(57)【要約】【課題】基板表面全域および凹部内面全域に、均一な触媒層を形成する。【解決手段】基板に対して触媒層を形成する触媒層形成方法は、基板２全域上に触媒溶液を供給して基板表面触媒層２２を形成する第１供給工程と、基板２を回転させながら基板２の中央部に触媒溶液を供給して凹部内面触媒層２２を形成する第２供給工程とを備える。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に対して触媒層を形成する触媒層形成方法において、
凹部を有する基板を準備する工程と、
前記基板上に触媒を含む触媒溶液を、前記基板表面全域に行き渡るよう供給して、前記基板表面全域に触媒を均一に吸着させて基板表面触媒層を形成する第１供給工程と、
前記基板を回転させながら前記基板の中央部に前記触媒溶液を供給して、前記凹部内面全域に触媒を吸着させて凹部内面触媒層を形成する第２供給工程と、を備えたことを特徴とする触媒層形成方法。
【請求項２】
前記第１供給工程において、前記基板を回転させながら前記触媒溶液をノズルから供給するとともに、前記ノズルを前記基板の中央部上方と周縁部上方との間で往復移動させることを特徴とする請求項１記載の触媒層形成方法。
【請求項３】
前記第１供給工程において、前記触媒溶液をスプレーノズルからスプレー状に前記基板全域に噴出させることを特徴とする請求項１記載の触媒層形成方法。
【請求項４】
前記第２供給工程において、前記触媒溶液をノズルから供給するとともに、前記ノズルを前記基板の中央部近傍上方で往復移動させることを特徴とする請求項１記載の触媒層形成方法。
【請求項５】
前記第２供給工程において、前記触媒溶液をノズルから供給するとともに、前記ノズルを前記基板の中央部で停止させることを特徴とする請求項１記載の触媒層形成方法。
【請求項６】
前記第２供給工程において、前記触媒溶液を前記スプレーノズルからスプレー状に前記基板の中央部に噴出させることを特徴とする請求項１記載の触媒層形成方法。
【請求項７】
基板に対して触媒層を形成する触媒層形成システムにおいて、
凹部を有する基板を回転自在に保持する基板回転保持機構と、
前記基板上に触媒を含む触媒溶液を前記触媒溶液が前記基板表面全域に行き渡るよう供給して、前記基板表面全域に触媒を均一に吸着させて基板表面触媒層を形成する第１供給部と、
前記基板回転保持機構により前記基板を回転させながら前記基板の中央部に前記触媒溶液を供給して、前記凹部内面全域に触媒を吸着させて凹部内面触媒層を形成する第２供給部とを備えたことを特徴とする触媒層形成システム。
【請求項８】
前記第１供給部は前記基板回転保持機構により前記基板を回転させながら前記触媒溶液を供給するノズルを有し、このノズルは前記基板の中央部と周縁部との間で往復移動することを特徴とする請求項７記載の触媒層形成システム。
【請求項９】
前記第１供給部は、前記触媒溶液をスプレー状に前記基板全域に噴出させるスプレーノズルを有することを特徴とする請求項７記載の触媒層形成システム。
【請求項１０】
前記第２供給部は前記基板回転保持機構により前記基板を回転させながら前記触媒溶液を供給するノズルを前記基板の中央部で停止させることを特徴とする請求項７記載の触媒層形成システム。
【請求項１１】
触媒層形成システムに触媒層形成方法を実行させるためのコンピュータプログラムを格納した記憶媒体において、
前記触媒層形成方法は、
基板に対して触媒層を形成する触媒層形成方法において、
凹部を有する基板を準備する工程と、
前記基板上に触媒を含む触媒溶液を、前記触媒溶液が前記基板表面全域に行き渡るよう供給して、前記基板表面全域に触媒を均一に吸着させて基板表面触媒層を形成する第１供給工程と、
前記基板を回転させながら前記基板の中央部に前記触媒溶液を供給して、前記凹部内面全域に触媒を吸着させて凹部内面触媒層を形成する第２供給工程と、を備えたことを特徴とする記憶媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は基板に対して触媒層を形成する触媒層形成方法、触媒層形成システムおよび記憶媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＬＳＩなどの半導体装置は、実装面積の省スペース化や処理速度の改善といった課題に対応するべく、より一層高密度化することが求められている。高密度化を実現する技術の一例として、複数の配線基板を積層することにより三次元ＬＳＩなどの多層基板を作製する多層配線技術が知られている。
【０００３】
多層配線技術においては一般に、配線基板間の導通を確保するため、配線基板を貫通するとともに銅（Ｃｕ）などの導電性材料が埋め込まれた貫通ビアホールが配線基板に設けられている。導電性材料が埋め込まれた貫通ビアホールを作製するための技術の一例として、無電解めっき法が知られている。
【０００４】
配線基板を作製する具体的な方法として、凹部が形成された基板を準備し、次に、基板の凹部内にＣｕ拡散防止膜としてのバリア膜を形成し、このバリア膜上にシード膜を無電解Ｃｕめっきにより、形成する方法が知られている。その後凹部内に電解ＣｕめっきによりＣｕが埋め込まれ、Ｃｕが埋め込まれた基板は、化学機械研磨などの研磨方法によって薄膜化され、これによって、Ｃｕが埋め込まれた貫通ビアホールを有する配線基板が作製される。
【０００５】
上述した配線基板のうちバリア膜を形成する場合、基板に対して予め触媒を吸着させて触媒層を形成しておき、この触媒層上にめっき処理を施すことによりＣｏ−Ｗ−Ｂ層からなるバリア膜が得られる。バリア膜はその後、焼しめられて内部の水分が除去され、かつ金属間結合が強化される。
【０００６】
ところで、基板に対して触媒を吸着させる場合、触媒としてパラジウム等のナノ粒子を用いる技術が開発されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２０１３−６７８５６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
上述のように基板に対して触媒を吸着させる場合、触媒としてパラジウム等のナノ粒子を用いる技術が開発されている。
【０００９】
しかしながら基板全域に対して触媒を均一に吸着させることはむずかしく、このような方法は未だ開発されていない。
【００１０】
本発明は、このような点を考慮してなされたものであり、基板全域に対して触媒を均一に吸着させて触媒層を形成することができる触媒層形成方法、触媒層形成システムおよび記憶媒体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は、基板に対して触媒層を形成する触媒層形成方法において、
凹部を有する基板を準備する工程と、
前記基板上に触媒を含む触媒溶液を、前記基板表面全域に行き渡るよう供給して、前記基板表面全域に触媒を均一に吸着させて基板表面触媒層を形成する第１供給工程と、
前記基板を回転させながら前記基板の中央部に前記触媒溶液を供給して、前記凹部内面全域に触媒を吸着させて凹部内面触媒層を形成する第２供給工程と、を備えたことを特徴とする触媒層形成方法である。
【００１２】
本発明は、基板に対して触媒層を形成する触媒層形成システムにおいて、
凹部を有する基板を回転自在に保持する基板回転保持機構と、
前記基板上に触媒を含む触媒溶液を前記触媒溶液が前記基板表面全域に行き渡るよう供給して、前記基板表面全域に触媒を均一に吸着させて基板表面触媒層を形成する第１供給部と、
前記基板回転保持機構により前記基板を回転させながら前記基板の中央部に前記触媒溶液を供給して、前記凹部内面全域に触媒を吸着させて凹部内面触媒層を形成する第２供給部とを備えたことを特徴とする触媒層形成システムである。
【００１３】
本発明は、触媒層形成システムに触媒層形成方法を実行させるためのコンピュータプログラムを格納した記憶媒体において、
前記触媒層形成方法は、
基板に対して触媒層を形成する触媒層形成方法において、
凹部を有する基板を準備する工程と、
前記基板上に触媒を含む触媒溶液を、前記触媒溶液が前記基板表面全域に行き渡るよう供給して、前記基板表面全域に触媒を均一に吸着させて基板表面触媒層を形成する第１供給工程と、
前記基板を回転させながら前記基板の中央部に前記触媒溶液を供給して、前記凹部内面全域に触媒を吸着させて凹部内面触媒層を形成する第２供給工程と、を備えたことを特徴とする記憶媒体である。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、基板全域に対して触媒を均一に吸着させて触媒層を形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】図１は、本発明の実施の形態における触媒層形成システムが組込まれためっき処理システム全体を示すブロック図。
【図２】図２は、本発明の実施の形態における触媒層形成システムが組込まれためっき処理方法全体を示すフローチャート。
【図３】図３（ａ）〜（ｇ）は、めっき処理方法が施される基板を示す図。
【図４】図４は、本発明の実施の形態における触媒層形成方法の第１供給工程および第２供給工程を示す工程図。
【図５】図５は、触媒層形成システムを示す側断面図。
【図６】図６は、触媒層形成システムを示す平面図。
【図７】図７は、めっき層焼きしめ部を示す側断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
＜めっき処理システム＞
図１乃至図７により本発明の一実施の形態について説明する。
【００１７】
まず図１により本発明による触媒層形成システムが組込まれためっき処理システムについて述べる。
【００１８】
図１に示すように、めっき処理システム１０は半導体ウエハ等の凹部２ａを有する基板（シリコン基板）２に対してめっき処理を施すものである（図３（ａ）〜（ｇ）参照）。
【００１９】
このようなめっき処理システム１０は、基板２を収納したカセット（図示せず）が載置されるカセットステーション１８と、カセットステーション１８上のカセットから基板２を取り出して搬送する基板搬送アーム１１と、基板搬送アーム１１が走行する走行路１１ａとを備えている。
【００２０】
また走行路１１の一側に、基板２上にシランカップリング剤等のカップリング剤を吸着させて後述する密着層２１を形成する密着層形成部１２と、基板２の密着層２１上に触媒を吸着させて後述する触媒層２２を形成する触媒層形成部１３と、基板２の触媒層２２上に後述するＣｕ拡散防止膜（バリア膜）として機能するめっき層２３を形成するめっき層形成部１４とが配置されている。
【００２１】
また走行路１１の他側に、基板２に形成されためっき層２３を焼きしめるめっき層焼きしめ部１５と、基板２に形成されためっき層２３上に、後述するシード膜として機能する無電解銅めっき層（無電解Ｃｕめっき層）２４を形成するための無電解Ｃｕめっき層形成部１６が配置されている。
【００２２】
まためっき層焼きしめ部１５に隣接して、基板２に形成された凹部２ａ内に、無電解Ｃｕめっき層２４をシード膜として電解銅めっき層（電解Ｃｕめっき層）２５を充てんするための電解Ｃｕめっき層形成部１７が配置されている。
【００２３】
また上述しためっき処理システムの各構成部材、例えばカセットステーション１８、基板搬送アーム１１、密着層形成部１２、触媒層形成部１３、めっき層形成部１４、めっき層焼きしめ部１５、無電解Ｃｕめっき層形成部１６および電解Ｃｕめっき層形成部１７は、いずれも制御部１９に設けた記憶媒体１９Ａに記録された各種のプログラムに従って制御部１９で駆動制御され、これによって基板２に対する様々な処理が行われる。ここで、記憶媒体１９Ａは、各種の設定データや後述するめっき処理プログラム等の各種のプログラムを格納している。記憶媒体１９Ａとしては、コンピューターで読み取り可能なＲＯＭやＲＡＭなどのメモリーや、ハードディスク、ＣＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ−ＲＯＭやフレキシブルディスクなどのディスク状記憶媒体などの公知のものが使用され得る。
【００２４】
次に触媒層２２を形成するための触媒層形成部（触媒層形成システムともいう）１３について更に述べる。
【００２５】
触媒層形成部１３は、図５および図６に示す液処理装置から構成することができる。
【００２６】
なお、めっき層形成部１４および無電解Ｃｕめっき層形成部１６も、触媒層形成部１３と同様の液処理装置から構成することができる。触媒層形成部１３は、図５および図６に示すとおりのものである。
【００２７】
触媒層形成部（触媒層形成システム）１３は、図５および図６に示すように、ケーシング１０１の内部で基板２を回転保持するための基板回転保持機構（基板収容部）１１０と、基板２の表面に触媒溶液や洗浄液などを供給する液供給機構３０，９０と、基板２から飛散しためっき液や洗浄液などを受けるカップ１０５と、カップ１０５で受けた触媒溶液や洗浄液を排出する排出口１２４，１２９，１３４と、排出口に集められた液を排出する液排出機構１２０，１２５，１３０と、基板回転保持機構１１０、液供給機構３０，９０，カップ１０５、および液排出機構１２０，１２５，１３０を制御する制御機構１６０と、を備えている。
【００２８】
（基板回転保持機構）
このうち基板回転保持機構１１０は、図５および図６に示すように、ケーシング１０１内で上下に伸延する中空円筒状の回転軸１１１と、回転軸１１１の上端部に取り付けられたターンテーブル１１２と、ターンテーブル１１２の上面外周部に設けられ、基板２を支持するウエハチャック１１３と、回転軸１１１を回転駆動する回転機構１６２と、を有している。このうち回転機構１６２は、制御機構１６０により制御され、回転機構１６２によって回転軸１１１が回転駆動され、これによって、ウエハチャック１１３により支持されている基板２が回転される。
【００２９】
次に、基板２の表面に触媒溶液や洗浄液などを供給する液供給機構３０，９０について、図５および図６を参照して説明する。液供給機構３０，９０は、基板２の表面に対して触媒溶液を供給する触媒溶液供給機構３０と、基板２の表面に洗浄液を供給する洗浄液供給機構９０と、を含んでいる。
【００３０】
図５および図６に示すように、吐出ノズル３２は、ノズルヘッド１０４に取り付けられている。またノズルヘッド１０４は、アーム１０３の先端部に取り付けられており、このアーム１０３は、上下方向に延伸可能となっており、かつ、回転機構１６５により回転駆動される支持軸１０２に固定されている。触媒溶液供給機構３０の触媒溶液供給管３３はアーム１０３の内側に配置されている。このような構成により、触媒溶液吐出ノズル３２を介して基板２の表面の任意の箇所に所望の高さから吐出することが可能となっている。
【００３１】
洗浄液供給機構９０は、後述するように基板２の洗浄工程において用いられるものであり、図５に示すように、ノズルヘッド１０４に取り付けられたノズル９２を含んでいる。この場合、ノズル９２から、洗浄液またはリンス処理液のいずれかが選択的に基板２の表面に吐出される。
【００３２】
（液排出機構）
次に、基板２から飛散した触媒溶液や洗浄液などを排出する液排出機構１２０，１２５，１３０について、図５を参照して説明する。図５に示すように、ケーシング１０１内には、昇降機構１６４により上下方向に駆動され、排出口１２４，１２９，１３４を有するカップ１０５が配置されている。液排出機構１２０，１２５，１３０は、それぞれ排出口１２４，１２９，１３４に集められる液を排出するものとなっている。
【００３３】
図５に示すように、めっき液排出機構１２０，１２５は、流路切換器１２１，１２６により切り替えられる回収流路１２２，１２７および廃棄流路１２３，１２８をそれぞれ有している。このうち回収流路１２２，１２７は、触媒溶液を回収して再利用するための流路であり、一方、廃棄流路１２３，１２８は、触媒溶液を廃棄するための流路である。なお図５に示すように、処理液排出機構１３０には廃棄流路１３３のみが設けられている。
【００３４】
また図５および図６に示すように、基板収容部１１０の出口側には、触媒溶液を排出する触媒溶液排出機構１２０の回収流路１２２が接続され、この回収流路１２２のうち基板収容部１１０の出口側近傍に、触媒溶液を冷却する冷却バッファ１２０Ａが設けられている。
【００３５】
次にめっき層焼きしめ部１５について述べる。
【００３６】
めっき層焼きしめ部１５は、図７に示すように、密閉された密閉ケーシング１５ａと、密閉ケーシング１５ａ内部に配置されたホットプレート１５Ａとを備えている。
【００３７】
めっき層焼きしめ部１５の密閉ケーシング１５ａには、基板２を搬送するための搬送口（図示せず）が設けられ、また密閉ケーシング１５ａ内にはＮ２ガス供給口１５ｃからＮ２ガスが供給される。
【００３８】
同時に密閉ケーシング１５ａ内は排気口１５ｂにより排気され、密閉ケーシング１５ａ内をＮ２ガスで充満させることにより、密閉ケーシング１５ａ内を不活性雰囲気に保つことができる。
【００３９】
＜めっき処理方法＞
次にこのような構成からなる本実施の形態の作用について、図２乃至図４により説明する。
【００４０】
まず前工程において、半導体ウエハ等からなる基板（シリコン基板）２に対して凹部２ａが形成され、凹部２ａが形成された基板２が本発明によるめっき処理システム１０内に搬送される。
【００４１】
そしてめっき処理システム１０の密着層形成部１２内において、凹部２ａを有する基板２上に密着層２１が形成される（図２および図３（ａ））。
【００４２】
ここで基板２に凹部２ａを形成する方法としては、従来公知の方法から適宜採用することができる。具体的には、例えば、ドライエッチング技術として、弗素系又は塩素系ガス等を用いた汎用的技術を適用できるが、特にアスペクト比（孔の深さ／孔の径）の大きな孔を形成するには、高速な深掘エッチングが可能なＩＣＰ−ＲＩＥ（Inductively Coupled Plasma Reactive Ion Etching：誘導結合プラズマ−反応性イオンエッチング）の技術の採用した方法をより好適に採用でき、特に、六フッ化硫黄（ＳＦ6）を用いたエッチングステップとＣ4Ｆ8などのテフロン系ガスを用いた保護ステップとを繰り返しながら行うボッシュプロセスと称される方法を好適に採用できる。
【００４３】
また密着層形成部１２は加熱部を有する真空室（図示せず）を有し、この密着層形成部１２内において、凹部２ａを有する基板２上にシランカップリング剤等のカップリング剤が吸着され、このようにして基板２上に密着層２１が形成される（ＳＡＭ処理）。シランカップリング剤を吸着させて形成された密着層２１は、後述する触媒層２２と基板２との密着性を向上させるものである。
【００４４】
密着層形成部１２において密着層２１が形成された基板２は、基板搬送アーム１１によって図５および図６に示す触媒層形成部１３へ送られる。そしてこの触媒層形成部１３において、基板２の密着層２１上に、例えば触媒となるナノパラジウム（ｎ−Ｐｄ）が吸着されて触媒層２２が形成される（図３（ｂ）（ｃ））。
【００４５】
次に本発明の実施の形態による触媒層形成部１３における触媒層形成工程において、説明する。
【００４６】
まず基板２が触媒層形成部１３の基板回転保持機能１１０上に載置される。
【００４７】
その後図４に示すように、基板２が基板回転保持機構１１０により回転し、この間ノズルヘッド１０４のノズル９２からＤＩＷ（イオン化蒸留水）が基板２上に１．５Ｌ／分の流量で１分間供給される。この場合、基板２の回転数は５００ｒｐｍとなっており、ノズルヘッド１０４のノズル９２は基板２の中央部２Ａ上方で停止している。
【００４８】
次に基板２が５００ｒｐｍの回転数で回転したまま、ノズルヘッド１０４のノズル９２からＩＰＡ（イソプロピルアルコール）が基板２上に３５〜４０ｍｌ／分の流量で１分間供給される。この場合、ノズルヘッド１０４のノズル９２は基板２の中央部２Ａ上方で停止している。
【００４９】
その後、基板２が５００ｒｐｍの回転数で回転したまま、ノズルヘッド１０４のノズル９２からＤＩＷが基板２上に１．５Ｌ／分の流量で３分間供給される。この場合、ノズルヘッド１０４のノズル９２は基板２の中央部２Ａ上方で停止している。
【００５０】
このように基板２を回転させながら、基板２上にＤＩＷ、ＩＰＡおよびＤＩＷを順次供給することにより、基板２の凹部２ａ内を純水で置換することができる。
【００５１】
次に基板２を３００ｒｐｍの回転数で回転させながら、ノズルヘッド１０４の吐出ノズル３２を用いて基板２上に触媒となるナノパラジウム（ｎ−Ｐｄ）を含む触媒溶液を６５０ｍｌ／分の流量で５分間供給する。
【００５２】
この間、ノズルヘッド１０４の吐出ノズル３２を基板２の中央部２Ａ上方と周縁部２Ｂ上方との間で往復移動させる。このように基板２を回転させながら、基板２上にノズルヘッド１０４の吐出ノズル３２から触媒溶液を供給するとともに、ノズルヘッド１０４の吐出ノズル３２を基板２の中央部２Ａ上方と周縁部２Ｂ上方との間で往復移動させることにより、触媒溶液が基板２の表面全域に行き渡ることになる。このように基板２の表面全域に触媒溶液を供給することにより、基板２の表面全域に触媒を吸着させて、基板表面触媒層２２Ａを形成することができる（第１供給工程）。
【００５３】
この第１供給工程では、基板２の表面全域に均一な基板表面触媒層２２Ａを形成することができる。この基板表面触媒層２２Ａは凹部２ａの表面から凹部２ａの内面までわずかに達しているが、凹部２ａの内面全域までは延びていない（図３（ｂ）参照）。
【００５４】
次に基板２を５００ｒｐｍの回転数で回転させながら、ノズルヘッド１０４の吐出ノズル３２を用いて基板２上に触媒溶液を１．０Ｌ／分の流量で５分間供給する。
【００５５】
この間ノズルヘッド１０４の吐出ノズル３２は基板２の中央部２Ａ上方で停止させておく。このように基板２を回転させながら、基板２上にノズルヘッド１０４の吐出ノズル３２から触媒溶液を供給するとともに、ノズルヘッド１０４の吐出ノズル３２を基板２の中央部２Ａ上方に停止させておくことによって、基板２表面全域に基板２の中央部２Ａから周縁部２Ｂに向う触媒溶液の整流を形成することができる。そしてこのように基板２表面全域に中央部２Ａから周縁部２Ｂに向う触媒溶液の整流を形成することにより、触媒溶液を基板２の凹部２ａに確実に進入させて、基板２の凹部２ａ内面全域に触媒を吸着させて、凹部内面触媒層２２Ｂを形成することができる（第２供給工程）。
【００５６】
この第２供給工程により、凹部２ａ内面に均一な凹部内面触媒層２２Ｂを形成することができ、このようにして基板表面触媒層２２Ａと凹部内面触媒層２２Ｂとにより、基板２の表面全域および凹部２ａの内面全域に、均一に形成された触媒層２２を設けることができる。
【００５７】
その後基板２が５００ｒｐｍの回転数で回転し、ノズルヘッド１０４のノズル９２からＤＩＷが基板２上に１．０Ｌ／分の流量で１０分間供給され、基板２に対するリンス工程が実施される。この場合、ノズルヘッド１０４のノズル９２は基板２の中央部２Ａ上方に停止している。
【００５８】
次に基板２が３００ｒｐｍの回転数で回転し、ノズルヘッド１０４のノズル９２からＩＰＡが基板２上に３５〜４０ｍｌ／分の流量で１分間供給される。この場合ノズルヘッド１０４のノズル９２は、基板２の中央部２Ａ上方と周縁部２Ｂ上方との間で往復移動する。その後、基板２を５５０ｒｐｍの回転数で７０秒間、回転させながらノズル９２からのＩＰＡの供給を停止させる。このようにして基板２上のＤＩＷを振り切って、基板２を乾燥させる乾燥工程が実施される。
【００５９】
このような基板２の乾燥工程において、基板２上にＮ２ガスを噴出させて乾燥制御を実施してもよい。
【００６０】
このようにして、触媒層形成部１３において、基板２の表面全域および凹部２ａの内面全域に、均一に形成された触媒層２２を設けることができる。
【００６１】
なお上記第２供給工程において、基板２を回転させながらノズルヘッド１０４の吐出ノズル３２から触媒溶液を供給するとともに、吐出ノズル３２を基板２の中央部２Ａ上方に停止させる例を示したが、これに限らず吐出ヘッド３２を基板２の中央部２Ａ上方近傍においてわずかに往復移動させてもよい。
【００６２】
次に、基板２に供給される触媒溶液および触媒溶液に含まれる触媒２２ａについて説明する。はじめに触媒２２ａについて説明する。
【００６３】
基板２の密着層２１に吸着される触媒２２ａとしては、めっき反応を促進することができる触媒作用を有する触媒が適宜用いられるが、例えば、ナノ粒子からなる触媒が用いられる。ここでナノ粒子とは、触媒作用を有するコロイド状の粒子であって、平均粒径が２０ｎｍ以下、例えば０．５ｎｍ〜２０ｎｍの範囲内となっている粒子のことである。ナノ粒子を構成する元素としては、例えば、パラジウム、金、白金などが挙げられる。このうちナノ粒子のパラジウムをｎ−Ｐｄとして表わすことができる。
【００６４】
また、ナノ粒子を構成する元素として、ルテニウムが用いられてもよい。
【００６５】
ナノ粒子の平均粒径を測定する方法が特に限られることはなく、様々な方法が用いられ得る。例えば、触媒溶液内のナノ粒子の平均粒径を測定する場合、動的光散乱法などが用いられ得る。動的光散乱法とは、触媒溶液内に分散しているナノ粒子にレーザー光を照射し、その散乱光を観察することにより、ナノ粒子の平均粒径などを算出する方法である。また、基板２の凹部２ａに吸着したナノ粒子の平均粒径を測定する場合、ＴＥＭやＳＥＭなどを用いて得られた画像から、所定の個数のナノ粒子、例えば２０個のナノ粒子を検出し、これらのナノ粒子の粒径の平均値を算出することもできる。
【００６６】
次に、ナノ粒子からなる触媒が含まれる触媒溶液について説明する。触媒溶液は、触媒となるナノ粒子を構成する金属のイオンを含有するものである。例えばナノ粒子がパラジウムから構成されている場合、触媒溶液には、パラジウムイオン源として、塩化パラジウムなどのパラジウム化合物が含有されている。
【００６７】
触媒溶液の具体的な組成は特には限られないが、好ましくは、触媒溶液の粘性係数が０．０１Ｐａ・ｓ以下となるよう触媒溶液の組成が設定されている。触媒溶液の粘性係数を上記範囲内とすることにより、基板２の凹部２ａの直径が小さい場合であっても、基板２の凹部２ａの下部にまで触媒溶液を十分に行き渡らせることができる。このことにより、基板２の凹部２ａの下部にまで触媒２２ａをより確実に吸着させることができる。
【００６８】
好ましくは、触媒溶液中の触媒２２ａは、分散剤によって被覆されている。これによって、触媒２２ａの界面における界面エネルギーを小さくすることができる。従って、触媒溶液内における触媒２２ａの拡散をより促進することができ、このことにより、基板２の凹部２ａの下部にまで触媒２２ａをより短時間で到達させることができると考えられる。また、複数の触媒２２ａが凝集してその粒径が大きくなることを防ぐことができ、このことによっても、触媒溶液内における触媒２２ａの拡散をより促進することができると考えられる。
【００６９】
分散剤で被覆された触媒２２ａを準備する方法が特に限られることはない。例えば、予め分散剤で被覆された触媒２２ａを含む触媒溶液が、触媒層形成部１３に対して供給されてもよい。若しくは、触媒２２ａを分散剤で被覆する工程を触媒層形成部１３の内部、例えば触媒溶液供給機構３０で実施するよう、触媒層形成部１３が構成されていてもよい。
【００７０】
分散剤としては、具体的には、ポリビニルポロリドン（ＰＶＰ）、ポリアクリル酸（ＰＡＡ）、ポリエチレンイミン（ＰＥＩ）、テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡ）、クエン酸等が好ましい。
【００７１】
その他、特性を調整するための各種薬剤が触媒溶液に添加されていてもよい。
【００７２】
なお触媒２２ａを含む触媒溶液としては、ｎ−Ｐｄ等のナノ粒子を含む触媒溶液に限られることはなく、塩化パラジウム水溶液（ＰｄＣｌ２）を触媒溶液として用い、塩化パラジウム（ＰｄＣｌ２）中のＰｄイオンを触媒２２ａとして用いてもよい。
【００７３】
このように、触媒形成部１３において基板２上に触媒層２２を形成した後、基板２は基板搬送アーム１１によってめっき層形成部１４へ送られる。
【００７４】
次にめっき層形成部１４において、基板２の触媒層２２上に、Ｃｕ拡散防止膜（バリア膜）として機能するめっき層２３が形成される（図３（ｄ））。
【００７５】
この場合、めっき層形成部１４は、図５および図６に示すような液処理装置からなり、基板２の触媒層２２上に無電解めっき処理を施すことによりめっき層２３を形成することができる。
【００７６】
めっき層形成部１４においてめっき層２３を形成する場合、めっき液としては、例えばＣｏ−Ｗ−Ｂを含むめっき液を用いることができ、めっき液の温度は４０〜７５℃（好ましくは６５℃）に保たれている。
【００７７】
Ｃｏ−Ｗ−Ｂを含むめっき液を基板２上に供給することにより、基板２の触媒層２２上に無電解めっき処理により、Ｃｏ−Ｗ−Ｂを含むめっき層２３が形成される。
【００７８】
次に触媒層２２上にめっき層２３が形成された基板２は、基板搬送アーム１１により、めっき層形成部１４からめっき層焼きしめ部１５の密閉ケーシング１５ａ内へ送られる。そして、このめっき層焼きしめ部１５の密閉ケーシング１５ａ内において、基板２は、酸化を抑制するためにＮ２ガスが充てんされた不活性雰囲気中でホットプレート１５Ａ上で加熱される。このようにして基板２のめっき層２３が焼きしめられる（Ｂａｋｅ処理）。
【００７９】
めっき層焼きしめ部１５において、めっき層２３を焼きしめる際の焼きしめ温度は、１５０〜２００℃、焼きしめ時間は１０〜３０分となっている。
【００８０】
このように基板２上のめっき層２３を焼きしめることにより、めっき層２３内の水分を外方へ放出することができ、同時にめっき層２３内の金属間結合を高めることができる。
【００８１】
このようにして形成されためっき層２３は、Ｃｕ拡散防止層（バリア膜）として機能する。次にバリア膜として機能するめっき層２３が形成された基板２は、その後基板搬送アーム１１により無電解Ｃｕめっき層形成部１６に送られる。
【００８２】
次に無電解Ｃｕめっき層形成部１６において、基板２のめっき層積層体２３上に、電解Ｃｕめっき層２５を形成するためのシード膜として機能する無電解Ｃｕめっき層２４が形成される（図３（ｅ））。
【００８３】
この場合、無電解Ｃｕめっき層形成部１６は、図５および図６に示すような液処理装置からなり、基板２のめっき層２３上に無電解めっき処理を施すことにより、無電解Ｃｕめっき層２４を形成することができる。
【００８４】
無電解Ｃｕめっき層形成部１６において形成された無電解Ｃｕめっき層２４は、電解Ｃｕめっき層２５を形成するためのシード膜として機能するものであり、無電解Ｃｕめっき層形成部１６において用いられるめっき液には、銅イオン源となる銅塩、例えば硫酸銅、硝酸銅、塩化銅、臭化銅、酸化銅、水酸化銅、ピロリン酸銅などが含まれている。まためっき液には、銅イオンの錯化剤および還元剤がさらに含まれている。まためっき液には、めっき反応の安定性や速度を向上させるための様々な添加剤が含まれていてもよい。
【００８５】
このようにして無電解Ｃｕめっき層２４が形成された基板２は、基板搬送アーム１１により、電解Ｃｕめっき層形成部１７へ送られる。なお、無電解Ｃｕめっき層２４が形成された基板２を焼きしめ部１５に送って焼きしめた後、電解Ｃｕめっき層形成部１７へ送ってもよい。次に電解Ｃｕめっき層形成部１７において、基板２に対して電解Ｃｕめっき処理が施され、基板２の凹部２ａ内に無電解Ｃｕめっき層２４をシード膜として電解Ｃｕめっき層２５が充てんされる（図３（ｆ））。
【００８６】
その後基板２は、めっき処理システム１０から外方へ排出され、基板２の裏面側（凹部２ａと反対側）が化学機械研磨される（図３（ｇ））。
【００８７】
以上のように本実施の形態によれば、触媒層形成部１３において、第１供給工程中に基板２の表面全域に触媒溶液を供給して、基板２の表面全域に均一な基板表面触媒層２２Ａを形成することができ、かつ第２供給工程中に凹部２内面全域に触媒溶液を供給して、凹部２ａ内面全域に均一な凹部内面触媒層２２Ｂを形成することができる。
【００８８】
＜本実施の変形例＞
次に本発明の変形例について説明する。上記実施の形態において、第１供給工程中に基板２を回転させながら、ノズルヘッド１０４の吐出ノズル３２から触媒溶液を供給するとともに、吐出ノズル３２を基板２の中央部２Ａ上方と周縁部２Ｂ上方との間で往復移動させた例を示したが、これに限らずスプレーノズル（図示せず）を用いて基板２の表面全域に触媒溶液をスプレー状に噴出してもよい。この場合、基板２は回転させてもよく、また基板２を停止させておいてもよい。
【００８９】
第１供給工程においてスプレーノズルを用いて基板２の表面全域に触媒溶液をスプレー状に噴出する場合、その後の第２供給工程においてスプレーノズルの噴出範囲を制御して、基板２の中央部のみに触媒溶液を供給する。この第２供給工程中、基板２を回転させておく。
【００９０】
このようにノズルヘッド１０４の吐出ノズル３２の代わりにスプレーノズルを用いることにより、第１供給工程において触媒溶液を基板２の表面全域に行き渡るよう供給することができ、このことにより基板２の表面全域に均一な基板表面触媒層２２Ａを形成することができる。また第２供給工程において、基板２の表面全域に触媒溶液の整流を形成することができ、凹部２ａ内面全域に均一な凹部内面触媒層２２Ｂを形成することができる。
【００９１】
なお、上記実施例では電解Ｃｕめっき処理で電解Ｃｕめっき層が充填される例を示したが、これに限ることはなく、電解Ｃｕめっき処理に代わり無電解Ｃｕめっき処理でＣｕめっき層を形成してもよい。
【００９２】
また、上記実施例においては、めっき層２３を焼きしめる場合に、めっき層焼きしめ部１５の密閉ケーシング１５ａ内において、基板２を、Ｎ２ガスが充てんされた不活性雰囲気中でホットプレート１５Ａ上で加熱した例を示したが、これに限ることはなく、例えば低温化や処理時間の短縮を目的として、密閉ケーシング１５ａ内を真空にして基板２をホットプレート１５Ａ上で加熱してもよい。
【００９３】
また、上記実施例においては、めっき層２３をめっき焼きしめ部１５で焼きしめる例を示したが、これに加えて、図５で示す触媒層形成部１３において、基板２の上方にランプ照射部２００（ＵＶ光など）または、基板２を覆うホットプレート（図示せず）などの加熱源を設け、触媒層形成部１３内で触媒層２２の焼きしめを行ってもよい。
【符号の説明】
【００９４】
２  基板
２ａ  凹部
１０  めっき処理システム
１１  基板搬送アーム
１２  密着層形成部
１３  触媒層形成部
１４  めっき層形成部
１５  めっき層焼きしめ部
１５Ａ  ホットプレート
１５ａ  密閉ケーシング
１５ｂ  排気口
１５ｃ  Ｎ２ガス供給口
１６  無電解Ｃｕめっき層形成部
１７  電解Ｃｕめっき層形成部
１８  カセットステーション
１９  制御部
１９Ａ  記憶媒体
２１  密着層
２２  触媒層
２２Ａ  基板表面触媒層
２２Ｂ  凹部内面触媒層
２３  めっき層
２４  無電解Ｃｕめっき層
２５  電解Ｃｕめっき層
３２  吐出ノズル
９２  ノズル
１０４  ノズルヘッド
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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