(57)【要約】【課題】半導体素子を安定的に作動できる配線基板を提供する。【解決手段】第１の絶縁層１上に第１および第２のアライメント用導体Ｍ１、Ｍ２ならびに内層の配線導体３を形成して第２の絶縁層２を積層する工程と、第１の絶縁層１に第１のアライメント用導体Ｍ１を露出する第１の開口部１ａを形成する工程と、第２の絶縁層２に第２のアライメント用導体Ｍ２を露出する第２の開口部２ａを形成する工程と、第１の絶縁層１に第１のアライメント用導体Ｍ１を基準に第１のビアホール１ｖを形成する工程と、第２の絶縁層２に第２のアライメント用導体Ｍ２を基準に第２のビアホール２ｖを形成する工程と、第１の絶縁層１表面および第１のビアホール１ｖ内に第１のアライメント用導体Ｍ１を基準に第１の配線導体４を形成する工程と、第２の絶縁層２表面および第２のビアホール２ｖ内に第２のアライメント用導体Ｍ２を基準に第２の配線導体５を形成する工程とを含む。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の絶縁層上面に第１および第２のアライメント用導体ならびに内層の配線導体を同時に形成する工程と、前記第１の絶縁層上面に前記各導体を被覆する第２の絶縁層を積層する工程と、前記第１の絶縁層に前記第１のアライメント用導体およびその周囲を露出する第１の開口部を形成する工程と、前記第２の絶縁層に前記第２のアライメント用導体およびその周囲を露出する第２の開口部を形成する工程と、前記第１の絶縁層に前記第１のアライメント用導体を位置合わせの基準にして加工を施すことにより、前記内層の配線導体の一部を底面とする複数の第１のビアホールを形成する工程と、前記第２の絶縁層に前記第２のアライメント用導体を位置合わせの基準にして加工を施すことにより、前記内層の配線導体の一部を底面とする複数の第２のビアホールを形成する工程と、前記第１の絶縁層表面および前記第１のビアホール内に前記第１のアライメント用導体を位置合わせの基準にして加工を施すことにより第１の配線導体を形成する工程と、前記第２の絶縁層表面および前記第２のビアホール内に前記第２のアライメント用導体を位置合わせの基準にして加工を施すことにより第２の配線導体を形成する工程と、を含むことを特徴とする配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子等を搭載するための配線基板の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
図３に半導体集積回路素子等の半導体素子Ｓを搭載するための従来の配線基板Ｂを示す。配線基板Ｂは、第１の絶縁層２１と、第１の絶縁層２１上に積層された第２の絶縁層２２と、両絶縁層２１、２２の間に形成された内層の配線導体２３と、第１の絶縁層２１に形成された第１の配線導体２４と、第２の絶縁層２２に形成された第２の配線導体２５と、第１の絶縁層２１下面に形成された第１のソルダーレジスト層２６と、第２の絶縁層２２上面に形成された第２のソルダーレジスト層２７とから成る。
【０００３】
第１の絶縁層２１には、内層の配線導体２３の一部を底面とする第１のビアホール２１ｖが複数形成されている。そして、第１の絶縁層２１の下面および第１のビアホール２１ｖ内に第１の配線導体２４が形成されている。
【０００４】
第２の絶縁層２２には、内層の配線導体２３の一部を底面とする第２のビアホール２２ｖが複数形成されている。そして、第２の絶縁層２２の上面および第２のビアホール２２ｖ内に第２の配線導体２５が形成されている。
【０００５】
第１の絶縁層２１の下面に被着された第１のソルダーレジスト層２６には、第１の配線導体２４の一部を外部接続パッド２８として露出させる開口部２６ａが形成されている。外部接続パッド２８には、外部の電気回路基板の配線導体が半田を介して接続される。
【０００６】
第２の絶縁層２２の上面に被着された第２のソルダーレジスト層２７には、第２の配線導体２５の一部を半導体素子接続パッド２９として露出させる開口部２７ａが形成されている。半導体素子接続パッド２９には、半導体素子Ｓの電極端子Ｔが半田を介して接続さる。
【０００７】
次に、このような従来の配線基板Ｂの製造方法の一例について、図４を基にして説明する。なお、図４において図３と同様の箇所には同様の符号を付して説明する。
【０００８】
まず、図４（ａ）に示すように、第１の絶縁層２１の上面に第２の絶縁層２２が積層されるとともに、両絶縁層２１、２２の間に内層の配線導体２３ならびにアライメント用導体Ｍが形成された絶縁板３０を準備する。
絶縁板３０は、例えば第１の絶縁層２１の上面に、周知のサブトラクティブ法により内層の配線導体２３ならびにアライメント用導体Ｍを同時に形成した後に、第１の絶縁層２１上面に各導体を被覆するように第２の絶縁層２２を積層すればよい。
【０００９】
次に、図４（ｂ）に示すように、絶縁板３０にアライメント用の貫通孔Ｈを形成する。貫通孔Ｈは、例えばＸ線にてアライメント用導体Ｍの位置確認をおこない、所定の位置にドリルにて穿孔することで形成される。
【００１０】
次に、図４（ｃ）に示すように、貫通孔Ｈを位置合わせの基準にして第１の絶縁層２１に内層の配線導体２３の一部を底面とする第１のビアホール２１ｖを形成するとともに、貫通孔Ｈを位置合わせの基準にして第２の絶縁層２２に内層の配線導体２３の一部を底面とする第２のビアホール２２ｖを形成する。各ビアホールは、例えばレーザー加工により形成される。
【００１１】
次に、図４（ｄ）に示すように、貫通孔Ｈを位置合わせの基準にして第１の絶縁層２１表面および第１のビアホール２１ｖ内に第１の配線導体２４を形成するとともに、貫通孔Ｈを位置合わせの基準にして第２の絶縁層２２表面および第２のビアホール２２ｖ内に第２の配線導体２５を形成する。各配線導体は、例えば周知のサブトラクティブ法やセミアディティブ法にて形成すればよい。
【００１２】
次に、図４（ｅ）に示すように、第１の絶縁層２１下面に第１の配線導体２４の一部を露出する下面側の開口部２６ａを有するソルダーレジスト層２６を形成するとともに、第２の絶縁層２２上面に第２の配線導体２５の一部を露出する上面側の開口部２７ａを有するソルダーレジスト層２７を形成する。そして、貫通孔Ｈが形成された領域を、例えばダイシング装置により切断除去することで、図３に示すような従来の配線基板Ｂが形成される。
【００１３】
ところで、従来の製造方法によると、上述のように第１および第２のビアホール２１ｖ、２２ｖならびに第１および第２の配線導体２４、２５は、アライメント用の貫通孔Ｈを位置合わせの基準にして形成される。
しかし、上述のようにドリルにて貫通孔Ｈを穿孔するときに、ドリル装置の加工精度誤差により所定の位置に貫通孔Ｈを形成できないことがある。このため、内層の配線導体２３と第１および第２のビアホール２１ｖ、２２ｖとの位置精度、あるいは、内層の配線導体２３と第１および第２の配線導体２４、２５との位置精度にズレが生じる場合がある。このため、特に各配線導体の微細化が進んでくると、内層の配線導体２３と、第１および第２のビアホール２１ｖ、２２ｖ内に形成された第１および第２の配線導体２４、２５との位置が合わず接続が不十分になり、半導体素子Ｓを安定的に作動させることができないという問題がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１４】
【特許文献１】特開２０１３−１４９９０４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
本発明は、内層の配線導体と第１および第２の配線導体との位置精度を向上させて配線導体同士を確実に接続することで、半導体素子を安定的に作動させることが可能な配線基の製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明の配線基板の製造方法は、第１の絶縁層上面に第１および第２のアライメント用導体ならびに内層の配線導体を同時に形成する工程と、第１の絶縁層上面に各導体を被覆する第２の絶縁層を積層する工程と、第１の絶縁層に第１のアライメント用導体およびその周囲を露出する第１の開口部を形成する工程と、第２の絶縁層に第２のアライメント用導体およびその周囲を露出する第２の開口部を形成する工程と、第１の絶縁層に第１のアライメント用導体を位置合わせの基準にして加工を施すことにより、内層の配線導体の一部を底面とする複数の第１のビアホールを形成する工程と、第２の絶縁層に第２のアライメント用導体を位置合わせの基準にして加工を施すことにより、内層の配線導体の一部を底面とする複数の第２のビアホールを形成する工程と、第１の絶縁層表面および第１のビアホール内に第１のアライメント用導体を位置合わせの基準にして加工を施すことにより第１の配線導体を形成する工程と、第２の絶縁層表面および第２のビアホール内に第２のアライメント用導体を位置合わせの基準にして加工を施すことにより第２の配線導体を形成する工程と、を含むことを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１７】
本発明の配線基板の製造方法によれば、内層の配線導体と同時に形成された第１および第２のアライメント用導体を位置合わせの基準にして、内層の配線導体の一部を底面とする複数の第１および第２のビアホール、ならびに第１および第２の配線導体を形成する。このように、内層の配線導体と同時に形成された各アライメント用導体を直接に位置合わせの基準にすることで、内層の配線導体と第１および第２の配線導体との位置精度を向上させることができる。これにより、内層の配線導体と第１および第２の配線導体とを確実に接続して半導体素子を安定的に作動させることが可能な配線基板を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】図１は、本発明の配線基板の実施の形態の一例を示す概略断面図である。
【図２】図２（ａ）〜（ｅ）は、本発明の配線基板の製造工程毎の形態の一例を示す概略断面図である。
【図３】図３は、従来の配線基板の実施の形態の一例を示す概略断面図である。
【図４】図４（ａ）〜（ｅ）は、従来の配線基板の製造工程毎の形態の一例を示す概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
まず、本発明の配線基板の実施形態の一例を、図１を基にして説明する。
配線基板Ａは、第１の絶縁層１と、第１の絶縁層１上に積層された第２の絶縁層２と、両絶縁層の間に形成された内層の配線導体３と、第１の絶縁層１に形成された第１の配線導体４と、第２の絶縁層２に形成された第２の配線導体５と、第１の絶縁層１下面に形成された第１のソルダーレジスト層６と、第２の絶縁層２上面に形成された第２のソルダーレジスト層７とから成る。
【００２０】
第１の絶縁層１には、内層の配線導体３の一部を底面とする第１のビアホール１ｖが複数形成されている。そして、第１の絶縁層１の下面および第１のビアホール１ｖ内に第１の配線導体４が形成されている。
【００２１】
第２の絶縁層２には、内層の配線導体３の一部を底面とする第２のビアホール２ｖが複数形成されている。そして、第２の絶縁層２の上面および第２のビアホール２ｖ内に第２の配線導体５が形成されている。
【００２２】
第１の絶縁層１の下面に被着された第１のソルダーレジスト層６には、第１の配線導体４の一部を外部接続パッド８として露出させる開口部６ａが形成されている。外部接続パッド８には、外部の電気回路基板の配線導体が半田を介して接続される。
【００２３】
第２の絶縁層２の上面に被着された第２のソルダーレジスト層７には、第２の配線導体５の一部を半導体素子接続パッド９として露出させる開口部７ａが形成されている。半導体素子接続パッド９には、半導体素子Ｓの電極端子Ｔが半田を介して接続さる。
【００２４】
次に、本発明の配線基板の製造方法の一例について、図２を基にして詳細に説明する。なお、図２において図１と同様の箇所には同様の符号を付して説明する。
【００２５】
まず、図２（ａ）に示すように、第１の絶縁層１の上面に第２の絶縁層２が積層されるとともに、両絶縁層の間に内層の配線導体３ならびに第１および第２のアライメント用導体Ｍ１、Ｍ２が形成された絶縁板１０を準備する。
絶縁板１０は、例えば第１の絶縁層１の上面に、周知のサブトラクティブ法により内層の配線導体３ならびに第１および第２のアライメント用導体Ｍ１、Ｍ２を同時に形成した後に、第１の絶縁層１上面に各導体を被覆するように第２の絶縁層２を積層すればよい。
第１および第２の絶縁層１、２は、エポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂から成る。
【００２６】
次に、図２（ｂ）に示すように、第１の絶縁層１に第１のアライメント用導体Ｍ１およびその周囲を露出する第１の開口部１ａを形成するとともに、第２の絶縁層２に第２のアライメント用導体Ｍ２およびその周囲を露出する第２の開口部２ａを形成する。第１および第２の開口部１ａ、２ａは、例えばＸ線にて第１および第２のアライメント用導体Ｍ１、Ｍ２の位置確認をおこない、レーザー加工することで形成される。
【００２７】
次に、図２（ｃ）に示すように、第１の開口部１ａ内に露出する第１のアライメント用導体Ｍ１を位置合わせの基準にして、第１の絶縁層１に内層の配線導体３の一部を底面とする第１のビアホール１ｖを形成するとともに、第２の開口部２ａ内に露出する第２のアライメント用導体Ｍ２を位置合わせの基準にして、第２の絶縁層２に内層の配線導体３の一部を底面とする第２のビアホール２ｖを形成する。各ビアホールは、例えばレーザー加工により形成される。
【００２８】
次に、図２（ｄ）に示すように、第１のアライメント用導体Ｍ１を位置合わせの基準にして、第１の絶縁層１表面および第１のビアホール１ｖ内に第１の配線導体４を形成するとともに、第２のアライメント用導体Ｍ２を位置合わせの基準にして、第２の絶縁層２表面および第２のビアホール２ｖ内に第２の配線導体５を形成する。各配線導体は、例えば銅箔や銅めっき等の良導電性金属から成り、周知のサブトラクティブ法やセミアディティブ法にて形成される。
【００２９】
次に、図２（ｅ）に示すように、第１のアライメント用導体Ｍ１を位置合わせの基準にして、第１の絶縁層１下面に第１の配線導体４の一部を露出する下面側の開口部６ａを有する第１のソルダーレジスト層６を形成するとともに、第２のアライメント用導体Ｍ２を位置合わせの基準にして、第２の絶縁層２上面に第２の配線導体５の一部を露出する上面側の開口部７ａを有する第２のソルダーレジスト層７を形成する。そして、第１および第２のアライメント用導体Ｍ１、Ｍ２が形成された領域を、例えばダイシング装置により切断除去することで、図１に示すような配線基板Ａが形成される。
ソルダーレジスト層６は、例えば、エポキシ樹脂やポリイミド樹脂等の熱硬化性樹脂を含有する電気絶縁材料から成る樹脂ペーストまたはフィルムを第１および第２の絶縁層１、２の上に塗布または貼着して熱硬化させることにより形成される。
【００３０】
このように、本発明の配線基板の製造方法によれば、内層の配線導体３と同時に形成された第１および第２のアライメント用導体Ｍ１、Ｍ２を位置合わせの基準にして内層の配線導体３の一部を底面とする複数の第１および第２のビアホール１ｖ、２ｖ、ならびに第１および第２の配線導体４、５を形成する。このように、内層の配線導体３と同時に形成された各アライメント用導体を直接に位置合わせの基準にすることで、内層の配線導体３と第１および第２の配線導体４、５との位置精度を向上させることができる。これにより、内層の配線導体３と第１および第２の配線導体４、５とを確実に接続して半導体素子Ｓを安定的に作動させることが可能な配線基板Ａを提供することができる。さらに、第１のソルダーレジスト層６および第２のソルダーレジスト層７も同様に、第１および第２のアライメント用導体Ｍ１、Ｍ２を位置合わせの基準にして形成することにより、第１の配線導体４と第１のソルダーレジスト層６および第２の配線導体５と第２のソルダーレジスト層７との位置精度を向上させることができる。
【符号の説明】
【００３１】
１            第１の絶縁層
１ａ          第１の開口部
１ｖ          第１のビアホール
２            第２の絶縁層
２ａ          第２の開口部
２ｖ          第２のビアホール
３            内層の配線導体
４            第１の配線導体
５            第２の配線導体
Ａ            配線基板
Ｍ１          第１のアライメント用導体
Ｍ２          第２のアライメント用導体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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