(57)【要約】【課題】凹部を有するウエハの当該凹部を迅速に平坦化する。【解決手段】ダイシングテープ２０は、ウエハ１００の凹部Ｖ１の底面Ｓ１ａに貼り付けるための補填層２３ｘを備える。補填層２３ｘの形状は、当該補填層２３ｘを凹部Ｖ１に埋め込むための円盤状である。また、補填層２３ｘの厚さＴＨ１は、凹部Ｖ１の深さｄ１と同じである。ダイシングテープ２０は、凹部Ｖ１を有するウエハ１００のダイシングのために、当該ウエハ１００に対して貼り付けられる。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
円盤状の凹部を有するウエハのダイシングのために、当該ウエハに対して貼り付けられるダイシングテープであって、
テープ基材と、
前記テープ基材の主面に設けられた、前記凹部の底面に貼り付けるための補填層と、を備え、
前記補填層の形状は、当該補填層を前記凹部に埋め込むための円盤状であり、
前記補填層の厚さは、前記凹部の深さと同じであり、
前記補填層のうち、前記凹部の底面に貼り付けられる面は、粘着性を有する
ダイシングテープ。
【請求項２】
前記補填層のうち、前記底面に貼り付けられる面には、当該面を保護するための剥離テープが剥離自在に設けられる
請求項１に記載のダイシングテープ。
【請求項３】
前記補填層は、前記凹部の底面と補填層との結合力が、当該補填層と前記テープ基材の主面との結合力より小さくなるように、粘着力を変更自在な材料で構成される
請求項１または２に記載のダイシングテープ。
【請求項４】
前記ウエハには、半導体装置が形成されており、
前記補填層は、前記ダイシングにより半導体チップとなる前記半導体装置を予め定められた領域に固定するための貼付材により構成される
請求項１または２に記載のダイシングテープ。
【請求項５】
前記凹部の底面と前記貼付材との結合力は、前記テープ基材と当該貼付材との結合力より大きい
請求項４に記載のダイシングテープ。
【請求項６】
前記テープ基材の前記主面は、当該テープ基材と前記貼付材との結合力が、前記凹部の底面と当該貼付材との結合力より小さくなるように、粘着力を変更自在な材料で構成される
請求項４に記載のダイシングテープ。
【請求項７】
前記ウエハには、半導体装置が形成されており、
前記補填層は、前記ダイシングにより半導体チップとなる前記半導体装置を予め定められた領域に固定するための貼付材と、当該補填層の厚みを調整するための中間層とから構成される
請求項１または２に記載のダイシングテープ。
【請求項８】
前記中間層は、前記テープ基材および前記貼付材に接するように、当該テープ基材と当該貼付材との間に設けられる
請求項７に記載のダイシングテープ。
【請求項９】
前記凹部の底面と前記貼付材との結合力は、前記中間層と当該貼付材との結合力より大きい
請求項８に記載のダイシングテープ。
【請求項１０】
前記中間層は、当該中間層と前記貼付材との結合力が、前記凹部の底面と当該貼付材との結合力より小さくなるように、粘着力を変更自在な材料で構成される
請求項８に記載のダイシングテープ。
【請求項１１】
前記貼付材は、導電性を有する
請求項４から１０のいずれか１項に記載のダイシングテープ。
【請求項１２】
円盤状の凹部を有するウエハのダイシングのために、当該ウエハに対して貼り付けられるダイシングテープの製造方法であって、
前記凹部の底面に貼り付けるための補填層をテープ基材の主面に形成する工程を含み、
前記補填層の形状は、当該補填層を前記凹部に埋め込むための円盤状であり、
前記補填層の厚さは、前記凹部の深さと同じであり、
前記補填層のうち、前記凹部の底面に貼り付けられる面は、粘着性を有する
ダイシングテープの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、凹部を有するウエハに貼り付けられるダイシングテープおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣ（Integrated Circuit）、ＬＳＩ（Large Scale Integration）などは高集積化が求められている。そのため、積層性の向上を目的として半導体ウエハ（シリコンウエハ）の薄厚化が求められている。なお、本明細書では、半導体ウエハを、簡略化して、「ウエハ」ともいう。
【０００３】
また、パワー半導体の分野においても、エネルギー損失を低下させるため、ウエハの薄厚化が進んでいる。しかし、ウエハの厚さが１００μｍ以下である場合、表裏面の加工によるウエハの反り、ウエハの強度の低下によるクラックの発生等の問題が発生する。そこで、ウエハを薄厚化する工程から、ダイシングされたウエハが、各半導体チップ（半導体装置）に個片化される工程までにおいて、上記の問題を発生させない手法として、例えば、以下の手法Ａが考えられる。
【０００４】
当該手法Ａでは、ウエハプロセスの完了後、保護用のバックグラインドテープを貼付けたウエハの表面をステージにより支持する。そして、研磨工程が行われる。研磨工程では、バックグラインド装置を使用して、ウエハの厚みが、最終的な半導体装置の厚みになるまで、当該ウエハの裏面を研削していく。
【０００５】
なお、研磨工程では、ウエハの周縁部において、研削が行われない、数ｍｍ程度の幅の領域（以下、「領域Ａ」ともいう）が設定される。研磨工程では、ウエハのうち、領域Ａより内側に存在する、半導体装置が形成された機能部に対してのみ、円形に研削が行われる。これにより、ウエハの周縁部に、元のウエハの厚さと同等の厚さのリブが形成される。リブとは、突起である。当該リブの形状は、リング状である。当該リブにより、機能部が薄厚化されたウエハは、剛性が保たれる。その結果、ウエハの反り、ウエハの強度の低下等が抑制される。
【０００６】
次に、バックグラインドテープが剥離された後、必要に応じて、ウエハの裏面に対して処理が実施される。続けて、ウエハマウンタにより、ダイシングフレームによりサポートされたダイシングテープがウエハの裏面に貼付けられる。この時、ウエハの裏面の周縁部にはリブが存在する。そのため、本プロセスに対応したダイシングテープおよびウエハマウンタが使用される。
【０００７】
なお、リブと機能部との間には段差が存在する。そのため、リブは、ウエハに対するダイシングの妨げとなる。そこで、ウエハのうちリブより所定距離だけ内側の部分が、円状に切断される。当該所定距離は、例えば、数百μｍから数ｍｍである。これにより、リブと、円状の機能部とは分離され、リブのみが除去される。なお、当該切断により、ウエハの直径は、一定の幅だけ小さくなる。なお、ウエハがマウントされた後は、ダイシングテープとダイシングフレームにより、ウエハの剛性が保持される。そのため、ウエハからリブが除去されても問題はない。
【０００８】
これにより、ダイシングテープ上には、ウエハとしての、薄厚化された機能部のみが存在する。この状態で、ダイシング装置にて、ウエハをダイシングすることにより、個片化された各半導体装置が生成される。
【０００９】
特許文献１には、ダイシング時におけるリブ（突起）の影響を抑制する技術（以下、「関連技術Ａ」ともいう）が開示されている。具体的には、関連技術Ａでは、ウエハの内周領域を研削することにより生成された凹部に液状のダイアタッチ材が充填される。これにより、ウエハの凹部が平坦化される。その後、凹部が平坦化されたウエハにダイシングテープが貼り付けられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開２００９−２７２５９０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、関連技術Ａには、以下の問題点がある。具体的には、関連技術Ａでは、凹部を有するウエハをダイシングテープに貼り付ける前において、当該凹部を平坦化する。そのため、当該凹部にダイアタッチ材を充填する工程を、別途行う必要がある。したがって、関連技術Ａでは、ウエハに対しダイシングを行うまでの時間が、当該充填する工程の分だけ長くなる。その結果、ウエハの加工に関する製造コストが増加するという問題点がある。ウエハの加工に関する製造コストの増加を抑制するためには、ウエハの凹部を迅速に平坦化することが求められる。
【００１２】
本発明は、このような問題を解決するためになされたものであり、凹部を有するウエハの当該凹部を迅速に平坦化することが可能なダイシングテープ等を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記目的を達成するために、本発明の一態様に係るダイシングテープは、円盤状の凹部を有するウエハのダイシングのために、当該ウエハに対して貼り付けられる。前記ダイシングテープは、テープ基材と、前記テープ基材の主面に設けられた、前記凹部の底面に貼り付けるための補填層と、を備え、前記補填層の形状は、当該補填層を前記凹部に埋め込むための円盤状であり、前記補填層の厚さは、前記凹部の深さと同じであり、前記補填層のうち、前記凹部の底面に貼り付けられる面は、粘着性を有する。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、ダイシングテープは、ウエハの凹部の底面に貼り付けるための補填層を備える。前記補填層の形状は、当該補填層を前記凹部に埋め込むための円盤状である。また、補填層の厚さは、凹部の深さと同じである。なお、前記ダイシングテープは、前記凹部を有するウエハのダイシングのために、当該ウエハに対して貼り付けられる。
【００１５】
これにより、補填層を凹部に埋め込むようにダイシングテープをウエハに貼り付けると同時に、当該補填層により、当該凹部を平坦化することができる。すなわち、凹部を有するウエハの当該凹部を迅速に平坦化することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の実施の形態１に係るダイシングテープの貼り付けの対象となるウエハの構成を示す図である。
【図２】本発明の実施の形態１に係るダイシングテープの構成を示す断面図である。
【図３】ダイシングテープの構成を示す斜視図である。
【図４】ロールからダイシングテープの一部を引き出した状態を示す斜視図である。
【図５】テープ製造方法Ａを説明するための図である。
【図６】テープ製造方法Ａのフローチャートである。
【図７】テープ搬送装置の構成を示す図である。
【図８】テープ制御工程Ｎのフローチャートである。
【図９】変形構成Ａを説明するための図である。
【図１０】本発明の実施の形態２に係るダイシングテープの構成を示す断面図である。
【図１１】ダイシングテープの構成を示す斜視図である。
【図１２】ロールからダイシングテープの一部を引き出した状態を示す斜視図である。
【図１３】テープ製造方法Ａ２を説明するための図である。
【図１４】テープ製造方法Ａ２のフローチャートである。
【図１５】貼付装置の構成を示す図である。
【図１６】剥離テープを剥離する構成を説明するための図である。
【図１７】本発明の実施の形態３に係るダイシングテープの構成を示す断面図である。
【図１８】マウントステージの変形構成を示す図である。
【図１９】変形構成Ｃを説明するための図である。
【図２０】マウントステージの変形構成を示す図である。
【図２１】本発明の実施の形態４に係るダイシングテープの構成を示す断面図である。
【図２２】端材の端部を、テープ基材から剥離した状態を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、図面を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明する。以下の説明では、同一の構成要素には同一の符号を付してある。それらの名称および機能も同じである。したがって、それらについての詳細な説明を省略する場合がある。
【００１８】
なお、実施の形態において例示される各構成要素の寸法、材質、形状、それらの相対配置などは、本発明が適用される装置の構成や各種条件により適宜変更されるものであり、本発明はそれらの例示に限定されるものではない。また、各図における各構成要素の寸法は、実際の寸法と異なる場合がある。
【００１９】
＜実施の形態１＞
図１は、本発明の実施の形態１に係るダイシングテープ２０の貼り付けの対象となるウエハ１００の構成を示す図である。なお、図１では、ダイシングテープ２０は図示していない。図１（ａ）は、ウエハ１００の斜視図である。図１（ｂ）は、Ａ１−Ａ２線に沿ったウエハ１００の断面図である。
【００２０】
図１（ａ）および図１（ｂ）を参照して、ウエハ１００の周縁部には、突起であるリブ１２が設けられる。また、ウエハ１００は、円盤状の凹部Ｖ１を有する。凹部Ｖ１は、ウエハ１００の裏面に形成される。当該凹部Ｖ１は、リブ１２の形成の際に形成される。以下においては、ウエハ１００のうち、凹部Ｖ１が形成されている面と反対側の面を、「主面」ともいう。
【００２１】
ウエハ１００の主面側には、複数の半導体装置１１が形成されている。ウエハ１００の主面は、ダイシングが行われる面である。
【００２２】
以下においては、凹部Ｖ１の深さを、「深さｄ１」ともいう。また、以下においては、ウエハ１００のうち、凹部Ｖ１が存在する領域を、「領域Ｒ１」ともいう。領域Ｒ１の厚さは、例えば、１００μｍ以下である。以下においては、凹部Ｖ１を有さないウエハ１００を、「ウエハＮ」ともいう。
【００２３】
次に、半導体装置１１の製作工程について説明する。まず、ウエハＮの主面側に、複数の半導体装置１１が形成される。半導体装置１１は、スパッタ法、めっき処理、蒸着処理、薄膜形成技術（例えば、エッチング）、不要部分の除去技術等を用いて形成される。なお、複数の半導体装置１１の間には、ダイシングストリートＳ１が形成される。
【００２４】
その後、研磨工程が行われる。研磨工程では、詳細は後述するが、ウエハＮの厚さが所定の厚さになるよう、ウエハＮの裏面が研磨される。これにより、ウエハＮは、ウエハ１００となる。実施の形態１に係るダイシングテープ２０は、ウエハ１００がダイシングされることにより、分割の対象とされる複数の半導体装置１１すべてに適用が可能である。
【００２５】
次に、必要に応じて、ウエハ１００の裏面に金属膜（例えば、電極）が形成される。次に、テープ貼付工程Ａが行われる。テープ貼付工程Ａでは、詳細は後述するが、後述のダイシング工程により半導体装置１１が散逸しないように、ウエハ１００の裏面に、ダイシングテープが貼り付けられる。
【００２６】
次に、ダイシング工程が行われる。ダイシング工程では、ウエハ１００が、半導体チップとして、各半導体装置１１に分割される。なお、これらは一例であり、半導体装置１１の製作工程は、上記の方法に限定されない。以下においては、ウエハ１００が分割されることにより形成された各半導体装置１１を、「半導体チップ」ともいう。
【００２７】
次に、研磨工程の詳細な処理について説明する。研磨工程では、ウエハＮの表面にバックグラインドシートが貼付けられる。これにより、ウエハＮの表面が保護される。続けて、ウエハＮの表面をステージにより支持した状態でウエハＮの研削が行われる。当該研削には、当該ステージに対向した位置に取り付けられている研削用の砥石が使用される。具体的には、ウエハＮの厚みが、予め定められた、半導体装置１１の厚みになるまで、砥石により、当該ウエハの裏面が研削される。
【００２８】
なお、研磨工程では、ウエハＮの周縁部において、研削が行われない、数ｍｍ程度の幅の領域（以下、「領域Ａ」ともいう）が設定される。研磨工程では、ウエハＮのうち領域Ａより内側に存在する円状の領域が研削される。これにより、ウエハＮは、図１（ａ）および図１（ｂ）に示すような、ウエハ１００となる。以下においては、凹部Ｖ１の底面を、「底面Ｓ１ａ」ともいう。
【００２９】
リブ１２の厚さは、研磨工程が行われる前のウエハＮの厚さと同じである。なお、リブ１２の厚さは、上記に限定されず、任意の厚さに調整されてもよい。リブ１２の厚さの調整は、例えば、ウエハＮの全体を、予め研削することにより行われる。また、リブ１２の厚さの調整は、例えば、研磨工程における領域Ｒ１の薄膜化と同時に、リブ１２も研削することにより行われる。また、リブ１２の厚さの調整は、例えば、凹部Ｖ１の形成後に、リブ１２のみを研削することにより行われてもよい。
【００３０】
次に、本実施の形態に係るダイシングテープ２０について説明する。図２は、本発明の実施の形態１に係るダイシングテープ２０の構成を示す断面図である。なお、図２では、ダイシングテープ２０以外の後述する構成も示される。
【００３１】
図２において、Ｘ，Ｙ，Ｚ方向の各々は、互いに直交する。以下の図に示されるＸ，Ｙ，Ｚ方向の各々も、互いに直交する。以下においては、Ｘ方向と、当該Ｘ方向の反対の方向（−Ｘ方向）とを含む方向を「Ｘ軸方向」ともいう。また、以下においては、Ｙ方向と、当該Ｙ方向の反対の方向（−Ｙ方向）とを含む方向を「Ｙ軸方向」ともいう。また、以下においては、Ｚ方向と、当該Ｚ方向の反対の方向（−Ｚ方向）とを含む方向を「Ｚ軸方向」ともいう。
【００３２】
また、以下においては、Ｘ軸方向およびＹ軸方向を含む平面を、「ＸＹ面」ともいう。また、以下においては、Ｘ軸方向およびＺ軸方向を含む平面を、「ＸＺ面」ともいう。また、以下においては、Ｙ軸方向およびＺ軸方向を含む平面を、「ＹＺ面」ともいう。
【００３３】
ダイシングテープ２０は、詳細は後述するが、図３に示す、長尺状のダイシングテープ２０Ｎの一部である。図３は、ダイシングテープ２０Ｎの一部の構成を示す図である。ダイシングテープ２０Ｎの形状は、帯状（長尺状）である。ダイシングテープ２０Ｎの長さは、例えば、５０ｍ〜１００ｍの範囲の長さである。ダイシングテープ２０Ｎは、適宜必要なサイズにカットされる。
【００３４】
なお、ダイシングテープ２０Ｎは、図４に示すロール２０ｒとして提供される。ロール２０ｒは、当該ダイシングテープ２０Ｎがロール状に巻かれて構成される。図４は、ロール２０ｒから、ダイシングテープ２０Ｎの一部を引き出した状態を示す。図４は、ダイシングテープ２０Ｎの構成を分かり易くするために、後述の端材２３ｚが剥離された状態を示す。ダイシングテープ２０は、詳細は後述するが、図４に示されるダイシングテープ２０Ｎのうち、領域Ｒ２内の部分の一部である。
【００３５】
ダイシングテープ２０は、詳細は後述するが、ウエハ１００のダイシングのために、当該ウエハ１００に対して貼り付けられるテープである。
【００３６】
図２を参照して、ダイシングテープ２０は、テープ基材ＴＰ１と、補填層２３ｘとを備える。図２のテープ基材ＴＰ１は、図４に示される、シート状のテープ基材ＴＰ１のうち、領域Ｒ２の部分を円状にカットしたものである。すなわち、図２のテープ基材ＴＰ１の形状は、円盤状である。
【００３７】
図２および図４を参照して、テープ基材ＴＰ１は、主面ＴＰ１ａを有する。主面ＴＰ１ａには補填層２３ｘが設けられる。円盤状のテープ基材ＴＰ１は、基材２１ｘと、粘着層６１ｘとから構成される。
【００３８】
基材２１ｘは、後述のシート状の基材２１を円状にカットしたものである。すなわち、基材２１ｘの形状は、円盤状である。粘着層６１ｘは、後述のシート状の粘着層６１を円状にカットしたものである。すなわち、粘着層６１ｘの形状は、円盤状である。粘着層６１ｘは、粘着性を有する層である。粘着層６１ｘは、基材２１ｘの表面に形成される。
【００３９】
補填層２３ｘは、ウエハ１００の凹部Ｖ１の底面Ｓ１ａに貼り付けるための層である。補填層２３ｘの形状は、当該補填層２３ｘを凹部Ｖ１に埋め込むための円盤状である。すなわち、補填層２３ｘの形状は、凹部Ｖ１の形状と同じ形状である。以下においては、補填層２３ｘの厚さを、「厚さＴＨ１」ともいう。補填層２３ｘの厚さＴＨ１は、凹部Ｖ１の深さｄ１と同じである。
【００４０】
なお、本明細書において「厚さＴＨ１は深さｄ１と同じ」という表現は、厚さＴＨ１が深さｄ１と同等であるという意味も含む。例えば、厚さＴＨ１は、深さｄ１の０．８〜１．２倍の範囲の大きさであってもよい。
【００４１】
また、補填層２３ｘの直径は、凹部Ｖ１の直径未満である。補填層２３ｘの直径は、例えば、凹部Ｖ１の直径の０．５〜０．９９９倍の範囲の大きさである。補填層２３ｘの直径は、好ましくは、凹部Ｖ１の直径の０．９〜０．９９９倍の範囲の大きさである。
【００４２】
補填層２３ｘは、面２３ｘａを有する。面２３ｘａは、補填層２３ｘのうち、凹部Ｖ１の底面Ｓ１ａに貼り付けられる面である。補填層２３ｘ全体は、粘着性を有する材料で構成される。そのため、面２３ｘａは、粘着性を有する。
【００４３】
以下においては、凹部Ｖ１の底面Ｓ１ａと補填層２３ｘとの結合力を、「結合力ＰＷ１ａ」ともいう。結合力ＰＷ１ａは、補填層２３ｘの粘着力により、底面Ｓ１ａと補填層２３ｘとが結合する力である。また、以下においては、粘着層６１ｘと補填層２３ｘとの結合力を、「結合力ＰＷ１ｂ」ともいう。結合力ＰＷ１ｂは、粘着層６１ｘの粘着力と補填層２３ｘの粘着力とにより、粘着層６１ｘと補填層２３ｘとが結合する力である。なお、粘着層６１ｘの一部は、テープ基材ＴＰ１の主面ＴＰ１ａである。すなわち、結合力ＰＷ１ｂは、補填層２３ｘとテープ基材ＴＰ１の主面ＴＰ１ａとの結合力である。
【００４４】
また、以下においては、粘着層６１ｘと基材２１ｘとの結合力を、「結合力ＰＷ１ｃ」ともいう。結合力ＰＷ１ｃは、粘着層６１ｘの粘着力により、粘着層６１ｘと基材２１ｘとが結合する力である。
【００４５】
なお、補填層２３ｘは、凹部Ｖ１の底面Ｓ１ａと補填層２３ｘとの結合力ＰＷ１ａが、補填層２３ｘとテープ基材ＴＰ１の主面ＴＰ１ａとの結合力ＰＷ１ｂおよび結合力ＰＷ１ｃより小さくなるように、粘着力を変更自在な材料で構成される。例えば、補填層２３ｘは、紫外線が照射されることにより、当該補填層２３ｘが硬化するとともに、粘着力が低下するＵＶ硬化型の粘着材である。
【００４６】
なお、補填層２３ｘは、ＵＶ硬化型の粘着材に限定されず、粘着力を低下させることができる材料であれば、他の材料であってもよい。
【００４７】
次に、ダイシングテープ２０を含むダイシングテープ２０Ｎの製造工程（以下、「テープ製造方法Ａ」ともいう）について説明する。図５は、テープ製造方法Ａを説明するための図である。図６は、テープ製造方法Ａのフローチャートである。テープ製造方法Ａでは、まず、ステップＳ１１０の処理が行われる。
【００４８】
ステップＳ１１０では、積層工程Ｎが行われる。積層工程Ｎでは、図５（ａ）のように、シート状の基材２１上に、粘着層６１が設けられる。これにより、テープ基材ＴＰ１が形成される。すなわち、ステップＳ１１０は、テープ基材ＴＰ１を形成する工程である。
【００４９】
ステップＳ１２０では、積層工程Ａが行われる。積層工程Ａでは、テープ基材ＴＰ１の主面ＴＰ１ａに補填層２３が貼り付けられる。すなわち、積層工程Ａは、テープ基材ＴＰ１の主面ＴＰ１ａに補填層２３を積層する工程である。以下においては、補填層２３の厚さも、「厚さＴＨ１」ともいう。なお、補填層２３の厚さＴＨ１は、凹部Ｖ１の深さｄ１と同等である。
【００５０】
ステップＳ１３０では、カット工程Ｎが行われる。カット工程Ｎは、補填層２３の一部を切除することにより、前述の補填層２３ｘを形成する工程である。また、カット工程Ｎは、補填層２３ｘをテープ基材ＴＰ１の主面ＴＰ１ａに形成する工程でもある。
【００５１】
前述したように、補填層２３ｘは、ウエハ１００の凹部Ｖ１の底面Ｓ１ａに貼り付けるための層である。また、補填層２３ｘは、凹部Ｖ１の底面Ｓ１ａに貼り付けられる面２３ｘａを有する。面２３ｘａは、粘着性を有する。また、補填層２３ｘの形状は、当該補填層２３ｘを凹部Ｖ１に埋め込むための円盤状である。補填層２３ｘの直径は、凹部Ｖ１の直径より小さい。
【００５２】
具体的には、カット工程Ｎでは、前述の機能および形状を有する補填層２３ｘが形成されるように、補填層２３の一部が切除される。これにより、補填層２３には、図５（ｂ）のように、円状の切除溝Ｋ１が形成される。以下においては、補填層２３のうち、補填層２３ｘ以外の部分を、「端材２３ｚ」ともいう。
【００５３】
なお、カット工程Ｎでは、後述の工程によりダイシングテープ２０Ｎが破損しない程度に、補填層２３ｘが端材２３ｚから完全に切り離されるように、補填層２３の一部が切除される。例えば、カット工程Ｎでは、粘着層６１の表面部、または、基材２１の表面部まで、切除溝Ｋ１が形成されるように、補填層２３の切除が行われる。
【００５４】
ステップＳ１４０では、保護部材貼付工程が行われる。保護部材貼付工程では、図３のように、補填層２３の表面に、剥離テープ２２が貼り付けられる。剥離テープ２２は、補填層２３を保護するための保護部材である。以上により、前述のダイシングテープ２０を含むダイシングテープ２０Ｎが製造される。すなわち、ダイシングテープ２０が製造される。
【００５５】
次に、ダイシングテープ２０Ｎがロール状に巻かれて構成されるロール２０ｒを使用して、ダイシングテープ２０をウエハ１００に貼り付けるための工程（以下、「テープ制御工程Ｎ」ともいう）について説明する。ダイシングテープ２０は、図７に示すテープ搬送装置３００により、製造される。
【００５６】
テープ搬送装置３００は、ローラ５１ａ，５１ｂ，５１ｃ，５４ａ，５４ｂ，５４ｃと、台ＳＴ１０とを含む。ローラ５１ａは、ロール２０ｒを取り付けるためのテープローラである。ローラ５１ｂ，ｃは、ダイシングテープ２０Ｎの一部の部材を巻き取るためのローラである。ローラ５４ａは、ダイシングテープ２０Ｎの一部の部材を剥離するための剥離ローラである。
【００５７】
台ＳＴ１０は、ステージＳＴ１と、ダイシングフレームＦ１とを含む。ステージＳＴ１は、ダイシングフレームＦ１が配置されるステージである。以下においては、ダイシングテープ２０Ｎのうち、当該ダイシングテープ２０Ｎから切り離される部分を、「分離テープ」ともいう。
【００５８】
ダイシングフレームＦ１は、分離テープが、ダイシングテープ２０Ｎから切り離された場合、分離テープの張力を維持するために使用されるフレームである。すなわち、ダイシングフレームＦ１は、分離テープにおけるたわみの発生を防止するためのフレームである。分離テープにおけるたわみの発生が防止されることにより、ダイシング後における、半導体チップとしての各半導体装置１１が互いに接触することが防止される。
【００５９】
ダイシングフレームＦ１の形状は、リング状である。ダイシングフレームＦ１の内径は、ウエハ１００の直径より大きい。
【００６０】
なお、テープ制御工程Ｎが行われる前に、ロール２０ｒがローラ５１ａに取り付けられる。また、ロール２０ｒから、ダイシングテープ２０Ｎの端部が引き出される。そして、ダイシングテープ２０Ｎの端部のうち、剥離テープ２２および端材２３ｚの端部が、例えば、図４のように、テープ基材ＴＰ１から剥離される。当該剥離テープ２２および端材２３ｚが、ローラ５４ａを介して、ローラ５１ｂに巻き取られるように、当該剥離テープ２２および端材２３ｚの端部は当該ローラ５１ｂに固定される。
【００６１】
また、テープ基材ＴＰ１が、ローラ５１ｃに巻き取られるように、当該テープ基材ＴＰ１の端部は当該ローラ５１ｂに固定される。テープ基材ＴＰ１は、ローラ５４ｂ，５４ｃに接するように設定される。
【００６２】
以下においては、補填層２３ｘの幅方向（Ｙ軸方向）の中心を、「補填層中心」ともいう。また、以下においては、ダイシングフレームＦ１の幅方向（Ｙ軸方向）の中心を、「フレーム中心」ともいう。また、以下においては、テープ基材ＴＰ１に設けられた補填層２３ｘの補填層中心が、フレーム中心と一致した状態を、「中心一致状態」ともいう。
【００６３】
図８は、テープ制御工程Ｎのフローチャートである。テープ制御工程Ｎでは、まず、ステップＳ２１０の処理が行われる。
【００６４】
ステップＳ２１０では、テープ搬送工程が行われる。テープ搬送工程では、ロール２０ｒから、ダイシングテープ２０Ｎが引き出される。具体的には、ローラ５１ｃがテープ基材ＴＰ１を巻き取るように、当該ローラ５１ｃは回転する。なお、テープ基材ＴＰ１に設けられた補填層２３ｘの補填層中心が、フレーム中心と一致するように、テープ基材ＴＰ１は巻き取られる。
【００６５】
また、ダイシングテープ２０Ｎの引き出しに同期して、ローラ５１ｂは回転する。なお、ダイシングテープ２０Ｎの引き出しの量（移動量）は、補填層中心とフレーム中心とが一致した中心一致状態になるように、制御される。
【００６６】
これにより、剥離テープ２２および端材２３ｚはローラ５４ａを通過する際に、図４のように、テープ基材ＴＰ１から剥離されて、ローラ５１ｂに巻き取られる。また、テープ基材ＴＰ１に設けられた補填層２３ｘの補填層中心は、フレーム中心と一致する。そして、中心一致状態が維持された状態で、テープ基材ＴＰ１の粘着層６１が、ダイシングフレームＦ１の表面に貼り付けられる。以下においては、テープ基材ＴＰ１の粘着層６１が、ダイシングフレームＦ１の表面に貼り付けられた状態を、「テープ基材貼付状態」ともいう。
【００６７】
ステップＳ２２０では、カット工程Ａが行われる。カット工程Ａでは、中心一致状態が維持され、かつ、テープ基材貼付状態において、ダイシングフレームＦ１のテープ基材ＴＰ１が、円形にカットされる。これにより、図２で説明した、円盤状のテープ基材ＴＰ１が形成される。当該テープ基材ＴＰ１は、円盤状の基材２１ｘと、円盤状の粘着層６１ｘとから構成される。
【００６８】
なお、円盤状のテープ基材ＴＰ１の主面ＴＰ１ａには補填層２３ｘが設けられる。以上により、図２のダイシングテープ２０が形成される。
【００６９】
次に、テープ基材ＴＰ１（ダイシングテープ２０）が貼り付けられたダイシングフレームＦ１が、機械等により、ウエハ貼り付けエリアへ運ばれる。ウエハ貼り付けエリアには、図２に示す、ウエハマウンタＭＴ１が設置されている。ウエハマウンタＭＴ１は、既存の一般的なウエハマウンタである。
【００７０】
ウエハマウンタＭＴ１は、マウントステージＭＳＴ１と、ステージＳＴ２とを含む。マウントステージＭＳＴ１には、ウエハ１００が設置される。ステージＳＴ２は、ダイシングフレームＦ１が配置されるステージである。
【００７１】
ステップＳ２３０では、位置決め工程が行われる。位置決め工程では、テープ基材ＴＰ１の補填層２３ｘが、ＸＹ面において、ウエハ１００の凹部Ｖ１内に収まるように、ダイシングテープ２０が貼り付けられたダイシングフレームＦ１が移動される。すなわち、ウエハ１００に対する、ダイシングテープ２０（補填層２３ｘ）の位置決めが行われる。なお、ダイシングテープ２０の位置決めが行われた直後は、ダイシングテープ２０（面２３ｘａ）とウエハ１００（底面Ｓ１ａ）との間には、わずかな間隔が存在する。すなわち、ダイシングフレームＦ１とステージＳＴ２との間には、わずかな間隔が存在する。
【００７２】
ステップＳ２４０では、テープ貼付工程Ａが行われる。テープ貼付工程Ａは、補填層２３ｘが凹部Ｖ１に埋め込まれるように、テープ基材ＴＰ１をウエハ１００に貼り付ける工程である。
【００７３】
具体的には、テープ貼付工程Ａでは、図２のように、補填層２３ｘの面２３ｘａが底面Ｓ１ａに貼り付けられるように、ローラ５５により、ダイシングテープ２０を押圧しながら、当該ローラ５５が移動する。これにより、テープ基材ＴＰ１の補填層２３ｘが、凹部Ｖ１内に埋め込まれる。また、ダイシングテープ２０がウエハ１００に貼り付けられると同時に、補填層２３ｘにより、ウエハ１００の凹部Ｖ１が平坦化される。以上により、テープ貼付工程Ａが終了する。
【００７４】
次に、ダイシング工程が行われる。ダイシング工程では、ダイシング装置が、電鋳ブレードにより、ウエハ１００のダイシングストリートＳ１を切除することにより、ウエハ１００が、半導体チップとして、各半導体装置１１に分割される。当該電鋳ブレードは、例えば、ダイヤモンドで構成された砥粒を含む。
【００７５】
次に、粘着力変更工程が行われる。粘着力変更工程では、底面Ｓ１ａと補填層２３ｘとの結合力ＰＷ１ａが、結合力ＰＷ１ｂおよび前述の結合力ＰＷ１ｃより小さくなるように、テープ基材ＴＰ１を介して、補填層２３ｘに紫外線が照射される。当該結合力ＰＷ１ｂは、補填層２３ｘとテープ基材ＴＰ１の主面ＴＰ１ａとの結合力である。これにより、半導体チップとしての半導体装置１１を、ダイシングテープ２０（補填層２３ｘ）から容易に取り外すことが可能となる。
【００７６】
次に、ピックアップ工程が行われる。ピックアップ工程では、半導体装置１１（半導体チップ）がダイシングテープ２０から取り外される。
【００７７】
次に、ダイボンド工程が行われる。ダイボンド工程では、半導体装置１１（半導体チップ）が、予め定められた領域Ｒａに固定される。領域Ｒａは、例えば、基板、フレーム等における所定の領域である。なお、ダイボンド工程は、一旦、半導体装置１１がチップトレイへ収納されてから行われてもよい。
【００７８】
以上説明したように、本実施の形態によれば、ダイシングテープ２０は、ウエハ１００の凹部Ｖ１の底面Ｓ１ａに貼り付けるための補填層２３ｘを備える。補填層２３ｘの形状は、当該補填層２３ｘを凹部Ｖ１に埋め込むための円盤状である。また、補填層２３ｘの厚さＴＨ１は、凹部Ｖ１の深さｄ１と同じである。なお、ダイシングテープ２０は、凹部Ｖ１を有するウエハ１００のダイシングのために、当該ウエハ１００に対して貼り付けられる。
【００７９】
これにより、補填層２３ｘを凹部Ｖ１に埋め込むようにダイシングテープ２０をウエハ１００に貼り付けると同時に、当該補填層２３ｘにより、凹部Ｖ１を平坦化することができる。すなわち、凹部を有するウエハの当該凹部を迅速に平坦化することができる。
【００８０】
また、補填層２３ｘにより、ウエハ１００の凹部Ｖ１を平坦化することができるので、既存のウエハマウンタを利用して、ウエハ１００にダイシングテープを貼り付けることができる。また、リブ１２を除去すること無く、凹部Ｖ１が平坦化されたウエハ１００を、ダイシングすることができる。これにより、凹部Ｖ１を平坦化するための工程と、ダイシングテープを貼り付ける工程とを、１つの工程に統合することができる。その結果、ウエハ１００の加工時間を削減することができ、凹部Ｖ１を平坦化するための装置、設備等も不要である。
【００８１】
また、凹部を有するウエハにダイシングテープを貼り付ける場合、通常、一般のウエハマウンタより高額な専用のウエハマウンタが必要となる。そこで、本実施の形態の構成によれば、既存の一般的なウエハマウンタにて、凹部を有するウエハにダイシングテープを貼り付けることができる。
【００８２】
また、本実施の形態によれば、リブの除去工程、凹部を充填するための工程等を追加する必要がない。また、本実施の形態によれば、既存のウエハマウンタであるウエハマウンタＭＴ１が使用される。そのため、製造工程を別途追加することなく、製造コストを削減することができる。すなわち、工程やコストを増加させることなく、既存プロセスにより、ウエハ１００に対しダイシングを行うことができる。
【００８３】
また、本実施の形態によれば、ダイシングテープ２０を使用したダイシング工程の後、粘着力変更工程が行われる。粘着力変更工程では、底面Ｓ１ａと補填層２３ｘとの結合力ＰＷ１ａが、補填層２３ｘとテープ基材ＴＰ１の主面ＴＰ１ａとの結合力ＰＷ１ｂおよび前述の結合力ＰＷ１ｃより小さくなるように、補填層２３ｘに紫外線が照射される。
【００８４】
したがって、ダイシング時は、ダイシングテープ２０により半導体装置１１を強固に保持することができる。そして、粘着力変更工程により、結合力ＰＷ１ａが結合力ＰＷ１ｂおよび結合力ＰＷ１ｃより小さくなるため、ピックアップ工程において、半導体装置１１を、ダイシングテープ２０（補填層２３ｘ）から容易に剥離する（取り外す）ことが可能となる。
【００８５】
また、本実施の形態によれば、円盤状の補填層２３ｘ以外の端材２３ｚは、ダイシングテープに残した状態とされる。そして、テープ制御工程Ｎにより、当該ダイシングテープをウエハ１００に貼り付ける直前に、端材２３ｚは、剥離テープ２２と共に剥離される。これにより、ダイシングテープの貼り付けが行われる前において、剥離テープ２２により補填層２３ｘを保護しつつ、ダイシングテープの厚さを均一とすることができる。その結果、ロール２０ｒの形状を安定させ、安定したダイシングテープの供給を実現することができる。
【００８６】
なお、本実施の形態では、補填層２３ｘ全体が、粘着性を有する材料で構成されるとしたがこれに限定されない。例えば、補填層２３ｘのうち、凹部Ｖ１の底面Ｓ１ａに貼り付けられる部分のみ、粘着性を有する材料からなる構成（以下、「変形構成Ａ」ともいう）としてもよい。以下においては、変形構成Ａを適用した補填層２３ｘを、「補填層２３ｘＡ」ともいう。また、以下においては、補填層２３ｘの代わりに補填層２３ｘＡを有するダイシングテープ２０を、「ダイシングテープＡ」ともいう。
【００８７】
変形構成Ａにおける補填層２３ｘＡは、補填層２３ｘの面２３ｘａに、図９に示される円盤状の粘着層６２ｘが貼り付けられて構成される。粘着層６２ｘは、粘着性を有する材料で構成される。具体的には、粘着層６２ｘは、前述の補填層２３ｘと同様、粘着力を変更自在な材料で構成される。粘着層６２ｘは、例えば、ＵＶ硬化型の粘着材である。なお、補填層２３ｘＡのうち、粘着層６２ｘ以外の部分（補填層２３ｘ）は、粘着性を有さない。
【００８８】
粘着層６２ｘは、以下のようにして形成される。まず、前述のテープ製造方法ＡのステップＳ１１０，Ｓ１２０が行われる。これにより、テープ基材ＴＰ１の主面ＴＰ１ａに補填層２３が積層される。次に、積層された補填層２３に、粘着層６２が積層される。
【００８９】
次に、円盤状の補填層２３ｘと円盤状の粘着層６２ｘとが形成されるように、補填層２３ｘおよび粘着層６２の一部を切除する。これにより、補填層２３ｘおよび粘着層６２には、円状の切除溝Ｋ２が形成される。以下においては、粘着層６２のうち、粘着層６２以外の部分を、「端材６２ｚ」ともいう。
【００９０】
そして、端材２３ｚおよび端材６２ｚが、前述の方法と同様に、テープ基材ＴＰ１から剥離されることにより、補填層２３ｘＡが生成される。補填層２３ｘＡは、凹部Ｖ１の底面Ｓ１ａに貼り付けられる面６２ｘａを有する。
【００９１】
以上の補填層２３ｘＡを有するダイシングテープＡにおいても、ダイシングテープ２０と同じ効果が得られる。すなわち、補填層２３ｘＡを凹部Ｖ１に埋め込むようにダイシングテープＡをウエハ１００に貼り付けると同時に、補填層２３ｘＡにより、ウエハ１００の凹部Ｖ１を平坦化することができる。また、補填層２３ｘＡ（粘着層６２ｘ）に紫外線を照射することにより、半導体装置１１をダイシングテープＡから容易に取り外すことができる。
【００９２】
なお、本実施の形態と、上記の変形構成Ａとにおいて、補填層２３ｘ（粘着層６２ｘ）が、粘着力を変更自在な材料で構成されるとしたがこの構成に限定されない。
【００９３】
例えば、円盤状のテープ基材ＴＰ１（粘着層６１ｘ）と補填層２３ｘとの結合力ＰＷ１ｂが、補填層２３ｘと凹部Ｖ１の底面Ｓ１ａとの結合力ＰＷ１ａより予め大きいとした構成（以下、「変形構成Ｂ１」ともいう）としてもよい。
【００９４】
変形構成Ｂ１では、結合力ＰＷ１ｂ，ＰＷ１ｃが、結合力ＰＷ１ａより大きくなるように、補填層２３ｘおよび粘着層６１ｘが予め構成される。例えば、結合力ＰＷ１ｂ，ＰＷ１ｃが、結合力ＰＷ１ａより大きくなるように、粘着層６１ｘの粘着力を、補填層２３ｘの粘着力より予め大きくしておく。これにより、前述のテープ制御工程Ｎおよびダイシング工程の終了後、半導体装置１１（半導体チップ）を、ダイシングテープ２０から取り外すことができる。
【００９５】
また、変形構成ＡのダイシングテープＡにおいて、例えば、円盤状のテープ基材ＴＰ１（粘着層６１ｘ）と前述の補填層２３ｘＡとの結合力が、補填層２３ｘＡと凹部Ｖ１の底面Ｓ１ａとの結合力より大きくなるように構成（以下、「変形構成Ｂ２」ともいう）されてもよい。
【００９６】
変形構成Ｂ２では、補填層２３ｘＡに含まれる補填層２３ｘは、粘着性を有さない。以下においては、凹部Ｖ１の底面Ｓ１ａと粘着層６２ｘとの結合力を、「結合力ＰＷ１ｄ」ともいう。結合力ＰＷ１ｄは、粘着層６２ｘの粘着力により、底面Ｓ１ａと粘着層６２ｘとが結合する力である。
【００９７】
変形構成Ｂ２では、結合力ＰＷ１ｂ，ＰＷ１ｃが、結合力ＰＷ１ｄより大きくなるように、粘着層６１ｘおよび粘着層６２ｘが予め構成される。例えば、結合力ＰＷ１ｂ，ＰＷ１ｃが、結合力ＰＷ１ｄより大きくなるように、粘着層６１ｘの粘着力を、粘着層６２ｘの粘着力より予め大きくしておく。これにより、変形構成Ｂ１と同様な効果が得られる。
【００９８】
なお、前述の背景技術で述べた、リブが形成されたウエハについては、前述の手法Ａが考えられる。当該手法Ａでは、ダイシング工程の妨げとなるリブの影響を無くすために、リブの除去が行われる。しかしながら、リブを除去する場合、リブの代わりに、ウエハの剛性を確保するためのダイシングテープを、当該ウエハの裏面に貼付ける必要がある。
【００９９】
手法Ａでは、ダイシングテープをリブに沿って貼付けるためには、リブに追従しやすいダイシングテープ、凹凸へのダイシングテープの貼付け性を向上させたウエハマウンタが必要となる。また、手法Ａでは、リブを除去する装置が必要であり、かつ、リブを除去する工程も別途追加する必要があるため、プロセス導入時のコストが高価であるという問題点がある。
【０１００】
そこで、本実施の形態に係るダイシングテープは、上記のように構成されるため、上記の問題点を解決することができる。
【０１０１】
＜実施の形態２＞
実施の形態１では、ダイシングテープ２０ＮをダイシングフレームＦ１に貼り付けた後に、当該ダイシングテープ２０Ｎをカットしていた。本実施の形態では、ダイシングテープをダイシングフレームに貼り付ける前に、当該ダイシングテープをカットしておくタイプのプリカットテープにおいても適用可能である。
【０１０２】
図１０は、本発明の実施の形態２に係るダイシングテープ２０の構成を示す断面図である。なお、図１０では、ダイシングテープ２０以外の後述する構成も示される。以下においては、実施の形態２に係るダイシングテープ２０を、「ダイシングテープＢ」ともいう。
【０１０３】
ダイシングテープＢ（ダイシングテープ２０）は、詳細は後述するが、図１１に示す、長尺状のダイシングテープ２０Ｎａの一部である。図１１は、ダイシングテープ２０Ｎａの一部の構成を示す図である。ダイシングテープ２０Ｎａの形状は、帯状（長尺状）である。
【０１０４】
なお、ダイシングテープ２０Ｎａは、図１２に示す、ロール２０ｒａとして提供される。当該ロール２０ｒａは、ダイシングテープ２０Ｎａがロール状に巻かれて構成される。図１２は、ロール２０ｒａから、ダイシングテープ２０Ｎａの一部を引き出した状態を示す。図１２は、ダイシングテープ２０Ｎａの構成を分かり易くするために、後述の端材ＴＰ１ｚが剥離された状態を示す。ダイシングテープＢ（ダイシングテープ２０）は、詳細は後述するが、図１２に示されるダイシングテープ２０Ｎａのうち領域Ｒ３内に設けられる。
【０１０５】
ダイシングテープＢ（ダイシングテープ２０）は、詳細は後述するが、ウエハ１００のダイシングのために、当該ウエハ１００に対して貼り付けられるテープである。
【０１０６】
図１０および図１２を参照して、実施の形態２に係るダイシングテープ２０は、実施の形態１のダイシングテープ２０と、同じ構成および機能を有するので詳細な説明は繰り返さない。以下、簡単に説明する。ダイシングテープ２０は、テープ基材ＴＰ１と、補填層２３ｘとを備える。テープ基材ＴＰ１の形状は、円盤状である。
【０１０７】
図１０および図１２を参照して、テープ基材ＴＰ１は、主面ＴＰ１ａを有する。主面ＴＰ１ａには補填層２３ｘが設けられる。テープ基材ＴＰ１は、基材２１ｘと、粘着層６１ｘとから構成される。
【０１０８】
補填層２３ｘは、実施の形態１のテープ基材ＴＰ１に設けられる補填層２３ｘと同じ構成および機能を有するので詳細な説明は繰り返さない。以下、補填層２３ｘについて、簡単に説明する。補填層２３ｘの厚さＴＨ１は、凹部Ｖ１の深さｄ１と同じである。補填層２３ｘは、凹部Ｖ１の底面Ｓ１ａに貼り付けられる面２３ｘａを有する。補填層２３ｘ全体は、粘着性を有する材料で構成される。また、補填層２３ｘは、粘着力を変更自在な材料で構成される。
【０１０９】
次に、ダイシングテープ２０（ダイシングテープＢ）を含むダイシングテープ２０Ｎａの製造工程（以下、「テープ製造方法Ａ２」ともいう）について説明する。図１３は、テープ製造方法Ａ２を説明するための図である。図１４は、テープ製造方法Ａ２のフローチャートである。テープ製造方法Ａ２では、まず、ステップＳ３１０の処理が行われる。
【０１１０】
ステップＳ３１０では、積層工程ＮＡが行われる。積層工程ＮＡでは、図１３（ａ）のように、剥離テープ２２上に、補填層２３が設けられる。
【０１１１】
ステップＳ３２０では、カット工程Ｎが行われる。カット工程Ｎは、補填層２３の一部を切除することにより、前述の補填層２３ｘを形成する工程である。カット工程Ｎは、図６のステップＳ１３０のカット工程Ｎと同様なので詳細な説明は繰り返さない。以下、簡単に説明する。
【０１１２】
カット工程Ｎでは、後述の工程により剥離テープ２２が破損しない程度に、補填層２３ｘが端材２３ｚから完全に切り離されるように、補填層２３の一部が切除される。例えば、カット工程Ｎでは、剥離テープ２２の表面部まで、切除溝Ｋ１が形成されるように、補填層２３の切除が行われる。
【０１１３】
ステップＳ３３０では、剥離工程が行われる。剥離工程では、端材２３ｚが、剥離テープ２２から剥離される。これにより、図１３（ｂ）のように、複数の円盤状の補填層２３ｘが、剥離テープ２２上に等間隔に配置される。
【０１１４】
ステップＳ３４０では、積層工程ＮＢが行われる。積層工程ＮＢでは、図１３（ｂ）に示される、補填層２３ｘおよび剥離テープ２２上に、シート状のテープ基材ＴＰ１が積層される。当該テープ基材ＴＰ１は、前述のように、基材２１の表面に粘着層６１が設けられたものである。
【０１１５】
具体的には、図１１のように、積層工程ＮＢでは、粘着層６１が、補填層２３ｘおよび剥離テープ２２上に積層されるように、シート状のテープ基材ＴＰ１が積層される。積層工程ＮＢにより、補填層２３ｘは、シート状のテープ基材ＴＰ１と剥離テープ２２とに挟まれた状態となる。
【０１１６】
ステップＳ３５０では、カット工程ＮＡが行われる。カット工程ＮＡでは、図１２の円盤状のテープ基材ＴＰ１が形成されるように、シート状のテープ基材ＴＰ１が円形にカットされる。前述したように、円盤状のテープ基材ＴＰ１は、円盤状の基材２１ｘと、円盤状の粘着層６１ｘとから構成される。すなわち、カット工程ＮＡでは、シート状の基材２１および粘着層６１が円形にカットされる。
【０１１７】
これにより、補填層２３には、円状の切除溝Ｋ３が形成される。以下においては、シート状のテープ基材ＴＰ１のうち、円盤状のテープ基材ＴＰ１以外の部分を、「端材ＴＰ１ｚ」ともいう。端材ＴＰ１ｚの一部は、例えば、図１２に示される。また、以下においては、基材２１のうち、基材２１ｘ以外の部分を、「端材２１ｚ」ともいう。端材２１ｚは、端材ＴＰ１ｚに含まれる。
【０１１８】
なお、カット工程ＮＡでは、後述の工程によりダイシングテープ２０Ｎａが破損しない程度に、円盤状のテープ基材ＴＰ１が端材ＴＰ１ｚから完全に切り離されるように、シート状のテープ基材ＴＰ１の一部が切除される。例えば、カット工程ＮＡでは、剥離テープ２２の表面部まで、切除溝Ｋ３が形成されるように、補填層２３の切除が行われる。
【０１１９】
以上により、前述のダイシングテープ２０（ダイシングテープＢ）を含むダイシングテープ２０Ｎａが製造される。すなわち、テープ基材ＴＰ１の主面ＴＰ１ａに補填層２３ｘが形成されたダイシングテープ２０（ダイシングテープＢ）が製造される。つまり、カット工程ＮＡは、補填層２３ｘを、テープ基材ＴＰ１の主面ＴＰ１ａに形成する工程である。なお、ダイシングテープ２０（ダイシングテープＢ）は、図１２のように、剥離テープ２２上に形成される。なお、剥離テープ２２は、補填層２３ｘの面２３ｘａに接する。すなわち、ダイシングテープ２０（ダイシングテープＢ）の補填層２３ｘの面２３ｘａには、当該面２３ｘａを保護するための剥離テープ２２が剥離自在に設けられる。
【０１２０】
次に、ダイシングテープ２０Ｎａがロール状に巻かれて構成されるロール２０ｒａを使用して、ダイシングテープ２０（ダイシングテープＢ）を、ウエハ１００に貼り付けるための工程（以下、「テープ貼付工程ＮＡ」ともいう）について説明する。ロール２０ｒａは、詳細は後述するが、図１５の貼付装置３００Ａに取り付けられる。
【０１２１】
図１５を参照して、貼付装置３００Ａは、図７のテープ搬送装置３００と比較して、台ＳＴ１０の代わりにウエハマウンタＭＴ１Ａを含む点と、ローラ５４ｂ，５４ｃの代わりにローラ５５を含む点と、ピールプレート７１をさらに含む点とが異なる。貼付装置３００Ａのそれ以外の構成は、テープ搬送装置３００と同様なので詳細な説明は繰り返さない。
【０１２２】
ウエハマウンタＭＴ１Ａは、プリカットテープに対応する、既存のウエハマウンタである。すなわち、ダイシングテープ２０（ダイシングテープＢ）は、既存のウエハマウンタであるウエハマウンタＭＴ１Ａで使用可能である。なお、図１５では、図の簡略化のため、ステージＳＴ３の形状を簡略化して示し、後述のマウントステージＭＳＴ１を示していない。
【０１２３】
図１０に示すように、ウエハマウンタＭＴ１Ａは、ステージＳＴ３と、ダイシングフレームＦ１と、マウントステージＭＳＴ１とを含む。
【０１２４】
ステージＳＴ３は、マウントステージＭＳＴ１を収容する。マウントステージＭＳＴ１には、ウエハ１００が設置される。ステージＳＴ３の端部には、ダイシングフレームＦ１が配置される。ダイシングフレームＦ１の内部の領域に、ウエハ１００は配置される。すなわち、ウエハ１００は予め位置決めされている。
【０１２５】
再び、図１５を参照して、ピールプレート７１の形状は、三角状である。ピールプレート７１は、鋭角部７１ａを有する。鋭角部７１ａは、詳細は後述するが、剥離テープ２２の剥離に使用される。ピールプレート７１は、剥離テープ２２からダイシングテープ２０が剥離されるように設けられる。具体的には、図１６のように、鋭角部７１ａにより剥離テープ２２が鋭角に折り曲がるように、当該鋭角部７１ａは、剥離テープ２２の一部に接する。
【０１２６】
なお、テープ貼付工程ＮＡが行われる前に、ロール２０ｒａがローラ５１ａに取り付けられる。また、ロール２０ｒａから、ダイシングテープ２０Ｎａの端部が引き出される。そして、ダイシングテープ２０Ｎａの端部のうち、端材ＴＰ１ｚの端部が、例えば、図１２のように、剥離テープ２２から剥離される。当該端材ＴＰ１ｚが、ローラ５４ａを介して、ローラ５１ｂに巻き取られるように、当該端材ＴＰ１ｚの端部は当該ローラ５１ｂに固定される。また、剥離テープ２２が、ローラ５１ｃに巻き取られるように、剥離テープ２２の端部は当該ローラ５１ｃに固定される。
【０１２７】
図１５および図１６を参照して、テープ貼付工程ＮＡでは、ロール２０ｒａから、ダイシングテープ２０Ｎａが引き出される。具体的には、ローラ５１ｃが剥離テープ２２を巻き取るように、当該ローラ５１ｃは回転する。なお、ダイシングテープ２０Ｎａの引き出し、すなわち、剥離テープ２２の巻き取りと同期して、ローラ５１ｂは回転する。これにより、図１２のように、端材ＴＰ１ｚは、ローラ５４ａを通過する際、ダイシングテープ２０Ｎａから剥離されて、ローラ５１ｂに巻き取られる。
【０１２８】
また、ローラ５１ｃの回転に伴い、ダイシングテープ２０が形成された剥離テープ２２は移動する。剥離テープ２２の移動により、当該剥離テープ２２がピールプレート７１の鋭角部７１ａで鋭角に折り曲がる際に、ダイシングテープ２０は、剥離テープ２２から剥離される。剥離テープ２２から剥離されるダイシングテープ２０の移動に同期するように、マウントステージＭＳＴ１は移動する。これにより、ダイシングテープ２０、ダイシングフレームＦ１およびウエハ１００の位置決めが行われる。
【０１２９】
次に、補填層２３ｘが凹部Ｖ１に埋め込まれるように、テープ基材ＴＰ１がウエハ１００に貼り付けられる。具体的には、図１０のように、ローラ５５により、ダイシングテープ２０が、ダイシングフレームＦ１およびウエハ１００に押し付けられるように、ローラ５５が移動する。すなわち、補填層２３ｘの面２３ｘａが底面Ｓ１ａに貼り付けられるように、ローラ５５により、ダイシングテープ２０を押圧しながら、当該ローラ５５が移動する。
【０１３０】
これにより、テープ基材ＴＰ１の補填層２３ｘが、凹部Ｖ１内に埋め込まれる。また、ダイシングテープ２０がウエハ１００に貼り付けられると同時に、補填層２３ｘにより、ウエハ１００の凹部Ｖ１が平坦化される。以上により、テープ貼付工程ＮＡが終了する。
【０１３１】
その後、実施の形態１と同様に、ダイシング工程、粘着力変更工程、ピックアップ工程、ダイボンド工程が行われる。
【０１３２】
以上説明したように、本実施の形態におけるダイシングテープ２０（ダイシングテープＢ）においても、実施の形態１と同様な効果が得られる。すなわち、凹部を有するウエハの当該凹部を迅速に平坦化することができる。
【０１３３】
なお、ダイシングテープ２０（ダイシングテープＢ）における補填層２３ｘに対しても、前述の変形構成Ａを適用してもよい。また、ダイシングテープＢに対し、前述の変形構成Ｂ１を適用してもよい。また、ダイシングテープＢに対し、前述の変形構成Ｂ２を適用してもよい。
【０１３４】
なお、本実施の形態では、ダイシングテープ２０を、ウエハマウンタＭＴ１Ａに設置されたダイシングフレームＦ１に貼り付ける直前に、ダイシングテープ２０Ｎａから端材ＴＰ１ｚを剥離する構成としたがこれに限定されない。ダイシングテープ２０Ｎａから端材ＴＰ１ｚを予め剥離しておいてもよい。すなわち、端材ＴＰ１ｚが剥離されたダイシングテープ２０Ｎａにより構成されるロール２０ｒａが、貼付装置３００Ａに使用されてもよい。
【０１３５】
＜実施の形態３＞
本実施の形態では、実施の形態１または実施の形態２における補填層２３ｘを構成する材料として、貼付材２４を使用する。当該貼付材２４は、ウエハ１００に対するダイシング（ダイシング工程）により半導体チップとなる半導体装置１１を予め定められた領域に固定するための材料である。すなわち、貼付材２４は、ダイボンド工程において、半導体装置１１と、実装対象物との接合に使用可能な材料である。
【０１３６】
貼付材２４は、例えば、ダイアタッチフィルムである。当該ダイアタッチフィルムは、一例として、加熱されることにより粘着性を生じるフィルムであるとする。
【０１３７】
なお、貼付材は、ダイアタッチフィルムに限定されない。貼付材２４は、シート状に加工可能であり、かつ、ウエハマウンタ内において、ウエハに対し仮付け可能な材料であれば、ダイアタッチフィルム以外の材料であってもよい。以下においては、貼付材２４により構成される補填層２３ｘを、「補填層２３ｘＢ」ともいう。
【０１３８】
図１７は、本発明の実施の形態３に係るダイシングテープ２０Ｄの構成を示す断面図である。なお、図１７では、ダイシングテープ２０Ｄ以外の構成も示される。図１７を参照して、ダイシングテープ２０Ｄは、図１０のダイシングテープ２０と比較して、補填層２３ｘの代わりに補填層２３ｘＢを備える点が異なる。ダイシングテープ２０Ｄのそれ以外の構成は、ダイシングテープ２０と同様なので詳細な説明は繰り返さない。すなわち、円盤状のテープ基材ＴＰ１の主面ＴＰ１ａには補填層２３ｘＢが設けられる。
【０１３９】
補填層２３ｘＢは、前述の貼付材２４で構成される。補填層２３ｘＢのサイズおよび形状は、実施の形態１の補填層２３と同じである。補填層２３ｘＢは、加熱されることにより粘着性を生じるとする。なお、補填層２３ｘＢは、初期状態では、粘着性を有さない。すなわち、補填層２３ｘＢは、粘着力を変更自在な材料で構成される。
【０１４０】
補填層２３ｘＢは、面２３ｘＢａを有する。面２３ｘＢａは、補填層２３ｘＢのうち、凹部Ｖ１の底面Ｓ１ａに貼り付けられる面である。
【０１４１】
以下においては、ダイシングテープ２０の代わりにダイシングテープ２０Ｄを含むダイシングテープ２０Ｎを、「ダイシングテープ２０ＤＮ」ともいう。ダイシングテープ２０ＤＮは、当該ダイシングテープ２０ＤＮがロール状に巻かれて構成されるロール２０ｒＤとして使用される。なお、ダイシングテープ２０Ｄは、ダイシングテープ２０と同様に、テープ製造方法Ａにより製造される。
【０１４２】
次に、ダイシングテープ２０Ｄを、ウエハ１００に貼り付けるための工程（以下、「テープ貼付工程ＮＤ」ともいう）について説明する。まず、ロール２０ｒＤを使用して、図８のステップＳ２１０，Ｓ２２０と同様な処理が行われる。これにより、ダイシングテープ２０Ｄが形成される。ダイシングテープ２０Ｄに対しては、図１７のウエハマウンタＭＴ１Ｄが使用される。
【０１４３】
ウエハマウンタＭＴ１Ｄは、図２のウエハマウンタＭＴ１と比較して、マウントステージＭＳＴ１の代わりにマウントステージＭＳＴ１Ｈを含む点が異なる。ウエハマウンタＭＴ１Ｄのそれ以外の構成は、ウエハマウンタＭＴ１と同様なので詳細な説明は繰り返さない。
【０１４４】
マウントステージＭＳＴ１Ｈは、マウントステージＭＳＴ１と比較して、ヒーターＨＴ１をさらに含む点が異なる。マウントステージＭＳＴ１Ｈのそれ以外の構成は、マウントステージＭＳＴ１と同様なので詳細な説明は繰り返さない。ヒーターＨＴ１は、図示しない構成要素からの制御に従って熱を発する。ヒーターＨＴ１の形状は、パネル状（板状）である。
【０１４５】
なお、マウントステージＭＳＴ１Ｈには、図１８のように、棒状の複数のヒーターＨＴ１が設けられてもよい。
【０１４６】
テープ貼付工程ＮＤでは、補填層２３ｘＢが凹部Ｖ１に埋め込まれるように、テープ基材ＴＰ１がウエハ１００に貼り付けられる。
【０１４７】
また、テープ基材ＴＰ１の貼付けと同時に、ヒーターＨＴ１は、補填層２３ｘＢ（貼付材２４）が粘着性を有するように、当該補填層２３ｘＢを加熱する。これにより、補填層２３ｘＢ全体は、粘着性を有する。すなわち、面２３ｘＢａは、粘着性を有する。また、ヒーターＨＴ１による加熱と同時に、補填層２３ｘＢの面２３ｘＢａが底面Ｓ１ａに貼り付けられるように、ローラ５５により、ダイシングテープ２０Ｄを押圧しながら、当該ローラ５５が移動する。
【０１４８】
本実施の形態においても、実施の形態１と同様に、ダイシングテープ２０Ｄがウエハ１００に貼り付けられると同時に、補填層２３ｘＢにより、ウエハ１００の凹部Ｖ１が平坦化される。
【０１４９】
そして、実施の形態１と同様に、ダイシング工程が行われる。当該ダイシング工程により、半導体装置１１（半導体チップ）が形成される。そして、実施の形態１と同様に、ピックアップ工程、ダイボンド工程が行われる。
【０１５０】
以下においては、加熱されることにより、粘着性を有した補填層２３ｘＢを、「粘着性補填層」ともいう。また、粘着性補填層は、当該貼付材２４が加熱されることにより、粘着性を有した貼付材２４から構成される。以下においては、加熱されることにより、粘着性を有した貼付材２４を、「貼付材２４Ｚ」ともいう。
【０１５１】
また、以下においては、凹部Ｖ１の底面Ｓ１ａと、貼付材２４Ｚとの結合力を、「結合力ＰＷ２ａ」ともいう。結合力ＰＷ２ａは、底面Ｓ１ａと粘着補填層（補填層２３ｘＢ）との結合力である。結合力ＰＷ２ａは、貼付材２４Ｚの粘着力により、底面Ｓ１ａと貼付材２４Ｚ（補填層２３ｘＢ）とが結合する力である。
【０１５２】
また、以下においては、粘着層６１ｘと貼付材２４Ｚとの結合力を、「結合力ＰＷ２ｂ」ともいう。すなわち、結合力ＰＷ２ｂは、テープ基材ＴＰ１と貼付材２４（粘着補填層）との結合力である。結合力ＰＷ２ｂは、粘着層６１ｘの粘着力と貼付材２４Ｚの粘着力とにより、粘着層６１ｘと貼付材２４Ｚとが結合する力である。
【０１５３】
本実施の形態では、結合力ＰＷ２ａは、結合力ＰＷ２ｂより大きい。すなわち、結合力ＰＷ２ｂは、結合力ＰＷ２ａより小さい。なお、結合力ＰＷ２ｂは、前述の結合力ＰＷ１ｃより小さい。前述したように、結合力ＰＷ１ｃは、粘着層６１ｘと基材２１ｘとの結合力である。具体的には、結合力ＰＷ２ｂが結合力ＰＷ２ａより小さくなるように、粘着層６１ｘの粘着力を、貼付材２４Ｚの粘着力より予め小さくしておく。
【０１５４】
これにより、ピックアップ工程において、貼付材２４Ｚ（補填層２３ｘＢ）が貼り付いた半導体装置１１（半導体チップ）を、テープ基材ＴＰ１から剥離することができる。すなわち、半導体装置１１（半導体チップ）は、貼付材２４Ｚとともに、テープ基材ＴＰ１から剥離される。そのため、ダイボンド工程において、半導体装置１１（半導体チップ）に、別途、粘着材等を使用せずに、当該半導体装置１１を、貼付材２４Ｚにより、予め定められた領域Ｒａに固定することができる。
【０１５５】
以上説明したように、本実施の形態におけるダイシングテープ２０Ｄにおいても、実施の形態１と同様な効果が得られる。すなわち、凹部を有するウエハの当該凹部を迅速に平坦化することができる。
【０１５６】
また、本実施の形態では、補填層２３ｘＢを、ダイボンド工程でチップを接合する際に使用する貼付材２４で構成する。そして、テープ貼付工程ＮＤにより、補填層２３ｘＢが凹部Ｖ１に埋め込まれるように、テープ基材ＴＰ１がウエハ１００に貼り付けられる。すなわち、貼付材２４が凹部Ｖ１に埋め込まれる。
【０１５７】
これにより、ウエハ１００の凹部Ｖ１を平坦化すると同時に、ダイボンド工程で使用される貼付材２４を供給することができる。そのため、貼付材２４の供給工程を削減することが可能となる。すなわち、ウエハ１００の凹部Ｖ１を平坦化するために、別途、部材を追加することなく、ダイボンド工程における貼付材の供給する処理を削減することができる。
【０１５８】
また、本実施の形態では、凹部Ｖ１の底面Ｓ１ａと粘着補填層（補填層２３ｘＢ）との結合力結合力ＰＷ２ａが、粘着層６１ｘと貼付材２４Ｚとの結合力ＰＷ２ｂより大きくなるように構成される。これにより、半導体装置１１（半導体チップ）と貼付材２４Ｚとを一体化して、テープ基材ＴＰ１から容易に剥離することができる。
【０１５９】
なお、貼付材２４は、加熱されることにより粘着性を生じるとしたがこれに限定されない。貼付材２４は、加熱以外の方法により、粘着性を生じる部材であってもよい。
【０１６０】
また、本実施の形態のダイシングテープ２０Ｄに、実施の形態２を適用した構成（以下、「変形構成Ｃ」ともいう）としてもよい。
【０１６１】
変形構成Ｃでは、テープ貼付工程ＮＤＣが行われる。テープ貼付工程ＮＤＣでは、実施の形態２のテープ貼付工程ＮＡと比較して、図１０のウエハマウンタＭＴ１Ａの代わりに図１９のウエハマウンタＭＴ１Ｅが使用される点と、ダイシングテープ２０の代わりにダイシングテープ２０Ｄが使用される点が異なる。テープ貼付工程ＮＤＣのそれ以外の処理は、テープ貼付工程ＮＡと同様なので詳細な説明は繰り返さない。
【０１６２】
ウエハマウンタＭＴ１Ｅは、図１０のウエハマウンタＭＴ１Ａと比較して、マウントステージＭＳＴ１の代わりにマウントステージＭＳＴ１Ｈを含む点が異なる。ウエハマウンタＭＴ１Ｅのそれ以外の構成は、ウエハマウンタＭＴ１Ａと同様なので詳細な説明は繰り返さない。マウントステージＭＳＴ１Ｈの構成および機能は前述したので、詳細な説明は繰り返さない。なお、マウントステージＭＳＴ１Ｈには、図２０のように、棒状の複数のヒーターＨＴ１が設けられてもよい。
【０１６３】
以下、テープ貼付工程ＮＤＣについて簡単に説明する。テープ貼付工程ＮＤＣでは、テープ貼付工程ＮＡと同様な方法により、補填層２３ｘＢが凹部Ｖ１に埋め込まれるように、テープ基材ＴＰ１がウエハ１００に貼り付けられる。
【０１６４】
また、テープ基材ＴＰ１の貼付けと同時に、ヒーターＨＴ１は、補填層２３ｘＢ（貼付材２４）が粘着性を有するように、当該補填層２３ｘＢを加熱する。これにより、補填層２３ｘＢ全体は、粘着性を有する。すなわち、面２３ｘＢａは、粘着性を有する。また、ヒーターＨＴ１による加熱と同時に、補填層２３ｘの面２３ｘＢａが底面Ｓ１ａに貼り付けられるように、ローラ５５により、ダイシングテープ２０Ｄを押圧しながら、当該ローラ５５が移動する。
【０１６５】
また、本実施の形態では、予め、結合力ＰＷ２ａが、結合力ＰＷ２ｂより大きい構成としたがこれに限定されない。すなわち、予め、結合力ＰＷ２ｂが、結合力ＰＷ２ａより小さい構成としたがこれに限定されない。例えば、ダイシング工程の直後に、結合力ＰＷ２ｂが、結合力ＰＷ２ａより小さくされる構成（以下、「変形構成Ｄ」ともいう）としてもよい。
【０１６６】
変形構成Ｄでは、粘着層６１ｘが、粘着力を変更自在な材料で構成される。粘着層６１ｘは、例えば、紫外線が照射されることにより、当該粘着層６１ｘが硬化するとともに、粘着力が低下するＵＶ硬化型の粘着材である。なお、粘着層６１ｘの一部は、テープ基材ＴＰ１の主面ＴＰ１ａである。すなわち、テープ基材ＴＰ１の主面ＴＰ１ａは、テープ基材ＴＰ１（粘着層６１ｘ）と貼付材２４Ｚとの結合力ＰＷ２ｂが、凹部Ｖ１の底面Ｓ１ａと貼付材２４Ｚとの結合力ＰＷ２ａより小さくなるように、粘着力を変更自在な材料で構成される。
【０１６７】
これにより、ダイシング工程が行われた後、結合力ＰＷ２ｂが、結合力ＰＷ２ａより小さくなるように、粘着層６１ｘに紫外線が照射される。これにより、ピックアップ工程において、半導体装置１１（半導体チップ）は、貼付材２４Ｚとともに、テープ基材ＴＰ１から剥離される。
【０１６８】
＜実施の形態４＞
ウエハ１００の凹部Ｖ１の深さｄ１が大きい場合、貼付材２４の使用量が過多となる。そこで、本実施の形態では、貼付材２４の使用量を減らす構成を有するダイシングテープ２０Ｅについて説明する。
【０１６９】
図２１は、本発明の実施の形態４に係るダイシングテープ２０Ｅの構成を示す断面図である。なお、図２１では、ダイシングテープ２０Ｅ以外の構成も示される。図２１を参照して、ダイシングテープ２０Ｅは、図１７のダイシングテープ２０Ｄと比較して、補填層２３ｘＢの代わりに補填層２３ｘＥを備える点が異なる。ダイシングテープ２０Ｅのそれ以外の構成は、ダイシングテープ２０Ｄと同様なので詳細な説明は繰り返さない。すなわち、円盤状のテープ基材ＴＰ１の主面ＴＰ１ａには補填層２３ｘＥが設けられる。
【０１７０】
補填層２３ｘＥのサイズおよび形状は、実施の形態１の補填層２３と同じである。補填層２３ｘＥは、面２３ｘＥａを有する。面２３ｘＥａは、補填層２３ｘＥのうち、凹部Ｖ１の底面Ｓ１ａに貼り付けられる面である。補填層２３ｘＥは、前述の貼付材２４と、中間層２５とから構成される。貼付材２４および中間層２５の形状は、円盤状である。
【０１７１】
中間層２５は、補填層２３ｘＥの厚みを調整するための層である。具体的には、補填層２３ｘＥの厚さが、凹部Ｖ１の深さｄ１と同じになるように、中間層２５の厚みは設定される。中間層２５は、テープ基材ＴＰ１の主面ＴＰ１ａに設けられる。中間層２５は、テープ基材ＴＰ１および貼付材２４に接するように、テープ基材ＴＰ１と貼付材２４との間に設けられる。また、中間層２５は、粘着性を有する。中間層２５は、一層で構成される。なお、中間層２５は、複数の層で構成されてもよい。
【０１７２】
貼付材２４は、中間層２５の主面に設けられる。すなわち、貼付材２４の一方の面は、補填層２３ｘＥの面２３ｘＥａである。
【０１７３】
次に、ダイシングテープ２０Ｅの製造方法について説明する。まず、実施の形態１と同様に、ステップＳ１１０が行われる。これにより、テープ基材ＴＰ１が形成される。
【０１７４】
次に、テープ基材ＴＰ１上に、シート状の中間層２５が積層される。次に、中間層２５上に、シート状の貼付材２４が積層される。そして、図２１で説明した、円盤状の貼付材２４および中間層２５が形成されるように、シート状の貼付材２４および中間層２５の一部が切除される。これにより、円盤状の貼付材２４および中間層２５が形成される。次に、シート状の貼付材２４上に剥離テープ２２が貼り付けられる。
【０１７５】
以上により、ダイシングテープ２０Ｅを含むダイシングテープ２０Ｎｂが製造される。すなわち、ダイシングテープ２０Ｅが製造される。
【０１７６】
以下においては、シート状の貼付材２４および中間層２５のうち、円盤状の補填層２３ｘＥ以外の部分を、「端材２３Ｅｚ」ともいう。図２２は、端材２３Ｅｚの端部を、テープ基材ＴＰ１から剥離した状態を示す図である。なお、ダイシングテープ２０Ｎｂは、ロール状に巻かれて、ロール２０ｒＥとして使用される。
【０１７７】
なお、ダイシングテープ２０Ｅは、実施の形態２における処理においても適用可能である。
【０１７８】
次に、ダイシングテープ２０Ｅを、ウエハ１００に貼り付けるための工程（以下、「テープ貼付工程ＮＥ」ともいう）について説明する。まず、ロール２０ｒＥを使用して、図８のステップＳ２１０，Ｓ２２０と同様な処理が行われる。これにより、ダイシングテープ２０Ｅが形成される。ダイシングテープ２０Ｅに対しては、図２１のウエハマウンタＭＴ１Ｄが使用される。
【０１７９】
テープ貼付工程ＮＥでは、補填層２３ｘＥが凹部Ｖ１に埋め込まれるように、テープ基材ＴＰ１がウエハ１００に貼り付けられる。
【０１８０】
また、テープ基材ＴＰ１の貼付けと同時に、ヒーターＨＴ１は、貼付材２４が粘着性を有するように、当該貼付材２４を加熱する。これにより、貼付材２４は、粘着性を有する。すなわち、面２３ｘＥａは、粘着性を有する。また、ヒーターＨＴ１による加熱と同時に、補填層２３ｘＥの面２３ｘＥａが底面Ｓ１ａに貼り付けられるように、ローラ５５により、ダイシングテープ２０Ｅを押圧しながら、当該ローラ５５が移動する。
【０１８１】
本実施の形態においても、実施の形態１と同様に、ダイシングテープ２０Ｅがウエハ１００に貼り付けられると同時に、補填層２３ｘＥにより、ウエハ１００の凹部Ｖ１が平坦化される。
【０１８２】
そして、実施の形態１と同様に、ダイシング工程が行われる。当該ダイシング工程により、半導体装置１１（半導体チップ）が形成される。そして、実施の形態１と同様に、ピックアップ工程、ダイボンド工程が行われる。
【０１８３】
前述したように、加熱されることにより、粘着性を有した貼付材２４は、貼付材２４Ｚである。また、前述したように、凹部Ｖ１の底面Ｓ１ａと貼付材２４Ｚとの結合力は、結合力ＰＷ２ａである。
【０１８４】
以下においては、中間層２５と貼付材２４Ｚとの結合力を、「結合力ＰＷ３ｂ」ともいう。結合力ＰＷ３ｂは、中間層２５の粘着力と、貼付材２４Ｚの粘着力とにより、中間層２５と貼付材２４Ｚとが結合する力である。また、以下においては、中間層２５と粘着層６１ｘとの結合力を、「結合力ＰＷ３ｃ」ともいう。結合力ＰＷ３ｃは、中間層２５の粘着力と、粘着層６１ｘの粘着力とにより、中間層２５と粘着層６１ｘとが結合する力である。
【０１８５】
本実施の形態では、結合力ＰＷ２ａは、結合力ＰＷ３ｂより大きい。すなわち、結合力ＰＷ３ｂは、結合力ＰＷ２ａより小さい。なお、結合力ＰＷ３ｂは、結合力ＰＷ３ｃおよび前述の結合力ＰＷ１ｃより小さい。結合力ＰＷ１ｃは、前述したように、粘着層６１ｘと基材２１ｘとの結合力である。
【０１８６】
具体的には、結合力ＰＷ３ｂが結合力ＰＷ２ａより小さくなるように、中間層２５の粘着力を、貼付材２４Ｚの粘着力をより予め小さくしておく。
【０１８７】
これにより、ピックアップ工程において、貼付材２４Ｚ（補填層２３ｘＢ）が貼り付いた半導体装置１１（半導体チップ）を、中間層２５から剥離することができる。すなわち、半導体装置１１（半導体チップ）は、貼付材２４Ｚとともに、中間層２５から剥離される。そのため、ダイボンド工程において、半導体装置１１（半導体チップ）に、別途、粘着材等を使用せずに、当該半導体装置１１を、貼付材２４Ｚにより、予め定められた領域Ｒａに固定することができる。
【０１８８】
以上説明したように、本実施の形態におけるダイシングテープ２０Ｅにおいても、実施の形態１と同様な効果が得られる。すなわち、凹部を有するウエハの当該凹部を迅速に平坦化することができる。
【０１８９】
また、本実施の形態では、補填層２３ｘＥの厚みを調整するための中間層２５を設ける。そのため、中間層２５の厚みを調整することにより、補填層２３ｘＥの厚みを、機能的に必要な厚みに最適化できる。例えば、特性、費用等の事情により、貼付材２４の厚みを、凹部Ｖ１を平坦化するための厚みにできない場合においても、中間層２５の厚みの調整により、凹部Ｖ１を平坦化することができる。
【０１９０】
また、中間層２５を設けることにより、貼付材２４の使用量を削減することができる。また、補填層の一部を、貼付材２４で置き換えるため、廃棄する部材を削減することができる。したがって、製造コストを削減することができる。
【０１９１】
以下においては、ダイシングテープ２０Ｅのように、貼付材２４と中間層２５とにより補填層が形成される構成を、「変形構成Ｅ」ともいう。変形構成Ｅは、実施の形態１，２のダイシングテープ２０に対して適用されてもよい。
【０１９２】
また、本実施の形態では、予め、結合力ＰＷ３ｂが、結合力ＰＷ２ａより小さい構成としたがこれに限定されない。例えば、ダイシング工程の直後に、結合力ＰＷ３ｂが、結合力ＰＷ２ａより小さくされる構成（以下、「変形構成Ｆ」ともいう）としてもよい。
【０１９３】
変形構成Ｆでは、中間層２５が、粘着力を変更自在な材料で構成される。中間層２５は、例えば、紫外線が照射されることにより、当該中間層２５が硬化するとともに、粘着力が低下するＵＶ硬化型の粘着材である。すなわち、中間層２５は、当該中間層２５と貼付材２４Ｚとの結合力ＰＷ３ｂが、凹部の底面Ｓ１ａと貼付材２４Ｚとの結合力ＰＷ２ａより小さくなるように、粘着力を変更自在な材料で構成される。
【０１９４】
これにより、ダイシング時は、ダイシングテープ２０Ｅにより半導体装置１１を強固に保持することができる。そして、ダイシング工程が行われた後、結合力ＰＷ３ｂが、結合力ＰＷ２ａより小さくなるように、中間層２５に紫外線が照射される。これにより、ピックアップ工程において、半導体装置１１（半導体チップ）と貼付材２４Ｚとを一体化して、中間層２５から容易に剥離することができる。
【０１９５】
また、必要に応じて、中間層２５と貼付材２４との間に粘着層を設ける構成（以下、「変形構成Ｇ」ともいう）としてもよい。以下においては、中間層２５と貼付材２４との間に設けられた粘着層を、「粘着層Ｃ」ともいう。変形構成Ｇでは、粘着層Ｃは、粘着性を有する。そのため、中間層２５は粘着性を有さないとしてもよい。
【０１９６】
変形構成Ｇでは、ダイシング工程が行われた後、貼付材２４と粘着層Ｃとが剥離可能なように、粘着層Ｃの粘着力は設定される。なお、粘着層Ｃは、貼付材２４と粘着層Ｃとが剥離可能なように、粘着力を変更自在な材料で構成されてもよい。
【０１９７】
なお、本発明は、その発明の範囲内において、各実施の形態を自由に組み合わせたり、各実施の形態を適宜、変形、省略することが可能である。
【０１９８】
例えば、実施の形態３，４における貼付材２４は、導電性を有する構成（以下、「変形構成Ｈ」ともいう）としてもよい。変形構成Ｈでは、貼付材２４は、当該貼付材２４内に導電材を分散させて構成される。当該導電材は、例えば、銀、カーボンナノチューブ等である。なお、貼付材２４は、導電性ダイアタッチフィルム等で構成されてもよい。
【０１９９】
これにより、半導体装置１１（半導体チップ）の裏面に、別途、電気的なコンタクトを設ける必要なく、貼付材２４を、電気的なコンタクトとして使用することができる。以上により、変形構成Ｈは、半導体装置１１（半導体チップ）の裏面に、電気的なコンタクトを必要とするデバイスにも適用することが可能である。
【符号の説明】
【０２００】
１１  半導体装置、２０，２０Ｄ，２０Ｅ，２０Ｎ，２０Ｎａ，２０Ｎｂ  ダイシングテープ、２１，２１ｘ  基材、２２  剥離テープ、２３，２３ｘ，２３ｘＡ，２３ｘＢ，２３ｘＥ  補填層、２４，２４Ｚ  貼付材、２５  中間層、６１，６１ｘ，６２，６２ｘ  粘着層、１００  ウエハ、ＴＰ１  テープ基材、Ｖ１  凹部。
【図１】
2016018877.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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