(57)【要約】【課題】ウエハを保持するホルダのクリーニングを十分に行う。【解決手段】本実施形態に係るクリーニング方法は、ウエハを下方から支持する複数の支持部が上面に形成されたホルダが配置され、ホルダ上にウエハを保持してウエハの表面にエピタキシャル膜を形成する反応室内に、ダミーウエハを搬入する工程と、支持部の上面の少なくとも一部と非接触となるようにダミーウエハを載置する工程と、反応室内に、エッチングガスを供給し、ホルダをクリーニングする工程と、を含む。このため、エッチング処理の際に、ウエハと接する支持部やその近傍に付着した反応副生成物を効果的に除去することができる。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウエハを下方から支持する複数の支持部が上面に形成されたホルダが配置され、前記ホルダ上に前記ウエハを保持して前記ウエハの表面にエピタキシャル膜を形成する反応室内に、ダミーウエハを搬入する工程と、
前記支持部の上面の少なくとも一部と非接触となるように前記ダミーウエハを載置する工程と、
前記反応室内に、エッチングガスを供給し、前記ホルダをクリーニングする工程と、
を含むクリーニング方法。
【請求項２】
ウエハを下方から支持する複数の支持部が上面に形成されたホルダに堆積した反応副生成物のクリーニングの際に、前記ホルダ上に載置されるダミーウエハであって、
前記ダミーウエハは、前記ホルダ上に載置される際に前記複数の支持部に対応する位置に、前記複数の支持部の上面の少なくとも一部と非接触となる複数の切欠きを有することを特徴とするダミーウエハ。
【請求項３】
前記切欠きは、外縁から中心部に向かって形成される請求項２に記載のダミーウエハ。
【請求項４】
前記切欠きは、少なくとも下面側に形成される請求項２に記載のダミーウエハ。
【請求項５】
ウエハを下方から支持する複数の支持部が上面に形成されたホルダに堆積した反応副生成物のクリーニングの際に、前記ホルダ上に載置されるダミーウエハであって、
前記ダミーウエハは、前記ホルダ上に載置される際に前記複数の支持部に対応する位置に、前記複数の支持部におけるそれぞれの上面の一部と接触する複数の凸状の接触領域を有することを特徴とするダミーウエハ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、クリーニング方法及びダミーウエハに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体装置の低価格化、高性能化の要求に伴い、ウエハの成膜工程における高い生産性とともに、膜厚均一性の向上など高品質化が要求されている。このような要求を満たすために、枚葉式の気相成長装置が用いられている。枚葉式の気相成長装置を用いることにより、例えば、反応室内において、９００ｒｐｍ以上でウエハを高速回転しながら、反応室内にプロセスガスを供給し、ヒータを用いて裏面側よりウエハを加熱することにより、例えばＳｉなどのウエハ上にエピタキシャル膜を成長させることができる。
【０００３】
反応室内でエピタキシャル膜を成長させると、ウエハだけではなく、ウエハを保持するホルダの表面などにも、プロセスガスの化学反応によって生じる反応副生成物が堆積する。堆積した反応副生成物は、例えばパーティクルとなるため、定期的にクリーニングを行って、ホルダに付着した反応副生成物を除去している。
【０００４】
このとき、ホルダをエッチング処理することにより、反応室を解放することなくクリーニングを行うことができる。その際、ホルダの下方に位置するヒータエレメントなどを保護するために、ウエハと同形状のダミーウエハをホルダにセットして、ホルダのクリーニングを行っている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１３−５１３５０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
クリーニングを行う際にダミーウエハをセットすることで、エッチングガスからヒータエレメントなどを保護することができる。しかしながら、ホルダにダミーウエハをセットすると、ホルダとダミーウエハが接触する箇所近傍に、エッチングガスが十分に行き渡らないことがある。この場合には、ウエハと接触する部分やその近傍のクリーニングが不十分になることがある。
【０００７】
本発明は、上述の事情の下になされたもので、成膜されるウエハを保持するホルダのクリーニングを十分に行うことを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明のクリーニング方法は、ウエハを下方から支持する複数の支持部が上面に形成されたホルダが配置され、ホルダ上にウエハを保持してウエハの表面にエピタキシャル膜を形成する反応室内に、ダミーウエハを搬入する工程と、支持部の上面の少なくとも一部と非接触となるようにダミーウエハを載置する工程と、反応室内に、エッチングガスを供給し、ホルダをクリーニングする工程と、を含む。
【０００９】
本発明の第１の観点に係るダミーウエハは、ウエハを下方から支持する複数の支持部が上面に形成されたホルダに堆積した反応副生成物のクリーニングの際に、ホルダ上に載置されるダミーウエハであって、ダミーウエハは、ホルダ上に載置される際に複数の支持部に対応する位置に、複数の支持部の上面の少なくとも一部と非接触となる複数の切欠きを有する。
【００１０】
本発明の第２の観点に係るダミーウエハは、ウエハを下方から支持する複数の支持部が上面に形成されたホルダに堆積した反応副生成物のクリーニングの際に、ホルダ上に載置されるダミーウエハであって、ダミーウエハは、ホルダ上に載置される際に複数の支持部に対応する位置に、複数の支持部におけるそれぞれの上面の一部と接触する複数の凸状の接触領域を有する。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、ホルダの支持部とダミーウエハとが非接触となる領域が形成されるので、ホルダに形成される支持部のクリーニングを十分に行うことが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本実施形態に係るエピタキシャル気相成長装置の構成を示す図である。
【図２】リング及びウエハホルダの斜視図である。
【図３Ａ】ウエハホルダの一部を拡大して示す斜視図である。
【図３Ｂ】ウエハホルダの一部を拡大して示す斜視図である。
【図４】第１の実施形態に係るダミーウエハの平面図である。
【図５】ウエハホルダに載置されたダミーウエハを示す斜視図である。
【図６】ウエハホルダの一部を拡大して示す斜視図である。
【図７】第２の実施形態に係るダミーウエハの平面図である。
【図８】ダミーウエハの一部を拡大して示す斜視図である。
【図９】ウエハホルダに載置されたダミーウエハを示す断面図である。
【図１０】第３の実施形態に係るダミーウエハの平面図である。
【図１１】ダミーウエハの一部を拡大して示す斜視図である。
【図１２】ウエハホルダに載置されたダミーウエハを示す部分平面図である。
【図１３】ウエハホルダに載置されたダミーウエハを示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
《第１の実施形態》
以下、本発明の第１の実施形態を図面に基づいて説明する。説明には、相互に直交するＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸からなるＸＹＺ座標系を適宜用いる。
【００１４】
図１は、本実施形態に係るエピタキシャル気相成長装置１０の断面図である。エピタキシャル気相成長装置１０は、反応室１１に収容されるウエハＷにプロセスガスを供給し、回転させながら加熱することにより、ウエハの表面にエピタキシャル膜を形成する装置である。ウエハＷとしては、例えば直径が２００ｍｍの単結晶シリコンウエハを用いることができる。
【００１５】
エピタキシャル気相成長装置１０は、反応室１１、ガス供給機構１２、ガス排出機構１３、整流板１４、ヒータエレメント１５、回転機構２０、ウエハホルダ３０、及び回転制御装置２４を有している。
【００１６】
ガス供給機構１２は、反応室１１の上部に設けられたガス供給口１２ａに接続されている。ガス供給機構１２より、例えば、ウエハ上に成膜を行う際に、ジクロロシラン（ＳｉＨ２Ｃｌ２）を水素（Ｈ２）で所定濃度に希釈したプロセスガスを、ガス供給口１２ａより反応室１１の内部に供給する。また、ガス供給機構１２は、例えば、反応室１１の内部に設置されたウエハホルダ３０などに堆積した反応副生成物をエッチングにより除去する際に、塩化水素（ＨＣｌ）を水素（Ｈ２）で所定濃度に希釈したエッチングガスを、ガス供給口１２ａより反応室１１の内部に供給する。
【００１７】
整流板１４は、反応室１１の内部上方に設置されている。ガス供給機構１２から供給されるガスが整流板１４を通過することにより、ガスが整流状態でウエハＷ上に供給される。
【００１８】
ガス排出機構１３は、反応室１１の下部に設けられたガス排出口１３ａに接続されている。ガス排出機構１３は、反応室１１でプロセスガスやエッチングガスが反応することにより生成される反応副生成物を含むガスや、プロセスガスやエッチングガスの余剰分を反応室１１から排出する。
【００１９】
回転機構２０は、回転シャフト２１、回転シャフト２１の上端部に固定されたベース板２２、及びベース板２２の上面に固定されたリング２３と、回転シャフトを回転させる回転制御装置２４を有している。
【００２０】
回転シャフト２１は、長手方向をＺ軸方向とする円筒状の部材である。回転シャフト２１は、上端部が反応室１１の下方から反応室１１の内部に挿入された状態で、鉛直軸（Ｚ軸）を中心に回転可能に支持されている。
【００２１】
ベース板２２は、円形板状の部材である。ベース板２２の中央には、内径が、回転シャフト２１の内径と等しい円形の開口が形成されている。ベース板２２は、その中心が回転シャフト２１の回転中心に一致した状態で、回転シャフト２１の上端に固定されている。
【００２２】
図２は、リング２３及びリング２３に取り付けられたウエハホルダ３０の斜視図である。図２に示されるように、リング２３は、円筒状の部材であり、内部に所定のヒータパタンを有するヒータエレメント１５が設けられている。リング２３は、中心が回転シャフト２１の回転中心に一致した状態で、ベース板２２の上面に固定されている。
【００２３】
ヒータエレメント１５は、例えば炭化ケイ素からなる発熱体である。このヒータエレメント１５は、図２に示されるように、ヒータ回路が蛇行するようにパターニングされている。
【００２４】
ヒータエレメント１５は、リング２３の内部で、ウエハホルダ３０に保持されるウエハＷとほぼ平行になるように支持されている。図１に示されるように、ヒータエレメント１５には、回転シャフト２１を介して外部へ引き出される電極棒１９が接続されている。ヒータエレメント１５は、外部電源より電極棒１９を介して、電力が供給されることにより発熱する。これにより、ヒータエレメント１５の上方に位置するウエハＷが加熱される。
【００２５】
回転制御装置２４は、モータや、インバータなどを有している。回転制御装置２４は、回転シャフト２１を、所定の回転数で回転する。これにより、回転シャフト２１とともに、ベース板２２、リング２３、ウエハホルダ３０が鉛直軸を中心に回転する。その結果、ウエハホルダ３０に保持されたウエハＷが回転する。
【００２６】
ウエハホルダ３０はリング２３の上端に固定される環状の部材である。図３Ａに、ウエハホルダ３０の一部を示す。図２及び図３Ａに示されるように、ウエハホルダ３０は、断面がＬ字状で、最も外側のフレーム部３１と、フレーム部３１の内側に設けられた延設部３２を有している。フレーム部３１の内径は、ウエハＷの外径よりもわずかに大きく、延設部３２の内径はウエハＷの外径よりも小さい。また、フレーム部３１の内壁面には内側に突出する突出部３１ａが形成されている。
【００２７】
延設部３２の上面は平坦になっている。図２に示されるように、延設部３２の上面には、長方形に整形された８つの支持部３３が、フレーム部３１の内壁面に沿って等間隔に設けられている。図３Ａに示されるように、延設部３２は、幅Ｄ１が約１．５ｍｍ、高さＤ２が約０．１ｍｍ、奥行きＤ３が約４ｍｍである。８つの延設部３２それぞれの上面は、水平面に平行な同一面内に位置している。フレーム部３１の内壁面には、ウエハＷの貼り付き防止のため複数の突出部３１ａを設けることが可能である。突出部３１ａの形状は、ウエハと点接触可能であれば特に限定されるものではなく、例えば図２に示されるように三角形状であってもよく、図３Ｂに示されるように半円状であってもよい。また、図３Ｂに示されるように、延設部３２上に形成されていてもよく、図２に示されるように延設部３２と異なる位置に形成されていてもよい。
【００２８】
このようなエピタキシャル気相成長装置１０を用いて、以下のようにウエハＷ上にエピタキシャル膜を形成する。先ず、ウエハＷが反応室１１に搬入され、ウエハホルダ３０に載置される。回転制御装置２４を駆動してウエハＷを、例えば回転数９００ｒｐｍ程度で回転し、ヒータエレメント１５に所定の電圧を印加して、ウエハＷを１１００℃程度にまで加熱するとともに、ガス供給機構１２によりウエハＷ上にジクロロシラン等のシリコンソースガスを含むプロセスガスを供給する。このとき、ガス排出機構１３により、反応室１１内の余剰のプロセスガスと反応副生成物を含むガスが排出されるとともに、反応室内が所定の圧力に制御される。このようにして、ウエハＷの表面にシリコンのエピタキシャル膜が形成される。
【００２９】
上述したようにエピタキシャル気相成長装置１０を用いてウエハＷ上に成膜を行うと、ウエハＷを保持するウエハホルダ３０などに反応副生成物が付着する。そのため、定期的に反応副生成物を除去するためのクリーニングを行う必要がある。反応室１１を解放するためには反応室１１内の温度を室温まで下げる必要がある。しかしながら、反応室１１にエッチングガスを供給することによって、ウエハホルダ３０に対してエッチング処理を行うことで、反応室１１を解放することなく、ウエハホルダ３０のクリーニングを行うことができる。このクリーニングを行う際には、ウエハＷに代えて、ダミーウエハＤＷ１をウエハホルダ３０に載置する。
【００３０】
図４はダミーウエハＤＷ１の平面図である。ダミーウエハＤＷ１としては、例えば炭化ケイ素（ＳｉＣ）を焼結形成したウエハが用いられる。このダミーウエハＤＷ１は、厚さが１ｍｍ、直径は、ウエハＷと等しく、例えば２００ｍｍである。図４に示されるように、ダミーウエハＤＷ１には、８つの切欠き９２が、ダミーウエハＤＷ１の外縁に沿って等間隔に形成されている。切欠き９２は半径４ｍｍの半円形状で、ダミーウエハＤＷ１の下面から上面わたって形成されている。これらの切欠き９２は、例えば、円形のエンドミルを用いて形成することができる。
【００３１】
図５に示されるように、ダミーウエハＤＷ１は、切欠き９２の位置と、ウエハホルダ３０の支持部３３の位置とが一致するように、ウエハホルダ３０に載置される。このため、図６に示されるように、ウエハホルダ３０の支持部３３は、ダミーウエハＤＷ１の切欠き９２の中に位置し、ダミーウエハＤＷ１は、ウエハホルダ３０に設けられた延設部３２の上面に支持された状態になる。
【００３２】
エッチング処理において、ダミーウエハＤＷ１が反応室１１に搬入され、ウエハホルダ３０に載置されると、回転制御装置２４を駆動してウエハＷを、所定の回転数で回転し、ヒータエレメント１５に所定の電圧を印加して、ウエハホルダ３０を例えば１１３０−１１５０℃程度まで昇温するとともに、ガス供給機構１２により、反応室１１の内部にエッチングガスを供給する。このとき、ガス排出機構１３により、反応室１１内の余剰のプロセスガスと反応副生成物を含むガスが排出されるとともに、反応室内が所定の圧力に制御される。これにより、図５の矢印a１に示されるようにエッチングガスがウエハホルダ３０の支持部３３の上面や外縁部などに供給され、ダミーウエハＤＷ１の切欠き９２から露出する支持部３３や、その周囲に付着した反応副生成物のクリーニングが行われる。
【００３３】
以上説明したように、本実施形態では、図５に示されるように、ウエハホルダ３０にダミーウエハＤＷ１が載置されたときに、ダミーウエハＤＷ１の切欠き９２から、ウエハホルダ３０の支持部３３が露出する。このため、ウエハＷと接する支持部３３やその近傍に付着した反応副生成物を効果的に除去することができる。これにより、気相成長が行われるウエハＷへの反応副生成物の付着を回避することができる。
【００３４】
本実施形態では、ダミーウエハＤＷ１がウエハホルダ３０に載置されたときには、ダミーウエハＤＷ１がウエハホルダ３０の延設部３２の上面に支持される。これにより、リング２３がダミーウエハＤＷ１によってほぼ塞がれた状態になる。このため、リング２３の内部に侵入するエッチングガスの量を減らすことができる。したがって、リング２３の内部に配置されるヒータエレメント１５などが、エッチングガスによって受ける損傷を抑制することができる。
【００３５】
本実施形態では、反応副生成物を、ウエハホルダ３０から効果的に除去することができる。したがって、製品の歩留まりを向上することができる。また、ウエハホルダ３０を長期間使用することが可能となる。したがって、エピタキシャル気相成長装置１０のランニングコストを抑えることができる。
【００３６】
《第２の実施形態》
次に、第２の実施形態に係るダミーウエハＤＷ２ついて説明する。第１の実施形態と同一又は同等の構成については、同じ符号を用いるとともに、その説明を省略する。
【００３７】
図７は、第２の実施形態に係るダミーウエハＤＷ２を示す平面図である。このダミーウエハＤＷ２は、切欠き９３がダミーウエハＤＷ２の下面側に形成されている点で、第１の実施形態に係るダミーウエハＤＷ１と相違している。
【００３８】
図７に示されるように、ダミーウエハＤＷ２の下面（−Ｚ側の面）には、８つの切欠き９３が、ダミーウエハＤＷ２の外縁に沿って等間隔に形成されている。切欠き９３は半径４ｍｍの半円形状である。
【００３９】
図８は、ダミーウエハＤＷ２の切欠き９３を拡大して示す斜視図である。図８に示されるように、切欠き９３は、ダミーウエハＤＷ２の下面側から中ほどにかけて形成され、深さＤ４は約０．５ｍｍである。
【００４０】
図９は、ウエハホルダ３０にダミーウエハＤＷ２を載置した状態を示す断面図である。図９に示されるように、ダミーウエハＤＷ２がウエハホルダ３０に載置されたときには、ウエハホルダ３０の支持部３３が切欠き９３の内部に干渉することなく収容される。そして、ダミーウエハＤＷ２は、ウエハホルダ３０の延設部３２の上面に支持される。切欠き９３は、ダミーウエハＤＷ２の外縁からダミーウエハＤＷ２の中心部に向かって形成されている。このため、切欠き９３の内部空間は、ダミーウエハＤＷ２の上面側の空間と通じた状態になる。
【００４１】
ウエハホルダ３０にダミーウエハＤＷ２が載置された状態で、エッチング処理が行われると、図９の矢印ａ２に示されるように、エッチングガスが、ダミーウエハＤＷ２の外縁とウエハホルダ３０の間から切欠き９３の内部に進入し、破線で示されるように、切欠き９３の内部を流れる。これにより、ウエハホルダ３０に形成された支持部３３やその近傍に付着した反応副生成物が除去される。
【００４２】
以上説明したように、本実施形態では、図９に示されるように、ウエハホルダ３０にダミーウエハＤＷ２が載置されたときには、ダミーウエハＤＷ２の切欠き９３の内部空間が、ダミーウエハＤＷ２の上面側の空間と通じた状態になり、エッチングガスが、破線で示されるように、支持部３３の周囲を流れる。このため、ダミーウエハＤＷ２で、リング２３の上方を塞いだ状態で、ウエハホルダ３０に形成された支持部３３をクリーニングすることができる。
【００４３】
したがって、リング２３の内部に配置されたヒータエレメント１５などを保護しつつ、ウエハＷと接する支持部３３やその近傍に付着した反応副生成物を効果的に除去することができる。
【００４４】
《第３の実施形態》
次に、第３の実施形態に係るダミーウエハＤＷ３ついて説明する。第１の実施形態と同一又は同等の構成については、同じ符号を用いるとともに、その説明を省略する。
【００４５】
図１０は、第３の実施形態に係るダミーウエハＤＷ３を示す平面図である。このダミーウエハＤＷ３は、ウエハホルダ３０の支持部３３に対応する位置に切欠きが形成されていない点で、上記実施形態に係るダミーウエハＤＷ１，ＤＷ２と相違している。
【００４６】
図１０に示されるように、ダミーウエハＤＷ３の下面（−Ｚ側の面）には、８つの凹部９５が、ダミーウエハＤＷ２の外周に沿って、凸状の接触領域９４を介して等間隔に形成されている。
【００４７】
図１１は、ダミーウエハＤＷ３の凹部９５を拡大して示す斜視図である。図１１に示されるように、凹部９５は、ダミーウエハＤＷ３の下面側から中ほどにかけて形成され、深さＤ５は約０．５ｍｍである。各凹部９５は、円形のエンドミルを用いて形成することができる。また、凸状の接触領域９４の幅Ｄ６は、図３Ａに示されるウエハホルダ３０に設けられる支持部３３の幅Ｄ１よりも小さい。
【００４８】
図１２は、ウエハホルダ３０に載置されたダミーウエハＤＷ３の一部上面図、図１３は、図１２のＡ−Ａ’断面図である。図１２、１３に示されるように、ダミーウエハＤＷ３がウエハホルダ３０に載置されたときには、ウエハホルダ３０の支持部３３によって、ダミーウエハＤＷ３の凸状の接触領域９４が支持される。
【００４９】
凸状の接触領域９４の幅Ｄ６は、ウエハホルダ３０に設けられる支持部３３の幅Ｄ１よりも小さい。このため、図１２、１３に示されるように、支持部３３の外縁部は、凸状の接触領域９４と干渉しない状態となる。また、凹部９５は、ダミーウエハＤＷ３の外縁からダミーウエハＤＷ３の内側に向かって形成されている。このため、凹部９５の内部空間は、ダミーウエハＤＷ３の上面側の空間と通じた状態になる。
【００５０】
ウエハホルダ３０にダミーウエハＤＷ３が載置された状態で、エッチング処理が行われると、図１２及び図１３の矢印ａ３に示されるように、エッチングガスが、ダミーウエハＤＷ３とウエハホルダ３０の間から、ウエハホルダ３０の延設部３２の上面と凹部９５の内壁面とによって規定される空間に進入する。そして、エッチングガスは、図１２の破線で示されるように、上記空間を流れる。これにより、ウエハホルダ３０の支持部３３やその近傍に付着した反応副生成物が除去される。
【００５１】
以上説明したように、本実施形態では、図１２に示されるように、ウエハホルダ３０にダミーウエハＤＷ３が載置されたときには、ウエハホルダ３０の延設部３２の上面と凹部９５の内壁面とによって規定される空間が、ダミーウエハＤＷ３の上面側の空間と通じた状態になる。また、支持部３３の外縁部は、凸状の接触領域９４と干渉しない状態となる。このため、ダミーウエハＤＷ２で、リング２３の上方を塞いだ状態で、ウエハホルダ３０に形成された支持部３３の外縁をクリーニングすることができる。したがって、リング２３の内部に配置されたヒータエレメント１５を保護しつつ、ウエハＷと接する支持部３３の外縁やその近傍に付着した反応副生成物を効果的に除去することができる。
【００５２】
上記各実施形態によれば、ヒータエレメント１５などを保護しつつ、ウエハホルダ３０のクリーニングを効果的に行うことが可能となる。このため、ウエハＷにエピタキシャル膜を高い生産性で安定して形成することが可能となる。その結果、ウエハの歩留りが向上し、ウエハ上に形成される半導体装置の歩留りを向上することが可能となる。特に、パワーＭＯＳＦＥＴやＩＧＢＴなどのパワー半導体装置では、Ｎ型ベース領域、Ｐ型ベース領域、絶縁分離領域などに４０μｍ以上の厚膜が形成される。このような場合、本実施形態に係るダミーウエハを効果的に適用することができる。これらのパワー半導体装置の製造に用いられる気相成長装置に、本実施形態に係るダミーウエハを適用することにより、良好な素子特性を有する半導体装置を得ることが可能となる。
【００５３】
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態によって限定されるものではない。例えば、上記実施形態では、シリコン単結晶ウエハの表面に、ジクロロシラン（ＳｉＨ２Ｃｌ２）を含むプロセスガスを供給して、シリコンのエピタキシャル膜を形成する場合について説明した。これに限らず、例えば、化合物半導体のエピタキシャル膜や、ポリシリコン層等を形成する気相成長装置にも、本実施形態に係るダミーウエハを用いることができる。
【００５４】
本実施形態では、エッチングガスとして、塩化水素（ＨＣｌ）を水素（Ｈ２）によって希釈することにより生成されたガスを用いることとした。エッチングガスは、これに限られるものではなく、例えば、三フッ化塩素（ＣｌＦ３）を主成分とするエッチングガスなどを用いてもよい。
【００５５】
本実施形態では、ウエハＷが、直径が２００ｍｍの単結晶シリコンウエハであることとした。ウエハＷの大きさはこれに限られるものではなく、種々の大きさのものを用いることができる。
【００５６】
本実施形態では、ウエハＷが、開口部を有する環状のホルダ上の支持部に支持されて気相成長が行われる場合についてのホルダのクリーニング方法とクリーニングの際に用いられるダミーウエハについて説明した。これに限らず、開口部が設けられていない例えば円盤状のホルダ（サセプタ）上の支持部に支持されて気相成長が行われる場合でも適用できる。
【００５７】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施しうるものであり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００５８】
１０  エピタキシャル気相成長装置
１１  反応室
１２  ガス供給機構
１２ａ  ガス供給口
１３  ガス排出機構
１３ａ  ガス排出口
１４  整流板
１５  ヒータエレメント
１９  電極棒
２０  回転機構
２１  回転シャフト
２２  ベース板
２３  リング
２４  回転制御装置
３０  ウエハホルダ
３１  フレーム部
３１ａ  突出部
３２  延設部
３３  支持部
９２，９３  切欠き
９４  凸状の接触領域
９５  凹部
ＤＷ１〜ＤＷ３  ダミーウエハ
Ｗ  ウエハ
【図１】
2016163007.tif 000003
【図２】
2016163007.tif 000004
【図３Ａ】
2016163007.tif 000005
【図３Ｂ】
2016163007.tif 000006
【図４】
2016163007.tif 000007
【図５】
2016163007.tif 000008
【図６】
2016163007.tif 000009
【図７】
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【図８】
2016163007.tif 000011
【図９】
2016163007.tif 000012
【図１０】
2016163007.tif 000013
【図１１】
2016163007.tif 000014
【図１２】
2016163007.tif 000015
【図１３】
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