(57)【要約】      （修正有）【課題】プラズマの漏れを低減し、エッチングレートを向上させるプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】一端に開口部１１が設けられ、内部にプロセスガスが導入される筒形電極１０を備えている。筒形電極１０には高周波電圧を印加するＲＦ電源１５が接続されている。筒形電極１０の開口部１１側には、筒形電極１０の内部と連通するワークＷの搬送路Ｐが設けられている。搬送路Ｐの筒形電極１０の内部と連通する部分、すなわち連通部Ｃの近傍には、搬送路Ｐに対して垂直方向の磁界Ｂ１，Ｂ２を形成する磁性部材１７，１８が設けられている。【選択図】図４
2016072088.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一端に開口部が設けられ、内部にプロセスガスが導入される筒形電極と、
前記筒形電極に対して電圧を印加する電源と、
前記筒形電極の開口部側に設けられ、前記筒形電極の内部と連通する連通部を有するワークの搬送路と、
前記搬送路の、前記連通部の近傍に設けられ、前記搬送路に対して垂直方向の磁界を形成する磁性部材と、を備えることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】
前記磁性部材は、前記搬送路を上下に挟み込んで配置されている一対の磁石であることを特徴とする請求項１記載のプラズマ処理装置。
【請求項３】
前記搬送路を上下に挟み込んで配置されている前記一対の磁石は、それぞれの極性の異なる部分が向かい合うように配置されていることを特徴とする請求項２記載のプラズマ処理装置。
【請求項４】
前記一対の磁石が、前記連通部を挟むように複数設けられていることを特徴とする請求項２又は３記載のプラズマ処理装置。
【請求項５】
前記一対の磁石が、前記連通部を囲むように複数設けられていることを特徴とする請求項２又は３記載のプラズマ処理装置。
【請求項６】
上面にワークを保持して回転する回転テーブルを更に有し、前記筒形電極は、前記開口部が前記回転テーブルの上面を向くように配置され、当該回転テーブル上に前記ワークの搬送路が形成されることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
【請求項７】
前記磁性部材によって形成される磁界は、前記筒形電極の内部に発生するプラズマに対して、前記回転テーブルの半径方向外側方向の力を与える向きを有することを特徴とする請求項６記載のプラズマ処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマ処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置や液晶ディスプレイあるいは光ディスクなど各種の製品の製造工程において、例えばウェーハやガラス基板等のワーク上に光学膜等の薄膜を成膜することがある。薄膜は、ワークに対して金属等の膜を形成する成膜と、形成した膜に対してエッチング、酸化又は窒化等の処理を繰り返すことによって、作成することができる。
【０００３】
成膜及び膜処理は様々な方法で行うことができるが、その一つとして、プラズマを用いたものがある。成膜は、真空容器内に成膜する材料からなるターゲットを配置する。真空容器内に不活性ガスを導入し、ターゲットに直流電圧を印加して不活性ガスをプラズマ化してイオンを生成し、このイオンをターゲットに衝突させる。ターゲットから叩き出された材料がワーク上に堆積することで成膜が行われる。
【０００４】
膜処理は、真空容器内にプラズマを発生させるための電極を配置し、成膜されたワークを電極の下に配置する。真空容器内にプロセスガスを導入し、電極に高周波電圧を印加してプロセスガスをプラズマ化してイオンを生成する。プロセスガスは、エッチングの場合はアルゴンガス等の不活性ガスを用いる。酸化処理の場合は酸素、窒化処理の場合は窒素を用いる。生成したイオンをワーク上の膜に衝突させることによって、膜をエッチングする又は酸化物若しくは窒化物を生成する等の膜処理を行う。
【０００５】
このような成膜と膜処理を連続して行えるように、一つの真空容器内部に回転テーブルを配置し、回転テーブルの上方の周方向に成膜用のユニットと膜処理用のユニットを複数配置したプラズマ処理装置がある（例えば、特許文献１及び２参照）。ワークを回転テーブル上に保持して搬送し、成膜ユニットと膜処理ユニットの直下を通過させることで、光学膜等が形成される。
【０００６】
例えば、特許文献１及び２のような電極を一端有底形状の筒形にする膜処理ユニットでは、プロセスガスを筒形電極の内部に導入することで、プラズマは筒形電極内部に発生する。筒形電極の開口部を回転テーブルの面と狭いクリアランスを介して向き合うように配置し、ワークを開口部の下を狭いクリアランスで通過させることで、プラズマの外部流出を低減しつつ、ワークに形成された膜処理を行うことができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００２−２５６４２８号公報
【特許文献２】特公昭５７−２７１８３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
筒形電極内部で発生するプラズマが外部に広がると、自己バイアス電圧が反転して、膜処理が成立しなくなる可能性がある。そのため、ワークの搬送路が形成される回転テーブルと、筒形電極とはできるだけ接近させると良い。ところが、ワークとして立体的な基板を処理する場合は、基板を通過させるために平面的な基板よりも筒形電極と搬送路の距離を大きく取る必要がある。この場合は、筒形電極内部のプラズマが外部に漏れ広がる可能性が高くなる。
【０００９】
本発明は、上述のような課題を解決するために、筒形電極と搬送路の距離を大きく取った場合でも、筒形電極内部の放電の外部への漏れを抑制して、プラズマ処理装置における処理の安定化と処理速度の向上を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記の目的を達成するために、本発明のプラズマ処理装置は、一端に開口部が設けられ、内部にプロセスガスが導入される筒形電極と、前記筒形電極に対して電圧を印加する電源と、前記筒形電極の開口部側に設けられ、前記筒形電極の内部と連通する連通部を有するワークの搬送路と、前記搬送路の、前記連通部の近傍に設けられ、前記搬送路に対して垂直方向の磁界を形成する磁性部材と、を備える。
【発明の効果】
【００１１】
搬送路の、プラズマが発生する筒形電極の内部と連通する部分に、垂直方向の磁界を形成することによって、プラズマが筒形電極の外部に漏れにくくなる。これによって平面的なワークのみならず、立体的なワークについてもエッチングレートや化合物生成レートを向上させることができ、信頼性の高いプラズマ処理装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の第１の実施形態に係るプラズマ処理装置の構成を模式的に示す平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ断面図であり、成膜ユニットと膜処理ユニットの構成を示す図である。
【図３】（ａ）は図１のＢ−Ｂ断面図であり、膜処理ユニットの構成を示す図である。（ｂ）は膜処理ユニットの簡略化した平面図である。
【図４】膜処理ユニットの磁性部材によって形成される磁界を模式的に示す図である。
【図５】本発明の第１の実施形態の変形例に係る膜処理ユニットの簡略化した平面図である。
【図６】本発明のその他の実施形態に係る膜処理ユニットの構成を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
［第１の実施形態］
［構成］
本発明の実施形態について、図面を参照して具体的に説明する。
【００１４】
図１及び図２に示すように、プラズマ処理装置は略円筒型のチャンバ１を有する。チャンバ１には排気部２が設けられており、チャンバ１内部を真空に排気可能になっている。チャンバ１内部には略円形の回転テーブル３が配置される。回転テーブル３の中心軸には不図示の駆動機構が連結される。駆動機構の駆動によって回転テーブル３は中心軸を回転軸として回転する。回転テーブル３の上面には、ワークＷを保持する保持部３ａが複数設けられる。複数の保持部３ａは周方向等間隔に設けられる。回転テーブル３が回転することによって、保持部３ａに保持されたワークＷが回転テーブル３の周方向に移動する。言い替えると、回転テーブル３の面上には、円形のワークの搬送路Ｐが形成される。
【００１５】
以降、単に「周方向」という場合には、「回転テーブル３の周方向」を意味し、単に「半径方向」という場合には、「回転テーブル３の半径方向」を意味する。また、本実施形態ではワークＷの例として、中心に凹部を有する湾曲した基板を用いているが、プラズマ処理を行うワークＷの種類は特定のものに限定されない。例えば、平板状の基板や中心に凸部を有する湾曲した基板を用いても良い。
【００１６】
回転テーブル３上方には、プラズマ処理装置における各工程の処理を行うユニット（以下、「処理ユニット」という。）が設けられている。各処理ユニットは、回転テーブル３の面上に形成されるワークの搬送路Ｐに沿って、互いに所定の間隔を空けて隣接するように配置されている。保持部３ａに保持されたワークＷが各処理ユニットの下を通過することで、各工程の処理が行われる。
【００１７】
図１の例では、回転テーブル３上の搬送路Ｐに沿って７つの処理ユニット４ａ〜４ｇが配置されている。処理ユニット４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄ，４ｆ，４ｇはワークＷに成膜処理を行う成膜ユニットである。処理ユニット４ｅは成膜ユニットでワークＷ上に形成された膜に処理を行う膜処理ユニットである。本実施形態では、成膜としてスパッタリングを行う例を説明する。また、膜処理としてエッチングを行う例を説明する。処理ユニット４ａと処理ユニット４ｇの間には、外部から未処理のワークＷをチャンバ１内部に搬入し、処理済みのワークＷをチャンバ１外部へ搬出するロードロック部５が設けられている。なお、本実施形態では、ワークＷの搬送方向を、図１では時計回りに、処理ユニット４ａの位置から処理ユニット４ｇへ向かう方向とする。もちろん、これは一例であり、搬送方向、処理ユニットの種類、並び順及び数は特定のものに限定されず、適宜決定することができる。
【００１８】
成膜ユニットである処理ユニット４ａの構成例を図２に示す。他の成膜ユニット４ｂ，４ｃ，４ｄ，４ｆ，４ｇも、成膜ユニット４ａと同様に構成しても良いが、その他の構成を適用しても良い。図２に示すように、成膜ユニット４ａは、スパッタ源としてチャンバ１内部上面に取り付けられたターゲット６を備えている。ターゲット６は、ワークＷ上に堆積させる金属材料で構成された板状の部材である。ターゲット６は、ワークＷが成膜ユニット４ａの下を通過する際に、ワークＷと対向する位置に設置される。ターゲット６には、ターゲット６に対して直流電圧を印加するＤＣ電源７が接続されている。また、チャンバ１内部上面の、ターゲット６を取り付けた箇所の近傍には、スパッタガスをチャンバ１内部に導入するスパッタガス導入部８が設置されている。スパッタガスは、例えば、アルゴン等の不活性ガスを用いることができる。ターゲット６の周囲には、プラズマの流出を低減するための隔壁９が設置されている。なお、電源に関してはＤＣパルス電源、ＲＦ電源等周知のものが適用できる。
【００１９】
膜処理ユニット４ｅの構成例を、図２及び図３に示す。図２は、膜処理ユニット４ｅを、搬送路Ｐに直交する方向から見た断面図である。図３（ａ）は膜処理ユニット４ｅを搬送路Ｐと略平行な方向から見た断面図である。図３（ｂ）は、膜処理ユニット４ｅを上面から見た図である。
【００２０】
膜処理ユニット４ｅは、チャンバ１内部上面に設置された筒形電極１０を備えている。筒形電極１０は有底の角筒であり、一端に開口部１１を有し、他端は閉塞されている。筒形電極１０は、チャンバ１の上面に絶縁材２１を介して固定されている。チャンバ１の上面には開口部１１とほぼ同じ形状の貫通孔が設けられており、筒形電極１０は開口部１１がこのチャンバ１の貫通孔に接続するように載置される。チャンバ１の貫通孔は回転テーブル３上に形成された搬送路Ｐに面する位置に設けられている。そのため、筒形電極１０の内部は、開口部１１及びチャンバ１の貫通孔を介して、搬送路Ｐの開口部１１直下の部分と連通し、一つの連続した空間を形成している。以降、筒形電極１０の内部と連通する搬送路Ｐの開口部１１直下の部分を、連通部Ｃと称する。
【００２１】
図３（ｂ）に示すように、筒形電極１０は上から見ると回転テーブル３の半径方向中心側から外側に向けて拡径する扇形になっている。そのため、筒形電極１０の開口部１１、チャンバ１の貫通孔及び搬送路Ｐの連通部Ｃも、同様に上から見ると扇形になっている。搬送路回転テーブル３上に保持されるワークＷが開口部１１の下を通過する速度は、回転テーブル３の半径方向中心側に向かうほど遅くなり、外側へ向かうほど速くなる。そのため、開口部１１が単なる長方形又は正方形であると、半径方向中心側と外側とでワークＷが開口部１１直下を通過する時間に差が生じる。開口部１１を半径方向中心側から外側に向けて拡径させることで、ワークＷが開口部１１を通過する時間を一定とすることができ、後述するプラズマ処理を均等にできる。ただし、通過する時間の差が製品上問題にならない程度であれば、長方形又は正方形でもよい。
【００２２】
筒形電極１０には、高周波電圧を印加するためのＲＦ電源１５が接続されている。ＲＦ電源１５の出力側にはマッチングボックス（不図示）が直列に接続されている。ＲＦ電源はチャンバ１にも接続されており、筒形電極１０がカソード、チャンバ１がアノードとなっている。なお、チャンバ１や回転テーブル３は接地されている。
【００２３】
また、筒形電極１０にはプロセスガス導入部１６が接続されており、プロセスガス導入部１６を介して外部のプロセスガス供給源から筒形電極１０内部にプロセスガスが導入される。プロセスガスは、膜処理の目的によって適宜変更可能である。例えば、エッチングを行う場合は、エッチングガスとしてアルゴン等の不活性ガスを用いることができる。酸化処理を行う場合は酸素を用いることができる。窒化処理を行う場合は窒素を用いることができる。ＲＦ電源１５及びプロセスガス導入部１６はともに、筒形電極１０に接続する。
【００２４】
プロセスガス導入部１６により筒形電極１０内部にプロセスガスを導入し、ＲＦ電源１５により高周波電圧を印加することによって、筒形電極１０内部にはプラズマが発生する。図３（ｂ）及び図４に示すように、発生したプラズマは、筒形電極１０の内部に広がる。上述したように、筒形電極１０の内部は、搬送路Ｐの連通部Ｃと連通している。したがって、筒形電極１０内部で発生したプラズマは、この連通部Ｃにも行き渡る。
【００２５】
連通部Ｃは、筒形電極１０に覆われていないため、プラズマが拡散しやすい状態になっている。本実施形態では、図３（ａ）に示すように、搬送路Ｐの連通部Ｃの近傍に、磁性部材１７，１８が配置されている。図３（ｂ）に示すように、上面から見ると、磁性部材１７，１８は回転テーブル３の半径方向に沿って、それぞれ搬送路Ｐを直交するように掛け渡され、かつ搬送路Ｐの連通部Ｃを両脇から挟むように配置されている。磁性部材１７がワークＷの搬送方向において上流側に配置され、磁性部材１８がワークＷの搬送方向において下流側に配置されている。
【００２６】
磁性部材１７，１８はそれぞれが一対の磁石１７ａ，１７ｂ，１８ａ，１８ｂから構成されている。磁石１７ａ，１７ｂ，１８ａ，１８ｂは、例えば棒状の永久磁石であっても良い。磁石１７ａ，１８ａはそれぞれチャンバ１の内部上面の、筒形電極１０の開口部１１に接続する貫通孔の周縁近傍に取り付けられている。磁石１７ｂ，１８ｂはそれぞれ、チャンバ１の内部底面であって、磁石１７ａ，１８ａの取り付け位置に対して垂直位置に取り付けられている。磁石１７ａ，１７ｂは、それぞれの異なる極性を持つ部分が向かい合うように配置される。一例として、チャンバ１の内部上面に取り付けられた磁石１７ａのＮ極と、チャンバ１の内部底面に取り付けられた磁石１７ｂのＳ極とが向かい合うように配置する。磁石１８ａ，１８ｂも同様に、それぞれの異なる極性を持つ部分が向かい合うように配置される。例えば、チャンバ１の内部上面に取り付けられた磁石１８ａのＳ極と、チャンバ１の内部底面に取り付けられた磁石１８ｂのＮ極とが向かい合うように配置する。なお、便宜上、それぞれの磁石の対向する極は図示していない。
【００２７】
このように配置することによって、図４に示すように、磁性部材１７，１８はそれぞれ搬送路Ｐに対して垂直方向の磁界Ｂ１，Ｂ２を形成する。磁性部材１７においては磁石１７ｂから磁石１７ａに向かうように、上向きの磁界Ｂ１が発生する。磁性部材１８においては、磁石１８ａから磁石１８ｂに向かうように、下向きの磁界Ｂ２が発生する。二つの磁界Ｂ１，Ｂ２は、間に搬送路Ｐの連通部Ｃを挟み込む。
【００２８】
上述するように、筒形電極１０の内部で発生したプラズマは連通部Ｃまで行き渡るため、そのままでは連通部Ｃの外に漏れる可能性がある。ここで、連通部Ｃを遮蔽するように磁界Ｂ１，Ｂ２が形成されており、磁界Ｂ１，Ｂ２がプラズマ中の電子を捕捉する。これによってプラズマの閉じ込め効果が発生し、連通部Ｃから外へ漏れだすプラズマを低減することができる。
【００２９】
また、上述するように、磁性部材１７は上向きの磁界Ｂ１、磁性部材１８は下向きの磁界Ｂ２を形成している。連通部Ｃから外へと向かうプラズマ中の電子は、それぞれの磁界からのローレンツ力を受け、半径方向外側に流れやすくなる。そのため、チャンバ１の外側の壁面に電子が到達しやすくなる。回転テーブル３の中心方向には回転軸等の複雑な構成があり、回転テーブル３の中心方向部材に電子が到達すると、機構内に存在するギャップ等により異常放電となってしまう場合がある。上述のように磁性部材１７，１８を配置して、電子を半径方向外側に誘導することで電子がチャンバ１の外側の比較的平坦で単純な壁面に到達しやすくなれば、異常放電となりにくくなる。ただ、必ずしもチャンバ１外側の壁面に電子が向かうようにする必要はない。したがって、磁性部材１７，１８の配置も上述のものに限られない。例えば磁石１７ａと１８ａを同じ極性とし、それぞれの磁界が同じ方向に流れるようにしても良い。どのような磁界の方向であっても、プラズマ中の電子を捕捉でき、プラズマの拡散を抑制できる。
【００３０】
なお、上述の例では回転テーブル３の半径方向に沿って磁性部材１７，１８を配置し、搬送路Ｐの連通部Ｃを両脇から挟みこむようにしたが、図５の変形例に示すように、筒形電極１０の半径方向中心側及び外側の面に沿って磁性部材２７，２８をさらに配置し、連通部Ｃを全方向から囲むようにしても良い。磁性部材２７，２８は、それぞれ一対の磁石２７ａ，２７ｂと２８ａ，２８ｂを備えると良い。それぞれの一方の磁石２７ａ，２８ａは、例えば、チャンバ１の内部上面の、筒形電極１０の開口部１１に接続する貫通孔の周縁近傍に取り付けると良い。他方の磁石２７ｂ，２８ｂは、例えば、チャンバ１の内部底面であって、一方の磁石２７ａ，２８ａの取り付け位置に対して垂直位置に取り付けると良い。
【００３１】
プラズマ処理装置は、さらに制御部２０を備えている。制御部２０はＰＬＣやＣＰＵなどの演算処理装置から構成される。制御部２０は、チャンバ１へのスパッタガスおよびエッチングガスの導入および排気に関する制御、ＤＣ電源７及びＲＦ電源１５の制御、および、回転テーブル３の回転速度の制御などの制御を行う。
【００３２】
［作用］
本実施形態のプラズマ処理装置の作用を説明する。ロードロック部５から未処理のワークＷをチャンバ１内に搬入する。搬入したワークＷは、回転テーブル３の保持部３ａによって保持される。ワークＷが搬入されると、排気部２によってチャンバ１内部を排気して真空にする。回転テーブル３を駆動することにより、ワークＷを搬送路Ｐに沿って搬送して、各処理ユニット４ａ〜４ｇの下を通過させる。
【００３３】
成膜ユニット４ａでは、スパッタガス導入部８からスパッタガスを導入し、ＤＣ電源７からスパッタ源に直流電圧を印加する。直流電圧の印加によってスパッタガスがプラズマ化し、イオンが発生する。発生したイオンがターゲット６に衝突すると、ターゲット６の材料金属が飛び出す。飛び出した金属が成膜ユニット４ａの下を通過するワークＷに堆積することで、ワークＷ上に薄膜が形成される。他の成膜ユニット４ｂ，４ｃ，４ｄ，４ｆ，４ｇでも、同様の方法で成膜が行われる。ただし、必ずしもすべての成膜ユニットで成膜する必要はない。
【００３４】
成膜ユニット４ａ〜４ｆで成膜が行われたワークＷは、引き続き搬送路Ｐ上を搬送され、膜処理ユニット４ｅの下を通過する。膜処理ユニット４ｅでは、プロセスガス導入部１６から筒形電極１０内にエッチングガスを導入し、ＲＦ電源１５から筒形電極１０に高周波電圧を印加する。高周波電圧の印加によって放電が発生し、エッチングガスからプラズマが発生する。発生したプラズマは、筒形電極１０内部を、回転テーブル３の半径方向に広がり、連通部Ｃにまで行き渡る。搬送路Ｐを搬送されたワークＷが連通部Ｃに入ると、発生したプラズマ中のイオンがワークＷ上の薄膜に衝突することで、薄膜がエッチングされる。
【００３５】
上述したように、連通部Ｃを挟み込むように磁性部材１７，１８が配置され、搬送路Ｐに対して垂直方向の磁界Ｂ１，Ｂ２が発生しているため、プラズマ中の電子が磁界Ｂ１，Ｂ２に捕捉され、連通部Ｃからのプラズマの拡散が低減され、良好なエッチングレートを保つことが可能になっている。
【００３６】
膜処理ユニット４ｅで膜処理が行われたワークＷは、最後に成膜ユニット４ｇにおいて成膜が行われ、薄膜が形成される。このような処理が回転テーブル３の回転によって繰り返し行われ、所望の薄膜が形成されたワークＷは、ロードロック部５からチャンバ１外へ搬出される。
【００３７】
［効果］
上述したように、本実施形態のプラズマ処理装置は、一端に開口部１１が設けられ、内部にプロセスガスが導入される筒形電極１０を備えている。筒形電極１０には高周波電圧を印加するＲＦ電源１５が接続されている。筒形電極１０の開口部１１側には、筒形電極１０の内部と連通するワークの搬送路Ｐが設けられている。搬送路Ｐの筒形電極１０の内部と連通する部分、すなわち連通部Ｃの近傍には、搬送路Ｐに対して垂直方向の磁界Ｂ１，Ｂ２を形成する磁性部材１７，１８が設けられている。
【００３８】
湾曲した基板のような立体的なワークを用いた場合、ワークを筒形電極の下を通過させるために、平面的なワークよりも連通部Ｃを高さ方向のスペースを大きく取る必要がある。その場合、発生したプラズマが、連通部Ｃから外部へ拡散しやすくなる。本実施形態では、連通部Ｃの近傍に設けた磁性部材１７，１８が、搬送路Ｐに対して垂直方向の磁界Ｂ１，Ｂ２を形成する。磁界Ｂ１，Ｂ２がプラズマ中の電子を捕捉するため、筒形電極１０の内部で発生したプラズマが連通部Ｃから外部に漏れるのを低減することができる。これによって連通部Ｃを大きく取る必要がある、すなわち電極と回転テーブルのクリアランスを大きく取る必要がある立体的なワークであっても、プラズマの流出を低減してエッチングレートを向上させることができ、信頼性の高いプラズマ処理装置を提供することができる。
【００３９】
具体的には、磁性部材１７と１８は、搬送路Ｐを上下に挟み込むように配置されている一対の磁石１７ａ，１７ｂと１８ａ，１８ｂとしても良い。搬送路Ｐを上下から挟み込むように磁石を挟み込むことによって、形成される時期が搬送路Ｐを遮断するカーテンの役割を果たし、連通部Ｃから外部にプラズマが漏れ広がることをより確実に低減することができる。
【００４０】
一対の磁石１７ａ，１７ｂと１８ａ，１８ｂは、それぞれの極性の異なる部分が向かい合うように配置されている。これによって、搬送路Ｐに対して垂直方向の磁界Ｂ１，Ｂ２を発生させることができる。
【００４１】
一対の磁石を、磁石１７ａ，１７ｂと１８ａ，１８ｂとして複数設け、連通部Ｃを挟み込むことによって、連通部Ｃから外部にプラズマが漏れ広がることをより確実に低減することができる。
【００４２】
一対の磁石を、磁石１７ａ，１７ｂ，１８ａ，１８ｂ，２７ａ，２７ｂ，２８ａ，２８ｂとして複数設け、連通部Ｃを囲みこむことによって、連通部Ｃから外部にプラズマが漏れ広がることをさらに低減することができる。
【００４３】
また、具体的には、ワークＷの搬送路Ｐは回転テーブル３上に形成される。回転テーブル３は、上面にワークＷを保持して回転する。筒形電極１０は回転テーブル３の上面に開口部１１が面するように配置されている。
【００４４】
磁性部材１７，１８によって形成される磁界は、筒形電極１０の内部に発生するプラズマ中の電子に対して、回転テーブル３の半径方向外側方向の力を与える向きを有する。プラズマ中の電子を半径方向外側へ誘導することによって、回転軸等の複雑な構成を有する回転テーブル３の中心方向に電子が到達して異常放電が起きる可能性を低減することができる。
【００４５】
［その他の実施形態］
（１）本発明は、上記の実施形態に限定されるものではない。たとえば、上述の実施形態では、膜処理においてエッチングを行ったが、酸化処理や窒化処理を行っても良い。酸化処理の場合は、膜処理ユニット４ｅに酸素ガスを導入し、窒化処理の場合は膜処理ユニット４ｅに窒素ガスを導入すると良い。
【００４６】
（２）上述の実施形態では、プラズマ処理装置の搬送部として回転テーブル３を用いたが、これに限られない。ワークＷを搬送して処理ユニットへ順次搬送できるものであれば、搬送部として適用することができる。例えば、搬送部を回転ドラムで構成し、各処理ユニットをドラムの周方向に配置しても良い。
【００４７】
（３）上述の実施形態では、膜処理ユニット４ｅの筒形電極１０をチャンバ１の上面に載置するように設置したが、このような構成に限られない。図６に示すように、筒形電極１０をチャンバ１の貫通孔を貫通するように配置しても良い。筒形電極の開口部１１側の端部がチャンバ１内部に位置し、閉塞された端部がチャンバ１外部に位置する。筒形電極１０は、絶縁材２１を介してチャンバ１の貫通孔周縁に支持される。チャンバ１外部に露出した部分は外部シールド１２に覆われている。外部シールド１２によってチャンバ１内部の空間が気密に保たれる。
【００４８】
筒形電極１０のチャンバ１内部に位置する部分の周囲は、内部シールド１３によって覆われている。内部シールド１３は、筒形電極１０と同軸の角筒であり、チャンバ１の内部上面に支持されている。内部シールド１３の筒の各側面は、筒形電極１０の各側面と略平行にチャンバ１内部を延びている。内部シールド１３の下端は筒形電極１０の開口部１１と同じ位置であるが、内部シールド１３の下端には、回転テーブル３の面と平行に延びたフランジ１４が設けられている。このフランジ１４によって、磁性部材による磁界で捕捉し切れなかった電子をさらに捕捉することができ、筒形電極１０内部で発生したプラズマが筒形の外部に流出することが抑制される。回転テーブル３を搬送されるワークＷは、回転テーブル３とフランジ１４の間の隙間を通って筒形電極１０の開口部直下に搬入され、再び回転テーブル３とフランジ１４の間の隙間を通って筒形電極１０の開口部直下から搬出される。
【００４９】
このような構成の磁性部材１７，１８のうち、上述の実施形態でチャンバ１の内部上面に取り付けていた磁石１７ａ，１８ａは、内部シールド１３の搬送路Ｐに直交する側面に接触し、内部シールド１３のフランジ１４に支持されるように取り付ける。磁石１７ｂ，１８ｂは、上述の実施形態と同様に、チャンバ１の内部底面の、磁石１７ａ，１８ａに対して垂直な位置に取り付けると良い。これによって、回転テーブル３とフランジ１４との間に、搬送路Ｐに対して垂直方向の磁界Ｂ１，Ｂ２が発生する。この磁界Ｂ１，Ｂ２によって、回転テーブル３とフランジ１４との間の隙間からプラズマが漏れることを低減することができる。
【００５０】
（４）回転テーブル３や各処理ユニットを収容するチャンバ１の形状や処理ユニットの種類及び配置態様も特定のものに限られず、ワークＷの種類や設置環境に応じて適宜変更可能である。
【００５１】
（５）上述の実施形態では、磁性部材１７，１８として一対の棒磁石を用いたが、これに限られない。例えば、永久磁石の代わりに、鉄心の周囲にコイルを巻いた電磁石等を用いても良い。
【符号の説明】
【００５２】
１  チャンバ
２  排気部
３  回転テーブル
３ａ  保持部
４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄ，４ｆ，４ｇ  処理ユニット（成膜ユニット）
４ｅ  処理ユニット（膜処理ユニット）
５  ロードロック部
６  ターゲット
７  ＤＣ電源
８  スパッタガス導入部
９  隔壁
１０  筒形電極
１１  開口部
１２  外部シールド
１３  内部シールド
１４  フランジ
１５  ＲＦ電源
１６  プロセスガス導入部
１７  磁性部材
１７ａ，１７ｂ  磁石
１８  磁性部材
１８ａ，１８ｂ  磁石
２０  制御部
２１  絶縁材
２７  磁性部材
２７ａ，２７ｂ  磁石
２８  磁性部材
２８ａ，２８ｂ  磁石
Ｂ１、Ｂ２  磁界
Ｃ  連通部
Ｐ  搬送路
Ｗ  ワーク
【図１】
2016072088.tif 000003
【図２】
2016072088.tif 000004
【図３】
2016072088.tif 000005
【図４】
2016072088.tif 000006
【図５】
2016072088.tif 000007
【図６】
2016072088.tif 000008