(57)【要約】【課題】電極ピンを、導電膜に対し適切に接続することができると共に、絶縁性基板に対し熱を加えることなく気密に設けることができる撮像装置用ターゲット基板等を提供する。【解決手段】スルーホール２４を有する透光性基板２１と、透光性基板２１上に設けた透光性電極層２２と、透光性電極層２２上に設けた光電変換層２３と、スルーホール２４に挿入した電極ピン２５と、透光性電極層２２と電極ピン２５との間に介設した塑性変形可能な可塑性導電部２６と、を備え、可塑性導電部２６は、スルーホール２４内の電極ピン２５に接触するホール内導電部４２と、ホール内導電部４２に連なると共にスルーホール２４の径より大径に形成され、透光性電極層２２に接触するホール外導電部４３と、を有している。【選択図】  図２
2016072093.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
貫通孔を有する絶縁性基板と、
前記絶縁性基板上に設けた導電膜と、
前記導電膜上に設けた光電変換膜と、
前記光電変換膜で発生した信号を前記導電膜を介して取り出すために、前記貫通孔に挿入した電極ピンと、
前記導電膜と前記電極ピンとの間に介設した塑性変形可能な可塑性導電部と、を備え、
前記可塑性導電部は、前記貫通孔内の前記電極ピンに接触する第１導電部と、前記第１導電部に連なると共に前記貫通孔の径より大径に形成され、前記導電膜に接触する第２導電部と、を有していることを特徴とする撮像装置用ターゲット基板。
【請求項２】
前記貫通孔は、前記導電膜を貫通して延び、
前記第２導電部は、前記導電膜の前記光電変換膜側の面に接触していることを特徴とする請求項１に記載の撮像装置用ターゲット基板。
【請求項３】
前記第２導電部は、前記導電膜のピン接続領域内に納まる径であって、前記貫通孔の径の１．５倍以上の径を有していることを特徴とする請求項１または２に記載の撮像装置用ターゲット基板。
【請求項４】
前記第２導電部は、０．０１ｍｍ以上０．３０ｍｍ以下の厚みを有していることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか一項に記載の撮像装置用ターゲット基板。
【請求項５】
前記絶縁性基板は、石英で構成されていることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか一項に記載の撮像装置用ターゲット基板。
【請求項６】
前記可塑性導電部は、インジウムで構成されていることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか一項に記載の撮像装置用ターゲット基板。
【請求項７】
前記電極ピンは、接着剤を介して前記貫通孔の内面に固着されていることを特徴とする請求項１ないし６のいずれか一項に記載の撮像装置用ターゲット基板。
【請求項８】
前記電極ピンには、前記絶縁性基板の入射光側の面を受けとして真空引きに抗するための鍔部が設けられていることを特徴とする請求項１ないし７のいずれか一項に記載の撮像装置用ターゲット基板。
【請求項９】
前記可塑性導電部は、前記鍔部と前記絶縁性基板との間に介設した第３導電部と、を更に有していることを特徴とする請求項８に記載の撮像装置用ターゲット基板。
【請求項１０】
請求項１ないし９のいずれか一項に記載の撮像装置用ターゲット基板と、
真空空間を存して前記撮像装置用ターゲット基板に対面し、前記光電変換膜に向かって電子を放出する電子放出基板と、を備えたことを特徴とする撮像装置。
【請求項１１】
請求項２に記載の撮像装置用ターゲット基板の製造方法であって、
前記貫通孔に連なる前記第２導電部用の形成空間を構成するために、前記導電膜を成膜した前記絶縁性基板の前記導電膜側の面に、厚み調整用のスペーサー治具および平坦面形成用の材料受け治具を設置する治具設置工程と、
前記可塑性導電部となる可塑性材料の塊を前記貫通孔に投入する可塑材投入工程と、
前記貫通孔に嵌合するダミーピンを用い、前記貫通孔内の前記可塑性材料を、前記貫通孔の下端部空間および前記形成空間を満たすように押し込む材料押込み工程と、
前記スペーサー治具を取り外すと共に前記ダミーピンを押込み維持状態で、前記材料受け治具により前記可塑性材料を押圧し塑性変形させて、前記可塑性導電部を形成する導電部形成工程と、
前記ダミーピンを引き抜くと共に前記材料受け治具を押圧維持状態で、前記貫通孔に接着剤を注入する接着剤注入工程と、
前記押圧維持状態で、前記電極ピンを、前記接着剤を注入した前記貫通孔に挿入するピン挿入工程と、
前記材料受け治具を取り外した後、前記導電膜上に前記光電変換膜を成膜する成膜工程と、を備えたことを特徴とする撮像装置用ターゲット基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、絶縁性基板と、導電膜と、変換膜とを備えた撮像装置用ターゲット基板、撮像装置および撮像装置用ターゲット基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、この種の撮像装置用ターゲット基板を備えた撮像装置として、撮像管ターゲット部を備えた撮像管が知られている（特許文献１参照）。
この撮像管ターゲット部は、透光性ガラスで構成したガラス基板と、ガラス基板上に蒸着した酸化インジウムを主体とするターゲット電極と、ターゲット電極上に蒸着した非晶質半導体から成る光導電膜と、光導電膜上に蒸着した多孔質性表面層と、ガラス基板を貫通してターゲット電極に電気的に接続された信号電極ピンと、を備えている。
この場合、信号電極ピンは、ガラス基板に穴をあけこれに溶着されている。また、ガラス基板において、信号電極ピンを溶着した後、ターゲット電極を成膜するようにしている。これにより、信号電極ピンは、ガラス基板との間で気密性を維持しつつ、ターゲット電極に電気的に接続される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平５−３４３０１６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、ガラス基板の光導電膜（変換膜）側の面に凹凸が存在すると、光導電膜に不均一な電界が印加され、局所的に白点状の欠陥（「白キズ」）が発生する。このため、ガラス基板の裏面を研磨する必要がある。一方で、信号電極ピンをガラス基板に溶着すると、熱によりその周囲の平坦性が失われる。このため、上記の従来技術では、ガラス基板に信号電極ピンを溶着してから、ガラス基板の裏面を研磨し、その後洗浄する必要があった。かかる場合に、研磨時に穴と信号電極ピンとの隙間に残った研磨剤や研磨残滓が、洗浄時に流れ出してガラス基板を汚染するおそれがあり、後に成膜するターゲット電極や光導電膜に凹凸を生じさせ、白キズが発生する問題があった。
また、上記の従来技術では、信号電極ピンをガラス基板の穴に溶着（加熱溶着）するようにしているため、信号電極ピンの熱膨張率とガラス基板の熱膨張率とが近い値でないと、剥離（割れ）が生じてしまう問題があった。
【０００５】
本発明は、電極ピンを、導電膜に対し適切に接続することができると共に、絶縁性基板に対し熱を加えることなく気密に設けることができる撮像装置用ターゲット基板、撮像装置および撮像装置用ターゲット基板の製造方法を提供することを課題としている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の撮像装置用ターゲット基板は、貫通孔を有する絶縁性基板と、絶縁性基板上に設けた導電膜と、導電膜上に設けた光電変換膜と、光電変換膜で発生した信号を導電膜を介して取り出すために、貫通孔に挿入した電極ピンと、導電膜と電極ピンとの間に介設した塑性変形可能な可塑性導電部と、を備え、可塑性導電部は、貫通孔内の電極ピンに接触する第１導電部と、第１導電部に連なると共に貫通孔の径より大径に形成され、導電膜に接触する第２導電部と、を有していることを特徴とする。
【０００７】
この場合、貫通孔は、導電膜を貫通して延び、第２導電部は、導電膜の光電変換膜側の面に接触していることが好ましい。
【０００８】
また、第２導電部は、導電膜のピン接続領域内に納まる径であって、貫通孔の径の１．５倍以上の径を有していることが好ましい。
【０００９】
同様に、第２導電部は、０．０１ｍｍ以上０．３０ｍｍ以下の厚みを有していることが好ましい。
【００１０】
さらに、絶縁性基板は、石英で構成されていることが好ましい。
【００１１】
同様に、可塑性導電部は、インジウムで構成されていることが好ましい。
【００１２】
また、電極ピンは、接着剤を介して貫通孔の内面に固着されていることが好ましい。
【００１３】
一方、電極ピンには、絶縁性基板の入射光側の面を受けとして真空引きに抗するための鍔部が設けられていることが好ましい。
【００１４】
この場合、可塑性導電部は、鍔部と絶縁性基板との間に介設した第３導電部と、を更に有していることが好ましい。
【００１５】
本発明の撮像装置は、上記した撮像装置用ターゲット基板と、真空空間を存して撮像装置用ターゲット基板に対面し、光電変換膜に向かって電子を放出する電子放出基板と、を備えたことを特徴とする。
【００１６】
本発明の撮像装置用ターゲット基板の製造方法は、上記した撮像装置用ターゲット基板の製造方法であって、貫通孔に連なる第２導電部用の形成空間を構成するために、導電膜を成膜した絶縁性基板の導電膜側の面に、厚み調整用のスペーサー治具および平坦面形成用の材料受け治具を設置する治具設置工程と、可塑性導電部となる可塑性材料の塊を貫通孔に投入する可塑材投入工程と、貫通孔に嵌合するダミーピンを用い、貫通孔内の前記可塑性材料を、貫通孔の下端部空間および形成空間を満たすように押し込む材料押込み工程と、スペーサー治具を取り外すと共にダミーピンを押込み維持状態で、材料受け治具により可塑性材料を押圧し塑性変形させて、可塑性導電部を形成する導電部形成工程と、ダミーピンを引き抜くと共に材料受け治具を押圧維持状態で、貫通孔に接着剤を注入する接着剤注入工程と、押圧維持状態で、電極ピンを、接着剤を注入した貫通孔に挿入するピン挿入工程と、材料受け治具を取り外した後、導電膜上に光電変換膜を成膜する成膜工程と、を備えたことを特徴とする。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】実施形態に係る撮像装置の断面模式図である。
【図２】第１実施形態に係る受光基板部の断面模式図である。
【図３】第１実施形態に係る受光基板部の製造方法を、順を追って説明する説明図（１）である。
【図４】第１実施形態に係る受光基板部の製造方法を、順を追って説明する説明図（２）である。
【図５】第２実施形態に係る受光基板部の断面模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、添付の図面を参照して、本発明の一実施形態に係る撮像装置用ターゲット基板、撮像装置および撮像装置用ターゲット基板の製造方法について説明する。この撮像装置は、電子放出源であるＨＥＥＤ（High-efficiency  Electron  Emission  Device）冷陰極アレイと、光電変換膜であるＨＡＲＰ（High-gain  Avalanche  Rushing  amorphous  Photoconductor）膜と、を組み合わせてパッケージングした小型のイメージセンサーである。
【００１９】
図１の断面模式図に示すように、撮像装置１は、電子を放出（電子ビームを放射）する電子放出基板部２と、電子放出基板部２に真空空間３を存して対向配置され、撮像光を受光し電気信号に変換する受光基板部４（撮像装置用ターゲット基板）と、電子放出基板部２と受光基板部４との間の真空空間３に配置され、放出した電子を加速するメッシュ電極５と、を備えている。また、撮像装置１は、電子放出基板部２の下側に位置して真空空間３に連通するゲッター室６と、ゲッター室６に収容したゲッター７と、メッシュ電極５を支持すると共に真空空間３およびゲッター室６を構成するパッケージング部８と、を備えている。
【００２０】
電子放出基板部２は、面電子放出源として電子を放出し、メッシュ電極５は、電子放出基板部２から放出された電子（電子ビーム）の軌道を制御し且つ電子を加速する。受光基板部４は、撮像光を受光すると共に、電子放出基板部２から放出された電子のターゲットとなる。また、ゲッター７は、部品からのアウトガスを吸収し、真空空間３を高真空状態に維持する。
【００２１】
電子放出基板部２は、ガラス、セラミック等の絶縁性材料で構成された背面基板１１と、背面基板１１の上に配置した電子放出素子Ａ１０１と、を有している。電子放出素子Ａ１０１は、駆動回路層１２と、駆動回路層１２の上に形成された、いわゆるＨＥＥＤ冷陰極アレイである冷陰極電子源アレイ１３と、を有している。駆動回路層１２には、アクティブマトリクス駆動回路（スイッチング回路）が形成されている。また、駆動回路層１２の周辺部には、図示しないが、アクティブマトリクス駆動回路の駆動を制御する水平走査回路（ドライバ）および垂直走査回路（ドライバ）が配設されている。
【００２２】
この水平走査回路および垂直走査回路により、アクティブマトリクス駆動回路を介して、冷陰極電子源アレイ１３の複数の冷陰極電子源が点順次駆動される。この点順次駆動により、後述する光電変換層２３上に形成したランディング層Ａ１０２をターゲットとして電子（電子ビーム）が放出される。なお、背面基板１１は、パッケージング部８を貫通して外部まで延設されており（詳細は、後述する）、この外部まで延設された部分に、電子放出素子Ａ１０１を点順次駆動で電子放出させるための駆動用信号と、電源電圧と、を印加する電気的配線が配置されている。
【００２３】
メッシュ電極５は、複数の開口を有する金属板等で形成され、冷陰極電子源アレイ１３から放出された電子の軌道を制御すると共に電子を光電変換層２３に向かって加速する。また、メッシュ電極５は、余剰電子を吸収する。このため、メッシュ電極５には、駆動回路層１２の駆動電圧に比べて格段に高い電圧が印加される。
【００２４】
この場合、メッシュ電極５は、その周縁部で、パッケージング部８の段部８ａに支持されている。また、メッシュ電極５の上側には、封止材としての可塑性接合材１５（例えばインジウム）との間に円環状のインシュレータ１６が介設されている。このインシュレータ１６とメッシュ電極５とは、段部８ａと可塑性接合材１５とに挟み込まれるようにして保持されている。
【００２５】
電子放出基板部２から放出された電子は、メッシュ電極５に印加された電圧により、光電変換層２３側に引き出されると共に、冷陰極電子源アレイ１３と光電変換層２３との間に生じた電界により、光電変換層２３上に形成されたランディング層Ａ１０２に収束される。そして、この放出された電子は、光電変換層２３の正孔パターンと結合する。
【００２６】
受光基板部４は、光入射側から、受光側の透光性基板２１（絶縁性基板）と、透光性基板２１の上（光電変換膜２３側）に形成された透光性電極層２２（導電膜）と、透光性電極層２２の上に形成された光電変換層２３（変換膜）と、光電変換層２３上に形成されたランディング層Ａ１０２と、をこの順に有している。また、受光基板部４は、光電変換層２３で発生した電気信号を、透光性電極層２２を介して取り出すために、透光性基板２１に貫通形成したスルーホール２４（貫通孔）に設けた電極ピン２５と、電極ピン２５と透光性電極層２２との間に介設した塑性変形可能な可塑性導電部２６と、を有している。さらに、図示では省略したが、受光基板部４は、駆動に必要な信号や電圧を供給する回路、発生した映像信号を検出する回路等に接続されている。
【００２７】
透光性基板２１は、絶縁性材料で構成され、例えば撮像対象が可視光である場合には可視光に対し透明なガラス等で、紫外線である場合にはサファイアや石英等で、Ｘ線である場合にはベリリウムや窒化ボロン（ＢＮ）等で形成されている。本実施形態の透光性基板２１は、放射線環境下で使用することを考慮し、放射線によるブラウニング耐性を有し、且つ短波長側の光の吸収が小さい石英で形成されている。
【００２８】
また、透光性電極層２２は、酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）等で形成されている。また、光電変換層２３は、例えば撮像対象が可視光である場合にはアモルファス・セレン（ａ−Ｓｅ）を主成分とする半導体、いわゆるＨＡＲＰ膜やアモルファス・シリコンを主成分とする膜等で、紫外線やＸ線である場合にはＨＡＲＰ膜等で、ガンマ線である場合にはテルル化カドミウム（ＣｄＴe）を主成分とする膜等で形成されている。また、ランディング層Ａ１０２は、例えば硫化アンチモン（Ｓｂ2Ｓ3）で形成されており、冷陰極電子源アレイ１３から放出された電子をランディングさせる。さらに、可塑性導電部２６は、塑性変形可能な金属、すなわち導電材料および封止材料の機能を有するインジウム（Ｉｎ）やスズ・インジウム（Ｓｎ−Ｉｎ）合金等で形成されている。本実施形態の可塑性導電部２６は、インジウムで構成されている。
【００２９】
透光性基板２１の表面から入射した光は、光電変換層２３においてその光量に応じた電子・正孔対を生成させる。生成した正孔（キャリア）は透光性電極層２２に印加された強い電界により加速され、光電変換層２３を構成する原子と連続的に衝突し、新たな電子・正孔対を生成することで雪崩的に倍増される（アバランシェ増倍）。アバランシェ増倍された正孔は、光電変換層２３のランディング層Ａ１０２付近に蓄積され、入射光像に対応する正孔パターンを形成する。そして、この正孔パターンと冷陰極電子源アレイ１３から放出された電子とが結合する際の電流が、入射光像に応じた映像信号として発生する。
【００３０】
パッケージング部８は、周壁部３１と底壁部３２とから成り、天壁となる上記の透光性基板２１と併せて、撮像装置１のパッケージを構成している。また、パッケージング部８は、ガラス、セラミックス等の絶縁性材料で構成されている。周壁部３１には、上記の背面基板１１が貫通しており、この背面基板１１を境に上側に真空空間３が、下側にゲッター室６が構成されている。そして、背面基板１１に形成した開口部１１ａにより、真空空間３とゲッター室６とが連通している。
【００３１】
一方、周壁部３１と背面基板１１との間は、フリットガラス等のガラス接着剤３４で、気密に封止されている。また、上述のように周壁部３１と透光性基板２１との間は、可塑性接合材１５（インジウム）で、気密に封止されている。そして、アウトガスを吸収する上記のゲッター７により、パッケージング部８の内部は、高真空に保持されている。
【００３２】
［第１実施形態］
ここで、図２を参照して、第１実施形態に係る電極ピン２５および可塑性導電部２６廻りの構造について、詳細に説明する。同図に示すように、透光性基板２１には、スルーホール２４が形成され、このスルーホール２４には、上記の透光性電極層２２に接続される電極ピン２５および可塑性導電部２６が設けられている。透光性電極層２２は、平面内において、撮像領域２２ａと、撮像領域２２ａから舌片状に突出したピン接続領域２２ｂとを有しており、スルーホール２４は、ピン接続領域２２ｂに対応する位置に設けられている。
【００３３】
なお、詳細は後述するが、実際のスルーホール２４は、透光性電極層２２をも貫通して延びている。
【００３４】
上述のように、可塑性導電部２６は、透光性電極層２２に接触し、電極ピン２５は、スルーホール２４内において可塑性導電部２６に接触している。また、電極ピン２５は、スルーホール２４に挿入した状態で、接着剤４１によりスルーホール２４の内面に固着されている。なお、この場合の接着剤４１として、導電性接着剤を用いることが好ましい。
【００３５】
可塑性導電部２６は、スルーホール２４内で電極ピン２５に接触するホール内導電部４２（第１導電部）と、ホール内導電部４２に連なると共にスルーホール２４の径より大径に広がり、透光性電極層２２に接触するホール外導電部４３（第２導電部）と、を有している。ホール内導電部４２は、スルーホール２４の下端部を満たすように円柱状に塑性変形し、ホール外導電部４３は、スルーホール２４の下側で円板状に広がるように塑性変形している。そして、円板状に広がったホール外導電部４３は、透光性電極層２２の光電変換層２３側の面に接触している。すなわち、ホール外導電部４３は、スルーホール２４からはみ出すように広がり、透光性電極層２２の光電変換層２３側の面において、スルーホール２４の開口縁部に密接されている。
【００３６】
この場合、ホール外導電部４３は、上記の透光性電極層２２のピン接続領域２２ｂ内に納まる径であって、スルーホール２４の径の１．５倍以上の径を有している。これにより、ホール外導電部４３と透光性電極層２２との接触面積が大きく維持され、この部分の気密性（シール性）および導通性が良好に維持されている。また、ホール外導電部４３は、０．０１ｍｍ以上０．３０ｍｍ以下の厚みを有している。これにより、透光性電極層２２の光電変換層２３側の面に成膜した光電変換層２３に大きな凹凸が生ずるのを抑制している。
【００３７】
詳細は後述するが、インジウムで構成された可塑性導電部２６は、スルーホール２４内において強く押し込まれ、所望の形状に塑性変形する。これにより、ホール内導電部４２の周面は、スルーホール２４の下端部内面に密接し、ホール外導電部４３の透光性基板２１側の面は、透光性電極層２２の光電変換層２３側の面に密接する。
【００３８】
次に、図３および図４を参照して、撮像装置１における受光基板部４の製造方法について説明する。なお、撮像装置１は、電子放出基板部２と熱に弱い受光基板部４とを別々に製造し、これらをパッケージング部８に組み込むようにして形成される。受光基板部４の製造方法では、後述する工程の前工程で、予め透光性基板２１にスルーホール２４を形成しておき、この状態で透光性基板２１に透光性電極層２２を成膜する。
【００３９】
受光基板部４の製造方法は、スルーホール２４に連なるホール外導電部４３用の形成空間５１を構成するために、透光性基板２１（透光性電極層２２を成膜した透光性基板２１）に各種の治具を設置する治具設置工程と、可塑性導電部２６となる可塑性材料５２の塊をスルーホール２４に投入する可塑材投入工程（図３（ａ）参照）と、スルーホール２４内の可塑性材料５２を押し込んではみ出すように塑性変形させる材料押込み工程（図３（ｂ）参照）と、はみ出した可塑性材料５２を偏平に塑性変形させて、可塑性導電部２６を形成する導電部形成工程（図３（ｃ）参照）と、スルーホール２４に接着剤４１を注入する接着剤注入工程（図４（ａ）参照）と、電極ピン２５を、接着剤４１を注入したスルーホール２４に挿入するピン挿入工程（図４（ｂ）参照）と、透光性基板２１に光電変換層２３と、ランディング層Ａ１０２と、を成膜する成膜工程（図４（ｃ）参照）と、を備えている。
【００４０】
治具設置工程では、透光性基板２１の周縁部を固定する基板固定治具６１と、ホール外導電部４３用の形成空間５１を構成するためのスペーサー治具６２および材料受け治具６３と、を設置する。スペーサー治具６２は、ホール外導電部４３の厚み調整用に、基板固定治具６１と材料受け治具６３との間に介設されている。材料受け治具６３は、スペーサー治具６２を介して基板固定治具６１に下側から宛がわれる治具ベース６３ａと、形成空間５１の底面（平坦面）を画成するブロック部６３ｂと、で一体に形成されている。なお、治具ベース６３ａとブロック部６３ｂとを別々に形成し、材料受け治具６３を設置した際に所定の位置に重ね合せてもよい。
【００４１】
図３（ａ）の可塑材投入工程では、可塑性導電部２６となる可塑性材料５２（インジウム）を、スルーホール２４の大きさに合せて塊状にし、スルーホール２４に投入する。この場合、可塑性材料５２は、ホール内導電部４２およびホール外導電部４３の体積に見合う重量（体積）のものを、予め用意しておく。
【００４２】
図３（ｂ）の材料押込み工程では、スルーホール２４に嵌合するダミーピン６４を用い、ダミーピン６４をスルーホール２４に嵌合挿入して、スルーホール２４内の可塑性材料５２を所定の荷重で押し込むようにする。ダミーピン６４が押し込まれると、スルーホール２４内の可塑性材料５２は、スルーホール２４の下端部空間、および材料受け治具６３で構成された形成空間５１に広がる。
【００４３】
図３（ｃ）の導電部形成工程では、スペーサー治具６２を取り外すと共にダミーピン６４を押込み維持状態にしておいて、材料受け治具６３により可塑性材料５２を所定の荷重で押圧する。材料受け治具６３により押圧された可塑性材料５２は、形成空間５１内において偏平に塑性変形し、所定の径および厚みの可塑性導電部２６を形成する。この材料受け治具６３による下側からの押圧により、形成されたホール外導電部４３は、広い面積で透光性基板２１の透光性電極層２２に密接する。なお、材料受け治具６３の押圧と同時に、ダミーピン６４を再度押し込むようにしてもよい。
【００４４】
図４（ａ）の接着剤注入工程では、ダミーピン６４を引き抜くと共に材料受け治具６３を押圧維持状態にしておいて、スルーホール２４に接着剤４１を注入する。この場合の接着剤４１は、上述のように、導電性で且つ粘度の低いものを用いることが好ましい。
【００４５】
図４（ｂ）のピン挿入工程では、材料受け治具６３を押圧維持状態にしておいて、電極ピン２５を、接着剤４１を注入したスルーホール２４に挿入する。この場合も、電極ピン２５に所定の荷重を付加するようにして挿入を行う。なお、接着剤４１は、電極ピン２５を挿入したときに、スルーホール２４から溢れない程度の量とする。
【００４６】
図４（ｃ）の成膜工程では、全ての治具を外し、別工程として、透光性基板２１（実際には、透光性電極層２２）の上に光電変換層２３を真空蒸着法等により成膜し、さらに光電変換層２３の上にランディング層Ａ１０２を真空蒸着法等により成膜する。
【００４７】
以上のように、第１実施形態によれば、電極ピン２５を、可塑性導電部２６を介して透光性電極層２２に接続するようにしているため、溶着のように熱を加える必要がなく、電極ピン２５と透光性電極層２２とを電気的に接続することができる。したがって、石英で構成された透光性基板２１と、金属で構成された電極ピン２５との間に熱膨張率の差が顕著であっても、剥離（割れ）等が生ずることがない。
【００４８】
また、電極ピン２５の取り付けにおいて熱を加える必要がないため、透光性基板２１に電極ピン２５を設ける前に、これを研磨することができ、研磨剤や研磨残滓等により透光性基板２１が汚染されるのを防止することができる。
【００４９】
一方、透光性基板２１を石英で構成しているため、放射線環境下において、放射線によるブラウニング耐性を向上させ、且つ短波長側の光の吸収を小さくすることができる。これにより、放射線環境下でも、撮像装置１としての感度特性を維持することができる。
【００５０】
また、透光性電極層２２に接触（接続）する可塑性導電部２６のホール外導電部４３が、スルーホール２４の径より大きくはみ出すように形成されているため、真空空間３の気密性が損なわれることがなく、且つ透光性電極層２２との良好な導通性を維持することができる。さらに、電極ピン２５を固定するために接着剤４１を用いるが、この接着剤４１は、真空空間３と直接接触することがなく、アウトガスの発生を抑制することができる。
【００５１】
［第２実施形態］
次に、図５を参照して、第２実施形態に係る電極ピン２５および可塑性導電部２６廻りの構造について説明する。なお、第２実施形態では、主に第１実施形態と異なる部分について説明する。
【００５２】
この実施形態の電極ピン２５には、透光性基板２１の入射光側の面を受けとして真空引きに抗するための鍔部２８が設けられている。すなわち、第２実施形態のスルーホール２４には、鍔部２８付きの電極ピン２５が取り付けられている。なお、鍔部２８と電極ピン２５とは、一体に形成されていることが好ましい。
【００５３】
一方、第２実施形態の可塑性導電部２６は、ホール内導電部４２およびホール外導電部４３に加えて、鍔部２８と透光性基板２１との間に介設した鍔受け導電部４４（第３導電部）と、を有している。そして、鍔受け導電部４４は、スルーホール２４に挿入した電極ピン２５の鍔部２８により、適宜塑性変形する。
【００５４】
このように、第２実施形態によれば、電極ピン２５に作用する真空の引き込み力に対し、鍔部２８で十分に抗することができるため、真空空間３の気密性および透光性電極層２２との導通性を向上させることができる。
【００５５】
なお、本実施形態では、ＨＥＥＤを電子源とする撮像装置１について説明したが、本発明は、いわゆるスピント型やＳＥＤ型等電子源とする撮像装置１にも適用可能である。
【符号の説明】
【００５６】
１  撮像装置、２  電子放出基板部、３  真空空間、４  受光基板部、１１  背面基板、１３  冷陰極電子源アレイ、２１  透光性基板、２２  透光性電極層、２２ｂ  ピン接続領域、２３  光電変換層、２４  スルーホール、２５  電極ピン、２６  可塑性導電部、２８  鍔部、４１  接着剤、４２  ホール内導電部、４３  ホール外導電部、４４  鍔受け導電部、５１  形成空間、５２  可塑性材料、６２  スペーサー治具、６３  材料受け治具、６４  ダミーピン、Ａ１０１  電子放出素子、Ａ１０２  ランディング層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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