(57)【要約】【課題】リードフレームの足が逸脱するという問題を解決し、表面実装技術の接着力を強化することが可能なＱＦＮパッケージ構造体およびＱＦＮパッケージング方法を提供する。【解決手段】ＱＦＮパッケージ構造体１０は、薄膜層２０、導通層３０、チップ４０、封止樹脂５０および複数の突起状金属塊６０を備える。薄膜層２０は複数の穿孔２３を有する。導通層３０は基座３１および導通回路３３を有し、基座３１および導通回路３３は相互に導通せずに薄膜層２０に配置されており、導通回路３３は穿孔２３に位置している。チップ４０は基座３１に固定されており、かつ導通回路３３に電気的に接続されている。封止樹脂５０は導通層３０およびチップ４０に被さる。突起状金属塊６０は穿孔２３の中に配置されており、一端が導通回路３３に電気的に接続されており、他端が穿孔２３から突出する。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
薄膜層を製作するステップと、
前記薄膜層の表面に導通層を製作するステップと、
回路配置の作業によって前記導通層に基座および複数の導通回路を製作し、前記導通回路と前記基座とを相互に導通させずに隣り合わせるステップと、
固定作業によって前記基座にチップを配置するステップと、
電気的接続の作業によって前記チップおよび前記導通回路を電気的に接続するステップと、
前記チップおよび前記導通回路を封止樹脂で被せるステップと、
穴あけ作業によって前記薄膜層に複数の穿孔を形成し、前記導通回路を前記穿孔に露出させるステップと、
複数の突起状金属塊を前記穿孔の中に配置し、かつ前記突起状金属塊と前記導通回路とを電気的に接続させるステップと、
を含むことを特徴とするＱＦＮパッケージング方法。
【請求項２】
さらに接着性のある樹脂を前記薄膜層に配置し、前記導通層を接着する工程を含むことを特徴とする請求項１に記載のＱＦＮパッケージング方法。
【請求項３】
前記固定作業は、ダイアタッチ工法であることを特徴とする請求項１に記載のＱＦＮパッケージング方法。
【請求項４】
前記電気的接続の作業は、ワイヤ・ボンディング工程であることを特徴とする請求項１に記載のＱＦＮパッケージング方法。
【請求項５】
前記穴あけ作業は、レーザー穴あけ工程であることを特徴とする請求項１に記載のＱＦＮパッケージング方法。
【請求項６】
前記封止樹脂は、モールディング工程によって製作されることを特徴とする請求項１に記載のＱＦＮパッケージング方法。
【請求項７】
薄膜層、導通層、チップ、封止樹脂および複数の突起状金属塊を備え、
前記薄膜層は、複数の穿孔を有し、
前記導通層は、基座および複数の導通回路を有し、前記基座および前記導通回路が相互に導通せずに前記薄膜層に配置されており、前記導通回路が前記穿孔に位置しており、
前記チップは、前記基座に固定されており、かつ前記導通回路に電気的に接続されており、
前記封止樹脂は、前記導通層および前記チップに被さっており、
前記突起状金属塊は、前記穿孔の中に配置されており、一端が前記導通回路に電気的に接続されており、他端が前記穿孔から突出することを特徴とするＱＦＮパッケージ構造体。
【請求項８】
前記チップと前記導通回路とを電気的に接続する少なくとも一つのワイヤをさらに備えることを特徴とする請求項７に記載のＱＦＮパッケージ構造体。
【請求項９】
前記薄膜層は、樹脂を有し、前記樹脂は前記基座および前記導通回路を接着および固定することを特徴とする請求項７に記載のＱＦＮパッケージ構造体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パッケージ構造体およびパッケージング方法に関し、詳しくはＱＦＮパッケージ構造体およびＱＦＮパッケージング方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
科学技術の進歩に伴って高度産業科学技術のうちの電子産業は絶えずヒューマンエレクトロニクス製品を積極的に開発および発表すると同時に、部品体積を縮減し、生産コストを効果的に削減し、良好な電気性を確保するために、半導体パッケージング技術のうちの縮小化技術、例えばＱＦＮ（Ｑｕａｄ  Ｆｌａｔ  Ｎｏｎ−ｌｅａｄ  Ｐａｃｋａｇｅ）またはＷＬＣＳＰ（Ｗａｆｅｒ  Ｌｅｖｅｌ  Ｃｈｉｐ  Ｓｉｚｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）を著しく発展させた。
【０００３】
従来のＱＦＮパッケージング方法は、ダイアタッチ工法によってリードフレームにチップを配置し、複数のワイヤによってチップとリードフレームとを電気的に接続し、樹脂封入によってリードフレーム、チップおよびワイヤを覆い、ＱＦＮパッケージ構造体を完成させることである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−２４４１０２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、リードフレームの足が逸脱するという問題を解決し、表面実装技術（Ｓｕｒｆａｃｅ  Ｍｏｕｎｔ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ）の接着力を強化することが可能なＱＦＮパッケージ構造体およびＱＦＮパッケージング方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上述の目的を達成するために、本発明によるＱＦＮパッケージング方法は下記のステップを含む。
まず薄膜層を製作する。
続いて薄膜層の表面に導通層を製作する。
続いて回路配置の作業によって導通層に基座および複数の導通回路を製作する。導通回路と基座とは相互に導通せずに隣り合う。
続いて固定作業によって基座にチップを配置する。
続いて電気的接続の作業によってチップおよび導通回路を電気的に接続する。
続いてチップおよび導通回路を封止樹脂で被せる。
続いて穴あけ作業によって薄膜層に複数の穿孔を形成し、導通回路を穿孔に露出させる。
続いて複数の突起状金属塊を穿孔の中に配置し、かつ突起状金属塊と導通回路とを電気的に接続させる。
【０００７】
上述したステップは、さらに接着性のある樹脂を薄膜層に配置し、導通層を接着する工程を含む。
【０００８】
固定作業は、ダイアタッチ工法（Ｄｉｅ  Ａｔｔａｃｈｅｄ）である。
【０００９】
電気的接続の作業はワイヤ・ボンディング工程（Ｗｉｒｅ  Ｂｏｎｄｉｎｇ）である。
【００１０】
穴あけ作業は、レーザー穴あけ工程（Ｌａｓｅｒ  Ｄｒｉｌｌ  Ｈｏｌｅ）である。
【００１１】
封止樹脂は、モールディング工程（Ｍｏｌｄｉｎｇ）によって製作される。
【００１２】
上述の目的を達成するために、本発明によるＱＦＮパッケージ構造体は、薄膜層、導通層、チップ、封止樹脂および複数の突起状金属塊を備える。薄膜層は複数の穿孔を有する。導通層は薄膜層に配置されており、基座および複数の導通回路を有する。
基座および導通回路は相互に導通しない。導通回路は穿孔に位置している。チップは基座に固定されており、かつ導通回路に電気的に接続されている。封止樹脂は導通層およびチップに被さっている。突起状金属塊は穿孔の中に配置されており、一端が導通回路に電気的に接続され、他端が穿孔から突出する。
【００１３】
上述した構造は、さらに少なくとも一つのワイヤを備える。ワイヤはチップと導通回路とを電気的に接続する。
【００１４】
薄膜層は樹脂を有する。樹脂は基座および導通回路を接着および固定する。
【００１５】
上述した構造により、本発明によるＱＦＮパッケージ構造体およびＱＦＮパッケージング方法は、リードフレームの足が逸脱するという問題を解決し、表面実装技術の接着力を強化することができる。
【００１６】
本発明の詳細な構造、特徴および目的を、以下の実施形態および図面の詳細な説明に基づいて説明する。また、以下の詳細な説明および本発明により提示された実施形態は本発明を説明するための一例に過ぎず、本発明の請求範囲を限定できないことは、本発明にかかわる領域の常識を有する人であれば理解できるはずである。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の一実施形態によるＱＦＮパッケージ構造体を示す模式図である。
【図２ａ】本発明の一実施形態によるＱＦＮパッケージング方法のプロセスを示す模式図である。
【図２ｂ】本発明の一実施形態によるＱＦＮパッケージング方法のプロセスを示す模式図である。
【図２ｃ】本発明の一実施形態によるＱＦＮパッケージング方法のプロセスを示す模式図である。
【図２ｄ】本発明の一実施形態によるＱＦＮパッケージング方法のプロセスを示す模式図である。
【図２ｅ】本発明の一実施形態によるＱＦＮパッケージング方法のプロセスを示す模式図である。
【図２ｆ】本発明の一実施形態によるＱＦＮパッケージング方法のプロセスを示す模式図である。
【図２ｇ】本発明の一実施形態によるＱＦＮパッケージング方法のプロセスを示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明によるＱＦＮパッケージ構造体およびＱＦＮパッケージング方法を図面に基づいて説明する。
【００１９】
（一実施形態）
図１に示すように、本発明の一実施形態によるＱＦＮパッケージ構造体１０は、薄膜層２０、導通層３０、チップ４０、封止樹脂５０および複数の突起状金属塊６０を備える。
【００２０】
薄膜層２０は、樹脂２１および複数の穿孔２３を有する。穿孔２３は薄膜層２０および樹脂２１を貫通する。本実施形態において、薄膜層２０は一面のみに接着剤がある薄膜であるが、これに限らず、接着性のあるテープからなってもよい。
【００２１】
導通層３０は、薄膜層２０に配置され、基座３１および複数の導通回路３３を有する。基座３１および導通回路３３は相互に導通しない。導通回路３３は穿孔２３に位置付けられる。本実施形態において、基座３１および導通回路３３は銅箔（Ｃｕ  ｆｏｉｌ）からなる。基座３１は樹脂２１に固着する。導通回路３３は大部分が基座３１とともに樹脂２１に固着し、僅かの一部分が穿孔２３上の樹脂２１に固着しない部位に位置付けられる。
【００２２】
チップ４０は、基座２１に固定され、ワイヤ７０によって導通回路３３に電気的に接続される。本実施形態において、ワイヤ７０の数は一本に限らず、使用状況に応じて増加してもよい。図１に示すように、ワイヤ７０は２本である。二つのワイヤ７０は二つの導通回路３３に別々に電気的に接続される。
【００２３】
封止樹脂５０は、導通層３０およびチップ４０に被さることで、チップ４０、導通回路３３およびワイヤ７０を保護する。
【００２４】
突起状金属塊６０は、穿孔２３の中に配置され、一端が導通回路３３に電気的に接続され、他端が穿孔２３から突出する。上述した構造により、チップ４０の信号はワイヤ７０によって導通回路３３に伝送され、かつ導通回路３３と電気的に接続する突起状金属塊６０によって外部へ出力されることができる。一方、突起状金属塊６０は水平方向作用力Ｆ１が薄膜層２０の穿孔２３に制限され、垂直方向作用力Ｆ２が導通回路３３によって固定されるため、本発明によるＱＦＮパッケージ構造体１０がそれぞれの方向から外力を受けても、突起状金属塊６０は導通回路３３に安定性を保って固定される。従ってリードフレームの足が逸脱するという問題を解決し、表面実装技術の接着力を強化することができる。
【００２５】
図２に示すように、本発明の一実施形態によるＱＦＮパッケージング方法は次のステップを含む。
【００２６】
図２ａに示すように、ステップＡは薄膜層２０の表面に導通層３０を製作する。本実施形態は薄膜層２０の表面に接着性のある樹脂２１を配置することによって、導通層３０を薄膜層２０に固着させることができる。
【００２７】
図２ｂに示すように、ステップＢは、回路配置の作業によって基座３１および複数の導通回路３３を導通層３０に製作する。導通回路３３と基座３１とは相互に導通せずに隣り合う。本実施形態において、回路配置の作業は再配線技術（Ｒｅ−Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎ）に基づいて所定の導通回路３３を導通層３０に製作する。即ち業界に言われる再配線層（Ｒｅ−Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎ  Ｌａｙｅｒ，ＲＤＬ）を製作することである。
【００２８】
図２ｃに示すように、ステップＣは、固定作業によって基座３１にチップ４０を配置する。固定作業は、ダイアタッチ工法（Ｄｉｅ  Ａｔｔａｃｈｅｄ）である。
【００２９】
図２ｄに示すように、ステップＤは電気的接続の作業によってチップ４０および導通回路３３を電気的に接続する。電気的接続の作業はワイヤ・ボンディング工程（Ｗｉｒｅ  Ｂｏｎｄｉｎｇ）であるため、ワイヤ７０がチップ４０と導通回路３３の間の導電性媒質となる。
【００３０】
図２ｅに示すように、ステップＥはチップ４０、導通回路３３およびワイヤ７０に封止樹脂５０を被せる。封止樹脂５０はモールディング工程（Ｍｏｌｄｉｎｇ）によって製作されるため、外在の要因でチップ４０を破裂させ、導通回路３３の遮断または短絡を引き起こすか、ワイヤ７０が切れるという問題を避けることができる。
【００３１】
図２ｆに示すように、ステップＦは穴あけ作業によって薄膜層２０に複数の穿孔２３を形成し、導通回路３３を穿孔２３に露出させる。穴あけ作業はレーザー穴あけ工程（Ｌａｓｅｒ  Ｄｒｉｌｌ  Ｈｏｌｅ）である。
【００３２】
図２ｇに示すように、ステップＧは複数の突起状金属塊６０を穿孔２３の中に配置し、かつ突起状金属塊６０と導通回路３３とを電気的に接続する。本実施形態は、ボール搭載（Ｂａｌｌ  Ｍｏｕｎｔｉｎｇ）工程によって突起状金属塊６０を穿孔２３の中に形成するため、生産効率および製品の品質を向上させることができる。
【００３３】
上述したとおり、従来の技術に対し、本発明によるＱＦＮパッケージ構造体１０およびＱＦＮパッケージング方法は、構造が簡単であり、パッケージングのコストを削減できる。特に本発明によるＱＦＮパッケージ構造体１０は突起状金属塊６０の構造が穿孔２３および導通回路３３によって制限されるため、ＱＦＮパッケージ構造体１０に影響を与える水平方向作用力Ｆ１および垂直方向作用力Ｆ２を効果的に降下させることができる。つまり、ＱＦＮパッケージ構造体１０がそれぞれの方向から外力を受けても、突起状金属塊６０は導通回路３３に安定性を保って固定されるため、リードフレームの足が逸脱するという問題が発生せず、表面実装技術の接着力を強化し、本発明の目的を達成することができる。
【００３４】
以上、本発明は、上記実施形態になんら限定されるものではなく、発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の形態で実施可能である。
【符号の説明】
【００３５】
１０：パッケージ構造体、  
２０：薄膜層、  
２１：樹脂、  
２３：穿孔、  
３０：導通層、  
３１：基座、  
３３：導通回路、  
４０：チップ、  
５０：封止樹脂、
６０：突起状金属塊、  
７０：ワイヤ、  
Ｆ１：水平方向作用力、  
Ｆ２：垂直方向作用力。
【図１】
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【図２ａ】
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【図２ｂ】
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【図２ｃ】
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【図２ｄ】
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【図２ｅ】
2016072588.tif 000008
【図２ｆ】
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【図２ｇ】
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