(57)【要約】【課題】シール材の中を通過して電気光学層の中に混入した水分による表示への悪影響を軽減すること。【解決手段】素子基板本体１１と、素子基板本体１１を覆うように配置される複数の画素電極１２と、複数の画素電極１２を覆うように配置される第１配向層４１と、を含み、第１配向層４１の複数の画素電極１２が配置される表示領域Ｖ１の表面は、第１配向層４１の表示領域Ｖ１と素子基板本体１１の端との間の表面よりも水との親和性が低いことを特徴とする。【選択図】図１
2016009046.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板と、
前記第１基板を覆うように配置される複数の画素電極と、
前記複数の画素電極を覆うように配置される第１配向層と、
を含み、
前記第１配向層の前記複数の画素電極が配置される領域の表面は、前記領域と前記第１基板の端との間の前記第１配向層の表面の少なくとも一部よりも水との親和性が低いことを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
第１基板と、
前記第１基板を覆うように配置される複数の画素電極と、
前記第１基板の端と前記複数の画素電極との間で前記第１基板を覆うように配置され、電気光学層に含まれるイオンを捕捉するための電極と、
前記複数の画素電極及び前記電極を覆うように配置される第１配向層と、
を含み、
前記第１配向層の前記複数の画素電極が配置される領域の表面は、前記第１配向層の前記電極が配置される領域の表面よりも水との親和性が低いことを特徴とする電気光学装置。
【請求項３】
前記電極は、
第１電極と、
前記第１電極と前記複数の画素電極との間に配置される第２電極と、
を含むことを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記第１配向層は第２配向層を含み、
前記領域の前記第１配向層は、前記第２配向層を覆い、前記第２配向層よりも水との親和性が低い第３配向層をさらに含むことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記第１基板に対向するように配置される第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に配置される電気光学層と、
をさらに含むことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記第２基板を覆うように配置される共通電極と、前記共通電極を覆うように配置される第４配向層とをさらに有し、
前記第４配向層は、第５配向層を含み、
前記領域の前記第４配向層は、前記第５配向層を覆い前記第５配向層よりも水との親和性が低い第６配向層をさらに含み、
前記第４配向層の前記複数の画素電極が配置される領域の表面は、前記領域と前記第２基板の端との間の前記第４配向層の表面の少なくとも一部よりも水との親和性が低いことを特徴とする請求項５に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記電気光学層を囲むように配置されるシール材をさらに含むことを特徴とする請求項５または６に記載の電気光学装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか１項に記載の電気光学装置を含むことを特徴とする電子機器。
【請求項９】
第２配向層と第３配向層とを含む第１配向層が第１基板に設けられた電気光学装置の製造方法であって、
前記第１基板を覆うように配置される複数の画素電極を覆うように前記第２配向層を形成する工程と、
前記第２配向層の表面を覆い、水との親和性が前記第２配向層より低い前記第３配向層を形成する工程と、
前記第３配向層の前記複数の画素電極が配置された領域と前記第１基板の端との間の少なくとも一部に光を照射し、前記第３配向層を除去する工程と、
を含むことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１０】
前記光は、波長が１８０ｎｍ〜４００ｎｍの範囲の紫外線であることを特徴とする請求項９に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１１】
前記複数の画素電極が配置された領域と前記第１基板の端との間の少なくとも一部は、電気光学層に含まれるイオンを捕捉するための電極を覆う前記第２配向層の領域を含むことを特徴とする請求項９または１０に記載の電気光学装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置、当該電気光学装置を搭載した電子機器、及び当該電気光学装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
画素電極がマトリックス状に配置された表示領域を有する液晶装置は、例えばプロジェクターなどの光変調装置（ライトバルブ）に使用されている。当該液晶装置では、一対の基板がシール材によって所定の間隙を有するように貼り合わされ、シール材で囲まれた領域に液晶が封入（充填）されている。当該液晶装置を駆動すると、一対の基板のそれぞれの近傍で液晶に一方向の流れ（フロー）が生じ、液晶中に混入したイオン性不純物も液晶と一緒に移動する。イオン性不純物が表示領域の特定箇所に偏在すると、焼き付きなどの表示不具合を招くおそれがあった。
【０００３】
このイオン性不純物の偏在を抑制するために、例えば特許文献１の方法が提案されている。特許文献１では、表示領域の周辺に複数の電極を隣接して設け、隣接する電極の電位を変化させて横方向の電界を発生させ、当該横方向の電界によって、イオン性不純物を表示領域内から表示領域の外にすばやく移動させることで、表示領域におけるイオン性不純物の偏在を抑制できるとしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−５８４９７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１の方法では、シール材を通過して液晶の中に混入する水分の影響を抑制することが難しいという課題を有している。
詳しくは、シール材は、例えばアクリル樹脂やエポキシ樹脂などの有機材料で構成され、僅かな透湿性を有している。このため、僅かな水分がシール材の中を通過し、液晶中に混入（侵入）する。液晶中に混入した水分は、表示領域に拡散（移動）し、表示領域の親水性の高い部分に吸着し、偏在する。表示領域に偏在した水分は、液晶中のイオン性不純物を引き寄せトラップし、イオン性不純物も偏在するようになる。イオン性不純物は、表示領域における水分が偏在した部分にトラップ（拘束）されるので、表示領域の周辺に設けられた横方向の電界によって、イオン性不純物を表示領域の外に排出することが難しくなる。さらに、イオン性不純物が偏在した部分で、焼き付きなどの表示不具合を招くおそれがあった。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【０００７】
［適用例１］本適用例に係る電気光学装置は、第１基板と、前記第１基板を覆うように配置される複数の画素電極と、前記複数の画素電極を覆うように配置される第１配向層と、を含み、前記第１配向層の前記複数の画素電極が配置される領域の表面は、前記領域と前記第１基板の端との間の前記第１配向層の表面の少なくとも一部よりも水との親和性が低いことを特徴とする電気光学装置。
【０００８】
複数の画素が配置された領域は、電気光学装置の表示がなされる表示領域である。複数の画素が配置された領域と第１基板の端との間は、電気光学装置の表示がなされない非表示領域である。
表示領域の第１配向層の表面は、非表示領域の第１配向層の表面の少なくとも一部と比べて水との親和性が低い。すなわち、非表示領域の第１配向層の表面の少なくとも一部は、表示領域の第１配向層の表面と比べて水との親和性が高くなっている。よって、非表示領域の第１配向層の表面の少なくとも一部は水との親和性が高く、表示領域の第１配向層の表面は水との親和性が低い。水分は、水との親和性が高い部分（非表示領域の第１配向層の少なくとも一部）に吸着しやすく、水との親和性が低い部分（表示領域の第１配向層）に吸着しにくい。水分が表示領域の第１配向層に吸着しにくいので、水分による表示への悪影響が軽減され、電気光学装置の表示品位を高めることができる。
【０００９】
［適用例２］本適用例に記載の電気光学装置は、第１基板と、前記第１基板を覆うように配置される複数の画素電極と、前記第１基板の端と前記複数の画素電極との間で前記第１基板を覆うように配置され、電気光学層に含まれるイオンを捕捉するための電極と、前記複数の画素電極及び前記電極を覆うように配置される第１配向層と、を含み、前記第１配向層の前記複数の画素電極が配置される領域の表面は、前記第１配向層の前記電極が配置される領域の表面よりも水との親和性が低いことを特徴とする。
【００１０】
非表示領域には、電気光学層に含まれるイオンを捕捉するための電極が設けられている。従って、当該電極によってイオン性不純物などのイオンを捕捉（トラップ）し、イオン性不純物などのイオンによる表示への悪影響を軽減し、電気光学装置の表示品位を高めることができる。
【００１１】
［適用例３］上記適用例に記載の電気光学装置において、前記電極は、第１電極と、前記第１電極と前記複数の画素電極との間に配置される第２電極と、を含むことが好ましい。
【００１２】
例えば、第１電極に、第２電極よりも高い電圧を印加することで、第１電極から第２電極に向かう方向の電界を発生させ、当該電界によって電気泳動層に含まれるイオン（イオン性不純物）を、電極の側に引き寄せ、捕捉することができる。
【００１３】
［適用例４］上記適用例に記載の電気光学装置において、前記第１配向層は第２配向層を含み、前記領域の前記第１配向層は、前記第２配向層を覆い、前記第２配向層よりも水との親和性が低い第３配向層をさらに含むことが好ましい。
【００１４】
表示領域の第１配向層は、第２配向層と、第２配向層を覆い第２配向層よりも水との親和性が低い第３配向層とで構成される。非表示領域の第１配向層の少なくとも一部は、第３配向層よりも水との親和性が高い第２配向層で構成される。従って、表示領域の第１配向層の表面を、非表示領域の第１配向層の表面の少なくとも一部よりも、水との親和性を低くすることができる。
【００１５】
［適用例５］上記適用例に記載の電気光学装置において、前記第１基板に対向するように配置される第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に配置される電気光学層と、
をさらに含むことが好ましい。
【００１６】
水分やイオン性不純物は、水との親和性が低い部分と比べて、水との親和性が高い部分に吸着されやすい。よって、電気光学層の中に水分やイオン性不純物が含まれた場合、水分やイオン性不純物は、水との親和性が高い部分（非表示領域の第１配向層の少なくとも一部）に吸着しやすく、水との親和性が低い部分（表示領域の第１配向層）に吸着しにくい。従って、電気光学層の中に含まれる水分やイオン性不純物による表示への悪影響を軽減することができる。
【００１７】
［適用例６］上記適用例に記載の電気光学装置において、前記第２基板を覆うように配置される共通電極と、前記共通電極を覆うように配置される第４配向層とをさらに有し、前記第４配向層は、第５配向層を含み、前記領域の前記第４配向層は、前記第５配向層を覆い前記第５配向層よりも水との親和性が低い第６配向層をさらに含み、前記第４配向層の前記複数の画素電極が配置される領域の表面は、前記領域と前記第２基板の端との間の前記第４配向層の表面の少なくとも一部よりも水との親和性が低いことが好ましい。
【００１８】
表示領域の第４配向層は、第５配向層と、第５配向層を覆い第５配向層よりも水との親和性が低い第６配向層とで構成される。非表示領域の第４配向層の少なくとも一部は、第６配向層よりも水との親和性が高い第５配向層で構成される。従って、表示領域の第４配向層の表面を、非表示領域の第４配向層の表面の少なくとも一部よりも、水との親和性を低くすることができる。つまり、非表示領域の第４配向層の表面の少なくとも一部を、表示領域の第４配向層の表面よりも水との親和性を高めることができる。
水分は、第１基板の水との親和性が高い部分（非表示領域の第１配向層の少なくとも一部）及び第２基板の水との親和性が高い部分（非表示領域の第４配向層の少なくとも一部）の両方にトラップ（拘束）されるので、水分が第１基板の水との親和性が高い部分だけにトラップ（拘束）される場合と比べて、電気光学層中の水分量を少なくすることができる。
【００１９】
［適用例７］上記適用例に記載の電気光学装置において、前記電気光学層を囲むように配置されるシール材をさらに含むことが好ましい。
【００２０】
シール材で囲まれた領域は、非表示領域と表示領域とで構成され、シール材の中を通過して電気光学層に混入（侵入）した水分は、非表示領域から表示領域に向けて拡散（移動）する。非表示領域の第１配向層の少なくとも一部は、表示領域の第１配向層と比べて水との親和性が高いので、シール材の中を通過して電気光学層に混入した水分は、非表示領域の第１配向層の少なくとも一部にトラップ（拘束）され、表示領域に拡散（移動）しにくくなる。従って、シール材の中を通過し電気光学層（液晶）の中に混入した水分による表示への悪影響、すなわち公知技術（特開２００８−５８４９７号公報）の課題を抑制することができる。
【００２１】
［適用例８］本適用例に記載の電子機器は、上記適用例に記載の電気光学装置を含むことを特徴とする。
【００２２】
上記適用例に記載の電気光学装置は表示品位が高められているので、上記適用例に記載の電気光学装置が適用された電子機器は優れた表示品位を有するようになる。例えば、プロジェクター、直視型テレビ、携帯電話、携帯用オーディオ機器、パーソナルコンピューター、モニター付きビデオカメラ、カーナビゲーション装置、電子手帳、電卓、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、ディジタルスチルカメラなどの電子機器に、上記適用例に記載の電気光学装置を適用することで、優れた表示品位が実現される。
【００２３】
［適用例９］本適用例に記載の電気光学装置の製造方法は、第２配向層と第３配向層とを含む第１配向層が第１基板に設けられた電気光学装置の製造方法であって、前記第１基板を覆うように配置される複数の画素電極を覆うように前記第２配向層を形成する工程と、前記第２配向層の表面を覆い、水との親和性が前記第２配向層より低い前記第３配向層を形成する工程と、前記第３配向層の前記複数の画素電極が配置された領域と前記第１基板の端との間の少なくとも一部に光を照射し、前記第３配向層を除去する工程と、を含むことを特徴とする。
【００２４】
複数の画素が配置された領域は、電気光学装置の表示がなされる表示領域である。複数の画素が配置された領域と第１基板の端との間は、電気光学装置の表示がなされない非表示領域である。
表示領域及び非表示領域に、第２配向層と、第２配向層より水との親和性が低い第３配向層とを順に形成し、非表示領域の少なくとも一部に光を照射し、非表示領域の少なくとも一部の第３配向層を除去（分解）することによって、表示領域に第２配向層と第２配向層よりも水との親和性が低い第３配向層とを順に積層し、非表示領域の少なくとも一部に第３配向層よりも水との親和性が高い第２配向層を配置することができる。
かかる方法で第１配向層を製造することによって、表示領域に第２配向層と第３配向層とが配置（積層）され、非表示領域の第１配向層の少なくとも一部に第２配向層が配置された第１配向層を形成し、表示領域の第１配向層の表面を、非表示領域の第１配向層の表面の少なくとも一部よりも、水との親和性を低くすることができる。
【００２５】
［適用例１０］上記適用例に記載の電気光学装置の製造方法において、前記光は、波長が１８０ｎｍ〜４００ｎｍの範囲の紫外線であることが好ましい。
【００２６】
第３配向層に１８０ｎｍ〜４００ｎｍの範囲の紫外線を照射すると、第３配向層を効率的に分解し、除去することができる。
【００２７】
［適用例１１］上記適用例に記載の電気光学装置の製造方法において、前記複数の画素電極が配置された領域と前記第１基板の端との間の少なくとも一部は、電気光学層に含まれるイオンを捕捉するための電極を覆う前記第２配向層の領域を含むことが好ましい。
【００２８】
非表示領域のイオンを捕捉するための電極は、第２配向層（水との親和性が高い配向層）で覆われているので、イオンを捕捉するための電極によって引き寄せられたイオン（イオン性不純物）は、第２配向層（水との親和性が高い配向層）に吸着し、非表示領域にトラップ（拘束）される。従って、非表示領域のイオンを捕捉するための電極が第２配向層で覆われていない場合と比べて、イオン（イオン性不純物）を非表示領域により強くトラップ（拘束）することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】（ａ）は実施形態１に係る液晶装置の構成を示す概略平面図、（ｂ）は（ａ）のＨ−Ｈ’線に沿った液晶装置の概略断面図。
【図２】実施形態１に係る液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図。
【図３】外部接続用端子が設けられた側と反対側の状態を示す液晶装置の概略断面図。
【図４】実施形態１に係る液晶装置の製造方法の特徴部分の工程フロー。
【図５】図４に示す工程フローの各工程を経た後の状態を示す素子基板の概略断面図。
【図６】実施形態２に係る液晶装置の概要を示す概略断面図。
【図７】外部接続用端子が設けられた側と反対側の状態を示す液晶装置の概略断面図。
【図８】投射型表示装置の構成を示す概略図。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
以下、図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。かかる実施形態は、本発明の一態様を示すものであり、この発明を限定するものではなく、本発明の技術的思想の範囲内で任意に変更可能である。また、以下の各図においては、各層や各部位を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部位の縮尺を実際とは異ならせしめてある。
【００３１】
（実施形態１）
「液晶装置の概要」
実施形態１に係る液晶装置１は、薄膜トランジスター（以降、ＴＦＴと称す）３０を備えた透過型液晶装置であり、例えば後述する液晶プロジェクターの光変調素子として好適に用いることができるものである。
なお、液晶装置１は、本発明における「電気光学装置」の一例である。
【００３２】
まず、本実施形態に係る液晶装置１の全体構成について、図１及び図２を参照して説明する。
図１（ａ）は液晶装置の構成を示す概略平面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）のＨ−Ｈ’線に沿った液晶装置の概略断面図である。図２は液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図である。
なお、図１（ａ）では、捕捉電極１５の状態を分かりやすくするために、捕捉電極１５を構成する一方の電極（第１電極１６）が破線で図示され、捕捉電極１５を構成する他方の電極（第２電極１７）が実線で図示されている。
【００３３】
図１（ａ）及び図１（ｂ）に示すように、本実施形態に係る液晶装置１は、対向配置された素子基板１０及び対向基板２０と、これら一対の基板によって挟持された液晶層５０とを有している。
【００３４】
素子基板１０は、対向基板２０よりも大きい。素子基板１０は、対向基板２０の外周に沿って配置されたシール材５２を介して、対向基板２０に接着されている。シール材５２としては、例えば熱硬化性または紫外線硬化性のエポキシ樹脂などの接着剤を使用することができる。シール材５２には、素子基板１０と対向基板２０とを一定の間隔（ギャップ）に保持するスペーサー（図示省略）が混入されている。シール材５２によって囲まれた領域に液晶層５０が封入されている。
なお、液晶層５０は、本発明における「電気光学層」の一例である。
【００３５】
液晶層５０は、負の誘電異方性を有し、素子基板１０側に設けられた第１配向層４１と、対向基板２０側に設けられた第４配向層４４とに対してプレチルトが与えられた１軸垂直配向となっている。
【００３６】
素子基板１０と対向基板２０との間隙への液晶層５０の封入（充填）では、一対の基板のうちの一方の基板の外周に沿ってシール材５２を配置し、シール材５２の内側に所定量の液晶層５０を滴下し、液晶層５０が滴下された一方の基板と他方の基板とを減圧下で貼り合わせるＯＤＦ（One  Drop  Fill）方式が採用されている。
なお、液晶層５０の封入（充填）では、シール材５２に注入孔を設け、当該注入孔を介して素子基板１０と対向基板２０との間隙に液晶層５０を充填する方法、例えば真空注入法や毛細管現象を利用した注入法などの方法を採用してもよい。
【００３７】
シール材５２で囲まれた領域の内側には、額縁形状の見切り部５３が設けられている。見切り部５３で囲まれた領域が、表示領域Ｖ１なる。さらに、シール材５２と表示領域Ｖ１との間の領域が、非表示領域Ｖ２となる。表示領域Ｖ１には、複数の画素Ｐ（複数の画素電極１２）がマトリックス状に配置されている。
なお、表示領域Ｖ１は、本発明における「複数の画素電極が配置される領域」の一例である。非表示領域Ｖ２は、本発明における「複数の画素電極が配置される領域と第１基板の端との間」の一例である。
【００３８】
素子基板１０の１辺部に沿ったシール材５２と該１辺部との間には、データ線駆動回路１０１が設けられている。該１辺部と直交し互いに対向する他の２辺部に沿ったシール材５２と表示領域Ｖ１との間には、走査線駆動回路（図示省略）が設けられている。
【００３９】
さらに、捕捉電極１５が素子基板本体１１の端と表示領域Ｖ１との間に配置されている。詳しくは、非表示領域Ｖ２には、表示領域Ｖ１を囲むように２個の捕捉電極１５が設けられている。捕捉電極１５は、破線で図示された第１電極１６と、実線で図示された第２電極１７とで構成されている。第１電極１６は、シール材５２と第２電極１７との間に配置されている。第２電極１７は、第１電極１６と表示領域Ｖ１との間に配置されている。換言すれば、捕捉電極１５は、第１電極１６と、第１電極１６と複数の画素電極１２との間に配置される第２電極１７とで構成される。
なお、捕捉電極１５は、本発明における「イオンを捕捉するための電極」の一例である。
【００４０】
素子基板１０のデータ線駆動回路１０１が設けられた側の端部には、複数の外部接続用端子１０２が設けられている。複数の外部接続用端子１０２のそれぞれは、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路、捕捉電極１５などに電気的に接続されている。
【００４１】
図１（ｂ）に示すように、素子基板１０は、素子基板本体１１、及び素子基板本体１１の液晶層５０側の面に設けられた薄膜トランジスター（Thin  Film  Transistor；以降ＴＦＴと称す）３０、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路、層間絶縁層３１、画素電極１２、捕捉電極１５、外部接続用端子１０２、第１配向層４１などを有している。換言すれば、素子基板１０は、素子基板本体１１と、素子基板本体１１を覆うように配置される複数の画素電極１２及び捕捉電極１５と、複数の画素電極１２及び捕捉電極１５を覆うように配置される第１配向層４１とを有している。
なお、素子基板本体１１は、本発明における「第１基板」の一例である。
【００４２】
素子基板本体１１は、例えば石英基板やガラス基板などの透光性の絶縁基板で構成されている。素子基板本体１１の液晶層５０側の面には、ＴＦＴ３０、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路などが設けられている。ＴＦＴ３０は、例えばｎチャネル型ＴＦＴで構成されている。データ線駆動回路１０１及び走査線駆動回路は、ｎチャネル型ＴＦＴとｐチャネル型ＴＦＴとを備えたＣＭＯＳ型ＴＦＴで構成されている。ＴＦＴ３０、データ線駆動回路１０１、及び走査線駆動回路は同じ工程で形成され、半導体層、複数の導電層、及び複数の絶縁層を有している。これら複数の導電層及び複数の絶縁層を用いて形成された立体配線によって、データ線駆動回路１０１及び外部接続用端子１０２と、走査線駆動回路及び外部接続用端子１０２と、捕捉電極１５及び外部接続用端子１０２とが、電気的に接続されている。
【００４３】
ＴＦＴ３０、データ線駆動回路１０１、及び走査線駆動回路は、層間絶縁層３１で覆われている。層間絶縁層３１は、例えば酸化シリコンなど透光性の絶縁膜で構成されている。層間絶縁層３１の上には、画素電極１２、捕捉電極１５、外部接続用端子１０２などが設けられている。画素電極１２及び捕捉電極１５は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明導電材料で構成されている。
【００４４】
画素電極１２及び捕捉電極１５を覆うように、第１配向層４１が設けられている。第１配向層４１は、対向基板２０と平面的に重なるように設けられている。第１配向層４１は、少なくとも表示領域Ｖ１と非表示領域Ｖ２とに設ければよく、例えば素子基板本体１１の略全面を覆うように設けてもよい。素子基板本体１１の略全面を覆うように第１配向層４１を設ける場合、第１配向層４１に外部接続用端子１０２を露出させるコンタクトホールを形成する必要がある。
第１配向層４１の詳細は後述する。
【００４５】
対向基板２０は、対向基板本体２１、並びに対向基板本体２１の液晶層５０側の面に順に積層された見切り部５３、絶縁膜２２、共通電極２３、第４配向層４４などを有している。換言すれば、対向基板２０は、対向基板本体２１と、対向基板本体２１を覆うように配置される共通電極２３と、共通電極２３を覆うように配置される第４配向層４４とを有している。
なお、対向基板本体２１は、本発明における「第２基板」の一例である。
【００４６】
対向基板本体２１は、例えば石英基板やガラス基板などの透光性の絶縁基板で構成されている。見切り部５３は、例えば遮光性の金属あるいは金属酸化物などで構成されている。見切り部５３は、上述した走査線駆動回路と平面的に重なるように設けられ、対向基板２０側から入射する光を遮り、走査線駆動回路の誤動作を防止している。また、見切り部５３は、不必要な迷光が表示領域Ｖ１に入射しないように遮光して、表示領域Ｖ１における表示コントラストを高めている。
【００４７】
絶縁膜２２は、透光性の無機絶縁材料からなり、例えば常圧または減圧ＣＶＤ法などを用いて形成された酸化シリコンを使用することができる。絶縁膜２２は、対向基板本体２１の上に見切り部５３が形成されることで生ずる表面の凹凸を緩和可能な程度の膜厚を有している。
【００４８】
共通電極２３は、絶縁膜２２の上に形成され、ＩＴＯなどの透明導電材料で構成される。また、共通電極２３は、対向基板本体２１の略全面に設けられている。つまり、共通電極２３は、表示領域Ｖ１よりも広く設けられている。共通電極２３は、対向基板２０の四隅に設けられた上下導通部１０６により素子基板１０の引き回し配線（図示省略）に電気的に接続され、共通電位Ｖｃｏｍが供給されている。
なお、第４配向層４４の詳細は後述する。
【００４９】
図２に示すように、液晶装置１は、少なくとも表示領域Ｖ１において互いに絶縁されて直交する複数の走査線５及び複数のデータ線６と、走査線５に対して平行する容量線７とを有する。なお、容量線７の配置はこれに限定されず、データ線６に対して平行するように配置してもよい。
【００５０】
走査線５とデータ線６とで区分された領域に、画素電極１２と、ＴＦＴ３０と、蓄積容量７０とが設けられ、これらが画素Ｐの画素回路を構成している。
【００５１】
走査線５はＴＦＴ３０のゲートに電気的に接続され、データ線６はＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。画素電極１２はＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されている。
【００５２】
データ線６はデータ線駆動回路１０１（図１参照）に接続されており、データ線駆動回路１０１から供給される画像信号Ｄ１，Ｄ２，…，Ｄｎが各画素Ｐに供給される。走査線５は走査線駆動回路に接続されており、走査線駆動回路から供給される走査信号ＳＣ１，ＳＣ２，…，ＳＣｍが各画素Ｐに供給される。データ線駆動回路１０１からデータ線６に供給される画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、この順に線順次で供給してもよく、互いに隣り合う複数のデータ線６に対してグループごとに供給してもよい。
【００５３】
液晶装置１は、スイッチング素子であるＴＦＴ３０が走査信号ＳＣ１〜ＳＣｍの入力により一定期間だけオン状態となったタイミングに同期して、データ線６から画像信号Ｄ１〜Ｄｎが供給され、画像信号Ｄ１〜Ｄｎに対応する電荷が画素電極１２と共通電極２３との間の容量に蓄積され、一定期間保持される。
【００５４】
画素電極１２と共通電極２３との間の容量に蓄積された電荷のリークの影響を軽減するため、画素電極１２と共通電極２３との間には、液晶容量と並列に蓄積容量７０が付加されている。蓄積容量７０は、ＴＦＴ３０のドレインと容量線７との間に設けられている。
【００５５】
画素電極１２と共通電極２３との間で直流成分の電圧が印加されると、液晶層５０の中に混入したイオン性不純物の成分の偏りや液晶層５０を構成する液晶分子の劣化などが生じやすくなるので、当該直流成分の電圧が最小となるように交流駆動されている。すなわち、液晶層５０には、共通電極２３の電位Ｖｃｏｍを基準電位（０Ｖ）として、画素電極１２の電位が正極性となるフィールド（＋フィールド）の電圧波形と、画素電極１２の電位が負極性となるフィールド（−フィールド）の電圧波形とが対称となるように駆動されている。
【００５６】
このような液晶装置１は透過型であって、電圧が印加されない時の画素の透過率が電圧印加時の透過率よりも大きくて明表示となるノーマリーホワイトモードや、電圧が印加されない時の画素の透過率が電圧印加時の透過率よりも小さくて暗表示となるノーマリーブラックモードの光学設計が採用される。光学設計に応じて、光の入射側と射出側とにそれぞれ偏光素子（図示省略）が配置されて用いられる。
【００５７】
公知技術の特開２００８−５８４９７号公報の段落００５８に記載されているように、液晶装置１を交流駆動すると、液晶層５０に微小な流動（フロー）が生じる。
詳しくは、液晶層５０に印加される電圧が小さい場合は、液晶層５０は、第１配向層４１及び第４配向層４４の膜面に対して垂直となる方向に配向する。液晶層５０に印加される電圧が大きくなると、液晶層５０は、第１配向層４１及び第４配向層４４の膜面に対して平行となる方向に、配向が変化する。液晶装置１を交流駆動し液晶層５０の配向が変化することによって、素子基板１０の近傍と対向基板２０の近傍とにおいて、液晶層５０に一方向の微小なフローが生じる。この微小なフローは、素子基板１０の近傍と対向基板２０の近傍とで逆方向となり、全体として相殺される。
【００５８】
「配向層の概要」
図１（ａ）及び図１（ｂ）に示すように、素子基板１０において、第１配向層４１は、画素電極１２や捕捉電極１５を覆うように設けられた第２配向層４２と、第２配向層４２を覆うように設けられた第３配向層４３とで構成されている。
第２配向層４２は、表示領域Ｖ１、非表示領域Ｖ２、及びシール材５２が設けられた領域に亘って設けられている。第２配向層４２は、例えば素子基板本体１１の略全面を覆うように設けてもよい。素子基板本体１１の略全面を覆うように第２配向層４２を設ける場合、第２配向層４２に外部接続用端子１０２を露出させるコンタクトホールを形成する必要がある。
【００５９】
第３配向層４３は、表示領域Ｖ１に配置された画素電極１２を覆うように設けられている。第３配向層４３の端は、表示領域Ｖ１と捕捉電極１５が設けられた領域との間に配置され、第３配向層４３が配置された領域は、表示領域Ｖ１よりも広くなっている。つまり、第３配向層４３は、表示領域Ｖ１と非表示領域Ｖ２の一部とに設けられている。
なお、第３配向層４３が表示領域Ｖ１に配置される構成、つまり第３配向層４３の端と表示領域Ｖ１の端とが同じである構成であってもよい。
【００６０】
第２配向層４２は、例えば酸化シリコンで構成される無機配向層である。第３配向層４３は、第２配向層４２に疎水化処理を施すことで形成された疎水性被膜であり、第２配向層４２よりも水との親和性が低い。よって、第１配向層４１の表面が第２配向層４２である部分が水との親和性が高い部分となり、第１配向層４１の表面が第３配向層４３である部分が水との親和性が低い部分となる。
本実施形態では、表示領域Ｖ１の第１配向層４１の表面は、第３配向層４３であり、非表示領域Ｖ２の第１配向層４１の表面が第２配向層４２である部分よりも水との親和性が低い。すなわち、表示領域Ｖ１の第１配向層４１の表面は、非表示領域Ｖ２の第１配向層４１の表面の一部よりも水との親和性が低い。
なお、第３配向層４３の端と表示領域Ｖ１の端とが同じであってもよいので、表示領域Ｖ１の第１配向層４１の表面が、非表示領域Ｖ２の第１配向層４１の表面よりも水との親和性が低い構成であってもよい。すなわち、表示領域Ｖ１の第１配向層４１の表面は、非表示領域Ｖ２の第１配向層４１の表面の少なくとも一部よりも水との親和性が低い構成であればよい。
【００６１】
捕捉電極１５が設けられた領域の第１配向層４１の表面は第２配向層４２であり、表示領域Ｖ１の第１配向層４１の表面は第２配向層４２よりも水との親和性が低い第３配向層４３であるので、第１配向層４１の表示領域Ｖ１の表面は、第１配向層４１の捕捉電極１５が設けられた領域の表面よりも水との親和性が低い。換言すれば、第１配向層４１の捕捉電極１５が設けられた領域の表面は、第１配向層４１の表示領域Ｖ１の表面よりも水との親和性が高い。
【００６２】
このように、第１配向層４１は第２配向層４２を含む。表示領域Ｖ１の第１配向層４１は、第２配向層４２を覆い、第２配向層４２よりも水との親和性が低い第３配向層４３をさらに含む。よって、第１配向層４１の表示領域Ｖ１の表面は、第１配向層４１の捕捉電極１５が設けられた領域の表面（非表示領域Ｖ２の第１配向層４１の表面の少なくとも一部）よりも水との親和性が低い。
【００６３】
対向基板２０において、第４配向層４４は、共通電極２３を覆うように、対向基板本体２１の略全面に設けられている。第４配向層４４は、共通電極２３を覆う第５配向層４５と、第５配向層４５を覆う第６配向層４６とで構成されている。
【００６４】
第５配向層４５は、例えば酸化シリコンで構成される無機配向層であり、第２配向層４２と同じ構成を有している。第６配向層４６は、第５配向層４５に疎水化処理を施すことで形成された疎水性被膜であり、第３配向層４３と同じ構成を有している。このため、第６配向層４６は、第５配向層４５よりも水との親和性が低い。
従って、第４配向層４４は、第４配向層４４が第５配向層４５だけで構成される場合と比べて、水との親和性が低い。
【００６５】
このように、表示領域Ｖ１において、素子基板１０に設けられた第１配向層４１の表面、及び対向基板２０に設けられた第４配向層４４の表面は、共に無機配向層に疎水化処理を施すことで形成された疎水性被膜であるので、共に水との親和性が低い。
捕捉電極１５が設けられた領域において、素子基板１０に設けられた第１配向層４１の表面は、無機配向層であるので水との親和性が高く、対向基板２０に設けられた第４配向層４４の表面は、無機配向層に疎水化処理を施すことで形成された疎水性被膜であるので、水との親和性が低い。
【００６６】
酸化シリコンなどの無機配向層は、ポリイミドなどの有機配向層と比べて耐熱性や耐光性に優れているが、有機配向層と比べてアンカリング力が弱く、僅かな外乱の影響を受けて配向力が低下しやすい。例えば、無機配向層は水分を吸着しやすく、水分の吸着によって配向力が低下しやすい。よって、無機配向層は、有機配向層と比べて耐湿性に劣る。
【００６７】
表示領域Ｖ１において、素子基板１０に設けられた第１配向層４１、及び対向基板２０に設けられた第４配向層４４は、共に無機配向層と疎水性被膜とで構成され、水との親和性が低いので、第１配向層４１及び第４配向層４４が無機配向層だけで構成される場合と比べて、水分の影響を受けにくく、耐湿性を高めることができる。
【００６８】
「イオン性不純物の影響」
図３は、図１（ｂ）における外部接続用端子が設けられた側と反対側の状態を示す液晶装置の概略断面図である。図中の黒丸は液晶層５０中に含まれるイオン性不純物５５であり、白丸は水分５７または水和されたイオン性不純物５６を示している。また、破線の矢印は液晶層５０に生じる微小なフローの方向を示している。実線の矢印は、イオン性不純物５５や水分５７（水和されたイオン性不純物５６）の移動方向を示している。
なお、図３では、ＴＦＴ３０や層間絶縁層３１の図示が省略されている。
次に、図３を参照してイオン性不純物５５，５６の影響を説明する。
【００６９】
図３に示すように、液晶層５０の中には僅かなイオン性不純物５５、僅かな水和されたイオン性不純物５６、僅かな水分５７などが存在する。
つまり、液晶層５０を封入（充填）する工程には色々な不純物の発生源があり、素子基板１０と対向基板２０との間隙に液晶層５０を封入（充填）する際に、イオン性不純物５５が液晶層５０の中に混入（侵入）する。すなわち、液晶層５０の中の僅かなイオン性不純物５５とは、素子基板１０と対向基板２０との間隙に液晶層５０を封入（充填）する工程で液晶層５０の中に混入した不純物である。
【００７０】
シール材５２は僅かな透湿性を有し、大気中の水分５７がシール材の中を透過（通過）する。すなわち、液晶層５０の中の僅かな水分５７とは、大気中の水分（湿気）５７がシール材５２の中を通過して液晶層５０の中に混入（侵入）した水分である。
【００７１】
水分５７がシール材５２の中を通過する際に、水分５７がシール材５２の中のイオン性不純物を取り込んで、水和されたイオン性不純物５６の状態でシール材５２の中を通過し、液晶層５０の中に混入（侵入）する。さらに、大気中にも色々な不純物（イオン性不純物）が存在するので、水分５７が大気中のイオン性不純物を取り込んで、水和されたイオン性不純物５６の状態でシール材５２の中を通過し、液晶層５０の中に混入する。すなわち、液晶層５０の中の水和された僅かなイオン性不純物５６とは、水分５７と一緒にシール材５２の中を通過して液晶層５０の中に混入した不純物である。
【００７２】
上述したように、液晶装置１を交流駆動すると、図中の破線の矢印で示すように、素子基板１０の近傍及び対向基板２０の近傍において、互いに逆方向の液晶層５０の微小なフローが生じる。液晶層５０を充填する工程で混入したイオン性不純物５５も、液晶層５０の微小なフローに沿って移動し、表示領域Ｖ１の中央部から周縁部（端部）に向かう方向、または表示領域Ｖ１の周縁部（端部）から中央部に向かう方向のいずれかの方向に移動する。
【００７３】
イオン性不純物５５が液晶層５０の微小なフローに沿って移動し、表示領域Ｖ１の中の特定場所に偏在すると、＋フィールド及び−フィールドにおいて液晶層５０に印加される電圧に非対称性が生じ、液晶層５０に直流成分の電圧が印加され、焼き付きなどの不具合が生じるおそれがある。つまり、液晶装置１の通電（駆動）によって焼き付きが発生し、液晶装置１の長期信頼性が低下するおそれがある。
【００７４】
表示領域Ｖ１を囲うように、２個の捕捉電極１５（第１電極１６、第２電極１７）が設けられている。捕捉電極１５を構成する一方の電極（第１電極１６）には、共通電位Ｖｃｏｍよりも低い電位、例えば共通電位Ｖｃｏｍよりも１Ｖ低い電位が供給されている。捕捉電極１５を構成する他方の電極（第２電極１７）には、共通電位Ｖｃｏｍよりも高い電位、例えば共通電位Ｖｃｏｍよりも１Ｖ高い電位が供給されている。その結果、第１電極１６と第２電極１７との間で、素子基板１０から対向基板２０に向かう方向と交差する方向、つまり横方向の電界（横電界）が発生する。
【００７５】
液晶層５０の微小なフローに沿って表示領域Ｖ１の端部に移動したイオン性不純物５５は、第１電極１６と第２電極１７との間の横電界によって捕捉電極１５が設けられた領域（非表示領域Ｖ２）の側に排出される。すなわち、捕捉電極１５は、液晶層５０の微小なフローに沿って移動したイオン性不純物５５を、表示領域Ｖ１の端部から非表示領域Ｖ２に排出する役割を有している。
非表示領域Ｖ２に設ける捕捉電極１５の数は、単数でも複数でも良い。捕捉電極１５を多く設けた方が、横電界の影響を強くすることができるのでより好ましい。
【００７６】
素子基板１０において、捕捉電極１５が設けられた領域の第１配向層４１の表面は、表示領域Ｖ１の第１配向層４１の表面よりも水との親和性が高いので、非表示領域Ｖ２に排出されたイオン性不純物５５を吸着（トラップ）しやすい。よって、非表示領域Ｖ２に排出されたイオン性不純物５５は、捕捉電極１５が設けられた領域の第１配向層４１の表面にトラップ（拘束）され、表示領域Ｖ１の側に移動しにくくなる。詳しくは、非表示領域Ｖ２の第１配向層４１は、捕捉電極１５が設けられた領域以外に、水との親和性が高い部分（第２配向層４２で構成された部分）を有しているので、非表示領域Ｖ２に排出されたイオン性不純物５５は、非表示領域Ｖ２における水との親和性が高くなった第１配向層４１の表面にトラップされ、表示領域Ｖ１の側に移動しにくくなる。
従って、表示領域Ｖ１における液晶層５０の中のイオン性不純物５５の濃度が小さくなり、イオン性不純物５５による表示への悪影響、例えばイオン性不純物５５が表示領域Ｖ１の中で偏在し、焼き付きなどの表示不具合が生じるおそれを小さくすることができる。
【００７７】
さらに、シール材５２の中を通過し液晶層５０の中に混入した水分５７や水和されたイオン性不純物５６も、非表示領域Ｖ２における水との親和性が高くなった第１配向層４１（第２配向層４２で構成された部分）の表面にトラップされ、表示領域Ｖ１の側に移動しにくくなる。
【００７８】
仮に、水分５７が表示領域Ｖ１の側に移動すると、第１配向層４１の疎水性処理が不十分な領域に付着（吸着）し、当該付着した水分５７がイオン性不純物５５，５６を引き寄せる。このため、水分５７が表示領域Ｖ１の側に移動すると、第１配向層４１の疎水性処理が不十分な領域に水分５７やイオン性不純物５５，５６が偏在し、表示ムラや焼き付きなどの表示不具合が発生するおそれがある。
【００７９】
シール材５２の中を通過し液晶層５０の中に混入した水分５７や水和されたイオン性不純物５６は、非表示領域Ｖ２における水との親和性が高くなった第１配向層４１の表面にトラップされ、表示領域Ｖ１の側に移動しにくくなっている。従って、水分５７が表示領域Ｖ１の側に移動し、イオン性不純物５５，５６を引き寄せ偏在させ、表示ムラや焼き付きなどの表示不具合が発生するおそれを軽減することができる。
【００８０】
このように、本実施形態に係る液晶装置１は、捕捉電極１５によってイオン性不純物５５を非表示領域Ｖ２に排出する効果と、非表示領域Ｖ２に排出されたイオン性不純物５５を非表示領域Ｖ２における水との親和性が高くなった第１配向層４１の表面にトラップする（拘束する）効果と、シール材５２の中を通過し液晶層５０の中に混入した水分５７や水和されたイオン性不純物５６を非表示領域Ｖ２における水との親和性が高くなった第１配向層４１の表面にトラップする（拘束する）効果との相乗効果によって、水分５７やイオン性不純物５５，５６による表示への悪影響を軽減し、液晶装置１の表示品位や信頼性を高めることができる。
【００８１】
「液晶装置の製造方法」
図４は、液晶装置の製造方法の特徴部分の工程フローである。図５は、図４に示す工程フローの各工程を経た後の状態を示す素子基板の概略断面図である。なお、図５は、図１（ａ）のＨ−Ｈ’線線に沿った素子基板１０の概略断面図である。
本実施形態に係る液晶装置１の製造方法では、第１配向層４１を形成する工程に特徴があり、他の工程は公知技術を使用している。以下に、図４及び図５を参照して、液晶装置１の製造方法の特徴点を説明する。
【００８２】
図４に示すように、液晶装置１の製造方法は、第２配向層４２を形成する工程（ステップＳ１）と、第２配向層４２に疎水性処理を施し第３配向層４３を形成する工程（ステップＳ２）と、表示領域Ｖ１以外に配置された第３配向層４３を除去する工程（ステップＳ３）とを含む。
【００８３】
図５（ａ）に示すように、ステップＳ１では、素子基板１０の厚さ方向と交差する方向から酸化シリコンを素子基板１０に蒸着し（斜め蒸着し）、第２配向層４２を形成する。つまり、図中の矢印で示された斜め方向から酸化シリコンを飛来させ、素子基板１０の上に酸化シリコンを堆積し、第２配向層４２を形成する。第２配向層４２は、複数の画素電極１２が配置された表示領域Ｖ１や、捕捉電極１５が設けられた非表示領域Ｖ２を覆うように、形成される。また、外部接続用端子１０２が形成された領域は、メタルマスク（図示省略）でマスキングされ、外部接続用端子１０２には酸化シリコンが堆積しない。
【００８４】
第２配向層４２を形成する材料は、可視光に対して透明な無機材料であれば良く、酸化シリコンの他に、例えば酸化アルミニウム、酸化チタン、フッ化マグネシウムなどを使用することができる。さらに、無機材料を蒸着する方法としては、スパッタ法、電子ビーム蒸着法、イオンアシスト蒸着法などの方法を使用することができる。
【００８５】
図５（ｂ）に示すように、ステップＳ２では、例えばスピンコート法、ディップコート法、印刷方式、吹き付け方式などによって、シランカップリング剤を素子基板１０に塗布し、乾燥させて、概略１００℃〜２００℃の熱処理を施し、第２配向層４２を覆う第３配向層４３を形成する。
【００８６】
シリコンカップリング剤としては、炭素数が１〜２０の直鎖、環状もしくは分岐のアルキル基を有する有機ケイ素化合物、例えばオクタデシルトリエトキシシランを使用することができる。シリコンカップリング剤は、酸化シリコン（第２配向層４２）のヒドロキシル基（親水基）と反応し、当該ヒドロキシル基（親水基）を炭素数が１〜２０の直鎖、環状もしくは分岐したアルキル基（疎水基）に置換する。つまり、酸化シリコン（第２配向層４２）は、炭素数が１〜２０の直鎖、環状もしくは分岐したアルキル基（疎水基）を含む疎水性被膜で覆われ、疎水性を有するようになる（水との親和性が低くなる）。つまり、第３配向層４３は、炭素数が多いシランカップリング剤で形成された疎水性被膜である。
例えば、脂肪族アルコールを素子基板１０に塗布し、乾燥させて、第３配向層４３（疎水性被膜）を形成してもよい。末端にフッ素やフルオロアルキル基を有するケイ素化合物を素子基板１０に塗布し、乾燥させて、第３配向層４３（疎水性被膜）を形成してもよい。
【００８７】
図５（ｃ）に示すように、ステップＳ３では、例えば石英基板６２の上にクロムなどの遮光膜６３が設けられたマスク６１を使用して、表示領域Ｖ１を遮光膜６３で遮光して、表示領域Ｖ１以外の領域の少なくとも一部に図中の矢印で示された紫外線６５を照射する。詳しくは、波長範囲が１８０ｎｍ〜４００ｎｍであり、照度が１５０ｍＷ／ｃｍ2〜２４０ｍＷ／ｃｍ2である紫外線を、表示領域Ｖ１以外の領域に２０秒〜９０秒照射する。すると、表示領域Ｖ１以外の領域の少なくとも一部に設けられた第３配向層４３が、紫外線によって分解され、除去される。その結果、表示領域Ｖ１には第２配向層４２と第３配向層４３とが積層され、表示領域Ｖ１以外の領域の少なくとも一部には第２配向層４２が配置された第１配向層４１を形成することができる。
なお、紫外線６５は本発明における「光」の一例である。
【００８８】
表示領域Ｖ１以外の領域、つまり表示領域Ｖ１と素子基板本体１１の端との間の少なくとも一部に捕捉電極１５が設けられているので、捕捉電極１５が設けられた領域の第１配向層４１は第３配向層４３が除去され、水との親和性が高められている。このように、表示領域Ｖ１と素子基板本体１１の端との間の少なくとも一部は、捕捉電極１５を覆う第２配向層４２の領域を含む。
【００８９】
なお、図示を省略するが、ステップＳ２において、第３配向層４３（疎水性被膜）は第２配向層４２以外の領域、例えば層間絶縁層３１や外部接続用端子１０２の上にも形成される。層間絶縁層３１や外部接続用端子１０２の上に形成された第３配向層４３は、ステップＳ３の紫外線照射によって分解され、除去される。
【００９０】
このように、ステップＳ１〜ステップＳ３を経て、表示領域Ｖ１に配置（積層）された第２配向層４２及び第３配向層４３と、表示領域Ｖ１以外の領域の少なくとも一部に配置された第２配向層４２とからなる第１配向層４１を、安定して製造することができる。すなわち、表示領域Ｖ１の表面が、非表示領域Ｖ２の表面の少なくとも一部よりも水との親和性が低い第１配向層４１を安定して製造することができる。
【００９１】
（実施形態２）
図６は、図１（ｂ）に対応する図であり、実施形態２に係る液晶装置の概要を示す概略断面図である。図７は、図３に対応する図であり、外部接続用端子が設けられた側と反対側の状態を示す液晶装置の概略断面図である。
本実施形態に係る液晶装置２は、対向基板２０に設けられた第６配向層４６の配置位置（形状）が実施形態１に係る液晶装置１と異なり、他の構成は実施形態１に係る液晶装置１と同じである。
以下に、図６及び図７を参照して、本実施形態に係る液晶装置２の概要を、実施形態１との相違点を中心に説明する。なお、実施形態１と同一の構成部位については、同一の符号を附し、重複する説明を省略する。
【００９２】
図６に示すように、対向基板２０において、第４配向層４４は、共通電極２３を覆う第５配向層４５と、第５配向層４５を覆う第６配向層４６とで構成されている。第５配向層４５は、対向基板本体２１の略全面に設けられている。第６配向層４６は、平面視で第３配向層４３と重なるように設けられている。第６配向層４６の端は、表示領域Ｖ１と捕捉電極１５が設けられた領域との間に配置され、第６配向層４６が配置された領域は、表示領域Ｖ１よりも広くなっている。つまり、第６配向層４６は、表示領域Ｖ１と非表示領域Ｖ２の一部とに設けられている。
なお、第６配向層４６が表示領域Ｖ１に配置される構成、つまり第６配向層４６の端と表示領域Ｖ１の端とが同じである構成であってもよい。
【００９３】
第４配向層４４の表面が第５配向層４５である部分が水との親和性が高い部分となり、第４配向層４４の表面が第６配向層４６である部分が水との親和性が低い部分となる。よって表示領域Ｖ１の第４配向層４４の表面（第６配向層４６）は、非表示領域Ｖ２の第４配向層４４の表面の一部（第５配向層４５で構成された部分）よりも水との親和性が低い。
なお、第６配向層４６の端と表示領域Ｖ１の端とが同じであってもよいので、表示領域Ｖ１の第４配向層４４の表面が、非表示領域Ｖ２の第４配向層４４の表面よりも水との親和性が低い構成であってもよい。すなわち、表示領域Ｖ１の第４配向層４４の表面は、非表示領域Ｖ２の第４配向層４４の表面の少なくとも一部よりも水との親和性が低い構成であればよい。
このように、第４配向層４４は、第５配向層４５を含む。さらに、表示領域Ｖ１の第４配向層４４は、第５配向層４５を覆い第５配向層４５よりも水との親和性が低い第６配向層４６をさらに含む。よって、第４配向層４４の表示領域Ｖ１の表面は、第４配向層４４の捕捉電極１５が設けられた領域の表面の少なくとも一部よりも水との親和性が低い。
【００９４】
図７に示すように、シール材５２の中を通過し液晶層５０の中に混入した水分５７や水和されたイオン性不純物５６は、水との親和性が高くなった非表示領域Ｖ２の第１配向層４１の表面と、水との親和性が高くなった非表示領域Ｖ２の第４配向層４４の表面の両方にトラップされるので、水との親和性が高くなった非表示領域Ｖ２の第１配向層４１の表面だけにトラップされる構成（実施形態１）と比べて、水分５７や水和されたイオン性不純物５６をより強くトラップ（拘束）し、表示領域Ｖ１の側により移動しにくくすることができる。
【００９５】
従って、実施形態１と比べて、水分５７や水和されたイオン性不純物５６が表示領域Ｖ１の側により移動しにくくなるので、水分５７やイオン性不純物５５，５６による表示への悪影響をさらに軽減し、液晶装置２の表示品位や長期信頼性をさらに高めることができる。
【００９６】
＜電子機器＞
次に、本実施形態に係る電子機器について図８を参照して説明する。図８は電子機器としての投射型表示装置（液晶プロジェクター）の構成を示す概略図である。
【００９７】
図８に示すように、電子機器としての投射型表示装置１０００は、システム光軸Ｌに沿って配置された偏光照明装置１１００と、光分離素子としての２つのダイクロイックミラー１１０４，１１０５と、３つの反射ミラー１１０６，１１０７，１１０８と、５つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３，１２０４，１２０５と、３つの光変調素子としての透過型の液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０と、光合成素子としてのクロスダイクロイックプリズム１２０６と、投射レンズ１２０７とを備えている。
【００９８】
偏光照明装置１１００は、超高圧水銀灯やハロゲンランプなどの白色光源からなる光源としてのランプユニット１１０１と、インテグレーターレンズ１１０２と、偏光変換素子１１０３とから概略構成されている。
【００９９】
ダイクロイックミラー１１０４は、偏光照明装置１１００から射出された偏光光束のうち、赤色光（Ｒ）を反射させ、緑色光（Ｇ）と青色光（Ｂ）とを透過させる。もう１つのダイクロイックミラー１１０５は、ダイクロイックミラー１１０４を透過した緑色光（Ｇ）を反射させ、青色光（Ｂ）を透過させる。
【０１００】
ダイクロイックミラー１１０４で反射した赤色光（Ｒ）は、反射ミラー１１０６で反射した後にリレーレンズ１２０５を経由して液晶ライトバルブ１２１０に入射する。
ダイクロイックミラー１１０５で反射した緑色光（Ｇ）は、リレーレンズ１２０４を経由して液晶ライトバルブ１２２０に入射する。
ダイクロイックミラー１１０５を透過した青色光（Ｂ）は、３つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３と２つの反射ミラー１１０７，１１０８とからなる導光系を経由して液晶ライトバルブ１２３０に入射する。
【０１０１】
液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０は、クロスダイクロイックプリズム１２０６の色光ごとの入射面に対してそれぞれ対向配置されている。液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０に入射した色光は、映像情報（映像信号）に基づいて変調されクロスダイクロイックプリズム１２０６に向けて射出される。このプリズムは、４つの直角プリズムが貼り合わされ、その内面に赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されている。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が合成される。合成された光は、投射光学系である投射レンズ１２０７によってスクリーン１３００上に投射され、画像が拡大されて表示される。
【０１０２】
液晶ライトバルブ１２１０は、上述した液晶装置１または液晶装置２のいずれかが適用されたものである。液晶装置１または液晶装置２のいずれかは、色光の入射側と射出側とにおいてクロスニコルに配置された一対の偏光素子の間に隙間を置いて配置されている。他の液晶ライトバルブ１２２０，１２３０も同様である。
【０１０３】
上述したように、液晶装置１，２では、水分５７やイオン性不純物５５，５６による表示への悪影響が抑制され、液晶装置１，２の表示品位や長期信頼性が高められている。従って、液晶装置１，２が適用された投射型表示装置１０００は、優れた表示品位や高い信頼性を有するようになる。
【０１０４】
また、電子機器としては、投射型表示装置１０００の他に、直視型テレビ、携帯電話、携帯用オーディオ機器、パーソナルコンピューター、モニター付きビデオカメラ、カーナビゲーション装置、電子手帳、電卓、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、ディジタルスチルカメラなどの各種電子機器に、本発明に係る液晶装置１，２を適用させることができる。
【０１０５】
本発明は、上記実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う有機発光装置及び当該有機発光装置が搭載された電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれる。
上記実施形態以外にも様々な変形例が考えられる。以下、変形例を挙げて説明する。
【０１０６】
（変形例１）
上述した液晶装置１，２は、捕捉電極１５と表示領域Ｖ１との間の非表示領域Ｖ２に、複数のダミー画素が設けられた構成であってもよい。すなわち、液晶装置１，２は、非表示領域Ｖ２に、捕捉電極１５と複数のダミー画素との両方が設けられた構成であってもよい。
さらに、複数設けられたダミー画素に横電界を発生させ、捕捉電極１５の横電界及び複数のダミー画素の横電界の両方で、表示領域Ｖ１の端部に移動したイオン性不純物５５を非表示領域Ｖ２の側に排出させてもよい。
【０１０７】
さらに、非表示領域Ｖ２には、捕捉電極１５を設けず、複数のダミー画素だけを設け、複数設けられたダミー画素の横電界によって、表示領域Ｖ１の端部に移動したイオン性不純物５５を非表示領域Ｖ２の側に排出させてもよい。
【０１０８】
（変形例２）
上述した液晶装置１，２は、捕捉電極１５が設けられていなく、表示領域Ｖ１の第１配向層４１の表面は、非表示領域Ｖ２の第１配向層４１の表面の少なくとも一部よりも水との親和性が低い構成、及び／または表示領域Ｖ１の第４配向層４４の表面は、非表示領域Ｖ２の第４配向層４４の表面の少なくとも一部よりも水との親和性が低い構成であってもよい。
【０１０９】
かかる構成であっても、シール材５２の中を通過し液晶層５０の中に混入した水分５７や水和されたイオン性不純物５６を、非表示領域Ｖ２における水との親和性が高くなった第１配向層４１の表面、及び／または非表示領域Ｖ２における水との親和性が高くなった第４配向層４４の表面にトラップし、表示領域Ｖ１の側に移動しにくくすることができる。よって、シール材５２の中を通過し液晶層５０の中に混入した水分５７による表示への悪影響、すなわち公知技術の課題を抑制することができる。
【符号の説明】
【０１１０】
１，２…液晶装置、５…走査線、６…データ線、７…容量線、１０…素子基板、１１…素子基板本体、１２…画素電極、１５…捕捉電極、１６…第１電極、１７…第２電極、２０…対向基板、２１…対向基板本体、２２…絶縁膜、２３…共通電極、３０…ＴＦＴ、３１…層間絶縁層、４１…第１配向層、４２…第２配向層、４３…第３配向層、４４…第４配向層、４５…第５配向層、４６…第６配向層、５０…液晶層、５２…シール材、５５，５６…イオン性不純物、５７…水分、１０１…データ線駆動回路、１０２…外部接続用端子、１０６…上下導通部、Ｖ１…表示領域、Ｖ２…非表示領域。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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