(57)【要約】【課題】半導体発光素子の発する光の波長域によらず、光学特性を高精度に評価することが可能な半導体発光素子の評価装置を提供する。【解決手段】ウェハ積載面の中央部に形成されたウェハ吸着部３と、側面部に形成された排気口７と、ウェハ吸着部３と排気口７とを空間的に接続する真空溝５と、を有するステージ部６と、ステージ部６のウェハ積載面に搭載される半導体ウェハ１０上の半導体発光素子に電力を印加することが可能なプローブ部４と、半導体発光素子から出力される光を受光する、ウェハ積載面とは逆の面側に配置された受光部２とを備え、真空溝５は、ステージ部６の平面方向のいずれか一つの軸方向である第１の軸方向に延在し、プローブ部４にて半導体発光素子に電力を印加する際に、半導体ウェハ１０および受光部２を第１の軸方向に垂直かつステージ部６の平面部に平行である第２の軸方向に移動する、半導体発光素子の評価装置。【選択図】図３
2016184607.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
平面方向および垂直方向に移動可能であり、ウェハ積載面の中央部に形成されたウェハ吸着部と、側面部に形成された排気口と、前記ウェハ吸着部と前記排気口とを空間的に接続する真空溝と、を有するステージ部と、
前記ステージ部の前記ウェハ積載面に搭載される半導体ウェハ上の半導体発光素子に電力を印加することが可能なプローブ部と、
前記半導体発光素子から出力される光を受光する前記ウェハ積載面とは逆の面側に配置された受光部と、
を備え、
前記真空溝は、前記ステージ部の平面方向のいずれか一つの軸方向である第１の軸方向に延在し、前記プローブ部にて前記半導体発光素子に電力を印加する際に、前記半導体ウェハおよび前記受光部を、前記第１の軸方向に垂直かつ前記ステージ部の平面部に平行である第２の軸方向に移動する、半導体発光素子の評価装置。
【請求項２】
前記真空溝が延在する方向である第１の軸方向に垂直かつ前記ステージ部の平面部に平行な第２の軸方向におけるステージの長さをＬとし、前記第２の軸方向における前記ウェハ吸着部の開口部の長さをａとしたときに、ａ＜Ｌ／４である請求項１に記載の半導体発光素子の評価装置。
【請求項３】
前記ウェハ積載部に搭載される半導体ウェハを前記第２の軸方向に移動可能な搬送部をさらに備える請求項２に記載の半導体発光素子の評価装置。
【請求項４】
前記真空溝が延在する方向である第１の軸方向に垂直かつ前記ステージ部の平面部に平行な第２の軸方向におけるステージの長さをＬとし、前記半導体ウェハの直径をφとしたときに、φ＜Ｌ／２である、請求項１に記載の半導体発光素子の評価装置。
【請求項５】
前記第２の軸方向における前記ウェハ吸着部の開口部の長さをａとし、前記半導体ウェハの直径をφとしたときに、ａ＜φ／２である、請求項１に記載の半導体発光素子の評価装置。
【請求項６】
前記受光部が積分球である請求項１から５のいずれか一項に記載の半導体発光素子の評価装置。
【請求項７】
前記ステージ部は半導体発光素子から出力された光に対する光透過率が５０％以上の部材からなる請求項１から６のいずれか一項に記載の半導体発光素子の評価装置。
【請求項８】
前記ステージ部が石英からなる請求項１から７のいずれか一項に記載の半導体発光素子の評価装置。
【請求項９】
請求項１から８のいずれか一項に記載の半導体発光素子の評価装置を用いる半導体発光素子の評価方法であって、
前記ステージ部の前記ウェハ吸着部を、その外縁部で覆うように半導体ウェハを設置する第１設置工程と、
前記排気口から前記真空溝を介して減圧を行い、前記半導体ウェハを前記ウェハ積載面に固定する第１固定工程と、
固定された前記半導体ウェハ上に形成された第１の群の半導体発光素子のそれぞれに電力を印加し、前記それぞれの半導体発光素子から前記ステージ部を介して出射された光を前記受光部において受光し、前記第１の群の半導体発光素子のそれぞれの光出力特性を評価する第１評価工程と、
前記半導体ウェハの固定を解除し、前記ウェハ吸着部が前記第１の群の半導体発光素子で覆われるように前記半導体ウェハを移動する第２設置工程と、
前記排気口から前記真空溝を介して減圧を行い、再び前記半導体ウェハを前記ウェハ積載面に固定する第２固定工程と、
固定された前記半導体ウェハ上に形成された前記第１の群の半導体発光素子とは異なる第２の群の半導体発光素子のそれぞれに電力を印加し、前記それぞれの半導体発光素子から前記ステージ部を介して出射された光を前記受光部において受光し、前記第２の群の半導体発光素子のそれぞれの光出力特性を評価する第２評価工程と、
を備える半導体発光素子の評価方法。
【請求項１０】
前記真空溝は、前記ステージ部の平面方向のいずれか一つの軸方向である第１の軸方向に延在し、前記第２設置工程において、前記半導体ウェハは前記第１の軸方向に垂直かつ前記ステージ部の平面部に平行な第２の軸方向に移動する、請求項９に記載の半導体発光素子の評価方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体発光素子の評価装置および評価方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体ウェハ上に形成された半導体素子の特性を測定するプローブ検査装置が広く用いられている。従来のプローブ検査装置は、ウェハチャック上にウェハを載置し、その上方に配置された測定部のプローブと、ウェハに形成された素子の電極とを電気的に接触させて素子の電気的特性を測定する（特許文献１参照）。
【０００３】
また、発光ダイオード（ＬＥＤ）に代表される半導体発光素子の光学特性を測定するために、石英等の光を透過する材料からなるステージを有する半導体検査装置も知られている（特許文献２参照）
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平７−２６３５２６号公報
【特許文献２】ＷＯ２０１２／０７７１９０号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
図５（ａ）は、特許文献１のプローブ検査装置の断面模式図である。また、図５（ｂ）は、特許文献１のプローブ検査装置のウェハチャック９７の上面模式図である。特許文献１に開示のプローブ検査装置９０は、ウェハ積載面の大部分を占める領域に真空吸着通路（ウェハ吸着部）９３を内包するウェハチャック９７を備えている。評価対象の半導体ウェハ９１は真空吸着通路９３と、真空引きを行う真空ポンプ９６とによって、ウェハチャック９７のウェハ積載面に吸着される。そして、プローブ９４と半導体ウェハ９１上の半導体発光素子の電極とを電気的に接触させ、半導体発光素子から出力される光を受光部９２にて受光することで、半導体発光素子の電気的特性を測定する。このようなプローブ検査装置９０を用いて半導体発光素子を評価する場合、例えステージに石英等の光透過性部材を用いたとしても、図５（ａ）に示すように、真空吸着通路９３によって、半導体発光素子から出力された光が反射、屈折、吸収等の光学的干渉９５を生じてしまう。これにより、評価に供された半導体発光素子の光学特性について測定箇所によって誤差が生じてしまう。また、半導体発光素子の配置や真空溝９３に対する相対的な位置関係は測定される半導体ウェハ９１ごとに異なってしまうため、上述した測定箇所による誤差は一義的な補正が困難である。
【０００６】
また、特許文献２に開示されているような、真空吸着を要さない半導体検査装置を用いる場合は、予め半導体発光素子を粘着シート状に貼着させる必要がある。しかしながら、測定対象の半導体発光素子が紫外域の光を発する素子である場合、測定中に粘着シートが劣化して粘着性や透過率が変化するため、再現性良く測定することが困難である。
【０００７】
本発明は、上記課題に鑑み、半導体発光素子の発する光の波長域によらず、光学特性を高精度に評価することが可能な半導体ウェハ上の半導体発光素子の評価装置および半導体発光素子の評価方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一態様は、平面方向および垂直方向に移動可能であり、ウェハ積載面の中央部に形成されたウェハ吸着部と、側面部に形成された排気口と、前記ウェハ吸着部と前記排気口とを空間的に接続する真空溝と、を有するステージ部と、前記ステージ部の前記ウェハ積載面に搭載される半導体ウェハ上の半導体発光素子に電力を印加することが可能なプローブ部と、前記半導体発光素子から出力される光を受光する前記ウェハ積載面とは逆の面側に配置された受光部と、を備え、前記真空溝は、前記ステージ部の平面方向のいずれか一つの軸方向である第１の軸方向に延在し、前記プローブ部にて前記半導体発光素子に電力を印加する際に、前記半導体ウェハおよび前記受光部を、前記第１の軸方向に垂直かつ前記ステージ部の平面部に平行である第２の軸方向に移動する、半導体発光素子の評価装置である。
【０００９】
また、本発明の他の態様は、上記の半導体発光素子の評価装置を用いる半導体発光素子の評価方法であって、前記ステージ部の前記ウェハ吸着部を、その外縁部で覆うように半導体ウェハを設置する第１設置工程と、前記排気口から前記真空溝を介して減圧を行い、前記半導体ウェハを前記ウェハ積載面に固定する第１固定工程と、固定された前記半導体ウェハ上に形成された第１の群の半導体発光素子のそれぞれに電力を印加し、前記それぞれの半導体発光素子から前記ステージ部を介して出射された光を前記受光部において受光し、前記第１の群の半導体発光素子のそれぞれの光出力特性を評価する第１評価工程と、
前記半導体ウェハの固定を解除し、前記ウェハ吸着部が前記第１の群の半導体発光素子で覆われるように前記半導体ウェハを移動する第２設置工程と、前記排気口から前記真空溝を介して減圧を行い、再び前記半導体ウェハを前記ウェハ積載面に固定する第２固定工程と、固定された前記半導体ウェハ上に形成された前記第１の群の半導体発光素子とは異なる第２の群の半導体発光素子のそれぞれに電力を印加し、前記それぞれの半導体発光素子から前記ステージ部を介して出射された光を前記受光部において受光し、前記第２の群の半導体発光素子のそれぞれの光出力特性を評価する第２評価工程と、を備える半導体発光素子の評価方法である。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の一実施形態に係る半導体発光素子評価装置の上面模式図および断面模式図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る半導体発光素子評価装置のウェハ吸着部の変形例を示す図である。
【図３】本発明の一実施形態に係る半導体発光素子評価装置のステージ部に、半導体発光素子が形成された半導体ウェハを積載した状態の上面模式図および断面模式図である。
【図４】本発明の一実施形態に係る半導体発光素子評価装置のステージ部の一例を示す断面模式図である。
【図５】従来の半導体発光素子評価装置を説明する上面模式図および断面模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明を実施するための形態（以下、本実施形態と称する）を説明する。ただし、以下の実施形態は特許請求の範囲にかかる発明を限定するものではない。また、実施形態の中で説明されている特徴の組み合わせの全てが本発明の解決手段に必須であるとは限らない。
【００１２】
［半導体発光素子評価装置］
図１は、本実施形態に係る半導体発光素子評価装置の構成の一例を示す図である。図１（ａ）は、本実施形態に係る半導体発光素子評価装置の上面模式図である。図１（ｂ）は、本実施形態に係る半導体発光素子評価装置の断面模式図である。以下、図１を参照しながら、本実施形態に係る半導体素子評価装置の構成の一例について説明する。なお、本説明においては、半導体発光素子評価装置を通常使用する時の状態（すなわち、略水平な台などに設置された状態）を基準として説明する。
【００１３】
本実施形態に係る半導体発光素子評価装置１は、上面中央部に形成されたウェハ吸着部３と、側面部に形成された排気口７と、ウェハ吸着部３と排気口７とを空間的に接続する真空溝５と、を有するステージ部６と、ステージ部６の上面側に搭載される半導体ウェハ（図示しない）上の半導体発光素子に電力を印加することが可能なプローブ部４と、半導体発光素子から出力された光を受光するステージ部６の下面側に配置された受光部２と、を備える。また、ステージ部６は、平面部を有する形状であって、平面方向および垂直方向に移動可能である。
【００１４】
半導体発光素子評価装置１は、ステージ部６の上面中央部にウェハ吸着部３が備わっていることにより、半導体ウェハの外縁部をウェハ吸着部３に重ねたうえで、真空溝５を介して排気口７から減圧する。これにより、半導体ウェハをステージ部６上に固定しつつ、半導体ウェハ上の半導体発光素子のうち大部分の半導体発光素子を高精度に評価することが可能になる。すなわち、ステージ部６を上面視したときにウェハ吸着部３と重複しない領域の半導体発光素子は、ウェハ吸着部３による光の反射、屈折、吸収等の影響が低減されるため、測定箇所によらない一義的な補正によって各半導体発光素子の光学特性を評価することが可能になる。
【００１５】
ここで「ステージ部の上面中央部」とは、ステージ部６のウェハ積載面の略中央部であって、ステージ部６のウェハ積載面の一辺の長さ（ステージ部６のウェハ積載面が円形の場合は直径）に対して半分以下の長さの領域を意味し、好ましくは１／３以下の長さ、より好ましくは１／４以下の長さの領域を意味する。また、特にこれに制限されるものではないが、光学的干渉を低減する観点から、ウェハ吸着部３はステージ部６の上面中央部のみに備わっていることが好ましい。
【００１６】
また、本実施形態に係る半導体発光素子評価装置１は、ステージ部６上に搭載される半導体ウェハを第２の軸方向に移動可能な搬送部（図示しない）をさらに備えていてよい。搬送部をさらに備えることで、ウェハを運び入れと運び出しを自動で実行させることができ、製造時間をさらに短縮させることが可能となる。
【００１７】
本実施形態に係る半導体発光素子評価装置１は、半導体ウェハを複数枚収納できるマガジン部と半導体ウェハの向きを揃えるアライナー部と（図示しない）をさらに備えていてもよい。マガジン部とアライナー部を備えることで、複数枚のウェハを連続して自動で測定することができ、製造時間をさらに短縮させることが可能になる。
【００１８】
以下、半導体発光素子評価装置１の各構成について説明する。
【００１９】
［ステージ部］
ステージ部６は、上面中央部に形成されたウェハ吸着部３と、側面部に形成された排気口７と、ウェハ吸着部３と排気口７とを空間的に接続する真空溝５を有する。また、ステージ部６は、平面方向および垂直方向に移動可能であり、半導体ウェハを載置する可動台としての機能を有する。すなわち、ステージ部６は、半導体ウェハを載置しつつ、垂直方向及び水平方向に移動することができる。
【００２０】
また、ステージ部６の形状は、矩形状であってもよいし、円形状であってもよいが、これらに限られない。
【００２１】
また、ステージ部６の有する真空溝５は、図１（ｂ）に示されるように、ステージ部６の平面方向のいずれか一つの軸方向である第１の軸方向に延在していることが好ましい。
【００２２】
真空溝５がステージ部６の平面方向のいずれか一つの軸方向である第１の軸方向に延在していることで、半導体ウェハ上に形成された半導体発光素子から発光された光の真空溝部分における光学的干渉を、より低減することが可能になる。
【００２３】
また、ステージ部６は、図１（ｂ）に示されるように、第１の軸方向に垂直かつステージ部６の平面に平行な第２の軸方向におけるステージの長さをＬとし、第２の軸方向における吸着部３の開口部の長さをａとしたときに、ａ＜Ｌ／４であることが好ましい。これにより、ある一つの状態で真空引きすることで固定された半導体ウェハの中で、光学的干渉を低減しながら測定可能な半導体発光素子の数を十分に確保できるため好ましい。ａ＜Ｌ／４の関係を満たすことで、半導体ウェハの面積のうち略半数以上の半導体発光素子の光学的干渉を低減しながら測定可能になるため、２回の真空引きで全半導体発光素子を測定可能になる。
【００２４】
また、ステージ部６は、半導体発光素子から出力された光に対する光透過率が５０％以上の部材からなってよい。これにより、半導体ウェハ上に形成された半導体発光素子から発光され、ステージ部６によって吸収される光を最小限に留めることができ、半導体発光素子の特性を正確に測定することが可能となる。例えば半導体発光素子として紫外線ＬＥＤを採用した場合、光透過率が５０％以上の部材としては石英からなるガラスが挙げられる。ただし、ステージ部６の材料はガラスに限定されず、様々な材料を利用することができる。また、発光特性を測定する構成であっても、ガラス以外の光透過性の樹脂等を用いることもできる。
【００２５】
また、図１では、半導体発光素子評価装置１におけるステージ部６が有するウェハ吸着部３が円形状である場合を示しているが、これに限定されるものではない。ウェハ吸着部３は、半導体ウェハを保持することができる形状であればよく、円形状以外にも、例えば、四角形状をはじめとする多角形状や、楕円形状、あるいは十字形状等のような、様々な形状およびそれらの組み合わせを採用することができる。
【００２６】
また、ステージ部６は、ＣＰＵ等によって構成される制御部（図示しない）によって、移動量、移動方向等の動作制御が行われるものであってもよい。
【００２７】
［半導体ウェハ］
本実施形態の半導体発光素子評価装置１によって測定可能な半導体ウェハは、例えばサファイア基板からなるものであってもよい。サファイア基板は平面視において例えば円形状であって、その直径は、例えば、１インチ以上のものを用いることができる。ただし、形状や寸法はこれに限定されるものではない。
【００２８】
半導体ウェハ上の半導体発光素子としては、基板上に発光用のｎ型半導体層、活性層及びｐ型半導体層を積層した半導体層（ＬＥＤ構造）を形成されたものであってもよい。半導体層（ＬＥＤ構造）のｐ型半導体層の表面には、電流拡散層を形成してあってもよい。電流拡散層は、例えば、導電性の透明膜であるＩＴＯ膜（インジウム錫酸化膜）であってよい。電流拡散層の表面にはボンディング電極を形成してあり、ｐ型半導体層は、電流拡散層を介してボンディング電極に電気的に接続してあってよい。発光用の半導体層（ＬＥＤ構造）のｎ型半導体層と分離させて抵抗層としてのｎ型半導体層を形成してあってよい。抵抗層としてのｎ型半導体層の表面には、ｎオーミック電極を形成してあってよい。ｎオーミック電極の表面には、ボンディング電極を形成してあってよい。抵抗層のｎ型半導体層は、ｎオーミック電極を介してボンディング電極に電気的に接続してあってよい。抵抗層としてのｎ型半導体層の表面に形成されたオーミック電極と、発光用の半導体層（ＬＥＤ構造）のｎ型半導体層の表面に形成されたオーミック電極とは、配線層により接続されていてよい。配線層は、適長離隔して平行に配置された配線層を備えていてよい。
【００２９】
また、半導体ウェハ上の半導体発光素子は、基板側から発光した光が取り出される裏面発光型ＬＥＤ構造であってもいい。
【００３０】
また、半導体ウェハ上の半導体発光素子は、波長は赤外域でもよいし、可視域でもよいし、紫外域でもよい。
【００３１】
［プローブ部］
プローブ部４は、半導体ウェハに形成された半導体発光素子の電極から素子に電気信号を入力したり、素子から電気信号を取り出したりするのに用いられる。プローブ部４は、一般的に、銅、アルミニウム等の金属からなる触針を複数備える。触針の測定対象となる半導体発光素子に設けられた電極と接触する部分は、オーミック接触を形成する金属で構成されていることが好ましい。また、半導体発光素子の電極とオーミック接触となる金属を、触針の先端部にめっきしてもよい。触針はプローブ部４の本体部から押し出されるように付勢され、半導体発光素子の電極等に触針の先端が押し付けられたときに適度な圧力によって、電極とプローブ部４の各触針は、電源や測定器に接続される（図示しない）。そして、必要な測定内容によって、この電源から半導体発光素子に電気信号が入力され、それに応答して半導体発光素子から出力される信号を測定器で測定する。
【００３２】
［受光部］
受光部２は、半導体ウェハ上の半導体発光素子からの発光量を測定する機能を有する。
【００３３】
受光部２は効率的に光学特性を取得する観点から、積分球と検出器（図示しない）とを備えていることが好ましい。
【００３４】
積分球とは、球面状の内壁が約１００％の反射率に形成された球体を意味する。３００ｎｍ〜１３００ｎｍ程度の波長帯域の光を測定する場合には、球面状の内壁を、所定厚の硫酸バリウムでコーティングする。また、波長帯域２５０ｎｍ〜２５００ｎｍの光を測定する場合は、ＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロチレン）の粉末を押し固めた内壁とされ、さらに、赤外域の波長帯域１μｍ〜２μｍを測定する場合には、内壁を金メッキするのが好ましい。積分球は、高反射率の内壁を有するので、積分球の内部に光源を配置すると、光源からの放射光は、高反射率の内壁で拡散反射され、この拡散反射光が、繰り返し積分球の内壁に当たり拡散されることになる。この結果、放射光の指向性が積分されて、積分球内の計測位置に拘わらず、ほぼ均一な明るさを得ることができる。この計測値は、光源の全光量に比例するので、基準光源（マスタワーク）による基準出力値で校正することにより、測定対象の光源の光量を特定することが可能となる。
【００３５】
また、検出器とは、光量を測定できる機器を意味する。検出器に設置されたフォトダイオード部に光を照射すると、電流や電圧を発生し光量を測定することが出来る。検出器には光を波長ごとに分散させる分光器が備えられていてもよい。検出器を積分球内に設置することにより、測定対象の光源の光量を特定することが可能となる。
【００３６】
以下、本実施形態の半導体発光素子評価装置１のより具体的な形態や、半導体発光素子の評価方法に係る形態について、さらに説明する。
【００３７】
図１に示されるように、一例として、半導体発光素子評価装置１は、一辺の長さがＬの正方形状のステージ部６の上面中央部に直径ａのドーナツ状のウェハ吸着部３を有している。そして、このウェハ吸着部３は、真空溝５を介して排気口７につながっている。よって、排気口７に真空ポンプ等の装置を接続し、ウェハ吸着部３が半導体ウェハで覆われた状態で減圧せしめることで、半導体ウェハをステージ部６に固定することが出来る。
【００３８】
図２は、ウェハ吸着部３の変形例を示す図である。ウェハ吸着部３は、例えば、図２（ａ）に示されるように円形状であってもよいし、図２（ｂ）に示されるように多角形状であってもよいし、図２（ｃ）に示されるようにクロス状であってもよい。さらに、これらの組み合わせであってもよい。
【００３９】
また、上述したように、半導体発光素子評価装置１は、ステージ部６の上面側に搭載される半導体ウェハ上の半導体発光素子に電力を印加することが可能なプローブ部４と、半導体発光素子から出力された光を受光するステージ部６の下面側に配置された受光部２と、を備えている。ステージ部６が、垂直方向および水平方向に移動可能な場合は、プローブ部４と受光部２は、固定されていても、ステージ部６のほうが動くことによって測定が可能である。またステージ部６が移動できない場合は、プローブ部４と受光部２との水平方向における相対的位置関係を保持したまま、プローブ部４と受光部２とを移動可能な構成とすることにより、測定を行うことが可能である。
【００４０】
また、本例の半導体発光素子評価装置１の真空溝５は、図１（ｂ）に示されるように、第１の軸方向に延在している。そして、第１の軸方向に垂直かつステージ部６の平面に平行な第２の軸方向におけるステージ部６の長さをＬとして、この第２の軸方向におけるウェハ吸着部３の開口部の長さをａとすると、ａ＜Ｌ／４の関係を満たしていることが好ましい。
【００４１】
図３は、本実施形態の半導体発光素子評価装置のステージ部上面に、半導体発光素子が形成された半導体ウェハを積載した状態における上面模式図および断面模式図である。
【００４２】
図３（ａ）および図３（ｂ）に示されるように、半導体ウェハ１０の外縁部でウェハ吸着部３を覆った状態で半導体ウェハ１０を固定する第１設置工程と、排気口７から真空溝５を介して減圧することで半導体ウェハ１０をステージ部６上に固定する第１固定工程とを行う。そして第１の群１１の半導体発光素子のそれぞれに対してプロ−ブ部４から電力を印加し、電力が印加された半導体発光素子からステージ部６を介して出射した光を受光部２が受光する（第１評価工程）。ここで、図３（ａ）を参照すると、半導体ウェハ１０の半分以上の領域（第１の群）１１に存在する半導体発光素子から出力されて受光部２にて受光される光は、ウェハ吸着部３および真空溝５による光学的干渉を生じることなく、第１の群１１に存在する半導体発光素子の光学特性を評価可能であることが理解される。
【００４３】
次いで、一度減圧を開放して半導体ウェハ１０の固定を解除する。そして、図３（ｃ）および図３（ｄ）に示されるように、ウェハ吸着部３が、上述した第１評価工程で測定された第１の群１１で覆われる状態になるように半導体ウェハ１０を移動してから（第２設置工程）、再び減圧して半導体ウェハ１０を固定する第２固定工程を行う。その後、第１評価工程と同様に、第２の群１２の半導体発光素子のそれぞれに対してプロ−ブ部４から電力を印加し、電力が印加された半導体発光素子からステージ部６を介して出射した光を受光部２が受光する（第２評価工程）。このような工程を経ることで、図３（ｃ）に示されるように、未測定の半導体ウェハ１０の第２の群１２に存在する半導体発光素子は、ウェハ吸着部３および真空溝５による光学的干渉を生じることなく、第２の群１２の半導体発光素子の光学特性を評価可能であることが理解される。また、この際、半導体ウェハ１０は、真空溝５が延在する第１の軸方向に垂直かつ、ステージ部６の平面部に平行な第２の軸方向に移動することが効率的であり、より好ましい。
【００４４】
以上のような工程を経ることで、半導体ウェハ１０上のすべての半導体発光素子について、ウェハ吸着部３および真空溝５による光学的干渉を生じることなく光学特性を評価することが可能になることが理解される。
【００４５】
ところで、ステージ部６の大きさや半導体ウェハ１０の大きさによっては、ステージ部６の端の近傍にて測定される半導体発光素子は、ステージ部６の端部方向に出射した光の一部が受光部２に到達しない、ステージ部６とは光の吸光率等が異なる空間を通過して受光部２に到達する、等の事象が発生することが想定される。これを補償するために、図４に示されるように、ステージ部６の側面（第１の軸方向に平行な側面）を反射率の高い部材１５で覆うようになっていると、より好ましい。
【００４６】
また、半導体ウェハ１０の大きさとしては、真空溝５が延在する第１の軸方向に垂直かつステージ部６の平面部に平行な第２の軸方向におけるステージの長さをＬとし、半導体ウェハ１０の直径をφとしたときに、φ＜Ｌ／２であることが効率的であり、より好ましい。また、少ない移動回数ですべての半導体発光素子の光学特性の評価を実現する観点から、ａ＜φ／２であると、より好ましい。
【００４７】
ここまで、本発明の一実施形態について説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されず、その技術的思想の範囲内において種々異なる形態にて実施されてよいことは言うまでもない。本発明の範囲は、図示され記載された例示的な実施形態に限定されるものではなく、本発明が目的とするものと均等な効果をもたらすすべての実施形態をも含む。さらに、本発明の範囲は、すべての開示されたそれぞれの特徴のうち特定の特徴のあらゆる所望する組み合わせによって画されうる。
【符号の説明】
【００４８】
１  半導体発光素子評価装置
２  受光部
３  ウェハ吸着部
４  プローブ部
５  真空溝
６  ステージ部
７  排気口
１０  半導体ウェハ
１１  第１の領域
１２  第２の領域
１５  高反射率部材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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