(57)【要約】【課題】簡便な方法による透明導電部材の選別方法を提供する。【解決手段】透明導電部材の光透過率及び吸収率を測定し、透明導電部材を温度８５℃、湿度８５％の環境に２４時間保管し、この環境に保管した後の光透過率の変化が、保管する前に比べて０〜０．５％の範囲内であり、且つ、この環境に保管した後の吸収率の変化が、保管する前に比べて−１．０〜０％の範囲内である透明導電部材を選別する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基板と、前記透明基板よりも波長５７０ｎｍの光の屈折率が高い第１高屈折率層、銀又は銀合金層からなる導電層、及び、前記透明基板よりも波長５７０ｎｍの光の屈折率が高い第２高屈折率層をこの順に備える透明導電部材の選別方法であって、
透明導電部材の光透過率及び吸収率を測定し、
前記透明導電部材を温度８５℃、湿度８５％の環境に２４時間保管し、
前記環境に保管した後の前記透明導電部材の光透過率及び吸収率を測定し、
前記環境に保管した後の光透過率の変化が、前記環境に保管する前に比べて０〜０．５％の範囲内であり、且つ、前記環境に保管した後の吸収率の変化が、前記環境に保管する前に比べて−１．０〜０％の範囲内である前記透明導電部材を選別する
透明導電部材の選別方法。
【請求項２】
７０℃以上１４５℃以下の温度で熱アニール処理した前記透明導電部材を選別する請求項１に記載の透明導電部材の選別方法。
【請求項３】
第３高屈折率層を備える前記透明導電部材を選別する請求項１に記載の透明導電部材の選別方法。
【請求項４】
前記第１高屈折率層、及び、前記第２高屈折率層の少なくともいずれか一方が硫黄（Ｓ）を含む前記透明導電部材を選別する請求項１に記載の透明導電部材の選別方法。
【請求項５】
前記第１高屈折率層と前記導電層との間、及び、前記導電層と前記第２高屈折率層との間の少なくともいずれか一方に、金属酸化物、金属フッ化物、金属窒化物、又は、亜鉛（Ｚｎ）を含む硫化防止層を備える前記透明導電部材を選別する請求項４に記載の透明導電部材の選別方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、銀を含む導電層を備える透明導電部材の選別方法に係わる。
【背景技術】
【０００２】
近年、液晶ディスプレイやプラズマディスプレイ、無機及び有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）ディスプレイ等の表示装置、タッチパネル、太陽電池等の各種装置に透明導電部材が使用されている。
タッチパネル型の表示装置等では、表示素子の画像表示面上に、透明導電部材を含む配線が配置される。従って、透明導電部材には、光の透過性が高いことが求められる。このような各種表示装置には、光透過性の高いＩＴＯを用いた透明導電部材が多用されている。
【０００３】
近年、静電容量方式のタッチパネル表示装置が開発され、透明導電部材の表面電気抵抗をさらに低くすることが求められている。しかし、従来のＩＴＯ膜では、表面電気抵抗を十分に下げられないという問題があった。
そこで、透明導電部材の導電層として銀の蒸着層を用いることが検討されている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−２５０４３０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、銀を導電層として用いた透明導電部材では、電子機器等に組み込んでからの時間経過とともに光の透過率が変化するものがある。このような時間経過により光の透過率が変化する透明導電部材は、電子機器等に組み込んだ後に不良発生の原因となる。このため、時間経過によっても光の透過率の変化が少ない透明導電部材を、電子機器等に組み込む前に選別する必要がある。
通常、透明導電部材の光透過率の変化を測るためには、実際に電子機器等のデバイスに組み込み、長時間の使用又は加速試験による耐久性検査等を行なわなければならないため、デバイスに組み込む前に簡便な方法で透明導電部材を選別することができない。このため、簡便な方法で時間経過による透明導電部材の光透過率の変化を調べ、透明導電部材を選別することが求められている。
【０００６】
上述した問題の解決のため、本発明においては、簡便な方法による透明導電部材の選別方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の透明導電部材の選別方法は、透明基板と、透明基板よりも波長５７０ｎｍの光の屈折率が高い第１高屈折率層、銀又は銀合金層からなる導電層、及び、透明基板よりも波長５７０ｎｍの光の屈折率が高い第２高屈折率層をこの順に備える透明導電部材の選別方法である。透明導電部材の光透過率及び吸収率を測定し、透明導電部材を温度８５℃、湿度８５％の環境に２４時間保管し、環境に保管した後の透明導電部材の光透過率及び吸収率を測定し、この環境に保管した後の光透過率の変化が、この環境に保管する前に比べて０〜０．５％の範囲内であり、且つ、この環境に保管した後の吸収率の変化が、この環境に保管する前に比べて−１．０〜０％の範囲内である透明導電部材を選別する。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、便な方法による透明導電部材の選別方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】透明導電部材の選別方法の概略を示すフローチャートである。
【図２】選別方法が適用される透明導電部材の概略構成を示す図である。
【図３】選別方法が適用される透明導電部材の概略構成を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明を実施するための形態の例を説明するが、本発明は以下の例に限定されるものではない。
〈１．透明導電部材の選別方法〉
以下本発明の透明導電部材の選別方法について説明する。
本選別方法に係わる透明導電部材は、少なくとも、透明基板上と、透明基板よりも波長５７０ｎｍの光の屈折率が高い第１高屈折率層と、銀又は銀合金層からなる導電層と、透明基板よりも波長５７０ｎｍの光の屈折率が高い第２高屈折率層とを、この順に備える。本選別方法に係わる透明導電部材の構成に詳細は後述する。
【００１１】
透明導電部材の選別は、温度８５℃、湿度８５％の環境に２４時間保管した後の光透過率の変化が、保管する前に比べて０〜０．５％の範囲内であり、且つ、この環境に保管した後の吸収率の変化が、保管する前に比べて−１．０〜０％の範囲内である透明導電部材を選別する。この透明導電部材の選別は、以下の工程により行なうことができる。また、図１に透明導電部材の選別方法の概略を示す。
【００１２】
まず、上記構成を有する透明導電部材を作製する（ステップＳ１）。
作製した透明導電部材の光透過率及び吸収率を測定する（ステップＳ２）。
透明導電部材を温度８５℃、湿度８５％の環境に２４時間保管する（ステップＳ３）。
上記環境に保管後の透明導電部材の光透過率及び吸収率を測定する（ステップＳ４）。
上記環境に保管前の透明導電部材の光透過率及び吸収率と、上記環境に保管後の透明導電部材の光透過率及び吸収率とを比較し、上記環境に保管後の光透過率の変化が、保管する前に比べて０〜０．５％の範囲内であり、且つ、保管後の吸収率の変化が、保管する前に比べて−１．０〜０％の範囲内である透明導電部材を選別する（ステップＳ５）。
【００１３】
上述の方法により、上記環境での保管後の光透過率の変化が、保管する前に比べて０〜０．５％の範囲内であり、且つ、この環境に保管後の吸収率の変化が、保管する前に比べて−１．０〜０％の範囲内である透明導電部材を選別することにより、時間経過による光透過率の変化が少ない透明導電部材を選別することができる。これにより、デバイスへの組み込み、及び、長時間の加速試験等を行なうことなく、簡便な処理且つ短時間で透明導電部材の選別が可能となる。
【００１４】
この選別方法は、透明導電部材において、温度８５℃、湿度８５％の環境に２４時間保管した後の光透過率及び吸収率の変化と、電子機器等に組み込んでからの時間経過による光透過率の変化に、密接な関連が見いだされたことに基づく。具体的には、上記環境での光透過率及び吸収率の変化が小さい透明導電部材では、電子機器等のデバイスに組み込んだ際の時間経過による光透過率の変化が小さく、特に、保管後の光透過率の変化が、保管する前に比べて０〜０．５％の範囲内であり、且つ、保管後の吸収率の変化が、保管する前に比べて−１．０〜０％の範囲内であると、この範囲外に有る場合に比べて、透明導電部材の時間経過による光透過率の変化に顕著な差が見られる。
つまり、透明導電部材を、温度８５℃、湿度８５％の環境に２４時間保管した後の光透過率及び吸収率の変化量に基づいて選別することにより、電子機器等に組み込んでからの時間経過による光透過率の変化が少ない透明導電部材のみを選別することができる。
【００１５】
［透明導電部材の作製］
後述する構成の透明導電部材を作製する（ステップＳ１）。なお、透明導電部材の構成は、後述する透明導電部材に限らず、少なくとも、透明基板よりも波長５７０ｎｍの光の屈折率が高い第１高屈折率層、銀又は銀合金層からなる導電層、及び、透明基板よりも波長５７０ｎｍの光の屈折率が高い第２高屈折率層をこの順に備えていれば、上記選別方法に適用可能である。
【００１６】
［透明導電部材の光透過率及び吸収率の測定］
作製した透明導電部材に対して、光透過率及び吸収率を測定する（ステップＳ２）。この光透過率及び吸収率を測定は、透明導電部材の作製直後、又は、上記環境へ保管する直前に行なうことが好ましい。
透明導電部材の光透過率、及び、吸収率は、波長４００ｎｍ〜７４０ｎｍの平均光透過率、及び、平均光吸収率である。
平均光透過率は、透明導電部材の透明基板の表面の法線に対して、５°傾けた角度から光を入射させて測定する。平均光透過率は、分光光度計（例えば、Ｕ４１００；日立ハイテクノロジーズ社製）を用いて測定される。一方、平均光吸収率の値は、分光測色計にて測定される４００ｎｍ〜７４０ｎｍの光の透過率、反射率をそれぞれ平均して平均光透過率、平均反射率を算出する。そして、［平均吸収率＝１００−平均光透過率−平均反射率］から導かれる。
【００１７】
［温度８５℃、湿度８５％の環境に２４時間保管］
恒温槽等を用いて、透明導電部材を温度８５℃、湿度８５％の環境に２４時間保管する（ステップＳ３）。このような条件の保管高温、高湿下に一定時間保管することにより、透明導電部材の各構成、特に銀を含む導電層を熱及び湿度によって劣化させる。
【００１８】
［透明導電部材の光透過率及び吸収率の測定］
上記環境に保管後の透明導電部材の光透過率及び吸収率を測定する（ステップＳ４）。この測定は、上記環境への保管が終了した直後に測定することが好ましい。透明導電部材の光透過率、及び、吸収率の測定は、保管前の透明導電部材と同様の方法により行なう。
【００１９】
［透明導電部材の選別］
上記環境に保管前に測定した透明導電部材の光透過率及び吸収率と、上記環境に保管後に測定した透明導電部材の光透過率及び吸収率とを比較する。この比較により、保管前後の透明導電部材の光透過率、及び、吸収率の変化量を求める。
そして、この透明導電部材の光透過率の変化量が保管する前に比べて０〜０．５％の範囲内であり、吸収率の変化量が保管する前に比べて−１．０〜０％の範囲内である透明導電部材のみを選別する（ステップＳ５）。
【００２０】
以上の方法により、透明導電部材を選別することができる。温度８５℃、湿度８５％の環境に２４時間保管した後、透明導電部材の光透過率の変化量が０〜０．５％の範囲内、吸収率の変化量が−１．０〜０％の範囲内であれば、この透明導電部材は、電子機器等のデバイスに組み込んだ際にも光透過率の変化が少ない。一方、光透過率及び吸収率の変化量が上記範囲内に収まらない透明導電部材では、時間経過による透明導電部材の光透過率の変化が大きく、電子機器等のデバイスに組み込んだ際にも光透過率の変化が大きいため、不良が発生しやすい。
【００２１】
透明導電部材の導電層に含まれる銀は、温度８５℃、湿度８５％の環境に２４時間保管することにより状態が変化すると考えられる。このような導電層の状態の変化は、透明導電部材に形成された導電層の状態に依存すると考えられる。即ち、安定性の高い状態に形成されている導電層は上記環境に保管後の変化量が小さく、安定性の低い状態に形成されている導電層は上記環境に保管後の変化量が大きいと考えられる。
【００２２】
従って、上記環境に保管後の光透過率の変化量が０〜０．５％の範囲内、吸収率の変化量が−１．０〜０％の範囲内であると、この透明導電部材の導電層は、銀が安定した状態で形成されていると考えられる。一方、光透過率、及び、吸収率の変化量が上記範囲外の透明導電部材の導電層は、銀が不安定な状態で形成されていたと考えられ、このために光透過率、及び、吸収率の変化量が大きくなったと考えられる。
【００２３】
このように、上記選別方法により、透明導電部材に形成された導電層の安定性が推測できる。このため、上記選別方法を用いることにより、安定性の高く時間経過による変化が少ない導電層を備える透明導電部材を選別することができる。従って、デバイスに組み込んだ際にも、安定性が高く、光透過率が変化しにくい透明導電部材を選別することができる。
【００２４】
［透明導電部材の構成］
上述の選別方法に適用される透明導電部材の構成について説明する。以下の構成を有する透明導電部材が、上記選別方法に適用される透明導電部材の構成として好適である。なお、選別方法に適用される透明導電部材は、透明基板、第１高屈折率層、導電層、及び、第２高屈折率層をこの順に備えていれば特に限定されず、例えば、第１高屈折率層、導電層、及び、第２高屈折率層以外のその他の構成を、各層の上下や各層間に備えていてもよい。
【００２５】
図２に、上述の選別方法に適用される透明導電部材の構成を示す。
図２に示す透明導電部材１０は、透明基板１１、第１高屈折率層１２、導電層１３、及び、第２高屈折率層１４をこの順に備える。
【００２６】
第１高屈折率層１２、導電層１３、及び、第２高屈折率層１４は、透明基板１１の一方の面を全て覆うように形成されていてもよいが、図２に示すように、第１高屈折率層１２、導電層１３、及び、第２高屈折率層１４の一部がパターニングされ、導通領域１５と非導通領域１６とからなる構成とすることもできる。導通領域１５は少なくとも導電層１３を含んで構成され、非導通領域１６は導電層１３が除去された構成である。図２に示す透明導電部材１０では、透明基板１１上において、第１高屈折率層１２、導電層１３、及び、第２高屈折率層１４が除去された非導通領域１６と、導電層１３、及び、第２高屈折率層１４を含む導通領域１５とが形成されている。
【００２７】
［透明基板］
透明導電部材１０に適用される透明基板１１は、各種表示デバイスの透明基板に適用されている基板が挙げられる。透明基板１１は、例えば、ガラス基板等の無機系の基板であってもよく、セルロースエステル樹脂（例えば、トリアセチルセルロース（略称：ＴＡＣ）、ジアセチルセルロース、アセチルプロピオニルセルロース等）、ポリカーボネート樹脂（例えば、パンライト、マルチロン（以上、帝人社製））、シクロオレフィン樹脂（例えば、ゼオノア（日本ゼオン社製）、アートン（ＪＳＲ社製）、アペル（三井化学社製））、アクリル樹脂（例えば、ポリメチルメタクリレート、アクリライト（三菱レイヨン社製）、スミペックス（住友化学社製））、ポリイミド、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリフェニレンエーテル（略称：ＰＰＥ）樹脂、ポリエステル樹脂（例えば、ポリエチレンテレフタレート（略称：ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（略称：ＰＥＮ））、ポリエーテルスルホン樹脂、アクリロニトリル・ブタジエン・スチレン樹脂（略称：ＡＢＳ樹脂）／アクリロニトリル・スチレン樹脂（略称：ＡＳ樹脂）、メチルメタクリレート・ブタジエン・スチレン樹脂（略称：ＭＢＳ樹脂）、ポリスチレン、メタクリル樹脂、ポリビニルアルコール／エチレンビニルアルコール樹脂（略称：ＥＶＯＨ）、スチレン系ブロックコポリマー樹脂等からなる透明樹脂フィルムであってもよい。透明基板１１が透明樹脂フィルムである場合、当該フィルムには２種以上の樹脂が含まれてもよい。
【００２８】
高い光透過性を達成することができる観点から、透明基板１１は、ガラス基板や、セルロースエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂（特にポリエチレンテレフタレート）、トリアセチルセルロース、シクロオレフィン樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリフェニレンエーテル（ＰＰＥ）樹脂、ポリエーテルスルホン、ＡＢＳ／ＡＳ樹脂、ＭＢＳ樹脂、ポリスチレン、メタクリル樹脂、ポリビニルアルコール／ＥＶＯＨ（エチレンビニルアルコール樹脂）、スチレン系ブロックコポリマー樹脂等の樹脂成分から構成されるフィルムであることが好ましい。
【００２９】
また、透明基板１１は、１層のみからなるものであってもよいが、ベースとなる基材表面に公知のクリアハードコート層や平滑層が積層されたものであってもよい。透明基板１１にハードコート層や平滑層等が含まれると、透明基板１１上に成膜される各層の平滑性が高まりやすく、特に導電層１３が平滑になりやすい。さらに、透明基板１１から、第１高屈折率層１２側に不純物が析出し難くなる。また、透明導電部材１０の擦り傷耐性が高まる。ハードコート層や平滑層は、公知の樹脂からなる層であってもよい。
【００３０】
［第１高屈折率層］
第１高屈折率層１２は、透明導電部材１０の導通領域１５、つまり導電層１３が形成されている領域の光透過性（光学アドミッタンス）を調整する層である。第１高屈折率層１２は、透明導電部材１０の光の透過性を調整する観点から、上述の透明基板１１の屈折率より高い屈折率を有する誘電性材料、又は、酸化物半導体材料が少なくとも含まれる。透明基板１１が複数層からなる場合、第１高屈折率層１２に含まれる誘電性材料、又は、酸化物半導体材料は、透明基板１１を構成するいずれの層より高い屈折率を有する材料とする。また、第１高屈折率層１２は、誘電性材料又は酸化物半導体材料が樹脂バインダで結着された層であってもよい。
【００３１】
第１高屈折率層１２に含まれる誘電性材料、又は、酸化物半導体材料の波長５７０ｎｍの光の屈折率は、透明基板１１の波長５７０ｎｍの光の屈折率より０．１〜１．１大きいことが好ましく、０．４〜１．０大きいことがより好ましい。一方、第１高屈折率層１２に含まれる誘電性材料、又は、酸化物半導体材料の波長５７０ｎｍの光の具体的な屈折率は１．５より大きいことが好ましく、１．７〜２．５であることがより好ましく、さらに好ましくは１．８〜２．５である。誘電性材料、又は、酸化物半導体材料の屈折率が１．５より大きいと、第１高屈折率層１２によって、導電層１３を含む領域（導通領域１５）の光透過性が十分に調整される。
【００３２】
第１高屈折率層１２に含まれる誘電性材料、又は、酸化物半導体材料は、絶縁性の材料であってもよく、導電性の材料であってもよい。誘電性材料又は酸化物半導体材料の例にはＴｉＯ２、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）、ＺｎＯ、ＺｎＳ、Ｎｂ２Ｏ５、ＺｒＯ２、ＣｅＯ２、Ｔａ２Ｏ５、Ｔｉ３Ｏ５、Ｔｉ４Ｏ７、Ｔｉ２Ｏ３、ＴｉＯ、ＳｎＯ２、Ｌａ２Ｔｉ２Ｏ７、ＩＺＯ（酸化インジウム・酸化亜鉛）、ＡＺＯ（ＡｌドープＺｎＯ）、ＧＺＯ（ＧａドープＺｎＯ）、ＡＴＯ（ＳｂドープＳｎＯ）、ＩＣＯ（インジウムセリウムオキサイド）、Ｇａ２Ｏ３等が含まれる。第１高屈折率層１２には、誘電性材料又は酸化物半導体材料が１種のみ含まれてもよく、２種以上が含まれてもよい。誘電性材料又は酸化物半導体材料は、特に好ましくは、ＺｎＳ、ＺｎＯ、ＴｉＯ２、ＧＺＯ、ＩＴＯである。
【００３３】
なお、第１高屈折率層１２には、上記の屈折率が高い誘電性材料や酸化物半導体材料以外に、波長５７０ｎｍの光の屈折率が１．５未満である材料が一部含まれてもよい。波長５７０ｎｍの光の屈折率が１．５未満である材料としては、ＭｇＦ２、ＳｉＯ２等が挙げられる。例えば、ＺｎＳと共に、ＳｉＯ２が含まれると、第１高屈折率層１２が非晶質になりやすく、透明導電部材１０のフレキシブル性が高まりやすい。ただし、屈折率が１．５未満の材料は、屈折率が高い誘電性材料や酸化物半導体材料１００部（原子の数）に対して３０部（原子の数）以下であることが好ましく、より好ましくは２０部（原子の数）以下である。屈折率が１．５未満の材料の添加量が上記範囲であれば、第１高屈折率層１２自体の屈折率が十分に高く維持でき、光透過性（光学アドミッタンス）を調整する層としての十分な役割を果たすことができる。
【００３４】
ここで、第１高屈折率層１２が、樹脂バインダを含まない層である場合、第１高屈折率層１２の屈折率は、第１高屈折率層１２に含まれる材料の屈折率や、第１高屈折率層１２に含まれる材料の密度で調整される。
【００３５】
一方、第１高屈折率層１２が、誘電性材料又は酸化物半導体材料が樹脂バインダで結着された層である場合、第１高屈折率層１２の屈折率は、第１高屈折率層１２に含まれる誘電性材料又は酸化物半導体材料の屈折率や、第１高屈折率層１２中の誘電性材料又は酸化物半導体材料の密度で調整される。このとき、第１高屈折率層１２の総量に対して、誘電性材料又は酸化物半導体材料は１０〜５０質量％含まれることが好ましく、より好ましくは３０〜５０質量％である。誘電性材料又は酸化物半導体材料の量が上記範囲であると、第１高屈折率層１２の屈折率が高まりやすく、第１高屈折率層１２によって、導通領域１５の表面の反射率が所望の範囲に調整されやすくなる。
【００３６】
第１高屈折率層１２に含まれる樹脂バインダとしては、光透過性が高い樹脂であれば特に制限されず、熱可塑型樹脂、紫外線硬化型樹脂、又は熱硬化型樹脂のいずれでもありうる。これらの樹脂は、例えばアクリル樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂等でありうる。
【００３７】
また、第１高屈折率層１２には、導電層１３成膜時の金属の凝集を抑制し、薄くとも均一な厚みの導電層１３を得るとの観点から、硫黄が含まれることが好ましい。硫黄は第１高屈折率層１２に、単体の状態で含まれてもよいが、金属硫化物の状態で含まれることが、安定性の観点から好ましく、中でも硫化亜鉛（ＺｎＳ）、硫化インジウム（Ｉｎ２Ｓ３）等が成膜用のターゲットの作りやすさの観点から好ましい。
【００３８】
第１高屈折率層１２に含まれる硫黄原子の量は、第１高屈折率層１２を構成する全原子の数に対して０．１〜５０ａｔ％であることが好ましく、より好ましくは０．５〜５０ａｔ％である。硫黄原子は導電層１３に含まれる銀との親和性が高い。そのため、導電層１３の成膜時に、銀が第１高屈折率層１２上に凝集しにくくなり、厚みが薄く均一な導電層１３を得ることができる。つまり、吸収の少ない、光透過性の高い導電層１３が作製される。また上述のとおり、硫黄原子は導電層１３に含まれる銀との親和性が高いため、高湿度環境下での水分による銀の凝集や、銀の腐食を抑制できる。その結果、透明導電部材１０の耐湿性が高まる。一方、硫黄原子の量が過剰であると、第１高屈折率層１２の均一な成膜が難しくなり、透明性が低下する場合がある。
【００３９】
上記誘電性材料、又は、酸化物半導体材料としての屈折率を満たし、かつ硫黄を含む材料としては、硫化亜鉛（ＺｎＳ）が挙げられる。このため、第１高屈折率層１２には、少なくともＺｎＳが含まれることが好ましい。第１高屈折率層１２には、ＺｎＳのみが含まれてもよく、ＺｎＳとＺｎＳ以外の誘電性材料、又は、酸化物半導体材料との混合物が含まれてもよい。
【００４０】
ＺｎＳ以外の誘電性材料、又は、酸化物半導体材料としては、ＴｉＯ２、ＩＴＯ（インジウム・スズ酸化物）、ＺｎＯ、Ｎｂ２Ｏ５、ＺｒＯ２、ＣｅＯ２、Ｔａ２Ｏ５、Ｔｉ３Ｏ５、Ｔｉ４Ｏ７、Ｔｉ２Ｏ３、ＴｉＯ、ＳｎＯ２、Ｌａ２Ｔｉ２Ｏ７、ＩＺＯ（インジウム・亜鉛酸化物）、ＡＺＯ（アルミニウム・亜鉛酸化物）、ＧＺＯ（ガリウム・亜鉛酸化物）、ＡＴＯ（アンチモン・スズ酸化物）、ＺＴＯ（亜鉛酸化物・スズ酸化物）、ＩＣＯ（インジウム・セリウム酸化物）、ＩＧＺＯ（インジウム・ガリウム・亜鉛酸化物）、Ｂｉ２Ｏ３、Ｇａ２Ｏ３、ＧｅＯ２、ＷＯ３、ＨｆＯ２、Ｉｎ２Ｏ３、ａ−ＧＩＯ（ガリウム・インジウム酸化物）等が挙げられる。第１高屈折率層１２には、これらの誘電性材料、又は、酸化物半導体材料が１種のみ含まれてもよく、２種以上が含まれてもよい。ＺｎＳ以外の誘電性材料、又は、酸化物半導体材料は、ＺｎＯ、ＴｉＯ２、ＧＺＯ、ＩＴＯであることが特に好ましい。
【００４１】
第１高屈折率層１２の屈折率は、第１高屈折率層１２に含まれる材料の屈折率や、第１高屈折率層１２に含まれる材料の密度で調整される。第１高屈折率層１２の屈折率は、透明基板１１と同様に、エリプソメータを用い、２５℃の環境下で測定することにより求めることができる。
【００４２】
第１高屈折率層１２の厚みは、導電層１３、第２高屈折率層１４を含む領域における所望の反射率、及び所望の色度によって適宜選択されるが、通常３〜１５０ｎｍであることが好ましく、より好ましくは５〜８０ｎｍである。第１高屈折率層１２の厚みが３ｎｍ以上であると、第１高屈折率層１２によって、導電層１３を含む領域の反射率が十分に調整されやすい。一方、第１高屈折率層１２の厚みが、１５０ｎｍ以下であると、第１高屈折率層１２が含まれる領域の光透過性が低下し難い。第１高屈折率層１２の厚みは、エリプソメータ等で測定される。
【００４３】
（形成方法）
第１高屈折率層１２は、真空蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法、プラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法等、一般的な気相成膜法、又は、塗布法により形成することができる。第１高屈折率層１２の屈折率（密度）が高まるとの観点から、第１高屈折率層１２は、電子ビーム蒸着法、又は、スパッタ法で形成することが好ましい。電子ビーム蒸着法の場合は膜密度を高めるため、ＩＡＤ（イオンアシスト）等のアシストを用いることが好ましい。
【００４４】
また、第１高屈折率層１２が、誘電性材料又は酸化物半導体材料が樹脂バインダで結着された層である場合、当該第１高屈折率層１２は、樹脂成分（上述の樹脂又はその前駆体）と、誘電性材料又は酸化物半導体材料と、必要に応じて重合開始剤や溶媒等を含む樹脂組成物を透明基板上に塗布し；当該樹脂組成物を固化、又は硬化させることにより、得られる。
【００４５】
当該樹脂組成物に含まれる重合開始剤は、樹脂の種類に応じて適宜選択され、一般的な光重合開始剤、熱重合開始剤等でありうる。光重合性の樹脂成分と共に用いられる光重合開始剤としては、一般的な重合開始剤としては、例えばアセトフェノン系、ベンゾイン系、ベンゾフェノン系、チオキサントン系、アルキルフェノン系等が挙げられる。また、熱重合性の樹脂成分と共に用いられる熱重合開始剤としては、有機過酸化物やカチオン重合開始剤等が挙げられる。また、当該樹脂組成物に含まれる溶媒は、樹脂バインダ等の種類に応じて適宜選択され、例えばアルコール系溶媒、ケトン系溶媒、ハロゲン化炭化水素系溶媒、エステル系溶媒、エーテル系溶媒、アミド系溶媒、炭化水素系溶媒等、各種有機溶媒でありうる。
【００４６】
また、樹脂組成物の塗布方法は特に制限されず、例えばバーコーター法、ロールコーター法、カーテンフロー法、スプレー法、グラビアコート法、ダイコート法、コンマコート法、ディップコート法、スピンコート法等、公知の方法でありうる。また、樹脂組成物を固化、もしくは硬化させる方法は、樹脂バインダの種類等に応じて適宜選択される。例えば樹脂バインダが熱可塑性樹脂や熱硬化性樹脂である場合、加熱により溶媒を除去し、樹脂組成物を固化又は硬化させる方法でありうる。一方、樹脂バインダが紫外線硬化型樹脂である場合、樹脂組成物に紫外線を照射することで、樹脂組成物を硬化させる方法でありうる。紫外線硬化時の光源としては、例えば超高圧、高圧、低圧水銀灯、ケミカルランプ、キセノンランプ、ハロゲンランプ、マーキュリーハロゲンランプ、カーボンアーク灯、白熱灯、レーザー光等でありうる。照射時間は、ランプの種類、光源の強さによって適宜選択されるが、数秒〜数分程度である。また紫外線照射と併せて、溶媒の除去や硬化促進のために、紫外線照射前に加熱してもよい。
【００４７】
第１高屈折率層１２は、少なくとも透明導電部材２０の導通領域１５に形成する。第１高屈折率層１２は、透明導電部材２０の非導通領域１６に形成してもよいが、導通領域１５及び非導通領域１６からなるパターンを視認され難くするため、図２に示すように導通領域１５のみに形成することが好ましい。
【００４８】
第１高屈折率層１２を導通領域１５にのみ形成する場合、その方法は特に制限されない。例えば、所望のパターンを有するマスク等を被成膜面に配置して第１高屈折率層１２をパターン状に成膜する方法等でよい。また、透明基板１１の全面に層を形成し、これを公知のエッチング法によりパターニングする方法でもよい。第１高屈折率層１２をエッチングするタイミングは特に制限されず、透明基板１１上に第１高屈折率層１２、導電層１３、第２高屈折率層１４等を積層してから、これらの層を一度にエッチングすることが、製造効率等の観点から好ましい。
【００４９】
公知のエッチング法としては、フォトリソグラフィー法、レーザー照射法等が挙げられる。フォトリソグラフィー法等でエッチングする場合、エッチング液は、無機酸又は有機酸のいずれを含んでいてもよいが、シュウ酸、塩酸、塩化鉄、酢酸、若しくは、リン酸、又は、これらの混合物であることがより好ましい。
【００５０】
一方、レーザー照射によりエッチングする場合、レーザーの種類は特に制限されず、例えば、Ａｒレーザー、半導体レーザー、Ｈｅ−Ｎｅレーザー、ＹＡＧレーザー、炭酸ガスレーザー等のいずれを用いてもよい。これにより、精度よく第１高屈折率層１２等を透明基板１１上から除去することができ、非導通領域１６を精度よく形成することができる。
【００５１】
［導電層］
導電層１３は、透明導電部材１０において電気を導通させるための層である。導電層１３は、銀又は銀を主成分とする層であることが導電性、透明性の観点から好ましい。具体的には、導電層１３を構成する全原子に対して、銀が６０ａｔ％（原子％）以上含まれることが好ましい。また導電性の観点から銀が９０ａｔ％以上含まれることが寄り好ましく、さらに好ましくは９７ａｔ％以上である。
【００５２】
銀と組み合わされる金属としては、亜鉛、金、銅、パラジウム、アルミニウム、マンガン、ビスマス、ネオジム、モリブデン、白金、チタン、クロム等でよい。例えば、銀と亜鉛とが組み合わされると、導電層１３の耐硫化性が高まる。銀と金とが組み合わされると、耐塩（ＮａＣｌ）性が高まる。さらに銀と銅とが組み合わされると、耐酸化性が高まる。導電層１３に含まれる各原子の種類や、その含有量は、例えばＸＰＳ法等で特定される。
【００５３】
導電層１３のプラズモン吸収率は、波長４００ｎｍ〜８００ｎｍにわたって（全範囲で）１０％以下であることが好ましく、７％以下であることがより好ましく、さらに好ましくは５％以下である。波長４００ｎｍ〜８００ｎｍの一部にプラズモン吸収率が大きい領域があると、透明導電部材１０の導通領域１５の透過光が着色しやすくなる。
【００５４】
導電層１３の波長４００ｎｍ〜８００ｎｍにおけるプラズモン吸収率は、以下の手順で測定される。
（ｉ）ガラス基板上に、白金パラジウムをマグネトロンスパッタ装置にて０．１ｎｍ成膜する。白金パラジウムの平均厚みは、スパッタ装置のメーカー公称値の成膜速度等から算出する。その後、白金パラジウムが付着した基板上にスパッタ法にて金属からなる膜を２０ｎｍ成膜する。
（ii）そして、得られた金属膜の表面の法線に対して、５°傾けた角度から測定光を入射させ、金属膜の光透過率及び反射率を測定する。そして各波長における光透過率及び反射率から、吸収率＝１００−（光透過率＋反射率）を算出し、これをリファレンスデータとする。光透過率及び反射率は、分光測色計で測定する。
（iii）続いて、測定対象の導電層１３を同様のガラス基板上に成膜する。そして、当該導電層について、同様に光透過率及び反射率を測定して吸収率を算出する。得られた吸収率から上記リファレンスデータを差し引き、算出された値を、プラズモン吸収率とする。
【００５５】
導電層１３の厚みは好ましくは１５ｎｍ以下であり、より好ましくは３〜１２ｎｍであり、さらに好ましくは５〜１０ｎｍである。透明導電部材１０は、導電層１３の厚みが１５ｎｍ以下であると、導電層１３に金属本来の反射が生じ難い。さらに、導電層１３の厚みが１５ｎｍ以下であると、第１高屈折率層１２、第２高屈折率層１４によって、透明導電部材１０の導通領域１５の光の透過性が良好になり、導通領域１５及び非導通領域１６の形状が視認される現象が抑制される。導電層１３の厚みは、エリプソメータ等で測定される。
【００５６】
（形成方法）
導電層１３は、真空蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法、プラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法等、一般的な気相成膜法を用いて形成することができる。特に、真空蒸着法、又は、スパッタ法で形成することが好ましい。スパッタ法や真空蒸着法であれば、平面性の高い導電層１３を形成することができる。スパッタ法の種類は特に制限されず、イオンビームスパッタ法や、マグネトロンスパッタ法、反応性スパッタ法、２極スパッタ法、バイアススパッタ法、対向スパッタ法等を用いることができる。これらの中でも、導電層１３の平滑性が高まり、透明性と導電性が良好になるため、対向スパッタ法が好ましい。
【００５７】
導電層１３は、透明導電部材２０の全面に形成してもよいが、透明導電部材２０に導通領域１５及び非導通領域１６を形成する場合には、導電層１３を導通領域１５にのみ形成する。導電層１３を導通領域１５にのみ形成する場合、その方法は特に制限されない。例えば、所望のパターンを有するマスクを配置して、気相成膜法で導電層１３を形成する方法等を用いることができる。また、第１高屈折率層１２を覆うように透明基板１１上に全面に層を形成した後、これをエッチングにより部分的に除去する方法を用いることができる。エッチングの方法は、第１高屈折率層１２のエッチング方法と同様でよい。また、エッチングのタイミングは特に制限されず、透明基板１１上に第１高屈折率層１２、導電層１３、第２高屈折率層１４等を積層してから、これらの層を一度にエッチングすることが、製造効率等の観点から好ましい。
【００５８】
［第２高屈折率層］
第２高屈折率層１４は、透明導電部材１０において、導電層１３を含む領域の表面の反射率を調整するための層である。第２高屈折率層１４には、上述の透明基板１１の屈折率より高い屈折率を有する誘電性材料、又は、酸化物半導体材料が少なくとも含まれる。誘電性材料、又は、酸化物半導体材料の波長５７０ｎｍの光の屈折率は、透明基板１１の波長５７０ｎｍの光の屈折率より０．１〜１．１大きいことが好ましく、０．４〜１．０大きいことがより好ましい。一方、第２高屈折率層１４に含まれる誘電性材料、又は、酸化物半導体材料の波長５７０ｎｍの光の具体的な屈折率は１．５より大きいことが好ましく、１．７〜２．５であることがより好ましく、さらに好ましくは１．８〜２．５である。誘電性材料、又は、酸化物半導体材料の屈折率が１．５より大きいと、第２高屈折率層１４によって、導電層１３を有する領域の光の表面反射が十分に調整される。
【００５９】
第２高屈折率層１４に含まれる誘電性材料又は酸化物半導体材料は、絶縁性の材料であってもよく、導電性の材料であってもよい。誘電性材料又は酸化物半導体材料は、第１高屈折率層１２と同様の誘電性材料又は酸化物材料を用いることができる。第２高屈折率層１４には、誘電性材料又は酸化物材料が１種のみ含まれてもよく、２種以上が含まれてもよい。また、第２高屈折率層１４には、必要に応じて、屈折率が１．５未満である材料が一部含まれてもよい。当該材料は、第１高屈折率層１２に含まれる屈折率が１．５未満である材料と同様である。第２高屈折率層１４に含まれる屈折率が１．５未満である材料は、屈折率が高い誘電性材料や酸化物半導体材料１００部（原子の数）に対して３０部（原子の数）以下であることが好ましく、より好ましくは２０部（原子の数）以下である。
【００６０】
また、第２高屈折率層１４は、誘電性材料又は酸化物半導体材料が樹脂バインダで結着された層であってもよく、樹脂バインダを含まない層であってもよい。第２高屈折率層１４に含まれる樹脂バインダや、誘電性材料又は酸化物半導体材料の濃度は、第１高屈折率層に含まれる樹脂バインダや、誘電性材料又は酸化物半導体材料の濃度と同様である。また、第２高屈折率層１４の成膜方法は特に制限されず、第１高屈折率層１２と同様の方法で成膜される。
【００６１】
一方で、第２高屈折率層１４には、透明導電部材１０の外部から第２高屈折率層１４の微小な隙間を通り侵入してくる酸素、水分が引き起こす導電層１３中の金属の凝集、腐食を抑えるため硫黄が含まれることが好ましい。特に第１高屈折率層１２及び第２高屈折率層１４の両層に硫黄が含まれることで、導電層１３が安定化し、耐凝集性や耐腐食の効果を発現し、透明導電部材１０の耐湿性が高くなる。硫黄は第２高屈折率層１４に、単体の状態で含まれてもよいが、硫化亜鉛（ＺｎＳ）等、硫化物の状態で含まれることが、安定性等の観点からより好ましい。
【００６２】
第２高屈折率層１４に含まれる硫黄原子の量は、第２高屈折率層１４を構成する全原子の数に対して０．１〜１０ａｔ％であり、好ましくは０．１〜５ａｔ％である。硫黄原子の量が０．１ａｔ％以上であると、透明導電部材１０の耐湿性が高まりやすい。一方で、硫黄原子の量が１０ａｔ％以下であると、後述の第３高屈折率層２３表面と導電層１３との導通が安定しやすくなる。
【００６３】
上記誘電性材料、又は、酸化物半導体材料としての屈折率を満たし、かつ硫黄を含む材料としては硫化亜鉛（ＺｎＳ）が挙げられ、第２高屈折率層１４には、硫化亜鉛（ＺｎＳ）以外の誘電性材料、又は、酸化物半導体材料と、硫化亜鉛（ＺｎＳ）とが含まれることが好ましい。ＺｎＳ以外の誘電性材料、又は、酸化物半導体材料としては、第１高屈折率層１２に含まれる誘電性材料、又は、酸化物半導体材料と同様でよい。特に、導電層１３との導通の安定性の観点から、誘電性材料、又は、酸化物半導体材料は、ＧＺＯ、ＩＴＯ、ＩＧＺＯ等の導電性の高い酸化物半導体材料が好ましい。第２高屈折率層１４には、誘電性材料、又は、酸化物半導体材料が１種のみ含まれてもよく、２種以上が含まれてもよい。
【００６４】
なお、第２高屈折率層１４には、ＺｎＳ及びＺｎＳ以外の誘電性材料や酸化物半導体材料の他に、波長５７０ｎｍの光の屈折率が１．５未満である材料が一部含まれてもよい。波長５７０ｎｍの光の屈折率が１．５未満である材料としては、ＭｇＦ２、ＳｉＯ２等が挙げられる。ただし、屈折率が１．５未満の材料は、ＺｎＳや、ＺｎＳ以外の誘電性材料や酸化物半導体材料由来の金属元素の量１００部（原子の数）に対して、屈折率が１．５未満の材料由来の金属元素の量が３０部以下となるように添加されることが好ましく、より好ましくは２０部以下である。屈折率が１．５未満の材料の添加量が上記範囲であれば、第２高屈折率層１４自体の屈折率を十分に維持できる。
【００６５】
第２高屈折率層１４の屈折率は、第２高屈折率層１４に含まれる材料の屈折率や、第２高屈折率層１４に含まれる材料の密度で調整される。第２高屈折率層１４の屈折率も透明基板１１と同様に、エリプソメータを用い、２５℃の環境下で測定することにより求めることができる。
【００６６】
第２高屈折率層１４の厚みは、３ｎｍ以上２０ｎｍ以下であり、好ましくは３〜１５ｎｍであり、より好ましくは５〜１５ｎｍである。硫黄が含まれる第２高屈折率層１４の厚みが２０ｎｍ以下であると、第２高屈折率層１４が含まれる領域の光透過性が低下し難い。一方で、第２高屈折率層１４の厚みが３ｎｍ以上であると、透明導電部材１０の耐湿性が高まりやすい。第２高屈折率層１４の厚みは、エリプソメータで測定される。
【００６７】
（形成方法）
第２高屈折率層１４は、真空蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法、プラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法等、一般的な気相成膜法、又は、塗布法で形成することができる。第２高屈折率層１４の屈折率（密度）が高まるとの観点から、第２高屈折率層１４は、電子ビーム蒸着法又はスパッタ法で形成することが好ましい。電子ビーム蒸着法の場合は膜密度を高めるため、ＩＡＤ（イオンアシスト）等のアシストを用いることが好ましい。
【００６８】
また、第２高屈折率層１４は、誘電性材料又は酸化物半導体材料が樹脂バインダで結着された層であってもよい。第２高屈折率層１４に含まれる樹脂バインダや、誘電性材料又は酸化物半導体材料の濃度は、第１高屈折率層１２に含まれる樹脂バインダや、誘電性材料又は酸化物半導体材料の濃度と同様である。また、第２高屈折率層１４の成膜方法は特に制限されず、第１高屈折率層１２と同様の方法で成膜される。
【００６９】
また、第２高屈折率層１４は、透明導電部材２０の全面に形成してもよく、透明導電部材２０に導通領域１５、及び、非導通領域１６を形成する場合、第２高屈折率層１４は、透明導電部材２０の導通領域１５に少なくとも形成する。第２高屈折率層１４を導通領域１５にのみ形成する場合、その方法は特に制限されない。例えば、所望のパターンを有するマスクを配置して、気相成膜法で第２高屈折率層１４を形成する方法等を用いることができる。また、導電層１３を覆うように全面に層を形成した後、これをエッチングにより部分的に除去する方法を用いることができる。エッチングの方法は、第１高屈折率層１２のエッチング方法と同様でよい。また、エッチングのタイミングは特に制限されず、透明基板１１上に第１高屈折率層１２、導電層１３、第２高屈折率層１４等を積層してから、これらの層を一度にエッチングすることが、製造効率等の観点から好ましい。
【００７０】
［透明導電部材の構成（変形例）］
上述の選別方法に適用される透明導電部材としては、第１高屈折率層、導電層、及び、第２高屈折率層の構成以外にも、他の層を備えていてもよい。例えば、第１高屈折率層、導電層、及び、第２高屈折率層に加えて、硫化防止層、及び、第３高屈折率層を備える透明導電部材も、上述の選別方法に好ましく適用することができる。
【００７１】
図３に透明導電部材の変形例の概略構成を示す。図３に示す透明導電部材２０は、透明基板１１、第１高屈折率層１２、第１硫化防止層２１、導電層１３、第２硫化防止層２２、第２高屈折率層１４、及び、第３高屈折率層２３をこの順に備える。透明導電部材２０において、透明基板１１、第１高屈折率層１２、導電層１３、及び、第２高屈折率層１４は、上述の図２に示す第１実施形態の透明導電部材１０と同様の構成である。
【００７２】
図３に示す透明導電部材２０においも、導電層１３等がパターニングされ、透明基板１１上に第１高屈折率層１２から第３高屈折率層２３までが含まれる導通領域１５と、透明基板１１のみが含まれる非導通領域１６とを有する。なお、透明導電部材２０は、透明基板１１の一方の面を全て第１高屈折率層１２、導電層１３、及び、第２高屈折率層１４が覆うように形成されていてもよい。同様に、透明基板１１の一方の面を全て第１高屈折率層１２、第１硫化防止層２１、導電層１３、第２硫化防止層２２、第２高屈折率層１４、及び、に第３高屈折率層２３が覆うように形成されていてもよい。
【００７３】
［第３高屈折率層］
第３高屈折率層２３は、透明導電部材２０において、第１高屈折率層１２や第２高屈折率層１４と共に、導電層１３を含む領域の表面の反射率を調整するための層である。第３高屈折率層２３には、透明導電部材２０の光の透過性を調整する観点から、透明基板１１の屈折率より高い屈折率を有する誘電性材料、又は、酸化物半導体材料が少なくとも含まれる。誘電性材料、又は、酸化物半導体材料の波長５７０ｎｍの光の屈折率は、透明基板１１の波長５７０ｎｍの光の屈折率より０．１〜１．１大きいことが好ましく、０．４〜１．０大きいことがより好ましい。一方、第３高屈折率層２３に含まれる誘電性材料、又は、酸化物半導体材料の波長５７０ｎｍの光の具体的な屈折率は１．５より大きいことが好ましく、１．７〜２．５であることがより好ましく、さらに好ましくは１．８〜２．５である。誘電性材料、又は、酸化物半導体材料の屈折率が１．５より大きいと、第３高屈折率層２３によって、導電層１３を有する領域の光の表面反射が十分に調整される。
【００７４】
一方、第３高屈折率層２３には、導電層１３との導通を取る観点から、導電性を有する金属酸化物も含まれる。導電性を有する金属酸化物とは、体積抵抗率が１×１０−４Ω・ｃｍ以上１×１０2Ω・ｃｍ以下である金属酸化物であり、当該金属酸化物の導電性は好ましくは１×１０−４Ω・ｃｍ以上１×１０-1Ω・ｃｍ以下である。また、第３高屈折率層２３の体積抵抗率は、１×１０−４Ω・ｃｍ以上１×１０2Ω・ｃｍ以下であることが好ましく、より好ましくは１×１０−４Ω・ｃｍ以上１×１０-1Ω・ｃｍ以下である。
【００７５】
第３高屈折率層２３の体積抵抗率は、第３高屈折率層２３をガラス上に単膜で作製し、膜厚をエリプソメータで測定し、表面電気抵抗値を、例えばＪＩＳ  Ｋ７１９４、ＡＳＴＭ  Ｄ２５７等に準拠して測定することで計算できる。第３高屈折率層２３の導電性は、第３高屈折率層２３に含まれる、導電性を有する金属酸化物の種類や量に応じて適宜調整される。
【００７６】
第３高屈折率層２３には、上記誘電性材料、又は、酸化物半導体材料としての屈折率を満たし、かつ金属酸化物としての導電性も満たす化合物が含まれることが好ましく、このような化合物（金属酸化物）としては、ＩＴＯ（インジウム・スズ酸化物）、ＧＺＯ（ガリウム・亜鉛酸化物）、ＩＧＺＯ（インジウム・ガリウム・亜鉛酸化物）、ＺＴＯ（亜鉛酸化物・スズ酸化物）、ＺｎＯ、ＡＴＯ（アンチモン・スズ酸化物）、ＳｎＯ２等が挙げられる。第３高屈折率層２３は、これらの化合物が一種のみ含まれてもよく、二種以上含まれてもよい。また、第３高屈折率層２３には、上記化合物と共に、第３高屈折率層２３の導電性を損なわない範囲で、上記以外の誘電性材料や酸化物半導体材料がさらに含まれてもよい。
【００７７】
第３高屈折率層２３に含まれる、上記以外の誘電性材料、又は、酸化物半導体材料は、第１高屈折率層１２に含まれる誘電性材料、又は、酸化物半導体材料と同様である。第３高屈折率層２３には、これらの誘電性材料、又は、酸化物半導体材料が１種のみ含まれてもよく、２種以上が含まれてもよい。
【００７８】
また、第３高屈折率層２３には、上述の導電性を維持できる範囲で、上記導電性化合物や、それ以外の誘電性材料や酸化物半導体材料の他に、波長５７０ｎｍの光の屈折率が１．５未満である材料が一部含まれてもよい。波長５７０ｎｍの光の屈折率が１．５未満である材料としては、ＭｇＦ２、ＳｉＯ２等が挙げられる。
【００７９】
第３高屈折率層２３の屈折率は、第３高屈折率層２３に含まれる材料の屈折率や、第３高屈折率層２３に含まれる材料の密度で調整される。第３高屈折率層２３の屈折率も透明基板１１と同様に、エリプソメータを用い、２５℃の環境下で測定することにより求められる。
【００８０】
第３高屈折率層２３の厚みは、５〜１３０ｎｍであることが好ましく、より好ましくは５〜８０ｎｍである。第３高屈折率層２３の厚みが５ｎｍ以上であると、透明導電部材２０の光の透過性が高く、耐湿性も高くなる。一方、第３高屈折率層２３の厚みが１３０ｎｍ以下であれば、相対的に第２高屈折率層１４の厚みを厚くすることができ、透明導電部材２０の耐湿性が高まりやすい。第３高屈折率層２３の厚みは、エリプソメータ等で測定される。
【００８１】
（形成方法）
第３高屈折率層２３は、真空蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法、プラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法等、一般的な気相成膜法、又は、塗布法で形成することができる。第３高屈折率層２３の屈折率（密度）が高まるとの観点から、第３高屈折率層２３は、電子ビーム蒸着法又はスパッタ法で形成することが好ましい。電子ビーム蒸着法の場合は膜密度を高めるため、ＩＡＤ（イオンアシスト）等のアシストを用いることが好ましい。
【００８２】
第３高屈折率層２３は、透明導電部材２０の全面に形成してもよいが、透明導電部材２０に導通領域１５、及び、非導通領域１６を形成する場合、第３高屈折率層２３は、透明導電部材２０の導通領域１５に少なくとも形成する。第３高屈折率層２３を導通領域１５にのみ形成する場合、その方法は特に制限されない。例えば、所望のパターンを有するマスクを配置して、気相成膜法で第３高屈折率層２３を形成する方法等でよい。また、第２高屈折率層１４を覆うように全面に層を形成した後、これをエッチングにより部分的に除去する方法でもよい。エッチングの方法は、第１高屈折率層１２のエッチング方法と同様でよい。また、エッチングのタイミングは特に制限されず、透明基板１１上に第１高屈折率層１２、導電層１３、第２高屈折率層１４、第３高屈折率層２３等を全て積層してから、これらの層を一度にエッチングすることが、製造効率等の観点から好ましい。
【００８３】
［硫化防止層］
透明導電部材２０において、第１高屈折率層１２、又は、第２高屈折率層１４が硫黄を含む材料により形成されている場合、含まれる硫黄によって導電層１３が硫化されて変色する場合がある。この場合、図３に示すように、透明導電部材２０の第１高屈折率層１２と導電層１３との間に第１硫化防止層２１を形成してもよい。また、導電層１３と第２高屈折率層１４との間に第２硫化防止層２２を形成してもよい。第１硫化防止層２１及び第２硫化防止層２２は、いずれか一方のみを形成してもよく、両方を形成してもよい。透明導電部材２０に硫化防止層を形成することにより、導電層１３の変色を抑制することができ、導電層１３を含む領域が視認され難くなる。
【００８４】
第１硫化防止層２１、及び、第２硫化防止層２２は、金属酸化物、金属フッ化物、金属窒化物、又は、亜鉛（Ｚｎ）を含む層でよい。第１硫化防止層２１、及び、第２硫化防止層２２にはこれらが一種のみ含まれてもよく、二種以上含まれてもよい。金属酸化物の例には、ＴｉＯ２、ＩＴＯ、ＺｎＯ、Ｎｂ２Ｏ５、ＺｒＯ２、ＣｅＯ２、Ｔａ２Ｏ５、Ｔｉ３Ｏ５、Ｔｉ４Ｏ７、Ｔｉ２Ｏ３、ＴｉＯ、ＳｎＯ２、Ｌａ２Ｔｉ２Ｏ７、ＩＺＯ、ＡＺＯ、ＧＺＯ、ＡＴＯ、ＩＣＯ、Ｂｉ２Ｏ３、ａ−ＧＩＯ、Ｇａ２Ｏ３、ＧｅＯ２、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＨｆＯ２、ＳｉＯ、ＭｇＯ、Ｙ２Ｏ３、ＷＯ３、等が含まれる。金属フッ化物の例には、ＬａＦ３、ＢａＦ２、Ｎａ５Ａｌ３Ｆ１４、Ｎａ３ＡｌＦ６、ＡｌＦ３、ＭｇＦ２、ＣａＦ２、ＢａＦ２、ＣｅＦ３、ＮｄＦ３、ＹＦ３等が含まれる。金属窒化物の例には、Ｓｉ３Ｎ４、ＡｌＮ等が含まれる。また、第１硫化防止層２１、及び、第２硫化防止層２２は、Ｚｎのみからなる層でもよい。
【００８５】
ここで、第１硫化防止層２１、及び、第２硫化防止層２２は、導通領域１５の表面の反射率に影響なく、また、上述の第１屈折率層に含まれる硫黄と導電層の相互作用を妨げない厚みであることが好ましく０．１ｎｍ以上５ｎｍであることが好ましく、より好ましくは０．５ｎｍ以上３ｎｍ以下であり、さらに好ましくは１ｎｍ以上３ｎｍ以下である。
【００８６】
（形成方法）
第１硫化防止層２１、及び、第２硫化防止層２２は、真空蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法、プラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法等、一般的な気相成膜法で形成することができる。
第１硫化防止層２１、及び、第２硫化防止層２２を導通領域１５にのみ形成する場合、その方法は特に制限されない、例えば、所望のパターンを有するマスクを配置して、気相成膜法で硫化防止層を形成する方法等が挙げられる。また、第１高屈折率層１２や導電層１３等を覆うように全面に層を形成した後、これをエッチングにより部分的に除去する方法も適用できる。エッチングの方法は、第１高屈折率層１２のエッチング方法と同様でよい。また、エッチングのタイミングは特に制限されず、第１高屈折率層１２、導電層１３、第２高屈折率層１４等と共にエッチングすることが、製造効率等の観点から好ましい。
【００８７】
［アニール処理］
また、上述の選別方法に適用される透明導電部材は、熱アニール処理が行なわれていることが好ましい。熱アニール処理を行なうことにより、導電層に含まれる銀の安定性が高まり、温度８５℃、湿度８５％の環境への２４時間の保管においても、光透過率の変化が０〜０．５％の範囲内、吸収率の変化が−１．０〜０％の範囲内である透明導電部材となりやすい。
【００８８】
熱アニール処理は、透明基板１１上に、第１高屈折率層１２から第３高屈折率層２３まで形成した透明導電部材１０、又は、第１高屈折率層１２から第３高屈折率層２３まで形成した透明導電部材２０に対して行なう。熱アニール処理は、７０℃以上１４５℃以下で行なうことが好ましい。また、処理時間は、２分以上１０分以下とすることが好ましい。
【００８９】
熱アニール処理を行なうことにより、導電層１３を構成する銀が安定性の高い状態に変化し、温度８５℃、湿度８５％の環境に２４時間保管した後での透明導電部材の光透過率及び吸収率の変化が抑制される、と推測される。さらに、熱アニール処理により、導電層１３を構成する銀と、第１高屈折率層１２及び第２高屈折率層１４との相互作用で、導電層１３がより安定性の高い状態に変化するためと推測される。
【００９０】
なお、本発明は上述の実施形態例において説明した構成に限定されるものではなく、その他本発明構成を逸脱しない範囲において種々の変形、変更が可能である。
【符号の説明】
【００９１】
１０，２０  透明導電部材、１１  透明基板、１２  第１高屈折率層、１３  導電層、１４  第２高屈折率層、１５  導通領域、１６  非導通領域、２１  第１硫化防止層、２２  第２硫化防止層、２３  第３高屈折率層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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