(57)【要約】【課題】電極パターン作製用積層体、ひいては、タッチパネル用基板を簡便な方法で製造するための電極パターン作製用積層体の製造方法、それにより得られる電極パターン作製用積層体、それから得られるタッチパネル用基板、および、それを備え、視認性に優れる画像表示装置を提供すること。【解決手段】電極パターン作製用積層体１は、透明基板２と、透明基板２の裏面に配置され、ＪＩＳ  Ｂ  ０６０１に準拠して算出され、裏面の算術粗さＲａが、１００ｎｍ以上である第２金属下地５と、第２金属下地５の裏面に配置される第２電極層８とを備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基板と、
前記基板の厚み方向一方面に配置され、その厚み方向一方面のＪＩＳ  Ｂ  ０６０１に準拠して算出される算術粗さＲａが、１００ｎｍ以上である金属下地と、
前記金属下地の厚み方向一方面に配置される電極層と
を備えることを特徴とする、電極パターン作製用積層体。    
【請求項２】
前記金属下地は、金属粒子の一次粒子が凝集した凝集粒子を含み、
前記凝集粒子の平均粒子径が、３０．０ｎｍ以上であることを特徴とする、請求項１に記載の電極パターン作製用積層体。
【請求項３】
分光光度計を用いて、３００ｎｍ〜１３００ｎｍの波長をスキャンニングさせ、前記透明基板の前記厚み方向他方側から、前記透明基板を通過するように、前記金属下地に照射して測定した視感反射率（Ｙ値）が、２０．０％以下であることを特徴とする、請求項１または２に記載の電極パターン作製用積層体。
【請求項４】
前記金属下地は、前記透明基板の前記厚み方向一方面を、活性エネルギー線、プラズマおよびレーザーからなる群から選択されるいずれか一種により改質し、次いで、改質された前記透明基板に無電解めっきすることにより、設けられることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一項に記載の電極パターン作製用積層体。
【請求項５】
前記金属下地が、前記透明基板の前記厚み方向他方面にも配置され、
２つの前記金属下地のうち、少なくとも、前記透明基板の前記厚み方向一方側に配置される前記金属下地の前記厚み方向一方面の前記算術粗さＲａが１００ｎｍ以上であることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一項に記載の電極パターン作製用積層体。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか一項に記載の電極パターン作製用積層体の電極層および金属下地がパターンニングされることにより、電極パターンが形成されていることを特徴とする、タッチパネル用基板。
【請求項７】
請求項６に記載のタッチパネル用基板と、
前記タッチパネル用基板の厚み方向一方側に配置される画像表示素子と
を備えることを特徴とする、画像表示装置。
【請求項８】
前記画像表示素子が、液晶表示モジュールであり、
前記画像表示装置が、液晶表示装置であることを特徴とする、請求項７に記載の画像表示装置。
【請求項９】
透明基板を用意する工程、
前記透明基板の厚み方向一方面を改質する工程、
金属下地を、前記透明基板において改質された前記厚み方向一方面に配置する工程、および、
電極層を、前記金属下地の厚み方向一方面に配置する工程
を備えることを特徴とする、電極パターン作製用積層体の製造方法。
【請求項１０】
前記透明基板の前記厚み方向一方面を改質する工程では、活性エネルギー線、プラズマおよびレーザーからなる群から選択されるいずれか一種により前記透明基板を改質することを特徴とする、請求項９に記載の電極パターン作製用積層体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電極パターン作製用積層体、その製造方法、タッチパネル用基板および画像表示装置、詳しくは、電極パターン作製用積層体、電極パターン作製用積層体の製造方法、電極パターン作製用積層体から得られるタッチパネル用基板、および、タッチパネル用基板を備える画像表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、液晶表示装置などの画像表示装置が、配線を含む金属層が表面および裏面に配置されたタッチパネル用基板を備えることが知られている。
【０００３】
このような配線は、金属光沢を有し、それによって、液晶表示装置の視認性が低下することが懸念される。
【０００４】
そこで、図９Ｃに示すように、タッチパネル用基板を作製するための積層体として、例えば、第１黒化層５６と、第１金属層５５と、基材５１と、第２黒化層５７と、第２金属層５８とを、この順に有する積層体５０が知られている。
【０００５】
このような積層体５０を得るには、例えば、図９Ａに示す、第１金属層５５および第１黒化層５６が表面に順次積層された第１基材５１と、図９Ｂに示す、第２金属層５８および第１黒化層５７が表面に順次積層された第２基材４９とを、図９Ｃに示すように、第１金属層５５および第２金属層５８が第１基材５１を表裏方向において挟むように、貼り合わせる。
【０００６】
このような積層体５０では、第１黒化層５６によって、第１導体層５５の表面の金属光沢に起因する表側（視認側）からのディスプレイ４０の視認性の低下を防止できるとともに、第２黒化層５７によって、第２導体層５８の表面の金属光沢に起因する表側（視認側）からのディスプレイ４０の視認性の低下を防止できる。
【０００７】
しかし、この方法では、２つの基材（第１基材５１および第２基材４９）を用意する必要があり、その分、手間となる。
【０００８】
そこで、例えば、１つの基材の両側に、２つの金属層と、２つの黒化層とを配置する方法が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００９】
特許文献１の方法では、まず、図１０Ａに示すように、まず、基材５１を用意し、続いて、第２黒化層５７を、基材５１の裏面に、スパッタリングやめっきなどのプロセスにより形成し、次いで、図１０Ｂに示すように、第１導体層５５および第２導体層５８を、基材５１の表面、および、第２黒化層５７の裏面のそれぞれに形成する。その後、図１０Ｃに示すように、第１黒化層５６を、第１導体層５５の表面に上記したプロセスにより形成する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開２０１３−１２９１８３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかし、特許文献１の方法では、第２黒化層５７と第１黒化層５８との２つの黒化層を、別々の工程、つまり、第１導体層５５および第２導体層５８を形成する工程の前の工程（図１０Ａ参照）と後の工程（図１０Ｃ参照）とにおいて、それぞれ形成する必要がある。そのため、積層体５０は、煩雑な工程によって得られるという不具合がある。
【００１２】
本発明の目的は、電極パターン作製用積層体、ひいては、タッチパネル用基板を簡便な方法で製造するための電極パターン作製用積層体の製造方法、それにより得られる電極パターン作製用積層体、それから得られるタッチパネル用基板、および、それを備え、視認性に優れる画像表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記目的を達成するために、本発明の電極パターン作製用積層体は、透明基板と、前記基板の厚み方向一方面に配置され、その厚み方向一方面のＪＩＳ  Ｂ  ０６０１に準拠して算出される算術粗さＲａが、１００ｎｍ以上である金属下地と、前記金属下地の厚み方向一方面に配置される電極層とを備えることを特徴としている。
【００１４】
また、本発明の電極パターン作製用積層体では、前記金属下地は、金属粒子の一次粒子が凝集した凝集粒子を含み、前記凝集粒子の平均粒子径が、３０．０ｎｍ以上であることが好適である。
【００１５】
また、本発明の電極パターン作製用積層体では、分光光度計を用いて、３００ｎｍ〜１３００ｎｍの波長をスキャンニングさせ、前記透明基板の前記厚み方向他方側から、前記透明基板を通過するように、前記金属下地に照射して測定した視感反射率（Ｙ値）が、２０．０％以下であることが好適である。
【００１６】
また、本発明の電極パターン作製用積層体では、前記金属下地は、前記透明基板の前記厚み方向一方面を、活性エネルギー線、プラズマおよびレーザーからなる群から選択されるいずれか一種により改質し、次いで、改質された前記透明基板に無電解めっきすることにより、設けられることが好適である。
【００１７】
また、本発明の電極パターン作製用積層体では、前記金属下地が、前記透明基板の前記厚み方向他方面にも配置され、２つの前記金属下地のうち、少なくとも、前記透明基板の前記厚み方向一方側に配置される前記金属下地の前記厚み方向一方面の前記算術粗さＲａが１００ｎｍ以上であることが好適である。
【００１８】
また、本発明のタッチパネル用基板は、上記した電極パターン作製用積層体の電極層がパターンニングされることにより、電極パターンが形成されていることを特徴としている。
【００１９】
また、本発明の画像表示装置は、上記したタッチパネル用基板と、前記電極パターン作製用積層体の厚み方向一方側に配置される画像表示素子とを備えることを特徴としている。
【００２０】
また、本発明の画像表示装置では、前記画像表示素子が、液晶表示モジュールであり、前記画像表示装置が、液晶表示装置であることが好適である。
【００２１】
また、本発明の電極パターン作製用積層体の製造方法は、透明基板を用意する工程、前記透明基板の厚み方向一方面を改質する工程、金属下地を、前記透明基板において改質された前記厚み方向一方面に配置する工程、および、電極層を、前記金属下地の厚み方向一方面に配置する工程を備えることを特徴としている。
【００２２】
また、本発明の電極パターン作製用積層体の製造方法において、前記透明基板の前記厚み方向一方面を改質する工程では、活性エネルギー線、プラズマおよびレーザーからなる群から選択されるいずれか一種により前記透明基板を改質することが好適である。
【発明の効果】
【００２３】
本発明の電極パターン作製用積層体およびタッチパネル用基板では、黒化層を透明基板の厚み方向一方面に設けることなく、電極層を設けるための金属下地の厚み方向一方面の算術粗さＲａを特定の下限値以上に設定するのみの簡便な構成によって、金属下地の反射率を低く設定することができる。
【００２４】
そのため、本発明のタッチパネル用基板を備える画像表示装置は、画像表示素子に対する、金属下地の金属光沢に起因する視認性の低下の防止を可能にしながら、構成を簡便にすることができる。
【００２５】
本発明の電極パターン作製用積層体の製造方法は、電極層を設ける工程の前の工程において黒化層を設けずに、電極層を設ける工程の後の工程において１つの黒化層を設けることを可能にしながら、透明基板の厚み方向一方面を改質する工程を備えるので、低コストかつ簡便な方法によって、金属下地の反射率を低下させて、電極パターン作製用積層体を、ひいては、視認性に優れるタッチパネル用基板を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】図１Ａ〜図１Ｅは、本発明の電極パターン作製用積層体およびタッチパネル用基板の一実施形態の製造方法を示す工程図であり、図１Ａは、透明基板を用意する用意工程、および、透明基板の裏面を改質する改質工程、図１Ｂは、金属下地を透明基板に配置する下地配置工程、図１Ｃは、電極層を金属下地に配置する電極層配置工程、図１Ｄは、黒化層を第１電極層に配置する黒化層配置工程、図１Ｅは、金属下地、電極層および黒化層をパターンニングする工程を示す。
【図２】図２は、図１Ｅに示すタッチパネル用基板を備える液晶表示装置の断面図を示す。
【図３】図３Ａ〜図３Ｅは、本発明の電極パターン作製用積層体およびタッチパネル用基板の一実施形態の製造方法の変形例を示す工程図であり、図３Ａは、透明基板を用意する用意工程、および、透明基板の裏面を改質する改質工程、図３Ｂは、金属下地を透明基板に配置する下地配置工程、図３Ｃは、電極層を金属下地に配置する電極層配置工程、図３Ｄは、金属下地および電極層をパターンニングする工程を示す。
【図４】図４は、実施例１の第２金属下地のＳＥＭ写真の画像処理図を示す。
【図５】図５は、実施例２の第２金属下地のＳＥＭ写真の画像処理図を示す。
【図６】図６は、実施例４の第２金属下地のＳＥＭ写真の画像処理図を示す。
【図７】図７は、比較例１の第２金属下地のＳＥＭ写真の画像処理図を示す。
【図８】図８は、比較例３の第２金属下地のＳＥＭ写真の画像処理図を示す。
【図９】図９Ａ〜図９Ｃは、透明電極パターン作製用積層体の製造方法（従来例）を示す工程図であり、図９Ａは、第１電極層および第１黒化層が表面に順次積層された第１透明基板を用意する工程、図９Ｂは、第２電極層および第２黒化層が表面に順次積層された第２透明基板を用意する工程、図９Ｃは、第１透明基板と第２透明基板とを貼り合わせる工程を示す。
【図１０】図１０Ａ〜図１０Ｃは、特許文献１に記載される積層体の製造方法を示す工程図であり、図１０Ａは、第２黒化層を形成する工程、図１０Ｂは、第１導体層および第２導体層を形成する工程、図１０Ｃは、第１黒化層を形成する工程を示す。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
図１において、紙面上下方向は、電極パターン作製用積層体（後述）の表裏方向（電極パターン作製用積層体の厚み方向、第１方向）であって、紙面下側は、裏側（厚み方向一方側、第１方向一方側）、紙面上側は、表側（厚み方向他方側、第１方向他方側）である。なお、図１において、表裏方向は、後述する透明基板が基準とされる。
【００２８】
図１において、紙面左右方向は、左右方向（幅方向、第１方向に直交する第２方向）であって、紙面左側は、左側（幅方向一方側、第２方向一方側）、紙面右側は、右側（幅方向他方側、第２方向他方側）である。図１において、紙面紙厚方向は、前後方向（第１方向および第２方向に直交する第３方向）であって、紙面手前側は、前側（第３方向一方側）、紙面奥側は、後側（第３方向他方側）である。具体的には、各図の方向矢印に準拠する。
【００２９】
図１Ｄに示すように、電極パターン作製用積層体１は、所定の厚みを有する板状をなし、厚み方向と直交する所定方向（面方向、具体的には、左右方向および前後方向）に延び、平坦な表面および平坦な裏面を有している。電極パターン作製用積層体１は、例えば、後述する液晶表示装置３０（図２参照）などの画像表示装置に備えられるタッチパネル用基板２０（図１Ｅ参照）などを製造するための一部品であり、つまり、画像表示装置ではない。すなわち、電極パターン作製用積層体１は、画像表示装置を作製するための部品であり、ＬＣＤモジュール１４（図２参照）などの画像表示素子を含まず、後述する透明基板２、金属下地３および電極層６（図１Ｄ参照）からなり、部品単独で流通し、産業上利用可能なデバイスである。
【００３０】
具体的には、図１Ｄに示すように、電極パターン作製用積層体１は、透明基板２と、透明基板２の表面１８および裏面１９のそれぞれに配置される金属下地３と、表側の金属下地３の表面および裏側の金属下地３の裏面のそれぞれに配置される電極層６と、表側の電極層６の表面に配置される黒化層９とを備える。好ましくは、電極パターン作製用積層体１は、透明基板２と、金属下地３と、電極層６と、黒化層９とからなる。
【００３１】
透明基板２は、平面視において、電極パターン作製用積層体１の外形形状に対応するフィルム状（あるいは薄板状）に形成されている。透明基板２を形成する透明材料としては、例えば、有機透明材料、無機透明材料などの絶縁材料が挙げられる。有機透明材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）などのポリエステル材料、例えば、ポリメタクリレートなどのアクリル材料、例えば、ポリカーボネート材料、例えば、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）などのオレフィン材料、例えば、メラミン系ポリマーなどが挙げられる。無機透明材料としては、例えば、ガラスなどが挙げられる。好ましくは、軽薄性の観点から、有機透明材料、より好ましくは、ポリエステル材料が挙げられる。
【００３２】
透明基板２は、単独使用または２種以上併用することができる。透明基板２を２種以上併用の透明材料から構成する場合には、種類の異なる複数の透明材料の層を複数積層することもできる。具体的には、２種類のポリエステル材料を厚み方向に積層することができる。より具体的には、透明基板２は、一のポリエステル材料（例えば、ＰＥＴなど）からなる基材層２１と、その表裏両面のそれぞれに配置され、他のポリエステル材料（一のポリエステル材料と種類が異なるポリエステル材料、例えば、テレフタル酸などのジカルボン酸とエチレングリコールなどのグリコール成分との共重合体など）からなる易接着層２２とを備えることもできる。易接着層２２は、次に説明する金属下地３の基材層２１に対する接着力を向上させるために設けられる層であり、具体的には、基材層２１の表面に配置される第１易接着剤層２３、および、基材層２１の裏面に配置される第２易接着剤層２４を備える。
【００３３】
透明基板２の全光線透過率は、例えば、８０％以上、好ましくは、９０％以上であり、また、例えば、１００％以下である。
【００３４】
透明基板２の厚みは、光の透過性およびハンドリング性の観点から、例えば、５μｍ以上、好ましくは、１５μｍ以上であり、また、例えば、１００μｍ以下、好ましくは、５０μｍ以下である。透明基板２が基材層２１および易接着層２２を備える場合には、基材層２１の厚みが、例えば、５μｍ以上、好ましくは、１５μｍ以上であり、また、例えば、１００μｍ以下、好ましくは、５０μｍ以下であり、また、各易接着層２２の厚みが、例えば、５ｎｍ以上、好ましくは、２０ｎｍ以上であり、また、例えば、１０００ｎｍ以下、好ましくは、１００ｎｍ以下である。
【００３５】
金属下地３は、透明基板２の表面１８および裏面１９に直接接触するように、透明基板２の表面１８および裏面１９のそれぞれに配置されている。各金属下地３は、平面視において透明基板２と同一形状をなす薄膜状に形成されている。金属下地３は、次に説明する電極層６を、例えば、電解めっきにより形成するための種膜（シード層）として構成されている。金属下地３は、透明基板２の表面１８に配置される第１金属下地４（表側の金属下地３）と、透明基板２の裏面１９に配置される第２金属下地５（裏側の金属下地３）とを備える。
【００３６】
第１金属下地４は、後述する金属粒子５１の一次粒子から形成されている。つまり、第１金属下地４は、透明基板２の表面１８において、金属粒子５１が凝集することなく、均一に分散された金属粒子５１から形成されている。
【００３７】
第１金属下地４を形成する金属としては、例えば、銅、ニッケル、クロム、それらの合金などの導体（低抵抗金属）が挙げられ、好ましくは、銅、銅合金（例えば、Ｎｉ含有率が０．１〜５質量％であるＣｕＮｉなど）、ニッケル、ニッケル合金（ＮＩ−Ｐ、Ｎｉ−Ｂなど）が挙げられ、より好ましくは、銅、ニッケルが挙げられる。金属は、単独使用または２種以上併用することができる。
【００３８】
第１金属下地４の表面抵抗は、例えば、電極層６を電解めっきにより生成する場合に、電極層６を生成する金属によって、適宜設定され、例えば、５Ω／□以下、好ましくは、３Ω／□以下、より好ましくは、１Ω／□以下であり、めっき時間、生産高コストも考慮すると、例えば、０．０１Ω／□以上、好ましくは、０．１Ω／□以上である。
【００３９】
第１金属下地４の平均粒子径（一次粒子径）は、例えば、１０ｎｍ以上であり、また、例えば、３０ｎｍ以下である。金属粒子５１の平均粒子径は、例えば、金属下地３のＳＥＭ写真の画像処理により算出される。
第１金属下地４の厚みは、例えば、１０ｎｍ以上、好ましくは、５０ｎｍ以上であり、また、例えば、１０００ｎｍ以下、好ましくは、５００ｎｍ以下である。
【００４０】
第１金属下地４の表面の算術粗さＲａは、例えば、１０ｎｍ以上であり、また、例えば、５０ｎｍ以下である。第１金属下地４の表面の算術粗さＲａは、ＪＩＳ  Ｂ  ０６０１に準拠して算出される。
【００４１】
第２金属下地５は、図１Ｂの右側図が参照されるように、金属の粒子から形成されており、具体的には、金属粒子５１の一次粒子が凝集した凝集粒子５２を含んでいる。
【００４２】
凝集粒子５２は、複数の金属粒子５１の一次粒子がブドウの房状に凝集した形状に形成されている。金属粒子５１は、略球形状または塊状に形成されている。
【００４３】
そして、第２金属下地５は、上記した複数の凝集粒子５２が透明基板２の裏面１９に対して密着状かつ密集状に配置されている。つまり、複数の凝集粒子５２は、実質的に、透明基板２の裏面１９全体を被覆するように配置されている。
【００４４】
第２金属下地５を形成する金属としては、第１金属下地４を形成する金属と同一の金属が挙げられる。
【００４５】
第２金属下地５の裏面抵抗は、例えば、第２電極層８を電解めっきにより生成する場合に、第２電極層８を生成する金属によって、適宜設定され、例えば、５Ω／□以下、好ましくは、３Ω／□以下、より好ましくは、１Ω／□以下であり、めっき時間、生産高コストも考慮すると、例えば、０．０１Ω／□以上、好ましくは、０．１Ω／□以上である。
【００４６】
第２金属下地５の寸法は、例えば、第２金属下地５の裏面抵抗を上記範囲に設定するために適宜調整されている。具体的には、第２金属下地５の厚みは、次に述べる凝集粒子５２の平均粒子径と同一である。
【００４７】
凝集粒子５２の平均粒子径（二次粒子径）は、例えば、３０．０ｎｍ以上、好ましくは、４０．０ｎｍ以上、より好ましくは、５０．０ｎｍ以上であり、また、例えば、３００ｎｍ以下、好ましくは、２００ｎｍ以下、より好ましくは、１００ｎｍ以下である。凝集粒子５２の平均粒子径は、後の実施例で記載される方法によって算出される。
【００４８】
凝集粒子５２の平均粒子径（二次粒子径）が上記下限以上であれば、第２金属下地５の表面の反射率（後述）を所望の範囲に設定でき、そのため、第２金属下地５の表側からの視認性の低下を防止することができる。つまり、液晶表示装置３０（図２参照）における視認側（図２における表側、後述）からの視認性の低下を防止することができる。
【００４９】
金属粒子５１の平均粒子径（一次粒子径）は、例えば、１０ｎｍ以上であり、また、例えば、３０ｎｍ以下である。
【００５０】
第２金属下地５の裏面の算術粗さＲａは、上記した凝集粒子５２の二次粒子径によって調整され、具体的には、１００ｎｍ以上であり、好ましくは、１５０ｎｍ以上、より好ましくは、２００ｎｍ以上であり、また、例えば、１０００ｎｍ以下、好ましくは、５００ｎｍ以下である。第２金属下地５の裏面の算術粗さＲａは、ＪＩＳ  Ｂ  ０６０１に準拠して算出される。
【００５１】
第２金属下地５の裏面の算術粗さＲａが上記下限未満であれば、第２金属下地５の表面の反射率を低く設定できず、そのため、第２金属下地５の表側からの視認性の低下、つまり、液晶表示装置３０（図２参照）における視認側（図２における表側、後述）からの視認性の低下を防止することができない。第２金属下地５の裏面の算術粗さＲａが上記上限以下であれば、第２金属下地５の裏面の算術粗さＲａを所望の範囲に設定して、第２金属下地５の表面の反射率（後述）を所望の範囲に設定でき、そのため、第２金属下地５の表側からの視認性の低下を防止することができる。
【００５２】
第２金属下地５の表面の反射率は、例えば、２０．０％以下、好ましくは、１５．０％以下、より好ましくは、１０．０％以下であり、また、例えば、０．０％以上、好ましくは、０．１％以上である。第２金属下地５の表面の反射率は、分光光度計を用いて測定した視感反射率Ｙ値と定義する。具体的には、第２金属下地５の表面の反射率を算出する方法は、後で述べる実施例において詳述される。
【００５３】
第２金属下地５の表面の反射率が上記上限以下であれば、第２金属下地５の表側からの視認性の低下、つまり、液晶表示装置３０（図２参照）における視認側（図２における表側、後述）からの視認性の低下を防止することができる。
【００５４】
電極層６は、表側の金属下地３の表面、および、裏側の金属下地３の裏面に直接接触するように配置されている。各電極層６は、平面視において透明基板２と同一形状をなすフィルム状（あるいは薄板状）に形成されている。具体的には、電極層６は、第１金属下地４の表面に配置される第１電極層７と、第２金属下地５の裏面に配置される第２電極層８とを備える。
【００５５】
第１電極層７は、透明基板２の外形形状に対応するフィルム状に形成されている。第１電極層７を形成する材料としては、例えば、金、銀、銅、ニッケル、アルミニウム、マグネシウム、タングステン、コバルト、亜鉛、鉄、それらの合金などが挙げられ、好ましくは、金、銀、銅が挙げられ、より好ましくは、コストおよび加工性の観点から、銅が挙げられる。
【００５６】
第１電極層７の厚みは、タッチパネル用基板２０（後述、図１Ｅ参照）に必要とされる抵抗によって適宜設定され、具体的には、例えば、１０ｎｍ以上、好ましくは、１００ｎｍ以上であり、また、例えば、２０μｍ以下、好ましくは、１０μｍ以下、より好ましくは、５μｍ以下である。
【００５７】
第２電極層８を形成する材料および第２電極層８の厚みは、上記した第１電極層７のそれらと同一である。
【００５８】
上記した電極層６は、上記した金属下地３、および、次に説明する黒化層９とともに、後述する電極パターン１５（図１Ｅ参照）を一体的に構成することができる。
【００５９】
黒化層９は、第１電極層７の表面全面に配置されており、第１電極層７の外形形状に対応するフィルム状に形成されている。黒化層９は、第１電極層７の表面における金属光沢を抑制して、電極パターン作製用積層体１から得られるタッチパネル用基板２０が液晶表示装置３０（図２参照）に備えられるときに、第１電極層７の視認側（図２における表側、後述）からの視認性の低下を防止するために、設けられる。
【００６０】
黒化層９を形成する材料としては、例えば、窒化銅、酸化銅、窒化ニッケル、酸化ニッケル、ニッケル亜鉛（ＮｉＺｎ）、スズニッケル、スズ亜鉛などの金属材料、または、黒色顔料を含む樹脂組成物などが挙げられる。好ましくは、金属材料、より好ましくは、ニッケル亜鉛（ＮｉＺｎ）が挙げられる。このような材料は、単独使用または２種以上併用することができる。黒化層９の厚みは、例えば、５ｎｍ以上、好ましくは、１０ｎｍ以上であり、また、例えば、２００μｍ以下、好ましくは、１μｍ以下である。黒化層９の反射率は、例えば、２０％以下、好ましくは、１０％以下であり、また、例えば、１％以上である。
【００６１】
上記した電極パターン作製用積層体１には、表側（厚み方向他方側）から裏側（厚み方向一方側）に向かって、黒化層９、第１電極層７、第１金属下地４、透明基板２、第２金属下地５および第２電極層８が順次設けられている。
【００６２】
（電極パターン作製用積層体の製造方法）
次に、この電極パターン作製用積層体１の製造方法について説明する。
【００６３】
電極パターン作製用積層体１の製造方法は、透明基板２を用意する用意工程（図１Ａ参照）、透明基板２を改質する改質工程（図１Ａの矢印参照）、金属下地３を、透明基板２の表面１８および裏面１９に配置する下地配置工程（図１Ｂ参照）、電極層６を、金属下地３の表面および裏面に配置する電極層配置工程（図１Ｃ参照）、および、黒化層９を、第１電極層７の表面に配置する黒化層配置工程（図１Ｄ参照）を備える。
【００６４】
以下、各工程について詳述する。
【００６５】
（用意工程）
図１Ａに示すように、透明基板２を用意する工程では、上記した構成、材料、寸法を有する透明基板２を用意する。
【００６６】
（改質工程）
図１Ａの矢印で示すように、改質工程を用意工程の後に実施する。
【００６７】
改質工程では、例えば、透明基板２の裏面１９（透明基板２が基材層２１、第１易接着層２３および第２易接着層２４を備える場合には、第２易接着層２４の裏面１９）を改質する。
【００６８】
透明基板２の改質は、透明基板２の裏面１９に、後述する凝集粒子５２を生成するための起点を透明基板２（第２易接着層２４）の裏面１９に付与する処理である。
【００６９】
透明基板２の裏面１９を、例えば、活性エネルギー線、プラズマ、レーザーによって、透明基板２を改質する。透明基板２の改質は、単独実施あるいは２種以上を順次実施することができる。
【００７０】
活性エネルギー線、プラズマおよびレーザーからなる群から選択されるいずれか一種により透明基板２を改質すれば、後述する凝集粒子５２を生成するための起点を透明基板２の裏面１９に確実に形成することができる。
【００７１】
好ましくは、活性エネルギー線を、透明基板２の裏面１９に照射（露光）する。
【００７２】
活性エネルギー線としては、例えば、紫外線、放射線、赤外線、Ｘ線、α線、β線、γ線、電子線などが挙げられる。好ましくは、紫外線が挙げられる。
【００７３】
活性エネルギー線として紫外線を用いる場合には、紫外線の発生源として、例えば、低圧水銀ランプ、高圧水銀ランプ、超高圧水銀ランプ、メタルハライドランプ、無電極ランプ（フュージョンランプ）、ケミカルランプ、ブラックライトランプ、水銀−キセノンランプ、ショートアーク灯、ヘリウム・カドミニウムレーザー、アルゴンレーザー、太陽光、ＬＥＤなどが挙げられる。好ましくは、低圧水銀ランプが挙げられる。
【００７４】
活性エネルギー線の照射量（露光量）は、透明基板２の材料、その後必要により実施される前処理の条件、電極層６の材料などに応じて適宜設定され、例えば、２００ｍＷ／ｃｍ２以上、好ましくは、５００ｍＷ／ｃｍ２以上、より好ましくは、１０００ｍＷ／ｃｍ２以上であり、また、例えば、１００００ｍＷ／ｃｍ２以下、好ましくは、５０００ｍＷ／ｃｍ２以下、より好ましくは、２０００ｍＷ／ｃｍ２以下である。活性エネルギー線の照射量が上記下限以上であれば、次に説明する凝集粒子５２の生成を十分に促進できる。そのため、所望の反射率を得ることができる。活性エネルギー線の照射量が上記上限以下であれば、照射量に相応する凝集粒子５２の促進を生成する効果が得られ、そのため、製造コストの上昇を抑制することができる。
【００７５】
活性エネルギー線の照射時間は、上記した照射量となるように、適宜設定され、例えば、１秒間以上、好ましくは、１０秒間以上であり、また、例えば、２０分間以下、好ましくは、１０分間以下である。
【００７６】
紫外線の発生源における出力は、製品幅により異なるが、例えば、４０Ｗ以上、好ましくは、２００Ｗ以上であり、また、例えば、１０００Ｗ以下、好ましくは、５００Ｗ以下である。
【００７７】
透明基板２を改質する時間は、例えば、１秒以上、好ましくは、１０秒以上であり、また、例えば、６０秒以下、好ましくは、６００秒以下である。
【００７８】
（下地配置工程）
図１Ｂに示すように、下地配置工程を改質工程の後に実施する。
【００７９】
下地配置工程では、金属下地３を、透明基板２の表面１８および裏面１９に配置する。
【００８０】
透明基板２の表面１８および裏面１９に配置する方法として、例えば、無電解めっき、スパッタリングが用いられ、好ましくは、製造コストの観点から、無電解めっきが用いられる。無電解めっきであれば、裏面１９が改質された透明基板２に、凝集粒子５２を確実に生成することができ、そのため、所望の反射率を得ることができる。
【００８１】
具体的には、裏面１９が改質された透明基板２を、例えば、無電解めっき液に浸漬する。
【００８２】
また、無電解めっきでは、透明基板２を無電解めっき液に浸漬する前に前処理を実施することもできる。
【００８３】
前処理は、透明基板２を無電解めっきするための公知の処理であって、例えば、洗浄処理、触媒処理、活性化処理などを含む。
【００８４】
洗浄処理は、透明基板２の表面１８および裏面１９に付着する油分（脂分）を除去する脱脂処理である。
【００８５】
触媒処理は、透明基板２の表面１８および裏面１９に、例えば、パラジウムなどの触媒を含有する触媒皮膜を付着させる処理である。
【００８６】
活性化処理は、触媒処理にて付着させた触媒（具体的には、Ｐｄなど）を安定的に還元析出することによりめっきムラを防ぐための処理である。
【００８７】
前処理の条件は、適宜設定される。
【００８８】
前処理の後に、透明基板２を無電解めっき液に浸漬する。
【００８９】
無電解めっき液は、例えば、金属下地３を形成する金属（あるいは金属イオン）を含有する。
【００９０】
浸漬時間は、凝集粒子５２を生成できる時間であれば特に限定されず、例えば、１０秒以上、好ましくは、３０秒以上であり、また、例えば、１０分以下、好ましくは、５分以下である。
【００９１】
これにより、第１金属下地４を、透明基板２の表面１８に配置するとともに、第２金属下地５を、透明基板２の裏面１９に配置する。
【００９２】
そして、この下地配置工程において、図１Ｂの右側の丸囲みの拡大図に示すように、上記した改質工程で、透明基板２の裏面１９が改質されているので、金属粒子５１がブドウの房状に凝集して、所望の二次粒子径を有する凝集粒子５２を複数形成する。これによって、裏面の算術粗さＲａが特定値以上の第２金属下地５が形成される。つまり、複数の凝集粒子５２が、第２金属下地５の裏面に凹凸を形成する。
【００９３】
（電極層配置工程）
図１Ｃに示すように、電極層配置工程を下地配置工程の後に実施する。
【００９４】
電極層配置工程では、電極層６を金属下地３の露出面に配置する。具体的には、第１電極層７を第１金属下地４の表面（つまり、第１金属下地４において透明基板２に接触する面に対する逆側面）に配置するとともに、第２電極層８を第２金属下地５の裏面（第２金属下地５において透明基板２に接触する面に対する逆側面）に配置する。
【００９５】
電極層６を金属下地３の露出面に配置する方法として、例えば、電解めっき、スパッタリングが用いられ、製造コストの観点から、好ましくは、電解めっきが用いられる。電解めっきであれば、電極層６を所望の厚みで確実に形成することができる。
【００９６】
具体的には、金属下地３が設けられた透明基板２を、例えば、電解めっき液に浸漬する。また、上記の浸漬前に、予め、電極層６に給電部材（図示せず）を接触させる。
【００９７】
電解めっきの条件、具体的には、電解めっき液の温度、電解めっき液におけるイオン濃度、電流密度などは、適宜設定される。
【００９８】
（黒化層配置工程）
図１Ｄに示すように、黒化層配置工程は、電極層配置工程の後に実施する。
【００９９】
黒化層配置工程では、黒化層９を第１電極層７の表面に配置する。
【０１００】
例えば、黒化層９を金属材料から形成する場合には、例えば、めっきなどによって、黒化層９を第１電極層７の表面に積層する。
【０１０１】
これによって、電極パターン作製用積層体１が得られる。
【０１０２】
そして、図１Ｄに示す電極パターン作製用積層体１は、図１Ｅに示すタッチパネル用基板２０を作製するための部品として流通し、産業上利用可能なデバイス（部品）である。
＜タッチパネル用基板＞
その後、図１Ｅに示すように、電極パターン作製用積層体１における金属下地３、電極層６および黒化層９をパターンニングすることによって、電極パターン１５が形成されたタッチパネル用基板２０を得る。
【０１０３】
図１Ｅに示すように、タッチパネル用基板２０は、透明基板２と、透明基板２の表面および裏面に配置される電極パターン１５とを備える。好ましくは、タッチパネル用基板２０は、透明基板２と、電極パターン１５とからなる。
【０１０４】
電極パターン１５は、透明基板２の表側においては、第１金属下地４、第１電極層７および黒化層９を備え、透明基板２の裏側においては、第２金属下地５および第２電極層８を備える。電極パターン１５は、引出配線１６と、引出配線１６に連続して（図示しないが）形成される電極１７とを備える。
【０１０５】
引出配線１６は、タッチパネル用基板２０の周端部に互いに間隔を隔てて複数配置されている。
【０１０６】
電極１７は、後述する液晶表示装置３０（図２参照）において、検知部（センサ）を構成しており、タッチパネル用基板２０の中央において互いに間隔を隔てて複数配置されている。電極１７のパターンは、厚み方向に投影したときに格子形状をなし、具体的には、透明基板２の表側に配置される電極１７と、透明基板２の裏側に配置される電極１７とは、例えば、厚み方向に投影したときに、それぞれ、直交するように形成されている。具体的には、透明基板２の表側に配置される電極１７は、左右方向に延び、前後方向に互いに間隔を隔てて形成されている。一方、透明基板２の裏側に配置される電極１７は、前後方向に延び、左右方向に互いに間隔を隔てて形成されている。
【０１０７】
図１Ｅに示すように、透明基板２の表側に配置される第１金属下地４、第１電極層７および黒化層９と、透明基板２の裏側に配置される第２金属下地５および第２電極層８とを、電極パターン１５にパターンニングするには、それらを、例えば、エッチングする。
【０１０８】
これによって、図１Ｅに示すように、引出配線１６および電極１７を備える電極パターン１５が透明基板２の表裏両面に形成されたタッチパネル用基板２０を得る。
＜タッチパネルおよび液晶表示装置＞
次に、図１Ｅに示すタッチパネル用基板２０を備える液晶表示装置３０について、図２を参照して説明する。
【０１０９】
図２において、液晶表示装置３０は、例えば、タッチパネル式携帯電話であって、表側から操作者（あるいは視認者）によって視認および操作される。液晶表示装置３０は、板状の画像表示素子としてのＬＣＤモジュール（液晶表示モジュール）１４と、ＬＣＤモジュール１４の表側に間隔を隔てて設けられる偏光板１２と、偏光板１２の表面に配置されるタッチパネル２６とを備えている。
【０１１０】
ＬＣＤモジュール１４の裏側には、図示しないが、回路基板および筐体などが設けられている。
【０１１１】
液晶表示装置３０の左右方向および前後方向の中央部において、ＬＣＤモジュール１４と偏光板１２との間は、空気層としてのギャップ層１３とされている。なお、ギャップ層１３は、周端部において枠状に配置されるスペーサ２１によって区画されている。
【０１１２】
タッチパネル２６は、偏光板１２の表面に配置されるタッチパネル用基板２０と、タッチパネル用基板２０の表側に透明の粘着剤層２５を介して接着される保護ガラス層１１とを備える。
【０１１３】
図２におけるタッチパネル２６では、図１Ｅに示すタッチパネル用基板２０が、その表裏方向の配置が維持された状態で、液晶表示装置３０に配置される。
【０１１４】
すなわち、図２の左側の丸囲みの拡大図に示すように、液晶表示装置３０のタッチパネル２６におけるタッチパネル用基板２０では、第１金属下地４、第１電極層７および黒化層９は、透明基板２に対して表側に配置されている。すなわち、第１金属下地４、第１電極層７および黒化層９は、この順序で、透明基板２から表側に向かって配置されている。
【０１１５】
一方、第２金属下地５および第２電極層８は、透明基板２に対して裏側に配置されている。すなわち、第２金属下地５および第２電極層８は、この順序で、透明基板２から裏側に向かって配置されている。
【０１１６】
すなわち、液晶表示装置３０におけるタッチパネル用基板２０では、表側（厚み方向他方側）から裏側（厚み方向一方側）に向かって、黒化層９、第１電極層７、第１金属下地４、透明基板２、第２金属下地５および第２電極層８が、順次配置されている。
【０１１７】
そして、この液晶表示装置３０では、電極１７に対応する保護ガラス層１１の表面に指などが接触あるいは近接すると、接触あるいは近接しない場合と比べ静電容量の差を生じ、それが、検知信号として、引出配線１６を介して、図示しない回路基板に伝達される。
【０１１８】
一方、回路基板からＬＣＤモジュール１４に入力信号が入力される。かかる入力信号が、ＬＣＤモジュール１４が画像を表示する。その画像は、偏光板１２、タッチパネル２６を介して、操作者（あるいは視認者）に視認される。
【０１１９】
他方、表側から入射する自然光が、保護ガラス層１１および粘着剤層２５を透過し、続いて、黒化層９、第１電極層７および第１金属下地４からなる複数の電極パターン１５の間を通過し、次いで、透明基板２を透過した後、透明基板２に対して裏側に配置される電極パターン１５の表面、具体的には、第２金属下地５の表面（視認側面）において反射すること（あるいは金属光沢）によって、視認者がＬＣＤモジュール１４に表示された画像を視認する際に、上記した画像に対する視認性が低下する場合がある。しかしながら、本実施形態によれば、第２金属下地５の裏面の算術粗さＲａが上記下限以上となるように、凝集粒子５２が形成されているので、第２金属下地５の表面における金属光沢の発生を抑制し、つまり、液晶表示装置３０における第２金属下地５の表面において自然光が反射することを抑制する。
【０１２０】
なお、透明基板２に対して表側に配置される電極パターン１５の表面、具体的には、第１電極層７の表面における金属光沢に起因する視認性の低下は、黒化層９によって抑制される。
【０１２１】
（本実施形態の作用効果）
そして、この電極パターン作製用積層体１およびタッチパネル用基板２０では、黒化層９を透明基板２の裏面１９に設けず、つまり、図１０Ａ〜図１０Ｃで示すように、第２黒化層５７および第１黒化層５６を別々の工程（図１０Ａの工程と、図１０Ｃの工程と）で設けることなく、つまり、電極層配置工程（図１Ｃ参照）の前の工程において黒化層９を設けず、そして、電極層配置工程（図１Ｃ参照）の後の黒化層配置工程において１つの黒化層９を設ける（図１Ｃ参照）とともに、第２電極層８を設けるための第２金属下地５の裏面の算術粗さＲａが特定の下限値以上に設定するのみの簡便な構成によって、図１Ｄおよび図１Ｅに示す第２金属下地５の表面の反射率を低く設定することができる。
【０１２２】
そのため、図２に示され、電極パターン作製用積層体１から作製されるタッチパネル用基板２０を備える液晶表示装置３０は、ＬＣＤモジュール１４に対する、第２金属下地５の表面の金属光沢に起因する表側（視認側、図２参照。）からの視認性の低下を防止できながら、タッチパネル用基板２０を構成を簡便にすることができる。
【０１２３】
また、図１Ａ〜図１Ｅに示す電極パターン作製用積層体１およびタッチパネル用基板２０の製造方法は、図１０Ａ〜図１０Ｃで示すような第２黒化層５７および第１黒化層５６を別々の工程（図１０Ａの工程と、図１０Ｃの工程と）で設けることなく、つまり、電極層配置工程（図１Ｃ参照）の前の工程において黒化層９を設けず、そして、電極層配置工程（図１Ｃ参照）の後の黒化層配置工程において１つの黒化層９を設ける（図１Ｄ参照）とともに、透明基板２を改質する工程（図１Ａの工程）を備えるので、低コストかつ簡便な方法によって、第２金属下地５の表面の反射率を低く設定して、電極パターン作製用積層体１を、ひいては、視認性に優れるタッチパネル用基板２０を製造することができる。具体的には、従来の特許文献１の方法では、図１０Ａおよび図１０Ｃに示すように、第１黒化層５６および第２黒化層５７を、２つの工程のそれぞれにおいて、スパッタリングやメッキなど、高価な装置を必要とする真空プロセスを要する。しかし、本実施形態では、図１Ｄに示すように、上記プロセスで、１つの黒化層９を１つの工程のみで形成するとともに、透明基板２の裏面１９を、活性エネルギー線、プラズマおよびレーザーからなる群から選択されるいずれか一種により、改質するので、低コストで、電極パターン作製用積層体１およびタッチパネル用基板２０を製造することができる。
＜変形例＞
図１Ｄおよび図１Ｅの実線で示される実施形態では、黒化層９は、第１電極層７の表面のみに配置されているが、例えば、図１Ｄおよび図１Ｅの仮想線で示すように、黒化層９は、さらに、第２電極層８の裏面にも配置されていてもよい。すなわち、黒化層９は、第１電極層７の表面、および、第２電極層８の裏面に配置されている。その場合には、２つの黒化層９は、１つの工程、例えば、めっき、具体的には、第１電極層７および第２電極層８が設けられた透明基板２を、めっき浴に浸漬するのみで、同時に形成される。
【０１２４】
また、図１Ｄおよび図１Ｅの実線で示した実施形態では、黒化層９を第１電極層７に対して層として別途配置しているが、例えば、第１電極層７の表面における金属光沢を抑制して、第１電極層７の表面の反射率を低く設定できれば、特に限定されず、具体的には、黒化層９を別途配置することなく、第１電極層７の表面にエッチングなどによって微小な凹凸を形成することもできる。
【０１２５】
また、図１Ａの矢印で示される実施形態において、改質工程では、透明基板２の裏面１９のみを改質しているが、例えば、図示しないが、さらに、透明基板２の表面１８を改質してもよい。
【０１２６】
その場合には、第１金属下地４の表面１８は、第２金属下地５の裏面１９の反射率と同一範囲の反射率を有する。つまり、第１金属下地４は、複数の金属粒子５１の一次粒子がブドウの房状に凝集した凝集粒子５２から形成されており、これによって、第１金属下地４の表面の算術粗さＲａは、第２金属下地５のそれと同一範囲を有する。
【０１２７】
また、図１Ｄおよび図１Ｅで示される実施形態では、透明基板２の両側に金属下地３および電極層６を設けている。つまり、透明基板２の裏側に第２金属下地５および第２電極層８を設け、透明基板２の表側にも第１金属下地４および第１電極層７を設けている。しかし、例えば、図３Ｃおよび図３Ｄに示すように、電極パターン作製用積層体１において、透明基板２の裏側のみに第２金属下地５および第２電極層８を設けることができる。
【０１２８】
つまり、図３Ｃに示すように、第２金属下地５および第２電極層８が、透明基板２の裏側に設けられる一方、透明基板２の表側には、第１金属下地４および第１電極層７が設けられず、さらに、黒化層９も設けられない。透明基板２の表面１８は、表側に露出する。
【０１２９】
このような電極パターン作製用積層体１を得るには、まず、図３Ａに示すように、透明基板２を用意し（用意工程）、続いて、図３Ａの矢印で示すように、透明基板２の裏面１９を改質し（改質工程）、次いで、図３Ｂに示すように、金属下地３（第２金属下地５）を、透明基板２の裏面１９のみに配置し（下地配置工程）、その後、図３Ｃに示すように、電極層６（第２電極層８）を、金属下地３（第２金属下地５）の裏面のみに配置する（電極層配置工程）。これにより、電極パターン作製用積層体１を得る。
【０１３０】
そのような電極パターン作製用積層体１の金属下地３および電極層６をパターンニングすることにより、図３Ｄで示されるように、電極パターン１５が形成されたタッチパネル用基板２０を作製し、これが液晶表示装置３０のタッチパネル２６に設けられるときにも、タッチパネル用基板２０は、その表裏方向の配置が維持された状態で、液晶表示装置３０に配置される。
【０１３１】
この構成によっても、第２金属下地５の表面における金属光沢の発生を抑制し、つまり、液晶表示装置３０における第２金属下地５の表面において自然光が反射することを抑制することができる。
【０１３２】
この変形例の構成によれば、図３Ｂに示すように、透明基板２の表面１８に第１金属下地４を設ける必要がないので、電極パターン作製用積層体１の構成を簡易にすることができる。さらに、図３Ｃに示すように、黒化層９を設ける必要もないので、電極パターン作製用積層体１を簡便な方法で製造することができるとともに、電極パターン作製用積層体１の構成をより一層簡易にすることができる。
【０１３３】
好ましくは、図１Ｄおよび図１Ｅに示すように、金属下地３を透明基板２の両側に設ける。そのような構成によれば、透明基板２の両側に配置され、配列が異なる２種類の電極層６を備える電極１７によって、保護ガラス層１１の表面における操作者の指の左右方向および前後方向の位置および動作を精度よく検知できる。一方、第１電極層７の表側の黒化層９、および、表面における特定の算術粗さＲａを有する第２金属下地５とのそれぞれによって、第１電極層７の表面における金属光沢、および、第２金属下地５の裏面における金属光沢に起因する液晶表示装置３０の表側（視認側）の視認性の低下を抑制することができる。
【０１３４】
また、図２で示される実施形態では、画像表示素子としてＬＣＤモジュール１４を例示しているが、これに限定されず、例えば、ＣＲＴ、無機ＥＬディスプレイ、有機ＥＬディスプレイ、ＬＥＤディスプレイ、ＬＤディスプレイ、電界放出ディスプレイ、プラズマディスプレイなどを例示することもできる。
【実施例】
【０１３５】
以下に実施例および比較例を示し、本発明をさらに具体的に説明する。なお、本発明は、何ら実施例および比較例に限定されない。
【０１３６】
また、以下に示す実施例の数値は、上記の実施形態において記載される数値（すなわち、上限値または下限値）に代替することができる。
【０１３７】
（実施例１）
基材層としての厚み５０μｍのＰＥＴフィルムの表裏両面に、易接着層（第１易接着層および第２易接着層）としてのポリエステル系樹脂層（厚み７０ｎｍ）が配置された透明基板（商品名「Ｕ４８」、東レ社製）を用意した（図１Ａ参照）。
【０１３８】
次いで、透明基板の裏面に、低圧水銀ランプ（出力：４００Ｗ、オーク製作所製）により、紫外線を、６０秒間、照射量１２６０ｍＪ／ｃｍ２、照射した（図１Ａの矢印参照）。透明基板に対する紫外線の照射量（露光量）は、透明基板の近傍に配置された紫外線光量計（ＵＶ−３５１、オーク社製）によって、測定した。以降の照射量についても同様に測定した。これによって、透明基板の裏面を改質した。
【０１３９】
次いで、透明基板の表裏両面に、前処理、無電解めっきおよび電解めっきを順次実施した。
【０１４０】
具体的には、前処理では、洗浄処理、触媒処理、および、活性化処理を順次実施した。
【０１４１】
まず、洗浄処理では、裏面が紫外線に照射された透明基板を、７０℃のコンディショナー液に、３分間浸漬した。
【０１４２】
次いで、触媒処理では、洗浄した透明基板を、６５℃のＰｄ触媒液に、５分間浸漬した。これによって、透明基板の表面および裏面にＰｄの触媒皮膜を形成した。
【０１４３】
その後、活性化処理では、透明基板を、５０ｇ／ｌの次亜リン酸水溶液に１分間浸漬した。これによって、透明基板の表裏両面（に設けられた触媒皮膜の露出面）を、活性化処理した。
【０１４４】
これによって、透明基板の表裏両面を前処理した。
【０１４５】
次いで、前処理した透明基板を、２７℃の無電解銅めっき液に５分間浸漬した。これにより、透明基板の表裏両面に、銅からなる金属下地（第１金属下地および第２金属下地）を形成した（図１Ｂ参照）。第１金属下地の表面抵抗および第２金属下地の裏面抵抗は、０．６Ω／□であった。表面抵抗および裏面抵抗を、抵抗率計（ロレスタＥＰ  ＭＣＰ−３６０、三菱化学アナリテック社製）によって測定した。以下の表面抵抗および裏面抵抗も、上記と同様に測定した。
【０１４６】
次いで、金属下地（第１金属下地および第２金属下地）が表裏両面に形成された透明基板を、２３℃の硫酸銅めっき液に浸漬して、平均電流密度０．５Ａ／ｄｍ２で、２分間電解めっきした。これによって、銅からなる厚み２００ｎｍの電極層（第１電極層および第２電極層）を、第１金属下地の表面、および、第２金属下地の裏面に形成した（図１Ｃ参照）。第１電極層の表面抵抗および第２電極層の裏面抵抗は、０．１Ω／□であった。
【０１４７】
その後、電極層（第１電極層および第２電極層）が表裏両側に形成された透明基板を、３０℃のＮｉＺｎめっき液に浸漬し、平均電流密度０．０８Ａ／ｄｍ２で、９０秒間電解めっきした（図１Ｄの仮想線参照）。これによって、ＮｉＺｎからなる厚み５０ｎｍの黒化層を、第１電極層の表面、および、第２電極層の裏面にそれぞれに形成した。
【０１４８】
（実施例２）
厚み５０μｍのＰＥＴフィルムの表裏両面に、易接着層としてのポリエステル系樹脂層（厚み７０ｎｍ）が配置された透明基板（商品名「Ｕ４８」、東レ社製）を用意した（図１Ａ参照）。
【０１４９】
次いで、透明基板の裏面に、低圧水銀ランプ（出力：４００Ｗ、オーク製作所製）により、紫外線を、６０秒間、照射量１２４５ｍＪ／ｃｍ２、照射した（図１Ａの矢印参照）。これによって、透明基板の裏面を改質した。
【０１５０】
次いで、透明基板の表裏両面に、前処理、無電解めっきおよび電解めっきを順次実施した。
【０１５１】
具体的には、前処理では、洗浄処理、触媒処理、および、活性化処理を順次実施した。
【０１５２】
まず、洗浄処理では、裏面が紫外線に照射された透明基板を、７０℃のコンディショナー液に、３分間浸漬した。これにより、透明基板の表裏両面を洗浄（脱脂処理）した。
【０１５３】
次いで、触媒処理では、洗浄した透明基板を、３０℃のＰｄ触媒液に、１分間浸漬した。これによって、透明基板の表面および裏面にＰｄの触媒皮膜を形成した。
【０１５４】
その後、活性化処理では、透明基板を、５０ｇ／ｌの次亜リン酸水溶液に１分間浸漬した。これによって、透明基板の表裏両面（に設けられた触媒皮膜の露出面）を、活性化処理した。
【０１５５】
これによって、透明基板の表裏両面を前処理した。
【０１５６】
次いで、前処理した透明基板を、５０℃の無電解ニッケルめっき液に３分間浸漬した。これにより、透明基板の表裏両面に、ニッケルからなる金属下地（第１金属下地および第２金属下地）を形成した（図１Ｂ参照）。第１金属下地の表面抵抗および第２金属下地の裏面抵抗は、０．５Ω／□であった。
【０１５７】
次いで、金属下地（第１金属下地および第２金属下地）が表裏両面に形成された透明基板を、２３℃の硫酸銅めっき液に浸漬して、平均電流密度０．５Ａ／ｄｍ２で、２分間電解めっきした。これによって、銅からなる厚み２００ｎｍの電極層（第１電極層および第２電極層）を、第１金属下地の表面、および、第２金属下地の裏面に形成した（図１Ｃ参照）。第１電極層の表面抵抗および第２電極層の裏面抵抗は、０．１Ω／□であった。
【０１５８】
電極層（第１電極層および第２電極層）が表裏両側に形成された透明基板を、３０℃のＮｉＺｎめっき液に浸漬し、平均電流密度０．０８Ａ／ｄｍ２で、９０秒間電解めっきした（図１Ｄの仮想線参照）。これによって、ＮｉＺｎからなる厚み５０ｎｍの黒化層を、第１電極層の表面、および、第２電極層の裏面のそれぞれに形成した。
【０１５９】
（実施例３）
低圧水銀ランプの出力を４０Ｗに変更し、低圧水銀ランプによる紫外線の照射条件を、１０分間、３３３２ｍＪ／ｃｍ２に変更した以外は、実施例２と同様に処理して、電極パターン作製用積層体を得た。
【０１６０】
（実施例４）
低圧水銀ランプの出力を４０Ｗに変更し、低圧水銀ランプによる紫外線の照射条件を３分間、１０９７ｍＪ／ｃｍ２に変更した以外は、実施例２と同様に処理して、電極パターン作製用積層体を得た。
【０１６１】
（比較例１）
低圧水銀ランプによる紫外線の照射条件を１５秒間、３０８ｍＪ／ｃｍ２に変更した以外は、実施例１と同様に処理して、電極パターン作製用積層体を得た。
【０１６２】
（比較例２）
低圧水銀ランプによる紫外線の照射条件を３０秒間、６３２ｍＪ／ｍ２に変更した以外は、実施例２と同様に処理して、電極パターン作製用積層体を得た。
【０１６３】
（比較例３）
低圧水銀ランプの出力を４０Ｗに変更し、低圧水銀ランプによる紫外線の照射条件を、３０秒間、２０２ｍｍＪ／ｃｍ２に変更した以外は、実施例２と同様に処理して、電極パターン作製用積層体を得た。
【０１６４】
（比較例４）
低圧水銀ランプによる紫外線の照射条件を３０秒間、６２７ｍＪ／ｍ２に変更した以外は、実施例１と同様に処理して、電極パターン作製用積層体を得た。
【０１６５】
（評価）
以下の物性をそれぞれ測定した。それらの結果（ＳＥＭ写真を除く）を表１に示す。
１．  金属下地の表面の反射率
透明基板に対して裏側に配置された黒化層、第２電極層および第２金属下地を保護フィルムで保護した後、かかる透明基板を、４０℃の硝酸／過酸化水素液に、１０分間浸漬した。これによって、透明基板に対して表側に配置される黒化層、第１電極層および第１金属下地を除去（剥離）した。
【０１６６】
その後、分光光度計（Ｖ−６７０、日本分光社製）を用いて、透明基板の表側から透過させる形で第２金属下地に照射して、波長１３００〜３００ｎｍの測定範囲でスキャンさせ、第２金属下地の表面の反射率を測定した。具体的には、視感反射率Ｙ値を反射率とした。
２．  金属下地の裏面の粗さＲａ
電極層を形成する前の透明基板の第１金属下地の表面の粗さＲａ、および、第２金属下地の裏面の粗さＲａを、ＪＩＳ  Ｂ  ０６０１に準拠して、走査型共焦点レーザー顕微鏡（ＯＬＳ３００、オリンパス社製）を用いて測定した。
３．  凝集粒子の平均粒子径（第２金属下地の金属の凝集粒子の平均粒子径）
第２金属下地を形成する金属粒子が凝集した凝集粒子の平均粒子径を測定した。
【０１６７】
具体的には、第２電極層を形成する前の透明基板に配置された第２金属下地の画像を、ＦＩＢ−ＳＥＭ複合装置（商品名「ＳＭＩ９２００」、使用倍率：１００，０００倍、エスアイアイ・ナノテクノロジー社製）を用いて、撮影した。撮影した画像から、解析画像「ソフトＩｍａｇｅＪ」を使用し、二次粒子の粒界を特定し、その後、二次粒子の長手方向を径とし、画像内の粒子個数における平均値（平均粒子径）を求めた。
【０１６８】
【表１】
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４．  ＳＥＭ観察
第２電極層を形成する前の透明基板に配置された第２金属下地の裏面を、ＳＥＭ観察した。
【０１６９】
実施例１、２、４および比較例１、３のＳＥＭ写真を、それぞれ、図４〜７に示す。
【符号の説明】
【０１７０】
１     電極パターン作製用積層体
２     透明基板
３     電極層
４     第１電極層
５     第２電極層
６     金属下地
７     第１金属下地
８     第２金属下地
１４   液晶表示モジュール
１５   電極パターン
２０   タッチパネル用基板
３０   液晶表示装置
５１   金属粒子
５２   凝集粒子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図９】
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【図１０】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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