(57)【要約】【課題】バッチ式基板処理装置にて、基板の配列パターンの変更に関わらず、乾燥促進ガスの吐出口を基板の裏面間の隙間に対応する位置に位置させる。【解決手段】基板保持具により保持された複数の基板と、ＩＰＡ蒸気等の乾燥促進ガスを吐出するノズルの複数の吐出口との、基板の配列方向に関する相対的位置関係が調整可能である。一実施形態において、調整は、偶数番目の基板の表面が第１方向を向き奇数番目の基板の表面が第２方向を向く第１配列パターンで基板が配列されているときと、偶数番目の基板の表面が第２方向を向き奇数番目の基板の表面が第１方向を向く第２配列パターンで基板が配列されているときとで、基板搬送装置（２２）の基板保持部材（２２ａ）から基板保持具（１２４）に基板を渡すときの基板保持部材の位置を、基板（Ｗ）の配列方向に基板の配列ピッチに相当する距離だけずらすことにより行われる。【選択図】図７
2016009727.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の基板にまとめて乾燥処理を施す基板処理方法において、
基板の配列パターンとして、第１配列パターン及び第２配列パターンのいずれか一方を選択する選択工程と、
前記選択工程により選択された配列パターンに従い、複数の基板を、起立姿勢で、予め決められた配列ピッチで、隣接する基板間に隙間を形成して水平方向に配列して、前記１配列パターンで基板が配列された第１基板配列、または、第２配列パターンで基板が配列された第２基板配列のいずれかを形成する配列工程と、
前記配列工程で形成された基板配列を維持したまま、前記複数の基板をまとめて基板保持具によって保持する保持工程と、
前記基板保持具により基板を保持した状態で、基板の前記配列ピッチの２倍の配列ピッチで水平方向に配列された複数の吐出口を有する少なくとも１つのノズルから乾燥促進ガスを吐出して、吐出された乾燥促進ガスに前記基板を接触させる乾燥促進ガス供給工程と、
を備え、
前記第１基板配列では、当該第１基板配列の一方の端から奇数番目の基板の表面が第１方向を向くとともに裏面が前記第１方向と逆方向の第２方向を向き、前記一方の端から偶数番目の基板の表面が前記第２方向を向くとともに裏面が前記第１方向を向き、かつ当該第１基板配列の他方の端の基板の表面が前記第２方向を向くとともに裏面が前記第１方向を向いており、
前記第２基板配列では、当該第２基板配列の一方の端から奇数番目の基板の表面が前記第２方向を向くとともに裏面が前記第１方向を向き、前記一方の端から偶数番目の基板の表面が前記第１方向を向くとともに裏面が前記第２方向を向き、かつ当該第２基板配列の他方の端の基板の表面が前記第１方向を向くとともに裏面が前記第２方向を向いており、
前記基板処理方法は、前記選択工程で選択された前記第１の配列パターンまたは前記第２の配列パターンに応じて調整を行うことにより、乾燥促進ガス供給工程が実行されているときに前記乾燥促進ガスを吐出している前記ノズルの吐出口が基板の裏面間の隙間に対応する位置に位置しているようにする調整工程をさらに備えている、基板処理方法。
【請求項２】
前記配列工程は基板配列装置により行われ、前記保持工程は、前記基板配列装置から基板を受け取った基板搬送装置が、前記基板保持具に基板を渡すことを含み、前記基板搬送装置は、前記基板配列部により配列された基板配列状態を維持したままで基板を保持することができる基板保持部材を有し、
前記基板保持具は、前記第１基板配列及び前記第２基板配列を構成する基板の枚数よりも１つ以上多い数の基板保持溝を有し、前記基板保持溝は前記第１基板配列及び前記第２基板配列を構成する基板の配列ピッチと同じ配列ピッチで配列され、
前記調整工程は、前記基板搬送装置の前記基板保持部材から前記基板保持具に基板を渡す際に、前記第１配列パターンで基板が配列されているときと前記第２配列パターンで基板が配列されているときとで、前記基板保持部材から前記基板保持具に基板を渡すときの前記基板保持部材の位置を、前記基板保持具上における前記基板の配列方向に前記配列ピッチに相当する距離だけずらすことを含む、請求項１記載の基板処理方法。
【請求項３】
前記配列工程は基板配列装置により行われ、前記保持工程は、前記基板配列装置から基板を受け取った基板搬送装置が、前記基板保持具に基板を渡すことを含み、前記基板搬送装置は、前記基板配列部により配列された基板配列状態を維持したままで基板を保持することができる基板保持部材を有し、
前記基板保持具は、前記第１基板配列及び前記第２基板配列を構成する基板の枚数よりも１つ以上多い数の基板保持溝を有し、前記基板保持溝は前記第１基板配列及び前記第２基板配列を構成する基板の配列ピッチと同じ配列ピッチで配列され、
前記調整工程は、前記基板搬送装置の前記基板保持部材から前記基板保持具に基板を渡す際に、前記第１配列パターンで基板が配列されているときと前記第２配列パターンで基板が配列されているときとで、前記基板保持部材から前記基板保持具に基板を渡すときの前記基板保持具の位置を、前記基板保持具上における前記基板の配列方向に前記配列ピッチに相当する距離だけずらすことを含む、請求項１記載の基板処理方法。
【請求項４】
前記調整工程は、前記第１配列パターンで基板が配列されているときと前記第２配列パターンで基板が配列されているときとで、前記ノズルの位置を、前記基板保持具上における前記基板の配列方向に前記配列ピッチに相当する距離だけずらすことを含む、請求項１記載の基板処理方法。
【請求項５】
前記ノズルが２つ設けられ、これら２つのノズルのうちの第１ノズルの吐出口の位置は、第２ノズルの吐出口の位置に対して、吐出口の配列方向に沿って前記配列ピッチに相当する距離だけずれており、
前記調整工程は、前記第１配列パターンで基板が配列されているときに前記乾燥促進ガスを基板に供給するノズルとして前記第１のノズルを選択し、前記第２配列パターンで基板が配列されているときに前記乾燥促進ガスを基板に供給するノズルとして第２のノズルを選択することを含む、請求項１記載の基板処理方法。
【請求項６】
基板処理装置の動作を制御するコンピュータからなる制御装置により実行可能なプログラムを記憶する記憶媒体であって、前記プログラムが前記コンピュータにより実行されると、前記制御装置が、前記基板処理装置に請求項１から７うちのいずれか一項に記載の基板処理方法を実行させる記憶媒体。
【請求項７】
バッチ式の基板処理装置であって、
複数の基板を、起立姿勢で、予め決められた配列ピッチで、隣接する基板間に隙間を形成した状態で水平方向に配列する基板配列装置と、
前記基板配列部により配列された基板の配列状態を維持したまま、前記複数の基板にまとめて予め決められた乾燥処理を施す乾燥処理部と、
前記基板配列部により配列された基板配列状態を維持したままで基板を保持することができる基板保持部材を有し、前記基板配列装置及び前記乾燥処理部との間で、前記複数の基板の基板をまとめて搬送する基板搬送装置と、
前記基板処理装置の動作を制御する制御部と、
を備え、
前記基板配列装置は、少なくとも、第１配列パターンで基板が配列された第１基板配列と、第２配列パターンで基板が配列された第２基板配列とを形成することができ、
前記第１基板配列では、当該第１基板配列の一方の端から奇数番目の基板の表面が第１方向を向くとともに裏面が前記第１方向と逆方向の第２方向を向き、前記一方の端から偶数番目の基板の表面が前記第２方向を向くとともに裏面が前記第１方向を向き、かつ当該第１基板配列の他方の端の基板の表面が前記第２方向を向くとともに裏面が前記第１方向を向いており、
前記第２基板配列では、当該第２基板配列の一方の端から奇数番目の基板の表面が前記第２方向を向くとともに裏面が前記第１方向を向き、前記一方の端から偶数番目の基板の表面が前記第１方向を向くとともに裏面が前記第２方向を向き、かつ当該第２基板配列の他方の端の基板の表面が前記第１方向を向くとともに裏面が前記第２方向を向いており、
前記乾燥処理部は、
乾燥チャンバと、
前記乾燥チャンバ内で、前記基板配列装置により配列された基板の配列状態を維持したまま、前記複数の基板をまとめて保持する基板保持具であって、前記基板搬送装置との間で、前記基板配列部により配列された基板の配列状態を維持したまま、前記複数の基板をまとめて受け渡しすることが可能な基板保持具と、
前記基板配列装置による基板の配列ピッチの２倍の配列ピッチで水平方向に配列された複数の吐出口を有し、各吐出口から乾燥チャンバ内に乾燥促進ガスを吐出する少なくとも１つのノズルと、
を有しており、
前記基板処理装置はさらに、前記基板保持具により保持された基板と前記乾燥ガスを吐出する前記ノズルの吐出口との間における基板の配列方向に関する相対的位置関係を調整する調整手段をさらに備え、
前記制御部は、前記基板保持具により保持されている基板が前記第１配列パターンで配列されているか前記第２配列パターンで配列されているかに応じて前記調整手段を制御し、これにより、前記ノズルから前記乾燥促進ガスが吐出されているときに前記乾燥促進ガスを吐出している吐出口が基板の裏面間の隙間に対応する位置に位置しているようにする、基板処理装置。
【請求項８】
前記基板保持具は、前記第１基板配列及び前記第２基板配列を構成する基板の枚数よりも１つ以上多い数の基板保持溝を有し、前記基板保持溝は前記第１基板配列及び前記第２基板配列を構成する基板の配列ピッチと同じ配列ピッチで配列され、
前記基板搬送装置は、前記基板保持部材を、前記基板の配列方向に沿って前記基板保持具に対して進退させる移動機構を有し、
前記制御装置は、前記基板搬送装置の前記移動機構を前記調整手段として用い、前記第１配列パターンで基板が配列されているときと前記第２配列パターンで基板が配列されているときとで、前記基板保持部材から前記基板保持具に基板を渡す位置を、前記基板保持具上における前記基板の配列方向に前記基板の配列ピッチに相当する距離だけずらす、請求項７記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記基板保持具を、前記基板の配列方向に沿って進退させる移動機構が設けられ、
前記制御部は、前記基板保持具の前記移動機構を前記調整手段として用い、前記第１配列パターンで基板が配列されているときと前記第２配列パターンで基板が配列されているときとで、前記基板保持部材から前記基板保持具に基板を渡す位置を、前記基板保持具上における前記基板の配列方向に前記基板の配列ピッチに相当する距離だけずらす、請求項７記載の基板処理装置。
【請求項１０】
前記ノズルを、前記基板の配列方向に沿って進退させる移動機構が設けられ、
前記制御部は、前記ノズルの前記移動機構を前記調整手段として用い、前記第１配列パターンで基板が配列されているときと前記第２配列パターンで基板が配列されているときとで、前記ノズルの位置を前記基板保持具上における前記基板の配列方向に前記基板の配列ピッチに相当する距離だけずらす、請求項７記載の基板処理装置。
【請求項１１】
前記ノズルは少なくとも２つ設けられ、これら２つのノズルのうちの第１ノズルの吐出口の位置は、第２ノズルの吐出口の位置に対して、前記基板保持具上における前記基板の配列方向に前記基板の配列ピッチに相当する距離だけずれており、
前記第１ノズルからの吐出と第２ノズルからの吐出を切り換える切換装置が設けられ、
前記制御部は、前記切換装置を前記調整手段として用い、前記第１配列パターンで基板が配列されているときに第１のノズルを用い、前記第２配列パターンで基板が配列されているときに第２のノズルを用いる、請求項７記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、起立姿勢で、水平方向に互いに間隔を空けて配列された複数の半導体ウエハ等の基板に対して乾燥促進ガスを供給して基板を乾燥させる技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの製造工程においては、半導体ウエハ（ウエハ）を所定の薬液や純水等の処理液によって処理し、ウエハからパーティクル、有機汚染物、金属不純物等のコンタミネーションを除去する洗浄処理が行われる。
【０００３】
このような洗浄処理において特にスループットを高めることが重視される場合には、複数のウエハを一括して処理するバッチ式の処理装置が用いられる。複数のウエハは、一つまたは複数の処理槽にて処理を施された後、最終リンス処理槽に搬入されてそこで最終リンス処理が施される。その後、複数のウエハは、最終リンス処理槽の真上にある乾燥室内に搬入されて、そこで乾燥処理が施される（例えば特許文献１を参照）。上述した複数の処理槽、最終リンス処理槽及び乾燥室における処理において、複数のウエハは、起立姿勢で、水平方向に互いに間隔を空けて一列に並べられた状態で処理を受け、かつ、最初の処理から最後の処理に至るまでの間、ウエハの配列状態が維持される。
【０００４】
近年一般的に用いられているウエハＷの搬送容器であるフープ（ＦＯＵＰ：Front Opening Unified Pot）は、２５枚のウエハを１０ｍｍピッチで収容する（１２インチウエハの場合）。バッチ洗浄処理においては、スループットをさらに高めるため、２つのフープに収容されている５０枚のウエハを１つの処理ロットとして一括で処理することが行われる。この場合、一方のフープから取り出した２５枚のウエハの間に他のフープから取り出した２５枚のウエハが挿入され、これにより５０枚のウエハがフープ収容ピッチの１／２である５ｍｍピッチ（ハーフピッチ）で配列される。ハーフピッチ配列されたウエハがウエハガイドに保持された状態で上記の処理が行われる（例えば特許文献２を参照）。
【０００５】
上述したようなバッチ式の液処理を行う際には、ウエハ裏面（デバイスが形成されない面）から剥離した汚染物質がウエハ表面（デバイスが形成される面）に付着することを防止する等の目的のため、ウエハは、表面同士及び裏面同士を対面させて配列している（例えば特許文献３を参照）。このような規則でウエハを配列するにあたっては、両端のウエハの外向きの面がウエハ裏面となる第１の配列パターンと、両端のウエハの外向きの面がウエハ表面となる第２の配列パターンとがあり、これら２つの配列パターンを使い分けしたいという要求がある。
【０００６】
乾燥処理を行う際、ウエハに向けてＩＰＡ（イソプロピルアルコール）蒸気等の乾燥促進ガスが供給される。このとき、デバイス形成面であるウエハ表面にＩＰＡ蒸気が勢い良く当たるとウエハ表面のパーティクルレベルが悪化する。このため、ＩＰＡノズルに、ウエハの配列ピッチの２倍の配列ピッチでウエハの配列方向に並んだ複数の吐出口を設け、各吐出口をウエハの裏面間に対応する位置に配置している。
【０００７】
第１の配列パターンを採用したときと、第２の配列パターンを採用したときとで、ＩＰＡノズルの吐出口とウエハガイド上に保持されたウエハＷとの位置関係を同じにしたのでは、吐出口から噴射されたＩＰＡの蒸気の一部がウエハ表面に直接衝突してしまうことがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開平１０−２８４４５９号公報
【特許文献２】特開２０１２−０１５４９０号公報
【特許文献３】特開平６−１６３５００号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、基板の配列パターンの変更に関わらず、乾燥促進ガスの吐出口が、基板の裏面間の隙間に対応する位置に位置するようにできる技術を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の好適な一実施形態によれば、複数の基板にまとめて乾燥処理を施す基板処理方法において、基板の配列パターンとして、第１配列パターン及び第２配列パターンのいずれか一方を選択する選択工程と、前記選択工程により選択された配列パターンに従い、複数の基板を、起立姿勢で、予め決められた配列ピッチで、隣接する基板間に隙間を形成して水平方向に配列して、前記１配列パターンで基板が配列された第１基板配列、または、第２配列パターンで基板が配列された第２基板配列のいずれかを形成する配列工程と、前記配列工程で形成された基板配列を維持したまま、前記複数の基板をまとめて基板保持具によって保持する保持工程と、前記基板保持具により基板を保持した状態で、基板の前記配列ピッチの２倍の配列ピッチで水平方向に配列された複数の吐出口を有する少なくとも１つのノズルから乾燥促進ガスを吐出して、吐出された乾燥促進ガスに前記基板を接触させる乾燥促進ガス供給工程と、を備え、前記第１基板配列では、当該第１基板配列の一方の端から奇数番目の基板の表面が第１方向を向くとともに裏面が前記第１方向と逆方向の第２方向を向き、前記一方の端から偶数番目の基板の表面が前記第２方向を向くとともに裏面が前記第１方向を向き、かつ当該第１基板配列の他方の端の基板の表面が前記第２方向を向くとともに裏面が前記第１方向を向いており、前記第２基板配列では、当該第２基板配列の一方の端から奇数番目の基板の表面が前記第２方向を向くとともに裏面が前記第１方向を向き、前記一方の端から偶数番目の基板の表面が前記第１方向を向くとともに裏面が前記第２方向を向き、かつ当該第２基板配列の他方の端の基板の表面が前記第１方向を向くとともに裏面が前記第２方向を向いており、前記基板処理方法は、前記選択工程で選択された前記第１の配列パターンまたは前記第２の配列パターンに応じて調整を行うことにより、乾燥促進ガス供給工程が実行されているときに前記乾燥促進ガスを吐出している前記ノズルの吐出口が基板の裏面間の隙間に対応する位置に位置しているようにする調整工程をさらに備えている、基板処理方法が提供される。
また、本発明の他の好適な実施形態によれば、基板処理装置の動作を制御するコンピュータからなる制御装置により実行可能なプログラムを記憶する記憶媒体であって、前記プログラムが前記コンピュータにより実行されると、前記制御装置が、前記基板処理装置に上記の基板処理方法を実行させる記憶媒体が提供される。
【００１１】
本発明のさらに他の好適な一実施形態によれば、バッチ式の基板処理装置であって、複数の基板を、起立姿勢で、予め決められた配列ピッチで、隣接する基板間に隙間を形成した状態で水平方向に配列する基板配列装置と、前記基板配列部により配列された基板の配列状態を維持したまま、前記複数の基板にまとめて予め決められた乾燥処理を施す乾燥処理部と、前記基板配列部により配列された基板配列状態を維持したままで基板を保持することができる基板保持部材を有し、前記基板配列装置及び前記乾燥処理部との間で、前記複数の基板の基板をまとめて搬送する基板搬送装置と、前記基板処理装置の動作を制御する制御部と、を備え、前記基板配列装置は、少なくとも、第１配列パターンで基板が配列された第１基板配列と、第２配列パターンで基板が配列された第２基板配列とを形成することができ、前記第１基板配列では、当該第１基板配列の一方の端から奇数番目の基板の表面が第１方向を向くとともに裏面が前記第１方向と逆方向の第２方向を向き、前記一方の端から偶数番目の基板の表面が前記第２方向を向くとともに裏面が前記第１方向を向き、かつ当該第１基板配列の他方の端の基板の表面が前記第２方向を向くとともに裏面が前記第１方向を向いており、前記第２基板配列では、当該第２基板配列の一方の端から奇数番目の基板の表面が前記第２方向を向くとともに裏面が前記第１方向を向き、前記一方の端から偶数番目の基板の表面が前記第１方向を向くとともに裏面が前記第２方向を向き、かつ当該第２基板配列の他方の端の基板の表面が前記第１方向を向くとともに裏面が前記第２方向を向いており、前記乾燥処理部は、乾燥チャンバと、前記乾燥チャンバ内で、前記基板配列装置により配列された基板の配列状態を維持したまま、前記複数の基板をまとめて保持する基板保持具であって、前記基板搬送装置との間で、前記基板配列部により配列された基板の配列状態を維持したまま、前記複数の基板をまとめて受け渡しすることが可能な基板保持具と、前記基板配列装置による基板の配列ピッチの２倍の配列ピッチで水平方向に配列された複数の吐出口を有し、各吐出口から乾燥チャンバ内に乾燥促進ガスを吐出する少なくとも１つのノズルと、を有しており、前記基板処理装置はさらに、前記基板保持具により保持された基板と前記乾燥ガスを吐出する前記ノズルの吐出口との間における基板の配列方向に関する相対的位置関係を調整する調整手段をさらに備え、前記制御部は、前記基板保持具により保持されている基板が前記第１配列パターンで配列されているか前記第２配列パターンで配列されているかに応じて前記調整手段を制御し、これにより、前記ノズルから前記乾燥促進ガスが吐出されているときに前記乾燥促進ガスを吐出している吐出口が基板の裏面間の隙間に対応する位置に位置しているようにする、基板処理装置が提供される。
【発明の効果】
【００１２】
上記の本発明の実施形態によれば、基板が第１配列パターンで配列されるか第２配列パターンで配列されるかに関わらず、基板の裏面間の隙間に対応する位置にノズルの各吐出口を位置させることができるため、いずれの場合も、吐出口から吐出された乾燥処理流体が基板の表面に直接衝突することに起因したパーティクルレベルの低下を生じさせることなく、第１配列パターン及び第２配列パターンのいずれをも用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の基板処理装置の一実施形態に係るバッチ式の洗浄処理装置を示す斜視図である。
【図２】図１に示す洗浄処理装置の平面図である。
【図３】ウエハ配列機構の構成及び作用について説明する概略図である。
【図４】ウエハ配列機構の構成及び作用について説明する概略図である。
【図５】上記洗浄処理装置に含まれる洗浄乾燥ユニットを示す斜視図である。
【図６】図５に示す洗浄乾燥ユニットの構成を示す縦断面図である。
【図７】洗浄乾燥ユニットにウエハが搬入される様子を示す概略断面図である。
【図８】ウエハガイドの斜視図である。
【図９】乾燥ガスノズル、ウエハガイドの保持棒及びウエハの位置関係を示す概略正面図である。
【図１０】乾燥ガスノズルの吐出口、ウエハガイドの保持棒及びウエハの位置関係を説明するための概略側面図である。
【図１１】乾燥ガスノズルの吐出口、ウエハガイドの保持棒及びウエハの位置関係を説明するための概略側面図である。
【図１２】乾燥ガスノズルの吐出口、ウエハガイドの保持棒及びウエハの位置関係を説明するための概略側面図である。
【図１３】２種類の乾燥ガスノズルを設けた実施形態を示す概略側面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、添付図面を参照して、本発明の実施の形態について説明する。
【００１５】
図１及び図２に示すように、本発明の基板処理装置の一実施形態に係るバッチ式の洗浄処理装置１は、主として、ウエハ容器であるフープ（ＦＯＵＰ）Ｆの搬入出及び一時保管等のために設けられたフープ搬入出部２と、ウエハＷに所定の薬液を用いた洗浄処理及び洗浄処理後の乾燥処理を行う洗浄処理部４と、搬入出部２と洗浄処理部４との間でウエハＷを搬送するインターフェイス部３とにより構成されている。フープＦ内には、複数（例えば２５枚）のウエハＷが、水平姿勢で、鉛直方向に相互に所定の間隔を空けて収納されている。なお、以下の説明において、１つのフープＦに２５枚のウエハＷが収納される前提で説明を行う。つまり、２つのフープＦに収容されるウエハの総数は５０枚であり、５０枚のウエハＷが１つの処理ロットを構成する。
【００１６】
フープ搬入出部２は、フープＦを載置するためのフープ搬入出ステージ５と、フープＦを保管するフープストック部６と、フープを搬送するフープ搬送装置１２とを有している。フープＦの一側面はウエハＷの搬入出口となっており、この搬入出口に蓋体が着脱可能である。
【００１７】
フープストック部６は、フープＦを保持することができる複数（例えば４個）の、上下方向に多段に配置されたフープ保持部材１３を備えている。フープストック部６は、洗浄処理前のウエハＷが収納されたフープＦを一時的に保管し、また、ウエハＷが取り出された内部が空となったフープＦを一時的に保管する。
【００１８】
フープストック部６とインターフェイス部３との間は仕切壁１６により仕切られている。仕切壁１６には２つの窓１６ａが上下２段（図２には１つだけ見える）に形成されている。これらの窓１６ａのフープストック部６側に隣接して、２つのウエハ出し入れステージ１５がそれぞれ設けられている（図２には１つだけ見える）。ウエハ出し入れステージ１５には、フープＦの蓋体が対応する窓１６ａに対面するようにフープＦを載置することができる。上側のウエハ出し入れステージ１５がウエハ搬入用であり、下側のウエハ出し入れステージ１５がウエハ搬出用である。
【００１９】
各ウエハ出し入れステージ１５には、そこに載置されたフープＦの蓋体の開閉を行うための蓋体開閉機構１７が設けられている。
【００２０】
フープ搬送装置１２は、多関節搬送ロボットからなり、その先端の支持アーム１２ａによりフープＦを支持してフープＦの搬送を行う。フープ搬送装置１２は、図２のＡ方向（水平方向）及び高さ方向にも移動可能であり、フープ搬入出ステージ５、保持部材１３及びウエハ出し入れステージ１５の間でフープＦを搬送することができる。
【００２１】
インターフェイス部３には、フープＦ内のウエハＷの収納状態（枚数、ジャンプスロットの有無等）を検査するウエハ検査装置１８が、各窓１６ａの近傍に配設されている。
【００２２】
インターフェイス部３には、ウエハの移載を行うためのウエハ移載装置１９と、ウエハ搬入出部２０とが設けられている。
【００２３】
ウエハ移載装置１９は、ウエハ出し入れステージ１５上のフープＦと配列部２１との間でウエハＷの受け渡しを行うものである。ウエハ移載装置１９は、多軸アームロボットからなり、その先端にウエハ保持アーム１９ａを有している。ウエハ保持アーム１９ａは、２５枚のウエハＷを保持しうる複数の保持爪（図示せず）を有している。この保持爪によりウエハＷが保持された状態で、ウエハ保持アーム１９ａが３次元空間内で任意の位置及び姿勢をとることができる。
【００２４】
ウエハ搬入出部２０は、インターフェイス部３から洗浄処理部４へのウエハＷの搬出、洗浄処理部４からインターフェイス部３へのウエハＷの搬入を行うために設けられる。ウエハ搬入出部２０は、ロード位置２０ａ及びアンロード位置２０ｂと、配列部２１とを有している。
【００２５】
配列部２１は、ロード位置２０ａに設けられた第１配列機構２１ａとアンロード位置２０ｂに設けられた第２配列機構２１ｂとを有している。第１配列機構２１ａは、ウエハ移載装置１９から供給される５０枚の洗浄処理前のウエハＷを、フープＦ内におけるウエハＷの配列ピッチ（ノーマルピッチ、例えば１０ｍｍ）の半分のピッチ（ハーフピッチ、例えば５ｍｍ）で配列する。第２配列機構２１ｂは、ハーフピッチで配列された洗浄処理後のウエハＷを、ノーマルピッチに戻す。
【００２６】
第１配列機構２１ａ及び第２配列機構２１ｂはいずれも同じ構造を有している。図３に示すように、各配列機構２１ａ，２１ｂは、垂直方向に延びるガイド２１０と、ガイド２１０に沿って昇降可能なウエハハンド２１１と、ガイドに固定されたウエハホルダ２１２とを有している。ウエハハンド２１１は、ハーフピッチで５０枚のウエハを保持することができるように構成されている。ウエハホルダ２１２は、ノーマルピッチで２５枚のウエハＷを保持可能であり、かつ、ウエハハンド２１１が上下方向に通過できるように構成されている。
【００２７】
洗浄処理装置１はさらに、インターフェイス部３と洗浄処理部４との間でウエハＷを搬送するウエハ搬送装置２２を備えている。ウエハ搬送装置２２は、３本のチャックロッド２２ａを有しており、各チャックロッド２２ａにはハーフピッチで５０本のウエハ保持溝が形成されている。従って、ウエハ搬送装置２２は、５０枚のウエハＷを、起立姿勢（ウエハの面が鉛直方向に沿う姿勢）で、ハーフピッチで水平方向に配列された状態で保持することができる。ウエハ搬送装置２２は、インターフェイス部３から洗浄処理部４へ水平に延びるガイドレール２３に沿って、図２中矢印Ｂで示す方向に移動可能である。
【００２８】
洗浄処理部４は、インターフェイス部３に近い側から順に並んだ、洗浄処理ユニット７及び乾燥ユニット８を備えている。ウエハ搬送装置２２は、矢印Ｂ方向（水平方向）に延在するガイドレール２３に沿って移動し、洗浄処理ユニット７及び乾燥ユニット８との間でウエハＷの受け渡しを行う。
【００２９】
洗浄処理ユニット７には、図２に示すように、インターフェイス部３から遠い側から順に、第１の薬液槽３１、第１の水洗槽３２、第２の薬液槽３３、第２の水洗槽３４、第３の薬液槽３５及び第３の水洗槽３６が配置されている。洗浄処理ユニット７には、さらに、第１の薬液槽３１と第１の水洗槽３２の間でウエハＷを搬送するための第１の搬送装置３７と、第２の薬液槽３３と第２の水洗槽３４の間でウエハＷを搬送するための第２の搬送装置３８と、第３の薬液槽３５と第３の水洗槽３６の間でウエハＷを搬送するための第３の搬送装置３９とが設けられている。
【００３０】
第１〜第３の搬送装置３７、３８，３９（ウエハガイドを有する）は、互いに同じの構成を有しており、それぞれが、５０枚のウエハＷを、起立姿勢で、ハーフピッチで水平方向に配列された状態で保持することができる基板保持具３７ａ，３８ａ，３９ａ（ウエハガイド、ウエハボートなどとも呼ばれる）（図２では概略的に示した）と、基板保持具３７ａ，３８ａ，３９ａを水平方向及び鉛直方向に移動させることができる駆動部（３７ｂ，３８ｂ，３９ｂ）を有している。
【００３１】
第１の薬液槽３１、第２の薬液槽３３、第３の薬液槽３５には、異なる種類の薬液が貯留されている。薬液としては、有機性汚れ除去や表面金属不純物除去を行うための１３０℃前後に加熱されたＳＰＭ液、パーティクル等の付着物を除去するためのＳＣ−１液（アンモニアと過酸化水素と水の混合溶液）、ウエハＷの表面に形成された酸化膜をエッチングするためのエッチング液、例えば希フッ酸、またはフッ酸とフッ化アンモニウムとの混合物（バッファドフッ酸（ＢＨＦ））、シリコン窒化膜のエッチングを行うための１６０〜１８０℃程度に加熱されたリン酸水溶液（Ｈ３ＰＯ４aq）等、さまざまなものが考えられる。
【００３２】
第１、第２及び第３の水洗槽３２，３４，３６は、それぞれ第１、第２及び第３の薬液槽３１，３３，３５による液処理によってウエハＷに付着した薬液を除去するものであり、例えば、オーバーフローリンスやクイックダンプリンス等の各種の水洗手法が用いられる。
【００３３】
乾燥ユニット８には、水洗槽２４と、ウエハ搬送装置２２のチャックロッド２２ａを洗浄するチャック洗浄機構２６が配設されている。水洗槽２４の上部には、例えばイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）蒸気等の乾燥促進ガスを用いてウエハＷを乾燥する乾燥室（図２には図示されていない）が設けられている。乾燥ユニット８にはさらに、水洗槽２４と乾燥室との間でウエハＷを搬送する搬送装置２５が設けられている。搬送装置２５は、図２の矢印Ｂ方向の移動のための機構を有していない点を除き、前述した第１の搬送装置３７と同じ構成を有しており、ウエハ搬送装置２２との間でウエハＷの受け渡しが可能である。
【００３４】
図１に概略的に示すように、フープ搬入出部２のハウジング内には、制御部４０が設けられている。この制御部４０は、洗浄処理装置１を構成する様々な機構、ユニット、デバイス等を制御するマイクロプロセッサ（ＭＰＵ）を備えたコントローラ４１と、ユーザーインターフェイス４２と、処理に必要な情報が記憶された記憶部４３とを有している。
【００３５】
ユーザーインターフェイス４２と記憶部４３とはコントローラ４１に接続されている。ユーザーインターフェイス４２は、オペレータが洗浄処理装置１の各構成部を管理するためにコマンドの入力操作などを行うキーボード、洗浄処理装置１の各構成部の稼働状況を可視化して表示するディスプレイを備えている。記憶部４３には、洗浄処理装置２で実行される各種処理をコントローラ４１の制御にて実現するための制御プログラムと、処理条件に応じて洗浄処理装置１の各構成部に所定の処理を実行させるための制御プログラムすなわちレシピが格納されている。レシピ等の制御プログラムは記憶部４３の中の記憶媒体に記憶されている。記憶媒体は、ハードディスクのような固定的なものであってもよいし、ＣＤＲＯＭ、ＤＶＤ、フラッシュメモリ等の可搬性のものであってもよい。
【００３６】
次に、洗浄処理装置１の動作について説明する。それぞれが２５枚のウエハＷを、水平姿勢で、ノーマルピッチで収納する２つのフープＦ（第１及び第２のフープ）が、外部の搬送機によりフープ搬入出ステージ５に載置される。フープ搬入出ステージ５上の第１のフープＦが、フープ搬送装置１２により搬入用のウエハ出し入れステージ１５へ搬送される。フープ保管部１３に保管されているウエハＷを収納するフープＦをウエハ出し入れステージ１５に搬送してもよい。ウエハ出し入れステージ１５上のフープＦから蓋体開閉機構１７により蓋体を取り外し、ウエハ検査装置１８によりウエハＷ収納状態（枚数、ジャンプスロット等）の検査が行われる。
【００３７】
その後、ウエハ移載装置１９のウエハ保持アーム１９ａをウエハ出し入れステージ１５上に載置されたフープＦ内に挿入し、フープＦから２５枚の水平姿勢のウエハＷを取り出す。次に、取り出したウエハＷを起立姿勢に変換して、第１配列機構２１ａのウエハハンド２１１に渡す。このとき、ウエハハンド２１１がウエハホルダ２１２の下方に位置している。
【００３８】
次のフープＦからも同様にしてウエハ移載装置１９が２５枚のウエハＷを取り出し、ウエハホルダ２１２にウエハを渡す。次いで、ウエハハンド２１１を上昇させてウエハホルダ２１２を通過させる。この通過時にウエハホルダ２１２上のウエハＷが、ウエハハンド２１１上のウエハＷの間に挿入されるとともに、ウエハハンド２１１に渡される。これによりウエハハンド２１１はハーフピッチで５０枚のウエハＷを保持するようになる。次に、ハーフピッチで５０枚のウエハＷを保持したウエハハンド２１１の直下のロード位置２０ａにウエハ搬送装置２２を位置させた状態で、ウエハハンド２１１を下降させることにより、ウエハＷがウエハハンド２１１からウエハ搬送装置２２に渡される。
【００３９】
ウエハＷが取り出されたフープＦには、蓋体開閉機構１７が蓋体を装着する。空のフープＦは、フープ搬送装置１２によりフープ保管部１３に搬送され、そこで保管される。
【００４０】
ウエハ搬送装置２２は５０枚のウエハＷを一括して洗浄処理部４へと搬送する。ウエハ搬送装置２２はまず、液処理ユニット７の第１の薬液槽３１の上に位置している第１の搬送装置３７に、ウエハＷを渡す。第１の搬送装置３７は下降し、ウエハＷを第１の薬液槽３１に所定時間浸漬した後、上昇してウエハＷを第１の薬液槽３１から引き上げ、第１の水洗槽３２の上方に水平移動し、下降し、ウエハＷを第１の水洗槽３２に所定時間浸漬した後、上昇して第１の水洗槽３２から引き上げ、その後、ウエハ搬送装置２２にウエハＷを渡す。次いで、ウエハ搬送装置２２は、ウエハＷを第２の搬送装置３８に渡す。第２の搬送装置３８は、ウエハＷを、第２の薬液槽３３に浸漬した後、第２の水洗槽３４に浸漬し、その後、ウエハ搬送装置２２に戻す。次いで、ウエハ搬送装置２２は、ウエハＷを第３の搬送装置３９に渡す。第３の搬送装置３９は、ウエハＷを、第３の薬液槽３５に浸漬した後、第３の水洗槽３６に浸漬し、その後、ウエハ搬送装置２２に戻す。
【００４１】
ウエハＷに対して、第１の薬液槽３１及び第１の水洗槽３２の組、第２の薬液槽３３及び第２の水洗槽３４の組、第３の薬液槽３５及び第３の水洗槽３６の組のうちの全ての組において液処理を行う必要はなく、選択された任意の１つ以上の組において液処理を行うことも可能である。なお薬液槽及び水洗槽の組の数は３組に限定されるものではなく、４組以上であってもよく２組以下であってもよい。
【００４２】
ウエハ搬送装置２２は、液処理ユニット７での液処理が終了したウエハＷを、乾燥ユニット８の搬送装置２５に渡す。搬送装置２５は、ウエハＷを水洗槽２４に浸漬して水洗し、その後に水洗槽２４から引き上げ、水洗槽２４の真上に位置する図示しない乾燥室内に搬入する。乾燥室内でＩＰＡ蒸気を用いた乾燥処理が行われる。
【００４３】
その後、ウエハ搬送装置２２は、ウエハＷを搬送装置２５から受け取り、インターフェイス部３のアンロード位置２０ｂまで搬送する。第２配列機構２１ｂのウエハハンド２１１がウエハ搬送装置２２からウエハを受け取る。ウエハハンド２１１を下降させる過程で、ウエハハンド２１１に保持されているウエハＷの半数（２５枚）がウエハホルダ２１２に渡される。これにより、ウエハハンド２１１及びウエハホルダ２１２はそれぞれノーマルピッチで２５枚のウエハを保持した状態となる。
【００４４】
フープ搬送装置１２により搬出用のウエハ出し入れステージ１５に空のフープＦが載置され、当該フープＦの蓋体を蓋体開閉機構１７が開く。次いで、ウエハ移載装置１９がウエハハンド２１１からウエハＷを取り出し、搬出用のウエハ出し入れステージ１５上のフープＦにウエハＷを水平姿勢で収納する。その後、ウエハ検査装置１８によりフープＦ内のウエハＷの収納状態が検査され、検査終了後、蓋体開閉機構１７によりフープＦの蓋体が閉じられる。洗浄処理されたウエハＷを収納したフープＦは、フープ搬送装置１２によりフープ保持部材１３に搬送され、そこに保持される。
【００４５】
上記と同様の動作がウエハホルダ２１２上のウエハＷに対しても行われる。すなわち、ウエハ移載装置１９がウエハホルダ２１２上のウエハＷを空のフープＦに収納し、そのフープＦがフープ搬送装置１２によりフープ保持部材１３に搬送される。以上により、一つの処理ロットのウエハＷに対する一連の手順が終了する。
【００４６】
次に、上記の水洗槽２４及びその真上に位置する図２では図示していない乾燥室を備えた洗浄乾燥ユニット１００について説明する。
【００４７】
図５及び図６に示すように、洗浄乾燥ユニット１００は、リンス液例えば純水（ＤＩＷ）を貯留する洗浄槽１２２（図２の水洗槽２４に対応する）と、洗浄槽１２２の上部に位置する乾燥室１２３と、処理対象の複数のウエハＷを保持する基板保持具としてのウエハガイド１２４とを備えている。
【００４８】
洗浄槽１２２は、内槽１２２ａと、内槽１２２ａの上端部を囲み内槽１２２ａからオーバーフローした洗浄液を受け止める外槽１２２ｂとを有している。
【００４９】
内槽１２２ａの下部両側には洗浄槽１２２内に位置するウエハＷに向かってリンス液例えば純水を噴射するリンスノズル１２５が配設されている。リンスノズル１２５には、図示しないリンス液供給源から図示しないリンス液供給機構を介してリンス液が供給される。
【００５０】
内槽１２２ａの底部に設けられた排出口に、排出バルブ１２６ａが介設されたドレン管１２６が接続されている。外槽１２２ｂの底部に設けられた排出口にも、排出バルブ１２７ａが介設されたドレン管１２７が接続されている。外槽１２２ｂの外側には排気ボックス１２８が設けられており、この排気ボックス１２８に設けられた排気口に、バルブ１２９ａが介設された排気管１２９が接続されている。
【００５１】
乾燥室（乾燥チャンバ）１２３は、洗浄槽１２２の上端の開口部１２２ｃの上方に設けられた不動のベース部（基体）１３７と、上下方向に可動の断面逆Ｕ字形のフード部（覆い部）１３９とから構成されている。開口部１２２ｃには、洗浄槽１２２と乾燥室１２３との連通を遮断するためのシャッタ１３６が設けられている。ベース部１３７とフード部１３９との間には、これらの間の隙間をシールするＯリング等のシール部材１３８が設けられている。
【００５２】
フード部１３９は、ボールねじ等のリニアアクチュエータ（図示せず）を有する第１の昇降機構１４４によって昇降し、ベース部１３７に対して接離することができる。ウエハガイド１２４は、ボールねじ等のリニアアクチュエータ（図示せず）を有する第２の昇降機構１４５によって昇降し、洗浄槽１２２内及び乾燥室１２３内を昇降することができる。
【００５３】
フード１３９の頂部には貫通穴１３９ａが設けられており、この貫通穴１３９ａをウエハガイド１２４を第２の昇降機構１４５に連結するロッド１２４ａが貫通している。貫通穴１３９ａには、加圧ガスを供給することより膨張して、貫通穴１３９ａの内周面とロッド１２４ａの外周面との間の隙間をシールするインフレートシール１５２が設けられている。
【００５４】
基板保持具であるウエハガイド１２４は、５０枚のウエハＷ（２フープ分のウエハ）を、起立姿勢で、水平方向に前述したハーフピッチで配列した状態で保持しうるように構成されている。
【００５５】
図８に示すように、ウエハガイド１２４は、ウエハＷの周縁部を保持する複数の（本例では４本の）保持棒１２４１と、各保持棒１２４１の一端を支持する鉛直方向に延びる背板１２４２とを有している。背板１２４２は、前述したロッド１２４ａを介して第２の昇降機構１４５に連結されている。隣接する２本の保持棒１２４１の背板１２４２と反対側の保持棒１２４１の端部は、保持棒１２４１の撓みを低減するために、連結板１２４３により連結されている。
【００５６】
なお、図６ではウエハガイド１２４の連結板１２４３のみが示されおり、図７ではウエハガイド１２４は簡略化して示されている。
【００５７】
ウエハガイド１２４の各保持棒１２４１には、バッチサイズ（この場合２フープ分の５０枚）よりも少なくとも１本多い数、例えば５１本〜５３本程度の保持溝１２４４が形成されている。以下においては保持溝１２４４の本数は５１本であるものとして説明を行う。５１本の保持溝１２４４は、前述したハーフピッチで保持棒１２４１の長手方向に配列されている。各保持棒１２４１におけるＮ番目（Ｎ＝１〜５１）の保持溝１２４４の背板１２４２からの距離（すなわち図２の矢印Ａ方向に関する位置（以下「Ａ方向位置」と呼ぶ））は全て等しい。各ウエハＷは、その周縁部が４本の保持棒１２４１の対応する保持溝１２４４に嵌まることにより、ウエハガイド１２４により保持される。なお、図面の簡略化のため、各図においては保持溝１２４４の記載が省略されるか、若しくは実際の数より少ない数の保持溝が表示されている。
【００５８】
乾燥室１２３の両脇であってかつ高さ方向略中央部には、上方に向けてＩＰＡ（イソプロピルアルコール）の蒸気を含む乾燥促進ガスを吐出する複数の吐出口１４０１（図９〜図１２を参照）を有する乾燥ガスノズル１４０が設けられている。乾燥ガスノズル１４０は、ウエハＷの配列方向に延びる中空の棒状体から形成されている。乾燥ガスノズル１４０の構成については後に詳述する。
【００５９】
乾燥ガスノズル１４０には、ＩＰＡ蒸気発生器１６０が接続されている。ＩＰＡ蒸気発生器１６０には、ホットＮ２ガス（加熱された窒素ガス）供給源１６１と、ＩＰＡ液供給源１６２とが接続されている。ＩＰＡ蒸気発生器１６０内に供給されたＩＰＡ液は、ホットＮ２ガスの熱により気化し、これによりＩＰＡ蒸気とＮ２ガスの混合ガスからなる乾燥促進ガスが乾燥ガスノズル１４０に供給される。ＩＰＡ蒸気発生器１６０にＩＰＡ液を供給せずにホットＮ２ガスのみを供給した場合には、乾燥ガスノズル１４０にホットＮ２ガスのみが供給される。
【００６０】
乾燥室１２３のベース部１３７の側壁には、乾燥室１２３から乾燥ガスを排出する排出口１４１が設けられている。この排出口１４１には、図示しない排気装置が接続されている。
【００６１】
次に、洗浄乾燥ユニット１００にて行われる一連の処理について説明する。以下に説明する動作も図２の制御部４０による制御の下で行われる。
【００６２】
まず、図７に概略的に示されるように、第２の昇降機構１４５によりウエハガイド１２４を乾燥室内１２３内に位置させ、第１の昇降機構１４４によりフード部１３９を上昇位置に位置させる。次に、５０枚のウエハを保持しているウエハ搬送装置２２のチャックロッド２２ａがウエハガイド１２４の上方に位置する。次いで、ウエハガイド１２４が上昇してチャックロッド２２ａからウエハＷを受け取る。ウエハの受け渡しの際には、３本のチャックロッド２２ａうちの中央の１本が、中央の２本の保持棒１２４１の間（図８を参照）を通過し、両端の２本のチャックロッド２２ａが、外側の２本の保持棒１２４１のさらに外側（図８を参照）を通過する。
【００６３】
次に、チャックロッド２２ａが乾燥室２３から退出した後、シャッタ１３６が開状態となっている洗浄槽１２２の開口部１２２ｃを通って、ウエハＷを保持したウエハガイド１２４が下降し、リンス液としての純水が既に貯留されている洗浄槽１２２内にウエハＷを搬入する。その後、乾燥室１２３のフード部１３９が下降し、ベース部１３７と密着する。その後、リンスノズル１２５から純水を吐出しながらウエハＷの最終リンス処理を行う。
【００６４】
その後、ウエハガイド１２４が上昇し、ウエハＷが乾燥室１２３内に搬入される。その後、シャッタ１３６が閉じ、乾燥室１２３が、洗浄槽１２２及び外気から遮断される。次いで、乾燥ガスノズル１４０の各吐出口１４０１から乾燥促進ガス、ここではＩＰＡ蒸気とＮ２ガスとの混合ガスが、図６及び図９に示すように上方に向けて噴射される。混合ガスがウエハＷに直接（高速度で）衝突することを避けるため、吐出口１４０１はウエハＷの方を向いていない。両側の乾燥ガスノズル１４０から噴射された乾燥促進ガスの主流は、図６に点線で示されるように、湾曲したフード部１３９の内面に案内されて乾燥室１２３の上部中央部に向かって流れる。排出口１４１が吸引されているため、乾燥室１２３の上部中央部で合流した乾燥促進ガスは低流速で下方に向かって流れ、隣接するウエハＷ間の隙間を通過し、排出口１４１に向かう。このような流れが形成されることにより、乾燥室１２３内がＩＰＡ雰囲気とされる。ＩＰＡ蒸気は、各ウエハＷの表面及び裏面に接触し、各ウエハＷの表面及び裏面上で凝縮し、この凝縮したＩＰＡによりウエハＷの表面及び裏面上の純水が置換される。
【００６５】
その後、乾燥ガスノズル１４０からのＩＰＡ蒸気の吐出が停止し、乾燥ガスノズル１４０からは加熱されたＮ２ガスのみが吐出されるようになる。これにより、ウエハＷの乾燥が促進される。
【００６６】
ウエハＷの乾燥が終了し、乾燥室１２３内からＩＰＡが十分に排気された後、乾燥室１２３のフード部１３９が上昇する。次いで、ウエハボート１２４が上昇し、搬送装置２２のチャックロッド２２ａがウエハボート１２４の下方に位置し、その後、ウエハガイド１２４が下降してウエハＷをチャックロッド２２ａに渡す。その後、チャックロッド２２ａは洗浄槽２２の上方から退出し、保持しているウエハＷを第２配列機構２１ｂに渡す。
【００６７】
次に、乾燥室１２３内でのウエハＷの乾燥処理に関与する部材について詳細に説明する。
【００６８】
図１０は、乾燥室１２３内でウエハＷに乾燥処理が施されている状態を簡略化して示す図である。ウエハＷは、前述したハーフピッチで水平方向に配列された状態で、保持棒１２４１に保持されている。図１０には、４本の保持棒１２４１のうちの１本のみが簡略化されて示されている。前述したように、保持棒１２４１には、バッチサイズ（一度に処理されるウエハＷの枚数であり、本実施形態では５０枚）よりも少なくとも１つ多い数の保持溝１２４４が形成されているが、図１０（図１１及び図１２において同じ）では、図面の簡略化及び説明の単純化のため、バッチサイズを１０枚とし、保持棒１２４１に１１本の保持溝１２４４が形成されている場合が示されている。また、図１０（図１１及び図１２において同じ）では、乾燥ガスノズル１４０のガス吐出口１４０１とウエハＷとの位置関係を分かり易くするため、乾燥ガスノズル１４０を実際より低い位置に表示している。
【００６９】
乾燥ガスノズル１４０は、前述したようにウエハＷの配列方向と平行に延びる中空の棒状体の形態を有しており、複数のガス吐出口１４０１を有している。ガス吐出口１４０１は、ウエハＷの配列方向と平行に、前述したノーマルピッチ（フープＦ内の配列ピッチでありハーフピッチの２倍のピッチ）で配列されている。
【００７０】
ここで、図２を再び参照する。先の説明では述べていなかったが、ウエハ移載装置１９、ウエハハンド２１１及びウエハホルダ２１２を用いて第１のフープＦから取り出した２５枚のウエハＷの間に、第２のフープＦから取り出した２５枚のウエハＷの間に挿入するとき、第２のフープＦから取り出したウエハＷの向きを第１のフープＦから取り出したウエハＷの向きと逆にしている。ウエハＷの向きの反転は、ウエハ移載装置１９がウエハハンド２１１またはウエハホルダ２１２に渡すときに行うことができる。これにより、端から１枚目のウエハＷのデバイス形成面である表面（第１面）と２枚目のウエハＷの表面とが対面し、端から２枚目のウエハＷのデバイス非形成面である裏面（第２面）と３枚目のウエハＷの裏面とが対面し、端から３枚目のウエハＷの表面と４枚目のウエハＷの表面とが対面する（以下この規則に基づく配列の繰り返し）といった配列になる（表面対面配列）。これとは逆に、端から１枚目のウエハＷの裏面と２枚目のウエハＷの裏面が対面し、端から２枚目のウエハＷの表面と３枚目のウエハＷの表面とが対面し、端から３枚目のウエハＷの裏面と４枚目のウエハＷの裏面とが対面する（以下この規則に基づく配列の繰り返し）といった配列とすることもある（裏面対面配列）。
【００７１】
表面対面配列では、当該基板配列の一方の端から奇数番目の基板の表面が第１方向を向くとともに裏面が第１方向と逆方向の第２方向を向き、当該基板配列の一方の端から偶数番目の基板の表面が第２方向を向くとともに裏面が第１方向を向き、当該基板配列の他方の端の基板の表面が第２方向を向くとともに裏面が第１方向を向いている。また、裏面対面配列では、当該基板配列の一方の端から奇数番目の基板の表面が第２方向を向くとともに裏面が第１方向を向き、当該基板配列の一方の端から偶数番目の基板の表面が前記第１方向を向くとともに裏面が前記第２方向を向き、かつ当該基板配列の他方の端の基板の表面が第１方向を向くとともに裏面が第２方向を向いている。表面対面配列及び裏面対面配列を状況に応じて選択して利用可能とするニーズがある
【００７２】
図１０（図１１及び図１２において同じ）において、ウエハＷの表面（デバイス形成面）に三角印が付けられている。すなわち、図１０に示すウエハＷは、上述した表面対面配列により配列されている。
【００７３】
乾燥ガスノズル１４０のガス吐出口１４０１は、ウエハＷの裏面間の隙間に対応する位置に配置されている。詳細に言うと、ウエハＷの配列方向（すなわちガス吐出口１４０１の配列方向）をＸ方向とした場合、隣接する２枚のウエハ裏面間の隙間のＸ方向位置（より詳細には当該隙間の中央のＸ方向位置）と同じＸ方向位置にガス吐出口１４０１が位置している。そして、隣接する２枚のウエハ表面間の隙間のＸ方向位置と同じＸ方向位置にはガス吐出口１４０１が位置していない。
【００７４】
前述したようにガス吐出口１４０１はウエハＷの方を向いているのではなく上方（真上）を向いている。従って、ガス吐出口１４０１から噴射された乾燥促進ガスの主流は上方（真上）に向けて流れ（図９の実線矢印を参照）、ウエハＷに向かうことはない。しかしながら、乾燥促進ガスはある程度の拡がりをもってガス吐出口１４０１から噴射される。このため、図９において鎖線矢印で示すように、ガス吐出口１４０１から噴射された乾燥促進ガスの一部はウエハに直接衝突する。このとき、隣接する２枚のウエハ表面間の隙間に対応する位置にガス吐出口１４０１が位置していると、ガス吐出口１４０１から噴射された乾燥促進ガスが直接ウエハＷの表面に衝突することになる。このことは前述したようにパーティクルレベルの悪化の原因となる。これを避けるため、隣接する２枚のウエハ裏面間の隙間に対応する位置にガス吐出口１４０１を位置させている。
【００７５】
ウエハガイド１２４上におけるウエハＷの位置を変更することなく裏面対面配列でウエハＷを配列すると、図１１に示すようになる。すなわち、乾燥ガスノズル１４０の各ガス吐出口１４０１がウエハ表面間に対応する位置に位置することになる。これでは、ウエハ表面のパーティクルレベルの悪化の問題が生じうる。
【００７６】
従って、裏面対面配列を採用した場合にも、例えば図１２に示すように、乾燥ガスノズル１４０の各ガス吐出口１４０１がウエハ裏面間に対応する位置にあるような、乾燥ガスノズル１４０とウエハＷとの位置関係が成立していることが望ましい。しかしながら、従前の洗浄処理装置では、表面対面配列及び裏面対面配列の両方において、上記の位置関係を実現する構成を有していないか、あるいは上記の位置関係を実現する制御機能を有していない。
【００７７】
これに対して、本実施形態に係る洗浄処理装置では、上記の位置関係を実現するために、以下の構成を有している。
（１）洗浄処理装置が、ウエハ配列方向に関する乾燥ガスノズル１４０と配列されたウエハＷとの相対位置を調節する調節手段を有している。
調節手段としては、以下のいずれか一つを採用することができる。
（１−１）ウエハ搬送装置２２のチャックロッド２２ａと、ウエハガイド１２４との間でウエハの受け渡しを行う際に（図７に示す状況）、チャックロッド２２ａの位置をウエハＷの配列方向に少なくともハーフピッチ分移動させることができるチャックロッド水平移動機構。このようなチャックロッド水平移動機構が、図７に参照符号２２ｂにより概略的に示されている。
（１−２）ウエハ搬送装置２２のチャックロッド２２ａと、ウエハガイド１２４との間でウエハの受け渡しを行う際に（図７に示す状況）、ウエハガイド１２４の位置をウエハＷの配列方向に少なくともハーフピッチ分移動させることができるウエハガイド水平移動機構。このようなウエハガイド水平移動機構が、図７に参照符号１２４ｂにより概略的に示されている。
（１−３）乾燥ガスノズル１４０を、ウエハＷの配列方向に少なくともハーフピッチ分移動させることができるノズル水平移動機構。このようなノズル水平移動機構が、図１０に参照符号１４０２により概略的に示されている。
上記（１−１）及び（１−２）の場合、（２）各保持棒１２４１に、バッチサイズよりも少なくとも１つ多い数の保持溝１２４４が形成されている。
【００７８】
上記（１−２）の場合、インフレートシール１５２は、ハーフピッチ分程度のウエハガイド１２４の水平移動を許容するように構成することは可能である。
ウエハガイド水平移動機構またはノズル水平移動機構を採用する場合（上記（１−２）及び（１−３の場合））には、このような水平移動機構を洗浄槽１２２または乾燥室１２３内の雰囲気に曝される位置に設けることも可能ではあるが、図７及び図１０に示すようにそのような雰囲気に曝されない位置に設ける方が好ましい。各水平移動機構は、所望の精度で位置決めを行うことができるリニアアクチュエータ、例えばボールねじを用いて実現することができる。
【００７９】
チャックロッド水平移動機構、ウエハガイド水平移動機構及びノズル水平移動機構のいずれを採用した場合でも、これらの水平移動機構は制御部４０により制御される。すなわち、制御部４０は、半導体装置製造工場に設けられた各種製造装置を制御するホストコンピュータ（図示せず）から受信した指令に基づいて、またはユーザーインターフェイス４２を介してオペレータが入力した指令に基づいて、あるいは、記憶部４３に記憶されたプロセスレシピに基づいて、選択されたウエハ配列（表面対面配列または裏面対面配列）を把握する。そして、制御部４０は、ウエハ移載装置１９、ウエハハンド２１１及びウエハホルダ２１２を用いて、選択されたウエハ配列でウエハＷを配列する。さらに制御部４０は、指定されたウエハ配列に応じて、隣接するウエハ裏面間の隙間に対応する位置に乾燥ガスノズル１４０の各ガス吐出口１４０１が位置するように、上記の水平移動機構を制御する。
【００８０】
なお、上述した３種類の水平移動機構のうちでは、チャックロッド水平移動機構を採用することが最も好ましい。ウエハ搬送機構２２は、このようなチャックロッド水平移動機構を元から備えている場合も多く、ウエハ搬送機構２２の構成をそのまま用いるか、あるいはわずかな改造をすることにより、上記の機能を実現できるからである。
【００８１】
なお、表面対面配列及び裏面対面配列の両方において、ウエハ裏面間の隙間に対応する位置に乾燥ガスノズルの各ガス吐出口が位置するようにするため、以下の構成を採用することもできる。すなわち、図１３に概略的に示すように、乾燥室１２３の底部の両脇に２本ずつ第１乾燥ガスノズル１４０Ａ及び第２乾燥ガスノズル１４０Ｂを設ける。第１乾燥ガスノズル１４０Ａの吐出口１４０１の位置は、第２乾燥ガスノズル１４０Ｂの吐出口の位置に対して前述したハーフピッチに相当する距離だけずれている。切換弁１６３により、ＩＰＡ蒸気発生器１６０から送り出された乾燥促進ガスを、第１乾燥ガスノズル１４０Ａ及び第２乾燥ガスノズル１４０Ｂのいずれか一方に供給することができるようになっている。
【００８２】
上記各実施形態によれば、ウエハＷを表面対面配列した場合でも裏面対面配列した場合でも、ウエハ裏面間の隙間に対応する位置に乾燥ガスノズル１４０の各吐出口１４０１が位置するようにすることができる。このため、表面対面配列及び裏面対面配列のいずれを用いる場合でも、ウエハ表面のパーティクルレベルの悪化を防止することできる。
【００８３】
上記実施形態においては、処理対象の基板は半導体ウエハであったが、これに限定されるものではなく、ガラス基板、セラミック基板等の他の種類の基板であってもよい。
【符号の説明】
【００８４】
Ｗ  基板（ウエハ）
１９，２１１，２１２  基板配列装置
１２２  液処理部（洗浄槽）
１２３  乾燥処理部（乾燥室）
１３７，１３９  乾燥チャンバ
２２  基板搬送装置（ウエハ搬送装置）
２２ｂ  基板搬送装置の移動機構
１２４  基板保持具（ウエハガイド）
１２４ｂ  基板保持具の移動機構
１２４４  基板保持具の基板保持溝
１４０  ノズル（乾燥ガスノズル）
１４０Ａ  第１ノズル
１４０Ｂ  第２ノズル
１４０１  ノズルの吐出口
１４０２  ノズルの移動機構
１６３  切換装置（切換弁）
４０  制御部
【図１】
2016009727.tif 000003
【図２】
2016009727.tif 000004
【図３】
2016009727.tif 000005
【図４】
2016009727.tif 000006
【図５】
2016009727.tif 000007
【図６】
2016009727.tif 000008
【図７】
2016009727.tif 000009
【図８】
2016009727.tif 000010
【図９】
2016009727.tif 000011
【図１０】
2016009727.tif 000012
【図１１】
2016009727.tif 000013
【図１２】
2016009727.tif 000014
【図１３】
2016009727.tif 000015