(57)【要約】【課題】収納ケースの外側の帯電が、内部に収納されたマスクブランクに対して影響を及ぼすことを防止でき、これによりレジスト膜の品質を確保することが可能なマスクブランク収納ケースを提供する。【解決手段】開口部を有するケース本体と、前記ケース本体の開口部を塞ぐ蓋体と、前記蓋体で塞がれたケース本体内においてマスクブランクを保持するブランク保持部材とを備え、前記ブランク保持部材は、前記ケース本体および蓋体に対してマスクブランクを非接触として保持するもので、前記ケース本体および前記蓋体よりも比抵抗が高いマスクブランク収納ケースである。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
開口部を有するケース本体と、
前記ケース本体の開口部を塞ぐ蓋体と、
前記蓋体で塞がれた前記ケース本体内においてマスクブランクを保持するブランク保持部材とを備え、
前記ブランク保持部材は、前記ケース本体および蓋体に対してマスクブランクを非接触として保持するもので、前記ケース本体および前記蓋体よりも比抵抗が高い
マスクブランク収納ケース。 
【請求項２】
前記ケース本体および前記蓋体は、前記ブランク保持部材よりもカーボンブラックの含有量が多い
請求項１に記載のマスクブランク収納ケース。 
【請求項３】
前記ブランク保持部材は、前記ケース本体に収納されるケース側保持部材と、当該ケース側保持部材との間にマスクブランクを挟持して前記蓋体側に収納される蓋側保持部材とで構成された
請求項１または２に記載のマスクブランク収納ケース。
【請求項４】
請求項１〜３の何れかに記載のマスクブランク収納ケースと、
前記マスクブランク収納ケース内に収納されたマスクブランクと、
前記ケース本体と前記蓋体との会合部を覆う状態で当該ケース本体および当該蓋体の外周に巻き付けられた封止用のテープとを備えた
マスクブランク収納体。 
【請求項５】
前記ブランク保持部材は、複数枚の前記マスクブランクを保持するもので、
前記各マスクブランクは、基板の一主面側の上方にレジスト膜が設けられたものであり、
前記複数のマスクブランクのうち、前記ケース本体の内壁に対向して配置されたマスクブランクは、前記レジスト膜が形成された面と逆側の面を当該ケース本体の内壁に向けて配置されている
請求項４に記載のマスクブランク収納体。 
【請求項６】
基板の一主面側の上方にレジスト膜が設けられた複数のマスクブランクを請求項１〜３の何れかのマスクブランク収納ケースに収納する際、
前記ケース本体の内壁に対向して配置されるマスクブランクを、前記レジスト膜が形成された面と逆側の面が当該ケース本体の内壁に向かうように前記ブランク保持部材に保持させる
マスクブランク収納方法。 
【請求項７】
前記レジスト膜は、電子線描画型レジストからなる
請求項６に記載のマスク収納方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子デバイスの製造に用いるマスクブランク用のマスクブランク収納ケース、マスクブランク収納体、およびマスクブランク収納方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子デバイスの製造に用いられるマスクブランクは、収納ケースに保管している間に、表面に設けられたレジスト膜に劣化が生じる場合がある。劣化の要因は、樹脂材料で構成された収納ケースからのアウトガス、さらには収納ケース内の温度や遮光性等、収納ケース内の環境であって、劣化の程度は収納ケース内に保管されている時間に依存すると考えられていた。
【０００３】
このため、例えば下記特許文献１においては、収納ケースから抽出される水溶性成分（アニオン)をイオンクロマトグラフィ法によって分析した場合のピーク数を制限し、これにより収納ケース内に収納保管したマスクブランクにおけるレジスト膜の劣化を防止する構成が提案されている。
【０００４】
また下記特許文献２においては、収納ケースの蓋体として、可視光における透過性と紫外光における遮光性を有するものを用い、これにより収納ケース内を確認可能な視認性を有しつつ、収納ケース内への紫外線の侵入を防止して内部に収納保管されたマスクブランクにおけるレジスト膜の劣化を防止する構成が提案されている。
【０００５】
また下記特許文献３においては、収納ケースにおける少なくとも中箱とブランクス支持部とを導電性樹脂で構成し、これにより搬送中の中箱およびブランクス支持部とブランクスとの擦れによる収納ケース内での静電気の発生を抑え、静電気に起因するマスクブランクへの塵埃の付着を防止する構成が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００７−７２４０２号公報
【特許文献２】特開２００７−０８６３６３号公報
【特許文献３】特開２００７−１９９３８０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、マスクブランクは、収納ケース内に収納された時間が短時間であっても、具体的には収納してすぐに取り出した場合であっても、レジスト膜に劣化が生じている場合があり、特に、収納ケースの密閉性を向上させるために、外箱と蓋との接合部を粘着テープで封止した場合に、レジスト膜の劣化が顕著であることがわかった。
【０００８】
そこで発明者は、収納ケース内からマスクブランクを取り出す場合の粘着テープの剥離において生じる剥離帯電に着目して検討を行った結果、収納ケースの外側の帯電が、内部に収納されたマスクブランクのレジスト膜に何らかの影響を及ぼしているとの見解に至った。
【０００９】
このような見解に基づく本発明は、収納ケースの外側の帯電が、内部に収納されたマスクブランクに対して影響を及ぼすことを防止でき、これによりレジスト膜の品質を確保することが可能なマスクブランク収納ケース、マスクブランク収納体、およびマスクブランク収納方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は上述の課題を解決する手段として、以下の構成を有する。
【００１１】
(構成１）
開口部を有するケース本体と、
前記ケース本体の開口部を塞ぐ蓋体と、
前記蓋体で塞がれた前記ケース本体内においてマスクブランクを保持するブランク保持部材とを備え、
前記ブランク保持部材は、前記ケース本体および蓋体に対してマスクブランクを非接触として保持するもので、前記ケース本体および前記蓋体よりも比抵抗が高い
マスクブランク収納ケース。
【００１２】
（構成２）
前記ケース本体および前記蓋体は、前記ブランク保持部材よりもカーボンブラックの含有量が多い
構成１に記載のマスクブランク収納ケース。
【００１３】
（構成３）
前記ブランク保持部材は、前記ケース本体に収納されるケース側保持部材と、当該ケース側保持部材との間にマスクブランクを挟持して前記蓋体側に収納される蓋側保持部材とで構成された
構成１または２に記載のマスクブランク収納ケース。
【００１４】
（構成４）
構成１〜３の何れかに記載のマスクブランク収納ケースと、
前記マスクブランク収納ケース内に収納されたマスクブランクと、
前記ケース本体と前記蓋体との会合部を覆う状態で当該ケース本体および当該蓋体の外周に巻き付けられた封止用のテープとを備えた
マスクブランク収納体。
【００１５】
（構成５）
前記ブランク保持部材は、複数枚の前記マスクブランクを保持するもので、
前記各マスクブランクは、基板の一主面側の上方にレジスト膜が設けられたものであり、
前記複数のマスクブランクのうち、前記ケース本体の内壁に対向して配置されたマスクブランクは、前記レジスト膜が形成された面と逆側の面を当該ケース本体の内壁に向けて配置されている
構成４に記載のマスクブランク収納体。
【００１６】
（構成６）
基板の一主面側の上方にレジスト膜が設けられた複数のマスクブランクを構成１〜３の何れかのマスクブランク収納ケースに収納する際、
前記ケース本体の内壁に対向して配置されるマスクブランクを、前記レジスト膜が形成された面と逆側の面が当該ケース本体の内壁に向かうように前記ブランク保持部材に保持させる
マスクブランク収納方法。
【００１７】
（構成７）
前記レジスト膜は、電子線描画型レジストからなる
構成６に記載のマスク収納方法。
【発明の効果】
【００１８】
以上の構成を有する本発明によれば、ケース本体および蓋体の外側の帯電が、内部に収納されたマスクブランクに対して影響を及ぼすことを防止でき、これによりマスクブランクに設けられたレジスト膜の品質を確保することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明に係るマスクブランク収納ケースの構成を説明する斜視図である。
【図２】本発明に係るマスクブランク収納ケースの正面図である。
【図３】本発明に係るマスクブランク収納体の正面図である。
【図４】実施例においてマスクブランクに形成したレジストパターンを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、本発明のマスクブランク収納ケース、マスクブランク収納体、およびマスクブランクの収納方法の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。
【００２１】
≪マスクブランク収納ケース≫
＜概略構成＞
図１は、実施形態に係るマスクブランク収納ケース１の構成を説明する斜視図である。この図に示すマスクブランク収納ケース１は、電子デバイスの製造に用いられるマスクブランクＭを収納するためのものである。マスクブランクＭは、主表面が四角形（例えば矩形または正方形）、または円形形状の平板状のものであり、マスクブランク収納ケース１内に複数枚が収納される。尚、以下においては、マスクブランクＭとして、四角形の主表面を有するものを例示して説明を行う。
【００２２】
このようなマスクブランク収納ケース１は、ケース本体１０、ケース本体１０に被せられる蓋体２０、ケース本体１０内に収納されるケース側保持部材３０、および蓋体２０内に収納される蓋側保持部材４０を備えている。
【００２３】
ケース本体１０は、一面を開口部１０ａとした箱状のものであり、マスクブランクＭを保持するためのケース側保持部材３０を収納する。ケース本体１０の内部には、ケース側保持部材３０に保持されたマスクブランクＭが、ケース本体１０に対して非接触で収納される。
【００２４】
蓋体２０は、ケース本体１０の開口部１０ａを塞ぐもので、ケース側保持部材３０との間にマスクブランクＭを挟持する状態で用いられる蓋側保持部材４０を覆う状態で、ケース本体１０の開口部１０ａを塞ぐ。ケース本体１０の開口部１０ａを塞いだ状態において、この蓋体２０は、内部のマスクブランクＭに対して非接触に保たれる。
【００２５】
ケース側保持部材３０は、マスクブランク保持部材であって、ケース本体１０内に収納された状態で、ケース本体１０および蓋体２０に対して複数のマスクブランクＭを非接触に保持する。
【００２６】
蓋側保持部材４０は、マスクブランク保持部材であって、ケース側保持部材３０との間にマスクブランクＭを挟持して蓋体２０側に収納され、ケース本体１０および蓋体２０に対して複数のマスクブランクＭを非接触に保持する。
【００２７】
＜各部材の材質＞
以上のように、マスクブランクＭを非接触で収納するケース本体１０および蓋体２０は、マスクブランクＭを保持するケース側保持部材３０および蓋側保持部材４０よりも比抵抗が低い、すなわち導電性が高い。ケース本体１０の比抵抗が、蓋体２０の比抵抗に対して限定されることはない。ケース本体１０および蓋体２０の比抵抗は、それぞれが、例えば１０３［Ω・ｃｍ］以下であることとする。
【００２８】
このようなケース本体１０および蓋体２０は、樹脂材料を用いて形成されるが、比抵抗を低下させて導電性を高めるために、粉末状のカーボン（いわゆるカーボンブラックであって導電性カーボン）を分散させた樹脂材料を用いることが好ましい。これにより、ケース本体１０および蓋体２０の比抵抗が、カーボンブラックの含有量によってコントロールされている。
【００２９】
ケース本体１０および蓋体２０を構成する樹脂材料としては、例えばポリプロピレン、アクリル、ポリエチレン、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリエステル、ポリアミド、ポリイミド、ポリエチルサルファイト、シクロオレフィンポリマー、ポリ（ポリプロビレンカーボネート）（ＰＰＣ）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、ポリアセタール（ＰＯＭ）、アクリロニトリル・ブタジエン・スチレン（ＡＢＳ）、低密度ポリエチレン（ＬＤＰＥ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）等の樹脂から適宜選択されることが好ましい。
【００３０】
これらの中でも、雰囲気の温度、気圧等の変動があっても化学成分ガスの放出が少ない材料が特に好ましく、例えばポリカーボネート（ＰＣ）、ポリエステル、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、シフロオレフィンポリマー、アクリロニトリル・ブタジエン・スチレン（ＡＢＳ）が好ましい。
【００３１】
尚、蓋体２０を構成する樹脂材料とケース本体１０を構成する樹脂材料とが同一である必要はない。
【００３２】
一方、マスクブランクＭを保持するケース側保持部材３０および蓋側保持部材４０は、ケース本体１０および蓋体２０よりも比抵抗が高い、すなわち導電性が低い。ケース側保持部材３０の比抵抗が、蓋側保持部材４０の比抵抗に対して限定されることはない。
【００３３】
このようなケース側保持部材３０および蓋側保持部材４０の比抵抗は、それぞれが、ケース本体１０および蓋体２０の比抵抗の１０６倍以上であることが好ましく、１０10倍以上がより好ましく、１０15倍以上が特に好ましい。このような抵抗の差があることにより、ケース本体１０および蓋体２０に溜まった電荷を、ケース側保持部材３０および蓋側保持部材４０に流すことなく除電することができる。具体的なケース側保持部材３０および蓋側保持部材４０の比抵抗は、例えば１０10［Ω・ｃｍ］以上、１０18［Ω・ｃｍ］以下であり、好ましくは１０15［Ω・ｃｍ］以上、特に好ましくは１０17［Ω・ｃｍ］以上である。
【００３４】
以上のようなケース側保持部材３０および蓋側保持部材４０は、ケース本体１０および蓋体２０に用いられる材料として例示した上述の樹脂材料の中から、比抵抗が高い材料を用いて形成される。例示した樹脂材料の中でも、雰囲気の温度、気圧等の変動があっても化学成分ガスの放出が少なく、かつ硬度が高く擦れによる塵埃の発生が少ない材料が特に好ましく、例えばポリカーボネート（ＰＣ）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、ポリアセタール（ＰＯＭ）、アクリロニトリル・ブタジエン・スチレン（ＡＢＳ）、低密度ポリエチレン（ＬＤＰＥ）が好ましい。
【００３５】
また、ケース側保持部材３０および蓋側保持部材４０は、それぞれがケース本体１０や蓋体２０と同一の樹脂材料を用いて構成されていてもよい。この場合、樹脂材料中にカーボンブラックが分散されていないか、またはケース本体１０および蓋体２０よりも少量のカーボンブラックが含有されていることにより、ケース本体１０および蓋体２０よりも比抵抗が高いものとなっている。
【００３６】
＜ケース本体１０の構造の一例＞
ケース本体１０は、ケース側保持部材３０を固定した状態で収納可能であれば、その形状が特に限定されることはなく、従来構造と同様であってよい。ケース本体１０の構造の詳細は、一例として次のようである。
【００３７】
すなわちケース本体１０は、一面を開口部１０ａとした箱状のものであり、開口部１０ａに対向する底面１１と、底面１１から開口部１０ａ側に向かって立ち上げられた４方向に向かう側周壁１３とで構成されている。
【００３８】
側周壁１３の外周面には、側周壁１３における開口部１０ａ側の端縁（すなわち開口縁１３ａ）と平行に、ケース本体１０に対して巻回された状態で、フランジ１５が突出して設けられている。このフランジ１５は、後に説明する蓋体２０のストッパとして機能するものであり、開口縁１３ａよりも底面１１側に配置されている。
【００３９】
またフランジ１５は、４方向に向かう側周壁１３のうちの対向する２つの面の中央で途切れており、この途切れた部分には、独立した島状の凸部１７が設けられている。これらの凸部１７は、ケース本体１０に対して蓋体２０を固定するための固定部材として機能する。尚、これらの凸部１７の側周壁１３からの突出高さは、フランジ１５の高さと略同等であってよい。
【００４０】
またケース本体１０における側周壁１３の内側には、底面１１から開口部１０ａに向かって延設された状態で、複数の位置決め部１９が突出して設けられている。これらの位置決め部１９は、後述するケース側保持部材３０のケース本体１０内における位置決めに用いられるもので、４方向に向かう側周壁１３のうちの対向する２つの面のそれぞれに、所定間隔を保った１対の位置決め部１９が配置されている。
【００４１】
尚、ここでの図示は省略したが、ケース本体１０の開口縁１３ａには、蓋体２０の開閉時における内部の圧力変化を抑制するための切欠きが設けられていてもよい。
【００４２】
＜蓋体２０の構造の一例＞
蓋体２０は、ケース側保持部材３０に保持した状態でケース本体１０内に収納されたマスクブランクＭに対して非接触でケース本体１０の開口部１０ａを塞ぐことが可能であれば、その形状が特に限定されることはなく、従来構造と同様であってよい。蓋体２０の構造の詳細は、一例として次のようである。
【００４３】
すなわち蓋体２０は、ケース本体１０の開口部１０ａを塞ぐもので、一面を開口部２０ａとした平箱状のものである。このような蓋体２０は、開口部２０ａに対向する底面２１と、底面２１から開口部２０ａ側に向かって立ち上げられた４方向に向かう側周壁２３とで構成されている。
【００４４】
蓋体２０の側周壁２３は、例えば底面２１側よりも開口部２０ａ側の開口幅が一段階広く形成され、蓋体２０によってケース本体１０の開口部１０ａを塞いだ状態において、ケース本体１０の側周壁１３が蓋体２０の側周壁２３内に陥入される。図２は、ケース本体１０を蓋体２０で塞いだ状態のマスクブランク収納ケース１の正面図を示す。この図に示すように、蓋体２０によってケース本体１０を塞いだ状態において、蓋体２０の側周壁２３における開口部２０ａ側の端縁（すなわち開口縁２３ａ）は、ケース本体１０のフランジ１５に当接し、蓋体２０の開口縁２３ａとケース本体１０のフランジ１５とが会合する。
【００４５】
再び図１に戻り、蓋体２０の開口縁２３ａには、開口縁２３ａから延設された状態で、ケース本体１０の凸部１７に嵌合する２つの係止部２７が立設されている。この係止部２７は、ケース本体１０の凸部１７が陥入される凹部２７ａを有しており、蓋体２０によってケース本体１０の開口部１０ａを塞ぐ際に、凸部１７に沿って係止部２７が外側に押し開かれ、さらに係止部２７の凹部２７ａ内に凸部１７が陥入することにより、蓋体２０とケース本体１０との固定状態が確立される構成となっている。このように固定された状態において、図２に示したように蓋体２０の開口縁２３ａとケース本体１０のフランジ１５とが会合した状態となる。
【００４６】
＜ケース側保持部材３０（ブランク保持部材）の構造の一例＞
ケース側保持部材３０は、ケース本体１０内に収納された状態で、ケース本体１０および蓋体２０に対して非接触でマスクブランクＭを保持可能であれば、その形状が特に限定されることはなく、従来構造と同様であってよい。ケース側保持部材の構造の詳細は、一例として次のようである。
【００４７】
すなわちケース側保持部材３０は、一面を開口部３０ａとした箱状のものであって、開口部３０ａに対向する底面３１と、底面３１から開口部３０ａ側に向かって立ち上げられた４方向に向かう側周壁３３とで構成されている。
【００４８】
側周壁３３のうちの対向する２つの側周壁３３の内側には、開口部３０ａ側から底面３１にわたって延設された複数の溝３３ａが所定間隔を保って対向して設けられている。各溝３３ａは、開口部３０ａ側において開放され、底面３１側においては底面３１によって閉じられている。これにより、対向して配置される各溝３３ａ間に、開口部３０ａ側からマスクブランクＭを側面をスライドさせてケース側保持部材３０にマスクブランクＭを収納することができる。また、対向する溝３３ａ間に差し込まれた各マスクブランクＭは、所定間隔を保って平行に保持される。尚、底面３１は、溝３３ａを閉じていれば中央部に開口窓を有していてもよい。
【００４９】
また側周壁３３のうち、別の対向する２つの側周壁３３の外側には、底面３１から開口部３０ａに向かって壁部を切り欠いた凹状の位置決め部３５が設けられている。これらの位置決め部３５は、ケース本体１０内にケース側保持部材３０を収納する場合に、ケース本体１０の位置決め部１９が陥入され、ケース本体１０内に所定高さを保ってケース側保持部材３０が固定される構成となっている。この状態において、ケース側保持部材３０内に保持されたマスクブランクＭは、ケース本体１０に対して非接触に保たれる。
【００５０】
＜蓋側保持部材４０（ブランク保持部材）の構造の一例＞
蓋側保持部材４０は、ケース本体１０および蓋体２０に対して非接触でマスクブランクＭを保持可能であれば、その形状が特に限定されることはなく、従来構造と同様であってよい。蓋側保持部材４０の構造の詳細は、一例として次のようである。
【００５１】
すなわち蓋側保持部材４０は、直線状に延設された軸部４１と、軸部４１に沿って所定間隔で取り付けられた複数対の第１当接部４３および第２当節部４５とを備えている。この場合の所定間隔は、例えばケース側保持部材３０の溝３３ａの間隔と対応している。
【００５２】
各第１当接部４３は、軸部４１からその延設方向に対して垂直な同一方向に向かって取り付けられている。また各第２当節部４５は、第１当接部４３と略垂直をなす方向に向かって取り付けられている。そして、一対の第１当接部４３と第２当節部４５とで、マスクブランクＭの角部を、その周縁方向から挟持することにより、各マスクブランクＭを保持する。
【００５３】
以上のように構成された蓋側保持部材４０は、２つの蓋側保持部材４０を１組として用いられる。２つの蓋側保持部材４０は、ケース側保持部材３０に保持されたマスクブランクＷにおいて、ケース側保持部材３０の開口部３０ａ側から突出している２方向の角部を外側から挟み込む状態で用いられ、これによりケース側保持部材３０との間にマスクブランクＷが挟持される。このような蓋側保持部材４０により、ケース側保持部材３０から突出しているマスクブランクＭのぐらつきが固定され、マスクブランクＭの角部が個々別々に保持され、ケース本体１０および蓋体２０内において、マスクブランクＭが安定的に保持される。
【００５４】
またこの状態において、蓋側保持部材４０には蓋体２０が被せられ、被せられた蓋体２０は、ケース側保持部材３０を収納したケース本体１０の開口部１０ａを塞いでケース本体１０に固定される。
【００５５】
＜マスクブランク収納ケースの効果＞
以上のように構成されたマスクブランク収納ケース１によれば、ケース本体１０および蓋体２０に対してマスクブランクＭを非接触として保持するためのケース側保持部材３０および蓋側保持部材４０を、ケース本体１０および蓋体２０よりも比抵抗の高いものとしている。これにより、ケース本体１０および蓋体２０の外側表面に溜まった電荷は、比抵抗の高いケース側保持部材３０および蓋側保持部材４０によって遮断され、マスクブランクＭにまで伝達されることがない。したがって、外部からの余分な電荷を加えることなく、マスクブランク収納ケース１内にマスクブランクＭを収納し、またマスクブランク収納ケース１内に収納されたマスクブランクＭを取り出すことができる。この結果、マスクブランクＭの電荷による劣化を防止することができ、マスクブランクＭの品質を確保することが可能になる。
【００５６】
また、ケース本体１０および蓋体２０の比抵抗を、カーボンブラックの含有量で制御することにより、比抵抗は低いがアウトガスの少ない樹脂を用いてケース本体１０および蓋体２０を構成することが可能である。これによりケース本体１０および蓋体２０のアウトガスによる汚染を防止する効果を得ることもできる。
【００５７】
さらに、ブランク保持部材として、ケース側保持部材３０と蓋側保持部材４０とを用いた構成とすることにより、ケース本体１０および蓋体２０に対してマスクブランクＭを確実に非接触とすることが可能である。これにより、マスクブランクＭへの電荷の伝達を確実に遮断することができる。
【００５８】
≪マスクブランクの収納方法≫
次に、上述した構成のマスクブランク収納ケース１に対するマスクブランクＭの収納方法を説明する。尚、マスクブランク収納ケース１に収納されるマスクブランクＭの構成は、次のようである。
【００５９】
＜マスクブランクＭの構成＞
本発明に係るマスクブランク収納ケース１に収納されるマスクブランクＭは、電子デバイスの製造に用いられるもので、さらに詳しくは、電子デバイスの製造に使用されるフォトマスクを製造するためのものである。
【００６０】
このようなマスクブランクＭは、一例として、基板の主表面上に、転写パターンとなる薄膜（転写パターン形成用の薄膜）、およびレジスト膜をこの順に形成してなるものであり、一主面側の最表面にレジスト膜が設けられたものである。
【００６１】
このようなマスクブランクＭは、透過形マスクブランク、反射型マスクブランク、およびナノインプリントプレート用マスクブランクの何れであってもよく、それぞれに適する基板および薄膜が設けられ、必要に応じて薄膜とレジスト膜との間に無機材料からなるエッチングマスク膜が設けられていてもよい。
【００６２】
−基板―
例えば、マスクブランクＭがバイナリマスクブランクや位相シフト型マスクブランク等の透過型マスクブランクの場合、基板としては、露光光に対して透光性を有する基板材料を使用し、例えば合成石英ガラス基板が使用される。
【００６３】
また、マスクブランクがＥＵＶ露光用等の反射型マスクブランクの場合、基板としては、低熱膨張の特性を有する基板材料を使用し、ＳｉＯ２−ＴｉＯ２系ガラスや、例えばＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３−Ｌｉ２Ｏ系の結晶化ガラスの基板が使用される。ＳｉＯ２−ＴｉＯ２系ガラスは、２元系（ＳｉＯ２−ＴｉＯ２）及び３元系（ＳｉＯ２−ＴｉＯ２−ＳｎＯ２等）である。
【００６４】
また、マスクブランクがナノインプリントプレート用マスクブランクの場合、基板としては、例えば合成石英ガラス基板が使用される。
【００６５】
―透過型マスクブランク―
透過型マスクブランクのうち、上記基板の主表面上に、転写パターン形成用の薄膜として遮光膜を形成したものは、バイナリマスクブランク、または基板彫り込み型のレベンソン位相シフト型マスクブランクとして用いられる。また、上記基板の主表面上に、転写パターン形成用の薄膜として位相シフト膜、あるいは位相シフト膜及び遮光膜を形成したものは、位相シフト型マスクブランクとして用いられる。また、基板の主表面上に、転写パターン形成用の薄膜としてエッチングマスク膜を形成したものは、クロムレスタイプの位相シフト型マスクブランク、またはナノインプリントプレート用マスクブランクとして用いられる。
【００６６】
上記遮光膜は、単層でも複数層（例えば遮光層と反射防止層との積層構造）としてもよい。また、遮光膜を遮光層と反射防止層との積層構造とする場合、この遮光層を複数層からなる構造としてもよい。また、上記位相シフト膜、エッチングマスク膜、吸収体膜についても、単層でも複数層としてもよい。
【００６７】
透過型マスクブランクとしては、例えば、クロム（Ｃｒ）を含有する材料により形成されている遮光膜を薄膜として備えるバイナリマスクブランク、遷移金属とケイ素（Ｓｉ）を含有する材料により形成されている遮光膜を薄膜として備えるバイナリマスクブランク、タンタル（Ｔａ）を含有する材料により形成されている遮光膜を薄膜として備えるバイナリマスクブランク、ケイ素（Ｓｉ）を含有する材料、あるいは遷移金属とケイ素（Ｓｉ）を含有する材料により形成されている位相シフト膜を薄膜として備える位相シフト型マスクブランクなどが挙げられる。上記遷移金属とケイ素（Ｓｉ）を含有する材料としては、遷移金属とケイ素を含有する材料のほかに、遷移金属及びケイ素に、さらに窒素、酸素及び炭素のうち少なくとも１つの元素を含む材料が挙げられる。具体的には、遷移金属シリサイド、または遷移金属シリサイドの窒化物、酸化物、炭化物、酸窒化物、炭酸化物、あるいは炭酸窒化物を含む材料が好適である。遷移金属には、モリブデン、タンタル、タングステン、チタン、クロム、ハフニウム、ニッケル、バナジウム、ジルコニウム、ルテニウム、ロジウム、ニオブ等が適用可能である。この中でも特にモリブデンが好適である。
【００６８】
さらに上記バイナリマスクブランクや位相シフト型マスクブランクにおいて、遮光膜上に、エッチングマスク膜を備えても構わない。エッチングマスク膜の材料は、遮光膜をパターニングする際に使用するエッチャントに対して耐性を有する材料から選択される。遮光膜の材料がクロム（Ｃｒ）を含有する材料の場合、エッチングマスク膜の材料としては、例えば上記ケイ素（Ｓｉ）を含有する材料が選択される。また、遮光膜の材料がケイ素（Ｓｉ）を含有する材料や、遷移金属とケイ素（Ｓｉ）を含有する材料の場合、エッチングマスク膜の材料としては、例えば上記クロム（Ｃｒ）を含有する材料が選択される。
【００６９】
―反射型マスクブランク−
反射型マスクブランクとしては、基板上に、ＥＵＶ光に対して反射する多層反射膜、さらに、転写用マスクの製造工程におけるドライエッチングやウェット洗浄から多層反射膜を保護するため、保護膜が形成された多層反射膜付き基板として、上記多層反射膜や保護膜上に、転写パターン形成用の薄膜として吸収体膜を備える反射型マスクブランクが挙げられる。
【００７０】
ＥＵＶ光の領域で使用される多層反射膜としては、Ｍｏ／Ｓｉ周期多層膜のほかに、Ｒｕ／Ｓｉ周期多層膜、Ｍｏ／Ｂｅ周期多層膜、Ｍｏ化合物／Ｓｉ化合物周期多層膜、Ｓｉ／Ｎｂ周期多層膜、Ｓｉ／Ｍｏ／Ｒｕ周期多層膜、Ｓｉ／Ｍｏ／Ｒｕ／Ｍｏ周期多層膜、Ｓｉ／Ｒｕ／Ｍｏ／Ｒｕ周期多層反射膜が挙げられる。
【００７１】
また、上記保護膜の材料としては、例えば、Ｒｕ、Ｒｕ−（Ｎｂ、Ｚｒ、Ｙ、Ｂ、Ｔｉ、Ｌａ、Ｍｏ）、Ｓｉ−（Ｒｕ、Ｒｈ、Ｃｒ、Ｂ）、Ｓｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｌａ、Ｂ等の材料から選択される。これらのうち、Ｒｕを含む材料を適用すると、多層反射膜の反射率特性がより良好となる。
【００７２】
また、上記吸収体膜の材料としては、例えば、Ｔａ単体、Ｔａを主成分とする材料が用いられる。Ｔａを主成分とする材料は、通常、Ｔａの合金である。このような吸収体膜の結晶状態は、平滑性、平坦性の点から、アモルファス状又は微結晶の構造を有しているものが好ましい。Ｔａを主成分とする材料としては、例えば、ＴａとＢを含む材料、ＴａとＮを含む材料、ＴａとＢを含み、更にＯとＮの少なくともいずれかを含む材料、ＴａとＳｉを含む材料、ＴａとＳｉとＮを含む材料、ＴａとＧｅを含む材料、ＴａとＧｅとＮを含む材料などを用いることができる。また例えば、ＴａにＢ、Ｓｉ、Ｇｅ等を加えることにより、アモルファス構造が容易に得られ、平滑性を向上させることができる。さらに、ＴａにＮ、Ｏを加えれば、酸化に対する耐性が向上するため、経時的な安定性を向上させることができる。
【００７３】
―レジスト膜―
マスクブランクＭに設けられるレジスト膜は、高感度の電子線描画用のレジスト膜であり、リソグラフィー処理によって１００ｎｍハーフピッチ以下のパターン寸法のレジストパターンが形成される。このようなレジスト膜は、ネガ型であってもポジ型であってもよく、また酸発生剤を含有する化学増幅型のレジスト膜であってもよい。
【００７４】
＜収納方法＞
以上のような構成のマスクブランクＭを、先に説明したマスクブランク収納ケース１に収納する場合の収納方法は、次のようである。すなわち、マスクブランク収納ケース１に収納される複数のマスクブランクＭのうち、ケース本体１０の内壁に対向して配置されるマスクブランクＭを、レジスト膜が形成された面と逆側の面がケース本体１０の内壁に向かうように、ケース側保持部材３０に保持させる。つまり、ケース側保持部材３０に保持させる複数枚のマスクブランクＭのうち、最も外側に配置される両側の２枚については、レジスト膜が設けられた面を内側に向けた状態とする。
【００７５】
尚、１枚のマスクブランクＭのみを収納する場合には、ケース側保持部材３０の中央付近にマスクブランクＭを保持させることが好ましい。
【００７６】
次に、マスクブランクＭを保持させたケース側保持部材３０を、ケース本体１０内に所定状態で収納する。次いで、蓋側保持部材４０を、ケース側保持部材３０の開口部３０ａから突出しているマスクブランクＭの２つの角部に、２つの蓋側保持部材４０で外側から挟み込む状態で係止する。この状態で、図２に示したように、ケース本体１０に蓋体２０をかぶせてケース本体１０と蓋体２０とを固定する。
【００７７】
以上の後には、図３に示すように、ケース本体１０と蓋体２０との会合部を覆う状態で、ケース本体および当該蓋体の外周に、粘着剤の層を有するテープ６０を巻き付ける。これにより、マスクブランク収納ケース１を密閉する。テープ６０は、複数周回で巻き付けることにより、マスクブランク収納ケース１の密閉状態を確実とする。
【００７８】
＜マスクブランク収納方法の効果＞
以上のようなマスクブランク収納方法によれば、マスクブランク収納ケース１内において、マスクブランクＭの最表面に配置されたレジスト膜が、ケース本体１０の内壁に対向して配置されることがない。このため、ケース本体１０から蓋体２０を取り外す際にケース本体１０の内壁に沿って内部に流れ込んだ気流に、レジスト膜が曝されることを防止できる。これにより、レジスト膜に対する塵埃の付着による汚染を防止できる。
【００７９】
≪マスクブランク収納体≫
図３は、本発明のマスクブランク収納体２の正面図である。この図に示すように、本発明のマスクブランク収納体２は、図２に示したように所定状態でケース本体１０を蓋体２０で塞いだマスクブランク収納ケース１において、ケース本体１０と蓋体２０との会合部を覆う状態で、ケース本体１０および蓋体２０の外周にテープ６０が巻き付けられた構成である。
【００８０】
マスクブランク収納ケース１の内部には、図１を用いて説明したように、所定状態でケース側保持部材３０と蓋側保持部材４０とに保持されたマスクブランクＭが収納されている。ケース本体１０の内壁に対向して配置されるマスクブランクＭは、先のマスクブランクの収納方法で説明したように、レジスト膜が形成された面と逆側の面がケース本体１０の内壁に向かうように、ケース側保持部材３０と蓋側保持部材４０とに保持されている。
【００８１】
テープ６０は、封止用のテープであって、例えばポリエチレンなどの樹脂材料によって構成されたテープ基体の一主側に、低溶出量の粘着剤が塗布された粘着テープであり、ケース本体１０および蓋体２０の外周に複数周回で、例えば３重で巻き付けられている。
【００８２】
＜マスクブランク収納体の効果＞
以上のように構成されたマスクブランク収納体２によれば、内部に収納されたマスクブランクＭを取り出す際に、テープ６０を剥離した場合の剥離帯電によってマスクブランク収納ケース１の外側に溜まった電荷が、比抵抗の高いケース側保持部材３０および蓋側保持部材４０によって遮断され、マスクブランクＭにまで伝達されることが防止される。
【００８３】
したがって、外部からの余分な電荷をマスクブランクＭのレジスト膜に対して加えることなく、マスクブランク収納ケース１内からマスクブランクＭを取り出すことが可能になる。この結果、マスクブランクＭのレジスト膜の電荷による劣化を防止することができ、レジスト膜の品質を確保することが可能になる。
【実施例】
【００８４】
以下、本発明を適用した実施例１〜７、比較例、および実験例を説明する。先ず、以下のようにして、実施例１〜７、比較例、および実験例で用いたマスクブランクを製造した。
【００８５】
≪マスクブランクの製造≫
―基板―
主表面の寸法が約１５２ｍｍ×約１５２ｍｍで、厚さが約６．２５ｍｍの合成石英ガラスからなる透光性を有する基板を準備した。
【００８６】
―薄膜：光半透過膜（位相シフトマスク膜）―
合成石英ガラスからなる基板上に、枚葉式スパッタ装置を用いて、光半透過膜であるＭｏＳｉＮ膜を、位相シフト膜として成膜した。この際、スパッタターゲットとしてモリブデン（Ｍｏ）とシリコン（Ｓｉ）との混合ターゲット（モル％比  Ｍｏ：Ｓｉ＝１０：９０）を用い、スパッタリングガスとしてアルゴン（Ａｒ）、窒素（Ｎ２）およびヘリウム（Ｈｅ）の混合ガス（流量比  Ａｒ：Ｎ２：Ｈｅ＝５：４９：４６，圧力＝０．３Ｐａ）を用い、反応性スパッタリング（ＤＣスパッタリング：ＤＣ電力３．０ｋＷ）により、ＭｏＳｉＮ膜からなる光半透過膜を膜厚６９ｎｍで成膜した。
【００８７】
次いで、上記ＭｏＳｉＮ膜が形成された基板に対して、加熱炉を用いて、大気中で加熱温度を４５０℃、加熱時間を１時間として、加熱処理を行った。このＭｏＳｉＮ膜は、ＡｒＦエキシマレーザー光（波長λ＝１９３ｎｍ）に対して、透過率６．１６％、位相差１８４．４度となっていた。尚、波長λ＝１９３ｎｍのＡｒＦエキシマレーザー光は、マスクブランクを用いて作製された位相シフトマスクを用いて電子デバイスを作製する際のリソグラフィーにおける露光光の波長の一例である。
【００８８】
―薄膜：遮光膜―
次に、光半透過膜上に、枚葉式ＤＣスパッタ装置を用いて、３層構造の遮光膜を成膜した。この際、先ずスパッタリングターゲットとしてクロム（Ｃｒ）ターゲットを用い、スパッタリングガスとしてアルゴン（Ａｒ）、二酸化炭素（ＣＯ２）、窒素（Ｎ２）およびヘリウム（Ｈｅ）の混合ガス（流量比  Ａｒ：ＣＯ２：Ｎ２：Ｈｅ＝２０：３５：１０：３０，圧力＝０．２Ｐａ）用い、反応性スパッタリング（ＤＣスパッタリング：ＤＣ電力１．７ｋＷ）により、ＣｒＯＣＮ膜を膜厚３０ｎｍで成膜した（第一遮光膜）。
【００８９】
その上に、スパッタリングターゲットとして同じクロム（Ｃｒ）ターゲットを用い、スパッタリングガスとしてアルゴン（Ａｒ）および窒素（Ｎ２）の混合ガス（流量比  Ａｒ：Ｎ２＝２５：７５，圧力＝０．１Ｐａ）を用い、反応性スパッタリング（ＤＣスパッタリング：ＤＣ電力１．７ｋＷ）により、ＣｒＮ膜を４ｎｍの厚さで成膜した（第二遮光膜）。
【００９０】
その上に、スパッタリングターゲットとして同じクロム（Ｃｒ）ターゲットを用い、スパッタリングガスとしてアルゴン（Ａｒ）、二酸化炭素（ＣＯ２）、窒素（Ｎ２）およびヘリウム（Ｈｅ）の混合ガス（流量比  Ａｒ：ＣＯ２：Ｎ２：Ｈｅ＝２０：３５：５：３０，圧力＝０．２Ｐａ）を用い、反応性スパッタリング（ＤＣスパッタリング：ＤＣ電力１．７ｋＷ）により、クロムリッチなＣｒＯＣＮ膜を膜厚１４ｎｍで成膜した（第三遮光膜）。
【００９１】
以上の手順により、光半透過膜（位相シフトマスク膜）側からＣｒＯＣＮからなる最下層の第一遮光膜、ＣｒＮからなる中間層の第二遮光膜、ＣｒＯＣＮからなる上層の第三遮光膜の３層構造からなるクロム系材料の遮光膜を合計膜厚４８ｎｍで形成した。
【００９２】
以上の手順により、薄膜付基板を得た。なお、光半透過膜と遮光膜とを合わせたときの光学濃度は３．０（λ＝１９３ｎｍ）であった。また、露光光の波長（λ＝１９３ｎｍ）に対する遮光膜の表面反射率は２０％であった。
【００９３】
―レジスト膜―
次いで、遮光膜上に、化学増幅型ネガレジスト（富士フィルムエレクトロニクスマテリアルズ株式会社製「ＸＦＮ００３Ｈ２」）をスピンコート法によって塗布後、１３０℃で６００秒間加熱することで、厚さ１００ｎｍのレジスト膜を形成した。
【００９４】
以上により、基板上に、光半透過膜（位相シフトマスク膜）、遮光膜、およびレジスト膜をこの順に設けたマスクブランクを作製した。
【００９５】
≪マスクブランク収納ケースの構成≫
下記表１には、各実施例１〜７、比較例、および実験例で用いたマスクブランク収納ケースの各部の材質を示す。各実施例１〜７、比較例、および実験例で用いたマスクブランク収納ケースは、図１を用いて説明したと同様の、ケース本体１０、蓋体２０、ケース側保持部材３０、および蓋側保持部材４０で構成された構造であり、それぞれ以下のような材質である。
【００９６】
＜実施例１＞
ケース本体１０および蓋体２０は、ポリカーボネート（ＰＣ）に、粉末状のカーボン（いわゆるカーボンブラック：ＢＣ）を混練することで、比抵抗を１０３［Ω・ｃｍ］以下とした樹脂で構成した。
【００９７】
ケース側保持部材３０と蓋側保持部材４０は、ポリブチレンテレフタラート（ＰＢＴ：比抵抗１０18［Ω・ｃｍ］）で構成した。
【００９８】
＜実施例２＞
ケース側保持部材３０を、カーボンブラックを混練していないポリカーボネート（ＰＣ：比抵抗１０16［Ω・ｃｍ］）で構成したことを除き、実施例１と同様の構成のマスクブランク収納ケースを用意した。
【００９９】
＜実施例３＞
ケース側保持部材３０を、ポリアセタール樹脂（ＰＯＭ）であるデルリン（デュポン社製登録商標：比抵抗１０14［Ω・ｃｍ］）で構成したことを除き、実施例１と同様の構成のマスクブランク収納ケースを用意した。
【０１００】
＜実施例４＞
ケース側保持部材３０を、アクリロニトリル・ブタジエン・スチレン（ＡＢＳ：比抵抗５×１０12［Ω・ｃｍ］）で構成したことを除き、実施例１と同様の構成のマスクブランク収納ケースを用意した。
【０１０１】
＜実施例５＞
ケース側保持部材３０を、低密度ポリエチレン（ＬＤＰＥ：５×１０16［Ω・ｃｍ］）で構成したことを除き、実施例１と同様の構成のマスクブランク収納ケースを用意した。
【０１０２】
＜実施例６＞
蓋体２０を、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ：５×１０15［Ω・ｃｍ］）に赤色顔料を分散させた樹脂で構成し、少なくとも波長λ＝５５０ｎｍ以下の光の透過を抑制したことを除き、実施例１と同様の構成のマスクブランク収納ケースを用意した。
【０１０３】
＜実施例７＞
ケース本体１０と蓋体２０とを、ポリプロピレンカーボネート（ＰＰＣ）にカーボンブラックを混練することで、比抵抗を１０５［Ω・ｃｍ］に調整した樹脂で構成したことを除き、実施例１と同様の構成のマスクブランク収納ケースを用意した。
【０１０４】
＜比較例＞
ケース側保持部材３０を、ポリカーボネート（ＰＣ）にカーボンブラック（ＣＢ）を混練することで比抵抗を１０３［Ω・ｃｍ］に調整した樹脂で構成したことを除き、実施例１と同様の構成のマスクブランク収納ケースを用意した。
【０１０５】
＜実験例＞
実施例１の構成のマスクブランク収納ケースを用意し、ケース本体１０と、内部に収納したマスクブランクＭの遮光膜（クロム系膜）をアルミニウム箔で接続し、マスクブランクＭとケース本体１０との間に強制的に電気的接続性を付与した。
【０１０６】
【表１】
2016186571.tif 000003
【０１０７】
≪マスクブランク収納体の作製≫
以上のように構成された実施例１〜７、比較例、および実験例のマスクブランク収納ケース１内に、作製した５枚のマスクブランクＭを実施形態において説明した所定状態で収納した。先ず、ケース側保持部材３０内に、５枚のマスクブランクＭを所定状態で収納した。次に、マスクブランクＭが収納されたケース側保持部材３０を、ケース本体１０内に収納した。次いで、蓋側保持部材４０を、ケース側保持部材３０の開口部３０ａから突出しているマスクブランクＭの２つの角部に、２つの蓋側保持部材４０で外側から挟み込む状態で係止した。この状態で、図２に示したように、ケース本体１０の開口部１０ａに蓋体２０をかぶせて固定した。そして、図３に示したように、ケース本体１０と蓋体２０との会合部を覆う状態で、ケース本体および当該蓋体の外周に、ポリエチレン製の粘着テープ６０を３周巻き付けた。これにより、マスクブランク収納ケース１を密閉した、実施例１〜７、比較例、および実験例の各マスクブランク収納体２を作製した。
【０１０８】
≪評価方法≫
実施例１〜７、比較例、および実験例の各マスクブランク収納体２に対し、下記静電気放電イミュニティ試験を実施した。その後、直ちに各マスクブランク収納体２のテープ６０を剥離して内部からマスクブランクＭを取り出し、それぞれのレジスト膜に対して下記リソグラフィー処理を施し、これによって作製されたレジストパターンの形状精度を確認するレジスト膜評価を実施した。
【０１０９】
＜静電気放電イミュニティ試験（JIS C 61000-4-2）＞
（１）電場印加条件：印加電圧：−２０ｋＶ
ポリエチレン製の粘着テープをマスクブランク収納ケース１から剥離した場合に生じる剥離帯電に基づく電位変化が-７ｋＶ、ケース本体１０および蓋体２０への静電気に基づく電位が−２０ｋＶであることを考慮して設定した。
（２）静電気試験機：NoiseKen ESS-2002（株式会社ノイズ研究所製商品名）
【０１１０】
＜レジストパターンの作製＞
実施例１〜７、比較例、および実験例のマスクブランク収納体２のテープ６０を剥離し、中央部に収納された各１枚のマスクブランクＭを取り出した。取り出したマスクブランクＭにおいて十分に離間した５か所（四隅と中央部）のレジスト膜に対し、電子線描画の際のドーズ量（単位面積当たりの電荷量）を下記５段階に変化させたリソグラフィー処理を実施し、レジストパターンを形成した。
【０１１１】
（１）レジストパターンの設計形状
図４に示す、ラインアンドスペース（Ｌ／Ｓ）のレジストパターンＰを、ラインＬの設計幅２００ｎｍ、スペースＳの設計幅２００ｎｍとして形成した。尚、レジストパターンＰは、周辺にレジスト膜がフレーム状に形成されるように設計した。
【０１１２】
（２）リソグラフィー条件
・描画装置：日本電子社製  ＪＢＸシリーズ  可変成形ビーム型描画装置
・ドーズ量：標準（３２μＣ／ｃｍ２）、＋１０％、＋１２％、＋１４％、＋１６％
・ＰＥＢ（露光後熱処理）：１１０℃、１０分
・現像機：ＡＳＰ−５５００（ズースマイクロテック社製）
・現像液：ＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムハイドライド）２．３８％溶液
【０１１３】
＜レジスト膜評価＞
マスクブランクＭの５か所に形成された各レジストパターンＰの形状を、次のように評価した。
【０１１４】
・評価装置：ＣＤ−ＳＥＭ（critical dimension SEM）、ＬＷＭ９０４５（Advantest社製商品名）
・評価方法：レジストパターンＰの形状精度の確認として、レジストパターンＰのセンター部Ｐ１とコーナー部Ｐ２におけるかぶり現象の発生状態を確認した。ここで「かぶり」とは、露光されていない領域にレジストが露光されたような現象が生じている状態である。ここで用いたネガレジストの場合は、現像した時に露光されていない領域（スペースＳの部分）に、わずかにレジストが残っているような状態を言う。
【０１１５】
≪評価結果≫
上記表１には、実施例１〜７、比較例、および実験例の各マスクブランクＭに形成されたレジストパターンの形状の評価結果を合わせて示した。表１中、かぶりが生じていなかった場合は「○○」、スペースＳのパターンに対してわずかな補正することで良品となる場合は「○」、補正が困難なほどかぶりが生じている場合は「×」と標記した。
【０１１６】
また下記表２および表３には、実施例１、実施例７、比較例、および実験例の各マスクブランクＭに形成されたレジストパターンＰのＳＥＭ像を示す。
【０１１７】
【表２】
2016186571.tif 000004
【０１１８】
【表３】
2016186571.tif 000005
【０１１９】
表１〜表３に示すように、実施例１〜７におけるレジストのパターン形状は、電子線描画による露光の際のドーズ量を、＋１２％まで増やしても、かぶりの程度を低く抑えて設計幅２００ｎｍのＬ／Ｓパターンの形成が可能であった。
【０１２０】
このことから、実施例１〜７のマスクブランク収納ケース１およびマスクブランク収納体２によれば、テープ６０の剥離によってケース本体１０および蓋体２０の表面が剥離帯電した場合であっても、内部に収納されたレジスト膜の劣化を防止できることが確認された。
【０１２１】
これは、剥離帯電によってケース本体１０および蓋体２０の表面に溜まった電荷が、ケース本体１０および蓋体２０よりも比抵抗の高いケース側保持部材３０および蓋側保持部材４０によって遮断されて、マスクブランクＭにまで伝達されることがなく、これによりマスクブランクＭのレジスト膜に余分な電荷が加わることが防止され、電子線描画に対する影響を抑えられたためと考えられる。
【０１２２】
これに対して比較例のマスクブランク収納ケース１およびマスクブランク収納体２では、特にコーナー部Ｐ２におけるレジストのパターン形状が、電子線描画による露光の際のドーズ量に係らず、かぶりの程度が大きく設計幅２００ｎｍのＬ／Ｓパターンの形成が困難であった。
【０１２３】
これは、比較例においては、ケース側保持部材３０が、ケース本体１０および蓋体２０と同様の材質で構成されて比抵抗が同じであるため、剥離帯電によってケース本体１０および蓋体２０の表面に溜まった電荷がマスクブランクＭの表面まで伝達され、電子線描画を実施する前のレジスト膜に対して影響を及ぼし、電子線描画時には過剰なドーズ量で電荷が加わった状態となって、かぶり現象が生じたものと考えられる。
【０１２４】
以上のようなかぶり現象が発生するメカニズムは、ケース本体１０とマスクブランクＭの遮光膜とをアルミニウムで接続した実験例でも、比較例と同様にかぶり現象が生じていたことからも明らかである。
【０１２５】
また上記メカニズムは、レジストパターンＰのセンター部Ｐ１よりも、電子線描画における全体的な電子線の照射量が多いコーナー部Ｐ２において、ドーズ量の変動に対してかぶり現象の発生が顕著であることからも明らかである。
【０１２６】
つまり、コーナー部Ｐ２には、周辺部分のフレーム状を形成するために電子線描画における電子線の照射量が全体として多いため、この部分からＬ／Ｓ部分に伝搬してきた電荷も、センター部Ｐ１よりも多い。このため、コーナー部Ｐ２ではかぶり現象が生じやすかったものと考えられる。
【０１２７】
通常、マスクブランクＭを用いて作製される位相シフトマスクなどのフォトマスクは、周辺のフレーム状の部分に、位置合わせ用のアライメントマークが形成される。したがって、本発明の適用により、電子線の照射量が多いフレーム状の部分にも、形状精度良好にレジストパターンを形成可能な程度に、レジスト膜の品質を確保できることが確認された。
【符号の説明】
【０１２８】
１…マスクブランク収納ケース、２…マスクブランク収納体、１０…ケース本体、１０ａ…開口部（ケース本体）、２０…蓋体、Ｍ…マスクブランク、３０…ケース側保持部材（ブランク保持部材）、４０…蓋側保持部材（ブランク保持部材）、６０…テープ
【図１】
2016186571.tif 000006
【図２】
2016186571.tif 000007
【図３】
2016186571.tif 000008
【図４】
2016186571.tif 000009