(57)【要約】      （修正有）【課題】信頼性を保持しつつ、狭額縁化を実現することが可能な有機ＥＬ表示装置およびその製造方法、並びに電子機器を提供する。【解決手段】第１基板１１および第２基板３１と、第１基板および第２基板の間に設けられた有機層２８を含む表示層２０と、表示層の端面から第１基板および第２基板の端面の少なくとも一部に連続して設けられた封止部５０とを備える有機ＥＬ表示装置１。【選択図】図１
2016072127.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板および第２基板と、
前記第１基板および前記第２基板の間に設けられた有機層を含む表示層と、
前記表示層の端面から前記第１基板および前記第２基板の端面の少なくとも一部に連続して設けられた封止部と
を備えた有機ＥＬ表示装置。
【請求項２】
前記封止部は、無機材料層および有機材料層がこの順に積層された積層構造を有する、請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項３】
前記封止部は、無機材料層と有機材料層とが交互に積層された多層構造を有する、請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項４】
前記多層構造を形成する複数の有機材料層の、前記第１基板，前記第２基板および前記表示層の積層方向に対する幅は、その積層順に大きくなる、請求項３に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項５】
前記無機材料層は、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３），酸化シリコン（ＳｉＯ２），酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２），酸化チタン（ＴｉＯ２），酸化亜鉛（ＺｎＯ２），酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ），酸化インジウムスズ（ＩＴＯ），酸化インジウムガリウム亜鉛（ＩＧＺＯ），酸化アルミ亜鉛（ＡＺＯ），酸化ガリウム亜鉛（ＧＺＯ）、および窒化シリコン（ＳｉＮ），酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）のうちの少なくとも１種を含んでいる、請求項２に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項６】
前記無機材料層は、ルテニウム（Ｒ），白金（Ｐｔ），イリジウム（Ｉｒ），パラジウム（Ｐｄ），ロジウム（Ｒｈ），金（Ａｕ），銀（Ａｇ），銅（Ｃｕ），ニッケル（Ｎｉ），コバルト（Ｃｏ），鉄（Ｆｅ），マンガン（Ｍｎ），タンタル（Ｔａ），タングステン（Ｗ），モリブデン（Ｍｏ），チタン（Ｔｉ），アルミニウム（Ａｌ），ケイ素（Ｓｉ），ゲルマニウム（Ｇｅ），亜鉛（Ｚｎ）のうちの少なくとも１種、あるいは、その合金を含む、請求項２に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項７】
前記表示層の端面には、有機材料を含む平坦化膜が形成されている、請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項８】
前記表示層の端面に最初に形成される前記無機材料層は、導電性を有している、請求項２に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項９】
第１基板上に有機層を含む表示層を形成する工程と、
前記第１基板と前記第２基板とを、前記表示層を介して貼り合わせる工程と、
前記表示層の端面から前記第１基板および前記第２基板の端面の少なくとも一部に連続して封止部を形成する工程と
を含む有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項１０】
前記第１基板と前記第２基板とを、前記第２基板上に接着層を設けた後、前記表示層を介して貼り合わせる、請求項９に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項１１】
前記第１基板と第２基板とを、前記表示層を介して貼り合わせた後、前記表示層を含む前記第１基板および前記第２基板の分断する分断工程を含む、請求項９に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項１２】
前記分断工程は、ダイシングによって行われる、請求項１１に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項１３】
前記分断工程は、前記表示層と前記第２基板との間に設けられた前記接着層をレーザによって除去したのち、スクライブによって行われる、請求項１１に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項１４】
有機ＥＬ表示装置を備え、
前記有機ＥＬ表示装置は、
第１基板および第２基板と、
前記第１基板および前記第２基板の間に設けられた有機層を含む表示層と、
前記表示層の端面から前記第１基板および前記第２基板の端面の少なくとも一部に連続して設けられた封止部と
を有する電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、有機エレクトロルミネセンス（ＥＬ；Electro Luminescence）現象を利用して発光する有機ＥＬ表示装置およびその製造方法、並びにこれを備えた電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
スマートフォンやタブレット端末等の携帯機器に使用される中小型の表示装置では、高精細且つ低消費電力な表示性能および薄型且つ軽量なデザイン性が求められている。これらの要求に応える表示装置として、有機発光素子（ＯＬＥＤ；Organic Light-Emitting Device）を用いた表示装置（有機ＥＬ表示装置）が注目されている。有機ＥＬ表示装置は、自発光型の表示装置であるため、視野角が広く、バックライトを必要としない。このため、液晶を用いた表示装置と比較して、消費電力が低く、応答性やデバイス自体の厚さを薄くできる等の特徴を有している。
【０００３】
また、中小型の表示装置では、デザイン性の追求の１つとして有効表示領域の拡張が求められており、表示領域周縁の、いわゆる額縁部分（フレーム部分）の幅を狭めること（狭額縁化）が求められている。
【０００４】
この狭額縁化は、大型の表示装置でも求められている。大型の表示装置では、４Ｋ２Ｋあるいは８Ｋ４Ｋといった超多画素ディスプレイの開発が進んでおり、表示領域が大型化しても画素の粗さが目立たなくなるため、例えば１００インチ以上の超大型ディスプレイの需要が高まりつつある。このような超大型ディスプレイは、取り数や歩留まり、コストの面から、複数枚の表示パネルを組み合わせて超大型の表示パネルを製造することで実現することが可能となるが、このとき、組み合わせる表示パネルの額縁領域の削減が求められる。
【０００５】
一方、有機ＥＬ表示装置は、発光素子として有機材料を含む材料で形成された有機ＥＬ素子を備えている。有機ＥＬ素子は、陽極と陰極との間に正孔注入層や発光層あるいは電子注入層等の有機材料を含む層（有機層）が積層されている。これら有機層は、大気中の水分や酸素と容易に反応して劣化する。劣化した有機層は、発光輝度が低下したり発光が不安定になる等の発光素子としての性能を低下させる。
【０００６】
有機層への水分や酸素等の浸入を防ぐ方法としては、例えば、特許文献１，２では、発光領域からその側面にかけて、無機材料からなるガスバリア層（あるいは、バリア膜）で被覆した有機ＥＬ装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００９−１１７０７９号公報
【特許文献２】特開２００３−２８２２４１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、上記有機ＥＬ装置では、ガスバリア層の下には、凹凸を平坦化するための有機層が設けられており、ガスバリア層はこの有機層を覆うことによって外部からの水分の侵入を防いでいる。ここで、有機層はスピンコート法や有機ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法等で成膜されるため、発光領域の周縁にはみ出す部分がある。このため、有機層を被覆するガスバリア層は有機層のはみ出し部分よりも広く成膜する必要があるため、額縁領域を狭くすることは困難であった。
【０００９】
本開示はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、信頼性を保持しつつ、狭額縁化を実現することが可能な有機ＥＬ表示装置およびその製造方法、並びに電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本開示の有機ＥＬ表示装置は、第１基板および第２基板と、第１基板および第２基板の間に設けられた有機層を含む表示層と、表示層の端面から第１基板および第２基板の端面の少なくとも一部に連続して設けられた封止部とを備えたものである。
【００１１】
本開示の有機ＥＬ表示装置の製造方法は、第１基板上に有機層を含む表示層を形成する工程と、第１基板と第２基板とを、表示層を介して貼り合わせる工程と、表示層の端面から第１基板および第２基板の端面の少なくとも一部に連続して封止部を形成する工程とを含むものである。
【００１２】
本開示の電子機器は、上記本開示の有機ＥＬ表示装置を備えたものである。
【００１３】
本開示の有機ＥＬ表示装置およびその製造方法、並びに電子機器では、第１基板と第２基板との間に設けられた有機層を含む表示層の端面に、少なくとも、表示層の端面から第１基板および第２基板の端面の一部に連続して形成された封止部を設けることにより、表示領域の周縁に設けられている周辺領域において、基板間に封止構造が設けられている一般的な有機ＥＬ表示装置と比較して、有機層への水分の浸入を防止しつつ、周辺領域の面積が削減される。
【発明の効果】
【００１４】
本開示の有機ＥＬ表示装置およびその製造方法、並びに電子機器によれば、第１基板と第２基板との間に設けられた有機層を含む表示層の端面に、少なくとも第１基板および第２基板の端面の一部に重複部を有する封止部を設けるようにした。これにより、表示領域の周縁に設けられている周辺領域において、基板間に封止構造が設けられている一般的な有機ＥＬ表示装置と比較して、有機層への水分の浸入を防止しつつ、周辺領域の面積が削減される。よって、信頼性を保持しつつ、額縁領域の狭い有機ＥＬ表示装置およびこれを備えた電子機器を提供することが可能となる。なお、ここに記載された効果は必ずしも限定されるものではなく、本開示中に記載されたいずれの効果であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本開示の一実施の形態に係る表示装置の構成を表す断面図である。
【図２】図１に示した表示装置の全体構成を表す平面図である。
【図３】図２に示した画素駆動回路の一例を表す図である。
【図４】本開示の封止部における水分の浸入経路を説明するための模式図である。
【図５】図１に示した表示装置を製造工程の一例を表わす流れ図である。
【図６Ａ】分断方法の一例を説明する模式図である。
【図６Ｂ】図６Ａに続く模式図である。
【図７】図６に示した分断法によって形成された分断面の特性を比較する特性図である。
【図８Ａ】分断方法の他の例を説明する模式図である。
【図８Ｂ】図８Ａに続く分断方法を説明する模式図である。
【図８Ｃ】図８Ｂに続く分断方法を説明する模式図である。
【図９】本開示の変形例１に係る表示装置の全体構成を表す平面図である。
【図１０】図９に示した表示装置の構成を表す断面図である。
【図１１】本開示の変形例２に係る表示装置の断面図である。
【図１２】本開示の変形例３に係る表示装置の製造工程の一工程を説明する模式図である。
【図１３】図１２に示した製造工程の一工程を更に説明する模式図である。
【図１４】本開示の表示装置を用いた適用例１の外観を表す斜視図である。
【図１５】適用例２の外観を表す斜視図である。
【図１６Ａ】適用例３の外観の一例を表す斜視図である。
【図１６Ｂ】適用例３の外観の他の例を表す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本開示の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
１．実施の形態（表示パネルの端面に封止部を有する表示装置）
１−１．全体構成
１−２．製造方法
１−３．作用・効果
２．変形例
変形例１（表示パネルの一辺に端子部を有する表示装置）
変形例２（基板裏面に配線を有する表示装置）
変形例３（表示パネルの量産工程における分断方法）
３．適用例（電子機器への適用例）
【００１７】
＜１．実施の形態＞
（１−１．全体構成）
図１は、本開示の一実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置（表示装置１）の断面構成を表したものである。この表示装置１は、例えば、有機ＥＬテレビジョン装置等として用いられるものであり、駆動基板１１上には表示領域１１０Ａおよび表示領域１１０Ａの周縁に周辺領域１１０Ｂが設けられている（図２参照）。表示装置１は、例えば、Ｒ（赤），Ｇ（緑），Ｂ（青）のいずれかの色光を発する有機ＥＬ素子１０（赤色有機ＥＬ素子１０Ｒ，緑色有機ＥＬ素子１０Ｇ，青色有機ＥＬ素子１０Ｂ）を発光素子として用いると共に、その色光が上面（駆動基板１１と反対側の面）側から出射される、上面発光型（いわゆるトップエミッション型）の表示装置である。本実施の形態の表示装置１は、有機ＥＬ素子１０が設けられた表示層２０と、この表示層２０を間に対向配置された駆動基板１１および対向基板３１とからなる表示パネルＰの端面に、少なくとも表示層２０を被覆する封止部５０が設けられたものである。
【００１８】
図２は、図１に示した表示装置１の全体構成の一例を表したものであり、表示領域１１０Ａ内には、複数の画素５（赤色画素５Ｒ，緑色画素５Ｇ，青色画素５Ｂ）がマトリクス状に配置されている。また、表示領域１１０Ａの周辺（外縁側，外周側）に位置する周辺領域１１０Ｂには、映像表示用のドライバである信号線駆動回路１２０および走査線駆動回路１３０が設けられている。
【００１９】
表示領域１１０Ａ内には、画素駆動回路１４０が設けられている。図３は、この画素駆動回路１４０の一例（赤色画素５Ｒ，緑色画素５Ｇ，青色画素５Ｂの画素回路の一例）を表したものである。画素駆動回路１４０は、後述する画素電極２６の下層に形成されたアクティブ型の駆動回路である。この画素駆動回路１４０は、駆動トランジスタＴｒ１および書き込みトランジスタＴｒ２と、これらトランジスタＴｒ１，Ｔｒ２の間のキャパシタ（保持容量）Ｃｓとを有している。画素駆動回路１４０はまた、第１の電源ライン（Ｖｃｃ）および第２の電源ライン（ＧＮＤ）の間において、駆動トランジスタＴｒ１に直列に接続された有機ＥＬ素子１０を有している。即ち、赤色画素５Ｒ，緑色画素５Ｇ，青色画素５Ｂ内にはそれぞれ、この有機ＥＬ素子１０が設けられている。駆動トランジスタＴｒ１および書き込みトランジスタＴｒ２は、一般的な薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）により構成され、その構成は例えば逆スタガ構造（いわゆるボトムゲート型）でもよいしスタガ構造（トップゲート型）でもよく、特に限定されない。
【００２０】
画素駆動回路１４０において、列方向には信号線１２０Ａが複数配置され、行方向には走査線１３０Ａが複数配置されている。各信号線１２０Ａと各走査線１３０Ａとの交差点が、赤色画素５Ｒ，緑色画素５Ｇ，青色画素５Ｂのいずれか１つに対応している。各信号線１２０Ａは、信号線駆動回路１２０に接続され、この信号線駆動回路１２０から信号線１２０Ａを介して書き込みトランジスタＴｒ２のソース電極に画像信号が供給されるようになっている。各走査線１３０Ａは走査線駆動回路１３０に接続され、この走査線駆動回路１３０から走査線１３０Ａを介して書き込みトランジスタＴｒ２のゲート電極に走査信号が順次供給されるようになっている。
【００２１】
本実施の形態の表示装置１では、上記のように、駆動基板１１と対向基板３１との間に表示層２０を有する表示パネルＰの端面に封止部５０が設けられている。封止部５０は、表示層２０（より、具体的には、有機層２８）への水分の浸入を抑制するためのものであり、封止部５０は少なくとも表示パネルＰのうち表示層２０を被覆していることが好ましい。より好ましくは、封止部５０の一端が、表示層２０に接する駆動基板１１および対向基板３１の端面の一部にそれぞれ重複するように設けられている。
【００２２】
封止部５０は、無機材料からなる無機膜５１のみで形成しても、表示層２０（より具体的には、有機層２８）への水分の浸入は抑制できるが、無機膜５１および有機膜５２の積層構造とすることによって、表示層２０への水分の浸入をより抑えることができる。表１は、以下のように作製したサンプル１〜３において、カルシウム腐食性を測定し、水蒸気透過率を算出してまとめたものである。なお、カルシウム腐食性の測定条件は、温度６０℃、湿度９０％（相対湿度）とした。サンプル１は、フィルム基材（ＰＥＮ基板、厚み１００μｍ）に、カルシウム（Ｃａ）膜を成膜し、ＰＥＮ基板で貼り合わせたものである。サンプル２は、Ｃａ膜上に充填層を設け、この充填層上に、例えば、厚み３μｍのＵＶ硬化型の樹脂膜、例えば、厚み２５ｎｍの無機膜（Ａｌ2Ｏ3膜）を、この順に成膜したサンプル成膜したものである。サンプル３は、サンプル２の構成に、さらにＵＶ硬化型の樹脂膜とＡｌ2Ｏ3膜とを積層したものである。
【００２３】
【表１】
2016072127.tif 000003
【００２４】
表１から、表示層２０への水分侵入の抑制効果は、封止部５０を無機膜５１と有機膜５２の積層構造とすることで向上させることができることがわかる。また、この無機膜５１および有機膜５２の積層膜を重ねて設けることでより抑制効果が高まることがわかる。これは、無機膜５１の膜質に起因する。無機膜５１は、その成膜途中に付着し得るダストや、成膜時の欠陥によって、微小な欠陥が生じる虞がある。成膜中に付着したダストや欠陥は、外部からの水分の侵入の原因となる。このため、無機膜５１の表面に有機膜５２を形成することによって、ダストを被覆すると共に、無機膜５１の欠陥を防ぎ、表示層２０への水分の浸入を遅らせることができる。
【００２５】
封止部５０は、さらに、無機膜５１と有機膜５２とからなる積層膜を２層以上積層させた多層構造とすることが好ましい。図４は、図１に示した表示装置における封止部５０の構成の一部における水分Ｈの侵入経路を模式的に表したものである。図４に示したように、例えば、無機膜５１Ｂ，５１Ｃに欠陥が形成されていても、無機膜５１Ｃの欠陥を介して浸入した水分Ｈは、間に設けられている有機膜５２Ｂを通過して無機膜５１Ｂの欠陥にまで到達するまでの迷路効果によって水分の拡散速度が抑えられる。このように、無機膜５１と有機膜５２とを交互に積層することで、水分Ｈの拡散速度を効率よく抑えることが可能となる。具体的には、例えば、図１に示したように、無機膜５１および有機膜５２がそれぞれ３層ずつ、表示パネルＰの端面から無機膜５１Ａ，有機膜５２Ａ，無機膜５１Ｂ，有機膜５２Ｂ，無機膜５１Ｃおよび有機膜５２Ｃのように形成することが好ましく、最表面の有機膜５２Ｃの成膜幅は、表示パネルＰのＹ軸方向の膜厚（以降、単に厚みという）と同程度、具体的には、図１に示したように、有機膜５２ＣのＹ軸方向の端面が、それぞれ、表示パネルＰの表面（駆動基板１１および対向基板３１の対向面とは反対側の面）に達する程度とすることが好ましい。
【００２６】
無機膜５１の材料としては、例えば、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）であることが望ましく、この他に、酸化シリコン（ＳｉＯ2），酸化ジルコニウム（ＺｒＯ2），酸化チタン（ＴｉＯ2），酸化亜鉛（ＺｎＯ2），酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ），酸化インジウムスズ（ＩＴＯ），酸化インジウムガリウム亜鉛（ＩＧＺＯ），酸化アルミ亜鉛（ＡＺＯ），酸化ガリウム亜鉛（ＧＺＯ）、および窒化シリコン（ＳｉＮ），酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）が挙げられる。また、ＡｌやＴｉ等の金属膜でもよい。無機膜５１はこれら材料を少なくとも１種以上用いて形成することが好ましい。この他、一般的な配線材料を用いて形成してもよい。具体的には、ルテニウム（Ｒ），白金（Ｐｔ），イリジウム（Ｉｒ），パラジウム（Ｐｄ），ロジウム（Ｒｈ），金（Ａｕ），銀（Ａｇ），銅（Ｃｕ），ニッケル（Ｎｉ），コバルト（Ｃｏ），鉄（Ｆｅ），マンガン（Ｍｎ），タンタル（Ｔａ），タングステン（Ｗ），モリブデン（Ｍｏ），チタン（Ｔｉ），アルミニウム（Ａｌ），ケイ素（Ｓｉ），ゲルマニウム（Ｇｅ），亜鉛（Ｚｎ）が挙げられ、これらを１種以上、あるいは、その合金を用いて形成してもよい。無機膜５１の成膜方法としては、例えば、ゾルゲル法やスパッタリング法、真空蒸着法、ＣＶＤ法や原子層堆積法（ＡＬＤ； HYPERLINK "javascript:void(0);" atomic layer deposition）を用いることができる。特に、ＡＬＤ法を用いて成膜することが好ましく、その膜厚（厚み）は１０ｎｍ以上で２００ｎｍ以下であることが好ましい。
【００２７】
有機膜５２の材料としては、封止部５０の封止性を向上させるために、無機膜５１との密着性（親和性）が良好な材料が好ましい。具体的には、シクロアルカン構造含有重合性化合物または高酸価フタル酸構造含有重合性化合物を含む樹脂組成物が硬化されたものが挙げられる。
【００２８】
封止部５０が、上記のように無機膜５１と有機膜５２との積層膜が積層された多層構造を有する場合には、端面側に形成される有機膜（図１に示した有機膜５２では、有機膜５２Ａ，５２Ｂ）の端面は外部に露出していないことが望ましい。有機膜は、十分な水分封止性能はない。このため、表示パネルＰの端面に近傍に形成される有機膜の端面が外部に露出する場合には、その端面が表示層２０への水分の浸入経路となる。このため、無機膜５１および有機膜５２の多層構造を有する封止部５０では、有機膜５２上に形成される無機膜５１は、下層の有機膜５２全体を被覆して外気から遮断することが求められる。即ち、有機膜５２の成膜幅（Ｄ）は、成膜順に従って徐々に大きくなることが好ましい。具体的には、図１に示した封止部５０を構成する有機膜５２Ａ，５２Ｂ，５２Ｃの成膜幅はＤ１＜Ｄ２＜Ｄ３となることが好ましい。
【００２９】
有機膜５２の厚みは、できるだけ薄いことが好ましい。これは、無機膜５１は、有機膜５２と比較して非常に薄く成膜することが可能であるため、表示装置１の額縁領域は有機膜５２の厚みによってほぼ決定されるためである。但し、有機膜５２は、上記のように無機膜５２に欠陥があった場合の水分の拡散速度を抑える役割を有すると共に、最表面の有機膜５２（有機膜５２Ｃ）は無機膜５１（無機膜５１Ｃ）の保護膜として機能することから、その厚みは、例えば３μｍ以上３０μｍ以下であることが好ましい。
【００３０】
このような有機膜５２を成膜する方法としては、例えば、液状有機剤を塗布し、硬化させる方法が考えられる。これにより、無機膜５２に形成される微細な凹凸を隙間なく埋めることが可能となる。なお、例えば液状有機剤の毛細管現象を効果的に利用するために低粘度化して用いることが好ましい。具体的な成膜方法としては、エア圧やメカニカル圧力で液状有機剤を押し出すディスペンス方式や、インクジェット方式あるいはオフセット方式等が挙げられる。
【００３１】
ディスペンス方式は、細いノズルを使用して、ノズルと塗布面間の距離を狭めることで塗布幅を細く薄くすることができる。このため、塗布幅はノズルサイズや塗布条件で設定でき、汎用性が高い。インクジェット方式は、１滴当りの塗布量を微量にすることができるため、成膜幅や厚みを精度よく制御することができる。オフセット方式はオフセット部品に液剤を漬け、塗布部に転写するものである。オフセット方式は、オフセット部品を塗布部に直接接触させるため、２層目以降の成膜には適用し難いものの、オフセット部品幅を薄く、浸漬させる液剤量を定量にすることで、成膜幅および厚みが安定した有機膜を成膜することができるため、生産性を向上させることが可能となる。なお、２層目以降に限定した塗布方式としてはディップ方式が挙げられる。
【００３２】
また、オフセット部品に角度をつけて塗布面に接触させることで、接触による影響を低減しつつ、塗布幅と厚みのばらつきを低減することができる。この他、その塗布工程において、真空を用いてもよい。
【００３３】
また、本実施の形態では、封止部５０は、表示パネルＰの端面に直接、無機膜５１Ａを成膜し、この無機膜５１Ａ上に有機膜５２Ａ，無機膜５１Ｂ，有機膜５２Ｂ，無機膜５１Ｃおよび有機膜５２Ｃをこの順に積層した例を示したが、例えば、表示パネルＰの端面の表面が粗い場合には、端面の表面に有機材料を含む平坦化膜（図示せず）を下地層として成膜してもよい。この平坦化膜が、表示パネルＰの端面の微細な凹凸を隙間なく埋設することで、以降に成膜する無機膜５１および有機膜５２の膜質を安定させることができると共に、その厚みを最小限に抑えることが可能となる。平坦化膜の成膜方法としては、上記のように有機膜５２の成膜方法と同様に、液状有機剤を塗布し、硬化させて成膜する方法が挙げられる。
【００３４】
以下に、表示パネルＰを構成する各部を説明する。表示パネルＰは、上記のように、表示層２０を間に対向配置された駆動基板１１および対向基板３１とからなり、表示層２０は、各有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを駆動するためのトランジスタ２０Ｘが設けられた半導体部２０Ａと、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂが設けられた表示部２０Ｂとから構成されている。なお、本実施の形態では、駆動基板１１と対向基板３１とは、その全面が接着層４０によって貼り合わされた完全固体構造を有している。
【００３５】
駆動基板１１は、その一主面側に各色の有機ＥＬ素子１０（赤色有機ＥＬ素子１０Ｒ，緑色有機ＥＬ素子１０Ｇ，青色有機ＥＬ素子１０Ｂ）が配列形成される支持体である。この駆動基板１１としては、例えば、石英、ガラス、または、ポリエーテルサルフォン，ポリカーボネート，ポリイミド類，ポリアミド類，ポリアセタール類，ポリエチレンテレフタラート，ポリエチレンナフタレート，ポリエチルエーテルケトン，ポリオレフィンルイ等のプレスチック基板、表面に絶縁処理がされたアルミニウム（Ａｌ），ニッケル（Ｎｉ），銅（Ｃｕ），ステンレス等の金属箔基板または紙等を用いることができる。これらの基板上には密着性や平坦性を改善するためのバッファ層やガスバリア性を向上するためのバリア膜等の機能性膜を形成してもよい。更に、スパッタリング法等により、駆動基板１１を加熱することなくチャネル層２２を成膜することが可能であれば、駆動基板１１に安価なプラスチックフィルムを用いることも可能である。
【００３６】
駆動基板１１上の半導体部２０Ａには、上記駆動用または書き込み用のトランジスタＴｒ１，Ｔｒ２や各種配線が形成されており、これらトランジスタＴｒ１およびＴｒ２や配線上には、平坦化絶縁膜２５が設けられている。トランジスタＴｒ１，Ｔｒ２（以下、薄膜トランジスタ２０Ｘとする）はトップゲート型およびボトムゲート型のいずれでもよいが、ここではトップゲート型の薄膜トランジスタ２０Ｘを例に説明する。薄膜トランジスタ２０Ｘでは、駆動基板１１側から順に、一対のソース・ドレイン電極（ソース電極２１Ａ，ドレイン電極２１Ｂ），チャネル層２２，ゲート絶縁膜２３およびゲート電極２４がこの順に形成され、更に、半導体部２０Ａを平坦化させる平坦化絶縁膜２５が設けられている。
【００３７】
ソース電極２１Ａおよびドレイン電極２１Ｂは、互いに離間して設けられ、チャネル層２２と電気的に接続されている。ソース電極２１Ａおよびドレイン電極２１Ｂを構成する材料としては、金属材料や半金属，無機半導体材料を用いる。具体的には、白金（Ｐｔ），チタン（Ｔｉ），ルテニウム（Ｒｕ），モリブデン（Ｍｏ），Ｃｕ，タングステン（Ｗ），Ｎｉ，アルミニウム（Ａｌ），金（Ａｕ），銀（Ａｇ），およびタンタル（Ｔａ）等の金属単体または合金の他、例えば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）あるいは酸化モリブデン（ＭｏＯ）等が挙げられる。ソース電極２１Ａおよびドレイン電極２１Ｂはこれら金属単体または合金によって構成されており、単層あるいは２種以上を積層させて用いるようにしてもよい。積層構造として、例えばＴｉ／Ａｌ／Ｔｉ，Ｍｏ／Ａｌ等の積層構造が挙げられる。また、配線２７Ａもソース電極２１Ａおよびドレイン電極２１Ｂと同様の構成を用いることができる。
【００３８】
チャネル層２２は、例えば、ソース電極２１Ａとドレイン電極２１Ｂとの間に島状に設けられ、後述するゲート電極２４に対向する位置にチャネル領域を有している。チャネル層２２の厚みは、例えば、５ｎｍ〜１００ｎｍである。チャネル層２２は、例えばperi-Xanthenoxanthene(ＰＸＸ)誘導体等の有機半導体材料により構成されている。有機半導体材料としては、例えば、ポリチオフェン、ポリチオフェンにヘキシル基を導入したポリ−３−ヘキシルチオフェン（Ｐ３ＨＴ）、ペンタセン［２，３，６，７−ジベンゾアントラセン］、ポリアントラセン、ナフタセン、ヘキサセン、ヘプタセン、ジベンゾペンタセン、テトラベンゾペンタセン、クリセン、ペリレン、コロネン、テリレン、オバレン、クオテリレン、サーカムアントラセン、ベンゾピレン、ジベンゾピレン、トリフェニレン、ポリピロール、ポリアニリン、ポリアセチレン、ポリジアセチレン、ポリフェニレン、ポリフラン、ポリインドール、ポリビニルカルバゾール、ポリセレノフェン、ポリテルロフェン、ポリイソチアナフテン、ポリカルバゾール、ポリフェニレンスルフィド、ポリフェニレンビニレン、ポリフェニレンスルフィド、ポリビニレンスルフィド、ポリチエニレンビニレン、ポリナフタレン、ポリピレン、ポリアズレン、銅フタロシアニンで代表されるフタロシアニン、メロシアニン、ヘミシアニン、ポリエチレンジオキシチオフェン、ピリダジン、ナフタレンテトラカルボン酸ジイミド、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリスチレンスルホン酸（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）、４，４’−ビフェニルジチオール（ＢＰＤＴ）、４，４’−ジイソシアノビフェニル、４，４’−ジイソシアノ−ｐ−テルフェニル、２，５−ビス（５’−チオアセチル−２’−チオフェニル）チオフェン、２，５−ビス（５’−チオアセトキシル−２’−チオフェニル）チオフェン、４，４’−ジイソシアノフェニル、ベンジジン（ビフェニル−４，４’−ジアミン）、ＴＣＮＱ（テトラシアノキノジメタン）、テトラチアフルバレン（ＴＴＦ）−ＴＣＮＱ錯体、ビスエチレンテトラチアフルバレン（ＢＥＤＴＴＴＦ）−過塩素酸錯体、ＢＥＤＴＴＴＦ−ヨウ素錯体、ＴＣＮＱ−ヨウ素錯体に代表される電荷移動錯体、ビフェニル−４，４’−ジカルボン酸、２４−ジ（４−チオフェニルアセチリニル）−２−エチルベンゼン、２４−ジ（４−イソシアノフェニルアセチリニル）−２−エチルベンゼン、デンドリマー、Ｃ６０、Ｃ７０、Ｃ７６、Ｃ７８、Ｃ８４等のフラーレン、２４−ジ（４−チオフェニルエチニル）−２−エチルベンゼン、２，２”−ジヒドロキシ−１，１’：４’，１”−テルフェニル、４，４’−ビフェニルジエタナール、４，４’−ビフェニルジオール、４，４’−ビフェニルジイソシアネート、２４−ジアセチニルベンゼン、ジエチルビフェニル−４，４’−ジカルボキシレート、ベンゾ［２２−ｃ；３，４−ｃ’；５，６−ｃ”］トリス［２２］ジチオール−２４，７−トリチオン、アルファ−セキシチオフェン、テトラチオテトラセン、テトラセレノテトラセン、テトラテルルテトラセン、ポリ（３−アルキルチオフェン）、ポリ（３−チオフェン−β−エタンスルホン酸）、ポリ（Ｎ−アルキルピロール）ポリ（３−アルキルピ��ール）、ポリ（３，４−ジアルキルピロール）、ポリ（２，２’−チエニルピロール）、ポリ（ジベンゾチオフェンスルフィド）、キナクリドンが挙げられる。また、この他、縮合多環芳香族化合物、ポルフィリン系誘導体、フェニルビニリデン系の共役系オリゴマーおよびチオフェン系の共役系オリゴマーから成る群から選択された化合物を用いてもよい。更に、有機半導体材料と絶縁性の高分子材料を混合して用いても構わない。
【００３９】
チャネル層２２は、真空蒸着法を用いて形成してもよいが、例えば上記材料を、例えば有機溶媒に溶解してインク溶液とし、塗布・印刷プロセスを用いて形成することが好ましい。塗布・印刷プロセスは真空蒸着法よりもコストを削減できると共に、スループットの向上に効果的なためである。塗布・印刷プロセスの具体的な例としては、キャストコーティング、スピンコーティング、スプレイコーティング、インクジェット印刷、凸版印刷、フレキソ印刷、スクリーン印刷、グラビア印刷、グラビアオフセット印刷等の方法が挙げられる。
【００４０】
ゲート絶縁膜２３は、チャネル層２２とゲート電極２４との間に、例えば、厚み５０ｎｍ〜１μｍの範囲で設けられている。ゲート絶縁膜２３は、例えばシリコン酸化物（ＳｉＯ），シリコン窒化物（ＳｉＮ），シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ），ハフニウム酸化物（ＨｆＯ），アルミニウム酸化物（ＡｌＯ），アルミニウム窒化物（ＡｌＮ），タンタル酸化物（ＴａＯ），ジルコニウム酸化物（ＺｒＯ），ハフニウム酸窒化物，ハフニウムシリコン酸窒化物,アルミニウム酸窒化物，タンタル酸窒化物およびジルコニウム酸窒化物のうちの少なくとも１種を含む絶縁膜により形成される。このゲート絶縁膜２３は単層構造としてもよく、または、例えば、ＳｉＮ膜およびＳｉＯ膜等の２種類以上の材料を用いた積層構造としてしてもよい。ゲート絶縁膜２３を積層構造とした場合、チャネル層２２との界面特性を改善したり、外気からチャネル層２２への不純物（例えば、水分）の混入を効果的に抑制することが可能である。ゲート絶縁膜２３は、塗布形成後にエッチングによって所定の形状にパターニングされるが、材料によっては、インクジェット印刷、スクリーン印刷、オフセット印刷、グラビア印刷等の印刷技術によってパターン形成してもよい。
【００４１】
ゲート電極２４は、薄膜トランジスタ２０Ｘにゲート電圧を印加し、このゲート電圧によりチャネル層２２中のキャリア密度を制御する役割を有する。ゲート電極２４は駆動基板１１上の選択的な領域に設けられ、例えば、Ｐｔ，Ｔｉ，Ｒｕ，Ｍｏ，Ｃｕ，Ｗ，Ｎｉ，ＡｌおよびＴａ等の金属単体または合金により構成されている。また、これらのうちの２種以上を積層させて用いるようにしてもよい。
【００４２】
平坦化絶縁膜２５は、各配線（ソース電極２１Ａおよびドレイン電極２１Ｂやチャネル層２２あるいはゲート電極２４）の間の短絡を防ぐと共に、薄膜トランジスタ２０Ｘが形成された駆動基板１１の表面を平坦化するためのものである。平坦化絶縁膜２５の構成材料としては、例えば、ポリイミド系，ポリアクリレート系，エポキシ系，クレゾールノボラック系あるいはポリスチレン系，ポリアミド系，フッ素系等の有機絶縁材料、あるいはＳｉＯ等の無機材料が挙げられる。
【００４３】
表示部２０Ｂは、発光素子１０を含み、半導体部２０Ａ、具体的には平坦化絶縁膜２５上に設けられている。発光素子１０は半導体部２０Ａ側から陽極としての画素電極２６、隔壁２７、発光層２８Ｂを含む有機層２８、および陰極としての対向電極２９がこの順に積層された発光素子である。対向電極２９上には、接着層４０を介して対向基板３１が貼り合わされている。薄膜トランジスタ２０Ｘと発光素子１０は、平坦化絶縁膜２５に設けられた接続孔２５Ａを介して画素電極２６に電気的に接続されている。
【００４４】
画素電極２６は、反射層としての機能も兼ねており、できるだけ高い反射率を有するようにすることが発光効率を高める上で望ましい。特に、画素電極２６が陽極として使われる場合には、画素電極２６は正孔注入性の高い材料により構成されていることが望ましい。このような画素電極２６としては、例えば、Ａｌ，Ｃｒ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｎｉ，Ｃｕ，ＷあるいはＡｇ等の金属元素の単体または合金が挙げられる。画素電極２６の表面には、仕事関数の大きな透明電極を積層することが好ましい。
【００４５】
隔壁２７は、画素電極２６と対向電極２９との絶縁性を確保すると共に発光領域を所望の形状にするためのものであり、例えば感光性樹脂により構成されている。隔壁２７は画素電極２６の周囲のみに設けられており、画素電極２６のうち隔壁２７から露出した領域が発光領域となっている。なお、有機層２８および対向電極２９は隔壁２７の上にも設けられているが、発光が生じるのは発光領域だけである。
【００４６】
有機層２８は、例えば、画素電極２６側から順に、正孔供給層２８Ａ（正孔注入層２８Ａ１，正孔輸送層２８Ａ２）、発光層２８Ｂ、電子供給層２８Ｃ（電子輸送層２８Ｃ１，電子注入層２８Ｃ２）を積層した構成を有する。これらの層は必要に応じて設ければよい。有機層２８を構成する層は、例えば有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの発光色によってそれぞれ構成が異なっていてもよい。正孔注入層２８Ａ１は、正孔注入効率を高めるためのものであると共に、リークを防止するためのバッファ層である。正孔輸送層２８Ａ２は、発光層への正孔輸送効率を高めるためのものである。発光層２８Ｂは、電界をかけることにより電子と正孔との再結合が起こり、光を発生するものであり、各有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂには、対応する色光を発する発光層２８ＢＲ，２８ＢＧ，２８ＢＢがそれぞれ設けられている。電子輸送層２８Ｃ１は、発光層２８Ｂへの電子輸送効率を高めるためのものである。電子注入層２８Ｃ２は、電子注入効率を高めるためのものである。
【００４７】
対向電極２９は、例えばＡｌ，マグネシウム（Ｍｇ），カルシウム（Ｃａ）またはナトリウム（Ｎａ）の合金により構成されている。中でも、マグネシウムと銀との合金（Ｍｇ−Ａｇ合金）は、薄膜での導電性と吸収の小ささとを兼ね備えているので好ましい。Ｍｇ−Ａｇ合金におけるマグネシウムと銀との比率は特に限定されないが、膜厚比でＭｇ：Ａｇ＝２０：１〜１：１の範囲であることが望ましい。また、対向電極２９の材料は、アルミニウム（Ａｌ）とリチウム（Ｌｉ）との合金（Ａｌ−Ｌｉ合金）でもよい。
【００４８】
保護膜３０は、対向電極２９上に形成されると共に、例えば、有機層２８および対向電極２９の端面を覆うように形成されている。この保護膜３０は、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯx）、窒化シリコン（ＳｉＮx）、酸化窒化シリコン（ＳｉＮxＯy）、酸化チタン（ＴｉＯx）または酸化アルミニウム（ＡｌxＯy）等の無機材料からなる。
【００４９】
接着層４０は、保護膜３０の上にほぼ一様に形成されており、表示層２０が設けられた駆動基板１１と対向基板３１とを貼り合わせるものである。この接着層４０は、例えばエポキシ樹脂またはアクリル樹脂等からなる。また、シート状の樹脂膜を用いて形成してもよい。更に、必ずしも設けなくてもよく、例えば、接着層４０を周辺領域１１０Ｂにのみ設け、表示領域１１０Ａを中空としてもよい。
【００５０】
対向基板３１は、接着層４０と共に、有機ＥＬ素子１０を封止するものである。対向基板３１は、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂから出射される各色光に対して透明なガラス等の材料により構成されている。この対向基板３１における駆動基板１１側の面上には、例えば、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに対応する位置にそれぞれ、例えば、赤色フィルタ，緑色フィルタおよび青色フィルタからなるカラーフィルタが設けられ、各有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの間にブラックマトリクスが設けられている（いずれも図示せず）。
【００５１】
（１−２．製造方法）
この表示装置１は、例えば、図５に示した流れ図に沿って製造することができる。
【００５２】
駆動基板１１上に半導体部２０Ａを形成する（ステップＳ１０１）。まず、駆動基板１１の全面に例えばスパッタリング法や真空蒸着法を用いて、ソース電極２１Ａおよびドレイン電極２１Ｂとなる金属膜を形成する。次いで、この金属膜を、例えば、フォトリソグラフィおよびエッチングを用いてパターニングすることにより、ソース電極２１Ａおよびドレイン電極２１Ｂを形成する。続いて、ソース電極２１Ａおよびドレイン電極２１Ｂの間にチャネル層２２およびゲート絶縁膜２３を順に成膜する。具体的には、有機半導体材料、例えばＰＸＸ化合物溶液を塗布する。その後、塗布した有機半導体材料を加熱することにより、チャネル層２２が形成したのち、例えば、スピンコート法により、上述したゲート絶縁膜材料、例えばＰＶＰ（Polyvinylpyrrolidone）溶液を塗布し、乾燥させる。これにより、ゲート絶縁層２３が形成される。
【００５３】
次いで、各配線（ソース電極２１Ａおよびドレイン電極２１Ｂやチャネル層２２あるいはゲート電極２４）および駆動基板１１上に平坦化絶縁膜２５を形成する。具体的には、例えばポリイミド等の感光性樹脂を塗布し、露光および現像によって平坦化層２８を所定の形状にパターニングすると共に、接続孔２５Ａを形成し、焼成する。
【００５４】
次いで、表示部２０Ｂを形成する（ステップＳ１０２）。まず、平坦化絶縁膜２５上に画素電極２６を形成する。具体的には、平坦化絶縁膜２５上に、例えばスパッタ法により、例えばＡｌ／ＩＴＯからなる金属膜を形成したのち、例えば、ウェットエッチングにより所定の位置の金属膜を選択的に除去して有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂごとに分離した画素電極２６を形成する。続いて、各画素電極２６の間に隔壁２７を形成したのち、発光層２８Ｂを含む有機層２８を、例えば蒸着法を用いて成膜する。有機層２８上には、例えばスパッタ法を用いて対向電極２９を形成する。次に、対向電極２９上に、上述した材料からなる保護膜３０を、例えばプラズマＣＶＤ法やＰＶＤ法、ＡＬＤ法、蒸着法等を用いて形成する。
【００５５】
次に、駆動基板１１と対向基板３１とを貼り合わせる（ステップＳ１０３）。まず、上述した材料からなる対向基板３１上に、カラーフィルタおよびブラックマトリクスをそれぞれ、例えばスピンコート法等により塗布した後、フォトリソグラフィ法を用いテーパターニングすることにより形成する。続いて、対向基板３１上に、前述した材料からなる接着層４０を形成したのち、接着層を間にして、対向基板３１を貼り合わせ、表示パネルＰが完成する。
【００５６】
続いて、表示パネルＰの分断を行う（ステップＳ１０４）。本開示の表示装置１のように、額縁領域（周辺領域１１０Ｂ）ができるだけ狭い表示装置を実現するためには、接着層４０を含めた駆動基板１１、表示層２０および対向基板３１の精密な分断が必要となる。
【００５７】
一般的に、脆性物の分断にはメカホイールを使用したスクライブ分断が適用されている。スクライブ分断では、例えば、ガラス基板の表面に亀裂を形成し、この亀裂を伸展させることで分断を行う。しかしながら、亀裂の伸展方向を制御することは難しく、例えば、分断時に亀裂が斜め方向に伸展する等により、分断精度を確保することができない。このため、周辺領域１１０Ｂには、分断マージンとして一定の余裕を持たせる必要があり、狭額縁化の妨げとなる。
【００５８】
これに対して、本実施の形態では、例えば、ダイシングを用いた分断方法（図６Ａ，図６Ｂ）あるいは、スクライブ分断後に研削処理を行う（図８Ｃ）ことによって狭額縁化を実現する。これら方法を用いることにより、本実施の形態の表示装置１のように、分断位置から発光素子１０が形成された表示領域１１０Ａまで距離が非常に短い表示パネルＰを、表示パネルＰの端面、特に、駆動基板１１および対向基板３１の端面に、バリやカケ、あるいはクラック等を発生させることなく、精密に分断することが可能となる。
【００５９】
ダイシングは、図６Ａに示したように、固体砥粒（ブレードＢ）を高速回転させ、図６Ｂに示したように、基材（ここでは、表示パネルＰ）を分断する方法である。表示パネルＰの分断をダイシングを用いて行うことによって、分断面、即ち端面の表面粗さは１μｍ以下に抑えられる。
【００６０】
一般的に、ダイシングを用いた分断では、機材の冷却および分断によって発生した切削粉の除去や、砥粒の摩耗を抑制するために冷却水を用いる。図７は、ダイシング分断時に用いる水の影響をカルシウム腐食法により測定した結果である。まず、ガラス基板上にポリイミド材をスピンコート法により約１μｍの厚みに塗布し、その中心部に蒸着にてカルシウム（Ｃａ）膜を形成する。このＣａ膜上にバリア膜として、ＳｉＮをＣＶＤ法によって成膜したのち、対向ガラス基板にＵＶ硬化型のエポキシ樹脂を塗布してガラス基板と貼り合わせ、サンプル４を作成した。このサンプル４では、水分が浸透してＣａ膜に到達した場合、Ｃａ膜は腐食し、水酸化カルシウムとなって透明に変色する。また、Ｃａ膜の上面に成膜したＳｉＮ膜は、Ｃａ膜の上面を保護するためのものであり、水分の侵入による腐食は、ガラス基板を貼り合わせることによって形成されたサンプル４の端面からのみに限定される。
【００６１】
このサンプル４のＣａ膜の近傍の４辺を、冷却水を用いてダイシング加工にて分断したのち、真空中にて１時間ベーキングを行った。続いて、比較例として、ダイシング加工を行っていないサンプル５と共に、露点−７５℃のドライ雰囲気下に保管した後、温度６０℃、湿度９０％の恒温槽に保管して、Ｃａの腐食具合の比較を行った。
【００６２】
図７からわかるように、ダイシング加工を行ったサンプル４は、未加工のサンプル５と比較して、Ｃａの腐食度が少なかった。このことから、ダイシング加工による表示パネルＰの冷却水への曝露は、接着層４０に封止性を有する材料を用いると共に、分断後に真空ベーク処理を行うことによって短時間であれば問題ないことがわかった。
【００６３】
一方、スクライブおよび、その後の研削処理について説明する。上述したように、スクライブによってガラス基板の表面に形成された亀裂の伸展方向を制御することは難しく、特に、表示パネルＰのように、２枚のガラス基板（駆動基板１１および対向基板３１）の間に樹脂層（接着層４０）を有するような構造では、基板表面に形成した亀裂を厚み方向に十分伸展することは非常に困難である。
【００６４】
そこで、本実施の形態では、図８Ａに示したように、例えば対向基板３１に亀裂を形成する前に、レーザ加工（ＵＶレーザＬ）によって分断部近傍の接着層４０を除去したのち、図８Ｂに示したようにスクライブ刃Ｃによって表示パネルＰの表面に亀裂を形成し、この亀裂を伸展させて表示パネルＰを分断する。この後、図８Ｃに示したように、分断した表面を機械加工によって矢印方向に切削する。具体的には、固体砥粒が接着されたシート（研磨シートＳ）を分断面に押し当てて、例えば矢印方向に揺動運動させることで分断面が研削され、端面の表面粗さを１μｍ以下に抑えることができる。
【００６５】
次に、表示パネルＰの端面に封止部５０を形成する（ステップＳ１０５）。まず、無機膜５１ＡとしてＡｌ2Ｏ3膜を、ＡＬＤ法を用いて形成する場合を説明する。無機膜５１Ａは、第１の前駆体ガスとして、例えば、ＴＭＡ（トリメチルアルミニウム；（ＣＨ3）3Ａｌ）を、第２の前駆体ガスとして、例えば、水（Ｈ2Ｏ）を、パージガスは窒素ガスやアルゴンガスを用いてＡＬＤ法によって成膜する。成膜時の温度は、１２０度以下が望ましく、更に１００℃以下が望ましい。
【００６６】
続いて、有機膜５２Ａとして、例えば、ＵＶ硬化型のエポキシ樹脂を用いて、例えばオフセット塗布方法を用いて成膜する。このとき、硬化前の有機剤の粘度は、例えば、５０ｍＰａ・ｓ以下であることが好ましい。具体的な成膜方法としては、例えば、オフセット治具として、幅０．１ミリの転写部サイズのステンレス治具を用いた。有機剤の付着方法としては、例えば、アプリケータを使用して設定厚み（例えば１０μｍ〜３０μｍ）で均した有機剤にオフセット治具転写面を平行に漬けた後、平行に引き上げた。続いて、パネル固定治具とオフセット治具の基準面を平行に近づけながら押し当てて有機剤をパネル塗布面に転写する。このとき有機剤の拡がりに要する時間として、例えば３秒保持した後、平行に離す。このとき、パネル断面構造の露出面を覆った無機層への接触によるダメージ影響をなくすために、オフセット部品の幅を該露出面の幅よりも広いものを使用し、かつ塗布面に対して、例えば５°の角度をつけて接触させることが好ましい。
【００６７】
上記、オフセット方式以外の方法としては、例えばディスペンス方式が挙げられる。塗布条件としては、例えば、外径０．２３ｍｍ／内径０．１ｍｍのノズルを使用し、ノズル先端と塗布面間距離を３０μｍ、ノズル移動速度５０ｍｍ/ｓｅｃ、塗布圧０．０１５ＭＰａで塗布する。
【００６８】
以上の方法を用いて、例えば、表示パネルＰの４辺と必要に応じて４コーナーに有機剤を塗布した後、有機剤の硬化を行う。硬化方法は、例えば、積算光量約７００ｍＪ/ｃｍ2以上でＵＶ照射する。硬化方法は材料に応じて適宜選択することが好ましく、熱とＵＶ照射を併用してもよい。また、ＵＶ照射は、例えば、空気や窒素、あるいはアルゴン等の不活性ガス下で行ってもよい。
【００６９】
次に、２層目の無機膜（無機膜５１Ｂ）を、無機膜５１Ａと同様の方法を用いて成膜したのち、２層目の有機膜（有機膜５２Ｂ）を成膜する。ここでは、例えば、ディップ方式を用いて成膜する。まず、表示パネルＰの塗布面を長手方向に平行に近づけ、槽に入れた有機剤に接触させる。表示パネルＰのＹ軸方向の厚みは有機剤の表面張力を利用して曲面状となった先端に接触させることでパネル塗布面以外の面へのはみ出さないようにする。このようにパネル塗布面に接触した後、例えば、５ｍｍ/ｓｅｃ程度の一定速度で平行に引き上げることにより有機膜５２Ｂを形成する。これを表示パネルＰの４辺に施したのち、ＵＶ照射により硬化した。
【００７０】
なお、有機膜５２Ｂの成膜方法としては、ディスペンス方式を用いてもよい。塗布条件としては、例えば、外径０．２３ｍｍ／内径０．１ｍｍのノズルを使用し、ノズル先端と塗布面間距離を１００μｍ、ノズル移動速度２５ｍｍ/ｓｅｃ、塗布圧０．０１５ＭＰａで塗布する。
【００７１】
この後、無機膜５１Ｂおよび有機膜５２Ｂと同様の方法を用いて、３層目の無機膜５１Ｃおよび有機膜５２Ｃをそれぞれ成膜する。これにより、封止部５０が形成される。以上により、図１に示した表示装置１が完成する。
【００７２】
（１−３．作用・効果）
表示装置１では、各画素５に対して走査線駆動回路１３０から書き込みトランジスタＴｒ２のゲート電極を介して走査信号が供給されると共に、信号線駆動回路１２０から画像信号が書き込みトランジスタＴｒ２を介して保持容量Ｃｓに保持される。即ち、保持容量Ｃｓに保持された信号に応じて駆動トランジスタＴｒ１がオンオフ制御され、これにより、有機ＥＬ素子１０に駆動電流Ｉｄが注入され、正孔と電子とが再結合して発光が起こる。この光は、ここでは表示装置１が上面発光型（トップエミッション型）であるため、対向電極２９、保護膜３０、接着層４０、各色のカラーフィルタ（図示せず）および対向基板３１を透過して取り出される。このようにして、表示装置１において映像表示（カラー映像表示）がなされる。
【００７３】
ところで、有機ＥＬテレビジョン装置等として用いられる有機ＥＬ表示装置では、前述したように、デザイン性の追求の１つとして有効表示領域の拡張が求められており、額縁部分の削減が求められている。しかしながら、額縁領域を単純に狭めると、外部から水分が侵入し、発光素子を構成する有機層を劣化させ、いわゆる「ダークスポット」と呼ばれる非発光領域が形成されてしまい、有機ＥＬ表示装置の信頼性が損なわれるという問題があった。
【００７４】
この問題を解決する方法としては、例えば、発光領域の周囲に形成されている平坦膜等の有機絶縁膜や、基板間を面封止する、所謂シール層に、ある程度の幅を持たせる必要があった。また、外部からの水分等の侵入を抑えるために広めに形成された有機絶縁膜には、その分、膜中に残存する水分が増加する。このため、例えば、有機絶縁膜を内周部と外周部とに分離溝を形成することによって、有機絶縁膜中に含まれる水分の浸入を防ぐこと考えられる
【００７５】
しかしながら、上記のような方法では、有機層への水分の侵入を防ぐ、あるいは抑制することができるものの、額縁領域を大幅に削減することは難しかった。
【００７６】
これに対して、本実施の形態の表示装置１では、表示領域１１０Ａ周縁の周辺領域１１０Ｂに水分の浸入を抑制する構造を設ける例とは異なり、有機ＥＬ素子１０を含む表示層２０を間に、駆動基板１１および対向基板３１を貼り合わせることによって形成された表示パネルの端面に、封止構造５０を設けるようにした。特に、封止構造５０を、無機材料から構成される無機膜５１と、有機材料から構成される有機膜５２とを積層した積層膜として構成することにより、表示層２０への水分の浸入を抑制する封止構造を最小化することが可能となる。これにより、額縁領域を、例えば０．１ｍｍ以下とすることができる。
【００７７】
以上のように本実施の形態では、駆動基板１１と駆動基板１１との間に設けられた有機層２８を含む表示層２０の端面に、封止部５０を設けるようにした。この封止部５０は、少なくとも駆動基板１１および駆動基板１１の端面の一部に重複するように設けられている。これにより、表示領域１１０Ａの周縁に設けられている周辺領域１１０Ｂを可能な限り削減しつつ、有機層２８への水分の浸入を防止することが可能となる。よって、信頼性を保持しつつ、額縁領域の狭い表示装置１およびこれを備えた電子機器を提供することが可能となる。
【００７８】
＜２．変形例＞
続いて、上記実施の形態の変形例（変形例１〜３）について説明する。なお、上記実施の形態における構成要素と同じものには同一の符号を付し、適宜説明を省略する。
【００７９】
（変形例１）
図９は、上記実施の形態の変形例１に係る有機ＥＬ表示装置（表示装置２）の平面構成を模式的に表したものであり、図１０は、図９のＩ−Ｉ線における断面構成を表したものである。この有機ＥＬ表示装置２は、上記表示パネルＰの端面全面に連続して封止部５０を設けた表示装置１とは異なり、例えば、周辺領域１１０Ｂの一辺に、有機ＥＬ素子１０を外部より駆動するための配線用の端子（端子部１５０）が設けられたものである。
【００８０】
端子部１５０には、例えば、上記ソース電極２１Ａおよびドレイン電極２１Ｂと同一配線層として形成された、配線層６１が形成されている。この配線層６１上には、製造過程において、その上部に平坦化絶縁膜２５が形成されるが、外部と電気的に接続するために、配線層６１上の平坦化絶縁膜２５は除去され、配線層６１が露出した状態となっている。この除去工程は、例えば、上記実施の形態における封止部５０を形成したのちに行われるため、端子部１５０が設けられている表示パネルＰの一辺の封止部５０は除去されてしまう。このため、本変形例では、図１０に示したように、表示領域１１０Ａと端子部１５０との間に、平坦化絶縁膜２５を完全に分離する分離溝Ａを設け、これによって形成された表示層５０と対向基板３１とからなる新たな端面に、上記表示装置１における封止部５０と同様の封止部５０Ａを形成する。
【００８１】
これにより、周辺領域１１０Ｂの一辺に、有機ＥＬ素子１０を外部より駆動するための端子部１５０が配設された表示装置２においても、有機層２８への水分の浸入を防止しつつ、可能な限り額縁領域を削減することが可能となる。
【００８２】
（変形例２）
図１１は、上記実施の形態の変形例２に係る有機ＥＬ表示装置（表示装置３）の断面構成を表したものである。この表示装置３は、トランジスタ２０Ｘの配線や、有機ＥＬ素子１０のカソード電極を駆動基板１１の裏面側に取り出したものである。このような構成は、前述した、複数枚の表示パネルを組み合わせて超大型の表示パネルを製造する際の、例えば、周囲を別の表示パネルによって囲まれた表示パネルの配線を外部に取り出す際の取り出し方法として用いられる。
【００８３】
各配線の具体的な取り出し方法としては、例えば、トランジスタ２０Ｘの配線を駆動基板１１の裏面側に取り出す場合には、駆動基板１１を貫通する貫通電極（ＴＳＶ）を設けて裏面に取り出して外部駆動回路に電気的に接続することができる。一方、カソード電極を駆動基板１１の裏面側に取り出す場合には、表示パネルＰの端面に設けられた封止部７０と端面との間に導電膜を形成してもよいし、あるいは、図１１に示したように、封止部７０を構成する無機膜７１Ａを、導電性を有する無機材料（例えば、ＺｎＯとＡｌのＡＬＤ膜）によって形成するようにしてもよい。この場合、無機膜７１Ａを端面から駆動基板１１の裏面に延伸することによって、カソード電極を表示パネルの端面を介して裏面側に取り出すことができる。
【００８４】
なお、ＡＬＤ法によるＺｎＯ系の導電膜の成膜は、例えば、ジエチル亜鉛（（Ｃ2Ｈ3）2Ｚｎ）と水により１００℃前後の低温での成膜が可能である。１１０℃で作製したＺｎＯ単層での比抵抗は２×１０−２Ω.ｃｍとなる。比抵抗を下げるためには、ＺｎＯ：Ａｌ（ＡＺＯ）、すなわちＺｎＯ内にＡｌをドープすることで、比抵抗を下げることができる。ＡｌのドープをＡＬＤ法で行う場合は、Ａｌ2Ｏ3膜と同様にトリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）と水を用いる。例えば、ＺｎＯ層をＡＬＤ法で２０原子層を積層し、層間にＡｌ2Ｏ3層を1層形成した、ＺｎＯ（２０層）／Ａｌ2Ｏ3（１層）を作製すること、比抵抗が１０-3Ω.ｃｍ台となる可能性がある。
【００８５】
（変形例３）
図１２は、上記実施の形態の変形例３に係る表示装置１の製造工程の一部を表したものである。本変形例では、所謂、マザーガラスと呼ばれる、大型基板上に表示パネルＰとなる有機ＥＬデバイス（表示層２０）を複数形成し、基板を貼り合わせた後に、所定の大きさの表示パネルＰに分断する際の分断方法を説明する。
【００８６】
上記のように、大型基板上に複数の有機ＥＬデバイスを形成したのち、所定の大きさの表示パネルＰに分断する方法としては、ダイシングおよびスクライブ後の切削加工が挙げられる。しかしながら、一般的なスクライブ分断に比較して、加工速度が遅く（例えば、加工量に依存するが、スクライブ加工での１／１０以下）、生産効率が低下する。
【００８７】
そこで、本変形例では、分断工程を２段階に分けて行う。まず、図１２（Ａ）に示したように、１次カットとして、分断精度は低いものの、分断速度の速いスクライブ分断を行う。具体的には、大型ガラス基板ＰＬを、レーザを用いて、図８Ａに示したように、接着層４０を除去したのち、例えばカットライン１に沿って、スクライブにより表示パネルＰＬを複数の表示パネルＰＰに分断する。このカットライン１は、スクライブ分断における分断精度を考慮し、有機ＥＬ表示装置の所定の外形よりも大きくなるように分断するものである。
【００８８】
続いて、２次カットとして、図１２（Ｂ）に示したように、個々に分断した表示パネルＰＰを精密分断して所定の大きさに分断する。このときの分断方法としては、ダイシングや、固体砥粒を用いた研磨シートＳなどを使用した機械的切削処理を用いることが好ましい。
【００８９】
このように、２段階分断を行うことによって、生産効率を向上させることが可能となる。また、加工設備を考えた場合でも、設備コストを各段に安くする事が可能となる。
【００９０】
なお、本変形例のように、複数の表示パネルＰを一度に作製する場合には、上述した封止部５０を以下のように形成することにより、表示装置１の生産効率をより向上させることが可能となる。
【００９１】
上述したように、封着部５０を構成する無機膜５１は、ＡＬＤ法を用いて形成することが膜厚および膜質の点からも有効であるが、ＡＬＤ法は成膜速度が遅く、例えば厚み２５ｎｍの膜形成に１０時間以上を要することもある。そこで、本変形例では、複数の表示パネルＰを重ね合わせて、その端面に一度に無機膜を形成することが好ましい。具体的には、図１３（Ａ）に示した大型ガラス基板ＰＬを、上記２段階分断によって、図１３（Ｂ）に示したように個々に分断し、この分断した表示パネルＰＰを更に精密分断して所定の大きさを有する表示パネルＰとする。この表示パネルＰを、図１３（Ｃ）に示したように重ね合わせ、その端面に一度に無機膜を形成する。これにより、表示パネル１枚当たりの成膜速度を大幅に削減することが可能となる。
【００９２】
＜３．適用例＞
以下、上記実施の形態および変形例１〜３で説明した有機ＥＬ表示装置（表示装置１〜３）の適用例について説明する。上記実施の形態の表示装置１〜３は、テレビジョン装置，デジタルカメラ，ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置あるいはビデオカメラなど、外部から入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、画像あるいは映像として表示するあらゆる分野の電子機器の表示装置に適用することが可能である。特に、モバイル向けの中小型ディスプレイに好適である。以下にその一例を示す。
【００９３】
（適用例１）
図１４は、適用例２に係るテレビジョン装置の外観を表したものである。このテレビジョン装置は、例えば、フロントパネル２１０およびフィルターガラス２２０を含む映像表示画面部２００を有しており、映像表示画面２００が、上記実施の形態等の表示装置１〜３に相当する。
【００９４】
（適用例２）
図１５は、上記実施の形態の表示装置１Ａが適用されるノート型パーソナルコンピュータの外観を表したものである。このノート型パーソナルコンピュータは、例えば、本体４１０，文字等の入力操作のためのキーボード４２０および上記表示装置１〜３としての表示部４３０を有している。
【００９５】
（適用例３）
図１６Ａ，１６Ｂは、適用例３に係るタブレットパーソナルコンピュータ６４０の外観を表したものである。このタブレットパーソナルコンピュータ６４０は、例えば、タッチパネル部６１０および操作部６３０が配置された筐体６２０を有しており、タッチパネル部６１０に上記実施の形態等の表示装置１〜３が搭載されている。
【００９６】
以上、実施の形態、変形例１〜３および適用例を挙げて本開示を説明したが、本開示はこれらの実施の形態等に限定されず、種々の変形が可能である。
【００９７】
例えば、上記実施の形態等において説明した各層の材料および厚み、または成膜方法および成膜条件等は限定されるものではなく、他の材料および厚みとしてもよく、または他の成膜方法および成膜条件としてもよい。例えば、上記実施の形態等で挙げた表示装置１〜３は有機ＥＬ素子１０を設ける基板としてプラスティック等の樹脂基板を使用する事で有機物質が有するフレキシブル性を生かし、屈曲可能な表示装置を実現する事も可能である。
【００９８】
また、上記実施の形態等では、有機ＥＬ表示装置が上面発光型（トップエミッション型）のものである場合について説明したが、これには限られず、例えば下面発光型（ボトムエミッション型）の構成としてもよい。このような下面発光型の有機ＥＬ表示装置の場合には、例えば画素電極２６をＩＴＯ，ＩＺＯおよびＺｎＯのいずれか、対向電極２９をＡｌやＭｇＡｇあるいはＩＴＯ／Ａｇ／ＩＴＯの積層構造等を用いて形成し、有機層２８の積層順序を上記実施の形態とは逆に形成する。
【００９９】
更に、上記実施の形態等では、有機ＥＬ素子１０の構成を具体的に挙げて説明したが、全ての層を備える必要はなく、また、他の層を更に備えていてもよい。例えば、電子供給層２８Ｃ上に、例えば抵抗率が１〜１０7Ωｃｍの材料によって構成された抵抗層を設けてもよい。抵抗層１６３の具体的な材料としては、例えば酸化ニオブ（ＮｂＯｘ），酸化チタン（ＴｉＯｘ），酸化モリブデン（ＭｏＯｘ）または酸化タンタル（ＴａＯｘ）、あるいは酸化ニオブ（ＮｂＯｘ）と酸化チタン（ＴｉＯｘ）の混合物，酸化チタン（ＴｉＯｘ）と酸化亜鉛（ＺｎＯｘ）の混合物または酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）と酸化スズ（ＳｎＯｘ）の混合物が挙げられる。抵抗層を設けることにより、上記実施の形態における効果に加えて、有機ＥＬ表示装置における滅点の発生が抑制することができる。
【０１００】
加えて、上記実施の形態等では、アクティブマトリクス型の表示装置の場合について説明したが、本開示はパッシブマトリクス型の表示装置への適用も可能である。更にまた、アクティブマトリクス駆動のための画素駆動回路の構成は、上記実施の形態で説明したものに限られず、必要に応じて容量素子やトランジスタを追加してもよい。その場合、画素駆動回路の変更に応じて、上述した信号線駆動回路１２０や走査線駆動回路１３０の他に、必要な駆動回路を追加してもよい。
【０１０１】
また、上記実施の形態等では、色画素として赤色画素５Ｒ，緑色画素５Ｇ，青色画素５Ｂの３種類を例に説明したが、これに限らず、例えば白色画素５Ｗや黄色画素５Ｙ等の色画素を組み合わせてもよい。
【０１０２】
なお、本明細書中に記載された効果はあくまで例示であって限定されるものではなく、また、他の効果があってもよい。
【０１０３】
なお、本技術は以下のような構成をとることも可能である。
（１）第１基板および第２基板と、前記第１基板および前記第２基板の間に設けられた有機層を含む表示層と、前記表示層の端面から前記第１基板および前記第２基板の端面の少なくとも一部に連続して設けられた封止部とを備えた有機ＥＬ表示装置。
（２）前記封止部は、無機材料層および有機材料層がこの順に積層された積層構造を有する、前記（１）に記載の有機ＥＬ表示装置。
（３）前記封止部は、無機材料層と有機材料層とが交互に積層された多層構造を有する、前記（１）または（２）に記載の有機ＥＬ表示装置。
（４）前記多層構造を形成する複数の有機材料層の、前記第１基板，前記第２基板および前記表示層の積層方向に対する幅は、その積層順に大きくなる、前記（３）に記載の有機ＥＬ表示装置。
（５）前記無機材料層は、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３），酸化シリコン（ＳｉＯ２），酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２），酸化チタン（ＴｉＯ２），酸化亜鉛（ＺｎＯ２），酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ），酸化インジウムスズ（ＩＴＯ），酸化インジウムガリウム亜鉛（ＩＧＺＯ），酸化アルミ亜鉛（ＡＺＯ），酸化ガリウム亜鉛（ＧＺＯ）、および窒化シリコン（ＳｉＮ），酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）のうちの少なくとも１種を含んでいる、前記（２）乃至（４）のいずれか１つに記載の有機ＥＬ表示装置。
（６）前記無機材料層は、ルテニウム（Ｒ），白金（Ｐｔ），イリジウム（Ｉｒ），パラジウム（Ｐｄ），ロジウム（Ｒｈ），金（Ａｕ），銀（Ａｇ），銅（Ｃｕ），ニッケル（Ｎｉ），コバルト（Ｃｏ），鉄（Ｆｅ），マンガン（Ｍｎ），タンタル（Ｔａ），タングステン（Ｗ），モリブデン（Ｍｏ），チタン（Ｔｉ），アルミニウム（Ａｌ），ケイ素（Ｓｉ），ゲルマニウム（Ｇｅ），亜鉛（Ｚｎ）のうちの少なくとも１種、あるいは、その合金を含む、前記（２）乃至（４）のいずれか１つに記載の有機ＥＬ表示装置。
（７）前記表示層の端面には、有機材料を含む平坦化膜が形成されている、前記（１）乃至（６）のいずれか１つに記載の有機ＥＬ表示装置。
（８）前記表示層の端面に最初に形成される前記無機材料層は、導電性を有している、前記（２）乃至（７）のいずれか１つに記載の有機ＥＬ表示装置。
（９）第１基板上に有機層を含む表示層を形成する工程と、前記第１基板と前記第２基板とを、前記表示層を介して貼り合わせる工程と、前記表示層の端面から前記第１基板および前記第２基板の端面の少なくとも一部に連続して封止部を形成する工程とを含む有機ＥＬ表示装置の製造方法。
（１０）前記第１基板と前記第２基板とを、前記第２基板上に接着層を設けた後、前記表示層を介して貼り合わせる、前記（９）に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
（１１）前記第１基板と第２基板とを、前記表示層を介して貼り合わせた後、前記表示層を含む前記第１基板および前記第２基板の分断する分断工程を含む、前記（９）または（１０）に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
（１２）前記分断工程は、ダイシングによって行われる、前記（１１）に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
（１３）前記分断工程は、前記表示層と前記第２基板との間に設けられた前記接着層をレーザによって除去したのち、スクライブによって行われる、前記（１１）に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
（１４）有機ＥＬ表示装置を備え、前記有機ＥＬ表示装置は、第１基板および第２基板と、前記第１基板および前記第２基板の間に設けられた有機層を含む表示層と、前記表示層の端面から前記第１基板および前記第２基板の端面の少なくとも一部に連続して設けられた封止部とを有する電子機器。
【符号の説明】
【０１０４】
１〜３…有機ＥＬ表示装置、５…画素、５Ｒ…赤色画素、５Ｇ…緑色画素、５Ｂ…青色画素、１０…有機ＥＬ素子、１１…駆動基板、２０…表示層、２１Ａ…ソース電極、２１Ｂ…ドレイン電極、２２…チャネル層、２３…ゲート絶縁膜、２４…ゲート電極、２５…平坦化絶縁膜、２６…画素電極、２７…隔壁、２８…有機層、２９…対向電極、３０…保護層、３１…対向基板、４０…接着層、１１０Ａ…表示領域、１１０Ｂ…周辺領域。
【図１】
2016072127.tif 000004
【図２】
2016072127.tif 000005
【図３】
2016072127.tif 000006
【図４】
2016072127.tif 000007
【図５】
2016072127.tif 000008
【図６Ａ】
2016072127.tif 000009
【図６Ｂ】
2016072127.tif 000010
【図７】
2016072127.tif 000011
【図８Ａ】
2016072127.tif 000012
【図８Ｂ】
2016072127.tif 000013
【図８Ｃ】
2016072127.tif 000014
【図９】
2016072127.tif 000015
【図１０】
2016072127.tif 000016
【図１１】
2016072127.tif 000017
【図１２】
2016072127.tif 000018
【図１３】
2016072127.tif 000019
【図１４】
2016072127.tif 000020
【図１５】
2016072127.tif 000021
【図１６Ａ】
2016072127.tif 000022
【図１６Ｂ】
2016072127.tif 000023