(57)【要約】【課題】カラーフィルター層を併せ持つタッチパネル構造において、低抵抗、かつ低反射な性質を有する積層配線からなるタッチパネル層を性能劣化させることなく得る。【解決手段】引出配線領域Ａ８において、低抵抗導電膜５１の表面が露出したコンタクトホール５７が形成され、低抵抗導電膜５１の表面を含むコンタクトホール５７の底面及び側面並びに上層層間絶縁膜６４の表面の一部上に保護導電膜５５が形成され、低抵抗導電膜６１の表面が露出したコンタクトホール６７が形成され、低抵抗導電膜６１の表面を含むコンタクトホール６７の底面及び側面並びに上層層間絶縁膜６４の表面の一部上に保護導電膜６５が形成される。そして、低抵抗導電膜５１及び保護導電膜５５の積層構造により下層配線１５用の下層端子部１７が構成され、低抵抗導電膜６１及び保護導電膜６５の積層構造により上層配線１６用の上層端子部１８が構成される。【選択図】図３
2016009419.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方主面及び他方主面を有する基板と、
前記基板の一方主面上に形成され、表示領域と外部接続用の外部端子部が設けられる引出配線領域とを有するタッチパネル層と、
前記基板の他方主面上に形成されるカラーフィルター層とを備え、前記カラーフィルター層は前記タッチパネル層の前記表示領域と平面視重複して形成され、
前記タッチパネル層は、
下部導電膜、低反射膜及び透明膜の順で積層される積層配線を含み、
前記積層配線を覆って形成される層間絶縁膜と、
前記引出配線領域に選択的に形成され、前記層間絶縁膜、前記透明膜及び前記低反射膜を貫通して、露出した前記下部導電膜の表面を底面とした開口部と、
前記開口部における前記下部導電膜を含む底面及び側面上に形成される保護導電膜とをさらに含み、前記下部導電膜及び前記保護導電膜は前記外部端子部として機能する、
タッチパネル構造。
【請求項２】
請求項１記載のタッチパネル構造であって、
前記透明膜は前記層間絶縁膜よりも高い屈折率を有することを特徴とする、
タッチパネル構造。
【請求項３】
請求項１または請求項２記載のタッチパネル構造であって、
前記透明膜は、屈折率が１．７〜２．４の材料で構成され、膜厚が３０〜７０ｎｍに設定される、
タッチパネル構造。
【請求項４】
請求項１から請求項３のうち、いずれか１項に記載のタッチパネル構造であって、
前記低反射膜の膜厚は、最大膜厚に対する最小膜厚の比率（最小膜厚／最大膜厚）が０．６を超えるように設定される、
タッチパネル構造。
【請求項５】
請求項１から請求項４のうち、いずれか１項に記載のタッチパネル構造であって、
前記低反射膜はアルミを主成分とした窒化金属膜より構成され、
窒化度が窒素の組成比で３０〜５０ａｔ％である、
タッチパネル構造。
【請求項６】
請求項１から請求項５のうち、いずれか１項に記載のタッチパネル構造であって、
前記積層配線は第１の方向に延びて形成される第１の積層配線と前記第１の方向と平面視交差する第２の方向に延びて、前記第１の積層配線より上方に形成される第２の積層配線を含み、
前記外部端子部は前記第１及び第２の積層配線と同一層に形成される第１及び第２の外部端子部を含み、
前記下部導電膜は第１及び第２の下部導電膜を含み、前記低反射膜は第１及び第２の低反射膜を含み、前記透明膜は第１及び第２の透明膜を含み、前記保護導電膜は第１及び第２の保護導電膜を含み、
前記第１の積層配線は、前記第１の下部導電膜、前記第１の低反射膜及び前記第１の透明膜の順で積層され、
前記第２の積層配線は、前記第２の下部導電膜、前記第２の低反射膜及び前記第２の透明膜の順で積層され、
前記第１の外部端子部は、前記第１の下部導電膜及び前記第１の保護導電膜により構成され、前記第２の外部端子部は、前記第２の下部導電膜及び前記第２の保護導電膜により構成され、
前記層間絶縁膜は、前記第１の積層配線を覆って形成される第１の層間絶縁膜と、前記第２の積層配線を覆って形成される第２の層間絶縁膜とを含み、前記第２の積層配線は前記第１の層間絶縁膜上に形成される、
タッチパネル構造。
【請求項７】
請求項１から請求項６のうち、いずれか１項に記載のタッチパネル構造を有し、
前記表示領域における前記層間絶縁膜側を表示観察面としてなる、
表示装置。
【請求項８】
(a) 一方主面及び他方主面を有する基板を準備するステップと、
(b) 前記基板の一方主面上に、表示領域と外部接続用の外部端子部が設けられる引出配線領域とを有するタッチパネル層を形成するステップと、
(c) 前記ステップ(b) の実行後に、前記基板の他方主面上にカラーフィルター層を形成するステップとを備え、前記カラーフィルター層は前記タッチパネル層の前記表示領域と平面視重複して形成され、
前記ステップ(b) は、
(b-1) 前記基板上に、下部導電膜、低反射膜及び透明膜の順で積層される積層配線を形成するステップと、
(b-2) 前記積層配線を覆って層間絶縁膜を形成するステップと、
(b-3) 前記引出配線領域において、前記層間絶縁膜、前記透明膜及び前記低反射膜を貫通して、露出した前記下部導電膜の表面を底面とした開口部を選択的に形成するステップと、
(b-4) 前記開口部における前記下部導電膜を含む底面及び側面上に保護導電膜を形成するステップとを含み、前記引出配線領域における前記下部導電膜及び前記保護導電膜は前記外部端子部として機能する、
タッチパネル構造の製造方法。
【請求項９】
請求項８記載のタッチパネル構造の製造方法を用いて前記タッチパネル構造を得るステップと、
前記表示領域における前記層間絶縁膜側が表示観察面となるように、液晶部及びその駆動部を含む前記タッチパネル構造以外の構造を形成するステップと、
を備える、
表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、カラーフィルターを備えたタッチパネル構造及びその製造方法並びに表示装置及びその製造方法に関し、特に屋外での使用に適したタッチパネル構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
屋外で用いられるタッチパネルを備えた表示装置においては、太陽光下での使用等、表示装置外部からの入射光量が高い環境においても良好な表示特性が求められている。言い換えれば、タッチパネル配線の特性として、表示装置外部からの入射光に対しては低反射で、かつ、表示用光源からの光は高透過であることが求められる。一方、タッチパネルに要求されるタッチセンサーとしての応答性や感度などから電気的には低抵抗であることも求められる。
【０００３】
さらに、同一基板上において他方主面上に形成されるカラーフィルターとは反対側の一方主面上にタッチパネルを形成する、所謂オンセル化を行うことにより、タッチパネル基板を別途設ける場合に比べ、装置全体のモジュール厚を低減できるため、オンセル化したタッチパネルを用いた表示装置は薄型軽量化による機能向上及び構造の簡素化によるコスト低減に対して有効である。
【０００４】
このため、特許文献１には、同一基板の他方主面上に形成されるカラーフィルターとは反対側の一方主面上にタッチパネルを形成し、その配線には、表示部において金属と比べると比較的高抵抗ではあるが、表示装置外部からの入射光に対しては低反射でかつ表示用光源からの光は高透過である透明導電膜を用い、タッチパネルの電極電位を外部の回路基板に出力するための接続端子部や引き出し配線には、透明導電膜よりも低抵抗なアルミなどの金属材料を用いるタッチパネル構造及びその製造方法が開示されている。
【０００５】
一方、特許文献２には、同一基板の他方主面上に形成されるカラーフィルターとは反対側の一方主面上にタッチパネルを形成し、その配線に低抵抗な金属膜を用い、表示用光源からの光を遮らないように画素部における開口部以外の部分に、表示パネルの厚さ方向おいて重なる位置に配置されたタッチパネル構造及びその製造方法が記載されている。
【０００６】
さらに、特許文献３には、表示装置外部からの入射光の反射を低減するために、アルミニウム合金配線上に反射防止膜を配設する目的で、一例として、アルミニウム膜と窒化アルミニウム膜（低反射膜）と透明膜とで構成される反射防止機能を有するタッチパネル配線に使用したタッチパネル構造及びその製造方法が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】国際公開第２０１１／０６５２９２号
【特許文献２】国際公開第２０１１／０５２３９２号
【特許文献３】特開２０１３−２２２１２３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、特許文献１で開示されたタッチパネル構造は複雑であり、また表示部の透明導電膜は依然として高抵抗であり特に大型化(大画面化)に対して良い電気的特性が得られないという問題点があった。
【０００９】
また、特許文献２で開示されたタッチパネル構造は、タッチパネル配線の配置がカラーフィルターの斜光層等に合わせる必要があるため、設計上の制限が大きいという問題点があった。
【００１０】
一方、特許文献３に開示されたタッチパネル構造は、低抵抗な配線であるために配線幅を細く設計でき高開口率でかつ先述したタッチパネルに求められる光学的特性及び電気的特性を十分に満足する。
【００１１】
しかしながら、特許文献３で開示されたようにＡｌ（アルミニウム）系の低反射配線を用いたタッチパネルを基板上に形成した場合、その後に基板の反対側の面にカラーフィルターの形成工程を実施する場合を想定すると、カラーフィルターの現像工程で使用するアルカリ性の現像液によりタッチパネル配線の開口部に設けられた接続端子部として機能する金属部分がダメージ受け、接続端子部−配線間の接続不良が発生するという問題点があった。
【００１２】
逆に、カラーフィルターを基板上に先に形成し、その後に特許文献３で開示されたタッチパネル構造の形成工程を実施する場合を想定すると、タッチパネル構造の形成時に、カラーフィルターが基板下面側に既に形成されているため、タッチパネル構造の形成工程時に行われる、露光時などステージ吸着や搬送などの際にカラーフィルターに傷が付き歩留りが低下するという問題点があった。
【００１３】
この発明は上記問題点を解決するためになされたもので、カラーフィルター層を併せ持つタッチパネル構造において、低抵抗、かつ低反射な性質を有する積層配線からなるタッチパネル層を性能劣化させることなく得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
この発明に係る請求項１記載のタッチパネル構造は、一方主面及び他方主面を有する基板と、前記基板の一方主面上に形成され、表示領域と外部接続用の外部端子部が設けられる引出配線領域とを有するタッチパネル層と、前記基板の他方主面上に形成されるカラーフィルター層とを備え、前記カラーフィルター層は前記タッチパネル層の前記表示領域と平面視重複して形成され、前記タッチパネル層は、下部導電膜、低反射膜及び透明膜の順で積層される積層配線を含み、前記積層配線を覆って形成される層間絶縁膜と、前記引出配線領域に選択的に形成され、前記層間絶縁膜、前記透明膜及び前記低反射膜を貫通して、露出した前記下部導電膜の表面を底面とした開口部と、前記開口部における前記下部導電膜を含む底面及び側面上に形成される保護導電膜とをさらに含み、前記下部導電膜及び前記保護導電膜は前記外部端子部として機能する。
【発明の効果】
【００１５】
請求項１記載の本願発明であるタッチパネル構造は、タッチパネル層の開口部における下部導電膜を含む底面及び側面上に保護導電膜が形成されているため、タッチパネル層の形成後にカラーフィルター層の製造が実施される際、引出配線領域における下部導電膜及び低反射膜が影響を受けることはない。その結果、低抵抗となるアルミ等の材料を用いて下部導電膜を形成するとともに、反射率の低い材料を用いて低反射膜を形成することができるため、低抵抗、かつ低反射な性質を有する積層配線からなるタッチパネル層を性能劣化させることなく形成したタッチパネル構造を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】この発明における実施の形態の表示装置の全体構成を示す平面図である。
【図２】図２は、図１におけるＡ−Ａ断面を示す断面図である。
【図３】図１に示すＢ−Ｂ断面、及びＸ位置検知用配線及びＹ位置検知用配線の引出配線領域の断面構成を示す断面図である。
【図４】この発明の実施の形態である表示装置におけるＣＦ付タッチパネル基板の製造方法を示す断面図である。
【図５】実施の形態のＣＦ付タッチパネル基板の製造方法を示す断面図である。
【図６】実施の形態のＣＦ付タッチパネル基板の製造方法を示す断面図である。
【図７】実施の形態のＣＦ付タッチパネル基板の製造方法を示す断面図である。
【図８】実施の形態のＣＦ付タッチパネル基板の製造方法を示す断面図である。
【図９】実施の形態のＣＦ付タッチパネル基板の製造方法を示す断面図である。
【図１０】実施の形態のＣＦ付タッチパネル基板の製造方法を示す断面図である。
【図１１】実施の形態のＣＦ付タッチパネル基板の製造方法を示す断面図である。
【図１２】実施の形態のＣＦ付タッチパネル基板の製造方法を示す断面図である。
【図１３】実施の形態のＣＦ付タッチパネル基板の製造方法を示す断面図である。
【図１４】実施の形態のＣＦ付タッチパネル基板の製造方法を示す断面図である。
【図１５】実施の形態のＣＦ付タッチパネル基板の製造方法を示す断面図である。
【図１６】実施の形態のＣＦ付タッチパネル基板の製造方法を示す断面図である。
【図１７】実施の形態のＣＦ付タッチパネル基板の製造方法を示す断面図である。
【図１８】実施の形態のＣＦ付タッチパネル基板の製造方法を示す断面図である。
【図１９】実施の形態のＣＦ付タッチパネル基板の製造方法を示す断面図である。
【図２０】実施の形態のＣＦ付タッチパネル基板の製造方法を示す断面図である。
【図２１】実施の形態のＣＦ付タッチパネル基板の製造方法を示す断面図である。
【図２２】実施の形態のＣＦ付タッチパネル基板の製造方法を示す断面図である。
【図２３】実施の形態のＣＦ付タッチパネル基板の製造方法を示す断面図である。
【図２４】実施の形態のＣＦ付タッチパネル基板の製造方法を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
＜表示装置の全体構成＞
図１はこの発明における実施の形態の表示装置の全体構成を示す平面図であり、図２は、図１におけるＡ−Ａ断面を示す断面図である。なお、図１においてＸＹ直交座標系を示している。
【００１８】
図１及び図２に示す表示装置１００は、屋外で使用することを前提としてタッチパネルによる入力が可能な構成となっており、手指等によるポインティング機能を有している。
【００１９】
図２に示すように、表示装置１００は、液晶ディスプレイパネルとして構成され、筐体１４内に、バックライトユニット２１、ＴＦＴ基板２０、液晶部３５、液晶部３５用のシール材３６、及びＣＦ（カラーフィルター）付タッチパネル基板３０の積層構造により構成される。
【００２０】
ＴＦＴ基板２０は透明基板２２及びＴＦＴ層２３の積層構造で形成される。一方、ＣＦ付タッチパネル基板３０は、透明基板２７（基板）と、透明基板２７の一方主面（図中上方の面）上に形成されたタッチパネル層５０と、透明基板２７の他方主面（図中下方の面）上に形成されたカラーフィルター層４０とにより構成される。このような構成のＣＦ付タッチパネル基板３０を、ＧＵＩ（グラフィカルユーザーインタフェース）機器を構成する表示モジュール（液晶部３５、ＴＦＴ基板２０等）と組み合わせて用いることにより、表示装置１００にポインティング機能を持たせることができる。
【００２１】
タッチパネル層５０は、投射容量方式のタッチパネルであり、ガラスやＰＥＴ（polyethylene terephthalate）等で構成される透明基板２７上に形成され、Ｘ位置検知用配線２及びＹ位置検知用配線３を有している。Ｘ位置検知用配線２は列方向（図１のＹ方向（第１の方向））に延在して配置され、Ｙ位置検知用配線３は、Ｘ位置検知用配線２の上方に配設され、かつ、Ｘ位置検知用配線２と立体的に交差するように行方向（図１のＸ方向（第１の方向に垂直で、第１の方向と平面視交差する第２の方向））に延在して配置される。タッチパネル層５０は、これらＸ位置検知用配線２及びＹ位置検知用配線３により構成されるマトリクス配線を有した構成となっている。
【００２２】
図１に示されるように、Ｘ位置検知用配線２及びＹ位置検知用配線３は、引き出し配線４を介してＣＦ付タッチパネル基板３０の端縁部（図中下方）に設けた外部との信号入出力用の（接続）端子部５に電気的に接続され、ＣＦ付タッチパネル基板３０は、外部接続用の（接続）端子部５を介して図示しない制御基板などと電気的に接続される。
【００２３】
なお、以下の実施の形態ではＸ位置検知用配線２を下層配線（透明基板２７側）、Ｙ位置検知用配線３を上層配線（後述する偏光板６６側）として説明するが、Ｘ位置検知用配線２及びＹ位置検知用配線３の上下関係を逆に配置しても良い。
【００２４】
＜実施の形態１＞
以下、表示装置１００の断面構造を参照することにより、本願発明に係る実施の形態であるＣＦ付タッチパネル基板３０（タッチパネル構造）について説明する。図３は、図１に示す表示領域Ａ７におけるＢ−Ｂ断面、及びＸ位置検知用配線２及びＹ位置検知用配線３用の引出配線領域Ａ８の各端子部を抽出し抽象化した断面構造を示している。
【００２５】
図３に示すように、タッチパネル層５０は、ガラスやＰＥＴ等で構成される透明基板２７の表面（一方主面）上の表示領域Ａ７において、低抵抗導電膜５１（第１の下部導電膜）が選択的に形成され、低抵抗導電膜５１上に低反射膜５２（第１の低反射膜）が形成され、低反射膜５２上に透明キャップ膜５３（第１の透明膜）が形成される。そして、低抵抗導電膜５１、低反射膜５２及び透明キャップ膜５３の順で積層される積層構造により下層配線１５（第１の積層配線）を構成している。
【００２６】
下層配線１５を覆うように下層層間絶縁膜５４（第１の層間絶縁膜）が形成される。図３で示した、低抵抗導電膜５１、低反射膜５２及び透明キャップ膜５３からなる表示領域Ａ７における下層配線１５が、図１に示すＸ位置検知用配線２に相当する。なお、透明基板２７は、下層配線５３を形成するための下地とも言えるので、下地層と呼称する場合もある。
【００２７】
さらに、下層層間絶縁膜５４上には、低抵抗導電膜６１（第２の下部導電膜）が選択的に形成され、低抵抗導電膜６１上に低反射膜６２（第２の低反射膜）が形成され、低反射膜６２上に透明キャップ膜６３（第２の透明膜）が形成される。そして、低抵抗導電膜６１、低反射膜６２及び透明キャップ膜６３の順で積層される積層構造により上層配線１６（第２の積層配線）が構成される。
【００２８】
上層配線１６を覆うように上層層間絶縁膜６４（第２の層間絶縁膜）が形成される。この上層配線１６が図１に示すＹ位置検知用配線３に相当する。なお、下層層間絶縁膜５４は、上層配線１６を形成するための下地とも言えるので、下地層と呼称する場合もある。
【００２９】
一方、引出配線領域Ａ８において、上層層間絶縁膜６４、下層層間絶縁膜５４、透明キャップ膜５３及び低反射膜５２を貫通して低抵抗導電膜５１の表面が露出したコンタクトホール５７が形成され、低抵抗導電膜５１の表面を含むコンタクトホール５７の底面及び側面並びに上層層間絶縁膜６４の表面の一部上に保護導電膜５５（第１の保護導電膜）が形成される。そして、低抵抗導電膜５１及び保護導電膜５５の積層構造により下層配線１５用の下層端子部１７（第１の外部端子部）が構成される。
【００３０】
同様にして、引出配線領域Ａ８において、上層層間絶縁膜６４、透明キャップ膜６３及び低反射膜６２を貫通して低抵抗導電膜６１の表面が露出したコンタクトホール６７が形成され、低抵抗導電膜６１の表面を含むコンタクトホール６７の底面及び側面並びに上層層間絶縁膜６４の表面の一部上に保護導電膜６５（第２の保護導電膜）が形成される。そして、低抵抗導電膜６１及び保護導電膜６５の積層構造により上層配線１６用の上層端子部１８（第２の外部端子部）が構成される。
【００３１】
なお、図１において、下層端子部１７は下層配線１５（＝Ｘ位置検知用配線２）から延長し引き出し配線４を介して電気的に接続される（接続）端子部５に相当し、上層端子部１８は上層配線１６（＝Ｙ位置検知用配線３）から延長し引き出し配線４を介して電気的に接続される端子部５に相当する。
【００３２】
下層配線１５（下層端子部１７）用の低抵抗導電膜５１は、低抵抗材料であるＡｌ系合金、例えばＡｌＮｉＮｄで構成され、その厚さは例えば３００ｎｍで形成される。
【００３３】
下層配線１５用の低反射膜５２は、例えば窒化度が窒素の組成比で３０〜５０ａｔ％（atomic％）である窒化度が高い窒化Ａｌ（アルミニウム）膜で構成され、その厚さは例えば５０ｎｍで形成される。
【００３４】
なお、窒化Ａｌ膜は、窒化度を窒素の組成比で３０〜５０ａｔ％の条件より適宜選択することにより、その反射率を５０％以下とすることが可能であり、例えば窒化度を窒素の組成比で約４５ａｔ％とすることで、反射率を３０％以下にすることができる。また、窒化Ａｌ膜の膜厚を厚くすると反射率を低下させることができる反面、膜厚を精度良く厚く形成することは技術的に難しい。そこで、上述したように、窒化度を設定し、窒化度に応じて膜厚を調整することで、最適な低反射膜５２を得ることができる。
【００３５】
下層配線１５用の透明キャップ膜５３は、例えばＩＴＯ（インジウム酸化スズ）で構成され、その厚さは例えば５０ｎｍで形成される。
【００３６】
下層層間絶縁膜５４は、例えばＳｉＯ２で構成され、その厚さは、例えば６００ｎｍで形成される。
【００３７】
上層配線１６（上層端子部１８）用の低抵抗導電膜６１は、低抵抗材料であるＡｌ系合金、例えばＡｌＮｉＮｄで構成され、その厚さは例えば４００ｎｍで形成される。
【００３８】
上層配線１６用の低反射膜６２は、例えば窒化度が窒素の組成比で３０〜５０ａｔ％（atomic％）である窒化度が高い窒化Ａｌ膜で構成され、その厚さは例えば５０ｎｍで形成される。
【００３９】
なお、前述したように、窒化Ａｌ膜は、窒化度を窒素の組成比で３０〜５０ａｔ％の条件より適宜選択することで、反射率を５０％以下とすることが可能であり、例えば窒化度を窒素の組成比で約４５ａｔ％とすることで、反射率を３０％以下にすることができる。また、窒化度に応じて膜厚を調整することで最適な低反射膜を得ることができる。
【００４０】
上層配線１６用の透明キャップ膜６３は、例えばＩＴＯで構成され、その厚さは例えば５０ｎｍで形成される。
【００４１】
上層層間絶縁膜６４は、例えばＳｉＯ２で構成され、その厚さは例えば３００ｎｍで形成される。
【００４２】
引出配線領域Ａ８では、前述したように、コンタクトホール５７の底面及び側面上に保護導電膜５５が形成され、コンタクトホール６７の底面及び側面上に保護導電膜６５が形成されている。
【００４３】
保護導電膜５５，６５は、例えばＩＴＯで構成され、その厚さは例えば１００ｎｍで形成される。
【００４４】
タッチパネル層５０の形成面とは反対側となる、透明基板２７の裏面（他方主面）上にカラーフィルター層４０が形成されている。カラーフィルター層４０はタッチパネル層５０の表示領域Ａ７に対し、平面視（図１のＸＹ平面で視て）重複する位置に形成される。
【００４５】
なお、本実施の形態では、低反射膜５２，６２をＡｌＮで構成した例について説明したが、これに限定されるものではなく、Ａｌを主成分として他の金属を添加したＡｌ系合金を窒化した金属（窒化金属）であっても良い。他の金属としては、例えば８族遷移金属のＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉや、希土類元素のＮｄなどが挙げられる。
【００４６】
なお、本実施の形態では、保護導電膜５５，６５をＩＴＯで構成した例について説明したが、これに限定されるものではなく、ＩＺＯ（酸化亜鉛インジウム）やＩＴＺＯ（酸化インジウムスズ亜鉛）またはＩＧＺＯ（酸化インジウムガリウム亜鉛）などが挙げられる。
【００４７】
なお、上述した本実施の形態では、横長形状の表示領域Ａ７の横方向（Ｘ方向）に延びて形成されるＹ位置検知用配線３である上層配線１６は、縦方向（Ｙ方向）に延びて形成されるＸ位置検知用配線２である下層配線１５より配線長が長くなることから、配線抵抗低減のため、低抵抗導電膜６１は低抵抗導電膜５１より厚膜としている。しかしながら、下層配線１５及び上層配線１６の低抵抗導電膜５１及び６１の膜厚は必要とする抵抗より任意に決定すれば良い。
【００４８】
また、本実施の形態では、低抵抗導電膜５１，６１をＡｌ系合金で構成した例について説明したが、これに限定されるものではなく、例えばＡｇで構成しても良い。
【００４９】
また、プロセス完了時の低反射膜５２，６２の設定膜厚に対する膜厚分布を、｛最小膜厚／最大膜厚＞０．６｝程度に抑えることで反射分布のばらつきを小さくできる効果を奏する。
【００５０】
下層層間絶縁膜５４，６４の膜厚は、所望の静電容量等により任意に決定すれば良く、また、ドライエッチングプロセス処理時のレジスト膜との選択比及び処理時間等により決定すれば良いが、厚い方が下層配線との色目及び反射率の差が小さくなる場合が多いので、厚さは１μｍ前後、望ましくは１．３μｍ以上に設定する。
【００５１】
図４〜図２４は図１〜図３で示した表示装置１００におけるＣＦ付タッチパネル基板３０（タッチパネル構造）の製造方法を示す断面図である。以下、これらの図を参照して、ＣＦ付タッチパネル基板３０の製造方法を説明する。
【００５２】
まず、図４に示すように、ガラスやＰＥＴ等で構成される透明基板２７を準備した後、図５に示すように、スパッタリング法によりＡｌＮｉＮｄターゲットを用いて、ＡｌＮｉＮｄ膜１５１を３００ｎｍの厚さで成膜する。引き続き、同一の成膜装置を用いて、Ｎ２ガスを含んだ雰囲気中で、スパッタリング法によりＡｌＮｉＮｄターゲットを用いて窒化度が高い窒化金属膜である窒化Ａｌ合金膜１５２を５０ｎｍの厚さでＡｌＮｉＮｄ膜１５１上に成膜する。
【００５３】
なお、窒化Ａｌ合金膜１５２の窒化度が低い場合は反射膜となり低反射膜が形成できず、また逆に窒化度が高い場合は透明膜となり低反射膜とならないため、使用する成膜装置でのＮ２分圧と反射特性との関係を事前に取得し、所望の反射率の低反射膜が得られるように成膜条件を決定することが望ましい。
【００５４】
さらに、図５に示すように、窒化Ａｌ合金膜１５２上に、スパッタリング法により非結晶質のＩＴＯ（インジウム酸化スズ）膜１５３を５０ｎｍの厚さで成膜する。なお、スパッタリング法の代わりに塗布等の方法を用いても良い。
【００５５】
次に、図５に示すように、ＩＴＯ膜１５３上にレジスト材を塗布した後、下層配線１５用のパターンを露光し、現像することにより、下層配線１５（並びに下層端子部１７及び下層端子部１７に延在して形成される引き出し配線）用にパターニングされたレジスト（マスク）７１を形成する。
【００５６】
次に、図６に示すように、パターニングされたレジスト７１をエッチングマスクとして、例えば蓚酸溶液を用いてＩＴＯ膜１５３をエッチングすることにより、パターニングされた透明キャップ膜５３を得る。引き続き、レジスト７１及び透明キャップ膜５３をエッチングマスクとして、例えば、燐酸と硝酸と酢酸との混酸を用いて、窒化Ａｌ合金膜１５２及びＡｌＮｉＮｄ膜１５１をエッチングして、パターニングされた低反射膜５２及び低抵抗導電膜５１を得る。
【００５７】
なお、窒化Ａｌ合金膜１５２とＡｌＮｉＮｄ膜１５１とを同時にエッチングする場合は、窒化Ａｌ合金膜１５２の窒化度を、上記混酸でエッチング可能な範囲内に設定する。
【００５８】
次に、レジスト７１を、例えばモノエタノールアミンとジメチルスルホキシドの混合液等を用いて除去することにより、図６に示すように、表示領域Ａ７において、低抵抗導電膜５１，低反射膜５２及び透明キャップ膜５３からなる下層配線１５が形成され、引出配線領域Ａ８において、低抵抗導電膜５１、低反射膜５２及び透明キャップ膜５３からなる下層端子部１７の前段階の構造が形成される。
【００５９】
次に、図７に示すように、例えばＣＶＤ（chemical vapor deposition）法により下層配線１５を含む全面を覆ってＳｉＯ２膜を成膜することにより、下層層間絶縁膜５４を６００ｎｍの厚さで形成する。
【００６０】
次に、下層層間絶縁膜５４上に上層配線１６を形成する。まず、ＡｌＮｉＮｄ膜１５１、窒化Ａｌ合金膜１５２及びＩＴＯ膜１５３の形成と同様に、図８に示すように、ＡｌＮｉＮｄ膜１６１、窒化Ａｌ合金膜１６２（窒化金属膜）及びＩＴＯ膜１６３を順次積層する。そして、ＩＴＯ膜１６３上にレジスト材を塗布した後、上層配線１６（並びに上層端子部１８及び上層端子部１８から延在して形成される引き出し配線）用のパターンを露光し、現像することにより、上層配線１６用にパターニングされたレジスト（マスク）７２を形成する。
【００６１】
次に、図９に示すように、下層配線１５の形成と同様、パターニングされたレジスト７２をエッチングマスクとして、ＩＴＯ膜１６３をエッチングしてパターニングされた透明キャップ膜６３を得る。引き続き、レジスト７２及び透明キャップ膜６３をエッチングマスクとして、窒化Ａｌ合金膜１６２及びＡｌＮｉＮｄ膜１６１をエッチングして、パターニングされた低反射膜６２及び低抵抗導電膜６１を得る。その後、レジスト７１と同様に、レジスト７２を除去する。
【００６２】
その結果、表示領域Ａ７において、低抵抗導電膜６１，低反射膜６２及び透明キャップ膜６３からなる上層配線１６が形成され、引出配線領域Ａ８において、低抵抗導電膜６１及び低反射膜６２及び透明キャップ膜６３からなる下層端子部１７用の前段階の構造が形成される。
【００６３】
上層配線１６の形成後に、図１０に示すように、例えばＣＶＤ法により上層配線１６を含む全面を覆ってＳｉＯ２膜を成膜することにより、上層層間絶縁膜６４を３００ｎｍの厚さで形成する。
【００６４】
次に、図１１に示すように、上層層間絶縁膜６４上にレジスト材を塗布した後、端子部５(図１参照)が形成される引出配線領域Ａ８において、パターンを露光し、現像することにより、下層端子部１７及び上層端子部１８用にパターニングされたレジスト（マスク）７３を得る。
【００６５】
次に、図１２に示すように、レジスト７３をエッチングマスクとして、例えば、ドライエッチングで上層層間絶縁膜６４及び下層層間絶縁膜５４をエッチングすることにより、引出配線領域Ａ８において、上層層間絶縁膜６４を貫通して透明キャップ膜６３の表面が露出したコンタクトホール６７Ｌと、上層層間絶縁膜６４及び下層層間絶縁膜５４を貫通して透明キャップ膜５３の表面が露出したコンタクトホール５７Ｌとを得る。
【００６６】
その後、図１３に示すように、コンタクトホール５７Ｌ及び６７Ｌによる開口部に露出した透明キャップ膜５３及び６３を除去し、さらに、透明キャップ膜５３及び６３の除去後に露出した低反射膜５２及び６２をも除去して、低抵抗導電膜５１及び６１の表面が露出した形状のコンタクトホール５７及び６７からなる開口部を得る。具体的には、レジスト７３をエッチングマスクとして、例えば、硫酸系混酸を用いてＩＴＯ膜をエッチングして透明キャップ膜５３及び６３を選択的に除去してパターニングする。その後、レジスト７３、上層層間絶縁膜６４及び下層層間絶縁膜５４をエッチングマスクとして、例えば、燐酸と硝酸と酢酸との混酸を用いて、窒化Ａｌ合金膜をエッチングすることにより、低反射膜５２及び６２を選択的に除去してパターニングする。その結果、引出配線領域Ａ８において低抵抗導電膜５１及び低抵抗導電膜６１の表面が露出したコンタクトホール５７及び６７を得ることができる。
【００６７】
次に、図１４に示すように、レジスト７３を、例えばモノエタノールアミンとジメチルスルホキシドの混合液等を用いて除去することにより、コンタクトホール５７及び６７による端子開口部が残存する。
【００６８】
さらに、コンタクトホール５７及び６７の底面である低抵抗導電膜５１及び６１の表面上及びコンタクトホール５７及び６７の側面上並びに上層層間絶縁膜６４の一部上に、スパッタリング法により非結晶質のＩＴＯ（インジウム酸化スズ）膜を１００ｎｍの厚さで成膜する。なお、スパッタリング法の代わりに塗布等の方法を用いても良い。
【００６９】
さらに、ＩＴＯ膜上にレジスト材を塗布した後、保護導電膜のパターンを露光し、現像することにより、保護導電膜５５及び６５用のパターニングされたレジスト（マスク）（図示せず）を得る。
【００７０】
次に、パターニングされた保護導電膜５５及び５６用のレジスト（図示せず）をエッチングマスクとして、例えば、蓚酸溶液を用いてＩＴＯ膜をエッチングすることにより、コンタクトホール５７及び６７内に対応してパターニングされた保護導電膜５５及び６５を得る。
【００７１】
次に、保護導電膜５５及び５６用のレジスト（図示せず）を、例えば、モノエタノールアミンとジメチルスルホキシドの混合液等を用いて除去する。その結果、図１５に示すように、引出配線領域Ａ８において、低抵抗導電膜５１及び保護導電膜５５からなる下層端子部１７と、低抵抗導電膜６１及び保護導電膜６５からなる上層端子部１８とが得られ、タッチパネル層５０の最終構造を得る。この後、例えば、２３０℃で５０分アニールすることにより保護導電膜５５及び６５の構成材料である非結晶質のＩＴＯ膜を結晶化する。これにより保護導電膜５５及び６５を構成するＩＴＯを低抵抗化する。
【００７２】
引出配線領域Ａ８において、後述する工程の実行時に下層端子部１７（保護導電膜５５及び低抵抗導電膜５１）及び上層端子部１８（低抵抗導電膜６１及び保護導電膜６５）を介してＦＰＣ（Flexible printed circuits）などが接続されるため、低抵抗で信頼性の高い電気的接続が実現できる。
【００７３】
ここまでの説明では、説明を省略したが、下層配線１５及び上層配線１６の透明キャップ膜５３及び６３として下層層間絶縁膜５４及び上層層間絶縁膜６４よりも高い屈折率、例えば屈折率が約１．７〜２．４の材料を選択し、膜厚を３０ｎｍ〜７０ｎｍとすることにより、光路長Ｌを０．０５〜０．１７μｍに設定し、積層配線の反射率をさらに低下させることが可能となる。
【００７４】
例えば、窒化Ａｌ合金膜１５２（１６２）とＡｌＮｉＮｄ膜１５１（１６１）の積層膜上に下層層間絶縁膜５４（６４）としてＳｉＯ２膜を１０００ｎｍの厚さで形成し、標準イルミナントＤ６５を照射した場合の反射輝度Ｙが１５．０であるのに対し、透明キャップ膜５３（６３）として、屈折率が１．６８〜２．１０、膜厚が５０ｎｍのＩＺＯ膜を低反射膜５２（６２）上に残した場合、反射輝度Ｙは６．７となる。なお、標準イルミナントＤ６５は、膜の反射輝度を評価する場合に使用される光源である。
【００７５】
よく知られている低反射の窒化Ａｌの成膜方法としては、窒素を含むガスを用いたスパッタリング法が挙げられるが、それを用いた場合、反射率は窒素ガスの混合割合等により設定が可能であるが、窒素ガスの混合割合を増加し、低反射率にするに従い低反射膜の面内での窒化度のばらつきが大きくなり反射率の面内分布が大きくなる。したがって、低反射膜の窒化Ａｌの窒化度を高くした場合は、低反射膜の面内の窒化度ばらつきが増大し反射率のばらつきも増加する可能性がある。
【００７６】
しかし、下層配線１５及び上層配線１６を、透明キャップ膜５３及び６３を有する積層構造とすることにより、低反射膜５２及び６２を構成する窒化Ａｌ膜（窒化Ａｌ合金膜においても同じ）の窒化度を低く設定できるので、低反射膜５２及び６２の面内の窒化度ばらつきを抑制し、反射率が均一な低反射配線を実現できる。また、低反射膜５２及び６２の窒化度を低く設定できることにより、窒化Ａｌ膜（窒化Ａｌ合金膜においても同じ）のエッチングが容易となり安定した加工プロセスを実現できる。
【００７７】
なお、屈折率が約１．７〜２．４の透明キャップ膜５３及び６３の材料としては、ＩＺＯ、ＩＴＯ、ＳｎＯ、ＺｎＯ，ＩｎＯなどの透明導電膜や、ＳｉＮ、Ａｌ２Ｏ３、透明ＡｌＮ（組成比１：１）、ＴａＯ、ＮｂＯ、ＴｉＯ等の透明誘電膜が挙げられる。
【００７８】
透明キャップ膜５３及び６３の材料として、外部端子部（下層端子部１７，上層端子部１８）形成時にコンタクトホール５７及び６７を形成する開口工程のエッチングの際、透明キャップ膜５３及び６３が一般的なエッチング液で選択的エッチング除去が困難な材料、例えば、結晶化ＩＴＯ等で構成されている場合は、結晶化前に引出配線領域Ａ８における透明キャップ膜５３及び６３を予め除去する工程を追加することが望ましい。例えば、透明キャップ膜５３の場合、図７で示す下層層間絶縁膜５４の形成前に、透明キャップ膜５３においてコンタクトホール５７として除去される部分を予め選択的に除去する工程を追加することが望ましい。
【００７９】
また、以上説明した製造方法においては、低反射膜５２及び６２を構成する窒化Ａｌ合金膜の上にはＩＴＯ膜で透明キャップ膜５３及び６３（エッチング保護膜として機能する膜）が形成されるため、アルカリ性のレジスト剥離液によるレジスト除去時に、低反射膜５２及び６２を構成する窒化Ａｌ合金膜がレジスト剥離液に直接さらされることが防止される。したがって、低反射膜５２及び６２を構成する窒化Ａｌ合金膜がレジスト剥離液によってエッチングされることで、膜厚が薄くなり、反射率が高くなって低反射膜５２及び６２に期待される反射防止機能が低下、消失することを防止できる。このため、低反射膜５２及び６２によって、設計した反射率範囲を保った低反射の配線パターン（下層配線１５及び上層配線１６のパターン）を有し、屋外で使用する場合でも表示画像の視認性に優れたタッチパネルを安定して提供することが可能となる。
【００８０】
以上の説明では、非結晶質のＩＴＯ膜で透明キャップ膜５３及び６３を構成する例を示したが、これに限定されるものではなく、透明キャップ膜５３及び６３のエッチング時に低反射膜５２及び６２と低抵抗導電膜５１及び６１とがダメージを受けない材質の透明キャップ膜５３及び６３を選択すれば良い。例えば、透明キャップ膜５３及び６３として非結晶質のＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）を用いた場合は蓚酸系の液でエッチングすることができ、低反射膜５２及び６２並びに低抵抗導電膜５１及び６１にダメージを与えない。
【００８１】
また、上記では窒化Ａｌ合金膜のエッチングを燐酸と硝酸と酢酸との混酸で行う例を示したが、アルカリ液を用いてエッチングしても良く、ドライエッチングを用いても良い。
【００８２】
低反射膜５２及び６２を構成する窒化Ａｌ合金膜を、低抵抗導電膜５１及び６１をエッチング不可能な溶液でエッチングする場合は、上記混酸を用いる場合よりも、高い窒化度で窒化Ａｌ合金膜を形成することができ、さらなる低反射化も可能である。
【００８３】
また、上記ではレジストマスクであるレジスト７３並びに透明キャップ膜５３及び６３を用いて低反射膜５２及び６２並びに低抵抗導電膜５１及び６１をパターニングする製法を示した。しかし、この製法に限定されることなく、透明キャップ膜５３及び６３が低反射膜５２及び６２並びに低抵抗導電膜５１及び６１に対するエッチング選択性が高い材質で構成される場合は、透明キャップ膜５３及び６３のパターニング後にレジスト７３を除去し、パターニングされた透明キャップ膜５３及び６３をエッチングマスクとして低反射膜５２及び６２並びに低抵抗導電膜５１及び６１をパターニングしても良い。
【００８４】
また、透明キャップ膜５３及び６３が低抵抗導電膜のみに対してエッチング選択性が高い材質で構成される場合は、低反射膜５２及び６２のパターニング後にレジストマスクを除去し、パターニングされた透明キャップ膜５３及び６３をエッチングマスクとして低反射膜５２及び６２をパターニングしても良い。
【００８５】
また、上記した実施の形態では、上層層間絶縁膜６４及び下層層間絶縁膜５４をＳｉＯ２で構成する例を示したが、配線部（下層配線１５，上層配線１６）以外の光透過部において透過光の色づきが問題ない絶縁膜を用いれば良く、例えば、塗布型のＳＯＧ（spin on glass）膜などを用いても良い。ＳＯＧ膜を下層層間絶縁膜５４及び上層層間絶縁膜６４の形成に用いることにより、上層配線１６が下層配線１５と交差する場所での断線が生じる可能性を低減することができる。なお、この場合は、上層層間絶縁膜６４をＳｉＯ２及びＳＯＧ膜等の積層構造によって形成することにより、カラーフィルター形成工程時に下面となる部分の硬度が高くなるので、傷などの欠陥の発生が抑えられより好適である。
【００８６】
また、配線部以外の光透過部において透過光の色づきが問題ない絶縁膜を用いれば良く、例えば塗布型の上層層間絶縁膜６４及び下層層間絶縁膜５４を感光性を有する材料で構成しても良い。その場合は、端子部のコンタクトホール５７及び６７による開口部の形成を感光性層間絶縁膜の塗布、露光、現像でこれに代えることができ、レジストマスクを用いたドライエッチング工程及びレジスト剥離工程が不要となる分、製造プロセスの簡略化ができ、製造コストが抑えられる効果を奏する。
【００８７】
次に、図１６〜図２４を参照して、カラーフィルター層４０の製造方法を説明する。まず、図１５で示した構造を裏返して、タッチパネル層５０が形成された透明基板２７の一方表面であるタッチパネル形成面とは反対側の他方主面(以下、「カラーフィルター形成面」と呼ぶ)を上側に向ける。
【００８８】
次に、図１７に示すように、カラーフィルター形成面となる透明基板２７上に、ブラックマトリクス層４１Ｋ用の膜を形成すべく、例えば、スパッタリング法によりＣｒターゲットを用いて、Ｃｒ膜４１を３００ｎｍの厚さで成膜する。ブラックマトリクス層用のＣｒ膜４１上にレジスト材を塗布した後、ブラックマトリクスのパターンを露光し、現像することにより、ブラックマトリクス用にパターニングされたレジスト（マスク）７５を形成する。
【００８９】
この時、レジスト７５の現像には、アルカリ性の現像液を使用するのが一般的であるが、本実施の形態のタッチパネル層５０においては、引出配線領域Ａ８のコンタクトホール５７及び６７による開口部分に保護導電膜５５及び６５を配設した構成としているため、タッチパネル配線（下層配線１５及び上層配線１６）の低抵抗導電膜５１及び６１としてアルミなどの材料を使用し、加えて、低反射膜５２及び６２として窒化アルミなどの材料を使用しても、これらの材料がアルカリ性の現像液によって受けるダメージを確実に回避することができる。
【００９０】
また、本実施の形態においては、カラーフィルター層４０の形成時には、透明基板２７のタッチパネル形成面（カラーフィルター形成面の反対面）にタッチパネル層５０が既に形成されている。しかしながら、タッチパネル層５０の表面は、ＳｉＯ２など硬度を有する材料で構成された下層層間絶縁膜５４及び６４が形成されているため、カラーフィルター層４０の形成時に実行される露光時などの実行時にステージに真空吸着する工程や搬送時のアームなどの接触に対して、タッチパネル層５０が傷が付くなどの不良が低減できる。
【００９１】
次に、図１８に示すように、レジスト７５をエッチングマスクとして、例えば硝酸第二セリウムアンモニウムを主成分とする溶液を用いてＣｒ膜４１をエッチングすることにより、パターニングされたブラックマトリクス層４１Ｋを得る。
【００９２】
次に、図１９に示すように、レジスト７５を、例えばモノエタノールアミンとジメチルスルホキシドの混合液等を用いて除去することにより、ブラックマトリクス層４１Ｋを完成する。
【００９３】
この時、レジスト７５の剥離には、モノエタノールアミンとジメチルスルホキシドの混合液を使用するのが一般的であるが、本実施の形態のタッチパネル層５０部においては、引出配線領域Ａ８におけるコンタクトホール５７及び６７による開口部に保護導電膜５５及び６５を配設した構成としている。このため、タッチパネル配線（下層配線１５及び上層配線１６）の低抵抗導電膜５１及び６１としてアルミなどの材料を使用し、加えて、低反射膜５２及び６２として窒化アルミなどの材料を使用しても、剥離液によるダメージを確実に回避することができる。
【００９４】
次に、図２０に示すように、色材、例えば感光性の青の色材を塗布し、青の画素パターンの露光マスクを用いて露光し、現像し、青の画素パターンである色材部４２Ｂを形成する。この時、光抜けを防止するため、ブラックマトリクス層４１Ｋと適切な範囲でオーバーラップするように形成する。
【００９５】
その後、図２１及び図２２に示すように、色材部４２Ｂの形成と同様にして、緑及び赤の画素パターンである色材部４２Ｇ及び色材部４２Ｒを形成する。
【００９６】
その後、図２３に示すように、ブラックマトリクス層４１Ｋ、色材部４２Ｒ，４２Ｇ及び４２Ｂを覆ってオーバーコート層４３を形成することにより、カラーフィルター層４０を完成する。この際、カラーフィルター層４０はタッチパネル層５０の表示領域Ａ７と平面視して重複する領域に形成される。なお、必要に応じて、オーバーコート層４３の形成を省略してもよい。
【００９７】
以上、カラーフィルター層４０の形成工程の例を述べたが、上記工程で形成されるカラーフィルター層４０以外のカラーフィルター層を形成しても良い。例えば、色材によるカラーフィルター層でなく、干渉色により発色させるカラーフィルター層などであっても良い。なお、上述したカラーフィルター層４０の形成方法では、ブラックマトリクス層４１Ｋを金属膜としたが、ブラックマトリクス材料としては、樹脂ブラックマトリクス材を使用して形成しても良い。
【００９８】
その結果、図２４に示すように、透明基板２７の表面（タッチパネル形成面）上にタッチパネル層５０が形成され、透明基板２７の裏面（カラーフィルター形成面）上にカラーフィルター層４０が形成されたＣＦ付タッチパネル基板３０が完成する。
【００９９】
すなわち、タッチパネル層５０及びカラーフィルター層４０とが透明基板２７の表面及び裏面上に一体形成されたＣＦ付タッチパネル基板３０が、ＴＦＴ基板２０の対向基板とし完成する。
【０１００】
なお、図４〜図２４での図示は省略しているが、ＣＦ付タッチパネル基板３０を形成すべく、ＩＴＯなどの透明導電膜や、液晶セルのギャップ調整用の柱スペーサーなどが必要に応じて配設される。
【０１０１】
このように、本実施の形態のＣＦ付タッチパネル基板３０（タッチパネル構造）は、タッチパネル層５０のコンタクトホール５７及び６７による開口部における低抵抗導電膜５１（６１）を含む底面及び側面上に保護導電膜５５（６５）が形成されている。このため、タッチパネル層５０の形成後にカラーフィルター層４０の製造が実施されても、引出配線領域Ａ８における低抵抗導電膜５１（６１）及び低反射膜５２（６２）が影響を受けることはない。
【０１０２】
その結果、低抵抗となるアルミ等の材料を用いて低抵抗導電膜５１（６１）を形成し、反射率の低い材料を用いて低反射膜５２（６２）を形成することができるため、低抵抗、かつ低反射な性質を有する下層配線１５及び上層配線１６（積層配線）からなるタッチパネル層５０を性能劣化させることなく形成したＣＦ付タッチパネル基板３０を得ることができる。
【０１０３】
加えて、本実施の形態のＣＦ付タッチパネル基板３０は、下層配線１５（Ｘ位置検知用配線２）及び上層配線１６（Ｙ位置検知用配線３）が引き出し配線４を介して電気的に接続される下層端子部１７及び上層端子部１８（端子部５）の構成部として保護導電膜５５及び６５を形成している。このため、ＣＦ付タッチパネル基板３０は、タッチセンサ機能を実現する際に不可欠な下層配線１５及び上層配線１６からなるマトリクス配線を共に低抵抗、かつ低反射に形成することができる。
【０１０４】
さらに、上述したように、下層端子部１７及び上層端子部１８の構成部として、低抵抗導電膜５１（６１）（下部導電膜）上に保護導電膜５５（６５）が形成されるため、図５〜図９で示した下層配線１５及び上層配線１６の製造工程時に、低抵抗導電膜５１（６１）として低抵抗となるアルミ等の材料を選択し、低反射膜５２（６２）として低反射率を有する材料を選択することができる。したがって、低抵抗な低抵抗導電膜５１及び６１（積層配線）、並びに低反射率の低反射膜５２及び６２からなるタッチパネル層５０を性能劣化させることなく形成したＣＦ付タッチパネル基板３０を最終的に得ることができる。
【０１０５】
その後、ＣＦ付タッチパネル基板３０は、セル組立て工程を経てＴＦＴ基板２０とシール材で張り合わされ、またＣＦ付タッチパネル基板３０，ＴＦＴ基板２０間の空間に液晶材料で構成される液晶部３５及びシール材３６を配設することにより、タッチパネル一体型の液晶による表示装置１００を形成する。
【０１０６】
その後、タッチパネル層５０の表面及びＴＦＴ基板２０に偏光板６６等が配設される。加えて、タッチパネル層５０の引出配線領域Ａ８においては、低抵抗導電膜５１及び６１並びに保護導電膜５５及び６５からなる下層端子部１７及び上層端子部１８を介してＦＰＣ、制御基板等が電気的に接続されるため、低抵抗で信頼性の高い電気的接続が実現できる。
【０１０７】
その後、ＣＦ付タッチパネル基板３０、液晶部３５及びＴＦＴ基板２０等をバックライトユニット２１などと共に筐体１４に収めることにより、図２及び図３で示した本実施の形態の表示装置１００が完成する。
【０１０８】
このように、ＣＦ付タッチパネル基板３０の形成するステップと、表示領域Ａ７における下層層間絶縁膜５４及び６４側が表示観察面となるように、液晶部３５及びその駆動部であるＴＦＴ基板２０を含むＣＦ付タッチパネル基板３０以外の構造を形成するステップとを実行することにより、本実施の形態の表示装置１００を製造することができる。
【０１０９】
したがって、低抵抗かつ低反射率の性能を有する積層配線である下層配線１５及び上層配線１６からなるタッチパネル層５０を性能劣化させることなく形成したＣＦ付タッチパネル基板３０を有する表示装置１００を得ることができる。
【０１１０】
本実施の形態では、同一の透明基板２７の表面上及び裏面上にタッチパネル層５０及びカラーフィルター層４０形成する所謂オンセル化用のＣＦ付タッチパネル基板３０によって、Ａｌなどの低抵抗導電膜５１（６１）による低抵抗配線構造を歩留り効率よく実現でき、装置全体のモジュール厚を低減できるため、ＣＦ付タッチパネル基板３０を筐体１４内にＴＦＴ基板２０等と共に収納した表示装置１００は、薄型軽量化による機能向上及び構造の簡素化によるコスト低減効果を発揮することができる。
【０１１１】
なお、表示面側(観察者側)の最表層には、強度をもたせるために、保護板ガラスを粘着材などで張り合わせた構成とすると耐久性が向上する。
【０１１２】
以上説明した実施の形態では、タッチパネル層５０の配線（下層配線１５及び上層配線１６）に低抵抗導電膜５１及び６１による低抵抗配線、低反射膜５２及び６２並びに透明キャップ膜５３及び６３を適用した例を示したが、表示装置１００である液晶ディスプレイの配線に適用しても良く、さらには液晶ディスプレイの表示面側の反射を低減する遮光層に適用しても良い。
【０１１３】
なお、本発明は、その発明の範囲内において、各実施の形態を自由に組み合わせたり、各実施の形態を適宜、変形、省略したりすることが可能である。
【符号の説明】
【０１１４】
１５  下層配線、１６  上層配線、１７  下層端子部、１８  上層端子部、３０  ＣＦ付タッチパネル基板、５０  タッチパネル層、５１，６１  低抵抗導電膜、５２，６２  低反射膜、５３，６３  透明キャップ膜、５４  下層層間絶縁膜、５５，６５  保護導電膜、６４  上層層間絶縁膜、１００  表示装置。
【図１】
2016009419.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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