(57)【要約】【課題】気泡の入り込みを防止することで良好な密着性を得ることが可能な表示装置および表示装置の製造方法を提供する。【解決手段】本発明の表示装置は、画素電極が形成された画素回路を含む回路基板と、画素電極との間で電圧を印加可能な対向電極を含む表示シートとが接着層を介して貼り合わされた表示装置において、回路基板は、接着層による貼り合せ面が凹部および凸部を含む凹凸構造を有しており、凹凸構造は、凸部の上面が平坦面となっていることを特徴とする。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素電極が形成された画素回路を含む回路基板と、前記画素電極との間で電圧を印加可能な対向電極を含む表示シートとが接着層を介して貼り合わされた表示装置において、
前記回路基板は、前記接着層による貼り合せ面が凹部および凸部を含む凹凸構造を有しており、
前記凹凸構造は、前記凸部の上面が平坦面となっていることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記平坦面は、平面の面積が２０μｍ２以上である
ことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記凹凸構造は、前記凹部に対する前記凸部の高さが１．０μｍ以上である
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記表示シートが電気泳動シートである
ことを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の表示装置。
【請求項５】
画素電極が形成された画素回路を含む回路基板と、前記画素電極との間で電圧を印加可能な対向電極を含む表示シートとが接着層を介して貼り合わされた表示装置の製造方法において、
前記回路基板の形成工程において、前記接着層による貼り合せ面に、上面が平坦面の凸部と凹部とを含む凹凸構造を形成することを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項６】
前記平坦面の平面の面積が２０μｍ２以上となるように前記凹凸構造を形成することを特徴とする請求項５に記載の表示装置の製造方法。
【請求項７】
前記凹部に対する前記凸部の高さが１．０μｍ以上となるように前記凹凸構造を形成することを特徴とする請求項５又は６に記載の表示装置の製造方法。
【請求項８】
前記表示シートとして電気泳動シートを用いることを特徴とする請求項５〜７のいずれか一項に記載の表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置および表示装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、表示装置として、スイッチング素子等からなる回路上に画素電極が形成された回路基板と、電気泳動層とを接着層を介して貼り合せた電気泳動表示装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。このような電気泳動表示装置を製造する場合、一般的に、シート状の電気泳動シート（表示シート）が回路基板に接着剤で貼り付けられることで形成される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００９−２３００６１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上述のような電気泳動表示装置においては、接着層を介して電気泳動シートを貼り合せる際、回路基板の上面が平坦面であるため、回路基板と接着層との間に気泡が入り込んでしまい、電気泳動シートの密着性が低下するといった問題があった。
【０００５】
本発明の一つの態様は、上記の課題を解決するためになされたものであって、気泡の入り込みを防止することで良好な密着性を得ることが可能な表示装置および表示装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の第１態様に従えば、画素電極が形成された画素回路を含む回路基板と、前記画素電極との間で電圧を印加可能な対向電極を含む表示シートとが接着層を介して貼り合わされた表示装置において、前記回路基板は、前記接着層による貼り合せ面が凹部および凸部を含む凹凸構造を有しており、前記凹凸構造は、前記凸部の上面が平坦面となっている表示装置が提供される。
【０００７】
第１態様に係る表示装置によれば、回路基板に対して表示シートを貼り合せる際に生じた気泡が凹凸構造の凹部に沿って外部に排出される。よって、接着層内への気泡の入り込みが防止されるので、気泡の入り込みに起因した密着性の低下が防止される。
また、凸部の上面が平坦面となっているため、接着層および凹凸構造における密着性がより向上し、接着層を介して表示シートが回路基板に良好に貼り合わされたものとなる。
【０００８】
上記第１態様において、前記平坦面は、平面の面積が２０μｍ２以上である構成としてもよい。
この構成によれば、平坦面の面積が十分に確保されるので、接着層および凹凸構造における密着性を向上することができる。
【０００９】
上記第１態様において、前記凹凸構造は、前記凹部に対する前記凸部の高さが１．０μｍ以上である構成としてもよい。
この構成によれば、凹部の深さが十分に確保されるので、気泡を凹部に沿って外部に確実に排出させることができる。
【００１０】
上記第１態様において、前記表示シートが電気泳動シートである構成としてもよい。
この構成によれば、気泡の入り込みを防止することで回路基板に電気泳動シートが良好に貼り合わされた電気泳動表示装置が提供される。
【００１１】
本発明の第２態様に従えば、画素電極が形成された画素回路を含む回路基板と、前記画素電極との間で電圧を印加可能な対向電極を含む表示シートとが接着層を介して貼り合わされた表示装置の製造方法において、前記回路基板の形成工程において、前記接着層による貼り合せ面に、上面が平坦面の凸部と凹部とを含む凹凸構造を形成する表示装置の製造方法が提供される。
【００１２】
第２態様に係る表示装置の製造方法によれば、回路基板に対して表示シートを貼り合せる際に生じた気泡を凹凸構造の凹部に沿って外部に排出することができる。よって、接着層内への気泡の入り込みが防止されるので、気泡の入り込みに起因した密着性の低下を防止することができる。
また、凸部の上面が平坦面となっているため、接着層および凹凸構造における密着性がより向上し、接着層を介して表示シートが回路基板に良好に貼り合わせることができる。
【００１３】
上記第２態様において、前記平坦面の平面の面積が２０μｍ２以上となるように前記凹凸構造を形成する構成としてもよい。
この構成によれば、平坦面の面積が十分に確保されるので、接着層および凹凸構造における密着性を向上することができる。
【００１４】
上記第２態様において、前記凹部に対する前記凸部の高さが１．０μｍ以上となるように前記凹凸構造を形成する構成としてもよい。
この構成によれば、凹部の深さが十分に確保されるので、気泡を凹部に沿って外部に確実に排出させることができる。
【００１５】
上記第２態様において、前記表示シートとして電気泳動シートを用いる構成としてもよい。
この構成によれば、気泡の入り込みを防止することで回路基板に電気泳動シートが良好に貼り合わされた電気泳動表示装置を製造できる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】電気泳動表示装置を示す等価回路図である。
【図２】電気泳動表示装置の断面図である。
【図３】電気泳動素子を構成するマイクロカプセルの断面図である。
【図４】（ａ）、（ｂ）は電気泳動素子の動作を説明するための図である。
【図５】（ａ）、（ｂ）は素子基板の要部構成を示す断面図である。
【図６】（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は凹凸構造の平面構造の一例を示す図である。
【図７】（ａ）〜（ｃ）は電気泳動表示装置の製造工程の一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。
なお、以下の説明で用いる図面は、特徴をわかりやすくするために、便宜上特徴となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などが実際と同じであるとは限らない。
【００１８】
本実施形態は、表示装置の一例として、アクティブマトリクス型の電気泳動表示装置を例示する。
図１は本実施形態の電気泳動表示装置を示す等価回路図である。図２は同、電気泳動表示装置の断面図である。図３は電気泳動素子を構成するマイクロカプセルの断面図である。図４（ａ）、（ｂ）は電気泳動素子の動作を説明するための図である。
【００１９】
本実施形態の電気泳動表示装置１００は、図１に示すように、複数の画素４０が行方向および列方向にマトリクス状に配列された表示部５を備えている。表示部５の周辺には、走査線駆動回路６１、データ線駆動回路６２が配置されている。表示部５には、走査線駆動回路６１から延びる複数の走査線３６と、データ線駆動回路６２から延びる複数のデータ線３８とが設けられており、これらの交差位置に対応して画素４０が設けられている。各画素４０には、選択トランジスター４１と画素電極３５とが設けられている。
なお、「行方向」とは、表示部における「水平方向」のことであり、図１の左右方向に対応する。「列方向」とは、前記水平方向に直交する「垂直方向」のことであり、図１の上下方向に対応する。
【００２０】
走査線駆動回路６１は、ｍ本の走査線３６（Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍ）を介して各画素４０に接続されており、１行目からｍ行目までの走査線３６を順次選択し、画素４０に設けられた選択トランジスター４１をオン状態とするタイミングを規定する選択信号を、選択した走査線３６を介して供給する。また、データ線駆動回路６２は、ｎ本のデータ線３８（Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎ）を介して各画素４０に接続されており、各画素４０に対応する画素データを規定する画像信号を画素４０に供給する。
【００２１】
電気泳動表示装置１００は、図２に示すように、素子基板３０（回路基板）と、対向基板３１と、素子基板３０と対向基板３１との間に挟持された複数のマイクロカプセル２０を配列してなる電気泳動素子３２と、を備えている。
【００２２】
本実施形態において、電気泳動素子３２と画素電極３５とが接着層５０を介して接着されることにより、素子基板３０と対向基板３１とが接合されている。電気泳動素子３２は、予め対向基板３１側に形成され、接着層５０までを含めた電気泳動シート（表示シート）５１として取り扱われるのが一般的である。本実施形態において、電気泳動シート５１は、接着層５０、電気泳動素子３２、対向電極３７および基板本体７９を含むシート体から構成される。
【００２３】
後述の製造工程において、電気泳動シート５１は、接着層５０の表面に保護用の離型シートが貼り付けられた状態で取り扱われる。そして、別途画素電極３５、選択トランジスター４１や各種回路などが形成された素子基板３０に対して、離型シートを剥がした当該電気泳動シート５１を貼り付けることにより、表示部５を形成する。このため、接着層５０は画素電極３５側のみに存在している。
【００２４】
素子基板３０は、各画素４０に対応して設けられた複数の画素電極３５を含む。画素電極３５は、例えばＩＴＯ（インジウム・スズ酸化物）等の透明導電材料やＡｌ等の金属材料などにより形成されており、後述する対向電極３７との間で電気泳動素子３２に電圧を印加する電極である。
【００２５】
対向基板３１は、基板本体７９と対向電極３７とを含む。基板本体７９は、ガラスやプラスチック等からなる基板であり、視認側に配置されるため、透明基板が用いられる。基板本体７９の電気泳動素子３２側の一面には、個々の画素電極３５と対向するように対向電極３７が形成されている。対向電極３７は、画素電極３５とともに電気泳動素子３２に電圧を印加する電極であり、ＭｇＡｇ（マグネシウム銀）、ＩＴＯ、ＩＺＯ（インジウム・亜鉛酸化物）などの透明導電材料から形成されている。
【００２６】
図３に示すように、マイクロカプセル２０は、例えば５０μｍ程度の粒径を有しており、内部に分散媒２１と、多数の白色粒子（電気泳動粒子）２７と、多数の黒色粒子（電気泳動粒子）２６とが封入された球状体である。マイクロカプセル２０は、図２に示すように、対向電極３７と画素電極３５との間に挟持され、１つの画素４０内に複数のマイクロカプセル２０が配置されている。なお、図２には、１つの画素４０内に複数のマイクロカプセル２０が配置された構成を描いてあるが、１つの画素４０内に１つのマイクロカプセル２０が配置された構成であっても良い。
【００２７】
マイクロカプセル２０の外殻部２０ａ（壁膜）は、ポリメタクリル酸メチル、ポリメタクリル酸エチルなどのアクリル樹脂、ユリア樹脂、アラビアガムなどの透光性を持つ高分子樹脂などを用いて形成されている。分散媒２１は、白色粒子２７と黒色粒子２６とをマイクロカプセル２０内に分散させる液体である。
【００２８】
分散媒２１としては、水、アルコール系溶媒（メタノール、エタノール、イソプロパノール、ブタノール、オクタノール、メチルセルソルブなど）、エステル類（酢酸エチル、酢酸ブチルなど）、ケトン類（アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンなど）、脂肪族炭化水素（ぺンタン、ヘキサン、オクタンなど）、脂環式炭化水素（シクロへキサン、メチルシクロへキサンなど）、芳香族炭化水素（ベンゼン、トルエン、長鎖アルキル基を有するベンゼン類（キシレン、ヘキシルベンゼン、ヘブチルベンゼン、オクチルベンゼン、ノニルベンゼン、デシルベンゼン、ウンデシルベンゼン、ドデシルベンゼン、トリデシルベンゼン、テトラデシルベンゼンなど））、ハロゲン化炭化水素（塩化メチレン、クロロホルム、四塩化炭素、１，２−ジクロロエタンなど）、カルボン酸塩などを例示することができ、その他の油類であってもよい。これらの物質は単独または混合物として用いることができ、さらに界面活性剤などを配合してもよい。
【００２９】
白色粒子２７は、例えば、二酸化チタン、亜鉛華、三酸化アンチモン等の白色顔料からなる粒子（高分子あるいはコロイド）であり、例えば負に帯電されて用いられる。黒色粒子２６は、例えば、アニリンブラック、カーボンブラック等の黒色顔料からなる粒子（高分子あるいはコロイド）であり、例えば正に帯電されて用いられる。
【００３０】
これら白色顔料および黒色顔料には、必要に応じて、電解質、界面活性剤、金属石鹸、樹脂、ゴム、油、ワニス、コンパウンドなどの粒子からなる荷電制御剤、チタン系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤、シラン系カップリング剤等の分散剤、潤滑剤、安定化剤などを添加することができる。
また、黒色粒子２６および白色粒子２７に代えて、例えば赤色、緑色、青色、イエロー、シアン、マゼンタ等の顔料を用いてもよい。係る構成によれば、カラーフィルターを用いることなく、表示部５に赤色、緑色、青色、イエロー、シアン、マゼンタ等を表示することができる。
なお、上記構成に代えて、着色した分散媒２１に１種類の荷電粒子を分散させた１粒子系であっても良い。あるいは、着色した分散媒２１に２種類以上の荷電粒子を分散させた構成であっても良い。
また、分散媒及び粒子をマイクロカプセル内に封入する構成に代えて、一対の基板間に分散媒及び粒子を充填する構成であってもよく、この場合には、一対の基板間に隔壁を設け、隔壁によって区画されたセル内に分散媒及び粒子を充填してもよい。
【００３１】
上記構成の電気泳動素子３２において、画素４０を白表示させる場合には、図４（ａ）に示すように、対向電極３７を相対的に高電位に保持し、画素電極３５を相対的に低電位に保持する。すなわち、対向電極３７の電位を基準電位としたとき、画素電極３５を負極性に保持する。これにより、負に帯電した白色粒子２７が対向電極３７に引き寄せられる一方、正に帯電した黒色粒子２６が画素電極３５に引き寄せられる。その結果、対向電極３７側からこの画素を見ると白色が視認される。
【００３２】
一方、画素４０を黒表示させる場合には、図４（ｂ）に示すように、対向電極３７を相対的に低電位に保持し、画素電極３５を相対的に高電位に保持する。すなわち、対向電極３７の電位を基準電位としたとき、画素電極３５を正極性に保持する。これにより、正に帯電した黒色粒子２６が対向電極３７側へ引き寄せられる一方、負に帯電した白色粒子２７が画素電極３５に引き寄せられる。その結果、対向電極３７側からこの画素を見ると黒色が視認される。
【００３３】
続いて、素子基板３０の構成について詳細に説明する。図５（ａ）、（ｂ）は素子基板３０の要部構成を示す断面図である。
図５（ａ）に示すように、素子基板３０の電気泳動素子３２が配置される側の面には、図１に示した走査線３６、データ線３８、選択トランジスター４１などが形成されている。
【００３４】
素子基板３０を構成する基板本体７１は、ガラスやプラスチック等で構成されている。この基板本体７１は、視認側とは反対側に配置されるため、透明なものでなくてもよい。基板本体７１の電気泳動素子３２側の一面に半導体層７２が形成され、半導体層７２を覆うようにゲート絶縁膜７３が形成されている。半導体層７２には、例えばアモルファスシリコン、多結晶シリコン等の非単結晶シリコン材料、酸化物半導体材料、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ等の透明酸化物半導体材料、フルオレン−ビチオフェン共重合体等の有機物半導体材料、等を用いることができる。半導体層７２に酸化物半導体材料を用いる場合には、ゲート絶縁膜７３にも酸化物絶縁材料を用いることが望ましく、また、半導体層７２に有機物半導体材料を用いる場合には、ゲート絶縁膜７３にも有機絶縁材料を用いることが望ましい。
【００３５】
ゲート絶縁膜７３上には、選択トランジスター４１のゲート電極として機能する走査線３６が形成されている。走査線３６には、例えばＡｌ−Ｎｄ合金とＭｏとの金属積層膜等を用いることができる。その他、Ａｌ単体、ＩＴＯ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｉｎ、Ｎｄやそれらの合金等を用いることができる。
【００３６】
第１層間絶縁膜７４が、走査線３６を覆うように基板本体７１の全面に形成されている。第１層間絶縁膜７４には、例えばシリコン窒化膜、シリコン酸化膜、シリコン窒化酸化膜等の無機絶縁材料、あるいは有機絶縁材料を用いることができる。第１層間絶縁膜７４上には、コンタクトホール７５を介して半導体層７２のソース領域と電気的に接続されたデータ線３８が形成されている。第１層間絶縁膜７４上には、コンタクトホール７７を介して半導体層７２のドレイン領域と電気的に接続されたドレイン線（ドレイン電極）６５が形成されている。データ線３８およびドレイン線６５にも走査線３６と同様の材料を用いることができる。なお、図５（ａ）では、ゲート電極が半導体層７２より図５（ａ）中の上側に形成されるトップゲート構造となっているが、ゲート電極が半導体層７２より下側に形成されるボトムゲート構造であってもよい。
【００３７】
第２層間絶縁膜７６が、データ線３８およびドレイン線６５を覆うように第１層間絶縁膜７４上の全面に形成されている。第２層間絶縁膜７６には、第１層間絶縁膜７４と同様、例えばシリコン窒化膜、シリコン酸化膜、シリコン窒化酸化膜等の無機絶縁材料、あるいは有機絶縁材料を用いることができる。第２層間絶縁膜７６上には、コンタクトホール７８を介してドレイン線６５を介して半導体層７２のドレイン領域と電気的に接続された画素電極３５が形成されている。ここでは、画素電極３５の平面形状は図示しないが、データ線３８と走査線３６とが略直交する配置に合わせて略矩形状に形成されている。
【００３８】
ところで、本実施形態の電気泳動表示装置１００は、図２に示したように電気泳動素子３２と画素電極３５とが接着層５０を介して接着されることにより、素子基板３０と対向基板３１とが接合されている。そのため、電気泳動表示装置１００においては、接着層５０における密着性の向上および接着時の気泡の噛み込みを防止することが望まれている。これは、接着層５０の密着性が低下すると機械的強度が低下してしまうため、装置の信頼性が低下してしまうためである。また、接着層５０内において気泡の噛み込みが生じると表示品質が低下してしまうためである。
【００３９】
これに対し、本実施形態においては、第２層間絶縁膜７６の上面、すなわち電気泳動シート５１との貼り合せ面が凹凸構造８０を有している。凹凸構造８０は、凹部８１および凸部８２を含む。画素電極３５は、凹凸構造８０の形状に倣った凹凸形状を有したものとなっている。
【００４０】
ところで、素子基板３０には、図５（ａ）に示したように、第２層間絶縁膜７６の下層において、半導体層７２、走査線３６およびデータ線３８が形成されている。これら半導体層７２、走査線３６およびデータ線３８は表示部５内の所定領域に形成されるため、平面視した状態において、これらは基板上において部分的に交差したものとなる。以上から、素子基板３０には、上述の半導体層７２、走査線３６およびデータ線３８の少なくとも２つが平面的に交差した部分において、他の部分に比べて上方に突出した凸構造が形成されている。
【００４１】
本実施形態では、上述のように電気泳動シート５１との貼り合せ面となる第２層間絶縁膜７６に凹凸構造８０を形成している。第２層間絶縁膜７６は、凹凸構造８０の凹部８１において膜厚が相対的に薄くなっている。そのため、上述した素子基板３０に形成される凸構造と凹凸構造８０の凹部８１とが平面的に重なった場合、第２層間絶縁膜７６の膜厚が所定膜厚（最低膜厚）よりも薄くなってしまう。第２層間絶縁膜７６の膜厚が薄くなると、素子基板３０における絶縁性が低下してしまい、電気泳動素子３２に対して所望の電圧を印加することができずに表示不良などの不具合を生じる可能性がある。また、第２層間絶縁膜７６の膜厚が薄い部分は、素子基板３０に存在している異物などの特異的な凸部を埋めることができず、該異物が表面に露出してしまうおそれもある。
【００４２】
そこで、本実施形態に係る電気泳動表示装置１００では、凹凸構造８０と素子基板３０に形成される凸構造との平面的な位置関係を調整することで第２層間絶縁膜（被覆膜）７６の膜厚を確保するようにした。これにより、電気泳動素子３２に対して所望の電圧を印加することができ、表示不良などの不具合を防止することが可能となっている。また、素子基板３０に存在している異物などの特異的な凸部を確実に埋めることが可能となっている。
【００４３】
図５（ｂ）に示すように、凹凸構造８０は、凸部８２の上面８２ａが平坦面となっている。なお、図５（ｂ）では画素電極３５の図示を省略している。本実施形態において、上面８２ａの平坦面は、図５（ａ）に示したように、画素電極３５よりも小さく形成されている。具体的に上面８２ａの平坦面は、平面の面積（平面視した際の面積）が２０μｍ２以上あればよい。また、凹凸構造８０は、凹部８１に対する凸部８２の高さＨが１．０μｍ以上に設定されるのが望ましく、本実施形態では、１．５μｍ程度に設定したときが、気泡の入り込みを防止することで良好な密着性を得ることができた。凹部８１は、表示部５の外部まで連通するように形成されている。
【００４４】
また、本実施形態において、接着層５０により素子基板３０に貼り合わされる電気泳動シート５１のサイズが、凹凸構造８０の形成領域（第２層間絶縁膜７６）のサイズよりも大きくなっている。そのため、接着層５０は、第２層間絶縁膜７６の側端面を覆った状態となっている。また、シール材６０は、接着層５０に接するように表示部５および周辺回路部６を封止している。この構成によれば、凹凸構造８０（第２層間絶縁膜７６）の外縁部が接着層５０およびシール材６０により覆われるので、第２層間絶縁膜７６の内部への水分の入り込みを防止した高い封止性を得ることができる。
【００４５】
また、凹凸構造８０において、凹部８１および凸部８２の面積比を１０〜９０％に設定することが望ましい。
【００４６】
続いて、凹凸構造８０の平面構造について説明する。図６（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、凹凸構造８０の平面構造の一例を示す図である。
凹凸構造８０は、凸部８２の上面８２ａの平坦面形状が図６（ａ）に示すような六角形であっても良いし、図６（ｂ）に示すような円形であっても良いし、図６（ｃ）に示すような矩形（正方形）であっても良い。なお、これらの形状に限らず、凸部の上面が平坦面になっていれば良い。
【００４７】
続いて、電気泳動表示装置１００の製造方法を説明するとともに、上記凹凸構造８０における作用効果について説明する。図７（ａ）〜（ｃ）は電気泳動表示装置１００の製造工程の一例を示す図である。なお、図７においては、素子基板３０の構造を簡略化し、画素電極３５の図示を省略している。また、図７においては、対向基板３１の構造を簡略化し、対向電極３７の図示を省略している。
【００４８】
まず、画素電極３５、選択トランジスター４１や各種回路を含む素子基板３０を形成する。素子基板３０の形成工程においては、上記凹凸構造８０を形成するステップを含んでいる。凹凸構造８０は、例えば、フォトリソグラフィ法により第２層間絶縁膜７６を形成する際、露光量等を調整することで形成される。
【００４９】
続いて、接着層５０の表面に保護用の離型シートが貼り付けられた状態の電気泳動シート５１を用意する。そして、図７（ａ）に示すように、離型シートを剥がした電気泳動シート５１を素子基板３０と貼り合せる。電気泳動シート５１および素子基板３０の貼り合せは、所定の温度で加熱した状態で互いを押圧することで行われる。
【００５０】
ここで、電気泳動シート５１を貼り合わせる際、接着層５０および素子基板３０間に空気だまり（気泡）が生じる。電気泳動シート５１が素子基板３０に貼り合わされて接着層５０が凹凸構造８０の凸部８２と接触すると、接着層５０および凸部８２間から押し出された気泡９０は、図７（ｂ）に示すように凹部８１に流れ込む。
【００５１】
さらに電気泳動シート５１を押圧することで接着層５０が凹部８１内に入り込んでいく。本実施形態において、凹部８１は表示部５の外部まで連通するように形成されているため、凹部８１に流れ込んだ気泡９０は外部領域に確実に排出される。最終的に、図７（ｃ）に示すように、電気泳動素子３２と素子基板３０とが接着層５０を介して接着されることにより、素子基板３０と対向基板３１とが接合された電気泳動表示装置１００が製造される。
【００５２】
本実施形態によれば、素子基板３０に対して電気泳動シート５１を貼り合せる際に生じた気泡９０を平坦な上面８２ａの凸部８２により凹部８１内に良好に押し出すことで外部に良好に排出することができる。よって、接着層５０内への気泡９０の入り込みが防止されるので、気泡９０の入り込みに起因した密着性の低下が防止される。
また、凸部８２の上面８２ａが平坦面となっているため、接着層５０と凸部８２が良好に密着することで高い密着性が得られるので、接着層５０および凹凸構造８０における密着性がより向上し、接着層５０を介して電気泳動シート５１が素子基板３０に良好に貼り合わされたものとなる。
【００５３】
また、本実施形態においては、上面８２ａの面積が２０μｍ２以上といったように十分に確保されるため、接着層５０および凹凸構造８０における密着性を向上することができる。また、凹部８１に対する凸部８２の高さＨ、すなわち凹部８１の深さが１．０μｍ以上（例えば、１．５μｍ程度）となるため、十分な深さが確保されることで気泡９０を外部に確実に排出することができる。
【００５４】
なお、本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
例えば、上記実施形態では、表示装置の一例として、素子基板３０と電気泳動シート５１とを接着層５０貼り合せた電気泳動表示装置１００を例に挙げたが、本発明はこれに限定されない。すなわち、接着層を介して貼り合わされる表示シートが液晶層或いは有機エレクトロルミネッセンス素子を含んだ、例えば、液晶表示装置又は有機エレクトロルミネッセンス装置に本発明を適用しても良い。
【符号の説明】
【００５５】
Ｈ…高さ、３０…素子基板（回路基板）、３５…画素電極、５０…接着層、５１…電気泳動シート（表示シート）、８０…凹凸構造、８１…凹部、８２…凸部、８２ａ…上面、１００…電気泳動表示装置。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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