(57)【要約】【課題】たとえめっき電極層で集電極の一部を形成した場合でも、余分なめっき電極層の発生を防止できる太陽電池の製造方法及び太陽電池の製造装置を提供する。【解決手段】着脱部１１を仕掛太陽電池基板１０１の一部に接触させて吸着支持させる吸着工程と、仕掛太陽電池基板１０１の一部を吸着支持した状態で着脱部１１を所定の位置に移動させる搬送工程と、着脱部１１から仕掛太陽電池基板１０１を脱着させる脱着工程と、仕掛太陽電池基板１０１に対してめっき法によってめっき電極層を形成するめっき工程をこの順に実施するものであり、着脱部１１の仕掛太陽電池基板１０１への吸着部は、ＪＩＳ  Ｋ  ７２０２に準じたロックウェル硬度がＭ８５以上Ｍ１２０以下である製造方法とする。【選択図】図７
2016072529.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも半導体基板又は半導体層を備えた仕掛太陽電池基板の片側主面に集電極を形成して製造される太陽電池の製造方法であって、
前記仕掛太陽電池基板を着脱可能な着脱部を有した搬送装置を使用する太陽電池の製造方法において、
前記集電極は、少なくとも一部がめっき電極層で形成されるものであり、
前記着脱部を前記仕掛太陽電池基板の一部に接触させて吸着支持させる吸着工程と、
前記着脱部から前記仕掛太陽電池基板を脱着させる脱着工程と、
前記仕掛太陽電池基板に対してめっき法によってめっき電極層を形成するめっき工程をこの順に実施するものであり、
前記着脱部の前記仕掛太陽電池基板への吸着部は、ＪＩＳ  Ｋ  ７２０２に準じたロックウェル硬度がＭ８５以上Ｍ１２０以下であることを特徴とする太陽電池の製造方法。
【請求項２】
前記仕掛太陽電池基板は、前記片側主面の最表面が透明電極層によって形成されており、
前記吸着工程において、前記着脱部が前記透明電極層に接触して吸着支持していることを特徴とする請求項１に記載の太陽電池の製造方法。
【請求項３】
前記集電極は、前記仕掛太陽電池基板に接する下地電極層を有しており、
前記めっき工程よりも前に、前記下地電極層上に開口部を有した絶縁層を形成する絶縁層形成工程を実施し、
前記めっき工程において、前記めっき電極層は、前記開口部を経由して下地電極層に接するように形成されることを特徴とする請求項１又は２に記載の太陽電池の製造方法。
【請求項４】
前記絶縁層をＣＶＤ法によって形成することを特徴とする請求項３に記載の太陽電池の製造方法。
【請求項５】
仕掛太陽電池基板の片側主面に集電極を備えた太陽電池の製造装置であって、
搬送装置とめっき装置を備えた太陽電池の製造装置において、
前記集電極は、少なくとも一部がめっき電極層で形成されており、
前記めっき電極層は、前記めっき装置によって形成されるものであり、
前記搬送装置は、前記仕掛太陽電池基板を着脱可能な着脱部を有し、
前記着脱部は、前記仕掛太陽電池基板の一部に接触させて吸着支持し、支持状態から前記仕掛太陽電池基板を脱着できるものであり、
前記着脱部の前記仕掛太陽電池基板への吸着部は、ＪＩＳ  Ｋ  ７２０２に準じたロックウェル硬度がＭ８５以上Ｍ１２０以下であることを特徴とする太陽電池の製造装置。
【請求項６】
前記集電極は、前記仕掛太陽電池基板に接する下地電極層を有するものであり、
ＣＶＤ装置を有し、
前記ＣＶＤ装置は、前記下地電極層上に開口部を備えた絶縁層を形成でき、
前記めっき装置は、前記絶縁層の開口部を介して、前記下地電極層に接するようにめっき電極層を形成できることを特徴とする請求項５に記載の太陽電池の製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、太陽電池の製造方法及び太陽電池の製造装置に関する。特にめっき法を用いて形成されるめっき電極層を集電極とする太陽電池の製造方法及び太陽電池の製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、環境負荷の低いエネルギー源として太陽電池が注目されている。
この太陽電池は、半導体接合等からなる光電変換部を内蔵している。太陽電池は、この光電変換部に光を照射することによって、発生するキャリア（電子及び正孔）を外部回路に取り出して発電することが可能である。
また、太陽電池は、この光電変換部で発生するキャリアを集中的に効率良く外部回路へ取り出すための集電極を備えている。この集電極は、太陽電池の光電変換部上に取り付けられている。
【０００３】
ところで、従来から、太陽電池等の半導体基板やガラス基板を運搬する場合に、吸着パットで半導体基板を吸着支持し、運搬する搬送装置が知られている。
例えば、特許文献１には、ガラス基板をテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）製の吸着パットで吸着し、搬送する搬送装置が記載されている。この特許文献１によると、テトラフルオロエチレン製の吸着パットで吸着することにより、ガラス基板に吸着痕が残らず、良質のガラス基板の運搬が可能とされている。
【０００４】
また、従来から、集電極をスクリーン印刷法によって形成した太陽電池が知られている。例えば、特許文献２に記載の太陽電池は、光電変換部に対して銀ペーストをスクリーン印刷法によって塗布を行うことによって集電極を形成している。
しかしながら、スクリーン印刷により集電極を形成すると、塗布するために電極をペースト材料によって形成する必要があるため、抵抗の高いバインダー等を混合する必要がある。そのため、純金属に比べて集電極の抵抗が著しく高くなるという問題がある。
【０００５】
そこで、近年、集電極を形成する際のコストや集電極の抵抗を低減する観点から、めっきにより集電極を形成する太陽電池が検討されている。
例えば、本出願人が開発した特許文献３に記載の太陽電池モジュールは、光電変換部の最表面を構成する透明電極層上にめっきの下地となるめっき下地層を薄く形成し、開口部を有した絶縁層を被覆する。そして、この絶縁層が被覆された光電変換部に対してめっき電極層を形成し、集電極を形成するものである。
このようにして、特許文献３に記載の太陽電池モジュールは、スクリーン印刷法による電極形成量を抑えることで、集電極全体としての抵抗を低減させている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平９−３１４４８９号公報
【特許文献２】特開平１０−１３５４９７号公報
【特許文献３】特開２０１４−１０７４０３号公報
【特許文献４】特開２００５−２８８５９５号公報
【特許文献５】特開２０１３−７８８１０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ここで、特許文献３に記載の太陽電池モジュールは、透明電極層とめっき下地層とで製造装置が異なる。具体的には、透明電極層はスパッタ法によって形成するのでスパッタ装置で形成されるのに対し、めっき下地層はスクリーン印刷法によって形成するので印刷装置で形成される。そのため、スパッタ装置と印刷装置間の基板の運搬が必要となる。
そこで、本発明者は、上記した特許文献１に倣って、ＰＴＦＥ製の吸着パットを使用して、スパッタ装置と印刷装置間での基板の運搬を行い、特許文献３の製造方法に基づき太陽電池を試作した。
【０００８】
しかしながら、試作した太陽電池は、透明電極層２０６をスパッタ装置で形成し、スパッタ装置から印刷装置に基板を運搬した際には、透明電極層２０６上に吸着パットのパット痕が形成されなかったものの、めっき装置によって下地層２０２上にめっき電極層２０１を形成する際に、図１１から読み取れるように、集電極２００の形成部位の他に、基板の搬送時に吸着パットが透明電極層２０６に接触した部位（被吸着部２０５）に余分なめっき電極層２０１が形成されていた。すなわち、試作した太陽電池は、不所望な領域にめっき電極層２０１が形成されていた。
従来の太陽電池であれば、スクリーン印刷等によって集電極を形成していたため、余分なめっき電極層の形成が生じず、問題とならなかったが、試作した太陽電池の場合、このような余分なめっき電極層が形成されてしまうと、太陽電池の受光面の単位面積当たりの光透過率が低下し、変換効率を低下するおそれがある。すなわち、この現象は、めっき電極層を用いて集電極を形成する太陽電池の特有の問題であり、めっき電極層によって集電極を形成する際に発生した新たな問題である。
【０００９】
そこで、上記した問題に鑑み、たとえめっき電極層で集電極の一部を形成した場合でも、余分なめっき電極層の発生を防止できる太陽電池の製造方法及び太陽電池の製造装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記した課題を解決するため、吸着部の材質について検討したところ、ある一定の範囲のロックウェル硬度になると、基板にめっきしたときに、被吸着部への金属の析出を防止できることが発見した。
【００１１】
この発見について検討し、導き出された請求項１に記載の発明は、少なくとも半導体基板又は半導体層を備えた仕掛太陽電池基板の片側主面に集電極を形成して製造される太陽電池の製造方法であって、前記仕掛太陽電池基板を着脱可能な着脱部を有した搬送装置を使用する太陽電池の製造方法において、前記集電極は、少なくとも一部がめっき電極層で形成されるものであり、前記着脱部を前記仕掛太陽電池基板の一部に接触させて吸着支持させる吸着工程と、前記着脱部から前記仕掛太陽電池基板を脱着させる脱着工程と、前記仕掛太陽電池基板に対してめっき法によってめっき電極層を形成するめっき工程をこの順に実施するものであり、前記着脱部の前記仕掛太陽電池基板への吸着部は、ＪＩＳ  Ｋ  ７２０２に準じたロックウェル硬度がＭ８５以上Ｍ１２０以下であることを特徴とする太陽電池の製造方法である。
【００１２】
ここでいう「仕掛太陽電池基板」とは、太陽電池の仕掛品であり、光エネルギーを電気エネルギーに変換する光電変換部の一部又は全部を備えた基板である。
【００１３】
本発明の製造方法によれば、吸着工程において、ＪＩＳ  Ｋ  ７２０２に準じたロックウェル硬度がＭ８５以上Ｍ１２０以下である着脱部の吸着部で仕掛太陽電池基板を吸着する。
ここで、硬度の指標には、ショア硬度や鉛筆硬度等の様々な指標がある。その中でも、本発明の着脱部の硬度の基準となるのは、ロックウェル硬度である。
本発明者は、ショア硬度や鉛筆硬度等の様々な硬度の指標について検討したところ、ショア硬度や鉛筆硬度が同じであっても、めっき電極層を形成する際に被吸着部にめっき痕が形成されることを見出し、様々な指標の中でロックウェル硬度が所定の範囲にある場合に本発明の作用効果が生じることを見出したのである。
着脱部の吸着部のＪＩＳ  Ｋ  ７２０２に準じたロックウェル硬度がＭ８５未満の場合は、太陽電池基板の被吸着部にめっき電極層が析出するおそれが生じ、着脱部の吸着部のロックウェル硬度がＭ１２０超過の場合は、脱着工程において吸着痕が残るおそれがある。
一方、本発明の製造方法によれば、吸着工程において、ＪＩＳ  Ｋ  ７２０２に準じたロックウェル硬度がＭ８５以上Ｍ１２０以下である着脱部の吸着部で仕掛太陽電池基板を吸着するので、その後のめっき工程によって仕掛太陽電池基板にめっきする際に、仕掛太陽電池基板の着脱部からの被吸着部位にめっき電極層が析出することを防止できる。そのため、余分なめっき電極層が形成されることによる太陽電池の受光量の低下を防止でき、太陽電池の変換効率の低下を防止できる。それ故に、本発明の製造方法によれば、高性能の太陽電池となる。
【００１４】
請求項２に記載の発明は、前記仕掛太陽電池基板は、前記片側主面の最表面が透明電極層によって形成されており、前記吸着工程において、前記着脱部が前記透明電極層に接触して吸着支持していることを特徴とする請求項１に記載の太陽電池の製造方法である。
【００１５】
本発明の製造方法によれば、吸着工程において、着脱部の吸着部に吸着される被吸着部位は、導電性を有した透明電極層である。本発明の製造方法によれば、このような場合であっても、被吸着部におけるめっき電極層の析出を防止できる。
【００１６】
請求項３に記載の発明は、前記集電極は、前記仕掛太陽電池基板に接する下地電極層を有しており、前記めっき工程よりも前に、前記下地電極層上に開口部を有した絶縁層を形成する絶縁層形成工程を実施し、前記めっき工程において、前記めっき電極層は、前記開口部を経由して下地電極層に接するように形成されることを特徴とする請求項１又は２に記載の太陽電池の製造方法である。
【００１７】
本発明の製造方法によれば、絶縁層形成工程によって下地電極層上に開口部を有した絶縁層を形成し、めっき工程において、その開口部を利用してめっき電極層を形成するので、めっき工程において余分な部位にめっき電極層が形成されることを抑制できる。
【００１８】
請求項４に記載の発明は、前記絶縁層をＣＶＤ法によって形成することを特徴とする請求項３に記載の太陽電池の製造方法である。
【００１９】
本発明の製造方法によれば、絶縁層をＣＶＤ法によって形成するため、均一でかつ緻密な絶縁層を形成しやすい。すなわち、良質な絶縁層を形成できるため、めっき工程において所望の位置以外の余分なめっき電極層の析出を抑制できる。
【００２０】
請求項５に記載の発明は、仕掛太陽電池基板の片側主面に集電極を備えた太陽電池の製造装置であって、搬送装置とめっき装置を備えた太陽電池の製造装置において、前記集電極は、少なくとも一部がめっき電極層で形成されており、前記めっき電極層は、前記めっき装置によって形成されるものであり、前記搬送装置は、前記仕掛太陽電池基板を着脱可能な着脱部を有し、前記着脱部は、前記仕掛太陽電池基板の一部に接触させて吸着支持し、支持状態から前記仕掛太陽電池基板を脱着できるものであり、前記着脱部の前記仕掛太陽電池基板への吸着部は、ＪＩＳ  Ｋ  ７２０２に準じたロックウェル硬度がＭ８５以上Ｍ１２０以下であることを特徴とする太陽電池の製造装置である。
【００２１】
本発明の構成によれば、仕掛太陽電池基板の所定の位置への搬送を、ＪＩＳ  Ｋ  ７２０２に準じたロックウェル硬度がＭ８５以上Ｍ１２０以下の吸着部を備えた着脱部で行うことができるため、めっき装置によるめっき電極層の形成時において、着脱部が過去に吸着支持した際の仕掛太陽電池基板の被吸着部に余分なめっき電極層が析出することを防止でき、高性能の太陽電池を製造できる。
【００２２】
請求項６に記載の発明は、前記集電極は、前記仕掛太陽電池基板に接する下地電極層を有するものであり、ＣＶＤ装置を有し、前記ＣＶＤ装置は、前記下地電極層上に開口部を備えた絶縁層を形成でき、前記めっき装置は、前記絶縁層の開口部を介して、前記下地電極層に接するようにめっき電極層を形成できることを特徴とする請求項５に記載の太陽電池の製造装置である。
【００２３】
本発明の構成によれば、絶縁層をＣＶＤ装置によって形成するため、均一でかつ緻密な絶縁層を形成しやすい。すなわち、良質な絶縁層を形成できるため、めっきする際において所望の位置以外の余分なめっき電極層の析出を抑制できる。
【発明の効果】
【００２４】
本発明の太陽電池の製造方法及び太陽電池の製造装置によれば、たとえめっき電極層で集電極の一部を形成した場合でも、余分なめっき電極層の発生を防止でき、高性能な太陽電池を製造できる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】本発明の第１実施形態の太陽電池の製造装置を模式的に表す平面図である。
【図２】図１の搬送装置を模式的に表す斜視図である。
【図３】図２の搬送装置の要部の断面図である。
【図４】本発明の第１実施形態の太陽電池の製造装置を用いて製造された太陽電池を模式的に表す斜視図である。
【図５】図４の太陽電池のＡ−Ａ断面図である。
【図６】図２の搬送装置によって仕掛太陽電池基板を搬送する際の状況を表す斜視図である。
【図７】図２の搬送装置によって仕掛太陽電池基板を搬送する際の説明図であり、（ａ）は吸着工程前の状況を表す断面図であり、（ｂ）は吸着工程中の状況を表す断面図であり、（ｃ）は搬送工程中の状況を表す断面図であり、（ｄ）は脱着工程直後の状況を表す断面図である。
【図８】図１の太陽電池の製造装置を用いて太陽電池を製造する際の各製造工程の説明図であり、（ａ）は各シリコン層を形成した後の断面図であり、（ｂ）は各透明電極層を形成した後の断面図であり、（ｃ）は下地電極層を形成した後の断面図である。
【図９】図１の太陽電池の製造装置を用いて太陽電池を製造する際の各製造工程の説明図であり、（ａ）は絶縁層を形成した後の断面図であり、（ｂ）はアニール処理後の断面図であり、（ｃ）はめっき電極層を形成した後の断面図である。
【図１０】本発明の他の実施形態における搬送装置を模式的に示した斜視図である。
【図１１】試作した太陽電池の説明図であり、（ａ）はめっきを行う前の状況を表す断面図であり、（ｂ）はめっきを行った後の状況を表す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
以下、本発明の好ましい実施形態にかかる太陽電池の製造装置１について詳細に説明する。なお、本発明は以下に限定されるものではない。
【００２７】
本実施形態の太陽電池の製造装置１は、図１に示されるように、スパッタ装置２と、印刷装置３と、基板仮置き装置４，ＣＶＤ装置５と、アニール装置６と、めっき装置７と、搬送装置８とを備えており、各装置２〜８を使用して太陽電池１００の仕掛品（仕掛太陽電池基板１０１）に製膜等を行い、太陽電池１００を製造するものである。
以下、太陽電池１００の仕掛品をまとめて仕掛太陽電池基板１０１という。
【００２８】
太陽電池の製造装置１は、いわゆるクラスター方式の製造装置である。太陽電池の製造装置１は、図１に示されるように、平面視したときに、搬送装置８の周りにスパッタ装置２、印刷装置３、基板仮置き装置４、ＣＶＤ装置５、アニール装置６、及びめっき装置７が囲んでおり、搬送装置８によって各装置２〜７間を搬送可能な装置である。
【００２９】
スパッタ装置２は、仕掛太陽電池基板１０１の被製膜面に対してスパッタ法によって薄膜を製膜可能な装置である。
印刷装置３は、仕掛太陽電池基板１０１の被製膜面に対してスクリーン印刷法によって所望のパターニング形状の薄膜を製膜可能な装置である。
基板仮置き装置４は、仕掛太陽電池基板１０１を仮置き可能な装置である。
ＣＶＤ装置５は、仕掛太陽電池基板１０１の被製膜面に対してＣＶＤ法によって薄膜を製膜可能な装置である。
アニール装置６は、熱風循環型オーブンであり、仕掛太陽電池基板１０１の温度を所望の温度に制御できる装置である。
めっき装置７は、仕掛太陽電池基板１０１の被製膜面に対して電解めっき法によって薄膜を製膜可能な装置である。
【００３０】
搬送装置８は、仕掛太陽電池基板１０１を上記した各装置２〜７間で搬送可能な装置である。
搬送装置８は、真空吸着によって仕掛太陽電池基板１０１を吸着搬送することが可能となっている。
【００３１】
搬送装置８は、図２，図３から読み取れるように、駆動部１０と、着脱部１１を有している。
駆動部１０は、具体的には、ロボットアームであり、着脱部１１の位置を所定の位置に移動させる駆動装置である。
駆動部１０は、その先端部位に着脱部１１を装着可能な装着部１２を有している。
装着部１２は、図３に示されるように、図示しない吸気手段に接続された吸気孔１５を有しており、駆動部１０は、吸気孔１５から吸気することが可能となっている。
【００３２】
着脱部１１は、仕掛太陽電池基板１０１を吸着支持できる吸着パッドであり、駆動部１０の装着部１２に装着して使用されるものである。
着脱部１１は、仕掛太陽電池基板１０１を着脱可能となっており、図３に示されるように、本体部２０と、吸着部２１を有している。
【００３３】
本体部２０は、円筒状の部位であり、装着部１２に取り付け可能な部位である。
本体部２０は、図３に示されるように、その中央に吸着部２１の接続部位からその先端に向かって貫通した貫通孔２２を有している。
吸着部２１は、仕掛太陽電池基板１０１を吸着する部位であり、仕掛太陽電池基板１０１との接触面である吸着部を形成する部位である。
吸着部２１は、傘状の部位であり、基端（本体部２０側の端部）からその先端（本体部２０と反対側の端部）に向かって拡径している。
すなわち、吸着部２１は、その内側に本体部２０側から開放した内側空間２３を有しており、その内側空間２３は基端側から先端側に向かうにつれて、断面積が漸次大きくなっている。
【００３４】
着脱部１１は、ＪＩＳ  Ｋ  ７２０２に準じたロックウェル硬度がＭ８５以上Ｍ１２０以下であり、Ｍ８５以上Ｍ１０２以下であることが好ましい。
この範囲であれば、仕掛太陽電池基板１０１を吸着搬送する際に、吸着痕を形成せずに仕掛太陽電池基板１０１を吸着支持でき、さらに仕掛太陽電池基板１０１に対してめっきしたときに被吸着部にめっきされることを防止できる。
【００３５】
ここで、搬送装置８の各構成部材の位置関係について説明すると、図３に示されるように、駆動部１０の装着部１２に着脱部１１の本体部２０が挿着されており、装着部１２から着脱部１１の吸着部２１が張り出している。
また、搬送装置８は、装着部１２の吸気孔１５と本体部２０の貫通孔２２が連通しており、吸気手段によって吸着部２１の内側空間２３内の空気を吸気して内側空間２３を負圧にすることが可能となっている。
【００３６】
続いて、本発明の第１実施形態の太陽電池の製造装置１で製造できる太陽電池１００について説明する。
【００３７】
太陽電池１００は、結晶シリコン基板を支持基板とした結晶シリコン太陽電池であり、具体的には、ヘテロ接合結晶シリコン太陽電池（以下、「ヘテロ接合太陽電池」ともいう）である。
太陽電池１００は、図５に示されるように、光電変換基板１０２の片側主面（第１主面）上に絶縁層１０３、集電極１０５を備えている。また太陽電池１００は、光電変換基板１０２の他方の主面（第２主面）上に裏面電極層１０６を備えている。
【００３８】
絶縁層１０３は、電気的に絶縁性を有した層であり、めっき工程においてめっき電極層１０８が形成される領域を制限する層である。
【００３９】
絶縁層１０３は、透光性を有した無機絶縁膜であり、例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化亜鉛等の材料を用いることができる。
【００４０】
絶縁層１０３の形成方法は、特に限定されるものではなく、例えば、プラズマＣＶＤ法、スパッタ法等の乾式法や、湿式法によって形成できる。光電変換基板１０２の表面に凹凸を有する場合、精度よく表面に凹凸を反映させる観点から、絶縁層１０３はプラズマＣＶＤ法により形成されることが好ましい。
【００４１】
集電極１０５は、図４に示されるように、光電変換基板１０２で光電変換された電気エネルギーを回収する電極であり、櫛状に分布した電極である。
すなわち、集電極１０５は、所定の方向に延びたバスバー電極部１１９と、バスバー電極部１１９に接続されるフィンガー電極部１２０を有する。本実施形態では、バスバー電極部１１９に対して直交する方向に延びたフィンガー電極部１２０を有している。
バスバー電極部１１９は、その幅（絶縁層１０３からの露出部分の幅）が０．９ｍｍ以上３ｍｍ以下の線状の部位である。
フィンガー電極部１２０は、その幅（絶縁層１０３からの露出部分の幅）が１０μｍ以上１５０μｍ以下の線状の部位である。
また、集電極１０５は、図５に示されるように下地電極層１０７とめっき電極層１０８を備えている。
【００４２】
下地電極層１０７は、図５に示されるように、めっき電極層１０８の下地となる層であり、全体として導電性を有した層である。
下地電極層１０７としては、金属層や導電性ペーストなどが使用できる。
また、下地電極層１０７は、所定量以上の熱量を加えることにより、その一部の性状が変化する層である。
具体的には、下地電極層１０７は、例えば摂氏１８０度以上になるように熱を加えることによってその一部の体積が変化する層である。
下地電極層１０７は、スクリーン印刷法によって形成されることが好ましく、例えば、融点の異なる異種金属又は合金を混合し、バインダーに分散させたペースト材料を塗布し固化することによって形成できる。
【００４３】
めっき電極層１０８は、めっき法により形成されるめっき層である。
めっき電極層１０８は、めっき法で形成できる材料であれば特に限定されず、例えば、銅、ニッケル、錫、アルミニウム、クロム、銀、金、亜鉛、鉛、パラジウム等、あるいはこれらの混合物又は合金を用いることができる。
めっき電極層１０８の形成方法は、無電解めっき法及び電解めっき法のいずれのめっき法でも形成され得るが、生産性の観点から、電解めっき法で形成することが好適である。
【００４４】
裏面電極層１０６は、導電性を有した層であり、具体的には、金属電極層である。
裏面電極層１０６は、導電性を有していれば、特に限定されるものではなく、例えば、銀やアルミニウム、銅、金等が使用できる。
裏面電極層１０６の製膜方法は、特に限定されないが、スパッタ法や真空蒸着法等の物理気相堆積法や、スクリーン印刷等の印刷法、めっき法等によって製膜できる。
裏面電極層１０６は、生産効率の観点から、電解めっき法によって形成されることが好ましく、めっき電極層１０８を形成する際に同時に形成されることがより好ましい。
【００４５】
また、裏面電極層１０６の形成範囲は、特に限定されるものではなく、裏面側全面に形成されていていてもよいし、表面側の集電極１０５と同様、所定のパターン形状に形成されていてもよい。
本実施形態では、裏面電極層１０６は、裏面側の主面全面に形成されている。
【００４６】
光電変換基板１０２は、光エネルギーを電気エネルギーに変換可能な光電変換部であり、面状に広がりを持った板状の基板である。
光電変換基板１０２は、支持基板となる結晶シリコン基板１１０の両面上に複数の層が積層されて形成されるものであり、全体としてＰＩＮ接合又はＰＮ接合を備えている。
具体的には、光電変換基板１０２は、図５に示されるように、ｎ型単結晶シリコン基板１１０の一方の主面（光入射側の面）上に、ｉ型非晶質シリコン系薄膜１１１、ｐ型非晶質シリコン系薄膜１１２、及び第１透明電極層１１３（透明導電性酸化物層）が積層されている。
また光電変換基板１０２は、ｎ型単結晶シリコン基板１１０の他方の主面（裏面側の面）上に、ｉ型非晶質シリコン系薄膜１１５、ｎ型非晶質シリコン系薄膜１１６、及び第２透明電極層１１７が積層されている。
【００４７】
光電変換基板１０２は、図５に示されるように、ｎ型単結晶シリコン基板１１０の両面にテクスチャ構造が形成されており、そのテクスチャ構造がその外側の層に反映されて、全体として光電変換基板１０２の両面にテクスチャ構造が形成されている。
【００４８】
ｎ型単結晶シリコン基板１１０は、半導体基板であって、シリコン原子に電子を導入するための原子（例えば、リン）を含有させた単結晶シリコン基板である。
【００４９】
ｉ型非晶質シリコン系薄膜１１１は、半導体層であって、リンやボロン等の不純物が添加されていない真性シリコン層であり、例えば、シリコンと水素で構成されるｉ型水素化非晶質シリコン層が採用できる。
【００５０】
ｉ型非晶質シリコン系薄膜１１５は、半導体層であって、リンやボロン等の不純物が添加されていない真性シリコン層であり、例えば、シリコンと水素で構成されるｉ型水素化非晶質シリコン層が採用できる。
【００５１】
ｐ型非晶質シリコン系薄膜１１２は、半導体層であって、シリコン原子に正孔を導入する原子（例えば、ボロン）を含有させたシリコン層であり、例えば、ｐ型水素化非晶質シリコン層やｐ型非晶質シリコンカーバイド層、ｐ型非晶質シリコンオキサイド層などが採用できる。
【００５２】
ｎ型非晶質シリコン系薄膜１１６は、半導体層であって、シリコン原子に電子を導入する原子（例えば、リン）を含有させたシリコン層であり、例えば、ｎ型非晶質シリコン層などが採用できる。
【００５３】
第１透明電極層１１３は、透明導電膜であり、透光性と導電性を有した層である。
第１透明電極層１１３の構成材料としては、透光性と導電性を有していれば、特に限定されるものではなく、例えば、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、酸化錫（ＳｎＯ2）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）等の透明導電性酸化物で形成されている。
なお、第１透明電極層１１３は、上記した透明導電性酸化物にドーピング剤を添加したものであってもよい。
【００５４】
第１透明電極層１１３は、物理蒸着法で製膜することが好ましく、スパッタ法やイオンプレーティング法などで製膜することができる。
【００５５】
第２透明電極層１１７は、透明導電膜であり、透光性と導電性を有した層である。
第２透明電極層１１７は、透光性と導電性を有していれば、特に限定されるものではなく、例えば、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、酸化錫（ＳｎＯ2）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）等の透明導電性酸化物で形成できる。
なお、第２透明電極層１１７は、上記した透明導電性酸化物にドーピング剤を添加したものであってもよい。
【００５６】
第２透明電極層１１７は、物理蒸着法で製膜することが好ましく、スパッタ法やイオンプレーティング法などで製膜することができる。
【００５７】
続いて、第１実施形態の太陽電池の製造装置１を用いた太陽電池１００の製造方法について説明する。
【００５８】
まず、図６に示されるように、基板仮置き装置４の基体設置部に搬送装置８の着脱部１１の吸着部２１によってテクスチャ構造が形成されたｎ型単結晶シリコン基板１１０（以下、ｎ型単結晶シリコン基板１１０が加工されたもの及びｎ型単結晶シリコン基板１１０上の積層体を含めて、仕掛太陽電池基板１０１という）を設置する。そして、当該仕掛太陽電池基板１０１を吸着し（吸着工程）、駆動部１０によって着脱部１１を吸着状態で移動させて、基板仮置き装置４からＣＶＤ装置５に搬送し（搬送工程）、ＣＶＤ装置５内の基板設置部で吸着部２１から仕掛太陽電池基板１０１を脱着して設置する（脱着工程）。
【００５９】
具体的には、吸着工程においては、図７（ａ），図７（ｂ）から読み取れるように、吸着部２１は、仕掛太陽電池基板１０１の主面に押圧され、その抗力によって弾性変形する。すなわち、吸着部２１の先端面は、仕掛太陽電池基板１０１の主面に対して面接触し、吸着部２１の内側空間２３は、貫通孔２２を除いて密閉状態となる。そして、吸気手段に接続された吸気孔１５から貫通孔２２を介して内側空間２３内の空気が吸気されて内側空間２３は、実質的に真空状態となり、吸着部２１と一体となる。
また、搬送工程においては、図７（ｃ）に示されるように、上記した吸気工程により仕掛太陽電池基板１０１が吸着部２１によって真空吸着されて着脱部１１と一体となった状態で、駆動部１０によって着脱部１１が移動し、仕掛太陽電池基板１０１が所定の位置に搬送される。
そして、脱着工程においては、図７（ｃ），図７（ｄ）から読み取れるように、所定の位置に仕掛太陽電池基板１０１が配されると、吸気手段による吸気を停止し、貫通孔２２から内側空間２３に空気を導入する。内側空間２３に空気が導入されると、内側空間２３の内圧が低下し、仕掛太陽電池基板１０１が吸着部２１から脱着する。
【００６０】
脱着工程が終了し、ＣＶＤ装置５内に仕掛太陽電池基板１０１が設置されると、ＣＶＤ装置５内で、図８（ａ）に示されるように、ｎ型単結晶シリコン基板１１０の表裏面に、プラズマＣＶＤ法によって、シリコン系薄膜１１１，１１２，１１５，１１６を製膜する。
すなわち、ｎ型単結晶シリコン基板１１０の一方の主面側の面上にｉ型非晶質シリコン系薄膜１１１及びｐ型非晶質シリコン系薄膜１１２を形成し、他方の主面側の面上にｉ型非晶質シリコン系薄膜１１５及びｎ型非晶質シリコン系薄膜１１６を形成する（シリコン層形成工程）。
【００６１】
そして、ｎ型単結晶シリコン基板１１０にシリコン系薄膜１１１，１１２，１１５，１１６が製膜されると、ＣＶＤ装置５内で搬送装置８の着脱部１１の吸着部２１によって、シリコン系薄膜１１１，１１２，１１５，１１６が製膜された仕掛太陽電池基板１０１を基板設置部から吸着し（吸着工程）、駆動部１０によって着脱部１１を吸着状態で移動させてＣＶＤ装置５からスパッタ装置２に搬送し（搬送工程）、スパッタ装置２内の基板設置部で吸着部２１から仕掛太陽電池基板１０１を脱着して設置する（脱着工程）。
【００６２】
そして、スパッタ装置２内で、図８（ｂ）に示されるように、仕掛太陽電池基板１０１の表裏面に、スパッタ法によって透明電極層１１３，１１７を製膜する。
すなわち、光電変換基板１０２のｐ型非晶質シリコン系薄膜１１２上に第１透明電極層１１３を製膜し、光電変換基板１０２のｎ型非晶質シリコン系薄膜１１６上に第２透明電極層１１７を製膜する（透明電極層形成工程）。
【００６３】
透明電極層１１３，１１７の製膜が終了すると、図７に示されるように搬送装置８の着脱部１１の吸着部２１によって、スパッタ装置２内で透明電極層１１３，１１７が製膜された仕掛太陽電池基板１０１を基板設置部から吸着し（吸着工程）、駆動部１０によって着脱部１１を吸着状態で移動させてスパッタ装置２から印刷装置３に搬送し（搬送工程）、印刷装置３内の基板設置部で吸着部２１から仕掛太陽電池基板１０１を脱着して設置する（脱着工程）。
【００６４】
そして、印刷装置３内で、図８（ｃ）に示されるように、仕掛太陽電池基板１０１の表面に、スクリーン印刷法によって下地電極層１０７を製膜する。すなわち、仕掛太陽電池基板１０１の第１透明電極層１１３上に下地電極層１０７を製膜する（下地電極層形成工程）。
【００６５】
下地電極層１０７の製膜が終了すると、図７に示されるように搬送装置８の着脱部１１の吸着部２１によって、印刷装置３内で下地電極層１０７が製膜された仕掛太陽電池基板１０１を基板設置部から吸着し（吸着工程）、駆動部１０によって着脱部１１を吸着状態で移動させて印刷装置３からＣＶＤ装置５に搬送し（搬送工程）、ＣＶＤ装置５内の基板設置部で吸着部２１から仕掛太陽電池基板１０１を脱着して設置する（脱着工程）。
【００６６】
そして、ＣＶＤ装置５内で、図９（ａ）に示されるように、仕掛太陽電池基板１０１の表面に、プラズマＣＶＤ法によって絶縁層１０３を製膜する。すなわち、仕掛太陽電池基板１０１の第１透明電極層１１３及び下地電極層１０７上に絶縁層１０３を製膜する（絶縁層形成工程）。
【００６７】
このとき、絶縁層１０３は、仕掛太陽電池基板１０１の第１主面（片側主面）の全面を覆っており、第１透明電極層１１３及び下地電極層１０７を跨って覆うように形成されている。
【００６８】
絶縁層１０３の製膜が終了すると、図７に示されるように、搬送装置８の着脱部１１の吸着部２１によって、ＣＶＤ装置５内で絶縁層１０３が製膜された仕掛太陽電池基板１０１を基板設置部から吸着し（吸着工程）、駆動部１０によって着脱部１１を吸着状態で移動させてＣＶＤ装置５からアニール装置６に搬送し（搬送工程）、アニール装置６内の基板設置部で吸着部２１から仕掛太陽電池基板１０１を脱着して設置する（脱着工程）。
【００６９】
そして、アニール装置６内で仕掛太陽電池基板１０１を所定時間、所定の温度雰囲気下に晒してアニール処理を施し、図９（ｂ）に示されるように、下地電極層１０７の体積変化によって絶縁層１０３に開口部１１８を形成する（アニール工程）。
【００７０】
このとき、下地電極層１０７上の絶縁層１０３に開口部１１８が形成されており、絶縁層１０３の開口部１１８から下地電極層１０７の一部が露出している。
【００７１】
アニール処理が終了すると、図７に示されるように、搬送装置８の着脱部１１の吸着部２１によって、アニール装置６内で開口部１１８が形成された仕掛太陽電池基板１０１を基板設置部から吸着し（吸着工程）、駆動部１０によって着脱部１１を吸着状態で移動させてアニール装置６からめっき装置７に搬送し（搬送工程）、めっき装置７内の基板設置部で吸着部２１から仕掛太陽電池基板１０１を脱着して設置する（脱着工程）。
【００７２】
そして、めっき装置７のめっき浴に仕掛太陽電池基板１０１を浸し、図９（ｃ）に示されるように、電解めっき法によって仕掛太陽電池基板１０１上にめっき電極層１０８を形成する（めっき工程）。
【００７３】
このとき、めっき液が絶縁層１０３の開口部１１８を通過して、下地電極層１０７の露出部位と接触し、そこを起点としてめっき電極層１０８がめっき法により製膜される。すなわち、めっき電極層１０８は、開口部１１８を経由して下地電極層１０７に接するように形成される。
【００７４】
そして、上記めっき工程又は別途工程により、仕掛太陽電池基板１０１の第２透明電極層１１７上に裏面電極層１０６を形成する（裏面電極層形成工程）。
【００７５】
以上の主要工程により、集電極１０５の一部がめっき電極層１０８で形成された太陽電池１００が製造される。
【００７６】
本実施形態の製造装置１によれば、吸着部２１が所定の硬度の樹脂で形成されており、吸着工程等における吸着部２１の仕掛太陽電池基板１０１への吸着部位にめっき電極層１０８が形成されないので、受光側である第１主面（片側主面）側に余分なめっき電極層１０８が形成されず、余分なめっき電極層１０８によって光電変換基板１０２への光が遮られることを防止できる。そのため、本実施形態の製造装置１によれば、変換効率の高い太陽電池を製造できる。
【００７７】
上記した実施形態では、アニールにより下地電極層１０７の性状を変化させることによって、絶縁層１０３に開口部１１８を設けたが、本発明はこれに限定されるものではなく、絶縁層を形成する際に、マスク等によって絶縁層に開口部を形成し、その後、めっき工程を行ってもよい。
この場合、下地電極層１０７は、アニールによって性状が変化するものでなくてもよい。具体的には、下地電極層１０７は、純金属や合金等の金属層によって形成されていてもよい。この下地電極層１０７は、めっき法やスパッタ法によって形成されることができる。
スパッタ法で下地電極層を形成する場合は、主面のほぼ全面に下地電極層を形成し、その上に絶縁層をフォトレジスト層で形成し、光や電子線等を照射することによってフォトレジスト層に開口部を形成し、当該開口部を通じて下地電極層上にめっき電極層を形成してもよい。
【００７８】
上記のように、絶縁層形成工程において、開口部を有した絶縁層を形成する場合には、必ずしも行う前に絶縁層形成工程前に下地層形成工程を行う必要はなく、絶縁層形成工程後に下地層形成工程を行ってもよい。またアニール工程を省略してもよい。
また、光電変換基板の最表面が導電性を有した層（例えば、透明電極層）で形成されている場合には、下地層形成工程を省略してもよい。
【００７９】
上記のように、絶縁層形成工程において、開口部を有した絶縁層を形成する場合には、仕掛太陽電池基板の表面がめっき液に溶解等する場合、めっき液に曝されないように仕掛太陽電池基板上に絶縁層が形成されれば、下地電極層上に絶縁層が被覆していなくてもよい。すなわち、第１透明電極層１１３にのみ絶縁層が被覆していてもよい。まためっき後に絶縁層を除去してもよい。
【００８０】
上記した実施形態では、下地電極層１０７をスクリーン印刷法によって形成したが、本発明はこれに限定されるものではなく、スパッタ法やめっき法によって形成してもよい。
例えば、下地電極層１０７をめっき法によって形成する場合には、無電解めっき法によって下地電極層１０７を形成し、その後、電解めっき法によってめっき電極層を形成してもよい。
【００８１】
上記した実施形態では、１台の搬送装置８に対して１つの吸着部２１を備えるものであったが、本発明はこれに限定されるものではなく、１台の搬送装置８に対して複数の吸着部２１を備えるものであってもよい。こうすることによって、例えば、図１０に示されるように、複数の仕掛太陽電池基板１０１を同時に搬送することができる。また、重量の重い仕掛太陽電池基板１０１に対して複数の吸着部２１で吸着することで運搬することもできる。
【００８２】
上記した実施形態では、集電極１０５としてバスバー電極部１１９を備えていたが、本発明はこれに限定されるものではなく、バスバー電極部１１９を備えない、いわゆるバスバーレスの集電極であってもよい。
【００８３】
上記した実施形態では、太陽電池の製造装置１を用いて、結晶シリコン太陽電池を製造する場合について述べたが、本発明はこれに限定されるものではなく、製造する太陽電池１００は、薄膜太陽電池や、ＣＩＳ系やＧａＡｓ系、ＣｄＴｅ系などの化合物半導体系太陽電池、色素増感太陽電池や有機薄膜太陽電池などの有機系太陽電池であってもよい。
【００８４】
上記した実施形態では、クラスター方式の太陽電池の製造装置について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、いわゆるインライン方式の太陽電池の製造装置であってもよい。
【００８５】
上記した実施形態では、仕掛太陽電池基板１０１を移動させる際に、真空吸着が可能な搬送装置８を使用したが、本発明はこれに限定されるものではなく、仕掛太陽電池基板１０１の移動には他の搬送装置を併用してもよい。
しかしながら、透明電極層１１３，１１７を製膜した直後においては、上記した実施形態の搬送装置８を使用することが好ましい。
すなわち、搬送装置８は、全ての工程において仕掛太陽電池基板１０１の搬送が可能であるが、経験則上、透明電極層１１３，１１７を製膜した直後に搬送装置８を使用することで不所望部位にめっき電極層が形成されることを防止できる。
なお、他の搬送装置としては、例えば、ベルヌーイ式の搬送装置が使用できる。上記した実施形態の搬送装置８の他にベルヌーイ式の搬送装置を併用することによって、生産性の向上も期待できる。
【実施例】
【００８６】
以下、本発明の製造装置１を用いて太陽電池１００としてヘテロ接合太陽電池を製造した実施例を挙げて、本発明を具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
【００８７】
（実施例１）
実施例１では、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）樹脂製の吸着部２１を用いた太陽電池の製造装置１によって、以下のようにヘテロ接合太陽電池を製造した。本発明の作用効果の理解を容易にするため、透明電極層１１３，１１７の形成直後の仕掛太陽電池基板の搬送のみ搬送装置８を用いて行った。
【００８８】
ｎ型単結晶シリコン基板１１０として、入射面の面方位が（１００）で、厚みが２００μｍのｎ型単結晶シリコンウェハを用いた。このシリコンウェハを２重量％のＨＦ水溶液に３分間浸漬し、表面の酸化シリコン膜を除去した後、超純水によるリンスを２回行った。このシリコンウェハ１１０を、７０℃に保持された５／１５重量％の水酸化カリウム（ＫＯＨ）／イソプロピルアルコール水溶液に１５分間浸漬し、ウェハの表面をエッチングすることでテクスチャを形成した。その後に超純水によるリンスを２回行った。
原子間力顕微鏡（ＡＦＭ  パシフィックナノテクノロジー社製）により、ウェハの表面観察を行ったところ、ウェハの表面はエッチングが最も進行しており、（１１１）面が露出したピラミッド型のテクスチャが形成されていた。
【００８９】
エッチング後のウェハ１１０を基板仮置き装置４からＣＶＤ装置５へ導入し、その光入射側に、ｉ型非晶質シリコン系薄膜１１１としてｉ型非晶質シリコン層を５ｎｍの膜厚となるように製膜した。
ｉ型非晶質シリコン層１１１の製膜条件は、基板温度：１５０℃、圧力：１２０Ｐａ、ＳｉＨ4／Ｈ2流量比：３／１０、投入パワー密度：０．０１１Ｗ／ｃｍ2であった。
なお、本実施例における薄膜の膜厚は、ガラス基板上に同条件にて製膜された薄膜の膜厚を、分光エリプソメトリー（商品名Ｍ２０００、ジェー・エー・ウーラム社製）にて測定することにより求められた製膜速度から算出された値である。
【００９０】
ｉ型非晶質シリコン層１１１上に、ｐ型非晶質シリコン系薄膜１１２としてｐ型非晶質シリコン層を７ｎｍの膜厚となるように製膜した。
ｐ型非晶質シリコン層１１２の製膜条件は、基板温度が１５０℃、圧力６０Ｐａ、ＳｉＨ4／Ｂ2Ｈ6流量比が１／３、投入パワー密度が０．０１Ｗ／ｃｍ2であった。
なお、上記でいうＢ2Ｈ6ガス流量は、Ｈ2によりＢ2Ｈ6濃度が５０００ｐｐｍまで希釈された希釈ガスの流量である。    
【００９１】
次にウェハ１１０の裏面側に、ｉ型非晶質シリコン系薄膜１１５としてｉ型非晶質シリコン層を６ｎｍの膜厚となるように製膜した。
ｉ型非晶質シリコン層１１５の製膜条件は、上記のｉ型非晶質シリコンの製膜条件と同様であった。
ｉ型非晶質シリコン層１１５上に、ｎ型非晶質シリコン系薄膜１１６としてｎ型非晶質シリコン層を４ｎｍの膜厚となるように製膜した。
ｎ型非晶質シリコン層１１６の製膜条件は、基板温度：１５０℃、圧力：６０Ｐａ、ＳｉＨ4／ＰＨ3流量比：１／２、投入パワー密度：０．０１Ｗ／ｃｍ2であった。なお、上記でいうＰＨ3ガス流量は、Ｈ2によりＰＨ3濃度が５０００ｐｐｍまで希釈された希釈ガスの流量である。      
【００９２】
そして、上記したシリコン層が積層されたシリコンウェハをＣＶＤ装置５からスパッタ装置２に搬送し、当該シリコンウェハのそれぞれの面に透明電極層１１３，１１７として、各々酸化インジウム錫（ＩＴＯ、屈折率：１．９）を１００ｎｍの膜厚となるように製膜した。
ターゲットとして酸化インジウムを用い、基板温度：室温、圧力：０．２Ｐａのアルゴン雰囲気中で、０．５Ｗ／ｃｍ2のパワー密度を印加して透明電極層１１３，１１７の製膜を行った。
さらに裏面側の第２透明電極層１１７上には、裏面電極層１０６として、スパッタ法により銀が５００ｎｍの膜厚となるように製膜した。
【００９３】
このようにして上記した層が製膜されたウェハをスパッタ装置２から印刷装置３に搬送した。そして、第１透明電極層１１３上にスクリーン印刷によって、櫛型のパターン形状となるように、印刷ペーストを塗布し、摂氏９０度で乾燥させて下地電極層１０７を製膜した。
下地電極層１０７の製膜には、錫ビスマス金属粉末と銀粉末を２０：８０の重量比で混合し、さらにバインダー樹脂としてエポキシ系樹脂を混合した印刷ペーストを用いた。
櫛型のパターンにおけるバスバー部分の幅は１ｍｍであり、フィンガー部分の幅は８０μｍであった。
【００９４】
このようにして下地電極層１０７が形成されたウェハを印刷装置３からＣＶＤ装置５に搬送した。そして、搬送したウェハに対して、絶縁層１０３として酸化シリコン層（屈折率：１．５）を、プラズマＣＶＤ法により８０ｎｍの厚みとなるように第１透明電極層１１３及び下地電極層１０７上に形成した。
絶縁層１０３の製膜条件は、基板温度：１３５℃、圧力１３３Ｐａ、ＳｉＨ4／ＣＯ2流量比：１／２０、投入パワー密度：０．０５Ｗ／ｃｍ2（周波数１３．５６ＭＨｚ）であった。
【００９５】
その後、絶縁層１０３を形成した後のウェハをＣＶＤ装置５からアニール装置６に導入し、当該ウェハに対して、大気雰囲気において、１８０℃で２０分間、アニール処理を実施した。
【００９６】
以上のようにしてアニール処理が行われたウェハをアニール装置６からめっき装置７に導入した。
【００９７】
めっき液には、硫酸銅五水和物、硫酸、及び塩化ナトリウムが、それぞれ１２０ｇ／ｌ、１５０ｇ／ｌ、及び７０ｍｇ／ｌの濃度となるように調製された溶液に、添加剤（上村工業製：品番ＥＳＹ−２Ｂ、ＥＳＹ−Ｈ、ＥＳＹ−１Ａ）が添加されたものが用いられた。このめっき液を用いて、温度４０℃、電流３Ａ／ｄｍ2の条件でめっきを行い、下地電極層１０７上に１０μｍ程度の厚みでめっき電極層１０８として銅を析出させた。その後、レーザー加工機によりセル外周部のシリコンウェハを０．５ｍｍの幅で除去し、ヘテロ接合太陽電池を作製し、これを実施例１とした。
【００９８】
（実施例２）
実施例２では、ポリエーテルサルホン（ＰＥＳ）樹脂製の吸着部２１を用いた太陽電池の製造装置１によって、実施例１と同様の手順によりヘテロ接合太陽電池を製造し、これを実施例２とした。
【００９９】
（比較例１）
比較例１では、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）樹脂製の吸着部２１を用いた太陽電池の製造装置１によって、実施例１と同様の手順によりヘテロ接合太陽電池を製造し、これを比較例１とした。
【０１００】
（比較例２）
比較例２では、フッ素ゴム製の吸着部２１を用いた太陽電池の製造装置１によって、実施例１と同様の手順によりヘテロ接合太陽電池を製造し、これを比較例２とした。
【０１０１】
（比較例３）
比較例３では、シリコーンゴム製の吸着部２１を用いた太陽電池の製造装置１によって、実施例１と同様の手順によりヘテロ接合太陽電池を製造し、これを比較例３とした。
【０１０２】
以下に、各実施例１，２及び比較例１〜３の物性と被吸着面（吸着部２１からの吸着部位）へのめっき電極層１０８の析出の有無を表１に表す。
【０１０３】
【表１】
2016072529.tif 000003
【０１０４】
表１から読み取れるように、比較例１〜３では、被吸着面（被吸着部）への金属析出が見られたのに対して、実施例１，２では、被吸着面への金属析出が見られなかった。
実施例２と比較例１とを比較すると、ショア硬度及び鉛筆強度が近い値を取るにも関わらず、比較例１では被吸着面への金属析出が見られたのに対して、実施例１では被吸着面への金属析出が見られなかった。このことから、被吸着面への金属析出の発生の有無の指標としてロックウェル硬度が大きく寄与していることがわかった。
【符号の説明】
【０１０５】
１  太陽電池の製造装置
８  搬送装置
１１  着脱部
２１  吸着部
１０１  仕掛太陽電池基板
１０３  絶縁層
１０５  集電極
１０７  下地電極層
１０８  めっき電極層
１１３  第１透明電極層（透明導電性酸化物層）
１１８  開口部
【図１】
2016072529.tif 000004
【図２】
2016072529.tif 000005
【図３】
2016072529.tif 000006
【図４】
2016072529.tif 000007
【図５】
2016072529.tif 000008
【図６】
2016072529.tif 000009
【図７】
2016072529.tif 000010
【図８】
2016072529.tif 000011
【図９】
2016072529.tif 000012
【図１０】
2016072529.tif 000013
【図１１】
2016072529.tif 000014