(57)【要約】【課題】キャビティ内への異物の残留を低減し、信頼性の高い振動子、あるいは発振器が得られる製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】基板に励振電極を有する第１の振動片を形成する振動片形成工程と、前記第１の振動片に、所定の動作電力より大きい電力を印加し、強励振させて第２の振動片を得る強励振工程と、前記第２の振動片を容器に収容する収容工程と、を含む振動子の製造方法。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に励振電極を有する第１の振動片を形成する振動片形成工程と、
前記第１の振動片に、所定の動作電力より大きい電力を印加し、強励振させて第２の振動片を得る強励振工程と、
前記第２の振動片を容器に収容する収容工程と、を含む、
ことを特徴とする振動子の製造方法。
【請求項２】
前記強励振工程は、前記第２の振動片を検査する検査工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の振動子の製造方法。
【請求項３】
前記基板に前記第１の振動片が複数形成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の振動子の製造方法。
【請求項４】
基板に励振電極を有する第１の振動片を形成する振動片形成工程と、
前記第１の振動片に、所定の動作電力より大きい電力を印加し、強励振させて第２の振動片を得る強励振工程と、
前記第２の振動片と、半導体装置と、を容器に収容する収容工程と、を含む、
ことを特徴とする発振器の製造方法。
【請求項５】
前記強励振工程は、前記第２の振動片を検査する検査工程を含むことを特徴とする請求項４に記載の発振器の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、振動子および発振器の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
各種電子機器には、水晶発振器に代表される振動デバイスが複数用いられている。この振動デバイスは、特許文献１に開示されているように、カバーによって気密保持されるキャビティ内に圧電振動片と、ＩＣチップなどの電子部品素子と、が積層状態で収容された構成となっている。
【０００３】
特許文献１に開示された振動デバイスにおいて、振動片としての水晶片には、微量ではあるがその表面に異物が付着することがある。付着した異物は水晶片の振動特性を変動させる原因の一つであり、その除去方法として強励振（オーバードライブ）によって水晶片から異物を振るい落とすことが知られている。しかし特許文献１に開示された振動デバイスでは、強励振において付加される大きな電力が、電気的に接続された電子部品素子にも付加されることになり、電子部品素子の損傷につながる虞があった。
【０００４】
これに対して、特許文献２に示す圧電振動デバイスでは、キャビティ内に水晶振動片とＩＣチップとを収納し、水晶振動片を強励振した後、水晶振動片とＩＣチップとをワイヤボンディングによって電気的に接続することにより、強励振における大電力によってＩＣチップが破損することを回避している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００４−２９７７３７号公報
【特許文献２】特開２００７−２３５５４４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、特許文献２に示す圧電振動デバイスでは、キャビティ内に水晶振動片を収納した後に強励振を行うため、水晶振動片から振るい落とされた異物はキャビティ内に在留する場合がある。従って、キャビティ内に異物が残留している場合には、圧電振動デバイスに完成されたのちに、キャビティ内に残留している異物が水晶振動片に付着し、振動特性を劣化させることがあった。
【０００７】
そこで、キャビティ内への異物の残留を低減し、信頼性の高い振動子、あるいは発振器が得られる製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【０００９】
〔適用例１〕本適用例の振動子の製造方法は、基板に励振電極を有する第１の振動片を形成する振動片形成工程と、前記第１の振動片に、所定の動作電力より大きい電力を印加し、強励振させて第２の振動片を得る強励振工程と、前記第２の振動片を容器に収容する収容工程と、を含むことを特徴とする。
【００１０】
本適用例の振動子の製造方法によれば、第１の振動片を強励振することで得られる第２の振動片が得られ、得られた第２の振動片が収容工程において容器に収容される。従って、第２の振動片は、付着している異物が強励振によって低減されるため、収容工程で得られる振動子の容器内に第２の振動片に付着していた異物が持ち込まれる可能性を低減できる。従って、安定した振動特性を備える振動子を得ることができる。
【００１１】
〔適用例２〕上述の適用例において、前記強励振工程は、前記第２の振動片を検査する検査工程を含むことを特徴とする。
【００１２】
上述の適用例によれば、強励振工程中に検査工程を含ませることで、大電力が第１の振動片に印加されることで発生する不良振動片を、振動子完成品とする収容工程に送出させることを低減できる。従って、振動子完成品での不良率の減少を図ることができ、不良コスト低減が実現できる。
【００１３】
〔適用例３〕上述の適用例において、前記基板に前記第１の振動片が複数形成されていることを特徴とする。
【００１４】
上述の適用例によれば、いわゆるウエハー基板によって振動片を形成することで、高い生産性を得ることができる。
【００１５】
〔適用例４〕本適用例の発振器の製造方法は、基板に励振電極を有する第１の振動片を形成する振動片形成工程と、前記第１の振動片に、所定の動作電力より大きい電力を印加し、強励振させて第２の振動片を得る強励振工程と、前記第２の振動片と、半導体装置と、を容器に収容する収容工程と、を含むことを特徴とする。
【００１６】
本適用例の発振器の製造方法によれば、第１の振動片を強励振することで得られる第２の振動片が得られ、得られた第２の振動片が収容工程において容器に収容される。従って、第２の振動片は、付着している異物が強励振によって低減するため、収容工程で得られる発振器の容器内に第２の振動片に付着していた異物が持ち込まれる可能性を低減できる。従って、安定した振動特性を備える発振器を得ることができる。
【００１７】
〔適用例５〕上述の適用例において、前記強励振工程は、前記第２の振動片を検査する検査工程を含むことを特徴とする。
【００１８】
上述の適用例によれば、強励振工程中に検査工程を含ませることで、大電力が第１の振動片に印加されることで発生する不良振動片を、発振器完成品とする収容工程に送出させることを低減できる。従って、振動片に加えて半導体装置も収容された発振器完成品での不良率の減少を図ることができ、不良コスト低減が実現できる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】第１実施形態に係る振動子の製造方法によって得られる振動子を示し、（ａ）は平面外観図、（ｂ）は（ａ）に示すＡ−Ａ´部の断面図。
【図２】第１実施形態に係る振動子の製造方法を示すフローチャート。
【図３】第１実施形態に係る振動子の振動片形成工程を示し、（ａ）は複数の振動素子を有するウエハーの外観斜視図、（ｂ）は（ａ）に示すＢ部拡大平面図、（ｃ），（ｄ）は振動素子に電極が形成された状態を示す拡大平面図。
【図４】第１実施形態に係る振動子の強励振工程を示す外観斜視図。
【図５】第１実施形態に係る振動子の収容工程を示す断面図。
【図６】第２実施形態に係る発振器の製造方法によって得られる発振器を示し、（ａ）は平面外観図、（ｂ）は（ａ）に示すＣ−Ｃ´部の断面図。
【図７】第２実施形態に係る発振器の製造方法を示すフローチャート。
【図８】第２実施形態に係る発振器の収容工程を示す断面図。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、図面を参照して、本発明に係る実施形態を説明する。
【００２１】
（第１実施形態）
図１は第１実施形態に係る振動子の製造方法によって得られる振動子の概略構成を示し、（ａ）はリッドを省略した外観平面図、（ｂ）は（ａ）に示すＡ−Ａ´部の断面図である。
【００２２】
図１に示す振動子１０００は、図１（ｂ）に示すように、振動片１００と、振動片１００が収容可能な凹部空間２００ａを有するパッケージ２００と、リッド３００と、パッケージ２００とリッド３００とを接合して凹部空間２００ａを密閉するシール部材４００と、を備えている。
【００２３】
振動片１００は、圧電素子１０と、圧電素子１０の第１主面１０ａに形成された第１電極２１と、圧電素子１０の第２主面１０ｂに形成された第２電極２２と、を備えている。圧電素子１０は、水晶、セラミックス、ＰＺＴなどの圧電性を備える材料であれば特に限定されないが、本実施形態では水晶を用いて説明する。以下、圧電素子１０を水晶素子１０という。
【００２４】
図１（ａ）に示すように、第１電極２１は、第１主面１０ａに本実施形態では略矩形の平面形状を備える励振電極２１ａと、第１主面１０ａの裏面となる第２主面１０ｂに形成された接続電極２１ｂと、励振電極２１ａと接続電極２１ｂとを繋ぐ延設部２１ｃと、を備えている。また第２電極２２は、第２主面１０ｂに、第１主面１０ａに形成された励振電極２１ａに平面視で重なるように、本実施形態では略矩形状の平面形状を備える励振電極２２ａと、接続電極２２ｂと、励振電極２２ａと接続電極２２ｂとを繋ぐ延設部２２ｃと、を備えている。
【００２５】
パッケージ２００は絶縁性を備える、例えばセラミックや樹脂やガラスなどによって形成されている。パッケージ２００の凹部空間２００ａの底部２００ｂには、接続電極６１０が形成され、接続電極６１０と図示しないパッケージ２００の内部に形成された配線によって電気的に接続された外部接続電極６２０ａ，６２０ｂが、パッケージ２００の外部底面２００ｃに形成されている。
【００２６】
振動片１００は、パッケージ２００の凹部空間２００ａ内に、接続電極２１ｂ，２２ｂが接続電極６１０と対向するように配設し、導電性を有する接合部材５００によって接続、配設される。そして、パッケージ２００の凹部空間２００ａの開口部側の枠形状の平面形状を有する上端面２００ｄにシール部材４００を介してリッド３００が固着され、凹部空間２００ａが気密封止される。なお、凹部空間２００ａは、例えば真空封止、もしくは不活性ガスが充填されて気密封止されることが好ましい。
【００２７】
上述したように、本実施形態に係る振動子１０００に備える振動片１００は、図１に示すように、いわゆるＡＴ振動片を例示しているが、これに限定されず、例えば音叉型振動片などであってもよく、ジャイロ素子であってもよい。
【００２８】
図２は、上述した振動子１０００の製造方法を示すフローチャートである。図２（ａ）は、第１実施形態に係る振動子の製造方法を示し、図２（ｂ）は図２（ａ）に示す強制励振工程（Ｓ２０）の詳細を示し、図２（ｃ）は図２（ａ）に示す収容工程（Ｓ４０）の詳細を示すフローチャートである。
【００２９】
図２（ａ）に示すように、本実施形態に係る振動子１０００の製造方法では、振動片形成工程（Ｓ１０）から開始される。
【００３０】
（振動片形成工程）
振動片形成工程（Ｓ１０）は、図３（ａ）に示すように、所望の厚みを有する円板状の水晶基板２０００（基板の一例）、いわゆる水晶ウエハーが準備される。以下、水晶基板２０００をウエハー２０００という。
【００３１】
図３（ａ）に示すＢ部の拡大図である図３（ｂ）に示すように、ウエハー２０００に、例えばフォトリソグラフィーによるパターニングとエッチングによって、複数の貫通部２０１０ａを形成し、貫通部２０１０ａが形成されることによって水晶素子部２０１０ｂと、ウエハー２０００との接続部としての折り取り部２０１０ｃと、が複数形成された、振動素子ウエハー２０１０が得られる。
【００３２】
得られた振動素子ウエハー２０１０の表面に、蒸着あるいはスパッタリングによって導電性の金属膜を形成し、フォトリソグラフィーによるパターニングと、エッチングによって、図３（ｃ）に示すように、振動素子ウエハー２０１０に形成された水晶素子部２０１０ｂの一方の面には第１電極２１が形成され、図３（ｄ）に示すように、水晶素子部２０１０ｂの他方の面には第２電極２２と、第１電極２１の接続電極２１ｂと、が形成された第１の振動片としての第１振動片部２１１０を複数有する第１振動片ウエハー２０２０を得る振動片形成工程（Ｓ１０）が実行される。
【００３３】
（強励振工程）
図３（ｃ），（ｄ）に示すように、振動片形成工程（Ｓ１０）によって得られた第１電極２１と、第２電極２２と、が形成された第１振動片部２１１０を複数備える第１振動片ウエハー２０２０は、強励振工程（Ｓ２０）に移行される。強励振工程（Ｓ２０）は、図２（ｂ）に示すように、電力印加工程（Ｓ２１）と、検査工程（Ｓ２２）と、不良品除去工程（Ｓ２３）と、を含む。
【００３４】
（電力印加工程）
まず、電力印加工程（Ｓ２１）が行われる、電力印加工程（Ｓ２１）は、図４（ａ）に示すように強励振装置３０００に備える強励振制御部３１００に接続された接続端子３２００ａ，３２００ｂを、各々接続電極２１ｂ，２２ｂに接触させ、強励振制御部３１００より所定の大電力を第１電極２１と、第２電極２２と、に印加する。そして、励振電極２１ａ，２２ａに供給された大電力により、第１振動片部２１１０は大きな振幅の振動が励起され、第１電極２１および第２電極２２に付着した異物の少なくとも一部が振るい落される。また、水晶素子１０と、電極２１，２２と、の密着性を向上させることができる。
【００３５】
所定の時間、大電力を第１振動片部２１１０に印加した後、接続端子３２００ａ，３２００ｂを、接続電極２１ｂ，２２ｂから離間させて、第１振動片部２１１０に対する電力印加工程（Ｓ２１）が終了し、第２の振動片としての第２振動片部２１２０が形成される。そして、次の第１振動片部２１１０へ接続端子３２００ａ，３２００ｂを移動させ、電力印加工程（Ｓ２１）を実行させ、順次、第１振動片ウエハー２０２０に備える第１振動片部２１１０のすべてに対して電力印加工程（Ｓ２１）を実行し、複数の第２振動片部２１２０を備える第２振動片ウエハー２０２１が得られる。そして、検査工程（Ｓ２２）に移行する。
【００３６】
（検査工程）
検査工程（Ｓ２２）は、電力印加工程（Ｓ２１）において、第２振動片部２１２０の所定動作電力を超える電力が印加されることで、一部の第２振動片部２１２０に破損の発生が予測されるため、所定の動作が得られるかを検査する。検査工程（Ｓ２２）は、図示しないが、接続電極２１ｂ，２２ｂに検査装置に繋がれた検査端子を接触させ、所定の電力を印加して励振させ、得られる発振信号から、所望の品質、例えば周波数、投下直列抵抗値などを検出し、良否判定する。
【００３７】
（不良品除去工程）
検査工程（Ｓ２２）によって、個々の第２振動片部２１２０が良否判定された第２振動片ウエハー２０２１は、不良品除去工程（Ｓ２３）に移行する。不良品除去工程（Ｓ２３）は、図４（ｂ）に示すように、不良と判定された不良振動片部２１２０Ｆが、折り取り部２０１０ｃから折り取られることで第２振動片ウエハー２０２１から除去される。不良振動片部２１２０Ｆは、上述の検査工程（Ｓ２２）において不良と判定されると、図示しない検査装置に第２振動片ウエハー２０２１内の不良振動片部２１２０Ｆの振動片ウエハー２０２０内での位置情報が記憶され、図示しない押圧手段によって図示する矢印方向押圧Ｆが付加される。押圧Ｆが付加された不良振動片部２１２０Ｆは、最も強度の弱い折り取り部２０１０ｃが断裂し、第２振動片ウエハー２０２１から不良振動片部２１２０Ｆが離脱し、除去される。なお、不良品除去工程では、第２振動片ウエハーから不良振動片部２１２０Ｆを除去する代わりに、不良振動片部２１２０Ｆの表面にインクやレーザー等を用いて、画像認識方法で認識可能な印をつけておいてもよい。
【００３８】
以上、電力印加工程（Ｓ２１）と、検査工程（Ｓ２２）と、不良品除去工程（Ｓ２３）と、を含む強励振工程（Ｓ２０）が実行され、良品の第２振動片部２１２０が複数形成された第２振動片ウエハー２０２２が得られ、次の個片化工程（Ｓ３０）に移行される。
【００３９】
（個片化工程）
個片化工程（Ｓ３０）は、上述した不良品除去工程（Ｓ２３）と同様に、良品の第２振動片部２１２０を有する第２振動片ウエハー２０２２から、個々の第２振動片部２１２０に押圧Ｆを付加し、折り取り部２０１０ｃを断裂させて振動片１００の個片を取り出す工程である。個片化工程（Ｓ３０）において個片化された振動片１００は収容工程（Ｓ４０）に移行される。なお、不良品除去工程（Ｓ２３）で不良振動片部２１２０Ｆの表面にインクやレーザー等を用いて、画像認識方法で認識可能な印をつけた場合には、個片化工程において画像認識を行って不良振動片部２１２０Ｆを取り出さないようにすればよい。
【００４０】
（収容工程）
収容工程（Ｓ４０）は、いわゆるパッケージングによって振動子１０００（図１参照）を得る工程である。収容工程（Ｓ４０）は、マウント工程（Ｓ４１）と、周波数調整工程（Ｓ４２）と、封止工程（Ｓ４３）と、を含む工程である。図５は、収容工程（Ｓ４０）の製造工程を示し、図１（ａ）に示すＡ−Ａ´部に相当する部分の断面図であり、図１に示す振動子１０００と同じ構成要素には同じ符号を付し、説明は省略する。
【００４１】
（マウント工程）
収容工程（Ｓ４０）は、先ず、マウント工程（Ｓ４１）が実行される。マウント工程（Ｓ４１）は、図５（ａ）に示すように、パッケージ２００の凹部空間２００ａの底部２００ｂに形成された接続電極６１０に導電性を有する接合部材５００を配設する。そして、接続電極６１０に対向させるように振動片１００の形成された接続電極２１ｂ，２２ｂ部を接続電極６１０上の接合部材５００上に載置して、振動片１００を凹部空間２００ａ内に配置させる。そして、接合部材５００を硬化させ、接続電極６１０と振動片１００の接続電極２１ｂ，２２ｂと、を電気的に接続し、且つ振動片１００がパッケージ２００に固定されることでマウント工程（Ｓ４１）が終了する。なお、接合部材５００は、例えば導電性接着剤、半田、金属バンプなど特に限定はないが、生産性が高い導電性接着剤が好適に用いられる。
【００４２】
（周波数調整工程）
マウント工程（Ｓ４１）によって振動片１００がパッケージ２００の凹部空間２００ａに搭載されると、周波数調整工程（Ｓ４２）に移行される。周波数調整工程（Ｓ４２）は、図５（ｂ）に示すように、パッケージ２００の凹部空間２００ａの開口側から、第１電極２１の励振電極２１ａに向けて図示しないレーザー照射装置からレーザーＬが照射され、所望の振動周波数となるまで、励振電極２１ａの一部の電極金属がレーザーＬによって蒸散、除去される。なお、周波数調整工程（Ｓ４２）は、上述の方法以外にも、励振電極２１ａにイオンやプラズマ等を照射させて行ってもよいし、励振電極２１ａにＡｕ、Ａｇ、Ａｌなどの部材を蒸着やスパッタなどの方法で励振電極２１ａに付加することで行ってもよい。
【００４３】
（封止工程）
周波数調整工程（Ｓ４２）によって所望の周波数に調整された振動片１００を搭載したパッケージ２００は、封止工程（Ｓ４３）に移行される。封止工程（Ｓ４３）は、図５（ｃ）に示すように、先ず、パッケージ２００の凹部空間２００ａの開口部側の枠形状の平面形状を有する上端面２００ｄに、シール部材４００が載置され、更にシール部材４００上にリッド３００が載置される。なおシール部材４００は、パッケージ２００の熱膨張係数により近い材料、例えばコバールが好適に用いられる。またリッド３００も、パッケージ２００およびシール部材４００との熱膨張係数により近い、例えばコバールなどが好適に用いられる。なお、パッケージ２００は、上端面２００ｄにあらかじめシール部材４００が載置されているものを用いてもよい。
【００４４】
そして、真空環境、もしくは不活性ガス雰囲気環境に維持された図示しない処理室（チャンバー）内において、シーム溶接などの接合方法によって、リッド３００とパッケージ２００と、が気密に接合されて、封止工程（Ｓ４３）が終了し、収容工程（Ｓ４０）を終え、振動子１０００が得られる。そして検査工程（Ｓ５０）に移行する。
【００４５】
（検査工程）
検査工程（Ｓ５０）では、完成品としての振動子１０００の所定仕様に基づく検査が行われる。検査工程（Ｓ５０）は、図示しないが、外部接続電極６２０ａ，６２０ｂに検査装置に備える端子を接触させて行う所定の機能品質検査、目視あるいは顕微鏡による外観検査などが行われ、良否判定が行われる。
【００４６】
従来の振動子においても、励振電極と素子片との密着性を向上させる目的で強励振、いわゆるオーバードライブを施すことは知られていたが、パッケージ内に振動片の封止後に強励振が行われることが一般的であった。しかし、この従来の方法では、強励振によって振動片に付着した異物が、密封されたパッケージ内部空間内に振るい落とされることとなり、パッケージ内部空間内に留まった異物が、振動片に付着と離脱とが繰り返され振動子の振動特性を変動させる要因となっていた。
【００４７】
しかし、第１実施形態に係る振動子１０００の製造方法では、振動片ウエハー２０２０の状態で強励振工程（Ｓ２０）が行われることにより、振動片１００に付着した異物の少なくとも一部が振るい落されることで、振動片１００に付着している異物をパッケージ２００内に持ち込む可能性を低減する。従って、安定した振動特性を備える振動子１０００を得ることができる。
【００４８】
（第２実施形態）
図６は第２実施形態に係る発振器の製造方法によって得られる発振器の概略構成を示し、（ａ）はリッドを省略した外観平面図、（ｂ）は（ａ）に示すＣ−Ｃ´部の断面図である。図６に示す発振器１１００は、第１実施形態に係る振動子１０００に備える振動片１００と、振動片１００の発振回路を含む半導体装置と、を含むものであり、第１実施形態に係る振動子１０００、およびその製造方法と同じ構成要素には同じ符号を付し、説明は省略する。
【００４９】
図６に示す発振器１１００は、図６（ｂ）に示すように、振動片１００と、半導体装置７００（以下、ＩＣ７００という）と、を、ＩＣ７００が収容可能な第１凹部空間２１０ａと、第１凹部空間２１０ａにつながる振動片１００が収容可能な第２凹部空間２１０ｂと、を有するパッケージ２１０と、リッド３００と、パッケージ２１０とリッド３００とを接合して凹部空間２１０ａ，２１０ｂを密閉するシール部材４００と、を備えている。
【００５０】
ＩＣ７００は、ＩＣ７００の一方の面７００ａに形成され、図示しないＩＣ７００の内部に形成された電子回路と電気的に繋がれた外部電極７００ｂを備えている。そして、パッケージ２１０の第１凹部空間２１０ａの底部２１０ｄに形成されたＩＣ接続電極６１２に、ＩＣ７００の外部電極７００ｂを対向配置させ、導電性を有する接合部材５１０によって接合させることでＩＣ７００はパッケージ２１０の第１凹部空間２１０ａ内に収容されている。
【００５１】
振動片１００は、パッケージ２１０の第２凹部空間２１０ｂの底部となる段差部２１０ｃに形成された接続電極６１１に、接続電極２１ｂ，２２ｂが対向するように配設し、導電性を有する接合部材５００によって固定、配設される。そしてパッケージ２１０の内部に形成された図示しない引き回し配線によって、接続電極６１１と、ＩＣ接続電極６１２と、は電気的に繋がれている。さらに、ＩＣ接続電極６１２は、パッケージ２１０の内部に形成された図示しない引き回し配線によってパッケージ２１０の外部底面２１０ｅに形成された外部接続電極６２０ａ，６２０ｂと電気的に繋がれている。
【００５２】
次に、発振器１１００の製造方法について説明する。本実施形態に係る発振器１１００の製造方法は、第１実施形態に係る振動子１０００の製造方法、すなわち図２に示すフローチャートと同じ工程を備えている。ただし、図２（ｃ）に示す収容工程（Ｓ４０）に含むマウント工程（Ｓ４１）の構成が異なり、図７にそのマウント工程（Ｓ４１）に含まれる工程のフローチャートを示す。なお上述した通り、第２実施形態に係る発振器１１００の製造方法において、第１実施形態に係る振動子１０００の製造方法と同じ工程は説明を省略する。
【００５３】
（振動片形成工程から個片化工程まで）
本実施形態に係る製造方法によって得られる発振器１１００は、第１実施形態に係る製造方法によって得られる振動子１０００に備える振動片１００を備える。従って、図２（ａ）に示す振動片形成工程（Ｓ１０）から個片化工程（Ｓ３０）までの工程は同じである。よって、説明は省略する。
【００５４】
（収容工程）
収容工程（Ｓ４０）は、いわゆるパッケージングによって発振器１１００（図６参照）を得る工程である。収容工程（Ｓ４０）は、マウント工程（Ｓ４１）と、周波数調整工程（Ｓ４２）と、封止工程（Ｓ４３）と、を含む工程である。更に、マウント工程（Ｓ４１）は、ＩＣマウント工程（Ｓ４１１）と、振動片マウント工程（Ｓ４１２）と、を含む工程である。図８は、収容工程（Ｓ４０）に含むマウント工程（Ｓ４１）の製造工程を示す図６（ａ）に示すＣ−Ｃ´部に相当する部分の断面図であり、図６に示す発振器１１００と同じ構成要素には同じ符号を付し、説明は省略する。
【００５５】
（ＩＣマウント工程）
マウント工程（Ｓ４１）では、先ず、ＩＣマウント工程（Ｓ４１１）が実行される。ＩＣマウント工程（Ｓ４１１）は、図８（ａ）に示すように、パッケージ２１０の第１凹部空間２１０ａの底部２１０ｄに形成されたＩＣ接続電極６１２上に導電性を有する接合部材５１０を配設し、あらかじめ準備されたＩＣ７００の外部電極７００ｂを、ＩＣ接続電極６１２に対向させるように接合部材５１０上に載置する。そして、接合部材５１０を硬化させ、ＩＣ接続電極６１２とＩＣ７００の外部電極７００ｂと、を電気的に接続し、且つＩＣ７００がパッケージ２１０に固定されることでＩＣマウント工程（Ｓ４１１）が終了する。なお、ＩＣマウント工程（Ｓ４１１）では、接合部材５１０をＩＣ７００の外部電極７００ｂ上に配設して接合部材５１０とＩＣ接続電極６１２とを接合することで、ＩＣ接続電極６１２と外部電極７００ｂとを電気的に接続するようにしてもよい。また、上述の方法以外に、ＩＣ７００を、外部電極７００ｂが形成されていない面と、パッケージ２１０の第１凹部空間２１０ａの底部２１０ｄとが対向するように配置した後、外部電極７００ｂとＩＣ接続電極６１２とをボンディングワイヤーで電気的に接続するようにしてもよい。
【００５６】
（振動片マウント工程）
ＩＣマウント工程（Ｓ４１１）の後、振動片マウント工程（Ｓ４１２）に移行される。振動片マウント工程（Ｓ４１２）は、図８（ｂ）に示すように、先ず、パッケージ２１０の第２凹部空間２１０ｂの底部となる段差部２１０ｃに形成された接続電極６１１に導電性を有する接合部材５００が配設される。次に、振動片１００に備える接続電極２１ｂ，２２ｂを接続電極６１１に対向させて振動片１００を第２凹部空間２１０ｂ内に収容し、接合部材５００上に接続電極２１ｂ，２２ｂが接触するように振動片１００を段差部２１０ｃ上に載置する。そして、接合部材５００を硬化させ、接続電極６１１と振動片１００の接続電極２１ｂ，２２ｂと、を電気的に接続し、且つ振動片１００がパッケージ２１０に固定されることで振動片マウント工程（Ｓ４１２）が終了する。
【００５７】
ＩＣマウント工程（Ｓ４１１）と、振動片マウント工程（Ｓ４１２）と、を含むマウント工程（Ｓ４１）が行われ、次の周波数調整工程（Ｓ４２）に移行される。
【００５８】
（周波数調整工程および封止工程）
周波数調整工程（Ｓ４２）および封止工程（Ｓ４３）は、第１実施形態に係る振動子１０００の製造方法と同様の製造方法である。本実施形態に係る周波数調整工程（Ｓ４２）は、図８（ｂ）に示すように、パッケージ２１０に収容された振動片１００の第１電極２１の励振電極２１ａにレーザーＬが照射され、励振電極２１ａの一部を蒸散、除去することで所望の周波数に調整される。
【００５９】
周波数調整工程（Ｓ４２）の後、封止工程（Ｓ４３）に移行される。封止工程（Ｓ４３）は、図８（ｃ）に示すように、先ず、パッケージ２１０の第２凹部空間２１０ｂの開口部側の枠形状の平面形状を有する上端面２１０ｆに、シール部材４００が載置され、更にシール部材４００上にリッド３００が載置される。そして、真空環境、もしくは不活性ガス雰囲気環境に維持された図示しない処理室（チャンバー）内において、シーム溶接などの接合方法によって、リッド３００とパッケージ２１０と、が気密に接合されて、封止工程（Ｓ４３）が終了し発振器１１００が得られる。そして、検査工程（Ｓ５０）に移行する。
【００６０】
（検査工程）
マウント工程（Ｓ４１）、周波数調整工程（Ｓ４２）、そして封止工程（Ｓ４３）を含む収容工程（Ｓ４０）の後、検査工程（Ｓ５０）に移行される。検査工程（Ｓ５０）では、完成品としての発振器１１００の所定仕様に基づく検査が行われる。検査工程（Ｓ５０）は、図示しないが、外部接続電極６２０ａ，６２０ｂに検査装置に備える端子を接触させて行う所定の機能品質検査、目視あるいは顕微鏡による外観検査などが行われ、良否判定が行われる。
【００６１】
上述の第２実施形態に係る発振器１１００の製造方法は、振動片ウエハー２０２０の状態で強励振工程（Ｓ２０）が行われることにより、振動片１００に付着した異物の少なくとも一部が振るい落されることで、振動片１００に付着した異物をパッケージ２１０内に持ち込む可能性が低減する。従って、安定した振動特性を備える発振器１１００を得ることができる。
【００６２】
また従来、一般的に行われたパッケージ内に半導体装置（ＩＣ）と、振動片と、を封止した後、強励振が行われる発振器の場合、半導体装置へも強励振の大電力が流れてしまい、半導体装置の破損となる虞があった。しかし、本実施形態に係る発振器１１００の製造方法では、振動片１００の部品段階で強励振工程（Ｓ２０）が実行されるため、強励振工程（Ｓ２０）の後の収容工程（Ｓ４０）でマウントされるＩＣ７００には強励振による影響は全く及ぼすことがない、安定した品質の発振器１１００を得ることができる。
【００６３】
また、第１実施形態に係る振動子１０００、および第２実施形態に係る発振器１１００の製造方法は、振動片ウエハー２０２０の形態で強励振のための大電力が第１振動片部２１１０に印加される（図４参照）。そして、強励振によって発生する不良振動片部２１２０Ｆは、図示されているように部品状態で検出することができる。
【００６４】
すなわち、従来技術で開示されるような、キャビティ内に振動片、あるいは振動片とＩＣチップ、を配置させて、振動片を強励振させる形態では、強励振によって振動片またはＩＣチップが機能不良となった場合、不良損失は振動片コストに加え、パッケージ、あるいはＩＣ、などの振動片以外の部品コストと、そこまでの加工工数（加工コスト）までを含んで、大きな損失コストとなることを回避することができる。
【００６５】
上述した各実施形態は一例であって、これらに限定されず、種々の変形が可能である。例えば、上述した各実施形態では、基板の一例として圧電性を備える材料としての水晶を用いているが、これに限定されず、シリコン半導体基板を用いてもよい。基板としてシリコン半導体基板を用いる場合には、励振手段としてクーロン力による静電駆動を用いてもよい。
【符号の説明】
【００６６】
１０…圧電素子（水晶素子）、２１，２２…電極、１００…振動片、２００…パッケージ、３００…リッド、４００…シール部材、５００…接合部材、１０００…振動子。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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