(57)【要約】      （修正有）【課題】基板上のシリコン含有膜のエッチング処理を効率よく実施する半導体装置の製造方法および基板処理装置を提供する。【解決手段】絶縁性薄膜１１４で被覆されシリコンを主成分とするシリコン含有膜を除去するシリコン含有膜除去工程を有する半導体装置の製造方法において、シリコン含有膜除去工程で、絶縁性薄膜１１４の一部を開口してシリコン含有膜を露出し、その露出されたシリコン含有膜をエッチングガスに晒し、シリコン含有膜を除去する。【選択図】図６
2016072465.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性薄膜で被覆されシリコンを主成分とするシリコン含有膜を除去するシリコン含有膜除去工程を有する半導体装置の製造方法であって、
前記シリコン含有膜除去工程において、前記絶縁性薄膜の一部を開口して前記シリコン含有膜を露出し、その露出された前記シリコン含有膜をエッチングガスに晒し、前記シリコン含有膜を除去する半導体装置の製造方法。
【請求項２】
シリコンを主成分とするシリコン含有膜が絶縁性薄膜で被覆され、前記絶縁性薄膜の一部が開口されて前記シリコン含有膜が露出した基板を収容する処理室と、
前記基板にハロゲン元素を含む処理ガスを供給する処理ガス供給部と、
前記基板に加熱された不活性ガスを供給する不活性ガス供給部と、
前記処理ガスを前記処理室へ供給し、前記シリコン含有膜を前記処理ガスに晒して除去し、その後、前記加熱された不活性ガスを前記処理室へ供給するよう制御する制御部と、
を有する基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板を処理する半導体装置の製造方法および基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
微細加工技術の進歩により、従来は、機械素子と電気素子の組み合わせによって形成していた電気部品や電気回路が、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）、すなわち、大規模集積回路（Large Scale Integrated Circuit：LSI）の一部、又はその補助的素子として実現化される傾向が進んでいる。例えば、アルミニウムを蒸着して加工したものを圧電素子に貼り付けて実現していたミラー素子は、直接半導体基板上へスパッタしたアルミニウム薄膜をエッチングして加工し、基板の熱的、電気的な変形によって動作させる方法へと変わりつつある。
【０００３】
また、既に、アナログ回路の分野では、インダクタ（Ｌ）、容量（Ｃ）、抵抗（Ｒ）をシリコン基板上に形成した一つのＬＳＩデバイスに搭載することによって、部品点数を少なくすることに成功している。
【０００４】
同様の例として、医療分野においては、圧電素子を敷き詰めて、それを電気的に振動させた際に発生する音響反射を利用して、内部の状態を観察するエコー素子を、半導体基板上に形成したダイアフラムの振動素子（ＭＥＭＳダイアフラム素子）に置き換える方法が試みられている。
【０００５】
このように、半導体の加工技術を取り入れるメリットは、人的な熟練を必要とする作業から、予めプログラムされた機械作業によって加工する作業へと変わる為、習熟度に依存せず再現性の良い品質で、素子を生産できることである。また、加工に用いる総資源量を減らすことができるため、省エネルギーにも効果を発揮する。
【０００６】
先に述べた、シリコン基板にダイアフラムを形成して音響素子を得る方法においては、ダイアフラムとなる部分が空隙となっているが、最初から空隙が形成されている訳ではなく、予め空隙となる部分に、後の工程で除去する薄膜、即ち、犠牲膜を形成しておく方法が採用されている。犠牲膜の周囲は、絶縁性の薄膜によって被覆されており、その絶縁性被覆膜の一部を開口して、そこから犠牲膜を除去する化学物質を導入することで、犠牲膜を除去する。除去に用いられる化学物質は、酸またはアルカリ性であり、ウェットエッチングによる手法が用いられている。
【０００７】
しかしながら、ウェットエッチングを用いる手法においては、水を含む溶液（エッチング液）を用いることから、乾燥させる過程において、液体特有の表面張力によって、ダイアフラムの上下の絶縁膜が張り付いてしまう問題が懸念される。また、ダイアフラムの空隙の幅が小さいほど、エッチング液を浸透させることが難しくなり、また、同時に乾燥させることも難しくなる。これが、ダイアフラムデバイスの歩留を下げる一因となる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明の目的は、基板上の犠牲膜の除去を効率よく実施できる技術を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するため、本願発明では、ドライエッチングにより基板上の犠牲膜の除去を行う。ドライエッチングでは、液体特有の表面張力が発生しない為、ダイアフラムの張り付きの問題が根本的に存在しない。また、微細な空間のエッチングにおいては、ガスの拡散を利用したドライエッチング方法が最も効果的である。
【００１０】
本願発明の半導体装置の製造方法の代表的な構成は、次のとおりである。すなわち、
絶縁性薄膜で被覆されシリコンを主成分とするシリコン含有膜を除去するシリコン含有膜除去工程を有する半導体装置の製造方法であって、
前記シリコン含有膜除去工程において、前記絶縁性薄膜の一部を開口して前記シリコン含有膜を露出し、その露出された前記シリコン含有膜をエッチングガスに晒し、前記シリコン含有膜を除去する半導体装置の製造方法。
【００１１】
また、本願発明の基板処理装置の代表的な構成は、次のとおりである。すなわち、
シリコンを主成分とするシリコン含有膜が絶縁性薄膜で被覆され、前記絶縁性薄膜の一部が開口されて前記シリコン含有膜が露出した基板を収容する処理室と、
前記基板にハロゲン元素を含む処理ガスを供給する処理ガス供給部と、
前記基板に加熱された不活性ガスを供給する不活性ガス供給部と、
前記処理ガスを前記処理室へ供給し、前記シリコン含有膜を前記処理ガスに晒して除去し、その後、前記加熱された不活性ガスを前記処理室へ供給するよう制御する制御部と、
を有する基板処理装置。
【発明の効果】
【００１２】
上記構成によれば、基板上の犠牲膜の除去を効率よく実施することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の実施形態に係る基板処理時の基板処理容器の縦断面図である。
【図２】本発明の実施形態に係る基板搬送時の基板処理容器の縦断面図である。
【図３】本発明の実施形態に係るコントローラの構成図である。
【図４】本発明の実施形態に係る、第３の薄膜を形成した状態の基板断面図である。
【図５】第３の薄膜の上に犠牲膜を形成し、パターニングした状態の基板断面図である。
【図６】犠牲膜の上に第４の薄膜を形成した後、犠牲膜を除去した状態の基板断面図である。
【図７】第４の薄膜の上に第５の薄膜を形成した後、プラグを形成した状態の基板断面図である。
【図８】第５の薄膜の上に第７の薄膜を形成した状態の基板断面図である。
【図９】第７の薄膜をパターニングして、上部電極を形成した後の基板断面図である。
【図１０】本発明の実施形態に係る基板処理工程のフロー図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
次に、本発明の実施形態について説明する。
（１）基板処理装置の構成
図１は、半導体装置の製造方法を実施するための枚葉式基板処理装置（以下単に、基板処理装置という）における基板処理容器の概略縦断面図であり、基板処理時の状態を示す。図２は、同じく基板処理容器の概略縦断面図であり、基板搬送時の状態を示す。図２では、サセプタが、下降して搬送工程を行うことが可能な搬送位置にある。
【００１５】
図１及び図２に示すように、基板処理装置は、シリコンウエハ等の円形の基板１を処理する処理容器３０と、処理容器３０と隣接してこれとの間で基板１が搬送される基板搬送容器３９とを有する。
【００１６】
処理容器３０は、上部が開口した容器本体３１と、容器本体３１の上部開口を塞ぐ蓋体３２とから構成されて、内部に密閉構造の処理室５０を形成している。なお、処理室５０を、蓋体３２とサセプタ２とで囲まれた空間（処理空間）で形成するようにしても良い。本実施形態の例では、容器本体３１、蓋体３２、処理室５０は、いずれも、上面視（上方から見た形）が略円形である。
【００１７】
（ガス供給部）
蓋体３２には、シャワーヘッド５と、処理ガス供給ライン６ａ,６ｂと、不活性ガス供給ライン１２とが設けられる。シャワーヘッド５は、処理室５０内の基板１と対向して設けられ、処理ガス供給ライン６ａ,６ｂからの処理ガスを、処理室５０内に供給する。このシャワーヘッド５は、蓋体３２の内面上部に設けられ、多数のガス孔を有してガスをシャワー状に分散させるガス分散板（図示省略）と、複数のガスを混合する混合室（図示省略）とを含むように構成される。処理ガス供給ライン６ａ,６ｂから複数種類の処理ガスを供給する場合は、上記混合室にて複数種類のガスが混合される。
【００１８】
処理ガス供給ライン６ａ,６ｂは、シャワーヘッド５の略中心部以外の部分に接続される。シャワーヘッド５の略中心部とは、基板１の中心部と対向する部分である。具体的には、処理ガス供給ライン６ａ,６ｂを構成する処理ガス供給管１５ａ,１５ｂは、シャワーヘッド５の上部かつ周辺部（中心部以外の部分）であって、上記混合室に開口する。
【００１９】
また、不活性ガス供給ライン１２は、シャワーヘッド５の略中心部を貫通して設けられる。具体的には、不活性ガス供給ライン１２を構成する不活性ガス供給管２０は、基板１の中心部と対向するシャワーヘッド５の中心部を貫通して、処理室５０に開口する。
【００２０】
このように、処理ガス供給ライン６ａ,６ｂは、シャワーヘッド５に接続され、シャワーヘッド５を介して、基板処理室５０内へ、処理ガスを供給するように構成されている。また、不活性ガス供給ライン１２は、シャワーヘッド５の略中心部を貫通して設けられ、シャワーヘッド５を介することなく、基板処理室５０内へ、不活性ガスを供給するように構成されている。
【００２１】
処理ガス供給ライン６ａ,６ｂは、具体的には、それぞれ、シャワーヘッド５に接続されて上記混合室と連通する処理ガス供給管１５ａ,１５ｂと、処理ガス供給管１５ａ,１５ｂに設けられたガス流量制御器（マスフロコントローラ：ＭＦＣ）１６ａ,１６ｂとを備えて、基板処理室５０内に所望のガス種を所望のガス流量、所望のガス流量比率で供給することが可能となるように構成されている。本実施の形態では、処理ガス供給ライン６ａ,６ｂは、後述の犠牲膜をエッチングする処理ガスを供給する。この処理ガスは、本実施の形態では、ハロゲン元素含有ガスである。なお、処理ガスとして、例えばハロゲン元素含有ガスを不活性ガス（例えばＮ２ガス）で希釈したガスを用いてもよい。
【００２２】
なお、基板処理の内容に応じて、処理ガス供給ライン６ａ,６ｂから、互いに異なる処理ガスを供給するよう構成することも可能である。また、処理ガス供給ライン６ａ,６ｂのいずれか一方から、キャリアガスや希釈ガスとしての不活性ガスを供給するよう構成することも可能である。
【００２３】
不活性ガス供給ライン１２は、不活性ガス供給管２０と、ＭＦＣ２１とを備えており、処理室５０内に供給する不活性ガスの流量を所望のガス流量で供給することが可能となるように構成されている。不活性ガス供給ライン１２は、さらに、加熱部２３を備えており、処理室５０内に供給する不活性ガスの温度を加熱する。加熱部２３は、後述の制御部５００に接続され、制御部５００からの制御を受けて、不活性ガスの温度を所望の温度とすることが可能である。本実施の形態では、不活性ガス供給ライン１２から供給される不活性ガスは、Ｎ２（窒素）ガスである。
【００２４】
処理ガス供給管１５ａ,１５ｂと、ＭＦＣ１６ａ,１６ｂと、シャワーヘッド５とを含むように、処理ガス供給部が構成される。なお、処理ガス供給源１７ａ,１７ｂを処理ガス供給部（処理ガス供給ライン）に含めて構成しても良い。
また、不活性ガス供給管２０と、ＭＦＣ２１とを含むように、不活性ガス供給部が構成される。なお、不活性ガス供給源２２を不活性ガス供給部（不活性ガス供給ライン）に含めて構成しても良い。
そして、処理ガス供給部と不活性ガス供給部とからガス供給部が構成される。
【００２５】
なお、後述の変性層（自然酸化膜）を除去可能なフッ化水素ガスなどの除去剤を基板１に供給する除去剤供給ラインや、クリーニング用のフッ化塩素（ＣｌＦ３）ガス等を供給するクリーニングガス供給ライン等を、その必要に応じて蓋体３２に設け、ガス供給部の一部とすることも可能である。
【００２６】
容器本体３１の上側部には、排気口７が設けられる。排気口７は、容器本体３１の上部内周に形成された環状路１４と連通し、環状路１４を介して基板処理室５０内を排気するように構成されている。環状路１４は、上面視が環状である。排気口７には、排気管（図示省略）が接続され、排気管にはＡＰＣバルブＶ（自動圧力調整弁：図示省略）と真空ポンプＰ（図示省略）が設けられる。ＡＰＣバルブＶと上記ガス供給部のＭＦＣとによってガス供給量と排気量を調整することにより、処理室５０の圧力が所望の値に制御される。なお、排気口７と環状路１４は、蓋体３２の下側部に設けてもよい。
【００２７】
また、容器本体３１の排気口７よりも下方の一側部には、搬送口８が設けられる。搬送口８は、搬送容器３９内に形成される基板搬送室４０から、処理容器３０内の基板処理室５０に、搬送口８を介して処理前の基板１を搬入し、または基板処理室５０から基板搬送室４０に処理後の基板１を搬出するように構成されている。なお、容器本体３１の搬送口８には、基板搬送室４０と基板処理室５０との雰囲気隔離を行う開閉弁９が、開閉自在に設けられている。
【００２８】
また、処理容器３０内に、ヒータユニットＨ（図示省略）を内蔵したサセプタ（基板載置台）２が設けられる。サセプタ２は、処理容器３０の基板処理室５０内に、昇降自在に設けられ、サセプタ２の表面に基板１が保持される。基板１は、ヒータユニットＨによって加熱されるようになっている。
【００２９】
基板支持ピン上下機構１１に複数の支持ピン４が立設される。これらの支持ピン４は、ヒータユニットＨ及びサセプタ２を貫通可能になっており、サセプタ２及び基板支持ピン上下機構１１の昇降に応じて、サセプタ２の表面から出没自在になるように構成されている。
【００３０】
基板処理装置は、サセプタ２が下降して搬送工程を行うことが可能な位置にあるとき（図２に示す位置。以下、この位置を搬送位置Ａという）、複数の支持ピン４がサセプタ２から突出して、複数の支持ピン４上に基板１を支持可能にし、基板処理室５０と基板搬送室４０との間で搬送口８を介して、基板１の搬送と搬出が行えるように構成されている。また、基板処理装置は、サセプタ２が上昇して、搬送位置Ａより上方の中間位置を経て処理工程を行うことが可能な位置にあるとき（図１に示す位置。以下、この位置を基板処理位置Ｂという）、支持ピン４は基板１の支持に関与せず、サセプタ２上に基板１が載置されるように構成されている。
【００３１】
サセプタ２は、その支持軸２４が昇降機構ＵＤ（図示省略）に連結されて基板処理室５０内を昇降するように設けられている。支持軸２４の外周には、上下運動する支持軸２４をシールするためのベローズ（図示省略）が設けられる。昇降機構ＵＤは、基板搬入工程、基板処理工程、基板搬出工程などの各工程で、基板処理室５０内のサセプタ２の上下方向の位置（搬送位置Ａ、基板処理位置Ｂ等）を多段階に調整できるよう構成されている。
【００３２】
また、サセプタ２は水平方向に回転可能になっている。すなわち、前述した筒状の支持軸２４を回転機構Ｒ（図示省略）により回転自在とし、支持軸２４を回転軸としてサセプタ２を回転自在に設け、基板１を保持した状態でサセプタ２を任意の速度で回転できるように構成されている。一方、サセプタ２内に設けた抵抗加熱のヒータユニットＨは固定とし、筒状の支持軸２４内に挿通した固定部（図示省略）によって支持している。このようにサセプタ２を回転自在とし、抵抗加熱ヒータＨを固定とすることによって、抵抗加熱ヒータＨに対してサセプタ２を相対回転させるようになっている。
【００３３】
なお、昇降機構ＵＤ、回転機構Ｒ、抵抗加熱ヒータＨ、ＭＦＣ２１、１６（１６ａ、１６ｂ）等の各部を制御する制御手段は、図示を省略してあるが、制御手段としてのコントローラ５００の構成例は図３に示す。
【００３４】
上述したような基板処理装置において基板上の薄膜（犠牲膜）を除去するには、搬送工程で基板１を処理室５０内に搬入し、処理工程で処理室５０内に搬入された基板１にシャワーヘッド５を介して処理ガス（エッチングガス）を供給して基板１を処理し、搬出工程で処理された基板１を処理室５０内から搬出する。
【００３５】
搬入工程において、サセプタ２は搬送位置Ａにあって、基板１を支持ピン４が受け取り可能な状態にあり、処理容器３０の開閉弁９は開いている。犠牲膜が形成された基板１は、搬送機構Ｔ（図示省略）により、基板搬送室４０から基板処理室５０に、搬送口８を介して搬入され、複数の支持ピン４に支持される（図２）。開閉弁９は基板搬入後に閉じられる。真空ポンプＰによって、排気口７から環状路１４を介して基板処理室５０内が排気される。
【００３６】
処理工程において、まず昇降機構ＵＤにより、サセプタ２は搬送位置Ａ（図２）から基板処理位置Ｂ（図１）まで上昇するが、基板処理位置Ｂに到達する前に基板１が支持ピン４からサセプタ２に移載され、ヒータユニットＨによりサセプタ２を介して基板１は加熱されるようになる。基板処理位置Ｂでサセプタ２上に移載された基板１は、シャワーヘッド５に対面する（図１）。この状態で、必要に応じてサセプタ２を回転機構Ｒにより回転させて基板１を回転させる。
【００３７】
そして、処理室５０内の、回転する基板１の表面にシャワーヘッド５を介して処理ガス供給ライン６（６ａ,６ｂ）から、図１の矢印に示すように処理ガスを供給しつつ排気口７から排気する。この過程で、基板１上に形成されていた犠牲膜が除去される。処理ガスは、基板１の中心部に対向するシャワーヘッド５の中心部以外の部分に接続された処理ガス供給ライン６ａ,６ｂから、シャワーヘッド５内に導入される。また、不活性ガスは、基板１の中心部に対向するシャワーヘッド５の中心部に接続された不活性ガス供給ライン１２から処理室５０内に供給される。
【００３８】
このとき、シャワーヘッド５の中心部以外の部分からシャワーヘッド５内に導入された処理ガスは、シャワーヘッド５の中心部から処理室５０内に導入された不活性ガスによって、その流れが制御されるのが好ましい。不活性ガスによる処理ガスの制御は、シャワーヘッド５から基板１の中心部に供給される処理ガスの流れに淀みが生じないよう、又は基板１の中心部で処理ガス濃度分布の不均一に起因した処理ガス不足が生じないような形で行われるのが好ましい。このような基板１の中心部における処理ガス流の制御や処理ガス濃度分布の制御は、不活性ガスの流量に応じて調整して行われる。このため、不活性ガス供給管１２に設けたＭＦＣ２１によって、不具合が生じやすい基板１の中心部における膜厚もしくは膜質の調整が最適となるように、不活性ガス供給管２０を通る不活性ガスの流量が調整される。
【００３９】
基板処理後、搬出工程において、サセプタ２は搬送位置Ａまで降下する（図２）。降下の際、支持ピン４は再び基板１を突き上げ、サセプタ２と基板１との間に搬送のための隙間を作る。処理終了後の基板１は、搬送口８から搬送機構Ｔにより基板搬送室４０へ運び出される。
【００４０】
（コントローラ）
コントローラ５００は、上述の搬入工程、処理工程、搬出工程を行うように、上述の各部を制御する。
図３に示すように、制御部（制御手段）であるコントローラ５００は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｕｎｉｔ）５００ａ、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）５００ｂ、記憶装置５００ｃ、Ｉ／Ｏポート５００ｄを備えたコンピュータとして構成されている。ＲＡＭ５００ｂ、記憶装置５００ｃ、Ｉ／Ｏポート５００ｄは、内部バス５００ｅを介して、ＣＰＵ５００ａとデータ交換可能なように構成されている。コントローラ５００には、例えばタッチパネル等として構成された入出力装置５０１が接続されている。
【００４１】
記憶装置５００ｃは、例えばフラッシュメモリ、ＨＤＤ（Ｈａｒｄ  Ｄｉｓｋ  Ｄｒｉｖｅ）等の記憶媒体で構成されている。記憶装置５００ｃ内には、基板処理装置の動作を制御する制御プログラムや、後述する基板処理の手順や条件などが記載されたプロセスレシピ等が、読み出し可能に格納されている。なお、プロセスレシピは、後述する基板処理工程（犠牲膜のエッチング処理工程）における各手順をコントローラ５００に実行させ、所定の結果を得ることが出来るように組み合わされたものであり、プログラムとして機能する。以下、このプロセスレシピや制御プログラム等を総称して、単にプログラムともいう。なお、本明細書においてプログラムという言葉を用いた場合は、プロセスレシピ単体のみを含む場合、制御プログラム単体のみを含む場合、または、その両方を含む場合がある。また、ＲＡＭ５００ｂは、ＣＰＵ５００ａによって読み出されたプログラムやデータ等が一時的に保持されるメモリ領域（ワークエリア）として構成されている。
【００４２】
Ｉ／Ｏポート５００ｄは、上述のヒータユニットＨ、基板支持ピン上下機構１１、加熱部２３、搬送機構Ｔ、ＡＰＣバルブＶ、排気ポンプ（真空ポンプ）Ｐ、開閉弁９、ＭＦＣ２１,１６ａ,１６ｂ、回転機構Ｒ、昇降機構ＵＤ等に接続されている。
【００４３】
ＣＰＵ５００ａは、記憶装置５００ｃから制御プログラムを読み出して実行すると共に、入出力装置５０１からの操作コマンドの入力等に応じて記憶装置５００ｃからプロセスレシピを読み出し実行するように構成されている。そして、ＣＰＵ５００ａは、読み出したプロセスレシピの内容に沿うように、基板支持ピン上下機構１１による支持ピン４の上下動作、ヒータユニットＨによる基板１の加熱・冷却動作、ＭＦＣ２１,１６ａ,１６ｂによる処理ガスの流量調整動作、等を制御するように構成されている。
【００４４】
なお、コントローラ５００は、専用のコンピュータとして構成されている場合に限らず、汎用のコンピュータとして構成されていてもよい。例えば、上述のプログラムを格納した外部記憶装置（例えば、磁気テープ、フレキシブルディスクやハードディスク等の磁気ディスク、ＣＤやＤＶＤ等の光ディスク、ＭＯ等の光磁気ディスク、ＵＳＢメモリ（ＵＳＢ  Ｆｌａｓｈ  Ｄｒｉｖｅ）やメモリカード等の半導体メモリ）５０２を用意し、係る外部記憶装置５０２を用いて汎用のコンピュータにプログラムをインストールすること等により、本実施形態に係るコントローラ５００を構成することができる。
【００４５】
なお、コンピュータにプログラムを供給するための手段は、外部記憶装置５０２を介して供給する場合に限らない。例えば、インターネットや専用回線等の通信手段を用い、外部記憶装置５０２を介さずにプログラムを供給するようにしてもよい。なお、記憶装置５００ｃや外部記憶装置５０２は、コンピュータ読み取り可能な記録媒体として構成される。以下、これらを総称して、単に記録媒体ともいう。なお、本明細書において記録媒体という言葉を用いた場合は、記憶装置５００ｃ単体のみを含む場合、外部記憶装置５０２単体のみを含む場合、または、その両方を含む場合がある。
【００４６】
次に、ＭＥＭＳダイアフラム素子を製造する製造方法を構成する基板処理方法について、図４〜図９を用いて説明する。この基板処理方法の一部の工程として、犠牲膜のエッチング処理が、上述した処理容器３０にて行われる。なお、ＭＥＭＳダイアフラム素子製造の全ての工程を上述した処理容器３０にて行うようにすることも可能である。その場合、処理容器３０は、各処理に必要な処理条件を満たすための設備を備えるよう構成される。
【００４７】
基板処理方法に関する以下の説明において、半導体基板１１０の上に、第１の薄膜１１１、第２の薄膜１１２、第３の薄膜１１３、第４の薄膜１１４、第５の薄膜１１５、第６の薄膜１１６、第７の薄膜１１７が形成されたり、パターニングされるが、これらの膜の形成方法やパターニング方法には、以下で説明するような公知の方法を用いることができる。
【００４８】
図４は、本実施形態に係る第３の薄膜を形成した状態の基板断面図である。図４に示すように、まず、半導体基板１１０の上に電気的絶縁性を有する第１の薄膜１１１が形成され、次に、第１の薄膜１１１上に導電性の第２の薄膜１１２が形成され、第２の薄膜１１２が所定の形状に形成（パターニング）される。パターニングされた第２の薄膜１１２は、ＭＥＭＳダイアフラム素子に電圧を印加させるための一方の電極である下部電極として用いられる。次に、パターニングされた第２の薄膜１１２の上に電気的絶縁性を有する第３の薄膜１１３が形成される。第３の薄膜１１３は、ダイアフラム素子の下面となる。
【００４９】
半導体基板１１０は、一般的には、ｐ型の不純物をドーピングしたシリコン基板が用いられることが多いが、それに限定されず、デバイスの用途に応じて、任意に選択することが可能である。
【００５０】
第１の薄膜１１１は、例えば、シリコン窒化膜であり、膜厚は５０〜５００ｎｍ程度である。第１の薄膜１１１は、例えば、モノシランガスとアンモニアガスを用いて、温度４００℃、圧力２００Ｐａ程度で、プラズマＣＶＤ法により形成される。
【００５１】
第２の薄膜１１２は、例えば、タングステンや、窒化チタン、アルミニウム、あるいはアルミニウムをタングステンや窒化チタンで挟んだ構造の膜であり、膜厚は１００〜８００ｎｍ程度である。この膜厚はダイアフラム素子の共振周波数によって決まる。第２の薄膜１１２は、例えば、圧力１０Ｐａ以下においてスパッタ法で形成される。
【００５２】
第２の薄膜１１２のパターニングは、公知のリソグラフィーとエッチングを用いて行われる。例えば、第２の薄膜１１２がアルミニウムの場合は塩素ガス、タングステンの場合はＳＦ６ガスやフッ化炭素系ガスでエッチングされる。エッチング後の第２の薄膜１１２の寸法（縦寸法や横寸法）は、ダイアフラム素子の容量値に応じて変わるが、例えば、数十〜数百μｍ程度である。
【００５３】
第３の薄膜１１３は、例えば、シリコン窒化膜であり、膜厚は１００〜５００ｎｍ程度である。第３の薄膜１１３の材質や膜厚は、ダイアフラム素子の共振周波数で決まる。第３の薄膜１１３は、例えば、モノシランガスとアンモニアガスを用いて、温度４００℃、圧力１００Ｐａ程度で、プラズマＣＶＤ法により形成される。
【００５４】
図５は、第３の薄膜１１３の上に犠牲膜１１９を形成し、パターニングした状態の基板断面図である。犠牲膜１１９は、その成分がほぼシリコンであるシリコン含有膜であり、例えば、アモルファスシリコン膜又はポリシリコン膜である。犠牲膜１１９は、例えば、膜厚が５０〜３００ｎｍ程度である。この膜厚は、ダイアフラム素子の共振周波数で決まる。犠牲膜１１９は、例えば、温度３００〜６００℃、圧力３０〜２００Ｐａで、モノシランガス又はジシランガスを用いたプラズマＣＶＤ法、又は熱ＣＶＤ法により形成される。
【００５５】
犠牲膜１１９のパターニングは、公知のリソグラフィーとエッチングを用いて行われる。例えば、三フッ化塩素（ＣｌＦ３）などのフッ素系ガスでエッチングされる。エッチング後の犠牲膜１１９の寸法（縦寸法や横寸法）は、ダイアフラム素子の容量値に応じて変わるが、例えば、数百μｍ〜数ｍｍ程度である。エッチング後の犠牲膜１１９を上から見たときの形は、例えば、四角形、六角形、八角形などの多角形である。
【００５６】
図６は、犠牲膜１１９の上に電気的絶縁性を有する第４の薄膜１１４を形成した後、犠牲膜１１９を除去した状態の基板断面図である。第４の薄膜１１４は、ダイアフラム素子の上面となる。第４の薄膜１１４が形成されると、犠牲膜１１９は、第３の薄膜と第４の薄膜によって被覆された状態になる。
【００５７】
第４の薄膜１１４は、例えば、シリコン窒化膜であり、膜厚は１００〜５００ｎｍ程度である。第４の薄膜１１４の材質や膜厚は、ダイアフラム素子の共振周波数で決まる。第４の薄膜１１４は、例えば、モノシランガスとアンモニアガスを用いて、温度４００℃、圧力１００Ｐａ程度で、プラズマＣＶＤ法により形成される。
【００５８】
その後、第４の薄膜１１４には、その一部に開口１１４ａが形成され、犠牲膜１１９の一部が露出される。なお、本実施形態においては、露出させる場所は一箇所で記載しているが、加工したい空間の広がりによって、任意に露出させる数を変更してよい。
【００５９】
第４の薄膜１１４の開口１１４ａは、公知のリソグラフィーとエッチングを用いて形成される。例えば、レジストでパターニングされた後、ＣＦ４ガスなどのＦ系ガスによってエッチングされて形成される。開口１１４ａは、例えば、５０〜１００ｎｍ程度の直径の孔である。
【００６０】
その後、犠牲膜１１９が、ヨウ素とフッ素を含むガスによるドライガスエッチングによって除去され、空隙１１９ａが形成される。エッチングガスは、第４の薄膜１１４の開口１１４ａより侵入し、犠牲膜１１９を除去する。犠牲膜１１９のエッチング処理については詳細を後述する。
【００６１】
図７は、第４の薄膜１１４の上に電気的絶縁性を有する第５の薄膜１１５を形成した後、第２の薄膜１１２（下部電極）に到達する導電性のプラグ１１６ｐを形成した状態の基板断面図である。
【００６２】
上述したように犠牲膜１１９を除去した後、開口１１４ａを埋め戻す為に、電気的絶縁性を有し段差被覆性の良くない第５の薄膜１１５が、第４の薄膜１１４の上に形成される。その後、第３の薄膜１１３と第４の薄膜１１４と第５の薄膜１１５とを貫通し第２の薄膜１１２まで届く穴１１６ａが設けられ、穴１１６ａを埋めるように導電性の第６の薄膜１１６が形成され、第６の薄膜１１６から不要な部分がエッチングによって除去されて、プラグ１１６ｐが形成される。
【００６３】
第５の薄膜１１５は、例えば、シリコン窒化膜であり、膜厚は１００〜５００ｎｍ程度である。第５の薄膜１１５の材質や膜厚は、ダイアフラム素子の共振周波数で決まる。第５の薄膜１１５は、例えば、モノシランガスとアンモニアガスを用いて、温度４００℃、圧力１００Ｐａ程度で、プラズマＣＶＤ法により形成される。
【００６４】
穴１１６ａは、公知のリソグラフィーとエッチングを用いて形成される。例えば、圧力１００Ｐａ以下、温度５０℃以下で、ＣＦ４ガスなどのＦ系ガスによってエッチングされて形成される。
【００６５】
第６の薄膜１１６は、例えば、スパッタ法で窒化チタン（ＴｉＮ）膜を形成した後、ＣＶＤ法で六フッ化タングステン（ＷＦ６）膜を形成することにより形成される。窒化チタン膜の膜厚は、１０〜１００ｎｍ程度である。六フッ化タングステン膜の膜厚は、穴１１６ａの直径次第であるが、１００〜５００ｎｍ程度である。
【００６６】
詳しくは、窒化チタン膜は、例えば、温度１００〜４００℃、圧力０．１〜１００Ｐａにおいて、チタンのターゲットをアルゴンガスと窒素ガスの混合雰囲気中で放電させることにより形成される。六フッ化タングステン膜は、例えば、温度３００〜５００℃、圧力１００Ｐａ程度でＣＶＤ法により形成される。なお、穴１１６ａが極めて大きい場合、例えば、直径が数μｍの大きさである場合は、ＣＶＤ法では六フッ化タングステンを埋め込めないので、スパッタ法によりアルミニウムで埋める。
【００６７】
第６の薄膜１１６から不要な部分を除去するエッチングは、例えば、第６の薄膜１１６が窒化チタン膜と六フッ化タングステン膜との積層膜で構成されている場合は、ＳＦ６ガスなどのエッチングガスを用い、温度２００℃以下、圧力１００Ｐａ以下でエッチングする。
【００６８】
図８は、第５の薄膜１１５の上に導電性の第７の薄膜１１７を形成した状態の基板断面図である。第５の薄膜１１５を形成しプラグ１１６ｐを形成した後、上部電極となる第７の薄膜１１７を形成する。
【００６９】
第７の薄膜１１７は、例えば、タングステン膜やアルミニウム膜であり、膜厚は１００〜８００ｎｍ程度である。この膜厚はダイアフラム素子の共振周波数によって決まる。第７の薄膜１１７は、例えば、温度が室温〜４００℃、圧力１０Ｐａ以下においてスパッタ法で形成される。第７の薄膜１１７がアルミニウム膜の場合、その上下又はその一方に窒化チタン膜を設けることもある。
【００７０】
図９は、第７の薄膜１１７をパターニングして、上部電極１１７ａと引出し電極１１７ｂとを形成した後の基板断面図である。引出し電極１１７ｂは、プラグ１１６ｐを介して、下部電極である第２の薄膜１１２と、電気的に接続される。
【００７１】
第７の薄膜１１７は、公知のリソグラフィーとエッチングを用いてパターニングされる。例えば、第７の薄膜１１７がアルミニウムの場合は塩素ガス、タングステンの場合はＳＦ６ガスやフッ化炭素系ガスでエッチングされる。
【００７２】
上部電極１１７ａと引出し電極１１７ｂとを形成した後、それらの上に、電極を保護する保護膜を形成し、保護膜の一部を開口することで、外部の配線と電気的接触を得る接続端子を形成する。保護膜は、吸湿防止層として機能する。その後、半導体基板１１０の背面（第１の薄膜１１１と反対側）をバックグライディングによって削って薄膜化し、ＭＥＭＳダイアフラム素子を完成する。
【００７３】
保護膜は、例えば、シリコン窒化膜であり、膜厚は２００〜１０００ｎｍ程度である。保護膜は、例えば、モノシランガスとアンモニアガスを用いて、温度４００℃、圧力１００Ｐａ程度で、プラズマＣＶＤ法により形成される。厚さや応力の調整目的で、酸化膜をシリコン窒化膜の下又は上に設けることもある。
【００７４】
保護膜の開口は、保護膜がシリコン窒化膜や酸化膜の場合は、圧力１００Ｐａ以下、温度５０℃以下で、ＣＦ４ガスなどのＦ系ガスによりエッチングで形成される。保護膜の開口の加工寸法の精度が低くても良い場合は、レジストでパターニングした後、フッ酸やバッファードフッ酸でウェットエッチングして除去することもできる。
【００７５】
（２）犠牲膜のエッチング処理工程
続いて、図１０を用いて、本実施形態にかかる半導体製造工程の一工程として実施される基板処理工程（犠牲膜１１９のエッチング処理工程）について説明する。かかる工程は、上述の基板処理装置により実施される。なお、以下の説明において、基板処理装置を構成する各部の動作は、コントローラ５００により制御される。
【００７６】
（基板の搬入工程Ｓ１０）
まず、図２に示すように、シリコンを主成分とする犠牲膜１１９を有する基板１が、基板搬送室４０から搬送機構Ｔによって、搬送口８を介して、基板処理室５０に搬送された後、支持ピン４上に支持される。この基板１は、半導体基板１１０の上に、第１の薄膜１１１、第２の薄膜１１２、第３の薄膜１１３、犠牲膜１１９、第４の薄膜１１４が積層され、第４の薄膜１１４に開口１１４ａが形成された直後の状態である。つまり、図６において犠牲膜１１９が除去される前の状態である。
【００７７】
（犠牲膜除去工程Ｓ２０）
次に、サセプタ２或いはサセプタ２及び基板支持ピン上下機構１１を上昇させ、基板処理位置Ｂへ移動させ、サセプタ２上に基板１が載置されるようにする。サセプタ２に具備されたヒータＨは、予め所定の温度に加熱されており、基板１を所定の基板温度になる様に加熱する。必要に応じて、過剰な熱（反応熱）を排熱するための冷却機構を併用するのが好ましい。ここで、所定の基板温度とは、処理ガス（犠牲膜１１９のエッチングガス）が十分に気化している温度帯であって、基板１に形成された膜特性が変質しない温度とする。
【００７８】
基板１が所定の基板温度に達した後、所定時間、処理ガス供給管６ａ,６ｂから所定のエッチングガスを、シャワーヘッド５を介して基板１に供給し、基板１上の犠牲膜１１９のエッチング処理を行う。エッチングガスの温度は室温である。このとき、不活性ガス供給管２０から、不活性ガスを基板１上に供給するようにしてもよい。犠牲膜１１９のエッチング処理に用いられたエッチングガスは、処理室５０の側面に設けられた、環状路１４と連通する排気口７より排出される。
【００７９】
エッチングガスの供給と同時に、ＡＰＣバルブＶによって排気量を調整することにより、基板処理室５０内の圧力を所定の圧力に維持する。例えば、０．１〜２００Ｐａに維持する。エッチングガス流量は、０．１〜１０ＳＬＭ程度の範囲の内、所定の流量に設定する。例えば、３ＳＬＭに設定する。また、必要に応じて、一旦、基板処理室５０の雰囲気を排気してからエッチングガスを供給しても良い。また、エッチングガスが供給され次第、犠牲膜１１９のエッチングが開始されるので、圧力やガス流量は速やかに所定の値に設定されることが望ましい。
【００８０】
エッチングガスとしては、ハロゲン含有ガスが用いられ、例えばフッ素（Ｆ）、塩素（Ｃｌ）、臭素（Ｂｒ）、ヨウ素（Ｉ）のハロゲン元素を含むガスである。好ましくは、ハロゲン元素を２種類含むガスが用いられる。例えば、五フッ化ヨウ素（ＩＦ５）、七フッ化ヨウ素（ＩＦ７）、三フッ化臭素（ＢｒＦ３）、五フッ化臭素（ＢｒＦ５）、二フッ化キセノン（ＸｅＦ２）、三フッ化塩素（ＣｌＦ３）などが有る。
【００８１】
特に、ハロゲン元素を２種類含むガスは、シリコンを主成分とするシリコン膜を選択的に除去させることができる。ここで、「選択的」とは、例えば、シリコン膜のエッチングレートを他の膜（例えば金属膜）のエッチングレートよりも高くすることを言う。シリコンを主成分とするシリコン膜とは、シリコン成分が９０％以上のシリコン膜を言う。
【００８２】
なお、シリコン膜である犠牲膜１１９上に、数原子程度の変性層が形成されている場合、処理ガス（犠牲膜１１９のエッチングガス）を供給する前に、変性層を除去するための変性層除去ガス（例えばフッ化水素ガス）を基板に供給することが好ましい。ここで、変性層とは、シリコン膜（犠牲膜１１９）上に形成された自然酸化膜である。この自然酸化膜は、数原子層の厚さであっても、上述の処理ガスで除去することができず、シリコン膜（犠牲膜１１９）の除去を阻害する。変性層除去ガスを供給することで、犠牲膜１１９や他の膜構成を維持したまま変性層を除去することができ、処理ガスによる犠牲膜１１９の微細な除去を可能にする。
【００８３】
所定時間、犠牲膜除去工程Ｓ２０を行った後、処理ガスの供給を停止し、処理容器３０内の雰囲気（ガス）を、排気口７から排出する。
【００８４】
（パージ工程Ｓ３０）
犠牲膜除去工程Ｓ２０の終了後、不活性ガス供給管２０から、シャワーヘッド５の略中心部分の位置において、基板１上に不活性ガスである例えば窒素ガスが供給される。このとき、供給される窒素ガスは、加熱部２３により加熱された状態、例えば９０℃以上に加熱されて供給される。また、供給される不活性ガスは、前述のエッチングガスよりも高い温度に加熱されているとなお良い。このように、不活性ガスをエッチングガスよりも高い温度に加熱することによって、エッチングの際に発生する副生成物の除去効率を向上させることが可能となる。
【００８５】
更に、基板処理室５０に供給する不活性ガスの温度は、エッチング工程で発生した副生成物と残渣のいずれか、もしくは両方の昇華温度、５０℃以上、好ましくは１００℃以上に加熱されて基板上に供給するとなお良い。これにより、エッチングの際に発生する副生成物の除去効率を更に向上させることが可能となる。
更に好ましくは、不活性ガスの温度は、基板上に形成された回路の耐熱温度又は基板処理室５０の周囲に設けられたＯリングの耐熱温度以下になるように加熱する。
【００８６】
従来は、基板上のシリコンのエッチング時において、基板上に残った微小なシリコンである残渣や、シリコンとエッチングガスとの化合物である副生成物が発生することへの対策として、エッチング処理時に基板を加熱したり、エッチング処理後に基板をアニールチャンバに移動し、基板上に残った残渣や副生成物が昇華する温度まで基板を加熱していた。その結果、基板が加熱されることにより、エッチングの選択性が悪化し、エッチング時の残渣や副生成物が増加する傾向が生じたり、基板をアニールチャンバでアニール処理するのに手間がかかり、生産性の向上に支障となっていた。しかし、本実施形態では、上記残渣や副生成物の問題を、不活性ガスを加熱部２３により加熱された状態で供給することにより解決することができる。
【００８７】
（基板搬出工程Ｓ４０）
パージ工程Ｓ３０の終了後、不活性ガスの供給を停止するとともに、処理容器３０内の雰囲気を、排気口７から排出する。また、支持ピン４を上昇させ、基板１をサセプタ２から離して搬送可能な温度まで冷却する。
基板１が搬送可能な温度まで冷却され、処理室５０から搬出する準備が整った後、上述の基板搬入工程Ｓ１０の逆の手順で搬出する。
【００８８】
（４）本実施形態に係る効果
本実施形態によれば、少なくとも以下に示す効果を奏する。
【００８９】
（ａ）絶縁性薄膜で被覆されたシリコン膜（犠牲膜）を除去するときに、絶縁性薄膜の一部を開口してシリコン含有膜を露出し、その露出されたシリコン膜をエッチングガスに晒し、シリコン膜を除去するように構成したので、ＭＥＭＳデバイスを製造する際に、犠牲膜を除去することが容易になる。このとき、ウエットエッチングのように表面張力による乾燥時のダイアフラムの張り付きが発生しない為、高歩留を得ることができる。
【００９０】
（ｂ）シリコン膜を除去するエッチングガスとしてハロゲン元素を２種類含むガスを用いるので、シリコン膜を被覆する絶縁性薄膜のエッチングを抑え、シリコン膜を効果的に除去することができる。
【００９１】
（ｃ）シリコン膜のエッチング後に、加熱された不活性ガスを供給することにより、エッチングガスの供給時に発生する副生成物と残渣のいずれか又は両方を除去することが容易にできる。
【００９２】
（ｄ）不活性ガスをエッチングガスよりも高い温度に加熱することによって、エッチングガスから発生する副生成物の除去効率をより向上させることができ、また、残渣の除去効率をより向上させることができる。
【００９３】
（ｅ）不活性ガスをシャワーヘッドで分散させるのではなく、基板の中心側から供給することによって、不活性ガスの温度低下を抑制して基板に供給することができる。
【００９４】
（ｆ）不活性ガスを基板の中心側から供給することによって、副生成物或いは残渣を基板中心側から基板の外側へ、効率的に排出することができる。
【００９５】
＜本発明の他の実施形態＞
以上、本発明の実施形態を具体的に説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
【００９６】
例えば、本発明は、枚葉の基板処理装置以外にも、縦型や横型の基板処理装置等にも適用可能である。また、本発明は、シリコンウエハのような円形の基板だけでなく、方形など他の形状の基板にも適用可能である。
【００９７】
また、本発明は、本実施形態に係る基板処理装置のような半導体ウエハを処理する半導体製造装置などに限らず、ガラス基板を処理するＬＣＤ（Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ）製造装置、太陽電池製造装置等の基板処理装置にも適用できる。例えば、ＬＣＤを駆動させるトランジスタや、太陽電池に用いられる単結晶シリコン、多結晶シリコン、アモルファスシリコンを加工する処理にも適用することができる。
【００９８】
＜本発明の好ましい態様＞
以下に、本発明の好ましい態様について付記する。
【００９９】
＜付記１＞
本発明の一態様によれば、
絶縁性薄膜で被覆されシリコンを主成分とするシリコン含有膜を除去するシリコン含有膜除去工程を有する半導体装置の製造方法であって、
前記シリコン含有膜除去工程において、前記絶縁性薄膜の一部を開口して前記シリコン含有膜を露出し、その露出された前記シリコン含有膜をエッチングガスに晒し、前記シリコン含有膜を除去する半導体装置の製造方法が提供される。
【０１００】
＜付記２＞
付記１に記載の半導体装置の製造方法であって、
絶縁性の第１の薄膜を形成する工程と、前記第１の薄膜の上に導電性の第２の薄膜を形成する工程と、前記第２の薄膜をリソグラフィ及びエッチングにより所定の形状にパターニングする工程と、を有する半導体装置の製造方法。
【０１０１】
＜付記３＞
付記２に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記第２の薄膜の上に絶縁性の第３の薄膜を形成する工程と、前記第３の薄膜の上に、犠牲膜としての前記シリコン含有膜を形成する工程と、前記シリコン含有膜をリソグラフィ及びエッチングにより所定の形状にパターニングする工程と、を有する半導体装置の製造方法が提供される。
【０１０２】
＜付記４＞
付記３に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記シリコン含有膜の上に絶縁性の第４の薄膜を形成して、前記第４の薄膜の一部を開口して前記シリコン含有膜を露出し、その露出された前記シリコン含有膜をエッチングガスに晒し、前記シリコン含有膜を除去する工程を有する半導体装置の製造方法が提供される。
【０１０３】
＜付記５＞
付記４に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記シリコン含有膜を除去した後、前記絶縁性薄膜の開口を埋め戻すために絶縁性の第５の薄膜を形成する工程を有する半導体装置の製造方法が提供される。
【０１０４】
＜付記６＞
付記５に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記第３の薄膜と前記第４の薄膜と前記第５の薄膜の積層膜に対し、リソグラフィ及びエッチングによって穴を設け、その後、導電性の第６の薄膜で前記穴を埋める工程を有する半導体装置の製造方法が提供される。
【０１０５】
＜付記７＞
付記６に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記第５の薄膜の上に導電性の第７の薄膜を形成する工程と、前記第７の薄膜をリソグラフィ及びエッチングによってパターニングし、上部電極と前記第２の薄膜と導通する引出し電極とを形成する工程とを有する半導体装置の製造方法が提供される。
【０１０６】
＜付記８＞
付記１に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記エッチングガスは、ハロゲン元素を含むガスである半導体装置の製造方法が提供される。
【０１０７】
＜付記９＞
付記８に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記ハロゲン元素を含むガスは、フッ素（Ｆ）、塩素（Ｃｌ）、臭素（Ｂｒ）、ヨウ素（Ｉ）の中から選択されるガスを１つ以上含むガスである半導体装置の製造方法が提供される。
【０１０８】
＜付記１０＞
付記９に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記ハロゲン元素を含むガスは、ハロゲン元素を２種類含むガスである半導体装置の製造方法が提供される。
【０１０９】
＜付記１１＞
付記１０に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記ハロゲン元素を含むガスは、五フッ化ヨウ素（ＩＦ５）、七フッ化ヨウ素（ＩＦ７）、三フッ化臭素（ＢｒＦ３）、五フッ化臭素（ＢｒＦ５）、二フッ化キセノン（ＸｅＦ２）、三フッ化塩素（ＣｌＦ３）の中から選択されるガスである半導体装置の製造方法が提供される。
【０１１０】
＜付記１２＞
更に他の態様によれば、
シリコンを主成分とするシリコン含有膜が絶縁性薄膜で被覆され、前記絶縁性薄膜の一部が開口されて前記シリコン含有膜が露出した基板を収容する処理室と、
前記基板にハロゲン元素を含む処理ガスを供給する処理ガス供給部と、
前記基板に加熱された不活性ガスを供給する不活性ガス供給部と、
前記処理ガスを前記処理室へ供給し、前記シリコン含有膜を前記処理ガスに晒して、前記シリコン含有膜を除去し、その後、前記加熱された不活性ガスを前記処理室へ供給するよう制御する制御部と、
を有する基板処理装置が提供される。
【０１１１】
＜付記１３＞
更に他の態様によれば、
絶縁性薄膜で被覆されシリコンを主成分とするシリコン含有膜を除去するエッチング方法であって、
前記絶縁性薄膜の一部を開口して前記シリコン含有膜を露出し、その露出された前記シリコン含有膜をエッチングガスに晒し、前記シリコン含有膜を除去するエッチング方法が提供される。
【０１１２】
＜付記１４＞
更に他の態様によれば、
絶縁性薄膜で被覆されシリコンを主成分とするシリコン含有膜を除去する手順を含むプログラムであって、
前記絶縁性薄膜の一部を開口して前記シリコン含有膜を露出する手順と、
前記露出された前記シリコン含有膜をエッチングガスに晒し、前記シリコン含有膜を除去する手順と、をコンピュータに実行させるプログラムが提供される。
【０１１３】
＜付記１５＞
更に他の態様によれば、
絶縁性薄膜で被覆されシリコンを主成分とするシリコン含有膜を除去する手順を含むプログラムが記録された記録媒体であって、
前記絶縁性薄膜の一部を開口して前記シリコン含有膜を露出する手順と、
前記露出された前記シリコン含有膜をエッチングガスに晒し、前記シリコン含有膜を除去する手順と、をコンピュータに実行させるプログラムが記録された記録媒体が提供される。
【符号の説明】
【０１１４】
１…基板、２…サセプタ、４…支持ピン、５…シャワーヘッド、６ａ,６ｂ…処理ガス供給ライン、７…排気口、８…搬送口、９…開閉弁、１１…基板支持ピン上下機構、１２…不活性ガス供給ライン、１４…環状路、１５ａ,１５ｂ…処理ガス供給管、１６ａ,１６ｂ…ＭＦＣ、１７ａ,１７ｂ…処理ガス供給源、２０…不活性ガス供給管、２１…ＭＦＣ、２２…不活性ガス供給源、２３…加熱部、２４…支持軸、３０…処理容器、３１…容器本体、３２…蓋体、３９…基板搬送容器、４０…基板搬送室、５０…処理室、１１０…半導体基板、１１１…第１の薄膜、１１２…下部電極（第２の薄膜）、１１３…第３の薄膜、１１４…第４の薄膜、１１４ａ…開口、１１５…第５の薄膜、１１６…第６の薄膜、１１６ａ…穴、１１６ｐ…プラグ、１１７…第７の薄膜、１１７ａ…上部電極、１１７ｂ…引出し電極、１１９…犠牲膜、１１９ａ…空隙、５００…コントローラ（制御部）、５００ａ…ＣＰＵ、５００ｂ…ＲＡＭ、５００ｃ…記憶装置、５００ｄ…Ｉ／Ｏポート、５００ｅ…内部バス、５０１…入出力装置、５０２…外部記憶装置。
【図１】
2016072465.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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