(57)【要約】      （修正有）【課題】陽極アセンブリ及び／またはＸ線アセンブリに関連する装置及び方法を提供する。【解決手段】Ｘ線アセンブリ３０を形成する方法は、第１の材料で形成され、第１の端部を含む、陽極基部を提供することを含む。陽極基部の被覆部分を形成するために、第１の材料と異なる第２の材料を陽極基部の第１の表面を覆って堆積させることを含む。被覆部分は、一部の後方散乱電子が被覆部分を越えて進行しないように構成される。【選択図】図１
2016111019.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の材料で形成され、第１の端部を含む、陽極基部を提供することと、
前記陽極基部の被覆部分を形成するために、前記第１の材料と異なる第２の材料を前記陽極基部の第１の表面を覆って堆積させることと、を含み、
前記被覆部分は、一部の後方散乱電子が前記被覆部分を越えて進行しないように構成される、Ｘ線アセンブリを形成する方法。
【請求項２】
前記陽極基部はさらに、第１の断面寸法を有する第１の部分と、前記第１の断面寸法よりも大きい第２の断面寸法を有する第２の部分との間にテーパーを備え、前記第１の端部は、前記第１の部分に位置付けられる、請求項１に記載の前記方法。
【請求項３】
前記陽極基部の前記被覆部分を形成する前に、前記陽極基部の前記第１の端部にＸ線放出面を画定するターゲットを連結することをさらに含み、前記ターゲットは、前記第２の材料を含む、請求項２に記載の前記方法。
【請求項４】
前記第２の材料を前記第１の表面を覆って堆積させることは、前記第２の材料を、前記ターゲットを覆って堆積させることを含み、前記方法はさらに、前記ターゲットの前記Ｘ線放出面を覆って位置付けられる前記堆積させた第２の材料の少なくとも一部分を除去することを含む、請求項３に記載の前記方法。
【請求項５】
前記第２の材料を前記第１の表面を覆って堆積させることは、前記陽極基部の前記第１の端部の上にＸ線放出面を画定するターゲットを形成するために、前記第２の材料を前記第１の端部の上に堆積させることを含む、請求項２に記載の前記方法。
【請求項６】
前記被覆部分は、第１の限度から第２の限度まで延在し、前記被覆部分は、前記陽極のターゲットから後方散乱した電子の大部分が前記被覆部分を越えて進行しないように構成される、請求項１に記載の前記方法。
【請求項７】
前記第１の限度は、前記第１の端部に画定される、請求項６に記載の前記方法。
【請求項８】
前記被覆部分は、第１の限度から第２の限度まで延在し、前記被覆部分は、跳ね返りが３回未満である前記陽極のターゲットから後方散乱した電子の大部分が前記被覆部分を越えて進行しないように構成される、請求項１に記載の前記方法。
【請求項９】
前記陽極基部の前記被覆部分は、前記第１の部分と、前記テーパーと、前記第２の部分とを含む、請求項２に記載の前記方法。
【請求項１０】
前記陽極基部の前記被覆部分は、前記第１の部分と、前記テーパーと、前記第２の部分と、前記第２の部分に近接する第２のテーパーとを含む、請求項２に記載の前記方法。
【請求項１１】
前記第２の材料を堆積させることは、貴金属を前記陽極基部の前記第１の表面に電気めっきすることを含む、請求項１に記載の前記方法。
【請求項１２】
前記第２の材料を堆積させることは、貴金属または耐火性金属を前記陽極基部の前記第１の表面に熱溶射すること、プラズマ溶射すること、高速酸素燃料溶射すること、または低温溶射することを含む、請求項１に記載の前記方法。
【請求項１３】
前記第２の材料を堆積させることは、貴金属または耐火性金属を前記陽極基部の前記第１の表面に化学蒸着すること、または物理蒸着することを含む、請求項１に記載の前記方法。
【請求項１４】
前記堆積させた第２の材料を熱間静水圧プレスすること、
前記堆積させた第２の材料を機械加工すること、
前記堆積させた第２の材料を表面処理すること、及び／または
前記堆積させた第２の材料の少なくとも一部分を除去すること、のうちの１つ以上をさらに含む、請求項１に記載の前記方法。
【請求項１５】
前記堆積させた第２の材料を、前記熱間静水圧プレスすること、前記機械加工すること、前記表面処理すること、及び／または前記除去すること、のうちの前記１つ以上は、前記陽極基部の前記第１の端部の上にＸ線放出面を画定するターゲットを形成する、請求項１４に記載の前記方法。
【請求項１６】
前記第１の材料は、銅を含み、前記第２の材料は、パラジウム、銀、ロジウム、クロミウム、チタン、タングステン、モリブデン、アルミニウム、ベリリウム、及び／またはダイヤモンドのうちの１つを含む、請求項１に記載の前記方法。
【請求項１７】
前記第１の材料及び前記第２の材料と異なる第３の材料を含むターゲットを前記第１の端部上に形成することをさらに含む、請求項１に記載の前記方法。
【請求項１８】
第１の材料で形成され、第１の断面寸法を有する第１の部分と、前記第１の断面寸法よりも大きい第２の断面寸法を有する第２の部分との間にテーパーを含む、陽極基部と、
前記体１の部分の前記陽極基部の第１の端部上に位置付けられる、Ｘ線放出面を画定するターゲットであって、前記第１の材料と異なる第２の材料を含む、ターゲットと、
前記陽極基部の被覆部分の上に位置付けられる堆積材料であって、前記第２の材料及び前記第１の端部からある被覆長さ延在する前記被覆部分を含む、堆積材料と、を含む、陽極アセンブリ。
【請求項１９】
前記堆積材料は、電気めっきした貴金属、溶射した貴金属、溶射した耐火性金属、化学蒸着した貴金属、化学蒸着した耐火性金属、物理蒸着した貴金属、及び／または物理蒸着した耐火性金属、のうちの１つ以上である、請求項１８に記載の前記陽極アセンブリ。
【請求項２０】
前記堆積材料は、Ｘ線放出面を画定する前記ターゲットを形成する、請求項１８に記載の前記陽極アセンブリ。
【請求項２１】
請求項１８に記載の前記陽極アセンブリと、
電子放出面を画定し、通電したときに電子を放出するように構成される電子エミッタを含む、陰極アセンブリと、
前記陽極アセンブリ及び前記陰極アセンブリの少なくとも一部分を取り囲む、真空エンベロープと、
前記Ｘ線アセンブリの端部に位置付けられるＸ線放出窓と、を備え、
前記Ｘ線放出面は、前記Ｘ線放出窓に向かって第１の方向に配向され、前記電子放出面は、前記Ｘ線放出窓に向かって、前記第１の方向に対して直角な第２の方向に配向される、Ｘ線アセンブリ。
【発明の詳細な説明】
【背景技術】
【０００１】
本開示は、全般的に、Ｘ線を発生させるアセンブリ及びＸ線アセンブリを形成する方法に関する。Ｘ線アセンブリは、試料の分析、Ｘ線撮像、殺菌、及び他の用途に使用され得る。Ｘ線アセンブリは、全般的に、電子のストリームを真空の中へ向ける陰極と、該電子を受容する陽極とを含み得る。電子が陽極上のターゲットと衝突すると、エネルギーの一部がＸ線として放出され得、また、エネルギーの一部が熱として放たれ得る。放出されたＸ線は、試料に向けられて、該試料に関する情報を判定し得る。
【０００２】
特許請求される主題は、任意の不利点を解決する実施形態、または上で説明されるような環境下でだけ動作する実施形態に限定されない。この背景技術は、説明される実施形態のいくつかが実践され得る１つの例示的な技術分野の一例を例示するためだけに提供される。
【発明の概要】
【０００３】
本開示は、全般的に、Ｘ線アセンブリ及びＸ線アセンブリを形成する方法に関する。
【０００４】
１つの例示的な実施形態において、陽極アセンブリは、陽極基部と、ターゲットと、堆積材料とを含み得る。陽極基部は、第１の材料で形成され得、また、第１の断面寸法を有する第１の部分と、第１の断面寸法よりも大きい第２の断面寸法を有する第２の部分との間にテーパーを含み得る。ターゲットは、第１の部分の陽極基部の第１の端部上に位置付けられる、Ｘ線放出面を画定し得る。ターゲットは、第１の材料と異なる第２の材料を含み得る。堆積材料は、陽極基部の被覆部分を覆って位置付けられ得る。堆積材料は、第２の材料を含み得、被覆部分は、第１の端部からある被覆長さで延在し得る。
【０００５】
いくつかの態様において、Ｘ線アセンブリを形成する方法は、第１の材料で形成され、第１の端部を含む、陽極基部を提供することを含み得る。本方法は、陽極基部の被覆部分を形成するために、第１の材料と異なる第２の材料を陽極基部の第１の表面を覆って堆積させることを含み得る。被覆部分は、一部の後方散乱電子が被覆部分を越えて進行しないように構成され得る。
【０００６】
この発明の概要は、発明を実施するための形態において下でさらに説明される概念の選択したものを簡略形態で紹介する。この発明の概要は、主な特徴、本質的な特徴、または特許請求される主題の範囲を示さない。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】Ｘ線アセンブリの一実施形態の図である。
【図２Ａ】図１のＸ線アセンブリの一部分の図である。
【図２Ｂ】図１のＸ線アセンブリの一部分の図である。
【図３】図１のＸ線アセンブリの一部分の図である。
【図４】Ｘ線アセンブリの一部分の図である。
【図５Ａ】種々のＸ線アセンブリの一部分の断面図である。
【図５Ｂ】種々のＸ線アセンブリの一部分の断面図である。
【図５Ｃ】種々のＸ線アセンブリの一部分の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、図面の参照を行うが、図中、同じ構造体には同じ参照記号が提供される。図面は、例示的な実施形態を限定するものではなく、図式的かつ概略的な表現であり、必ずしも一定の縮尺で描画されていない。
【０００９】
図面は、全般的に、真空エンベロープ内に収容される陰極アセンブリ及び陽極アセンブリを有するＸ線アセンブリを対象とする、例示的な実施形態の種々の特徴を描写する。Ｘ線アセンブリは、試料に関する情報を取得するために試料に向けられるＸ線を発生させ得る。
【００１０】
図１は、Ｘ線蛍光機器のためのＸ線アセンブリ３０の実施例を例示する。図２Ａは、図１のＸ線アセンブリ３０の一部分のより詳細な図を例示する。図１及び図２Ａを組み合わせて参照すると、Ｘ線アセンブリ３０がさらに詳細に説明される。Ｘ線アセンブリ３０は、Ｘ線源及び／またはＸ線管であり得る。Ｘ線アセンブリ３０は、第１の端部と第２の端部との間に延在する本体を含む。Ｘ線放出窓３２は、Ｘ線アセンブリ３０の第１の端部に位置付けられ得る。陰極アセンブリ３６及び陽極アセンブリ３８は、Ｘ線アセンブリ３０の真空エンベロープ３４内に収容され得る。陽極アセンブリ３８は、Ｘ線放出窓３２の近くに位置付けられ、Ｘ線放出窓３２から離間される、ターゲット８２（符号は、図２Ａに示されるが、明確にするため、図１では省略される）を含み得る。
【００１１】
陽極アセンブリ３８は、５０キロボルト（ｋＶ）及び／または適切な許容範囲内の電圧で動作するように構成され得る。他の構成において、陽極アセンブリ３８は、任意の他の適切な電圧レベルで動作するように構成することができる。真空エンベロープ３４は、高電圧絶縁体４０等の任意の適切な絶縁体によって部分的に包囲され得る。高電圧絶縁体４０は、Ｘ線アセンブリ３０の本体の一部分を形成するポッティング材料４２によって取り囲まれ得る。陽極リード線４４は、陽極アセンブリ３８に電気的に連結され得、２つのフィラメントリード線４５ａ及び４５ｂは、陰極アセンブリ３６に電気的に連結され得る。試料５２から放射線を受容するために、少なくとも１つのエネルギー検出器５４が、試料５２の近くに位置付けられ得る。
【００１２】
動作中に、電子は、陰極アセンブリ３６の電子放出面４６から放出され、陽極アセンブリ３８のＸ線放出面４８に向かって進行する。ターゲット８２のＸ線放出面４８と衝突する電子の一部は、Ｘ線を生成し得る。Ｘ線放出窓３２は、Ｘ線の一部がＸ線アセンブリ３０から試料５２に向かって進行することを可能にする。
【００１３】
電子がＸ線放出面４８と衝突するときに、放出放射線の特徴（例えば、波長、周波数、光子エネルギー、及び／または他の特徴）は、ターゲット８２の組成及び／または陽極アセンブリ３８の電圧に依存し得る。ターゲット８２は、放出放射線の所望の特性に応じて、様々な材料で形成され得る。いくつかの構成において、ターゲット８２は、少なくとも部分的には、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐｄ）、タングステン（Ｗ）、銀（Ａｇ）、クロミウム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、または他の適切な材料で形成され得る。追加的にまたは代替的に、いくつかの構成において、陽極アセンブリ３８の電圧は、５０キロボルト（ｋＶ）であり得る。
【００１４】
発生したＸ線の一部は、ターゲット８２のＸ線放出面４８からＸ線放出窓３２を通って進行し得、そして、試料５２に入射し得る。試料５２の特性及びＸ線の波長に応じて、試料５２に投射されたＸ線の一部は、試料５２を通過し、一部は、試料５２に吸収され、及び／または一部は、試料５２によって反射される。エネルギー検出器５４は、照射された試料５２から放出された（または蛍光の）エネルギーの一部を検出し得、試料５２に関する情報が取得され得る。
【００１５】
例えば、試料５２が、試料５２の原子の電離電圧よりも大きいエネルギーを有するＸ線等の放射線に曝露されたときに、原子は、イオン化され、そして、電子を射出し得る。いくつかの状況において、Ｘ線は、強固に保持された電子を原子の内殻軌道から追い出すのに十分なエネルギー性であり得る。これは、原子の電子構造を不安定にさせ得、原子のより高次の軌道にある電子は、より低次の軌道の中へ「落ちて」、残された正孔を埋める。落ちる際には、放射線の形態でエネルギーが放出され得、そのエネルギーは、関係する２つの軌道のエネルギー差に等しくなりうる。その結果、試料５２は、その原子のエネルギー特性を有する放射線を放出し得、放出放射線の一部は、エネルギー検出器５４によって受容され得る。
【００１６】
エネルギー検出器は、試料５２から放出された放射線を含む放射線を受容し得る。エネルギー検出器は、エネルギーレベル、波長、または他の特性等の、受容した放射線の特性を検出し得る。受容した放射線の特性は、試料５２の特性を決定するために使用され得る。例えば、いくつかの構成において、受容した放射線の特性は、試料５２の材料組成の態様を決定するために使用され得る。
【００１７】
破線によって示されるＸ線アセンブリ３０のノーズ５０は、試料５２の近くに位置付けられるＸ線アセンブリ３０の一部分であり得る。例示されるように、陰極アセンブリ３６の電子放出面４６及び／または陽極アセンブリ３８のＸ線放出面４８は、全般的に、Ｘ線放出窓３２に向かって配向され得る。そのような構成では、ノーズ５０の寸法が最小にされ得、それは、ノーズ５０が、試料５２から放射されているエネルギーに干渉するのを、または該エネルギーを遮断するのを防止し得る。そのような構成はまた、Ｘ線放出面４８を、ノーズ５０またはＸ線放出窓３２に接触することなく、試料５２の近くに位置付けることも可能にし得る。試料５２の近くにＸ線放出面４８を位置付けることは、より強い及び／またはより短い波長のＸ線を、試料５２の上へ投射することを可能にし得、ならびに／またはＸ線の消失及び／または散乱を減少させ得る。試料５２の近くにＸ線放出面４８を位置付けることは、結果として、より高い強度のＸ線を試料５２の上へ投射することになり得る。追加的にまたは代替的に、そのような構成は、エネルギー検出器５４を試料５２の近くに位置付けて、試料５２から放射されるエネルギーの受容を向上させることを可能にし得る。
【００１８】
例示されるように、Ｘ線アセンブリ軸５６は、Ｘ線アセンブリ３０及び陽極アセンブリ３８双方の中心を通って延在し得、これらは、同心である。他の構成において、Ｘ線アセンブリ３０及び陽極アセンブリ３８の本体は、同心でない場合があり、Ｘ線アセンブリ軸５６は、Ｘ線アセンブリ３０または陽極アセンブリ３８の一方だけの中心を通って延在し得る。
【００１９】
いくつかの構成において、例示されるように、エネルギー検出器５４は、Ｘ線アセンブリ軸５６に対して実質的に４５度（４５°）の角度で位置付けられ得る。試料５２が存在するときに、エネルギー検出器５４は、同様にＸ線アセンブリ軸５６に対して実質的に４５度（４５°）の角度である方向で、試料５２に向けられ得る。ノーズ５０は、Ｘ線アセンブリ軸５６に対してほぼ４５度（４５°）の角度をなす検出方向に干渉しないように構成され（例えば、成形され、及び／または寸法決定され）得る。
【００２０】
追加的にまたは代替的に、いくつかの構成において、例示されるように、陰極アセンブリ３６は、Ｘ線アセンブリ軸５６に対して実質的に４５度（４５°）の角度で位置付けられ得る。そのような構成において、例示されるように、陰極アセンブリ３６は、エネルギー検出器５４の角度の半径方向反対側に角度付けされ得る。他の構成において、陰極アセンブリ３６は、エネルギー検出器５４と同じ半径方向に角度付けされ得る。そのような構成において、陰極アセンブリ３６の方向は、エネルギー検出器５４の方向と実質的に平行であり得るが、ノーズ５０が試料５２からエネルギー検出器５４に進行する放射線に干渉しないようにノーズ５０を構成する（例えば、成形する及び／または寸法決定する）ことを可能にするために、２つの方向は、共線でない場合がある。上で説明される角度付き構成は、４５度（４５°）の角度を含むが、他の構成において、該角度は、変動し得、また、任意の適切な角度を含み得る。
【００２１】
いくつかの構成において、試料５２は、照射される真空チャンバ（図示せず）内に位置付けられ得る。そのような構成において、Ｏリング溝５８は、Ｘ線アセンブリ３０の本体を囲み得、Ｏリング溝５８は、真空チャンバに対するシールの提供に寄与する。他の構成において、Ｏリング溝５８は、省略され得、試料５２の周囲に真空チャンバを提供するために、他のシールまたは連結具が使用され得る。
【００２２】
陰極アセンブリ３６は、陰極フィラメント等の電子エミッタ６２と、集束スロット６４とを含み得る。例示されるように、いくつかの構成において、陰極アセンブリ３６は、集束スロット６４を含み得、電子エミッタ６２は、集束スロット６４の内部に部分的に位置付けられる。電子エミッタ６２は、タングステン等の任意の適切な材料で形成され得る。電気連結具７６は、電子エミッタ６２をフィラメントリード線４５ａ及び４５ｂに連結し得る。具体的には、電気連結具７６の第１のリード線は、フィラメントリード線４５ａに電気的に連結され得、電気連結具７６の第２のリード線は、フィラメントリード線４５ｂに電気的に連結され得る。第１のリード線及び第２のリード線は、陰極アセンブリ３６を通って延在し、また、電子エミッタ６２の両側で終端し得、電子エミッタ６２は、第１及び第２のリード線（図示せず）の間に位置付けられる。
【００２３】
動作中に、第１及び第２のリード線の間に電流が印加され、その結果、電子が、該リード線の間に位置付けられる電子エミッタ６２と衝突する。次いで、電子が陰極アセンブリ３６から射出され得、陽極アセンブリ３８に向かって進行し得る。
【００２４】
集束スロット６４は、電子エミッタ６２によって発生する電子ビームの幅を集束させるように構成され得る。例示されない構成において、電子エミッタ６２は、完全に集束スロット６４の内側に位置付けられ得る。他の構成において、電子エミッタ６２は、完全に集束スロット６４の外側に位置付けられ得る。そのような構成において、電子エミッタ６２は、集束スロット６４の近くに位置付けられ、該集束スロットと整合され得る。
【００２５】
電子エミッタ６２がフィラメントであるいくつかの構成において、電子エミッタ６２を集束スロット６４の外側に位置付けることは、調達を改善する等の利点を有し得、より小さい電圧レベルで電子エミッタ６２が適切なレベルの電子放出を供給することを可能にする。追加的にまたは代替的に、電子エミッタ６２を形成する材料の劣化及び／または蒸発がより少ないので、電子エミッタ６２は、より低い温度で動作し得、及び／またはより長い動作寿命を有し得る。別の利点は、陰極アセンブリ３６の中に電子エミッタ６２を配置することが、他の陰極アセンブリ設計よりもはるかに容易であり得ることである。さらに、電子エミッタ６２は、種々の異なるＸ線管の設計を利用するときであっても、はるかに正確に配置され得る。電子エミッタ６２を集束スロット６４の外側に位置付けることは、電子エミッタ６２を位置付けることを簡略化し得、電子エミッタ６２の正確な配置を促進し得、及び／またはＸ線アセンブリ３０の生産コストの削減を促進し得る。
【００２６】
Ｘ線アセンブリ３０は、低電力のＸ線蛍光用途に適切であり得る。いくつかの構成において、Ｘ線アセンブリ３０は、５０ワット以下で動作し得る。Ｘ線アセンブリ３０の低電力構成は、Ｘ線アセンブリ３０を、受動空気冷却、強制空気冷却、または伝導冷却等の、単純な冷却方法によって冷却することを可能にし得る。いくつかの構成において、ポッティング材料４２は、冷却を促進するために、熱伝導性であり得る。
【００２７】
例示されるように、ターゲット８２は、陽極アセンブリ３８の先端部に位置付けられ得る。ターゲット８２の構成（例えば、サイズ、形状、及び／または位置付け）は、様々な因子に影響され得る。例えば、ターゲット８２を形成する材料（ロジウム、パラジウム、タングステン、銀、クロミウム、チタン、モリブデン等）が高価であり得るので、ターゲット８２のサイズは、最小にされ得る。別の実施例において、ターゲット８２の構成は、陽極アセンブリ３８から放出されるスペクトル不純物を減少させるように選択され得る。さらに別の実施例において、ターゲット８２の形状及び位置付けは、ターゲット８２の陽極アセンブリ３８への取り付けを容易にするように選択され得る。
【００２８】
いくつかの構成において、ターゲット８２は、ろう付けによって陽極アセンブリ３８に連結され得る。ターゲット８２のろう付けは、ろう付けが、許容度のより厳密な制御を促進し得、材料の均一な加熱を促進し得、結合材料の熱変形を減少させ得、及び／または清浄な接合部の生成を促進し得るので、好都合であり得る。いくつかの状況において、ろう付けは、比較的高価な過程であり得る。例えば、ろう付けは、大量の材料を利用し得、その材料は、いくつかの状況において、高価であり得る。いくつかの状況において、ターゲット８２が銀で形成される場合、ろう付けは、ターゲット８２を陽極アセンブリ３８に連結するのに適切でない場合がある。
【００２９】
いくつかの構成において、ターゲット８２は、鋳造によって陽極アセンブリ３８に連結され得る。いくつかの構成において、ターゲット８２及び陽極アセンブリ３８は、ターゲット８２が陽極アセンブリ３８にねじ込まれ得るように、相補的にねじ切りされ得る。他の構成において、ターゲット８２は、任意の適切な固定構成によって陽極アセンブリ３８に機械的に連結され得る。いくつかの構成において、ターゲット８２を形成することは、ターゲット８２の表面を滑らかにするために、機械加工または研磨等の二次仕上げステップを含み得る。
【００３０】
図２Ｂ及び図３は、図１のＸ線アセンブリの一部分の図である。図２Ｂ及び図３を組み合わせて参照すると、Ｘ線アセンブリ３０の一部分の態様がさらに詳細に論じられる。明確にするため、Ｘ線アセンブリ３０の構成要素のいくつかの符号付けは、省略される。電子エミッタ６２は、種々の経路を進行し得る電子束を発生させ得る。陽極は、正に帯電しているので、負に帯電した電子は、陽極に引き付けられ得る。大部分の電子は、電子放出面４６からＸ線放出面４８に向かって進行し得る。
【００３１】
Ｘ線アセンブリ３０は、図２Ｂでさらに詳細に例示される集束電極６０を含み得る。集束電極６０は、電子放出面４６からＸ線放出面４８に進行する電子を集束させるように構成され得る。例えば、集束電極６０は、Ｘ線放出面４８に向かって電子を導く際に寄与する、電界を発生させ得る。例示されるように、集束電極６０は、Ｕ字形の構成を含み得る。集束電極６０は、陽極アセンブリ３８の少なくとも一部分の周囲に位置付けられ得る。具体的には、集束電極６０は、陽極アセンブリ３８のＸ線放出面４８の周囲に位置付けられ得る。Ｕ字形の構成は、端部６６で終端し得、該端部は、陰極アセンブリ３６の近くに位置付けられ得る。いくつかの構成において、端部６６は、陰極アセンブリ３６との物理的接点のちょうど手前に位置付けられ得る。そのような構成において、陰極アセンブリ３６及びＵ字形の集束電極６０は、集合的に円形構造を形成することができる。他の構成において、集束電極６０は、集束させるための任意の適切な形状及び／または寸法を含むことができる。電子集束電極６０によって発生される電気力は、ターゲット８２に向かって電子を導く際に寄与し得る。電子の一部は、ターゲット８２に衝突し得、また、吸収され得るか、跳ね返り得る。
【００３２】
図３は、電子エミッタ６２によって放出される電子のいくつかの例示的な進行経路を例示する。電子は、電子経路１０２ａで例示されるように、電子放出面４６からＸ線放出面４８に向かって進行し得る。電子は、Ｘ線放出面４８に衝突し得、及び／またはターゲット８２によって吸収され得、放射線１０２ｂの放出をもたらす。放出放射線１０２ｂの特性（例えば、波長、周波数、及び／またはエネルギー）は、ターゲット８２の材料、衝突電子のエネルギー、Ｘ線アセンブリ３０の電圧、及び／または他の態様に依存し得る。故に、ターゲット８２の材料は、放出放射線１０２ｂがＸ線放射線であるような材料であり得る。放出放射線１０２ｂは、Ｘ線放出窓３２に向かって、そして、Ｘ線放出窓３２を通って試料５２に向かって進行し得る。
【００３３】
ターゲット８２に衝突する電子の一部は、ターゲット８２によって吸収される代わりに、後方散乱され得る。電子後方散乱の可能性は、ターゲット８２の材料、衝突電子のエネルギー、Ｘ線アセンブリ３０の電圧、及び／または他の態様等の、様々な因子に依存し得る。いくつかの構成では、電子の約５０％が後方散乱し得る。いくつかの構成では、電子の３０％〜６０％が後方散乱し得る。後方散乱した電子は、電子経路１０２ｃで例示されるように、ターゲット８２に衝突した後に、Ｘ線放出面４８で跳ね返り得る。跳ね返る電子は、陽極アセンブリ３８の長さに沿って進行し得る。いくつかの構成において、陽極アセンブリ３８の正電荷及び／またはターゲット８２に向かって電子を導く電子集束電極６０によって発生する電気力は、跳ね返り電子を陽極アセンブリ３８の長さに沿って向ける際に寄与し得る。
【００３４】
電子通路１０２ｃの端部において、電子は、陽極アセンブリ３８の側部に衝突し得、また、吸収されて放射線の放射１０２ｄを生じさせ得るか、または電子経路１０２ｅによって示されるように再度跳ね返り得る。再度跳ね返った電子は、電子経路１０２ｅに沿って進行し得、そして、さらに陽極アセンブリ３８の長さに沿った陽極アセンブリ３８の側部、例えば電子経路１０２ｅの端部に衝突し得る。衝突電子は、吸収されて放射線の放射１０２ｆを生じさせ得るか、または電子経路１０２ｇによって示されるように再度跳ね返り得る。再度跳ね返った電子は、電子経路１０２ｇに沿って進行し得、そして、さらに陽極アセンブリ３８の長さに沿って陽極アセンブリ３８の側部、例えば電子経路１０２ｇの端部に衝突し得る。衝突電子は、吸収されて放射線の放射１０２ｈを生じさせ得るか、または電子経路１０２ｉによって示されるように再度跳ね返り得る。再度跳ね返った電子は、電子経路１０２ｉに沿って進行し得、そして、さらに陽極アセンブリ３８の長さに沿って陽極アセンブリ３８の側部、例えば電子経路１０２ｉの端部に衝突し得る。衝突電子は、吸収されて放射線の放射１０２ｊ生じさせ得るか、または再度跳ね返り得る（図示せず）。電子の一部は、電子経路１０２ｃ、１０２ｅ、１０２ｇ、及び１０２ｉによって例示されるよりも遠くに、陽極アセンブリ３８の長さに沿って跳ね返り続け得る。
【００３５】
陽極アセンブリ３８の長さに沿った任意の衝突地点において、電子は、吸収されるか、または跳ね返され得る。電子が跳ね返る可能性は、衝突する材料の特性、衝突電子のエネルギー、Ｘ線アセンブリ３０の電圧、及び／または他の態様等の、種々の因子に依存し得る。跳ね返り電子の量は、陽極アセンブリ３８の長さに沿って減少し得る。例えば、跳ね返り電子の量は、電子経路１０２ｃ、１０２ｅ、１０２ｇ、及び１０２ｉの間での各連続した跳ね返りとともに減少し得る。いくつかの構成では、陽極アセンブリ３８に衝突する電子のおよそ３０％が、衝撃時に陽極アセンブリ３８から跳ね返り得る。例示される電子経路及び放出放射線１０２ｃ〜１０２ｊは、陽極アセンブリ３８の片側に例示されているが、跳ね返り電子は、任意の側部上を陽極アセンブリ３８に沿って進行し得る。
【００３６】
跳ね返り電子が跳ね返らない場合、該電子は、代わりに、吸収され得、放射線の放出１０２ｄ、１０２ｆ、１０２ｈ、または１０２ｊ等の、放射線の放出をもたらす。放出放射線１０２ｄ、１０２ｆ、１０２ｈ、及び１０２ｊは、陽極アセンブリ３８の長さに沿ったある地点で例示されているが、跳ね返り電子は、陽極アセンブリ３８の長さに沿った他の地点で衝突し得、及び／または吸収され得、陽極アセンブリ３８の長さに沿った他の衝突地点で放出放射線をもたらす。跳ね返り電子からの放出放射線の特性（例えば、波長、周波数、及び／またはエネルギー）は、衝突する材料の特性、衝突電子のエネルギー、Ｘ線アセンブリ３０の電圧、及び／または他の態様に依存し得る。いくつかの構成において、陽極アセンブリ３８及びターゲット８２は、異なる材料で形成され得るか、または異なる材料を含み得る。
【００３７】
いくつかの構成において、陽極アセンブリ３８は、高熱伝導性を有する材料で形成されるか、または該材料を含む陽極基部７４を含み得る。いくつかの構成において、陽極基部７４は、銅を含み得るか、または完全に銅で形成され得る。いくつかの構成において、陽極基部７４は、ターゲット８２でない陽極アセンブリ３８の一部分を含み得る。銅を含む陽極アセンブリは、銅陽極アセンブリと称され得る。いくつかの構成において、ターゲット８２は、ロジウム、パラジウム、タングステン、銀、クロミウム、チタン、モリブデン、または他の適切な材料で形成され得る。
【００３８】
陽極基部７４がターゲット８２の材料と異なる曝露材料を含む構成では、放出放射線１０２ｄ、１０２ｆ、１０２ｈ、または１０２ｊが、ターゲット８２によって吸収される電子からの放出放射線１０２ｂと異なる特性を含み得るので、跳ね返り電子からの放出放射線１０２ｄ、１０２ｆ、１０２ｈ、または１０２ｊは、スペクトル不純物を生じさせ得る。スペクトル不純物は、エネルギー検出器５４による試料５２に関する情報の取得に望ましくない場合がある。例えば、スペクトル不純物は、エネルギー検出器５４によって検出される情報に干渉し得る。
【００３９】
追加的にまたは代替的に、跳ね返り電子からの放出放射線の特性（例えば、波長、周波数、及び／またはエネルギー）は、電子の跳ね返り数に依存し得る。例えば、１回跳ね返る電子からの放出放射線の特性は、２回、３回等跳ね返る電子からの放出放射線の特性と比べると、試料５２に関する情報の取得にとってより望ましくない場合がある。具体的には、１回跳ね返る電子からの放出放射線は、２回、３回等跳ね返る電子からの放出放射線と比べると、より多くの干渉及び／またはノイズをもたらし得る。
【００４０】
Ｘ線アセンブリ３０は、跳ね返り電子からの放出放射線が、Ｘ線放射窓３２を通って、試料５２に向かって及び／またはエネルギー検出器５４に向かって進行するのを減少させる、最小にする、または防止するように構成され得る。例えば、いくつかの構成において、Ｘ線アセンブリ３０は、跳ね返り電子からの放出放射線の一部がＸ線放出窓３２に向かって進行しないような形態係数（構成係数、形状係数（ｆｏｒｍ  ｆａｃｔｏｒ）、及び／または形状係数（ｓｈａｐｅ  ｆａｃｔｏｒ））を含み得る。
【００４１】
図３で例示されるように、陽極アセンブリ３８は、第１の部分８４と、第２の部分８６とを含み得、これらの部分の間には、テーパー８８を伴い、よって、第２の部分８６は、第１の部分８４の対応する寸法（例えば、幅、厚さ、高さ、直径、断面寸法、断面積等）よりも大きい、少なくとも１つの寸法（例えば、幅、厚さ、高さ、直径、断面寸法、断面積等）を含み得る。Ｘ線放出面４８は、第１の部分８４上の、陽極アセンブリ３８の第１の端部上に位置付けられ得る。ターゲット８２は、第１の端部上に位置付けられ得、及び／または陽極アセンブリ３８の先端部全体を覆い得、よって、電子の大部分が、陽極アセンブリ３８の他の部分ではなく、ターゲット８２に衝突する。
【００４２】
第１の部分８４の断面寸法は、Ｘ線放出面４８の面積と実質的に同じであり得る。陽極アセンブリ３８の熱放散を促進するために、第２の部分８６は、第１の部分８４の対応する寸法（例えば幅、厚さ、高さ、直径、断面寸法、断面積等）よりも大きい、少なくとも１つの寸法（例えば幅、厚さ、高さ、直径、断面寸法、断面積等）を含み得る。第２の部分８６の断面寸法は、第１の部分８４の断面寸法よりも大きくなり得る。第１の部分８４及び第２の部分８６の断面寸法は、陽極アセンブリ３８の放熱特性に寄与し得る。陽極アセンブリ３８は、伝導及び／または熱放出によって熱を放散し得る。いくつかの構成において、第１の部分８４は、円筒状であり得、テーパー８８は、円錐であり得、及び／または第２の部分８６は、円筒状であり得る。
【００４３】
第１の部分８４の両側部は、Ｘ線放出窓３２を横断し得、及び／または該Ｘ線放出窓に対して直角であり得る。これは、Ｘ線放出窓３２に向かう方向における跳ね返り電子の放出を減少させることに寄与し得る。テーパー８８は、ターゲット８２から離れて第１の部分８４の長さを位置付け得る。第１の部分８４の長さは、Ｘ線アセンブリ３０が動作しているときに、跳ね返り電子のごく一部分がテーパー８８に到達するか、または全く到達しない程度である。追加的にまたは代替的に、第２の部分８６は、跳ね返り電子が第２の部分に容易に到達しないように、ターゲット８２からある距離だけ離れて位置付けられ得る。
【００４４】
例示されない構成において、ターゲットは、陽極アセンブリ３８の長さよりもより長く、さらに下方に延在し得る。そのような構成において、跳ね返り電子は、陽極アセンブリ３８の他の材料ではなく、ターゲットに衝突し得、それによって、スペクトル不純物を減少させる。しかしながら、ターゲットの材料は、陽極アセンブリ３８の材料よりも熱伝導が不十分であり得るので、これは、熱放散を減少させ得る。熱放散が減少した場合、Ｘ線アセンブリ３０の動作条件及び／または信頼性が減少し得る。さらにまた、ターゲットの材料は、高価であり得、より大きいターゲットを伴う構成は、材料コストを増大させ得る。追加的にまたは代替的に、製造工程がより困難であるので、生産コストが増大し得る。
【００４５】
図４は、Ｘ線アセンブリの一部分の図である。図４を参照すると、陽極アセンブリ１３８がさらに詳細に説明される。陽極アセンブリ１３８は、陽極アセンブリ３８の態様に類似する態様を含み得、明確さ及び簡潔さのために、文脈によって示されるように、類似する構成要素は、類似する番号付けを含み得る。いくつかの構成において、陽極アセンブリ１３８は、Ｘ線アセンブリ３０または類似するＸ線アセンブリの中の陽極アセンブリ３８の変形例であり得る。いくつかの構成において、陽極アセンブリ１３８は、陽極アセンブリ１３８を通した熱放散を促進するために、Ｘ線アセンブリにおいて使用され得る。そのような構成は、Ｘ線アセンブリが、Ｘ線アセンブリ３０よりも高い電圧で、及び／または高い動作温度で動作することを可能にし得る。いくつかの構成において、Ｘ線アセンブリ１３０は、最高１００キロボルト（ｋＶ）の動作電圧を含み得る。
【００４６】
陽極アセンブリ１３８は、第１の部分１８４と、第２の部分１８６とを含み得、これらの部分の間には、テーパー１８８を伴い、よって、第２の部分１８６は、第１の部分１８４の対応する寸法（例えば、幅、厚さ、高さ、直径、断面寸法、断面積等）よりも大きい、少なくとも１つの寸法（例えば、幅、厚さ、高さ、直径、断面寸法、断面積等）を含み得る。第２のテーパー１９０は、第２の部分１８６と第３の部分１９２との間に位置付けられ得、よって、第３の部分１９２は、第２の部分１８６の対応する寸法（例えば、幅、厚さ、高さ、直径、断面寸法、断面積等）よりも大きい、少なくとも１つの寸法（例えば、幅、厚さ、高さ、直径、断面寸法、断面積等）を含む。ターゲット１８２は、陽極アセンブリ１３８の端部に位置付けられ得、また、Ｘ線放出面１４８を画定し得る。第１の部分１８４の第１の断面寸法は、Ｘ線放出面１４８の面積と実質的に同じであり得る。第２の部分１８６の第２の断面寸法は、第１の断面寸法より大きくなり得る。いくつかの構成において、第１の部分１８４は、円筒状であり得、第１のテーパー１８８は、円錐であり得、第２の部分１８６は、円筒状であり得、第２の部分１８６は、円筒状であり得、及び／または第２のテーパー１９０は、円錐であり得る。陽極アセンブリ１３８のいくつかの構成において、第１のテーパー１８８及び／または第２のテーパー１９０は、省略され得る。そのような構成において、第２の部分１８６の第２の断面寸法は、第１の部分１８４の第１の断面寸法、及び／またはＸ線放出面１４８の面積と同じであり得る。
【００４７】
例示される構成は、陽極アセンブリ１３８が、陽極アセンブリ３８よりも効果的に熱を放散することを可能にする。例えば、第１のテーパー１８８は、Ｘ線放出面１４８の近くに（またはＸ線放出面４８に対するテーパー８８の位置付けと比較して、より近くに）配置され得る。第１のテーパー１８８は、Ｘ線放出面１４８から第１の部分１８４の幅未満離れて位置し得る。いくつかの構成において、第１の部分１８４は、第１の部分８４と比較して、比較的短くなり得る。故に、第２の部分１８６は、Ｘ線放出面１４８の近くに、及び／またはＸ線放出面４８対する第２の部分８６よりも近くに位置付けられ得る。第２の部分１８６のより大きい第２の断面寸法は、Ｘ線放出面１４８のより近くに位置付けられたときに、ターゲット１８２からの比較的より高い比率の熱伝達を促進し得る。追加的にまたは代替的に、ターゲット１８２及び／またはＸ線放出面１４８からの熱放散を促進するために、第１の断面寸法及び／または第２の断面寸法は、陽極アセンブリ３８の対応する寸法よりも大きくなり得る。例示されないない構成において、第１のテーパー１８８は、Ｘ線放出面１４８において、陽極アセンブリ１３８の端部まで延在し得る。そのような構成において、陽極アセンブリ１３８は、第１の部分１８４に対応する部分を含まない場合がある。
【００４８】
上で説明される熱放散構成等の効果的な熱放散構成は、比較的より高い電圧及び／または電力能力でのＸ線アセンブリの動作を可能にし得る。ある特定の高い電圧及び／または電力レベルのＸ線アセンブリの動作は、他の構成において実現可能でない場合がある。より高い電圧及び／または電力レベルでのＸ線アセンブリの動作は、Ｘ線アセンブリによって生成されるＸ線の強度を高め得、それは、Ｘ線アセンブリのある特定の用途に好都合であり得、及び／または望ましくなり得る。
【００４９】
第１の部分１８４の両側部及び／または第２の部分１８６の両側部は、Ｘ線放出面１４８及び／または放出窓（図示せず）を横断し得、及び／またはそれらに対して直角であり得る。第１のテーパー１８８及び／または第２のテーパー１９０の両側部は、Ｘ線放出面１４８を横断し得るが、Ｘ線放出面１４８に対して直角でない場合がある。そのような構成において、第１のテーパー１８８及び／または第２のテーパー１９０の両側部は、Ｘ線放出面１４８の方向に向かってある角度をなし得る。
【００５０】
図３に関する説明に類似して、ターゲット１８２に衝突する一部の電子は、ターゲット１８２によって後方散乱及び／または吸収され得る。ターゲット１８２に衝突する電子の一部は、吸収され得、Ｘ線放射面１４８から放射線が放射され得、ターゲット１８２に衝突する電子の一部は、後方散乱され得、また、陽極アセンブリ１３８の長さに沿って跳ね返り得る。陽極アセンブリ１３８の長さに沿った衝突の任意の地点において、電子は、吸収されるか、または跳ね返され得る。しかしながら、電子が跳ね返る可能性は、陽極アセンブリ１３８の長さに沿ってさらに減少し、及び／または電子の１つの各連続した跳ね返りとともに減少する。跳ね返り電子が吸収された場合は、放射線の放出をもたらし得る。
【００５１】
跳ね返り電子からの放出放射線の特性（例えば、波長、周波数、及び／またはエネルギー）は、衝突する材料の特性、衝突電子のエネルギー、Ｘ線アセンブリ１３０の電圧、及び／または他の態様に依存し得る。跳ね返り電子は、それらがターゲット１８２から放出された放射線の特性と異なる特性を有する放射線の放出をもたらした場合に、スペクトル不純物をもたらし得る。例えば、スペクトル不純物は、跳ね返り電子がターゲット１８２の材料と異なる材料によって吸収されたときにもたらされ得る。スペクトル不純物は、エネルギー検出器（図４で例示せず）によって試料に関する情報を取得することに望ましくない場合がある。例えば、スペクトル不純物は、エネルギー検出器によって検出される情報に干渉し得る。
【００５２】
例えば図４で例示されるように、陽極アセンブリ１３８は、高熱伝導性を有する材料で形成された、または該材料を含む陽極基部１７４を含み得る。いくつかの構成において、陽極基部１７４は、銅を含み得るか、または完全に銅で形成され得る。いくつかの構成において、陽極基部１７４は、ターゲット１８２でない陽極アセンブリ１３８の一部分を含み得る。銅を含む陽極アセンブリは、銅陽極アセンブリと称され得る。
【００５３】
いくつかの構成において、陽極アセンブリ１３８及びターゲット１８２は、異なる材料で形成され得るか、または異なる材料を含み得る。ターゲット１８２は、ロジウム、パラジウム、タングステン、銀、クロミウム、チタン、モリブデン、または他の適切な材料を含み得るか、またはそれで形成され得る。いくつかの構成において、Ｘ線アセンブリ１３０は、跳ね返り電子からの放出放射線の一部がＸ線放出窓（図４で例示せず）に向かって進行し得るような形態係数（構成係数、形状係数（ｆｏｒｍ  ｆａｃｔｏｒ）、及び／または形状係数（ｓｈａｐｅ  ｆａｃｔｏｒ））を含み得る。
【００５４】
陽極アセンブリ１３８は、陽極アセンブリ１３８の一部分の第１の表面に、またはそれを覆って位置付けられ得る、被覆部分１８０を含み得る。「第１の表面」は、被覆部分１８０の下に位置付けられる任意の表面、または被覆部分１８０が覆って形成され得る任意の表面を指す。被覆部分１８０は、陽極アセンブリ１３８の一部分を取り囲み得る。被覆部分１８０は、跳ね返り（または、後方散乱）電子からのスペクトル不純物を減少させることに寄与し得る。いくつかの構成において、被覆部分１８０は、ターゲット１８２と同じまたは類似する材料で形成され得る（または有し得る）。そのような構成では、跳ね返り電子から放出される放射線が、ターゲット１８２から放出される放射線の特性と類似する、または同じ特性を含み得るので、スペクトル不純物が減少し得るか、または除去され得る。被覆部分１８０は、パラジウム、銀、ロジウム、クロミウム、チタン等の貴金属、または他の適切な貴金属で形成され得る（または有し得る）。被覆部分１８０は、タングステン、モリブデン等の耐火性金属、または他の適切な耐火性金属で形成され得る（または有し得る）。いくつかの構成において、被覆部分１８０は、タングステン、モリブデン、または他の適切な耐火材料を含む、耐火性金属被覆剤で形成され得る。ターゲット１８２で使用される１つまたは複数の材料は、陽極アセンブリ１３８のＸ線放出の特性、所望の電圧、及び／または電力設定、ならびに類似のものに基づいて選択され得る。
【００５５】
いくつかの構成において、被覆部分１８０は、他の適切な材料で形成され得る（または有し得る）。具体的には、被覆部分１８０は、スペクトル不純物を最小にする、及び／またはスペクトル不純物を生じさせない材料で形成され得る（または有し得る）。例えば、いくつかの状況において、被覆部分１８０は、アルミニウム（Ａｌ）、ベリリウム（Ｂｅ）、ダイヤモンド、及び／または他の適切な材料で形成され得る（または有し得る）。そのような構成において、被覆部分１８０及びターゲット１８２は、異なる材料で形成され得、及び／または異なる材料を含み得る。
【００５６】
したがって、跳ね返り電子からの放射線は、Ｘ線放出窓を通って、試料に向かって、及び／またはエネルギー検出器（図４で例示せず）に向かって進行し得るが、そのような放射線は、スペクトル不純物を生じさせ得ない。故に、被覆部分１８０に類似する被覆部分は、これまで望ましくなかった、及び／または実現不可能であったかもしれない陽極アセンブリの構成（例えば、形状、寸法、サイズ、及び／または位置付け）を可能にし得る。追加的にまたは代替的に、被覆部分１８０に類似する被覆部分は、陽極アセンブリの既存の構成に対するスペクトル不純物を減少させるかまたは除去し得る。
【００５７】
いくつかの構成において、被覆部分１８０は、陽極アセンブリ１３８の１つ以上の部分の周囲全体を囲んで延在し得る。いくつかの構成において、被覆部分１８０は、陽極アセンブリ１３８の１つ以上の部分を完全に覆い得、及び／または取り囲み得る。例示されるように、被覆部分１８０は、第１の部分１８４と、第１のテーパー１８８と、第２の部分１８６と、第２のテーパー１９０とを含み得る。そのような構成において、被覆部分１８０は、第１の部分１８４、第１のテーパー１８８、第２の部分１８６、及び／または第２のテーパー１９０の表面に、またはその中に形成され得る。
【００５８】
随意に、他の構成において、被覆部分１８０は、第２のテーパー１９０、第２の部分１８６、または陽極アセンブリ１３８の他の部分を含まない場合がある。他の構成において、被覆部分１８０は、第３の部分１９２または他の部分等の陽極アセンブリ１３８の他の部分を含み得る。いくつかの構成において、被覆部分１８０は、ターゲット１８２に隣接する陽極アセンブリ１３８の一部分を含み得、また、陽極アセンブリ１３８の全長の一部分に延在し得る。いくつかの構成において、第２のテーパー１９０は、Ｘ線アセンブリ１３０が動作しているときに、跳ね返り電子のごく一部分が第２のテーパー１９０に到達するか、または全く到達しないように、ターゲット１８２からある長さに位置付けられ得る。そのような構成では、第２のテーパー１９０にぶつかる電子によって生じる任意のスペクトル不純物を無視でき、及び／または管理可能であり、第２のテーパー１９０は、被覆部分１８０において必要でなくなり得る。
【００５９】
被覆部分１８０は、第１の限度１９６と第２の限度１９８との間で被覆長さ１９４だけ延在し得る。第１の限度１９６は、例えばＸ線放出面１４８において、陽極アセンブリ１３８の端部によって画定され得る。あるいは、第１の限度１９６は、ターゲット１８２と陽極アセンブリ１３８との間の境界線によって画定され得る。他の構成において、第１の限度１９６は、他の位置に画定され得る。第２の限度１９８は、第１の限度１９６からの被覆長さ１９４の距離で、被覆部分１８０の端部によって画定され得る。例示されるように、第２の限度１９８は、第２のテーパー１９０と第３の部分１９２との間に位置付けられる。他の構成において、第２の限度１９８は、他の位置に画定され得る。例えば、被覆部分１８０が異なる被覆長さ１９４を含む場合、第２の限度１９８は、陽極アセンブリ１３８の長さに沿って他の位置に位置付けられ得る。被覆部分１８０が、第１の部分１８４、を含むかどうかにかかわらず第１のテーパー１８８、第２の部分１８６、第２のテーパー１９０、及び／または第３の部分１９２、または他の部分は、被覆長さ１９４に依存し得る。被覆長さ１９４に応じて、被覆部分１８０は、第１の部分１８４の一部、第１のテーパー１８８、第２の部分１８６、第２のテーパー１９０、または第３の部分１９２だけを覆い得、及び／または取り囲み得る。
【００６０】
いくつかの構成において、被覆長さ１９４、及び／または第２の限度１９８の位置付けは、跳ね返り電子の挙動に基づいて選択され得る。例えば、被覆長さ１９４、及び／または第２の限度１９８の位置付けは、跳ね返り電子が被覆長さ１９４よりも遠くに進行する可能性が低くなる（または進行できない）ように選択され得る。別の例において、被覆長さ１９４、及び／または第２の限度１９８の位置付けは、跳ね返り電子が、それらの第１の跳ね返り、第２の跳ね返り、第３の跳ね返り、第４の跳ね返り（または適切な跳ね返り回数等）で、被覆長さ１９４よりも遠くに進行する可能性が低くなる（または進行できない）ように選択され得る。さらに別の実施例において、被覆長さ１９４、及び／または第２の限度１９８の位置付けは、後方散乱電子の大部分が被覆部分１８０を越えて進行しないように選択され得る。別の実施例において、被覆長さ１９４、及び／または第２の限度１９８の位置付けは、２回未満、３回未満、４回未満（または適切な跳ね返り回数等）跳ね返る後方散乱電子の大部分が、被覆部分を越えて進行しないようになされ得る。
【００６１】
被覆長さ１９４、及び／または第２の限度１９８の位置付けは、Ｘ線アセンブリ１３０の構成（例えば、動作特性、幾何学形状、位置付け、電圧、電力容量、出力放射特性、材料等）、及び／または陽極アセンブリ１３８の構成（例えば、幾何学形状、位置付け、電圧、電力容量、材料等）に依存し得る。被覆長さ１９４、及び／または第２の限度１９８の位置付けは、経験的証拠、モデリング、シミュレーション、及び／または計算に基づいて選択され得る。
【００６２】
いくつかの構成において、被覆部分１８０を形成することは、被覆部分１８０を形成する材料の堆積を回避するために、陽極アセンブリ１３８の部分をマスキングすることを含み得る。例えば、図４を参照すると、第１の部分１８４、第１のテーパー１８８、第２の部分１８６、及び第２のテーパー１９０以外の陽極アセンブリ１３８の一部分は、堆積の前にマスキングされ得る。他の構成では、ある程度の陽極アセンブリ１３８がマスキングされ得る。さらに、ターゲット１８２は、所望の構成に応じて、マスキングされる場合もあれば、されない場合もある。
【００６３】
いくつかの構成において、被覆部分１８０は、陽極アセンブリ１３８の上へ材料を電気めっきすることによって形成され得る。いくつかの構成において、電気めっきした材料は、貴金属（例えば、パラジウム、銀、ロジウム、クロミウム、チタン等）または他の適切な材料を含み得る（またはそれで完全に形成され得る）。
【００６４】
いくつかの構成において、被覆部分１８０は、熱溶射技術（例えば、溶射堆積、溶射鋳造、プラズマ溶射、及び／または他の適当な技法）によって形成され得る。溶射形成は、材料の液滴を陽極アセンブリ１３８の上へ堆積させて被覆部分１８０を形成するために、材料を溶融させること、及び／または溶融材料を溶射することを含み得る。溶射形成は、溶融材料を液滴に分解するために、及び／または陽極アセンブリ１３８の上への液滴を加速するために、ガスジェットを使用することを含み得る。溶射形成は、液滴が半固体状態で陽極アセンブリ１３８にぶつかるように過程配列することを含み得る。溶射形成は、材料が陽極アセンブリ１３８上に蓄積されて、被覆部分１８０を形成するまで、堆積を継続することを含み得る。いくつかの構成において、溶射及び／または堆積材料は、貴金属（例えば、パラジウム、銀、ロジウム、クロミウム、チタン等）、耐火性金属（例えば、タングステン、モリブデン等）、または他の適切な材料を含み得る（またはそれで完全に形成され得る）。
【００６５】
いくつかの構成において、被覆部分１８０は、プラズマ溶射によって形成され得る。プラズマ溶射としては、空気プラズマ溶射、真空プラズマ溶射、または他の適切なプラズマ溶射の構成が挙げられ得る。プラズマ溶射は、高温プラズマジェットを発生させることを含み得る。高温プラズマジェットを発生させることは、材料をアーク放電することを含み得る。この材料は、耐火材料を溶射するために十分高い温度で放電され得る。堆積させる材料または原料は、構成に応じて、粉体、液体、懸濁剤、ワイヤ、または他の適切な原料形態であり得る。プラズマ溶射は、プラズマトーチのプラズマジェットの中へ原料を導入することを含み得る。プラズマジェットは、材料を溶融させ得、及び／または陽極アセンブリ１３８に向かって材料を推進し得る。溶融液滴は、陽極アセンブリ１３８に当たり得、堆積し得、及び／または固化して、被覆部分１８０を形成し得る。いくつかの状況において、プラズマ溶射は、陽極アセンブリ１３８に付着する被覆部分１８０をもたらし得る。様々なパラメータが、陽極アセンブリ１３８を形成する堆積物の特性に影響を及ぼし得る。例えば、原料のタイプ、プラズマガスの組成及び流量、エネルギー入力、トーチのオフセット距離、基板の冷却、及び／または他のパラメータが、プラズマ溶射の過程及び堆積物の特性に影響を及ぼし得る。いくつかの構成において、原料材料及び／または堆積材料は、貴金属（例えば、パラジウム、銀、ロジウム、クロミウム、チタン等）、耐火性金属（例えば、タングステン、モリブデン等）、または他の適切な材料を含み得る（またはそれで完全に形成され得る）。
【００６６】
プラズマ溶射は、被覆部分１８０が堆積された後にその表面を改良するために、真空プラズマ溶射を含み得る。例えば、プラズマ溶射は、耐熱性、表面電気伝導度、潤滑度、摩擦挙動、誘電率等の表面特性を改良し得、または材料を親水性もしくは疎水性にすることができる。プラズマ溶射はまた、エッチングによっても表面を改良し得る。
【００６７】
いくつかの構成において、被覆部分１８０は、化学蒸着（ＣＶＤ）によって形成され得る。ＣＶＤは、陽極アセンブリ１３８を前駆体ガスに曝露することを含み得る。前駆体ガスは、導電性または半導電性材料を陽極アセンブリ１３８上に形成するために堆積させる要素を含み得る。前駆体ガスは、陽極アセンブリ１３８の表面で反応して、及び／または分解して堆積物を生成し得る、揮発性の前駆体であり得る。前駆体ガスは、搬送ガス中に希釈され得る。ＣＶＤは、陽極アセンブリ１３８を加熱すること、及び／または陽極アセンブリ１３８の温度を制御することを含み得る。ＣＶＤは、陽極アセンブリ１３８を反応チャンバ内に部分的または全体的に位置付けることを含み得る。ＣＶＤは、ある特定の温度及び／または圧力で、前駆体ガスを反応チャンバの中へ送達することを含み得る。前駆体ガスが陽極アセンブリ１３８を通り過ぎるか、または該陽極アセンブリと接触すると、それらは、反応するか、または分解して、固相堆積物を陽極アセンブリ１３８の上へ形成し、被覆部分１８０を形成する。ＣＶＤは、乾燥、硬化、焼成、及び／または他の適切な処理ステップを含み得る。いくつかの構成において、前駆体ガス及び／または固相堆積物材は、貴金属（例えば、パラジウム、銀、ロジウム、クロミウム、チタン等）、耐火性金属（例えば、タングステン、モリブデン等）、または他の適切な材料を含み得る（またはそれで完全に形成され得る）。
【００６８】
いくつかの構成において、被覆部分１８０は、プラズマ強化ＣＶＤ（ＰＥＣＶＤ）過程によって形成され得る。そのような過程は、プラズマを利用して前駆体の化学反応過程を変更することによってＣＶＤ過程を強化し得る。いくつかの状況において、ＰＥＣＶＤ処理は、より低い温度での堆積を可能にし得る。
【００６９】
いくつかの構成において、被覆部分１８０は、物理蒸着法（ＰＶＤ）によって形成さ得る。ＰＶＤは、被覆部分１８０の堆積物を形成するために、陽極アセンブリ１３８を気化前駆体に曝露することを含み得る。いくつかの構成において、ＰＶＤは、被覆部分１８０を陽極アセンブリ１３８上に形成するために、化学反応ではなく、物理過程を用い得る。ＰＶＤは、陽極アセンブリ１３８のプラズマスパッタ衝撃を含み得る。いくつかの構成において、気化前駆体及び／または堆積物材料は、貴金属（例えば、パラジウム、銀、ロジウム、クロミウム、チタン等）、耐火性金属（例えば、タングステン、モリブデン等）、または他の適切な材料を含み得る（またはそれで完全に形成され得る）。
【００７０】
いくつかの構成において、被覆部分１８０は、材料を陽極アセンブリ１３８の上へスパッタリングすること、及び／またはスパッタ堆積することによって形成され得る。スパッタ堆積は、堆積物材料を陽極アセンブリ１３８の上へ射出することを含み得る。いくつかの構成において、気化前駆体及び／または堆積物材料は、貴金属（例えば、パラジウム、銀、ロジウム、クロミウム、チタン等）、耐火性金属（例えば、タングステン、モリブデン等）、または他の適切な材料を含み得る（またはそれで完全に形成され得る）。
【００７１】
いくつかの構成において、被覆部分１８０は、高速酸素燃料溶射（ＨＶＯＦ）によって形成され得る。ＨＶＯＦは、ガスまたは液体燃料と酸素との混合物を燃焼チャンバの中へ送給して点火し、燃焼させることを含み得る。燃料は、ガス（水素、メタン、プロパン、プロピレン、アセチレン、天然ガス等）または液体（灯油等）であり得る。燃焼は、ジェットストリームを発生させるために、ノズル及び／またはバレルを通して高圧、高速、及び／または高流量で高温ガスを推進し得る。ＨＶＯＦは、ガスストリームの中へ原料を注入し、原料を加速することを含み得る。いくつかの構成において、原料は、粉体であり得る。ＨＶＯＦは、高温ガス及び原料のストリームを陽極アセンブリ１３８の表面の方に向けることを含み得る。原料は、ストリームの中で部分的に溶融し得、そして、被覆部分１８０を形成する陽極アセンブリ１３８の表面に堆積され得る。いくつかの状況において、ＨＶＯＦは、低多孔性及び／または高結合強度で被覆する被覆部分１８０をもたらし得る。いくつかの構成において、原料及び／または堆積材料は、貴金属（例えば、パラジウム、銀、ロジウム、クロミウム、チタン等）、耐火性金属（例えば、タングステン、モリブデン等）、または他の適切な材料を含み得る（またはそれで完全に形成され得る）。
【００７２】
いくつかの構成において、被覆部分１８０は、低温溶射及び／またはガスダイナミック低温溶射によって形成され得る。低温溶射は、ノズルを通して陽極アセンブリ１３８に向かって押し出されるキャリアガスによって、固体粒子を超高速に加速することを含み得る。衝突に応じて、十分な運動エネルギーを有する個体粒子の一部は、塑性的に変形し得、また、陽極アセンブリ１３８に機械的に結合して被覆部分１８０を結合し得る。
【００７３】
いくつかの構成において、被覆部分１８０を形成することは、被覆部分１８０を熱間静水圧プレス（ＨＩＰ）することを含み得る。熱間静水圧プレスは、被覆部分１８０の多孔性を減少させ得、被覆部分１８０の密度を高め得、及び／または被覆部分１８０の表面の不連続性を減少させ得る（または排除し得る）。熱間静水圧プレスは、高温環境を被覆部分１８０に受けさせること、及び／または被覆部分１８０を加熱することを含み得る。熱間静水圧プレスは、被覆部分１８０の表面を圧縮するために、高圧環境を被覆部分１８０に受けさせること含み得る。
【００７４】
いくつかの構成において、被覆部分１８０を形成することは、堆積の前に、被覆部分１８０以外の陽極アセンブリ１３８の一部分をマスキングすることを含み得る。被覆部分１８０以外の陽極アセンブリ１３８のマスキング部分は、そのような部分を覆う材料の堆積を防止し得るか、または減少させ得る。
【００７５】
いくつかの構成において、ターゲット１８２を形成することは、その表面を滑らかにする、不連続性を排除する、及び／または多孔性を減少させるために、ターゲット１８２を処理することを含み得る。例えば、ターゲット１８２を形成することは、ターゲット１８２の表面を機械加工することを含み得る。ターゲット１８２を形成することは、ターゲット１８２を熱間静水圧プレスすることを含み得る。熱間静水圧プレスは、ターゲット１８２の多孔性を減少させ得、及び／またはターゲット１８２の密度を高め得る。熱間静水圧プレスは、高温環境をターゲット１８２に受けさせること、及び／またはターゲット１８２を加熱することを含み得る。熱間静水圧プレスは、ターゲット１８２の表面を圧縮するために、高圧環境をターゲット１８２に受けさせることを含み得る。熱間静水圧プレスはまた、同じ過程中に、被覆部分１８０の多孔性も減少させ得、及び／または密度も高め得る。いくつかの構成において、堆積の前にターゲット１８２をマスキングすることは、ターゲット１８２を覆う材料の堆積を防止し得るか、または減少させ得る。他の構成において、堆積材料は、機械加工、研削、及び／または研磨等の任意の適切な過程によって取り除かれ得る。
【００７６】
いくつかの状況において、被覆部分１８０の形成は、第２の限度１９８に位置付けられる被覆部分１８０の縁部をもたらし得る。そのような縁部は、陽極アセンブリ１３８の表面に不連続性を生じさせ得る。陽極アセンブリ１３８の表面の表面不連続性は、陽極アセンブリ１３８の高い電界、高電圧ストレス点、応力集中部、及び／または安定性の低下をもたらし得る。故に、いくつかの構成において、被覆長さ１９４、及び／または第２の限度１９８の位置付けは、被覆部分１８０の縁部が負の電気的効果を生じさせないように選択され得る。例えば、被覆長さ１９４、及び／または第２の限度１９８の位置付けは、被覆部分１８０の縁部が第１の限度１９６から十分な距離だけ離れ、よって、負の電気的効果が減少するか、または除去されるように選択される。いくつかの構成において、陽極アセンブリ１３８の表面は、被覆部分１８０の縁部及び／または陽極アセンブリ１３８の他の部分の不連続性を減少させるために、及び／または除去するために処理（例えば、機械加工、研磨等）され得る。被覆長さ１９４が十分に長い構成において、不連続性を除去するための処理は、必要でないか、または望ましくない場合がある。
【００７７】
図５Ａ〜５Ｃは、種々のＸ線アセンブリの一部分の断面図である。図５Ａ〜５Ｃを参照すると、陽極アセンブリ１３８ａ、１３８ｂ、及び１３８ｃがさらに詳細に説明される。陽極アセンブリ１３８ａ〜ｃはそれぞれ、基部材料（または「第１の材料」）で形成される、対応する陽極基部１７４ａ〜ｃを含み得る。いくつかの構成において、陽極基部１７４ａ〜ｃは、高い熱伝導率を有する材料、例えば銅または金で形成され得るか、または該材料を含み得る。陽極アセンブリ１３８ａ〜ｃはまた、被覆部分１８０に対応する被覆部分１８０ａ〜ｃも含み得る。被覆部分１８０ａ〜ｃは、被覆部分１８０に関して説明される任意の適切な態様を含み得、及び／または被覆部分１８０に関して説明される任意の適切な方法によって形成され得る。
【００７８】
図５Ａで例示されるように、いくつかの構成において、陽極アセンブリ１３８ａは、陽極基部１７４ａに連結されるターゲット１８２ａを含み得、被覆部分１８０ａは、ターゲット１８２ａ、及び陽極基部１７４ａの少なくとも一部分を覆って位置付けられ得る。いくつかの構成において、ターゲット１８２ａは、被覆部分１８０ａが形成される前に、陽極アセンブリ１３８ａに連結され得る。被覆部分１８０ａを形成するために使用される過程に応じて、材料は、被覆部分１８０ａを形成する際に、ターゲット１８２ａを覆って堆積され得る。
【００７９】
図５Ｃで例示されるように、いくつかの構成において、陽極アセンブリ１３８ｃは、陽極基部１７４ｃに連結されるターゲット１８２ｃを含み得、被覆部分１８０ｃは、陽極基部１７４ｃの少なくとも一部分を覆うが、ターゲット１８２ｃの正面を覆わずに位置付けられ得る。そのような構成において、ターゲット１８２ｃは、被覆部分１８０ｃが形成される前に、陽極基部１７４ｃに連結され得る。ターゲット１８２ｃは、被覆部分１８０ｃを形成して、ターゲット１８２ｃの正面を覆う材料の堆積を防止するか、または減少させるために、材料の堆積の前にマスキングされ得る。あるいは、材料は、例えば図５Ａで例示されるように、ターゲット１８２ｃを覆って堆積され得、ターゲット１８２ｃの正面を覆って堆積される材料は、機械加工、研削、及び／または研磨等の任意の適切な過程によって除去され得る。
【００８０】
いくつかの構成では、ターゲット１８２ｃの正面を覆う堆積材料の除去が必要でない場合がある。例えば、図５Ａを参照すると、ターゲット１８２ａ及び被覆部分１８０ａが同じ材料で形成されていれば、ターゲット１８２ａの正面を覆う堆積材料の除去が必要でない場合がある。それでも、いくつかの構成において、ターゲット１８２ａを覆う堆積材料の表面は、機械加工及び／または研磨等の任意の適切な仕上げ過程によって仕上げられ得る。仕上げ過程は、ターゲット１８２ａの表面を滑らかにし得、不連続性を除去し得、多孔性を減少させ得、密度を高め得、及び／または材料を圧縮し得る。
【００８１】
いくつかの構成において、ターゲット１８２ａを形成することは、その表面を滑らかにする、不連続性を排除する、及び／または多孔性を減少させるために、被覆部分１８０ａの少なくとも一部分を処理することを含み得る。例えば、ターゲット１８２ａを形成することは、ターゲット１８２ａに対応する被覆部分１８０ａの表面を機械加工することを含み得る。ターゲット１８２ａを形成することは、ターゲット１８２ａに対応する被覆部分１８０ａの少なくとも一部分を熱間静水圧プレスすること含み得る。被覆部分１８０ａを形成することは、被覆部分１８０ａ全体を熱間静水圧プレスすること含み得る。熱間静水圧プレスは、被覆部分１８０ａの多孔性を減少させ得、及び／または被覆部分１８０ａの密度を高め得る。熱間静水圧プレスは、高温環境を被覆部分１８０ａに受けさせること、及び／または被覆部分１８０ａを加熱することを含み得る。熱間静水圧プレスは、被覆部分１８０ａの表面を圧縮するために、高圧環境を被覆部分１８０ａに受けさせることを含み得る。
【００８２】
図５Ｂで例示されるように、いくつかの構成において、陽極アセンブリ１３８ｂは、陽極基部１７４ｂに連結されるターゲットを含まない場合がある。そのような構成において、被覆部分１８０ｂは、ターゲット１８２ｂの位置付けに対応する部分を含む陽極基部１７４ａの少なくとも一部分を覆って形成され得る。そのような構成において、ターゲット１８２ｂは、被覆部分１８０ｂの一部として形成され得る。例えば、ターゲット１８２ｂは、その形成中に、被覆部分１８０ｂと同じ過程によって堆積され得る。そのような構成において、陽極アセンブリ１３８ｂの形成は、別個のターゲットを陽極アセンブリ１３８ｂに連結することを含み得る。故に、ターゲット１８２ｂを形成することは、電気めっき、熱溶射、プラズマ溶射、ＣＶＤ、ＰＥＣＶＤ、ＰＶＤ、ＨＶＯＦ、及び／または低温溶射を含み得る。
【００８３】
いくつかの構成において、ターゲット１８２ｂを形成することは、その表面を滑らかにする、不連続性を排除する、及び／または多孔性を減少させるために、被覆部分１８０ｂの少なくとも一部分を処理することを含み得る。例えば、ターゲット１８２ｂを形成することは、ターゲット１８２ｂに対応する被覆部分１８０ｂの表面を機械加工することを含み得る。ターゲット１８２ｂを形成することは、ターゲット１８２ｂに対応する被覆部分１８０ｂの少なくとも一部分を熱間静水圧プレスすること含み得る。被覆部分１８０ｂを形成することは、被覆部分１８０ｂ全体を熱間静水圧プレスすること含み得る。熱間静水圧プレスは、被覆部分１８０ｂの多孔性を減少させ得、及び／または被覆部分１８０ｂの密度を高め得る。熱間静水圧プレスは、高温環境を被覆部分１８０ｂに受けさせること、及び／または被覆部分１８０ｂを加熱することを含み得る。熱間静水圧プレスは、被覆部分１８０ｂの表面を圧縮するために、高圧環境を被覆部分１８０ｂに受けさせることを含み得る。
【００８４】
図５Ｃを参照すると、いくつかの構成形成において、ターゲット１８２ｃを形成することは、その表面を滑らかにする、不連続性を排除する、及び／または多孔性を減少させるために、ターゲット１８２ｃを処理することを含み得る。例えば、ターゲット１８２ｃを形成することは、ターゲット１８２ｃを機械加工すること含み得る。ターゲット１８２ｃを形成することは、ターゲット１８２ｃを熱間静水圧プレスすること含み得る。ターゲット１８２ｃを形成することは、ターゲット１８２ｃを熱間静水圧プレスすること含み得る。熱間静水圧プレスは、ターゲット１８２ｃの多孔性を減少させ得、及び／またはターゲット１８２ｃの密度を高め得る。熱間静水圧プレスは、高温環境を陽極アセンブリ１３８ｃ全体に受けさせること、及び／または陽極アセンブリ１３８ｃを加熱することを含み得る。熱間静水圧プレスは、被覆部分１８０ｃ及び／またはターゲット１８２ｃの表面を圧縮するために、高圧環境を陽極アセンブリ１３８ｃに受けさせることを含み得る。
【００８５】
図５Ａ〜５Ｃで例示されるように、いくつかの状況において、被覆部分１８０ａ〜ｃ等の被覆部分の形成は、縁部１７８ａ〜ｃ等の縁部をもたらし得る。そのような縁部１７８ａ〜ｃは、全般的に、第２の限度１９８に対応する位置で、陽極アセンブリ１３８ａ〜ｃ上に位置付けられ得る。そのような縁部１７８ａ〜ｃは、陽極アセンブリ１３８ａ〜ｃの表面に不連続性を生じさせ得る。陽極アセンブリ１３８ａ〜ｃの表面上の表面不連続性は、陽極アセンブリ１３８ａ〜ｃの高い電界、高電圧ストレス点、応力集中部、及び／または安定性の減少をもたらし得る。故に、いくつかの構成において、被覆部分１８０ａ〜ｃ（全般的に、被覆長さ１９４に対応する）の長さ及び／または縁部１７８ａ〜ｃ（全般的に、第２の限度１９８に対応する）の位置付けは、被覆部分１８０ａ〜ｃの縁部１７８ａ〜ｃが負の電気的効果を生じさせないように選択され得る。例えば、被覆部分１８０ａ〜ｃの長さ、及び／または縁部１７８ａ〜ｃの位置付けは、被覆部分１８０の縁部がターゲット１８２ａ〜ｃから十分な距離だけ離れ、よって、負の電気的効果が減少するか、または除去されるように選択される。いくつかの構成において、陽極アセンブリ１３８ａ〜ｃの表面は、被覆部分１８０ａ〜ｃの縁部１７８ａ〜ｃ及び／または陽極アセンブリ１３８ａ〜ｃの他の部分の不連続性を除去するために、及び／または減少させるために処理（例えば、機械加工、研磨等）され得る。被覆部分１８０ａ〜ｃの長さが十分に長い構成において、不連続を除去するための処理は、必要でないか、または望ましくない場合がある。
【００８６】
被覆部分１８０及び／または１８０ａ〜ｃは、電気めっきした貴金属、溶射した貴金属、溶射した耐火性金属、化学蒸着した貴金属、化学蒸着した耐火性金属、物理蒸着した貴金属、及び／または物理蒸着した耐火性金属、のうちの１つ以上である。
【００８７】
被覆部分１８０ａ〜ｃのうちのいくつかまたは全ては、ある被覆厚さを含み得る。被覆厚さは、電子が被覆部分１８０ａ〜ｃを貫通しないような最小厚さを含み得る。被覆部分１８０ａ〜ｃは、電子が被覆部分１８０ａ〜ｃから陽極基部１７４ａ〜ｃ材料のそれぞれ１つまで貫通しないような最小厚さを含み得る。いくつかの状況では、被覆部分１８０ａ〜ｃのうちの１つ以上と、陽極基部１７４ａ〜ｃの材料のうちの１つ以上のそれぞれ１つとの間に、拡散層が形成され得る。拡散層は、被覆部分１８０ａ〜ｃのうちの１つと、陽極基部１７４ａ〜ｃの材料のそれぞれ１つとの境界面に、またはその近くに形成され得る。拡散層は、陽極基部１７４ａ〜ｃの材料及び／または被覆部分１８０ａ〜ｃの材料を含み得る。そのような構成において、被覆部分１８０ａ〜ｃは、電子が被覆部分１８０ａ〜ｃから拡散層まで貫通しないような最小厚さを含み得る。
【００８８】
いくつかの構成では、陽極基部の材料及び被覆部分１８０ａ〜ｃの材料の拡散を防止するために、被覆部分１８０ａ〜ｃと陽極基部１７４ａ〜ｃとの間に中間層が形成され得る。いくつかの構成において、中間層は、被覆部分１８０ａ〜ｃの形成の前に、陽極基部１７４ａ〜ｃを覆って形成され得る。
【００８９】
この説明において、「実質的に」という用語は、記載された特性、パラメータ、または値を厳密に達成する必要はないが、例えば当業者に知られている、許容差、測定誤差、測定精度限界、及び他の因子を含む偏差またはばらつきが、特性を提供するよう意図された効果を損なわない量で起こり得ることを意味する。
【００９０】
この説明及び特許請求の範囲で使用される用語及び単語は、文献の意味に限定されず、単に本開示の明瞭で一貫した理解を可能にするために使用されるに過ぎない。単数形の「ａ」、「ａｎ」、及び「ｔｈｅ」は、別途文脈が明確に指示しない限り、複数の指示対象を含む。したがって、例えば、「構成要素表面」に対する参照は、そのような表面の１つ以上に対する参照を含む。特定の数が要素に関連して明確に記載されている場合は、別途文脈が明確に指示しない限り、少なくとも記載された数を意味する。例えば、他の修飾語を伴わない「２つの列挙」のそのままの列挙は、少なくとも２つの列挙、または２つ以上の列挙を意味する。
【００９１】
本開示の態様は、その趣旨または本質的な特性から逸脱することなく、他の形態で具現化され得る。説明される態様は、あらゆる点で例示的なものであり、限定的なものでないとみなされる。特許請求される主題は、上の説明によってではなく、添付の特許請求の範囲によって示される。特許請求の範囲と同等の意味及び範囲の範囲内に入る全ての変更は、それらの範囲の範囲内に包含されるものとする。
【図１】
2016111019.tif 000003
【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図３】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
2016111019.tif 000009
【図５Ｃ】
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【外国語明細書】
2016111019000001.pdf