(57)【要約】【課題】デュアルドメイン方式の画素電極を有するＩＰＳ方式液晶表示装置において、デスクリネーションの発生を防止する。【解決手段】走査線１０が第１の方向に延在して第２の方向に配列し、映像信号線２０が第２の方向に延在して第１の方向に配列している。配向膜の配向軸ＡＬの方向は第２の方向である。画素電極１１２は映像信号を供給するスルーホール１３０を有する第１の領域と、光を透過させる第２の領域と第３の領域を有し、第２の領域は、第２の方向に対して角度η傾いており、第３の領域は、第２の方向に対して角度−η傾いており、第２の領域と第３の領域は屈曲点１１２２において第１の方向に凸なように屈曲しており、画素電極１１２の側面において、第１の領域と第２の領域の境界付近に凹部４０と凸部３０が形成され、凸部３０の上辺の前記第２の方向に対する角度θ１は、９０°より小さく、４５°以上であり、凹部４０の上辺の第２の方向に対する角度θ２は前記θ１より小さいことを特徴とする液晶表示装置。【選択図】図２
2016148760.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
走査線が第１の方向に延在して、映像信号線が第２の方向に延在し、前記走査線と前記映像信号線とに囲まれた領域に画素電極が形成され、絶縁膜を介してコモン電極が形成されたＴＦＴ基板と、前記ＴＦＴ基板と対向して配置された対向基板と、前記ＴＦＴ基板と前記対向基板との間に液晶が挟持された液晶表示装置であって、
前記画素電極は、前記第２の方向に延在し、前記第１の方向の側に第１の側面を有し、
前記画素電極は映像信号を供給するスルーホールを有する第１の領域と、光を透過させる第２の領域と第３の領域を有し、前記第２の領域は、前記第２の方向に対して角度η傾いており、前記第３の領域は、前記第２の方向に対して角度−η傾いており、
前記第２の領域と前記第３の領域は屈曲点において前記第１の方向に凸なように屈曲しており、
前記画素電極の前記第１の側面において、前記第２の領域は前記第１の領域の近傍で、前記第１の方向と逆方向に屈折して、凹部を形成し、
前記凹部は上辺と下辺を有し、
前記凹部に対して前記第２の方向で前記第１の領域には、前記第１の方向に延在する凸部を有し、前記凹部の下辺は前記凸部の上辺の一部を形成し、
前記凸部の上辺の前記第２の方向に対する角度θ１は、９０°より小さく、４５°以上であり、
前記凹部の前記上辺の前記第２の方向に対する角度θ２は前記θ１より小さいことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記凸部の下辺はコーナーカットを有し、前記コーナーカットの前記第２の方向に対する角度θ３は、前記θ１よりも小さいことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記対向基板はブラックマトリクスを有しており、前記凸部は、平面で視て、ブラックマトリクスによって覆われていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記凸部は、平面で視て、前記映像信号線の上に延在していることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記ＴＦＴ基板および前記対向基板の前記液晶側には配向膜が形成され、前記配向膜の配向軸は前記第２の方向であることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記液晶はポジ型液晶であることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記凸部の上辺の前記第２の方向に対する角度θ１は、４５°以上で８５°以下であることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記凸部の上辺の前記第２の方向に対する角度θ１は、４５°以上で８０°以下であることを特徴とする請求項７項に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は液晶表示装置に係り、液晶表示パネルへの押し圧力による液晶分子の逆回転によるドメイン発生を防止できる液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置は、画素電極および薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等を有する画素がマトリクス状に形成されたＴＦＴ基板と、ＴＦＴ基板に対向した対向基板と、ＴＦＴ基板と対向基板との間に挟持された液晶とからなる液晶表示パネルを有している。そして液晶分子による光の透過率を画素毎に制御することによって画像を形成している。
【０００３】
液晶表示装置では、視野角が問題である。ＩＰＳ（Ｉｎ  Ｐｌａｎｅ  Ｓｗｉｃｈｉｎｇ）方式の液晶表示装置は、横電界によって、液晶分子を回転して、液晶層の透過率を制御するものであり、優れた視野角特性を有している。一方、指等でタッチすることによって座標等を入力するタッチパネルを液晶表示装置に一体化する方式が一般的になってきている。
【０００４】
液晶表示パネルを指等で押した場合に、液晶分子の配向方向が変化し、ディスクリネーションの発生をきたす。このディスクリネーションによるむらを「押しむら」と呼ぶ。ＩＰＳ方式において、押しむらを対策した画素電極が「特許文献１」に記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１０−９００４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ＩＰＳ方式は優れた視野角特性を有しているが、画素電極とコモン電極との間に生じる電界によって駆動される液晶分子が配向膜による初期配向方向に対して全て同じ方向に回転していると、方位角によって、明るさや色が異なる。これを防止するために、同じ画素内において、画素電極、或いは、コモン電極を屈曲させて、液晶の初期配向方向に対して同一画素内において、電界の方向を異ならせ、液晶の配向（回転）方向を異ならせる構成とすることが出来る。
【０００７】
この構成は、１つの画素内に複数のドメインが存在することになるので、マルチドメイン方式と呼ばれている。マルチドメイン方式では、例えば画素の上半分と下半分では、画素電極とコモン電極との間に電圧を印加したときの液晶分子の配向（回転）方向が異なる。
【０００８】
マルチドメイン方式では対向基板を押した場合に発生する押しドメインが画素の上半分と下半分で互いに影響しあい、押しドメインが長時間にわたって残存するという現象を生ずる。
【０００９】
本発明の課題は、押しドメインが長時間にわたって存在することによる画面のむらを対策することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は上記課題を克服するものであり、主な具体的な手段は次のとおりである。
【００１１】
（１）走査線１０が第１の方向に延在して第２の方向に配列し、映像信号線が第２の方向に延在して第１の方向に配列し、前記走査線と前記映像信号線に囲まれた領域に画素電極が形成され、前記画素電極の下層側に絶縁膜を介してコモン電極が形成されたＴＦＴ基板と、前記ＴＦＴ基板と対向して対向基板が配置され、前記ＴＦＴ基板と前記対向基板の間に液晶が挟持された液晶表示装置であって、前記画素電極は、前記第２の方向に延在し、前記第１の方向の側に第１の側面を有し、前記画素電極は映像信号を供給するスルーホールを有する第１の領域と、光を透過させる第２の領域と第３の領域を有し、前記第２の領域は、前記第２の方向に対して角度η傾いており、前記第３の領域は、前記第２の方向に対して角度−η傾いており、前記第２の領域と前記第３の領域は屈曲点において前記第１の方向に凸なように屈曲しており、前記画素電極の前記第１の側面において、前記第２の領域は前記第１の領域の近傍で、前記第１の方向と逆方向に屈折して、凹部を形成し、前記凹部は上辺と下辺を有し、前記凹部に対して前記第２の方向で前記第１の領域には、前記第１の方向に延在する凸部を有し、前記凹部の下辺は前記凸部の上辺の一部を形成し、前記凸部の上辺の前記第２の方向に対する角度θ１は、９０°より小さく、４５°以上であり、前記凹部の前記上辺の前記第２の方向に対する角度θ２は前記θ１より小さいことを特徴とする液晶表示装置。
【００１２】
（２）前記凸部の下辺はコーナーカットを有し、前記コーナーカットの前記第２の方向に対する角度θ３は、前記θ１よりも小さいことを特徴とする（１）に記載の液晶表示装置。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明が適用される液晶表示装置の断面図である。
【図２】本発明による画素の平面図である。
【図３】液晶分子の初期配向を示す平面図である。
【図４】画素電極に電圧が印加された場合の液晶分子の配向を示す平面図である。
【図５】対向基板の１点が加圧された場合の液晶分子の配向乱れを示す平面図である。
【図６】本発明を適用しない画素電極における、加圧を開放した後の液晶分子の乱れを示す平面図である。
【図７】本発明による画素電極における、加圧を開放した後の液晶分子の配向を示す平面図である。
【図８】本発明の画素電極の詳細平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
ＩＰＳ方式も種々存在するが、例えば、コモン電極を平面状に形成し、その上に、絶縁膜を挟んで櫛歯状（線状）の画素電極を配置し、画素電極とコモン電極との間に発生する電界によって液晶分子を配向（回転）させる方式が、比較的、透過率を大きくすることが出来るので、現在主流となっている。
【００１５】
図１はこのようなＩＰＳ方式の液晶表示パネルの断面図である。図１は後で説明する図２のＡ−Ａ断面図である。図１におけるＴＦＴ（薄膜トランジスタ）は、いわゆるトップゲートタイプのＴＦＴであり、使用される半導体としては、ＬＴＰＳ（Ｌｏｗ  Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  Ｐｏｌｙ−Ｓｉｌｉｃｏｎ）が使用されている。一方、ａ−Ｓｉ（アモルファス）半導体や一部のＬＴＰＳを使用した場合は、いわゆるボトムゲート方式のＴＦＴが多く用いられる。以後の説明では、トップゲート方式のＴＦＴを用いた場合を例にして説明するが、ボトムゲート方式のＴＦＴを用いた場合についても、本発明を適用することが出来る。
【００１６】
図１において、ガラスや樹脂等からなるＴＦＴ基板１００の上に窒化シリコンからなる第１下地膜１０１および酸化シリコン（ＳｉＯ２）からなる第２下地膜１０２がＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）によって形成される。第１下地膜１０１および第２下地膜１０２の役割は基板１００からの不純物が半導体層１０３を汚染することを防止することである。
【００１７】
第２下地膜１０２の上には半導体層１０３が形成される。この半導体層１０３は、第２下地膜１０２の上にＣＶＤによってａ−Ｓｉ膜を形成し、これをレーザアニールすることによって多結晶シリコン（ｐｏｌｙ−Ｓｉ）膜に変換したものである。このｐｏｌｙ−Ｓｉ膜をフォトリソグラフィによってパターニングすることで島状の半導体膜を形成する。
【００１８】
半導体膜１０３の上にはゲート絶縁膜１０４が形成される。このゲート絶縁膜１０４はＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）による酸化シリコン膜である。この膜もＣＶＤによって形成される。その上にゲート電極１０５が形成される。ゲート電極１０５は走査線１０が兼ねている。ゲート電極１０５は例えば、モリブデンタングステン（ＭｏＷ）膜等の高融点金属やそれらの合金によって形成される。ゲート電極１０５あるいは走査線１０の抵抗を小さくする必要があるときはアルミニウム（Ａｌ）や銅（Ｃｕ）等の低抵抗金属と高融点金属との積層膜が使用される。
【００１９】
後で説明する図２に示すように、半導体層１０３は走査線１０の下を２回通過するので、ダブルゲート構造となっている。その後、ゲート電極１０５を覆って層間絶縁膜１０６を窒化シリコンと酸化シリコンとによって形成する。層間絶縁膜１０６はゲート電極１０５とコンタクト電極１０７とを絶縁するためである。
【００２０】
層間絶縁膜１０６およびゲート絶縁膜１０４には、半導体層１０３のソース部Ｓをコンタクト電極１０７と接続するためのスルーホール１２０、および、半導体層１０３のドレイン部Ｄを映像信号線２０と接続するためのスルーホール１４０が形成される。層間絶縁膜１０６とゲート絶縁膜１０４とにスルーホール１２０、１４０を形成するためのフォトリソグラフィは同時に行われる。なお、ＴＦＴのソースＳとドレインＤとはＴＦＴに印加される電圧によって適宜入れ替わる。
【００２１】
層間絶縁膜１０６の上にコンタクト電極１０７が形成される。コンタクト電極１０７は、スルーホール１３０を介して画素電極１１２と接続する。コンタクト電極１０７および映像信号線は、同層で、同時に形成される。コンタクト電極１０７および映像信号線は、抵抗を小さくするために、例えば、ＡｌやＡｌ合金が使用される。ＡｌやＡｌ合金はヒロックを発生したり、Ａｌが他の層に拡散したりするので、例えば、図示しないＭｏＷ等の高融点金属によるバリア層、およびキャップ層によってＡｌやＡｌ合金をサンドイッチする構造がとられている。映像信号線２０のうち、ドレインＤに接続する部分をドレイン電極、コンタクト電極１０７をソース電極と呼ぶ場合もある。
【００２２】
コンタクト電極１０７を覆って有機パッシベーション膜（絶縁膜）１０９を被覆し、ＴＦＴ全体を保護する。有機パッシベーション膜１０９は感光性のアクリル樹脂で形成される。有機パッシベーション膜１０９は、アクリル樹脂の他、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等でも形成することが出来る。有機パッシベーション膜１０９は平坦化膜としての役割を持っているので、厚く形成される。有機パッシベーション膜１０９の膜厚は１〜４μｍであるが、多くの場合は２〜３μｍ程度である。
【００２３】
画素電極１１２とコンタクト電極１０７との導通を取るために、有機パッシベーション膜１０９にスルーホール１３０が形成される。有機パッシベーション膜１０９は感光性の樹脂を使用しているため、感光性の樹脂を塗付後、この樹脂を露光すると、光が当たった部分のみが特定の現像液に溶解する。すなわち、感光性樹脂を用いることによって、フォトレジストの形成を省略することが出来る。感光性樹脂にスルーホール１３０を形成したあと、２３０℃程度で焼成することによって有機パッシベーション膜１０９が完成する。
【００２４】
その後コモン電極１１０となるＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）をスパッタリングによって形成し、スルーホール１３０およびその周辺からＩＴＯを除去するようにパターニングする。コモン電極１１０は各画素共通に平面状に形成することが出来る。その後、容量絶縁膜１１１となる窒化シリコンをＣＶＤによって全面に形成する。その後、スルーホール１３０内において、コンタクト電極１０７と画素電極１１２の導通をとるためのスルーホールを容量絶縁膜１１１に形成する。
【００２５】
その後、ＩＴＯをスパッタリングによって形成し、パターニングして画素電極１１２を形成する。画素電極１１２の上に配向膜材料をフレキソ印刷あるいはインクジェット等によって塗布し、焼成して配向膜１１３を形成する。配向膜１１３の配向処理にはラビング法のほか偏光紫外線による光配向法が用いられる。
【００２６】
画素電極１１２とコモン電極１１０との間に電圧が印加されると図１に示すような電気力線が発生する。この電界によって液晶分子３０１を回転させ、液晶層３００を通過する光の量を画素毎に制御することによって画像を形成する。
【００２７】
図１において、液晶層３００を挟んで対向基板２００が配置されている。対向基板２００の液晶層側には、カラーフィルタ２０１が形成されている。カラーフィルタ２０１は画素毎に、赤、緑、青のカラーフィルタが形成されており、これによってカラー画像が形成される。カラーフィルタ２０１とカラーフィルタ２０１との間には遮光膜（ブラックマトリクス）２０２が形成され、画像のコントラストを向上させている。なお、遮光膜２０２はＴＦＴを遮光する役割も有し、ＴＦＴに光電流が流れることを防止している。
【００２８】
カラーフィルタ２０１およびブラックマトリクス２０２を覆ってオーバーコート膜２０３が形成されている。カラーフィルタ２０１およびブラックマトリクス２０２の表面は凹凸となっているために、オーバーコート膜２０３によって表面を平らにしている。オーバーコート膜の上（液晶層３００側）には、液晶の初期配向を決めるための配向膜１１３が形成される。配向膜１１３の配向処理はＴＦＴ基板１００側の配向膜１１３と同様、ラビング法あるいは光配向法が用いられる。
【００２９】
なお、以上の構成は例であり、品種によってはコンタクト電極１０７と有機パッシベーション膜１０９との間に無機パッシベーション膜が形成されている場合もある。また、スルーホール１３０の形成プロセスも品種によって異なる場合がある。以下に実施例を用いて本発明を詳細に説明する。
【実施例１】
【００３０】
図２は本発明の実施例１を示す画素部の平面図である。先に説明した図１は、図２のＡ−Ａの断面図である。図２において、走査線１０が横方向に延在し、縦方向に配列している。また、映像信号線２０が縦方向に延在し、横方向に配列している。走査線１０と映像信号線２０に囲まれた領域が画素となっており、この中に画素電極１１２が存在している。画素の大きさは、例えば横方向が３０μｍ以下、縦方向が１２０μｍ以下である。本発明は、このような高精細画面において特にメリットがある。図２では、映像信号線２０は縦方向に直線的に延在しているが、後で説明する画素電極１１２に合わせて屈曲しながら、縦方向に延在する場合もある。
【００３１】
図２において、映像信号線２０と半導体層１０３とがスルーホール１４０で接続している。半導体層１０３は映像信号線２０の下を延在して走査線１０の下を通過し、屈曲して再び走査線１０の下を通過し、スルーホール１２０において、図１に示すコンタクト電極１０７と接続する。走査線１０はＴＦＴのゲート電極の役割を有しており、図２では、映像信号線２０から画素電極１１２まで直列に２個のＴＦＴが形成されている。これをダブルゲートＴＦＴともいう。コンタクト電極１０７と画素電極１１２とは、有機パッシベーション膜に形成されたスルーホール１３０を介して接続している。
【００３２】
画素電極１１２は、内部にスリット１１２１を有する縦方向（映像信号線の延在方向）に長い形状となっている。図２では、内側に２個のスリット１１２１が存在しているので、画素電極１１２は３本の線状（ストライプ状）の電極で形成されている。なお、本発明は、線状の画素電極１１２が１乃至２本の場合、あるいは４本以上の場合にも適用することが出来る。
【００３３】
配向膜の配向軸ＡＬは図２における縦方向（映像信号線の延在方向）となっている。画素電極１１２は縦方向の中央において屈曲部１１２２を有している。画素電極１１２の下半分と上半分とは、配向軸ＡＬに対して角度η、傾いているが、上側と下側では、傾く角度が逆である。ηは５〜１５°である。画素電極１１２が配向軸ＡＬに対してη傾ける理由は、画素電極１１２に電圧を印加した場合に、液晶分子３０１を一定方向に回転させるためである。
【００３４】
したがって、図２において、画素電極１１２に電圧を印加した場合、画素の上半分と下半分では、液晶分子３０１の回転する方向が逆になる。これによって、視野角特性あるいは方位角特性をより均一にすることが出来る。図２の画素構成は、１画素中に２つのドメインが存在することになるので、デュアルドメイン方式と呼ばれている。
【００３５】
図３は通常の画素電極１１２に電圧を印加しない状態における液晶分子３０１の配向状態を示す模式図である。図４は、画素電極１１２に電圧を印加した場合の液晶分子３０１の配向状態を示す模式図である。図４において、画素電極１１２の屈曲部１１２２の上下において、液晶の回転方向が逆向きになっている。これによって視野角特性あるいは方位角特性を均一にしている。
【００３６】
最近は、液晶表示パネルの対向基板側を指等でタッチする、タッチパネルを組み込んだ液晶表示装置が普及している。液晶表示パネルに指等でタッチすると、その部分において、対向基板を介して液晶層が押されることとなるため、液晶の配向が乱れる。図５はこのような場合の液晶分子３０１の配向方向の乱れを示す模式図である。
【００３７】
図５において、ＰＲを対向基板に対する加圧点とすると、この加圧点を中心にして液晶分子に３０２で示すように乱れが生ずる。そうすると、この部分において、液晶の透過率が異なり、表示の異常領域となる。このような異常領域が発生しても、指等を離した後、すなわち、解放時に液晶分子３０１が正常な状態に戻れば問題はない。
【００３８】
しかし、液晶は、粘性を持っているので、図２における画素の上半分の液晶の配向方向が画素の下半分の液晶の配向方向に影響を及ぼし、下半分の液晶分子の配向方向がもとに戻らず、上半分の液晶分子の配向方向になってしまうという現象が生ずる。図６はこの問題を示す模式図である。
【００３９】
図６は画素電極１１２の下半分を示す平面図であるが、画素電極１１２の右端外側の液晶分子３０１の配向方向は、画素電極１１２の上側と同じ配向方向となっている。そうすると、画素電極１１２の右側端部外側と画素の下側の他の部分において、液晶分子の配向方向が異なる。すなわち、画素電極１１２の右側端部の外側の液晶分子は３０４で示すように、回転方向が逆になっている。この領域を逆回転領域ＲＥで表している。
【００４０】
そして右側のストライプ状画素電極の上が液晶分子の配向方向の境界となっており、液晶分子が電圧によって回転しない場合と同じ状態になっている。この部分の液晶分子を３０３で示す。この部分は、いわゆるデスクリネーションＤＥとなっている。デスクリネーションＤＥの存在は、画素の透過率の低下になる。
【００４１】
本発明は、図２に示すように、画素電極１１２の下部、すなわち、スルーホール１３０の近傍において、画素電極１１２に凸部３０および凹部４０、さらに、右下側にコーナーカット５０を形成し、画素電極１１２の右端外側において、液晶分子３０１に対し、強制的に下側画素の他の領域と同じ方向に配向させるような電界が加わるようにしたものである。図２において、点線で示す領域は対向基板に形成されたブラックマトリクス２０２の領域を示している。つまり、画素電極１１２に形成された凸部３０と凹部４０はブラックマトリクス１１２によって覆われている。したがって、通常状態では、画素電極１１２の凸部３０および凹部４０が透過率に対して影響をおよぼすことはない。
【００４２】
液晶は粘性を有しているので、画素電極１１２の凸部３０と凹部４０によって強制的に所定の方向に配列した液晶分子３０１は、画素電極１１２の右側側面に沿った他の領域にも影響を及ぼし、画素電極１１２の下側右端全体に沿って、液晶分子３０１の配向を正常な状態に保つ。
【００４３】
図７は、以上の説明を示す模式図である。図７において、画素電極１１２の下側（画素電極の屈曲点を基準にしてコンタクト電極に近い側）には、凸部３０と凹部４０とが存在し、かつ、右下には、コーナーカット５０が施されている。図７において、凸部３０、凹部４０、コーナーカット５０によって、液晶分子３０に対して、強制的に下側画素の他の領域と同じ方向に配向させる力を生ずる領域を点線Ｆで示す。図７において、点線で示す液晶分子３０４は、加圧を解放したときの、従来例における液晶の配向方向である。これに対して、本発明では、凸部３０、凹部４０、あるいは、コーナーカット５０によって形成されたＦにより、液晶分子３０１は、下側画素の他の領域と同じ配向になり、デスクリネーションＤＥの発生は抑制される。
【００４４】
図８は、本発明による画素電極１１２の形状を示す拡大図である。図８において、画素電極１１２のストライプ部分の幅ｗ１は例えば３．５μｍ、スリットの幅ｗ２は例えば３．９μｍである。図８において、凸部３０、凹部４０およびコーナーカット５０によって、押し圧力が解放された後の液晶分子３０１を正常な配向方向に保持する。ただし、凹部４０、凸部３０、コーナーカット５０とも、対向基板に形成されたブラックマトリクス２０２によって覆われている。
【００４５】
図８において、ストライプ状の画素電極１１２はＰ点において屈折しており、この屈折部Ｐから凹部４０が始まり、凹部４０の一番奥までの距離ｄ１を凹部４０の深さと定義する。屈折部Ｐが曲線状になっていて明確でない場合は、画素電極１１２の辺と凹部４０の上辺の接線の交点を屈折点Ｐと定義する。
【００４６】
凸部３０の図中横方向（走査線の延在方向）の長さｄ２は、屈折点Ｐの水平方向の位置を基準とする。ｄ２はゼロより大きいが、本発明の効果を得られるように、任意の長さとすることが出来るが、隣の画素までは、延在させないほうがよい。すなわち、凸部３０は、平面で視て映像信号線２０と重複するように形成されていても良い。また、凸部３０の先端の幅ｔは、ゼロ以上であればよい。コーナーカット５０の水平方向の幅ｄ３は、最低加工寸法以上、例えば、２．５μｍ以上を確保すればよい。
【００４７】
図８において、凸部３０の上側の辺、凹部４０の上側の辺、およびコーナーカット５０の、配向軸ＡＬに対する角度が液晶分子の配向に対して大きな影響を及ぼす。ここで、凸部３０の上側の辺の配向軸ＡＬとのなす角度をθ１、凹部の上側の辺と配向軸ＡＬのなす角度をθ２、コーナーカット５０と配向軸ＡＬとのなす角度をθ３とする。
【００４８】
θ１は９０°よりも小さくないと本発明の効果は得られない。一方、角度が小さすぎると、ブラックマトリクス２０２によって凸部３０をカバーすることが難しくなるので、４５°以上とすることが望ましい。したがって、θ１の範囲は、９０°よりも小さく、４５°以上であり、より好ましくは、４５°以上、８５°以下、さらに好ましくは、４５°以上で８０°以下である。
【００４９】
θ２は、画素電極１１２の右端のみでなく、他の領域における画素電極１１２端部でのデスクリネーションの発生を抑える必要があるので、このための条件から決める必要がある。したがって、θ２は、θ１よりも角度ξだけ小さくなる。
【００５０】
コーナーカット５０の配向軸ＡＬに対する角度θ３は、９０°よりも小さい必要があるが、凸部３０の水平方向の長さｄ２を確保できる角度の範囲で、４５°よりも小さく設定することも可能である。しかし、本発明の効果とレイアウトの関係から最も一般的な角度は４５°である。
【００５１】
以上のような、画素電極１１２を用いることによって、図７に示すように、デスクリネーションの発生を抑えた、透過率の高い液晶表示装置を実現することが出来る。なお、コーナーカット５０を設けず、凹部４０と凸部３０だけでも本発明の効果をある程度得ることが出来る。コーナーカット５０を設けることで本発明をより効果的に得ることが出来る。
【００５２】
以上の説明では、画素電極の屈曲部が、図２に示すように、走査線の延在方向を向いているとして説明したが、本発明は、画素電極の屈曲部が図２と反対側すなわち、走査線の延在方向と逆方向を向いている場合においても適用することが出来る。この場合は、凹部、凸部、コーナーカットが図２等とは、線対称の形になる。
【００５３】
また、以上の説明では、液晶の誘電率異方性が正の場合、すなわち、ポジ型液晶の場合について説明したが、本発明は、液晶の誘電率異方性が負の場合、すなわち、ネガ型液晶の場合についても適用することが出来る。この場合は、初期配向の方向は、図２に示す方向とは９０°の角度をなすことになる。また、カラーフィルタやブラックマトリクスをＴＦＴ基板に設けてもよい。また、画素電極は、コモン電極と液晶層との間に設けられているが、コモン電極を画素電極と液晶層との間に設け、コモン電極にスリットを設ける構成であっても、本願発明の趣旨を逸脱しない範囲で適用することが出来る。
【符号の説明】
【００５４】
１０…走査線１０、  ２０…映像信号線、  ３０…凸部、  ４０…凹部、  ５０…コーナーカット、  １００…ＴＦＴ基板、  １０１…第１下地膜、  １０２…第２下地膜、  １０３…半導体層、  １０４…ゲート絶縁膜、  １０５…ゲート電極、  １０６…層間絶縁膜、  １０７…コンタクト電極、  １０８…無機パッシベーション膜、  １０９…有機パッシベーション膜、  １１０…コモン電極、  １１１…容量絶縁膜、  １１２…画素電極、  １１３…配向膜、  １２０…スルーホール、  １３０…スルーホール、  １４０…スルーホール、  ２００…対向基板、  ２０１…カラーフィルタ、  ２０２…ブラックマトリクス、  ２０３…オーバーコート膜、  ３００…液晶層、  ３０１…液晶分子、  １１２１…スリット、  １１２２…画素電極屈曲部、  ＡＬ…配向軸、  ＤＥ…暗部、  Ｐ…画素電極屈折点、  ＲＥ…液晶分子の逆回転領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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