(57)【要約】【課題】縦型の半導体装置を製造する際に、レジストとは反対側に形成された電極がレジスト剥離工程によって損傷することを抑制する。【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体装置の元となる基板における表側および裏側のうち一方の側に、レジストを形成する工程と；表側および裏側のうち一方の側とは異なる他方の側に、電極を形成する工程と；レジストおよび電極が形成された基板を、他方の側を下に向けて載置台の上に載置することによって、電極を前記載置台に接触させる工程と、電極を載置台に接触させた前記基板に対して、レジストを灰化させる処理ガスを供給することによって、基板からレジストを剥離するレジスト剥離工程とを備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体装置の製造方法であって、
半導体装置の元となる基板における表側および裏側のうち一方の側に、レジストを形成する工程と、
前記表側および前記裏側のうち前記一方の側とは異なる他方の側に、電極を形成する工程と、
前記レジストおよび前記電極が形成された前記基板を、前記他方の側を下に向けて載置台の上に載置することによって、前記電極を前記載置台に接触させる工程と、
前記電極を前記載置台に接触させた前記基板に対して、前記レジストを灰化させる処理ガスを供給することによって、前記基板から前記レジストを剥離するレジスト剥離工程と
を備える半導体装置の製造方法。
【請求項２】
銀（Ａｇ）および銅（Ｃｕ）の少なくとも一方を用いて前記電極を形成する、請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記レジスト剥離工程を行う際、前記載置台に形成された凹部に前記基板を嵌め込みつつ前記電極を前記載置台に接触させた状態で、前記基板から前記レジストを剥離する、請求項１または請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記レジスト剥離工程を行う際、前記載置台に設けられた吸着機構を用いて前記基板を前記載置台に吸着させながら、前記基板から前記レジストを剥離する、請求項１から請求項３までのいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記レジスト剥離工程を行う際、前記処理ガスとして酸化性ガスを用いて前記基板から前記レジストを剥離する、請求項１から請求項４までのいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記レジスト剥離工程を行う際、前記載置台に設けられた弾性体に前記電極を接触させた状態で、前記基板から前記レジストを剥離する、請求項１から請求項５までのいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記レジスト剥離工程を行う際、前記載置台に設けられた押圧機構を用いて前記基板を前記載置台に押圧しながら、前記基板から前記レジストを剥離する、請求項１から請求項６までのいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記レジスト剥離工程を行う際、前記表側に前記処理ガスを吹き付けることによって前記基板を前記載置台に押し付けながら、前記基板から前記レジストを剥離する、請求項１から請求項７までのいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記レジスト剥離工程を行う際、前記載置台における前記基板の外縁に対向する部位から非酸化性ガスを放出しながら、前記基板から前記レジストを剥離する、請求項１から請求項８までのいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
基板からレジストを剥離するレジスト剥離装置であって、
表側および裏側のうち一方の側に前記レジストが形成されるとともに前記一方の側とは異なる他方の側に電極が形成された前記基板を、保持する載置台と、
前記他方の側を下に向けて載置台の上に前記基板を載置することによって前記電極を前記載置台に接触させた状態で、前記レジストを灰化させる処理ガスを前記基板に対して供給する処理ガス供給部と
を備えるレジスト剥離装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法およびレジスト剥離装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置（半導体デバイス、半導体素子）の１つである縦型の半導体装置は、基板（ウェハ）における表側および裏側にそれぞれ電極を形成することによって作製される。縦型の半導体装置を製造する製造方法として、裏側に電極を形成する際に表側への電極材料の付着を防止するため、表面側にレジストを形成した後に裏側に電極を形成することが知られている。また、特許文献１には、裏側に電極を形成した後に、レジストで形成したマスクパターンを用いたリフトオフによって、表面側に電極を形成することも知られている（例えば、特許文献１を参照）。
【０００３】
半導体装置を完成させるには、半導体装置に形成されたレジストを剥離する必要がある。製造途中において半導体装置に残存するレジストは、後工程で熱処理を加える際に半導体装置を汚染する要因となる。また、完成後に半導体装置に残存するレジストは、半導体装置の動作特性を悪化させる要因ともなる。
【０００４】
半導体装置に残存するレジストを剥離する処理として、処理ガス（例えば、オゾン、酸素プラズマなど）を用いてレジストを灰化(アッシング、Ashing)するレジスト剥離（Resist Stripping）と呼ばれる処理が知られている。一般的に、レジスト剥離は、表側および裏側の両側に残存するレジストを効果的に剥離するために、基板を立てた状態で実施される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特許第４８３５１７７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
表側および裏側のうち一方の側にレジストが残存するとともに他方の側に電極が形成されている基板に対して、基板を立てた状態でレジスト剥離を実施する場合、処理ガスによって電極が損傷するという問題があった。なお、酸化に強い材料を用いて電極を形成する対策では、電極の導電性ならびに半導体層に対する電気特性および密着性などを犠牲にしなければならないという問題があった。また、レジスト剥離に先立って電極の上に保護膜を形成する対策では、保護膜の形成および除去を行うために製造工程が複雑化するという問題があった。
【０００７】
そのため、縦型の半導体装置を製造する際に、レジストとは反対側に形成された電極がレジスト剥離工程によって損傷することを抑制できる技術が望まれていた。そのほか、半導体装置においては、低コスト化、微細化、製造の容易化、省資源化、使い勝手の向上、耐久性の向上などが望まれていた。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態として実現することが可能である。
【０００９】
（１）本発明の一形態は、半導体装置の製造方法を提供する。この製造方法は、前記表側および前記裏側のうち一方の側に、レジストを形成する工程と；前記表側および前記裏側のうち前記一方の側とは異なる他方の側に、電極を形成する工程と；  前記レジストおよび前記電極が形成された前記基板を、前記他方の側を下に向けて載置台の上に載置することによって、前記電極を前記載置台に接触させる工程と；前記電極を前記載置台に接触させた前記基板に対して、前記レジストを灰化させる処理ガスを供給することによって、前記基板から前記レジストを剥離するレジスト剥離工程とを備える。この製造方法によれば、電極が処理ガスに晒されることを載置台によって抑制できる。したがって、レジスト剥離による電極の損傷を抑制できる。
【００１０】
（２）上記形態の製造方法において、銀（Ａｇ）および銅（Ｃｕ）の少なくとも一方を用いて前記電極を形成してもよい。この形態によれば、比較的に酸化しやすい材料を用いて電極を形成できる。
【００１１】
（３）上記形態の製造方法において、前記レジスト剥離工程を行う際、前記載置台に形成された凹部に前記基板を嵌め込みつつ前記電極を前記載置台に接触させた状態で、前記基板から前記レジストを剥離してもよい。この形態によれば、載置台と電極との間に処理ガスが入り込むことを凹部によっていっそう抑制できる。したがって、レジスト剥離による電極の損傷をいっそう防止できる。
【００１２】
（４）上記形態の製造方法において、前記レジスト剥離工程を行う際、前記載置台に設けられた吸着機構を用いて前記基板を前記載置台に吸着させながら、前記基板から前記レジストを剥離してもよい。この形態によれば、電極を載置台に吸着させることによって、載置台と電極との密着性を向上させることができる。これによって、載置台と電極との間に処理ガスが入り込むことをいっそう抑制できる。したがって、レジスト剥離による電極の損傷をいっそう防止できる。
【００１３】
（５）上記形態の製造方法において、前記レジスト剥離工程を行う際、前記処理ガスとして酸化性ガスを用いて前記基板から前記レジストを剥離してもよい。この形態によれば、酸化性ガスを用いたレジスト剥離による電極の損傷を抑制できる。
【００１４】
（６）上記形態の製造方法において、前記レジスト剥離工程を行う際、前記載置台に設けられた弾性体に前記電極を接触させた状態で、前記基板から前記レジストを剥離してもよい。この形態によれば、弾性体の弾性変形によって載置台と電極との密着性を向上させることができる。そのため、載置台と電極との間に処理ガスが入り込むことをいっそう抑制できる。したがって、レジスト剥離による電極の損傷をいっそう防止できる。
【００１５】
（７）上記形態の製造方法において、前記レジスト剥離工程を行う際、前記載置台に設けられた押圧機構を用いて前記基板を前記載置台に押圧しながら、前記基板から前記レジストを剥離してもよい。この形態によれば、押圧機構による押圧力によって載置台と電極との密着性を向上させることができる。これによって、載置台と電極との間に処理ガスが入り込むことをいっそう抑制できる。したがって、レジスト剥離による電極の損傷をいっそう防止できる。
【００１６】
（８）上記形態の製造方法において、前記レジスト剥離工程を行う際、前記表側に前記処理ガスを吹き付けることによって前記基板を前記載置台に押し付けながら、前記基板から前記レジストを剥離してもよい。この形態によれば、処理ガスによる押圧力によって載置台と電極との密着性を向上させることができる。これによって、載置台と電極との間に処理ガスが入り込むことをいっそう抑制できる。したがって、レジスト剥離による電極の損傷をいっそう防止できる。
【００１７】
（９）上記形態の製造方法において、前記レジスト剥離工程を行う際、前記載置台における前記基板の外縁に対向する部位から非酸化性ガスを放出しながら、前記基板から前記レジストを剥離してもよい。この形態によれば、載置台と電極との間に処理ガスが入り込むことを非酸化性ガスによっていっそう抑制できる。したがって、レジスト剥離による電極の損傷をいっそう防止できる。
【００１８】
（１０）本発明の一形態は、基板からレジストを剥離するレジスト剥離装置を提供する。このレジスト剥離装置は、表側および裏側のうち一方の側に前記レジストが形成されるとともに前記一方の側とは異なる他方の側に電極が形成された前記基板を、保持する載置台と；前記他方の側を下に向けて載置台の上に前記基板を載置することによって前記電極を前記載置台に接触させた状態で、前記レジストを灰化させる処理ガスを前記基板に対して供給する処理ガス供給部とを備える。この形態によれば、電極が処理ガスに晒されることを載置台によって抑制できる。したがって、レジスト剥離による電極の損傷を抑制できる。
【００１９】
本発明は、半導体装置の製造方法以外の種々の形態で実現することも可能であり、例えば、半導体装置の製造装置およびレジスト剥離装置などの形態で実現できる。
【発明の効果】
【００２０】
本願発明によれば、電極が処理ガスに晒されることを載置台によって抑制できる。したがって、レジスト剥離による電極の損傷を抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】レジスト剥離装置の構成を示す説明図である。
【図２】基板が載置台に載置されている様子を示す説明図である。
【図３】レジスト剥離装置によって処理された基板の裏側を示す説明図である。
【図４】半導体装置の製造方法を示す工程図である。
【図５】製造途中にある半導体装置の構成を模式的に示す断面図である。
【図６】製造途中にある半導体装置の構成を模式的に示す断面図である。
【図７】製造途中にある半導体装置の構成を模式的に示す断面図である。
【図８】製造途中にある半導体装置の構成を模式的に示す断面図である。
【図９】製造途中にある半導体装置の構成を模式的に示す断面図である。
【図１０】第２実施形態における載置台を示す説明図である。
【図１１】第３実施形態における載置台を示す説明図である。
【図１２】第４実施形態における載置台を示す説明図である。
【図１３】第５実施形態における載置台を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
Ａ．第１実施形態
図１は、レジスト剥離装置５００の構成を示す説明図である。レジスト剥離装置５００は、半導体装置の元となる基板１１０からレジストを剥離する半導体製造装置である。基板１１０は、製造途中にある半導体装置１００ｐの一部である。レジスト剥離装置５００は、処理ガス供給部５１０と、載置台５５０とを備える。
【００２３】
レジスト剥離装置５００の処理ガス供給部５１０は、載置台５５０に載置された基板１１０に対して、レジストを灰化させる処理ガスＰＧを供給する。本実施形態では、処理ガスＰＧは、酸素プラズマを含む酸化性ガスである。他の実施形態では、処理ガスＰＧは、オゾンを含む酸化性ガスであってもよい。
【００２４】
レジスト剥離装置５００の載置台５５０は、基板１１０を保持可能に構成された表面５５１を有する。本実施形態では、表面５５１は、水平面である。本実施形態では、表面５５１は、アルミニウム（Ａｌ）製である。
【００２５】
図２は、基板１１０が載置台５５０に載置されている様子を示す説明図である。基板１１０は、ウェハとも呼ばれる。基板１１０は、円盤状を成す。本実施形態では、基板１１０は、窒化ガリウム（ＧａＮ）から主に成る。本明細書の説明において、「窒化ガリウム（ＧａＮ）から主に成る」とは、モル分率において窒化ガリウム（ＧａＮ）を９０％以上含有することを意味する。
【００２６】
基板１１０の表側Ｓ１には、半導体層、絶縁膜および電極の少なくとも１つを含む素子構造ＳＳが形成されている。素子構造ＳＳは、基板１１０とともに、製造途中にある半導体装置１００ｐの一部である。
【００２７】
素子構造ＳＳの上には、レジスト２００が形成されている。本実施形態では、レジスト２００は、フォトレジストである。
【００２８】
基板１１０の裏側Ｓ２には、裏面電極１６０が形成されている。裏面電極１６０は、基板１１０とともに、製造途中にある半導体装置１００ｐの一部である。本実施形態では、裏面電極１６０は、基板１１０における裏側Ｓ２の全面にわたって形成されている。他の実施形態では、裏面電極１６０は、基板１１０における裏側Ｓ２に部分的に形成されていてもよい。
【００２９】
本実施形態では、裏面電極１６０は、基板１１０の表面にオーミック接触するオーミック電極である。本実施形態では、裏面電極１６０は、銀（Ａｇ）を用いた電極である。他の実施形態では、裏面電極１６０は、銅（Ｃｕ）を用いた電極であってもよい。
【００３０】
レジスト剥離装置５００では、基板１１０は、裏側Ｓ２を下に向けて載置台５５０の上に載置される。これによって、裏面電極１６０は、載置台５５０の表面５５１に接触した状態で保持される。
【００３１】
処理ガス供給部５１０は、裏面電極１６０を載置台５５０に接触させた状態で、処理ガスＰＧを基板１１０に対して供給する。これによって、基板１１０の表側Ｓ１からレジスト２００が除去される。
【００３２】
図３は、レジスト剥離装置５００によって処理された基板１１０の裏側Ｓ２を示す説明図である。基板１１０の裏側Ｓ２には、剥離領域ＳＡが形成されている。図３では、剥離領域ＳＡにハッチングが施されている。剥離領域ＳＡは、レジスト剥離装置５００による処理中に、裏面電極１６０と表面５５１との隙間から侵入した処理ガスによって、裏面電極１６０の一部が剥離した領域である。そのため、剥離領域ＳＡは、基板１１０の外縁部に形成されている。基板１１０から製造される半導体装置は、裏面電極１６０が処理ガスによる損傷を受けていない部分を用いて作製される。
【００３３】
図４は、半導体装置の製造方法を示す工程図である。図５、図６，図７、図８、図９は、製造途中にある半導体装置の構成を模式的に示す断面図である。本実施形態で製造される半導体装置は、縦型トレンチＭＯＳＦＥＴ（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）である。本実施形態では、半導体装置１００は、電力制御に用いられ、パワーデバイスとも呼ばれる。
【００３４】
図５には、相互に直交するＸＹＺ軸が図示されている。図５のＸＹＺ軸のうち、Ｘ軸は、図５の紙面左から紙面右に向かう軸である。＋Ｘ軸方向は、紙面右に向かう方向であり、−Ｘ軸方向は、紙面左に向かう方向である。図５のＸＹＺ軸のうち、Ｙ軸は、図５の紙面手前から紙面奥に向かう軸である。＋Ｙ軸方向は、紙面奥に向かう方向であり、−Ｙ軸方向は、紙面手前に向かう方向である。図５のＸＹＺ軸のうち、Ｚ軸は、図５の紙面下から紙面上に向かう軸である。＋Ｚ軸方向は、紙面上に向かう方向であり、−Ｚ軸方向は、紙面下に向かう方向である。図５のＸＹＺ軸は、他の図のＸＹＺ軸に対応する。
【００３５】
まず、製造者は、基板１１０の表側Ｓ１（＋Ｚ軸方向側）に半導体層１１２，１１４，１１６を結晶成長によって形成する（工程Ｐ１１０、図５）。これによって、製造者は、製造途中にある半導体装置１００ａを得る。本実施形態では、製造者は、有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ：Metal Organic Chemical Vapor Deposition）を用いて半導体層１１２，１１４，１１６を形成する。
【００３６】
半導体層１１２は、基板１１０の＋Ｚ軸方向側に位置し、Ｘ軸およびＹ軸に沿って広がる半導体層である。本実施形態では、半導体層１１２は、窒化ガリウム（ＧａＮ）から主に成る。本実施形態では、半導体層１１２は、ケイ素（Ｓｉ）をドナー元素として含有するｎ型半導体である。
【００３７】
半導体装置１００の半導体層１１４は、半導体層１１２の＋Ｚ軸方向側に位置し、Ｘ軸およびＹ軸に沿って広がる半導体層である。本実施形態では、半導体層１１４は、窒化ガリウム（ＧａＮ）から主に成る。本実施形態では、半導体層１１４は、マグネシウム（Ｍｇ）をアクセプタ元素として含有するｐ型半導体である。
【００３８】
半導体装置１００の半導体層１１６は、半導体層１１４の＋Ｚ軸方向側に位置し、Ｘ軸およびＹ軸に沿って広がる半導体層である。本実施形態では、半導体層１１６は、窒化ガリウム（ＧａＮ）から主に成る。本実施形態では、半導体層１１６は、ケイ素（Ｓｉ）をドナー元素として含有するｎ型半導体である。
【００３９】
半導体層１１２，１１４，１１６を形成した後（工程Ｐ１１０）、製造者は、基板１１０の表側Ｓ１に絶縁膜１３０および電極１５０，１４０，１７０を形成する（工程Ｐ１２０、図６）。これによって、製造者は、製造途中にある半導体装置１００ｂを得る。
【００４０】
本実施形態では、製造者は、絶縁膜１３０の形成に先立って、ドライエッチングによってトレンチ１２２，１２８およびリセス１２４を形成する。その後、製造者は、絶縁膜１３０を形成する。本実施形態では、製造者は、原子層堆積法（ＡＬＤ）によって、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）から主に成る絶縁膜１３０を形成する。絶縁膜１３０を形成した後、製造者は、ウェットエッチングによって絶縁膜１３０にコンタクトホール１３６，１３８を形成する。
【００４１】
コンタクトホール１３６，１３８を形成した後、製造者は、電極１４０，１７０，１５０を形成する。電極１４０は、コンタクトホール１３６を通じて半導体層１１６にオーミック接触するソース電極である。電極１５０は、絶縁膜１３０を介してトレンチ１２２に形成されたゲート電極である。電極１７０は、コンタクトホール１３８を通じて半導体層１１４にオーミック接触するボディー電極である。
【００４２】
電極１４０，１７０，１５０を形成した後（工程Ｐ１２０）、製造者は、基板１１０の表側Ｓ１にレジスト２００を形成する（工程Ｐ１３０、図７）。これによって、製造者は、製造途中にある半導体装置１００ｃを得る。本実施形態では、製造者は、基板１１０における表側Ｓ１の全面にレジスト２００を形成する。レジスト２００は、後工程で裏面電極１６０を形成する際に（工程Ｐ１４０）、基板１１０の表側Ｓ１に電極材料の付着を防止する保護膜として機能する。
【００４３】
レジスト２００を形成した後（工程Ｐ１３０）、製造者は、基板１１０の裏側Ｓ２に裏面電極１６０を形成する（工程Ｐ１４０、図８）。これによって、製造者は、製造途中にある半導体装置１００ｐを得る。本実施形態では、製造者は、基板１１０における裏側Ｓ２の全面に裏面電極１６０を形成する。本実施形態では、製造者は、スパッタ法によって裏面電極１６０を形成する。
【００４４】
本実施形態では、製造者は、銀（Ａｇ）を用いて裏面電極１６０を形成する。本実施形態では、製造者は、基板１１０側から順に、３０ｎｍ（ナノメートル）のチタン（Ｔｉ）から主に成る金属層と、３００ｎｍのアルミニウムケイ素合金（ＡｌＳｉ）から主に成る金属層と、１０ｎｍのチタン（Ｔｉ）から主に成る金属層と、２００ｎｍの窒化チタン（ＴｉＮ）から主に成る金属層と、１０ｎｍのチタン（Ｔｉ）から主に成る金属層と、１００ｎｍの銀（Ａｇ）から主に成る金属層とを積層することによって、裏面電極１６０を形成する。銀（Ａｇ）から主に成る金属層の厚さは、裏側Ｓ２の全域に形成する観点から５ｎｍ以上であることが好ましく、この金属層の応力による裏面電極１６０の剥離を防止する観点から１００μｍ（マイクロメートル）以下であることが好ましい。他の実施形態では、製造者は、銅（Ｃｕ）を用いた裏面電極１６０を形成してもよい。
【００４５】
裏面電極１６０を形成した後（工程Ｐ１４０）、製造者は、裏面電極１６０が載置台５５０に接触するように、裏側Ｓ２を下に向けて基板１１０（半導体装置１００ｐ）を載置台５５０の上に載置する（工程Ｐ１５４、図１を参照）。本実施形態では、製造者は、裏面電極１６０が載置台５５０の表面５５１に接触するように、基板１１０を載置台５５０に載置する。
【００４６】
基板１１０を載置台５５０に載置した後（工程Ｐ１５４）、製造者は、レジスト剥離工程（工程Ｐ１５６）を実施する。レジスト剥離工程（工程Ｐ１５６）では、製造者は、裏面電極１６０を載置台５５０に接触させた状態で処理ガス供給部５１０から基板１１０に対して処理ガスＰＧを供給することによって、基板１１０からレジスト２００を剥離する。これによって、製造者は、基板１１０の表側Ｓ１からレジスト２００が除去された半導体装置１００を得る（図９）。レジスト剥離工程（工程Ｐ１５６）を実施する処理時間は、１０秒以上であることが好ましく、本実施形態では、４分である。
【００４７】
レジスト剥離工程（工程Ｐ１５６）を行った後、ダイシングを経て半導体装置１００が完成する。
【００４８】
以上説明した第１実施形態によれば、裏面電極１６０が処理ガスＰＧに晒されることを載置台５５０の表面５５１によって抑制できる。したがって、レジスト剥離工程（工程Ｐ１５６）による裏面電極１６０の損傷を抑制できる。また、比較的に酸化しやすい材料である銀（Ａｇ）を用いて裏面電極１６０を形成できる。
【００４９】
Ｂ．第２実施形態
図１０は、第２実施形態における載置台５５０Ｂを示す説明図である。第２実施形態の載置台５５０Ｂは、表面５５１に凹部５５２が形成されている点を除き、第１実施形態の載置台５５０と同様である。載置台５５０Ｂの凹部５５２は、表面５５１に対して窪んだ部位であり、基板１１０に嵌まり合う形状を成す。凹部５５２は、側面５５２ｓと、底面５５２ｂとを有する。本実施形態では、側面５５２ｓは、垂直面であり、底面５５２ｂは、水平面である。第２実施形態における半導体装置の製造方法は、レジスト剥離工程（工程Ｐ１５６）において、凹部５５２に基板１１０を嵌め込みつつ裏面電極１６０を底面５５２ｂに接触させた状態で、基板１１０からレジスト２００を剥離する点を除き、第１実施形態と同様である。
【００５０】
第２実施形態によれば、裏面電極１６０が処理ガスＰＧに晒されることを載置台５５０Ｂの底面５５２ｂによって抑制できる。また、側面５５２ｓによって段差が形成されるため、載置台５５０Ｂと裏面電極１６０との間に処理ガスＰＧが入り込むことをいっそう抑制できる。したがって、レジスト剥離工程（工程Ｐ１５６）による裏面電極１６０の損傷をいっそう防止できる。
【００５１】
Ｃ．第３実施形態
図１１は、第３実施形態における載置台５５０Ｃを示す説明図である。第３実施形態の載置台５５０Ｃは、表面５５１に吸着機構５５３Ｃが設けられている点を除き、第１実施形態の載置台５５０と同様である。載置台５５０Ｃの吸着機構５５３Ｃは、表面５５１に載置された基板１１０に対向する位置に設けられ、基板１１０を載置台５５０Ｃに吸着する機構である。本実施形態では、吸着機構５５３Ｃは、表面５５１に形成された孔に負圧を供給する機構である。第３実施形態における半導体装置の製造方法は、レジスト剥離工程（工程Ｐ１５６）において、吸着機構５５３Ｃを用いて基板１１０を載置台５５０Ｃに吸着させながら、基板１１０からレジスト２００を剥離する点を除き、第１実施形態と同様である。
【００５２】
第３実施形態によれば、裏面電極１６０が処理ガスＰＧに晒されることを載置台５５０Ｃの表面５５１によって抑制できる。また、裏面電極１６０を載置台５５０Ｃに吸着させることによって、載置台５５０Ｃと裏面電極１６０との密着性を向上させることができる。これによって、載置台５５０Ｃと裏面電極１６０との間に処理ガスＰＧが入り込むことをいっそう抑制できる。したがって、レジスト剥離工程（工程Ｐ１５６）による裏面電極１６０の損傷をいっそう防止できる。
【００５３】
Ｄ．第４実施形態
図１２は、第４実施形態における載置台５５０Ｄを示す説明図である。第４実施形態の載置台５５０Ｄは、表面５５１に放出機構５５４Ｄが設けられている点を除き、第３実施形態の載置台５５０Ｃと同様である。載置台５５０Ｄの放出機構５５４Ｄは、表面５５１に載置された基板１１０の外縁に対向する位置に設けられ、非酸化性ガスを放出する機構である。本実施形態では、放出機構５５４Ｄは、表面５５１に形成された孔５５４Ｄｄから非酸化性ガスとして窒素（Ｎ２）を放出する機構である。孔５５４Ｄｄから放出される非酸化性ガスは、その一部が基板１１０の外縁部に当たり、基板１１０の外縁部と載置台５５０Ｄとの隙間から、基板１１０の外縁部に沿って放出される。第４実施形態における半導体装置の製造方法は、レジスト剥離工程（工程Ｐ１５６）において、放出機構５５４Ｄから非酸化性ガスを放出しながら、基板１１０からレジスト２００を剥離する点を除き、第３実施形態と同様である。
【００５４】
第４実施形態によれば、裏面電極１６０が処理ガスＰＧに晒されることを載置台５５０Ｄの表面５５１によって抑制できる。また、載置台５５０Ｄと裏面電極１６０との間に処理ガスＰＧが入り込むことを非酸化性ガスによっていっそう抑制できる。したがって、レジスト剥離工程（工程Ｐ１５６）による裏面電極１６０の損傷をいっそう防止できる。
【００５５】
Ｅ，第５実施形態
図１３は、第５実施形態における載置台５５０Ｅを示す説明図である。第５実施形態の載置台５５０Ｅは、表面５５１の少なくとも一部として弾性体５５５Ｄが設けられている点を除き、第１実施形態の載置台５５０と同様である。本実施形態では、弾性体５５５Ｄは、ゴムから主に成る。第５実施形態における半導体装置の製造方法は、レジスト剥離工程（工程Ｐ１５６）において、弾性体５５５Ｄに裏面電極１６０を接触させた状態で、基板１１０からレジスト２００を剥離する点を除き、第１実施形態と同様である。
【００５６】
第５実施形態によれば、裏面電極１６０が処理ガスＰＧに晒されることを載置台５５０Ｅの表面５５１によって抑制できる。また、弾性体５５５Ｄの弾性変形によって載置台５５０Ｅと裏面電極１６０との密着性を向上させることができる。そのため、載置台５５０Ｅと裏面電極１６０との間に処理ガスＰＧが入り込むことをいっそう抑制できる。したがって、レジスト剥離工程（工程Ｐ１５６）による裏面電極１６０の損傷をいっそう防止できる。
【００５７】
Ｆ．他の実施形態
本発明は、上述の実施形態や実施例、変形例に限られるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲において種々の構成で実現することができる。例えば、発明の概要の欄に記載した各形態中の技術的特徴に対応する実施形態、実施例、変形例中の技術的特徴は、上述の課題の一部または全部を解決するために、あるいは、上述の効果の一部または全部を達成するために、適宜、差し替えや、組み合わせを行うことが可能である。また、その技術的特徴が本明細書中に必須なものとして説明されていなければ、適宜、削除することが可能である。例えば、レジスト剥離工程は、基板に形成されているレジストの全てを、酸化性ガスを用いて除去する工程であってもよいし、酸化ガスを利用しない他の手法によってレジストの大部分を予め除去した後、基板に残されたレジストを、酸化性ガスを用いて除去する工程であってもよい。酸化ガスを利用しない他の手法は、レジストを溶融させる液体に基板を浸漬する手法であってもよいし、液体の噴流による圧力によって基板からレジストを剥がす手法であってもよい。
【００５８】
上述の実施形態において、レジスト剥離工程（工程Ｐ１５６）を行う際、載置台５５０に設けられた押圧機構を用いて基板１１０を載置台５５０に押圧しながら、基板１１０からレジスト２００を剥離してもよい。押圧機構は、バネを用いて基板１１０の外縁部を載置台５５０に押圧する機構であってもよいし、磁力を用いて基板１１０の外縁部を載置台５５０に押圧する機構であってもよい。この形態によれば、押圧機構による押圧力によって載置台５５０と裏面電極１６０との密着性を向上させることができる。これによって、載置台５５０と裏面電極１６０との間に処理ガスＰＧが入り込むことをいっそう抑制できる。したがって、レジスト剥離工程（工程Ｐ１５６）による裏面電極１６０の損傷をいっそう防止できる。
【００５９】
上述の実施形態において、レジスト剥離工程（工程Ｐ１５６）を行う際、基板１１０の表側Ｓ１に処理ガスＰＧを吹き付けることによって基板１１０を載置台５５０に押し付けながら、基板１１０からレジスト２００を剥離してもよい。この形態によれば、処理ガスＰＧによる押圧力によって載置台５５０と裏面電極１６０との密着性を向上させることができる。これによって、載置台５５０と裏面電極１６０との間に処理ガスＰＧが入り込むことをいっそう抑制できる。したがって、レジスト剥離工程（工程Ｐ１５６）による裏面電極１６０の損傷をいっそう防止できる。
【００６０】
本発明が適用される半導体装置は、上述の実施形態で説明した縦型トレンチＭＯＳＦＥＴに限られず、縦型の半導体装置であればよい。上述の実施形態において、基板の材質は、窒化ガリウム（ＧａＮ）に限らず、ケイ素（Ｓｉ）、サファイア（Ａｌ２Ｏ３）および炭化ケイ素（ＳｉＣ）などのいずれであってもよい。上述の実施形態において、各半導体層の材質は、窒化ガリウム（ＧａＮ）に限らず、ケイ素（Ｓｉ）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、ヒ化ガリウム（ＧａＡｓ）およびリン化インジウム（ＩｎＰ）などのいずれであってもよい。
【符号の説明】
【００６１】
１００，１００ａ，１００ｂ，１００ｃ，１００ｐ…半導体装置
１１０…基板
１１２，１１４，１１６…半導体層
１２２…トレンチ
１２４…リセス
１３０…絶縁膜
１３６，１３８…コンタクトホール
１４０，１５０，１７０…電極
１６０…裏面電極
２００…レジスト
５００…レジスト剥離装置
５１０…処理ガス供給部
５５０，５５０Ｂ，５５０Ｃ，５５０Ｄ，５５０Ｅ…載置台
５５１…表面
５５２…凹部
５５２ｂ…底面
５５２ｓ…側面
５５３Ｃ…吸着機構
５５４Ｄ…放出機構
５５４Ｄｄ・・・孔
５５５Ｄ…弾性体
ＰＧ…処理ガス
Ｓ１…表側
Ｓ２…裏側
ＳＡ…剥離領域
ＳＳ…素子構造
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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