(57)【要約】      （修正有）【課題】基板と窒化物系半導体の界面での格子定数の不一致に従う貫通転位を格段に減らし、工程失敗率を減少させ、薄膜の欠陥を最小化して光素子の信頼性を確保する。【解決手段】基板１００上に第１マスク層２００ａを形成し、前記第１マスク層上２００ａに第２マスク層２００ｂを形成するステップ、第１マスク層２００ａ及び第２マスク層２００ｂを乾式エッチングして基板１００の一部がオープニングされた領域を形成するステップ、オープニングされた領域で第１マスク層２００ａを選択的に湿式エッチングして基板の一部が露出したリセス領域を形成するステップ、リセス領域に第３マスク層２００ｃを形成するステップ及び第３マスク層２００ｃの側面の露出した基板から窒化物系半導体５００を成長させてオープニングされた領域に成長を拡張するステップを含むことによる。【選択図】図１ｆ
2016072631.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に第１マスク層を形成し、前記第１マスク層上に第２マスク層を形成するステップと、
前記第１マスク層及び前記第２マスク層を乾式エッチングして前記基板の一部がオープニングされた領域を形成するステップと、
前記オープニングされた領域で前記第１マスク層を選択的に湿式エッチングして基板の一部が露出したリセス領域を形成するステップと、
前記リセス領域に第３マスク層を蒸着するステップと、
前記第３マスク層の側面の露出した基板から窒化物系半導体を成長させて前記オープニングされた領域に成長を拡張するステップと、
を含むことを特徴とする、高品位窒化物系半導体成長方法。
【請求項２】
前記オープニングされた領域に成長が拡張された窒化物系半導体が再成長して隣接する他のオープニングされた領域から再成長した窒化物半導体と結合されて前記第２マスク層の上部を覆った後、前記第１マスク層、前記第２マスク層、及び前記第３マスク層を湿式エッチングして空洞（void）を形成するステップと、
前記空洞（void）から前記オープニングされた領域に成長された窒化物系半導体を除去するステップと、
をさらに含むことを特徴とする、請求項１に記載の高品位窒化物系半導体成長方法。
【請求項３】
前記乾式エッチングの前に前記第２マスク層上にパターンを形成するステップをさらに含むことを特徴とする、請求項１に記載の高品位窒化物系半導体成長方法。
【請求項４】
前記第１マスク層、前記第２マスク層、及び前記第３マスク層は、各々独立的に、ＳｉＯ２、ＳｉＮ、Ｓｉ３Ｎ４、ＺｎＳ、Ｔａ２Ｏ５、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、Ｙ２Ｏ３、ＳＴＯ（ＳｒＴｉＯ３）、ＢＳＴ（（Ｂａ、Ｓｒ）ＴｉＯ３）、ＰＺＴ（ＰｂＺｒｘＴｉｙＯｚ）、及びシリコンオキシナイトライド（ＳｉＯＮ）のうち、いずれか１つの物質を含むものであることを特徴とする、請求項１に記載の高品位窒化物系半導体成長方法。
【請求項５】
前記第１マスク層は、前記第２マスク層よりエッチング率が大きいものであることを特徴とする、請求項１に記載の高品位窒化物系半導体成長方法。
【請求項６】
前記第３マスク層は、前記第１マスク層または第２マスク層と構成物質が同一または相異するものであることを特徴とする、請求項１に記載の高品位窒化物系半導体成長方法。
【請求項７】
前記湿式エッチングは、ブッ酸（ＨＦ）、塩酸（ＨＣｌ）、窒酸（ＨＮＯ３）、硫酸（Ｈ２ＳＯ４）、燐酸（Ｈ３ＰＯ４）、シュウ酸（oxalic acid）、緩衝酸化物エッチング剤（buffered oxide etchant：ＢＯＥ）、水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）、水酸化カリウム（ＫＯＨ）、過酸化水素（Ｈ２Ｏ２）、アセトン（Acetone）、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ；Tetramethyl armmonium hydroxide）、エチレンジアミン（ethyl enediamine）、ピロカテコール（pyrocatechol）、ヒドラジンキレーティングアミン（hydrazine chelating amines）、１,２−ジアミノエタン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（N,N-Dimethyl acetamide）、水（Water）のうちのいずれか１つ、またはこれらの組合せにより混合溶液を使用し、常温〜３５０℃温度で湿式エッチングするものであることを特徴とする、請求項１に記載の高品位窒化物系半導体成長方法。
【請求項８】
前記乾式エッチングは、Ｃｌ２、ＨＢｒ、ＨＣｌ、ＳＦ６、ＣＦ４、ＣＨＦ３、ＮＦ３、Ｏ２、またはＣＦＣｓ（ChloroFluoroCarbons）からなる群から選択された１つ以上のガスを用いるものであることを特徴とする、請求項１に記載の高品位窒化物系半導体成長方法。
【請求項９】
前記乾式エッチングは、Ｎ２、Ａｒ、及びＨｅのうち、１つ以上の不活性ガスをさらに含んで用いるものであることを特徴とする、請求項１に記載の高品位窒化物系半導体成長方法。
【請求項１０】
前記基板は、サファイア、Ｓｉ、ガラス、Quartz、ＧａＮ、ＧａＡｓ、ＳｉＣ、ＺｎＯ、及びＭｇＯからなる群から選択されるものであることを特徴とする、請求項１に記載の高品位窒化物系半導体成長方法。
【請求項１１】
前記窒化物系半導体は、ＡｌｘＧａｙＩｎ１−ｘ−ｙＮ（０＝ｘ＝１、０＝ｙ＝１、０＝ｘ＋ｙ＝１）として示すものであることを特徴とする、請求項１に記載の高品位窒化物系半導体成長方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は高品位窒化物系半導体成長方法に関し、より詳しくは、貫通電位（threading dislocation）欠陥が格段に減少した高品位窒化物系半導体成長方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
サファイアなどの基板にＧａＮを成長させて電子素子を製造する技術において、基板とＧａＮの界面で格子定数の不一致に従う格子不整合の程度が大きく示される（図５ａ参照）。このような格子定数の不一致に従う電位（dislocation）がＧａＮ薄膜の内部に伝播されて、ＬＥＤ、太陽電池などの電子素子性能を深刻に低下させる原因となっており、サファイア基板上に一層低い欠陥密度のＧａＮ薄膜を成長させることがＬＥＤの性能と信頼性を向上させる解決方案となっている。
【０００３】
これに対する解決方案として、サファイア基板またはサファイア基板に薄く成長されたＧａＮ薄膜の表面上にＳｉＮｘまたはＳｉＯ２物質でマスクパターニングを形成した後、ＧａＮ薄膜を成長するエピタキシ側面過成長（ＥＬＯＧ；Epitaxy Lateral Overgrowth）法が開発された（図５ｃ参照）。
【０００４】
しかしながら、このようなＥＬＯＧ法はＳｉＯ２マスクが異種接合に従うＧａＮ薄膜の中の欠陥の伝播を遮断して減少させることによって貫通電位（threading dislocation）欠陥が１０７ｃｍ−２水準に大幅減少したが、結晶成長過程が２段階に亘って施行されるため、汚染などによる工程失敗率が増加するという問題点が提起されてきた。
【０００５】
このようなＥＬＯＧ法の問題点を補完するために、サファイア基板上に微細凹凸を形成したパターン形成サファイア基板（ＰＳＳ；patterned sapphire substrate）が最近広く用いられてきた（図５ｂ参照）。このようなＰＳＳは、一般的に数μｍサイズの多角形や円錐を四方数μｍμｍの一定の間隔で陽刻または陰刻で配列させたものであって、パターンの深さまたは高さは通常０．５μｍ内外であって、乾式または湿式エッチング法を使用する。
【０００６】
しかしながら、ＰＳＳを用いてＧａＮ単結晶を成長させる方法は、根本的な問題点である欠陥密度を改善するものではなく、単にＬＥＤを製作した時、陰刻形態の基板界面から光が反射されるので、平面の一般サファイア基板を使用した時より光素子の光抽出率を約１５％位向上させることができる。これは、基板界面の反射による集光効果に起因したものであり、ＧａＮ薄膜の欠陥が減ったことに起因しないので、光素子の信頼性に相変らず問題点が存在するようになる。
【０００７】
また、前述したＥＬＯＧ法とＰＳＳ法の場合、フォトリソグラフィ（Photolithography）工程を用いてＳｉＯ２を蒸着した後、乾式または湿式エッチングにより微細パターニングを行うことが必須であるので、工程上の過程が複雑になり、これによる不良率が発生することがあるという共通の問題点を有しており、素子の性能に最も大きい影響を及ぼす要因である垂直に生成される貫通電位（threading dislocation）を格段に減少させることはできなかった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】韓国公開特許番号第２００５−００００５１１号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明の一態様は、基板と窒化物系半導体の界面での格子定数の不一致に従う貫通電位を格段に減少させることができ、結晶成長過程が比較的単純で、不良率発生が減った窒化物系半導体成長方法を提示しようとする。
【００１０】
しかしながら、本発明が解決しようとする課題は以上で言及した課題に制限されず、言及されていない更に他の課題は以下の記載から当業者に明確に理解されるべきである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
前記のような目的を達成するために、本発明の一態様は、基板上に第１マスク層を形成し、前記第１マスク層上に第２マスク層を形成するステップ；前記第１マスク層及び前記第２マスク層を乾式エッチングして前記基板の一部がオープニングされた領域を形成するステップ；前記オープニングされた領域で前記第１マスク層を選択的に湿式エッチングして基板の一部が露出したリセス領域を形成するステップ；前記リセス領域に第３マスク層を形成するステップ；及び前記第３マスク層の側面の露出した基板から窒化物系半導体を成長させて前記オープニングされた領域に成長を拡張するステップを含む高品位窒化物系半導体成長方法を提供する。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、基板と窒化物系半導体の界面での格子定数の不一致に従う貫通電位を格段に減らし、工程失敗率を減少させ、薄膜の欠陥を最小化して光素子の信頼性を確保することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１ａ】本発明の一実施形態に従う高品位窒化物系半導体成長方法を図式化した図である。
【図１ｂ】本発明の一実施形態に従う高品位窒化物系半導体成長方法を図式化した図である。
【図１ｃ】本発明の一実施形態に従う高品位窒化物系半導体成長方法を図式化した図である。
【図１ｄ】本発明の一実施形態に従う高品位窒化物系半導体成長方法を図式化した図である。
【図１ｅ】本発明の一実施形態に従う高品位窒化物系半導体成長方法を図式化した図である。
【図１ｆ】本発明の一実施形態に従う高品位窒化物系半導体成長方法を図式化した図である。
【図２ａ】本発明の一実施形態に従う高品位窒化物系半導体を基板から分離する過程を示す図である。
【図２ｂ】本発明の一実施形態に従う高品位窒化物系半導体を基板から分離する過程を示す図である。
【図２ｃ】本発明の一実施形態に従う高品位窒化物系半導体を基板から分離する過程を示す図である。
【図２ｄ】本発明の一実施形態に従う高品位窒化物系半導体を基板から分離する過程を示す図である。
【図３】本発明の一実施形態に従って成長した高品位窒化物系半導体の走査電子顕微鏡写真である。
【図４】本発明の一実施形態に従って形成されたＴ字型マスク層と再成長したＧａＮ層を図式化した図である。
【図５】従来の窒化物系半導体（ＧａＮ）成長方法上の問題点を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、添付した図面を参照して本願が属する技術分野で通常の知識を有する者が容易に実施することができるように本願の実施形態を詳細に説明する。しかしながら、本願は各種の相異する形態に具現されることができ、ここで説明する実施形態に限定されるものではない。そして、図面で本願を明確に説明するために説明と関係のない部分は省略し、明細書の全体に亘って類似の部分に対しては類似の図面符号を与えた。
【００１５】
本願明細書の全体で、ある部材が他の部材“上に”または“上部に”位置しているという時、これはある部材が他の部材に接している場合だけでなく、２部材の間に更に他の部材が存在する場合も含む。
【００１６】
本願明細書の全体で、ある部分がある構成要素を“含む”とするという時、これは特別に反対の記載がない限り、他の構成要素を除外するものでなく、他の構成要素をさらに含むことができることを意味する。本願明細書の全体で使われる程度の用語“約”、“実質的に”などは言及された意味に固有な製造及び物質許容誤差が提示される時、その数値で、またはその数値に近接した意味として使われて、本願の理解を助けるために正確であるか、または絶対的な数値が言及された開示内容の非良心的な侵害者による不当な利用を防止するために使われる。本願明細書の全体で使われる程度の用語“〜（する）ステップ”または“〜のステップ”は“〜のためのステップ”を意味するものではない。
【００１７】
本明細書で、“構成される”または“含む”などの用語は、明細書上に記載された多くの構成要素、または多くのステップを必ず全て含むものと解析されてはならず、そのうちの一部の構成要素または一部のステップは含まれないこともあり、または追加的な構成要素またはステップをさらに含むことができるものと解析されなければならない。
【００１８】
また、本明細書で使われる第１、第２などのように、序数を含む用語は多様な構成要素を説明することに使用できるが、前記構成要素は前記用語により限定されてはならない。前記用語は１つの構成要素を他の構成要素から区別する目的のみに使われる。例えば、本発明の権利範囲を逸脱することなく、第１構成要素は第２構成要素として命名されることができ、同様に、第２構成要素も第１構成要素として命名できる。
【００１９】
本発明は、サファイア、Ｓｉなどの基板にＧａＮ、ＩｎＧａＮなどの窒化物系半導体を成長させるに当たって、エッチング過程を通じてＴ字形態に形成された誘電体マスク、または金属マスクを用いて格子不整合による電位（dislocation）を減少させる技術に関するものである。延いては、基板上に窒化物系半導体層を成長させた後、前記窒化物系半導体層から基板を分離することを開示する。
【００２０】
基板は窒化物系半導体層を成長させることができる基板であれば限定せず、絶縁性基板、導電性基板、または回路基板でありうる。例えば、サファイア、Ｓｉ、ガラス、Quartz、ＧａＮ、ＧａＡｓ、ＳｉＣ、ＺｎＯ、及びＭｇＯからなる群から選択できる。また、金属基板、セラミック基板、またはＰＣＢ基板でありうる。
【００２１】
本発明で窒化物系半導体とは、例えば、ＡｌＮ、ＧａＮ、ＩｎＮのような２元系、ＡｌｘＧａ１−ｘＮ、ＡｌｘＩｎ１−ｘＮ、ＧａｘＩｎ１−ｘＮ（全て０＜ｘ＜１）のような３元系、ＡｌｘＧａｙＩｎ１−ｘ−ｙＮ（０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜１、０＜ｘ＋ｙ＜１）の４元系を包括する一般式ＡｌｘＧａｙＩｎ１−ｘ−ｙＮ（０＝ｘ＝１、０＝ｙ＝１、０＝ｘ＋ｙ＝１）で表現できる。本明細書では、別の言及がない限り、単純に窒化物系半導体という場合には電導型をｐ型またはｎ型と仮定するために不純物がドーピングされた窒化物系半導体も含むこととする。
【００２２】
以下、本発明の高品位窒化物系半導体成長方法を図１ａから図１ｆ、そして図２ａから図２ｄを参照しつつ説明する。
【００２３】
まず、図１ａから図１ｆを参照すると、基板１００の上に第１マスク層２００ａを形成し、前記第１マスク層２００ａの上に第２マスク層２００ｂを形成する。前記第１マスク層２００ａ及び前記第２マスク層２００ｂは、エッチングマスク役割をするものであって、後述するＴ字形態のマスク製造のために前記第１マスク層２００ａは前記第２マスク層２００ｂよりエッチング率（etching rate）が大きいものが好ましい。
【００２４】
前記第１マスク層２００ａ及び前記第２マスク層２００ｂは、誘電体または金属物質のものが好ましく、各々独立的に多結晶シリコン、多結晶窒化物半導体などの多結晶半導体、酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）、酸化チタン（ＴｉＯｘ）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯｘ）などの酸化物、窒化物、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）のような高融点金属を含むことができる。具体的な例には、ＳｉＯ２、ＳｉＮ、Ｓｉ３Ｎ４、ＺｎＳ、Ｔａ２Ｏ５、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、Ｙ２Ｏ３、ＳＴＯ（ＳｒＴｉＯ３）、ＢＳＴ（（Ｂａ、Ｓｒ）ＴｉＯ３）、ＰＺＴ（ＰｂＺｒｘＴｉｙＯｚ）、及びシリコンオキシナイトライド（ＳｉＯＮ）のうちのいずれか１つの物質を含むものでありうるが、特別に制限されるものではない。
【００２５】
前記第１マスク層２００ａ及び前記第２マスク層２００ｂを形成する方法は、ＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemical Vapor Deposition）、ＣＳＶＴ（Close Space Vapour phase Transport）、ＰＥＣＶＤ（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition）、ＭＢＥ（Molecular Beam Epitaxy）、電子ビーム蒸発（E-beam evaporation）、またはＨＶＰＥ（Hydride Vapor Phase Epitaxy）などの技術を用いて形成することができる。
【００２６】
次に、前記第１マスク層２００ａ及び前記第２マスク層２００ｂを乾式エッチングして前記基板１００の一部がオープニングされた領域３００を形成する。エッチングガスを用いて遂行された乾式エッチングにより異方性エッチングがなされることができる。
【００２７】
前記乾式エッチング工程の例には、プラズマエッチング、イオンビームミリング（Ion Beam Milling）、ＲＩＥ（Reactive Ion Etching）、ＭＥＲＩＥ（Magnetically Enhanced RIE）、ＩＣＰ（Inductively Coupled Plasma）、ＴＣＰ（Transformer Coupled Plasma）、ＥＣＲ（Electron Cyclotron Resonance）などが挙げられる。前記エッチングガスは、Ｃｌ２、ＨＢｒ、ＨＣｌ、ＳＦ６、ＣＦ４、ＣＨＦ３、ＮＦ３、Ｏ２、またはＣＦＣｓ（ChloroFluoroCarbons）からなる群から選択された１つ以上のガスが用いられるが、これに制限されるものではない。また、前記乾式エッチングは、Ｎ２、Ａｒ、及びＨｅのうちの１つ以上の不活性ガスをさらに含んで用いることもできる。前記乾式エッチングの工程時間によって前記オープニングされた領域３００のサイズを調節することができる。前記オープニングされた領域３００は、例えば、多角形、特に六角形、三角形、四角形のうちから選択できるストライプまたは点開口であるか、またはこのような開口の組合せでありうる。
【００２８】
前記乾式エッチングの前に前記第２マスク層２００ｂの上にパターンを形成するステップをさらに含むこともできる。リフトオフ（liftoff）技術などを用いて多様なパターンを有するように形成できる。例えば、前記第２マスク層２００ｂは、ストライプパターン、多角形パターンなどの形状を有するように形成できる。前記第２マスク層２００ｂをエッチングマスクに活用して第１マスク層２００ａをエッチングして第２マスク層２００ｂから基板１００の表面まで到達する開口を形成して開口内で基板１００の上面が露出するオープニングされた領域３００を形成することができる。
【００２９】
前記乾式エッチングによりオープニングされた領域３００で前記第１マスク層２００ａを選択的に湿式エッチングして基板１００の一部が露出したリセス領域４００を形成する。湿式エッチング工程により等方性エッチングがなされることができる。この際、前記第１マスク層２００ａは前記第２マスク層２００ｂよりエッチング率（etching rate）が大きいので、第１マスク層２００ａが選択的にエッチングされる。
【００３０】
前記湿式エッチングのためのエッチング液は誘電体または金属を含むマスク層をエッチングできるものであれば構わず、その例に、ブッ酸（ＨＦ）、塩酸（ＨＣｌ）、窒酸（ＨＮＯ３）、硫酸（Ｈ２ＳＯ４）、燐酸（Ｈ３ＰＯ４）、シュウ酸（oxalic acid）、緩衝酸化物エッチング剤（buffered oxide etchant：ＢＯＥ）、水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）、水酸化カリウム（ＫＯＨ）、過酸化水素（Ｈ２Ｏ２）、アセトン（Acetone）、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ；Tetramethyl armmonium hydroxide）、エチレンジアミン（ethyl enediamine）、ピロカテコール（pyrocatechol）、ヒドラジンキレーティングアミン（hydrazine chelating amines）、１,２−ジアミノエタン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（N,N-Dimethylacetamide）、水（Water）のうちのいずれか１つ、またはこれらの組合せによる混合溶液を使用することができる。以外に、電気化学エッチング（Electro-Chemical Etching；ＥＣＥ）工程を排除するものではない。湿式エッチング工程は、常温〜３５０℃温度で遂行することができる。
【００３１】
前記湿式エッチングにより形成された前記リセス領域４００に第３マスク層２００ｃを形成する。前記第３マスク層２００ｃは、前記第１マスク層２００ａまたは第２マスク層２００ｂと構成物質が同一または相異するものでありうる。図３の写真を通じてリセス領域４００とその内部に形成された第３マスク層２００ｃ（ＳｉＯ２）を確認することができる。
【００３２】
次に、前記第３マスク層２００ｃの側面の露出した基板１００から窒化物系半導体を成長させて前記オープニングされた領域３００に成長を拡張する。前記窒化物系半導体は垂直成長に加えて、エピタキシ側面過成長（Epitaxy Lateral Overgrowth）を伴って成長することができる。窒化物系半導体の成長は、ＨＶＰＥ（Halide Vapour Phase Epitaxy）、ＣＳＶＴ（Close Space Vapour Phase Transport）が使用できるが、ＭＯＶＰＥ（Metal Organic Vapour Phase Epitaxy）を好ましく使用して実行される。
【００３３】
前記オープニングされた領域３００に成長が拡張された窒化物系半導体は、側面成長を伴って再成長し、したがって、隣接する他のオープニングされた領域から再成長した窒化物半導体と結合されて（merge）前記第２マスク層２００ｂの上部を覆うことができる。この際、前記第２マスク層２００ｂの上部を覆った窒化物半導体層５００が形成できる。
【００３４】
前記第２マスク層２００ｂと前記再成長した窒化物系半導体層５００との間には１つまたは複数の任意のマスク層がさらに介入されることができ、例えば、図１ｆに示すように、第３マスク層２００ｃが介在できる。これは、前記リセス領域４００に第３マスク層２００ｃを形成する過程で形成された第３マスク層２００ｃでありうる。
【００３５】
前記第２マスク層２００ｂが安定的に窒化物系半導体により覆われるように、マスク層（第１マスク層２００ａ及び第２マスク層２００ｂ）の高さ及び幅を調節することができる。例えば、マスク層の幅は１から５０μｍに形成されることができ、好ましくは３から１０μｍに形成できる。また、マスク層の高さは約６μｍに形成できる。但し、本発明はこれに限定されるものではない。
【００３６】
前記第２マスク層２００ｂの上に再成長された窒化物系半導体層５００はＥＬO（Epitaxial Lateral Overgrowth）技術を用いて形成されたものであって、マスク層により下層からの貫通電位が遮られるか、または成長方向に追って横に撓むようになるので、表面まで到達する結晶欠陥の数は格段に減るようになる。
【００３７】
延いては、前記マスク層の高さ及び幅によって、窒化物系半導体の側面成長速度と垂直成長速度との割合が調節できる。例えば、窒化物系半導体の垂直成長速度と側面成長速度との割合は１：２から２：１の範囲を有することができ、好ましくは１：２から１：１の範囲を有することができる。但し、本発明はこれに限定されるものではない。
【００３８】
前記オープニングされた領域３００は窒化物系半導体が第２マスク層２００ｂの上部に再成長するシードとしての役割をすることができ、また、後述するマスク層２００の除去後に第２マスク層２００ｂの上部に再成長した窒化物系半導体層５００と基板１００とを接合する役割をすることができる。したがって、オープニングされた領域３００は窒化物系半導体層５００が成長されるようにシードとして機能することができる程度の幅を有することが好ましい。これに加えて、マスク層２００の除去後に、基板１００を窒化物系半導体層５００から容易に分離するために接合面積が最小化されることが好ましい。したがって、オープニングされた領域３００の幅は０．５から２μｍに形成されることができ、延いては、約１μｍに形成できる。但し、本発明はこれに限定されるものではない。
【００３９】
以後、前記第１マスク層２００ａ、前記第２マスク層２００ｂ、及び前記第３マスク層２００ｃを第１エッチング溶液を使用して湿式エッチングして除去し、オープニングされた領域３００に成長した窒化物系半導体は第２エッチング溶液を使用して除去することによって、第２マスク層２００ｂの上に再成長した窒化物系半導体層５００を基板１００から分離することができる。
【００４０】
より詳しくは、まず第１エッチング溶液を用いて第１マスク層２００ａ、前記第２マスク層２００ｂ、及び前記第３マスク層２００ｃを除去して空洞（void）を形成する。この際、使用できる第１エッチング溶液はＨＣｌ及びＨ２ＳＯ４のうちの少なくとも１つを含むことができ、前述したリセス領域４００を形成するためのエッチング溶液のうちから選択して使用することもできる。
【００４１】
次に、第２エッチング溶液は前記空洞（void）及びマスク層（第１マスク層２００ａ、前記第２マスク層２００ｂ、及び前記第３マスク層２００ｃ）が除去された領域をチャンネルに利用し、基板１００と窒化物系半導体層５００との間に侵入することができる。前記第２エッチング溶液は、前記空洞（void）から前記オープニングされた領域３００に成長された窒化物系半導体を側面エッチングして除去することができる。第２エッチング溶液は、ＫＯＨ、ＨＦ、及びＢＯＥ（Buffered Oxide Etchant）のうちの少なくとも１つを含むことができ、前述したリセス領域４００を形成するためのエッチング溶液のうちから選択して使用することもできる。
【００４２】
第２エッチング溶液を使用する代わりに、またはこれと並行して物理的・化学的方法により窒化物系半導体層５００を基板１００から分離することもできる。また、前記オープニングされた領域３００の幅を調節して窒化物系半導体層５００の形成及び基板１００の分離をより容易にすることもできる。
【００４３】
前記第１エッチング溶液を使用する場合、及び前記第２エッチング溶液を使用する場合の湿式エッチングのためのエッチング液及び工程条件は前述したものと同一であるので、重複記載は省略する。
【００４４】
第２マスク層２００ｂの上に再成長した窒化物系半導体層５００は前述したように、電位などの結晶欠陥が顕著に減少して結晶性が良好な状態であるので、これを分離して電子素子に活用すれば、素子の性能向上を期待することができる。
【００４５】
本発明の方法により成長された窒化物系半導体は、ＬＥＤ、Ｐ−Ｎ接触、薄膜トランジスタ、単一接合太陽電池、多重接合太陽電池、フォトダイオード、レーザー、センサー、電気−光学素子、ＣＭＯＳ素子、ＭＯＳＦＥＴ素子、ＭＥＳＦＥＴ素子、太陽電池（photovoltaic cell）、微細電磁機械的素子、ナノ電磁機械的素子（nanoelectromechanical device）、ＨＥＭＴ素子、発光トランジスタなどに活用できることと期待される。
【００４６】
以下、実施形態を通じて本発明を詳細に説明する。但し、以下の実施形態は本発明をより詳細に説明するための例であり、本発明の権利範囲を制限するものではない。
【００４７】
（実施形態）
ＧａＮ基板上にＭＯＣＶＤ方法によりＳｉＯ２層（第１マスク層）、ＳｉＮ層（第２マスク層）を順次に形成した。以後、前記ＳｉＮ層の上にパターンを形成し、乾式の反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）により前記ＳｉＯ２層、ＳｉＮ層を垂直エッチングして前記基板の一部がオープニングされた領域を形成した。
【００４８】
次に、ＢＯＥ湿式エッチングを通じてオープニングされた領域で前記ＳｉＯ２層（第１マスク層）を選択的にエッチングしてリセス領域を形成した。次に、前記リセス領域にＳｉＯ２層（第３マスク層）をＭＯＣＶＤ方法により形成した。前記リセス領域に形成されたＳｉＯ２層の側面の露出した基板からＧａＮを成長させてオープニングされた領域に成長を拡張した後、前記ＳｉＮ層の上部に再成長させて隣接するオープニングされた領域から再成長したＧａＮが結合されるようにした。このように形成されたＴ字型マスク層と再成長したＧａＮ層は図４に図式化した。リセス領域に成長したＧａＮは貫通電位（Threading Dislocations）が大きく示されることと予想されるが、ＳｉＮ層の上部に再成長したＧａＮはＳｉＮ層（第２マスク層）及びＳｉＯ２層（第３マスク層）が下部から伝播される貫通電位を塞いで電位がほとんどない状態と予想される。
【００４９】
次に、電位がほとんどない部分のＧａＮを得るために、ＫＯＨ湿式エッチングを通じて前記第１マスク層、第２マスク層、及び第３マスク層を除去し、次に、前記オープニングされた領域に形成されたＧａＮを追加で除去して基板からＧａＮを分離した。
【００５０】
分離されたＧａＮの電位密度は１０６ｃｍ−２以下に得られて、これは従来の方法により成長されたＧａＮの電位密度である１０８〜１０１０ｃｍ−２より顕著に低い値として評価される。即ち、実施形態のような方法により製造された高品位窒化物系半導体は、マスク層により下層からの貫通電位が遮られるか、または成長方向に沿って横に撓むようになるので、表面まで到達する結晶欠陥の数が格段に減るようになる。ここに、基板と窒化物系半導体の界面での格子定数の不一致に従う貫通電位を格段に減らし、工程失敗率を減少させ、薄膜の欠陥を最小化して光素子の信頼性を確保することができる。
【図１ａ】
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【図１ｂ】
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【図１ｃ】
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【図１ｄ】
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【図１ｅ】
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【図１ｆ】
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【図２ａ】
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【図２ｂ】
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【図２ｃ】
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【図２ｄ】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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