(57)【要約】      （修正有）【課題】同一画像を連続して出力したときに生じる焼付きゴーストの発生と共に、光暴露されたときに生じる光疲労の発生を抑制した感光体を提供する。【解決手段】式（ＣＴ１）の電荷輸送材料、特定構造の電荷輸送材料、分子量３００以上のヒンダードフェノール系酸化防止剤及びベンゾフェノン系紫外線吸収剤よりなる群から選択される少なくとも１種を含む感光層を有する感光体、及びトナー（体積平均粒径：３μｍ以上５．０μｍ以下）を含む現像剤により、トナー像を形成する現像手段を備え、｜ΔＶ｜＝｜Ｖｐ−Ｖｒ｜が５５０Ｖ以上である画像形成装置。2016184034.tif 000028【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性基体と、前記導電性基体上に設けられた感光層であって、電荷発生材料と、下記一般式（ＣＴ１）で示される電荷輸送材料と、下記一般式（ＣＴ２）で示される電荷輸送材料と、分子量３００以上のヒンダードフェノール系酸化防止剤およびベンゾフェノン系紫外線吸収剤よりなる群から選択される少なくとも１種と、を含む感光層とを有する電子写真感光体と、
前記電子写真感光体の表面を帯電する帯電手段と、
帯電した前記電子写真感光体の表面を露光し静電潜像を形成する静電潜像形成手段と、
体積平均粒径が３μｍ以上５．０μｍ以下であるトナーを含む現像剤を収容し、前記現像剤により、前記電子写真感光体の表面に形成された静電潜像を現像してトナー像を形成する現像手段と、
前記トナー像を記録媒体の表面に転写する転写手段と、
を備え、
前記帯電手段により帯電された後の前記電子写真感光体の表面の帯電電位（Ｖｐ）と、前記露光された後の前記電子写真感光体の表面の露光後電位（Ｖｒ）との差の絶対値（｜ΔＶ｜）が５５０Ｖ以上である画像形成装置。
【化１】
2016184034.tif 000024
（一般式（ＣＴ１）中、ＲＣ１１、ＲＣ１２、ＲＣ１３、ＲＣ１４、ＲＣ１５、及びＲＣ１６は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１以上２０以下のアルキル基、炭素数１以上２０以下のアルコキシ基、又は、炭素数６以上３０以下のアリール基を表し、隣接する２つの置換基同士が結合して炭化水素環構造を形成してもよい。ｎ及びｍは、各々独立に、０、１又は２を表す。）
【化２】
2016184034.tif 000025
（一般式（ＣＴ２）中、ＲＣ２１、ＲＣ２２、及びＲＣ２３は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１以上１０以下のアルキル基、炭素数１以上１０以下のアルコキシ基、又は、炭素数６以上１０以下のアリール基を表す。）
【請求項２】
前記一般式（ＣＴ１）で示される電荷輸送材料において、ＲＣ１１、ＲＣ１２、ＲＣ１３、ＲＣ１４、ＲＣ１５、及びＲＣ１６が水素原子を表し、ｍ及びｎが１を表す請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項３】
前記一般式（ＣＴ２）で示される電荷輸送材料において、ＲＣ２１、及びＲＣ２３が水素原子を表し、ＲＣ２２が炭素数１以上１０以下のアルキル基を表す請求項１又は請求項２に記載の画像形成装置。
【請求項４】
前記ヒンダードフェノール系酸化防止剤が、下記一般式（ＨＰ）で示される酸化防止剤である請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の画像形成装置。
【化３】
2016184034.tif 000026
（一般式（ＨＰ）中、ＲＨ１、及びＲＨ２は、各々独立に、炭素数４以上８以下の分岐状のアルキル基を表す。ＲＨ３、及びＲＨ４は、各々独立に、水素原子、又は、炭素数１以上１０以下のアルキル基を表す。ＲＨ５は、炭素数１以上１０以下のアルキレン基を表す。）
【請求項５】
前記一般式（ＨＰ）で示される酸化防止剤において、ＲＨ１、及びＲＨ２がｔｅｒｔ−ブチル基を表す請求項４に記載の画像形成装置。
【請求項６】
前記ベンゾフェノン系紫外線吸収剤が、下記一般式（ＢＰ）で示される紫外線吸収剤である請求項１〜請求項５のいずれか１項に記載の画像形成装置。
【化４】
2016184034.tif 000027
（一般式（ＢＰ）中、ＲＢ１、ＲＢ２、及びＲＢ３は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１以上１０以下のアルキル基、炭素数１以上１０以下のアルコキシ基、又は、炭素数６以上１０以下のアリール基を表す。）
【請求項７】
前記一般式（ＢＰ）で示されるベンゾフェノン系紫外線吸収剤において、ＲＢ１、及びＲＢ２が水素原子を表し、ＲＢ３が炭素数１以上４以下のアルコキシ基を表す請求項６に記載の画像形成装置。
【請求項８】
前記電荷発生材料が、ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料である請求項１〜請求項７のいずれか１項に記載の画像形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、画像形成装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、電子写真方式の画像形成装置としては、電子写真感光体（以下、「感光体」という場合がある。）を用いて帯電、静電潜像形成、現像、転写、クリーニング等の工程を順次行う装置が広く知られている。
【０００３】
電子写真感光体としては、アルミニウム等の導電性を有する基体上に、電荷を発生する電荷発生層と、電荷を輸送する電荷輸送層を積層する機能分離型の感光体、又は、電荷を発生する機能と電荷を輸送する機能を同一の層が果たす単層型の感光体が知られている。
【０００４】
例えば、特許文献１には、電荷輸送層に、ブタジエン一量体系電荷輸送材料とヒンダードフェノール系酸化防止剤とヒンダードアミン系酸化防止剤とを含有する電子写真感光体が開示されている。
特許文献２には、感光層に、ブタジエン三量体系電荷輸送材料とフェノール系酸化防止剤とベンゾトリアゾール系紫外線吸収剤とを含有する電子写真感光体が開示されている。
特許文献３には、最表面層に、ブタジエン系電荷輸送材料とヒンダードフェノール系酸化防止剤とを含有することを特徴とする感光体が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平７−２６１４１４号公報
【特許文献２】特開２０１０−２１１０５７号公報
【特許文献３】特開２０１２−０４７９５９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の課題は、電荷発生材料と、一般式（ＣＴ１）で示される電荷輸送材料と、一般式（ＣＴ２）で示される電荷輸送材料とを含む感光層に、更に、酸化防止剤および紫外線吸収剤として、ヒンダードアミン系酸化防止剤およびベンゾエート系紫外線吸収剤よりなる群から選択される少なくとも１種のみを含む電子写真感光体を備え、帯電手段により帯電された後の電子写真感光体の表面の帯電電位（Ｖｐ）と、露光された後の電子写真感光体の表面の露光後電位（Ｖｒ）との差の絶対値（｜ΔＶ｜）が５５０Ｖ以上である画像形成装置である場合に比べ、同一画像を連続して出力したときに生じる焼付きゴーストの発生と共に、電子写真感光体が光暴露されたときに生じる光疲労の発生を抑制した画像形成装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題は、以下の手段により解決される。
【０００８】
請求項１に係る発明は、
導電性基体と、前記導電性基体上に設けられた感光層であって、電荷発生材料と、下記一般式（ＣＴ１）で示される電荷輸送材料と、下記一般式（ＣＴ２）で示される電荷輸送材料と、分子量３００以上のヒンダードフェノール系酸化防止剤およびベンゾフェノン系紫外線吸収剤よりなる群から選択される少なくとも１種と、を含む感光層とを有する電子写真感光体と、
前記電子写真感光体の表面を帯電する帯電手段と、
帯電した前記電子写真感光体の表面を露光し静電潜像を形成する静電潜像形成手段と、
体積平均粒径が３μｍ以上５．０μｍ以下であるトナーを含む現像剤を収容し、前記現像剤により、前記電子写真感光体の表面に形成された静電潜像を現像してトナー像を形成する現像手段と、
前記トナー像を記録媒体の表面に転写する転写手段と、
を備え、
前記帯電手段により帯電された後の前記電子写真感光体の表面の帯電電位（Ｖｐ）と、前記露光された後の前記電子写真感光体の表面の露光後電位（Ｖｒ）との差の絶対値（｜ΔＶ｜）が５５０Ｖ以上である画像形成装置である。
【０００９】
【化１】
2016184034.tif 000002
【００１０】
（一般式（ＣＴ１）中、ＲＣ１１、ＲＣ１２、ＲＣ１３、ＲＣ１４、ＲＣ１５、及びＲＣ１６は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１以上２０以下のアルキル基、炭素数１以上２０以下のアルコキシ基、又は、炭素数６以上３０以下のアリール基を表し、隣接する２つの置換基同士が結合して炭化水素環構造を形成してもよい。ｎ及びｍは、各々独立に、０、１又は２を表す。）
【００１１】
【化２】
2016184034.tif 000003
【００１２】
（一般式（ＣＴ２）中、ＲＣ２１、ＲＣ２２、及びＲＣ２３は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１以上１０以下のアルキル基、炭素数１以上１０以下のアルコキシ基、又は、炭素数６以上１０以下のアリール基を表す。）
【００１３】
請求項２に係る発明は、
前記一般式（ＣＴ１）で示される電荷輸送材料において、ＲＣ１１、ＲＣ１２、ＲＣ１３、ＲＣ１４、ＲＣ１５、及びＲＣ１６が水素原子を表し、ｍ及びｎが１を表す請求項１に記載の画像形成装置である。
【００１４】
請求項３に係る発明は、
前記一般式（ＣＴ２）で示される電荷輸送材料において、ＲＣ２１、及びＲＣ２３が水素原子を表し、ＲＣ２２が炭素数１以上１０以下のアルキル基を表す請求項１又は請求項２に記載の画像形成装置である。
【００１５】
請求項４に係る発明は、
前記ヒンダードフェノール系酸化防止剤が、下記一般式（ＨＰ）で示される酸化防止剤である請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の画像形成装置である。
【００１６】
【化３】
2016184034.tif 000004
【００１７】
（一般式（ＨＰ）中、ＲＨ１、及びＲＨ２は、各々独立に、炭素数４以上８以下の分岐状のアルキル基を表す。ＲＨ３、及びＲＨ４は、各々独立に、水素原子、又は、炭素数１以上１０以下のアルキル基を表す。ＲＨ５は、炭素数１以上１０以下のアルキレン基を表す。）
【００１８】
請求項５に係る発明は、
前記一般式（ＨＰ）で示される酸化防止剤において、ＲＨ１、及びＲＨ２がｔｅｒｔ−ブチル基を表す請求項４に記載の画像形成装置である。
【００１９】
請求項６に係る発明は、
前記ベンゾフェノン系紫外線吸収剤が、下記一般式（ＢＰ）で示される紫外線吸収剤である請求項１〜請求項５のいずれか１項に記載の画像形成装置である。
【００２０】
【化４】
2016184034.tif 000005
【００２１】
（一般式（ＢＰ）中、ＲＢ１、ＲＢ２、及びＲＢ３は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１以上１０以下のアルキル基、炭素数１以上１０以下のアルコキシ基、又は、炭素数６以上１０以下のアリール基を表す。）
【００２２】
請求項７に係る発明は、
前記一般式（ＢＰ）で示されるベンゾフェノン系紫外線吸収剤において、ＲＢ１、及びＲＢ２が水素原子を表し、ＲＢ３が炭素数１以上４以下のアルコキシ基を表す請求項６に記載の画像形成装置である。
【００２３】
請求項８に係る発明は、
前記電荷発生材料が、ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料である請求項１〜請求項７のいずれか１項に記載の画像形成装置である。
【発明の効果】
【００２４】
請求項１に係る発明によれば、電荷発生材料と、一般式（ＣＴ１）で示される電荷輸送材料と、一般式（ＣＴ２）で示される電荷輸送材料とを含む感光層に、更に、酸化防止剤および紫外線吸収剤として、ヒンダードアミン系酸化防止剤およびベンゾエート系紫外線吸収剤よりなる群から選択される少なくとも１種のみを含む電子写真感光体を備え、帯電手段により帯電された後の電子写真感光体の表面の帯電電位（Ｖｐ）と、露光された後の電子写真感光体の表面の露光後電位（Ｖｒ）との差の絶対値（｜ΔＶ｜）が５５０Ｖ以上である画像形成装置である場合に比べ、同一画像を連続して出力したときに生じる焼付きゴーストの発生と共に、電子写真感光体が光暴露されたときに生じる光疲労の発生を抑制した画像形成装置が提供される。
請求項２に係る発明によれば、一般式（ＣＴ１）で示される電荷輸送材料が、例示化合物（ＣＴ１−１）である場合に比べ、同一画像を連続して出力したときに生じる焼付きゴーストの発生と共に、電子写真感光体が光暴露されたときに生じる光疲労の発生を抑制した電子写真感光体が提供される。
請求項３に係る発明によれば、一般式（ＣＴ２）で示される電荷輸送材料が、例示化合物（ＣＴ２−１）である場合に比べ、同一画像を連続して出力したときに生じる焼付きゴーストの発生と共に、電子写真感光体が光暴露されたときに生じる光疲労の発生を抑制した電子写真感光体が提供される。
【００２５】
請求項４、又は５に係る発明によれば、酸化防止剤が、構造式（ＣＡＯ−１）で示されるヒンダードフェノール系酸化防止剤である電子写真感光体を備える場合に比べ、同一画像を連続して出力したときに生じる焼付きゴーストの発生と共に、電子写真感光体が光暴露されたときに生じる光疲労の発生を抑制した画像形成装置が提供される。
【００２６】
請求項６、又は７に係る発明によれば、紫外線吸収剤が、構造式（ＣＵＡ−１）で示されるベンゾエート系紫外線吸収剤である電子写真感光体を備える場合に比べ、同一画像を連続して出力したときに生じる焼付きゴーストの発生と共に、電子写真感光体が光暴露されたときに生じる光疲労の発生を抑制した画像形成装置が提供される。
【００２７】
請求項８に係る発明によれば、電荷発生材料と、一般式（ＣＴ１）で示される電荷輸送材料と、一般式（ＣＴ２）で示される電荷輸送材料とを含む感光層に、更に、酸化防止剤および紫外線吸収剤として、ヒンダードアミン系酸化防止剤およびベンゾエート系紫外線吸収剤よりなる群から選択される少なくとも１種のみを含む電子写真感光体を備える場合に比べ、ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料を感光層に含むときでも、同一画像を連続して出力したときに生じる焼付きゴーストの発生と共に、電子写真感光体が光暴露されたときに生じる光疲労の発生を抑制した画像形成装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】本実施形態に係る画像形成装置の一例を示す概略構成図である。
【図２】本実施形態に係る電子写真感光体の層構成の一例を示す概略部分断面図である。
【図３】実施例におけるドット再現性（粒状性）の評価基準を示す写真である。
【図４】実施例における焼きつきゴーストの評価基準を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
以下、本発明の一例である実施形態について説明する。
【００３０】
＜画像形成装置＞
本実施形態に係る画像形成装置は、導電性基体上に、電荷発生材料と、下記一般式（ＣＴ１）で示される電荷輸送材料と、下記一般式（ＣＴ２）で示される電荷輸送材料と、分子量３００以上のヒンダードフェノール系酸化防止剤およびベンゾフェノン系紫外線吸収剤よりなる群から選択される少なくとも１種と、を含む感光層を有する電子写真感光体（以下、「感光体」とも称する）を備える。
本実施形態に係る画像形成装置は、さらに、感光体の表面を帯電する帯電手段と、帯電した感光体の表面に静電潜像を形成する静電潜像形成手段と、体積平均粒径が３μｍ以上５．０μｍ以下であるトナーを含む現像剤を収容し、現像剤により、電子写真感光体の表面に形成された静電潜像を現像してトナー像を形成する現像手段と、トナー像を記録媒体の表面に転写する転写手段と、を備える。
そして、帯電手段により帯電された後の電子写真感光体の表面の帯電電位（Ｖｐ）と、露光された後の電子写真感光体の表面の露光後電位（Ｖｒ）との差の絶対値（｜ΔＶ｜）が５５０Ｖ以上となるように設定される。
【００３１】
ここで、本実施形態において、「帯電手段により帯電された後の電子写真感光体の表面の帯電電位」（以下、単に、「帯電電位」と称する場合がある）とは、感光体が帯電手段により帯電され、その帯電された後、露光前の感光体表面における電位のことを示す。
「露光された後の電子写真感光体の表面の露光後電位」（以下、単に、「露光後電位」と称する場合がある）とは、帯電した感光体が静電潜像形成手段（露光手段）により露光され、その露光された領域における感光体表面の電位のことを示す。
【００３２】
「帯電手段により帯電された後の電子写真感光体の表面の帯電電位（Ｖｐ）と、露光された後の電子写真感光体の表面の露光後電位（Ｖｒ）との差の絶対値（｜ΔＶ｜）」とは、次のように表される。
上記の差の絶対値（｜ΔＶ｜）は、帯電電位（Ｖｐ）の値から、露光後電位（Ｖｒ）の値を差し引いた値を絶対値で表したものであり、｜ΔＶ｜＝｜Ｖｐ−Ｖｒ｜で表されるものである。
【００３３】
本実施形態に係る画像形成装置は、上記のように、帯電電位（Ｖｐ）と露光後電位（Ｖｒ）との差の絶対値（｜ΔＶ｜）が５５０Ｖ以上に設定された装置である。例えば、帯電電位（Ｖｐ）と露光後電位（Ｖｒ）との差の絶対値｜ΔＶ｜が上記範囲となるように、帯電装置に印加する電圧および静電潜像形成装置（露光装置）の露光量を制御する制御装置を備えていてもよい。
【００３４】
本実施形態に係る画像形成装置は、上記構成により、同一画像を連続して出力したときに生じる焼付きゴーストの発生と共に、電子写真感光体が光暴露されたときに生じる光疲労の発生を抑制する。その理由は、以下に示すように推察される。
【００３５】
まず、ブタジエン系電荷輸送材料（ＣＴ１）は、電荷移動度が高く、電荷輸送能の高い感光層（又は電荷輸送層）を得る上で適している。一方で、ブタジエン系電荷輸送材料（ＣＴ１）は、溶剤に対する溶解性が低い性質がある。このため、高い電荷輸送能を有する感光層を得るためには、ブタジエン系電荷輸送材料（ＣＴ１）と共に、電荷移動度が比較的高く、溶剤に対する溶解性が高いベンジジン系電荷輸送材料（ＣＴ２）を併用することがよい。
【００３６】
しかし、ブタジエン系電荷輸送材料（ＣＴ１）及びベンジジン系電荷輸送材料（ＣＴ２）を共に含む感光層を有する感光体を備えた画像形成装置を使用し、同一画像を連続出力（例えば３０００枚連続出力）した後に、例えば、全面ハーフトーン画像を出力すると、同一画像出力により連続露光された部分の感光体の表面電位が低下し、濃度が濃くなる「焼付きゴースト」と称する画像欠陥（ポジゴースト）が発生してしまうことがある。
また、感光体を交換するとき等に、感光体が室内光又は太陽光等に光暴露されると、光暴露された部分の感光体の帯電性が低下し、その後、全面ハーフトーン画像を出力すると、光暴露された部分の画像濃度が濃く浮き出る「光疲労」と称する画像欠陥が生じてしまう。
【００３７】
「焼付きゴースト」及び「光疲労」と称される画像欠陥が生じる原因は、同一画像の連続出力および光暴露により、感光層中の電荷発生材料から電荷輸送材料への電荷の注入、および電荷輸送材料間の電荷の移動に預かる電子の非局在化領域において、電子が励起されやすい状態が生じることにより発生するためと考えられる。つまり、この画像欠陥は、電荷発生および電荷注入が活性化されることにより、同一画像の連続出力により連続して露光された領域、および光暴露された領域の帯電電位が低下し、画像の濃度上昇が生じることにより発生すると考えられる。
そして、この帯電電位の低下による画像の濃度上昇は、感光層がブタジエン系電荷輸送材料（ＣＴ１）及びベンジジン系電荷輸送材料（ＣＴ２）を共に含有する場合に、特に顕著となる。これは、ブタジエン系電荷輸送材料（ＣＴ１）が構造上高い電荷輸送能力を有するが故に、分子内の電子の非局在化領域が大きく、ベンジジン系電荷輸送材料（ＣＴ２）及び電荷発生材料との間で相互作用を生じ、同一画像の連続出力および光暴露によって、帯電電位の低下が顕著に生じるためと考えられる。
【００３８】
また、高画質化・高解像化度を達成するために、画像形成装置に用いるトナーとして、従来よりも粒径がより小さいトナー（以下「小粒径トナー」と称する）を採用する場合がある（本実施形態では、体積平均粒径が３μｍ以上５．０μｍ以下であるトナーが採用される）。しかしながら、小粒径トナーは、従来のトナー（例えば、体積平均粒径が６μｍ以上）に比べ、個々のトナーの帯電性が低くなる。そのため、感光体表面の帯電電位（の絶対値）を従来よりも高く設定し、帯電電位（Ｖｐ）と露光後電位（Ｖｒ）の差の絶対値（｜ΔＶ｜）が高くなるように設定することで、電子写真感光体の表面に形成された静電潜像が現像され易くなる。
一方で、小粒径トナーを採用し、上記の差の絶対値（｜ΔＶ｜）を高くした場合、帯電・露光により感光層に流れる電荷量が増加するため、感光体に生じる電気的負荷（電気的ストレス）が増大しやすい。そのため、同一画像の連続出力および光暴露による帯電電位の低下が顕著になり、前述した「焼き付きゴースト」や「光疲労」の発生がより顕著にみられることがある。
【００３９】
これに対して、ブタジエン系電荷輸送材料（ＣＴ１）及びベンジジン系電荷輸送材料（ＣＴ２）と、を共に含む感光層に、更に、ヒンダードフェノール系酸化防止剤を含有させると、同一画像の連続出力および光暴露による帯電電位の低下が抑制される。これは、ヒンダードフェノール系酸化防止剤が、電子の非局在化領域との間で電荷の授受等の相互作用を生じさせ、同一画像の連続出力および光暴露による電子の非局在化領域において、電子のエネルギー状態の変化を抑制すると考えられるためである。そして、ヒンダードフェノール系酸化防止剤の分子量を３００以上とすると、感光層を形成するときの乾燥工程において、ヒンダードフェノール系酸化防止剤が揮発することが抑制される。つまり、ヒンダードフェノール系酸化防止剤の分子量を３００以上とすると、感光層中に上記機能を発現する量でヒンダードフェノール系酸化防止剤が残留すると考えられる。
【００４０】
一方、ブタジエン系電荷輸送材料（ＣＴ１）及びベンジジン系電荷輸送材料（ＣＴ２）を共に含む感光層に、更に、ベンゾフェノン系紫外線吸収剤を含有させても、同一画像の連続出力および光暴露による帯電電位の低下が抑制される。これは、ベンゾフェノン系紫外線吸収剤が、同一画像の連続出力および光暴露によって、感光層に受ける光エネルギーを吸収し、電子の非局在化領域において、電子のエネルギー状態の変化を抑制するためと考えられる。
【００４１】
以上から、本実施形態に係る画像形成装置は、体積平均粒径が３μｍ以上５．０μｍ以下であるトナーを用い、帯電電位（Ｖｐ）と、露光後電位（Ｖｒ）との差の絶対値（｜ΔＶ｜）が５５０Ｖ以上に設定された場合であっても、同一画像を連続して出力したときに生じる焼付きゴーストの発生と共に、電子写真感光体が光暴露されたときに生じる光疲労の発生を抑制すると推測される。
【００４２】
また、電荷発生材料として、電荷発生効率の高いヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料を感光層に含む場合、発生する電荷量が多いため、同一画像の連続出力および光暴露による帯電電位の低下が顕著になり、焼付きゴースト及び光疲労が発生し易くなる。しかし、本実施形態に係る電子写真感光体では、ヒドロキシガリウムフタロシアニンを感光層に含む場合でも、同一画像を連続して出力したときに生じる焼付きゴーストの発生と共に、電子写真感光体が光暴露されたときに生じる光疲労の発生を抑制する。
【００４３】
以下、図面を参照しつつ、本実施形態に係る画像形成装置について詳細に説明する。
【００４４】
図１は、本実施形態に係る画像形成装置の構成の一例を示す概略構成図である。
図１に示すように、本実施形態に係る画像形成装置１０には、例えば、電子写真感光体７が設けられている。感光体７は、円柱状とされ、駆動モータ２７（駆動部の一例）にギア等の駆動力伝搬部材（不図示）を介して連結されており、当該駆動モータ２７により、回転駆動（図１中の矢印Ａ方向）される。
【００４５】
感光体７（像保持体の一例）の周辺には、例えば、帯電装置１５（帯電手段の一例）、静電潜像形成装置１６（静電潜像形成手段の一例）、現像装置１８（現像手段の一例）、転写装置３１（転写手段の一例）、清掃装置（クリーニング装置）２２（清掃手段の一例）、及び除電装置２４（除電手段の一例）が、感光体７の回転方向に沿って順に配設されている。そして、本実施形態に係る画像形成装置１０には、定着装置２６も配設されている。さらに、画像形成装置１０内の各装置及び各部材と接続され、各装置及び各部材の動作を制御する制御装置３６も備えている。
【００４６】
感光体７は、例えば、導電性基体と、この導電性基体上に形成された下引層と、この下引層の上に形成された感光層と、から構成されている。この感光層は、電荷発生層と電荷輸送層との２層構成であってもよい。また、感光層は、最表面に保護層を設けた構成であってもよく、下引層は形成されていない構成であってもよい。
なお、感光体７の詳細な構成については、後述する。
【００４７】
以下、画像形成装置１０の各部の詳細について説明する。
【００４８】
（帯電装置）
帯電装置１５（帯電手段の一例）は、感光体７の表面を帯電する。帯電装置１５は、例えば、感光体７の表面を帯電する帯電部材１４に帯電電位を印加する電源２８（帯電部材用の電圧印加部の一例）を含んで構成されている。電源２８は、帯電部材１４に電気的に接続されている。
【００４９】
帯電装置１５の帯電部材１４は、例えば、感光体７の表面に接触または非接触で設けられている。帯電部材１４としては、例えば、導電性の帯電ローラ、帯電ブラシ、帯電フィルム、帯電ゴムブレード、帯電チューブ等を用いた接触方式の帯電器が挙げられる。また、例えば、非接触方式のローラ帯電器、コロナ放電を利用したスコロトロン帯電器やコロトロン帯電器等のそれ自体公知の帯電器等も挙げられる。
【００５０】
帯電装置１５（電源２８を含む）は、例えば、画像形成装置１０に設けられた制御装置３６に電気的に接続されており、制御装置３６により駆動制御されて、帯電部材１４に帯電電圧を印加する。電源２８から帯電電圧を印加された帯電部材１４は、印加された帯電電圧に応じた帯電電位に、感光体７を帯電させる。このため、電源２８から印加される帯電電圧が調整されることで、感光体７は、異なる帯電電位に帯電される。
【００５１】
（静電潜像形成装置）
静電潜像形成装置（露光装置）１６（静電潜像形成手段の一例）は、帯電された感光体７の表面に静電潜像を形成する。
具体的には、例えば、静電潜像形成装置１６は、画像形成装置１０に設けられた制御装置３６に電気的に接続されており、制御装置３６により駆動制御されて、帯電部材１４により帯電された感光体７の表面に、形成する対象となる画像の画像情報に基づいて変調された光Ｌを露光する。そして、感光体７上に画像情報の画像に応じた静電潜像を形成し、露光された感光体の表面は、静電潜像形成装置の露光光量に応じた露光後電位となる。
【００５２】
静電潜像形成装置１６としては、例えば、半導体レーザ光、発光ダイオード（ＬＥＤ：ライト・エミッティング・  ダイオード）光、液晶シャッタ光等の光を像様に露光する光源を持つ光学系機器等の露光装置が挙げられる。光源の波長は電子写真感光体７の分光感度領域にあるものがよい。半導体レーザの波長としては、例えば、７８０ｎｍ前後に発振波長を有する近赤外がよい。しかし、この波長に限定されず、６００ｎｍ台の発振波長レーザや青色レーザとして４００ｎｍ以上４５０ｎｍ以下に発振波長を有するレーザも利用してもよい。また、静電潜像形成装置１６としては、例えばカラー画像形成のためにはマルチビーム出力する形式の面発光型のレーザ光源も有効である。
【００５３】
（現像装置）
現像装置１８は、例えば、静電潜像形成装置１６による光Ｌの照射位置より感光体７の回転方向下流側に設けられている。現像装置１８内には、現像剤を収容する収容部が設けられている。
本実施形態において、この収容部には、体積平均粒径が３μｍ以上５．０μｍ以下であるトナーを含む現像剤が収容されている。
【００５４】
なお、現像装置１８に収容される現像剤としては、トナー単独の一成分系現像剤であってもよいし、トナーとキャリアとを含む二成分系現像剤であってもよい。また、現像剤は、磁性であってもよいし、非磁性であってもよい。体積平均粒径が３μｍ以上５．０μｍ以下であるトナーを含む現像剤の詳細については後述する。
【００５５】
現像装置１８は、例えば、トナーを含む現像剤により、感光体７の表面に形成された静電潜像を現像する現像部材１８Ａと、現像部材１８Ａに現像電圧を印加する電源３２（現像部材用の電圧印加部の一例）と、を含んで構成されている。この現像部材１８Ａは、例えば、電源３２に電気的に接続されている。
【００５６】
現像装置１８の現像部材１８Ａとしては、現像剤の種類に応じて選択されるが、例えば、磁石が内蔵された現像スリーブを有する現像ロールが挙げられる。
【００５７】
現像装置１８（電源３２を含む）は、例えば、画像形成装置１０に設けられた制御装置３６に電気的に接続されており、制御装置３６により駆動制御されて、現像部材１８Ａに現像電圧を印加する。電源３２から現像電圧を印加された現像部材１８Ａは、印加された現像電圧に応じた現像電位に帯電される。
そして、現像電位に帯電された現像部材１８Ａは、例えば、現像装置１８内に収容された現像剤を表面に保持して、現像剤に含まれるトナーを現像装置１８内から感光体７の表面へと供給する。
【００５８】
感光体７上に供給されたトナーは、例えば、感光体７上の静電潜像に静電力により付着する。詳細には、例えば、感光体７と現像部材１８Ａとの向かい合う領域における電位差、すなわち、この領域における感光体７の表面の電位と現像部材１８Ａの現像電位との電位差によって、現像剤に含まれるトナーが感光体７の静電潜像の形成された領域に供給され、現像剤にキャリアが含まれている場合には、キャリアは現像部材１８Ａに保持されたまま現像装置１８内に戻る。
これにより、例えば、感光体７上の静電潜像は、現像部材１８Ａから供給されたトナーによって現像されて、感光体７上には、静電潜像に応じたトナー像が形成される。
【００５９】
（転写装置）
転写装置３１（転写手段の一例）は、例えば、現像部材１８Ａの配設位置より感光体７の回転方向下流側に設けられている。
転写装置３１は、例えば、感光体７の表面に形成されたトナー画像を記録媒体Ｐ（被転写体の一例）へ転写する転写部材２０と、転写部材２０に転写電圧を印加する電源３０（転写部材用の電圧印加部の一例）と、を含んで構成されている。転写部材２０は、例えば、円柱状とされており、感光体７との間で記録媒体Ｐを挟んで搬送する。転写部材２０は、例えば、電源３０に電気的に接続されている。
【００６０】
転写装置３１の転写部材２０としては、例えば、ベルト、ローラ、フィルム、ゴムブレード等を用いた接触型転写帯電器、コロナ放電を利用したスコロトロン転写帯電器やコロトロン転写帯電器等のそれ自体公知の非接触型転写帯電器が挙げられる。
【００６１】
転写装置３１（電源３０を含む）は、例えば、画像形成装置１０に設けられた制御装置３６に電気的に接続されており、制御装置３６により駆動制御されて、転写部材２０に転写電圧を印加する。電源３２から転写電圧を印加された転写部材２０は、印加された転写電圧に応じた転写電位に帯電される。
【００６２】
転写部材２０の電源３０から転写部材２０に、感光体７上に形成されたトナー像を構成するトナーとは逆極性の転写電圧が印加されると、例えば、感光体７と転写部材２０との向かい合う領域（図１中、転写領域Ｔ参照）には、感光体７上のトナー像を構成する各トナーを静電力により感光体７から転写部材２０側へと移動させる電界強度の電界が形成される。
【００６３】
記録媒体Ｐ（被転写体の一例）は、例えば、図示を省略する収容部に収容されており、この収容部から図示を省略する複数の搬送部材によって搬送経路３４に沿って搬送され、感光体７と転写部材２０との向かい合う領域である転写領域Ｔに到る。図１中に示す例では、矢印Ｂ方向に搬送される。転写領域Ｔに到達した記録媒体Ｐは、例えば、転写部材２０に転写電圧が印加されることにより、この領域に形成された転写電界によって、感光体７上のトナー像が転写される。すなわち、例えば、感光体７の表面から記録媒体Ｐへのトナーの移動により、記録媒体Ｐ上にトナー像が転写される。
【００６４】
感光体７上のトナー像は、転写電界により記録媒体Ｐ上に転写される。転写電界の大きさは転写電流値に基づいて制御されている。転写電流値は、定電流制御で転写電界を印加したときに転写装置３１で検出される電流値である。転写電流値は、転写電界の大きさを表す。
【００６５】
（清掃装置）
清掃装置（クリーニング装置）２２（清掃手段の一例）は、転写領域Ｔより感光体７の回転方向下流側に設けられている。
清掃装置２２は、トナー像を記録媒体Ｐに転写した後に、感光体７に付着した付着物を除去する。
清掃装置２２は、感光体７上の残留トナーや紙粉等の付着物を除去する。清掃装置２２としては、例えば、感光体７に対して、予め定めた線圧で接触する清掃ブレード（クリーニングブレード）２２Ａを有する構成等が挙げられる。清掃ブレード２２Ａは、例えば、線圧１０ｇ／ｃｍ以上１５０ｇ／ｃｍ以下で感光体７に接触することがよい。
【００６６】
（除電装置）
除電装置２４（除電手段の一例）は、例えば、清掃装置２２より感光体７の回転方向下流側に設けられている。
除電装置２４は、トナー画像を転写した後、感光体７の表面を露光して除電する。具体的には、例えば、除電装置２４は、画像形成装置１０に設けられた制御装置３６に電気的に接続されており、制御装置３６により駆動制御されて、感光体７の全表面（具体的には例えば画像形成領域の全面）を露光して除電する。
【００６７】
除電装置２４としては、例えば、白色光を照射するタングステンランプ、赤色光を照射する発光ダイオード（ＬＥＤ）等の光源を有する装置が挙げられる。
【００６８】
（定着装置）
定着装置２６（定着手段の一例）は、例えば、転写領域Ｔより記録媒体Ｐの搬送経路３４の搬送方向下流側に設けられている。定着装置２６は、例えば、記録媒体Ｐ上に転写されたトナー像を定着する。例えば、定着装置２６は、画像形成装置１０に設けられた制御装置３６に電気的に接続されており、制御装置３６により駆動制御されて、記録媒体Ｐ上に転写されたトナー像を熱または熱及び圧力によって記録媒体Ｐに定着する。
【００６９】
定着装置２６としては、それ自体公知の定着器、例えば、熱ローラ定着器、オーブン定着器等が挙げられる。図１では、加熱ロール２６Ａと、加熱ロール２６Ａと対向するように配置された加圧ロール２６Ｂとを備えた熱ローラ定着器を例示している。
【００７０】
ここで、搬送経路３４に沿って搬送されて感光体７と転写部材２０との向かい合う領域（転写領域Ｔ）を通過することによりトナー像を転写された記録媒体Ｐは、例えば、図示を省略する搬送部材によって、さらに、搬送経路３４に沿って定着装置２６の設置位置に到り、記録媒体Ｐ上のトナー像の定着が行われる。
トナー像の定着によって画像形成された記録媒体Ｐは、図示を省略する複数の搬送部材によって、画像形成装置１０の外部へと排出される。
なお、感光体７は、除電装置２４による除電後、再度、帯電装置１５によって帯電される。
【００７１】
（制御装置）
制御装置３６は、装置全体の制御及び各種演算を行うコンピュータとして構成されている。具体的には、制御装置３６は、例えば、ＣＰＵ（中央処理装置；  Ｃｅｎｔｒａｌ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｕｎｉｔ）、各種プログラムを記憶したＲＯＭ（Ｒｅａｄ  Ｏｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ）、プログラムの実行時にワークエリアとして使用されるＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）、各種情報を記憶する不揮発性メモリ、及び入出力インターフェース（Ｉ／Ｏ）を備えている。ＣＰＵ、ＲＯＭ、ＲＡＭ、不揮発性メモリ、及びＩ／Ｏの各々は、バスを介して接続されている。そして、Ｉ／Ｏには、感光体７（駆動モータ２７を含む）、帯電装置１５（電源２８を含む）、静電潜像形成装置１６、現像装置１８（電源３２を含む）、転写装置３１（電源３０を含む）、除電装置２４、定着装置２６等の画像形成装置１０の各部が接続されている。
【００７２】
なお、ＣＰＵは、例えば、ＲＯＭや不揮発性メモリに記憶されているプログラム（例えば、画像形成シーケンスや回復シーケンス等）の制御プログラム）実行し、画像形成装置１０の各部の動作を制御する。ＲＡＭは、ワークメモリとして使用される。ＲＯＭや不揮発性メモリには、例えば、ＣＰＵが実行するプログラムやＣＰＵの処理に必要なデータ等が記憶されている。なお、制御プログラムや各種データは、記憶部等の他の記憶装置に記憶されていてもよいし、通信部を介して外部から取得されてもよい。
【００７３】
また、制御装置３６には、各種ドライブが接続されていてもよい。各種ドライブとしては、フレキシブルディスク、光磁気ディスク、ＣＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ−ＲＯＭ、ＵＳＢメモリなどのコンピュータ読み取り可能な可搬性の記録媒体Ｐからデータを読み込んだり、記録媒体Ｐに対してデータを書き込んだりする装置が挙げられる。各種ドライブを備える場合には、可搬性の記録媒体Ｐに制御プログラムを記録しておいて、これを対応するドライブで読み込んで実行してもよい。
【００７４】
（画像形成動作）
画像形成装置１０の画像形成動作について説明する。
まず、感光体７の表面が帯電装置１５により帯電される。静電潜像形成装置１６は、帯電された感光体７の表面を画像情報に基づいて露光する。これにより、感光体７上に画像情報に応じた静電潜像が形成される。現像装置１８では、体積平均粒径が３μｍ以上５．０μｍ以下であるトナーを含む現像剤により、感光体７の表面に形成された静電潜像が現像される。これにより、感光体７の表面に、トナー画像が形成される。転写装置３１では、感光体７の表面に形成されたトナー画像が記録媒体Ｐへ転写される。記録媒体Ｐに転写されたトナー画像は、定着装置２６により定着される。このように、体積平均粒径が３μｍ以上５．０μｍ以下であるトナーを用いて画像が形成されることにより、記録媒体Ｐ上には、高画質化・高解像化度を示す画像が形成される。一方、トナー画像を転写した後の感光体７の表面が、清掃装置２２により清掃され、除電装置２４により除電される。
【００７５】
そして、画像形成装置１０は、帯電電位（Ｖｐ）と露光後電位（Ｖｒ）との差の絶対値（｜ΔＶ｜）が５５０Ｖ以上となるように設定されている。
なお、制御装置３６において、例えば、予め設定しておいた帯電電位（Ｖｐ）と露光後電位（Ｖｒ）との差の絶対値｜ΔＶ｜が５５０Ｖ以上となるように、帯電装置１５に印加する帯電電圧や、静電潜像形成装置（露光装置）１６から露光される露光光量が制御されてもよい。
【００７６】
本実施形態の画像形成装置において、帯電電位（Ｖｐ）と露光後電位（Ｖｒ）の差の絶対値（｜ΔＶ｜）は、５５０Ｖ以上に設定されているが、高画質化・高解像化度の点から、例えば、６００Ｖ以上に設定してもよく、７００Ｖ以上に設定してもよい。また、絶対値（｜ΔＶ｜）の上限は特に限定されるものではないが、１０００Ｖ以下に設定するのがよい。
【００７７】
また、帯電電位（Ｖｐ）および露光後電位（Ｖｒ）の範囲は、特に限定されない。帯電電位（Ｖｐ）（絶対値）としては、例えば、７００以上１２００以下の範囲であることがよく、８００以上１０００以下の範囲であることが好ましい。また、露光後電位（Ｖｒ）（絶対値）としては、例えば、１５０以上６００以下の範囲であることがよく、２００以上４５０以下の範囲であることが好ましい。
【００７８】
なお、図１では、転写装置として、電子写真感光体の表面に形成されたトナー像を直接記録媒体に転写する直接転写方式の装置を例に挙げて説明したが、本実施形態に係る画像形成装置は、上記構成に限らない。
本実施形態の画像形成装置において、転写装置としては、図示しないが、電子写真感光体の表面に形成されたトナー像を中間転写体の表面に一次転写し、中間転写体の表面に転写されたトナー像を記録媒体の表面に二次転写する中間転写方式の装置が適用されてもよい。
中間転写方式の装置の場合、例えば、表面にトナー像が転写される中間転写体と、像保持体の表面に形成されたトナー像を中間転写体の表面に一次転写する一次転写手段と、中間転写体の表面に転写されたトナー像を記録媒体の表面に二次転写する二次転写手段と、を有する構成が適用される。
【００７９】
また、図１では、除電装置として、トナー像の転写後、帯電前に感光体の表面に除電光を照射して除電する除電手段を備える装置を例に挙げて説明したが、本実施形態に係る画像形成装置は、上記構成に限らない。
本実施形態に係る画像形成装置において、除電装置としては、図示しないが、例えば、電子写真感光体の周囲であって、転写装置よりも電子写真感光体の回転方向下流側で、清掃装置（クリーニング装置）よりも電子写真感光体の回転方向上流側に、残留したトナーの極性を揃え、クリーニングブラシで除去しやすくするための第１除電装置を設けた形態であってもよいし、クリーニング装置よりも電子写真感光体の回転方向下流側で帯電装置よりも電子写真感光体の回転方向上流側に、電子写真感光体の表面を除電する第２除電装置を設けた形態であってもよい。また、例えば、除電装置を設けない形態であってもよい。
【００８０】
なお、本実施形態に係る画像形成装置において、例えば、電子写真感光体を備える部分が、画像形成装置に対して脱着されるカートリッジ構造（プロセスカートリッジ）であってもよい。プロセスカートリッジとしては、例えば、本実施形態に係る電子写真感光体７を備えるプロセスカートリッジが好適に用いられる。なお、プロセスカートリッジには、電子写真感光体以外に、例えば、帯電手段、静電潜像形成手段、現像手段、転写手段からなる群から選択される少なくとも一つを備えてもよい。
【００８１】
また、本実施形態に係る画像形成装置は、上記のようなプロセスカートリッジを４つ搭載したタンデム方式の多色画像形成装置であってもよい。例えば、このような画像形成装置としては、中間転写体上に４つのプロセスカートリッジがそれぞれ並列に配置されており、１色に付き１つの電子写真感光体が使用される構成となっている装置が挙げられる。
【００８２】
［電子写真感光体］
次に、本実施形態に係る電子写真感光体について説明する。
感光体は、導電性基体と、導電性基体上に配置された感光層と、を有する。そして、感光層は、電荷発生材料と、一般式（ＣＴ１）で示される電荷輸送材料（以下、「ブタジエン系電荷輸送材料（ＣＴ１）」とも称する）と、一般式（ＣＴ２）で示される電荷輸送材料（以下、「ベンジジン系電荷輸送材料（ＣＴ２）」とも称する）と、分子量３００以上のヒンダードフェノール系酸化防止剤（以下、単に「ヒンダードフェノール系酸化防止剤」とも称する）およびベンゾフェノン系紫外線吸収剤よりなる群から選択される少なくとも１種と、を含む。
【００８３】
なお、感光層は、電荷発生層と電荷輸送層とを有する機能分離型の感光層であってもよいし、単層型の感光層であってもよい。機能分離型の感光層の場合、電荷発生層に電荷発生材料を含み、電荷輸送層に、ブタジエン系電荷輸送材料（ＣＴ１）と、ベンジジン系電荷輸送材料（ＣＴ２）と、ヒンダードフェノール系酸化防止剤およびベンゾフェノン系紫外線吸収剤よりなる群から選択される少なくとも１種と、を含む。
【００８４】
図２は、本実施形態に係る電子写真感光体７Ａの層構成の一例を示す概略部分断面図である。図１に示す電子写真感光体７Ａは、導電性基体４上に、下引層１、電荷発生層２及び電荷輸送層３がこの順序で積層された構造を有する。そして、電荷発生層２及び電荷輸送層３が感光層５を構成している。
【００８５】
なお、電子写真感光体７Ａは、下引層１が設けられていない層構成であってもよい。また、電子写真感光体７Ａは、電荷輸送層３上に、更に保護層が設けられた層構成であってもよい。また、電子写真感光体７Ａは、電荷発生層２と電荷輸送層３との機能が一体化した単層型感光層であってもよい。
【００８６】
以下、電子写真感光体の各要素について説明する。なお、各要素の符号は、符号は省略して説明する。
【００８７】
（導電性基体）
導電性基体としては、例えば、金属（アルミニウム、銅、亜鉛、クロム、ニッケル、モリブデン、バナジウム、インジウム、金、白金等）又は合金（ステンレス鋼等）を含む金属板、金属ドラム、及び金属ベルト等が挙げられる。また、導電性基体としては、例えば、導電性化合物（例えば導電性ポリマー、酸化インジウム等）、金属（例えばアルミニウム、パラジウム、金等）又は合金を塗布、蒸着又はラミネートした紙、樹脂フィルム、ベルト等も挙げられる。ここで、「導電性」とは体積抵抗率が１０１３Ωｃｍ未満であることをいう。
【００８８】
導電性基体の表面は、電子写真感光体がレーザプリンタに使用される場合、レーザ光を照射する際に生じる干渉縞を抑制する目的で、中心線平均粗さＲａで０．０４μｍ以上０．５μｍ以下に粗面化されていることが好ましい。なお、非干渉光を光源に用いる場合、干渉縞防止の粗面化は、特に必要ないが、導電性基体の表面の凹凸による欠陥の発生を抑制するため、より長寿命化に適する。
【００８９】
粗面化の方法としては、例えば、研磨剤を水に懸濁させて導電性基体に吹き付けることによって行う湿式ホーニング、回転する砥石に導電性基体を圧接し、連続的に研削加工を行うセンタレス研削、陽極酸化処理等が挙げられる。
【００９０】
粗面化の方法としては、導電性基体の表面を粗面化することなく、導電性又は半導電性粉体を樹脂中に分散させて、導電性基体の表面上に層を形成し、その層中に分散させる粒子により粗面化する方法も挙げられる。
【００９１】
陽極酸化による粗面化処理は、金属製（例えばアルミニウム製）の導電性基体を陽極とし電解質溶液中で陽極酸化することにより導電性基体の表面に酸化膜を形成するものである。電解質溶液としては、例えば、硫酸溶液、シュウ酸溶液等が挙げられる。しかし、陽極酸化により形成された多孔質陽極酸化膜は、そのままの状態では化学的に活性であり、汚染され易く、環境による抵抗変動も大きい。そこで、多孔質陽極酸化膜に対して、酸化膜の微細孔を加圧水蒸気又は沸騰水中（ニッケル等の金属塩を加えてもよい）で水和反応による体積膨張でふさぎ、より安定な水和酸化物に変える封孔処理を行うことが好ましい。
【００９２】
陽極酸化膜の膜厚は、例えば、０．３μｍ以上１５μｍ以下が好ましい。この膜厚が上記範囲内にあると、注入に対するバリア性が発揮される傾向があり、また繰り返し使用による残留電位の上昇が抑えられる傾向にある。
【００９３】
導電性基体には、酸性処理液による処理又はベーマイト処理を施してもよい。
酸性処理液による処理は、例えば、以下のようにして実施される。先ず、リン酸、クロム酸及びフッ酸を含む酸性処理液を調製する。酸性処理液におけるリン酸、クロム酸及びフッ酸の配合割合は、例えば、リン酸が１０質量％以上１１質量％以下の範囲、クロム酸が３質量％以上５質量％以下の範囲、フッ酸が０．５質量％以上２質量％以下の範囲であって、これらの酸全体の濃度は１３．５質量％以上１８質量％以下の範囲がよい。処理温度は例えば４２℃以上４８℃以下が好ましい。被膜の膜厚は、０．３μｍ以上１５μｍ以下が好ましい。
【００９４】
ベーマイト処理は、例えば９０℃以上１００℃以下の純水中に５分から６０分間浸漬すること、又は９０℃以上１２０℃以下の加熱水蒸気に５分から６０分間接触させて行う。被膜の膜厚は、０．１μｍ以上５μｍ以下が好ましい。これをさらにアジピン酸、硼酸、硼酸塩、燐酸塩、フタル酸塩、マレイン酸塩、安息香酸塩、酒石酸塩、クエン酸塩等の被膜溶解性の低い電解質溶液を用いて陽極酸化処理してもよい。
【００９５】
（下引層）
下引層は、例えば、無機粒子と結着樹脂とを含む層である。
【００９６】
無機粒子としては、例えば、粉体抵抗（体積抵抗率）１０２Ωｃｍ以上１０１１Ωｃｍ以下の無機粒子が挙げられる。
これらの中でも、上記抵抗値を有する無機粒子としては、例えば、酸化錫粒子、酸化チタン粒子、酸化亜鉛粒子、酸化ジルコニウム粒子等の金属酸化物粒子がよく、特に、酸化亜鉛粒子が好ましい。
【００９７】
無機粒子のＢＥＴ法による比表面積は、例えば、１０ｍ２／ｇ以上がよい。
無機粒子の体積平均粒径は、例えば、５０ｎｍ以上２０００ｎｍ以下（好ましくは６０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下）がよい。
【００９８】
無機粒子の含有量は、例えば、結着樹脂に対して、１０質量％以上８０質量％以下であることが好ましく、より好ましくは４０質量％以上８０質量％以下である。
【００９９】
無機粒子は、表面処理が施されていてもよい。無機粒子は、表面処理の異なるもの、又は、粒子径の異なるものを２種以上混合して用いてもよい。
【０１００】
表面処理剤としては、例えば、シランカップリング剤、チタネート系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤、界面活性剤等が挙げられる。特に、シランカップリング剤が好ましく、アミノ基を有するシランカップリング剤がより好ましい。
【０１０１】
アミノ基を有するシランカップリング剤としては、例えば、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【０１０２】
シランカップリング剤は、２種以上混合して使用してもよい。例えば、アミノ基を有するシランカップリング剤と他のシランカップリング剤とを併用してもよい。この他のシランカップリング剤としては、例えば、ビニルトリメトキシシラン、３−メタクリルオキシプロピル−トリス（２−メトキシエトキシ）シラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−クロロプロピルトリメトキシシラン等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【０１０３】
表面処理剤による表面処理方法は、公知の方法であればいかなる方法でもよく、乾式法又は湿式法のいずれでもよい。
【０１０４】
表面処理剤の処理量は、例えば、無機粒子に対して０．５質量％以上１０質量％以下が好ましい。
【０１０５】
ここで、下引層は、無機粒子と共に電子受容性化合物（アクセプター化合物）を含有することが、電気特性の長期安定性、キャリアブロック性が高まる観点からよい。
【０１０６】
電子受容性化合物としては、例えば、クロラニル、ブロモアニル等のキノン系化合物；テトラシアノキノジメタン系化合物；２，４，７−トリニトロフルオレノン、２，４，５，７−テトラニトロ−９−フルオレノン等のフルオレノン化合物；２−（４−ビフェニル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、２，５−ビス（４−ナフチル）−１，３，４−オキサジアゾール、２，５−ビス（４−ジエチルアミノフェニル）−１，３，４オキサジアゾール等のオキサジアゾール系化合物；キサントン系化合物；チオフェン化合物；３，３’，５，５’テトラ−ｔ−ブチルジフェノキノン等のジフェノキノン化合物；等の電子輸送性物質等が挙げられる。
特に、電子受容性化合物としては、アントラキノン構造を有する化合物が好ましい。アントラキノン構造を有する化合物としては、例えば、ヒドロキシアントラキノン化合物、アミノアントラキノン化合物、アミノヒドロキシアントラキノン化合物等が好ましく、具体的には、例えば、アントラキノン、アリザリン、キニザリン、アントラルフィン、プルプリン等が好ましい。
【０１０７】
電子受容性化合物は、下引層中に無機粒子と共に分散して含まれていてもよいし、無機粒子の表面に付着した状態で含まれていてもよい。
【０１０８】
電子受容性化合物を無機粒子の表面に付着させる方法としては、例えば、乾式法、又は、湿式法が挙げられる。
【０１０９】
乾式法は、例えば、無機粒子をせん断力の大きなミキサ等で攪拌しながら、直接又は有機溶剤に溶解させた電子受容性化合物を滴下、乾燥空気や窒素ガスとともに噴霧させて、電子受容性化合物を無機粒子の表面に付着する方法である。電子受容性化合物の滴下又は噴霧するときは、溶剤の沸点以下の温度で行うことがよい。電子受容性化合物を滴下又は噴霧した後、更に１００℃以上で焼き付けを行ってもよい。焼き付けは電子写真特性が得られる温度、時間であれば特に制限されない。
【０１１０】
湿式法は、例えば、攪拌、超音波、サンドミル、アトライター、ボールミル等により、無機粒子を溶剤中に分散しつつ、電子受容性化合物を添加し、攪拌又は分散した後、溶剤除去して、電子受容性化合物を無機粒子の表面に付着する方法である。溶剤除去方法は、例えば、ろ過又は蒸留により留去される。溶剤除去後には、更に１００℃以上で焼き付けを行ってもよい。焼き付けは電子写真特性が得られる温度、時間であれば特に限定されない。湿式法においては、電子受容性化合物を添加する前に無機粒子の含有水分を除去してもよく、その例として溶剤中で攪拌加熱しながら除去する方法、溶剤と共沸させて除去する方法が挙げられる。
【０１１１】
なお、電子受容性化合物の付着は、表面処理剤による表面処理を無機粒子に施す前又は後に行ってよく、電子受容性化合物の付着と表面処理剤による表面処理と同時に行ってもよい。
【０１１２】
電子受容性化合物の含有量は、例えば、無機粒子に対して０．０１質量％以上２０質量％以下がよく、好ましくは０．０１質量％以上１０質量％以下である。
【０１１３】
下引層に用いる結着樹脂としては、例えば、アセタール樹脂（例えばポリビニルブチラール等）、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、カゼイン樹脂、ポリアミド樹脂、セルロース樹脂、ゼラチン、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸樹脂、シリコーン樹脂、シリコーン−アルキッド樹脂、尿素樹脂、フェノール樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂等の公知の高分子化合物；ジルコニウムキレート化合物；チタニウムキレート化合物；アルミニウムキレート化合物；チタニウムアルコキシド化合物；有機チタニウム化合物；シランカップリング剤等の公知の材料が挙げられる。
下引層に用いる結着樹脂としては、例えば、電荷輸送性基を有する電荷輸送性樹脂、導電性樹脂（例えばポリアニリン等）等も挙げられる。
【０１１４】
これらの中でも、下引層に用いる結着樹脂としては、上層の塗布溶剤に不溶な樹脂が好適であり、特に、尿素樹脂、フェノール樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂；ポリアミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエーテル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリビニルアルコール樹脂及びポリビニルアセタール樹脂からなる群から選択される少なくとも１種の樹脂と硬化剤との反応により得られる樹脂が好適である。
これら結着樹脂を２種以上組み合わせて使用する場合には、その混合割合は、必要に応じて設定される。
【０１１５】
下引層には、電気特性向上、環境安定性向上、画質向上のために種々の添加剤を含んでいてもよい。
添加剤としては、多環縮合系、アゾ系等の電子輸送性顔料、ジルコニウムキレート化合物、チタニウムキレート化合物、アルミニウムキレート化合物、チタニウムアルコキシド化合物、有機チタニウム化合物、シランカップリング剤等の公知の材料が挙げられる。シランカップリング剤は前述のように無機粒子の表面処理に用いられるが、添加剤として更に下引層に添加してもよい。
【０１１６】
添加剤としてのシランカップリング剤としては、例えば、ビニルトリメトキシシラン、３−メタクリルオキシプロピル−トリス（２−メトキシエトキシ）シラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルメトキシシラン、Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−クロロプロピルトリメトキシシラン等が挙げられる。
【０１１７】
ジルコニウムキレート化合物としては、例えば、ジルコニウムブトキシド、ジルコニウムアセト酢酸エチル、ジルコニウムトリエタノールアミン、アセチルアセトネートジルコニウムブトキシド、アセト酢酸エチルジルコニウムブトキシド、ジルコニウムアセテート、ジルコニウムオキサレート、ジルコニウムラクテート、ジルコニウムホスホネート、オクタン酸ジルコニウム、ナフテン酸ジルコニウム、ラウリン酸ジルコニウム、ステアリン酸ジルコニウム、イソステアリン酸ジルコニウム、メタクリレートジルコニウムブトキシド、ステアレートジルコニウムブトキシド、イソステアレートジルコニウムブトキシド等が挙げられる。
【０１１８】
チタニウムキレート化合物としては、例えば、テトライソプロピルチタネート、テトラノルマルブチルチタネート、ブチルチタネートダイマー、テトラ（２−エチルヘキシル）チタネート、チタンアセチルアセトネート、ポリチタンアセチルアセトネート、チタンオクチレングリコレート、チタンラクテートアンモニウム塩、チタンラクテート、チタンラクテートエチルエステル、チタントリエタノールアミネート、ポリヒドロキシチタンステアレート等が挙げられる。
【０１１９】
アルミニウムキレート化合物としては、例えば、アルミニウムイソプロピレート、モノブトキシアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムブチレート、ジエチルアセトアセテートアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムトリス（エチルアセトアセテート）等が挙げられる。
【０１２０】
これらの添加剤は、単独で、又は複数の化合物の混合物若しくは重縮合物として用いてもよい。
【０１２１】
下引層は、ビッカース硬度が３５以上であることがよい。
下引層の表面粗さ（十点平均粗さ）は、モアレ像抑制のために、使用される露光用レーザ波長λの１／４ｎ（ｎは上層の屈折率）から１／２λまでに調整されていることがよい。
表面粗さ調整のために下引層中に樹脂粒子等を添加してもよい。樹脂粒子としてはシリコーン樹脂粒子、架橋型ポリメタクリル酸メチル樹脂粒子等が挙げられる。また、表面粗さ調整のために下引層の表面を研磨してもよい。研磨方法としては、バフ研磨、サンドブラスト処理、湿式ホーニング、研削処理等が挙げられる。
【０１２２】
下引層の形成は、特に制限はなく、周知の形成方法が利用されるが、例えば、上記成分を溶剤に加えた下引層形成用塗布液の塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥し、必要に応じて加熱することで行う。
【０１２３】
下引層形成用塗布液を調製するための溶剤としては、公知の有機溶剤、例えば、アルコール系溶剤、芳香族炭化水素溶剤、ハロゲン化炭化水素溶剤、ケトン系溶剤、ケトンアルコール系溶剤、エーテル系溶剤、エステル系溶剤等が挙げられる。
これらの溶剤として具体的には、例えば、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、ｉｓｏ−プロパノール、ｎ−ブタノール、ベンジルアルコール、メチルセルソルブ、エチルセルソルブ、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ｎ−ブチル、ジオキサン、テトラヒドロフラン、メチレンクロライド、クロロホルム、クロロベンゼン、トルエン等の通常の有機溶剤が挙げられる。
【０１２４】
下引層形成用塗布液を調製するときの無機粒子の分散方法としては、例えば、ロールミル、ボールミル、振動ボールミル、アトライター、サンドミル、コロイドミル、ペイントシェーカー等の公知の方法が挙げられる。
【０１２５】
下引層形成用塗布液を導電性基体上に塗布する方法としては、例えば、ブレード塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、浸漬塗布法、ビード塗布法、エアーナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が挙げられる。
【０１２６】
下引層の膜厚は、例えば、好ましくは１５μｍ以上、より好ましくは２０μｍ以上５０μｍ以下の範囲内に設定される。
【０１２７】
（中間層）
図示は省略するが、下引層と感光層との間に中間層をさらに設けてもよい。
中間層は、例えば、樹脂を含む層である。中間層に用いる樹脂としては、例えば、アセタール樹脂（例えばポリビニルブチラール等）、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、カゼイン樹脂、ポリアミド樹脂、セルロース樹脂、ゼラチン、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸樹脂、シリコーン樹脂、シリコーン−アルキッド樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、メラミン樹脂等の高分子化合物が挙げられる。
中間層は、有機金属化合物を含む層であってもよい。中間層に用いる有機金属化合物としては、ジルコニウム、チタニウム、アルミニウム、マンガン、ケイ素等の金属原子を含有する有機金属化合物等が挙げられる。
これらの中間層に用いる化合物は、単独で又は複数の化合物の混合物若しくは重縮合物として用いてもよい。
【０１２８】
これらの中でも、中間層は、ジルコニウム原子又はケイ素原子を含有する有機金属化合物を含む層であることが好ましい。
【０１２９】
中間層の形成は、特に制限はなく、周知の形成方法が利用されるが、例えば、上記成分を溶剤に加えた中間層形成用塗布液の塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥、必要に応じて加熱することで行う。
中間層を形成する塗布方法としては、浸漬塗布法、突き上げ塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、ブレード塗布法、ナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が用いられる。
【０１３０】
中間層の膜厚は、例えば、好ましくは０．１μｍ以上３μｍ以下の範囲に設定される。なお、中間層を下引層として使用してもよい。
【０１３１】
（電荷発生層）
電荷発生層は、例えば、電荷発生材料と結着樹脂とを含む層である。また、電荷発生層は、電荷発生材料の蒸着層であってもよい。電荷発生材料の蒸着層は、ＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）、有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）イメージアレー等の非干渉性光源を用いる場合に好適である。
【０１３２】
電荷発生材料としては、ビスアゾ、トリスアゾ等のアゾ顔料；ジブロモアントアントロン等の縮環芳香族顔料；ペリレン顔料；ピロロピロール顔料；フタロシアニン顔料；酸化亜鉛；三方晶系セレン等が挙げられる。
【０１３３】
これらの中でも、近赤外域のレーザ露光に対応させるためには、電荷発生材料としては、金属フタロシアニン顔料、又は無金属フタロシアニン顔料を用いることが好ましい。具体的には、例えば、特開平５−２６３００７号公報、特開平５−２７９５９１号公報等に開示されたヒドロキシガリウムフタロシアニン；特開平５−９８１８１号公報等に開示されたクロロガリウムフタロシアニン；特開平５−１４０４７２号公報、特開平５−１４０４７３号公報等に開示されたジクロロスズフタロシアニン；特開平４−１８９８７３号公報等に開示されたチタニルフタロシアニンがより好ましい。
【０１３４】
一方、近紫外域のレーザ露光に対応させるためには、電荷発生材料としては、ジブロモアントアントロン等の縮環芳香族顔料；チオインジゴ系顔料；ポルフィラジン化合物；酸化亜鉛；三方晶系セレン；特開２００４−７８１４７号公報、特開２００５−１８１９９２号公報に開示されたビスアゾ顔料等が好ましい。
【０１３５】
４５０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下に発光の中心波長があるＬＥＤ，有機ＥＬイメージアレー等の非干渉性光源を用いる場合にも、上記電荷発生材料を用いてもよいが、解像度の観点より、感光層を２０μｍ以下の薄膜で用いるときには、感光層中の電界強度が高くなり、基体からの電荷注入による帯電低下、いわゆる黒点と呼ばれる画像欠陥を生じやすくなる。これは、三方晶系セレン、フタロシアニン顔料等のｐ−型半導体で暗電流を生じやすい電荷発生材料を用いたときに顕著となる。
【０１３６】
これに対し、電荷発生材料として、縮環芳香族顔料、ペリレン顔料、アゾ顔料等のｎ−型半導体を用いた場合、暗電流を生じ難く、薄膜にしても黒点と呼ばれる画像欠陥を抑制し得る。ｎ−型の電荷発生材料としては、例えば、特開２０１２−１５５２８２号公報の段落［０２８８］〜［０２９１］に記載された化合物（ＣＧ−１）〜（ＣＧ−２７）が挙げられるがこれに限られるものではない。
なお、ｎ−型の判定は、通常使用されるタイムオブフライト法を用い、流れる光電流の極性によって判定され、正孔よりも電子をキャリアとして流しやすいものをｎ−型とする。
【０１３７】
これらの中でも、電荷発生材料としては、電荷発生効率の点で、ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料であることが好ましく、Ｖ型のヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料がより好ましい。
特に、ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料としては、例えば、６００ｎｍ以上９００ｎｍ以下の波長域での分光吸収スペクトルにおいて、８１０ｎｍ以上８３９ｎｍ以下の範囲に最大ピーク波長を有するヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料がより優れた分散性が得られる観点から好ましい。
【０１３８】
また、上記の８１０ｎｍ以上８３９ｎｍ以下の範囲に最大ピーク波長を有するヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料は、平均粒径が特定の範囲であり、且つ、ＢＥＴ比表面積が特定の範囲であることが好ましい。具体的には、平均粒径が０．２０μｍ以下であることが好ましく、０．０１μｍ以上０．１５μｍ以下であることがより好ましい。一方、ＢＥＴ比表面積が４５ｍ２／ｇ以上であることが好ましく、５０ｍ２／ｇ以上であることがより好ましく、５５ｍ２／ｇ以上１２０ｍ２／ｇ以下であることが特に好ましい。平均粒径は、体積平均粒径（ｄ５０平均粒径）でレーザ回折散乱式粒度分布測定装置（ＬＡ−７００、堀場製作所社製）にて測定した値である。また、ＢＥＴ式比表面積測定器（島津製作所製：フローソープＩＩ２３００）を用い窒素置換法にて測定した値である。
【０１３９】
ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料の最大粒径（一次粒子径の最大値）は、１．２μｍ以下であることが好ましく、１．０μｍ以下であることがより好ましく、より好ましくは０．３μｍ以下である。
【０１４０】
ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料は、平均粒径が０．２μｍ以下、最大粒径が１．２μｍ以下であり、且つ、比表面積値が４５ｍ２／ｇ以上であることが好ましい。
【０１４１】
ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料は、ＣｕＫα特性Ｘ線を用いたＸ線回折スペクトルにおいて、ブラッグ角度（２θ±０．２°）が少なくとも７．３゜，１６．０゜，２４．９゜，２８．０゜に回折ピークを有するＶ型であることが好ましい。
【０１４２】
電荷発生材料は、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
【０１４３】
電荷発生層に用いる結着樹脂としては、広範な絶縁性樹脂から選択され、また、結着樹脂としては、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリビニルアントラセン、ポリビニルピレン、ポリシラン等の有機光導電性ポリマーから選択してもよい。
結着樹脂としては、例えば、ポリビニルブチラール樹脂、ポリアリレート樹脂（ビスフェノール類と芳香族２価カルボン酸の重縮合体等）、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、フェノキシ樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリアミド樹脂、アクリル樹脂、ポリアクリルアミド樹脂、ポリビニルピリジン樹脂、セルロース樹脂、ウレタン樹脂、エポキシ樹脂、カゼイン、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルピロリドン樹脂等が挙げられる。ここで、「絶縁性」とは、体積抵抗率が１０１３Ωｃｍ以上であることをいう。
これらの結着樹脂は１種を単独で又は２種以上を混合して用いられる。
【０１４４】
なお、電荷発生材料と結着樹脂の配合比は、質量比で１０：１から１：１０までの範囲内であることが好ましい。
【０１４５】
電荷発生層には、その他、周知の添加剤が含まれていてもよい。
【０１４６】
電荷発生層の形成は、特に制限はなく、周知の形成方法が利用されるが、例えば、上記成分を溶剤に加えた電荷発生層形成用塗布液の塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥し、必要に応じて加熱することで行う。なお、電荷発生層の形成は、電荷発生材料の蒸着により行ってもよい。電荷発生層の蒸着による形成は、特に、電荷発生材料として縮環芳香族顔料、ペリレン顔料を利用する場合に好適である。
【０１４７】
電荷発生層形成用塗布液を調製するための溶剤としては、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、ｎ−ブタノール、ベンジルアルコール、メチルセルソルブ、エチルセルソルブ、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、酢酸メチル、酢酸ｎ−ブチル、ジオキサン、テトラヒドロフラン、メチレンクロライド、クロロホルム、クロロベンゼン、トルエン等が挙げられる。これら溶剤は、１種を単独で又は２種以上を混合して用いる。
【０１４８】
電荷発生層形成用塗布液中に粒子（例えば電荷発生材料）を分散させる方法としては、例えば、ボールミル、振動ボールミル、アトライター、サンドミル、横型サンドミル等のメディア分散機や、攪拌、超音波分散器、ロールミル、高圧ホモジナイザー等のメディアレス分散機が利用される。高圧ホモジナイザーとしては、例えば、高圧状態で分散液を液−液衝突や液−壁衝突させて分散する衝突方式や、高圧状態で微細な流路を貫通させて分散する貫通方式等が挙げられる。
なお、この分散の際、電荷発生層形成用塗布液中の電荷発生材料の平均粒径を０．５μｍ以下、好ましくは０．３μｍ以下、更に好ましくは０．１５μｍ以下にすることが有効である。
【０１４９】
電荷発生層形成用塗布液を下引層上（又は中間層上）に塗布する方法としては、例えばブレード塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、浸漬塗布法、ビード塗布法、エアーナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が挙げられる。
【０１５０】
電荷発生層の膜厚は、例えば、好ましくは０．１μｍ以上５．０μｍ以下、より好ましくは０．２μｍ以上２．０μｍ以下の範囲内に設定される。
【０１５１】
（電荷輸送層）
電荷輸送層は、例えば、電荷輸送材料と結着樹脂とを含む層である。
電荷輸送材料としては、ブタジエン系電荷輸送材料（ＣＴ１）及びベンジジン系電荷輸送材料（ＣＴ２）が適用される。そして、ブタジエン系電荷輸送材料（ＣＴ１）及びベンジジン系電荷輸送材料（ＣＴ２）を含む電荷輸送層には、更に、ヒンダードフェノール系酸化防止剤およびベンゾフェノン系紫外線吸収剤よりなる群から選択される少なくとも１種を含む。
【０１５２】
ブタジエン系電荷輸送材料（ＣＴ１）について説明する。
ブタジエン系電荷輸送材料（ＣＴ１）は、下記一般式（ＣＴ１）で示される電荷輸送材料である。
【０１５３】
【化５】
2016184034.tif 000006
【０１５４】
一般式（ＣＴ１）中、ＲＣ１１、ＲＣ１２、ＲＣ１３、ＲＣ１４、ＲＣ１５、及びＲＣ１６は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１以上２０以下のアルキル基、炭素数１以上２０以下のアルコキシ基、又は、炭素数６以上３０以下のアリール基を表し、隣接する２つの置換基同士が結合して炭化水素環構造を形成してもよい。
ｎ及びｍは、各々独立に、０、１又は２を表す。
【０１５５】
一般式（ＣＴ１）において、ＲＣ１１、ＲＣ１２、ＲＣ１３、ＲＣ１４、ＲＣ１５、及びＲＣ１６が表すハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などが挙げられる。これらの中でも、ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子が好ましく、塩素原子がより好ましい。
【０１５６】
一般式（ＣＴ１）において、ＲＣ１１、ＲＣ１２、ＲＣ１３、ＲＣ１４、ＲＣ１５、及びＲＣ１６が表すアルキル基としては、炭素数１以上２０以下（好ましくは１以上６以下、より好ましくは１以上４以下）の直鎖状又は分岐状のアルキル基が挙げられる。
直鎖状のアルキル基として具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基、ｎ−ウンデシル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−トリデシル基、ｎ−テトラデシル基、ｎ−ペンタデシル基、ｎ−ヘキサデシル基、ｎ−ヘプタデシル基、ｎ−オクタデシル基、ｎ−ノナデシル基、ｎ−イコシル基等が挙げられる。
分岐状のアルキル基として具体的には、イソプロピル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、イソヘキシル基、ｓｅｃ−ヘキシル基、ｔｅｒｔ−ヘキシル基、イソヘプチル基、ｓｅｃ−ヘプチル基、ｔｅｒｔ−ヘプチル基、イソオクチル基、ｓｅｃ−オクチル基、ｔｅｒｔ−オクチル基、イソノニル基、ｓｅｃ−ノニル基、ｔｅｒｔ−ノニル基、イソデシル基、ｓｅｃ−デシル基、ｔｅｒｔ−デシル基、イソウンデシル基、ｓｅｃ−ウンデシル基、ｔｅｒｔ−ウンデシル基、ネオウンデシル基、イソドデシル基、ｓｅｃ−ドデシル基、ｔｅｒｔ−ドデシル基、ネオドデシル基、イソトリデシル基、ｓｅｃ−トリデシル基、ｔｅｒｔ−トリデシル基、ネオトリデシル基、イソテトラデシル基、ｓｅｃ−テトラデシル基、ｔｅｒｔ−テトラデシル基、ネオテトラデシル基、１−イソブチル−４−エチルオクチル基、イソペンタデシル基、ｓｅｃ−ペンタデシル基、ｔｅｒｔ−ペンタデシル基、ネオペンタデシル基、イソヘキサデシル基、ｓｅｃ−ヘキサデシル基、ｔｅｒｔ−ヘキサデシル基、ネオヘキサデシル基、１−メチルペンタデシル基、イソヘプタデシル基、ｓｅｃ−ヘプタデシル基、ｔｅｒｔ−ヘプタデシル基、ネオヘプタデシル基、イソオクタデシル基、ｓｅｃ−オクタデシル基、ｔｅｒｔ−オクタデシル基、ネオオクタデシル基、イソノナデシル基、ｓｅｃ−ノナデシル基、ｔｅｒｔ−ノナデシル基、ネオノナデシル基、１−メチルオクチル基、イソイコシル基、ｓｅｃ−イコシル基、ｔｅｒｔ−イコシル基、ネオイコシル基等が挙げられる。
これらの中でも、アルキル基としては、メチル基、エチル基、イソプロピル基等の低級アルキル基が好ましい。
【０１５７】
一般式（ＣＴ１）において、ＲＣ１１、ＲＣ１２、ＲＣ１３、ＲＣ１４、ＲＣ１５、及びＲＣ１６が表すアルコキシ基としては、炭素数１以上２０以下（好ましくは１以上６以下、より好ましくは１以上４以下）の直鎖状又は分岐状のアルコキシ基が挙げられる。
直鎖状のアルコキシ基として具体的には、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基、ｎ−ヘプチルオキシ基、ｎ−オクチルオキシ基、ｎ−ノニルオキシ基、ｎ−デシルオキシ基、ｎ−ウンデシルオキシ基、ｎ−ドデシルオキシ基、ｎ−トリデシルオキシ基、ｎ−テトラデシルオキシ基、ｎ−ペンタデシルオキシ基、ｎ−ヘキサデシルオキシ基、ｎ−ヘプタデシルオキシ基、ｎ−オクタデシルオキシ基、ｎ−ノナデシルオキシ基、ｎ−イコシルオキシ基等が挙げられる。
分岐状のアルコキシ基として具体的には、イソプロポキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、イソペンチルオキシ基、ネオペンチルオキシ基、ｔｅｒｔ−ペンチルオキシ基、イソヘキシルオキシ基、ｓｅｃ−ヘキシルオキシ基、ｔｅｒｔ−ヘキシルオキシ基、イソヘプチルオキシ基、ｓｅｃ−ヘプチルオキシ基、ｔｅｒｔ−ヘプチルオキシ基、イソオクチルオキシ基、ｓｅｃ−オクチルオキシ基、ｔｅｒｔ−オクチルオキシ基、イソノニルオキシ基、ｓｅｃ−ノニルオキシ基、ｔｅｒｔ−ノニルオキシ基、イソデシルオキシ基、ｓｅｃ−デシルオキシ基、ｔｅｒｔ−デシルオキシ基、イソウンデシルオキシ基、ｓｅｃ−ウンデシルオキシ基、ｔｅｒｔ−ウンデシルオキシ基、ネオウンデシルオキシ基、イソドデシルオキシ基、ｓｅｃ−ドデシルオキシ基、ｔｅｒｔ−ドデシルオキシ基、ネオドデシルオキシ基、イソトリデシルオキシ基、ｓｅｃ−トリデシルオキシ基、ｔｅｒｔ−トリデシルオキシ基、ネオトリデシルオキシ基、イソテトラデシルオキシ基、ｓｅｃ−テトラデシルオキシ基、ｔｅｒｔ−テトラデシルオキシ基、ネオテトラデシルオキシ基、１−イソブチル−４−エチルオクチルオキシ基、イソペンタデシルオキシ基、ｓｅｃ−ペンタデシルオキシ基、ｔｅｒｔ−ペンタデシルオキシ基、ネオペンタデシルオキシ基、イソヘキサデシルオキシ基、ｓｅｃ−ヘキサデシルオキシ基、ｔｅｒｔ−ヘキサデシルオキシ基、ネオヘキサデシルオキシ基、１−メチルペンタデシルオキシ基、イソヘプタデシルオキシ基、ｓｅｃ−ヘプタデシルオキシ基、ｔｅｒｔ−ヘプタデシルオキシ基、ネオヘプタデシルオキシ基、イソオクタデシルオキシ基、ｓｅｃ−オクタデシルオキシ基、ｔｅｒｔ−オクタデシルオキシ基、ネオオクタデシルオキシ基、イソノナデシルオキシ基、ｓｅｃ−ノナデシルオキシ基、ｔｅｒｔ−ノナデシルオキシ基、ネオノナデシルオキシ基、１−メチルオクチルオキシ基、イソイコシルオキシ基、ｓｅｃ−イコシルオキシ基、ｔｅｒｔ−イコシルオキシ基、ネオイコシルオキシ基等が挙げられる。
これらの中でも、アルコキシ基としては、メトキシ基が好ましい。
【０１５８】
一般式（ＣＴ１）において、ＲＣ１１、ＲＣ１２、ＲＣ１３、ＲＣ１４、ＲＣ１５、及びＲＣ１６が表すアリール基としては、炭素数６以上３０以下（好ましくは６以上２０以下、より好ましくは６以上１６以下）のアリール基が挙げられる。
アリール基として具体的には、フェニル基、ナフチル基、フェナントリル基、ビフェニリル基などが挙げられる。
これらの中でも、アリール基としては、フェニル基、ナフチル基が好ましい。
【０１５９】
なお、一般式（ＣＴ１）において、ＲＣ１１、ＲＣ１２、ＲＣ１３、ＲＣ１４、ＲＣ１５、及びＲＣ１６が表す上記各置換基は、さらに置換基を有する基も含む。この置換基としては、上記例示した原子および基（例えばハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基など）が挙げられる。
【０１６０】
一般式（ＣＴ１）において、ＲＣ１１、ＲＣ１２、ＲＣ１３、ＲＣ１４、ＲＣ１５、及びＲＣ１６の隣接する二つの置換基同士（例えばＲＣ１１及びＲＣ１２同士、ＲＣ１３及びＲＣ１４同士、ＲＣ１５及びＲＣ１６同士）が連結した炭化水素環構造における、当該置換基同士を連結する基としては、単結合、２，２’−メチレン基、２，２’−エチレン基、２，２’−ビニレン基などが挙げられ、これらの中でも単結合、２，２’−メチレン基が好ましい。
ここで、炭化水素環構造として具体的には、例えば、シクロアルカン構造、シクロアルケン構造、シクロアルカンポリエン構造等が挙げられる。
【０１６１】
一般式（ＣＴ１）において、ｎ及びｍは、１であることが好ましい。
【０１６２】
一般式（ＣＴ１）において、電荷輸送能の高い感光層（電荷輸送層）形成の点から、ＲＣ１１、ＲＣ１２、ＲＣ１３、ＲＣ１４、ＲＣ１５、及びＲＣ１６が水素原子、炭素数１以上２０以下のアルキル基、又は炭素数１以上２０以下のアルコキシ基を表し、ｍ及びｎが１又は２を表することが好ましく、ＲＣ１１、ＲＣ１２、ＲＣ１３、ＲＣ１４、ＲＣ１５、及びＲＣ１６が水素原子を表し、ｍ及びｎが１を表すことがより好ましい。
つまり、ブタジエン系電荷輸送材料（ＣＴ１）は、下記構造式（ＣＴ１Ａ）で示される電荷輸送材料（例示化合物（ＣＴ１−３））であることがより好ましい。
【０１６３】
【化６】
2016184034.tif 000007
【０１６４】
以下に、ブタジエン系電荷輸送材料（ＣＴ１）の具体例を示すが、これに限定されるわけではない。
【０１６５】
【化７】
2016184034.tif 000008
【０１６６】
なお、上記例示化合物中の略記号は、以下の意味を示す。また、置換基の前に付す番号は、ベンゼン環に対する置換位置を示している。
・ＣＨ３：メチル基
・ＯＣＨ３：メトキシ基
【０１６７】
ブタジエン系電荷輸送材料（ＣＴ１）は、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
【０１６８】
ベンジジン系電荷輸送材料（ＣＴ２）について説明する。
ベンジジン系電荷輸送材料（ＣＴ２）は、下記一般式（ＣＴ２）で示される電荷輸送材料である。
【０１６９】
【化８】
2016184034.tif 000009
【０１７０】
一般式（ＣＴ２）中、ＲＣ２１、ＲＣ２２、及びＲＣ２３は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１以上１０以下のアルキル基、炭素数１以上１０以下のアルコキシ基、又は、炭素数６以上１０以下のアリール基を表す。
【０１７１】
一般式（ＣＴ２）において、ＲＣ２１、ＲＣ２２、及びＲＣ２３が表すハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などが挙げられる。これらの中でも、ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子が好ましく、塩素原子がより好ましい。
【０１７２】
一般式（ＣＴ２）において、ＲＣ２１、ＲＣ２２、及びＲＣ２３が表すアルキル基としては、炭素数１以上１０以下（好ましくは１以上６以下、より好ましくは１以上４以下）の直鎖状又は分岐状のアルキル基が挙げられる。
直鎖状のアルキル基として具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基等が挙げられる。
分岐状のアルキル基として具体的には、イソプロピル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、イソヘキシル基、ｓｅｃ−ヘキシル基、ｔｅｒｔ−ヘキシル基、イソヘプチル基、ｓｅｃ−ヘプチル基、ｔｅｒｔ−ヘプチル基、イソオクチル基、ｓｅｃ−オクチル基、ｔｅｒｔ−オクチル基、イソノニル基、ｓｅｃ−ノニル基、ｔｅｒｔ−ノニル基、イソデシル基、ｓｅｃ−デシル基、ｔｅｒｔ−デシル基等が挙げられる。
これらの中でも、アルキル基としては、メチル基、エチル基、イソプロピル基等の低級アルキル基が好ましい。
【０１７３】
一般式（ＣＴ２）において、ＲＣ２１、ＲＣ２２、及びＲＣ２３が表すアルコキシ基としては、炭素数１以上１０以下（好ましくは１以上６以下、より好ましくは１以上４以下）の直鎖状又は分岐状のアルコキシ基が挙げられる。
直鎖状のアルコキシ基として具体的には、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基、ｎ−ヘプチルオキシ基、ｎ−オクチルオキシ基、ｎ−ノニルオキシ基、ｎ−デシルオキシ基等が挙げられる。
分岐状のアルコキシ基として具体的には、イソプロポキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、イソペンチルオキシ基、ネオペンチルオキシ基、ｔｅｒｔ−ペンチルオキシ基、イソヘキシルオキシ基、ｓｅｃ−ヘキシルオキシ基、ｔｅｒｔ−ヘキシルオキシ基、イソヘプチルオキシ基、ｓｅｃ−ヘプチルオキシ基、ｔｅｒｔ−ヘプチルオキシ基、イソオクチルオキシ基、ｓｅｃ−オクチルオキシ基、ｔｅｒｔ−オクチルオキシ基、イソノニルオキシ基、ｓｅｃ−ノニルオキシ基、ｔｅｒｔ−ノニルオキシ基、イソデシルオキシ基、ｓｅｃ−デシルオキシ基、ｔｅｒｔ−デシルオキシ基等が挙げられる。
これらの中でも、アルコキシ基としては、メトキシ基が好ましい。
【０１７４】
一般式（ＣＴ２）において、ＲＣ２１、ＲＣ２２、及びＲＣ２３が表すアリール基としては、炭素数６以上１０以下（好ましくは６以上９以下、より好ましくは６以上８以下）のアリール基が挙げられる。
アリール基として具体的には、フェニル基、ナフチル基などが挙げられる。
これらの中でも、アリール基としては、フェニル基が好ましい。
【０１７５】
なお、一般式（ＣＴ２）において、ＲＣ２１、ＲＣ２２、及びＲＣ２３が表す上記各置換基は、さらに置換基を有する基も含む。この置換基としては、上記例示した原子および基（例えばハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基など）が挙げられる。
【０１７６】
一般式（ＣＴ２）において、電荷輸送能の高い感光層（電荷輸送層）形成の点から、ＲＣ２１、ＲＣ２２、及びＲＣ２３が、各々独立に、水素原子、又は、炭素数１以上１０以下のアルキル基を表すことが好ましく、ＲＣ２１、及びＲＣ２３が水素原子を表し、ＲＣ２２が炭素数１以上１０以下のアルキル基（特に、メチル基）を表すことがより好ましい。
具体的には、ベンジジン系電荷輸送材料（ＣＴ２）は、下記構造式（ＣＴ２Ａ）で示される電荷輸送材料（例示化合物（ＣＴ２−２））であることが特に好ましい。
【０１７７】
【化９】
2016184034.tif 000010
【０１７８】
以下に、ベンジジン系電荷輸送材料（ＣＴ２）の具体例を示すが、これに限定されるわけではない。
【０１７９】
【化１０】
2016184034.tif 000011
【０１８０】
なお、上記例示化合物中の略記号は、以下の意味を示す。また、置換基の前に付す番号は、ベンゼン環に対する置換位置を示している。
・ＣＨ３：メチル基
・Ｃ２Ｈ５：エチル基
・ＯＣＨ３：メトキシ基
・ＯＣ２Ｈ５：エトキシ基
【０１８１】
ベンジジン系電荷輸送材料（ＣＴ２）は、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
【０１８２】
ヒンダードフェノール系酸化防止剤について説明する。
ヒンダードフェノール系酸化防止剤は、ヒンダードフェノール環を有し、且つ分子量が３００以上の化合物である。
【０１８３】
ヒンダードフェノール系酸化防止剤は、ヒンダードフェノール環は、例えば、炭素数４以上８以下のアルキル基（例えば炭素数４以上８以下の分岐状のアルキル基）が少なくとも一つ置換されたフェノール環である。より具体的には、ヒンダードフェノール環は、例えば、フェノール性水酸基に対してオルトの位置が三級アルキル基（例えばｔｅｒｔ−ブチル基）で置換されたフェノール環である。
【０１８４】
ヒンダードフェノール系酸化防止剤としては、
１）ヒンダードフェノール環を１つ有する酸化防止剤、
２）ヒンダードフェノール環を２つ以上４つ以下有し、且つ直鎖又は分岐状の２価以上４価以下の脂肪族炭化水素基からなる連結基、又は２価以上４価以下の脂肪族炭化水素基の炭素−炭素の結合間に、エステル結合（−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−）及びエーテル結合（−Ｏ−）の少なくとも一方が介在した連結基で、２つ以上４つ以下のヒンダードフェノール環が連結された酸化防止剤
３）２つ以上４つ以下のヒンダードフェノール環と、一つのベンゼン環（無置換、又はアルキル基等で置換された置換ベンゼン環）又はイソシアヌレート環とを有し、２つ以上４つ以下のヒンダードフェノール環が、各々、ベンゼン環又はイソシアヌレート環とアルキレン基を介して連結された酸化防止剤
等が挙げられる。
【０１８５】
具体的には、ヒンダードフェノール系酸化防止剤としては、焼付きゴースト及び光疲労の抑制の点から、下記一般式（ＨＰ）で示される酸化防止剤が好ましい。
【０１８６】
【化１１】
2016184034.tif 000012
【０１８７】
一般式（ＨＰ）中、ＲＨ１、及びＲＨ２は、各々独立に、炭素数４以上８以下の分岐状のアルキル基を表す。
ＲＨ３、及びＲＨ４は、各々独立に、水素原子、又は、炭素数１以上１０以下のアルキル基を表す。
ＲＨ５は、炭素数１以上１０以下のアルキレン基を表す。
【０１８８】
一般式（ＨＰ）中、ＲＨ１、及びＲＨ２が表すアルキル基としては、炭素数４以上８以下（好ましくは炭素数４以上６以下）の分岐状のアルキル基が挙げられる。
分岐状のアルキル基として具体的には、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、イソヘキシル基、ｓｅｃ−ヘキシル基、ｔｅｒｔ−ヘキシル基、イソヘプチル基、ｓｅｃ−ヘプチル基、ｔｅｒｔ−ヘプチル基、イソオクチル基、ｓｅｃ−オクチル基、ｔｅｒｔ−オクチル基が挙げられる。
これらの中でも、アルキル基としては、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基が好ましく、ｔｅｒｔ−ブチル基がより好ましい。
【０１８９】
一般式（ＨＰ）中、ＲＨ３、及びＲＨ４としては、炭素数１以上１０以下（好ましくは炭素数１以上４以下）の直鎖状又は分岐状のアルキル基が挙げられる。
直鎖状のアルキル基として具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基等が挙げられる。
分岐状のアルキル基として具体的には、イソプロピル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、イソヘキシル基、ｓｅｃ−ヘキシル基、ｔｅｒｔ−ヘキシル基、イソヘプチル基、ｓｅｃ−ヘプチル基、ｔｅｒｔ−ヘプチル基、イソオクチル基、ｓｅｃ−オクチル基、ｔｅｒｔ−オクチル基、イソノニル基、ｓｅｃ−ノニル基、ｔｅｒｔ−ノニル基、イソデシル基、ｓｅｃ−デシル基、ｔｅｒｔ−デシル基等が挙げられる。
これらの中でも、アルキル基としては、メチル基、エチル基等の低級アルキル基が好ましい。
【０１９０】
一般式（ＨＰ）中、ＲＨ５は、炭素数１以上１０以下（好ましくは炭素数１以上４以下）の直鎖状又は分岐状アルキレン基を表す。
直鎖状のアルキレン基として具体的には、メチレン基、エチレン基、ｎ−プロピレン基、ｎ−ブチレン基、ｎ−ペンチレン基、ｎ−ヘキシレン基、ｎ−ヘプチレン基、ｎ−オクチレン基、ｎ−ノニレン基、ｎ−デシレン基等が挙げられる。
分岐状のアルキレン基として具体的には、イソプロピレン基、イソブチレン基、ｓｅｃ−ブチレン基、ｔｅｒｔ−ブチレン基、イソペンチレン基、ネオペンチレン基、ｔｅｒｔ−ペンチレン基、イソヘキシレン基、ｓｅｃ−ヘキシレン基、ｔｅｒｔ−ヘキシレン基、イソヘプチレン基、ｓｅｃ−ヘプチレン基、ｔｅｒｔ−ヘプチレン基、イソオクチレン基、ｓｅｃ−オクチレン基、ｔｅｒｔ−オクチレン基、イソノニレン基、ｓｅｃ−ノニレン基、ｔｅｒｔ−ノニレン基、イソデシレン基、ｓｅｃ−デシレン基、ｔｅｒｔ−デシレン基等が挙げられる。
これらの中でも、アルキレン基としては、メチレン基、エチレン基、ブチレン基等の低級アルキレン基が好ましい。
【０１９１】
なお、一般式（ＨＰ）中、ＲＨ１、ＲＨ２、ＲＨ３、ＲＨ４、及びＲＨ５が表す上記各置換基は、さらに置換基を有する基も含む。この置換基としては、例えば、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子）、アルコキシ基（例えば炭素数１以上４以下のアルコキシ基）、アリール基（例えばフェニル基、ナフチル基等）等が挙げられる。
【０１９２】
一般式（ＨＰ）において、焼付きゴースト及び光疲労の抑制の点から、ＲＨ１、及びＲＨ２がｔｅｒｔ−ブチル基を表すことが好ましく、ＲＨ１、及びＲＨ２がｔｅｒｔ−ブチル基を表し、ＲＨ３、及びＲＨ４が炭素数１以上３以下のアルキル基（特にメチル基）を示し、ＲＨ５が炭素数１以上４以下のアルキレン基（特にメチレン基）を表すことがより好ましい。
具体的には、ヒンダードフェノール系酸化防止剤は、例示化合物（ＨＰ−３）で示されるヒンダードフェノール系酸化防止剤が特に好ましい。
【０１９３】
ヒンダードフェノール系酸化防止剤の分子量は、焼付きゴースト及び光疲労の抑制の点から、３００以上１０００以下が好ましく、３００以上９００以下がより好ましく、３００以上８００以下が更に好ましい。
【０１９４】
以下に、ヒンダードフェノール系酸化防止剤の具体例を示すが、これに限定されるわけではない。
【０１９５】
【化１２】
2016184034.tif 000013
【０１９６】
【化１３】
2016184034.tif 000014
【０１９７】
ヒンダードフェノール系酸化防止剤は、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
【０１９８】
ベンゾフェノン系紫外線吸収剤について説明する。
ベンゾフェノン系紫外線吸収剤は、ベンゾフェノン骨格を有する化合物である。
【０１９９】
ベンゾフェノン系紫外線吸収剤としては、
１）２つのベンゼン環が無置換の化合物、
２）２つのベンゼン環に、各々に独立に、水酸基、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、及びアリール基よりなる群から選択される少なくとも一つの置換基で置換された化合物が挙げられる。特に、ベンゾフェノン系紫外線吸収剤は、２つのベンゼン環の一方に、少なくとも水酸基が置換（特に、−Ｃ（＝Ｏ）−基に対してオルトの位置に置換）されている化合物がよい。
【０２００】
具体的には、ベンゾフェノン系紫外線吸収剤としては、焼付きゴースト及び光疲労の抑制の点から、下記一般式（ＢＰ）で示される紫外線吸収剤が好ましい。
【０２０１】
【化１４】
2016184034.tif 000015
【０２０２】
一般式（ＢＰ）中、ＲＢ１、ＲＢ２、及びＲＢ３は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１以上１０以下のアルキル基、炭素数１以上１０以下のアルコキシ基、又は、炭素数６以上１０以下のアリール基を表す。
【０２０３】
一般式（ＢＰ）において、ＲＢ１、ＲＢ２、及びＲＢ３が表すハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などが挙げられる。これらの中でも、ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子が好ましく、塩素原子がより好ましい。
【０２０４】
一般式（ＢＰ）において、ＲＢ１、ＲＢ２、及びＲＢ３が表すアルキル基としては、炭素数１以上１０以下（好ましくは１以上６以下、より好ましくは１以上４以下）の直鎖状又は分岐状のアルキル基が挙げられる。
直鎖状のアルキル基として具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基等が挙げられる。
分岐状のアルキル基として具体的には、イソプロピル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、イソヘキシル基、ｓｅｃ−ヘキシル基、ｔｅｒｔ−ヘキシル基、イソヘプチル基、ｓｅｃ−ヘプチル基、ｔｅｒｔ−ヘプチル基、イソオクチル基、ｓｅｃ−オクチル基、ｔｅｒｔ−オクチル基、イソノニル基、ｓｅｃ−ノニル基、ｔｅｒｔ−ノニル基、イソデシル基、ｓｅｃ−デシル基、ｔｅｒｔ−デシル基等が挙げられる。
これらの中でも、アルキル基としては、メチル基、エチル基、イソプロピル基等の低級アルキル基が好ましい。
【０２０５】
一般式（ＢＰ）において、ＲＢ１、ＲＢ２、及びＲＢ３が表すアルコキシ基としては、炭素数１以上１０以下（好ましくは１以上６以下、より好ましくは１以上４以下）の直鎖状又は分岐状のアルコキシ基が挙げられる。
直鎖状のアルコキシ基として具体的には、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基、ｎ−ヘプチルオキシ基、ｎ−オクチルオキシ基、ｎ−ノニルオキシ基、ｎ−デシルオキシ基等が挙げられる。
分岐状のアルコキシ基として具体的には、イソプロポキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、イソペンチルオキシ基、ネオペンチルオキシ基、ｔｅｒｔ−ペンチルオキシ基、イソヘキシルオキシ基、ｓｅｃ−ヘキシルオキシ基、ｔｅｒｔ−ヘキシルオキシ基、イソヘプチルオキシ基、ｓｅｃ−ヘプチルオキシ基、ｔｅｒｔ−ヘプチルオキシ基、イソオクチルオキシ基、ｓｅｃ−オクチルオキシ基、ｔｅｒｔ−オクチルオキシ基、イソノニルオキシ基、ｓｅｃ−ノニルオキシ基、ｔｅｒｔ−ノニルオキシ基、イソデシルオキシ基、ｓｅｃ−デシルオキシ基、ｔｅｒｔ−デシルオキシ基等が挙げられる。
これらの中でも、アルコキシ基としては、メトキシ基が好ましい。
【０２０６】
一般式（ＢＰ）において、ＲＢ１、ＲＢ２、及びＲＢ３が表すアリール基としては、炭素数６以上１０以下（好ましくは６以上９以下、より好ましくは６以上８以下）のアリール基が挙げられる。
アリール基として具体的には、フェニル基、ナフチル基などが挙げられる。
これらの中でも、アリール基としては、フェニル基が好ましい。
【０２０７】
なお、一般式（ＢＰ）において、ＲＢ１、ＲＢ２、及びＲＢ３が表す上記各置換基は、さらに置換基を有する基も含む。この置換基としては、上記例示した原子および基（例えばハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基など）が挙げられる。
【０２０８】
一般式（ＢＰ）において、特に、焼付きゴースト及び光疲労の抑制の点から、ＲＢ１、及びＲＢ２が水素原子を表し、ＲＢ３が炭素数１以上３以下のアルコキシ基を表すことが好ましい。
具体的には、紫外線吸収剤は、下記構造式（ＢＰＡ）で示されるベンゾフェノン系紫外線吸収剤（例示化合物（ＢＰ−３））であることが特に好ましい。
【０２０９】
【化１５】
2016184034.tif 000016
【０２１０】
以下に、ベンゾフェノン系紫外線吸収剤（一般式（ＢＰ）で示されるベンゾフェノン系紫外線吸収剤）電荷輸送材料の具体例を示すが、これに限定されるわけではない。
【０２１１】
【化１６】
2016184034.tif 000017
【０２１２】
なお、上記例示化合物中の略記号は、以下の意味を示す。また、置換基の前に付す番号は、ベンゼン環に対する置換位置を示している。
・ＣＨ３：メチル基
・Ｃ２Ｈ５：エチル基
・（ＣＨ２）７−ＣＨ３：オクチル基
・ＯＣＨ３：メトキシ基
・ＯＨ：ヒドロキシ基
【０２１３】
ベンゾフェノン系紫外線吸収剤は、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
【０２１４】
次に、電荷輸送材料、酸化防止剤および紫外線吸収剤の含有量について説明する。
ブタジエン系電荷輸送材料（ＣＴ１）の含有量は、電荷輸送能の高い感光層（電荷輸送層）形成の点から、ＣＴ１と結着樹脂との配合比（質量比  ＣＴ１：結着樹脂）で０．１：９．９から４．０：６．０までの範囲内であることが好ましく、０．４：９．６から３．５：６．５までの範囲内であることがより好ましく、０．６：９．４から３．０：７．０の範囲内であることが更に好ましい。
【０２１５】
ベンジジン系電荷輸送材料（ＣＴ２）の含有量は、電荷輸送能の高い感光層（電荷輸送層）形成の点から、ＣＴ２と結着樹脂との配合比（質量比  ＣＴ２：結着樹脂）で１：９から７：３までの範囲内であることが好ましく、２：８から６：４までの範囲内であることがより好ましく、２：８から４：６の範囲内であることが更に好ましい。
【０２１６】
ブタジエン系電荷輸送材料（ＣＴ１）の含有量とベンジジン系電荷輸送材料（ＣＴ２）の含有量との質量比（ブタジエン系電荷輸送材料（ＣＴ１）の含有量／ベンジジン系電荷輸送材料（ＣＴ２）の含有量）は、電荷輸送能の高い感光層（電荷輸送層）形成の点から、１／９以上５／５以下が好ましく、１／９以上４／６以下がより好ましく、１／９以上３／７以下が更に好ましい。
特に、ブタジエン系電荷輸送材料（ＣＴ１）の含有量とベンジジン系電荷輸送材料（ＣＴ２）の含有量との質量比が上記範囲であると、焼付きゴースト及び光疲労が生じ易いが、ヒンダードフェノール系酸化防止剤およびベンゾフェノン系紫外線吸収剤よりなる群から選択される少なくとも１種により、焼付きゴースト及び光疲労の発生が抑制される。
【０２１７】
なお、ブタジエン系電荷輸送材料（ＣＴ１）およびベンジジン系電荷輸送材料（ＣＴ２）以外の他の電荷輸送材料を併用してもよい。但し、その場合、全電荷輸送材料に占める他の電荷輸送材料の含有量は、１０質量％以下（好ましくは５質量％以下）であることがよい。
【０２１８】
ヒンダーフェノール系酸化防止剤の含有量は、焼付きゴースト及び光疲労の抑制の点から、全電荷輸送材料量１００質量％に対して、０．５質量％以上３０．０質量％以下が好ましく、０．５質量％以上１５質量％以下がより好ましく、０．５質量％以上９．０質量％以下が更に好ましい。なお、このヒンダーフェノール系酸化防止剤の含有量は、全電荷輸送材料の含有量を１００質量部としたときの部数（質量部）を示している。
【０２１９】
ベンゾフェノン系紫外線吸収剤の含有量は、焼付きゴースト及び光疲労の抑制の点から、全電荷輸送材料量１００質量％に対して、０．５質量％以上３０．０質量％以下が好ましく、０．５質量％以上１５質量％以下がより好ましく、０．５質量％以上９．０質量％以下が更に好ましい。なお、このベンゾフェノン系紫外線吸収剤の含有量は、全電荷輸送材料の含有量を１００質量部としたときの部数（質量部）を示している。
【０２２０】
なお、ヒンダーフェノール系酸化防止剤およびベンゾフェノン系紫外線吸収剤の含有量は、共に、３０．０質量％以下とすることで、酸化防止剤および紫外線吸収剤による電荷輸送材料の電荷輸送能力の阻害が抑制される。つまり、光照射による感光体表面への静電潜像形成の阻害が抑制され、目的とする濃度の画像が得られ易くなる。
【０２２１】
電荷輸送層に用いる結着樹脂は、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアリレート樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、スチレン−ブタジエン共重合体、塩化ビニリデン−アクリロニトリル共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体、シリコーン樹脂、シリコーンアルキッド樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、スチレン−アルキッド樹脂、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリシラン等が挙げられる。これらの中でも、結着樹脂としては、ポリカーボネート樹脂又はポリアリレート樹脂が好適である。これらの結着樹脂は１種を単独で又は２種以上で用いる。
なお、電荷輸送材料と結着樹脂との配合比は、質量比で１０：１から１：５までが好ましい。
【０２２２】
電荷輸送層には、その他、周知の添加剤が含まれていてもよい。
【０２２３】
電荷輸送層の形成は、特に制限はなく、周知の形成方法が利用されるが、例えば、上記成分を溶剤に加えた電荷輸送層形成用塗布液の塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥、必要に応じて加熱することで行う。
【０２２４】
電荷輸送層形成用塗布液を調製するための溶剤としては、ベンゼン、トルエン、キシレン、クロロベンゼン等の芳香族炭化水素類；アセトン、２−ブタノン等のケトン類；塩化メチレン、クロロホルム、塩化エチレン等のハロゲン化脂肪族炭化水素類；テトラヒドロフラン、エチルエーテル等の環状又は直鎖状のエーテル類等の通常の有機溶剤が挙げられる。これら溶剤は、単独で又は２種以上混合して用いる。
【０２２５】
電荷輸送層形成用塗布液を電荷発生層の上に塗布する際の塗布方法としては、ブレード塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、浸漬塗布法、ビード塗布法、エアーナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が挙げられる。
【０２２６】
電荷輸送層の膜厚は、例えば、好ましくは５μｍ以上５０μｍ以下、より好ましくは１０μｍ以上３０μｍ以下の範囲内に設定される。
【０２２７】
（保護層）
保護層は、必要に応じて感光層上に設けられる。保護層は、例えば、帯電時の感光層の化学的変化を防止したり、感光層の機械的強度をさらに改善する目的で設けられる。
そのため、保護層は、硬化膜（架橋膜）で構成された層を適用することがよい。これら層としては、例えば、下記１）又は２）に示す層が挙げられる。
【０２２８】
１）反応性基及び電荷輸送性骨格を同一分子内に有する反応性基含有電荷輸送材料を含む組成物の硬化膜で構成された層（つまり当該反応性基含有電荷輸送材料の重合体又は架橋体を含む層）
２）非反応性の電荷輸送材料と、電荷輸送性骨格を有さず、反応性基を有する反応性基含有非電荷輸送材料と、を含む組成物の硬化膜で構成された層（つまり、非反応性の電荷輸送材料と、当該反応性基含有非電荷輸送材料の重合体又は架橋体と、を含む層）
【０２２９】
反応性基含有電荷輸送材料の反応性基としては、連鎖重合性基、エポキシ基、−ＯＨ、−ＯＲ［但し、Ｒはアルキル基を示す］、−ＮＨ２、−ＳＨ、−ＣＯＯＨ、−ＳｉＲＱ１３−Ｑｎ（ＯＲＱ２）Ｑｎ［但し、ＲＱ１は水素原子、アルキル基、又は置換若しくは無置換のアリール基を表し、ＲＱ２は水素原子、アルキル基、トリアルキルシリル基を表す。Ｑｎは１〜３の整数を表す］等の周知の反応性基が挙げられる。
【０２３０】
連鎖重合性基としては、ラジカル重合しうる官能基であれば特に限定されるものではなく、例えば、少なくとも炭素二重結合を含有する基を有する官能基である。具体的には、ビニル基、ビニルエーテル基、ビニルチオエーテル基、スチリル基、ビニルフェニル基、アクリロイル基、メタクリロイル基、及びそれらの誘導体から選択される少なくとも一つを含有する基等が挙げられる。なかでも、その反応性に優れることから、連鎖重合性基としては、ビニル基、ビニルフェニル基、アクリロイル基、メタクリロイル基、及びそれらの誘導体から選択される少なくとも一つを含有する基であることが好ましい。
【０２３１】
反応性基含有電荷輸送材料の電荷輸送性骨格としては、電子写真感光体における公知の構造であれば特に限定されるものではなく、例えば、トリアリールアミン系化合物、ベンジジン系化合物、ヒドラゾン系化合物等の含窒素の正孔輸送性化合物に由来する骨格であって、窒素原子と共役している構造が挙げられる。これらの中でも、トリアリールアミン骨格が好ましい。
【０２３２】
これら反応性基及び電荷輸送性骨格を有する反応性基含有電荷輸送材料、非反応性の電荷輸送材料、反応性基含有非電荷輸送材料は、周知の材料から選択すればよい。
【０２３３】
保護層には、その他、周知の添加剤が含まれていてもよい。
【０２３４】
保護層の形成は、特に制限はなく、周知の形成方法が利用されるが、例えば、上記成分を溶剤に加えた保護層形成用塗布液の塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥し、必要に応じて加熱等の硬化処理することで行う。
【０２３５】
保護層形成用塗布液を調製するための溶剤としては、トルエン、キシレン等の芳香族系溶剤；メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶剤；酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル系溶剤；テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル系溶剤；エチレングリコールモノメチルエーテル等のセロソルブ系溶剤；イソプロピルアルコール、ブタノール等のアルコール系溶剤等が挙げられる。これら溶剤は、単独で又は２種以上混合して用いる。
なお、保護層形成用塗布液は、無溶剤の塗布液であってもよい。
【０２３６】
保護層形成用塗布液を感光層（例えば電荷輸送層）上に塗布する方法としては、浸漬塗布法、突き上げ塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、ブレード塗布法、ナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が挙げられる。
【０２３７】
保護層の膜厚は、例えば、好ましくは１μｍ以上２０μｍ以下、より好ましくは２μｍ以上１０μｍ以下の範囲内に設定される。
【０２３８】
（単層型感光層）
単層型感光層（電荷発生／電荷輸送層）は、例えば、電荷発生材料と電荷輸送材料と、必要に応じて、結着樹脂、及びその他周知の添加剤と、を含む層である。なお、これら材料は、電荷発生層及び電荷輸送層で説明した材料と同様である。
そして、単層型感光層中、電荷発生材料の含有量は、全固形分に対して１０質量％以上８５質量％以下がよく、好ましくは２０質量％以上５０質量％以下である。
一方、単層型感光層中、電荷輸送材料、酸化防止剤および紫外線吸収剤の含有量は電荷輸送層中での含有量と同様である。
単層型感光層の形成方法は、電荷発生層や電荷輸送層の形成方法と同様である。
単層型感光層の膜厚は、例えば、５μｍ以上５０μｍ以下がよく、好ましくは１０μｍ以上４０μｍ以下である。
【０２３９】
（トナー）
以下、現像装置１８に使用されるトナーについて説明する。
本実施形態の画像形成装置において、体積平均粒径としては、３μｍ以上５．０μｍ以下の範囲であるトナーを用いる。
ここで、トナーの体積平均粒径とは、例えばトナー粒子と外添剤とを含むトナーの場合、トナー粒子の体積平均粒径に相当する。
【０２４０】
トナー（トナー粒子）の体積平均粒径の測定は、以下のようにして行われる。
まず、分散剤として界面活性剤（望ましくはアルキルベンゼンスルホン酸ナトリウム）の５質量％水溶液２ｍｌ中に、測定試料を０．５ｍｇ以上５０ｍｇ以下加え、これを電解液１００ｍｌ以上１５０ｍｌ以下中に添加した。この測定試料を懸濁させた電解液を超音波分散器で１分間分散処理を行い、コールターマルチサイザーＩＩ型（ベックマン−コールター社製）により、アパーチャー径が１００μｍのアパーチャーを用いて、粒径が２．０μｍ以上６０μｍ以下の範囲の粒子の粒度分布を測定する。測定する粒子数は５０，０００とする。
得られた粒度分布を分割された粒度範囲（チャンネル）に対し、小粒径側から体積累積分布を引いて、累積５０％となる粒径を体積平均粒径Ｄ５０ｖとする。
【０２４１】
また、トナー（トナー粒子）の平均円形度は、０．９００以上０．９９８以下であることがよく、望ましくは０．９５０以上０．９８０以下である。
トナー（トナー粒子）の平均円形度は、（円相当周囲長）／（周囲長）［（粒子像と同じ投影面積をもつ円の周囲長）／（粒子投影像の周囲長）］により求められる。具体的には、測定対象となるトナーを吸引採取し、扁平な流れを形成させ、ストロボ発光させることにより静止画像として粒子像を取り込み、その粒子像を画像解析するフロー式粒子像解析装置（例えば、シスメックス社製のＦＰＩＡ−２１００）によって求める。なお、平均円形度を求める際のサンプリング数は３５００個である。
【０２４２】
またトナー（トナー粒子）の形状係数ＳＦ１は、１００以上１３０以下がよく、望ましくは１１０以上１２０以下である。
トナー（トナー粒子）の形状係数ＳＦ１は下記式により求められる。
式：ＳＦ１＝１００π×（ＭＬ）２／（４×Ａ）
上記式中、ＭＬは粒子の最大長、Ａは粒子の投影面積である。粒子の最大長と投影面積は、スライドガラス上にサンプリングした粒子を光学顕微鏡により観察し、ビデオカメラを通じて画像解析装置（ＬＵＺＥＸ  ＩＩＩ、ＮＩＲＥＣＯ社製）に取り込んで、画像解析を行うことにより求められる。この際のサンプリング数は１００個以上で、その平均値を用いて、上記式に示す形状係数を求める。
【０２４３】
−トナーの構成−
トナーは、トナー粒子単独で構成されていてもよいし、トナー粒子と外添剤とを含んで構成されていてもよい。
【０２４４】
トナー粒子は、例えば、結着樹脂や、その他、着色剤、離型剤、その他内添剤等を含有して構成される。
【０２４５】
結着樹脂としては、特に制限はないが、スチレン類（例えばスチレン、クロロスチレン等）、モノオレフィン類（例えばエチレン、プロピレン、ブチレン、イソプレン等）、ビニルエステル類（例えば酢酸ビニル、プロピオン酸ビニル、安息香酸ビニル、酪酸ビニル等）、１−メチレン脂肪族モノカルボン酸エステル類（例えばアクリル酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸ブチル、アクリル酸ドデシル、アクリル酸オクチル、アクリル酸フェニル、メタクリル酸メチル、メタクリル酸エチル、メタクリル酸ブチル、メタクリル酸ドデシル等）、ビニルエーテル類（例えばビニルメチルエーテル、ビニルエチルエーテル、ビニルブチルエーテル等）、ビニルケトン類（例えばビニルメチルケトン、ビニルヘキシルケトン、ビニルイソプロペニルケトン等）等の単独重合体および共重合体、ジカルボン酸類とジオール類との共重合によるポリエステル樹脂等が挙げられる。
【０２４６】
特に代表的な結着樹脂としては、ポリスチレン、スチレン−アクリル酸アルキル共重合体、スチレン−メタクリル酸アルキル共重合体、スチレン−アクリロニトリル共重合体、スチレン−ブタジエン共重合体、スチレン−無水マレイン酸共重合体、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリエステル樹脂等が挙げられる。
また、代表的な結着樹脂としては、ポリウレタン、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ポリアミド、変性ロジン、パラフィンワックス等も挙げられる。
【０２４７】
着色剤としては、磁性粉（例えばマグネタイト、フェライト等）、カーボンブラック、アニリンブルー、カルイルブルー、クロムイエロー、ウルトラマリンブルー、デュポンオイルレッド、キノリンイエロー、メチレンブルークロリド、フタロシアニンブルー、マラカイトグリーンオキサレート、ランプブラック、ローズベンガル、Ｃ．Ｉ．ピグメント・レッド４８：１、Ｃ．Ｉ．ピグメント・レッド１２２、Ｃ．Ｉ．ピグメント・レッド５７：１、Ｃ．Ｉ．ピグメント・イエロー９７、Ｃ．Ｉ．ピグメント・イエロー１７、Ｃ．Ｉ．ピグメント・ブルー１５：１、Ｃ．Ｉ．ピグメント・ブルー１５：３等が代表的なものとして挙げられる。
【０２４８】
離型剤としては、例えば、炭化水素系ワックス；カルナバワックス、ライスワックス、キャンデリラワックス等の天然ワックス；モンタンワックス等の合成又は鉱物・石油系ワックス；脂肪酸エステル、モンタン酸エステル等のエステル系ワックス；などが挙げられるが、これに限定されるものではない。
【０２４９】
その他内添剤としては、例えば、磁性体、帯電制御剤、無機粉体等が挙げられる。
【０２５０】
外添剤としては、例えば、無機粒子が挙げられ、該無機粒子として、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＣｕＯ、ＺｎＯ、ＳｎＯ２、ＣｅＯ２、Ｆｅ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＢａＯ、ＣａＯ、Ｋ２Ｏ、Ｎａ２Ｏ、ＺｒＯ２、ＣａＯ・ＳｉＯ２、Ｋ２Ｏ・（ＴｉＯ２）ｎ、Ａｌ２Ｏ３・２ＳｉＯ２、ＣａＣＯ３、ＭｇＣＯ３、ＢａＳＯ４、ＭｇＳＯ４等が挙げられる。
【０２５１】
外添剤の表面は、予め疎水化処理をしてもよい。疎水化処理は、例えば疎水化処理剤に無機粒子を浸漬する等して行う。疎水化処理剤は特に制限されないが、例えば、シラン系カップリング剤、シリコーンオイル、チタネート系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤等が挙げられる。これらは１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
【０２５２】
−トナーの製造方法−
トナーには、例えば、トナー粒子を得た後、外添剤と混合してもよい。
トナー粒子の製造方法としては、特に製造方法により限定されるものではないが、例えば、結着樹脂や、その他着色剤、離型剤その他内添剤等を加えて混練、粉砕、分級する混練粉砕法；混練粉砕法にて得られた粒子を機械的衝撃力または熱エネルギーにて形状を変化させる方法；結着樹脂の重合性単量体を乳化重合させ、形成された分散液や、その他着色剤、離型剤その他内添剤等の分散液と、を混合し、凝集、加熱融合する乳化重合凝集法；結着樹脂を得るための重合性単量体や、その他着色剤、離型剤その他内添剤等の溶液を水系溶媒に懸濁させて重合する懸濁重合法；結着樹脂や、その他着色剤、離型剤その他内添剤等の溶液と、を水系溶媒に懸濁させて造粒する溶解懸濁法等が挙げられる。
また、トナー粒子は、上記方法で得られたトナー粒子をコアにして、さらに凝集粒子を付着、加熱融合してコアシェル構造のトナー粒子としてもよい。
なお、トナー粒子の製造方法としては、形状制御、粒度分布制御の観点から水系溶媒にて製造する懸濁重合法、乳化重合凝集法、溶解懸濁法が望ましく、乳化重合凝集法が特に望ましい。
【０２５３】
そして、トナーは、外添剤を含む場合、トナー粒子および外添剤をヘンシェルミキサーまたはＶブレンダー等で混合することによって製造される。また、トナー粒子を湿式にて製造する場合は、湿式にて外添してもよい。
【０２５４】
（キャリア）
キャリアとしては、例えば、鉄粉、ガラスビーズ、フェライト粉、ニッケル粉またはそれ等の表面に樹脂被覆を施したものが挙げられる。
なお、トナーとキャリアとの混合比（質量比）は、例えば、トナー：キャリア＝１：１００から３０：１００程度の範囲が挙げられる。
【実施例】
【０２５５】
以下、本発明の実施例について説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。なお、以下の説明において、特に断りのない限り、「部」及び「％」はすべて質量基準である。
【０２５６】
＜感光体の作製＞
［感光体１］
酸化亜鉛（商品名：ＭＺ  ３００、テイカ社製）１００質量部、シランカップリング剤としてＮ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシランの１０質量％のトルエン溶液を１０質量部、トルエン２００質量部を混合して攪拌を行い、２時間還流を行った。その後１０ｍｍＨｇにてトルエンを減圧留去し、１３５℃で２時間焼き付けて、シランカップリング剤による酸化亜鉛の表面処理を行った。
表面処理した酸化亜鉛：３３質量部、ブロック化イソシアネート（商品名：スミジュール３１７５、住友バイエルンウレタン社製）：６質量部、下記構造式（ＡＫ−１）で示される化合物：１質量部、メチルエチルケトン：２５質量部を３０分間混合し、その後ブチラール樹脂（商品名：エスレックＢＭ−１、積水化学工業社製）：５質量部、シリコーンボール（商品名：トスパール１２０、モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ社製）：３質量部、レベリング剤としてシリコーンオイル（商品名：ＳＨ２９ＰＡ、東レダウコーニングシリコーン社製）：０．０１質量部を添加し、サンドミルにて３時間の分散を行い、下引層形成用塗布液を得た。
さらに、浸漬塗布法にて、下引層形成用塗布液を、直径４７ｍｍ、長さ３５７ｍｍ、肉厚１ｍｍのアルミニウム基材上に塗布し、１８０℃、３０分の乾燥硬化を行い、膜厚２５μｍの下引層を得た。
【０２５７】
【化１７】
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【０２５８】
次に、電荷発生材料としてのヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料「ＣｕＫα特性Ｘ線を用いたＸ線回折スペクトルのブラッグ角度（２θ±０．２°）が少なくとも７．３゜，１６．０゜，２４．９゜，２８．０゜の位置に回折ピークを有するＶ型のヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料（６００ｎｍ以上９００ｎｍ以下の波長域での分光吸収スペクトルにおける最大ピーク波長＝８２０ｎｍ、平均粒径＝０．１２μｍ、最大粒径＝０．２μｍ、比表面積値＝６０ｍ２／ｇ）」、結着樹脂としての塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体樹脂（商品名：ＶＭＣＨ、日本ユニカー社製）、およびｎ−酢酸ブチルからなる混合物を、容量１００ｍＬガラス瓶中に、充填率５０％で１．０ｍｍφガラスビーズと共に入れて、ペイントシェーカーを用いて２．５時間分散処理し、電荷発生層用塗布液を得た。ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料と塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体樹脂の混合物に対して、ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料の含有量を５５．０体積％とし、分散液の固形分は６．０質量％とした。含有量は、ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料の比重を１．６０６ｇ／ｃｍ３、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体樹脂の比重１．３５ｇ／ｃｍ３をとして計算した。
得られた電荷発生層形成用塗布液を、下引層上に浸漬塗布し、１２５℃で５分間乾燥して、膜厚０．２０μｍの電荷発生層を形成した。
【０２５９】
次に、電荷輸送材料として、ブタジエン系電荷輸送材料（ＣＴ１）「例示化合物（ＣＴ１−３）８質量部と、ベンジジン系電荷輸送材料（ＣＴ２）「例示化合物（ＣＴ２−２）」３２質量部と、結着樹脂として、ビスフェノールＺ型ポリカーボネート樹脂（ビスフェノールＺの単独重合型ポリカーボネート樹脂、粘度平均分子量４万）５８質量部と、酸化防止剤として、ヒンダードフェノール系酸化防止剤「例示化合物（ＨＰ−１）、分子量７７５」２質量部（全電荷輸送材料合計量１００質量％に対して５質量％）とを、テトラヒドロフラン３４０質量部に加えて溶解し、電荷輸送層形成用塗布液を得た。
得られた電荷輸送層形成用塗布液を、電荷発生層上に浸漬塗布し、１４５℃、３０分の乾燥を行うことにより、膜厚２４μｍの電荷輸送層を形成した。
【０２６０】
以上の工程を経て、感光体１を得た。
【０２６１】
［感光体２］
酸化防止剤として、ヒンダードフェノール系酸化防止剤「例示化合物（ＨＰ−１）、分子量７７５」１質量部（全電荷輸送材料合計量１００質量％に対して２．５質量％）と共に、更に、紫外線吸収剤として、ベンゾフェノン系紫外線吸収剤「例示化合物（ＢＰ−１）」１質量部（全電荷輸送材料合計量１００質量％に対して２．５質量％）を使用した以外は、感光体１と同様にして、電子写真感光体を作製した。
［感光体３］
酸化防止剤としてのヒンダードフェノール系酸化防止剤に代えて、紫外線吸収剤として、ベンゾフェノン系紫外線吸収剤「例示化合物（ＢＰ−１）」２質量部（全電荷輸送材料合計量１００質量％に対して５．０質量％）を使用した以外は、感光体１と同様にして、電子写真感光体を作製した。
【０２６２】
［感光体４〜６］
表１に従って、電荷輸送材料の種類を変更した以外は、感光体１と同様にして、電子写真感光体を作製した。
【０２６３】
［感光体７、８］
表１に従って、ヒンダードフェノール系酸化防止剤の種類を変更した以外は、感光体１と同様にして、電子写真感光体を作製した。
【０２６４】
［感光体９、１０］
表１に従って、ベンゾフェノン系紫外線吸収剤の種類を変更した以外は、感光体３と同様にして、電子写真感光体を作製した。
【０２６５】
［感光体１１］
表１に従って、酸化防止剤としてのヒンダードフェノール系酸化防止剤の種類と、紫外線吸収剤としてのベンゾフェノン系紫外線吸収剤の種類とを変更した以外は、感光体２と同様にして、電子写真感光体を作製した。
【０２６６】
［感光体１２〜１４］
表１に従って、電荷輸送材料の種類と、ヒンダードフェノール系酸化防止剤の量を変更した以外は、感光体１と同様にして、電子写真感光体を作製した。
【０２６７】
［感光体１５、１６］
表１に従って、電荷輸送材料の種類と、ベンゾフェノン系紫外線吸収剤の量を変更した以外は、感光体３と同様にして、電子写真感光体を作製した。
【０２６８】
［感光体１７］
表１に従って、酸化防止剤としてのヒンダードフェノール系酸化防止剤の量と、紫外線吸収剤としてのベンゾフェノン系紫外線吸収剤の量とを変更した以外は、感光体２と同様にして、電子写真感光体を作製した。
【０２６９】
［感光体１８〜２１］
表１に従って、酸化防止剤の種類と、紫外線吸収剤の種類とを変更した以外は、感光体１と同様にして、電子写真感光体を作製した。
【０２７０】
［感光体２２〜２６］
表１に従ってブタジエン系電荷輸送材料（ＣＴ１）「例示化合物（ＣＴ１−３）と、ベンジジン系電荷輸送材料（ＣＴ２）「例示化合物（ＣＴ２−２）」の量を変更した以外は、感光体２と同様にして、電子写真感光体を作製した。
【０２７１】
＜現像剤の作製＞
［現像剤１］
（トナー粒子１の作製）
−樹脂粒子分散液の調製−
スチレン３７０ｇ、ｎ−ブチルアクリレート３０ｇ、アクリル酸８ｇ、ドデカンチオール２４ｇ、及び四臭化炭素４ｇを混合して溶解させたものを、非イオン性界面活性剤（ノニポール４００：三洋化成工業社製）６ｇ、及びアニオン性界面活性剤（ネオゲンＳＣ：第一工業製薬社製）１０ｇを、イオン交換水５５０ｇに溶解させた水溶液が入ったフラスコ中に加え、１０分間ゆっくり混合しながら乳化重合させ、これに過硫酸アンモニウム４ｇをイオン交換水５０ｇに溶解させた水溶液を投入した。
窒素置換を行った後、前記フラスコ内の液を攪拌しながら内容物が７０℃になるまでオイルバスで加熱し、５時間そのまま乳化重合を継続した。
その結果、体積平均粒径が１５０ｎｍ、ガラス転移温度Ｔｇが５８℃、重量平均分子量Ｍｗが１１５００の樹脂粒子が分散された樹脂粒子分散液が得られた。この分散液の固形分濃度は４０質量％であった。
【０２７２】
−着色剤粒子分散液の調製−
・シアン顔料（Ｃ．Ｉ．ピグメント・ブルー１５：３）６０ｇ
・ノニオン性界面活性剤（ノニポール４００：三洋化成工業社製）６ｇ
・イオン交換水２４０ｇ
以上の成分を混合して溶解させ、ホモジナイザー（ウルトラタラックスＴ５０：ＩＫＡ社製）を用いて１０分間攪拌し、その後、アルティマイザーにて分散処理して体積平均粒径が２５０ｎｍである着色剤（シアン顔料）粒子が分散された着色剤粒子分散液を調製した。
【０２７３】
−離型剤粒子分散液の調製−
・パラフィンワックス（ＨＮＰ０１９０：日本精蝋社製、溶融温度８５℃）１００ｇ
・カチオン性界面活性剤（サニゾールＢ５０：花王社製）５ｇ
・イオン交換水２４０ｇ
以上の成分を、丸型ステンレス鋼製フラスコ中でホモジナイザー（ウルトラタラックスＴ５０：ＩＫＡ社製）を用いて１０分間分散した後、圧力吐出型ホモジナイザーで分散処理し、体積平均粒径が５５０ｎｍである離型剤粒子が分散された離型剤粒子分散液を調製した。
【０２７４】
−トナー粒子１の作製―
・樹脂粒子分散液２３４部
・着色剤粒子分散液３０部
・離型剤粒子分散液４０部
・ポリ水酸化アルミニウム（浅田化学社製、Ｐａｈｏ２Ｓ）０．５部
・イオン交換水６００部
以上の成分を、丸型ステンレス鋼製フラスコ中でホモジナイザー（ウルトラタラックスＴ５０：ＩＫＡ社製）を用いて混合し、分散した後、加熱用オイルバス中でフラスコ内を攪拌しながら３０℃まで加熱した。３０℃で２０分保持した後、体積平均粒径Ｄ５０が３．０μｍの凝集粒子が生成していることを確認した。
【０２７５】
更に、加熱用オイルバスの温度を上げて４５℃で１時間保持し、体積平均粒径Ｄ５０が３．８μｍとなった。その後、この凝集体粒子を含む分散液に２６部の樹脂粒子分散液を追加した後、加熱用オイルバスの温度を５０℃まで上げて２０分間保持した。この凝集体粒子を含む分散液に、１Ｎ水酸化ナトリウムを追加して、系のｐＨを５．０に調整した後、ステンレス鋼製フラスコを密閉し、磁気シールを用いて攪拌を継続しながら８０℃まで加熱し、３時間保持した。冷却後、得られたトナー粒子を濾別し、イオン交換水で４回洗浄した後、凍結乾燥してトナー粒子１を得た。トナー粒子１の体積平均粒径Ｄ５０は４．１μｍ、形状係数ＳＦ１は１０５であった。
【０２７６】
（キャリア１の作製）
・フェライト粒子（平均粒径：５０μｍ）１００部
・トルエン１４部
・スチレン／メタクリレート共重合体（成分比：９０／１０）２部
・カーボンブラック（Ｒ３３０：キャボット社製）０．２部
まず、フェライト粒子を除く上記成分を１０分間スターラーで撹拌させて、分散した被覆液を調製した。次に、この被覆液とフェライト粒子を真空脱気型ニーダーに入れて、６０℃において３０分撹拌した後、さらに加温しながら減圧して脱気し、乾燥させることによりキャリア１を得た。このキャリア１は、１０００Ｖ／ｃｍの印加電界時の体積固有抵抗値が１０１１Ωｃｍであった。
【０２７７】
（現像剤１の作製）
上記トナー粒子１を１１００部と、ルチル型酸化チタン粒子（粒径２０ｎｍ，ｎ−デシルトリメトキシシラン処理）１部と、シリカ粒子（粒径４０ｎｍ，シリコーンオイル処理，気相酸化法）２．０部と、酸化セリウム粒子（平均粒径０．７μｍ）１部と、高級脂肪酸アルコール（分子量７００）および４フッ化エチレン樹脂（ルブロンＬ−２）を質量比で５：１の割合でジェットミルにより粉砕して平均粒径８．０μｍとしたもの０．３部と、を５Ｌヘンシェルミキサーで周速３０ｍ／ｓの条件にて１５分間混合を行った後、４５μｍの目開きのシーブを用いて粗大粒子を除去し、トナー１を得た。
また、上記キャリア１を１００部と、上記トナー１を５部と、をＶ−ブレンダーで、４０ｒｐｍの条件にて２０分間攪拌し、２１２μｍの目開きを有するシーブで篩分することにより現像剤１を得た。
【０２７８】
［現像剤２の作製］
（トナー粒子２の作製）
・樹脂粒子分散液２３４部
・着色剤粒子分散液３０部
・離型剤粒子分散液４０部
・ポリ水酸化アルミニウム（浅田化学社製、Ｐａｈｏ２Ｓ）０．５部
・イオン交換水６００部
以上の成分を、丸型ステンレス鋼製フラスコ中でホモジナイザー（ウルトラタラックスＴ５０：ＩＫＡ社製）を用いて混合し、分散した後、加熱用オイルバス中でフラスコ内を攪拌しながら４０℃まで加熱した。４０℃で３０分保持した後、体積平均粒径Ｄ５０が４．５μｍの凝集粒子が生成していることを確認した。
更に加熱用オイルバスの温度を上げて５３℃で１時間保持し、体積平均粒径Ｄ５０は５．２μｍとなった。その後、この凝集体粒子を含む分散液に２６部の樹脂粒子分散液を追加した後、加熱用オイルバスの温度を５０℃まで上げて３０分間保持した。この凝集体粒子を含む分散液に、１Ｎ水酸化ナトリウムを追加して系のｐＨを７．０に調整した後、ステンレス鋼製フラスコを密閉し、磁気シールを用いて攪拌を継続しながら８０℃まで加熱し、３．５時間保持した。冷却後、得られたトナー粒子を濾別し、イオン交換水で４回洗浄した後、凍結乾燥してトナー粒子２を得た。トナー粒子２の体積平均粒径Ｄ５０は６．０μｍ、形状係数ＳＦ１は１３５であった。
【０２７９】
（現像剤２の作製）
トナー粒子１の代わりにトナー粒子２を用いた以外は、トナー１と同様にして、トナー２を得た。
また、上記キャリア１を１００部と、上記トナー２を５部と、をＶ−ブレンダーで、４０ｒｐｍの条件にて２０分間攪拌し、２１２μｍの目開きを有するシーブで篩分することにより現像剤２を得た。
【０２８０】
＜実施例１〜２６および比較例１〜９＞
得られた電子写真感光体（感光体１〜感光体２６）を画像形成装置（富士ゼロックス社製：Ｖｅｒｓａｎｔ  ２１００  Ｐｒｅｓｓ）の改造機に搭載し、感光体の表面の帯電電位（Ｖｐ）および露光後電位（Ｖｒ）が、表２および表３に示す値になるように電位設定を行い、表２および表３に示す現像剤を組み合わせて用いた画像形成装置について、以下の要領で各評価を行った。
【０２８１】
［画像濃度評価］
上記画像形成装置を用い、２２℃湿度５５％の環境下で、シアン（Ｃｙａｎ）色にて画像濃度２０％のハーフトーン画像および画像濃度１００％のベタ画像を形成し、分光測色計（Ｘ−Ｒｉｔｅ９３８）を用いて画像濃度（Ｄｏｕｔ）を測定し、以下の基準で評価を行った。
【０２８２】
（画像濃度２０％ハーフトーン画像の評価基準）
Ａ：０．１５＜Ｄｏｕｔ≦０．２５
Ｂ：０．１＜Ｄｏｕｔ≦０．１５  又は  ０．２５＜Ｄｏｕｔ≦０．３
Ｃ：Ｄｏｕｔ≦０．１  又は  ０．３＜Ｄｏｕｔ
【０２８３】
（画像濃度１００％ベタ画像の評価基準）
Ａ：１．４≦Ｄｏｕｔ
Ｂ：１．３５≦Ｄｏｕｔ＜１．４
Ｃ：１．３≦Ｄｏｕｔ＜１．３５
Ｄ：Ｄｏｕｔ＜１．３
【０２８４】
［ドット再現性（粒状性）評価］
上記の画像評価で形成した画像について、ドット再現性（粒状性）を下記の基準に従って評価した。なお、図３に示す写真は、上記の画像評価で形成した画像濃度２０％のハーフトーン画像（Ｃｙａｎ色）の画像を顕微鏡（ＫＥＹＥＮＣＥ社製、型番：ＶＨＸ−９００）で１００倍に拡大した写真である。評価結果を表２および表３に示す。
Ａ：図３（Ａ）のごとくドットに乱れがない
Ｂ：図３（Ｂ）のごとくドットに少しトナーの飛び散りがみられる
Ｃ：図３（Ｃ）のごとくドットにトナーの飛び散りがみられる
【０２８５】
［焼付きゴーストの評価］
上記の画像形成装置を用い、２８℃、８５％ＲＨの環境下において、Ａ３サイズの用紙に図４（Ａ）に示すような格子状のチャート画像（Ｃｙａｎ色）を３０００枚形成した後、連続して画像濃度２０％の全面ハーフトーン画像（Ｃｙａｎ色）を出力し、格子状の画像（ゴースト）の現れ具合を目視にて観察し、以下の基準で評価した。評価結果を表２、表３に示す。
Ａ：図４（Ｂ）のごとく、格子状の画像が確認されない。
Ｂ：図４（Ｃ）のごとく、格子状の画像が若干確認される。
Ｃ：図４（Ｄ）のごとく、格子状の画像がはっきり確認される。
【０２８６】
［光疲労の評価］
まず、電子写真感光体（感光体１〜感光体２６）を上記の画像形成装置に搭載し、表２、表３に示す帯電電位（Ｖｐ）と露光後電位（Ｖｒ）になるように画像形成装置の帯電変数（帯電パラメータ）と露光変数（露光パラメータ）を調整した後、電子写真感光体を取り出した。
縦５ｃｍ×横１０ｃｍの窓を開けた黒紙を用意し、取り出した電子写真感光体の軸方向中心部と窓開け部とを合わせるように、電子写真感光体に黒紙を巻きつけた。次に、窓開け部のみが光疲労するようにして白色蛍光灯（１０００Ｌｕｘ）下で１０分間放置し、電子写真感光体を光疲労させた。
そして、光疲労させた電子写真感光体を再度、上記の画像形成装置に搭載し、調整済みの各変数（帯電変数、及び露光変数）を変更せずに露光後電位を測定することで、光疲労していない部分の露光後電位ＶＬ１と、光疲労した部分の露光後電位ＶＬ２を測定し、露光後電位の光疲労による変化分ΔＶＬ＝ＶＬ１−ＶＬ２を求めた。結果を表２、表３に示す。
Ａ：ΔＶＬ＜３０
Ｂ：３０≦ΔＶＬ＜４０
Ｃ：４０≦ΔＶＬ
【０２８７】
各実施例および各比較例、並びに、それらの評価結果について、表１〜表３に一覧にして示す。なお、表１中、酸化防止剤および紫外線吸収剤の「量（質量％）」の欄は、全電荷輸送材料合計量１００質量％に対する割合を示している。表２および表３中、「ハーフトーン」は、画像濃度２０％ハーフトーン画像を、「ベタ」は、画像濃度１００％のベタ画像をそれぞれ示している。
【０２８８】
【表１】
2016184034.tif 000019
【０２８９】
【表２】
2016184034.tif 000020
【０２９０】
【表３】
2016184034.tif 000021
【０２９１】
上記結果から、本実施例では、比較例に比べ、「焼付きゴースト」および「光疲労」が抑制されていることがわかる。
また、体積平均粒径が４．１μｍであるトナーを用いた実施例は、体積平均粒径が６．０μｍであるトナーを用いた比較例に比べ、ドット再現性や画像濃度の評価結果が良好であることがわかる。
【０２９２】
なお、表１〜表２の略称等の詳細は以下の通りである。
【０２９３】
・ＣＴ１−１：ブタジエン系電荷輸送材料（ＣＴ１）の例示化合物（ＣＴ１−１）
・ＣＴ１−２：ブタジエン系電荷輸送材料（ＣＴ１）の例示化合物（ＣＴ１−２）
・ＣＴ１−３：ブタジエン系電荷輸送材料（ＣＴ１）の例示化合物（ＣＴ１−３）
【０２９４】
・ＣＴ２−１：ベンジジン系電荷輸送材料（ＣＴ２）の例示化合物（ＣＴ２−１）
・ＣＴ２−２：ベンジジン系電荷輸送材料（ＣＴ２）の例示化合物（ＣＴ２−２）
【０２９５】
・ＨＰ−１  ：ヒンダードフェノール系酸化防止剤の例示化合物（ＨＰ−１）
・ＨＰ−２  ：ヒンダードフェノール系酸化防止剤の例示化合物（ＨＰ−２）
・ＨＰ−３  ：ヒンダードフェノール系酸化防止剤の例示化合物（ＨＰ−３）
・ＣＡＯ−１：酸化防止剤の比較化合物（下記構造式（ＣＡＯ−１）で示されるヒンダードフェノール系酸化防止剤参照）
・ＣＡＯ−２：酸化防止剤の比較化合物（下記構造式（ＣＡＯ−２）で示されるヒンダードアミン系酸化防止剤参照）
【０２９６】
【化１８】
2016184034.tif 000022
【０２９７】
・ＢＰ−１  ：ベンゾフェノン系紫外線吸収剤の例示化合物（ＢＰ−１）
・ＢＰ−２  ：ベンゾフェノン系紫外線吸収剤の例示化合物（ＢＰ−２）
・ＢＰ−３  ：ベンゾフェノン系紫外線吸収剤の例示化合物（ＢＰ−３）
・ＣＵＡ−１：紫外線吸収剤の比較化合物（下記構造式（ＣＵＡ−１）で示されるベンゾエート系紫外線吸収剤参照）
【０２９８】
【化１９】
2016184034.tif 000023
【符号の説明】
【０２９９】
１  下引層、２  電荷発生層、３  電荷輸送層、４  導電性基体、７Ａ，７  電子写真感光体、１０  画像形成装置、１５  帯電装置、１６  静電潜像形成装置（露光装置）、１８  現像装置、２０  転写部材、２２  清掃装置（クリーニング装置）、２２Ａ  清掃ブレード（クリーニングブレード）、２４  除電装置、２６  定着装置、２７  駆動部、２８  電源、３０電源、３１  転写装置
【図１】
2016184034.tif 000029
【図２】
2016184034.tif 000030
【図３】
2016184034.tif 000031
【図４】
2016184034.tif 000032