(57)【要約】【課題】パターンが細くなることを抑制すること。【解決手段】絶縁層１０ａ上に、第１パターン２６ａと前記第１パターン２６ａより線幅の小さい第２パターン２６ｂとを有する配線層２４を形成する工程と、前記第１パターン２６ａの前記配線層２４の表面における前記配線層２４の材料より標準電位の高い金属３２の濃度が前記第２パターン２６ｂの前記配線層２４の表面における前記金属３２の濃度より低くなるように、前記配線層２４の表面に前記金属３２を付着させる工程と、前記金属３２を付着させる工程の後、前記配線層２４の表面を粗化する工程と、を含む配線基板の製造方法である。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層上に、第１パターンと前記第１パターンより線幅の小さい第２パターンとを有する配線層を形成する工程と、
前記第１パターンの前記配線層の表面における前記配線層の材料より標準電位の高い金属の濃度が前記第２パターンの前記配線層の表面における前記金属の濃度より低くなるように、前記配線層の表面に前記金属を付着させる工程と、
前記金属を付着させる工程の後、前記配線層の表面を粗化する工程と、
を含むことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項２】
前記配線層の表面に前記金属を付着させる工程は、前記第１パターンおよび前記第２パターンの前記配線層を前記金属を含む溶液に曝す工程を含むことを特徴とする請求項１記載の配線基板の製造方法。
【請求項３】
前記配線層を前記溶液に曝す工程は、前記第１パターンおよび前記第２パターンが電気的に接続された状態で前記配線層を前記溶液に曝す工程を含むことを特徴とする請求項２記載の配線基板の製造方法。
【請求項４】
前記配線層の表面を粗化する工程は、前記第１パターンの前記配線層の表面を前記第２パターンの前記配線層の表面より粗くする工程を含むことを特徴とする請求項１から３のいずれか一項記載の配線基板の製造方法。
【請求項５】
前記配線層の材料は、銅であり、
前記金属は、水銀、銀、パラジウム、イリジウム、白金および金の少なくとも１つであることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項記載の配線基板の製造方法。
【請求項６】
前記第１パターンの線幅は３μｍより大きく、前記第２パターンの線幅は３μｍ以下であり、
前記配線層の表面に前記金属を付着させる工程は、前記第１パターンの前記配線層の表面の前記金属の濃度を１０重量％より小さく、前記第２パターンの前記配線層の表面の前記金属の濃度を１０重量％以上とする工程を含むことを特徴とする請求項１から５のいずれか一項記載の配線基板の製造方法。
【請求項７】
前記第１パターンの線幅は３μｍより大きく、前記第２パターンの線幅は３μｍ以下であり、
前記配線層の表面を粗化する工程は、前記第１パターンの前記配線層の表面の表面粗さを２００ｎｍより大きくし、前記第２パターンの前記配線層の表面の表面粗さを２００ｎｍ以下とする工程を含むことを特徴とする請求項１から６のいずれか一項記載の配線基板の製造方法。
【請求項８】
前記溶液の前記金属のイオン濃度は０．５ｇ／Ｌ以下であることを特徴とする請求項２または３記載の配線基板の製造方法。
【請求項９】
絶縁層と、
前記絶縁層上に形成された、第１パターンと前記第１パターンの線幅より小さい線幅を有する第２パターンとを有する配線層と、
を具備し、
前記第１パターンの前記配線層の表面の前記配線層の材料よりも標準電位の高い金属の濃度は、前記第２パターンの前記配線層の前記金属の濃度より低く、
前記第１パターンの前記配線層の表面は前記第２パターンの前記配線層の表面より粗いことを特徴とする配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板およびその製造方法に関し、例えば配線の表面を粗化された基板およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子機器等には、配線を有する回路基板やパッケージ等の配線基板が用いられている。配線表面を粗化することが知られている（例えば特許文献１および２)。配線の表面に、凹凸の幅が比較的小さい領域と、凹凸の幅が比較的大きい領域と、を形成することが知られている（例えば特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００８−２５２０１６号公報
【特許文献２】特開２０１１−１４６４４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
配線基板には、異なる線幅の配線が形成されている。線幅の異なるパターンを有する配線の表面を粗化するときに、線幅の小さい配線のパターンが細くなる。場合によってはパターンが消失してしまう。
【０００５】
本配線基板およびその製造方法は、配線のパターンが細くなることを抑制することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
絶縁層上に、第１パターンと前記第１パターンより線幅の小さい第２パターンとを有する配線層を形成する工程と、前記第１パターンの前記配線層の表面における前記配線層の材料より標準電位の高い金属の濃度が前記第２パターンの前記配線層の表面における前記金属の濃度より低くなるように、前記配線層の表面に前記金属を付着させる工程と、前記金属を付着させる工程の後、前記配線層の表面を粗化する工程と、を含むことを特徴とする配線基板の製造方法を用いる。
【０００７】
絶縁層と、前記絶縁層上に形成された、第１パターンと前記第１パターンの線幅より小さい線幅を有する第２パターンとを有する配線層と、を具備し、前記第１パターンの前記配線層の表面の前記配線層の材料よりも標準電位の高い金属の濃度は、前記第２パターンの前記配線層の前記金属の濃度より低く、前記第１パターンの前記配線層の表面は前記第２パターンの前記配線層の表面より粗いことを特徴とする配線基板を用いる。
【発明の効果】
【０００８】
本配線基板およびその製造方法によれば、配線のパターンが細くなることを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】図１は、実施例１に係る配線基板が用いられる半導体装置を示す断面図である。
【図２】図２は、比較例１に係る配線基板の拡大図である。
【図３】図３（ａ）および図３（ｂ）は、比較例２に係る配線基板の製造方法を示す断面図である。
【図４】図４（ａ）および図４（ｂ）は、それぞれパターン２６ａおよび２６ｂの配線の断面図である。
【図５】図５（ａ）から図５（ｄ）は、実施例１に係る配線基板の製造方法を示す断面図（その１）である。
【図６】図６（ａ）から図６（ｃ）は、実施例１に係る配線基板の製造方法を示す断面図（その２）である。
【図７】図７（ａ）および図７（ｂ）は、実験に用いたパターンを示す平面図および断面図である。
【図８】図８（ａ）は、粗化処理前後の配線層表面の表面粗さを示す図であり、図８（ｂ）は、粗化処理後のパラジウム濃度および表面粗さを示す図である。
【図９】図９は、粗化処理のときの下地層の有無による粗化処理後のパラジウム濃度および表面粗さを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、図面を参照し、実施例について説明する。
【実施例１】
【００１１】
図１は、実施例１に係る配線基板が用いられる半導体装置を示す断面図である。図１に示すように、配線基板２０は、例えば基板４０と半導体チップ４６とを電気的に接続するインターポーザとして用いられる。基板４０上に配線基板２０を介し半導体チップ４６が搭載されている。基板４０は、例えば樹脂基板またはセラミック基板等の絶縁基板である。基板４０上にランド４２が形成されている。ランド４２は、例えば銅層等の金属層である。ランド４２上にバンプ４４を介し配線基板２０が搭載されている。バンプ４４は、例えば半田バンプである。配線基板２０上にはバンプ４８を介し半導体チップ４６が搭載されている。バンプ４８は、例えばハンダバンプまたは銅ピラーである。半導体チップ４６は、例えばＬＳＩ（Large Scale Integrated Circuit）が形成されたチップである。
【００１２】
配線基板２０は複数の絶縁層１０ａおよび１０ｂを備えている。絶縁層１０ａおよび１０ｂは、例えばエポキシ樹脂層またはポリイミド樹層である。絶縁層１０ａおよび絶縁層１０ｂの上面にはそれぞれ配線１２ａおよび１２ｂが形成されている。絶縁層１０ａの下面には配線１２ｃが形成されている。配線１２ａから１２ｃは、例えば銅層等の金属層である。配線１２ａおよび１２ｃは、ランドを含む。配線１２ｃのランドにはバンプ４４が接合され、配線１２ｂのランドにはバンプ４８が接合されている。貫通電極１４ａは、絶縁層１０ａを貫通し配線１２ａと１２ｃとを電気的に接続する。貫通電極１４ｂは、絶縁層１０ｂを貫通し配線１２ａと１２ｂとを電気的に接続する。
【００１３】
図１のように、配線基板２０を基板４０と半導体チップ４６とを接続する再配線のために用いることができる。また、配線基板２０を、半導体チップ４６同士を電気的に接続するインターポーザとして用いることにより、２．５Ｄの集積回路を実現することができる。配線基板２０は、インターポーザ以外であってもよい。配線基板２０の例として絶縁層１０ａおよび１０ｂが２層、配線１２ａから１２ｃが３層の例を説明したが、絶縁層および配線層は、各々１または複数であればよい。
【００１４】
図２は、比較例１に係る配線基板の拡大図である。図２は、配線１２ａ付近の拡大図である。図２に示すように、配線１２ａは、絶縁層１０ａ上に形成された下地層２２と下地層２２に形成された配線層２４を含む。配線１２ａは、線幅の大きいパターン２６ａと線幅の小さいパターン２６ｂを含む。その他の構成は図１と同じであり説明を省略する。銅層等の配線層２４と絶縁層１０ｂとの界面３０における密着は弱い。特に、線幅の大きいパターン２６ａにおいては、配線１２ａから絶縁層１０ｂが剥離することがある。
【００１５】
図３（ａ）および図３（ｂ）は、比較例２に係る配線基板の製造方法を示す断面図である。図３（ａ）に示すように、線幅の大きいパターン２６ａと線幅の小さいパターン２６ｂを含む配線層２４が形成されている。図３（ｂ）に示すように、配線層２４の表面をエッチングすることにより、配線層２４の表面に凹部２８を形成する。これにより、配線層２４の表面が粗化される。
【００１６】
図４（ａ）および図４（ｂ）は、それぞれパターン２６ａおよび２６ｂの配線の断面図である。図４（ａ）に示すように、配線層２４の表面に凹部２８が形成されることにより凹凸が形成される。これにより、アンカー効果により、配線層２４と絶縁層１０ｂと密着性が向上する。よって、配線層２４から絶縁層１０ｂが剥離することを抑制できる。
【００１７】
図４（ｂ）に示すように、パターン２６ｂでは、配線層２４の表面の凹部２８に対し、配線１２ａの線幅が無視できなくなると、配線１２ａの線幅がより小さくなる。例えば、ＬＳＩの高集積化に伴い、配線基板２０の配線１２ａの線幅を微細化することが求められている。凹部２８の大きさが１μｍ程度の場合、配線１２ａの線幅が３μｍ以下となると、凹部２８の影響が無視できなくなる。
【００１８】
また、線幅が小さいパターン２６ｂを有する配線層２４のグレインサイズは線幅が大きいパターン２６ａを有する配線層２４より小さくなる。このため、粗化のときに、パターン２６ｂの配線層２４の反応電位が高くなり、配線層２４のエッチング速度が大きくなる。このため、パターン２６ｂにおける配線層２４の凹部２８はパターン２６ａより大きくなり易い。このため、図３（ｂ）の領域２９のように、パターン２６ｂが消失することも生じる。
【００１９】
実施例１では、比較例２のように、パターン２６ｂの線幅が小さくなることを抑制する。
【００２０】
図５（ａ）から図６（ｃ）は、実施例１に係る配線基板の製造方法を示す断面図である。配線１２ａを、セミアディブプロセス法を用いて形成する例について説明する。図５（ａ）に示すように、貫通電極１４ａを有する絶縁層１０ａ上に下地層２２を形成する。絶縁層１０ａは例えばエポキシ樹脂であり、絶縁層１０ａの膜厚は例えば数１００ｎｍから数１０μｍである。下地層２２は、例えばチタンであり、膜厚は例えば数１０ｎｍである。下地層２２上には銅層等のシード層が形成されている。下地層２２は、配線１２ａと絶縁層１０ａとの密着層である。下地層２２は、例えばスパッタ法を用い形成する。
【００２１】
図５（ｂ）に示すように、下地層２２上に、開口５２ａおよび５２ｂを有するマスク層５０を形成する。マスク層５０は例えばフォトレジストであり、マスク層５０の膜厚は例えば１μｍから数１０μｍである。開口５２ａの線幅は開口５２ｂの線幅より大きい。開口５２ａおよび５２ｂ内にめっき法を用い配線層２４を形成する。配線層２４は例えば銅層であり、配線層２４の膜厚は例えば数１００ｎｍから数１０μｍである。
【００２２】
図５（ｃ）に示すように、マスク層５０を除去する。これにより、下地層２２上に線幅の大きいパターン２６ａおよび線幅の小さいパターン２６ｂを有する配線層２４が形成される。
【００２３】
図５（ｄ）に示すように、配線層２４を、金属イオンを含む溶液に浸漬させることにより、配線層２４の表面に金属３２を析出させる。金属３２は、配線層２４の材料より電気化学的に貴な金属である。すなわち、金属３２は、配線層２４の材料よりも標準電位の高い金属である。金属３２は、配線層２４の腐食による置換反応により析出される。例えば、配線層２４が銅層であり、金属３２がパラジクムの場合、以下の反応式の反応が行なわれる。
Ｃｕ＋Ｐｄ２＋→Ｃｕ２＋＋Ｐｄ
線幅の小さい配線層２４は腐食され易いため、金属３２に析出されやすい。このため、パターン２６ｂの配線層２４の表面には、パターン２６ａに比べ金属３２が多く析出する。金属イオンを含む溶液としては、例えば金属イオンを含む酸性溶液を用いることができる。
【００２４】
以下に各金属の標準電位を示す。
銅          ０．３４０Ｖ
水銀        ０．７９６Ｖ
銀          ０．７９９Ｖ
パラジウム  ０．９１５Ｖ
イリジウム  １．１５６Ｖ
白金        １．１８８Ｖ
金          １．５２Ｖ
以上より、配線層２４の材料が銅の場合、金属３２は、水銀、銀、パラジウム、イリジウム、白金および金の少なくとも１つであることが好ましい。
【００２５】
図６（ａ）に示すように、配線層２４の表面を粗化処理する。粗化処理のための配線層２４のエッチング液には、例えば、硫酸および過酸化水素を含む溶液を用いる。パターン２６ｂには、パターン２６ａに比べ標準電位の高い金属３２が析出されている。このため、パターン２６ｂの配線層２４の電位はパターン２６ａより低くなる。よって、パターン２６ｂの配線層２４はパターン２６ａに比べエッチングされにくくなる。これにより、パターン２６ａの配線層２４の表面は粗化されるが、パターン２６ｂの配線層２４の表面はパターン２６ａほど粗化されない。
【００２６】
図６（ｂ）に示すように、配線層２４をマスクに下地層２２を除去する。これにより、下地層２２と配線層２４とから配線１２ａが形成される。図６（ｃ）に示すように、絶縁層１０ａ上に配線１２ａを覆うように絶縁層１０ｂを形成する。絶縁層１０ｂの材料および膜厚は例えば絶縁層１０ａと同じである。絶縁層１０ｂは、例えば絶縁シートを貼り付けることにより形成する。絶縁層１０ｂを貫通する貫通電極１４ｂを形成する。パターン２６ａの配線１２ａの表面が粗化処理されているため、配線１２ａと絶縁層１０ｂとの密着性が向上する。図５（ａ）から図６（ｂ）を複数回繰り返すことにより複数の絶縁層が積層された配線基板が形成される。
【００２７】
図６（ａ）において、配線１２ａの表面粗さと配線１２ａの表面の金属濃度を測定した。図７（ａ）および図７（ｂ）は、実験に用いたパターンを示す平面図および断面図である。図７（ａ）に示すように、配線層２４のパターン６０は、パッド６４と配線部６２を有する。配線部６２はパッド６４の間に形成されている。配線部６２の長さＬは約１ｍｍであり、配線幅はＷである。パッド６４は、直径Ｗ０が約２００μｍの円である。
【００２８】
図７（ｂ）に示すように、配線部６２の配線幅Ｗが異なる５つのパターンが形成されている。パターン６０ａから６０ｅの配線幅Ｗ１からＷ５は、それぞれ１μｍ、３μｍ、５μｍ、１０μｍおよび１００μｍである。
【００２９】
パターン６０ａから６０ｅの作製方法は以下である。図５（ａ）において、樹脂層である絶縁層１０上にスパッタ法を用い、下地層２２として膜厚が３０ｎｍのチタン層を形成する。下地層２２上に膜厚が５０ｎｍの銅シード層を形成する。
【００３０】
図５（ｂ）において、マスク層５０として、膜厚が３μｍのフォトレジストを形成する。パターニングおよび露光を行ない、その後現像する。これにより、パターン６０ａから６０ｅに対応する開口５２ａおよび５２ｂが形成される。酸素アッシング処理でマスク層５０の表面を改質する。硫酸酸性の電解めっき液を用い、膜厚が１μｍの銅層である配線層２４を電解めっき法を用い形成する。
【００３１】
図５（ｃ）において、Ｎメチルピロリドンを用いマスク層５０を除去する。その後、硫酸水素カリウム溶液を用い銅シード層を除去する。
【００３２】
図５（ｄ）において、パラジウム水溶液に配線層２４を約１０分浸漬させた。パラジウム水溶液は、塩化パラジウム、燐酸水素ナトリウム、およびドデシルベンセンスルホン酸ナトリウムを含む。塩化パラジウムは、パラジウム水溶液内のパラジウム濃度が、０．０１ｇ／Ｌ、０．１ｇ／Ｌ、０．５ｇ／Ｌおよび１．０ｇ／Ｌとなる濃度とした。燐酸水素ナトリウムは、５ｇ／Ｌから１５ｇ／Ｌの範囲とした。ドデシルベンセンスルホン酸ナトリウムは、０．１ｇ／Ｌから５ｇ／Ｌの範囲とした。
【００３３】
図６（ａ）において、配線層２４を粗化処理液に約１０分浸漬させた。粗化処理液は、メック社製のメックエッチボンドＣＺである。その後、配線層２４の表面の表面粗さＲａをＡＦＭ（Atomic Force Microscope）法を用い測定した。また、配線層２４の表面のパラジウム濃度をＥＤＳ（Energy Dispersive X-ray Spectroscopy）法を用い測定した。
【００３４】
図８（ａ）は、粗化処理前後の配線層表面の表面粗さを示す図であり、図８（ｂ）は、粗化処理後のパラジウム濃度および表面粗さを示す図である。図８（ａ）における粗化前は、図５（ｃ）直後の表面粗さを示す。図８（ｂ）の粗化後Ｐｄ処理なしは、図５（ｄ）においてパラジウム水溶液処理を行なわない例である。図８（ａ）に示すように、粗化処理前は、配線幅Ｗによらず表面粗さは５０ｎｍ以下である。パラジウム処理しない粗化処理後は、表面粗さが３００ｎｍ以上となっている。配線幅Ｗが小さいほど表面粗さが大きくなる。これは、配線幅が小さいほど腐食反応が生じやすくなるためである。
【００３５】
図８（ｂ）におけるＰｄ濃度はパラジウム水溶液中のパラジウム濃度である。Ｐｄ量は配線層２４表面のパラジウム濃度である。図８（ｂ）に示すように、いずれのパラジウム濃度においても配線幅Ｗが小さくなると、Ｐｄ量が大きくなり、表面粗さが小さくなる。特に、配線幅Ｗが３μｍ以下で、Ｐｄ量が大きくなる。これは、配線層２４表面の銅のパラジウムへの置換反応が配線幅が３μｍ以下で促進されるためである。配線幅が３μｍ以下で表面粗さが小さくなる。これは、配線幅が３μｍ以下でＰｄ量が大きくなり、粗化処理のときの反応電位が高くなるためである。パラジウム水溶液のパラジウム濃度が小さくなるとＰｄ量は小さくなる。パラジウム濃度が０．０１ｇ／Ｌでは、配線幅Ｗが１００μｍのＰｄ量は非常に小さい。このように、パラジウム濃度を小さくすると、配線幅Ｗの大きいパッド等へのパラジウムの析出質を抑制することができる。一方、パラジウム水溶液のパラジウム濃度が１．０ｇ／Ｌとなると、配線幅が大きいパターンでも配線層２４表面のＰｄ量が大きくなる。これにより、配線幅Ｗが大きいパターンでも配線層２４の表面粗さが小さくなる。
【００３６】
図８（ａ）の粗化後Ｐｄ処理なしサンプルの配線幅が３μｍの配線層２４の表面をＳＥＭ（Scanning Electron Microscope）で観察したところ、大きい凹凸が観察された。一方、図８（ｂ）のＰｄ濃度０．１ｇ／Ｌのサンプルの配線幅が３μｍの配線層２４の表面をＳＥＭで観察したところ、大きい凹凸は観察されなかった。
【００３７】
次に、粗化処理およびパラジウム水溶液処理をパターン同士が下地層２２で電気的に接続されていない状態で行なった。図９は、粗化処理のときの下地層２２の有無による粗化処理後のパラジウム濃度および表面粗さを示す図である。図９においてＴｉ除去は、パターン６０ａから６０ｅ間の下地層２２のチタン層を除去した状態で、粗化処理およびパラジウム水溶液処理を行なったサンプルである。パラジウム水溶液のＰｄ濃度は０．１ｇ／Ｌである。Ｔｉありは、図８（ｂ）のＰｄ濃度が０．１ｇ／Ｌと同じサンプルである。
【００３８】
図９に示すように、チタン層を除去したサンプルにおいても、配線幅Ｗが小さくなると、配線層２４の表面のＰｄ量が大きくなる。しかしながら、チタン層があるサンプルほど顕著ではない。このことから、粗化処理及びパラジウム水溶液処理を行なうときには、パターン６０ａから６０ｅは電気的に接続されていることが好ましい。
【００３９】
実施例１によれば、図５（ｄ）のように、パターン２６ａ（第１パターン）の配線層２４の表面における金属３２の濃度がパターン２６ｂ（第２パターン）より低くなるように、配線層２４の表面に金属３２を付着させる。その後、図６（ａ）のように、配線層２４を溶液に曝した後、配線層２４の表面を粗化する。これにより、配線層２４の表面を粗化するときに、線幅の小さいパターン２６ｂを有する配線層２４の電位がパターン２６ｂより高くなる。よって、線幅の大きいパターン２６ａの配線層２４の表面は粗化され、図６（ｃ）において絶縁層１０ｂと配線層２４との密着性が向上する。一方、線幅が小さいパターン２６ｂの配線層２４の粗化が進まず、パターン２６ｂの配線層２４が細くなることを抑制できる。
【００４０】
図５（ｄ）において、パターン２６ａおよび２６ｂの配線層２４を金属３２を含む溶液に曝す。これにより、パターン２６ａの表面の金属３２の濃度をパターン２６ｂより小さくできる。よって、図６（ａ）において、パターン２６ａの配線層２４の表面をパターン２６ｂの配線層２４の表面より粗くすることができる。パターン２６ａおよび２６ｂの表面の金属３２の濃度を異ならせる方法は、配線層２４を金属３２を含む溶液に浸漬する方法以外でもよい。
【００４１】
図９のように、配線層２４を溶液に浸漬する工程は、パターン６０ａから６０ｅが電気的に接続された状態で配線層２４を溶液に浸漬することが好ましい。電気的な接続の方法として下地層２２を用いることができる。
【００４２】
図８（ｂ）のように、パターン２６ａと２６ｂとの配線層２４の表面の金属濃度差を大きくするため、パターン２６ａの線幅は３μｍより大きく、パターン２６ｂの線幅は３μｍ以下であることが好ましい。パターン２６ａの線幅は５μｍ以上が好ましく、１０μｍ以上がより好ましい。パターン２６ｂの線幅は２μｍ以下が好ましく、１．５μｍ以下がより好ましい。
【００４３】
パターン２６ａの配線層２４の表面の金属の濃度を１０重量％より小さく、パターン２６ｂの配線層２４の表面の金属の濃度を１０重量％以上とすることが好ましい。これにより、パターン２６ａと２６ｂとの配線層２４の表面粗さの差を大きくすることができる。パターン２６ａの配線層２４の表面の金属の濃度は、５重量％以下が好ましく、２重量％以下がより好ましい。パターン２６ｂの配線層２４の表面の金属の濃度は２０重量％以上が好ましく、３０重量％以上がより好ましい。
【００４４】
パターン２６ａの配線層２４の表面の表面粗さを２００ｎｍより大きくし、パターン２６ｂの配線層２４の表面の表面粗さを２００ｎｍ以下とすることが好ましい。パターン２６ａの配線層２４の表面の表面粗さは２５０ｎｍ以上が好ましく、３００ｎｍ以上がより好ましい。パターン２６ｂの配線層２４の表面の表面粗さは１５０ｎｍ以下が好ましく、１００ｎｍ以下がより好ましい。
【００４５】
パターン２６ａと２６ｂとの配線層２４の表面の金属濃度差を大きくするため、溶液の金属３２のイオン濃度は０．５ｇ／Ｌ以下であることが好ましく、０．２ｇ／Ｌ以下がより好ましく、０．１ｇ／Ｌ以下がより好ましい。
【００４６】
以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明は係る特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【００４７】
なお、以上の説明に関して更に以下の付記を開示する。
（付記１）絶縁層上に、第１パターンと前記第１パターンより線幅の小さい第２パターンとを有する配線層を形成する工程と、前記第１パターンの前記配線層の表面における前記配線層の材料より標準電位の高い金属の濃度が前記第２パターンの前記配線層の表面における前記金属の濃度より低くなるように、前記配線層の表面に前記金属を付着させる工程と、前記金属を付着させる工程の後、前記配線層の表面を粗化する工程と、を含むことを特徴とする配線基板の製造方法。
（付記２）前記配線層の表面に前記金属を付着させる工程は、前記第１パターンおよび前記第２パターンの前記配線層を前記金属を含む溶液に曝す工程を含むことを特徴とする付記１記載の配線基板の製造方法。
（付記３）前記配線層を前記溶液に曝す工程は、前記第１パターンおよび前記第２パターンが電気的に接続された状態で前記配線層を前記溶液に曝す工程を含むことを特徴とする付記２記載の配線基板の製造方法。
（付記４）前記配線層の表面を粗化する工程は、前記第１パターンの前記配線層の表面を前記第２パターンの前記配線層の表面より粗くする工程を含むことを特徴とする付記１から３のいずれか一項記載の配線基板の製造方法。
（付記５）前記配線層の材料は、銅であり、前記金属は、水銀、銀、パラジウム、イリジウム、白金および金の少なくとも１つであることを特徴とする付記１から４のいずれか一項記載の配線基板の製造方法。
（付記６）前記第１パターンの線幅は３μｍより大きく、前記第２パターンの線幅は３μｍ以下であり、前記配線層の表面に前記金属を付着させる工程は、前記第１パターンの前記配線層の表面の前記金属の濃度を１０重量％より小さく、前記第２パターンの前記配線層の表面の前記金属の濃度を１０重量％以上とする工程を含むことを特徴とする付記１から５のいずれか一項記載の配線基板の製造方法。
（付記７）前記第１パターンの線幅は３μｍより大きく、前記第２パターンの線幅は３μｍ以下であり、前記配線層の表面を粗化する工程は、前記第１パターンの前記配線層の表面の表面粗さを２００ｎｍより大きくし、前記第２パターンの前記配線層の表面の表面粗さを２００ｎｍ以下とする工程を含むことを特徴とする付記１から６のいずれか一項記載の配線基板の製造方法。
（付記８）前記溶液の前記金属のイオン濃度は０．５ｇ／Ｌ以下であることを特徴とする付記２または３記載の配線基板の製造方法。
（付記９）前記配線層は銅層であり、前記金属はパラジウムであることを特徴とする付記１から８のいずれか一項記載の配線基板の製造方法。
（付記１０）前記絶縁層は樹脂層であることを特徴とする付記１から９のいずれか一項記載の配線基板の製造方法。
（付記１１）絶縁層と、前記絶縁層上に形成された、第１パターンと前記第１パターンの線幅より小さい線幅を有する第２パターンとを有する配線層と、を具備し、前記第１パターンの前記配線層の表面の前記配線層の材料よりも標準電位の高い金属の濃度は、前記第２パターンの前記配線層の前記金属の濃度より低く、前記第１パターンの前記配線層の表面は前記第２パターンの前記配線層の表面より粗いことを特徴とする配線基板。
（付記１２）前記第１パターンの線幅は３μｍより大きく、前記第２パターンの線幅は３μｍ以下であり、前記第１パターンの前記配線層の表面の前記金属の濃度は１０重量％より小さく、前記第２パターンの前記配線層の表面の前記金属の濃度は１０重量％以上であることを特徴とする付記１１記載の配線基板。
（付記１３）前記第１パターンの線幅は３μｍより大きく、前記第２パターンの線幅は３μｍ以下であり、前記第１パターンの前記配線層の表面の表面粗さは２００ｎｍより大きく、前記第２パターンの前記配線層の表面の表面粗さは２００ｎｍ以下であることを特徴とする付記１１または１２記載の配線基板。
【符号の説明】
【００４８】
１０、１０ａ、１０ｂ  絶縁層
１２ａ−１２ｃ        配線層
１４ａ，１４ｂ        貫通電極
２０                  配線基板
２２                  下地層
２４                  配線層
２６ａ、２６ｂ        パターン
２８                  凹部
３２                  金属
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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