(57)【要約】【課題】保護基で保護された塩基性化合物を効率よく離脱させて塩基性化合物を形成する方法及びこの方法により得られた塩基性化合物を提供すること。【解決手段】本発明は、保護基としてtert−ブトキシカルボニル基（ＢＯＣ基）を用いて保護された塩基性基を有する化合物に波長１９３nmのArFエキシマレーザーを照射して塩基性基を示す化合物を脱離することを特徴とする用いて塩基性化合物の発生方法である。また、本発明は保護基としてtert−ブトキシカルボニル基（ＢＯＣ基）により保護された塩基性基を有する化合物に波長１９３nmのArFエキシマレーザーを用いて乖離する得塩基性化合物０．３７mmol当たり１７０〜１８２ｍJのエネルギー（１パルス当たり）を照射することにより脱離された塩基である。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
保護基としてtert−ブトキシカルボニル基（ＢＯＣ基）を用いて保護された塩基性基を有する化合物に波長１９３nmのArFエキシマレーザーを照射して塩基性基を示す化合物を脱離することを特徴とする塩基性化合物の発生方法。
【請求項２】
保護基が、tert−アミルカルボニル基（ＡＯＣ基）であることを特徴とする請求項１に記載の塩基性化合物の発生方法。
【請求項３】
保護形成剤であるジ-tert−アミルジカーボネート（ＤｉＡＯＣ）から保護基を形成することを特徴とする請求項２に記載の塩基性化合物の発生方法。
【請求項４】
ArFエキシマレーザーの照射エネルギーが乖離する塩基性化合物０．３７mmol当たり、１７２〜１８２ｍJ/cm2の範囲内（１パルス当たり）にあることを特徴とする請求項１に記載の塩基性化合物の発生方法。
【請求項５】
保護基から脱離して形成される化合物が、アンモニア、一級アミン、二級アミンまたは三級アミン、または、イミンのいずれかであることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の塩基性化合物の発生方法。
【請求項６】
上記塩基性基が脱離して形成される化合物が、テトラメチルグアニジン、アダマンタナミン、アミノ（メタ）アクリレート、ビス（アミノメチル）ベンゼン、（メタ）アクリロイルヒドラジン、グリシンアミノエステル、アンモニア、アミノメチルカルボヒドラジン、ヒドラジン、リジンアミノエステル、ヒドロキシルアミン、アミノペンチルカルボヒドラジン、アミノプロピル(メタ）アクリレート、カルバゾール、アダマンチルカルボヒドラジン、モルフォリン、アダマンチルアミノエステル、ピペリジン、アミノシクロヘキサン、テトラメチルピペリジン、ビスアミノシクロヘキサン、テトラメチルピぺリドン、アミノメチルシクロヘキサン、テトラメチルヒドロキシピロリドン、ビスアミノメチルシクロヘキサンおよびホスファゼン誘導体より成る群から選ばれる少なくとも１種の塩基性化合物であることを特徴とする請求項５に記載の塩基性化合物の発生方法。
【請求項７】
保護基としてtert−ブトキシカルボニル基（ＢＯＣ基）により保護された塩基性基を有する化合物に波長１９３nmのArFエキシマレーザーを用いて乖離する塩基性化合物０．３７mmol当たり、１７０〜１８２ｍJのエネルギー（１パルス当たり）を照射することにより脱離された塩基。
【請求項８】
保護基が、tert−アミルカルボニル基（ＡＯＣ基）であることを特徴とする請求項７に記載の塩基。
【請求項９】
保護化合物であるジ-tert−アミルジカーボネート（ＤｉＡＯＣ）から保護基を形成することを特徴とする請求項８に記載の塩基。
【請求項１０】
塩基性基を脱離して形成される化合物が、アンモニア、一級アミン、二級アミンまたは三級アミン、または、イミンのいずれかであることを特徴とする請求項７乃至９のいずれかに記載の塩基。
【請求項１１】
上記保護基から脱離して形成される化合物が、テトラメチルグアニジン、アダマンタナミン、ビスアミノメチルベンゼン、（メタ）アクリロイルヒドラジン、アミノ（メタ）アクリレート、グリシンアミノエステル、アンモニア、アミノメチルカルボキシヒドラジン、ヒドラジン、リジンアミノエステル、ヒドロキシルアミン、アミノペンチルカルボヒドラジン、アミノプロピル(メタ）アクリレート、カルバゾール、アダマンチルカルボヒドラジン、モルフォリン、アダマンチルアミノエステル、ピペリジン、アミノシクロヘキサン、テトラメチルピペリジン、ビスアミノシクロヘキサン、テトラメチルピぺリドン、ビスアミノメチルシクロヘキサンビスアミノメチルシクロヘキサンおよびホスファゼン誘導体より成る群から選ばれる少なくとも１種の塩基性化合物であることを特徴とする請求項１０に記載の塩基。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はＢＯＣ基などで保護された塩基性化合物を保護基から乖離する方法およびこの方法により乖離された塩基化合物に関する。
【背景技術】
【０００２】
高密度プリント基板などの電子デバイス分野で利用するポリイミド或いはエポキシなどの樹脂の感光材料として、光酸発生剤が多く用いられてきた。ポリイミド或いはエポキシなどの樹脂による絶縁処理は、この光酸発生剤を添加することにより、紫外線照射による樹脂の硬化反応を利用して、接続部分と絶縁部分のパターンを形成させることができる。
【０００３】
この光酸発生剤を用いた感光材料からなるフォトレジスト材料としては、高感度・高解像性等を目指し、種々のものが提供されている。しかしながら、この光酸発生剤を、例えば、光の作用により酸を発生させ、酸を触媒とするカチオン重合系の材料として用いた場合、硬化後も酸が残存するため、当該強酸の存在を原因とする金属配線の腐食や樹脂の変性といった問題が生じ、製品に不具合を生じるという問題があった。今後、電子デバイスの配線がさらに微細化することを考慮すると、この問題はさらに顕在化することが予測されている。
【０００４】
このような背景から、解像度及び感度が高く、耐エッチング性の高いパターンを形成できるレジスト材料を得るために、また、活性エネルギー線を照射して液状物を瞬時に固化させる硬化技術をいっそう高性能化するために、上記のような問題を解決した新たな感光システムの開発が望まれていた。
【０００５】
上記問題を解決する方法として、塩基触媒による重合反応或いは化学反応を用いる方法、例えば、光の作用によって塩基を発生させ、これを触媒として樹脂を化学変性させる方法を用いて、光によって発生する塩基を触媒とする感光性樹脂組成物をフォトレジスト材料、さらには光硬化材料等に応用する手段が検討されている。このような光塩基発生剤としては、例えば、カルバメート系（ウレタン系）の光塩基発生剤（例えば、特許文献１〜５）、α−アミノケトン系の光塩基発生剤（例えば、特許文献６）、４級アンモニウム系の光塩基発生剤（例えば、特許文献７）、Ｏ−アシルオキシム系の光塩基発生剤（例えば、特許文献８）、［［（２−ニトロベンジル）オキシ］カルボニル］アルキルアミンからなる光塩基発生剤（非特許文献１）などの様々な光塩基発生剤が知られている。
【０００６】
しかしながら、例えば、特許文献１〜６、８及び非特許文献１の光塩基発生剤は、紫外線照射によって発生する塩基が１級以上であるため塩基性が比較的低く、特に特許文献１〜３、６及び８の光塩基発生剤は、塩基発生効率の点で塩基発生剤としての効果を充分に示さないという問題がある。また、特許文献４、５の光塩基発生剤は、パターンを形成させるのに通常用いる紫外線よりも波長の長い、いわゆるｈ線（波長４０５ｎｍ程度）と呼ばれる光線の波長領域で感応するため、紫外線の領域が特定されるという問題がある。特許文献７の４級アンモニウム塩系の光塩基発生剤は、エポキシ基を硬化させるための触媒活性が充分でなく、また、紫外線照射によって発生する塩基にイオン性成分が含まれるため、絶縁信頼性の点で懸念がある。
【０００７】
したがって、分子構造を工夫することにより、従来の光塩基発生剤と比較して、塩基発生効率の高い塩基を安定に発生する光塩基発生の発生方法の開発が望まれている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開平１０−０７７２６４号公報
【特許文献２】特公昭５１−０４６１５９号公報
【特許文献３】特開平６−３４５７１１号公報
【特許文献４】国際公開第２０１０/０３８８２８号公報
【特許文献５】国際公開第２０１０/０３８８３７号公報
【特許文献６】特開平１１−０７１４５０号公報
【特許文献７】特開２００５−２６４１５６号公報
【特許文献８】特開２００６−０３６８９５号公報
【非特許文献】
【０００９】
【非特許文献１】J. Am. Chem. Soc., 113, 4303-4313 (1991)
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明はＢＯＣ基或いはＡＯＣ基で保護された塩基性基を乖離させて塩基性化合物を乖離させる方法およびこの方法により得られた塩基を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の塩基性化合物の発生方法は、保護基としてtert−ブトキシカルボニル基（ＢＯＣ基）を用いて保護された塩基性基を有する化合物に波長１９３nmのArFエキシマレーザーを照射して塩基性基を示す化合物を脱離することを特徴としている。
【００１２】
本発明の塩基化合物は、保護基としてtert−ブトキシカルボニル基（ＢＯＣ基）により保護された塩基性基を有する化合物に波長１９３nmのArFエキシマレーザーを用いて保護された塩基化合物に通常は１７０〜１８２ｍJ/cm2のエネルギーを照射してを脱離させる塩基化合物である。
【００１３】
このとき照射するエネルギーは乖離する塩基性化合物0.37mmol当たり、１７０〜１８２ｍJ/cm2のエネルギー（１パルス当たり）である。
【００１４】
本発明において、保護基としては、上記ＢＯＣ基の代わりに、tert−アミルカルボニル基（ＡＯＣ基）を使用することができ、保護形成剤であるジ-tert−アミルジカーボネート（ＤｉＡＯＣ）から保護基を形成することもできる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、特定の波長の紫外線を特定線量照射することによりＢＯＣ基あるいはＡＯＣ基などで保護されていた塩基性化合物を効率よく乖離することができる。即ち、ＢＯＣ基あるいはＡＯＣ基などの基内に存在するカルボキシル基が、波長１９３nmのエキシマレーザーの共鳴し、塩基が乖離する。この塩基は塩基の存在で反応硬化する反応硬化性樹脂の硬化剤など種々の用途に使用することができる。
特に乖離した塩基性化合物は非常に高い塩基性を示すので、反応硬化性樹脂の硬化剤として特に好適である。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】図１は、テトラメチルグアニジンをＢＯＣ基で保護した化合物の1H−NMRのスペクトルであり、エキシマレーザー（波長193nm）を照射することにより、４，９ppm付近にテトラメチルグアニジンに起因するピークが観察される。
【図２】図２は、1，1，3，3-テトラメチル2-Ｂｏｃ-グアニジンの1H-NMRのスペクトルである。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
次に本発明の塩基性化合物の形成方法およびこの方法により製造される塩基について図面を参照にしながら詳細に説明する。
本発明で使用される化合物は、tert−ブトキシカルボニル基（ＢＯＣ基）あるいはtert−アミルカルボニル基（ＡＯＣ基）などの保護基で塩基性基が保護された化合物である。また、tert−アミルカルボニル基（ＡＯＣ基）は、ビス（tert−アミルカルボニル）オキサイド（ＤｉＡＯＣ)から誘導することもできる。
【００１８】
本発明の方法によれば、波長１９３nmのArFエキシマレーザーを照射することにより、ＢＯＣ基あるいはＡＯＣ基が分解して塩基性化合物が生成する。本発明で使用することができるＢＯＣ基あるいはＡＯＣ基を有する化合物としては下記式で示す化合物を挙げることができる
【００１９】
【化１】
2016160225.tif 000003
上記式においてＲおよびＲ’は、窒素原子あるいは燐原子を有していてもよい炭化水素基であり、この炭化水素基が環状構造を形成していてもよい。
上記のようなＢＯＣ基あるいはＡＯＣ基から脱離する塩基性化合物は、アンモニア、一級アミン、二級アミンまたは三級アミン、またはイミンのいずれかである。
ここで使用することができる化合物の内、ＢＯＣ基を有する化合物の例を以下に示す。
【００２０】
【化２】
2016160225.tif 000004
【００２１】
【化３】
2016160225.tif 000005
【００２２】
【化４】
2016160225.tif 000006
【００２３】
【化５】
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上記ホスファゼン誘導体の例を以下に示す。
【００２４】
【化６】
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上記ＢＯＣ基で保護された塩基性基は、任意の条件でAｒFエキシマレーザーの１９３nmのレーザー光を照射すると、ＢＯＣ基中のカルボキシル基に照射すカルボキシル基に対するレーザー光が吸収されて活性化し、塩基性化合物を離脱する。ＡＯＣ基についても同様である、ＤｉＡＯＣ化合物に関しても、塩基性物質を加えることによりＡＯＣ基と同様に作用する。
【００２５】
ＢＯＣ基等で保護された塩基性基が脱離して塩基性化合物になるには、ＢＯＣ基中のカルボキシル基に波長１９３nmのArFエキシマレーザーを用いて通常は乖離する塩基性化合物０．３７mmol当たり、通常は１７０〜１８２mJ/cm2の範囲内のエネルギー（１パルス当たり）を付与する。ArFエキシマレーザーの照射は連続的であっても良いが、３〜５Pps（パルス/秒）の間隔で間欠的に照射することにより、ＢＯＣ基あるいはＡＯＣ基中に存在するカルボキシル基の分解効率が高まるために、効率的に塩基性化合物を脱離させることができる。なお、照射された光エネルギーは蓄積され、塩基化合物１モルを乖離させる為には、蓄積エネルギー量が、１００００〜１００００００mＪ/cm2の範囲内の蓄積エネルギーが必要となる。
【００２６】
以下ＢＯＣ基あるいはＡＯＣ基で保護された塩基化合物の脱離反応を説明する。
上記式（１）で表されるＮ−ＢＯＣ−２−アダマンタナミンに波長１９３nmのArFエキシマレーザーを照射することにより、塩基性物質としてアダマンタナミンが脱離する。
【００２７】
式（２）で表されるＮ−ＢＯＣアミノメタクリレートに波長１９３nmのArFエキシマレーザーを照射することにより、塩基性物質としてアミノメタクリレートが脱離する。
式（３）で表される１，４-ビス（Ｎ，Ｎ，−ジＢＯＣアミノメチル）ベンゼンに波長１９３nmのArFエキシマレーザーを照射することにより、塩基性物質としてビス(アミノメチル）ベンゼンが脱離する。
【００２８】
式（４）で表されるＮ−ＢＯＣアミノアクリレートに波長１９３nmのArFエキシマレーザーを照射することにより、塩基性物質としてアミノアクリレートが脱離する。
式（５）で表されるＮ−ＢＯＣ−Ｎ’−メタクリアロイルヒドラジンに波長１９３nmのArFエキシマレーザーを照射することにより、塩基性物質としてメタクロイルヒドラジンが脱離する。
【００２９】
式（６）で表されるＮ−ＢＯＣ−Ｎ−アクリロイルヒドラジンに波長１９３nmのArFエキシマレーザーを照射することにより、塩基性物質としてＮ-アクリロイルヒドラジンが脱離する。
【００３０】
式（７）で表されるＮ−ＢＯＣグリシン-Ｎ’−ＢＯＣアミノエステルに波長１９３nmのArFエキシマレーザーを照射することにより、塩基性物質としてグリシンアミノエステルが分離する。
【００３１】
式（８）で表されるＮ，Ｎ−ジＢＯＣアミンに波長１９３nmのArFエキシマレーザーを照射することにより、塩基性物質としてアンモニアが分離する。
式（９）で表されるＮ’−ＢＯＣアミノメチル−Ｎ−ＢＯＣカルボヒドラジンに波長１９３nmのArFエキシマレーザーを照射することにより、塩基性物質としてアミノメチルカルボヒドラジンが分離する。
【００３２】
式（１０）で表されるＮ−ＢＯＣアダマンタナミンに波長１９３nmのArFエキシマレーザーを照射することにより、塩基性物質としてアダマンタナミンが分離する。
式（１１）で表されるＮ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ−ＢＯＣヒドラジンに波長１９３nmのArFエキシマレーザーを照射することにより、塩基性物質としてヒドラジンが分離する。
【００３３】
式（１２）で表されるＮα、Ｎω−ジＢＯＣリシンＮ’−アミノエステルに波長１９３nmのArFエキシマレーザーを照射することにより、塩基性物質としてリシンＮ’-アミノエステルが分離する。
【００３４】
式（１３）で表される１，５−ビス（Ｎ−ＢＯＣアミノ）ペンチル−Ｎ−ＢＯＣカルボヒドラジオンに波長１９３nmのArFエキシマレーザーを照射することにより、塩基性物質として1，5-ビスアミノペンチルカルボヒドラジオンが分離する。
【００３５】
式（１４）で表されるＮ−ＢＯＣヒドラジンに波長１９３nmのArFエキシマレーザーを照射することにより、塩基性物質としてヒドラジンが分離する。
式（１５）で表されるＮ，Ｎ，Ｎ−トリ−ＢＯＣアミンに波長１９３nmのArFエキシマレーザーを照射することにより、塩基性物質としてアンモニアが分離する。
【００３６】
式（１６）で表されるＮ，Ｎ−ジ−ＢＯＣヒドラジオンに波長１９３nmのArFエキシマレーザーを照射することにより、塩基性物質としてヒドラジンが分離する。
式（１７）で表される２−（Ｎ−ＢＯＣアミノ）プロピルアクリレートに波長１９３nmのArFエキシマレーザーを照射することにより、塩基性物質としてアミノプロピルメタクリレートが分離する。
【００３７】
式（１８）で表されるＮ−ＢＯＣカルバゾールに波長１９３nmのArFエキシマレーザーを照射することにより、塩基性物質としてカルバゾールが分離する。
式（１９）で表される２−（Ｎ−ＢＯＣアミノ）プロピルアクリレートに波長１９３nmのArFエキシマレーザーを照射することにより、塩基性物質として２−アミノプロピルアクリレートが分離する。
【００３８】
式（２０）で表されるＮ−ＢＯＣアミンに波長１９３nmのArFエキシマレーザーを照射することにより、塩基性物質としてアンモニアが分離する。
式（２１）で表される1-アダマンチル-Ｎ’−ＢＯＣカルボヒドラジンに波長１９３nmのArFエキシマレーザーを照射することにより、塩基性物質として1-アダマンチルカルボヒドラジンが分離する。
【００３９】
式（２２）で表されるＮ−ＢＯＣ(１−アダマンチル）カルボヒドラジンに波長１９３nmのArFエキシマレーザーを照射することにより、塩基性物質として１−アダマンチルカルボヒドラジンが分離する。
【００４０】
式（２３）で表されるＮ−ＢＯＣモルフォリンに波長１９３nmのArFエキシマレーザーを照射することにより、塩基性物質としてモルフォリンが分離する。
式（２４)で表される１−アダマンチルＮ−ＢＯＣアミノエステルに波長１９３nmのArFエキシマレーザーを照射することにより、塩基性物質としてアダマンチルアミノエステルが分離する。
【００４１】
式（２５）で表されるＮ−ＢＯＣピペリジンに波長１９３nmのArFエキシマレーザーを照射することにより、塩基性物質としてピペリジンが分離する。
式（２６）で表せるＮ，Ｎ−ジＢＯＣアミノシクロヘキサンに波長１９３nmのArFエキシマレーザーを照射することにより、塩基性物質としてアミノシクロシロキサンが分離する。
【００４２】
式（２７）で表される２，２，６，６−テトラメチル−Ｎ−ＢＯＣピペリジンに波長１９３nmのArFエキシマレーザーを照射することにより、塩基性物質としてテトラメチルピペリンが分離する。
【００４３】
式（２８）で表される１，４−ビス（ジ−ＢＯＣアミノ）シクロヘキサンに波長１９３nmにのArFエキシマレーザーを照射することにより、塩基性物質としてン波長１９３nmのArFエキシマレーザーを照射することにより、ビスアミノシクロヘキサンが分離する。
【００４４】
式（２９）で表される２，２，６，６−テトラメチル−Ｎ−ＢＯＣ４−ピペリドンに波長１９３nmのArFエキシマレーザーを照射することにより、２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリドンが分離する。
【００４５】
式（３０）で表されるＮ，Ｎ−ジＢＯＣアミノメチルシクロヘキサンに波長１９３nmのArFエキシマレーザーを照射することにより、アミノメチルシクロヘキサンが分離する。
式（３１）で表される２，２，６，６−テトラメチル−４−ヒドロキシ−Ｎ−ＢＯＣ４−ピロリドンに波長１９３nmのArFエキシマレーザーを照射することにより、２，２，６，６−テトラメチル−４−ヒドロキシ−４−ピロリドンが分離する。
【００４６】
式（３２）で表される１，４−ビス(Ｎ，Ｎ−ＢＯＣアミノメチル）シクロヘキサンに波長１９３nmのArFエキシマレーザーを照射することにより、ビスアミノメチルシクロヘキサンが分離する。
【００４７】
式（３３）で表されるＢＯＣグアニジン誘導体に波長１９３nmのArFエキシマレーザーを照射することにより、ピペリジン誘導体が脱離する。ここで分離したピペリジン誘導体中のＲ1〜Ｒ4はそれぞれ独立に水素原子、炭化水素基（特に１〜３の炭素数を有する炭化水素基）を表す。
【００４８】
【化７】
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式（３４）で表されるＢＯＣホスファゼン誘導体は、波長１９３nmのArFエキシマレーザーを照射することにより、ホスファゼン誘導体が脱離する。ここでホスファゼン誘導体中に存在するＲ5，Ｒ6，Ｒ7，Ｒ8，Ｒ9，Ｒ10はそれぞれ独立に水素原子、炭化水素基を表すことができ、ホスファゼンを形成する１つの窒素原子（例えば Ｒ5，Ｒ6）は窒素原子を伴って環状構造を形成していてもよい。例えばアゾリジン基あるいはアゾール基である。
【００４９】
上記のようにしてＢＯＣ基あるいはＡＯＣ基から脱離した塩基性化合物は、分解液の機器分析、特に1H-NMR分析により、脱離した塩基性化合物に起因するピークを見出すことにより確認することができる。
【００５０】
特に本発明の方法では、１９３nmのArFエキシマレーザーが一定量以上照射しなければ塩基性化合物の脱離反応は起きない。従って、非常に小さい場所でも選択的に塩基性化合物を発生させて、この塩基性化合物を限られた場所で利用することができる。
【００５１】
従って、このようにして得られた塩基性化合物は、例えばレジストの硬化用の塩基性化合物として非常に微細な配線を形成することができる。
また、このような電子部品の製造に限らず、種々の限られた場所で反応を進行させることができる。
【実施例】
【００５２】
次に本発明の実施例を示して本発明をさらに詳細に説明するが本発明はこれらによって限定されるものではない。
〔実施例１〕
式３３で表されるＮ−ＢＯＣ Ｇｕａｎｉｄｉｎｅを８０mg (０．３７mmol) 量り取り４mlのアセトニトリルに溶解させて溶液を作った。この溶液を石英製のセルに封入し窒素で５分ほど管内の気体を交換した。LAMBDA PHYSIK社製の１７２mj/cm2のエネルギー（１パルス当たり）を照射できる波長１７２nmのArFエキシマレーザー照射装置を使用し大気中で５ｐｐｓで間欠的にレーザーを照射した。すぐに溶液から発泡が始まり、分解が始まっていると確認できた。その後、同条件のまま６０分レーザーを照射し続け、照射を中断した後、溶液をサンプリングしてＮＭＲを計測した。このときまでに照射されたArFエキシマレーザーによるエネルギーは乖離する塩基性物質０．３７mmol当たり１７２ｍJ/cm2（１パルス当たり）であった。生成した塩基はグアニジンおよびピペリジンであった。エキシマレーザーを照射したのちのＮ−ＢＯＣ Ｇｕａｎｉｄｉｎｅの1H-NMRを図１に示す。なお、比較のためにＮ−ＢＯＣ Ｇｕａｎｉｄｉｎｅ自体のエキシマレーザを照射する前の1H-NMRを図１に示す。
４．９ｐｐｍに生成した塩基に起因するプロトンのピークを確認することができる。
【００５３】
分析方法
核磁気共鳴法（1Ｈ−ＮＭＲ）
装置：JNM-AL400 （（株）日本電子製）
測定条件
内部基準：ＴＭＳ
1Ｈ共鳴周波数：400ＭＨｚ
以下本発明において、分析方法は上記の各時期共鳴法を用いて行った
【００５４】
〔実施例２〕
式１０で表されるＮ−ＢＯＣ ａｄａｍａｎｔａｎａｍｉｎｅを７９mg (0.31mmol)量り取り４mlのアセトニトリルに溶解させて溶液を作った。この溶液を石英製のセルに封入し窒素で５分ほど管内の気体を交換した。LAMBDA PHYSIK社製のArFエキシマレーザー照射装置を使用し大気中で５ｐｐｓでレーザーを照射した。すぐに溶液から発泡が始まり、分解が始まっていると確認できた。その後、同条件のまま６０分レーザーを照射し続け、照射を中断した後、溶液をサンプリングしてNMRを計測した。このときまでに照射されたArFエキシマレーザーによるエネルギーは乖離する塩基性化合物０．３７mmol当たり、１８０ｍJ/cm2（１パルス当たり）であった。生成した塩基はアドマンタナミドであった。
４．９ｐｐｍに生成した塩基に起因するプロトンのピークを確認することができる。
【図１】
2016160225.tif 000010
【図２】
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