(57)【要約】【課題】形成される膜の膜質を向上させることが可能な技術を提供する。【解決手段】基板を保持する基板保持具と、基板を処理するガスを供給するガス供給部と、基板の表面上に離隔して設けられ、ガス供給部から供給されたガスを活性化するプラズマを生成するプラズマ電極装置と、プラズマ電極装置に接続され、プラズマ電極装置を基板上で水平移動させる回転駆動部と、を有する。【選択図】図４
2016186992.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を保持する基板保持具と、
前記基板を処理するガスを供給するガス供給部と、
前記基板の表面上に離隔して設けられ、前記ガス供給部から供給されたガスを活性化するプラズマを生成するプラズマ電極装置と、
前記プラズマ電極装置に接続され、前記プラズマ電極装置を前記基板上で水平移動させる回転駆動部と、
を有する基板処理装置。
【請求項２】
前記回転駆動部は、前記プラズマ電極装置に接続されて前記プラズマ電極装置を回転させる第１の電極駆動軸と、
前記第１の電極駆動軸を回転させる電極駆動源と、
を有する請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記基板保持具は、前記基板保持具を回転させる回転軸をさらに有し、
前記回転軸と前記第１の電極駆動軸は同軸に構成される請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記プラズマ電極装置は、前記第１の電極駆動軸に連設された電極駆動アームと、
下端が前記電極アームに接続された電極支柱と、
前記電極支柱の側面に設けられた電極と、で構成される請求項２または請求項３に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記電極駆動アームは、前記第１の電極駆動軸とは異なる位置に第２の電極駆動軸を有する請求項２〜請求項４のいずれか１つに記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記第２の電極駆動軸は、前記基板保持具の外周よりも外側に設けられる請求項５に記載の基板処理装置。
【請求項７】
基板保持具により保持された基板を処理するガスを供給する工程と、
前記基板の表面上に離隔して設けられたプラズマ電極機構からプラズマを生成して前記ガス供給部から供給されたガスを活性化する工程と、
前記プラズマ電極装置に接続された回転駆動部によって前記プラズマ電極機構を水平移動させる工程と、
を有する半導体装置の製造方法。
【請求項８】
基板保持具により保持された基板を処理するガスを供給する手順と、
前記基板の表面上に離隔して設けられたプラズマ電極機構からプラズマを生成して前記ガス供給部から供給されたガスを活性化する手順と、
前記プラズマ電極装置に接続された回転駆動部によって前記プラズマ電極機構を水平移動させる手順と、
を有するコンピュータ読み取り可能なプログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマを用いて被処理基板を処理する基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラムに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置（デバイス）の製造工程の一工程として、処理室内の基板に対して原料と反応体とを供給して基板上に膜を形成する基板処理が行われることがある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
本発明の目的は、形成される膜の膜質を向上させることが可能な技術を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明の一態様によれば、
基板を保持する基板保持具と、
前記基板を処理するガスを供給するガス供給部と、
前記基板の表面上に離隔して設けられ、前記ガス供給部から供給されたガスを活性化するプラズマを生成するプラズマ電極装置と、
前記プラズマ電極装置に接続され、前記プラズマ電極装置を前記基板上で水平移動させる回転駆動部と、を有する技術が提供される。
【発明の効果】
【０００５】
本発明によれば、形成される膜の膜質を向上させることが可能な技術を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】本発明の一実施形態で好適に用いられる基板処理装置の縦型基板処理装置の概略構成図である。
【図２】本発明の一実施形態で好適に用いられる基板処理装置の処理炉部分を縦断面図で示す図である。
【図３】本発明の一実施形態で好適に用いられる基板処理装置の概略構成図であり、図２の破線部で示す処理炉部分を拡大した図である。
【図４】本発明の一実施形態で好適に用いられる基板処理装置の概略構成図であり、処理炉部分を図２のＡ−Ａ線断面図で示す図である。
【図５】本発明で好適に用いられるプラズマ電極支柱と電極の取付け状態を示した図である。
【図６】本発明の基板処理におけるプロセスを説明するフローチャートである。
【図７】本発明の基板処理におけるプロセスを説明するタイムチャートである。
【図８】（ａ）本発明の第一実施形態で好適に用いられる基板処理装置のプラズマ電極の移動軌跡について示す図である。（ｂ）本発明の第二実施形態で好適に用いられる基板処理装置のプラズマ電極の移動軌跡について示す図である。
【図９】本発明の一実施形態で好適に用いられる基板処理装置のコントローラの概略構成図であり、コントローラの制御系をブロック図で示す図である。
【図１０】ＢＴＢＡＳの化学構造式を示す図である。
【図１１】本発明における原料ガス供給時の電極停止位置を示す図である。
【図１２】本発明における原料ガス供給時のボートの回転範囲を示す図である。
【図１３】本発明の第一実施形態におけるＲＦ電力を供給するタイミングの変形例１を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
＜本発明の一実施形態＞
以下、本発明の一実施形態について図１を参照しながら説明する。尚、本図においては、説明を容易にするため、プラズマ生成部、プラズマ電極等は省略している。
【０００８】
（１）基板処理装置の構成
（加熱装置）
図１に示すように、処理炉２０２は加熱装置（加熱機構）としてのヒータ４を有する。ヒータ４は円筒形状であり、保持板としてのヒータベース（図示せず）に支持されることにより垂直に据え付けられている。ヒータ４は、後述するようにガスを熱で活性化（励起）させる活性化機構（励起部）としても機能する。
【０００９】
（処理室）
ヒータ４の内側には、ヒータ４と同心円状に反応管１が配設されている。反応管１は、例えば石英（ＳｉＯ２）または炭化シリコン（ＳｉＣ）等の耐熱性材料からなり、上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されている。反応管１の下方には、反応管１と同心円状に、マニホールド３１が配設されている。マニホールド３１は、例えばステンレス（ＳＵＳ）等の金属からなり、上端および下端が開口した円筒形状に形成されている。マニホールド３１の上端部は、反応管１の下端部に係合しており、反応管１を支持するように構成されている。マニホールド３１と反応管１との間には、シール部材としてのＯリング２２０ａが設けられている。マニホールド３１がヒータベースに支持されることにより、反応管１は垂直に据え付けられた状態となる。主に、反応管１とマニホールド３１とにより処理容器（反応容器）が構成されている。処理容器の筒中空部には処理室２０１が形成されている。処理室２０１は、複数枚の基板としてのウエハ７を、後述する基板保持具としてのボート５によって水平姿勢で垂直方向に多段に配列した状態で収容可能に構成されている。
【００１０】
（ガス供給部）
処理室２０１内には、ノズル２７，２９が、マニホールド３１の側壁を貫通するように設けられている。ノズル２７，２９には、ガス供給管２３２ａ，２３２ｂが、それぞれ接続されている。このように、反応管１には２本のノズル２７，２９と、２本のガス供給管２３２ａ，２３２ｂとが設けられており、処理室２０１内へ複数種類のガスを供給することが可能となっている。
【００１１】
ガス供給管２３２ａ，２３２ｂには、上流方向から順に、流量制御器（流量制御部）であるマスフローコントローラ（ＭＦＣ）２４１ａ，２４１ｂおよび開閉弁であるバルブ２４３ａ，２４３ｂがそれぞれ設けられている。ガス供給管２３２ａ，２３２ｂのバルブ２４３ａ，２４３ｂよりも下流側には、不活性ガスを供給するガス供給管２３２ｃ，２３２ｄがそれぞれ接続されている。ガス供給管２３２ｃ，２３２ｄには、上流方向から順に、流量制御器（流量制御部）であるＭＦＣ２４１ｃ，２４１ｄおよび開閉弁であるバルブ２４３ｃ，２４３ｄがそれぞれ設けられている。
【００１２】
ガス供給管２３２ａ，２３２ｂの先端部には、ノズル２７，２９がそれぞれ接続されている。ノズル２７，２９は、反応管１の内壁とウエハ７との間における平面視において円環状の空間に、反応管１の内壁の下部より上部に沿って、ウエハ７の積載方向上方に向かって立ち上がるようにそれぞれ設けられている。すなわち、ノズル２７，２９は、ウエハ７が配列されるウエハ配列領域の側方の、ウエハ配列領域を水平（環状）に取り囲む領域に、ウエハ配列領域に沿うようにそれぞれ設けられている。すなわち、ノズル２７，２９は、処理室２０１内へ搬入された各ウエハ７の端部（周縁部）の側方にウエハ７の表面（平坦面）と垂直にそれぞれ設けられている。ノズル２７，２９はそれぞれＬ字型のロングノズルとして構成されており、その水平部はマニホールド３１の側壁を貫通するように設けられており、その垂直部は少なくともウエハ配列領域の一端側から他端側に向かって立ち上がるように設けられている。ノズル２７，２９の側面には、ガスを供給するガス供給孔２５０ａ，２５０ｂがそれぞれ設けられている。ガス供給孔２５０ａ，２５０ｂは、それぞれ、反応管１（ウエハ７）の中心を向くように開口しており、ウエハ７に向けてガスを供給することが可能となっている。ガス供給孔２５０ａ，２５０ｂは、それぞれ、反応管１の下部から上部にわたって複数設けられ、それぞれが同一の開口面積を有し、更に同じ開口ピッチで設けられている。
なお、ガス供給孔２５０ａ，２５０ｂの開口面積を上流側から下流側に向かって徐々に大きくしたり、ガス供給孔２５０ａ，２５０ｂの開口ピッチを上流側から下流側に向かって徐々に小さくしたりするようにしてもよい。
【００１３】
このように、本実施形態では、反応管１の側壁の内壁と、反応管１内に配列された複数枚のウエハ７の端部（周縁部）と、で定義される平面視において円環状の縦長の空間内、すなわち、円筒状の空間内に配置したノズル２７，２９を経由してガスを搬送している。そして、ノズル２７，２９にそれぞれ開口されたガス供給孔２５０ａ，２５０ｂから、ウエハ７の近傍で初めて反応管１内にガスを噴出させている。そして、反応管１内におけるガスの主たる流れを、ウエハ７の表面と平行な方向、すなわち、水平方向としている。このような構成とすることで、各ウエハ７に均一にガスを供給でき、各ウエハ７に形成される膜の膜厚の均一性を向上させることが可能となる。ウエハ７の表面上を流れたガス、すなわち、反応後の残ガスは、排気口、すなわち、後述する排気管２３１の方向に向かって流れる。但し、この残ガスの流れの方向は、排気口の位置によって適宜特定され、垂直方向に限ったものではない。
【００１４】
ガス供給管２３２ａからは、所定元素を含む原料として、例えば、所定元素としてのシリコン（Ｓｉ）を含むシラン原料ガスが、ＭＦＣ２４１ａ、バルブ２４３ａ、ノズル２７を介して処理室２０１内へ供給される。
【００１５】
シラン原料ガスとは、気体状態のシラン原料、例えば、常温常圧下で液体状態であるシラン原料を気化することで得られるガスや、常温常圧下で気体状態であるシラン原料等のことである。本明細書において「原料」という言葉を用いた場合は、「液体状態である液体原料」を意味する場合、「気体状態である原料ガス」を意味する場合、または、その両方を意味する場合がある。
【００１６】
シラン原料ガスとしては、例えば、Ｓｉおよびアミノ基（アミン基）を含む原料ガス、すなわち、アミノシラン原料ガスを用いることができる。アミノシラン原料とは、アミノ基を有するシラン原料のことであり、また、メチル基やエチル基やブチル基等のアルキル基を有するシラン原料でもあり、少なくともＳｉ、窒素（Ｎ）および炭素（Ｃ）を含む原料のことである。すなわち、ここでいうアミノシラン原料は、有機系の原料ともいえ、有機アミノシラン原料ともいえる。
【００１７】
アミノシラン原料ガスとしては、例えば、ビスターシャリーブチルアミノシラン（ＳｉＨ２［ＮＨ（Ｃ４Ｈ９）］２、略称：ＢＴＢＡＳ）ガスを用いることができる。図６にＢＴＢＡＳの化学構造式を示す。ＢＴＢＡＳは、１分子中に１つのＳｉを含み、Ｓｉ−Ｎ結合、Ｎ−Ｃ結合を有し、Ｓｉ−Ｃ結合を有さない原料ガスであるともいえる。ＢＴＢＡＳガスは、後述する成膜処理において、Ｓｉソースとして作用する。
【００１８】
ＢＴＢＡＳのように常温常圧下で液体状態である液体原料を用いる場合は、液体状態の原料を気化器やバブラ等の気化システムにより気化して、シラン原料ガス（ＢＴＢＡＳガス等）として供給することとなる。
【００１９】
ガス供給管２３２ｂからは、原料とは化学構造が異なる反応体（リアクタント）として、例えば、酸素（Ｏ）含有ガスが、ＭＦＣ２４１ｂ、バルブ２４３ｂ、ノズル２９を介して処理室２０１内へ供給される。
【００２０】
Ｏ含有ガスは、後述する成膜処理において、酸化剤（酸化ガス）、すなわち、Ｏソースとして作用する。Ｏ含有ガスとしては、例えば、酸素（Ｏ２）ガスや水蒸気（Ｈ２Ｏガス）等を用いることができる。酸化剤としてＯ２ガスを用いる場合は、例えば、後述するプラズマ源を用いてこのガスをプラズマ励起し、プラズマ励起ガス（Ｏ２＊ガス）として供給することとなる。
【００２１】
ガス供給管２３２ｃ，２３２ｄからは、不活性ガスとして、例えば、窒素（Ｎ２）ガスが、それぞれＭＦＣ２４１ｃ，２４１ｄ、バルブ２４３ｃ，２４３ｄ、ガス供給管２３２ａ，２３２ｂ、ノズル２７，２９を介して処理室２０１内へ供給される。
【００２２】
後述する成膜処理において、ガス供給管２３２ａから上述の原料を供給する場合、主に、ガス供給管２３２ａ、ＭＦＣ２４１ａ、バルブ２４３ａにより、第１の供給系としての原料供給系が構成される。ノズル２７を原料供給系に含めて考えてもよい。ガス供給管２３２ａからアミノシラン原料を供給する場合、原料供給系をアミノシラン原料供給系、或いは、アミノシラン原料ガス供給系と称することもできる。
【００２３】
また、後述する成膜処理において、ガス供給管２３２ｂから上述の反応体を供給する場合、主に、ガス供給管２３２ｂ、ＭＦＣ２４１ｂ、バルブ２４３ｂにより、第２の供給系としての反応体供給系（リアクタント供給系）が構成される。ノズル２９、を反応体供給系に含めて考えてもよい。ガス供給管２３２ｂから酸化剤を供給する場合、反応体供給系を酸化剤供給系、酸化ガス供給系、或いは、Ｏ含有ガス供給系と称することもできる。
【００２４】
また、後述するパージ処理において、主に、ガス供給管２３２ｃ，２３２ｄ、ＭＦＣ２４１ｃ，２４１ｄ、バルブ２４３ｃ，２４３ｄにより、不活性ガス供給系が構成される。
【００２５】
（基板支持具）
図１に示すように基板支持具としてのボート５は、複数枚、例えば２５〜２００枚のウエハ７を、水平姿勢で、かつ、互いに中心を揃えた状態で垂直方向に整列させて多段に支持するように、すなわち、間隔を空けて配列させるように構成されている。ボート５は、例えば石英やＳｉＣ等の耐熱性材料からなる。ボート５の下部には、例えば石英やＳｉＣ等の耐熱性材料からなる断熱板２１８が多段に支持されている。この構成により、ヒータ４からの熱がシールキャップ３２側に伝わりにくくなっている。但し、本実施形態はこのような形態に限定されない。例えば、ボート５の下部に断熱板２１８を設けずに、石英やＳｉＣ等の耐熱性材料からなる筒状の部材として構成された断熱筒を設けてもよい。  
【００２６】
（回転駆動部及びプラズマ電極機構）
図２、３、４、５を用いて本発明の特徴点である回転駆動部及びプラズマ電極機構を説明する。
石英製反応管１は上部が閉じられ、下部は開放された構造でマニホールド３１が設けてあり、さらにマニホールド３１の開放側はシールキャップ３２によって開閉される構造となっている。
反応管１の開放端とマニホールド３１はＯリングでシールされ、またシールキャップ３２でマニホールド３１の開放端を閉じた場合はＯリングによって気密が保持される構造となっている。
【００２７】
図２に示すように、ボート５の下方には後述する回転駆動部３５があり、電極駆動アームとしての電極スウィングアーム４５を駆動して、該電極スウィングアーム４５の先端部に回転可能に取り付けられている後述する電極支柱４４をボート５（或いはウエハ７）の外周近傍で円弧状に移動させることができる。
【００２８】
図３に示すように、回転駆動部３５は、ボート５を回転させるためのボート駆動系５０と、電極スウィングアーム４５および電極支柱４４を回転させるプラズマ電極駆動系５１によって構成される。
【００２９】
ボート駆動系５０は、少なくとも、ボート台１３を回転させるボート回転軸としての回転軸４９と、回転軸４９を回転させるためのボート駆動源としてのボート回転モータ４６によって構成されており、必要に応じてボート回転モータ４６の駆動力を回転軸４９伝達するためのギヤヘッド３４と駆動ベルト６１が設けられる。
回転軸４９には、ボート台ベース軸６３が同軸となるように設けられており、このボート台ベース軸と回転軸との間に磁気シール４８が設けられることによって、回転軸４９が回転可能且つ機密を保持することが可能となる。さらにボート台ベース軸６３は磁気シール５２によって同軸となるように電極スウィングアーム４５に取り付けられている。これによって電極スウィングアーム４５は機密を保持しつつ、回転可能に構成される。このように構成することにより電極スウィングアーム４５と、ボート台１３はそれぞれ独立に回転可能となっている。
【００３０】
プラズマ電極駆動系５１は、少なくとも、電極スウィングアーム４５に連結され、電極スウィングアーム４５を回転させる第１の電極駆動軸としての電極スウィングアーム軸５６と、電極スウィングアーム軸５６を回転させる電極駆動源としての電極スウィングモータ４７と、電極スウィングアーム４５に設けられ、電極支柱４４と連結した電極支柱ベース軸５７によって構成されており、必要に応じて、電極スウィングモータ４７の駆動力を電極スウィングアーム軸５６に伝達するためのギヤヘッド３３と駆動ベルト６０、および、上述したボート台ベース軸６３と電極支柱ベースとを渡設した導電性のＲＦフィーダベルト４２が設けられる。
電極スウィングアーム４５に連結した電極スウィングアーム軸５６は、磁気シール５３によって回転可能且つ気密を保持した状態でシールキャップ３２に取り付けられている。また、電極支柱４４と連結した第２の電極駆動軸としての電極支柱ベース軸５７は、磁気シール５４によって回転可能且つ気密を保持した状態で電極スウィングアーム４５に取り付けられている。
【００３１】
図２および図３に示すように、ガス供給ノズル２７、２９にボートを挟んで対向するように設けられているプラズマ電極機構（プラズマ電極構造）５８は、少なくとも、電極４０、絶縁板５５、電極支柱４４、電極スウィングアーム４５によって構成されており、必要に応じて電極支柱ベース軸５７や上述したプラズマ電極駆動系５１を含めて考えてもよい。プラズマ電極機構にプラズマ電極駆動系５１を含めた場合には、回転駆動部３５はボート駆動系５０によって構成されることとなる。
なお、電極４０は、絶縁板５５や電極支柱４４を含めて考えてもよい
【００３２】
図２および図３に示すように、電極スウィングアーム軸５６には、同軸となるように電極支柱４４が垂直に設けられている。この電極支柱４４の側面には、図５に示すように、絶縁板５５を挟むように一対の電極４０が設けられており、電極４０は、処理対象であるウエハ７上に位置するように設けられている。
ここで電極４０は、図２に示すように、多段に載置されたウエハ７上に位置するように、電極支柱４４の側面に等間隔且つ水平に複数設けるように構成されていてもよく、また、処理対象であるウエハ７が１枚のみであるような基板処理装置の場合には、電極４０を１つだけ設けるように構成してもよい。
【００３３】
一対のＲＦフィーダベルト４２には、絶縁トランス３８、整合機３６を介して発振器３９に接続されたＲＦフィーダ４３がそれぞれ接続されており、発振器３９の発する高周波電力が整合器３６、絶縁トランス３８、ＲＦフィーダ４３、ＲＦフィーダベルト４２、電極支柱４４を経由して電極４０に印加され、電極４０に沿うようにプラズマ４１を生成する構造となっている。
【００３４】
ここで、ＲＦフィーダベルト４２の材質には、高周波電源としての発振器３９から供給される高周波電力を伝搬させるため、ステンレス（ＳＵＳ）などの金属材料といった導電性材料が利用される。また、電極４０及び電極支柱４４の材質として、アルミニウム（Ａｌ)、ステンレス、カーボン、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、Ｓｉを用いることができる。仮にＳｉを電極４０及び電極支柱４４の材質として用いる場合には、異物制御が容易な高純度のＳｉが望ましい。また、電極４０に挟まれる絶縁板５５の材質としては、高純度石英（ＳｉＯ２）、セラミックス(高純度アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）)等を用いることができ、本実施形態のような基板処理装置に用いる場合には、異物制御が容易な高純度石英が望ましい。電極支柱ベース軸５７の材質として、高純度石英、セラミックス(高純度アルミナ）等が用いられる。
【００３５】
上述のように構成された回転駆動部３５とプラズマ電極機構５８によって、電極４０が図４に示すような動作を行う。
【００３６】
すなわち、ボート回転モータ４６が回転することによって生じるボート駆動力は、ギヤヘッド３４、駆動ベルト６１を介して回転軸４９に伝達され、ボート台１３が複数のウエハ７とダミーウエハ３０を多段に保持したボート５を載置した状態で回転する。
【００３７】
また、電極スウィングモータ４７が回転することによって生じる電極スウィングアームの駆動力は、ギヤヘッド３３、駆動ベルト６０を経由して電極スイングアーム軸５６に伝達され、電極スウィングアーム軸５６と連結された電極スウィングアーム４５が回転する。このとき、ＲＦフィーダベルト４２によりシールキャップ３２に固定されたボート台ベース軸６３と電極支柱ベース軸５７が連結されている為、電極４０と電極支柱４４は、その向きを変更することなく平行に移動することとなり、図４に示すような電極４０の移動の軌跡３７のように円弧状に移動する。
【００３８】
このように構成することによって、単に電極支柱４４を回転軸として、すなわち、電極４０を移動させる回転軸を１軸のみとして、電極４０を扇状に振る方法に比べて、プラズマが生成された電極４０をウエハ７の表面全体に移動させることが可能となり、ウエハ７表面に形成された所定の膜を均一に改質することが可能となる。
すなわち、電極４０を移動させる回転軸の位置を回転軸４９と同軸とせず反応管１の壁面に近い位置に設け、電極４０を扇状に動作させる構造として電極４０を動作させた場合、回転軸に近い箇所が、他の部分に比べて多く改質されてしまい、ウエハ７面内の均一性を得られなくなってしまうという問題を解決することが可能となる。
【００３９】
さらに、電極スウィングアーム軸５６をボート回転軸４９と同軸になるように構成し、且つ電極スウィングアーム軸５６と電極支柱４４をＲＦフィーダベルト４２で連結してリンク機構を形成することによって、ウエハ７表面上に均一に電極４０を移動させることが可能となり、上述した効果を得るためのプラズマ電極機構の構造を簡素化することが可能となる。
【００４０】
（排気部）
反応管１には、処理室２０１内の雰囲気を排気する排気管２３１が設けられている。排気管２３１には、処理室２０１内の圧力を検出する圧力検出器（圧力検出部）としての圧力センサ２４５および排気バルブ（圧力調整部）としてのＡＰＣ（Ａｕｔｏ  Ｐｒｅｓｓｕｒｅ  Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）バルブ２４４を介して、真空排気装置としての真空ポンプ２４６が接続されている。ＡＰＣバルブ２４４は、真空ポンプ２４６を作動させた状態で弁を開閉することで、処理室２０１内の真空排気および真空排気停止を行うことができ、更に、真空ポンプ２４６を作動させた状態で、圧力センサ２４５により検出された圧力情報に基づいて弁開度を調節することで、処理室２０１内の圧力を調整することができるように構成されているバルブである。主に、排気管２３１、ＡＰＣバルブ２４４、圧力センサ２４５により、排気系が構成される。真空ポンプ２４６を排気系に含めて考えてもよい。排気管２３１は、反応管１に設ける場合に限らず、ノズル２４９ａ，２４９ｂと同様にマニホールド３１に設けてもよい。  
【００４１】
（周辺装置）
マニホールド３１の下方には、マニホールド３１の下端開口を気密に閉塞可能な炉口蓋体としてのシールキャップ３２が設けられている。シールキャップ３２は、マニホールド３１の下端に垂直方向下側から当接されるように構成されている。シールキャップ３２は、例えばＳＵＳ等の金属からなり、円盤状に形成されている。シールキャップ３２の上面には、マニホールド３１の下端と当接するシール部材としてのＯリング２２０ｂが設けられている。
【００４２】
シールキャップ３２の処理室２０１と反対側には、ボート５を回転させる回転機構２６７が設置されている。回転機構２６７の回転軸４９は、シールキャップ３２を貫通してボート５に接続されている。回転機構２６７は、ボート５を回転させることでウエハ７を回転させるように構成されている。シールキャップ３２は、反応管１の外部に垂直に設置された昇降機構としてのボートエレベータ１１５によって垂直方向に昇降されるように構成されている。ボートエレベータ１１５は、シールキャップ３２を昇降させることで、ボート５を処理室２０１内外に搬入および搬出することが可能なように構成されている。
【００４３】
ボートエレベータ１１５は、ボート５すなわちウエハ７を、処理室２０１内外に搬送する搬送装置（搬送機構）として構成されている。また、マニホールド３１の下方には、ボートエレベータ１１５によりシールキャップ３２を降下させている間、マニホールド３１の下端開口を気密に閉塞可能な炉口蓋体としてのシャッタ２１９ｓが設けられている。シャッタ２１９ｓは、例えばＳＵＳ等の金属により構成され、円盤状に形成されている。シャッタ２１９ｓの上面には、マニホールド３１の下端と当接するシール部材としてのＯリング２２０ｃが設けられている。シャッタ２１９ｓの開閉動作（昇降動作や回動動作等）は、シャッタ開閉機構１１５ｓにより制御される。
【００４４】
反応管１内には、温度検出器としての温度センサ２６３が設置されている。温度センサ２６３により検出された温度情報に基づきヒータ４への通電具合を調整することで、処理室２０１内の温度が所望の温度分布となる。温度センサ２６３は、ノズル２７，２９と同様にＬ字型に構成されており、反応管１の内壁に沿って設けられている。
【００４５】
（制御装置）
図９に示すように、制御部（制御装置）であるコントローラ１２１は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｕｎｉｔ）１２１ａ、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）１２１ｂ、記憶装置１２１ｃ、Ｉ／Ｏポート１２１ｄを備えたコンピュータとして構成されている。ＲＡＭ１２１ｂ、記憶装置１２１ｃ、Ｉ／Ｏポート１２１ｄは、内部バス１２１ｅを介して、ＣＰＵ１２１ａとデータ交換可能なように構成されている。コントローラ１２１には、例えばタッチパネル等として構成された入出力装置１２２が接続されている。
【００４６】
記憶装置１２１ｃは、例えばフラッシュメモリ、ＨＤＤ（Ｈａｒｄ  Ｄｉｓｋ  Ｄｒｉｖｅ）等で構成されている。記憶装置１２１ｃ内には、基板処理装置の動作を制御する制御プログラムや、後述する成膜処理の手順や条件等が記載されたプロセスレシピ等が、読み出し可能に格納されている。プロセスレシピは、後述する各種処理（成膜処理）における各手順をコントローラ１２１に実行させ、所定の結果を得ることが出来るように組み合わされたものであり、プログラムとして機能する。以下、プロセスレシピや制御プログラム等を総称して、単に、プログラムともいう。また、プロセスレシピを、単に、レシピともいう。本明細書においてプログラムという言葉を用いた場合は、レシピ単体のみを含む場合、制御プログラム単体のみを含む場合、または、その両方を含む場合がある。ＲＡＭ１２１ｂは、ＣＰＵ１２１ａによって読み出されたプログラムやデータ等が一時的に保持されるメモリ領域（ワークエリア）として構成されている。
【００４７】
Ｉ／Ｏポート１２１ｄは、上述のＭＦＣ２４１ａ〜２４１ｄ、バルブ２４３ａ〜２４３ｄ、圧力センサ２４５、ＡＰＣバルブ２４４、真空ポンプ２４６、温度センサ２６３、ヒータ４、回転機構２６７、ボートエレベータ１１５、シャッタ開閉機構１１５ｓ、回転駆動部３５、整合器３６、発振器（高周波電源）３９等に接続されている。
【００４８】
ＣＰＵ１２１ａは、記憶装置１２１ｃから制御プログラムを読み出して実行すると共に、入出力装置１２２からの操作コマンドの入力等に応じて記憶装置１２１ｃからレシピを読み出すように構成されている。ＣＰＵ１２１ａは、読み出したレシピの内容に沿うように、回転駆動部３５の制御、整合器３６への電力供給、ＭＦＣ２４１ａ〜２４１ｄによる各種ガスの流量調整動作、バルブ２４３ａ〜２４３ｄの開閉動作、ＡＰＣバルブ２４４の開閉動作および圧力センサ２４５に基づくＡＰＣバルブ２４４による圧力調整動作、真空ポンプ２４６の起動および停止、温度センサ２６３に基づくヒータ４の温度調整動作、回転機構２６７によるボート５の正逆回転、回転角度および回転速度調節動作、ボートエレベータ１１５によるボート５の昇降動作、シャッタ開閉機構１１５ｓによるシャッタ２１９ｓの開閉動作、整合器３６によるインピーダンス調整動作、発振器３９の電力供給等を制御するように構成されている。
【００４９】
コントローラ１２１は、外部記憶装置（例えば、磁気テープ、フレキシブルディスクやハードディスク等の磁気ディスク、ＣＤやＤＶＤ等の光ディスク、ＭＯ等の光磁気ディスク、ＵＳＢメモリやメモリカード等の半導体メモリ）１２３に格納された上述のプログラムを、コンピュータにインストールすることにより構成することができる。記憶装置１２１ｃや外部記憶装置１２３は、コンピュータ読み取り可能な記録媒体として構成されている。以下、これらを総称して、単に、記録媒体ともいう。本明細書において記録媒体という言葉を用いた場合は、記憶装置１２１ｃ単体のみを含む場合、外部記憶装置１２３単体のみを含む場合、または、その両方を含む場合がある。なお、コンピュータへのプログラムの提供は、外部記憶装置１２３を用いず、インターネットや専用回線等の通信手段を用いて行ってもよい。
【００５０】
（２）基板処理
上述の基板処理装置を用い、半導体装置（デバイス）の製造工程の一工程として、基板上に膜を形成するプロセス例について、図６、図７を用いて説明する。以下の説明において、基板処理装置を構成する各部の動作はコントローラ１２１により制御される。
【００５１】
図６に示す基板処理（成膜処理）では、
処理室２０１内のウエハ７に対して原料としてＢＴＢＡＳガスを供給するステップと、
処理室２０１内のウエハ７に対して、電極を移動させつつ、反応体としてプラズマ励起させたＯ２ガスを供給するステップと、
を非同時に、すなわち、同期させることなく所定回数（１回以上）行うことで、ウエハ７上に、ＳｉおよびＯを含む膜として、シリコン酸化膜（ＳｉＯ膜）を形成する。
【００５２】
本明細書では、図６に示す成膜処理のシーケンスを、便宜上、以下のように示すこともある。以下の変形例や他の実施形態の説明においても、同様の表記を用いることとする。
【００５３】
（ＢＴＢＡＳ→Ｏ２＊）×ｎ  ⇒  ＳｉＯ
【００５４】
本明細書において「ウエハ」という言葉を用いた場合は、「ウエハそのもの」を意味する場合や、「ウエハとその表面に形成された所定の層や膜等との積層体（集合体）」を意味する場合、すなわち、表面に形成された所定の層や膜等を含めてウエハと称する場合がある。また、本明細書において「ウエハの表面」という言葉を用いた場合は、「ウエハそのものの表面（露出面）」を意味する場合や、「ウエハ上に形成された所定の層や膜等の表面、すなわち、積層体としてのウエハの最表面」を意味する場合がある。
【００５５】
従って、本明細書において「ウエハに対して所定のガスを供給する」と記載した場合は、「ウエハそのものの表面（露出面）に対して所定のガスを直接供給する」ことを意味する場合や、「ウエハ上に形成されている層や膜等に対して、すなわち、積層体としてのウエハの最表面に対して所定のガスを供給する」ことを意味する場合がある。また、本明細書において「ウエハ上に所定の層（または膜）を形成する」と記載した場合は、「ウエハそのものの表面（露出面）上に所定の層（または膜）を直接形成する」ことを意味する場合や、「ウエハ上に形成されている層や膜等の上、すなわち、積層体としてのウエハの最表面の上に所定の層（または膜）を形成する」ことを意味する場合がある。
【００５６】
また、本明細書において「基板」という言葉を用いた場合も、「ウエハ」という言葉を用いた場合と同義である。
【００５７】
（搬入ステップ：Ｓ１）
複数枚のウエハ７がボート５に装填（ウエハチャージ）されると、シャッタ開閉機構１１５ｓによりシャッタ２１９ｓが移動させられて、マニホールド３１の下端開口が開放される（シャッタオープン）。その後、図１に示すように、複数枚のウエハ７を支持したボート５は、ボートエレベータ１１５によって持ち上げられて処理室２０１内へ搬入（ボートロード）される。この状態で、シールキャップ３２は、Ｏリング２２０ｂを介してマニホールド３１の下端をシールした状態となる。
【００５８】
（圧力・温度調整ステップ：Ｓ２，Ｓ３）
処理室２０１内、すなわち、ウエハ７が存在する空間が所望の圧力（真空度）となるように、真空ポンプ２４６によって真空排気（減圧排気）される。この際、処理室２０１内の圧力は圧力センサ２４５で測定され、この測定された圧力情報に基づきＡＰＣバルブ２４４がフィードバック制御される。真空ポンプ２４６は、少なくとも後述する改質処理が終了するまでの間は常時作動させた状態を維持する。
【００５９】
また、処理室２０１内のウエハ７が所望の温度となるようにヒータ４によって加熱される。この際、処理室２０１内が所望の温度分布となるように、温度センサ２６３が検出した温度情報に基づきヒータ４への通電具合がフィードバック制御される。ヒータ４による処理室２０１内の加熱は、少なくとも後述するパージ処理が終了するまでの間は継続して行われる。但し、後述する成膜処理およびパージ処理を室温以下の温度条件下で行う場合は、ヒータ４による処理室２０１内の加熱は行わなくてもよい。なお、このような温度下での処理だけを行う場合には、ヒータ４は不要となり、ヒータ４を基板処理装置に設置しなくてもよい。この場合、基板処理装置の構成を簡素化することができる。
【００６０】
続いて、回転機構２６７によるボート５およびウエハ７の回転を開始する。回転機構２６７によるボート５およびウエハ７の回転は、少なくとも後述するＢＴＢＡＳ供給が終了するまでの間は継続して行われる。この原料ガスであるＢＴＢＡＳが供給されている間、電極４０は、図１１に示すように、ウエハ７の中心上に停止している。但し、ボート５およびウエハ７の回転は、図１２に示すように、ボート支柱２８ａ、２８ｂが停止している電極４０に接触しない範囲（約１５０度）で往復運動（正逆回転）を繰り返している。すなわち、図１１に示す状態からボート５を右回転させたときのボート支柱２８は図１２に示すボート支柱２８ａの位置まで回転され、ボート５を左回転させたときのボート支柱２８は、図１２に示すボート支柱２８ｂの位置まで回転されることとなる。
【００６１】
（成膜ステップ：Ｓ１１，Ｓ１２，Ｓ１３，Ｓ１４）
その後、ステップＳ１１，Ｓ１２，Ｓ１３，Ｓ１４を順次実行することで成膜ステップを行う。
【００６２】
［原料供給ステップ：Ｓ１１，Ｓ１２］
ステップＳ１１では、処理室２０１内のウエハ７に対してＢＴＢＡＳガスを供給する。なお、このステップＳ１１を原料ガス供給ステップＳ１１と称してもよい。
【００６３】
バルブ２４３ａを開き、ガス供給管２３２ａ内へＢＴＢＡＳガスを流す。ＢＴＢＡＳガスは、ＭＦＣ２４１ａにより流量調整され、ノズル２７を介して処理室２０１内へ供給され、排気管２３１から排気される。このとき、ウエハ７に対してＢＴＢＡＳガスが供給されることとなる。このとき同時にバルブ２４３ｃを開き、ガス供給管２３２ｃ内へＮ２ガスを流す。Ｎ２ガスは、ＭＦＣ２４１ｃにより流量調整され、ＢＴＢＡＳガスと一緒に処理室２０１内へ供給され、排気管２３１から排気される。
【００６４】
また、ノズル２９内へのＢＴＢＡＳガスの侵入を防止するため、バルブ２４３ｄを開き、ガス供給管２３２ｄ内へＮ２ガスを流す。Ｎ２ガスは、ガス供給管２３２ｂ、ノズル２９を介して処理室２０１内へ供給され、排気管２３１から排気される。
【００６５】
ＭＦＣ２４１ａで制御するＢＴＢＡＳガスの供給流量は、例えば１〜２０００ｓｃｃｍ、好ましくは１０〜１０００ｓｃｃｍの範囲内の流量とする。ＭＦＣ２４１ｃ，２４１ｄで制御するＮ２ガスの供給流量は、それぞれ例えば１００〜１００００ｓｃｃｍの範囲内の流量とする。処理室２０１内の圧力は、例えば１〜２６６６Ｐａ、好ましくは６７〜１３３３Ｐａの範囲内の圧力とする。ＢＴＢＡＳガスをウエハ７に対して供給する時間、すなわち、ガス供給時間（照射時間）は、例えば１〜１００秒、好ましくは１〜５０秒の範囲内の時間とする。
【００６６】
ヒータ４の温度は、ウエハ７の温度が、例えば０℃以上１５０℃以下、好ましくは室温（２５℃）以上１００℃以下、より好ましくは４０℃以上９０℃以下の範囲内の温度（第１の温度）となるような温度に設定する。ＢＴＢＡＳガスは、ウエハ７等へ吸着し易く反応性の高いガスである。このため、例えば室温程度の低温下であっても、ウエハ７上にＢＴＢＡＳガスを化学吸着させることができ、実用的な成膜レートを得ることができる。本実施形態のように、ウエハ７の温度を１５０℃以下、さらには１００℃以下、さらには９０℃以下とすることで、ウエハ７に加わる熱量を低減させることができ、ウエハ７が受ける熱履歴の制御を良好に行うことができる。また、０℃以上の温度であれば、ウエハ７上にＢＴＢＡＳを十分に吸着させることができ、十分な成膜レートが得られることとなる。よって、ウエハ７の温度は０℃以上１５０℃以下、好ましくは室温以上１００℃以下、より好ましくは４０℃以上９０℃以下の範囲内の温度とするのがよい。
【００６７】
このとき、電極４０は、図１１に示すように、ウエハ７の中心上に停止している。電極４０は、２つのボート支柱２８を結ぶ線と垂直に交わり、２つのボート支柱２８とは等距離の位置に停止しているともいえる。また、原料ガスを供給している際には、ボート５およびウエハ７は、図１２に示すように、ボート５のみを回転させ、ボート支柱２８ａ、２８ｂが停止している電極４０に接触しない範囲（約１５０度）で往復運動（正逆回転）を繰り返している。すなわち、図１１に示す状態からボート５を右回転させたときのボート支柱２８は図１２に示すボート支柱２８ａの位置まで回転され、ボート５を左回転させたときのボート支柱２８は、図１２に示すボート支柱２８ｂの位置まで回転されることとなる。
【００６８】
上述の条件下でウエハ７に対してＢＴＢＡＳガスを供給することにより、ウエハ７（表面の下地膜）上に、例えば１原子層未満から数原子層程度の厚さのＳｉ含有層が形成される。Ｓｉ含有層はＳｉ層であってもよいし、ＢＴＢＡＳの吸着層であってもよいし、その両方を含んでいてもよい。
【００６９】
Ｓｉ層とは、Ｓｉにより構成される連続的な層の他、不連続な層や、これらが重なってできるＳｉ薄膜をも含む総称である。Ｓｉにより構成される連続的な層を、Ｓｉ薄膜という場合もある。Ｓｉ層を構成するＳｉは、アミノ基との結合が完全に切れていないものや、Ｈとの結合が完全に切れていないものも含む。
【００７０】
ＢＴＢＡＳの吸着層は、ＢＴＢＡＳ分子で構成される連続的な吸着層の他、不連続な吸着層をも含む。すなわち、ＢＴＢＡＳの吸着層は、ＢＴＢＡＳ分子で構成される１分子層もしくは１分子層未満の厚さの吸着層を含む。ＢＴＢＡＳの吸着層を構成するＢＴＢＡＳ分子は、図１０に化学構造式を示すものだけでなく、Ｓｉとアミノ基との結合が一部切れたものや、ＳｉとＨとの結合が一部切れたものや、ＮとＣとの結合が一部切れたもの等も含む。すなわち、ＢＴＢＡＳの吸着層は、ＢＴＢＡＳの物理吸着層であってもよいし、ＢＴＢＡＳの化学吸着層であってもよいし、その両方を含んでいてもよい。
【００７１】
ここで、１原子層未満の厚さの層とは不連続に形成される原子層のことを意味しており、１原子層の厚さの層とは連続的に形成される原子層のことを意味している。１分子層未満の厚さの層とは不連続に形成される分子層のことを意味しており、１分子層の厚さの層とは連続的に形成される分子層のことを意味している。Ｓｉ含有層は、Ｓｉ層とＢＴＢＡＳの吸着層との両方を含み得る。但し、上述の通り、Ｓｉ含有層については「１原子層」、「数原子層」等の表現を用いることとする。
【００７２】
ＢＴＢＡＳが自己分解（熱分解）する条件下、すなわち、ＢＴＢＡＳの熱分解反応が生じる条件下では、ウエハ７上にＳｉが堆積することでＳｉ層が形成される。ＢＴＢＡＳが自己分解（熱分解）しない条件下、すなわち、ＢＴＢＡＳの熱分解反応が生じない条件下では、ウエハ７上にＢＴＢＡＳが吸着することでＢＴＢＡＳの吸着層が形成される。但し、本実施形態では、ウエハ７の温度を例えば１５０℃以下の低温（第１の温度）としているので、ＢＴＢＡＳの熱分解は生じにくい。結果として、ウエハ７上へは、Ｓｉ層ではなく、ＢＴＢＡＳの吸着層の方が形成されやすくなる。
【００７３】
ウエハ７上に形成されるＳｉ含有層の厚さが数原子層を超えると、後述する改質処理での改質の作用がＳｉ含有層の全体に届かなくなる。また、ウエハ７上に形成可能なＳｉ含有層の厚さの最小値は１原子層未満である。よって、Ｓｉ含有層の厚さは１原子層未満から数原子層程度とするのが好ましい。Ｓｉ含有層の厚さを１原子層以下、すなわち、１原子層または１原子層未満とすることで、後述する改質処理での改質の作用を相対的に高めることができ、改質処理の改質反応に要する時間を短縮することができる。成膜処理のＳｉ含有層の形成に要する時間を短縮することもできる。結果として、１サイクルあたりの処理時間を短縮することができ、トータルでの処理時間を短縮することも可能となる。すなわち、成膜レートを高くすることも可能となる。また、Ｓｉ含有層の厚さを１原子層以下とすることで、膜厚均一性の制御性を高めることも可能となる。
【００７４】
Ｓｉ含有層が形成された後、バルブ２４３ａを閉じ、処理室２０１内へのＢＴＢＡＳガスの供給を停止する。このとき、ＡＰＣバルブ２４４を開いたままとし、真空ポンプ２４６により処理室２０１内を真空排気し、処理室２０１内に残留する未反応もしくはＳｉ含有層の形成に寄与した後のＢＴＢＡＳガスや反応副生成物等を処理室２０１内から排除する（Ｓ１２）。また、バルブ２４３ｃ，２４３ｄは開いたままとして、処理室２０１内へのＮ２ガスの供給を維持する。Ｎ２ガスはパージガスとして作用し、これにより、処理室２０１内に残留する未反応もしくはＳｉ含有層の形成に寄与した後のＢＴＢＡＳガス等を処理室２０１内から排除する効果を高めることができる。なお、このステップＳ１２を原料ガスパージステップＳ１２と称してもよい。
【００７５】
このとき、処理室２０１内に残留するガスを完全に排除しなくてもよく、処理室２０１内を完全にパージしなくてもよい。処理室２０１内に残留するガスが微量であれば、その後に行われるパージ処理において悪影響が生じることはない。このとき処理室２０１内へ供給するＮ２ガスの流量も大流量とする必要はなく、例えば、反応管１（処理室２０１）の容積と同程度の量を供給することで、パージ処理において悪影響が生じない程度のパージを行うことができる。このように、処理室２０１内を完全にパージしないことで、パージ時間を短縮し、スループットを向上させることができる。また、Ｎ２ガスの消費も必要最小限に抑えることが可能となる。
【００７６】
原料としては、ＢＴＢＡＳガスのほか、テトラキスジメチルアミノシラン（Ｓｉ［Ｎ（ＣＨ３）２］４、略称：４ＤＭＡＳ）ガス、トリスジメチルアミノシラン（Ｓｉ［Ｎ（ＣＨ３）２］３Ｈ、略称：３ＤＭＡＳ）ガス、ビスジメチルアミノシラン（Ｓｉ［Ｎ（ＣＨ３）２］２Ｈ２、略称：ＢＤＭＡＳ）ガス、ビスジエチルアミノシラン（Ｓｉ［Ｎ（Ｃ２Ｈ５）２］２Ｈ２、略称：ＢＤＥＡＳ）ガス等を好適に用いることができる。すなわち、原料ガスとしては、ジメチルアミノシラン（ＤＭＡＳ）ガス、ジエチルアミノシラン（ＤＥＡＳ）ガス、ジプロピルアミノシラン（ＤＰＡＳ）ガス、ジイソプロピルアミノシラン（ＤＩＰＡＳ）ガス、ブチルアミノシラン（ＢＡＳ）ガス、ヘキサ
メチルジシラザン（ＨＭＤＳ）ガス等の各種アミノシラン原料ガスや、モノクロロシラン（ＳｉＨ３Ｃｌ、略称：ＭＣＳ）ガス、ジクロロシラン（ＳｉＨ２Ｃｌ２、略称：ＤＣＳ）ガス、トリクロロシラン（ＳｉＨＣｌ３、略称：ＴＣＳ）ガス、テトラクロロシランすなわちシリコンテトラクロライド（ＳｉＣｌ４、略称：ＳＴＣ）ガス、ヘキサクロロジシラン（Ｓｉ２Ｃｌ６、略称：ＨＣＤＳ）ガス、オクタクロロトリシラン（Ｓｉ３Ｃｌ８、略称：ＯＣＴＳ）ガス等の無機系ハロシラン原料ガスや、モノシラン（ＳｉＨ４、略称：ＭＳ）ガス、ジシラン（Ｓｉ２Ｈ６、略称：ＤＳ）ガス、トリシラン（Ｓｉ３Ｈ８、略称：ＴＳ）ガス等のハロゲン基非含有の無機系シラン原料ガスを好適に用いることができる。
【００７７】
不活性ガスとしては、Ｎ２ガスの他、Ａｒガス、Ｈｅガス、Ｎｅガス、Ｘｅガス等の希ガスを用いることができる。
【００７８】
［反応体供給ステップ：Ｓ１３，Ｓ１４］
成膜処理が終了した後、処理室２０１内のウエハ７に対して反応ガスとしてのプラズマ励起させたＯ２ガスを供給する（Ｓ１３）。この時、ボート５の回転を止めておく。なお、このステップＳ１３を反応ガス供給ステップＳ１３と称してもよい。
【００７９】
このステップでは、バルブ２４３ｂ〜２４３ｄの開閉制御を、ステップ１におけるバルブ２４３ａ，２４３ｃ，２４３ｄの開閉制御と同様の手順で行う。Ｏ２ガスは、ＭＦＣ２４１ｂにより流量調整され、ノズル２４９ｂを介して処理室２０１内へ供給される。このとき、電極４０に高周波電力を供給する。処理室２０１内へ供給されたＯ２ガスは各ウエハ７の直上でプラズマ励起され、活性種（Ｏ２＊）としてウエハ７に対して供給され、排気管２３１から排気される。このようにしてウエハ７に対して、プラズマで活性化（励起）されたＯ２ガスが
電極４０の動きに伴って均一に供給されることとなる。
【００８０】
ＭＦＣ２４１ｂで制御するＯ２ガスの供給流量は、例えば１００〜１００００ｓｃｃｍの範囲内の流量とする。電極４０に印加する高周波電力は、例えば５０〜１０００Ｗの範囲内の電力とする。処理室２０１内の圧力は、例えば１〜１００Ｐａの範囲内の圧力とする。プラズマを用いることで、処理室２０１内の圧力をこのような比較的低い圧力帯としても、Ｏ２ガスを活性化させることが可能となる。Ｏ２ガスをプラズマ励起することにより得られた活性種をウエハ７に対して供給する時間、すなわち、ガス供給時間（照射時間）は、例えば１〜１００秒、好ましくは１〜５０秒の範囲内の時間とする。その他の処理条件は、上述のステップ１と同様な処理条件とする。
【００８１】
Ｏ２ガスの供給と同時に、電極スウィングアーム４５を駆動して電極４０を円弧状に駆動する。電極４０の駆動範囲は電極移動の軌跡３７に示す範囲で、ボート支柱２８に接触する手前で折り返して反対方向に移動する。反対方向に移動した後も同様に、ボート支柱２８に接触する手前で折り返し往復する。
【００８２】
電極４０の駆動と同時に、電極４０に発振器３９の出力する高周波電力を、整合器３６、絶縁トランス３８、ＲＦフィーダ４３、ＲＦフィーダベルト４２、電極支柱ベース軸５７、電極支柱４４を介して供給して酸素プラズマ４１を生成する。
【００８３】
酸素プラズマ４１中で生成されたイオンと電気的に中性な活性種はウエハ７の上部の電極４０の移動にしたがって処理位置を移動しながらウエハ７の表面に形成されたＳｉ含有層に対して後述する酸化処理を行う。
【００８４】
このプラズマ電極４０のスウィング動作が終了した時点で高周波電力の供給を停止した後、酸素の導入を停止する。なお、プラズマ電極４０のスウィング動作が終了する前に高周波電力の供給を停止しても良い。
【００８５】
上述の条件下でウエハ７に対してＯ２ガスを供給することにより、ウエハ７上に形成されたＳｉ含有層がプラズマ酸化される。この際、プラズマ励起されたＯ２ガスのエネルギーにより、Ｓｉ含有層が有するＳｉ−Ｎ結合、Ｓｉ−Ｈ結合が切断される。Ｓｉとの結合を切り離されたＮ、Ｈ、および、Ｎに結合するＣは、Ｓｉ含有層から脱離することとなる。そして、Ｎ等が脱離することで未結合手（ダングリングボンド）を有することとなったＳｉ含有層中のＳｉが、Ｏ２ガスに含まれるＯと結合し、Ｓｉ−Ｏ結合が形成されることとなる。この反応が進行することにより、Ｓｉ含有層は、ＳｉおよびＯを含む層、すなわち、シリコン酸化層（ＳｉＯ層）へと変化させられる（改質される）。
【００８６】
なお、Ｓｉ含有層をＳｉＯ層へと改質させるには、Ｏ２ガスをプラズマ励起させて供給する必要がある。Ｏ２ガスをノンプラズマの雰囲気下で供給しても、上述の温度帯では、Ｓｉ含有層を酸化させるのに必要なエネルギーが不足しており、Ｓｉ含有層からＮやＣを充分に脱離させたり、Ｓｉ含有層を充分に酸化させてＳｉ−Ｏ結合を増加させたりすることは、困難なためである。
【００８７】
Ｓｉ含有層をＳｉＯ層へ変化させた後、バルブ２４３ｂを閉じ、Ｏ２ガスの供給を停止する。また、棒状電極４０への高周波電力の供給を停止する。そして、ステップ１と同様の処理手順、処理条件により、処理室２０１内に残留するＯ２ガスや反応副生成物を処理室２０１内から排除する（Ｓ１４）。このとき、処理室２０１内に残留するＯ２ガス等を完全に排出しなくてもよい点は、ステップＳ１２と同様である。なお、このステップＳ１４を反応ガスパージステップＳ１４と称してもよい。
【００８８】
酸化剤、すなわち、プラズマ励起させるＯ含有ガスとしては、Ｏ２ガスの他、亜酸化窒素（Ｎ２Ｏ）ガス、一酸化窒素（ＮＯ）ガス、二酸化窒素（ＮＯ２）ガス、オゾン（Ｏ３）ガス、過酸化水素（Ｈ２Ｏ２）ガス、水蒸気（Ｈ２Ｏガス）、一酸化炭素（ＣＯ）ガス、二酸化炭素（ＣＯ２）ガス等を用いてもよい。
【００８９】
不活性ガスとしては、Ｎ２ガスの他、例えば、ステップ１で例示した各種希ガスを用いることができる。
【００９０】
［所定回数実施：Ｓ４］
上述したＳ１１，Ｓ１２，Ｓ１３，Ｓ１４をこの順番に沿って非同時に、すなわち、同期させることなく行うことを１サイクルとし、このサイクルを所定回数（ｎ回）、すなわち、１回以上行うことにより、ウエハ７上に、所定組成および所定膜厚のＳｉＯ膜を形成することができる。上述のサイクルは、複数回繰り返すのが好ましい。すなわち、１サイクルあたりに形成されるＳｉＯ層の厚さを所望の膜厚よりも小さくし、ＳｉＯ層を積層することで形成されるＳｉＯ膜の膜厚が所望の膜厚になるまで、上述のサイクルを複数回繰り返すのが好ましい。
【００９１】
（大気圧復帰ステップ：Ｓ５，Ｓ６）
上述の成膜処理が完了したら、バルブ２４３ｂを閉じ、Ｏ２ガスの供給を停止する。また、棒状電極２６９，２７０間への高周波電力の供給を停止する。そして、バルブ２４３ｃ，２４３ｄを開き、ガス供給管２３２ｃ，２３２ｄのそれぞれから不活性ガスとしてのＮ２ガスを処理室２０１内へ供給し、排気管２３１から排気する。これにより、処理室２０１内が不活性ガスでパージされ、処理室２０１内に残留するＯ２ガス等が処理室２０１内から除去される（不活性ガスパージ）。その後、処理室２０１内の雰囲気が不活性ガスに置換され（不活性ガス置換）、処理室２０１内の圧力が常圧に復帰される（大気圧復帰）。
【００９２】
（搬出ステップ：Ｓ７）
その後、ボートエレベータ１１５によりシールキャップ３２が下降されて、マニホールド３１の下端が開口されるとともに、処理済のウエハ７が、ボート５に支持された状態でマニホールド３１の下端から反応管１の外部に搬出（ボートアンロード）される。ボートアンロードの後は、シャッタ２１９ｓが移動させられ、マニホールド３１の下端開口がＯリング２２０ｃを介してシャッタ２１９ｓによりシールされる（シャッタクローズ）。処理済のウエハ７は、反応管１の外部に搬出された後、ボート５より取り出されることとなる（ウエハディスチャージ）。なお、ウエハディスチャージの後は、処理室２０１内へ空のボート５を搬入するようにしてもよい。
【００９３】
（３）本実施形態による効果
本実施形態によれば、以下に示す１つ又は複数の効果が得られる。
【００９４】
（ａ）多段に重ねた被処理基板のすぐ上にプラズマを生成して成膜するため処理時間が短くなり生産性が向上する。
【００９５】
（ｂ）処理時間が短くなることでサーマルバジェットを低減することができるため、半導体装置の性能や品質を向上できる。
【００９６】
（ｃ）基板が高さ方向に複数枚積層された縦型基板処理装置では、基板直上に電極を移動させるための機構を設けることができないため、ボートの外側から電極を挿入する必要が生じる。本発明では、このような構成を実現するために、ボートの下方に設けられ、ボートの外径よりも外側に配置された支柱が位置するような電極アームを有している。このため、縦型基板処理装置においても、各基板表面上においてプラズマで均一に処理可能とし、面内、面間における膜質および膜厚の均一性を向上することが可能となる
【００９７】
（ｄ）  電極を平行に移動させるために１関節型のリンク機構構造とすることで、電極の水平移動（並進動作）が最も簡素な構造で可能となる。
【００９８】
（ｅ）ボートにはボート支柱が存在する為、電極がウエハ間に挿入されている時には通常の縦型装置のようにボートを１回転させることができない。このため、本実施形態では、反応ガス供給時にはボートの回転を停止させた後に電極を動作させる。これにより、電極とボート支柱とが接触しないため、パーティクルの発生を抑制することが可能となる。
【００９９】
本実施形態においては、ボート支柱２８は２本として記載されているが、３本でも良い。また、本発明で想定している構成では、電極は常時ウエハ間に挿入されている状態であり、工程によって電極を出し入れすることはしない。このため本発明では、原料ガス供給時であってもボートは１回転しないように制御される。
【０１００】
（４）変形例
本実施形態における基板処理工程は、上述の態様に限定されず、以下に示す変形例のように変更することができる。
（変形例１）
例えば、図１３に示すように、Ｏ２が活性化しないような条件下において、原料ガスパージステップＳ１２と、反応ガスパージステップＳ１４のときにパージガスと共にＯ２ガスを供給するようにしても良い。
このようにＯ２を供給することによって、原料ガスや反応体のパージ効率を向上することが可能となり、成膜処理にかかる時間を短縮することが可能となる。
【０１０１】
＜第二実施形態＞
第二実施形態においては、図８（ｂ）に示すように、電極スウィングアーム４５は、電極スウィングアーム軸５６と電極支柱ベース軸５７の間に第３の電極駆動軸としてのアーム関節部５９を有し、アーム関節部５９によって分割された電極スウィングアーム４５ａ、４５ｂを有する点で第一実施形態と異なる。このように構成することによって、電極支柱４４に設けられた電極４０を軌跡６７のように直線的に移動することができる。
このように電極４０の移動を２軸(ボートの回転軸と合せると３軸)に構成すると、構造が複雑になるものの、電極４０は曲線移動させずに縦方向にスライドするという単純な直線運動（平行移動）とすることができ、図８（ａ）に示すような第一実施形態に比べて、電極スウィングアーム４５の稼働空間を小さくすることが可能となり、ウエハ７と反応管１との距離を近くできるため、反応管１の径を小さくすることができる。
【０１０２】
以上、説明した第一実施形態、第二実施形態によれば、複数の基板を縦方向に積層して熱処理する縦型基板処理装置において、プラズマ電極４０が各ウエハ７の直上にあると称することができる。また、電極４０は、向かい合うボート支柱２８の間を往復移動すると称することができる。更に、電極４０は、向かい合うボート支柱２８を結んだ直線と垂直に交わった状態のままウエハ上を往復移動すると称することができる。また、電極４０の長手方向の一端がウエハ７の外周に沿うように往復移動すると称することができる。また、原料ガスを供給している間、電極４０は、ウエハ７の中心上で止まっていると称することができる。また、電極４０はボート支柱２８に接触しない範囲で往復移動すると称することができる。また、電極４０の長手方向の一端と他端が同じ弧（曲線）を描くように往復移動すると称することができる。また、ボート５は、支柱２８が電極４０と接触しない範囲で回転移動すると称することができる。また、ボート５の回転移動角度は１５０度の範囲で往復回転すると称することができる。
【０１０３】
以上、本発明の実施形態について具体的に説明した。しかしながら、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
【０１０４】
例えば、上述の実施形態では、プラズマを発生させるために容量結合プラズマ（Ｃａｐａｃｉｔｉｖｅｌｙ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｐｌａｓｍａ、略称：ＣＣＰ）を用いた例について説明した。本発明はこれに限らず、誘導結合プラズマ（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ  ＣｏｕｐｌｅｄＰｌａｓｕｍａ、略称：ＩＣＰ）、電子サイクロトロン共鳴プラズマ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ  Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ  Ｐｌａｓｍａ、略称：ＥＣＲプラズマ）、ヘリコン波励起プラズマ（Ｈｅｌｉｃｏｎ  Ｗａｖｅ  Ｅｘｃｉｔｅｄ  Ｐｌａｓｍａ、略称：ＨＷＰ）、表面波プラズマ（Ｓｕｒｆａｃｅ  Ｗａｖｅ  Ｐｌａｓｍａ、略称：ＳＷＰ）のいずれを用いてもよい。
【０１０５】
また、例えば、上述の実施形態では、原料を供給した後に反応体を供給する例について説明した。本発明はこのような態様に限定されず、原料、反応体の供給順序は逆でもよい。すなわち、反応体を供給した後に原料を供給するようにしてもよい。供給順序を変えることにより、形成される膜の膜質や組成比を変化させることが可能となる。
【０１０６】
上述の実施形態等では、ウエハ７上にＳｉＯ膜を形成する例について説明した。本発明はこのような態様に限定されず、ウエハ７上に、シリコン酸炭化膜（ＳｉＯＣ膜）、シリコン酸炭窒化膜（ＳｉＯＣＮ膜）、シリコン酸窒化膜（ＳｉＯＮ膜）等のＳｉ系酸化膜を形成する場合にも、好適に適用可能である。
【０１０７】
また、本発明は、ウエハ７上に、原料ガスとして上述したＳｉ含有ガスを用い、反応ガスとしてＮＨ３ガスのような窒素（Ｎ）含有ガス（窒化ガス）を用い、シリコン窒化膜（Ｓｉ３Ｎ４膜、以下、ＳｉＮ膜と称する）を形成する場合においても、好適に適用可能である。
【０１０８】
例えば、反応ガスとして、アンモニア（ＮＨ３）ガス、ジアゼン（Ｎ２Ｈ２）ガス、ヒドラジン（Ｎ２Ｈ４）ガス、Ｎ３Ｈ８ガス等の窒化水素系ガスや、これらの化合物を含むガス等を用いることができる。また、反応ガスとしては、トリエチルアミン（（Ｃ２Ｈ５）３Ｎ、略称：ＴＥＡ）ガス、ジエチルアミン（（Ｃ２Ｈ５）２ＮＨ、略称：ＤＥＡ）ガス、モノエチルアミン（Ｃ２Ｈ５ＮＨ２、略称：ＭＥＡ）ガス等のエチルアミン系ガスや、トリメチルアミン（（ＣＨ３）３Ｎ、略称：ＴＭＡ）ガス、ジメチルアミン（（ＣＨ３）２ＮＨ、略称：ＤＭＡ）ガス、モノメチルアミン（ＣＨ３ＮＨ２、略称：ＭＭＡ）ガス等のメチルアミン系ガス等を用いることができる。また、反応ガスとしては、トリメチルヒドラジン（（ＣＨ３）２Ｎ２（ＣＨ３）Ｈ、略称：ＴＭＨ）ガス等の有機ヒドラジン系ガス等を用い、以下に示す成膜シーケンスによりウエハ上にＳｉＮ膜を形成する場合においても、本発明は好適に適用可能である。
【０１０９】
（ＨＣＤＳ→ＮＨ３＊）×ｎ  ⇒  ＳｉＮ
【０１１０】
また、本発明は、ウエハ７上に、チタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）、タンタル（Ｔａ）、ニオブ（Ｎｂ）、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）等の金属元素を含む金属系酸化膜や金属系窒化膜を形成する場合においても、好適に適用可能である。すなわち、本発明は、ウエハ７上に、ＴｉＯ膜、ＴｉＯＣ膜、ＴｉＯＣＮ膜、ＴｉＯＮ膜、ＴｉＮ膜、ＺｒＯ膜、ＺｒＯＣ膜、ＺｒＯＣＮ膜、ＺｒＯＮ膜、ＺｒＮ膜、ＨｆＯ膜、ＨｆＯＣ膜、ＨｆＯＣＮ膜、ＨｆＯＮ膜、ＨｆＮ膜、ＴａＯ膜、ＴａＯＣ膜、ＴａＯＣＮ膜、ＴａＯＮ膜、ＴａＮ膜、ＮｂＯ膜、ＮｂＯＣ膜、ＮｂＯＣＮ膜、ＮｂＯＮ膜、ＮｂＮ膜、ＡｌＯ膜、ＡｌＯＣ膜、ＡｌＯＣＮ膜、ＡｌＯＮ膜、ＡｌＮ膜、ＭｏＯ膜、ＭｏＯＣ膜、ＭｏＯＣＮ膜、ＭｏＯＮ膜、ＭｏＮ膜、ＷＯ膜、ＷＯＣ膜、ＷＯＣＮ膜、ＷＯＮ膜、ＷＮ膜を形成する場合にも、好適に適用することが可能となる。
【０１１１】
例えば、原料ガスとして、テトラキス（ジメチルアミノ）チタン（Ｔｉ［Ｎ（ＣＨ３）２］４、略称：ＴＤＭＡＴ）ガス、テトラキス（エチルメチルアミノ）ハフニウム（Ｈｆ［Ｎ（Ｃ２Ｈ５）（ＣＨ３）］４、略称：ＴＥＭＡＨ）ガス、テトラキス（エチルメチルアミノ）ジルコニウム（Ｚｒ［Ｎ（Ｃ２Ｈ５）（ＣＨ３）］４、略称：ＴＥＭＡＺ）ガス、トリメチルアルミニウム（Ａｌ（ＣＨ３）３、略称：ＴＭＡ）ガス、チタニウムテトラクロライド（ＴｉＣｌ４）ガス、ハフニウムテトラクロライド（ＨｆＣｌ４）ガス等を用い、以下に示す成膜シーケンスにより、ウエハ７上に、チタン酸化膜（ＴｉＯ膜）、ハフニウム酸化膜（ＨｆＯ膜）、ジルコニウム酸化膜（ＺｒＯ膜）、アルミニウム酸化膜（ＡｌＯ膜）、アルミニウム窒化膜（ＡｌＮ膜）等を形成する場合においても、本発明は好適に適用可能である。
【０１１２】
（ＴＤＭＡＴ→Ｏ２＊）×ｎ  ⇒  ＴｉＯ
【０１１３】
（ＴＥＭＡＨ→Ｏ２＊）×ｎ  ⇒  ＨｆＯ
【０１１４】
（ＴＥＭＡＺ→Ｏ２＊）×ｎ  ⇒  ＺｒＯ
【０１１５】
（ＴＭＡ→Ｏ２＊）×ｎ  ⇒  ＡｌＯ
【０１１６】
（ＴＭＡ→ＮＨ３＊）×ｎ  ⇒  ＡｌＮ
【０１１７】
すなわち、本発明は、半導体系膜や金属系膜を形成する処理を行った後の処理室２０１内をパージする場合に、好適に適用することができる。これらの成膜処理の処理手順、処理条件は、上述の実施形態や変形例に示す成膜処理と同様な処理手順、処理条件とすることができる。また、成膜処理を行った後に実施するパージ処理の処理手順、処理条件は、上述の実施形態や変形例に示すパージ処理と同様の処理手順、処理条件とすることができる。これらの場合においても、上述の実施形態と同様の効果が得られる。
【０１１８】
成膜処理に用いられるレシピ（処理手順や処理条件等が記載されたプログラム）は、処理内容（形成する薄膜の膜種、組成比、膜質、膜厚、処理手順、処理条件等）に応じて個別に用意し、電気通信回線や外部記憶装置１２３を介して記憶装置１２１ｃ内に格納しておくことが好ましい。そして、各種処理を開始する際、ＣＰＵ１２１ａが、記憶装置１２１ｃ内に格納された複数のレシピの中から、処理内容に応じて適正なレシピを適宜選択することが好ましい。これにより、１台の基板処理装置で様々な膜種、組成比、膜質、膜厚の薄膜を汎用的に、かつ、再現性よく形成することができるようになる。また、オペレータの負担（処理手順や処理条件等の入力負担等）を低減でき、操作ミスを回避しつつ、各種処理を迅速に開始できるようになる。
【０１１９】
上述のレシピは、新たに作成する場合に限らず、例えば、基板処理装置に既にインストールされていた既存のレシピを変更することで用意してもよい。レシピを変更する場合は、変更後のレシピを、電気通信回線や当該レシピを記録した記録媒体を介して、基板処理装置にインストールしてもよい。また、既存の基板処理装置が備える入出力装置１２２を操作し、基板処理装置に既にインストールされていた既存のレシピを直接変更するようにしてもよい。
【０１２０】
＜本発明の好ましい態様＞
以下、本発明の好ましい態様について付記する。
【０１２１】
〔付記１〕
本発明の一態様によれば、
基板を保持する基板保持具と、
前記基板を処理するガスを供給するガス供給部と、
前記基板の表面上に離隔して設けられ、前記ガス供給部から供給されたガスを活性化するプラズマを生成するプラズマ電極装置と、
前記プラズマ電極装置に接続され、前記プラズマ電極装置を前記基板上で水平移動させる回転駆動部と、
を有する基板処理装置が提供される。
【０１２２】
〔付記２〕
前記回転駆動部は、前記プラズマ電極装置に接続されて前記プラズマ電極装置を回転させる第１の電極駆動軸と、
前記第１の電極駆動軸を回転させる電極駆動源と、
を有する付記１に記載の基板処理装置が提供される。
【０１２３】
〔付記３〕
前記基板保持具は、前記基板保持具を回転させる回転軸をさらに有し、
前記回転軸と前記第１の電極駆動軸は同軸に構成される付記２に記載の基板処理装置が提供される。
【０１２４】
〔付記４〕
前記基板処理装置は、さらに制御部を有し、前記制御部は、前記プラズマ電極装置が前記回転駆動部によって動作している間、前記基板保持具が回転動作を停止するように制御する付記１〜付記３のいずれか１つに記載の基板処理装置が提供される。
【０１２５】
〔付記５〕
前記プラズマ電極装置は、前記第１の電極駆動軸に連設された電極駆動アームと、
下端が前記電極アームに接続された電極支柱と、
前記電極支柱の側面に設けられた電極とで構成される付記２〜付記４のいずれか１つに記載の基板処理装置が提供される。
【０１２６】
〔付記６〕
前記電極駆動アームは、前記第１の電極駆動軸とは異なる位置に第２の電極駆動軸を有する付記２〜付記５のいずれか１つに記載の基板処理装置が提供される。
【０１２７】
〔付記７〕
前記第２の電極駆動軸は、前記基板保持具の外周よりも外側に設けられる付記６に記載の基板処理装置が提供される。
【０１２８】
〔付記８〕
前記プラズマ電極機構は、前記基板表面上を一定の速度で移動する付記１〜付記７のいずれか１つに記載の基板処理装置が提供される。
【０１２９】
〔付記９〕
前記電極駆動アームは、前記第１の電極駆動軸と前記第２の電極駆動軸との間に第３の電極駆動軸を有する付記６または付記７に記載の基板処理装置。
【０１３０】
〔付記１０〕
本発明の別の態様によれば、
基板保持具により保持された基板を処理するガスを供給する工程と、
前記基板の表面上に離隔して設けられたプラズマ電極機構からプラズマを生成して前記ガス供給部から供給されたガスを活性化する工程と、
前記プラズマ電極装置に接続された回転駆動部によって前記プラズマ電極機構を水平移動させる工程と、
を有する半導体装置の製造方法、または、基板処理方法が提供される。
【０１３１】
〔付記１１〕
前記プラズマを発生している間、前記基板保持具の動作を停止している付記１０記載の方法。
【０１３２】
〔付記１２〕
前記プラズマ電極機構は、前記基板表面上を一定の速度で移動する付記１１又は付記１２に記載の方法。
【０１３３】
〔付記１３〕
本発明の更に別の態様によれば、
基板保持具により保持された基板を処理するガスを供給する手順と、
前記基板の表面上に離隔して設けられたプラズマ電極機構からプラズマを生成して前記ガス供給部から供給されたガスを活性化する手順と、
前記プラズマ電極装置に接続された回転駆動部によって前記プラズマ電極機構を水平移動させる手順と、
を有するコンピュータ読み取り可能なプログラム又は当該プログラムを記憶した記録媒体が提供される。
【０１３４】
〔付記１４〕
前記プラズマを発生している間、前記基板保持具の動作を停止している手順を有する付記１３記載のプログラム又は当該プログラムを記憶した記録媒体。
【０１３５】
〔付記１５〕
前記プラズマ電極機構は、前記基板表面上を一定の速度で移動する手順を有する付記１４又は付記１５に記載のプログラム又は当該プログラムを記憶した記録媒体。
【符号の説明】
【０１３６】
１・・・・反応管
５・・・・ボート
７・・・・ウエハ
２８・・・・ボート支柱
３５・・・・回転駆動部
４０・・・・（プラズマ）電極
１２１・・・・コントローラ
【図２】
2016186992.tif 000003
【図１】
2016186992.tif 000004
【図３】
2016186992.tif 000005
【図４】
2016186992.tif 000006
【図５】
2016186992.tif 000007
【図６】
2016186992.tif 000008
【図７】
2016186992.tif 000009
【図８】
2016186992.tif 000010
【図９】
2016186992.tif 000011
【図１０】
2016186992.tif 000012
【図１１】
2016186992.tif 000013
【図１２】
2016186992.tif 000014
【図１３】
2016186992.tif 000015