(57)【要約】【課題】本明細書は、磁電変換素子を備える計測精度のよい電流センサを実現するための技術を提供する。【解決手段】本明細書が開示する電流センサは、切欠き２１ｂ，２１ｃが設けられているバスバ２ｂ，２ｃと、切欠き２１ｂ，２１ｃに配置されている磁電変換素子３４ｂ，３４ｃと、磁気シールド板３２と、樹脂モールド体３１と、を備えている。磁気シールド板３２は、磁電変換素子３４ｂ，３４ｃを夫々バスバ２ｂ，２ｃとの間で挟むように配置されている。樹脂モールド体３１は、磁電変換素子３４ｂ，３４ｃと磁気シールド板３２を絶縁性の樹脂でモールドしている。樹脂モールド体３１にはスリット３８ｂ，３８ｃが設けられている。スリット３８ｂ，３８ｃが各バスバに嵌合しているとともに、樹脂モールド体３１のスリットと一直線をなす部位が、切欠き２１ｂ，２１ｃに嵌合している。【選択図】図３
2016125907.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
平行に配置されている２本のバスバであって各バスバに切欠きが設けられている２本のバスバと、
各バスバの前記切欠きに配置されている磁電変換素子と、
前記磁電変換素子を各バスバとの間で挟むように配置されている磁気シールド板と、
前記磁電変換素子と前記磁気シールド板を絶縁性の樹脂でモールドしている樹脂モールド体と、
を備えており、
前記各バスバの切欠きの少なくとも一部は、バスバ延設方向に沿って、隣接するバスバの切欠と重ならないように配置されており、
前記磁電変換素子は、前記少なくとも一部に配置されており、
前記樹脂モールド体に、バスバ延設方向に沿って前記各バスバに対応したスリットが設けられており、
前記スリットが各バスバに嵌合しているとともに、前記樹脂モールド体の前記スリットと一直線をなす部位が、前記切欠きに嵌合している、
ことを特徴とする電流センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電流センサに関する。特に、複数のバスバの夫々に流れる電流を計測する電流センサに関する。
【背景技術】
【０００２】
電流を計測する電流センサが必要とされる場合がある。例えば、電動車両のモータを制御するために、モータに送電するバスバに電流センサが取り付けられる。モータを高い精度で制御するために、電流センサの計測精度の向上が望まれている。
【０００３】
電流センサにおいて、電流を計測するために用いられる素子として、例えば磁電変換素子がある。磁電変換素子は、バスバに流れる電流に起因して発生する磁束を感知して電圧信号に変換する素子である。このような磁電変換素子を有する電流センサの計測精度を向上するための技術が例えば、特許文献１に開示されている。複数のバスバが平行に配置されており、各バスバの電流を計測する場合において、計測対象となるバスバに並んで配置される計測対象でないバスバから発生する磁界は磁電変換素子のノイズの原因となる。特許文献１では、計測対象となるバスバと計測対象でないバスバの形状とそれらバスバと磁電変換素子とのレイアウトを工夫することで、ノイズとなる磁界の影響を抑えて磁電変換素子を有する電流センサの計測精度の向上を図っている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００１−０７４７８３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
複数のバスバの夫々に流れる電流を計測する電流センサの計測精度を向上させるには、特許文献１に示すようなノイズ対策に加えて、磁電変換素子を精度よく位置決めすることも有効である。本明細書は、複数のバスバの夫々に流れる電流を計測する電流センサに関し、ノイズ対策と磁電変換素子の位置決めを簡易に両立する技術を提供する。なお、本明細書が開示する電流センサはバスバの形状にも特徴があるので、その特徴あるバスバの形状を電流センサの構成に含むものである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
以下の説明では、「複数のバスバ」の代表として、「２本のバスバ」を例に説明する。即ち、以下では、２本のバスバの夫々に流れる電流を計測する電流センサについて説明する。これは、発明をより理解し易くするためである。以下で説明する技術は、２本のバスバに限定されるものではなく、３本以上のバスバの夫々を流れる電流を計測する電流センサにも適用可能であることに留意されたい。
【０００７】
本明細書が開示する電流センサは、平行に配置されている２本のバスバであって各バスバに切欠きが設けられている２本のバスバと、各バスバの切欠きに配置されている磁電変換素子と、磁気シールド板と、樹脂モールド体と、を備えている。磁気シールド板は、磁電変換素子を各バスバとの間で挟むように配置されている。樹脂モールド体は、磁電変換素子と磁気シールド板を絶縁性の樹脂でモールドしている。そして、各バスバの切欠きの少なくとも一部は、バスバ延設方向に沿って、隣接するバスバの切欠と重ならないように配置されており、磁電変換素子は、その「少なくとも一部」に配置されている。さらに、樹脂モールド体に、バスバ延設方向に沿って各バスバに対応したスリットが設けられている。スリットが各バスバに嵌合しているとともに、樹脂モールド体のスリットと一直線をなす部位が、切欠きに嵌合している。
【０００８】
この構成によれば、切欠によってバスバの断面積が小さくなり、その部位の電流密度が高められる。以下、切欠によって他の部位よりも断面積が小さくなった部位を幅狭部と称する。電流が誘起する磁界の強さは電流密度に比例するので、幅狭部のバスバが発生する磁界は、バスバの他の部位が発する磁界よりも強まる。切欠に配置された磁電変換素子は切欠によって強められた磁界を計測する。一方、各バスバの切欠の少なくとも一部は、バスバ延設方向に沿って、隣接するバスバの切欠と重ならないように配置されており、各磁電変換素子は、その「少なくとも一部」に配置されている。即ち、磁電変換素子が隣接するバスバの切欠とバスバ延設方向において重ならないので、隣接するバスバの幅狭部が発する磁界は、磁電変換素子に大きな影響を与えない。さらに、上記の電流センサは、磁気シールド板を備えている。この磁気シールド板により、磁電変換素子は外部のノイズ磁界から遮断される。上記の効果により、上記の電流センサは耐ノイズ性が高められる。
【０００９】
一方、上記の電流センサでは、磁気シールド板と磁電変換素子が樹脂モールド体に覆われている。樹脂モールド体は、スリットとそのスリットと一直線をなす部位で各バスバと嵌合している。磁気シールド板と磁電変換素子は樹脂モールド体の絶縁樹脂で覆われているので、バスバから完全に絶縁される。さらに、この樹脂モールド体は、２本のバスバの相対位置を正確に定めるだけでなく、バスバと磁電変換素子と磁気シールド板の相対位置を正確に定める。バスバと磁電変換素子の相対位置が正確に定まることは、磁電変換素子が計測する磁界の計測精度の向上に寄与する。さらに、２本のバスバの相対位置、及び、磁気シールド板の相対位置が正確に定まることは、ノイズ対策に寄与する。上記した樹脂モールド体を備えることよって、本明細書が開示する電流センサは、ノイズ対策と磁電変換素子の位置決めを簡易な構造で両立することができる。
【発明の効果】
【００１０】
本明細書が開示する技術によれば、複数のバスバの夫々に電流を計測する電流センサにおいて良好な計測精度を有する電流センサを簡易に実現することができる。本明細書が開示する技術の詳細とさらなる改良は以下の「発明を実施するための形態」にて説明する。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】実施例の電流センサの斜視図である。
【図２】バスバのみを示す斜視図である。
【図３】電流センサの平面図である。
【図４】図３のIV−IV線における断面図である。
【図５】図３のV−V線における断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
図面を参照して実施例の電流センサを説明する。図１に実施例の電流センサ２００の斜視図を示す。電流センサ２００は、平行に配置されている３本のバスバ２ａ，２ｂ，２ｃと、バスバ２ａ，２ｂ，２ｃの上側に配置されているセンサユニット３と、バスバ２ａ，２ｂ，２ｃの下側に配置されているシールドユニット４を備えている。本明細書では、バスバ２ａ，２ｂ，２ｃをまとめてバスバ２と称する場合がある。本明細書が開示する電流センサ２００は、バスバ２の形状にも特徴があるので、その形状に特徴のあるバスバ２を電流センサの構成に含むものである。図中では、長く延びるバスバ２の一部が示されていることに留意されたい。電流センサ２００は、電動車両に搭載されるインバータの内部に備えられる。インバータは、バッテリの電力を走行用モータの供給に適した電力に変換するためのデバイスである。インバータには、モータと接続される出力端子が設けられている。電流センサ２００は、その出力端子とインバータに内蔵されたインバータ回路を繋ぐバスバの一部に備えられる。走行用のモータは３相交流モータであり、インバータは３相交流を出力する。それゆえ、出力端子とインバータ回路が３本のバスバ２で繋がれている。電動車両では、要求トルクでモータを駆動するために、モータの電流フィードバック制御が実行される。電流センサ２００で計測された電流値は、電流フィードバック制御の制御量を算出するために利用される。なお、本明細書では図中にＸＹＺ座標系が示されており、本明細書では適宜ＸＹＺ座標系を使用して実施例の構成を説明する。Ｘ軸がバスバ２の延設方向と一致している。Ｚ軸正方向が上側を示し、Ｚ軸負方向が下側を示す。
【００１３】
図１に示すように、センサユニット３は、バスバ２の上側の夫々に設けられた切欠き２１ａ，２１ｂ，２１ｃに嵌合している。センサユニット３には、３個の磁電変換素子３４ａ，３４ｂ，３４ｃが内側に備えられている。詳細は後述するが、センサユニット３が切欠き２１ａ，２１ｂ，２１ｃに嵌合することで、夫々の磁電変換素子３４ａ，３４ｂ，３４ｃが夫々の切欠き２１ａ，２１ｂ，２１ｃの内側に位置決めされる。なお、以下、磁電変換素子３４ａ，３４ｂ，３４ｃを区別なく示す場合、磁電変換素子３４と称する。また、シールドユニット４は、バスバ２の下側の夫々に設けられた切欠き２２ａ，２２ｂ，２２ｃ（切欠き２２ｂは図１では不図示、図２を参照）に嵌合している。
【００１４】
図２を参照して、バスバ２の構成について説明する。図２は、電流センサ２００から、センサユニット３とシールドユニット４を外し、バスバ２のみを示した斜視図である。電動車両のモータには、大電流が流れる。そのため、内部抵抗を小さくするように細長い金属板により構成されたバスバが採用される。図２に示すように、バスバ２は、細長い金属板である。バスバ２ａ，２ｂ，２ｃは、その幅広の側面が対向するように平行に配置されている。さらに、バスバ２ａ，２ｂ，２ｃは、その幅狭の側面が上下方向（Ｚ軸方向）で揃うように配置されている。また、バスバ２ａ，２ｂ，２ｃの厚みは同じである。
【００１５】
図２に示すように、バスバ２ａ，２ｂ，２ｃの夫々には、長方形の切欠き２１ａ，２１ｂ，２１ｃ及び長方形の切欠き２２ａ，２２ｂ，２２ｃが設けられている。切欠き２１ａ，２１ｂ，２１ｃは互いに同一形状であり、切欠き２２ａ，２２ｂ，２２ｃも互いに同一形状である。バスバ２ａにおいて、切欠き２１ａはバスバ２ａの上側に位置しており、切欠き２２ａはバスバ２ａの下側に位置している。切欠き２１ａと切欠き２２ａはバスバ２ａの延設方向（即ち、Ｘ軸方向）の同位置に配置されている。他のバスバ２ｂ，２ｃにおいても、バスバ２ａと同様の位置関係で切欠き２１ｂ，２２ｃ及び切欠き２２ｂ，２２ｃが設けられている。
【００１６】
また、切欠き２１ａ，２１ｂ，２１ｃは、上から見たとき（即ち、Ｚ軸方向から見たとき）にＶ字形に配置されている。別言すれば、バスバ２ａの切欠き２１ａは、バスバ２ａに隣接するバスバ２ｂの切欠き２１ｂと延設方向に沿って重ならないように配置されている。同様に、バスバ２ｂの切欠き２１ｂは、バスバ２ｂに隣接するバスバ２ｃの切欠き２１ｃと延設方向に沿って重ならないように配置されている。
【００１７】
図３を参照して、センサユニット３の構成について説明する。図３は、電流センサ２００を上から見たとき（即ち、Ｚ軸方向から見たとき）の平面図である。センサユニット３は、３個の磁電変換素子３４ａ，３４ｂ，３４ｃと、磁電変換素子３４が接続される基板３３と、シールド板３２とを、射出成型により絶縁性の樹脂でモールドすることにより構成される。以下、磁電変換素子３４と基板３３とシールド板３２を覆っている絶縁性の樹脂を樹脂モールド体３１と称する。樹脂モールド体３１は、磁電変換素子３４と基板３３とシールド板３２の周囲全面を覆っている。別言すれば、磁電変換素子３４と基板３３とシールド板３２は樹脂モールド体３１の内側に埋設されている。センサユニット３の外形、即ち、樹脂モールド体３１の外形は、平板形状である。図３に示すように、センサユニット３は、バスバ２の上に配置されており、樹脂モールド体３１には、バスバ２ａに対応した切欠き３８ａと、バスバ２ｂ，２ｃの夫々に対応したスリット３８ｂ，３８ｃが設けられている。切欠き３８ａ及びスリット３８ｂ，３８ｃは、樹脂モールド体３１の上面から下面まで貫通しており、樹脂モールド体３１の内側に備えられている基板３３とシールド板３２も貫通している。スリット３８ｂ，３８ｃは、バスバの延設方向（即ち、Ｘ軸方向）に長い長方形であり、同一の形状をしている。図３に示すように、切欠き３８ａは樹脂モールド体３１のＸ軸負方向側の側面に設けられている。スリット３８ｂは樹脂モールド体３１のＸ軸正方向側の側面から伸びており、スリット３８ｃは樹脂モールド体３１のＸ軸負方向側の側面から伸びている。即ち、切欠き３８ａとスリット３８ｂ，３８ｃは、Ｖ字形に配置されている。別言すれば、切欠き３８ａとバスバの延設方向に並ぶ部位である嵌合部３９ａ及び、スリット３８ｂ，３８ｃと一直線をなす部位である嵌合部３９ｂ，３９ｃがＶ字形に配置されている。このＶ字形に配置される嵌合部３９ａ，３９ｂ，３９ｃが、同様にＶ字形に配置されるバスバ２の切欠き２１ａ，２１ｂ，２１ｃの夫々に嵌合することでセンサユニット３がバスバ２に取り付けられる。このとき、スリット３８ｂ，３８ｃは、対応するバスバ２ｂ，２ｃに嵌合する。
【００１８】
磁電変換素子は、バスバを流れる電流に起因する磁界を検出し、磁界の磁束密度に応じた電圧信号を出力する。図３に示すように、磁電変換素子３４ａは、嵌合部３９ａの内側に配置されている。嵌合部３９ａが切欠き２１ａに嵌合することで、磁電変換素子３４ａが切欠き２１ａの内側に配置される。これにより、磁電変換素子３４ａはバスバ２ａに対向するように設けられ、磁電変換素子３４ａによりバスバ２ａを流れる電流に起因する磁界が検出される。同様に、磁電変換素子３４ｂ，３４ｃも、夫々嵌合部３９ｂ，３９ｃの内側に配置されている。嵌合部３９ｂ，３９ｃが切欠き２１ｂ，２１ｃに嵌合することで、磁電変換素子３４ｂ，３４ｃが切欠き２１ｂ，２１ｃの内側に配置される。磁電変換素子３４ｂ，３４ｃの夫々により、バスバ２ｂ，２ｃの夫々を流れる電流に起因する磁界が検出される。
【００１９】
図３に示すように、センサユニット３のバスバ２の並び方向における端部には、出力端子３５が設けられている。出力端子３５は基板３３に接続されている。磁電変換素子３４から出力される電圧信号は、基板３３を介して出力端子３５からセンサユニット３の外部へと出力される。
【００２０】
図４，図５を参照して、センサユニット３についてさらに説明する。図４は、図３のIV−IV線における断面図である。図５は、図３のV−V線における断面図である。図３におけるIV−IV線は、バスバ２ｂと平行で、磁電変換素子３４ｂを通過する断面を示す。図３におけるV−V線は、バスバの延設方向に直交する断面であって、磁電変換素子３４ｂを通過する断面を示す。図４，図５に示すように、磁電変換素子３４ｂは、樹脂モールド体３１に覆われている。磁電変換素子３４ｂの上には、基板３３が位置しており、基板３３の上にはシールド板３２が位置している。基板３３とシールド板３２も樹脂モールド体３１に覆われている。磁電変換素子３４ｂの上面には電極（不図示）が露出しており、その電極が基板３３に接続されている。シールド板３２は、透磁率の高い材料で作られている。シールド板３２の外側で発生する他の電子部品等（例えば、インバータ回路に備えられる電子部品）から発生するノイズとなる磁界はシールド板３２に集磁される。よって、磁電変換素子３４ｂは、シールド板３２の外側で発生するノイズとなる磁界から遮断される。なお、上述したように、樹脂モールド体３１は、射出成型により形成される。したがって、磁電変換素子３４，基板３３，シールド板３２は、樹脂モールド体３１に密着している。
【００２１】
図４に示すように、樹脂モールド体３１の嵌合部３９ｂは切欠き２１ｂに嵌合している。切欠き２１ｂの一方の側面２３には、嵌合部３９ｂを嵌合しやすくするためにテーパが設けられている。このテーパに対応して、嵌合部３９ｂの一方の側面も傾斜している。また、嵌合部３９ｂの下面は、切欠き２１ｂの底面２４に当接している。嵌合部３９ｂの下面が切欠き２１ｂの底面２４に当接することで、磁電変換素子３４ｂと切欠き２１ｂの底面２４との距離が、磁電変換素子３４ｂと底面２４との間に位置する樹脂モールド体３１の厚みＬ１に規定される。
【００２２】
上述した構造は、切欠き２１ａ，２１ｃに嵌合する嵌合部３９ａ，３９ｃとその夫々の内側に位置する磁電変換素子３４ａ，３４ｃでも同様である。
【００２３】
図３−図５を参照してシールドユニット４について説明する。図４，図５に示すように、シールドユニット４は、シールド板４２の周囲を全て絶縁性の樹脂でモールドすることのより構成されている。シールド板４２の周囲を覆う絶縁性の樹脂を樹脂モールド体４１と称する。シールドユニット４は、センサユニット３と同様の形状をしている。シールドユニット４にもセンサユニット３と同様に配置されたスリットが設けられており、シールドユニット４は、センサユニット３と同様にバスバ２の下側の切欠き２２ａ，２２ｂ，２２ｃに嵌合している。シールドユニット４により、シールドユニット４の外側で発生するノイズとなる磁界からも、磁電変換素子を遮断することができる。即ち、磁電変換素子３４が、センサユニット３のシールド板３２とシールドユニット４のシールド板４２により上下に挟まれることにより、磁電変換素子３４は、電流センサ２００の上下で発生するノイズとなる磁界から遮断される。
【００２４】
実施例で示す電流センサ２００の効果について説明する。以下では、磁電変換素子３４ｂで代表して説明する。図４に示すように、切欠き２１ｂと切欠き２２ｂを設けることにより、切欠き２１ｂと切欠き２２ｂの間にはバスバ２ｂの切欠きの無い部位より横断面の面積の小さい部位（幅狭部ＷＮ）が形成される。幅狭部ＷＮを通過する電流の電流密度は、バスバ２ｂの切欠きが無い部位を通過する電流の電流密度より高くなる。幅狭部ＷＮにより電流密度が高められることで、幅狭部ＷＮの周囲に発生する磁束の磁束密度も高められる。磁電変換素子３４ｂはその高められた磁束密度を感知するため、磁電変換素子３４ｂはノイズとなる磁界（例えば、他の電子部品や隣接するバスバから発生する磁界）の影響を受けがたくなる。よって、磁電変換素子３４ｂは高い精度でバスバ２ｂを通過する電流により発生する磁束の磁束密度を検出することができる。
【００２５】
また、樹脂モールド体３１の嵌合部３９ｂがバスバ２ｂの切欠き２１ｂに嵌合することで、磁電変換素子３４ｂをバスバ２ｂに対して精度よく位置決めすることができる。さらに、より良い精度を得るためにも、磁電変換素子３４ｂとバスバ２ｂの間隔を所望の距離に規定するとともに、磁電変換素子３４ｂをバスバ２ｂになるべく近づけることが望ましい。上述の構成によれば、磁電変換素子３４ｂとバスバ２ｂの間隔は、樹脂モールド体３１の下面を切欠き２１ｂの底面に当接することで簡易に規定することができる。さらに、その間隔は、樹脂モールド体３１の厚みＬ１により簡易に調整することができる。また、樹脂モールド体３１は絶縁体であるので、磁電変換素子３４ｂとバスバ２ｂの間の絶縁性も確保することができる。
【００２６】
また、上述したように、電流センサ２００のバスバ２ｂに設けられている切欠き２１ｂは、隣接するバスバ２ａ，２ｃに設けられている切欠き２１ａ，２１ｃとバスバの延設方向に沿って重ならないように配置されている。このような構成によれば、同様に、バスバ２ａ，２ｃの幅狭部を通過する電流により発生する磁界は、バスバ２ｂの切欠き２１ｂに配置されている磁電変換素子３４ｂに大きな影響を与えない。同様に、バスバ２ｂの幅狭部を通過する電流により発生する磁界は、バスバ２ａ，２ｃの切欠き２１ａ，２１ｃに配置されている磁電変換素子３４ａ，３４ｃにも大きな影響を与えない。
【００２７】
また、上述したように、シールド板３２は、樹脂モールド体３１に覆われるように射出成型でモールドされることで磁電変換素子３４と一体に成型されている。よって、樹脂モールド体３１がバスバ２の各切欠きに嵌合することで、シールド板３２と磁電変換素子３４を一緒にバスバに位置決めすることができる。
【００２８】
センサユニット３（樹脂モールド体３１）と２本のバスバ２ｂ，２ｃは、次のとおり組み合わされている。即ち、樹脂モールド体３１に設けられたスリット３８ｂ，３８ｃが、夫々対応するバスバ２ｂ，２ｃと嵌合しているとともに、スリット３８ｂ，３８ｃの夫々と一直線をなす嵌合部３９ｂ，３９ｃが、夫々、バスバの切欠き２１ｂ，２１ｃと嵌合している。隣接する２本のバスバ２ｂ，２ｃは樹脂モールド体３１のスリット３８ｂ，３８ｃに嵌合することで、それらの相対位置が正確に定まる。隣接するバスバの相対位置が正確に定まることも、磁電変換素子３４ｂ，３４ｃの計測精度の向上に寄与する。なお、樹脂モールド体３１は、バスバ２ｂ，２ｃに対するバスバ２ａの相対位置も正確に定める。樹脂モールド体３１は、平行に並んだバスバ２と、各バスバに対応する磁電変換素子３４とシールド板３２の相対位置を正確に定める。
【００２９】
また、実施例の電流センサ２００は、次のような特徴も有している。センサユニット３に設けられているスリット３８ｂ，３８ｃのバスバの延設方向（即ち、Ｘ軸方向）の長さは、同一である。そして、各スリット３８ｂ，３８ｃと一直線を成す部位（嵌合部３９ｂ，３９ｃ）の延設方向の長さも同一である。さらに、嵌合部３９ａの延設方向の長さも、嵌合部３９ｂ，３９ｃの延設方向の長さと同一である。ここで、嵌合部３９ａ，３９ｂ，３９ｃの延設方向の長さは、バスバ２の各バスバの夫々の切欠き２１ａ，２１ｂ，２１ｃの延設方向の長さと同一に設計される。なお、「同一」とは厳密な同一ではなく、嵌め合い公差を考慮した表現である。このような構成によれば、嵌合部３９ａの延設方向の一側面が、切欠き２１ａの側面と当接する。嵌合部３９ｂ，３９ｃの延設方向の一側面の夫々も、対応する切欠き２１ｂ，２１ｃの夫々の側面と当接する。したがって、センサユニット３がバスバ２の切欠き２１ａ，２１ｂ，２１ｃに嵌合することで、平行に並んだバスバ２ａ，２ｂ，２ｃの延設方向（即ち、Ｘ軸方向）における互いの相対位置を正確に固定することができる。このように、平行に並んだバスバの延設方向における相対位置が正確に定まることで、取り付け誤差に起因する計測精度の低下を小さくすることができる。したがって、電流センサ２００の計測精度の向上が期待される。
【００３０】
上述の特徴を有する実施例の電流センサ２００は、次の効果の相乗により計測精度の向上が図られる。（１）切欠により、計測対象のバスバから発生する磁界が強められる。（２）磁電変換素子が隣接する非計測対象のバスバの切欠とバスバ延設方向に沿って重ならないので、隣接するバスバの幅狭部が発する磁界の影響を受け難い。（３）シールド板により磁電変換素子が外部のノイズとなる磁界から遮断される。（４）磁電変換素子を固定する絶縁体が切欠きに嵌合することで磁電変換素子のバスバに対する位置決めを精度よく実現することができる。（５）切欠きに嵌合する絶縁体が複数のバスバの相対位置を正確に定める。
【００３１】
以下、実施例で示した技術に関する留意点を述べる。実施例で示すバスバの本数は例示に過ぎず、本明細書で開示する技術は、バスバの本数に限らず利用することができる。
【００３２】
また、実施例の電流センサでは、隣接するバスバの切欠同士が、バスバ延設方向で重ならない。実施例の技術は、一のバスバの電流を計測する磁電変換素子が、隣接するバスバの切欠とバスバの延設方向に沿って重ならなければよい。その意味で、平行に並ぶ２本のバスバの切欠きが一部で重なっていてもよい。別言すると、２本の平行なバスバにおいて、一方のバスバの切欠の少なくとも一部が隣接するバスバの切欠と重なっておらず、その「少なくとも一部」に、一方のバスバの電流を計測するための磁電変換素子が配置されていればよい。
【００３３】
以上、本発明の具体例を詳細に説明したが、これらは例示に過ぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組合せに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成し得るものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。
【符号の説明】
【００３４】
２（２ａ，２ｂ，２ｃ）：バスバ
３：センサユニット
４：シールドユニット
２１ａ，２１ｂ，２１ｃ：切欠き（上側）
２２ａ，２２ｂ，２２ｃ：切欠き（下側）
３１：樹脂モールド体
３２：シールド板
３３：基板
３４（３４ａ，３４ｂ，３４ｃ）：磁電変換素子
３５：出力端子
３８ａ：切欠き
３８ｂ，３８ｃ：スリット
３９ａ，３９ｂ，３９ｃ：嵌合部
４１：樹脂モールド体
４２：シールド板
２００：電流センサ
【図１】
2016125907.tif 000003
【図２】
2016125907.tif 000004
【図３】
2016125907.tif 000005
【図４】
2016125907.tif 000006
【図５】
2016125907.tif 000007