(57)【要約】【課題】積層セラミックコンデンサの方向を正確に識別できる新規な方法を提供する。【解決手段】磁化工程と、計測工程と、識別工程とを行う。磁化工程では、積層セラミックコンデンサ１を磁化させる。計測工程では、磁化させた積層セラミックコンデンサ１から発生する磁束の密度を計測する。識別工程では、磁束密度の計測結果に基づいて積層セラミックコンデンサ１における複数の内部電極１１，１２の積層方向を識別する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
一の方向に沿って積層された複数の内部電極を備える積層セラミックコンデンサにおける前記複数の内部電極の積層方向を識別する方法であって、
前記積層セラミックコンデンサを磁化させる磁化工程と、
前記磁化させた積層セラミックコンデンサから発生する磁束の密度を計測する計測工程と、
前記磁束密度の計測結果に基づいて前記積層セラミックコンデンサにおける前記複数の内部電極の積層方向を識別する識別工程と、
を備える、積層セラミックコンデンサの方向識別方法。
【請求項２】
前記磁化工程において、磁気発生装置の前を前記積層セラミックコンデンサを通過させる、請求項１に記載の積層セラミックコンデンサの方向識別方法。
【請求項３】
前記計測工程において、前記磁化させた積層セラミックコンデンサを磁束密度計測器の前を通過させたときの磁束密度の変化を計測する、請求項１又は２に記載の積層セラミックコンデンサの方向識別方法。
【請求項４】
前記識別工程において、前記計測された磁束密度の変化から磁束密度の最大値を算出し、前記磁束密度の最大値に基づいて前記積層セラミックコンデンサにおける前記複数の内部電極の積層方向を識別する、請求項３に記載の積層セラミックコンデンサの方向識別方法。
【請求項５】
一の方向に沿って積層された複数の内部電極を備える積層セラミックコンデンサにおける前記複数の内部電極の積層方向を識別する装置であって、
前記積層セラミックコンデンサを搬送する搬送路と、
前記搬送路を搬送させる積層セラミックコンデンサを磁化させる磁気発生装置と、
前記搬送路の前記磁気発生装置が配された部分よりも下流側に位置しており、前記搬送路内を搬送される前記積層セラミックコンデンサから発生する磁束の密度を計測する磁束密度計測器と、
識別部と、
を備え、
前記識別部は、前記磁束密度の計測結果に基づいて前記積層セラミックコンデンサにおける前記複数の内部電極の積層方向を識別する、積層セラミックコンデンサの方向識別装置。
【請求項６】
前記磁束密度計測器は、前記磁化させた積層セラミックコンデンサを磁束密度計測器の前を通過させたときの磁束密度の変化を計測する、請求項５に記載の積層セラミックコンデンサの方向識別装置。
【請求項７】
前記磁束密度計測器は、前記計測された磁束密度の変化から磁束密度の最大値を算出し、前記磁束密度の最大値に基づいて前記積層セラミックコンデンサにおける前記複数の内部電極の積層方向を識別する、請求項６に記載の積層セラミックコンデンサの方向識別装置。
【請求項８】
一の方向に沿って積層された複数の内部電極を備える積層セラミックコンデンサを作製する工程と、
前記積層セラミックコンデンサにおける前記複数の内部電極の積層方向を識別する方向識別工程と、
を備え、
前記方向識別工程は、
前記積層セラミックコンデンサを磁化させる磁化工程と、
前記磁化させた積層セラミックコンデンサから発生する磁束の密度を計測する計測工程と、
前記磁束密度の計測結果に基づいて前記積層セラミックコンデンサにおける前記複数の内部電極の積層方向を識別する識別工程と、
を含む、積層セラミックコンデンサの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、積層セラミックコンデンサの方向識別方法、積層セラミックコンデンサの方向識別装置及び積層セラミックコンデンサの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
積層セラミックコンデンサは、一の方向に沿って積層された複数の内部電極を有する。このため、積層セラミックコンデンサにおいては、内部電極の積層方向を識別したいという要望がある。しかしながら、例えば、積層セラミックコンデンサが正四角柱状であるような場合には、外観により積層セラミックコンデンサにおける内部電極の積層方向を識別することは困難である。
【０００３】
例えば特許文献１には、積層セラミックコンデンサにおける内部電極の積層方向を外観によらずに識別し得る方法が記載されている。具体的には、特許文献１には、内部電極層が引き出されていない一面に一定の磁場を加えて、積層セラミックコンデンサの磁束密度を計測し、磁化の強さによって内部電極層の方向を識別する方法が開示されている。この方法は、内部電極が磁束とほぼ平行（コンデンサとしては底面に対して内部電極が垂直方向）になる向きにコンデンサが配置された状態と、ほぼ垂直（コンデンサとしては底面に対して内部電極が水平方向）となる向きにコンデンサが配置された状態とで、計測される磁束密度が異なることを利用した方法である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平７−１１５０３３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１に記載された方法では、磁気発生装置と、磁気センサとをコンデンサを介して対向するように配する必要がある。従って、特許文献１に記載の方法では、磁気発生装置と磁気センサとの配置上の制約がある。従って、特許文献１に記載のコンデンサの方向識別装置には、装置の設計自由度が低いという問題がある。
【０００６】
本発明の主な目的は、積層セラミックコンデンサの方向を正確に識別できる新規な方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る積層セラミックコンデンサの方向識別方法は、一の方向に沿って積層された複数の内部電極を備える積層セラミックコンデンサにおける複数の内部電極の積層方向を識別する方法である。本発明に係る積層セラミックコンデンサの方向識別方法は、磁化工程と、計測工程と、識別工程とを備える。磁化工程では、積層セラミックコンデンサを磁化させる。計測工程では、磁化させた積層セラミックコンデンサから発生する磁束の密度を計測する。識別工程では、磁束密度の計測結果に基づいて積層セラミックコンデンサにおける複数の内部電極の積層方向を識別する。
【０００８】
本発明に係る積層セラミックコンデンサの方向識別方法では、磁化工程において、磁気発生装置の前を積層セラミックコンデンサを通過させてもよい。
【０００９】
本発明に係る積層セラミックコンデンサの方向識別方法では、計測工程において、磁化させた積層セラミックコンデンサを磁束密度計測器の前を通過させたときの磁束密度の変化を計測してもよい。
【００１０】
本発明に係る積層セラミックコンデンサの方向識別方法では、識別工程において、計測された磁束密度の変化から磁束密度の最大値を算出し、磁束密度の最大値に基づいて積層セラミックコンデンサにおける複数の内部電極の積層方向を識別してもよい。
【００１１】
本発明に係る積層セラミックコンデンサの方向識別装置は、一の方向に沿って積層された複数の内部電極を備える積層セラミックコンデンサにおける複数の内部電極の積層方向を識別する装置である。本発明に係る積層セラミックコンデンサの方向識別装置は、積層セラミックコンデンサを搬送する搬送路と、磁気発生装置と、磁束密度計測器と、識別部とを備える。磁気発生装置は、搬送路を搬送させる積層セラミックコンデンサを磁化させる。磁束密度計測器は、搬送路の磁気発生装置が配された部分よりも下流側に位置している。磁束密度計測器は、搬送路内を搬送される積層セラミックコンデンサから発生する磁束の密度を計測する。識別部は、磁束密度の計測結果に基づいて積層セラミックコンデンサにおける複数の内部電極の積層方向を識別する。
【００１２】
本発明に係る積層セラミックコンデンサの方向識別装置では、磁束密度計測器は、磁化させた積層セラミックコンデンサを磁束密度計測器の前を通過させたときの磁束密度の変化を計測してもよい。
【００１３】
本発明に係る積層セラミックコンデンサの方向識別装置では、磁束密度計測器は、計測された磁束密度の変化から磁束密度の最大値を算出し、磁束密度の最大値に基づいて積層セラミックコンデンサにおける複数の内部電極の積層方向を識別してもよい。
【００１４】
本発明に係る積層セラミックコンデンサの製造方法では、一の方向に沿って積層された複数の内部電極を備える積層セラミックコンデンサを作製する。積層セラミックコンデンサにおける複数の内部電極の積層方向を識別する方向識別工程を行う。方向識別工程は、磁化工程と、計測工程と、識別工程とを含む。磁化工程では、積層セラミックコンデンサを磁化させる。計測工程では、磁化させた積層セラミックコンデンサから発生する磁束の密度を計測する。識別工程では、磁束密度の計測結果に基づいて積層セラミックコンデンサにおける複数の内部電極の積層方向を識別する。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、積層セラミックコンデンサの方向を正確に識別できる新規な方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の一実施形態におけるテーピング積層セラミックコンデンサ連の製造装置の模式的平面図である。
【図２】本発明の一実施形態におけるテーピング積層セラミックコンデンサ連の略図的断面図である。
【図３】本発明の一実施形態における積層セラミックコンデンサの略図的斜視図である。
【図４】図３の線ＩＶ−ＩＶにおける模式的断面図である。
【図５】内部電極が磁束密度計測器に対して平行である場合の積層セラミックコンデンサの磁束線を表す模式図である。
【図６】内部電極が磁束密度計測器に対して垂直である場合の積層セラミックコンデンサの磁束線を表す模式図である。
【図７】積層セラミックコンデンサの磁束密度を表す模式的なグラフである。
【図８】積層セラミックコンデンサの磁束密度の積分値を表す模式的なグラフである。
【図９】第２の実施形態における積層セラミックコンデンサの方向識別装置の要部を表す模式的平面図である。
【図１０】第３の実施形態における積層セラミックコンデンサの方向識別装置の要部を表す模式的平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明を実施した好ましい形態の一例について説明する。但し、下記の実施形態は、単なる例示である。本発明は、下記の実施形態に何ら限定されない。
【００１８】
また、実施形態等において参照する各図面において、実質的に同一の機能を有する部材は同一の符号で参照することとする。また、実施形態等において参照する図面は、模式的に記載されたものである。図面に描画された物体の寸法の比率などは、現実の物体の寸法の比率などとは異なる場合がある。図面相互間においても、物体の寸法比率等が異なる場合がある。具体的な物体の寸法比率等は、以下の説明を参酌して判断されるべきである。
【００１９】
（第１の実施形態）
本実施形態では、図３及び図４に示される積層セラミックコンデンサ１の方向識別方法について説明する。まずは、識別対象となる積層セラミックコンデンサ１の構成について説明する。
【００２０】
（積層セラミックコンデンサ１の構成）
図３及び図４に示されるように、積層セラミックコンデンサ１は、セラミック素体１０を備えている。セラミック素体１０は、略直方体状である。具体的には、セラミック素体１０は、正四角柱状である。セラミック素体１０は、第１及び第２の主面１０ａ，１０ｂと、第１及び第２の側面１０ｃ，１０ｄと、第１及び第２の端面１０ｅ，１０ｆ（図４を参照）とを有する。第１及び第２の主面１０ａ，１０ｂは、それぞれ、長さ方向Ｌ及び幅方向Ｗに沿って延びている。第１の主面１０ａと第２の主面１０ｂとは、互いに平行である。第１及び第２の側面１０ｃ，１０ｄは、それぞれ、長さ方向Ｌ及び厚み方向Ｔに沿って延びている。第１の側面１０ｃと第２の側面１０ｄとは、互いに平行である。第１及び第２の端面１０ｅ，１０ｆは、それぞれ、幅方向Ｗ及び厚み方向Ｔに沿って延びている。第１の端面１０ｅと第２の端面１０ｆとは互いに平行である。
【００２１】
セラミック素体１０の長さ方向Ｌに沿った寸法は、０．４ｍｍ〜２．０ｍｍであることが好ましく、０．６ｍｍ〜１．０ｍｍであることがより好ましい。セラミック素体１０の幅方向Ｗに沿った寸法は、０．２ｍｍ〜１．２ｍｍであることが好ましく、０．３ｍｍ〜０．５ｍｍであることがより好ましい。セラミック素体１０の厚み方向Ｔに沿った寸法は、０．２ｍｍ〜１．２ｍｍであることが好ましく、０．３ｍｍ〜０．５ｍｍであることがより好ましい。長さ方向Ｌに沿った寸法が１．０ｍｍ以下で、幅方向Ｗおよび厚み方向Ｔに沿った寸法が０．５ｍｍ以下である方が好ましいのは、このようなサイズ以下の小型品の場合に特に磁束密度の測定位置が積層セラミックコンデンサの中心位置から変化しやすいからである。また、長さ方向Ｌに沿った寸法が０．６ｍｍ以上で、幅方向Ｗおよび厚み方向Ｔに沿った寸法が０．３ｍｍ以上である方が好ましいのは、内部電極の密度が高いものの方が磁束密度による方向識別が行いやすいからである。同様の理由で、静電容量が１μＦ以上の積層セラミックコンデンサが本発明に適している。
【００２２】
セラミック素体１０は、例えば、誘電体セラミックを主成分とする材料により構成することができる。誘電体セラミックの具体例としては、例えば、ＢａＴｉＯ３、ＣａＴｉＯ３、ＳｒＴｉＯ３、ＣａＺｒＯ３などが挙げられる。セラミック素体１０には、例えば、Ｍｎ化合物、Ｍｇ化合物、Ｓｉ化合物、Ｃｏ化合物、Ｎｉ化合物、希土類化合物などの副成分を適宜添加してもよい。
【００２３】
なお、「略直方体」には、角部や稜線部が面取りされた直方体や、角部や稜線部が丸められた直方体が含まれるものとする。
【００２４】
図５に示されるように、セラミック素体１０の内部には、複数の内部電極１１，１２が設けられている。複数の内部電極１１，１２は、厚み方向Ｔに沿って積層されている。各内部電極１１，１２は、長さ方向Ｌ及び幅方向Ｗに平行に設けられている。セラミック素体１０の内部において、内部電極１１と内部電極１２とは、厚み方向Ｔに沿って交互に設けられている。厚み方向Ｔにおいて隣り合う内部電極１１，１２間には、セラミック部１５が配されている。すなわち、厚み方向Ｔにおいて隣り合う内部電極１１，１２は、セラミック部１５を介して対向している。
【００２５】
内部電極１１は、第１の端面１０ｅに引き出されている。第１の端面１０ｅの上には、外部電極１３が設けられている。外部電極１３は、内部電極１１と電気的に接続されている。
【００２６】
内部電極１２は、第２の端面１０ｆに引き出されている。第２の端面１０ｆの上には、外部電極１４が設けられている。外部電極１４は、内部電極１２と電気的に接続されている。
【００２７】
内部電極１１，１２は、Ｎｉなどの磁性材料により構成することができる。
【００２８】
外部電極１３，１４は、例えば、Ｎｉ，Ｃｕ，Ａｇ，Ｐｄ，Ａｕ，Ａｇ−Ｐｄ合金などの適宜の導電材料により構成することができる。
【００２９】
（テーピング積層セラミックコンデンサ連製造装置）
図１に、積層セラミックコンデンサの方向識別装置としての機能を兼ね備えている、テーピング積層セラミックコンデンサ連の製造装置の模式的平面図を示す。積層セラミックコンデンサの方向識別装置は、積層セラミックコンデンサ１における複数の内部電極１１，１２の積層方向を識別するための装置である。
【００３０】
なお、本明細書において、「積層セラミックコンデンサ１における複数の内部電極１１，１２の積層方向」を、「積層セラミックコンデンサ１の方向」と記載する。
【００３１】
図１に示すように、テーピング積層セラミックコンデンサ連の製造装置３は、ボールフィーダー５０を備えている。ボールフィーダー５０には、複数の積層セラミックコンデンサ１が収容されている。ボールフィーダー５０は、振動することによりリニアフィーダー５１に電子部品を順次供給する。
【００３２】
リニアフィーダー５１は、振動により供給された積層セラミックコンデンサ１を搬送する。リニアフィーダー５１は、搬送機構５２に積層セラミックコンデンサ１を供給する。
【００３３】
リニアフィーダー５１には、磁気を発生させる磁気発生装置６０が設けられている。この磁気発生装置６０の前を積層セラミックコンデンサ１が通過することにより積層セラミックコンデンサ１が磁化する。積層セラミックコンデンサ１が磁化するとは、積層セラミックコンデンサが磁気を帯びた状態になるということを意味する。
【００３４】
磁気発生装置６０は、永久磁石や、電磁石により構成することができる。
【００３５】
また、磁気発生装置６０は、リニアフィーダー５１により搬送される積層セラミックコンデンサ１における内部電極１１，１２の向きを揃える機能を兼ね備えている。例えば、積層セラミックコンデンサ１における内部電極１１，１２の積層方向が水平方向と平行である場合は、内部電極１１，１２の積層方向が上下方向と平行となるように、磁気発生装置６０から発生する磁気により積層セラミックコンデンサ１が９０°回転する。これにより、磁気発生装置６０が設けられた部分を通過する積層セラミックコンデンサ１の向きが揃えられる。但し、全ての積層セラミックコンデンサ１の向きが揃えられる必要は必ずしもない。
【００３６】
搬送機構５２は、積層セラミックコンデンサ１をキャリアテープ２０ａまで搬送する。搬送機構５２は、中心軸Ｃを中心として回転する円板状の搬送テーブル５４を有する。具体的には、本実施形態では、搬送テーブル５４は、中心軸Ｃを中心として時計回りに回転する。搬送テーブル５４は、複数の凹部（収容部）５４ａを備えている。複数の凹部５４ａは、円形のローターの外周に沿って相互に間隔をおいて設けられている。
【００３７】
搬送テーブル５４の凹部５４ａには、ポジションＰ１において、リニアフィーダー５１から積層セラミックコンデンサ１が振り込まれる。ポジションＰ１において凹部５４ａに振り込まれた積層セラミックコンデンサ１は、搬送テーブル５４が回転することにより、中心軸Ｃを中心として周方向に沿って搬送される。積層セラミックコンデンサ１は、ポジションＰ３まで搬送される。積層セラミックコンデンサ１は、ポジションＰ３において搬送テーブル５４からキャリアテープ２０ａの収容室２０ａ１に収容される。
【００３８】
図２に示すように、キャリアテープ２０ａの上には、キャリアテープ２０ａと共に、テーピング２０を構成しているカバーテープ２０ｂが配される。このカバーテープ２０ｂにより収容室２０ａ１が閉鎖される。これにより、各収容室２０ａ１に積層セラミックコンデンサ１が収容されたテーピング積層セラミックコンデンサ連２が作製される。  搬送経路において、ポジションＰ１とポジションＰ３の間に位置するポジションＰ２には、磁気発生装置５５が配されている。この磁気発生装置５５により、積層セラミックコンデンサ１がさらに磁化される。このため、テーピング積層セラミックコンデンサ連２には、磁化された積層セラミックコンデンサ１２が収容される。なお、本実施形態では、磁気発生装置５５と、磁気発生装置６０との２つの磁気発生装置を設ける例について説明した。但し、本発明は、この構成に限定されない。磁気発生装置をひとつのみ設けてもよい。
【００３９】
図２に示すように、テーピング積層セラミックコンデンサ連２の下方には、磁束密度を計測するための磁束密度計測器３２が設けられている。詳細には、磁束密度計測器３２は、１０ｋＨｚ〜１００ｋＨｚ程度の間隔で磁束密度の測定を連続して行う。
【００４０】
磁束密度計測器３２は、少なくとも積層セラミックコンデンサ１の通過時における磁束密度の変化を計測する。磁束密度計測器３２は、計測結果を、識別部３６に出力する。識別部３６は、磁束密度計測器３２から出力された磁束密度の計測結果に基づいて積層セラミックコンデンサ１の方向を識別する。識別部３６は、この積層セラミックコンデンサ１の方向識別をテーピング積層セラミックコンデンサ連２中に相互に間隔をおいて配された複数の積層セラミックコンデンサ１に対して順に行っていく。
【００４１】
まず、本実施形態では、磁気発生装置６０，５５により、積層セラミックコンデンサ１を磁化させる（磁化工程）。次に、磁化させた積層セラミックコンデンサ１から発生する磁束の密度を磁束密度計測器３２を用いて計測する（計測工程）。計測工程においては、磁化させた積層セラミックコンデンサ１を磁束密度計測器３２の前を通過させたときの磁束密度の変化を計測することが好ましい。
【００４２】
次に、識別部３６により、磁束密度の計測結果に基づいて、積層セラミックコンデンサ１における内部電極１１，１２の積層方向を識別する（識別工程）。その結果、例えば、積層セラミックコンデンサ１の整列率を確認したり、積層セラミックコンデンサ１の方向が所望する方向とは異なる積層セラミックコンデンサ１が検出された場合は、その積層セラミックコンデンサ１にマーキングを施したり、除外したりする。
【００４３】
（方向識別方法）
次に、識別部３６が行う積層セラミックコンデンサ１の方向識別方法について説明する。
【００４４】
まず、本実施形態における方向識別方法の原理について、図５及び図６を参照しながら説明する。
【００４５】
磁束密度計測器３２の前に積層セラミックコンデンサ１が存在していないときは、磁束密度計測器３２により磁束が実質的に計測されない。一方、図５及び図６に示されるように、磁化された積層セラミックコンデンサ１が磁束密度計測器３２の前に位置している場合は、積層セラミックコンデンサ１からの磁力線が磁束密度計測器３２を通過する。このため、磁束密度計測器３２により磁束が計測される。
【００４６】
磁化された積層セラミックコンデンサ１が（図５を参照）が磁束密度計測器３２の前に、内部電極１１，１２が磁束密度計測器３２と平行となるように位置しているときに計測される磁束密度よりも、磁化された積層セラミックコンデンサ１（図６を参照）が磁束密度計測器３２の前に、内部電極１１，１２が磁束密度計測器３２と垂直となるように位置しているときに計測される磁束密度が大きくなる。
【００４７】
このため、図７に示すように、内部電極１１，１２が磁束密度計測器３２と平行である態様で積層セラミックコンデンサ１が磁束密度計測器３２の前を通過したときよりも、内部電極１１，１２が磁束密度計測器３２と垂直である態様で積層セラミックコンデンサ１が磁束密度計測器３２の前を通過したときの方が計測される磁束密度の最大値が大きくなる。また、図８に示すように、内部電極１１，１２が磁束密度計測器３２と平行である態様で積層セラミックコンデンサ１が磁束密度計測器３２の前を通過したときよりも、内部電極１１，１２が磁束密度計測器３２と垂直である態様で積層セラミックコンデンサ１が磁束密度計測器３２の前を通過したときの方が計測される磁束密度の積分値が大きくなる。
【００４８】
よって、計測される磁束密度の最大値や、積分値に基づいて積層セラミックコンデンサ１の方向を識別することができる。
【００４９】
本実施形態では、積層セラミックコンデンサ１を予め磁化しておくため、磁気発生装置５５，６０と、磁束密度計測器３２とを対向して配置しておく必要が必ずしもない。このため、磁気発生装置５５，６０と、磁束密度計測器３２との配置自由度が高く、方向識別装置や製造装置に対する構造上の制約が少なくなる。このため、方向識別装置や製造装置を、例えば、小型化することができる。
【００５０】
なお、積層セラミックコンデンサ１の方向の識別を行った後に、磁化している積層セラミックコンデンサ１に対して脱磁処理を行ってもよい。
【００５１】
以下、本発明の好ましい実施形態の他の例について説明する。以下の説明において、上記第１の実施形態と実質的に共通の機能を有する部材を共通の符号で参照し、説明を省略する。
【００５２】
（第２及び第３の実施形態）
図９は、第２の実施形態における積層セラミックコンデンサの方向識別装置の要部を表す模式的平面図である。図１０は、第３の実施形態における積層セラミックコンデンサの方向識別装置の要部を表す模式的平面図である。
【００５３】
第１の実施形態では、磁束密度計測器３２によりテーピング積層セラミックコンデンサ連２に収容された積層セラミックコンデンサ１の方向を識別する例について説明した。但し、本発明は、これに限定されない。
【００５４】
例えば、図９に示すように、磁束密度計測器３２を搬送機構５２に設けてもよい。具体的には、第２の実施形態では、搬送機構５２のポジションＰ４に磁束密度計測器３２が配されている。また、例えば、図１０に示すように、磁束密度計測器３２をリニアフィーダー５１に設けてもよい。このため、テーピング積層セラミックコンデンサ連２に収容される前に、搬送機構５２による搬送中に積層セラミックコンデンサ１の方向を識別することができる。
【００５５】
第２及び第３の実施形態においては、ポジションＰ４とポジションＰ３との間に、積層セラミックコンデンサ１の方向が所望の方向ではない積層セラミックコンデンサ１を選別する選別部や、回転させて所望の方向とする整列部がさらに設けられていてもよい。選別部は、内部電極１１，１２の積層方向が不所望な積層セラミックコンデンサ１を取り除くものであってもよい。
【００５６】
（実験例１）
下記の設計パラメータを有する積層セラミックコンデンサを６個用意した。図１に示されるように、リニアフィーダー５１を介して対向する１対の永久磁石により構成された磁気発生装置６０のみにより積層セラミックコンデンサの磁化を行った。なお、６個のサンプルのうち、３つは、内部電極が磁束密度計測器と平行となるように配置して磁束密度を測定し、残りの３つは、内部電極が磁束密度計測器と垂直となるように配置して磁束密度を測定した。計測された磁束密度の最大値を表１に示す。表１において、「水平」と記載されたサンプルは、内部電極が磁束密度計測器と平行となるように配置して磁束密度を測定したサンプルである。表１において、「垂直」と記載されたサンプルは、内部電極が磁束密度計測器と垂直となるように配置して磁束密度を測定したサンプルである。
【００５７】
（実施例２）
実施例１において使用した６つの積層セラミックコンデンサの磁束の密度が０．０５ｍＴ以下となるように積層セラミックコンデンサの脱磁を行った後に、本実施例２において再度サンプルとして使用した。実施例２では、実施例１と同様の構成を有する磁気発生装置６０と、搬送機構５２に設けられており、永久磁石により構成された磁気発生装置５５との２つの磁気発生装置により積層セラミックコンデンサの磁化を行った。６個のサンプルのうち、３つは、内部電極が磁束密度計測器と平行となるように配置して磁束密度を測定し、残りの３つは、内部電極が磁束密度計測器と垂直となるように配置して磁束密度を測定した。計測された磁束密度の最大値を表１に示す。計測された磁束密度の最大値を表１に示す。
【００５８】
積層セラミックコンデンサの大きさ：１．１５ｍｍ×０．６５ｍｍ×０．６５ｍｍ
内部電極：ニッケルを主成分とする電極
内部電極の積層枚数：４３０枚
静電容量：１０μＦ
【００５９】
【表１】
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【００６０】
表１に示す結果から、予め磁化を行った積層セラミックコンデンサの磁束密度を計測することにより積層セラミックコンデンサの方向を識別できることが分かる。また、実施例２のように磁化を２回行うことで、積層セラミックコンデンサの磁束密度の計測値（最大値・積分値）が大きくなり、方向の識別が一層容易になる。
【符号の説明】
【００６１】
１  積層セラミックコンデンサ
２  テーピング積層セラミックコンデンサ連
３  製造装置
１０  セラミック素体
１０ａ  第１の主面
１０ｂ  第２の主面
１０ｃ  第１の側面
１０ｄ  第２の側面
１０ｅ  第１の端面
１０ｆ  第２の端面
１１，１２  内部電極
１３，１４  外部電極
１５  セラミック部
２０  テーピング
２０ａ  キャリアテープ
２０ａ１  収容室
２０ｂ  カバーテープ
３２  磁束密度計測器
３６  識別部
５０  ボールフィーダー
５１  リニアフィーダー
５２  搬送機構
５４  搬送テーブル
５４ａ  凹部
５５，６０  磁気発生装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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