(57)【要約】      （修正有）【課題】より均一に発光することが可能な発光素子を提供する。【解決手段】発光素子１００は、半導体層１０と、半導体層の上面に設けられた上部電極２６，２８と、半導体層の下面に設けられた下部電極と、を備える平面視が略矩形状の発光素子であって、平面視において、上部電極は、半導体層の周縁に沿って略矩形状に延伸する第１延伸部２０と、第１延伸部を構成する４辺のうち第１辺に接続される第１パッド部２６と、第１辺と対向する第２辺に接続される第２パッド部２８と、第１延伸部に囲まれた領域に設けられ、かつ第１パッド部と第２パッド部とを接続する、第２延伸部２２及び第３延伸部２４と、を有する。【選択図】図１
2016072479.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体層と、前記半導体層の上面に設けられた上部電極と、前記半導体層の下面に設けられた下部電極と、を備える平面視が略矩形状の発光素子であって、
平面視において、前記上部電極は、
前記半導体層の周縁に沿って略矩形状に延伸する第１延伸部と、
前記第１延伸部を構成する４辺のうち第１辺に接続される第１パッド部と、前記第１辺と対向する第２辺に接続される第２パッド部と、
前記第１延伸部に囲まれた領域に設けられ、かつ前記第１パッド部と前記第２パッド部とを接続する、第２延伸部及び第３延伸部と、を有し、
前記第１パッド部と前記第２パッド部とを最短距離で結ぶ第１直線よりも、前記第２延伸部は前記４辺のうちの第３辺側にあり、かつ前記第３延伸部は前記第３辺と対向する第４辺側にあり、
前記第１直線を垂直に２等分する第２直線上において、前記第２延伸部と前記第３延伸部との距離は、前記第１延伸部と前記第２延伸部との最短距離以上であり、かつ前記第１延伸部と前記第３延伸部との最短距離以上であることを特徴とする発光素子。
【請求項２】
前記第２直線上において、前記第１延伸部と前記第２延伸部との最短距離と、前記第１延伸部と前記第３延伸部との最短距離と、は同じである請求項１に記載の発光素子。
【請求項３】
前記第２直線上における、前記第１延伸部と前記第２延伸部との最短距離と、前記第２延伸部と前記第３延伸部との距離と、前記第１延伸部と前記第３延伸部との最短距離と、の比率と、
前記第１延伸部の対角線上における、前記第１延伸部と前記第２延伸部との最短距離と、前記第２延伸部と前記第３延伸部との距離と、前記第１延伸部と前記第３延伸部との最短距離と、の比率と、は同じである請求項１又は２に記載の発光素子。
【請求項４】
前記第１パッド部と前記第２パッド部とは、前記第１延伸部における対角線の交点を通る第３直線上に設けられている請求項１乃至３のいずれか一つに記載の発光素子。
【請求項５】
前記第１直線は、前記第３辺および前記第４辺に対して略平行である請求項４に記載の発光素子。
【請求項６】
前記第２延伸部は、前記第３辺に対して略平行な部分を含み、前記第２延伸部の略平坦な部分は、前記第３辺の長さの２分の１以上の長さを有し、
前記第３延伸部は、前記第４辺に対して略平行な部分を含み、前記第３延伸部の略平坦な部分は、前記第４辺の長さの２分の１以上の長さを有する請求項５に記載の発光素子。
【請求項７】
前記第２延伸部と前記第３延伸部とは、離間して前記第１パッド部及び前記第２パッド部のそれぞれに接続されている請求項１乃至６のいずれか一つに記載の発光素子。
【請求項８】
前記第１延伸部と前記第２延伸部と前記第３延伸部とは、隣り合う延伸部が６０°間隔になるように前記第１パッド部及び前記第２パッド部にそれぞれ接続されている請求項７に記載の発光素子。
【請求項９】
前記第１直線を垂直に２等分する第２直線上において、前記第２延伸部と前記第３延伸部との距離は、前記第１延伸部と前記第２延伸部との最短距離よりも長く、かつ前記第１延伸部と前記第３延伸部との最短距離よりも長い請求項１乃至８のいずれか一つに記載の発光素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体層と、半導体層の上面に設けられた上部電極と、半導体層の下面に設けられた下部電極と、を備える発光素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の発光素子として、略矩形状の半導体層の上面において、隣り合う２つの角部に「パッド」が配置され、その「パッド」から「細線電極」が格子形状に延伸するように配置されているものがある（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１３−１９７１９７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、従来の構造では、発光にムラが生じるという問題があった。一般的に、外部から電流を供給するためのワイヤが接続されるパッドに近い領域では電流密度が高くなり、細線電極が配置されていたとしてもパッドから離れるしたがって電流密度は低下する。その結果、パッド近傍が強く発光してしまい、発光素子全体として発光ムラが生じてしまう傾向にあった。
【０００５】
そこで本発明は、上記課題に鑑がみてなされたものであり、より均一に発光することが可能な発光素子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
前記した課題を解決するために、本発明の実施形態に係る発光素子は、半導体層と、前記半導体層の上面に設けられた上部電極と、前記半導体層の下面に設けられた下部電極と、を備える平面視が略矩形状の発光素子であって、平面視において、前記上部電極は、前記半導体層の周縁に沿って略矩形状に延伸する第１延伸部と、前記第１延伸部を構成する４辺のうち第１辺に接続される第１パッド部と、前記第１辺と対向する第２辺に接続される第２パッド部と、前記第１延伸部に囲まれた領域に設けられ、かつ前記第１パッド部と前記第２パッド部とを接続する、第２延伸部及び第３延伸部と、を有し、前記第１パッド部と前記第２パッド部とを最短距離で結ぶ第１直線よりも、前記第２延伸部は前記４辺のうちの第３辺側にあり、かつ前記第３延伸部は前記第３辺と対向する第４辺側にあり、前記第１直線を垂直に２等分する第２直線上において、前記第２延伸部と前記第３延伸部との距離は、前記第１延伸部と前記第２延伸部との最短距離以上であり、かつ前記第１延伸部と前記第３延伸部との最短距離以上である。
【発明の効果】
【０００７】
本発明の実施形態に係る発光素子によれば、半導体層の上面における電流密度のムラを軽減することができ、より均一な発光を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】第１実施形態に係る発光素子を上部電極の側からみた模式的平面図である。
【図２】図１のＬ１における模式的断面図である。
【図３】図１のＬ２における模式的断面図である。
【図４】第１実施形態に係る発光素子の発光強度分布を示す図である。
【図５】第２実施形態に係る発光素子を上部電極の側からみた模式的平面図である。
【図６】第３実施形態に係る発光素子を上部電極の側からみた模式的平面図である。
【図７】比較例１に係る発光素子の発光強度分布を示す図である。
【図８】比較例２に係る発光素子の発光強度分布を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本発明に係る発光素子を実施するための形態として、図面を参照しながら説明する。ただし、以下に示す形態は、本発明の技術思想を具体化するための例示であって、特に記載しない限り本発明を以下に限定するものではない。さらに、同一の名称、符号については、原則として同一もしくは同質の部材を示しており、詳細説明は適宜省略する。
【００１０】
＜第１実施形態＞
図１は第１実施形態に係る発光素子１００を上部電極の側からみた模式的平面図であり、図２は図１のＬ１における模式的断面図であり、図３は図１のＬ２における模式的断面図である。図４は第１実施形態に係る発光素子１００において、注入電流５００ｍＡのときの発光強度分布を示す図である。
【００１１】
図１〜４に示すように、本実施形態に係る発光素子１００は、半導体層１０と、半導体層１０の上面１２に設けられた上部電極と、半導体層１０の下面に設けられた下部電極５０と、を備える平面視が略矩形状の発光素子である。平面視において、上部電極は、半導体層１０の周縁に沿って略矩形状に延伸する第１延伸部２０と、第１延伸部２０を構成する４辺のうち第１辺２０ａに接続される第１パッド部２６と、第１辺と対向する第２辺２０ｂに接続される第２パッド部２８と、第１延伸部２０に囲まれた領域に設けられ、かつ第１パッド部２６と第２パッド部２８とを接続する第２延伸部２２及び第３延伸部２４と、を有する。第１パッド部２６と第２パッド部２８とを最短距離で結ぶ第１直線Ｌ１よりも、第２延伸部２２は４辺のうちの第３辺２０ｃ側にあり、かつ第３延伸部２４は第３辺２０ｃと対向する第４辺２０ｄ側にある。さらに、第１直線Ｌ１を垂直に２等分する第２直線Ｌ２上において、第２延伸部２２と第３延伸部２４との距離Ｘ２は、第１延伸部２０と第２延伸部２２との最短距離Ｘ１以上であり、かつ第１延伸部２０と第３延伸部２４との最短距離Ｘ３以上である。
【００１２】
これにより、半導体層１０の上面１２における電流密度のムラを軽減することができ、より均一な発光を得ることができる。
【００１３】
一般的に、パッド部には発光素子に電流を注入するためにワイヤなどの導電性部材が接続される。その結果、パッド部から近い領域では電流密度が高くなり、パッド部から遠い領域では電流密度が低くなる。これを補うために、パッド部から延伸する延伸部を設け、より広い領域に電流を拡散させる試みもされている。しかし、延伸部を設けたとしてもパッド部から離れるに従って電流密度が小さくなるので、素子全体として均一な発光を得ることは困難であった。
【００１４】
そこで、本実施形態に係る発光素子１００は、略矩形状の第１延伸部２０を構成する４辺のうち第１辺２０ａに接続される第１パッド部２６と、第１辺２０ａと対向する第２辺２０ｂに接続される第２パッド部２８と、を配置することにより、第１延伸部２０の対向する一方の辺側に電流が偏るのを軽減することができる。さらに、第１延伸部２０に囲まれた領域に、第１パッド部２６と第２パッド部２８とを接続する第２延伸部２２及び第３延伸部２４を配置することにより、第１延伸部２０よりも各パッド部２６，２８に近い第２延伸部２２および第３延伸部２４に流れ込む電流を増やすことができる。これに加え、第１パッド部２６と第２パッド部２８とを最短距離で結ぶ第１直線Ｌ１よりも、第２延伸部２２を第３辺２０ｃ側に配置する一方、第３延伸部２４を第３辺２０ｃに対向する第４辺２０ｄ側に配置することにより、第１パッド部２６と第２パッド部２８とから離れた電流密度の低い中心部Ｃを、第２延伸部２２と第３延伸部２４とで囲むように配置することができるため、電流密度の高い各パッド部２６，２８近傍の電流を中心部Ｃに集めることができる。さらにこのとき、第１直線Ｌ１を垂直に２等分する第２直線Ｌ２上において、第２延伸部２２と第３延伸部２４との距離Ｘ２は、第１延伸部２０と第２延伸部２２との最短距離Ｘ１以上とし、かつ第１延伸部２０と第３延伸部２４との最短距離Ｘ３以上とする。これにより、第１延伸部２０の第３辺２０ｃと第２延伸部２２（２２ｃ）との間の領域、及び第１延伸部２０の第４辺２０ｄと第３延伸部２４（２４ｃ）との間の領域に比べて、第２延伸部２２と第３延伸部２４とに囲まれた領域における電流密度が必要以上に高くなるのを抑制することができる。その結果、半導体層１０の上面１２における電流密度のムラを軽減することができ、図４に示すように、より均一な発光が可能となる。ここで「中心部Ｃ」とは、互いに交差する２つの直線で、半導体層１０の上面１２を均等又は略均等に４分割したときの交点をいう。例えば、図１に示すように、半導体層１０の上面１２が正方形状である場合は、２つの対角線の交点が「中心部Ｃ」となる。
【００１５】
以下、発光素子１００を構成する主な構成要素について説明する。
【００１６】
（半導体層１０）
半導体層１０を構成する材料やその構造については限定されず、種々のものを採用することができる。本実施の形態では、ｎ型半導体層１０ａ、活性層１０ｂ、ｐ型半導体層１０ｃが順に積層された構成（図示せず）とし、各層の材料としてＩｎＸＡｌＹＧａ１−Ｘ−ＹＮ（０≦Ｘ＜１、０≦Ｙ＜１、０≦Ｘ＋Ｙ＜１）等の窒化物半導体を用いている。窒化物半導体は、ＧａＡｓ等の他の材料と比較して半導体内部の抵抗が大きいため電流を効果的に広げることが難しい。したがって、本実施形態では半導体層を窒化物半導体で構成した場合に特に効果的である。
【００１７】
本実施形態では、ｎ型半導体層１０ａ側を上面１２とし、ｐ型半導体層１０ｃ側を下面としている。発光素子１００では、上面１２が光取り出し面であり、下面が後述する支持部材３０等に電気的に接続されている。また、上面１２の形状は略矩形とするのが好ましく、一般的に発光素子は一枚のウエハを個片化して得られるので、その歩留まりを考慮すれば、上面１２の形状は正方形（又は略正方形）であることが好ましい。
【００１８】
本実施形態では、上面１２の形状を正方形とし、その一辺を約１．０ｍｍとている。ただし、上面１２の大きさは種々選択することができる。上面１２の形状が正方形（又は略正方形）である場合、その一辺は０．５ｍｍ以上、好ましくは０．８ｍｍ以上とすることができる。上面１２の面積が小さいと、第１パッド部２６及び第２パッド部２８を設けたときにパッド部２６，２８間で電流密度が過度に高くなり好ましくないからである。一辺の上限は特にないが、中心部Ｃ近傍における電流密度が過度に低くならないためには、２．０ｍｍ以下、好ましくは１．５ｍｍ以下とすることができる。
【００１９】
（上部電極２０，２２，２４，２６，２８）
上部電極は、半導体層１０の上面１２に設けられる電極であり、第１パッド部２６と第２パッド部２８と第１延伸部２０と第２延伸部２２と第３延伸部２４とを少なくとも備える。具体的には、発光素子１００を上面１２側からみた平面視において、略矩形状を有する半導体層１０の外周を構成する４辺のうち１辺の近傍に第１パッド部２６が配置され、それに対向する１辺の近傍に第２パッド部２８が配置されている。なお、第１パッド部２６及び第２パッド部２８は、いずれもワイヤなどの導電部材を介して外部から電流が供給される部位である。
【００２０】
第１パッド部２６と第２パッド部２８とは、それぞれ半導体層１０の周縁に沿って略矩形状に延伸する第１延伸部２０に接続されている。具体的には、第１延伸部２０に囲まれた領域において、第１パッド部２６が第１延伸部１０を構成する４辺のうち第１辺２０ａに接続され、第２パッド部２８が第１辺２０ａと対向する第２辺２０ｂに接続されている。このように、第１パッド部２６と第２パッド部２８とが、第１延伸部２０に囲まれた領域、つまり第１延伸部２０の内側に接続されることにより、第１延伸部２０に囲まれた領域を広げることができるため、発光素子１００の発光面積を大きく設定することができるため好ましい。また、第１パッド部２６と第２パッド部２８とは、それぞれ第１延伸部２０における対角線の交点を通る第３直線上Ｌ３に配置されている。これにより、各パッド部２６，２８が中心部Ｃに対して実質的に点対称に配置されることになるため、第１延伸部２０に囲まれた領域における電流密度の偏りを軽減することができる。さらにこのとき、第１パッド部２６と第２パッド部２８とは、第１パッド部２６と第２パッド部２８とを最短距離で結ぶ第１直線Ｌ１が、各パッド部２６，２８が設けられていない第１延伸部２０を構成する４辺のうち、第３辺２０ｃ及び第４辺２０ｄに対して略平行となるように配置（第１直線Ｌ１と第３直線Ｌ３とが一致するように配置）されている。第１パッド部２６と第２パッド部２８とは、いずれも第３辺２０ｃ及び第４辺２０ｄからの最短距離が同じとなり、第３辺２０ｃ及び第４辺２０ｄかのうち一方の辺側だけの電流密度が高くなるのを抑制することができる。
【００２１】
また、第２延伸部２２と第３延伸部２４とは、第１延伸部２０に囲まれた領域に設けられ、かつ離間するようにそれぞれが第１パッド部２６と第２パッド部２８とを接続している。このため、第２延伸部２２と第３延伸部２４とは、離間して第１パッド部２６及び第２パッド部２８のそれぞれに接続されることになり、各パッド部２６，２８との接続部分で第２延伸部２２と第３延伸部２４に囲まれる狭小な領域（２２ａと２４ａ，２２ｂと２４ｂから構成される角部）を無くすことができる結果、パッド部２６，２８近傍の電流密度が必要以上に高くなるのを抑制することができる。特に、第１延伸部２０と第２延伸部２２（２２ａ，２２ｂ）と第３延伸部２４（２４ａ，２４ｂ）とは、隣り合う延伸部と等間隔、具体的には６０°間隔になるように第１パッド部２６及び第２パッド部２８にそれぞれ接続されているのが好ましく、パッド部２６，２８近傍における電流密度の偏りをさらに軽減することができる。
【００２２】
第２延伸部２２と第３延伸部２４とは、第１直線Ｌ１を挟んで互いに反対側（第１延伸部２０の第３辺２０ｃ側及び第４辺２０ｄ側）に膨らむ略台形状を有しており、各パッド部２６，２８から離れ、電流密度が低くなる傾向にある中心部Ｃの近傍まで広範に囲むことができる。具体的には、第２延伸部２２は、第１直線Ｌ１よりも、第１延伸部２０を構成する４辺のうち第３辺２０ｃ側に配置されている。つまり、第２延伸部２２は、第１パッド部２６及び第２パッド部２８の第３辺２０ｃ側の外縁からそれぞれ、互いに近づくように第３辺２０ｃに対して傾斜する方向に直線状に延伸する延伸部２２ａ，２２ｂを有し、さらにその延伸部の一方２２ａの端部から他方２２ｂの端部まで、第３辺２０ｃに対して略平行に延伸する延伸部２２ｃを有する。このように、第２延伸部２２は、第３辺２０ｃに対して略平行な部分を含み、特に第２延伸部２２の略平行な部分２２ｃは、第３辺２０ｃの長さの２分の１以上の長さを有することにより、第１延伸部２０と第２延伸部２２との間の領域における電流密度をより均一にすることができるため好ましい。一方、第３延伸部２４は、第３辺２０ｃと対向する第４辺２０ｄ側に配置されている。より具体的には、第３延伸部２４は、第１パッド部２６及び第２パッド部２８における第４辺２０ｄ側の外縁からそれぞれ、互いに近づくように第４辺２０ｄに対して傾斜する方向に直線状に延伸する延伸部２４ａ，２４ｂを有し、さらにその延伸部の一方２４ａの端部から他方２４ｂの端部まで、第４辺２０ｄに対して略平行に延伸する延伸部２４ｃを有する。このように、第３延伸部２４は、第４辺２０ｄに対して略平行な部分を含み、特に第３延伸部２４の略平行な部分２４ｃは、第４辺２０ｄの長さの２分の１以上の長さを有することにより、第１延伸部２０と第３延伸部２４との間の領域における電流密度をより均一にすることができるため好ましい。
【００２３】
本実施形態では、第１直線Ｌ１を垂直に２等分する第２直線Ｌ２上において、第２延伸部２２と第３延伸部２４との距離Ｘ２は、第１延伸部２０と第２延伸部２２との最短距離Ｘ１以上であり、かつ第１延伸部２０と前記第３延伸部２４との最短距離Ｘ３以上であり、好ましくは第２延伸部２２と第３延伸部２４との距離Ｘ２は、第１延伸部２０と第２延伸部２２との最短距離Ｘ１よりも長く、かつ第１延伸部２０と第３延伸部２４との最短距離Ｘ３よりも長い。これにより、第２直線Ｌ２方向において第２延伸部２２と第３延伸部２４とに囲まれた領域に電流が偏るのをさらに抑制することができる。
【００２４】
また、第２直線Ｌ２上において、第１延伸部２０と第２延伸部２２との最短距離Ｘ１と、第１延伸部２０と第３延伸部２４との最短距離Ｘ３と、は同じであるのが好ましい。これにより、第１延伸部２０の第３辺２０ｃと第２延伸部２２（２２ｃ）との間の領域と、第１延伸部２０の第４辺２０ｄと第３延伸部２４（２４ｃ）との間の領域と、の電流密度を均一にすることができる。さらに、第２直線Ｌ２上における、第１延伸部２０と第２延伸部２２との最短距離Ｘ１と、第２延伸部２２と第３延伸部２３との距離Ｘ２と、第１延伸部２０と第３延伸部２４との最短距離Ｘ３と、の比率に対して、第１延伸部２０の対角線上における、第１延伸部２０と第２延伸部２２との最短距離Ｙ１と、第２延伸部２２と第３延伸部２３との距離Ｙ２と、第１延伸部２０と第３延伸部２４との最短距離Ｙ３と、の比率を同じに設定するのが好ましい。これにより、第２直線Ｌ２方向における電流の広がり方に、第１延伸部２０の対角線方向における電流の広がり方を近づけることができるため、第２直線Ｌ２方向に電流が偏るのを軽減して、第１延伸部２０の角部近傍における電流密度が極端に低下するのを軽減することができる。ここで、「同じ」とは、各延伸部が完全に同じ距離又は比率で配置される場合に限られない。例えば、その差が±１０％以内、好ましくは±５％以内、より好ましくは±２％以内の場合も、実質的に同じ距離又は比率で配置されているとして、「同じ」と言うものとする。
【００２５】
また、上部電極の構造や材料については、特に限定されず種々のものを用いることができる。本実施形態では、上部電極として、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ（半導体層側から順にＴｉ、Ｐｔ及びＡｕが積層されていることを意味する。）の積層構造を有している。また、第１パッド部２６及び第２パッド部２８の形状は、略円形を有しており、その直径を約１００μｍとしている。ただし、各パッド部２６，２８の大きさは、発光素子１００に流す電流の大きさや半導体層１０の上面１２の大きさ等を考慮して種々選択することができる。また、第１延伸部２０、第２延伸部２２及び第３延伸部２４の幅は、いずれも約１５μｍとしており、注入電流などによって種々選択することができる。また、第１延伸部２０、第２延伸部２２及び第３延伸部２４の厚さについても特に限定されないが、例えば導電性の観点から、１μｍ以上５μｍ以下程度とするのが好ましく、さらに好ましくは１μｍ以上３μｍ以下程度である。
【００２６】
（下部電極５０）
下部電極５０は、半導体層１０の下面に設けられる電極である。下部電極５０は、半導体層１０の上面１２側から透過して見たときに、上部電極と重ならない位置に設けられているのが好ましい。上部電極と下部電極５０との位置をずらすことにより、電流が半導体層１０内を分散して流れ、電流密度の偏りをより軽減することができるためである。このため、半導体層１０の下面において、下部電極５０が設けられていない領域には、ＳｉＯ２などの絶縁膜６０が設けられているのが好ましい。後述する接合層７０が、上部電極と重なる位置で半導体層１０の下面に接続されないようにするためである。また、下部電極５０の構造や材料については、限定されずに種々のものを用いることができる。例えば、本実施形態における下部電極５０、半導体層１０側から順にＡｇ／Ｎｉ／Ｔｉ／Ｐｔの積層構造を有している。
【００２７】
（支持部材３０）
支持部材３０は必須の構成ではないが、発光素子１００では半導体層１０を支持するための支持部材３０を備え、後述する接合層７０を介して下部電極５０と電気的に接続されている。支持部材３０の構造や材料については、限定されずに種々のものを用いることができる。例えば、本実施形態では支持部材３０の材料としてＳｉを用いており、発光素子１００を実装するときの接合性を考慮して、支持部材３０の下面全体にＡｕなどを含む金属層８０を有するのが好ましい。
【００２８】
（接合層７０）
接合層７０は、下部電極５０及び絶縁膜６０に支持部材３０を接合するための導電性の部材である。接合層７０の構造や材料については、限定されずに種々のものを用いることができる。例えば、本実施形態における接合層７０では、半導体層１０側から順にＴｉ／Ｐｔ／Ａｕ／Ｐｔ／Ｔｉの積層構造を有している。
【００２９】
（保護膜４０）
保護膜４０は、半導体層１０を短絡や埃・塵の付着等による物理的ダメージから保護するための部材である。保護膜４０は、ワイヤなどを接続するための領域として各パッド部２６，２８の上面で開口し、半導体層１０の上面１２及び側面を被覆するように設けられている。また、保護膜４０の構造や材料については、限定されずに種々のものを用いることができ、例えば本実施形態ではＳｉＯ２が用いられている。
【００３０】
＜第２実施形態＞
図５は、第２実施形態に係る発光素子２００を上部電極の側からみた模式的平面図である。以下、第１実施形態と異なる構成について説明する。
【００３１】
本実施形態に係る発光素子２００は、第１実施形態に係る発光素子１００とは異なり、第２延伸部２２と第３延伸部２４とが、第１直線Ｌ１を挟んで互いに反対側（第１延伸部２０の第３辺２０ｃ側及び第４辺２０ｄ側）に湾曲した形状を有している。
【００３２】
その結果、発光素子１００よりも半導体層１０の上面１２の面積に占める第２延伸部２２及び第３延伸部２４の面積を減らすことができ、光取り取り出し効率を高めることができる。また、第２延伸部２２及び第３延伸部２４に屈曲する部分がないため、第２延伸部２２及び第３延伸部２４の近傍における電流密度をより均一にすることができる。
【００３３】
＜第３実施形態＞
図６は、第３実施形態に係る発光素子３００を上部電極の側からみた模式的平面図である。以下、第１実施形態と異なる構成について説明する。
【００３４】
本実施形態に係る発光素子３００は、第１実施形態に係る発光素子１００とは異なり、第１パッド部２６と第２パッド部２８とを最短距離で結ぶ第１直線Ｌ１が、第１延伸部２０における対角線の交点を通り、かつ各パッド部２６，２８が設けられていない第１延伸部２０を構成する４辺のうち、第３辺２０ｃ及び第４辺２０ｄに対して傾斜するように、第１パッド部２６と第２パッド部２８とが配置されている。各パッド部２６，２８間を接続する第２延伸部２２と第３延伸部２４とは、傾斜した第１直線Ｌ１に対して対称となる形状に配置されている。
【００３５】
その結果、各パッド部２６，２８間の距離を長く設定することができることになり、第１延伸部３０に囲まれる領域が増え、電流密度の低い領域を減らすことができる。
【実施例】
【００３６】
以下、本発明の実施形態に係る発光素子が奏する効果について、上部電極の配置が異なる、図４（実施例１），図７（比較例１）及び図８（比較例２）を参照しながら説明する。なお、図４，図７及び図８は、いずれも注入電流を５００ｍＡとしたときの半導体層の上面（光取り出し面）側から測定した発光強度分布を示す。
[実施例１]
【００３７】
実施例１に係る発光素子は、第１実施形態に係る発光素子１００と同様の電極形状を有し、図４に示すように、光取出し面内における発光強度分布の偏りが、比較例１及び比較例２よりも改善されていることが分かる。また、このときの順方向電圧（Ｖｆ）は３．７０Ｖであり、光出力（Ｐｏ）は５８６ｍＷであり、発光効率（ＷＰＥ）は３１．７％であある。
[比較例１]
【００３８】
比較例１に係る発光素子は、半導体層の周縁に沿って略矩形状に延伸する環状延伸部と、その環状延伸部に囲まれた領域を３等分する２つの直線状の延伸部とを有し、さらに環状延伸部を構成する４辺のうち１辺と、２つの直線状の延伸部とが交わる部分にそれぞれ設けられたパッド部を有する。
【００３９】
図７に示すように、パッド部が設けられた側の発光強度が高く、それ以外の領域では発光強度が低くなっており、光取出し面内における発光強度分布に偏りが生じているのが分かる。また、このときの順方向電圧（Ｖｆ）は３．７４Ｖであり、光出力（Ｐｏ）は５７９ｍＷであり、発光効率（ＷＰＥ）は３１．０％である。
[比較例２]
【００４０】
比較例２に係る発光素子は、パッド部の配置を、比較例１における環状延伸部の隣り合う２つの角部に変更したものであり、従来の発光素子（特許文献１参照）とほぼ同様の電極形状を有する。
【００４１】
図８に示すように、パッド部が設けられた側の発光強度が高い一方、中心部付近の発光強度が低くなっており、比較例１と同様に光取出し面内における発光強度分布に偏りが生じているのが分かる。また、このときの順方向電圧（Ｖｆ）は３．７４Ｖであり、光出力（Ｐｏ）は５８２ｍＷであり、発光効率（ＷＰＥ）は３１．１％である。
【００４２】
また、実施例１、比較例１及び比較例２における、順方向電圧（Ｖｆ）、光出力（Ｐｏ）及び発光効率（ＷＰＥ）を対比しやすくするために、以下の表１に示す。
【００４３】
【表１】
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【００４４】
表１に示されるように、実施例１は、比較例１に対してＶｆが０．０４Ｖ低く、Ｐｏが７ｍＷ高く、ＷＰＥが０．７％高くなっており、さらに比較例２に対してもＶｆが０．４Ｖ低く、Ｐｏが４ｍＷ高く、ＷＰＥが０．６％高くなっており、いずれの値も比較例１及び比較例２より良好であることが分かる。
【産業上の利用可能性】
【００４５】
本発明の実施形態に係る発光素子は、一般照明の他に、液晶のバックライトや自動車のヘッドライト、信号機、大型ディスプレイ、露光機等の各種光源に利用することができる。
【符号の説明】
【００４６】
１００、２００、３００  発光素子
１０  半導体層
２０  上部電極の第１延伸部
２２  上部電極の第２延伸部
２４  上部電極の第３延伸部
２６  上部電極の第１パッド部
２８  上部電極の第２パッド部
３０  支持部材
４０  保護膜
５０  下部電極
６０  絶縁膜
７０  接合層
８０  金属層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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