(57)【要約】【課題】加熱を伴うデバイス製造関連処理を行なった後のガラスフィルム積層体からのガラスフィルムの剥離を容易にする。【解決手段】ガラスフィルム積層体１の製造工程Ｓ１は、ガラスフィルム２を支持ガラス３に積層してガラスフィルム積層体１を形成する積層工程Ｓ１ｂの前に、ガラスフィルム積層体１におけるガラスフィルム２と支持ガラス３の対向面のうち少なくとも一方をプラズマ処理するプラズマ処理工程Ｓ１ａを備える。【選択図】図２
2016034884.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラスフィルムを支持ガラスに積層してガラスフィルム積層体を形成する積層工程を備えたガラスフィルム積層体の製造方法において、
前記積層工程の前に、前記ガラスフィルム積層体における前記ガラスフィルムと前記支持ガラスの対向面のうち少なくとも一方に対してプラズマ処理を実施するプラズマ処理工程を備え、
前記プラズマ処理によって前記対向面に存在する水酸基を置換することを特徴とするガラスフィルム積層体の製造方法。
【請求項２】
前記プラズマ処理が実施される前記対向面が、酸化物薄膜の表面で構成されていることを特徴とする請求項１に記載のガラスフィルム積層体の製造方法。
【請求項３】
前記プラズマ処理で炭素系ガスを使用し、前記水酸基を炭化水素基又は水素に置換することを特徴とする請求項１又は２に記載のガラスフィルム積層体の製造方法。
【請求項４】
ガラスフィルムを支持ガラスに積層してガラスフィルム積層体を形成する積層工程を備えたガラスフィルム積層体の製造方法において、
前記積層工程の前に、前記ガラスフィルム積層体における前記ガラスフィルムと前記支持ガラスの対向面のうち少なくとも一方に対してプラズマ処理を実施するプラズマ処理工程を備え、
前記プラズマ処理が実施される前記対向面が、窒化物薄膜の表面で構成されており、
前記プラズマ処理によって前記表面に存在するアミノ基、イミド基、水酸基の少なくとも一種を置換することを特徴とするガラスフィルム積層体の製造方法。
【請求項５】
前記プラズマ処理で炭素系ガスを使用し、前記アミノ基又はイミド基又は水酸基を炭化水素基又は水素に置換することを特徴とする請求項４に記載のガラスフィルム積層体の製造方法。
【請求項６】
ガラスフィルムを支持ガラスに積層してガラスフィルム積層体を形成する積層工程と、前記ガラスフィルム積層体の前記ガラスフィルムに対して加熱を伴うデバイス製造関連処理を実施してデバイス部を作製するデバイス製造関連処理工程と、前記デバイス作製工程後の前記ガラスフィルム積層体から前記デバイス部が作製された前記ガラスフィルムを剥離する剥離工程とを備える電子デバイスを製造する方法であって、
前記積層工程の前に、前記ガラスフィルム積層体における前記ガラスフィルムと前記支持ガラスの対向面のうち少なくとも一方に対してプラズマ処理を実施するプラズマ処理工程を備え、
前記プラズマ処理によって前記対向面に存在する水酸基を置換することを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【請求項７】
ガラスフィルムを支持ガラスに積層してガラスフィルム積層体を形成する積層工程と、前記ガラスフィルム積層体の前記ガラスフィルムに対して加熱を伴うデバイス製造関連処理を実施してデバイス部を作製するデバイス製造関連処理工程と、前記デバイス作製工程後の前記ガラスフィルム積層体から前記デバイス部が作製された前記ガラスフィルムを剥離する剥離工程とを備える電子デバイスを製造する方法であって、
前記積層工程の前に、前記ガラスフィルム積層体における前記ガラスフィルムと前記支持ガラスの対向面のうち少なくとも一方に対してプラズマ処理を実施するプラズマ処理工程を備え、
前記プラズマ処理が実施される前記対向面が、窒化物薄膜の表面で構成されており、
前記プラズマ処理によって前記表面に存在するアミノ基、イミド基、水酸基の少なくとも一種を置換することを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ガラスフィルムを支持ガラスに積層してガラスフィルム積層体を形成するガラスフィルム積層体の製造方法及び電子デバイスの製造方法の改良技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
周知のように、近年では、電子機器等の発達に伴って、液晶ディスプレイ、プラズマディスプレイ、フィールドエミッションディスプレイ（サーフェイスエミッションディスプレイを含む）およびエレクトロルミネッセンスディスプレイ等のフラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）やセンサの基板、あるいは固体撮像素子やレーザダイオード等の半導体パッケージ用カバー、さらには薄膜化合物太陽電池の基板等の多種に亘るガラス製品が使用されている。
【０００３】
そして、様々な種類のガラス板において、薄板化が進められ、例えば３００μｍ以下の板厚を有する所謂ガラスフィルムと呼ばれるガラス板が開発されるに至っている。ガラスフィルムは、その薄さから可撓性を有し、この可撓性が故に取扱いが難しくなる。
【０００４】
このようなガラスフィルムの取り扱い性を向上させるために、支持ガラスにガラスフィルムを積層したガラスフィルム積層体の形態でガラスフィルムを取り扱うことが、既に提案されている。例えば、特許文献１には、ガラスフィルム及び支持ガラスの相互に接触する側の表面の表面粗さＲａがそれぞれ２．０ｎｍ以下であることを特徴とするガラスフィルム積層体が記載されている。このガラスフィルム積層体であれば、ガラスフィルムと支持ガラスの密着性が向上し、接着剤を使用しなくてもガラスフィルムと支持ガラスを安定して固定することができる。また、接着剤を使用しないので、支持ガラスからガラスフィルムを容易に剥離させることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１１−１８３７９２号公報
【特許文献２】特開２０１１−１８４２８４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１に開示されているガラスフィルム積層体では、次のような問題があった。ガラスフィルム積層体の状態で、ガラスフィルムに電子デバイスを製造するための様々な処理には、透明電極の成膜処理や封止処理等、加熱を伴うものが存在している。ガラスフィルム積層体に対して加熱を伴う処理を行なった場合、直接積層している支持ガラスとガラスフィルムとの固着力が増加するため、支持ガラスからガラスフィルムを剥離することが困難になる。
【０００７】
この問題を解決するために、特許文献２では、支持ガラスに無機薄膜を形成し、これにより、ガラスフィルムの剥離を容易にしている。しかし、この方法でも、加熱が高温の場合等、効果が十分とは言えない場合があった。
【０００８】
本発明は、上記事情に鑑み、加熱を伴うデバイス製造関連処理を行なった後のガラスフィルム積層体からのガラスフィルムの剥離を容易にすることを技術的課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
ガラスフィルム積層体の状態で、加熱処理を行なった場合、支持ガラスとガラスフィルムとの固着力が増加するメカニズムは次のようなものと考えられている。
【００１０】
ガラスフィルム、支持ガラスの表面には、水酸基（ＯＨ基）が存在する。加熱処理を行なった場合、ガラスフィルム、支持ガラスの対向面の一方の水酸基と、他方の水酸基が、縮合反応により結合し、固着力が増加する。この縮合反応は、例えば、次のように表される。
Ｓｉ−ＯＨ  ＋  ＯＨ−Ｓｉ  →  Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ  ＋  Ｈ2Ｏ
【００１１】
また、ガラスフィルムと支持ガラスの一方又は双方に無機薄膜としての酸化物が設けられている場合には、酸化物の表面にも水酸基が存在する。従って、ガラスフィルムと支持ガラスの対向面の少なくとも一方が、この酸化物薄膜の表面で構成されている場合にも、上記と同様の理由で、加熱処理を行なうと固着力が増加する。
【００１２】
次に、ガラスフィルムと支持ガラスの一方又は双方に無機薄膜としての窒化物が設けられている場合について説明する。窒化物の表面では、酸素と反応したり、水と反応したりして酸化物の層が形成される。これらの反応は、例えば、次のように表される。
Ｓｉ3Ｎ4  ＋  ３Ｏ2  →  ３ＳｉＯ2  ＋  ２Ｎ2
Ｓｉ3Ｎ4  ＋  ６Ｈ2Ｏ  →  ３ＳｉＯ2  ＋  ４ＮＨ3
【００１３】
そして、このように形成された酸化物の表面にも水酸基が存在する。また、窒化物の表面には、イミド基（ＮＨ基）やアミノ基（ＮＨ2基）が存在する。このため、ガラスフィルムと支持ガラスの対向面の少なくとも一方が、窒化物薄膜の表面で構成されている場合には、加熱処理を行なうと、対向面の一方のイミド基又はアミノ基又は水酸基と、他方の水酸基が、縮合反応により結合し、固着力が増加する。この反応は、イミド基の場合、例えば、次のように表される。
Ｓｉ−ＮＨ  ＋  ＯＨ−Ｓｉ  →  Ｓｉ−Ｎ−Ｓｉ  ＋  Ｈ2Ｏ
【００１４】
本願発明者は、これらのメカニズムに着目して本願発明を創案するに至った。すなわち、前記課題を解決するために創案された本発明に係るガラスフィルム積層体の製造方法は、ガラスフィルムを支持ガラスに積層してガラスフィルム積層体を形成する積層工程を備えたガラスフィルム積層体の製造方法において、前記積層工程の前に、前記ガラスフィルム積層体における前記ガラスフィルムと前記支持ガラスの対向面のうち少なくとも一方に対してプラズマ処理を実施するプラズマ処理工程を備え、前記プラズマ処理によって前記対向面に存在する水酸基を置換することに特徴づけられる。
【００１５】
この構成では、プラズマ処理により、対向面に存在する水酸基を、縮合反応を起こさない基や水素に置換することが可能である。詳述すれば、プラズマ処理により、対向面から水酸基が除去されて対向面に未結合手が生成され、この未結合手を、水酸基以外の物質で終端化することが可能になる。このため、ガラスフィルムと支持ガラスの対向面同士が縮合反応によって結合することを抑制できる。従って、ガラスフィルム積層体の状態で加熱処理を行なった場合でも、ガラスフィルムと支持ガラスとの固着力が増加することを抑制できる。すなわち、本発明によれば、加熱を伴うデバイス製造関連処理を行なった後のガラスフィルム積層体からのガラスフィルムの剥離を容易にすることができる。なお、プラズマ処理後に、対向面に存在する水酸基の一部が残っていてもよい。
【００１６】
上記の構成において、前記プラズマ処理が実施される前記対向面が、酸化物薄膜の表面で構成されていることが好ましい。
【００１７】
この構成であれば、酸化物薄膜の表面の水酸基を、プラズマ処理により、縮合反応を起こさない基や水素に置換することができる。これによって、ガラスフィルムと支持ガラスの対向面同士が縮合反応によって結合することを抑制できる。
【００１８】
上記の何れかの構成において、前記プラズマ処理で炭素系ガスを使用し、前記水酸基を炭化水素基又は水素に置換することが好ましい。
【００１９】
ここで、炭素系ガスは、分子式に炭素を含むガスを意味する（以下、同様）。炭素系ガスは、分子式に炭素と水素を含むＣＨ系ガスと、分子式に炭素と酸素を含むＣＯ系ガスと、分子式に炭素と窒素を含むＣＮ系ガスと、分子式に炭素とフッ素を含むＣＦ系ガスを含む。
【００２０】
ＣＨ系ガスとしては、例えば、ＣＨ4、Ｃ2Ｈ4、Ｃ2Ｈ6、Ｃ3Ｈ4、Ｃ3Ｈ6、Ｃ3Ｈ8、Ｃ4Ｈ6、Ｃ4Ｈ8、Ｃ4Ｈ10、Ｃ5Ｈ10、Ｃ5Ｈ12、ＣＨＮ、ＣＨ5Ｎ、ＣＨ5ＮＣＨＮ、Ｃ2Ｈ7Ｎ、Ｃ3Ｈ9Ｎ、ＣＨ4Ｓ等が挙げられる。ＣＯ系ガスとしては、ＣＯ、ＣＯ2、ＣＯＳ等が挙げられる。ＣＮ系ガスとしては、Ｃ2Ｎ2等が挙げられる。ＣＦ系ガスとしては、ＣＨＦ3、ＣＦ4等が挙げられる。例えば、ＣＦ系ガスを用いることで、水酸基の置換のみならず、ガラスフィルムや支持ガラスの表面を粗化することも可能である。表面の粗化と水酸基の置換は、例えばプラズマのプロセス圧や処理時間などによって任意に調整することが可能である。
【００２１】
プラズマ処理で炭素系ガスを使用すれば、プラズマ処理工程のプラズマ処理により、水酸基を炭化水素基又は水素に置換することができる。つまり、対向面を炭化水素や水素で終端化することができる。そして、炭化水素基や水素は、縮合反応を起こさない。従って、ガラスフィルムと支持ガラスの対向面同士が縮合反応によって結合することを確実に抑制できる。
【００２２】
また、前記課題を解決するために創案された本発明に係るガラスフィルム積層体の製造方法は、ガラスフィルムを支持ガラスに積層してガラスフィルム積層体を形成する積層工程を備えたガラスフィルム積層体の製造方法において、前記積層工程の前に、前記ガラスフィルム積層体における前記ガラスフィルムと前記支持ガラスの対向面のうち少なくとも一方に対してプラズマ処理を実施するプラズマ処理工程を備え、前記プラズマ処理が実施される前記対向面が、窒化物薄膜の表面で構成されており、前記プラズマ処理によって前記表面に存在するアミノ基、イミド基、水酸基の少なくとも一種を置換することに特徴づけられる。
【００２３】
この構成であれば、窒化物薄膜の表面のアミノ基、イミド基、水酸基の少なくとも一種を、プラズマ処理により、縮合反応を起こさない基や水素に置換することが可能である。詳述すれば、プラズマ処理により、対向面からアミノ基、イミド基、水酸基の少なくとも一種が除去されて対向面に未結合手が生成され、この未結合手を、アミノ基、イミド基、水酸基以外の物質で終端化することが可能になる。これによって、ガラスフィルムと支持ガラスの対向面同士が縮合反応によって結合することを抑制できる。なお、プラズマ処理後に、窒化物薄膜の表面に存在するアミノ基、イミド基、水酸基のそれぞれの一部が残っていてもよい。
【００２４】
上記の構成において、前記プラズマ処理で炭素系ガスを使用し、前記アミノ基又はイミド基又は水酸基を炭化水素基又は水素に置換することが好ましい。
【００２５】
プラズマ処理で炭素系ガスを使用すれば、プラズマ処理工程のプラズマ処理により、アミノ基又はイミド基又は水酸基を炭化水素基又は水素に置換することができる。つまり、対向面を炭化水素や水素で終端化することができる。そして、炭化水素基や水素は、縮合反応を起こさない。従って、ガラスフィルムと支持ガラスの対向面同士が縮合反応によって結合することを確実に抑制できる。
【００２６】
また、前記課題を解決するために創案された本発明に係る電子デバイスの製造方法は、ガラスフィルムを支持ガラスに積層してガラスフィルム積層体を形成する積層工程と、前記ガラスフィルム積層体の前記ガラスフィルムに対して加熱を伴うデバイス製造関連処理を実施してデバイス部を作製するデバイス製造関連処理工程と、前記デバイス作製工程後の前記ガラスフィルム積層体から前記デバイス部が作製された前記ガラスフィルムを剥離する剥離工程とを備える電子デバイスを製造する方法であって、前記積層工程の前に、前記ガラスフィルム積層体における前記ガラスフィルムと前記支持ガラスの対向面のうち少なくとも一方に対してプラズマ処理を実施するプラズマ処理工程を備え、前記プラズマ処理によって前記対向面に存在する水酸基を置換することに特徴づけられる。
【００２７】
この構成では、上記と同様の理由で、剥離工程でのガラスフィルム積層体からのガラスフィルムの剥離を容易にすることができる。
【００２８】
また、前記課題を解決するために創案された本発明に係る電子デバイスの製造方法は、ガラスフィルムを支持ガラスに積層してガラスフィルム積層体を形成する積層工程と、前記ガラスフィルム積層体の前記ガラスフィルムに対して加熱を伴うデバイス製造関連処理を実施してデバイス部を作製するデバイス製造関連処理工程と、前記デバイス作製工程後の前記ガラスフィルム積層体から前記デバイス部が作製された前記ガラスフィルムを剥離する剥離工程とを備える電子デバイスを製造する方法であって、前記積層工程の前に、前記ガラスフィルム積層体における前記ガラスフィルムと前記支持ガラスの対向面のうち少なくとも一方に対してプラズマ処理を実施するプラズマ処理工程を備え、前記プラズマ処理が実施される前記対向面が、窒化物薄膜の表面で構成されており、前記プラズマ処理によって前記表面に存在するアミノ基、イミド基、水酸基の少なくとも一種を置換することに特徴づけられる。
【００２９】
この構成では、上記と同様の理由で、剥離工程でのガラスフィルム積層体からのガラスフィルムの剥離を容易にすることができる。
【発明の効果】
【００３０】
以上のように本発明によれば、加熱を伴うデバイス製造関連処理を行なった後のガラスフィルム積層体からのガラスフィルムの剥離を容易にすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】本発明の実施形態に係るガラスフィルム積層体の製造方法で製造されるガラスフィルム積層体を示す概略側面図である。
【図２】本発明の実施形態に係る電子デバイスの製造方法を使用する工程を示す模式図である。
【図３】ガラスフィルム積層体の変形例を示す概略側面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３２】
以下、本発明を実施するための形態について図面に基づき説明する。
【００３３】
図１は、本発明の実施形態に係るガラスフィルム積層体の製造方法で製造されるガラスフィルム積層体を示す概略側面図である。ガラスフィルム積層体１は、ガラスフィルム２を支持ガラス３に直接積層した状態である。換言すれば、ガラスフィルム２と支持ガラス３の対向する面（対向面）は、ガラスフィルム２における支持ガラス３の側の面２ａと、支持ガラス３におけるガラスフィルム２の側の面３ａである。
【００３４】
ガラスフィルム２と支持ガラス３には、ケイ酸塩ガラス、シリカガラスが用いられ、好ましくはホウケイ酸ガラスが用いられ、最も好ましくは無アルカリガラスが用いられる。尚、ここで無アルカリガラスとは、アルカリ成分（アルカリ金属酸化物）が実質的に含まれていないガラスのことであって、具体的には、アルカリが３０００ｐｐｍ以下のガラスのことである。本発明でのアルカリ成分の含有量は、好ましくは１０００ｐｐｍ以下であり、より好ましくは５００ｐｐｍ以下であり、さらに好ましくは３００ｐｐｍ以下である。
【００３５】
ガラスフィルム２の厚さは、例えば、３００μｍ以下、２００μｍ以下、１００μｍ以下、５０μｍ以下とすることができる。また、ガラスフィルム２の大きさは、例えば、２５０ｍｍ×３４０ｍｍ〜２８３０ｍｍ×３０３０ｍｍである。
【００３６】
支持ガラス３は、ガラスフィルム２よりも厚さが大きいことが好ましいが、ガラスフィルム２と同一の厚さでもよく、場合によっては、ガラスフィルム２よりも厚さが小さくてもよい。支持ガラス３の厚さは、例えば、５００μｍ以下、３００μｍ以下、２００μｍ以下、１００μｍ以下、５０μｍ以下とすることができる。また、支持ガラス３は、ガラスフィルム２よりも大きさが大きいことが好ましいが、ガラスフィルム２と同一の大きさでもよく、また、ガラスフィルム２より小さくてもよい。支持ガラス３の大きさは、例えば、２７０ｍｍ×３６０ｍｍ〜２８５０ｍｍ×３０５０ｍｍである。
【００３７】
ガラスフィルム２と支持ガラス３における対向面２ａ，３ａの双方における表面粗さＲａは、２．０ｎｍ以下であり、１．０ｎｍ以下であることが好ましく、０．５ｎｍ以下であることが更に好ましく、０．２ｎｍ以下であることが特に好ましい。ここで、表面粗さＲａは、ＪＩＳ  Ｂ  ０６０１：２０１３に準拠した算術平均粗さであり、原子間力顕微鏡により測定すればよい（以下、同様）。本実施形態では、支持ガラス３とガラスフィルム２の表裏面のうち、積層時に対向しない面２ｂ，３ｂについても、表面粗さＲａの値が対向面２ａ，３ａと同様である。表裏面がこのような表面粗さＲａの支持ガラス３やガラスフィルム２は、例えば、オーバーフローダウンドロー法によって製造すれば、研磨を実施せずに得ることができる。
【００３８】
ガラスフィルム２と支持ガラス３は、対向面２ａ，３ａの双方における表面粗さＲａが、２．０ｎｍ以下であるので、接着剤など他の部材を介すること無く、直接接触させて積層するだけで、ある程度の接着力で相互に接着している。
【００３９】
ガラスフィルム２と支持ガラス３の対向面２ａ，３ａのＧＩ値は、それぞれ１０００ｐｃｓ／ｍ2以下であることが好ましく、５００ｐｃｓ／ｍ2以下であることがより好ましく、１００ｐｃｓ／ｍ2以下であることが最も好ましい。本明細書においてＧＩ値とは、１ｍ2の領域内に存在する長径１μｍ以上の不純粒子の個数（ｐｃｓ）のことである。
【００４０】
図２は、本発明の実施形態に係る電子デバイスの製造方法を使用する工程（電子デバイスの製造工程）を示す模式図である。この電子デバイスの製造工程Ｓで製造される電子デバイスは、図２の右端に示すように、ガラスフィルム２を基板として、面２ｂ上にデバイス部４を形成したものである。このデバイス部４は、例えば、ガラスフィルム２の面２ｂの有効面上に形成した素子やこの素子を封止する封止基板等を含む。
【００４１】
電子デバイスの製造工程Ｓは、ガラスフィルム積層体の製造工程Ｓ１と、デバイス製造関連処理工程Ｓ２と、剥離工程Ｓ３を主要な構成要素とする。
【００４２】
ガラスフィルム積層体の製造工程Ｓ１は、本発明の実施形態に係るガラスフィルム積層体の製造方法を使用する工程である。すなわち、ガラスフィルム積層体の製造工程Ｓ１は、ガラスフィルム２と支持ガラス３の対向面２ａ，３ａのうち少なくとも一方に対してプラズマ処理を実施するプラズマ処理工程Ｓ１ａと、プラズマ処理工程Ｓ１ａの後に、ガラスフィルム２を支持ガラス３に積層してガラスフィルム積層体１を形成する積層工程Ｓ１ｂとを備える。なお、本実施形態では、プラズマ処理工程Ｓ１ａでは、支持ガラス３の対向面３ａに対してプラズマ処理を実施する。
【００４３】
ここで、プラズマ処理は、真空プラズマ処理でも大気圧プラズマ処理でもよいが、本実施形態では、支持ガラス３を搬送しながら大気圧プラズマ処理を実施する。
【００４４】
プラズマ処理に使用されるガス（雰囲気ガス）としては、Ｈｅ、Ｎ2、Ｎｅ、Ａｒ等の不活性ガス、Ｈ2等の還元性ガス、Ｏ2等の酸化性ガス、炭素系ガス等の単一又は混合ガスが挙げられる。
【００４５】
なお、プラズマ処理後は、ガラスフィルム２を支持ガラス３に直ちに積層することが好ましい。プラズマ処理後のガラスフィルム２と支持ガラス３の積層や保存は、湿度５０％以下の環境や減圧環境で行なうことが好ましい。プラズマ処理後の表面に、空気中の水が反応して水酸基が生じる可能性があるからである。
【００４６】
デバイス製造関連処理工程Ｓ２は、ガラスフィルム積層体１のガラスフィルム２の面２ｂに対し、加熱を伴うデバイス製造関連処理を実施することによってデバイス部４を作製する工程である。デバイス製造関連処理工程Ｓ２で実施される加熱を伴う電子デバイス製造関連処理としては、例えば、ＣＶＤ法やスパッタリング等による成膜処理等が挙げられる。また、成膜処理における温度は、例えば２０℃〜３５０℃である。
【００４７】
剥離工程Ｓ３は、デバイス製造関連処理工程Ｓ２後のガラスフィルム積層体１からデバイス部４が作製されたガラスフィルム２（電子デバイス）を物理的に剥離する工程である。この物理的な剥離方法としては、例えば、ガラスフィルム２と支持ガラス３の境界に、ブレード５を押し込む方法や、あるいは、吸着パッドを使用してガラスフィルム２と支持ガラス３に対して相互に離反する方向に力を付与する方法等が挙げられる。
【００４８】
以上のように構成された本実施形態のガラスフィルム積層体の製造方法では、プラズマ処理工程Ｓ１ａのプラズマ処理により、支持ガラス３の対向面３ａに存在する水酸基を、縮合反応を起こさない基や水素に置換することができる。詳述すれば、プラズマ処理により、対向面３ａから水酸基が除去されて対向面３ａに未結合手が生成され、この未結合手を、水酸基以外の物質で終端化することができる。このため、ガラスフィルム２と支持ガラス３の対向面２ａ，３ａ同士が縮合反応によって結合することを抑制できる。従って、デバイス製造関連処理工程Ｓ２でガラスフィルム積層体１の状態で加熱処理を行なった場合でも、ガラスフィルム２と支持ガラス３との固着力が増加することを抑制できる。すなわち、本実施形態のガラスフィルム積層体の製造方法によれば、剥離工程Ｓ３におけるガラスフィルム積層体１からのガラスフィルム２の剥離を容易にすることができる。
【００４９】
なお、本実施形態では、ガラスフィルム積層体の製造工程Ｓ１で対向面３ａにプラズマ処理のみを実施しており、このプラズマ処理の間に、対向面３ａに生成された未結合手を、水酸基以外の物質で終端化するようにしているが、本発明はこれに限定されるものでは無い。例えば、不活性ガス、還元性ガス、酸化性ガスを使用してプラズマ処理を行なった後に、置換用の各種の気体（例えば、炭素系ガス）を吹き付ける吹き付け処理を実施してもよい。この場合には、吹き付け処理の間に、対向面に形成された未結合手に置換用気体から派生した物質が結合する。
【００５０】
また、デバイス製造関連処理工程Ｓ２における加熱時に、ガラスフィルム２と支持ガラス３との界面に発泡を生じさせることが可能である。詳述すれば、この発泡は、プラズマ処理によって水酸基を置換した成分に由来する。この発泡は、例えば加熱処理によって、水酸基を置換した成分の熱分解や離脱、燃焼によって発生する。泡には導入ガスのＣＨ系、ＣＯ系、ＣＮ系、ＣＦ系ガス及びそれらの分解成分が含まれる。このデバイス製造関連処理工程Ｓ２での発泡によって、剥離工程Ｓ３における剥離を容易にすることができる。この発泡量は、例えば、プラズマ処理の時間を長くすることで増加させることができる。また、上述のＣＨ系ガスをプラズマ処理に使用することで発泡し易くなる。
【００５１】
本発明は、上記実施形態に限定されず、その技術的思想の範囲で、様々な変形が可能である。例えば、上記実施形態のガラスフィルム積層体１では、ガラスフィルム２を支持ガラス３に直接積層した状態であったが、図３に示すように、ガラスフィルム積層体１は、ガラスフィルム２を支持ガラス３に、酸化物や窒化物で構成された無機薄膜６を介して積層した状態であってもよい。この場合、ガラスフィルム２と支持ガラス３の対向面２ａ，３ａの少なくとも一方が、無機薄膜６の表面で構成されている。なお、図示例では、ガラスフィルム２には無機薄膜６が設けられておらず、支持ガラス３に無機薄膜６が設けられている。従って、支持ガラス３の対向面３ａは、無機薄膜６の表面である。そして、この場合、上述のプラズマ処理工程Ｓ１ａで、無機薄膜６の表面に対してプラズマ処理が実施される。
【００５２】
無機薄膜６は、支持ガラス３に、成膜後におけるガラスフィルム２側の表面（対向面３ａ）の表面粗さＲａが２．０ｎｍ以下となるように形成されていることが好ましい。無機薄膜６の成膜後におけるガラスフィルム２側の表面の表面粗さＲａは、１．０ｎｍ以下であることが好ましく、０．５ｎｍ以下であることが更に好ましく、０．２ｎｍ以下であることが特に好ましい。
【００５３】
ガラスフィルム２と無機薄膜６は、対向面２ａ，３ａの双方における表面粗さＲａが、２．０ｎｍ以下であるので、接着剤など他の部材を介すること無く、直接接触させて積層するだけで、ある程度の接着力で相互に接着している。
【００５４】
無機薄膜６の表面のＧＩ値は、１０００ｐｃｓ／ｍ2以下であることが好ましく、５００ｐｃｓ／ｍ2以下であることがより好ましく、１００ｐｃｓ／ｍ2以下であることが最も好ましい。
【００５５】
無機薄膜６の膜厚は、１ｎｍ〜２００ｎｍが好ましく、５〜１００ｎｍがより好ましく、１０〜６０ｎｍが更に好ましく、２０〜５０ｎｍが最も好ましい。無機薄膜６の膜厚が、１ｎｍ未満の場合には、無機薄膜６とガラスフィルム２とが密着し、ガラスフィルム２を支持ガラス３から剥離できなくなる可能性がある。無機薄膜６の膜厚が、２００ｎｍを超える場合には、無機薄膜６とガラスフィルム２とが密着せず、ガラスフィルム２が支持ガラス３から剥離して脱落する可能性がある。
【００５６】
無機薄膜６を構成する酸化物として、ＩＴＯ、ＦＴＯ、ＡＴＯ、ＳｉＯ、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＭｇＯ、Ｙ2Ｏ3、Ｌａ2Ｏ3、Ｐｒ6Ｏ11、Ｓｃ2Ｏ3、ＷＯ3、ＨｆＯ2、Ｉｎ2Ｏ3、ＺｒＯ2、Ｎｄ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ5、ＣｅＯ2、Ｎｂ2Ｏ5、ＴｉＯ、ＴｉＯ2、Ｔｉ3Ｏ5、ＮｉＯ、ＺｎＯ及びそれらの組み合わせを使用することが好ましい。
【００５７】
無機薄膜６を構成する窒化物として、ＳｉＮ、Ｓｉ3Ｎ4、ＮｂＮ、ＡＩＮ、ＢＮ及びそれらの組み合わせを使用することが好ましい。
【００５８】
無機薄膜６の形成方法としては、公知の方法を使用することができ、スパッタ法、蒸着法、イオンビーム照射法、ＣＶＤ法、ゾルゲル法、スクリーン印刷法等を使用することができる。
【実施例１】
【００５９】
次に、本発明に係るガラスフィルム積層体の製造方法の適用効果を確認した実験結果について説明する。
【００６０】
この実験は、ガラスフィルムと支持ガラスの積層前に実施したプラズマ処理が剥離容易性に及ぼす影響を確認したものであり、本発明に係るガラスフィルム積層体の製造方法による実施例と、プラズマ処理を実施しなかった比較例とを比較している。
【００６１】
本実験では、厚さ１００μｍ、幅６７８ｍｍ、長さ８７８ｍｍのガラスフィルム（日本電気硝子社製  ガラスコードＯＡ−１０Ｇ）を、厚さ５００μｍ、幅６８０ｍｍ、長さ８８０ｍｍの支持ガラス（日本電気硝子社製  ガラスコードＯＡ−１０Ｇ）に積層してガラスフィルム積層体を形成した。積層前に支持ガラスに大気圧プラズマ処理を実施した。この大気圧プラズマ処理には、窒素ガスを使用した。支持ガラスの搬送速度を０．５ｍ／ｍｉｎとし、ガス流量は１３００ｓｃｃｍとした。このガラスフィルム積層体に５００℃で３０分間熱処理を実施した。熱処理後に、ガラスフィルム積層体からガラスフィルムを剥離した。ガラスフィルムと支持ガラスは、破損することなく分離することができた。
【００６２】
比較例では、プラズマ処理を実施することなく、実施例と同仕様のガラスフィルムと支持ガラスを積層してガラスフィルム積層体を形成した。このガラスフィルム積層体に５００℃で３０分間熱処理を実施した。熱処理後に、ガラスフィルム積層体からガラスフィルムを剥離しようとしたが、ガラスフィルムと支持ガラスの接着力が強く、これらを分離することができなかった。
【符号の説明】
【００６３】
１      ガラスフィルム積層体
２      ガラスフィルム
２ａ    対向面
３      支持ガラス
３ａ    対向面
６      無機薄膜
Ｓ      電子デバイスの製造工程（電子デバイスの製造方法）
Ｓ１    ガラスフィルム積層体の製造工程（ガラスフィルム積層体の製造方法）
Ｓ１ａ  プラズマ処理工程
Ｓ１ｂ  積層工程
Ｓ２    デバイス製造関連処理工程
Ｓ３    剥離工程
【図１】
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【図２】
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【図３】
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