(57)【要約】【課題】部品コストを低減させることが可能な技術を提供する。【解決手段】光ピックアップ１は、横断面に長径L1a及び短径L1iを有し偏光方向D1が短径L1iに沿ったビームL1を出射するレーザー10と、該レーザー10からの出射ビームL1から所定方向D2の偏光成分を分離する偏光分離手段(20)と、該偏光分離手段(20)からの分離光L2を記録媒体(M0)の記録面M10に集束させる集光手段30と、記録面M10からの反射光を受光する受光手段40と、出射ビームL1の光軸AX1を偏光分離手段(20)に向けてレーザー10を固定したレーザー固定部50と、を備える。光軸AX1を中心とする所定方向D2と長径L1aとのなす角度ＲがＲ１（０°≦Ｒ１＜９０°）である場合のレーザー10の放射角半値全角θ１がＲ＝Ｒ２（Ｒ１＜Ｒ２≦９０°）である場合のレーザー10の放射角半値全角θ２よりも小さい関係が満たされるように光軸AX1を中心とした角度Ｒでレーザー10が配置されている。【選択図】図１
2016018575.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
横断面に長径及び短径を有し偏光方向が前記短径に沿ったビームを出射するレーザーと、
該レーザーからの出射ビームから所定方向の偏光成分を分離する偏光分離手段と、
該偏光分離手段からの分離光を記録媒体の記録面に集束させる集光手段と、
前記記録面からの反射光を受光する受光手段と、
前記出射ビームの光軸を前記偏光分離手段に向けて前記レーザーを固定したレーザー固定部と、を備え、
前記光軸を中心とする前記所定方向と前記長径とのなす角度ＲがＲ１（０°≦Ｒ１＜９０°）である場合の前記レーザーの放射角半値全角θ１がＲ＝Ｒ２（Ｒ１＜Ｒ２≦９０°）である場合の前記レーザーの放射角半値全角θ２よりも小さい関係が満たされるように前記光軸を中心とした角度Ｒで前記レーザーが配置された、光ピックアップ。
【請求項２】
前記集光手段は、前記偏光分離手段からの分離光を平行光に変換するコリメータレンズと、前記平行光を前記記録面に集束させる平行光集束手段と、を有し、
前記所定方向において前記平行光の中央部の光強度に対する前記平行光の縁部の光強度の比が所定値以上となるように前記光軸を中心とした角度Ｒで前記レーザーが配置された、請求項１に記載の光ピックアップ。
【請求項３】
Ｒ＝Ｒ１である場合の前記レーザーの前記短径に沿った水平放射角半値全角θｈ１がＲ＝Ｒ２である場合の前記レーザーの水平放射角半値全角θｈ２よりも小さい関係が満たされるように前記光軸を中心とした角度Ｒで前記レーザーが配置された、請求項１又は請求項２に記載の光ピックアップ。
【請求項４】
前記レーザーの放射角半値全角が大きくなるほど前記光軸を中心とする前記所定方向と前記長径とのなす角度Ｒが段階的に大きくされた、請求項１〜請求項３のいずれか一項に記載の光ピックアップ。
【請求項５】
前記レーザー固定部は、前記レーザーを支持するレーザーホルダーと、このレーザーホルダーを装着する基部と、を有し、
前記レーザーホルダーが前記光軸を中心とする前記所定方向と前記長径とのなす角度Ｒに応じて異なる、請求項１〜請求項４のいずれか一項に記載の光ピックアップ。
【請求項６】
前記集光手段は、前記偏光分離手段からの分離光を平行光に変換するコリメータレンズと、前記平行光を前記記録面に集束させる平行光集束手段と、を有し、
前記所定方向において前記平行光の中央部の光強度に対する前記平行光の縁部の光強度の比として必要な最低値をＲＩＭｎとし、
前記光軸を中心とする前記所定方向と前記長径とのなす角度をＲ（deg）とし、
前記レーザーの前記長径に沿った垂直放射角半値全角をθｖ（deg）とし、
前記レーザーの前記短径に沿った水平放射角半値全角をθｈ（deg）とし、
前記コリメータレンズに取り込まれる出射ビームの全角をθｇ（deg）とし、
前記レーザーの最大定格出力をＷmax（mW）とし、
要求される光ピックアップの出射出力をＰmax（mW）とし、
前記レーザーの放射角が仕様の最小値であり、且つ、Ｒ＝０であるときの光ピックアップの光利用効率をＥ０とするとき、
【数１】
2016018575.tif 000008
且つ
【数２】
2016018575.tif 000009
が満たされるように前記光軸を中心とした角度Ｒで前記レーザーが配置された、請求項１〜請求項５のいずれか一項に記載の光ピックアップ。
【請求項７】
光ピックアップを備えた光ディスク装置であって、
前記光ピックアップは、
横断面に長径及び短径を有し偏光方向が前記短径に沿ったビームを出射するレーザーと、
該レーザーからの出射ビームから所定方向の偏光成分を分離する偏光分離手段と、
該偏光分離手段からの分離光を記録媒体の記録面に集束させる集光手段と、
前記記録面からの反射光を受光する受光手段と、
前記出射ビームの光軸を前記偏光分離手段に向けて前記レーザーを固定したレーザー固定部と、を備え、
前記光軸を中心とする前記所定方向と前記長径とのなす角度ＲがＲ１（０°≦Ｒ１＜９０°）である場合の前記レーザーの放射角半値全角θ１がＲ＝Ｒ２（Ｒ１＜Ｒ２≦９０°）である場合の前記レーザーの放射角半値全角θ２よりも小さい関係が満たされるように前記光軸を中心とした角度Ｒで前記レーザーが配置された、光ディスク装置。
【請求項８】
横断面に長径及び短径を有し偏光方向が前記短径に沿ったビームを出射するレーザーと、該レーザーからの出射ビームから所定方向の偏光成分を分離する偏光分離手段と、該偏光分離手段からの分離光を記録媒体の記録面に集束させる集光手段と、前記記録面からの反射光を受光する受光手段と、前記出射ビームの光軸を前記偏光分離手段に向けて前記レーザーを固定したレーザー固定部と、を備えた光ピックアップの製造方法であって、
前記光軸を中心とする前記所定方向と前記長径とのなす角度ＲがＲ１（０°≦Ｒ１＜９０°）である場合の前記レーザーの放射角半値全角θ１がＲ＝Ｒ２（Ｒ１＜Ｒ２≦９０°）である場合の前記レーザーの放射角半値全角θ２よりも小さい関係を満たすように前記光軸を中心とした角度Ｒで前記レーザーを配置する、光ピックアップの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光ピックアップ、光ディスク装置、及び、光ピックアップの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、ＤＶＤ（Digital Versatile Disc）記録再生装置、ＢＤ（ブルーレイディスク）記録再生装置、といった光ディスク装置は、光学系を有する光ピックアップを備えている。光ピックアップは、例えば、半導体レーザーからの出射ビームの偏光Ｓ成分を偏光ビームスプリッタで反射させ、該偏光Ｓ成分をコリメータレンズで平行光に変換し、対物レンズを含む平行光集束手段で前記平行光を光ディスクの記録面に集光させている。
【０００３】
特許文献１に示される光ピックアップ組立方法では、対物レンズに入射するレーザー光の光軸傾斜角を測定し、オフセット発生要因のバラツキを管理して、コリメータレンズ及び対物レンズを組み立てている。特許文献１には、光軸を中心として半導体レーザーを回転させる示唆が無い。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００１−５２３６９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
半導体レーザーの放射角は、個体間でばらつきが大きい。放射角の大きな個体では、ＲＩＭ強度、すなわち、コリメータレンズを通過した平行光における中央部の光強度に対する縁部の光強度の比が高い一方、光利用効率が低い。放射角の小さな個体では、光利用効率が高い一方、ＲＩＭ強度が低い。
以上のことから、例えば、光利用効率が仕様値以上、且つ、ＲＩＭ強度が仕様値以上である半導体レーザーを選別して使用することが考えられる。しかし、このような選別は、光ピックアップの部品コストの増加に繋がる。また、このような選別をしないように偏光方向回転素子等の部品を追加しても、光ピックアップの部品コストの増加に繋がる。
【０００６】
尚、上述した問題は、種々の光ピックアップ、及び、光ディスク装置について同様に存在する。
本発明は、部品コストを低減させることが可能な技術を提供する目的を有している。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の光ピックアップは、横断面に長径及び短径を有し偏光方向が前記短径に沿ったビームを出射するレーザーと、
該レーザーからの出射ビームから所定方向の偏光成分を分離する偏光分離手段と、
該偏光分離手段からの分離光を記録媒体の記録面に集束させる集光手段と、
前記記録面からの反射光を受光する受光手段と、
前記出射ビームの光軸を前記偏光分離手段に向けて前記レーザーを固定したレーザー固定部と、を備え、
前記光軸を中心とする前記所定方向と前記長径とのなす角度ＲがＲ１（０°≦Ｒ１＜９０°）である場合の前記レーザーの放射角半値全角θ１がＲ＝Ｒ２（Ｒ１＜Ｒ２≦９０°）である場合の前記レーザーの放射角半値全角θ２よりも小さい関係が満たされるように前記光軸を中心とした角度Ｒで前記レーザーが配置された、態様を有する。
【０００８】
また、本発明は、光ピックアップを備えた光ディスク装置であって、
前記光ピックアップは、
横断面に長径及び短径を有し偏光方向が前記短径に沿ったビームを出射するレーザーと、
該レーザーからの出射ビームから所定方向の偏光成分を分離する偏光分離手段と、
該偏光分離手段からの分離光を記録媒体の記録面に集束させる集光手段と、
前記記録面からの反射光を受光する受光手段と、
前記出射ビームの光軸を前記偏光分離手段に向けて前記レーザーを固定したレーザー固定部と、を備え、
前記光軸を中心とする前記所定方向と前記長径とのなす角度ＲがＲ１（０°≦Ｒ１＜９０°）である場合の前記レーザーの放射角半値全角θ１がＲ＝Ｒ２（Ｒ１＜Ｒ２≦９０°）である場合の前記レーザーの放射角半値全角θ２よりも小さい関係が満たされるように前記光軸を中心とした角度Ｒで前記レーザーが配置された、態様を有する。
【０００９】
さらに、本発明は、横断面に長径及び短径を有し偏光方向が前記短径に沿ったビームを出射するレーザーと、該レーザーからの出射ビームから所定方向の偏光成分を分離する偏光分離手段と、該偏光分離手段からの分離光を記録媒体の記録面に集束させる集光手段と、前記記録面からの反射光を受光する受光手段と、前記出射ビームの光軸を前記偏光分離手段に向けて前記レーザーを固定したレーザー固定部と、を備えた光ピックアップの製造方法であって、
前記光軸を中心とする前記所定方向と前記長径とのなす角度ＲがＲ１（０°≦Ｒ１＜９０°）である場合の前記レーザーの放射角半値全角θ１がＲ＝Ｒ２（Ｒ１＜Ｒ２≦９０°）である場合の前記レーザーの放射角半値全角θ２よりも小さい関係を満たすように前記光軸を中心とした角度Ｒで前記レーザーを配置する、態様を有する。
【発明の効果】
【００１０】
請求項１，８に係る発明によれば、部品コストを低減させることが可能な光ピックアップを提供することができる。
請求項２〜６に係る発明では、部品コストを低減させる好適な光ピックアップを提供することができる。
請求項７に係る発明によれば、部品コストを低減させることが可能な光ディスク装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】光ピックアップ１の構成例を模式的に示す斜視図。
【図２】半導体レーザー１０における放射角と偏光との関係を模式的に例示する図。
【図３】偏光ビームスプリッタ２０の機能を模式的に例示する図。
【図４】放射角とＲＩＭ強度と光利用効率の関係を模式的に例示する図。
【図５】多層対応ディスクにおけるタンジェンシャル方向Ｄ３のＲＩＭ強度と自己記録再生ジッター（Jitter）との関係を模式的に例示する図。
【図６】Ｒ＝Ｒ０に固定した時にθｈ−θｖ平面においてタンジェンシャル方向Ｄ３のＲＩＭ強度を満たす領域、及び、光利用効率を満たす領域を模式的に例示する図。
【図７】Ｒ＝Ｒ１（＜Ｒ０）にした時にθｈ−θｖ平面においてタンジェンシャル方向Ｄ３のＲＩＭ強度を満たす領域、及び、光利用効率を満たす領域を模式的に例示する図。
【図８】Ｒ＝Ｒ２（＞Ｒ０）にした時にθｈ−θｖ平面においてタンジェンシャル方向Ｄ３のＲＩＭ強度を満たす領域、及び、光利用効率を満たす領域を模式的に例示する図。
【図９】コリメータレンズ３１に取り込まれる出射ビームＬ１の全角θｇを模式的に例示する図。
【図１０】光ディスク装置１００の構成例を模式的に例示する図。
【図１１】レーザー固定部５０にレーザー１０を固定する様子を模式的に例示する斜視図。
【図１２】第三の例において基部５５にレーザーホルダー５６を装着する様子を模式的に示す図。
【図１３】第四の例においてレーザー１０をランク分けしてレーザー固定部５０に固定する様子を模式的に示す図。
【図１４】第五の例においてレーザー１０をランク分けして基部５５にレーザーホルダー５６を装着する様子を模式的に示す図。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の実施形態を説明する。むろん、以下に説明する実施形態は、本発明を例示するものに過ぎない。
【００１３】
（１）光ピックアップ、光ディスク装置、及び、光ピックアップの製造方法の概要：
まず、図１〜１４を適宜参照して、光ピックアップ、光ディスク装置、及び、光ピックアップの製造方法の概要を説明する。
【００１４】
［態様１］（図１〜１４参照）
光ピックアップ１は、基本要素として、レーザー１０、偏光分離手段（例えば偏光ビームスプリッタ２０）、集光手段３０、受光手段４０、及び、レーザー固定部５０を備える。レーザー１０は、横断面に長径Ｌ１ａ及び短径Ｌ１ｉを有し、偏光方向Ｄ１が前記短径Ｌ１ｉに沿ったビームＬ１を出射する。偏光分離手段（２０）は、前記レーザー１０からの出射ビームＬ１から所定方向Ｄ２の偏光成分（例えば偏光Ｓ成分）を分離する。集光手段３０は、前記偏光分離手段（２０）からの分離光Ｌ２を記録媒体（Ｍ０）の記録面Ｍ１０に集束させる。受光手段４０は、前記記録面Ｍ１０からの反射光を受光する。レーザー固定部５０は、前記出射ビームＬ１の光軸ＡＸ１を前記偏光分離手段（２０）に向けて前記レーザー１０を固定している。ここで、前記光軸ＡＸ１を中心とする前記所定方向Ｄ２と前記長径Ｌ１ａとのなす角度ＲがＲ１（０°≦Ｒ１＜９０°）である場合の前記レーザー１０の放射角半値全角θ１がＲ＝Ｒ２（Ｒ１＜Ｒ２≦９０°）である場合の前記レーザー１０の放射角半値全角θ２よりも小さい関係が満たされるように前記光軸ＡＸ１を中心とした角度Ｒで前記レーザー１０が配置されている。
【００１５】
レーザー１０の放射角半値全角が比較的小さいθ１である場合、ＲＩＭ強度は低くなる傾向にあるが、光利用効率は比較的高い。ＲＩＭ強度が低いと、再生信号の時間軸方向の揺らぎ成分であるジッター（Jitter）が高い傾向にある。放射角が比較的小さい場合に光軸ＡＸ１を中心とする前記所定方向Ｄ２とビーム長径Ｌ１ａとのなす角度Ｒを比較的小さいＲ１にすることにより、ビーム長径Ｌ１ａが前記所定方向Ｄ２に向き、ＲＩＭ強度が高くなる。これにより、放射角が比較的小さくてもレーザーを使用することが可能となる。
一方、レーザー１０の放射角半値全角が比較的大きいθ２である場合、光利用効率は低くなる傾向にあるが、ＲＩＭ強度は比較的高い。光利用効率が低いと、光ピックアップから所望の光出力が得られないことがあり、レーザーの出力を上げると寿命が短くなることがある。放射角が比較的大きい場合に光軸ＡＸ１を中心とする前記所定方向Ｄ２とビーム長径Ｌ１ａとのなす角度Ｒを比較的大きいＲ２にすることにより、出射ビームＬ１の偏光方向Ｄ１が前記所定方向Ｄ２に向き、光利用効率が高くなる。これにより、放射角が比較的大きくてもレーザーを使用することが可能となる。
【００１６】
以上より、本技術は、放射角を限定しないでレーザーを使用することができるので、部品コストを低減させることが可能な光ピックアップを提供することができる。
尚、放射角半値全角θには、水平放射角半値全角θｈ、垂直放射角半値全角θｖ、両放射角半値全角θｈ，θｖの組み合わせ、等が含まれる。
Ｒ＝Ｒ１である場合のレーザーの放射角半値全角θ１がＲ＝Ｒ２（Ｒ１＜Ｒ２）である場合のレーザーの放射角半値全角θ２よりも小さい関係が満たされることには、レーザーの放射角半値全角θが大きくなるほど角度Ｒが連続的に大きくなること、及び、レーザーの放射角半値全角θが大きくなるほど角度Ｒが段階的に大きくなることの両方が含まれる。すなわち、放射角半値全角θが大きくなるほど角度Ｒが連続的に大きくなれば、Ｒ＝Ｒ１のときにθ＝θ１であるとして、Ｒ＝Ｒ２（Ｒ１＜Ｒ２）のときに放射角半値全角θが必ずθ１よりも大きくなり、前記の関係が満たされる。放射角半値全角θが大きくなるほど角度Ｒが段階的に大きくなれば、Ｒ＝Ｒ１のときにθ＝θ１であるとして、放射角半値全角θがθ１とは異なっていてもＲ＝Ｒ１となることがある。しかし、Ｒ＝Ｒ２（Ｒ１＜Ｒ２）のときには、放射角半値全角θが必ずθ１よりも大きくなり、前記の関係が満たされる。
【００１７】
［態様２］（図１〜１４参照）
前記集光手段３０は、前記偏光分離手段（２０）からの分離光Ｌ２を平行光Ｌ３に変換するコリメータレンズ３１を有してもよく、前記平行光Ｌ３を前記記録面Ｍ１０に集束させる平行光集束手段３２を有してもよい。この場合、前記所定方向Ｄ２において前記平行光Ｌ３の中央部の光強度に対する前記平行光Ｌ３の縁部の光強度の比（ＲＩＭ強度）が所定値（例えば下限基準値ＲＩＭｔｈ）以上となるように前記光軸ＡＸ１を中心とした角度Ｒで前記レーザー１０が配置されてもよい。この態様は、ジッターが低く抑えられるので、部品コストを低減させる好適な光ピックアップを提供することができる。
【００１８】
［態様３］（図１〜１４参照）
また、Ｒ＝Ｒ１である場合の前記レーザー１０の前記短径Ｌ１ｉに沿った水平放射角半値全角θｈ１がＲ＝Ｒ２である場合の前記レーザー１０の水平放射角半値全角θｈ２よりも小さい関係が満たされるように前記光軸ＡＸ１を中心とした角度Ｒで前記レーザー１０が配置されてもよい。ＲＩＭ強度及び光利用効率に与える影響は垂直放射角よりも水平放射角の方が大きいので、本態様は、部品コストを低減させる好適な光ピックアップを提供することができる。
【００１９】
［態様４］（図１〜１４参照）
さらに、前記レーザー１０の放射角半値全角θが大きくなるほど前記光軸ＡＸ１を中心とする前記所定方向Ｄ２と前記長径Ｌ１ａとのなす角度Ｒが段階的に大きくされてもよい。この態様は、選択するレーザー配置角度が少なくて済むので、部品コストを低減させる好適な光ピックアップを提供することができる。
【００２０】
［態様５］（図１２，１４参照）
また、前記レーザー固定部５０は、前記レーザー１０を支持するレーザーホルダー５６と、このレーザーホルダー５６を装着する基部５５と、を有してもよい。この場合、前記レーザーホルダー５６が前記光軸ＡＸ１を中心とする前記所定方向Ｄ２と前記長径Ｌ１ａとのなす角度Ｒに応じて異なってもよい。この態様は、レーザー１０の配置角度Ｒに応じたレーザーホルダー５６を基部５５に装着すればよいので、部品コストを低減させる好適な光ピックアップを提供することができる。
【００２１】
［態様６］（図１〜１４参照）
さらに、前記集光手段３０は、前記偏光分離手段（２０）からの分離光Ｌ２を平行光Ｌ３に変換するコリメータレンズ３１と、前記平行光Ｌ３を前記記録面Ｍ１０に集束させる平行光集束手段３２と、を有し、
前記所定方向Ｄ２において前記平行光Ｌ３の中央部の光強度に対する前記平行光Ｌ３の縁部の光強度の比として必要な最低値をＲＩＭｎとし、
前記光軸ＡＸ１を中心とする前記所定方向Ｄ２と前記長径Ｌ１ａとのなす角度をＲ（deg）とし、
前記レーザー１０の前記長径Ｌ１ａに沿った垂直放射角半値全角をθｖ（deg）とし、
前記レーザー１０の前記短径Ｌ１ｉに沿った水平放射角半値全角をθｈ（deg）とし、
前記コリメータレンズ３１に取り込まれる出射ビームＬ１の全角をθｇ（deg）とし、
前記レーザー１０の最大定格出力をＷmax（mW）とし、
要求される光ピックアップ１の出射出力をＰmax（mW）とし、
前記レーザー１０の放射角が仕様の最小値であり、且つ、Ｒ＝０であるときの光ピックアップ１の光利用効率をＥ０とするとき、
【数１】
2016018575.tif 000003
且つ
【数２】
2016018575.tif 000004
が満たされるように前記光軸ＡＸ１を中心とした角度Ｒで前記レーザー１０が配置されてもよい。この態様は、部品コストを低減させる特に好適な光ピックアップを提供することができる。
【００２２】
［態様７］（図１〜１４参照）
上記態様１〜６のいずれかの光ピックアップ１に対応した光ディスク装置１００の態様も、上述した効果を奏する。
【００２３】
［態様８］（図１〜１４参照）
上記態様１〜６のいずれかの光ピックアップ１に対応した製造方法の態様も、上述した効果を奏する。
【００２４】
（２）光ピックアップ、及び、光ディスク装置の構成例の説明：
まず、後述する各種の例に共通の光ピックアップ、及び、光ディスク装置の構成例を説明する。
図１は、光ピックアップ１の構成例を模式的に示している。図２は、半導体レーザー１０における放射角と偏光との関係を模式的に例示している。図３は、偏光ビームスプリッタ２０の機能を模式的に例示している。
【００２５】
図１に示す光ピックアップ１は、ＢＤ及びＤＶＤに対応した光ディスク再生装置（光ディスク再生記録装置を含む）である。この光ピックアップ１は、ＢＤ用の半導体レーザー１０、ＤＶＤ用の半導体レーザー１１、偏光ビームスプリッタ（偏光分離手段）２０、集光手段３０、受光手段４０、レーザー固定部５０、等を備えている。集光手段３０は、コリメータレンズ３１、及び、平行光集束手段３２を有している。平行光集束手段３２は、ＢＤ用の立ち上げミラー３３、ＤＶＤ用の立ち上げミラー３４、ＢＤ用の１／４波長板３５、ＤＶＤ用の１／４波長板３６、ＢＤ用の対物レンズ３７、及び、ＤＶＤ用の対物レンズ３８を有している。受光手段４０は、光検出器４１を有し、偏光ビームスプリッタ２０と集光手段３０を利用して光ディスク（記録媒体）Ｍ０の記録面Ｍ１０（図５参照）からの反射光を受光する。すなわち、偏光ビームスプリッタ２０は、偏光分離手段を構成するとともに受光手段４０の一部も構成する。コリメータレンズ３１と平行光集束手段３２は、集光手段３０を構成するとともに受光手段４０の一部も構成する。
【００２６】
半導体レーザー１０は、出射ビームＬ１の光軸ＡＸ１を偏光ビームスプリッタ２０に向けた状態でレーザーホルダー５６に取り付けられる。図２に示すように、半導体レーザー１０からの出射ビームＬ１は、放射角（半値全角θｖ，θｈ）で広がる直線偏光の光線である。半導体レーザーの特性上、ビームＬ１の横断面（光軸ＡＸ１と直交する面）は、略楕円状であり、長径Ｌ１ａ及び短径Ｌ１ｉを有している。すなわち、長径Ｌ１ａに沿った垂直放射角（半値全角θｖ）は、短径Ｌ１ｉに沿った水平放射角（半値全角θｈ）よりも広い。また、半導体レーザーの特性上、ビームＬ１の偏光方向Ｄ１は、長径Ｌ１ａに対して垂直な方向、すなわち、短径Ｌ１ｉに沿った方向である。
【００２７】
偏光ビームスプリッタ（偏光分離手段）２０は、図３に示すように、入射するビームの所定方向Ｄ２の偏光成分を反射させ、入射するビームの所定方向Ｄ２と直交する方向の偏光成分を透過させる。入射するビームＬ１については、偏光Ｓ成分が反射され、該偏光Ｓ成分と９０°異なる偏光Ｐ成分が透過する。これにより、入射するビームＬ１が偏光Ｓ成分と偏光Ｐ成分とに分離され、偏光Ｓ成分が集光手段３０に入射する。すなわち、偏光ビームスプリッタ２０は、レーザー１０からの出射ビームＬ１から所定方向Ｄ２の偏光成分を直線偏光の分離光Ｌ２として分離する。尚、入射するビームＬ１は広がる放射角を有しているので、反射光である分離光Ｌ２も広がる放射角を有する。
【００２８】
集光手段３０を構成するコリメータレンズ３１は、偏光ビームスプリッタ２０からの分離光Ｌ２を直線偏光の平行光Ｌ３に変換する。平行光Ｌ３の偏光方向は、分離光Ｌ２の偏光方向と同じ所定方向Ｄ２である。平行光集束手段３２は、平行光Ｌ３を光ディスクＭ１の記録面Ｍ１０に集束させる。
【００２９】
平行光集束手段３２を構成する立ち上げミラー３３，３４は、それぞれ、コリメータレンズ３１からの平行光Ｌ３を１／４波長板３５，３６の方へ反射させる。１／４波長板３５，３６からの反射光は、平行光Ｌ３に直交する向きであり、直線偏光である。１／４波長板３５，３６からの反射光の偏光方向は、所定方向Ｄ２に直交するタンジェンシャル方向Ｄ３である。従って、所定方向Ｄ２は、タンジェンシャル方向Ｄ３に対応する方向である。尚、タンジェンシャル方向は、光ディスクの接線方向である。
【００３０】
平行光集束手段３２を構成する１／４波長板３５，３６は、それぞれ、立ち上げミラー３３，３４からの反射光である直線偏光の平行光の移送を１／４波長ずらすことにより、立ち上げミラー３３，３４からの平行光の直線偏光を円偏光に変換する。尚、光ディスクへ向かうビームと光ディスクからの反射光とを偏光ビームスプリッタといった偏光分離手段で分離する場合、前記ビームの偏光方向と前記反射光の偏光方向とを互いに異ならせる必要がある。このため、１／４波長板等を用いて偏光方向を変換することが行われている。
【００３１】
平行光集束手段３２を構成する対物レンズ３７，３８は、それぞれ、１／４波長板３５，３６からの円偏光の平行光を光ディスクの記録面Ｍ１０に集束させる。
以上より、コリメータレンズ３１と平行光集束手段３２を有する集光手段３０は、偏光ビームスプリッタ２０からの分離光Ｌ２を記録面Ｍ１０に集束させる。
【００３２】
記録面Ｍ１０からの反射光は、対物レンズ３７，３８を透過した後、１／４波長板３５，３６を透過する。このとき、１／４波長板３５，３６は、それぞれ、対物レンズ３７，３８からの透過光の円偏光を直線偏光に変換する。１／４波長板３５，３６からの透過光の偏光方向は、立ち上げミラー３３，３４から１／４波長板３５，３６に向かう光の偏光方向であるタンジェンシャル方向Ｄ３に直交する方向である。立ち上げミラー３３，３４は、それぞれ、１／４波長板３５，３６からの透過光をコリメータレンズ３１の方へ反射させる。立ち上げミラー３３，３４からの反射光の偏光方向は、コリメータレンズ３１から立ち上げミラー３３，３４に向かう光の偏光方向である所定方向Ｄ２に直交する方向である。コリメータレンズ３１は、立ち上げミラー３３，３４からの光を最終的に光検出器４１に集束させる。コリメータレンズ３１からの透過光の偏光方向が所定方向Ｄ２に直交する方向であるので、偏光ビームスプリッタ２０は、コリメータレンズ３１からの透過光を透過させる。光検出器４１は、偏光ビームスプリッタ２０からの透過光を受光し、光信号を電気信号に変換する。
【００３３】
レーザー固定部５０は、レーザー１０から出射されるビームＬ１の光軸ＡＸ１を偏光ビームスプリッタ２０に向けてレーザー１０を固定している。レーザー固定部５０は、例えば、光ピックアップ１のシャーシ等に設けられる。詳しくは後述するが、光軸ＡＸ１を中心とする所定方向Ｄ２と長径Ｌ１ａとのなす角度Ｒ（deg）を個々に製造工程内で放射角半値全角θの個別データより決定している。
【００３４】
ところで、半導体レーザー１０は、図４に示すように、個体間で出射ビームＬ１の放射角（半値全角θ）のばらつきが大きい。レーザー１０の放射角半値全角θが比較的小さいθ１である場合、コリメータレンズ３１に取り込まれる光量が比較的多いため、光利用効率が高い傾向にある。しかし、コリメータレンズ３１の中央部の光強度に対するコリメータレンズ３１の縁部の光強度の比であるＲＩＭ強度は、低い傾向にある。ＲＩＭ強度が低いと、再生信号の時間軸方向の揺らぎ成分であるジッター（Jitter）が高い傾向にある。一方、レーザー１０の放射角半値全角θが比較的大きいθ２である場合、ＲＩＭ強度は高い傾向にある。しかし、コリメータレンズ３１に取り込まれる光量が比較的少ないため、光利用効率が低い傾向にある。光利用効率が低いと、光ピックアップから所望の光出力が得られないことがあり、レーザーの出力を上げると寿命が短くなることがある。すなわち、放射角に対して、ＲＩＭ強度と光利用効率にトレードオフの関係がある。
図１に示す光ピックアップ１の場合、タンジェンシャル方向Ｄ３に対応する所定方向Ｄ２の偏光成分が使用されるため、ＲＩＭ強度としてＴａＲＩＭ強度を評価する必要がある。
【００３５】
図５は、多層対応ディスクにおけるタンジェンシャル方向Ｄ３のＲＩＭ強度ＴａＲＩＭと自己記録再生ジッターとの関係を模式的に例示している。自己記録再生ジッターは、光ディスクへの情報記録に用いた光ピックアップで前記光ディスクから情報を再生するときに生じるジッターを意味する。図５に示す光ディスクＭ０は、３層の記録面Ｍ１０を有し、１層目の記録面Ｍ１０が光入射面から最も浅く、３層目の記録面Ｍ１０が光入射面から最も深く、２層目の記録面Ｍ１０が光入射面から中間的な深さにある。試験を行ったところ、全層を通じて、ＴａＲＩＭ強度が大きくなるほど自己記録再生ジッターが小さくなる傾向にあった。また、一般的に使用頻度が高く光入射面から深い層に対して、浅い層はＴａＲＩＭ強度の低下に対して自己記録再生ジッターの劣化度合が大きいことが判った。全層について自己記録再生ジッターの上限基準値Ｊｔｈ（例えば１０〜１５％程度）を満たすためには、ジッターの最も大きい層が基準値Ｊｔｈ以下となるようにＴａＲＩＭ強度の下限基準値ＲＩＭｔｈ（例えば０．４〜０．６程度）を設定する必要がある。
【００３６】
また、図２で示したように、半導体レーザーの放射角は、一般的に、レーザーチップの平行軸方向と垂直軸方向とで異なる。尚、平行軸方向に沿っているのが水平放射角（半値全角θｈ）であり、垂直軸に沿っているのが垂直放射角（半値全角θｖ）である。放射角の大きい垂直軸方向の放射角（半値全角θｖ）をタンジェンシャル方向Ｄ３に対応させることによってＴａＲＩＭ強度を大きくすることができる。一方、半導体レーザーからの出射ビームの偏光状態は、一般的に平行軸方向の直線偏光である。偏光ビームスプリッタを使用した偏光分離光学系においては、ビームの偏光方向によって光利用効率が変化する。偏光ビームスプリッタ２０の往路側の偏光方向がタンジェンシャル方向Ｄ３に対応する光学系配置を採用した場合、垂直軸方向の放射角（半値全角θｖ）をタンジェンシャル方向Ｄ３になる様に向けていくと、偏光ビームスプリッタ２０で往路側へ抜ける光が少なくなっていき、著しく光利用効率が低下する。すなわち、半導体レーザーの配置角に対して、ＴａＲＩＭ強度と光利用効率にトレードオフの関係がある。
【００３７】
このように、放射角と半導体レーザーの配置角とＴａＲＩＭ強度と光利用効率には、依存関係がある。必要な性能を満たす為に従来は、放射角が大きい半導体レーザーに限定して使用したり、偏光方向を回転させる素子を追加したりして、半導体レーザーの配置角に対するトレードオフ関係を解消する等が行われてきた。しかし、放射角が大きい半導体レーザーに限定して使用すると半導体レーザーのコストが増加し、偏光方向回転素子を追加すると偏光方向回転素子のコストが発生する。本技術は、部材コストを増加させない両立解、すなわち、部品点数を増やすこと無く簡潔な構成で、記録再生品質と信頼性を維持したままで放射角ばらつきの大きい半導体レーザーを使用することによってコストを低減した光ピックアップ製品を提供するものである。
【００３８】
図６は、光軸ＡＸ１を中心とする所定方向Ｄ２（タンジェンシャル方向Ｄ３に対応する方向）と長径Ｌ１ａとのなす角度Ｒをある基準角度Ｒ０に固定した時にθｈ−θｖ平面においてＴａＲＩＭ強度を満たす領域、及び、光利用効率を満たす領域を模式的に例示している。図６に示すように、放射角半値全角θｈ，θｖが求められるＴａＲＩＭ強度を満たす境界線よりも小さいと、光利用効率が高い一方で、自己記録再生ジッターが上限基準値Ｊｔｈを超えることがある。また、放射角半値全角θｈ，θｖが求められる光利用効率を満たす境界線よりも大きいと、ＴａＲＩＭ強度が高い一方で、光ピックアップから所望の光出力が得られないことがある。そこで、放射角（半値全角θ）のデータを元にレーザー配置角度Ｒを個々に決定して実装する等、レーザー配置角度Ｒを放射角に応じた角度にすることにより、放射角を限定せずにレーザーを使用することができ、偏光方向回転素子も使用することも無く、記録再生性能と光利用効率を両立させることができる。この際、放射角が広い場合は光利用効率が低いので光利用効率を上げる方向に回転させ、放射角が狭い場合はＲＩＭ強度が低いのでＲＩＭ強度を上げる方向に回転させる。
【００３９】
図７は、レーザー配置角度Ｒを基準角度Ｒ０よりも小さい角度Ｒ１（０°≦Ｒ１＜９０°）にした時にθｈ−θｖ平面においてＴａＲＩＭ強度を満たす領域、及び、光利用効率を満たす領域を模式的に例示している。Ｒ＝Ｒ１（＜Ｒ０）にすることにより、光軸ＡＸ１を中心とする前記所定方向Ｄ２とビーム長径Ｌ１ａとのなす角度が小さくなるので、タンジェンシャル方向Ｄ３に対応する所定方向Ｄ２にビーム長径Ｌ１ａが近付く。これにより、ＴａＲＩＭ強度が高くなる。Ｒ１＜Ｒ０にするレーザーに放射角半値全角θの小さいレーザーを使用することにより、必要な光利用効率を確保しながら必要なＴａＲＩＭ強度を満たすことができる。ここで、ＴａＲＩＭ強度及び光利用効率に与える影響は、垂直放射角よりも水平放射角の方が大きい。そこで、図７では、水平放射角半値全角θｈが閾値θｈｔｈ未満であるレーザーを使用する時に配置角度ＲをＲ１（＜Ｒ０）にすることを示している。
【００４０】
図８は、レーザー配置角度Ｒを基準角度Ｒ０よりも大きい角度Ｒ２（Ｒ１＜Ｒ２≦９０°）にした時にθｈ−θｖ平面においてＴａＲＩＭ強度を満たす領域、及び、光利用効率を満たす領域を模式的に例示している。Ｒ＝Ｒ２（＞Ｒ０）にすることにより、光軸ＡＸ１を中心とする前記所定方向Ｄ２とビーム長径Ｌ１ａとのなす角度が大きくなるので、タンジェンシャル方向Ｄ３に対応する所定方向Ｄ２に出射ビームＬ１の偏光方向Ｄ１が近付く。これにより、光利用効率が高くなる。Ｒ２＞Ｒ０にするレーザーに放射角半値全角θの大きいレーザーを使用することにより、必要なＴａＲＩＭ強度を確保しながら必要な光利用効率を満たすことができる。図８では、水平放射角半値全角θｈが閾値θｈｔｈ未満であるレーザーを使用する時に配置角度ＲをＲ２（＞Ｒ０）にすることを示している。
【００４１】
次に、必要なＴａＲＩＭ強度と必要な光利用効率を同時に満たすレーザー配置角度Ｒ（deg）の求め方を説明する。配置角度Ｒ（deg）は、光軸ＡＸ１を中心とする所定方向Ｄ２（タンジェンシャル方向Ｄ３に対応）と長径Ｌ１ａとのなす角度である。以下、配置角度Ｒを求めるために必要な変数を説明する。
タンジェンシャル方向Ｄ３に対応する所定方向Ｄ２においてコリメータレンズ３１の中央部（すなわち平行光Ｌ３の中央部）の光強度に対するコリメータレンズ３１の縁部（すなわち平行光Ｌ３の縁部）の光強度の比として必要な最低値をＲＩＭｎとする。
レーザー１０の長径Ｌ１ａに沿った垂直放射角半値全角をθｖ（deg）とする。
レーザー１０の短径Ｌ１ｉに沿った水平放射角半値全角をθｈ（deg）とする。
図９に示すように、コリメータレンズ３１に取り込まれる出射ビームＬ１の全角をθｇ（deg）とする。
レーザー１０の最大定格出力をＷmax（mW）とする。
要求される光ピックアップ１の出射出力をＰmax（mW）とする。
レーザー１０の放射角が仕様の最小値であり、且つ、Ｒ＝０であるときの光ピックアップ１の光利用効率をＥ０とする。
【００４２】
必要なＴａＲＩＭ強度を満たす不等式は、以下の通りである。
【数３】
2016018575.tif 000005
また、必要な光利用効率を満たす不等式は、以下の通りである。
【数４】
2016018575.tif 000006
そこで、不等式（１）と不等式（２）が両方満たされるようにレーザー配置角度Ｒを求め、この角度Ｒでレーザー１０を配置すればよい。
【００４３】
尚、不等式（２）からは、配置角度Ｒのみを左辺に残した不等式に変換することができる。
【数５】
2016018575.tif 000007
不等式（１）を満たす配置角度Ｒは、コンピューターを用いて求めることができる。
【００４４】
上述したレーザー配置角度Ｒで組み立てた光ピックアップ１は、例えば、図１０に模式的に示す光ディスク装置１００に使用することができる。図１０に示す光ピックアップ１は、対物レンズ３７，３８を有する可動部６０が複数本の支持ワイヤーを介して固定部８０に支持されている。可動部６０は、固定部８０に対してトラッキング方向及びフォーカス方向へ相対的に駆動される。このため、可動部６０に電磁コイル６１が設けられ、固定部８０に磁石８１が設けられている。固定部８０は、スレッドモータ９２によって光ディスクの径方向へ直線的に駆動される。光ディスクがスピンドルモータ９３によって回転駆動される時に固定部８０が前記径方向へ移動すると、光ディスクの面上が走査される。制御部９１は、モータ９２，９３の駆動、コイル６１への通電、光ピックアップ１からの信号に基づいた光ディスクからの情報の再生、光ディスクへの情報の記録、等を制御する。尚、光ディスクには、ＢＤ、ＤＶＤ、ＣＤ（Compact Disc）、等が含まれる。光ピックアップは、ＤＶＤ専用でもよいし、ＢＤ専用でもよい。光ディスク装置には、表示装置といった別の装置と一体化された装置が含まれる。
【００４５】
（３）光ピックアップ、及び、その製造方法の第一の例：
以上のことから、レーザー個々に製造工程内で放射角半値全角θｈ，θｖの個別データより上記不等式（１），（２）を満たすレーザー配置角度Ｒを算出し、図１１に示すようにレーザー１０を前記配置角度Ｒにしてレーザー固定部５０に固定してもよい。むろん、配置角度Ｒは、光軸ＡＸ１を中心とする所定方向Ｄ２（タンジェンシャル方向Ｄ３に対応）と長径Ｌ１ａとのなす角度である。ここで、図７，８で示した放射角とＴａＲＩＭ強度と光利用効率との関係から、Ｒ＝Ｒ１（０°≦Ｒ１＜９０°）である場合のレーザー１０の放射角半値全角（例えばθ１）がＲ＝Ｒ２（Ｒ１＜Ｒ２≦９０°）である場合のレーザー１０の放射角半値全角（例えばθ２）よりも小さい関係を満たすように配置角度Ｒを算出することになる。また、ＴａＲＩＭ強度が所定値（下限基準値ＲＩＭｔｈ）以上となるように配置角度Ｒを算出することになる。
【００４６】
以上説明したように、本具体例は、ジッターが低く抑えられ、放射角を限定しないでレーザーを使用することができるので、部品コストを低減させることが可能となる。
【００４７】
（４）光ピックアップ、及び、その製造方法の第二の例：
また、上記不等式（１），（２）を満たす複数の決まったレーザー配置角度を予め準備しておいて、製造工程内で放射角半値全角θｈ，θｖの個別データよりレーザー配置角度Ｒを選択し、図１１に示すようにレーザー１０を前記配置角度Ｒにしてレーザー固定部５０に固定してもよい。図６〜８を参照して説明したように、ＴａＲＩＭ強度及び光利用効率に与える影響は、垂直放射角よりも水平放射角の方が大きい。そこで、製造方法を簡素化するため、水平放射角半値全角θｈの個別データよりレーザー配置角度Ｒを選択してもよい。例えば、水平放射角半値全角θｈが閾値θｈｔｈ未満のθｈ１である場合、光利用効率が比較的高い。そこで、図７に示すようにレーザー配置角度Ｒを基準角度Ｒ０よりも小さい角度Ｒ１（０°≦Ｒ１＜９０°）にしても、必要な光利用効率を確保することができ、且つ、必要なＴａＲＩＭ強度を満たすことができる。一方、水平放射角半値全角θｈが閾値θｈｔｈ以上のθｈ２である場合、ＴａＲＩＭ強度が比較的高い。そこで、図８に示すようにレーザー配置角度Ｒを基準角度Ｒ０よりも大きい角度Ｒ２（Ｒ１＜Ｒ２≦９０°）にしても、必要なＴａＲＩＭ強度を確保することができ、且つ、必要な光利用効率を満たすことができる。
【００４８】
以上のことから、Ｒ＝Ｒ１である場合のレーザー１０の短径Ｌ１ｉに沿った水平放射角半値全角θｈ１がＲ＝Ｒ２である場合のレーザー１０の水平放射角半値全角θｈ２よりも小さい関係が満たされ、この関係が満たされるレーザー配置角度Ｒが選択される。ＴａＲＩＭ強度及び光利用効率に与える影響は垂直放射角よりも水平放射角の方が大きいので、レーザー配置角度Ｒを容易に選択することができる。また、レーザー１０の水平放射角半値全角θｈが大きくなるほどレーザー配置角度Ｒが段階的に大きくなる。これにより、選択するレーザー配置角度が少なくて済み、レーザー配置角度Ｒを容易に選択することができる。
むろん、水平放射角半値全角θｈに対する閾値を複数段階設けてレーザー配置角度Ｒを３段階以上設けてもよい。
【００４９】
（５）光ピックアップ、及び、その製造方法の第三の例：
さらに、予め準備した複数の決まった配置角度それぞれに対応した複数種類の半導体レーザーホルダーを製造工程で放射角半値全角θｈ，θｖの個別データより選択し、選択したレーザーホルダーをシャーシ等に装着してもよい。
【００５０】
図１２は、レーザー固定部５０にシャーシといった基部５５とレーザーホルダー５６を設ける第三の例を模式的に示している。基部５５は、レーザーホルダー５６を装着する。レーザーホルダー５６は、レーザー１０を支持する。本具体例では、水平放射角半値全角θｈに対する閾値をθｈ１，θｈ２（θｈ１＜θｈ２）の２種類設けてレーザー配置角度ＲをＲ１，Ｒ０，Ｒ２（Ｒ１＜Ｒ０＜Ｒ２）の３段階設けている。従って、レーザーホルダー５６がレーザー配置角度Ｒに応じて異なる。水平放射角半値全角θｈが閾値θｈ１未満である場合、例えば、Ｒ＝Ｒ１用のレーザーホルダー５６を選択してレーザー１０を取り付け、このレーザー１０を取り付けたＲ＝Ｒ１用のレーザーホルダー５６を基部５５に装着すればよい。θｈ１≦θｈ＜θｈ２である場合、例えば、Ｒ＝Ｒ０用のレーザーホルダー５６を選択してレーザー１０を取り付け、このレーザー１０を取り付けたＲ＝Ｒ０用のレーザーホルダー５６を基部５５に装着すればよい。θｈ２≦θｈである場合、例えば、Ｒ＝Ｒ２用のレーザーホルダー５６を選択してレーザー１０を取り付け、このレーザー１０を取り付けたＲ＝Ｒ２用のレーザーホルダー５６を基部５５に装着すればよい。尚、レーザーホルダー５６を基部５５に装着した後、レーザー１０をレーザーホルダー５６に取り付けてもよい。
【００５１】
本具体例は、レーザー配置角度Ｒに応じたレーザーホルダー５６を基部５５に装着すればよいので、容易にレーザー１０を配置角度Ｒに固定することができる。
【００５２】
（６）光ピックアップ、及び、その製造方法の第四の例：
さらに、半導体レーザー１０を放射角によって複数種類のランクに分けておき、各ランクに対して予め決定しておいた配置角度Ｒでレーザー１０をレーザー固定部５０に固定してもよい。
【００５３】
図１３は、第四の例においてレーザー１０をランク分けしてレーザー固定部５０に固定する様子を模式的に示している。本具体例でも、水平放射角半値全角θｈに対する閾値をθｈ１，θｈ２（θｈ１＜θｈ２）の２種類設けてレーザー配置角度ＲをＲ１，Ｒ０，Ｒ２（Ｒ１＜Ｒ０＜Ｒ２）の３段階設けている。ここで、水平放射角半値全角θｈが閾値θｈ１未満であるレーザー１０をランクＡに分類し、θｈ１≦θｈ＜θｈ２であるレーザー１０をランクＢに分類し、θｈ２≦θｈであるレーザー１０をランクＣに分類している。
【００５４】
レーザー１０がランクＡである場合、レーザー配置角度ＲとしてＲ１を選択し、レーザー１０を配置角度Ｒ１にしてレーザー固定部５０に固定すればよい。レーザー１０がランクＢである場合、レーザー配置角度ＲとしてＲ０を選択し、レーザー１０を配置角度Ｒ０にしてレーザー固定部５０に固定すればよい。レーザー１０がランクＣである場合、レーザー配置角度ＲとしてＲ２を選択し、レーザー１０を配置角度Ｒ２にしてレーザー固定部５０に固定すればよい。尚、レーザーのランク数は、３以外にも、２でもよいし、４以上でもよい。
本具体例は、レーザー１０の水平放射角半値全角θｈが大きくなるほどレーザー配置角度Ｒが段階的に大きくなる。これにより、選択するレーザー配置角度が少なくて済み、レーザー配置角度Ｒを容易に選択することができる。
【００５５】
（７）光ピックアップ、及び、その製造方法の第五の例：
さらに、半導体レーザー１０を放射角によって複数種類のランクに分けておき、各ランクに対して予め準備された、各ランクに対応した配置角度で装着される半導体レーザーホルダー５６を選択し、選択したレーザーホルダー５６をシャーシ等に装着してもよい。
【００５６】
図１４は、第五の例においてレーザー１０をランク分けして基部５５にレーザーホルダー５６を装着する様子を模式的に示している。本具体例でも、水平放射角半値全角θｈに対する閾値をθｈ１，θｈ２（θｈ１＜θｈ２）の２種類設けてレーザー配置角度ＲをＲ１，Ｒ０，Ｒ２（Ｒ１＜Ｒ０＜Ｒ２）の３段階設けている。ここで、水平放射角半値全角θｈが閾値θｈ１未満であるレーザー１０をランクＡに分類し、θｈ１≦θｈ＜θｈ２であるレーザー１０をランクＢに分類し、θｈ２≦θｈであるレーザー１０をランクＣに分類している。
【００５７】
レーザー１０がランクＡである場合、レーザー配置角度ＲとしてＲ１を選択し、Ｒ＝Ｒ１用のレーザーホルダー５６を選択してレーザー１０を取り付け、このレーザー１０を取り付けたＲ＝Ｒ１用のレーザーホルダー５６を基部５５に装着すればよい。レーザー１０がランクＢである場合、レーザー配置角度ＲとしてＲ０を選択し、Ｒ＝Ｒ０用のレーザーホルダー５６を選択してレーザー１０を取り付け、このレーザー１０を取り付けたＲ＝Ｒ０用のレーザーホルダー５６を基部５５に装着すればよい。レーザー１０がランクＣである場合、レーザー配置角度ＲとしてＲ２を選択し、Ｒ＝Ｒ２用のレーザーホルダー５６を選択してレーザー１０を取り付け、このレーザー１０を取り付けたＲ＝Ｒ２用のレーザーホルダー５６を基部５５に装着すればよい。尚、レーザーホルダー５６を基部５５に装着した後、レーザー１０をレーザーホルダー５６に取り付けてもよい。尚、レーザーのランク数は、３以外にも、２でもよいし、４以上でもよい。
本具体例は、レーザーのランクに応じたレーザーホルダー５６を基部５５に装着すればよいので、容易にレーザー１０を配置角度Ｒに固定することができる。
【００５８】
（８）その他変形例：
レーザーからの出射ビームから所定方向の偏光成分を分離する偏光分離手段は、反射偏光成分を集光手段に供給する以外にも、透過偏光成分を集光手段に供給してもよい。
レーザー配置角度Ｒとの関係を持たせる放射角半値全角θは、水平放射角半値全角θｈが好ましいものの、放射角半値全角θｈ，θｖの組み合わせ等、水平放射角半値全角θｈのみに限定されない。
【００５９】
（９）結び：
以上説明したように、本発明によると、種々の態様により、部品コストを低減させることが可能な技術等を提供することができる。むろん、独立請求項に係る構成要件のみからなる技術等でも、上述した基本的な作用、効果が得られる。
【００６０】
また、本発明は、前記実施例に限られない。例えば、
・前記実施例の中で開示した相互に置換可能な部材及び構成等を置換して適用すること
・前記実施例の中で開示されていないが、公知技術であって前記実施例の中で開示した部材及び構成等と相互に置換可能な部材及び構成等に置換すること
・前記実施例の中で開示されていないが、公知技術等に基づいて当業者が前記実施例の中で開示した部材及び構成等の代用として想定し得る部材及び構成等に置換すること
は、いずれも実施可能である。これらの置換した態様も、本発明に含まれる。
【符号の説明】
【００６１】
１…光ピックアップ、
１０，１１…レーザー、
２０…偏光ビームスプリッタ（偏光分離手段）、
３０…集光手段、
３１…コリメータレンズ、３２…平行光集束手段、
３３，３４…立ち上げミラー、３５，３６…１／４波長板、３７，３８…対物レンズ、
４０…受光手段、４１…光検出器、
５０…レーザー固定部、５５…基部、５６…レーザーホルダー、
１００…光ディスク装置、
ＡＸ１…光軸、Ｄ１…偏光方向、Ｄ２…所定方向、Ｄ３…タンジェンシャル方向、
Ｌ１…（出射）ビーム、Ｌ１ａ…長径、Ｌ１ｉ…短径、Ｌ２…分離光、Ｌ３…平行光、
Ｍ０…光ディスク（記録媒体）、Ｍ１０…記録面。
【図１】
2016018575.tif 000010
【図２】
2016018575.tif 000011
【図３】
2016018575.tif 000012
【図４】
2016018575.tif 000013
【図５】
2016018575.tif 000014
【図６】
2016018575.tif 000015
【図７】
2016018575.tif 000016
【図８】
2016018575.tif 000017
【図９】
2016018575.tif 000018
【図１０】
2016018575.tif 000019
【図１１】
2016018575.tif 000020
【図１２】
2016018575.tif 000021
【図１３】
2016018575.tif 000022
【図１４】
2016018575.tif 000023