(57)【要約】【課題】リフロー耐熱性に優れた多層回路基板、およびその製造方法を提供する。【解決手段】絶縁層３０および回路層２０が交互に積層した多層構造を有し、前記多層構造の少なくとも一方の面を構成する最外層が回路層２０である多層基材５００と、前記回路層２０の表面に設けられためっき膜４０と、前記めっき膜４０の前記回路層２０とは反対側の面に設けられた絶縁樹脂層２００とを備え、前記絶縁樹脂層２００が、熱硬化性樹脂と、分子構造中にグアニジン構造単位を有するグアニジン誘導体と、を含む樹脂組成物により形成され、前記グアニジン構造単位が、下記式（１）に示されるグアニジン基である。【化１】2016072472.tif 000015【選択図】図１
2016072472.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層および回路層が交互に積層した多層構造を有し、前記多層構造の少なくとも一方の面を構成する最外層が回路層である多層基材と、
前記回路層の表面に設けられためっき膜と、
前記めっき膜の前記回路層とは反対側の面に設けられた絶縁樹脂層と
を備え、
前記絶縁樹脂層が、
熱硬化性樹脂と、
分子構造中にグアニジン構造単位を有するグアニジン誘導体と、を含む樹脂組成物により形成され、
前記グアニジン構造単位が、下記式（１）に示されるグアニジン基である、多層回路基板。
【化１】
2016072472.tif 000009
【請求項２】
請求項１に記載の多層回路基板であって、
前記グアニジン構造単位が、下記式（２）で示される官能基である、多層回路基板。
【化２】
2016072472.tif 000010
【請求項３】
請求項１または２に記載の多層回路基板であって、
前記グアニジン誘導体が、下記一般式（３）により表される化合物である、多層回路基板。
【化３】
2016072472.tif 000011
（一般式（３）中、Ａは置換または無置換の芳香環である。）
【請求項４】
請求項１乃至３いずれかに記載の多層回路基板であって、
前記絶縁樹脂層が、さらに、ビスフェノールＡ型ノボラック化合物を含む前記樹脂組成物により形成された、多層回路基板。
【請求項５】
絶縁層および回路層が交互に積層した多層構造を有し、前記多層構造の少なくとも一方の面を構成する最外層が回路層である多層基材と、
前記回路層の表面に設けられためっき膜と、
前記めっき膜の前記回路層とは反対側の面に設けられた絶縁樹脂層と
を備え、
前記絶縁樹脂層が、熱硬化性樹脂および珪灰石を含む樹脂組成物により形成された、多層回路基板。
【請求項６】
請求項１乃至５いずれかに記載の多層回路基板であって、
当該多層回路基板には、当該多層回路基板を貫通する第１の貫通ビアが設けられ、
前記第１の貫通ビアの側壁にスルーホールめっきが形成されている、多層回路基板。
【請求項７】
請求項６に記載の多層回路基板であって、
前記めっき膜は、前記第１の貫通ビアの側壁を覆う前記スルーホールめっきと連続一体に形成されている、多層回路基板。
【請求項８】
請求項１乃至７いずれかに記載の多層回路基板であって、
前記絶縁樹脂層の前記回路層とは反対側の面に設けられた金属層
を備え、
前記多層基材には、前記多層基材を貫通する第２の貫通ビアが設けられている、多層回路基板。
【請求項９】
請求項１乃至８いずれかに記載の多層回路基板であって、
前記絶縁樹脂層の前記回路層側の面の一部が、前記第２の貫通ビアの開口周縁部と接している、多層回路基板。
【請求項１０】
絶縁層および回路層が交互に積層した多層構造を有し、前記多層構造の少なくとも一方の面を構成する最外層が回路層である多層基材を準備する工程と、
前記回路層の表面にめっき膜を形成する工程と、
前記めっき膜の前記回路層とは反対側の面に、絶縁樹脂層を形成する工程と
を含み、
前記絶縁樹脂層が、
熱硬化性樹脂と、
分子構造中にグアニジン構造単位を有するグアニジン誘導体と、を含む樹脂組成物により形成され、
前記グアニジン構造単位が、下記式（１）に示されるグアニジン基である、多層回路基板の製造方法。
【化４】
2016072472.tif 000012
【請求項１１】
請求項１０に記載の多層回路基板の製造方法であって、
前記グアニジン構造単位が、下記式（２）で示される官能基である、多層回路基板の製造方法。
【化５】
2016072472.tif 000013
【請求項１２】
請求項１０または１１に記載の多層回路基板の製造方法であって、
前記グアニジン誘導体が、下記一般式（３）により表される化合物である、多層回路基板の製造方法。
【化３】
2016072472.tif 000014
（一般式（３）中、Ａは置換または無置換の芳香環である。）
【請求項１３】
請求項１０乃至１２いずれかに記載の多層回路基板の製造方法であって、
前記絶縁樹脂層が、さらに、ビスフェノールＡ型ノボラック化合物を含む前記樹脂組成物により形成され、多層回路基板の製造方法。
【請求項１４】
絶縁層および回路層が交互に積層した多層構造を有し、前記多層構造の少なくとも一方の面を構成する最外層が回路層である多層基材を準備する工程と、
前記回路層の表面にめっき膜を設ける工程と、
前記めっき膜の前記回路層とは反対側の面に、絶縁樹脂層を形成する工程と
を備え、
前記絶縁樹脂層が、熱硬化性樹脂および珪灰石を含む樹脂組成物により形成される、多層回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は多層回路基板、および多層回路基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の高機能化等の要求に伴い、電子部品の高密度集積化、更には高密度実装化等が進んでおり、これらに使用される高密度実装対応のプリント配線板等は、従来にも増して、小型化および高密度化が進んでいる。このプリント配線板の高密度化への対応として、ビルドアップ方式による多層プリント配線板が多く採用されている（特許文献１等）。
【０００３】
ビルドアップ方式による多層プリント配線板の絶縁層には、通常、熱硬化性樹脂組成物が用いられる。信頼性等を考慮し、絶縁層には、低熱膨張率で、ガラス転移温度の高い樹脂組成物が求められている。そして、上記絶縁層には、今後のさらなる微細配線化、小型化に伴って、吸湿後の信頼性の向上が要求されている。
【０００４】
こうした要求を満たすべく、絶縁層を形成する樹脂組成物について、これまでに種々の検討がなされている（特許文献２等）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平０７−１０６７６７号公報
【特許文献２】特開２０１０−７７２６２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、従来の絶縁層を含むこれまでの多層プリント配線板には、回路層と絶縁層との間の密着性という観点において、依然として、改善の余地を有していることを知見した。具体的には、本発明者らは、従来の絶縁層を含む多層プリント配線板を用いて複数回の半田リフロー処理を実施した場合には、絶縁層と回路層とが剥離（デラミネーション）してしまう可能性があることを見出した。このように、従来の絶縁層を含む多層プリント配線板は、半田リフロー処理後の耐熱性、すなわちリフロー耐熱性という点において改善の余地を有していた。
【０００７】
以上を踏まえ、本発明は、リフロー耐熱性に優れた多層回路基板、およびその製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明によれば、絶縁層および回路層が交互に積層した多層構造を有し、前記多層構造の少なくとも一方の面を構成する最外層が回路層である多層基材と、
前記回路層の表面に設けられためっき膜と、
前記めっき膜の前記回路層とは反対側の面に設けられた絶縁樹脂層と
を備え、
前記絶縁樹脂層が、
熱硬化性樹脂と、
分子構造中にグアニジン構造単位を有するグアニジン誘導体と、を含む樹脂組成物により形成され、
前記グアニジン構造単位が、下記式（１）に示されるグアニジン基である、多層回路基板が提供される。
【０００９】
【化１】
2016072472.tif 000003
【００１０】
さらに、本発明によれば、絶縁層および回路層が交互に積層した多層構造を有し、前記多層構造の少なくとも一方の面を構成する最外層が回路層である多層基材と、
前記回路層の表面に設けられためっき膜と、
前記めっき膜の前記回路層とは反対側の面に設けられた絶縁樹脂層と
を備え、
前記絶縁樹脂層が、熱硬化性樹脂および珪灰石を含む樹脂組成物により形成された、多層回路基板が提供される。
【００１１】
さらに、本発明によれば、絶縁層および回路層が交互に積層した多層構造を有し、前記多層構造の少なくとも一方の面を構成する最外層が回路層である多層基材を準備する工程と、
前記回路層の表面にめっき膜を形成する工程と、
前記めっき膜の前記回路層とは反対側の面に、絶縁樹脂層を形成する工程と
を含み、
前記絶縁樹脂層が、
熱硬化性樹脂と、
分子構造中にグアニジン構造単位を有するグアニジン誘導体と、を含む樹脂組成物により形成され、
前記グアニジン構造単位が、下記式（１）に示されるグアニジン基である、多層回路基板の製造方法が提供される。
【００１２】
【化４】
2016072472.tif 000004
【００１３】
さらに、本発明によれば、絶縁層および回路層が交互に積層した多層構造を有し、前記多層構造の少なくとも一方の面を構成する最外層が回路層である多層基材を準備する工程と、
前記回路層の表面にめっき膜を設ける工程と、
前記めっき膜の前記回路層とは反対側の面に、絶縁樹脂層を形成する工程と
を備え、
前記絶縁樹脂層が、熱硬化性樹脂および珪灰石を含む樹脂組成物により形成される、多層回路基板の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、リフロー耐熱性に優れた多層回路基板、およびその製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本実施形態に係る多層回路基板の一例を示す模式図である。
【図２】本実施形態に係る多層回路基板の製造方法の一例を示す模式図である。
【図３】本実施形態に係る多層回路基板の製造方法の一例を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
【００１７】
＜多層回路基板１０００＞
図１は、本実施形態に係る多層回路基板１０００の一例を示す模式図である。
図１に示すように、本実施形態に係る多層回路基板１０００は、絶縁層３０および回路層２０が交互に積層した多層構造を有し、多層構造の少なくとも一方の面を構成する最外層が回路層２０である多層基材５００と、回路層２０の表面に設けられためっき膜４０と、めっき膜４０の回路層２０とは反対側の面に設けられた絶縁樹脂層２００とを備えたものである。
【００１８】
そして、本実施形態に係る多層回路基板１０００には、図１に示すように、当該多層回路基板１０００を貫通する第１の貫通ビア３００が設けられ、第１の貫通ビア３００の側壁にスルーホールめっき５０が形成されている。また、図１に示すように、めっき膜４０は、第１の貫通ビア３００の側壁を覆うスルーホールめっき５０と連続一体に形成されている。さらに、本実施形態に係る多層回路基板１０００は、絶縁樹脂層２００の回路層２０とは反対側の面に設けられた金属層６０を備え、多層基材５００には、当該多層基材５００を貫通する第２の貫通ビア１００が設けられている。この第２の貫通ビア１００は絶縁樹脂層２００の回路層２０側の面の一部が、当該第２の貫通ビア１００から見て露出するように設けられている。
【００１９】
ここで、めっき膜４０や、スルーホールめっき５０の表面は、たとえば、エッチングにより表面に凹凸形状を形成したり、さらに、シランカップリング剤やシラン化合物、アミン化合物などを用いて化学的に表面処理されたものであること、が好ましい。こうすることで、従来の多層回路基板と比べて、絶縁樹脂層２００とめっき膜４０との密着性を向上させることができる。ここで、めっき膜４０や、スルーホールめっき５０を形成する材料は、たとえば、銅及び／又は銅系合金、アルミ及び／又はアルミ系合金、鉄及び／又は鉄系合金、銀及び／又は銀系合金、金及び／又は金系合金、亜鉛及び／又は亜鉛系合金、ニッケル及び／又はニッケル系合金、錫及び／又は錫系合金等の金属箔などを用いることができる。
【００２０】
本実施形態に係る絶縁樹脂層２００の厚さは、多層回路基板１０００の電気的接続信頼性を向上させる観点から、５μｍ以上３００μｍ以下であることが好ましく、１０μｍ以上２５０μｍ以下であるとさらに好ましい。なお、本実施形態に係る絶縁樹脂層２００を形成する樹脂組成物の詳細については、後述する。
【００２１】
本実施形態においては、絶縁樹脂層２００を形成する樹脂組成物の配合組成に係る各種因子を高度に制御することによって、誘電特性、高温多湿下での機械的、電気的接続信頼性等の各種特性をより一層優れたものとすることができる。
【００２２】
＜多層回路基板１０００の製造方法＞
図２および図３を参照して、本実施形態に係る多層回路基板１０００の製造方法について説明する。
まず、図２（ａ）に示すコア層１０を準備する。次に、図２（ｂ）に示すように、準備したコア層１０の両面に対して、絶縁層３０および回路層２０を交互に積層し、加熱、加圧することにより多層構造を形成する。このとき、上記多層構造の少なくとも一方の面を構成する最外層が回路層２０となるように、絶縁層３０および回路層２０を積層する。本実施形態に係る製造方法においては、このようにして、多層基材５００を作製する。
なお、上述した多層構造を形成する際に加熱する温度は、最高到達温度が１６５℃以上２５０℃以下であることが好ましく、最高到達温度が１７５℃以上２００℃以下であるとさらに好ましい。そして、加圧する圧力は、０．５ＭＰａ以上５ＭＰａ以下が好ましく、１ＭＰａ以上４ＭＰａ以下であるとさらに好ましい。
【００２３】
上述したコア層１０は、たとえば、上述した絶縁樹脂層２００を形成する樹脂組成物を基材に含浸させてなるものである。これにより、誘電特性、高温多湿下での機械的、電気的接続信頼性等の各種特性に優れたプリント配線板を製造するのに好適なコア層１０を得ることができる。そして、上述した基材としては、たとえば、ガラス織布、ガラス不織布等のガラス繊維基材、ポリアミド樹脂繊維、芳香族ポリアミド樹脂繊維、全芳香族ポリアミド樹脂繊維等のポリアミド系樹脂繊維、ポリエステル樹脂繊維、芳香族ポリエステル樹脂繊維、全芳香族ポリエステル樹脂繊維等のポリエステル系樹脂繊維、ポリイミド樹脂繊維、フッ素樹脂繊維等を主成分とする織布または不織布で構成される合成繊維基材、クラフト紙、コットンリンター紙、リンターとクラフトパルプの混抄紙等を主成分とする紙基材等の有機繊維基材等が挙げられる。これらの中でもガラス繊維基材が好ましい。これにより、コア層１０の強度が向上し、吸水率を下げることができ、また熱膨張係数を小さくすることができる。
【００２４】
そして、ガラス繊維基材を構成するガラスとしては、例えば、Ｅガラス、Ｃガラス、Ａガラス、Ｓガラス、Ｄガラス、ＮＥガラス、Ｔガラス、Ｈガラス等が挙げられる。これらの中でもＥガラス、Ｔガラス、または、Ｓガラスが好ましい。これにより、ガラス繊維基材の高弾性化を達成することができ、熱膨張係数も小さくすることができる。
【００２５】
なお、上述したコア層１０を製造する方法は、例えば、エポキシ樹脂組成物を用いて樹脂ワニスを調製し、基材を樹脂ワニスに浸漬する方法、各種コーターにより塗布する方法、スプレーにより吹き付ける方法等が挙げられる。これらの中でも、基材を樹脂ワニスに浸漬する方法が好ましい。これにより、基材に対する樹脂組成物の含浸性を向上させることができる。なお、基材を樹脂ワニスに浸漬する場合、通常の含浸塗布設備を使用することができる。なお、樹脂ワニスに用いられる溶媒は、樹脂組成物中の樹脂成分に対して良好な溶解性を示すことが望ましいが、悪影響を及ぼさない範囲で貧溶媒を使用しても構わない。良好な溶解性を示す溶媒は、例えばアセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、テトラヒドロフラン、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、エチレングリコール、セロソルブ系、カルビトール系等が挙げられる。樹脂ワニスの固形分は、前記樹脂組成物の固形分５０〜８０重量％が好ましく、特に６０〜７８重量％が好ましい。これにより、樹脂ワニスの基材への含浸性を更に向上できる。基材に樹脂組成物を含浸させる所定温度、例えば９０〜２２０℃等で乾燥させることによりコア層１０を得ることが出来る。
【００２６】
次に、図２（ｃ）に示すように、多層基材５００に対して、当該多層基材５００を貫通するように、第２の貫通ビア１００を形成する。次いで、図２（ｄ）に示すように、めっき膜４０を形成する。そして、形成しためっき膜４０の表面は、たとえば、上述したように、化学的に表面処理されたものであることが好ましい。ここで、第２の貫通ビア１００は、後述する絶縁樹脂層２００を設けた時に、前記絶縁樹脂層の前記回路層側の面の一部が、前記第２の貫通ビアの開口表面に露出するように設けられる。上記めっき膜４０を形成する材料は、たとえば、銅及び／又は銅系合金、アルミ及び／又はアルミ系合金、鉄及び／又は鉄系合金、銀及び／又は銀系合金、金及び／又は金系合金、亜鉛及び／又は亜鉛系合金、ニッケル及び／又はニッケル系合金、錫及び／又は錫系合金等の金属箔などを用いることができる。また、めっき膜４０の厚みは、取り扱い性を良好にする観点から、たとえば、１０μｍ以上２００μｍ以下とすることが好ましい。
【００２７】
次いで、図２（ｅ）に示すように、第２の貫通ビア１００を穴埋め材で充填し、第２の貫通ビア１００を設けかつ穴埋め材で充填した多層基材５００に形成しためっき膜４０を覆うように、絶縁樹脂層２００を形成する。また同時に、形成した絶縁樹脂層２００の上記めっき膜４０とは反対側の面に金属層６０を形成する。
【００２８】
次に、図３（ｆ）に示すように、多層基材５００、めっき膜４０、絶縁樹脂層２００および最外層に形成した金属層６０を貫通するように、たとえば、ドリル等を用いて第１の貫通ビア３００を形成する。次いで、図３（ｇ）に示すように、最外層に形成した金属層６０および第１の貫通ビア３００の側面を覆うようにスルーホールめっき５０を形成する。形成したスルーホールめっき５０の表面は、たとえば、上述したように、化学的に表面処理されたものであることが好ましい。このスルーホールめっき５０は、回路層２０の表面および第２の貫通ビア１００の側面を覆うように形成しためっき膜４０と連続一体に形成されている。そして、スルーホールめっき５０を形成する材料は、上述しためっき膜４０を形成する材料と同じものを使用することができる。
【００２９】
次いで、ドリル等によりビア４００を形成する。次いで、ビア４００の側壁にめっき膜を形成する（図示せず）。こうすることで、図１に示す本実施形態に係る多層回路基板１０００を得ることができる。
【００３０】
ここで、半田リフロー処理時には、相当量の水蒸気が発生する。そして、半田リフロー処理時に発生した水蒸気の圧は、多層回路基板１０００における絶縁樹脂層２００とめっき膜４０との界面領域に加わることになる。
【００３１】
従来の多層回路基板においては、上述した半田リフロー処理時に発生した水蒸気圧が絶縁層とめっき膜の剥離駆動力となり、剥離（デラミネーション）が生じていたものと考えられる。また、従来の多層回路基板においても、絶縁樹脂層とめっき膜の密着性を向上させるために、めっき膜の表面を化学処理することがある。しかしながら、めっき膜の表面を化学的に表面処理した場合においても、従来の多層回路基板における絶縁樹脂層とめっき膜との密着強度は、上述した剥離駆動力により発生する剥離（デラミネーション）を抑制するためには、不十分であった。
【００３２】
一方、本実施形態に係る多層回路基板１０００は、絶縁樹脂層２００を、熱硬化性樹脂とともに、分子構造中に下記式（１）に示されるグアニジン基をグアニジン構造単位として有するグアニジン誘導体、または珪灰石を含む樹脂組成物により形成する。こうすることで、従来の多層回路基板と比べて、絶縁樹脂層２００とめっき膜４０との密着性を向上させることができる。そのため、多層回路基板１０００の製造プロセスにおいて熱履歴を加えた後においても、絶縁樹脂層２００とめっき膜４０との密着性を十分に保持することができる。すなわち、本実施形態によれば、熱硬化性樹脂とともに、上述した特定の成分を含む樹脂組成物により絶縁樹脂層２００を形成しているため、リフロー耐熱性に優れた多層回路基板１０００を実現することができる。
【００３３】
以下、本実施形態に係る絶縁樹脂層２００を形成する樹脂組成物（以下、「絶縁層組成物」という。）について、詳細に説明する。
【００３４】
絶縁樹脂層２００は、熱硬化性樹脂とともに、分子構造中に下記式（１）に示されるグアニジン基をグアニジン構造単位として有するグアニジン誘導体、または珪灰石を含む絶縁層組成物により形成する。こうすることで、多層回路基板１０００をリフロー耐熱性に優れたものとすることができる。この理由としては、上述した分子構造中に下記式（１）に示されるグアニジン基をグアニジン構造単位として有するグアニジン誘導体や、珪灰石（ウォラストナイト）は、いずれも、熱硬化性樹脂を含む絶縁層組成物の硬化性と密着性を向上させることができる材料であることが挙げられる。
【００３５】
【化５】
2016072472.tif 000005
【００３６】
グアニジン誘導体は、分子構造中に上記式（１）に示されるグアニジン基をグアニジン構造単位として有するものであり、下記式（２）で示される官能基をグアニジン構造単位として有するものであるのが、下記一般式（３）により表される化合物であるとより一層好ましい。
【００３７】
【化６】
2016072472.tif 000006
【００３８】
【化７】
2016072472.tif 000007
【００３９】
（一般式（３）中、Ａは置換または無置換の芳香環である。）
【００４０】
一般的に、グアニジンは、柔軟性および熱安定性に優れた樹脂組成物の原料であるとされている。そのため、本実施形態のように特定のグアニジン構造単位を有するグアニジン誘導体を、熱硬化性樹脂とともに絶縁層組成物中に含ませた場合、架橋密度が高くなり、ガラス転移温度が上昇するため、耐久性、耐熱性および断熱性に優れた絶縁樹脂層２００を形成することができる。これにより、上記熱硬化性樹脂とともに特定のグアニジン構造単位を有するグアニジン誘導体を含む絶縁樹脂層２００を備えた多層回路基板１０００は、リフロー耐熱性に優れたものとすることができる。
【００４１】
グアニジン誘導体としては、たとえば、１−ｏ−トリルビグアニドやジシアンジアミドなどが挙げられる。中でも、一般式（３）により表される１−ｏ−トリルビグアニドが好ましい。
【００４２】
珪灰石（ウォラストナイト）は、珪酸カルシウムを主成分として含む鉱物である。その形状は、針状、板状または繊維状である。そして、珪灰石（ウォラストナイト）は、結晶水をほとんど持たず、熱分解し難い材料である。すなわち、珪灰石（ウォラストナイト）は、熱分解性をほとんど有さない鉱物である。また、珪灰石（ウォラストナイト）は、耐熱性に優れた材料でもある。さらに、珪灰石（ウォラストナイト）を絶縁層組成物中に含ませた場合、当該絶縁層組成物の耐久性を向上させることが可能である。そのため、本実施形態のように珪灰石（ウォラストナイト）を、熱硬化性樹脂とともに絶縁層組成物中に含ませた場合、耐久性、耐熱性および断熱性に優れた絶縁樹脂層２００を形成することができる。これにより、上記熱硬化性樹脂とともに珪灰石（ウォラストナイト）を含む絶縁樹脂層２００を備えた多層回路基板１０００は、リフロー耐熱性に優れたものとすることができる。
【００４３】
分子構造中に下記式（１）に示されるグアニジン基をグアニジン構造単位として有するグアニジン誘導体の含有量は、絶縁層組成物の全固形分量を１００質量％としたとき、０．０３質量％以上１０質量％以下であることが好ましく、０．０３質量％以上５質量％以下であるとさらに好ましい。こうすることで、絶縁樹脂層２００のリフロー耐熱性をより一層優れたものとすることができる。
【００４４】
珪灰石（ウォラストナイト）の含有量は、絶縁層組成物の全固形分量を１００質量％としたとき、１質量％以上４０質量％以下であることが好ましく、２質量％以上２０質量％以下であるとさらに好ましい。こうすることで、絶縁樹脂層２００のリフロー耐熱性をより一層優れたものとすることができる。
【００４５】
熱硬化性樹脂の含有量は、絶縁層組成物の全固形分量を１００質量％としたとき、１０質量％以上７０質量％以下であることが好ましく、２０質量％以上５０質量％以下であるとさらに好ましい。こうすることで、絶縁樹脂層２００とめっき膜４０との密着性をより一層優れたものとすることができる。
【００４６】
絶縁樹脂層２００を形成する絶縁層組成物中には、２６０℃でのリフロー耐熱性をより一層向上させる観点から、ビスフェノールＡ型ノボラック化合物を含むことが好ましい。
【００４７】
ビスフェノールＡ型ノボラック化合物の含有量は、絶縁層組成物の全固形分量を１００質量％としたとき、２質量％以上４０質量％以下であることが好ましく、５質量％以上２０質量％以下であるとさらに好ましい。こうすることで、リフロー耐熱性に優れた絶縁樹脂層２００を実現することができる。
【００４８】
絶縁樹脂層２００を形成する絶縁層組成物に含まれる熱硬化性樹脂としては、たとえば、エポキシ樹脂が挙げられる。このエポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＥ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＭ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＰ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＺ型エポキシ樹脂などのビスフェノール型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂などのノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂などのアリールアルキレン型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、フェノキシ型エポキシ樹脂、臭素化エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ノルボルネン型エポキシ樹脂、アダマンタン型エポキシ樹脂、テトラフェノール基エタンノボラック型エポキシ樹脂、フルオレン型エポキシ樹脂などのエポキシ樹脂などが挙げられる。これらの中の１種類を単独で用いることもできるし、２種類以上を併用することもできる。
【００４９】
エポキシ樹脂の含有量は、とくに限定されないが、絶縁層組成物全体の１５質量％以上８０質量％以下であることが好ましい。さらに好ましくは２５質量％以上５０質量％以下である。
【００５０】
また、絶縁層組成物には、メラミン樹脂、ユリア樹脂、シアネートエステル樹脂などのエポキシ樹脂以外の熱硬化性樹脂を含んでいてもよい。シアネート樹脂の種類としては、とくに限定されないが、例えばノボラック型シアネート樹脂、ビスフェノールＡ型シアネート樹脂、ビスフェノールＥ型シアネート樹脂、テトラメチルビスフェノールＦ型シアネート樹脂などのビスフェノール型シアネート樹脂などを挙げることができる。
【００５１】
絶縁層組成物は、無機充填材を含むことが好ましい。この無機充填材としては、例えばタルク、焼成クレー、未焼成クレー、マイカ、ガラスなどのケイ酸塩、酸化チタン、アルミナ、二酸化ケイ素、シリカ、溶融シリカなどの酸化物、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ハイドロタルサイトなどの炭酸塩、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、水酸化カルシウムなどの水酸化物、硫酸バリウム、硫酸カルシウム、亜硫酸カルシウムなどの硫酸塩または亜硫酸塩、ホウ酸亜鉛、メタホウ酸バリウム、ホウ酸アルミニウム、ホウ酸カルシウム、ホウ酸ナトリウムなどのホウ酸塩、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化ケイ素、窒化炭素などの窒化物、チタン酸ストロンチウム、チタン酸バリウムなどのチタン酸塩などを挙げることができる。これらの中の１種類を単独で用いることもできるし、２種類以上を併用することもできる。これらの中でも、とくに水酸化アルミニウムが好ましい。
【００５２】
また、無機充填材は、とくに限定されないが、平均粒子径が単分散の無機充填材を用いることもできるし、平均粒子径が多分散の無機充填材を用いることもできる。さらに平均粒子径が単分散および／または、多分散の無機充填材を１種類または２種類以上を併用することもできる。
【００５３】
無機充填材の含有量は、とくに限定されないが、絶縁層組成物全体の２質量％以上７０質量％以下が好ましく、とくに５質量％以上６０質量％以下が好ましい。含有量が上記範囲内であると、とくに低熱膨張、低吸水とすることができる。
【００５４】
絶縁層組成物は、カップリング剤をさらに含んでいてもよい。絶縁層組成物に対してカップリング剤を配合することにより、熱硬化性樹脂と、無機充填材との界面の濡れ性を向上させることができる。これにより、耐熱性、とくに吸湿後の半田耐熱性を改良することができる。
【００５５】
カップリング剤としては、たとえば、エポキシシランカップリング剤、アミノシランカップリング剤、カチオニックシランカップリング剤、ビニルシランカップリング剤等のシランカップリング剤、チタネート系カップリング剤、シリコーンオイル型カップリング剤等が挙げられる。これらは、単独あるいは２種以上組み合わせて使用することができる。
これにより、無機充填材の界面との濡れ性を高くすることができ、それによって耐熱性をより向上させることできる。
【００５６】
絶縁層組成物は、さらにフェノール系硬化剤を使用することができる。フェノール系硬化剤としてはフェノールノボラック樹脂、アルキルフェノールノボラック樹脂、ジシクロペンタジエン型フェノール樹脂、ザイロック型フェノール樹脂、テルペン変性フェノール樹脂、ポリビニルフェノール類など公知慣用のものを単独あるいは２種以上組み合わせて使用することができる。
【００５７】
絶縁層組成物には、必要に応じて硬化触媒を用いてもよい。硬化触媒としては公知の物を用いることが出来る。例えばナフテン酸亜鉛、ナフテン酸コバルト、オクチル酸スズ、オクチル酸コバルト、ビスアセチルアセトナートコバルト（ＩＩ）、トリスアセチルアセトナートコバルト（ＩＩＩ）などの有機金属塩、トリエチルアミン、トリブチルアミン、ジアザビシクロ［２．２．２］オクタンなどの３級アミン類、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、２，４−ジエチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシイミダゾール、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシイミダゾールなどのイミダゾール類、フェノール、ビスフェノールＡ、ノニルフェノールなどのフェノール化合物、酢酸、安息香酸、サリチル酸、パラトルエンスルホン酸などの有機酸など、またはこの混合物が挙げられる。硬化触媒として、これらの中の誘導体も含めて１種類を単独で用いることもできるし、これらの誘導体も含めて２種類以上を併用することもできる。
【００５８】
絶縁層組成物は、フェノキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリフェニレンオキサイド樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリスチレン樹脂などの熱可塑性樹脂、スチレン−ブタジエン共重合体、スチレン−イソプレン共重合体などのポリスチレン系熱可塑性エラストマー、ポリオレフィン系熱可塑性エラストマー、ポリアミド系エラストマー、ポリエステル系エラストマーなどの熱可塑性エラストマー、ポリブタジエン、エポキシ変性ポリブタジエン、アクリル変性ポリブタジエン、メタクリル変性ポリブタジエンなどのジエン系エラストマーを併用してもよい。これらの中でも、フェノキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリフェニレンオキサイド樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂等の耐熱性の高分子樹脂が好ましい。これによって、ビルドアップ材の厚み均一性に優れ、配線基板として、耐熱性、および微細配線の絶縁性に優れる。また、この絶縁層組成物には、必要に応じて、顔料、染料、消泡剤、レベリング剤、紫外線吸収剤、発泡剤、酸化防止剤、難燃剤、イオン捕捉剤などの上記成分以外の添加物を添加してもよい。
【００５９】
なお、本発明は前述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。本発明は、これに限定されるものではなく、多層回路基板１０００を構成する各部は、同様の機能を発揮し得る任意の構成のものと置換することができる。また、任意の構成物が付加されていてもよい。
【００６０】
以上、図面を参照して本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。
また、上記実施形態では、多層回路基板１０００を貫通する第１の貫通ビア３００が設けられた貫通基板である場合を例に挙げて説明したが、絶縁層３０および回路層２０が交互に積層した多層構造を有し、多層構造の少なくとも一方の面を構成する最外層が回路層２０である多層基材５００と、回路層２０の表面に設けられためっき膜４０と、めっき膜４０の回路層２０とは反対側の面に設けられた絶縁樹脂層２００とを備えたものであれば、
コア層１０の片面または両面に対して、絶縁層３０と回路層２０とを交互に積層し、たとえば、レーザを用いて形成された非貫通状態にあるビアにめっきを施すことにより層間を導通接続した多層回路基板１０００、すなわちビルドアップ基板であってもよい。この場合においても、上記実施形態と同様の効果を得ることができる。
【実施例】
【００６１】
次に、本発明の実施例について説明する。
【００６２】
各実施例及び比較例で用いた原料成分を下記に示した。特に記載しない限り、以下に記載の「％」は「質量％」を示す。
【００６３】
（熱硬化性樹脂（Ａ））
・ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（三菱化学社製、ｊＥＲ８２８）
・臭素化エポキシ樹脂（ダウ・ケミカル社製、ＤＥＲ５３０）
【００６４】
（グアニジン誘導体（Ｂ））
・１−ｏ−トリルビグアニド（大内新興化学工業社製、ノクセラーＢＧ）
【００６５】
（珪灰石（Ｃ））
・ウォラストナイト（キンセイマテック社製、ＦＰＷシリーズ）  
【００６６】
（その他の添加剤）
・フェノールノボラック樹脂（住友ベークライト社製、ＰＲ−５１４７０）
・ビスフェノールＡ型ノボラック化合物（ＤＩＣ社製、ＬＦ−４８７１）
・触媒：２−フェニル−４−メチルイミダゾール（四国化成工業社製、２Ｐ４ＭＺ）
・シランカップリング剤：３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン社製、ＳＩＬＱＵＥＳＴ  Ａ−１８７）
・水酸化アルミニウム
【００６７】
（実施例および比較例）
以下の表１に示す配合量に従って各成分を配合した実施例１〜４および比較例１〜２の絶縁層組成物を用いて形成した絶縁樹脂層を含む、図１に示す多層回路基板を作製した。絶縁樹脂層の厚みは、いずれも８０μｍとした。
【００６８】
得られた各多層回路基板について、下記に示す評価を行った。
【００６９】
（評価項目）
吸湿リフロー：得られた多層回路基板を、ＩＰＣ／ＪＥＤＥＣのＪ−ＳＴＤ−２０に準拠して、温度４０℃、湿度９０％で９６時間前処理した後に、２６０℃リフロー炉を通し、多層回路基板の膨れの有無を評価した。下記表１に記載した符号は、以下の通りである。
○：５回以上繰り返した場合においても、多層回路基板の膨れは発生しなかった。
×：５回繰り返す前に、多層回路基板の膨れが発生した。
【００７０】
【表１】
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【００７１】
各実施例で得られた多層回路基板は、いずれもリフロー耐熱性に優れたものであった。一方、比較例の多層回路基板は、リフロー耐熱性という点において良好な結果を得ることができなかった。
【符号の説明】
【００７２】
１０ コア層
２０ 回路層
３０ 絶縁層
４０ めっき膜
５０ スルーホールめっき
６０ 金属層
１００ 第２の貫通ビア
２００ 絶縁樹脂層
３００ 第１の貫通ビア
４００ ビア
５００ 多層基材
１０００ 多層回路基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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