(57)【要約】【課題】多孔質層の内部に有機シラン化合物を十分に浸透させた配向層を形成することによって、更なる耐光性寿命の向上を可能とした液晶装置の製造方法を提供する。【解決手段】一対の基板間に液晶層が挟持された液晶装置の製造方法であって、一対の基板の少なくとも一方の液晶層と対向する側の面に、有機シラン化合物からなる配向層４０と、配向層４０の下層に設けられた多孔質層４１と、を形成する際に、多孔質層４１の表面における炭素濃度に対して多孔質層４１の内部における炭素濃度を２０％以上とする。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の基板間に液晶層が挟持された液晶装置の製造方法であって、
前記一対の基板の少なくとも一方の前記液晶層と対向する側の面に、有機シラン化合物からなる配向層と、前記配向層の下層に設けられた多孔質層と、を形成する際に、
前記多孔質層の表面における炭素濃度に対して前記多孔質層の内部における炭素濃度を２０％以上とすることを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項２】
前記多孔質層の面上に前記有機シラン化合物を含む塗液を塗布し、毛細管現象により前記塗液を前記多孔質層の内部に浸透させた状態で塗膜を形成し、前記塗膜を焼成することによって、前記配向層を形成することを特徴とする請求項１に記載の液晶装置の製造方法。
【請求項３】
前記多孔質層の面上に、前記有機シラン化合物を蒸着させることによって、前記配向層を形成することを特徴とする請求項１に記載の液晶装置の製造方法。
【請求項４】
一対の基板間に液晶層が挟持された液晶装置の製造方法であって、
前記一対の基板の少なくとも一方の前記液晶層と対向する側の面に、含フッ素有機シラン化合物からなる配向層と、前記配向層の下層に設けられた多孔質層と、を形成する際に、
前記多孔質層の表面におけるフッ素濃度に対して前記多孔質層の内部におけるフッ素濃度を２０％以上とすることを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項５】
前記多孔質層の面上に前記含フッ素有機シラン化合物を含む塗液を塗布し、毛細管現象により前記塗液を前記多孔質層の内部に浸透させた状態で塗膜を形成し、前記塗膜を焼成することによって、前記配向層を形成することを特徴とする請求項４に記載の液晶装置の製造方法。
【請求項６】
前記多孔質層の面上に、前記含フッ素有機シラン化合物を蒸着させることによって、前記配向層を形成することを特徴とする請求項４に記載の液晶装置の製造方法。
【請求項７】
前記空孔の平均孔径を、２〜５０ｎｍとすることを特徴とする請求項１〜６の何れか一項に記載の液晶装置の製造方法。
【請求項８】
前記多孔質層として、斜方蒸着法を用いて柱状の組織体の間に空孔が形成されたカラム構造の無機酸化膜を形成することを特徴とする請求項１〜７の何れか一項に記載の液晶装置の製造方法。
【請求項９】
前記多孔質層として、ＳｉＯ２、ＳｎＯ２、ＧｅＯ２、ＺｒＯ２、ＴｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３の中から選ばれる無機酸化膜を形成することを特徴とする請求項１〜８の何れか一項に記載の液晶装置の製造方法。
【請求項１０】
一対の基板間に液晶層が挟持された液晶装置であって、
前記一対の基板の少なくとも一方の前記液晶層と対向する側の面に、有機シラン化合物からなる配向層と、前記配向層の下層に設けられた多孔質層と、を備え、
前記配向層は、前記多孔質層の内部に浸透した状態で、前記多孔質層の表面を覆うと共に、前記多孔質層の表面における炭素濃度に対して前記多孔質層の内部における炭素濃度が２０％以上であることを特徴とする液晶装置。
【請求項１１】
一対の基板間に液晶層が挟持された液晶装置であって、
前記一対の基板の少なくとも一方の前記液晶層と対向する側の面に、含フッ素有機シラン化合物からなる配向層と、前記配向層の下層に設けられた多孔質層と、を備え、
前記配向層は、前記多孔質層の内部に浸透した状態で、前記多孔質層の表面を覆うと共に、前記多孔質層の表面におけるフッ素濃度に対して前記多孔質層の内部におけるフッ素濃度が２０％以上であることを特徴とする液晶装置。
【請求項１２】
請求項１〜９の何れか一項に記載の方法を用いて製造された液晶装置又は請求項１０又は１１に記載の液晶装置を備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶装置の製造方法、液晶装置、及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ディスプレイ用途の液晶表示素子（液晶装置）において、デジタルサイネージ（電子看板）用途の拡大に伴い、耐光性寿命の向上が望まれている。
【０００３】
液晶表示素子には、液晶の配向を制御する配向層が必要である。高耐光性を有する配向層としては、有機シラン分子が基板と化学吸着することで形成される配向層が知られている（非特許文献１を参照。）。このような有機シラン化合物からなる配向層は、基板と強固に結合し、ナノ（ｎｍ）レベルの超薄膜となることが特徴である。また、配向層を超薄膜にすることで、焼き付き抑制の効果を得ることができる。
【０００４】
また、斜方蒸着法で形成された無機配向膜の表面をシランカップリング材（有機シラン化合物）により処理することが提案されている（特許文献１を参照。）。このような構造とすることで、液晶層と配向層との界面での光劣化を抑制し、耐光性を向上させることが可能である。
【０００５】
しかしながら、無機配向膜における空孔のサイズは数ｎｍと非常に小さく、有機シラン化合物が空孔の内部まで入り込まず、空孔の内面まで処理することが困難であった（特許文献２〜５を参照。）。
【０００６】
すなわち、特許文献２〜５に記載の発明では、空孔の内部まで有機シラン化合物又はアルコールを浸透させることが記載されている。しかしながら、実際はどの程度まで有機シラン化合物又はアルコールが無機配向膜（多孔質層）の内部に入り込んでいるかは不明である。このため、従来の方法では、有機シラン化合物を多孔質層の内部に十分に浸透させることができないこともある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００７−１２７７５７号公報
【特許文献２】特許第４６３１３３４号公報
【特許文献３】特許第４６７０４５２号公報
【特許文献４】特開２００７−３３９６６号公報
【特許文献５】特開２０００−４７２１１号公報
【非特許文献】
【０００８】
【非特許文献１】日本液晶学会 学会誌「液晶」，第１６巻，第３号（２０１２）Ｐ１９７−２０４
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明の一つの態様は、このような従来の事情に鑑みて提案されたものであり、多孔質層の内部に有機シラン化合物を十分に浸透させた配向層を形成することによって、更なる耐光性寿命の向上を可能とした液晶装置の製造方法、液晶装置、及び電子機器を提供することを目的の一つとする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の一つの態様に係る液晶装置の製造方法は、一対の基板間に液晶層が挟持された液晶装置の製造方法であって、一対の基板の少なくとも一方の液晶層と対向する側の面に、有機シラン化合物からなる配向層と、配向層の下層に設けられた多孔質層と、を形成する際に、多孔質層の表面における炭素濃度に対して多孔質層の内部における炭素濃度を２０％以上とすることを特徴とする。
【００１１】
この製造方法によれば、多孔質層の表面における炭素濃度に対する多孔質層の内部における炭素濃度の割合を求めることによって、多孔質層の内部に有機シラン化合物が浸透している度合いを相対的に確認することができる。そして、多孔質層の表面における炭素濃度に対して多孔質層の内部における炭素濃度が２０％以上（より好ましくは５０％以上）であれば、多孔質層の内部に有機シラン化合物を十分に浸透させた配向層を形成することが可能である。したがって、この製造方法によれば、液晶装置の更なる耐光性寿命の向上を図ることが可能である。
【００１２】
また、上記製造方法において、多孔質層の面上に有機シラン化合物を含む塗液を塗布し、毛細管現象により塗液を多孔質層の内部に浸透させた状態で塗膜を形成し、塗膜を焼成することによって、配向層を形成してもよい。
【００１３】
この製造方法によれば、多孔質層の面上に塗布された有機シラン化合物を含む塗液が毛細管現象により多孔質層の内部に浸透する。これにより、多孔質層の内部へと有機シラン化合物を十分に浸透させることができる。
【００１４】
また、上記製造方法において、多孔質層の面上に、有機シラン化合物を蒸着させることによって、配向層を形成してもよい。
【００１５】
この製造方法によれば、気化した有機シラン化合物が多孔質層の内部に浸透する。これにより、多孔質層の内部へと有機シラン化合物を十分に浸透させることができる。
【００１６】
本発明の一つの態様に係る液晶装置の製造方法は、一対の基板間に液晶層が挟持された液晶装置の製造方法であって、一対の基板の少なくとも一方の液晶層と対向する側の面に、含フッ素有機シラン化合物からなる配向層と、配向層の下層に設けられた多孔質層と、を形成する際に、多孔質層の表面におけるフッ素濃度に対して多孔質層の内部におけるフッ素濃度を２０％以上とすることを特徴とする。
【００１７】
この製造方法によれば、多孔質層の表面におけるフッ素濃度に対する多孔質層の内部におけるフッ素濃度の割合を求めることによって、多孔質層の内部に含フッ素有機シラン化合物が浸透している度合いを相対的に確認することができる。そして、多孔質層の表面におけるフッ素濃度に対して多孔質層の内部におけるフッ素濃度が２０％以上（より好ましくは５０％以上）であれば、多孔質層の内部に含フッ素有機シラン化合物を十分に浸透させた配向層を形成することが可能である。したがって、この製造方法によれば、液晶装置の更なる耐光性寿命の向上を図ることが可能である。
【００１８】
また、上記製造方法において、多孔質層の面上に含フッ素有機シラン化合物を含む塗液を塗布し、毛細管現象により塗液を多孔質層の内部に浸透させた状態で塗膜を形成し、塗膜を焼成することによって、配向層を形成してもよい。
【００１９】
この製造方法によれば、多孔質層の面上に塗布された含フッ素有機シラン化合物を含む塗液が毛細管現象により多孔質層の内部に浸透する。これにより、多孔質層の内部へと含フッ素有機シラン化合物を十分に浸透させることができる。
【００２０】
また、上記製造方法において、多孔質層の面上に、含フッ素有機シラン化合物を蒸着させることによって、配向層を形成してもよい。
【００２１】
この製造方法によれば、気化した含フッ素有機シラン化合物が多孔質層の内部に浸透する。これにより、多孔質層の内部へと含フッ素有機シラン化合物を十分に浸透させることができる。
【００２２】
また、上記製造方法において、空孔の平均孔径を、２〜５０ｎｍとすることが好ましい。
【００２３】
この製造方法によれば、有機シラン化合物又は含フッ素有機シラン化合物を多孔質層の内部へと浸透させることができる。
【００２４】
また、上記製造方法において、多孔質層として、斜方蒸着法を用いて柱状の組織体の間に空孔が形成されたカラム構造の無機酸化膜を形成することが好ましい。
【００２５】
この製造方法によれば、無機配向膜が形成される面に対して柱状の組織体が傾斜した状態で形成されるため、この柱状の組織体に沿って液晶層の液晶分子を配向させることができる。
【００２６】
また、上記製造方法において、多孔質層として、ＳｉＯ２、ＳｎＯ２、ＧｅＯ２、ＺｒＯ２、ＴｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３の中から選ばれる無機酸化膜を形成することが好ましい。
【００２７】
この製造方法によれば、有機シラン化合物又は含フッ素有機シラン化合物を無機酸化膜に強固に固定することができる。
【００２８】
本発明の一つの態様に係る液晶装置は、一対の基板間に液晶層が挟持された液晶装置であって、一対の基板の少なくとも一方の液晶層と対向する側の面に、有機シラン化合物からなる配向層と、配向層の下層に設けられた多孔質層と、を備え、配向層は、多孔質層の内部に浸透した状態で、多孔質層の表面を覆うと共に、多孔質層の表面における炭素濃度に対して多孔質層の内部における炭素濃度が２０％以上であることを特徴とする。
【００２９】
この構成によれば、多孔質層の内部に有機シラン化合物を十分に浸透させた配向層を有することから、更なる耐光性寿命の向上を図ることが可能である。
【００３０】
本発明の一つの態様に係る液晶装置は、一対の基板間に液晶層が挟持された液晶装置であって、一対の基板の少なくとも一方の液晶層と対向する側の面に、含フッ素有機シラン化合物からなる配向層と、配向層の下層に設けられた多孔質層と、を備え、配向層は、多孔質層の内部に浸透した状態で、多孔質層の表面を覆うと共に、多孔質層の表面におけるフッ素濃度に対して多孔質層の内部におけるフッ素濃度が２０％以上であることを特徴とする。
【００３１】
この構成によれば、多孔質層の内部に含フッ素有機シラン化合物を十分に浸透させた配向層を有することから、更なる耐光性寿命の向上を図ることが可能である。
【００３２】
本発明の一つの態様に係る電子機器は、上記何れかの方法を用いて製造された液晶装置又は上記何れかの液晶装置を備えることを特徴とする。
【００３３】
この構成によれば、耐光性寿命に優れた液晶装置を備える電子機器を提供することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】本発明の一実施形態に係る液晶装置の素子構造を示す等価回路図である。
【図２】図１に示す液晶装置が備えるＴＦＴアレイ基板の画素群の構成を示す平面図である。
【図３】図１に示す液晶装置の素子構造を示す断面図である。
【図４】図１に示す液晶装置の画素領域の構成を示す断面図である。
【図５】図１に示す液晶装置の多孔質層及び配向層の構造を模式的に示す断面図である。
【図６】配向層を液相プロセスで形成する工程を説明するための工程図である。
【図７】配向層を気相プロセスで形成する工程を説明するための工程図である。
【図８】本発明の一実施形態に係る電子機器の例を示す斜視図である。
【図９】本発明の一実施形態に係る投射型液晶表示装置の一例を示す模式図である。
【図１０】実施例におけるスパッタ時間と金属とＯとの組成比との関係を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００３５】
以下、本発明に係る実施形態について図面を参照しつつ説明する。なお、各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせてある。
【００３６】
［液晶装置］
先ず、本発明の一実施形態に係る液晶装置について、図１〜図４を参照して説明する。
本実施形態の液晶装置は、スイッチング素子としてＴＦＴ（Thin-Film Transistor）素子を用いたアクティブマトリクス方式の透過型液晶装置である。
【００３７】
なお、図１は、本実施形態の透過型液晶装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に配置された複数の画素におけるスイッチング素子、信号線等の等価回路図である。図２は、データ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の構造を示す平面図である。図３は、本実施形態の透過型液晶装置について素子領域の断面図であって、図２中に示すＡ−Ａ’線断面図である。図４は、本実施形態の透過型液晶装置について複数の画素領域を模式的に示す断面図である。また、図３及び図４においては、紙面上側が光入射側、紙面下側が視認側（観察者側）である場合について図示している。また、図４では、スイッチング素子等の一部の構成要素を図面の視認性を考慮して省略してある。
【００３８】
本実施形態の透過型液晶装置は、図１に示すように、画像表示領域を構成するマトリクス状に配置された複数の画素を有している。各画素には、画素電極９と当該画素電極９への通電制御を行うためのスイッチング素子であるＴＦＴ素子３０がそれぞれ形成されている。また、画像信号が供給されるデータ線６ａがＴＦＴ素子３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給されるか、若しくは相隣接する複数のデータ線６ａに対してグループ毎に供給される。
【００３９】
また、走査線３ａがＴＦＴ素子３０のゲートに電気的に接続されており、複数の走査線３ａに対して走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍが所定のタイミングでパルス的に線順次で印加される。また、画素電極９は、ＴＦＴ素子３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ素子３０を一定期間だけオンすることにより、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを所定のタイミングで書き込む。
【００４０】
画素電極９を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、後述する共通電極との間で一定期間保持される。液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能にする。ここで、保持された画像信号がリークすることを防止するために、画素電極９と共通電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０が付加されている。
【００４１】
本実施形態の透過型液晶装置は、図２に示すように、ＴＦＴアレイ基板上に、インジウム錫酸化物（以下、ＩＴＯという。）等の透明導電性材料からなる矩形状の画素電極９（点線部９Ａにより輪郭を示す）が、マトリクス状に複数並んで設けられている。また、各画素電極９の縦横の境界に各々沿って、データ線６ａ、走査線３ａ及び容量線３ｂが設けられている。本実施形態において、各画素電極９及び各画素電極９を囲むように配設されたデータ線６ａ、走査線３ａ及び容量線３ｂ等が形成された領域が画素であり、マトリクス状に配置された各画素毎に表示を行うことが可能な構造になっている。
【００４２】
データ線６ａは、ＴＦＴ素子３０を構成する、例えばポリシリコン膜からなる半導体層１ａのうち、後述するソース領域にコンタクトホール５を介して電気的に接続されている。画素電極９は、半導体層１ａのうち、後述するドレイン領域にコンタクトホール８を介して電気的に接続されている。また、半導体層１ａのうち、後述するチャネル領域（図２中の左上がりの斜線の領域）に対向するように走査線３ａが配置されている。走査線３ａは、チャネル領域に対向する部分でゲート電極として機能する。
【００４３】
容量線３ｂは、走査線３ａに沿って略直線状に伸びる本線部（すなわち、平面視で走査線３ａに沿って形成された第１領域）と、データ線６ａと交差する箇所からデータ線６ａに沿って前段側（図２中の上向き）に突出した突出部（すなわち、平面視でデータ線６ａに沿って延設された第２領域）とを有する。そして、図２中の右上がりの斜線で示した領域には、複数の第１遮光膜１１ａが設けられている。
【００４４】
本実施形態の透過型液晶装置は、図３及び図４に示すように、ＴＦＴアレイ基板（液晶装置用基板）１０と、これに対向配置される対向基板（液晶装置用基板）２０との間に液晶層５０が挟持されている。液晶層５０は、初期配向状態が垂直配向を呈する誘電異方性が負の液晶からなる。なお、本実施形態の透過型液晶装置は、垂直配向モードの表示装置である。
【００４５】
ＴＦＴアレイ基板１０は、例えば石英等の透光性材料からなる基板本体１０Ａと、その液晶層５０側表面に形成された画素電極９及び配向層４０とを主体として構成されている。対向基板２０は、例えばガラスや石英等の透光性材料からなる基板本体２０Ａと、その液晶層５０側表面に形成された共通電極２１及び配向層６０とを主体として構成されている。また、ＴＦＴアレイ基板１０において、基板本体１０Ａの液晶層５０側の表面（内面）には、画素電極９が設けられ、各画素電極９に隣接する位置に、各画素電極９をスイッチング制御する画素スイッチング用ＴＦＴ素子３０が設けられている。
【００４６】
画素スイッチング用ＴＦＴ素子３０は、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有している。具体的には、走査線３ａと、走査線３ａからの電界によりチャネルが形成される半導体層１ａのチャネル領域１ａ’と、走査線３ａ及び半導体層１ａを絶縁するゲート絶縁膜２と、データ線６ａと、半導体層１ａの低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃ、半導体層１ａの高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅとを有している。
【００４７】
また、走査線３ａ及びゲート絶縁膜２を含む基板本体１０Ａの上には、高濃度ソース領域１ｄへと通じるコンタクトホール５、及び高濃度ドレイン領域１ｅへと通じるコンタクトホール８が開孔した第２層間絶縁膜４が形成されている。すなわち、データ線６ａは、第２層間絶縁膜４を貫通するコンタクトホール５を介して高濃度ソース領域１ｄに電気的に接続されている。
【００４８】
さらに、データ線６ａ及び第２層間絶縁膜４を含む基板本体１０Ａの上には、高濃度ドレイン領域１ｅへと通じるコンタクトホール８が開孔した第３層間絶縁膜７が形成されている。すなわち、高濃度ドレイン領域１ｅは、第２層間絶縁膜４及び第３層間絶縁膜７を貫通するコンタクトホール８を介して画素電極９に電気的に接続されている。
【００４９】
また、本実施形態では、ゲート絶縁膜２を走査線３ａに対向する位置から延設して誘電体膜として用い、半導体膜１ａを延設して第１蓄積容量電極１ｆとし、さらに、これらに対向する容量線３ｂの一部を第２蓄積容量電極とすることにより、蓄積容量７０が構成されている。
【００５０】
ＴＦＴアレイ基板１０の基板本体１０Ａの液晶層５０側の表面（内面）のうち、各画素スイッチング用ＴＦＴ素子３０が形成された領域には、第１遮光膜１１ａが設けられている。第１遮光膜１１ａは、ＴＦＴアレイ基板１０を透過し、ＴＦＴアレイ基板１０の図示下面（ＴＦＴアレイ基板１０と空気との界面）で反射されて、液晶層５０側に戻る戻り光が、少なくとも半導体層１ａのチャネル領域１ａ’及び低濃度ソース、ドレイン領域１ｂ、１ｃに入射することを防止する。
【００５１】
また、第１遮光膜１１ａと画素スイッチング用ＴＦＴ素子３０との間には、画素スイッチング用ＴＦＴ素子３０を構成する半導体層１ａを第１遮光膜１１ａから電気的に絶縁するための第１層間絶縁膜１２が形成されている。
【００５２】
さらに、ＴＦＴアレイ基板１０に第１遮光膜１１ａを設けるのに加えて、この第１遮光膜１１ａは、コンタクトホール１３を介して前段又は後段の容量線３ｂに電気的に接続するように構成されている。
【００５３】
また、ＴＦＴアレイ基板１０の液晶層５０側、すなわち、画素電極９及び第３層間絶縁膜７上には、配向層４０が形成されている。配向層４０は、電圧無印加時における液晶層５０内の液晶分子の配向を制御するものである。
【００５４】
一方、対向基板２０において、基板本体２０Ａの液晶層５０側の表面（表面）には、第２遮光膜２３が設けられている。第２遮光膜２３は、データ線６ａ、走査線３ａ、及び画素スイッチング用ＴＦＴ素子３０の形成領域に対向する領域、すなわち各画素部の開口領域以外の領域を覆うことによって、入射光が画素スイッチング用ＴＦＴ素子３０の半導体層１ａのチャネル領域１ａ’や低濃度ソース領域１ｂ、低濃度ドレイン領域１ｃに侵入することを防止する。
【００５５】
さらに、第２遮光膜２３が形成された基板本体２０Ａの液晶層５０側には、その略全面に亘って、例えばＩＴＯ等からなる共通電極２１が形成されている。また、共通電極２１の液晶層５０側には、配向層６０が形成されている。配向層６０は、電圧無印加時における液晶層５０内の液晶分子の配向を制御するものである。
【００５６】
ここで、上記配向層４０（６０）の構造について、図５を参照して説明する。なお、図５は、上記配向層４０（６０）の構造を模式的に示す断面図である。なお、本実施形態では、ＴＦＴアレイ基板１０側の配向層４０と、対向基板２０側の配向層６０とが、互いに同一の構造を有する場合を例示している。したがって、図５では、配向層４０を例に挙げて説明するものとする。
【００５７】
本実施形態の液晶装置は、図５に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０の液晶層５０側の面に、有機シラン化合物からなる配向層４０と、配向層４０の下層に設けられた多孔質層４１とを備えている。
【００５８】
多孔質層４１は、複数の空孔４２を有する無機酸化物からなる。無機酸化物としては、例えば、ＳｉＯ２、ＳｎＯ２、ＧｅＯ２、ＺｒＯ２、ＴｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３などを挙げることができる。多孔質層４１は、ＴＦＴアレイ基板１０側の第３層間絶縁膜７を形成している。
【００５９】
また、多孔質層４１は、斜方蒸着法を用いて柱状の組織体（以下、カラムという。）４３の間に空孔（隙間）４２が形成されたカラム構造の無機酸化膜からなる。カラム構造を有する無機酸化膜（斜方蒸着膜）の場合、カラム４３が傾斜した状態で形成されるため、このカラム４３に沿って液晶層５０の液晶分子を配向させることができる。
【００６０】
配向層４０は、多孔質層４１内に有機シラン化合物が浸透した状態で、多孔質層４１の面上に多孔質層４１内にある空孔４２の孔径Φよりも小さい厚みＴで形成されている。
【００６１】
空孔４２の孔径Φは、後述する有機シラン化合物を多孔質層４１内に浸透するのに十分な浸透性を得るため、平均で２〜５０ｎｍとすることが好ましい。また、この範囲の孔径Φであれば、空孔４２が配向層４０による液晶層５０の配向制御に悪影響を与えることがない。なお、空孔４２の孔径Φについては、例えば、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）や、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）、Ｘ線小角散乱法（ＳＡＸＳ）などを用いて測定することができる。また、多孔質層４１の非表面積及び細孔分布については、ガス吸着法により測定することができる。
【００６２】
一方、配向層４０の厚みＴは、有機シラン化合物を含む配向層４０を超薄膜で形成するため、平均で１〜１０ｎｍとすることが好ましい。これにより、液晶装置の焼き付き抑制の効果を得ることができる。なお、配向層４０の厚みＴについては、例えばＸ線光電子分光分析法（ＸＰＳ）、Ｘ線反射率法（ＸＲＲ）、エリプソメトリー、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）等を用いて測定することができる。
【００６３】
配向層４０は、多孔質層４１の内部に浸透した状態で、多孔質層４１の表面を覆うように形成されている。また、本実施形態では、多孔質層４１の表面における炭素濃度に対して多孔質層４１の内部における炭素濃度が２０％以上であり、より好ましくは５０％以上である。
【００６４】
ここで、有機シラン化合物は、アルキルシラン分子を含み、アルキルシラン分子が多孔質層４１（無機酸化物）の表面と結合（水素結合）し、その後、脱水縮合反応を経ることで、多孔質層４１（無機酸化物）の表面と強固な共有結合を生成する。これにより、多孔質層４１の表面における炭素濃度が増加する。また、多孔質層４１の内部にアルキルシラン分子を浸透させることで、多孔質層４１の内部における炭素濃度が増加する。
【００６５】
したがって、多孔質層４１の表面における炭素濃度に対する多孔質層４１の内部における炭素濃度の割合について、その上限については特に規定していないものの、１００％に近づけるほど、配向層４０を多孔質層４１の内部へと浸透させることが可能である。
【００６６】
有機シラン化合物としては、下記式（１）で表されるアルキルシラン分子を用いることができる。
Ｒａ−Ｓｉ−Ｘ４−ａ（ａ＝０〜３）  …（１）
上記式（１）中において、「Ｒ」は、例えば、−Ｃ６Ｈ５、−ＣｎＨ２ｎ＋１などの有機基を表す。「Ｘ」は、例えば、−Ｃｌ、−ＯＣＨ３、−ＯＣ２Ｈ５、−ＯＣ３Ｈ７などの加水分解性基を表す。
【００６７】
有機シラン化合物として、ｎ＝１〜２０（より好ましくはｎ＝１〜１０）のアルキルシラン分子を用いた場合には、被覆密度が高めることができ、耐光性を高めることができる。また、Ｒに飽和炭化水素を用いた場合には、Ｒの分解が抑えられ、耐光性を高めることができる。
【００６８】
また、本実施形態の配向層４０としては、上記有機シラン化合物の他にも、アルキルシラン分子の少なくとも一部の水素をフッ素で置換した含フッ素有機シラン化合物を用いることができる。この場合、上記式（１）中において、Ｒに−ＣｎＦ２ｎ＋１などの含フッ素有機基を用いることで、液晶層５０の垂直配向性を高めることが可能である。
【００６９】
また、配向層４０に含フッ素有機シラン化合物を用いた場合、多孔質層４１の表面におけるフッ素濃度に対して多孔質層４１の内部におけるフッ素濃度を２０％以上とし、より好ましくは５０％以上とする。
【００７０】
多孔質層４１の表面における炭素濃度又はフッ素濃度は、Ｘ線光電子分光分析法（ＥＳＣＡ：Electron Spectroscopy for Chemical Analysis）を用いて測定することができる。一方、多孔質層４１の内部における炭素濃度又はフッ素濃度は、Ａｒイオンによるスパッタを用いたＥＳＣＡ、若しくは、ダイナミックモードの二次イオン質量分析法（Ｄ−ＳＩＭＳ：Dynamic−Secondary Ion Mass Spectrometry）を用いて測定することができる。
【００７１】
一方、これらの分析方法によって、多孔質層４１の表面及び内部における炭素濃度又はフッ素濃度の絶対値を求めることは困難であるものの、多孔質層４１の表面における炭素濃度又はフッ素濃度に対する多孔質層４１の内部における炭素濃度又はフッ素濃度の割合を特定することによって、多孔質層４１の内部に有機シラン化合物又は含フッ素有機シラン化合物が浸透している度合いを相対的に確認することができる。
【００７２】
そして、本実施形態の液晶装置では、上述した多孔質層４１の表面における炭素濃度又はフッ素濃度に対して多孔質層４１の内部における炭素濃度又はフッ素濃度が２０％以上（より好ましくは５０％以上）であれば、多孔質層４１の内部に有機シラン化合物又は含フッ素有機シラン化合物を十分に浸透させた配向層４０を得ることが可能である。
【００７３】
以上のように、本実施形態の液晶装置では、多孔質層４１の内部に有機シラン化合物又は含フッ素有機シラン化合物を十分に浸透させた配向層４０を有することから、この液晶装置の更なる耐光性寿命の向上を図ることが可能である。
【００７４】
［液晶装置の製造方法］
次に、本実施形態の液晶装置の製造方法について図６又は図７に示す工程図を参照して説明する。なお、図６又は図７は、本製造方法の特徴部分として、多孔質層４１の面上に配向層４０を形成する工程を示す工程図であり、図６は、配向層４０を液相プロセスで形成する場合を示し、図７は、配向層４０を気相プロセスで形成する場合を示す。
【００７５】
本実施形態の液晶装置を製造する際は、先ず、上記ＴＦＴアレイ基板１０を作製する。具体的には、ガラス等からなる透光性の基板本体１０Ａを用意し、この基板本体１０Ａの面上に、上述した第１遮光膜１１ａと、第１層間絶縁膜１２と、半導体層１ａ、各種配線３ａ，３ｂ，６ａ、絶縁膜４，７、画素電極９等を公知の方法で形成する。続いて、画素電極９を含む第３層間絶縁膜７上に配向層４０を形成し、上記ＴＦＴアレイ基板１０を得る。
【００７６】
次に、上述したＴＦＴアレイ基板１０とは別に、上記対向基板２０を作製する。具体的には、ガラス等からなる透光性の基板本体２０Ａを用意した後、上記ＴＦＴアレイ基板１０の作製する場合と同様の方法を用いて、この基板本体２０Ａの面上に、第２遮光膜２３や共通電極２１を形成すると共に、上述した配向層４０を形成する場合と同様の方法を用いて、配向層６０を形成し、上記対向基板２０を得る。
【００７７】
次に、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とをシール剤を介して貼り合わせる。さらに、シール剤に形成した液晶注入口から誘電異方性が負の液晶を注入して液晶パネルとした後、所定の配線を接続する。これにより、本実施形態の液晶装置を製造することができる。
【００７８】
本実施形態の製造方法では、上記配向層４０を形成する際に、上述した有機シラン化合物又は含フッ素有機シラン化合物を多孔質層４１の内部に浸透させることで、多孔質層の表面における炭素濃度又はフッ素濃度に対して多孔質層の内部における炭素濃度又はフッ素濃度を２０％以上とする。より好ましくは５０％以上とする。
【００７９】
多孔質層４１の内部に有機シラン化合物又は含フッ素有機シラン化合物を浸透させる方法としては、液相成膜法（液相プロセス）と気相成膜法（気相プロセス）とを採用することができる。
【００８０】
液相成膜法では、多孔質層４１の面上に有機シラン化合物又は含フッ素有機シラン化合物を含む塗液を塗布し、毛細管現象により塗液を多孔質層４１の内部に浸透させた状態で塗膜を形成し、塗膜を焼成することによって、上記配向層４０を形成することができる。一方、気相成膜法では、多孔質層４１の面上に、有機シラン化合物又は含フッ素有機シラン化合物を蒸着させることによって、上記配向層４０を形成することができる。
【００８１】
ここで、上記配向層４０を液相プロセスで形成する場合について、図６に示す工程図に従って具体的に説明する。
配向層４０を液相プロセスで形成する場合、図６に示すように、多孔質層形成工程Ｓ１０１の後に、塗布工程Ｓ１０２と、焼成工程Ｓ１０３と、洗浄工程Ｓ１０４と、乾燥工程Ｓ１０５とを経ることによって、上記配向層４０を形成することができる。
【００８２】
多孔質層形成工程Ｓ１０１では、上述した斜方蒸着法を用いて、ＳｉＯ２、ＳｎＯ２、ＧｅＯ２、ＺｒＯ２、ＴｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３などの無機酸化物を減圧雰囲気下（１０−２〜１０−３Ｐａ）で基板面に対して斜め方向から蒸着する。これにより、カラム４３の間に空孔４２が形成されたカラム構造の無機酸化膜を形成することができる。
【００８３】
塗布工程Ｓ１０２では、多孔質層４１の面上に、有機シラン化合物又は含フッ素有機シラン化合物を含む塗液を、例えばスピンコート法や、ディップコート法、インクジェット法、フレキソ印刷法などを用いて塗布する。このとき、塗液に含まれる有機シラン化合物又は含フッ素有機シラン化合物の濃度については、０．１〜１０質量％とすることが好ましい。
【００８４】
また、塗液中に酸を加えることによって、加水分解反応が促進されるため、多孔質層（無機酸化膜）４１とのシラン化（固着反応）が進行し易くなる。酸としては、例えば、酢酸、ギ酸、シュウ酸等のカルボン酸や、メタンスルホン酸、エタンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸等のスルホン酸などを用いることができる。
【００８５】
液相プロセスでは、多孔質層４１の内部まで塗液を浸透させるために、毛細管現象を利用する。毛細管現象は、下記式（２）で表されるルーカス−ウォシュバーンの式（Ｌ−Ｗ式）により説明される。
ｌ＝（ｒγcosθｔ／２η）１／２  …（２）
（ｌ：浸透深さ、ｒ：毛管半径、γ：液体の表面張力、θ：接触角（＝０°）η：粘度、ｔ：時間）
【００８６】
また、液相プロセスでは、以下の［１］〜［３］に示す方法を採用することで、多孔質層４１の内部まで塗液を浸透させることができる。  
［１］  低粘度の塗液を用いる（具体的には５ｃＰ以下。)。  
［２］  塗布後に放置する。  
［３］  ［２］の場合、溶媒が揮発しない程度に加熱する（具体的には３０〜５０℃）と、粘度が低下するので、より好ましい。
【００８７】
また、多孔質層４１の空孔４２の孔径が大きくなれば、毛細管現象が強く作用するので、多孔質層４１の内部まで塗液を浸透させることができる。
多孔質層４１の空孔４２の孔径を大きくするには、以下の＜１＞〜＜３＞に示す方法を採用することができる。
＜１＞  斜方蒸着時の蒸着角度を基板面に対して小さくする（寝かす）。  
＜２＞  斜方蒸着時の蒸着圧力を大きくする（低真空とする）。  
＜３＞  多孔質層をウェットエッチングする。  
【００８８】
焼成工程Ｓ１０３では、塗布後のＴＦＴアレイ基板１０を加熱する。加熱温度は、６０〜２００℃とすることが好ましい。このとき、脱水縮合反応が進行し、有機シラン化合物又は含フッ素有機シラン化合物が多孔質層４１に固着される。これにより、多孔質層４１の内部に浸透した状態で、多孔質層４１の表面を覆う配向層４０が形成される。
【００８９】
洗浄工程Ｓ１０４では、焼成後のＴＦＴアレイ基板１０を洗浄することによって、多孔質層４１に固着しなかった余分な有機シラン化合物又は含フッ素有機シラン化合物を除去する。洗浄方法としては、例えば、浸漬洗浄や、揺動洗浄、超音波洗浄、スピン洗浄、スプレー洗浄、シャワー洗浄、ジェット洗浄などを用いることができる。これにより、焼き付きやチラツキといった液晶装置の表示不良を抑制することができる。
【００９０】
乾燥工程Ｓ１０５では、洗浄後のＴＦＴアレイ基板１０を加熱雰囲気下に放置することによって、ＴＦＴアレイ基板１０を乾燥させる。また、乾燥工程Ｓ１０５では、減圧雰囲気下でＴＦＴアレイ基板１０を放置してもよい。さらに、ＴＦＴアレイ基板１０を加熱雰囲気及び減圧雰囲気下に放置してもよい。これにより、洗浄後のＴＦＴアレイ基板１０に残った溶剤を除去することができる。
【００９１】
一方、配向層４０を気相プロセスで形成する場合について、図７に示す工程図に従って具体的に説明する。
配向層４０を気相プロセスで形成する場合、図７に示すように、多孔質層形成工程Ｓ２０１の後に、化学蒸着工程Ｓ２０２と、洗浄工程２０３と、乾燥工程Ｓ２０４とを経ることによって、上記配向層４０を形成することができる。
【００９２】
このうち、化学蒸着工程Ｓ２０２以外の工程Ｓ２０１，２０３，２０４については、上記図６に示す配向層４０を液相プロセスで形成する場合と同様の方法が適用できるため、その説明を省略するものとする。
【００９３】
化学蒸着工程Ｓ２０２では、多孔質層４１の面上に、有機シラン化合物又は含フッ素有機シラン化合物を蒸着（固着）させる。具体的には、密閉したチャンバー内に、液状の有機シラン化合物又は含フッ素有機シラン化合物の入った容器と共に、多孔質層４１が形成されたＴＦＴアレイ基板１０を配置する。その後、容器を加熱することで、有機シラン化合物又は含フッ素有機シラン化合物を気化させる。このとき、チャンバー内の雰囲気を高温（具体的には１００〜２００℃）とすることが好ましい。
【００９４】
ところで、容器に入った有機シラン化合物又は含フッ素有機シラン化合物の量が多いと、高濃度処理となり、有機シラン分子同士の重合反応が促進され、重合物が多孔質層４１の表面近傍で蓋をするような状態となる。この場合、有機シラン化合物又は含フッ素有機シラン化合物を多孔質層４１の内部まで十分に浸透させることができない。
【００９５】
そこで、配向層４０を気相プロセスで形成する場合は、チャンバー内を減圧雰囲気とし、低濃度の有機シラン化合物又は含フッ素有機シラン化合物を用いて、時間をかけて成膜処理を行う。具体的には、有機シラン化合物又は含フッ素有機シラン化合物の分圧を１〜１００Ｐａとし、処理時間を４０〜４０００分として成膜処理を行う。なお、多孔質層とシラン分子との反応速度は、シラン分子の濃度に対して１次なので、例えば濃度を１／１０にすると、処理時間はおよそ１０倍必要となる。
【００９６】
以上のように、本実施形態の製造方法では、上述した有機シラン化合物又は含フッ素有機シラン化合物を多孔質層４１の内部に浸透させることで、多孔質層４１の表面における炭素濃度に対して多孔質層の内部における炭素濃度又はフッ素濃度を２０％以上（より好ましくは５０％以上）とした配向層４０を形成することが可能である。
【００９７】
これにより、本実施形態の製造方法では、多孔質層４１の内部に有機シラン化合物又は含フッ素有機シラン化合物を十分に浸透させた配向層４０を形成することが可能である。したがって、この製造方法によれば、液晶装置の更なる耐光性寿命の向上を図ることが可能である。
【００９８】
なお、本発明は、上記実施形態のものに必ずしも限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
例えば、本実施形態では、ＴＦＴ素子を用いたアクティブマトリクス型液晶装置についてのみ説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば、ＴＦＤ（Thin-Film Diode）素子を用いたアクティブマトリクス型液晶装置や、パッシブマトリクス型液晶装置等にも適用可能である。また、本実施形態では、透過型液晶装置についてのみ説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、反射型の液晶装置や、半透過反射型の液晶装置にも適用可能である。このように、本発明は、いかなる構造の液晶装置にも適用することができる。
【００９９】
［電子機器］
次に、上記実施形態の液晶装置を備えた電子機器の例について説明する。
図８（ａ）は、携帯電話の一例を示す斜視図である。図８（ａ）に示す携帯電話は、携帯電話本体５００を備え、携帯電話本体５００は、上記実施形態の液晶装置を用いた液晶表示部５０１を有している。
【０１００】
図８（ｂ）は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置６００の一例を示す斜視図である。情報処理装置６００は、図８（ｂ）に示すように、キーボードなどの入力部６０１と、上記実施形態の液晶装置を用いた液晶表示部６０２を有する情報処理装置本体６０３とを備えている。
【０１０１】
図８（ｃ）は、腕時計の一例を示す斜視図である。図８（ｃ）に示す腕時計は、時計本体７００を備え、時計本体７００は、上記実施形態の液晶装置を用いた液晶表示部７０１を有している。
【０１０２】
以上のように、図８（ａ）〜（ｃ）に示す各電子機器では、表示部に上記実施形態の液晶装置を適用したものであるので、焼き付きの発生を抑制し、表示品質を長期に渡って維持することが可能である。
【０１０３】
なお、上記実施形態の液晶装置は、図８（ａ）〜（ｃ）に示す電子機器以外にも、例えばデジタルサイネージ（電子看板）やプロジェクター（投射型液晶表示装置）などの耐光性寿命の向上が望まれる電子機器に対して好適に用いることができる。また、液晶レンズやそれを用いた光ピックアップ素子などの液晶デバイスに対しても、本発明を好適に用いることができる。
【０１０４】
［投射型液晶表示装置］
次に、上記実施形態の液晶装置を光変調手段として備えた投射型液晶表示装置（プロジェクター）の構成について、図９を参照して説明する。なお、図９は、上記実施形態の液晶装置を光変調装置として用いた投射型表示装置の要部を示す概略構成図である。
【０１０５】
図９に示す投射型液晶表示装置は、光源８１０と、ダイクロイックミラー８１３，８１４と、反射ミラー８１５，８１６，８１７と、入射レンズ８１８と、リレーレンズ８１９と、出射レンズ８２０と、液晶光変調装置８２２，８２３，８２４と、クロスダイクロイックプリズム８２５と、投写レンズ８２６とを備えている。
【０１０６】
光源８１０は、メタルハライド等のランプ８１１と、ランプの光を反射するリフレクタ８１２とからなる。青色光、緑色光反射のダイクロイックミラー８１３は、光源８１０からの光束のうちの赤色光を透過させると共に、青色光と緑色光とを反射する。透過した赤色光は反射ミラー８１７で反射されて、上記実施形態の液晶装置を備えた赤色光用液晶光変調装置８２２に入射される。
【０１０７】
一方、ダイクロイックミラー８１３で反射された色光のうち緑色光は、緑色光反射のダイクロイックミラー８１４によって反射され、上述の本発明の一例たる液晶装置を備えた緑色光用液晶光変調装置８２３に入射される。なお、青色光は、第２のダイクロイックミラー８１４も透過する。青色光に対しては、光路長が緑色光及び赤色光とは異なるのを補償するために、入射レンズ８１８、リレーレンズ８１９、出射レンズ８２０を含むリレーレンズ系からなる導光手段８２１が設けられ、これを介して青色光が上述の本発明の一例たる液晶装置を備えた青色光用液晶光変調装置８２４に入射される。
【０１０８】
各光変調装置により変調された３つの色光は、クロスダイクロイックプリズム８２５に入射する。このプリズムは４つの直角プリズムが貼り合わされ、その内面に赤光を反射する誘電体多層膜と青光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されている。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が形成される。合成された光は、投写光学系である投写レンズ８２６によってスクリーン８２７上に投写され、画像が拡大されて表示される。
【０１０９】
以上のような構造を有する投射型表示装置は、上記実施形態の液晶装置を液晶光変調装置８２２，８２３，８２４に適用することによって、焼き付きの発生を抑制し、表示品質を長期に渡って維持することが可能である。
【実施例】
【０１１０】
以下、実施例により本発明の効果をより明らかなものとする。なお、本発明は、以下の実施例に限定されるものではなく、その要旨を変更しない範囲で適宜変更して実施することができる。
【０１１１】
本実施例では、上述した配向層を液相プロセスで形成した液晶装置と、配向層を気相プロセスで形成した液晶装置とについて、多孔質層の表面における炭素濃度と、多孔質層の内部における炭素濃度とを測定した。
【０１１２】
具体的には、先ず、液晶パネルをＴＦＴアレイ基板と対向基板とに分割し、ヘキサンで表面の液晶を洗い流した。
【０１１３】
次に、ＴＦＴアレイ基板をＡｒ＋イオンでエッチングしながら、ＥＳＣＡ（ＸＰＳ）で測定した。本測定には、サーモエレクトロン社製の複合電子分光装置を用いた。線源はＡｌ−Ｋα線であり、出力エネルギーは１５００ｅＶである。検出器角度は９０°であり、スポット径は５００μｍφである。ステップ間隔は０．１ｅＶであり、溜め込み時間は１００μｓであり、パスエネルギーは２０ｅＶである。スパッタ条件は３ｋＶ／２μＡであり、雰囲気はＡｒで１×１０−７Ｔｏｒｒである。
【０１１４】
次に、多孔質層に由来するＳｉ等の金属とＯの各元素濃度の合計を１００％とし、そのときのＣの濃度を算出した。
【０１１５】
次に、図１０に示すように、横軸にスパッタ時間、縦軸に金属とＯとの組成比をプロットしたとき、バルクの組成比と初めて一致したスパッタ時間を表面の観測点とした。
【０１１６】
次に、表面の炭素濃度を除数とし、バルクの炭素濃度を被除数とし、それらの商を百分率で示したものを多孔質層の内部における平均炭素濃度の割合とした。なお、多孔質層の内部における平均フッ素濃度の割合を求める場合は、ＣをＦに置き換えて同様の測定を行えばよい。
【０１１７】
また、本実施例では、多孔質層として、斜方蒸着法を用いて空孔の平均孔径が８ｎｍのＳｉＯ２膜を形成した後に、エッチングを行うことで、空孔の平均孔径が２０ｎｍまで拡大したＳｉＯ２膜を形成した。
【０１１８】
そして、上述した配向層を液相プロセスで形成した液晶装置と、配向層を気相プロセスで形成した液晶装置とについて、多孔質層の表面における炭素濃度と、多孔質層の内部における炭素濃度とを測定した結果を表１に示す。また、多孔質層の表面における炭素濃度に対する多孔質層の内部における炭素濃度の割合を表１中の（  ）内に示す。さらに、本実施例では、Ｄ−ＳＩＭＳによる多孔質層の内部における炭素濃度を測定した結果を表１に併せて示す。
【０１１９】
【表１】
2016186599.tif 000003
【０１２０】
表１に示すように、多孔質層の表面における炭素濃度に対する多孔質層の内部における炭素濃度の割合を求めることによって、多孔質層の内部に有機シラン化合物が浸透している度合いを相対的に確認することが可能である。
【０１２１】
なお、ＥＳＣＡとＤ−ＳＩＭＳとで測定される炭素濃度が異なる理由については、ＥＳＣＡの場合、Ａｒスパッタ時にＳｉやＯに比べて、Ｃが選択的にスパッタされ、炭素濃度が低めになったという可能性が考えられる。一方、Ｄ−ＳＩＭＳの場合、検出強度を炭素量絶対値に換算する際に用いる標準試料が斜方蒸着膜ではないＳｉＯ２を用いているため、換算値のずれが生じている可能性が考えられる。
【０１２２】
したがって、どちらの分析方法によっても、多孔質層４１の表面及び内部における炭素濃度（又はフッ素濃度）の絶対値を求めることは困難である。一方、多孔質層の表面における炭素濃度（又はフッ素濃度）に対する多孔質層の内部における炭素濃度（又はフッ素濃度）の割合を特定することによって、多孔質層の内部に有機シラン化合物（又は含フッ素有機シラン化合物）が浸透している度合いを相対的に確認することは可能である。
【０１２３】
また、上述した液相及び気相プロセスで作製した液晶装置に対して、配向状態及び耐光性の試験を行った。配向状態については、通電時の配向状態をクロスニコル下で観察した。耐光性の試験については、光源として水銀キセノンランプ（ＨＯＹＡ（株）製）を用いた。また、具体的な試験方法として、バンドパスフィルタを用いて２５０ｎｍ〜４００ｎｍの波長の光を取り出し、液晶装置（パネル）に照射した。このときの光強度を２０ｍＷ／ｃｍ２とし、試験時のパネルの温度を３５℃とした。その結果として、液相プロセスで作製した液晶装置に先んじて、気相プロセスで作製した液晶装置に配向異常が見られた。
【符号の説明】
【０１２４】
７…第３層間絶縁膜  ９…画素電極  １０…ＴＦＴアレイ基板  ２０…対向基板  １０Ａ，２０Ａ…基板本体  ２１…共通電極  ４０，６０…配向層  ４１…多孔質層  ４２…空孔  ４３…カラム  ５０…液晶層
【図１】
2016186599.tif 000004
【図２】
2016186599.tif 000005
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
2016186599.tif 000012
【図１０】
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