(57)【要約】【課題】耐腐食性の高い熱分解窒化ホウ素膜で被覆された構造の耐熱基材を提供する。【解決手段】基材表面の一部もしくは全体が熱分解窒化ホウ素膜で被覆された構造の耐熱基材であって、前記熱分解窒化ホウ素膜が、酸素を０．００１ａｔｏｍ％以上３ａｔｏｍ％以下含むものであることを特徴とする耐熱基材。酸素を含んだ上記熱分解窒化ホウ素膜は、窒素原子を含む気体とホウ素原子を含む気体に加えて、酸素原子を含む気体を加えることで、ＣＶＤ法によって製造することができる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材表面の一部もしくは全体が熱分解窒化ホウ素膜で被覆された構造の耐熱基材であって、前記熱分解窒化ホウ素膜が、酸素を０．００１ａｔｏｍ％以上３ａｔｏｍ％以下含むものであることを特徴とする耐熱基材。
【請求項２】
前記熱分解窒化ホウ素膜の密度が、２．００ｇ／ｃｍ３以上２．２０ｇ／ｃｍ３以下であることを特徴とする請求項１に記載の耐熱基材。
【請求項３】
前記基材が、グラファイト、Ｃ／Ｃコンポジットカーボン、熱分解黒鉛、シリコンカーバイド、タングステン、タンタルのいずれか１つである請求項１または２に記載した耐熱基材。
【請求項４】
窒素原子を含有する気体とホウ素原子を含有する気体とからなる原料ガスからＣＶＤ法によって熱分解窒化ホウ素膜を基材表面上に被覆して耐熱基材を製造する方法において、酸素原子を含む気体を前記原料ガス中に混入することによって前記熱分解窒化ホウ素膜中に酸素を０．００１ａｔｏｍ％以上３ａｔｏｍ％以下含ませることを特徴とする耐熱基材の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、耐熱基材に関し、特に、熱分解窒化ホウ素膜で被覆された構造の耐熱基材に関する。
【背景技術】
【０００２】
熱分解窒化ホウ素（以下、「ＰＢＮ」（Ｐｙｒｏｌｙｔｉｃ  Ｂｏｒｏｎ  Ｎｉｔｒｉｄｅ）ということがある）は、例えばＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法によって作製され、高絶縁性、高耐熱性、フレキシビリティ性を備えた材料である。熱ＣＶＤ法によるＰＢＮの作製では、１８００〜２０００℃の高温で、Ｂ（ホウ素）原子を含んだガスとＮ（窒素）原子を含んだガスを反応させて、被加熱物に堆積させる方法が知られている。使用するガスとしては、例えば三塩化ホウ素とアンモニアがある。１８００℃以上の高温を必要とするため、ＣＶＤ炉の炉材には高耐熱性を有するグラファイト系の治具、断熱材を使用することが一般的である。ＰＢＮは、高耐熱性、強度等の優れた特性から化合物半導体引き上げ用ルツボ、分子線エピタキシー用金属蒸発用ルツボ、酸窒化物合成用ルツボ、ＭＯＣＶＤ装置用治具などの部材として幅広く使用されている。近年、ＭＯＣＶＤ装置では、Ｈ２、ＮＨ３などの腐食性ガスが使用されるが、ＰＢＮはこれらガスに対する耐性が高いことも特徴である。
【０００３】
このような性質のＰＢＮ材を耐熱性の基材に被覆すれば、Ｈ２、ＮＨ３などの腐食性雰囲気であっても、高温で基材を使用することが可能となる。例えば、治具及びヒーター用などに供されている。
【０００４】
ＭＯＣＶＤ装置には、タングステン、タンタルからなる金属線を使用したヒーターや、カーボンにＰＢＮをコートしたヒーターが使用され、１３００〜１５００℃程度の温度に加熱されるものもある。タングステン、タンタルを用いたヒーターでは、Ｈ２、ＮＨ３に対する耐性は高いが、金属酸化物が不純物として蒸発することや、被加熱物の温度分布が悪いことが課題となっている。一方で、カーボンにＰＢＮをコートしたヒーターは、不純物が蒸発することはなく、温度分布も良好であるが、ＮＨ３に対して、長時間使用していると局所的な腐食が発生する。この局所的な腐食が進行すると、ＰＢＮコートに穴が空いてしまい、内部のカーボンがＨ２、ＮＨ３によって消耗してしまう問題がある。
【０００５】
局所的な腐食の原因は明らかではないが、ＮＨ３中に含まれる微量の水分（Ｈ２Ｏ）や装置内に付着した微量の水分が原因で、腐食が起こっているのではないかと考えられる。
【０００６】
特許文献１には、蒸着したＰＢＮコートを１７５０〜２０００℃の温度でアニールすることで、ＰＢＮコート性能に悪影響を与えることなく耐水性にできることが記載されている。アニールしたサンプルは、９５〜１００℃の水に対する抵抗性が良くなったと記載されているが、これに関する詳細なデータは付されておらず、高温での水蒸気やＮＨ３に対する耐性については何ら述べられていない。
【０００７】
また、特許文献２には、２．１９〜２．２ｇ／ｃｍ３の高密度ＰＢＮをグラファイト体にコートして、溶融アルミニウムに対する反応性を下げることが記載されているが、高温における耐水性や耐ＮＨ３性については何ら述べられていない。さらに、高密度ＰＢＮを作製するために反応温度を１９５０〜２０００℃としているが、この条件では反応炉に使用しているグラファイト系炉材の消耗、メンテナンス等への影響についても考慮が必要となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特許第２７２９２８９号公報
【特許文献２】特許第３４１５６２６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、上記のような問題に鑑みなされたものであり、半導体、ＬＥＤ及び太陽電池製造装置等で使用される、耐腐食性の高い熱分解窒化ホウ素膜で被覆された構造の耐熱基材を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するために、本発明は、基材表面の一部もしくは全体が熱分解窒化ホウ素（ＰＢＮ）膜で被覆された構造の耐熱基材であって、前記熱分解窒化ホウ素膜が、酸素（Ｏ）を０．００１ａｔｏｍ％以上３ａｔｏｍ％以下含むものであることを特徴とする耐熱基材を提供する。
【００１１】
このように、ＰＢＮ膜中にＯを０．００１ａｔｏｍ％以上３ａｔｏｍ％以下含ませることによって、熱分解窒化ホウ素膜の密度を高め、緻密なものとすることができ、水分やＮＨ３等との反応を抑制することができる。
【００１２】
このとき、前記熱分解窒化ホウ素膜の密度を、２．００ｇ／ｃｍ３以上２．２０ｇ／ｃｍ３以下とすることができる。
【００１３】
また、前記基材が、グラファイト、Ｃ／Ｃコンポジットカーボン、熱分解黒鉛、シリコンカーバイド、タングステン、タンタルのいずれかからなるものとすることができる。
【００１４】
これら耐熱基材を例えばＭＯＣＶＤ装置のヒーターとして使用した場合、腐食性雰囲気で長時間使用しても、局所的な腐食が発生することがない。
【００１５】
本発明はまた、窒素原子を含有する気体とホウ素原子を含有する気体とからなる原料ガスからＣＶＤ法によって熱分解窒化ホウ素膜を基材表面上に被覆して耐熱基材を製造する方法において、酸素原子を含む気体を前記原料ガス中に混入することによって前記熱分解窒化ホウ素膜中に酸素を０．００１ａｔｏｍ％以上３ａｔｏｍ％以下含ませることを特徴とする耐熱基材の製造方法を提供する。
【００１６】
このように、Ｏ原子を含む気体を供給することで、反応温度を上げることなく、ＰＢＮ膜を高密度化することができる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、耐食性の高い熱分解窒化ホウ素膜で被覆された構造の耐熱基材を提供することができる。本耐熱基材は、半導体、ＬＥＤ及び太陽電池製造装置等で使用でき、腐食性雰囲気で長時間使用しても局所的な腐食が発生することがない。また、本発明の製造方法では、高い反応温度による炉材の消耗も抑制できるため、反応炉のメンテナンス回数が少なくなり、生産性を向上することもできる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の耐熱基材の一例を示す説明図である。
【図２】本発明で使用することができる反応炉の断面図及び供給管の模式図である。
【図３】実施例における熱分解窒化ホウ素の被覆方法を示した説明図である。
【図４】実施例におけるグラファイト基材表面上のＰＢＮ膜中の酸素濃度と酸素供給量の関係を示したグラフである。
【図５】実施例におけるグラファイト基材表面上のＰＢＮ膜の密度と酸素供給量の関係を示したグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明の実施の形態を詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
【００２０】
本発明者らがＰＢＮ膜の耐腐食性改善について鋭意検討を行ったところ、ＮＨ３に微量含まれる水分や炉内に吸着した水分が高温でＰＢＮと反応し、酸化ホウ素（以下Ｂ２Ｏ３）が生成してこれが高温で蒸発することで、ＰＢＮ膜に穴が空く可能性が考えられた。このＢ２Ｏ３の生成を抑制するために数多くの実験を繰り返す中で、ＰＢＮ膜内に少量の酸素が含まれると、ＰＢＮ膜の密度を向上させることができ、穴の発生を抑制できることを知見し、本発明に至ったものである。
【００２１】
以下、図面を参照して説明する。
本発明の耐熱基材の一例を図１に示す。耐熱基材０１は、基材０２の表面の一部もしくは全体が、熱分解窒化ホウ素膜０３で被覆されており、当該熱分解窒化ホウ素膜０３は、酸素を０．００１ａｔｏｍ％以上３ａｔｏｍ％以下含んでいる。図１に示す例では、基材０２の全体が被覆されているが、被覆範囲は特に限定されない。なお、本発明において「耐熱基材」とは、特記しない限り、基材０２と熱分解窒化ホウ素膜０３とを合わせた構造物０１全体を指す。
【００２２】
本発明の耐熱基材においては、基材０２表面上の熱分解窒化ホウ素膜０３が、Ｏ（酸素）を０．００１ａｔｏｍ％以上３ａｔｏｍ％以下含有する。前記のように、これによって熱分解窒化ホウ素膜の密度を２．０１ｇ／ｃｍ３以上、２．２０ｇ／ｃｍ３以下とすることができ、ＰＢＮと水分の反応を抑制することができると考えられる。さらに、Ｏが六方晶の層間に固溶するかまたはＮ（窒素）サイトに置換することで、水分との反応性が低下し穴の発生を抑制できるとも考えられる。Ｏ原子が０．００１ａｔｏｍ％より少ない場合は、ＰＢＮ密度はほとんど向上しない。また、Ｏ原子を３ａｔｏｍ％より多く含有させようとすると、酸素の供給量が多くなってしまうため、グラファイト系炉材の消耗が激しくなってしまう。さらに、酸素の添加量が多くなると、ＰＢＮ膜中にＢ２Ｏ３が生成し、ＰＢＮ膜の不具合やＰＢＮ収率の低下を引き起こしてしまうため、好ましくない。より好ましくは、酸素含有量を０．０１５ａｔｏｍ％以上、あるいは密度を２．０５ｇ／ｃｍ３以上とする。
【００２３】
被覆される基材０２は、例えばグラファイト、Ｃ／Ｃコンポジットカーボン、熱分解黒鉛、シリコンカーバイド、タングステン、タンタルのいずれか１つからなるものとすることができる。これらの複合材を用いることも可能である。このようなものであれば耐熱性が高く、半導体、ＬＥＤ及び太陽電池製造装置等に好適である。当然、これらに限定されるものではなく適宜決定できる。
【００２４】
酸素を含んだ熱分解窒化ホウ素膜０３は、前記のようにＣＶＤ法によって製造することができる。具体的には、Ｎ原子を含む気体、例えばアンモニアと、Ｂ原子を含む気体、例えば三塩化ホウ素に加えて、Ｏ原子を含む気体を加えてＣＶＤを行うことで製造することができる。Ｏ（酸素）原子を含む気体に特に制限はなく、分子内にＯ原子を有する慣用の気体を使用することができる。好ましくは、Ｏ２、Ｏ３、Ｈ２Ｏ、ＮＯｘ、ＣＯｘから選択される少なくとも一つの気体を使用する。これらの気体は安価であり、安定供給が可能である。
【００２５】
酸素原子を含む気体としてＯ２ガスを供給する場合、熱分解窒化ホウ素膜中に酸素を０．００１ａｔｏｍ％以上３ａｔｏｍ％以下含ませるために、Ｂ原子を含む気体に対して、ＯとＢの供給量のモル比（Ｏ／Ｂ比）が、例えば４×１０−５〜１．８×１０−１の範囲となるように供給することが好ましい。Ｏ２ガス以外の気体、例えばＯ３、Ｈ２Ｏ、ＮＯｘ、ＣＯｘ、これらの混合ガス等を供給する場合も、Ｏ／Ｂ比が同様の範囲となるよう供給することが好ましい。使用する反応炉にもよるが、Ｏ／Ｂ比が上記範囲より少ないと、熱分解窒化ホウ素膜中に酸素を十分に含ませることが困難になる場合がある。この範囲より多いと、酸素供給量が多くなることで、高温用の反応炉材として使用しているグラファイト部材が極端に消耗してしまう場合があり、好ましくない。より好ましいＯ／Ｂ比は、４×１０−４〜１．６×１０−１の範囲である。
【００２６】
本発明では、Ｏ原子を含む気体を、予めＮ原子を含む気体またはＢ原子を含む気体と混合して供給することができるので、組成比が一定の混合ガスを供給することが可能である。この混合ガスを供給する場合は、例えば図２に示す二重又は三重の供給管４を用いて、Ｂ原子を含む気体やＮ原子を含む気体を分離して供給することができるとともに、これに加えてＯ原子を含む気体を供給することができる。このようにして供給すれば、成膜装置内への供給前の段階で原料ガスが反応して供給管を閉塞するような事態を抑制することができる。尚、図２の右枠内の上側は外管１及び内管３から成る二重管、枠内下側はそれらに加えて中管２を備えた三重管の模式図である。図２の左側は反応炉の断面図であり、円筒５内の回転機構８を備えた積載台７上に基材を置き、ヒーター６で加熱しながら供給管４より上記ガスを供給し、ＣＶＤを行うものである。また、二重または三重の供給管４の他に、四重管またはこれ以上の多重管を用いることもできる。
【実施例】
【００２７】
以下、実施例及び比較例を示して本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００２８】
＜実施例１＞
実施例１では、図２に示す反応炉で、熱ＣＶＤにより耐熱基材を作製した。アンモニアガス（ＮＨ３）１８ＳＬＭ（ｓｔａｎｄａｒｄ  Ｌ／Ｍ）、三塩化ホウ素ガス（ＢＣｌ３）５ＳＬＭに加えて、Ｏ２ガスを０．１ｓｃｃｍ（ｓｔａｎｄａｒｄ  ｃｃ／ｍ）反応炉内に二重管で供給し、５０ｍｍ×５０ｍｍ×１０ｍｍｔのグラファイト製基材表面上に厚さ０．３ｍｍとなるようにＰＢＮをコートした。このときの炉内温１９００℃、圧力１００Ｐａに保持した。図３に示すように、コート時に基材９を支持治具１０で支える部分は、ＰＢＮ膜１１でコートされず、グラファイトが露出した未コート部分となってしまう（図３ｂ，ｃ）ため、支持点を変更して、再度同様にＰＢＮコートした（図３ｃ，ｄ）。アメテック製ＥＤＡＸ  Ｇｅｎｅｓｉｓ  ＥＤＳを用いて、得られた耐熱基材のＰＢＮ膜中の酸素濃度を測定したところ、０．００１ａｔｏｍ％であった。また、アルキメデス法によりＰＢＮ膜の密度を測定したところ、２．０１ｇ／ｃｍ３であった。
【００２９】
次に、この耐熱基材を真空中で１６００℃まで加熱した後、２０００Ｐａのアンモニアガス雰囲気中に１５０ｈｒｓ暴露した。冷却後に耐熱基材を取り出したところ、ＰＢＮ膜上に基材まで到達した穴は見られなかった。
【００３０】
＜実施例２＞
実施例２では、図２に示す反応炉で、熱ＣＶＤにより耐熱基材を作製した。アンモニアガス１８ＳＬＭ、三塩化ホウ素ガス５ＳＬＭに加えて、Ｏ２ガスを１ｓｃｃｍ反応炉内に二重管で供給し、５０ｍｍ×５０ｍｍ×１０ｍｍｔのグラファイト製基材表面上に厚さ０．３ｍｍとなるようにＰＢＮをコートした。このときの炉内温度１９００℃、圧力１００Ｐａに保持した。支持点を変更して、グラファイトが露出した未コート部分を、再度同様にＰＢＮコートした。このようにして作製した耐熱基材のＰＢＮ膜中の酸素濃度を測定したところ、０．０１５ａｔｏｍ％であった。また、ＰＢＮ膜の密度を測定したところ、２．０５ｇ／ｃｍ３であった。
【００３１】
次に、この耐熱基材を真空中で１６００℃まで加熱した後、２０００Ｐａのアンモニアガスに１５０ｈｒｓ暴露した。冷却後に耐熱基材を取り出したところ、ＰＢＮ膜上に基材まで到達した穴は見られなかった。
【００３２】
＜実施例３＞
実施例３では、図２に示す反応炉で、熱ＣＶＤにより耐熱基材を作製した。アンモニアガス１８ＳＬＭ、三塩化ホウ素ガス５ＳＬＭに加えて、Ｏ２ガスを１００ｓｃｃｍ反応炉内に二重管で供給し、５０ｍｍ×５０ｍｍ×１０ｍｍｔのグラファイト製基材表面上に厚さ０．３ｍｍとなるようにＰＢＮをコートした。このときの炉内温度１９００℃、圧力１００Ｐａに保持した。支持点を変更して、グラファイトが露出した未コート部分を、再度同様にＰＢＮコートした。このようにして作製した耐熱基材のＰＢＮ膜中の酸素濃度を測定したところ、０．７０ａｔｏｍ％であった。また、ＰＢＮ膜の密度を測定したところ、２．１４ｇ／ｃｍ３であった。
【００３３】
次に、この耐熱基材を真空中で１６００℃まで加熱した後、２０００Ｐａのアンモニアガスに１５０ｈｒｓ暴露した。冷却後に耐熱基材を取り出したところ、ＰＢＮ膜上に基材まで到達した穴は見られなかった。
【００３４】
＜実施例４＞
実施例４では、図２に示す反応炉で、熱ＣＶＤにより耐熱基材を作製した。アンモニアガス１８ＳＬＭ、三塩化ホウ素ガス５ＳＬＭに加えて、Ｏ２ガスを４００ｓｃｃｍ反応炉内に二重管で供給し、５０ｍｍ×５０ｍｍ×１０ｍｍｔのグラファイト製基材表面上に厚さ０．３ｍｍとなるようにＰＢＮをコートした。このときの炉内温度１９００℃、圧力１００Ｐａに保持した。支持点を変更して、グラファイトが露出した未コート部分を、再度同様にＰＢＮコートした。このようにして作製した耐熱基材のＰＢＮ膜中の酸素濃度を測定したところ、２．７ａｔｏｍ％であった。また、ＰＢＮ膜の密度を測定したところ、２．１９ｇ／ｃｍ３であった。
【００３５】
次に、この耐熱基材を真空中で１６００℃まで加熱した後、２０００Ｐａのアンモニアガスに１５０ｈｒｓ暴露した。冷却後に耐熱基材を取り出したところ、ＰＢＮ膜上に基材まで到達した穴は見られなかった。
【００３６】
＜実施例５＞
実施例５では、図２に示す反応炉で、熱ＣＶＤにより耐熱基材を作製した。アンモニアガス１８ＳＬＭ、三塩化ホウ素ガス５ＳＬＭに加えて、Ｏ２ガスを４５０ｓｃｃｍ反応炉内に二重管で供給し、５０ｍｍ×５０ｍｍ×１０ｍｍｔのグラファイト製基材表面上に厚さ０．３ｍｍとなるようにＰＢＮをコートした。このときの炉内温度１９００℃、圧力１００Ｐａに保持した。支持点を変更して、グラファイトが露出した未コート部分を、再度同様にＰＢＮコートした。このようにして作製した耐熱基材のＰＢＮ膜中の酸素濃度を測定したところ、３．０ａｔｏｍ％であった。また、ＰＢＮ膜の密度を測定したところ、２．１９ｇ／ｃｍ３であった。
【００３７】
次に、この耐熱基材を真空中で１６００℃まで加熱した後、２０００Ｐａのアンモニアガスに１５０ｈｒｓ暴露した。冷却後に耐熱基材を取り出したところ、ＰＢＮ膜上に基材まで到達した穴は見られなかった。
【００３８】
＜比較例１＞
比較例１では、図２に示す反応炉で、熱ＣＶＤにより、本発明の範囲外の耐熱基材を作製した。アンモニアガス１８ＳＬＭ、三塩化ホウ素ガス５ＳＬＭを、Ｏ２を導入することなく反応炉内に二重管で供給し、５０ｍｍ×５０ｍｍ×１０ｍｍｔのグラファイト製基材表面上に厚さ０．３ｍｍとなるようにＰＢＮをコートした。このときの炉内温度１９００℃、圧力１００Ｐａに保持した。支持点を変更して、グラファイトが露出した未コート部分を、再度同様にＰＢＮコートした。このようにして作製した耐熱基材のＰＢＮ膜中の酸素濃度を測定したところ、検出限界以下（＜０．００１ａｔｏｍ％）であった。また、ＰＢＮ膜の密度を測定したところ、１．９９ｇ／ｃｍ３であった。
【００３９】
次に、この耐熱基材を真空中で１６００℃まで加熱した後、２０００Ｐａのアンモニアガスに１５０ｈｒｓ暴露した。冷却後に耐熱基材を取り出したところ、ＰＢＮ膜上に基材まで到達した穴が見られた。
【００４０】
＜比較例２＞
比較例２では、図２に示す反応炉で、熱ＣＶＤにより、本発明の範囲外の耐熱基材を作製した。アンモニアガス１８ＳＬＭ、三塩化ホウ素ガス５ＳＬＭに加えて、Ｏ２ガスを６００ｓｃｃｍ反応炉内に二重管で供給し、５０ｍｍ×５０ｍｍ×１０ｍｍｔのグラファイト製基材表面上に厚さ０．３ｍｍとなるようにＰＢＮをコートした。このときの炉内温度１９００℃、圧力１００Ｐａに保持した。支持点を変更して、グラファイトが露出した未コート部分を、再度同様にＰＢＮコートした。このようにして作製した耐熱基材のＰＢＮ膜中の酸素濃度を測定したところ、本発明の範囲外である４．３ａｔｏｍ％であった。また、ＰＢＮ膜の密度を測定したところ、２．２１ｇ／ｃｍ３であった。
【００４１】
しかし、本比較例２の方法で作製した場合、他の方法と比較して酸素供給量が多いため、反応炉で使用しているグラファイト部材が極端に消耗してしまった。このような製法では、メンテナンスの頻度が高くなり、生産性が低下してしまうため好ましくない。
【００４２】
以上の実施例１〜５と比較例１及び２の結果を表１にまとめると、以下のとおりである。
【００４３】
【表１】
2016204704.tif 000003
【００４４】
また、酸素供給量とＰＢＮ膜の酸素濃度、ＰＢＮ密度の関係を図４、５に示す。
【００４５】
次に、グラファイト以外の基材を用いた実施例について説明する。
【００４６】
＜実施例６−１０＞
実施例６−１０では、図２に示す反応炉で、熱ＣＶＤにより耐熱基材を作製した。アンモニアガス１８ＳＬＭ、三塩化ホウ素ガス５ＳＬＭに加えて、Ｏ２ガスを１００ｓｃｃｍ反応炉内に三重管で供給し、５０ｍｍ×５０ｍｍ×１０ｍｍｔのＣ／Ｃコンポジット、熱分解黒鉛、シリコンカーバイド、タングステン、タンタル製のそれぞれの基材表面上に厚さ０．３ｍｍとなるようにＰＢＮをコートした。このときの炉内温度１９００℃、圧力１００Ｐａに保持した。支持点を変更して、グラファイトが露出した未コート部分を、再度同様にＰＢＮコートした。このようにして作製したそれぞれの耐熱基材のＰＢＮ膜中の酸素濃度を測定したところ、０．６５〜０．７１ａｔｏｍ％であった。また、ＰＢＮ膜の密度を測定したところ、２．１２〜２．１５ｇ／ｃｍ３であった。
さらに実施例１〜５同様に耐性試験をしたところ、ＰＢＮ膜上に基材まで到達した穴は見られなかった。
【００４７】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【符号の説明】
【００４８】
０１…本発明の耐熱基材、  ０２…基材、  ０３…ＰＢＮ膜、
１…外管、  ２…中管、３…内管、  ４…供給管、  ５…円筒、  ６…ヒーター、
７…載置台、  ８…回転機構、  ９…基材、  １０…支持治具、  １１…ＰＢＮ膜
【図１】
2016204704.tif 000004
【図２】
2016204704.tif 000005
【図３】
2016204704.tif 000006
【図４】
2016204704.tif 000007
【図５】
2016204704.tif 000008