(57)【要約】【課題】プレートの全体的な温度を高い信頼性で測定可能な熱処理装置および熱処理方法を提供する。【解決手段】上部プレート２１、下部プレート２２および熱処理部２３によりプレート部２０が構成される。温度に応じて変化する特性値を有する複数の温度検出素子５１が下部プレート２２の複数の位置にそれぞれ設けられる。基板Ｗが載置された上部プレート２１が熱処理部２３により加熱または冷却される。プレート部２０の複数の位置の温度に応じて複数の温度検出素子５１の特性値がそれぞれ変化する。複数の温度検出素子５１の特性値に基づいて、プレート部２０の複数の位置の温度により定まる代表温度が取得される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に熱処理を行なう熱処理装置であって、
基板が載置されるプレートと、
前記プレートを加熱または冷却するように配置される熱処理部と、
温度に応じて変化する特性値を有し、前記プレートの複数の位置にそれぞれ設けられる複数の温度検出素子と、
前記複数の温度検出素子の特性値に基づいて、前記プレートの前記複数の位置の温度により定まる代表温度を取得する取得部とを備える、熱処理装置。
【請求項２】
前記複数の温度検出素子は、直列回路、並列回路または直並列回路を含む電気回路を構成するように接続され、
前記取得部は、前記電気回路の合成特性値を取得し、取得した合成特性値に対応する温度を前記代表温度として取得する、請求項１記載の熱処理装置。
【請求項３】
前記取得部は、前記複数の温度検出素子の複数の特性値を取得し、取得した複数の特性値を用いた演算により前記複数の特性値の代表値を決定し、決定した代表値に基づいて前記代表温度を取得する、請求項１記載の熱処理装置。
【請求項４】
前記複数の特性値の代表値は、前記複数の特性値の平均値である、請求項３記載の熱処理装置。
【請求項５】
前記熱処理部の温度を調整する温度調整部と、
前記取得部により取得された代表温度に基づいて前記温度調整部を制御する制御部とをさらに備える、請求項１〜４のいずれか一項に記載の熱処理装置。
【請求項６】
前記プレートは複数の領域を有し、
前記熱処理部は、前記プレートの前記複数の領域をそれぞれ加熱または冷却するように複数設けられ、
前記複数の温度検出素子は、前記プレートの前記複数の領域の各々における複数の位置にそれぞれ設けられ、
前記取得部は、前記プレートの各領域の前記複数の温度検出素子の特性値に基づいて、当該領域の前記複数の位置の温度により定まる代表温度を取得する、請求項１〜４のいずれか一項に記載の熱処理装置。
【請求項７】
前記熱処理部の複数の領域の温度をそれぞれ調整する複数の温度調整部と、
前記取得部により取得された前記プレートの前記複数の領域の代表温度に基づいて前記複数の温度調整部を制御する制御部とをさらに備える、請求項６記載の熱処理装置。
【請求項８】
基板に熱処理を行なう熱処理方法であって、
温度に応じて変化する特性値を有する複数の温度検出素子をプレートの複数の位置にそれぞれ設けるステップと、
基板が載置された前記プレートを熱処理部により加熱または冷却するステップと、
前記複数の温度検出素子の特性値に基づいて、前記プレートの前記複数の位置の温度により定まる代表温度を取得するステップとを含む、熱処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、熱処理装置および熱処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板またはフォトマスク用基板等の各種基板に熱処理を行うために、熱処理装置が用いられている。
【０００３】
特許文献１に記載された熱処理装置は、載置された基板を加熱する熱板を有する。熱板は、複数の部分に分割されている。熱板の各部分には、ヒータが設けられる。また、熱板の各部分には、当該部分の温度を測定するための３つの熱電対が設けられる。ここで、各熱電対の検出部は、対応する熱板の部分に完全に埋設されず、熱板の表面に接触するように配置される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００２−３５３１１１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１の熱処理装置においては、検出部と熱板との接触が不十分である場合には、熱電対により測定される温度は熱板の部分の真の温度よりも低くなる。そこで、熱板の各部分に設けられた３つの熱電対によりそれぞれ測定された３つの温度のうち、最も高い温度が対応する熱板の部分の温度であると擬制される。
【０００６】
しかしながら、熱板の各部分の温度分布は、熱板と基板との接触状態により異なる。また、熱板の各部分の温度分布は、熱処理装置ごとに異なる。そのため、特許文献１の熱処理装置では、熱板の信頼性の高い温度を測定することは困難である。
【０００７】
本発明の目的は、プレートの全体的な温度を高い信頼性で測定可能な熱処理装置および熱処理方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
（１）第１の発明に係る熱処理装置は、基板に熱処理を行なう熱処理装置であって、基板が載置されるプレートと、プレートを加熱または冷却するように配置される熱処理部と、温度に応じて変化する特性値を有し、プレートの複数の位置にそれぞれ設けられる複数の温度検出素子と、複数の温度検出素子の特性値に基づいて、プレートの複数の位置の温度により定まる代表温度を取得する取得部とを備える。
【０００９】
この熱処理装置においては、温度に応じて変化する特性値を有する複数の温度検出素子がプレートの複数の位置にそれぞれ設けられる。基板が載置されたプレートが熱処理部により加熱または冷却される。プレートの複数の位置の温度に応じて複数の温度検出素子の特性値がそれぞれ変化する。複数の温度検出素子の特性値に基づいて、プレートの複数の位置の温度により定まる代表温度が取得される。
【００１０】
この構成によれば、代表温度は複数の温度検出素子の特性値に基づいて取得される。そのため、プレートと基板との接触状態によりプレートの一部の温度が他の部分の温度から乖離している場合または熱処理装置ごとに温度分布の差がある場合でも、プレートの局部的な温度が代表温度に寄与する度合いを緩和することができる。これにより、代表温度がプレートの全体的な温度を正確に表わすことになる。したがって、プレートの温度を高い信頼性で測定することができる。
【００１１】
（２）複数の温度検出素子は、直列回路、並列回路または直並列回路を含む電気回路を構成するように接続され、取得部は、電気回路の合成特性値を取得し、取得した合成特性値に対応する温度を代表温度として取得してもよい。
【００１２】
この場合、複数の温度検出素子の各々の特性値を測定する必要がない。これにより、簡単な構成で代表温度を取得することができる。
【００１３】
（３）取得部は、複数の温度検出素子の複数の特性値を取得し、取得した複数の特性値を用いた演算により複数の特性値の代表値を決定し、決定した代表値に基づいて代表温度を取得してもよい。
【００１４】
この場合、複数の特性値の代表値により代表温度が取得される。複数の温度検出素子の特性値がプレートの代表温度に寄与すべき度合いを考慮して複数の特性値を用いた演算を行なうことが可能である。それにより、代表温度をより高い信頼性で取得することができる。
【００１５】
（４）複数の特性値の代表値は、複数の特性値の平均値であってもよい。この場合、代表温度を高い信頼性で容易に取得することができる。
【００１６】
（５）熱処理装置は、熱処理部の温度を調整する温度調整部と、取得部により取得された代表温度に基づいて温度調整部を制御する制御部とをさらに備えてもよい。この場合、プレートの全体的な温度を所望の値に正確に調整することができる。
【００１７】
（６）プレートは複数の領域を有し、熱処理部は、プレートの複数の領域をそれぞれ加熱または冷却するように複数設けられ、複数の温度検出素子は、プレートの複数の領域の各々における複数の位置にそれぞれ設けられ、取得部は、プレートの各領域の複数の温度検出素子の特性値に基づいて、当該領域の複数の位置の温度により定まる代表温度を取得してもよい。この場合、プレートの各領域の全体的な温度をそれぞれの代表温度として高い信頼性で測定することができる。
【００１８】
（７）熱処理装置は、熱処理部の複数の領域の温度をそれぞれ調整する複数の温度調整部と、取得部により取得されたプレートの複数の領域の代表温度に基づいて複数の温度調整部を制御する制御部とをさらに備えてもよい。この場合、プレートの各領域の全体的な温度を所望の値に正確にかつ個別に調整することができる。
【００１９】
（８）第２の発明に係る熱処理方法は、基板に熱処理を行なう熱処理方法であって、温度に応じて変化する特性値を有する複数の温度検出素子をプレートの複数の位置にそれぞれ設けるステップと、基板が載置されたプレートを熱処理部により加熱または冷却するステップと、複数の温度検出素子の特性値に基づいて、プレートの複数の位置の温度により定まる代表温度を取得するステップとを含む。
【００２０】
この熱処理方法によれば、温度に応じて変化する特性値を有する複数の温度検出素子がプレートの複数の位置にそれぞれ設けられる。基板が載置されたプレートが熱処理部により加熱または冷却される。プレートの複数の位置の温度に応じて複数の温度検出素子の特性値がそれぞれ変化する。複数の温度検出素子の特性値に基づいて、プレートの複数の位置の温度により定まる代表温度が取得される。
【００２１】
この方法によれば、代表温度は複数の温度検出素子の特性値に基づいて取得される。そのため、プレートと基板との接触状態によりプレートの一部の温度が他の部分の温度から乖離している場合または熱処理装置ごとに温度分布の差がある場合でも、プレートの局部的な温度が代表温度に寄与する度合いを緩和することができる。これにより、代表温度がプレートの全体的な温度を正確に表わすことになる。したがって、プレートの温度を高い信頼性で測定することができる。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、プレートの全体的な温度を高い信頼性で測定することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】第１の実施の形態に係る熱処理装置の構成を示す図である。
【図２】熱処理部の発熱抵抗体の配置を示す平面図である。
【図３】複数の温度検出素子の接続関係の一例を示す平面図である。
【図４】複数の温度検出素子の接続関係の他の例を示す図である。
【図５】第２の実施の形態に係る熱処理装置の構成を示す図である。
【図６】第３の実施の形態に係る熱処理装置の構成を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
（１）第１の実施の形態
以下、本発明の第１の実施の形態に係る熱処理装置および熱処理方法について図面を用いて説明する。なお、以下の説明において、基板とは、半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板またはフォトマスク用基板等をいう。
【００２５】
図１は、第１の実施の形態に係る熱処理装置の構成を示す図である。図１に示すように、熱処理装置１００は、制御装置１０、プレート部２０、昇降装置３０、温度調整部４０および温度測定部５０を含む。制御装置１０は、ＣＰＵ（Central Processing Unit；中央演算処理装置）１１およびメモリ１２を含む。
【００２６】
プレート部２０は、上部プレート２１、下部プレート２２および熱処理部２３を含む。上部プレート２１は円板形状を有する。上部プレート２１には、厚み方向に貫通する複数（本例では３個）の開口部２１ｈが形成される。上部プレート２１には、熱処理が行なわれる基板Ｗが載置される。
【００２７】
下部プレート２２は円板形状を有する。下部プレート２２には、厚み方向に貫通しかつ上部プレート２１の複数の開口部２１ｈにそれぞれ対応する複数の開口部２２ｈが形成される。下部プレート２２は、その中心が上部プレート２１の中心と略一致する状態で上部プレート２１の下方に配置される。この場合、上部プレート２１の複数の開口部２１ｈと下部プレート２２の複数の開口部２２ｈとはそれぞれ上下方向に重なる。
【００２８】
本実施の形態においては、熱処理部２３は加熱素子として発熱抵抗体２３ａ（後述する図２参照）を含む。この場合、プレート部２０は、基板Ｗを加熱するホットプレートとして機能する。熱処理部２３は、上部プレート２１と下部プレート２２との間に配置される。この状態で、上部プレート２１と下部プレート２２とが図示しないネジ等の固定部材により固定される。これにより、熱処理部２３は上部プレート２１および下部プレート２２により狭持される。
【００２９】
昇降装置３０は、複数の開口部２１ｈ，２２ｈにそれぞれ対応する複数の昇降ピン３１およびピン駆動部３２を含む。複数の昇降ピン３１は、下部プレート２２の下方から複数の開口部２２ｈおよび上部プレート２１の複数の開口部２１ｈにそれぞれ挿入される。
【００３０】
ピン駆動部３２は、例えばアクチュエータである。ピン駆動部３２は、制御装置１０のＣＰＵ１１による制御に基づいて、複数の昇降ピン３１を上昇位置と下降位置との間で移動させる。ここで、上昇位置は、複数の昇降ピン３１の先端が複数の開口部２１ｈ，２２ｈを通して上部プレート２１の上面よりも上方に突出する位置である。下降位置は、複数の昇降ピン３１の先端が上部プレート２１の上面よりも下方にある位置である。
【００３１】
ＣＰＵ１１は、プレート部２０への基板Ｗの搬入時またはプレート部２０からの基板Ｗの搬出時に複数の昇降ピン３１が上昇位置に移動するようにピン駆動部３２を制御する。この場合、複数の昇降ピン３１により基板Ｗが上部プレート２１の上方に移動される。この状態で、複数の昇降ピン３１と図示しない基板搬送装置との間で基板Ｗの受け渡しが行なわれる。また、ＣＰＵ１１は、基板Ｗの熱処理時に複数の昇降ピン３１が下降位置に移動するようにピン駆動部３２を制御する。これにより、基板Ｗがプレート部２０の上部プレート２１上に載置される。
【００３２】
図２は、熱処理部２３の発熱抵抗体２３ａの配置を示す平面図である。図２においては、上部プレート２１の下方に位置する発熱抵抗体２３ａを点線で図示している。図２に示すように、発熱抵抗体２３ａは、蛇行しつつ上部プレート２１の下方を周回するように設けられる。発熱抵抗体２３ａの両端は、温度調整部４０に接続される。
【００３３】
本実施の形態においては、温度調整部４０は電流供給部である。温度調整部４０は、制御装置１０のＣＰＵ１１による制御に基づいて発熱抵抗体２３ａに電流を供給する。それにより、発熱抵抗体２３ａが発熱し、上部プレート２１に載置された基板Ｗが所定の温度に加熱される。ここで、発熱抵抗体２３ａは、上部プレート２１を加熱するとともに下部プレート２２を加熱する。上部プレート２１の温度分布と下部プレート２２の温度分布とは略等しい。
【００３４】
図１に示すように、温度測定部５０は、複数（本例では４個）の温度検出素子５１および抵抗値算出部５２を含む。温度検出素子５１は、例えば測温抵抗体を含む。測温抵抗体は、温度により変化する抵抗値を有する。本例においては、測温抵抗体は、白金（Ｐｔ）により形成される。測温抵抗体が炭素皮膜抵抗またはゲルマニウム（Ｇｅ）により形成されてもよい。複数の温度検出素子５１は、下部プレート２２内に埋設される。複数の温度検出素子５１は、互いに電気的に接続された状態で下部プレート２２内に分散的に配置される。
【００３５】
図３は、複数の温度検出素子５１の接続関係の一例を示す平面図である。図３および後述する図４においては、４個の温度検出素子５１をそれぞれ温度検出素子５１ａ，５１ｂ，５１ｃ，５１ｄと呼ぶ。図３の例では、温度検出素子５１ａと温度検出素子５１ｂとの直列回路がノードＮ１，Ｎ２間に接続される。また、温度検出素子５１ｃと温度検出素子５１ｄとの直列回路がノードＮ１，Ｎ２間に接続される。これにより、ノードＮ１，Ｎ２間に温度検出素子５１ａ〜５１ｄからなる抵抗回路ＣＮが構成される。
【００３６】
抵抗値算出部５２は、ノードＮ１，Ｎ２間における抵抗回路ＣＮの合成抵抗値ＣＲを算出し、算出した合成抵抗値ＣＲをＣＰＵ１１に出力する。メモリ１２には、抵抗回路ＣＮの合成抵抗値ＣＲと下部プレート２２の温度との関係を示す数式またはテーブルが記憶されている。
【００３７】
ＣＰＵ１１は、取得した合成抵抗値ＣＲに基づいてメモリ１２に記憶された数式またはテーブルから下部プレート２２の温度を代表温度ＲＴとして取得する。また、ＣＰＵ１１は、取得した代表温度ＲＴに基づいて、温度調整部４０を制御する。これにより、プレート部２０の温度が予め設定された温度に調整される。その結果、プレート部２０の全体的な温度を所望の値に正確に調整することができる。
【００３８】
図４（ａ），（ｂ）は、複数の温度検出素子５１の接続関係の他の例を示す図である。図４（ａ）の例では、温度検出素子５１ａと温度検出素子５１ｂとの並列回路がノードＮ１，Ｎ３間に接続される。また、温度検出素子５１ｃと温度検出素子５１ｄとの並列回路がノードＮ２，Ｎ３間に接続される。これにより、ノードＮ１，Ｎ２間に温度検出素子５１ａ〜５１ｄからなる抵抗回路ＣＮが構成される。
【００３９】
図４（ｂ）の例では、温度検出素子５１ａと温度検出素子５１ｂと温度検出素子５１ｃとの直列回路がノードＮ１，Ｎ２間に接続される。また、温度検出素子５１ｄがノードＮ１，Ｎ２間に接続される。抵抗値算出部５２は、ノードＮ１，Ｎ２間に接続される。これにより、ノードＮ１，Ｎ２間に温度検出素子５１ａ〜５１ｄからなる抵抗回路ＣＮが構成される。
【００４０】
複数の温度検出素子５１からなる抵抗回路ＣＮの構成例は、図３または図４（ａ），（ｂ）の例に限定されない。また、抵抗回路ＣＮに設けられる温度検出素子５１の数は４個に限定されない。任意の数の温度検出素子５１を用いて直列回路、並列回路または直並列回路を含む任意の抵抗回路ＣＮを構成してもよい。
【００４１】
本実施の形態においては、複数の温度検出素子５１からなる抵抗回路ＣＮの合成抵抗値ＣＲに基づいて代表温度ＲＴが取得される。そのため、プレート部２０と基板Ｗとの接触状態によりプレート部２０の一部の温度が他の部分の温度から乖離している場合または熱処理装置１００ごとに温度分布の差がある場合でも、プレート部２０の局部的な温度が代表温度ＲＴに寄与する度合いを緩和することができる。これにより、代表温度ＲＴがプレート部２０の全体的な温度を正確に表わすことになる。したがって、プレート部２０の温度を高い信頼性で測定することができる。
【００４２】
また、複数の温度検出素子５１の各々の特性値を測定する必要がない。これにより、簡単な構成で代表温度ＲＴを取得することができる。さらに、複数の温度検出素子５１に対応して複数の抵抗値算出部５２を設ける必要がないので、熱処理装置１００のコストを低減することができる。
【００４３】
（２）第２の実施の形態
図５は、第２の実施の形態に係る熱処理装置の構成を示す図である。以下、第２の実施の形態に係る熱処理装置について、第１の実施の形態に係る熱処理装置１００と異なる点を説明する。図５においては、プレート部２０の上部プレート２１の図示を省略している。図５に示すように、本実施の形態においては、プレート部２０に複数（本例では４個）の温度測定部５０が設けられる。各温度測定部５０は、温度検出素子５１および抵抗値算出部５２を含む。
【００４４】
各温度測定部５０の温度検出素子５１は、下部プレート２２内に埋設される。各抵抗値算出部５２は、対応する温度検出素子５１の抵抗値Ｒを測定し、測定した抵抗値Ｒを制御装置１０のＣＰＵ１１に出力する。
【００４５】
ＣＰＵ１１は、複数の温度検出素子５１の複数の抵抗値Ｒを用いた演算により複数の抵抗値Ｒの代表値を決定する。代表値は、複数の抵抗値Ｒの平均であってもよいし、複数の抵抗値Ｒの標準偏差であってもよい。あるいは、代表値は、複数の抵抗値Ｒを用いた任意の演算により得られる他の値であってもよい。メモリ１２には、複数の抵抗値Ｒの代表値と下部プレート２２の温度との関係を示す数式またはテーブルが記憶されている。
【００４６】
ＣＰＵ１１は、決定した代表値に基づいてメモリ１２に記憶された数式またはテーブルから下部プレート２２の温度を代表温度ＲＴとして取得する。また、ＣＰＵ１１は、取得した代表温度ＲＴに基づいて、温度調整部４０を制御する。これにより、プレート部２０の温度が予め設定された温度に調整される。その結果、プレート部２０の全体的な温度を所望の値に正確に調整することができる。
【００４７】
プレート部２０の温度分布は、熱処理部２３の発熱抵抗体２３ａの配置により異なる。また、複数の温度検出素子５１の抵抗値Ｒがプレート部２０の代表温度ＲＴに寄与すべき度合いは、複数の温度検出素子５１の配置により異なる。本実施の形態においては、温度検出素子５１の複数の抵抗値Ｒを用いた演算により代表値が決定される。そのため、発熱抵抗体２３ａと複数の温度検出素子５１との位置関係による複数の温度検出素子５１の抵抗値Ｒがプレート部２０の代表温度ＲＴに寄与すべき度合いを考慮して複数の抵抗値Ｒを用いた演算を行なうことが可能である。例えば、複数の抵抗値Ｒにそれぞれ重み付けを行なってもよい。具体的には、複数の抵抗値Ｒにそれぞれ予め定められた重み係数を乗算し、乗算結果の平均を代表値として算出する。
【００４８】
この構成によれば、プレート部２０と基板Ｗとの接触状態によりプレート部２０の一部の温度が他の部分の温度から乖離している場合または熱処理装置１００ごとに温度分布の差がある場合でも、プレート部２０の局部的な温度が代表温度ＲＴに寄与する度合いを緩和することができる。これにより、代表温度ＲＴがプレート部２０の全体的な温度を正確に表わすことになる。したがって、プレート部２０の温度を高い信頼性で測定することができる。
【００４９】
（３）第３の実施の形態
図６は、第３の実施の形態に係る熱処理装置の構成を示す図である。以下、第３の実施の形態に係る熱処理装置について、第１の実施の形態に係る熱処理装置１００と異なる点を説明する。図６に示すように、本実施の形態においては、プレート部２０が複数の領域に仮想的に分割される。本例では、上部プレート２１および下部プレート２２は、３個の領域２０Ａ，２０Ｂ，２０Ｃに等分割される。図６においては、仮想的に分割された領域２０Ａ〜２０Ｃの境界が二点差線で示される。各領域２０Ａ〜２０Ｃは、中心角が１２０°の扇形状を有する。
【００５０】
プレート部２０は、領域２０Ａ〜２０Ｃにそれぞれ対応する複数の発熱抵抗体２３ａを含む。各発熱抵抗体２３ａは、上部プレート２１の対応する領域２０Ａ〜２０Ｃの下方に配置される。図６においては、上部プレート２１の下方に位置する発熱抵抗体２３ａを点線で図示している。各発熱抵抗体２３ａは、主として上部プレート２１の対応する領域２０Ａ〜２０Ｃを温度調整する。
【００５１】
また、各領域２０Ａ〜２０Ｃには、温度測定部５０が設けられる。各温度測定部５０の複数の温度検出素子５１は、下部プレート２２の対応する領域２０Ａ〜２０Ｃ内に埋設される。各温度測定部５０の複数の温度検出素子５１は、抵抗回路ＣＮを構成するように接続される。各温度測定部５０の複数の温度検出素子５１は、図３の例のように接続されてもよいし、図４（ａ）の例のように接続されてもよいし、図４（ｂ）の例のように接続されてもよい。あるいは、各温度測定部５０の複数の温度検出素子５１は、任意の抵抗回路ＣＮを構成するように接続されてもよい。
【００５２】
各温度測定部５０の抵抗値算出部５２は、対応する抵抗回路ＣＮの合成抵抗値ＣＲを算出し、算出した合成抵抗値ＣＲを制御装置１０のＣＰＵ１１に出力する。図６の例では、領域２０Ａ，２０Ｂ，２０Ｃにおける抵抗回路ＣＮの合成抵抗値ＣＲは、それぞれＣＲＡ，ＣＲＢ，ＣＲＣである。
【００５３】
ＣＰＵ１１は、取得した複数の抵抗回路ＣＮの合成抵抗値ＣＲＡ〜ＣＲＣに基づいてメモリ１２に記憶された数式またはテーブルからプレート部２０の各領域２０Ａ〜２０Ｃの温度を代表温度ＲＴとして取得する。この場合、プレート部２０の各領域２０Ａ〜２０Ｃの全体的な温度をそれぞれの代表温度ＲＴとして高い信頼性で測定することができる。図６の例では、プレート部２０の各領域２０Ａ，２０Ｂ，２０Ｃの代表温度ＲＴは、それぞれＲＴＡ，ＲＴＢ，ＲＴＣである。
【００５４】
また、ＣＰＵ１１は、取得した代表温度ＲＴＡ〜ＲＴＣに基づいて、温度調整部４０を制御する。本実施の形態においては、複数の温度調整部４０が個別に制御される。これにより、プレート部２０の各領域２０Ａ〜２０Ｃの温度が予め設定された温度に個別に調整される。その結果、プレート部２０の各領域２０Ａ〜２０Ｃの全体的な温度を所望の値に正確にかつ個別に調整することができる。
【００５５】
（４）他の実施の形態
（ａ）第１〜第３の実施の形態において、プレート部２０は基板Ｗを加熱するホットプレートであるが、本発明はこれに限定されない。プレート部２０は基板Ｗを冷却するクーリングプレートであってもよい。この場合、熱処理部２３は、加熱素子ではなく冷却素子である。冷却素子は、例えばペルチェ素子を含む。冷却素子は、純水等の冷却媒体を循環させる配管であってもよい。この場合、温度調整部４０は配管に冷却媒体を供給する冷却媒体供給部である。
【００５６】
（ｂ）第２の実施の形態において、温度検出素子５１は測温抵抗体であるが、本発明はこれに限定されない。温度検出素子５１は、熱電対等の他の温度検出素子であってもよい。温度検出素子５１が熱電対である場合には、温度測定部５０は抵抗値算出部５２に代えて電位差（熱起電力）算出部を含む。
【００５７】
（ｃ）第３の実施の形態において、プレート部２０の各領域２０Ａ〜２０Ｃに１個の温度測定部５０が設けられ、各抵抗回路ＣＮの合成抵抗値ＣＲが抵抗値算出部５２により測定されるが、本発明はこれに限定されない。第２の実施の形態と同様に、各領域２０Ａ〜２０Ｃに複数の温度測定部５０が設けられ、各領域２０Ａ〜２０Ｃに対応する複数の温度検出素子５１の抵抗値Ｒが複数の抵抗値算出部５２によりそれぞれ測定されてもよい。この場合、各領域２０Ａ〜２０Ｃに対応する複数の抵抗値算出部５２は、それぞれ測定した複数の抵抗値Ｒを制御装置１０のＣＰＵ１１に出力する。
【００５８】
ＣＰＵ１１は、各領域２０Ａ〜２０Ｃに対応する複数の抵抗値算出部５２により与えられる複数の温度検出素子５１の抵抗値Ｒを用いた演算により領域２０Ａ〜２０Ｃに対応する複数の抵抗値Ｒについての代表値を決定する。また、ＣＰＵ１１は、決定した代表値に基づいてメモリ１２に記憶された数式またはテーブルからプレート部２０の各領域２０Ａ〜２０Ｃの温度を代表温度ＲＴとして取得する。
【００５９】
（５）請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応関係
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。
【００６０】
上記実施の形態においては、基板Ｗが基板の例であり、熱処理装置１００が熱処理装置の例であり、上部プレート２１および下部プレート２２がプレートの例である。熱処理部２３が熱処理部の例であり、温度検出素子５１，５１ａ〜５１ｄが温度検出素子の例であり、制御装置１０および抵抗値算出部５２が取得部の例である。抵抗回路ＣＮが電気回路の例であり、温度調整部４０が温度調整部の例であり、制御装置１０が制御部の例であり、領域２０Ａ〜２０Ｃが領域の例である。
【００６１】
請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。
【産業上の利用可能性】
【００６２】
本発明は、種々の基板の熱処理に有効に利用することができる。
【符号の説明】
【００６３】
１０  制御装置
１１  ＣＰＵ
１２  メモリ
２０  プレート部
２０Ａ〜２０Ｃ  領域
２１  上部プレート
２１ｈ，２２ｈ  開口部
２２  下部プレート
２３  熱処理部
２３ａ  発熱抵抗体
３０  昇降装置
３１  昇降ピン
３２  ピン駆動部
４０  温度調整部
５０  温度測定部
５１，５１ａ〜５１ｄ  温度検出素子
５２  抵抗値算出部
１００  熱処理装置
ＣＮ  抵抗回路
ＣＲ，ＣＲＡ〜ＣＲＣ  合成抵抗値
Ｎ１，Ｎ２  ノード
ＲＴ，ＲＴＡ〜ＲＴＣ  代表温度
Ｒ  抵抗値
Ｗ  基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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