(57)【要約】      （修正有）【課題】サイズが大きくなった場合においても底板の変形を効果的に低減することができる半導体レーザモジュールを提供する。【解決手段】半導体レーザモジュール１は、底板２０と、レーザ光を出射する複数のレーザ素子３０と、レーザ素子３０から出射されたレーザ光を伝搬するファースト軸コリメートレンズ、スロー軸コリメートレンズ、反射ミラー、ファースト軸集光レンズ、及びスロー軸集光レンズと、これらの光学要素を取り囲むように底板２０上に配置された枠体１０とを備える。半導体レーザモジュール１は、内側領域の少なくとも一部における底板２０の厚さ方向の変形量を低減する支柱７０を備える。ここで、内側領域とは、底板２０の厚さ方向の想定変形量が底板２０の厚さ方向の最大想定変形量の１／２以上となる領域である。【選択図】図２
2016018834.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の厚さを有する底板と、
前記底板上に配置され、レーザ光を出射する少なくとも１つのレーザ素子と、
前記底板上に配置され、前記レーザ素子から出射されたレーザ光を伝搬する光学系と、
前記レーザ素子及び前記光学系を取り囲むように前記底板上に配置された枠体であって、第１の側壁と、該第１の側壁に対向する第２の側壁と、前記第１の側壁と前記第２の側壁との間に延びる第３の側壁と、該第３の側壁に対向する第４の側壁とを有する枠体と、
前記枠体の前記第１の側壁からの距離が、前記第１の側壁と前記第２の側壁との間の距離の３５％から６５％までの範囲にあり、かつ前記枠体の前記第３の側壁からの距離が、前記第３の側壁と前記第４の側壁との間の距離の３５％から６５％までの範囲にある内側領域の少なくとも一部における前記底板の厚さ方向の変形量を低減する変形低減部と、
を備えたことを特徴とする半導体レーザモジュール。
【請求項２】
所定の厚さを有する底板と、
前記底板上に配置され、レーザ光を出射する少なくとも１つのレーザ素子と、
前記底板上に配置され、前記レーザ素子から出射されたレーザ光を伝搬する光学系と、
前記レーザ素子及び前記光学系を取り囲むように前記底板上に配置された枠体と、
前記底板の厚さ方向の想定変形量が前記底板の厚さ方向の最大想定変形量の１／２以上となる内側領域の少なくとも一部における前記底板の厚さ方向の変形量を低減する変形低減部と、
を備えたことを特徴とする半導体レーザモジュール。
【請求項３】
前記変形低減部は、前記レーザ素子から出射されたレーザ光の光路を遮らないように前記枠体から前記底板に向けて延びる延出部により構成され、
前記延出部は、前記内側領域の少なくとも一部に接触する接触部を有する
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体レーザモジュール。
【請求項４】
前記枠体は、前記第１の側壁、前記第２の側壁、前記第３の側壁、前記第４の側壁、及び前記底板で囲まれる空間を閉じる蓋をさらに有し、
前記延出部は、前記枠体の蓋から前記底板に向けて延びる
ことを特徴とする請求項３に記載の半導体レーザモジュール。
【請求項５】
前記接触部は、前記延出部の前記接触部以外の部分の断面積よりも大きな面積で前記内側領域の少なくとも一部に接触することを特徴とする請求項４に記載の半導体レーザモジュール。
【請求項６】
前記変形低減部は、前記枠体の前記第１の側壁、前記第２の側壁、前記第３の側壁、及び前記第４の側壁の少なくとも１つから前記底板の内部領域に向けて延びる延出部により構成され、
前記延出部は、前記内側領域の少なくとも一部に接触する接触部を有する
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体レーザモジュール。
【請求項７】
前記半導体レーザモジュールの組立前において、前記変形低減部の前記底板側の端部が、前記枠体の前記第１の側壁、前記第２の側壁、前記第３の側壁、及び前記第４の側壁の前記底板側の端部よりも前記底板側に位置することを特徴とする請求項３から６のいずれか一項に記載の半導体レーザモジュール。
【請求項８】
前記枠体は、前記第１の側壁、前記第２の側壁、前記第３の側壁、前記第４の側壁、及び前記底板で囲まれる空間を閉じる蓋をさらに有し、
前記変形低減部は、前記レーザ素子から出射されたレーザ光の光路を遮らないように前記底板の前記内側領域の少なくとも一部から前記枠体の蓋に向けて延びる延出部により構成され、
前記延出部は、前記枠体の蓋に接触する接触部を有する
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体レーザモジュール。
【請求項９】
所定の厚さを有する底板と、
前記底板上に配置され、レーザ光を出射する少なくとも１つのレーザ素子と、
前記底板上に配置され、前記レーザ素子から出射されたレーザ光を伝搬する光学系と、
前記レーザ素子及び前記光学系を取り囲むように前記底板上に配置された枠体と、
前記枠体から前記底板に向けて延びる延出部であって、前記レーザ素子から出射されたレーザ光の光路を遮らないように配置された延出部と、
を備え、
前記延出部は、前記底板の少なくとも一部の領域に接触する接触部を有する
ことを特徴とする半導体レーザモジュール。
【請求項１０】
前記枠体は、第１の側壁と、該第１の側壁に対向する第２の側壁と、前記第１の側壁と前記第２の側壁との間に延びる第３の側壁と、該第３の側壁に対向する第４の側壁と、前記第１の側壁、前記第２の側壁、前記第３の側壁、前記第４の側壁、及び前記底板で囲まれる空間を閉じる蓋とを有し、
前記延出部は、前記枠体の蓋から前記底板に向けて延びる
ことを特徴とする請求項９に記載の半導体レーザモジュール。
【請求項１１】
前記接触部は、前記延出部の前記接触部以外の部分の断面積よりも大きな面積で前記底板の少なくとも一部の領域に接触することを特徴とする請求項１０に記載の半導体レーザモジュール。
【請求項１２】
前記半導体レーザモジュールの組立前において、前記延出部の前記底板側の端部が、前記枠体の前記第１の側壁、前記第２の側壁、前記第３の側壁、及び前記第４の側壁の前記底板側の端部よりも前記底板側に位置することを特徴とする請求項１０又は１１に記載の半導体レーザモジュール。
【請求項１３】
所定の厚さを有する底板と、
前記底板上に配置され、レーザ光を出射する少なくとも１つのレーザ素子と、
前記底板上に配置され、前記レーザ素子から出射されたレーザ光を伝搬する光学系と、
前記レーザ素子及び前記光学系を取り囲むように前記底板上に配置された枠体であって、第１の側壁と、該第１の側壁に対向する第２の側壁と、前記第１の側壁と前記第２の側壁との間に延びる第３の側壁と、該第３の側壁に対向する第４の側壁とを有する枠体と、
前記枠体の前記第１の側壁、前記第２の側壁、前記第３の側壁、及び前記第４の側壁の少なくとも１つから内側に向けて延びる延出部と、
を備え、
前記延出部は、前記底板の少なくとも一部の領域に接触する接触部を有する
ことを特徴とする半導体レーザモジュール。
【請求項１４】
前記半導体レーザモジュールの組立前において、前記延出部の前記底板側の端部が、前記枠体の前記第１の側壁、前記第２の側壁、前記第３の側壁、及び前記第４の側壁の前記底板側の端部よりも前記底板側に位置することを特徴とする請求項１３に記載の半導体レーザモジュール。
【請求項１５】
所定の厚さを有する底板と、
前記底板上に配置され、レーザ光を出射する少なくとも１つのレーザ素子と、
前記底板上に配置され、前記レーザ素子から出射されたレーザ光を伝搬する光学系と、
前記レーザ素子及び前記光学系を取り囲むように前記底板上に配置された枠体であって、第１の側壁と、該第１の側壁に対向する第２の側壁と、前記第１の側壁と前記第２の側壁との間に延びる第３の側壁と、該第３の側壁に対向する第４の側壁と、前記第１の側壁、前記第２の側壁、前記第３の側壁、前記第４の側壁、及び前記底板で囲まれる空間を閉じる蓋とを有する枠体と、
前記レーザ素子から出射されたレーザ光の光路を遮らないように前記底板の少なくとも一部の領域から前記枠体の蓋に向けて延びる延出部と、
を備え、
前記延出部は、前記枠体の蓋に接触する接触部を有する
ことを特徴とする半導体レーザモジュール。
【請求項１６】
前記半導体レーザモジュールの組立前における前記延出部の長さが、前記延出部が延び出す前記底板の少なくとも一部の領域から、前記接触部が接触する前記枠体の蓋までの距離よりも長いことを特徴とする請求項１５に記載の半導体レーザモジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体レーザモジュールに係り、特に高出力の半導体レーザモジュールに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般的に、半導体レーザモジュールは、レーザ素子や光学系が載置される底板と、これらのレーザ素子や光学系を取り囲むように底板上に配置される枠体とを備えている（例えば、特許文献１参照）。このように剛性の高い枠体により底板の周縁部を押さえつけることにより、底板の変形を防止し、底板上に配置されるレーザ素子や光学系の光学的な位置のずれが生じないようにしている。
【０００３】
また、底板をヒートシンク上に固定し、底板を通じてレーザ素子から生ずる熱をヒートシンクに放熱させることもあるが、上述したように剛性の高い枠体により底板の周縁部を押さえつけることにより、底板とヒートシンクとの間の接触を確保して放熱性を維持している。
【０００４】
近年、半導体レーザモジュールの高出力化が進んでおり、これに伴いモジュール内に実装されるレーザ素子の数も増えてきている。多くのレーザ素子を収容するために半導体レーザモジュールの筐体（枠体）のサイズも大きくなってきており、底板の周縁部を枠体で押さえつけるだけでは、底板の中央部の変形を防止することができなくなってきている。このように底板の中央部が変形する（浮き上がる）と、底板上に配置されるレーザ素子や光学系の光学的な位置のずれが生じるとともに、放熱性が悪化してしまう。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１３−１３５０２０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、このような従来技術の問題点に鑑みてなされたもので、サイズが大きくなった場合においても底板の変形を効果的に低減することができる半導体レーザモジュールを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の第１の態様によれば、サイズが大きくなった場合においても底板の変形を効果的に低減することができる半導体レーザモジュールが提供される。この半導体レーザモジュールは、所定の厚さを有する底板と、上記底板上に配置され、レーザ光を出射する少なくとも１つのレーザ素子と、上記底板上に配置され、上記レーザ素子から出射されたレーザ光を伝搬する光学系と、上記レーザ素子及び上記光学系を取り囲むように上記底板上に配置された枠体とを備えている。上記枠体は、第１の側壁と、該第１の側壁に対向する第２の側壁と、上記第１の側壁と上記第２の側壁との間に延びる第３の側壁と、該第３の側壁に対向する第４の側壁とを有している。上記半導体レーザモジュールは、上記枠体の上記第１の側壁からの距離が、上記第１の側壁と上記第２の側壁との間の距離の３５％から６５％までの範囲にあり、かつ上記枠体の上記第３の側壁からの距離が、上記第３の側壁と上記第４の側壁との間の距離の３５％から６５％までの範囲にある内側領域の少なくとも一部における上記底板の厚さ方向の変形量を低減する変形低減部を備えている。
【０００８】
本発明の第２の態様によれば、サイズが大きくなった場合においても底板の変形を効果的に低減することができる半導体レーザモジュールが提供される。この半導体レーザモジュールは、所定の厚さを有する底板と、上記底板上に配置され、レーザ光を出射する少なくとも１つのレーザ素子と、上記底板上に配置され、上記レーザ素子から出射されたレーザ光を伝搬する光学系と、上記レーザ素子及び上記光学系を取り囲むように上記底板上に配置された枠体と、上記底板の厚さ方向の想定変形量が上記底板の厚さ方向の最大想定変形量の１／２以上となる内側領域の少なくとも一部における上記底板の厚さ方向の変形量を低減する変形低減部とを備えている。
【０００９】
このように、本発明によれば、変形低減部により底板の内側領域における厚さ方向の変形量を低減することができるので、半導体レーザモジュールの底板上に配置されるレーザ素子や光学系などの光学的な位置のずれが生ずることを防止できるとともに、底板に隣接するヒートシンクなどの部材との接触を維持して放熱性を確保することができる。
【００１０】
上記変形低減部が、上記レーザ素子から出射されたレーザ光の光路を遮らないように上記枠体から上記底板に向けて延びる延出により構成されていてもよい。上記延出部は、上記内側領域の少なくとも一部に接触する接触部を有していてもよい。この場合において、上記枠体は、上記第１の側壁、上記第２の側壁、上記第３の側壁、上記第４の側壁、及び上記底板で囲まれる空間を閉じる蓋をさらに有していてもよく、上記延出部は、上記枠体の蓋から上記底板に向けて延びていてもよい。さらに、上記接触部が、上記延出部の上記接触部以外の部分の断面積よりも大きな面積で上記内側領域の少なくとも一部に接触してもよい。
【００１１】
あるいは、上記変形低減部が、上記枠体の上記第１の側壁、上記第２の側壁、上記第３の側壁、及び上記第４の側壁の少なくとも１つから上記底板の内部領域に向けて延びる延出部により構成されていてもよい。上記延出部は、上記内側領域の少なくとも一部に接触する接触部を有していてもよい。
【００１２】
上記半導体レーザモジュールの組立前において、上記変形低減部の上記底板側の端部が、上記枠体の上記第１の側壁、上記第２の側壁、上記第３の側壁、及び上記第４の側壁の上記底板側の端部よりも上記底板側に位置することが好ましい。
【００１３】
また、上記枠体が、上記第１の側壁、上記第２の側壁、上記第３の側壁、上記第４の側壁、及び上記底板で囲まれる空間を閉じる蓋をさらに有していてもよく、上記変形低減部が、上記レーザ素子から出射されたレーザ光の光路を遮らないように上記底板の上記内側領域の少なくとも一部から上記枠体の蓋に向けて延びる延出部により構成されていてもよい。上記延出部は、上記枠体の蓋に接触する接触部を有していてもよい。
【００１４】
本発明の第３の態様によれば、サイズが大きくなった場合においても底板の変形を効果的に低減することができる半導体レーザモジュールが提供される。この半導体レーザモジュールは、所定の厚さを有する底板と、上記底板上に配置され、レーザ光を出射する少なくとも１つのレーザ素子と、上記底板上に配置され、上記レーザ素子から出射されたレーザ光を伝搬する光学系と、上記レーザ素子及び上記光学系を取り囲むように上記底板上に配置された枠体と、上記枠体から上記底板に向けて延びる延出部であって、上記レーザ素子から出射されたレーザ光の光路を遮らないように配置された延出部とを備えている。上記延出部は、上記底板の少なくとも一部の領域に接触する接触部を有している。
【００１５】
上記枠体が、第１の側壁と、該第１の側壁に対向する第２の側壁と、上記第１の側壁と上記第２の側壁との間に延びる第３の側壁と、該第３の側壁に対向する第４の側壁と、上記第１の側壁、上記第２の側壁、上記第３の側壁、上記第４の側壁、及び上記底板で囲まれる空間を閉じる蓋とを有していてもよい。上記延出部は、上記枠体の蓋から上記底板に向けて延びていてもよい。また、上記接触部が、上記延出部の前記接触部以外の部分の断面積よりも大きな面積で上記底板の少なくとも一部の領域に接触してもよい。
【００１６】
上記半導体レーザモジュールの組立前において、上記延出部の上記底板側の端部が、上記枠体の上記第１の側壁、上記第２の側壁、上記第３の側壁、及び上記第４の側壁の上記底板側の端部よりも上記底板側に位置することが好ましい。
【００１７】
本発明の第４の態様によれば、サイズが大きくなった場合においても底板の変形を効果的に低減することができる半導体レーザモジュールが提供される。この半導体レーザモジュールは、所定の厚さを有する底板と、上記底板上に配置され、レーザ光を出射する少なくとも１つのレーザ素子と、上記底板上に配置され、上記レーザ素子から出射されたレーザ光を伝搬する光学系と、上記レーザ素子及び上記光学系を取り囲むように上記底板上に配置された枠体とを備えている。上記枠体は、第１の側壁と、該第１の側壁に対向する第２の側壁と、上記第１の側壁と上記第２の側壁との間に延びる第３の側壁と、該第３の側壁に対向する第４の側壁とを有している。また、上記半導体レーザモジュールは、上記枠体の上記第１の側壁、上記第２の側壁、上記第３の側壁、及び上記第４の側壁の少なくとも１つから内側に向けて延びる延出部を備えている。上記延出部は、上記底板の少なくとも一部の領域に接触する接触部を有している。
【００１８】
上記半導体レーザモジュールの組立前において、上記延出部の上記底板側の端部が、上記枠体の上記第１の側壁、上記第２の側壁、上記第３の側壁、及び上記第４の側壁の上記底板側の端部よりも上記底板側に位置することが好ましい。
【００１９】
本発明の第５の態様によれば、サイズが大きくなった場合においても底板の変形を効果的に低減することができる半導体レーザモジュールが提供される。この半導体レーザモジュールは、所定の厚さを有する底板と、上記底板上に配置され、レーザ光を出射する少なくとも１つのレーザ素子と、上記底板上に配置され、上記レーザ素子から出射されたレーザ光を伝搬する光学系と、上記レーザ素子及び上記光学系を取り囲むように上記底板上に配置された枠体とを備えている。上記枠体は、第１の側壁と、該第１の側壁に対向する第２の側壁と、上記第１の側壁と上記第２の側壁との間に延びる第３の側壁と、該第３の側壁に対向する第４の側壁と、上記第１の側壁、上記第２の側壁、上記第３の側壁、上記第４の側壁、及び上記底板で囲まれる空間を閉じる蓋とを有している。上記半導体レーザモジュールは、上記レーザ素子から出射されたレーザ光の光路を遮らないように上記底板の少なくとも一部の領域から上記枠体の蓋に向けて延びる延出部を備えている。上記延出部は、上記枠体の蓋に接触する接触部を有している。
【００２０】
上記半導体レーザモジュールの組立前における上記延出部の長さが、上記延出部が延び出す上記底板の少なくとも一部の領域から、上記接触部が接触する上記枠体の蓋までの距離よりも長いことが好ましい。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、変形低減部により底板の内側領域の厚さ方向の変形量を低減することができるので、半導体レーザモジュールの底板上に配置されるレーザ素子や光学系などの光学的な位置のずれが生ずることを防止できるとともに、底板に隣接するヒートシンクなどの部材への接触を維持して放熱性を確保することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明の第１の実施形態における半導体レーザモジュールを示す部分断面平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線断面図である。
【図３】本発明の第１の実施形態における半導体レーザモジュールにおける底板の内側領域を説明するための図である。
【図４】本発明の第１の実施形態における半導体レーザモジュールにおける底板の内側領域を説明するための図である。
【図５】本発明の第２の実施形態における底板と枠体との関係を模式的に示す図である。
【図６】本発明の第３の実施形態における底板と枠体との関係を模式的に示す図である。
【図７】本発明の第４の実施形態における底板と枠体との関係を模式的に示す図である。
【図８】本発明の第５の実施形態における底板と枠体との関係を模式的に示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、本発明に係る半導体レーザモジュールの実施形態について図１から図８を参照して詳細に説明する。なお、図１から図８において、同一又は相当する構成要素には、同一の符号を付して重複した説明を省略する。
【００２４】
図１は本発明の第１の実施形態における半導体レーザモジュール（ＬＤモジュール）１を示す部分断面平面図、図２は図１のＡ−Ａ線断面図である。図１及び図２に示すように、ＬＤモジュール１は、４つの側壁１０１〜１０４及び蓋１０５を含む枠体１０と、平板状の底板２０と、底板２０に載置された複数の半導体レーザ素子３０と、半導体レーザ素子３０に対応して設けられたファースト軸コリメートレンズ３２と、半導体レーザ素子３０に対応して設けられたスロー軸コリメートレンズ３４と、底板２０に載置された複数の反射ミラー４０と、反射ミラー４０で反射したレーザ光をファースト軸方向に集光するファースト軸集光レンズ４２と、ファースト軸集光レンズ４２を透過したレーザ光をスロー軸方向に集光するスロー軸集光レンズ５０とを備えている。図１に示すように、枠体１０の側壁１０１と側壁１０２とは互いに対向しており、側壁１０３と側壁１０４とは互いに対向している。また、枠体１０の蓋１０５は、側壁１０１〜１０４と底板２０とで囲まれる空間を閉塞するものである。
【００２５】
また、枠体１０の側壁１０１には、光ファイバ（図示せず）を保持するためのファイバ保持部６０が形成されている。このような構成により、複数の半導体レーザ素子３０から出射されたレーザ光は、ファースト軸コリメートレンズ３２及びスロー軸コリメートレンズ３４によりファースト軸方向及びスロー軸方向にそれぞれコリメートされ、対応する反射ミラー４０で反射した後、ファースト軸集光レンズ４２及びスロー軸集光レンズ５０によってファイバ保持部６０に保持された光ファイバに集光されるようになっている。
【００２６】
図１及び図２に示すように、枠体１０の側壁１０１及び側壁１０２の下端には、それぞれ外側に延出する固定部１０６が形成されている。この固定部１０６にはボルト孔１０６Ａが形成されている。このボルト孔１０６Ａと底板２０に形成されたボルト孔（図示せず）にボルト（図示せず）が挿通され、このボルトにより枠体１０及び底板２０が例えばヒートシンク６２（図２参照）に固定される。
【００２７】
図２に示すように、枠体１０の蓋１０５には、蓋１０５から底板２０に向けて下方に延びる支柱（延出部）７０が蓋１０５と一体に設けられている。この支柱７０は、その下端に底板２０の上面に接触して底板２０を下方に押圧する接触部７４を有している。詳細は後述するが、この支柱７０は、底板２０の内側領域の少なくとも一部における底板２０の厚さ方向の変形量を低減する変形低減部として機能するものである。なお、本実施形態においては、延出部としての支柱７０が四角柱状であるが、これに限られるものではない。例えば、円柱状の支柱を延出部として用いてもよい。
【００２８】
支柱７０は、半導体レーザ素子３０から出射されたレーザ光が反射ミラー４０で反射して光ファイバに至るまでの光路を遮らないような位置に設けられている。また、支柱７０の接触部７４は、底板２０の上面のうち以下に述べる内側領域の少なくとも一部に接触するように構成されている。
【００２９】
図３及び図４は、底板２０の内側領域を説明するための図である。本明細書における底板２０の内側領域とは、底板２０の厚さ方向の想定変形量が底板２０の厚さ方向の最大想定変形量の１／２以上となる領域をいい、図３において符号Ｒで示される領域である。この内側領域Ｒは、より具体的には以下のように説明される。
【００３０】
まず、図３及び図４に示すように、側壁１０１と側壁１０２との間の距離をＬ1（ｍ）、側壁１０３と側壁１０４との間の距離をＬ2（ｍ）、底板２０の厚さをｔ（ｍ）、底板２０の材料のヤング率をＥ（ＧＰａ）とし、側壁１０１と側壁１０２から底板２０に固定荷重Ｐ（Ｎ）がかかっていると仮定する。このとき、Ｘ方向における底板２０の想定される最大変形量ｄ1maxは、以下の式により求めることができる。
【数１】
2016018834.tif 000003
【００３１】
ここで、側壁１０１から距離Ｌxの位置において想定される変形量が最大変形量ｄ1maxの１／２であるとすると、この距離Ｌxは以下の式を解くことにより得られる。
【数２】
2016018834.tif 000004
【００３２】
この式を解くと、Ｌx＝０．３５Ｌ1となる。したがって、底板２０の厚さ方向の想定変形量が底板２０の厚さ方向の最大想定変形量ｄ1maxの１／２以上となる範囲は、側壁１０１からの距離が０．３５Ｌ1から０．６５Ｌ1（＝Ｌ1−０．３５Ｌ1）の範囲となる。
【００３３】
Ｙ方向についても同様に、底板２０の厚さ方向の想定変形量が底板２０の厚さ方向の最大想定変形量の１／２以上となる範囲を求めると、側壁１０３からの距離が０．３５Ｌ2から０．６５Ｌ2の範囲となる。したがって、側壁１０１からの距離が０．３５Ｌ1から０．６５Ｌ1の範囲にあり、かつ側壁１０３からの距離が０．３５Ｌ2から０．６５Ｌ2の範囲にある領域Ｒが内側領域となる。
【００３４】
このような内側領域Ｒの少なくとも一部に接触部７４が接触するように配置すれば、底板２０の中央部の変形を低減することができる。したがって、ＬＤモジュール１のサイズが大きくなった場合においても、底板２０上に配置される半導体レーザ素子３０やファースト軸コリメートレンズ３２、スロー軸コリメートレンズ３４、反射ミラー４０、ファースト軸集光レンズ４２、スロー軸集光レンズ５０などの光学的な位置のずれが生ずることを防止できるとともに、底板２０のヒートシンク６２への接触を維持することができる。
【００３５】
ここで、ＬＤモジュール１の組立前の支柱７０のＺ方向の長さを枠体１０の側壁１０１〜１０４のＺ方向の長さよりも少し長くすることが好ましい。換言すれば、ＬＤモジュール１の組立前の支柱７０のＺ方向の端部（接触部７４）が、枠体１０の側壁１０１〜１０４のＺ方向の端部よりも底板２０側（下方）に位置していることが好ましい。このようにすれば、ＬＤモジュール１を組み立てた際に接触部７４が底板２０の上面を強く押圧することになり、より効果的に底板２０の変形を低減することができる。
【００３６】
図５は、本発明の第２の実施形態におけるＬＤモジュール２０１の構成を模式的に示す図である。本実施形態では、図５に示すように、第１の実施形態と同様に、枠体１０の蓋１０５から底板２０に向けて下方に延びる支柱（延出部）２７０が蓋１０５と一体に設けられている。この支柱２７０は、底板２０の上面に接触して底板２０を下方に押圧する接触部２７４を有している。この接触部２７４は、支柱２７０の下端から外側に向かって鍔状に延びており、支柱２７０の接触部２７４以外の部分２７２の断面積よりも大きな面積で内側領域Ｒ（図３参照）に接触する。この支柱２７０は、第１の実施形態における支柱７０と同様に、底板２０の内側領域Ｒの少なくとも一部における底板２０の厚さ方向の変形量を低減する変形低減部として機能する。
【００３７】
このような構成によっても、上述した第１の実施形態と同様に、接触部２７４が内側領域Ｒの少なくとも一部に接触しているので、支柱２７０によって底板２０の内側領域Ｒの変形が低減される。さらに、本実施形態では、レーザ光の光路を遮らないような位置に配置しなければならない部分２７２の断面積を小さくすることにより、支柱２７０の配置の自由度を高めることができるとともに、底板２０を下方に押圧する接触部２７４の接触面積を大きくすることにより、より効果的に底板２０の変形を低減することができる。
【００３８】
本実施形態においても、ＬＤモジュール２０１を組み立てた際に接触部２７４が底板２０の上面を強く押圧するように、ＬＤモジュール２０１の組立前の支柱２７０のＺ方向の端部（接触部２７４）が、枠体１０の側壁１０１〜１０４のＺ方向の端部よりも底板２０側（下方）に位置していることが好ましい。
【００３９】
図６は、本発明の第３の実施形態におけるＬＤモジュール３０１の構成を模式的に示す図である。本実施形態では、図６に示すように、第１の実施形態の支柱７０に代えて、側壁１０１〜１０４の下端から内側に向かって延びる鍔部（延出部）３７０が側壁１０１〜１０４と一体に設けられている。この鍔部３７０は、側壁１０１〜１０４の下端から内側に向かって延びており、その内側部分に底板２０の内側領域Ｒ（図３参照）に接触する接触部３７４を有している。この鍔部３７０は、底板２０の内側領域Ｒの少なくとも一部における底板２０の厚さ方向の変形量を低減する変形低減部として機能する。
【００４０】
鍔部３７０の接触部３７４が内側領域Ｒの少なくとも一部に接触しているので、底板２０の内側領域Ｒの変形を低減することができる。なお、このような鍔部３７０は、側壁１０１〜１０４のすべてに設けられている必要はなく、側壁１０１〜１０４のいずれか１つの少なくとも一部に設けられていればよい。
【００４１】
また、本実施形態においても、ＬＤモジュール３０１を組み立てた際に接触部３７４が底板２０の上面を強く押圧するように、ＬＤモジュール３０１の組立前の鍔部３７０を内側斜め下方に延びるように形成し、鍔部３７０の内側端部（接触部３７４）が、枠体１０の側壁１０１〜１０４のＺ方向の端部よりも底板２０側（下方）に位置していることが好ましい。
【００４２】
図７は、本発明の第４の実施形態におけるＬＤモジュール４０１の構成を模式的に示す図である。上述した第１の実施形態においては変形低減部としての支柱７０が枠体１０の蓋１０５から下方に延びていたが、本実施形態では、変形低減部としての支柱（延出部）４７０が底板２０から上方に延びている。この支柱４７０は、底板２０の内側領域Ｒ（図２参照）の一部から枠体１０の蓋１０５に向けて上方に延びており、その上端には枠体１０の蓋１０５に接触する接触部４７４を有している。また、支柱４７０は、レーザ光の光路を遮らないような位置に設けられる。なお、この支柱４７０の断面形状は特定のものに限定されるものではない。
【００４３】
このような構成によっても、上述した第１の実施形態と同様に、支柱４７０が内側領域Ｒ（図３参照）の一部から延び、その上端の接触部４７４が蓋１０５に接触しているので、支柱４７０によって底板２０の内側領域Ｒの変形が低減される。したがって、底板２０上に配置される半導体レーザ素子３０やファースト軸コリメートレンズ３２、スロー軸コリメートレンズ３４、反射ミラー４０、ファースト軸集光レンズ４２、スロー軸集光レンズ５０などの光学的な位置のずれが生ずることを防止できるとともに、底板２０のヒートシンク６２への接触を維持することができる。
【００４４】
また、ＬＤモジュール４０１を組み立てた際に支柱４７０の接触部４７４が枠体１０の蓋１０５を強く押圧するように、ＬＤモジュール４０１の組立前における支柱４７０の長さが、支柱４７０が延び出す底板２０の領域から、接触部４７４が接触する蓋１０５までの距離よりも長いことが好ましい。
【００４５】
図８は、本発明の第５の実施形態におけるＬＤモジュール５０１の構成を模式的に示す図である。本実施形態では、図８に示すように、第４の実施形態と同様に、底板２０の内側領域Ｒ（図２参照）の一部から枠体１０の蓋１０５に向けて上方に延びる支柱５７０が底板２０と一体に設けられている。この支柱５７０は、その上端に枠体１０の蓋１０５に接触する接触部５７４を有している。この接触部５７４は、支柱５７０の上端から外側に向かって鍔状に延びており、支柱５７０の接触部５７４以外の部分５７２の断面積よりも大きな面積で枠体１０の蓋１０５に接触する。この支柱５７０は、第４の実施形態における支柱４７０と同様に、底板２０の内側領域Ｒの少なくとも一部における底板２０の厚さ方向の変形量を低減する変形低減部として機能する。
【００４６】
本明細書において使用した用語「上面」、「上方」、「上端」、「下方」、「下端」、その他の位置関係を示す用語は、図示した実施形態との関連において使用されているのであり、装置の相対的な位置関係によって変化するものである。
【００４７】
これまで本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されず、その技術的思想の範囲内において種々異なる形態にて実施されてよいことは言うまでもない。
【符号の説明】
【００４８】
Ｒ    内側領域
１    半導体レーザモジュール
１０    枠体
２０    底板
３０    半導体レーザ素子
３２    ファースト軸コリメートレンズ
３４    スロー軸コリメートレンズ
４０    反射ミラー
４２    ファースト軸集光レンズ
５０    スロー軸集光レンズ
６０    ファイバ保持部
６２    ヒートシンク
７０    支柱（延出部・変形低減部）
７４    接触部
１０１〜１０４    側壁
１０５    蓋
１０６    固定部
１０６Ａ  ボルト孔
２０１    半導体レーザモジュール
２７０    支柱（延出部・変形低減部）
２７２    接触部以外の部分
２７４    接触部
３０１    半導体レーザモジュール
３７０    鍔部（延出部・変形低減部）
３７４    接触部
４０１    半導体レーザモジュール
４７０    支柱（変形低減部）
４７４    接触部
５０１    半導体レーザモジュール
５７０    支柱（延出部・変形低減部）
５７２    接触部以外の部分
５７４    接触部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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