(57)【要約】【課題】高周波の信号伝送時における伝送特性が良好で、小型化・薄型化に好適であるとともに屈曲耐性が高いプリント配線板の製造方法を提供する。【解決手段】絶縁性基材１０の一方主面に、グランドランド１１Ｇを含む第１導電層１１を形成する工程と、グランドランド１１Ｇの位置に応じてスルーホールＴＨが形成された保護層ＣＬを、第１導電層１１の一方主面側に積層する工程と、保護層ＣＬの一方主面の所定領域及びスルーホールＴＨ内壁面に第２導電層２１を形成する工程と、を含むプリント配線板の製造方法を提供する。【選択図】  図１
2016186986.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性基材の一方主面に、グランドランドを含む第１導電層を形成する工程と、
前記グランドランドの位置に応じた位置にスルーホールが形成された保護層を前記第１導電層の一方主面側に積層する工程と、
前記スルーホールの内壁面と、当該内壁面に連なる前記保護層の一方主面の所定領域に、第２導電層を形成する工程と、を備えるプリント配線板の製造方法。
【請求項２】
前記第２導電層を形成する工程は、無電解めっき処理又は成膜処理を含む請求項１に記載のプリント配線板の製造方法。
【請求項３】
絶縁性基材と、
前記絶縁性基材の一方主面に形成され、グランドランドを含む第１導電層と、
前記グランドランドの位置に対応する位置に形成されたスルーホールを有し、前記第１導電層の一方主面側に積層された保護層と、
前記保護層の一方主面に形成されたシールド層と、当該シールド層に連なるように前記スルーホールの内壁面に沿って形成され、前記シールド層と前記グランドランドとを接続する層間接続層と、を含む第２導電層と、を備えるプリント配線板。
【請求項４】
前記シールド層と前記グランドランドとは、前記層間接続層のみにより接続される請求項３に記載のプリント配線板。
【請求項５】
前記第２導電層の厚さは、１０［μｍ］以下であることを特徴とする請求項３又は４に記載のプリント配線板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プリント配線板及びプリント配線板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
絶縁基材の一方主面にアース回路が形成されるとともに、他方主面にスルーホールランドが形成され、一方主面のアース回路の接点と、この接点に対応する開口部が形成された絶縁樹脂被覆層の表面とを被うように銀ペーストをスクリーン印刷することにより、シールド層として機能する導電被覆層が形成されたフレキシブルプリント配線板が知られている。（特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平１１−１７７１９２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、銀ペーストを用いて形成されたシールド層は相対的に抵抗値が高いため、高周波の信号伝送時における伝送特性が不十分であるという問題がある。また、銀ペーストを用いて形成されたシールド層の厚さは比較的厚くなるので、小型化・薄型化の要請に反するという問題がある。さらに、銀ペースト中の銀粒子と樹脂との界面がクラックの起点となる傾向があるため、屈曲耐性が劣るという問題がある。
【０００５】
本発明が解決しようとする課題は、高周波の信号伝送時における伝送特性が良好で、小型化・薄型化に好適であるとともに屈曲耐性が高いプリント配線板を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
[１] 本発明は、絶縁性基材の一方主面に、グランドランドを含む第１導電層を形成する工程と、前記グランドランドの位置に応じた位置にスルーホールが形成された保護層を前記第１導電層の一方主面側に積層する工程と、前記スルーホールの内壁面と、当該内壁面に連なる前記保護層の一方主面の所定領域に第２導電層を形成する工程と、を備えるプリント配線板の製造方法を提供することにより、上記課題を解決する。
【０００７】
[２] 上記発明において、前記第２導電層を形成する工程に、無電解めっき処理又は成膜処理を含ませることにより上記課題を解決する。
【０００８】
[３] 上記発明において、絶縁性基材と、前記絶縁性基材の一方主面に形成され、グランドランドを含む第１導電層と、前記グランドランドの位置に対応する位置に形成されたスルーホールを有し、前記第１導電層の一方主面側に形成された保護層と、前記保護層の一方主面に形成されたシールド層と、当該シールド層に連なるように前記スルーホールの内壁面に沿って形成され、前記シールド層と前記グランドランドとを接続する層間接続層とを含む第２導電層と、を備えるプリント配線板を提供することにより、上記課題を解決する。
【０００９】
[４] 上記発明において、前記シールド層と前記グランドランドとを、前記層間接続層のみによって接続することにより、上記課題を解決する。
【００１０】
[５] 上記発明において、前記第２導電層の厚さを１０［μｍ］以下とすることにより、上記課題を解決する。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、高周波数帯における伝送特性を良好に維持しつつ、小型化・薄型化に好適であるとともに、屈曲耐性の高いプリント配線板を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の一実施形態におけるプリント配線板の断面図である。
【図２】図１に示すプリント配線板の製造方法を説明するための図である。
【図３Ａ】本実施形態の実施例に係るプリント配線板の平面図である。
【図３Ｂ】図３Ａに示すプリント配線板のＡ−Ａ´断面図である。
【図３Ｃ】実施例の伝送損失の測定結果を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。本実施形態では、装置内部の回路間、回路と装置間、又は装置間を接続する伝送線路に、本発明に係るプリント配線板１を適用した例を説明する。本実施形態のプリント配線板１は、高速信号の伝送に適しており、ＬＶＤＳ、ＭＩＰＩ，ＨＤＭＩ（登録商標），ＵＳＢなどの各種規格に基づく伝送を行うことができる。
【００１４】
図１は、本実施形態におけるプリント配線板１の断面構造を説明するための断面図である。
図１に示すように、本実施形態のプリント配線板１は、絶縁性基材１０の両主面に第１導電層１１が形成された構造を有する。もちろん、本実施形態のプリント配線板１は、絶縁性基材１０及び第１導電層１１が３層以上の多層積層構造としてもよい。
【００１５】
本実施形態のプリント配線板１は、絶縁性基材１０と、この絶縁性基材１０の一方主面（図中上側の＋ｚ方向側）に形成された第１導電層１１を備える。絶縁性基材１０は、ポリイミド（ＰＩ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）やポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）などの可撓性を有し、厚さが１０［μｍ］〜２５０［μｍ］の樹脂製シートである。第１導電層１１は、銅、銀、金などの導電性材料で構成される。本実施形態の第１導電層１１は、銅により形成される。
【００１６】
第１導電層１１は、少なくともグランドランド１１Ｇを含む。第１導電層１１は、信号を伝送する信号線を含んでもよい。本実施形態の第１導電層１１は、めっき層１１ａを含んでもよい。たとえば、第１導電層１１の表面には、めっき層１１ａを形成してもよい。同様に、グランドランド１１Ｇの表面に、めっき層１１ａを形成してもよい。また、図１に示すように、本実施形態のプリント配線板１は、絶縁性基材１０の他方主面（図中下側の−ｚ方向側）に形成された第１導電層１１を備えてもよい。他方主面側の第１導電層１１は、一方主面側の第１導電層１１と同様の技術的構成であるので、同じ符号を付し、その説明を援用する。一方主面側の第１導電層１１と他方主面側の第１導電層１１とは、ビアホール１２によって接続されてもよい。
【００１７】
図１に示すように、一方主面側：図中＋ｚ方向（及び／又は他方主面側：図中−ｚ方向）の第１導電層１１は、保護層ＣＬ１，ＣＬ２（以下、総称してＣＬと記載することもある）に被われる。保護層ＣＬは、カバーレイや、感光性液状レジストなどのカバー材料である。材料としては、ポリイミド（ＰＩ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエステル（ＰＥ）などの絶縁性材料を用いることができる。
【００１８】
保護層ＣＬは、第１導電層１１の一方主面側（図中上側）に、その第１導電層１１を被うように積層される。本実施形態の保護層ＣＬは、接着層１３とカバーフィルム１４とを含む。保護層ＣＬの態様は特に限定されない。保護層ＣＬは、接着層１３とカバーフィルム１４とが予め積層された、カバーレイフィルムであってもよい。保護層ＣＬの接着層１３は印刷などにより形成してもよい。
なお、保護層ＣＬには、第１導電層１１のグランドランド１１Ｇの位置に応じてスルーホールＴＨが形成されている。このスルーホールＴＨは事前に形成してもよいし、積層後に形成してもよい。
【００１９】
本実施形態の保護層ＣＬの一方主面（図中上側）の所定領域には、第２導電層２１が形成されている。第２導電層２１は、保護層ＣＬの一方主面上のシールド層２１ａと、スルーホールＴＨの内壁面に形成された層間接続層２１ｂとを含む。シールド層２１ａが形成される保護層ＣＬの一方主面は、スルーホールＴＨの内壁面に連なる。層間接続層２１ｂは、保護層ＣＬのスルーホールＴＨの内壁面に沿って形成され、この内壁面に連なるシールド層２１ａとグランドランド１１Ｇとを電気的に接続する機能を有する。保護層ＣＬの一方主面に形成されたシールド層２１ａとスルーホールＴＨの内壁面に形成された層間接続層２１ｂとは、連なる。スルーホールＴＨの内壁面には、スルーホールＴＨの底面を構成するグランドランド１１Ｇの表面を含む。本実施形態の層間接続層２１ｂは、スルーホールＴＨの内壁側の側面と、内壁側の底面とに沿った導電層である。
【００２０】
本実施形態のプリント配線板１において、保護層ＣＬのグランドランド１１Ｇとシールド層２１ａとは、層間接続層２１ｂのみにより接続される。つまり、グランドランド１１Ｇとシールド層２１ａとの電気的な接続経路の間に、層間接続層２１ｂ以外の導電体は存在しない。具体的に、グランドランド１１Ｇの表面には、金などのめっき層は形成されていない。
【００２１】
本実施形態のプリント配線板では、無電解めっき処理、真空成膜による蒸着処理、スパッタリング処理を用いて、第２導電層２１を形成することにより、その厚さを薄くできる。一般的な片面板を積層させた３層構造のプリント配線板と比較しても、プリント配線板の総厚を薄くできるので、薄型装置（パーソナルコンピュータ、タブレット端末）の筐体内に組み込みやすい。ちなみに、一般的な片面板は、厚さ２５［μｍ］のポリイミドシートと、厚さ１［μｍ］以下の接着材と、厚さ１２．５［μｍ］の銅箔とを備え、合計の厚さは約３８．５［μｍ］の厚さを有する。また、折り曲げによる応力負荷を小さくできるので、筐体内で接続部が破損することや、配線にクラックが入るなどの使用後の不良の発生を抑制できる。
【００２２】
また、一般的な片面板を積層させた３層構造のプリント配線板の場合には、グランドランドとの接続信頼性を確保するために、層間接続部のめっき層を厚く形成する必要がある。めっき層を厚くする場合には、シールド部分の銅の箔厚みも厚くしなければならない。このように、めっき層及びシールド部分が厚くなると、プリント配線板が厚くなる。プリント配線板の総厚が厚くなると、薄型の端末装置の筐体内に収容することができなくなる場合がある。これに対し、本実施形態の第２導電層２１では、グランドランド１１Ｇの層厚とシールド層２１ａの層厚とを薄く且つ均一にできるので、接続信頼性の確保と装置の薄型化というトレードオフを両立させることができる。
【００２３】
ところで、対応量のデジタル情報を高速伝送するために、高い信号伝送特性が求められる。装置自体が発生するノイズによる音声品質／画像像品質の劣化や、誤動作を防止する観点から、フレキシブルプリント配線板にはシールドが設けられる。
【００２４】
先述したように、シールド効果を得るために、銀ペーストにより形成されたシールド層を設けることが行われているが、銀ペーストは抵抗値が相対的に高く、高周波帯での伝送特性が期待値に達していない。これに対し、本実施形態のプリント配線板１の第２導電層２１は、銀ペーストによるシールド層よりも接続抵抗値を小さくすることができる。このように、本実施形態のプリント配線板１の第２導電層２１は、接続抵抗値を安定させ、高周波帯においても良好な伝送特性を得ることができる。また、銀ペーストは銀粒子と樹脂（たとえば、熱硬化性樹脂、ＵＶ硬化性樹脂）を含む。硬化処理を経て樹脂は硬くなるので、銀ペーストを用いて作製したプリント配線板１を折り曲げると、銀粒子と樹脂の界面、又は樹脂内にクラック（割れ）が生じる。このように、銀ペーストを用いたプリント配線板はクラックが生じる可能性があるため、屈曲部分を含むプリント配線板には不向きである。これに対し、本実施形態のプリント配線板１の第２導電層２１は、銀ペーストを用いていないので、上述した銀ペーストに起因してクラックが発生するリスクを低減できる。
【００２５】
また、シールド効果を得るために、シールドフィルムを配置することが行われている。シールドフィルムは、保護層とシールド層と異方性導電性接着材層とが一体化されたフィルム状の材料である（例えば特開2005-276873）。シールドフィルムは、プリント配線板に貼り合わせ、加熱・加圧処理を行うことにより、異方性導電性接着材層に含まれる導電性フィラーをグランドランドに接続させる。一般に、プリント配線板の製造工程においては、多くの場合、コンデンサやチップなどの部品を実装するために、240〜260℃ピークの加熱工程（リフロー工程）が行われる。シールドフィルムを使用する場合において、シールドフィルムをプリント配線板に貼り合せた後に、この加熱工程（リフロー工程）を行うと、プリント配線板とシールドフィルムとの接触部で水分やアウトガスが蒸発し、これによる膨れが発生する。製造工程におけるプリント配線板の膨れは、接続抵抗値を不安定にさせるという問題がある。これに対し、本実施形態では、シールドフィルムを用いることなく、グランドランド１１Ｇとシールド層２１ａとの間の接続抵抗値を低く抑えることができるので、シールドフィルムを用いたときの上記不都合（リフロー工程における膨れ）を避けることができる。このように、本実施形態のプリント配線板１の第２導電層２１は、接続抵抗値を安定させ、高周波帯においても良好な伝送特性を得ることができる。
【００２６】
また、シールドフィルムを用いる場合には、金型等を用いてその外形加工を行うため、最小曲率、最小開口径、隣接する刃間距離等の制約がある。これに対し、本実施形態のプリント配線板１は、サブトラクティブ法において、フォトリソグラフィー技術を用いてシールド層２１ａを形成するため、微細なデザインにも対応できる。その結果設計自由度が向上する。
【００２７】
特に限定されないが、本実施形態のプリント配線板１における第２導電層２１の厚さは、１３［μｍ］以下であることが好ましい。さらに好ましい第２導電層２１の厚さは１０［μｍ］以下である。さらに好ましい第２導電層２１の厚さは５［μｍ］以下である。さらに好ましい第２導電層２１の厚さは３［μｍ］以下である。同様に、本実施形態のプリント配線板１におけるシールド層２１ａの厚さは、１３［μｍ］以下であることが好ましい。さらに好ましいシールド層２１ａの厚さは１０［μｍ］以下である。さらに好ましいシールド層２１ａの厚さは５［μｍ］以下である。さらに好ましいシールド層２１ａの厚さは３［μｍ］以下である。シールド層２１ａの厚さを１０［μｍ］以下とすることにより、他の構成のプリント配線板や、他の方法で作製したプリント配線板では達成できない薄さのプリント配線板１を得ることができる。特に、シールド層２１ａの厚さを３［μｍ］以下とすることにより、他の構成のプリント配線板や、他の方法で作製したプリント配線板と比較して、プリント配線板１の薄さにおいて顕著な効果を得ることができる。特に限定されないが、プリント配線板１の薄さの限界値（下限値）は、要求される性能、薄膜形成工程の性能、めっき工程の性能によって適宜に設定される。
【００２８】
上述した本実施形態のシールド層２１ａを含む第２導電層２１の厚さ（１０［μｍ］以下）は、銀ペーストにより形成された一般的なシールド層の厚さ１５［μｍ］よりも薄く、プリント配線板１の薄化に貢献する。上述した本実施形態のシールド層２１ａを含む第２導電層２１の厚さ（１０［μｍ］以下）は、シールドフィルムにより形成された一般的なシールド層（シールド層＋層間接着層）の厚さ１５［μｍ］よりも薄く、プリント配線板１の薄化に貢献する。さらに、本実施形態のシールド層２１ａを含む第２導電層２１の厚さ（１０［μｍ］以下）は、絶縁性基材の主面に銅箔を貼って形成されたシールド層（銅箔＋接着材）の厚さ約１３．５［μｍ］よりも薄く、プリント配線板１の薄化に貢献する。
【００２９】
続いて、図２（Ａ）〜（Ｄ）に基づいて、本実施形態のプリント配線板１の製造方法を説明する。
【００３０】
図２（Ａ）に示す、第１導電層１１が形成されたプリント配線板１´を作製する。第１導電層１１は、グランドランド１１Ｇを含む。
まず、第１導電層１１が形成された絶縁性基材１０を準備する。多層積層板を製造する場合には、所望の第１導電層１１が形成された複数の絶縁性基材１０を準備する。本実施形態において、第１導電層１１が形成された絶縁性基材１０は、例えば厚さ２５［μｍ］のポリイミドからなる絶縁性シートの両主面に厚さ１２．５［μｍ］の銅箔が形成された銅張基板（ＣＣＬ：Copper Clad Laminated）を用いて作製される。特に限定されないが、本実施形態では、サブトラクティブ法などの一般的なフォトリソグラフィー技術を用いて、銅張基板の一方主面側（図中＋ｚ方向側）の銅箔の所定領域をエッチングし、所望の第１導電層１１を形成する。銅張基板の他方主面側（図中−ｚ方向側）の銅箔についても、銅箔の所定領域をエッチングして、所望の第１導電層１１を形成する。
【００３１】
第１導電層１１を被うように絶縁性基材１０の一方主面側（図中＋ｚ方向側）に保護層ＣＬ１を積層し、反対側の他方主面側（図中−ｚ方向側）に別の保護層ＣＬ２を積層する。この保護層ＣＬにはグランドランド１１Ｇが露出するように、グランドランド１１Ｇの位置に応じてスルーホールＴＨが形成されている。スルーホールＴＨは、積層前に金型により切り抜いて形成しておいてもよい。スルーホールＴＨは、積層後にＮＣドリルを用いて穿孔してもよいし、レーザー処理により穿孔してもよい。
【００３２】
次に、図２（Ｂ）に示すように、保護層ＣＬの表面の所定領域及びスルーホールＴＨの内壁面にシード層２０を形成する。シード層２０は後に行われるめっき処理における導電体として機能する。第２導電層２１は、シード層２０の形成処理とめっき処理とを含む工程により形成される。シード層２０が形成される保護層ＣＬの所定領域は、保護層ＣＬの一部であってもよいし全部であってもよい。シード層２０は、所定のパターン（配線形状）に形成されてもよい。なお、本実施形態の製造方法では、絶縁性の保護層ＣＬの表面に直接シード層２０を形成する。この工程におけるシード層２０は導電性の薄膜である。特に限定されないが、本実施形態のシード層２０は、無電解めっき処理又は成膜処理により形成される。
【００３３】
本実施形態の真空成膜処理は、粒子の物理的な運動を利用した物理的気相成長法（ＰＶＤ）と、化学反応を利用した化学的気相成長法（ＣＶＤ）とを含む。本実施形態の物理的気相成長法（ＰＶＤ）は、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法を含む。真空蒸着法は、膜を構成する膜材を真空中において加熱、溶解、蒸発させて、対象物に付着させる手法である。スパッタリング法は、真空の筐体と膜材からなる電極（ターゲット）との間に高い電圧（数百ボルト）を印加し、不活性ガス（例えばアルゴン等）の添加により放電を発生させる。その放電のエネルギーによってガス粒子にプラス電荷を帯びさせる。プラス電荷を帯びたガス粒子は負極に引きつけられる。このガス粒子が電極に衝突して、電極（膜材）の一部を飛び出させ、飛び出した膜材により対象物の表面に膜を形成する。イオンプレーティング法は、イオン化された雰囲気中において、膜材を対象物表面に蒸着させる方法である。本実施形態の成膜処理としては、本願出願時に知られた手法を用いることができる。この成膜処理により形成されるシード層２０の厚さは、４０［ｎｍ］〜１００［ｎｍ］である。
【００３４】
本実施形態の無電解めっき処理は、めっき液に含まれる還元剤の酸化作用において放出される電子により、被めっき物に金属皮膜を析出させる処理である。電気めっきのように通電させることなく金属膜を形成できる。このため、絶縁性の保護層ＣＬの表面に導電体であるシード層２０を形成できる。特に限定されないが、本実施形態の無電解めっき処理としては、無電解銅めっき法、無電解ニッケルめっき法、無電解パラジウムめっき法、無電解金めっき法、無電解コバルトめっき法を用いることができる。もちろん、本願出願時に知られた無電解めっき法を用いて、シード層２０を形成できる。この無電解めっき処理により形成されるシード層２０の厚さは、８０［ｎｍ］〜２５０［ｎｍ］である。
【００３５】
さらに、図２（Ｃ）に示すように、図２（Ｂ）の処理で形成した薄膜のシード層２０をベースとして第２導電層２１を形成する。本実施形態では、シード層２０を導電体として、めっき処理により第２導電層２１を形成する。図２Ｃに示すように、必要な領域Ｒにのみ第２導電層２１を形成するために、領域Ｒ以外の領域Ｒ１にレジストを形成してからめっき処理を行う。めっき処理はスルーホールＴＨ内部にも実施される。このめっき処理により、保護層ＣＬの表面の所定領域にシールド層２１ａが形成され、スルーホールＴＨの内側の内壁面には層間接続層２１ｂが形成される。めっき処理を行うことにより、シード層２０の表面に第２導電層２１が形成される。シード層２０と第２導電層２１とは同じ金属で構成され、その間に境界（界面）は生じない。つまり、シード層２０は第２導電層２１の一部となる。めっき処理は、シールド層２１ａ及び層間接続層２１ｂの厚さが所望の厚さとなるように行われる。このめっき処理により、シールド層２１ａ及び層間接続層２１ｂにより第２導電層２１が形成される。めっき処理によりシールド層２１ａ及び層間接続層２１ｂが一体として形成されるので、グランドランド１１Ｇとシールド層２１ａとは、層間接続層２１ｂにより電気的に接続される。しかも、めっき処理によりシールド層２１ａ及び層間接続層２１ｂが同時に形成されるので、その接続抵抗を低くさせることができる。
【００３６】
続いて、図２（Ｄ）に示すように、エッチング処理により、第２導電層２１を形成しない領域Ｒ１のシード層２０を除去する。
【００３７】
最後に、図１に示す本実施形態のプリント配線板１を得るために、必要に応じて第２導電層２１を被う絶縁層２２を形成する。シート状のものを貼りつけて絶縁層２２を形成してもよいし、液状のものを印刷して絶縁層２２を形成してもよい。
【００３８】
＜実施例＞
以下、本発明の本実施形態における実施例を説明する。以下に説明する実施例により、本実施形態のプリント配線板１の伝送損失を検証する。
【００３９】
実施例として、図３Ａに示す、所定の態様のプリント配線板１を得た。本実施例に係るプリント配線板１の長さは２００[ｍｍ]である。図３Ａに示すように、本実施例に係るプリント配線板１は、絶縁性基材１０の一方主面に２本の信号線Ｓ１，Ｓ２と、これらを挟むように、その両脇に並列に配置された２本のグランド線Ｇ１，Ｇ２を有する。これらは、先に説明した本実施形態の第１導電層１１に対応する。
【００４０】
図３Ａに示すＡ−Ａ´線に沿う断面を図３Ｂに示す。図３Ｂに示すように、絶縁性基材１０の一方主面側には信号線Ｓ１，Ｓ２及びグランド線Ｇ１，Ｇ２が掲載されている。絶縁性基材１０の他方主面側には、銅箔１５が形成されている。接着層１３及びカバーフィルム１４を含む保護層ＣＬが、信号線Ｓ１，Ｓ２及びグランド線Ｇ１，Ｇ２を被うように、積層されている。上面側にはカバーフィルム１４が位置する。さらに、保護層ＣＬの表面（カバーフィルム１４の表面）には第２導電層２１が形成されている。第２導電層２１の表面には絶縁層２２が形成されている。
【００４１】
図３Ａ及び図３Ｂに示す構成で、実施例１のプリント配線板１と、比較例１のプリント配線板を作製した。比較例１のプリント配線板のシールド層は、銀ペーストをスクリーン印刷することにより形成した。実施例１のプリント配線板１の構成部材とその厚さと、比較例１のプリント配線板の構成部材とその厚さとを、下掲の表１にまとめて表示した。表１に示すように、実施例１のプリント配線板１と比較例１のプリント配線板とは、保護層の表面に形成されたシールド機能を備える導電層の厚さが異なる。具体的に実施例１のプリント配線板における第２導電層２１の厚さは３[μｍ]であるのに対して、比較例１において、銀ペーストをスクリーン印刷することにより形成されたシールド層の厚さは１５[μｍ]である。それ以外の構成については共通する。
【表１】
2016186986.tif 000003
【００４２】
実施例１及び比較例１について、伝送損失を計測した。本実施形態では、ＶＮＡ（ベクトルネットワークアナライザ）を用いて伝送損失を測定した。具体的にAgilent Technologies社製のN5230CのＶＮＡを使用した。ネットワークアナライザは、高周波回路網の通過・反射電力の周波数特性を測定する。測定はディファレンシャルモードで行い、基準抵抗は９０［Ω］とした。測定プローブとしては、Suss Microtech社製の高周波プローブ：GSSG500を使用した。上述した実施例１に係るサンプル５個と、比較例１に係るサンプル５個について、伝送損失を測定し、それらの測定値を統計処理して平均値を図３Ｃに示した。
【００４３】
図３Ｃにおいて、実施例１の伝送損失の特性を実線にて示した。他方、比較例の伝送損失の特性を破線にて示した。図３Ｃに伝送損失としてSdd21の変化を示す。Sdd21は、一般的なS21と同様に、入力信号について入力端から出力端までの間の減衰の度合（周波数に対するdB）を示す。一般的なS21が一本の信号線についての評価であるところ、Sdd21は二本の信号線についての評価を示す。
図３Ｃに示すように、本実施形態に係る実施例１のプリント配線板１は、比較例１に係るプリント配線板よりも、伝送損失が低いことを確認できた。
【００４４】
このように、本実施例に係るプリント配線板１は、高周波数帯における伝送特性を良好に維持する。さらに、シールド層２１ａを薄く構成できるので、小型化・薄型化に好適であり、かつ屈曲耐性の高いプリント配線板を提供できる。
【００４５】
以上説明した実施形態は、本発明の理解を容易にするために記載されたものであって、本発明を限定するために記載されたものではない。したがって、上記の実施形態に開示された各要素は、本発明の技術的範囲に属する全ての設計変更や均等物をも含む趣旨である。
【符号の説明】
【００４６】
１…プリント配線板
１０…絶縁性基材
１１…第１導電層
１１ａ…めっき層
１１Ｇ…グランドランド
１２…ビアホール
ＣＬ１，ＣＬ２，ＣＬ…保護層
１３…（カバーレイの）接着層
１４…（カバーレイの）カバーフィルム
２０…シード層
２１…第２導電層（シード層を含む）
２１ａ…シールド層
２１ｂ…層間接続層
２２…絶縁層
【図１】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
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