(57)【要約】【課題】従来のＩＧＢＴモジュールにおいては、大電流、大（ｄＩ／ｄｔ）の装置に用いる場合、電流不平衡によるゲート電圧の降下が大きくなり過ぎ、ＩＧＢＴをオン状態に維持することができないという問題点があった。【解決手段】ＩＧＢＴモジュール１１と、このＩＧＢＴモジュールに接続されたスナバ回路およびゲートドライバとからなる複数のＩＧＢＴユニット、この複数のＩＧＢＴユニット間を直列に接続するユニット間ブスバーを備え、前記ＩＧＢＴユニットと前記ユニット間ブスバーとの直列接続体を複数並列に接続して構成した。【選択図】図１
2016163202.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＩＧＢＴモジュールと、このＩＧＢＴモジュールに接続されたスナバ回路およびゲートドライバとからなる複数のＩＧＢＴユニット、この複数のＩＧＢＴユニット間を直列に接続するユニット間ブスバーを備え、前記ＩＧＢＴユニットと前記ユニット間ブスバーとの直列接続体を複数並列に接続して構成したことを特徴とする半導体遮断器。
【請求項２】
前記ＩＧＢＴユニットの直列段数をＮ、並列数をＭ、前記ＩＧＢＴモジュールのコレクタ−エミッタ間飽和電圧の公差をＶａ、電流定格のディレーティング量をＤ、遮断電流の増加率をｄＩ／ｄｔ、前記スナバ回路に設けられたスナバコンデンサの容量をＣｓｎｂ、前記ＩＧＢＴモジュールの最大定格電圧をＶｃｅｓ、遮断時の電流最大値をＩＢ、避雷器作動電を圧ＶＣとしたとき、前記ユニット間ブスバーの寄生インダクタンスＬｐ１を次式で表される範囲としたことを特徴とする請求項１記載の半導体遮断器。
【数１７】
2016163202.tif 000019
【請求項３】
前記ＩＧＢＴユニットの直列段数をＮ、並列数をＭ、前記ＩＧＢＴモジュールのコレクタ−エミッタ間飽和電圧の公差をＶａ、電流定格のディレーティング量をＤ、遮断電流の増加率をｄＩ／ｄｔ、前記スナバ回路に設けられたスナバコンデンサの容量をＣｓｎｂ、前記ＩＧＢＴモジュールの最大定格電圧をＶｃｅｓ、遮断時の電流最大値をＩＢ、避雷器作動電を圧ＶＣとしたとき、それぞれの並列経路における前記ユニット間ブスバーの寄生インダクタンス値の合計Ｌｐを次式で表される範囲の値としたことを特徴とする請求項１記載の半導体遮断器。
【数１８】
2016163202.tif 000020
【請求項４】
前記ユニット間ブスバーにおける前記ＩＧＢＴユニットとの接続点間の距離に対し、前記ユニット間ブスバーを流れる電流の経路が長くなるように前記ユニット間ブスバーを屈折させたことを特徴とする請求項１記載の半導体遮断器。
【請求項５】
前記ユニット間ブスバーを４５度以上複数回折り曲げたことを特徴とする請求項４記載の半導体遮断器。
【請求項６】
前記ユニット間ブスバーにおける屈曲を９０度以上で、かつ４回以上折り曲げたことを特徴とする請求項４記載の半導体遮断器。
【請求項７】
ＩＧＢＴモジュール１１と、このＩＧＢＴモジュールに接続されたスナバ回路およびゲートドライバとからなる複数のＩＧＢＴユニット、この複数のＩＧＢＴユニット間を直列に接続するユニット間ブスバーを備え、前記ＩＧＢＴユニットと前記ユニット間ブスバーとの直列接続体を複数並列に接続して並列接続体を構成するとともに前記並列接続体を複数直列に接続したことを特徴とする半導体遮断器。
【請求項８】
前記ＩＧＢＴユニットを３段以上とし、それぞれの前記ＩＧＢＴユニットが前記ユニット間ブスバーを介して直列接続され、この直列接続体が複数並列に接続された半導体遮断器であって、
前記ＩＧＢＴユニット間に直列に接続された複数の前記ユニット間ブスバーの寄生インダクタンス値を異ならせたことを特徴とする請求項１記載の半導体遮断器。
【請求項９】
前記ＩＧＢＴユニットを３段以上のＮ段とし、それぞれの前記ＩＧＢＴユニットが前記ユニット間ブスバーを介して直列接続され、この直列接続体が２以上のＭ列並列に接続された半導体遮断器であって、
前記ＩＧＢＴユニットの電流定格に対するディレーティング量をＤ（０＜Ｄ＜１）、
Ｎ段直列接続のうち電流ループ面積が最大となるＭ列のインダクタンス値をＬｌｏｏｐ（Ｍａｘ）、ｍ列目（１＜ｍ＜Ｍ）の電流ループ面積によって生じるインダクタンス値をＬｌｏｏｐ（ｍ）としたとき、ｍ列目の前記ユニット間ブスバーの寄生インダクタンス値Ｌａｄ（ｍ）を次式で表される範囲の値としたことを特徴とする請求項８記載の半導体遮断器。
【数１９】
2016163202.tif 000021
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、高圧直流送電システムに用いられる半導体遮断器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、ＩＧＢＴ（ Insulated Gate Bipolar Transistor ：絶縁ゲート型バイポーラ・トランジスタ）を並列接続したＩＧＢＴモジュールにおいて、複数のＩＧＢＴの電流特性の不平衡を低減するために、ＩＧＢＴのエミッタ側にインダクタンス手段を接続し、インダクタンス手段のエミッタ接続点と反対側の端子とゲート端子にゲート信号を入力するように構成したものがある。このような構成とすることにより、電流が多く流れる経路のインダクタンス手段の電圧を上昇させて、これに伴いＩＧＢＴのゲート電圧を降下させて電流を減少させ、この結果、複数のＩＧＢＴ間の電流不平衡を低減させる技術が知られている。（例えば、特許文献１）
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特許第３４２１５４４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上述のような並列接続したＩＧＢＴモジュールにおいては、大電流、大（ｄＩ／ｄｔ）（電流の時間微分値）の装置に用いる場合、電流不平衡によるゲート電圧の降下が大きくなり過ぎ、ＩＧＢＴをオン状態に維持することができないという問題点があった。また、ゲート電圧の降下によって生じるＣ−Ｅ（コレクタ―エミッタ）間の飽和電圧(オン電圧)の上昇と、それに伴う発熱の増加という問題もあった。
この発明は、上記のような問題点を解決するためになされたもので、大電流、大（ｄＩ／ｄｔ）が生じる高圧直流送電システムに用いられる半導体遮断器として、複数の並列接続されたＩＧＢＴモジュールにおける電流不平衡を抑制し、正常な動作を行わせることが可能な装置を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
この発明に係る半導体遮断器は、ＩＧＢＴモジュール１と、このＩＧＢＴモジュールに接続されたスナバ回路およびゲートドライバとからなる複数のＩＧＢＴユニット、この複数のＩＧＢＴユニット間を直列に接続するユニット間ブスバーを備え、前記ＩＧＢＴユニットと前記ユニット間ブスバーとの直列接続体を複数並列に接続して構成したものである。
【発明の効果】
【０００６】
この発明によれば、ＩＧＢＴユニット間をユニット間ブスバーで接続したことにより、各並列経路での電流不平衡を是正することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】この発明の実施の形態１に係る半導体遮断器を示す回路構成図である。
【図２】図１におけるＩＧＢＴユニットの具体的構成を示す回路図である。
【図３】この発明の実施の形態１に係る半導体遮断器の電流不平衡を説明するための図である。
【図４】この発明の実施の形態１に係る半導体遮断器の電流増加率を示す特性図である。
【図５】この発明の実施の形態１に係る半導体遮断器の使用状態の一例を示す回路構成図である。
【図６】この発明の実施の形態１に係る半導体遮断器のユニット間ブスバーの構造を示す概要図である。
【図７】この発明の実施の形態１に係る半導体遮断器のユニット間ブスバーの他の構造を示す概要図である。
【図８】図７におけるユニット間ブスバーの特性を説明するための図である。
【図９】この発明の実施の形態１に係る半導体遮断器のユニット間ブスバーの他の構造を示す概要図である。
【図１０】この発明の実施の形態２に係る半導体遮断器を示す回路構成図である。
【図１１】この発明の実施の形態３に係る半導体遮断器を示す回路構成図である。
【図１２】この発明の実施の形態４に係る半導体遮断器を示す回路構成図である。
【図１３】図１２における半導体遮断器の特性を説明するための概要図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
実施の形態１
以下、この発明を実施の形態を示す図１〜図１３を参照して説明する。
なお、各図中、同一符号は、同一あるいは相当部分を示すものとする。
図１は、この発明の実施の形態１に係る半導体遮断器を示す回路構成図である。
図において、半導体遮断器１は、複数のＩＧＢＴユニットＵ１，Ｕ２，Ｕ３，Ｕ４を所定の寄生インダクタンスを持ったユニット間ブスバーＢ１，Ｂ２，Ｂ３を介して直列に接続するとともに、この直列接続体を複数列並列（Ｍ１，Ｍ２，Ｍ３，Ｍ４で示す）に接続して構成されている。
ここで、複数のＩＧＢＴユニットＵ１，Ｕ２，Ｕ３，Ｕ４は、図２に示すようにそれぞれＩＧＢＴモジュール１１と、ＩＧＢＴモジュール１１のコレクタ端子およびエミッタ端子に接続されたスナバ回路１２と、ＩＧＢＴモジュール１１のゲート端子およびエミッタ端子に接続されたゲートドライバ１３で構成されており、また、スナバ回路１２は、スナバダイオード１２ａと、スナバコンデンサ１２ｂおよびスナバ抵抗１２ｃの並列接続体とを直列に接続して構成されている。
【０００９】
なお、スナバ回路１２は、このような構成に限定されず、これ以外の構成であってもよい。また、図１では、簡略化のために４直列４並列で示しているが、直列数（Ｎ）が２以上、並列数（Ｍ）が２以上で構成された半導体遮断器１においても同様に適用することができる。
【００１０】
次に、ユニット間ブスバーＢ１，Ｂ２，Ｂ３の所定のインダクタンス値について説明する。
通常、ＩＧＢＴモジュールを複数列並列接続した場合には、ＩＧＢＴモジュールのＣ−Ｅ（コレクターエミッタ）間飽和電圧(オン電圧)が異なり、電流不平衡が起きるため、ディレーティング量を大きくとらなければならず、電流定格まで十分に使うことができないという課題がある。
しかしながら、この実施の形態１に係る半導体遮断器１においては、ＩＧＢＴユニットＵ１，Ｕ２，Ｕ３，Ｕ４間を所定の寄生インダクタンス値を持ったユニット間ブスバーＢ１，Ｂ２，Ｂ３で接続することにより、電流不平衡が是正され、ディレーティング量を小さくすることができる。
【００１１】
ここで、電流不平衡率とディレーティング量の関係について説明する。
並列接続される２つのＩＧＢＴモジュール間の電流不平衡率Ｘは、Ｃ−Ｅ間飽和電圧が低い方に流れる電流をＩ1、平均電流をＩａｖｅとすると、次式１で表すことができる。
【数１】
2016163202.tif 000003
また、電流不平衡率Ｘ、並列接続数Ｍの場合に必要なディレーティング量Ｄについては、次の式２がある。（文献三菱パワーモジュールＭＯＳ活用の手引き参照）
【数２】
2016163202.tif 000004
この式２を変形すると、
【数３】
2016163202.tif 000005
となり、この式３から、所望のディレーティング量Ｄおよび並列数Ｍのときに必要な電流不平衡率Ｘを求めることができる。
【００１２】
次に、電流不平衡率Ｘと、ユニット間ブスバーの寄生インダクタンス値Ｌｐ、並列接続されたＩＧＢＴモジュールのＣ−Ｅ間飽和電圧差Ｖｄの関係について説明する。
説明を容易とするために、図３に示すように２つの並列接続されたＩＧＢＴモジュールを考える。ここで、Ｃ−Ｅ間飽和電圧が高い方の電圧をＶｈ、Ｃ−Ｅ間飽和電圧が低い方の電圧をＶ１とする。
このようなＩＧＢＴモジュールを並列接続した装置を高圧直流送電の半導体遮断器１として使用する場合、短絡電流がある時点で流れ込むことになるが、この短絡電流が流入したときの電流不平衡率Ｘは、ユニット間ブスバーの寄生インダクタンスＬｐとＣ−Ｅ間飽和電圧差Ｖｄによって決まる。
【００１３】
図４は、電流不平衡率Ｘのときの、各並列経路に電流が流入したときの電流増加率を示したものである。
図４に示す電流増加率の関係と両並列経路での電圧は、等しくなることから次式４が成り立つ。
【数４】
2016163202.tif 000006
式４を変形すると、次式５となる。
【数５】
2016163202.tif 000007
【００１４】
式４から、ＩＧＢＴモジュールのＣ−Ｅ間飽和電圧の差Ｖｄと、ユニット間ブスバーの寄生インダクタンス値Ｌｐと、電流不平衡率Ｘの関係が求められる。
なお、（ｄＩ／ｄｔ）は、半導体遮断器１に要求される容量および半導体遮断器１とその他の構成機器との接続関係で決まるものである。また、３列以上に並列接続して半導体遮断器１を構成する場合には、各並列経路のうち、最も高いＣ−Ｅ間飽和電圧と最も低いＣ−Ｅ間飽和電圧の差をＶｄとする。
【００１５】
式３と式５から、所望のディレーティング量に必要なユニット間ブスバーの寄生インダクタンス値Ｌｐを決めることができる。
【００１６】
次に、実際にＮ段直列、Ｍ列並列にＩＧＢＴユニットを接続して半導体遮断器１を構成する場合に必要となるユニット間ブスバーのインダクタンス値Ｌｐの条件を説明する。
半導体遮断器１に用いるＩＧＢＴモジュールのＣ−Ｅ間飽和電圧の公差を±Ｖａとし、そのＣ−Ｅ間飽和電圧が正規分布の場合、分散の加法性により、Ｎ段直列接続した合計のＣ−Ｅ間飽和電圧の公差Ｖｔは、次式６となる。
【数６】
2016163202.tif 000008
公差最大の場合と公差最小の場合の差Ｖｄは、
【数７】
2016163202.tif 000009
である。
【００１７】
式３、５、７より、必要なユニット間ブスバーの寄生インダクタンス値Ｌｐは、
【数８】
2016163202.tif 000010
となる。
Ｎ段直列接続されたＩＧＢＴユニットに対して、ユニット間ブスバーは、（Ｎ−１）個設けられるので、ユニット間ブスバー一つ当たりに必要な寄生インダクタンス値は、
【数９】
2016163202.tif 000011
である。
式９で表される値よりも、１つのユニット間ブスバーの寄生インダクタンスが大きければ、所望のディレーティング量にすることができる。
【００１８】
次に、ユニット間ブスバーの寄生インダクタンス値の上限について説明する。
図５は、半導体遮断器１を外部機器である避雷器３０に接続した場合を示したものである。
避雷器３０を遮断する際、半導体遮断器１におけるＩＧＢＴモジュールをオフすることになるが、このとき、半導体遮断器１外部のインダクタンス成分に蓄積されたエネルギーは、通常、避雷器３０が処理することになる。
一方、半導体遮断器１内のインダクタンス成分に蓄積されたエネルギーは、半導体遮断器１内のスナバ回路１２で処理する必要があり、スナバコンデンサ１２ｂの容量によって、ユニット間ブスバーの寄生インダクタンス値は、制限される。
スナバコンデンサ１２ｂの容量をＣｓｎｂ、避雷器３０が動作する電圧をＶｃ、ＩＧＢＴモジュールの最大定格電圧をＶｃｅｓ、遮断動作時の電流値をＩＢとすると、次式１０を満たす必要があり、また、ユニット間ブスバーの寄生インダクタンス値Ｌｐ１は、式１１を満たす必要がある。
【００１９】
【数１０】
2016163202.tif 000012
【数１１】
2016163202.tif 000013
【００２０】
式９、１１より、この実施の形態におけるユニット間ブスバーの所定の寄生インダクタンス値Ｌｐ１は、式１２の範囲となる。
【数１２】
2016163202.tif 000014
【００２１】
次に、図６を用い、ユニット間ブスバーの構造の一例について説明する。
図において、ユニット間ブスバーＢ１は、ＩＧＢＴユニットＵ１のエミッタ側端子Ｕ１ＥとＩＧＢＴユニットＵ２のコレクタ側端子Ｕ２Ｃとを接続している。
ところで、ユニット間ブスバーＢ１の電流経路ＩがＩＧＢＴユニットＵ１，Ｕ２との接続点間の最短距離である場合、所定のインダクタンス値を得ようとすると、ユニット間ブスバーＢ１を長くする必要があり、ＩＧＢＴユニットＵ１、Ｕ２間の距離が開いて半導体遮断器１全体の体積が増加してしまうことになる。
このため、この発明では、ユニット間ブスバーＢ１を図６に示すように屈折した形状としてユニット間ブスバーＢ１の電流経路ＩがＩＧＢＴユニットＵ１，Ｕ２とユニット間ブスバーＢ１との接続点間の最短距離よりも長くなるように構成している。
【００２２】
図７は、このようなユニット間ブスバーＢ１の最適な構造例を示すもので、ＩＧＢＴユニットＵ１の接続点から次段ＩＧＢＴユニットＵ２の接続点に至る経路を４回それぞれ９０度屈折して形成されている。
このように構成することによって、ＩＧＢＴユニットＵ１，Ｕ２間の距離を保ったまま、ユニット間ブスバーＢ１に所定の寄生インダクタンス値を持たせることができる。
また、図８に示すようにブスバー経路の１度目の９０度屈折後の経路の長さを変化させることにより、ユニット間ブスバーＢ１の寄生インダクタンス値の調整を容易に行わせることが可能となる。
【００２３】
さらに、ユニット間ブスバーＢ１を図９に示すように左右両側に突出して屈折させる構造とすることも可能である。さらにまた、ユニット間ブスバーＢ１の屈折した部分を円弧状の曲面としてもよい。
【００２４】
以上のように、ＩＧＢＴユニットを複数個直列に接続し、この直列接続体を複数並列に接続して半導体遮断器１を構成することによって、半導体遮断器１の各並列経路での電流不平衡を低減することができ、この結果、ディレーティング量の低減、並列数の低減、および半導体遮断器１の体積低減の効果を得ることができる。
【００２５】
実施の形態２
図１０は、この発明の実施の形態２に係る半導体遮断器を示す回路構成図である。
図において、半導体遮断器１は、寄生インダクタンス値を全て異ならせたユニット間ブスバーＢ１、Ｂ２、Ｂ３を介してＩＧＢＴユニットＵ１，Ｕ２，Ｕ３，Ｕ４を接続するように構成している。このように構成することによって、直列段におけるユニット間ブスバーＢ１，Ｂ２，Ｂ３が異なる寄生インダクタンス値を持つとしても、各々の並列経路におけるユニット間ブスバーの寄生インダクタンス値の合計Ｌｐが、式８および式１０から求められる次式１３の条件を満たすことによって、電流不平衡の低減、ディレーティング量の低減、並列数の低減、さらに半導体遮断器１の体積低減の効果を得ることができる。
【数１３】
2016163202.tif 000015
【００２６】
実施の形態３
図１１は、この発明の実施の形態３に係る半導体遮断器を示す回路構成図である。
図において、半導体遮断器１は、同等の寄生インダクタンス値を有するユニット間ブスバーＢ１，Ｂ２，Ｂ３を介してＩＧＢＴユニットＵ１，Ｕ２，Ｕ３，Ｕ４を直列接続し、この直列接続体を複数列（Ｍ１，Ｍ２，Ｍ３，Ｍ４）並列接続するとともに、この並列接続体を複数段（Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３）直列に接続して構成されている。なお、ＩＧＢＴユニットとユニット間ブスバーの直列接続体およびこの並列接続体は、それぞれ２つ以上で構成することができる。
【００２７】
実施の形態３に係る半導体遮断器１によれば、上述した図１に示すような半導体遮断器１における問題にも対応することができる。
すなわち、図１に示すような半導体遮断器１においては、半導体遮断器１を構成するＩＧＢＴの１つが開放故障あるいは誤オフしている場合、短絡電流の流入および遮断動作時に故障したＩＧＢＴモジュールのある経路が全て使用できなくなる課題を有しているが、この実施の形態３の構成によれば、半導体遮断器１を構成するＩＧＢＴモジュールの１つが開放故障あるいは誤オフしていた場合にも、故障したＩＧＢＴモジュールの並列経路にあるＩＧＢＴユニットが全て使用不能にならず、他の経路を介して動作を継続させることができる効果がある。
【００２８】
実施の形態４
図１２は、この発明の実施の形態４に係る半導体遮断器を示す回路構成図、図１３は、図１２における半導体遮断器の特性を説明するための概要図である。
図１２において、半導体遮断器１は、ユニット間ブスバーＢ１，Ｂ２，Ｂ３を介してＩＧＢＴユニットＵ１，Ｕ２，Ｕ３，Ｕ４を直列接続するとともに、この直列接続体を３列に並列接続するように構成しているが、各並列経路Ｍ１，Ｍ２，Ｍ３によって、異なる寄生インダクタンス値（ａ，ｂ，ｃ）を有するユニット間ブスバーでＩＧＢＴユニットを接続している。
【００２９】
ところで、実際に半導体遮断器１を使用する場合、半導体遮断器１のプラス側とマイナス側の電流がどのように引き回されるかによっても電流不平衡率が変化することになるが、この電流不平衡率について３並列の場合を例にとって説明する。
図１３に示す３並列の半導体遮断器１においては、直列ＩＧＢＴユニットＵ２１，Ｕ２２，Ｕ２３が並列に接続されており、電流は、直列ＩＧＢＴユニットＡ側から引き回されている。この場合、各並列経路Ａ，Ｂ，Ｃの経路長は、どの経路でも等しくなっているが、半導体遮断器１に電流が流れた時、その電流ループによって形成される面積は、Ａ＜Ｂ＜Ｃの順に大きくなる。この電流ループが囲う面積によるインダクタンス成分が各並列経路での電流不均衡を生じさせることになる。
【００３０】
したがって、半導体遮断器１を設置する際には、この電流ループ面積が各経路で等しくなるようにすべきであるが、直流高圧送電における半導体遮断器１は、並列数が多く、また、その体積も大きくなるため、この電流ループ面積が完全に等しくなるように設置するには、困難な状況があり得る。
以上のような課題に対して、図１２に示すように、電流ループによるインダクタンスが大きい経路Ｍ３は、寄生インダクタンス値の小さなユニット間ブスバーｃでＩＧＢＴユニット間を接続し、電流ループによるインダクタンスが小さい並列経路Ｍ１（Ｍ２）は、寄生インダクタンス値の大きなユニット間ブスバーａ（ｂ）でＩＧＢＴユニット間を接続することによって電流不平衡を解決することができる。
【００３１】
次に、ユニット間ブスバーの寄生インダクタンス値の具体的な設定方法について説明する。
Ｎ段に直列接続されたＩＧＢＴユニットがＭ列に並列接続された半導体遮断器１において、ｍ列目の並列経路におけるユニット間ブスバーの寄生インダクタンス値をＬａｄ（ｍ）、ｍ列目の電流ループ面積によって生じるインダクタンスをＬｌｏｏｐ（ｍ）、電流ループ面積が最大となる並列経路のインダクタンスをＬｌｏｏｐ（Ｍａｘ）とすると、電流不平衡率Ｘとの関係は、次式１４に示すようになる。
【００３２】
【数１４】
2016163202.tif 000016
式１４を変形すると、式１５が得られる。
【数１５】
2016163202.tif 000017
【００３３】
式１５と、所望のディレーティング量Ｄと電流不平衡率Ｘの関係を示す式３より、ｍ列目の並列経路のユニット間ブスバーの寄生インダクタンス値の条件は、次式となる。
【数１６】
2016163202.tif 000018
【００３４】
なお、半導体遮断器１を外部機器と接続した際の電流ループ面積によって生じるインダクタンス値Ｌｌｏｏｐ（ｍ）は、電磁界シミュレーションなどにより求めることができる。  したがって、式１６の条件を満たすように各並列経路のユニット間ブスバーの寄生インダクタンス値を設定し、電流ループ面積が最大の経路においてはユニット間ブスバーを寄生インダクタンス値が最小となるように構成することによって、各並列経路の電流ループ面積の差異によって生じる電流不平衡を低減することができる。
【００３５】
以上のように構成することによって、半導体遮断器１と外部機器とで形成される電流ループ面積により生じる電流不平衡を低減し、半導体遮断器１の設置および接続の自由度を向上させることができる。
【００３６】
なお、上述の実施の形態２、３、４におけるユニット間ブスバーは、実施の形態１で示した構造を適用することができる。また、本発明は、上述の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で適宜、変形、省略することが可能である。
【符号の説明】
【００３７】
Ｕ１、Ｕ２、Ｕ３、Ｕ４：ＩＧＢＴユニット、
Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３：ユニット間ブスバー、Ｕ１Ｅ：ＩＧＢＴエミッタ側端子、
Ｕ１Ｃ：ＩＧＢＴコレクタ側端子、１１：ＩＧＢＴモジュール、１２：スナバ回路、
１３：ゲートドライバ、１２ａ：スナバダイオード、１２ｂ：スナバコンデンサ、
１２ｃ：スナバ抵抗、Ｍ１、Ｍ２、Ｍ３、Ｍ４：ＩＧＢＴユニット列、
３０：避雷器
【図１】
2016163202.tif 000022
【図２】
2016163202.tif 000023
【図３】
2016163202.tif 000024
【図４】
2016163202.tif 000025
【図５】
2016163202.tif 000026
【図６】
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【図７】
2016163202.tif 000028
【図８】
2016163202.tif 000029
【図９】
2016163202.tif 000030
【図１０】
2016163202.tif 000031
【図１１】
2016163202.tif 000032
【図１２】
2016163202.tif 000033
【図１３】
2016163202.tif 000034