(57)【要約】【課題】実装部品とモールド樹脂との剥離を抑制できる電子装置を提供すること。【解決手段】電子装置１００は、回路基板１０と、回路基板１０における実装面に実装された線膨張係数α３の高背部品２１と、高背部品２１における先端部を露出した状態で実装面及び高背部品２１を封止している線膨張係数α１の第１モールド樹脂３１と、先端部を封止している線膨張係数α２の第２モールド樹脂３２と、を備えている。そして、第１モールド樹脂３１と第２モールド樹脂３２と高背部品２１は、線膨張係数α１よりも、線膨張係数α２の方が、線膨張係数α３に近い。【選択図】図２
2016163031.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路基板（１０）と、
前記回路基板における実装面に実装された線膨張係数α３の実装部品（２１）と、
前記実装部品における前記回路基板に実装された部位とは反対側の先端部を露出した状態で、前記実装面及び前記実装部品を封止している線膨張係数α１の第１モールド樹脂（３１，３１１〜３１７）と、
前記先端部を封止している線膨張係数α２の第２モールド樹脂（３２，３２１〜３２７）と、を備えており、
前記第１モールド樹脂と前記第２モールド樹脂と前記実装部品は、前記線膨張係数α１よりも、前記線膨張係数α２の方が、前記線膨張係数α３に近いことを特徴とする電子装置。
【請求項２】
前記第１モールド樹脂と前記第２モールド樹脂と前記実装部品は、前記線膨張係数α３よりも、前記線膨張係数α２の方が大きく、前記線膨張係数α２よりも、前記線膨張係数α１の方が大きいことを特徴とする請求項１に記載の電子装置。
【請求項３】
前記第１モールド樹脂と前記第２モールド樹脂と前記実装部品は、前記線膨張係数α１よりも、前記線膨張係数α２の方が大きく、前記線膨張係数α２よりも、前記線膨張係数α３の方が大きいことを特徴とする請求項１に記載の電子装置。
【請求項４】
回路基板（１０）と、
前記回路基板における実装面に実装された実装部品（２１）と、
前記実装部品の先端部を露出した状態で、前記実装面及び前記実装部品を封止している第１モールド樹脂（３１，３１１〜３１７）と、
前記実装部品の先端部を封止している第２モールド樹脂（３２，３２１〜３２７）と、を備えており、
前記第２モールド樹脂は、前記第１モールド樹脂よりも弾性率が小さいことを特徴とする電子装置。
【請求項５】
前記実装部品は、前記実装面と対向している部位の反対面である上面と、前記上面に連続して形成された環状の側壁とを有しており、前記先端部として、前記上面及び、前記側壁と前記上面との角部を含んでいることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の電子装置。
【請求項６】
前記実装面に実装された、前記実装部品よりも背が低い第２実装部品を備えており、
前記第１モールド樹脂は、前記実装部品よりも厚みが薄く、前記第２実装部品を封止しており、
前記第２モールド樹脂は、前記第１モールド樹脂から突出した形状をなしていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の電子装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路基板に実装された電子部品がモールド樹脂で封止された電子装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、上記構成の電子装置としては、特許文献１に開示された半導体装置がある。この半導体装置は、基板に半導体チップが実装されており、封止樹脂（以下、モールド樹脂）にて半導体チップが封止されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１３−２４３２８８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、半導体装置は、半導体チップの他にも各種実装部品が基板に実装されることが考えられる。また、半導体チップを含む各種実装部品は、全て同じ線膨張係数ではなく、種類によって線膨張係数が異なる。よって、半導体装置は、実装部品とモールド樹脂との線膨張係数が大きく乖離することもありうる。この場合、半導体装置は、温度変化に伴って、実装部品とモールド樹脂との界面が剥離しやすくなる。特に、半導体装置は、実装部品の上面とモールド樹脂との界面にせん断応力が生じやすく、剥離しやすい。
【０００５】
本発明は、上記問題点に鑑みなされたものであり、実装部品とモールド樹脂との剥離を抑制できる電子装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するために本発明は、
回路基板（１０）と、
回路基板における実装面に実装された線膨張係数α３の実装部品（２１）と、
実装部品における回路基板に実装された部位とは反対側の先端部を露出した状態で、実装面及び実装部品を封止している線膨張係数α１の第１モールド樹脂（３１，３１１〜３１７）と、
先端部を封止している線膨張係数α２の第２モールド樹脂（３２，３２１〜３２７）と、を備えており、
第１モールド樹脂と第２モールド樹脂と実装部品は、線膨張係数α１よりも、線膨張係数α２の方が、線膨張係数α３に近いことを特徴とする。
【０００７】
このように、本発明は、回路基板に実装された実装部品を第１モールド樹脂と第２モールド樹脂とで封止している。第１モールド樹脂は、実装部品の先端部を露出した状態で、実装面及び実装部品を封止している。一方、第２モールド樹脂は、実装部品の先端部を封止している。
【０００８】
そして、本発明は、線膨張係数α１よりも、線膨張係数α２の方が、線膨張係数α３に近いものである。よって、本発明は、第１モールド樹脂と実装部品とで線膨張係数が乖離していたとしても、実装部品と、実装部品の先端部を封止している第２モールド樹脂とで線膨張係数を近づけることができる。つまり、本発明は、第２モールド樹脂と実装部品との線膨張係数差を、第１モールド樹脂と実装部品との線膨張係数差よりも小さくできる。このため、本発明は、実装部品と第２モールド樹脂との剥離を抑制できる。
【０００９】
また、本発明のさらなる特徴は、
回路基板（１０）と、
回路基板における実装面に実装された実装部品（２１）と、
実装部品の先端部を露出した状態で、実装面及び実装部品を封止している第１モールド樹脂（３１，３１１〜３１７）と、
実装部品の先端部を封止している第２モールド樹脂（３２，３２１〜３２７）と、を備えており、
第２モールド樹脂は、第１モールド樹脂よりも弾性率が小さい点にある。
【００１０】
このように、本発明は、回路基板に実装された実装部品を第１モールド樹脂と第２モールド樹脂とで封止している。第１モールド樹脂は、実装部品の先端部を露出した状態で、実装面及び実装部品を封止している。一方、第２モールド樹脂は、実装部品の先端部を封止している。
【００１１】
そして、本発明は、第２モールド樹脂が第１モールド樹脂よりも弾性率が小さい。このため、本発明は、実装部品と第２モールド樹脂との線膨張率差によって実装部品と第２モールド樹脂との界面に発生するせん断応力を小さくできる。よって、本発明は、実装部品と第２モールド樹脂との剥離を抑制できる。
【００１２】
なお、特許請求の範囲、及びこの項に記載した括弧内の符号は、ひとつの態様として後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものであって、発明の技術的範囲を限定するものではない。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】実施形態における電子装置の概略構成を示す平面図である。
【図２】図１のII‐II線に沿う断面図である。
【図３】変形例における電子装置の概略構成を示す断面図である。
【図４】変形例１における電子装置の概略構成を示す断面図である。
【図５】変形例２における電子装置の概略構成を示す断面図である。
【図６】変形例３における電子装置の概略構成を示す断面図である。
【図７】変形例４における電子装置の概略構成を示す断面図である。
【図８】変形例５における電子装置の概略構成を示す断面図である。
【図９】変形例６における電子装置の概略構成を示す断面図である。
【図１０】変形例７における電子装置の概略構成を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下において、図面を参照しながら、発明を実施するための複数の形態を説明する。各形態において、先行する形態で説明した事項に対応する部分には同一の参照符号を付して重複する説明を省略する場合がある。各形態において、構成の一部のみを説明している場合は、構成の他の部分については先行して説明した他の形態を参照し適用することができる。
【００１５】
図１，図２に示すように、電子装置１００は、回路基板１０と、高背部品２１と、低背部品２２と、第１モールド樹脂３１と、第２モールド樹脂３２とを備えて構成されている。電子装置１００は、例えば、自動車などの車両に搭載され、車両用の各種装置を駆動制御するための装置として適用することができる。
【００１６】
回路基板１０は、絶縁基材に配線が形成されたものである。回路基板１０は、絶縁基材としてエポキシ樹脂やガラスエポキシ樹脂等の樹脂を主成分として構成されたプリント基板や、絶縁基材としてセラミックスを主成分として構成されたセラミック基板などを採用できる。また、回路基板１０は、貫通基板やビルドアップ基板を採用できる。更に、配線は、例えば銅などの金属を主成分として構成されている。
【００１７】
回路基板１０は、一面に、配線の一部であるランド１１が形成されている。回路基板１０は、ランド１１に、例えばはんだなどの導電性の接着部材を介して、高背部品２１と低背部品２２とが実装されている。なお、回路基板１０の一面は、実装面と言うことができ、例えば平坦面である。
【００１８】
高背部品２１は、特許請求の範囲における実装部品に相当する。低背部品２２は、特許請求の範囲における第２実装部品に相当する。高背部品２１と低背部品２２とは、電子装置１００の回路を構成するための電子部品、すなわち回路素子である。高背部品２１は、低背部品２２に比べて背が高い電子部品である。つまり、高背部品２１と低背部品２２とは、相対的に背の高さが異なる電子部品である。背の高さとは、実装面に垂直な方向における厚みである。
【００１９】
高背部品２１は、例えばコイルやセラミックコンデンサ、トランジスタなどのパッケージなどの体格が比較的大きな電子部品である。一方、低背部品２２は、例えばＭＯＳＦＥＴ、マイコン、制御素子等などの半導体素子やチップ抵抗やコンデンサなどの体格が比較的小さな電子部品である。また、以下においては、高背部品２１の線膨張係数を線膨張係数α３と記載する。
【００２０】
なお、高背部品２１は、実装面と対向している部位の反対面である上面と、上面に連続して形成された環状の側壁とを有している。つまり、高背部品２１は、ランド１１に接合されている面の反対面が上面である。例えば、高背部品２１は、柱形状もしくは立方体形状の部品と言うことができる。そして、高背部品２１は、後程説明する先端部として、上面及び、側壁と上面との角部を含んでいる。
【００２１】
また、先端部とは、高背部品２１における第１モールド樹脂３１から露出した部位である。第１モールド樹脂３１は、低背部品２２を封止できる程度に設けられている。よって、高背部品２１は、一部が第１モールド樹脂３１から露出することになる。
【００２２】
第１モールド樹脂３１と第２モールド樹脂３２は、例えば熱硬化性エポキシ樹脂などを採用できる。また、第１モールド樹脂３１と第２モールド樹脂３２は、必要に応じて、エポキシ樹脂中にアルミナやシリカ等のフィラーが含有されたものであっても採用できる。この第１モールド樹脂３１と第２モールド樹脂３２は、後程説明するモールド工程において、トランスファーモールド法やコンプレッションモールド法、ポッティング法等により形成される。なお、第１モールド樹脂３１と第２モールド樹脂３２は、線膨張係数が異なるものである。言い換えると、電子装置１００は、第１モールド樹脂３１と第２モールド樹脂３２として、線膨張係数が異なるものを採用している。以下においては、第１モールド樹脂３１の線膨張係数を線膨張係数α１、第２モールド樹脂３２の線膨張係数を線膨張係数α２と記載する。
【００２３】
第１モールド樹脂３１は、図２に示すように、高背部品２１における回路基板１０に実装された部位とは反対側の先端部を露出した状態で、実装面及び高背部品２１を封止している。また、第１モールド樹脂３１は、低背部品２２を封止している。第１モールド樹脂３１は、高背部品２１とランド１１との接合部と、低背部品２２とランド１１との接合部とを封止している。よって、第１モールド樹脂３１は、実装面、高背部品２１の一部、低背部品２２に密着した状態で、これらを覆っている。
【００２４】
また、第１モールド樹脂３１は、高背部品２１よりも厚みが薄く、低背部品２２を封止している。よって、第１モールド樹脂３１は、実装面に接する面の反対面、すなわち外表面の位置が、高背部品２１の頂点（上面）よりも低い位置にある。なお、ここでの厚みとは、実装面に垂直な方向の厚みである。言い換えると、第１モールド樹脂３１の厚みは、実装面に接する面と、外表面との間隔に相当する。
【００２５】
第２モールド樹脂３２は、第１モールド樹脂３１の外表面の一部に密着して設けられている。また、第２モールド樹脂３２は、高背部品２１の先端部に密着した状態で、先端部を封止している。つまり、第２モールド樹脂３２は、第１モールド樹脂３１上に形成されており、高背部品２１における第１モールド樹脂３１から露出している部位を封止している。また、第２モールド樹脂３２は、図２に示すように、第１モールド樹脂３１から突出した形状をなしている。第２モールド樹脂３２は、第１モールド樹脂３１の外表面から突出している。
【００２６】
このように、電子装置１００は、第２モールド樹脂３２が形成されている領域が周辺よりも厚みが厚く形成されている。つまり、電子装置１００は、低背部品２２に加えて高背部品２１を備えていながら、低背部品２２を封止している第１モールド樹脂３１部分の厚みが、第２モールド樹脂３２が形成された部分の厚みより薄くなっている。よって、電子装置１００は、高背部品２１の高さに合わせて、モールド樹脂の厚み均一にする場合より反りを抑制できる。
【００２７】
なお、第２モールド樹脂３２は、例えば、高背部品２１の外形寸法より１．０ｍｍ以上大きい。つまり、第２モールド樹脂３２は、厚みｗ１〜ｗ４の夫々が１．０ｍｍ以上である。この厚みｗ１〜ｗ４は、高背部品２１の側壁に垂直な方向における厚みである。なお、電子装置１００は、製造上、部品の大きさ、搭載精度、搭載傾き、成型の精度などを鑑みると、第２モールド樹脂３２の厚みｗ１〜ｗ４として１．０ｍｍ程度が必要になる。
【００２８】
また、電子装置１００は、第１モールド樹脂３１の上面Ｓ３が第２モールド樹脂３２の上面Ｓ１よりも必ず回路基板１０側に位置する。つまり、電子装置１００は、実装面から第２モールド樹脂３２の上面Ｓ１までの間隔よりも、実装面からの第１モールド樹脂３１の上面Ｓ３までの間隔の方が短い。更に、電子装置１００は、第２モールド樹脂３２の下面Ｓ２が高背部品２１の上面Ｓ４よりも必ず回路基板１０側に位置する。つまり、電子装置１００は、実装面から高背部品２１の上面Ｓ４までの間隔よりも、実装面から第２モールド樹脂３２の下面Ｓ２までの間隔の方が短い。ここでの間隔は、実装面に直交する方向における間隔である。
【００２９】
なお、電子装置１００は、第１モールド樹脂３１の上面Ｓ３と第２モールド樹脂３２の下面Ｓ２とが面一になっている。しかしながら、電子装置１００は、図３に示すように、第２モールド樹脂３２の下面Ｓ２が第１モールド樹脂３１の上面Ｓ３よりも回路基板１０側に位置していてもよい。なお、図３では、低背部品２２を省略している。
【００３０】
このように、電子装置１００は、第１モールド樹脂３１と第２モールド樹脂３２を備えた二層構造のモールドパッケージと言うことができる。また、電子装置１００は、第１モールド樹脂３１と第２モールド樹脂３２の二種類のモールド樹脂で封止されたハーフモールド構造のモールドパッケージと言うことができる。
【００３１】
ここで、高背部品２１、第１モールド樹脂３１、第２モールド樹脂３２における線膨張係数の関係に関して説明する。第１モールド樹脂３１と第２モールド樹脂３２と高背部品２１は、線膨張係数α１よりも、線膨張係数α２の方が、線膨張係数α３に近いものである。
【００３２】
第１モールド樹脂３１は、回路基板１０の実装面を封止している。このため、第１モールド樹脂３１は、電子装置１００の反りを抑制したり、各部品２１，２２とランド１１との接合寿命を確保したりするために、回路基板１０の線膨張係数に近い線膨張係数α１とするとことが考えられる。よって、回路基板１０は、例えば線膨張係数α１が１２×１０−６／℃程度のものが採用される。
【００３３】
また、高背部品２１は、電子装置１００の用途に応じて用いられる素子が異なる。このため、電子装置１００は、線膨張係数α１よりも小さい線膨張係数α３である高背部品２１、又は線膨張係数α１よりも大きい線膨張係数α３である高背部品２１を含むことが考えられる。
【００３４】
まず、線膨張係数α１よりも小さい線膨張係数α３である高背部品２１を採用した場合に関して説明する。この場合、第１モールド樹脂３１と第２モールド樹脂３２と高背部品２１は、線膨張係数α３よりも、線膨張係数α２の方が大きく、線膨張係数α２よりも、線膨張係数α１の方が大きい関係を満たしている。つまり、電子装置１００は、線膨張係数α３＜線膨張係数α２＜線膨張係数α１の関係を満たしている。例えば、電子装置１００は、線膨張係数α３が８×１０−６／℃程度の高背部品２１を含んでいた場合、線膨張係数α２が１０〜１１×１０−６／℃程度の第２モールド樹脂３２を採用する。
【００３５】
次に、線膨張係数α１よりも大きい線膨張係数α３である高背部品２１を採用した場合に関して説明する。この場合、第１モールド樹脂３１と第２モールド樹脂３２と高背部品２１は、線膨張係数α１よりも、線膨張係数α２の方が大きく、線膨張係数α２よりも、線膨張係数α３の方が大きい関係を満たしている。つまり、電子装置１００は、線膨張係数α１＜線膨張係数α２＜線膨張係数α３の関係を満たしている。例えば、電子装置１００は、線膨張係数α３が１８×１０−６／℃程度の高背部品２１を含んでいた場合、線膨張係数α２が１４〜１５×１０−６／℃程度の第２モールド樹脂３２を採用する。上記線膨張係数の値は一例である。よって、本発明はこれに限定されない。
【００３６】
以上のように、電子装置１００は、回路基板１０に実装された高背部品２１を第１モールド樹脂３１と第２モールド樹脂３２とで封止している。第１モールド樹脂３１は、高背部品２１の先端部を露出した状態で、実装面及び高背部品２１を封止している。一方、第２モールド樹脂３２は、高背部品２１の先端部を封止している。
【００３７】
そして、電子装置１００は、線膨張係数α１よりも、線膨張係数α２の方が、線膨張係数α３に近いものである。よって、電子装置１００は、第１モールド樹脂３１と高背部品２１とで線膨張係数が乖離していたとしても、高背部品２１と、高背部品２１の先端部を封止している第２モールド樹脂３２とで線膨張係数を近づけることができる。つまり、電子装置１００は、第２モールド樹脂３２と高背部品２１との線膨張係数差を、第１モールド樹脂３１と高背部品２１との線膨張係数差よりも小さくできる。このため、電子装置１００は、高背部品２１と第２モールド樹脂３２との剥離を抑制できる。特に、電子装置１００は、剥離が発生しやすい高背部品２１の上面Ｓ４と第２モールド樹脂３２との界面であっても剥離を抑制できる。
【００３８】
更に、電子装置１００は、高背部品２１と第２モールド樹脂３２とが剥離した場合、剥離の端部から第２モールド樹脂３２にクラックが生じることも考えられる。しかしながら、電子装置１００は、高背部品２１と第２モールド樹脂３２との剥離を抑制できるため、第２モールド樹脂３２におけるクラックの発生も低減できる。
【００３９】
なお、電子装置１００は、線膨張係数α１〜α３が上記のような関係を満たしていなくてもよい。電子装置１００は、第２モールド樹脂３２が第１モールド樹脂３１よりも弾性率が小さければ上記効果を奏することができる。高背部品２１と第２モールド樹脂３２との界面には、高背部品２１と第２モールド樹脂３２との線膨張率差によってせん断応力が発生することがある。
【００４０】
しかしながら、電子装置１００は、第２モールド樹脂３２が第１モールド樹脂３１よりも弾性率が小さいため、高背部品２１と第２モールド樹脂３２との界面に発生するせん断応力を小さくできる。よって、電子装置１００は、高背部品２１と第２モールド樹脂３２との剥離を抑制できる。
【００４１】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明した。しかしながら、本発明は、上述した実施形態に何ら制限されることはなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、種々の変形が可能である。以下に、本発明の変形例１〜７に関して説明する。上述の実施形態及び変形例１〜７は、夫々単独で実施することも可能であるが、適宜組み合わせて実施することも可能である。本発明は、実施形態において示された組み合わせに限定されることなく、種々の組み合わせによって実施可能である。
【００４２】
次に、図４〜図１０を用いて、その他の変形例である電子装置１０１〜１０７に関して説明する。電子装置１０１〜１０７の夫々は、電子装置１００と同様な個所が多い。ここでは、電子装置１０１〜１０７の夫々における、電子装置１００と異なる点を中心に説明する。なお、電子装置１０１〜１０７は、電子装置１００と同様の効果を奏することができる。また、図４〜図１０では、低背部品２２を省略している。
【００４３】
図４に示す変形例１の電子装置１０１は、第１モールド樹脂３１１と第２モールド樹脂３２１とを備えて構成されている。電子装置１０１は、第１モールド樹脂３１１の上面Ｓ３と、第２モールド樹脂３２１の下面Ｓ２との位置関係が電子装置１００と異なる。電子装置１０１は、第１モールド樹脂３１１の上面Ｓ３が第２モールド樹脂３２１の下面Ｓ２よりも下側に位置している。つまり、第１モールド樹脂３１１の上面Ｓ３は、第２モールド樹脂３２１の下面Ｓ２よりも低い位置にある。電子装置１０１は、第１モールド樹脂３１１が９０°程度の鋭角な角部をなくすことで、たとえば冷熱サイクル環境などでの第１モールド樹脂３１１に発生する局所的な応力集中箇所をなくすことができ、第１のモールド樹脂がもろい場合などに有効である。
【００４４】
図５に示す変形例２の電子装置１０２は、第１モールド樹脂３１２と第２モールド樹脂３２２とを備えて構成されている。第２モールド樹脂３２２は、第１モールド樹脂３１２から突出して設けられている。また、第２モールド樹脂３２２は、側壁が傾斜しており、第１モールド樹脂３１２から遠ざかるにつれて面積が狭くなっている。つまり、第２モールド樹脂３２２は、第１モールド樹脂３１２から突出している部位における側壁が傾斜している。なお、面積は、回路基板１０の実装面に平行な断面の面積である。電子装置１０２は、傾斜させることにより、モールド成形時の離型性に優れる。
【００４５】
図６に示す変形例３の電子装置１０３は、第１モールド樹脂３１３と第２モールド樹脂３２３とを備えて構成されている。第２モールド樹脂３２３は、第２モールド樹脂３２２に加えて、第１モールド樹脂３１３に埋設された部位を含んでいる。電子装置１０３は、埋没することにより、電子装置１０２と比較して第１モールド樹脂３１３と第２モールド樹脂３２３との接触面積が増加し、第１モールド樹脂３１３と第２モールド樹脂３２３の間の剥離を防止しやすくなる。
【００４６】
図７に示す変形例４の電子装置１０４は、第１モールド樹脂３１４と第２モールド樹脂３２４とを備えて構成されている。第２モールド樹脂３２４は、第２モールド樹脂３２３に加えて、第１モールド樹脂３１４に埋設され、回路基板１０の実装面に沿う方向に突出した部位を含んでいる。電子装置１０４は、電子装置１０３と同様に，第１モールド樹脂３１４と第２モールド樹脂３２４との接触面積が増加し、第１モールド樹脂３１４と第２モールド樹脂３２４の間の剥離を防止しやすくなる。
【００４７】
図８に示す変形例５の電子装置１０５は、第１モールド樹脂３１５と第２モールド樹脂３２５とを備えて構成されている。第２モールド樹脂３２５は、第１モールド樹脂３１５から突出して設けられている。また、第２モールド樹脂３２５は、表面が曲面形状をなしている。つまり、第２モールド樹脂３２５は、第１モールド樹脂３１５から突出している部位における表面が曲面形状をなしている。電子装置１０５は、球面形状にすることにより、例えば冷熱サイクル環境などにおいて第２モールド樹脂３２５の角部に発生する局所的応力を緩和することができる。また、電子装置１０５は、モールド成形時の離型性に優れる。また、電子装置１０５は、ポッティング法などで形状を簡易に作ることができる。
【００４８】
図９に示す変形例６の電子装置１０６は、第１モールド樹脂３１６と第２モールド樹脂３２６とを備えて構成されている。第２モールド樹脂３２６は、第２モールド樹脂３２５に加えて、第１モールド樹脂３１６に埋設された部位を含んでいる。電子装置１０６は、埋没することにより，電子装置１０５と比較して第１モールド樹脂３１６と第２モールド樹脂３２６との接触面積が増加し、第１モールド樹脂３１６と第２モールド樹脂３２６の間の剥離を防止しやすくなる。
【００４９】
図１０に示す変形例７の電子装置１０７は、第１モールド樹脂３１７と第２モールド樹脂３２７とを備えて構成されている。第２モールド樹脂３２７は、第２モールド樹脂３２６に加えて、第１モールド樹脂３１７に埋設され、回路基板１０の実装面に沿う方向に突出した部位を含んでいる。電子装置１０７は、電子装置１０６と同様に，第１モールド樹脂３１７と第２モールド樹脂３２７との接触面積が増加し、第１モールド樹脂３１７と第２モールド樹脂３２７の間の剥離を防止しやすくなる。
【符号の説明】
【００５０】
１０  回路基板、１１  ランド、２１  高背部品、２２  低背部品、
３１，３１１〜３１７  第１モールド樹脂、３２，３２１〜３２７  第２モールド樹脂、
Ｓ１  第１面、Ｓ２  第２面、Ｓ３  第３面、Ｓ４  第４面、１００〜１０７  電子装置
【図１】
2016163031.tif 000003
【図２】
2016163031.tif 000004
【図３】
2016163031.tif 000005
【図４】
2016163031.tif 000006
【図５】
2016163031.tif 000007
【図６】
2016163031.tif 000008
【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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