(57)【要約】【課題】優れた耐湿性を有し、かつ、多層プリント配線基板への実装時にクラックが生じ難い積層セラミックコンデンサを提供する。【解決手段】第１の外部電極１３は、セラミック素体１０の上に設けられており、金属とガラスとを含む第１の焼成電極層１３ａと、第１の焼成電極層１３ａの上に設けられた第１のＣｕめっき層１３ｂとを有する。第２の外部電極１４は、セラミック素体１０の上に設けられており、金属とガラスとを含む第２の焼成電極層１４ａと、第２の焼成電極層１４ａの上に設けられた第２のＣｕめっき層１４ｂとを有する。第１及び第２の焼成電極層１３ａ、１４ａは、それぞれ、樹脂を含む複数のボイドを含み、第１及び第２の焼成電極層１３ａ、１４ａのそれぞれにおけるボイドの割合が１２体積％〜２０体積％である。【選択図】図２
2016072485.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
長さ方向及び幅方向に沿って延びる第１及び第２の主面と、長さ方向及び厚み方向に沿って延びる第１及び第２の側面と、幅方向及び厚み方向に沿って延びる第１及び第２の端面とを有するセラミック素体と、
前記第１の端面の上と、前記第１及び第２の主面のそれぞれの上とに跨がって設けられた第１の外部電極と、
前記第２の端面の上と、前記第１及び第２の主面のそれぞれの上とに跨がって設けられた第２の外部電極と、
を備え、
前記第１の外部電極は、前記セラミック素体の上に設けられており、金属とガラスとを含む第１の焼成電極層と、前記第１の焼成電極層の上に設けられた第１のＣｕめっき層とを有し、
前記第２の外部電極は、前記セラミック素体の上に設けられており、金属とガラスとを含む第２の焼成電極層と、前記第２の焼成電極層の上に設けられた第２のＣｕめっき層とを有し、
前記第１及び第２の焼成電極層は、それぞれ、樹脂を含む複数のボイドを含み、前記第１及び第２の焼成電極層のそれぞれにおける前記ボイドの割合が１２体積％〜２０体積％である、積層セラミックコンデンサ。
【請求項２】
前記積層セラミックコンデンサの長さ寸法が０．９ｍｍ〜１．１ｍｍであり、幅寸法が０．４ｍｍ〜０．６ｍｍであり、厚み寸法が０．０８５ｍｍ〜０．１５ｍｍである、請求項１に記載の積層セラミックコンデンサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、積層セラミックコンデンサに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話機や携帯音楽プレイヤーなどの電子機器の小型化や薄型化に伴い、電子機器に搭載される配線基板の小型化が進んでいる。それに伴い、配線基板に実装される積層セラミックコンデンサの小型化や薄型化も進んできている。
【０００３】
配線基板に高密度に積層セラミックコンデンサを配置する方法としては、例えば、多層プリント配線基板に積層セラミックコンデンサを内蔵することが考えられる（例えば、特許文献１を参照。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００２−２０３７３５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１に記載のような多層プリント配線基板に内蔵される積層セラミックコンデンサには、優れた耐湿性を有することと共に、多層プリント配線基板に内蔵する際に積層セラミックコンデンサにクラックが生じ難いとが求められている。
【０００６】
本発明の主な目的は、優れた耐湿性を有し、かつ、多層プリント配線基板への実装時にクラックが生じ難い積層セラミックコンデンサを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る積層セラミックコンデンサは、セラミック素体と、第１の外部電極と、第２の外部電極とを備える。セラミック素体は、第１及び第２の主面と、第１及び第２の側面と、第１及び第２の端面とを有する。第１及び第２の主面は、長さ方向及び幅方向に沿って延びる。第１及び第２の側面は、長さ方向及び厚み方向に沿って延びる。第１及び第２の端面は、幅方向及び厚み方向に沿って延びる。第１の外部電極は、第１の端面の上と、第１及び第２の主面のそれぞれの上とに跨がって設けられている。第２の外部電極は、第２の端面の上と、第１及び第２の主面のそれぞれの上とに跨がって設けられている。第１の外部電極は、セラミック素体の上に設けられており、金属とガラスとを含む第１の焼成電極層と、第１の焼成電極層の上に設けられた第１のＣｕめっき層とを有する。第２の外部電極は、セラミック素体の上に設けられており、金属とガラスとを含む第２の焼成電極層と、第２の焼成電極層の上に設けられた第２のＣｕめっき層とを有する。第１及び第２の焼成電極層は、それぞれ、樹脂を含む複数のボイドを含み、第１及び第２の焼成電極層のそれぞれにおけるボイドの割合が１２体積％〜２０体積％である。
【０００８】
本発明に係る積層セラミックコンデンサの長さ寸法が０．９ｍｍ〜１．１ｍｍであり、幅寸法が０．４ｍｍ〜０．６ｍｍであり、厚み寸法が０．０８５ｍｍ〜０．１５ｍｍであることが好ましい。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、優れた耐湿性を有し、かつ、多層プリント配線基板への実装時にクラックが生じ難い積層セラミックコンデンサを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の一実施形態における積層セラミックコンデンサの略図的斜視図である。
【図２】図１の線ＩＩ−ＩＩにおける略図的断面図である。
【図３】本発明の一実施形態における積層セラミックコンデンサの略図的側面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明を実施した好ましい形態の一例について説明する。但し、下記の実施形態は、単なる例示である。本発明は、下記の実施形態に何ら限定されない。
【００１２】
また、実施形態等において参照する各図面において、実質的に同一の機能を有する部材は同一の符号で参照することとする。また、実施形態等において参照する図面は、模式的に記載されたものである。図面に描画された物体の寸法の比率などは、現実の物体の寸法の比率などとは異なる場合がある。図面相互間においても、物体の寸法比率等が異なる場合がある。具体的な物体の寸法比率等は、以下の説明を参酌して判断されるべきである。
【００１３】
図１〜図３に示されるように、積層セラミックコンデンサ１は、セラミック素体１０を備えている。セラミック素体１０は、例えば、誘電体セラミック材料により形成することができる。誘電体セラミック材料の具体例としては、例えば、ＢａＴｉＯ３、ＣａＴｉＯ３、ＳｒＴｉＯ３、ＣａＺｒＯ３などが挙げられる。セラミック素体１０には、所望する積層セラミックコンデンサ１の特性に応じて、上記セラミック材料を主成分として、例えば、Ｍｎ化合物、Ｍｇ化合物、Ｓｉ化合物、Ｆｅ化合物、Ｃｒ化合物、Ｃｏ化合物、Ｎｉ化合物、希土類化合物などの副成分を適宜添加してもよい。
【００１４】
本実施形態において、セラミック素体１０は、直方体状に設けられている。ここで、「直方体状」には、角部や稜線部が丸められた直方体が含まれるものとする。
【００１５】
セラミック素体１０は、第１及び第２の主面１０ａ、１０ｂと、第１及び第２の側面１０ｃ、１０ｄと、第１及び第２の端面１０ｅ、１０ｆとを有する。第１及び第２の主面１０ａ、１０ｂは、それぞれ、長さ方向Ｌ及び幅方向Ｗに沿って延びている。第１及び第２の側面１０ｃ、１０ｄは、それぞれ、長さ方向Ｌ及び厚み方向Ｔに沿って延びている。第１及び第２の端面１０ｅ、１０ｆは、それぞれ、幅方向Ｗ及び厚み方向Ｔに沿って延びている。
【００１６】
積層セラミックコンデンサ１の長さ寸法は、０．９ｍｍ〜１．１ｍｍであることが好ましい。積層セラミックコンデンサ１の幅寸法は、０．４ｍｍ〜０．６ｍｍであることが好ましい。積層セラミックコンデンサ１の厚み寸法は、０．０８５ｍｍ〜０．１５ｍｍであることが好ましい。セラミック素体１０の厚み寸法をＤＴ、長さ寸法をＤＬ、幅寸法をＤＷとしたときに、ＤＴ＜ＤＷ＜ＤＬ、（１／７）ＤＷ≦ＤＴ≦（１／４）ＤＷ、または、ＤＴ＜０．１５ｍｍが満たされることが好ましい。
【００１７】
図２に示されるように、セラミック素体１０の内部には、略矩形状の複数の第１及び第２の内部電極１１，１２が配されている。第１及び第２の内部電極１１，１２は、それぞれ、長さ方向Ｌ及び幅方向Ｗに沿って延びている。第１の内部電極１１は、第１の端面１０ｅに引き出されており、第２の端面１０ｆ並びに第１及び第２の側面１０ｃ、１０ｄには露出していない。一方、第２の内部電極１２は、第２の端面１０ｆに引き出されており、第１の端面１０ｅ並びに第１及び第２の側面１０ｃ、１０ｄには露出していない。第１の内部電極１１と第２の内部電極１２とは、厚み方向Ｔに沿って相互に間隔をおいて交互に設けられている。第１の内部電極１１と第２の内部電極１２との間に設けられたセラミック部１０ｇの厚みは、例えば、０．５μｍ〜１０μｍ程度とすることができる。第１及び第２の内部電極１１，１２の厚みは、例えば、０．２μｍ〜２μｍ程度とすることができる。
【００１８】
第１及び第２の内部電極１１，１２は、適宜の導電材料により構成することができる。第１及び第２の内部電極１１，１２は、例えば、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｕなどの金属や、これらの金属の一種を含む例えばＡｇ−Ｐｄ合金などの合金により構成することができる。
【００１９】
内部電極の端面１０ｅ、１０ｆにおける露出部にガラス層を形成してもよい。内部電極１１，１２の露出部にガラス層を形成しておくことにより、外部電極１３，１４の緻密性が低くても耐湿性・耐めっき性を確保することができ、セラミック素体１０への外部からの水分の浸入を抑制し、耐湿性・耐めっき性を向上させることができる。
【００２０】
セラミック素体１０の上には、第１及び第２の外部電極１３，１４が設けられている。
【００２１】
第１の外部電極１３は、第１の内部電極１１と接続されている。第１の外部電極１３は、第１の端面１０ｅと、第１及び第２の主面１０ａ、１０ｂ並びに第１及び第２の側面１０ｃ、１０ｄのそれぞれとに跨がって設けられている。もっとも、本発明において、第１の外部電極は、第１の端面と、第１及び第２の主面の少なくとも一方とのみに跨がって設けられていてもよい。
【００２２】
第２の外部電極１４は、第２の内部電極１２と接続されている。第２の外部電極１４は、第１の内部電極１１と接続されている。第２の外部電極１４は、第２の端面１０ｆと、第１及び第２の主面１０ａ、１０ｂ並びに第１及び第２の側面１０ｃ、１０ｄのそれぞれとに跨がって設けられている。もっとも、本発明において、第２の外部電極は、第２の端面と、第１及び第２の主面の少なくとも一方とのみに跨がって設けられていてもよい。
【００２３】
第１の外部電極１３は、第１の焼成電極層１３ａと、第１のＣｕめっき層１３ｂとを有する。第１の焼成電極層１３ａは、セラミック素体１０の上に設けられている。
【００２４】
第１の焼成電極層１３ａは、金属と、ガラスとを含む。第１の焼成電極層１３ａに含まれる金属としては、例えば、Ｎｉ、Ｃｕ，Ａｇ，Ｐｄ，Ａｕ，Ａｇ−Ｐｄ合金などの適宜の金属等が挙げられる。
【００２５】
第１の焼成電極層１３ａの厚みは、１μｍ〜２０μｍであることが好ましい。
【００２６】
第１の焼成電極層１３ａの上には、第１のＣｕめっき層１３ｂが設けられている。第１のＣｕめっき層１３ｂの表面の少なくとも一部が、酸化されていてもよい。例えば、第１のＣｕめっき層１３ｂの稜線部が酸化されていることが好ましい。この場合、積層セラミックコンデンサ１を配線基板に埋め込んだ際に、酸化している部分と配線板の樹脂とが酸素結合するため第１の外部電極１３と樹脂配線基板との密着強度を高めることができる。なお、上記の効果は、第１の外部電極１３の全面が酸化している方が優れる。
【００２７】
第１のＣｕめっき層１３ｂの厚みは、１μｍ〜１０μｍであることが好ましい。
【００２８】
なお、第１のＣｕめっき層１３ｂは、複数層により形成されていても良い。
【００２９】
このように、外部電極の最外層をＣｕのめっき膜により構成することで、積層セラミックコンデンサ１を多層プリント配線基板に内蔵する電子部品として用いることが可能となる。
【００３０】
また、多層プリント配線基板に積層セラミックコンデンサ１を埋め込む際に、第１の外部電極１３との導通を図るために、多層プリント配線基板に電子部品接続用のビアホールを設けることが必要となる。この電子部品接続用のビアホールは、たとえば、ＣＯ２レーザーなどのレーザーを用いて形成される。レーザーを用いてビアホールを形成する場合、レーザーが積層セラミックコンデンサ１の第１の外部電極１３に直接照射される。このとき、第１の外部電極１３の第１のめっき層１３ｂをＣｕのめっき層で構成することにより、レーザーを高い反射率で反射させることができることから、積層セラミックコンデンサ１は、多層プリント配線基板へ埋め込むための積層セラミックコンデンサとして好適に使用することができる。積層セラミックコンデンサ１の第１の外部電極１３へのレーザーに対する反射率が低いと、レーザーが積層セラミックコンデンサ１の内部にまで至り、積層セラミックコンデンサ１が損傷してしまう場合があるためである。
【００３１】
第２の外部電極１４は、第２の焼成電極層１４ａと、第２のＣｕめっき層１４ｂとを有する。第２の焼成電極層１４ａは、セラミック素体１０の上に設けられている。
【００３２】
第２の焼成電極層１４ａは、金属と、ガラスとを含む。第２の焼成電極層１４ａに含まれる金属としては、例えば、Ｎｉ、Ｃｕ，Ａｇ，Ｐｄ，Ａｕ，Ａｇ−Ｐｄ合金などの適宜の金属等が挙げられる。
【００３３】
第２の焼成電極層１４ａの厚みは、１μｍ〜２０μｍであることが好ましい。
【００３４】
第２の焼成電極層１４ａの上には、第２のＣｕめっき層１４ｂが設けられている。第２のＣｕめっき層１４ｂの表面の少なくとも一部が、酸化されていてもよい。例えば、第２のＣｕめっき層１４ｂの稜線部が酸化されていることが好ましい。この場合、配線基板に埋め込まれた際に、酸化している部分と配線板の樹脂とが酸素結合するため第２の外部電極１４と樹脂配線基板との密着強度を高めることができる。なお、上記の効果は、第２外部電極１４の全面が酸化している方が、その効果は優れる。
【００３５】
第２のＣｕめっき層１４ｂの厚みは、１μｍ〜１０μｍであることが好ましい。
【００３６】
なお、第２のＣｕめっき層１４ｂは、複数層により形成されていても良い。
【００３７】
このように、外部電極の最外層をＣｕのめっき膜により構成することで、積層セラミックコンデンサ１を多層プリント配線基板に内蔵する電子部品として用いることが可能となる。
【００３８】
また、多層プリント配線基板に積層セラミックコンデンサ１を埋め込む際に、第２の外部電極１４との導通を図るために、多層プリント配線基板に電子部品接続用のビアホールを設けることが必要となる。この電子部品接続用のビアホールは、たとえば、ＣＯ２レーザーなどのレーザーを用いて形成される。レーザーを用いてビアホールを形成する場合、レーザーが積層セラミックコンデンサ１の第２の外部電極１４に直接照射される。このとき、第２の外部電極１４の第２のめっき層１４ｂをＣｕのめっき層で構成することにより、レーザーを高い反射率で反射されることができることから、積層セラミックコンデンサ１を多層プリント配線基板へ埋め込むための積層セラミックコンデンサとして好適に使用することができる。積層セラミックコンデンサ１の第２の外部電極１４へのレーザーに対する反射率が低いと、レーザーが積層セラミックコンデンサ１の内部にまで至り、積層セラミックコンデンサ１が損傷してしまう場合があるためである。
【００３９】
内部電極１１，１２の金属が外部電極１３，１４に拡散していることが好ましい。内部電極１１，１２の金属が外部電極１３，１４に拡散することにより、外部電極１３，１４の金属の体積が膨張し、外部電極１３，１４中の微小な隙間を埋めることで、水分侵入に対するシール性を向上させることができる。なお、内部電極１１，１２の金属の外部電極１３，１４への拡散距離は、４μｍ以上であることが好ましい。
【００４０】
なお、第１及び第２の外部電極１３，１４のそれぞれの少なくとも一部は、第１及び第２の主面１０ａ、１０ｂに埋め混まれていてもよい。
【００４１】
第１及び第２の外部電極１３，１４の第１及び第２の主面１０ａ、１０ｂの上に位置する部分の端辺は、凸状であってもよいし、凹状であってもよいが、より直線状に近い方が好ましい。ここで、直線形状とは、平面視において、主面１０ａ、１０ｂ上に形成されている第１外部電極１３，第２の外部電極１４の端縁における両端を結んだ線を基準線Ｐとしたとき、第１外部電極１３，第２の外部電極１４の端縁の幅方向における中央部の位置（幅方向の１／２寸法における位置）が基準線Ｐに対する幅ｈが、±３０μｍよりも離れていない形状をいう。第１及び第２の外部電極１３，１４の第１及び第２の主面１０ａ、１０ｂの上に位置する部分の端辺が直線状である場合、セラミック素体１０の幅方向における両端にまで、第１外部電極１３，第２の外部電極１４を均一に形成し得る。その結果、積層セラミックコンデンサ１を多層プリント配線基板に埋め込む際に照射するレーザーが、多少位置ずれした場合でも、第１外部電極１３，第２の外部電極１４の表面にレーザーを照射することが可能となり、ビアホールと積層セラミックコンデンサ１との接合確率を増加させることができる。
【００４２】
積層セラミックコンデンサ１の製造方法は、特に限定されない。積層セラミックコンデンサ１は、例えば、以下の要領で製造することができる。
【００４３】
まず、セラミック素体１０を構成するためのセラミックグリーンシートを用意する。次に、そのセラミックグリーンシートの上に、導電性ペーストを塗布することにより、導電性ペースト層を形成する。導電性ペーストの塗布は、例えば、スクリーン印刷法などの各種印刷法によって行うことができる。導電性ペーストは、導電性微粒子の他に、バインダーや溶剤を含んでいてもよい。
【００４４】
次に、導電性ペースト層が形成されていない複数枚のセラミックグリーンシートと、第１または第２の内部電極に対応した形状の導電性ペースト層が形成されているセラミックグリーンシートと、導電性ペースト層が形成されていない複数枚のセラミックグリーンシートとをこの順番で積層し、積層方向にプレスすることによって、マザー積層体を作製する。
【００４５】
次に、マザー積層体の上の仮想のカットラインに沿ってマザー積層体をカッティングすることによって、マザー積層体から複数の生のセラミック積層体を作製する。なお、マザー積層体のカッティングは、ダイシングや押切によって行うことができる。生のセラミック積層体に対しては、バレル研磨などを施し、稜線部や角部を丸めてもよい。
【００４６】
次に、生のセラミック積層体の焼成を行う。この焼成工程において、第１および第２の内部電極が焼成される。焼成温度は、使用するセラミック材料や導電性ペーストの種類により適宜設定することができる。焼成温度は、例えば、９００℃〜１３００℃程度とすることができる。
【００４７】
次に、ディッピングなどの方法によって、焼成後のセラミック積層体（セラミック素体）の両端部に導電性ペーストを塗布する。導電性ペーストは、導電性微粒子等に加え、樹脂等の消失剤を含む。次に、セラミック積層体に塗布した導電性ペーストを例えば６０℃〜１８０℃の中で１０分間熱風乾燥する。その後、乾燥した導電性ペーストを焼き付けて焼成電極層を形成する。この焼き付け工程において、消失剤が消失することにより、焼成電極層に複数のボイド（連続気泡）が発生する。発生するボイドの大きさや数量は、例えば、焼き付け温度や、消失剤と導電性微粒子との混合比等によって制御することができる。なお、焼付け温度は、例えば、４００℃〜９００℃とすることが好ましい。
【００４８】
なお、生のセラミック素体の上に導電性ペースト層を形成しておき、セラミック素体及び内部電極と同時に焼成電極層を焼成してもよい。
【００４９】
次に、焼成電極層中のボイドに樹脂を充填する。樹脂の充填方法は、特に限定されない。例えば、焼成電極層を樹脂を含む溶液中に浸した後に乾燥させることによりボイド中に樹脂を充填することができる。
【００５０】
なお、好適に用いられる樹脂としては、例えば、ＰＶＢ、エポキシ樹脂、アクリル樹脂等が挙げられる。
【００５１】
その後、焼成電極層の上に、１又は複数のめっき層を形成することにより積層セラミックコンデンサ１を完成させることができる。
【００５２】
積層セラミックコンデンサ１では、第１及び第２の焼成電極１３ａ、１４ａは、それぞれ、樹脂を含む複数のボイドを含む。このため、第１及び第２の焼成電極層１３ａ、１４ａの弾性率が低く、多層プリント配線基板を構成するための樹脂が硬化する際に生じる樹脂の収縮に起因してセラミック素体１０に加わる応力が第１及び第２の焼成電極層１３ａ、１４ａにより緩和される。よって、セラミック素体１０にクラックが生じにくい。特に、積層セラミックコンデンサ１では、第１及び第２の焼成電極層１３ａ、１４ａにおけるボイドの割合が１２体積％以上とされている。このため、セラミック素体１０にクラックが生じることがより効果的に抑制されている。また、ボイドの少なくとも一部に樹脂が含まれているため、耐湿性の低下が抑制されている。但し、第１及び第２の焼成電極層１３ａ、１４ａにおけるボイドの割合が高すぎると、樹脂を十分に含有することができず、積層セラミックコンデンサ１の耐湿性が低下することがある。積層セラミックコンデンサ１では、第１及び第２の焼成電極層１３ａ、１４ａにおけるボイドの割合が２０体積％以下とされている。このため、積層セラミックコンデンサ１は、優れた耐湿性を有している。
【００５３】
なお、焼成電極層におけるボイドの体積割合は、例えば、以下の要領で測定することができる。まず、積層セラミックコンデンサの側面を、幅方向Ｗにおける寸法が１／２となるまで研磨することにより、断面を露出させる。その断面を顕微鏡により観察することにより、焼成電極層の面積を求めると共に、ボイドの面積を求める。そして、ボイドの面積を、焼成電極層の面積で除算することにより焼成電極層におけるボイドの体積割合を算出することができる。
【００５４】
（実験例）
積層セラミックコンデンサ１と実質的に同様の構成を有する積層セラミックコンデンサ（狙い値寸法：長さ寸法０．１ｍｍ、幅寸法０．５ｍｍ、厚み寸法０．１５ｍｍ）を、上記製造方法に基づいて表１に示す条件でそれぞれ複数個作製した。導電性微粒子として、フレーク状の銅粉を２０体積％〜５０体積％、球状の銅粉を５０体積％〜８０体積％含み、かつ、樹脂を５体積％〜３０体積％含む導電性ペーストを用いて焼成電極層を作製した。焼成電極層の焼き付け温度は、４５０℃〜８００℃とした。
【００５５】
焼成電極層を作製したサンプルをエポキシ樹脂を含む溶液に０．０５ＭＰａ〜０．１ＭＰａの圧力で１０分間浸漬させることによりボイドに樹脂を含ませた。
【００５６】
作製したサンプルのうちの１０個のサンプルにつき、上記方法により焼成電極層におけるボイドの体積割合を測定し、その平均値を求めた。結果を、表１に示す。
【００５７】
（耐湿試験）
作製したサンプルのうちの１０個を、共晶半田を用いてガラスエポキシ基板に実装した。その後、各サンプルを、１２５℃、相対湿度９５％ＲＨの高温高湿槽内にて、７２時間２Ｖの電圧の電圧を印加して、耐湿加速試験を行った。絶縁抵抗値（ＩＲ値）が、２桁以上低下したものを、耐湿性が劣化したと判断した。結果を表１に示す。
【００５８】
（ボイドへの樹脂の侵入の確認）
焼成電極層を作製したサンプルを、蛍光液を含む冷間樹脂を含む溶液に０．０５ＭＰａ〜０．１ＭＰａの圧力で１０分間浸漬させた。その後、樹脂溶液を乾燥させ、樹脂を硬化させた後に、サンプルの側面を、幅方向Ｗの寸法が１／２となるまで研磨し、断面を露出させた。次に、断面を光学顕微鏡で観察し、ボイド内において蛍光体が蛍光を発しているときに樹脂が侵入したと判断した。結果を表１に示す。
【００５９】
（クラック発生試験）
作製したサンプルのうちの１０個のサンプルの側面を、幅方向Ｗの寸法が１／２となるまで研磨し、断面を露出させた。次に、断面を光学顕微鏡で観察し、クラックの有無を確認した。結果を表１に示す。
【００６０】
【表１】
2016072485.tif 000003
【符号の説明】
【００６１】
１  積層セラミックコンデンサ
１０  セラミック素体
１０ａ  第１の主面
１０ｂ  第２の主面
１０ｃ  第１の側面
１０ｄ  第２の側面
１０ｅ  第１の端面
１０ｆ  第２の端面
１０ｇ  セラミック部
１１  第１の内部電極
１２  第２の内部電極
１３  第１の外部電極
１３ａ  第１の焼成電極層
１３ｂ  第１のめっき層
１４  第２の外部電極
１４ａ  第２の焼成電極層
１４ｂ  第２のめっき層
【図１】
2016072485.tif 000004
【図２】
2016072485.tif 000005
【図３】
2016072485.tif 000006