(57)【要約】【課題】温度センサによって適切に温度検出を行い得る半導体装置を提供する。【解決手段】本明細書が開示する半導体装置２では、表面絶縁膜７０のうちの第１部分７０ａ（即ち、表面電極４０の温度センサ５０側に位置する第１辺４０ａに沿って延びている部分のうち、アクティブ領域１００の上部に形成されている部分）の第１幅Ｗ１は、表面絶縁膜７０のうちの第２部分７０ｂ（即ち、表面電極４０の第２辺４０ｂに沿って延びている部分のうち、アクティブ領域１００の上部に形成されている部分）の第２幅Ｗ２よりも広い。【選択図】図２
2016018848.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体装置であって、
半導体基板と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極と、表面電極と、温度センサと、表面絶縁膜と、熱伝導部材を備え、
前記半導体基板が、
前記半導体基板の表面に露出する複数のｎ型の第１領域と、
前記第１領域に接しており、前記表面に露出するｐ型のボディ領域と、
前記ボディ領域に接しており、前記ボディ領域によって前記第１領域から分離されているｎ型の第２領域、
を備え、
前記ゲート絶縁膜が、前記ボディ領域に接しており、
前記ゲート電極が、前記ゲート絶縁膜を介して前記第１領域と前記第２領域の間の前記ボディ領域に対向しており、
前記半導体基板が、前記表面を平面視したときに、前記第１領域及び前記第１領域のそれぞれの間の領域と重なるアクティブ領域と、前記アクティブ領域の外側の非アクティブ領域を備え、
前記表面電極が、前記アクティブ領域内の前記表面上に形成されており、前記第１領域及び前記ボディ領域に接続されており、
前記温度センサが、前記非アクティブ領域内の前記表面の上方に設けられており、
前記表面絶縁膜が、前記非アクティブ領域内の前記表面上及び前記表面電極上に形成されており、前記非アクティブ領域から前記アクティブ領域に跨って延びており、前記表面電極上の少なくとも一部に開口部を有し、
前記熱伝導部材が、前記開口部内の前記表面電極に接続されており、
前記表面電極が、前記表面を平面視したときに、前記温度センサ側に位置する第１辺と、前記第１辺の反対側に位置する第２辺を有しており、
前記アクティブ領域内の前記表面電極上の前記表面絶縁膜のうちの前記第１辺に沿って延びている第１部分が、前記非アクティブ領域から前記アクティブ領域に向かう方向において第１幅を有しており、
前記アクティブ領域内の前記表面電極上の前記表面絶縁膜のうちの前記第２辺に沿って延びている第２部分が、前記非アクティブ領域から前記アクティブ領域に向かう方向において第２幅を有しており、
前記第１幅が前記第２幅よりも広い、
半導体装置。
【請求項２】
前記半導体基板は、前記非アクティブ領域内に形成され、前記表面から前記ボディ領域よりも深い位置まで延びているｐ型の耐圧領域を有しており、
前記耐圧領域と前記第１領域の間に前記ボディ領域が形成されており、
前記表面電極は、前記アクティブ領域から前記耐圧領域の表面に接する位置まで伸びており、前記耐圧領域と接続されており、
前記表面電極のうちの前記非アクティブ領域内に形成されている部分のうちの前記第１辺に沿って延びている第３部分が、前記非アクティブ領域から前記アクティブ領域に向かう方向において第３幅を有しており、
前記表面電極のうちの前記非アクティブ領域内に形成されている部分のうちの前記第２辺に沿って延びている第４部分が、前記非アクティブ領域から前記アクティブ領域に向かう方向において第４幅を有しており、
前記第４幅が前記第３幅よりも広く、
前記耐圧領域のうちの前記表面電極の下部に形成されている部分のうちの前記第１辺に沿って延びている第５部分が、前記非アクティブ領域から前記アクティブ領域に向かう方向において第５幅を有しており、
前記耐圧領域のうちの前記表面電極の下部に形成されている部分のうちの前記第２辺に沿って延びている第６部分が、前記非アクティブ領域から前記アクティブ領域に向かう方向において第６幅を有しており、
前記第６幅が前記第５幅よりも広い、
請求項１の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、特許文献１には、半導体基板に形成されている半導体素子の表面電極の表面の一部に高熱伝導体を接合した半導体装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００５−１１６７０２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
この種の半導体装置において、表面電極の周辺部分の表面を絶縁膜で覆い、絶縁膜が形成されていない開口部内の表面電極の表面に高熱伝導体を接合する構成が採用される場合がある。さらに、半導体基板の半導体素子以外の部分に、温度センサを配置する構成が採用される場合もある。温度センサは、半導体基板中のなるべく高温の部分の温度を検出することが好ましい。この場合において、高熱伝導体が接続されていない範囲の表面電極（即ち、絶縁膜が形成されている範囲の表面電極）の下部の半導体素子は、動作に伴って発生した熱が高熱伝導体に伝達されにくく、高温化する可能性がある。この場合に、半導体基板のうち、温度センサが温度検出している部分よりも、温度センサによって温度検出していない部分の温度が高温になってしまい、適切に温度検出ができない事態が発生する可能性がある。
【０００５】
本明細書では、温度センサによって適切に温度検出を行い得る半導体装置を開示する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本明細書で開示する半導体装置は、半導体基板と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極と、表面電極と、温度センサと、表面絶縁膜と、熱伝導部材を備える。半導体基板が、半導体基板の表面に露出する複数のｎ型の第１領域と、第１領域に接しており、表面に露出するｐ型のボディ領域と、ボディ領域に接しており、ボディ領域によって第１領域から分離されているｎ型の第２領域を備える。ゲート絶縁膜が、ボディ領域に接している。ゲート電極が、ゲート絶縁膜を介して第１領域と第２領域の間のボディ領域に対向している。半導体基板が、表面を平面視したときに、第１領域及び第１領域のそれぞれの間の領域と重なるアクティブ領域と、アクティブ領域の外側の非アクティブ領域を備える。表面電極が、アクティブ領域内の表面上に形成されており、第１領域及びボディ領域に接続されている。温度センサが、非アクティブ領域内の表面の上方に設けられている。表面絶縁膜が、非アクティブ領域内の表面上及び表面電極上に形成されており、非アクティブ領域からアクティブ領域に跨って延びており、表面電極上の少なくとも一部に開口部を有している。熱伝導部材が、開口部内の表面電極に接続されている。表面電極が、表面を平面視したときに、温度センサ側に位置する第１辺と、第１辺の反対側に位置する第２辺を有している。アクティブ領域内の表面電極上の表面絶縁膜のうちの第１辺に沿って延びている第１部分が、非アクティブ領域からアクティブ領域に向かう方向において第１幅を有している。アクティブ領域内の表面電極上の表面絶縁膜のうちの第２辺に沿って延びている第２部分が、非アクティブ領域からアクティブ領域に向かう方向において第２幅を有している。第１幅が第２幅よりも広い。
【０００７】
ボディ領域は、ｐ型不純物濃度が高いボディコンタクト領域と、ボディコンタクト領域よりもｐ型不純物濃度が低い低濃度領域と、を含む。ボディコンタクト領域は、半導体基板の表面に露出する。ボディコンタクト領域には、表面電極が接続される。低濃度領域は、ボディコンタクト領域の下側に形成されている。
【０００８】
上記の構成によると、表面絶縁膜のうちの第１部分の第１幅（即ち、温度センサ側で、アクティブ領域上に形成されている表面絶縁膜の幅）は、表面絶縁膜のうちの第２部分の第２幅（即ち、温度センサと反対側で、アクティブ領域上に形成されている表面絶縁膜の幅）よりも広い。即ち、第１部分の下部の半導体基板では、第２部分の下部の半導体基板よりも、発生した熱が熱伝導部材に伝達されにくく、高温化する可能性が高くなる。そのため、上記の構成によると、温度センサが温度検出している部分が、温度センサによって温度検出していない部分よりも高温になり易い。従って、温度センサによって適切に半導体装置の温度検出を行い得る。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】第１実施例の半導体装置を示す平面図。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ断面図。
【図３】第２実施例の半導体装置を示す断面図（１）。
【図４】第２実施例の半導体装置を示す断面図（２）。
【図５】第３実施例の半導体装置を示す平面図。
【図６】第４実施例の半導体装置を示す平面図。
【図７】第５実施例の半導体装置を示す平面図。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下に説明する実施例の特徴について、以下に列記する。なお、以下の各特徴は、何れも、独立して有用なものである。
【００１１】
（特徴１）半導体基板は、非アクティブ領域内に形成され、表面からボディ領域よりも深い位置まで延びているｐ型の耐圧領域を有していてもよい。耐圧領域と第１領域の間にボディ領域が形成されていてもよい。表面電極は、アクティブ領域から耐圧領域の表面に接する位置まで伸びており、耐圧領域と接続されていてもよい。表面電極のうちの非アクティブ領域内に形成されている部分のうちの第１辺に沿って延びている第３部分が、非アクティブ領域からアクティブ領域に向かう方向において第３幅を有していてもよい。表面電極のうちの非アクティブ領域内に形成されている部分のうちの第２辺に沿って延びている第４部分が、非アクティブ領域からアクティブ領域に向かう方向において第４幅を有していてもよい。第４幅が第３幅よりも広くてもよい。耐圧領域のうちの表面電極の下部に形成されている部分のうちの第１辺に沿って延びている第５部分が、非アクティブ領域からアクティブ領域に向かう方向において第５幅を有していてもよい。耐圧領域のうちの表面電極の下部に形成されている部分のうちの第２辺に沿って延びている第６部分が、非アクティブ領域からアクティブ領域に向かう方向において第６幅を有していてもよい。第６幅が第５幅よりも広くてもよい。
【実施例１】
【００１２】
（第１実施例）
図１に示す第１実施例の半導体装置２は、半導体基板１０と、２個の表面電極４０と、温度センサ５０と、表面絶縁膜７０と、４個の小信号パッド８０を備えている。なお、図１では、表面電極４０上に接続される熱伝導部材６０（図２参照）の図示を省略している。
【００１３】
半導体基板１０は、Ｓｉ基板である。半導体基板１０には、後述のアクティブ領域１００と非アクティブ領域１１０（図２参照）が形成されている。半導体基板１０の詳しい構造は後で説明する。
【００１４】
表面電極４０は、半導体基板１０の表面に接続されている。表面電極４０は、Ａｌ、Ｔｉ、Ｎｉ，Ａｕの積層膜によって形成されている。表面電極４０は、温度センサ５０側に位置する第１辺４０ａと、それ以外の第２辺４０ｂとを有している。図１の右側の表面電極４０のうちの第１辺４０ａには、温度センサ５０を配置するための凹部４５が形成されている。凹部４５を構成する各辺４５ａ、４５ｂ及び４５ｃは、第１辺４０ａの一部である。
【００１５】
温度センサ５０は、半導体基板１０の温度を検出可能なダイオードである。温度センサ５０は、半導体基板１０上であって、２個の表面電極４０の間に設けられている。詳細に言うと、温度センサ５０は、半導体基板１０上であって、図１の右側の表面電極４０の凹部４５内に配置されている。
【００１６】
表面絶縁膜７０は、ポリイミドによって形成されている。表面絶縁膜７０は、半導体基板１０のうち、表面電極４０が形成されていない部分の表面、温度センサ５０の表面、及び、表面電極４０の周辺部の表面に形成されている。表面電極４０の表面のうち、表面絶縁膜７０が形成されていない部分は開口部７２である。開口部７２の内側では表面電極４０が露出している。露出している表面電極４０の表面には、熱伝導部材６０（図示省略）が接合されている。
【００１７】
図２に示すように、半導体基板１０は、アクティブ領域１００と非アクティブ領域１１０とを備える。アクティブ領域１００は、半導体基板１０を平面視する場合において、エミッタ領域２４（後述）が形成されている範囲、及び、エミッタ領域２４の間に形成されている範囲を含む。非アクティブ領域１１０は、半導体基板１０を平面視する場合において、アクティブ領域１００の外側に形成されている。非アクティブ領域１１０にはエミッタ領域２４は含まれていない。
【００１８】
半導体基板１０の表面（図２中上面）には、複数のトレンチ１９が形成されている。トレンチ１９の壁面には、ゲート絶縁膜２０が形成されている。ゲート絶縁膜２０は、シリコン酸化膜である。トレンチ１９内には、ゲート電極２２が形成されている。
【００１９】
アクティブ領域１００の表面に臨む領域には、ｎ＋型のエミッタ領域２４が形成されている。エミッタ領域２４は、ゲート絶縁膜２０と接するように形成されている。また、アクティブ領域１００の表面に臨む領域及びエミッタ領域２４の下側には、ｐ−型のボディ領域１６が形成されている。ボディ領域１６は、エミッタ領域２４の下側でゲート絶縁膜２０と接する。ボディ領域１６は、トレンチ１９の下端より浅い位置まで形成されている。なお、ボディ領域１６の一部は、非アクティブ領域１１０内にも配置されている。ボディ領域１６は、半導体基板１０の表面に臨む範囲に形成されるボディコンタクト領域１６ａと、ボディコンタクト領域１６ａ及びエミッタ領域２４の下側に形成される低濃度領域１６ｂと、を含む。ボディコンタクト領域１６ａのｐ型不純物濃度は、低濃度領域１６ｂのｐ型不純物濃度よりも高い。
【００２０】
非アクティブ領域１１０の表面に臨む領域には、ｐ＋型のＦＬＲ（Field Limiting Ringの略）領域１８が形成されている。ＦＬＲ領域１８は、エミッタ領域２４から離れた位置に配置されている。ＦＬＲ領域１８とエミッタ領域２４の間には、ボディ領域１６（ボディコンタクト領域１６ａ）が配置されている。ＦＬＲ領域１８は、ボディ領域１６よりも深い位置まで形成されている。より詳細には、ＦＬＲ領域１８は、ゲート電極２２の下端よりも深い位置まで形成されている。
【００２１】
ボディ領域１６及びＦＬＲ領域１８の下側には、ｎ−型のドリフト領域１４が形成されている。ドリフト領域１４は、ボディ領域１６によってエミッタ領域２４から分離されている。ドリフト領域１４の下側であって、半導体基板１０の裏面（図２中下面）に臨む領域には、ｐ＋型のコレクタ領域１２が形成されている。コレクタ領域１２は、ドリフト領域１４によってボディ領域１６から分離されている。アクティブ領域１００には、エミッタ領域２４、ボディ領域１６、ドリフト領域１４、コレクタ領域１２、及び、ゲート電極２２によって、多数のＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistorの略）が形成されている。
【００２２】
半導体基板１０の裏面上には、全面に亘って裏面電極９０が形成されている。裏面電極９０は、コレクタ領域１２とオーミック接続されている。
【００２３】
半導体基板１０の表面のうち、アクティブ領域１００内の各ゲート電極２２の表面には、絶縁膜３０が形成されている。また、非アクティブ領域１１０内のＦＬＲ領域１８の表面には絶縁膜３２が形成されている。ただし、絶縁膜３２は、ＦＬＲ領域１８のうち、アクティブ領域１００寄りの一部の表面には形成されていない。
【００２４】
また、半導体基板１０の表面上には、表面電極４０が形成されている。表面電極４０は、各絶縁膜３０と絶縁膜３２の一部を覆うように形成されている。表面電極４０は、絶縁膜３０、３２が形成されていない範囲において半導体基板１０と接しており、エミッタ領域２４、ボディコンタクト領域１６ａ（即ちボディ領域１６）、及び、ＦＬＲ領域１８とオーミック接続されている。また、表面電極４０は、絶縁膜３０によって、アクティブ領域１００内のゲート電極２２から絶縁されている。アクティブ領域１００内のゲート電極２２は、小信号パッド８０（図１参照）に接続されている。図２中の左側の辺（即ち、温度センサ５０側の辺）が、表面電極４０の第１辺４０ａであり、図２中の右側の辺（即ち、温度センサ５０と反対側の辺）が、第２辺４０ｂである。図２に示すように、第１辺４０ａは、表面電極４０の左側の上端部（即ちエッジ部）であり、第２辺４０ｂは、表面電極４０の右側の上端部（即ちエッジ部）である。
【００２５】
表面電極４０の第１辺４０ａ側の絶縁膜３２の表面上には、温度センサ５０が配置されている。
【００２６】
温度センサ５０の表面、絶縁膜３２のうち表面電極４０が形成されていない部分の表面、及び、表面電極４０のうち周辺部分の表面には、表面絶縁膜７０が形成されている。図２に示すように、表面絶縁膜７０は、非アクティブ領域１１０からアクティブ領域１００に跨る範囲に延びている。表面絶縁膜７０が形成されていない部分には開口部７２が形成されている。
【００２７】
図２に示すように、表面電極４０上の表面絶縁膜７０のうちの第１辺４０ａに沿って延びている部分のうち、前記アクティブ領域１００の上部に形成されている部分である第１部分７０ａは、非アクティブ領域１１０からアクティブ領域１００に向かう方向において第１幅Ｗ１を有する。一方、表面電極４０上の表面絶縁膜７０のうちの第２辺４０ｂに沿って延びている部分のうち、前記アクティブ領域１００の上部に形成されている部分である第２部分７０ｂは、非アクティブ領域１１０からアクティブ領域１００に向かう方向において第２幅Ｗ２を有する。図２に示すように、第１幅Ｗ１は第２幅Ｗ２よりも広く形成されている。
【００２８】
開口部７２内の表面電極４０の表面には、熱伝導部材６０が形成されている。熱伝導部材６０は、半導体基板１０や表面絶縁膜７０の熱伝導率よりも高い熱伝導率を有している。熱伝導部材６０の熱伝導率は、例えば、１００Ｗ／ｍ・Ｋ以上とすることが好ましい。本実施例では、熱伝導部材６０にはＣｕが用いられる。熱伝導部材６０は、開口部７２内の表面電極４０の表面に、ハンダ６２を介して接合されている。
【００２９】
次に、本実施例の半導体装置２の動作について説明する。本実施例の半導体装置２は、表面電極４０が図示しない外部装置（例えばモータ等）を介してグランド電位に接続され、裏面電極９０が電源電位に接続されて使用される。半導体装置２に電圧が印加されると、アクティブ領域１００に形成されているＩＧＢＴでは、エミッタ側（表面電極４０）が低電位となり、コレクタ側（裏面電極９０）が高電位となる。この状態で、ゲート電極２２にプラスの電位（ゲート−エミッタ間電圧）を印加すると、ゲート絶縁膜２０と接している範囲のボディ領域１６（即ち低濃度領域１６ｂ）が、ｐ型からｎ型に反転し、チャネルが形成される。チャネルが形成されると、電子が、表面電極４０から、エミッタ領域２４、ボディ領域１６内のチャネル、ドリフト領域１４、コレクタ領域１２を経由して、裏面電極９０に流れる。また、ホールが、裏面電極９０から、コレクタ領域１２を通って、ドリフト領域１４に流入する。すると、ドリフト領域１４で伝導度変調現象が生じ、ドリフト領域１４の電気抵抗が大きく低下する。即ち、ＩＧＢＴがターンオンする。即ち、ＩＧＢＴにコレクタ電流が流れる。ゲート電極２２への電位の印加を停止すると、チャネルが消失し、ＩＧＢＴがターンオフする。即ち、ＩＧＢＴに流れるコレクタ電流が減少し、消失する。ドリフト領域１４内に流入したホールは、ボディ領域１６（低濃度領域１６ｂ及びボディコンタクト領域１６ａ）を通って表面電極４０に抜ける。また、一部のホールは、ＦＬＲ領域１８を通って表面電極４０に抜ける。
【００３０】
本実施例では、図２に示すように、表面絶縁膜７０のうちの第１部分７０ａ（即ち、表面電極４０の温度センサ５０側に位置する第１辺４０ａに沿って延びている部分のうち、アクティブ領域１００の上部に形成されている部分）の第１幅Ｗ１は、表面絶縁膜７０のうちの第２部分７０ｂ（即ち、表面電極４０の第２辺４０ｂに沿って延びている部分のうち、アクティブ領域１００の上部に形成されている部分）の第２幅Ｗ２よりも広い。そのため、ＩＧＢＴをターンオンさせる場合に、第１部分７０ａの下部のアクティブ領域１００では、第２部分７０ｂの下部のアクティブ領域１００よりも、発生した熱が熱伝導部材６０に伝達され難い。従って、第１部分７０ａの下部のアクティブ領域１００は、第２部分７０ｂの下部のアクティブ領域１００よりも高温となる。即ち、温度センサ５０に近い第１部分７０ａが、温度センサ５０から遠い第２部分７０ｂよりも高温となる。従って、温度センサ５０で半導体基板１０内のより高温の部分の温度を測定することができる。従って、温度センサ５０の検出値に基づくことで、半導体装置２内の最高温度が規格値を超えないように好適に半導体装置２を制御することができる。
【００３１】
また、このように温度センサ５０から遠い第２部分７０ｂの幅を狭くすることで、半導体装置２の放熱性能を向上させることができる。
【００３２】
（第２実施例）
図３、図４に示すように、第２実施例でも、第１実施例と同様に、表面絶縁膜７０の第２部分７０ｂの第２幅Ｗ２は、第１部分７０ａの第１幅Ｗ１よりも狭い。
【００３３】
第２実施例では、非アクティブ領域１１０内の第２辺４０ｂに沿って伸びる表面電極４０（即ち、第４部分４１ｂ）の幅Ｗ４が、非アクティブ領域１１０内の第１辺４０ａに沿って伸びる表面電極４０（即ち、第３部分４１ａ）の幅Ｗ３よりも広い。また、第２実施例では、表面電極４０の下部の第２辺４０ｂに沿って伸びるＦＬＲ領域１８（即ち、第６部分１８ｂ）の幅Ｗ６が、表面電極４０の下部の第１辺４０ａに沿って伸びるＦＬＲ領域１８（即ち、第５部分１８ａ）の幅Ｗ５よりも広い。なお、幅Ｗ３〜Ｗ６は、アクティブ領域１００から非アクティブ領域１１０に向かう方向における寸法を意味する。
【００３４】
このように、第１幅Ｗ１及び第２幅Ｗ２に合わせて、非アクティブ領域１１０内の表面電極４０の幅Ｗ３、Ｗ４が異なっていてもよい。この場合、上記のように表面電極４０の下部のＦＬＲ領域１８の幅Ｗ５、Ｗ６を設定することで、エミッタ領域２４とＦＬＲ領域１８との間の距離の位置によるばらつきを小さくすることができる。より詳細には、ほぼ同一になり得る。図３、図４の例では、エミッタ領域２４ａと第５部分１８ａとの間の距離（図３）と、エミッタ領域２４ｂと第６部分１８ｂとの間の距離（図４）は、ほぼ同一になり得る。
【００３５】
図３、図４の構造を採用する場合に、ＦＬＲ領域１８とエミッタ領域２４の間の距離にばらつきが生じれば、ＦＬＲ領域１８とエミッタ領域２４の距離が大きい場所において、ＩＧＢＴのターンオフ時のホールの抜け性が悪くなり、半導体装置２のターンオフ時の破壊耐量が低下する可能性がある。この点、本実施例では、表面電極４０の第４部分４１ｂ（即ち、第２辺４０ｂに沿って延びている部分のうちの非アクティブ領域１１０上の部分；図４参照）の第４幅Ｗ４が、表面電極４０の第３部分４１ａ（即ち、第１辺４０ａに沿って延びている部分のうちの非アクティブ領域１１０上の部分；図３参照）の第３幅Ｗ３よりも広く、ＦＬＲ領域１８の第６部分１８ｂ（即ち、表面電極４０の下側の部分のうちの第２辺４０ｂに沿って延びている部分；図４参照）の第６幅Ｗ６が、ＦＬＲ領域１８の第５部分１８ａ（即ち、表面電極４０の下側の部分のうちの第１辺４０ａに沿って延びている部分；図３）の第５幅Ｗ５よりも広い。そのため、ＦＬＲ領域１８の第５部分１８ａアクティブ領域１００の距離（図３参照）と、ＦＬＲ領域１８の第６部分１８ｂとアクティブ領域１００の距離（図４参照）との差が小さくなる。より詳細には、ほぼ同一になり得る。そのため、ＩＧＢＴのターンオフ時におけるホールの抜け性のばらつきが小さくなり得る。そのため、半導体装置２の破壊耐量が低下することを抑制し得る。
【００３６】
（第３実施例）
第３実施例の半導体装置２について、第１、第２実施例と異なる点を説明する。図５に示すように、本実施例では、半導体基板１０上に４個の表面電極４０が形成されている点が第１、第２実施例と異なる。各表面電極４０のうち、温度センサ５０側の２つの辺が第１辺４０ａであり、残りの２つの辺が第２辺４０ｂである。本実施例でも、表面絶縁膜７０のうち、表面電極４０の第１辺４０ａに沿って延びている部分の幅は、第２辺４０ｂに沿って延びている部分の幅よりも広い。第１辺４０ａ周辺の断面構造、及び、第２辺４０ｂ周辺の断面構造は、第１、第２実施例と同様である（図２、図３、図４参照）。
【００３７】
（第４実施例）
第４実施例の半導体装置２について、第１、第２実施例と異なる点を説明する。図６に示すように、本実施例では、半導体基板１０上に３個の表面電極４０が形成されている点が第１、第２実施例と異なる。温度センサ５０は、２個の表面電極４０（図６中の左から２個の表面電極４０）の間に形成されている。２個の表面電極４０のうち、温度センサ５０側の一辺が第１辺４０ａであり、残りの辺が第２辺４０ｂである。また、温度センサ５０が近傍に配置されていない１個の表面電極４０（図６中の一番右の表面電極４０）の各辺も第２辺４０ｂである。本実施例でも、表面絶縁膜７０のうち、表面電極４０の第１辺第１辺に沿って延びている部分４０ａに沿って延びている部分の幅は、第２辺４０ｂに沿って延びている部分の幅よりも広い。第１辺４０ａ周辺の断面構造、及び、第２辺４０ｂ周辺の断面構造は、第１、第２実施例と同様である（図２、図３、図４参照）。
【００３８】
（第５実施例）
第５実施例の半導体装置２について、第１、第２実施例と異なる点を説明する。図７に示すように、本実施例では、半導体基板１０上に形成されている２個の表面電極４０の配置方向が第１、第２実施例と異なる。本実施例でも、各表面電極４０は、温度センサ５０側に位置する第１辺４０ａと、それ以外の第２辺４０ｂとを有している。本実施例でも、表面絶縁膜７０のうち、表面電極４０の第１辺４０ａに沿って延びている部分の幅は、第２辺４０ｂに沿って延びている部分の幅よりも広い。第１辺４０ａ周辺の断面構造、及び、第２辺４０ｂ周辺の断面構造は、第１、第２実施例と同様である（図２、図３、図４参照）。
【００３９】
以上、本発明の具体例を詳細に説明したが、これらは例示に過ぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。例えば、以下の変形例を採用してもよい。
【００４０】
（変形例１）  半導体基板１０には、ＩＧＢＴに限らず、ＭＯＳＦＥＴ等、絶縁ゲート電極を備える他のパワー半導体素子が作り込まれていてもよい。また、半導体基板１０は、Ｓｉ材料製のものに限られず、ＳｉＣ材料製のものやＧａＮ材料製のものであってもよい。
【００４１】
また、本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組合せに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成するものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。
【符号の説明】
【００４２】
２：半導体装置
１０：半導体基板
１２：コレクタ領域
１４：ドリフト領域
１６：ボディ領域
１６ａ：ボディコンタクト領域
１６ｂ：低濃度領域
１８：ＦＬＲ領域
１８ａ：第５部分
１８ｂ：第６部分
１９：トレンチ
２０：ゲート絶縁膜
２２：ゲート電極
２４：エミッタ領域
３０：絶縁膜
３２：絶縁膜
４０：表面電極
４０ａ：第１辺
４０ｂ：第２辺
４１ａ：第３部分
４１ｂ：第４部分
４５：凹部
５０：温度センサ
６０：熱伝導部材
６２：ハンダ
７０：表面絶縁膜
７０ａ：第１部分
７０ｂ：第２部分
７２：開口部
８０：小信号パッド
９０：裏面電極
１００：アクティブ領域
１１０：非アクティブ領域
Ｗ１：第１幅
Ｗ２：第２幅
Ｗ３：第３幅
Ｗ４：第４幅
Ｗ５：第５幅
Ｗ６：第６幅
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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