(57)【要約】【課題】金属ナノワイヤ含有導電膜の絶縁化が簡単な技術を提供することである。【解決手段】金属ナノワイヤを有する導電膜を絶縁化する方法であって、前記導電膜には導電性炭素材が含まれてなり、前記導電膜に紫外線が照射される方法。【選択図】図１
2016018710.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属ナノワイヤを有する導電膜を絶縁化する方法であって、
前記導電膜には導電性炭素材が含まれてなり、
前記導電膜に紫外線が照射される
ことを特徴とする絶縁化方法。
【請求項２】
前記金属ナノワイヤ１００質量部に対して、前記導電性炭素材が０．１〜２０質量部である
ことを特徴とする請求項１の絶縁化方法。
【請求項３】
前記金属ナノワイヤを構成する金属が銀である
ことを特徴とする請求項１又は請求項２の絶縁化方法。
【請求項４】
前記金属ナノワイヤは、長さが１〜１００μｍ、直径が１０〜１００ｎｍである
ことを特徴とする請求項１〜請求項３いずれかの絶縁化方法。
【請求項５】
前記導電性炭素材は、カーボンナノチューブ及びグラフェンの群の中から選ばれる一種または二種以上のものである
ことを特徴とする請求項１〜請求項４いずれかの絶縁化方法。
【請求項６】
前記導電性炭素材はカーボンナノチューブである
ことを特徴とする請求項１〜請求項５いずれかの絶縁化方法。
【請求項７】
前記導電性炭素材は、長さが１００ｎｍ〜５０μｍ、直径が０．７〜１０ｎｍである
ことを特徴とする請求項１〜請求項６いずれかの絶縁化方法。
【請求項８】
前記紫外線が真空紫外線である
ことを特徴とする請求項１〜請求項７いずれかの絶縁化方法。
【請求項９】
請求項１〜請求項８いずれかの絶縁化方法によって得られてなる
ことを特徴とする絶縁膜。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は絶縁膜に関する。
【背景技術】
【０００２】
銀ナノワイヤ透明導電膜の絶縁化法として、酸（塩酸や硝酸など）を用いた方法が提案（特表２０１３−５２２８１４号公報）されている。有機金属錯塩及びチオ硫酸塩を含有する除去液を用いる方法が提案（特開２０１１−６０６８６号公報）されている。
【０００３】
プラズマ処理（又は、コロナ放電処理）によって、金属ナノフィラーを酸化させる手法が提案（特開２０１０−２８７５４０号公報）されている。
【０００４】
特許文献４や非特許文献１には、絶縁化に関する知見は無い。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特表２０１３−５２２８１４号公報
【特許文献２】特開２０１１−６０６８６号公報
【特許文献３】特開２０１０−２８７５４０号公報
【特許文献４】特表２０１０−５２５５２６号公報
【非特許文献】
【０００６】
【非特許文献１】SCIENTIFIC REPORTS 4;4804 DOI;10.1038/srep04804
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
前記ウェット法は強酸などを用いる。従って、危険性が有る。廃液処理が必要な為、環境負荷（汚染）の問題も有る。更に、ウェット法は簡単ではない。
【０００８】
前記プラズマ処理（又は、コロナ放電処理）による絶縁化法は、オゾン等を導電膜中の金属ナノフィラーに接触させることによって、金属ナノフィラーを酸化させる方法である。この為、予め、導電膜（マトリックスとなる樹脂膜）に孔を開けておく必要が有る。すなわち、オゾンが内部に侵入できるようにする為、導電膜に孔を形成しておかねばならない。従って、この手法は煩瑣である。しかも、孔が形成されていない領域に在る金属ナノフィラーにはオゾンが到達し難いから、酸化は不十分になる。従って、絶縁化が不満足な結果に終わる。基材がダメージを受ける恐れがある。
【０００９】
従って、本発明が解決しようとする課題は、金属ナノワイヤ含有導電膜の絶縁化が簡単な技術を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明者は、前記課題を解決する為の検討を、鋭意、推し進めて行く中に、次の現象を見出した。
（１）  金属ナノワイヤを有する（導電性炭素材を含まない）導電膜に、紫外線を照射しても、この導電膜は絶縁膜に変性し難かった。
（２）  導電膜中に、金属ナノワイヤの他にも、導電性炭素材（例えば、カーボンナノチューブ）を含ませていた場合、前記導電膜は、紫外線照射によって、簡単に、絶縁膜に変性した。
【００１１】
この知見に基づいて本発明が達成された。
【００１２】
本発明は、
金属ナノワイヤを有する導電膜を絶縁化する方法であって、
前記導電膜には導電性炭素材が含まれてなり、
前記導電膜に紫外線が照射される
ことを特徴とする絶縁化方法を提案する。
【００１３】
本発明は、
金属ナノワイヤ及び導電性炭素材を有する導電膜を絶縁化する方法であって、
前記導電膜に紫外線が照射される
ことを特徴とする絶縁化方法を提案する。
【００１４】
本発明は、前記絶縁化方法によって得られてなる絶縁膜を提案する。
【００１５】
前記発明において、前記金属ナノワイヤ１００質量部に対して、前記導電性炭素材は、好ましくは、０．１〜２０質量部である。
【００１６】
前記発明において、前記金属ナノワイヤを構成する金属は、例えば銀である。金属ナノワイヤは、例えば銀ナノワイヤである。前記金属は、勿論、Ａｇ以外の金属元素を含むものでも良い。
【００１７】
前記発明において、前記金属ナノワイヤの長さは、例えば１〜１００μｍである。前記金属ナノワイヤの直径は、例えば１０〜１００ｎｍである。
【００１８】
前記発明において、前記導電性炭素材は、カーボンナノチューブ及びグラフェンの群の中から選ばれる一種または二種以上のものである。例えば、カーボンナノチューブである。或いは、グラフェンである。好ましくは、カーボンナノチューブである。前記導電性炭素材の長さは、例えば１００ｎｍ〜５０μｍである。前記導電性炭素材の直径は、例えば０．７〜１０ｎｍである。
【００１９】
前記発明において、前記紫外線は、好ましくは真空紫外線である。
【発明の効果】
【００２０】
金属ナノワイヤを有する導電膜が、簡単に、絶縁膜に変性した。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】金属ナノワイヤ及び導電性炭素材で形成された導電膜のイメージ図
【図２】紫外線照射前における導電膜の概略断面図
【図３】紫外線照射後における導電膜の概略断面図
【図４】シート抵抗値と照射積算光量との関係図
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、本発明の実施形態が説明される。
第１の実施形態の発明は絶縁化方法である。前記方法は、金属ナノワイヤを有する導電膜を絶縁化する方法である。前記導電膜には、後述の紫外線照射に先立って、導電性炭素材が添加されている。前記導電膜は、例えば次のようにして構成された。金属ナノワイヤ層（導電網を形成する金属ナノワイヤ層）が基材上に設けられた。例えば、金属ナノワイヤ分散液が基材上に塗布された。この後、導電性炭素材の層が設けられた。例えば、導電性炭素材（導電性炭素材の量は金属ナノワイヤの量より少ない。例えば、金属ナノワイヤ量を１００質量部とした場合、導電性炭素材量が０．１〜２０質量部）分散液が、前記金属ナノワイヤ層の上に塗布された。この塗布によって、前記金属ナノワイヤ層中に導電性炭素材が侵入して行く。前記導電膜中における導電性炭素材の量は、前記金属ナノワイヤ１００質量部に対して、好ましくは、０．１〜２０質量部であった。より好ましくは、１質量部以上であった。より好ましくは、１０質量部以下であった。前記金属ナノワイヤ層中に侵入した前記導電性炭素材が前記金属ナノワイヤ間の接点材（架橋材）の役割を奏するようになったのではなかろうかと本発明者は想像している。前記金属ナノワイヤおよび前記導電性炭素材を有する導電膜に、紫外線が照射される。前記紫外線は、好ましくは、真空紫外線である。
【００２３】
第２の実施形態の発明は絶縁膜である。前記絶縁膜は、前記絶縁化方法によって得られてなる膜である。前記絶縁膜は絶縁性炭素材を含む。前記絶縁性炭素材は、例えば前記導電性炭素材が絶縁性炭素材に変性した炭素材である。前記絶縁膜は前記金属ナノワイヤが変性したナノワイヤを含む。前記ナノワイヤは、例えば前記金属ナノワイヤの表面の少なくとも一部が酸化されたワイヤである。
【００２４】
本発明者は、前記絶縁化が簡単に行われた理由は次のようなことであろうと推測している。前記導電膜中において、前記導電性カーボンナノチューブは、金属ナノワイヤと金属ナノワイヤとを連結（接続：架橋）している。前記導電性カーボンナノチューブは、紫外線照射によって、簡単に、絶縁性カーボンナノチューブに変性する。例えば、雰囲気中の酸素が照射紫外線によって活性酸素となり、この活性酸素が導電性カーボンナノチューブを絶縁性カーボンナノチューブに変性する。すなわち、カーボンナノチューブの電気抵抗値が増加する。この結果、金属ナノワイヤの導電性が紫外線照射によって低下しなくても、金属ナノワイヤ間に存在する導電性カーボンナノチューブが絶縁性カーボンナノチューブに変性した結果、導電膜の導電性は低下（喪失）することになる。
【００２５】
前記発明は酸を用いないから、酸を用いた場合の問題点は無い。例えば、廃液処理の問題は無い。前記発明はプラズマ処理を用いないから、基材に大きなダメージを与えない。
【００２６】
以下、更に詳しい説明がされる。
【００２７】
本発明の一実施形態が、図１〜図３によって、説明される。図１は、金属ナノワイヤ及び導電性炭素材で形成された透明導電膜のイメージ図である。図２は、紫外線照射前における概略断面図（イメージ図）である。図３は、紫外線照射後における概略断面図（イメージ図）である。
【００２８】
各図中、１は金属ナノワイヤである。金属ナノワイヤ１は、如何なる製造方法で製造されたものでも良い。例えば、液相法、又は気相法などによって製造できる。Ａｄｖ．Ｍａｔｅｒ．２００２，１４，Ｐ８３３〜８３７や、Ｃｈｅｍ．Ｍａｔｅｒ．２００２，１４，Ｐ４７３６〜４７４５等に、Ａｇナノワイヤの製造方法が開示されている。特開２００６−２３３２５２号公報などには、Ａｕナノワイヤの製造方法が開示されている。特開２００２−２６６００７号公報などには、Ｃｕナノワイヤの製造方法が開示されている。特開２００４−１４９８７１号公報などには、Ｃｏナノワイヤの製造方法が開示されている。上記Ａｄｖ．Ｍａｔｅｒ．及びＣｈｅｍ．Ｍａｔｅｒ．は、水系で、簡便に、かつ、大量に、Ａｇナノワイヤを製造する技術を開示している。銀の導電率は金属中で最大であるから、金属ナノワイヤは銀ナノワイヤであることが好ましい。
【００２９】
金属ナノワイヤ１の平均直径は、透明性の観点から、好ましくは、２００ｎｍ以下である。導電性の観点から、好ましくは、１０ｎｍ以上である。平均直径が２００ｎｍ以下の場合、光散乱の影響が軽減される。平均直径は小さな方が、光透過率低下やヘイズ劣化の抑制から、好ましい。平均直径が１０ｎｍ以上の場合、導電体としての機能が有意に発現される。平均直径は大きい方が、導電性が良い。従って、より好ましくは、平均直径が２０ｎｍ以上である。１５０ｎｍ以下である。更に好ましくは、３０ｎｍ以上である。１００ｎｍ以下である。金属ナノワイヤ１の平均長さは、導電性の観点から、好ましくは、１μｍ以上である。凝集による透明性への影響から、好ましくは、１００μｍ以下である。より好ましくは、３μｍ以上である。５０μｍ以下である。金属ナノワイヤの平均直径及び平均長さは、ＳＥＭやＴＥＭを用いて十分な数のナノワイヤを写真撮影し、個々の金属ナノワイヤ像の計測値の算術平均から求めることが出来る。
【００３０】
金属ナノワイヤ１は、前記特徴の金属ナノワイヤの分散液が塗布されることによって、基板３上に設けられる。塗布方法としては、例えばダイコート、ナイフコート、スプレー塗布、スピンコート、スリットコート、マイクログラビア、フレキソ等が挙げられる。勿論、これに限られ無い。前記塗布は基板３の全面に行われる。導電性が膜全面で安定する為、塗布は均一に行われることが好ましい。
【００３１】
２は導電性炭素材である。導電性炭素材２は、例えばグラフェンである。或いは、カーボンナノチューブである。好ましくは、カーボンナノチューブである。特に、単層カーボンナノチューブである。中でも、例えば酸処理を受けた単層カーボンナノチューブである。
【００３２】
前記カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）としては、単層カーボンナノチューブ、２層カーボンナノチューブ、多層カーボンナノチューブ等が挙げられる。中でも、単層カーボンナノチューブが好ましい。特に、Ｇ（１５９０ｃｍ−１付近に表れるグラファイト物質に共通なラマンピークにおける強度）／Ｄ（１３５０ｃｍ−１付近に表れる欠陥に起因するラマンピークにおける強度）≧１０のカーボンナノチューブが好ましい。Ｇ／Ｄの上限値は、例えば１５０程度である。例えば、Ｇ／Ｄが２０〜６０のカーボンナノチューブが好ましい。更には、直径が０．３〜１００ｎｍのＣＮＴが好ましい。特に、直径が０．３〜２ｎｍのＣＮＴが好ましい。長さが０．１〜１００μｍのＣＮＴが好ましい。特に、長さが０．１〜５μｍのＣＮＴが好ましい。前記炭素系材（ＣＮＴ）２は、好ましくは、互いに、絡み合ったものである。
【００３３】
単層カーボンナノチューブは、如何なる製法によって得られた単層カーボンナノチューブでも良い。例えば、アーク放電法、化学気相法、レーザー蒸発法などの製法で得られた単層カーボンナノチューブが挙げられる。但し、結晶性の観点から、アーク放電法で得られた単層カーボンナノチューブが好ましい。このものは入手も容易である。単層カーボンナノチューブは、酸処理が施された単層カーボンナノチューブが好ましい。酸処理は、酸性液体中に単層カーボンナノチューブが浸漬されることで実施される。浸漬の代わりに噴霧と言った手法が採用されても良い。酸性液体は各種のものが用いられる。例えば、無機酸や有機酸が用いられる。但し、無機酸が好ましい。例えば、硝酸、塩酸、硫酸、リン酸、或いはこれらの混合物が挙げられる。中でも、硝酸または混酸（例えば、硝酸と硫酸との混酸）を用いた酸処理が好ましい。この酸処理によって、単層カーボンナノチューブと炭素微粒子とがアモルファスカーボンを介して物理的に結合している場合に、アモルファスカーボンを分解して両者を分離したり、単層カーボンナノチューブ作製時に使用した金属触媒の微粒子を分解することになる。単層カーボンナノチューブは、濾過によって不純物が除去され、純度が向上した単層カーボンナノチューブが好ましい。その理由は、不純物による導電性の低下や光透過率の低下が防止されるからである。濾過には各種の手法が採用される。例えば、吸引濾過、加圧濾過、クロスフロー濾過などが用いられる。中でも、スケールアップの観点から、中空糸膜を用いたクロスフロー濾過の採用が好ましい。
【００３４】
導電性炭素材（例えば、ＣＮＴ（必要に応じて更にフラーレンを含有））２は、前記特徴の導電性炭素材が分散した分散液が塗布されることによって、基板３上に設けられる。例えば、金属ナノワイヤ１の層上に塗布されることによって、導電性炭素材（例えば、ＣＮＴ（必要に応じて更にフラーレンを含有））２は設けられる。例えば、金属ナノワイヤ分散液が塗布された後、ＣＮＴ（必要に応じて更にフラーレンを含有）分散液が塗布される。塗布方法としては、例えばダイコート、ナイフコート、スプレー塗布、スピンコート、スリットコート、マイクログラビア、フレキソ等が挙げられる。勿論、これに限らない。前記ＣＮＴ分散液の塗布は基板３の全面に行われる。紫外線照射時の絶縁化を均一に進行させる為、前記塗布は均一に行われることが好ましい。
【００３５】
３は基板である。基板３の構成材料には各種のものが適宜用いられる。例えば、ポリスチレン（ＰＳ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、スチレン−メチルメタクリレート共重合体（ＭＳ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）、シクロオレフィンコポリマー（ＣＯＣ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等の樹脂が用いられる。樹脂の他にも、無機ガラス材料やセラミック材料を用いることが出来る。
【００３６】
本発明では、紫外線が、導電膜（導電膜は、金属ナノワイヤ１及び導電性炭素材（例えば、ＣＮＴ）２を有する。）に照射される。前記紫外線は、好ましくは、波長が１０〜４００ｎｍである。より好ましくは、１５０〜２６０ｎｍである。特に好ましくは、１５０〜１８０ｎｍの範囲に波長を有する紫外線である。もっと好ましくは、波長が１６０〜１７５ｎｍの紫外線である。例えば、４００ｎｍを越えた長波長の紫外線を照射した場合には、導電性カーボンナノチューブから絶縁性カーボンナノチューブへの変性が起こり難かった。因みに、通常のフォトリソグラフィプロセスに用いられる高圧水銀灯の紫外線（波長：３６５ｎｍ）照射では、変性が起こり難かった。導電性カーボンナノチューブを絶縁性カーボンナノチューブに変性させる為には、照射される紫外線は、波長が２６０ｎｍ以下のものが一層好ましかった。より好ましくは１８０ｎｍ以下の紫外線であった。例えば、低圧水銀灯の紫外線（波長：１８５ｎｍ，２５４ｎｍ）照射によれば、照射個所のカーボンナノチューブ２が導電性から絶縁性に容易に変性した。図３中、２’は絶縁性炭素材（絶縁性カーボンナノチャーブ）を示す。基板３が樹脂製の場合、紫外線照射によって、基板３が変色する場合も有った。このようなことから、照射紫外線は１８０ｎｍ以下、更には１７５ｎｍ以下の波長のものが特に好ましかった。例えば、キセノンエキシマランプによる紫外線（波長：１７２ｎｍ）は格別に好ましいものであった。上記特性の紫外線照射の時間は、例えば１０秒〜１時間程度である。好ましくは４０分以下である。紫外線照射の積算光量は、例えば約１００ｍＪ／ｃｍ２以上であった。好ましくは、約１００，０００ｍＪ／ｃｍ２以下であった。より好ましくは、約３０，０００ｍＪ／ｃｍ２以下であった。更に好ましくは、約１００００ｍＪ／ｃｍ２以下であった。特に好ましくは、約５０００ｍＪ／ｃｍ２以下であった。もっと好ましくは、約３０００ｍＪ／ｃｍ２以下であった。好ましい積算光量は、導電膜（カーボンナノチューブ量）の厚さによっても、多少、変動した。
【００３７】
前記導電膜上に、前記紫外線照射前において、好ましくは、オーバーコート層が設けられている。オーバーコート層が有ると、カーボンナノチューブは、より短時間で、導電性から絶縁性に変性した。オーバーコート層の種類や厚さによっても変動した。オーバーコート層が加水分解性オルガノシランの加水分解物を含有する組成物であると、照射時間が、大幅に、短縮された。オーバーコート層の厚さは、好ましくは、１０ｎｍ〜２００ｎｍであった。更に好ましくは、５０ｎｍ〜１５０ｎｍであった。
【００３８】
以下、具体的な実施例が挙げられる。但し、本発明は以下の実施例にのみ限定され無い。本発明の特長が大きく損なわれない限り、各種の変形例や応用例も本発明に含まれる。
【００３９】
［実施例１］
カーボンナノチューブ分散液が作製された。これは次の方法による。アーク放電により合成されたシングルウォールカーボンナノチューブ（市販品）に対して、酸処理、水洗浄、遠心分離が行われた。この精製カーボンナノチューブに、界面活性剤（ドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウム：ＳＤＢＳ）０．２ｗｔ％水溶液が、加えられた。このカーボンナノチューブ含有水溶液に対して、超音波装置により、分散処理が行われた。次いで、遠心分離、濾過が行われた。このようにしてカーボンナノチューブ分散液（ＣＮＴ：３２００ｐｐｍ）が得られた。
【００４０】
銀ナノワイヤ含有溶液が作製された。これは次の方法による。銀ナノワイヤの２−プロパノール分散溶液（１０ｍｇ／ｍｌ、ＳＬＶ−３５  イーエムジャパン株式会社製）１ｍＬと、２−プロパノール（特級１６４−０４８３７、和光純薬株式会社製）９９ｍＬとが混合された。
【００４１】
前記銀ナノワイヤ含有溶液が、透明基板（ＰＥＴフィルム：ＭＫＺ−Ｔ４Ｂ（東山フイルム社製））３上に塗布された。前記銀ナノワイヤ量は１４ｍｇ／ｍ２であった。塗布方法はスプレーコーティングである。乾燥後、銀ナノワイヤ１の層が形成された。銀ナノワイヤ１の層に対しては、加圧処理は行われていない。従って、銀ナノワイヤ１の層は隙間が多く有る。銀ナノワイヤ１同士の接触は少ないと考えられる。
【００４２】
前記カーボンナノチューブ分散液が、銀ナノワイヤ１の層上に塗布された。塗布方法はスプレーコーティングである。塗布厚（乾燥後の厚さ）は０．０５μｍで、カーボンナノチューブ量は１ｍｇ／ｍ２であった。塗布後、メタノールによる洗浄が行われた。これにより、塗膜（カーボンナノチューブ層）中に含まれる界面活性剤が取り除かれた。この後、乾燥（２分間；１００℃）が行われた。これにより、カーボンナノチューブ（導電性炭素材）２が、銀ナノワイヤ１に対して、設けられた。前記カーボンナノチューブ分散液の塗布によって、銀ナノワイヤ１−カーボンナノチューブ２−銀ナノワイヤ１の接続形態が構成されたと考えられる。すなわち、導電膜中の銀ナノワイヤ１−カーボンナノチューブ２−銀ナノワイヤ１の接続形態によって、導電膜は良好な導電性を示したと考えられる。前記カーボンナノチューブ層は、隙間を、多く持っている。
【００４３】
この後、カーボンナノチューブ２の層上から、２．５ｗｔ％エアロセラ溶液（加水分解性オルガノシラン含有組成物：パナソニック株式会社製）が塗布された。塗布方法はスピンコーティングである。塗布厚（乾燥後の厚さ）は０．１μｍであった。このエアロセラ溶液は、前記カーボンナノチューブ２の隙間の中に、含浸している。前記エアロセラ溶液の塗布によってオーバーコート層が構成された。
【００４４】
この後、前記オーバーコート層の上方から、紫外線（キセノンエキシマランプ：波長：１７２ｎｍ）が照射された。紫外線照射時の雰囲気は、窒素９４％、酸素６％であった。前記混合気体圧力は１．０１３×１０５Ｐａであった。
【００４５】
［実施例２］
実施例１において、銀ナノワイヤ量を３２ｍｇ／ｍ２とした以外は、実施例１に準じて行われた。
【００４６】
［実施例３］
実施例１において、銀ナノワイヤ量を５ｍｇ／ｍ２とし、カーボンナノチューブ量を１２ｍｇ／ｍ２とした以外は、実施例１に準じて行われた。
【００４７】
［比較例１］
市販の銀ナノワイヤ透明導電膜（カーボンナノチューブを含まない。表面抵抗値：８０Ω／□）に対して、実施例１と同様に、紫外線が照射された。
【００４８】
［特性］
前記実施例１，２，３及び比較例１で得られた膜の導電性が調べられた。真空紫外線の積算光量に対する各サンプルのシート抵抗値（表面抵抗率）が図４に示される。
【００４９】
前記実施例１，２では、紫外線の積算光量が約１０００ｍＪ／ｃｍ２の時点において、シート抵抗値が１０６Ω／□を越えていた。
【００５０】
前記比較例１では、紫外線の積算光量が約１２５００ｍＪ／ｃｍ２の時点において、シート抵抗値が、やっと、１０６Ω／□を越えた。すなわち、カーボンナノチューブが含まれていない銀ナノワイヤ膜にあっては、照射紫外線量が多くないと、絶縁性に変性しなかった。
【符号の説明】
【００５１】
１      金属ナノワイヤ
２      導電性炭素材（導電性カーボンナノチャーブ）
２’    絶縁性炭素材（絶縁性カーボンナノチャーブ）
３      基材
【図１】
2016018710.tif 000003
【図２】
2016018710.tif 000004
【図３】
2016018710.tif 000005
【図４】
2016018710.tif 000006