(57)【要約】【課題】半導体部品を樹脂で封止するとともに半導体部品の一部を樹脂より突出させて露出部とした半導体装置において、露出部の突出根元部における応力集中を緩和する。【解決手段】シリコン半導体よりなる半導体部品１０と、半導体部品１０を封止する樹脂２０と、を備え、半導体部品１０の一部は、樹脂２０の第１の面２１より突出することにより樹脂２０より露出する露出部２とされている。露出部２における第１の面２１からの突出根元部において、樹脂２０の一部が露出部２の外表面に接触しつつ第１の面２１よりも露出部２側に突出してなる突出部２２が形成されており、突出部２２は、露出部２側から第１の面２１に向かって凹曲面状に拡がる形状とされている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン半導体よりなる半導体部品（１０）と、
前記半導体部品を封止する樹脂（２０）と、を備え、
前記半導体部品の一部は、前記樹脂の第１の面（２１）より突出することにより前記樹脂より露出する露出部（２）とされている半導体装置であって、
前記露出部における前記第１の面からの突出根元部において、前記樹脂の一部が前記露出部の外表面に接触しつつ前記第１の面よりも前記露出部側に突出してなる突出部（２２）が形成されており、前記突出部は、前記露出部側から前記第１の面に向かって凹曲面状に拡がる形状とされていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記半導体部品は、表裏の関係にある第１の板面（１１）、第２の板面（１２）およびこれら第１、第２の両板面を連結する側面としての部品側面（１３〜１６）を、外表面とする板状をなすものであり、
前記露出部の突出根元部における前記第１の板面、前記第２の板面および前記部品側面（１５、１６）のすべてに前記突出部が配置されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記半導体部品は、表裏の関係にある第１の板面（１１）、第２の板面（１２）およびこれら第１、第２の両板面を連結する側面としての部品側面（１３〜１６）を、外表面とする板状をなすものであり、
前記露出部の突出根元部における前記第１の板面、前記第２の板面および前記部品側面（１５、１６）のうち当該部品側面のみに前記突出部が配置されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記半導体部品の前記露出部における前記部品側面（１４〜１６）を取り囲むように、当該部品側面に対して隙間を有して対向する枠状の枠部（２３）が設けられており、
前記枠部は、前記樹脂が延長された部位として形成されたものであり、
前記枠部は、当該枠部の内周側の角部が凹曲面状に面取りされた形状とされたものであることを特徴とする請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
シリコン半導体よりなる半導体部品（１０）を樹脂（２０）で封止する封止工程と、
前記樹脂にレーザ（Ｌ）を照射することにより、前記半導体部品の一部が前記樹脂の第１の面（２１）より突出して前記樹脂より露出するように前記樹脂を除去する除去工程と、を行う半導体装置の製造方法であって、
前記除去工程では、前記レーザとして、前記樹脂を除去可能なエネルギーを有する第１のレーザ（Ｌ１）と、前記第１のレーザよりもシリコン半導体への吸収率が小さい波長を有し且つ前記第１のレーザよりもエネルギーの小さい第２のレーザ（Ｌ２）とを用い、
前記第１のレーザおよび前記第２のレーザを集光レンズ（Ｒ１）にて集光させることにより、前記集光レンズを通過した前記レーザが、前記第１のレーザの領域の周囲に前記第２のレーザの領域が位置する構成とされた複合レーザとなるようにし、
当該複合レーザとしての前記レーザの照射においては、前記第１のレーザの領域を前記半導体部品と前記樹脂との界面（Ｋ１）から離した状態で前記樹脂に照射して前記樹脂の除去を行うとともに、当該界面には前記第２のレーザの領域のみが照射されるようにすることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記複合レーザとしての前記レーザの照射領域は、円形であることを特徴とする請求項５に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体部品を樹脂で封止するとともに半導体部品の一部を樹脂より露出させてなる半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、この種の半導体装置としては、シリコン半導体よりなる半導体部品と、半導体部品を封止する樹脂と、を備え、半導体部品の一部は、樹脂の第１の面より突出することにより樹脂より露出する露出部とされたものが、提案されている（たとえば、特許文献１参照）。
【０００３】
このような半導体装置は、半導体部品の一部が樹脂より露出するように、金型で樹脂成形したり、あるいは、特許文献１に記載されているように、半導体部品全体を樹脂で封止した後、半導体部品の一部を露出させるようにレーザ照射によって樹脂を除去したりすることで製造される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１１−２６３８００号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明者は、この種の半導体装置について、試作検討を行った。図１６は、本発明者が試作した試作品としての半導体装置の概略斜視図であり、半導体部品１０の一部である露出部２が樹脂２０の第１の面２１より突出している。
【０００６】
ところで、このような半導体装置においては、露出部２の突出根元部と樹脂２０との境界にて、半導体部品１０の外表面と樹脂２０の第１の面２１とが交差する角部Ｊ１が形成される。
【０００７】
このような角部Ｊ１は、半導体部品１０と樹脂２０との線膨張係数差等に起因して応力集中が起こる部位であり、この応力集中による半導体部品１０へのダメージ発生や、樹脂２０の剥離発生等が懸念される。
【０００８】
本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、半導体部品を樹脂で封止するとともに半導体部品の一部を樹脂より突出させて露出部とした半導体装置において、露出部の突出根元部における応力集中を緩和することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、シリコン半導体よりなる半導体部品（１０）と、半導体部品を封止する樹脂（２０）と、を備え、半導体部品の一部は、樹脂の第１の面（２１）より突出することにより樹脂より露出する露出部（２）とされている半導体装置であって、露出部における第１の面からの突出根元部において、樹脂の一部が露出部の外表面に接触しつつ第１の面よりも露出部側に突出してなる突出部（２２）が形成されており、突出部は、露出部側から第１の面に向かって凹曲面状に拡がる形状とされていることを特徴とする。
【００１０】
上述したように、従来では、半導体部品の露出部における突出根元部と樹脂との境界にて、半導体部品の外表面と樹脂の第１の面とが角部を形成していたので、この角部に対して、露出部における突出根元部への樹脂による応力集中が大きかった。
【００１１】
それに対して、本発明によれば、突出根元部と樹脂との境界にて、上記したような凹曲面状の突出部を設けることにより、半導体部品と樹脂との間に実質的に角部が無い構成となることから、露出部の突出根元部における応力集中を緩和することができる。
【００１２】
ところで、上記請求項１に記載の半導体装置のような凹曲面状の突出部を、金型や樹脂のレーザ除去により形成することは、困難である。金型では寸法公差等の理由により当該形成が困難である。また、従来のレーザ除去では、レーザのスポットを大きくする必要があり、そうするとレーザ強度が低下して樹脂の除去が困難になる等の理由により、当該形成が困難になる。
【００１３】
本発明者は、レーザ除去の方法について検討を行い、請求項１のような凹曲面形状の突出部を形成するのに適した製造方法として、請求項５の製造方法を見出した。
【００１４】
すなわち、請求項５に記載の発明は、シリコン半導体よりなる半導体部品（１０）を樹脂（２０）で封止する封止工程と、樹脂にレーザ（Ｌ）を照射することにより、半導体部品の一部が樹脂の第１の面（２１）より突出して樹脂より露出するように樹脂を除去する除去工程と、を行う半導体装置の製造方法であって、さらに以下の特徴を有する。
【００１５】
請求項５の製造方法において、除去工程では、レーザとして、樹脂を除去可能なエネルギーを有する第１のレーザ（Ｌ１）と、第１のレーザよりもシリコン半導体への吸収率が小さい波長を有し且つ第１のレーザよりもエネルギーの小さい第２のレーザ（Ｌ２）とを用いる。
【００１６】
そして、第１のレーザおよび第２のレーザを集光レンズ（Ｒ１）にて集光させることにより、集光レンズを通過したレーザが、第１のレーザの領域の周囲に第２のレーザの領域が位置する構成とされた複合レーザとなるようにする。
【００１７】
そして、当該複合レーザとしてのレーザの照射においては、第１のレーザの領域を半導体部品と樹脂との界面（Ｋ１）から離した状態で樹脂に照射して樹脂の除去を行うとともに、当該界面には第２のレーザの領域のみが照射されるようにする。請求項５の製造方法は、これらの点を特徴としている。
【００１８】
それによれば、樹脂の除去については、比較的エネルギーの大きい第１のレーザの領域により効率良く行える。また、半導体部品と樹脂との界面付近では、比較的パワーが弱く半導体部品に損傷を与えない第２のレーザの領域により樹脂の除去が行われるので、当該界面付近の樹脂形状、すなわち突出部形状を精密に形成できる。よって、本発明によれば、上記凹曲面状をなす突出部を有する請求項１に記載の半導体装置を形成するのに適した製造方法が提供され得る。
【００１９】
なお、特許請求の範囲およびこの欄で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の第１実施形態にかかる半導体装置を示す概略斜視図である。
【図２】図１に示される半導体装置の概略断面図である。
【図３】図１に示される半導体装置の要部を示す概略平面図である。
【図４】第１実施形態にかかる半導体装置の製造方法における封止工程を示す概略断面図である。
【図５】第１実施形態にかかる半導体装置の製造方法の除去工程におけるレーザのエネルギー分布を示す図である。
【図６】図５に示される照射工程におけるレーザの照射状態を示す概略断面図である。
【図７】図５に示される照射工程におけるレーザの照射状態を示す概略平面図である。
【図８】本発明の第２実施形態にかかる半導体装置を示す概略斜視図である。
【図９】第２実施形態にかかる半導体装置の製造方法を断面的に示す工程図である。
【図１０】図９（ｄ）中のＡ−Ａ線に沿った部分の拡大断面図である。
【図１１】図９に続く半導体装置の製造方法を斜視的に示す工程図である。
【図１２】本発明の第３実施形態にかかる半導体装置を示す概略斜視図である。
【図１３】図１２に示される半導体装置の要部を示す概略平面図である。
【図１４】図１３中のＢ−Ｂ線に沿った部分の概略断面図である。
【図１５】第３実施形態にかかる半導体装置の製造方法における封止工程を示す概略斜視図である。
【図１６】本発明者の試作品としての半導体装置の概略斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、説明の簡略化を図るべく、図中、同一符号を付してある。
【００２２】
（第１実施形態）
本発明の第１実施形態にかかる半導体装置Ｓ１について、図１〜図３を参照して述べる。この半導体装置Ｓ１は、たとえば自動車などの車両に搭載され、車両用の各種電子装置を駆動するための装置として適用されるものである。
【００２３】
本実施形態の半導体装置Ｓ１は、大きくは、シリコン半導体よりなる半導体部品１０と、半導体部品１０を封止する樹脂２０と、を備えて構成されている。そして、半導体部品１０の一部は、樹脂２０の第１の面２１より突出することにより樹脂２０より露出する露出部２とされている。
【００２４】
ここでは、半導体部品１０は、通常の半導体プロセスなどにより形成されたシリコン半導体などよりなる半導体チップである。この半導体部品１０は、表裏の関係にある両板面１１、１２および当該両板面１１、１２を連結する部品側面１３〜１６を、外表面とする板状をなすものとされている。
【００２５】
ここでは、半導体部品１０は典型的な矩形板状をなしているが、具体的には一端１０ａから他端１０ｂへ（図１（ｂ）の左から右へ）延びる長方形板状をなすものである。この半導体部品１０における各面については、一方の板面１１を第１の板面１１とし、他方の板面１２を第２の板面１２とし、これら両板面１１、１２の端部を連結する４個の側面を部品側面１３〜１６としている。
【００２６】
ここで、本実施形態の半導体部品１０における部品側面１３〜１６とは、一端１０ａ側の端面としての部品側面１３、他端１０ｂ側の端面としての部品側面１４、および当該両端１０ａ、１０ｂ間に延びる（ここでは半導体部品１０の長手方向に延びる）２個の部品側面１５、１６である。そして、半導体部品１０においては、典型的には表裏の両板面１１、１２が、回路やセンシング部等の素子が形成される素子形成面とされる。
【００２７】
本実施形態の半導体部品１０は、たとえば検出部としての図示しないセンシング部を有するセンサチップとして構成される。具体的には、当該センシング部としてダイアフラムを有する圧力センサや熱式流量センサ、または当該センシング部として可動部を有する加速度センサや角速度センサ等のセンサチップが挙げられる。このような場合、当該センシング部は、典型的には、半導体部品１０の他端１０ｂ側における第１の板面１１に設けられている。
【００２８】
そして、半導体部品１０は、当該センシング部を露出させるように半導体部品１０の他端１０ｂ側、すなわち露出部２を露出させた状態で、一端１０ａ側の残部が樹脂２０で封止されている。この樹脂２０は、エポキシ樹脂などのモールド樹脂であり、後述するように金型を用いたトランスファーモールド法により成形されたものである。ここでは、樹脂２０は、矩形ブロック状をなし、その一面が第１の面２１とされている。
ここで、半導体部品１０における樹脂２０で封止されている部位を、被封止部１とする。そして、上述のように、半導体部品１０における樹脂２０より露出している露出部２は、第１の面２１より突出している部位、すなわち半導体部品１０における第１の面２１からの突出部に相当する。
【００２９】
そして、半導体部品１０において、被封止部１は、半導体部品１０の一端１０ａ側に位置し、露出部２は、被封止部１に隣接し被封止部１よりも半導体部品１０の他端１０ｂ側に位置する。ここで、上記図示しないセンシング部は露出部２に位置し、樹脂２０より露出している。
【００３０】
そして、本実施形態では、当該露出部２における両板面１１、１２および全ての部品側面（ここでは３個の部品側面）１４、１５、１６が樹脂２０より露出している。つまり、半導体部品１０における露出部２については、全ての外表面が樹脂２０で封止されずに露出し、全面露出構成とされている。
【００３１】
このように、本実施形態では、上記センシング部を含む露出部２の全外表面を、樹脂２０より露出させることで、樹脂２０による応力から上記センシング部を解放して精度の良い検出を可能としている。
【００３２】
また、図１（ｂ）に示されるように、半導体部品１０は、被封止部１にてリードフレーム３０に固定され支持されている。ここでは、半導体部品１０の第２の板面１２とリードフレーム３０の第１の対向面３０ａとを対向させた状態で、被封止部１とリードフレーム３０とが、接着剤４０を介して接着されている。この接着剤４０は、たとえエポキシ樹脂等よりなるものである。
【００３３】
このリードフレーム３０は、Ｃｕや４２アロイなどの導電性に優れた金属板材をエッチングやプレス等によりパターニング加工してなるものである。そして、リードフレーム３０は、半導体部品１０の被封止部１とともに、樹脂２０で封止されている。なお、図示しないが、典型的には、リードフレーム３０の一部は外部端子として構成され、この外部端子は樹脂２０より露出して外部と電気的に接続されるようになっている。
【００３４】
また、図１（ｂ）に示されるように、半導体部品１０とリードフレーム３０とは、樹脂２０の内部にてボンディングワイヤ５０により電気的に接続されている。このボンディングワイヤ５０は、Ａｕやアルミニウム等よりなり、通常のワイヤボンディングで形成されるものである。
【００３５】
ここで、本実施形態の半導体装置Ｓ１においては、さらに、半導体部品１０の露出部２における第１の面２１からの突出根元部において、樹脂２０の一部が樹脂２０の第１の面２１よりも露出部２側に突出してなる突出部２２が、形成されている。
【００３６】
この突出部２２は、樹脂２０から露出部２の途中部まで（つまり突出根元部から突出方向の途中部まで）延長されたものであり、露出部２の外表面に接触しつつ当該外表面に沿って突出している。
【００３７】
そして、突出部２２は、図１〜図３に示されるように、露出部２側から樹脂２０の第１の面２１に向かって凹曲面状に拡がる形状とされている。言い換えれば、突出部２２は、裾を構成する面が凹曲面とされた裾拡がり形状をなしている。
【００３８】
本実施形態では、露出部２の突出根元部における第１の板面１１、第２の板面１２および部品側面１５、１６のすべてに突出部２２が配置されている。つまり、突出部２２は、露出部２の突出根元部の全周を取り囲むように設けられている。そして、本実施形態における露出部２の突出根元部は、樹脂２０の延長部としての突出部２２により被覆された部分とされている。
【００３９】
次に、本実施形態の半導体装置Ｓ１の製造方法について、図４〜図７を参照して述べる。本製造方法は、大きくは、シリコン半導体よりなる半導体部品１０を樹脂２０で封止する封止工程と、樹脂２０にレーザＬを照射することにより、半導体部品１０の一部、すなわち露出部２が樹脂２０の第１の面２１より突出して露出するように樹脂２０を除去する除去工程と、を行うものである。
【００４０】
本実施形態の製造方法では、まず、リードフレーム３０に半導体部品１０を搭載する搭載工程を行う。この工程は具体的には、リードフレーム３０に接着剤４０を介して半導体部品１０を搭載し、ワイヤボンディングを行うことによりなされる。
【００４１】
そして、図４に示されるように、半導体部品１０を樹脂２０で封止する封止工程を行う。この工程では、具体的に、トランスファー成形やコンプレッション成形等により、リードフレーム３０、ボンディングワイヤ５０とともに、半導体部品１０の全体を樹脂２０で封止する。
【００４２】
次に、図５〜図７に示される、樹脂２０にレーザＬを照射する除去工程を行う。これにより、半導体部品１０の露出部２が樹脂２０の第１の面２１より突出して樹脂２０より露出するように樹脂２０が除去される。この除去工程により、上記図１〜図３に示される半導体装置Ｓ１ができあがる。
【００４３】
この除去工程について、図５〜図７を参照して、詳細に述べる。図５〜図７に示されるように、除去工程では、レーザＬとして、樹脂２０を除去可能なエネルギーを有する第１のレーザＬ１と、第１のレーザＬ１よりもエネルギーの小さい第２のレーザＬ２とを用いる。また、この第２のレーザＬ２は、第１のレーザＬ１よりも半導体部品１０を構成するシリコン半導体への吸収率が小さい波長を有するものである。
【００４４】
そして、除去工程では、図５〜図７に示されるように、第１のレーザＬ１および第２のレーザＬ２を集光レンズＲ１にて集光させる。ここでは、第１および第２のレーザＬ１、Ｌ２の図示しない各光源側（図６の上方側）に曲面を有する集光レンズＲ１を用いている。
【００４５】
そして、この集光レンズＲ１に対して、第１のレーザＬ１の周りに第２のレーザＬ２が位置する同心円状の配置となるように、第１のレーザＬ１および第２のレーザＬ２を入射させる。このような同心円状の入射がなされるように、第１のレーザＬ１および第２のレーザＬ２の図示しない各光源は、集光レンズＲ１上に配置されている。
【００４６】
これにより、集光レンズＲ１を通過したレーザＬは、図５〜図７に示されるように、第１のレーザＬ１の領域の周囲に第２のレーザＬ２の領域が位置する構成とされた複合レーザとなる。具体的には、集光レンズＲ１を通過したレーザＬは、第１のレーザＬ１の領域の周囲に第２のレーザＬ２の領域が位置する同心円状の構成とされた複合レーザとして構成される。
【００４７】
ここで、第２のレーザＬ２は、第１のレーザＬ１よりもシリコン半導体への吸収率が小さい波長として、１．５μｍ〜５μｍ程度の波長を有するものである。そのような第２のレーザＬ２の光源（発振器）としては、たとえばＥｒＹＡＧ（波長：約３μｍ）、ＨｏＹＡＧ（波長：約１．５μｍ）等が挙げられる。
【００４８】
一方、第１のレーザＬ１は、シリコン半導体への吸収率は関係なく、第２のレーザＬ２よりもエネルギーが大きく、樹脂２０を除去可能なものであればよい。そのため、第１のレーザＬ１の光源（発振器）としては、上記ＥｒＹＡＧやＨｏＹＡＧ等の１．５μｍ〜５μｍ程度の波長を有するもの、あるいは、ＣＯ２（波長：約１０μｍ）やＮｄＹＡＧ（波長：約１．０６μｍ）やファイバーレーザ等の１．５μｍ〜５μｍから外れた範囲の波長を有するものであってもよい。
【００４９】
このように、第１のレーザＬ１の光源と第２のレーザＬ２の光源とは、同じ種類のものであってもよいし、異種のものであってもよい。ただし、同じ種類の場合でも、第１のレーザＬ１の光源と第２のレーザＬ２の光源とは別体のものである。
【００５０】
なお、第１のレーザＬ１と第２のレーザＬ２とでは、同種の光源であっても異種の光源であってもよいが、駆動電源等により、第１のレーザＬ１のパルス数や強度を、第２のレーザＬ２よりも大きくしてやることにより、第１のレーザＬ１は、第２のレーザＬ２よりもエネルギーが大きいものとされる。たとえば、第２のレーザＬ２のパルス数が数十Ｈｚ（ヘルツ）である場合、第１のレーザＬ１のパルス数はｋＨｚ（キロヘルツ）オーダーとされる。
【００５１】
これにより、本実施形態における複合レーザとしてのレーザＬのエネルギー分布は、図５に示されるように、第１のレーザＬ１の領域のエネルギーが、第２のレーザＬ２の領域のエネルギーよりも大きいものとなる。
【００５２】
つまり、第１のレーザＬ１の領域は、樹脂２０を除去するのに十分なエネルギーを有するものであるが、第２のレーザＬ２の領域は、シリコン半導体である半導体部品１０への損傷を抑制しつつ、第１のレーザＬ１の領域に比して弱いエネルギーを有するものとなる。特に、第２のレーザＬ２の領域では周辺部に行くにつれて、エネルギーが弱くなっていく。
【００５３】
そして、除去工程では、複合レーザとしてのレーザＬの照射においては、図５〜図７に示されるように、第１のレーザＬ１の領域を半導体部品１０と樹脂２０との界面Ｋ１から離した状態で樹脂２０に照射して樹脂２０の除去を行う。それとともに、当該界面Ｋ１には第２のレーザＬ２の領域のみが照射されるようにする。ここでは、レーザＬをアウターフォーカスにして照射している。
【００５４】
このような照射を行うことで、半導体部品１０と樹脂２０との界面Ｋ１に照射される第２のレーザＬ２の領域の周辺部は、エネルギーが比較的小さい部分であるので、図７に示されるように、樹脂２０は凹曲面状の突出部２２を残すように除去される。なお、ここでは、複合レーザとしてのレーザＬの照射領域、すなわちレーザスポットの形状は、円形とされている。
【００５５】
このような除去工程におけるレーザＬの照射は、上記図１に示される樹脂２０の封止物に対して、半導体部品１０の上下左右方向から照射方向を変えて行う。これにより、除去工程による樹脂２０の除去が行われ、図１〜図３に示される本実施形態の半導体装置Ｓ１ができあがる。以上が、本実施形態の製造方法である。
【００５６】
ところで、上記図１６に示したように、従来では、半導体部品１０の露出部２における突出根元部と樹脂２０との境界にて、半導体部品１０の外表面と樹脂２０の第１の面２１とが角部Ｊ１を形成していたので、露出部２における突出根元部への樹脂２０による応力集中が大きかった。
【００５７】
それに対して、本実施形態によれば、露出部２の突出根元部と樹脂２０との境界にて、上記したような凹曲面状の突出部２２を設けることにより、半導体部品１０と樹脂２０との間に実質的に角部が無い構成となることから、露出部２の突出根元部における応力集中を緩和することができる。
【００５８】
また、本実施形態の上記した製造方法によれば、樹脂２０の除去については、比較的エネルギーの大きい第１のレーザＬ１の領域により効率良く行える。また、半導体部品１０と樹脂２０との界面Ｋ１付近では、比較的パワーが弱く半導体部品１０に損傷を与えない第２のレーザＬ２の領域により樹脂２０の除去が行われるので、当該界面Ｋ１付近の樹脂形状、すなわち突出部２２形状を精密に形成できる。
【００５９】
よって、本実施形態によれば、上記凹曲面状をなす突出部２２を有する半導体装置Ｓ１を形成するのに適した製造方法が提供される。
【００６０】
（第２実施形態）
本発明の第２実施形態にかかる半導体装置Ｓ２について、図８を参照して述べる。本実施形態は、上記第１実施形態との相違点を中心に述べることとする。
【００６１】
上記第１実施形態では、露出部２の突出根元部における第１の板面１１、第２の板面１２および部品側面１５、１６のすべてに突出部２２が配置されていた。それに対して、図８に示されるように、本実施形態では、露出部２の突出根元部における第１の板面１１、第２の板面１２および部品側面１５、１６のうち部品側面１５、１６のみに突出部２２が配置されている。
【００６２】
これは、本実施形態の半導体装置Ｓ２の製造方法における封止工程による樹脂２０の封止形態が、上記第１実施形態とは相違することによる。本実施形態の製造方法について、図９〜図１１を参照して、封止工程を中心に述べる。
【００６３】
まず、図９（ａ）に示されるように、リードフレーム３０を含む平板状のリードフレーム素材３を用意する。このリードフレーム素材３は、一面側に半導体部品１０の被封止部１に対向する第１の対向面３０ａと、露出部２に対向する第２の対向面３１ａとを有するものである。
【００６４】
ここで、第１の対向面３０ａを有するリードフレーム３０と第２の対向面３１ａを有するフィルム支持部３１とは、同一平面上に位置する。これら両部３０、３１は図示しないタイバーや外枠等により一体に連結されている。
【００６５】
そして、図９（ｂ）に示されるように、フィルム支持部３１の第２の対向面３１ａ上に、離型用の樹脂等よりなるフィルム６０を搭載する。そして、図９（ｃ）に示されるように、リードフレーム３０の第１の対向面３０ａ上に接着剤４０を介して、半導体部品１０の被封止部１を固定し、さらにワイヤボンディングによりボンディングワイヤ５０を形成する。
【００６６】
こうして、リードフレーム素材３、フィルム６０および半導体部品１０が一体とされたワークＷができあがる。そして、図９（ｄ）に示されるように、このワークＷを、金型１００に設置する。
【００６７】
この金型１００は、トランスファーモールド法に用いられる典型的なもので、図９（ｄ）に示されるように、脱着可能な上型１０１と下型１０２と備えている。そして、これら上下型１０１、１０２を離脱可能に合致させることにより、当該上下型１０１、１０２の間に、樹脂２０の外形に対応する空間形状を有するキャビティ１０３を形成する。
【００６８】
なお、このとき、金型１００の上型１０１のうち露出部２における第１の板面１１に対向する部位に、フィルム６０を吸着等により貼り付けておく。そして、ワークＷの設置は、上下型１０１、１０２を合致させ、ワークＷを上下型１０１、１０２で挟み付けることにより行う。このとき、図９（ｄ）に示されるように、露出部２における第１の板面１１と、上型１０１に設けられたフィルム６０とが密着する。
【００６９】
ここで、金型１００は上型１０１と下型１０２とを合致させるものであるため、露出部２の両板面１１、１２との密着性は確保しやすいが、寸法公差等を加味すると、部品側面１４〜１６と金型１００との間では、図９（ｄ）、図１０に示されるように、隙間１０３ａが存在するものとなる。
【００７０】
そして、封止工程では、この図９（ｄ）、図１０の状態で、キャビティ１０３に対して樹脂２０を充填する。すると、キャビティ１０３にて被封止部１を封止する樹脂２０は、この隙間１０３ａに回り込んでくる。この樹脂２０の充填完了後、樹脂２０で封止されたワークＷから、金型１００を取り外す。このとき、露出部２における第１の板面１１からフィルム６０を剥離する。
【００７１】
そして、リードフレーム素材３のタイバー等をカットするリードカットを行うことで、フィルム支持部３１とともに、露出部２における第２の板面１２からもフィルム６０を剥離する。これらフィルム６０剥離後のワークＷの状態が、図１１に示される。
【００７２】
図１１に示されるワークＷでは、露出部２における両板面１１、１２は、樹脂２０より露出し、露出部２における部品側面１４〜１６および被封止部１は、樹脂２０で封止されている。
【００７３】
こうして、封止工程を行った後、本実施形態においても、上記同様、複合レーザとしてのレーザＬによる除去工程を行う。ここでは、露出部２における部品側面１４〜１６に付着した樹脂２０を、上記同様のレーザ照射により除去する。これにより、上記図８に示される本実施形態の半導体装置Ｓ２ができあがる。
【００７４】
本実施形態によっても、露出部２の突出根元部における部品側面１５、１６と樹脂２０との境界にて、上記したような凹曲面状の突出部２２を設けることにより、半導体部品１０と樹脂２０との間に実質的に角部が無い構成となることから、露出部２の突出根元部における応力集中を緩和することができる。
【００７５】
（第３実施形態）
本発明の第３実施形態にかかる半導体装置Ｓ３について、図１２〜図１４を参照して述べる。本実施形態の半導体装置Ｓ３は、上記第２実施形態の半導体装置Ｓ２において、さらに、露出部２における部品側面１４〜１６を取り囲むように、当該部品側面１４〜１６に対して隙間を有して対向する枠状の枠部２３が設けられたものである。
【００７６】
ここで、枠部２３は、樹脂２０が延長された部位として形成されたものであり、ここでは、半導体部品１０の露出部２に対応した矩形の枠形状をなしている。そして、この枠部２３は、図１３に示されるように、枠部２３の内周側の角部が凹曲面状に面取りされた形状とされたものとなっている。
【００７７】
この枠部２３を設けることにより、本実施形態では、枠部２３がこれに対向する半導体部品の露出部２の部品側面１４〜１６を覆うため、異物からの保護等が期待できる。それとともに、枠部２３は露出部２とは離間しているため、樹脂２０による応力が露出部２に発生しにくくなるという利点もある。
【００７８】
このような本実施形態の半導体装置Ｓ３は、上記第２実施形態の製造方法における封止工程を利用して製造できる。つまり、図１５に示されるように、封止工程において、露出部２の部品側面１４〜１６に付着する樹脂２０の厚みを積極的に大きくする。これは、上記図９（ｄ）、図１０に示される隙間１０３ａの幅を大きくすれば実現できる。
【００７９】
そして、封止工程の後には、図１５にてハッチングで示される部位、すなわち、露出部２の部品側面１４〜１６に付着する樹脂２０のうち露出部２寄りの部位を、除去工程にて除去してやれば、枠部２３が形成される。このとき、枠部２３の内周の角部は、上記した複合レーザとしてのレーザＬの効果により、凹曲面状、いわゆるＲ形状に丸められた形状となる。
【００８０】
枠部２３において、仮に内周側の角部が存在すると、その角部に応力集中が発生し、枠部２３においてクラックの発生等が懸念される。しかし、本実施形態では、枠部２３の内周側の角部が凹曲面状に面取りされた形状をなしているので、そのような応力集中を緩和できるため、好ましい。
【００８１】
なお、上記第１実施形態と同様の半導体部品１０全体を封止する封止工程によっても、その後の除去工程において枠部２３を残すようにレーザＬの照射を行うことにより、本第３実施形態のような枠部２３を有する半導体装置を形成することができる。この場合は、露出部２の突出根元部における突出部２２は、上記第１実施形態と同様、当該突出根元部の全周に配置されたものとなってもよい。
【００８２】
（他の実施形態）
なお、上記各実施形態では、集光レンズＲ１は固定式のものであったが、ガルバノミラー等の可動式の集光レンズＲ１であってもよい。
【００８３】
また、上記各実施形態では、上記図６に示されるように、レーザＬをアウターフォーカスにして照射しているが、レーザＬをインナーフォーカスにして照射してもよい。すなわち、集光レンズＲ１の中心を通過するレーザＬと垂直となる方向（光軸と垂直となる方向）のエネルギー分布は、焦点からの距離が等しい場合、最大エネルギーがアウターフォーカス側の方が大きくなるが、インナーフォーカスにてレーザＬを樹脂２０に照射しても特に問題はない。
【００８４】
また、上記実施形態では、レーザＬの光源側に曲面を有する集光レンズＲ１を用いたが、樹脂２０側に曲面を有する集光レンズＲ１を用いてもよい。この場合も、曲率を調整する等により、上記実施形態のようなものと同様の複合レーザとしてのレーザＬを形成し、同様の効果が期待できる。
【００８５】
また、上記実施形態では、複合レーザとしてのレーザＬの照射領域は、円形であったが、凹曲面状の突出部２２を形成することができるならば、円形でなくてもよい。
【００８６】
また、半導体部品１０としては、一部が樹脂２０の第１の面２１より突出する露出部２とされているものであればよく、上記した板状のものに限定されない。たとえば、半導体部品１０としては、ブロック状等でもよい。
【００８７】
また、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。また、上記各実施形態は、互いに無関係なものではなく、組み合わせが明らかに不可な場合を除き、適宜組み合わせが可能であり、また、上記各実施形態は、上記の図示例に限定されるものではない。また、上記各実施形態において、実施形態を構成する要素は、特に必須であると明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。また、上記各実施形態において、実施形態の構成要素の個数、数値、量、範囲等の数値が言及されている場合、特に必須であると明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合等を除き、その特定の数に限定されるものではない。また、上記各実施形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および原理的に特定の形状、位置関係等に限定される場合等を除き、その形状、位置関係等に限定されるものではない。
【符号の説明】
【００８８】
２    半導体部品の露出部
１０  半導体部品
２０  樹脂
２１  樹脂の第１の面
２２  突出部
Ｋ１  半導体部品と樹脂との界面
Ｒ１  集光レンズ
Ｌ    レーザ
Ｌ１  第１のレーザ
Ｌ２  第２のレーザ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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