(57)【要約】      （修正有）【課題】プラズマＣＶＤ法を用いた堆積膜の形成過程において、円筒状基体及び補助基体の表面近傍の高周波電力の分布が変化を抑制することで電子写真感光体の膜厚、膜質ムラが発生を抑制し、出力画像の濃度ムラが発生することを抑制する方法の提供。【解決手段】基体ホルダー１００４に設置された円筒状基体１００１及び補助基体１００２、１００３に対向して配置された電極に高周波電力を印加して円筒状基体１００１及び補助基体１００２、１００３と電極との間にプラズマを生起し、円筒状基体１００１の上に堆積膜を形成する堆積膜形成装置において、補助基体１００２、１００３と円筒状基体１００１との対向個所、又は円筒状基体１００１同士の対向個所のうちの任意の対向個所に隙間を有する堆積膜形成装置。【選択図】図１
2016138294.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体ホルダーに設置された円筒状基体及び補助基体に対向して配置された電極に高周波電力を印加して前記円筒状基体及び前記補助基体と前記電極との間にプラズマを生起し、前記円筒状基体の上に堆積膜を形成する堆積膜形成装置において、
前記補助基体と前記円筒状基体との対向個所、又は前記円筒状基体同士の対向個所のうちの任意の対向個所に隙間を有することを特徴とする堆積膜形成装置。
【請求項２】
前記隙間は、前記円筒状基体に堆積した堆積膜の最大膜厚の２倍以上の幅を持つ請求項１に記載の堆積膜形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマＣＶＤ法を用いた堆積膜形成装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、アモルファスシリコン（以下、「ａ−Ｓｉ」とも称す）系の電子写真感光体は、円筒状などの基体の表面に、光導電層や表面層などを堆積膜として形成することにより製造されている。堆積膜の形成方法としては、ＲＦ帯の高周波を用いたグロー放電により原料ガスを分解し、その分解生成物を、基体に被着させる方法（ＲＦプラズマＣＶＤ法）が広く採用されている。
【０００３】
近年、電子写真装置は、従来にも増して高画質化が追求されるようになってきており、これに応えるためにａ−Ｓｉ電子写真感光体もさらなる特性の向上が求められている。ａ−Ｓｉ電子写真感光体の特性向上には膜厚、膜質の均一性が必要となる。膜厚、膜質の均一性が悪くなると、帯電特性や感度特性のムラが発生し、出力画像の濃度ムラを引き起こす。
特許文献１では膜を形成する基板の温度を均一にすることで、膜厚を均一にする技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−２５５３８３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
昨今、電子写真装置を取り巻く環境は大きく変化し、特にＰＯＤ分野においては印刷装置と同等の画像品質が求められるようになってきている。こうした状況において、電子写真感光体には若干の改善余地が残されている。たとえば、前述の帯電特性や感度特性のムラについても、従来の技術のように基板の温度を均一にするだけでは、不十分な場合があることもわかってきた。
【０００６】
本発明者らは、帯電特性や感度特性のムラについて、さらに向上させるべく、子細な検討を行った結果、ムラが生じる原因について、新たな知見を見出した。
以下に図面を用いてその詳細を説明する。
【０００７】
図２は電子写真感光体（ａ−Ｓｉ感光体）を作製するためのＲＦプラズマＣＶＤ法による堆積膜形成装置の構成の一例を示す図（概略断面図）である。
図２の装置では高周波電力は高周波電源２１２１より給電位置２１２６からカソード電極２１１１に伝搬される。円筒状基体２１１２、補助基体２１１４，２１１３、基体ホルダー２１２３は導通接続されており、受け台２１２５を介してアースに接続されており、カソード電極２１１１に対して対向電極を形成し、プラズマ放電を発生させる。高周波電力による放電の場合、円筒状基体２１１２と補助基体２１１３、２１１４、および基体ホルダー２１２３は必ずしも一様にアース電位ではなく、実際にはそれぞれの表面近傍に高周波電力が伝搬しつつ対向電極として作用することが知られている。
【０００８】
ところで、円筒状基体２１１２と補助基体２１１３、２１１４との対向個所は機械的、電気的にも接続されているが、均一な接触面を形成しているのではなく、微細にみると接触面と微小な隙間が混在する状態となっている。このため直流に対しては導通が得られているが、高周波電力に対してはインピーダンスの不連続面を形成している場合が多い。
なお、本発明で対向個所とは、円筒状基体２１１２同士、又は補助基体２１１３、２１１４を設置した際に、円筒状基体２１１２又は補助基体２１１３、２１１４の端面、すなわち円形の断面部分が互いに面して配置されている個所を指すものとする。
【０００９】
図８は円筒状基体２１１２と補助基体２１１３、２１１４との対向個所に隙間を設けない従来の堆積膜形成装置における高周波電力の伝搬形態を模式的に示した図である。
図８（ａ）は堆積膜の形成前、又は堆積膜の形成過程の初期における高周波電力の伝搬形態を模式的に示している。円筒状基体２１１２と補助基体２１１３は対向個所８００３で接触している。高周波電力は図中の点線矢印に示したように、円筒状基体２１１２と補助基体２１１３の表面近傍を伝搬する。
【００１０】
この際、対向個所８００３がインピーダンスの不連続面として作用するため、電力分布はインピーダンスの不連続面に影響を受けたものとなる。
この状況は堆積膜の形成初期においては安定しており、円筒状基体２１１２と補助基体２１１３、２１１４との対向個所のインピーダンスの不連続面に影響を受けつつ堆積膜の形成が行われる。
【００１１】
次に、堆積膜の形成が進行した場合を考える。この状態では、円筒状基体２１１２と補助基体２１１３の表面の堆積膜が厚くなり、やがて円筒状基体２１１２と補助基体２１１３、２１１４との対向個所８００３を埋め尽くし、対向個所８００３をまたいだ連続した堆積膜に成長する。この状態を図８（ｂ）に模式的に示す。
図８（ｂ）では図中の点線矢印で示したごとく高周波電力は堆積膜８００４の表面近傍を伝搬するが、堆積膜８００４は対向個所８００３をまたいだ連続した膜として堆積する。
【００１２】
高周波電力は表皮効果により堆積膜８００４の表面からある深さの範囲を伝搬するため、高周波電力の伝搬に対し対向個所８００３の影響は徐々に小さくなり、最後にはインピーダンスの不連続面は消失する。その結果前述の堆積膜の形成過程の初期の電力分布と異なる電力分布を生じることになる。
【００１３】
このような作用によって、堆積膜の形成過程では、円筒状基体２１１３近傍に生じる高周波電力の分布が次第に変化する。その結果、堆積膜の形成速度が堆積膜の形成過程の初期と後期とで一定にならず、この現象が膜厚や膜質のムラの原因となっていることが分かった。
一般的には、円筒状基体２１１２と補助基体２１１３、２１１４との対向個所のインピーダンスの不連続面は、電気的な導電性が十分に確保されているため、高周波電力の反射面としてそれほど大きいものではない。したがって、前述のような現象によって生じる膜厚や膜質のムラも軽微なものであって、堆積膜の所望の特性に対して十分な均一性が得られるよう、装置設計や堆積膜形成条件を設定することが可能であった。
【００１４】
しかしながら、より高度な均一性が求められる昨今の状況においては、このような軽微なムラについても対策が必要となっている。その観点では、装置設計や堆積膜形成条件のさらなる最適化が望まれるが、堆積膜の形成過程の初期と後期とで最適な条件を両立させることは必ずしも容易ではない。
そこで、本発明は、堆積膜の形成過程の途中でインピーダンスの不連続面が消失せず、その結果、堆積膜の形成過程の初期と後期とで最適な堆積膜形成条件を両立させることができる堆積膜形成装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明によれば、基体ホルダーに設置された円筒状基体及び補助基体に対向して配置された電極に高周波電力を印加して前記円筒状基体及び前記補助基体と前記電極との間にプラズマを生起し、前記円筒状基体の上に堆積膜を形成する堆積膜形成装置において、
前記円筒状基体と前記補助基体との対向個所、又は前記円筒状の基体同士の対向個所のうちの任意の個所において、隙間を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、円筒状基体端部と補助基体端部の対向個所に隙間を設けることで、上記対向個所に、連続した堆積膜が形成されることを抑制できる。その結果前述のようなインピーダンスの不連続面の消失に伴う高周波電力の分布の変化を抑制し、膜厚、膜質ムラを低減できる堆積膜の形成が可能となる堆積膜装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の堆積膜形成装置に用いられる基体ユニットの一例を示す図（概略断面図）である。
【図２】本発明の堆積膜形成装置一の例を示す図（概略断面図）である。
【図３】電子写真感光体の層構成の一例を示す図（概略断面図）である。
【図４】本発明の堆積膜形成装置に用いられる基体ユニットの一例を示す図（概略断面図）である。
【図５】本発明の堆積膜形成装置に用いられる基体ユニットの一例を示す図（概略断面図）である。
【図６】従来の堆積膜形成装置に用いられる基体ユニットの一例を示す図（概略断面図）である。
【図７】本発明の堆積膜形成装置における高周波電力の伝搬形態を示す図である。
【図８】従来の堆積膜形成装置における高周波電力の伝搬形態を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明の実施形態およびその効果について、図面を用いて説明する。
図１は、本発明の堆積膜形成装置の円筒状基体ユニットの一例を示す図である。
円筒状基体ユニットは円筒状基体１００１、補助基体１００２、１００３、基体ホルダー１００４によって構成される。
【００１９】
円筒状基体１００１と補助基体１００２、１００３を配置する際、円筒状基体１００１及び補助基体１００２、１００３の内面にインロー部を形成し、リング状部材１００５をインロー部に嵌合することで連結する方法がある。又は図４に示される補助基体１００２、１００３のように端部を凸型形状にし、円筒状基体のインロー部に嵌合する構成もとれる。強度の観点からリング状部材を用いて円筒状基体と補助基体を連結する方法がより好ましい。
【００２０】
リング状部材を用いた場合に円筒状基体と補助基体との対向個所に隙間を作るには、リング状部材の幅が円筒状基体インロー部の深さと、補助基体インロー部の深さを足した値より大きくなればよい。補助基体の凸部と円筒状基体のインロー部を嵌合する構成の場合には、補助基体の凸部の長さが、円筒状基体のインロー部の深さより長ければ隙間を作ることが可能となる。
【００２１】
図７に、本発明で円筒状基体１００１と補助基体１００２、１００３との対向個所に隙間を形成した場合の高周波電力の伝搬形態を模式的に示す。図７は堆積膜の形成過程の後期に、円筒状基体１００１と補助基体１００２、１００３上に堆積膜７００４が堆積した状態を示している。円筒状基体１００１と補助基体１００３にはそれぞれインロー部が形成され、リング状部材１００５を勘合することで円筒状基体１００１と補助基体１００３との対向個所に隙間を形成している。
【００２２】
この状態では、堆積膜７００４の堆積が進行しても、基体１００１と補助基体１００３との対向個所に隙間が形成されているため、円筒状基体１００１と補助基体１００３をまたぐ連続した堆積膜が形成されない。その結果、高周波電力の伝搬は円筒状基体１００１からリング状部材１００５を経て補助基体１００３に至る経路に固定され、この部分に形成されるインピーダンスの不連続面は堆積膜の形成中に消失することはほとんどないと考えられる。
その結果、堆積膜形成過程の初期と後期とで高周波電力の分布の変化が抑制され、堆積速度の変化を抑制することができる。
【００２３】
なお、実際にはインピーダンスの不連続面は円筒状基体１００１とリング状部材１００５の接触部など複数個所で発生すると思われるが、これらは堆積膜形成中には変化しないため、図７では便宜上単一面として扱っている。
なお、図７の形態であっても、高周波電力の導電形態は、堆積膜の形成初期は円筒状基体１００１の表面近傍であり、形成初期後期は堆積膜７００４の表面近傍に移行するという変化を起こす。
【００２４】
しかしこの変化は、インピーダンスの不連続面の消失による影響に比べ極めて軽微である。したがって堆積膜そのものの影響は実際にはほとんど考慮する必要がなく、後述の実施例で検証したごとく、円筒状基体１００１と補助基体１００３の間の隙間のみを考量すれば十分な効果を得ることができた。
これは、円筒状基体１００１と堆積膜７００４の差が、電気抵抗成分がほとんどであることに対し、インピーダンスの不連続面は電力の反射面として作用するため、その変化が電力分布に与える影響が大きいためと推測される。
【００２５】
円筒状基体と補助基体の隙間の幅をａ、堆積膜の電子写真感光体の最大膜厚をｄとするとａ／ｄ≧２の関係を満足することが好ましい。堆積膜の形成は、図７のごとく隙間部分に若干回り込むようにして進行する場合が多い。本発明では隙間が堆積膜の２倍以上にすることで、堆積膜の回り込みが発生しても、隙間が堆積膜でうまる確率がほとんどなくなり円筒状基体と補助基体をまたいで連続した堆積膜が形成されることを抑制できる。
円筒状基体を１本又は複数本使用する構成をとることもできる。円筒状基体を複数本使用する場合、図５に例示するように円筒状基体を、軸方向に並べて配置することができる。また、複数の円筒状基体の間に補助基体を配置しても差し支えない。
【００２６】
本発明では、円筒状基体と補助基体との対向個所のうち任意の位置に隙間を設ける。前述した堆積膜形成過程の初期と後期の高周波電力の分布の変化は、堆積膜形成装置の形態あるいは堆積膜形成条件で必ずしも一様ではない。したがって、本発明では、所望の堆積膜の特性に合わせ、円筒状基体と補助基体の間のうち任意の１か所に一つ隙間を設けるだけでも効果を得ることができるし、複数個所に隙間を設けても差し支えない。
【００２７】
たとえば、図２に示した堆積膜形成装置の形態では、高周波電力は高周波電源２１２１より給電位置２１２６に供給される。さらに給電位置２１２６からカソード電極２１１１の外側を伝搬し、カソード電極２１１１の上下を回り込んで、カソード電極２１１１の内側に伝搬される。カソード２１１１の内側では、高周波電力はプラズマの形成、維持に消費されるため、カソード電極２１１１の上端および下端で高周波電力が強くなる傾向が表れやすい。
【００２８】
このような形態の堆積膜形成装置においては、カソード電極２１１１の上下端付近に円筒状基体２１１２と補助基体２１１３、２１１４との対向個所が配置されると、インピーダンスの消失に伴う電力分布の変化の影響が強くなりやすい傾向にある。したがってこうした場合は、円筒状基体２１１２と補助基体２１１３、２１１４との対向個所それぞれに隙間を形成することが好ましい。
このように、一般的には円筒状基体２１１２を補助基体２１１３、２１１４で挟むように配置し、それぞれの対向個所に隙間を形成し、堆積膜形成装置に対して対称的に隙間を配置することがのぞましい。
【００２９】
上記円筒状基体、補助基体、基体ホルダーの材質としては、例えば、アルミニウム、ステンレス、銅、ニッケル、コバルト、鉄、クロム、モリブデン、チタンやこれらの合金を用いることができる。中でも加工性や製造コストを考慮するとアルミニウムが優れており、Ａｌ−Ｍｇ系合金、Ａｌ−Ｍｎ系合金のいずれかに統一して用いることが好ましい。
【００３０】
次に図２を用いて本発明の堆積膜形成装置を用いた電子写真感光体作製方法に一例ついて説明する。
図２に示す装置は、大別すると、反応容器２１１０を有する堆積装置２１００、原料ガス供給装置２２００、および、反応容器２１１０内を減圧するための排気装置（不図示）から構成されている。
【００３１】
堆積装置２１００中の反応容器２１１０内には、アースに接続された基体ホルダー２１２３、基体２１１２、補助基体２１１３，２１１４、基体加熱用ヒーター２１１３、および、原料ガス導入管２１２４が設置されている。カソード電極２１１１には、高周波マッチングボックス２１１６を介して高周波電源２１２１が接続されている。
【００３２】
原料ガス供給装置２２００は、主として、シラン（ＳｉＨ４）、水素（Ｈ２）、メタン（ＣＨ４）、一酸化窒素（ＮＯ）、ジボラン（Ｂ２Ｈ６）などの原料ガスのボンベ２２２１〜２２２５、バルブ２２３１〜２２３５、圧力調整器２２６１〜２２６５、流入バルブ２２４１〜２２４５、流出バルブ２２５１〜２２５５、および、マスフローコントローラー２２１１〜２２１５から構成されている。各原料ガスを封入したボンベは、補助バルブ２２６０を介して反応容器２１１０内の原料ガス導入管２１２４に接続されている。２１１７はガス配管である。
【００３３】
次に、この堆積膜形成装置を使った堆積膜の形成方法について説明する。
まず、あらかじめ脱脂洗浄した円筒状基体２１１２を補助基体２１１３，２１１４と共に基体ホルダー２１２３にリング状部材２１１５を介して設置後、反応容器２１１０内の受け台２１２５に設置する。次に、排気装置（不図示）を運転し、反応容器２１１０内を排気する。真空計２１２０の表示を見ながら、反応容器２１１０内の圧力が所定の圧力（例えば１Ｐａ以下）になったところで、基体加熱用ヒーター２１１３に電力を供給し、基体２１１２を所定の温度（例えば５０〜３５０℃）に加熱する。このとき、ガス供給装置２２００より、アルゴン（Ａｒ）、ヘリウム（Ｈｅ）などの不活性ガスを反応容器２１１０に供給して、不活性ガス雰囲気中で加熱を行うこともできる。
【００３４】
次に、ガス供給装置２２００より堆積膜形成に用いる原料ガスを反応容器２１１０に供給する。すなわち、必要に応じて、バルブ２２３１〜２２３５、流入バルブ２２４１〜２２４５、流出バルブ２２５１〜２２５５を開き、マスフローコントローラー２２１１〜２２１５に流量設定を行う。各マスフローコントローラーの流量が安定したところで、真空計２１２０の表示を見ながらメインバルブ２１１９を操作し、反応容器２１１０内の圧力が所定の圧力になるように調整する。所定の圧力が得られたところで高周波電源２１２１より高周波電力を印加するとともに高周波マッチングボックス２１１６を操作し、反応容器２１１０内にプラズマ放電を生起する。その後、速やかに高周波電力を所定の電力に調整し、堆積膜の形成を行う。２１２２は絶縁材料である。
【００３５】
所定の堆積膜の形成が終わったところで、高周波電力の印加を停止し、バルブ２２３１〜２２３５、流入バルブ２２４１〜２２４５、流出バルブ２２５１〜２２５５、および、補助バルブ２２６０を閉じ、原料ガスの供給を終える。それとともに、メインバルブ２１１９を全開にし、反応容器２１１０内を所定の圧力（例えば１Ｐａ以下）まで排気する。
以上で、堆積膜の形成を終えるが、複数の堆積膜を形成する場合、上記の手順を繰り返してそれぞれの堆積膜を形成すればよい。原料ガスの流量や圧力などを一定の時間で変化させて、堆積膜間の接合領域の形成を行うこともできる。
すべての堆積膜の形成が終わった後、メインバルブ２１１９を閉じ、リークバルブ２１１８を開いて、反応容器２１１０内に不活性ガスを導入し、大気圧に戻した後、表面に堆積膜が形成された基体２１１２を取り出す。
【００３６】
図３は、無機感光体の１種であるアモルファスシリコン感光体（ａ−Ｓｉ感光体）の層構成の一例を示す図である。
図３中、導電性の基体３００１の上には、下部電荷注入阻止層３００２、光導電層３００３、上部電荷注入阻止層３００４、表面層３００５がこの順に積層されている。下部電荷注入阻止層３００２は、基体３００１から光導電層３００３への電荷の注入を阻止する役割を担う層である。光導電層３００３は、電荷を発生させ、表面層３００５に輸送する役割を担う層である。上部電荷注入阻止層３００４は表面層３００５から光導電層への電荷の注入を阻止する役割を担う層である。表面層３００５は上部電荷注入阻止層３００４、光導電層３００３および下部電荷注入阻止層３００２を保護する役割を担う層である。
【実施例】
【００３７】
以下、実施例および比較例により本発明を詳細に説明する。
〔実施例１〕
電子写真感光体用の導電性の円筒状基体として、外径８４ｍｍ、長さ３６１ｍｍ、肉厚３ｍｍの鏡面加工したアルミニウム製の管材を使用した。補助基体の材料もアルミニウムを用いた。円筒状基体、補助基体それぞれの内面に幅１ｍｍ、深さ５ｍｍのインロー加工を施した。基体と補助基体の連結にはＳＵＳのリング状部材を用いた。円筒状基体と補助基体との対向個所の隙間が０．０５ｍｍになる様にリング状部材を設置した。
基体ホルダーに円筒状基体、補助基体、リング状部材を図１のように設置し、図２に示す堆積膜形成装置に搬入し、表１に示す条件で図３に示す層構成の電子写真感光体を作製した。光導電層の成膜時間を変化させ、膜厚の異なる３種類の電子写真感光体を作製した。
【００３８】
【表１】
2016138294.tif 000003
【００３９】
〔実施例２〕
実施例２では円筒状基体と補助基体との対向個所の隙間が０．０７ｍｍ、０．０８ｍｍ、０．０９ｍｍ、０．１１ｍｍになる様にリング状部を設置した。それ以外は実施例１と同様に基体ホルダーに設置し、電子写真感光体を４本作製した。リング状部材は同一の幅のものを上下に用いた。
【００４０】
〔実施例３〕
実施例３では円筒状基体と補助基体を図４に示す構成のように基体ホルダーに設置した。
図４の補助基体は円筒状基体のインロー部と嵌合する凸部を有する。円筒状基体と補助基体との対向個所の隙間が０．１１ｍｍとなる様に補助基体を設置した。それ以外は実施例１と同様の条件で電子写真感光体を作製し、評価した。
【００４１】
〔比較例１〕
比較例１では図６（ａ）に示すように、円筒状基体と補助基体との対向個所が接触するように（隙間０ｍｍ）リング状部材を設置した。それ以外は実施例１と同様の条件で電子写真感光を作製し評価した。
【００４２】
（実施例１〜３と比較例１の評価）
作製した感光体の評価として、膜厚測定、単位膜厚あたりの帯電特性評価を行った。
膜厚と帯電特性の評価後画像を出力し濃度ムラを評価した。
（膜厚ムラ測定）
渦電流式膜厚計（（株）フィッシャーインストルメンツ製  ＦＩＳＣＨＥＲＳＣＯＰＥ  ＭＭＳ）を用い、電子写真感光体の膜厚を、長手方向で１７点、周方向９０°刻みで４点、合計６８点を測定した。長手方向の測定点は、電子写真感光体の長手方向の中央部を基準として、０ｍｍ（中央部）、±２０ｍｍ、±４０ｍｍ、±６０ｍｍ、±８０ｍｍ、±１００ｍｍ、±１２０ｍｍ、±１４０ｍｍ、±１６０ｍｍの合計１７点である。
【００４３】
１７点各位置について周方向４点の測定値を平均化し、各点の膜厚とした。こうして算出した１７点の測定値の最も膜厚の厚いところの値を最も膜厚の薄いところの値で割った値を膜厚ムラとした。比較例１の膜厚ムラを１００とした時の相対値で実施例１〜３を比較した。相対値の数字が小さいほど良いことを意味し、相対値の数字が９５以下である場合に、本発明の効果が得られていると判断した。結果を表２に示す。
【００４４】
（帯電ムラの評価）
ａ−Ｓｉ電子写真感光体の帯電ムラの評価には、複写機（キヤノン（株）製複写機ｉＲＣ６８８０Ｎ）を表面電位測定用に改造したものを用いた。表面電位を測定する際には、現像器を取り外し、現像器の代わりにａ−Ｓｉ電子写真感光体の軸方向の所定の位置の表面電位を測定できる電位プローブ（ＴＲＥＫ社製Ｍｏｄｅｌ３４４）を装着した。
【００４５】
プロセススピードを２６５ｍｍ／ｓｅｃ、前露光（波長６６０ｎｍのＬＥＤ）の光量を４ｌｘ・ｓとし、主帯電器の電流値を１０００μＡの条件にして電子写真感光体を帯電した。
このとき、表面電位計により電子写真感光体の暗部表面電位を測定する。長手方向で１７点、周方向９０°刻みで４点、合計６８点を測定した。長手方向の測定点は、電子写真感光体の長手方向の中央部を基準として、０ｍｍ（中央部）、±２０ｍｍ、±４０ｍｍ、±６０ｍｍ、±８０ｍｍ、±１００ｍｍ、±１２０ｍｍ、±１４０ｍｍ、±１６０ｍｍの合計１７点である。
【００４６】
１７点各位置について周方向４点の測定値を平均化し、各点の帯電能とした。先に測定した長手方向同位置の平均膜厚で帯電能を割ることで、単位膜厚当たりの帯電能を算出した。単位膜厚当たりの帯電能が最も高いところと最も単位膜厚当たりの帯電能が低いところの値で割った値を帯電能ムラとした。比較例１の帯電能ムラを１００とした時の相対値で実施例１〜３と比較例１を比較した。相対値の数字が小さいほど良いことを意味し、相対値の数字が９５以下である場合に、本発明の効果が得られていると判断した。結果を表２に示す。
【００４７】
〔出力画像の濃度ムラの評価方法〕
キヤノン（株）製の複写機ｉＲ−Ａｄｖａｎｃｅ８０７５の改造機に電子写真感光体を設置し、テキストモードを用いて画像比率５０％のハーフトーン画像をＡ３用紙に３枚出力した。出力画像上の、電子写真感光体の膜厚を測定した位置に対応する箇所において、反射濃度計（Ｘ−ＲｉｔｅＩｎｃ製、商品名：５０４分光濃度計）により濃度を測定した。各測定箇所で画像濃度の平均値を求めた。
そして、最も画像濃度が高い値と最も低い値との差を、出力画像の濃度ムラとした。比較例１の画像濃度ムラの値を１００としたときの相対値で実施例１〜３を比較した。相対値の数字が小さいほど良いことを意味し、相対値の数字が９５以下である場合に、本発明の効果が得られていると判断した。結果を表２に示す。
【００４８】
【表２】
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【００４９】
表２より、実施例１〜３は、比較例１と比べて、電子写真感光体の膜厚ムラ、帯電能ムラ、が抑制され、出力画像の濃度ムラが抑制されていることがわかる。表２中のａ／ｄは円筒状基体の隙間の幅ａを電子写真感光体の最大膜厚ｄで割った値である。
実施例１では、ａが一定値であるから、ａ／ｄが大きいほど、ｄが小さい、つまり最大膜厚が薄いことを意味し、ａ／ｄが大きいほど結果がよいことがわかる。
【００５０】
つまり膜厚が厚くなるに従って、堆積速度変動が大きくなっていることがわかる。これはある程度の膜厚までは円筒状基体上に堆積した膜と、補助基体上に堆積した膜が隙間を挟んで接合していない状態であるが、膜厚が厚くなるに従って接合する箇所ができていると考えられる。その影響でインピーダンスの不連続面に変化が生じ堆積速度の変化を引き起こしていると考えられる。
【００５１】
実施例２ではａ／ｄが大きいほど隙間が大きいことを意味し、実施例１と同様にａ／ｄが大きいほど結果がよいことがわかる。またａ／ｄが２以上であると優れた結果であることがわかる。また２以上であれば結果にさほど差がないこともわかる。これは隙間の幅が膜厚の倍以上あれば、円筒状基体上に堆積した膜と補助基体上に堆積した膜が隙間を挟んで接合することがほとんどないため、インピーダンスの不連続面が変化せず、堆積速度変動を抑制できていると考えられる。
実施例３は補助基体の凸部を円筒状基体のインロー部に嵌合することで隙間をつくる構成であるが、実施例１のようなリング状部材を用いて隙間をつくる構成と同様に本発明の効果が得られた。
【００５２】
〔実施例４〕
実施例４では図５（ａ）に示す構成で円筒状基体と補助基体を基体ホルダーに設置した。円筒状基体を２本連続し、補助基体で挟み込むよう設置した。円筒状基体と補助基体との対向個所の隙間５１及び隙間５２がいずれも０．１１ｍｍとなるようにリング状部材を設置した。２本の円筒状基体が接触するように（隙間０ｍｍ）リング状部材を設置した。それ以外は実施例１と同様の条件で電子写真感光体を作製し、評価を行った。作製した２本の電子写真感光体を別々に評価した。結果を表３に示す。
【００５３】
〔実施例５〕
実施例５では図５（ｂ）に示す構成で円筒状基体と補助基体を基体ホルダーに設置した。
実施例４と同様に円筒状基体を２本連続して補助基体で挟みこむように基体ホルダーに設置した。上部の円筒状基体と補助基体との対向個所の隙間５３が０．１１ｍｍになるようにリング状部材を設置した。下部の円筒状基体と補助基体との対向個所は接触するように（隙間０ｍｍ）リング状部材を設置した。また２本の円筒状基体の対向個所が接触するように（隙間０ｍｍ）リング状部材を設置した。それ以外は実施例１と同様の条件で電子写真感光体を作製し、評価を行った。作製した２本のうち基体ホルダー上部に配置した電子写真感光体について評価を行った。結果を表３に示す。
【００５４】
〔実施例６〕
実施例６では図５（ｃ）に示す構成で円筒状基体と補助基体を基体ホルダーに設置した。
実施例４、５と同様に円筒状基体を２本連続して補助基体で挟みこむように基体ホルダーに設置した。実施例５とは逆に、上部の円筒状基体と補助基体が接触するように（隙間０ｍｍ）リング状部材を設置し、下部の円筒状基体と補助基体との対向個所の隙間５４が０．１１ｍｍになる様にリング状部材設置した。２本の円筒状基体の対向個所が接触するように（隙間０ｍｍ）リング状部材を設置した。それ以外は実施例１と同様の条件で電子写真感光体を作製し、評価した。作製した２本のうち基体ホルダー下部に配置した電子写真感光体について評価を行った。結果を表３に示す。
【００５５】
〔比較例２〕
比較例２では図６（ｂ）に示すような構成にした。実施例４〜６と同様に円筒状基体を２本連続して補助基体で挟みこむように基体ホルダーに設置した。上部、下部共に円筒状基体と補助基体との対向個所が接触するように（隙間０ｍｍ）リング状部材を設置した。また２本の円筒状基体の対向個所が接触するように（隙間０ｍｍ）リング状部材を設置した。それ以外は実施例１と同様の条件で電子写真感光体を作製、評価を行った。作製した２本の電子写真感光体を別々に評価した。結果を表３に示す。
【００５６】
【表３】
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【００５７】
表３より、実施例４〜６は、比較例２と比べて、電子写真感光体の膜厚ムラ、帯電能ムラが抑制され、出力画像の濃度ムラが抑制されていることがわかる。表３中の電子写真感光体の位置は、基体ホルダー上に設置された２本の電子写真感光体のうち上下どちらの電子写真感光体を測定したかを表す。
実施例４では円筒状基体を基体ホルダーに２本連続して並べた構成であるが、円筒状基体が１本の時と同様に本発明の効果が得られていることがわかる。
実施例５，６より円筒基体と補助基体の上下どちらか片方の隙間をあける構成でも、隙間をあけた側の電子写真感光体では本発明の効果が得られることがわかる。
従って、円筒状基体が一本であり、形成条件によって基体の上下で堆積度変動が異なる場合、より変動の大きい方だけ隙間を形成するだけでも効果を得ることができる。
【００５８】
以上の実施例は図２に示した装置を用いて本発明の効果を検証した。この形態の装置では前述のごとく、カソード電極２１１１の上下端で高周波電力が強くなる傾向があるため、図５（ａ）に示したように円筒状基体１００１と補助基体１００２、１００３の対向個所に隙間を設けることで効果を得ることができた。装置の形態によって、カソード電極２１１１の中央部付近で高周波電力が強くなるような場合には、円筒状基体１００１同士の対向個所に隙間を設けることによって、上記実施例と同様に効果を得ることができる。
【符号の説明】
【００５９】
１００１  円筒状基体
１００２、１００３  補助基体
１００４  基体ホルダー
１００５  リング状部材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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