(57)【要約】【課題】ウェハ裏面側の外周端部にリブ部を有する半導体ウェハから半導体装置を製造できる簡便な製造手法を提供する。【解決手段】ウェハ裏面側領域１２ｒの外周縁にリブ部１４を有する半導体ウェハ１０から半導体装置を製造するに当たり、まず、ウェハ裏面側領域１２ｒに埋設シート２０を接着し（ステップＳ１０）、ウェハ裏面側領域１２ｒとリブ部１４の段差をなくす。次いで、この形態で、半導体ウェハ１０をダイシングシート３０に接着し（ステップＳ２０）、ダイシングブレードＤｂで半導体ウェハ１０を、ウェハ表面側１２ｓの側からダイシングする（ステップＳ３０）。この際、ダイシングブレードＤｂによるダイシング深さを、ウェハ表面側１２ｓの側からリブ部１４の頂上を越えてダイシングシート３０まで達する深さとする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウェハから半導体装置を製造する製造方法であって、
前記半導体ウェハは第１の面の側の外周端部にリブ部を有し、該リブ部で取り囲まれた第１面側領域の前記第１の面に対する接合性を備えた接合部材を、前記第１面側領域に接合する接合工程と、
前記第１面側領域に接合済みの前記接合部材と前記リブ部の頂上とが貼り付け側になるようにして、前記半導体ウェハを貼着シートに貼り付ける貼付工程と、
該貼着シートに貼り付け済みの前記半導体ウェハを、前記第１の面と対向する第２の面の側からダイシングするダイシング工程とを備え、
該ダイシング工程では、
前記第２の面の側から前記リブ部の頂上を越えて前記貼着シートまで達するダイシング深さで、前記半導体ウェハをダイシングする、
半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記接合部材は、前記第１面側領域を埋めるようにして、前記第１面側領域に接合されている請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記接合工程では、前記第１面側領域から前記リブ部の頂上までの隔たりに相当する厚みを有する前記接合部材を用いる請求項１または請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記接合工程では、前記接合性の消失または低減を図る処置を受けると前記接合性を消失または低減することが可能な前記接合部材を用いる請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記接合工程では、前記第１面側領域にはんだ成分にて接合する前記接合部材を用いる請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記接合工程では、前記第１面側領域にはんだを蒸着して前記接合部材を形成する請求項５に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置は、チップ状をなし、半導体ウェハのダイシングを経て製造される。半導体ウェハは、薄葉状であることから半導体ウェハの裏面側の外周端部にリブ部を設けることで、ダイシングの工程とそれ以前の工程での機械的強度を確保している。その反面、リブ部は、最終製品たる半導体装置には無用である。よって、リブ部を除去した上でダイシングを図る手法が提案されている（例えば、特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００９−２８９８０９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記した特許文献で提案された手法では、ダイシングを図る前にリブ部を除去することを必須としていることから、リブ部の除去に特化した機器制御や機器構成が必要となる。こうしたことから、ウェハ裏面側の外周端部にリブ部を有する半導体ウェハから簡便な手法で半導体装置を製造することが要請されるに到った。
【０００５】
本発明は、上記した課題を踏まえ、ウェハ裏面側の外周端部にリブ部を有する半導体ウェハから半導体装置を製造できる簡便な製造手法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記した課題の少なくとも一部を達成するために、本発明は、以下の形態として実現することができる。
【０００７】
（１）本発明の一形態によれば、半導体装置の製造方法が提供される。この半導体装置の製造方法は、半導体ウェハから半導体装置を製造する製造方法であって、前記半導体ウェハは第１の面の側の外周端部にリブ部を有し、該リブ部で取り囲まれた第１面側領域の前記第１の面に対する接合性を備えた接合部材を、前記第１面側領域に接合する接合工程と、前記第１面側領域に接合済みの前記接合部材と前記リブ部の頂上とが貼り付け側になるようにして、前記半導体ウェハを貼着シートに貼り付ける貼付工程と、該貼着シートに貼り付け済みの前記半導体ウェハを、前記第１の面と対向する第２の面の側からダイシングするダイシング工程とを備える。そして、このダイシング工程では、前記第２の面の側から前記リブ部の頂上を越えて前記貼着シートまで達するダイシング深さで、前記半導体ウェハをダイシングする。
【０００８】
この形態の半導体装置の製造方法では、第１面側領域に接合された接合部材が半導体ウェハにおける第１面側領域とリブ部の段差をなくす、或いは格段に小さくするので、リブ部を有する半導体ウェハを平板状のウェハとしての取扱を可能とする。そして、ダイシング工程では、ウェハ表面側からリブ部の頂上を越えて貼着シートまで達するダイシング深さでダイシングするので、リブ部については、ダイシングの過程で第１面側領域から分離できる。この結果、形態の半導体装置の製造方法によれば、リブ部の除去に特化した機器制御や機器構成が不要となるので、製造コスト低減が可能となる他、ウェハ裏面側の外周端部にリブ部を有する半導体ウェハから容易に半導体装置を製造することができる。
【０００９】
（２）上記形態の半導体装置の製造方法において、前記接合部材は、前記第１面側領域を埋めるようにして、前記第１面側領域に接合されているようにしてもよい。こうすれば、第１面側領域とリブ部の段差がなくなる、或いは各段に小さくなった範囲が広がった上で、貼着シートとの貼り付け範囲も広がる。
【００１０】
（３）上記形態の半導体装置の製造方法において、前記接合工程では、前記第１面側領域から前記リブ部の頂上までの隔たりに相当する厚みを有する前記接合部材を用いるようにしてもよい。こうすれば、半導体ウェハにおける第１面側領域とリブ部の段差が消失するので、ダイシングの過程においてリブ部の頂上についても確実に貼着シートに貼り付けでき、リブ部の周辺でのダイシングに支障を来さないようにできる。
【００１１】
（４）上記形態の半導体装置の製造方法において、前記接合工程では、前記接合性の消失または低減を図る処置を受けると前記接合性を消失または低減することが可能な前記接合部材を用いるようにしてもよい。こうすれば、ダイシングの実施済みの状態において、接合性の消失または低減を図る処置を接合部材に施せば、ダイシングで得られたチップ状の半導体装置を、単独で取り除く（ピックアップ）ことができる。
【００１２】
（５）先の形態の半導体装置の製造方法において、前記接合工程では、前記第１面側領域にはんだ成分にて接合する前記接合部材を用いるようにしてもよい。こうすれば、第１面側領域にはんだ成分にて接合部材が接合済みの状態で、ダイシングで得られたチップ状の半導体装置を貼着シートから取り除いて（ピックアップ）、後工程に送ることができる。
【００１３】
（６）上記形態の半導体装置の製造方法において、前記接合工程では、前記第１面側領域にはんだを蒸着して前記接合部材を形成するようにしてもよい。こうすれば、接合部材がより確実に接合した状態で、ダイシングで得られたチップ状の半導体装置を貼着シートから取り除いて（ピックアップ）、後工程に送ることができる。
【００１４】
本発明は、半導体装置の製造装置、半導体ウェハの製造方法や製造装置としても適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の実施形態としての半導体装置の製造方法の前半の工程を模式的に示す説明図である。
【図２】半導体装置の製造方法の後半の工程を模式的に示す説明図である。
【図３】クロス状にダイシングした場合のダイシング痕Ｄｒと半導体ウェハ１０との関係をウェハ表面側１２ｓの側から平面視して概略的に示す説明図である。
【図４】本発明の他の実施形態の半導体装置の製造方法の前半の工程を模式的に示す説明図である。
【図５】半導体装置の製造方法の後半の工程を模式的に示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明の実施の形態について、図面に基づき説明する。図１は本発明の実施形態としての半導体装置の製造方法の前半の工程を模式的に示す説明図、図２は半導体装置の製造方法の後半の工程を模式的に示す説明図である。
【００１７】
ステップＳ１０では、半導体ウェハ１０と埋設シート２０とを用いる。図１に示すように、半導体装置の製造に用いる半導体ウェハ１０は、ウェハ中央の円形の半導体形成部１２とその周囲のリブ部１４とを備える。半導体形成部１２は、薄葉平板状をなし、第２の面の側であるウェハ表面側１２ｓから、チップ状の半導体装置が多行多列に亘り既に形成済みである。リブ部１４は、半導体形成部１２の第１の面の側であるウェハ裏面側の外周端部から立ち上がり、ウェハ裏面側領域１２ｒを取り囲む。こうしたリブ部１４の形成に当たっては、円形の研磨部にてウェハ裏面側領域１２ｒの中央部を薄く研磨するような既存の手法が適用できる。また、半導体ウェハ１０の口径サイズ、厚み、材質等についても、既存の半導体ウェハと変わるものではない。
【００１８】
埋設シート２０は、リブ部１４で取り囲まれた第１面側領域たるウェハ裏面側領域１２ｒの外郭円と同径、もしくは外郭円より小径の円盤状をなし、ウェハ裏面側領域１２ｒのウェハ裏面に対して接着性を備える接合部材である。この接着性は、薬剤（例えば、紫外線硬化型モノマーや光重合開始剤等）にて発揮され、埋設シート２０は、ウェハ裏面側領域１２ｒに接着される側の表面表層部に、上記の薬剤を含有する。この薬剤は、紫外線の照射を受けると接着性を消失する性状を有する。また、埋設シート２０は、半導体ウェハ１０のウェハ裏面側領域１２ｒからリブ部１４の頂上までの隔たりと同一の厚みを有し、一方のシート表面にて、上記薬剤による接着性を呈する。そして、ステップＳ１０では、紫外線が照射されない環境下、例えば通常の照明環境下において、埋設シート２０を、半導体ウェハ１０のウェハ裏面側領域１２ｒを埋めるように、このウェハ裏面側領域１２ｒに接着させる。これにより、埋設シート２０は、半導体ウェハ１０におけるウェハ裏面側領域１２ｒとリブ部１４の段差をなくす。
【００１９】
本実施形態では、埋設シート２０の厚みを、半導体ウェハ１０のウェハ裏面側領域１２ｒからリブ部１４の頂上までの隔たりと同一としたが、シート製造上の製造公差の範囲で同一であればよいほか、後述のダイシングシート３０への半導体ウェハ１０の接着の際のダイシングシート３０の撓み代程度の範囲で、上記の隔たりと相違してもよい。なお、このステップＳ１０での埋設シート２０の接着以降、後述のステップＳ３０でのダイシングまでは、紫外線が照射されない通常の照明環境下で各ステップの処理がなされる。
【００２０】
また、埋設シート２０の外径をウェハ裏面側領域１２ｒの外郭円と同径とすれば、埋設シート２０は、隙なく、ウェハ裏面側領域１２ｒを埋めるので、後述のステップＳ２０でのダイシングシート３０との貼着範囲が広がる。そして、埋設シート２０の外径がウェハ裏面側領域１２ｒの外郭円より小径であれば、埋設シート２０は、リブ部１４の内周壁に隙間を残してウェハ裏面側領域１２ｒを埋めるので、隙間の分だけダイシングシート３０との接着範囲が狭くなる。しかしながら、この隙間がウェハ口径に対して０〜３％の範囲であれば、ダイシングシート３０との貼着後のダイシングに支障を来さない。この際、ウェハ表面側１２ｓにおけるワーク（半導体装置）の占有範囲を考慮すれば、なお好ましい。
【００２１】
ステップＳ２０では、半導体ウェハ１０よりも大径の円形ステージＳにおいて、貼着シートとしての円形のダイシングシート３０に、埋設シート２０を接着済みの半導体ウェハ１０を接着させる。ダイシングシート３０は、既存のダイシングシートと同様の接着性をシート上面に備えるので、図示するように、ウェハ裏面側領域１２ｒに接着済みの埋設シート２０とリブ部１４の頂上とが貼り付け側になるようにして、シート上面（接着面）に、半導体ウェハ１０を押圧する。半導体ウェハ１０では、既述したように埋設シート２０により段差がなくされていることから、ダイシングシート３０には、ウェハ裏面側領域１２ｒに接着済みの埋設シート２０の全域とリブ部１４の頂上全域とが接着する。なお、ダイシングシート３０は、周縁において環状のダイシングリング３２を接着させている。
【００２２】
ステップＳ３０では、ダイシングシート３０に接着済みの半導体ウェハ１０を、ウェハ表面側１２ｓの側からダイシングする。このダイシングでは、ダイシングブレードＤｂが用いられる。そして、このダイシングブレードＤｂによる半導体ウェハ１０のダイシングは、ウェハ表面側１２ｓの側からリブ部１４の頂上を越えてダイシングシート３０まで達する深さでなされる。つまり、回転するダイシングブレードＤｂを、図１の紙面奥側から手前側とその逆側に、また、図１の紙面左側から右側とその逆側にクロス状に移動しつつ、半導体ウェハ１０をダイシングするに当たり、半導体ウェハ１０と埋設シート２０に加えダイシングシート３０にもダイシング痕Ｄｒが残るようにする。本実施形態では、ダイシングブレードＤｂがダイシングシート３０を、ほぼ半分の厚みまで切削して、ダイシング痕Ｄｒを残すようにした。
【００２３】
図３はクロス状にダイシングした場合のダイシング痕Ｄｒと半導体ウェハ１０との関係をウェハ表面側１２ｓの側から平面視して概略的に示す説明図である。この図３では、上段にクロス斜線で示したリブ部１４を有する半導体ウェハ１０のダイシングの様子が示され、下段には、リブ部１４を備えない半導体ウェハ１０のダイシングの様子が示されている。なお、この図における矩形斜線領域は、有効な半導体装置１２ｔを示している。
【００２４】
この図３に示すように、クロス状に残ったダイシング痕Ｄｒにより、リブ部１４は、総て半導体形成部１２から分離される。詳しくは、半導体形成部１２における矩形斜線領域の有効な半導体装置１２ｔからも、総てリブ部１４は分離される。そして、リブ部１４を有する半導体ウェハ１０をダイシングした場合に得られる矩形斜線領域の有効な半導体装置１２ｔは、図３の下段に示すように、リブ部１４を備えず半導体形成部１２だけを有する半導体ウェハ１０をダイシングした場合と、全く同じとなる。
【００２５】
ステップＳ４０では、図２に示すように、ダイシングリング３２と円形ステージＳとを相対的に上下動させる。こうすると、ダイシングリング３２と円形ステージＳの上記の相対移動の分だけ、ダイシングシート３０は引っ張られて延びる。この延びは、ダイシングシート３０の各所で現れるので、ダイシング痕Ｄｒの間隔は拡張する。
【００２６】
ステップＳ５０では、円形ステージＳの内部から、埋設シート２０に紫外線を照射する。この紫外線照射を受けて、埋設シート２０は、ウェハ裏面側領域１２ｒ（図１：ステップＳ１０参照）に接着していたシート表層において接着性を消失する。
【００２７】
ステップＳ６０では、半導体ウェハ１０の側の図示しないピックアップ工具にて、半導体装置１２ｔだけを取り除き、後工程であるリード付け工程に搬送する。なお、半導体装置１２ｔの取り除きの際、円形ステージＳの側からは、図示しないピッキング工具にて半導体装置１２ｔが押し上げられる。
【００２８】
以上説明したように、本実施形態の半導体装置の製造方法では、ウェハ裏面側領域１２ｒに埋設シート２０を接着することで（ステップＳ１０）、この埋設シート２０により半導体ウェハ１０におけるウェハ裏面側領域１２ｒとリブ部１４の段差をなくす。これにより、本実施形態の半導体装置の製造方法では、リブ部１４を有する半導体ウェハ１０を、ステップＳ２０以降の各工程において、平板状のウェハとしての取扱を可能とする。その上で、本実施形態の半導体装置の製造方法では、ステップＳ３０にてダイシングブレードＤｂで半導体ウェハ１０をウェハ表面側１２ｓの側からダイシングするに当たり、ダイシングブレードＤｂによるダイシング深さを、ウェハ表面側１２ｓの側からリブ部１４の頂上を越えてダイシングシート３０まで達する深さとした。こうすることで、半導体ウェハ１０と埋設シート２０に加えダイシングシート３０にもダイシング痕Ｄｒを残す。そして、こうした深さでのダイシングにより、本実施形態の半導体装置の製造方法では、リブ部１４を、ダイシングの過程でウェハ裏面側領域１２ｒの半導体形成部１２、詳しくは半導体装置１２ｔからダイシング痕Ｄｒを隔てて分離できる（図３参照）。この結果、本実施形態の半導体装置の製造方法によれば、リブ部１４の除去に特化した機器制御や機器構成が不要となるので、半導体装置１２ｔの製造コストを低減できる他、ウェハ裏面側領域１２ｒの外周端部にリブ部１４を有する半導体ウェハ１０から半導体装置１２ｔを容易に製造できる。
【００２９】
本実施形態の半導体装置の製造方法では、半導体ウェハ１０のウェハ裏面側領域１２ｒからリブ部１４の頂上までの隔たりと同一の厚みを有する埋設シート２０をウェハ表面側１２ｓに接着した。よって、本実施形態の半導体装置の製造方法によれば、半導体ウェハ１０におけるウェハ裏面側領域１２ｒとリブ部１４の段差を消失できるので、ダイシングの過程においてリブ部１４の頂上についても確実にダイシングシート３０に接着でき、リブ部１４の周辺でのダイシングブレードＤｂによるダイシングに特段の支障を来さない。このことは、ダイシング過程でのリブ部１４のビビリを生じないので、ダイシング精度の向上にも寄与する。
【００３０】
本実施形態の半導体装置の製造方法では、紫外線の照射を受けるとウェハ裏面側領域１２ｒに対する接着性を消失する埋設シート２０を用い、この埋設シート２０をウェハ表面側１２ｓに接着させた。よって、本実施形態の半導体装置の製造方法によれば、ダイシングの後工程（ステップＳ５０）において紫外線の照射処置を埋設シート２０に施すことで、ダイシングで得られたチップ状の半導体装置１２ｔを、単独で取り除いて（ピックアップ）、後工程に搬送できる。
【００３１】
本実施形態の半導体装置の製造方法では、半導体装置１２ｔのピックアップに先立ち、ダイシングシート３０を延ばしてダイシング痕Ｄｒの間隔を拡張する。よって、本実施形態の半導体装置の製造方法によれば、半導体装置１２ｔを容易にピックアップできる。
【００３２】
本実施形態の半導体ウェハ１０は、ウェハ裏面側領域１２ｒの外周端部にリブ部１４を有し、このリブ部１４で取り囲まれたウェハ裏面側領域１２ｒに埋設シート２０を接着して備える。そして、埋設シート２０を、ウェハ裏面側領域１２ｒからリブ部１４の頂上までの隔たりと同一の厚みを有するものとし、埋設シート２０でウェハ裏面側領域１２ｒを埋めるようにした。つまり、半導体ウェハ１０、第１の面の側たるウェハ裏面側領域１２ｒの外周端部にリブ部１４を有するほか、埋設シート２０を有する。そして、この埋設シート２０は、リブ部１４で取り囲まれた第１面側領域のウェハ裏面たるウェハ裏面側領域１２ｒに対する接合性を備えると共に、ウェハ裏面側領域１２ｒからリブ部１４の頂上までの隔たりに相当する厚みを有する。そして、半導体ウェハ１０は、埋設シート２０を、ウェハ裏面側領域１２ｒを埋めるようにして、ウェハ裏面側領域１２ｒに接合して備える。よって、この半導体ウェハ１０によれば、平板状のウェハとしての取扱を、ダイシングシート３０への接着（ステップＳ２０）とダイシング（ステップＳ３０）の各工程において可能とするので、半導体装置１２ｔの製造装置や製造工程での取扱や運搬の簡便化を可能とする。
【００３３】
次に、他の実施形態の半導体装置の製造方法について説明する。図４は本発明の他の実施形態の半導体装置の製造方法の前半の工程を模式的に示す説明図、図５は半導体装置の製造方法の後半の工程を模式的に示す説明図である。この実施形態の製造方法は、ウェハ裏面側領域１２ｒを、はんだ自体もしくははんだ成分を含有したはんだシート２０ｈにて埋める点に特徴がある。
【００３４】
ステップＳ１１では、上記した半導体ウェハ１０のウェハ裏面側領域１２ｒに蒸着ノズルＮからはんだを噴霧して、ウェハ裏面側領域１２ｒにはんだ層を直接、蒸着形成する。或いは、はんだ成分を含有して熱によりウェハ裏面側領域１２ｒに接合可能なはんだシート２０ｈを、半導体ウェハ１０のウェハ裏面側領域１２ｒを埋めるように配設し、熱輻射により、はんだシート２０ｈをウェハ裏面側領域１２ｒに接合させる。この場合、蒸着を経て形成するはんだ層の厚みと、接合状態でのはんだシート２０ｈの厚みは、既述した埋設シート２０と同様、半導体ウェハ１０のウェハ裏面側領域１２ｒからリブ部１４の頂上までの隔たりと同一とされている。よって、この実施形態のはんだ層およびはんだシート２０ｈにあっても、半導体ウェハ１０におけるウェハ裏面側領域１２ｒとリブ部１４の段差をなくす。以下、蒸着を経て形成済みのはんだ層は、はんだシート２０ｈと等価に扱うことができるので、以下、はんだ層についても、便宜上、はんだシート２０ｈと称する。
【００３５】
ステップＳ２０では、埋設シート２０の場合と同様、円形ステージＳにおいて、円形の貼着シート３１に、はんだシート２０ｈを接合済みの半導体ウェハ１０を接着させる。貼着シート３１は、既述したダイシングシート３０と同じシートでもよいほか、押圧力に応じた接着力をもたらすいわゆる感圧式の貼着シートとできる。この実施形態であっても、半導体ウェハ１０では、はんだシート２０ｈにより段差がなくされていることから、貼着シート３１には、ウェハ裏面側領域１２ｒに接合済みのはんだシート２０ｈの全域とリブ部１４の頂上全域とが接着する。
【００３６】
ステップＳ３０では、埋設シート２０の場合と同様、半導体ウェハ１０を、ウェハ表面側１２ｓの側からダイシングブレードＤｂにてダイシングする。ダイシングブレードＤｂによるダイシング深さは、埋設シート２０の場合と同様であり、半導体ウェハ１０とはんだシート２０ｈに加え貼着シート３１にもダイシング痕Ｄｒが残る。
【００３７】
ステップＳ４０では、図５に示すように、埋設シート２０の場合と同様、ダイシングリング３２と円形ステージＳとを相対的に上下動させ、ダイシング痕Ｄｒの間隔を拡張する。
【００３８】
本実施形態の製造方法では、既述したステップＳ５０（紫外線照射）は不要であり、ステップＳ４０に続きステップＳ６０に移行する。そして、このステップＳ６０では、半導体ウェハ１０の側のピックアップ工具にて、半導体装置１２ｔとこれに接着済みのはんだシート２０ｈのダイシング断片とを取り除き、後工程であるリード付け工程に搬送する。なお、半導体装置１２ｔの取り除きの際、円形ステージＳの側からは、図示しないピッキング工具にてはんだシート２０ｈのダイシング断片が押し上げられる。
【００３９】
以上説明したように、この実施形態の半導体装置の製造方法によっても、ウェハ裏面側領域１２ｒにはんだシート２０ｈを接合することで（ステップＳ１０）、既述したように平板状のウェハとしての取扱を可能とする。その上で、この実施形態の半導体装置の製造方法によっても、ダイシングブレードＤｂによるダイシング深さを、ウェハ表面側１２ｓの側からリブ部１４の頂上を越えてダイシングシート３０まで達する深さとするので、リブ部１４の除去に特化した機器制御や機器構成の不要化、これに伴うコスト低減等の効果を奏することができる。また、この実施形態の半導体装置の製造方法によっても、ダイシング痕Ｄｒの拡張に伴う半導体装置１２ｔのピックアップの簡便化を図ることもできる。
【００４０】
図４〜図５に示す実施形態の半導体装置の製造方法では、はんだ蒸着を経て形成したはんだ層、或いははんだ成分を含有したはんだシート２０ｈをウェハ裏面側領域１２ｒに接合する。そして、この実施形態の半導体装置の製造方法では、はんだシート２０ｈのダイシング断片を接合したままの半導体装置１２ｔをピックアップして、ダイシングで得られたチップ状の半導体装置１２ｔを、はんだシート２０ｈのダイシング断片を接合したまま、後工程のワイヤーボンディング工程に搬送できる。このワイヤーボンディングでは、リードフレームに半導体装置１２ｔを固定する必要がある。そうすると、この実施形態の半導体装置の製造方法によれば、ステップＳ６０でピックアップしたチップ状の半導体装置１２ｔを、はんだシート２０ｈのダイシング断片を介してワイヤーボンディング工程のリードフレームに直接固定でき、簡便である。
【００４１】
この実施形態の半導体装置の製造方法では、はんだシート２０ｈをはんだ蒸着を経て形成したはんだ層とした場合には、このはんだ層たるはんだシート２０ｈがより確実に半導体装置１２ｔに接合した状態で、半導体装置１２ｔをワイヤーボンディング工程に搬送する。よって、この実施形態の半導体装置の製造方法によれば、リードフレームに半導体装置１２ｔをより簡便に固定できる。
【００４２】
以上、本発明の実施の形態を実施例にて説明したが、本発明は上記した実施例や変形例の実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々の態様にて実施することが可能である。
【符号の説明】
【００４３】
１０…半導体ウェハ
１２…半導体形成部
１２ｒ…ウェハ裏面側領域
１２ｓ…ウェハ表面側
１２ｔ…半導体装置
１４…リブ部
２０…埋設シート
２０ｈ…はんだシート
３０…ダイシングシート
３１…貼着シート
３２…ダイシングリング
Ｓ…円形ステージ
Ｎ…蒸着ノズル
Ｄｂ…ダイシングブレード
Ｄｒ…ダイシング痕
【図１】
2016018872.tif 000003
【図２】
2016018872.tif 000004
【図３】
2016018872.tif 000005
【図４】
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【図５】
2016018872.tif 000007