(57)【要約】【課題】イメージセンサー構造を提供する。【解決手段】イメージセンサー構造が提供される。イメージセンサー構造は、基板、基板に形成される複数の光電変換ユニット、基板と光電変換ユニット上に形成される複数の互いに分離したカラーフィルター、互いに分離したカラーフィルターを囲む第一遮光層、および、互いに分離したカラーフィルター間と、互いに分離したカラーフィルターと第一遮光層間とに充填される低屈折率の成分とブレンドされる第一導電性ポリマー素子、を含み、第一導電性ポリマー素子は接地パッドに接続される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板に形成される複数の光電変換ユニットと、
前記基板と前記光電変換ユニット上に形成される複数の互いに分離したカラーフィルターと、
前記互いに分離したカラーフィルターを囲む第一遮光層と、
前記互いに分離したカラーフィルター間、および、前記互いに分離したカラーフィルターと前記第一遮光層間に充填される第一導電性ポリマー素子と、
を有し、
前記第一導電性ポリマー素子は接地パッドに接続されること、
を特徴とするイメージセンサー構造。
【請求項２】
さらに、前記第一導電性ポリマー素子とブレンドされる成分を含むことを特徴とする請求項１に記載のイメージセンサー構造。
【請求項３】
前記成分は、フルオロアクリルポリマー、フルオロアクリルコポリマー、または、それらの組み合わせを含むことを特徴とする請求項２に記載のイメージセンサー構造。
【請求項４】
前記成分は、１.５より低い屈折率を有することを特徴とする請求項３に記載のイメージセンサー構造。
【請求項５】
前記成分と前記第一導電性ポリマー素子の荷重配分比は１-２０wt%であることを特徴とする請求項２、３、４のいずれか一項に記載のイメージセンサー構造。
【請求項６】
さらに、前記第一遮光層を囲む第二遮光層を含み、前記第二遮光層は金属を含むことを特徴とする請求項１、２、３、４、５のいずれか一項に記載のイメージセンサー構造。
【請求項７】
前記第一導電性ポリマー素子は、金属ビアと金属線により、前記接地パッドに電気的に接続されることを特徴とする請求項１、２、３、４、５、６のいずれか一項に記載のイメージセンサー構造。
【請求項８】
さらに、前記第一導電性ポリマー素子と接続する第二導電性ポリマー素子を含み、前記第二導電性ポリマー素子は前記第二遮光層と接触し、前記第一導電性ポリマー素子は、前記第二導電性ポリマー素子、前記第二遮光層、金属ビアと金属線により、前記接地パッドに電気的に接続されることを特徴とする請求項６に記載のイメージセンサー構造。
【請求項９】
さらに、前記第一導電性ポリマー素子と前記第二遮光層を接続する第三導電性ポリマー素子を含み、前記第三導電性ポリマー素子は前記第一遮光層を通過し、前記第一導電性ポリマー素子は、前記第三導電性ポリマー素子、前記第二遮光層、金属ビアと金属線により、前記接地パッドに電気的に接続されることを特徴とする請求項６に記載のイメージセンサー構造。
【請求項１０】
さらに、前記第一導電性ポリマー素子と前記接地パッドを接続する第四導電性ポリマー素子を含み、前記第四導電性ポリマー素子は前記第一遮光層を通過し、前記第二遮光層を越え、第一導電性ポリマー素子は、前記第四導電性ポリマー素子により、前記接地パッドに電気的に接続されることを特徴とする請求項６に記載のイメージセンサー構造。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、イメージセンサー構造に関するものであって、特に、導電性ポリマー素子を有するイメージセンサー構造に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
イメージセンサーは、光学像を電気信号に転換する一種の半導体装置である。イメージセンサーは、一般に、電荷結合素子（CCD）と相補型MOS（CMOS）イメージセンサーに分類される。これらのイメージセンサー間において、CMOSイメージセンサーは、入射光を検知して電気信号に転換するフォトダイオード、および、電気信号を送信、および、処理する論理回路を有する。
【０００３】
イメージセンサーにおいて、隣接するカラーフィルター間のクロストークを回避するため、カラーフィルター間にグリッドが設置される。一般に、金属、または、酸化物がグリッドの材料として採用される。しかし、金属グリッドは、カラーフィルタープロセス期間中、長時間、フォトレジスト、現像、および、DI水にさらされるので腐食する。さらに、酸化物グリッドは、グリッドとカラーフィルター間の屈折率の変化をさらに増加することができない定屈折率（約１.４６）を有するので、装置の感度を減少させる。
【０００４】
さらに、半導体プロセス、たとえば、ウェハの高速回転ステップ期間中、ウェハ上に帯電が起こる。残念ながら、静電気ウェハはインライン計測に影響し、エラーデータを得て、且つ、高暗電流を誘発する。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
これにより、デバイス性能、たとえば、感度やSNR（signal-to-noise ratio）を改善し、効果的に、帯電問題を改善することができる適切な材料と調整可能な屈折率（グリッドとカラーフィルター間の屈折率の変化をさらに増加することができる）を有する新規のグリッドの発展が望まれる。
そこで、本発明は、イメージセンサー構造を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の実施態様は、基板、基板に形成される複数の光電変換ユニット、基板と光電変換ユニット上に形成される複数の互いに分離したカラーフィルター、互いに分離したカラーフィルターを囲む第一遮光層、および、互いに分離したカラーフィルター間、および、互いに分離したカラーフィルターと第一遮光層間に充填される第一導電性ポリマー素子を含むイメージセンサー構造を提供し、第一導電性ポリマー素子は接地パッドに接続される。
【０００７】
光電変換ユニットはフォトダイオードを含む。
【０００８】
カラーフィルターは、顔料、アクリル樹脂、または、感受性ポリマーを含む。
【０００９】
第一遮光層は、顔料、アクリル樹脂、または、感受性ポリマーを含む。
【００１０】
イメージセンサー構造は、さらに、第一導電性ポリマー素子とブレンドされる成分を含む。成分は、フルオロアクリルポリマー、フルオロアクリルコポリマー、または、それらの組み合わせを含む。成分は、１.５より低い屈折率を有する。成分と第一導電性ポリマー素子の荷重配分比は１-２０wt%である。
【００１１】
イメージセンサー構造は、さらに、第一遮光層を囲む第二遮光層を含む。第二遮光層は金属を含む。
【００１２】
この実施態様において、第一導電性ポリマー素子は、金属ビアと金属線により、接地パッドに電気的に接続される。
【００１３】
本発明の実施態様は、基板、基板に形成される複数の光電変換ユニット、基板と光電変換ユニット上に形成される複数の互いに分離したカラーフィルター、互いに分離したカラーフィルターを囲む第一遮光層、および、互いに分離したカラーフィルター間、および、互いに分離したカラーフィルターと第一遮光層間に充填される第一導電性ポリマー素子、を含むイメージセンサー構造を提供し、第一導電性ポリマー素子は接地パッドに接続される。イメージセンサー構造は、さらに、第一遮光層を囲む第二遮光層を含む。この実施態様において、イメージセンサー構造は、さらに、第一導電性ポリマー素子と接続される第二導電性ポリマー素子を有し、第二導電性ポリマー素子は第二遮光層と接触する。
【００１４】
第一導電性ポリマー素子は、第二導電性ポリマー素子、第二遮光層、金属ビア、および、金属線により、接地パッドに電気的に接続される。
【００１５】
本発明の実施態様は、基板、基板に形成される複数の光電変換ユニット、基板と光電変換ユニット上に形成される複数の互いに分離したカラーフィルター、互いに分離したカラーフィルターを囲む第一遮光層、および、互いに分離したカラーフィルター間、および、互いに分離したカラーフィルターと第一遮光層間に充填される第一導電性ポリマー素子、を含むイメージセンサー構造を提供し、第一導電性ポリマー素子は接地パッドに接続される。イメージセンサー構造は、さらに、第一遮光層を囲む第二遮光層を含む。この実施態様において、イメージセンサー構造は、さらに、第一導電性ポリマー素子と接続される第三導電性ポリマー素子を含み、第三導電性ポリマー素子は、第一遮光層により、第二遮光層に接続される。
【００１６】
第一導電性ポリマー素子は、第三導電性ポリマー素子、第二遮光層、金属ビア、および、金属線により、接地パッドに電気的に接続される。
【００１７】
本発明の実施態様は、基板、基板に形成される複数の光電変換ユニット、基板と光電変換ユニット上に形成される複数の互いに分離したカラーフィルター、互いに分離したカラーフィルターを囲む第一遮光層、および、互いに分離したカラーフィルター間、および、互いに分離したカラーフィルターと第一遮光層間に充填される第一導電性ポリマー素子、を含むイメージセンサー構造を提供し、第一導電性ポリマー素子は接地パッドに接続される。イメージセンサー構造は、さらに、第一遮光層を囲む第二遮光層を含む。この実施態様において、イメージセンサー構造は、さらに、第一導電性ポリマー素子と接続される第四導電性ポリマー素子を含み、第四導電性ポリマー素子は第一遮光層を通過すると共に、第二遮光層を越えて、接地パッドに接続される。
【００１８】
第一導電性ポリマー素子は、第四導電性ポリマー素子により、接地パッドに電気的に接続される。
【００１９】
イメージセンサー構造は、さらに、互いに分離したカラーフィルター上に形成される複数のマイクロレンズを含む。
【００２０】
イメージセンサー構造は、表面照射型イメージセンサー構造、または、裏面照射型イメージセンサー構造を含む。
【００２１】
本発明は、低屈折率の成分、たとえば、フルオロアクリルポリマー、フルオロアクリルコポリマー、または、それらの組み合わせとブレンドされる導電性ポリマーを採用し、カラーフィルター間、および、カラーフィルターと遮光層間に充填されると共に、接地パッドに接続される素子を定義する。よって、素子とカラーフィルター間の屈折率の変化、および、導電性ポリマー素子から、帯電を放出することができる接地パッドへの電気的接続の配列を増加することができる調整可能な屈折率を有する導電性ポリマー素子の形成により、導電性ポリマー素子を有するイメージセンサー構造のSNR（signal-to-noise ratio）が改善され、半導体プロセスで生成される帯電が、イメージセンサー構造から放出される。
【００２２】
上記及び他の目的及び本発明の特徴は、添付図面とともに以下の記載を参照することにより明らかとなる。
【発明の効果】
【００２３】
本発明により、デバイス性能、たとえば、感度やSNR（signal-to-noise ratio）を改善し、効果的に、帯電問題を改善することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本発明の実施形態によるイメージセンサー構造の上面図である。
【図２】本発明の実施形態による図１のA-A’に沿ったイメージセンサー構造の断面図である。
【図３】本発明の実施形態によるイメージセンサー構造の上面図である。
【図４】本発明の実施形態による図３のB-B’に沿ったイメージセンサー構造の断面図である。
【図５】本発明の実施形態によるイメージセンサー構造の上面図である。
【図６】本発明の実施形態による図５のC-C’に沿ったイメージセンサー構造の断面図である。
【図７】本発明の実施形態によるイメージセンサー構造の上面図である。
【図８】本発明の実施形態による図７のD-D’に沿ったイメージセンサー構造の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
本明細書で詳細に説明され、添付の図面に示される装置及び方法は、非限定的な例示的実施形態であること、並びに、本発明の各種の実施形態の範囲は、特許請求の範囲によってのみ定義されることは、当業者には理解されよう。
【００２６】
本発明の実施形態によるイメージセンサー構造を図１と図２を参照して詳述する。図１はイメージセンサー構造の上面図である。図２は、図１のA-A’に沿ったイメージセンサー構造の断面図である。
【００２７】
図１と図２を参照すると、イメージセンサー構造１０が提供される。イメージセンサー構造１０は、基板１２、基板１２に形成される複数の光電変換ユニット１４、基板１２と光電変換ユニット１４上に形成される複数の互いに分離したカラーフィルター１６、互いに分離したカラーフィルター１６（図１に示される）を囲む第一遮光層１８、および、互いに分離したカラーフィルター１６間と、互いに分離したカラーフィルター１６と第一遮光層１８間とに充填される第一導電性ポリマー素子２０を含む。第一導電性ポリマー素子２０は、接地パッド２２に、たとえば、「物理的接続」または「非物理的接続であるが、導電パスの手段により」電気的に接続される。さらに、光電変換ユニット１４と互いに分離したカラーフィルター１６は互いに位置合わせされる。
【００２８】
いくつかの実施形態において、光電変換ユニット１４はフォトダイオード（PD）を含む。
【００２９】
いくつかの実施形態において、カラーフィルター１６は、顔料、アクリル樹脂、または、感受性ポリマーを含む。
【００３０】
いくつかの実施形態において、第一遮光層１８は、顔料、アクリル樹脂、または、感受性ポリマーを含む。
【００３１】
いくつかの実施形態において、イメージセンサー構造１０は、さらに、第一導電性ポリマー素子２０とブレンドされる成分を含む。いくつかの実施形態において、成分は、フルオロアクリルポリマー、フルオロアクリルコポリマー、または、それらの組み合わせを含む。いくつかの実施形態において、成分は、約１.５より低い屈折率を有する。いくつかの実施形態において、成分と第一導電性ポリマー素子２０の荷重配分比は、約１-１０wt%または１-２０wt%である。
【００３２】
いくつかの実施形態において、イメージセンサー構造１０は、さらに、第一遮光層１８（図１に示される）を囲む第二遮光層２４を含む。いくつかの実施形態において、第二遮光層２４は金属を含む。
【００３３】
図２は、導電パス中の各種素子、たとえば、金属線と金属ビア間の関係を示す。図２を参照すると、この実施形態において、第一導電性ポリマー素子２０は、金属ビア２６と金属線２８により、接地パッド２２に電気的に接続される。金属線と金属ビアが位置する領域は、さらに、反射防止層、漏れ防止層、または、特定機能の層を含む。表面照射型イメージセンサー構造において、この領域は、さらに、配線層を含む。
【００３４】
いくつかの実施形態において、イメージセンサー構造１０は、さらに、互いに分離したカラーフィルター１６上に形成される複数のマイクロレンズ（図示しない）を含む。
【００３５】
いくつかの実施形態において、イメージセンサー構造１０は、表面照射型イメージセンサー構造（図示しない）、または、裏面照射型イメージセンサー構造（図示しない）を含む。
【００３６】
本発明の実施形態によるイメージセンサー構造を図３と図４を参照して詳述する。図３はイメージセンサー構造の上面図である。図４は、図３のB-B’に沿ったイメージセンサー構造の断面図である。
【００３７】
図３と図４を参照すると、イメージセンサー構造６０が提供される。イメージセンサー構造６０は、基板６２、基板６２に形成される複数の光電変換ユニット６４、基板６２と光電変換ユニット６４上に形成される複数の互いに分離したカラーフィルター６６、互いに分離したカラーフィルター６６（図３に示される）を囲む第一遮光層６８、および、互いに分離したカラーフィルター６６間と、互いに分離したカラーフィルター６６と第一遮光層６８間とに充填される第一導電性ポリマー素子７０を含む。第一導電性ポリマー素子７０は、接地パッド７２に、たとえば、「物理的接続」または「非物理的接続であるが、導電パスの手段により」、電気的に接続される。さらに、光電変換ユニット６４と互いに分離したカラーフィルター６６は互いに位置合わせされる。
【００３８】
いくつかの実施形態において、光電変換ユニット６４はフォトダイオード（PD）を含む。
【００３９】
いくつかの実施形態において、カラーフィルター６６は、顔料、アクリル樹脂、または、感受性ポリマーを含む。
【００４０】
いくつかの実施形態において、第一遮光層６８は、顔料、アクリル樹脂、または、感受性ポリマーを含む。
【００４１】
いくつかの実施形態において、イメージセンサー構造６０は、さらに、第一導電性ポリマー素子７０とブレンドされる成分を含む。いくつかの実施形態において、成分は、フルオロアクリルポリマー、フルオロアクリルコポリマー、または、それらの組み合わせを含む。いくつかの実施形態において、成分は、約１.５より低い屈折率を有する。いくつかの実施形態において、成分と第一導電性ポリマー素子７０の荷重配分比は、約１-１０wt%または１-２０wt%である。
【００４２】
いくつかの実施形態において、イメージセンサー構造６０は、さらに、第一遮光層６８（図３に示される）を囲む第二遮光層７４を含む。いくつかの実施形態において、第二遮光層７４は金属を含む。
【００４３】
図４は、導電性パス中の各種素子、たとえば、金属線と金属ビア間の関係を示す。図４を参照すると、この実施態様において、イメージセンサー構造６０は、さらに、第一導電性ポリマー素子７０に接続され、第二遮光層７４と接触する第二導電性ポリマー素子７０’を含む。この実施態様において、第一導電性ポリマー素子７０は、第二導電性ポリマー素子７０’、第二遮光層７４、金属ビア７６、および、金属線７８により、接地パッド７２に電気的に接続される。金属線と金属ビアが位置する領域は、さらに、反射防止層、漏れ防止層、または、特定機能の層を有する。表面照射型イメージセンサー構造において、この領域は、さらに、配線層を含む。
【００４４】
いくつかの実施形態において、イメージセンサー構造６０は、さらに、互いに分離したカラーフィルター６６上に形成される複数のマイクロレンズ（図示しない）を含む。
【００４５】
いくつかの実施形態において、イメージセンサー構造６０は、表面照射型イメージセンサー構造（図示しない）、または、裏面照射型イメージセンサー構造（図示しない）を含む。
【００４６】
本発明の実施形態によるイメージセンサー構造を図５と図６を参照して詳述する。図５はイメージセンサー構造の上面図である。図６は、図５のC-C’に沿ったイメージセンサー構造の断面図である。
【００４７】
図５と図６を参照すると、イメージセンサー構造１００が提供される。イメージセンサー構造１００は、基板１２０、基板１２０に形成される複数の光電変換ユニット１４０、基板１２０と光電変換ユニット１４０上に形成される複数の互いに分離したカラーフィルター１６０、互いに分離したカラーフィルター１６０（図５に示される）を囲む第一遮光層１８０、および、互いに分離したカラーフィルター１６０間と、互いに分離したカラーフィルター１６０と第一遮光層１８０間とに充填される第一導電性ポリマー素子２００を含む。第一導電性ポリマー素子２００は、接地パッド２２０に、たとえば、「物理的接続」または「非物理的接続であるが、導電パスの手段により」電気的に接続される。さらに、光電変換ユニット１４０と互いに分離したカラーフィルター１６０は互いに位置合わせされる。
【００４８】
いくつかの実施形態において、光電変換ユニット１４０はフォトダイオード（PD）を含む。
【００４９】
いくつかの実施形態において、カラーフィルター１６０は、顔料、アクリル樹脂、または、感受性ポリマーを含む。
【００５０】
いくつかの実施形態において、第一遮光層１８０は、顔料、アクリル樹脂、または、感受性ポリマーを含む。
【００５１】
いくつかの実施形態において、イメージセンサー構造１００は、さらに、第一導電性ポリマー素子２００とブレンドされる成分を含む。いくつかの実施形態において、成分は、フルオロアクリルポリマー、フルオロアクリルコポリマー、または、それらの組み合わせを含む。いくつかの実施形態において、成分は、約１.５より低い屈折率を有する。いくつかの実施形態において、成分と第一導電性ポリマー素子２００の荷重配分比は、約１-１０wt%または１-２０wt%である。
【００５２】
いくつかの実施形態において、イメージセンサー構造１００は、さらに、第一遮光層１８０（図５に示される）を囲む第二遮光層２４０を含む。いくつかの実施形態において、第二遮光層２４０は金属を含む。
【００５３】
図６は、導電性パス中の各種素子、たとえば、金属線と金属ビア間の関係を示す。図６を参照すると、この実施態様において、イメージセンサー構造１００は、さらに、第一導電性ポリマー素子２００と第二遮光層２４０を接続する第三導電性ポリマー素子２００’を含む。第三導電性ポリマー素子２００’は第一遮光層１８０を通過する。この実施態様において、第一導電性ポリマー素子２００は、第三導電性ポリマー素子２００’、第二遮光層２４０、金属ビア２６０と金属線２８０により、接地パッド２２０に接続される。金属線と金属ビアが位置する領域は、さらに、反射防止層、漏れ防止層、または、特定機能の層を含む。表面照射型イメージセンサー構造において、この領域は、さらに、配線層を含む。
【００５４】
いくつかの実施形態において、イメージセンサー構造１００は、さらに、互いに分離したカラーフィルター１６０上に形成される複数のマイクロレンズ（図示しない）を含む。
【００５５】
いくつかの実施形態において、イメージセンサー構造１００は、表面照射型イメージセンサー構造（図示しない）、または、裏面照射型イメージセンサー構造（図示しない）を含む。
【００５６】
本発明の実施形態によるイメージセンサー構造を図７と図８を参照して詳述する。図７はイメージセンサー構造の上面図である。図８は、図７のD-D’に沿ったイメージセンサー構造の断面図である。
【００５７】
図７と図８を参照すると、イメージセンサー構造６００が提供される。イメージセンサー構造６００は、基板６２０、基板６２０に形成される複数の光電変換ユニット６４０、基板６２０と光電変換ユニット６４０上に形成される複数の互いに分離したカラーフィルター６６０、互いに分離したカラーフィルター６６０（図７に示される）を囲む第一遮光層６８０、および、互いに分離したカラーフィルター６６０間と、互いに分離したカラーフィルター６６０と第一遮光層６８０間とに充填される第一導電性ポリマー素子７００を含む。第一導電性ポリマー素子７００は、設置パッド７２０に、たとえば、「物理的接続」または「非物理的接続であるが、導電パスの手段により」に電気的に接続される。さらに、光電変換ユニット６４０と互いに分離したカラーフィルター６６０は互いに位置合わせされる。
【００５８】
いくつかの実施形態において、光電変換ユニット６４０はフォトダイオード（PD）を含む。
【００５９】
いくつかの実施形態において、カラーフィルター６６０は、顔料、アクリル樹脂、または、感受性ポリマーを含む。
【００６０】
いくつかの実施形態において、第一遮光層６８０は、顔料、アクリル樹脂、または、感受性ポリマーを含む。
【００６１】
いくつかの実施形態において、イメージセンサー構造６００は、さらに、第一導電性ポリマー素子７００とブレンドされる成分を含む。いくつかの実施形態において、成分は、フルオロアクリルポリマー、フルオロアクリルコポリマー、または、それらの組み合わせを含む。いくつかの実施形態において、成分は、約１.５より低い屈折率を有する。いくつかの実施形態において、成分と第一導電性ポリマー素子７００の荷重配分比は、約１-１０wt%または１-２０wt%である。
【００６２】
いくつかの実施形態において、イメージセンサー構造６００は、さらに、第一遮光層６８０（図７に示される）を囲む第二遮光層７４０を含む。いくつかの実施形態において、第二遮光層７４０は金属を含む。
【００６３】
図８は、導電パス中の各種素子、たとえば、金属線と金属ビア間の関係を示す。図８を参照すると、この実施態様において、イメージセンサー構造６００は、さらに、第一導電性ポリマー素子７００と接地パッド７２０を接続する第四導電性ポリマー素子７００’を含む。第四導電性ポリマー素子７００’は第一遮光層６８０を通過し、第二遮光層７４０を越える。この実施態様において、第一導電性ポリマー素子７００は、第四導電性ポリマー素子７００’により、接地パッド７２０に電気的に接続される。金属線と金属ビアが位置する領域は、さらに、反射防止層、漏れ防止層、または、特定機能の層を含む。表面照射型イメージセンサー構造において、この領域は、さらに、配線層を含む。
【００６４】
いくつかの実施形態において、イメージセンサー構造６００は、さらに、互いに分離したカラーフィルター６６０上に形成される複数のマイクロレンズ（図示しない）を含む。
【００６５】
いくつかの実施形態において、イメージセンサー構造６００は、表面照射型イメージセンサー構造（図示しない）、または、裏面照射型イメージセンサー構造（図示しない）を含む。
【００６６】
本発明は、低屈折率の成分、たとえば、フルオロアクリルポリマー、フルオロアクリルコポリマー、または、それらの組み合わせとブレンドされる導電性ポリマーを採用し、カラーフィルター間と、カラーフィルターと遮光層間とに充填されると共に、接地パッドに接続される素子を定義する。よって、素子とカラーフィルター間の屈折率の変化、および、導電性ポリマー素子から、帯電を放出することができる接地パッドへの電気的接続の配列を増加することができる調整可能な屈折率を有する導電性ポリマー素子の形成により、導電性ポリマー素子を有するイメージセンサー構造のSNR（signal-to-noise ratio）が改善され、半導体プロセスで生成される帯電が、イメージセンサー構造から放出される。さらに、導電性ポリマー素子は、たとえば、コーティング、露光、および、現像（リソグラフィ）のプロセス、エッチングのプロセス、または、化学気相蒸着のプロセスにより形成される。
【００６７】
本発明では好ましい実施例を前述の通り開示したが、これらは決して本発明に限定するものではなく、当該技術を熟知する者なら誰でも、本発明の精神と領域を脱しない範囲内で各種の変動や潤色を加えることができ、従って本発明の保護範囲は、特許請求の範囲で指定した内容を基準とする。
【符号の説明】
【００６８】
１０、６０、１００、６００  イメージセンサー構造
１２、６２、１２０、６２０  基板
１４、６４、１４０、６４０  光電変換ユニット
１６、６６、１６０、６６０  カラーフィルター
１８、６８、１８０、６８０  第一遮光層
２０、７０、２００、７００  第一導電性ポリマー素子
２２、７２、２２０、７２０  接地パッド
２４、７４、２４０、７４０  第二遮光層
２６、７６、２６０  金属ビア
２８、７８、２８０  金属線
７０’  第二導電性ポリマー素子
２００’  第三導電性ポリマー素子
７００’  第四導電性ポリマー素子
【図１】
2016072591.tif 000003
【図２】
2016072591.tif 000004
【図３】
2016072591.tif 000005
【図４】
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【図５】
2016072591.tif 000007
【図６】
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【図７】
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【図８】
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