(57)【要約】【解決手段】  エンドエフェクタは、第１の、第２の、第３の、第４の、第５の、第６の、及び第７の基板支持パッドを含む。基板をハンドリングする方法は、基板の周縁部に第２の、第５の、及び第６の基板支持パッドを係合させることを含む。方法は、また、エンドエフェクタを基板処理システムの処理チャンバ内へ第１の距離だけ移動させることも含む。方法は、更に、基板の周縁部を第２の、第５の、及び第６の基板支持パッドから切り離すことも含む。方法は、また、エンドエフェクタを基板処理システムの処理チャンバ内へ第２の距離だけ移動させることと、基板の周縁部に第１の、第３の、第４の、及び第７の基板支持パッドを係合させることとを含む。【選択図】図４Ａ
2016208018.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板処理システムにおいてエンドエフェクタによって基板をハンドリングする方法であって、前記エンドエフェクタは、第１の、第２の、第３の、第４の、第５の、第６の、及び第７の基板支持パッドを有し、前記方法は、
前記基板の周縁部に前記第２の、第５の、及び第６の基板支持パッドを係合させることと、
前記エンドエフェクタを前記基板処理システムの処理チャンバ内へ第１の距離だけ移動させることと、
前記基板の前記周縁部を前記第２の、第５の、及び第６の基板支持パッドから切り離すことと、
前記エンドエフェクタを前記基板処理システムの前記処理チャンバ内へ第２の距離だけ移動させることと、
前記基板の前記周縁部に前記第１の、第３の、第４の、及び第７の基板支持パッドを係合させることと、
を備える方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、
前記第１の及び第３の基板支持パッドは、第１の高さを形成し、前記第４の及び第６の基板支持パッドは、前記第１の高さよりも小さい第２の高さを形成する、方法。
【請求項３】
請求項１に記載の方法であって、
前記第２の基板支持パッドは、第１の高さを形成し、前記第５の及び第６の基板支持パッドは、前記第１の高さよりも大きい第２の高さを形成する、方法。
【請求項４】
請求項３に記載の方法であって、
前記第１の及び第３の基板支持パッドは、前記第２の高さに等しい第３の高さを形成し、前記第４の及び第６の基板支持パッドは、前記第１の高さに等しい第４の高さを形成する、方法。
【請求項５】
請求項１に記載の方法であって、
前記基板の周縁部に前記第２の、第５の、及び第６の基板支持パッドを係合させることは、前記第４の及び第７の基板支持パッドを前記基板の前記周縁部の半径方向内側に位置決めすることを含む。方法。
【請求項６】
請求項１に記載の方法であって、
前記基板の周縁部に前記第１の、第３の、第４の、及び第７の基板支持パッドを係合させることは、更に、前記第２の基板支持パッドを前記基板の前記周縁部の半径方向内側に位置決めすることを含む、方法。
【請求項７】
請求項１に記載の方法であって、
前記第２の、第５の、及び第６の基板支持パッドは、第１の直径と第１の中心軸とを有する第１の円を形成し、前記第１の、第３の、第４の、及び第７の基板支持パッドは、第２の直径と第２の中心軸とを有する第２の円を形成し、前記基板は、第３の中心軸を有する第３の円を形成し、
前記基板の前記周縁部に前記第２の、第５の、及び第６の基板支持パッドを係合させることは、前記第２の中心軸を第３の中心軸に対して第１の角度に配置することを含み、
前記基板の前記周縁部に第１の、第３の、第４の、及び第７の基板支持パッドを係合させることは、前記第１の中心軸を前記第３の中心軸に対して第２の角度に配置することを含む、方法。
【請求項８】
請求項７に記載の方法であって、
前記第１の角度は、前記第２の角度に等しい、方法。
【請求項９】
請求項１に記載の方法であって、
前記第１の直径は、前記第２の直径に等しい、方法。
【請求項１０】
請求項１に記載の方法であって、
前記第１の、第２の、第３の、第４の、第５の、第６の、及び第７の基板支持パッドは、それぞれ、第１の、第２の、第３の、第４の、第５の、第６の、及び第７の傾斜した基板支持表面を含む、方法。
【請求項１１】
エンドエフェクタであって、
第１の、第２の、及び第３の基板支持パッドを有する本体であって、前記第１の基板支持パッドは、第１の高さを形成し、前記第２の基板支持パッドは、前記第１の高さよりも小さい第２の高さを形成し、前記第３の基板支持パッドは、前記第１の高さに等しい第３の高さを形成する、本体と、
前記本体から伸び、第４の及び第５の基板支持パッドを有する第１の枝であって、前記第４の基板支持パッドは、前記第２の高さに等しい第４の高さを形成し、前記第５の基板支持パッドは、前記第１の及び第３の高さに等しい第５の高さを形成する、第１の枝と、
前記本体から伸び、第６の及び第７の基板支持パッドを有する第２の枝であって、前記第６の基板支持パッドは、前記第１の、第３の、及び第５の高さに等しい第６の高さを形成し、前記第７の基板支持パッドは、前記第２の及び第４の高さに等しい第７の高さを形成する、第２の枝と、
を備えるエンドエフェクタ。
【請求項１２】
請求項１１に記載のエンドエフェクタであって、
前記第１の、第３の、第４の、及び第７の基板支持パッドは、第１の直径と第１の中心軸とを有する第１の円を形成し、前記第２の、第５の、及び第６の基板支持パッドは、第２の直径と第２の中心軸とを有する第２の円を形成する、エンドエフェクタ。
【請求項１３】
請求項１２に記載のエンドエフェクタであって、
前記第１の直径は、前記第２の直径に等しい、エンドエフェクタ。
【請求項１４】
請求項１２に記載のエンドエフェクタであって、
前記第１の中心軸は、前記第２の中心軸から直線的にずれている、エンドエフェクタ。
【請求項１５】
請求項１２に記載のエンドエフェクタであって、
前記第１の中心軸と前記第２の中心軸とは、一定の角度を形成する、エンドエフェクタ。
【請求項１６】
請求項１１に記載のエンドエフェクタであって、
前記本体の部分は、前記第１の及び第２の枝の部分と一体成形される、エンドエフェクタ。
【請求項１７】
エンドエフェクタであって、
第１の、第２の、第３の、第４の、第５の、第６の、及び第７の基板支持パッドを備え、前記第１の、第３の、第４の、及び第７の基板支持パッドは、第１の円を形成し、前記第２の、第５の、及び第６の基板支持パッドは、第２の円を形成し、前記第１の円は、第１の直径と第１の中心軸とを有し、前記第２の円は、前記第１の直径に等しい第２の直径と、前記第１の中心軸からずれた第２の中心軸とを有し、前記第１の基板支持パッドは、第１の高さを形成し、前記第２の基板支持パッドは、前記第１の高さよりも小さい第２の高さを形成し、前記第３の基板支持パッドは、前記第２の高さよりも大きい第３の高さを形成し、前記第４の基板支持パッドは、前記第３の高さよりも小さい第４の高さを形成し、前記第５の基板支持パッドは、前記第４の高さよりも大きい第５の高さを形成し、前記第６の基板支持パッドは、前記第４の高さよりも大きい第６の高さを形成し、前記第７の基板支持パッドは、前記第６の高さよりも小さい第７の高さを形成する、エンドエフェクタ。
【請求項１８】
請求項１７に記載のエンドエフェクタであって、
前記第１の中心軸と前記第２の中心軸とは、一定の角度を形成する、エンドエフェクタ。
【請求項１９】
請求項１７に記載のエンドエフェクタであって、
前記エンドエフェクタは、本体の部分と、前記本体の部分から伸びる第１の及び第２の枝の部分とを含み、前記第４の、第５の、第６の、及び第７の基板支持パッドのそれぞれは、前記第１の枝の部分上及び前記第２の枝の部分上のいずれかに配置される、エンドエフェクタ。
【請求項２０】
請求項１９に記載のエンドエフェクタであって、
前記本体の部分は、第１の及び第２の枝の部分と一体成形される、エンドエフェクタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、基板ハンドリングシステムに関し、特に、基板処理システムにおいて基板をハンドリングするための機器及び方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ここでは、開示内容を取り巻く状況を概ね提示することを目的として、背景技術の説明を提供する。この背景技術のセクションで説明されている範囲内の、現時点で名前を挙げられている発明者らによる研究、及びそれ以外の、出願の時点で先行技術として見なすことができない説明の態様は、本願開示に対抗する先行技術であるとは、明示又は暗示を問わず認められない。
【０００３】
半導体ウエハなどの基板のエッチング及び／又はその他の処理を実施するために、基板処理システムを使用することがある。基板を処理するときは、未処理の又は清浄な基板を基板処理システムの処理チャンバ内の台座の上に置くために、エンドエフェクタを備えたロボットを使用することがある。プラズマ支援化学気相成長（ＰＥＣＶＤ）プロセスにおけるデポジション又はエッチングの際は、基板に対してデポジション、エッチング、及び／又はそれ以外の処理を行うために、１種以上の前駆体を含むガス混合体が処理チャンバに導入される。基板が処理された後、エンドエフェクタは、処理済みの又は汚れた基板を処理チャンバから取り出すために使用することがある。
【発明の概要】
【０００４】
一態様において、本開示は、基板処理システムにおいてエンドエフェクタによって基板をハンドリングする方法を提供する。エンドエフェクタは、第１の、第２の、第３の、第４の、第５の、第６の、及び第７の基板支持パッドを含む。方法は、基板の周縁部に第２の、第５の、及び第６の基板支持パッドを係合させることを含む。方法は、また、エンドエフェクタを基板処理システムの処理チャンバ内へ第１の距離だけ入らせることも含む。方法は、更に、基板の周縁部を第２の、第５の、及び第６の基板支持パッドから切り離すことも含む。方法は、また、エンドエフェクタを基板処理システムの処理チャンバ内へ第２の距離だけ入らせることと、基板の周縁部に第１の、第３の、第４の、及び第７の基板支持パッドを係合させることとを含む。
【０００５】
一部の構成では、第１の及び第３の基板支持パッドは、第１の高さを形成し、第４の及び第６の基板支持パッドは、第１の高さよりも小さい第２の高さを形成する。
【０００６】
一部の構成では、第２の基板支持パッドは、第１の高さを形成し、第５の及び第６の基板支持パッドは、第１の高さよりも大きい第２の高さを形成する。
【０００７】
一部の構成では、第１の及び第３の基板支持パッドは、第２の高さに等しい第３の高さを形成し、第４の及び第６の基板支持パッドは、第１の高さに等しい第４の高さを形成する。
【０００８】
一部の構成では、基板の周縁部に第２の、第５の、及び第６の基板支持パッドを係合させることは、第４の及び第７の基板支持パッドを基板の周縁部の半径方向内側に位置決めすることを含む。
【０００９】
一部の構成では、基板の周縁部に第１の、第３の、第４の、及び第７の基板支持パッドを係合させることは、更に、第２の基板支持パッドを基板の周縁部の半径方向内側に位置決めすることを含む。
【００１０】
一部の構成では、第２の、第５の、及び第６の基板支持パッドは、第１の直径と第１の中心軸とを有する第１の円を形成する。
【００１１】
一部の構成では、第１の、第３の、第４の、及び第７の基板支持パッドは、第２の直径と第２の中心軸とを有する第２の円を形成し、基板は、第３の中心軸を有する第３の円を形成する。
【００１２】
一部の構成では、基板の周縁部に第２の、第５の、及び第６の基板支持パッドを係合させることは、第２の中心軸を第３の中心軸に対して第１の角度に配置することを含む。
【００１３】
一部の構成では、基板の周縁部に第１の、第３の、第４の、及び第７の基板支持パッドを係合させることは、第１の中心軸を第３の中心軸に対して第２の角度に配置することを含む。
【００１４】
一部の構成では、第１の角度は、第２の角度に等しい。
【００１５】
一部の構成では、第１の直径は、第２の直径に等しい。
【００１６】
一部の構成では、第１の、第２の、第３の、第４の、第５の、第６の、及び第７の基板支持パッドは、それぞれ、第１の、第２の、第３の、第４の、第５の、第６の、及び第７の傾斜した基板支持表面を含む。
【００１７】
別の一態様において、本開示は、エンドエフェクタを提供する。エンドエフェクタは、本体と、第１の枝と、第２の枝とを含む。本体は、第１の、第２の、及び第３の基板支持パッドを含む。第１の基板支持パッドは、第１の高さを形成する。第２の基板支持パッドは、第１の高さよりも小さい第２の高さを形成する。第３の基板支持パッドは、第１の高さに等しい第３の高さを形成する。第１の枝は、本体から伸び、第４の及び第５の基板支持パッドを含む。第４の基板支持パッドは、第２の高さに等しい第４の高さを形成する。第５の基板支持パッドは、第１の及び第３の高さに等しい第５の高さを形成する。第２の枝は、本体から伸び、第６の及び第７の基板支持パッドを含む。第６の基板支持パッドは、第１の、第３の、及び第５の高さに等しい第６の高さを形成する。第７の基板支持パッドは、第２の及び第４の高さに等しい第７の高さを形成する。
【００１８】
一部の構成では、一部の構成では、第１の、第３の、第４の、及び第７の基板支持パッドは、第１の直径と第１の中心軸とを有する第１の円を形成し、第２の、第５の、及び第６の基板支持パッドは、第２の直径と第２の中心軸とを有する第２の円を形成する。
【００１９】
一部の構成では、第１の直径は、第２の直径に等しい。
【００２０】
一部の構成では、第１の中心軸は、第２の中心軸から直線的にずれている。
【００２１】
一部の構成では、第１の中心軸と第２の中心軸とは、一定の角度を形成する。
【００２２】
一部の構成では、本体部分は、第１の及び第２の枝部分と一体成形される。
【００２３】
更に別の一態様において、本開示は、エンドエフェクタを提供する。エンドエフェクタは、第１の、第２の、第３の、第４の、第５の、第６の、及び第７の基板支持パッドを含む。第１の、第３の、第４の、及び第７の基板支持パッドは、第１の円を形成する。第２の、第５の、及び第６の基板支持パッドは、第２の円を形成する。第１の円は、第１の直径と第１の中心軸とを含む。第２の円は、第１の直径に等しい第２の直径と、第１の中心軸からずれた第２の中心軸とを含む。第１の基板支持パッドは、第１の高さを形成する。第２の基板支持パッドは、第１の高さよりも小さい第２の高さを形成する。第３の基板支持パッドは、第２の高さよりも大きい第３の高さを形成する。第４の基板支持パッドは、第３の高さよりも小さい第４の高さを形成する。第５の基板支持パッドは、第４の高さよりも大きい第５の高さを形成する。第６の基板支持パッドは、第４の高さよりも大きい第６の高さを形成する。第７の基板支持パッドは、第６の高さよりも小さい第７の高さを形成する。
【００２４】
一部の構成では、第１の中心軸と第２の中心軸とは、一定の角度を形成する。
【００２５】
一部の構成では、エンドエフェクタは、本体部分と、該本体部分から伸びる第１の及び第２の枝部分とを含む。第４の、第５の、第６の、及び第７の基板支持パッドは、それぞれ、第１の枝部分上及び第２の枝部分上のいずれかに配置されてよい。
【００２６】
一部の構成では、本体部分は、第１の及び第２の枝部分と一体成形される。
【００２７】
詳細な説明、特許請求の範囲、及び図面から、本開示の更なる適用可能分野が明らかになる。詳細な説明及び具体的な例は、例示のみを目的とすることを意図しており、本開示の範囲を制限することを意図していない。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
詳細な説明及び添付の図面から、本開示が更に完全に理解される。
【００２９】
【図１】本開示の原理にしたがった基板処理システムの一例の機能ブロック図である。
【００３０】
【図２】本開示の原理にしたがった基板処理ツールの一例の機能ブロック図である。
【００３１】
【図３】本開示の原理にしたがったエンドエフェクタの一例の斜視図である。
【００３２】
【図４Ａ】本開示の原理にしたがった図３のエンドエフェクタの第１の側面図である。
【００３３】
【図４Ｂ】本開示の原理にしたがった図３のエンドエフェクタの第２の側面図である。
【００３４】
【図５】本開示の原理にしたがった図３のエンドエフェクタの上面図である。
【００３５】
【図６Ａ】本開示の原理にしたがった図３のロードロック及びエンドエフェクタの周囲図である。
【００３６】
【図６Ｂ】本開示の原理にしたがった図３のロードロック及びエンドエフェクタの別の周囲図である。
【００３７】
図中、参照番号は、類似の及び／又は同一の要素を識別するために再利用されることがある。
【発明を実施するための形態】
【００３８】
半導体ウエハなどの基板は、基板ハンドリングシステムによって処理チャンバに入れられる及び処理チャンバから出されるために、ロードロックの台座上に位置決めされる。例えば、ロードロックから処理チャンバに基板（例えば、第１の温度を有する未処理の又は清浄な基板）を搬送するために、エンドエフェクタを含むロボットを使用することがあり得る。処理チャンバ内で基板が処理された後、エンドエフェクタは、基板（例えば、第１の温度とは異なる第２の温度を有する処理済みの又は汚れた基板）を、次なる使用又は処理のために、処理チャンバから取り出して搬送する。例えば、エンドエフェクタは、基板を処理チャンバからロードロックに又は別の処理チャンバに搬送することがある。
【００３９】
熱、粒子、及びその他の形態の汚染が、基板処理に悪影響を及ぼす恐れがある。例えば、基板内の温度のばらつき（例えば、局所的な高温点）が、臨界機器パラメータの不均一性などの不均一な処理結果を招く恐れがある。基板内の温度のばらつきは、また、処理時に基板に対して行われる質量測定にも悪影響を及ぼす恐れがある。更に別の例では、未処理の基板への粒子及びその他の汚染物質の移動が、処理済みの基板内に欠陥を生じさせる恐れがある。したがって、処理済みの基板によって未処理の基板が汚染される事態を防ぐことが、望まれている。具体的には、処理済みの基板から未処理の基板への、熱、粒子、及び／又はその他の形態の汚染の移動を防ぐことが、しばしば望まれている。
【００４０】
本開示の原理にしたがった基板ハンドリングシステム及び基板ハンドリング方法は、エンドエフェクタを備えたロボットを含み、エンドエフェクタは、エンドエフェクタに相対的に少なくとも２つの不連続な位置で基板に係合する又は基板を支持するための基板支持パッドの構成を有する。具体的には、基板ハンドリングシステムは、固定された基板支持パッドからなる第１の、即ち清浄な基板支持パッド群と、固定された基板支持パッドからなる第２の、即ち汚れた基板支持パッド群とを含む。基板がエンドエフェクタに相対的に第１の位置で支持されるときは、第１の基板支持パッド群が基板に係合し、第２の基板支持パッド群は、基板から切り離されている。基板がエンドエフェクタに相対的に第２の位置で支持されるときは、第２の基板支持パッド群が基板に係合し、第１の基板支持パッド群は、基板から切り離されている。
【００４１】
一部の構成では、第１の基板支持パッド群は、未処理の基板にのみ係合し、第２の基板支持パッド群は、処理済みの基板にのみ係合する。その他の構成では、第２の基板支持パッド群は、未処理の基板にのみ係合し、第１の基板支持パッド群は、処理済みの基板にのみ係合する。第１の及び第２の基板支持パッド群の一方のみを未処理の基板に係合させ、第１の及び第２の基板支持パッド群のもう一方のみを処理済みの基板に係合させることによって、第１の及び第２の基板支持パッド群のいずれかを通じて処理済みの基板が未処理の基板を汚染させる事態が阻止される。具体的には、処理済みの基板から基板支持パッドに移動されるかもしれない熱、粒子、及びその他の形態の汚染が引き続き基板支持パッドから未処理の基板に移動する事態が阻止される。
【００４２】
次に、図１を参照する。図１には、ＲＦプラズマを使用してエッチングを実施するための基板処理システム１００の一例が示されている。基板処理システム１００は、基板処理チャンバ１００のその他のコンポーネントを取り囲むとともにＲＦプラズマを収容する処理チャンバ１０２を含む。基板処理チャンバ１００は、上部電極１０４と、下部電極１０７を含む台座１０６とを含む。縁結合リング１０３が、台座１０６によって支持される。１つ以上のアクチュエータ１０５が、縁結合リング１０３を移動させるために使用されてよい。運転時には、上部電極１０４と下部電極１０７との間で台座１０６の上に、基板１０８が配置され、該基板１０８を取り巻くように、縁結合リング１０３が配置される。
【００４３】
ほんの一例として、上部電極１０４は、プロセスガスを導入及び分配するシャワーヘッド１０９を含んでいてよい。シャワーヘッド１０９は、処理チャンバ１０２の上面に一方の端が接続された柄部分を含んでいてよい。基部は、概ね円柱形であり、処理チャンバ１０２の上面から離れたところで柄部分のもう一方の端から半径方向外向きに広がる。シャワーヘッドの基部の基板対向表面、即ち面板は、プロセスガス又はパージガスが通る複数の穴を含む。或いは、上部電極１０４が、導電性の板を含んでいてよく、この場合、プロセスガスは、別の形で導入されてよい。下部電極１０７は、非導電性の台座内に配置されてよい。或いは、台座１０６が、下部電極１０７として機能する導電性の板を含む静電チャックを含んでいてよい。
【００４４】
ＲＦ発生システム１１０が、ＲＦ電圧を生成し、上部電極１０４及び下部電極１０７の一方に出力する。上部電極１０４及び下部電極１０７のもう一方は、ＤＣ接地電極、ＡＣ接地電極、又はフロート電極であってよい。ほんの一例として、ＲＦ生成システム１１０は、整合・分配回路網１１２によって上部電極１０４又は下部電極１０７に供給されるＲＦ電圧を生成するＲＦ電圧生成器１１１を含んでいてよい。その他の例では、プラズマは、誘導的に又は遠隔的に生成されてよい。
【００４５】
ガス配送システム１３０が、１つ以上のガス源１３２−１、１３２−２、．．．．．．、及び１３２−Ｎ（ガス源１３２と総称される）を含む。ここで、Ｎは、１つ以上の整数である。ガス源は、１種以上の前駆体、及びそれらの混合を供給する。ガス源は、パージガスも供給してよい。気化された前駆体が使用されてもよい。ガス源１３２は、弁１３４−１、１３４−２、．．．．．．、及び１３４−Ｎ（弁１３４と総称される）及び質量流量コントローラ１３６−１、１３６−２、．．．．．．、及び１３６−Ｎ（質量流量コントローラ１３６と総称される）によってマニホールド１４０に接続される。マニホールド１４０の出力は、処理チャンバ１０２に供給される。ほんの一例として、マニホールド１４０の出力は、シャワーヘッド１０９に供給される。
【００４６】
ヒータ１４２が、台座１０６内に配置されたヒータコイル（不図示）に接続されてよい。ヒータ１４２は、台座１０６及び基板１０８の温度を制御するために使用されてよい。弁１５０及びポンプ１５２が、処理チャンバ１０２から反応物を抜き出すために使用されてよい。コントローラ１６０が、基板処理システム１００のコンポーネントを制御するために使用されてよい。コントローラ１６０は、アクチュエータ１０５を制御して縁結合リング１０３の１つ以上の部分の位置を調整するためにも使用されてよい。
【００４７】
エンドエフェクタを含むロボット１７０が、台座１０６の上へ基板を配送するために及び台座１０６から基板を取り除くために使用されてよい。例えば、ロボット１７０は、本開示の原理にしたがって、台座１０６とロードロック１７２との間で基板を移送してよい。
【００４８】
次に、図２に言及すると、（例えば基板処理システム１００内に実装されるような、）基板処理ツール２００の非限定的な一例は、搬送ハンドリングチャンバ２２０と、１つ以上の基板処理チャンバをそれぞれ備えた複数のリアクタとを含む。基板２２５が、前面開閉式一体化ポッド（ＦＯＵＰ）などのカセット及び／又はポッド２２３から、基板処理ツール２００に入る。１つ以上のエンドエフェクタ２２６を含むロボット２２４が、基板２２５をハンドリングする。搬送ハンドリングチャンバ２２０の圧力は、大気圧であってよい。或いは、搬送ハンドリングチャンバ２２０は、（遮断弁として機能するポートによって）真空圧であってよい。
【００４９】
ロボット２２４は、ポッド２２３からロードロック２３０に基板２２５を移動させる。例えば、基板２２５は、ポート２３２（又は遮断弁）を経てロードロック２３０に入り、ロードロック台座２３３の上に置かれる。搬送ハンドリングチャンバ２２０に至るポート２３２は、閉じられ、ロードロック２３０は、ポンプによって、移動に適した圧力に減圧される。ロードロック２３０に入る際に、基板２２５は、未処理の状態にあるだろうことがわかる。例えば、ロードロック２３０に入る際、基板２２５は、処理済みの又は清浄な基板であると言うことができ、第１の温度Ｔ１を有していてよい。
【００５０】
ロボット２２４は、本開示の原理にしたがって、コントローラ（例えば、図１に示されるようなコントローラ１６０）による誘導の下で、ポッド２２３からロードロック２３０に未処理の基板２２５を移送する。例えば、コントローラ１６０は、ポッド２２３から基板２２５を取り出すために及び基板２２５をロードロック２３０内に置くように、ロボット２２４及びエンドエフェクタ２２６を誘導することがあり得る。具体的には、コントローラ１６０は、ロボット２２４及び／又はエンドエフェクタ２２６を、ロードロック台座２３３に相対的に第１の位置に誘導してよい。
【００５１】
処理ハンドリングチャンバ２３５内の、１つ以上のエンドエフェクタ２３８を含むロボット２３６が、基板をロードロック２３０から、選択されたリアクタ２４０−１、２４０−２、及び２４０−３（リアクタ２４０と総称される）に移動させる。例えば、ポート２３４が開くと、ロボット２３６は、選択されたリアクタ２４０−１、２４０−２、及び２４０−３に対応するポート２３７−１、２３７−２、２３７−３（ポート２３７と総称される）の１つを通して基板を置いてよい。ロードロック２３０は、複数の台座２３３と関連のポート２３２、２３４とを有するものとして示されているが、一部の実施形態では、ロードロック２３０は、１つの台座２３３及びそれに対応するポート２３２、２３４のみを含んでいてよい。
【００５２】
ロボット２３６は、本開示の原理にしたがって、コントローラ（例えば、図１に示されるようなコントローラ１６０）による誘導の下で基板２２５を移送し、ロードロック２３０から出す、及びリアクタ２４０の処理チャンバに対して出入りさせる。例えば、コントローラ１６０は、ロボット２３６及びエンドエフェクタ２３８を誘導し、ロードロック２３０から基板２２５を取り出す、及び基板２２５を処理のためにリアクタ２４０の処理チャンバ内に置くことができる。具体的には、コントローラ１６０は、ロボット２３６及び／又はエンドエフェクタ２３８を、リアクタ２４０の移送板２４６に相対的に第１の位置に誘導してよい。リアクタ２４０の処理チャンバに入る前に、基板２２５は、未処理の状態にあるだろう。例えば、基板２２５は、第１の温度Ｔ１を有していてよい。
【００５３】
基板間欠回転メカニズム２４２が、基板をリアクタ２４０の基板処理チャンバに対して更に位置決めするために使用されてよい。一部の例では、間欠回転メカニズム２４２は、心棒２４４と移送板２４６とを含む。
【００５４】
一部の例では、リアクタ２４０の処理チャンバ又は処理ステーションの少なくとも１つが、材料のデポジション又はエッチングなどの半導体処理動作をその他のステーションと連続して又は同時進行して実施することができる。一部の例では、ステーションの１つ又は複数が、ＲＦをベースにした半導体処理動作を実施してよい。
【００５５】
基板は、基板間欠回転メカニズム２４２を使用して、リアクタ２４０内の１つのステーションから次のステーションに移動される。リアクタ２４０のステーションの１つ以上が、ＲＦプラズマによるデポジション又はエッチングを実施可能であってよい。使用時に、基板は、１つ又は２つ以上のリアクタ２４０に移動され、処理され、次いで戻される。各基板のハンドリング時間の短縮は、生産性及びスループットを向上させることがわかる。
【００５６】
リアクタ２４０の処理チャンバ内で基板２２５が処理された後、コントローラ１６０は、ロボット２３６及びエンドエフェクタ２３８を誘導し、基板２２５をリアクタ２４０の処理チャンバから取り出すことができる。具体的には、コントローラ１６０は、ロボット２３６及び／又はエンドエフェクタ２３８を、リアクタ２４０の移送板２４６に相対的に第１の位置とは異なる第２の位置に誘導してよい。リアクタ２４０の処理チャンバから取り出される際、基板２２５は、処理状態にあるだろうことがわかる。例えば、リアクタ２４０の処理チャンバから取り出される際に、基板２２５は、処理済みの又は汚れた基板であると言うことができ、第１の温度Ｔ１とは異なる第２の温度Ｔ２を有していてよい。具体的には、処理済み状態の基板２２５の温度Ｔ２は、未処理の状態の基板２２５の温度Ｔ１よりも高くてよい。
【００５７】
コントローラ１６０は、ロボット２３６及びエンドエフェクタ２３８を誘導し、処理済みの基板２２５をロードロック２３０内に置くことができる。例えば、処理済みの基板２２５は、ポート２３４を通ってロードロック２３０に入り、ロードロック台座２３３の上に置かれる。ロボット２３６は、本開示の原理にしたがって、コントローラによる誘導の下で、基板をロードロック２３０に移送する。
【００５８】
エンドエフェクタ２２６を含むロボット２２４は、処理済みの基板２２５を、ポート２３２の１つを通してロードロック２３０からポッド２２３に移動させる。例えば、コントローラ１６０は、ロボット２２４及びエンドエフェクタ２２６を誘導し、ロードロック２３０から基板２２５を取り出す及び基板２２５をポッド２２３内に置くことができる。具体的には、コントローラ１６０は、ロボット２２４及び／又はエンドエフェクタ２２６を、ロードロック台座２３３に相対的に第２の位置に誘導してよい。
【００５９】
次に、図３〜５について言及する。これらの図には、本開示の原理にしたがった、エンドエフェクタ３００を有するロボットの一例（例えば、図２に示されたロボット２２４及び／又はロボット２３６）が示されている。例示されるように、一部の構成では、ロボットは、２本以上のエンドエフェクタ３００を含む。具体的には、ロボットは、積み重ねられた複数のエンドエフェクタ３００を含んでいてよい。エンドエフェクタ３００は、本体部分３０２と、第１の及び第２の枝部分３０４及び３０６とを含む。第１の及び第２の枝部分３０４及び３０６は、エンドエフェクタ３００が概ねフォーク型の形状、即ち基板対向表面３０８を有する構成を形成するように、本体部分３０２から伸びている。例示されるように、一部の構成では、本体部分３０２は、第１の及び／又は第２の枝部分３０４及び３０６と一体的に形成される、即ち一体成形される。しかしながら、本体部分３０２、並びに第１の及び／又は第２の枝部分３０４及び３０６は、本開示の範囲内で、別々で個別の部材であってもよいことがわかる。
【００６０】
エンドエフェクタ３００は、更に、第１の、第２の、第３の、第４の、第５の、第６の、及び第７の基板支持パッド３１２、３１４、３１６、３１８、３２０、３２２、及び３２４を含む。一部の構成では、第１の、第２の、及び第３の基板支持パッド３１２、３１４、及び３１６は、本体部分３０２上に配置され、第４の及び第５の基板支持パッド３１８及び３２０は、第１の枝部分３０４上に配置され、第６の及び第７の基板支持パッド３２２及び３２４は、第２の枝部分３０６上に配置される。その際、第１の、第２の、第３の、第４の、第５の、第６の、及び第７の基板支持パッド３１２、３１４、３１６、３１８、３２０、３２２、及び３２４は、エンドエフェクタ３００の本体部分３０２、並びに第１の及び第２の枝部分３０４及び３０６に対して固定であってよい。
【００６１】
図４Ａ及び図４Ｂに示されるように、第１の、第２の、第３の、第４の、第５の、第６の、及び／又は第７の基板支持パッド３１２、３１４、３１６、３１８、３２０、３２２、及び／又は３２４は、互いに対して及び／又はエンドエフェクタ３００の基板対向表面３０８に対して傾斜していてよい。具体的には、第１の、第２の、第３の、第４の、第５の、第６の、及び／又は第７の基板支持パッド３１２、３１４、３１６、３１８、３２０、３２２、及び／又は３２４は、それぞれ、エンドエフェクタ３００の基板対向表面３０８に向かって半径方向内向きの方向に傾斜した第１の、第２の、第３の、第４の、第５の、第６の、及び／又は第７の傾斜表面３１２ａ、３１４ａ、３１６ａ、３１８ａ、３２０ａ、３２２ａ、及び／又は３２４ａを含んでいてよい。
【００６２】
第１の、第２の、第３の、第４の、第５の、第６の、及び第７の基板支持パッド３１２、３１４、３１６、３１８、３２０、３２２、及び３２４は、それぞれ、エンドエフェクタ３００の基板対向表面３０８に相対的に第１の、第２の、第３の、第４の、第５の、第６の、及び第７の高さｈ１、ｈ２、ｈ３、ｈ４、ｈ５、ｈ６、及びｈ７を形成する。具体的には、傾斜表面３１２ａ、３１４ａ、３１６ａ、３１８ａ、３２０ａ、３２２ａ、及び３２４ａは、第１の、第２の、第３の、第４の、第５の、第６の、及び第７の高さｈ１、ｈ２、ｈ３、ｈ４、ｈ５、ｈ６、及びｈ７を形成していてよい。更に詳細に後述されるように、第１の、第２の、第３の、第４の、第５の、第６の、及び第７の高さｈ１、ｈ２、ｈ３、ｈ４、ｈ５、ｈ６、及びｈ７は、第１の、第２の、第３の、第４の、第５の、第６の、及び第７の基板支持パッド３１２、３１４、３１６、３１８、３２０、３２２、及び３２４が半導体ウエハなどの基板３３４（図６Ａ及び図６Ｂ）に係合する又はそれ以外の形で支持する場所を定めていてよい。
【００６３】
第１の及び第３の高さｈ１及びｈ３は、第２の高さｈ２よりも大きい。その際、第１の高さ及び第３の高さｈ３は、互いに等しくてよい。第５の高さｈ５は、第４の高さよりも大きく、第６の高さｈ６は、第７の高さｈ７よりも大きい。その際、第５の高さｈ５は、第６の高さｈ６に等しくてよく、第４の高さｈ４は、第７の高さｈ７に等しくてよい。一部の構成では、第１の、第３の、第５の、及び第６の高さｈ１、ｈ３、ｈ５、及びｈ６は、互いに等しく、第２の、第４の、及び第７の高さｈ２、ｈ４、及びｈ７は、互いに等しい。具体的には、第１の、第３の、第５の、及び第６の高さｈ１、ｈ３、ｈ５、及びｈ６は、第２の、第４の、及び第７の高さｈ２、ｈ４、及びｈ７よりも１．１〜２．１ミリメートル大きくてよい。一部の構成では、第１の、第３の、第５の、及び第６の高さｈ１、ｈ３、ｈ５、及びｈ６は、第２の、第４の、及び第７の高さｈ２、ｈ４、及びｈ７よりも１．５ミリメートル大きい。
【００６４】
図５を参照にすると、第１の、第３の、第４の、及び第７の基板支持パッド３１２、３１６、３１８、及び３２４は、第１の直径Ｄ１と第１の中心軸Ａ１とを有する第１の円３２８を形成する。第２の、第５の、及び第６の基板支持パッド３１４、３２０、及び３２２は、第２の直径Ｄ２と第２の中心軸Ａ２とを有する第１２の円３３０を形成する。したがって、図５に示されるように、第３の基板支持パッド３１６は、第１の円３２８に相対的に見て第１基板支持パッド３１２と第４の基板支持パッド３１８との間に位置し、第４の基板支持パッド３１８は、第１の円３２８に相対的に見て第３の基板支持パッド３１６と第７の基板支持パッド３２４との間に位置し、第７の基板支持パッド３２４は、第１の円３２８に相対的に見て第１の基板支持パッド３１２と第４の基板支持パッド３１８との間に位置する。同様に、第２の基板支持パッド３１４は、第２の円３３０に相対的に見て第５の基板支持パッド３２０と第６の基板支持パッド３２２との間に位置し、第５の基板支持パッド３２０は、第２の円３３０に相対的に見て第２の基板支持パッド３１４と第６の基板支持パッド３２２との間に位置する。
【００６５】
第１の直径Ｄ１は、第２の直径Ｄ２に等しく、第１の軸Ａ１は、第２の軸Ａ２からずれている。具体的には、第１の軸Ａ１は、第２の軸Ａ１から距離Ｘ１だけ直線的にずれ（図５）、第２の軸Ａ２に対して角度αだけ角度的にずれている、即ち回転されている（図４Ａ）。距離Ｘ１は、５〜１５ミリメートルであってよい。一部の構成では、距離Ｘ１は、１０ミリメートルに等しい。
【００６６】
第１の及び第２の直径Ｄ１及びＤ２は、更に、基板３３４の第３の直径Ｄ３に等しくてよい（図６Ａ及び図６Ｂ）。したがって、更に詳しく後述されるように、基板３３４が第１の位置にあるときは、第１の、第３の、第４の、及び第７の基板支持パッド３１２、３１６、３１８、及び３２４が基板３３４の周縁部３３６に係合してよく、基板が第２の位置にあるときは、第２の、第５の、及び第６の基板支持パッド３１４、３２０、及び３２２が基板３３４の周縁部３３６に係合してよい。
【００６７】
次に、図６Ａ〜６Ｂを参照する。これらの図では、本開示の原理にしたがった、基板処理システム３４０においてエンドエフェクタ３００によって基板３３４をハンドリングする方法例が説明される。方法は、後述されるように、図１〜６Ｂの様々なコンポーネントを使用して実現される。
【００６８】
図６Ａを参照にして、未処理の状態にある基板３３４を移動させることに関連する第１の動作モードが説明される。具体的には、第１の動作モードは、エンドエフェクタ３００を有するロボット（例えば、図２のロボット２３６）によって基板３３４をロードロック（例えば、図２のロードロック２３０）からリアクタ３４４の処理チャンバ３４２に移動させることに関連して説明される。しかしながら、第１の動作モードは、エンドエフェクタ３００を有するロボット（例えば、図２のロボット２２４）によってポッド（例えば、図２のポッド２２３）からロードロックに基板３３４を移動させることも含んでいてよいことがわかる。
【００６９】
第１の動作モードでは、基板３３４をロードロックから取り出して処理チャンバ３４２内へ移動させるために、第２の、第５の、及び第６の高さｈ２、ｈ５、及びｈ６にそれぞれある第２の、第５の、及び第６の基板支持パッド３１４、３２０、及び３２２が、基板３３４の周縁部３３６に係合してよい。したがって、第２の、第５の、及び第６の基板支持パッド３１４、３２０、及び３２２が基板３３４の周縁部３３６に係合するときに、第４の及び第７の基板支持パッド３１８及び３２４は、基板３３４と、エンドエフェクタ３００の基板対向表面３０８とのちょうど間に配置される。具体的には、第４の及び第７の基板支持パッド３１８及び３２４は、周縁部３３６の半径方向内側に配置され、第１の及び第３の基板支持パッド３１２及び３１６は、周縁部３３６の半径方向外側に配置される。また、基板３３４の中心軸Ａ３は、基板３３４が処理チャンバ３４２内へ移動される際に、第２の円３３０の第２の軸Ａ２と一直線に揃う。基板３３４は、処理チャンバ３４２に入る前、第２の、第５の、及び第６の基板支持パッド３１４、３２０、及び３２２によって係合されている間は、清浄な、又はそれ以外で未処理の状態であるだろうことがわかる。
【００７０】
基板３３４を処理チャンバ３４２内に置くためには、コントローラ（例えば、図１に示されるようなコントローラ１６０）が、ロボット（例えば、図２に示されるようなロボット２３６）及び／又はエンドエフェクタ３００を処理チャンバ３４２の移送板３４６に相対的に第１の位置に誘導してよい。具体的には、コントローラは、エンドエフェクタ３００を処理チャンバ３４２内へ第１の距離だけ入った第１の位置に誘導してよい。基板３３４は、コントローラによる制御の下で、ロボットを使用して移送板３４６へ移動されてよい。基板３３４は、次いで、本明細書で前述された方法及び手順にしたがって処理される。
【００７１】
図６Ｂを参照にして、処理済みの状態にある基板３３４を移動させることに関連して第２の動作モードが説明される。具体的には、第２の動作モードは、エンドエフェクタ３００を有するロボット（例えば、図２のロボット２３６）によって基板３３４をリアクタ３４４の処理チャンバ３４２からロードロックに移動させることに関連して説明される。しかしながら、第２の動作モードは、エンドエフェクタ３００を有するロボット（例えば、図２のロボット２２４）によって基板３３４をロードロックからポッドに移動させることも含んでいてよいことがわかる。
【００７２】
図６Ｂに示されるように、処理に続いて、エンドエフェクタ３００は、第２の動作モードにおいて基板３３４をリアクタ３４４の処理チャンバ３４２から取り出す。具体的には、基板３３４を処理チャンバから取り出すために、それぞれ第１の、第３の、第４の、及び第７の高さｈ１、ｈ３、ｈ４、及び７ｈにある第１の、第３の、第４の、及び第７の基板支持パッド３１２、３１６、３１８、及び３２４が、基板３３４の周縁部３３６に係合してよい。したがって、第１の、第３の、第４の、及び第７の基板支持パッド３１２、３１６、３１８、及び３２４が基板３３４の周縁部３３６に係合するときに、第２の基板支持パッド３１４は、基板３３４と、エンドエフェクタ３００の基板対向表面３０８とのちょうど間に配置される。具体的には、第２の基板支持パッド３１４は、周縁部３３６の半径方向内側に配置され、第５の及び第６の基板支持パッド３２０及び３２２は、周縁部３３６の半径方向外側に配置される。また、基板３３４の中心軸Ａ３は、基板３３４が処理チャンバ３４２から取り出されるときに、第１の円３２８の第１の軸Ａ１と一直線に揃うだろう。基板３３４は、処理チャンバ３４２から取り出される際、第１の、第３の、第４の、及び第７の基板支持パッド３１２、３１６、３１８、及び３２４によって係合されている間は、汚れた、又はそれ以外で処理済みの状態であってよいことがわかる。
【００７３】
処理チャンバ３４２から基板３３４を取り出すためには、コントローラは、ロボット及び／又はエンドエフェクタ３００を処理チャンバ３４２の移送板３４６に相対的に第２の位置に誘導してよい。具体的には、コントローラは、エンドエフェクタ３００を処理チャンバ３４２内へ第２の距離だけ入った第２の位置に誘導してよい。第１の動作モードにおける第１の位置と、第２の動作モードにおける第２の位置との間の距離Ｘ２は、第１の円３２８の第１の軸Ａ１と、第２の円３３０の第２の軸Ａ２との間の距離Ｘ１（図５）に実質的に等しい。基板３３４は、次いで、コントローラによる制御の下で、ロボットを使用してエンドエフェクタ３００へ移動されてよい。
【００７４】
上述のように、エンドエフェクタ３００によって基板３３４をハンドリングする上記の方法例は、第１の動作モード及び第２の動作モードにおいて、それぞれ、エンドエフェクタ３００を第１の距離及び第２の距離だけ処理チャンバ３４２内に入った第１の位置及び第２の位置に誘導することを含んでいてよい。しかしながら、上記方法は、第１の動作モード及び第２の動作モードのそれぞれにおいてエンドエフェクタ３００を第１の距離だけ移動させて、第１の動作モード及び第２の動作モードのいずれか１つにおいて基板３３４を距離Ｘ２だけ移動させることを含んでいてよいこともわかる。例えば、方法は、基板３３４を処理チャンバ３４０内へ移動させた後、基板を処理チャンバ３４０から取り出す前に、基板３３４を距離Ｘ２だけ移動させることを含んでいてよい。
【００７５】
以上の説明は、例示的な性質のものに過ぎず、開示、その用途、又は使用を制限することを決して意図しない。開示による広範な教示内容は、多様な形態で実現されることが可能である。したがって、本開示は、具体的な例を含む一方で、開示の真の範囲は、図面、明細書、及び特許請求の範囲を吟味することによってその他の変更形態が明らかになるゆえにそのような具体例に限定されるべきではない。本明細書で使用される「Ａ，Ｂ、及びＣの少なくとも１つ」という文句は、非排他的な論理「又は」を使用した論理（Ａ又はＢ又はＣ）を意味すると見なされるべきであり、「Ａの少なくとも１つ、Ｂの少なくとも１つ、及びＣの少なくとも１つ」を意味すると見なされるべきではない。また、方法における１つ以上の段階は、本開示の原理を変更することなく異なる順番で（又は同時に）実行されてもよいことが、理解されるべきである。
【００７６】
実施形態の例は、本開示を完全なものにし、その範囲を当業者に十分に伝えられるようにするために提供される。本開示の実施形態の完全な理解を可能にするために、特定のコンポーネント、機器、及び方法の例などの数々の具体的詳細が明記されている。当業者にならば、これらの具体的詳細が必ずしも用いられる必要はないこと、及び実施形態の例が数々の異なる形態で実現されてよく、開示の範囲を制限すると見なされるべきではないことが、明らかである。一部の実施形態例では、周知のプロセス、周知の機器構造、及び周知の技術の詳細な説明が省略されている。
【００７７】
本明細書で使用される表現は、具体的な実施形態例を説明する目的で使用されているに過ぎず、限定的であることを意図しない。本明細書で使用される単数形「a」、「an」、及び「the」は、文脈中に別途明確に示されていない限り、複数形も含むことを意図すると解してよい。「comprises（を含む）」、「comprising（を含む）」、「including（を含む）」、及び「having（を有する）」は、包含的であり、したがって、挙げられた特徴、整数、工程、動作、要素、及び／又はコンポーネントの存在を明記してはいるが、１つ又は複数のその他の特徴、整数、工程、動作、要素、コンポーネント、及び／又はそれらの群の存在又は追加を排除するものではない。本明細書で説明される方法の工程、プロセス、及び動作は、実施の順番として具体的に特定されない限り、論じられた又は例として示された特定の順番で実施されることが必ずしも必要であるとは見なされない。
【００７８】
本明細書では、様々な要素、コンポーネント、領域、層、及び／又は区域を説明するために、第１の、第２の、第３のなどの表現が使用されているが、これらの要素、コンポーネント、領域、層、及び／又は区域は、これらの表現によって制限されるべきでない。これらの表現は、１つの要素、コンポーネント、領域、層、及び／又は区域を別の領域、層、又は区域から区別するために使用されるに過ぎない。「第１の」、「第２の」、及びその他の数値表現などの表現は、本明細書で使用されるときは、文脈中に別途明確に示されない限り、順序又は順番を示唆するものではない。したがって、以下で論じられる第１の要素、コンポーネント、領域、層、又は区域は、実施形態例による教示内容から逸脱することなく第２の要素、コンポーネント、領域、層、又は区域と表現されることも可能である。
【００７９】
図に示されるような、或る要素又は特徴と別の（１つ以上の）要素又は（１つ以上の）特徴との関係を記述するための説明を容易にするために、本明細書では、「inner（内側）」、「outer（外側）」、「beneath（下）」、「below（下方）」、「lower（下部）」、「above（上方）」、「upper（上部）」などの、空間的相対性の表現が使用されてよい。空間的相対性の表現は、使用されている又は動作中の機器の、図に描かれている向き以外の様々な向きも包含することを意図してよい。例えば、もし、図中の機器が逆さにされたならば、その他の要素又は特徴の「下方」又は「下」であるとして記述された要素は、その他の要素又は特徴の「上方」の向きにされるだろう。したがって、「下方」という表現例は、上方及び下方の両方の向きを包含することができる。機器は、その他の向きにされて（９０度又はその他の向きに回転されて）もよく、本明細書で使用される空間的相対性の表現は、それに応じて解釈される。
【００８０】
一部の実装形態では、コントローラは、システムの一部であり、該システムは、上述された例の一部であってよい。このようなシステムは、１つ若しくは複数の処理ツール、１つ若しくは複数のチャンバ、処理のための１つ若しくは複数のプラットフォーム、及び／又は特定の処理コンポーネント（基板台座やガスフローシステムなど）などの、半導体処理機器を含むことができる。これらのシステムは、半導体ウエハ又は基板の処理の前、最中、及び後におけるそれらの動作を制御するための電子機器と一体化されてよい。電子機器は、「コントローラ」と呼ばれてよく、１つ又は複数のシステムの様々なコンポーネント又は副部品を制御してよい。コントローラは、処理要件及び／又はシステムのタイプに応じ、処理ガスの供給、温度の設定（例えば、加熱及び／若しくは冷却）、圧力の設定、真空の設定、電力の設定、高周波（ＲＦ）発生器の設定、ＲＦ整合回路の設定、周波数の設定、流量の設定、流体供給の設定、位置及び動作の設定、特定のシステムに接続された若しくはインターフェース接続されたツール及びその他の移送ツール及び／若しくはロードロックに対してウエハを出し入れするウエハ移送などの、本明細書で開示される任意のプロセスを制御するようにプログラムされてよい。
【００８１】
概して、コントローラは、命令を受信する、命令を発行する、動作を制御する、洗浄動作を可能にする、終点測定を可能にするなどの様々な集積回路、ロジック、メモリ、及び／又はソフトウェアを有する電子機器として定義されてよい。集積回路としては、プログラム命令を記憶するファームウェアの形態をとるチップ、デジタル信号プロセッサ（ＤＳＰ）、特殊用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）として形成されたチップ、及び／又はプログラム命令（例えば、ソフトウェア）を実行する１つ以上のマイクロプロセッサ若しくはマイクロコントローラが挙げられる。プログラム命令は、様々な個別設定（又はプログラムファイル）の形態でコントローラに伝えられて半導体ウエハに対して又はシステムのために特定のプロセスを実施するための動作パラメータを定義する命令であってよい。動作パラメータは、一部の実施形態では、１枚以上の層、材料、金属、酸化物、シリコン、二酸化シリコン、表面、回路、及び／又はウエハダイの製作時に１つ以上の処理工程を実現するためにプロセスエンジニアによって定義されるレシピの一部であってよい。
【００８２】
コントローラは、一部の実装形態では、システムと一体化された、システムに結合された、それ以外の形でシステムにネットワーク接続された、若しくはそれらを組み合わせた、コンピュータの一部であってよい、又はそのようなコンピュータに結合されてよい。例えば、コントローラは、「クラウド」の中、又はファブホストコンピュータシステムの全体若しくは一部の中にあってよく、これは、ウエハ処理へのリモートアクセスを可能にするしてよい。コンピュータは、製作動作の現進行状況を監視し、過去の製作動作の履歴を調査し、複数の製作動作から傾向若しくは性能基準を調査するために、又は現処理のパラメータを変更するために、又は現処理を追跡するための処理工程を設定するために、又は新しいプロセスを開始させるために、システムへのリモートアクセスを可能にしてよい。一部の例では、リモートコンピュータ（例えば、サーバ）が、ローカルネットワーク又はインターネットなどのネットワークを通じてシステムにプロセスレシピを提供することができる。リモートコンピュータは、パラメータ及び／若しくは設定の入力又はプログラミングを可能にするユーザインターフェースを含んでいてよく、これらのパラメータ及び／又は設定は、次いで、リモートコンピュータからシステムに伝えられる。一部の例では、コントローラは、１つ以上の動作中に実施される各処理工程のためのパラメータを指定するデータの形式で命令を受信する。なお、パラメータは、実施されるプロセスのタイプに、及びコントローラがインターフェース接続されるように又は制御するように構成されたツールのタイプに特有であってよいことが、理解されるべきである。したがって、上述のように、コントローラは、ネットワークによって結ばれて本明細書で説明されるプロセス及び制御などの共通の目的に向かって作業する１つ以上の個別のコントローラを含むなどによって、分散されてよい。このような目的のための分散コントローラの一例として、（プラットフォームレベルに又はリモートコンピュータの一部として）遠隔設置されてチャンバにおけるプロセスを協同して制御する１つ以上の集積回路と通じているチャンバ上の１つ以上の集積回路が挙げられる。
【００８３】
システムの例として、制限なく、プラズマエッチングチャンバ若しくはプラズマエッチングモジュール、デポジションチャンバ若しくはデポジションモジュール、スピンリンスチャンバ若しくはスピンリンスモジュール、金属めっきチャンバ若しくは金属めっきモジュール、洗浄チャンバ若しくは洗浄モジュール、ベベルエッジエッチングチャンバ若しくはベベルエッジエッチングモジュール、物理蒸着（ＰＶＤ）チャンバ若しくはＰＶＤモジュール、化学気相成長（ＣＶＤ）チャンバ若しくはＣＶＤモジュール、原子層堆積（ＡＬＤ）チャンバ若しくはＡＬＤモジュール、原子層エッチング（ＡＬＥ）チャンバ若しくはＡＬＥモジュール、イオン注入チャンバ若しくはイオン注入モジュール、追跡チャンバ若しくは追跡モジュール、並びに半導体ウエハの製作及び／若しくは製造に関係付けられた若しくは使用されるその他の任意の半導体処理システムが挙げられる。
【００８４】
上記のように、ツールによって実施される１つ以上のプロセス工程に応じ、コントローラは、その他のツール回路若しくはツールモジュール、その他のツールコンポーネント、クラスタツール、その他のツールインターフェース、隣接するツール、近隣のツール、工場随所のツール、メインコンピュータ、別のコントローラ、又は半導体製造工場内のツール場所及び／若しくは装填ポートに対してウエハ容器を出し入れする材料輸送に使用されるツールのうちの、１つ以上とやり取りするだろう。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５】
2016208018.tif 000008
【図６Ａ】
2016208018.tif 000009
【図６Ｂ】
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【外国語明細書】
2016208018000001.pdf