(57)【要約】【課題】ウェハからの支持基板の剥離を短時間で行えるとともにコストを抑えたＭＥＭＳ構造体の製造方法、ＭＥＭＳ構造体を提供する。【解決手段】ＭＥＭＳ構造体の製造方法は、マザー基板にエッチングストッパー層を形成する第１の工程と、第１開口パターンを前記エッチングストッパー層に形成する第２の工程と、前記エッチングストッパー層上に複数のデバイス層を形成する第３の工程と、支持基板を設置する第４の工程と、前記マザー基板の前記第１面に対向する第２面から、前記第１開口パターンに対応する位置において前記接着層を露出させる第２開口パターンを形成する第５の工程と、ウェットエッチング法により、前記第２開口パターンから前記接着層をエッチングし前記支持基板を剥離する第６の工程と、を含み、  前記第１開口パターンはダイシングラインに対応し、前記第２開口パターンによって前記マザー基板は複数の個片に分割される。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
マザー基板の第１面にエッチングストッパー層を形成する第１の工程と、
前記第１面の一部を露出させる第１開口パターンを前記エッチングストッパー層に形成する第２の工程と、
残された前記エッチングストッパー層上に複数のデバイス層を形成する第３の工程と、
前記第１面の側に接着層を介して支持基板を設置する第４の工程と、
前記マザー基板の前記第１面に対向する第２面から、前記第１開口パターンに対応する位置において前記接着層を露出させる第２開口パターンを形成する第５の工程と、
ウェットエッチング法により、前記第２開口パターンから前記接着層をエッチングし前記支持基板を剥離する第６の工程と、を含み、
前記第１開口パターンはダイシングラインに対応し、
前記第２開口パターンによって前記マザー基板は複数の個片に分割されることを特徴とするＭＥＭＳ構造体の製造方法。
【請求項２】
前記複数の個片の各々に、前記複数のデバイス層の中のいずれかが形成されていることを特徴とする請求項１に記載のＭＥＭＳ構造体の製造方法。
【請求項３】
前記第５の工程において、前記複数のデバイス層の各々に対応する位置の前記エッチングストッパー層を露出させる第３開口パターンを形成することを特徴とする請求項１又は２に記載のＭＥＭＳ構造体の製造方法。
【請求項４】
前記第１開口パターンは、前記複数の個片の角部が丸くなるように形成されていることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載のＭＥＭＳ構造体の製造方法。
【請求項５】
半導体基板と、
前記半導体基板の第１面に形成された第１の層と、
前記第１の層上に形成されたデバイス層と、を含み、
前記半導体基板は、前記デバイス層が形成されている位置において、前記第１面に対向する第２面から前記第１の層に至る貫通部を有し、
前記デバイス層を平面視した状態において、前記第１の層の角部及び前記半導体基板の角部が丸いことを特徴とするＭＥＭＳ構造体。
【請求項６】
前記第１の層が振動板として機能することを特徴とする請求項５に記載のＭＥＭＳ構造体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＭＥＭＳ構造体の製造方法、ＭＥＭＳ構造体に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、超小型の振動子、センサ等のデバイスを、ＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍｓ）技術を用いて形成することが行われている。このようなデバイスを製造するにあたり、ウェハの薄板化が進み、薄板化されたウェハを支持基板でサポートするプロセスが開発されている。このようなサポートプロセスでは、薄板化したデバイスウェハを支持基板上に仮止めし、デバイスウェハに対して必要な加工を施した後にデバイスウェハ上から支持基板を剥離する。
【０００３】
支持基板を剥離する際には、デバイスウェハに対する物理的なダメージの軽減が肝要である故、ウェットプロセスで剥離する手法が採られることが一般的である。
【０００４】
支持基板が剥離された後のデバイスウェハの個片化を行う場合には、特許文献１及び特許文献２に示すようなレーザーダイシングやステルスダイシングなどのダイシング装置が用いられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１２−１５６２１７号公報
【特許文献２】特開２０１１−２５６４０９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上述したように、デバイスウェハ上から支持基板を剥離する方法としてウェットプロセス法を用いる場合、デバイスウェハと支持基板との貼り合わせ側面から剥離させようとすると、積層構造体を剥離溶液内へ長時間浸漬させる必要がある。このため、短時間で剥離を行える方法が求められている。
また、レーザーダイシングやステルスダイシングなどのダイシング装置は高価であるため、安価に製造できる方法が求められている。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、上記問題に鑑みて成されたものであって、ウェハからの支持基板の剥離を短時間で行えるとともにコストを抑えたＭＥＭＳ構造体の製造方法、ＭＥＭＳ構造体を提供することができる。
【０００８】
本発明に係るひとつのＭＥＭＳ構造体の製造方法は、マザー基板の第１面にエッチングストッパー層を形成する第１の工程と、前記第１面の一部を露出させる第１開口パターンを前記エッチングストッパー層に形成する第２の工程と、残された前記エッチングストッパー層上に複数のデバイス層を形成する第３の工程と、前記第１面の側に接着層を介して支持基板を設置する第４の工程と、前記マザー基板の前記第１面に対向する第２面から、前記第１開口パターンに対応する位置において前記接着層を露出させる第２開口パターンを形成する第５の工程と、ウェットエッチング法により、前記第２開口パターンから前記接着層をエッチングし前記支持基板を剥離する第６の工程と、を含み、前記第１開口パターンはダイシングラインに対応し、前記第２開口パターンによって前記マザー基板は複数の個片に分割されることを特徴とする。
【０００９】
この製造方法によれば、ウェットエッチング法により支持基板を剥離する際に、マザー基板に形成した第２開口パターンとエッチングストッパー層に形成した第１開口パターンを通じて、支持基板とマザー基板とを貼り合せている接着層を効率よく溶解させることができる。これにより、短時間で支持基板をマザー基板から剥離させることが可能となる。
また、支持基板の剥離と同時にマザー基板が複数の個片に分割されることから、ダイシング工程を省略することができる。よって、生産性に優れ、ＭＥＭＳ構造体を安価に製造することができる。
【００１０】
上記ひとつのＭＥＭＳ構造体の製造方法において、前記複数の個片の各々に、前記複数のデバイス層の中のいずれかが形成されていることが好ましい。
【００１１】
この製造方法によれば、複数のＭＥＭＳ構造体が得られる。
【００１２】
上記ひとつのＭＥＭＳ構造体の製造方法において、前記第５の工程において、前記複数のデバイス層の各々に対応する位置の前記エッチングストッパー層を露出させる第３開口パターンを形成する製造方法としてもよい。
【００１３】
この製造方法によれば、第５の工程において、第２開口パターンと第３開口パターンとを同時に形成することにより、製造工程を短縮することができる。
【００１４】
上記ひとつのＭＥＭＳ構造体の製造方法において、前記第１開口パターンは、前記複数の個片の角部が丸くなるように形成してもよい。
【００１５】
この製造方法によれば、エッチングストッパー層上の積層構造における角部にかかる応力を緩和することができる。これにより、マザー基板に、エッチングストッパー層の第１開口パターンに対応する第２開口パターンを形成する際に使用するマスクとマザー基板との密着性が向上し、剥離等を防止することができる。
【００１６】
本発明に係るひとつのＭＥＭＳ構造体は、半導体基板と、前記半導体基板の第１面に形成された第１の層と、前記第１の層上に形成されたデバイス層と、を含み、前記半導体基板は、前記デバイス層が形成されている位置において、前記第１面に対向する第２面から前記第１の層に至る貫通部を有し、前記デバイス層を平面視した状態において、前記第１の層の角部及び前記半導体基板の角部が丸いことを特徴とする。
【００１７】
この構成によれば、製造時において半導体基板の角部における積層構造等の応力を緩和することができるため、信頼性の高いＭＥＭＳ構造体を得ることができる。
【００１８】
上記のひとつのＭＥＭＳ構造体において、前記第１の層が振動板として機能することが好ましい。
【００１９】
この構成によれば、第１の層を振動板として機能させることにより、構成要素が少なくなり、ＭＥＭＳ構造体を安価に得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明に係る一実施形態のＭＥＭＳ構造体の概略構成を部分断面で示す斜視図。
【図２】ＭＥＭＳ構造体の概略構成を示す平面図。
【図３】デバイス層の概略構成を示す部分断面図。
【図４】第１実施形態におけるＭＥＭＳ構造体の製造方法の流れを示す図。
【図５】第１実施形態におけるＭＥＭＳ構造体の製造方法を示す工程図。
【図６】第１実施形態におけるＭＥＭＳ構造体の製造方法を示す工程図。
【図７】第１実施形態におけるＭＥＭＳ構造体の製造方法を示す工程図。
【図８】第１実施形態におけるシリコンマザー基板のダイシングラインとエッチングストッパー層とを示す平面図。
【図９】第２実施形態のＭＥＭＳ構造体の製造方法を示す工程図。
【図１０】第２実施形態におけるシリコンマザー基板のダイシングラインとエッチングストッパー層とを示す平面図。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、本発明の実施形態につき、図面を参照して説明する。なお、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするため、各部材の縮尺を適宜変更している。
【００２２】
（ＭＥＭＳ構造体）
図１は、本発明に係る一実施形態におけるＭＥＭＳ構造体１の概略構成を部分断面で示す斜視図である。図２は、ＭＥＭＳ構造体１の概略構成を示す平面図である。図３は、デバイス層４の概略構成を示す部分断面図である。
【００２３】
ＭＥＭＳ構造体１は、図１に示すように、半導体基板としてのシリコン基板２と、エッチングストッパー層（第１の層）３と、デバイス層４と、を少なくとも備えている。ＭＥＭＳ構造体１は、ＭＥＭＳ技術により形成される。
【００２４】
シリコン基板（半導体基板）２は、単結晶シリコンから形成された薄い板状部材である。薄板からなるシリコン基板２の板厚は、例えば１００μｍ以下である。図２に示すように、シリコン基板２の平面視における４つの角部２ｑは丸く形成されている。
【００２５】
シリコン基板２には、図１に示すように、シリコン基板２の厚さ方向を貫通する開口部（貫通部）２Ａが形成されている。開口部２Ａは、本発明の第３開口パターンに対応する。開口部２Ａは、シリコン基板２の中央部であってデバイス層４に対応する位置に形成され、シリコン基板２の第２面１２ｂ側に開口している。
【００２６】
エッチングストッパー層３は、シリコン基板２の第１面１２ａ上に形成されている。図２に示すように、エッチングストッパー層３の平面視における４つの角部３ｑも丸く形成されている。
【００２７】
エッチングストッパー層３は、シリコン基板２に上記開口部２Ａを形成する際のエッチングストッパーとして機能する。エッチングストッパー層３の全体の膜厚は、例えば、２００〜５０００ｎｍ程度である。
【００２８】
エッチングストッパー層３は、複数あるいは単体の絶縁膜から構成されている。エッチングストッパー層３の形成材料としては、一例として、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、窒化シリコン、酸化シリコン、ステンレス鋼等といった靱性の高い絶縁材料が用いられる。本実施形態では、例えば、酸化ジルコニウムを用いてエッチングストッパー層３を形成した。
【００２９】
デバイス層４は、一例として、図３に示すような圧電素子５および圧電素子５を駆動する配線等からなるいわゆる素子本体である。
【００３０】
圧電素子５は、振動板４１と、下部電極４２と、圧電体層４３と、上部電極４４と、を備えている。本実施形態においては、上述したエッチングストッパー層３の一部であってシリコン基板２の開口部２Ａにおいて露出する部分が、特に振動板４１として機能する。
【００３１】
下部電極４２の形成材料としては、例えば、ニッケル、イリジウム、金、プラチナ、タングステン、チタン、パラジウム、銀、タンタル、モリブデン、クロム、ストロンチウムとルテニウムとの複合膜、ランタンとニッケルとの複合膜等から選ばれる導電性材料が用いられる。下部電極４２の膜厚は、例えば、２０〜４００ｎｍ程度である。
【００３２】
圧電体層４３の形成材料としては、例えば、ジルコン酸チタン酸鉛（ＰＺＴ）が用いられる。
【００３３】
なお、圧電体層４３の形成材料としては、その他の圧電材料が用いられてもよい。本実施形態において、上部電極４４の下で圧電体層４３は完全に下部電極４２を覆っている。これにより、圧電体層４３の働きによって上部電極４４と下部電極４２との間で短絡することが回避されている。
【００３４】
上部電極４４の形成材料としては、下部電極４２と同様、例えばニッケル、イリジウム、金、プラチナ、タングステン、チタン、パラジウム、銀、タンタル、モリブデン、クロム、ストロンチウムとルテニウムとの複合膜、ランタンとニッケルとの複合膜等から選ばれる導電性材料が用いられる。上部電極４４の膜厚は、例えば、５０〜４００ｎｍ程度である。
【００３５】
なお、上部電極４４は、下部電極４２と同じ種類の金属材料を用いてもよいし、下部電極４２とは異なる種類の金属材料を用いてもよい。
【００３６】
なお、本実施形態では、デバイス層４の一例として圧電素子５を備える構成について述べたがこれに限定されるものではない。
デバイス層４は、振動子やセンサ素子、それらを駆動する配線や電極等からなるいわゆる素子本体であり、上述したデバイス層４の構成に限らず、いかなる構造、形状、用途のものであってもよい。
【００３７】
次に、上述したようなＭＥＭＳ構造体１の製造方法について説明する。  
【００３８】
［第１実施形態におけるＭＥＭＳ構造体の製造方法］
図４は、第１実施形態におけるＭＥＭＳ構造体の製造方法の流れを示す図である。図５〜図７は、第１実施形態におけるＭＥＭＳ構造体の製造方法を示す工程図である。図８は、シリコンマザー基板（マザー基板）１０のダイシングラインＬを示す平面図であって、ダイシングラインＬの交点部分を拡大して示している。
【００３９】
（エッチングストッパー層３の形成工程：第１の工程）
先ず、図４及び図５（Ａ）に示すように、薄板のシリコンマザー基板１０の第１面１０ａにエッチングストッパー層（第１の層）３を形成する（ステップＳ１）。エッチングストッパー層３は、シリコンマザー基板１０の第２面１０ｂ側を後の工程でエッチング処理する際のストッパーとして機能する。
【００４０】
（エッチングストッパー層３のパターニング工程：第２の工程）
次に、図４及び図５（Ｂ）に示すように、エッチングストッパー層３に対してフォトリソグラフィー、ドライエッチングを行い、シリコンマザー基板１０のダイシングラインＬに対応する第１開口パターン１３を形成する（ステップＳ２）。ドライエッチングは、エッチングストッパー層３を貫通した時点で終了する。
【００４１】
このようにして、シリコンマザー基板１０のダイシングラインＬ上に存在するエッチングストッパー層３が部分的に除去され、これにより形成された第１開口パターン１３からシリコンマザー基板１０の第１面１０ａが露出される。
【００４２】
（デバイス層４の形成工程：第３の工程）
次に、図４及び図５（Ｃ）に示すように、エッチングストッパー層３上にデバイス層４を複数形成する（ステップＳ３）。デバイス層４は、シリコンマザー基板１０上に設定された所定の構造体形成領域Ｒ毎に配置される。複数の構造体形成領域Ｒは、ダイシングラインＬによって区画される領域である。
【００４３】
本実施形態では、図８に示すように、シリコンマザー基板１０の法線方向から見た平面視において、シリコンマザー基板１０上に残るエッチングストッパー層３の角部３ｑが丸くなるように第１開口パターン１３を形成する。
【００４４】
（支持基板１５の設置工程：第４の工程）
次に、図４及び図５（Ｄ）に示すように、シリコンマザー基板１０上に接着層１４を介して支持基板１５を設置する（ステップＳ４）。接着層１４は、第１開口パターン１３から露出するシリコンマザー基板１０の第１面１０ａと、エッチングストッパー層３と、デバイス層４と、を覆うように形成する。接着層１４としては、シリコンマザー基板１０の第２面１０ｂ側を加工するプロセスに対する耐性があり、裏面加工プロセス中に応力変化の少ないものが望ましい。
【００４５】
（レジストパターンＭの形成工程）
次に、図４及び図６（Ａ）に示すように、シリコンマザー基板１０の第２面１０ｂにレジストパターンＭを形成する（ステップＳ５）。レジストパターンＭには、ダイシング用パターン開口ｈと、トレンチ加工用パターン開口ｇと、をそれぞれ形成しておく。トレンチ加工用パターン開口ｇの各々は、シリコンマザー基板１０上の構造体形成領域Ｒごとに形成されている。
【００４６】
トレンチ加工用パターン開口ｇは、例えば２０μｍ〜数百μｍの大きさを有している。ダイシング用パターン開口ｈは、例えば２０μｍ未満の大きさを有している。
【００４７】
（シリコンマザー基板１０のパターニング工程：第５の工程）
次に、図４及び図６（Ｂ）に示すように、フォトマスクを用いたフォトリソグラフィー、ドライエッチングを順に行い、シリコンマザー基板１０をパターニングする（ステップＳ６）。
【００４８】
トレンチ加工用パターン開口ｇの部分では、エッチングストッパー層３にてエッチング加工がストップし、第３開口パターンとしての開口部２Ａが形成される。このようにして、複数のデバイス層４の各々に対応する位置のエッチングストッパー層３を露出させる開口部２Ａを複数形成する。
【００４９】
一方、ダイシング用パターン開口ｈの部分では、ダイシングラインＬに対応する第２開口パターン２Ｂが形成される。
【００５０】
第２開口パターン２Ｂは、エッチングストッパー層３に形成された第１開口パターン１３に倣って形成される。第２開口パターン２Ｂは、エッチングストッパー層３の第１開口パターン１３に連通し、一つの貫通溝を形成する。これら第２開口パターン２Ｂ及び第１開口パターン１３からは少なくとも接着層１４の一部が露出する。
【００５１】
このようにして、構造体形成領域Ｒごと開口部２Ａを形成するとともに、ダイシングラインＬに対応する第２開口パターン２Ｂを形成する。これら複数の開口部２Ａ及び第２開口パターン２Ｂを同じパターン工程で形成することにより、製造工程が短縮される。
【００５２】
図６（Ｂ）から分かるように、トレンチ加工用パターン開口ｇと、ダイシング用パターン開口ｈと、では開口の大きさが異なる。このため、エッチングガスの侵入の仕方が変わり、エッチングレートが各開口ｇ、ｈで異なることが考えられる。つまり、トレンチ加工用パターン開口ｇとダイシング用パターン開口ｈとの間で段階的にパターンの破断が進行する。
【００５３】
この際の応力を緩和するために、本実施形態では、図６（Ｂ）に示したダイシング用パターン開口ｈの平面視における角部Ｍｑを、図８に示したエッチングストッパー層３の角部３ｑに倣って丸く形成しておいた。
【００５４】
これにより、シリコンマザー基板１０のパターニング時に、エッチングストッパー層３上の積層構造の角部に生じる応力が緩和されることとなる。よって、レジストパターンＭ、シリコンマザー基板１０及びエッチングストッパー層３における相互間の密着性が向上し、剥離等が防止される。
【００５５】
（フォトマスクの除去工程）
次に、図４及び図６（Ｃ）に示すように、シリコンマザー基板１０の第２面１０ｂ上のレジストパターンＭをプラズマアッシングで除去する（ステップＳ７）。この際、ダイシング用パターン開口ｈを通じて接着層１４の一部が除去されることもあるため、接着層１４が貫通しないようにアッシング条件を設定する。ダイシングラインＬ上の接着層１４を残しておくことによって、支持基板１５上に積層構造を保持させておくことができる。
【００５６】
レジストパターンＭが除去されたシリコンマザー基板１０には、構造体形成領域Ｒごとに形成された複数の開口部２Ａと、ダイシングラインＬに対応するダイシング用の第２開口パターン２Ｂと、が存在する。
【００５７】
（支持基板の剥離工程：第６の工程）
次に、ウェットエッチングにより支持基板１５の剥離を行う（ステップＳ８）。
図４及び図７（Ａ）に示すように、剥離溶液１６を入れた剥離容器１７内にシリコンマザー基板１０の全体を浸漬させる。
【００５８】
このとき、図７（Ａ）に示すような治具５０を用いてシリコンマザー基板１０を支持した状態で、剥離容器１７内にシリコンマザー基板１０を浸漬させてもよい。治具５０は、一面に複数の受け部５１を有している。
【００５９】
複数の受け部５１の各々は、シリコンマザー基板１０の各開口部２Ａ内に挿入されている。複数の受け部５１は、上述したトレンチ加工用パターン開口ｇの反転パターンを有するマスクによって形成されたものである。
【００６０】
なお、図７（Ａ）に示した治具５０の構成は一例であって、これに限定されるものではない。
【００６１】
剥離溶液１６は、用いる接着層１４の形成材料に応じて、接着層１４を可溶とする通常知られた剥離溶液を適宜選択して用いることができる。
【００６２】
剥離溶液内にシリコンマザー基板１０を浸漬させると、接着層１４のうちエッチングストッパー層３で覆われていない部分、すなわちエッチングストッパー層３の開口１３ｈを通じて接着層１４が剥離溶液１６に触れることで、接着層１４が溶解する。接着層１４の全体を剥離溶液１６に溶解させることで、シリコンマザー基板１０の第１面１０ａから支持基板１５が剥離される。
【００６３】
本実施形態では、支持基板１５が剥離されるのと同時にシリコンマザー基板１０から個片化されていたシリコン基板２の各々が分離する。すなわち、複数のデバイス構造体１１の各々が分離され、図７（Ｂ）に示すように、治具５０の各受け部５１によって受け止められる。これにより、治具５０を引き上げることで、複数のデバイス構造体１１を一度に取り出すことが可能である。
【００６４】
このようにして図７（Ｃ）に示すようなＭＥＭＳ構造体１が複数完成する。
【００６５】
以上のように、本実施形態では、エッチングストッパー層３にダイシングラインＬに対応する第１開口パターン１３を形成するとともに、シリコンマザー基板１０にダイシング用の第２開口パターン２Ｂを形成しておくこととした。これにより、支持基板１５の剥離工程において、これら第１開口パターン１３および第２開口パターン２Ｂから剥離溶液１６が侵入し、シリコンマザー基板１０と支持基板１５とを貼り合せている接着層１４を効率よく溶解させることができる。
【００６６】
接着層１４の側面だけでなく、接着層１４の面内におけるダイシングラインＬに対応する領域が剥離溶液１６に晒されることで、接着層１４が短時間で溶解する。つまり、ダイシングラインＬの縦横の本数に応じて剥離溶液１６の侵入箇所が増えるため、接着層１４の側面のみを剥離溶液１６に晒していた従来の剥離方法に比べて、支持基板１５の剥離性が各段に向上する。よって、シリコンマザー基板１０から支持基板１５を短時間で剥離させることが可能となる。このように、剥離工程における浸漬時間が短くて済むため生産性が向上する。
【００６７】
また、上記製造方法によれば、支持基板１５が剥離するのと同時にシリコンマザー基板１０が第２開口パターン２Ｂにおいて個片化されるようになっていることから、以後のダイシング工程を省略することができる。これにより、高価なダイシング装置が不要となり、ＭＥＭＳ構造体１の量産を安価に行うことができる。
【００６８】
［第２実施形態におけるＭＥＭＳ構造体の製造方法］
次に、第２実施形態におけるＭＥＭＳ構造体の製造方法について述べる。
以下に示す本実施形態における製造方法の基本工程は、上記第１実施形態における製造工程と略同様であるが、エッチングストッパー層３の加工工程において異なる。
【００６９】
よって、以下の説明では、エッチングストッパー層３の加工工程とそれ以降の製造工程について詳しく説明し、共通な箇所の説明は省略する。また、説明に用いる各図面において、図１〜図８と共通の構成要素には同一の符号を付すものとする。
【００７０】
図９は、第２実施形態におけるＭＥＭＳ構造体の製造方法を示す工程図である。図１０は、第２実施形態におけるシリコンマザー基板１０のダイシングラインＬとエッチングストッパー層３とを示す平面図である。
【００７１】
まず、図９（Ａ）に示したように、第１面１０ａに、エッチングストッパー層３０および複数のデバイス層４が形成されたシリコンマザー基板１０を用意する。
【００７２】
次に、図９（Ｂ）に示すように、シリコンマザー基板１０のダイシングラインＬに対応する部分開口パターン２３をエッチングストッパー層３０に形成する。部分開口パターン２３は、ダイシングラインＬに沿って形成されるもので、複数の開口２３ｈ及び複数の連結部２３ｊを有する。
【００７３】
部分開口パターン２３は、図９（Ｂ）及び図１０に示すように、ダイシングラインＬ上に存在するエッチングストッパー層３０の一部を部分的に残すようにして形成する。
つまり、シリコンマザー基板１０の法線方向から見たエッチングストッパー層３の面内において、ダイシングラインＬ上に位置するエッチングストッパー層３の一部を残しつつ、ダイシングラインＬ上に位置するエッチングストッパー層３の一部を除去することによって形成する。
【００７４】
部分開口パターン２３を形成することで、複数の開口２３ｈから、ダイシングラインＬに沿うシリコンマザー基板１０の第１面１０ａを部分的に露出させる。
【００７５】
その後、シリコンマザー基板１０のパターニング工程及びレジストパターンＭの除去工程を続けて実施する。
【００７６】
次に、支持基板１５の剥離工程を行う。支持基板１５の剥離工程では、図９（Ｃ）に示すように剥離容器１７内にシリコンマザー基板１０を浸漬させると、部分開口パターン２３の複数の開口２３ｈから剥離溶液が侵入して接着層１４が溶解する。全ての接着層１４が溶解すると、シリコンマザー基板１０上から支持基板１５が剥離する。
【００７７】
本実施形態では、支持基板１５が剥離した後も、エッチングストッパー層３の複数の連結部２３ｊによってシリコンマザー基板１０は個片化されず、円形状態が保持される。
【００７８】
次に、図９（Ｄ）に示すように、シリコンマザー基板１０を剥離容器１７から引き上げた後、連結部２３ｊを切断してシリコンマザー基板１０を個片化する。このようにしてシリコン基板２を有するＭＥＭＳ構造体１が複数完成する。
【００７９】
以上のように、本実施形態では、ダイシングラインＬ上におけるエッチングストッパー層３の一部を部分的に残しておくことによって、上記第１実施形態で用いたような治具５０を用いることなくシリコンマザー基板１０を剥離容器１７から引き上げることができる。
【００８０】
以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施形態について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【符号の説明】
【００８１】
１…ＭＥＭＳ構造体、２…シリコン基板（半導体基板）、２ａ…第１面、２ｂ…第２面、２Ａ…開口部（貫通部、第３開口パターン）、２Ｂ…第２開口パターン、３，３０…エッチングストッパー層、３…エッチングストッパー層（第１の層）、３ｑ…角部、４…デバイス層、１０…シリコンマザー基板（マザー基板）、１０ａ…第１面、１０ｂ…第２面、１３ｈ，２３ｈ…開口、Ｌ…ダイシングライン、Ｒ…構造体形成領域、１３…第１開口パターン、１４…接着層、１５…支持基板、４１…振動板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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