(57)【要約】【課題】ガラス基板の両面に樹脂層を形成した後にレーザ光を照射して貫通孔を形成すると、レーザ照射時の樹脂層の変形によってガラス基板に応力が発生して、ガラス基板の割れが発生してしまう。また、樹脂層での開口径がガラス基板で開口径よりも大きくなってしまい、貫通孔の狭ピッチ化が困難になる場合がある。【解決手段】配線基板の製造方法では、ガラス基板の第１面上に形成された樹脂層を有するコア基板を準備し、樹脂層が形成されていない第２面側からのレーザ照射により複数の貫通孔をコア基板に形成し、コア基板の樹脂層の表面から貫通孔の内面を介して第２面まで続く接続導体層を形成し、接続導体層に接続された導体層としてコア基板の第１面側に第１導体層を形成するとともに第２面側に第２導体層を形成する。【選択図】図１
2016111221.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線基板の製造方法であって、
互いに対向する第１面と第２面とを有するガラス基板と当該ガラス基板の第１面上に形成された樹脂層とを有するコア基板を準備する工程と、
樹脂層が形成されていない前記第２面側からのレーザ照射により、前記第１面から前記第２面に向けて内径が大きくなる形状の複数の貫通孔を前記コア基板に形成する工程と、
前記ガラス基板の前記第１面上に形成された前記樹脂層の表面から前記貫通孔の内面を介して前記第２面まで続く接続導体層を形成する工程と、
前記接続導体層に接続された導体層として、前記コア基板の前記第１面側に第１導体層を形成するとともに前記第２面側に第２導体層を形成する工程と、
を備えることを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の配線基板の製造方法であって、
前記ガラス基板の前記第１面での前記貫通孔の開口径をｔ１とし、
前記ガラス基板の前記第２面での前記貫通孔の開口径をｔ２とし、
前記樹脂層の表面での前記貫通孔の開口径をｔ３としたとき、
１．２×ｔ２≧ｔ３＞ｔ１であることを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項３】
請求項２に記載の配線基板の製造方法であって、
ｔ２≧ｔ３＞ｔ１であることを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法であって、
前記樹脂層は熱硬化性樹脂製であり、
前記樹脂層の厚みは前記ガラス基板の厚みの１／１０以下であることを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法であって、
前記ガラス基板の厚みは５００μｍ以下であることを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項６】
配線基板であって、
互いに対向する第１面と第２面とを有するガラス基板と、前記第１面上に形成された樹脂層とを含むコア基板と、
前記第１面から前記第２面に向けて内径が大きくなる形状をなし、前記コア基板を貫通する複数の貫通孔と、
前記ガラス基板の前記第１面上に形成された前記樹脂層の表面から前記貫通孔の内面を介して前記第２面まで続くように形成された接続導体層と、
前記接続導体層に接続された導体層であって、前記コア基板の前記第１面側に形成された第１導体層及び前記第２面側に形成された第２導体層と、
を備えることを特徴とする配線基板。
【請求項７】
請求項６に記載の配線基板であって、
前記ガラス基板の前記第１面での前記貫通孔の開口径をｔ１とし、
前記ガラス基板の前記第２面での前記貫通孔の開口径をｔ２とし、
前記樹脂層の表面での前記貫通孔の開口径をｔ３としたとき、
１．２×ｔ２≧ｔ３＞ｔ１であることを特徴とする配線基板。
【請求項８】
請求項７に記載の配線基板であって、
ｔ２≧ｔ３＞ｔ１であることを特徴とする配線基板。
【請求項９】
請求項６〜８のいずれか一項に記載の配線基板であって、
前記樹脂層の厚みは前記ガラス基板の厚みの１／１０以下であることを特徴とする配線基板。
【請求項１０】
請求項６〜９のいずれか一項に記載の配線基板であって、
前記ガラス基板の厚みは５００μｍ以下であることを特徴とする配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、半導体チップを実装可能な配線基板として、ガラス製のコア層（「ガラス基板」とも呼ぶ）を利用した配線基板が知られている（例えば、特許文献１，２）。ガラス基板を利用した配線基板は、樹脂製のコア層を有する配線基板に比べて、反りやうねりを生じ難いのでハンドリング性に優れており、また、配線密度の向上や配線基板の厚みの低減の点でも有利である。特に近年では、配線密度を高めるために、コア層に形成される貫通孔のピッチを小さくすること（狭ピッチ化）が要望されている。なお、ガラス基板を利用した配線基板では、ガラス基板を貫通する貫通孔は、レーザ光の照射によって形成されるのが一般的である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１４−１２７７０１号公報
【特許文献２】特開２０１４−０９３４０６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、ガラス基板を利用した配線基板では、配線基板の製造工程においてガラス基板に割れやカケが発生する可能性が高く、歩留りが低いという課題がある。歩留まりを向上させるためには、ガラス基板の両面に樹脂層を形成するのが一般的である。しかし、本願の発明者は、ガラス基板の両面に樹脂層を形成した後にレーザ光を照射して貫通孔を形成すると、レーザ照射時の樹脂層の変形によってガラス基板に応力が発生し、ガラス基板の割れが発生してしまうことが多い、という課題があることを見出した。また、樹脂層のレーザ加工性がガラス基板より高いために、樹脂層での開口径がガラス基板での開口径よりも大きくなってしまい、貫通孔の狭ピッチ化が困難になるという課題があることも見出した。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、上述の課題を解決するためになされたものであり、以下の形態として実現することが可能である。
【０００６】
（１）本発明の一形態によれば、配線基板の製造方法が提供される。この製造方法は、互いに対向する第１面と第２面とを有するガラス基板と当該ガラス基板の第１面上に形成された樹脂層とを有するコア基板を準備する工程と、樹脂層が形成されていない前記第２面側からのレーザ照射により、前記第１面から前記第２面に向けて内径が大きくなる形状の複数の貫通孔を前記コア基板に形成する工程と、前記ガラス基板の前記第１面上に形成された前記樹脂層の表面から前記貫通孔の内面を介して前記第２面まで続く接続導体層を形成する工程と、前記接続導体層に接続された導体層として、前記コア基板の前記第１面側に第１導体層を形成するとともに前記第２面側に第２導体層を形成する工程と、を備えることを特徴とする。
この製造方法によれば、レーザ照射を樹脂層が形成されていない第２面側から行うので、レーザ照射時の樹脂層の変形による応力がガラス基板に発生しにくく、この応力に起因するガラス基板の割れの発生を抑制できる。更に、貫通孔は、樹脂層が有る第１面での開口径が樹脂層の無い第２面での開口径よりも小さくなるので、レーザ照射の熱により樹脂層の開口径がガラス基板の第１面での開口径よりも広がった場合にも、第２面での開口径と当程度の大きさに抑えることができる。従って、貫通孔の狭ピッチ化が可能である。
【０００７】
（２）上記製造方法において、前記ガラス基板の前記第１面での前記貫通孔の開口径をｔ１とし、前記ガラス基板の前記第２面での前記貫通孔の開口径をｔ２とし、前記樹脂層の表面での前記貫通孔の開口径をｔ３としたとき、１．２×ｔ２≧ｔ３＞ｔ１であるものとしてもよい。
この製造方法によれば、貫通孔の開口径のうちで、樹脂層の表面での開口径ｔ３がガラス基板の第２面での開口径ｔ２と同程度なので、貫通孔の狭ピッチ化が可能である。
【０００８】
（３）上記配線基板は、ｔ２≧ｔ３＞ｔ１であるものとしてもよい。
この製造方法によれば、貫通孔のピッチが、樹脂層での開口径ｔ３でなくガラス基板の第２面での開口径ｔ２によって決まるので、貫通孔を更に狭ピッチ化できる。
【０００９】
（４）上記製造方法において、前記樹脂層は熱硬化性樹脂製であり、前記樹脂層の厚みは前記ガラス基板の厚みの１／１０以下であるものとしてもよい。
樹脂層の厚みをガラス基板の厚みの１／１０以下とすれば、樹脂層の収縮により生じる応力や、樹脂層とガラス基板との間の熱膨張差により生じる応力が小さくなるので、ガラス基板の反りを十分小さく抑えることができる。
【００１０】
（５）上記製造方法において、前記ガラス基板の厚みは５００μｍ以下であるものとしてもよい。
この製造方法によれば、配線基板全体の厚みを小さくするとともに、軽量化することができる。また、ガラス基板の厚みが５００μｍ以下の場合には若干反り易くハンドリング性の点でやや劣る可能性があるが、ガラス基板の第１面に樹脂層が形成されているので、十分なハンドリング性が得られる。
【００１１】
（６）本発明の他の形態によれば、配線基板が提供される。この配線基板は、互いに対向する第１面と第２面とを有するガラス基板と、前記第１面上に形成された樹脂層とを含むコア基板と前記第１面から前記第２面に向けて内径が大きくなる形状をなし、前記コア基板を貫通する複数の貫通孔と、前記ガラス基板の前記第１面上に形成された前記樹脂層の表面から前記貫通孔の内面を介して前記第２面まで続くように形成された接続導体層と、前記接続導体層に接続された導体層であって、前記コア基板の前記第１面側に形成された第１導体層及び前記第２面側に形成された第２導体層と、を備えることを特徴とする。
この配線基板によれば、貫通孔は、樹脂層が有る第１面での開口径が樹脂層の無い第２面での開口径よりも小さくなるように形成されているので、貫通孔の狭ピッチ化が可能である。
【００１２】
本発明は、配線基板や、配線基板の製造方法等の種々の形態で実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】実施形態における配線基板の製造工程の説明図。
【図２】貫通孔の開口径ｔ１，ｔ２，ｔ３の好ましい関係を示す説明図。
【図３】樹脂層の表面での開口径ｔ３の測定方法を示す説明図。
【図４】実施例と比較例の構成及び評価結果を示す説明図。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
図１は、本発明の一実施形態における配線基板の製造工程を示す説明図である。図１（Ａ）の工程では、互いに対向する第１面１１と第２面１２とを有するガラス基板１０を準備する。第１面１１と第２面１２とは、平行であることが好ましい。ガラス基板１０の厚みは、１００μｍ以上５００μｍ以下とすることが好ましく、１００μｍ以上３００μｍ以下とすることが更に好ましい。ガラス基板１０の厚みを５００μｍ以下とすれば、配線基板全体の厚みを小さくするとともに、軽量化することができる。この観点からは、ガラス基板１０の厚みを３００μｍ以下とすることが更に好ましい。但し、ガラス基板１０の厚みが５００μｍ以下の場合には、ガラス基板１０が若干反り易いため、ハンドリング性の点でやや劣る可能性がある。しかし、本実施形態では、後述するように、ガラス基板１０の第１面１１に保護層（又は補強層）としての樹脂層が形成されるので、十分なハンドリング性が得られる。一方、ガラス基板１０の厚みを過度に小さくするとハンドリング性が低下するので、ガラス基板１０の厚みは１００μｍ以上とすることが好ましい。後述する実施例では、無アルカリガラス（厚み２００μｍ）をガラス基板１０として利用した。
【００１５】
図１（Ｂ）の工程では、ガラス基板１０の第１面１１に樹脂層２０を形成することによって、第１面１１に樹脂層２０が形成されたコア基板６０を準備する。樹脂層２０は、ガラス基板１０を補強して反り難くするので、ガラス基板１０のハンドリング性が向上する。樹脂層２０は、ガラス基板１０の第1面１１の全面に形成することが好ましい。また、ガラス基板１０の第２面１２には樹脂層を全く形成しないことが好ましい。樹脂層２０の材質としては、熱硬化性樹脂や熱可塑性樹脂、光硬化性樹脂等の各種の絶縁性樹脂材料を利用することが可能である。また、樹脂層２０の樹脂材料は、シリカフィラー等のフィラーを含有するようにしてもよい。後述するように、樹脂層２０の樹脂材料の材質やフィラーの含有量を調整することによって、レーザ照射時の樹脂層２０の開口径の大きさを調整することが可能である。樹脂層２０の厚みは、例えば１０〜５０μｍとすることができる。後述する実施例では、シリカフィラーを４０〜５０重量％含有したエポキシ樹脂を利用し、また、樹脂層２０の厚みを１５μｍとした。なお、樹脂層２０を形成する代わりに、樹脂層２０が形成されたガラス基板１０を購入することによって、第１面１１に樹脂層２０が形成されたコア基板６０を準備するようにしてもよい。
【００１６】
図１（Ｃ）の工程では、レーザ出射ユニット２００を用いて、樹脂層２０が形成されていない第２面１２の側からレーザ光ＬＢをガラス基板１０に照射することにより、複数の貫通孔１３を、コア基板６０（樹脂層２０付きのガラス基板１０）に形成する。貫通孔１３の開口径としては、ガラス基板１０の第１面１１での開口径ｔ１と、ガラス基板１０の第２面１２での開口径ｔ２と、樹脂層２０の表面での開口径ｔ３と、の３種類の開口径を定義することができる。ガラス基板１０における２つの開口径ｔ１，ｔ２のうちで、通常は、レーザ光ＬＢが入射する第２面１２における開口径ｔ２の方が、第１面１１における開口径ｔ１よりも大きくなる。この理由は、レーザ光ＬＢが入射する第２面１２の方がより多くの熱を受けるためである。従って、貫通孔１３は、ガラス基板１０の第１面１１から第２面１２に向けて内径が次第に大きくなる形状を有する。このような貫通孔１３の形状は、通常はテーパー形状である。また、樹脂層２０の表面での開口径ｔ３は、ガラス基板１０の第１面１１での開口径ｔ１よりも大きくなる。この理由は、樹脂の方がガラスよりも熱収縮が大きいからである。
【００１７】
図２は、貫通孔１３の３つの開口径ｔ１，ｔ２，ｔ３の好ましい関係の例を示す説明図である。図２（Ａ）に示す例１では、樹脂層２０での開口径ｔ３がガラス基板１０の第２面１２での開口径ｔ２以下であり、以下の（１）式の関係が成立している。
ｔ２≧ｔ３＞ｔ１      …（１）
【００１８】
ところで、一般に、貫通孔１３のピッチｐ１３として設定しうる最小値（最小可能ピッチ）は、３つの開口径ｔ１，ｔ２，ｔ３のうちの最も大きい値の約２倍以上に制限されることが多い。例えば、上記（１）式の関係が成立している場合には、貫通孔ピッチｐ１３の最小値は、樹脂層２０での開口径ｔ３でなく、ガラス基板１０の第２面１２での開口径ｔ２によって決まり、その２倍の値（２×ｔ２）以上の値に制限される。従って、この場合には、樹脂層２０での開口径ｔ３が第２面１２での開口径ｔ２より大きな場合に比べて、貫通孔１３を狭ピッチ化する上で有利である。
【００１９】
図２（Ｂ）に示す例２では、樹脂層２０での開口径ｔ３が例１よりも大きく、ガラス基板１０の第２面１２での開口径ｔ２の１．２倍以下であり、以下の（２）式の関係が成立してる。
１．２×ｔ２≧ｔ３＞ｔ１      …（２）
この（２）式の関係が成立している場合には、貫通孔１３の開口径ｔ１，ｔ２，ｔ３のうちで、樹脂層２０の表面での開口径ｔ３が、ガラス基板１０の第２面１２での開口径ｔ２と同程度なので、貫通孔１３の狭ピッチ化が可能である。なお、貫通孔１３の狭ピッチ化の観点からは、図２（Ｂ）の例２よりも図２（Ａ）の例１の方が好ましい。但し、貫通孔１３の３つの開口径ｔ１，ｔ２，ｔ３の関係としては、図２に示したもの以外の関係としてもよい。例えば、樹脂層２０での開口径ｔ３がガラス基板１０の第２面１２での開口径ｔ２の１．２倍を超える値に設定されるものとしてもよい。但し、上記（１）式又は（２）式を満足するように貫通孔１３を形成すれば、狭ピッチ化の観点から有利である。
【００２０】
一実施例では、ＣＯ２レーザ（波長：１０．６μｍ）を用いて貫通孔１３の形成を行った。貫通孔１３の開口径ｔ１，ｔ２，ｔ３として、ｔ１＝４０μｍ，ｔ２＝７０μｍ，ｔ３＝６０μｍが得られた。これらは、上述した（１）式と（２）式のいずれも満足している。
【００２１】
貫通孔１３の３つの開口径ｔ１，ｔ２，ｔ３の関係は、レーザ加工条件（レーザ光ＬＢの焦点位置、エネルギー、ショット数等）と、樹脂層２０を形成する樹脂材料と、樹脂層２０の厚みと、のうちの１つ以上を調整することによって変更することが可能である。例えば、ガラス基板１０の第１面１１での開口径ｔ１と第２面１２での開口径ｔ２は、レーザ光ＬＢのエネルギーやショット数を増やすほど増大する。また、樹脂層２０の表面での開口径ｔ３は、その樹脂材料の加熱時の熱収縮率が小さいほど小さくなる。例えば、樹脂材料に含まれるフィラーの含有量を増やすことによって、樹脂層２０の表面での開口径ｔ３を小さくできる。また、樹脂層２０の厚みを小さくすることによって、その開口径ｔ３を小さくできる。なお、樹脂層２０の表面での開口径ｔ３は、以下に説明する方法で測定される。
【００２２】
図３は、樹脂層２０の表面での開口径ｔ３の測定方法を示す説明図である。この例に示すように、レーザ光ＬＢの照射によって貫通孔１３を形成すると、貫通孔１３の底部となる樹脂層２０の開口端は、熱によってなだらかな曲面となる場合が多い。このとき、樹脂層２０の表面２０ｓでの開口径ｔ３は、貫通孔１３の中心を通る縦断面（図３）において、樹脂層２０の表面２０ｓに接線ＴＧを描き、その接線ＴＧの長さ（接線ＴＧと表面２０ｓとが交差する２つの交点間の距離）に等しいものとして定義される。実際には、ガラス基板１０には同一仕様の多数の貫通孔１３が形成されるので、開口径ｔ３は、複数の貫通孔１３における値の平均値として算出される。なお、ガラス基板１０の第１面１１での開口径ｔ１と第２面１２での開口径ｔ２も同様の方法で測定される。
【００２３】
ところで、図１（Ｂ）の工程においてガラス基板１０の第１面１１に樹脂層２０を形成する際には、樹脂材料が収縮してガラス基板１０に応力を生じさせる可能性がある。また、上述した図１（Ｃ）の工程においてレーザ光ＬＢを照射する際にも、樹脂層２０が熱収縮するため、ガラス基板１０に応力が生じる。特に、樹脂層２０が熱硬化性樹脂で形成されている場合には、熱収縮の度合いが大きいので応力も大きくなる傾向にある。更に、樹脂層２０とガラス基板１０の熱膨張率の違いによってもガラス基板１０に応力が生じ得る。これらの応力は、ガラス基板１０に反りを生じさせたり、ガラス基板１０に割れなどの損傷を引き起こしたりする要因となるので好ましくない。また、これらの応力は、樹脂層２０の厚みが大きいほど大きくなる傾向にある。そこで、応力を過度に大きくしないようにするために、樹脂層２０の厚みを、ガラス基板１０の厚みの１／１０以下とすることが好ましい。こうすれば、樹脂層２０の収縮により生じる応力や、樹脂層２０とガラス基板１０の熱膨張差により生じる応力が小さくなるので、ガラス基板１０の反りを十分小さく抑えることができる。また、ガラス基板１０に割れなどの損傷を引き起こしたりする可能性を低減できる。
【００２４】
なお、図１（Ｃ）の工程において、ガラス基板１０の第２面１２の全領域のうちでレーザ光ＬＢが照射される領域には樹脂層が形成されていないことが好ましいが、レーザ光ＬＢが照射されない領域には樹脂層が形成されていてもよい。例えば、第２面１２を平面視したときに、その全領域のうちの最外周の領域に樹脂層が枠状に形成されていてもよい。こうすれば、ガラス基板１０が樹脂層によって補強されるので、ハンドリング性が更に向上する。
【００２５】
図１（Ｄ）の工程では、複数の貫通孔１３が形成されたガラス基板１０の第１面１１及び第２面１２と、貫通孔１３の内面にわたって、接続導体層３０が形成される。この接続導体層３０は、例えばＣｕ（銅）で形成される。この接続導体層３０は、例えば、無電解ＣｕめっきでＣｕ薄膜を形成した後に、電解Ｃｕめっきで接続導体層３０の厚みを増大させることによって形成可能である。
【００２６】
図１（Ｅ）の工程では、接続導体層３０をエッチングすることによって、接続導体層３０の不要な部分を除去する。すなわち、貫通孔１３の内面（内壁）と、コア基板６０（樹脂層２０付きのガラス基板１０）の第１面１１側の表面と及び第２面１２側の表面とにわたって連続する接続導体層３０の部分が残される。この結果、ガラス基板１０の第１面１１上に形成された樹脂層２０の表面から、貫通孔１３の内面を介してガラス基板１０の第２面１２まで続く接続導体層３０が形成される。この接続導体層３０は、ガラス基板１０の第１面１１の側では樹脂層２０の表面上に形成され、また、第２面１２の側では第２面１２上に直接形成される。なお、エッチングの後に、接続導体層３０と、コア基板６０（樹脂層２０付きガラス基板１０）の表面とに何らかの表面処理を実施してもよい。
【００２７】
図１（Ｆ）の工程では、樹脂層２０付きガラス基板１０の両面にわたる樹脂層４０を充填する。この樹脂層４０の材質としては、熱硬化性樹脂や熱可塑性樹脂、光硬化性樹脂等の各種の絶縁性樹脂材料を利用することが可能である。
【００２８】
図１（Ｇ）の工程では、ガラス基板１０の第１面１１側の接続導体層３０上にある樹脂層４０に、複数のビア穴を形成するとともに、各ビア穴内に導体を充填して第１導体層５１を形成する。同様に、ガラス基板１０の第２面１２側の接続導体層３０上にある樹脂層４０に複数のビア穴を形成するとともに、各ビア穴内に導体を充填して第２導体層５２を形成する。接続導体層３０を露出させるビア穴の形成は、例えばレーザ光を照射することによって行うことができる。第１導体層５１と第２導体層５２は、例えば無電解Ｃｕめっき及び電解Ｃｕめっきを用いた導体パターンの形成と、エッチングを用いたパターニングとを行うことによって形成可能である。第１導体層５１と第２導体層５２は、接続導体層３０を介して電気的に接続されている。この後、必要に応じてさらに複数の層（絶縁層及び導体層）を形成するようにしても良い。こうして作製された配線基板１００は、必要に応じて個片に切断することによって完成する。完成した配線基板１００は、例えばインターポーザとして利用される。
【００２９】
図４は、本発明の実施例と比較例の構成及び評価結果を示す説明図である。図４において「実施例」と記載されたサンプルは、上述した図１の工程に従って作成したサンプルである。この実施例の作製条件等は以下の通りである。
＜実施例の作成条件＞
（１）ガラス基板１０：無アルカリガラス（厚み２００μｍ）
（２）樹脂層２０：シリカフィラーを４０〜５０重量％含有したエポキシ樹脂で１５μｍの厚みに形成した。
（３）レーザ：ＣＯ２レーザ（波長：１０．６μｍ）を用いて貫通孔１３を形成した。（４）貫通孔１３の開口径：ｔ１＝４０μｍ，ｔ２＝７０μｍ，ｔ３＝６０μｍが得られた。これらは、上述した（１）式と（２）式のいずれも満足している。
【００３０】
比較例１〜３は、樹脂層２０を除いて上記実施例と同様に作成した。各比較例の違いは以下の通りである。
＜比較例１＞ガラス基板１０の第１面１１（下面）のみでなく、第２面１２（上面）にも樹脂層２０を形成した後に、第２面１２側からのレーザ照射で貫通孔１３を形成した。
＜比較例２＞ガラス基板１０の第１面１１（下面）には樹脂層を形成せず、第２面１２（上面）に樹脂層２０を形成した後に、第２面１２側からのレーザ照射で貫通孔１３を形成した。
＜比較例３＞ガラス基板１０の第１面１１（下面）と第２面１２（上面）のいずれにも樹脂層を形成せずに、第２面１２側からのレーザ照射で貫通孔１３を形成した。
【００３１】
実施例と比較例１〜３の評価項目としては、（ａ）パネル歩留まりと、（ｂ）レーザ加工性と、（ｃ）貫通孔ピッチと、（ｄ）総合評価の４つの項目を使用した。以下では、これらの４つの評価項目について順次説明する。
【００３２】
（ａ）パネル歩留まり：
「パネル歩留まり」の欄は、配線基板１００の製造工程（図１）に従ってそれぞれ１００枚のサンプルを作製し、目視において割れや欠けが少しでも発見されたサンプルを不良品として、良品の割合を計算した値を示している。実施例のパネル歩留まりは９６％であり、比較例１〜３のパネル歩留まりはそれぞれ９８％，９６％，７０％であった。パネル歩留まりは９６％以上であれば十分良好であり、実施例と比較例１，２は十分に高い歩留まりが得られている。一方、比較例３では、パネル歩留まりが７０％と低い点で好ましくない。この理由は、比較例３では、ガラス基板１０の保護層として機能する樹脂層２０が形成されていないので、たわみや反りが発生し易く、また強度も劣るので、製造工程のいずれかの時点で割れや欠けが発生しやすいからであると推定される。従って、パネル歩留まりの観点からは、ガラス基板１０の第１面１１と第２面１２の少なくとも一方に樹脂層２０を形成することが好ましい。
【００３３】
（ｂ）レーザ加工性：
「レーザ加工性」の欄は、レーザ照射による貫通孔１３の形成工程（図１（Ｃ））において、貫通孔１３の周辺にクラックが発生するサンプルが存在したか否かを示している。ここで、貫通孔１３の周辺にクラックが発生したサンプルが１枚でも存在した場合には「×（クラック）」と記載し、貫通孔１３の周辺にクラックが発生したサンプルが１枚も存在しなかった場合には「○」と記載した。実施例と比較例３では、貫通孔１３の周辺にクラックは発生せず、比較例１，２では貫通孔１３の周辺にクラックが発生する場合があった。比較例１，２においてクラックが発生した理由は、レーザ光の熱によって樹脂層２０が熱収縮し、樹脂層２０とガラス基板１０との境界に比較的大きな応力が発生したからであると推定される。すなわち、比較例１，２では、レーザ光が入射する第２面１２に樹脂層２０が形成されているので、レーザ光による熱の影響が大きく、比較的大きな応力が発生したものと推定される。一方、実施例や比較例３では、レーザ光が入射する第２面１２に樹脂層２０が形成されていないので、それほど大きな応力が発生しなかったものと推定される。従って、レーザ加工性の観点からは、レーザ光が入射する第２面１２に樹脂層２０を形成しないことが好ましい。
【００３４】
（ｃ）貫通孔ピッチ：
「貫通孔ピッチ」の欄は、貫通孔ピッチ（図２のｐ１３）として採用し得る寸法を示している。前述したように、通常、貫通孔ピッチは、貫通孔１３の開口径の２倍以上に制限される。例えば、実施例の構成では、前述した図２に示すように、１つの貫通孔１３に３つの開口径ｔ１，ｔ２，ｔ３があるので、貫通孔ピッチは、このうちの最も大きな開口径の２倍の値以上に制限される。上述したように、実施例の３つの開口径ｔ１，ｔ２，ｔ３のうちで、ガラス基板１０の第２面１２での開口径ｔ２が７０μｍで最も大きいので、貫通孔ピッチはその２倍の１４０μｍ以上に制限される。一方、比較例１，２では、ガラス基板１０の第２面１２に形成された樹脂層２０の表面での開口径ｔ４が８５μｍで最大となった。従って、比較例１，２では、貫通孔ピッチは１７０μｍ以上に制限される。比較例３では、実施例と同様に、ガラス基板１０の第２面１２での開口径ｔ２が７０μｍで最も大きいので、貫通孔１３のピッチはその２倍の１４０μｍ以上に制限される。このように、貫通孔ピッチの観点からは、レーザ光が照射される面に樹脂層を形成しないことが好ましい。
【００３５】
（ｄ）総合評価：
上述した３つの評価項目を総合すると、実施例では、パネル歩留まりが十分に高く、レーザ加工性も良好であり、また、貫通孔ピッチも十分に小さいので、総合的に最も良好である。比較例１，２は、パネル歩留まりは良好であるものの、レーザ加工性にやや劣り、また、貫通孔ピッチ（ビアピッチ）も大きいという問題がある。比較例３は、レーザ加工性や貫通孔ピッチは良好であるものの、パネル歩留まりが実施例や比較例１，２に比べて低い点で好ましくない。
【００３６】
以上のように、上述した実施形態及び実施例では、ガラス基板１０の第１面１１上に樹脂層２０を形成しておき、樹脂層が形成されていない第２面１２側からのレーザ照射により、第１面１１から第２面１２に向けて内径が大きくなる形状の複数の貫通孔１３をコア基板６０（樹脂層２０付きのガラス基板１０）に形成しているので、レーザ照射時の樹脂層の変形による応力がガラス基板１０に発生しにくく、この応力に起因するガラス基板１０の割れの発生を抑制できる。また、貫通孔１３は、樹脂層２０が形成されている第１面１１での開口径ｔ１が樹脂層の無い第２面１２での開口径ｔ２よりも小さくなるので、レーザ照射の熱により樹脂層２０の表面での開口径ｔ３がガラス基板１０の第１面１１での開口径ｔ１よりも広がった場合にも、その開口径ｔ３を第２面１２での開口径ｔ２と当程度の大きさに抑えることができる。従って、貫通孔１３の狭ピッチ化を実現することが可能である。
【００３７】
・変形例
なお、この発明は上記の実施例や実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々の態様において実施することが可能である。
【００３８】
・変形例１：
上記実施形態では、配線基板１００に形成されるすべての貫通孔１３について、ガラス基板１０の第１面１１上に樹脂層２０を形成するとともに、その第２面１２上に樹脂層を形成しないものとしていたが、一部の貫通孔については第２面１２上に樹脂層を形成するようにしてもよい。具体的には、例えば、貫通孔ピッチが小さな第１種の複数の貫通孔と、これよりも貫通孔ピッチが大きな第２種の複数の貫通孔とがガラス基板１０に形成される場合を想定する。この場合には、貫通孔ピッチが大きな第２種の複数の貫通孔については、ガラス基板１０の第１面１１と第２面１２の両方に樹脂層を形成するものとしてもよい。この場合にも、より貫通孔ピッチが小さな第１種の複数の貫通孔については、狭ピッチ化を実現することが可能である。
【符号の説明】
【００３９】
１０…ガラス基板
１１…第１面
１２…第２面
１３…貫通孔
２０…樹脂層
２０ｓ…樹脂層の表面
３０…接続導体層
４０…樹脂層
５１…第１導体層
５２…第２導体層
６０…コア基板
１００…配線基板
２００…レーザ出射ユニット
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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