(57)【要約】【課題】成膜材料として低分子材料を用いて、優れた特性を有する機能層を形成することができる機能層形成用インクを提供すること、また、かかる機能層形成用インクを用いた発光素子の製造方法および発光素子を提供すること、さらに、かかる発光素子を備える発光装置および電子機器を提供すること。【解決手段】本発明の機能層形成用インクは、機能層の構成材料またはその前駆体からなる低分子材料である成膜材料と、成膜材料よりも重量平均分子量が大きい添加材料と、成膜材料および添加材料を溶解または分散させる液性媒体と、を含み、添加材料の重量平均分子量をＭとし、成膜材料に対する添加材料の添加率をＲとしたとき、Ｍ×Ｒが９５００以上である。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
機能層の構成材料またはその前駆体からなる低分子材料である成膜材料と、
前記成膜材料よりも重量平均分子量が大きい添加材料と、
前記成膜材料および前記添加材料を溶解または分散させる液性媒体と、を含み、
前記添加材料の重量平均分子量をＭとし、前記成膜材料に対する前記添加材料の添加率をＲとしたとき、
Ｍ×Ｒが９５００以上であることを特徴とする機能層形成用インク。
【請求項２】
前記添加材料の重量平均分子量Ｍが１００１以上３０００００以下である請求項１に記載の機能層形成用インク。
【請求項３】
前記添加材料の添加率Ｒが０．１ｗｔ％以上５０ｗｔ％以下である請求項１または２に記載の機能層形成用インク。
【請求項４】
前記添加材料が正孔輸送性材料である請求項１ないし３のいずれか１項に記載の機能層形成用インク。
【請求項５】
前記機能層が発光機能層である請求項１ないし４のいずれか１項に記載の機能層形成用インク。
【請求項６】
前記機能層が正孔輸送層である請求項１ないし４のいずれか１項に記載の機能層形成用インク。
【請求項７】
前記機能層が正孔注入層である請求項１ないし４のいずれか１項に記載の機能層形成用インク。
【請求項８】
請求項１ないし７のいずれか１項に記載の機能層形成用インクを電極上またはそれに積層された層上に付与する工程と、
前記機能層形成用インクを乾燥させることにより機能層を形成する工程と、を有することを特徴とする発光素子の製造方法。
【請求項９】
請求項１ないし７のいずれか１項に記載の機能層形成用インクを用いて形成された機能層を備えることを特徴とする発光素子。
【請求項１０】
請求項９に記載の発光素子を備えることを特徴とする発光装置。
【請求項１１】
請求項９に記載の発光素子を備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、機能層形成用インク、発光素子の製造方法、発光素子、発光装置および電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネセンス素子（いわゆる有機ＥＬ素子）は、陽極と陰極との間に少なくとも１層の発光性有機層（発光層）を介挿した構造を有する発光素子である。このような発光素子では、陰極と陽極との間に電界を印加することにより、発光層に陰極側から電子が注入されるとともに陽極側から正孔が注入され、発光層中で電子と正孔が再結合することにより励起子が生成し、この励起子が基底状態に戻る際に、そのエネルギー分が光として放出される。
【０００３】
例えば、特許文献１、２に開示されているように、このような発光素子が有する有機材料で構成された機能層をインクジェット法のような液相プロセスを用いて形成する手法の開発が進められている。かかる手法は、例えば、マスクレスで各画素の塗り分けを行うことができ、気相プロセスを用いる場合に比べて低コスト化を図ることができるという利点がある。
【０００４】
このような液相プロセスに用いるインクの溶質（成膜材料）としては、一般に、分子量の大きさによって高分子材料と低分子材料とに分類されるが、低分子材料は、高分子材料に比べて、分子構造上の欠陥が少なく、純度を高めることも容易であるため、得られる素子に必要な特性が優れているという利点がある一方、液相プロセスを用いた場合、成膜性（膜形状制御）が劣るという欠点がある。そのため、従来では、成膜材料として低分子材料を用いて液相プロセスで機能層を形成した場合、所望形状の機能層を形成することが難しく、十分な特性を発揮することができないという問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１３−１７１７６５号公報
【特許文献２】特開２００８−００９２１４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は、成膜材料として低分子材料を用いて、優れた特性を有する機能層を形成することができる機能層形成用インクを提供すること、また、かかる機能層形成用インクを用いた発光素子の製造方法および発光素子を提供すること、さらに、かかる発光素子を備える発光装置および電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【０００８】
［適用例１］
本発明の機能層形成用インクは、機能層の構成材料またはその前駆体からなる低分子材料である成膜材料と、
前記成膜材料よりも重量平均分子量が大きい添加材料と、
前記成膜材料および前記添加材料を溶解または分散させる液性媒体と、を含み、
前記添加材料の重量平均分子量をＭとし、前記成膜材料に対する前記添加材料の添加率をＲとしたとき、
Ｍ×Ｒが９５００以上であることを特徴とする。
【０００９】
このような機能層形成用インクによれば、成膜材料として、高分子材料に比べて分子構造上の欠陥が少なく純度を容易に高めることが可能な低分子材料を用いることで、機能層に必要な成膜材料の特性を優れたものとすることができる。また、成膜材料が低分子材料であっても、成膜材料よりも分子量が大きい添加材料を用いることで、液相プロセスでの成膜性を向上させ、得られる機能層の膜厚の均一化を図ることができる。このようなことから、得られる機能層の特性を優れたものとすることができる。
【００１０】
［適用例２］
本発明の機能層形成用インクでは、前記添加材料の重量平均分子量Ｍが１００１以上３０００００以下であることが好ましい。
これにより、液相プロセスでの成膜性を向上させることができる。
【００１１】
［適用例３］
本発明の機能層形成用インクでは、前記添加材料の添加率Ｒが０．１ｗｔ％以上５０ｗｔ％以下であることが好ましい。
これにより、液相プロセスでの成膜性を向上させることができる。
【００１２】
［適用例４］
本発明の機能層形成用インクでは、前記添加材料が正孔輸送性材料であることが好ましい。
【００１３】
これにより、得られる機能層が発光機能層、正孔輸送層または正孔注入層である場合、添加材料がこれらの層の特性に与える影響を少なくすることができる。
【００１４】
［適用例５］
本発明の機能層形成用インクでは、前記機能層が発光機能層であることが好ましい。
【００１５】
これにより、優れた発光特性を有したまま成膜性を向上させた発光機能層を得ることができる。
【００１６】
［適用例６］
本発明の機能層形成用インクでは、前記機能層が正孔輸送層であることが好ましい。
【００１７】
これにより、優れた正孔輸送性を有したまま成膜性を向上させた正孔輸送層を得ることができる。
【００１８】
［適用例７］
本発明の機能層形成用インクでは、前記機能層が正孔注入層であることが好ましい。
【００１９】
これにより、優れた正孔注入性を有したまま成膜性を向上させた正孔注入層を得ることができる。
【００２０】
［適用例８］
本発明の発光素子の製造方法は、本発明の機能層形成用インクを電極上またはそれに積層された層上に付与する工程と、
前記機能層形成用インクを乾燥させることにより機能層を形成する工程と、を有することを特徴とする。
【００２１】
このような発光素子の製造方法によれば、機能層に必要な成膜材料の特性を優れたものとするとともに、得られる機能層の膜厚の均一化を図ることができるため、得られる発光素子の発光特性を優れたものとすることができる。
【００２２】
［適用例９］
本発明の発光素子は、本発明の機能層形成用インクを用いて形成された機能層を備えることを特徴とする。
このような発光素子によれば、優れた発光特性を発揮することができる。
【００２３】
［適用例１０］
本発明の発光装置は、本発明の発光素子を備えることを特徴とする。
このような発光装置によれば、優れた発光特性を発揮することができる。
【００２４】
［適用例１１］
本発明の電子機器は、本発明の発光素子を備えることを特徴とする。
このような電子機器によれば、優れた発光特性を発揮することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】本発明の実施形態に係る発光装置（表示装置）を示す断面図である。
【図２】図１に示す発光装置の製造方法を説明するための図である。
【図３】図１に示す発光装置の製造方法を説明するための図である。
【図４】図１に示す発光装置の製造方法を説明するための図である。
【図５】本発明の電子機器の一例であるモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
【図６】本発明の電子機器の一例である携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。
【図７】本発明の電子機器の一例であるディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
以下、本発明の機能層形成用インク、発光素子の製造方法、発光素子、発光装置および電子機器について、図面に示す好適な実施形態に基づいて説明する。なお、各図では、説明の便宜上、各部の縮尺が適宜変更されており、図示の構成は実際の縮尺と必ずしも一致するわけではない。
【００２７】
（発光装置）
まず、本発明の発光装置（すなわち、本発明の機能層形成用インクを用いて形成された機能層を有する発光素子を備える発光装置）の一例である表示装置について説明する。
【００２８】
図１は、本発明の実施形態に係る発光装置（表示装置）を示す断面図である。なお、以下では、説明の都合上、図１中の上側を「上」、下側を「下」として説明を行う。
【００２９】
図１に示す発光装置１００は、複数の発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂがサブ画素１００Ｒ（Ｒ画素）、１００Ｇ（Ｇ画素）、１００Ｂ（Ｂ画素）に対応して設けられ、ボトムエミッション構造のディスプレイパネルを構成している。なお、本実施形態では表示装置の駆動方式としてアクティブマトリックス方式を採用した例に説明するが、パッシブマトリックス方式を採用したものであってもよい。
【００３０】
発光装置１００は、回路基板２０と、回路基板２０上に設けられた複数の発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂと、封止基板４０と、を有している。
【００３１】
回路基板２０は、基板２１と、基板２１上に設けられた層間絶縁膜２２、複数のスイッチング素子２３および配線２４と、を有している。
【００３２】
基板２１は、実質的に透明（無色透明、着色透明または半透明）とされる。これにより、各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂからの光を基板２１側から光を取り出すことができる。基板２１の構成材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリプロピレン、シクロオレフィンポリマー、ポリアミド、ポリエーテルサルフォン、ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネート、ポリアリレートのような樹脂材料や、石英ガラス、ソーダガラスのようなガラス材料等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００３３】
なお、発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂからの光を基板２１とは反対側から取り出すトップエミッション構造とする場合は、基板２１は、不透明基板であってもよく、かかる不透明基板としては、例えば、アルミナのようなセラミックス材料で構成された基板、ステンレス鋼のような金属基板の表面に酸化膜（絶縁膜）を形成したもの、樹脂材料で構成された基板等が挙げられる。
【００３４】
このような基板２１上には、複数のスイッチング素子２３がマトリクス状に配列されている。各スイッチング素子２３は、各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂに対応して設けられ、各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂを駆動するための駆動用トランジスタである。
【００３５】
このような各スイッチング素子２３は、シリコンからなる半導体層２３１と、半導体層２３１上に形成されたゲート絶縁層２３２と、ゲート絶縁層２３２上に形成されたゲート電極２３３と、ソース電極２３４と、ドレイン電極２３５と、を有している。
【００３６】
このような複数のスイッチング素子２３を覆うように、絶縁材料で構成された層間絶縁膜２２が形成されている。この層間絶縁膜２２には、配線２４が設けられている。
【００３７】
層間絶縁膜２２上には、各スイッチング素子２３に対応して発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂが設けられている。本実施形態では、発光素子１Ｒは、赤色（Ｒ）の光を出射するよう構成され、発光素子１Ｇは、緑色（Ｇ）の光を出射するよう構成され、発光素子１Ｂは、青色（Ｂ）の光を出射するように構成されている。
【００３８】
具体的には、発光素子１Ｒ（第２発光素子）は、層間絶縁膜２２上に、陽極３Ｒ（第２陽極）、正孔注入層４Ｒ、正孔輸送層５Ｒ（第２正孔輸送層）、発光機能層６Ｒ（第２発光機能層）、正孔輸送層７（共通正孔輸送層）、発光機能層６Ｂ（第１発光機能層）、電子輸送層８、電子注入層９および陰極１０（共通陰極）がこの順で積層されて構成されている。
【００３９】
同様に、発光素子１Ｇ（第３発光素子）は、層間絶縁膜２２上に、陽極３Ｇ（第３陽極）、正孔注入層４Ｇ、正孔輸送層５Ｇ（第３正孔輸送層）、発光機能層６Ｇ（第３発光機能層）、正孔輸送層７（共通正孔輸送層）、発光機能層６Ｂ（第１発光機能層）、電子輸送層８、電子注入層９および陰極１０（共通陰極）がこの順で積層されて構成されている。
【００４０】
一方、発光素子１Ｂ（第１発光素子）は、層間絶縁膜２２上に、陽極３Ｂ（第１陽極）、正孔注入層４Ｂ、正孔輸送層５Ｂ（第１正孔輸送層）、正孔輸送層７（共通正孔輸送層（中間層））、発光機能層６Ｂ（第１発光機能層）、電子輸送層８、電子注入層９および陰極１０（共通陰極）がこの順で積層されている。
【００４１】
ここで、陽極３Ｒ、３Ｇ、３Ｂは、対応する発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂごとに個別に設けられた画素電極を構成し、スイッチング素子２３のドレイン電極に配線２４を介して電気的に接続されている。また、正孔注入層４Ｒ、４Ｇ、４Ｂ、正孔輸送層５Ｒ、５Ｇ、５Ｂ、発光機能層６Ｒおよび発光機能層６Ｇも、対応する発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂごとに個別に設けられている。なお、以下では、発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂを総括して「発光素子１」、陽極３Ｒ、３Ｇ、３Ｂを総括して「陽極３」、正孔注入層４Ｒ、４Ｇ、４Ｂを総括して「正孔注入層４」、正孔輸送層５Ｒ、５Ｇ、５Ｂを総括して「正孔輸送層５」ともいう。また、後に詳述するが、正孔注入層４Ｒ、４Ｇ、４Ｒ、正孔輸送層５Ｒ、５Ｇ、５Ｂおよび発光機能層６Ｒ、６Ｇのうちの少なくとも１層が本発明の機能層形成用インクを用いて形成されている。
【００４２】
一方、陰極１０は、発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂに共通して設けられた共通電極を構成している。また、正孔輸送層７（共通正孔輸送層）、発光機能層６Ｂ、電子輸送層８および電子注入層９も、発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂに共通して設けられている。
【００４３】
このような発光装置１００によれば、液相プロセスを用いて正孔輸送層５Ｒ、５Ｇ、５Ｂおよび発光機能層６Ｒ、６Ｇ等をそれぞれ素子ごとに個別に形成するとともに、気相プロセスを用いて正孔輸送層７および発光機能層６Ｂ等をそれぞれ３つの素子に共通に形成することができる。そのため、発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂを効率的に製造することができる。
【００４４】
隣接する発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂ同士の間には、樹脂材料で構成された隔壁３１（バンク）が設けられている。また、このような発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂは、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂で構成された樹脂層３２を介して、封止基板４０が接合されている。
【００４５】
前述したように本実施形態の各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂはボトムエミッション型であるため、封止基板４０は、透明基板であっても、不透明基板であってもよく、封止基板４０の構成材料としては、前述した基板２１と同様の材料を用いることができる。
【００４６】
以下、発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂについて詳述する。
発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂでは、発光機能層６Ｒ、６Ｇ、６Ｂに対し、陰極１０側から電子が供給（注入）されるとともに、陽極３Ｒ、３Ｇ、３Ｂ側から正孔が供給（注入）される。そして、発光機能層６Ｒ、６Ｇ、６Ｂでは、それぞれ、正孔と電子とが再結合し、この再結合に際して放出されたエネルギーによりエキシトン（励起子）が生成し、エキシトンが基底状態に戻る際にエネルギー（蛍光やりん光）を放出（発光）する。
【００４７】
ここで、発光素子１Ｒ、１Ｇでは、発光機能層６Ｂが設けられているが、発光機能層６Ｂを発光させずに、発光機能層６Ｒ、６Ｇを選択的に発光させる。これにより、発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂがそれぞれ赤色、緑色、青色に発光する。
【００４８】
以下、発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂの各部の構成を簡単に説明する。
（陽極）
陽極３（３Ｒ、３Ｇ、３Ｂ）は、正孔注入層４（４Ｒ、４Ｇ、４Ｂ）に正孔を注入する電極である。この陽極３Ｒ、３Ｇ、３Ｂの構成材料としては、それぞれ、仕事関数が大きく、導電性に優れる材料を用いるのが好ましい。
【００４９】
具体的には、陽極３Ｒ、３Ｇ、３Ｂの構成材料としては、それぞれ、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）、Ｉｎ３Ｏ３、ＳｎＯ２、Ｓｂ含有ＳｎＯ２、Ａｌ含有ＺｎＯ等の酸化物、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｃｕまたはこれらを含む合金等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。なお、陽極３Ｒ、３Ｇ、３Ｂの構成材料は、互いに同じであっても異なっていてもよいが、互いに同じ材料を用いることにより、一括して陽極３Ｒ、３Ｇ、３Ｂを形成することができ、生産性を高めることができる。
【００５０】
（正孔注入層）
正孔注入層４（４Ｒ、４Ｇ、４Ｂ）は、陽極３（３Ｒ、３Ｇ、３Ｂ）からの正孔注入効率を向上させる機能を有するものである。
【００５１】
この正孔注入層４Ｒ、４Ｇ、４Ｂの構成材料（正孔注入材料）としては、それぞれ、特に限定されないが、例えば、ＴＡＰＣ（(１，１−ビス[４−（ジ−ｐ−トリル)アミノフェニル]シクロヘキサン））：４，４’−Cyclohexylidenebis［Ｎ，Ｎ−bis（４−methylphenyl)aniline］）、ＴＰＤ（Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス−(３−メチルフェニル)−１，１’ビフェニル−４，４’−ジアミン）、α−ＮＰＤ（Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス−(１−ナフチル)−１，１’ビフェニル−４，４’−ジアミン）、ｍ−ＭＴＤＡＴＡ（４，４’，４”−トリス（Ｎ−３−メチルフェニルアミノ）−トリフェニルアミン：４，４’，４”−Tris（Ｎ−３−methylphenyl−Ｎ−phenylamino）−triphenylamine）、２−ＴＮＡＴＡ（４，４’，４”−トリス（Ｎ，Ｎ−（２−ナフチル）フェニルアミノ）トリフェニルアミン）、ＴＣＴＡ（４，４’，４”−トリ（Ｎ−カルバゾル基）トリフェニルアミン：Tris−（４−carbazoyl−９−yl−phenyl）−amine）、ＴＤＡＰＢ（１，３，５−トリス−（Ｎ，Ｎ−ビス−（４−メトキシ−フェニル）−アミノフェニル）−ベンゼン：１，３，５−tris［４−（diphenylamino）phenyl］benzene）、スピローＴＡＤ、ＨＴＭ１（Tri−ｐ−tolylamineHTM２，１，１−bis［（di−４−tolylamino）phenyl］cyclohexane）、ＨＴＭ２（１，１−bis［（di−４−tolylamino）phenyl］cyclohexane）、ＴＰＴ１（１，３，５−tris（４−pyridyl）−２，４，６−triazin）、ＴＰＴＥ（Triphenylamine−tetramer）等の低分子正孔注入材料や、ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）等のポリチオフェン誘導体にドーパントとしてのポリスチレンスルホン酸（ＰＳＳ）を加えた混合物（ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ）や、ポリスチレン、ポリピロール、ポリアニリン、オリゴアニリン、ポリアセチレンやその誘導体等の高分子の正孔注入材料が挙げられ、これらのうちの１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。また、正孔注入層４Ｒ、４Ｇ、４Ｂの構成材料は、互いに同じであっても異なっていてもよいが、正孔注入層４Ｒ、４Ｇ、４Ｂの構成材料が互いに同じであることにより、低コストでかつ生産性よく、安定した特性を有する正孔注入層４Ｒ、４Ｇ、４Ｂを形成することができる。
【００５２】
このような正孔注入層４Ｒ、４Ｇ、４Ｂの厚さは、それぞれ、特に限定されないが、１０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下の範囲内にあることが好ましく、２０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の範囲内にあることがより好ましい。
【００５３】
（正孔輸送層）
正孔輸送層５Ｒ（第２正孔輸送層）は、陽極３Ｒから正孔注入層４Ｒを介して注入された正孔を発光機能層６Ｒまで輸送する機能を有する。同様に、正孔輸送層５Ｇ（第３正孔輸送層）は、陽極３Ｇから正孔注入層４Ｇを介して注入された正孔を発光機能層６Ｇまで輸送する機能を有する。
【００５４】
また、正孔輸送層５Ｒは、電子ブロック性を有し、電子が正孔注入層４Ｒに侵入することによる正孔注入層４Ｒの機能低下を防止する機能をも有する。同様に、正孔輸送層５Ｇは、電子ブロック性を有し、電子が正孔注入層４Gに侵入することによる正孔注入層４Gの機能低下を防止する機能をも有する。
【００５５】
正孔輸送層５Ｂ（第１正孔輸送層）および正孔輸送層７は、陽極３Ｂから正孔注入層４Ｂを介して注入された正孔を発光機能層６Ｂまで輸送する機能を有する。
【００５６】
また、正孔輸送層５Ｂ、７は、電子ブロック性を有し、電子が正孔注入層４Ｂに侵入することによる正孔注入層４Ｂの機能低下を防止する機能をも有する。
【００５７】
正孔輸送層５Ｒ、５Ｇ、５Ｂの構成材料としては、例えば、ＴＦＢ（poly(9,9-dioctyl-fluorene-co-N-(4- butylphenyl)-diphenylamine)）等のトリフェニルアミン系ポリマー等のアミン系化合物、ポリフルオレン誘導体（ＰＦ）やポリパラフェニレンビニレン誘導体（ＰＰＶ）、ポリパラフェニレン誘導体（ＰＰＰ）、ポリビニカルバゾール（ＰＶＫ）、ポリチオフェン誘導体、ポリメチルフェニルシラン（ＰＭＰＳ）を含むポリシラン系等の高分子の正孔輸送材料、また、ｍ−ＭＴＤＡＴＡ（４，４’，４”−トリス（Ｎ−３−メチルフェニルアミノ）−トリフェニルアミン）、ＴＣＴＡ（４，４’，４”−トリ（Ｎ−カルバゾル基）トリフェニルアミン）、α−ＮＰＤ（ビス（Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニル）ベンジジン）等の低分子の正孔輸送材料が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。また、正孔輸送層５Ｒ、５Ｇ、５Ｂ（第１正孔輸送層、第２正孔輸送層、第３正孔輸送層）の構成材料は、互いに同じであっても異なっていてもよいが、正孔輸送層５Ｒ、５Ｇ（第２正孔輸送層、第３正孔輸送層）の構成材料が互いに同じで、かつ、正孔輸送層５Ｂ（第１正孔輸送層）の構成材料が正孔輸送層５Ｒ、５Ｇと異なることにより、発光素子１Ｒ、１Ｇと発光素子１Ｂとの発光バランスを容易に調整することができる。
【００５８】
（発光機能層）
発光機能層６Ｒは、正孔輸送層５Ｒに接して設けられている。また、発光機能層６Ｇは、正孔輸送層５Ｇに接して設けられている。また、発光機能層６Ｂは、正孔輸送層７に接して設けられている。
【００５９】
発光機能層６Ｒ、６Ｇ、６Ｂは、それぞれ、発光材料を含んで構成されている。この発光材料としては、特に限定されず、各種蛍光材料、燐光材料を１種または２種以上組み合わせて用いることができ、発光機能層６Ｒは、発光材料として赤色蛍光材料または赤色燐光材料が用いられ、発光機能層６Ｇは、発光材料として緑色蛍光材料または緑色燐光材料が用いられ、発光機能層６Ｂは、発光材料として青色蛍光材料または青色燐光材料が用いられる。
【００６０】
赤色蛍光材料としては、赤色の蛍光を発するものであれば特に限定されず、例えば、ジインデノペリレン誘導体等のペリレン誘導体、ユーロピウム錯体、ベンゾピラン誘導体、ローダミン誘導体、ベンゾチオキサンテン誘導体、ポルフィリン誘導体、ナイルレッド、２−（１，１−ジメチルエチル）−６−（２−（２，３，６，７−テトラヒドロ−１，１，７，７−テトラメチル−１Ｈ，５Ｈ−ベンゾ（ｉｊ）キノリジン−９−イル）エテニル）−４Ｈ−ピラン−４Ｈ−イリデン）プロパンジニトリル（ＤＣＪＴＢ）、４−（ジシアノメチレン）−２−メチル−６−（ｐ−ジメチルアミノスチリル）−４Ｈ−ピラン（ＤＣＭ）、ＡＤＳ１１１ＲＥ（アメリカンダイソース社製）等を挙げられる。
【００６１】
赤色燐光材料としては、赤色の燐光を発するものであれば特に限定されず、例えば、Ｂｔ２Ｉｒ（ａｃａｃ）（Bis（２−phenylbenxothiozolato−Ｎ，Ｃ２’）Iridium（III）（acetylacetonate））、Ｂｔｐ２Ｉｒ（ａｃａｃ）（Bis（２，２’−benzothienyl）−pyridinato−Ｎ，Ｃ３）Iridium（acetylacetonate））などのイリジウム錯体、ＰｔＯＥＰ（２，３，７，８，１２，１３，１７，１８−Octaethyl−２１Ｈ，２３Ｈ−porphine，platinum（II））などの白金錯体等が挙げられる。
【００６２】
緑色蛍光材料としては、緑色の蛍光を発するものであれば特に限定されず、例えば、クマリン誘導体、キナクリドン誘導体等のキナクリドンおよびその誘導体、９，１０−ビス［（９−エチル−３−カルバゾール）−ビニレニル］−アントラセン、ポリ（９，９−ジヘキシル−２，７−ビニレンフルオレニレン）、ポリ［（９，９−ジオクチルフルオレン−２，７−ジイル）−コ−（１，４−ジフェニレン−ビニレン−２−メトキシ−５−｛２−エチルヘキシルオキシ｝ベンゼン）］、ポリ［（９，９−ジオクチル−２，７−ジビニレンフルオレニレン）−オルト−コ−（２−メトキシ−５−（２−エトキシルヘキシルオキシ）−１，４−フェニレン）］、ＡＤＳ１０９ＧＥ（アメリカンダイソース社製）等が挙げられる。
【００６３】
緑色燐光材料としては、緑色の燐光を発するものであれば特に限定されず、例えば、Ｉｒ（ｐｐｙ）３（Fac−tris（２−phenypyridine）iridium）、Ｐｐｙ２Ｉｒ（ａｃａｃ）（Bis（２−phenyl−pyridinato−Ｎ，Ｃ２）Iridium（acetylacetone））などのイリジウム錯体等が挙げられる。
【００６４】
青色蛍光材料としては、青色の蛍光を発するものであれば、特に限定されず、例えば、ジスチリルジアミン系化合物等のジスチリルアミン誘導体、フルオランテン誘導体、ピレン誘導体、ペリレンおよびペリレン誘導体、アントラセン誘導体、ベンゾオキサゾール誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、クリセン誘導体、フェナントレン誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、テトラフェニルブタジエン、４，４’−ビス（９−エチル−３−カルバゾビニレン）−１，１’−ビフェニル（ＢＣｚＶＢｉ）、ポリ［（９，９−ジオクチルフルオレン−２，７−ジイル）−コ−（２，５−ジメトキシベンゼン−１，４−ジイル）］、ポリ［（９，９−ジヘキシルオキシフルオレン−２，７−ジイル）−オルト−コ−（２−メトキシ−５−｛２−エトキシヘキシルオキシ｝フェニレン−１，４−ジイル）］、ポリ［（９，９−ジオクチルフルオレン−２，７−ジイル）−コ−（エチルニルベンゼン）］、ＡＤＳ１３６ＢＥ（アメリカンダイソース社製）等が挙げられる。
【００６５】
青色燐光材料としては、青色の燐光を発するものであれば、特に限定されず、例えば、ＦＩｒｐｉｃ（Iridium−bis（４，６−difluorophenyl−pyridinato−Ｎ，Ｃ２）−picolinate）、Ｉｒ（ｐｍｂ）３（Iridium−tris（１−phenyl−３−methylbenzimidazolin−２−ylidene−Ｃ，Ｃ（２）’）、ＦＩｒＮ４（Iridium （III）bis（４，６−difluorophenylpyridinato）（５−（pyridin−２−yl）−tetrazolate））、ＦＩｒｔａｚ（Iridium（III）bis（４，６−difluorophenylpyridinato）（５−（pyridine−２−yl）−１，２，４−triazolate））などのイリジウム錯体等が挙げられる。
【００６６】
また、発光機能層６Ｒ、６Ｇ、６Ｂ中には、前述した発光材料の他に、発光材料がゲスト材料として添加されるホスト材料が含まれていてもよい。このホスト材料は、正孔と電子とを再結合して励起子を生成するとともに、その励起子のエネルギーを発光材料に移動（フェルスター移動またはデクスター移動）させて、発光材料を励起する機能を有する。このようなホスト材料を用いる場合、例えば、ゲスト材料である発光材料をドーパントとしてホスト材料にドープして用いることができる。
【００６７】
このようなホスト材料としては、用いる発光材料に対して前述したような機能を発揮するものであれば、特に限定されないが、例えば、ＴＤＡＰＢ（１，３，５−トリス−（Ｎ，Ｎ−ビス−（４−メトキシ−フェニル）−アミノフェニル）−ベンゼン）、ＣＢＰ(４，４’−bis(９−dicarbazolyl)−２，２’−biphenyl）、ＢＡｌｑ（Bis−（２−methyl−８−quinolinolate）−４−（phenylphenolate）aluminium）、ｍＣＰ（Ｎ，Ｎ−dicarbazolyl−３，５−benzene：ＣＢＰ誘導体）、ＣＤＢＰ（４，４’−bis（９−carbazolyl）−２，２’−dimethyl−biphenyl）、ＤＣＢ（Ｎ，Ｎ’−Dicarbazolyl−１，４−dimethene−benzene）、Ｐ０６（２，７−bis（diphenylphosphineoxide）９，９−dimethylfluorene）、ＳｉｍＣＰ（３，５−bis（９−carbazolyl）tetraphenylsilane）、ＵＧＨ３（Ｗ−bis（triphenylsilyl）benzene）等の低分子のホスト材料が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることもできる。
【００６８】
発光機能層６Ｒ、６Ｇの構成材料は、前述した正孔輸送層５Ｒ、５Ｇの構成材料を溶解可能な溶媒に可溶であることが好ましい。これにより、同じ溶媒を用いて発光機能層６Ｒ、６Ｇおよび正孔輸送層５Ｒ、５Ｇを液相プロセスにより形成することができる。すなわち、発光機能層６Ｒ、６Ｇを液相プロセスにより形成する際、正孔輸送層５Ｒ、５Ｇを液相プロセスにより形成した際に用いた溶媒と同じ溶媒を用いることができる。その結果、発光機能層６Ｒ、６Ｇと正孔輸送層５Ｒ、５Ｇとの間の界面の密着性または親和性を高め、正孔輸送層５Ｒ、５Ｇから発光機能層６Ｒ、６Ｇへのキャリア（正孔）の輸送性を高めることができる。
【００６９】
また、発光機能層６Ｒ、６Ｇの構成材料は、低分子材料を主材料として構成されていることが好ましく、低分子のゲスト材料および低分子のホスト材料を主材料として構成されていることがより好ましい。これにより、発光機能層６Ｒ、６Ｇの発光効率を高めて、正孔輸送層７を設けることによる発光素子１Ｒ、１Ｇの発光効率の低下分を補うことができる。その結果、発光素子１Ｒ、１Ｇと発光素子１Ｂの発光バランスを優れたものとすることができる。このような観点から、発光機能層６Ｒ、６Ｇ中の低分子材料の含有量は、６０ｗｔ％以上であることが好ましく、８０ｗｔ％以上であることがより好ましく、９０ｗｔ％以上であることがさらに好ましい。
【００７０】
このような発光機能層６Ｒ、６Ｇ、６Ｂの厚さは、それぞれ、特に限定されないが、５ｎｍ以上１００ｎｍ以下の範囲内にあることが好ましく、１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下の範囲内にあることがより好ましい。
【００７１】
（電子輸送層）
電子輸送層８は、陰極１０から電子注入層９を介して注入された電子を発光機能層６Ｂに輸送する機能を有するものである。
【００７２】
電子輸送層８の構成材料（電子輸送材料）としては、例えば、ＢＡＬｑ、ＯＸＤ−１（１，３，５−トリ（５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール））、ＢＣＰ（Bathocuproine）、ＰＢＤ（２−（４−ビフェニル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−オキサジアゾール）、ＴＡＺ（３−（４−ビフェニル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール）、ＤＰＶＢｉ（４，４’−ビス（１，１−ビスージフェニルエテニル）ビフェニル）、ＢＮＤ（２，５−ビス（１−ナフチル）−１，３，４−オキサジアゾール）、ＤＴＶＢｉ（４，４’−ビス（１，１−ビス（４−メチルフェニル）エテニル）ビフェニル）、ＢＢＤ（２，５−ビス（４−ビフェニリル）−１，３，４−オキサジアゾール）、また、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ３）、オキサジアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、フェナンソロリン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、ベンゾキノン誘導体、ナフトキノン誘導体、アントラキノン誘導体、テトラシアノアンスラキノジメタン誘導体、フルオレン誘導体、ジフェニルジシアノエチレン誘導体、ジフェノキノン誘導体、ヒドロキシキノリン誘導体等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００７３】
電子輸送層８の厚さは、特に限定されないが、１ｎｍ以上１００ｎｍ以下の範囲内にあることが好ましく、５ｎｍ以上５０ｎｍ以下の範囲内にあることがより好ましい。
【００７４】
なお、この電子輸送層８は、他の層の構成材料や厚さ等によっては、省略することができる。
【００７５】
（電子注入層）
電子注入層９は、陰極１０からの電子注入効率を向上させる機能を有するものである。
【００７６】
この電子注入層９の構成材料（電子注入材料）としては、例えば、各種の無機絶縁材料、各種の無機半導体材料が挙げられる。
【００７７】
このような無機絶縁材料としては、例えば、アルカリ金属カルコゲナイド（酸化物、硫化物、セレン化物、テルル化物）、アルカリ土類金属カルコゲナイド、アルカリ金属のハロゲン化物およびアルカリ土類金属のハロゲン化物等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これらを主材料として電子注入層を構成することにより、電子注入性をより向上させることができる。特にアルカリ金属化合物（アルカリ金属カルコゲナイド、アルカリ金属のハロゲン化物等）は仕事関数が非常に小さく、これを用いて電子注入層９を構成することにより、発光素子１は、高い輝度が得られるものとなる。
【００７８】
アルカリ金属カルコゲナイドとしては、例えば、Ｌｉ２Ｏ、ＬｉＯ、Ｎａ２Ｓ、Ｎａ２Ｓｅ、ＮａＯ等が挙げられる。アルカリ土類金属カルコゲナイドとしては、例えば、ＣａＯ、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＢｅＯ、ＢａＳ、ＭｇＯ、ＣａＳｅ等が挙げられる。アルカリ金属のハロゲン化物としては、例えば、ＣｓＦ、ＬｉＦ、ＮａＦ、ＫＦ、ＬｉＣｌ、ＫＣｌ、ＮａＣｌ等が挙げられる。アルカリ土類金属のハロゲン化物としては、例えば、ＣａＦ２、ＢａＦ２、ＳｒＦ２、ＭｇＦ２、ＢｅＦ２等が挙げられる。
【００７９】
また、無機半導体材料としては、例えば、Ｌｉ、Ｎａ、Ｂａ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｙｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｃｄ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｔａ、ＳｂおよびＺｎのうちの少なくとも１つの元素を含む酸化物、窒化物または酸化窒化物等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００８０】
電子注入層９の厚さは、特に限定されないが、０．０１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の範囲内にあることが好ましく、０．１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の範囲内にあることがより好ましい。
【００８１】
なお、この電子注入層９は、他の層の構成材料や厚さ等によっては、省略することができる。
【００８２】
（陰極）
陰極１０は、電子注入層９を介して電子輸送層８に電子を注入する電極である。この陰極１０の構成材料としては、仕事関数の小さい材料を用いるのが好ましい。
【００８３】
陰極１０の構成材料としては、例えば、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｅｒ、Ｅｕ、Ｓｃ、Ｙ、Ｙｂ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｃｓ、Ｒｂまたはこれらを含む合金等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて（例えば、複数層の積層体等）用いることができる。
【００８４】
特に、陰極１０の構成材料として合金を用いる場合には、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｕ等の安定な金属元素を含む合金、具体的には、ＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ、ＣｕＬｉ等の合金を用いるのが好ましい。かかる合金を陰極１０の構成材料として用いることにより、陰極１０の電子注入効率および安定性の向上を図ることができる。
【００８５】
また、本実施形態の発光素子１は、ボトムエミッション型であるため、陰極１０は、光透過性を有していなくてもよい。ボトムエミッション型である場合、陰極１０の構成材料としては、例えば、Ａｌ、Ａｇ、ＡｌＡｇ、ＡｌＮｄ等の金属または合金が好ましく用いられる。このような金属または合金を陰極１０の構成材料として用いることにより、陰極１０の電子注入効率および安定性の向上を図ることができる。
【００８６】
ボトムエミッション型である場合の陰極１０の厚さは、特に限定されないが、５０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下の範囲内にあることが好ましく、１００ｎｍ以上５００ｎｍ以下の範囲内にあることがより好ましい。
【００８７】
なお、発光素子１がトップエミッション型である場合、陰極１０の構成材料としては、ＭｇＡｇ、ＭｇＡｌ、ＭｇＡｕ、ＡｌＡｇ等の金属または合金を用いるのが好ましい。このような金属または合金を陰極１０の構成材料として用いることにより、陰極１０の光透過性を確保しつつ、陰極１０の電子注入効率および安定性の向上を図ることができる。
【００８８】
トップエミッション型である場合における陰極１０の厚さは、特に限定されないが、１ｎｍ以上５０ｎｍ以下の範囲内にあることが好ましく、５ｎｍ以上２０ｎｍ以下の範囲内にあることがより好ましい。
【００８９】
以上説明したように構成された発光装置１００によれば、後に詳述するように、液相プロセスを用いて正孔注入層４Ｒ、４Ｇ、４Ｂ、正孔輸送層５Ｒ、５Ｇ、５Ｂおよび発光機能層６Ｒ、６Ｇをそれぞれ素子ごとに個別に形成するとともに、気相プロセスを用いて正孔輸送層７および発光機能層６Ｂをそれぞれ発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂに共通に形成することができる。そのため、発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂを効率的に製造することができる。
【００９０】
特に、後に詳述するように、正孔注入層４Ｒ、４Ｇ、４Ｂ、正孔輸送層５Ｒ、５Ｇ、５Ｂおよび発光機能層６Ｒ、６Ｇのうちの少なくとも１層を本発明の機能層形成用インクを用いて形成する。このように本発明の機能層形成用インクを用いて形成された機能層を備える発光素子によれば、優れた発光特性を発揮することができる。
【００９１】
（発光装置の製造方法）
以下、本発明の発光素子の製造方法について、前述した発光装置１００を製造する場合に例に説明する。なお、以下では、主に、発光機能層６Ｒ、６Ｇを本発明の機能層形成用インクを用いて形成する場合を例に説明するが、正孔注入層４Ｒ、４Ｇ、４Ｂおよび正孔輸送層５Ｒ、５Ｇ、５Ｂについても、同様に、本発明の機能層形成用インクを用いて形成することができる。
【００９２】
図２〜図４は、図１に示す発光装置の製造方法を説明するための図である。以下、各工程を順次説明する。
【００９３】
［１］
まず、回路基板２０を用意し、図２（ａ）に示すように、この回路基板２０上に陽極３Ｒ、３Ｇ、３Ｂを形成した後、隔壁３１を形成する。
【００９４】
陽極３Ｒ、３Ｇ、３Ｂは、例えば、回路基板２０上に、蒸着法、ＣＶＤ法等の気相成膜法を用いて電極材料を成膜した後、これをエッチング等を用いてパターニングすることにより得られる。
【００９５】
また、隔壁３１は、陽極３Ｒ、３Ｇ、３Ｂが露出するようにフォトリソグラフィー法等を用いてパターニングすること等により形成することができる。
【００９６】
ここで、隔壁３１の構成材料は、耐熱性、撥液性、インク溶剤耐性、回路基板２０等との密着性等を考慮して選択される。具体的には、隔壁３１の構成材料としては、例えば、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、エポキシ系樹脂のような有機材料や、ＳｉＯ２のような無機材料が挙げられる。また、隔壁３１の構成材料によっては、撥液性を有する隔壁３１（撥液バンク）を実現することができる。
【００９７】
また、陽極３Ｒ、３Ｇ、３Ｂおよび隔壁３１の形成後、必要に応じて、陽極３Ｒ、３Ｇ、３Ｂおよび隔壁３１の表面に酸素プラズマ処理を施してもよい。これにより、陽極３Ｒ、３Ｇ、３Ｂの表面に親液性を付与すること、陽極３Ｒ、３Ｇ、３Ｂおよび隔壁３１の表面に付着する有機物を除去（洗浄）すること、陽極３Ｒ、３Ｇ、３Ｂの表面付近の仕事関数を調整すること等を行うことができる。
【００９８】
ここで、酸素プラズマ処理の条件としては、例えば、プラズマパワー１００〜８００Ｗ程度、酸素ガス流量５０〜１００ｍＬ／ｍｉｎ程度、被処理部材（陽極３Ｒ、３Ｇ、３Ｂ）の搬送速度０．５〜１０ｍｍ／ｓｅｃ程度、回路基板２０の温度７０〜９０℃程度とするのが好ましい。
【００９９】
また、この酸素プラズマ処理の後、ＣＦ４等のフッ素系ガスを処理ガスとしてプラズマ処理するのが好ましい。これにより、有機材料である感光性樹脂からなる隔壁３１の表面のみにフッ素系ガスが反応して撥液化される。これによって、隔壁３１内に付与される液体が不本意に濡れ拡がるのを低減することができる。なお、隔壁３１の構成材料により撥液性を有する隔壁３１を用いる場合、上記プラズマ処理を省略することができる。
【０１００】
［２］
次に、図２（ｂ）に示すように、インクジェットヘッド２００から正孔注入層形成用のインク４ａを隔壁３１内の陽極３Ｒ、３Ｇ、３Ｂ上にそれぞれ付与する。
【０１０１】
インク４ａは、正孔注入層４Ｒ、４Ｇ、４Ｂの構成材料またはその前駆体を溶媒に溶解または分散媒に分散させてなるものである。溶媒または分散媒としては、例えば、各種無機溶媒や、各種有機溶媒、または、これらを含む混合溶媒等が挙げられる。
【０１０２】
ここで、インク４ａは、成膜材料（正孔注入層４Ｒ、４Ｇ、４Ｂの構成材料またはその前駆体）として低分子材料を用いる場合、後述するインク６ａ、６ｂと同様に、分子量の大きい添加材料を添加することにより、成膜性を優れたものとすることができる。すなわち、本発明の機能層形成用インクを用いて形成される機能層が正孔注入層４Ｒ、４Ｇ、４Ｂであることにより、優れた正孔注入性を有する正孔注入層４Ｒ、４Ｇ、４Ｂを得ることができる。
【０１０３】
その後、陽極３上のインク４ａを乾燥（脱溶媒または脱分散媒）し、必要に応じて加熱処理することにより、図２（ｃ）に示すように、正孔注入層４Ｒ、４Ｇ、４Ｂを形成する。
【０１０４】
乾燥は、例えば、大気圧または減圧雰囲気中での放置、加熱処理、不活性ガスの吹付け等により行うことができるが、５Ｐａ以下の真空状態で１０分間〜１時間程度減圧乾燥を行った後に、大気圧のオーブン内またはホットプレートにて１００℃〜２５０℃で５分間〜３０分間程度加熱乾燥することが好ましい。これにより、平坦で優れた特性を有する正孔注入層４Ｒ、４Ｇ、４Ｂを形成することができる。
【０１０５】
以上のように、インク４ａを用いた液相プロセスにより、正孔注入層４Ｒ、４Ｇ、４Ｂ
が形成される。
【０１０６】
［３］
次に、図２（ｄ）に示すように、インクジェットヘッド２００から正孔輸送層形成用のインク５ａを隔壁３１内の正孔注入層４Ｒ、４Ｇ上にそれぞれ付与する。
【０１０７】
インク５ａは、正孔輸送層５Ｒ、５Ｇの構成材料またはその前駆体を溶媒に溶解または分散媒に分散させてなるものである。溶媒または分散媒としては、例えば、各種無機溶媒や、各種有機溶媒、または、これらを含む混合溶媒等が挙げられる。
【０１０８】
ここで、インク５ａは、成膜材料（正孔輸送層５Ｒ、５Ｇの構成材料またはその前駆体）として低分子材料を用いる場合、後述するインク６ａ、６ｂと同様に、分子量の大きい添加材料を添加することにより、成膜性を優れたものとすることができる。すなわち、本発明の機能層形成用インクを用いて形成される機能層が正孔輸送層５Ｒ、５Ｇであることにより、優れた正孔輸送性を有する正孔輸送層５Ｒ、５Ｇを得ることができる。
【０１０９】
その後、正孔注入層４Ｒ、４Ｇ上のインク５ａを乾燥（脱溶媒または脱分散媒）し、必要に応じて加熱処理することにより、図３（ａ）に示すように、正孔輸送層５Ｒ、５Ｇを形成する。
【０１１０】
乾燥は、例えば、大気圧または減圧雰囲気中での放置、加熱処理、不活性ガスの吹付け等により行うことができるが、５Ｐａ以下の真空状態で１０分間〜１時間程度減圧乾燥を行った後に、窒素雰囲気のオーブン内またはホットプレートにて１００℃〜２５０℃で５分間〜３０分間程度加熱乾燥することが好ましい。これにより、平坦で優れた特性を有する正孔輸送層５Ｒ、５Ｇを形成することができる。
【０１１１】
以上のように、インク５ａを用いた液相プロセスにより、正孔輸送層５Ｒ、５Ｇが形成される。
【０１１２】
［４］
次に、図３（ｂ）に示すように、インクジェットヘッド２００から発光機能層形成用のインク６ａ、６ｂ（機能層形成用インク）を隔壁３１内の正孔輸送層５Ｒ、５Ｇ上（陽極３（電極）上に積層された層）にそれぞれ付与する。
【０１１３】
インク６ａは、発光機能層６Ｒの構成材料またはその前駆体を溶媒に溶解または分散媒に分散させてなるものである。また、インク６ｂは、発光機能層６Ｇの構成材料またはその前駆体を溶媒に溶解または分散媒に分散させてなるものである。溶媒または分散媒としては、例えば、各種無機溶媒や、各種有機溶媒、または、これらを含む混合溶媒等が挙げられる。
【０１１４】
このインク６ａ、６ｂは、それぞれ、成膜材料（発光機能層６Ｒ、６Ｇの構成材料またはその前駆体）として低分子材料を用い、重量平均分子量の大きい添加材料が添加されており、成膜材料および添加材料が液性媒体（溶媒または分散媒）に溶解または分散している。
【０１１５】
特に、インク６ａ、６ｂは、添加材料の重量平均分子量をＭとし、成膜材料に対する添加材料の添加率をＲとしたとき、Ｍ×Ｒが９５００以上である。低分子材料は、高分子材料に比べて、分子構造上の欠陥が少なく、また、純度を容易に高めることができるという利点がある。したがって、このような低分子材料を成膜材料として用いることにより、得られる機能層である発光機能層６Ｒ、６Ｇに必要な成膜材料の特性（例えば発光特性）を優れたものとすることができる。なお、本明細書において、低分子材料とは、重量平均分子量が１０００以下である化合物をいう。
【０１１６】
一方で、一般に、低分子材料は、液相プロセスで成膜した際、高分子材料に比べて成膜性が劣るという欠点がある。そこで、インク６ａ、６ｂでは、前述したように、成膜材料よりも重量平均分子量の大きい添加材料を添加することにより、前述したような成膜材料として低分子材料を用いる利点を生かしながらも、インク６ａ、６ｂの溶質または分散媒の高分子量化により優れた成膜性を実現している。特に、添加材料の重量平均分子量Ｍと、成膜材料に対する添加材料の添加率Ｒとの積であるＭ×Ｒを９５００以上とすることにより、優れた成膜性を実現することができる。このように、成膜材料が低分子材料であっても、成膜材料よりも分子量が大きい添加材料を用いることで、液相プロセスでの成膜性を向上させ、得られる発光機能層６Ｒ、６Ｇの膜厚の均一化を図ることができる。このようなことから、得られる発光機能層６Ｒ、６Ｇの特性を優れたものとすることができる。
【０１１７】
また、添加材料の重量平均分子量Ｍと、成膜材料に対する添加材料の添加率Ｒとの積であるＭ×Ｒは、９５００以上１０００００以下であることが好ましく、９５００以上６００００以下であることがより好ましい。これにより、低分子材料である成膜材料の特性と添加材料による成膜性とのバランスを優れたものとすることができる。これに対し、Ｍ×Ｒが小さすぎると、添加材料による成膜性の向上効果が少なくなる傾向を示す。一方、Ｍ×Ｒが大きすぎると、添加材料の添加率が過度に多くなって、添加材料の種類によっては、添加材料が成膜材料の特性に悪影響を及ぼす場合がある。
【０１１８】
また、添加材料の重量平均分子量Ｍは、１００１以上３０００００以下であることが好ましく、５０００以上３０００００以下であることがより好ましく、１００００以上２０００００以下であることがさらに好ましい。これにより、液相プロセスでの成膜性を向上させることができる。これに対し、添加材料の重量平均分子量Ｍが小さすぎると、添加材料を添加することによる成膜性を向上させる効果が小さくなったり、過度に添加材料を添加しなければならず、添加材料の種類によっては、成膜材料を低分子材料とすることによる効果が小さくなったりする傾向を示す。一方、添加材料の重量平均分子量Ｍが大きすぎると、発光素子に使用可能な添加材料の選定が難しい。
【０１１９】
また、添加材料の添加率Ｒは、０．１ｗｔ％以上５０ｗｔ％以下であることが好ましく、１ｗｔ％以上５０ｗｔ％以下であることがより好ましく、１ｗｔ％以上１０ｗｔ％以下であることがさらに好ましい。これにより、液相プロセスでの成膜性を向上させることができる。これに対し、添加材料の添加率Ｒが小さすぎると、添加材料の種類によっては添加材料をインク６ａ、６ｂに均一に溶解または分散させることが難しい。一方、添加材料の添加率Ｒが大きすぎると、添加材料が成膜材料の特性を低下させる傾向を示す。
【０１２０】
インク６ａ、６ｂに用いる具体的な成膜材料としては、前述した発光機能層６Ｒ、６Ｇの構成材料のうちの低分子材料を用いることができ、１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。ここで、発光機能層６Ｒ、６Ｇを発光材料のみで構成する場合、成膜材料は、発光材料またはその前駆体で構成され、発光機能層６Ｒ、６Ｇを発光材料（ゲスト材料）およびホスト材料で構成する場合、成膜材料は、発光材料またはその前駆体とホスト材料またはその前駆体との混合物で構成される。
【０１２１】
また、インク６ａ、６ｂ中における成膜材料の含有量は、得られる発光機能層６Ｒ、６Ｇの膜厚、インクジェットヘッドでの吐出性等を考慮して適宜決められるものであり、特に限定されない。
【０１２２】
また、インク６ａ、６ｂに用いる具体的な添加材料としては、成膜材料よりも重量平均分子量が大きく、かつ、液性媒体に溶解または分散し得るものであれば、特に限定されず、各種有機材料（高分子材料）を用いることができるが、得られる機能層である発光機能層６Ｒ、６Ｇの特性をできるだけ阻害しないもの（例えば、正孔輸送性を有するもの）を用いることが好ましく、具体的には、前述した正孔注入層４Ｒ、４Ｇ、４Ｂや正孔輸送層５Ｒ、５Ｇ、５Ｂの構成材料（すなわち正孔注入性材料や正孔輸送性材料）のうち、成膜材料よりも重量平均分子量が大きいものを用いることが好ましい。添加材料が正孔注入性材料や正孔輸送性材料であることにより、得られる発光機能層６Ｒ、６Ｇの特性に添加材料が与える影響を少なくすることができる。
【０１２３】
また、インク６ａ、６ｂに用いる液性媒体としては、成膜材料および添加材料を溶解または分散し得るものであれば、特に限定されず、各種溶媒または各種分散媒を用いることができる。
【０１２４】
以上説明したようなインク６ａ、６ｂを正孔輸送層５Ｒ、５Ｇ上に付与した後、正孔輸送層５Ｒ、５Ｇ上のインク６ａ、６ｂを乾燥（脱溶媒または脱分散媒）し、必要に応じて加熱処理することにより、図３（ｃ）に示すように、発光機能層６Ｒ、６Ｇを形成する。
【０１２５】
乾燥は、例えば、大気圧または減圧雰囲気中での放置、加熱処理、不活性ガスの吹付け等により行うことができるが、５Ｐａ以下の真空状態で１０分間〜１時間程度減圧乾燥を行った後に、窒素雰囲気のオーブン内またはホットプレートにて１００℃〜２５０℃で５分間〜３０分間程度加熱乾燥することが好ましい。これにより、平坦で優れた特性を有する発光機能層６Ｒ、６Ｇを形成することができる。
【０１２６】
以上のように、インク６ａ、６ｂを用いた液相プロセスにより、優れた発光特性を有する発光機能層６Ｒ、６Ｇを得ることができる。特に、発光機能層６Ｒ、６Ｇに必要な成膜材料の特性を優れたものとするとともに、得られる発光機能層６Ｒ、６Ｇの膜厚の均一化を図ることができるため、得られる発光素子１Ｒ、１Ｇの発光特性を優れたものとすることができる。
【０１２７】
［５］
次に、図３（ｄ）に示すように、インクジェットヘッド２００から正孔輸送層形成用のインク５ｂを隔壁３１内の正孔注入層４Ｂ上に付与する。
【０１２８】
インク５ｂは、正孔輸送層５Ｂの構成材料またはその前駆体を溶媒に溶解または分散媒に分散させてなるものである。溶媒または分散媒としては、例えば、各種無機溶媒や、各種有機溶媒、または、これらを含む混合溶媒等が挙げられる。
【０１２９】
ここで、インク５ｂは、成膜材料（正孔輸送層５Ｂの構成材料またはその前駆体）として低分子材料を用いる場合、前述したインク６ａ、６ｂと同様に、分子量の大きい添加材料を添加することにより、成膜性を優れたものとすることができる。すなわち、本発明の機能層形成用インクを用いて形成される機能層が正孔輸送層５Ｂであることにより、優れた正孔輸送性を有する正孔輸送層５Ｂを得ることができる。
【０１３０】
その後、正孔注入層４Ｂ上のインク５ｂを乾燥（脱溶媒または脱分散媒）し、必要に応じて加熱処理することにより、図４（ａ）に示すように、正孔輸送層５Ｂを形成する。
【０１３１】
乾燥は、例えば、大気圧または減圧雰囲気中での放置、加熱処理、不活性ガスの吹付け等により行うことができるが、５Ｐａ以下の真空状態で１０分間〜１時間程度減圧乾燥を行った後に、窒素雰囲気のオーブン内またはホットプレートにて１００℃〜２５０℃で５分間〜３０分間程度加熱乾燥することが好ましい。これにより、平坦で優れた特性を有する正孔輸送層５Ｂを形成することができる。
【０１３２】
以上のように、インク５ｂを用いた液相プロセスにより、正孔輸送層５Ｂが形成される。
【０１３３】
［６］
次に、発光機能層６Ｒ、６Ｇおよび正孔輸送層５Ｂ上に、隔壁３１を跨ってこれらを覆うようにして、正孔輸送層７、発光機能層６Ｂ、電子輸送層８、電子注入層９および陰極１０をこの順で形成する。
【０１３４】
正孔輸送層７、発光機能層６Ｂ、電子輸送層８、電子注入層９および陰極１０は、それぞれ、例えば、真空蒸着等の乾式メッキ法等を用いた気相プロセスにより形成することができる。
【０１３５】
［７］
最後に、図４（ｃ）に示すように、陰極１０を樹脂層３２（封止層）を介して封止基板４０を接着する。これにより、発光装置１００が得られる。
【０１３６】
以上説明したように、液相プロセスを用いて正孔輸送層５Ｒ、５Ｇ、５Ｂおよび発光機能層６Ｒ、６Ｇをそれぞれ素子ごとに個別に形成するとともに、気相プロセスを用いて正孔輸送層７および発光機能層６Ｂをそれぞれ発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂに共通に形成し、発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂを効率的に製造することができる。
【０１３７】
特に、正孔注入層４Ｒ、４Ｇ、４Ｂ、正孔輸送層５Ｒ、５Ｇ、５Ｂおよび発光機能層６Ｒ、６Ｇのうちの少なくとも１層の機能層を形成する際に、成膜材料として低分子材料を用いるとともに、成膜材料よりも高分子量の添加材料を最適化した添加率で添加した機能層形成用インクを用いることにより、機能層に必要な成膜材料の特性を優れたものとするとともに、得られる機能層の膜厚の均一化を図ることができるため、得られる発光素子の発光特性を優れたものとすることができる。
【０１３８】
（電子機器）
図５は、本発明の電子機器の一例であるモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
【０１３９】
この図において、パーソナルコンピュータ１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、表示部を備える表示ユニット１１０６とにより構成され、表示ユニット１１０６は、本体部１１０４に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。
【０１４０】
このパーソナルコンピュータ１１００において、表示ユニット１１０６が備える表示部が前述の発光装置１００で構成されている。
【０１４１】
図６は、本発明の電子機器の一例である携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。
【０１４２】
この図において、携帯電話機１２００は、複数の操作ボタン１２０２、受話口１２０４および送話口１２０６とともに、表示部を備えている。
携帯電話機１２００において、この表示部が前述の発光装置１００で構成されている。
【０１４３】
図７は、本発明の電子機器の一例であるディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。なお、この図には、外部機器との接続についても簡易的に示されている。
【０１４４】
ここで、通常のカメラは、被写体の光像により銀塩写真フィルムを感光するのに対し、ディジタルスチルカメラ１３００は、被写体の光像をＣＣＤ（Charge Coupled Device）などの撮像素子により光電変換して撮像信号（画像信号）を生成する。
【０１４５】
ディジタルスチルカメラ１３００におけるケース（ボディー）１３０２の背面には、表示部が設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、被写体を電子画像として表示するファインダとして機能する。
【０１４６】
ディジタルスチルカメラ１３００において、この表示部が前述の発光装置１００で構成されている。
【０１４７】
ケースの内部には、回路基板１３０８が設置されている。この回路基板１３０８は、撮像信号を格納（記憶）し得るメモリが設置されている。
【０１４８】
また、ケース１３０２の正面側（図示の構成では裏面側）には、光学レンズ（撮像光学系）やＣＣＤなどを含む受光ユニット１３０４が設けられている。
【０１４９】
撮影者が表示部に表示された被写体像を確認し、シャッタボタン１３０６を押下すると、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、回路基板１３０８のメモリに転送・格納される。
【０１５０】
また、このディジタルスチルカメラ１３００においては、ケース１３０２の側面に、ビデオ信号出力端子１３１２と、データ通信用の入出力端子１３１４とが設けられている。そして、図示のように、ビデオ信号出力端子１３１２にはテレビモニタ１４３０が、デ−タ通信用の入出力端子１３１４にはパーソナルコンピュータ１４４０が、それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所定の操作により、回路基板１３０８のメモリに格納された撮像信号が、テレビモニタ１４３０や、パーソナルコンピュータ１４４０に出力される構成になっている。
このような本発明の電子機器は、優れた信頼性を有する。
【０１５１】
なお、本発明の電子機器は、図５のパーソナルコンピュータ（モバイル型パーソナルコンピュータ）、図６の携帯電話機、図７のディジタルスチルカメラの他にも、例えば、スマートフォン、タブレット端末、時計、テレビや、ビデオカメラ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、ラップトップ型パーソナルコンピュータ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニタ、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器（例えば金融機関のキャッシュディスペンサー、自動券売機）、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電表示装置、超音波診断装置、内視鏡用表示装置）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシミュレータ、その他各種モニタ類、プロジェクター等の投射型表示装置等に適用することができる。
【０１５２】
以上、本発明の機能層形成用インク、発光素子の製造方法、発光素子、発光装置および電子機器を、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものでない。
【０１５３】
例えば、本発明の発光素子および発光装置は、前述した実施形態のものに限定されず、有機材料で構成された機能層を有する各種発光素子および各種発光装置に適用可能である。すなわち、本発明の機能層形成用インクは、各種発光素子が有する有機材料で構成された各種機能層に適用可能である。
【実施例】
【０１５４】
次に、本発明の具体的な実施例について説明する。
１．発光素子の製造
（実施例１）
＜１＞  まず、厚さ０．５ｍｍの透明なガラス基板を用意した。次に、この基板上に、スパッタ法により、ＲＧＢ画素のそれぞれの画素電極として厚さ１００ｎｍのＩＴＯ電極（第１陽極、第２陽極および第３陽極）を形成した。その後、アクリル系樹脂で構成される絶縁層を形成した後、この絶縁層をフォトリソグラフィー法を用いて各ＩＴＯ電極を露出するようにパターニングすることで隔壁（撥液性を有するバンク）を形成した。
そして、基板をアセトン、２−プロパノールの順に浸漬し、超音波洗浄した。
【０１５５】
＜２＞  次に、正孔注入層形成用インクを、ＲＧＢ画素のそれぞれの隔壁内にインクジェット法により充填してＩＴＯ電極上付与した後に、これを減圧乾燥した後に加熱処理（焼成）することにより、厚さ５０ｎｍの正孔注入層を形成した。
【０１５６】
ここで、正孔注入層形成用インクとして、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳの０．５ｗｔ％水分散液を用いた。また、正孔注入層形成用インクの付与量は、Ｒ、Ｇ、Ｂのいずれの画素も、４０ショット（１０ｎｇ／１ショット）であった。また、焼成は、大気圧下で行い、焼成温度を２００℃とし、焼成時間を３０分間とした。
【０１５７】
＜３＞  次に、正孔輸送層形成用インクを、ＲＧ画素のそれぞれの隔壁内にインクジェット法により充填して正孔注入層上に付与した後に、これを減圧乾燥した後に加熱処理（焼成）することにより、厚さ２０ｎｍの正孔輸送層（第２、３正孔輸送層）を形成した。
【０１５８】
ここで、正孔輸送層形成用インクとして、ＴＦＢ（poly(9,9-dioctyl-fluorene-co-N-(4- butylphenyl)-diphenylamine)）を１．５ｗｔ％含んだ３−フェノキシトルエン溶液を用いた。また、正孔輸送層形成用インクの付与量は、Ｒ、Ｇのいずれの画素も、３６ショット（１０ｎｇ／１ショット）であった。また、焼成は、窒素で満たされたグローブボックス内で行い、焼成温度を２００℃とし、焼成時間を３０分間とした。
【０１５９】
＜４＞  次に、発光機能層形成用インクを、ＲＧ画素のそれぞれの隔壁内にインクジェット法により充填して正孔輸送層上に付与するとともに、正孔輸送層形成用インクを、Ｂ画素の隔壁内にインクジェット法により充填して正孔注入層上に付与した後に、これを減圧乾燥した後に加熱処理（焼成）することにより、厚さ２０ｎｍの発光機能層（第１、第３発光機能層）および厚さ２０ｎｍの正孔輸送層（第１正孔輸送層）を形成した。
【０１６０】
ここで、Ｇ画素用の発光機能層形成用インクは、成膜材料としてＣＢＰ（４，４’−ビス（９−ジカルバゾイル）−２，２’−ビフェニル）、Ｉｒ（ｐｐｙ）３（Ｆａｃ−トリス（２−フェニルピリジン）イリジウム）を重量比９０：１０で混合したもの、添加材料としてポリフェニレンビニレン（重量平均分子量Ｍ：１０００００）、液性媒体（溶媒）とし３−フェノキシトルエン溶液（濃度１．２ｗｔ％）を用いた。また、Ｒ画素の発光機能層形成用インクとして、ＣＢＰ（４，４’−ビス（９−ジカルバゾイル）−２，２’−ビフェニル）、Ｂｔ２Ｉｒ（ａｃａｃ）（Bis（２−phenylbenxothiozolato−Ｎ，Ｃ２’）Iridium（III）（acetylacetonate））を重量比９０：１０で混合した３−フェノキシトルエン溶液（濃度１．２ｗｔ％）を用いた。また、添加材料の添加率Ｒは、添加材料の重量平均分子量Ｍと添加率Ｒの積Ｍ×Ｒが４６５００となるように調整した（すなわち添加率Ｒを４．６５％とした）。また、発光機能層形成用インクの付与量は、Ｒ画素について２０ショット（１０ｎｇ／１ショット）、Ｇ画素について２０ショット（１０ｎｇ／１ショット）であった。正孔輸送層形成用インクとして、低分子の正孔輸送材料であるα−ＮＰＤを０．３ｗｔ％の濃度で含有する３−フェノキシトルエン溶液を用いた。また、正孔輸送層形成用インクの付与量は、４０ショット（１０ｎｇ／１ショット）であった。また、乾燥は、５Ｐａ以下の真空度で１０分間減圧乾燥することにより行った。また、焼成は、窒素で満たされたグローブボックス内で行い、焼成温度を１３０℃とし、焼成時間を１０分間とした。
【０１６１】
＜５＞  次に、蒸着により発光機能層形成用材料を、ＲＧＢの画素に跨って成膜することにより、厚さ２０ｎｍの発光機能層（第２発光機能層）を形成した。
【０１６２】
ここで、発光機能層形成用材料は、ＣＢＰ（４，４’−ビス（９−ジカルバゾイル）−２，２’−ビフェニル）９０質量部に、ＦＩｒｐｉｃを１０質量部ドープしたものである。
【０１６３】
＜６＞  次に、第２発光機能層上に、Ａｌｑ３を真空蒸着法により成膜し、厚さ２０ｎｍの電子輸送層を形成した。
【０１６４】
＜７＞  次に、電子輸送層上に、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を真空蒸着法により成膜し、厚さ１ｎｍの電子注入層を形成した。
【０１６５】
＜８＞  次に、電子注入層上に、Ａｌを真空蒸着法により成膜した。これにより、Ａｌで構成される厚さ２００ｎｍの陰極を形成した。
以上の工程により、ＲＧＢ画素（第１〜３発光素子）を有する発光装置を製造した。
【０１６６】
（実施例２）
Ｍ×Ｒが５０５００となるように添加材料を調整した発光機能層形成用インク用いてＲＧ画素の発光機能層を形成した以外は、前述した実施例１と同様にして発光装置を製造した。
【０１６７】
（実施例３）
Ｍ×Ｒが２７７５０となるように添加材料を調整した発光機能層形成用インク用いてＲＧ画素の発光機能層を形成した以外は、前述した実施例１と同様にして発光装置を製造した。
【０１６８】
（実施例４）
Ｍ×Ｒが１３０００となるように添加材料を調整した発光機能層形成用インク用いてＲＧ画素の発光機能層を形成した以外は、前述した実施例１と同様にして発光装置を製造した。
【０１６９】
（比較例１）
添加材料の添加を省略した発光機能層形成用インク用いてＲＧ画素の発光機能層を形成した以外は、前述した実施例１と同様にして発光装置を製造した。
【０１７０】
（比較例２）
Ｍ×Ｒが５０００となるように添加材料を調整した発光機能層形成用インク用いてＲＧ画素の発光機能層を形成した以外は、前述した実施例１と同様にして発光装置を製造した。
【０１７１】
（比較例３）
Ｍ×Ｒが３０００となるように添加材料を調整した発光機能層形成用インク用いてＲＧ画素の発光機能層を形成した以外は、前述した実施例１と同様にして発光装置を製造した。
【０１７２】
（比較例４）
Ｍ×Ｒが９０００となるように添加材料を調整した発光機能層形成用インク用いてＲＧ画素の発光機能層を形成した以外は、前述した実施例１と同様にして発光装置を製造した。
【０１７３】
（比較例５）
Ｍ×Ｒが７０００となるように添加材料を調整した発光機能層形成用インク用いてＲＧ画素の発光機能層を形成した以外は、前述した実施例１と同様にして発光装置を製造した。
【０１７４】
２．評価
前述したように製造した各実施例および各比較例の発光装置について、形成した発光機能層の膜形状を以下の基準に従い評価した。
【０１７５】
○：添加材料の添加による膜形状の改善が見られた（膜厚が均一化された）。
×：添加材料の添加による膜形状の改善が見られなかった。
【０１７６】
かかる評価結果を表１に示す。なお、表１において、ＥＭＬは発光機能層の構成材料、ＨＩＬは正孔注入層の構成材料、ＨＴＬは正孔輸送層の構成材料を意味する。
【０１７７】
【表１】
2016184666.tif 000002
【０１７８】
表１からわかるように、各実施例の発光装置は、各比較例の発光装置に比べて、ＲＧＢの各画素の発光状態の均一性が高い。
【符号の説明】
【０１７９】
１Ｂ‥‥発光素子
１Ｇ‥‥発光素子
１Ｒ‥‥発光素子
３Ｂ‥‥陽極
３Ｇ‥‥陽極
３Ｒ‥‥陽極
４Ｂ‥‥正孔注入層
４Ｇ‥‥正孔注入層
４Ｒ‥‥正孔注入層
４ａ‥‥インク
５Ｂ‥‥正孔輸送層
５Ｇ‥‥正孔輸送層
５Ｒ‥‥正孔輸送層
５ａ‥‥インク
５ｂ‥‥インク
６Ｂ‥‥発光機能層
６Ｇ‥‥発光機能層
６Ｒ‥‥発光機能層
６ａ‥‥インク
６ｂ‥‥インク
７‥‥正孔輸送層
８‥‥電子輸送層
９‥‥電子注入層
１０‥‥陰極
２０‥‥回路基板
２１‥‥基板
２２‥‥層間絶縁膜
２３‥‥スイッチング素子
２４‥‥配線
３１‥‥隔壁
３２‥‥樹脂層
４０‥‥封止基板
１００‥‥発光装置
１００Ｒ‥‥サブ画素
１００Ｇ‥‥サブ画素
１００Ｂ‥‥サブ画素
２００‥‥インクジェットヘッド
２３１‥‥半導体層
２３２‥‥ゲート絶縁層
２３３‥‥ゲート電極
２３４‥‥ソース電極
２３５‥‥ドレイン電極
１１００‥‥パーソナルコンピュータ
１１０２‥‥キーボード
１１０４‥‥本体部
１１０６‥‥表示ユニット
１２００‥‥携帯電話機
１２０２‥‥操作ボタン
１２０４‥‥受話口
１２０６‥‥送話口
１３００‥‥ディジタルスチルカメラ
１３０２‥‥ケース
１３０４‥‥受光ユニット
１３０６‥‥シャッタボタン
１３０８‥‥回路基板
１３１２‥‥ビデオ信号出力端子
１３１４‥‥入出力端子
１４３０‥‥テレビモニタ
１４４０‥‥パーソナルコンピュータ
【図１】
2016184666.tif 000003
【図２】
2016184666.tif 000004
【図３】
2016184666.tif 000005
【図４】
2016184666.tif 000006
【図５】
2016184666.tif 000007
【図６】
2016184666.tif 000008
【図７】
2016184666.tif 000009