(57)【要約】【課題】光ファイバの取り回しを容易にでき、通信装置全体の小型化を可能にできる半導体光増幅装置を提供する。【解決手段】半導体光増幅装置１Ａは、半導体光増幅素子４１と、半導体光増幅素子４１を収容する第１パッケージ１０と、第１パッケージ１０の側壁に設けられ、半導体光増幅素子４１の一端から延びる光軸Ｌ１を通過させるレンズ５５と、第１パッケージ１０の側壁に設けられ、半導体光増幅素子４１の他端から延びる光軸Ｌ２を通過させるガラス窓材５１と、レンズ５５が設けられた第１パッケージ１０の側壁に固定され、外部と接続される第１光接続部２２とを備える。【選択図】図２
2016018120.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体光増幅素子と、
前記半導体光増幅素子を収容する第１パッケージと、
前記第１パッケージの側壁に設けられ、前記半導体光増幅素子の一端から延びる光軸を通過させる第１の窓部と、
前記第１パッケージの側壁に設けられ、前記半導体光増幅素子の他端から延びる光軸を通過させる第２の窓部と、
前記第１の窓部が設けられた前記第１パッケージの側壁に固定され、外部と接続される第１光接続部と、
を備える、半導体光増幅装置。
【請求項２】
前記第２の窓部が設けられた前記第１パッケージの側壁に固定される第２光接続部を更に備え、
前記第２光接続部は、前記他端から出射する光信号を受ける受光素子を収容する第２パッケージと接合されている、請求項１に記載の半導体光増幅装置。
【請求項３】
前記第２の窓部が設けられた前記第１パッケージの側壁に固定される第３光接続部と、
前記第３光接続部に一端が接続された光ファイバと、
を更に備える、請求項１に記載の半導体光増幅装置。
【請求項４】
前記光ファイバの他端は、前記半導体光増幅素子の前記他端から出射する光信号を受ける受光素子若しくは前記半導体光増幅素子の前記他端に入射する光信号を出射する発光素子を収容する第２パッケージに接続されている、請求項３に記載の半導体光増幅装置。
【請求項５】
前記第２の窓部が設けられた前記第１パッケージの側壁に固定され、外部と接続される第４光接続部を更に備える、請求項１に記載の半導体光増幅装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体光増幅装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１は、半導体光増幅装置について開示する。この半導体光増幅装置は、光信号を増幅する光増幅素子が収容された筐体と、該筐体の両端に接続された光ファイバとを備えている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平６−２３２８１４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
光通信において、減衰した光信号を増幅するための半導体光増幅装置が用いられている。図１４は、従来の半導体光増幅装置１００の構成を概略的に示す図である。同図に示されるように、従来の半導体光増幅装置１００は、光信号を増幅する光増幅素子が収容されたパッケージ１０２と、該パッケージ１０２の両端に接続された２本の光ファイバ１０４，１０６とを備えている。そして、一方の光ファイバ１０４の先端には光コネクタ１０８が設けられ、光コネクタ１０８は、送信側の光ファイバ１１０の一端に設けられた光コネクタ１１２と接続される。また、他方の光ファイバ１０６の先端には光コネクタ１１４が設けられ、光コネクタ１１４は、例えば光受信器といった外部の光学装置１１６から延びる光ファイバ１１８の一端に設けられた光コネクタ１２０と接続される。光ファイバ１１０から伝搬した光信号は、光ファイバ１０４を介してパッケージ１０２に入射し、光増幅素子によって増幅される。その後、増幅された光は、光ファイバ１０６及び１１８を介して光学装置１１６に達する。
【０００５】
しかしながら、上記の構成を備える半導体光増幅装置１００では、パッケージ１０２の両端から光ファイバ１０４，１０６が延びている。言い換えれば、長く延びる光ファイバの途中にパッケージが存在している。従って、半導体光増幅装置の取り回しが煩雑になり、また、半導体光増幅装置を含む通信装置全体の小型化を妨げる一因となる。
【０００６】
本発明は、このような問題点に鑑みてなされたものであり、光ファイバの取り回しを容易にでき、通信装置全体の小型化を可能にできる半導体光増幅装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上述した課題を解決するために、本発明による半導体光増幅装置は、半導体光増幅素子と、半導体光増幅素子を収容する第１パッケージと、第１パッケージに固定され、半導体光増幅素子の一端から延びる光軸を通過させる第１光接続部とを備え、第１光接続部は、当該半導体光増幅装置の外部に設けられる第１光学装置の第２光接続部と着脱可能に接続される。
【発明の効果】
【０００８】
本発明による半導体光増幅装置によれば、光ファイバの取り回しを容易にでき、通信装置全体の小型化を可能にできる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】図１は、第１実施形態に係る半導体光増幅装置と、外部光学装置との接続態様を概略的に示す図である。
【図２】図２は、半導体光増幅装置の詳細な構成を示す側断面図である。
【図３】図３は、半導体光増幅装置の平面断面図である。
【図４】図４は、半導体光増幅装置と外部光学装置とが接続された様子を示す側断面図である。
【図５】図５は、半導体光増幅装置と外部光学装置とが接続された様子を示す平面断面図である。
【図６】図６は、半導体光増幅装置の外部端子にフレキシブル配線基板が取り付けられ、光受信器の外部端子に別のフレキシブル配線基板が取り付けられた様子を示す側面図である。
【図７】図７は、半導体光増幅装置の外部端子にフレキシブル配線基板が取り付けられ、光受信器の外部端子に別のフレキシブル配線基板が取り付けられた様子を示す平面図である。
【図８】図８は、第２実施形態に係る半導体光増幅装置と、外部光学装置との接続態様を概略的に示す図である。
【図９】図９は、半導体光増幅装置の具体的構成を示す平面断面図である。
【図１０】図１０は、第３実施形態に係る半導体光増幅装置と、外部光学装置との接続態様を概略的に示す図である。
【図１１】図１１は、半導体光増幅装置の具体的構成を示す平面断面図である。
【図１２】図１２は、第４実施形態に係る半導体光増幅装置の具体的構成を示す平面断面図である。
【図１３】図１３は、第５実施形態に係る半導体光増幅装置の具体的構成を示す平面断面図である。
【図１４】図１４は、従来の半導体光増幅装置の構成を概略的に示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
［本願発明の実施形態の説明］
最初に、本願発明の実施形態の内容を列記して説明する。（１）一実施形態による半導体光増幅装置は、半導体光増幅素子と、半導体光増幅素子を収容する第１パッケージと、第１パッケージの側壁に設けられ、半導体光増幅素子の一端から延びる光軸を通過させる第１の窓部と、第１パッケージの側壁に設けられ、半導体光増幅素子の他端から延びる光軸を通過させる第２の窓部と、第１の窓部が設けられた第１パッケージの側壁に固定され、外部と接続される第１光接続部とを備える。この半導体光増幅装置では、外部と接続される第１光接続部が、光ファイバを介することなく第１パッケージの側壁に固定されている。従って、この半導体光増幅装置によれば、通信装置（例えば光トランシーバ）での半導体光増幅装置の取り回しを容易にでき、通信装置全体の小型化を可能にできる。
（２）半導体光増幅装置は、第２の窓部が設けられた第１パッケージの側壁に固定される第２光接続部を更に備え、第２光接続部は、他端から出射する光信号を受ける受光素子を収容する第２パッケージと接合されてもよい。これにより、受信装置を小型化し、通信装置全体の小型化に寄与できる。
（３）半導体光増幅装置は、第２の窓部が設けられた第１パッケージの側壁に固定される第３光接続部と、第３光接続部に一端が接続された光ファイバとを更に備えてもよい。このような構成であっても、一方の光接続部材（第１光接続部）が光ファイバを介することなく第１パッケージの側壁に固定されているので、半導体光増幅装置の取り回しを容易にできる。この場合、光ファイバの他端は、半導体光増幅素子の他端から出射する光信号を受ける受光素子若しくは半導体光増幅素子の他端に入射する光信号を出射する発光素子を収容する第２パッケージに接続されてもよい。
（４）半導体光増幅装置は、第２の窓部が設けられた第１パッケージの側壁に固定され、外部と接続される第４光接続部を更に備えてもよい。これにより、半導体光増幅装置を更に小型化でき、また、取り回しを更に容易にできる。
【００１１】
［本願発明の実施形態の詳細］
本発明の実施形態に係る半導体光増幅装置の具体例を、以下に図面を参照しつつ説明する。なお、本発明はこれらの例示に限定されるものではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。以下の説明では、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
【００１２】
（第１の実施の形態）
図１は、第１実施形態に係る半導体光増幅装置１Ａと、外部光学装置（例えば光受信器２Ａ）との接続態様を概略的に示す図である。本実施形態の半導体光増幅装置１Ａは、半導体光増幅素子を収容する第１パッケージ１０と、第１パッケージ１０に固定され、半導体光増幅素子の一端から延びる光軸を通過させる第１光接続部２２とを備える。第１光接続部２２は、半導体光増幅装置１Ａの外部に設けられる第１光学装置（例えば光ファイバ９２）の光接続部９３と着脱可能に接続される。また、第１パッケージ１０は、第２光接続部１４を介して外部光学装置（例えば光受信器２Ａ）に固定されている。
【００１３】
図２は、半導体光増幅装置１Ａの詳細な構成を示す側断面図である。図３は、半導体光増幅装置１Ａの平面断面図である。図２及び図３に示されるように、半導体光増幅装置１Ａは、第１パッケージ１０、第２光接続部１４、及び第１光接続部２２に加えて、半導体光増幅素子（ＳＯＡ：Semiconductor Optical Amplifier）４１、ガラス窓材５１、及びレンズ５５を備える。
【００１４】
第１パッケージ１０は、略直方体状の外観を有する中空部材である。第１パッケージ１０は、互いに対向する側壁１１ａ及び１１ｂ、互いに対向し側壁１１ａ及び１１ｂに対して垂直な方向に延びる側壁１１ｃ及び１１ｄ、底板１１ｅ、及び天板１１ｆを有する。第１パッケージ１０は、底板１１ｅを除いて、例えばＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金からなる。底板１１ｅは、例えば熱伝導性に優れたＣｕＷ合金からなる。側壁１１ａは、接合面１２ａを外面に含む。接合面１２ａには、後述する第１光接続部２２が固定される。また、側壁１１ａには、開口部１３ａが形成されている。この開口部１３ａにはレンズ５５（第１の窓部）が固定されており、後述する半導体光増幅素子４１の一端から延びる光軸Ｌ１がレンズ５５を通過する。側壁１１ｂは、接合面１２ｂを外面に含む。接合面１２ｂには、第２光接続部１４を介して外部光学装置（後述）が接合される。また、側壁１１ｂには、開口部１３ｂが形成されている。この開口部１３ｂにはガラス窓材５１（第２の窓部）が固定されており、後述する半導体光増幅素子４１の他端から外部光学装置へ延びる光軸Ｌ２がガラス窓材５１を通過する。
【００１５】
第１パッケージ１０は、半導体光増幅素子４１、サブキャリア４２、第１コリメートレンズ４３、第２コリメートレンズ４４、サーミスタ４５、キャリア４６、及び温度制御部（ＴＥＣ：Thermo Electric Cooler）４７を収容している。温度制御部４７上のキャリア４６には、半導体光増幅素子４１を搭載したサブキャリア４２、第１コリメートレンズ４３、第２コリメートレンズ４４、及びサーミスタ４５が搭載されている。
【００１６】
半導体光増幅素子４１は、例えばＩｎＰ系半導体からなる。半導体光増幅素子４１は、ｎ型ＩｎＰ基板上に、ｎ型ＩｎＰクラッド層、活性層（ＩｎＧａＡｓＰウエル／ＩｎＧａＡｓＰバリアからなる多重量子井戸構造）、及びｐ型ＩｎＰクラッド層が順に積層された構造を有する。半導体光増幅素子４１は、第１端面４１ａ（半導体光増幅素子の一端に相当）と、第１端面４１ａに対向する第２端面４１ｂ（半導体光増幅素子の他端に相当）とを有する。半導体光増幅素子４１は、第１コリメートレンズ４３と第２コリメートレンズ４４とによって挟まれ、半導体光増幅素子４１の第１端面４１ａは第１コリメートレンズ４３に光学的に結合される。第２端面４１ｂは、第２コリメートレンズ４４と光学的に結合される。半導体光増幅素子４１の第１端面４１ａ及び第２端面４１ｂからの戻り光を低減させるために、第１端面４１ａ及び第２端面４１ｂは、光軸Ｌ１及び光軸Ｌ２に垂直な面に対して傾斜して対向している。
【００１７】
サブキャリア４２は、半導体光増幅素子４１を搭載する部材であり、例えばＡｌＮからなる。キャリア４６は、サブキャリア４２、第１コリメートレンズ４３、第２コリメートレンズ４４、及びサーミスタ４５を搭載する。温度制御部４７は、キャリア４６を搭載する。温度制御部４７は、例えばペルチェ素子であることができる。サーミスタ４５は、半導体光増幅素子４１の素子温度を検知するために、半導体光増幅素子４１の近傍に設置される。
【００１８】
側壁１１ｄには開口部が形成されており、この開口部にはフィードスルー５０が設けられている。フィードスルー５０には、例えば６つの金属配線５２ａ〜５２ｆが設けられ、金属配線５２ａ〜５２ｆは、それぞれ、温度制御部４７、半導体光増幅素子４１、サーミスタ４５と電気的に接続される。また、フィードスルー５０には、金属配線５２ａ〜５２ｆにそれぞれ接続される外部端子５３ａ〜５３ｆが更に設けられている。外部端子５３ａ〜５３ｆは、例えば、半導体光増幅素子４１用の駆動端子、温度制御部４７用の駆動端子、及びサーミスタ４５用の駆動端子として利用される。半導体光増幅素子４１およびサーミスタ４５は、金属配線５２ａ〜５２ｆ及び外部端子５３ａ〜５３ｆを介して、半導体光増幅装置１Ａの外部との間で電気信号の送受信を行う。フィードスルー５０は、例えばセラミックからなり、金属配線５２ａ〜５２ｆ及び外部端子５３ａ〜５３ｆは、例えばＡｕからなる。
【００１９】
第１光接続部２２は、例えばステンレスからなり、第１パッケージ１０の接合面１２ａに溶接等によって固定され、半導体光増幅素子４１の第１端面４１ａから延びる光軸Ｌ１を通過させる。第１光接続部２２は例えば光レセプタクルであることができる。その場合、図１に示された光接続部９３は例えば光プラグであることができる。第１光接続部２２の内部には、スタブ２４及びアイソレータ２５が収容されている。スタブ２４は、アイソレータ２５と光学的に結合されている。アイソレータ２５は、レンズ５５と光学的に結合されている。スタブ２４は、光レセプタクルのための光結合部品であり、例えばセラミックからなる。アイソレータ２５は、半導体光増幅素子４１の第１端面４１ａに向かう光を通過させるとともに、半導体光増幅素子４１の第１端面４１ａからの光を遮断する。
【００２０】
第２光接続部１４は、光軸Ｌ２を中心とする略円筒状の部材からなり、その一端が第１パッケージ１０の接合面１２ｂに溶接等によって固定されている。第２光接続部１４の他端は、後述する外部光学装置に溶接等によって接合される。第２光接続部１４は、半導体光増幅素子４１の第２端面４１ｂから延びる光軸Ｌ２を通過させる。
【００２１】
図４及び図５は、本実施形態の半導体光増幅装置１Ａと、外部光学装置としての光受信器２Ａとが接続された様子を示す断面図である。図４は側断面図を示し、図５は平面断面図を示す。図４及び図５に示されるように、光受信器２Ａは、第２パッケージ６０と、光分波器７１と、受光素子アレイ７２と、トランスインピーダンスアンプ（ＴＩＡ）７３とを有する。
【００２２】
第２パッケージ６０は、略直方体状の外観を有する中空部材である。第２パッケージ６０は、例えばＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金からなる。第２パッケージ６０は、互いに対向する側壁６１ａ及び６１ｂ、互いに対向し側壁６１ａ及び６１ｂに対して垂直な方向に延びる側壁６１ｃ及び６１ｄ、底板６１ｅ、及び天板６１ｆを有する。側壁６１ａは、接合面６２ａを外面に含む。接合面６２ａには、第２光接続部１４が固定される。また、側壁６１ａには、開口部６３ａが形成されている。この開口部６３ａにはガラス窓材６４が固定されており、半導体光増幅素子４１の第２端面４１ｂから延びる光軸Ｌ２がガラス窓材６４を通過する。
【００２３】
光分波器７１は、第２コリメートレンズ４４、ガラス窓材５１、第２光接続部１４、及びガラス窓材６４を介して半導体光増幅素子４１の第２端面４１ｂと光学的に結合されている。光分波器７１は、第２端面４１ｂから出射された複数の波長成分を含む光信号を各波長毎に分波する。受光素子アレイ７２は、光軸Ｌ２と交差する方向に並ぶ複数の受光素子を有し、光分波器７１と光学的に結合されている。受光素子アレイ７２は、光分波器７１によって分波された各波長成分（図５に各光軸Ｌ３を示す）の信号光の強度を、各受光素子において検出する。トランスインピーダンスアンプ７３は、受光素子アレイ７２と電気的に接続されており、受光素子アレイ７２から出力された電流信号である光強度信号を電圧信号に変換し、増幅する。光分波器７１はキャリア７４上に搭載されている。受光素子アレイ７２はベース部材７５の側面に固定されており、ベース部材７５及びトランスインピーダンスアンプ７３はキャリア７６上に搭載されている。キャリア７４及び７６は、例えば熱伝導性に優れたＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金からなる。
【００２４】
側壁６１ｂには開口部が形成されており、この開口部にはフィードスルー６５が設けられている。フィードスルー６５には、例えば７つの金属配線６６ａ〜６６ｇが設けられている。金属配線６６ａ〜６６ｇは、受光素子アレイ７２及びトランスインピーダンスアンプ７３と電気的に接続されている。また、フィードスルー６５には、金属配線６６ａ〜６６ｇにそれぞれ接続される外部端子６７ａ〜６７ｇが更に設けられている。外部端子６７ａ〜６７ｇは、例えば、受光素子アレイ７２用の駆動端子、トランスインピーダンスアンプ７３からの出力信号を出力するための端子等として利用される。フィードスルー６５は、例えばセラミックからなり、金属配線６６ａ〜６６ｇ及び外部端子６７ａ〜６７ｇは、例えばＡｕからなる。
【００２５】
半導体光増幅装置１Ａ及び光受信器２Ａは、放熱基板３上に搭載される。放熱基板３は、例えばアルミニウムからなる。光軸Ｌ２から底板１１ｅの底面までの距離が、光軸Ｌ２から底板６１ｅの底面までの距離よりも短い場合には、図５に示されるように、半導体光増幅装置１Ａの高さを調整するための下板４が設けられてもよい。下板４は、半導体光増幅装置１Ａからの放熱のための放熱板としても機能し、例えばＣｕＷ合金若しくはＣｕＭｏ合金からなる。
【００２６】
ここで、半導体光増幅装置１Ａ及び光受信器２Ａと外部との電気的な接続方式について説明する。図６及び図７は、半導体光増幅装置１Ａの外部端子５３ａ〜５３ｆにフレキシブル配線基板（ＦＰＣ：Flexible printed circuits）８０Ａが取り付けられ、光受信器２Ａの外部端子６７ａ〜６７ｇにフレキシブル配線基板８０Ｂが取り付けられた様子を示す図である。図６は側面図を示し、図７は平面図を示す。図６及び図７に示されるように、半導体光増幅装置１Ａは、フレキシブル配線基板８０Ａを更に備えてもよい。また、光受信器２Ａは、フレキシブル配線基板８０Ｂを更に備えてもよい。
【００２７】
フレキシブル配線基板８０Ａは、一端部８１ａ及び他端部８１ｂを有しており、複数のプリント配線８２ａ〜８２ｆが一端部８１ａから他端部８１ｂまで延びている。一端部８１ａにおいて、複数のプリント配線８２ａ〜８２ｆの一端は、それぞれ対応する外部端子５３ａ〜５３ｆと電気的に接合される。この接合には、半田等の導電性接着材が用いられる。なお、図６及び図７ではプリント配線８２ａ〜８２ｆがフレキシブル配線基板８０Ａの外側の面上に設けられているが、プリント配線８２ａ〜８２ｆはフレキシブル配線基板８０Ａの内側の面上に設けられてもよく、或いはフレキシブル配線基板８０Ａの内部に埋め込まれてもよい。フレキシブル配線基板８０Ａは、外部端子５３ａ〜５３ｆから側壁１１ｄに沿って天板１１ｆに向けて延びる部分８４ａと、天板１１ｆ及び天板６１ｆに沿って側壁６１ｂに向けて延びる部分８４ｂとを含む。フレキシブル配線基板８０Ａがこのような構成を有することにより、第１パッケージ１０の側面からの突出量は、フィードスルー５０及びフレキシブル配線基板８０Ａの厚みのみとなる。従って、当該通信装置内での他の光学部品や光学装置との距離を短くすることができ、通信装置の小型化に寄与できる。
【００２８】
フレキシブル配線基板８０Ｂは、一端部８５ａ及び他端部８５ｂを有しており、複数のプリント配線８６ａ〜８６ｆが一端部８５ａから他端部８５ｂまで延びている。一端部８５ａにおいて、複数のプリント配線８６ａ〜８６ｆの一端は、それぞれ対応する外部端子６７ａ〜６７ｇと電気的に接合される。この接合には、半田等の導電性接着材が用いられる。フレキシブル配線基板８０Ｂは、外部端子６７ａ〜６７ｇから側壁６１ｂの法線方向に延びている。すなわち、フレキシブル配線基板８０Ａ及び８０Ｂは、互いに同一の方向へ引き出されている。
【００２９】
以上に説明した本実施形態の半導体光増幅装置１Ａによって得られる効果について説明する。本実施形態の半導体光増幅装置１Ａは、半導体光増幅素子４１と、半導体光増幅素子４１を収容する第１パッケージ１０と、第１パッケージ１０に固定され、半導体光増幅素子４１の第１端面４１ａから延びる光軸Ｌ１を通過させる第１光接続部２２とを備える。そして、第１光接続部２２は、半導体光増幅装置の外部に設けられる第１光学装置の第２光接続部と着脱可能に接続される。このように、半導体光増幅装置１Ａでは、外部装置（第１光学装置）の第２光接続部と着脱可能に接続される第１光接続部２２が、光ファイバを介することなく第１パッケージ１０に固定されている。従って、通信装置での半導体光増幅装置１Ａの取り回しを容易にでき、通信装置全体の小型化を可能にできる。
【００３０】
また、本実施形態のように、半導体光増幅装置１Ａは、第１パッケージ１０に固定されて半導体光増幅素子４１の第２端面４１ｂから延びる光軸Ｌ２を通過させる第２光接続部１４を更に備え、第２光接続部１４は、第２端面４１ｂから出射する光信号を受ける受光素子アレイ７２を収容する第２パッケージ６０と接合されてもよい。これにより、受信装置を小型化し、通信装置全体の小型化に寄与できる。なお、本実施形態では光分波器７１及び受光素子アレイ７２を含むＷＤＭ構造を例示したが、これらに代えて、単一の受光素子が設けられてもよい。
【００３１】
また、本実施形態では、第１パッケージ１０と第２パッケージ６０とが、側壁１１ｂ及び側壁６１ａよりも小さい開口部１３ｂ及び６３ａを介して接続されている。従って、側壁１１ｂ及び側壁６１ａによって迷光が遮蔽され、半導体光増幅素子４１による迷光の増幅が抑制される。なお、本実施形態では開口部１３ｂにガラス窓材５１が設けられ、開口部６３ａにガラス窓材６４が設けられているが、開口部１３ｂ及び６３ａのそれぞれにレンズが設けられてもよい。これにより、開口部１３ｂと開口部６３ａとの間の光束を絞って第２光接続部１４の内径を更に小さくすることができるので、迷光の遮蔽効果を高め、半導体光増幅素子４１による迷光の増幅を更に抑制することができる。
【００３２】
（第２の実施の形態）
図８は、第２実施形態に係る半導体光増幅装置１Ｂと、外部光学装置（例えば光受信器２Ａ）との接続態様を概略的に示す図である。図１に示されたように、第１実施形態の半導体光増幅装置１Ａは第２光接続部１４を介して光受信器２Ａに固定されていたが、本実施形態の半導体光増幅装置１Ｂは第２光接続部１４に代えて光ファイバ９１を備えており、光ファイバ９１を介して外部光学装置（例えば光受信器２Ａ）に接続されている。
【００３３】
図９は、本実施形態の半導体光増幅装置１Ｂの具体的構成を示す平面断面図である。半導体光増幅装置１Ｂは、前述した光ファイバ９１に加えて、第３光接続部１５を備える。第３光接続部１５は、光軸Ｌ２を中心とする略円筒状の部材からなり、その一端が第１パッケージ１０の接合面１２ｂに溶接等によって固定されている。第３光接続部１５の他端には、光ファイバ９１の一端が接続されている。光ファイバ９１の他端は、例えば光受信器２Ａの第２パッケージ６０（図３，図４を参照）に接続される。このような構成により、半導体光増幅素子４１の第２端面４１ｂから出射された増幅後の信号光は、光ファイバ９１を介して光受信器２Ａ等の外部光学装置へ送られる。
【００３４】
本実施形態の半導体光増幅装置１Ｂによれば、第１実施形態と同様に、光ファイバ９２の光接続部９３と着脱可能に接続される第１光接続部２２が、光ファイバを介することなく第１パッケージ１０に固定されている。従って、通信装置での半導体光増幅装置１Ｂの取り回しを容易にでき、通信装置全体の小型化を可能にできる。
【００３５】
（第３の実施の形態）
図１０は、第３実施形態に係る半導体光増幅装置１Ｃと、外部光学装置（例えば光送信器２Ｂ）との接続態様を概略的に示す図である。半導体光増幅装置１Ｃは、第１実施形態の第２光接続部１４に代えて光ファイバ９１を備えており、光ファイバ９１を介して外部光学装置（例えば光送信器２Ｂ）に接続されている。なお、光送信器２Ｂの第２パッケージは、光信号を出射する発光素子を収容する。この光信号は、光増幅素子４１の端面４１ｂに入射する。
【００３６】
図１１は、本実施形態の半導体光増幅装置１Ｃの具体的構成を示す平面断面図である。半導体光増幅装置１Ｃは、次の点を除いて第２実施形態の半導体光増幅装置１Ｂと同様の構成を備えている。すなわち、半導体光増幅装置１Ｃは、半導体光増幅装置１Ｂの構成に加えて、アイソレータ９４を更に備える。アイソレータ９４は、第３光接続部１５の内部において光軸Ｌ２上に設けられている。アイソレータ９４は、光増幅素子４１の第２端面４１ｂに向かう光を通過させるとともに、光増幅素子４１の第２端面４１ｂからの光を遮断する。
【００３７】
本実施形態の半導体光増幅装置１Ｃによれば、第１実施形態と同様に、光ファイバ９２の光接続部９３と着脱可能に接続される第１光接続部２２が、光ファイバを介することなく第１パッケージ１０に固定されている。従って、通信装置での半導体光増幅装置１Ｃの取り回しを容易にでき、通信装置全体の小型化を可能にできる。
【００３８】
（第４の実施の形態）
図１２は、第４実施形態に係る半導体光増幅装置１Ｄの具体的構成を示す平面断面図である。図１に示されたように、第１実施形態の半導体光増幅装置１Ａは第２光接続部１４を介して光受信器２Ａに固定されていたが、本実施形態の半導体光増幅装置１Ｄは、第２光接続部１４に代えて第４光接続部１６を備える。第４光接続部１６は、半導体光増幅装置１Ｄの外部に設けられる第２光学装置（不図示）の第６光接続部と着脱可能に接続される。また、本実施形態では、ガラス窓材５１に代えてレンズ５４（第２の窓部）が設けられている。
【００３９】
第４光接続部１６は、例えばステンレスからなり、第１パッケージ１０の接合面１２ｂに溶接等によって固定され、半導体光増幅素子４１の第２端面４１ｂから延びる光軸Ｌ２を通過させる。第４光接続部１６は、半導体光増幅装置１Ｄの外部に設けられる第２光学装置（不図示）の第６光接続部と着脱可能に接続される。第４光接続部１６は例えば光レセプタクルであることができる。その場合、第６光接続部は例えば光プラグであることができる。第４光接続部１６の内部には、スタブ１７及びアイソレータ１８が収容されている。スタブ１７は、アイソレータ１８と光学的に結合されている。アイソレータ１８は、レンズ５４と光学的に結合されている。スタブ１７は、光レセプタクルのための光結合部品であり、例えばセラミックからなる。アイソレータ１８は、半導体光増幅素子４１の第２端面４１ｂに向かう光を遮断するとともに、第２端面４１ｂからの光を通過させる。
【００４０】
本実施形態の半導体光増幅装置１Ｄによれば、第１実施形態と同様に、光ファイバ９２の光接続部９３と着脱可能に接続される第１光接続部２２が、光ファイバを介することなく第１パッケージ１０に固定されている。従って、通信装置での半導体光増幅装置１Ｄの取り回しを容易にでき、通信装置全体の小型化を可能にできる。更に、第６光接続部と着脱可能に接続される第４光接続部１６が、光ファイバを介することなく第１パッケージ１０に固定されている。これにより、半導体光増幅装置１Ｄを更に小型化でき、また、取り回しを更に容易にできる。
【００４１】
（第５の実施の形態）
図１３は、第５実施形態に係る半導体光増幅装置１Ｅの具体的構成を示す平面断面図である。本実施形態の半導体光増幅装置１Ｅは、第４実施形態の第１光接続部２２に代えて、第１光接続部３１を備える。第１光接続部３１は、半導体光増幅装置１Ｅの外部に設けられる第３光学装置（不図示）の光接続部と着脱可能に接続される。
【００４２】
第１光接続部３１は、ガイド部材３２と、接続スタブ３３とを有する。ガイド部材３２は、例えばプラスチックからなり、第１パッケージ１０の接合面１２ａに一端が固定され、半導体光増幅素子４１の第１端面４１ａから延びる光軸Ｌ１を通過させる。ガイド部材３２の先端部の径が太くなっておりラッチ部３３ａを構成している。接続スタブ３３は、ガイド部材３２の他端側に固定されている。接続スタブ３３は、ガイド部材３２の他端から突出している。また、ガイド部材３２の内部にはアイソレータ３４が収容されている。アイソレータ３４は、半導体光増幅素子４１の第１端面４１ａに向かう光を通過させるとともに、第１端面４１ａからの光を遮断する。
【００４３】
本実施形態の半導体光増幅装置１Ｅによれば、第１実施形態と同様に、外部の光接続部と着脱可能に接続される第１光接続部３１が、光ファイバを介することなく第１パッケージ１０に固定されている。従って、通信装置での半導体光増幅装置１Ｅの取り回しを容易にでき、通信装置全体の小型化を可能にできる。更に、第１光接続部３１が接続スタブ３３を有することにより、例えばレセプタクルを有する外部光学装置に直接接続することが可能である。すなわち、光接続の為にアダプタを介在させる必要がないので、レセプタクルを有する外部光学装置との接続の際に、更なる小型化及び省スペース化を実現することができる。
【００４４】
以上、好適な実施の形態において本発明の原理を図示し説明してきたが、本発明は、そのような原理から逸脱することなく配置及び詳細において変更され得ることは、当業者によって認識される。本発明は、本実施の形態に開示された特定の構成に限定されるものではない。したがって、特許請求の範囲及びその精神の範囲から来る全ての修正及び変更に権利を請求する。
【符号の説明】
【００４５】
１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄ…半導体光増幅装置、２Ａ…光受信器、２Ｂ…光送信器、３…放熱基板、４…下板、１０…第１パッケージ、１１ａ〜１１ｄ…側壁、１２ａ，１２ｂ…接合面、１３ａ，１３ｂ…開口部、１４…第２光接続部、１５…第３光接続部、１６…第４光接続部、２２…第１光接続部、２４…スタブ、２５…アイソレータ、４１…半導体光増幅素子、４１ａ…第１端面、４１ｂ…第２端面、４２…サブキャリア、４３…第１コリメートレンズ、４４…第２コリメートレンズ、４５…サーミスタ、４６…キャリア、４７…温度制御部、５０…フィードスルー、５１…ガラス窓材、５４，５５…レンズ、６０…第２パッケージ、７１…光分波器、７２…受光素子アレイ、７３…トランスインピーダンスアンプ、７４，７６…キャリア、７５…ベース部材、８０Ａ，８０Ｂ…フレキシブル配線基板、９１，９２…光ファイバ、９３…光接続部、９４…アイソレータ、Ｌ１，Ｌ２…光軸。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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