(57)【要約】【課題】ガラス基板の破損を防止するとともに反りを抑制することにより、信頼性の向上を図ることが可能な配線基板を提供すること。【解決手段】本発明の配線基板１０は、配線積層部１１、第１ガラス基板３０及び第２ガラス基板４０を備える。配線積層部１１は、樹脂絶縁層２１〜２３及び金属配線層２４〜２６を積層した構造を有する。第１ガラス基板３０には貫通導体３５が設けられ、第２ガラス基板４０には貫通導体４５が設けられる。第１ガラス基板３０及び第２ガラス基板４０のいずれにおいても、貫通導体３５，４５は、配線基板１０における外層側に行くに従って徐々に外径が大きくなるテーパ状をなす。また、第１ガラス基板３０と配線積層部１１との間、及び、第２ガラス基板４０と配線積層部１１との間には、応力緩和層８１，８２が形成される。【選択図】図１
2016111244.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
積層部主面及び積層部裏面を有し、複数の樹脂絶縁層及び複数の金属配線層を積層した構造を有する配線積層部と、
前記積層部主面側に形成され、第１基板主面及び第１基板裏面を有する第１ガラス基板と、
前記積層部裏面側に形成され、第２基板主面及び第２基板裏面を有する第２ガラス基板と
を備える配線基板であって、
前記第１ガラス基板に、前記第１基板主面側及び前記第１基板裏面側を導通させるとともに前記金属配線層に電気的に接続される貫通導体が設けられ、
前記第２ガラス基板に、前記第２基板主面側及び前記第２基板裏面側を導通させるとともに前記金属配線層に電気的に接続される貫通導体が設けられ、
前記第１ガラス基板と前記配線積層部との間、及び、前記第２ガラス基板と前記配線積層部との間に、応力緩和層が形成され、
前記第１ガラス基板及び前記第２ガラス基板のいずれにおいても、前記貫通導体が、前記配線基板における外層側に行くに従って徐々に外径が大きくなるテーパ状をなしている
ことを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記第１ガラス基板及び前記第２ガラス基板のうち、ガラス基板に占める前記貫通導体の体積比率が高いほうのガラス基板における前記貫通導体のテーパ比が、前記体積比率が低いほうのガラス基板における前記貫通導体のテーパ比よりも大きいことを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記第１ガラス基板及び前記第２ガラス基板のうち、ガラス基板に占める前記貫通導体の体積比率が高いほうのガラス基板と前記配線積層部との間に形成された前記応力緩和層の厚さが、前記体積比率が低いほうのガラス基板と前記配線積層部との間に形成された前記応力緩和層の厚さよりも大きいことを特徴とする請求項１または２に記載の配線基板。
【請求項４】
前記貫通導体の数、及び、隣接する前記貫通導体間のピッチの最小値が、前記第１ガラス基板と前記第２ガラス基板とで異なることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の配線基板。
【請求項５】
前記第１ガラス基板及び前記第２ガラス基板のうち、隣接する前記貫通導体間のピッチの最小値が小さいほうのガラス基板に設定された半導体チップ搭載領域に、半導体チップが実装されることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の配線基板。
【請求項６】
前記応力緩和層の無機フィラーの含有率は、前記樹脂絶縁層の無機フィラーの含有率よりも小さいことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の配線基板。
【請求項７】
前記貫通導体は銅からなることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の配線基板。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法であって、
少なくとも一対の前記第１ガラス基板を準備する第１ガラス基板準備工程と、
樹脂絶縁材料を主体とする前記応力緩和層が前記第２基板主面上に形成された少なくとも一対の前記第２ガラス基板を準備する第２ガラス基板準備工程と、
前記第２ガラス基板準備工程後、一対の前記第２ガラス基板の前記第２基板主面を互いに反対側に向けた状態で、一対の前記第２ガラス基板を接着部を介して互いに仮接着させる貼付工程と、
前記貼付工程後、前記第２基板主面上に形成された前記応力緩和層上に前記配線積層部を形成する配線積層部形成工程と、
前記配線積層部形成工程後、前記配線積層部上に前記応力緩和層を介して前記第１ガラス基板を積層するガラス基板積層工程と、
前記ガラス基板積層工程後、前記接着部を介して仮接着された一対の前記第２ガラス基板を互いに分離する分離工程と
を含むことを特徴とする配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、樹脂絶縁層及び金属配線層を積層した構造を有する配線積層部と、配線積層部の積層部主面側に形成される第１ガラス基板と、配線積層部の積層部裏面側に形成される第２ガラス基板とを備える配線基板及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、電気機器、電子機器の小型化に伴い、これらの機器に搭載される配線基板にも小型化や高密度化が要求されている。このような配線基板としては、例えば、樹脂絶縁層及び金属配線層を積層した構造を有するビルドアップ層（配線積層部）をガラス基板の両面に形成したものが提案されている（例えば、特許文献１参照）。また、別の配線基板としては、樹脂層の主面及び裏面にガラス等からなる無機絶縁層をそれぞれ積層し、主面側及び裏面側の無機絶縁層を貫通する貫通導体を形成したインターポーザが提案されている（例えば、特許文献２参照）。さらに別の配線基板としては、樹脂絶縁層及び金属配線層が交互に積層され、コア基板を含まないコアレス配線基板の主面及び裏面に、ガラス等からなるセラミック層をそれぞれ形成したものが提案されている（例えば、特許文献３参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特表２０１３−５２１６６３号公報（図１等）
【特許文献２】ＷＯ２０１１／１２５５４６号公報（図１等）
【特許文献３】特開２００８−９８５９９号公報（図３等）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、特許文献１〜３に記載の従来技術には以下の問題がある。即ち、特許文献１に記載の従来技術では、ガラス基板と樹脂絶縁層との熱膨張差に起因してガラス基板の側面に熱応力が集中するため、ガラス基板が破損しやすいという問題がある。また、特許文献２に記載の従来技術では、貫通導体のうち主面側の無機絶縁層を貫通する部分が、裏面側の無機絶縁層に行くに従って徐々に外径が大きくなるテーパ状をなしているため、貫通導体の形成時に配線基板にかかる応力を十分に緩和することができない。その結果、配線基板に破損や反りが生じやすくなるという問題がある。さらに、特許文献３に記載の従来技術では、セラミック層とコアレス配線基板との熱膨張差が大きいため、熱履歴によりセラミック層に破損や反りが生じやすいという問題がある。以上のことから、上記した特許文献１〜３に記載の従来技術を採用する場合には、配線基板に不具合が生じる可能性が高いため、配線基板の歩留まりが低下してしまう。ゆえに、配線基板に必要とされる所定の信頼性を付与できないという問題がある。
【０００５】
本発明は上記の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、ガラス基板の破損を防止するとともに反りを抑制することにより、信頼性の向上を図ることが可能な配線基板を提供することにある。また、別の目的は、信頼性に優れた配線基板を製造することが可能な配線基板の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するための手段（手段１）としては、積層部主面及び積層部裏面を有し、複数の樹脂絶縁層及び複数の金属配線層を積層した構造を有する配線積層部と、前記積層部主面側に形成され、第１基板主面及び第１基板裏面を有する第１ガラス基板と、前記積層部裏面側に形成され、第２基板主面及び第２基板裏面を有する第２ガラス基板とを備える配線基板であって、前記第１ガラス基板に、前記第１基板主面側及び前記第１基板裏面側を導通させるとともに前記金属配線層に電気的に接続される貫通導体が設けられ、前記第２ガラス基板に、前記第２基板主面側及び前記第２基板裏面側を導通させるとともに前記金属配線層に電気的に接続される貫通導体が設けられ、前記第１ガラス基板と前記配線積層部との間、及び、前記第２ガラス基板と前記配線積層部との間に、応力緩和層が形成され、前記第１ガラス基板及び前記第２ガラス基板のいずれにおいても、前記貫通導体が、前記配線基板における外層側に行くに従って徐々に外径が大きくなるテーパ状をなしていることを特徴とする配線基板がある。
【０００７】
従って、手段１に記載の発明によると、配線積層部が配線基板の内層部に配置され、ガラス基板（第１ガラス基板及び第２ガラス基板）が配線基板の外層部に配置されるため、ガラス基板と配線積層部との熱膨張差に起因する熱応力が、第１ガラス基板と第２ガラス基板とに分散されるようになる。その結果、ガラス基板の側面に対する熱応力の集中が防止されるため、ガラス基板の破損を防止することができる。しかも、第１ガラス基板と配線積層部との間、及び、第２ガラス基板と配線積層部との間に、それぞれ応力緩和層が形成されるため、ガラス基板と配線積層部との熱膨張差に起因する熱応力の集中が、応力緩和層によって確実に緩和される。また、第１ガラス基板及び第２ガラス基板のいずれにおいても、貫通導体が、配線基板における外層側に行くに従って徐々に外径が大きくなるテーパ状をなしているため、貫通導体の形成時にガラス基板にかかる応力が確実に緩和される。よって、ガラス基板の破損や反りを確実に防止することができる。以上のことから、ガラス基板に不具合が生じにくくなるため、配線基板の歩留まりを向上させることができ、配線基板の信頼性が向上する。
【０００８】
上記配線基板を構成する配線積層部は、複数の樹脂絶縁層及び複数の金属配線層を積層した構造を有している。樹脂絶縁層は、絶縁性、耐熱性、耐湿性等を考慮して適宜選択することができる。樹脂絶縁層の形成材料の具体例としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂などの熱硬化性樹脂、シクロオレフィン樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、ポリアセタール樹脂、ポリプロピレン樹脂などの熱可塑性樹脂等が挙げられる。そのほか、これらの樹脂とガラス繊維（ガラス織布やガラス不織布）やポリアミド繊維等の有機繊維との複合材料、あるいは、連続多孔質ＰＴＦＥ等の三次元網目状フッ素系樹脂基材にエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂を含浸させた樹脂−樹脂複合材料等を使用してもよい。
【０００９】
金属配線層は、銅、銀、金、白金、ニッケル、チタン、アルミニウム、クロム等といった各種の導電性金属を用いて形成可能であるが、特には、銅を主体として構成されることがよい。金属配線層を形成する手法としては、サブトラクティブ法、セミアディティブ法、フルアディティブ法などといった公知の手法が採用される。具体的に言うと、例えば、銅箔のエッチング、無電解銅めっきあるいは電解銅めっきなどの手法が適用される。なお、スパッタやＣＶＤ等の手法により薄膜を形成した後にエッチングを行うことで金属配線層を形成したり、導電性ペースト等の印刷により金属配線層を形成したりすることも可能である。
【００１０】
上記配線基板を構成する第１ガラス基板は、配線積層部の積層部主面側に形成され、第１基板主面及びその反対側に位置する第１基板裏面を有している。また、上記配線基板を構成する第２ガラス基板は、配線積層部の積層部裏面側に形成され、第２基板主面及びその反対側に位置する第２基板裏面を有している。第１ガラス基板及び第２ガラス基板の形成材料は、コスト、加工性、絶縁性、機械的強度などを考慮して適宜選択することができる。第１ガラス基板及び第２ガラス基板の形成材料としては、ホウケイ酸ガラス、低温焼成ガラスセラミック、ガラスセラミック等が好適に使用される。
【００１１】
また、第１ガラス基板には、第１基板主面側及び第１基板裏面側を導通させるとともに金属配線層に電気的に接続される貫通導体が設けられ、第２ガラス基板には、第２基板主面側及び第２基板裏面側を導通させるとともに金属配線層に電気的に接続される貫通導体が設けられる。かかる貫通導体は、例えば、金、銀、銅、白金、パラジウム、ニッケル、スズ、鉛、タングステンなどの導電性金属からなるが、特には、導電性が高く安価な銅からなることがよい。
【００１２】
そして、貫通導体は、第１ガラス基板及び第２ガラス基板のいずれにおいても、配線基板における外層側に行くに従って徐々に外径が大きくなるテーパ状をなしている。なお、貫通導体が銅からなる場合、貫通導体のヤング率はガラス基板（第１ガラス基板及び第２ガラス基板）のヤング率よりも高くなる。従って、ガラス基板に占める貫通導体の体積比率が高くなるほど、ガラス基板が変形しにくくなり、ガラス基板に加わる応力を吸収することが困難になる。そこで、この問題を解決するために、例えば、第１ガラス基板及び第２ガラス基板のうち、ガラス基板に占める貫通導体の体積比率が高いほうのガラス基板における貫通導体のテーパ比を、体積比率が低いほうのガラス基板における貫通導体のテーパ比より大きくすることが考えられる。このようにすれば、貫通導体の体積比率が高いために応力の吸収が困難なガラス基板であっても、貫通導体のテーパ比を大きくすることにより、応力を確実に緩和することができる。このため、ガラス基板の破損や反りをより確実に防止することができる。
【００１３】
なお、テーパ比の大きさは特に限定されないが、例えば、０．０１以上０．５以下であることがよい。仮に、テーパ比が０．０１未満になると、貫通導体を貫通孔内に形成する際に、貫通孔の内側面にシード層を形成することが困難になる。一方、テーパ比が０．５よりも大きくなると、貫通導体の狭ピッチ化が困難になる。ここで、本明細書で述べられているテーパ比の定義はＪＩＳ  Ｂ０６１２に、その算出方法はＪＩＳ  Ｂ０６１２に準じるものとする。なお、テーパ比は、｛（配線基板の外層側における貫通導体の外径）−（配線基板の内層側における貫通導体の外径）｝／（ガラス基板の厚さ）の式から算出される。
【００１４】
また、第１ガラス基板及び第２ガラス基板のうち、ガラス基板に占める貫通導体の体積比率が高いほうのガラス基板と配線積層部との間に形成された応力緩和層の厚さを、体積比率が低いほうのガラス基板と配線積層部との間に形成された応力緩和層の厚さより大きくしてもよい。このようにしても、貫通導体の体積比率が高いために応力の吸収が困難なガラス基板において、応力緩和層の厚さを大きくすることにより、応力を確実に緩和することができる。ゆえに、ガラス基板の破損や反りをより確実に防止することができる。
【００１５】
また、貫通導体の数、及び、隣接する貫通導体間のピッチの最小値は、第１ガラス基板と第２ガラス基板とで異なっていてもよい。このようにした場合、配線基板の上面（第１基板主面）及び下面（第２基板裏面）にそれぞれ端子電極を形成した際に、端子電極のピッチを配線基板の上面と下面とで異ならせることができる。よって、配線基板に設けられる配線の自由度が大きくなり、配線の高密度化を図ることができる。
【００１６】
さらに、第１ガラス基板及び第２ガラス基板のうち、隣接する貫通導体間のピッチの最小値が小さいほうのガラス基板に設定された半導体チップ搭載領域に、半導体チップが実装されることがよい。このようにすれば、ガラス基板に設けられた複数の貫通導体と、半導体チップの底面に設けられた複数の接続端子とを確実に接続することができる。
【００１７】
ここで、半導体チップとしては、コンピュータのマイクロプロセッサとして使用されるＩＣチップ、ＤＲＡＭ（Dynamic Random Access Memory）やＳＲＡＭ（Static Random Access Memory ）などのＩＣチップを挙げることができる。
【００１８】
また、第１ガラス基板と配線積層部との間、及び、第２ガラス基板と配線積層部との間には、応力緩和層が形成される。応力緩和層は、絶縁性、耐熱性、耐湿性等を考慮して適宜選択することができる。応力緩和層の形成材料としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、シリコーン樹脂、ウレタン樹脂などの熱硬化性樹脂、シクロオレフィン樹脂、ポリオレフィン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、ポリアセタール樹脂、ポリプロピレン樹脂などの熱可塑性樹脂等が挙げられる。そのほか、これらの樹脂に無機フィラーを添加した材料等を使用してもよい。なお、この場合、応力緩和層の無機フィラーの含有率は、樹脂絶縁層の無機フィラーの含有率よりも小さいことがよい。このようにすれば、応力緩和層が樹脂絶縁層と同じ樹脂材料によって形成されている場合でも、応力緩和層の無機フィラーの含有率が小さいため、応力緩和層が樹脂絶縁層よりも軟らかくなる。このため、第１ガラス基板及び第２ガラス基板に加わる熱応力を、応力緩和層によってより確実に緩和することができる。
【００１９】
ここで、無機フィラーとしては、無機化合物フィラーや金属フィラー等が挙げられる。このうち、無機化合物フィラーとしては、炭酸カルシウム、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、タルク、窒化アルミニウム、硫酸バリウム等からなるセラミックフィラーが挙げられる。また、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸鉛、チタン酸ジルコン酸鉛等からなる誘電体フィラーが挙げられる。これらの無機フィラーとしては、１種のみを用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。また、フィラーの形状は特に限定されず、不定形状、球形状、繊維形状、板形状等が挙げられる。これらの形状のフィラーとしては、１種のみを用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。また、応力緩和層は、無機フィラーを含んでいなくてもよい。
【００２０】
なお、応力緩和層は、樹脂絶縁層と同じ材料によって形成されていてもよいし、樹脂絶縁層とは異なる材料によって形成されていてもよい。応力緩和層が樹脂絶縁層と同じ材料によって形成されている場合、応力緩和層の形成に際して樹脂絶縁層とは別の材料を準備しなくても済む。よって、配線基板の製造に必要な材料が少なくなるため、配線基板の低コスト化を図ることが可能となる。一方、応力緩和層が樹脂絶縁層とは異なる材料によって形成されている場合、応力緩和層の機能を、第１ガラス基板及び第２ガラス基板に加わる応力を緩和する機能に特化させることができる。
【００２１】
また、応力緩和層を形成する方法としては、樹脂シートをラミネートすることにより応力緩和層を形成する方法、ワニスを印刷することにより応力緩和層を形成する方法（ワニス印刷）、部品をワニス槽に浸漬させることにより応力緩和層を形成する方法（ワニスディップ）、カーテンコーターを用いて樹脂を印刷することにより応力緩和層を形成する方法、真空プレスを用いて樹脂シートを熱圧着させることにより応力緩和層を形成する方法などが挙げられる。
【００２２】
なお、第１ガラス基板と配線積層部との間に形成される応力緩和層は、配線積層部の積層部主面上に形成されていてもよいし、第１ガラス基板の第１基板裏面上に形成されていてもよい。同様に、第２ガラス基板と配線積層部との間に形成される応力緩和層は、配線積層部の積層部裏面上に形成されていてもよいし、第２ガラス基板の第２基板主面上に形成されていてもよい。
【００２３】
また、応力緩和層は、樹脂絶縁層、第１ガラス基板及び第２ガラス基板よりも薄いことがよい。このようにすれば、配線基板が肉厚になりにくくなる。また、応力緩和層を薄くすることにより、応力が加わった際の応力緩和層の変形量が小さくなるため、応力緩和層を介して積層した第１ガラス基板及び第２ガラス基板等の寸法安定性の低下を防止することができる。
【００２４】
上記課題を解決するための別の手段（手段２）としては、上記手段１に記載の配線基板の製造方法であって、少なくとも一対の前記第１ガラス基板を準備する第１ガラス基板準備工程と、樹脂絶縁材料を主体とする前記応力緩和層が前記第２基板主面上に形成された少なくとも一対の前記第２ガラス基板を準備する第２ガラス基板準備工程と、前記第２ガラス基板準備工程後、一対の前記第２ガラス基板の前記第２基板主面を互いに反対側に向けた状態で、一対の前記第２ガラス基板を接着部を介して互いに仮接着させる貼付工程と、貼付工程後、前記第２基板主面上に形成された前記応力緩和層上に前記配線積層部を形成する配線積層部形成工程と、前記配線積層部形成工程後、前記配線積層部上に前記応力緩和層を介して前記第１ガラス基板を積層するガラス基板積層工程と、前記ガラス基板積層工程後、前記接着部を介して仮接着された一対の前記第２ガラス基板を互いに分離する分離工程とを含むことを特徴とする配線基板の製造方法がある。
【００２５】
従って、手段２に記載の発明によると、分離工程後、配線積層部が、得られた配線基板の内層部に配置されるとともに、ガラス基板（第１ガラス基板及び第２ガラス基板）が、得られた配線基板の外層部に配置されるため、ガラス基板と配線積層部との熱膨張差に起因する熱応力が、第１ガラス基板と第２ガラス基板とに分散されるようになる。その結果、ガラス基板の側面に対する熱応力の集中が防止されるため、ガラス基板の破損を防止することができる。しかも、配線積層部形成工程を行うことにより、第２ガラス基板と配線積層部との間に応力緩和層が形成され、ガラス基板積層工程を行うことにより、第１ガラス基板と配線積層部との間に応力緩和層が形成されるため、ガラス基板と配線積層部との熱膨張差に起因する熱応力の集中が、応力緩和層によって確実に緩和される。また、第１ガラス基板及び第２ガラス基板のいずれにおいても、貫通導体が、配線基板における外層側に行くに従って徐々に外径が大きくなるテーパ状をなしているため、貫通導体の形成時にガラス基板にかかる応力が確実に緩和される。よって、ガラス基板の破損や反りを確実に防止することができる。以上のことから、ガラス基板に不具合が生じにくくなるため、配線基板の歩留まりを向上させることができ、配線基板の信頼性が向上する。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本実施形態における配線基板を示す概略断面図。
【図２】第２ガラス基板準備工程を示す説明図。
【図３】貼付工程を示す説明図。
【図４】配線積層部形成工程を示す説明図。
【図５】ガラス基板積層工程を示す説明図。
【図６】第１ガラス基板に第１貫通孔を形成する工程を示す説明図。
【図７】第１貫通孔内に第１貫通導体を形成する工程を示す説明図。
【図８】分離工程を示す説明図。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下、本発明を具体化した一実施形態を図面に基づき詳細に説明する。
【００２８】
図１に示されるように、本実施形態の配線基板１０は、ＩＣチップ７１搭載用の配線基板である。配線基板１０は、略矩形板状の配線積層部１１と、配線積層部１１の積層部主面１２（図１では上面）側に形成される第１ガラス基板３０と、配線積層部１１の積層部裏面１３（図１では下面）側に形成される第２ガラス基板４０とからなる。
【００２９】
配線積層部１１は、積層部主面１２及び積層部裏面１３を有し、縦２０ｍｍ×横２０ｍｍ×厚さ６０μｍの略矩形板状をなしている。また、配線積層部１１は、無機フィラー（シリカフィラー）を添加した熱硬化性樹脂（シクロオレフィン樹脂）からなる３層の樹脂絶縁層２１，２２，２３と、銅からなる３層の金属配線層２４，２５，２６とを積層した構造を有している。本実施形態の樹脂絶縁層２１〜２３は、完全硬化状態での熱膨張係数が１０〜６０ｐｐｍ／℃程度（具体的には４６ｐｐｍ／℃）、ヤング率が８ＧＰａとなっている。なお、樹脂絶縁層２１〜２３の完全硬化状態での熱膨張係数は、２５℃〜１５０℃間の測定値の平均値をいう。また、樹脂絶縁層２１〜２３内には、それぞれ銅めっきによって形成されたビア導体２７が設けられている。
【００３０】
図１に示されるように、第１ガラス基板３０は、第１基板主面３１（図１では上面）、第１基板裏面３２（図１では下面）及び第１基板側面３３を有し、縦２０ｍｍ×横２０ｍｍ×厚さ１００μｍの略矩形板状をなしている。本実施形態の第１ガラス基板３０は、ホウケイ酸ガラスからなる基板である。第１ガラス基板３０は、熱膨張係数が１５ｐｐｍ／℃未満（具体的には４〜５ｐｐｍ／℃程度）、ヤング率が７３ＧＰａとなっている。なお、第１ガラス基板３０の熱膨張係数は、３０℃〜４００℃間の測定値の平均値をいう。
【００３１】
また、第１ガラス基板３０には、第１基板主面３１及び第１基板裏面３２の両方にて開口する複数の第１貫通孔３４が格子状に形成されている。各第１貫通孔３４は、平面視円形状をなし、第１基板主面３１側に行くに従って徐々に内径が大きくなるテーパ状をなしている。なお、本実施形態の第１貫通孔３４は、第１基板主面３１側開口における内径が６０μｍに設定され、第１基板裏面３２側開口における内径が３０μｍに設定されている。そして、かかる第１貫通孔３４内には、銅からなる第１貫通導体３５が設けられている。これら第１貫通導体３５は、第１基板主面３１側及び第１基板裏面３２側を導通させるとともに、配線積層部１１の金属配線層２４〜２６に電気的に接続されている。なお、第１貫通導体３５のヤング率は、第１ガラス基板３０のヤング率（７３ＧＰａ）よりも高く、本実施形態では１１８ＧＰａとなっている。また、第１ガラス基板３０に占める第１貫通導体３５の体積比率は、３．４１％である。さらに、第１貫通導体３５は、配線基板１０における外層側（即ち第１基板主面３１側）に行くに従って徐々に外径が大きくなるテーパ状をなしている。具体的に言うと、第１貫通導体３５は、第１基板主面３１における外径が６０μｍ、第１基板裏面３２における外径が３０μｍに設定され、テーパ比が０．３となっている。また、隣接する第１貫通導体３５の中心間距離（ピッチ）の最小値は、２００μｍに設定されている。
【００３２】
図１に示されるように、第１ガラス基板３０の第１基板主面３１上における複数箇所には、銅からなる主面側端子電極３６がアレイ状に形成されている。各主面側端子電極３６は、第１貫通導体３５に電気的に接続されている。各主面側端子電極３６は、平面視円形状をなし、第１貫通導体３５の最大径（６０μｍ）よりも大きい外径（本実施形態では９０μｍ）を有している。また、本実施形態における各主面側端子電極３６の厚さは、１０μｍに設定されている。
【００３３】
さらに、第１ガラス基板３０の第１基板主面３１は、エポキシ樹脂からなる厚さ３０μｍ程度のソルダーレジスト層５１によってほぼ全体的に覆われている。ソルダーレジスト層５１の所定箇所には、主面側端子電極３６を露出させる開口部５２が形成されている。主面側端子電極３６の表面上には、複数のはんだバンプ５３が配設されている。そして、各はんだバンプ５３は、ＩＣチップ７１（半導体チップ）の面接続端子７２に電気的に接続されている。本実施形態のＩＣチップ７１は、縦１２．０ｍｍ×横１２．０ｍｍ×厚さ０．９ｍｍの平面視矩形状をなす板状物であって、熱膨張係数が３〜４ｐｐｍ／℃程度（具体的には３．５ｐｐｍ／℃程度）のシリコンからなる。なお、各主面側端子電極３６及び各はんだバンプ５３からなる領域は、ＩＣチップ７１を実装可能なＩＣチップ搭載領域７３（半導体チップ搭載領域）である。ＩＣチップ搭載領域７３は、第１ガラス基板３０及び第２ガラス基板４０のうち、隣接する貫通導体３５，４５間のピッチの最小値が小さいほうのガラス基板（本実施形態では第１ガラス基板３０）の表面に設定されている。
【００３４】
図１に示されるように、第１ガラス基板３０と配線積層部１１との間には、無機フィラー（シリカフィラー）を添加した樹脂絶縁材料（シクロオレフィン樹脂）を主体とする第１応力緩和層８１が形成されている。即ち、第１応力緩和層８１は、樹脂絶縁層２１〜２３と同じ材料によって形成されている。なお、第１応力緩和層８１のヤング率は、第１ガラス基板３０のヤング率（７３ＧＰａ）、第１貫通導体３５のヤング率（１１８ＧＰａ）、及び、樹脂絶縁層２１〜２３のヤング率（８ＧＰａ）よりも低く、本実施形態では２ＧＰａとなっている。また、第１応力緩和層８１の無機フィラーの含有率は、樹脂絶縁層２１〜２３の無機フィラーの含有率（４５体積％程度）よりも小さく、本実施形態では３０体積％となっている。なお、第１応力緩和層８１は、縦２０ｍｍ×横２０ｍｍ×厚さ５μｍの略矩形板状をなしている。
【００３５】
さらに、第１応力緩和層８１には、同第１応力緩和層８１をその厚さ方向に貫通する複数の第１貫通穴８３が格子状に形成されている。各第１貫通穴８３は、平面視円形状をなし、第１基板裏面３２側に行くに従って徐々に内径が小さくなるテーパ状をなしている。なお、本実施形態の第１貫通穴８３は、第１基板裏面３２側開口における内径が３０μｍに設定され、積層部主面１２側開口における内径が３５μｍに設定されている。そして、かかる第１貫通穴８３内には、第１貫通導体３５の一方の端部（図１では下端部）が配置されている。
【００３６】
図１に示されるように、第２ガラス基板４０は、上述した第１ガラス基板３０とほぼ同じ構造を有している。即ち、第２ガラス基板４０は、第２基板主面４１（図１では上面）、第２基板裏面４２（図１では下面）及び第２基板側面４３を有し、縦２０ｍｍ×横２０ｍｍ×厚さ２００μｍの略矩形板状をなしている。本実施形態の第２ガラス基板４０は、ホウケイ酸ガラスからなる基板である。第２ガラス基板４０は、熱膨張係数が１５ｐｐｍ／℃未満（具体的には４〜５ｐｐｍ／℃程度）、ヤング率が７３ＧＰａとなっている。なお、第２ガラス基板４０の熱膨張係数は、３０℃〜４００℃間の測定値の平均値をいう。
【００３７】
また、第２ガラス基板４０には、第２基板主面４１及び第２基板裏面４２の両方にて開口する複数の第２貫通孔４４が格子状に形成されている。各第２貫通孔４４は、平面視円形状をなし、第２基板裏面４２側に行くに従って徐々に内径が大きくなるテーパ状をなしている。なお、本実施形態の第２貫通孔４４は、第２基板主面４１側開口における内径が６０μｍに設定され、第２基板裏面４２側開口における内径が１００μｍに設定されている。そして、かかる第２貫通孔４４内には、銅からなる第２貫通導体４５が設けられている。これら第２貫通導体４５は、第２基板主面４１側及び第２基板裏面４２側を導通させるとともに、配線積層部１１の金属配線層２４〜２６に電気的に接続されている。なお、第２貫通導体４５のヤング率は、第２ガラス基板４０のヤング率（７３ＧＰａ）よりも高く、本実施形態では１１８ＧＰａとなっている。また、第２ガラス基板４０に占める第２貫通導体４５の体積比率は、１．１３％である。さらに、第２貫通導体４５は、配線基板１０における外層側（即ち第２基板裏面４２側）に行くに従って徐々に外径が大きくなるテーパ状をなしている。具体的に言うと、第２貫通導体４５は、第２基板主面４１における外径が６０μｍ、第２基板裏面４２における外径が１００μｍに設定され、テーパ比が０．２となっている。なお、本実施形態では、体積比率が高いほうの第１ガラス基板３０（体積比率３．４１％）における第１貫通導体３５のテーパ比（０．３）が、体積比率が低いほうの第２ガラス基板４０（体積比率１．１３％）における第２貫通導体４５のテーパ比（０．２）よりも大きくなっている。また、隣接する第２貫通導体４５間の中心間距離（ピッチ）の最小値は、隣接する第１貫通導体３５間のピッチの最小値（２００μｍ）よりも大きく、本実施形態では９００μｍに設定されている。なお、第２ガラス基板４０の面積は第１ガラス基板３０の面積と等しいため、ピッチが大きい側の第２貫通導体４５の数は、ピッチが小さい側の第１貫通導体３５の数よりも少なくなる。つまり、貫通導体３５，４５の数、及び、隣接する貫通導体３５，４５間のピッチの最小値は、第１ガラス基板３０と第２ガラス基板４０とで異なっている。
【００３８】
図１に示されるように、第２ガラス基板４０の第２基板主面４１上における複数箇所には、銅からなる主面側端子電極４６がアレイ状に形成され、第２ガラス基板４０の第２基板裏面４２上における複数箇所には、同じく銅からなる裏面側端子電極４７がアレイ状に形成されている。各端子電極４６，４７は、第２貫通導体４５に電気的に接続されている。なお、各端子電極４６，４７は、平面視円形状をなし、第２貫通導体４５の最大径（１００μｍ）よりも大きい外径（本実施形態では１５０μｍ）を有している。また、本実施形態における各端子電極４６，４７の厚さは、１０μｍに設定されている。
【００３９】
さらに、第２ガラス基板４０の第２基板裏面４２は、エポキシ樹脂からなる厚さ３０μｍ程度のソルダーレジスト層６１によってほぼ全体的に覆われている。ソルダーレジスト層６１の所定箇所には、裏面側端子電極４７を露出させる開口部６２が形成されている。そして、裏面側端子電極４７の表面上には、図示しないマザーボード側との電気的な接続を図るための複数のはんだバンプ６３が配設されている。
【００４０】
図１に示されるように、第２ガラス基板４０と配線積層部１１との間には、無機フィラー（シリカフィラー）を添加した樹脂絶縁材料（シクロオレフィン樹脂）を主体とする第２応力緩和層８２が形成されている。即ち、第２応力緩和層８２は、樹脂絶縁層２１〜２３及び第１応力緩和層８１と同じ材料によって形成されている。なお、第２応力緩和層８２のヤング率は、ガラス基板３０，４０のヤング率（７３ＧＰａ）、貫通導体３５，４５のヤング率（１１８ＧＰａ）、及び、樹脂絶縁層２１〜２３のヤング率（８ＧＰａ）よりも低く、かつ第１応力緩和層８１のヤング率と等しく、本実施形態では２ＧＰａとなっている。また、第２応力緩和層８２の無機フィラーの含有率は、樹脂絶縁層２１〜２３の無機フィラーの含有率（４５体積％程度）よりも小さく、かつ第１応力緩和層８１の含有率と等しく、本実施形態では３０体積％となっている。なお、第２応力緩和層８２は、縦２０ｍｍ×横２０ｍｍ×厚さ５μｍの略矩形板状をなしている。
【００４１】
さらに、第２応力緩和層８２には、同第２応力緩和層８２をその厚さ方向に貫通する複数の第２貫通穴８４が格子状に形成されている。各第２貫通穴８４は、平面視円形状をなし、第２基板主面４１側に行くに従って徐々に内径が小さくなるテーパ状をなしている。なお、本実施形態の第２貫通穴８４は、第２基板主面４１側開口における内径が６０μｍに設定され、積層部裏面１３側開口における内径が６５μｍに設定されている。そして、かかる第２貫通穴８４内には、第２貫通導体４５の一方の端部（図１では上端部）が配置されている。
【００４２】
次に、本実施形態の配線基板１０の製造方法を説明する。
【００４３】
まず、第１ガラス基板準備工程では、第１応力緩和層８１が第１基板裏面３２上に形成される一対の第１ガラス基板３０を従来周知の手法により作製し、あらかじめ準備しておく。第１ガラス基板３０は以下のように作製される。まず、市販の薄ガラス基板（日本電気硝子株式会社製  ＯＡ−１０Ｇ）を用意する。薄ガラス基板は、縦１５０ｍｍ×横１５０ｍｍ×厚さ０．２ｍｍ（＝２００μｍ）の矩形板状をなしている。なお、薄ガラス基板は、第１ガラス基板３０となるべき基板形成領域が、平面方向に沿って縦横に複数配置された第１多数個取り用ガラス基板である。また、第１応力緩和層８１は、後述するガラス基板積層工程において形成される。
【００４４】
また、第２ガラス基板準備工程では、第２応力緩和層８２が第２基板主面４１上に形成された一対の第２ガラス基板４０を従来周知の手法により作製し、あらかじめ準備しておく（図２参照）。第２ガラス基板４０は以下のように作製される。まず、第１ガラス基板３０の作製に用いた薄ガラス基板と同じ薄ガラス基板を用意する。ここで用意した薄ガラス基板は、第２ガラス基板４０となるべき基板形成領域が、平面方向に沿って縦横に複数配置された第２多数個取り用ガラス基板である。次に、従来公知のシランカップリング剤（例えば信越化学工業株式会社製のもの）を用いて、第２基板主面４１全体に対するカップリング処理を行う。さらに、カップリング処理が施された第２基板主面４１に、未硬化状態の第２応力緩和層８２となる第２樹脂シートをラミネートする。なお、本実施形態の第２樹脂シートは、耐熱性に優れた樹脂材料（本実施形態ではシクロオレフィン樹脂）からなり、縦１５０ｍｍ×横１５０ｍｍ×厚さ５μｍの矩形板状をなしている。その後、加熱処理（キュア）を所定時間行うと、第２樹脂シートが硬化して第２応力緩和層８２となる（図２参照）。
【００４５】
次に、第２応力緩和層８２が形成された第２基板主面４１とは反対側の第２基板裏面４２にレーザー照射装置（図示略）を向けた状態で、第２ガラス基板４０（第２多数個取り用ガラス基板）に対してレーザー（本実施形態では炭酸ガスレーザー）を照射する。その結果、第２ガラス基板４０に第２貫通孔４４が多数個貫通形成され、第２応力緩和層８２に第２貫通穴８４が多数個貫通形成される（図２参照）。また、レーザーが第２基板裏面４２に直接照射されることにより、第２ガラス基板４０の第２基板裏面４２側へのレーザー光の吸収が促される。その結果、第２貫通孔４４が、第２基板裏面４２側に行くに従って徐々に内径が大きくなるテーパ状をなすように形成される。さらに、第２ガラス基板４０よりもレーザーの吸収率が高い第２応力緩和層８２に対して、レーザー光の吸収が促される。その結果、第２貫通穴８４が、第２基板主面４１側に行くに従って徐々に内径が小さくなるテーパ状をなすように形成される。
【００４６】
さらに、第２基板主面４１側（第２応力緩和層８２側）からチタンのスパッタリングを行って厚さ０．１μｍのチタン層（シード層）を形成し、第２応力緩和層８２の表面８５に形成されるチタン層と、第２貫通孔４４の第２基板主面４１側の内側面に形成されるチタン層とを、分断されることなく連続した層とする。また、第２基板裏面４２側からチタンのスパッタリングを行ってチタン層を形成し、第２基板裏面４２に形成されるチタン層と、第２貫通孔４４の第２基板裏面４２側の内側面に形成されるチタン層とを、分断されることなく連続した層とする。さらに、第２基板主面４１側及び第２基板裏面４２側から銅のスパッタリングを行い、チタン層上に厚さ０．８μｍの銅層（シード層）を形成する。
【００４７】
次に、第２貫通孔４４の内側面に形成された銅層の表面、第２応力緩和層８２の表面８５に形成された銅層の表面、及び、第２基板裏面４２に形成された銅層の表面に対して、それぞれ電解銅めっきを行う。この時点で、第２貫通孔４４内及び第２貫通穴８４内に第２貫通導体４５が形成され、表面８５全体を覆うベタパターンが形成されるとともに、第２基板裏面４２全体を覆うベタパターンが形成される。その後、サブトラクティブ法でパターニングを行う。具体的には、第２基板主面４１上及び第２基板裏面４２上に対してドライフィルムをラミネートし、ドライフィルムに対して露光及び現像を行うことにより、所定パターンのエッチングレジストを形成する。この状態で、表面８５側及び第２基板裏面４２側のベタパターンに対して、エッチングによるパターニングを行う。この時点で、表面８５上に主面側端子電極４６が形成されるとともに、第２基板裏面４２上に裏面側端子電極４７が形成される（図２参照）。その後、エッチングレジストを剥離する。
【００４８】
なお、主面側端子電極４６及び裏面側端子電極４７を別の方法で形成してもよい。詳述すると、第２応力緩和層８２の表面８５に形成された銅層の表面、及び、第２基板裏面４２に形成された銅層の表面に対して、それぞれドライフィルムをラミネートし、めっきレジスト（図示略）を形成する。次に、フォトリソグラフィーによるパターニングを行った後、第２貫通孔４４の内側面に形成された銅層の表面、表面８５に形成された銅層の表面、及び、第２基板裏面４２に形成された銅層の表面に対してそれぞれ電解銅めっきを行う。この時点で、第２貫通孔４４内及び第２貫通穴８４内に第２貫通導体４５が形成され、表面８５上に主面側端子電極４６が形成されるとともに、第２基板裏面４２上に裏面側端子電極４７が形成される（図２参照）。その後、めっきレジストを剥離し、めっきレジストで保護されていたチタン層及び銅層をエッチングにより除去する。
【００４９】
さらに、基材準備工程を行い、支持基材９１をあらかじめ準備しておく（図３参照）。なお、本実施形態の支持基材９１は、基材主面９２、基材裏面９３及び基材側面９４を有し、接着シート９５の主面中央部及び裏面中央部に剥離シート９６を貼付することにより構成されている。接着シート９５は、縦１５０ｍｍ×横１５０ｍｍ×厚さ２５０μｍの略矩形板状をなしており、接着シート９５の中央部は、剥離シート９６に押圧されることによって薄くなっている。また、剥離シート９６は、縦１４５ｍｍ×横１４５ｍｍ×厚さ５０μｍの略矩形板状をなしている。そして、本実施形態では、接着シート９５の外周部が、支持基材９１の外周部に配置される接着部９７となり、剥離シート９６が、支持基材９１において接着部９７よりも内側に配置される剥離部９８となっている。なお、接着部９７は、支持基材９１の基材主面９２、基材裏面９３及び基材側面９４に露出している。接着シート９５の主面及び裏面は、接着部９７の形成領域において剥離シート９６の外側面と面一になっている。なお、本実施形態の接着シート９５（接着部９７）としては、光剥離性を有する材料からなる両面接着タイプのテープ（例えば、積水化学工業株式会社製  セルファ、デンカアドテックス株式会社製  ＵＶ剥離型ダイシングテープなど）が用いられている。また、剥離シート９６（剥離部９８）としては、接着部９７よりも接着性が低く、かつ、樹脂絶縁層２１〜２３よりも耐熱性が高い樹脂材料（本実施形態ではポリエチレンテレフタレート樹脂）からなる樹脂シートが用いられている。
【００５０】
そして、第１ガラス基板準備工程、第２ガラス基板準備工程及び基材準備工程後に、貼付工程を行う。具体的には、まず、一対の第２ガラス基板４０を用意し、それぞれの第２基板主面４１を互いに反対側に向け、かつ、それぞれの第２基板裏面４２を互いに対向させた状態に配置する。このとき、対向配置された第２ガラス基板４０の第２基板裏面４２間に支持基材９１を介在させる。その結果、支持基材９１の基材主面９２上及び基材裏面９３上の両方にそれぞれ第２ガラス基板４０が配置された状態となる。次に、２枚の第２ガラス基板４０と１枚の支持基材９１とからなる積層体に対して、所定の圧力を厚さ方向に付加してプレスする。その結果、接着部９７が第２基板裏面４２の外周部に仮接着されるとともに、剥離部９８が第２基板裏面４２の中央部に接触することにより、一対の第２ガラス基板４０が支持基材９１（接着部９７）を介して互いに仮接着される（図３参照）。
【００５１】
貼付工程後の配線積層部形成工程では、従来周知の手法に基づいて、第２基板主面４１上に形成された第２応力緩和層８２の上に配線積層部１１を形成する（図４参照）。具体的に言うと、まず、それぞれの第２ガラス基板４０の第２応力緩和層８２の上に、厚さ２０μｍのシクロオレフィン系の樹脂フィルム（日本ゼオン株式会社製  ＺＳ−１００）を被着（貼付）することにより、樹脂絶縁層２１を形成する。
【００５２】
さらに、ＹＡＧレーザーまたは炭酸ガスレーザーを用いてレーザー孔あけ加工を行い、ビア導体２７が形成されるべき位置にビア孔を形成する。具体的には、樹脂絶縁層２１を貫通するビア孔を形成し、主面側端子電極４６の表面を露出させる。次に、従来公知の手法に従って電解銅めっきを行い、ビア孔の内部にビア導体２７を形成するとともに、樹脂絶縁層２１上に金属配線層２４を形成する。
【００５３】
次に、第１層の樹脂絶縁層２１上に樹脂フィルムを被着することにより、第２層の樹脂絶縁層２２を形成する。さらに、ＹＡＧレーザーまたは炭酸ガスレーザーを用いてレーザー孔あけ加工を行い、樹脂絶縁層２２においてビア導体２７が形成されるべき位置にビア孔を形成する。次に、従来公知の手法に従って電解銅めっきを行い、ビア孔の内部にビア導体２７を形成するとともに、樹脂絶縁層２２上に金属配線層２５を形成する。
【００５４】
次に、第２層の樹脂絶縁層２２上に樹脂フィルムを被着することにより、第３層の樹脂絶縁層２３を形成する。さらに、ＹＡＧレーザーまたは炭酸ガスレーザーを用いてレーザー孔あけ加工を行い、樹脂絶縁層２３においてビア導体２７が形成されるべき位置にビア孔を形成する。次に、従来公知の手法に従って電解銅めっきを行い、ビア孔の内部にビア導体２７を形成するとともに、樹脂絶縁層２３上に金属配線層２６を形成する。この時点で、図４に示す配線積層部１１が完成する。
【００５５】
配線積層部形成工程後のガラス基板積層工程では、まず、第２ガラス基板４０の第２基板主面４１に対するカップリング処理に用いたものと同じシランカップリング剤を用いて、第１ガラス基板３０の第１基板裏面３２全体に対するカップリング処理を行う。次に、配線積層部１１の積層部主面１２に、未硬化状態の第１応力緩和層８１となる第１樹脂シートを積層する。なお、本実施形態の第１樹脂シートは、第２応力緩和層８２となる第２樹脂シートと同じ樹脂材料（シクロオレフィン樹脂）からなり、縦１５０ｍｍ×横１５０ｍｍ×厚さ５μｍの矩形板状をなしている。その後、加熱処理（キュア）を所定時間行うと、第１樹脂シートが硬化して第１応力緩和層８１となる（図５参照）。
【００５６】
さらに、カップリング処理が施された第１基板裏面３２を配線積層部１１側（第１応力緩和層８１側）に向けた状態で、配線積層部１１上に第１応力緩和層８１を介して第１ガラス基板３０を積層する（図５参照）。そして次に、温度が１１０℃となるように加熱を行いながら積層方向に押圧力（０．２ＭＰａ）を加える（熱プレス）。これに伴い、配線積層部１１、第１応力緩和層８１及び第１ガラス基板３０が積層方向に沿って押圧されるとともに、熱により第１応力緩和層８１中の有機材料の粘性が大きくなる。その結果、配線積層部１１上に第１応力緩和層８１及び第１ガラス基板３０が接着（熱圧着）される。
【００５７】
次に、第１応力緩和層８１が形成された第１基板裏面３２とは反対側の第１基板主面３１にレーザー照射装置（図示略）を向けた状態で、第１ガラス基板３０（第１多数個取り用ガラス基板）に対してレーザー（本実施形態では炭酸ガスレーザー）を照射する。その結果、第１ガラス基板３０に第１貫通孔３４が多数個貫通形成され、第１応力緩和層８１に第１貫通穴８３が多数個貫通形成される（図６参照）。また、レーザーが第１基板主面３１に直接照射されることにより、第１ガラス基板３０の第１基板主面３１側へのレーザー光の吸収が促される。その結果、第１貫通孔３４が、第１基板主面３１側に行くに従って徐々に内径が大きくなるテーパ状をなすように形成される。さらに、第１ガラス基板３０よりもレーザーの吸収率が高い第１応力緩和層８１に対して、レーザー光の吸収が促される。その結果、第１貫通穴８３が、第１基板裏面３２側に行くに従って徐々に内径が小さくなるテーパ状をなすように形成される。
【００５８】
さらに、第１基板主面３１側からチタンのスパッタリングを行って厚さ０．１μｍのチタン層（シード層）を形成し、第１基板主面３１に形成されるチタン層と、第１貫通孔３４の内側面に形成されるチタン層とを、分断されることなく連続した層とする。さらに、第１基板主面３１側から銅のスパッタリングを行い、チタン層上に厚さ０．８μｍの銅層（シード層）を形成する。
【００５９】
次に、第１貫通孔３４の内側面に形成された銅層の表面、及び、第１基板主面３１に形成された銅層の表面に対して、それぞれ電解銅めっきを行う。この時点で、第１貫通孔３４内に第１貫通導体３５が形成され、第１基板主面３１全体を覆うベタパターンが形成される。その後、サブトラクティブ法でパターニングを行う。具体的には、第１基板主面３１上に対してドライフィルムをラミネートし、ドライフィルムに対して露光及び現像を行うことにより、所定パターンのエッチングレジストを形成する。この状態で、ベタパターンに対して、エッチングによるパターニングを行う。この時点で、第１基板主面３１上に主面側端子電極３６が形成される（図７参照）。その後、エッチングレジストを剥離する。
【００６０】
なお、主面側端子電極３６を別の方法で形成してもよい。詳述すると、第１基板主面３１に形成された銅層の表面に対してドライフィルムをラミネートし、めっきレジスト（図示略）を形成する。次に、フォトリソグラフィーによるパターニングを行った後、第１貫通孔３４の内側面に形成された銅層の表面、及び、第１基板主面３１に形成された銅層の表面に対してそれぞれ電解銅めっきを行う。この時点で、第１貫通孔３４内及び第１貫通穴８３内に第１貫通導体３５が形成され、第１基板主面３１上に主面側端子電極３６が形成される（図７参照）。その後、めっきレジストを剥離し、めっきレジストで保護されていたチタン層及び銅層をエッチングにより除去する。
【００６１】
ガラス基板積層工程後、分離工程を行い、接着部９７に対して紫外光（ＵＶ光）を照射する（図８参照）。詳述すると、分離工程では、支持基材９１の側方から基材側面９４に紫外光を照射する。その結果、第２ガラス基板４０と支持基材９１とが、第２ガラス基板４０及び接着部９７の界面において分離され、接着部９７を介して仮接着された一対の第２ガラス基板４０が互いに分離される。これに伴い、内層に隠れていた第２基板裏面４２が露出する。
【００６２】
分離工程後、第１基板主面３１の上に感光性エポキシ樹脂を塗布して硬化させることにより、ソルダーレジスト層５１を形成する。また、第２基板裏面４２の上に感光性エポキシ樹脂を塗布して硬化させることにより、ソルダーレジスト層６１を形成する。次に、所定のマスクを配置した状態で露光及び現像を行い、ソルダーレジスト層５１に開口部５２を形成するとともに、ソルダーレジスト層６１に開口部６２を形成する。なお、この状態のものは、配線基板１０となるべき製品領域を平面に沿って縦横に複数配列した多数個取り用配線基板であると把握することができる。
【００６３】
さらに、第１基板主面３１上に形成された主面側端子電極３６上に、はんだペーストを印刷する。また、第２基板裏面４２上に形成された裏面側端子電極４７上に、はんだペーストを印刷する。次に、はんだペーストが印刷された多数個取り用配線基板をリフロー炉内に配置して、はんだの融点より１０〜４０℃高い温度に加熱する。この時点で、はんだペーストが溶融し、半球状に盛り上がった形状のＩＣチップ７１搭載用のはんだバンプ５３が形成されるとともに、同じく半球状に盛り上がった形状のマザーボード実装用のはんだバンプ６３が形成される。
【００６４】
さらに、従来周知の切断装置（レーザー加工機やダイシング装置等）を用いて、多数個取り用配線基板を基板形成領域の外形線に沿って切断する。本実施形態では、外径５１．４ｍｍ、内径４０ｍｍ、刃厚０．０３ｍｍのダイシングブレード（株式会社ディスコ製  ＺＢＴ−４９９１）を用いて、加工速度１ｍｍ／ｓ、回転数３００００ｒｐｍの条件下で切断を行う。その結果、基板形成領域同士が分割され、図１に示す配線基板１０が複数個同時に得られる。
【００６５】
その後、配線基板１０を構成する第１ガラス基板３０の表面にＩＣチップ７１を載置する。このとき、ＩＣチップ７１側の面接続端子７２と各はんだバンプ５３とを位置合わせする。そして、２２０〜２４０℃程度の温度に加熱して各はんだバンプ５３をリフローすることにより、各はんだバンプ５３と面接続端子７２とを接合し、配線基板１０側とＩＣチップ７１側とを電気的に接続する。その結果、配線基板１０にＩＣチップ７１が搭載される。
【００６６】
次に、配線基板の評価方法及びその結果を説明する。
【００６７】
まず、測定用サンプルを次のように準備した。本実施形態の配線基板１０とほぼ同じ配線基板を準備し、これを実施例１とした。また、貫通導体のピッチ、貫通導体のテーパ比（貫通導体の外径）、及び、応力緩和層の厚さなどを変更することによって得られた７種類の配線基板を準備し、それぞれ実施例２〜８とした。なお、実施例１〜８では、上側の第１ガラス基板に設けられた貫通導体を、上側（配線基板における外層側）に行くに従って徐々に外径が大きくなるテーパ状（表１の「▼」）とし、下側の第２ガラス基板に設けられた貫通導体を、下側（配線基板における外層側）に行くに従って徐々に外径が大きくなるテーパ状（表１の「▲」）とした。また、実施例３，４では、第２ガラス基板の貫通導体の体積比率及びテーパ比を、第１ガラス基板よりも大きくした。さらに、実施例５，６では、貫通導体の体積比率が高いほうの第１ガラス基板と配線積層部との間に形成される応力緩和層の厚さを、体積比率が低いほうの第２ガラス基板と配線積層部との間に形成される応力緩和層の厚さよりも大きくした。また、実施例７では、貫通導体の体積比率が高いほうの第２ガラス基板における貫通導体のテーパ比を、体積比率が低いほうの第１ガラス基板における貫通導体のテーパ比よりも小さくした。また、実施例８では、貫通導体の体積比率が高いほうの第１ガラス基板における貫通導体のテーパ比を、体積比率が低いほうの第２ガラス基板における貫通導体のテーパ比よりも小さくした。
【００６８】
一方、貫通導体付きのガラス基板（第１ガラス基板）の両側に樹脂絶縁層をそれぞれ３層ずつ積層した配線基板を準備し、これを比較例１とした。また、下側の第２ガラス基板に設けられた貫通導体を、下側（配線基板における外層側）に行くに従って徐々に外径が小さくなるテーパ状（表１の「▼」）とした２種類の配線基板を準備し、それぞれ比較例２，３とした。比較例２，３での貫通導体の変更は、レーザーの照射面を第２ガラス基板の裏面から主面に変更することによって行った。
【００６９】
なお、測定用サンプルは、それぞれ２５個ずつ準備した。また、測定用サンプルでは、評価結果に影響を与えないと想定されるソルダーレジスト層及びはんだバンプの形成を省略した。
【００７０】
次に、各測定用サンプル（実施例１〜８、比較例１〜３）に対して、レーザーを用いた非接触計測により、配線基板の最大反り量を測定した。その結果、最大反り量が１００μｍ以下となるものを“合格”と判定した。そして、“合格”と判定されるものが９０％以上（歩留まり９０％以上）となる測定用サンプルを「◎」と判定し、“合格”と判定されるものが８０％以上（歩留まり８０％以上）となる測定用サンプルを「○」と判定し、“合格”と判定されるものが７０％以上（歩留まり７０％以上）となる測定用サンプルを「△」と判定した。また、“合格”と判定されるものが７０％未満（歩留まり７０％未満）となる測定用サンプルを「×」と判定した。以上の結果を表１に示す。
【００７１】
また、各測定用サンプルに対して、顕微鏡による目視観察を行い、ガラス基板（第１ガラス基板及び第２ガラス基板）の端部（側面）に割れが発生したか否かを観察した。ここでは、割れの発生を目視で判断し、割れの発生を目視で確認できないものを“合格”と判定した。そして、この場合も、“合格”と判定されるものが９０％以上となる測定用サンプルを「◎」と判定し、“合格”と判定されるものが８０％以上となる測定用サンプルを「○」と判定し、“合格”と判定されるものが７０％以上となる測定用サンプルを「△」と判定した。また、“合格”と判定されるものが７０％未満となる測定用サンプルを「×」と判定した。以上の結果を表１に示す。
【表１】
2016111244.tif 000003
【００７２】
その結果、比較例１では、ガラス基板の側面に割れが多く発生することが確認された。なお、比較例１では、割れがあまりに多く発生したため、配線基板の反り量の評価を行うことができなかった。また、比較例２，３では、割れは殆ど発生しなかったものの、第１ガラス基板の貫通導体と第２ガラス基板の貫通導体との向きが同一であり、配線基板に反りが多く発生することが確認された。
【００７３】
一方、実施例１〜８では、配線基板の反りの発生もガラス基板の側面での割れの発生も殆ど確認されなかった。特に、実施例５，６では、配線基板の反りがさらに発生しにくくなることが確認された。但し、実施例７，８では、配線基板の反りが若干発生しやすいことが確認された。
【００７４】
以上のことから、複数の樹脂絶縁層からなる配線積層部の両側に第１ガラス基板と第２ガラス基板とをそれぞれ配置した配線基板を形成すれば、応力が第１ガラス基板と第２ガラス基板とに分散されるため、ガラス基板の側面に割れが生じにくくなり、配線基板の歩留まりが高くなることが証明された。また、第１ガラス基板及び第２ガラス基板の両方において、貫通導体が、配線基板における外層側に行くに従って徐々に外径が大きくなるテーパ状をなしていれば、配線基板に反りが生じにくくなり、配線基板の歩留まりが高くなることが証明された。さらに、応力緩和層を厚くしたり、貫通導体の体積比率が高いほうのガラス基板における貫通導体のテーパ比を、体積比率が低いほうのガラス基板における貫通導体のテーパ比よりも大きくしたりすれば、配線基板の反りがいっそう生じにくくなることが証明された。
【００７５】
従って、本実施形態によれば以下の効果を得ることができる。
【００７６】
（１）本実施形態の配線基板１０によれば、配線積層部１１が配線基板１０の内層部に配置され、ガラス基板３０，４０が配線基板１０の外層部に配置されるため、ガラス基板３０，４０と配線積層部１１との熱膨張差に起因する熱応力が、第１ガラス基板３０と第２ガラス基板４０とに分散されるようになる。その結果、ガラス基板３０，４０の基板側面３３，４３に対する熱応力の集中が防止されるため、ガラス基板３０，４０の破損を防止することができる。しかも、第１ガラス基板３０と配線積層部１１との間、及び、第２ガラス基板４０と配線積層部１１との間に、それぞれ応力緩和層８１，８２が形成されるため、ガラス基板３０，４０と配線積層部１１との熱膨張差に起因する熱応力の集中が、応力緩和層８１，８２によって確実に緩和される。また、第１ガラス基板３０及び第２ガラス基板４０のいずれにおいても、貫通導体３５，４５が、配線基板１０における外層側に行くに従って徐々に大きくなるテーパ状をなしているため、貫通導体３５，４５の形成時にガラス基板３０，４０にかかる応力が確実に緩和される。よって、ガラス基板３０，４０の破損や反りを確実に防止することができる。以上のことから、ガラス基板３０，４０に不具合が生じにくくなるため、配線基板１０の歩留まりを向上させることができ、配線基板１０の信頼性が向上する。
【００７７】
（２）特許文献２に記載の従来技術には、樹脂層の主面及び裏面にそれぞれ無機絶縁層を積層し、主面側及び裏面側の無機絶縁層を貫通する貫通導体を形成する技術が開示されている。しかしながら、主面側の無機絶縁層においても、裏面側の無機絶縁層においても、隣接する貫通導体間のピッチが同一となるために、配線の自由度が低下し、高密度化を図ることができないという問題がある。一方、本実施形態では、隣接する貫通導体３５，４５間のピッチが、第１ガラス基板３０と第２ガラス基板４０とで異なっている。このため、配線基板１０に設けられる配線の自由度が大きくなり、配線の高密度化を図ることができる。
【００７８】
（３）本実施形態の第２ガラス基板４０は、比較的薄いガラス基板（厚さ２００μｍ）であるため、貼付工程において支持基材９１を貼り合わせることによって強度が増し、ハンドリング性が向上する。
【００７９】
（４）本実施形態のＩＣチップ７１は、配線積層部１１及びガラス基板３０，４０の真上に配置される。その結果、ＩＣチップ７１と、配線積層部１１及びガラス基板３０，４０とを電気的に接続する導通経路が最短となる。ゆえに、ＩＣチップ７１に対する電源供給をスムーズに行うことができる。また、ＩＣチップ７１と、配線積層部１１及びガラス基板３０，４０との間で侵入するノイズを極めて小さく抑えることができるため、誤動作等の不具合を生じることもなく高い信頼性を得ることができる。
【００８０】
また、ＩＣチップ７１は、高剛性であって、樹脂絶縁層２１〜２３よりも熱膨張係数が小さく、ＩＣチップ７１に熱膨張係数が近い第１ガラス基板３０によって支持される。よって、第１ガラス基板３０が変形しにくくなるため、第１ガラス基板３０に実装されるＩＣチップ７１をより安定的に支持できる。従って、大きな熱応力に起因するＩＣチップ７１のクラックや接続不良を防止することができる。ゆえに、ＩＣチップ７１として、熱膨張差による応力（歪）が大きくなり熱応力の影響が大きく、かつ発熱量が大きく使用時の熱衝撃が厳しい１０ｍｍ角以上の大型のＩＣチップや、脆いとされるＬｏｗ−ｋ（低誘電率）のＩＣチップを用いることができる。
【００８１】
なお、本実施形態を以下のように変更してもよい。
【００８２】
・上記実施形態の第１応力緩和層８１は、配線積層部形成工程後に配線積層部１１の積層部主面１２上に形成されるものであったが、第１ガラス基板準備工程において第１ガラス基板３０の第１基板裏面３２上に形成されるものであってもよい。また、上記実施形態の第２応力緩和層８２は、第２ガラス基板準備工程において第２ガラス基板４０の第２基板主面４１上に形成されるものであったが、配線積層部形成工程において配線積層部１１の積層部裏面１３上に形成されるものであってもよい。
【００８３】
・上記実施形態では、第１応力緩和層８１の厚さと第２応力緩和層８２の厚さとが互いに等しくなっていたが、互いに異なっていてもよい。例えば、貫通導体の体積比率が高いほうの第１ガラス基板３０と配線積層部１１との間に形成された第１応力緩和層８１の厚さを、体積比率が低いほうの第２ガラス基板４０と配線積層部１１との間に形成された第２応力緩和層８２の厚さより大きくしてもよい。
【００８４】
・上記実施形態では、第１ガラス基板３０の厚さと第２ガラス基板４０の厚さとが互いに異なっていたが、互いに等しくてもよい。
【００８５】
・上記実施形態の貼付工程では、一対の第２ガラス基板４０を支持基材９１を介して互いに仮接着していたが、熱剥離性や紫外線剥離性の接着剤を用いて、両第２ガラス基板４０を仮接着してもよい。
【００８６】
次に、前述した実施形態によって把握される技術的思想を以下に列挙する。
【００８７】
（１）上記手段１において、前記第１ガラス基板の厚さ、及び、前記第２ガラス基板の厚さが互いに異なることを特徴とする配線基板。
【００８８】
（２）上記手段１において、前記貫通導体のテーパ比は、０．０１以上０．５以下であることを特徴とする配線基板。
【符号の説明】
【００８９】
１０…配線基板
１１…配線積層部
１２…積層部主面
１３…積層部裏面
２１，２２，２３…樹脂絶縁層
２４，２５，２６…金属配線層
３０…第１ガラス基板
３１…第１基板主面
３２…第１基板裏面
３５…貫通導体としての第１貫通導体
４０…第２ガラス基板
４１…第２基板主面
４２…第２基板裏面
４５…貫通導体としての第２貫通導体
７１…半導体チップとしてのＩＣチップ
７３…半導体チップ搭載領域としてのＩＣチップ搭載領域
８１…応力緩和層としての第１応力緩和層
８２…応力緩和層としての第２応力緩和層
９７…接着部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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