(57)【要約】【課題】  良好な放熱特性を有する配線基板を得る。【解決手段】  本発明の配線基板１０は、焼結体の絶縁基板１と、絶縁基板１の一主面から厚み方向に向けて設けられ、絶縁基板１と同時焼成によって得られたビア導体３と、を有する配線基板１０であって、絶縁基板１は、主成分である窒化アルミニウムと、助剤成分である酸化イットリウムと、を含み、ビア導体３は、主成分であるタングステン、モリブデンのうちの少なくとも１種から選ばれてなる金属成分と、助剤成分である窒化アルミニウムおよび酸化エルビウムと、を含む。【選択図】  図１
2016111338.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
焼結体の絶縁基板と、
前記絶縁基板の一主面から厚み方向に向けて設けられたビア導体と、前記絶縁基板の一主面に設けられ、前記ビア導体と電気的に接続した配線導体と、を有する配線基板であって、
前記絶縁基板は、
主成分である窒化アルミニウムと、
助剤成分である酸化イットリウムと、を含み、
前記ビア導体は、
主成分であるタングステン、モリブデンのうちの少なくとも１種から選ばれてなる金属成分と、
助剤成分である窒化アルミニウムおよび酸化エルビウムと、を含む、配線基板。
【請求項２】
前記ビア導体と前記絶縁基板との界面領域に凹部が存在しており、
前記配線導体は、その一部が前記凹部内に入り込んでいる、請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記絶縁基板は、前記助剤成分としてカルシウムをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項４】
前記主成分である窒化アルミニウムの結晶粒界に、前記助剤成分であるカルシウムが存在していることを特徴とする請求項３に記載の配線基板。
【請求項５】
前記窒化アルミニウムの結晶粒界に存在している前記助剤成分であるカルシウムは、イットリウム、アルミニウムおよび酸素と結晶相を形成していることを特徴とする請求項４に記載の配線基板。
【請求項６】
請求項１〜請求項５のいずれかに記載の配線基板と、
前記配線基板の前記配線導体に実装された電子部品と、を有する、実装体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体発光素子等の動作時に熱を生ずる素子等を実装搭載するのに適した、優れた放熱性を有する配線基板およびこの配線基板に電子部品を実装した実装体に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＬＥＤのように動作時に熱を発生する素子を搭載するための基板として、熱伝導性が高い窒化アルミニウムを絶縁基板とし、これに貫通導体（ビア導体）を設けた配線基板が用いられている。この貫通導体の形成方法としては、窒化アルミニウムのグリーンシートに貫通穴を形成した後、タングステンまたはモリブデンのペーストを貫通穴に充填し、その後、絶縁基板および貫通導体を同時焼成により形成する方法が提案されている（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００４−２６５２２号公報
【特許文献２】特開平８−１０９０８４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上述のような貫通導体は、絶縁基板の窒化アルミニウムが焼結する条件で同時焼成される。ここでタングステン、またはモリブデンのペーストは、窒化アルミニウムの焼成条件において、単独では焼結しにくいため、同時焼成させる場合には、焼結助剤として、例えばイットリウムを含む希土類酸化物を含有させることがある（特許文献２参照）。
【０００５】
しかし、このような希土類酸化物は熱伝導率が低いため、貫通導体の焼結性を向上させるために添加量を多くすると、逆に貫通導体の熱伝導率を低下させてしまうという問題があった。特に素子の実装形態によっては、貫通導体を熱の伝達経路として用い、配線基板において熱放散させる場合があるが、貫通導体の熱伝導率が低いと配線基板に十分に熱を伝達することができず、窒化アルミニウムを絶縁基板とする配線基板の高い放熱特性を活かし切れない可能性があった。
【０００６】
本発明は上述した課題に鑑みてなされたものであり、良好な放熱特性を有する配線基板およびこの配線基板に電子部品を実装した実装体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一実施形態に係る配線基板は、焼結体の絶縁基板と、前記絶縁基板の一主面から厚み方向に向けて設けられたビア導体と、前記絶縁基板の一主面に設けられ、前記ビア導体と電気的に接続した配線導体と、を有する配線基板であって、前記絶縁基板は、主成分である窒化アルミニウムと、助剤成分である酸化イットリウムと、を含み、前記ビア導体は、主成分であるタングステン、モリブデンのうちの少なくとも１種から選ばれてなる金属成分と、助剤成分である窒化アルミニウムおよび酸化エルビウムと、を含むものである。
【０００８】
本発明の一実施形態に係る実装体は、本発明の配線基板と、前記配線導体に実装された電子部品と、を有するものである。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の一実施形態に係る配線基板によれば、良好な放熱特性を有する配線基板を提供することができる。また、本発明の一実施形態に係る実装体によれば、電子部品は良好な放熱特性を有する本発明の配線基板に実装搭載されているので、動作中に生じた熱を効果的に放熱し、安定して特性を発揮させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の一実施形態に係る配線基板の断面を示す模式図である。
【図２】図１のＡ部を拡大した模式図である。
【図３】（ａ）は図１のＢ部を拡大した模式図であり、（ｂ）は（ａ）のＣ部を拡大した模式図である。
【図４】図１に示す本発明の一実施形態に係る配線基板に対して、電子部品を搭載実装した本発明の一実施形態に係る実装体を側面から見た図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
最初に本発明の一実施形態に係る配線基板１０について説明する。なお、以下の説明における上下の区別は便宜的なものであり、実際に配線基板等が使用されるときの上下を限定するものではない。
【００１２】
図１は、本発明の一実施形態に係る配線基板１０の断面を示す模式図である。本実施形態の配線基板１０は、焼結体の絶縁基板１と、この絶縁基板１の主面１ａ側から厚み方向に向けて形成された貫通孔２内にビア導体３が配置され、ビア導体３の側面が貫通孔２の内側面に付着されている。ビア導体３は絶縁基板１の上下面を貫通するものであってもよいし、絶縁基板１の表面や内層に設けられた複数の導体層同士を導通するものであってもよい。ここで示す例では、絶縁基板１の上下の配線導体５がビア導体３を介して互いに電気的に接続された構成となっている。
【００１３】
最初に絶縁基板１について説明する。絶縁基板１は焼結体であって、主成分として窒化アルミニウムを含んでいる。「主成分として窒化アルミニウムを含む」とは、焼成後の絶縁基板１中に窒化アルミニウムが９０質量％以上含まれることをいう。主成分である窒化アルミニウムは、多数の窒化アルミニウム結晶粒が互いに焼結（液相焼結）し合ってなる多結晶体である。
【００１４】
絶縁基板１中に含まれる窒化アルミニウムが９０質量％以上であれば、熱伝導率を１３０Ｗ／ｍｋ以上とすることができる。さらに、絶縁基板１中の窒化アルミニウムは９５質量％以上含有されていてもよく、この場合、熱伝導率を１７０Ｗ／ｍＫ以上とし、熱放散性に優れた配線基板１０とすることができる。
【００１５】
また、絶縁基板１は、助剤成分として酸化イットリウム（イットリア）を含んでいる。助剤成分の含有量は、窒化アルミニウムに対して、０．０１〜１０質量％の範囲である。０．０１質量％以上とすることで焼結助剤としての効果を得ることができる。また、１０質量％以下とすることで、液相成分の溶浸量が抑えられるので熱伝導度の低下を抑制できる。
【００１６】
絶縁基板１は、例えば四角板状や円板状等であり、例えば上面が、電子部品を実装するための部位として使用される。絶縁基板１は、後述する貫通孔２、ビア導体３および配線導体５がそれぞれ複数、配列形成されたものであってもよい。この場合、多数の電極が縦横の並び等に配置された半導体集積回路素子等の半導体素子に対応して、電極接続用の多数の配線導体５が絶縁基板１の上面に配置され得る。
【００１７】
貫通孔２は、絶縁基板１の焼成する前のセラミックグリーンシートの所定の部位に金型による機械加工やレーザー加工等によって形成されたものであり、焼成後のサイズは、例えば、直径が１００μｍ〜５００μｍ程度の円形状である。なお、貫通孔２は、円形状に限らず、楕円形状や四角形状，角を円弧状に成形した四角形状等の形状でもかまわない。
【００１８】
次にビア導体３について説明する。ビア導体３は、絶縁基板１の厚み方向に形成された貫通孔２内に配置されたものである。このビア導体３は、例えば、焼成後にビア導体３となる高融点の金属ペーストが、上述したセラミックグリーンシートに設けられた貫通孔に充填された状態でセラミックグリーンシートと同時に焼成されて形成される。すなわち、絶縁基板１とビア導体３とは、セラミックグリーンシートと金属ペーストとが互いに同時焼成されて形成されたものである。
【００１９】
ビア導体３は、主成分としてタングステン、モリブデンのうちの少なくとも１種から選ばれてなる金属成分を含む。これらの金属成分はビア導体３中に９０質量％以上含まれるようにするのがよい。これにより良好な導電性を得ることができる。
【００２０】
また、ビア導体３は、助剤成分として窒化アルミニウムおよび酸化エルビウムを含んでいる。窒化アルミニウムの含有量は、ビア導体３中に１．０〜９．０質量％の範囲とするのがよい。窒化アルミニウムの含有量を１．０質量％以上とすることで、焼成中に助剤効果の高いＡｌ−Ｅｒ−Ｏ液相を形成することが容易となり、高い熱伝導率を維持することができる。また、窒化アルミニウムの含有量を９．０質量％以下とすることで、ビア導体３の電気抵抗が高くなることを抑制し、配線基板として必要な導通を得ることができる。
【００２１】
また、酸化エルビウムの含有量は、ビア導体３中に０．１〜１．０質量％の範囲とするのがよい。酸化エルビウムの含有量を０．１質量％以上とすることで、焼成中に助剤効果の高いＡｌ−Ｅｒ−Ｏ液相を形成することが容易となり、高い熱伝導率を維持することができる。また、耐薬品性の高い酸化エルビウムが一定以上の割合で存在することから、基板表面のめっき処理を行う場合、使用する薬品により基板が浸食されることを抑え、耐薬品性の高い配線基板を提供することができる。また、酸化エルビウムの含有量を１．０質量以下とすることで、熱伝導率の低い酸化エルビウムの割合を一定以下に抑え、配線基板として必要な放熱性を維持することができる。加えて、ビア導体３の電気抵抗を一定以下に抑え、配線基板として必要な導通を得ることができる。
【００２２】
これらの助剤成分がビア導体３中に含まれていることにより、焼成中に焼結を促進させる助剤効果の高いＡｌ−Ｅｒ−Ｏ液相を形成するため、少ないエルビウム量で、高い熱伝導率を有するビア導体３とすることができる。これにより、ビア導体３の熱伝導率低下による配線基板１０全体の熱伝導特性に対する悪影響を抑え、良好な放熱特性を有する配線基板１０を作製することができる。
【００２３】
さらに、ビア導体３と絶縁基板１の界面において、同時焼成時にＥｒ−Ｙ−Ａｌ−Ｏの化合物が形成され強固な接合ができ、ビア導体３と絶縁基板１との密着強度を高めることができる。一般的に、配線基板１０を同時焼成で形成した場合、絶縁基板１とビア導体３とが隙間なく一体化されるため、気密性が高く水分浸入などの影響を受けにくく、高信頼性が得られる。しかしながら、従来の構成によれば、配線基板１０の表面に配線導体５を形成する際にめっき処理等を行う場合、使用する薬品により絶縁基板１やビア導体３、あるいはその界面が浸食されることがあった。これに対して、本実施形態の構成によれば、耐薬品性が高い酸化エルビウムがビア導体３や絶縁基板１との界面に存在することにより、ビア導体３や絶縁基板１とビア導体３の界面等への浸食が起こりにくく、さらに耐薬品性が高く高信頼性を有する配線基板１０を作製することができる。
【００２４】
ここで、ビア導体３と絶縁基板１とが互いに同時焼成で形成されたものでなければ、両者の界面においてＥｒ−Ｙ−Ａｌ−Ｏの化合物を形成させて両者を互いに強固に接合させることは難しい。これは、高温処理である焼成時に、酸素の存在下において、アルミニウム（窒化アルミニウムの構成元素）、イットリウム（セラミックグリーンシートにおける助剤成分）およびエルビウム（金属ペーストの助剤成分）とが、互いに容易に接し合える状態で共存している必要があることによる。このような共存は、上記の同時焼成においては容易に実現することができるが、それ以外の手段では、各成分の接触および高温の付加等の点で制約があり、実現が難しい。
【００２５】
次に配線導体５について説明する。本実施形態に示す例では、絶縁基板１の上面および下面に、それぞれ配線導体５が形成されている。これらの絶縁基板１の上下面の配線導体５は、絶縁基板１を厚み方向に貫通するビア導体３を介して互いに電気的に接続されている。配線導体５は、例えば電子部品と電気的に接続されて、この電子部品に対して信号の送受をするための端子として機能する。
【００２６】
配線導体５と電子部品との電気的な接続は、例えば配線導体５の所定部分に電子部品の電極をはんだ等の導電性接続材を介して接合することによって行なわれる。この場合、配線導体５について、ビア導体３の端面を覆う円形状等の比較的大きなパターンで（いわゆる接続パッドとして）形成しておいて、はんだの接合面積をより広くして、電子部品に対する電気的な接続の信頼性を向上させるようにしてもよい。
【００２７】
配線導体５は、例えば、タングステン，モリブデン，マンガン，銅、銀，パラジウム，金，白金，ニッケル，コバルトまたはチタン等の金属材料、またはこれらの金属材料の合金材料を用いることができる。配線導体５は、タングステンからなる場合であれば、タングステンの粉末を有機溶剤およびバインダとともに混練して作製したタングステンの金属ペーストを、絶縁基板１となるセラミックグリーンシートの主面にスクリーン印刷法等の方法で所定パターンに塗布し、その後、セラミックグリーンシートと同時焼成することによって形成することができる。
【００２８】
また、配線導体５は、銅やチタン，ニッケル等の金属材料をスパッタリング法やめっき法等の薄膜形成法によって絶縁基板１の主面１ａからビア導体３の端面にかけて被着させることによって形成することもできる。
【００２９】
本実施形態の配線基板１０の構成は以上のとおりである。この構成によれば、配線基板１０のビア導体３の焼結助剤成分を低く抑えることができるので、ビア導体３自身の熱伝導率を高く保つことができ、さらに絶縁基板１とビア導体３とが強固に結合している。したがって、この配線基板１０にＬＥＤやパワー半導体等の動作時に熱の発生を伴うタイプの電子部品を実装した場合、部品において生じた熱をビア導体３を介して窒化アルミニウム焼結体の配線基板１０に効率よく伝達することができ、高い熱放散性を得ることができる。
【００３０】
以上説明した本実施形態に係る配線基板１０は、例えば、以下の方法により作製することができる。
【００３１】
まず、主原料としての窒化アルミニウムに焼結助剤としての酸化イットリウム（イットリア）および有機バインダと、エタノール等の分散剤を加えて、ボールミル等を用いて混合撹拌することでスラリー状（泥漿状）となす。これを従来周知のドクターブレード法やカレンダーロール法等を採用することによってグリーンシート（生シート）を形成し、焼成前のシート状の成形体とする。そして、この焼成前のグリーンシートを切断加工や打ち抜き加工によって適当な形状および寸法とするとともに、所定の部位に金型による機械加
工やレーザー加工等によって貫通孔を形成する。
【００３２】
次に、この貫通孔内にビア導体となる金属ペーストを真空吸引を併用したスクリーン印刷法等により充填する。この金属ペーストは、タングステン、モリブデン等の高融点金属粉末に、窒化アルミニウムのグリーンシートを酸素含有雰囲気下で仮焼粉砕した粉状物、有機バインダと分散剤をポットミル等で混練して調製する。
【００３３】
次に、貫通孔内に金属ペーストが充填されたグリーンシートを所定の温度で加熱して有機バインダを除去した後、窒素や水素などの非酸化性の雰囲気中で約１６００〜１９００℃の温度で焼成することによって、窒化アルミニウムを焼結させて絶縁基板１を得る。同時に、この絶縁基板１の貫通孔２内のビア導体３も同時焼成されて配線基板１０を得ることができる。
【００３４】
この際、本実施形態の構成によれば、絶縁基板１に酸化イットリウムが助剤として含まれ、ビア導体３に窒化アルミニウムおよび酸化エルビウムが助剤として含まれているので、焼成中にビア導体３中でＡｌ−Ｅｒ−Ｏ液相が生じて焼結が促進される。その結果、少ないエルビウム量で、高い熱伝導率を有するビア導体３を得ることができる。さらに、同時焼成時に、ビア導体３と絶縁基板１の界面において、Ｅｒ−Ｙ−Ａｌ−Ｏの化合物が形成され強固な接合ができ、ビア導体３と絶縁基板１との密着強度を高めることができる。
【００３５】
なお、絶縁基板１は生産性を高めるために、絶縁基板１を多数個集合した母絶縁基板の状態で作製を開始し、母配線基板が完成した時点もしくは、母配線基板に素子を搭載した時点で個片に分割してもよい。
【００３６】
図２は、図１に示す本発明の配線基板１０の実施形態において、配線導体５とビア導体３との接合部分のＡ部を拡大した図である。図２に示すように、ビア導体３と絶縁基板１との界面領域に凹部４を設け、この凹部４内に配線導体５の一部が入り込むようにしてもよい。このようにすれば、絶縁基板１とビア導体３に対する配線導体５の密着性をより向上させることができ、配線導体５とビア導体３との接続の信頼性が高くなる。
【００３７】
なお、本実施形態において、凹部４の形成方法としては、周知のセラミックスの表面化工方法を用いることができるが、例えば、次のような方法を用いることにより、簡便に形成することができる。
【００３８】
焼成後のセラミックスの表面は、一般に焼き肌面とも呼ばれ、非常に凹凸が多い。本実施形態の配線基板１０も、焼成後の表面は凹凸が多いため、配線導体５のパターンを精度よく設けるためには予め表面研磨を行うことが望ましい。ここで、配線基板１０の主面１ａを同時に研磨した時に、絶縁基板１（磁器）とビア導体３（金属）とは硬度が異なるため、削れ方が異なる。上述したように、ビア導体３と絶縁基板１の界面において、Ｅｒ−Ｙ−Ａｌ−Ｏの化合物が存在するが、ガラス質に富んだ助剤成分であるため、ビア導体３よりもさらに削れやすい。したがって、配線基板１０の主面１ａを同時研磨した時に、この絶縁基板１とビア導体３の界面部分が選択的に削られて凹部４となる。
【００３９】
図３（ａ）は、図１に示す本発明の配線基板１０の実施形態において、絶縁基板１とビア導体３とが接し合う界面部分であるＢ部を拡大して模式的に示す断面図である。また、図３（ｂ）は、図３（ａ）のＣ部を拡大して模式的に示す断面図である。図３において図１および図２と同様の部位には同様の符号を付している。
【００４０】
図３（ａ）に示すように、絶縁基板１は、窒化アルミニウムの結晶粒１１が多数個、互いに焼結し合ってなる多結晶体である。結晶粒１１同士が互いに接し合っていない部分に
は、上記の助剤成分からなる助剤相１２が入り込んでいる。すなわち、助剤相１２を介して窒化アルミニウムの結晶粒１１が液相焼結して、絶縁基板１が形成されている。なお、図３（ａ）では、わかりやすくするために、個々の結晶粒１１を実際の大きさよりも拡大して示し、それらの結晶粒１１同士が焼結し合っている界面の位置を破線で示している。実際には、結晶粒１１同士が焼結し合っている部分では、結晶粒１１同士の界面は明確には識別し難い。
【００４１】
絶縁基板１は、上記の助剤成分としてカルシウムをさらに含んでいてもよい。この場合のカルシウムは、例えばＹ、ＡｌおよびＯのいずれか１つ以上の元素と化合物を形成して絶縁基板１に含まれている。カルシウムは、例えば窒化アルミニウムの結晶粒１１の内部および表面等に分散して含まれている。
【００４２】
絶縁基板１が助剤成分としてカルシウムを含む場合には、窒化アルミニウムの結晶粒１１間の焼結性（前述した液相焼結の焼結性）が向上する。そのため、絶縁基板１内における空隙の減少等について効果がある。したがって、絶縁基板１の機械的強度の向上等の点で有効である。
【００４３】
これは、酸素成分の存在下で、助剤成分１２に含まれるカルシウム（酸化カルシウム）と、主成分である窒化アルミニウム粉末の極表面が酸化されていることによって存在する酸化アルミニウムとが共晶化して、例えば約１４００℃程度の比較的低い温度で液相を生成できることによる。
【００４４】
つまり、焼成時に、窒化アルミニウムの結晶粒１１間の隙間に液相化した助剤成分（助剤相１２）が入り込みやすくなるため、焼結性が向上する。これによって、絶縁基板１において、結晶粒１１間の隙間の残留に起因して空隙が生じるようなことが抑制されている。すなわち、助剤成分がカルシウムを含む場合には、窒化アルミニウムの結晶粒１１間の焼結性が向上する。したがって、絶縁基板１の機械的な強度の向上の効果を得ることができる。
【００４５】
上記の焼結性の向上の効果は、例えば図３（ｂ）に示すように、助剤成分であるカルシウムが、主成分である窒化アルミニウムの個々の結晶粒１１の表面部分（以下、結晶粒界という）に存在しているときに、より有効に得られる。なお、図３（ｂ）においては、カルシウム成分が比較的多く存在している部分ＣＡを仮想線で区切って示している。カルシウム成分が比較的多く存在している部分ＣＡが、窒化アルミニウムの結晶粒１１の結晶粒界に相当する。結晶粒界は、個々の結晶粒１１において、結晶粒１１同士の界面付近、および助剤相１２との界面の両方を含む。
【００４６】
なお、絶縁基板１におけるカルシウムの存在およびその含有率は、例えばエネルギー分散型Ｘ線分析（EDS、Energy Dispersive X-ray Spectrometry）で検知し、測定すること
ができる。
【００４７】
すなわち、主成分である窒化アルミニウム（結晶粒１１）の結晶粒界に、助剤成分であるカルシウムが存在していてもよい。
【００４８】
なお、この場合に、カルシウムの全てが窒化アルミニウムの結晶粒界に存在している必要はない。つまり、助剤成分であるカルシウムは、結晶粒１１の内部に存在していてもよく、助剤相１２の内部に存在していてもよい。
【００４９】
窒化アルミニウムの結晶粒界に存在するときのカルシウムについても、例えばＹ、ＡｌおよびＯのいずれか１つ以上の元素との化合物である。
【００５０】
例えば、主成分である窒化アルミニウムの結晶粒界に存在している助剤成分であるカルシウムは、イットリウム、アルミニウムおよび酸素と結晶相を形成しているものであってもよい。この結晶相は、例えばＣａ−Ｙ−Ａｌ−Ｏ系の結晶相である。このＣａ−Ｙ−Ａｌ−Ｏ系の結晶相は、助剤相１２に含有されているものである。また、助剤相１２が、Ｃａ−Ｙ−Ａｌ−Ｏ系の結晶相を主成分として含有するものであってもよい。
【００５１】
カルシウム、イットリウム、アルミニウムおよび酸素がＣａ−Ｙ−Ａｌ−Ｏ系等の結晶相を形成している場合には、前述した焼成時の液相の生成がより容易であるため、窒化アルミニウムの結晶粒１１同士の焼結性が向上する。なお、助剤相１２におけるＣａ−Ｙ−Ａｌ−Ｏ系の結晶相の含有率は、例えば約８０質量％以上である。助剤相１２の全体がＣａ−Ｙ−Ａｌ−Ｏ系の結晶相であってもよい。
【００５２】
なお、絶縁基板１におけるカルシウムの含有率は、例えば、窒化アルミニウムに対して０．０２〜０．１０質量％程度の範囲に設定すればよい。カルシウムの添加量が０．０２質量％以上であれば、上記の効果（絶縁基板１の焼結性の向上等）をより有効に得ることができる。また、カルシウムの添加量が０．１０質量％以下であれば、絶縁基板１の熱伝導性や耐薬品性の向上の点で有利である。
【００５３】
助剤成分としてカルシウムを添加する場合には、前述したグリーンシートを形成する工程において、主原料としての窒化アルミニウムに、焼結助剤として酸化カルシウムも追加して混合するようにすればよい。
【００５４】
次に、本発明の一実施形態に係る実装体２０について説明する。
【００５５】
図４は、図１に示す本発明の一実施形態に係る配線基板１０に対して、電子部品２１を搭載実装した本発明の一実施形態に係る実装体２０を側面から見た図である。
【００５６】
電子部品２１は、配線基板１０の一主面に設けられた配線導体５に対して、はんだ等の導電性接続材を介して実装搭載されている。
【００５７】
電子部品２１としては、ＩＣやＬＳＩ等の半導体集積回路素子およびＬＥＤ（発光ダイオード）やＰＤ（フォトダイオード），ＣＣＤ（電荷結合素子）等の光半導体素子を含む半導体素子，弾性表面波素子や水晶振動子等の圧電素子，容量素子，抵抗器，半導体基板の表面に微小な電子機械機構が形成されてなるマイクロマシン（いわゆるＭＥＭＳ素子）等の種々の電子部品を用いることができる。
【００５８】
すでに説明したように、本実施形態の配線基板１０は、放熱特性に関して優れた特性を有するので、特に、電子部品２１として、ＬＥＤやパワー半導体等のように、動作時に熱の発生を伴うタイプのものを実装した時に特性を十分に発揮することができる。すなわち、本実施形態の配線基板１０は、ビア導体３から絶縁基板１に至る熱の伝達が効果的に行われるので、電子部品２１の側で発生した熱がビア導体３を介して絶縁基板１に効果的に放熱され、安定して動作を行うことができるものとなる。
【符号の説明】
【００５９】
１  絶縁基板
１ａ  一主面
２  貫通孔
３  ビア導体
４  凹部
５  配線導体
１０  配線基板
１１  結晶粒
１２  助剤相
２０  実装体
２１  電子部品
【図１】
2016111338.tif 000003
【図２】
2016111338.tif 000004
【図３】
2016111338.tif 000005
【図４】
2016111338.tif 000006