(57)【要約】【課題】Ｑ値を向上させることができる振動子を提供すること、また、かかる振動子を備える電子機器および移動体を提供すること。【解決手段】本発明の振動子は、基部５３１と、基部５３１から互いに異なる方向に延出している複数の振動部５３２と、互いに隣り合う２つの振動部５３２間を接続していて、貫通孔を有する接続部５３３と、を備える。振動部５３２は、基板２上に配置されている下部電極５１に対向している可動電極である。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基部と、
前記基部から互いに異なる方向に延出している複数の振動部と、
互いに隣り合う２つの前記振動部間を接続していて、貫通孔または凹部を有する接続部と、
を備えることを特徴とする振動子。
【請求項２】
基板と、
前記基板と前記基部とを接続している支持部と、
を備える請求項１に記載の振動子。
【請求項３】
前記支持部の少なくとも一部が前記基板と前記基部との間にある請求項１または２に記載の振動子。
【請求項４】
前記支持部が前記接続部と繋がっている請求項１または２に記載の振動子。
【請求項５】
前記接続部は、前記２つの振動部間を接続している梁部を有し、
前記貫通孔または前記凹部は、前記梁部と前記２つの振動部との間に配置されている請求項１ないし４のいずれか１項に記載の振動子。
【請求項６】
前記梁部と前記振動部とが接続している部分の幅をａとし、前記貫通孔または前記凹部の前記振動部の延出方向に沿った幅をｂとしたとき、
０．６≦ｂ／ａ≦１．６の関係を満たす請求項５に記載の振動子。
【請求項７】
前記基板上に配置されている基板側電極を備え、
前記振動部は、前記基板側電極に対向している可動電極を有している請求項１ないし６のいずれか１項に記載の振動子。
【請求項８】
請求項１ないし７のいずれか１項に記載の振動子を備えることを特徴とする電子機器。
【請求項９】
請求項１ないし７のいずれか１項に記載の振動子を備えることを特徴とする移動体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、振動子、電子機器および移動体に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）技術を用いて製造したＭＥＭＳ構造体は、可動部を有する様々な構造体（例えば、振動子、フィルター、センサー、モーター等）に適用されている。ＭＥＭＳ振動子は、水晶や誘電体を用いた振動子や共振子と比較して、半導体回路を組み込んで製造することが容易であり、微細化、高機能化の観点から有利であるという利点がある。
【０００３】
例えば、特許文献１に記載のＭＥＭＳ振動子は、基板と、基板の主面上に設けられた下部電極および固定部と、固定部から延出する支持部と、支持部によって基板から遊離して支えられた上部電極と、を有する。ここで、上部電極は、中央部から互いに異なる方向に延出する４つの振動部を有する十字形状をなし、その中央部が支持部によって支持されている。このようなＭＥＭＳ振動子は、上部電極の振動の節部を支持部で支持することができ、その結果、振動漏れを抑制することができる。
【０００４】
しかし、特許文献１に記載のＭＥＭＳ振動子では、上部電極の隣り合う２つの振動部間での熱弾性損失の影響により、Ｑ値を十分に大きくすることができないという問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１４−１８７５７７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は、Ｑ値を向上させることができる振動子を提供すること、また、かかる振動子を備える電子機器および移動体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
このような目的は、下記の本発明により達成される。
［適用例１］
本発明の振動子は、基部と、
前記基部から互いに異なる方向に延出している複数の振動部と、
互いに隣り合う２つの前記振動部間を接続していて、貫通孔または凹部を有する接続部と、
を備えることを特徴とする。
【０００８】
このような振動子によれば、接続部が互いに隣り合う振動部間を接続しているため、当該２つの振動部間で生じる熱弾性損失を低減することができる。そのため、Ｑ値を向上させることができる。しかも、接続部が貫通孔または凹部を有しているため、振動部の共振周波数の過度な上昇を低減することができる。
【０００９】
このようなことから、振動部の共振周波数を低減しつつ、Ｑ値を向上させることができる。
【００１０】
［適用例２］
本発明の振動子では、基板と、
前記基板と前記基部とを接続している支持部と、
を備えることが好ましい。
これにより、基板に対して基部を介して振動部を振動可能に支持することができる。
【００１１】
［適用例３］
本発明の振動子では、前記支持部の少なくとも一部が前記基板と前記基部との間にあることが好ましい。
【００１２】
これにより、振動部と基板との間に、振動部の振動を許容する隙間を容易に形成することができ、安定した振動特性を有する振動子を実現することができる。
【００１３】
［適用例４］
本発明の振動子では、前記支持部が前記接続部と繋がっていることが好ましい。
【００１４】
これにより、振動の節となる部位で振動部を支持することができ、その結果、振動漏れによるＱ値の低下を低減することができる。
【００１５】
［適用例５］
本発明の振動子では、前記接続部は、前記２つの振動部間を接続している梁部を有し、
前記貫通孔または前記凹部は、前記梁部と前記２つの振動部との間に配置されていることが好ましい。
【００１６】
これにより、熱弾性損失の低減と振動部の共振周波数の低減とのバランスを優れたものとすることができる。
【００１７】
［適用例６］
本発明の振動子では、前記梁部と前記振動部とが接続している部分の幅をａとし、前記貫通孔または前記凹部の前記振動部の延出方向に沿った幅をｂとしたとき、
０．６≦ｂ／ａ≦１．６の関係を満たすことが好ましい。
【００１８】
これにより、熱弾性損失の低減と振動部の共振周波数の低減とのバランスを優れたものとすることができる。
【００１９】
［適用例７］
本発明の振動子では、前記基板上に配置されている基板側電極を備え、
前記振動部は、前記基板側電極に対向している可動電極を有していることが好ましい。
これにより、静電駆動型の振動子を実現することができる。
【００２０】
［適用例８］
本発明の電子機器は、本発明の振動子を備えることを特徴とする。
【００２１】
これにより、低い周波数で優れたＱ値を有する振動子を備える電子機器を提供することができる。
【００２２】
［適用例９］
本発明の移動体は、本発明の振動子を備えることを特徴とする。
【００２３】
これにより、低い周波数で優れたＱ値を有する振動子を備える移動体を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本発明の第１実施形態に係る振動子を示す断面図である。
【図２】図１に示す振動子が備える振動素子を示す図であって、（ａ）は断面図、（ｂ）は平面図である。
【図３】図１に示す振動子が備える振動素子の動作を説明するための模式的斜視図である。
【図４】（ａ）は、図２に示す振動素子の振動部および接続部を示す部分拡大平面図、（ｂ）は、（ａ）中のＡ−Ａ線断面図である。
【図５】シミュレーションに用いた本発明に係る振動素子の各部の寸法を示す平面図である。
【図６】（ａ）は、シミュレーションに用いた従来の振動素子の各部の寸法を示す平面図、（ｂ）は、シミュレーションに用いた参考例の振動素子の各部の寸法を示す平面図である。
【図７】振動部の共振周波数とＱ値（熱弾性損失のみを考慮）との関係を示すグラフである。
【図８】図１に示す振動子の製造工程を示す図である。
【図９】図１に示す振動子の製造工程を示す図である。
【図１０】図１に示す振動子の製造工程を示す図である。
【図１１】（ａ）は、本発明の第２実施形態に係る振動子が備える振動素子の振動部および接続部を示す部分拡大平面図、（ｂ）は、（ａ）中のＡ−Ａ線断面図である。
【図１２】本発明の第３実施形態に係る振動子が備える振動素子を示す図であって、（ａ）は断面図、（ｂ）は平面図である。
【図１３】図１２に示す振動素子の振動部、接続部および支持部を示す部分拡大平面図である。
【図１４】本発明の電子機器の第１例であるモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピューターの構成を示す斜視図である。
【図１５】本発明の電子機器の第２例である携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。
【図１６】本発明の電子機器の第３例であるディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。
【図１７】本発明の移動体の一例である自動車の構成を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下、本発明の振動子、電子機器および移動体を添付図面に示す各実施形態に基づいて詳細に説明する。
【００２６】
１．振動子
＜第１実施形態＞
まず、本発明の第１実施形態を説明する。
【００２７】
図１は、本発明の第１実施形態に係る振動子を示す断面図である。図２は、図１に示す振動子が備える振動素子を示す図であって、図２（ａ）は断面図、図２（ｂ）は平面図である。図３は、図１に示す振動子が備える振動素子の動作を説明するための模式的斜視図である。なお、以下では、説明の便宜上、図１中の上側を「上」、下側を「下」という。また、図３では、説明の便宜上、接続部の図示を省略している。
【００２８】
図１に示す振動子１は、基板２（基体）と、基板２上に配置されている振動素子５と、振動素子５を収納している空洞部Ｓ（キャビティ）を基板２との間に形成している積層構造体６と、を有している。本実施形態では、基板２と積層構造体６との間には、導体層３が配置されている。以下これらの各部について順次説明する。
【００２９】
−基板２−
基板２は、半導体基板２１と、半導体基板２１の一方の面上に設けられた絶縁膜２２と、絶縁膜２２の半導体基板２１とは反対側の面上に設けられた絶縁膜２３と、を有している。
【００３０】
半導体基板２１は、シリコン等の半導体で構成されている。なお、半導体基板２１は、シリコン基板のような単一材料で構成された基板に限定されず、例えば、ＳＯＩ基板のような積層構造を有する基板であってもよい。
【００３１】
絶縁膜２２は、例えば、シリコン酸化膜であり、絶縁性を有する。また、絶縁膜２３は、例えば、シリコン窒化膜であり、絶縁性を有するとともに、フッ酸を含むエッチング液に対する耐性をも有する。ここで、半導体基板２１（シリコン基板）と絶縁膜２３（シリコン窒化膜）との間に絶縁膜２２（シリコン酸化膜）が介在していることにより、絶縁膜２３の成膜時に生じた応力が半導体基板２１に伝わるのを絶縁膜２２により緩和することができる。また、絶縁膜２２は、半導体基板２１およびその上方に半導体回路を形成する場合、素子間分離膜として用いることもできる。なお、絶縁膜２２、２３は、前述した構成材料に限定されず、また、必要に応じて、絶縁膜２２、２３のうちのいずれか一方を省略してもよい。
【００３２】
このような基板２の絶縁膜２３上には、パターニングされた導体層３が配置されている。この導体層３は、例えば、単結晶シリコン、多結晶シリコン（ポリシリコン）またはアモルファスシリコンにリン、ボロン等の不純物をドープ（拡散または注入）して構成されており、導電性を有する。また、導体層３は、図示しないが、振動素子５に電気的に接続される配線を構成する第１部分と、その第１部分と離間して電気的に絶縁された第２部分とを有するようにパターニングされている。
【００３３】
−振動素子５−
図２に示すように、振動素子５は、基板２の絶縁膜２３上に配置されている４つの下部電極５１および下部電極５２と、上部電極５３と、下部電極５２と上部電極５３との間に設けられたスペーサー５４と、を有している。
【００３４】
４つの下部電極５１（固定電極）は、基板２の厚さ方向から見た平面視（以下、単に「平面視」という）で、図２（ｂ）中の左右方向（第１方向）に沿って並んでいる２つの下部電極５１ａ、５１ｂと、２つの下部電極５１ａ、５１間の領域を跨いで図２（ｂ）中の上下方向（第１方向に直交する第２方向）に沿って並んでいる２つの下部電極５１ｃ、５１ｄと、で構成されている。
【００３５】
下部電極５２は、平面視で、４つの下部電極５１に囲まれるように配置されている。言い換えると、平面視で、２つの下部電極５１ａ、５１ｂが下部電極５２を介して対向するとともに、２つの下部電極５１ｂ、５１ｃが下部電極５２を介して対向するように配置されている。
【００３６】
下部電極５１、５２は、それぞれ、基板２に沿った板状またはシート状をなし、互いに離間して配置されている。また、図示しないが、４つの下部電極５１は、それぞれ、前述した導体層３が有する配線に電気的に接続されている。同様に、下部電極５２は、前述した導体層３が有する配線に電気的に接続されている。ここで、下部電極５１は、「基板側電極」を構成しており、２つの下部電極５１ａ、５１ｂは、図示しない配線を介して互いに電気的に接続されていて、互いに同電位となるように構成されている。同様に、２つの下部電極５１ｃ、５１ｄは、図示しない配線を介して互いに電気的に接続されていて、互いに同電位となるように構成されている。なお、下部電極５１、５２の平面視形状は、図示のものに限定されない。また、下部電極５２は、スペーサー５４の高さによっては省略してもよい。
【００３７】
上部電極５３は、基部５３１と、基部５３１から互いに異なる方向に延出している４つの振動部５３２と、互いに隣り合う２つの振動部間を接続している接続部５３３と、を有している。ここで、基部５３１および４つの振動部５３２からなる構造体は、基板２に対向している「振動体５３０」を構成している。
【００３８】
基部５３１は、下部電極５２に対してスペーサー５４を介して固定されている。スペーサー５４は、平面視で四角形をなしている。ここで、スペーサー５４および下部電極５２は、基板２と基部５３１とを接続している「支持部」を構成している。これにより、基板２に対して基部５３１を介して振動部５３２を振動可能に支持することができる。また、スペーサー５４が基板２と基部５３１との間にあるため、振動部５３２と基板２との間に、振動部５３２の振動を許容する隙間を容易に形成することができ、安定した振動特性を有する振動子１を実現することができる。なお、スペーサー５４の平面視形状は、四角形に限定されず、例えば、四角形以外の多角形、円形、楕円形等であってもよい。
【００３９】
４つの振動部５３２は、基部５３１および４つの振動部５３２からなる構造体（振動体）が略十字形状をなすように基部５３１から互いに異なる方向に延出している。
【００４０】
４つの振動部５３２は、前述した４つの下部電極５１に対応して設けられており、それぞれ、対応する下部電極５１に対して間隔を隔てて対向している。すなわち、４つの振動部５３２は、平面視で、基部５３１を挟んで図２（ｂ）中の左右方向（第１方向）に沿って並んでいる２つの振動部５３２ａ、５３２ｂと、基部５３１を挟んで図２（ｂ）中の上下方向（第１方向に直交する第２方向）に沿って並んでいる２つの振動部５３２ｃ、５３２ｄと、で構成されている。
【００４１】
このように、各振動部５３２の少なくとも一部が、平面視で、基板２上に配置されている下部電極５１に重なっていることにより、静電駆動方式の振動子１を実現することができる。ここで、各振動部５３２は、下部電極５１に対向している「可動電極」を有している。
【００４２】
本実施形態では、各振動部５３２は、平面視で矩形をなしている。なお、各振動部５３２の平面視形状は、これに限定されず、例えば、基部５３１から離れるにしたがって幅が小さくなる形状であってもよい。
【００４３】
４つの接続部５３３は、互いに隣り合う２つの振動部５３２間に対応して設けられており、それぞれ、対応する２つの振動部５３２間を接続している。すなわち、４つの接続部５３３は、振動部５３２ａ、５３２ｃ間を接続している接続部５３３ａと、振動部５３２ｂ、５３２ｄ間を接続している接続部５３３ｂと、振動部５３２ｂ、５３２ｃ間を接続している接続部５３３ｃと、振動部５３２ａ、５３２ｄ間を接続している接続部５３３ｄと、で構成されている。なお、各接続部５３３の構成については、後に詳述する。
【００４４】
このような下部電極５１、５２、上部電極５３およびスペーサー５４は、それぞれ、単結晶シリコン、多結晶シリコン（ポリシリコン）またはアモルファスシリコンにリン、ボロン等の不純物をドープ（拡散または注入）して構成されており、導電性を有する。なお、スペーサー５４は、下部電極５２または上部電極５３と一体で形成されていてもよい。
【００４５】
また、下部電極５１、５２の膜厚は、それぞれ、特に限定されないが、例えば、０．１μｍ以上１．０μｍ以下であることが好ましい。また、上部電極５３の膜厚は、特に限定されないが、例えば、０．１μｍ以上１０．０μｍ以下であることが好ましい。また、スペーサー５４の厚さは、振動部５３２の振動を許容し得るものであれば、特に限定されないが、例えば、０．０３μｍ以上２．０μｍ以下であることが好ましい。
【００４６】
−積層構造体６−
積層構造体６は、振動素子５を収納している空洞部Ｓを画成するように形成されている。この積層構造体６は、基板２上に平面視で振動素子５を取り囲むように形成された層間絶縁膜６１と、層間絶縁膜６１上に形成された配線層６２と、配線層６２および層間絶縁膜６１上に形成された層間絶縁膜６３と、層間絶縁膜６３上に形成され、複数の細孔６４２（開孔）が形成された被覆層６４１を有する配線層６４と、配線層６４および層間絶縁膜６３上に形成された表面保護膜６５と、被覆層６４１上に設けられた封止層６６と、を有している。
【００４７】
層間絶縁膜６１、６３は、それぞれ、例えば、シリコン酸化膜である。また、配線層６２、６４および封止層６６は、それぞれ、アルミニウム等の金属で構成されている。また、表面保護膜６５は、例えば、シリコン窒化膜である。
【００４８】
なお、半導体基板２１上およびその上方には、上述した構成以外に、半導体回路が作り込まれていてもよい。この半導体回路は、ＭＯＳトランジスタ等の能動素子、その他必要に応じて形成されたコンデンサ、インダクタ、抵抗、ダイオード、配線（下部電極５１に接続されている配線や上部電極５３に接続されている配線、配線層６２、６４を含む）等の回路要素を有している。また、図示しないが、配線層６２と絶縁膜２３との間には、前述した振動素子５に電気的に接続された配線が空洞部Ｓの内外を跨って配置されており、配線層６２は、かかる配線に対して離間するように形成されている。
【００４９】
基板２と積層構造体６とによって画成された空洞部Ｓは、振動素子５を収容する収容部として機能している。また、空洞部Ｓは、密閉された空間である。本実施形態では、空洞部Ｓが真空状態（３００Ｐａ以下）となっている。これにより、振動素子５の振動特性を優れたものとすることができる。ただし、空洞部Ｓは、真空状態でなくてもよく、大気圧であってもよいし、大気圧よりも気圧が低い減圧状態であってもよいし、大気圧よりも気圧が高い加圧状態であってもよい。また、空洞部Ｓには、窒素ガス、希ガス等の不活性ガスが封入されていてもよい。
以上、振動子１の構成について簡単に説明した。
【００５０】
このように構成された振動子１では、下部電極５１ａ、５１ｂと上部電極５３との間に周期的に変化する第１電圧（交番電圧）が印加されるとともに、下部電極５１ｃ、５１ｄと上部電極５３との間に位相が１８０°ずれている以外は第１電圧と同様の第２電圧が印加される。
【００５１】
すると、振動部５３２ａ、５３２ｂが下部電極５１ａ、５１ｂに対して接近する方向と離間する方向とに交互に変位して屈曲振動するとともに、振動部５３２ａ、５３２ｂとは逆相で、振動部５３２ｃ、５３２ｄが下部電極５１ｃ、５１ｄに対して接近する方向と離間する方向とに交互に変位して屈曲振動する。すなわち、図３に示すように、振動部５３２ａ、５３２ｂ、５３２ｃ、５３２ｄが図３の実線矢印で示す方向に変位する状態と、振動部５３２ａ、５３２ｂ、５３２ｃ、５３２ｄが図３中の破線矢印で示す方向に変位する状態と、を交互に繰り返す。
【００５２】
このように振動部５３２ａ、５３２ｂと振動部５３２ｃ、５３２ｄとを逆相で振動させることにより、振動部５３２ａ、５３２ｂから基部５３１に伝わる振動と、振動部５３２ｃ、５３２ｄから基部５３１に伝わる振動とを互いに相殺させることができる。その結果、これらの振動が基部５３１およびスペーサー５４を介して外部（基板２）に漏れること、いわゆる振動漏れを低減し、振動子１の振動効率を高めることができる。このように、振動子１は、振動部５３２の数が複数であることにより、振動部５３２から外部への振動漏れを低減し、その結果、Ｑ値を向上させることができる。
【００５３】
このような振動子１は、例えば、発振回路（駆動回路）と組み合わせることにより、所定の周波数の信号を取り出す発振器として用いることができる。なお、かかる発振回路は、基板２上に半導体回路として設けることができる。また、振動子１は、ジャイロセンサー、圧力センサー、加速度センサー、傾斜センサー等の各種のセンサーにも適用できる。
【００５４】
（接続部）
以下、接続部５３３について詳述する。
【００５５】
図４（ａ）は、図２に示す振動素子の振動部および接続部を示す部分拡大平面図、図４（ｂ）は、図４（ａ）中のＡ−Ａ線断面図である。図５は、シミュレーションに用いた本発明に係る振動素子の各部の寸法を示す平面図である。図６（ａ）は、シミュレーションに用いた従来の振動素子の各部の寸法を示す平面図、図６（ｂ）は、シミュレーションに用いた参考例の振動素子の各部の寸法を示す平面図である。図７は、振動部の共振周波数とＱ値（熱弾性損失のみを考慮）との関係を示すグラフである。
【００５６】
前述したように、上部電極５３は、互いに隣り合う２つの振動部５３２間をそれぞれ接続している４つの接続部５３３を有する。これにより、互いに隣り合う２つの振動部５３２間で生じる熱弾性損失を低減することができる。そのため、Ｑ値を向上させることができる。
【００５７】
特に、各接続部５３３は、梁部５３３１と、貫通孔５３３２と、を有している。このように、接続部５３３が貫通孔５３３２を有していることにより、接続部５３３の剛性が高くなりすぎるのを防止し、振動部５３２の共振周波数の過度な上昇を低減することができる。ここで、貫通孔５３３２が上部電極５３を貫通していることにより、振動部５３２の共振周波数を効果的に低減することができる。また、後述するように振動部５３２とそれを支持する基板２との間の隙間をリリースエッチングにより形成する際、貫通孔５３３２を通じてエッチング液を供給することができ、リリースエッチングに要する時間を短くすることができる。
【００５８】
また、梁部５３３１は、互いに隣り合う２つの振動部５３２間を接続している。そして、貫通孔５３３２は、当該梁部５３３１と当該２つの振動部５３２との間に配置されている。言い換えると、貫通孔５３３２は、接続部５３３の基部５３１側の部分に配置されている。これにより、熱弾性損失の低減と振動部５３２の共振周波数の低減とのバランスを優れたものとすることができる。
【００５９】
図５および図６（ａ）、（ｂ）に示すような寸法で形成された各振動素子について、有限要素法による解析を行った。具体的には、図５に示す振動素子は、図２に示す振動素子５において、平面視で、各振動部５３２の幅が９．０μｍ、各振動部５３２の長さが６．３μｍ、梁部５３３１と振動部５３２とが接続している部分の幅を０．５μｍ、振動部５３２が延出している方向における貫通孔５３３２の幅を０．５μｍ、スペーサー５４の各辺の長さが２μｍであり、また、各部の厚さが１．３μｍである。また、図６（ａ）に示す振動素子は、梁部５３３１を省略した以外は、図５に示す振動素子と同様であり、図６（ｂ）に示す振動素子は、貫通孔５３３２を形成しない以外は、図５に示す振動素子と同様である。
【００６０】
図７に示すように、図５に示す本発明に係る振動素子（接続部あり（孔あり））では、図６（ａ）に示す振動素子（接続部なし）に比べて、格段にＱ値が向上している。また、図５に示す振動素子は、図６（ａ）に示す振動素子に比べて共振周波数が高くなるものの、図６（ｂ）に示す振動素子（接続部あり（孔なし））に比べて共振周波数を低くすることができる。このように、振動子１は、振動部５３２の共振周波数を低くしながら、Ｑ値を向上させることができる。なお、このような解析結果は、振動素子の各部の寸法をある程度変更しても得られている。
【００６１】
また、梁部５３３１と振動部５３２とが接続している部分の幅をａとし、振動部５３２の延出方向における貫通孔５３３２の幅をｂとしたとき、０．６≦ｂ／ａ≦１．６の関係を満たすことが好ましく、０．８≦ｂ／ａ≦１．４の関係を満たすことがより好ましく、０．８≦ｂ／ａ≦１．２の関係を満たすことがさらに好ましい。これにより、熱弾性損失の低減と振動部５３２の共振周波数の低減とのバランスを優れたものとすることができる。これに対し、ｂ／ａが小さすぎたり大きすぎたりすると、ａの大きさや梁部５３３１の厚さ等によっては、Ｑ値を十分に向上させることができなかったり、振動部５３２の共振周波数が高くなりすぎたりする場合がある。
【００６２】
また、振動部５３２の長さをｃとしたとき、４≦ｃ／（ａ＋ｂ）≦１０の関係を満たすことが好ましく、４≦ｃ／（ａ＋ｂ）≦８の関係を満たすことがより好ましい。これにより、振動部５３２の振動特性を優れたものとしつつ、熱弾性損失の低減と振動部５３２の共振周波数の低減とのバランスを優れたものとすることができる。これに対し、ｃ／（ａ＋ｂ）が小さすぎると、ａの大きさや梁部５３３１の厚さ等によっては、熱弾性損失を十分に低減する効果が小さくなる傾向を示す。一方、ｃ／（ａ＋ｂ）が大きすぎると、ａの大きさや梁部５３３１の厚さ等によっては、振動部５３２の共振周波数を低減することが難しくなったり、振動部５３２の不要な振動が発生したりする場合がある。
【００６３】
なお、梁部５３３１の延びている方向に対して垂直な方向に沿った幅ｗは、前述した幅ａに対して０．７程度である。
【００６４】
また、本実施形態では、梁部５３３１の厚さは、振動部５３２の厚さと等しい。これにより、振動子１の製造を容易なものとすることができる。なお、梁部５３３１の厚さは、振動部５３２の厚さと異なっていてもよい。
【００６５】
また、本実施形態では、梁部５３３１が一定幅で直線状に延びている。これにより、比較的簡単な構成で、隣り合う２つの振動部５３２間を接続することができる。なお、梁部５３３１の形状は、上述したものに限定されず、例えば、幅の異なる部分を有していてもよいし、分岐した部分や、湾曲または屈曲した部分を有していてもよい。また、貫通孔５３３２の平面視形状も、図示のものに限定されず、例えば、梁部５３３１の平面視形状に応じて適宜設定することができる。
【００６６】
（振動子の製造方法）
次に、振動子１の製造方法を簡単に説明する。
【００６７】
図８〜図１０は、図１に示す振動子の製造工程を示す図である。以下、これらの図に基づいて説明する。
【００６８】
［振動素子形成工程］
まず、図８（ａ）に示すように、半導体基板２１（シリコン基板）を用意する。
【００６９】
なお、半導体基板２１上およびその上方に半導体回路を形成する場合には、半導体基板２１の上面のうち絶縁膜２２および絶縁膜２３を形成しない部分に、半導体回路のＭＯＳトランジスタのソースおよびドレインをイオンドープして形成する。
【００７０】
次に、図８（ｂ）に示すように、半導体基板２１の上面に絶縁膜２２（シリコン酸化膜）を形成する。
【００７１】
絶縁膜２２（シリコン酸化膜）の形成方法としては、特に限定されず、例えば、熱酸化法（ＬＯＣＯＳ法、ＳＴＩ法を含む）、スパッタリング法、ＣＶＤ法等を用いることができる。なお、絶縁膜２２は、必要に応じてパターニングしてもよく、例えば、半導体基板２１の上面またはその上方に半導体回路を形成する場合には、半導体基板２１の上面の一部が露出するように絶縁膜２２をパターニングする。
【００７２】
その後、図８（ｃ）に示すように、絶縁膜２２上に絶縁膜２３（シリコン窒化膜）を形成する。
【００７３】
絶縁膜２３（シリコン窒化膜）の形成方法としては、特に限定されず、例えば、スパッタリング法、ＣＶＤ法等を用いることができる。なお、絶縁膜２３は、必要に応じてパターニングしてもよく、例えば、半導体基板２１の上面またはその上方に半導体回路を形成する場合には、半導体基板２１の上面の一部が露出するように絶縁膜２３をパターニングする。
【００７４】
次に、図８（ｄ）に示すように、絶縁膜２３上に、導体層３および下部電極５１、５２を形成するための導体膜７１を形成する。
【００７５】
具体的には、例えば、絶縁膜２３上に、多結晶シリコンまたはアモルファスシリコンで構成されたシリコン膜をスパッタリング法、ＣＶＤ法等により形成した後に、そのシリコン膜にリン等の不純物をドープすることにより導体膜７１を形成する。なお、絶縁膜２３の構成によっては、エピタキシャル成長させたシリコン膜にリン等の不純物をドープすることによって導体膜７１を形成してもよい。
【００７６】
次に、導体膜７１をパターニングして、図８（ｅ）に示すように、導体層３および下部電極５１、５２を形成する。
【００７７】
具体的には、例えば、導体膜７１上にフォトレジストを塗布し、導体層３および下部電極５１、５２の形状（平面視形状）にパターニングして、フォトレジスト膜を形成する。そして、そのフォトレジスト膜をマスクとして用いて、導体膜７１をエッチングした後、フォトレジスト膜を除去する。これにより、導体層３および下部電極５１、５２が形成される。
【００７８】
なお、半導体基板２１の上面またはその上方に半導体回路を形成する場合には、例えば、下部電極５１、５２等のパターンニングと同時に導体膜７１をパターンニングして、半導体回路のＭＯＳトランジスタのゲート電極を形成する。
【００７９】
次に、図９（ｆ）に示すように、下部電極５２上にスペーサー５４を形成する。
スペーサー５４の形成は、前述した下部電極５１、５２および導体層３の形成と同様にして行うことができる。
【００８０】
次に、図９（ｇ）に示すように、下部電極５１、５２および導体層３を覆うとともに、スペーサー５４を露出させるようにして、犠牲層７２を形成する。
【００８１】
本実施形態では、犠牲層７２は、シリコン酸化膜であり、後述する工程において、一部が除去され、残部が層間絶縁膜６１の一部となる。
【００８２】
また、犠牲層７２の形成方法としては、特に限定されず、例えば、スパッタリング法またはＣＶＤ法等を用いることができる。また、犠牲層７２を形成する際には、必要に応じて、エッチバックまたはＣＭＰ（chemical mechanical polishing）等による平坦化を行う。なお、犠牲層７２は、下部電極５１、５２上およびその近傍の基板２上のみに形成し、導体層３上に形成しなくてもよい。この場合、後述する工程において犠牲層７２のほとんどすべてが除去されることとなる。
【００８３】
次に、図９（ｈ）に示すように、上部電極５３を形成する。
具体的には、例えば、スペーサー５４に接触するようにして犠牲層７２上に、スパッタリング法、ＣＶＤ法等により多結晶シリコンまたはアモルファスシリコンを堆積させてシリコン膜を形成した後に、そのシリコン膜にリン等の不純物をドープすることにより導体膜を形成し、その後、導体膜のパターニングを行う。なお、犠牲層７２の構成によっては、エピタキシャル成長させたシリコン膜にリン等の不純物をドープすることによって導体膜を形成してもよい。また、シリコン膜は、エッチバックまたはＣＭＰ（chemical mechanical plishing）等により平坦化してもよい。
【００８４】
導体膜のパターニングでは、例えば、導体膜上にフォトレジストを塗布し、上部電極５３の形状（平面視形状）にパターニングして、フォトレジスト膜を形成する。そして、そのフォトレジスト膜をマスクとして用いて、導体膜をエッチングした後、フォトレジスト膜を除去する。これにより、上部電極５３が形成される。
【００８５】
以上のようにして、下部電極５１、５２、上部電極５３およびスペーサー５４を有する振動素子５が形成される。
【００８６】
［キャビティ形成工程］
図９（ｉ）に示すように、犠牲層７２上に、犠牲層７３を形成する。
【００８７】
本実施形態では、犠牲層７３は、シリコン酸化膜であり、後述する工程において、一部が除去され、残部が層間絶縁膜６１の一部となる。
【００８８】
また、犠牲層７３の形成は、前述した犠牲層７２の形成と同様にして行うことができる。
【００８９】
次に、図９（ｊ）に示すように、配線層６２を形成する。
具体的には、例えば、犠牲層７２、７３からなる積層体をエッチングによりパターニングすることにより、配線層６２に対応した形状をなす貫通孔を形成した後、その貫通孔を埋めるように、積層体上に、アルミニウムからなる膜をスパッタリング法、ＣＶＤ法等により形成し、その膜をエッチングによりパターニング（不要部分を除去）することにより、配線層６２を形成する。
【００９０】
次に、図１０（ｋ）に示すように、犠牲層７３上および配線層６２上に、犠牲層７４、配線層６４および表面保護膜６５をこの順で形成する。
【００９１】
具体的には、犠牲層７３上および配線層６２上に、前述した犠牲層７２、７３の形成と同様にして、犠牲層７４を形成した後、配線層６２の形成と同様にして、配線層６４を形成する。配線層６４の形成後、スパッタリング法、ＣＶＤ法等によりシリコン酸化膜、シリコン窒化膜、ポリイミド膜、エポキシ樹脂等である表面保護膜６５を形成する。
【００９２】
なお、このような層間絶縁膜と配線層との積層構造は、通常のＣＭＯＳプロセスにより形成され、その積層数は、必要に応じて適宜に設定される。すなわち、必要に応じてさらに多くの配線層が層間絶縁膜を介して積層される場合もある。また、半導体基板２１の上面またはその上方に半導体回路を形成する場合には、例えば、配線層６２、６４の形成と同時に、半導体回路のＭＯＳトランジスタのゲート電極等に電気的に接続される配線層を形成する。
【００９３】
次に、図１０（ｌ）に示すように、犠牲層７２、７３、７４の一部を除去することにより、空洞部Ｓおよび層間絶縁膜６１、６３を形成する。
【００９４】
具体的には、被覆層６４１に形成された複数の細孔６４２を通じたエッチングにより、振動素子５の周囲、下部電極５１と振動部５３２との間、および、基板２と基部５３１との間にある犠牲層７２、７３、７４を除去する。これにより、振動素子５が収納される空洞部Ｓが形成されるとともに、下部電極５１と振動部５３２との間、および、基板２と基部５３１との間に空隙が形成され、振動素子５が駆動し得る状態となる。
【００９５】
ここで、犠牲層７２、７３、７４の除去（リリース工程）は、例えば、複数の細孔６４２からエッチング液としてのフッ酸、緩衝フッ酸等を供給するウェットエッチングや、複数の細孔６４２からエッチングガスとしてフッ化水素酸ガス等を供給するドライエッチングにより行うことができる。このとき、絶縁膜２３および配線層６２、６４は、リリース工程において実施されるエッチングに対する耐性を有しており、いわゆるエッチングストップ層として機能する。また、振動素子５を構成する各部も、シリコンで構成されているため、リリース工程に用いるエッチングに対する耐性を有する。なお、エッチングの前に、必要に応じて、エッチングの対象となる部分を含む構造体の外表面にフォトレジスト等で保護膜を形成してもよい。
【００９６】
次に、図１０（ｍ）に示すように、被覆層６４１上に、封止層６６を形成する。
具体的には、例えば、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、Ａｌ、Ｃｕ、Ｗ、Ｔｉ、ＴｉＮ等の金属膜等で構成された封止層６６をスパッタリング法、ＣＶＤ法等により形成し、各細孔６４２を封止する。
以上のような工程により、振動子１を製造することができる。
【００９７】
＜第２実施形態＞
次に、本発明の第２実施形態について説明する。
【００９８】
図１１（ａ）は、本発明の第２実施形態に係る振動子が備える振動素子の振動部および接続部を示す部分拡大平面図、図１１（ｂ）は、図１１（ａ）中のＡ−Ａ線断面図である。
【００９９】
以下、本発明の第２実施形態について説明するが、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項はその説明を省略する。
第２実施形態は、接続部の構成が異なる以外は、前述した第１実施形態と同様である。
【０１００】
本実施形態の振動子１Ａが備える振動素子５Ａは、図１１（ａ）に示すように、互いに隣り合う２つの振動部５３２間を接続している接続部５３３Ａを有する。この接続部５３３Ａは、図１１（ａ）および図１１（ｂ）に示すように、梁部５３３１と、凹部５３３３と、を有する。
【０１０１】
このような接続部５３３Ａを用いた振動子１Ａについて、前述した第１実施形態と同様、有限要素法による解析を行ったところ、図６（ａ）に示す振動素子（接続部なし）に比べて、格段にＱ値が向上し、また、図６（ｂ）に示す振動素子（接続部あり（孔なし））に比べて共振周波数が低くなることが確認されている。
【０１０２】
ここで、梁部５３３１と振動部５３２とが接続している部分の幅をａとし、振動部５３２の延出方向における凹部５３３３の幅をｂとしたとき、０．６≦ｂ／ａ≦１．６の関係を満たすことが好ましく、０．８≦ｂ／ａ≦１．４の関係を満たすことがより好ましく、０．８≦ｂ／ａ≦１．２の関係を満たすことがさらに好ましい。これにより、熱弾性損失の低減と振動部５３２の共振周波数の低減とのバランスを優れたものとすることができる。これに対し、ｂ／ａが小さすぎたり大きすぎたりすると、ａの大きさや梁部５３３１の厚さ等によっては、Ｑ値を十分に向上させることができなかったり、振動部５３２の共振周波数が高くなりすぎたりする場合がある。
【０１０３】
また、凹部５３３３の深さをｄとし、梁部５３３１の厚さをｔとしたとき、ｄ／ｔは、０．５以上であることが好ましく、０．８以上であることがより好ましい。これにより、振動部５３２の共振周波数を効率的に低減することができる。
【０１０４】
なお、本実施形態では、接続部５３３Ａの片面に凹部５３３３が形成されているが、接続部５３３Ａの両面にそれぞれ凹部５３３３を形成してもよい。この場合、上記深さｄは、２つの凹部５３３３の深さの合計である。
以上説明したような第２実施形態によっても、Ｑ値を向上させることができる。
【０１０５】
＜第３実施形態＞
次に、本発明の第３実施形態について説明する。
【０１０６】
図１２は、本発明の第３実施形態に係る振動子が備える振動素子を示す図であって、図１２（ａ）は断面図、図１２（ｂ）は平面図である。図１３は、図１２に示す振動素子の振動部、接続部および支持部を示す部分拡大平面図である。
【０１０７】
以下、本発明の第３実施形態について説明するが、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項はその説明を省略する。
第３実施形態は、支持部の構成が異なる以外は、前述した第１実施形態と同様である。
【０１０８】
本実施形態の振動子１Ｂが備える振動素子５Ｂは、図１２に示すように、接続部５３３に対応して設けられた４つの下部電極５２Ｂ、４つのスペーサー５４Ｂおよび４つの支持部５３４を有する。
【０１０９】
４つの下部電極５２Ｂは、平面視で、下部電極５１ａ、５１ｃ間に対応して配置された下部電極５２ａと、下部電極５１ｂ、５１ｄ間に対応して配置された下部電極５２ｂと、下部電極５１ｂ、５１ｃ間に対応して配置された下部電極５２ｃと、下部電極５１ａ、５１ｄ間に対応して配置された下部電極５２ｄと、で構成されている。
【０１１０】
また、４つのスペーサー５４Ｂは、前述した４つの下部電極５２Ｂに対応して設けられている。すなわち、４つのスペーサー５４Ｂは、下部電極５２ａに対応するスペーサー５４ａと、下部電極５２ｂに対応するスペーサー５４ｂと、下部電極５２ｃに対応するスペーサー５４ｃと、下部電極５２ｄに対応するスペーサー５４ｄと、で構成されている。
【０１１１】
また、４つの支持部５３４は、前述した４つの下部電極５２Ｂおよびスペーサー５４Ｂに対応して設けられている。すなわち、４つの支持部５３４は、下部電極５２ａおよびスペーサー５４ａに対応する支持部５３４ａと、下部電極５２ｂおよびスペーサー５４ｂに対応する支持部５３４ｂと、下部電極５２ｃおよびスペーサー５４ｃに対応する支持部５３４ｃと、下部電極５２ｄおよびスペーサー５４ｄに対応する支持部５３４ｄと、で構成されている。
【０１１２】
各支持部５３４は、図１３に示すように、下部電極５２Ｂに対してスペーサー５４Ｂを介して固定されている固定部５３４１と、固定部５３４１と接続部５３３とを接続している梁部５３４２と、を有する。なお、固定部５３４１および梁部５３４２の形状は、図示のものに限定されない。例えば、固定部５３４１の平面視形状は、四角形に限定されず、例えば、円形、楕円形、四角形以外の多角形等であってもよい。また、梁部５３４２の平面視形状は、一定幅で直線状に延びているものに限定されず、例えば、幅の異なる部分を有していてもよいし、分岐した部分、屈曲または湾曲した部分等を有していてもよい。
【０１１３】
このような複数の支持部５３４を用いて、基部５３１および振動部５３２を含む構造体（「振動体５３０」）を支持することにより、かかる振動体５３０を安定的に支持することができ、その結果、振動子１Ｂの振動特性を優れたものとすることができる。
【０１１４】
また、各支持部５３４が接続部５３３（より具体的には梁部５３３１）と繋がっていることにより、振動の節となる部位で振動部５３２（振動体５３０）を支持することができ、その結果、振動漏れによるＱ値の低下を低減することができる。特に、接続部５３３の梁部５３３１がバネ性を有するため、振動漏れを効果的に低減することができる。
【０１１５】
ここで、支持部５３４の梁部５３４２の幅ｗ１は、接続部５３３の梁部５３３１の支持部５３４側（基部５３１とは反対側）の側面の長さＬ１よりも小さい。これにより、梁部５３３１の弾性を好適に発揮させることができる。
以上説明したような第３実施形態によっても、Ｑ値を向上させることができる。
【０１１６】
２．電子機器
次いで、本発明の振動子を適用した電子機器（本発明の電子機器）について、図１４〜図１６に基づき、詳細に説明する。
【０１１７】
図１４は、本発明の電子機器の第１例であるモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピューターの構成を示す斜視図である。この図において、パーソナルコンピューター１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、表示部２０００を備えた表示ユニット１１０６とにより構成され、表示ユニット１１０６は、本体部１１０４に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。このようなパーソナルコンピューター１１００には、振動子１（発振器）が内蔵されている。
【０１１８】
図１５は、本発明の電子機器の第２例である携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。この図において、携帯電話機１２００は、複数の操作ボタン１２０２、受話口１２０４および送話口１２０６を備え、操作ボタン１２０２と受話口１２０４との間には、表示部２０００が配置されている。このような携帯電話機１２００には、振動子１（発振器）が内蔵されている。
【０１１９】
図１６は、本発明の電子機器の第３例であるディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。なお、この図には、外部機器との接続についても簡易的に示されている。ここで、通常のカメラは、被写体の光像により銀塩写真フィルムを感光するのに対し、ディジタルスチルカメラ１３００は、被写体の光像をＣＣＤ（Charge Coupled Device）などの撮像素子により光電変換して撮像信号（画像信号）を生成する。
【０１２０】
ディジタルスチルカメラ１３００におけるケース（ボディー）１３０２の背面には、表示部２０００が設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、表示部２０００は、被写体を電子画像として表示するファインダーとして機能する。また、ケース１３０２の正面側（図中裏面側）には、光学レンズ（撮像光学系）やＣＣＤなどを含む受光ユニット１３０４が設けられている。
【０１２１】
撮影者が表示部２０００に表示された被写体像を確認し、シャッタボタン１３０６を押下すると、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、メモリー１３０８に転送・格納される。また、このディジタルスチルカメラ１３００においては、ケース１３０２の側面に、ビデオ信号出力端子１３１２と、データ通信用の入出力端子１３１４とが設けられている。そして、図示されるように、ビデオ信号出力端子１３１２にはテレビモニター１４３０が、データ通信用の入出力端子１３１４にはパーソナルコンピューター１４４０が、それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所定の操作により、メモリー１３０８に格納された撮像信号が、テレビモニター１４３０や、パーソナルコンピューター１４４０に出力される構成になっている。このようなディジタルスチルカメラ１３００には、振動子１（発振器）が内蔵されている。
【０１２２】
なお、本発明の振動子を備える電子機器は、図１４のパーソナルコンピューター（モバイル型パーソナルコンピューター）、図１５の携帯電話機、図１６のディジタルスチルカメラの他にも、例えば、スマートフォン、タブレット端末、時計、インクジェット式吐出装置（例えばインクジェットプリンター）、ラップトップ型パーソナルコンピューター、テレビ、ビデオカメラ、ビデオテープレコーダー、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニター、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシミュレーター等に適用することができる。
【０１２３】
３．移動体
図１７は、本発明の移動体の一例である自動車の構成を示す斜視図である。
【０１２４】
この図において、自動車１５００（移動体）は、車体１５０１と、４つの車輪１５０２とを有しており、車体１５０１に設けられた図示しない動力源（エンジン）によって車輪１５０２を回転させるように構成されている。このような自動車１５００には、振動子１（発振器）が内蔵されている。
【０１２５】
なお、本発明の移動体は、自動車に限定されず、例えば、航空機、船舶、オートバイ等の各種移動体に適用可能である。
【０１２６】
以上、本発明の振動子、電子機器および移動体を図示の各実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものではなく、各部の構成は、同様の機能を有する任意の構成のものに置換することができる。また、他の任意の構成物が付加されていてもよい。
【符号の説明】
【０１２７】
１‥‥振動子
１Ａ‥‥振動子
１Ｂ‥‥振動子
２‥‥基板
３‥‥導体層
５‥‥振動素子
５Ａ‥‥振動素子
５Ｂ‥‥振動素子
６‥‥積層構造体
２１‥‥半導体基板
２２‥‥絶縁膜
２３‥‥絶縁膜
５１‥‥下部電極
５１ａ‥‥下部電極
５１ｂ‥‥下部電極
５１ｃ‥‥下部電極
５１ｄ‥‥下部電極
５２‥‥下部電極
５２Ｂ‥‥下部電極
５２ａ‥‥下部電極
５２ｂ‥‥下部電極
５２ｃ‥‥下部電極
５２ｄ‥‥下部電極
５３‥‥上部電極
５４‥‥スペーサー
５４Ｂ‥‥スペーサー
５４ａ‥‥スペーサー
５４ｂ‥‥スペーサー
５４ｃ‥‥スペーサー
５４ｄ‥‥スペーサー
６１‥‥層間絶縁膜
６２‥‥配線層
６３‥‥層間絶縁膜
６４‥‥配線層
６５‥‥表面保護膜
６６‥‥封止層
７１‥‥導体膜
７２‥‥犠牲層
７３‥‥犠牲層
７４‥‥犠牲層
５３０‥‥振動体
５３１‥‥基部
５３２‥‥振動部
５３２ａ‥‥振動部
５３２ｂ‥‥振動部
５３２ｃ‥‥振動部
５３２ｄ‥‥振動部
５３３‥‥接続部
５３３Ａ‥‥接続部
５３３ａ‥‥接続部
５３３ｂ‥‥接続部
５３３ｃ‥‥接続部
５３３ｄ‥‥接続部
５３４‥‥支持部
５３４ａ‥‥支持部
５３４ｂ‥‥支持部
５３４ｃ‥‥支持部
５３４ｄ‥‥支持部
６４１‥‥被覆層
６４２‥‥細孔
１１００‥‥パーソナルコンピューター
１１０２‥‥キーボード
１１０４‥‥本体部
１１０６‥‥表示ユニット
１２００‥‥携帯電話機
１２０２‥‥操作ボタン
１２０４‥‥受話口
１２０６‥‥送話口
１３００‥‥ディジタルスチルカメラ
１３０２‥‥ケース
１３０４‥‥受光ユニット
１３０６‥‥シャッタボタン
１３０８‥‥メモリー
１３１２‥‥ビデオ信号出力端子
１３１４‥‥入出力端子
１４３０‥‥テレビモニター
１４４０‥‥パーソナルコンピューター
１５００‥‥自動車
１５０１‥‥車体
１５０２‥‥車輪
２０００‥‥表示部
５３３１‥‥梁部
５３３２‥‥貫通孔
５３３３‥‥凹部
５３４１‥‥固定部
５３４２‥‥梁部
Ｓ‥‥空洞部
【図１】
2016174305.tif 000003
【図２】
2016174305.tif 000004
【図３】
2016174305.tif 000005
【図４】
2016174305.tif 000006
【図５】
2016174305.tif 000007
【図６】
2016174305.tif 000008
【図７】
2016174305.tif 000009
【図８】
2016174305.tif 000010
【図９】
2016174305.tif 000011
【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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