(57)【要約】【課題】本実施形態は、画像の乱れを防止しつつタッチ検出機構の検出感度を可変可能とする。【解決手段】実施形態ではメモリに画素データが書き込まれる。前記メモリからの画素データに基づく画素信号が、任意の画素に出力される。制御部は、タッチ検出機構の一部を構成する複数の共通電極の走査周波数を、第１の周波数とこの第１の周波数よりも高い第２の周波数とに選択的に切換え、かつ、前記メモリに複数のバンクを割り当て、１つのバンクは一定ライン数の容量であり、前記メモリに連続して書き込む前記画素データの複数ラインを１つのユニットと定義し、前記第１の周波数のとき前記１つのユニットのライン数を、前記一定ライン数と等しい第１ライン数に設定し、前記第２の周波数のとき前記１つのユニットにおけるライン数を、前記一定ライン数よりも多い第２ライン数に設定する。【選択図】図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の走査線と複数の信号線が交差する複数の交差部にそれぞれ画素が配列された表示パネルと、
画素データを出力するデータ処理回路と、
前記データ処理回路から出力された前記画素データが書き込まれ、書き込まれた前記画素データが読み出されるメモリと、
前記メモリから読み出された画素データに基づく画素信号を、前記信号線を介して任意の前記画素に出力する画素信号出力回路と、
複数の駆動用電極を有し、当該駆動用電極に与えた走査信号に基づく容量変化を検出するタッチ検出機構と、
前記複数の前記駆動用電極を走査する走査信号の走査周波数を、第１の周波数とこの第１の周波数よりも低い第２の周波数とに選択的に切換え、かつ、前記メモリに複数のバンクを割り当て、１つのバンクは前記画素データが連続する一定ライン数の容量であり、前記メモリに連続して書き込む前記画素データの複数ラインのまとまりを１つのユニットと定義し、
前記第１の周波数のとき、前記１つのユニットにおけるライン数を、前記一定ライン数と等しい第１ライン数に設定し、
前記第２の周波数のとき、前記１つのユニットにおけるライン数を前記一定ライン数よりも多い第２ライン数に設定する制御部と、
を備える表示装置。
【請求項２】
前記制御部は、前記第１の周波数が、前記第２の周波数のｎ（ｎは２以上の正の整数）倍の周波数となるように設定している、請求項１記載の表示装置。
【請求項３】
前記制御部は、第１の周波数が第２の周波数のｎ倍であるとき、第２の周波数のとき、前記１つのユニットにおけるライン数を前記一定ライン数のｎ倍の第２ライン数に設定する、請求項２記載の表示装置。
【請求項４】
前記複数のバンクの数は、ｎ＋１以上である請求項２記載の表示装置。
【請求項５】
前記複数のバンクの数は、４又は３の何れかである請求項１記載の表示装置。
【請求項６】
前記タッチ検出用電極からの検出信号が入力するタッチパネルコントローラが、ノイズ検出したとき、前記制御部は、前記走査信号の周波数を前記第１の周波数から前記第２の周波数に切換える、
請求項１記載の表示装置。
【請求項７】
前記タッチ検用出電極からの検出信号が入力するタッチパネルコントローラが一定時間ノイズ検出をしないとき、前記制御部は、前記走査信号の周波数を前記第２の周波数から前記第１の周波数に切換える、
請求項１記載の表示装置。
【請求項８】
前記表示パネルの内部に分割して配置されており前記画素の一要素を形成する複数の共通電極と、を有し、
前記複数の前記駆動用電極は、前記複数の前記共通電極である、請求項１記載の表示装置。
【請求項９】
さらに、前記表示パネルの前記画素を駆動する第１の駆動回路と、前記タッチ検出機構の前記駆動用電極を駆動する第２の駆動回路と、を有し、
前記複数の前記駆動用電極は、前記複数の前記共通電極であり、
前記第１の駆動回路は、１フレーム期間の複数の表示期間に前記共通電極に共通電圧を供給し、前記第２の駆動回路は前記１フレーム期間の前記表示期間と前記表示期間との間のタッチ検出期間に前記共通電極に対してタッチ検出用駆動信号を供給する、
請求項１記載の表示装置。
【請求項１０】
複数の走査線と複数の信号線が交差する複数の交差部にそれぞれ画素が配列された表示パネルと、画素データを出力するデータ処理回路と、前記データ処理回路から出力された前記画素データが書き込まれ、書き込まれた前記画素データが読み出されるメモリと、前記メモリから読み出された画素データに基づく画素信号を、前記信号線を介して任意の前記画素に出力する画素信号出力回路と、前記表示パネルの内部に分割して配置されており前記画素の一要素を形成する複数の共通電極と、複数の駆動用電極と複数のタッチ検出電極を有するタッチ検出機構と、制御部と、を有する表示装置の駆動方法であって、
前記複数の前記駆動用電極を走査する走査信号の走査周波数を、第１の周波数とこの第１の周波数よりも低い第２の周波数とに選択的に切換え、かつ、前記メモリに複数のバンクを割り当て、１つのバンクは前記画素データが連続する一定ライン数の容量であり、前記メモリに連続して書き込む前記画素データの複数ラインのまとまりを１つのユニットと定義し、
前記第１の周波数のとき、前記１つのユニットにおけるライン数を、前記一定ライン数と等しい第１ライン数に設定し、
前記第２の周波数のとき、前記１つのユニットにおけるライン数を前記一定ライン数よりも多い第２ライン数に設定する、
表示装置の駆動方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
実施形態は表示装置、表示装置の駆動方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
スマートフォン、タブレットパーソナルコンピュータ及びノート型パーソナルコンピュータ等の携帯端末が普及している。携帯端末は、液晶或いは有機ＥＬ素子などを用いた表示装置を備える。表示装置は、画素データ、コマンドなどを出力するマイクロプロセッサ（ホスト装置と称しても良い）と、前記コマンドを処理し表示パネルを駆動するドライバとを有する。
【０００３】
液晶表示装置では、表示パネルに２次元配列された画素が共通電極と画素電極を備え、該共通電極と該画素電極との間に液晶が挟持されている。パネルドライバ（液晶ドライバと称することもある）は、前記表示パネルの画素に画素信号を書き込むことができる。これにより前記共通電極及び画素電極との間の液晶が制御され、画像が表示される。
【０００４】
通常、表示パネルの画素に画素信号を供給するパネルドライバは、フレームメモリを有する。フレームメモリには外部からの画素データが書き込まれる。フレームメモリから、１水平ライン分の画素データが順次読み出されてアナログ変換されて画素信号となり、この画素信号が表示パネルの画素に供給される。
【０００５】
また表示装置は、タッチ検出機構（タッチパネルと称しても良い）を一体に有する。タッチ検出機構は、表示装置の表示画面に表示されたアイコンや操作ボタンに対して利用者の指或いはペンなどがタッチしたときに応答し、タッチ位置を検出することができる。
【０００６】
最近のタッチ検出機構は、タッチ検出用駆動パルスが前記共通電極に供給されるように構成されている。また、表示装置では、パネルドライバによる画像表示のための動作と、タッチ検出機構によるタッチ検出のための動作とが時分割されている。例えば、１フレームの表示期間の一部にタッチ検出期間が割り当てられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２０１３−７６７９５号公報
【特許文献２】特開２０１２−４８２９５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
上記したように、表示装置は、パネルドライバによる画像表示のための動作と、タッチ検出機構のタッチ検出のための動作とが時分割されて動作する。このため表示期間の一部にタッチ検出期間が割り当てられている。
上記の表示装置の課題として、パネルドライバの価格の低減と小型化を実現したいという要望がある。またタッチ検出機構に関して、その検出感度を可変にしたいという要望が考えられる。しかし、検出感度を可変とするために、タッチ検出期間を変動させた場合、画像が乱れると言う問題が生じる。
【０００９】
そこで、本実施形態では、画像の乱れを防止しつつ、タッチ検出機構の検出感度を可変とし得る、表示装置、表示装置の駆動方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
実施形態によれば、複数の走査線と複数の信号線が交差する複数の交差部にそれぞれ画素が配列された表示パネルと、画素データを出力するデータ処理回路と、を備える。そして、前記データ処理回路から出力された前記画素データが書き込まれ、書き込まれた前記画素データが読み出されるメモリと、前記メモリから読み出された画素データに基づく画素信号を、前記信号線を介して任意の前記画素に出力する画素信号出力回路とを備える。さらに、複数の駆動用電極を有し、当該駆動用電極に与えた走査信号に基づく容量変化を検出するタッチ検出機構を備える。ここで、制御部は、前記複数の前記駆動用電極を走査する走査信号の走査周波数を、第１の周波数とこの第１の周波数よりも低い第２の周波数とに選択的に切換え、かつ、前記メモリに複数のバンクを割り当て、１つのバンクは前記画素データが連続する一定ライン数の容量であり、前記メモリに連続して書き込む前記画素データの複数ラインのまとまりを１つのユニットと定義している。そして、前記第１の周波数のとき、前記１つのユニットにおけるライン数を、前記一定ライン数と等しい第１ライン数に設定し、前記第２の周波数のとき、前記１つのユニットにおけるライン数を前記一定ライン数よりも多い第２ライン数に設定する。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】図１は実施形態が適用された表示装置の全体的な概略構成例を示す図である。
【図２】図２は図１の一部である主な回路ブロックを取り出して示す図である。
【図３】図３は表示パネルの第１基板上の一部の等価回路を概略的に示す図である。
【図４】図４は図３の画素Ｐｘの等価回路を示す図である。
【図５Ａ】図５Ａはミューチュアル検出方式のタッチ検出機構ＳＥの基本構成例を示す図である。
【図５Ｂ】図５Ｂは共通電極と画素電極と検出電極と位置関係を説明するために、表示装置の一部分を断面し、簡略化して示す構成説明図である。
【図６】図６は表示パネルにおいて、図５Ａのタッチ検出機構ＳＥの駆動期間と表示パネルの表示期間との関係を示すタイミングチャートである。
【図７】図７は、図１の一部である主な回路ブロックを取り出して示し、さらにパネルドライバＩＣ１の内部を示す図である。
【図８】図８は実施例においてタッチ検出周波数が６０Ｈｚのとき、ビデオメモリへデータが書き込み読出しされる様子を示すタイミングチャートである。
【図９】図９は実施例においてタッチ検出周波数が１２０Ｈｚのとき、ビデオメモリへデータが書き込み読出しされる様子を示すタイミングチャートである。
【図１０】図１０は実施例においてタッチ検出周波数が６０Ｈｚのとき、表示パネルのスクリーン上で、タッチ検出位置が変化する様子と表示画像がスキャン表示される様子を示すタイミングチャートである。
【図１１】図１１は実施例においてタッチ検出周波数が１２０Ｈｚのとき、表示パネルのスクリーン上で、タッチ検出位置が変化する様子と表示画像がスキャン表示される様子を示すタイミングチャートである。
【図１２】図１２は実施例においてタッチ検出周波数が６０Ｈｚから１２０Ｈｚに変化するとき、画素データがビデオメモリに書き込まれそして読み出される様子と、読み出された画素データが表示される様子を表現する図である。
【図１３】図１３は図１２と比較するために示し、タッチ検出周波数が６０Ｈｚから１２０Ｈｚに変化したときの図であり、バンクのデータ容量も変化したときのビデオメモリの画素データ書込み及び読出しタイミングと、出力画素データの様子を示す図である。
【図１４】図１４も図１２と比較するために示され、画素データがビデオメモリに書き込まれそして読み出される様子と、読み出された画素データが表示される様子を表現する図である。
【図１５】図１５は更に他の実施形態を示し、タッチ検出周波数が６０Ｈｚから１２０Ｈｚに変化したときの図であり、３つのバンクのデータ容量が一定であるときのビデオメモリの画素データ書込み及び読出しタイミングと、出力画素データのイメージを示す図である。
【図１６】図１６は、セルフ検出型のタッチ検出機構の基本構成例を示す図である。
【図１７Ａ】図１７Ａは、セルフ検出型のタッチ検出機構の動作原理を説明するために示した図であり、電極が充電されるときを示す図である。
【図１７Ｂ】図１７Ｂは、同じくセルフ検出型のタッチ検出機構の動作原理を説明するために示した図であり、電極が放電されるときを示す図である。
【図１７Ｃ】図１７Ｃは、同じくセルフ検出型のタッチ検出機構の動作原理を説明するために示した図であり、タッチ検出電極に指が近接している状態で充電時を示す図である。
【図１７Ｄ】図１７Ｄは、同じくセルフ検出型のタッチ検出機構の動作原理を説明するために示した図であり、タッチ検出電極に指が近接している状態で放電時を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、実施の形態について図面を参照して説明する。本実施形態は、パネルドライバ（液晶ドライバと称しても良い）の価格低減と小型化を実現し、タッチ検出機構の検出感度を調整可能とする。本実施形態によれば、ビデオメモリの容量を低容量化することができる。またタッチ検出周波数を切り替えることができ、タッチ検出感度を可変することができ、タッチ検出性能を向上できる。またこのような利便性を有するとともに、画像表示も乱れることなく安定している。例えば、タッチ検出周波数が変化したとき、画像の乱れがなく安定している。
【００１３】
図１は、一実施形態に係る表示装置ＤＳＰの概略構成を示す斜視図である。図１において、符号ＰＡＮは、タッチ検出機構一体型の表示パネルである。表示パネルＰＡＮとしては、液晶を用いた表示パネル、有機ＥＬを用いた表示パネルがあるが、ここでは液晶を用いた表示パネルを代表して説明する。表示パネルＰＡＮは、第１基板ＳＵＢ１と、第１基板ＳＵＢ１に対向配置された第２基板ＳＵＢ２と、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との間に形成された液晶層と、を備えている。なお、第１基板ＳＵＢ１をアレイ基板、第２基板ＳＵＢ２を対向基板と称しても良い。表示パネルＰＡＮを駆動するパネルドライバＩＣ１は、例えば第２基板ＳＵＢ２上に搭載されている。パネルドライバＩＣ１は、液晶ドライバ、第１のＩＣチップ或いはドライブ回路と称されてもよい。
【００１４】
表示パネルＰＡＮは、例えば容量変化検出型のタッチ検出機構ＳＥを一体化している。図１において、表示パネルＰＡＮの表示領域（アクティブエリアと称しても良い）ＤＡの面上にタッチ検出機構ＳＥを形成するタッチ検出用電極Ｓｘ（タッチ検出素子と称しても良い）Ｓｘが設けられる。タッチ検出用電極Ｓｘは、例えば、透明電極であり、ＩＴＯ（インジウム・ティン・オキサイド）などで構成される。なおタッチ検出用電極Ｓｘは表示パネルＰＡＮの外部に設けられても内部に設けられてもよい。タッチ検出機構ＳＥは、タッチパネルコントローラＩＣ２（第２のＩＣチップ或いはセンサ回路と称しても良い）により制御される。
【００１５】
また、ホスト装置（外部制御部と称しても良い）ＨＯＳが設けられ、ホスト装置ＨＯＳはフレキシブル配線基板ＦＰＣ１、パネルドライバＩＣ１を介して、表示パネルＰＡＮに接続され、またフレキシブル配線基板ＦＰＣ２、タッチパネルコントローラＩＣ２を介してタッチ検出機構ＳＥに接続されている。上記のパネルドライバＩＣ１と、タッチパネルコントローラＩＣ２とは、同一チップであっても良い。例えば、タッチパネルコントローラＩＣ２をパネルドライバＩＣ１と同一チップとして、当該チップを第２基板ＳＵＢ２・フレキシブル配線基板ＦＲＣ１・フレキシブル配線基板ＦＲＣ２のいずれかの上に配置することでフレキシブル配線基板ＦＲＣ１・フレキシブル配線基板ＦＲＣ２のいずれかを省いてもよい。
【００１６】
表示パネルＰＡＮを照明するバックライトユニットＢＬは、第１基板ＳＵＢ１の下側に配置されている。フレキシブル配線基板ＦＰＣ３は、バックライトユニットＢＬとホスト装置ＨＯＳとを接続している。バックライトユニットＢＬは、種々の形態のバックライトユニットＢＬが適用可能であり、光源としては、発光ダイオード（ＬＥＤ）を利用したものや冷陰極管（ＣＣＦＬ）を利用したバックライトユニットＢＬ等がある。ここでは、表示装置ＤＳＰの照明具は表示面に対して表示パネルの背面に配置したバックライトユニットＢＬを示したが、表示面に対して表示パネルの表面に配置したフロントライトでもよい。また、使用される照明具としては、導光板とそのサイドに配置されるＬＥＤや冷陰極線管を用いた照明具でもよく、発光素子を平面的に配列した点状光源を用いた照明具でもよい。しかし、表示装置ＤＳＰが、反射型の表示装置或いは表示パネルに有機ＥＬを用いた表示装置の場合、照明具は無くてもよい。
【００１７】
センサ付き表示装置ＤＳＰは、その他、２次電池、電源回路などを備えるが図示していない。
図２は、図１の一部である主な回路ブロックを取り出して示す。図３は、表示パネルＰＡＮの第１基板ＳＵＢ１上の一部の等価回路を概略的に示している。図２の破線で囲む部分が、表示領域ＤＡである。第１基板ＳＵＢ１の非表示領域であって、走査線Ｇ１、Ｇ２、・・・等が延在する方向（図３参照）に対して交差する方向に沿ってゲート回路ＧＤが構成されている。またゲート回路ＧＤに併設して共通電極駆動回路ＣＤが構成されている。なお、共通電極が走査線に沿って配置される表示装置の場合は、共通電極駆動回路ＣＤは、ゲート回路ＧＤに併設されるが、共通電極が信号線に沿って配置される表示装置の場合は、共通電極駆動回路ＣＤは、パネルドライバＩＣ１と表示領域ＤＡとの間であって、信号線が延在する方向に対して交差する方向に沿って配置される。パネルドライバＩＣ１は第１基板ＳＵＢ１の非表示領域であって、信号線Ｓ１、Ｓ２、・・・と交差する方向に沿ってパネルドライバＩＣ１が配置されている。パネルドライバＩＣ１は、ゲート回路ＧＤ、共通電極駆動回路ＣＤを制御することができる。またパネルドライバＩＣ１は、ソース増幅器（画素信号出力回路と称しても良い）を含み、このソース増幅器を介して表示パネルＰＡＮの画素（表示素子と称しても良い）に画素信号を書き込むことができる。また表示パネルＰＡＮは、上記したように画素への書込み期間をセットするとともに、表示期間、タッチ検出期間（タッチ位置検出期間と称しても良い）を設定することができる。
【００１８】
タッチパネルコントローラＩＣ２は、タッチ検出電極Ｒｘから得られたタッチ検出信号Ｒｘｓを処理し、表示面に対するユーザの指の接触位置の座標データを得る。座標データは、ホスト装置ＨＯＳに入力される。パネルドライバＩＣ１は、ホスト装置ＨＯＳと相互通信を行い、データの要求・受信などを行う。ホスト装置ＨＯＳは、パネルドライバＩＣ１に対して映像データ、コマンド、同期信号などを供給することができる。
【００１９】
図３は、表示パネルＰＡＮの第１基板ＳＵＢ１上の一部の等価回路を概略的に示す図である。表示パネルＰＡＮは、画像を表示する表示領域ＤＡを備える。なお表示領域は、ダミー画素を含んでも良い。第１基板ＳＵＢ１において、第１基板ＳＵＢ１の非表示領域に、ソース選択回路ＭＵＰ、ゲート回路ＧＤ、共通電極駆動回路ＣＤ及びアウタリードボンディング（Outer Lead Bonding）のパッド群（以下、ＯＬＢパッド群と称する）ｐＧ１が形成されている。
【００２０】
パネルドライバＩＣ１は、ソース選択回路ＭＵＰ、ゲート回路ＧＤ、共通電極駆動回路ＣＤ及びＯＬＢパッド群ｐＧ１に接続されている。全てを図示しないが、パネルドライバＩＣ１とゲート回路ＧＤとはパネル制御信号を出力する制御線で接続されている。パネルドライバＩＣ１は、制御線を介して制御スイッチング素子ＣＳＷ１に制御信号を与えることができる。ソース選択回路ＭＵＰは、出力する赤の画素信号又は緑の画素信号又は青の画素信号に応じて、任意の信号線（赤画素用、緑画素用、青画素用の１つ）を選択し前記赤の画素信号、又は緑の画素信号、又は青の画素信号を出力することができる。なお、ソース選択回路ＭＵＰは、ソース増幅器を含むパネルドライバＩＣ１と別体で設けられているが、これに限られず、ソース選択回路ＭＵＰと同様の機能をパネルドライバＩＣ１が有してもよい。
【００２１】
表示領域ＤＡにおいて、第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２間（図示せず）には、複数の画素Ｐｘが位置している。複数の画素Ｐｘは、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙにマトリクス状に設けられ、ｍ×ｎ個配置されている（但し、ｍ及びｎは正の整数である）。
【００２２】
表示領域ＤＡにおいて、第１基板ＳＵＢ１には、ｎ本の走査線Ｇ（Ｇ１〜Ｇｎ）、ｍ本の信号線Ｓ（Ｓ１〜Ｓｍ）、共通電極Ｃ（Ｃ１・・・Ｃｎ）などが形成されている。
走査線Ｇは、第１方向Ｘに略直線的に延出し、表示領域ＤＡの外側に引き出され、ゲート回路ＧＤに接続されている。走査線Ｇは、第２方向Ｙに間隔を置いて並べられている。走査線Ｇ（Ｇ１、Ｇ２、・・・Ｇｎ）には、それぞれの走査タイミングで、制御スイッチング素子ＣＳＷ１を介して走査信号が供給される。
【００２３】
信号線Ｓは、第２方向Ｙに略直線的に延出し、走査線Ｇと交差している。信号線Ｓは、第１方向Ｘに間隔を置いて並べられている。信号線Ｓは、表示領域ＤＡの外側に引き出され、ソース選択回路ＭＵＰに接続されている。
共通電極Ｃ（Ｃ１、Ｃ２、・・・Ｃｎ）は、例えば短冊状であり、第１方向Ｘに略直線的に延在し、第２方向Ｙに間隔を置いて並べられている。共通電極は、例えば複数本（例えば３本）毎に束ねられた分割電極であってもよい。なお、先に共通電極駆動回路ＣＤと共通電極との関係で説明したが、共通電極は、第２方向Ｙに延在している場合もある。
【００２４】
共通電極Ｃ（Ｃ１、Ｃ２、・・・Ｃｎ）は、表示領域ＤＡの外側に引き出され、共通電極駆動回路ＣＤに接続されている。なお、走査線Ｇ、信号線Ｓ及び共通電極Ｃは、必ずしも直線的に延出していなくても良く、それらの一部が屈曲していてもよい。
【００２５】
ゲート回路ＧＤは、ｎ個の制御スイッチング素子ＣＳＷ１を備える。ｎ個の制御スイッチング素子ＣＳＷ１は、それぞれ選択的にオン又はオフされて、対応する画素Ｐｘへの画像信号の書込み許可又は書込み禁止を制御することができる。また、ｎ個の制御スイッチング素子ＣＳＷ１は、例えば非常時（特異制御動作の時）に一斉にオンされて、全画素Ｐｘに例えば黒レベルの画像信号の書込みを許可することもできる。
【００２６】
画素信号は、選択されている走査線に接続されている画素群に信号線を選択する選択回路を介して一斉に書き込まれる。
図４は、図３に示した画素Ｐｘを示す等価回路図である。画素Ｐｘは、画素スイッチング素子ＰＳＷ、透明な画素電極ＰＥ、透明な共通電極Ｃ等を備えている。画素スイッチング素子ＰＳＷは、例えばＴＦＴ（薄膜トランジスタ）で形成されている。画素スイッチング素子ＰＳＷは、走査線Ｇ及び信号線Ｓと電気的に接続されている。画素スイッチング素子ＰＳＷは、トップゲート型ＴＦＴあるいはボトムゲート型ＴＦＴのいずれであっても良い。また、画素スイッチング素子ＰＳＷの半導体層は、例えば、ポリシリコンによって形成されているが、アモルファスシリコンによって形成されていても良い。
【００２７】
画素電極ＰＥは、画素スイッチング素子ＰＳＷに電気的に接続されている。画素電極ＰＥは、絶縁膜を介して共通電極Ｃと対向している。共通電極Ｃ、絶縁膜及び画素電極ＰＥは、保持容量ＣＳを形成している。保持容量ＣＳに画素信号が書き込まれると、その電圧に応じて画素電極ＰＥと共通電極Ｃとの間の液晶ＬＱの光空間変調が実現される。
【００２８】
図５Ａは、上記したタッチ検出機構ＳＥの基本動作を説明するための図である。図５Ａはミューチュアル（相互容量）検出方式のタッチ検出機構ＳＥを示す。複数のタッチ検出用電極Ｓｘとして、第２基板ＳＵＢ２に例えば第２方向Ｙにストライプ状に形成されるタッチ検出電極Ｒｘと、第１基板ＳＵＢ１に形成される駆動電極Ｔｘと、が形成されている。複数のタッチ検出電極Ｒｘと駆動電極Ｔｘとは、交差する関係である。この駆動電極Ｔｘは、表示期間中には共通電極Ｃとして利用される。
【００２９】
即ち、後述するタッチ検出期間ＷＤＴに、共通電極Ｃ（Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３，・・・・）が順次高周波パルスの駆動信号（走査信号、或いはタッチ検出駆動信号と称しても良い）Ｔｘｓ１，Ｔｘｓ２，Ｔｘｓ３，・・・・により駆動される。この走査期間において、例えば指などの被検知物が近接しているタッチ検出素子Ｒｘからは、他のタッチ検出素子Ｒｘからの出力に比べて、レベルの低いタッチ検出信号Ｒｘｓが検出される。これは、指が近接しているタッチ検出電極Ｒｘと共通電極Ｃ（Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３，・・・・）との間に生じている第１容量に加えて、当該タッチ検出電極Ｒｘと指との間にも第２容量が発生しているからである。他のタッチ検出電極Ｒｘと共通電極との間には、指による第２容量が生じておらず、第１容量のみである。
【００３０】
上記の共通電極Ｃ（Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３・・・）の駆動タイミングと、レベルの低い検出信号Ｒｘｓを出力したタッチ検出電極Ｒｘの位置とから、前記指の座標位置を判定することができる。図５Ｂは共通電極と画素電極と検出電極と位置関係を説明するために、表示装置の一部分を断面し、簡略化して示す構成説明図である。図５Ｂは、図３の走査線Ｇ１と、信号線Ｓ１，Ｓ２の付近を示している。画素の第１基板ＳＵＢ１と、第２基板ＳＵＢ２との間に液晶層ＬＱが位置する。第１基板ＳＵＢ１は、ガラス基板ＳＵＢＧ１の液晶層ＬＱ側に走査線Ｇ１が形成されている。さらに走査線Ｇ１は、絶縁層１１により覆われ、この絶縁層１１の液晶層ＬＱ側に信号線Ｓ１，Ｓ２が形成されている。信号線Ｓ１，Ｓ２は絶縁層１２により覆われている。絶縁層１２の液晶層ＬＱ側に共通電極Ｃ１が形成されている。さらにこの共通電極Ｃ１の液晶層ＬＱ側に絶縁層１３を挟んで、画素電極ＰＥ１，ＰＥ２が形成され、そして、画素電極ＰＥ１，ＰＥ２等は、配向膜１４にて覆われている。なお絶縁層１１，１２に跨って形成されているトランジスタＴＦＴ１は、信号線Ｓ１と画素電極ＰＥ１間を走査線Ｇ１からのタイミングパルスで導通状態、非導通状態に制御する。またトランジスタＴＦＴ２は、信号線Ｓ２と画素電極ＰＥ２間を走査線Ｇ１からのタイミングパルスで導通状態、非導通状態に制御する。図５Ｂでは、トランジスタＴＦＴ１，ＴＦＴ２は、半導体層で形成されるものであるが、スイッチ形状として模式的に示している。  
他方、第２基板ＳＵＢ２を構成するガラス基板ＳＵＢＧ２は、液晶層ＬＱとは反対側の面にタッチ検出電極Ｒｘが形成され、保護層２１により覆われている。ガラス基板ＳＵＢＧ２の液晶層ＬＱ側には、カラーフィルタＣＦ１，ＣＦ２がそれぞれ画素電極ＰＥ１，ＰＥ２に対応して形成されている。カラーフィルタＣＦ１，ＣＦ２の間には、不要な光の漏れを防止するために遮光膜（ブラックマトリックスと称される）２２が形成されている。そして、カラーフィルタＣＦ１，ＣＦ２及び遮光膜２２の液晶層ＬＱ側には、オーバーコート層２３が形成され、このオーバーコート層２３の液晶層ＬＱ側には、配向膜２４が形成されている。なお、カラーフィルタＣＦはガラス基板ＳＵＢＧ１上に形成されてもよい。
図６は、共通電極Ｃ（Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３，・・・・）が駆動信号Ｔｘｓ１，Ｔｘｓ２，Ｔｘｓ３，・・・・により駆動されるときのタイミングチャートを示している。図６に示すように、１フレーム期間内が複数の表示期間ＤＷＴ（画素信号ＳｉｇＸの書き込み期間も含む）に分割されており、表示期間ＤＷＴと表示期間ＤＷＴの間に、タッチ検出期間ＴＤＴ（この期間は、非表示期間ＴＤＴと称しても良い）が設定されている。タッチ検出期間ＴＤＴでは、共通電極Ｃ（Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３，・・・・）が駆動信号Ｔｘｓ１，Ｔｘｓ２，Ｔｘｓ３，・・・・（図５Ａに示した）により駆動される。
【００３１】
共通電極Ｃ（Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３，・・・・）が駆動信号Ｔｘｓ１，Ｔｘｓ２，Ｔｘｓ３，・・・・により駆動されたとき、表示面にユーザの指などが近接していた場合、指の位置に対応するタッチ検出電極Ｒｘからレベルの低い検出信号Ｒｘｓが出力される。図６に示すように表示期間ＤＷＴとタッチ検出期間ＴＤＴは、１フレーム内の複数個所に分散している。つまり表示期間ＤＷＴとタッチ検出期間ＴＤＴは、１フレーム内で時分割されている。タッチ検出機構ＳＥの基本構成及び動作は、上記した通りである。
【００３２】
図７は、図１の一部である主な回路ブロックを取り出して示し、さらにパネルドライバＩＣ１の内部を示す図である。ホスト装置ＨＯＳから画素データ及び同期信号などが出力される。画素データ及び同期信号は、インターフェース回路７０１にて受け取られる。
【００３３】
インターフェース回路７０１で受け取られた画素データは、データ処理回路７０２に入力されて表示パネルＰＡＮによる表示に適合するようにデータの補間処理及び又は合成処理などが施される。タイミング生成回路７１２は、垂直同期信号及び又は水平同期信号を受け取る。タイミング生成回路７１２は、位相制御回路を含み、内部発振器７１１のクロック（内部クロック）位相と外部の同期信号の位相との関係を所定の関係に制御して維持する。そしてタイミング生成回路７１２は、内部クロックに基づいて、内部の水平同期パルス及び内部垂直同期パルスを生成する。
【００３４】
内部水平同期パルス、内部垂直同期パルス、及び駆動用の各種タイミングパルスは、ＬＣＤ駆動回路７１３、タッチパネル駆動回路７１５に入力される。またタイミング生成回路７１２は、インターフェース回路７０１、データ処理回路７０２、ビデオメモリ７０３、表示用ラインデータラッチ回路７０４、ソース増幅器７０５のそれぞれに対してタイミングパルスを生成して供給している。これにより、パネルドライバＩＣ１内部の各ブロックが統一されて制御される。したがって、タイミング生成回路７１２は、パネルドライバＩＣ１内の制御部と称することもできる。
【００３５】
データ処理回路７０２から出力される画素データは、表示用ラインデータラッチ回路７０４にラッチされる。表示用ラインデータラッチ回路７０４にラッチされた画素データは、ソース増幅器７０５でアナログ変換され、画素信号となり、次にガンマ補正されて、表示パネルに供給される。これらの画素信号は、信号線Ｓ１〜Ｓ１０８０を介してゲートが開いている画素に書き込まれる。
【００３６】
ＬＣＤ駆動回路７１３は、タイミング生成回路７１２からのタイミング信号に基づいて、ソース選択回路（図示せず）、ゲート回路（図示せず）を制御し、画素信号を書き込むラインを指定することができる。タッチパネル駆動回路７１５は、図５Ａ、図６で示した駆動信号Ｔｘｓを、割り当てられた時間に、共通電極Ｃ（Ｃ１，Ｃ２，・・・）に供給する。これによりタッチ検出信号Ｒｘｓがタッチ検出電極Ｒｘから出力される。
【００３７】
タッチ検出信号Ｒｘｓは、タッチパネルコントローラＩＣ２に入力される。タッチパネルコントローラＩＣ２は、駆動信号Ｔｘｓの駆動タイミングとタッチ検出信号Ｒｘｓの検出タイミングとの時間的関連性に基づき、タッチ位置を判定する。タッチ位置の検出結果は、ホスト装置ＨＯＳに入力される。ホスト装置ＨＯＳはタッチ位置を判定した後、判定結果に基づき次に設定されているプログラミング動作を実行する。
【００３８】
タッチパネルコントローラＩＣ２は、タッチ検出周波数の切り替え信号（条件信号と称してもよい）をタイミング生成回路７１２に与えることができる。タッチパネルコントローラＩＣ２は、例えば、通常動作時において、所定レベルのタッチ検出信号Ｒｘｓが得られない場合は、例えば、タッチ検出周波数を１２０Ｈｚとする切り替え信号をタイミング生成回路７１２に与える。ここでこのタッチ検出周波数は、１フレーム（６０Ｈｚ）の期間に表示面（タッチ操作面）を走査する周波数である。そして、何らかのノイズ（タッチ検出信号Ｒｘｓ）が検出されたとき、タッチパネルコントローラＩＣ２は、タッチ検出周波数の切り替え信号をタイミング生成回路７１２に与える。この切り替え信号に応答して、タッチパネルコントローラＩＣ２は、タッチパネル駆動回路７１５を制御し、タッチ検出周波数を６０Ｈｚに設定する。これによりタッチ検出時間を長くすることができ、タッチ検出感度を上げることができる。一定時間、タッチ検出信号が入力しない場合、タッチパネルコントローラＩＣ２は、タイミング生成回路７１２を通じて、タッチ検出周波数を１２０Ｈｚとすることができる。このように本装置は、タッチ検出周波数が条件に応じて切り替わることがある。
【００３９】
図８は、タッチ検出周波数が６０Ｈｚのときのビデオメモリ７０３のメモリ空間（メモリに設定されているバンク）の書き込み読み出しタイミングチャートである。図８において、Ｗは書き込みを意味し、Ｒは読み出しを意味する。Ｕｎｎ，Ｕｎ１，Ｕｎ２，・・・はそれぞれ、ユニットであり、画素データ連続しているデータのまとまりである。垂直同期信号Ｖsyncに同期して画素データが１ユニット毎にビデオメモリ７０３の各バンクＢ１，Ｂ２，Ｂ２，Ｂ４に書き込まれる様子と、書き込まれたユニットが書くバンクＢ１，Ｂ２，Ｂ２，Ｂ４から読み出される様子が示されている。
【００４０】
ここで本実施形態では、ビデオメモリ７０３のアドレス空間を管理するために、上記の例えば４つのバンクを設定している。アドレス空間は、例えばタイミング生成回路７１２で生成される書き込みアドレス及び読み出しアドレスにより管理される。１つのバンクのデータ容量は、画素データの連続する複数ラインＬＮ０分に相当する。つまり表示部の水平ラインのＬＮ０本に書き込まれる画素データが、１バンクとなる。
【００４１】
さらに先の１ユニットと、１ユニット内のライン数に関して説明する。タッチ検出周波数が例えば６０Ｈｚであることは、図５Ａに示している共通電極Ｃ（Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３・・・）が(１/６０)秒（１フレーム期間）で１回走査されることである。タッチ検出期間と表示期間は、図６で示したように、１フレーム期間内で時分割されている。図５Ａに示す第１の共通電極Ｃ１が例えば駆動信号Ｔｘｓ１で駆動され、次の第２の共通電極Ｃ２が駆動信号Ｔｘｓ２で駆動されるまでの時間は、表示期間を含む時間に対応する。また１つの共通電極がタッチ駆動信号で駆動されている時間が、タッチ検出期間に相当する。従って、表示期間は、共通電極Ｃ（Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３・・・）の数と１フレーム分の時間により決まり、且つ該時間間隔（表示期間）により、１ユニットに含まれるライン数も決まる。
【００４２】
図８に戻り説明する。垂直同期信号Ｖsyncに同期して画素データが１ユニット毎にビデオメモリ７０３に書き込まれる。今、１ユニットのライン数をＬＮ１とする。また、ビデオメモリ７０３のアドレス空間は４つのバンクＢ１，Ｂ２，Ｂ３，Ｂ４が利用されることで管理されているものとする。そして、このときの１ユニットのライン数ＬＮ１は、先の１バンクのライン数ＬＮ０の２倍である（ＬＮ１＝２×ＬＮ０）ものとする。上記の設定に基づきビデオメモリ７０３のアドレス空間である４つのバンクＢ１，Ｂ２，Ｂ３，Ｂ４に対する書き込み動作と読出し動作について説明する。なお１ユニットが、ＬＮ０の２倍のライン数としたが、ｎ倍であってもよい（ｎは２以上の正の整数）。
【００４３】
先頭のユニットＵｎ１は、前半がバンクＢ１に書き込まれ、後半がバンクＢ２に書き込まれる。ユニットＵｎ１の前半がバンクＢ１に書き込まれているとき、バンクＢ３のデータが読み出される。バンクＢ３から読み出されるデータは、ユニットＵｎ１の前のユニットＵｎの前半のデータある。ユニットＵｎ１の後半がバンクＢ２に書き込まれているとき、バンクＢ４のデータが読み出される。バンクＢ４から読み出されるデータは、ユニットＵｎ１の前のユニットＵｎの後半のデータである。
【００４４】
ユニットＵｎ１の次のユニットＵｎ２は、前半がバンクＢ３に書き込まれ、後半がＢ４に書き込まれる。ユニットＵｎ２の前半がバンクＢ３に書き込まれているとき、バンクＢ１のデータが読み出される。バンクＢ１から読み出されるデータは、ユニットＵｎ１の前半のデータある。ユニットＵｎ２の後半がバンクＢ４に書き込まれているとき、バンクＢ２のデータが読み出される。バンクＢ２から読み出されるデータは、ユニットＵｎ１の後半のデータである。以下同様な繰り返しにより、ビデオメモリ７０３に対する画素データの書き込み及び読み出しが実行される。
【００４５】
図９は、タッチ検出周波数が１２０Ｈｚのときのタイミングチャートを示している。このときは、タッチ検出周波数を１２０Ｈｚに切り替えるために、１ユニットに含まれるライン数ＬＮ２が、図８の場合に比べて(１/２)にされる。これにより、ユニットとユニットとの境目（ユニット間）の数を図８の場合に比べて２倍にすることができ、タッチ検出周波数を１２０Ｈｚに設定することができる。このときの１ユニットのライン数ＬＮ２は、先の１バンクのライン数ＬＮ０と同数である。即ち、他方の条件（タッチ検出周波数が１２０Ｈｚ）のときは、ＬＮ２＝ＬＮ０となる。
【００４６】
垂直同期信号Ｖsyncに同期して画素データが１ユニット毎にビデオメモリ７０３に書き込まれる。このとき、１ユニットのライン数ＬＮ２＝（ＬＮ１／２）＝ＬＨ０である。この設定に基づいて、ビデオメモリ７０３のアドレス空間である４つのバンクＢ１，Ｂ２，Ｂ３，Ｂ４に対する書き込み動作と、読出し動作について説明する。
【００４７】
先頭のユニットＵｎ１は、バンクＢ１に書き込まれ、ユニットＵｎ１がバンクＢ１に書き込まれているとき、バンクＢ３のデータが読み出される。次のユニットＵｎ２は、バンクＢ２に書き込まれ、ユニットＵｎ２がバンクＢ２に書き込まれているとき、バンクＢ４のデータが読み出される。
【００４８】
バンクＢ４から読み出されるデータは、ユニットＵｎ１の前のユニットＵｎｎのデータであり、バンクＢ３から読み出されるデータは、ユニットＵｎｎの前のユニットＵｎ（n-1)のデータである。
さらに次のユニットＵｎ３は、バンクＢ３に書き込まれ、ユニットＵｎ３がバンクＢ３に書き込まれているとき、バンクＢ１のデータが読み出される。次のユニットＵｎ４は、バンクＢ４に書き込まれ、ユニットＵｎ４がバンクＢ４に書き込まれているとき、バンクＢ２のデータが読み出される。以下同様な繰り返しにより、ビデオメモリ７０３に対する画素データの書き込み及び読み出しが実行される。
【００４９】
上記のように本装置は、処理するユニットが大小に切り替わる装置である。ユニットが書き込まれ、また読み出されるビデオメモリ７０３は、複数のバンクが設定されている。そして１つのバンクのデータ容量は、最小ユニットのデータ量と同じデータ容量に設定している。このために、ユニットの大きさが変化してもデータの欠落なくビデオメモリからデータを読み出すことができる。これにより、ビデオメモリとしては１フレーム分の容量をもつ必要はなく、１フレーム容量よりも少ない容量の小規模のメモリでよい。また、次に説明するように、ユニットの大きさが変化しても、画像の乱れを生じることがなく、タッチ検出周波数を切り替えることができる。
【００５０】
図１０は実施例においてタッチ検出周波数が６０Ｈｚのとき、表示パネルＰＡＮのスクリーン上で、タッチ検出位置ＴＤＰが変化する様子と表示画像ＤＩＭがスキャン表示される様子を示すタイミングチャートである。タッチ検出位置ＴＤＰは、スクリーンの上の領域から下の領域まで移動し、この移動を繰り返す（この繰り返し周波数は６０Ｈｚである）。表示画像ＤＩＭは、１フレームが１スキャンされることで、フレーム全体の画像が表示される（スキャン周波数は６０Ｈｚである）。なお、図１０では、１フレームが走査される場合、検出電極及び又は走査ライン１、２、３、４、５、６、７、８、・・・・がこの順番で順次走査されるように説明しているが走査順番は、これに限定されるものではない。例えば、走査ライン１、３、２、４、６、５、８、７・・・のように、異なる順番で走査されてもよい。
【００５１】
図１１は実施例においてタッチ検出周波数が１２０Ｈｚのとき、表示パネルのスクリーン上で、タッチ検出位置ＴＤＰが変化する様子と表示画像がスキャン表示される様子を示すタイミングチャートである。タッチ検出位置ＴＤＰは、スクリーンの上の領域から下の領域まで１フレーム期間に２回で移動し、この操作を繰り返す（この繰り返し周波数は１２０Ｈｚである）。一方、表示画像ＤＩＭは、１フレームが１スキャンされることで、フレーム全体の画像が表示される（スキャン周波数は６０Ｈｚである）。なお、図１１に示した動作においても、図１０の場合と同様に、検出電極及び又は走査ラインの走査順番は、走査ライン１、２、３、４、５、６、７、８、・・・・の順番に限定されるものではない。例えば、走査ライン１、３、２、４、６、５、８、７・・・のように、異なる順番で走査されてもよい。
【００５２】
図１２は、タッチ検出周波数が６０Ｈｚから１２０Ｈｚに変化したときの画素データと、ビデオメモリの画像書込み読出し状況と、表示画像ＤＩＭの様子を示している。また、表示の垂直同期を得るためのゲートスタートパルスが示されている。本実施形態では、画素データが１ユニット毎にビデオメモリ７０３に書き込まれる。ユニットの大きさは、タッチ検出周波数が６０Ｈｚの場合と１２０Ｈｚの場合とで大から小に切り替わる。このとき、ビデオメモリ７０３のアドレス空間は、４つのバンクＢ１，Ｂ２，Ｂ３，Ｂ４で管理されている。また、タッチ検出周波数が６０Ｈｚから１２０Ｈｚに変化したときも１つのバンクのライン数（データ容量）ＬＮ０が変わることなく管理されている。
【００５３】
このために、本実施形態では、タッチ検出周波数が切り替わったときにフレームの開始位相が変化しない。このためにタッチ検出周波数が６０Ｈｚから１２０Ｈｚに変化したとき、画像ＤＩＭの表示状態も安定している。つまり周波数の変化時点で、画像ＤＩＭの欠落がなく安定して表示される。
【００５４】
この効果を理解するために、次に図１３、図１４を参照して上記した１ユニットのライン数と１バンクのライン数との関係が異なる例を比較例として説明する。例えば、１バンクのライン数が変化する場合について説明する。
図１３は、ビデオメモリのバンク数が２であり、タッチ検出周波数が６０Ｈｚから１２０Ｈｚに変化することに応じて、１バンクデータのライン数も変化する例を示している。入力画素データの１ユニットは、タッチ検出周波数が６０Ｈｚから１２０Ｈｚに変化することに応じて、大きいユニットとから小さいユニットに変化する。このことは、先の図８、図９で説明した内容と代わりない。
【００５５】
図１３の例は、１バンクのバンクデータ容量（ライン数）が、タッチ検出周波数が６０Ｈｚから１２０Ｈｚに変化することに応じて、大から小に変化する。以下時点ｔ１から以降のメモリ制御動作を説明する。画素データＩｍ−１は、バンクＢ２に書き込まれる。このときバンクＢ１のデータが読み出されて表示される。次に画素データＩｍ−２（この画素データは、前半に四角、後半に丸の図形を含むものとする）が、バンクＢ１に書き込まれる。このときはバンクＢ２のデータが読み出されて表示される。
【００５６】
画素データＩｍ−２がバンクＢ１に書き込まれた後、タッチ検出周波数が６０Ｈｚから１２０Ｈｚに変化したとする（Ｖsync3の位置）。すると、１ユニットも小ユニットに切り替わり、画素データＩｍ−３が入力する。この画素データＩｍ−３は、バンクＢ２に書き込まれる。
【００５７】
同時にバンクＢ１のデータが読み出される。現在のフレームは、１ユニットも小ユニットに切り替わり、この小ユニットに同期して動作している。つまり表示用のゲートスタートパルスは、６０Ｈｚのときよりも先行してスタートする。このために、バンクＢ１のデータは、書き込まれたデータの前半の半分が読み出される。つまり、出力画素データは、画素データＩｍ−２の前半の四角の図形の分だけが読み出され、丸の図形を表示することができなくなる。したがって、１バンクのバンクデータ容量（ライン数）が、タッチ検出周波数が６０Ｈｚから１２０Ｈｚに変化することに応じて、大から小に変化すると、切り替わり時に画像の表示不足が生じることになる。
【００５８】
図１４は、実際に画素データに基づく画像の例を示している。タッチ検出周波数が水平同期信号Ｖsync3で、６０Ｈｚから１２０Ｈｚに変化している。そして、垂直同期信号Ｖsync1-Ｖsync3までを示している。入力画素データと、データ処理回路から画素データを読み出しビデオメモリに書き込む経過と、ビデオメモリから画素データを読み出す経過と、表示部で画像が表示される経過を示している。
【００５９】
この動作においては、データ処理回路からビデオメモリに書き込まれる１ユニットは、大から小に切り替えられる。これにより、水平同期信号Ｖsync3の前と後で、１ユニットの画素データのライン数が１／２に変化する。したがって、ビデオメモリに対して書き込み読み出しする１ユニットの大きさが大から小に切り替わる。
【００６０】
この場合、次のフレームの１ユニット（小）が、１ユニット（大）の書き込みタイミングより、先行してビデオメモリに書き込まれる。この結果、図１３で説明したように、前のフレームの画像の後半（図では右側）の一部が表示しきれない問題がある。図１４では、フレーム１４０１の後半で、表示画像の一部が欠落する。
【００６１】
これに対して、図７〜図１２で説明した実施形態によると、上記した問題はなく、安定した表示が得られる。
図１５は、更に他の実施形態である。先の実施形態は、ビデオメモリ７０３を管理するバンク数が４の場合であるが、図１５の実施形態は、バンク数が３つの場合を示している。図１５において、第１のバンクＢ１、第２のバンクＢ２及び第３のバンクＢ３は、それぞれユニット（大）に対して、次のような書き込み読み出し制御される。図１５のユニットＵ１、Ｕ２とこれらのユニットを処理するバンクを代表して説明する。
【００６２】
第１のバンクＢ１では、１ユニットＵ１（大）の前半で読出し（Ｒ）、後半で書き込み（Ｗ）、次の１ユニットＵ２（大）の前半でデータ保持状態、後半で読み出し（Ｒ）が実行され、この実行を１サイクルとし、続くユニットに対しても該書き込み読み出しを繰り返している。
【００６３】
第２のバンクＢ２では、１ユニットＵ１（大）の前半でデータ保持状態、後半で読み出し（Ｒ）、次の１ユニットＵ２（大）の前半で書き込み（Ｗ）、後半で保持状態が実行され、この実行を１サイクルとし、続くユニットに対しても該書き込み読み出しを繰り返している。
【００６４】
第３のバンクＢ３では、１ユニットＵ１（大）の前半で書き込み（Ｗ）、後半でデータ保持状態、次の１ユニットＵ２（大）の前半で読出し（Ｒ）、後半で書込み（Ｗ）が実行され、この実行を１サイクルとし、続くユニットに対しても該書き込み読み出しを繰り返している。
【００６５】
ここで、垂直同期信号Ｖsync3の時点で、ユニット（小）Ｕ１に切り替わり、続いてユニット（小）Ｕ２、Ｕ３，Ｕ４、・・・が処理されるものとする。
ビデオメモリに割り当てられた複数のバンクであって、１つのバンクは画素データが連続する一定ライン数はＬＮ０である。またビデオメモリに連続して書き込む画素データの複数ラインのまとまりである１つのユニットは、タッチ検出周波数の切り替えに応じて、大或いは小に切り替えられる。
【００６６】
そして、６０Ｈｚのタッチ検出周波数が採用される場合は、１つのユニットにおけるライン数（ＬＮ１）を、前記一定ライン数（ＬＮ０）のｎ倍のライン数（ＬＮｘ１＝ＬＮ１＝ＬＮ０×ｎ）に切り替えている（ｎは２以上の整数）。また１２０Ｈｚのタッチ検出周波数が採用される場合は、１つのユニットにおけるライン数（ＬＮ２）を、前記一定ライン数（ＬＮ０）と等しいライン数（ＬＮｘ２＝ＬＮ２＝ＬＮ０）に切り替えている。  
なお、１つのユニットにおけるライン数（ＬＮ１）が、一定ライン数（ＬＮ０）のｎ倍である場合は次のような定義づけを行うことができる。即ち、
（i）低い周波数動作の場合に、高い周波数動作の場合に合わせたバンクの一定ライン数（ＬＮ０）で、1ユニット分のライン数を書き込むためには、ｎ個のバンクが必要である、かつ、
(ii) 1ユニットを書き込み終わった後に少なくとも書き込んだユニットのバンクの内の1つのバンクから読出している間に、次のユニットの書き込みを行う必要がある、
(iii)このために、最低限必要なバンク数は、ｎ＋１となる(２段階切換えの場合)。
【００６７】
上記の実施形態においても、画素データの表示欠落はなく６０Ｈｚのタッチ検出周波数から１２０Ｈｚのタッチ検出周波数に移行することができる。即ち、ユニットＵ２の画素データは、矢印１５０Ａで示すように、フレームの最後で欠落することなく表示される。
【００６８】
上記した実施形態によると、ビデオメモリの容量は、フレームメモリよりは小さい容量のメモリでよい。またタッチ検出周波数は、６０Ｈｚから１２０Ｈｚ、１２０Ｈｚから６０Ｈｚに切り替え可能である。このようなタッチ検出周波数の切り替えがあっても、表示画像の一部欠落などが生じることはない。  
上記した実施形態では、説明を分かり易くするために、タッチ検出のための走査周波数が、６０Ｈｚ又は１２０Ｈｚに切り替えられるとして説明した。しかし、この実施形態に限定されるものではなく、タッチ検出のための走査周波数の制約はなく、６０Ｈｚ以下でもよいし、６０〜１２０Ｈｚの間でも１２０Ｈｚ以上でもよい。また、切替数も２段階に限らず、２以上の多段階に切り替えられてもよい。例えば、４５Ｈｚ又は９０Ｈｚに切り替えられてもよい。また、４５Ｈｚ，６０Ｈｚ，９０Ｈｚ，１２０Ｈｚと多段階に切り替えられても良い。
【００６９】
この場合、大ユニットのライン数を分割することにより、タッチ検出のための走査周波数を増加することができる。例えば、タッチ検出周波数４５Ｈｚのときの最大ユニットのライン数をＷ１とする。タッチ検出周波数４５Ｈｚを６０Ｈｚに切り替える場合は、ユニットのライン数を（Ｗ１×（４５／６０））とすればよい。またタッチ検出周波数４５Ｈｚを９０Ｈｚに切り替える場合は、ユニットのライン数を（Ｗ１×（４５／９０））とすればよい。さらに、タッチ検出周波数を１２０Ｈｚに切り替える場合は、ユニットのライン数を（Ｗ１×（４５／１２０））とすればよい。ここで小数点以下のライン数が生じる場合があるが、小数点以下のライン数のユニットは、フレームの最後又はフレームの最初に切捨て処理する。また、制御部により管理するバンク数を可変としてもよい。ただし、先に説明した６０Ｈｚと１２０Ｈｚのように、高い周波数がｎ倍で、周波数の切替が２段階であれば、低い周波数の場合の１ユニットのライン数が高い周波数の場合のn倍とするだけでよいのでライン数の選択を楽に計算でき、処理も容易である。  
次に、切り替わるタッチ検出周波数が整数倍以外の場合(２段階の場合)の例を以下にまとめて記載することにする。
（１）周波数Ａが周波数Ｂに切り替わるものとし、周波数Ｂ＝b/a周波数Ａとした場合  (ｂ/a＞０、ｂ,ａ：整数)、周波数Ａの場合の１ユニットのライン数ｎとすると、
周波数Ｂの場合の1ユニットのライン数ｍは、ｍ＝ｎ×ａ/ｂ＝ｎａ/ｂ(ｎ＞ｍ)であり、
この場合、ｎとｍの最大公約数ｃを1バンクの定数として、
バンク数ｑ＝(ｎ/ｃ)＋１(q：整数)となる。
具体的な数値例を示すと、
例)周波数４５が周波数６０(４/３倍にする場合)切り替わるものとし、
周波数４５の際の表示ライン数を８０とすると、周波数６０の場合の表示ライン数は、
６０(＝８０×(４５/６０))となる、
表示ライン数６０と８０を満たすには、６０と８０の最大公約数である２０を書き込むバンクがライン数８０の場合をカバーするようにバンク数(８０/２０)＋１＝５以上あれば良い。
【００７０】
上記した実施形態において、タッチ検出機構ＳＥは、共通電極（駆動電極Ｔｘ）とこの電極に対向するタッチ検出電極Ｒｘを有する構成を説明した。しかしこの種のタッチ検出機構に限らず、タッチ検出機構の構成はセルフ検出型の構成であってもよい。
図１６に、セルフ検出型のタッチ検出機構の一例を示す。セルフ検出型のタッチ検出機構は、タッチ検出用電極Ｓｘを２次元に配列し、それぞれにリード線を設けている。タッチ検出用電極Ｓｘは、例えば、透明電極であり、ＩＴＯ（インジウム・ティン・オキサイド）などで構成される。図１６の例は、例えばｘ行×ｎ列の複数のタッチ検出用電極Ｓｘを例えば第２基板に設けており、表示期間中は共通電極Ｃとして利用されてもよい。このタッチ検出用電極Ｓｘは表示パネルＰＡＮの外部に設けられても内部に設けられてもよい。各タッチ検出用電極Ｓｘには、リード線を介して、周期的な充電と放電が繰り替えされる。放電が終了した時点で、各タッチ検出用電極Ｓｘの出力信号 Ｓxsa1−Ｓxsan、Ｓxsb1−Ｓxsbn、Ｓxsc1−Ｓxscn、・・・・の電位が測定される。これにより、例えば、一点鎖線の丸印の位置のタッチ検出用電極Ｓｘに、ユーザの指が近接していたとすると、対応する出力信号 Ｓxsa1の電位が他の電極の電位よりも低い値で検出される。これにより、タッチパネルコントローラＩＣ２は、タッチ位置を判断することができる。図１７Ａ−図１７Ｄは、セルフ検出型のタッチ検出機構の動作原理を説明する図である。
【００７１】
図１７Ａ及び図１７Ｂは、表示パネルの上面面に、利用者の指が接触も近接もしていない状態を示している。このため、タッチ検出用電極Ｓｘと指との間の静電容量Ｃｘ２は生じていない。図１７Ａは、制御スイッチＳＷｃにより電源Ｖｄｄとタッチ検出用電極Ｓｘが接続された状態を示す。図１７Ｂは、制御スイッチＳＷｃにより、電源Ｖｄｄとタッチ検出電極Ｒｘ間がオフされ、タッチ検出用電極ＳｘがコンデンサＣｃｐに接続された状態を示す。図１７Ａの状態で、容量Ｃｘ１は充電され、図１７Ｂの状態で、容量Ｃｘ１は放電される。ここで、容量Ｃｘ１が充電されることとは、タッチ検出用電極Ｓｘに対して一定の書込み信号が書込まれることである。また、容量Ｃｘ１が放電されることとは、タッチ検出用電極Ｓｘに生じた静電容量の変化を示す信号を読み出することである。
【００７２】
図１７Ｃは、利用者の指がタッチ検出電極Ｒｘに接触又は近接している状態を示している。よって、タッチ検出用電極Ｓｘと指との間に静電容量Ｃｘ２が生じている。図１７Ｃは、制御スイッチＳＷｃにより電源Ｖｄｄと検出用電極Ｓｘが接続された状態を示す。図１７Ｄは、制御スイッチＳＷｃにより、電源Ｖｄｄとタッチ検出用電極Ｓｘ間がオフされ、タッチ検出用電極ＳｘがコンデンサＣｃｐに接続された状態を示す。
【００７３】
図１７Ｃの状態で、容量Ｃｘ１は充電され、図１７Ｄの状態で、容量Ｃｘ１は放電される。
ここで、図１７Ｂに示す放電時の容量Ｃｃｐの電圧変化特性に対して、図１７Ｄに示す放電時の容量Ｃｃｐの電圧変化特性は、容量Ｃｘ２が存在するために、明らかに異なる。したがって、セルフ検出方式では、容量Ｃｃｐの電圧変化特性が、容量Ｃｘ２の有り無しにより、異なることを利用して、入力位置情報（例えば、操作入力の有無）を判断している。
【００７４】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。  
例えば、説明した実施形態においては、メモリに複数のバンクを割り当て、１つのバンクは画素データが連続する一定ライン数（ＬＮ０）の容量であり、前記メモリに連続して書き込む前記画素データの複数ラインのまとまりを１つのユニットと定義している。そして制御部は、一方の条件に応じて、前記１つのユニットにおけるライン数（ＬＮ２）を、前記一定ライン数（ＬＮ０）と等しいライン数（ＬＮｘ２）に設定し、他方の条件に応じて、前記１つのユニットにおけるライン数（ＬＮ１）を前記一定ライン数（ＬＮ０）よりも多いライン数（ＬＮｘ１）に設定する。即ち、タッチ検出機構の検出電極からの検出信号が入力するタッチパネルコントローラが、ノイズ検出したときを、一方の条件としている。また、タッチパネルコントローラが、一定時間ノイズ検出をしないときを、他方の条件としている。しかし、１つのユニットのライン数を切換える条件としては、種々の条件が存在する。例えば、画像コンテンツに応じて条件が変化する場合、表示装置の使用環境に応じて条件が変化する、ユーザによる意識的な切り替えに基づき条件が変化する場合などがある。
(i)画像コンテンツに応じて条件が変化する場合とは、例えば、ゲームコンテンツなどで、タッチ操作が頻繁に必要でありタッチ検出が重要なシーンの場合と、タッチ操作が比較的間延びしてゆっくりと行われるようなシーンの場合とがある。  
(ii)表示装置の使用状況に応じて条件が変化する場合とは、例えば、振動が強くて振動周波数が高い使用環境と、振動が弱くて振動周波数も低い使用環境とが、頻繁に変化するような場合がある。  
(iii)また、ユーザが意識的にタッチ検出感度を切換えて表示装置を使用する場合もある。さらにまた、他の条件としては、バックライトの輝度の切替や立体表示装置におけるトラッキングを反映したバリア部の開口位置の切替を所定の周波数に応じて行うようにして、当該バックライト輝度やバリア部の開口位置の切替の頻度を変更することで表示期間に書き込むライン数が変動するようにしても良い。
したがって、タイミング生成回路として動作する制御部は、メモリに複数のバンクを割り当て、１つのバンクは画素データが連続する一定ライン数（ＬＮ０）の容量であり、前記メモリに連続して書き込む前記画素データの複数ラインのまとまりを１つのユニットと定義し、一方の条件に応じて、前記１つのユニットにおけるライン数（ＬＮ２）を、前記一定ライン数（ＬＮ０）と等しいライン数（ＬＮｘ２）に設定し、他方の条件に応じて、前記１つのユニットにおけるライン数（ＬＮ１）を前記一定ライン数（ＬＮ０）よりも多いライン数（ＬＮｘ１）に設定すると称しても良い。また、前記制御部は、前記一方の条件又は他方の条件に応じて、前記複数の共通電極に対する走査周波数を切り替えるものである。
【符号の説明】
【００７５】
ＳＵＢ１・・・第１基板、ＳＵＢ２・・・第２基板、ＩＣ１・・・パネルドライバ、ＬＣＤ・・・表示パネル、ＤＡ・・・表示領域、ＳＥ・・・タッチ検出機構、ＩＣ２・・・タッチパネルコントローラ、ＨＯＳ・・・ホスト装置、ＢＬ・・・バックライトユニット、ＧＤ・・・ゲート回路、ＣＤ・・・共通電極駆動回路、Ｐｘ・・・画素、走査線・・・Ｇ（Ｇ１〜Ｇｎ）、信号線・・・Ｓ（Ｓ１〜Ｓｍ）、共通電極・・・Ｃ（Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３・・・Ｃｎ）、ＣＳＷ１・・・スイッチング素子、ＰＳＷ・・・画素スイッチング素子、ＰＥ・・・画素電極、ＬＱ・・・液晶、Ｔｘｓ１，Ｔｘｓ２，・・・駆動信号、Ｒｘ・・・タッチ検出電極、Ｒｘｓ・・・検出信号、ＤＷＴ・・・表示期間、ＴＤＴ・・・タッチ検出期間、７０１・・・インターフェース回路、７０２・・・データ処理回路、７１１・・・内部発振器、７１２・・・タイミング生成回路、７１３・・・ＣＤ駆動回路。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７Ａ】
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【図１７Ｂ】
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【図１７Ｃ】
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【図１７Ｄ】
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