(57)【要約】【課題】無電解銅めっき層のアンダーカットによる電解銅めっきパターンが剥離する問題を回避することができるプリント配線基板の製造方法を提供することを課題とする。【解決手段】絶縁性基板１上に第一配線層２と絶縁層３をこの順に設け、絶縁層にビア穴４を設けて第一配線層を露出し、第一配線層と絶縁層の上に第一金属被膜を設け、第一金属被膜の上に第一レジストパターンを設け、第一レジストパターンの上に第二レジストパターンを目合わせして設け、第一レジストパターンと第二レジストパターンから露出した部位に第二金属被膜を設け、第一レジストパターンと第二レジストパターンを除去して露出した第一金属被膜をエッチング除去するプリント配線基板の製造方法において、第二レジストパターンの寸法が第一レジストパターンの寸法より大きいことを特徴とするプリント配線基板の製造方法。【選択図】図２
2016072444.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性基板上に第一配線層と絶縁層をこの順に設け、絶縁層にビア穴を設けて第一配線層を露出し、第一配線層と絶縁層の上に第一金属被膜を設け、第一金属被膜の上に第一レジストパターンを設け、第一レジストパターンの上に第二レジストパターンを目合わせして設け、第一レジストパターンと第二レジストパターンから露出した部位に第二金属被膜を設け、第一レジストパターンと第二レジストパターンを除去して露出した第一金属被膜をエッチング除去するプリント配線基板の製造方法において、
第二レジストパターンの寸法が第一レジストパターンの寸法より大きいことを特徴とするプリント配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、絶縁性基板上にセミアディティブ工法を用いて金属配線パターンを形成する技術に関する。更に詳しくは、セミアディティブ工法において、無電解銅めっき層のエッチング除去工程で発生する無電解銅めっき層と電解銅めっき層の間に発生するサイドエッチングが入り込む現象であるアンダーカットによる配線パターンの欠損を抑制する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
プリント配線基板や半導体パッケージ用配線基板に形成される配線パターンは、微細化の一途を辿っている。そのため、製造に使用される銅箔を薄くするなどの材料面だけでなく、製造方法も銅箔などの金属層を、レジストパターンをエッチングマスクとして湿式エッチングするサブトラクト法から、微細化に有利なセミアディティブ工法が用いられるようになってきている。
【０００３】
セミアディティブ工法は、絶縁性基板にまずシード層と呼ばれる薄い金属層などの導電層を形成する。シード層を形成する方法としては、例えば、無電解銅めっき層を形成する方法がある。無電解銅めっき層を形成するために、予め絶縁性基板の表面（スルーホールがある場合は、スルーホールの内部表面にも）に、触媒層を形成する。
【０００４】
そのシード層である無電解銅めっき層の表面に形成する配線パターンの逆パターンをレジストパターンにより形成した後、電解銅めっきを行い、次いでレジストパターンを除去し、最後に、無電解銅めっき層をエッチング除去するため、全面の銅層をエッチングし、無電解銅めっき層が除去されたところで、エッチングをやめる。この処理により、電解銅めっき層も薄くエッチング除去される。また、電解銅めっき層のパターンの下地にある無電解めっき層もサイドエッチングされ、アンダーカットを生じる。
【０００５】
この電解銅めっきパターンと下地の無電解銅めっき層の間に生じるアンダーカットにより、処理液中のイオンなどが残留し易くなる問題のほかに、配線パターンが絶縁性基板から剥離し、配線パターンの欠損を生じる問題がある。
【０００６】
この問題を解決する方法として、特許文献１には、セミアディティブ工法の無電解銅めっき層のエッチング除去に用いるエッチング液の組成を検討し、無電解銅めっき層と電解銅めっき層のエッチング速度に大きく差をつけることによって、配線パターンの下の無電解銅めっき層のサイドエッチングによるアンダーカットを最小限に留める技術が開示されている。
【０００７】
しかしながら、アンダーカットを最小限に留めるためには特別に調整されたエッチング液を使用しなければならず、またエッチング液の良好な状態を維持しなければならない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００５−００５３４１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
上記の問題点に鑑み、本発明は、従来の製造工程に大きな変更を加えずに、電解銅めっきパターンの下地の無電解銅めっき層のアンダーカットによる電解銅めっきパターンが剥
離する問題を回避することができるセミアディティブ工法に基づくプリント配線基板の製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記の課題を解決する手段として、本発明の請求項１に記載の発明は、絶縁性基板上に第一配線層と絶縁層をこの順に設け、絶縁層にビア穴を設けて第一配線層を露出し、第一配線層と絶縁層の上に第一金属被膜を設け、第一金属被膜の上に第一レジストパターンを設け、第一レジストパターンの上に第二レジストパターンを目合わせして設け、第一レジストパターンと第二レジストパターンから露出した部位に第二金属被膜を設け、第一レジストパターンと第二レジストパターンを除去して露出した第一金属被膜をエッチング除去するプリント配線基板の製造方法において、
第二レジストパターンの寸法が第一レジストパターンの寸法より大きいことを特徴とするプリント配線基板の製造方法である。
【発明の効果】
【００１１】
本発明のプリント配線基板の製造方法によれば、セミアディティブ工法において製造したプリント配線基板の電解銅めっきパターンの下地の無電解銅めっき層のアンダーカットによる電解銅めっきパターンの剥離を抑制したプリント配線基板の製造が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明のプリント配線基板の製造工程の一例を説明する概略断面図であって、（ａ）は絶縁性基板１の上に第一配線層を形成後、その上に絶縁層３を形成した状態、（ｂ）はその絶縁層３にビア穴４を形成した状態、（ｃ）は（ｂ）の処理によってビア穴４の底に残存したスミア５を除去した状態、（ｄ）は（ｃ）の表面に無電解銅めっき触媒６を付与した状態、（ｅ）は第一金属被膜７として無電解銅めっきによる被膜を形成した状態、（ｆ）はその第一金属被膜７の表面に得ようとする第二金属パターンとは逆パターンである第一レジストパターン８を形成した状態、（ｇ）は第一レジストパターン８の上に重ねて第一レジストパターンより大きい第二レジストパターン９を形成した状態、をそれぞれ示している。
【図２】本発明のプリント配線基板の製造工程の一例を説明する概略断面図であって、（ｈ）は第二金属被膜１０として電解銅めっき被膜が第一および第二レジストパターン以外の部分に形成された状態、（ｉ）は第一および第二レジストパターン８、９を除去することによってパターン化された第二金属被膜１０が形成された状態、（ｊ）は除去された第一および第二レジストパターン８、９の下地にあった第一金属被膜７とその下地にあった無電解銅めっき触媒６を除去した状態、をそれぞれ示している。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
図面に基づいて本発明を説明する。
図１（ａ）は、絶縁性基板１の上に第一配線層を形成後、その上に絶縁層３を形成した状態の一例を示した概略断面図である。絶縁性基板１としては、電気的絶縁性がある材料を用いて機械的な強度を用途に従って持たせた基板であれば使用することができる。例えば、通常のプリント配線基板の製造に使用されるＦＲ−４のエポキシ樹脂をガラスクロスに含浸させたプリプレグの表裏に銅箔を熱プレスして製造した銅貼り両面板を使用することができる。また、ビルドアップ工法によるコアレス基板を使用することも可能である。
【００１４】
図１（ｂ）は、図１（ａ）で形成された絶縁層３の必要な部分にビア穴４を形成した状態の一例を示す概略断面図である。ビア穴４を形成する手段としては、絶縁層３が感光性の絶縁材料からなる場合は、所望のパターンを有するフォトマスクを用いた露光やその感光性の絶縁材料の感光波長に合致した露光波長を持つレーザーによるマスクレス露光によってビア穴４や配線パターンを露光し、現像を行う事によってビア穴４や図示していない配線パターンを形成する事ができる。また、絶縁層３が非感光性の材料からなる場合は、レーザーアブレーションを使用して、絶縁層３の必要な部分を除去する事によってビア穴４等を形成する事が可能である。レーザーの種類としては、絶縁層３を構成する材料の吸収波長に合わせて、ＵＶレーザー、エキシマーレーザー、ＹＡＧレーザー、炭酸ガスレーザー、など各種のレーザーが使用可能である。レーザーアブレーションによってビア穴４を形成した場合、ビア穴４の底部（下地の第一配線層が露出した部分）の表面には、スミアが残存している。
【００１５】
図１（ｃ）は、ビア穴４の底部に残存している絶縁材料であるスミア５を除去した後の状態の一例を示した概略断面図である。例えば、レーザーアブレーションによって絶縁材料を除去する事によってビア穴４を形成した場合、ビア穴４の底部（下地の第一配線層が露出した部分）の表面には、絶縁材料の残渣であるスミア５が残存している。このスミア５は、その上に形成されるめっき層との接続信頼性を阻害するため、過マンガン酸塩の水溶液などを用いたデスミア処理によって除去するのが通常である。露光・現像によってビア穴４を形成した場合でも、ビア穴４の底部に絶縁層を構成する絶縁材料の現像残りなどがある場合があるため、同様にデスミア処理を行うことによって、その上に形成されるめっき層との接続信頼性を良好に維持することができる。
【００１６】
図１（ｄ）は、図１（ｃ）の表面に無電解銅めっき触媒６を付与した状態の一例を示す概略断面図である。無電解銅めっきを行う場合の触媒としては、パラジウム系の材料を用いるのが通常である。
【００１７】
図１（ｅ）は、第一金属被膜７として無電解銅めっきによる被膜を形成した状態の一例を示す概略断面図である。
図１（ｄ）と（ｅ）に、絶縁層３の表面とビア穴４の内壁部に導電性を付与する手段として無電解銅めっき被膜を形成する場合を示したが、導電性を付与できる技術であれば無電解銅めっきに限定する必要は無い。例えば、絶縁層３の表面やビア穴４の内壁部およびビア穴４の底部に露出している第一配線層との密着性が良好であれば、各種の導電性インクを塗布する方法や導電性ポリマーを用いた導電性付与技術を適用する事が可能である。これらを適用する場合においても、無電解銅めっき層と同様に、後で除去できる材料を採用しなければならない。
【００１８】
図１（ｆ）は、その第一金属被膜７の表面に形成しようとする第二金属パターンとは逆パターンである第一レジストパターン８を形成した状態の一例を示した概略断面図である。第一レジストパターン８を形成する方法としては、感光性樹脂を用いたドライフィルムや液状の感光性樹脂を用いることができる。また、非感光性樹脂からなる印刷インキを印刷する事や樹脂フィルムを貼り合わせた後、レーザーなどにより加工する事によっても可能である。
【００１９】
図１（ｇ）は、第一レジストパターン８の上に重ねて第一レジストパターンより大きい第二レジストパターン９を形成した状態の一例を示す概略断面図である。
【００２０】
第二レジストパターン９の寸法を第一レジストパターン８より大きくすることによって、これらのレジストパターンの断面形状は、絶縁性基板１の任意の位置で、上部の線幅が広く、下部の線幅が狭い断面形状のパターンとすることが可能である。このような上部の線幅が広く、下部の線幅が狭い形状の断面形状を持つレジストパターンを形成する手段としては、幾つかの方法がある。
【００２１】
最も単純な方法は、それぞれ第一レジストパターン８用のフォトマスクと第二レジストパターン９用のフォトマスクを用意し、まずネガ型の感光性レジスト層の形成後、第一レ
ジストパターン８用のフォトマスクを用いて感光性レジスト層の露光・現像を行う事で、第一レジストパターンを形成し、次いで、同じ感光性レジスト層の形成後、第二レジストパターン用のフォトマスクを用いて、第一のレジストパターンに目合わせして、露光・現像を行う方法である。この場合、第二レジストパターン９用のフォトマスクのパターン寸法は、第一レジストパターン８用のフォトマスクのパターン寸法より大きいことが必要である。
【００２２】
また、最も工程が短くなる方法は、１種類のネガ型の感光性レジストと１つのフォトマスクを使用する方法である。この方法では、まず、第一金属被膜７の表面に感光性レジスト層を形成する。感光性レジスト層としては液状の感光性レジストを塗布、乾燥する方法でも良いし、ドライフィルムレジストをラミネートしても感光性レジスト層を形成しても良い。
【００２３】
次に、露光を行う。この場合の露光量は、使用するネガ型の感光性レジストの適正露光量（感光性レジスト層の厚さ方向の全域に亘って十分に硬化するのに必要な露光量の最小値）より小さい露光量とする。適正露光量では、感光性樹脂層の深さ方向の全ての領域に亘って、感光性レジストの硬化が行われるため、感光性樹脂層上部で線幅が広く、下部で線幅が狭い断面形状を得ることができない。適正露光量より小さい露光量とした場合、感光性レジスト層の下地に近い領域では、露光不足となり、硬化が不十分となるため、現像液によって侵食を受ける。
【００２４】
そのため、現像を行う場合、使用する感光性レジストの適正露光量に対する適正現像条件にて現像した場合、感光性樹脂パターンの下地に近い領域では、金属のエッチングにおけるサイドエッチングに類似した現象が起こり、下地に近い領域に侵食された部分が生じ、感光性レジスト層の表面（感光性レジスト層における下地と対向する面）に近くの適正露光された部位より線幅が細くなり、断面形状が上部で線幅が広く、下部で線幅が狭い形状となる。
【００２５】
また、２種類の感光性レジストと１つのフォトマスクを使用する方法においては、使用する感光性レジスト層の感光感度を変化させたものを使用する。より具体的には、感度の低いネガ型感光性レジスト層を下側にし、上側に感度が高いネガ型感光性レジスト層を形成した２層構成とする。この構成は、第一金属被膜７の表面に、まず、感度が低いネガ型の感光性レジスト層を形成し、その後、感度が高いネガ型の感光性レジスト層を形成すれば良い。液状の感光性レジストを使用する場合は、まず１層目を塗布、乾燥させた後、室温に冷却後、２層目の塗布、乾燥を行えば良い。ドライフィルムレジストでは、連続して感度が違うものをラミネートすることが可能である。
【００２６】
このようにして２層の感光性レジスト層を形成後、感度が高い上側の感光性レジスト層の適正露光量にて露光し、現像を行うことにより、上側の感光性レジスト層は正常なパターンが形成される。一方、下側の感光性レジスト層は、露光不足となり、未硬化な状態で現像されるため、エッチングにおけるサイドエッチングに類似した現象が起こり、下側の感光性レジスト層がえぐれた断面形状となる。このようにして、断面形状が上部で線幅が広く、下部で線幅が狭い形状である感光性レジストのパターンが形成される。
【００２７】
また、感光性レジスト層の上部で線幅が広く、下部で線幅が狭い断面形状には、感光性レジストパターンの表面に近い部位の線幅や直径などの寸法と下地に近い部位の寸法の差の大小が生じる。また、感光性レジスト層の表面から下地方向に向かって、どの位置から細くなるのかについても、露光条件と現像条件によって変化する。感光性レジストのパターンが、どのような形状が効果的であるか、については実験的に条件出しをして、設定すれば良い。
【００２８】
図１（ｆ）と（ｇ）には、第一レジストパターン８と第二レジストパターン９を個別の工程によって形成する工程を例として示したが、これに限定する必要は無い。重要な事は、感光性レジストのパターンの断面形状が上部で線幅が広く、下部で線幅が狭い形状のレジストパターンを形成する事である。そのため、例えば、ネガ型の感光性樹脂層を１層だけ形成した後、その感光性レジスト層の表面から８〜９割ほどの深さまで感光させた後、現像処理を行い、更に適正値より過剰な現像をする事によって、感光性レジスト層の下側（第一金属被膜７に近い側）を細らせる事によって、上部で線幅が広く、下部で線幅が狭い形状の断面形状を得る事が可能である。また、２種類の感光性レジスト層を第一金属被膜７の表面に積層し、まず積層された上側（表面に近い側）を、露光マスクを用いて露光・現像した後、更に下側の感光性レジスト層を露光・現像する方法によっても、感光性レジスト層上部で線幅が広く、下部で線幅が狭い形状の断面形状を持つレジストパターンを形成する事が可能である。この方法の場合では、感光性レジスト層の上側と下側の両方がネガ型の感光性レジストを用いた場合、ネガ型とポジ型を用いた場合、また、液状の感光性レジストとドライフィルムレジストを用いた場合など、各種の組み合わせが可能である。
【００２９】
図２（ｈ）は、第二金属被膜１０として電解銅めっき被膜が、第一および第二レジストパターン以外の部分に形成された状態の一例を示す概略断面図である。第二金属被膜１０としては、電解銅めっきによる被膜に限定する必要は無く、無電解銅めっきなどの金属の無電解めっきや導電性インキを必要な部分に印刷する方法、ナノ金属粒子からなる導電性インクを必要な部分にインクジェット印刷する方法、などを使用しても良い。
【００３０】
この工程にて、ビア穴４に該当する部位に第二金属被膜１０が形成されるのであるが、感光性レジスト層の上部で線幅が広く、下部で線幅が狭い断面形状を持つ第一および第二レジストパターンによって、断面形状がその逆パターンとなる。具体的には、電解銅めっきからなる第二金属被膜１０からなるパターンが、無電解銅めっきからなる第一金属被膜７と接する側に近い部位が大きい電解銅めっきからなるパターンが形成され、第二金属被膜１０からなる配線パターンが、絶縁性基板１とより広い面積で密着することができる構造となる。
【００３１】
図２（ｉ）は、第一および第二レジストパターン８、９を除去することによってパターン化された第二金属被膜１０が形成された状態の一例を示す概略断面図である。第一および第二レジストパターン８、９を除去する方法としては、第一および第二レジストパターン８、９を構成するレジストを溶解可能な処理液に浸漬することによって実施可能である。
【００３２】
図２（ｊ）は、除去された第一および第二レジストパターン８、９の下地にあった無電解銅めっき被膜からなる第一金属被膜７とその下地にある無電解銅めっき触媒６を除去した状態の一例を示す概略断面図である。無電解銅めっき被膜と電解銅めっき被膜の除去の方法としては、例えば、硫酸／過酸化水素系エッチング液を使用したエッチング処理を使用することができる。このエッチング液に限定する必要は無い。好ましくは、無電解銅めっき被膜のエッチング速度が、電解銅めっき被膜のエッチング速度より大きいものを使用するのが好ましい。それは、配線パターンとして、電解銅めっき被膜が中心的役割を果たすため、その電解銅めっきパターンが無電解銅めっき被膜の除去中にできるだけエッチングされない事が重要であるからである。また、無電解銅めっき触媒６の除去の方法としては、下地の絶縁層３の表面を過マンガン酸デスミア処理などにより除去する方法、パラジウム系触媒そのものを除去する方法、など従来から開示されている方法を使用することができる。
【００３３】
この無電解銅めっき被膜からなる第一金属被膜７とその下地にある無電解銅めっき触媒６をエッチング除去する工程では、同時に電解銅めっきからなる第二金属被膜１０もエッチングされるため、本発明のプリント配線基板の製造方法においては、通常のセミアディティブ工法とは異なり、第二金属被膜１０をパターンめっきする際に、断面形状が感光性レジスト層の上部で線幅が広く、下部で線幅が狭いレジストパターンを使用する。その結果、形成される第二金属被膜１０のパターンは、その断面形状が感光性レジスト層の上部で線幅が狭く、下部で線幅が広い断面形状となる。感光性レジスト層の上部で線幅が狭く、下部で線幅が広い断面形状とは、下地の第一金属被膜７に近い側の電解銅めっきからなる第二金属被膜１０のパターンは、第一金属被膜７から離れた側の電解銅めっきからなる第二金属被膜１０のパターンより太くなっており、配線パターンの主要部を構成する第二金属被膜１０のパターンがより広い面積にて下地の絶縁性基板１と密着する構造となり、配線パターンが微細化してもアンダーカットによる配線パターンの欠損が生じ難い構造となっている。
【００３４】
そのため、第一金属被膜７をエッチング除去する時に、第二金属被膜１０もエッチングされ、それと同時に第一金属被膜７と第二金属被膜１０の間に第一金属被膜７のサイドエッチングが進行しアンダーカットが入っても、第二金属被膜１０のパターンが絶縁性基板１から剥離し難い。
【００３５】
以上に説明したように、本発明のセミアディディブ工法に基づくプリント配線基板の製造方法を用いる事によって、電解銅めっきからなる第二金属被膜１０のパターンが絶縁性基板１から剥離することを抑制することが可能となる。
【実施例】
【００３６】
＜実施例１＞
次に、本発明の実施例を示して、更に詳しく説明する。
出発材料として、厚さ０．４ｍｍｔ、銅箔厚さ１８μｍ、ＦＲ−４．０ガラス布基材エポキシ樹脂銅張積層板  Ｒ−１７０５（パナソニック社製）を３００ｍｍ角に断裁したものを使用して、その表面の銅箔を通常のプリント配線基板の製造工程で使用されるフォトリソ工程により加工し、所望の配線パターンを形成した。
【００３７】
これを絶縁性基材の表面に第一配線層が形成された基板として使用し、その表面にＡＢＦ−ＧＸ１３（味の素ファインテクノ社製、層間絶縁材料、５０μｍ厚）を、真空ラミネータを用いてラミネートし、ＡＢＦ−ＧＸ１３の保護フィルムを除去した後、１８０°に設定した熱風乾燥炉にて熱硬化処理を行った。
【００３８】
次に、配線パターンの必要な部位に、レーザー加工装置ＬＵ−１Ｎ２１（ビアメカニクス株式会社製）を使用して、ビア穴などの穴あけ加工を行った。
【００３９】
次に、過マンガン酸デスミア処理を実施した後、無電解銅めっき処理ラインにて、無電解銅めっき層を約１．０μｍの厚さで形成した。この無電解銅めっき層の厚さは１．０μｍに限定する必要はなく、次に行う電解銅めっきを良好に実施できるだけの導電性を絶縁性基材の表面に付与できれば、これより薄くても、逆に厚くても良い。生産コストを考慮すると、できるだけ薄くした方が良いが、薄くし過ぎると、無電解銅めっきの表面の化学的な活性が高いため、銅の酸化が進み、導電性が悪くなる。そのため、ある程度の厚さが必要となる。
【００４０】
次に、液状のネガ型感光性レジスト、オプトＥＲ  Ｎ  ３６０系（日本ペイント社製）を、ロールコータを用いて乾燥塗布膜厚５μｍの厚さになるように塗布・乾燥し、所望のパターンを持つフォトマスクＡを用いて露光・現像を行い、所望のレジストパターンを得
た。
【００４１】
次に、プリント配線基板用のエッチング用、厚さ２０μｍの感光性ドライフィルムレジスト  ＳＵＮＦＯＲＴ  ＵＦＧシリーズ（旭化成イーマテリアルズ株式会社製）を使用して通常のプリント配線基板の製造工程で使用されるフォトリソ工程により、所望のレジストパターンを形成した。この時、露光に使用したフォトマスクＢは、フォトマスクＡのパターン寸法より、片側２μｍだけ大きい寸法のフォトマスクを用いた。
【００４２】
このようにして、上層の厚さ２０μｍと下層の厚さ５μｍの２層からなるレジストパターンで、その断面形状がレジスト層の上部で線幅が広く、下部で線幅が狭い形状であり、上層は下層に比べ、片側２μｍだけ大きいレジストパターンを形成した。
【００４３】
次に、硫酸銅めっき装置を用いて、電解銅めっきを平均膜厚１８μｍになるようにめっきした後、２層からなるレジストパターンを、剥離した。剥離には、まず上層の感光性ドライフィルムレジスト用の剥離液を用いた剥離処理を行い、次いで下層の液状のネガ型感光性レジスト用の剥離液を用いた剥離処理を行う、２段階剥離処理を行った。ただし、この工程は上層の剥離処理時に下層も含めて剥離された場合は、最初の剥離工程だけでも良い。
【００４４】
次に、２層からなるレジストパターンを剥離した結果、露出した無電解銅めっき層とその下地にある無電解銅めっき用触媒層の除去を行った。
【００４５】
１．０μｍの厚さの無電解銅めっき層の除去は、硫酸／過酸化水素系エッチング液に浸漬することにより実施した。その間に、電解銅めっき層もエッチングされる。無電解銅めっき層が完全に除去されるようにするため、１．２μｍの無電解銅めっき層がエッチングされる条件で、無電解銅めっき層の除去を実施した。その後の無電解銅めっき用触媒層の除去は、過マンガン酸デスミア処理により実施した。
【００４６】
以上の工程により作製した配線パターンの断面形状を観察した結果、無電解銅めっき層のアンダーカットは、片側１．０μｍであった。これは電解銅めっき層と接している無電解銅めっき層のパターン端部からのサイドエッチ量であるが、電解銅めっき層もサイドエッチされるため、１．２μｍより小さな値になったと考えられる。
この部位の無電解銅めっき層の寸法は、電解銅めっき層の上部のパターン寸法（本来のパターン寸法）より、片側２．０μｍ大きくしてあるため、残り１．０μｍの無電解銅めっき層の分だけ、本来のパターン寸法より太い無電解銅層パターンとその上に形成されている電解銅めっき層のパターンが絶縁層と密着し形成されていることが分った。
【００４７】
＜実施例２＞
実施例１と異なるのは、感光性レジストに、ドライフィルムレジストと液状レジストを使用するのではなく、１種類の液状レジストを使用し、そのレジストの適正な露光量より少ない露光を行ってから適正値より過剰な現像をする点である。具体的には、オプトＥＲ
Ｎ  ３６０系（日本ペイント社製）を、ロールコータを用いて乾燥塗布膜厚２５μｍの厚さになるように塗布・乾燥し、所望のパターンを持つフォトマスクＡを用いて露光・現像を行い、所望のレジストパターンを得た。露光時の露光量は、メーカーが推奨する適正露光量の９０％とした。適正値より過剰な現像により、レジストパターンの下地との密着部に近い部位が溶解され、パターンの片側２．０μｍの細りがある、レジスト層の上部で線幅が広く、下部で線幅が狭い形状のレジストパターンが得られた。これ以降は、実施例１と同じである。
【００４８】
以上の工程により作製した配線パターンの断面形状を観察した結果、無電解銅めっき層
のアンダーカットは、片側２．０μｍであった。これは電解銅めっき層と接している無電解銅めっき層のパターン端部からのサイドエッチ量である。この部位の無電解銅めっき層の寸法は、電解銅めっき層の上部のパターン寸法（本来のパターン寸法）より片側２．０μｍだけ太くなっているため、本来のパターン寸法と同じ寸法の無電解銅層パターンとその上に形成されている電解銅めっき層のパターンが絶縁層と密着し、形成されていることが分った。
【００４９】
＜比較例＞
比較例として、レジスト層の上部で線幅が広く、下部で線幅が狭い形状のレジストパターンを使用しないことを除き、実施例と同じ方法で実施した。
電解銅めっき層の下にある、サイドエッチを受けた無電解銅めっき層のアンダーカットが片側１．０μｍであるため、本来のパターン寸法から片側１．０μｍだけ無電解銅めっき層の寸法が細くなった。
【００５０】
以上から、本実施例１の場合、配線パターンが下地の絶縁層と無電解銅めっき層を介して密着している寸法が、従来の方法に比べ、片側１．０μｍだけ多くなっていることが分った。これは、配線パターンとなる電解銅めっき層のパターン寸法のうち、下地の絶縁層と密着している面積が多いことを示している。また、本実施例２の場合も、配線パターンが下地の絶縁層と無電解銅めっき層を介して密着している寸法が、従来の方法に比べ、片側０．５μｍだけ多くなっており、同様に配線パターンの下地との密着力増強効果を持っていることが分った。また、この下地との密着面積が多く、密着力が増強されるという効果は、パターン寸法が微細化するに連れて、相対的に大きくなる。
【符号の説明】
【００５１】
１・・・絶縁性基板
２・・・第一配線層
３・・・絶縁層
４・・・ビア穴
５・・・スミア
６・・・無電解銅めっき触媒
７・・・第一金属被膜
８・・・第一レジストパターン
９・・・第二レジストパターン
１０・・・第二金属被膜
【図１】
2016072444.tif 000003
【図２】
2016072444.tif 000004