(57)【要約】【課題】周波数調整工程における周波数の調整誤差を従来よりも小さくすることが可能な発振器の製造方法を提供すること。【解決手段】振動子３と、振動子３を発振させるための集積回路（ＩＣ）２とを含む発振器１の製造方法であって、パッケージ（容器）４に集積回路２を搭載する工程（Ｓ１０）と、パッケージ４に振動子３を搭載する工程（Ｓ２０）と、集積回路２と振動子３とが電気的に接続された状態で、周波数を調整する第１周波数調整工程（Ｓ３２）と、第１周波数調整工程の前後での周波数の変化量に基づいて、発振器１の周波数温度特性の１次成分を算出する工程（Ｓ３４）と、振動子３を発振させて周波数を測定し、周波数が目標周波数に近づくように調整する第２周波数調整工程（Ｓ３５〜Ｓ３８）と、を含み、第２周波数調整工程は、発振器１の周波数温度特性の１次成分及び振動子３の温度の変化量に基づいて、目標周波数を算出する工程（Ｓ３７）を含む。【選択図】図１０
2016178604.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
振動子と、前記振動子を発振させるための集積回路とを含む発振器の製造方法であって、
容器に前記集積回路を搭載する工程と、
前記容器に前記振動子を搭載する工程と、
前記集積回路と前記振動子とが電気的に接続された状態で、周波数を調整する第１周波数調整工程と、
前記第１周波数調整工程の前後での周波数の変化量に基づいて、前記発振器の周波数温度特性の１次成分を算出する工程と、
前記集積回路と前記振動子とが電気的に接続された状態で、前記振動子を発振させて周波数を測定し、周波数が目標周波数に近づくように調整する第２周波数調整工程と、を含み、
前記第２周波数調整工程は、
前記周波数温度特性の１次成分及び前記振動子の温度の変化量に基づいて、前記目標周波数を算出する工程を含む、発振器の製造方法。
【請求項２】
振動子と、前記振動子を発振させるための集積回路とを含む発振器の製造方法であって、
容器に前記集積回路を搭載する工程と、
前記容器に前記振動子を搭載する工程と、
前記集積回路と前記振動子とが電気的に接続された状態で、周波数を調整する第１周波数調整工程と、
前記第１周波数調整工程の前後での周波数の変化量に基づいて、前記発振器の周波数温度特性の１次成分を算出する工程と、
前記集積回路と前記振動子とが電気的に接続された状態で、前記振動子を発振させて周波数を測定し、周波数が目標周波数に近づくように調整する第２周波数調整工程と、を含み、
前記第２周波数調整工程において、
前記周波数温度特性の１次成分を０に近づけた状態で、周波数を測定する、発振器の製造方法。
【請求項３】
前記集積回路は、記憶部と、温度補償回路とを有し、
前記第２周波数調整工程の前に、前記記憶部に、前記温度補償回路が前記周波数温度特性の１次成分を０に近づけるための温度補償データを記憶させる工程を含む、請求項２に記載の発振器の製造方法。
【請求項４】
前記集積回路は、第１端子と、前記第１端子から入力される制御信号に基づいて周波数を制御するＡＦＣ回路とを有し、
前記第２周波数調整工程において、
前記第１端子に、前記周波数温度特性の１次成分を０に近づけるための前記制御信号を入力した状態で、周波数を測定する、請求項２に記載の発振器の製造方法。
【請求項５】
前記第１周波数調整工程及び前記第２周波数調整工程は、１５℃以上３５℃以下の温度で行われる、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の発振器の製造方法。
【請求項６】
前記第１周波数調整工程及び前記第２周波数調整工程において、
前記振動子にレーザー光を照射することにより周波数を調整する、請求項１乃至５のいずれか一項に記載の発振器の製造方法。
【請求項７】
前記振動子は、ＡＴカット水晶振動子である、請求項１乃至６のいずれか一項に記載の発振器の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発振器の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、圧電デバイスにおいて、振動子片の励振電極にレーザー光を照射して金属成分を蒸発させることにより質量を削減して周波数を調整する方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００３−１９８３１２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、レーザー光が照射されることにより振動片の温度が上昇し、周波数調整工程の開始時と終了時に温度差が生じるため、目標周波数になるように調整したとしても、周波数調整後に振動片の温度が元に戻ると周波数が目標周波数からずれてしまう。すなわち、振動片の周波数温度特性に依存して目標周波数とは異なる周波数に調整されてしまう。従来、周波数調整工程における周波数の調整誤差は、振動片を発振させる集積回路（ＩＣ：Integrated Circuit）が有する周波数調整機能により補正可能であったため、大きな問題ではなかった。しかしながら、近年、発振器の周波数にさらに高精度が要求されており、従来のＩＣの周波数調整範囲では補正しきれずに歩留りが悪くなり、あるいは、ＩＣの周波数調整範囲を広げるとＩＣの回路面積が増大し、いずれもコスト上昇をもたらすという問題がある。
【０００５】
本発明は、以上のような問題点に鑑みてなされたものであり、本発明のいくつかの態様によれば、周波数調整工程における周波数の調整誤差を従来よりも小さくすることが可能な発振器の製造方法を提供することができる。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は前述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の態様または適用例として実現することが可能である。
【０００７】
［適用例１］
本適用例に係る発振器の製造方法は、振動子と、前記振動子を発振させるための集積回路とを含む発振器の製造方法であって、容器に前記集積回路を搭載する工程と、前記容器に前記振動子を搭載する工程と、前記集積回路と前記振動子とが電気的に接続された状態で、周波数を調整する第１周波数調整工程と、前記第１周波数調整工程の前後での周波数の変化量に基づいて、前記発振器の周波数温度特性の１次成分を算出する工程と、前記集積回路と前記振動子とが電気的に接続された状態で、前記振動子を発振させて周波数を測定し、周波数が目標周波数に近づくように調整する第２周波数調整工程と、を含み、前記第２周波数調整工程は、前記周波数温度特性の１次成分及び前記振動子の温度の変化量に基づいて、前記目標周波数を算出する工程を含む。
【０００８】
振動子と集積回路とにより、例えば、ピアース発振回路、インバーター型発振回路、コルピッツ発振回路、ハートレー発振回路などの種々の発振回路が構成されてもよい。
【０００９】
本適用例に係る発振器の製造方法によれば、第２周波数調整工程において、第１周波数調整工程の前後での周波数の変化量に基づいて算出された発振器の周波数温度特性の１次成分と周波数の調整による振動子の温度の変化量に基づき、振動子の温度の変化による発振器の周波数の変化量を加味して、適切に目標周波数を変更しながら周波数を調整することができる。従って、第２周波数調整工程において、目標周波数に近づくように調整することにより、周波数の調整誤差を従来よりも小さくすることができる。
【００１０】
［適用例２］
本適用例に係る発振器の製造方法は、振動子と、前記振動子を発振させるための集積回路とを含む発振器の製造方法であって、容器に前記集積回路を搭載する工程と、前記容器に前記振動子を搭載する工程と、前記集積回路と前記振動子とが電気的に接続された状態で、周波数を調整する第１周波数調整工程と、前記第１周波数調整工程の前後での周波数の変化量に基づいて、前記発振器の周波数温度特性の１次成分を算出する工程と、前記集積回路と前記振動子とが電気的に接続された状態で、前記振動子を発振させて周波数を測定し、周波数が目標周波数に近づくように調整する第２周波数調整工程と、を含み、前記第２周波数調整工程において、前記周波数温度特性の１次成分を０に近づけた状態で、周波数を測定する。
【００１１】
本適用例に係る発振器の製造方法によれば、第２周波数調整工程において、第１周波数調整工程の前後での周波数の変化量に基づいて算出された発振器の周波数温度特性の１次成分を０に近づけた状態で周波数を測定するので、振動子の温度の変化による発振器の周波数の変化量を小さくすることができる。従って、第２周波数調整工程において、目標周波数に近づくように調整しても、周波数の調整誤差を従来よりも小さくすることができる。
【００１２】
［適用例３］
上記適用例に係る発振器の製造方法において、前記集積回路は、記憶部と、温度補償回路とを有し、前記第２周波数調整工程の前に、前記記憶部に、前記温度補償回路が前記周波数温度特性の１次成分を０に近づけるための温度補償データを記憶させる工程を含んでもよい。
【００１３】
本適用例に係る発振器の製造方法によれば、第２周波数調整工程において、集積回路が有する温度補償機能を利用し、発振器の周波数温度特性の１次成分を０に近づけることで振動子の温度の変化による発振器の周波数の変化量を小さくすることができる。従って、第２周波数調整工程において、目標周波数に近づくように調整しても、周波数の調整誤差を従来よりも小さくすることができる。
【００１４】
［適用例４］
上記適用例に係る発振器の製造方法において、前記集積回路は、第１端子と、前記第１端子から入力される制御信号に基づいて周波数を制御するＡＦＣ回路とを有し、前記第２周波数調整工程において、前記第１端子に、前記周波数温度特性の１次成分を０に近づけるための前記制御信号を入力した状態で、周波数を測定してもよい。
【００１５】
本適用例に係る発振器の製造方法によれば、第２周波数調整工程において、集積回路が有する周波数制御機能を利用し、発振器の周波数温度特性の１次成分を０に近づけることで振動子の温度の変化による発振器の周波数の変化量を小さくすることができる。従って、第２周波数調整工程において、目標周波数に近づくように調整しても、周波数の調整誤差を従来よりも小さくすることができる。
【００１６】
［適用例５］
上記適用例に係る発振器の製造方法において、前記第１周波数調整工程及び前記第２周波数調整工程は、１５℃以上３５℃以下の温度で行われてもよい。
【００１７】
本適用例に係る発振器の製造方法によれば、１５℃以上３５℃以下の範囲において温度変化に対して周波数がほぼ線形に変化する振動子（例えば、周波数温度特性が３次曲線を呈する振動子）を有する発振器の周波数を高精度に調整することができる。
【００１８】
［適用例６］
上記適用例に係る発振器の製造方法は、前記第１周波数調整工程及び前記第２周波数調整工程において、前記振動子にレーザー光を照射することにより周波数を調整してもよい。
【００１９】
本適用例に係る発振器の製造方法によれば、第２周波数調整工程において、レーザー光が照射されることで振動子の温度が上昇しても、発振器の周波数を高精度に調整することができる。
【００２０】
［適用例７］
上記適用例に係る発振器の製造方法において、前記振動子は、ＡＴカット水晶振動子であってもよい。
【００２１】
ＡＴカット振動子は周波数温度特性が３次曲線を呈し、一般に周波数調整が行われる常温付近では温度変化に対して周波数が線形に変化するので、本適用例に係る発振器の製造方法によれば、第２周波数調整工程において、発振器の周波数を高精度に調整することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】発振器の斜視図。
【図２】図２（Ａ）は発振器の断面図、図２（Ｂ）は発振器の底面図。
【図３】発振器の機能ブロック図。
【図４】周波数調整の説明図。
【図５】一般的な周波数調整の説明図。
【図６】振動子の周波数温度特性の個体差を示す図。
【図７】周波数の調整ばらつきの説明図。
【図８】周波数調整時の調整ばらつきとリッド封止及び熱処理後の調整ばらつきとの関係を示す図。
【図９】本実施形態の発振器の製造方法の手順の一例を示すフローチャート図。
【図１０】周波数調整工程の手順の一例を示すフローチャート図。
【図１１】第１周波数調整工程における発振器の周波数の変化を表す図。
【図１２】周波数調整工程における発振器の周波数の変化を表す図。
【図１３】本実施形態の発振器の製造方法の効果の説明図。
【図１４】周波数調整工程の手順の変形例を示すフローチャート図。
【図１５】発振器の周波数温度特性が変化する様子を示す図。
【図１６】周波数調整工程の手順の他の変形例を示すフローチャート図。
【図１７】他の構造の発振器の断面図。
【図１８】本実施形態の電子機器の構成の一例を示す機能ブロック図。
【図１９】本実施形態の電子機器の外観の一例を示す図。
【図２０】本実施形態の移動体の一例を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、本発明の好適な実施形態について図面を用いて詳細に説明する。なお、以下に説
明する実施の形態は、特許請求の範囲に記載された本発明の内容を不当に限定するものではない。また以下で説明される構成の全てが本発明の必須構成要件であるとは限らない。
【００２４】
１．発振器
［発振器の構成］
図１及び図２は、後述する本実施形態の製造方法が適用される発振器の構造の一例を示す図である。図１は、発振器の斜視図であり、図２（Ａ）は図１のＡ−Ａ’断面図である。また、図２（Ｂ）は、発振器の底面図である。
【００２５】
図１及び図２（Ａ）に示すように、本実施形態の発振器１は、後述する図３の集積回路（ＩＣ：Integrated Circuit）２、振動子３、パッケージ４、リッド（蓋）５、外部端子（外部電極）６を含んで構成されている。
【００２６】
振動子３としては、例えば、水晶振動子、ＳＡＷ（Surface Acoustic Wave）共振子、その他の圧電振動子やＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）振動子などを用いることができる。振動子３の基板材料としては、水晶、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム等の圧電単結晶や、ジルコン酸チタン酸鉛等の圧電セラミックス等の圧電材料、又はシリコン半導体材料等を用いることができる。振動子３の励振手段としては、圧電効果によるものを用いてもよいし、クーロン力による静電駆動を用いてもよい。
【００２７】
パッケージ４は、集積回路（ＩＣ）２と振動子３とを同一空間内に収容する。具体的には、パッケージ４には、凹部が設けられており、リッド５で凹部を覆うことによって収容室７となる。パッケージ４の内部又は凹部の表面には、集積回路（ＩＣ）２の２つの端子（後述する図３のＸＯ端子及びＸＩ端子）と振動子３の２つの端子とをそれぞれ電気的に接続するための不図示の配線が設けられている。また、パッケージ４の内部又は凹部の表面には、集積回路（ＩＣ）２の各端子と対応する各外部端子６とを電気的に接続するための不図示の配線が設けられている。
【００２８】
図２（Ｂ）に示すように、本実施形態の発振器１は底面（パッケージ４の裏面）に、電源端子である外部端子ＶＤＤ１，接地端子である外部端子ＶＳＳ１、周波数制御用の信号が入力される端子である外部端子ＶＣ１及び出力端子である外部端子ＯＵＴ１の４個の外部端子６が設けられている。外部端子ＶＤＤ１には電源電圧が供給され、外部端子ＶＳＳ１は接地される。
【００２９】
振動子３は、その表面（図２（Ａ）の上側）及び裏面（図２（Ａ）の上側）にそれぞれ金属の励振電極３ａ及び３ｂを有しており、励振電極３ａの質量を変えることで振動子３の発振周波数を変化させることができる。本実施形態では、振動子３の製造時（パッケージ４に搭載される前）は、振動子３の発振周波数が所望の周波数（発振器１に要求される周波数）よりも低くなるように励振電極３ａの質量が決められており、リッド５によりパッケージ４を封止する前に、レーザー光を照射して励振電極３ａを削る（研磨する）ことで振動子３の質量を小さくし、その結果、振動子３の発振周波数を高くして所望の周波数となるように調整する。
【００３０】
図３は発振器１の機能ブロック図である。図３に示すように、発振器１は、振動子３と振動子３を発振させるための集積回路（ＩＣ）２とを含む発振器であり、集積回路（ＩＣ）２と振動子３はパッケージ４に収容されている。
【００３１】
集積回路（ＩＣ）２は、電源端子であるＶＤＤ端子、接地端子であるＶＳＳ端子、出力端子であるＯＵＴ端子、周波数を制御する信号が入力される端子であるＶＣ端子、振動子３との接続端子であるＸＩ端子及びＸＯ端子が設けられている。ＶＤＤ端子、ＶＳＳ端子
、ＯＵＴ端子及びＶＣ端子は、集積回路（ＩＣ）２の表面に露出しており、それぞれ、パッケージ４に設けられた外部端子ＶＤＤ１，ＶＳＳ１，ＯＵＴ１，ＶＣ１と接続されている。また、ＸＩ端子は振動子３の一端（一方の端子）と接続され、ＸＯ端子は振動子３の他端（他方の端子）と接続される。
【００３２】
本実施形態では、集積回路（ＩＣ）２は、発振回路１０、出力回路２０、周波数調整回路３０、ＡＦＣ（Automatic Frequency Control）回路３２、温度補償回路４０、温度センサー５０、レギュレーター回路６０、記憶部７０、及びシリアルインターフェース（Ｉ／Ｆ）回路８０を含んで構成されている。なお、本実施形態の集積回路（ＩＣ）２は、これらの要素の一部を省略又は変更し、あるいは他の要素を追加した構成としてもよい。
【００３３】
レギュレーター回路６０は、ＶＤＤ端子から供給される電源電圧ＶＤＤ（正の電圧）に基づき、発振回路１０、周波数調整回路３０、ＡＦＣ回路３２、温度補償回路４０、出力回路２０の一部又は全部の電源電圧または基準電圧となる一定電圧を生成する。
【００３４】
記憶部７０は、不揮発性メモリー７２とレジスター７４とを有しており、外部端子から、シリアルインターフェース回路８０を介して、不揮発性メモリー７２又はレジスター７４に対するリード／ライトが可能に構成されている。本実施形態では、発振器１の外部端子と接続される集積回路（ＩＣ）２の端子はＶＤＤ，ＶＳＳ，ＯＵＴ，ＶＣの４つしかないため、シリアルインターフェース回路８０は、例えば、ＶＤＤ端子の電圧が閾値よりも高い時に、ＶＣ端子から入力されるクロック信号とＯＵＴ端子から入力されるデータ信号を受け付け、不揮発性メモリー７２あるいはレジスター７４に対してデータのリード／ライトを行う。
【００３５】
不揮発性メモリー７２は、各種の制御データを記憶するための記憶部であり、例えば、ＥＥＰＲＯＭ（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory）やフラッシュメモリーなどの書き換え可能な種々の不揮発性メモリーであってもよいし、ワンタイムＰＲＯＭ（One Time Programmable Read Only Memory）のような書き換え不可能な種々の不揮発性メモリーであってもよい。
【００３６】
不揮発性メモリー７２には、周波数調整回路３０を制御するための周波数調整データや、温度補償回路４０を制御するための温度補償データ（１次補償データ、・・・、ｎ次補償データ）が記憶される。さらに、不揮発性メモリー７２には、出力回路２０やＡＦＣ回路３２をそれぞれ制御するためのデータ（不図示）も記憶される。
【００３７】
周波数調整データは、発振器１の周波数を調整するためのデータであり、発振器１の周波数調整工程において周波数調整データが初期値の状態で発振器１の発振周波数を調整した後、仮に、発振器１を通常動作させたときの発振周波数が所望の周波数からずれていた場合に、周波数調整データを書き換えることで、発振周波数が所望の周波数に近づくように微調整することができる。
【００３８】
温度補償データ（１次補償データ、・・・、ｎ次補償データ）は、発振器１の温度補償調整工程において算出される、発振器１の周波数温度特性の補正用のデータであり、例えば、振動子３の周波数温度特性の各次数成分に応じた１次〜ｎ次の係数値であってもよい。例えば、振動子３がＡＴカット水晶振動子であれば、周波数温度特性は３次曲線を呈するためｎとして３以上の整数値が選択される。なお、温度補償データは、１次〜ｎ次のすべての次数の補償データを含んでもよいし、１次〜ｎ次のうちの一部の次数の補償データのみを含んでもよい。
【００３９】
不揮発性メモリー７２に記憶されている各データは、集積回路（ＩＣ）２の電源投入時
（ＶＤＤ端子の電圧が０Ｖから所望の電圧まで立ち上がる時）に不揮発性メモリー７２からレジスター７４に転送され、レジスター７４に保持される。そして、周波数調整回路３０にはレジスター７４に保持される周波数調整データが入力され、温度補償回路４０にはレジスター７４に保持される温度補償データ（１次補償データ、・・・、ｎ次補償データ）が入力され、出力回路２０やＡＦＣ回路３２にもレジスター７４に保持される各制御用のデータが入力される。
【００４０】
不揮発性メモリー７２が書き換え不可能である場合には、発振器１の検査時において、外部端子からシリアルインターフェース回路８０を介して、不揮発性メモリー７２から転送される各データが保持されるレジスター７４の各ビットに直接各データが書き込まれて発振器１が所望の特性を満たすように調整・選択され、調整・選択された各データが最終的に不揮発性メモリー７２に書き込まれる。また、不揮発性メモリー７２が書き換え可能である場合には、発振器１の検査時において、外部端子からシリアルインターフェース回路８０を介して、不揮発性メモリー７２に各データが書き込まれるようにしてもよい。ただし、不揮発性メモリー７２への書き込みは一般に時間がかかるため、発振器１の検査時には、検査時間を短縮するために、外部端子からシリアルインターフェース回路８０を介してレジスター７４の各ビットに直接各データが書き込まれ、調整・選択された各データが最終的に不揮発性メモリー７２に書き込まれるようにしてもよい。
【００４１】
発振回路１０は、振動子３の出力信号を増幅して振動子３にフィードバックすることで、振動子３を発振させ、振動子３の発振に基づく発振信号を出力する。例えば、レジスター７４に保持された制御データによって、発振回路１０の発振段電流が制御されてもよい。
【００４２】
周波数調整回路３０は、レジスター７４に保持された周波数調整データに応じた電圧を発生させて、発振回路１０の負荷容量として機能する可変容量素子（不図示）の一端に印加する。これにより、所定の温度（例えば、２５℃）かつＶＣ端子の電圧が所定の電圧（例えば、ＶＤＤ／２）となる条件下での発振回路１０の発振周波数（基準周波数）がほぼ所望の周波数となるように制御（微調整）される。
【００４３】
ＡＦＣ回路３２は、ＶＣ端子の電圧に応じた電圧を発生させて、発振回路１０の負荷容量として機能する可変容量素子（不図示）の一端に印加する。これにより、発振回路１０の発振周波数（振動子３の発振周波数）が、ＶＣ端子の電圧値に基づき制御される。例えば、レジスター７４に保持された制御データによって、ＡＦＣ回路３２のゲインが制御されてもよい。
【００４４】
温度センサー５０は、その周辺の温度に応じた信号（例えば、温度に応じた電圧）を出力する感温素子である。温度センサー５０は、温度が高いほど出力電圧が高い正極性のものであってもよいし、温度が高いほど出力電圧が低い負極性のものであってもよい。なお、温度センサー５０としては、発振器１の動作が保証される所望の温度範囲において、温度変化に対して出力電圧ができるだけ線形に変化するものが望ましい。
【００４５】
温度補償回路４０は、温度センサー５０からの出力信号が入力され、振動子３の周波数温度特性を補償するための電圧（温度補償電圧）を発生させて、発振回路１０の負荷容量として機能する可変容量素子（不図示）の一端に印加する。これにより、発振回路１０の発振周波数が、温度によらずほぼ一定になるように制御される。本実施形態では、温度補償回路４０は、１次電圧発生回路４１−１〜ｎ次電圧発生回路４１−ｎ及び加算回路４２を含んで構成されている。
【００４６】
１次電圧発生回路４１−１〜ｎ次電圧発生回路４１−ｎは、それぞれ、温度センサー５
０からの出力信号が入力され、レジスター７４に保持された１次補償データ〜ｎ次補償データに応じて、振動子３の周波数温度特性の１次成分からｎ次成分を補償するための１次補償電圧〜ｎ次補償電圧を発生させる。
【００４７】
加算回路４２は、１次電圧発生回路４１−１〜ｎ次電圧発生回路４１−ｎがそれぞれ発生させる１次補償電圧〜ｎ次補償電圧を加算して出力する。この加算回路４２の出力電圧が温度補償回路４０の出力電圧（温度補償電圧）となる。
【００４８】
出力回路２０は、発振回路１０が出力する発振信号が入力され、外部出力用の発振信号を生成し、ＯＵＴ端子を介して外部に出力する。例えば、レジスター７４に保持された制御データによって、出力回路２０における発振信号の分周比や出力レベルが制御されてもよい。
【００４９】
このように構成された第１実施形態の発振器１は、所望の温度範囲において、温度によらず、外部端子ＶＣ１の電圧に応じた一定の周波数の発振信号を出力する電圧制御型の温度補償型発振器（振動子３が水晶振動子であればＶＣ−ＴＣＸＯ（Voltage Controlled Temperature Compensated Crystal Oscillator））として機能する。
【００５０】
［周波数調整の問題点］
図４に示すように、本実施形態では、リッド５によってパッケージ４が封止される前の発振器１において、例えば、２５℃〜３０℃程度で、集積回路（ＩＣ）２によって振動子３を発振させて外部端子ＯＵＴ１に対応する外部端子６から出力される発振信号の周波数（発振周波数）を測定し、測定結果に応じてレーザー光源９が出射するレーザー光によって振動子３の表面の励振電極３ａを削ることで周波数調整を行う。例えば、周波数調整の開始時において発振器１の発振周波数の周波数偏差Δｆ／ｆは−１０００ｐｐｍ程度であり、周波数偏差が０ｐｐｍに近づくように（測定される周波数が所望の周波数に近づくように）発振周波数を調整する。ところが、振動子３の励振電極３ａにレーザー光が照射されることにより、振動子３の温度が上昇するため、周波数が測定される時の振動子３の温度は周波数調整の開始時の温度（２５℃）よりも高いため、測定される周波数が所望の周波数と一致するように調整しても、発振器１の２５℃での発振周波数は、振動子３の周波数温度特性に依存した誤差を有することになる。
【００５１】
ここで、例えば、振動子３がＡＴカット水晶振動子の場合、その周波数温度特性は３次曲線を呈するため、図５に示すように、発振器１の発振周波数は、周波数調整が行われる２５℃付近では温度上昇に対して発振周波数がほぼ線形に減少する。そして、周波数偏差が０ｐｐｍに近くなる周波数調整の終了時は、周波数偏差が−１０００ｐｐｍ程度の開始時よりも、振動子３の温度が上昇しているため、発振器１の発振周波数が図５に示すような温度特性を有する状態では、所望の周波数よりも低い周波数になるように周波数を調整しなければ調整誤差が生じることになる。
【００５２】
また、例えば、図６（Ａ）に示すように、振動子３の周波数温度特性には個体差があり、図６（Ａ）の２５℃付近を拡大した図６（Ｂ）に示すように、２５℃付近の温度上昇に対する周波数低下の度合いも異なる。さらに、発振器１ごとの周波数調整時の温度の差や、振動子３ごとの初期周波数の差に応じたレーザー照射時間の差による振動子３の発熱量の差などにより、周波数調整時の振動子３の温度にも差が生じる。そうすると、図７に示すように、横軸を周波数偏差（Δｆ／ｆ）、縦軸を発振器１の個数としたときに、２５℃や３０℃でそれぞれ周波数調整された発振器１の周波数は正規分布となり、２５℃で調整された最大周波数と３０℃で調整された最小周波数との差が調整ばらつきＡとして顕在化する。
【００５３】
さらに、周波数調整後に、リッド５によりパッケージ４を封止し、熱処理を行ってリッド５をパッケージ４に接着させる過程で発振器１の状態が変化し、その結果、発振器１の発振周波数が変化する。この発振周波数の変化量を加味して周波数調整時の目標周波数にオフセットをかける対策は可能である。しかしながら、このような対策をとっても、この発振周波数の変化量にも個体差があるため、図８に示すように、リッド５による封止及び熱処理の後の調整ばらつきＢは周波数調整時の調整ばらつきＡよりも大きくなってしまう。
【００５４】
上述したように、発振器１の周波数は、周波数調整データを書き換えることで周波数調整回路３０により微調整可能であるが、１ｐｐｍ以下の高い周波数精度が要求されると、調整ばらつきＢが周波数調整データの書き換えによる調整可能範囲よりも大きくなり、調整できない発振器１の数が増えるため、歩留りが低下する。周波数調整回路３０による調整可能範囲を広げることで歩留りを向上させることは可能であるが、調整分解能を維持したまま調整可能範囲を広げると周波数調整データのビット数が増大してコストの増加を招き、周波数調整データのビット数を維持したまま調整可能範囲を広げると調整分解能が低下し、発振器１の周波数精度の劣化を招く。
【００５５】
以下に説明するように、本実施形態の製造方法は、周波数調整時の調整ばらつきＡを小さくすることで調整ばらつきＢを小さくし、周波数調整回路３０による調整可能範囲を広げずに歩留りを維持又は向上させるものである。
【００５６】
［発振器の製造方法］
図９は、本実施形態の発振器の製造方法（上述した発振器１の製造方法）の手順の一例を示すフローチャート図である。図９の工程Ｓ１０〜Ｓ９０の一部を省略又は変更し、あるいは、他の工程を追加してもよい。なお、図９のフローチャートに先立ち、不揮発性メモリー７２あるいはレジスター７４に、周波数調整データの初期値（例えば、調整可能範囲の中間値）が書き込まれているものとする。
【００５７】
図９の例では、まず、パッケージ４に集積回路（ＩＣ）２を搭載し（Ｓ１０）、次に、パッケージ４に振動子３を搭載する（Ｓ２０）。工程Ｓ１０及び工程Ｓ２０により、集積回路（ＩＣ）２と振動子３は、パッケージ４の内部又は凹部の表面に設けられた配線によって接続され、集積回路（ＩＣ）２に電源を供給すると集積回路（ＩＣ）２と振動子３とが電気的に接続される状態になる。
【００５８】
次に、集積回路（ＩＣ）２と振動子３とが電気的に接続された状態で、振動子３を発振させて周波数を測定し、周波数が目標周波数に近づくように調整する（Ｓ３０）。この周波数調整工程Ｓ３０の詳細については後述する。
【００５９】
次に、リッド５によりパッケージ４を封止し、熱処理を行ってリッド５をパッケージ４に接着させる（Ｓ４０）。
【００６０】
次に、例えば、２５℃で発振器１の周波数を測定し（Ｓ５０）、測定した周波数の周波数偏差（所望の周波数に対する偏差）が所定範囲内の場合（Ｓ６０のＹ）、その他の調整及び検査（例えば、温度補償調整など）を行い（Ｓ９０）、終了する。
【００６１】
また、測定した周波数の周波数偏差が所定範囲内でない場合（Ｓ６０のＮ）、当該周波数偏差が調整可能な範囲であれば（Ｓ７０のＹ）、周波数調整データを書き換えて（Ｓ８０）、工程Ｓ５０以降を再び行う。一方、測定した周波数の周波数偏差が調整可能な範囲でなければ（Ｓ７０のＮ）、工程Ｓ９０を行わずに終了し、例えば、当該発振器１を不合格品として破棄してもよい。
【００６２】
なお、図９のフローチャートにおいて、可能な範囲で、各工程の順番を適宜変更してもよい。
【００６３】
図１０は、周波数調整工程（図９の工程Ｓ３０）の手順の一例を示すフローチャート図である。
【００６４】
まず、振動子３を発振させて発振器１の周波数を測定する（Ｓ３１）。工程Ｓ３１で測定された周波数（初期周波数）をｆ０とする。
【００６５】
次に、一定のパワーＱｈのレーザー光を一定時間Ｔ１だけ照射し、振動子３の励振電極３ａをエッチングする（Ｓ３２）。
【００６６】
次に、振動子３を発振させて発振器１の周波数を測定する（Ｓ３３）。工程Ｓ３３で測定された周波数をｆｍｅａｓ１とする。
【００６７】
図１１は、第１周波数調整工程Ｓ３２における発振器１の周波数の変化を表すグラフであり、図１１において、横軸は時間、縦軸は周波数である。また、時刻０は第１周波数調整工程Ｓ３２の開始時刻であり、時刻Ｔ１は第１周波数調整工程Ｓ３２の終了時刻である。実線のグラフは発振器１の実際の周波数（測定される周波数）ｆｍｅａｓを表すグラフである。時刻０ではｆｍｅａｓ＝ｆ０であり、時刻Ｔ１ではｆｍｅａｓ＝ｆｍｅａｓ１である。また、一点鎖線のグラフは、エッチングにより変化する周波数（仮に温度が時刻０の時の温度ｔ０のまま変わらない場合にエッチングにより変化する周波数）ｆｒを表すグラフであり、時刻Ｔ１ではｆｒ＝ｆｒ１である。また、二点鎖線のグラフは、振動子３の温度変化により変化する周波数（仮に振動子３の質量が変わらない場合に振動子３の温度変化により変化する周波数）ｆｔを表すグラフであり、時刻Ｔ１ではｆｔ＝ｆｔ１である。
【００６８】
図１１に示すように、時刻０〜時刻Ｔ１において発振器１の実際の周波数がｆ０からｆｍｅａｓ１まで変化（上昇）する。この変化量ｆｍｅａｓ１−ｆ０は、エッチングにより変化する周波数ｆｒの時刻０〜時刻Ｔ１における変化量Δｆｒ１（＞０）と、振動子３の温度変化により変化する周波数ｆｔの時刻０〜時刻Ｔ１における変化量Δｆｔ１との和となる。ここで、Δｆｒ１＝ｆｒ１−ｆ０（＞０）であり、Δｆｔ１＝ｆｔ１−ｆ０である。振動子３がＡＴカット水晶振動子（周波数温度特性が３次曲線を呈する）である場合、２５℃付近では温度の情報に対してほぼ線形に周波数が低下するので、ｔ０≒２５℃とするとｆｔ１＜ｆ０であるからΔｆｒ１＜０である。
【００６９】
そして、第１周波数調整工程Ｓ３２では、振動子３に一定のパワーＱｈのレーザー光を一定時間Ｔ１だけ照射するので、振動子３の固体差がほとんどないと仮定すると、時刻０〜時刻Ｔ１における振動子３の温度変化量Δｔ＝ｔ１−ｔ０は一定とみなすことができ、Δｆｔ１＝ｆｒ１−ｆ０も一定とみなすことができる。そこで、例えば、１つの発振器１について、周波数ｆ０，ｆｒ１を測定して一定値Δｆｔ１を算出し、振動子３の温度ｔ０，ｔ１を測定して一定値Δｔを算出しておけば、同じ種類（型番）の振動子３を用いる他の発振器１を製造する際にはΔｔを算出する必要はない。あるいは、複数の発振器１の各々について、周波数ｆ０，ｆｒ１を測定してｆｒ１−ｆ０の平均値をΔｆｔ１とし、振動子３の温度ｔ０，ｔ１を測定してｔ１−ｔ０の平均値をΔｔとしてもよい。なお、第１周波数調整工程Ｓ３２の終了後、振動子３の温度がｔ０に戻るまで十分に待ってから周波数を測定すれば、測定された周波数をｆｒ１とみなすことができる。
【００７０】
図１０に戻り、次に、第１周波数調整工程Ｓ３２の前後での振動子３の温度変化量Δｔ
（一定値）、第１周波数調整工程Ｓ３２でのエッチングにより変化する周波数ｆｒの変化量Δｆｒ１（一定値）、工程Ｓ３１及びＳ３３における測定周波数ｆ０，ｆｍｅａｓ１に基づき、発振器１の周波数温度特性の１次成分ｄｆｔ／ｄｔを算出する（Ｓ３４）。例えば、式（１）により、発振器１の周波数温度特性の１次成分ｄｆｔ／ｄｔを算出することができる。
【００７１】
【数１】
2016178604.tif 000003
【００７２】
次に、集積回路（ＩＣ）２と振動子３とが電気的に接続された状態で、振動子３を発振させて周波数を測定し、周波数が目標周波数に近づくように調整する第２周波数調整工程（Ｓ３５〜Ｓ３８）を行う。
【００７３】
第２周波数調整工程では、まず、レーザー光を照射し、振動子３の励振電極３ａをエッチングする（Ｓ３５）。この工程Ｓ３５で照射するレーザー光のパワーは第１周波数調整工程Ｓ３２におけるパワーＱｈと同じであるが、工程Ｓ３５でレーザー光を照射する時間は第１周波数調整工程Ｓ３２における照射時間Ｔ１と同じである必要はない。
【００７４】
次に、振動子３を発振させて発振器１の周波数を測定する（Ｓ３６）。工程Ｓ３６で測定された周波数をｆｍｅａｓとする。
【００７５】
次に、第１周波数調整工程Ｓ３２の開始後の振動子３の全温度変化量Δｔｔｏｔａｌを算出し、工程Ｓ３４で算出した周波数温度特性の１次成分ｄｆｔ／ｄｔ及び全温度変化量Δｔｔｏｔａｌに基づき、目標周波数ｆｔａｒｇｅｔを算出する（Ｓ３７）。例えば、式（２）により、振動子３の全温度変化量Δｔｔｏｔａｌを算出することができる。
【００７６】
【数２】
2016178604.tif 000004
【００７７】
式（２）において、Ｍ（ｋｇ）は振動子３の質量、Ｃｐ（Ｊ／ｋｇ・℃）は振動子３の比熱、Ｑｈ（Ｗ）は第１周波数調整工程Ｓ３２におけるレーザー光源９の出力パワー（一定値）であり、いずれも既知である。また、Ｔｔｏｔａｌは第１周波数調整工程Ｓ３２の開始からの振動子３の放熱時間の総和であって、第１周波数調整工程Ｓ３２の開始後の総時間と同じとみなすことができ、Ｔｈｔｏｔａｌは第１周波数調整工程Ｓ３２の開始後のレーザー光の照射時間の総和であるから、時間を管理しておけばいずれも算出可能である。また、Ｑｃは振動子３の対流熱損失、Ｑｒは振動子３の放射熱損失であり、それぞれ、式（３）及び式（４）により算出される。
【００７８】
【数３】
2016178604.tif 000005
【００７９】
【数４】
2016178604.tif 000006
【００８０】
式（３）及び式（４）において、Ａ（ｍ２）は振動子３の放熱部分の表面積、εは振動子３の表面の放熱率、α（Ｗ／ｍ２・Ｋ）は対流による熱伝導率、ｔａ（℃）は雰囲気温度、σ（＝５．６７０５１×１０−８）はＳｔｅｆａｎ−Ｂｏｌｔｚｍａｎ定数、Δｔは第１周波数調整工程Ｓ３２での振動子３の温度変化量（一定値）であり、いずれも既知である。また、第１周波数調整工程Ｓ３２の開始時の振動子３の温度ｔ０は雰囲気温度ｔａと同じとみなすことができ、第１周波数調整工程Ｓ３２の終了時の振動子３の温度ｔ１＝Δｔ−ｔ０であるから、いずれも既知である。従って、同じ種類（型番）の振動子３について、ＱｃとＱｒは一定値とみなすことができる。
【００８１】
そして、式（５）により、目標周波数ｆｔａｒｇｅｔを算出することができる。
【００８２】
【数５】
2016178604.tif 000007
【００８３】
式（５）において、ｆｔａｒｇｅｔ０は初期の目標周波数（温度ｔ０での目標周波数）であり、既知である。また、Δｆｔｔｏｔａｌは、第１周波数調整工程Ｓ３２の開始後の周波数ｆｔの全変化量であり、式（１）により算出される周波数温度特性の１次成分ｄｆｔ／ｄｔ及び式（２）により算出される全温度変化量Δｔｔｏｔａｌから、式（６）により算出することができる。
【００８４】
【数６】
2016178604.tif 000008
【００８５】
図１０に戻り、次に、工程Ｓ３６で測定した周波数ｆｍｅａｓの工程Ｓ３７で算出した目標周波数ｆｔａｒｇｅｔに対する偏差が所定範囲内でなければ（Ｓ３８のＮ）、工程Ｓ３５以降を再び行う。測定した周波数ｆｍｅａｓの目標周波数ｆｔａｒｇｅｔに対する偏差が所定範囲内であれば（Ｓ３８のＹ）、周波数調整工程を終了する。
【００８６】
なお、工程Ｓ３１，Ｓ３３，Ｓ３６では、外部端子ＶＣ１には所望の電圧、例えば、周波数可変範囲の中間周波数に対応する電圧（例えば、ＶＤＤ／２）が印加された状態で周波数を測定する。
【００８７】
なお、図１０のフローチャートにおいて、可能な範囲で、各工程の順番を適宜変更してもよい。
【００８８】
図１２は、周波数調整工程（図９の工程Ｓ３０（図１０の工程Ｓ３１〜Ｓ３８））における発振器１の周波数の変化を表すグラフであり、図１２において、横軸は時間、縦軸は周波数である。図１０と同様に、実線のグラフは発振器１の実際の周波数（測定される周波数）ｆｍｅａｓを表すグラフであり、一点鎖線のグラフはエッチングにより変化する周波数ｆｒを表すグラフであり、二点鎖線のグラフは振動子３の温度変化により変化する周波数ｆｔを表すグラフである。また、点線のグラフは目標周波数ｆｔａｒｇｅｔを表すグラフである。
【００８９】
図１２では、図１０の工程Ｓ３１において測定された周波数はｆ０であり、振動子３の温度はｔ０である。そして、時刻０〜時刻Ｔ１において第１周波数調整工程（図１０の工程Ｓ３２）が行われ、振動子３の質量が減少するとともに温度がｔ１に上昇するため、周波数ｆｒがｆｒ１に上昇するとともに周波数ｆｔがｆｔ１に低下する。時刻Ｔ１において、図１０の工程Ｓ３３が行われ、測定周波数ｆｍｅａｓがｆｍｅａｓ１（＝ｆｒ１＋ｆｔ１−ｆ０）に上昇している。時刻Ｔ１〜時刻Ｔ１’はレーザー照射のインターバル期間であり、この期間に振動子３が放熱するため温度がｔ１’に低下する。
【００９０】
時刻Ｔ１’〜時刻Ｔ５’において第２周波数調整工程（図１０の工程Ｓ３５〜Ｓ３８）が行われる。時刻Ｔ１’〜時刻Ｔ２において図１０の工程Ｓ３５が行われ、振動子３の質量が減少するとともに温度がｔ２に上昇するため、周波数ｆｒがｆｒ２に上昇するとともに周波数ｆｔがｆｔ２に低下する。時刻Ｔ２において、図１０の工程Ｓ３６が行われ、測定周波数ｆｍｅａｓがｆｍｅａｓ２（＝ｆｒ２＋ｆｔ２−ｆ０）に上昇している。時刻Ｔ２〜時刻Ｔ２’はレーザー照射のインターバル期間であり、この期間に振動子３が放熱するため温度がｔ２’に低下する。また、この期間に図１０の工程Ｓ３７が行われ、目標周波数ｆｔａｒｇｅｔが初期の目標周波数ｆｔａｒｇｅｔ０よりも低いｆｔａｒｇｅｔ２に変更される。そして、図１０の工程Ｓ３８が行われ、測定周波数ｆｍｅａｓ２の目標周波数ｆｔａｒｇｅｔ２に対する偏差が所定範囲内にないため、第２周波数調整工程が続行される。
【００９１】
時刻Ｔ２’〜時刻Ｔ３において再び図１０の工程Ｓ３５が行われ、振動子３の質量が減少するとともに温度がｔ３に上昇するため、周波数ｆｒがｆｒ３に上昇するとともに周波数ｆｔがｆｔ３に低下する。時刻Ｔ３において、図１０の工程Ｓ３６が行われ、測定周波数ｆｍｅａｓがｆｍｅａｓ３（＝ｆｒ３＋ｆｔ３−ｆ０）に上昇している。時刻Ｔ３〜時刻Ｔ３’はレーザー照射のインターバル期間であり、この期間に振動子３が放熱するため温度がｔ３’に低下する。また、この期間に図１０の工程Ｓ３７が行われ、目標周波数ｆｔａｒｇｅｔが目標周波数ｆｔａｒｇｅｔ２よりも低いｆｔａｒｇｅｔ３に変更される。そして、図１０の工程Ｓ３８が行われ、測定周波数ｆｍｅａｓ３の目標周波数ｆｔａｒｇｅｔ３に対する偏差が所定範囲内にないため、第２周波数調整工程が続行される。
【００９２】
時刻Ｔ３’〜時刻Ｔ４において再び図１０の工程Ｓ３５が行われ、振動子３の質量が減少するとともに温度がｔ４に上昇するため、周波数ｆｒがｆｒ４に上昇するとともに周波数ｆｔがｆｔ４に低下する。時刻Ｔ４において、図１０の工程Ｓ３６が行われ、測定周波数ｆｍｅａｓがｆｍｅａｓ４（＝ｆｒ４＋ｆｔ４−ｆ０）に上昇している。時刻Ｔ４〜時刻Ｔ４’はレーザー照射のインターバル期間であり、この期間に振動子３が放熱するため温度がｔ４’に低下する。また、この期間に図１０の工程Ｓ３７が行われ、目標周波数ｆｔａｒｇｅｔが目標周波数ｆｔａｒｇｅｔ３よりも低いｆｔａｒｇｅｔ４に変更される。そして、図１０の工程Ｓ３８が行われ、測定周波数ｆｍｅａｓ４の目標周波数ｆｔａｒｇｅｔ４に対する偏差が所定範囲内にないため、第２周波数調整工程が続行される。
【００９３】
時刻Ｔ４’〜時刻Ｔ５において再び図１０の工程Ｓ３５が行われ、振動子３の質量が減少するとともに温度がｔ５に上昇するため、周波数ｆｒがｆｒ５に上昇するとともに周波数ｆｔがｆｔ５に低下する。時刻Ｔ５において、図１０の工程Ｓ３６が行われ、測定周波数ｆｍｅａｓがｆｍｅａｓ５（＝ｆｒ５＋ｆｔ５−ｆ０）に上昇している。時刻Ｔ５〜時刻Ｔ５’はレーザー照射のインターバル期間であり、この期間に振動子３が放熱するため温度がｔ５’に低下する。また、この期間に図１０の工程Ｓ３７が行われ、目標周波数ｆｔａｒｇｅｔが目標周波数ｆｔａｒｇｅｔ４よりも低いｆｔａｒｇｅｔ５に変更される。そして、図１０の工程Ｓ３８が行われ、測定周波数ｆｍｅａｓ５の目標周波数ｆｔａｒｇｅｔ５に対する偏差が所定範囲内になったため周波数調整工程（図９の工程Ｓ３０（図１
０の工程Ｓ３１〜Ｓ３８））が終了する。
【００９４】
なお、第２周波数調整工程では、図１０の工程Ｓ３５〜Ｓ３８が繰り返され、測定周波数ｆｍｅａｓの目標周波数ｆｔａｒｇｅｔに対する偏差が小さくなっていく。従って、例えば、偏差がある程度小さくなるまでは工程Ｓ３５におけるレーザー光の照射時間を長くして周波数を粗調し、偏差がある程度小さくなった後は工程Ｓ３５におけるレーザー光の照射時間を短くして周波数を微調するようにすれば、周波数調整工程（図９の工程Ｓ３０）の総時間を短縮しながら調整精度を向上させることが可能である。
【００９５】
このように、本実施形態では、周波数を測定して発振器１の周波数温度特性の１次成分を算出し、周波数調整工程において、エッチングによる周波数の変化量と振動子３の温度変化による周波数の変化量を加味して、目標周波数を変更しながら周波数を調整することにより、調整誤差を小さくすることができる。従って、図１３（Ａ）に示すように、目標周波数を変えずに周波数調整を行う場合（図１３（Ａ）の破線）と比較して、図１０の工程Ｓ３１〜Ｓ３８に従って目標周波数を変えながら周波数調整を行った場合（図１３（Ａ）の実線）の方が周波数調整時の調整ばらつきＡが小さくなる。その結果、図１３（Ｂ）に示すように、目標周波数を変えずに周波数調整を行う場合（図１３（Ｂ）の破線）と比較して、図１０の工程Ｓ３１〜Ｓ３８に従って目標周波数を変えながら周波数調整を行った場合（図１３（Ｂ）の実線）の方がリッド５による封止及び熱処理の後の調整ばらつきＢも小さくなる。
【００９６】
従って、周波数の調整誤差が比較的大きい発振器１についても、図９の工程Ｓ５０〜工程Ｓ８０により周波数の微調整を行うことで、目標周波数との差を所定範囲内にすることが可能となり、歩留りを維持あるいは向上させることができる。
【００９７】
以上に説明したように、本実施形態の発振器の製造方法によれば、周波数調整工程において、エッチングによる周波数の変化量と振動子３の温度変化による周波数の変化量を加味して、適切に目標周波数を変更しながら周波数を調整することができる。従って、周波数調整工程において、目標周波数に近づくように調整することにより、周波数の調整誤差を従来よりも小さくすることができる。
【００９８】
特に、本実施形態の発振器の製造方法によれば、第１周波数調整工程の前後での周波数を測定し、その変化量に基づき発振器１の周波数温度特性を算出することで、発振器１の周波数温度特性を加味して適切に目標周波数を変更し、周波数調整時の調整ばらつきＡを小さくすることで、リッド５による封止及び熱処理の後の調整ばらつきＢを小さくし、周波数調整回路３０による調整可能範囲を広げずに歩留りを維持又は向上させることができる。
【００９９】
［変形例］
例えば、図９の周波数調整工程Ｓ３０の手順を変形してもよい。図１４は、周波数調整工程（図９の工程Ｓ３０）の手順の変形例を示すフローチャート図である。
【０１００】
まず、図９の工程Ｓ３１〜Ｓ３４と同様に、工程Ｓ１３１〜Ｓ１３４を行い、発振器１の周波数温度特性の１次成分ｄｆｔ／ｄｔを算出する。
【０１０１】
次に、集積回路（ＩＣ）２の記憶部７０に、温度補償回路４０が、工程Ｓ１３４で算出した周波数温度特性の１次成分ｄｆｔ／ｄｔを０に近づけるための温度補償データを記憶させる（Ｓ１３５）。この工程Ｓ１３５では、外部端子から、シリアルインターフェース回路８０を介して、不揮発性メモリー７２あるいはレジスター７４に１次補償データを書き込む。
【０１０２】
次に、集積回路（ＩＣ）２と振動子３とが電気的に接続された状態で、振動子３を発振させて周波数を測定し、周波数が目標周波数に近づくように調整する第２周波数調整工程（Ｓ１３６〜Ｓ１３８）を行う。この第２周波数調整工程では、不揮発性メモリー７２からレジスター７４に転送されて保持された１次補償データ、あるいは、レジスター７４に書き込まれた１次補償データに応じて、温度補償回路４０の１次電圧発生回路４１−１が１次補償電圧を発生させている状態で、周波数を調整する。
【０１０３】
第２周波数調整工程では、まず、レーザー光を照射し、振動子３の励振電極３ａをエッチングする（Ｓ１３５）。この工程Ｓ１３６で照射するレーザー光のパワー及び照射時間は第１周波数調整工程Ｓ１３２におけるパワーＱｈ及び時間Ｔ１と同じである必要はない。
【０１０４】
次に、振動子３を発振させて発振器１の周波数を測定する（Ｓ１３７）。工程Ｓ１３７では、温度補償回路４０の１次電圧発生回路４１−１が発生する１次補償電圧により、発振器１の周波数温度特性の１次成分ｄｆｔ／ｄｔを０に近づけた状態で、周波数を測定する。工程Ｓ１３７で測定された周波数をｆｍｅａｓとする。
【０１０５】
次に、工程Ｓ１３７で測定した周波数ｆｍｅａｓの目標周波数ｆｔａｒｇｅｔ０に対する偏差が所定範囲内でなければ（Ｓ１３８のＮ）、工程Ｓ１３６以降を再び行う。測定した周波数ｆｍｅａｓの目標周波数ｆｔａｒｇｅｔ０に対する偏差が所定範囲内であれば（Ｓ１３８のＹ）、周波数調整工程を終了する。
【０１０６】
なお、工程Ｓ１３１，Ｓ１３３，Ｓ１３６では、外部端子ＶＣ１には所望の電圧、例えば、周波数可変範囲の中間周波数に対応する電圧（例えば、ＶＤＤ／２）が印加された状態で周波数を測定する。
【０１０７】
ここで、例えば、振動子３がＡＴカット水晶振動子である場合、図１５（Ａ）に示すように、発振器１の周波数温度特性は３次曲線を呈し、２５℃付近では温度変化に対して線形に周波数が変化する。これに対して、工程Ｓ１３５を行った後の発振器１の周波数温度特性は、図１５（Ｂ）に示すように、２５℃付近において平坦に近い状態になっており、温度上昇に対する発振周波数の変化が小さい。従って、工程Ｓ１３６におけるレーザー光の照射により振動子３の温度が上昇しても、振動子３の温度上昇による発振器１の周波数の変化量は極めて小さいので、２５℃での目標周波数ｆｔａｒｇｅｔ０になるように周波数を調整しても調整誤差は小さい。
【０１０８】
従って、周波数調整工程（図９のＳ３０（図１４のＳ１３１〜Ｓ１３８））において周波数の調整誤差が比較的大きい発振器１についても、図９の工程Ｓ６０〜工程Ｓ９０により周波数の微調整を行うことで、目標周波数との差を所定範囲内にすることが可能となり、歩留りを維持あるいは向上させることができる。
【０１０９】
図１６は、周波数調整工程（図９の工程Ｓ３０）の手順の他の変形例を示すフローチャート図である。
【０１１０】
まず、図９の工程Ｓ３１〜Ｓ３４と同様に、工程Ｓ２３１〜Ｓ２３４を行い、発振器１の周波数温度特性の１次成分ｄｆｔ／ｄｔを算出する。
【０１１１】
次に、集積回路（ＩＣ）２と振動子３とが電気的に接続された状態で、振動子３を発振させて周波数を測定し、周波数が目標周波数に近づくように調整する第２周波数調整工程（Ｓ２３５〜Ｓ２３８）を行う。
【０１１２】
第２周波数調整工程では、まず、レーザー光を照射し、振動子３の励振電極３ａをエッチングする（Ｓ２３５）。この工程Ｓ２３５で照射するレーザー光のパワーは第１周波数調整工程Ｓ２３２におけるパワーＱｈと同じであるが、工程Ｓ２３５でレーザー光を照射する時間は第１周波数調整工程Ｓ２３２における照射時間Ｔ１と同じである必要はない。
【０１１３】
次に、第１周波数調整工程Ｓ２３２の開始後の振動子３の全温度変化量Δｔｔｏｔａｌを算出し、工程Ｓ２３４で算出した周波数温度特性の１次成分ｄｆｔ／ｄｔ及び全温度変化量Δｔｔｏｔａｌに基づき、第１周波数調整工程Ｓ２３２の開始後の周波数ｆｔの全変化量Δｆｔｔｏｔａｌを算出する（Ｓ２３６）。例えば、式（２）により、振動子３の全温度変化量Δｔｔｏｔａｌを算出し、式（１）により算出される周波数温度特性の１次成分ｄｆｔ／ｄｔ及び全温度変化量Δｔｔｏｔａｌから、式（６）によりΔｆｔｔｏｔａｌを算出することができる。
【０１１４】
次に、外部端子ＶＣ１（集積回路（ＩＣ）２のＶＣ端子）に周波数を−Δｆｔｔｏｔａｌ分だけ変化させるための制御電圧を印加し、振動子３を発振させて発振器１の周波数を測定する（Ｓ２３７）。工程Ｓ２３７では、集積回路（ＩＣ）２のＶＣ端子に、発振器１の周波数温度特性の１次成分ｄｆｔ／ｄｔを０に近づけるための制御信号を入力することにより、発振器１の周波数温度特性の１次成分を０に近づけた状態で、周波数を測定する。工程Ｓ２３７で測定された周波数をｆｍｅａｓとする。
【０１１５】
次に、工程Ｓ２３７で測定した周波数ｆｍｅａｓの目標周波数ｆｔａｒｇｅｔ０に対する偏差が所定範囲内でなければ（Ｓ２３８のＮ）、工程Ｓ２３５以降を再び行う。測定した周波数ｆｍｅａｓの目標周波数ｆｔａｒｇｅｔ０に対する偏差が所定範囲内であれば（Ｓ２３８のＹ）、周波数調整工程を終了する。
【０１１６】
なお、工程Ｓ２３１，Ｓ２３３では、外部端子ＶＣ１には所望の電圧、例えば、周波数可変範囲の中間周波数に対応する電圧（例えば、ＶＤＤ／２）が印加された状態で周波数を測定する。
【０１１７】
ここで、例えば、振動子３がＡＴカット水晶振動子である場合、図１５（Ａ）に示すように、発振器１の周波数温度特性は３次曲線を呈し、２５℃付近では温度変化に対して線形に周波数が変化する。これに対して、工程Ｓ２３７において発振器１の周波数を測定する際の発振器１の周波数温度特性は、図１５（Ｂ）に示すように、２５℃付近において平坦に近い状態になっており、温度上昇に対する発振周波数の変化が小さい。従って、工程Ｓ２３５におけるレーザー光の照射により振動子３の温度が上昇しても、振動子３の温度上昇による発振器１の周波数の変化量は極めて小さいので、２５℃での目標周波数ｆｔａｒｇｅｔ０になるように周波数を調整しても調整誤差は小さい。
【０１１８】
従って、周波数調整工程（図９のＳ３０（図１６のＳ２３１〜Ｓ２３８））において周波数の調整誤差が比較的大きい発振器１についても、図９の工程Ｓ６０〜工程Ｓ９０により周波数の微調整を行うことで、目標周波数との差を所定範囲内にすることが可能となり、歩留りを維持あるいは向上させることができる。
【０１１９】
なお、本実施形態及び変形例の発振器の製造方法は、例えば、周波数温度特性が３次曲線を呈する振動子３を有する発振器１に広く適用することができる。周波数温度特性が３次曲線を呈する振動子３としては、上述したＡＴカット水晶振動子の他に、例えば、ＳＴカットに改良を加えて周波数温度特性が３次曲線を呈するようにした弾性表面波（ＳＡＷ：Surface Acoustic Wave）共振子などが挙げられる。この弾性表面波（ＳＡＷ）共振子においても、レーザー光を照射してＩＤＴ（InterDigital Transducer）電極や反射器の
一部を除去することで周波数を調整することができる。
【０１２０】
そして、振動子３の周波数温度特性が３次曲線を呈する場合、周波数調整工程（図９の工程Ｓ３０）が１５℃以上３５℃以下の温度で行われることが望ましい。この温度範囲では、温度変化に対して振動子３の周波数がほぼ線形に変化するため、図１０の工程Ｓ３４、図１４の工程Ｓ１３４又は図１６の工程Ｓ２３４で算出する発振器１の周波数温度特性の１次成分ｄｆｔ／ｄｔの精度が高くなり、周波数の調整誤差を小さくすることができる。
【０１２１】
また、上述した発振器１は、温度補償機能と電圧制御機能（周波数制御機能）を有する発振器（ＶＣ−ＴＣＸＯ（Voltage Controlled Temperature Compensated Crystal Oscillator）等）であるが、本実施形態及び変形例の発振器の製造方法は、電圧制御機能（周波数制御機能）を有さない温度補償型発振器（ＴＣＸＯ（Temperature Compensated Crystal Oscillator）等）にも適用することができる。
【０１２２】
また、本実施形態及び変形例の発振器の製造方法は、集積回路（ＩＣ）２により振動子３を発振させて周波数を測定し、測定結果に応じて周波数を調整することが可能な発振器１に広く適用することができる。このような発振器１としては、図２（Ａ）に示したようなシングルシール構造の発振器の他にも、例えば、図１７に示すようなＨ型構造の発振器にも適用することができる。図１７に示す発振器１において、パッケージ４には、対向する面に２つの凹部が設けられており、リッド５で一方の凹部を覆うことによって収容室７ａとなり、封止部材８で他方の凹部を覆うことによって収容室７ｂとなる。収容室７ａには振動子３が収容され、収容室７ｂには集積回路（ＩＣ）２が収容されている。パッケージ４の内部又は凹部の表面には、集積回路（ＩＣ）２のＸＯ端子及びＸＩ端子と振動子３の２つの端子とをそれぞれ電気的に接続するための不図示の配線が設けられている。また、パッケージ４の内部又は凹部の表面には、集積回路（ＩＣ）２の各端子と対応する各外部端子６とを電気的に接続するための不図示の配線が設けられている。このような構造の発振器１においても、リッド５によってパッケージ４を封止する前に、振動子３の表面に設けられた励振電極３ａにレーザー光を照射し、励振電極３ａを削ることで周波数を調整することができる。
【０１２３】
２．電子機器
図１８は、本実施形態の電子機器の構成の一例を示す機能ブロック図である。また、図１９は、本実施形態の電子機器の一例であるスマートフォンの外観の一例を示す図である。
【０１２４】
本実施形態の電子機器３００は、発振器３１０、ＣＰＵ（Central Processing Unit）３２０、操作部３３０、ＲＯＭ（Read Only Memory）３４０、ＲＡＭ（Random Access Memory）３５０、通信部３６０、表示部３７０を含んで構成されている。なお、本実施形態の電子機器は、図１８の構成要素（各部）の一部を省略又は変更し、あるいは、他の構成要素を付加した構成としてもよい。
【０１２５】
発振器３１０は、集積回路（ＩＣ）３１２と振動子３１３とを備えている。集積回路（ＩＣ）３１２は、振動子３１３を発振させて発振信号を発生させる。この発振信号は発振器３１０のＯＵＴ端子からＣＰＵ３２０に出力される。
【０１２６】
ＣＰＵ３２０は、ＲＯＭ３４０等に記憶されているプログラムに従い、発振器３１０から入力される発振信号をクロック信号として各種の計算処理や制御処理を行う。具体的には、ＣＰＵ３２０は、操作部３３０からの操作信号に応じた各種の処理、外部装置とデータ通信を行うために通信部３６０を制御する処理、表示部３７０に各種の情報を表示させ
るための表示信号を送信する処理等を行う。
【０１２７】
操作部３３０は、操作キーやボタンスイッチ等により構成される入力装置であり、ユーザーによる操作に応じた操作信号をＣＰＵ３２０に出力する。
【０１２８】
ＲＯＭ３４０は、ＣＰＵ３２０が各種の計算処理や制御処理を行うためのプログラムやデータ等を記憶している。
【０１２９】
ＲＡＭ３５０は、ＣＰＵ３２０の作業領域として用いられ、ＲＯＭ３４０から読み出されたプログラムやデータ、操作部３３０から入力されたデータ、ＣＰＵ３２０が各種プログラムに従って実行した演算結果等を一時的に記憶する。
【０１３０】
通信部３６０は、ＣＰＵ３２０と外部装置との間のデータ通信を成立させるための各種制御を行う。
【０１３１】
表示部３７０は、ＬＣＤ（Liquid Crystal Display）等により構成される表示装置であり、ＣＰＵ３２０から入力される表示信号に基づいて各種の情報を表示する。表示部３７０には操作部３３０として機能するタッチパネルが設けられていてもよい。
【０１３２】
発振器３１０として例えば上述した本実施形態の製造方法を用いて製造した発振器１を適用することにより、信頼性の高い電子機器を実現することができる。
【０１３３】
このような電子機器３００としては種々の電子機器が考えられ、例えば、パーソナルコンピューター（例えば、モバイル型パーソナルコンピューター、ラップトップ型パーソナルコンピューター、タブレット型パーソナルコンピューター）、スマートフォンや携帯電話機などの移動体端末、ディジタルカメラ、インクジェット式吐出装置（例えば、インクジェットプリンター）、ルーターやスイッチなどのストレージエリアネットワーク機器、ローカルエリアネットワーク機器、移動体端末基地局用機器、テレビ、ビデオカメラ、ビデオレコーダー、カーナビゲーション装置、リアルタイムクロック装置、ページャー、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ゲーム用コントローラー、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニター、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシミュレーター、ヘッドマウントディスプレイ、モーショントレース、モーショントラッキング、モーションコントローラー、ＰＤＲ（歩行者位置方位計測）等が挙げられる。
【０１３４】
本実施形態の電子機器３００の一例として、上述した発振器３１０を基準信号源、あるいは電圧可変型発振器（ＶＣＯ）等として用いて、例えば、端末と有線または無線で通信を行う端末基地局用装置等として機能する伝送装置が挙げられる。本実施形態の電子機器３００は、発振器３１０として、例えば上述した本実施形態の製造方法を用いて製造した発振器１を適用することにより、例えば通信基地局などに利用可能な、高性能、高信頼性を所望される伝送機器にも適用することができる。
【０１３５】
３．移動体
図２０は、本実施形態の移動体の一例を示す図（上面図）である。図２０に示す移動体４００は、発振器４１０、エンジンシステム、ブレーキシステム、キーレスエントリーシステム等の各種の制御を行うコントローラー４２０，４３０，４４０、バッテリー４５０、バックアップ用バッテリー４６０を含んで構成されている。なお、本実施形態の移動体は、図２０の構成要素（各部）の一部を省略し、あるいは、他の構成要素を付加した構成
としてもよい。
【０１３６】
発振器４１０は、不図示の集積回路（ＩＣ）と振動子とを備えており、集積回路（ＩＣ）は振動子を発振させて発振信号を発生させる。この発振信号は発振器４１０の外部端子からコントローラー４２０，４３０，４４０に出力され、例えばクロック信号として用いられる。
【０１３７】
バッテリー４５０は、発振器４１０及びコントローラー４２０，４３０，４４０に電力を供給する。バックアップ用バッテリー４６０は、バッテリー４５０の出力電圧が閾値よりも低下した時、発振器４１０及びコントローラー４２０，４３０，４４０に電力を供給する。
【０１３８】
発振器４１０として例えば上述した本実施形態の製造方法を用いて製造した発振器１を適用することにより、信頼性の高い移動体を実現することができる。
【０１３９】
このような移動体４００としては種々の移動体が考えられ、例えば、自動車（電気自動車も含む）、ジェット機やヘリコプター等の航空機、船舶、ロケット、人工衛星等が挙げられる。
【０１４０】
本発明は本実施形態に限定されず、本発明の要旨の範囲内で種々の変形実施が可能である。
【０１４１】
上述した実施形態および変形例は一例であって、これらに限定されるわけではない。例えば、各実施形態および各変形例を適宜組み合わせることも可能である。
【０１４２】
本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び効果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
【符号の説明】
【０１４３】
１  発振器、２  集積回路（ＩＣ）、３  振動子、３ａ，３ｂ  励振電極、４  パッケージ、５  リッド、６  外部端子（外部電極）、７ａ，７ｂ  収容室、８  封止部材、９  レーザー光源、１０  発振回路、２０  出力回路、３０  周波数調整回路、３２  ＡＦＣ回路、４０  温度補償回路、４１−１  １次電圧発生回路、４１−ｎ  ｎ次電圧発生回路、４２  加算回路、５０  温度センサー、６０  レギュレーター回路、７０  記憶部、７２  不揮発性メモリー、７４  レジスター、８０  シリアルインターフェース（Ｉ／Ｆ）回路、３００  電子機器、３１０  発振器、３１２  集積回路（ＩＣ）、３１３  振動子、３２０  ＣＰＵ、３３０  操作部、３４０  ＲＯＭ、３５０  ＲＡＭ、３６０  通信部、３７０  表示部、４００  移動体、４１０  発振器、４２０，４３０，４４０  コントローラー、４５０  バッテリー、４６０  バックアップ用バッテリー
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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