(57)【要約】【課題】サーミスタのＢ定数を修正する方法を提供する。【解決手段】金属酸化物焼結体を用いたサーミスタの製造方法であって、（Ａ）金属酸化物焼結体の表面に一対の電極が形成されたウエハを、複数枚用意する工程と、（Ｂ）ウエハのＢ定数を測定する工程と、（Ｃ）複数のウエハを、測定されたＢ定数に基づいてグループ分けする工程と、（Ｄ）少なくとも一のグループを、酸素の存在する所定の環境下にて加熱することにより、当グループのＢ定数を、所定の範囲内に修正する工程と、を備える。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属酸化物焼結体を用いたサーミスタの製造方法であって、
（Ａ）前記金属酸化物焼結体の表面に一対の電極が形成されたウエハを、複数枚用意する工程と、
（Ｂ）前記ウエハのＢ定数を測定する工程と、
（Ｃ）複数の前記ウエハを、前記測定されたＢ定数に基づいてグループ分けする工程と、
（Ｄ）少なくとも一の前記グループを、酸素の存在する所定の環境下にて加熱することにより、当該グループのＢ定数を、所定の範囲内に修正する工程と、
を備える、サーミスタの製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載のサーミスタの製造方法において、
前記工程（Ｄ）は、
２以上の前記グループに対して、前記グループ毎に、加熱温度、加熱時間、および酸素濃度の少なくとも一つを変えることにより、前記所定の環境を変えて加熱することで、当該グループのＢ定数を、同一の範囲内に修正する、
サーミスタの製造方法。
【請求項３】
請求項２に記載のサーミスタの製造方法において、
前記工程（Ｄ）は、
前記グループ毎に加熱温度を変え、加熱時間および酸素濃度を一定として加熱する、
サーミスタの製造方法。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれか一項に記載のサーミスタの製造方法において、
前記工程（Ｃ）と前記工程（Ｄ）の間に、
（Ｅ）前記ウエハを所定の大きさの複数の個片に切断する工程
を備え、
前記工程（Ｄ）は、
前記工程（Ｅ）により切断された前記個片を加熱して、前記Ｂ定数の修正を行うと共に、前記個片に含まれた樹脂成分を除去する、
サーミスタの製造方法。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれか一項に記載のサーミスタの製造方法において、
前記工程（Ｅ）の後に、さらに、
（Ｆ）前記個片の前記電極にリード線を接続して、該個片を封止する工程
を備える、サーミスタの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、サーミスタの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、金属酸化物焼結体を用いたサーミスタを製造する場合、金属酸化物焼結体材料を焼成してウエハを形成した後、ウエハをダイシング等により所定の大きさの複数の個片に切断している。金属酸化物焼結体材料を焼成してウエハを形成する場合、１つの焼成炉で複数枚のウエハを焼成するため、焼成炉内の温度ばらつきにより、個体毎に抵抗値やＢ定数などの素子特性にばらつきが出ることがある。サーミスタは、例えば、温度センサとして利用され、規定の温度範囲を測定するためには、サーミスタの素子特性が規定の範囲内でなければならない。素子特性が規定の範囲外のサーミスタは使用できないため、材料および費用の無駄が生じるという課題があった。そこで、サーミスタの製造工程において、素子特性が規定の範囲内になるように修正する技術が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平１０−２５６００５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１では、規定の範囲よりも抵抗値が低いサーミスタ個片の電極端面を研削することにより、抵抗値が規定の範囲内になるように修正している。しかしながら、Ｂ定数は研削での修正はできないため、Ｂ定数を容易に修正することができる技術が望まれていた。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、上記の課題を解決するためになされたものであり、以下の形態として実現することができる。
【０００６】
（１）本発明の一形態によれば、金属酸化物焼結体を用いたサーミスタの製造方法が提供される。このサーミスタの製造方法は、（Ａ）前記金属酸化物焼結体の表面に一対の電極が形成されたウエハを、複数枚用意する工程と、（Ｂ）前記ウエハのＢ定数を測定する工程と、（Ｃ）複数の前記ウエハを、前記測定されたＢ定数に基づいてグループ分けする工程と、（Ｄ）少なくとも一の前記グループを、酸素の存在する所定の環境下にて加熱することにより、当該グループのＢ定数を、所定の範囲内に修正する工程と、を備えてもよい。この形態のサーミスタの製造方法によれば、Ｂ定数が所定の範囲外であるグループについて、Ｂ定数が所定の範囲内になるように修正することができるため、サーミスタの不良品率を低下させることができる。その結果、材料および費用の無駄を削減することができる。また、グループ毎に加熱することにより、Ｂ定数を修正することができるため、１個ずつ修正する場合と比べて、容易にＢ定数を修正することができる。
【０００７】
（２）上記形態のサーミスタの製造方法において、前記工程（Ｄ）は、２以上の前記グループに対して、前記グループ毎に、加熱温度、加熱時間、および酸素濃度の少なくとも一つを変えることにより、前記所定の環境を変えて加熱することで、当該グループのＢ定数を、同一の範囲内に修正してもよい。Ｂ定数の範囲が異なる２以上のグループのＢ定数を同一の範囲内に修正する場合、修正前後のＢ定数の変化率はグループ毎に異なる。そのため、このように所定の環境をグループ毎に変えることにより、適切に、２以上のグループのＢ定数を同一の範囲内に修正することができる。
【０００８】
（３）上記形態のサーミスタの製造方法において、前記工程（Ｄ）は、前記グループ毎に加熱温度を変え、加熱時間および酸素濃度を一定として加熱してもよい。このようにすると、容易にグループ毎の環境を変えることができる。また、加熱温度を変えることにより、加熱時間の過長を抑制することができる。
【０００９】
（４）上記形態のサーミスタの製造方法において、前記工程（Ｃ）と前記工程（Ｄ）の間に、（Ｅ）前記ウエハを所定の大きさの複数の個片に切断する工程を備え、前記工程（Ｄ）は、前記工程（Ｅ）により切断された前記個片を加熱して、前記Ｂ定数の修正を行うと共に、前記個片に含まれた樹脂成分を除去してもよい。このようにすると、個片に含まれた樹脂成分を除去すると共に、Ｂ定数の修正を行うことができる。従来、サーミスタを製造する際に、個片を形成した後に個片に含まれた樹脂成分を除去するための加熱処理を行っている。そのため、Ｂ定数の修正のための加熱工程を新たに加えず、従来の樹脂成分除去工程の加熱温度を調整することによりＢ定数の修正を行うことができる。その結果、サーミスタ製造工程の工数および時間の増加を抑制することができる。
【００１０】
（５）上記形態のサーミスタの製造方法において、前記工程（Ｅ）の後に、さらに、（Ｆ）前記個片の前記電極にリード線を接続して、該個片を封止する工程を備えてもよい。このようにすると、サーミスタ特性を安定な状態に保つことができ、より精密な測定を可能とするサーミスタを製造することができる。
【００１１】
本発明は、種々の形態で実現することが可能であり、例えば、サーミスタ、サーミスタを備えたセンサ、サーミスタを備えた温度センサ、センサの製造方法、温度センサの製造方法、サーミスタの製造装置等の形態で実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の実施形態としてのサーミスタの構造を模式的に示す模式図である。
【図２】実施形態のサーミスタの製造方法の流れを示す工程図である。
【図３】ウエハの焼成温度とＢ定数の関係を示すグラフである。
【図４】焼成後のウエハに加熱処理を施した場合の加熱処理温度とＢ定数との関係を示すグラフである。
【図５】焼成後のウエハのＢ定数に基づくグループ分けを示す説明図である。
【図６】加熱処理温度と加熱処理前後のＢ定数の変化率の関係を示すグラフである。
【図７】各グループの加熱処理後のＢ定数を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
Ａ．実施形態：
Ａ−１．サーミスタの構造：
図１は、本発明の実施形態としてのサーミスタ４０の構造を模式的に示す模式図である。サーミスタ４０は、図１に示すように、サーミスタ素子２０と、封止ガラス３０と、セラミックタブレット３２と、を備える。サーミスタ素子２０は、平面形状が略正方形の平板状を成すサーミスタ焼結体２５と、リード線２６Ａ，２６Ｂと、を主に備える。サーミスタ焼結体２５は、平面形状が略正方形の平板状を成す金属酸化物焼結体２２と、電極２４Ａ，２４Ｂと、を備える。
【００１４】
金属酸化物焼結体２２としては、（Ｙ，Ｙｂ，Ｓｒ）（Ａｌ，Ｍｎ，Ｃｒ）Ｏ３をベース組成としたペロブスカイト型酸化物を用いているが、これに限定されない。例えば、（Ｙ，Ｓｒ）（Ａｌ，Ｍｎ，Ｃｒ）Ｏ３，（Ｙ，Ｓｒ）（Ａｌ，Ｍｎ，Ｆｅ）Ｏ３等をベース組成とした金属酸化物を用いてもよい。
【００１５】
金属酸化物焼結体２２は、サーミスタ素子を構成した場合に、ＮＴＣ（負抵抗温度係数）サーミスタ特性を呈するものであって、１００〜３００℃の温度範囲内におけるＢ定数の目標値を１９００Ｋに設定している。
【００１６】
電極２４Ａ，２４Ｂは、白金からなり、平板状をなす金属酸化物焼結体２２の上下両面の全体に、それぞれ膜状に形成されている。リード線２６Ａ、２６Ｂとしては、直径０．２ｍｍのジュメット線を用いている。リード線２６Ａ、２６Ｂは、一端が、それぞれ、金属膜状の接続電極２８Ａ，２８Ｂを介して電極２４Ａ，２４Ｂに接続されている。
【００１７】
封止ガラス３０としては、ＳｉＯ2，ＣａＯ，ＳｒＯ，ＢａＯ，Ａｌ2Ｏ3，及びＳｎＯ2を原料とするガラスを用いており、サーミスタ焼結体２５と、セラミックタブレット３２とを一体に溶融封止している。封止ガラスの組成は、本実施形態に限定されない。また、封止する部材の材料は、ガラスに限定されず、エポキシ樹脂等の樹脂、ステンレス等の金属等を用いてもよい。
【００１８】
セラミックタブレット３２は、リード線２６Ａ、２６Ｂをそれぞれリード線貫通孔に通した状態で、封止ガラス３０の底部と一体に溶融封止されることによって、サーミスタ焼結体２５およびリード線２６Ａ、２６Ｂを機械的に補強する作用を有する。
【００１９】
Ａ−２．サーミスタの製造方法：
図２は、本実施形態のサーミスタの製造方法の流れを示す工程図である。
まず、本実施形態のサーミスタ４０が備える金属酸化物焼結体２２のベース組成（Ｙ，Ｙｂ，Ｓｒ）（Ａｌ，Ｍｎ，Ｃｒ）Ｏ３を構成する各金属の酸化物等の粉末から、冷間静水圧プレスにより平板状のウエハを形成する（ステップＳ２２）。
【００２０】
ステップＳ２２で形成された１０枚のウエハを、同一の焼成炉内で１５７０℃、４時間かけて焼成する（ステップＳ２４）。ステップＳ２４の焼成を行うことにより、サーミスタ特性を安定化させることができる。
【００２１】
その後、各ウエハの表裏面を研磨して、板厚０．４ｍｍに形成し（ステップＳ２６）、研磨後の表裏面に、膜状の白金電極を形成する。具体的には、白金粉末に有機バインダーを混合して作製したペーストをウエハの表裏面にスクリーン印刷し、乾燥した後、１３００℃で焼付けて形成する（ステップＳ２８）。電極の形成方法は本実施形態に限定されず、スクリーン印刷に換えてタンポ印刷を用いてもよいし、真空蒸着、スパッタリング等の公知の方法によって形成してもよい。真空蒸着、スパッタリングによって電極を形成すると、薄膜状の電極を形成することができる。
【００２２】
同一の焼成炉内で焼成された１０枚のウエハのＢ定数を、公知の方法で測定し（ステップＳ３０）、Ｂ定数に基づいてグループ分けする（ステップＳ３２）。本実施形態では、Ｂ定数１８００±５０ＫをグループＡ；Ｂ定数１９００±５０ＫをグループＢは；Ｂ定数２０００±５０ＫをグループＣ；Ｂ定数２１００±５０ＫをグループＤとした。グループ分けにおける各グループのＢ定数範囲は、後述する実験に基づいて決定されている。
【００２３】
各ウエハを、ダイシングによって０．６３ｍｍ角に切断して、個片（サーミスタ焼結体２５）を形成する（ステップＳ３４）。ステップＳ３２において分別された各グループ毎に、バッチ炉の設定温度を変えて、大気中で設定温度にて２４時間、サーミスタ焼結体２５を加熱して、Ｂ定数を修正する（ステップＳ３６）。本実施形態では、グループＡは１０８０−１１２０℃；グループＢは１０００−１０８０℃；グループＣは９００−１０００℃；グループＤは７００−９００℃に、それぞれ加熱温度を設定した。各グループの加熱温度は、後述する実験に基づいて決定されている。ステップＳ３６においてサーミスタ焼結体２５を加熱することにより、Ｂ定数を、目標範囲内（１９００±５０Ｋ）に修正すると共に、ダイシング時にサーミスタ焼結体２５に付着した樹脂成分を、蒸散させることができる。
【００２４】
ステップＳ３６においてＢ定数が修正されたサーミスタ焼結体２５の両電極に、予め金ペーストを先端に塗布した一対のリード線を接続し、金ペーストを乾燥させた後、１１００℃で焼結することによって、サーミスタ焼結体２５に接続電極２８Ａ，２８Ｂおよびリード線２６Ａ，２６Ｂを装着する（ステップＳ３８）。
【００２５】
ステップＳ３８にて形成されたサーミスタ素子２０のリード線２６Ａ，２６Ｂをセラミックタブレット３２のリード線貫通孔にそれぞれ貫挿させると共に、サーミスタ素子２０とセラミックタブレット３２との境界付近にガラスペーストを塗布し、乾燥させてセラミックタブレットを仮固定する。その後、サーミスタ焼結体２５全体を覆うように、ガラス管を被せて、全体を垂直に保持した状態でガラス管からセラミックタブレット３２にかけての部分を炉内に挿入して、約９００℃で１分間保持してガラスを十分溶融させて、サーミスタ焼結体２５をガラス封止する（ステップＳ４０）。これにより、図１に示すサーミスタ４０が完成する。
【００２６】
Ａ−３．Ｂ定数の修正：
本実施形態のサーミスタの製造方法中のＢ定数の修正におけるウエハのグループ分けおよび加熱処理温度の設定は、以下の実験に基づいて行われている。
まず、ウエハのグループ分け（ステップＳ３２）について、図３〜５に基づいて説明する。図３は、ウエハの焼成温度とＢ定数の関係を示すグラフである。図３におけるＢ定数は、１００〜３００℃におけるＢ定数を示す。図４，５についても同様に、１００〜３００℃におけるＢ定数を示す。上述のように、焼成炉の温度（焼成温度）を１５７０℃に設定しても、実際の焼成炉内の温度は、１５５０〜１５８０℃の範囲でばらつきが生じる。上述のように、同一の焼成炉内で複数のウエハを焼成する場合、各ウエハの実際の焼成温度は、各ウエハの焼成炉内の配置場所によって異なる。図３は、実際の焼成温度とＢ定数との関係を調べるために、比較的小さく、焼成炉内の温度が略均一に保たれる小型焼成炉を用いて、設定温度を、１５５０，１５５５，１５６０，１５７０，１５８０℃に設定して、各設定温度でウエハを焼成した結果を示している。各設定温度におけるサンプル数は５である。図３に示すように、焼成後のウエハのＢ定数は、焼成温度によって異なることが分かった。
【００２７】
図４は、焼成後のウエハに加熱処理を施した場合の加熱処理温度とＢ定数との関係を示すグラフである。図４は、焼成後のウエハのＢ定数が１８００Ｋのサンプルを用い、バッチ炉の加熱処理温度を、６００，７００，８００，９００，１０００，１１００℃に設定して、各設定温度でＢ定数１８００Ｋのウエハを２４時間加熱した結果を示している。図４では、加熱処理を行っていないウエハ（焼成後のウエハ）のＢ定数を、ブランクとして記載している。
【００２８】
図４に示すように、加熱処理後のウエハのＢ定数は、加熱処理を行っていないウエハと異なる値になることがわかった。金属酸化物焼結体を酸素存在下にて加熱すると、金属の酸化が促進されるため、加熱処理によりＢ定数が変化すると考えられる。さらに、加熱処理の処理温度によって、ブランクに対するＢ定数の変化率が異なることがわかった。これらの加熱処理温度によるＢ定数の変化は、焼成後のウエハのＢ定数の値によらず、同様の傾向を示した。
【００２９】
図５は、焼成後のウエハのＢ定数に基づくグループ分けを示す説明図である。図５に示したサンプルは、図３に示したものと同一である。すなわち、図５に示す焼成温度とＢ定数との関係は、図３と同様である。図５に示すように、焼成後のウエハのＢ定数を測定し、焼成温度にかかわらず、Ｂ定数に基づいてグループ分けした。グループＡはＢ定数が１８００±５０Ｋ；グループＢはＢ定数が１９００±５０Ｋ；グループＣはＢ定数が２０００±５０Ｋ；グループＤはＢ定数が２１００±５０Ｋである。
【００３０】
Ｂ定数に基づいてグループ分けする理由は、以下の通りである。図４に示すように、加熱処理温度によってＢ定数の変化率は異なる。この加熱処理温度とＢ定数の変化率との関係が加熱処理前（焼成後）のＢ定数にかかわらず同様であるため、Ｂ定数の目標値に近づけるためには、焼成後のウエハのＢ定数毎に異なる加熱処理温度にて加熱処理を行えばよいからである。また、図５に示すように、同一の焼成温度であっても、Ｂ定数にばらつきがあるためである。例えば、図５に示すように、焼成温度１５６０℃のウエハ群は、グループＡとグループＢとに分類される。
【００３１】
次に、ステップＳ３６における各グループの加熱処理温度の設定について、図６に基づいて説明する。図６は、加熱処理温度と加熱処理前後のＢ定数の変化率の関係を示すグラフである。図６では、図４に示したサンプルを用いて、加熱処理後のＢ定数のブランクに対する変化率を示している。Ｂ定数の変化率は、図６に実線で示すように、加熱処理温度に応じて二次関数で近似可能であった。そこで、加熱処理後のＢ定数が目標値１９００Ｋに近づくように、各グループの加熱処理温度を図６に示すように設定した。すなわち、グループＡは１０８０−１１２０℃；グループＢは１０００−１０８０℃；グループＣは９００−１０００℃；グループＤは７００−９００℃に、それぞれ設定した。
【００３２】
最後に、グループ毎に加熱処理温度を変えて加熱処理を行った結果について、図７に基づいて説明する。図７は、各グループの加熱処理後のＢ定数を示す図である。図７に示すように、加熱処理後のＢ定数は、いずれのグループのウエハも１９００Ｋ付近の値に修正されており、最大値（１９７０．５Ｋ）と最小値（１８８４．１Ｋ）との差が、約９０Ｋとなった。これに対し、加熱処理を行っていないウエハ（焼成後のウエハ）のＢ定数は、図３に示すように、最大値（２１１５．３Ｋ）と最小値（１７９７．５Ｋ）との差が約３２０Ｋである。すなわち、焼成後のウエハに対して、Ｂ定数に基づくグループ毎に加熱処理温度を変えて加熱処理を行うことにより、Ｂ定数のばらつきを、約７０％低減することができた。
【００３３】
Ａ−４．実施形態の効果：
以上説明したように、本実施形態のサーミスタの製造方法によれば、焼成後のウエハをＢ定数に基づいてグループ分けし、グループ毎に異なる温度で加熱処理を行うことにより、Ｂ定数を目標範囲内の値に修正することができる。その結果、サーミスタ製造時の歩留まりを向上することができ、コスト低減に資する。焼成温度依存性の高い組成の金属焼結体を用いたサーミスタの場合、ウエハの焼成のみで目標範囲内のＢ定数のサーミスタを製造することは困難であるため、本実施形態のサーミスタの製造方法によってサーミスタを製造することが好ましい。
【００３４】
また、本実施形態のサーミスタの製造方法では、ステップＳ３６において、Ｂ定数を修正するとともに、ダイシング時にサーミスタ焼結体２５に付着した樹脂成分を蒸散させている。ダイシング後に樹脂成分を蒸散させるための加熱処理（ベーキング）は、従来から行われていた処理である。本実施形態では、このベーキング処理の際の加熱温度をグループ毎に変えることによりＢ定数を目標範囲内に修正することができるため、新たな加熱処理工程を加えることなくＢ定数の修正を行うことができる。したがって、製造効率の低下を抑制することができる。
【００３５】
本実施形態のサーミスタの製造方法では、複数のサーミスタ焼結体２５を１つのグループにまとめて、加熱処理することによりＢ定数を修正することができる。そのため、サーミスタ焼結体２５のＢ定数を１個ずつ修正する場合に比べて、煩瑣な手間を要さず、容易にＢ定数の修正を行うことができる。
【００３６】
Ｂ．変形例：
本発明は、上述の実施形態に限られるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲において種々の構成で実現することができる。例えば、発明の概要の欄に記載した各形態中の技術的特徴に対応する実施形態中の技術的特徴は、上述の課題の一部または全部を解決するために、あるいは、上述の効果の一部または全部を達成するために、適宜、差し替えや組み合わせを行うことが可能である。また、その技術的特徴が本明細書中に必須なものとして説明されていなければ、適宜、削除することが可能である。例えば、例えば次のような変形も可能である。
【００３７】
Ｂ−１．第１変形例：
上記実施形態では、ステップＳ３６における加熱処理にて、Ｂ定数の修正を行うと共に樹脂の蒸散を行う工程を例示したが、Ｂ定数の修正と樹脂の蒸散とを別の工程にて行ってもよい。例えば、ダイシング（ステップＳ３４）の後、ベーキング処理（１００℃×２時間）を行い、ベーキング処理後のサーミスタ焼結体２５に対してＢ定数の修正処理（グループ毎に加熱処理温度を変えて加熱）を行ってもよい。ベーキング処理とＢ定数の修正処理の順序を逆にしてもよい。さらに、ダイシングの前に、焼成後のウエハに対して、グループ毎に加熱処理温度を変えて加熱処理をし、Ｂ定数を修正してもよい。
【００３８】
Ｂ−２．第２変形例：
上記実施形態では、加熱時間および酸素濃度が全グループ同一の環境下にて、グループ毎に加熱温度を変え、加熱処理を行うことによりＢ定数の修正を行ったが、Ｂ定数の修正のための加熱処理において環境を変える要素は、加熱温度に限定されない。例えば、加熱温度、酸素濃度を一定にし、加熱時間をグループ毎に変えてもよい。加熱温度、加熱時間を一定にして、酸素濃度をグループ毎に変えてもよい。加熱温度、加熱時間、および酸素濃度の少なくとも一つをグループ毎に変えることにより、Ｂ定数の修正のための加熱処理における環境を変えればよい。このようにしても、Ｂ定数を修正することができる。但し、グループ毎に加熱温度を変えることにより加熱処理環境を変える方法が、より容易であり、かつ処理時間の過長化を抑制することができるため、好ましい。
【００３９】
Ｂ−３．第３変形例：
上記実施形態では、ステップＳ３２において分別した全てのグループに対して加熱処理を行ったが、全てのグループに対して加熱処理を行わなくてもよい。例えば、ベーキング処理とＢ定数の修正処理とを別の工程で行う場合には、焼成後のウエハのＢ定数が目標範囲内の場合（例えば、グループＢ）には、グループＡ，Ｃ，Ｄに対してのみ、Ｂ定数の修正のための加熱処理を行ってもよい。
【００４０】
Ｂ−４．第４変形例：
Ｂ定数の修正のための加熱処理（ステップＳ３６）における加熱処理温度は上記実施形態に限定されない。例えば、図６に基づいて、グループＣの加熱処理温度を６００〜７００℃に設定してもよい。焼成炉内の温度分布や、金属酸化物焼結体の組成、目標Ｂ定数範囲等に応じて、適宜、設定すればよい。また、グループ分けの基準となるＢ定数の範囲も上記実施形態に限定されない。金属酸化物焼結体の組成、加熱処理前後のＢ定数変化率、要求性能等に応じて、適宜、設定すればよい。Ｂ定数の範囲を狭くして、細かくグループ分けすることにより、精度の高いサーミスタを製造することができる。
【００４１】
Ｂ−５．第５変形例：
上記実施形態において、同一の焼成炉内で焼成された１０枚のウエハに対してＢ定数の修正処理を行う例を示したが、枚数は上記実施形態に限定されず、同一の焼成炉内で焼成されたウエハにも限定されない。同一の焼成炉内で焼成されたウエハでなくても、複数のウエハを用意して、用意したウエハをＢ定数に基づいてグループ分けし、グループ毎に異なる温度にてＢ定数を修正するための加熱処理を行ってもよい。
【００４２】
Ｂ−６．第６変形例：
上記実施形態において、１グループに複数の個片（サーミスタ焼結体２５）が含まれる例を示したが、これに限定されず、１グループに少なくとも、１つの個片が含まれればよい。例えば、各個片のＢ定数を測定してグループ分けを行ってもよい。このようにすると、より精度の高いサーミスタを製造することができる。
【００４３】
Ｂ−７．第７変形例：
上記実施形態において、加熱処理前のＢ定数に対して、加熱処理によってＢ定数を上げるものと、加熱処理によってＢ定数を下げるものとを含む例を示したが、両方を含まなくてもよい。例えば、焼成後のウエハのＢ定数が、目標Ｂ定数に対して低くなるように、予め、焼成温度を調節してウエハを焼成し、全てのグループにおいて、Ｂ定数を上げるように加熱処理を行ってもよい。逆に、焼成後のウエハのＢ定数が、目標Ｂ定数に対して高くなるようにウエハを焼成し、全てのグループにおいて、Ｂ定数を下げるように加熱処理を行ってもよい。
【符号の説明】
【００４４】
２０…サーミスタ素子
２２…金属酸化物焼結体
２４Ａ，２４Ｂ…電極
２５…サーミスタ焼結体
２６Ａ，２６Ｂ…リード線
２８Ａ，２８Ｂ…接続電極
３０…封止ガラス
３２…セラミックタブレット
４０…サーミスタ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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