(57)【要約】      （修正有）【課題】研磨レートの低下を抑制しながらパーティクルやスクラッチの発生を抑制し、研磨不良を低減することができる研磨パッドを提供する。【解決手段】円形研磨パッドである円形研磨シート８は円形研磨層を含む。前記円形研磨層は、同心円溝１０と１つの十字状溝１１とを有し、前記十字状溝１１が前記円形研磨層の中心で略直交している。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
円形研磨層を含む円形研磨パッドであって、
前記円形研磨層は同心円溝と１つの十字状溝とを有し、
前記十字状溝が前記円形研磨層の中心で略直交していることを特徴とする円形研磨パッド。
【請求項２】
前記同心円溝の溝幅が０．１５〜１．２ｍｍである請求項１に記載の円形研磨パッド。
【請求項３】
前記同心円溝の溝深さが０．３〜１．５ｍｍである請求項１又は２に記載の円形研磨パッド。
【請求項４】
前記同心円溝の溝ピッチが１．０〜６．５ｍｍである請求項１〜３のいずれか１項に記載の円形研磨パッド。
【請求項５】
前記十字状溝の溝幅が２．０〜８．０ｍｍである請求項１〜４のいずれか１項に記載の円形研磨パッド。
【請求項６】
前記十字状溝の溝深さが０．１〜１．６ｍｍであり、前記十字状溝の溝深さが前記同心円溝の溝深さと同じ又は同心円溝の溝深さよりも深い請求項１〜５のいずれか１項に記載の円形研磨パッド。
【請求項７】
請求項１〜６いずれか１項に記載の円形研磨パッドを用いて半導体ウエハの表面を研磨する工程を含む半導体デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はレンズ、反射ミラー等の光学材料やシリコンウエハ、ハードディスク用のガラス基板、アルミ基板、及び一般的な金属研磨加工等の高度の表面平坦性を要求される材料の平坦化加工に用いられる研磨パッド、及びそれを用いた半導体デバイスの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置を製造する際には、ウエハ表面に導電性膜を形成し、フォトリソグラフィー、エッチング等をすることにより配線層を形成する工程や、配線層の上に層間絶縁膜を形成する工程等が行われ、これらの工程によってウエハ表面に金属等の導電体や絶縁体からなる凹凸が生じる。近年、半導体集積回路の高密度化を目的として配線の微細化や多層配線化が進んでいるが、これに伴い、ウエハ表面の凹凸を平坦化する技術が重要となってきた。
【０００３】
ウエハ表面の凹凸を平坦化する方法としては、一般的にケミカルメカニカルポリシング（以下、ＣＭＰという）が採用されている。ＣＭＰは、ウエハの被研磨面を研磨パッドの研磨面に押し付けた状態で、砥粒が分散されたスラリー状の研磨剤（以下、スラリーという）を用いて研磨する技術である。ＣＭＰで一般的に使用する研磨装置は、例えば、図１に示すように、研磨パッド１を支持する研磨定盤２と、被研磨材（半導体ウエハ）４を支持する支持台（ポリシングヘッド）５とウエハの均一加圧を行うためのバッキング材と、スラリーの供給機構を備えている。研磨パッド１は、例えば、両面テープで貼り付けることにより、研磨定盤２に装着される。研磨定盤２と支持台５とは、それぞれに支持された研磨パッド１と被研磨材４が対向するように配置され、それぞれに回転軸６、７を備えている。また、支持台５側には、被研磨材４を研磨パッド１に押し付けるための加圧機構が設けてある。
【０００４】
研磨速度及び平坦化特性などの研磨特性を向上させるためには、新しいスラリーを研磨パッド全面へ均一に分散させること、使用済のスラリーを効率よく排出させることが重要である。また、コスト面から新しいスラリーはできるだけ研磨パッド上に保持させて、スラリーの消費量を少なくする方が好ましい。そのため、通常、研磨パッドの被研磨材と接触する研磨表面は、スラリーを保持・更新するための溝を有している（例えば、特許文献１〜３）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１０−２３４４５８号公報
【特許文献２】特開２０１１−１７７８８４号公報
【特許文献３】特開２０１１−２３５４２５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
通常、研磨開始前及び研磨途中に研磨表面のドレスを行う。当該ドレス直後の研磨パッドの表面にはドレスの屑が残っていることが多く、当該ドレスの屑がパーティクルやスクラッチを発生させる。また、研磨を継続すると研磨屑が発生するため、当該研磨屑によってもパーティクルやスクラッチが発生する。研磨パッドの表面に多数の格子状及び／又は放射状の溝を設けることにより、研磨屑やドレス屑を排出させてパーティクルやスクラッチを防ぐことができるが（特許文献１〜３）、溝が多くなると研磨面の表面積が小さくなり、研磨レートが低くなる。一方、研磨面の面積を大きくするために溝幅を狭くしたり溝の数を減らしたりすると、研磨屑やドレス屑を高率的に排出することができずにパーティクルやスクラッチが発生し、研磨不良になる。すなわち、高研磨レートと低研磨不良を両立することは極めて困難であった。
【０００７】
本発明は前記事情に鑑みてなされたものであり、研磨レートの低下を抑制しながらパーティクルやスクラッチの発生を抑制し、研磨不良を低減することができる研磨パッドを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、円形研磨層を含む円形研磨パッドであって、前記円形研磨層は同心円溝と１つの十字状溝とを有し、前記十字状溝が前記円形研磨層の中心で略直交していることを特徴とする円形研磨パッドである。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、研磨レートの低下を抑制しながらパーティクルやスクラッチの発生を抑制し、研磨不良を低減することができる研磨パッドを提供することができる。本発明がこのような効果を奏する理由は定かではないが、以下のように考えられる。
【００１０】
同心円溝はスラリー保持力が高いため、良好な研磨レートを得ることができるが、溝内のスラリー排出が難しい点があった。これに複数の放射状溝ではなく一つの十字溝を設けることによって、研磨レートの低下を抑制しながらドレス屑や研磨屑を排出することができ、パーティクルやスクラッチの発生を低減することができると考えられる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】ＣＭＰ研磨で使用する研磨装置の一例を示す概略構成図
【図２】研磨層の溝形状を示す概略図
【発明を実施するための形態】
【００１２】
本実施形態に係る円形研磨パッドは、円形研磨層を含む円形研磨パッドであって、前記円形研磨層は同心円溝と１つの十字状溝とを有し、前記十字状溝が前記円形研磨層の中心で略直交していることを特徴とする。
【００１３】
前記研磨の材料は特に限定されず、例えば、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ハロゲン系樹脂（ポリ塩化ビニル、ポリテトラフルオロエチレン、ポリフッ化ビニリデンなど）、ポリスチレン、オレフィン系樹脂（ポリエチレン、ポリプロピレンなど）、エポキシ樹脂、及び感光性樹脂などが挙げられる。ポリウレタン樹脂は、耐摩耗性に優れ、原料組成を種々変えることにより所望の物性になるように調整できるため、研磨層の材料として好ましい。
【００１４】
前記研磨層は、発泡体であってもよく、無発泡体であってもよいが、ポリウレタン樹脂発泡体により形成されていることが好ましい。
【００１５】
ポリウレタン樹脂発泡体の製造方法としては、中空ビーズを添加させる方法、機械的発泡法、化学的発泡法などが挙げられる。
【００１６】
ポリウレタン樹脂発泡体の平均気泡径は、３０〜８０μｍであることが好ましく、より好ましくは３０〜６０μｍである。この範囲から逸脱する場合は、研磨速度が低下したり、研磨後の被研磨材（ウエハ）のプラナリティ（平坦性）が低下する傾向にある。
【００１７】
ポリウレタン樹脂発泡体の比重は、０．５〜１．３であることが好ましい。比重が０．５未満の場合、前記研磨層の表面強度が低下し、被研磨材のプラナリティが低下する傾向にある。また、１．３より大きい場合は、前記研磨層表面の気泡数が少なくなり、プラナリティは良好であるが、研磨速度が低下する傾向にある。
【００１８】
ポリウレタン樹脂発泡体の硬度は、アスカーＤ硬度計にて、４０〜７０度であることが好ましい。アスカーＤ硬度が４０度未満の場合には、被研磨材のプラナリティが低下し、また、７０度より大きい場合は、プラナリティは良好であるが、被研磨材のユニフォーミティ（均一性）が低下する傾向にある。
【００１９】
円形研磨層の大きさは特に限定されるものではないが、通常直径３０〜１００ｃｍ程度である。
【００２０】
円形研磨層には、光学終点検出用の窓（光透過領域）が設けられていてもよい。
【００２１】
円形研磨層の厚みは特に限定されるものではないが、通常０．８〜４ｍｍ程度であり、１．５〜２．５ｍｍであることが好ましい。前記厚みの円形研磨層を作製する方法としては、発泡体ブロックをバンドソー方式又はカンナ方式のスライサーを用いて所定厚みにスライスする方法、所定厚みのキャビティーを持った金型に樹脂を流し込み硬化させる方法、及びコーティング技術やシート成形技術を用いた方法などが挙げられる。
【００２２】
以下、本実施形態の研磨パッドについて、図面を参照しつつ説明する。図２は、本実施形態の研磨パッドの研磨層の表面を示す概略図である。図２に示すように、前記研磨層８は、その表面に同心円溝１０及び十字状溝１１を有する。
【００２３】
前記同心円溝１０の溝ピッチは特に制限されないが、研磨レート低減抑制の観点、及びドレス屑や研磨屑排出の観点から１．０〜６．５ｍｍが好ましく、１．２〜４．５ｍｍがより好ましく、１．５〜４．０ｍｍがさらに好ましい。
【００２４】
前記研磨層の最外周部９の幅は、研磨層のめくれ、定盤との固定安定性など研磨中のパッド端部安定性の観点から同心円溝１０の溝ピッチの１／２以上であり、溝ピッチ以上が好ましく、溝ピッチよりも広いことがより好ましい。
【００２５】
前記同心円溝１０の溝幅は特に制限されないが、研磨レート低減抑制の観点、及びドレス屑や研磨屑排出の観点から０．１５〜１．２が好ましく、０．２〜０．７ｍｍがより好ましく、０．２５〜０．５ｍｍがさらに好ましい。
【００２６】
前記同心円溝１０の溝深さは、円形研磨層の厚みに応じて適宜調整されるが、一般に、研磨レート低減抑制の観点、及びドレス屑や研磨屑排出の観点から０．３〜１．５ｍｍが好ましく、０．４〜１．２ｍｍがより好ましく、０．４５〜１．０ｍｍがさらに好ましい。
【００２７】
なお、前記同心円溝１０の溝ピッチ、溝幅、溝深さは、一般的には一定であるが、スラリーの保持・更新性を望ましいものにするため、ある範囲ごとに溝ピッチ、溝幅、溝深さ等を変化させることができる。ある範囲ごとに溝ピッチ、溝幅、溝深さ等を変化させた場合、最外周部９の幅は、最外周部９に最も近い溝ピッチの１／２以上であり、溝ピッチ以上が好ましく、溝ピッチよりも広いことがより好ましい。最外周部９の幅の上限は特に限定は無いが、溝１０のスラリーを保持・更新する効果を損なわない観点から、同心円溝１０の溝ピッチの２倍以下が好ましい。
【００２８】
前記十字状溝１１は、２本の直線状の溝が略直交する形状を有している。前記十字状溝１１は、前記研磨層に一つ設けられる。なお、本明細書において「略直交」とは９０°±１０°の範囲で交差することを意味する。
【００２９】
前記十字状溝１１の溝幅は特に制限されないが、研磨レート低減抑制の観点、及びドレス屑や研磨屑排出の観点から２．０〜８．０ｍｍが好ましく、２．０〜６．０ｍｍがより好ましく、２．０〜４．０ｍｍがさらに好ましい。
【００３０】
前記十字状溝１１の溝深さは、円形研磨層８の厚みに応じて適宜調整されるが、一般に、研磨レート維持の観点、及びドレス屑や研磨屑排出の観点から０．１〜１．５ｍｍが好ましく、０．４５〜１．３ｍｍが好ましく、０．４５〜１．２ｍｍがより好ましい。前記十字状溝の溝深さは、ドレス屑や研磨屑排出の観点から、同心円溝の溝深さと同じか、同心円溝の溝深さよりも深い方が好ましい。
【００３１】
恒常的にデフェクトが多い場合、又はデフェクトが経時的に増加傾向の場合、スラリーの排出を促す観点から前記十字状溝の溝深さが０．１ｍｍ以上が好ましい。また、溝深さが深いと溝の容積が大きくなり、スラリーが不足する傾向にあるため、研磨レートが低下する。従って、研磨レートの低下を抑制する観点からは前記十字状溝の溝深さが０．１ｍｍ以下が好ましい。
【００３２】
被研磨材と研磨層表面の接触面積が少なくなると研磨速度が低下する。そのため、研磨層表面の面積と溝部の面積との比（表面の溝面積／パッド表面の面積×１００）は高研磨レートを維持しながらパーティクル等の発生を抑制する観点から、５〜２５％が好ましく、１２〜１７％がより好ましい。なお、研磨層表面の面積とは、研磨層全体の面積であり、溝部の面積とは、同心溝の面積と十字状溝の面積の合計である。
【００３３】
前記同心円溝１０に係る同心円の中心部分、及び前記十字状溝１１の２つの直線状溝の略直交する部分は前記円形研磨層８の略中心部分にあるのが好ましい。研磨中、研磨層８表面には研磨方向に力がかかり、研磨層８表面、特に研磨層８の中央部では当該力の逃げ場がないため、研磨層８が捲れ、パーティクル等を誘発するが、同心円溝１０に係る同心円の中心部分、及び前記十字状溝１１の２つの直線状溝の略直交する部分が研磨層８の中心を通ることにより、研磨中に発生する研磨層８表面の扱きを軽減し、研磨層８中央部の捲れを抑制することができるため、パーティクル等の発生を抑制することができる。
【００３４】
前記同心円溝１０及び前記十字状溝１１の形成方法は特に限定されるものではないが、例えば、所定サイズのバイトのような治具を用い機械切削する方法、所定の表面形状を有した金型に樹脂を流しこみ、硬化させることにより形成する方法、所定の表面形状を有したプレス板で樹脂をプレスし形成する方法、フォトリソグラフィを用いて形成する方法、印刷手法を用いて形成する方法、炭酸ガスレーザーなどを用いたレーザー光による形成方法などが挙げられる。また、前記十字状溝１０の略直交部分の角を面取り加工しても良い。
【００３５】
前記円形研磨パッドは、前記円形研磨層のみであってもよく、円形研磨層と他の層（例えばクッション層など）との積層体であってもよい。
【００３６】
前記クッション層は、円形研磨層の特性を補うものである。クッション層は、ＣＭＰにおいて、トレードオフの関係にあるプラナリティとユニフォーミティの両者を両立させるために必要なものである。プラナリティとは、パターン形成時に発生する微小凹凸のある被研磨材を研磨した時のパターン部の平坦性をいい、ユニフォーミティとは、被研磨材全体の均一性をいう。円形研磨層の特性によって、プラナリティを改善し、クッション層の特性によってユニフォーミティを改善する。前記円形研磨パッドにおいては、クッション層は円形研磨層より柔らかいものを用いることが好ましい。
【００３７】
前記クッション層としては、例えば、ポリエステル不織布、ナイロン不織布、アクリル不織布などの繊維不織布やポリウレタンを含浸したポリエステル不織布のような樹脂含浸不織布、ポリウレタンフォーム、ポリエチレンフォームなどの高分子樹脂発泡体、ブタジエンゴム、イソプレンゴムなどのゴム性樹脂、感光性樹脂などが挙げられる。
【００３８】
円形研磨層とクッション層とを貼り合わせる手段としては、例えば、円形研磨層とクッション層を両面テープで挟みプレスする方法が挙げられる。
【００３９】
前記両面テープは、不織布やフィルム等の基材の両面に接着層を設けた一般的な構成を有するものである。クッション層へのスラリーの浸透等を防ぐことを考慮すると、基材にフィルムを用いることが好ましい。また、接着層の組成としては、例えば、ゴム系接着剤やアクリル系接着剤等が挙げられる。金属イオンの含有量を考慮すると、アクリル系接着剤は、金属イオン含有量が少ないため好ましい。また、円形研磨層とクッション層は組成が異なることもあるため、両面テープの各接着層の組成を異なるものとし、各層の接着力を適正化することも可能である。
【００４０】
前記円形研磨パッドは、プラテンと接着する面に両面テープが設けられていてもよい。該両面テープとしては、上述と同様に基材の両面に接着層を設けた一般的な構成を有するものを用いることができる。基材としては、例えば不織布やフィルム等が挙げられる。円形研磨パッドの使用後のプラテンからの剥離を考慮すれば、基材にフィルムを用いることが好ましい。また、接着層の組成としては、例えば、ゴム系接着剤やアクリル系接着剤等が挙げられる。金属イオンの含有量を考慮すると、アクリル系接着剤は、金属イオン含有量が少ないため好ましい。
【００４１】
半導体デバイスは、前記研磨パッドを用いて半導体ウエハの表面を研磨する工程を経て製造される。半導体ウエハとは、一般にシリコンウエハ上に配線金属及び酸化膜を積層したものである。半導体ウエハの研磨方法、研磨装置は特に制限されず、例えば、図１に示すように研磨パッド（研磨層）１を支持する研磨定盤２と、半導体ウエハ４を支持する支持台（ポリシングヘッド）５とウエハへの均一加圧を行うためのバッキング材と、研磨剤３の供給機構を備えた研磨装置などを用いて行われる。円形研磨パッド１は、例えば、両面テープで貼り付けることにより、研磨定盤２に装着される。研磨定盤２と支持台５とは、それぞれに支持された研磨パッド１と半導体ウエハ４が対向するように配置され、それぞれに回転軸６、７を備えている。また、支持台５側には、半導体ウエハ４を円形研磨パッド１に押し付けるための加圧機構が設けてある。研磨に際しては、研磨定盤２と支持台５とを回転させつつ半導体ウエハ４を研磨パッド１に押し付け、スラリーを供給しながら研磨を行う。スラリーの流量、研磨荷重、研磨定盤回転数、及びウエハ回転数は特に制限されず、適宜調整して行う。
【００４２】
これにより半導体ウエハ４の表面の突出した部分が除去されて平坦状に研磨される。その後、ダイシング、ボンディング、パッケージング等することにより半導体デバイスが製造される。半導体デバイスは、演算処理装置やメモリー等に用いられる。
【実施例】
【００４３】
以下、本発明を実施例を上げて説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
【００４４】
＜測定、評価方法＞
〔研磨条件〕
研磨装置としてＡＲＷ−８Ｃ１Ａ（ＭＡＴ社製））を用い、以下の条件で研磨パッド表面をドレス処理しながら研磨した。
・モニターウェハ：８インチのシリコンウェハに熱酸化膜１μｍ成膜したもの
・スラリー：ＳＳ２５（キャボット製）を２倍希釈して使用
・スラリー供給流量：１５０ｍｌ／ｍｉｎ
・研磨荷重：５ｐｓｉ  リテーナ荷重：６ｐｓｉ
・回転数：研磨／ウェハ＝１００／１００ｒｐｍ
・ドレッサ：ＳＡＥＳＯＬ社製  ４ｉｎドレッサ  ６０ｒｐｍ
【００４５】
〔研磨特性の評価〕
ブレークイン実施後にダミーウェハを１０枚処理した後、モニターウェハを研磨して当該モニターウェハについて初期評価をした。それ以降は５０枚目、１００枚目にモニターウェハを流して研磨レートの変動及びデフェクトの状態を評価した。研磨レートの変動の評価方法、及びデフェクトの状態の評価方法は下記のとおりである。
【００４６】
［研磨レートの評価］
同心円溝のみの研磨パッドの研磨レートに対して、研磨レートの低下が５％未満のものを○、５％以上のものを×とした。
【００４７】
［デフェクトの評価］
欠陥評価装置（ＳＰ１  ＴＢＩ）を用いて測定した。デフェクトが初期評価から変化がほとんどないものを○、初期評価から増加傾向にあるものを×とした。また、モニターウェハ１００枚処理時に研磨パッド中央部に剥離が無かったものを○、剥離があったものを×と評価した。
【００４８】
＜製造例＞
容器にトルエンジイソシアネート（２，４−体／２，６−体＝８０／２０の混合物）１２２９重量部、４，４’−ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート２７２重量部、数平均分子量１０１８のポリテトラメチレンエーテルグリコール１９０１重量部、ジエチレングリコール１９８重量部を入れ、７０℃で４時間反応させてイソシアネート末端プレポリマーＡを得た。また、容器に多量化１，６−ヘキサメチレンジイソシアネート（住化バイエルウレタン社製、スミジュールＮ−３３００、イソシアヌレートタイプ）１００重量部、及び数平均分子量２５０のポリテトラメチレンエーテルグリコール１６．３重量部を入れ（ＮＣＯｉｎｄｅｘ：４）、１００℃で３時間反応させてイソシアネート末端プレポリマーＢ（１）を得た。前記プレポリマーＡ１００重量部、前記プレポリマーＢ（１）２３．３重量部、及びシリコン系ノニオン界面活性剤（東レダウコーニングシリコン製、ＳＨ−１９２）３．７重量部を重合容器内に加えて混合し、７０℃に調整して減圧脱泡した。その後、撹拌翼を用いて、回転数９００ｒｐｍで反応系内に気泡を取り込むように激しく約４分間撹拌を行った。そこへ予め１２０℃に溶融した４，４’−メチレンビス（ｏ−クロロアニリン）３６．１重量部（ＮＣＯｉｎｄｅｘ：１．１）を添加した。該混合液を約７０秒間撹拌した後、パン型のオープンモールド（注型容器）へ流し込んだ。この混合液の流動性がなくなった時点でオーブン内に入れ、１００℃で１６時間ポストキュアを行い、ポリウレタン発泡体ブロックを得た。約８０℃に加熱した前記ポリウレタン発泡体ブロックをスライサー（アミテック社製、ＶＧＷ−１２５）を使用してスライスし、ポリウレタン発泡体シートを得た。次に、バフ機（アミテック社製）を使用して、厚さ２．０ｍｍになるまで該シートの表面バフ処理をし、厚み精度を整えたシートとした。このバフ処理をしたシートを直径６１ｃｍの大きさで打ち抜いた。
【００４９】
＜実施例１＞
作製した研磨シートの表面に、溝加工機（テクノ社製）を用いて図２記載の形状の溝を同心円溝は、幅０．４ｍｍ、深さ０．８ｍｍ、ピッチ３．１ｍｍ、十字溝は、幅４．０ｍｍ、深さ０．８５ｍｍ（寸法）で形成して研磨層を作製した。この研磨層の溝加工面と反対側の面にラミ機を使用して、両面テープ（積水化学工業社製、ダブルタックテープ）を貼りつけた。更に、コロナ処理をしたクッションシート（東レ社製、ポリエチレンフォーム、トーレペフ、厚み０．８ｍｍ）の表面をバフ処理し、それを前記両面テープにラミ機を使用して貼り合わせた。さらに、クッションシートの他面にラミ機を使用して両面テープを貼り合わせて研磨パッドを作製した。
【００５０】
＜実施例２―６＞
溝の形状を表１に記載の形状にした以外は実施例１と同様にして研磨パッドを作成した。
【００５１】
＜比較例１＞
作製した研磨シートの表面に、溝加工機（テクノ社製）を用いて同心円形状の溝を幅０．４ｍｍ、深さ０．８ｍｍ、ピッチ３．１ｍｍ（寸法）で形成して研磨層を作製した。研磨表面の溝パターンは同心円状のみとした。その後、実施例と同様の方法で研磨パッドを作製した。
【００５２】
＜比較例２＞
作製した研磨シートの表面に、溝加工機（テクノ社製）を用いて同心円及び格子形状の溝を同心円溝は、幅０．４ｍｍ、深さ０．８ｍｍ、ピッチ３．１ｍｍ、格子状溝は、幅４．０ｍｍ、深さ０．８５ｍｍ、ピッチ１５ｍｍ（寸法）で形成して研磨層を作製した。その後、実施例と同様の方法で研磨パッドを作製した。
【００５３】
＜比較例３＞
作製した研磨シートの表面に、溝加工機（テクノ社製）を用いて十字溝を幅４ｍｍ、深さ０．８５ｍｍ（寸法）で形成して研磨層を作製した。その後、実施例と同様の方法で研磨パッドを作製した。
【００５４】
【表１】
2016124043.tif 000003
【００５５】
表１から、実施例１の研磨パッドでは、長時間研磨に用いた場合でも研磨レートを維持し、パーティクルやスクラッチ等のデフェクトが見られなかった。
【産業上の利用可能性】
【００５６】
本発明の積層研磨パッドの製造方法は、レンズ、反射ミラー等の光学材料やシリコンウエハ、ハードディスク用のガラス基板、アルミ基板、及び一般的な金属研磨加工等の高度の表面平坦性を要求される材料の平坦化加工を行う研磨パッドの製造方法に用いることができる。
【符号の説明】
【００５７】
１：積層研磨パッド
２：研磨定盤
３：研磨剤（スラリー）
４：被研磨材（半導体ウエハ）
５：支持台（ポリシングヘッド）
６、７：回転軸
８：円形研磨シート
９：最外周部の凸部
１０：同心円溝（凹部）
１１：十字状溝（凹部）
【図１】
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【図２】
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