(57)【要約】【課題】  電子機器では、小型化に伴って実装基板とその上部基板やシールドケース等との距離や、隣接されて実装されている他の電子部品との距離が小さくなっている。この様な電子機器の実装基板に従来の電子部品を実装した場合、上部基板やシールドケースと電子部品の上面に形成された端子が接触して、上部基板やシールドケースとの間でショートしたり、隣接する電子部品の端子同士が接触して、電子部品間でショートしたりする。また、端子と絶縁膜の隙間及び錫又は錫合金のめっきを介してはんだが内部に入り込み、絶縁膜を破壊し、絶縁性を劣化させる。【解決手段】  内部に回路素子を内蔵する素体と、素体に形成された端子を備える。端子は素体の端面と端面に隣接する面に亘って形成される。素体に端子を覆う絶縁膜が形成される。そして、素体の少なくとも実装面に端子が絶縁膜から露出し、端子の絶縁膜から露出した部分に錫を含有するめっき膜が形成される。 【選択図】  図１
2016111280.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部に回路素子を内蔵する素体と、該素体に形成された端子を備えた電子部品において、
該端子は該素体の端面と該端面に隣接する面に亘って形成され、
該素体に該端子を覆う絶縁膜が形成され、
該素体の少なくとも実装面に該端子が該絶縁膜から露出し、該端子の該絶縁膜から露出した部分に錫を含有するめっき膜が形成されることを特徴とする電子部品。
【請求項２】
内部に回路素子を内蔵する素体と、該素体に形成された端子を備えた電子部品において、
該端子は該素体の端面と該端面に隣接する面に亘って形成され、
該素体に該端子を覆う絶縁膜が形成され、
該絶縁膜は、該素体の少なくとも実装面に除去部が形成され、該除去部にめっき膜が形成されたことを特徴とする電子部品。
【請求項３】
前記素体全体が絶縁膜で覆われた請求項２に記載の電子部品。
【請求項４】
前記除去部が前記素体の実装面と実装面以外の面に亘って形成された請求項２又は請求項３に記載の電子部品。
【請求項５】
前記めっき膜がはんだの侵入を阻止するためのめっき膜を有する請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の電子部品。
【請求項６】
内部に回路素子を内蔵する素体と、該素体に形成された端子を備えた電子部品において、
該端子は該素体の端面と該端面に隣接する面に亘って形成され、表面に第１のめっき膜が形成され、該第１のめっき膜上における一部分に第２のめっき膜が形成され、
該素体の該端子の第２のめっき膜が形成された部分以外の場所に絶縁膜が形成されたことを特徴とする電子部品。
【請求項７】
前記素体は、絶縁体層と導体パターンが積層されて内部に回路素子が形成された請求項１乃至請求項６のいずれかに記載の電子部品。
【請求項８】
前記素体は、絶縁体層と導体パターンが積層され、絶縁体層間の導体パターンを螺旋状に接続して内部にコイルが形成された請求項１乃至請求項６のいずれかに記載の電子部品。
【請求項９】
前記素体は、導線を巻回して形成されたコイルを内部に備えた請求項１乃至請求項６のいずれかに記載の電子部品。
【請求項１０】
内部に回路素子を内蔵する素体と、該素体に形成された端子を備えた電子部品の製造方法において、
内部に回路素子を内蔵する素体を形成し、該素体に端子を形成する工程と、
該素体に該端子を覆う様に絶縁膜を形成する工程と、
該絶縁膜を除去して底面に端子が露出した除去部が形成される工程及び、
めっきを施して該除去部にめっき膜が形成される工程を備えたことを特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項１１】
前記絶縁膜を形成する際に素体全体を該絶縁膜で覆った請求項１０に記載の電子部品の製造方法。
【請求項１２】
前記除去部が前記素体の実装面に形成された請求項１０又は請求項１１に記載の電子部品の製造方法。
【請求項１３】
前記除去部が前記素体の実装面と実装面以外の面に亘って形成された請求項１０又は請求項１１に記載の電子部品の製造方法。
【請求項１４】
前記めっき膜がはんだの侵入を阻止するためのめっき膜を有する請求項１０乃至請求項１３のいずれかに記載の電子部品の製造方法。
【請求項１５】
内部に回路素子を内蔵する素体と、該素体に形成された端子を備えた電子部品の製造方法において、
内部に回路素子を内蔵する素体を形成し、該素体に端子を形成し、該端子に第１のめっき膜を形成する工程と、
該素体に絶縁膜を形成する工程及び、
該絶縁膜から露出した該端子の第１のめっき膜上に、第２のめっき膜が形成される工程を備えたことを特徴とする電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、内部に回路素子を内蔵する素体と、素体に形成された端子を備えた電子部品に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来の電子部品に、絶縁体層と導体パターンを積層したり、導線を巻回したものを内部に配置したりして内部に回路素子を内蔵する素体が形成され、この素体の端面と端面に隣接する４つの面に跨って端子が形成されたものがある。
この種の電子部品が実装される電子機器では、小型化に伴って実装基板とその上部基板やシールドケース等との距離や、隣接されて実装されている他の電子部品との距離が小さくなっている。この様な電子機器の実装基板に従来の電子部品を実装した場合、上部基板やシールドケースと電子部品の上面に形成された端子が接触して、上部基板やシールドケースとの間でショートしたり、隣接する電子部品の端子同士が接触して、電子部品間でショートしたりする問題があった。
この様な問題を解決するために、図１３に示す様に素体１３１の底面にのみ端子１２２を形成する（例えば、特許文献１を参照。）か、又は、図１４に示す様に素体１４１の底面と側面に渡って端子１４２を形成する（例えば、特許文献２を参照。）ことが行われている。
図１３に示す従来の電子部品は、導体パターンの端部を絶縁体層に設けられたスルーホール内の導体Ｖを介して素体１３１の底面まで引き出し、この導体Ｖと素体１３１の底面の端子１３２を接続するため、素体内部の構造が複雑化すると共に、導体Ｖを形成するスペース分特性を良くすることができなかった。
また、図１４に示す従来の電子部品は、コイルの巻軸を素体の実装面と平行にする必要があるため、低背化が困難であった。
この様な問題を解決するために、図１５に示す様に、素体１５１の端面と端面に隣接する４つの面に跨って導電材料を付与し、焼き付け、錫又は錫合金のめっきを施して端子１５２が形成され、この素体１５１の底面以外を樹脂膜１５３で覆ったものがある（例えば、特許文献３、特許文献４を参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開2014-138168号公報
【特許文献２】特開2013-153009号公報
【特許文献３】特開2013-26392号公報
【特許文献４】特開2013-58558号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
この様に形成した場合、素体を覆っている樹脂膜の端部が薄くなり易く、また、端子が錫又は錫合金のめっきで覆われているため、実装基板の配線パターンとの接続時に、端子と絶縁膜の隙間及び錫又は錫合金のめっきを介してはんだが内部に入りこみ、絶縁膜を破壊し、絶縁性を劣化させるという問題があった。
【０００５】
本発明は、上部基板やシールドケースとの間でショートしたり、電子部品間でショートしたりするのを防止でき、かつ、絶縁膜を破壊し、絶縁性が劣化するのを防止できる電子部品を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、内部に回路素子を内蔵する素体と、素体に形成された端子を備えた電子部品において、端子は素体の端面と端面に隣接する面に亘って形成され、素体に端子を覆う絶縁膜が形成され、素体の少なくとも実装面に端子が絶縁膜から露出し、端子の絶縁膜から露出した部分のみに錫を含有するめっき膜が形成される。
また、本発明は、内部に回路素子を内蔵する素体と、素体に形成された端子を備えた電子部品において、端子は素体の端面と端面に隣接する面に亘って形成され、素体に端子を覆う絶縁膜が形成され、絶縁膜は、素体の少なくとも実装面に除去部が形成され、除去部にめっき膜が形成される。
さらに、本発明は、内部に回路素子を内蔵する素体と、素体に形成された端子を備えた電子部品において、端子は素体の端面と端面に隣接する面に亘って形成され、表面に第１のめっき膜が形成され、第１のめっき膜上における一部分に第２のめっき膜が形成され、素体の端子の第２のめっき膜が形成された部分以外の場所に絶縁膜が形成される。
またさらに、本発明は、内部に回路素子を内蔵する素体と、素体に形成された端子を備えた電子部品の製造方法において、内部に回路素子を内蔵する素体を形成し、素体に端子を形成する工程と、素体に端子を覆う様に絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜を除去して底面に端子が露出した除去部が形成される工程及び、めっきを施して除去部にめっき膜が形成される工程を備える。
さらに、本発明は、内部に回路素子を内蔵する素体と、素体に形成された端子を備えた電子部品の製造方法において、内部に回路素子を内蔵する素体を形成し、素体に端子を形成し、端子に第１のめっき膜を形成する工程と、素体に絶縁膜を形成する工程及び、絶縁膜から露出した端子の第１のめっき膜上に第２のめっき膜が形成される工程を備える。
【発明の効果】
【０００７】
本発明は、内部に回路素子を内蔵する素体と、素体に形成された端子を備えた電子部品において、端子は素体の端面と端面に隣接する面に亘って形成され、素体に端子を覆う絶縁膜が形成され、素体の少なくとも実装面に端子が絶縁膜から露出し、端子の絶縁膜から露出した部分のみに錫を含有するめっき膜が形成されるので、上部基板やシールドケースとの間でショートしたり、電子部品間でショートしたりするのを防止でき、かつ、絶縁膜を破壊し、絶縁性が劣化するのを防止できる。
また、本発明は、内部に回路素子を内蔵する素体と、素体に形成された端子を備えた電子部品において、端子は素体の端面と端面に隣接する面に亘って形成され、素体に端子を覆う絶縁膜が形成され、絶縁膜は、素体の少なくとも実装面に除去部が形成され、除去部にめっき膜が形成されるので、上部基板やシールドケースとの間でショートしたり、電子部品間でショートしたりするのを防止でき、かつ、絶縁膜を破壊し、絶縁性が劣化するのを防止できる。
さらに、本発明は、内部に回路素子を内蔵する素体と、素体に形成された端子を備えた電子部品において、端子は素体の端面と端面に隣接する面に亘って形成され、表面に第１のめっき膜が形成され、第１のめっき膜上における一部分に第２のめっき膜が形成され、素体の端子の第２のめっき膜が形成された部分以外の場所に絶縁膜が形成されるので、電子部品の周囲の物とのショートを防止でき、かつ、絶縁膜を破壊し、絶縁性が劣化するのを防止できる。
またさらに、本発明は、内部に回路素子を内蔵する素体と、素体に形成された端子を備えた電子部品の製造方法において、内部に回路素子を内蔵する素体を形成し、素体に端子を形成する工程と、素体に端子を覆う様に絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜を除去して底面に端子が露出した除去部が形成される工程及び、めっきを施して除去部にめっき膜が形成される工程を備えるので、上部基板やシールドケースとの間でショートしたり、電子部品間でショートしたりするのを防止でき、かつ、絶縁膜を破壊し、絶縁性が劣化するのを防止できる。
さらに、本発明は、内部に回路素子を内蔵する素体と、素体に形成された端子を備えた電子部品の製造方法において、内部に回路素子を内蔵する素体を形成し、素体に端子を形成し、端子に第１のめっき膜を形成する工程と、素体に絶縁膜を形成する工程及び、絶縁膜から露出した端子の第１のめっき膜上に、第２のめっき膜が形成される工程を備えるので、電子部品の周囲の物とのショートを防止でき、かつ、絶縁膜を破壊し、絶縁性が劣化するのを防止できる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の電子部品の第１の実施例を示す部分断面図である。
【図２】本発明の電子部品の第１の実施例の製造方法を説明するための部分断面図である。
【図３】本発明の電子部品の第２の実施例とその製造方法を説明するための部分断面図である。
【図４】本発明の電子部品の第３の実施例を示す部分断面図である。
【図５】本発明の電子部品の第４の実施例を示す部分断面図である。
【図６】本発明の電子部品の第５の実施例を示す部分断面図である。
【図７】本発明の電子部品の第５の実施例の製造方法を説明するための部分断面図である。
【図８】本発明の電子部品の第６の実施例を示す部分断面図である。
【図９】本発明の電子部品の第７の実施例を示す部分断面図である。
【図１０】本発明の電子部品の第８の実施例を示す部分断面図である。
【図１１】本発明の電子部品の第８の実施例の製造方法を説明するための部分断面図である。
【図１２】本発明の電子部品の別の実施例を説明するための部分拡大断面図である。
【図１３】従来の電子部品の断面図である。
【図１４】従来の別の電子部品の断面図である。
【図１５】従来のさらに別の電子部品の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
本発明の電子部品は、内部に回路素子を内蔵する素体と、素体に形成された端子を備える。端子は素体の端面と端面に隣接する４つの面に亘って形成される。端子が形成された素体は、端子を覆う様に絶縁膜が形成される。端子は、素体の少なくとも実装面において絶縁膜から露出する。また、この絶縁体膜は、素体の少なくとも実装面にその底面に端子が露出した除去部が形成される。この絶縁膜から露出した端子にめっき膜が形成される。そして、この絶縁膜の覆われた端子とめっき膜とで外部端子が形成される。
従って、本発明の電子部品は、素体に形成された端子が絶縁膜で覆われているので、絶縁体膜により電気的に周囲から絶縁でき、かつ、絶縁膜の除去部に形成されためっき膜により実装基板の配線パターンに接続できる。また、本発明の電子部品は、素体内部に内蔵する回路素子の形状を特別な構造にする必要がないので、図１３や図１４の様に改良する前の従来の電子部品をそのまま利用することができると共に、素体内のスペースを有効に活用して回路素子の特性を向上させることができる。さらに、本発明の電子部品は、端子が素体の実装面において、絶縁膜の除去部の底面に端子が露出し、この除去部にめっき膜が形成されるので、絶縁膜の端部の厚みを従来よりも厚くすることができると共に、はんだの侵入を阻止するためのめっき膜を有することができ、実装基板の配線パターンとの接続時に、端子と絶縁膜の間にはんだが入り込むのを防止できる。またさらに、除去部に露出している端子上に下地めっきと錫又は錫合金めっきを施すことにより、端子のはんだ喰われを防止し、かつ、はんだ濡れを良くすることができる。さらに、めっき延びが発生しやすいフェライト等の素体を用いた場合においては、端子のめっき膜を形成する部分以外が絶縁膜で覆われているため、めっきを施す際に、素体と端子の接触部分にめっき延びが発生して端子の幅がばらつくのを防止できる。また、密度が低い素体を用い、素体全体を樹脂で覆って電子部品を形成する場合においては、素体に樹脂を含浸する必要がない。またさらに、本発明の電子部品は、除去部の形状により、外部端子の形状を様々な形状にすることができる。
【実施例】
【００１０】
以下、本発明の電子部品及びその製造方法の実施例を図１乃至図１２を参照して説明する。
図１は本発明の電子部品の第１の実施例を示す部分断面図であり、１１は素体、１２は端子である。
素体１１は、フェライト等の磁性体、金属磁性体、誘電体等の絶縁体で形成され、内部に回路素子が形成される。回路素子は、絶縁体層と導体パターンを積層し、絶縁体層間の導体パターンを螺旋状に接続してコイルとしたり、絶縁体層と導体パターンを積層して導体パターン間に容量を得る様にしてコンデンサとしたり、これらを一体に形成してＬＣ回路としたり、導線を巻回したコイルを内部に配置したりすることにより、素体の内部に形成される。
端子１２は、素体１１の端面と端面に隣接する４つの面に亘って形成される。この端子１２は、銀、パラジウム、銅等の導電体を含有する材料をディップ塗布等の技術を用いて電極を形成することにより形成される。
この端子１２が形成された素体１１は、全体が絶縁膜１３によって被覆される。絶縁膜１３は、エポキシ樹脂、シリコン樹脂、アクリル樹脂等の樹脂や、ガラス等の絶縁性を有する絶縁体によって形成され、素体１１の実装面の端子１２に対応する部分にその底面に端子１２が露出した除去部が形成され、この除去部に端子１２に接続しためっき膜１４が形成される。めっき膜１４は、端子１２の表面に銅、ニッケル等の導電材料による下地めっき膜１４Ａを形成し、この下地めっき膜１４Ａの表面に錫又は錫合金によるめっき膜１４Ｂを形成することにより形成される。この絶縁膜１３に被覆された端子１２とめっき膜１４とで外部端子が形成される。
【００１１】
この様に形成された本発明の電子部品は、まず、絶縁体層と導体パターンを積層し、絶縁体層間の導体パターンを螺旋状に接続してコイルとしたり、絶縁体層と導体パターンを積層して導体パターン間に容量を得る様にしてコンデンサとしたり、これらを一体に形成してＬＣ回路としたり、導線を巻回したコイルを内部に配置したりすることにより、内部に回路素子が形成された素体が形成される。この素体は、図２（Ａ）に示す様に、素体２１の端面と端面に隣接する４つの面に亘って端子２２が形成される。端子２２は、銀、パラジウム、銅等の導電材料を含有する導電ペーストを素体２１に塗布等により付与し、焼結又は、銀、パラジウム、銅等の導電材料と樹脂を含有する導電ペーストを素体２１に塗布等により付与し、硬化又は焼結させることにより形成される。
次に、端子２２が形成された素体２１の全体に、エポキシ樹脂、シリコン樹脂、アクリル樹脂等の樹脂や、ガラス等の絶縁性を有する絶縁体を、コーティングすることで付与し、図２（Ｂ）に示す様に、端子２２が形成された素体２１の全体を絶縁膜２３で被覆する。この絶縁膜２３は、厚みが２〜３０μｍであることが望ましい。また、コーティングする方法は、ディップやスプレーにより塗布、電着塗装、ドラム式回転コーティング等様々な方法を用いることができる。
続いて、絶縁膜２３の素体２１の実装面の端子２２に対応する部分を、レーザー装置や熱源装置で加熱により又は、サンドブラストや研磨等の機械的手段により剥離、除去して、図２（Ｃ）に示す様に、その底面に端子２２の表面が露出した除去部２３Ａが形成される。
さらに、この除去部２３Ａの底面に露出した端子２２の表面上に、銅、ニッケル等の導電材料による下地めっき膜２４Ａを形成し、この下地めっき膜２４Ａの表面に錫又は錫合金によるめっき膜２４Ｂを形成することにより、図２（Ｄ）に示す様に、除去部に端子２２に接続しためっき膜２４が形成される。
【００１２】
図３は本発明の電子部品の第２の実施例とその製造方法を説明するための部分断面図である。
本実施例では、除去部と外部端子の構造が第１の実施例と異なっている。まず、除去部は、図３（Ａ）に示す様に、それぞれの端子３２に対応する位置において、素体３１の幅方向に延在する除去部が複数、素体３１の長さ方向に配列して形成される。
次に、図３（Ｂ）に示す様に、この複数の除去部３３Ａ１、３３Ａ２の底面に露出した端子３２の表面上に、銅、ニッケル等の導電材料による下地めっき膜３４Ａを形成し、この下地めっき膜３４Ａの表面に錫又は錫合金によるめっき膜３４Ｂを形成することにより、除去部内に端子３２に接続しためっき膜３４が形成される。
この様にして電子部品を形成した場合、それぞれの端子上に、素体の幅方向に延在するめっき膜が複数形成されるので、実装基板の配線パターンにはんだで接続する際、めっき膜間にはんだフィレットを侵入させることができ、実装基板に安定して実装できる。
【００１３】
図４は本発明の電子部品の第３の実施例を示す部分断面図である。
素体４１は、フェライト等の磁性体、金属磁性体、誘電体等の絶縁体で形成され、内部に回路素子が形成される。
端子４２は、素体４１の端面と端面に隣接する４つの面に亘って形成される。この端子４２は、銀、パラジウム、銅等の導電体を含有する材料を用いて電極を形成することにより形成される。
この端子４２が形成された素体４１は、全体が絶縁膜４３によって被覆される。絶縁膜４３は、エポキシ樹脂、シリコン樹脂、アクリル樹脂等の樹脂や、ガラス等の絶縁性を有する絶縁体によって形成され、素体４１の実装面及びそれぞれ実装面に隣接する面の端子４２に対応する部分にその底面に端子４２が露出した除去部が形成され、この除去部に端子４２に接続しためっき膜４４が形成される。めっき膜４４は、端子４２の表面に銅、ニッケル等の導電材料による下地めっき膜４４Ａを形成し、この下地めっき膜４４Ａの表面に錫又は錫合金によるめっき膜４４Ｂを形成することにより形成される。この絶縁膜４３に被覆された端子４２とめっき膜４４とで外部端子が形成される。この外部端子は、電子部品の実装面と実装面に隣接する面に亘ってＬ字状に形成される。また、この外部端子の形状は、除去部の形状によって変えることができ、実装面と対向する面まで延在させるとコ字状の外部端子を形成することができる。
【００１４】
図５は本発明の電子部品の第４の実施例を示す部分断面図である。
素体５１は、フェライト等の磁性体、金属磁性体、誘電体等の絶縁体で形成される。
端子５２は、素体５１の端面と端面に隣接する４つの面に亘って形成される。この端子５２は、銀、パラジウム、銅等の導電体を含有する材料を用いて電極を形成することにより形成される。
この端子５２が形成された素体５１は、端子５２が形成されている素体５２の両端部に、端子５２が覆われるようにそれぞれ絶縁膜５３が形成される。それぞれの絶縁膜５３は、エポキシ樹脂、シリコン樹脂、アクリル樹脂等の樹脂や、ガラス等の絶縁性を有する絶縁体によって形成され、素体５１の実装面の端子５２に対応する部分にその底面に端子５２が露出した除去部が形成され、この除去部に端子５２に接続しためっき膜５４が形成される。除去部は絶縁膜５３の実装面における面積よりも小さく形成される。めっき膜５４は、端子５２の表面に銅、ニッケル等の導電材料による下地めっき膜５４Ａを形成し、この下地めっき膜５４Ａの表面に錫又は錫合金によるめっき膜５４Ｂを形成することにより形成される。この絶縁膜５３に被覆された端子５２とめっき膜５４とで外部端子が形成される。
この様に形成した場合においても、端子と絶縁膜の間にはんだが入り込むのを防止でき、かつ、絶縁膜の絶縁材料を節約できる。
【００１５】
図６は本発明の電子部品の第５の実施例を示す部分断面図である。
素体６１は、フェライト等の磁性体、金属磁性体、誘電体等の絶縁体で形成され、内部に回路素子が形成される。
端子６２は、素体６１の端面と端面に隣接する４つの面に亘って形成される。この端子６２は、銀、パラジウム、銅等の導電体を含有する材料を用いて電極を形成することにより形成される。端子６２の表面には下地めっき膜６４Ａが形成される。下地めっき膜６４Ａは、銅、ニッケル等の導電材料により形成され、素体６１の実装面に対応する部分の厚みが他の部分の厚みよりも厚くなっている。
この素体６１は、下地めっき膜６４Ａの厚みが厚い部分の表面が除去部内に露出する様に、全体が絶縁膜６３によって被覆される。絶縁膜６３は、エポキシ樹脂、シリコン樹脂、アクリル樹脂等の樹脂や、ガラス等の絶縁性を有する絶縁体によって形成される。この除去部内に露出する下地めっき膜６４Ａの厚みが厚い部分の表面に錫又は錫合金によるめっき膜６４Ｂを形成する。この下地めっき膜６４Ａと錫又は錫合金によるめっき膜６４Ｂによりめっき膜６４が形成され、このめっき膜６４と端子６２とで外部端子が形成される。
【００１６】
この様に形成された本発明の電子部品は、まず、内部に回路素子が形成された素体が形成される。この素体は、図７（Ａ）に示す様に、素体７１の端面と端面に隣接する４つの面に亘って端子７２が形成される。端子７２は、銀、パラジウム、銅等の導電材料と樹脂を含有する導電ペーストを素体７１に塗布等により付与し、硬化又は焼結させることにより形成される。
次に、図７（Ｂ）に示す様に、端子７２の表面上に、銅、ニッケル等の導電材料による下地めっき膜７４Ａ１が形成される。
続いて、素体７１の全体に、エポキシ樹脂、シリコン樹脂、アクリル樹脂等の樹脂や、ガラス等の絶縁性を有する絶縁体を、コーティングすることで付与し、図７（Ｃ）に示す様に、素体７１の全体を絶縁膜７３で被覆する。この絶縁膜７３は、厚みが２〜３０μｍであることが望ましい。また、コーティングする方法は、ディップやスプレーにより塗布、電着塗装、ドラム式回転コーティング等様々な方法を用いることができる。
さらに、絶縁膜７３の素体７１の実装面の端子７２に対応する部分を、レーザー装置や熱源装置で加熱により又は、サンドブラストや研磨等の機械的手段により剥離、除去して、図７（Ｄ）に示す様に、その底面に下地めっき膜７４Ａ１の表面が露出した除去部７３Ａが形成される。
続いて、この除去部７３Ａの底面に露出した下地めっき膜７４Ａ１の表面上に、銅、ニッケル等の導電材料による下地めっき膜７４Ａ２を形成し、この下地めっき膜７４Ａ２の表面に錫又は錫合金によるめっき膜７４Ｂを形成することにより、図７（Ｅ）に示す様に、除去部に端子７２に接続しためっき膜７４が形成される。この時、下地めっき膜７４Ａ１と下地めっき膜７４Ａ２は、同じ材質で形成しても良いし、異なる材質で形成しても良い。また、下地めっき膜７４Ａ１の表面に錫又は錫合金によるめっき膜７４Ｂを形成することにより、除去部に端子７２に接続しためっき膜７４が形成されても良い。
この様に電子部品を形成した場合、除去部７３Ａ内に形成される下地めっき膜７４Ａ２と錫又は錫合金によるめっき膜７４Ｂの形成が不十分で樹脂膜との間に隙間が生じてしまった場合でも、端子が下地めっき膜７４Ａ１で覆われているため、端子のはんだ喰われを防止できる。
【００１７】
図８は本発明の電子部品の第６の実施例を示す部分断面図である。
素体８１は、フェライト等の磁性体、金属磁性体、誘電体等の絶縁体で形成され、内部に回路素子が形成される。
端子８２は、素体８１の端面と端面に隣接する４つの面に亘って形成される。この端子８２は、銀、パラジウム、銅等の導電体を含有する材料を用いて電極を形成することにより形成される。端子８２の表面には下地めっき膜８４Ａが形成される。下地めっき膜８４Ａは、銅、ニッケル等の導電材料により形成され、素体８１の実装面と実装面に隣接する面に対応する部分の厚みが他の部分の厚みよりも厚くなっている。
この素体８１は、下地めっき膜８４Ａの厚みが厚い部分の表面が除去部内に露出する様に、全体が絶縁膜８３によって被覆される。絶縁膜８３は、エポキシ樹脂、シリコン樹脂、アクリル樹脂等の樹脂や、ガラス等の絶縁性を有する絶縁体によって形成される。除去部は、素体８１の実装面及びそれぞれ実装面に隣接する面の端子８２に対応する部分に形成される。この除去部内に露出する下地めっき膜８４Ａの厚みが厚い部分の表面に錫又は錫合金によるめっき膜８４Ｂを形成する。この下地めっき膜８４Ａと錫又は錫合金によるめっき膜８４Ｂによりめっき膜８４が形成され、このめっき膜８４と端子８２とで外部端子が形成される。この外部端子は、電子部品の実装面と実装面に隣接する面に亘ってＬ字状に形成される。また、この外部端子の形状は、除去部の形状によって変えることができ、実装面と対向する面まで延在させるとコ字状の外部端子を形成することができる。
【００１８】
図９は本発明の電子部品の第７の実施例を示す部分断面図である。
素体９１は、フェライト等の磁性体、金属磁性体、誘電体等の絶縁体で形成される。
端子９２は、素体９１の端面と端面に隣接する４つの面に亘って形成される。この端子９２は、銀、パラジウム、銅等の導電体を含有する材料を用いて電極を形成することにより形成される。端子９２の表面には下地めっき膜９４Ａが形成される。下地めっき膜９４Ａは、銅、ニッケル等の導電材料により形成され、素体９１の実装面と実装面に隣接する面に対応する部分の厚みが他の部分の厚みよりも厚くなっている。
この素体９１は、素体９１の両端部に、下地めっき膜９４Ａの厚みが厚い部分の表面が除去部内に露出する様に、端子９２の一部分に絶縁膜９３が形成される。それぞれの絶縁膜９３は、エポキシ樹脂、シリコン樹脂、アクリル樹脂等の樹脂や、ガラス等の絶縁性を有する絶縁体によって形成される。除去部は素体９１の実装面に絶縁膜９３が一部残る様に形成される。下地めっき膜９４Ａの厚みが厚い部分の表面には、錫又は錫合金によるめっき膜９４Ｂが形成される。この下地めっき膜９４Ａと錫又は錫合金によるめっき膜９４Ｂによりめっき膜９４が形成され、このめっき膜９４と端子９２とで外部端子が形成される。
【００１９】
図１０は本発明の電子部品の第８の実施例を示す部分断面図である。
素体１０１は、フェライト等の磁性体、金属磁性体、誘電体等の絶縁体で形成される。
端子１０２は、素体１０１の端面と端面に隣接する４つの面に亘って形成される。この端子１０２は、銀、パラジウム、銅等の導電体を含有する材料を用いて電極を形成することにより形成される。端子１０２の表面には下地めっき膜１０４Ａが形成される。下地めっき膜１０４Ａは、銅、ニッケル等の導電材料により形成され、素体１０１の下側部分の厚みが他の部分の厚みよりも厚くなっている。
この素体１０１は、素体１０１の上側部分に絶縁膜１０３が形成され、素体１０１の下側部分に下地めっき膜１０４Ａの厚みが厚い部分の表面が露出し、この下地めっき膜１０４Ａの厚みが厚い部分の表面に錫又は錫合金によるめっき膜１０４Ｂによりめっき膜１０４が形成される。この下地めっき膜１０４Ａと錫又は錫合金によるめっき膜１０４Ｂによりめっき膜１０４が形成され、このめっき膜１０４と端子１０２とで外部端子が形成される。
【００２０】
この様に形成された本発明の電子部品は、まず、内部に回路素子が形成された素体が形成される。この素体は、図１１（Ａ）に示す様に、素体１１１の端面と端面に隣接する４つの面に亘って端子１１２が形成される。端子１１２は、銀、パラジウム、銅等の導電材料と樹脂を含有する導電ペーストを素体１１１に塗布等により付与し、硬化又は焼結させることにより形成される。この端子１１２の表面上に、銅、ニッケル等の導電材料による下地めっき膜１１４Ａ１が形成される。
次に、素体１１１の上側に、エポキシ樹脂、シリコン樹脂、アクリル樹脂等の樹脂や、ガラス等の絶縁性を有する絶縁体を、コーティングすることで付与し、図１１（Ｂ）に示す様に、素体１１１の上側部分を絶縁膜１１３で被覆する。この絶縁膜１１３は、厚みが２〜３０μｍであることが望ましい。また、コーティングする方法は、ディップやスプレーにより塗布、電着塗装、ドラム式回転コーティング等様々な方法を用いることができる。
続いて、素体１１１の下側部分において露出した下地めっき膜１１４Ａ１の表面上に、銅、ニッケル等の導電材料による下地めっき膜１１４Ａ２を形成し、この下地めっき膜１１４Ａ２の表面に錫又は錫合金によるめっき膜１１４Ｂを形成することにより、図１１（Ｃ）に示す様に、端子１１２に接続しためっき膜１１４が形成される。この時、下地めっき膜１１４Ａ１と下地めっき膜１１４Ａ２は、同じ材質で形成しても良いし、異なる材質で形成しても良い。下地めっき膜１１４Ａ１と下地めっき膜１１４Ａ２が同じ材質で形成された場合には、図１０に示す様に、下地めっき膜に厚みが厚い部分が形成され、この下地めっき膜の厚みが厚い部分が絶縁膜１１３から露出する。また、下地めっき膜１１４Ａ１と下地めっき膜１１４Ａ２を異なる材質で形成する場合、下地めっき膜１１４Ａ１を銅により形成し、下地めっき膜１１４Ａ２をニッケルで形成すると良い。
さらに、この下地めっき膜１１４Ａ１の表面に錫又は錫合金によるめっき膜１１４Ｂを形成することにより、端子１１２に接続しためっき膜１１４が形成される。
この様に形成された電子部品は、端子全体に下地めっきを形成した後、素体に絶縁膜を形成するので、絶縁膜１１３と下地めっき膜１１４Ａ２、錫合金によるめっき膜１１４Ｂの間に隙間があったとしても、実装基板の配線パターンとの接続時に、はんだが端子まで到達することがなく、端子にはんだ食われが発生することもない。また、絶縁膜を形成した後に再度下地めっき膜を形成し、錫又は錫合金によるめっき膜を形成しているので、はんだ濡れ性も向上させることができる。
【００２１】
以上、本発明の電子部品及びその製造方法の実施例を述べたが、本発明はこの実施例に限られるものではない。例えば、第１の実施例乃至第７の実施例において、絶縁膜の除去部に形成されるめっき膜は、図１２（Ａ）に示す様にめっき膜１２４の表面が絶縁膜１２３の表面と同一の面になる様に形成されたり、図１２（Ｂ）に示す様にめっき膜１２４の表面が除去部１２３Ａ内に形成されたり、図１２（Ｃ）に示す様にめっき膜１２４の表面が絶縁膜１２３の表面から突出する様に形成されても良い。めっき膜１２４の表面が絶縁膜１２３の表面から突出する場合には、その表面の面積を除去部のより大きく形成したり、めっき膜の絶縁膜の表面から突出した部分が錫又は錫合金によるめっき膜で構成されたりしても良い。
また、第１の実施例乃至第４の実施例において、下地めっき膜１４Ａ、３４Ａ、４４Ａ、５４Ａを端子と絶縁膜の間にも延在させて端子を覆う様に形成しても良い。
さらに、第８の実施例において、下地めっき膜１１４Ａ１の表面に錫又は錫合金によるめっき膜１１４Ｂを形成しても良い。
またさらに、端子は、金属板を素体の端面と端面に隣接する４つの面を覆う様に加工して、これを素体の両端に取り付けて形成しても良い。
【符号の説明】
【００２２】
１１  素体
１２  端子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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