で、コンタクトホール３０を介して画素電極２０の平面部分２０ｂが後述するソース部に接続され、ドレイン線１６から薄膜トランジスタ２８に向かって張り出したドレイン部１６ａとゲート線２７とソース部の間に薄膜トランジスタ２８が形成されている。
【００２０】
なお、図２のＡ−Ａ線に沿った液晶表示装置の断面が図１に相当している。また、図２のＢ−Ｂ線に沿った第１の基板１１側の断面を図３に示す。
絶縁膜１５上にソース部３１が形成されると共に、ゲート線２７の直上の絶縁膜１５上にドレイン部１６ａとソース部３１とを接続するように半導体層３２が形成され、これらゲート線２７、ドレイン部１６ａ、ソース部３１および半導体層３２により薄膜トランジスタ２８が構成されている。ゲート線２７の電位に応じてドレイン部１６ａとソース部３１との間が接続状態となり、画素電極２０とドレイン線１６とが互いに接続される。
また、画素電極２０の平面部分２０ｂが平坦化層１９を介して共通配線２６に対向しており、画素電極２０と共通配線２６との間に平坦化層１９の存在による蓄積容量が形成されている。
【００２１】
なお、第１の基板１１および第２の基板１２としては、例えば、ガラスまたは樹脂からなる透明基板を用いることができる。
また、画素電極２０、第１の共通電極１８、第２の共通電極２４および共通配線２６の形成材料としては、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化亜鉛アルミニウム（ＡＺＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）等の透明な導電材料を用いることができる。
【００２２】
平坦化層１９と複数の壁状構造物１４を一体に形成する絶縁材料としては、例えば、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、スチレン樹脂、ノボラック樹脂、シロキサン樹脂、ポリイミド樹脂等の公知の材料を使用することができる。また、これらのうちいずれかの樹脂にラジカル重合性モノマーとラジカル開始剤とを混合した材料、あるいは、いずれかの樹脂にカチオン重合性モノマーとカチオン開始剤とを混合することで硬化性組成物とした材料を用いることもできる。さらに、ラジカル重合性モノマーまたはカチオン重合性モノマーと開始剤との混合組成物を使用することも可能である。
【００２３】
また、平坦化層１９と複数の壁状構造物１４を形成する絶縁材料は、１０以上の比誘電率を有するものが好ましく、例えば、公知の高誘電率材料を微粒子化して上記の各種の絶縁材料に分散したものを用いることにより、高誘電率の平坦化層１９および壁状構造物１４を得ることができる。高誘電率材料としては、金属、金属酸化物、有機金属化合物等を挙げることができ、例えば、銀微粒子を分散した絶縁材料の使用が好ましい。
【００２４】
このような構成を有する実施の形態１の液晶表示装置は、次のようにして製造することができる。
まず、公知の方法により、第１の基板１１の表面上に、互いに平行な複数のゲート線２７とこれらゲート線２７に対して直交する方向に延びる複数のドレイン線１６とを、絶縁膜１５を介して格子状に形成すると共に、ゲート線２７とドレイン線１６とにより囲まれるそれぞれの画素に薄膜トランジスタ２８を形成した後、図４（Ａ）に示されるように、ドレイン線１６と薄膜トランジスタ２８を覆うように絶縁膜１７を形成する。
【００２５】
次に、図４（Ｂ）に示されるように、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）等の透明な導電材料をスパッタ法等により絶縁膜１７の上に形成した後、エッチングを施して絶縁膜１７の上に第１の共通電極１８および共通配線２６を一体に形成する。
その後、図４（Ｃ）に示されるように、第１の共通電極１８および共通配線２６を覆うように絶縁膜１７の上に平坦化層１９を形成すると共に複数のドレイン線１６の直上に位置する絶縁膜１７の上に複数の壁状構造物１４を形成する。
【００２６】
ここで、平坦化層１９と複数の壁状構造物１４は、公知の方法、例えば、光インプリント法、フォトリソグラフィ法等を用いて一体に形成される。
光インプリント法は、光ディスクの製作においては周知のエンボス技術を発展させ、凹凸のパターンが形成された金型原器（一般的に、モールド、スタンパ、テンプレート等と呼ばれる）を、光硬化性組成物にプレスして力学的に変形させることにより、微細パターンを精密に転写する技術であり、形状の制御性に優れた方法である。光インプリント法については、本出願人の出願による特開２００８−１９２９２号公報および特開２００９−２０６１９６号公報に詳しく説明されている。
【００２７】
この光インプリント法を用いて平坦化層１９と複数の壁状構造物１４を作成する場合には、エチレン性不飽和結合含有基を有するモノマーと光重合開始剤と含有する光硬化性組成物を好適に用いることができる。
エチレン性不飽和結合含有基を有するモノマーとしては、エチレン性不飽和結合含有基を１個有する重合性不飽和単量体、エチレン性不飽和結合含有基を２個以上有する多官能重合性不飽和単量体、エチレン性不飽和結合含有基を３個以上有する多官能重合性不飽和単量体を用いることができ、これらを併用することもできる。
【００２８】
エチレン性不飽和結合含有基を１個有する重合性不飽和単量体としては、イソボルニル（メタ）アクリレート、ジシクロヘンタニル（メタ）アクリレート、グリシジル（メタ）アクリレート、（メタ）アクリル酸等が挙げられる。
エチレン性不飽和結合含有基を２個有する重合性不飽和単量体としては、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、１，９−ノナンジオールジ（メタ）アクリレート、トリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパンジアクリレート等が挙げられる。
【００２９】
また、エチレン性不飽和結合含有基を３個以上有する重合性不飽和単量体としては、ＥＯ変性グリセロールトリ（メタ）アクリレート、ＰＯ変性グリセロールトリ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ＥＯ変性トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ＰＯ変性トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールエトキシテトラ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、ウレタン（メタ）アクリレート等が挙げられる。
【００３０】
この他、オキシラン環またはオキセタン環を有する化合物を用いることもできる。エポキシ樹脂としては、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂等が挙げられる。
【００３１】
また、光重合開始剤は、ラジカル重合開始剤を含むことが好ましい。
ここで、「光」とは、その照射により成分Ｂより開始種を発生し得るエネルギーを付与することができる活性エネルギー線であれば、特に制限はなく、α線、γ線、Ｘ線、紫外線（ＵＶ）、可視光線、電子線等を広く包含するものである。これらの中でも、紫外線を少なくとも含む光が好ましい。
【００３２】
光重合開始剤としては、例えば、オキシムエステル化合物、有機ハロゲン化化合物、オキシジアゾール化合物、カルボニル化合物、ケタール化合物、ベンゾイン化合物、アクリジン化合物、有機過酸化化合物、アゾ化合物、クマリン化合物、アジド化合物、メタロセン化合物、ヘキサアリールビイミダゾール化合物、有機ホウ酸化合物、ジスルホン酸化合物、オニウム塩化合物、アシルホスフィン（オキシド）化合物が挙げられる。これらの中でも、感度およびインプリント性の観点から、オキシムエステル化合物、アシルホスフィン（オキシド）化合物、ヘキサアリールビイミダゾール化合物が特に好ましい。
オキシムエステル化合物としては、特開２０００−８００６８号公報、特開２００１−２３３８４２号公報、特表２００４−５３４７９７号公報、特開２００７−２３１０００号公報、特開２００９−１３４２８９号公報に記載の化合物を使用することができる。
【００３３】
さらに、光硬化性組成物に、光重合開始剤の他、光増感剤を加えて、ＵＶ領域の波長を調整することもできる。本発明において用いることができる典型的な光増感剤としては、クリベロ〔J.V.Crivello,Adv.in Polymer Sci,62,1(1984)〕に開示されているものが挙げられ、具体的には、ピレン、ペリレン、アクリジンオレンジ、チオキサントン、２−クロロチオキサントン、ベンゾフラビン、Ｎ−ビニルカルバゾール、９，１０−ジブトキシアントラセン、アントラキノン、クマリン、ケトクマリン、フェナントレン、カンファキノン、フェノチアジン誘導体等を挙げることができる。さらに、有機溶剤を含ませることもできる。
【００３４】
光硬化性組成物の具体例としては、例えば、
ジシクロヘンタニル（メタ）アクリレート：３３重量部
ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート：３３重量部
ＥＯ変性トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート：３０重量部
２，４，６−トリメチルベンゾイル−エトキシフェニル−ホスフィンオキシド：３.９重量部
シリコーン系界面活性剤：０.１重量部
を挙げることができる。
【００３５】
一方、フォトリソグラフィ法を用いて平坦化層１９および複数の壁状構造物１４を作成する場合には、公知のフォトリソグラフィ組成物を用いることができる。フォトリソグラフィ材料にはネガ型およびポジ型があるが、いずれの材料も好適に用いることができる。
互いに厚さの異なる平坦化層１９と壁状構造物１４を一体に形成するには、ハーフトーン露光を利用することが好適である。
【００３６】
このようにして絶縁膜１７の上に平坦化層１９と複数の壁状構造物１４を一体に形成した後、図４（Ｄ）に示されるように、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）等の透明な導電材料をスパッタ法等により平坦化層１９の表面上およびそれぞれの壁状構造物１４の壁面上に形成し、さらに、エッチングを施して、壁状構造物１４の壁面上に配置される壁面部分２０ａと平坦化層１９の表面上に配置される平面部分２０ｂとが互いに接続して連結された画素電極２０を形成する。
【００３７】
別途、公知の方法により、第２の基板１２の表面上に、ブラックマトリクス層２１およびカラーフィルタ２２を形成すると共に、さらに、オーバーコート層２３および第２の共通電極２４を順次形成する。
そして、第１の基板１１側の複数の壁状構造物１４と第２の基板１２側のオーバーコート層２３が互いに対向するように第１の基板１１と第２の基板１２を配置し、これらの間に液晶層１３を配置すると共に第１の基板１１側の複数の壁状構造物１４の上にそれぞれスペーサ２５を介して第２の基板１２側のオーバーコート層２３を接合し、さらに、第１の基板１１と第２の基板１２の互いに外方を向いた表面上にそれぞれ第１の偏光板Ｐ１および第２の偏光板Ｐ２を接合することで、実施の形態１に係る液晶表示装置が製造される。
このように、平坦化層１９と複数の壁状構造物１４を同一の絶縁材料で一体に形成し、画素電極２０と共通配線２６との間に平坦化層１９の存在による蓄積容量が形成されるようにしたので、少ない工程数で液晶表示装置を製造することが可能となる。
【００３８】
液晶表示装置の動作時には、それぞれの画素において、第１の共通電極１８および第２の共通電極２４に共通の一定電位が印加されると共にドレイン線１６に画像信号が供給され、ゲート線２７に電圧を印加して薄膜トランジスタ２８をオン状態にすると、ドレイン線１６が画素電極２０に接続されて画素電極２０に画像信号が供給される。これにより、画素電極２０と第１の共通電極１８および第２の共通電極２４との間に電界が生成され、液晶層１３の液晶分子が、第１の基板１１および第２の基板１２と平行な面内で回転駆動される。その結果、それぞれの画素内の液晶層１３が対応する画像信号に応じた透過率を有することとなる。
【００３９】
図２に示したように、それぞれの画素における第１の共通電極１８と共通配線２６とが同層の透明導電層から一体に形成されているので、第１の共通電極１８を共通配線２６に接続するためのコンタクトホールをそれぞれの画素内に形成する必要がない。従って、光が透過し得る画素内の有効面積を、第１の共通電極１８と共通配線２６を接続するためのコンタクトホールにより低減することが防止され、開口率の向上を図ることが可能となる。
また、それぞれの壁状構造物１４の壁面が、平坦化層１９の表面に対して垂直に延び、この壁面上に画素電極２０の壁面部分２０ａが形成されているので、それぞれの画素を挟む一対の壁状構造物１４の間に、第１の基板１１および第２の基板１２とほぼ平行な電界を形成することができ、液晶層１３の液晶分子を応答性よく回転制御することが可能となる。
【００４０】
実施の形態２
図５に実施の形態２に係る液晶表示装置の構造を示す。この液晶表示装置は、図３に示した実施の形態１の液晶表示装置において、平坦化層１９の表面に対して垂直に延びる壁面を有する壁状構造物１４の代わりに、平坦化層１９の表面に対して鈍角をなす方向に延びる壁面を有する壁状構造物３４を用いたものである。壁状構造物３４は、平坦化層１９と同一の絶縁材料により、平坦化層１９と一体に形成されている。壁状構造物３４以外の構成は、実施の形態１の液晶表示装置と同一である。
【００４１】
このような壁状構造物３４の壁面上に画素電極２０の壁面部分２０ａが形成されている。このため、それぞれの画素を挟む一対の壁状構造物３４の壁面上に形成された画素電極２０の壁面部分２０ａは、互いに平行ではなく、第１の基板１１から離れるに従って互いの間隔が拡がるように傾斜している。
なお、図５では、第２の基板１２側の構成が省略されているが、実施の形態１の液晶表示装置と同様に、第２の基板１２が液晶層１３を介して第１の基板１１に対向して配置されている。
【００４２】
この実施の形態２に係る液晶表示装置においても、実施の形態１の液晶表示装置と同様に、平坦化層１９と壁状構造物３４が絶縁材料から一体に形成され、それぞれの画素における第１の共通電極１８と共通配線２６とが同層の透明導電層から形成され、それぞれの画素における画素電極２０と共通配線２６との間に平坦化層１９の存在による蓄積容量が形成されている。このため、開口率の向上を図ることが可能となる。
【００４３】
この実施の形態２では、壁状構造物３４の壁面が、平坦化層１９の表面に対して鈍角をなす方向に延びているので、絶縁材料から平坦化層１９と壁状構造物３４を一体に形成した後、画素電極２０を形成する際に、多少の位置ずれを生じても、画素電極２０の壁面部分２０ａを壁状構造物３４の壁面上に形成することができ、液晶表示装置の製造が容易となる。
ただし、液晶層１３の液晶分子の回転制御性に関しては、実施の形態１の液晶表示装置のように、壁状構造物１４の壁面が平坦化層１９の表面に対して垂直に延び、それぞれの画素を挟む一対の壁状構造物３４の壁面上に形成された画素電極２０の壁面部分２０ａが互いに平行な位置関係にある方が好ましい。
【符号の説明】
【００４４】
１１  第１の基板、１２  第２の基板、１３  液晶層、１４，３４  壁状構造物、１５，１７  絶縁膜、１６  ドレイン線、１６ａ  ドレイン部、１８  第１の共通電極、１９  平坦化層、２０  画素電極、２０ａ  壁面部分、２０ｂ  平面部分、２１  ブラックマトリクス層、２２  カラーフィルタ、２３  オーバーコート層、２４  第２の共通電極、２５  スペーサ、２６  共通配線、２７  ゲート線、２８  薄膜トランジスタ、２９  切り欠き部、３０  コンタクトホール、３１  ソース部、３２  半導体層、Ｐ１  第１の偏光板、Ｐ２  第２の偏光板。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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