(57)【要約】【課題】ＮＣＦ方式による半導体装置の実装方法において、空隙の発生を抑制しつつ実装荷重の低減を図る。【解決手段】接合面に接続端子を有する半導体装置の接合面に第１の絶縁体フィルムを貼り付けて前記接続端子を第１の絶縁体フィルムの内部に埋め込む。被接合面に被接続端子を有する被接合物の被接合面に第２の絶縁体フィルムを形成し、被接続端子を前記第２の絶縁体フィルムの内部に埋め込む。接続端子と被接続端子とを接触させる押圧を加えて半導体装置と被接合物とを接合する。【選択図】図１Ｃ
2016184612.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
接合面に接続端子を有する半導体装置の前記接合面に第１の絶縁体フィルムを貼り付けて前記接続端子を前記第１の絶縁体フィルムの内部に埋め込む工程と、
被接合面に被接続端子を有する被接合物の前記被接合面に第２の絶縁体フィルムを貼り付けて、前記被接続端子を前記第２の絶縁体フィルムの内部に埋め込む工程と、
前記接続端子と前記被接続端子とを接触させる押圧を加えて前記半導体装置と前記被接合物とを接合する工程と、
を含む半導体装置の実装方法。
【請求項２】
接合面に接続端子を有する半導体装置の前記接合面に第１の絶縁体フィルムを貼り付けて前記接続端子を第１の絶縁体フィルムの内部に埋め込む工程と、
前記第１の絶縁体フィルムの、前記接続端子の先端を覆う部分を除去して前記接続端子の先端を露出させる工程と、
被接合面に被接続端子を有する被接合物の前記被接続端子と、前記接続端子とを接触させる押圧を加えて前記半導体装置と前記被接合物とを接合する工程と、
を含む半導体装置の実装方法。
【請求項３】
前記半導体装置と前記被接合物とを接合する工程の前に、前記被接合物の前記被接合面に第２の絶縁体フィルムを貼り付けて前記被接続端子を前記第２の絶縁体フィルムの内部に埋め込む工程、および前記第２の絶縁体フィルムの、前記被接続端子の先端を覆う部分を除去して前記被接続端子の先端を露出させる工程を更に含む
請求項２に記載の実装方法。
【請求項４】
前記半導体装置は、前記接合面に第１の認識マークを有し、前記接合面に前記第１の絶縁体フィルムを貼り付けたときに、前記第１の認識マークは前記第１の絶縁体フィルムによって覆われ、
前記被接合物は、前記被接合面に第２の認識マークを有し、前記被接合面に前記第２の絶縁体フィルムを貼り付けたときに、前記第２の認識マークは前記第２の絶縁体フィルムによって覆われ、
前記半導体装置と前記被接合物とを接合する工程の前に、前記第１の絶縁体フィルムの前記第１の認識マークを覆う部分を除去する工程および前記第２の絶縁体フィルムの前記第２の認識マークを覆う部分を除去する工程を更に含み、
前記半導体装置と前記被接合物とを接合する工程において、前記第１の認識マークおよび前記第２の認識マークを撮像することによって前記半導体装置と前記被接合物との位置合わせを行う
請求項１または請求項３に記載の実装方法。
【請求項５】
前記半導体装置と前記被接合物とを接合する工程の前に、前記第１の絶縁体フィルムの前記第１の認識マークを覆う部分を除去することによって形成された開口部に前記第１の絶縁体フィルムよりも光透過率が高い絶縁体を充填する工程、および前記第２の絶縁体フィルムの前記第２の認識マークを覆う部分を除去することによって形成された開口部に前記第２の絶縁体フィルムよりも光透過率が高い絶縁体を充填する工程を更に含む
請求項４に記載の実装方法。
【請求項６】
前記第１の絶縁体フィルムは、前記接続端子の根元側に配置されるフィラーを含有する第１の層と、前記接続端子の先端側に配置される前記第１の層よりもフィラーの含有率が低い若しくはフィラーを含有しない第２の層を有し、
前記第２の絶縁体フィルムは、前記被接続端子の根元側に配置されるフィラーを含有する第３の層と、前記被接続端子の先端側に配置される前記第３の層よりもフィラーの含有率が低い若しくはフィラーを含有しない第４の層と、を有する
請求項１、請求項３から請求項５のいずれか１項に記載の実装方法。
【請求項７】
前記半導体装置と前記被接合物とを接合する工程の前に、前記第１の絶縁体フィルムの、前記接続端子の周辺部に対応する部分に複数の第１の凹部を形成する工程を更に含む
請求項１に記載の実装方法。
【請求項８】
前記半導体装置と前記被接合物とを接合する工程の前に、前記第２の絶縁体フィルムの、前記被接続端子の周辺部に対応する部分に複数の第２の凹部を形成する工程を更に含み、
前記半導体装置と前記被接合物とを接合した場合に、前記第１の凹部の各々と前記第２の凹部の各々とが互いに重ならない位置に前記第１の凹部の各々および前記第２の凹部の各々を配置する
請求項７に記載の実装方法。
【請求項９】
前記複数の第１の凹部のうち、前記半導体装置の外周部に対応する領域に形成される凹部の大きさを、前記半導体装置の中央部に対応する領域に形成される凹部の大きさよりも小さくする
請求項７または請求項８に記載の実装方法。
【請求項１０】
前記第１の絶縁体フィルムの厚さは、前記接続端子の高さと同じか、前記接続端子の高さよりも厚く、
前記第２の絶縁体フィルムの厚さは、前記被接続端子の高さと同じか、前記被接続端子の高さよりも厚く、
前記第１の絶縁体フィルムの、前記接続端子の先端を覆う部分の厚さと、前記第２の絶縁体フィルムの、前記被接続端子の先端を覆う部分の厚さと、を合計した厚さが、前記接続端子の高さおよび前記被接続端子の高さのうち、小さい方よりも薄い
請求項１、請求項３から請求項９のいずれか１項に記載の実装方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
開示の技術は、半導体装置の実装方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の実装方法に関して、以下の技術が知られている。例えば、回路面上のバンプ電極を埋め込むように絶縁性接着剤層が形成された半導体チップを準備し、絶縁性接着剤層と実装基板の平面電極との間に異方導電接着剤層を挟んで、半導体チップを実装基板に圧着させる実装方法が知られている。
【０００３】
また、異方導電フィルム及び絶縁ペーストを介してフレキシブル配線板とプリント配線板とを押圧し、フレキシブル配線板の回路電極とプリント配線板の回路電極とを接合する実装方法が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００９−１４７２３１号公報
【特許文献２】特開２０１１−１８１５８６公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
バンプ等の突起電極を接続端子として有する半導体装置を実装基板に実装する方式として、半導体装置を実装基板に搭載した後に半導体装置と実装基板の間隙に液状のアンダーフィル材を充填するアンダーフィル方式が知られている。アンダーフィル方式においては、半導体装置の面積の拡大に伴って、半導体装置と実装基板との間に空隙（ボイド）を生じさせることなくアンダーフィル材を充填することが困難となる。
【０００６】
一方、半導体装置と実装基板との間にＮＣＦ（Non Conductive Film）と呼ばれる絶縁体フィルムを介在させた状態で半導体装置を実装基板に押し付ける押圧を加えて、半導体装置の接続端子と実装基板の被接続端子とを接合するＮＣＦ方式が知られている。ＮＣＦは、例えば、半導体装置の接続端子を覆うように半導体装置の接合面に貼り付けられる。ＮＣＦ方式によれば、アンダーフィル方式と比較して空隙（ボイド）の発生リスクを低減できる。
【０００７】
しかしながら、ＮＣＦ方式においては、半導体装置および実装基板の接続端子同士の接合に必要とされる押圧（実装荷重）が、アンダーフィル方式と比較して大きくなる。実装する半導体装置の面積が大きくなるに従って、より大きな実装荷重が必要となり、チップボンダが供給可能な実装荷重の限界を超えてしまう場合もある。この問題に対処するために、低粘度のＮＣＦを使用することも考えられる。しかしながら、低粘度のＮＣＦを使用した場合には、押圧（実装荷重）印加時におけるＮＣＦの流動速度が大きくなり、接続端子周辺にカルマン渦が生じやすくなる。その結果、接続端子周辺に空隙（ボイド）が発生するリスクが高まり、信頼性が低下するおそれがある。
【０００８】
開示の技術は、１つの側面として、ＮＣＦ方式による半導体装置の実装方法において、空隙の発生を抑制しつつ実装荷重の低減を図ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
開示の技術に係る半導体装置の実装方法は、接合面に接続端子を有する半導体装置の前記接合面に第１の絶縁体フィルムを貼り付けて前記接続端子を前記第１の絶縁体フィルムの内部に埋め込む工程を含む。該実装方法は、被接合面に被接続端子を有する被接合物の前記被接合面に第２の絶縁体フィルムを形成し、前記被接続端子を前記第２の絶縁体フィルムの内部に埋め込む工程を含む。該実装方法は、前記接続端子と前記被接続端子とを接触させる押圧を加えて前記半導体装置と前記被接合物とを接合する工程を含む。
【発明の効果】
【００１０】
開示の技術によれば、１つの側面として、ＮＣＦ方式による半導体装置の実装方法において、空隙の発生を抑制しつつ実装荷重の低減を図ることができる、という効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１Ａ】開示の技術の第１の実施形態に係る半導体装置の実装方法を示す図である。
【図１Ｂ】開示の技術の第１の実施形態に係る半導体装置の実装方法を示す図である。
【図１Ｃ】開示の技術の第１の実施形態に係る半導体装置の実装方法を示す図である。
【図１Ｄ】開示の技術の第１の実施形態に係る半導体装置の実装方法を示す図である。
【図２Ａ】比較例に係る半導体装置の実装方法を示す図である。
【図２Ｂ】比較例に係る半導体装置の実装方法を示す図である。
【図２Ｃ】比較例に係る半導体装置の実装方法を示す図である。
【図３】接続端子および被接続端子の周辺の状態を示す図である。
【図４Ａ】開示の技術の第２の実施形態に係る半導体装置の実装方法を示す図である。
【図４Ｂ】開示の技術の第２の実施形態に係る半導体装置の実装方法を示す図である。
【図４Ｃ】開示の技術の第２の実施形態に係る半導体装置の実装方法を示す図である。
【図４Ｄ】開示の技術の第２の実施形態に係る半導体装置の実装方法を示す図である。
【図４Ｅ】開示の技術の第２の実施形態に係る半導体装置の実装方法を示す図である。
【図４Ｆ】開示の技術の第２の実施形態に係る半導体装置の実装方法を示す図である。
【図５】開示の技術の第２の実施形態に係る半導体装置の実装方法を実施した場合における接続端子および被接続端子の周辺の状態を示す図である。
【図６】開示の技術の他の実施形態に係る半導体装置の実装方法を示す図である。
【図７Ａ】開示の技術の実施形態に係る半導体装置の接合面側から眺めた平面図である。
【図７Ｂ】開示の技術の実施形態に係る実装基板の被接合面側から眺めた平面図である。
【図８Ａ】開示の技術の第３の実施形態に係る半導体装置の実装方法を示す図である。
【図８Ｂ】開示の技術の第３の実施形態に係る半導体装置の実装方法を示す図である。
【図８Ｃ】開示の技術の第３の実施形態に係る半導体装置の実装方法を示す図である。
【図８Ｄ】開示の技術の第３の実施形態に係る半導体装置の実装方法を示す図である。
【図８Ｅ】開示の技術の第３の実施形態に係る半導体装置の実装方法を示す図である。
【図９Ａ】開示の技術の第４の実施形態に係る半導体装置の実装方法を示す図である。
【図９Ｂ】開示の技術の第４の実施形態に係る半導体装置の実装方法を示す図である。
【図９Ｃ】開示の技術の第４の実施形態に係る半導体装置の実装方法を示す図である。
【図９Ｄ】開示の技術の第４の実施形態に係る半導体装置の実装方法を示す図である。
【図１０】開示の技術の第４の実施形態に係る半導体装置の実装方法を実施した場合における接続端子および被接続端子の周辺の状態を示す図である。
【図１１Ａ】開示の技術の第５の実施形態に係る半導体装置の実装方法を示す図である。
【図１１Ｂ】開示の技術の第５の実施形態に係る半導体装置の実装方法を示す図である。
【図１１Ｃ】開示の技術の第５の実施形態に係る半導体装置の実装方法を示す図である。
【図１１Ｄ】開示の技術の第５の実施形態に係る半導体装置の実装方法を示す図である。
【図１２】開示の技術の第５の実施形態に係る半導体装置の接合面側の状態を示す平面図である。
【図１３】開示の技術の第５の実施形態に係る半導体装置の接合面側の状態を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、開示の技術の実施形態の一例を図面を参照しつつ説明する。なお、各図面において同一または等価な構成要素および部分には同一の参照符号を付与している。
【００１３】
[第１の実施形態]
図１Ａ〜図１Ｄは、開示の技術の第１の実施形態に係る半導体装置の実装方法を示す図である。本実施形態に係る実装方法は、ＮＣＦ方式により半導体装置１０を実装基板２０に実装するものである。
【００１４】
半導体装置１０は、一例として、所定の機能を実現する回路を内蔵した半導体チップの形態を有するものである。半導体装置１０は、実装基板２０に接合される接合面Ｓ１１に、接合面Ｓ１１から突出した複数の接続端子１２を有する。複数の接続端子１２は、接合面Ｓ１１上において、例えば、格子状に配置されている。各接続端子１２は、例えば、半田バンプ、金バンプ、銅バンプ等の突起電極の形態を有している。なお、半導体装置１０は、開示の技術における半導体装置の一例であり、接続端子１２は、開示の技術における接続端子の一例である。
【００１５】
実装基板２０は、半導体装置１０が接合される被接合物であり、例えば、プリント基板、シリコンインターポーザまたは半導体チップの形態を有し得る。実装基板２０は、半導体装置１０が接合される被接合面Ｓ２１に、被接合面Ｓ２１から突出した複数の被接続端子２２を有する。複数の被接続端子２２は、半導体装置１０の接続端子１２の配列に応じた配列を有する。なお、実装基板２０は、開示の技術における被接合物の一例であり、被接続端子２２は、開示の技術における被接続端子の一例である。
【００１６】
初めに、半導体装置１０の接合面Ｓ１１にＮＣＦ３０を貼り付ける（図１Ａ）。ＮＣＦ３０は、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を含んで構成された絶縁体フィルムである。ＮＣＦ３０は、硬化温度よりも低い所定温度で加熱することによって軟化させた状態で半導体装置１０の接合面Ｓ１１に貼り付けられる。ＮＣＦ３０を軟化させることにより、接続端子１２の各々は、ＮＣＦ３０の内部に埋め込まれる。なお、図１Ａでは、先端を含む接続端子１２の全体が、ＮＣＦ３０の内部に埋め込まれた態様が示されているが、接続端子１２の各々の先端がＮＣＦ３０から露出していてもよい。ＮＣＦ３０は、その厚さＴ１が接続端子１２の高さｈ１と同じか、接続端子１２の高さｈ１よりも僅かに厚いものが使用される。すなわち、ＮＣＦ３０の、接続端子１２の先端を覆う部分の厚さ（Ｔ１−ｈ１）を薄くする程、半導体装置１０と実装基板２０との接合に要する実装荷重を小さくできる。
【００１７】
ＮＣＦ３０は、ダイシング前のウエハ状態の半導体装置１０に貼り付けてもよいし、ダイシングによって個片化された半導体装置１０に貼り付けてもよい。なお、ＮＣＦ３０は、開示の技術における第１の絶縁体フィルムの一例である。
【００１８】
次に、実装基板２０の被接合面Ｓ２１にＮＣＦ４０を貼り付ける（図１Ｂ）。ＮＣＦ４０は、半導体装置１０に貼り付けられたＮＣＦ３０と同様、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を含んで構成された絶縁体フィルムである。ＮＣＦ４０は、ＮＣＦ３０と同じ種類の樹脂を含んで構成されていてもよい。ＮＣＦ４０は、硬化温度よりも低い所定温度で加熱することによって軟化させた状態で実装基板２０の被接合面Ｓ２１に貼り付けられる。ＮＣＦ４０を軟化させることにより、被接続端子２２は、ＮＣＦ４０の内部に埋め込まれる。なお、図１Ｂでは、先端を含む被接続端子２２の全体が、ＮＣＦ４０の内部に埋め込まれた態様が示されているが、接続端子２２の各々の先端がＮＣＦ４０から露出していてもよい。ＮＣＦ４０は、その厚さＴ２が被接続端子２２の高さｈ２と同じか、被接続端子２２の高さｈ２よりも僅かに厚いものが使用される。すなわち、ＮＣＦ４０の、被接続端子２２の先端を覆う部分の厚さ（Ｔ２−ｈ２）を薄くする程、半導体装置１０と実装基板２０との接合に要する実装荷重を小さくできる。また、ＮＣＦ３０の、接続端子１２の先端を覆う部分の厚さ（Ｔ１−ｈ１）と、ＮＣＦ４０の、被接続端子２２の先端を覆う部分の厚さ（Ｔ２−ｈ２）と、を合計した厚さが、接続端子１２の高さ（ｈ１）および被接続端子２２の高さ（ｈ２）うち、小さい方よりも薄いことが好ましい。なお、ＮＣＦ４０は、開示の技術における第２の絶縁体フィルムの一例である。
【００１９】
次に、半導体装置１０の接合面Ｓ１１とは反対側の裏面Ｓ１３をチップボンダのボンディングツール１００の吸着面Ｓ１０１に吸着することによって、半導体装置１０をピックアップする。その後、チップボンダの位置決め機構によって、半導体装置１０と実装基板２０との位置合わせが行われる（図１Ｃ）。
【００２０】
次に、ボンディングツール１００は、半導体装置１０を保持したまま降下し、半導体装置１０の接続端子１２の各々と実装基板２０の被接続端子２２の各々とを接触させる押圧（実装荷重）を加えつつ、半導体装置１０に熱を加える（図１Ｄ）。この熱によってＮＣＦ３０および４０は、一旦軟化する。ボンディングツール１００から加えられる押圧（実装荷重）によって、接続端子１２および被接続端子２２の間に延在する余剰のＮＣＦ３０および４０が、押し出されて流動する。これにより、接続端子１２と被接続端子２２とが接触する。
【００２１】
接続端子１２が例えば半田バンプである場合には、ボンディングツール１００からは、半田バンプの溶融温度よりも高い温度の熱が供給される。半田バンプを溶融させることで、接続端子１２と被接続端子２２とが接合される。その後、ボンディングツール１００から熱の供給を継続することで、ＮＣＦ３０および４０が硬化する。
【００２２】
一方、接続端子１２が例えば金バンプである場合には、接続端子１２と被接続端子２２との接合は圧着によって行われる。なお、接続端子１２と被接続端子２２との接合を圧着によって行う場合には、ボンディングツール１００から半導体装置１０に超音波が印加され得る。その後、ボンディングツール１００から熱の供給を継続することで、ＮＣＦ３０および４０が硬化する。
【００２３】
その後、ボンディングツール１００は、半導体装置１０の保持を解除して上昇し、半導体装置１０の実装基板２０への実装が完了する。ＮＣＦ３０の厚さＴ１は、接続端子１２の高さｈ１と同じか、それよりも厚く、ＮＣＦ４０の厚さＴ２は、被接続端子２２の高さｈ２と同じか、それよりも厚いので、半導体装置１０と実装基板２０との間には隙間なくＮＣＦが充填される。
【００２４】
ここで、図２Ａ〜図２Ｃは、比較例に係る半導体装置の実装方法を示す図である。比較例に係る実装方法は、ＮＣＦを半導体装置１０に貼り付け、実装基板２０には貼り付けない点において、上記した開示の技術の実施形態に係る実装方法と異なる。
【００２５】
初めに、半導体装置１０の接合面Ｓ１１にＮＣＦ３０Ｘを貼り付ける（図２Ａ）。比較例に係る実装方法において使用されるＮＣＦ３０Ｘの厚さＴ３は、接続端子１２の高さｈ１と被接続端子２２の高さｈ２とを合計した高さに相当する厚さと同じか、それよりも厚いものとされている（Ｔ３≧ｈ１＋ｈ２）。ＮＣＦを半導体装置１０にのみ貼り付ける場合には、実装後において半導体装置１０と実装基板２０との間にＮＣＦを隙間なく充填するためには、ＮＣＦ３０Ｘの厚さＴ３は、少なくとも接続端子１２の高さｈ１と被接続端子の高さｈ２とを合計した高さに相当する厚さが必要となる。すなわち、比較例に係るＮＣＦ３０Ｘの厚さＴ３は、開示の技術の実施形態に係る実装方法におけるＮＣＦ３０の厚さＴ１およびＮＣＦ４０の厚さＴ２よりも厚い。
【００２６】
次に、半導体装置１０の接合面Ｓ１１とは反対側の裏面Ｓ１３をチップボンダのボンディングツール１００の吸着面Ｓ１０１に吸着することによって、半導体装置１０をピックアップする。その後、チップボンダの位置決め機構によって、半導体装置１０と実装基板２０との位置合わせが行われる（図２Ｂ）。
【００２７】
次に、ボンディングツール１００は、半導体装置１０を保持したまま降下し、半導体装置１０の接続端子１２の各々と実装基板２０の被接続端子２２の各々とを接触させる押圧（実装荷重）を加えつつ、半導体装置１０に熱を加える（図２Ｃ）。この熱によってＮＣＦ３０Ｘは、一旦軟化する。ボンディングツール１００から加えられる押圧（実装荷重）によって、接続端子１２と被接続端子２２との間に延在する余剰のＮＣＦ３０Ｘが押し出されて流動する。これにより、接続端子１２と被接続端子２２とが接触する。その後、ボンディングツール１００から熱の供給を継続し、ＮＣＦ３０Ｘを硬化させる。
【００２８】
上記したように、接続端子１２と被接続端子２２とを接触させるためには、ボンディングツール１００から実装荷重を加えて、接続端子１２と被接続端子２２との間に延在する余剰のＮＣＦを流動させる必要がある。開示の技術の実施形態に係る実装方法においては、半導体装置１０の接合面Ｓ１１に接続端子１２の高さｈ１と略同じ厚さのＮＣＦ３０を貼り付け、更に、実装基板２０の被接合面Ｓ２１に被接続端子２２の高さｈ２と略同じ厚さのＮＣＦ４０を貼り付ける。従って、接続端子１２と被接続端子２２との間に延在するＮＣＦの厚さを、比較例に係る実装方法と比較して小さくすることができる。
【００２９】
開示の技術の実施形態に係る実装方法ではＮＣＦを半導体装置１０と実装基板２０の双方に貼り付けることで、接続端子１２と被接続端子２２との間に延在するＮＣＦの厚さを最小限に抑えつつ半導体装置１０と実装基板２０との間に隙間なくＮＣＦを充填できる。接続端子１２と被接続端子２２との間に延在するＮＣＦの厚さを最小限に抑えることで、実装荷重の印加によって流動する余剰のＮＣＦの量を最小限とすることができ、ＮＣＦを殆ど流動させることなく接続端子１２と被接続端子２２とを接触させることが可能となる。このように、開示の技術の実施形態に係る実装方法によれば、接続端子１２と被接続端子２２とを接触させるために必要となるＮＣＦの流動量を、比較例に係る実装方法と比較して小さくすることが可能となる。ＮＣＦの流動量を小さくすることで、接続端子１２と被接続端子２２とを接触させるために必要となる実装荷重を小さくすることができる。従って、開示の技術の実施形態に係る実装方法によれば、空隙（ボイド）の発生を誘発する低粘度のＮＣＦを使用しなくても、実装荷重の低減を図ることができる。従って、開示の技術の実施形態に係る半導体装置の実装方法によれば、空隙（ボイド）の発生を抑制しつつ実装荷重の低減を図ることが可能となる。
【００３０】
ＮＣＦ３０の、接続端子１２の先端を覆う部分の厚さ（Ｔ１−ｈ１）と、ＮＣＦ４０の、被接続端子２２の先端を覆う部分の厚さ（Ｔ２−ｈ２）と、を合計した厚さが、接続端子１２の高さ（ｈ１）および被接続端子２２の高さ（ｈ２）うち、小さい方よりも薄くすることにより、接続端子１２と被接続端子２２とを接触させるために必要となるＮＣＦの流動量を比較例の場合よりも小さくできる。これにより、実装荷重を比較例の場合よりも小さくできる。
【００３１】
［第２の実施形態］
ＮＣＦは、熱膨張の抑制を目的として、シリカ等の絶縁体からなるフィラーを含有させたものが使用され得る。従って、図３に示すように、半導体装置１０を実装基板２０に実装するときに、接続端子１２と被接続端子２２との間にフィラー２００を挟み込んでしまうおそれがある。接続端子１２と被接続端子２２との間にフィラー２００が挟み込まれた場合には、端子間の電気抵抗が高くなる。開示の技術の第２の実施形態に係る実装方法は、端子間におけるフィラーの挟み込みの発生を抑制する効果をも奏するものである。
【００３２】
図４Ａ〜図４Ｆは、開示の技術の第２の実施形態に係る半導体装置の実装方法を示す図である。
【００３３】
初めに、第１の実施形態に係る実装方法と同様、半導体装置１０の接合面Ｓ１１にＮＣＦ３０を貼り付ける（図４Ａ）。接続端子１２の各々は、ＮＣＦ３０の内部に埋め込まれる。ＮＣＦ３０は、その厚さが接続端子１２の高さと同じか接続端子１２の高さよりも僅かに厚いものが使用される。すなわち、ＮＣＦ３０の、接続端子１２の先端を覆う部分の厚さを薄くする程、半導体装置１０と実装基板２０との接合に要する実装荷重を小さくできる。
【００３４】
次に、ＮＣＦ３０の、接続端子１２の各々の先端を覆う部分を除去することにより、接続端子１２の各々の先端を露出させる（図４Ｂ）。ＮＣＦ３０の部分的な除去を行う方法として、レーザ光Ｌを用いたレーザアブレーションを使用することができる。レーザアブレーションは、固体の表面にレーザ光を照射することにより、固体の表面の構成物質を蒸発させる技術である。レーザ光Ｌとして、例えばエキシマレーザを使用することができる。
【００３５】
次に、第１の実施形態に係る実装方法と同様、実装基板２０の被接合面Ｓ２１に絶縁体フィルムであるＮＣＦ４０を貼り付ける（図４Ｃ）。被接続端子２２はＮＣＦ４０の内部に埋め込まれる。ＮＣＦ４０は、その厚さが被接続端子２２の高さと同じか、被接続端子２２の高さよりも僅かに厚いものが使用される。すなわち、ＮＣＦ４０の、被接続端子２２の先端を覆う部分の厚さを薄くする程、半導体装置１０と実装基板２０との接合に要する実装荷重を小さくできる。また、ＮＣＦ３０の、接続端子１２の先端を覆う部分の厚さと、ＮＣＦ４０の、被接続端子２２の先端を覆う部分の厚さと、を合計した厚さが、接続端子１２の高さおよび被接続端子２２の高さのうち小さい方よりも薄いことが好ましい。
【００３６】
次に、ＮＣＦ４０の、被接続端子２２の各々の先端を覆う部分を除去することにより、被接続端子２２の各々の表面を露出させる（図４Ｄ）。ＮＣＦ４０の部分的な除去を行う方法として、レーザ光Ｌを用いたレーザアブレーションを使用することができる。
【００３７】
次に、半導体装置１０の接合面Ｓ１１とは反対側の裏面Ｓ１３をチップボンダのボンディングツール１００の吸着面Ｓ１０１に吸着することによって、半導体装置１０をピックアップする。その後、チップボンダの位置決め機構によって、半導体装置１０と実装基板２０との位置合わせが行われる（図４Ｅ）。
【００３８】
次に、ボンディングツール１００は、半導体装置１０を保持したまま降下し、半導体装置１０の接続端子１２の各々と実装基板２０の被接続端子２２の各々とを接触させる押圧（実装荷重）を加えつつ、半導体装置１０に熱を加える（図４Ｆ）。この熱によってＮＣＦ３０および４０は、一旦軟化する。ボンディングツール１００から加えられる押圧によって、接続端子１２と被接続端子２２とが接触する。ボンディングツール１００から熱の供給を継続することで、ＮＣＦ３０および４０が硬化する。
【００３９】
その後、ボンディングツール１００は、半導体装置１０の保持を解除して上昇し、半導体装置１０の実装基板２０への実装が完了する。
【００４０】
開示の技術の第２の実施形態に係る実装方法によれば、半導体装置１０と実装基板２０とを貼り合わせる前に、ＮＣＦ３０の、接続端子１２の各々の先端を覆う部分が除去され、ＮＣＦ４０の、被接続端子２２の各々の先端を覆う部分が除去される。これにより、ボンディングツール１００から押圧（実装荷重）を加える際に、図５に示すように、接続端子１２と被接続端子２２との間にはＮＣＦが存在せず、従って、フィラー２００も存在しないこととなるので、接続端子１２と被接続端子２２との間におけるフィラーの挟み込みの発生を抑制することができる。
【００４１】
また、開示の技術の第２の実施形態に係る実装方法によれば、第１の実施形態の場合と同様、空隙（ボイド）の発生を抑制しつつ実装荷重の低減を図ることが可能となる。これにより、半導体装置１０の大面積化にも対応することが可能となる。
【００４２】
なお、本実施形態においては、第１の実施形態の場合と同様、半導体装置１０と実装基板２０の双方にＮＣＦを貼り付ける場合を例示したが、この態様に限定されるものではない。例えば、図６に示すように、半導体装置１０にのみＮＣＦ３０を貼り付け、ＮＣＦ３０の、接続端子１２の各々の先端を覆う部分を除去してもよい。このような態様でも接続端子１２と被接続端子２２との間におけるフィラーの挟み込みの発生を抑制することができる。また、この場合、ＮＣＦ３０の厚さは、少なくとも接続端子１２の高さと被接続端子２２の高さを合計した高さに相当する厚さとすることが好ましい。しかしながら、ＮＣＦ３０の、接続端子１２の各々の先端を覆う部分を除去することにより、接続端子１２と被接続端子２２とを接触させるのに必要な実装荷重を、比較例に係る実装方法と比較して小さくすることができる。
【００４３】
［第３の実施形態］
図７Ａは、接合面Ｓ１１側から眺めた半導体装置１０の平面図、図７Ｂは、被接合面Ｓ２１側から眺めた実装基板２０の平面図である。半導体装置１０は、図７Ａに示すように、接合面Ｓ１１に格子状に配列された複数の接続端子１２を有する。また、接合面Ｓ１１には、例えば、半導体装置１０のコーナ部に認識マーク１４が形成されている。一方、実装基板２０は、図７Ｂに示すように、被接合面Ｓ２１に接続端子１２の配列に対応するように配置された複数の被接続端子２２を有する。また、被接合面Ｓ２１には、例えば実装基板２０のコーナ部に認識マーク２４が形成されている。なお、認識マーク１４は、開示の技術における第１の認識マークの一例であり、認識マーク２４は、開示の技術における第２の認識マークの一例である。
【００４４】
認識マーク１４および２４は、チップボンダによって半導体装置１０を実装基板２０に実装するときに半導体装置１０と実装基板２０との位置合わせに使用されるマークである。すなわち、チップボンダは、認識マーク１４および２４を撮像するカメラを備えており、このカメラによって撮像された認識マーク１４および２４に基づいて、半導体装置１０および実装基板２０の相対的な位置関係を認識して両者の位置合わせを行う。
【００４５】
上記した第１および第２の実施形態に係る実装方法のように、半導体装置１０および実装基板２０にＮＣＦを貼り付けた場合には、認識マーク１４および２４は、ＮＣＦで覆われる。これにより、チップボンダにおける認識マーク１４および２４の視認性が低下し、半導体装置１０と実装基板２０との位置合わせが困難となる場合がある。このような場合には、比較的光透過率の高いＮＣＦを使用せざるを得ず、ＮＣＦの選択範囲が狭くなる。
【００４６】
開示の技術の第３の実施形態に係る実装方法は、使用するＮＣＦに制限を設けることなく認識マーク１４および２４の視認性を向上させる効果をも奏するものである。
【００４７】
図８Ａ〜図８Ｅは、開示の技術の第３の実施形態に係る半導体装置の実装方法を示す図である。
【００４８】
初めに、第１の実施形態に係る実装方法と同様、半導体装置１０の接合面Ｓ１１にＮＣＦ３０を貼り付ける。接続端子１２の各々は、ＮＣＦ３０の内部に埋め込まれる。また、半導体装置１０の接合面Ｓ１１に形成された認識マーク１４は、ＮＣＦ３０に覆われる。ＮＣＦ３０は、その厚さが接続端子１２の高さと同じか、接続端子１２の高さよりも僅かに厚いものが使用される。すなわち、ＮＣＦ３０の、接続端子１２の先端を覆う部分の厚さを薄くする程、半導体装置１０と実装基板２０との接合に要する実装荷重を小さくできる。
【００４９】
次に、ＮＣＦ３０の、接続端子１２の各々の先端を覆う部分を除去することにより、接続端子１２の各々の先端を露出させる。さらに、ＮＣＦ３０の、認識マーク１４を覆う部分を除去することにより、開口部１５を形成する（図８Ａ）。ＮＣＦ３０の部分的な除去を行う方法として、レーザ光Ｌを用いたレーザアブレーションを使用することができる。
【００５０】
次に、ＮＣＦ３０の、認識マーク１４を覆う部分を除去することによって形成された開口部１５にＮＣＦ３０を構成する樹脂よりも光透過率の高い熱硬化性を有する樹脂１６を充填する（図８Ｂ）。樹脂１６として、例えば、フィラーを含有していないノンフィラー樹脂を使用することができる。
【００５１】
次に、第１の実施形態に係る実装方法と同様、実装基板２０の被接合面Ｓ２１に絶縁体フィルムであるＮＣＦ４０を貼り付ける。被接続端子２２はＮＣＦ４０の内部に埋め込まれる。また、実装基板２０の被接合面Ｓ２１に形成された認識マーク２４は、ＮＣＦ４０に覆われる。ＮＣＦ４０は、その厚さが被接続端子２２の高さと同じか、被接続端子２２の高さよりも僅かに厚いものが使用される。すなわち、ＮＣＦ４０の、被接続端子２２の先端を覆う部分の厚さを薄くする程、半導体装置１０と実装基板２０との接合に要する実装荷重を小さくできる。また、ＮＣＦ３０の、接続端子１２の先端を覆う部分の厚さと、ＮＣＦ４０の、被接続端子２２の先端を覆う部分の厚さと、を合計した厚さが、接続端子１２の高さおよび被接続端子２２の高さのうち小さい方よりも薄いことが好ましい。
【００５２】
次に、ＮＣＦ４０の、被接続端子２２の各々の先端を覆う部分を除去することにより、被接続端子２２の各々の先端を露出させる。さらに、ＮＣＦ４０の、認識マーク２４を覆う部分を除去することにより、開口部２５を形成する（図８Ｃ）。ＮＣＦ４０の部分的な除去を行う方法として、レーザ光Ｌを用いたレーザアブレーションを使用することができる。
【００５３】
次に、ＮＣＦ４０の、認識マーク２４を覆う部分を除去することによって形成された開口部２５にＮＣＦ４０を構成する樹脂よりも光透過率の高い熱硬化性を有する樹脂２６を充填する（図８Ｄ）。樹脂２６として、例えば、フィラーを含有していないノンフィラー樹脂を使用することができる。樹脂２６は、樹脂１６と同じ種類であってもよい。
【００５４】
次に、半導体装置１０の接合面Ｓ１１とは反対側の裏面Ｓ１３をチップボンダのボンディングツール１００の吸着面Ｓ１０１に吸着することによって、半導体装置１０をピックアップする。その後、チップボンダの位置決め機構によって、半導体装置１０と実装基板２０との位置合わせが行われる（図８Ｅ）。チップボンダは、認識マーク１４および２４を撮像するカメラ（図示せず）を備えており、このカメラによって撮像された認識マーク１４および２４に基づいて、半導体装置１０および実装基板２０の相対的な位置関係等を認識して両者の位置合わせを行う。認識マーク１４および２４をそれぞれ覆う樹脂１６および２６は、比較的高い光透過率を有しているので、チップボンダは、認識マーク１４および２４を適切に認識することが可能である。
【００５５】
次に、ボンディングツール１００は、半導体装置１０を保持したまま降下し、半導体装置１０の接続端子１２の各々と実装基板２０の被接続端子２２の各々とを接触させる押圧を加えつつ、半導体装置１０に熱を加える。この熱によってＮＣＦ３０および４０は、一旦軟化する。ボンディングツール１００から加えられる押圧によって、接続端子１２と被接続端子２２とが接触する。ボンディングツール１００から熱の供給を継続することで、ＮＣＦ３０および４０が硬化する。その後、ボンディングツール１００は、半導体装置１０の保持を解除して上昇し、半導体装置１０の実装基板２０への実装が完了する。
【００５６】
以上のように、第３の実施形態に係る実装方法によれば、認識マーク１４および２４は、それぞれ、ＮＣＦ３０および４０を構成する樹脂よりも光透過率の高い樹脂１６および２６で覆われるので、半導体装置１０と実装基板２０との位置合わせを適切に行うことが可能である。このように、認識マーク１４および２４を覆う部分を、ＮＣＦ３０および４０とは異なる光透過率の高い樹脂に置き換えることで、ＮＣＦの選択範囲が狭くなる、という上記の問題を解消できる。なお、ＮＣＦの認識マーク１４および２４を覆う部分を除去することによって形成された開口部１５および２５に樹脂１６および２６を充填する工程を省略してもよい。しかしながら、この場合、ＮＣＦ内に空隙（ボイド）が形成されることとなる。この空隙（ボイド）によって信頼性が低下するおそれがある場合には、開口部１５および２５に樹脂を充填することにより空隙（ボイド）の発生を防止することが好ましい。
【００５７】
また、第３の実施形態に係る実装方法によれば、第１の実施形態の場合と同様、空隙（ボイド）の発生を抑制しつつ実装荷重の低減を図ることも可能となる。これにより、半導体装置１０の大面積化にも対応することが可能となる。また、第３の実施形態に係る実装方法によれば、第２の実施形態の場合と同様、接続端子１２と被接続端子２２との間におけるフィラーの挟み込みの発生を抑制することができる。
【００５８】
なお、上記の実施形態においては、ＮＣＦ３０の、接続端子１２の各々の先端を覆う部分を除去し、更に、ＮＣＦ４０の被接続端子２２の各々の先端を覆う部分を除去する場合を例示したが、ＮＣＦの各端子の先端を覆う部分の除去を省略してもよい。すなわち、半導体装置１０および実装基板４０にそれぞれ、ＮＣＦを貼り付けた後にＮＣＦの認識マーク１４および２４を覆う部分のみを除去し、これによって形成された開口部を樹脂１６および２６で埋めた後に、チップボンダを用いて両者を貼り合せてもよい。
【００５９】
［第４の実施形態］
図９Ａ〜図９Ｄは、開示の技術の第４の実施形態に係る半導体装置の実装方法を示す図である。
【００６０】
初めに、半導体装置１０の接合面Ｓ１１にＮＣＦ３０Ａを貼り付ける（図９Ａ）。接続端子１２の各々は、ＮＣＦ３０Ａの内部に埋め込まれる。ＮＣＦ３０Ａは、フィラーを含有する樹脂層３１と、フィラーの含有率が樹脂層３１よりも低い若しくはフィラーを含有しない樹脂層３２と、を含む２層構造を有する。フィラーの含有率が相対的に高い樹脂層３１は、接続端子１２の根元側（付け根側）に配置され、フィラーの含有率が相対的に低い若しくはフィラーを含有しない樹脂層３２は、接続端子１２の先端側に配置される。すなわち、接続端子１２の各々の先端は、樹脂層３２によって覆われている。ＮＣＦ３０Ａは、その全体の厚さが、接続端子１２の高さと同じか、接続端子１２の高さよりも僅かに厚いものが使用される。すなわち、ＮＣＦ３０Ａの、接続端子１２の先端を覆う部分の厚さを薄くする程、半導体装置１０と実装基板２０との接合に要する実装荷重を小さくできる。なお、樹脂層３１は、開示の技術における第１の層の一例であり、樹脂層３２は、開示の技術における第２の層の一例である。
【００６１】
次に、実装基板２０の被接合面Ｓ２１にＮＣＦ４０Ａを貼り付ける（図９Ｂ）。被接続端子２２の各々は、ＮＣＦ４０Ａの内部に埋め込まれる。ＮＣＦ４０Ａは、ＮＣＦ３０Ａと同様、フィラーを含有する樹脂層４１と、フィラーの含有率が樹脂層４１よりも低い若しくはフィラーを含有しない樹脂層４２と、を含む２層構造を有する。フィラーの含有率が相対的に高い樹脂層４１は、被接続端子２２の根元側（付け根側）に配置され、フィラーの含有率が相対的に低い若しくはフィラーを含有しない樹脂層４２は、被接続端子２２の先端側に配置される。すなわち、被接続端子２２の各々の先端は、樹脂層４２によって覆われている。ＮＣＦ４０Ａは、その全体の厚さが被接続端子２２の高さと同じか、被接続端子２２の高さよりも僅かに厚いものが使用される。すなわち、ＮＣＦ４０Ａの、被接続端子２２の先端を覆う部分の厚さを薄くする程、半導体装置１０と実装基板２０との接合に要する実装荷重を小さくできる。また、ＮＣＦ３０Ａの、接続端子１２の先端を覆う部分の厚さと、ＮＣＦ４０Ａの、被接続端子２２の先端を覆う部分の厚さと、を合計した厚さが、接続端子１２の高さおよび被接続端子２２の高さのうち、小さい方よりも薄いことが好ましい。
【００６２】
次に、半導体装置１０の接合面Ｓ１１とは反対側の裏面Ｓ１３をチップボンダのボンディングツール１００の吸着面Ｓ１０１に吸着することによって、半導体装置１０をピックアップする。その後、チップボンダの位置決め機構によって、半導体装置１０と実装基板２０との位置合わせが行われる（図９Ｃ）。
【００６３】
次に、ボンディングツール１００は、半導体装置１０を保持したまま降下し、半導体装置１０の接続端子１２の各々と実装基板２０の被接続端子２２の各々とを接触させる押圧（実装荷重）を加えつつ、半導体装置１０に熱を加える（図９Ｄ）。この熱によってＮＣＦ３０Ａおよび４０Ａは、一旦軟化する。ボンディングツール１００から加えられる押圧（実装荷重）によって、接続端子１２および被接続端子２２の間に延在するＮＣＦ３０Ａおよび４０Ａが押し出されて流動し、接続端子１２と被接続端子２２とが接触する。ボンディングツール１００から熱の供給を継続することで、ＮＣＦ３０Ａおよび４０Ａが硬化する。その後、ボンディングツール１００は、半導体装置１０の保持を解除して上昇し、半導体装置１０の実装基板２０への実装が完了する。
【００６４】
開示の技術の第４の実施形態に係る実装方法によれば、接続端子１２および被接続端子２２の先端側に、それぞれ、フィラーの含有率が相対的に低い若しくはフィラーを含有しない樹脂層３２および４２が形成される。その結果、ボンディングツール１００から押圧（実装荷重）が加えられる際に、図１０に示すように、接続端子１２と被接続端子２２との間には、樹脂層３２および４２が延在することになる。これにより、接続端子１２と被接続端子２２との間におけるフィラーの挟み込みの発生が抑制される。また、各端子の先端側に配置される樹脂層３２および４２は、フィラーの含有率が相対的に低いか、フィラーを含有しないことから、樹脂層３２および４２の粘度は、各端子の根元側に配置される樹脂層３１および４１の粘度よりも低い。従って、接続端子１２および被接続端子２２の先端側においてＮＣＦの流動性を高めることができるので、実装荷重を加えたときに、接続端子１２と被接続端子２２との間に存在するフィラーの除去を促進できる。また、実装荷重を低減することもできる。
【００６５】
一方、接続端子１２と被接続端子２２の根元側には、それぞれ、フィラー２００の含有率が相対的に高い樹脂層３１および４１が形成される。ＮＣＦ３０Ａおよび４０Ａが、それぞれ、所定のフィラー含有率を有する樹脂層３１および４１を含むことにより、ＮＣＦの熱膨張を抑制することができ、信頼性を確保することができる。
【００６６】
また、開示の技術の第４の実施形態に係る実装方法によれば、第１の実施形態の場合と同様、空隙（ボイド）の発生を抑制しつつ実装荷重の低減を図ることが可能となる。これにより、半導体装置１０の大面積化にも対応することが可能となる。
【００６７】
なお、本実施形態に係る実装方法において、上記した第３の実施形態に係る実装方法のように、ＮＣＦの、認識マークを覆う部分を除去する工程、およびこれによって形成された開口部に比較的光透過率の高い樹脂を充填する工程を更に加えてもよい。また、本実施形態に係る実装方法において、上記した第２の実施形態に係る実装方法のように、ＮＣＦ３０および４０の、接続端子１２の各々および被接続端子２２の各々の先端を覆う部分を除去して各端子の先端を露出させる工程を更に加えてもよい。
【００６８】
［第５の実施形態］
図１１Ａ〜図１１Ｄは、開示の技術の第５の実施形態に係る半導体装置の実装方法を示す図である。
【００６９】
初めに、第１の実施形態に係る実装方法と同様、半導体装置１０の接合面Ｓ１１にＮＣＦ３０を貼り付ける。接続端子１２の各々は、ＮＣＦ３０の内部に埋め込まれる。ＮＣＦ３０は、その厚さが接続端子１２の高さと同じか、接続端子１２の高さよりも僅かに厚いものが使用される。すなわち、ＮＣＦ３０の、接続端子１２の先端を覆う部分の厚さを薄くする程、半導体装置１０と実装基板２０との接合に要する実装荷重を小さくできる。
【００７０】
次に、ＮＣＦ３０の、接続端子１２の周辺部に対応する部分（接続端子１２間の間隙部に対応する部分）の表層部を除去することによって、ＮＣＦ３０に複数の凹部（窪み）３５を形成する（図１１Ａ）。図１２は、凹部３５の形成後における、接合面Ｓ１１側から眺めた半導体装置１０の部分的な平面図である。図１２に示すように、凹部３５は、接続端子１２の周辺部（接続端子１２間の間隙部）に形成される。ＮＣＦ３０の部分的な除去を行う方法として、例えば、エキシマレーザ等のレーザ光によるレーザアブレーションを使用することができる。凹部３５は、開示の技術における第１の凹部の一例である。
【００７１】
次に、第１の実施形態に係る実装方法と同様、実装基板２０の被接合面Ｓ２１に絶縁体フィルムであるＮＣＦ４０を貼り付ける。被接続端子２２の各々は、ＮＣＦ４０の内部に埋め込まれる。ＮＣＦ４０は、その厚さが被接続端子２２の高さと同じか、被接続端子２２の高さよりも僅かに厚いものが使用される。すなわち、ＮＣＦ４０の、被接続端子２２の先端を覆う部分の厚さを薄くする程、半導体装置１０と実装基板２０との接合に要する実装荷重を小さくできる。また、ＮＣＦ３０の、接続端子１２の先端を覆う部分の厚さと、ＮＣＦ４０の、被接続端子２２の先端を覆う部分の厚さと、を合計した大きさが、接続端子１２の高さおよび被接続端子２２の高さのうち、小さい方よりも小さいことが好ましい。
【００７２】
次に、ＮＣＦ４０の、被接続端子２２の周辺部に対応する部分（被接続端子２２間の間隙部に対応する部分）の表層部を除去することによって、ＮＣＦ４０に複数の凹部（窪み）４５を形成する（図１１Ｂ）。ＮＣＦ４０の部分的な除去を行う方法として、例えば、エキシマレーザ等のレーザ光によるレーザアブレーションを使用することができる。半導体装置１０と実装基板２０とを接合したときに、凹部３５の各々と凹部４５の各々とが互いに重ならない位置に各凹部を配置することが好ましい。凹部４５は、開示の技術における第２の凹部の一例である。
【００７３】
次に、半導体装置１０の接合面Ｓ１１とは反対側の裏面Ｓ１３をチップボンダのボンディングツール１００の吸着面Ｓ１０１に吸着することによって、半導体装置１０をピックアップする。その後、チップボンダの位置決め機構によって、半導体装置１０と実装基板２０との位置合わせが行われる（図１１Ｃ）。
【００７４】
次に、ボンディングツール１００は、半導体装置１０を保持したまま降下し、半導体装置１０の接続端子１２の各々と実装基板２０の被接続端子２２の各々とを接触させる押圧を加えつつ、半導体装置１０に熱を加える（図１１Ｄ）。この熱によってＮＣＦ３０および４０は、一旦軟化する。ボンディングツール１００から加えられる押圧（実装荷重）によって、接続端子１２および被接続端子２２の間に延在するＮＣＦ３０および４０が押し出されて流動し、接続端子１２と被接続端子２２とが接触する。ボンディングツール１００から熱の供給を継続することで、ＮＣＦ３０および４０が硬化する。その後、ボンディングツール１００は、半導体装置１０の保持を解除して上昇し、半導体装置１０の実装基板２０への実装が完了する。
【００７５】
上記したように、ボンディングツール１００から加えられる押圧（実装荷重）によって接続端子１２および被接続端子２２の間に延在するＮＣＦ３０および４０が押し出されて流動する。開示の技術の第５の実施形態に係る実装方法によれば、実装荷重の印加によって押し出されたＮＣＦは、凹部３５および４５に収容される。図１２に示された矢印は、接続端子１２によって押し出されたＮＣＦ３０が、凹部３５に収容される様子を示したものである。
【００７６】
このように、実装荷重の印加によって流動するＮＣＦを、接続端子１２および被接続端子２２の近傍に形成された凹部３５および４５に収容することで、凹部３５および４５を形成しない場合と比較して、実装荷重を小さくすることができる。すなわち、凹部３５および４５を形成しない場合には、半導体装置１０の中央部に対応する領域から外周部に対応する領域に亘って延在するＮＣＦを一体的に流動させることになるので、より大きな実装荷重が必要となる。一方、接続端子１２および被接続端子２２の近傍に凹部３５および４５を形成した場合には、各領域において押し出されて流動するＮＣＦは、近傍の凹部３５および４５に収容され、一体的には流動しない。これにより、凹部３５および４５を形成しない場合と比較して実装荷重を小さくすることができる。
【００７７】
また、半導体装置１０と実装基板２０とを接合した場合に、凹部３５と凹部４５とが互いに重ならない位置に各凹部を配置することで、ＮＣＦ内における空隙（ボイド）の発生を抑制することができる。
【００７８】
なお、ＮＣＦ３０に形成される複数の凹部３５の大きさは、互いに同じであってもよい。また、図１３に示すように、半導体装置１０の中央部に対応する領域Ｒ１（破線内側の領域）に形成される凹部３５の各々の大きさを、半導体装置１０の外周部に対応する領域（破線外側）に形成される凹部３５の各々の大きさよりも大きくしてもよい。半導体装置１０の外周部に対応する領域Ｒ２おいては、実装荷重の印加によって流動する余剰のＮＣＦを、半導体装置１０の外縁部から排出させることができる。従って、半導体装置１０の外周部に対応する領域Ｒ２に形成される凹部３５の各々を、半導体装置１０の中央部に対応する領域Ｒ１に形成される凹部３５の各々よりも小さくしても、実装荷重に与える影響は小さい。
【００７９】
ＮＣＦ３０と同様、ＮＣＦ４０に形成される複数の凹部４５の大きさは、互いに同じであってもよい。また、半導体装置１０の中央部に対応する領域に形成される凹部４５の各々の大きさを、半導体装置１０の外周部に対応する領域に形成される凹部４５の各々の大きさよりも大きくしてもよい。
【００８０】
なお、本実施形態では、ＮＣＦ３０およびＮＣＦ４０の双方に凹部を設ける場合を例示したが、ＮＣＦ３０およびＮＣＦ４０の一方に凹部を形成してもよい。
【００８１】
また、本実施形態に係る実装方法において、上記した第３の実施形態に係る実装方法のように、ＮＣＦの、認識マークを覆う部分を除去する工程、およびこれによって形成された開口部に比較的光透過率の高い樹脂を充填する工程を更に加えてもよい。
【００８２】
また、本実施形態に係る実装方法において、上記した第４の実施形態に係る実装方法のように、フィラーの含有率が互いに異なる２層構造を有するＮＣＦを用いてもよい。
【００８３】
以上の第１〜第５の実施形態に関し、更に以下の付記を開示する。
【００８４】
（付記１）
接合面に接続端子を有する半導体装置の前記接合面に第１の絶縁体フィルムを貼り付けて前記接続端子を前記第１の絶縁体フィルムの内部に埋め込む工程と、
被接合面に被接続端子を有する被接合物の前記被接合面に第２の絶縁体フィルムを貼り付けて前記被接続端子を前記第２の絶縁体フィルムの内部に埋め込む工程と、
前記接続端子と前記被接続端子とを接触させる押圧を加えて前記半導体装置と前記被接合物とを接合する工程と、
を含む半導体装置の実装方法。
【００８５】
（付記２）
接合面に接続端子を有する半導体装置の前記接合面に第１の絶縁体フィルムを貼り付けて前記接続端子を前記第１の絶縁体フィルムの内部に埋め込む工程と、
前記第１の絶縁体フィルムの、前記接続端子の先端を覆う部分を除去して前記接続端子の先端を露出させる工程と、
被接合面に被接続端子を有する被接合物の前記被接続端子と、前記接続端子と、を接触させる押圧を加えて前記半導体装置と前記被接合物とを接合する工程と、
を含む半導体装置の実装方法。
【００８６】
（付記３）
前記半導体装置と前記被接合物とを接合する工程の前に、前記被接合物の前記被接合面に第２の絶縁体フィルムを貼り付けて前記被接続端子を前記第２の絶縁体フィルムの内部に埋め込む工程、および前記第２の絶縁体フィルムの、前記被接続端子の先端を覆う部分を除去して前記被接続端子の先端を露出させる工程と、を更に含む
付記２に記載の実装方法。
【００８７】
（付記４）
レーザ光を用いて前記第１の絶縁体フィルムの、前記接続端子の先端を覆う部分および前記第２の絶縁体フィルムの、前記被接続端子の先端を覆う部分を除去する
付記３に記載の実装方法。
【００８８】
（付記５）
前記半導体装置は、前記接合面に第１の認識マークを有し、前記接合面に前記第１の絶縁体フィルムを貼り付けたときに、前記第１の認識マークは前記第１の絶縁体フィルムによって覆われ、
前記被接合物は、前記被接合面に第２の認識マークを有し、前記被接合面に前記第２の絶縁体フィルムを貼り付けたときに、前記第２の認識マークは前記第２の絶縁体フィルムによって覆われ、
前記半導体装置と前記被接合物とを接合する工程の前に、前記第１の絶縁体フィルムの前記第１の認識マークを覆う部分を除去する工程および前記第２の絶縁体フィルムの前記第２の認識マークを覆う部分を除去する工程を更に含み、
前記半導体装置と前記被接合物とを接合する工程において、前記第１の認識マークおよび前記第２の認識マークを撮像することによって前記半導体装置と前記被接合物との位置合わせを行う
付記１、付記３および付記４のいずれか１つに記載の実装方法。
【００８９】
（付記６）
前記半導体装置と前記被接合物とを接合する工程の前に、前記第１の絶縁体フィルムの前記第１の認識マークを覆う部分を除去することによって形成された開口部に前記第１の絶縁体フィルムよりも光透過率が高い絶縁体を充填する工程、および前記第２の絶縁体フィルムの前記第２の認識マークを覆う部分を除去することによって形成された開口部に前記第２の絶縁体フィルムよりも光透過率が高い絶縁体を充填する工程を更に含む
付記５に記載の実装方法。
【００９０】
（付記７）
前記第１の絶縁体フィルムは、前記接続端子の根元側に配置されるフィラーを含有する第１の層と、前記接続端子の先端側に配置される前記第１の層よりもフィラーの含有率が低い若しくはフィラーを含有しない第２の層を有し、
前記第２の絶縁体フィルムは、前記被接続端子の根元側に配置されるフィラーを含有する第３の層と、前記被接続端子の先端側に配置される前記第３の層よりもフィラーの含有率が低い若しくはフィラーを含有しない第４の層と、を有する
付記１および付記３から付記６のいずれか１つに記載の実装方法。
【００９１】
（付記８）
前記半導体装置と前記被接合物とを接合する工程の前に、前記第１の絶縁体フィルムの、前記接続端子の周辺部に対応する部分に複数の第１の凹部を形成する工程を更に含む
付記１に記載の実装方法。
【００９２】
（付記９）
前記半導体装置と前記被接合物とを接合する工程の前に、前記第２の絶縁体フィルムの、前記被接続端子の周辺部に対応する部分に複数の第２の凹部を形成する工程を更に含み、
前記半導体装置と前記被接合物とを接合した場合に、前記第１の凹部の各々と前記第２の凹部の各々とが互いに重ならない位置に前記第１の凹部の各々および前記第２の凹部の各々を配置する
付記８に記載の実装方法。
【００９３】
（付記１０）
前記複数の第１の凹部のうち、前記半導体装置の外周部に対応する領域に形成される凹部の大きさを、前記半導体装置の中央部に対応する領域に形成される凹部の大きさよりも小さくする
付記８または付記９に記載の実装方法。
【００９４】
（付記１１）
前記複数の第２の凹部のうち、前記半導体装置の外周部に対応する領域に形成される凹部の大きさを、前記半導体装置の中央部に対応する領域に形成される凹部の大きさよりも小さくする
付記９に記載の実装方法。
【００９５】
（付記１２）
前記複数の第１の凹部のうち、前記半導体装置の外周部に対応する領域に形成される凹部の大きさを、前記半導体装置の中央部に対応する領域に形成される凹部の大きさよりも小さくし、
前記複数の第２の凹部のうち、前記半導体装置の外周部に対応する領域に形成される凹部の大きさを、前記半導体装置の中央部に対応する領域に形成される凹部の大きさよりも小さくする
付記９に記載の実装方法。
【００９６】
（付記１３）
前記複数の第１の凹部の各々は、レーザ光を用いて前記第１の絶縁体フィルムの表層部を除去することにより形成される
付記８から付記１２のいずれか１つに記載の実装方法。
【００９７】
（付記１４）
前記複数の第２の凹部の各々は、レーザ光を用いて前記第２の絶縁体フィルムの表層部を除去することにより形成される
付記９、付記１１および付記１２のいずれか１つに記載の実装方法。
【００９８】
（付記１５）
前記第１の絶縁体フィルムの厚さは、前記接続端子の高さと同じか、前記接続端子の高さよりも厚く、
前記第２の絶縁体フィルムの厚さは、前記被接続端子の高さと同じか、前記被接続端子の高さよりも厚く、
前記第１の絶縁体フィルムの、前記接続端子の先端を覆う部分の厚さと、前記第２の絶縁体フィルムの、前記被接続端子の先端を覆う部分の厚さと、を合計した厚さが、前記接続端子の高さおよび前記被接続端子の高さのうち、小さい方よりも薄い
付記１および付記３から付記１４のいずれか１つに記載の実装方法。
【符号の説明】
【００９９】
１０  半導体装置
１２  接続端子
１４  認識マーク
１５  開口部
１６  樹脂
２０  実装基板
２２  被接続端子
２４  認識マーク
２５  開口部
２６  樹脂
３０、４０  ３０Ａ、４０Ａ  ＮＣＦ
３１、３２、４１、４２  樹脂層
３５、４５  凹部
Ｓ１１  接合面
Ｓ２１  被接合面
【図１Ａ】
2016184612.tif 000003
【図１Ｂ】
2016184612.tif 000004
【図１Ｃ】
2016184612.tif 000005
【図１Ｄ】
2016184612.tif 000006
【図２Ａ】
2016184612.tif 000007
【図２Ｂ】
2016184612.tif 000008
【図２Ｃ】
2016184612.tif 000009
【図３】
2016184612.tif 000010
【図４Ａ】
2016184612.tif 000011
【図４Ｂ】
2016184612.tif 000012
【図４Ｃ】
2016184612.tif 000013
【図４Ｄ】
2016184612.tif 000014
【図４Ｅ】
2016184612.tif 000015
【図４Ｆ】
2016184612.tif 000016
【図５】
2016184612.tif 000017
【図６】
2016184612.tif 000018
【図７Ａ】
2016184612.tif 000019
【図７Ｂ】
2016184612.tif 000020
【図８Ａ】
2016184612.tif 000021
【図８Ｂ】
2016184612.tif 000022
【図８Ｃ】
2016184612.tif 000023
【図８Ｄ】
2016184612.tif 000024
【図８Ｅ】
2016184612.tif 000025
【図９Ａ】
2016184612.tif 000026
【図９Ｂ】
2016184612.tif 000027
【図９Ｃ】
2016184612.tif 000028
【図９Ｄ】
2016184612.tif 000029
【図１０】
2016184612.tif 000030
【図１１Ａ】
2016184612.tif 000031
【図１１Ｂ】
2016184612.tif 000032
【図１１Ｃ】
2016184612.tif 000033
【図１１Ｄ】
2016184612.tif 000034
【図１２】
2016184612.tif 000035
【図１３】
2016184612.tif 000036