(57)【要約】【課題】ＴＦＴ基板に対する対向基板の位置ずれの抑制および柱状スペーサによる配向膜の削れを防止する。【解決手段】走査線１０が第１の方向に延在して第２の方向に配列し、映像信号線２０が第２の方向に延在して第１の方向に配列し、走査線１０と映像信号線２０に囲まれた領域に画素電極１１２が形成され、画素電極１１２に対して絶縁膜を介してコモン電極が形成されたＴＦＴ基板と、ＴＦＴ基板と対向して柱状スペーサ４０を有する対向基板が配置され、ＴＦＴ基板と対向基板の間に液晶が挟持された液晶表示装置であって、映像信号線２０または走査線１０を覆うようにして、コモン電極と積層してコモン金属配線３０が形成され、コモン金属配線３０にはスルーホール７０が形成され、スルーホール７０の内部に柱状スペーサ４０の先端が配置していることを特徴とする液晶表示装置。【選択図】図２
2016148807.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
走査線と、映像信号線と、前記走査線と前記映像信号線とに囲まれた領域に形成された画素電極と、前記画素電極に対して絶縁膜を介して形成されたコモン電極とが形成されたＴＦＴ基板と、スペーサを有する対向基板と、前記ＴＦＴ基板と前記対向基板の間に挟持された液層とを有する液晶表示装置であって、
前記映像信号線または前記走査線を覆うようにして、前記コモン電極と積層してコモン金属配線が形成され、前記コモン金属配線には、スルーホールが形成され、
前記スルーホールの内部に前記スペーサの先端が配置していることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記スルーホールの一部に開放部が設けられ、前記スルーホールは、前記コモン金属配線の外側に開放されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記開放部は、平面で視て前記スルーホールの半分以下にわたって形成されていることを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記コモン金属配線は前記コモン電極の上側に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
互いに異なる色を表示する前記画素が第１の方向に配列し、前記画素の前記第１の方向の境界における前記コモン金属配線の幅は、前記第1の方向に隣接する境界における前記コモン金属配線の幅と異なることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
互いに互いに異なる色を表示する前記画素が前記第１の方向に配列し、前記画素の前記第１の方向の境界における前記コモン金属配線は、前記境界における前記映像信号線の中心を基準にした場合、左右において、幅が異なることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記コモン金属配線の前記スルーホールと重畳して、前記絶縁膜にスルーホールが形成されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記コモン電極は、前記画素電極の上側に形成されていることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか1項に記載の液晶表示装置。
【請求項９】
前記コモン金属配線は、３層構造であることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか1項に記載の液晶表示装置。
【請求項１０】
前記コモン金属配線は２層構造であることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか1項に記載の液晶表示装置。
【請求項１１】
走査線が第１の方向に延在し、映像信号線が第２の方向に延在し、前記走査線と前記映像信号線に囲まれた領域に画素電極が形成され、前記画素電極に対して第１の絶縁膜を介してコモン電極が形成されたＴＦＴ基板と、前記ＴＦＴ基板と対向してスペーサを有する対向基板が配置され、前記ＴＦＴ基板と前記対向基板の間に液晶が挟持された液晶表示装置であって、
前記画素電極、前記第１の絶縁膜、前記コモン電極は第２の絶縁膜の上に形成され、前記第２の絶縁膜には、前記画素電極とＴＦＴを接続するためのコンタクトホールが形成され、
前記映像信号線または前記走査線を覆うようにして、前記コモン電極と積層してコモン金属配線が形成され、前記コモン金属配線には、スルーホールが形成され、
前記スルーホールの内部に前記スペーサが配置しており、
前記映像信号線を覆う前記コモン金属配線は、前記コンタクトホールが形成されている付近においては、前記第１の方向に映像信号線の1本おき毎に形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１２】
前記コンタクトホールの中心は、前記第１の方向において、前記画素の中心に対し、前記コンタクトホールが形成されている付近において前記映像信号線が形成されている部分から遠ざかる方向に配置されていることを特徴とする請求項１１に記載の液晶表示装置。
【請求項１３】
走査線が第１の方向に延在し、映像信号線が第２の方向に延在し、前記走査線と前記映像信号線に囲まれた領域に画素電極が形成され、前記画素電極に対して絶縁膜を介してコモン電極が形成されたＴＦＴ基板と、前記ＴＦＴ基板と対向してスペーサを有する対向基板が配置され、前記ＴＦＴ基板と前記対向基板の間に液晶が挟持された液晶表示装置であって、
前記映像信号線の延在方向は液晶の初期配向方向と所定の角度を有しており、
前記映像信号線を覆うようにして、前記コモン電極と積層してコモン金属配線が形成され、
前記コモン電極の幅は前記映像信号線の幅よりも大きく、
前記映像信号線の厚さは前記コモン電極の厚さよりも大きいことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１４】
前記所定の角度は５度乃至１５であることを特徴とする請求項１３に記載の液晶表示装置。
【請求項１５】
前記映像信号線と前記コモン金属配線の間には、断面で視て、絶縁膜が存在し、前記絶縁膜の厚さをｙとし、前記コモン金属配線の幅を
ｗ１、前記映像信号線の幅をｗ２とし、ｘ=（ｗ1−ｗ２）/２としたとき、ｘ≧ｙｔａｎ５°であることを特徴とする請求項１３に記載の液晶表示装置。
【請求項１６】
前記ｘは３μｍ以下であることを特徴とする請求項１５に記載の液晶表示装置。
【請求項１７】
前記コモン金属配線は３層構造であることを特徴とする請求項１3乃至１６のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項１８】
前記コモン金属配線は２層構造であることを特徴とする請求項１3乃至１６のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は液晶表示装置に係り、特に黒表示のときの光漏れを対策した高コントラストの液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置は、画素電極および薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等を有する画素がマトリクス状に形成されたＴＦＴ基板と、ＴＦＴ基板に対向した対向基板と、ＴＦＴ基板と対向基板との間に挟持された液晶とからなる液晶表示パネルを有している。そして液晶分子による光の透過率を画素毎に制御することによって画像を形成している。
【０００３】
液晶表示装置では、ＴＦＴ基板と対向基板の間隔を維持するために、一方の基板に柱状スペーサを形成している。高精細になると、すべての画素に対応して柱状スペーサを形成することが困難になる。「特許文献１」には、柱状スペーサを配置しない画素に突起を配置することにより、すべての画素において、液晶の初期配向を均一にする構成が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−２３４５８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ＴＦＴ基板と対向基板との間隔を一定に保つために対向基板側に柱状スペーサを設けた場合、対向基板を指等で押したとき、柱状スペーサの位置がずれ、この時、柱状スペーサがＴＦＴ基板側の配向膜を削る現象が生ずる。配向膜の削りくずや配向膜の欠損が発生すると、この部分において、光もれが生じ、これによる輝点が生ずる。
【０００６】
一方、液晶を初期配向させるために配向膜が用いられるが、配向膜の配向軸と映像信号線等の向きが異なると、映像信号線の側面で反射した光の偏光方向が変化し、この反射光は充分遮光されないために、コントラストが低下する。
【０００７】
本発明は、以上の課題を解決するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は上記課題を克服するものであり、主な具体的な手段は次のとおりである。
【０００９】
（１）走査線１０が第１の方向に延在して第２の方向に配列し、映像信号線が第２の方向に延在して第１の方向に配列し、前記走査線と前記映像信号線に囲まれた領域に画素電極が形成され、前記画素電極に対して絶縁膜を介してコモン電極が形成されたＴＦＴ基板と、前記ＴＦＴ基板と対向して柱状スペーサを有する対向基板が配置され、前記ＴＦＴ基板と前記対向基板の間に液晶が挟持された液晶表示装置であって、前記映像信号線または前記走査線を覆うようにして、前記コモン電極と積層してコモン金属配線が形成され、前記コモン金属配線には、スルーホールが形成され、前記スルーホールの内部に前記柱状スペーサの先端が配置していることを特徴とする液晶表示装置。
【００１０】
（２）走査線１０が第１の方向に延在して第２の方向に配列し、映像信号線が第２の方向に延在して第１の方向に配列し、前記走査線と前記映像信号線に囲まれた領域に画素電極が形成され、前記画素電極に対して第１の絶縁膜を介してコモン電極が形成されたＴＦＴ基板と、前記ＴＦＴ基板と対向して柱状スペーサを有する対向基板が配置され、前記ＴＦＴ基板と前記対向基板の間に液晶が挟持された液晶表示装置であって、前記画素電極、前記第１の絶縁膜、前記コモン電極は第２の絶縁膜の上に形成され、前記第２の絶縁膜には、前記画素電極とＴＦＴを接続するためのコンタクトホールが形成され、前記映像信号線または前記走査線を覆うようにして、前記コモン電極と積層してコモン金属配線が形成され、前記コモン金属配線には、スルーホールが形成され、前記スルーホールの内部に前記柱状スペーサが配置しており、前記映像信号線を覆う前記コモン金属配線は、前記コンタクトホールが形成されている付近においては、前記第１の方向に映像信号線の1本おき毎に形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
【００１１】
（３）走査線１０が第１の方向に延在して第２の方向に配列し、映像信号線が第２の方向に延在して第１の方向に配列し、前記走査線と前記映像信号線に囲まれた領域に画素電極が形成され、前記画素電極に対して絶縁膜を介してコモン電極が形成されたＴＦＴ基板と、前記ＴＦＴ基板と対向して柱状スペーサを有する対向基板が配置され、前記ＴＦＴ基板と前記対向基板の間に液晶が挟持された液晶表示装置であって、前記映像信号線の延在方向は液晶の初期配向方向と所定の角度を有しており、前記映像信号線を覆うようにして、前記コモン電極と積層してコモン金属配線が形成され、前記コモン電極の幅は前記映像信号線の幅よりも大きく、前記映像信号線の厚さは前記コモン電極の厚さよりも大きいことを特徴とする液晶表示装置。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明が適用される液晶表示装置の断面図である。
【図２】実施例１による画素の平面図である。
【図３】図２のＡ−Ａ断面図である。
【図４】図２のＢ−Ｂ断面図である。
【図５】本発明の効果を示す断面図である。
【図６】ＴＦＴ基板と対向基板のずれが大きい場合の本発明の効果を示す断面図である。
【図７】配向軸と反射面が平行な場合の偏光光の反射を示す模式図である。
【図８】配向軸と反射面が平行でない場合の偏光光の反射を示す模式図である。
【図９】実施例２を示す断面図である。
【図１０】本発明における映像信号線の幅とコモン金属配線の幅の関係を示す断面図である。
【図１１】コモン金属配線の断面が台形の場合の断面図である。
【図１２】コモン金属配線の断面図の他の例である。
【図１３】コモン金属配線の断面図のさらに他の例である。
【図１４】コモン金属配線の断面図のさらに他の例である。
【図１５】実施例３の断面図である。
【図１６】コモン金属配線の断面が台形の場合の他の断面図である。
【図１７】コモン金属配線の断面図の他の例である。
【図１８】コモン金属配線の断面図のさらに他の例である。
【図１９】ＴＦＴ基板と対向基板にずれが存在しない場合の断面図である。
【図２０】ＴＦＴ基板と対向基板にずれが存在し、混色を生ずる場合の断面図である。
【図２１】本発明において、ＴＦＴ基板と対向基板にずれが存在しない場合の断面図である。
【図２２】本発明の効果を示す断面図である。
【図２３】本発明の他の態様を示す断面図である。
【図２４】実施例５の平面図である。
【図２５】実施例５の他の態様を示す平面図である。
【図２６】実施例６の第１の例である。
【図２７】実施例６の第２の例である。
【図２８】実施例６の第３の例である。
【図２９】実施例６の第４の例である。
【図３０】実施例６の第５の例である。
【図３１】図２６のＣ−Ｃ断面図である。
【図３２】図２８のＤ−Ｄ断面図である。
【図３３】実施例７の平面図である。
【図３４】図３３のＥ−Ｅ断面図である。
【図３５】実施例８の平面図である。
【図３６】図３５のＦ−Ｆ断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
液晶表示装置は視野角が問題である。ＩＰＳ（Ｉｎ  Ｐｌａｎｅ  Ｓｗｉｃｈｉｎｇ）方式は、液晶分子を回転させることによって透過率を制御するもので優れた視野角特性を有している。ＩＰＳ方式も種々存在するが、例えば、コモン電極を平面状に形成し、その上に、絶縁膜を挟んで櫛歯状（線状）の画素電極を配置し、画素電極とコモン電極の間に発生する電界によって液晶分子を配向（回転）させる方式が、比較的、透過率を大きくすることが出来るので、現在主流となっている。尚、画素電極を平面状とし、コモン電極を線状電極とすることも可能である。
【００１４】
図１はこのようなＩＰＳ方式の液晶表示パネルの断面図である。図１におけるＴＦＴ（薄膜トランジスタ）は、いわゆるトップゲートタイプのＴＦＴであり、使用される半導体としては、ＬＴＰＳ（Ｌｏｗ  Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  Ｐｏｌｙ−Ｓｉｌｉｃｏｎ）が使用されている。一方、ａ−Ｓｉ（アモルファスシリコン）半導体や一部のＬＴＰＳを使用した場合は、いわゆるボトムゲート方式のＴＦＴが多く用いられる。以後の説明では、トップゲート方式のＴＦＴを用いた場合を例にして説明するが、ボトムゲート方式のＴＦＴを用いた場合についても、本発明を適用することが出来る。
【００１５】
図１において、ガラスや樹脂等からなるＴＦＴ基板１００の上に窒化シリコンからなる第１下地膜１０１および酸化シリコン（ＳｉＯ２）からなる第２下地膜１０２がＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）によって形成される。第１下地膜１０１および第２下地膜１０２の役割は基板１００からの不純物が半導体層１０３を汚染することを防止することである。
【００１６】
第２下地膜１０２の上には半導体層１０３が形成される。この半導体層１０３は、第２下地膜１０２に上にＣＶＤによってａ−Ｓｉ膜を形成し、これをレーザアニールすることによって多結晶シリコン（ｐｏｌｙ−Ｓｉ）膜に変換したものである。このｐｏｌｙ−Ｓｉ膜をフォトリソグラフィによってパターニングすることで島状の半導体膜を形成する。
【００１７】
半導体膜１０３の上にはゲート絶縁膜１０４が形成される。このゲート絶縁膜１０４はＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）による酸化シリコン膜である。この膜もＣＶＤによって形成される。その上にゲート電極１０５が形成される。ゲート電極１０５は走査線１０が兼ねている。ゲート電極１０５は例えば、モリブデンタングステン（ＭｏＷ）膜等の高融点金属やそれらの合金によって形成される。ゲート電極１０５あるいは走査線１０の抵抗を小さくする必要があるときはアルミニウム（Ａｌ）や銅（Ｃｕ）等の低抵抗金属と高融点金属との積層膜が使用される。
【００１８】
その後、ゲート電極１０５を覆って層間絶縁膜１０６を窒化シリコンと酸化シリコンと，によって形成する。層間絶縁膜１０６はゲート電極１０５とコンタクト電極１０７とを絶縁するためである。層間絶縁膜１０６およびゲート絶縁膜１０４には、半導体層１０３のソース部Ｓをコンタクト電極１０７と接続するためのコンタクトホール１２０が形成される。層間絶縁膜１０６とゲート絶縁膜１０４とにコンタクトホール１２０を形成するためのフォトリソグラフィは同時に行われる。
【００１９】
層間絶縁膜１０６の上にコンタクト電極１０７が形成される。コンタクト電極１０７は、コンタクトホール１３０を介して画素電極１１２と接続する。ＴＦＴのドレインＤは、映像信号線２０とコンタクトホールを介して接続している。
【００２０】
コンタクト電極１０７および映像信号線２０は、同層で、同時に形成される。コンタクト電極１０７および映像信号線は、抵抗を小さくするために、例えば、ＡｌやＡｌ合金が使用される。ＡｌやＡｌ合金はヒロックを発生したり、Ａｌが他の層に拡散したりするので、例えば、図示しないＴｉやＭｏ等の高融点金属によるバリア層、およびキャップ層によってＡｌやＡｌ合金をサンドイッチする構造がとられている。映像信号線のうち、ドレインＤに接続する部分をドレイン電極、コンタクト電極をソース電極と呼ぶ場合もある。なお、ＴＦＴのソースとドレインとはＴＦＴに印加される電圧によって適宜入れ替わる。
【００２１】
コンタクト電極１０７を覆って有機パッシベーション膜１０９が形成される。有機パッシベーション膜１０９は感光性のアクリル樹脂で形成される。有機パッシベーション膜１０９は、アクリル樹脂の他、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等でも形成することが出来る。有機パッシベーション膜１０９は平坦化膜としての役割を持っているので、厚く形成される。有機パッシベーション膜１０９の膜厚は１〜４μｍであるが、多くの場合は２〜３μｍ程度である。尚、有機パッシベーション膜とコンタクト電極との間に無機パッシベーション膜を設ける構成であってもよい。
【００２２】
画素電極１１２とコンタクト電極１０７との導通を取るために、有機パッシベーション膜１０９にコンタクトホール１３０が形成される。有機パッシベーション膜１０９は感光性の樹脂を使用しているため、感光性の樹脂を塗付後、この樹脂を露光すると、光が当たった部分のみが特定の現像液に溶解する。すなわち、感光性樹脂を用いることによって、フォトレジストの形成を省略することが出来る。感光性樹脂にコンタクトホール１３０を形成したあと、２３０℃程度で焼成することによって有機パッシベーション膜１０９が完成する。
【００２３】
その後コモン電極１１０となるＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）をスパッタリングによって形成し、コンタクトホール１３０およびその周辺からＩＴＯを除去するようにパターニングする。コモン電極１１０は各画素共通に平面状に形成することが出来る。その後、容量絶縁膜１１１となる窒化シリコンをＣＶＤによって全面に形成する。その後、コンタクトホール１３０内において、コンタクト電極１０７と画素電極１１２の導通をとるためのコンタクトホールを容量絶縁膜１１１に形成する。
【００２４】
その後、ＩＴＯをスパッタリングによって形成し、パターニングして画素電極１１２を形成する。画素電極１１２の上に配向膜材料をフレキソ印刷あるいはインクジェット等によって塗布し、焼成して配向膜１１３を形成する。配向膜１１３の配向処理にはラビング法のほか偏光紫外線による光配向法が用いられる。
【００２５】
画素電極１１２とコモン電極１１０との間に電圧が印加されると図１に示すような電気力線が発生する。この電界によって液晶分子３０１を回転させ、液晶層３００を通過する光の量を画素毎に制御することによって画像を形成する。
【００２６】
図１において、液晶層３００を挟んで対向基板２００が配置されている。対向基板２００の液晶層側には、カラーフィルタ２０１が形成されている。カラーフィルタ２０１は画素毎に、赤、緑、青のカラーフィルタが形成されており、これによってカラー画像が形成される。カラーフィルタ２０１とカラーフィルタ２０１との間には遮光膜（ブラックマトリクス）２０２が形成され、画像のコントラストを向上させている。なお、遮光膜２０２はＴＦＴを遮光する役割も有し、ＴＦＴに光電流が流れることを防止している。
【００２７】
カラーフィルタ２０１およびブラックマトリクス２０２を覆ってオーバーコート膜２０３が形成されている。カラーフィルタ２０１およびブラックマトリクス２０２の表面は凹凸となっているために、オーバーコート膜２０３によって表面を平らにしている。オーバーコート膜の上（液晶層３００側）には、液晶の初期配向を決めるための配向膜１１３が形成される。配向膜１１３の配向処理はＴＦＴ基板１００側の配向膜１１３と同様、ラビング法あるいは光配向法が用いられる。
【００２８】
ＴＦＴ基板１００と対向基板２００との間隔は柱状スペーサ４０によって規定される。柱状スペーサ４０は、対向基板２００において、オーバーコート膜２０３を形成した後、あるいはオーバーコート膜２０３と同時に形成される。柱状スペーサ４０には、柱状以外、錘状、それらの組み合わせ等の各種形状が含まれる。本発明の特徴はＴＦＴ基板１００において柱状スペーサ４０の先端が接触する部分にある。ＴＦＴ基板１００側におけるコモン電極１１０は、ＩＴＯで形成されているので、抵抗値が大きい。コモン電極１１０の抵抗を下げるために、走査線および映像信号線の上方において、コモン電極１１０とＴＦＴ基板との間、あるいは、コモン電極１１０と液晶層３００との間にコモン金属配線３０を形成する。
【００２９】
ところで、この明細書では、柱状スペーサ４０等と接する部分に形成されたコモン金属配線３０等に形成されるホール（コモン金属配線の除去部）をスルーホール又はコモン金属配線の開口と称し、コンタクト電極１０７等と導通を取るホールをコンタクトホールと称する。図１において、柱状スペーサ４０は、コモン金属配線３０に形成されたスルーホール内においてＴＦＴ基板側と接触する。したがって、対向基板等に指等で圧力が加わった場合にも、柱状スペーサ４０の移動は、スルーホールの側壁によって妨げられ、柱状スペーサ４０はスルーホール内にとどまることになる。つまり、柱状スペーサ４０が配向膜１１３を削る機会が減り、配向膜１１３の屑が発生する確率も小さくなる。また、ＴＦＴ基板１００と対向基板２００の位置ずれも抑えられることになる。
【００３０】
なお、以上の構成は例であり、例えば、コンタクト電極１０７と有機パッシベーション膜１０９との間に無機パッシベーション膜が形成されている場合もある。また、コンタクトホール１３０の形成プロセスも品種によって異なる場合がある。以下に実施例を用いて本発明を詳細に説明する。
【実施例１】
【００３１】
図２は本発明の実施例１を示す画素部の平面図である。図２において、液晶分子の初期配向を決める配向膜の配向方向９０は紙面の縦方向である。画素電極１１２はスリットを有するストライプ状（複数の線状）の電極である。なお、画素電極１１２はスリットを有さない、1本の線状電極である場合もある。液晶に電圧を印加したときに、液晶分子の回転方向を規定するために、画素電極１１２の長径は配向方向９０に対して所定の角度θを有している。この角度θは、５度乃至１５である。
【００３２】
画素電極１１２は走査線１０と映像信号線２０とによって囲まれた領域に形成されている。映像信号線２０は、画素電極の傾きθに合わせて傾いているので、屈曲しながら、縦方向に延在し、横方向に配列している。また、走査線１０は、横方向に延在し、縦方向に配列している。図２において、コモン電極１１０には、映像信号線２０および走査線１０を覆うようにしてコモン金属配線３０が接続されている。
【００３３】
コモン電極１１０はＩＴＯで形成されているので、コモン電極１１０の抵抗を下げるためにコモン金属配線３０が接続されている。コモン金属配線３０は電気抵抗の低いＡｌを主体とした金属で形成されており、厚さは１５０ｎｍ以上であるが、映像信号線２０の厚さよりも薄い。なお、映像信号線２０の厚さは５００ｎｍ程度である。図２において、映像信号線２０と走査線１０とが交差する付近は、コモン金属配線３０の面積も大きくなっており、この部分のコモン金属配線３０にスルーホール７０が形成されている。
【００３４】
このスルーホール７０内に対向基板２００に形成されたメイン柱状スペーサ４０の先端およびサブ柱状スペーサ５０の先端が配置している。すなわち、メイン柱状スペーサ４０おびサブ柱状スペーサ５０の先端はコモン金属配線によって囲まれた状態となっている。ここで、メイン柱状スペーサ４０は通常状態において、ＴＦＴ基板１００と対向基板２００の間隔を規定するものであり、先端は常にＴＦＴ基板１００側に接触している。一方、サブ柱状スペーサ５０の先端は、通常状態ではＴＦＴ基板１００側に接触しておらず、対向基板２００に押し圧力が加わった場合にＴＦＴ基板１００に接触し、過度にＴＦＴ基板１００と対向基板２００の間隔が小さくならないように作用する。以後柱状スペーサはメイン柱状スペーサ４０によって代表させて説明する。
【００３５】
図３は図２のＡ−Ａ断面図である。図３では、映像信号線２０より下側の層は図から省略されている。以下の説明で述べる断面図も同様である。図３において、映像信号線２０の上方には、有機パッシベーション膜１０９を挟んでコモン金属配線３０が配置している。コモン金属配線３０は、厚さは映像信号線よりも薄く、幅は映像信号線よりも広い。後で説明するように、コモン金属配線３０によって、映像信号線の側面から反射する光を遮光し、コントラストの低下を防止する。
【００３６】
図４は図２のＢ−Ｂ断面図である。図４において、コモン金属配線３０にはスルーホールが形成されており、スルーホールに対応する凹部に対向基板に形成された柱状スペーサ４０が接触している。図５は、対向基板２００に外力が加わって、柱状スペーサが４０水平方向にずれた場合を示す断面図である。この場合、柱状スペーサ４０は凹部の側壁に接触し、それ以上、柱状スペーサ４０、ひいては、対向基板２００がＴＦＴ基板１００に対して水平方向にずれることを防止する。また、柱状スペーサ４０による配向膜１１３の削れも抑えることが出来る。すなわち、配向膜の削れ屑は、輝点の発生の原因になるので、本発明によって輝点の発生を抑制することが出来る。
【００３７】
図６は、対向基板２００への横方向の力が強く、柱状スペーサ４０が凹部を超えて、周辺に乗り上げている場合の状態を示す断面図である。図６に示すように、スルーホールの周辺は、コモン配線金属の突起が形成されることとなり、配向膜材料を塗布したときのレベリング効果により、配向膜１１３の膜厚は凹部内に比べて小さくなっている。したがって、仮に図６のように、柱状４０がスルーホールの周辺に乗り上げることがあっても、配向膜１１３の削れは小さく抑えることが出来る。
【００３８】
このように、本発明によれば、コモン金属配線３０にスルーホール７０を形成し、このスルーホール部分に対応して対向基板２００に形成された柱状スペーサ４０を配置することによって、対向基板２００とＴＦＴ基板１００の位置ずれを抑えることが出来るとともに、柱状スペーサ４０による配向膜の削れを抑制することが出来る。
【実施例２】
【００３９】
図７は、液晶の配向方向９０と映像信号線２０の延在方向が同じ方向である場合の液晶の側面からの光の反射を示す模式図である。この場合、p偏光成分はなくｓ偏光とｐ偏光の割合は変わらないので、反射光の偏光軸の方向は変化しない。図８は、液晶の配向方向９０と映像信号線２０の延在方向がある角度、例えばθを持っている場合である。この時は、ｐ偏光の反射率はｓ偏光の反射率よりも小さくなるので、入射光と反射光の偏光軸が変化することになる。そして、θが大きくなるほど、偏光軸のずれは大きくなる。そうすると、上偏光板による検光作用が十分でなくなり、黒表示においても光もれが生ずるようになる。つまりコントラストが低下する。
【００４０】
しかしながら、ＩＰＳ方式では、ドメインの発生を防止するために、所定の角度θは５乃至１５度程度の角度をもつことは必須である。つまり、コントラストの低下を防止するためには、映像信号線２０の側面からの反射光を出来るだけ遮光する必要がある。
【００４１】
図９は本発明の構成を示す断面図である。図９に示すように、映像信号線２０の上に形成されたコモン金属配線３０の幅を映像信号線２０の幅よりも大きくして、映像信号線２０の側面からの反射光をコモン金属配線３０によって遮蔽する構成を示している。コモン金属配線３０の側面からの反射もあるが、コモン金属配線３０の厚さは映像信号線の厚さよりも小さいので、コモン金属配線３０の側面からの反射は映像信号線２０の側面からの反射に比べて小さくすることが出来る。したがって、コントラストを向上させることが出来る。
【００４２】
図１０は、コモン金属配線３０の幅を映像信号線２０の幅に対してどの程度大きくすれば良いかを示す模式図である。図１０において、有機パッシベーション膜１０９の膜厚をｙ、片側でのコモン金属配線３０と映像信号線２０の幅をｘとした場合、ｘ＝ｙtanηである。なお、この式では、映像信号線の厚さは有機パッシベーション膜の厚さに比較して無視している。有機パッシベーション膜１０９と映像信号線２０の間の無機パッシベーション膜が存在する場合も、無機パッシベーション膜の膜厚は、有機パッシベーション膜の膜厚に比較して無視して良い。また、コモン金属配線３０の幅をｗ１とし、映像信号線２０の幅をｗ２とした場合、ｘ＝（ｗ１−ｗ２）/２である。
【００４３】
図１０の構成においては、ηを５度以上とすると顕著な効果を得ることが出来る。つまり、コントラストについての印象は、特に画面の正面から見た場合のコントラストが特に影響が大きい。つまり、液晶表示パネルから外部に光が出射するときに光が屈折することを考慮すると、顕著な効果を得るためには、図１０において、ηは５度以上とする必要がある。一方、ｘを大きくすると、コントラストは向上するが、透過率が小さくなる。透過率確保の点からは、ｘは３μｍ以下、より好ましくは２．５μｍ以下に抑えることが望ましい。
【００４４】
以上の説明では、コモン金属配線３０は、例えばＡｌ合金単層であるとして説明したが、これに限らず、コモン金属配線３０は複数層で形成されていてもよい。例えば、ＡｌやＡｌ合金の上層および下層にＭｏＷ等の薄膜を形成することもできる。高融点金属によって上層を形成することにより、Ａｌのヒロックが成長して容量電極および配向膜を突き破って液晶層に達し、液晶中の電界を乱すことを防止することが出来る。また、Ａｌ合金とＩＴＯが直接接触すると、Ａｌが酸化され、Ａｌ合金とＩＴＯの電気的導通が十分にとれなくなる場合がありうる。高融点金属で下層を形成することによって、Ａｌが酸化されることを防止し、ＩＴＯとコモン金属配線との導通を十分にとることが出来る。
【００４５】
また、コモン金属配線３０の断面は矩形である場合のみでなく、図１１に示すように、台形であってもよい。台形であれば、コモン金属配線３０の上に他の膜を形成するときに、段切れを起こす危険を減らすことが出来る。図１１において、Ａｌ合金３１の厚さは１３０ｎｍ、上層３２のＭｏＷの厚さは１０ｎｍ、下層３３ＭｏＷの厚さは２０ｎｍ程度である。Ａｌ合金としては、例えば、ＡｌＳｉ、ＡｌＣｕ、ＡｌＮｂ等が使用され、上層および下層としてはＭｏＷのほか、ＭｏＣｒ，Ｍｏ、Ｔｉ等が使用される。上層の金属を、下層の金属よりも反射率の低い金属で形成することも可能である。Ａｌ合金、上層、下層の厚さや材料はコモン金属配線３０の断面が矩形である場合も同様である。  コモン金属配線３０断面形状は、この他に、図１２、図１３、図１４等に示すようなものであっても良い。図１２は、上層３２および下層３３の金属の幅がＡｌ合金３１の幅よりも大きい場合である。図１３は、下層３３の幅がＡｌ合金３１の幅よりも大きく、上層３２の幅がＡｌ合金３１の幅よりも小さい場合である。図１４は上層３２の幅がＡｌ合金３１の幅よりも大きく、下層３３の幅がＡｌ合金３１の幅よりも小さい場合である。いずれの場合にも、本発明の効果を得ることが出来る。
【実施例３】
【００４６】
実施例１及び２では、コモン金属配線３０は、コモン電極１１０の上側に配置されている。しかし、コモン金属配線３０はコモン電極１１０の下側に形成することが出来る。図１５はその例である。図１５において、有機パッシベーション膜１０９の上側（液晶層側）にコモン金属配線３０が形成され、その上にコモン電極１１０が形成され、その上に容量絶縁膜１１１が形成され、その上に配向膜１１３が形成されている。
【００４７】
コモン金属配線３０の平面的な配置は、図２と同様であり、走査線と映像信号線を覆う形で形成される。そして、図４に示すように、コモン金属配線３０にスルーホールを形成して、柱状スペーサ４０の先端を凹部に接触させる構成も同様である。また、図５および図６において説明した効果も同様である。
【００４８】
本実施例におけるコモン金属配線３０もＡｌ配線と高融点金属との積層構造とすることが出来る。本実施例の場合、上層にＩＴＯで形成されたコモン電極１１０が配置するので、下層の高融点金属はかならずしも必要ではない。コモン金属配線３０の断面形状は、矩形である必要はなく、台形でもよいことは実施例１と同様である。
【００４９】
図１６はコモン金属配線３０の断面形状が台形の場合である。図１６において、Ａｌ合金３１の厚さは１３０ｎｍ、上層３２のＭｏＷの厚さは１０ｎｍであり、下層は存在しない。図１７は、上層３２の幅がＡｌ合金３１の幅よりも大きい場合であり、図１８は上層３２の幅がＡｌ合金３１の幅よりも小さい場合である。図１７も図１８も下層は存在しない。
【００５０】
本実施例のいずれの場合にも、対向基板２００とＴＦＴ基板１００の位置ずれを抑制すること、配向膜１１３の削れを抑制することが出来る等の本発明の効果を得ることが出来る。なお、本実施例においても、実施例２の構成をとることによって、映像信号線２０の側面からの反射によって、偏光軸がずれることによるコントラストの低下を防止することが出来る。これまでの実施例において、コモン金属配線のスルーホール７０部におけるコモン電極１１０を除去するような構成であってもよい。
【実施例４】
【００５１】
本実施例は、コモン金属配線３０を混色の抑制に用いる構成である。図１９および図２０は、混色の問題を示す断面図である。図１９において、対向基板側には、青カラーフィルタ２０１Ｂ、赤カラーフィルタ２０１Ｒ、緑カラーフィルタ２０１Ｇが形成され、各カラーフィルタの間にはブラックマトリクス２０２が配置している。液晶層３００を挟んで、下側のＴＦＴ基板には、青画素６０Ｂ、赤画素６０Ｒ、緑画素６０Ｇが形成されている。各画素の透過率は曲線８０によって表示されている。
【００５２】
図１９はＴＦＴ基板と対向基板の位置ずれが無い場合であり、混色は生じない。図２０は、ＴＦＴ基板と対向基板の間に位置ずれが生じた場合である。図２０において、例えば、赤画素６０Ｒを斜めから出射する光の一部は、緑カラーフィルタ２０１Ｇを通過する。これが混色である。混色は色純度を劣化させる。
【００５３】
図２１は、本実施例の構成である。図２１において、ＴＦＴ基板の各画素の境界には所定の幅を持ったコモン金属配線３０が形成されている。その他の構成は、図１９において説明したのと同様である。図２１は、ＴＦＴ基板と対向基板の位置ずれが無い場合である。
【００５４】
図２２は、ＴＦＴ基板と対向基板が位置ずれを生じている場合である。図２２に示すように、本発明によれば、コモン金属配線３０が形成されていることによって、ＴＦＴ基板における画素を斜めから出射する光に対しても混色を抑えることが出来る。コモン金属配線３０が混色を生ずる光を遮光するからである。尚、仮に位置ずれが生じない場合であっても、遮光膜２０２の幅や観察者の表示パネル法線方向からの角度によっては混色が生じる場合があるが、そのような場合でであってもコモン金属配線を設けることにより、混色を抑制出来る場合がある。
【００５５】
混色の影響は各色とも同様に生ずるのではなく、例えば、赤色の混色は特に目立ちやすいという場合もある。また、青色の混色が目立ちやすいという場合もある。したがって、表示装置の種類によって、混色が目立ちやすい色を特に遮光する構成をとると効果的である場合がある。本発明によれば、コモン金属配線３０の幅を色毎に変えることによって、この構成を容易に実現することが出来る。
【００５６】
図２３は、このような構成を示す例である。図２３は混色の目立ちやすい赤画素２０１Ｒおよび青画素２０１Ｂに対応するコモン金属配線３０の幅を増加させた例である。図２３において、赤画素６０Ｒ側の増加分を３５で示し、青画素６０Ｂ側の増加分を３６で示す。緑画素６０Ｇは、他の色に比較して明るさへの影響が大きいので、他の画素に比べて透過率が大きくなっている。
【００５７】
赤画素６０Ｒによる混色の影響が特に大きい場合等は、赤画素６０Ｒの境界部のみのコモン金属配線３０の幅を大きくすることもできるし、青画素６０Ｂによる混色の影響が特に大きい場合等は、青画素６０Ｂの境界部のみのコモン金属配線３０の幅を大きくすることもできる。つまり、各画素の境界部におけるコモン金属配線３０の幅を一方の画素にのみ広げることが出来る。また、同一の画素の両側において、一方の側のコモン金属配線３０の幅のみを大きくすることもできる。いずれにせよ、コモン金属配線３０をパターニングするための露光マスクを変えるだけで必要な構成を実現することができる。尚、コモン金属配線３０の幅を画素の境界部ごとに異ならせる構成に限らず、コモン金属配線３０の幅は同じにし、画素の境界部ごとに、コモン金属配線の中心と映像信号線の中心とをずらせることも可能である。この構成により、開口率の減少を防ぐことが出来る場合がある。
【実施例５】
【００５８】
コモン金属配線３０にスルーホールを形成して、その中に柱状スペーサ４０あるいはサブ柱状スペーサ５０の先端を配置する場合、スルーホールの凹部に配向膜が厚く形成される場合がある。以後柱状スペーサ４０によってこの現象を説明する。このような場合、柱状スペーサ４０によって配向膜の削れが大きくなる恐れがある。本実施例は、図２４に示すように、コモン金属配線３０のスルーホール７０を形成しているコモン金属配線の一部に切欠き（非形成箇所）を形成し、配向膜を塗布したときに、配向膜材料が切欠きを介して凹部の外側に流出しやすくして、凹部内に配向膜が厚く形成されることを抑制するものである。図２４では、切欠きは、一か所であるが、これに限らず、切欠きは２か所以上でもよいし、切欠きの位置も図２４に位置に限らない。
【００５９】
図２５は本実施例の他の例である。図２５では、スルーホール７０の半分が開放されている。この場合、スルーホール７０の開放された側は、柱状スペーサ４０のストッパが存在しない状態である。図２５において、２０２は対向基板に形成された遮光膜（ブラックマトリクス）を示しているが、スルーホール７０の中心からブラックマトリクス２０２の幅方向の端部までの距離は、スルーホール７０の切欠き（開放部）が存在する側のほうが大きい。すなわち、この方向に柱状スペーサ４０に対するストッパが存在しなくとも、光漏れに対する裕度が大きいので、コントラストの低下を抑えることが出来る。
【００６０】
以上のように、本実施例によれば、柱状スペーサ４０を収容するコモン金属配線３０のスルーホール７０に切欠きを形成することによって、スルーホール７０内に配向膜が厚く形成されることを防止することが出来るので、柱状スペーサ４０による配向膜削れを抑制することが出来る。尚、図２５では、走査線と平行な方向に延在するコモン金属配線から上側（走査線を挟んで一方の画素が設けられている方向）には開放部が設けられており、下側（走査線を挟んで他方の画素が設けられている方向）には開放部が設けられていない。このような構成をスルーホールの半分が開放としているが、走査線と平行な方向に延在するコモン金属配線から上側にコモン金属配線が一部設けられるものであってもよい。また、走査線と平行な方向に延在するコモン金属配線がスルーホールに接続していない場合、本来のスルーホールの全周のうち、概ね半周分を除去しているものを半分が開放としている。開放部は半分に限定される訳でなく、半分以上であっても半分以下であってもよい。
【実施例６】
【００６１】
本実施例は、コモンＩＴＯ１１０とコモン金属配線３０の位置関係を示す例である。図２６は本実施例の第１の形態を示す平面図である。図２６では、画素電極は省略されている。画素電極とコンタクト電極を導通させるために、コンタクトホール１３０内において、容量絶縁膜１１１にコンタクトホール１３２を形成している。
【００６２】
図２６では、コモン電極１１０は画面全体にわたって形成されている。一方、コンタクトホール１３０内においては、画素電極が延在するので、コンタクトホール内１３０において、画素電極とコモン電極がショートすることを避けるために、コンタクトホール内には、コモン電極１１０は形成されない。
【００６３】
図３１はこの様子を示す断面図である。図３１は図２６のＣ−Ｃ断面図である。図３１では、画素電極は省略されている。図３１において、コモン電極１１０は、コンタクトホール１３０の側壁を含む内側には形成されていない。図３１において、コンタクトホール１３０の内側の容量絶縁膜１１１にコンタクトホール１３２が形成されている。
【００６４】
図２６に戻り、コモン金属配線３０は映像信号線２０を覆って、映像信号線２０の幅よりも大きい幅で形成される。。前述した柱状スペーサの配置のため、図２６では、コンタクトホール１３０の付近では、映像信号線２０を覆うコモン金属配線３０は、映像信号線1本置きに設けられている。つまり、一本おきに前述の開放部が設けられている。コモン金属配線３０の開放部（切欠き）は1本おきに限らず数本おきでも良い。このような構成とすることによりスペーサによる配向膜の削れ防止とコモン配線の抵抗低減とを両立させることが出来る。。
【００６５】
図２７は本実施例における第２の形態である。図２７において、コモン電極１１０はコンタクトホール１３０を挟んで、横方向に帯状に形成されている。逆に言えば、コンタクトホール１３０の部分では、コモン電極が形成されていない領域が複数画素に亘って帯状に設けられている。図２７における上側のコモン電極１１０と下側のコモン電極１１０はコモン金属配線３０によって接続されている。コモン金属配線３０は金属で形成され、かつ、膜厚もコモン電極よりも厚いので、上下のコモン電極１１０間の抵抗は充分小さくすることが出来る。また、本実施例においても、コンタクトホール１３０の部分においては、コモン金属配線３０は、映像信号線２０に対して1本おきに形成されているが、1本おきに限らず数本おきでも良い。  図２８は本実施例の第３の形態を示す平面図である。図２８が図２６と異なるところは、コンタクトホール１３０を覆うようにコモン電極１１０と同時に形成された保護ＩＴＯ１１０１が形成されている点である。図３２は図２８のＤ−Ｄ断面図である。図３２が図３１と異なる点は、コンタクトホール１３０の底部付近において、有機パッシベーション膜１０９と容量絶縁膜１１１の間、および、コンタクト電極１０７と容量絶縁膜１１１の間に保護ＩＴＯ１１０１が形成されていることである。
【００６６】
コンタクトホール１３０内は、形状が複雑であり、容量絶縁膜１１１には、亀裂等が生じやすい。一方、有機パッシベーション膜１０９は水分を含みやすく、この水分が容量絶縁膜１１１の亀裂等を通して液晶層に侵入すると、液晶の動作を劣化させる。そこで、図３２では、有機パッシベーション膜１０９と容量電極１１１の間に保護ＩＴＯ１１０１を形成することによって、有機パッシベーション膜１０９に存在する水分が液晶内に侵入することを防止している。なお、保護ＩＴＯ１１０１はコモン電極１１０と同時に形成されるが、パターニング後はコンタクト電極と接続されているので、仮に、容量絶縁膜１１１に亀裂が入って、この部分で、画素電極と保護ＩＴＯ１１０１が接触しても特性に影響が生ずることはない。
【００６７】
図２９は、本実施例の第４の形態を示す平面図である。図２９が図２７と異なるところは、コンタクトホール１３０を覆うように保護ＩＴＯ１１０１が存在している点である。保護ＩＴＯ１１０１の役割は、図２８において説明したとおりである。
【００６８】
図３０は、本実施例の第５の形態を示す平面図である。図３０では、コンタクトホール１３０付近においては、コモン金属配線３０が映像信号線２０の１本おきに形成されている点は図２９と同様であるが、図３０においては、コンタクトホール１３０、容量絶縁膜のコンタクトホール１３２がコモン金属配線３０のない側にシフトして形成されている。これによって、コモン金属配線３０がコンタクトホール内に入り込んで、画素電極とショートすることが無いようにすることが容易になる。なお、図３０においては、コンタクト電極１０７に対しコンタクトホール１３０、保護ＩＴＯの位置および、容量絶縁膜に形成されたコンタクトホール１３２の中心も、コモン金属配線の存在していない側に偏心している。この構成によって、コンタクトホール１３０付近のレイアウトがより容易になる。
【００６９】
以上のように、本実施例によれば、コモン金属配線をコンタクトホールを避けて容易に配置することが出来る。コンタクト電極１０７の中央からずれているものは、コンタクトホール１３０、保護ＩＴＯの位置、および、容量絶縁膜に形成されたコンタクトホール１３２のそれぞれの中心であるが、それらの一部のみをずらすものであってもよい。また、これらの構成は、他の実施形態に適用することも可能である。
【実施例７】
【００７０】
図３３は本実施例を示す平面図である。図３３において、コモン金属配線３０に形成されたスルーホールの半分に切欠き（開放部）が形成されている点は実施例５の図２５と同様である。図３３が図２５と異なる点は、コモン金属配線３０のスルーホール内に容量絶縁膜１１１のスルーホール１１１１も形成されていることである。図３３における点線は容量絶縁膜のスルーホール１１１１を表している。
【００７１】
図３４は図３３のＥ−Ｅ断面図である。図３３において、柱状スペーサ４０は、コモン金属配線３０および容量絶縁膜１１１に形成されたスルーホール内においてＴＦＴ基板側と接触している。図３３、３４に示すように、柱状スペーサ４０が図３３の下側、あるいは図３４の左側に動こうとすると、コモン金属配線３０と容量絶縁膜１１１の積層膜の分の壁が存在することになり、他の実施例の場合よりも、より効果的な障壁とすることが出来る。
【００７２】
また、柱状スペーサ４０が図３３の上側、あるいは図３４の右側に動こうとすると、少なくとも、容量絶縁膜１１１の膜厚分の障壁が存在することとなり、柱状スペーサ４０に対する障壁を形成することが出来る。この点、実施例５の図２５の場合に比べて、有利である。
【００７３】
なお、本実施例は、実施例５と対比して説明したが、実施例１の場合においても、コモン金属配線３０のスルーホールの部分に重ねて容量絶縁膜１１１のスルーホール１１１１を形成することによって、柱状スペーサ４０の動きに対してより効果的な障壁を形成することが出来る。このように、本実施例では、容量絶縁膜１１１にもスルーホール１１１１を形成することによって、ＴＦＴ基板と対向基板の位置ずれをより効果的に抑制することが出来る。
【実施例８】
【００７４】
以上の実施例では、ＩＰＳ方式において、コモン電極１１０よりも画素電極１１２が上側に存在している場合の構成について本発明を説明した。ＩＰＳ方式には、画素電極１１２が下側（ＴＦＴ基板側）で、容量絶縁膜１１１を介してコモン電極１１０が上側（液晶層側）に存在する方式も存在する。この場合は、コモン電極１１０を平面状に画面全体に形成し、平面状に形成した画素電極１１２に対応する部分において、コモン電極１１０にスリット１１０５を形成した構成を用いることが出来る。
【００７５】
図３５は、コモン電極１１０が上側に存在する場合の画素の平面図である。図３５において、映像信号線および走査線を覆ってコモン金属配線３０が存在しており、また、映像信号線と走査線で囲まれた領域に画素電極が存在していることは図２と同じである。図３５では、画素電極が省略されているが、画素電極に対応する部分にコモン電極１１０のスリット１１０５が存在している。スリット１１０５を通して、電気力線が液晶中に延在して液晶分子を制御する。
【００７６】
図３５において、映像信号線と走査線が交差する領域のコモン金属配線３０にスルーホール７０が形成されている。このスルーホール７０内にメイン柱状スペーサ４０とサブ柱状スペーサ５０が配置している。
【００７７】
図３６は、図３５のＦ−Ｆ断面図である。図３６において、有機パッシベーション膜１０９の上に画素電極１１２が形成されている。画素電極１１２は画素と画素の間において分断されている。平面的には画素電極１１２と画素電極１１２の間に映像信号線２０が存在している。画素電極１１２および有機パッシベーション膜１０９を覆って容量絶縁膜１１１が形成されている。
【００７８】
容量絶縁膜１１１の上で、映像信号線２０を覆うようにコモン金属配線３０が形成されている。コモン金属配線３０を覆って、コモン電極１１０が形成されている。Ｆ−Ｆ断面においては、コモン電極１１０の両側にはスリット１１０５が存在しているので、コモン電極１１０は島状に見えるが、他の領域では、図３５に示すように、各画素間に共通に広く形成されている。図３６に戻り、コモン電極１１０を覆って配向膜１１３が形成されている。
【００７９】
このような膜構成であっても、コモン金属配線３０のスルーホール７０部分において、スルーホール７０の側壁が柱状スペーサ４０の動きの障壁となり、柱状スペーサ４０の移動を妨げ、ＴＦＴ基板と対向基板のずれの抑制となることが実施例１で説明したのと同様である。
【００８０】
図３６では、コモン金属配線３０がコモン電極１１０よりも下側（ＴＦＴ基板側）に形成されているが、コモン金属配線３０がコモン電極１１０の上側（液晶層側）に形成されていても良い。その他、実施例１乃至７で説明した内容は本実施例においても適用することが出来る。
【００８１】
このように、コモン電極１１０が画素電極１１２よりも上側に存在する場合であっても、本発明を適用することによって、配向膜削れ、ＴＦＴ基板と対向基板のずれの抑制、映像信号線２０の側面からの反射に起因する光漏れを防止することが出来る。これにより、配向膜削れによる輝点の発生を抑制し、ＴＦＴ基板と対向基板のずれによる混色等の発生を抑制し、映像信号線の側面からの反射に起因するコントラストの低下を抑制することが出来る。
【００８２】
以上の説明では、液晶の誘電率異方性がΔｎが正の場合、すなわち、ポジ型液晶について説明したが、本発明は、液晶の誘電率異方性がΔｎが負の場合、すなわち、ネガ型液晶についても適用することが出来る。この場合、配向膜の配向軸は、図２における配向軸９０と直角方向になる。
【００８３】
また、以上の実施例の説明では、コモン金属配線は、映像信号線および走査線を覆うようにして形成されているとしたが、コモン金属配線は、映像信号線あるいは走査線のいずれかを覆うように形成されている場合にも本発明を適用することが出来る。また、コモン金属配線とコモン電極とは、有機パッシベーション膜１０９と容量絶縁膜１１１との間で積層される構成となっているが、コモン金属配線とコモン電極との間に絶縁膜を設け、コンタクトホールにて双方の導通をとる構成であってもよい。また、実施例１から７の画素電極が液晶層側に設けられる構造において、コモン金属層３０のスルーホール内部の全部、或いは画素電極よりも所定距離離れた一部に画素電極と同層のＩＴＯを設ける構成であってもよい。これにより、配向膜が部分的に形成されなくなる領域ができ、配向膜の削れ防止効果を高めることが可能となる場合もある。
【符号の説明】
【００８４】
１０…走査線１０、  ２０…映像信号線、  ３０…コモン金属配線、  ３１…Ａｌ合金、  ３２…上層金属、  ３３…下層金属、  ３５…赤画素側増分、  ３６…青画素側増分、  ４０…メイン柱状スペーサ、  ５０…サブ柱状スペーサ、  ６０Ｒ…Ｒ画素、  ６０Ｇ…Ｇ画素、  ６０Ｂ…Ｂ画素、  ７０…スルーホール、  ８０…透過率、  ９０…配向方向、  １００…ＴＦＴ基板、  １０１…第１下地膜、  １０２…第２下地膜、  １０３…半導体層、  １０４…ゲート絶縁膜、  １０５…ゲート電極、  １０６…層間絶縁膜、  １０７…コンタクト電極、    １０９…有機パッシベーション膜、  １１０…コモン電極、  １１１…容量絶縁膜、  １１２…画素電極、  １１３…配向膜、  １２０…コンタクトホール、  １３０…コンタクトホール、    １３２…容量絶縁膜コンタクトホール、  ２００…対向基板、  ２０１…カラーフィルタ、  ２０１Ｒ…赤カラーフィルタ、  ２０１Ｇ…緑カラーフィルタ、  ２０１Ｂ…青カラーフィルタ、  ２０２…ブラックマトリクス、  ２０３…オーバーコート膜、  ３００…液晶層、  ３０１…液晶分子、  １１０１…保護ＩＴＯ、  １１０５…コモン電極のスリット、  １１１１…容量絶縁膜のスルーホール、  Ｄ…ドレイン部、Ｓ…ソース部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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