(57)【要約】【課題】ウエハなどの被加工物のストッパへの乗り上げの判定精度の向上したプラズマエッチング装置を提供する。【解決手段】被加工物をプラズマエッチングするためのエッチングガスの充満された加工室と、加工室内において、被加工物を載置面２１ａに搭載しつつ、被加工物を昇温するヒータステージ２０と、ヒータステージの載置面に形成された、プラズマエッチングによる被加工物の移動を抑制するストッパ２２と、載置面に形成された、所定パターンの判定溝２４と、プラズマエッチング時に生じたプラズマが判定溝に入り込むことで、載置面に接触される被加工物の搭載面に判定溝に応じた形状の模様が形成されたか否かを判定する判定部と、を有するプラズマエッチング装置。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被加工物（２００）をプラズマエッチングするためのエッチングガスの充満された加工室（１０）と、
前記加工室内において、前記被加工物を載置面（２１ａ）に搭載しつつ、前記被加工物を昇温するヒータステージ（２０）と、
前記ヒータステージの前記載置面に形成された、プラズマエッチング時の前記被加工物の移動を抑制するストッパ（２２）と、
前記載置面に形成された、所定パターンの判定溝（２４）と、
プラズマエッチング時に生じたプラズマが前記判定溝に入り込むことで、前記載置面に接触される前記被加工物の搭載面（２００ｂ）に前記判定溝に応じた形状の模様が形成されたか否かを判定する判定部（４０）と、を有するプラズマエッチング装置。
【請求項２】
前記被加工物の前記搭載面を撮像する撮像部（３０）を有し、
前記判定部は、前記撮像部によって撮像された前記搭載面に基づいて、プラズマエッチングによって形成された前記搭載面の模様が、前記判定溝に応じた形状となっているか否かを判定する請求項１に記載のプラズマエッチング装置。
【請求項３】
前記撮像部は、プラズマエッチング前の前記搭載面と、プラズマエッチング後の前記搭載面とを撮像し、
前記判定部は、前記撮像部によって撮像された、プラズマエッチング前の前記搭載面の模様と、プラズマエッチング後の前記搭載面の模様とを画像処理によって減算処理し、前記減算処理の結果求められた前記搭載面の模様が、前記判定溝に応じた形状となっているか否かを判定する請求項２に記載のプラズマエッチング装置。
【請求項４】
前記判定部は、前記減算処理の結果求められた前記搭載面の模様が前記判定溝に応じた形状の場合、前記被加工物のプラズマエッチングが正常状態で行われたと判定し、前記減算処理の結果求められた前記搭載面の模様が前記判定溝に応じた形状とは異なる場合、前記被加工物のプラズマエッチングは異常状態で行われたと判定する請求項３に記載のプラズマエッチング装置。
【請求項５】
前記ストッパは筒状を成し、前記載置面に搭載された前記被加工物を囲む請求項１〜４いずれか１項に記載のプラズマエッチング装置。
【請求項６】
前記ヒータステージは、前記被加工物を前記搭載面から持ち上げたり、前記被加工物を前記搭載面へと持ち下げたりするリフターピン（２３）を有する請求項１〜５いずれか１項に記載のプラズマエッチング装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、被加工物をプラズマエッチングするプラズマエッチング装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１に示されるように、熱処理炉内で半導体ウエハの下面を支持するサセプタの管理方法が知られている。この管理方法では、先ず何ら熱処理を経験していない第１のサセプタに１つのウエハを搭載して熱処理した後に、ウエハ裏面の静止画像を取得する。また熱処理を幾度も経験した第２のサセプタに１つのウエハを搭載して熱処理した後に、ウエハ裏面の静止画像を取得する。そしてこれら２つの静止画像に撮像されたエッチング跡の面積比を比較することで、第２のサセプタに熱変形が生じているか否かを判定する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−８１０７７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで上記のサセプタには、通常、熱処理時のウエハの移動を抑制するためのストッパがある。サセプタへのウエハの搬送にミスが生じると、ウエハがストッパに乗り上げることがある。このようにウエハがストッパへ乗り上げた状態で熱処理を行うと、ウエハが十分に昇温せず、それによってウエハの熱処理が不十分となる虞がある。
【０００５】
上記したようにウエハがストッパに乗り上げている場合、ウエハが正常にサセプタに搭載されている場合とでは、ウエハ裏面に形成されるエッチング跡が異なる。そこで特許文献１に記載のサセプタの管理方法と同様にして、熱処理後のウエハ裏面の静止画像を取得することで、ウエハがストッパに乗り上げたか否かを検出することも考えられる。しかしながらウエハがストッパに乗り上げる場合と乗り上げない場合とでウエハ裏面に形成されるエッチング跡に必ずしも明りょうな違いが生じるとは限らない。そのためウエハのストッパへの乗り上げ判定精度が低い、という問題がある。
【０００６】
そこで本発明は上記問題点に鑑み、ウエハなどの被加工物のストッパへの乗り上げの判定精度の向上したプラズマエッチング装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記した目的を達成するための開示された発明の１つは、被加工物（２００）をプラズマエッチングするためのエッチングガスの充満された加工室（１０）と、
加工室内において、被加工物を載置面（２１ａ）に搭載しつつ、被加工物を昇温するヒータステージ（２０）と、
ヒータステージの載置面に形成された、プラズマエッチング時の被加工物の移動を抑制するストッパ（２２）と、
載置面に形成された、所定パターンの判定溝（２４）と、
プラズマエッチング時に生じたプラズマが判定溝に入り込むことで、載置面に接触される被加工物の搭載面（２００ｂ）に判定溝に応じた形状の模様が形成されたか否かを判定する判定部（４０）と、を有する。
【０００８】
これによれば被加工物（２００）がストッパ（２２）に乗り上げずに正常に載置面（２１ａ）に搭載されている場合、被加工物（２００）の搭載面（２００ｂ）と判定溝（２４）との間に、判定溝（２４）の形状に応じた空間が形成される。したがってこのような状態でプラズマエッチングを行った場合、上記の空間にプラズマが入り込むことで、判定溝（２４）の形状に応じたエッチングが搭載面（２００ｂ）に施される。そのためプラズマエッチング後の搭載面（２００ｂ）には、判定溝（２４）に応じた形状の模様が形成される。
【０００９】
これとは異なり、被加工物（２００）のヒータステージ（２０）への搬送ミスなどによって被加工物（２００）がストッパ（２２）に乗り上げた場合、搭載面（２００ｂ）と判定溝（２４）との間に、判定溝（２４）の形状に応じた空間が形成されなくなる。したがってこのような状態でプラズマエッチングを行った場合、判定溝（２４）の形状に応じたエッチングが搭載面（２００ｂ）に成されず、判定溝（２４）に応じた形状の模様が搭載面（２００ｂ）に形成されない。
【００１０】
以上に示したように、被加工物（２００）が載置面（２１ａ）に正常に搭載された場合、プラズマエッチング後の被加工物（２００）の搭載面（２００ｂ）には判定溝（２４）の形状に応じた模様が形成される。これとは異なり、被加工物（２００）がストッパ（２２）に乗り上げた異常状態で被加工物（２００）が載置面（２１ａ）に搭載された場合、プラズマエッチング後の被加工物（２００）の搭載面（２００ｂ）には判定溝（２４）の形状に応じた模様が形成されない。したがってプラズマエッチング後の搭載面（２００ｂ）に判定溝（２４）に応じた模様が形成されたか否かを判定することで、プラズマエッチング時に被加工物（２００）が正常にヒータステージ（２０）の載置面（２１ａ）に搭載されていたか否かを判定することができる。
【００１１】
以上により本構成は、載置面（２１ａ）になんら溝が形成されない構成と比べて、被加工物（２００）がストッパ（２２）に乗り上げる場合と乗り上げない場合とでは搭載面（２００ｂ）に形成される模様に明りょうな違いが生じる。そのため上記比較構成と比べて、被加工物（２００）のストッパ（２２）への乗り上げ判定精度が向上される。
【００１２】
なお、上記したようにヒータステージ（２０）によって被加工物（２００）を昇温するのは、被加工物（２００）のプラズマエッチングを促進させるためである。上記のように被加工物（２００）がストッパ（２２）に乗り上げると、被加工物（２００）とヒータステージ（２０）との接触面積が著しく減少し、それによって被加工物（２００）が十分に昇温されなくなる。この結果プラズマエッチングが十分に成されず、被加工物（２００）に加工不良が生じる。したがって上記したようにプラズマエッチング後の搭載面（２００ｂ）に判定溝（２４）に応じた模様が形成されたか否かを判定することで、被加工物（２００）が十分にプラズマエッチングされたか否かを判定することができる。換言すれば、加工不良が生じたか否かを判定することができる。
【００１３】
なお、特許請求の範囲に記載の請求項、および、課題を解決するための手段それぞれに記載の要素に括弧付きで符号をつけている。この括弧付きの符号は実施形態に記載の各構成要素との対応関係を簡易的に示すためのものであり、実施形態に記載の要素そのものを必ずしも示しているわけではない。括弧付きの符号の記載は、いたずらに特許請求の範囲を狭めるものではない。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】プラズマエッチング装置の概略構成を示すブロック図である。
【図２】ヒータステージを示す上面図である。
【図３】リフターピンへのウエハの搬送が正常な場合における、リフターピンの昇降によるウエハのヒータステージへの搭載を示す断面図である。
【図４】ウエハがヒータステージに正常に搭載された場合にウエハの裏面に形成される模様を示すモデル図である。
【図５】リフターピンへのウエハの搬送にずれ生じた場合における、リフターピンの昇降によるウエハのヒータステージへの搭載を示す断面図である。
【図６】ウエハがストッパに乗り上げた異常状態でヒータステージに搭載された場合にウエハの裏面に形成される模様を示すモデル図である。
【図７】ウエハがヒータステージに正常に搭載された場合にウエハの裏面に形成される模様と、ウエハがストッパに乗り上げた異常状態でヒータステージに搭載された場合にウエハの裏面に形成される模様それぞれがウエハの裏面に形成されたことを示すモデル図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明をウエハのプラズマエッチングに適用した場合の実施形態を図に基づいて説明する。
（第１実施形態）
図１〜図６に基づいて本実施形態に係るプラズマエッチング装置を説明する。なお図１ではウエハ２００を図示している。そして図６では模様の形成度合いを線の太さで示し、模様の非形成を破線で示している。
【００１６】
以下においては互いに直交の関係にある３方向を、ｘ方向、ｙ方向、ｚ方向と示す。本実施形態ではｘ方向とｙ方向とによって規定されるｘ−ｙ平面が水平方向に沿い、ｚ方向が鉛直方向に沿っている。
【００１７】
プラズマエッチング装置１００は、ウエハ２００をプラズマエッチングするとともに、そのエッチング処理が正常に行われたか否かを判定するものである。ウエハ２００の表面２００ａにはカーボン系のレジストが形成されており、その裏面２００ｂにはＳｉＯ２やＳｉＮなどから成る絶縁膜が形成されている。プラズマエッチング装置１００はウエハ２００の表面２００ａに形成されたレジストをプラズマエッチングするとともに、その処理による裏面２００ｂの絶縁膜のエッチング具合に基づいて、エッチング処理の成否判定を行う。裏面２００ｂが特許請求の範囲に記載の搭載面に相当する。
【００１８】
図１に示すようにプラズマエッチング装置１００は、加工室１０、ヒータステージ２０、撮像部３０、および、判定部４０を有する。加工室１０はウエハ２００にプラズマエッチングを施すものである。ヒータステージ２０はウエハ２００を搭載するとともに、プラズマエッチングが促進されるようにウエハ２００を昇温するものである。撮像部３０はウエハ２００の裏面２００ｂの静止画像を取得するものである。判定部４０は、撮像部３０によって撮像された静止画像に基づいて、ウエハ２００が正常にプラズマエッチングされたか否かを判定するものである。以下、プラズマエッチング装置１００の構成要素を個別に説明する。
【００１９】
加工室１０には、プラズマエッチングするための水素やアルゴンなどのエッチングガスが充満されている。この加工室１０内にウエハ２００が図示しないキャリアを介して搬送される。加工室１０にはヒータステージ２０が設けられており、キャリアはウエハ２００はキャリアによってヒータステージ２０に搭載される。ヒータステージ２０によってウエハ２００が昇温されると、加工室１０内に電磁波が発生される。こうすることでエッチングガスがプラズマ化し、このプラズマによってウエハ２００がプラズマエッチングされる。
【００２０】
ヒータステージ２０は、図２に示すように支持台２１と、支持台２１におけるウエハ２００の載置される載置面２１ａに形成されたストッパ２２と、ウエハ２００を昇降するリフターピン２３と、支持台２１を昇温するヒータ（図示略）と、を有する。支持台２１の載置面２１ａはｘ−ｙ平面に対して平坦な形状を成しており、その載置面２１ａからストッパ２２がｚ方向に突起している。ストッパ２２は筒状を成し、その内環面２２ａによって囲まれる載置面２１ａの領域にウエハ２００が搭載される。プラズマエッチング時においてウエハ２００は微動するが、その微動によるウエハ２００の移動がストッパ２２によって抑止される。リフターピン２３は載置面２１ａにおけるストッパ２２によって囲まれた領域に位置しており、載置面２１ａに対してｚ方向に上下動する。
【００２１】
ウエハ２００はキャリアによってヒータステージ２０に搬送されるが、ウエハ２００がヒータステージ２０に搭載される際、図３の（ａ）欄に示すようにリフターピン２３はストッパ２２よりも上方に上昇する。この状態でリフターピン２３の上端面にウエハ２００がキャリアによって載せられる。この後、図３の（ｂ）欄に示すようにリフターピン２３がストッパ２２よりも下方に下降し、終には図３の（ｃ）欄に示すようにリフターピン２３の上端面が載置面２１ａとｘ−ｙ平面において並ぶように、リフターピン２３が下降する。これによりウエハ２００が載置面２１ａに搭載され、その裏面２００ｂが載置面２１ａに接触する。この状態でプラズマエッチングが行われるが、その処理が終了するとリフターピン２３が再び上昇し、ウエハ２００はストッパ２２よりも上方に移動される。そしてウエハ２００はキャリアによってヒータステージ２０から加工室１０の外へと運び出される。
【００２２】
図２に示すように載置面２１ａには、所定パターンの判定溝２４が形成されている。本実施形態では判定溝２４は格子状に形成されており、図３の（ｃ）欄に示すように正常にウエハ２００が載置面２１ａに搭載された場合、判定溝２４とウエハ２００の裏面２００ｂとによって、判定溝２４の形状に応じた空間が形成される。したがってこの状態でプラズマエッチングを行うと、プラズマが上記した空間に入り込み、判定溝２４の形状に応じたエッチングが裏面２００ｂに施される。この結果、図４に示すように裏面２００ｂには判定溝２４の形状に応じた模様が形成される。なお厳密に言えば、図４に示すように裏面２００ｂには判定溝２４だけではなく、リフターピン２３の形状に応じた模様も形成される。
【００２３】
しかしながらウエハ２００がキャリアによってヒータステージ２０に搭載される際、例えば図５の（ａ）欄に白抜き矢印で示すようにリフターピン２３に対してウエハ２００がずれて載置されると、以下に示す不具合が生じる。すなわち図５の（ｂ）欄に示すようにリフターピン２３がストッパ２２よりも下降すると、ウエハ２００の裏面２００ｂがストッパ２２の上面に接触する。そして図５の（ｃ）欄に示すようにリフターピン２３の上端面が載置面２１ａと並ぶまでリフターピン２３が下降すると、ウエハ２００によってストッパ２２と支持台２１とが架橋されるように、ウエハ２００が載置面２１ａに搭載される。
【００２４】
このようにウエハ２００がストッパ２２に対して乗り上げた場合、プラズマエッチングによって、裏面２００ｂにおける載置面２１ａ（判定溝２４）との距離の近い部位には判定溝２４の形状に似た模様が薄く、ずれて形成される。しかしながら判定溝２４との距離が広がると、図６に示すように裏面２００ｂに形成される模様が徐々に薄くなり、終には模様が形成されなくなる。そのため結局のところ裏面２００ｂには判定溝２４の形状に応じた模様が形成されなくなる。
【００２５】
以上に示したように、ウエハ２００が載置面２１ａに正常状態で搭載された場合には、図４に示すように判定溝２４の形状に応じた模様が裏面２００ｂに形成される。これとは異なり、ウエハ２００がストッパ２２に乗り上げて載置面２１ａに異常状態で搭載された場合には、図５に示すように判定溝２４の形状に応じない模様が裏面２００ｂに形成される。
【００２６】
なお、ウエハ２００の加工によっては、プラズマエッチングを複数回行うこととなる。図４若しくは図６に示した模様はプラズマエッチングを１回だけ行った場合に裏面２００ｂに形成される模様である。したがってプラズマエッチングを複数回行った場合、裏面２００ｂにはその行った回数分の図４若しくは図６に示す模様が形成される（刻まれる）。複数回プラズマエッチングする場合、その都度、ヒータステージ２０（リフターピン２３）に対するウエハ２００の回転角度が異なる。そのため、複数回プラズマエッチングを行う度に、回転角度の異なる図４若しくは図６に示す模様が裏面２００ｂに刻まれることとなる。
【００２７】
撮像部３０は、ウエハ２００が加工室１０内に搬送される前と搬送された後の裏面２００ｂの静止画像を撮像するものである。すなわち撮像部３０は、プラズマエッチングを行う前の裏面２００ｂと、プラズマエッチングを行った後の裏面２００ｂそれぞれの静止画像を撮像するものである。
【００２８】
上記したようにプラズマエッチングが複数回行われることがある。撮像部３０はプラズマエッチングが１回行われる毎に、プラズマエッチングの前と後の裏面２００ｂの静止画像を撮像する。そして撮像部３０は静止画像を撮像する度に、その静止画像を判定部４０に出力する。
【００２９】
判定部４０は、撮像部３０によって撮像された裏面２００ｂの静止画像に基づいて、裏面２００ｂに判定溝２４の形状に応じた模様が形成された否かを判定する。プラズマエッチングを正常に複数回行った場合、回転角度の異なる図４に示す模様が裏面２００ｂに刻まれることとなる。しかしながら、例えばプラズマエッチングを正常に３回行った結果、３つの回転角度の異なる図４に示す模様が裏面２００ｂに刻まれようとも、その後にプラズマエッチングを１回行った場合、その裏面２００ｂには更に１つの模様が刻まれるだけである。そこで判定部４０は、プラズマエッチングが１回行われる度に撮像部３０から送られてくるプラズマエッチングの前と後の裏面２００ｂの静止画像を比較し、その比較結果、裏面２００ｂに図４に示す模様が形成されたか否かを判定する。
【００３０】
具体的言えば、判定部４０はプラズマエッチング前に撮像された裏面２００ｂの静止画像（以下、第１画像と示す）と、プラズマエッチング後に撮像された裏面２００ｂの静止画像（以下、第２画像と示す）とを画像処理によって減算処理した除去画像を生成する。ウエハ２００がストッパ２２に乗り上げていなければ、除去画像には図４に示す模様が残ることが期待される。したがって判定部４０は、除去画像に判定溝２４に応じた模様がある場合、ウエハ２００は載置面２１ａに正常に接触されている状態でプラズマエッチングが行われたと判定する。これとは反対に、除去画像に判定溝２４に応じた模様がない場合、判定部４０は、ウエハ２００がストッパ２２に対して乗り上げた状態でプラズマエッチングが行われたと判定する。
【００３１】
なお、判定溝２４に応じた模様が除去画像にあるか否かは、裏面２００ｂに形成される模様の濃さや、その形状によって判定される。ウエハ２００がストッパ２２に対して乗り上げた場合、裏面２００ｂに形成される模様は、図６に示すように図４に示す模様と比べて薄くなる。また裏面２００ｂに形成される模様は、図６に示すようにずれて形成され、判定溝２４の格子の成す矩形の数が減少する。したがって裏面２００ｂに所定値を超える濃い模様が形成されたか否か、若しくは、判定溝２４の成す矩形と同数の矩形が裏面２００ｂに形成されたか否かに基づいて、判定溝２４に応じた模様が除去画像にあるか否かを判定することもできる。
【００３２】
さらに例示すれば、例えば図４に示すようにウエハ２００が正常に載置面２１ａに搭載された場合、対角線の長さがウエハ２００の直径に等しい正方形が形成される。しかしながらウエハ２００がストッパ２２に乗り上げた場合、図６に示すように上記の正方形が形成されなくなる。したがってこの正方形が裏面２００ｂに形成されたか否かに基づいて、判定溝２４に応じた模様が除去画像にあるか否かを判定することもできる。
【００３３】
上記したようにヒータステージ２０によってウエハ２００を昇温するが、それはウエハ２００のプラズマエッチングを促進させるためである。上記のようにウエハ２００がストッパ２２に乗り上げると、ヒータステージ２０との接触面積が著しく減少し、これによってウエハ２００が十分に昇温されなくなる。この結果表面２００ａのレジストが十分に除去されず、ウエハ２００に加工不良が生じる虞がある。したがって判定部４０は、上記したように除去画像に判定溝２４に応じた模様があるか否かに応じて、ウエハ２００の表面２００ａに形成されたカーボン系のレジストなどが十分にプラズマエッチングされたか否かも判定する。
【００３４】
次に、本実施形態に係るプラズマエッチング装置１００の作用効果を説明する。上記したように、ウエハ２００がストッパ２２に乗り上げていない場合、裏面２００ｂには判定溝２４に応じた模様が形成される。その反対にウエハ２００がストッパ２２に乗り上げた場合、裏面２００ｂには判定溝２４に応じた模様が形成されない。これによれば、載置面になんら溝が形成されない構成と比べて、ウエハ２００がストッパ２２に乗り上げる場合と乗り上げない場合とでは裏面２００ｂに形成される模様に明りょうな違いが生じる。そのため上記比較構成と比べて、ウエハ２００のストッパ２２への乗り上げ判定精度が向上される。
【００３５】
また上記したようにウエハ２００がストッパ２２に乗り上げた場合、ウエハ２００に加工不良が生じる。したがってウエハ２００のストッパ２２への乗上げを判定することで、ウエハ２００に加工不良が生じたか否かを判定することができる。
【００３６】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は上記した実施形態になんら制限されることなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々変形して実施することが可能である。
【００３７】
（第１の変形例）
本実施形態ではプラズマエッチングを幾度も行う場合におけるウエハ２００の加工不良を判定する例を示した。しかしながらプラズマエッチングを１回だけ行う場合、上記したようにプラズマエッチングの前と後で静止画像を取得するのではなく、プラズマエッチングの後の静止画像だけを取得してもよい。１回しかプラズマエッチングをしない場合、その処理前の裏面２００ｂには何らエッチングによる模様が形成されていない。したがって判定部４０は、処理後の裏面２００ｂに判定溝２４に応じた模様が形成されているか否かを判定することで、ウエハ２００の加工不良を判定することができる。
【００３８】
（第２の変形例）
本実施形態ではプラズマエッチングを幾度も行う場合に、キャリアがリフターピン２３に対してウエハ２００の回転角度を何ら考慮せずに配置する例を示した。しかしながらこれとは異なり、ウエハ２００のリフターピン２３に対する配置角度が一定に保たれるように、キャリアがウエハ２００をリフターピン２３に配置してもよい。
【００３９】
この変形例の場合、プラズマエッチングを正常に幾度も行ったとしても、ウエハ２００の裏面２００ｂには図４に示す模様が形成されるだけである。したがってこの場合、プラズマエッチング前に撮像された裏面２００ｂの静止画像（第１画像）と、プラズマエッチング後に撮像された裏面２００ｂの静止画像（第２画像）とを減算処理した除去画像には、何ら模様が残らない。そこで判定部４０は、除去画像に何ら模様がない場合、裏面２００ｂにはプラズマエッチングによって判定溝２４に応じた模様が形成されたと判定する。そして判定部４０は、ウエハ２００が載置面２１ａに正常に接触されている状態でプラズマエッチングされたと判定する。
【００４０】
しかしながら一度でもウエハ２００がストッパ２２に乗り上げた場合、例えば図７に示すように、裏面２００ｂには図４に示す模様と、それ以外の模様（例えば図６に示す模様）とが形成される。したがってこの場合、第１画像と第２画像とを減算処理した除去画像には、図６に示す模様が残る。そこで判定部４０は、除去画像に判定溝２４とは異なる何らかの模様がある場合、裏面２００ｂにはプラズマエッチングにおいて判定溝２４に応じた模様が形成されなかったと判定する。そして判定部４０は、ウエハ２００がストッパ２２に対して乗り上げた状態でプラズマエッチングされたと判定する。
【００４１】
（その他の変形例）
本実施形態ではウエハをプラズマエッチングする例を示した。しかしながら被加工物としてはウエハに限定されず、例えば半導体チップを採用することもできる。
【００４２】
本実施形態では判定溝２４が格子状に形成された例を示した。しかしながら判定溝２４の形状としては上記例に限定されず、例えば同心円状を採用することもできる。
【符号の説明】
【００４３】
１０…加工室、２０…ヒータステージ、２１…支持台、２１ａ…載置面、２２…ストッパ、２３…リフターピン、２４…判定溝、３０…撮像部、４０…判定部、１００…プラズマエッチング装置、２００…ウエハ、２００ａ…表面、２００ｂ…裏面
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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