(57)【要約】【課題】テスト時間の増大を抑制し、製造コストの増加を抑制した電気光学装置を提供する。【解決手段】駆動トランジスタＴｍと、駆動トランジスタＴｍのゲート端子Ｇに電圧が印加された場合に駆動トランジスタＴｍから出力される電流に応じて発光する発光素子ＯＬＥＤと、を備えた画素回路１１ａを複数有する表示部１１と、複数の画素回路１１ａにおける駆動トランジスタ１１ａの各々のゲート端子Ｇとの電気的な接続がスイッチＳＷ１により制御され、複数の画素回路１１ａの各々の駆動トランジスタＴｍのゲート端子Ｇと電気的に接続された場合には、複数の画素回路１１ａにおける各々の駆動トランジスタＴｍのゲート端子Ｇにテスト電圧を印加するテスト部１５と、を有する。【選択図】図２
2016009165.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
駆動トランジスタと、前記駆動トランジスタのゲート端子に電圧が印加された場合に前記駆動トランジスタから出力される電流に応じて発光する発光素子と、を備えた画素回路を複数有する表示部と、
複数の前記画素回路における前記駆動トランジスタの各々のゲート端子と接続されたテスト部接続スイッチと、複数の前記駆動トランジスタの各々のゲート端子と前記テスト部接続スイッチを介して接続されて前記テスト部接続スイッチがオンした場合に複数の前記駆動トランジスタの各々のゲート端子に対してテスト電圧を供給するテスト電圧供給回路と、を備えたテスト部と、
を有することを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記テスト電圧供給回路は定電流源を備え、
前記テスト電圧の電圧レベルは、前記定電流源に設定される電流レベルに応じて定められることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記テスト電圧供給回路は、
前記駆動トランジスタのゲート端子と自己のゲート端子との電気的な接続が前記テスト部接続スイッチにより制御されるテストトランジスタを備え、
前記定電流源は前記テストトランジスタのドレイン端子に接続され、前記テストトランジスタのゲート端子は前記テストトランジスタのドレイン端子と接続されていることを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記画素回路と前記テスト電圧供給回路とは、前記駆動トランジスタの各々のゲート端子と前記テストトランジスタのゲート端子とが電気的に接続された場合にカレントミラー回路を構成することを特徴とする請求項３に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記テスト部は、前記テストトランジスタのドレイン端子と前記定電流源との電気的な接続を制御する定電流源接続スイッチを有することを特徴とする請求項４に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記テスト電圧供給回路は、前記テストトランジスタのゲート端子と第１の電源との電気的な接続を制御する電源接続スイッチを有することを特徴とする請求項４又は５のいずれか１項に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記テスト電圧供給回路は、前記テストトランジスタのゲート端子とドレインとの電気的な接続を制御するゲートドレイン接続スイッチを有することを特徴とする請求項４〜６のいずれか１項に記載の電気光学装置。
【請求項８】
前記駆動トランジスタと前記テストトランジスタとは、同一の構成であることを特徴とする請求項４〜７のいずれか１項に記載の電気光学装置。
【請求項９】
データ線を介して前記駆動トランジスタのゲート端子と接続されたデータ線駆動回路と、
前記データ線と前記駆動トランジスタのゲート端子との間に設けられた画素選択スイッチを制御することで前記データ線と前記駆動トランジスタのゲート端子との電気的な接続を制御する走査線駆動回路と、
を備え、
前記データ線駆動回路は、前記走査線駆動回路の制御により前記画素選択スイッチがオンされて前記データ線と前記駆動トランジスタのゲート端子との電気的な接続がなされた場合に、前記データ線を介して前記駆動トランジスタのゲート端子に所定の電圧を印加することを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の電気光学装置。
【請求項１０】
前記データ線駆動回路及び前記走査線駆動回路の動作を制御するコントローラを有することを特徴とする請求項９に記載の電気光学装置。
【請求項１１】
前記表示部、前記テストトランジスタ、前記データ線駆動回路、前記走査線駆動回路、及び前記コントローラは、一つの半導体基板上に形成されて半導体装置を構成することを特徴とする請求項１０に記載の電気光学装置。
【請求項１２】
前記半導体基板上において、前記テスト部が占める面積は、前記表示部が占める面積よりも小さいことを特徴とする請求項１１に記載の電気光学装置。
【請求項１３】
駆動トランジスタと、前記駆動トランジスタのゲート端子に電圧が印加された場合に前記駆動トランジスタから出力される電流に応じて発光する発光素子と、を備えた画素回路を複数有する表示部と、
前記複数の画素回路における各々の前記駆動トランジスタのゲート端子と接続されたテスト部と、
を有する電気光学装置の特性測定方法であって、
複数の前記画素回路が備える発光素子の各々の発光輝度を測定する発光輝度テストは、
テスト装置から前記電気光学装置に対して発光輝度テストモード信号を送信するステップと、
前記電気光学装置が前記発光輝度テストモード信号を受信したか否かを判定するステップと、
前記電気光学装置が前記発光輝度テストモード信号を受信したと判定した場合に、発光輝度テストの対象となっている前記発光素子の全てに対してテスト電圧を前記テスト部から前記駆動トランジスタのゲート端子に供給して発光させるステップと、
前記テスト装置にて、前記電気光学装置の前記発光素子の発光によって得られる発光輝度を測定するステップと、
を有することを特徴とする電気光学装置の特性測定方法。
【請求項１４】
前記電気光学装置のテスト部は、
前記駆動トランジスタのゲート端子と接続されたテストトランジスタと、
前記テストトランジスタのゲート端子とドレインとの電気的な接続を制御するゲートドレイン接続スイッチと、をさらに有し、
前記発光輝度テストにおいては、前記ゲートドレイン接続スイッチをオンして前記テストトランジスタのゲート端子とドレイン端子と接続させることで前記画素回路と前記テスト部がカレントミラー回路を構成することを特徴とする請求項１４に記載の電気光学装置の特性測定方法。
【請求項１５】
請求項１４に記載の電気光学装置の特性測定方法であって、
前記駆動トランジスタのゲート端子に印加する電圧と、前記駆動トランジスタのゲート端子に電圧を印加することによって得られる電流との関係を推測する電圧−電流特性テストは、
前記テスト装置から前記電気光学装置に対して電圧−電流特性テストモード信号を送信するステップと、
前記電気光学装置が前記電圧−電流特性テストモード信号を受信したか否かを判定するステップと、
前記電気光学装置が前記電圧−電流特性テストモード信号を受信したと判定した場合に、前記ゲートドレイン接続スイッチをオフして前記テストトランジスタのゲート端子とドレイン端子とを電気的に遮断させるとともに、前記テストトランジスタのゲート端子に測定用電圧を印加して前記テストトランジスタからテスト電流を出力させるステップと、
前記テスト装置にて、前記テストトランジスタから出力された前記テスト電流を測定するステップと、
前記テスト装置にて、前記テストトランジスタのゲート端子に印加した前記測定用電圧と、測定した前記テスト電流との関係から、駆動トランジスタの電圧−電流特性を推定するステップと、
を有することを特徴とする電気光学装置の特性測定方法。
【請求項１６】
請求項１４に記載の電気光学装置の特性測定方法であって、
前記駆動トランジスタによって失われる降下電圧を推測する電圧降下テストは、
前記テスト装置から前記電気光学装置に対して電圧降下テストモード信号を送信するステップと、
前記電気光学装置が前記電圧降下テストモード信号を受信したか否かを判定するステップと、
前記電気光学装置が前記電圧降下テストモード信号を受信したと判定した場合に、前記ゲートドレイン接続スイッチをオフして前記テストトランジスタのゲート端子とドレイン端子とを電気的に遮断させるとともに、前記テストトランジスタのゲート端子に降下測定用電圧を印加して、前記テストトランジスタから電源電圧に基づくテスト電流を出力させるステップと、
前記テスト装置にて、前記テストトランジスタから出力された前記テスト電流に対する降下電圧を測定するステップと、
前記テスト装置にて、前記電源電圧と、測定した前記効果電圧との電位差から、駆動トランジスタの降下電圧を推定するステップと、
を有することを特徴とする電気光学装置の特性測定方法。
【請求項１７】
駆動トランジスタと、前記駆動トランジスタのゲート端子に電圧が印加された場合に前記駆動トランジスタから出力される電流に応じて発光する発光素子と、を備えた画素回路を複数有する表示部と、
複数の前記画素回路における前記駆動トランジスタの各々のゲート端子と接続されたテスト部接続スイッチと、自己のゲート端子が複数の前記駆動トランジスタの各々のゲート端子と前記テスト部接続スイッチを介して接続され且つ自己のゲート端子と自己のドレイン端子とが接続されて、前記テスト部接続スイッチがオンした場合に複数の前記駆動トランジスタの各々のゲート端子の各々に対してテスト電圧を供給するテストトランジスタと、を備えたテスト部と、
を有することを特徴とする半導体チップ。
【請求項１８】
前記駆動トランジスタと前記テストトランジスタとは、同一の構成であることを特徴とする請求項１８に記載の半導体チップ。
【請求項１９】
データ線を介して前記駆動トランジスタのゲート端子と接続されたデータ線駆動回路と、
前記データ線と前記駆動トランジスタのゲート端子との間に設けられた画素選択スイッチを制御することで電気的な接続を制御する走査線駆動回路と、
を備え、
前記データ線駆動回路は、前記走査線駆動回路の制御により前記画素選択スイッチがオンされて前記データ線と前記駆動トランジスタのゲート端子との電気的な接続がなされた場合に、前記データ線を介して前記駆動トランジスタのゲート端子に所定の電圧を印加することを特徴とする請求項１８又は１９に記載の半導体チップ。
【請求項２０】
前記データ線駆動回路及び前記走査線駆動回路の動作を制御するコントローラを有することを特徴とする請求項１９に記載の半導体チップ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置、電気光学装置の特性測定方法、及び半導体チップに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、有機発光ダイオード（Organic Light Emitting Diode、以下「ＯＬＥＤ」）素子などの発光素子を用いた電気光学装置が種々提案されており、該電気光学装置の構成としては、例えばガラス基板上に走査線とデータ線とを配線するとともに、走査線とデータ線との交差に対応して複数の画素回路を形成するものが一般的に知られている。そして、該画素回路の構成としては、上記発光素子の他に、該発光素子に電流を流すための駆動トランジスタを有するものが知られている。
【０００３】
また、従来の電気光学装置においては、近年の小型化・高精細化の要求に対応するため、特許文献１に記載のように、走査線、データ線を配線する土台としてシリコン基板を用いることも提案されている。
【０００４】
一方、従来の電気光学装置の画素回路の特性を測定する方法としては、特許文献２に記載のように、複数のデータ線毎に設けられた電流源を利用して該データ線に接続された画素回路毎に該画素回路の駆動トランジスタのゲート端子にテスト電圧を印加することで、発光素子に電流を流し、これにより発光する発光素子の輝度を測定することが知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１３−２５３００号公報
【特許文献２】特開２００５−２８３８１６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
従来、電気光学装置内の画素回路の特性を測定するテストは、上述のとおり駆動トランジスタのゲート端子にテスト電圧を印加することで行っていたが、近年の電気光学装置に対する小型化の要求から駆動トランジスタはより小サイズで形成されるようになってきているため、駆動トランジスタの耐圧を大きくすることが難しくなってきており、結果として駆動トランジスタのゲートに大きなテスト電圧を印加することが難しくなってきている。このため、駆動トランジスタのゲート端子に印加するテスト電圧がより小さくなってきており、テスト時において複数のデータ線毎にばらつくテスト電圧を該複数のデータ線に接続された駆動トランジスタのゲート端子間で同じになるように調整するのに時間がかかってしまうという問題があった。そして、同問題は、画素回路の特性を測定するために要する時間が増大してしまうという問題を引き起こし、ひいては製造コストの増加を招いてしまうという問題につながっていた。
【０００７】
上記に鑑み、本発明は、画素回路の特性を測定するテストを行う時間の増大を抑制し、製造コストの増加を抑制することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するために、本発明にかかる電気光学装置は、駆動トランジスタと、前記駆動トランジスタのゲート端子に電圧が印加された場合に前記駆動トランジスタから出力される電流に応じて発光する発光素子と、を備えた画素回路を複数有する表示部と、複数の前記画素回路における前記駆動トランジスタの各々のゲート端子との電気的な接続がテスト部接続スイッチにより制御され、複数の前記画素回路の各々の前記駆動トランジスタのゲート端子と電気的に接続された場合には、前記複数の画素回路における各々の前記駆動トランジスタのゲート端子に所定の電圧レベルを備えたテスト電圧を印加するテスト部と、を有する。
【０００９】
また、本発明にかかる電気光学装置の特性測定方法は、駆動トランジスタと、前記駆動トランジスタのゲート端子に電圧が印加された場合に前記駆動トランジスタから出力される電流に応じて発光する発光素子と、を備えた画素回路を複数有する表示部と、前記複数の画素回路における各々の前記駆動トランジスタのゲート端子と接続されたテスト部と、を有する電気光学装置の特性測定方法であって、複数の前記画素回路が備える発光素子の各々の発光輝度を測定する発光輝度テストを備え、前記発光輝度テストは、テスト装置から前記電気光学装置に対して発光輝度テストモード信号を送信するステップと、前記電気光学装置が前記発光輝度テストモード信号を受信したか否かを判定するステップと、前記電気光学装置が前記発光輝度テストモード信号を受信したと判定した場合に、前記テスト部を複数の前記画素回路の各々の前記駆動トランジスタのゲート端子と電気的に接続して、発光輝度テストの対象となっている前記発光素子の全てを、所定の電圧レベルを備えたテスト電圧を前記テスト部から前記駆動トランジスタのゲート端子に供給することにより発光させるステップと、前記テスト装置にて、前記電気光学装置の前記発光素子の発光によって得られる発光輝度を測定するステップと、を有する。
【００１０】
また、本発明にかかる半導体チップは、駆動トランジスタと、前記駆動トランジスタのゲート端子に電圧が印加された場合に前記駆動トランジスタから出力される電流に応じて発光する発光素子と、を備えた画素回路を複数有する表示部と、前記画素回路における前記駆動トランジスタの各々のゲート端子と自己のゲート端子との電気的な接続がテスト部接続スイッチにより制御され、且つ前記自己のゲート端子と自己のドレイン端子とが接続されたテストトランジスタを備えたテスト部と、を有する。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、画素回路の特性を測定する時間の増大を抑制し、製造コストの増加を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の第１の実施形態にかかる電気光学装置１０の構成を示すブロック図である。
【図２】本発明の第１の実施形態にかかる電気光学装置１０の画素回路１１ａ及びテスト部１５の詳細な回路構成を示す図である。
【図３】本発明の第１の実施形態にかかる電気光学装置１０の発光輝度テストのフローチャートである。
【図４】本発明の第２の実施形態にかかる電気光学装置１０ａの画素回路１１ａ及びテスト部１５の詳細な回路構成を示す図である。
【図５】本発明の第２の実施形態にかかる電気光学装置１０ａにおける各動作モードにおけるスイッチＴｓ、及びスイッチＳＷ１〜ＳＷ４のオンオフの状態を示したものである。
【図６】本発明の第２の実施形態にかかる電気光学装置１０ａの電圧−電流特性テストのフローチャートである。
【図７】本発明の第２の実施形態にかかる電気光学装置１０ａの電圧降下テストのフローチャートである。
【図８】本発明の第３の実施形態にかかる電気光学装置１０ｂの構成を示すブロック図である。
【図９】本発明にかかる電気光学装置１０ｂにおける半導体チップ１６が基板３０上に実装された状態を示す図である。
【図１０】本発明にかかる電気光学装置１０ｂを用いた電気光学モジュール４０を概略的に示した図である。
【図１１】本発明の第３の実施形態にかかる電気光学装置１０ｂにおける半導体チップ１６の断面図を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、図面を参照して本発明の各実施形態につき説明する。なお、以下で説明する数値や回路、材料等は、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において適宜選択可能である。例えば、以下では説明の便宜上、各種スイッチ等としてＰＭＯＳトランジスタを用いているが、これをＮＭＯＳトランジスタに置き換えることもでき、また、ＰＭＯＳトランジスタとＮＭＯＳトランジスタとを並列に接続してひとつのスイッチとすることもできる。
【００１４】
［第１の実施形態］
図１は、本発明の第１の実施形態にかかる電気光学装置１０の構成を示すブロック図である。電気光学装置１０は、外部装置２０から画像信号ＧＳを受信すると、画像信号ＧＳが備えた情報が示す画像データを表示部１１に表示させるものである。
【００１５】
（電気光学装置１０の構成）
電気光学装置１０は、表示部１１と、コントローラ１２と、走査線駆動回路１３と、データ線駆動回路１４と、テスト部１５と、を有する。
【００１６】
表示部１１は、格子状に配置された複数の画素回路１１ａを備えている。図１では、説明及び作図の都合上、格子状に配置された各画素回路１１ａに対して順次アドレス［１、１］〜［ｍ、ｎ］（ｍ、ｎは自然数）を割り当てており、ｍは表示部１１における画素回路１１ａの行の数、ｎは表示部１１における画素回路１１ａの列の数をそれぞれ示している。また、図１においては説明及び作図の都合上画素回路１１ａの一部を省略している。複数の画素回路１１ａは、その各々が駆動トランジスタと、駆動トランジスタから出力される電流の供給を受けて自らが発光する発光素子と、を備えている。
【００１７】
なお、表示部１１の画素回路１１ａは、例えば、画面解像度がＸＧＡ（eXtended Graphics Array）であり、行の数ｍがｍ＝１０２４×原色数、列の数ｎがｎ＝７６８である。ここで、原色数は色調表現に要する原色の要素数であり、赤、緑、青の三原色が一般的であるが、これらに加えて白、黄色等を用いることもできる。
【００１８】
コントローラ１２は、外部装置２０と走査線駆動回路１３とデータ線駆動回路１４とテスト部１５とにそれぞれ接続されている。コントローラ１２は、外部装置２０から供給される画像信号ＧＳを受信すると、複数の画素回路１１ａの各々が備える発光素子をそれぞれ所定の輝度にて所定期間発光させる指令を備えた画像表示制御信号ＧＨＳＳを生成して走査線駆動回路１３及びデータ線駆動回路１４の各々に対して出力し、これにより走査線駆動回路１３とデータ線駆動回路１４とを制御する。また、コントローラ１２は、外部装置２０から供給される画像信号ＧＳを受信すると、通常動作信号ＴＤＳを生成してテスト部１５に供給する。また、コントローラ１２は、外部装置２０から供給されるテストモード信号ＴＭＳを受信すると、テスト信号ＴＳ１を生成して走査駆動回路１３に供給し、テスト信号ＴＳ２を生成してデータ線駆動回路１４に供給し、テスト信号ＴＳ３を生成してテスト部１５に供給する。
【００１９】
ここで、画像信号ＧＳとは、表示部１１の画素回路１１ａが備える発光素子の各々を相対的にどの程度の輝度で発光させるかを、単位当たりの画像データである１フレーム毎に定めたものである。また、画像信号ＧＳを供給する装置としての外部装置２０は、画像データから画像信号ＧＳを生成してコントローラ１２に供給する画像変換装置としての機能を備えていても良い。
【００２０】
走査線駆動回路１３は、表示部１１に隣接して配置されている。走査線駆動回路１３には、走査線駆動回路１３から画素回路１１ａの列方向に向かって複数伸長する走査線１３ａが配設されている。走査線１３ａは、走査線１３ａ１〜走査線１３ａｍで構成され、画素回路１１ａの行の数ｍと等しい数だけ形成されている。ここで、走査線１３ａ１にはアドレス［１、１］〜［１、ｎ］で示した画素回路１１ａが各々接続され、走査線１３ａ２にはアドレス［２、１］〜［２、ｎ］で示した画素回路１１ａが各々接続されている。また、走査線１３ａｍにはアドレス［ｍ、１］〜［ｍ、ｎ］で示した画素回路１１ａが各々接続されている。なお、走査線１３ａ２と走査線１３ａｍとの間には、走査線１３ａ３〜走査線１３ａ（ｍ−１）で示される走査線１３ａが配設されているが、説明及び作図の都合上省略している。
【００２１】
走査線駆動回路１３は、コントローラ１２から画像表示制御信号ＧＨＳＳを受信すると、画像表示制御信号ＧＨＳＳにて定められた期間で、発光素子を発光させる対象の画素回路１１ａを選択する走査信号として例えば０Ｖであるローレベルの信号を走査線１３ａ１〜走査線１３ａｍの各々に対して出力し、それ以外の期間で、画素回路１１ａを非選択とする走査信号として例えば５Ｖであるハイレベルの信号を走査線１３ａ１〜走査線１３ａｍの各々に対して出力する。また、走査線駆動回路１３は、コントローラ１２からテスト信号ＴＳ１を受信すると、テスト信号ＴＳ１に含まれる指令に従ってローレベル又はハイレベルの走査信号を走査線１３ａ１〜走査線１３ａｍの各々に対して出力する。
【００２２】
データ線駆動回路１４は、表示部１１に隣接して配置されている。データ線駆動回路１４には、データ線駆動回路１４から画素回路１１ａの行方向に向かって複数伸長するデータ線１４ａが配設されている。データ線１４ａは、データ線１４ａ１〜データ線１４ａｎで構成され、画素回路１１ａの列の数ｎと等しい数だけ形成されている。ここで、データ線１４ａ１にはアドレス［１、１］〜［ｍ、１］で示した画素回路１１ａが各々接続され、データ線１４ａ２にはアドレス［１、２］〜［ｍ、２］で示した画素回路１１ａが各々接続されている。また、データ線１４ａｎにはアドレス［１、ｎ］〜［ｍ、ｎ］で示した画素回路１１ａが各々接続されている。なお、データ線１４ａ２とデータ線１４ａｎとの間には、データ線１４ａ３〜データ線１４ａ（ｎ−１）で示されるデータ線１４ａが配設されているが、説明及び作図の都合上省略している。
【００２３】
データ線駆動回路１４は、コントローラ１２から画像表示制御信号ＧＨＳＳを受信すると、各画素回路１１ａの各々を画像表示制御信号ＧＨＳＳで定められた期間にてそれぞれの輝度で発光させるべく、画像表示制御信号ＧＨＳＳにてデータ線１４ａ１〜データ線１４ａｎの各々に対して設定された電圧レベルを備えたデータ信号をデータ線１４ａ１〜データ線１４ａｎに対して出力する。また、データ線駆動回路１４は、コントローラ１２からテスト信号ＴＳ２を受信すると、テスト信号ＴＳ２に含まれる指令に従って所定の電圧を備えたデータ信号をデータ線１３ａ１〜データ線１３ａｍの各々に対して出力する。
【００２４】
テスト部１５は、テスト部接続スイッチ１５ａと、テスト制御部１５ｂと、テスト電圧供給回路１５ｃと、を備えている。テスト部接続スイッチ１５ａは、複数のスイッチＳＷ１を備えており、複数のスイッチＳＷ１の各々はデータ線１４ａ１〜データ線１４ａｎの各々と接続されている。テスト制御部１５ｂは、コントローラ１２とテスト部接続スイッチ１５ａの複数のスイッチＳＷ１の各々と接続されており、各スイッチＳＷ１をオンオフさせる制御を行う。テスト制御部１５ｂは、コントローラ１２から通常動作信号ＴＤＳを受信すると、制御信号として各スイッチＳＷ１をオフさせる信号を各スイッチＳＷ１に供給する。
【００２５】
また、テスト制御部１５ｂは、コントローラ１２からテスト信号ＴＳ３を受信すると、制御信号として各スイッチＳＷ１をオンさせる信号を各スイッチＳＷ１に供給する。テスト電圧供給回路１５ｃは、各スイッチＳＷ１と接続、言い換えればスイッチＳＷ１を介してデータ線１４ａ１〜データ線１４ａｎの各々と接続されている。テスト電圧供給回路１５ｃは、スイッチＳＷ１がオンされた場合にデータ線１４ａ１〜データ線１４ａｎの各々と電気的に接続され、所定の電圧レベルを備えたテスト電圧を生成してデータ線１４ａ１〜データ線１４ａｎに供給、言い換えればデータ線１４ａ１〜データ線１４ａｎを介して各画素回路１１ａに供給する。
【００２６】
図２は、本発明の第１の実施形態にかかる電気光学装置１０の画素回路１１ａ及びテスト部１５の回路構成を示す図である。なお、図１と同様の構成については同一番号を付してその説明を省略する。また、図２においては、説明及び作図の都合上、アドレス［ｉ、ｊ］（１≦ｉ≦ｍ、１≦ｊ≦ｎ、ｉ、ｊは自然数）に対応するひとつの画素回路１１ａの回路構成とそれに対応する走査線１３ａｉ及びデータ線１４ａｊ、並びにデータ線１４ａｊに対応するスイッチＳＷ１を示しているが、他のアドレスに対応する画素回路１１ａの回路構成とそれに対応する走査線１３ａ及び他のデータ線１４ａの関係、並びに他のデータ線１４ａとそれに対応するスイッチＳＷ１との関係についても同様である。
【００２７】
画素回路１１ａは、画素選択スイッチとしてのスイッチＴｓ、コンデンサＣ、トランジスタＴｄ１、駆動トランジスタＴｍ、及び発光素子ＯＬＥＤを備えて構成されている。スイッチＴｓは、ＰＭＯＳトランジスタで構成され、ゲート端子Ｇが走査線１３ａｉに接続されており、ソース端子Ｓがデータ線１４ａｊに接続されている。コンデンサＣは、一端がスイッチＴｓのドレイン端子Ｄに接続、言い換えればスイッチＴｓを介してデータ線１４ａｊと接続され、他端が例えば５Ｖの電位を備えた電源ＶＤＤに接続されている。トランジスタＴｄ１は、ＰＭＯＳトランジスタで構成され、ソース端子Ｓが電源ＶＤＤとコンデンサＣの他端とに接続され、ゲート端子Ｇとドレイン端子Ｄとが共通接続されている。これにより、トランジスタＴｄ１及び駆動トランジスタＴｍを飽和領域で動作させることができる。なお、トランジスタＴｄ１に代えて抵抗素子を設けることもでき、これらに限られるものではない。駆動トランジスタＴｍは、ＰＭＯＳトランジスタで構成され、ゲート端子ＧがスイッチＴｓ、すなわちＰＭＯＳトランジスタのドレイン端子ＤとコンデンサＣの一端とに接続されており、これにより、駆動トランジスタＴｍのゲート端子ＧはスイッチＴｓを介してデータ線１４ａｊと接続されている。また、駆動トランジスタＴｍは、ソース端子ＳがトランジスタＴｄ１のドレイン端子Ｄと接続、言い換えればトランジスタＴｄ１を介して電源ＶＤＤと接続されている。発光素子ＯＬＥＤは、有機発光ダイオードであり、アノードが駆動トランジスタＴｍのドレイン端子Ｄと接続されており、カソードが電源ＶＤＤよりも電圧レベルが小さい、例えば０Ｖの電位を備えた電源ＶＳＳと接続されている。
【００２８】
画素回路１１ａにおいては、スイッチＴｓのゲート端子Ｇが走査線駆動回路１３から走査線１３ａｉを介してローレベルの走査信号を受信すると、スイッチＴｓがオンし、駆動トランジスタＴｍのゲート端子Ｇがデータ線１４ａｊと電気的に接続される。このとき、データ線駆動回路１４からデータ線１４ａｊに対して所定の電圧レベルを備えたデータ信号が供給されている場合には、該データ信号がコンデンサＣ及び駆動トランジスタＴｍのゲート端子Ｇに供給されて発光素子ＯＬＥＤに電流ＩＬが流れて発光素子ＯＬＥＤが発光する。このとき、コンデンサＣにはデータ線１４ａｊの電位に応じた電荷が蓄積される。
【００２９】
テスト部１５のテスト部接続スイッチ１５ａが備えるスイッチＳＷ１は、ＰＭＯＳトランジスタで構成され、ゲート端子Ｇがテスト制御部１５ｂと接続され、ソース端子Ｓがデータ線１４ａｊと接続されている。スイッチＳＷ１のオンオフは、テスト制御部１５ｂからスイッチＳＷ１のゲート端子Ｇに供給される制御信号により制御され、例えば制御信号として０Ｖのローレベルの信号が供給された場合にはスイッチＳＷ１はオンし、例えば制御信号として５Ｖのハイレベルの信号が供給された場合にはスイッチＳＷ１はオフする。
【００３０】
テスト部１５のテスト電圧供給回路１５ｃは、テスト回路１５ｄと定電流源１５ｅとを備えている。テスト回路１５ｄは、トランジスタＴｄ２とテストトランジスタＴｎとを備えている。トランジスタＴｄ２は、ＰＭＯＳトランジスタで構成され、ソース端子Ｓが電源ＶＤＤと接続され、ゲート端子Ｇとドレイン端子Ｄとが共通接続されている。これにより、駆動トランジスタＴｍを飽和領域で動作させることができる。なお、トランジスタＴｄ２に代えて抵抗素子を設けることもでき、これらに限られるものではない。テストトランジスタＴｎは、ＰＭＯＳトランジスタで構成され、ソース端子ＳがトランジスタＴｄ２のドレイン端子Ｄと接続、言い換えればトランジスタＴｄ２を介して電源ＶＤＤと接続されている。また、テストトランジスタＴｎは、ゲート端子ＧがスイッチＳＷ１のドレイン端子Ｄと接続され、且つ自己のドレイン端子Ｄと共通接続されている。定電流源１５ｅは、一端がテストトランジスタＴｎと接続され、他端が例えば０Ｖの電源ＶＳＳと接続されている。定電流源１５ｅには、予め特定の電流値を備えた電流ＩｇをテストトランジスタＴｎに流すよう設定されており、テスト電圧供給回路１５ｃにて生成するテスト電圧の電圧レベルはこの電流Ｉｇに応じて決定される。
【００３１】
テスト電圧供給回路１５ｃにおいては、テスト制御部１５ｂからスイッチＳＷ１のゲート端子Ｇにローレベルの制御信号が供給されてスイッチＳＷ１がオンすると、テストトランジスタＴｎのゲート端子Ｇがデータ線１４ａｊと電気的に接続される。このとき、スイッチＴｓがオンしている場合には、テスト電圧がテスト電圧供給回路１５ｃから駆動トランジスタＴｍのゲート端子Ｇに供給されて発光素子ＯＬＥＤが発光する。すなわち、テスト電圧供給回路１５ｃは、スイッチＳＷ１がオンした場合に、スイッチＳＷ１を介して駆動トランジスタＴｍのゲート端子Ｇに対してテスト電圧を供給して発光素子ＯＬＥＤを発光させる。
【００３２】
ここで、駆動トランジスタＴｍの各々のゲート端子ＧとテストトランジスタＴｎのゲート端子Ｇとの電気的な接続、言い換えればテスト電圧供給回路１５ｃと画素回路１１ａの各々との電気的な接続がなされた場合には、テストトランジスタＴｎのゲート端子Ｇとドレイン端子Ｄとが共通接続されていることから、駆動トランジスタＴｍとテストトランジスタＴｎとで、言い換えれば画素回路１１ａとテスト電圧供給回路１５ｃとで、カレントミラー回路を構成する。
【００３３】
なお、テストトランジスタＴｎの電圧−電流特性（ゲート端子Ｇに印加する電圧と、その場合に流れる電流との関係）と、駆動トランジスタＴｍの電圧−電流特性とが同じになるように、テストトランジスタＴｎと駆動トランジスタＴｍとは同一構成のＰＭＯＳトランジスタとして形成されている。テストトランジスタＴｎと駆動トランジスタＴｍとが同一構成のＰＭＯＳトランジスタとして形成されていることで、トランジスタの製造ばらつきに依存して発生する両トランジスタの特性のずれをより低減することができるので、両トランジスタにてカレントミラー回路を構成した場合に、テストトランジスタＴｎにて流れる電流Ｉｇをより正確に駆動トランジスタＴｍに反映させることができる。また、トランジスタＴｄ１とトランジスタＴｄ２とは同一構成のＰＭＯＳトランジスタとして形成されており、さらにはトランジスタＴｄ１は駆動トランジスタＴｍと同一構成のＰＭＯＳトランジスタとして形成されている。なお、各トランジスタが互いに同一構成で形成されることは好適例であり、本発明が成立する上での必須の要件ではない。
【００３４】
なお、図示していないが、テスト部１５においては、テスト回路１５ｄ、言い換えれば互いに直列に接続されたテストトランジスタＴｎとトランジスタＴｄ２とが電源ＶＤＤと定電流源１５ｅとの間に複数並列に接続されて形成されていることが好ましい。これにより、テストトランジスタＴｎに電流Ｉｇを流す場合に定電流源１５ｅにて生成する電流は、互いに並列に接続されたテストトランジスタＴｎの数に応じて大きくすることができるため、結果として各テストトランジスタＴｎに流れる電流Ｉｇをより高精度にすることができ、ひいてはテスト電圧をより高精度に生成することができる。ここで、テストトランジスタＴｎのみが電源ＶＤＤと定電流源１５ｅとの間に接続されていても同様の効果が得られる。また、テスト部１５を複数設ける場合には、例えば４０行×４０列にて格子状に配置され、且つ表示部１１の面積よりも小さい構成とすることが好ましい。
【００３５】
（電気光学装置１０の通常発光動作）
次に、本発明の第１の実施形態にかかる電気光学装置１０における通常発光動作のフローについて図２を用いて説明する。本発明において、通常発光動作とは、電気光学装置１０が例えば外部装置２０から画像信号ＧＳの供給を受けることによって発光素子ＯＬＥＤが発光することをいう。
【００３６】
まず、外部装置２０からコントローラ１２に対して画像信号ＧＳが供給される。コントローラ１２は、外部装置２０から画像信号ＧＳを受信すると、画像信号ＧＳの内容に基づいて画像表示制御信号ＧＨＳＳを生成し、走査線駆動回路１３及びデータ線駆動回路１４に対して出力する。また、コントローラ１２は、外部装置２０から画像信号ＧＳを受信すると、通常動作信号ＴＤＳを生成してテスト部１５に供給する。
【００３７】
走査線駆動回路１３は、画像表示制御信号ＧＨＳＳを受信すると、画像表示制御信号ＧＨＳＳにて発光素子ＯＬＥＤを発光させる対象として定められた画素回路１１ａを選択すべく、画像表示制御信号ＧＨＳＳにて定められた期間、走査線１３ａの各々に対してローレベルの走査信号を出力する。また、データ線駆動回路１４は、画像表示制御信号ＧＨＳＳを受信すると、画像表示制御信号ＧＨＳＳにて定められた期間、画像表示制御信号ＧＨＳＳがデータ線１４ａ１〜１４ａｎの各々に対して設定した電圧レベルを備えたデータ信号を、データ線１４ａ１〜１４ａｎの各々に対して出力する。また、テスト部１５のテスト制御部１５ｂは、通常動作信号ＴＤＳを受信すると、通常動作信号ＴＤＳにて定められた期間、スイッチＳＷ１のゲート端子Ｇに対してローレベルの制御信号を出力し、スイッチＳＷ１をオフさせる。
【００３８】
走査線１３ａにローレベルの走査信号が供給されると、画素回路１１ａのスイッチＴｓがオンしてデータ線１４ａから駆動トランジスタＴｍのゲート端子Ｇにデータ信号が所定期間印加されて駆動トランジスタＴｍがオンする。駆動トランジスタＴｍがオンすると、発光素子ＯＬＥＤに駆動トランジスタＴｍの特性に応じた駆動電流としての電流ＩＬが流れて発光素子ＯＬＥＤが所定期間発光する。このとき、データ信号の電圧レベルに応じた電荷はコンデンサＣに蓄積される。なお、通常発光動作中は、上述のとおりスイッチＳＷ１をオフさせているので、テスト部１５から駆動トランジスタＴｍのゲート端子Ｇにテスト電圧が印加されることがない。
【００３９】
各画素回路１１ａが備える発光素子ＯＬＥＤの各々が画像表示制御信号ＧＨＳＳに基づいてそれぞれ所定期間発光すると、表示部１１全体としてひとつの画像が表示されることとなる。なお、上述のとおりコンデンサＣにデータ信号の電圧レベルに応じた電荷が蓄積されるため、スイッチＴｓがオフした後も一定の期間でコンデンサＣから駆動トランジスタＴｍのゲート端子Ｇに電圧が印加されることとなり、これにより発光素子ＯＬＥＤは一定の期間その発光を維持する。
【００４０】
（電気光学装置１０の特性測定方法）
図３は、本発明の第１の実施形態にかかる電気光学装置１０の特性測定方法としての画素回路１１ａの発光輝度テストのフローチャートを示している。
【００４１】
本発明の第１の実施形態における発光輝度テストは、図１及び図２に示した電気光学装置１０の画素回路１１ａが備える発光素子ＯＬＥＤの各々の発光輝度を測定するものであり、テスト装置として用いられる外部装置２０から電気光学装置１０に対してテストモード信号ＴＭＳとしての発光輝度テストモード信号ＨＫＴＳを送信するステップＨＫＴ１と、電気光学装置１０が外部装置２０から発光輝度テストモード信号ＨＫＴＳを受信したか否かを判定するステップＨＫＴ２と、電気光学装置１０が発光輝度テストモード信号ＨＫＴＳを受信したと判定した場合に、発光輝度テストの対象となっている発光素子ＯＬＥＤの全てを、テスト部１５からのテスト電圧の供給により発光させるステップＨＫＴ３と、外部装置２０にて、電気光学装置１０の発光素子ＯＬＥＤの発光輝度を測定するステップＨＫＴ４と、を有する。なお、本実施形態においては、表示部１１が備える画素回路１１ａのうちアドレス［ｉ、ｊ］に相当する画素回路１１ａが発光輝度テストの対象となっている場合について、適宜図２に示した各構成を参照しながら説明する。
【００４２】
まず、ステップＨＫＴ１において、外部装置２０は、電気光学装置１０のコントローラ１２に対して発光輝度テストモード信号ＨＫＴＳを送信する。
【００４３】
次に、ステップＨＫＴ２において、電気光学装置１０は、コントローラ１２にて発光輝度テストモード信号ＨＫＴＳを受信したか否かを判定する。
【００４４】
次に、ステップＨＫＴ３において、電気光学装置１０は、コントローラ１２にて発光輝度テストモード信号ＨＫＴＳを受信したと判定した場合に、発光輝度テストモードに移行し、発光輝度テストの対象となっている発光素子ＯＬＥＤの全てを、テスト部１５からのテスト電圧の供給により発光させる。電気光学装置１０は、以下の手順にて発光素子ＯＬＥＤを発光させる。
【００４５】
電気光学装置１０が発光輝度テストモードに移行すると、コントローラ１２は、表示部１１内において発光輝度テストの対象となる全ての画素回路１１ａの発光素子ＯＬＥＤを同じ輝度で発光させるべく、予め定められた期間にて発光輝度テストの対象である画素回路１１ａの全てのスイッチＴｓをオンさせる旨の指令を備えたテスト信号ＴＳ１としての発光輝度テスト信号ＨＫＳ１を走査線駆動回路１３に供給する。また、コントローラ１２は、スイッチＴｓをオンさせる期間に対応してデータ線１４ａ１〜データ線１４ａｎに対してデータ信号を供給しない旨の指令を備えたテスト信号ＴＳ２としての発光輝度テスト信号ＨＫＳ２をデータ線駆動回路１４に供給する。さらに、コントローラ１２は、スイッチＴｓをオンさせる期間に対応して発光輝度テストの対象となる画素回路１１ａが接続されたデータ線１４ａに接続された全てのスイッチＳＷ１をオンさせる旨の指令を備えたテスト信号ＴＳ３としての発光輝度テスト信号ＨＫＳ３をテスト制御部１５ｂに供給する。
【００４６】
走査線駆動回路１３は、コントローラ１２から発光輝度テスト信号ＨＫＳ１を受信すると、発光輝度テスト信号ＨＫＳ１にて定められた期間にて、発光輝度テストの対象となっている画素回路１１ａに接続された全ての走査線１３ａにローレベルの走査信号を出力する。また、データ線駆動回路１４は、コントローラ１２から発光輝度テスト信号ＨＫＳ２を受信すると、発光輝度テスト信号ＨＫＳ２にて定められた期間にて、データ線１４ａへのデータ信号の出力を停止する。また、テスト制御部１５ｂは、コントローラ１２から発光輝度テスト信号ＨＫＳ３を受信すると、発光輝度テスト信号ＨＫＳ３にて定められた期間にて、発光輝度テストの対象となる画素回路１１ａが接続されたデータ線１４ａに接続された全てのスイッチＳＷ１のゲート端子Ｇにローレベルの制御信号を供給する。
【００４７】
走査線１３ａｉにローレベルの走査信号が供給されると、スイッチＴｓがオンして駆動トランジスタＴｍのゲート端子Ｇとデータ線１４ａｊとが電気的に接続される。また、テスト制御部１５ｂからスイッチＳＷ１のゲート端子Ｇにローレベルの制御信号が供給されると、スイッチＳＷ１がオンしてテストトランジスタＴｎのゲート端子Ｇとデータ線１４ａｊとが電気的に接続される。これにより、発光輝度テストの対象となっている画素回路１１ａの駆動トランジスタＴｍの全てとテストトランジスタＴｎとが電気的に接続されて、定電流源１５ｅにて設定された電流に基づいてテストトランジスタＴｎに流れる電流Ｉｇに応じた電圧レベルを備えたテスト電圧が駆動トランジスタＴｍのゲート端子Ｇに供給される。
【００４８】
ここで、テストトランジスタＴｎは上述のとおりゲート端子Ｇとドレイン端子Ｄとが共通接続されていることから、テスト電圧供給回路１５ｃと画素回路１１ａとは、駆動トランジスタＴｍとテストトランジスタＴｎと定電流源１５ｅとによりカレントミラー回路を構成する。このため、駆動トランジスタＴｍとテストトランジスタＴｎとが同一構成であり電圧−電流特性が同じであることから、駆動トランジスタＴｍから発光素子ＯＬＥＤにはテストトランジスタＴｎに流れる電流Ｉｇと同じ電流レベルを備えた駆動電流としての電流ＩＬが流れて発光素子ＯＬＥＤが発光する。
【００４９】
次に、ステップＨＫＴ４において、外部装置２０は、画素回路１１ａの各々の発光素子ＯＬＥＤの各々の発光輝度をイメージセンサ等のカメラ媒体により測定し、図示しないメモリに記憶し、発光輝度テストを終了する。
【００５０】
なお、外部装置２０は、電気光学装置１０の発光素子ＯＬＥＤの発光輝度を測定した後、該発光輝度の各々が所望の値の範囲内となっているか否かを判定しても良い。また、外部装置２０は、電気光学装置１０の発光素子ＯＬＥＤの発光輝度が所望の値の範囲内となっているか否かを判定した後に、電気光学装置１０の適合品判定を行っても良い。電気光学装置１０の適合品判定を行う場合には、例えば、画素回路１１ａの各々から得られた発光輝度の全てが所望の値の範囲内になっている場合には電気光学装置１０を適合品と判定し、画素回路１１ａの各々から得られた発光輝度の全てが所望の値の範囲内になっていない場合には電気光学装置１０を不適合品と判定しても良い。
【００５１】
また、外部装置２０は、発光輝度テストを、互いに異なる電圧レベルを備えたテスト電圧を用いて複数回に亘って行い、テスト電圧の電圧レベル毎に対応する発光素子ＯＬＥＤの発光輝度を測定するようにしても良い。テスト電圧の電圧レベル毎に対応する発光素子ＯＬＥＤの発光輝度を測定することで、駆動トランジスタＴｍのゲート端子Ｇに印加するテスト電圧の変化に対する発光素子ＯＬＥＤの発光輝度の変化を把握することができる。これによれば、電気光学装置１０の画素回路１１ａが備えるガンマ特性、すなわち駆動トランジスタＴｍの電圧−電流特性を把握することができ、ひいては電気光学装置１０に入力する画像信号ＧＳを、電気光学装置１０のガンマ特性を考慮したものとすることができるので、画像データを表示部１１に表示させる際により高精細な制御を行うことができるようになる点で有効である。
【００５２】
（第１の実施形態の効果）
本発明の第１の実施形態にかかる電気光学装置１０によれば、電気光学装置１０の発光輝度テストの対象となっている画素回路１１ａが備える発光素子ＯＬＥＤの全てを、テスト部１５から供給するテスト電圧により発光させることができるので、電気光学装置１０の発光輝度テストを行う場合に、各データ線１４ａ毎にばらつく電圧を各データ線１４ａに接続された駆動トランジスタＴｍのゲート端子Ｇ間で同じになるように調整する必要がない。したがって、電気光学装置１０の画素回路１１ａの発光輝度テストに要する時間の増大を抑制することができ、ひいては製造コストの増加を抑制することができる。
【００５３】
また、本発明の第１の実施形態にかかる電気光学装置１０によれば、駆動トランジスタＴｍのゲート端子Ｇに印加されるテスト電圧のレベルをテスト部１５が備える定電流源１５ｅにて設定する電流の値に基づいて定めているので、電気光学装置１０の発光輝度テストを行う場合に、テスト部１５から駆動トランジスタＴｍのゲート端子Ｇに対して電圧レベルが安定したテスト電圧を供給することができ、より高精度に発光素子ＯＬＥＤの発光輝度を測定することができる。
【００５４】
また、本発明の第１の実施形態にかかる電気光学装置１０によれば、画素回路１１ａとテスト電圧供給部１５ｃとは、互いに同一構成のＰＭＯＳトランジスタとして構成された駆動トランジスタＴｍの各々のゲート端子ＧとテストトランジスタＴｎのゲート端子Ｇとが電気的に接続されてカレントミラー回路を構成するので、テスト部１５にて生成されるテスト電圧をより高精度に駆動トランジスタＴｍに供給することができ、より高精度に発光素子ＯＬＥＤの発光輝度を測定することができる。
【００５５】
また、本発明の第１の実施形態にかかる電気光学装置１０の特性測定方法によれば、発光輝度テストの対象となっている発光素子ＯＬＥＤの全てを、テスト部１５からのテスト電圧の供給により発光させるステップＨＫＴ３を有しているので、電気光学装置１０の発光輝度テスト時に、各データ線１４ａ毎にばらつく電圧を各データ線１４ａに接続された駆動トランジスタＴｍのゲート端子Ｇ間で同じになるように調整する必要がない。したがって、電気光学装置１０の画素回路１１ａの発光輝度テストに要する時間の増大を抑制することができ、ひいては製造コストの増加を抑制することができる。
【００５６】
［第２の実施形態］
図４は、本発明の第２の実施形態にかかる電気光学装置１０ａの画素回路１１ａ及びテスト部１５の詳細な回路構成を示す図である。電気光学装置１０ａは、第１の実施形態にかかる電気光学装置１０と比較して、テスト部１５内の一部が構成が異なる。なお、図１又は図２にて説明した構成については、同一符号を付してその説明を省略する。また、図４においては、説明及び作図の都合上、アドレス［ｉ、ｊ］（１≦ｉ≦ｍ、１≦ｊ≦ｎ、ｉ、ｊは自然数）に対応するひとつの画素回路１１ａの回路構成とそれに対応する走査線１３ａｉ及びデータ線１４ａｊ、並びにデータ線１４ａｊに対応するスイッチＳＷ１を示しているが、他のアドレスに対応する画素回路１１ａの回路構成とそれに走査線１３ａ及び他のデータ線１４ａの関係、並びに他のデータ線１４ａとそれに対応するスイッチＳＷ１との関係についても同様である。
【００５７】
テスト電圧供給回路１５ｃは、テスト回路１５ｄ´と定電流源１５ｅ´とを備えている。テスト回路１５ｄ´は、トランジスタＴｄ２´とテストトランジスタＴｎ´と電源接続スイッチとしてのスイッチＳＷ２とゲートドレイン接続スイッチとしてのスイッチＳＷ３と定電流源接続スイッチとしてのスイッチＳＷ４とを備えている。トランジスタＴｄ２´は、ＰＭＯＳトランジスタで構成され、ソース端子Ｓが、例えば５Ｖの電位を備えた第１の電源としての電源ＶＤＤ１と接続され、ゲート端子Ｇとドレイン端子Ｄとが共通接続されている。これにより、テストトランジスタＴｎ´を飽和領域で動作させることができる。なお、トランジスタＴｄ２´に代えて抵抗素子を設けることもでき、これらに限られるものではない。テストトランジスタＴｎ´は、ＰＭＯＳトランジスタで構成され、ソース端子ＳがトランジスタＴｄ２´のドレイン端子Ｄと接続、言い換えればトランジスタＴｄ２´を介して電源ＶＤＤ１と接続されている。また、テストトランジスタＴｎ´は、ゲート端子ＧがスイッチＳＷ１のドレイン端子Ｄと接続されている。
【００５８】
スイッチＳＷ２は、ＰＭＯＳトランジスタで構成され、ソース端子Ｓが例えば５Ｖの電位を備えた第２の電源としての電源ＶＤＤ２に接続され、ドレイン端子ＤがテストトランジスタＴｎ´のゲート端子Ｇと接続され、ゲート端子Ｇがテスト制御部１５ｂと接続されている。スイッチＳＷ２は、テストトランジスタＴｎ´のゲート端子Ｇと電源ＶＤＤ２との電気的な接続を制御する。
【００５９】
スイッチＳＷ３は、ＰＭＯＳトランジスタで構成され、ソース端子ＳがテストトランジスタＴｎ´のゲート端子Ｇと接続され、ドレイン端子ＤがテストトランジスタＴｎ´のドレイン端子Ｄに接続され、ゲート端子Ｇがテスト制御部１５ｂに接続されている。スイッチＳＷ３は、テストトランジスタＴｎ´のゲート端子ＧとテストトランジスタＴｎ´のドレイン端子Ｄとの電気的な接続を制御する。
【００６０】
スイッチＳＷ４は、ＰＭＯＳトランジスタで構成され、ソース端子ＳがテストトランジスタＴｎ´のドレイン端子Ｄに接続され、ドレイン端子Ｄが定電流源１５ｅ´に接続されており、ゲート端子Ｇがテスト制御部１５ｂに接続されている。スイッチＳＷ４は、テストトランジスタＴｎのドレイン端子Ｄと定電流源１５ｅ´との電気的な接続を制御する。
【００６１】
なお、定電流源１５ｅ´には、予め特定の電流値を備えた電流ＩｇをテストトランジスタＴｎ´に流すよう設定されており、テスト電圧供給回路１５ｃにて生成するテスト電圧の電圧レベルはこの電流Ｉｇに応じて決定される。
【００６２】
テスト電圧供給回路１５ｃにおいては、テスト制御部１５ｂからスイッチＳＷ１のゲート端子Ｇにローレベルの制御信号が供給されてスイッチＳＷ１がオンすると、テストトランジスタＴｎ´のゲート端子Ｇｇａデータ線１４ａｊと電気的に接続される。このとき、スイッチＴｓがオンしている場合には、テスト電圧がテスト電圧供給回路１５ｃから駆動トランジスタＴｍのゲート端子Ｇに供給されて発光素子ＯＬＥＤが発光する。
【００６３】
ここで、駆動トランジスタＴｍの各々のゲート端子ＧとテストトランジスタＴｎ´のゲート端子Ｇとの電気的な接続、言い換えればテスト部１５と画素回路１１ａとの電気的な接続がなされた場合には、テストトランジスタＴｎ´のゲート端子Ｇとドレイン端子Ｄとが共通接続されていることから、駆動トランジスタＴｍとテストトランジスタＴｎ´とで、言い換えれば画素回路１１ａとテスト電圧供給回路１５ｃとで、カレントミラー回路を構成する。
【００６４】
なお、電源ＶＤＤ１と電源ＶＤＤ２とは、同じ電源であっても良い。また、駆動トランジスタＴｍ、テストトランジスタＴｎ、トランジスタＴｄ１、及びトランジスタＴｄ２は、電圧−電流特性が互いに同じになるように、同一構成のＰＭＯＳトランジスタとして形成されているが、これに限られない。
【００６５】
テスト制御部１５ｂは、コントローラ１２とテスト部接続スイッチ１５ａとの他に、テスト回路１５ｄ´内のスイッチＳＷ２、スイッチＳＷ３、及びスイッチＳＷ４のゲート端子Ｇとも接続されており、スイッチＳＷ２、スイッチＳＷ３、及びスイッチＳＷ４をオンオフさせる制御を行う。テスト制御部１５ｂは、コントローラ１２から供給される通常動作信号ＴＤＳとテスト信号ＴＳ３とに応じてスイッチＳＷ２、スイッチＳＷ３、及びスイッチＳＷ４の各々をオンオフさせる制御信号をスイッチＳＷ２、スイッチＳＷ３、及びスイッチＳＷ４の各々に対して供給する。
【００６６】
なお、図示していないが、テスト部１５においては、テスト回路１５ｄ´のうち互いに直列に接続されたテストトランジスタＴｎ´とトランジスタＴｄ２´とが電源ＶＤＤ１と定電流源１５ｅとの間に複数並列に接続されて形成されていることが好ましい。これにより、テストトランジスタＴｎ´に電流Ｉｇを流す場合に定電流源１５ｅ´にて生成する電流は、互いに並列に接続されたテストトランジスタＴｎ´の数に応じて大きくすることができるため、結果として各テストトランジスタＴｎ´に流れる電流Ｉｇをより高精度にすることができ、ひいてはテスト電圧をより高精度に生成することができる。ここで、テストトランジスタＴｎ´のみが電源ＶＤＤ１と定電流源１５ｅ´との間に接続されていても同様の効果が得られる。また、テスト部１５を複数設ける場合には、例えば４０行×４０列にて格子状に配置され、且つ表示部１１の面積よりも小さい構成とすることが好ましい。  
【００６７】
（電気光学装置１０ａの通常発光動作）
図５は、図４に示した本発明の第２の実施形態にかかる電気光学装置１０ａにおける各動作モードにおけるスイッチＴｓ、及びスイッチＳＷ１〜ＳＷ４のオンオフの状態を示したものであり、図５の（ａ）は通常発光動作について示すものである。なお、第２の実施形態にかかる電気光学装置１０ａにおける通常発光動作は、第１の実施形態にかかる電気光学装置１０の通常発光動作と同様であるため、その説明を適宜省略しながら以下に説明する。
【００６８】
図４において、コントローラ１２は、外部装置２０から画像信号ＧＳを受信すると、画像信号ＧＳの内容に基づいて画像表示制御信号ＧＨＳＳを生成し、走査線駆動回路１３及びデータ線駆動回路１４に対して出力する。また、コントローラ１２は、外部装置２０から画像信号ＧＳを受信すると、通常動作信号ＴＤＳを生成してテスト部１５に供給する。
【００６９】
走査線駆動回路１３は、画像表示制御信号ＧＨＳＳを受信すると、画像表示制御信号ＧＨＳＳにて発光素子ＯＬＥＤを発光させる対象として定められた画素回路１１ａを選択すべく、画像表示制御信号ＧＨＳＳにて定められた期間、走査線１３ａの各々に対してローレベルの走査信号を供給する。また、データ線駆動回路１４は、画像表示制御信号ＧＨＳＳを受信すると、画像表示制御信号ＧＨＳＳにて定められた期間、画像表示制御信号ＧＨＳＳがデータ線１４ａ１〜データ線１４ａｎの各々に対して設定した電圧レベルのデータ信号を、データ線１４ａ１〜データ線１４ａｎの各々に対して出力する。また、テスト部１５のテスト制御部１５は、通常動作信号ＴＤＳを受信すると、通常動作信号ＴＤＳにて定められた期間、スイッチＳＷ１のゲート端子Ｇに対してローレベルの制御信号を出力し、スイッチＳＷ１をオフさせる。
【００７０】
走査線１３ａにローレベルの走査信号が供給されると、画素回路１１ａのスイッチＴｓがオンしてデータ線１４ａから駆動トランジスタＴｍのゲート端子Ｇにデータ信号が所定期間印加されて駆動トランジスタＴｍがオンする。駆動トランジスタＴｍがオンすると、発光素子ＯＬＥＤに駆動トランジスタＴｍの特性に応じた駆動電流としての電流ＩＬが流れて発光素子ＯＬＥＤが発光する。このとき、データ信号の電圧レベルに応じた電荷はコンデンサＣに蓄積される。なお、通常発光動作中は、スイッチＳＷ１をオフさせているので、テスト部１５から駆動トランジスタＴｍのゲート端子Ｇにテスト電圧が印加されることはない。
【００７１】
各画素回路１１ａが備える発光素子ＯＬＥＤの各々が画像表示制御信号ＧＨＳＳに基づいてそれぞれ所定期間発光することで、表示部１１全体としてひとつの画像が表示されることとなる。なお、上述のとおりコンデンサＣにデータ信号の電圧レベルに応じた電荷が蓄積されるため、スイッチＴｓがオフした後も一定の期間でコンデンサＣから駆動トランジスタＴｍのゲート端子Ｇに電圧が印加されることとなり、これにより発光素子ＯＬＥＤは一定の期間その発光を維持する。
【００７２】
ここで、テスト制御部１５ｂは、通常動作信号ＴＤＳを受信すると、さらに通常動作信号ＴＤＳにて定められた期間、スイッチＳＷ２のゲート端子Ｇに対してローレベルの制御信号を供給してスイッチＳＷ２をオンさせると共に、スイッチＳＷ３及びＳＷ４のゲート端子Ｇにハイレベルの制御信号を供給してスイッチＳＷ３及びスイッチＳＷ４をオフさせる。これによれば、スイッチＳＷ３及びスイッチＳＷ４をオフさせることで、テスト部１５を使用していない場合であっても電源ＶＤＤ１及び電源ＶＤＤ２からスイッチＳＷ３及びＳＷ４を介して発生しうる電流のリークを防止することができ、電源ＶＤＤ１及び電源ＶＤＤ２の省電力化を図ることができる。また、スイッチＳＷ２をオフさせることで、テストトランジスタＴｎ´のゲート端子Ｇに電源ＶＤＤ２からハイレベルの電圧を印加して、テストトランジスタＴｎ´を確実にオフすることができるため、電源ＶＤＤ１の電力の無駄な消費を抑制し、省電力化を図ることができる。
【００７３】
（電気光学装置１０ａの特性測定方法）
次に、本発明の第２の実施形態にかかる電気光学装置１０ａにおける特性測定方法として、発光輝度テスト、電圧−電流特性テスト、及び電圧降下レベルテストについて図５〜図７を用いて説明する。
【００７４】
図５の（ｂ）は、図４に示した本発明の第２の実施形態にかかる電気光学装置１０ａの特性測定方法のうち発光輝度テストにおけるスイッチＴｓ、及びスイッチＳＷ１〜ＳＷ４のオンオフの状態を示したものである。なお、本実施形態における発光輝度テストは、第１の実施形態における発光輝度テストと同様であるので、図３に示された「電気光学装置１０」を「電気光学装置１０ａ」と読み替えて適宜その説明を省略する。
【００７５】
ステップＨＫＴ１において、テスト装置として用いられる外部装置２０から発光輝度テストモード信号ＨＫＴＳが出力されると、ステップＨＫＴ２において、電気光学装置１０ａは、コントローラ１２にて発光輝度テストモード信号ＨＫＴＳを受信したか否かを判定し、ステップＨＫＴ３において、発光輝度テストモード信号ＨＫＴＳを受信したと判定した場合に、電気光学装置１０ａは発光輝度テストモードに移行し、発光輝度テストの対象となっている発光素子ＯＬＥＤの全てを、テスト部１５からのテスト電圧の供給により発光させる。このとき、本発明の第２の実施形態にかかる発光輝度テストにおいては、ステップＨＫＴ３においてテスト制御部１５ｂがコントローラ１２から発光輝度テスト信号ＨＫＳ３を受信すると、さらにスイッチＴｓをオンさせる時間に対応してテスト回路１５ｄ´のスイッチＳＷ２のゲート端子Ｇにハイレベルの制御信号を供給してスイッチＳＷ２をオフさせるとともに、スイッチＳＷ３及びスイッチＳＷ４のゲート端子Ｇに対してローレベルの信号を供給してスイッチＳＷ３及びスイッチＳＷ４をオンさせる
【００７６】
ステップＨＫＴ４において、発光素子ＯＬＥＤが発光すると、外部装置２０は、画素回路１１ａの各々の発光素子ＯＬＥＤの各々の発光輝度をカメラを介して測定し、図示しないメモリに記憶し、発光輝度テストを終了する。
【００７７】
図５の（ｃ）は、図４に示した本発明の第２の実施形態にかかる電気光学装置１０ａの特性測定方法のうち電圧−電流特性テストにおけるスイッチＴｓ、及びスイッチＳＷ１〜ＳＷ４のオンオフの状態を示したものである。また、図６は、電圧−電流特性テストのフローチャートを示したものである。
【００７８】
本発明の第２の実施形態における電圧−電流特性テストは、駆動トランジスタＴｍのゲート端子Ｇに印加した電圧と、それによって駆動トランジスタＴｍから出力される電流ＩＬとの関係としての電圧−電流特性を推測するものであり、テスト装置としての外部装置２０から電気光学装置１０ａに対してテストモード信号ＴＭＳとしての電圧−電流特性テストモード信号ＤＴＴＳを送信するステップＤＴＴ１と、電気光学装置１０ａが外部装置２０から電圧−電流特性テストモード信号ＤＴＴＳを受信したか否かを判定するステップＤＴＴ２と、電気光学装置１０ａが電圧−電流特性テストモード信号ＤＴＴＳを受信したと判定した場合に、テストトランジスタＴｎ´のゲート端子Ｇに測定用電圧を印加してテストトランジスタＴｎ´をオンさせてテストトランジスタＴｎ´から電流Ｉｇを出力させるステップＤＴＴ３と、外部装置２０にて、テストトランジスタＴｎ´から出力された電流Ｉｇを測定するステップＤＴＴ４と、測定用電圧と外部装置２０にて測定したテストトランジスタＴｎ´の電流Ｉｇとの関係から駆動トランジスタＴｍの電圧−電流特性を推測するステップＤＴＴ５と、を有する。
【００７９】
ステップＤＴＴ１において、外部装置２０は、電気光学装置１０ａのコントローラ１２に対して電圧−電流特性テストモード信号ＤＴＴＳを送信する。
【００８０】
ステップＤＴＴ２において、電気光学装置１０ａは、コントローラ１２にて電圧−電流特性テストモード信号ＤＴＴＳを受信したか否かを判定する。
【００８１】
ステップＤＴＴ３において、電気光学装置１０ａは、コントローラ１２にて電圧−電流特性テストモード信号ＤＴＴＳを受信したと判定した場合に、電圧−電流特性テストモードに移行し、テストトランジスタＴｎのゲート端子Ｇに測定用電圧を印加してテストトランジスタＴｎ´をオンさせてテストトランジスタＴｎ´から電流Ｉｇを出力させる。電気光学装置１０ａは以下の手順にてテストトランジスタＴｎ´から電流Ｉｇを出力させる。
【００８２】
電気光学装置１０ａが電圧−電流特性テストモードに移行すると、コントローラ１２は、表示部１１内における全ての画素回路１１ａとデータ線１４ａとの電気的接続を遮断する旨の指令を備えたテスト信号ＴＳ３としての電圧−電流特性テスト信号ＤＴＳ１走査線駆動回路１３に供給し、測定用電圧としての所定の電圧レベルを備えたデータ信号を供給する旨の指令を備えたテスト信号ＴＳ２としての電圧−電流特性テスト信号ＤＴＳ２を、データ線駆動回路１４に対して供給する。さらに、コントローラ１２は、スイッチＳＷ２及びスイッチＳＷ３をオフさせるとともにスイッチＳＷ１及びスイッチＳＷ４をオンさせる旨の指令を備えてテスト信号ＴＳ３としての電圧−電流特性テスト信号ＤＴＳ３をテスト制御部１５ｂに供給する。
【００８３】
走査線駆動回路１３は、コントローラ１２から電圧−電流特性テスト信号ＤＴＳ１を受信すると、全ての走査線１３ａにハイレベルの走査信号を供給する。これにより、全ての画素回路１１ａとデータ線１４ａとの電気的な接続が遮断される。また、データ線駆動回路１４は、コントローラ１２から電圧ー電流特性テスト信号ＤＴＳ２を受信すると、データ線１４ａｉに対して測定用電圧を供給する。
【００８４】
テスト部１５においては、テスト制御部１５ｂが電圧−電流特性テスト信号ＤＴＳ３を受信すると、テスト制御部１５ｂからローレベルの制御信号をスイッチＳＷ１及びスイッチＳＷ４のゲート端子Ｇに供給してスイッチＳＷ１及びスイッチＳＷ４をオンさせる。これにより、テスト回路１５ｄ´が備えるテストトランジスタＴｎ´のゲート端子Ｇとデータ線１４ａｉとが電気的に接続され、データ線１４ａｉに供給されている測定用電圧がテストトランジスタＴｎ´のゲート端子Ｇに印加される。測定用電圧がテストトランジスタＴｎ´のゲート端子Ｇに印加されると、テストトランジスタＴｎ´から電流Ｉｇが出力され、テストトランジスタＴｎ´のドレイン端子Ｄと定電流源１５ｅ´との間のノードであるノードＮに電流Ｉｇが流れる。また、テスト制御部１５ｂが電圧−電流特性テスト信号ＤＴＳ３を受信すると、テスト制御部１５ｂからハイレベルの制御信号をスイッチＳＷ２及びスイッチＳＷ３のゲート端子Ｇに供給してスイッチＳＷ２及びスイッチＳＷ３をオフさせる。このため、テストトランジスタＴｎ´のゲート端子Ｇに電源ＶＤＤ２の電位が印加されることがない。
【００８５】
ステップＤＴＴ４において、外部装置２０にて、テストトランジスタＴｎ´から出力された電流Ｉｇを測定する。外部装置２０における電流Ｉｇの測定は、スイッチＳＷ４と定電流源１５ｅとの間のノードＮに、外部装置２０と接続された図示しない電流計を接続して行う。
【００８６】
ステップＤＴＴ５において、測定用電圧と外部装置２０にて測定したテストトランジスタＴｎ´の電流Ｉｇとの関係から駆動トランジスタＴｍの電圧−電流特性を推測する。駆動トランジスタＴｍの電圧−電流特性としての駆動トランジスタＴｍのゲート端子Ｇに印加した電圧とそれによって駆動トランジスタから出力される電流ＩＬとの関係は、テストトランジスタＴｎ´と駆動トランジスタＴｍとが同一構成であることに基づき、テストトランジスタＴｎ´のゲート端子Ｇに印加した測定用電圧と電流Ｉｇとの関係と同等と推測し、該推測した駆動トランジスタＴｍの電圧−電流特性を、外部装置２０に接続された図示しないメモリに記憶して、電圧−電流特性テストを終了する。
【００８７】
なお、外部装置２０は、駆動トランジスタＴｍの電圧−電流特性を測定した後、該電圧−電流特性が所望の特性の範囲内に収まっているか否かを判定しても良い。また、外部装置２０は、電圧−電流特性が所望の特性の範囲内に収まっているか否かを判定した後に、電気光学装置１０ａの適合品判定を行っても良い。電気光学装置１０ａの適合品判定を行う場合には、例えば、測定した駆動トランジスタＴｍの電圧−電流特性が所望の特性の範囲内に収まっている場合には電気光学装置１０ａを適合品と判定し、同関係が所望の関係性の範囲内になっていない場合には電気光学装置１０ａを不適合品と判定しても良い。
【００８８】
また、外部装置２０は、電圧−電流特性テストを、互いに異なる電圧レベルを備えた測定用電圧を用いて複数回に亘って行い、これにより推測した測定用電圧の電圧レベル毎に対応する駆動トランジスタＴｍの電流ＩＬをメモリに記憶するようにしても良い。測定用電圧の電圧レベル毎に対応する駆動トランジスタＴｍをメモリに記憶しておくことで、駆動トランジスタＴｍのゲート端子Ｇに印加する測定用電圧の変化に対する電流ＩＬの変化を把握することができる。これによれば、電気光学装置１０ａの画素回路１１ａが備えるガンマ特性を把握することができ、ひいては電気光学装置１０ａに入力する画像信号ＧＳを、電気光学装置１０ａのガンマ特性を考慮したものとすることができるので、画像データを表示部１１に表示させる際により高精細な制御を行うことができるようになる点で有効である。
【００８９】
図５の（ｄ）は、図４に示した本発明の第２の実施形態にかかる電気光学装置１０ａの特性測定方法のうち電圧降下テストにおけるスイッチＴｓ、及びスイッチＳＷ１〜ＳＷ４のオンオフの状態を示したものである。また、図７は、電圧降下テストのフローチャートを示したものである。
【００９０】
本発明の第２の実施形態における電圧降下テストは、電源ＶＤＤ１から駆動トランジスタＴｍに対して供給する電圧のうち、駆動トランジスタＴｍによる降下電圧を測定するものであり、テスト装置としての外部装置２０から電気光学装置１０ａに対してテストモード信号ＴＭＳとしての電圧降下テストモード信号ＤＫＴＳを送信するステップＤＫＴ１と、電気光学装置１０ａが外部装置２０から電圧降下テストモード信号ＤＫＴＳを受信したか否かを判定するステップＤＫＴ２と、電気光学装置１０ａが電圧降下テストモード信号ＤＫＴＳを受信したと判定した場合に、テストトランジスタＴｎのゲート端子Ｇに降下測定用電圧を印加してテストトランジスタＴｎをオンさせて電源ＶＤＤ１から供給された電流をテストトランジスタＴｎから出力させるステップＤＫＴ３と、外部装置２０にて、テストトランジスタＴｎから出力された電流に対応する降下電圧を測定するステップＤＫＴ４と、電源ＶＤＤ１と降下電圧との電位差から駆動トランジスタＴｍの降下電圧を推測するステップＤＫＴ５と、を有する。
【００９１】
ステップＤＫＴ１において、外部装置２０は、電気光学装置１０ａのコントローラ１２に対して電圧降下テストモード信号ＤＫＴＳを送信する。
【００９２】
ステップＤＫＴ２において、電気光学装置１０ａは、コントローラ１２にて電圧降下テストモード信号ＤＫＴＳを受信したか否かを判定する。
【００９３】
ステップＤＫＴ３において、電気光学装置１０ａは、コントローラ１２にて電圧降下テストモード信号ＤＫＴＳを受信したと判定した場合に、電圧降下テストモードに移行し、テストトランジスタＴｎのゲート端子Ｇに降下測定用電圧を印加してテストトランジスタＴｎをオンさせて電源ＶＤＤ１から供給された電流をテストトランジスタＴｎから電流Ｉｇとして出力させる。電気光学装置１０ａは以下の手順にてテストトランジスタＴｎから電流Ｉｇを出力させる。
【００９４】
電気光学装置１０ａが電圧降下テストモードに移行すると、コントローラ１２は、表示部１１内における全ての画素回路１１ａとデータ線１４ａとの電気的接続を遮断する旨の指令を備えたテスト信号ＴＳ１としての電圧降下テスト信号ＤＫＳ１を走査線駆動回路１３に対して供給し、降下測定用電圧としてテストトランジスタＴｎ´に最大電流値を出力させるためのＧＮＤ電圧レベルを備えたデータ信号を供給する旨の指令を備えたテスト信号ＴＳ２としての電圧降下テスト信号ＤＫＳ２を、データ線駆動回路１４に対して供給する。さらに、コントローラ１２は、スイッチＳＷ２及びスイッチＳＷ３をオフさせるとともにスイッチＳＷ１及びスイッチＳＷ４をオンさせる旨の指令を備えたテスト信号ＴＳ３としての電圧降下テスト信号ＤＫＳ３をテスト制御部１５ｂに供給する。
【００９５】
走査線駆動回路１３は、コントローラ１２から電圧降下テスト信号ＤＫＳ１を受信すると、全ての走査線１３ａにハイレベルの走査信号を供給する。これにより、全ての画素回路１１ａとデータ線１４ａとの電気的な接続が遮断される。また、データ線駆動回路１４は、コントローラ１２から電圧降下テスト信号ＤＫＳ２を受信すると、データ線１４ａｉに対して降下測定用電圧を供給する。テスト部１５においては、テスト制御部１５ｂが電圧降下テスト信号ＤＫＳ３を受信すると、テスト制御部１５ｂからローレベルの制御信号をスイッチＳＷ１及びスイッチＳＷ４のゲート端子Ｇに供給してスイッチＳＷ１及びスイッチＳＷ４をオンさせる。これにより、テスト回路１５ｄ´が備えるテストトランジスタＴｎ´のゲート端子Ｇとデータ線１４ａｉとが電気的に接続され、データ線１４ａｉに供給されている降下測定用電圧がテストトランジスタＴｎ´のゲート端子Ｇに印加される。降下測定用電圧がテストトランジスタＴｎ´のゲート端子Ｇに印加されると、テストトランジスタＴｎ´から電流Ｉｇが出力され、テストトランジスタＴｎのドレイン端子Ｄと定電流源１５ｅとの間のノードであるノードＮに電流Ｉｇが流れる。また、テスト制御部１５ｂが電圧降下テスト信号ＤＫＳ３を受信すると、テスト制御部１５ｂからハイレベルの制御信号をスイッチＳＷ２及びスイッチＳＷ３のゲート端子Ｇに供給してスイッチＳＷ２及びスイッチＳＷ３をオフさせる。このため、テストトランジスタＴｎのゲート端子Ｇに電源ＶＤＤ２の電位が印加されることがない。
【００９６】
ステップＤＫＴ４において、外部装置２０にて、テストトランジスタＴｎ´から出力された電流Ｉｇに対応する降下電圧を測定する。外部装置２０における降下電圧の測定は、スイッチＳＷ４と定電流源１５ｅとの間のノードＮに、外部装置２０と接続された図示しない電圧計を接続して行う。
【００９７】
ステップＤＫＴ５において、外部装置２０にて、電源ＶＤＤ２と降下電圧との電位差から駆動トランジスタＴｍの降下電圧を推測し、該推測した駆動トランジスタＴｍの降下電圧を、外部装置２０に電気的に接続された図示しないメモリに記憶して、電圧降下テストを終了する。なお、このとき駆動トランジスタＴｍの降下電圧の推測は、テストトランジスタＴｎと駆動トランジスタＴｍとが同一構成であることに基づき、テストトランジスタＴｎにおける降下電圧と同等と推定することにより行う。
【００９８】
なお、外部装置２０は、駆動トランジスタＴｍの降下電圧を測定した後、該降下電圧のレベルが所定の範囲内となっているか否かを判定しても良いし、該降下電圧が所望の範囲内となっているか否かを判定した後に、電気光学装置１０ａの適合品判定を行っても良い。また、外部装置２０は、測定した駆動トランジスタＴｍの降下電圧を電源ＶＤＤ１から差し引くことで、発光素子ＯＬＥＤの両端に印加される電圧を推測しても良い。
【００９９】
（第２の実施形態の効果）
本発明の第２の実施形態にかかる電気光学装置１０ａによれば、スイッチＳＷ４を有しているので、テスト部１５を使用していない場合であっても電源ＶＤＤ１及び電源ＶＤＤ２からスイッチＳＷ４を介して発生しうる電流のリークを防止することができ、省電力化を図ることができる。
【０１００】
また、テスト部１５は、スイッチＳＷ３を有しているので、テストトランジスタＴｎ´のゲート端子Ｇとドレイン端子Ｄとを接続する必要がある発光輝度テストにおいてはスイッチＳＷ３をオンすることでテスト部１５から画素回路１１ａにテスト電圧を供給することができる。また、テストトランジスタＴｎ´のゲート端子Ｇとドレイン端子Ｄとを電気的に遮断する必要がある電圧−電流特性テストにおいてはスイッチＳＷ３をオフすることでテストトランジスタＴｎ´の電圧−電流特性を測定することができる。したがって、電気光学装置１０ａにおいて複数の特性測定を行う場合であっても、各特性測定テストに専用のテスト部１５を設ける必要がないので、電気光学装置１０ａが作りこまれる半導体チップ等の面積の増大を抑制することができる。
【０１０１】
［第３の実施形態］
本発明の第３の実施形態にかかる電気光学装置１０ｂについて、図８〜図１１を用いて説明する。なお、第１の及び第２の実施形態にて説明した構成については、同一符号を付してその説明を省略する。
【０１０２】
図８は、本発明の第３の実施形態にかかる電気光学装置１０ｂの構成を示すブロック図である。第３の実施形態にかかる電気光学装置１０ｂは、表示部１１、コントローラ１２、走査線駆動回路１３、データ線駆動回路１４、テスト部接続スイッチ１５ａ、テスト制御部１５ｂ、及びテスト回路１５ｄが共通の半導体基板上に形成されて構成された半導体チップ１６と、定電流源１５ｅとを備えている。なお、本実施形態においてはテスト回路として第１の実施形態にて説明したテスト回路１５ｄを用いて説明するが、テスト回路として第２の実施形態にて説明したテスト回路１５ｄ´を適用することもできる。また、テスト部１５のうち定電流源１５ｅについては、半導体チップ１６の外部に形成されている。
【０１０３】
テスト回路１５ｄは、表示部１１に隣接して配置されていることが好ましい。テスト回路１５ｄが半導体チップ１６を平面視した場合に表示部１１と隣接して配置されていることで、表示部１１の画素回路１１ａが備える駆動トランジスタＴｍとテスト回路１５ｄが備えるテストトランジスタＴｎとの距離の増大を抑制することができる。このため、半導体チップ１６内において駆動トランジスタＴｍのゲート端子ＧとテストトランジスタＴｎのゲート端子Ｇとを接続する配線の長さの増大を抑制でき、同配線のインピーダンスの増大を抑制できるため、テストトランジスタＴｎを流れる電流Ｉｇをより高精度に駆動トランジスタＴｍの駆動電流としての電流ＩＬとして生成することが可能となる。
【０１０４】
また、テスト回路１５ｄは、上述のとおり表示部１１に隣接して配置され、さらに走査線駆動回路１３及びデータ線駆動回路１４と隣接せず離間し且つ走査線駆動回路１３及びデータ線駆動回路１４の各々と共に表示部１１を挟んで配置されていることが好ましい。テスト回路１５ｄを、表示部１１に隣接して配置し、さらに走査線駆動回路１３及びデータ線駆動回路１４と隣接せず離間し且つ走査線駆動回路１３及びデータ線駆動回路１４の各々と共に表示部１１を挟んで配置することで、テスト回路１５ｄを半導体チップ１６内に配置した場合であっても、走査線駆動回路１３及びデータ線駆動回路１４を表示部１１に隣接して配置することができるため、走査線駆動回路１３及びデータ線駆動回路１４の各々から表示部１１までの距離の増大を抑制することができる。
【０１０５】
また、図８に示すように、定電流源１５ｅは半導体チップ１６の外部に設けられている。定電流源１５ｅを半導体チップ１６の外部に設けることで、定電流源１５ｅの回路面積が半導体チップ１６によって制限されることがないので、電気光学装置１０ｂの発光輝度テストを行う場合に、定電流源１５ｅが半導体チップ１６の内部に形成されている場合に比べて、半導体チップ１６の面積の増大を抑制しつつもより大きな電流Ｉｇを発生させることができ、且つ定電流源１５ｅが発生させる電流Ｉｇを容易に調整できるため、発光輝度テストをより高精度に行うことができる。
【０１０６】
なお、本発明の第２の実施形態における電圧−電流特性テストでは、テストトランジスタＴｎの電流Ｉｇを測定し、これを利用して駆動トランジスタＴｍの電圧−電流特性を推定することとしているが、このようにして電圧−電流特性テストを行うことは、特に、電気光学装置１０ｂが上記のとおり半導体チップ１６を備えて形成されている場合に、より大きな効果を発揮する。この理由を以下に記載する。電圧−電流特性テストの対象となる駆動トランジスタＴｍは半導体チップ１６内にて発光素子ＯＬＥＤと接続されて形成されているが、電圧−電流特性テスト時に電流計を駆動トランジスタＴｍと発光素子ＯＬＥＤとの間のノードＮに接続して行おうとした場合には、駆動トランジスタＴｍと発光素子ＯＬＥＤとの間のノードＮに別の配線を接続しておき、該配線を半導体チップ１６が備える外部端子に接続し、該外部端子に電流計を接続する必要がある。しかしながら、駆動トランジスタＴｍと発光素子ＯＬＥＤとの間のノードＮに別の配線を接続してしまうと、通常発光動作の際に、該別の配線の寄生容量等がノードＮに影響を与えてしまい、結果として発光素子ＯＬＥＤの発光輝度特性に影響を与え、ひいては表示部１１から出力する画像を高精細にする場合の妨げとなってしまうおそれがある。このため、本発明の第２の実施形態における電圧−電流特性テストのように、テストトランジスタＴｎの電流Ｉｇを測定し、これを利用して駆動トランジスタＴｍの電圧−電流特性を推定するようにすることがより有効となってくる。なお、上記事項は、本発明の第２の実施形態における電圧降下テストについても同様である。
【０１０７】
また、図８に示すように、半導体チップ１６内においてテスト回路１５ｄとデータ線駆動回路１４との間に、補正回路ブロック１７が配置されていても良い。補正回路ブロック１７は、例えば、温度変化に応じて変動してしまう駆動トランジスタＴｍのトランジスタ特性に対する補正値を格納したメモリ１７ａと、電気光学装置１０ｂ内に入力された画像データに基づいて駆動トランジスタＴｍのゲート端子Ｇに印加される電圧を、温度情報とメモリ１７ａを参照して補正する補正回路１７ｂとを備えていても良い。なお、補正回路１７ｂから出力される電気光学装置１０ｂ内に入力された画像データに基づいて駆動トランジスタＴｍのゲート端子Ｇに印加される電圧の補正値は、例えばコントローラ１２に入力される。コントローラ１２は、該補正値に基づいて駆動トランジスタＴｍのゲート端子Ｇに印加する電圧であるデータ信号を決定しても良い。
【０１０８】
図９は、本発明にかかる電気光学装置１０ｂにおける半導体チップ１６が基板３０上に実装された状態を示す図である。
【０１０９】
半導体チップ１６は、基板３０に対して例えばワイヤボンディング方式により実装されている。半導体チップ１６は、基板３０と接した第１の主面と、第１の主面とは反対側にて表示部１１が形成された第２の主面１６ａとを有している。また、半導体チップの第２の主面１６ａには、半導体チップ１６が外部との信号の送受信を行うための電極パッド１６ｂが複数個形成されている。
【０１１０】
基板３０は、半導体チップ１６と接した第１の主面３０ａ、及び第１の主面３０ａとは反対側の図示しない第２の主面を備えている。第１の主面３０ａには図示しない所定の配線が形成されており、該配線は基板３０の第２の主面にまで延在していても良い。また、基板３０は、ワイヤ３０ｂを介して半導体チップ１６の電極パッド１６ｂに接続されており、基板３０と半導体チップ１６とはワイヤ３０ｂにより電気的な接続がなされている。
【０１１１】
なお、半導体チップ１６は、ＣＳＰ（chip size package）として形成されていてもよく、この場合には、第１の主面に設けられる外部端子により基板３０に対して実装されていても良い。
【０１１２】
図１０は、本発明にかかる電気光学装置１０ｂを搭載した電気光学モジュール４０を概略的に示した図である。
【０１１３】
電気光学モジュール４０は、図示しない半導体チップ１６と、基板３０と、筐体４０ａと、フレキシブルケーブル４０ｂとから構成されている。なお、半導体チップ１６は筐体４０ａに覆われているため、図示を省略する。
【０１１４】
筐体４０ａは、図１０に示されているように基板３０上に半導体チップ１６が実装された状態において、さらに半導体チップ１６を覆って基板３０上に実装されている。また、筐体４０ａは、半導体チップ１６の第２の主面１６ａ上において、表示部１１から発光される光を透過可能な透明板４０ａ１を備えており、透明板４０ａ１が第２の主面１６ａと平行になるように基板３０上に実装されている。
【０１１５】
フレキシブルケーブル４０ｂは、基板３０の第２の主面と接続されており、図示しない第２の主面から第１の主面３０ａに延在する配線、及びワイヤ３０ｂを介して半導体チップ１６と電気的に接続されており、電気光学装置１０ｂとしての半導体チップ１６は、これにより電気光学モジュール４０として外部装置と電気的に接続される。
【０１１６】
なお、図１０に示した電気光学モジュールは、図示しないヘッドマウントディスプレイや電子ビューファインダー等に搭載されていても良い。
【０１１７】
図１１は、本発明の第３の実施形態にかかる電気光学装置１０ｂにおける半導体チップ１６の断面図を示す図である。半導体チップ１６においては、半導体基板１６ｃ上に、表示部１１の画素回路１１ａと、テスト部１５のテスト部接続スイッチ１５ａのスイッチＳＷ１、テスト回路１５ｄと、発光素子ＯＬＥＤとが形成された構成となっている。なお、図８に半導体チップ１６の構成として示したコントローラ１２、走査線駆動回路１３、データ線駆動回路１４、及び補正回路ブロック１７については、説明及び作図の都合上図１１においてその構成を省略するが、これらについても半導体基板１６ｃ上に形成されている。
【０１１８】
半導体基板１６ｃは、Ｎ型の導電属性を備えた半導体基板であり、第１の主面１６ｄと、第１の主面と反対側の第２の主面１６ｅとを備えている。
【０１１９】
画素回路１１ａとテスト回路１５ｄは、半導体基板１６ｃの第２の主面１６ｅ上に形成されている。
【０１２０】
画素回路１１ａは、駆動トランジスタＴｍとスイッチＴｓとを備えて形成されている。駆動トランジスタＴｍのソース端子Ｓとしてのソース領域Ｔｍｓ及びドレイン端子Ｄとしてのドレイン領域Ｔｍｄは、半導体基板１６ｃの第２の主面１６ｅ内に互いに離間して形成されており、駆動トランジスタＴｍのゲート端子Ｇとしてのゲート電極Ｔｍｇは、第２の主面１６ｅ上であってソース領域Ｔｍｓとドレイン領域Ｔｍｄとの間上に形成されている。スイッチＴｓのソース端子Ｓとしてのソース領域ＳＷ１ｓ及びドレイン端子Ｄとしてのドレイン領域ＳＷ１ｄは、半導体基板１６ｃの第２の主面１６ｅ内に互いに離間して形成されており、スイッチＴｓのゲート端子Ｇとしてのゲート電極ＳＷ１ｇは、第２の主面１６ｅ上であってソース領域ＳＷ１ｓとドレイン領域ＳＷ１ｄとの間上に形成されている。
【０１２１】
また、駆動トランジスタＴｍのゲート電極ＴｍｇとスイッチＴｓのゲート電極ＳＷ１ｇとは、半導体基板１６ｃの第２の主面１６ｅ上にて駆動トランジスタＴｍとスイッチＴｓとを覆って絶縁膜と配線層が交互に設けられて形成された層間配線層１６ｆのうちの配線１６ｇにて電気的に接続されている。
【０１２２】
スイッチＳＷ１は、ソース端子Ｓとしてのソース領域ＳＷ２ｓ及びドレイン端子Ｄとしてのドレイン領域ＳＷ２ｄが半導体基板１６ｃの第２の主面１６ｅ内に互いに離間して形成されており、ゲート端子Ｇとしてのゲート電極ＳＷ２ｇが第２の主面１６ｅ上であってソース領域ＳＷ２ｓとドレイン領域ＳＷ２ｄとの間上に形成されている。
【０１２３】
テスト回路１５ｄは、テストトランジスタＴｎを備えて形成されている。テストトランジスタＴｎのソース端子Ｓとしてのソース領域Ｔｎｓ及びドレイン端子Ｄとしてのドレイン領域Ｔｎｄは、半導体基板１６ｃの第２の主面１６ｅ内にイオン注入によって互いに離間して形成されており、駆動トランジスタＴｍのゲート端子Ｇとしてのゲート電極Ｔｍｇは、第２の主面１６ｅ上であってソース領域Ｔｍｓとドレイン領域Ｔｍｄとの間上に形成されている。
【０１２４】
また、テストトランジスタＴｎのゲート電極Ｔｎｇ及びドレイン領域ＴｎｄとスイッチＳＷ１のドレイン領域ＳＷ２ｄとは、半導体基板１６ｃの第２の主面１６ｅ上にてテストトランジスタＴｎとスイッチＳＷ１とを覆って絶縁膜と配線層が交互に設けられて形成された層間配線層１６ｆのうち配線１６ｈにて電気的に接続されている。
【０１２５】
また、画素回路１１ａとスイッチＳＷ１とは、層間配線層１６ｆのうちの配線１６ｉにて接続されている。
【０１２６】
発光素子ＯＬＥＤは、第２の主面１６ｅ上であって層間配線層１６ｆ上に、下部電極１６ｊと、下部電極１６ｊを覆って形成された発光体１６ｋと、発光体１６ｋ上に形成された上部電極１６Ｌと、から構成されて、下部電極１６ｊは層間配線層１６ｆ内に形成された配線により駆動トランジスタＴｍのドレイン領域Ｔｍｄと接続されている。下部電極１６ｊ及び上部電極１６Ｌはアルミニウム（Ａｌ）にて構成されているが、これに限られず、一般的に半導体チップ内の配線の用いられる部材であれば種々適用可能であり、例えば、銅（Ｃｕ）、タングステン（Ｗ）等が適用可能である。発光体１６ｋは、有機部材にて構成されているが、電流供給を受けて自発的に発光可能であればこれに限られず種々適用可能である。
【０１２７】
なお、発光素子ＯＬＥＤは、駆動トランジスタＴｍのドレイン領域Ｔｍｄから電流が下部電極１６ｊに供給された場合に、発光する。
【０１２８】
保護膜１６ｍは、上部電極１６Ｌをはじめとする半導体チップ１６ｃの機能回路等への外部からの水分伝達等を防止する目的で、第２の主面１６ｅ上に形成された画素回路１１ａ、テスト回路１５ｄ、層間配線層１６ｆ、発光素子ＯＬＥＤを覆って形成されている。保護膜１６ｍは、例えば窒化シリコン（ＳｉＮ）から構成されているが、これに限られず、一般的に半導体チップにて保護膜として用いられる部材であれば種々適用可能であり、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ２）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）等が適用可能である。
【０１２９】
カラーフィルタ１６ｏは、光透過性の接着層１６ｎによって保護膜１６ｍに貼り付けられて形成されている。カラーフィルタ１６ｏは、発光体１６ｋ白色光を，赤、緑、又は青の色光として取り出すためのものであり、図示しない赤色フィルタ、緑色フィルタ、及び青色フィルタを備えている。赤色フィルタ、緑色フィルタ、及び青色フィルタは、顔料を混入した樹脂によりそれぞれ構成されており、顔料を選択することにより、目的とする赤、緑、或いは青の波長域における光透過率が高く、他の波長域における光透過率が低くなるように調整されている。なお、カラーフィルタ１６ｏと保護膜１６ｍとを接着している接着層１６ｎには、可視光硬化型樹脂、熱硬化型樹脂、２液硬化型樹脂、又はＵＶ遅延硬化樹脂が用いられているが、これに限られず、光透過性を有するものであれば種々適用可能である。
【０１３０】
保護膜１６ｐは、カラーフィルタ１６ｏを覆って形成されており、カラーフィルタ１６ｏに粉塵等が付着することを防止する役割を果たすものである。
【０１３１】
電極パッド１６ｂは、層間配線層１６ｆに用いられる部材と同じ部材にて構成され、層間配線層１６ｆの最上層にて、層間配線層１６ｆに形成された配線にてテストトランジスタＴｎのドレイン領域Ｔｎｄと電気的に接続されて形成されている。
【産業上の利用可能性】
【０１３２】
本発明にかかる電気光学装置は、製造コストの増加を抑制することができるので、産業上の利用可能性は極めて高い。
【符号の説明】
【０１３３】
１０、１０ａ、１０ｂ  電気光学装置
１１  表示部
１１ａ  画素回路
１２  コントローラ
１３  走査線駆動回路
１３ａ  走査線
１４  データ線駆動回路
１４ａ  データ線
１５  テスト部
１５ａ  テスト部接続スイッチ
１５ｂ  テスト制御部
１５ｃ  テスト電圧供給回路
１５ｄ  テスト回路
１５ｅ  定電流源
１６  半導体チップ
４０  電気光学モジュール
ＯＬＥＤ  発光素子
Ｔｍ  駆動トランジスタ
Ｔｎ、Ｔｎ´  テストトランジスタ
Ｔｓ  画素選択スイッチ
ＳＷ１  スイッチ
ＳＷ２  電源接続スイッチ
ＳＷ３  ゲートドレイン接続スイッチ
ＳＷ４  定電流源接続スイッチ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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