(57)【要約】      （修正有）【課題】優れた比抵抗及び緻密な微細構造の内部電極を有する積層電子部品及びこれを具現するための内部電極用導電性ペースト組成物を提供する。【解決手段】複数の磁性体層１０を含む積層本体１１０と、積層本体の内部に配置された内部電極１２０と、を含み、内部電極が導電性金属及びガラスを含み、ガラスがバナジウム（Ｖ）酸化物を含む。ガラスは、珪素（Ｓｉ）酸化物及びホウ素（Ｂ）酸化物からなる群から選択されたいずれか一つ以上の酸化物と、リチウム（Ｌｉ）酸化物、カリウム（Ｋ）酸化物及びカルシウム（Ｃａ）酸化物からなる群から選択されたいずれか一つ以上の酸化物と、チタニウム（Ｔｉ）酸化物及びアルミニウム（Ａｌ）酸化物からなる群から選択されたいずれか一つ以上の酸化物と、を含む。【選択図】図２
2016009861.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の磁性体層を含む積層本体と、
前記積層本体の内部に配置された内部電極と、
を含み、
前記内部電極は導電性金属及びガラスを含み、前記ガラスはバナジウム（Ｖ）酸化物を含む、積層電子部品。
【請求項２】
前記ガラスは、
珪素（Ｓｉ）酸化物及びホウ素（Ｂ）酸化物からなる群から選択されたいずれか一つ以上の酸化物と、
リチウム（Ｌｉ）酸化物、カリウム（Ｋ）酸化物及びカルシウム（Ｃａ）酸化物からなる群から選択されたいずれか一つ以上の酸化物と、
チタニウム（Ｔｉ）酸化物及びアルミニウム（Ａｌ）酸化物からなる群から選択されたいずれか一つ以上の酸化物と、
をさらに含む、請求項１に記載の積層電子部品。
【請求項３】
前記ガラスは、バナジウム（Ｖ）酸化物を１０ｍｏｌ％〜３０ｍｏｌ％含む、請求項１に記載の積層電子部品。
【請求項４】
前記珪素（Ｓｉ）酸化物及びホウ素（Ｂ）酸化物からなる群から選択されたいずれか一つ以上の酸化物のモル比をａ、前記リチウム（Ｌｉ）酸化物、カリウム（Ｋ）酸化物及びカルシウム（Ｃａ）酸化物からなる群から選択されたいずれか一つ以上の酸化物のモル比をｂ、前記バナジウム（Ｖ）酸化物のモル比をｃ、前記チタニウム（Ｔｉ）酸化物及びアルミニウム（Ａｌ）酸化物からなる群から選択されたいずれか一つ以上の酸化物のモル比をｄとしたとき、前記ａ、ｂ、ｃ及びｄは、
ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００（ｍｏｌ％）を満たし、
３０（ｍｏｌ％）≦ａ≦６０（ｍｏｌ％）、
１０（ｍｏｌ％）≦ｂ≦３０（ｍｏｌ％）、
１０（ｍｏｌ％）≦ｃ≦３０（ｍｏｌ％）、及び
１（ｍｏｌ％）≦ｄ≦２０（ｍｏｌ％）を満たす、請求項２に記載の積層電子部品。
【請求項５】
前記内部電極は、ガラスを０．１重量％〜１重量％含む、請求項１に記載の積層電子部品。
【請求項６】
前記内部電極は、前記導電性金属に対する前記バナジウム（Ｖ）酸化物の重量比が０．０００２５〜０．００５００を満たす、請求項１に記載の積層電子部品。
【請求項７】
前記磁性体層は、Ｆｅ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ａｌ及びＮｉからなる群から選択されたいずれか一つ以上を含む合金を含む、請求項１に記載の積層電子部品。
【請求項８】
前記導電性金属は、銀（Ａｇ）、パラジウム（Ｐｄ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタニウム（Ｔｉ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）及び白金（Ｐｔ）からなる群から選択されたいずれか一つ以上を含む、請求項１に記載の積層電子部品。
【請求項９】
導電性金属及びガラスを含み、
前記ガラスはバナジウム（Ｖ）酸化物を含む、内部電極用導電性ペースト組成物。
【請求項１０】
前記ガラスは、
珪素（Ｓｉ）酸化物及びホウ素（Ｂ）酸化物からなる群から選択されたいずれか一つ以上の酸化物と、
リチウム（Ｌｉ）酸化物、カリウム（Ｋ）酸化物及びカルシウム（Ｃａ）酸化物からなる群から選択されたいずれか一つ以上の酸化物と、
チタニウム（Ｔｉ）酸化物及びアルミニウム（Ａｌ）酸化物からなる群から選択されたいずれか一つ以上の酸化物と、
をさらに含む、請求項９に記載の内部電極用導電性ペースト組成物。
【請求項１１】
前記珪素（Ｓｉ）酸化物及びホウ素（Ｂ）酸化物からなる群から選択されたいずれか一つ以上の酸化物のモル比をａ、前記リチウム（Ｌｉ）酸化物、カリウム（Ｋ）酸化物及びカルシウム（Ｃａ）酸化物からなる群から選択されたいずれか一つ以上の酸化物のモル比をｂ、前記バナジウム（Ｖ）酸化物のモル比をｃ、前記チタニウム（Ｔｉ）酸化物及びアルミニウム（Ａｌ）酸化物からなる群から選択されたいずれか一つ以上の酸化物のモル比をｄとしたとき、前記ａ、ｂ、ｃ及びｄは、
ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００（ｍｏｌ％）を満たし、
３０（ｍｏｌ％）≦ａ≦６０（ｍｏｌ％）、
１０（ｍｏｌ％）≦ｂ≦３０（ｍｏｌ％）、
１０（ｍｏｌ％）≦ｃ≦３０（ｍｏｌ％）、及び
１（ｍｏｌ％）≦ｄ≦２０（ｍｏｌ％）を満たす、請求項１０に記載の内部電極用導電性ペースト組成物。
【請求項１２】
前記ガラスは０．１重量％〜１重量％含まれる、請求項９に記載の内部電極用導電性ペースト組成物。
【請求項１３】
前記導電性金属に対する前記バナジウム（Ｖ）酸化物の重量比は０．０００２５〜０．００５００を満たす、請求項９に記載の内部電極用導電性ペースト組成物。
【請求項１４】
前記導電性金属は、銀（Ａｇ）、パラジウム（Ｐｄ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタニウム（Ｔｉ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）及び白金（Ｐｔ）からなる群から選択されたいずれか一つ以上を含む、請求項９に記載の内部電極用導電性ペースト組成物。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、積層電子部品及び内部電極用導電性ペースト組成物に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子部品の一つであるインダクタ（ｉｎｄｕｃｔｏｒ）は、抵抗、キャパシタと共に電子回路をなしてノイズ（ｎｏｉｓｅ）を除去する代表的な受動素子である。
【０００３】
積層電子部品のうち積層インダクタは、磁性体又は誘電体を主材料とする絶縁層上に導体パターンを形成し、これを積層して積層本体の内部にコイル状の内部電極を形成し、内部電極を外部回路に電気的に接続させるための外部電極を積層本体の外面に形成して製造される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００７‐０２７３５４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、優れた比抵抗及び緻密な微細構造の内部電極を有する積層電子部品及びこれを具現するための内部電極用導電性ペースト組成物を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一実施形態によれば、積層本体の内部に配置された内部電極が導電性金属及びガラスを含み、上記ガラスがバナジウム（Ｖ）酸化物を含む積層電子部品が提供される。
【発明の効果】
【０００７】
本発明の一実施形態によれば、より低い熱処理温度で内部電極の焼結を促進し、優れた比抵抗特性及び緻密な微細構造を有する内部電極を具現することにより、電気的特性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の一実施形態による積層電子部品の一部を切開して示す斜視図である。
【図２】図１のＡ‐Ａ’線に沿う断面図である。
【図３】本発明の一実施形態による積層電子部品の内部電極を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ、Ｓｃａｎｎｉｎｇ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）で観察した写真である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下では、添付の図面を参照して本発明の好ましい実施形態について説明する。しかし、本発明の実施形態は様々な他の形態に変形されることができ、本発明の範囲は以下で説明する実施形態に限定されない。また、本発明の実施形態は、当該技術分野で平均的な知識を有する者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。したがって、図面における要素の形状及び大きさなどはより明確な説明のために誇張されることがある。
【００１０】
積層電子部品
以下、本発明の一実施形態による積層電子部品を説明するにあたり、特に、積層インダクタ（ｉｎｄｕｃｔｏｒ）で説明するが、これに制限されない。
【００１１】
図１は本発明の一実施形態による積層電子部品の一部を切開して示す斜視図であり、図２は図１のＡ‐Ａ’線に沿う断面図である。
【００１２】
図１及び図２を参照すると、本発明の一実施形態による積層電子部品１００は、複数の磁性体層１０を含む積層本体１１０と、上記積層本体１１０の内部に配置されたコイル状の内部電極１２０と、上記積層本体１１０の外側に形成された外部電極１３０と、を含み、上記積層本体１１０の外側に形成された外部電極１３０が積層本体１１０の内部に形成された内部電極１２０と電気的に連結される。
【００１３】
本発明の一実施形態による積層電子部品１００において、長さ方向は図１のＬ方向、幅方向はＷ方向、厚さ方向はＴ方向である。
【００１４】
上記積層本体１１０は、長さ方向（Ｌ）の両端面、幅方向（Ｗ）の両側面及び厚さ方向（Ｔ）の上下面を有する六面体に形成される。厚さ方向は、磁性体層１０を積み上げる方向、即ち、積層方向と同じ概念で用いられる。
【００１５】
上記積層本体１１０は、複数の磁性体層１０が積層されて形成される。複数の磁性体層１０は焼結された状態で、隣接する磁性体層１０間の境界は走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いなくては確認できないほど一体化されている。
【００１６】
積層本体１１０の形状及び寸法は本実施形態に限定されず、磁性体層１０の厚さは積層電子部品１００の容量設計に合わせて任意に変わっても良い。
【００１７】
上記積層本体１１０をなす磁性体層１０を形成する原料は、金属磁性粒子であれば良いが、これに制限されない。
【００１８】
上記金属磁性粒子は、軟磁性合金、例えば、Ｆｅ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ａｌ及びＮｉからなる群から選択されたいずれか一つ以上を含む合金であれば良く、好ましくは、Ｆｅ‐Ｓｉ‐Ｃｒ系合金であれば良い。
【００１９】
上記金属磁性粒子を含む積層電子部品の場合、金属磁性粒子の飽和磁化値が大きいため、高いＤＣ‐ｂｉａｓ特性を確保することができる。
【００２０】
本発明の一実施形態による金属磁性粒子を含む積層電子部品は、フェライトを焼結するときのように高温で焼結するときに金属磁性粒子の過度な酸化によって磁性特性が劣化する可能性があるため、一般のフェライト焼結温度より約１００℃〜２００℃低い温度である約７００℃〜８００℃の温度で熱処理して金属磁性粒子の表面に酸化膜を形成させることで、高い磁性特性を維持し且つ金属磁性粒子間の絶縁性を確保する。
【００２１】
本発明の一実施形態のように金属磁性粒子を含む積層電子部品の場合、ＤＣ‐ｂｉａｓ特性が向上するという長所はあるが、一般のフェライトを含む積層電子部品と比べて低温の焼結温度条件を有するため、積層本体１１０の内部に形成された内部電極１２０が十分に焼結されず、電気的特性が低下するという問題がある。
【００２２】
本発明の一実施形態によれば、導電性金属とバナジウム（Ｖ）酸化物を含むガラスを含んで内部電極１２０を形成することにより、より低い焼結温度で焼結を促進し、優れた比抵抗特性及び緻密な微細構造を有する内部電極を具現して、上述した問題を解決することができる。
【００２３】
本発明の一実施形態による内部電極１２０は、コイル状を示し、複数の磁性体層１０上に所定の厚さで形成された導体パターン１２１が電気的に連結されて形成される。
【００２４】
上記導体パターン１２１は、導電性金属とバナジウム（Ｖ）酸化物を含むガラスを含む内部電極用導電性ペーストを磁性体層１０上に印刷工法等で塗布して形成されることができる。導電性ペーストの印刷方法としては、スクリーン印刷法又はグラビア印刷法等を用いることができるが、これに限定されない。
【００２５】
導体パターン１２１が印刷された各磁性体層１０には所定の位置にビア（ｖｉａ）が形成され、上記ビアを介して各磁性体層１０上に形成された導体パターン１２１が電気的に相互連結されて一つのコイル状の内部電極１２０を形成する。
【００２６】
上記内部電極１２０を形成する導電性金属は、電気伝導度に優れた金属であれば特に制限されず、例えば、銀（Ａｇ）、パラジウム（Ｐｄ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタニウム（Ｔｉ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）又は白金（Ｐｔ）等の単独又は混合型であれば良い。
【００２７】
上記内部電極１２０を比較的低温で焼結して緻密化するためにガラスを用いる。上記ガラスは、導電性ペースト内に分散されて液状化されることにより、導電性金属の移動を促進し、より低温で焼結が可能となるようにする役割をする。また、焼結された内部電極１２０の内部の空隙を流動性の良いガラスで充填することにより、焼結密度が改善されて電気的特性が向上する効果が得られる。
【００２８】
本発明の一実施形態によれば、バナジウム（Ｖ）酸化物を含むガラスを用いることにより、より低い熱処理温度、特に、金属磁性粒子を含む積層電子部品における低い焼結温度条件で内部電極の焼結を促進し、優れた比抵抗特性及び緻密な微細構造を有する内部電極を具現することができる。
【００２９】
上記ガラスは、バナジウム（Ｖ）酸化物を１０ｍｏｌ％〜３０ｍｏｌ％含むことができる。上記バナジウム（Ｖ）酸化物を１０ｍｏｌ％〜３０ｍｏｌ％を満たす範囲で添加することにより、ガラスの軟化温度（ｓｏｆｔｅｎｉｎｇ  ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ）を低下させることができる。例えば、ガラスの軟化温度を４５０℃〜６００℃の範囲に調節することができる。ガラスの軟化温度が６００℃以下に低下することにより、より低い熱処理温度で内部電極の焼結を促進することができる。
【００３０】
上記バナジウム（Ｖ）酸化物が１０ｍｏｌ％未満であるか又は３０ｍｏｌ％を超える場合は、ガラスの軟化温度が上記範囲を満たすことができず、比抵抗特性が改善されず、粒成長が制限され、空隙（ｐｏｒｅ）が存在する等、緻密な微細構造を具現するのが困難な可能性がある。
【００３１】
上記ガラスは、珪素（Ｓｉ）酸化物及びホウ素（Ｂ）酸化物からなる群から選択されたいずれか一つ以上の酸化物と、リチウム（Ｌｉ）酸化物、カリウム（Ｋ）酸化物及びカルシウム（Ｃａ）酸化物からなる群から選択されたいずれか一つ以上の酸化物と、チタニウム（Ｔｉ）酸化物及びアルミニウム（Ａｌ）酸化物からなる群から選択されたいずれか一つ以上の酸化物と、をさらに含むことができる。
【００３２】
即ち、上記ガラスは、ａ（Ｓｉ、Ｂ）−ｂ（Ｌｉ、Ｋ、Ｃａ）−ｃ（Ｖ）−ｄ（Ｔｉ、Ａｌ）を含むことができる。上記ａは珪素（Ｓｉ）酸化物及びホウ素（Ｂ）酸化物からなる群から選択されたいずれか一つ以上の酸化物のモル比、ｂはリチウム（Ｌｉ）酸化物、カリウム（Ｋ）酸化物及びカルシウム（Ｃａ）酸化物からなる群から選択されたいずれか一つ以上の酸化物のモル比、ｃはバナジウム（Ｖ）酸化物のモル比、ｄはチタニウム（Ｔｉ）酸化物及びアルミニウム（Ａｌ）酸化物からなる群から選択されたいずれか一つ以上の酸化物のモル比を意味する。
【００３３】
本発明の一実施形態によれば、上記ａ、ｂ、ｃ及びｄはａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００（ｍｏｌ％）を満たし、３０（ｍｏｌ％）≦ａ≦６０（ｍｏｌ％）、１０（ｍｏｌ％）≦ｂ≦３０（ｍｏｌ％）、１０（ｍｏｌ％）≦ｃ≦３０（ｍｏｌ％）、及び１（ｍｏｌ％）≦ｄ≦２０（ｍｏｌ％）を満たすことができる。
【００３４】
上記各酸化物のモル比を満たすガラスを含むことにより、内部電極１２０の比抵抗特性を向上させ、粒成長及び焼結緻密度を改善することができる。
【００３５】
上記内部電極１２０は、上記ガラスを０．１重量％〜１重量％含むことができる。
【００３６】
上記ガラスが０．１重量％未満含まれる場合は、ガラスによる液相焼結メカニズムの具現が困難であり、空隙充填による緻密度の向上等の効果が得られず、焼結温度が上昇することにより電気的特性が悪化し信頼性が低下する可能性がある。
【００３７】
一方、上記ガラスが１重量％を超えて含まれる場合は、ガラスが過量の液相を形成して導電性金属の移動距離を増加させ、コンタクトポイント（ｃｏｎｔａｃｔ  ｐｏｉｎｔ）を減少させて却って焼結を妨害し、非伝導性物質であるガラスが導電性金属の粒界に過量存在して内部電極の電気伝導度を低下させる副作用をもたらす可能性がある。また、内部電極の内部でのガラスの凝固又は浮遊等の副作用によって電極の焼結に寄与することができなくなる。
【００３８】
本発明の一実施形態によれば、上記内部電極１２０は、上記導電性金属に対する上記バナジウム（Ｖ）酸化物の重量比が０．０００２５〜０．００５００を満たすことができる。上記重量比を満たすことにより、内部電極１２０の比抵抗特性を向上させ、粒成長及び焼結緻密度を改善することができる。
【００３９】
以下、本発明の一実施形態による積層電子部品の内部電極を形成するための内部電極用導電性ペースト組成物を説明する。
【００４０】
本発明の一実施形態による内部電極用導電性ペースト組成物は導電性金属及びガラスを含み、上記ガラスはバナジウム（Ｖ）酸化物を含む。
【００４１】
上記バナジウム（Ｖ）酸化物は、珪素（Ｓｉ）酸化物やホウ素（Ｂ）酸化物のような網目形成酸化物であり、ガラス形成能力に優れ且つ網目構造を緩和させる役割をすることによりガラスの軟化温度を低下させることができる。
【００４２】
上記内部電極用導電性ペースト組成物を磁性体シート上に印刷工法等で塗布して導体パターンを形成し、所定の温度で焼結して内部電極を形成することができる。
【００４３】
この際、上記内部電極用導電性ペースト組成物は、導電性金属とバナジウム（Ｖ）酸化物を含むガラスを含むことにより、より低い焼結温度で焼結を促進し、優れた比抵抗特性及び緻密な微細構造を有する内部電極を具現することができる。
【００４４】
上記ガラスは、珪素（Ｓｉ）酸化物及びホウ素（Ｂ）酸化物からなる群から選択されたいずれか一つ以上の酸化物と、リチウム（Ｌｉ）酸化物、カリウム（Ｋ）酸化物及びカルシウム（Ｃａ）酸化物からなる群から選択されたいずれか一つ以上の酸化物と、チタニウム（Ｔｉ）酸化物及びアルミニウム（Ａｌ）酸化物からなる群から選択されたいずれか一つ以上の酸化物と、をさらに含むことができる。
【００４５】
即ち、上記ガラスは、ａ（Ｓｉ、Ｂ）−ｂ（Ｌｉ、Ｋ、Ｃａ）−ｃ（Ｖ）−ｄ（Ｔｉ、Ａｌ）を含むことができる。上記ａは珪素（Ｓｉ）酸化物及びホウ素（Ｂ）酸化物からなる群から選択されたいずれか一つ以上の酸化物のモル比、ｂはリチウム（Ｌｉ）酸化物、カリウム（Ｋ）酸化物及びカルシウム（Ｃａ）酸化物からなる群から選択されたいずれか一つ以上の酸化物のモル比、ｃはバナジウム（Ｖ）酸化物のモル比、ｄはチタニウム（Ｔｉ）酸化物及びアルミニウム（Ａｌ）酸化物からなる群から選択されたいずれか一つ以上の酸化物のモル比を意味する。
【００４６】
本発明の一実施形態によれば、上記ａ、ｂ、ｃ及びｄはａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００（ｍｏｌ％）を満たし、３０（ｍｏｌ％）≦ａ≦６０（ｍｏｌ％）、１０（ｍｏｌ％）≦ｂ≦３０（ｍｏｌ％）、１０（ｍｏｌ％）≦ｃ≦３０（ｍｏｌ％）、及び１（ｍｏｌ％）≦ｄ≦２０（ｍｏｌ％）を満たすことができる。
【００４７】
上記内部電極用導電性ペースト組成物は、上記組成のガラスを０．１重量％〜１重量％含むことができる。上記ガラスが０．１重量％〜１重量％の範囲を満たすことにより、ガラスの液状化によって導電性金属の移動を促進し、より低温での焼結が可能となり、焼結された内部電極の内部の空隙を流動性の良いガラスで充填することにより焼結密度が改善されて電気的特性が向上する効果が得られる。
【００４８】
上記内部電極用導電性ペースト組成物は、上記導電性金属に対する上記バナジウム（Ｖ）酸化物の重量比が０．０００２５〜０．００５００を満たすことができる。上記重量比を満たす導電性ペースト組成物で内部電極を形成することにより、内部電極の比抵抗特性を向上させ、粒成長及び焼結緻密度を改善することができる。
【００４９】
他に、上述した本発明の一実施形態による積層電子部品の特徴と同じ部分については、その詳細な説明を省略する。
【００５０】
下記表１は、ガラスの組成及びガラスの添加量による内部電極の比抵抗特性と微細構造を評価した結果を示したものである。
【００５１】
平均粒径が２．５μｍ、１μｍ、０．３μｍの３種のサイズを有する銀（Ａｇ）粉末を適宜混合し、上記銀（Ａｇ）粉末にエチルセルロース系樹脂、有機溶剤及びガラス粉末を少量添加し混合して、導電性ペーストを製造した。この際、下記表１の各実施例及び比較例によって、添加されるガラスの組成及び添加量を異ならせた。
【００５２】
製造された導電性ペーストを用いてスクリーン印刷により磁性体シート上に導体パターンを形成し、所定の温度（７００℃、７５０℃、８００℃）で１時間熱処理して比抵抗及び微細構造を評価した。
【００５３】
【表１】
2016009861.tif 000003
【００５４】
＜微細構造評価＞
Ｏ：良（粒成長が起こり、緻密な微細構造が形成され、ガラスの凝固又は浮遊がない。）
△：普通（粒成長は起こるが、空隙が一部存在し、少量のガラスの凝固又は浮遊がある。）
Ｘ：不良（粒成長が抑制され、空隙が存在し、多量のガラスの凝固又は浮遊がある。）
【００５５】
上記表１を参照すると、実施例１〜６は、４８（Ｓｉ、Ｂ）−２５（Ｌｉ、Ｋ）−１２（Ｖ）−１５（Ｔｉ、Ｃａ、Ａｌ）の組成で４９７℃の軟化温度を有するガラスを０．１〜１．５重量％の範囲で添加したものである。ガラスを添加していない比較例１と比較すると、０．１〜１．０重量％のガラスを添加した実施例１〜５は、比抵抗特性が向上し、粒成長及び焼結緻密度が改善された。
【００５６】
図３は、本発明の一実施形態である上記実施例２の条件による内部電極を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察した写真である。
【００５７】
図３を参照すると、上記組成のガラスを０．２重量％添加した場合は、約１０μｍのレベルまで大きな粒成長が起こり、非常に緻密な微細構造が具現されたことが確認できる。
【００５８】
但し、上記組成のガラスを１．５重量％添加した実施例６は、過量のガラスによって比抵抗が上昇し、却って粒成長が制限され、ガラスの凝固及び浮遊が起こり、微細構造が悪化した。
【００５９】
実施例７〜１２は、４２（Ｓｉ、Ｂ）−２１（Ｌｉ、Ｋ）−２５（Ｖ）−１２（Ｔｉ、Ｃａ、Ａｌ）の組成で５５６℃の軟化温度を有するガラスを０．１〜１．５重量％の範囲で添加したものである。実施例１〜６と同様に上記ガラスを０．１〜１．０重量％添加する場合は、比抵抗特性が向上し、粒成長及び焼結緻密度が改善されたが、ガラスを１．５重量％添加する場合は、比抵抗が上昇し、却って微細構造が悪化した。
【００６０】
実施例１３〜１５は、３２（Ｓｉ、Ｂ）−１６（Ｌｉ、Ｋ）−４３（Ｖ）−９（Ｔｉ、Ｃａ、Ａｌ）の組成で６３０℃の軟化温度を有するガラスを０．３〜１．０重量％の範囲で添加したものである。上記ガラス組成では、バナジウム（Ｖ）酸化物のモル比が多すぎて比抵抗が改善されず、粒成長が制限され、空隙が存在する等、緻密な微細構造が得られなかった。
【００６１】
実施例１６〜１８は、５３（Ｓｉ、Ｂ）−２６（Ｌｉ、Ｋ）−６（Ｖ）−１５（Ｔｉ、Ｃａ、Ａｌ）の組成で５７０℃の軟化温度を有するガラスを０．３〜１．０重量％の範囲で添加したものである。上記ガラス組成では、バナジウム（Ｖ）酸化物が少なすぎて比抵抗が改善されず、粒成長が制限され、空隙が存在する等、緻密な微細構造が得られなかった。
【００６２】
以上、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明の権利範囲はこれに限定されず、特許請求の範囲に記載された本発明の技術的思想から外れない範囲内で多様な修正及び変形が可能であるということは、当技術分野の通常の知識を有する者には明らかである。
【符号の説明】
【００６３】
１００  積層電子部品
１０  磁性体層
１１０  積層本体
１２０  内部電極
１２１  導体パターン
１３０  外部電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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