(57)【要約】      （修正有）【課題】複数の超音波トランスデューサの配置間隔を狭く配置することができる光音響用プローブを提供する。【解決手段】複数の静電容量型超音波トランスデューサ１０３を備えた複数のチップ１４０と、チップ内の複数のトランスデューサと検出回路との間の接続を行うフレキシブル配線５０４と、を有する光音響波用プローブ１０２であって、チップは多角形をなし該多角形のチップの複数が組み合わされて多面体で構成された凹部をなすと共に、フレキシブル配線は、チップ内の複数のトランスデューサが設けられた面に対して略垂直方向に引き出された配線領域を有する光音響波用プローブ。【選択図】図１
2016120183.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の静電容量型超音波トランスデューサを備えた複数のチップと、前記チップ内の前記複数のトランスデューサと検出回路との間の接続を行うフレキシブル配線と、を有する光音響波用プローブであって、前記チップは多角形をなし該多角形のチップの複数が組み合わされて多面体で構成された凹部をなすと共に、前記フレキシブル配線は、前記チップ内の前記複数のトランスデューサが設けられた面に対して略垂直方向に引き出された配線領域を有することを特徴とする光音響波用プローブ。
【請求項２】
前記フレキシブル配線は、前記略垂直に引き出された配線領域に続いて前記チップ内の前記複数のトランスデューサが設けられた面の裏面側に伸びる配線領域を有することを特徴とする請求項１に記載の光音響波用プローブ。
【請求項３】
前記チップが貫通配線を有しており、前記チップの静電容量型超音波トランスデューサを配置していない面に備えた電気接続部により、前記フレキシブル配線との間を接続していることを特徴とする請求項１に記載の光音響波用プローブ。
【請求項４】
前記チップの静電容量型超音波トランスデューサを配置していない面に備えた電気接続部がハンダバンプであることを特徴とする請求項３に記載の光音響波用プローブ。
【請求項５】
前記チップの静電容量型超音波トランスデューサを配置していない面に備えた電気接続部が、金バンプであることを特徴とする請求項３に記載の光音響波用プローブ。
【請求項６】
前記チップの静電容量型超音波トランスデューサを配置していない面に備えた電気接続部が、異方性導電樹脂であることを特徴とする請求項３に記載の光音響波用プローブ。
【請求項７】
前記チップの静電容量型超音波トランスデューサを配置していない面に備えた電気接続部が、チップ上の電極とリジッドフレキシブル基板のリジッド部の上に設けられた電極とを接続していることを特徴とする請求項３から請求項６の何れかに記載の光音響波用プローブ。
【請求項８】
前記チップの静電容量型超音波トランスデューサを配置していない面に備えた電気接続部が、チップ上の電極とフレキシブル配線の上に設けられた電極とを接続していることを特徴とする請求項３から請求項６の何れかに記載の光音響波用プローブ。
【請求項９】
前記チップの静電容量型超音波トランスデューサを配置した面のチップの縁部に備えた電気接続部により、前記フレキシブル配線との間を接続していることを特徴とする請求項１に記載の光音響波用プローブ。
【請求項１０】
前記電気接続部が、異方性導電樹脂により接続されていることを特徴とする請求項９に記載の光音響波用プローブ。
【請求項１１】
１枚の前記チップに対して、複数のフレキシブル配線を有していることを特徴とする請求項１に記載の光音響波用プローブ。
【請求項１２】
前記検出回路を備えた回路基板が、フレキシブル配線と一体のリジッドフレキシブル基板で構成されていることを特徴とする請求項１から請求項１１の何れかに記載の光音響波用プローブ。
【請求項１３】
前記検出回路を備えた回路基板が、フレキシブル配線と異方性導電樹脂により電気的に接続されていることを特徴とする請求項１から請求項１１の何れかに記載の光音響波用プローブ。
【請求項１４】
前記検出回路を備えた回路基板が、フレキシブル配線とコネクタにより電気的に接続されていることを特徴とする請求項１から請求項１１の何れかに記載の光音響波用プローブ。
【請求項１５】
前記検出回路を備えた回路基板が、チップに対して垂直に配置され、チップの中央部に配置されていることを特徴とする請求項１から請求項１４の何れかに記載の光音響波用プローブ。
【請求項１６】
前記検出回路を備えた回路基板が、チップに対して平行に配置されていることを特徴とする請求項１から請求項１４の何れかに記載の光音響波用プローブ。
【請求項１７】
前記静電容量型超音波トランスデューサの表面上に、シリコーンゴム層を介して、絶縁フィルムを備えていることを特徴とする請求項１から１６の何れかに記載の光音響波用プローブ。
【請求項１８】
前記静電容量型超音波トランスデューサを形成したチップに、前記絶縁フィルムが接着されていることを特徴とする請求項１７に記載の光音響波用プローブ。
【請求項１９】
前記検出回路は、光音響波の受信に加えて、超音波の送受信をおこなうための駆動検出を行う機能を有していることを特徴とする請求項１から１８の何れかに記載の光音響波用プローブ。
【請求項２０】
複数の静電容量型超音波トランスデューサを備えた複数のチップと、前記チップ内の前記複数のトランスデューサと検出回路との間の接続を行うフレキシブル配線と、を有する超音波トランスデューサユニットであって、前記チップは多角形をなし、前記フレキシブルプリント配線は、前記チップ内の前記複数のトランスデューサが設けられた面に対して略垂直方向に引き出された配線領域を有することを特徴とする超音波トランスデューサユニット。
【請求項２１】
光音響効果により発生した光音響波を請求項１から１９の何れかに記載の光音響波用プローブを用いて受信することを特徴とする被検体情報取得装置。
【請求項２２】
前記光音響波用プローブは、超音波の送受信を行い得るものである請求項２１に記載の被検体情報取得装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光音響効果による光音響波を受信することが可能な光音響波用プローブ、超音波トランスデューサユニット、及び被検体情報取得装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
被検体に光を照射して、光音響効果により被検体中の測定対象から音響波（典型的には超音波であるが、本明細書中では光音響波と記載する）を発生させ、発生した音響波を半球状の超音波プローブを用いて受信する測定システムが特許文献１に開示されている。
【０００３】
半球状の超音波プローブは、半球表面上に配置した複数の超音波トランスデューサ素子で構成されている。
【０００４】
これを図２０を参照して説明する。図２０において、１０は被検体、１１は光源、１２は超音波プローブ、１３は超音波トランスデューサ、２１は光線、２２は光音響波、３０は媒質である。
【０００５】
半球状の超音波プローブ１２は、半球状の形状をしており、複数の超音波トランスデューサ１３と、光源１１を備えている。被検体１０は、超音波プローブ１２の半球に一部囲まれるように配置され、被検体１０と超音波プローブ１２間には、媒質３０が充填される。光源１１から被検体１０に光２１を照射して、被検体で発生した光音響波２２を、超音波プローブ１２が有する複数の超音波トランスデューサ１３で受信して、被検体の画像化を行う。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】米国特許出願公開第２０１１／０３０６８６５号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
半球状に配置する複数の超音波トランスデューサは、それぞれの配置間隔が広いと、被検体の取得画像に実際には存在しない虚像であるアーチファクト（ノイズ成分）が発生する恐れがあり、アーチファクトの発生を低減するための一手法としては、超音波トランスデューサの素子間隔を狭くすることが考えられる。
【０００８】
本発明では、複数の超音波トランスデューサの配置間隔を狭く、高密度に配置することができる光音響用プローブを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の光音響用プローブは、複数の静電容量型超音波トランスデューサを備えた複数のチップと、前記チップ内の前記複数のトランスデューサと検出回路との間の接続を行うフレキシブルプリント配線と、を有する光音響波用プローブであって、前記チップは多角形をなし該多角形のチップの複数が組み合わされて多面体で構成された凹部をなすと共に、前記フレキシブルプリント配線は、前記チップ内の前記複数のトランスデューサが設けられた面に対して略垂直方向に引き出された配線領域を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明により、複数の超音波トランスデューサの配置間隔を狭く、高密度に配置することができる光音響用プローブを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】Ａは第１の実施形態に係る光音響用プローブを説明する模式図である。Ｂは第１の実施形態に係る光音響用プローブを説明する模式図である。Ｃは第１の実施形態に係る光音響用プローブを説明する模式図である。Ｄは第１の実施形態に係る光音響用プローブを説明する模式図である。Ｅは第１の実施形態に係る光音響用プローブを説明する模式図である。
【図２】第１の実施形態に係る光音響用プローブを説明する模式図である。
【図３】Ａは第１の実施形態に係る光音響用プローブを説明する模式図である。Ｂは第１の実施形態に係る光音響用プローブを説明する模式図である。Ｃは第１の実施形態に係る光音響用プローブを説明する模式図である。Ｄは第１の実施形態に係る光音響用プローブを説明する模式図である。
【図４】Ａは第１の実施形態に係る光音響用プローブを説明する模式図である。Ｂは第１の実施形態に係る光音響用プローブを説明する模式図である。Ｃは第１の実施形態に係る光音響用プローブを説明する模式図である。
【図５】Ａは第２の実施形態に係る光音響用プローブを説明する模式図である。Ｂは第２の実施形態に係る光音響用プローブを説明する模式図である。Ｃは第２の実施形態に係る光音響用プローブを説明する模式図である。
【図６】Ａは第３の実施形態に係る光音響用プローブを説明する模式図である。Ｂは第３の実施形態に係る光音響用プローブを説明する模式図である。Ｃは第３の実施形態に係る光音響用プローブを説明する模式図である。
【図７】Ａは第４の実施形態に係る光音響用プローブを説明する模式図である。Ｂは第４の実施形態に係る光音響用プローブを説明する模式図である。Ｃは第４の実施形態に係る光音響用プローブを説明する模式図である。
【図８】第５の実施形態に係る光音響用プローブを説明する模式図である。
【図９】第６の実施形態に係る光音響用プローブを説明する模式図である。
【図１０】第７の実施形態に係る光音響用プローブを説明する模式図である。
【図１１】第８の実施形態に係る光音響用プローブを説明する模式図である。
【図１２】第９の実施形態に係る光音響用プローブを説明する模式図である。
【図１３】第１０の実施形態に係る光音響用プローブを説明する模式図である。
【図１４】Ａは第１１の実施形態に係る光音響用プローブを説明する模式図である。Ｂは第１１の実施形態に係る光音響用プローブを説明する模式図である。
【図１５】第１２の実施形態に係る光音響用プローブを説明する模式図である。
【図１６】第１３の実施形態に係る光音響用プローブを説明する模式図である。
【図１７】第１４の実施形態に係る光音響用プローブを説明する模式図である。
【図１８】第１５の実施形態に係る被検体情報取得装置を説明する模式図である。
【図１９】第１６の実施形態に係る被検体情報取得装置を説明する模式図である。
【図２０】被検体情報取得装置を説明する模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、図面を参照して、本発明の好適な実施の形態について説明する。ただし、以下に記載されている構成部品の寸法、材質、形状及びそれらの相対配置などは、発明が適用される装置の構成や各種条件により適宜変更されるべきものであり、この発明の範囲は、以下の記載に限定されるべきものではない。
【００１３】
本発明の光音響用プローブは、平面上に複数のトランスデューサを有したプローブユニットを複数組み合わせて多面体を形成している。
【００１４】
特に、本発明において重要な点は、各プローブユニットは、例えば、同一形状のチップ上に複数の静電容量型トランスデューサを配置しており、静電容量型トランスデューサに接続する配線にフレキシブル配線基板を用いると共に、チップの端部に接続したフレキシブル配線基板が、チップに対して略垂直な方向に位置するフレキシブル部を有していることである。
【００１５】
本発明は、以下の形態を包含する。
【００１６】
即ち、複数の静電容量型超音波トランスデューサを備えた複数のチップと、前記チップ内の前記複数のトランスデューサと検出回路との間の接続を行うフレキシブル配線と、を有する光音響波用プローブである。
【００１７】
そして、前記チップは多角形をなし該多角形のチップの複数が組み合わされて多面体で構成された凹部をなす。フレキシブル配線は、チップ内の複数のトランスデューサが設けられた面に対して略垂直方向に引き出された配線領域を有する。
【００１８】
以下、種々の実施形態を用いて本発明を説明するが、本発明の光音響プローブ等を構成する各部材については、同一の部位を表わす部材については、図番が異なっていても同じ符号を付してあえて図面毎に説明しない場合もあり得る。
【００１９】
（第１の実施形態）
図１Ａ乃至図１Ｅは、本実施形態の光音響用プローブを説明するための模式図である。
【００２０】
図１Ａ乃至図１Ｅにおいて、１００は光音響用プローブ、１０１は複数の超音波トランスデューサ配置部、１０２は筺体、１０３は超音波トランスデューサ、１１３はケーブル、１０５はコネクタ、１０６は光源である。
【００２１】
本実施形態の光音響用プローブでは、複数の超音波トランスデューサ１０３が、多角形の平面上に配置されており、複数の多角形の平面により、疑似半球状の凹部が形成されている。
【００２２】
図１Ａは、本実施形態の光音響用プローブの模式図である。
【００２３】
本実施形態の光音響用プローブは、被検体と対向する位置に複数の超音波トランスデューサ１０３が半球状に配置されている。
【００２４】
それぞれの超音波トランスデューサ１０３で受信した光音響波は、信号線を複数有するケーブル１０４を介して、コネクタで接続した外部の装置（不図示）に出力される。
【００２５】
半球状に配置した複数の超音波トランスデューサ１０１の被検体に対向しない部分や、ケーブル１０４との接続配線部は、筺体１０２により覆われている。
【００２６】
超音波トランスデューサ１０３は、光音響波（超音波）を受信できるものであれば用いることができ、圧電素子などを用いることで容易に構成することができる。
【００２７】
本形態の構成を取ることで、超音波プローブ１００内の複数の超音波トランスデューサ素子１０３が、超音波トランスデューサ部１０３内の任意の点付近に向いて配置をすることができる。それにより、背景技術に記載した半球の表面上に、複数の超音波トランスデューサ素子１０３を配置した構成とほぼ同等の機能を有することができる。
【００２８】
また、半球表面上に複数の超音波トランスデューサ素子１０３を配置した構成と比べて、非常に簡易な構成で同等の機能を実現できるので、超音波プローブの作製工数を削減することができ、また超音波プローブの大きさを小型化することができる。
【００２９】
図１Ｂの本形態の超音波プローブの筺体１０２を取り外した状態の模式図を用いて説明する。
【００３０】
図１Ｂにおいて、１１０は超音波トランスデューサユニット、１２０はフレーム、１０６は光源である。
【００３１】
本形態では、超音波プローブ１００内の超音波トランスデューサ部１０１が有する多面体は、複数の超音波トランスデューサユニット１１０により構成されている。
【００３２】
超音波トランスデューサ素子１０３を配置した平面が多面体を形成するように、複数の超音波トランスデューサユニット１１０は、フレーム１２０により保持されている。
【００３３】
光源１０６を配置する部分の超音波トランスデューサユニット１１０は、光源１０６を配置するための穴や、一部形状が変形した構成となっている。
【００３４】
図１Ｃに、超音波トランスデューサユニット１１０の模式図を示す。
【００３５】
超音波トランスデューサユニット１１０は、多角形の板状であり、一方の平面（表面）１１１側に複数の超音波トランスデューサ素子１０３を備えている。
【００３６】
もう一方の平面（裏面）１１２は、中央部分からケーブル１１３が外部に引き出されている。また、裏面１１２の周辺部には、部品が配置されていない。裏面１１２の周辺部は、対応するフレーム１２０の表面と対応した形状となっている。
【００３７】
図１Ｄのプローブの断面の模式図で示したように、組み合わせるとお互いの面同士が接触して隙間ができない構造となっている。
【００３８】
また、フレーム１２０は、超音波トランスデューサユニット１１０を配置する領域の中央部には、開口部１２１を有している。超音波トランスデューサユニット１１０のケーブル１１３は、この開口部１２１を通り、フレーム１２０の外側に引き出されている。
【００３９】
フレーム１２０が開口部１２１を備えていることにより、超音波トランスデューサ素子１０３を保持しつつ、超音波トランスデューサ素子１０３からケーブル１１３を引き出す機能を両立することができる。
【００４０】
複数の超音波トランスデューサユニット１１０に接続された複数のケーブル１１３は、１本にまとめられており、超音波プローブ１００のケーブル１０４として、プローブの外部と接続されている。
【００４１】
次に、図１Ｅを用いて、本形態の超音波トランスデューサユニット１１０の構成を説明する。
【００４２】
本形態の超音波トランスデューサユニット１１０は、超音波トランスデューサ１０３を備えたチップ１４０と、超音波トランスデューサ１０４での信号を電流電圧変換する検出回路４０２と、チップ１４０と検出回路４０２間を、電気的に接続するフレキシブル配線５０４を有して構成されている。
【００４３】
検出回路４０２で電圧に変換された信号は、ケーブル１１３を介して、外部の装置（不図示）に出力される。
【００４４】
本発明では、チップ１４０と検出回路４０２間を、電気的に接続するフレキシブル配線５０４で接続していることが、特徴的である。
【００４５】
フレキシブル配線５０４を用いていることで、柔軟に配線を曲げて配置することが可能になり、チップ１４０上の多数の超音波トランスデューサ１０４を備えた構成でも、チップ１４０に対して配線を引き出すために必要な領域を最小限にすることができる。
【００４６】
そのため、定められた一定の領域であれば、超音波トランスデューサ１０４をより高密度に配置することが可能になり、超音波トランスデューサ１０４の配置間隔を狭くすることができる。
【００４７】
図１Ｅにおいて、Ｓは、チップ内の複数のトランスデューサ１０３が設けられた面を示しており、Θは、トランスデューサが設けられた面Ｓとフレキシブルプリント配線のフレキシブル部５０４がなす角度を示している。
【００４８】
図１Ｅでは、領域Ａは、チップ内の複数のトランスデューサが設けられた面Ｓに対して略垂直方向に引き出された配線領域を示している。
【００４９】
また、領域Ａに続いてチップ内のトランスデューサが設けられた面の裏面側に伸びる配線領域Ｂが設けられている。
【００５０】
これらの領域Ａ及び領域Ｂを設けることにより、多角形のチップを組み合わせて多面体で構成する凹部（受音部）のチップ密度を高密度化することが可能となる。本実施形態の超音波トランスデューサには、静電容量型超音波トランスデューサ（ＣＭＵＴ：Ｃａｐａｃｉｔｉｖｅ  Ｍｉｃｒｏｍａｃｈｉｎｅｄ  Ｕｌｔｒａｓｏｎｉｃ  Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）１０４を用いている。
【００５１】
ＣＭＵＴは、半導体プロセスを応用したＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍｓ）プロセスを用いて、シリコンのチップ上に作製される。
【００５２】
図２を用いてＣＭＵＴについて説明する。
【００５３】
図２（ａ）は、静電容量型トランスデューサ（ＣＭＵＴ）１０４の模式図である。
【００５４】
図２（ａ）において、１４０はチップ（基板）、２０１は振動膜、２０２は第１の電極、２０３は第２の電極、２０４は振動膜の支持部、２０５は空隙、３０１は第１の配線、３０２は第２の配線、４０１は直流電圧発生手段、４０２は受信回路である。
【００５５】
振動膜２０１は、支持部２０４によりチップ１４０上に支持されており、超音波を受けて振動する構成となっている。
【００５６】
振動膜２０１上には第１の電極２０２が配置されており、チップ１４０上の第１の電極２０２に対向する位置には第２の電極２０３が配置されている。
【００５７】
振動膜２０１と空隙２０５を挟んで対抗した第１の電極２０２と第２の電極２０３を１組として、セルと呼ぶ。
【００５８】
第１の電極２０２は、第１の配線３０１を介してチップ１４０外部に引き出され、直流電圧発生手段４０１に接続され、第２の電極２０３には、第２の配線３０２を介してチップ１４０外部に引き出され、静電容量型トランスデューサ毎に異なる受信回路（検出回路）４０２に接続されている。
【００５９】
直流電圧発生手段４０１により、第１の電極２０２と第２の電極２０３間には、数十ボルトから数百ボルトの電位差が発生している。振動膜２０１と第１の電極２０１が振動することにより、第１の電極２０１と第２の電極２０３間の距離が変化して、電極間の静電容量が変化する。
【００６０】
電極間には電位差があるため、容量変化に対応して、微小な電流が発生する。微小電流は、第２の電極２０３に接続された受信回路４０２で、電流から電圧に変換されて出力される。
【００６１】
検出回路４０２は、図２（ｂ）で示すように、オペアンプを用いたトランスインピーダンス回路で構成することができる。オペアンプ４１１を用いたトランスインピーダンス回路は、オペアンプの負帰還部に抵抗４１２とコンデンサ４１３がパラレルに配置されており、帰還部で入力された電流を電圧に変換される。
【００６２】
オペアンプの帰還特性があるため、広帯域なオペアンプを用いることで、電流電圧変換効率が入力の配線にある寄生容量の影響を小さくすることができる。そのため、広い周波数幅を持つ受信特性を静電容量型トランスデューサについて、受信感度の低下が少ない優れた受信特性を得ることができる。
【００６３】
本実施形態によると、検出回路４０２にオペアンプ４１１を用いたトランスインピーダンスの回路構成を用いているので、検出回路４０２の入力端子に寄生する容量の影響を受けにくい。そのため、寄生容量による、受信特性の劣化が少ない光音響用プローブを提供することができる。
【００６４】
本実施形態で用いる静電容量型トランスデューサ（ＣＭＵＴ）１０４は、１枚のチップ１４０上に、多数の静電容量型トランスデューサ（ＣＭＵＴ）１０４を配置していることが特徴的である。
【００６５】
これにより、静電容量型トランスデューサ（ＣＭＵＴ）１０４の素子を近接して、高密度に配置することが可能になり、また、多数の静電容量型トランスデューサ（ＣＭＵＴ）１０４に接続された配線を引き出すことが容易となる。
【００６６】
また、本実施形態で用いる静電容量型トランスデューサ（ＣＭＵＴ）１０４は、チップ１４０上に、半導体プロセス技術を応用して形成するために、トランスデューサの配置精度が、フォトマスクの精度や、積層した薄膜のエッチング精度により決定される。
【００６７】
このフォトマスクの精度や薄膜のエッチング精度は、数百ナノメータから数マイクロメータ程度と非常に高い。一般的な圧電素子を用いたトランスデューサでは、作製時に用いるダイシングの精度により素子間隔が決まり、数百マイクロメータの間隔が必要になる。それに対して、静電容量型トランスデューサ１０４は数マイクロメータの間隔で配置することが可能になり、高密度に配置することが可能になる。
【００６８】
また、静電容量型トランスデューサ１０４では、各電極からの配線をチップ内に同時に形成することが可能である。そのため、多数のトランスデューサ１０４を配置した場合でも、トランスデューサから離れた位置まで配線を引き出し、チップ裏面やチップ表面の縁部などの１箇所に集めることで、チップから配線の取り出しを容易に行うことができる。
【００６９】
更に、本実施形態で用いる静電容量型トランスデューサ（ＣＭＵＴ）１０４は、現在広く用いられているピエゾ型の超音波トランスデューサに比べて、超音波受信時の応答性が良く、周波数の帯域が広いという特徴がある。
【００７０】
しかし、静電容量型トランスデューサ（ＣＭＵＴ）１０４は電流出力型の素子であるため、配線に寄生する容量により受信特性が劣化しやすい側面も有している。
【００７１】
本実施形態の構成を用いると、ＣＭＵＴ１０４を多数備えたチップ１４０に近接して、受信回路４０２を配置することができる。
【００７２】
そのため、第２の電極１０２から受信回路４０２までの配線長を短くすることができ、配線に寄生する容量を小さくすることができる。よって、本実施形態を用いると、受信周波数の帯域が広く、且つ受信特性が優れた超音波トランスデューサを提供することができる。
【００７３】
また、検出回路４０２をチップ１４０に対して、角度（望ましくは略90°）を有して配置することが可能になるので、検出回路４０２を深さ方向（図面の向かって下方向）に広げることができる。そのため、検出回路４０２が大きい場合でも、被検体側から見て検出回路４０２の配置部は、チップ１４０の大きさ以内に収めることができる。
【００７４】
図３と図４に、本実施係る光音響用プローブが有する多面体の構成を説明する模式図を示す。
【００７５】
まず、図３Ａと図３Ｂは、８個の同じ大きさの正三角形１１４の外形を有した超音波トランスデューサユニット１１０を用いて、凹部を形成していることが特徴的である。
【００７６】
凹部の最も深いところには、凹部の深さに対して垂直になるように、正三角形の一辺が配置されている。この形状は、正二十面体を半分に分けた際の立体の表面と同じものとなる。
【００７７】
本実施形態によると、被検体で発生した光音響波を、八面体上に配置した超音波トランスデューサ１０３で受信するので、半球状に超音波トランスデューサ１０３を配置した構成により近い情報を取得することができる。
【００７８】
また、３種類の超音波トランスデューサユニット１１０により八面体を構成することができるので、少ない種類の超音波トランスデューサユニット１１０で、多くの平面を有した多面体を効率よく形成できる組み合わせである。
【００７９】
本実施形態の別の形態を、図３Ｃを用いて説明する。
【００８０】
この別の実施形態は、６０度と３０度の角度を有した線対称の直角三角形１１６Ａ、１１６Ｂの２種類により構成されていることが特徴的である。
【００８１】
図３Ｃで示すように、線対称の直角三角形１１６Ａと１１６Ｂを横に並べることで、正三角形１１４を実現できる。
【００８２】
そのため、図３Ｃは、図３Ａと図３Ｂで説明した多面体を、２種類の直角三角形ＡとＢを、それぞれ８個用いることで実現することができる。
【００８３】
本実施形態では、左右対称の直角三角形２種類の超音波トランスデューサユニット１１０のみで八面体を構成できるため、超音波トランスデューサユニット１１０の作製を共通化することができ、作製効率のよい光音響用プローブを提供することができる。
【００８４】
また、同じ形状の超音波トランスデューサユニット１１０を用いるので、素子に不良が発生した場合でも、超音波トランスデューサユニット１１０の交換の負荷が少なくて済むという利点がある。
【００８５】
また、本実施形態では、取得する光音響波の情報がより必要であれば、図３Ｄで示すように、８個の同じ大きさの正三角形と、その正三角形を半分にした直角三角形４つの計１２個で多面体を構成する形態を用いることができる。
【００８６】
これにより、十二面体を構成することができるので、被検体で発生した光音響波を更に様々な方向から取得することができる。
【００８７】
図４を用いて、本実施形態の別の形態を説明する。この別の形態では、図４Ａと図４Ｂで示すように、２８個の二等辺三角形を用いて、凹部を形成することを特徴的である。
【００８８】
本実施形態の超音波トランスデューサユニット１１０の外形は二等辺三角形であり、６：６：（９−√５）の辺の比率になっており、頂角は６８．６２°、２つの底角は５５．６９°である。
【００８９】
凹部の最も深いところは、凹部の深さに対して垂直になるように、二等辺三角形の底辺が配置されている。この形状は、五方二十面体を半分に分けた際の立体の表面と同じものとなる。
【００９０】
本実施形態によると、被検体で発生した光音響波を、二十八面体上に配置した超音波トランスデューサ１０３で受信するので、半球状に超音波トランスデューサ１０３を配置した構成に極めて近い情報を取得することができる。
【００９１】
また、１種類の超音波トランスデューサユニット１１０により二十八面体を構成することができるので、少ない種類の超音波トランスデューサユニット１１０で、多くの平面を有した多面体を非常に効率よく形成できる組み合わせである。
【００９２】
本実施形態では、単一の超音波トランスデューサユニット１１０を用いて、複数の超音波トランスデューサ１０３を半球表面上に極めて近い状態で配置することができるので、被検体からの光音響波の情報を詳細に取得することができる、簡易な構成の光音響波プローブを提供することができる。
【００９３】
また、本実施形態では、取得する光音響波の情報がより必要であれば、図４（ｃ）で示すように、２８個の同じ大きさの二等辺三角形と、その二等辺三角形を半分にした直角三角形４つの計３２個で多面体を構成する形態を用いることができる。これにより、三十二面体を構成することができるので、被検体で発生した光音響波を更に様々な方向から取得することができる。
【００９４】
尚、本発明は、図３や図４で示す多面体に限らず、多面体で凹部を形成したものであれば、同様に用いることができる。
【００９５】
上記のように本発明によると、複数の超音波トランスデューサの配置間隔を狭く、高密度に配置することができる光音響用プローブを提供することができる。
【００９６】
（第２の実施形態）
第２の実施形態では、静電容量型トランスデューサユニットでのチップと回路を接続する配線に関する説明を行う。それ以外は、第１の実施形態と同様である。
【００９７】
本実施形態は、チップと受信回路の接続に、リジッドフレキシブル基板５０１を用いていることが特徴的である。
【００９８】
図５は、本実施形態に係る光音響用プローブを説明する模式図である。
【００９９】
図５Ａにおいて、リジッドフレキシブル基板５０１は、多層の回路基板である第１のリジッド部５０２と、第２のリジッド部５０３と、そのリジッド部５０２、５０３間を繋いだ屈曲可能なフレキシブル部５０４により一体化で形成された基板である。
【０１００】
第１のリジッド部５０２と、第２のリジッド部５０３は、銅などの薄い導電層と、ガラスエポキシで構成された絶縁層を繰り返し積層し、導電層間をビアで接続しており、曲がらない硬質な基板部である。
【０１０１】
フレキシブル部５０４は、薄い導電層がポリイミドなどの絶縁層により挟まれており、柔らかくて折り曲げが可能な配線基板である。
【０１０２】
図５Ａで示すように、第１のリジッド部５０２上には、静電容量型トランスデューサ１０４を備えたチップ１４０が配置されている。
【０１０３】
このチップ１４０は、貫通配線５１１を有している。
【０１０４】
図５Ｂをも参照すると、静電容量型超音波トランスデューサ１０４の第１の電極２０２と第２の電極２０３は、チップ１４０が有する貫通配線５１１を介して、チップ１４０の裏面に引き出されている。
【０１０５】
チップの裏面２２０に引き出された配線と接続した電極５１３上には、ハンダバンプ５１２が配置されている。一方、第１のリジッド部５０２上には、チップ１４０裏面のハンダバンプ５１２を配置した位置に対応して、電極５１４が配置されている。
【０１０６】
ここで、貫通配線５１１を備えたチップ１４０は、反りが発生しやすい。
【０１０７】
一方、第１のリジッド部５０２は、薄膜の金属層とガラスエポキシ層を繰り返して積層しており、金属層間の接続を行うために複数のビア（不図示）を有しているので、チップ１４０の反りに比べて、大きな反りが発生しやすい。
【０１０８】
このハンダバンプ５１２は、他のフリップチップのバンプに比べて、高さを高くすることができる。また、ハンダバンプ５１２は、熱で溶融させて電気的な接続を行い電極間の距離に合わせて変形して電気接続部を構成する。そのため、それぞれ異なる大きさの反りを有し、熱膨張係数の異なるチップ１４０と、第１のリジッド部５０２の上に配置した電極５１３、５１４間の距離のばらつきを吸収して、確実な電気接続を行うことができる。
【０１０９】
また、電気接続部の形成時に、チップを加圧する必要がなく、静電容量型トランスデューサ１０４を形成したチップ表面に、実装冶具が接触して静電容量型トランスデューサ１０４の受信特性に影響を与えることがない。
【０１１０】
一方、第２のリジッド部５０３上には、それぞれのトランスデューサ１０４に接続された複数の受信回路４０２が配置されている。第１のリジッド部５０２と、第２のリジッド部５０３間は、フレキシブル部５０４内の配線層により、静電容量型トランスデューサ１０４が有する電極２０２、２０３と、直流電圧発生手段４０１、検出回路４０２が電気的に接続されている。
【０１１１】
チップ１４０と第１のリジッド部５０２の間は、アンダーフィル材５１５が配置され、アンダーフィル材５１５により接着、固定されている。
【０１１２】
アンダーフィル材５１５には、フリップチップ用のアンダーフィル材を用いて容易に構成することができる。チップ１４０と第１のリジッド部５０２の間をアンダーフィル材５１５で強固に固定されているため、チップ１４０と第１のリジッド部５０２の熱膨張係数の違いにより、ハンダバンプ５１２の電気接続部に亀裂が入ることを防ぐことができる。
【０１１３】
また、本実施形態では、このアンダーフィル材５１５は、チップ１４０の表面には配置しないことが特徴的でもある。
【０１１４】
アンダーフィル材５１５は硬いため、静電容量型超音波トランスデューサ１０４上に配置されると、振動膜２０１の振動特性に大きく影響を与える。そのため、光音響波を受信する特性が大幅に低下してしまう恐れがある。
【０１１５】
本実施形態では、アンダーフィル材５１５は、チップ１４０と第１のリジッド部５０２間に配置しており、チップ１４０の表面には配置しない構成を取っているため、受信特性に影響を与えることなく、電気接続部の信頼性が高い静電容量型超音波トランスデューサ１０４を提供することができる。
【０１１６】
本実施形態では、チップ１４０の電極からの配線を貫通配線５１１を介して、裏面に引き出している。そのため、静電容量型超音波トランスデューサ１０４を配置したチップ１４０面（表面）上において、直流電圧印加手段４０１や検出回路４０２を接続するための配線３０１、３０２の領域を極めて小さくすることができる。
【０１１７】
それにより、チップ１４０上に、２次元状に静電容量型超音波トランスデューサ１０４を配置した構成では、静電容量型超音波トランスデューサ１０４を高密度に配置することができる。
【０１１８】
また、チップ１４０と第１のリジッド部５０１の電気的な接続に、ハンダバンプ５１２を用いており、チップ１４０と第１のリジッド部５０１の間隔がばらついても電気的な接続を確実に行うことができる。
【０１１９】
よって、チップ１４０の面積が大きくなって、チップ１４０や第１のリジッド部５０１に反りが発生した場合でも、不良の極めて少ない電気接続を行うことができる。
【０１２０】
本実施形態では、チップ１４０に接続したフレキシブル部５０４は、チップ１４０の複数のトランスデューサが設けられた面に対して略垂直方向に引き出された領域を有している。
【０１２１】
これにより、被検体側から見て、チップ１４０の大きさに対して、ほとんど配置領域を広げることなく、静電容量型超音波トランスデューサ１０４からの配線３０２を検出回路４０２に接続させることができる。
【０１２２】
また、チップ１４０を設けた第１のリジッド部５０２は、枠２５０により保持されている。枠２５０はリジッド部５０２の形状に合った凹部を有しており、枠２５０が有する凹部にリジッド部５０２を落とし込んで保持している。
【０１２３】
また、リジッド部からのフレキシブル部５０４をトランスデューサユニットの裏面に引き出せるように、穴を有している。
【０１２４】
枠２５０は、第２のリジッド部５０３を配置する部分には、開口部を有している。
【０１２５】
枠２５０の周辺部は、フレーム１２０と隙間なく組み合わせることができる形状となっている。枠２５０は、必要な形状に加工でき、必要な強度を得られる材料であれば、金属や樹脂などを用いて構成することができる。
【０１２６】
第２のリジッド部５０３は、第１のリジッド部５０２のチップを備えた面と逆側に配置され、静電容量型トランスデューサ１０４での信号を受信するための受信回路４０２と、ケーブル１１３と接続するためのコネクタ２４０を備えている。
【０１２７】
チップ１４０上の第２電極２０３は、フレキシブル部５０４を介して第２のリジッド部５０３上の受信回路４０２と接続され、受信回路４０２の出力はコネクタ２４０とケーブル１１３を介して外部と接続される。
【０１２８】
一方、チップ１４０上の第１電極２０２は、フレキシブル部５０４を介して直流電圧発生手段４０１と接続される。
【０１２９】
本実施形態では、第１のリジッド部５０１の配線を、一体化したフレキシブル部５０４を介して、一体化した第２のリジッド部５０３に接続しているので、それぞれを別体で構成してコネクタなどを介して配線する構成に比べて、高密度に配線を検出回路４０２まで接続することができる。
【０１３０】
また、チップ１４０を配置した第１のリジッド部５０２と、検出回路４０２を配置した第２のリジッド部５０３間は、フレキシブル部５０４により接続されている。
【０１３１】
検出回路４０２に必要な面積は、静電容量型超音波トランスデューサ１０４の配置面積に比べて、大きい場合が多いため、第２のリジッド部５０３を第１のリジッド部５０２に対して角度を持たせて配置することで、被検体側から見た検出回路４０２の実効面積を小さくすることができ、検出回路４０２まで含めて高密度に配置することができる。
【０１３２】
静電容量型超音波トランスデューサ１０４は、電極から検出回路４０２までに配線長が長いと、配線の寄生成分により、受信特性が劣化しやすくなる。
【０１３３】
本実施形態では、静電容量型超音波トランスデューサ１０４を高密度に配置した場合でも、検出回路４０２まで含めて高密度に近接して配置することができるので、受信特性の劣化を少なくすることができる。
【０１３４】
本実施形態の別の形態を、図５Ｃを用いて説明する。
【０１３５】
図５Ｃでは、チップ１４０を保持している第１のリジッド部５０１の二辺から、それぞれフレキシブル部５０３が引き出されていることが特徴的である。
【０１３６】
これにより、同じフレキシブル部５０３の幅であれば、フレキシブル部５０３は倍になるので、フレキシブル部５０３での単位幅当たりの配線数を半分にする（配線の密度を下げる）ことができる。
【０１３７】
また、第２のリジッド部５０３の幅も倍になるので、第２のリジッド部５０３内の検出回路４０２までの単位幅当たりの配線数を半分にする（配線の密度を下げる）ことができる。
【０１３８】
これにより、静電容量型超音波トランスデューサ１０４の電極から検出回路を繋ぐ第２の配線３０２の密度を下げることができる。
【０１３９】
第２の配線に寄生する容量や抵抗は、静電容量型超音波トランスデューサ１０４の受信特性を劣化させる。この別の形態によると、静電容量型超音波トランスデューサ１０４を高密度に配置しても、受信特性が劣化しにくい光音響波用プローブを提供することができる。
【０１４０】
尚、この別の形態では、第１のリジッド部５０１の二辺から、それぞれフレキシブル部５０３が引き出されている構成で説明したが、これに限られるものではない。即ち、第１のリジッド部５０１の三辺以上から引き出すことや、またはすべての辺にフレキシブル部５０３が配置する構成とすることも可能である。
尚、本発明書中では、検出回路４０２を備えた回路基板を支持する部分を省略しているが、実際にはトランスデューサユニット１１０が有する枠２５０や、筐体（不図示）などに、所定の位置になるように機械的に固定されている。
【０１４１】
（第３の実施形態）
第３の実施形態では、静電容量型トランスデューサユニットでのチップと回路を接続する配線に関する説明を行う。それ以外の構成は、第２の実施形態と同様である。
【０１４２】
図６を参照して、本実施形態に係る光音響用プローブを説明する。
【０１４３】
本実施形態は、チップと受信回路の接続に、リジッドフレキシブル基板５０６を用いており、フレキシブル部５０８上にチップ１４０を配置していることが特徴的である。
【０１４４】
リジッドフレキシブル基板５０６は、多層の回路基板であるリジッド部５０７と、それに繋がった屈曲できるフレキシブル部５０８により一体化で形成された基板である。
【０１４５】
リジッド部５０７は、銅などの薄い導電層と、ガラスエポキシで構成された絶縁層を繰り返し積層し、導電層間をビアで接続しており、曲がらない硬質な基板部である。
【０１４６】
フレキシブル部５０８は、薄い導電層がポリイミドなどの絶縁層により挟まれており、柔らかくて折り曲げが可能な配線基板である。
【０１４７】
図６Ａで示すように、フレキシブル部５０８上には、静電容量型トランスデューサ１０４を備えたチップ１４０が配置されている。
【０１４８】
図６Ｂをも参照してこのチップ１４０は、貫通配線５１１を有している。
【０１４９】
静電容量型超音波トランスデューサ１０４の第１の電極２０２と第２の電極２０３は、チップ１４０が有する貫通配線５１１を介して、チップ１４０の裏面に引き出されている。
【０１５０】
チップの裏面２２０に引き出された配線と接続した電極５１３上には、金バンプ５１６が配置されている。一方、フレキシブル部５０８上には、チップ１４０裏面の金バンプ５１６を配置した位置に対応して、電極５１４が配置されている。本実施形態によると、チップ１４０にフレキシブル部５０８を直接接続しているので、第２の実施構成に比べて、検出回路４０２への配線部をより小さくすることができる。
【０１５１】
一方、リジッド部５０７上には、受信回路４０２が配置されている。チップ１４０を配置した領域の電極５１４と、第２のリジッド部５０３間は、フレキシブル部５０８内の配線層により、静電容量型トランスデューサ１０４が有する電極２０２、２０３と、直流電圧発生手段４０１、検出回路４０２が電気的に接続されている。
【０１５２】
本実施形態では、チップ１４０裏面の電極５１３と、フレキシブル部５０８上の電極５１４を、金バンプ５１６により接続する構成である。
【０１５３】
フレキシブル部５０８はチップ１４０の形状に沿って曲がることができるので、チップ１４０に若干の反りが発生した場合でも、フレキシブル部５０８が変形することによって、金バンプ５１６での電気接続部での接続不良が発生しにくい。
【０１５４】
そのため、金バンプ５１６は、ハンダバンプ５１２以外のフリップチップ実装技術に用いる金バンプや、金バンプ‐ハンダを用いることができ、使用するバンプの制約を減らすことができ、最適な電気接続方法を選択することができる。
【０１５５】
本実施形態によると、ハンダバンプを用いることなく、複数の超音波トランスデューサの配置間隔を狭く配置することができる光音響用プローブを提供することができる。
【０１５６】
本実施形態の別の形態を、図６Ｂを用いて説明する。
【０１５７】
図６Ｂでは、チップ１４０とフレキシブル部５０８の間に、異方導電性樹脂５１７を配置している。
【０１５８】
異方導電性樹脂５１７は、微細は数マイクロメートル程度の導電性金属粒子を含有している絶縁性の熱硬化性樹脂であり、異方性導電フィルム（ＡＣＦ）や異方性導電ペーストなどを用いることができる。
【０１５９】
異方導電性樹脂５１７は、チップ１４０上の電極５１３と、フレキシブル部５０７上の電極５１４間の距離は、微細な金属粒子より狭くなった状態で加熱硬化しており、電極間は電気的に接続されている。
【０１６０】
一方、チップ１４０平面上や、フレキシブル部５０８上の電極間は、微細な金属粒子より広くなっており、異方導電性樹脂５１７の絶縁性により電気的に絶縁されている。
【０１６１】
この別の形態によると、一般的な材料である銅などの電極をチップ１４０や、フレキシブル部５０８上に配置する簡易な構成で、ハンダバンプや金バンプを用いることなく、電極間を電気的に確実に接続することができる。
【０１６２】
また、電極間の電気接続部の周辺は、絶縁性の異方導電性樹脂５１７により囲まれているため、電気接続部の耐湿性を高めることができる。
【０１６３】
本実施形態によると、ハンダバンプや金バンプを用いることなく、複数の超音波トランスデューサの配置間隔を狭く配置することができる光音響用プローブを提供することができる。
【０１６４】
尚、本実施形態体の電気接続部は、金バンプや異方導電性樹脂に限らず、第２の実施形態で説明したハンダバンプも同様に用いることができる。これにより、簡易な製造工程で信頼性の高い電気接続部を持ったプローブを提供することができる。
【０１６５】
更に別の形態を、図６Ｃを用いて説明する。
【０１６６】
図６Ｃでは、チップ１４０を保持しているリジッド部５０７の二辺から、それぞれフレキシブル部５０８が引き出されていることが特徴的である。
【０１６７】
これにより、同じフレキシブル部５０８の幅であれば、フレキシブル部５０８は倍になるので、フレキシブル部５０８での単位幅当たりの配線数を半分にする（配線の密度を下げる）ことができる。
【０１６８】
また、第２のリジッド部５０３の幅も倍になるので、第２のリジッド部５０３内の検出回路４０２までの単位幅当たりの配線数を半分にする（配線の密度を下げる）ことができる。
【０１６９】
これにより、静電容量型超音波トランスデューサ１０４の電極から検出回路を繋ぐ第２の配線３０２の密度を下げることができる。
【０１７０】
第２の配線に寄生する容量や抵抗は、静電容量型超音波トランスデューサ１０４の受信特性を劣化させる。  
本実施形態の別の形態によると、静電容量型超音波トランスデューサ１０４を高密度に配置しても、受信特性が劣化しにくい光音響波用プローブを提供することができる。この更に別の形態では、リジッド部５０７の二辺から、それぞれフレキシブル部５０８が引き出されている構成で説明したが、引き出す数等は、これに限られるものではない。
【０１７１】
（第４の実施形態）
第４の実施形態では、静電容量型トランスデューサユニットでのチップと回路を接続する配線に関する説明を行う。それ以外は、第１の実施形態と同様である。
【０１７２】
図７Ａ等参照して本実施形態に係る光音響用プローブを説明する。
【０１７３】
本実施形態は、静電容量型トランスデューサ１０４を形成したチップ表面に対向して、フレキシブル配線を配置して、回路と接続していることが特徴的である。
【０１７４】
リジッドフレキシブル基板５２１は、  多層の回路基板であるリジッド部５２２と、それに繋がった屈曲できるフレキシブル部５２３により一体化で形成された基板である。
【０１７５】
リジッド部５２２は、銅などの薄い導電層と、ガラスエポキシで構成された絶縁層を繰り返し積層し、導電層間をビアで接続しており、曲がらない硬質な基板部である。
【０１７６】
フレキシブル部５２３は、薄い導電層がポリイミドなどでできた薄い絶縁層により挟まれており、柔らかくて折り曲げが可能な配線基板である。
【０１７７】
リジッド部５２２と逆側のフレキシブル部５２３の端部には、片面が絶縁膜に覆われていなく導電層が露出した接続用電極を備えている。
【０１７８】
図７Ｂ、図７Ｃをも参照して、チップ１４０上には、静電容量型トランスデューサ１０４の電極に接続された接続用電極配置されている。チップ１４０上の接続用電極５３５に対向するように、フレキシブル部５２３の接続用電極５３４が配置されている。
【０１７９】
接続用電極と接続用電極間は、異方性導電樹脂により、電気的に接続されている。
【０１８０】
また、チップ１４０とフレキシブル部５２３は、異方性導電樹脂により、機械的に固定されている。
【０１８１】
本実施形態は、チップ表面からフレキシブル配線（リジッドフレキシブル基板シブル配線５２１のフレキシブル部５２３）を用いて配線を引き出しているので、被検体側への配線の高さを低くすることができる。
【０１８２】
そのため、配線部から静電容量型トランスデューサ１０４の受信特性へ与える影響を、極力少なくすることができる。
【０１８３】
本実施形態では、チップ１４０に接続したフレキシブル部５２３は、チップ１４０にほぼ垂直方向に折れ曲がっており、チップ１４０の垂直方向に配線３０１、３０２が引き出されている。
【０１８４】
そのため、被検体側から見て、チップ１４０の大きさに対して、ほとんど配置領域を広げることなく、静電容量型超音波トランスデューサ１０４からの配線３０２を検出回路４０２に接続させることができる。
【０１８５】
また、本実施形態では、貫通配線を有したチップ１４０を用いることなく、より簡易な構成で、複数の超音波トランスデューサの配置間隔を狭く配置することができる光音響用プローブを提供することができる。
【０１８６】
（第５の実施形態）
第５の実施形態では、静電容量型トランスデューサユニットでのチップと回路を接続する配線に関する説明を行う。それ以外は、第４の実施形態等と同様である。
【０１８７】
図８を用いて本実施形態に係る光音響用プローブを説明する。
【０１８８】
本実施形態は、静電容量型トランスデューサ１０４を形成したチップ表面に対向して、フレキシブル配線を複数配置して、回路と接続していることが特徴的である。
【０１８９】
図８（Ｂ）をも参照してチップ１４０の表面には、第１のリジッドフレキシブル基板５２４のフレキシブル部５２３と、第２のリジッドフレキシブル基板５２５のフレキシブル部５２３が、対向して配置されている。
【０１９０】
チップ上の電極５３４と、フレキシブル部５２３の電極５３５は、異方導電性樹脂５１７により電気的に接続されている。
【０１９１】
これにより、同じフレキシブル部５２３の幅であれば、フレキシブル部５２３は倍になるので、フレキシブル部５２３での単位幅当たりの配線数を半分にする（配線の密度を下げる）ことができる。
【０１９２】
また、第２のリジッド部５２３の幅も倍になるので、第２のリジッド部５２３内の検出回路４０２までの単位幅当たりの配線数を半分にする（配線の密度を下げる）ことができる。
【０１９３】
これにより、静電容量型超音波トランスデューサ１０４の電極から検出回路を繋ぐ第２の配線３０２の密度を下げることができる。第２の配線に寄生する容量や抵抗は、静電容量型超音波トランスデューサ１０４の受信特性を劣化させる。
【０１９４】
また、検出回路４０２を備えるリジット部の回路を配置する面積を倍にすることができるので、受信特性を劣化させることなく、トランスデューサユニット内の検出回路４０２の実効的な集積度を上げることができる。
【０１９５】
本実施形態の別の形態によると、静電容量型超音波トランスデューサ１０４を高密度に配置しても、受信特性が劣化しにくい光音響波用プローブを提供することができる。
【０１９６】
尚、本実施形態では、チップ１４０の二辺から、それぞれフレキシブル部５２３が引き出されている構成で説明したが、引き出す数等は、これには限られない。
【０１９７】
（第６の実施形態）
第６の実施形態では、同じく静電容量型トランスデューサユニットでのチップと回路を接続する配線に関する説明を行う。それ以外は、第５の実施形態等と同様である。
【０１９８】
図９を用いて本実施形態に係る光音響用プローブを説明する。本実施形態では、複数のチップと、それぞれにフレキシブル部が接続されていることが特徴的である。である。
【０１９９】
本実施形態の静電容量型トランスデューサユニットは、第１のチップ１４０Ａと、第２のチップ１４０Ｂを有している。チップ１４０Ａ、１４０Ｂは、直角三角形の外形をしており、組み合わせることで、第１の実施形態のチップとほぼ同様な形状（図９では、図３Ａ等と同じ正三角形１１４）となるようになっている。
【０２００】
詳細な事項は、これまでの形態で説明したものと同様である。
【０２０１】
尚、本実施形態では、静電容量型トランスデューサユニットの外形が正三角形の形状であると説明したが、形状は、二等辺三角形などの三角形や、長方形、正方形、台形などの四角形や、その他の多角形にも同様に用いることができる。
【０２０２】
（第７の実施形態）
第７の実施形態では、静電容量型トランスデューサユニットでのチップと回路を接続する配線に関する説明を行う。それ以外は、第５の実施形態等と同様である。
【０２０３】
図１０を用いて本実施形態に係る光音響用プローブを説明する。
【０２０４】
本実施形態では、チップを３つの二等辺三角形に分割しており、チップに電気的に接続したフレキシブル部が、複数のチップに挟まれた領域に配置されていることが特徴的である。
【０２０５】
本実施形態の構成では、複数のチップに挟まれた隙間には、フレキシブル部を１つのみ配置している。そのため、複数のチップが近接する部分には、チップとフレキシブル部を接続している部分が、１つしかない。
【０２０６】
これにより、異なるチップに配置している静電容量型トランスデューサの間隔を狭くして配置することが可能になる。
【０２０７】
本実施形態によると、チップとフレキシブル部を接続部が分散されているので、静電容量型トランスデューサの間隔をより均一に近く、且つ静電容量型トランスデューサユニットのより外周まで静電容量型トランスデューサを配置することができる。
【０２０８】
本実施形態の別の形態を、図１０（ｂ）を用いて説明する。
【０２０９】
図１０（ｂ）では、チップを４つの正三角形に分割しており、チップに電気的に接続したフレキシブル部が、複数のチップに挟まれた領域に配置されていることが特徴的である。
【０２１０】
この別の形態では、より配線を分割して、検出回路に引き出すことができる。そのため、静電容量型トランスデューサの間にチップとフレキシブル部の接続部を配置することができ、静電容量型トランスデューサの間隔をより均一に近づけることができる。
【０２１１】
また、同じ形状のチップを並べることで、静電容量型トランスデューサユニットを構成することができるので、少ない部品点数でプローブを構成することができる。
【０２１２】
（第８の実施形態）
第８の実施形態では、チップと回路基板との接続方法に関する説明を行う。それ以外は、第１から第７の何れかの実施形態で説明したものと同様である。
【０２１３】
図１１を用いて、本実施形態に係る光音響用プローブを説明する。
【０２１４】
本実施形態では、フレキシブル部５２５と、受信回路４０２を保持するリジッド部５３０の間が、異方性導電性樹脂５２８により電気的に接続されていることが特徴的である。図１１において５２６、５２７は、それぞれ電極である。
【０２１５】
本実施形態のフレキシブル部は、フレキシブルプリント基板により構成され、チップと逆側の端部には、絶縁フィルムが配置されていない領域があり、配線に接続された電極が露出している。
【０２１６】
一方、本実施形態のリジッド部は、ガラスエポキシを用いた多層回路基板により構成され、フレキシブルプリント基板上の露出した電極と対応した大きさの電極が配置されている。フレキシブルプリント基板上の電極と、多層回路基板上の電極が重なるように、フレキシブルプリント基板と多層回路基板は位置合わせされ、電極間は異方性導電性樹脂により電気的に接続され、同時に接着固定される。
【０２１７】
本実施形態によると、フレキシブル部とリジッド部を、別体で構成するので、それぞれを最適な構成にすることができる。具体的には、フレキシブル部をより柔軟で屈曲に適したものにでき、チップからの配線をより狭い範囲で垂直方向に折り曲げることができる。
【０２１８】
また、リジッド部も、フレキシブル部と検出回路間の配線をより高集積化でき、また検出回路をより高集積化するために、高集積な多層回路基板を用いることができる。加えて、フレキシブル部とリジッド部が分割されているので、フレキシブル部を通すインタポーザが有する穴を小さくすることができ、よりチップの面積を広くすることができる。
【０２１９】
更に、フレキシブル部とリジッド部を、異方性導電性樹脂により電気的に接続しているので、接続部は必要な大きさの電極が配置できれば十分に構成することができる。そのため、フレキシブル部とリジッド部の電気接続部を、非常に小さな領域で行うことができ、リジッド部を小型にすることができる。
【０２２０】
また、チップにフレキシブルプリント基板を接続した状態で検査を行うことで、接続の不良があった場合、選別することができるので、全体の不良率を低減することができる。同様に、多層回路基板に検出回路を実装した状態で検査を行うことで、接続の不良があった場合、選別することができるので、全体の不良率を低減することができる。
【０２２１】
（第９の実施形態）
第９の実施形態では、チップと回路基板との接続方法に関する説明を行う。それ以外は、第４から第７の何れかの実施形態と同様である。
【０２２２】
図１２を用いて、本実施形態に係る光音響用プローブを説明する。
【０２２３】
本実施形態では、フレキシブル部５２５と、受信回路４０２を保持するリジッド部５３０の間が、フレキシブルプリント配線用コネクタ５２９により電気的に接続されていることが特徴的である。
【０２２４】
本実施形態のフレキシブル部は、フレキシブルプリント基板により構成され、チップと逆側の端部には、絶縁フィルムが配置されていない領域があり、配線に接続された電極が露出している。
【０２２５】
一方、本実施形態のリジッド部は、ガラスエポキシを用いた多層回路基板により構成され、フレキシブルプリント基板上の露出した電極と対応したフレキシブルプリント配線用コネクタが配置されている。フレキシブルプリント基板上の電極は、フレキシブルプリント配線用コネクタを介して、多層回路基板上の検出回路と電気的に接続されている。
【０２２６】
本実施形態によると、フレキシブル部とリジッド部を、別体で構成するので、それぞれを最適な構成にすることができる。また、フレキシブル部とリジッド部を、フレキシブルプリント配線用コネクタを用いて電気的に接続するので、それぞれを検査して選別して組み立てることができ、配線の接続の不良率を低減することができる。
【０２２７】
また、フレキシブルプリント配線用コネクタは、抜き差しが可能であるため、チップ上の静電容量型トランスデューサが破損、配線が断線した場合に、交換が容易となる。
【０２２８】
（第１０の実施形態）
第１０の実施形態では、検出回路を保持している基板の配置に関する説明を行う。それ以外は、第４から第７の何れかの実施形態と同様である。
【０２２９】
図１３を用いて、本実施形態に係る光音響用プローブを説明する。
【０２３０】
図１３は、チップ１４０とフレキシブル配線の接続部分をチップ１４０の裏面から見た模式図である。
【０２３１】
本実施形態では、検出回路を実装したリジッド部５０３を、チップ１４０に対してほぼ垂直に配置していることが特徴的である。
【０２３２】
リジッド部の幅は、超音波トランスデューサユニットの一辺の長さより大幅に短くなっており、超音波トランスデューサユニットの中央部に配置されている。これにより、超音波トランスデューサユニットを保持するフレームと干渉することなく、リジッド部を配置することができる。
【０２３３】
この検出回路を実装したリジッド部は、長さ方向に伸ばすことで、回路の実装面積を広くとることができる。そのため、超音波トランスデューサを配置した面が同じ面積の超音波トランスデューサユニットでも、検出回路の実効的な集積度を上げることができる。
【０２３４】
本実施形態によると、超音波トランスデューサユニットがコンパクトなまま、検出回路を高密度に配置することができる光音響波用プローブを提供することができる。
【０２３５】
本実施形態は、検出回路を実装したリジッド部が１枚のみの構成だけでなく検出回路を実装したリジッド部が複数の構成にも、同様に適用することができる。この際、リジッド部を多角柱状に配置することで、デッドスペースが無くなり、配置の効率が良くなるので、より望ましい。これにより、検出回路をより高密度に配置することができる光音響波用プローブを提供することができる。
【０２３６】
（第１１の実施形態）
第１１の実施形態では、検出回路を保持している基板の配置に関する説明を行う。それ以外は、第４から第１０の何れかの実施形態と同様である。
【０２３７】
図１４を用いて、本実施形態に係る超音波トランスデューサユニットの説明を行う。
【０２３８】
本実施形態では、検出回路を保持しているリジッド部５０３が、チップ１４０とほぼ水平に配置されていることが特徴的である。
【０２３９】
図１４Ａにおいて、リジッド部５０３は、超音波トランスデューサユニットの外形より、一回り小さい形状となっている。リジッド部の外側の面には、ケーブルと接続するコネクタが配置されている。
【０２４０】
これにより、検出回路の実装部を薄くすることができ、静電容量型トランスデューサユニットの裏側の飛び出しを無くすることができる光音響波用プローブを提供することができる。
【０２４１】
本実施形態の別の形態を、図１４Ｂを用いて説明する。
【０２４２】
図１４Ｂでは、チップ１４０に複数のフレキシブル部５０４、５０７が接続されており、複数のリジッド部に接続されたリジッド部が、チップ１４０とほぼ平行になるように、重なって配置されている。
【０２４３】
また、内側にあるリジッド部からの配線を配置するために、外側になるリジッド部は切り欠き部５５１を有している。
【０２４４】
この構成では、超音波トランスデューサユニットを大型化することなく、検出回路の実装面積を増やすことができ、回路を高密度に配置することができる。
【０２４５】
この別の形態によると、静電容量型トランスデューサユニットの裏側の飛び出しが無い構成で、高密度に検出回路を配置することができる。
【０２４６】
（第１２の実施形態）
第１２の実施形態では、チップ表面に配置される部材に関する説明を行う。それ以外は、第４から第１１の何れかの実施形態と同様である。
【０２４７】
図１５を用いて、本実施形態に係る超音波トランスデューサユニットを説明する。図１５において、２６０は絶縁フィルム、２６１はシリコーンゴム層である。
【０２４８】
本実施形態では、超音波トランスデューサ素子１０４６を配置した平面上に、シリコーンゴム層２６１を介して絶縁フィルム２６０を配置していることが特徴的である。
【０２４９】
絶縁フィルム２６０は、薄膜の絶縁フィルムにより構成することができ、材質はＰＥＴ、ＰＩ、ＰＥ、ＴＰＸなど薄膜に形成出来るものであれば用いることができる。
【０２５０】
絶縁フィルム４０３の厚さは、使用する超音波の波長に対して十分薄い厚さであれば用いることができ、数マイクロメータから十数マイクロメータの厚さであることがより望ましい。
【０２５１】
シリコーンゴム層２６１は、音響波の透過特性が優れており、且つ絶縁フィルム２６０とチップ１４０間を強く接着することができる。
【０２５２】
ここで、絶縁フィルム２６０と接着する静電容量型トランスデューサ１０４側の振動膜は薄く、振動膜上に配置している部材の影響を大きく受ける。
【０２５３】
そのため、一般的なエポキシ系などの硬化後の硬度が高い接着剤を用いると、振動膜特性が影響を受けて、受信感度が劣化してしまう恐れがある。
【０２５４】
シリコーンゴムは硬化後の硬度が低いので、シリコーンゴムを静電容量型トランスデューサ１０４の表面に配置することで、静電容量型トランスデューサ１０４の振動膜の振動特性に影響を与えにくいという特性を得ることができる。
【０２５５】
また、シリコーンゴム層２６１の厚さは、数十マイクロメータ以下であれば、超音波の透過特性に与える影響が少ないため、より望ましい。
【０２５６】
また、チップ１４０と絶縁フィルム２６０の間隔は、あまり狭いと振動膜の光音響波（超音波）の受信特性が影響を受けるため、シリコーンゴム層２６１の厚さは２０マイクロメータ以上であることが望ましい。
【０２５７】
これらの理由から、光音響波用プローブで用いることを想定すると、本実施形態のシリコーンゴム層２６１の厚さは、２０マイクロメータから４０マイクロメータの範囲内とすることが好適である。
【０２５８】
枠２５０の周辺部には、小さな溝２６２を設けた構成とすることができる。この溝内に充填された接着剤により、チップと絶縁フィルム間の接着力を向上させることができる。
【０２５９】
これにより、必要な接着強度を実現するための接着面積をより小さくすることができる。そのため、トランスデューサユニットの大きさをより小さくすることができる。
【０２６０】
本実施形態では、絶縁フィルム２６０を備えていることで、高電圧が電極に印加される静電容量型トランスデューサ１０４の表面と、外部を電気的に絶縁することができる。
【０２６１】
そのため、被検体に対する安全性が高い光音響波用プローブを提供することができる。
【０２６２】
また、本実施形態の構成では、絶縁フィルム２６０とチップ１４０間にシリコーンゴム層２６１を配置しているため、チップ１４０に対して絶縁フィルム２６０の接着力を確保したまま、光音響波（超音波）の受信特性をほとんど劣化させることがない光音響波用プローブを提供することができる。
【０２６３】
（第１３の実施形態）
第１３の実施形態では、チップと回路基板との接続方法に関する説明を行う。それ以外は、第１３の実施形態と同様である。
【０２６４】
図１６は、本実施形態に係る超音波トランスデューサユニットの模式図である。
【０２６５】
本実施形態では、チップ１４０を支持している部材５０９に、絶縁フィルム２６０が接着されていることを特徴的である。
【０２６６】
支持部材５０９は、チップ１４０と同様な形状の凹部と、フレキシブル部を通す貫通孔を有している。支持部材５０９は、ガラスエポキシを積層した部材から構成される。
【０２６７】
チップ１４０は、支持部５０９材上の凹部に配置されており、支持部材のチップが配置された周辺部の突起に、絶縁フィルムが貼り付けられている。そのため、チップは、絶縁フィルムとエポキシ樹脂で構成された支持部材で囲まれているので、外部との絶縁性を高めることができる。
【０２６８】
また、ガラスエポキシを積層した部材は、特定の周波数の超音波を減衰できる。
【０２６９】
本実施形態では、支持部材５０９にガラスエポキシを用いているので、静電容量型トランスデューサに到達した光音響波（超音波）が、支持部材内に入り込み、支持部材の裏面で反射して、受信信号にノイズとして重畳することを低減することができる。
【０２７０】
支持部材５０９の周辺部には、小さな溝２６２を設けた構成を取ることができる。この溝内に充填された接着剤により、チップと絶縁フィルム間の接着力を向上させることができる。これにより、必要な接着強度を実現するための接着面積をより小さくすることができる。そのため、トランスデューサユニットの大きさをより小さくすることができる。
【０２７１】
本実施形態によると、チップ上の電極とプローブ表面間の絶縁特性を高くすることができ、支持部材内のノイズにより受信特性の影響を受けにくい、光音響波用プローブを提供することができる。
【０２７２】
（第１４の実施形態）
第１４の実施形態では、図１７を用いて静電容量型トランスデューサ１９８が超音波の送受信を行う機能を有していることについて説明する。
【０２７３】
その他は、第１から第１４までの何れかの実施形態と同様である。
【０２７４】
図１７（ａ）は、１つのチップ１００上に配置された静電トランスデューサ１９８を示す模式図である。１つのチップ上には、静電トランスデューサ１９８が１素子（エレメント）配置されており、静電トランスデューサ１９８の第１の電極２０２は、駆動検出回路４２１と接続されている。
【０２７５】
駆動検出回路４２１は、装置側から超音波の送信に用いる高電圧パルスを静電容量型トランスデューサ１９８に印加し、静電容量型トランスデューサ１９８からの微小電流を検出信号とし装置側に出力する機能を有している。
【０２７６】
図１７（ｂ）は、駆動検出回路４２１を説明するための回路図である。
【０２７７】
図１７（ｂ）において、４２１は駆動検出回路、４３１はオペアンプ、４３２は帰還抵抗、４３３は帰還容量、４３４、４３５は高耐圧スイッチ、４３６、４３７はダイオード、４３８は高耐圧ダイオードである。オペアンプ４３１の負帰還部に、帰還抵抗４３２と帰還容量４３３が並列に配置されており、電流電圧変換を行う機能を有している。オペアンプの入力と出力端子には、高耐圧スイッチ４３４、４３５と、ダイオード４３７、４３８がそれぞれ接続されている。
【０２７８】
高耐圧ダイオード４３９は、端子間に所定の電圧（１ボルト弱）以下の場合は、端子間の配線接続が切断される。また、高耐圧スイッチ４３４、４３５は、所定の電圧（数ボルト程度）より高い電圧が印加されると、スイッチの入出力端子間の配線が切断される。
【０２７９】
送信のための高電圧パルスが印加されていない時、高耐圧ダイオード４３９は、端子間にはほとんど電位差がないため、高耐圧ダイオード４３９では入出力端子での配線は切断されている状態になっている。
【０２８０】
一方、高耐圧スイッチ４３４、４３５は、外部から高い電圧が印加されていないので、スイッチ間の配線が接続されている。そのため、トランスデューサからの微小電流をオペアンプで電流電圧変換して、外部に接続した装置（不図示）に検出信号を出力することができる。
【０２８１】
一方、送信のための高電圧パルスが装置（不図示）側から印加されると、高耐圧ダイオード４３９内部の配線は接続され、高耐圧スイッチ４３４、４３５には、所定の電圧（数ボルト程度）より高い電圧が印加される。そのため、高耐圧スイッチ４３４、４３５は、スイッチ内部の配線を切断する。
【０２８２】
よって、オペアンプへ高電圧が印加されてオペアンプが破損することを防ぐことができる。
【０２８３】
オペアンプからの信号出力は、高耐圧スイッチ４３５でカットされるために、送信のために印加した高電圧パルスに影響を与えることがない。そのため、トランスデューサの第１の電極に、超音波を送信するための高電圧パルスを印加することができる。
【０２８４】
本実施形態に係る超音波プローブによると、光音響波の受信と、超音波の送受信を１つのプローブで行うことができる。そのため、検出したデータを元に光音響イメージング像、超音波イメージング像を形成することができる。
【０２８５】
また、超音波の送信と、超音波や光音響波の受信に用いる静電容量型トランスデューサ１９８を１つで行うことができるため、チップ１４０のサイズを小さくすることができる。
【０２８６】
そのため、素子１９８間をより近接して配置することができ、素子の数を増やすことができ、あるいは同じ素子数であればより小さな径の半球を実現することができる。
【０２８７】
また、静電容量型トランスデューサ１９８を兼用しているので、光音響イメージング像、超音波イメージング像の位置ズレをより少ない画像を得ることができる。
【０２８８】
（第１５の実施形態）
第１から第１６の何れかの実施形態に記載の超音波プローブは、光音響効果を利用した光音響波（超音波）の受信に用いることができ、それを備えた被検体情報取得装置に適用することができる。
【０２８９】
ここでは、図１８を用いて、超音波測定装置の動作について説明する。
【０２９０】
まず、発光指示信号７０１に基づいて、光源８０５から光７０２（パルス光）を発生させることにより、測定対象物８００に光７０２を照射する。
【０２９１】
測定対象物８００では光７０２の照射により光音響波（超音波）７０３が発生し、この超音波７０３を超音波プローブが有する複数の静電容量型トランスデューサ８０２で受信する。
【０２９２】
受信信号の大きさや形状、時間の情報が光音響波受信信号７０４として被検体情報取得装置８０３に送られる。
【０２９３】
一方、光源８０５で発生させた光７０２の大きさや形状、時間の情報（発光情報）が、光音響信号の被検体情報取得装置８０３に記憶される。
【０２９４】
光音響信号の被検体情報取得装置８０３では、光音響波受信信号７０３と発光情報を基に測定対象物８００の画像信号を生成して、光音響信号による再現画像情報７０５として出力する。
【０２９５】
画像表示器８０４では、光音響信号による再現画像情報７０５を基に、測定対象物８００を画像として表示する。
【０２９６】
本実施形態に係る超音波プローブは、広い周波数範囲の光音響波を受信できる特性を有しているため、光音響波から多くの情報を取得できるため、高画質な画像を生成することができる。
【０２９７】
（第１６の実施形態）
ここでは、第１４の超音波探触子を、第１５の実施形態の被検体情報取得装置に用いた形態について説明する。
【０２９８】
図１９に、本実施形態に係わる画像形成装置の模式図を示す。
【０２９９】
図１９において、７０６は超音波の送受信信号、７０７は測定対象物８００に送信した超音波、７０８は測定対象物８００より反射した超音波、７０９は超音波の送受信による再現画像情報である。
【０３００】
本実施形態の被検体情報取得装置は、光音響波の受信に加えて、パルスエコー（超音波の送受信）を行い、画像を形成する。
【０３０１】
光音響波の受信については、第１５の実施形態と同じであるため、ここではパルスエコー（超音波の送受信）について説明する。
【０３０２】
超音波の送信号７０６を元にして、複数の静電容量型トランスデューサ８０２から、測定対象物８００に向かって超音波７０６が出力（送信）される。
【０３０３】
測定対象物８００の内部において、内在する物体の固有音響インピーダンスの差により、超音波が反射する。
【０３０４】
反射した超音波７０８は、複数の静電容量型トランスデューサ８０２で受信され、受信信号の大きさや形状、時間の情報が超音波受信信号７０６として被検体情報取得装置８０３に送られる。
【０３０５】
一方、送信超音波の大きさや形状、時間の情報は超音波送信情報として、被検体情報取得装置８０３で記憶される。
【０３０６】
画像情報生成装置８０３では、超音波受信信号７０６と超音波送信情報を基に測定対象７００の画像信号を生成して、超音波送受信の再現画像情報７０９として出力する。
【０３０７】
画像表示器８０４では、光音響信号による再現画像情報７０５と、超音波送受信による再現画像情報７０８の２つの情報を基に、測定対象物８００を画像として表示する。
【０３０８】
本実施形態によると、広い周波数範囲の光音響波を受信できる特性を超音波プローブ用いて、異なる測定方法の受信情報を取得して画像を形成するため、より情報量の多い画像を取得、表示することができる。
【符号の説明】
【０３０９】
１００  光音響用プローブ
１０１  複数の超音波トランスデューサ配置部
１０２  筺体
１０３  超音波トランスデューサ（静電容量型トランスデューサ）
１０４  ケーブル
１０５  コネクタ
１０６  光源
１１０  超音波トランスデューサユニット
１１４  超音波トランスデューサユニット
１１５  超音波トランスデューサユニット
１１６  超音波トランスデューサユニット
１１７  超音波トランスデューサユニット
１２０  フレーム
１２１  開口部
１４０  チップ（基板）
１９８  静電容量型トランスデューサ
２００  セル
２０１  振動膜
２０２  第１の電極
２０３  第２の電極
２０４  支持部
２０５  空隙
２２１  第１のチップ
２２２  第２のチップ
２５０  枠
２６０  絶縁フィルム
２６１  シリコーンゴム層
２６２  溝
３０１  第１の配線
３０２  第２の配線
４０１  直流電圧発生手段
４０２  受信回路
４１１  オペアンプ
４１２  帰還抵抗
４１３  帰還容量（コンデンサ）
４２１  駆動検出回路
４３１  オペアンプ
４３２  帰還抵抗
４３３  帰還容量
４３４  高耐圧スイッチ
４３５  高耐圧スイッチ
４３６  ダイオード
４３７  ダイオード
４３８  高耐圧ダイオード
５０１  リジッドフレキシブル基板
５０２  第１のリジッド部（回路基板）
５０３  第２のリジッド部（回路基板）
５０４  フレキシブル部（フレキシブル配線）
５０６  リジッド部（回路基板）
５０７  フレキシブル部（フレキシブル配線）
５０９  支持部材
５１１  貫通配線
５１２  ハンダバンプ
５１３  電極
５１４  電極
５１５  アンダーフィル材
５１６  金バンプ
５１７  異方導電性樹脂
５２１  リジッドフレキシブル基板
５２２  リジッド部（回路基板）
５２３  フレキシブル部（フレキシブル配線）
５２４  リジッド部（回路基板）
５２５  フレキシブル部（フレキシブル配線）
５２６  電極
５２７  電極
５２８  異方性導電樹脂
５２９  フレキシブルプリント基板用コネクタ
５３０  回路基板
５３１  薄い導電層
５３２  絶縁層
５３３  絶縁層
５３４  接続用電極
５３５  接続用電極
５３６  異方性導電樹脂
７０１  発光指示信号
７０２  光
７０３  光音響波
７０４  光音響波受信信号
７０５  光音響信号による再現画像情報
７０６  超音波の送受信信号
７０７  送信した超音波
７０８  超音波の送受信による再現画像情報
８００  対象物
８０１  媒質
８０２  静電容量型トランスデューサ
８０３  画像情報生成装置
８０４  画像表示器
８０５  光源
【図１】
2016120183.tif 000003
【図２】
2016120183.tif 000004
【図３】
2016120183.tif 000005
【図４】
2016120183.tif 000006
【図５】
2016120183.tif 000007
【図６】
2016120183.tif 000008
【図７】
2016120183.tif 000009
【図８】
2016120183.tif 000010
【図９】
2016120183.tif 000011
【図１０】
2016120183.tif 000012
【図１１】
2016120183.tif 000013
【図１２】
2016120183.tif 000014
【図１３】
2016120183.tif 000015
【図１４】
2016120183.tif 000016
【図１５】
2016120183.tif 000017
【図１６】
2016120183.tif 000018
【図１７】
2016120183.tif 000019
【図１８】
2016120183.tif 000020
【図１９】
2016120183.tif 000021
【図２０】
2016120183.tif 000022