(57)【要約】【課題】基板に生じた未描画領域の描画を行う上で有利な技術を提供する。【解決手段】複数の基板に描画を行う描画装置は、前記複数の基板を保持する可動のステージと、前記複数の基板それぞれに関して設けられ、前記複数の基板のうちの対応する基板にそれぞれがビームを照射する複数の照射部と、前記複数の基板それぞれの前記ステージ上での配置を制御する制御部と、を含み、前記制御部は、前記複数の基板のうち前記描画の欠落領域を有する２以上の基板に関して、前記複数の照射部のうち前記欠落領域に対応する照射部とは異なる照射部によって前記欠落領域の補償が行われるように、前記２以上の基板それぞれの前記ステージ上での配置を制御することを特徴とする。【選択図】図１
2016072308.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の基板に描画を行う描画装置であって、
前記複数の基板を保持する可動のステージと、
前記複数の基板それぞれに関して設けられ、前記複数の基板のうちの対応する基板にそれぞれがビームを照射する複数の照射部と、
前記複数の基板それぞれの前記ステージ上での配置を制御する制御部と、
を含み、
前記制御部は、前記複数の基板のうち前記描画の欠落領域を有する２以上の基板に関して、前記複数の照射部のうち前記欠落領域に対応する照射部とは異なる照射部によって前記欠落領域の補償が行われるように、前記２以上の基板それぞれの前記ステージ上での配置を制御することを特徴とする描画装置。
【請求項２】
前記制御部は、前記複数の照射部のうち前記欠落領域に対応する照射部の位置に基づいて、前記２以上の基板それぞれの前記ステージ上での配置を制御することを特徴とする請求項１に記載の描画装置。
【請求項３】
前記複数の照射部それぞれからのビームを検出する検出部を更に含み、
前記制御部は、前記検出部の出力に基づいて、前記複数の照射部のうち前記欠落領域に対応する照射部を特定することを特徴とする請求項２に記載の描画装置。
【請求項４】
前記制御部は、前記２以上の基板それぞれの前記ステージ上での配置の変更に要する時間に基づいて、当該配置を制御することを特徴とすることを特徴とする請求項２又は３に記載の描画装置。
【請求項５】
前記ステージは、前記複数の基板をそれぞれ保持して前記ステージ上で個別に可動の複数の保持部を含むことを特徴とする請求項１乃至４のうちいずれか１項に記載の描画装置。
【請求項６】
前記制御部は、前記２以上の基板それぞれの前記ステージ上での並進および回転のうち少なくとも一方を制御して、前記２以上の基板それぞれの前記ステージ上での配置を制御することを特徴とする請求項１乃至５のうちいずれか１項に記載の描画装置。
【請求項７】
可動のステージに保持された複数の基板それぞれに関して設けられ、前記複数の基板のうちの対応する基板にそれぞれがビームを照射する複数の照射部により、前記複数の基板に描画を行う描画方法であって、
前記複数の基板のうち前記描画の欠落領域を有する２以上の基板に関して、前記複数の照射部のうち前記欠落領域に対応する照射部とは異なる照射部によって前記欠落領域の補償が行われるように、前記２以上の基板それぞれの前記ステージ上での配置を制御することを特徴とする描画方法。
【請求項８】
前記複数の照射部のうち前記欠落領域に対応する照射部の位置に基づいて、前記２以上の基板それぞれの前記ステージ上での配置を制御することを特徴とする請求項７に記載の描画方法。
【請求項９】
前記２以上の基板それぞれの前記ステージ上での並進および回転のうち少なくとも一方を制御して、前記２以上の基板それぞれの前記ステージ上での配置を制御することを特徴とする請求項７又は８に記載の描画方法。
【請求項１０】
請求項１乃至６のうちいずれか１項に記載の描画装置または請求項７乃至９のうちいずれか１項に記載の描画方法を用いて基板に描画を行う工程と、
前記工程で描画を行われた前記基板を現像する工程と、
を含むことを特徴とする物品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、描画装置、描画方法、および物品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスなどを製造するために用いられるリソグラフィ装置として、荷電粒子線（電子線）をそれぞれ基板に照射する複数のカラム（光学系）を用いてパターン形成（描画）を基板に行うもの（描画装置）が注目されている。このように複数のカラムを有する描画装置では、荷電粒子線の照射に異常を有するカラム（異常カラム）が存在すると、描画が行われなかった領域（描画欠落領域）が基板上に生じうるため、当該欠落領域を他のカラムによって補償（描画）することが好ましい。特許文献１には、複数のカラムから射出された荷電粒子線を基板上で走査する工程と、荷電粒子線の走査方向とは垂直な方向に複数のカラムと基板とを相対的にステップ移動させる工程とを繰り返しながら当該基板に描画を行う描画装置が記載されている。特許文献１の描画装置は、ステップ移動のピッチを変えることにより、異常カラムが描画すべきであった基板上の欠落領域の描画を他のカラムで補償している。
【０００３】
また、スループットを向上させるため、複数の基板に並行して描画を行う描画装置が提案されている（特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１０−９８２９４号公報
【特許文献２】特表２００８−５０１２４３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献２の描画装置では、基板ごとにステップ移動のピッチを変えることができない。そのため、複数の基板の各々に対して異常カラムが存在する場合、特許文献１に記載された方法を適用しても、当該複数の基板の各々に生じた欠落領域を並行して補償するのが困難になりうる。結果として、スループットの点で不利となりうる。
【０００６】
そこで、本発明は、欠落領域の補償を行うのにスループットの点で有利な技術を提供することを例示的目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明の一側面としての描画装置は、複数の基板に描画を行う描画装置であって、前記複数の基板を保持する可動のステージと、前記複数の基板それぞれに関して設けられ、前記複数の基板のうちの対応する基板にそれぞれがビームを照射する複数の照射部と、前記複数の基板それぞれの前記ステージ上での配置を制御する制御部と、を含み、前記制御部は、前記複数の基板のうち前記描画の欠落領域を有する２以上の基板に関して、前記複数の照射部のうち前記欠落領域に対応する照射部とは異なる照射部によって前記欠落領域の補償が行われるように、前記２以上の基板それぞれの前記ステージ上での配置を制御することを特徴とする。
【０００８】
本発明の更なる目的又はその他の側面は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施形態によって明らかにされるであろう。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、例えば、欠落領域の補償を行うのにスループットの点で有利な技術を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】第１実施形態の描画装置を示す概略図である。
【図２】照射部の構成を示す概略図である。
【図３】第１実施形態の描画装置を上から見たときの図である。
【図４】各基板のステージ上での配置を変更する実施例を説明するための図である。
【図５】各基板のステージ上での配置を変更する実施例を説明するための図である。
【図６】各基板のステージ上での配置を変更する実施例を説明するための図である。
【図７】各基板のステージ上での配置を変更する実施例を説明するための図である。
【図８】各基板のステージ上での配置を変更する実施例を説明するための図である。
【図９】各基板のステージ上での配置を変更する実施例を説明するための図である。
【図１０】各基板のステージ上での配置を変更する実施例を説明するための図である。
【図１１】各基板のステージ上での配置を変更する実施例を説明するための図である。
【図１２】第１実施形態の描画装置における描画処理および補償処理を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施の形態について説明する。なお、各図において、同一の部材ないし要素については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。
【００１２】
＜第１実施形態＞
本発明の第１実施形態の描画装置１００について説明する。図１は、第１実施形態の描画装置１００を示す概略図である。第１実施形態の描画装置１００は、例えば、荷電粒子線（ビーム）を用いて複数の基板１に描画を行う描画部１０と、複数の基板１を移動させるステージ部２０と、描画装置１００における各処理を制御する制御部３０とを含みうる。
【００１３】
描画部１０は、例えば、荷電粒子線（ビーム）を基板１に照射して描画をそれぞれ行う複数の照射部１２を含む。複数の照射部１２は、基板１の枚数に対応する数のグループ１１に分けられ、１つの基板１に対して少なくとも２つの照射部１２で描画を行うように配置される。図１に示す例では、第１グループ１１ａに含まれる４つの照射部１２によって基板１ａの描画が行われうる。同様に、第２グループ１１ｂに含まれる４つの照射部１２によって基板１ｂの描画が行われ、第３グループ１１ｃに含まれる４つの照射部１２によって基板１ｃの描画が行われうる。また、各照射部１２は、図２に示すように、例えば、荷電粒子源１２１と、コリメータレンズ１２２と、アパーチャアレイ１２３と、ブランカアレイ１２４と、ブランキングアパーチャ１２５と、対物レンズ１２６とを含みうる。図２は、照射部１２の構成を示す概略図である。
【００１４】
荷電粒子源１２１から発生した荷電粒子線は、コリメータレンズ１２２により光軸と略平行にされた後、複数の開口が２次元的に配列されたアパーチャアレイ１２３を通過する。これにより、複数の荷電粒子線が生成される。アパーチャアレイ１２３によって生成された複数の荷電粒子線の各々は、荷電粒子線を個別に偏向するブランカを複数含むブランカアレイ１２４に入射する。ブランカアレイ１２４に含まれる各ブランカは、例えば、対向する２枚の電極（電極対）を含み、２枚の電極の間に電圧を与えることにより電界を生じさせ、荷電粒子線を偏向することができる。ブランカアレイ１２４によって偏向された荷電粒子線は、ブランカアレイ１２４の後段に配置されるブランキングアパーチャ１２５によって遮断されて基板１に到達しない。一方で、ブランカアレイ１２４によって偏向されない荷電粒子線は、ブランキングアパーチャ１２５に形成された開口を通過して基板１に到達する。即ち、ブランカアレイ１２４は、基板１への各荷電粒子線の照射（オン）と非照射（オフ）とを切り替えている。ブランカアレイ１２４を通過した各荷電粒子線は、対物レンズ１２６によって基板１に結像される。ここで、コリメータレンズ１２２および対物レンズ１２６は、荷電粒子線を基板１に投影する投影系（荷電粒子光学系）として構成されており、アパーチャアレイ１２３上において開口が配置されている面が物面で、基板１が像面という関係になっている。
【００１５】
ステージ部２０は、例えば、ステージ２１と、複数の保持部２２とを含みうる。ステージ２１は、複数の基板１を搭載し、当該複数の基板１を互いに同じ方向に一括に移動させるように構成されている。また、複数の保持部２２は、基板１を保持してステージ上で可動にそれぞれ構成されており、ステージ上に搭載される複数の基板１の各々に対して１つずつ設けられうる。各保持部２２は、例えば、真空吸着や静電吸着などにより基板１を保持する基板チャック２２１と、基板チャック２２１（基板１）をステージ上で駆動する基板駆動部２２２とを含みうる。
【００１６】
制御部３０は、ステージ２１によって複数の基板１を同じ方向に一括に移動させながら複数の照射部１２の各々への荷電粒子線の照射を制御することによって、複数の基板１に描画を同時に行う処理（描画処理）を制御する。制御部３０は、例えば、ブランキング制御器３１と、ステージ制御器３２と、主制御器３３とを含みうる。ブランキング制御器３１は、ブランカアレイ１２４に含まれる複数のブランカを個別に制御する。ステージ制御器３２は、ステージ２１の位置を計測する計測器（不図示）からの信号に基づいてステージ２１の位置を制御する。ステージ２１の位置を計測する計測器としては、例えばレーザ干渉計が用いられうる。また、主制御器３３は、例えばＣＰＵやメモリなどを含み、複数の基板１の各々における描画処理や、後述する補償処理を制御する。
【００１７】
図３は、第１実施形態の描画装置１００を上から見たときの図である。第１実施形態の描画装置１００では、ステージ上に３つの保持部２２ａ〜２２ｃが配置されており、各保持部２２ａ〜２２ｃが基板チャック２２１によって各基板１ａ〜１ｃをそれぞれ保持している。図３には、各照射部１２から射出された荷電粒子線が照射される照射エリア１２’が図示されている。制御部３０は、ステージ制御器３２によってステージ２１を移動させることで、ステージ上に搭載された複数の基板１ａ〜１ｃを互いに同じ方向に一括に移動させ、各照射部１２から射出された荷電粒子線が照射される照射エリア１２’を基板上で移動させる。第１実施形態では、例えば、Ｙ方向へのステージ２１の移動とＸ方向へのステージ２１のステップ移動とを繰り返すことにより、各基板上の全領域において照射エリア１２’を通過させることができる。そして、制御部３０は、Ｙ方向にステージ２１を移動させている間、各照射部１２におけるブランカアレイ１２４（各ブランカ）をブランキング制御器３１によって制御する。このように描画装置１００は、複数の基板１に描画を行う処理（描画処理）を制御することができる。
【００１８】
描画装置１００では、荷電粒子線の照射に異常を有する照射部１２（異常照射部）が存在していると、異常照射部の照射エリア１２’では荷電粒子線を基板１に照射することができない。その結果、図３に示すように、描画処理において描画を行うことができなかった領域、即ち、描画の欠落領域（以下、未描画領域２と称する）が基板１に生じうる。例えば、荷電粒子源１２１の寿命などにより荷電粒子線を射出することができない照射部１２が異常照射部として存在している場合では、描画処理において異常照射部で描画を行うべきであった領域が未描画領域２になりうる。また、ブランカアレイ１２４の動作不良などにより荷電粒子線の照射のオンオフ制御を正常に行うことができない照射部１２が異常照射部として存在している場合では、当該異常照射部を用いずに描画処理が行われる。そのため、この場合においても、異常照射部で描画を行うべきであった領域が未描画領域２になりうる。このように未描画領域２が基板１に生じている場合では、描画処理において未描画領域２の描画を行うべきであった照射部１２（異常照射部）とは異なる照射部１２によって、未描画領域２の描画を補償する処理（補償処理）を行うことが好ましい。例えば、図３に示すように、複数の基板１のうち真ん中の基板１ｂのみに未描画領域２が生じている場合を想定する。この場合では、制御部３０が、ステージ２１の移動を制御しながら異常照射部とは異なる照射部１２からの荷電粒子線の照射を制御することによって、未描画領域２の描画（補償処理）を行うことが好ましい。
【００１９】
一方で、複数の異常照射部が描画部１０に存在し、ステージ上に搭載された複数の基板１のうち少なくとも２枚の基板１（２以上の基板１）の各々に未描画領域２が生じている場合がある。この場合、描画装置１００には、スループットを向上させるため、できるだけ少ない回数の補償処理によって各基板１に生じた未描画領域２の描画を行うことが求められる。しかしながら、第１実施形態の描画装置１００は、ステージ２１によって複数の基板１を同じ方向に一括に移動させるように構成されている。そのため、少なくとも２枚の基板１の各々に未描画領域２が生じている場合では、各基板１に生じた未描画領域２の描画を同時に行うことが困難になりうる。そこで、第１実施形態の描画装置１００は、複数の基板１の各々のステージ上での配置を変更する変更部を含む。そして、描画装置１００は、異常照射部とは異なる照射部１２によって未描画領域２の描画が行われるように、各基板１のステージ上での配置を変更部により個別に変更する。そして、ステージ２１によって複数の基板１を一括に移動させながら各基板１に生じた未描画領域２の描画を同時に行う。各基板１のステージ上での配置を変更する変更部としては、例えば、各基板１を保持してステージ上で個別に可動の複数の保持部２２、および各基板１を搬送する搬送部４０（搬送アーム）の少なくとも一方が用いられうる。
【００２０】
ここで、第１実施形態の描画装置１００は、荷電粒子線の照射に異常を有する異常照射部を特定するため、複数の照射部１２の各々における荷電粒子線の照射状態を検出する検出部２３を含みうる。検出部２３は、例えば、荷電粒子線の照射強度を検出するセンサを含み、図３に示すように、ステージ２１に搭載された各保持部２２の上にそれぞれ設けられうる。このように検出部２３が設けられることにより、制御部３０は、検出部２３による検出結果（検出部２３の出力）に基づいて、複数の照射部１２の中から異常照射部を特定することができる。
【００２１】
［各基板１のステージ上での配置の変更について］
次に、複数の基板１にそれぞれ生じた未描画領域２を描画するために各基板１のステージ上での配置を変更する実施例について、図４〜図１１を参照しながら説明する。図４〜図１１は、各基板１のステージ上での並進および回転のうち少なくとも一方を制御して各基板１のステージ上での配置を変更する実施例を説明するための図である。各図において、基板１における斜線部分は、荷電粒子線の照射に異常を有さない照射部１２（正常照射部）の照射エリア１２’が描画処理において通過した基板上の領域（描画領域３）を示す。また、基板１における白抜き部分は、異常照射部の照射エリア１２’が描画処理において通過した基板上の領域（未描画領域２）を示す。即ち、未描画領域２は、補償処理を行うべき基板上の領域である。
【００２２】
（実施例１）
実施例１では、第１グループ１１ａにおける照射部１２ａ１および１２ａ２、第２グループ１１ｂにおける照射部１２ｂ１がそれぞれ異常照射部である場合について説明する。この場合、描画処理を行うと、図４（ａ）に示すように、基板１ａおよび基板１ｂに未描画領域２がそれぞれ生じうる。そのため、制御部３０は、図４（ｂ）に示すように、第１グループ１１ａにおける正常照射部である照射部１２ａ３および１２ａ４によって基板１ａの未描画領域２の描画が行われるように、基板１ａを保持する保持部２２ａを＋Ｘ方向に移動させる。また、制御部３０は、第２グループ１１ｂにおける正常照射部である照射部１２ｂ２によって基板１ｂの未描画領域２の描画が行われるように、基板１ｂを保持する保持部２２ｂを＋Ｘ方向に移動させる。これにより、ステージ２１により複数の基板１を一括に移動させるだけで、正常照射部の照射エリア１２’を各基板１の未描画領域上で走査させることができるように、各基板１のステージ上の配置を変更することができる。そのため、制御部３０は、ステージ２１により複数の基板１を一括に移動させている間において各照射部１２による荷電粒子線の照射を制御することで、各基板１に生じた未描画領域２の描画（補償処理）を行うことができる。
【００２３】
（実施例２）
実施例２では、第１グループ１１ａにおける照射部１２ａ１および１２ａ２、第２グループ１１ｂにおける照射部１２ｂ１がそれぞれ異常照射部である場合について説明する。この場合、描画処理を行うと、図５（ａ）に示すように、基板１ａおよび基板１ｂに未描画領域２がそれぞれ生じうる。そのため、制御部３０は、図５（ｂ）に示すように、第１グループ１１ａにおける正常照射部である照射部１２ａ３および１２ａ４によって基板１ａの未描画領域２の描画が行われるように、基板１ａを保持する保持部２２ａを１８０度回転させる。また、制御部３０は、第２グループ１１ｂにおける正常照射部である照射部１２ｂ４によって基板１ｂの未描画領域２の描画が行われるように、基板１ｂを保持する保持部２２ｂを１８０度回転させる。これにより、ステージ２１により複数の基板１を一括に移動させるだけで、正常照射部の照射エリア１２’を各基板１の未描画領域上で走査させることができるように、各基板１のステージ上の配置を変更することができる。そのため、制御部３０は、ステージ２１により複数の基板１を一括に移動させている間において各照射部１２による荷電粒子線の照射を制御することで、各基板１に生じた未描画領域２の描画（補償処理）を行うことができる。
【００２４】
（実施例３）
実施例３では、第１グループ１１ａにおける照射部１２ａ１および１２ａ２、第２グループ１１ｂにおける照射部１２ｂ１がそれぞれ異常照射部である場合について説明する。この場合、描画処理を行うと、図６（ａ）に示すように、基板１ａおよび基板１ｂに未描画領域２がそれぞれ生じうる。そのため、制御部３０は、図６（ｂ）に示すように、第１グループ１１ａにおける正常照射部である照射部１２ａ３および１２ａ４によって基板１ａの未描画領域２の描画が行われるように、搬送部４０によって基板１ａを＋Ｘ方向に移動させる。また、制御部３０は、第２グループ１１ｂにおける正常照射部である照射部１２ｂ２によって基板１ｂの未描画領域２の描画が行われるように、搬送部４０によって基板１ｂを＋Ｘ方向に移動させる。これにより、ステージ２１により複数の基板１を一括に移動させるだけで、正常照射部の照射エリア１２’を各基板１の未描画領域上で走査させることができるように、各基板１のステージ上の配置を変更することができる。そのため、制御部３０は、ステージ２１により複数の基板１を一括に移動させている間において各照射部１２による荷電粒子線の照射を制御することで、各基板１に生じた未描画領域２の描画（補償処理）を行うことができる。
【００２５】
（実施例４）
実施例４では、第１グループ１１ａにおける照射部１２ａ１および１２ａ２、第２グループ１１ｂにおける照射部１２ｂ１がそれぞれ異常照射部である場合について説明する。この場合、描画処理を行うと、図７（ａ）に示すように、基板１ａおよび基板１ｂに未描画領域２がそれぞれ生じうる。そのため、制御部３０は、図７（ｂ）に示すように、第１グループ１１ａにおける正常照射部である照射部１２ａ３および１２ａ４によって基板１ａの未描画領域２の描画が行われるように、搬送部４０によって基板１ａを１８０度回転させる。また、制御部３０は、第２グループ１１ｂにおける正常照射部である照射部１２ｂ４によって基板１ｂの未描画領域２の描画が行われるように、搬送部４０によって基板１ｂを１８０度回転させる。これにより、ステージ２１により複数の基板１を一括に移動させるだけで、正常照射部の照射エリア１２’を各基板１の未描画領域上で走査させることができるように、各基板１のステージ上の配置を変更することができる。そのため、制御部３０は、ステージ２１により複数の基板１を一括に移動させている間において各照射部１２による荷電粒子線の照射を制御することで、各基板１に生じた未描画領域２の描画（補償処理）を行うことができる。
【００２６】
（実施例５）
実施例５では、第１グループ１１ａにおける照射部１２ａ１および１２ａ２、第２グループ１１ｂにおける照射部１２ｂ３および１２ｂ４がそれぞれ異常照射部である場合について説明する。この場合、描画処理を行うと、図８（ａ）に示すように、基板１ａおよび基板１ｂに未描画領域２がそれぞれ生じうる。そのため、制御部３０は、図８（ｂ）に示すように、搬送部４０によって基板１ａと基板１ｂとの位置を交換する。これにより、ステージ２１により複数の基板１を一括に移動させるだけで、正常照射部の照射エリア１２’を各基板１の未描画領域上で走査させることができるように、各基板１のステージ上の配置を変更することができる。そのため、制御部３０は、ステージ２１により複数の基板１を一括に移動させている間において各照射部１２による荷電粒子線の照射を制御することで、各基板１に生じた未描画領域２の描画（補償処理）を行うことができる。つまり、第１グループ１１ａにおける正常照射部である照射部１２ａ３および１２ａ４によって基板１ｂの未描画領域２の描画を行うことができる。同様に、第２グループ１１ｂにおける正常照射部である照射部１２ｂ１および１２ｂ２によって基板１ａの未描画領域２の描画を行うことができる。
【００２７】
（実施例６）
実施例６では、第１グループ１１ａにおける照射部１２ａ１および１２ａ２、第２グループ１１ｂにおける照射部１２ｂ３、第３グループ１１ｃにおける照射部１２ｃ２および１２ｃ３がそれぞれ異常照射部である場合について説明する。この場合、描画処理を行うと、図９（ａ）に示すように、基板１ａ、基板１ｂおよび基板１ｃに未描画領域２がそれぞれ生じうる。そのため、制御部３０は、図９（ｂ）に示すように、基板１ａを保持する保持部２２ａを１８０度回転させ、搬送部４０によって基板１ｂと基板１ｃとの位置を交換する。そして、制御部３０は、第２グループ１１ｂにおける正常照射部である照射部１２ｂ１および１２ｂ２によって基板１ｃの未描画領域２の描画が行われるように、基板１ｃを保持する保持部２２ｂを−Ｘ方向に移動させる。また、制御部３０は、第３グループ１１ｃにおける正常照射部である照射部１２ｃ４によって基板１ｂの未描画領域２の描画が行われるように、基板１ｂを保持する保持部２２ｃを＋Ｘ方向に移動させる。これにより、ステージ２１により複数の基板１を一括に移動させるだけで、正常照射部の照射エリア１２’を各基板１の未描画領域上で走査させることができるように、各基板１のステージ上の配置を変更することができる。そのため、制御部３０は、ステージ２１により複数の基板１を一括に移動させている間において各照射部１２による荷電粒子線の照射を制御することにより、各基板１に生じた未描画領域２の描画（補償処理）を行うことができる。
【００２８】
（実施例７）
実施例７では、第１グループ１１ａにおける照射部１２ａ４、第２グループ１１ｂにおける照射部１２ｂ１、１２ｂ２および１２ｂ４、第３グループ１１ｃにおける照射部１２ｃ１および１２ｃ４がそれぞれ異常照射部である場合について説明する。この場合、各基板１の配置を変更せずに描画処理を行うと、図１０に示すように各基板１に未描画領域２が生じ、１回の補償処理では各基板１に生じた未描画領域２の全ての描画を行うことが困難になりうる。そのため、制御部３０は、１回の補償処理によって各基板１の未描画領域２の全ての描画を行うことができるように、異常照射部の場所に応じて各基板１の配置を変更した後、描画処理を開始する。例えば、制御部３０は、図１１（ａ）に示すように、第２グループ１１ｂにおける複数の照射部１２のＸ方向におけるピッチの１つ分だけ、基板１ｂを保持する保持部２２ｂを−Ｘ方向に移動させる。同様に、第３グループ１１ｃにおける複数の照射部１２のＸ方向におけるピッチの１つ分だけ、基板１ｃを保持する保持部２２ｃを＋Ｘ方向に移動させる。そして、制御部３０は、保持部２２ｂおよび２２ｃを移動させた状態においてステージ２１により複数の基板１を一括に移動させて描画処理を行う。描画処理が終了した後、制御部３０は、図１１（ｂ）に示すように、搬送部４０によって基板１ａと基板１ｂとの位置を交換する。また、制御部３０は、第３グループ１１ｃにおける照射部１２ｃ２〜１２ｃ３によって基板１ｃの未描画領域２の描画が行われるように、基板１ｃを保持する保持部２２ｃを−Ｘ方向に移動させる。これにより、ステージ２１により複数の基板１を一括に移動させるだけで、正常照射部の照射エリア１２’を各基板１の未描画領域上で走査させることができるように、各基板１のステージ上の配置を変更することができる。そのため、制御部３０は、ステージ２１により複数の基板１を一括に移動させている間において各照射部１２による荷電粒子線の照射を制御することにより、各基板１に生じた未描画領域２の描画（補償処理）を行うことができる。
【００２９】
［描画処理および補償処理のフローについて］
次に、第１実施形態の描画装置１００における描画処理および補償処理のフローについて、図１２を参照しながら説明する。図１２は、第１実施形態の描画装置１００における描画処理および補償処理を示すフローチャートである。以下では、複数の照射部１２のうち少なくとも２つの照射部１２が異常照射部であり、描画処理によって、ステージ２１に搭載された複数の基板１のうち少なくとも２枚の基板１の各々に未描画領域２が生じる場合について説明する。
【００３０】
Ｓ１０１では、制御部３０は、各照射部１２における荷電粒子線の照射状態に関する情報（以下、各照射部１２における照射情報）を取得する。各照射部１２における照射情報とは、例えば、複数の照射部１２のうちどの照射部１２が異常照射部であるか（異常照射部の場所）を示す情報を含みうる。制御部３０は、各照射部１２における照射情報を、例えば、各照射部１２における荷電粒子線の照射状態を検出部２３に検出させた結果に基づいて取得してもよいし、過去に行われた描画の履歴に基づいて取得してもよい。
【００３１】
Ｓ１０２では、制御部３０は、Ｓ１０１で取得した各照射部１２における照射情報に基づいて、描画処理において各基板１のステージ上での配置を変更するか否かを判断する。例えば、上述の実施例７に示すように、補償処理の回数をできるだけ少なくするため、描画処理において各基板１のステージ上の配置を変更した方がよい場合がある。この場合、制御部３０は、描画処理によって生じうる未描画領域２の描画をできるだけ少ない回数（例えば１回）の補償処理で行うことができるように、描画処理における各基板１のステージ上の配置を決定することが好ましい。制御部３０は、例えば、異常照射部の場所と描画処理における各基板１のステージ上での配置との対応関係（例えば対応表）を予め記憶しておく。そして、当該対応関係と各照射部１２における照射情報とに基づいて、描画処理における各基板１のステージ上での配置を決定するとよい。Ｓ１０２において、描画処理における各基板１のステージ上での配置を変更すると判断した場合はＳ１０３に進み、当該配置を変更しないと判断した場合はＳ１０４に進む。
【００３２】
Ｓ１０３では、制御部３０は、Ｓ１０２で決定した各基板１のステージ上での配置に従って変更部を制御し、複数の基板１のうち少なくとも１枚の基板１におけるステージ上での位置および向きの少なくとも一方を変更する。Ｓ１０４では、制御部３０は、ステージ２１によって複数の基板１を同じ方向に一括に移動させながら複数の照射部１２からの荷電粒子線の照射を制御することによって、複数の基板１に描画を同時に行う（描画処理を行う）。Ｓ１０５では、制御部３０は、ステージ２１に搭載された複数の基板のうち未描画領域２が生じた基板１があるか否かを判断する。制御部３０は、例えば、Ｓ１０１で取得した各照射部１２における照射情報に基づいて、複数の照射部１２に異常照射部がある場合は未描画領域２が生じた基板１があると判断し、異常照射部が無い場合は未描画領域が無いと判断することができる。Ｓ１０５において未描画領域２が生じた基板１があると判断した場合はＳ１０６に進み、未描画領域２が生じた基板１が無いと判断した場合は終了する。
【００３３】
Ｓ１０６では、制御部３０は、できるだけ少ない回数の補償処理で各基板の未描画領域の描画を行うことができるように、補償処理を計画する。このとき、制御部３０は、補償処理に要する時間（各基板１のステージ上の配置を変更するために要する時間と未描画領域２の描画に要する時間との総和）が許容範囲に収まるように、補償処理を計画することが好ましい。例えば、制御部３０は、表１に示すように、各基板１のステージ上での配置を変更する量（配置の変更量）の組み合わせと、その組み合わせでの補償処理に要する時間との対応関係を示す情報を予め記憶しておく。各基板１のステージ上での配置は、各基板１のステージ上での向きおよび位置（Ｘ方向）を含みうる。制御部３０は、当該対応関係における組み合わせのうち、基板１に生じた未描画領域２の描画を行うことができるものを抽出する。そして、制御部３０は、抽出された組み合わせのうちから補償処理に要する時間が許容範囲に収まるもの（例えば最短のもの）を選択する。これにより、制御部３０は、補償処理における各基板１のステージ上での配置を決定し、補償処理を計画することができる。
【００３４】
【表１】
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【００３５】
Ｓ１０７では、制御部３０は、補償処理を行う。補償処理において制御部３０は、例えば、補償処理の計画に従って変更部を制御し、少なくとも２枚の基板１の各々におけるステージ上での位置および向きの少なくとも一方を変更する。そして、制御部３０は、ステージ２１によって当該少なくとも２枚の基板１を同じ方向に一括に移動させながら、各照射部１２からの荷電粒子線の照射を制御することによって当該少なくとも２枚の基板の各々に生じた未描画領域２に描画を同時に行う。ここで、Ｓ１０６において複数回の補償処理を計画した場合では、制御部３０は、当該計画に従って、各基板１のステージ上での配置を変更して各基板１の未描画領域２に描画を行う工程を繰り返す。
【００３６】
上述したように、第１実施形態の描画装置１００は、複数の基板１の各々のステージ上での配置を変更する変更部を含む。描画装置１００は、少なくとも２枚の基板１の各々に生じた未描画領域２の描画が異常照射部とは異なる照射部１２によって行われるように、当該少なくとも２枚の基板１の各々におけるステージ上での配置を変更部により個別に変更する。そして、ステージ２１によって当該少なくとも２枚の基板１を一括に移動させながら当該少なくとも２枚の基板１の各々に生じた未描画領域２の描画を同時に行う。これにより、描画装置１００は、ステージ２１に搭載された複数の基板のうち少なくとも２枚の基板の各々に生じた未描画領域２の描画を同時に行うことができる。ここで、本実施形態は、特に、描画処理によって、ステージ２１に搭載された複数の基板１のうち少なくとも２枚の基板１の各々に未描画領域２が生じる場合に効果を発揮する。しかしながら、それに限られるものではなく、例えば、描画処理によって、複数の基板１のうち１枚の基板１のみに未描画領域２が生じる場合においても本実施形態を適用してもよい。
【００３７】
＜物品の製造方法の実施形態＞
本発明の実施形態に係る物品の製造方法は、例えば、半導体デバイス等のマイクロデバイスや微細構造を有する素子等の物品を製造するのに好適である。本実施形態の物品の製造方法は、基板に塗布された感光剤に上記の描画装置を用いて潜像パターンを形成する工程（基板に描画を行う工程）と、かかる工程で潜像パターンが形成された基板を現像する工程とを含む。更に、かかる製造方法は、他の周知の工程（酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等）を含む。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも１つにおいて有利である。
【００３８】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形および変更が可能である。
【符号の説明】
【００３９】
１：基板、１０：描画部、１２：照射部、２０：ステージ部、２１：ステージ、２２：保持部、３０：制御部、４０：搬送部、１００：描画装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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