(57)【要約】【課題】オシレーションマーク深さが浅く、かつ、Ｇａの濃度偏析が抑制された高品質なＣｕ−Ｇａ合金鋳塊を製造可能なＣｕ−Ｇａ合金の連続鋳造方法を提供する。【解決手段】Ｇａを１５原子％以上３５原子％以下の範囲内で含み、残部がＣｕ及び不可避不純物からなるＣｕ−Ｇａ合金の連続鋳造方法であって、鋳型振動又は鋳塊の間欠引き抜きを行いながら、鋳型から鋳塊を引き抜く構成とされており、前記鋳型振動又は前記間欠引き抜きにおいて、前記鋳型に対する前記鋳塊の瞬間移動速度Ｖ１（ｍｍ／ｓｅｃ）、前記鋳型に対する１周期当たりの前記鋳塊の移動距離Ｌ（ｍｍ）、停止時間Ｔ１（ｓｅｃ）とした場合に、Ｘ＝（Ｖ１×Ｌ）／Ｔ１が、０．１＜Ｘ≦２５０の範囲内とされていることを特徴とする。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｇａを１５原子％以上３５原子％以下の範囲内で含み、残部がＣｕ及び不可避不純物からなるＣｕ−Ｇａ合金の連続鋳造方法であって、
鋳型振動又は鋳塊の間欠引き抜きを行いながら、鋳型から鋳塊を引き抜く構成とされており、
前記鋳型振動又は前記間欠引き抜きにおいて、前記鋳型に対する前記鋳塊の瞬間移動速度Ｖ１（ｍｍ／ｓｅｃ）、前記鋳型に対する１周期当たりの前記鋳塊の移動距離Ｌ（ｍｍ）、停止時間Ｔ１（ｓｅｃ）とした場合に、Ｘ＝（Ｖ１×Ｌ）／Ｔ１が、０．１＜Ｘ≦２５０の範囲内とされていることを特徴とするＣｕ−Ｇａ合金の連続鋳造方法。
【請求項２】
前記鋳塊の断面形状が円状もしくは円環をなしており、前記鋳塊の表層に形成されるオシレーションマークの深さＡが、前記鋳塊の断面がなす円の直径Ｄの１％以下とされていることを特徴とする請求項１に記載のＣｕ−Ｇａ合金の連続鋳造方法。
【請求項３】
前記鋳塊の断面形状が矩形をなしており、前記鋳塊の表層に形成されるオシレーションマークの深さＡが、前記鋳塊の断面がなす矩形の長辺長さＷの１％以下とされていることを特徴とする請求項１に記載のＣｕ−Ｇａ合金の連続鋳造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、Ｃｕ−Ｇａ合金の鋳塊を連続的に製造するＣｕ−Ｇａ合金の連続鋳造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
上述のＣｕ−Ｇａ合金は、例えば、化合物半導体からなる薄膜太陽電池においてＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ四元系合金薄膜からなる光吸収層を形成する過程で用いられる。
具体的には、Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ四元系合金薄膜からなる光吸収層を形成する場合、Ｉｎ膜の上にＣｕ−Ｇａ膜を積層し、この積層膜をＳｅ雰囲気中で熱処理して、上述の積層膜をセレン化する方法が提供されている。ここで、Ｉｎ膜の上にＣｕ−Ｇａ膜を形成する際において、上述のＣｕ−Ｇａ合金からなるＣｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲットによるスパッタ法が適用される。
【０００３】
Ｃｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲットを製造する場合、例えば特許文献１、２に記載されているように、連続鋳造法によってＣｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲットの素材となるＣｕ−Ｇａ合金鋳塊を製造している。
ここで、Ｃｕ−Ｇａ合金を連続鋳造する場合、Ｃｕ−Ｇａ合金の溶湯が貯留された鋳造炉に鋳型を設置し、断面円形をなす丸棒状又は円筒状鋳塊、断面矩形状の板状鋳塊を連続的に鋳造することになる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】国際公開第２０１３／０３１３８１号パンフレット
【特許文献２】特開２０１３−０７６１２９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、特許文献１、２に示すように、Ｃｕ−Ｇａ合金鋳塊を連続的に鋳造する場合には、鋳型と鋳塊との焼き付きを防止するために、鋳型を固定した状態で鋳塊を一定の速度で連続的に引き抜くことなく、引き抜きと停止とを繰り返し行う間欠引き抜きを実施したり、鋳型を振動させたりすることが一般的である。
このように間欠引き抜き又は鋳型振動を行った場合には、鋳塊の表面に、間欠引き抜き又は鋳型振動の周期に同調したオシレーションマークと呼ばれる模様が形成される。このオシレーションマークは、間欠引き抜き時又は鋳型振動時における溶湯の湯境に相当することになるが、製造条件によっては、オシレーションマークの部分にクラックが生じたり、深い凹凸が生じたりして、鋳塊の表面欠陥を伴うことがある。ここで、本明細書においては、オシレーションマークに伴う表面欠陥等の深さを、オシレーションマーク深さと称する。
【０００６】
上述のオシレーションマーク深さが深い場合には、後工程における欠陥やトラブルを未然に防止するために、鋳塊の表面を切削して表面欠陥を除去する必要がある。このように、鋳塊表面の切削によって歩留まりが大幅に低下することから、上述のオシレーションマーク深さを十分に低減する必要があった。
【０００７】
ここで、Ｃｕ−Ｇａ合金は、固相と液相とが混在する温度幅が広いため、モールド内において固液共存域が幅広く存在し、凝固シェルの強度が不足する傾向にある。このため、間欠引き抜き時又は鋳型振動時に凝固シェルが破断しやすく、上述のオシレーションマーク深さが深くなってしまうといった問題があった。
【０００８】
また、連続鋳造法によってＣｕ−Ｇａ合金鋳塊を製造した場合、鋳造時における鋳付き及び鋳離れによって局所的に鋳塊と鋳型との間の熱伝達率が変化し、Ｇａの濃度偏析が発生することがある。特に、Ｇａ濃度が高いＣｕ−Ｇａ合金においては、上述の濃度偏析が顕著となる。
ここで、Ｃｕ−Ｇａ合金は、Ｇａの含有量に応じてζ相、γ相などの金属間化合物相が生成することになる。このため、上述のようにＧａの濃度偏析が生じた場合には、鋳塊内部においてζ相、γ相などの金属間化合物相の割合が局所的に変化してしまうおそれがあった。
【０００９】
この発明は、前述した事情に鑑みてなされたものであって、オシレーションマーク深さが浅く、かつ、Ｇａの濃度偏析が抑制された高品質なＣｕ−Ｇａ合金鋳塊を製造可能なＣｕ−Ｇａ合金の連続鋳造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記の課題を解決するために、本発明に係るＣｕ−Ｇａ合金の連続鋳造方法は、Ｇａを１５原子％以上３５原子％以下の範囲内で含み、残部がＣｕ及び不可避不純物からなるＣｕ−Ｇａ合金の連続鋳造方法であって、鋳型振動又は鋳塊の間欠引き抜きを行いながら、鋳型から鋳塊を引き抜く構成とされており、前記鋳型振動又は前記間欠引き抜きにおいて、前記鋳型に対する前記鋳塊の瞬間移動速度Ｖ１（ｍｍ／ｓｅｃ）、前記鋳型に対する１周期当たりの前記鋳塊の移動距離Ｌ（ｍｍ）、停止時間Ｔ１（ｓｅｃ）とした場合に、Ｘ＝（Ｖ１×Ｌ）／Ｔ１が、０．１＜Ｘ≦２５０の範囲内とされていることを特徴としている。
【００１１】
このような構成とされた本発明のＣｕ−Ｇａ合金の連続鋳造方法によれば、上述のＸ＝（Ｖ１×Ｌ）／Ｔ１が２５０以下とされているので、瞬間移動速度Ｖ１及び１周期当たりの移動距離Ｌが小さくなり、鋳型内において固液共存域が幅広く存在する場合であっても、鋳型内へ確実に溶湯が供給されることになり、湯境となるオシレーションマークが深くなることを抑制できる。また、停止時間Ｔ１が確保されることになり、鋳型内で確実に抜熱することで、固液共存領域が広く存在することを抑制できる。
また、上述のＸ＝（Ｖ１×Ｌ）／Ｔ１が０．１より大きくされているので、瞬間移動速度Ｖ１及び１周期当たりの移動距離Ｌが確保されるとともに停止時間Ｔ１が短くなり、鋳型内での凝固界面位置が一定箇所に固定されることがなく、鋳型と鋳塊との焼き付きを抑制できることから、表面割れに起因してオシレーションマークが深くなることを抑制できる。
さらに、Ｇａを１５原子％以上３５原子％以下の範囲内で含み、残部がＣｕ及び不可避不純物からなるＣｕ−Ｇａ合金では、モールド内において固液共存域が幅広く存在することから、本発明の連続鋳造方法の効果をより効果的に得ることができる。
以上のことから、上述のＸ＝（Ｖ１×Ｌ）／Ｔ１を、０．１＜Ｘ≦２５０の範囲内に設定している。なお、オシレーションマーク深さをさらに抑制するためには、上述のＸ＝（Ｖ１×Ｌ）／Ｔ１を、１．０≦Ｘ≦１００の範囲内とすることがより望ましい。
さらに、上述のように湯境となるオシレーションマークの発生が抑制されていることから、鋳型と鋳塊との接触が安定し、鋳塊内におけるＧａの濃度偏析を抑制することが可能となる。
【００１２】
ここで、本発明のＣｕ−Ｇａ合金の連続鋳造方法においては、前記鋳塊の断面形状が円状もしくは円環をなしており、前記鋳塊の表層に形成されるオシレーションマークの深さＡが、前記鋳塊の断面がなす円の直径Ｄの１％以下とされていることが好ましい。
この場合、前記鋳塊の表層に形成されるオシレーションマークの深さＡが、前記鋳塊の断面がなす円の直径Ｄの１％以下とされているので、鋳塊表面の切削代を抑制することができ、丸棒状又は円筒状をなすＣｕ−Ｇａ合金鋳塊の製造歩留りを大幅に向上させることができる。
【００１３】
また、本発明のＣｕ−Ｇａ合金の連続鋳造方法においては、前記鋳塊の断面形状が矩形をなしており、前記鋳塊の表層に形成されるオシレーションマークの深さＡが、前記鋳塊の断面がなす矩形の長辺長さＷの１％以下とされていることが好ましい。
この場合、前記鋳塊の断面形状が矩形をなしており、前記鋳塊の表層に形成されるオシレーションマークの深さＡが、前記鋳塊の断面がなす矩形の長辺長さＷの１％以下とされているので、鋳塊表面の切削代を抑制することができ、板状をなすＣｕ−Ｇａ合金鋳塊の製造歩留りを大幅に向上させることができる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、オシレーションマーク深さが浅く、かつ、Ｇａの濃度偏析が抑制された高品質なＣｕ−Ｇａ合金鋳塊を製造可能なＣｕ−Ｇａ合金の連続鋳造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の一実施形態に係るＣｕ−Ｇａ合金の連続鋳造方法によって製造されるＣｕ−Ｇａ合金鋳塊の概略説明図である。（ａ）が軸線方向に直交する断面図、（ｂ）が側面図である。
【図２】オシレーションマーク深さＡを示すＣｕ−Ｇａ合金鋳塊の縦断面写真である。
【図３】本発明の一実施形態であるＣｕ−Ｇａ合金の連続鋳造方法に用いられる連続鋳造装置の一例を示す説明図である。
【図４】本発明の一実施形態であるＣｕ−Ｇａ合金の連続鋳造方法における間欠引き抜きパターンを示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下に、本発明の一実施形態であるＣｕ−Ｇａ合金の連続鋳造方法について説明する。
本実施形態であるＣｕ−Ｇａ合金の連続鋳造方法は、Ｃｕ−Ｇａ合金円筒型スパッタリングターゲットの素材となるＣｕ−Ｇａ合金鋳塊１０を製造するものである。
このＣｕ−Ｇａ合金鋳塊１０は、図１に示すように、軸線Ｏに沿って延在する円筒形状をなしており、例えば外径Ｄが１００ｍｍ≦Ｄ≦２００ｍｍの範囲内、内径ｄが５０ｍｍ≦ｄ≦１５０ｍｍの範囲内とされている。
【００１７】
本実施形態であるＣｕ−Ｇａ合金の連続鋳造方法によって製造されるＣｕ−Ｇａ合金鋳塊１０は、Ｇａの含有量が１５原子％以上３５原子％以下の範囲内とされ、残部がＣｕ及び不可避不純物からなるＣｕ−Ｇａ合金で構成されている。
本実施形態では、上述のように、Ｇａの含有量が１５原子％以上３５原子％以下と比較的多くなっているので、Ｇａの濃度偏析が生じて、ζ相、γ相などの金属間化合物相の割合が変動するおそれがある。
【００１８】
ここで、本実施形態であるＣｕ−Ｇａ合金鋳塊１０においては、図２に示すように表層にオシレーションマーク１１が形成されており、このオシレーションマーク深さＡが、Ｃｕ−Ｇａ合金鋳塊１０の断面がなす円の直径Ｄ（円筒の外径Ｄ）の１％以下とされている。すなわち、本実施形態では、外径Ｄが１００ｍｍ≦Ｄ≦２００ｍｍの範囲内とされているので、オシレーションマーク深さＡは、１ｍｍ≦Ａ≦２ｍｍの範囲内となる。
【００１９】
次に、本実施形態であるＣｕ−Ｇａ合金の連続鋳造方法に用いられる連続鋳造装置について図３を参照して説明する。
この連続鋳造装置２０は、鋳造炉２１と、鋳造炉２１に連結された連続鋳造用鋳型３０と、連続鋳造用鋳型３０から製出されたＣｕ−Ｇａ合金鋳塊１０を引き抜くピンチロール２８と、を備えている。
【００２０】
鋳造炉２１は、溶解原料を加熱溶解して所定の組成の銅溶湯を製出して保持するものであり、溶解原料及び銅溶湯が保持される坩堝２２と、この坩堝２２を加熱する加熱手段（図示なし）と、を備えている。
ピンチロール２８は、連続鋳造用鋳型３０から製出されるＣｕ−Ｇａ合金鋳塊１０を挟み込み、引き抜き方向Ｆへ引き抜くものである。本実施形態では、Ｃｕ−Ｇａ合金鋳塊１０を間欠的に引き抜く構成とされている。
【００２１】
連続鋳造用鋳型３０は、供給された銅溶湯が注入される筒状のモールド３１と、このモールド３１内に挿入されるマンドレル３５と、モールド３１を冷却する冷却部３８と、を備えている。ここで、本実施形態では、図３に示すように、連続鋳造用鋳型３０の一方側（図３において左側）に鋳造炉２１が配置されている。
冷却部３８は、図３に示すように、モールド３１の外周側に配設された水冷ジャケットとされており、冷却水を循環させることでモールド３１を冷却する構成とされている。
【００２２】
モールド３１は、概略筒状をなしており、本実施形態では、図３に示すように、一方側（図３において左側）が大径部３２とされ、他方側（図３において右側）が小径部３３とされた２段筒状をなしている。なお、小径部３３は、他方側に向かうにしたがい漸次径が小さくなるようにテーパ形状とされている。本実施形態では、図３に示すように、モールド３１の小径部３３の外周側に、上述の冷却部３８が配設されている。
【００２３】
モールド３１には、一方側から他方側に向けて貫通する貫通孔が設けられており、この貫通孔の一方側からマンドレル３５が挿入されている。すると、マンドレル３５は、モールド３１の貫通孔の内壁から間隔をあけて配置され、モールド３１内には、断面円環状をなすキャビティが画成されることになる。
【００２４】
そして、本実施形態では、ピンチロール２８によってＣｕ−Ｇａ合金鋳塊１０が間欠的に引き抜かれており、間欠引き抜き条件は以下のように設定されている。
モールド３１に対する瞬間移動速度Ｖ１（ｍｍ／ｓｅｃ）、モールド３１に対する１周期当たりの移動距離Ｌ（ｍｍ）、停止時間Ｔ１（ｓｅｃ）とした場合に、Ｘ＝（Ｖ１×Ｌ）／Ｔ１が、０．１＜Ｘ≦２５０の範囲内とされている。
【００２５】
なお、図４に本実施形態における間欠引き抜きのパターン図を示す。ここで、停止時間Ｔ１は、停止している時間だけでなく、引き抜き方向Ｆとは反対側（鋳造炉２０側）に向けて後退させる動作している時間も含むものとする。
【００２６】
以上のような構成とされた本実施形態であるＣｕ−Ｇａ合金の連続鋳造方法においては、ピンチロール２８によってＣｕ−Ｇａ合金鋳塊１０が間欠的に引き抜かれており、間欠引き抜き条件として、上述のＸ＝（Ｖ１×Ｌ）／Ｔ１が０．１＜Ｘ≦２５０の範囲内とされている。
【００２７】
ここで、上述のＸ＝（Ｖ１×Ｌ）／Ｔ１が２５０を超える場合には、瞬間引き抜き速度Ｖ１が速く、モールド３１に対する１周期当たりの移動距離Ｌ（ｍｍ）が長く、停止時間Ｔ１（ｓｅｃ）が短くなる。Ｇａの含有量が１５原子％以上３５原子％以下の範囲内とされ、残部がＣｕ及び不可避不純物からなるＣｕ−Ｇａ合金においては、固相と液相とが混在する温度幅が広いため、瞬間引き抜き速度Ｖ１が速く、かつ、モールド３１に対する１周期当たりの移動距離Ｌ（ｍｍ）が長くなると、Ｃｕ−Ｇａ合金鋳塊１０の引き抜きに追従して溶湯供給が不十分となり、湯境となるオシレーションマークが深く形成されてしまうおそれがある。また、停止時間Ｔ１が短くなると、抜熱が不十分となって固液共存領域が広く存在することになり、やはり、オシレーションマークが深く形成されてしまうおそれがある。
【００２８】
一方、上述のＸ＝（Ｖ１×Ｌ）／Ｔ１が０．１以下の場合には、瞬間引き抜き速度Ｖ１が遅く、モールド３１に対する１周期当たりの移動距離Ｌ（ｍｍ）が短く、停止時間Ｔ１（ｓｅｃ）が長くなる。瞬間引き抜き速度Ｖ１が遅く、モールド３１に対する１周期当たりの移動距離Ｌ（ｍｍ）が短い場合、あるいは、停止時間Ｔ１が長い場合には、モールド３１内において凝固界面が一定の場所に位置することになり、モールド３１への焼き付きが生じ、Ｃｕ−Ｇａ合金鋳塊１０の表面にクラックが生じるおそれがある。
【００２９】
以上のことから、本実施形態であるＣｕ−Ｇａ合金の連続鋳造方法においては、上述のＸ＝（Ｖ１×Ｌ）／Ｔ１が０．１＜Ｘ≦２５０の範囲内とすることにより、溶湯供給不足やモールド３１への焼き付きを抑制し、オシレーションマーク深さＡが浅いＣｕ−Ｇａ合金鋳塊１０を製造することが可能となるのである。なお、上述の作用効果を確実に奏功せしめるためには、上述のＸ＝（Ｖ１×Ｌ）／Ｔ１を、１≦Ｘ≦１００の範囲内とすることが好ましい。
【００３０】
そして、本実施形態においては、Ｃｕ−Ｇａ合金鋳塊１０の断面形状が円形状なしており、オシレーションマーク深さＡが、Ｃｕ−Ｇａ合金鋳塊１０の断面がなす円の直径Ｄ（断面がなす円筒の外径Ｄ）の１％以下とされており、具体的には、Ｃｕ−Ｇａ合金鋳塊１０の外径Ｄが１００ｍｍ≦Ｄ≦２００ｍｍの範囲内、オシレーションマーク深さＡが、１ｍｍ≦Ａ≦２ｍｍの範囲内とされているので、Ｃｕ−Ｇａ合金鋳塊１０の表面の切削代を抑制することができ、Ｃｕ−Ｇａ合金鋳塊１０の製造歩留りを大幅に向上させることができる。
【００３１】
また、本実施形態では、上述のＸ＝（Ｖ１×Ｌ）／Ｔ１が０．１＜Ｘ≦２５０の範囲内となるようにＣｕ−Ｇａ合金鋳塊１０の間欠引き抜き条件を設定しているので、モールド３１と凝固シェルとの接触が安定し、Ｃｕ−Ｇａ合金鋳塊１０内におけるＧａの濃度偏析を抑制することが可能となる。
【００３２】
具体的には、Ｃｕ−Ｇａ合金鋳塊１０においては、軸線Ｏに対して直交する断面の同一円周上におけるＧａ濃度の測定値の差が１．０原子％以内とされ、軸線Ｏに対して直交する断面におけるＧａ濃度の平均値を算出した場合に、軸線Ｏ方向の複数の前記断面でそれぞれ算出されたＧａ濃度の平均値の差が１．５原子％以下の範囲内とされているので、ζ相、γ相などの金属間化合物相の存在比が大きく変動することなく、特性の安定したＣｕ−Ｇａ合金鋳塊１０を製造することが可能となる。
【００３３】
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明はこれに限定されることはなく、その発明の技術的思想を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。
例えば、本実施形態では、鋳塊の間欠引き抜きを実施するものとして説明したが、これに限定されることはなく、鋳型振動することにより、上述のＸ＝（Ｖ１×Ｌ）／Ｔ１を０．１＜Ｘ≦２５０の範囲内としてもよい。
【００３４】
また、本実施形態では、断面円形状をなす円筒状のＣｕ−Ｇａ合金鋳塊を製造するものとして説明したが、これに限定されることはなく、断面円形状をなす丸棒状のＣｕ−Ｇａ合金鋳塊を製造するものとしてもよい。
あるいは、断面矩形状をなす板状のＣｕ−Ｇａ合金鋳塊を製造するものとしてもよい。断面矩形状のＣｕ−Ｇａ合金鋳塊を製造する場合には、前記鋳塊の表層に形成されるオシレーションマークの深さＡが、前記鋳塊の断面がなす矩形の長辺長さＷの１％以下とされていることが好ましい。
【００３５】
また、本実施形態では、図３に示すように、鋳塊を水平方向に引き抜く連続鋳造装置によってＣｕ−Ｇａ合金鋳塊を製造するものとして説明したが、これに限定されることはなく、鋳塊を下方へ引き抜く連続鋳造装置や鋳塊を上方へ引き抜く連続鋳造装置を用いて、Ｃｕ−Ｇａ合金鋳塊を製造してもよい。
【実施例】
【００３６】
（実施例１）
以下に、本発明の有効性を確認するために行った確認実験の結果について説明する。
図３に示す連続鋳造装置により、外径Ｄ：１５０ｍｍ、内径ｄ：１１０ｍｍ、軸線方向長さ：６００ｍｍの円筒状のＣｕ−Ｇａ合金鋳塊を連続鋳造した。なお、Ｃｕ−Ｇａ合金鋳塊の合金組成を表１に示すように設定し、連続鋳造装置における間欠引き抜き条件を表２に示すように設定した。
【００３７】
オシレーションマーク部を鋳塊の上下左右各々の方向において含むように、鋳塊両端から縦断面サンプル（軸線に沿った断面）を採取し、光学顕微鏡観察（倍率×１００）にてオシレーションマーク深さＡを測定した。鋳塊両端からそれぞれ上下左右のサンプルを観察し、計８箇所のサンプルの平均値を鋳塊の外径Ｄで割った値をオシレーションマーク深さ比率として表２に示した。
【００３８】
【表１】
2016043377.tif 000002
【００３９】
【表２】
2016043377.tif 000003
【００４０】
（実施例２）
図３に示す連続鋳造装置により、断面矩形状をなし、長辺長さＷ：２００ｍｍ、短辺長さ：３０ｍｍ、軸線方向長さ：６００ｍｍの板状のＣｕ−Ｇａ合金鋳塊を連続鋳造した。なお、Ｃｕ−Ｇａ合金鋳塊の合金組成を表３に示すように設定し、連続鋳造装置における間欠引き抜き条件を表４に示すように設定した。
【００４１】
オシレーションマーク部を鋳塊の上下左右各々の方向において含むように、鋳塊両端から縦断面サンプル（軸線に沿った断面）を採取し、光学顕微鏡観察（倍率×１００）にてオシレーションマーク深さＡを測定した。鋳塊両端からそれぞれ上下左右のサンプルを観察し、計８箇所のサンプルの平均値を鋳塊の長辺長さＷで割った値をオシレーションマーク深さ比率として表４に示した。
【００４２】
【表３】
2016043377.tif 000004
【００４３】
【表４】
2016043377.tif 000005
【００４４】
表１から表４に示すように、鋳型に対する鋳塊の瞬間移動速度Ｖ１（ｍｍ／ｓｅｃ）、鋳型に対する１周期当たりの鋳塊の移動距離Ｌ（ｍｍ）、停止時間Ｔ１（ｓｅｃ）とした場合に、Ｘ＝（Ｖ１×Ｌ）／Ｔ１が、０．１＜Ｘ≦２５０の範囲内とされた本発明例１−９、本発明例１１−１８は、オシレーションマーク深さ比率が１％以下とされていることが確認された。
【符号の説明】
【００４５】
１０  Ｃｕ−Ｇａ合金鋳塊
１１  オシレーションマーク
【図１】
2016043377.tif 000006
【図３】
2016043377.tif 000007
【図４】
2016043377.tif 000008
【図２】
2016043377.tif 000009