(57)【要約】【課題】樹脂を含む材料からなるバンプが横にずれたり、倒れたりするのを抑制する。【解決手段】本発明の一実施形態に係る多層配線構造体は、複数の配線層が積層された多層配線構造と、前記多層配線構造の上方に配置され、樹脂を含み、前記複数の配線層のいずれか一の配線層に電気的に接続されたバンプと、前記多層配線構造に固定され、前記バンプを側面から支持する構造体とにより構成されてもよい。【選択図】図３ａ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の配線層が積層された多層配線構造と、
前記多層配線構造の上方に配置され、樹脂を含み、前記複数の配線層のいずれか一の配線層に電気的に接続されたバンプと、
前記多層配線構造に固定され、前記バンプを側面から支持する構造体と、を備える多層配線構造体。
【請求項２】
前記構造体は、開口部が設けられた薄膜を有し、
前記バンプは、前記開口部における前記薄膜の側壁によって支持されることを特徴とする請求項１に記載の多層配線構造体。
【請求項３】
前記薄膜は、無機絶縁層であることを特徴とする請求項２に記載の多層配線構造体。
【請求項４】
前記薄膜は、有機絶縁層であることを特徴とする請求項２に記載の多層配線構造体。
【請求項５】
前記薄膜は、無機絶縁層と有機絶縁層との積層を含むことを特徴とする請求項２に記載の多層配線構造体。
【請求項６】
前記構造体は、第１開口部が設けられた第１薄膜と、平面視において前記第１開口部より大きい第２開口部が設けられた第２薄膜と、を有し、
前記バンプは、前記第１開口部における前記第１薄膜の第１側壁と、前記第２開口部における前記第２薄膜の第２側壁と、によって支持されることを特徴とする請求項１に記載の多層配線構造体。
【請求項７】
前記第１薄膜および前記第２薄膜は、有機絶縁層であることを特徴とする請求項６に記載の多層配線構造体。
【請求項８】
前記第１薄膜は、無機絶縁層と有機絶縁層との積層とを含み、
前記第２薄膜は、無機絶縁層であることを特徴とする請求項６に記載の多層配線構造体。
【請求項９】
前記配線層は、第１の導電層、前記第１の導電層の上方に位置するバリア層、前記バリア層の上方に位置する第２の導電層とを含むことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一に記載の多層配線構造体。
【請求項１０】
前記第２の導電層は、金を含む材料からなることを特徴とする請求項９に記載の多層配線構造体。
【請求項１１】
前記多層配線構造の上方に配置され、前記バンプを側面から支持する第３の絶縁層をさらに含むことを特徴とする請求項１乃至請求項１０のいずれか一に記載の多層配線構造体。
【請求項１２】
前記第３の絶縁層の上面は、前記バンプの上面よりも高いことを特徴とする請求項１１に記載の多層配線構造体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、多層配線構造体に関する。本発明は、特に、多層配線構造の上方に配置され、樹脂を含み、前記複数の配線層のいずれか一の配線層に電気的に接続されたバンプと、前記多層配線構造に固定され、前記バンプを側面から支持する構造体と、を備える多層配線構造体に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体素子の高性能化に伴う多ピン化により、半導体素子を実装するための配線基板として、配線層を多層化した多層配線基板の重要性が高まっている。また、半導体素子をテストするための半導体テスト基板においても、配線層の多層化は必要不可欠なものとなっている。この半導体テスト基板の最上層は、検査対象の半導体素子の電極パッドと接続するバンプが配置されている。このバンプの材料には、主に金、銀、銅、ニッケル、はんだ（半田）などの金属が用いられる。
【０００３】
ところで、半導体テスト基板を用いて検査する半導体素子は多数に上る。そのため、検査対象の半導体素子を接続したり、外したりする作業を繰り返す必要がある。そのため、半導体素子の電極パッドと接続するバンプには、弾力性を有することが求められる。ところが、金属材料からなるバンプでは弾力性がない。そこで、バンプを形成する材料として、金属よりも弾力性のある樹脂を含む材料などが用いられることが考えられる。
【０００４】
ここで、多層配線構造の最上層に配置された金属材料からなるバンプの配置として、配線パッドの上部にのみ配置する技術が開示されている（特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００６−１７３３３３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１で開示された技術を、樹脂を含む材料からなるバンプに適用した場合、樹脂が金属と比べて、下地の金属との密着性が低いことや剛性が低いことから、樹脂を含む材料からなるバンプが横にずれたり、倒れたりしてしまうという問題が生じる。
【０００７】
本発明は、上記のような従来技術に伴う課題を解決しようとするものであって、その目的とするところは、樹脂を含む材料からなるバンプが横にずれたり、倒れたりするのを抑制するところにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一実施形態によると、複数の配線層が積層された多層配線構造と、前記多層配線構造の上方に配置され、樹脂を含み、前記複数の配線層のいずれか一の配線層に電気的に接続されたバンプと、前記多層配線構造に固定され、前記バンプを側面から支持する構造体と、を備える多層配線構造体が提供される。
【０００９】
本実施形態によると、樹脂を含む材料からなるバンプが横にずれたり、倒れたりするのを抑制することができる。
【００１０】
前記構造体は、開口部が設けられた薄膜を有し、前記バンプは、前記開口部における前記薄膜の側壁によって支持されてもよい。
【００１１】
本実施形態によると、樹脂を含む材料からなるバンプが横にずれたり、倒れたりするのを抑制することができる。
【００１２】
前記薄膜は、無機絶縁層であってもよい。
【００１３】
本実施形態によると、樹脂を含む材料からなるバンプが横にずれたり、倒れたりするのを抑制することができる。また、無機絶縁層によって形成された膜は、剛性が高く、より強固にバンプを支持することができ、バンプが横にずれたり倒れたりするのをより抑制することができる。
【００１４】
前記薄膜は、有機絶縁層であってもよい。
【００１５】
本実施形態によると、樹脂を含む材料からなるバンプが横にずれたり、倒れたりするのを抑制することができる。また、有機絶縁層によって形成された膜は、厚膜にすることができるため、バンプを支持する側壁をより高くすることができ、バンプが横にずれたり倒れたりするのをより抑制することができる。
【００１６】
前記薄膜は、無機絶縁層と有機絶縁層との積層を含んでもよい。
【００１７】
本実施形態によると、樹脂を含む材料からなるバンプが横にずれたり、倒れたりするのを抑制することができる。また、無機絶縁層によって形成された膜は、剛性が高く、より強固にバンプを支持することができる。有機絶縁層によって形成された膜は、厚膜にすることができるため、バンプを支持する側壁をより高くすることができ、バンプが横にずれたり倒れたりするのをより抑制することができる。
【００１８】
前記構造体は、第１開口部が設けられた第１薄膜と、平面視において前記第１開口部より大きい第２開口部が設けられた第２薄膜と、を有し、前記バンプは、前記第１開口部における前記第１薄膜の第１側壁と、前記第２開口部における前記第２薄膜の第２側壁と、によって支持されてもよい。
【００１９】
本実施形態によると、樹脂を含む材料からなるバンプが横にずれたり、倒れたりするのを抑制することができる。また、側壁が２段に分かれていることにより、アンカー効果を大きくすることができる。
【００２０】
前記第１薄膜および前記第２薄膜は、有機絶縁層であってもよい。
【００２１】
本実施形態によると、樹脂を含む材料からなるバンプが横にずれたり、倒れたりするのを抑制することができる。また、有機絶縁層によって形成された膜は、厚膜にすることができるため、バンプを支持する側壁をより高くすることができ、バンプが横にずれたり倒れたりするのをより抑制することができる。
【００２２】
前記第１薄膜は、無機絶縁層と有機絶縁層との積層とを含み、前記第２薄膜は、無機絶縁層であってもよい。
【００２３】
本実施形態によると、樹脂を含む材料からなるバンプが横にずれたり、倒れたりするのを抑制することができる。また、無機絶縁層によって形成された膜は、剛性が高く、より強固にバンプを支持することができる。有機絶縁層によって形成された膜は、厚膜にすることができるため、バンプを支持する側壁をより高くすることができ、バンプが横にずれたり倒れたりするのをより抑制することができる。
【００２４】
前記配線層は、第１の導電層、前記第１の導電層の上方に位置するバリア層、前記バリア層の上方に位置する第２の導電層とを含んでもよい。
【００２５】
本実施形態によると、樹脂を含む材料からなるバンプが横にずれたり、倒れたりするのを抑制することができる。また、バリア層は、第２の導電層が第１の導電層に拡散することを抑制する。
【００２６】
前記第２の導電層は、金を含む材料からなってもよい。
【００２７】
本実施形態によると、樹脂を含む材料からなるバンプが横にずれたり、倒れたりするのを抑制することができる。また、第２の導電層を、金を含む材料とすることにより、第１の導電層の表面の酸化を防止し、バンプとの濡れ性を向上し、バンプとの密着性を向上することができる。
【００２８】
前記多層配線構造の上方に配置され、前記バンプを側面から支持する第３の絶縁層をさらに含んでもよい。
【００２９】
本実施形態によると、バンプの耐久性を向上することができる。
【００３０】
前記第３の絶縁層の上面は、前記バンプの上面よりも高くてもよい。
【００３１】
本実施形態によると、バンプの耐久性をより向上することができる。
【発明の効果】
【００３２】
本発明に係る多層配線構造体によれば、樹脂を含む材料からなるバンプが横にずれたり、倒れたりするのを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】一実施形態に係る多層配線構造体の模式図（平面図）である。
【図２】図１のＡ−Ａ線での断面図である。
【図３ａ】一実施形態に係る多層配線構造体のバンプ１７８付近を拡大した模式図（断面図）である。
【図３ｂ】一実施形態に係る多層配線構造体のバンプ１７８付近を拡大した模式図（断面図）である。
【図３ｃ】一実施形態に係る多層配線構造体のバンプ１７８付近を拡大した模式図（断面図）である。
【図４ａ】一実施形態に係る多層配線構造体のバンプ１７８付近を拡大した模式図（断面図）である。
【図４ｂ】一実施形態に係る多層配線構造体のバンプ１７８付近を拡大した模式図（断面図）である。
【図４ｃ】一実施形態に係る多層配線構造体のバンプ１７８付近を拡大した模式図（断面図）である。
【図５ａ】一実施形態に係る多層配線構造体のバンプ１７８付近を拡大した模式図（断面図）である。
【図５ｂ】一実施形態に係る多層配線構造体のバンプ１７８付近を拡大した模式図（断面図）である。
【図５ｃ】一実施形態に係る多層配線構造体のバンプ１７８付近を拡大した模式図（断面図）である。
【図６ａ】一実施形態に係る多層配線構造体のバンプ１７８付近を拡大した模式図（断面図）である。
【図６ｂ】一実施形態に係る多層配線構造体のバンプ１７８付近を拡大した模式図（断面図）である。
【図７ａ】一実施形態に係る多層配線構造体のバンプ１７８付近を拡大した模式図（断面図）である。
【図７ｂ】一実施形態に係る多層配線構造体のバンプ１７８付近を拡大した模式図（断面図）である。
【図８ａ】一実施形態に係る多層配線構造体のバンプ１７８付近を拡大した模式図（断面図）である。
【図８ｂ】一実施形態に係る多層配線構造体のバンプ１７８付近を拡大した模式図（断面図）である。
【図９ａ】一実施形態に係る多層配線構造体のバンプ１７８付近を拡大した模式図（断面図）である。
【図９ｂ】一実施形態に係る多層配線構造体のバンプ１７８付近を拡大した模式図（断面図）である。
【図９ｃ】一実施形態に係る多層配線構造体のバンプ１７８付近を拡大した模式図（断面図）である。
【図１０ａ】一実施形態に係る多層配線構造体のバンプ１７８付近を拡大した模式図（断面図）である。
【図１０ｂ】一実施形態に係る多層配線構造体のバンプ１７８付近を拡大した模式図（断面図）である。
【図１０ｃ】一実施形態に係る多層配線構造体のバンプ１７８付近を拡大した模式図（断面図）である。
【図１１ａ】一実施形態に係る多層配線構造体のバンプ１７８付近を拡大した模式図（断面図）である。
【図１１ｂ】一実施形態に係る多層配線構造体のバンプ１７８付近を拡大した模式図（断面図）である。
【図１１ｃ】一実施形態に係る多層配線構造体のバンプ１７８付近を拡大した模式図（断面図）である。
【図１２ａ】一実施形態に係る多層配線構造体のバンプ１７８付近を拡大した模式図（断面図）である。
【図１２ｂ】一実施形態に係る多層配線構造体のバンプ１７８付近を拡大した模式図（断面図）である。
【図１３ａ】一実施形態に係る多層配線構造体のバンプ１７８付近を拡大した模式図（断面図）である。
【図１３ｂ】一実施形態に係る多層配線構造体のバンプ１７８付近を拡大した模式図（断面図）である。
【図１４ａ】一実施形態に係る多層配線構造体のバンプ１７８付近を拡大した模式図（断面図）である。
【図１４ｂ】一実施形態に係る多層配線構造体のバンプ１７８付近を拡大した模式図（断面図）である。
【図１５ａ】一実施形態に係る多層配線構造体のバンプ１７８付近を拡大した模式図（断面図）である。
【図１５ｂ】一実施形態に係る多層配線構造体のバンプ１７８付近を拡大した模式図（断面図）である。
【図１５ｃ】一実施形態に係る多層配線構造体のバンプ１７８付近を拡大した模式図（断面図）である。
【図１６ａ】一実施形態に係る多層配線構造体のバンプ１７８付近を拡大した模式図（断面図）である。
【図１６ｂ】一実施形態に係る多層配線構造体のバンプ１７８付近を拡大した模式図（断面図）である。
【図１６ｃ】一実施形態に係る多層配線構造体のバンプ１７８付近を拡大した模式図（断面図）である。
【図１７ａ】一実施形態に係る多層配線構造体のバンプ１７８付近を拡大した模式図（断面図）である。
【図１７ｂ】一実施形態に係る多層配線構造体のバンプ１７８付近を拡大した模式図（断面図）である。
【図１７ｃ】一実施形態に係る多層配線構造体のバンプ１７８付近を拡大した模式図（断面図）である。
【図１８】従来の金属材料からなるバンプを樹脂を含む材料からなるバンプに置き換えた場合のバンプ１８８付近を拡大した模式図（断面図）である。
【発明を実施するための形態】
【００３４】
以下、図面を参照して本発明に係る多層配線構造体およびその製造方法について説明する。但し、本発明の多層配線構造体およびその製造方法は、以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、本実施の形態で参照する図面において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。また、図面の寸法比率（各構成間の比率、縦横高さ方向の比率等）は説明の都合上実際の比率とは異なったり、構成の一部が図面から省略されたりする場合がある。
【００３５】
＜第１実施形態＞
以下、図１乃至図５を参照して、説明する。図１は、一実施形態に係る多層配線構造体の模式図（平面図）であり、図２は、図１のＡ−Ａ線での断面図である。図２では、多層配線構造体の一例として、７層の配線構造体の断面図を用いて説明する。
【００３６】
基板１００上に第１乃至第７配線層（１１０、１２０、１３０、１４０、１５０、１６０、１７０）と、第１乃至第７配線層の各配線層を隔離する第１乃至第６絶縁層（１１９、１２９、１３９、１４９、１５９、１６９）と、第１乃至第７配線層（１１０、１２０、１３０、１４０、１５０、１６０、１７０）のうち隣接する配線層を接続する第１乃至第６ビア（１９１、１９２、１９３、１９４、１９５、１９６）と、を有する多層配線構造が形成されている。基板１００と多層配線構造の最下層の配線層である第１配線層１１０との間には、基板１００と第１配線層１１０とを隔離する絶縁性の下地層１０１が形成され、第１配線層１１０と基板１００とが電気的に絶縁されている。図２の多層配線構造体の構成の詳細については、後述する。
【００３７】
図３ａは、図２の多層配線構造体のバンプ１７８付近を拡大した模式図（断面図）である。図３ａでは、図２に示す第６配線層１６０の一部である第１１導電層１６１および第５ビア１９５の部分を省略しており、第５有機絶縁層１５５以上の構造を示す。このような省略は、以降の図においても、同様である。図３ａに示すように、第６絶縁層１６９上及び第７配線層１７０上には第１３無機絶縁層１７６及び第１４無機絶縁層１７７が配置されている。第１３無機絶縁層１７６及び第１４無機絶縁層１７７には開口部が設けられており、当該開口部においてバンプ１７８が第７配線層１７０に接して配置されている。換言すると、バンプ１７８の下面にあるバンプ１７８の凸部は、第１３無機絶縁層１７６及び第１４無機絶縁層１７７に設けられた開口部に嵌合している。また、言い換えると、バンプ１７８は、多層配線構造の上方に配置され、第７配線層１７０に電気的に接続される。また、第１３無機絶縁層１７６は、多層配線構造に固定される。第１３無機絶縁層１７６と第１４無機絶縁層１７７からなる構造体は、開口部を有し、バンプ１７８は、この開口部における側壁によって支持される。
【００３８】
バンプ１７８を形成する材料としては、ポリアセチレン、ポリパラフェニレン、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリパラフェニレンビニレンなどの導電樹脂や、エポキシ系導電性接着剤、ウレタン系導電性接着剤、シリコーン系導電性接着剤、ポリイミド系導電性接着剤、ゴム系導電性接着剤、高分子中にそれぞれ金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、Ｐｄ（パラジウム）、Ｃｕ（銅）、ＡｇコートＣｕなどをフィラーとして含有した各種導電性ペーストが挙げられるが、これらに限定されない。バンプ１７８の高さは、１０μｍ以上５０μｍ以下であるとよい。また、バンプ１７８の高さは、好ましくは、２０μｍ以上４０μｍ以下であるとよい。また、バンプ１７８の上面（図示せず）は円形をしており、その径は、好ましくは３５μｍ以上４５μｍ以下である。本実施形態では、バンプ１７８の上面は、円形として説明しているが、円に限定されず、三角形、四角形などの多角形であってもよい。また、本実施形態では、バンプ１７８の断面形状は、バンプ１７８の上の辺の方が、バンプ１７８の下面が第１４無機絶縁層１７７と接する部分を繋いだときの辺よりも長くなっているが、バンプ１７８の断面形状はこれに限定されず、バンプ１７８の下面が第１４無機絶縁層１７７と接する部分を繋いだときの辺が、バンプ１７８の上の辺よりも長いような形状でも、円の一部のような形状であってもよい。
【００３９】
本実施形態によれば、バンプ１７８の下面にあるバンプ１７８の凸部が、第１３無機絶縁層１７６と第１４無機絶縁層１７７からなる構造体の側壁によって支持されることにより、アンカー効果が働き、バンプ１７８が横にずれたり、倒れたりするのを抑制することができる。また、第１３無機絶縁層１７６と第１４無機絶縁層１７７によって形成された膜は、剛性が高く、より強固にバンプ１７８を支持することができる。
【００４０】
図３ｂの実施形態では、第７有機絶縁層１７９が、第６有機絶縁層１６５の上方に配置され、バンプ１７８を側面から支持している。図３ｂでは、第７有機絶縁層１７９の上面は、バンプ１７８の上面より低くなっているが、バンプ１７８の上面と同じであってもよい。また、図３ｃに示すように、第７有機絶縁層１７９の上面は、バンプ１７８の上面より高くてもよい。図３ｂ・図３ｃのように、第７有機絶縁層１７９が、第６有機絶縁層１６５の上方に配置され、バンプ１７８を側面から支持することにより、バンプ１７８の耐久性を向上することができる。
【００４１】
図３ｃにおいて、第７有機絶縁層１７９の上面は、好ましくは、バンプ１７８の上面よりも、１０μｍ以上４０μｍ以下高くてもよい。さらに好ましくは、第７有機絶縁層１７９の上面は、バンプ１７８の上面よりも、２５μｍ高くてもよい。図３ｃにおいて、第７有機絶縁層１７９の径は、バンプ１７８の径以上であるが、これに限定されない。
【００４２】
図３ｂ・図３ｃでは、第６有機絶縁層１６５の上方に配置され、バンプ１７８を側面から支持する絶縁層として、有機絶縁層としたが、無機絶縁層であってもよい。
【００４３】
＜比較例＞
ここで、本発明に係るバンプ及び構造体を有さない構造について、比較例として図１８を用いて説明する。従来の技術を樹脂を含む材料からなるバンプに適用した場合、図１８に示すように、本実施形態と異なり、バンプ１８８は、側面から支持する構造体がなく、アンカー効果が働かないので、バンプ１８８は、横にずれたり、倒れたりしてしまう。
【００４４】
＜第１実施形態の変形例１＞
図４ａは、本発明の実施形態１の変形例１に係る多層配線構造体のバンプ１７８付近を拡大した模式図（断面図）である。
【００４５】
図４ａに示すように、第６絶縁層１６９上及び第７配線層１７０上には第１３無機絶縁層１７６及び第１４無機絶縁層１７７が配置されている。第１３無機絶縁層１７６及び第１４無機絶縁層１７７には開口部が設けられており、当該開口部においてバンプ１７８が第７配線層１７０に接して配置されている。換言すると、バンプ１７８の下面にあるバンプ１７８の凸部は、第１３無機絶縁層１７６及び第１４無機絶縁層１７７に設けられた開口部に嵌合している。また、言い換えると、バンプ１７８は、多層配線構造の上方に配置され、第７配線層１７０に電気的に接続される。また、第１３無機絶縁層１７６は、多層配線構造に固定される。第１３無機絶縁層１７６と第１４無機絶縁層１７７からなる構造体は、開口部を有し、バンプ１７８は、この開口部における側壁によって支持される。そして、第１６導電層１７４は、第１５導電層１７２と異なる金属である。第１６導電層１７４としては、例えば、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）などを使用することができる。
【００４６】
本実施形態によれば、図３ａの実施形態と同様に、バンプ１７８は、第１３無機絶縁層１７６と第１４無機絶縁層１７７からなり、開口部を有する構造体の開口部における側壁によって支持されることにより、アンカー効果が働き、バンプ１７８が横にずれたり、倒れたりするのを抑制することができる。また、第１３無機絶縁層１７６と第１４無機絶縁層１７７によって形成された膜は、剛性が高く、より強固にバンプ１７８を支持することができる。もっとも、図３ａの実施形態と異なり、第１５導電層１７２の上に、Ａｕである第１６導電層１７４を配置していることにより、第１５導電層１７２の表面の酸化を防止し、バンプ１７８との濡れ性を向上し、バンプ１７８との密着性を向上することができる。
【００４７】
図４ｂ・図４ｃの実施形態では、第７有機絶縁層１７９が、第６有機絶縁層１６５の上方に配置され、バンプ１７８を側面から支持しているが、これにより、バンプ１７８の耐久性を向上することができること、バンプ１７８の高さ、第７有機絶縁層１７９の径については、それぞれ、図３ｂ・図３ｃの実施形態と同様である。そのため、これらに関する詳細な説明は、省略する。
【００４８】
＜第１実施形態の変形例２＞
図５ａに示すように、第６絶縁層１６９上及び第７配線層１７０上には第１３無機絶縁層１７６及び第１４無機絶縁層１７７が配置されている。第１３無機絶縁層１７６及び第１４無機絶縁層１７７には開口部が設けられており、当該開口部においてバンプ１７８が第７配線層１７０に接して配置されている。換言すると、バンプ１７８の下面にあるバンプ１７８の凸部は、第１３無機絶縁層１７６及び第１４無機絶縁層１７７に設けられた開口部に嵌合している。また、言い換えると、バンプ１７８は、多層配線構造の上方に配置され、第７配線層１７０に電気的に接続される。また、第１３無機絶縁層１７６は、多層配線構造に固定される。第１３無機絶縁層１７６と第１４無機絶縁層１７７からなる構造体は、開口部を有し、バンプ１７８は、この開口部における側壁によって支持される。そして、第１５導電層１７２と第１６導電層１７４との間に、バリア層１７３が配置される。
【００４９】
本実施形態によれば、図３ａ及び図４ａの実施形態と同様に、バンプ１７８は、第１３無機絶縁層１７６と第１４無機絶縁層１７７からなり、開口部を有する構造体の開口部における側壁によって支持されることにより、アンカー効果が働き、バンプ１７８が横にずれたり、倒れたりするのを抑制することができる。また、第１３無機絶縁層１７６と第１４無機絶縁層１７７によって形成された膜は、剛性が高く、より強固にバンプ１７８を支持することができる。もっとも、図４ａの実施形態と異なり、第１５導電層１７２と第１６導電層１７４との間にバリア層１７３があることにより、第１６導電層１７４の材料が第１５導電層１７２に拡散することが防止される。バリア層１７３は、例えば、ニッケル（Ｎｉ）を使用することができるが、第１６導電層１７４に第１５導電層１７２の材料が拡散することを防止することができれば、ニッケルに限定されない。
【００５０】
図５ｂ・図５ｃの実施形態では、第７有機絶縁層１７９が、第６有機絶縁層１６５の上方に配置され、バンプ１７８を側面から支持しているが、これにより、バンプ１７８の耐久性を向上することができること、バンプ１７８の高さ、第７有機絶縁層１７９の径については、それぞれ、図３ｂ・図３ｃの実施形態と同様である。そのため、これらに関する詳細な説明は、省略する。
【００５１】
本実施形態による多層配線構造体の構成について更に詳細に説明する。図２では、第１配線層１１０は第１導電層１１１および第２導電層１１２を有する。第２導電層１１２としては、電気抵抗が低い金属材料が好ましい。例えば、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、アルミニウム（Ａｌ）などを使用することができる。また、アルミニウム−ネオジウム合金（Ａｌ−Ｎｄ）やアルミニウム−銅合金（Ａｌ−Ｃｕ）などのアルミニウム合金を使用することができる。第１導電層１１１としては、密着性や、第２導電層１１２に対するバリア性を有する材料を使用することが好ましい。例えば、第２導電層１１２としてＣｕを使用した場合、第１導電層１１１としては、チタン（Ｔｉ）、窒化チタン（ＴｉＮ）、タンタル（Ｔａ）、窒化タンタル（ＴａＮ）、クロム（Ｃｒ）などを使用することができる。
【００５２】
なお、本実施形態では、配線層として２つの導電層の積層構造を例示したが、この構造に限定されず、１つの導電層の単層構造であってもよく、また、３つ以上の導電層による積層構造であってもよい。
【００５３】
図２では、第１絶縁層１１９は第１無機絶縁層１１３、第２無機絶縁層１１４および第１有機絶縁層１１５を有する。第１無機絶縁層１１３は、第１導電層１１１、第２導電層１１２および露出された下地層１０１を覆うように形成されている。また、第２無機絶縁層１１４は第１無機絶縁層１１３を覆うように形成されており、さらにその上に第１有機絶縁層１１５が形成されている。ここで、第１有機絶縁層１１５の誘電率は、第１無機絶縁層１１３および第２無機絶縁層１１４の各々の誘電率よりも低いことが望ましい。なお、第１絶縁層１１９は上記３層構造に限るものではなく、有機絶縁層又は無機絶縁層を少なくとも１層以上含むように構成されていてもよい。第１絶縁層１１９は、第１無機絶縁層１１３および第２無機絶縁層１１４がなく、第１有機絶縁層１１５から構成されてもよい。
【００５４】
第１無機絶縁層１１３は、第２導電層１１２に対するバリア性を有している材料を使用することが好ましい。換言すると、第１無機絶縁層１１３は、第２無機絶縁層１１４や第１有機絶縁層１１５に比べて、第２導電層１１２の拡散速度が遅い材料であることが好ましい。例えば、第２導電層１１２としてＣｕを使用した場合、第１無機絶縁層１１３としては、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、シリコンカーバイト（ＳｉＣ）、窒化シリコンカーバイト（ＳｉＣＮ）、炭素添加シリコンオキサイド（ＳｉＯＣ）などを使用することができる。また、第１無機絶縁層１１３は被覆性の良い成膜条件で成膜することが好ましい。また、第２導電層１１２としてＣｕを使用し、第１無機絶縁層１１３としてＳｉＮを使用した場合、Ｃｕの拡散防止機能を得るために一定以上の膜厚であることが好ましく、ＳｉＮは比誘電率が７．５と高いため配線層間の寄生容量を抑制するために一定以下の膜厚にすることが好ましい。具体的には、ＳｉＮ膜の膜厚は、好ましくは１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下であるとよい。また、より好ましくは、５０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であるとよい。
【００５５】
第１無機絶縁層１１３は、第１配線層１１０によって形成された段差部において、第１無機絶縁層１１３のひび割れや、膜が粗な領域が発生しないようにすることが好ましい。例えば、第１無機絶縁層１１３は、成膜温度が高い条件で成膜することが望ましく、好ましくは２００℃以上であるとよい。より好ましくは、２５０℃以上であるとよい。また、第１無機絶縁層１１３の被覆性を良くするために、第１配線層１１０の端面を下地層１０１の表面に対して傾斜した順テーパ形状にしてもよい。第１配線層１１０のテーパ角度は、好ましくは３０度以上９０度以下であるとよい。より好ましくは、３０度以上６０度以下であるとよい。ここで、第１配線層１１０に含まれる第１導電層１１１と第２導電層１１２の両方が順テーパ形状でなくてもよく、いずれか一方が順テーパ形状であればよい。
【００５６】
第２無機絶縁層１１４は、第１無機絶縁層１１３およびその上に形成される第１有機絶縁層１１５との密着性がよい材料を使用することが好ましい。例えば、第２無機絶縁層１１４としては、酸化シリコン（ＳｉＯ２）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）などを使用することができる。また、第２無機絶縁層１１４は被覆性の良い成膜条件で成膜することが好ましい。また、ＳｉＯ２膜は、基板の反りを調整及び信頼性向上のために一定以上の膜厚であることが好ましく、膜厚が厚すぎると、第１有機絶縁層１１５としてポリイミドを用いた場合にはポリイミドとの応力との釣り合いが取れなくなるため一定以下の膜厚であることが好ましい。具体的には、ＳｉＯ２膜の膜厚は、好ましくは１μｍ以上８μｍ以下であるとよい。また、より好ましくは２μｍ以上５μｍ以下であるとよい。
【００５７】
第１有機絶縁層１１５は、第１配線層１１０によって形成された段差を緩和または平坦化し、また、誘電率が第１無機絶縁層１１３および第２無機絶縁層１１４よりも低い材料であることが好ましく、例えば感光性ポリイミドなどの樹脂材料で形成されるとよい。第１有機絶縁層１１５の膜厚は、少なくとも第１配線層１１０によって形成される段差以上の膜厚であることが好ましい。また、第１有機絶縁層１１５の膜厚は、配線のインピーダンス整合をするために、一定の範囲におさめることが好ましい。具体的には、第１有機絶縁層の膜厚は、好ましくは４μｍ以上２４μｍ以下であるとよい。また、より好ましくは８μｍ以上２０μｍ以下であるとよい。また、感光性ポリイミドの代わりに、感光性アクリルや感光性シロキサンなどを使用することができる。その他にも、誘電率が低く、Ｃｕに対するバリア性を有するベンゾシクロブテンを使用してもよい。また、感光性樹脂に限らず、非感光性樹脂を使用してもよい。
【００５８】
非感光性樹脂としては、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂、ポリアミド、フェノール樹脂、シリコーン樹脂、フッ素樹脂、液晶ポリマー、ポリアミドイミド、ポリベンゾオキサゾール、シアネート樹脂、アラミド、ポリオレフィン、ポリエステル、ＢＴレジン、ＦＲ−４、ＦＲ−５、ポリアセタール、ポリブチレンテレフタレート、シンジオタクチック・ポリスチレン 、ポリフェニレンサルファイド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルニトリル、ポリカーボネート、ポリフェニレンエーテルポリサルホン、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート、ポリエーテルイミドなどを用いることができる。上記の樹脂は単体で用いられてもよく、２種類以上の樹脂を組み合わせて用いられてもよい。また、上記の樹脂に、ガラス、タルク、マイカ、シリカ、アルミナ等 、無機フィラーを併用して用いてもよい。
【００５９】
第１絶縁層１１９には、開口部１８１が設けられており、開口部１８１の内部には第１ビア１９１が充填されている。図２では、第２配線層１２０の一部が開口部１８１に充填されることで、第１ビア１９１を形成する構造を例示したが、この構造に限定されず、例えば、第１ビア１９１として、第２配線層１２０とは異なる導電層を使用してもよい。また、図２では、開口部１８１および第１ビア１９１は基板に対して直角の形状を有する構造を例示したが、この構造に限定されず、開口部１８１および第１ビア１９１が基板に対して順テーパ形状を有していてもよく、また、開口部１８１および第１ビア１９１が基板に対して逆テーパ形状を有していてもよい。また、図２では、開口部１８１が導電層で満たされた構造を例示したが、ビアは隣接する配線層間を接続すればよく、開口部１８１の一部が空洞であってもよい。
【００６０】
図２のように、第２配線層１２０を第１ビア１９１として使用する場合、第４導電層１２２として、第２導電層１１２と同様に電気抵抗が低い銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、アルミニウム（Ａｌ）などを使用することができる。また、アルミニウム−ネオジウム合金（Ａｌ−Ｎｄ）やアルミニウム−銅合金（Ａｌ−Ｃｕ）などのアルミニウム合金を使用することができる。また、第３導電層１２１として、第１導電層１１１と同様に第４導電層１２２に対するバリア性を有する材料を使用することが好ましい。例えば、第４導電層１２２がＣｕを含む場合、第３導電層１２１としては、チタン（Ｔｉ）、窒化チタン（ＴｉＮ）、タンタル（Ｔａ）、窒化タンタル（ＴａＮ）、クロム（Ｃｒ）などを使用することができる。
【００６１】
第１ビア１９１は、その底部において第１配線層１１０の第２導電層１１２と接しており、第１配線層１１０と第２配線層１２０とが電気的に接続される。
【００６２】
第２配線層１２０上には第２絶縁層１２９が形成されている。第２絶縁層１２９は、第１絶縁層１１９と同じ構造を有しており、第３無機絶縁層１２３、第４無機絶縁層１２４および第２有機絶縁層１２５を有する。図２では、第２絶縁層１２９の各々の層に使用される材料は、第１絶縁層１１９の各々の層と同じ材料を使用しているため、ここでは詳細な説明は省略する。第１絶縁層１１９と同様に、第２絶縁層１２９は、第３無機絶縁層１２３および第４無機絶縁層１２４がなく、第２有機絶縁層１２５から構成されてもよい。ただし、第２絶縁層１２９の各々の層に使用する材料は、第１絶縁層１１９の各々の層と同じ材料に限定されず、その絶縁層の目的に応じて適宜選択することができる。
【００６３】
以降、第２配線層１２０と同様にして、第３乃至第７配線層（１３０、１４０、１５０、１６０、１７０）を形成することができる。第３配線層１３０の第５導電層１３１、第４配線層１４０の第７導電層１４１、第５配線層１５０の第９導電層１５１、第６配線層１６０の第１１導電層１６１及び第７配線層の第１３導電層１７１は、それぞれ第１導電層１１１と同じ材料で形成することができる。また、第３配線層１３０の第６導電層１３２、第４配線層１４０の第８導電層１４２、第５配線層１５０の第１０導電層１５２、第６配線層の第１２導電層１６２、第７配線層１７０の第１４導電層１７２は、それぞれ第２導電層１１２と同じ材料で形成することができる。ただし、これらの導電層は、必ずしも第１導電層１１１または第２導電層１１２と同じでなくてもよく、その配線層の目的に応じて適宜選択することができる。
【００６４】
また、第２絶縁層１２９と同様にして、第３乃至第６絶縁層（１３９、１４９、１５９、１６９）を形成することができる。第３絶縁層１３９の第５無機絶縁層１３３、第４絶縁層１４９の第７無機絶縁層１４３、第５絶縁層１５９の第９無機絶縁層１５３、第６絶縁層１６９の第１１無機絶縁層１６３は、それぞれ第１無機絶縁層１１３と同じ材料で形成することができる。また、第３絶縁層１３９の第６無機絶縁層１３４、第４絶縁層１４９の第８無機絶縁層１４４、第５絶縁層１５９の第１０無機絶縁層１５４、第６絶縁層１６９の第１２無機絶縁層１６４は、それぞれ第２無機絶縁層１１４と同じ材料で形成することができる。また、第３絶縁層１３９の第３有機絶縁層１３５、第４絶縁層１４９の第４有機絶縁層１４５、第５絶縁層１５９の第５有機絶縁層１５５、第６絶縁層１６９の第６有機絶縁層１６５は、それぞれ第１有機絶縁層１１５と同じ材料で形成することができる。また、第１絶縁層１１９、第２絶縁層１２９と同様にして、第３乃至第６絶縁層（１３９、１４９、１５９、１６９）は、第３乃至第６有機絶縁層（１３５、１４５、１５５、１６５）から構成されてもよい。ただし、これらの絶縁層は、必ずしも第１無機絶縁層１１３、第２無機絶縁層１１４または第１有機絶縁層１１５と同じでなくてもよく、その絶縁層の目的に応じて適宜選択することができる。
【００６５】
＜第２実施形態＞
図６ａは、一実施形態に係る多層配線構造体のバンプ１７８付近を拡大した模式図（断面図）である。本実施形態では、図３ａの実施形態と同様に、第６絶縁層１６９上及び第７配線層１７０上には第７有機絶縁層１７９が配置されている。もっとも、図３ａの実施形態と異なり、第７有機絶縁層１７９には開口部が設けられており、当該開口部においてバンプ１７８が第７配線層１７０に接して配置されている。換言すると、バンプ１７８の下面にあるバンプ１７８の凸部は、第７有機絶縁層１７９に設けられた開口部に嵌合している。また、言い換えると、バンプ１７８は、多層配線構造の上方に配置され、第７配線層１７０に電気的に接続される。また、第７有機絶縁層１７９は、多層配線構造に固定される。第７有機絶縁層１７９からなる構造体は、開口部を有し、バンプ１７８は、この開口部における側壁によって支持される。
【００６６】
本実施形態によれば、バンプ１７８の下面にあるバンプ１７８の凸部が、第７有機絶縁層１７９からなる構造体の側壁によって支持されることにより、アンカー効果が働き、バンプ１７８が横にずれたり、倒れたりするのを抑制することができる。また、第７有機絶縁層１７９によって形成された膜は、厚膜にすることができるため、バンプ１７８を支持する側壁をより高くすることができ、バンプ１７８が横にずれたり倒れたりするのをより抑制することができる。
【００６７】
図６ｂの実施形態では、第７有機絶縁層１７９が、第６有機絶縁層１６５の上方に配置され、バンプ１７８を側面から支持しているが、これにより、バンプ１７８の耐久性を向上することができること、バンプ１７８の高さ、第７有機絶縁層１７９の径については、図３ｃの実施形態と同様である。そのため、これらに関する詳細な説明は、省略する。
【００６８】
＜第２実施形態の変形例１＞
図７ａでは、図４ａの実施形態と同様に、第６絶縁層１６９上及び第７配線層１７０上には第７有機絶縁層１７９が配置されている。もっとも、図４ａの実施形態と異なり、第７有機絶縁層１７９には開口部が設けられており、当該開口部においてバンプ１７８が第７配線層１７０に接して配置されている。換言すると、バンプ１７８の下面にあるバンプ１７８の凸部は、第７有機絶縁層１７９に設けられた開口部に嵌合している。また、言い換えると、バンプ１７８は、多層配線構造の上方に配置され、第７配線層１７０に電気的に接続される。第７有機絶縁層１７９は、多層配線構造に固定される。第７有機絶縁層１７９からなる構造体は、開口部を有し、バンプ１７８は、この開口部における側壁によって支持される。また、図６ａの実施形態と異なり、第１５導電層１７２の上方に、第１６導電層１７４が配置されている。第１６導電層１７４は、第１５導電層１７２と異なる金属である。第１６導電層１７４としては、例えば、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）などを使用することができる。
【００６９】
本実施形態によれば、バンプ１７８の下面にあるバンプ１７８の凸部が、第７有機絶縁層１７９からなる構造体の側壁によって支持されることにより、アンカー効果が働き、バンプ１７８が横にずれたり、倒れたりするのを抑制することができる。また、第７有機絶縁層１７９によって形成された膜は、厚膜にすることができるため、バンプ１７８を支持する側壁をより高くすることができ、バンプ１７８が横にずれたり倒れたりするのをより抑制することができる。さらに、本実施形態では、図６の実施形態と異なり、第１５導電層１７２の上に、Ａｕである第１６導電層１７４を配置していることにより、第１５導電層１７２の表面の酸化を防止し、バンプ１７８との濡れ性を向上し、バンプ１７８との密着性を向上することができる。
【００７０】
図７ｂの実施形態では、第７有機絶縁層１７９が、第６有機絶縁層１６５の上方に配置され、バンプ１７８を側面から支持しているが、これにより、バンプ１７８の耐久性を向上することができること、バンプ１７８の高さ、第７有機絶縁層１７９の径については、図３ｃの実施形態と同様である。そのため、これらに関する詳細な説明は、省略する。
【００７１】
＜第２実施形態の変形例２＞
図８ａでは、図５ａの実施形態と同様に、第６絶縁層１６９上及び第７配線層１７０上には第７有機絶縁層１７９が配置されている。もっとも、図５ａの実施形態と異なり、第７有機絶縁層１７９には開口部が設けられており、当該開口部においてバンプ１７８が第７配線層１７０に接して配置されている。換言すると、バンプ１７８の下面にあるバンプ１７８の凸部は、第７有機絶縁層１７９に設けられた開口部に嵌合している。また、言い換えると、バンプ１７８は、多層配線構造の上方に配置され、第７配線層１７０に電気的に接続される。第７有機絶縁層１７９は、多層配線構造に固定される。第７有機絶縁層１７９からなる構造体は、開口部を有し、バンプ１７８は、この開口部における側壁によって支持される。また、本実施形態では、図６ａの実施形態と異なり、第１５導電層１７２の上方に、第１６導電層１７４が配置されている。第１６導電層１７４は、第１５導電層１７２と異なる金属である。第１６導電層１７４としては、例えば、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）などを使用することができる。また、本実施形態では、図７の実施形態とは異なり、第１５導電層１７５と第１６導電層１７４との間に、バリア層１７３が配置される。
【００７２】
本実施形態によれば、図６ａおよび図７ａの実施形態と同様に、バンプ１７８の下面にあるバンプ１７８の凸部が、第７有機絶縁層１７９からなる構造体の側壁によって支持されることにより、アンカー効果が働き、バンプ１７８が横にずれたり、倒れたりするのを抑制することができる。また、第７有機絶縁層１７９によって形成された膜は、厚膜にすることができるため、バンプ１７８を支持する側壁をより高くすることができ、バンプ１７８が横にずれたり倒れたりするのをより抑制することができる。他方、本実施形態では、図７の実施形態と異なり、第１５導電層１７２と第１６導電層１７４との間に、バリア層１７３が配置されることにより、第１６導電層１７４の材料が第１５導電層１７２に拡散することを防止することができる。
【００７３】
図８ｂの実施形態では、第７有機絶縁層１７９が、第６有機絶縁層１６５の上方に配置され、バンプ１７８を側面から支持しているが、これにより、バンプ１７８の耐久性を向上することができること、バンプ１７８の高さ、第７有機絶縁層１７９の径については、図３ｃの実施形態と同様である。そのため、これらに関する詳細な説明は、省略する。
【００７４】
＜第３実施形態＞
図９ａは、一実施形態に係る多層配線構造体のバンプ１７８付近を拡大した模式図（断面図）である。本実施形態では、第６配線層１６０の一部である第１２導電層１６２が多層配線構造体の最上層であり、バンプ１７８は、多層配線構造体の最上層である第１２導電層１６２及び第６絶縁層１６９の上方に配置されている。また、第６絶縁層１６９には開口部が設けられており、当該開口部においてバンプ１７８が第７配線層１７０に接して配置されている。換言すると、バンプ１７８の下面にあるバンプ１７８の凸部は、第６絶縁層１６９に設けられた開口部に嵌合している。また、言い換えると、バンプ１７８は、多層配線構造の上方に配置され、第６配線層１６０に電気的に接続される。また、第１１無機絶縁層１６３は、多層配線構造に固定される。第１１無機絶縁層１６３、第１２無機絶縁層１６４および第６有機絶縁層１６５からなる構造体は、開口部を有し、バンプ１７８は、この開口部における側壁によって支持される。
【００７５】
本実施形態によれば、バンプ１７８の下面にあるバンプ１７８の凸部が、第１１無機絶縁層１６３、第１２無機絶縁層１６４および第６有機絶縁層１６５からなる構造体の側壁によって支持されることにより、アンカー効果が働き、バンプ１７８が横にずれたり、倒れたりするのを抑制することができる。また、第１１無機絶縁層１６３及び第１２無機絶縁層１６４によって形成された膜は、剛性が高く、より強固にバンプを支持することができる。第６有機絶縁層１６５によって形成された膜は、厚膜にすることができるため、バンプ１７８を支持する側壁をより高くすることができ、バンプ１７８が横にずれたり倒れたりするのをより抑制することができる。
【００７６】
図９ｂ・図９ｃの実施形態では、第７有機絶縁層１７９が、第６有機絶縁層１６５の上方に配置され、バンプ１７８を側面から支持しているが、これにより、バンプ１７８の耐久性を向上することができること、バンプ１７８の高さ、第７有機絶縁層１７９の径については、それぞれ、図３ｂ・図３ｃの実施形態と同様である。そのため、これらに関する詳細な説明は、省略する。
【００７７】
＜第３実施形態の変形例１＞
図１０ａでは、図９ａの実施形態と同様に、第６配線層１６０の一部である第１２導電層１６２が多層配線構造体の最上層であり、バンプ１７８は、多層配線構造体の最上層である第１２導電層１６２及び第６絶縁層１６９の上方に配置されている。また、第６絶縁層１６９には開口部が設けられており、当該開口部においてバンプ１７８が第７配線層１７０に接して配置されている。換言すると、バンプ１７８の下面にあるバンプ１７８の凸部は、第６絶縁層１６９に設けられた開口部に嵌合している。他方、本実施形態では、図９ａの実施形態とは異なり、第６配線層１６０には第１３導電層１６７が含まれている。第１３導電層１６７は、第１２導電層１６２と異なる金属である。第１３導電層１６７としては、例えば、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）などを使用することができる。
【００７８】
本実施形態によれば、図９ａの実施形態と同様に、バンプ１７８の下面にあるバンプ１７８の凸部が、第１１無機絶縁層１６３、第１２無機絶縁層１６４および第６有機絶縁層１６５からなる構造体の側壁によって支持されることにより、アンカー効果が働き、バンプ１７８が横にずれたり、倒れたりするのを抑制することができる。また、第１１無機絶縁層１６３及び第１２無機絶縁層１６４によって形成された膜は、剛性が高く、より強固にバンプを支持することができる。第６有機絶縁層１６５によって形成された膜は、厚膜にすることができるため、バンプ１７８を支持する側壁をより高くすることができ、バンプ１７８が横にずれたり倒れたりするのをより抑制することができる。他方、本実施形態では、図９ａの実施形態と異なり、第１２導電層１６２の上に、Ａｕである第１３導電層１６７を配置していることにより、第１２導電層１６２の表面の酸化を防止し、バンプ１７８との濡れ性を向上し、バンプ１７８との密着性を向上することができる。
【００７９】
図１０ｂ・図１０ｃの実施形態では、第７有機絶縁層１７９が、第６有機絶縁層１６５の上方に配置され、バンプ１７８を側面から支持しているが、これにより、バンプ１７８の耐久性を向上することができること、バンプ１７８の高さ、第７有機絶縁層１７９の径については、それぞれ、図３ｂ・図３ｃの実施形態と同様である。そのため、これらに関する詳細な説明は、省略する。
【００８０】
＜第３実施形態の変形例２＞
図１１ａでは、図９ａ及び図１０ａの実施形態と同様に、第６配線層１６０の一部である第１２導電層１６２が多層配線構造体の最上層であり、バンプ１７８は、多層配線構造体の最上層である第１２導電層１６２及び第６無機絶縁層１６９の上方に配置されている。また、第６絶縁層１６９には開口部が設けられており、当該開口部においてバンプ１７８が第６配線層１６０に接して配置されている。換言すると、バンプ１７８の下面にあるバンプ１７８の凸部は、第６絶縁層１６９に設けられた開口部に嵌合している。他方、本実施形態では、図９ａの実施形態とは異なり、第６配線層１６０には第１３導電層１６７が含まれている。第１３導電層１６７は、第１２導電層１６２と異なる金属である。第１３導電層１６７としては、例えば、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）などを使用することができる。また、本実施形態では、図１０ａの実施形態とは異なり、第１２導電層１６２と第１３導電層１６７との間に、バリア層１６６が配置される。
【００８１】
本実施形態によれば、図９ａ及び図１０ａの実施形態と同様に、バンプ１７８の下面にあるバンプ１７８の凸部が、第１１無機絶縁層１６３、第１２無機絶縁層１６４および第６有機絶縁層１６５からなる構造体の側壁によって支持されることにより、アンカー効果が働き、バンプ１７８が横にずれたり、倒れたりするのを抑制することができる。また、第１１無機絶縁層１６３及び第１２無機絶縁層１６４によって形成された膜は、剛性が高く、より強固にバンプを支持することができる。第６有機絶縁層１６５によって形成された膜は、厚膜にすることができるため、バンプ１７８を支持する側壁をより高くすることができ、バンプ１７８が横にずれたり倒れたりするのをより抑制することができる。他方、本実施形態では、図１０ａの実施形態と異なり、第１２導電層１６２と第１３導電層１６７との間に、バリア層１６６が配置されることにより、第１３導電層１６７の材料が第１２導電層１６２に拡散することを防止することができる。
【００８２】
図１１ｂ・図１１ｃの実施形態では、第７有機絶縁層１７９が、第６有機絶縁層１６５の上方に配置され、バンプ１７８を側面から支持しているが、これにより、バンプ１７８の耐久性を向上することができること、バンプ１７８の高さ、第７有機絶縁層１７９の径については、それぞれ、図３ｂ・図３ｃの実施形態と同様である。そのため、これらに関する詳細な説明は、省略する。
【００８３】
＜第４実施形態＞
図１２ａは、一実施形態に係る多層配線構造体のバンプ１７８付近を拡大した模式図（断面図）である。本実施形態では、図６ａの実施形態と同様に、第６絶縁層１６９上及び第７配線層１７０上には第７有機絶縁層１７９が配置されており、第７有機絶縁層１７９には開口部が設けられている。もっとも、本実施形態では、図６ａの実施形態とは異なり、第７有機絶縁層１７９だけでなく、第８有機絶縁層１８０がある。第７有機絶縁層１７９だけでなく、第８有機絶縁層１８０にも開口部が設けられており、当該開口部においてバンプ１７８が第７配線層１７０に接して配置されている。換言すると、バンプ１７８の下面にあるバンプ１７８の凸部は、第７有機絶縁層１７９及び第８有機絶縁層１８０に設けられた開口部に嵌合している。また、言い換えると、バンプ１７８は、多層配線構造の上方に配置され、第７配線層１７０に電気的に接続される。また、第７有機絶縁層１７９は、多層配線構造に固定される。バンプ１７８を側面から支持する構造体は、第１開口部が設けられた第７有機絶縁層１７９と、平面視において第１開口部より大きい第２開口部が設けられた第８有機絶縁層１８０とを有し、バンプ１７８は、第１開口部における第７有機絶縁層１７９の側壁と、第２開口部における第８有機絶縁層１８０の側壁とによって支持される。本実施形態では、バンプ１７８を側面から支持する構造体は、第７有機絶縁層１７９及び第８有機絶縁層１８０からなっているが、本発明はこれに限定されず、無機絶縁層の二層からなってもよい。以下の本実施形態の変形例１及び変形例２においても、バンプ１７８を側面から支持する構造体は、第７有機絶縁層１７９及び第８有機絶縁層１８０からなっているが、無機絶縁層の二層からなってもよい。
【００８４】
本実施形態によれば、図３ａの実施形態と異なり、バンプ１７８の下面であるバンプ１７８の凸部が、第１開口部における第７有機絶縁層１７９の側壁と、第２開口部における第８有機絶縁層１８０の側壁とによって支持されることにより、図３ａの実施形態よりも大きなアンカー効果が働き、バンプ１７８が横にずれたり、倒れたりするのを抑制することができる。また、第７有機絶縁層１７９及び第８有機絶縁層１８０によって形成された膜は、厚膜にすることができるため、バンプ１７８を支持する側壁をより高くすることができ、バンプ１７８が横にずれたり倒れたりするのをより抑制することができる。
【００８５】
図１２ｂの実施形態では、第７有機絶縁層１７９が、第６有機絶縁層１６５の上方に配置され、バンプ１７８を側面から支持しているが、これにより、バンプ１７８の耐久性を向上することができること、バンプ１７８の高さ、第７有機絶縁層１７９の径については、図３ｃの実施形態と同様である。そのため、これらに関する詳細な説明は、省略する。
【００８６】
＜第４実施形態の変形例１＞
図１３ａでは、図７ａ及び図１２ａの実施形態と同様に、第６絶縁層１６９上及び第７配線層１７０上には第７有機絶縁層１７９が配置されており、第７有機絶縁層１７９には開口部が設けられている。もっとも、本実施形態では、図７ａの実施形態とは異なり、第７有機絶縁層１７９だけでなく、第８有機絶縁層１８０にも開口部が設けられており、当該開口部においてバンプ１７８が第７配線層１７０に接して配置されている。換言すると、バンプ１７８の下面にあるバンプ１７８の凸部は、第７有機絶縁層１７９及び第８有機絶縁層１８０に設けられた開口部に嵌合している。また、言い換えると、バンプ１７８は、多層配線構造の上方に配置され、第７配線層１７０に電気的に接続される。また、第７有機絶縁層１７９は、多層配線構造に固定される。バンプ１７８を側面から支持する構造体は、第１開口部が設けられた第７有機絶縁層１７９と、平面視において第１開口部より大きい第２開口部が設けられた第８有機絶縁層１８０とを有し、バンプ１７８は、第１開口部における第７有機絶縁層１７９の側壁と、第２開口部における第８有機絶縁層１８０の側壁とによって支持される。また、本実施形態では、図１２ａの実施形態とは異なり、第７配線層１７０には、第１６導電層１７４が含まれている。第１６導電層１７４は、第１５導電層１７２と異なる金属である。第１６導電層１７４としては、例えば、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）などを使用することができる。
【００８７】
本実施形態によれば、図７ａの実施形態と異なり、バンプ１７８の下面にあるバンプ１７８の凸部が、第１開口部における第７有機絶縁層１７９の側壁と、第２開口部における第８有機絶縁層１８０の側壁とによって支持されることにより、図７ａの実施形態よりも大きなアンカー効果が働き、バンプ１７８が横にずれたり、倒れたりするのを抑制することができる。また、第７有機絶縁層１７９及び第８有機絶縁層１８０によって形成された膜は、厚膜にすることができるため、バンプ１７８を支持する側壁をより高くすることができ、バンプ１７８が横にずれたり倒れたりするのをより抑制することができる。他方、本実施形態では、図１２ａの実施形態と異なり、第１５導電層１７２の上に、Ａｕである第１６導電層１７４を配置していることにより、第１５導電層１７２の表面の酸化を防止し、バンプ１７８との濡れ性を向上し、バンプ１７８との密着性を向上することができる。
【００８８】
図１３ｂの実施形態では、第７有機絶縁層１７９が、第６有機絶縁層１６５の上方に配置され、バンプ１７８を側面から支持しているが、これにより、バンプ１７８の耐久性を向上することができること、バンプ１７８の高さ、第７有機絶縁層１７９の径については、図３ｃの実施形態と同様である。そのため、これらに関する詳細な説明は、省略する。
【００８９】
＜第４実施形態の変形例２＞
図１４ａでは、図８ａ、図１２ａ及び図１３ａの実施形態と同様に、第６絶縁層１６９上及び第７配線層１７０上には第７有機絶縁層１７９が配置されており、第７有機絶縁層１７９には開口部が設けられている。もっとも、本実施形態では、図８ａの実施形態とは異なり、第７有機絶縁層１７９だけでなく、第８有機絶縁層１８０がある。第７有機絶縁層１７９だけでなく、第８有機絶縁層１８０にも開口部が設けられており、当該開口部においてバンプ１７８が第７配線層１７０に接して配置されている。換言すると、バンプ１７８の下面にあるバンプ１７８の凸部は、第７有機絶縁層１７９及び第８有機絶縁層１８０に設けられた開口部に嵌合している。また、言い換えると、バンプ１７８は、多層配線構造の上方に配置され、第７配線層１７０に電気的に接続される。また、第７有機絶縁層１７９は、多層配線構造に固定される。バンプ１７８を側面から支持する構造体は、第１開口部が設けられた第７有機絶縁層１７９と、平面視において第１開口部より大きい第２開口部が設けられた第８有機絶縁層１８０とを有し、バンプ１７８は、第１開口部における第７有機絶縁層１７９の側壁と、第２開口部における第８有機絶縁層１８０の側壁とによって支持される。また、本実施形態では、図１２ａの実施形態とは異なり、第７配線層１７０には、第１６導電層１７４が含まれている。第１６導電層１７４は、第１５導電層１７２と異なる金属である。第１６導電層１７４としては、例えば、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）などを使用することができる。また、本実施形態では、図１３の実施形態とは異なり、第１５導電層１７２と第１６導電層１７４との間に、バリア層１７３が配置される。
【００９０】
本実施形態によれば、図８ａの実施形態と異なり、バンプ１７８の下面にあるバンプ１７８の凸部が、第１開口部における第７有機絶縁層１７９の側壁と、第２開口部における第８有機絶縁層１８０の側壁とによって支持されることにより、図８ａの実施形態よりも大きなアンカー効果が働き、バンプ１７８が横にずれたり、倒れたりするのを抑制することができる。また、第７有機絶縁層１７９及び第８有機絶縁層１８０によって形成された膜は、厚膜にすることができるため、バンプ１７８を支持する側壁をより高くすることができ、バンプ１７８が横にずれたり倒れたりするのをより抑制することができる。他方、本実施形態では、図１３ａの実施形態とは異なり、第１５導電層１７２と第１６導電層１７４との間に、バリア層１７３が配置されることにより、第１６導電層１７４の材料が第１５導電層１７２に拡散することを防止することができる。
【００９１】
図１４ｂの実施形態では、第７有機絶縁層１７９が、第６有機絶縁層１６５の上方に配置され、バンプ１７８を側面から支持しているが、これにより、バンプ１７８の耐久性を向上することができること、バンプ１７８の高さ、第７有機絶縁層１７９の径については、図３ｃの実施形態と同様である。そのため、これらに関する詳細な説明は、省略する。
【００９２】
＜第５実施形態＞
図１５ａは、一実施形態に係る多層配線構造体のバンプ１７８付近を拡大した模式図（断面図）である。本実施形態では、図９ａの実施形態と同様に、第６配線層１６０の一部である第１２導電層１６２が多層配線構造体の最上層であり、バンプ１７８は、多層配線構造体の最上層である第１２導電層１６２及び第６絶縁層１６９の上方に配置されている。また、第６絶縁層１６９には開口部が設けられている。他方、本実施形態では、図９ａの実施形態とは異なり、第６絶縁層１６９だけでなく、第１３無機絶縁層１７９及び第１４無機絶縁層１８０にも開口部が設けられており、第６絶縁層１６９の開口部と第１３無機絶縁層１７９及び第１４無機絶縁層１８０の開口部においてバンプ１７８が第６配線層１６０に接して配置されている。換言すると、バンプ１７８の下面にあるバンプ１７８の凸部は、第６絶縁層１６９に設けられた開口部と、第６絶縁層１６９に設けられた開口部よりも平面視において大きい第１３無機絶縁層１７６及び第１４無機絶縁層１７７に設けられた開口部とに嵌合している。また、言い換えると、バンプ１７８は、多層配線構造の上方に配置され、第６配線層１６０に電気的に接続される。また、第１１無機絶縁層１６３は、多層配線構造に固定される。バンプ１７８を側面から支持する構造体は、第１開口部が設けられた第６絶縁層１６９と、平面視において第１開口部より大きい第２開口部が設けられた第１３無機絶縁層１７６および第１４無機絶縁層１７７とを有し、バンプ１７８は、第１開口部における第１３無機絶縁層１７６の側壁と、第２開口部における第１４無機絶縁層１７７の側壁とによって支持される。
【００９３】
本実施形態によれば、図９ａの実施形態とは異なり、バンプ１７８の下面の凸部が、第１開口部における第６絶縁層１６９の側壁と、第２開口部における第１３無機絶縁層１７６及び第１４無機絶縁層１７７の側壁とによって支持されることにより、図９ａの実施形態よりも大きなアンカー効果が働き、バンプ１７８が横にずれたり、倒れたりするのを抑制することができる。また、第１１無機絶縁層１６３、第１２無機絶縁層１６４、第１３無機絶縁層１７６及び第１４無機絶縁層１７７によって形成された膜は、剛性が高く、より強固にバンプ１７８を支持することができる。第６有機絶縁層１６５によって形成された膜は、厚膜にすることができるため、バンプ１７８を支持する側壁をより高くすることができ、バンプ１７８が横にずれたり倒れたりするのをより抑制することができる。
【００９４】
図１５ｂ・図１５ｃの実施形態では、第７有機絶縁層１７９が、第６有機絶縁層１６５の上方に配置され、バンプ１７８を側面から支持しているが、これにより、バンプ１７８の耐久性を向上することができること、バンプ１７８の高さ、第７有機絶縁層１７９の径については、それぞれ、図３ｂ・図３ｃの実施形態と同様である。そのため、これらに関する詳細な説明は、省略する。
【００９５】
＜第５実施形態の変形例１＞
図１６ａでは、図１０ａ及び図１５ａの実施形態と同様に、第６配線層１６０の一部である第１２導電層１６２が多層配線構造体の最上層であり、バンプ１７８は、多層配線構造体の最上層である第１２導電層１６２及び第６絶縁層１６９の上方に配置されている。また、第６絶縁層１６９には開口部が設けられている。他方、本実施形態では、図１０ａの実施形態とは異なり、第６絶縁層１６９だけでなく、第１３無機絶縁層１７９及び第１４無機絶縁層１８０にも開口部が設けられており、第６絶縁層１６９の開口部と第１３無機絶縁層１７９及び第１４無機絶縁層１８０の開口部においてバンプ１７８が第６配線層１６０に接して配置されている。換言すると、バンプ１７８の下面にあるバンプ１７８の凸部は、第６絶縁層１６９に設けられた開口部と、第６絶縁層１６９に設けられた開口部よりも平面視において大きい第１３無機絶縁層１７６及び第１４無機絶縁層１７７に設けられた開口部とに嵌合している。また、言い換えると、バンプ１７８は、多層配線構造の上方に配置され、第６配線層１６０に電気的に接続される。また、第１１無機絶縁層１６３は、多層配線構造に固定される。バンプ１７８を側面から支持する構造体は、第１開口部が設けられた第６絶縁層１６９と、平面視において第１開口部より大きい第２開口部が設けられた第１３無機絶縁層１７６および第１４無機絶縁層１７７とを有し、バンプ１７８は、第１開口部における第１３無機絶縁層１７６の側壁と、第２開口部における第１４無機絶縁層１７７の側壁とによって支持される。また、本実施形態では、図１５ａの実施形態とは異なり、第６配線層１６０には、第１３導電層１６７が含まれている。第１３導電層１６７は、第１２導電層１６２と異なる金属である。第１３導電層１６７としては、例えば、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）などを使用することができる。
【００９６】
本実施形態によれば、図１０ａの実施形態とは異なり、バンプ１７８の下面にあるバンプ１７８の凸部が、第１開口部における第６絶縁層１６９の側壁と、第２開口部における第１３無機絶縁層１７６及び第１４無機絶縁層１７７の側壁とによって支持されることにより、図１０ａの実施形態よりも大きなアンカー効果が働き、バンプ１７８が横にずれたり、倒れたりするのを抑制することができる。また、第１１無機絶縁層１６３、第１２無機絶縁層１６４、第１３無機絶縁層１７６及び第１４無機絶縁層１７７によって形成された膜は、剛性が高く、より強固にバンプ１７８を支持することができる。第６有機絶縁層１６５によって形成された膜は、厚膜にすることができるため、バンプ１７８を支持する側壁をより高くすることができ、バンプ１７８が横にずれたり倒れたりするのをより抑制することができる。他方、本実施形態では、図１５ａの実施形態と異なり、第１２導電層１６２の上に、Ａｕである第１３導電層１６７を配置していることにより、第１２導電層１６２の表面の酸化を防止し、バンプ１７８との濡れ性を向上し、バンプ１７８との密着性を向上することができる。
【００９７】
図１６ｂ・図１６ｃの実施形態では、第７有機絶縁層１７９が、第６有機絶縁層１６５の上方に配置され、バンプ１７８を側面から支持しているが、これにより、バンプ１７８の耐久性を向上することができること、バンプ１７８の高さ、第７有機絶縁層１７９の径については、図３ｂ・図３ｃの実施形態と同様である。そのため、これらに関する詳細な説明は、省略する。
【００９８】
＜第５実施形態の変形例２＞
図１７ａでは、図１１ａ、図１５ａ及び図１６ａの実施形態と同様に、第６配線層１６０の一部である第１２導電層１６２が多層配線構造体の最上層であり、バンプ１７８は、多層配線構造体の最上層である第１２導電層１６２及び第６絶縁層１６９の上方に配置されている。また、第６絶縁層１６９には開口部が設けられている。他方、本実施形態では、図１１ａの実施形態とは異なり、第６絶縁層１６９だけでなく、第１３無機絶縁層１７９及び第１４無機絶縁層１８０にも開口部が設けられており、第６絶縁層１６９の開口部と第１３無機絶縁層１７９及び第１４無機絶縁層１８０の開口部においてバンプ１７８が第６配線層１６０に接して配置されている。換言すると、バンプ１７８の下面にあるバンプ１７８の凸部は、第６絶縁層１６９に設けられた開口部と、第６絶縁層１６９に設けられた開口部よりも平面視において大きい第１３無機絶縁層１７６及び第１４無機絶縁層１７７に設けられた開口部とに嵌合している。また、言い換えると、バンプ１７８は、多層配線構造の上方に配置され、第６配線層１６０に電気的に接続される。また、第１１無機絶縁層１６３は、多層配線構造に固定される。バンプ１７８を側面から支持する構造体は、第１開口部が設けられた第６絶縁層１６９と、平面視において第１開口部より大きい第２開口部が設けられた第１３無機絶縁層１７６および第１４無機絶縁層１７７とを有し、バンプ１７８は、第１開口部における第１３無機絶縁層１７６の側壁と、第２開口部における第１４無機絶縁層１７７の側壁とによって支持される。また、本実施形態では、図１５ａの実施形態とは異なり、第６配線層１６０には、第１３導電層１６７が含まれている。第１３導電層１６７は、第１２導電層１６２と異なる金属である。第１３導電層１６７としては、例えば、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）などを使用することができる。さらに、本実施形態では、図１６ａの実施形態とは異なり、第１２導電層１６２と第１３導電層１６７との間に、バリア層１６３が配置される。
【００９９】
本実施形態によれば、図１１ａの実施形態とは異なり、バンプ１７８の下面にあるバンプ１７８の凸部が、第１開口部における第６絶縁層１６９の側壁と、第２開口部における第１３無機絶縁層１７６及び第１４無機絶縁層１７７の側壁とによって支持されることにより、図１１ａの実施形態よりも大きなアンカー効果が働き、バンプ１７８が横にずれたり、倒れたりするのを抑制することができる。また、第１１無機絶縁層１６３、第１２無機絶縁層１６４、第１３無機絶縁層１７６及び第１４無機絶縁層１７７によって形成された膜は、剛性が高く、より強固にバンプ１７８を支持することができる。第６有機絶縁層１６５によって形成された膜は、厚膜にすることができるため、バンプ１７８を支持する側壁をより高くすることができ、バンプ１７８が横にずれたり倒れたりするのをより抑制することができる。他方、本実施形態では、図１６ａの実施形態とは異なり、第１２導電層１６２と第１３導電層１６７との間に、バリア層１６３が配置されることにより、第１３導電層１６７の材料が第１２導電層１６２に拡散することを防止することができる。
【０１００】
図１７ｂ・図１７ｃの実施形態では、第７有機絶縁層１７９が、第６有機絶縁層１６５の上方に配置され、バンプ１７８を側面から支持しているが、これにより、バンプ１７８の耐久性を向上することができること、バンプ１７８の高さ、第７有機絶縁層１７９の径については、それぞれ、図３ｂ・図３ｃの実施形態と同様である。そのため、これらに関する詳細な説明は、省略する。
【符号の説明】
【０１０１】
１００：基板  １０１：下地層  １１０：第１配線層  １１１：第１導電層
１１２：第２導電層  １１３：第１無機絶縁層  １１４：第２無機絶縁層
１１５：第１有機絶縁層  １１９：第１絶縁層  １２０：第２配線層
１２１：第３導電層  １２２：第４導電層  １２３：第３無機絶縁層
１２４：第４無機絶縁層  １２５：第２有機絶縁層  １２９：第２絶縁層
１３０：第３配線層  １３１：第５導電層  １３２：第６導電層
１３３：第５無機絶縁層  １３４：第６無機絶縁層  １３５：第３有機絶縁層
１３９：第３絶縁層  １４０：第４配線層  １４１：第７導電層
１４２：第８導電層  １４３：第７無機絶縁層  １４４：第８無機絶縁層
１４５：第４有機絶縁層  １４９：第４絶縁層  １５０：第５配線層
１５１：第９導電層  １５２：第１０導電層  １５３：第９無機絶縁層
１５４：第１０無機絶縁層  １５５：第５有機絶縁層  １５９：第５絶縁層
１６０：第６配線層  １６１：第１１導電層  １６２：第１２導電層
１６３：第１１無機絶縁層  １６４：第１２無機絶縁層
１６５：第６有機絶縁層  １６６：バリア層  １６７：第１３導電層
１６９：第６絶縁層  １７０：第７配線層  １７１：第１４導電層
１７２：第１５導電層  １７３：バリア層  １７４：第１６導電層
１７６：第１３無機絶縁層  １７７：第１４無機絶縁層
１７８、１８８：バンプ  １７９：第７有機絶縁層  １８０：第８有機絶縁層
１８１、１８２、１８３、１８４、１８５、１８６：開口部
１９１：第１ビア  １９２：第２ビア  １９３：第３ビア  
１９４：第４ビア  １９５：第５ビア  １９６：第６ビア
【図１】
2016184620.tif 000003
【図２】
2016184620.tif 000004
【図３ａ】
2016184620.tif 000005
【図３ｂ】
2016184620.tif 000006
【図３ｃ】
2016184620.tif 000007
【図４ａ】
2016184620.tif 000008
【図４ｂ】
2016184620.tif 000009
【図４ｃ】
2016184620.tif 000010
【図５ａ】
2016184620.tif 000011
【図５ｂ】
2016184620.tif 000012
【図５ｃ】
2016184620.tif 000013
【図６ａ】
2016184620.tif 000014
【図６ｂ】
2016184620.tif 000015
【図７ａ】
2016184620.tif 000016
【図７ｂ】
2016184620.tif 000017
【図８ａ】
2016184620.tif 000018
【図８ｂ】
2016184620.tif 000019
【図９ａ】
2016184620.tif 000020
【図９ｂ】
2016184620.tif 000021
【図９ｃ】
2016184620.tif 000022
【図１０ａ】
2016184620.tif 000023
【図１０ｂ】
2016184620.tif 000024
【図１０ｃ】
2016184620.tif 000025
【図１１ａ】
2016184620.tif 000026
【図１１ｂ】
2016184620.tif 000027
【図１１ｃ】
2016184620.tif 000028
【図１２ａ】
2016184620.tif 000029
【図１２ｂ】
2016184620.tif 000030
【図１３ａ】
2016184620.tif 000031
【図１３ｂ】
2016184620.tif 000032
【図１４ａ】
2016184620.tif 000033
【図１４ｂ】
2016184620.tif 000034
【図１５ａ】
2016184620.tif 000035
【図１５ｂ】
2016184620.tif 000036
【図１５ｃ】
2016184620.tif 000037
【図１６ａ】
2016184620.tif 000038
【図１６ｂ】
2016184620.tif 000039
【図１６ｃ】
2016184620.tif 000040
【図１７ａ】
2016184620.tif 000041
【図１７ｂ】
2016184620.tif 000042
【図１７ｃ】
2016184620.tif 000043
【図１８】
2016184620.tif 000044