(57)【要約】【課題】  複数のトランジスタが搭載されているモノリシックマイクロ波集積回路であっても各トランジスタにおけるソースのインダクタンスを個別に調整できるようにする。【解決手段】  電界効果トランジスタのソース端子に接続された、二本以上のボンディングワイヤがボンディングされるパット体を備え、モノシリックマイクロ波集積回路における雑音指標に応じてパッド体と接地端子とをワイヤボンディングできるようにした。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電界効果トランジスタを含むモノシリックマイクロ波集積回路であって、
前記電界効果トランジスタのソース端子に接続された、二本以上のボンディングワイヤがボンディングされるパット体を備え、前記モノシリックマイクロ波集積回路における雑音指標に応じて前記パッド体と接地端子とをワイヤボンディングできるようにしたことを特徴とするモノシリックマイクロ波集積回路。
【請求項２】
請求項１に記載のモノシリックマイクロ波集積回路であって、
前記パッド体は、複数の小パッドに分割されていることを特徴とするモノシリックマイクロ波集積回路。
【請求項３】
請求項２に記載のモノシリックマイクロ波集積回路であって、
前記小パッドはパッド接続線により接続されていることを特徴とするモノシリックマイクロ波集積回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、モノシリックマイクロ波集積回路に関する。
【背景技術】
【０００２】
トランジスタやダイオード等の能動素子と伝送線路、抵抗、容量、インダクタンス等の受動素子とを一種類の半導体基板に設けた回路はモノリシックマイクロ波集積回路（ＭＭＩＣ：Ｍｏｎｏｌｉｔｈｉｃ  Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ  Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）と称されている。
【０００３】
このようなＭＭＩＣの雑音指数は、搭載されているトランジスタにおけるソースのインダクタンス値に依存する。しかし、製造バラツキが必ず発生するため、実際のインダクタンス値は設計値からずれてしまい、雑音特性は設計値より劣化してしまう。この劣化が許容範囲を超えると、製品の歩留まり低下を招く。
【０００４】
そこで、特開平４−１０３００９号公報においては、図５に示すようなＭＭＩＣが提案されている。このＭＭＩＣは、単位増幅器のトランジスタ１０１ａ〜１０１ｄのソース端子を縦続に順次接続する伝送ライン１０３ａ〜１０３ｃを備え、この伝送ライン１０３ａ〜１０３ｃを少なくとも２箇所以上でボンディングワイヤ１０２ａ〜１０２ｄにより接地されている。これにより、バイアホールを形成する工程を不要にしながらソースのインダクタンス値を調整できるようにしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平４−１０３００９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記構成においては、複数のトランジスタ１０１ａ〜１０１ｄのソースは、伝送ライン１０３ａ〜１０３ｃで接続されているため、各トランジスタ１０１ａ〜１０１ｄにおけるソースのインダクタンスを個別に調整することができない問題があった。
【０００７】
そこで、本発明の主目的は、複数のトランジスタが搭載されているモノリシックマイクロ波集積回路であっても各トランジスタにおけるソースのインダクタンスを個別に調整できるようにしたモノリシックマイクロ波集積回路を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するため、電界効果トランジスタを含むモノシリックマイクロ波集積回路にかかる発明は、電界効果トランジスタのソース端子に接続された、二本以上のボンディングワイヤがボンディングされるパット体を備え、モノシリックマイクロ波集積回路における雑音指標に応じてパッド体と接地端子とをワイヤボンディングできるようにしたことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、複数のトランジスタが搭載されているモノリシックマイクロ波集積回路であっても各トランジスタにおけるソースのインダクタンスを個別に調整できるようになる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本実施形態にかかるモノシリックマイクロ波集積回路のブロック図である。
【図２】ボンディングワイヤのワイヤ長さに対するインピーダンスを示した図である。
【図３】１つのパッド体に３本のボンディングワイヤを接続した場合を例示した図である。
【図４】パッド体を複数の小パッドに分割形成した図で、（ａ）は、三角形の頂点をなすように小パッドが分割された場合、（ｂ）は一列に小パッドが分割された場合、（ｃ）は四角形の頂点をなすように小パッドが分割された場合の図である。
【図５】関連技術の説明に適用されるモノシリックマイクロ波集積回路の構成を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
本発明の実施形態を説明する。図１は、本実施形態にかかるモノシリックマイクロ波集積回路（ＭＭＩＣ：Ｍｏｎｏｌｉｔｈｉｃ  Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ  Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）２の一例を示すブロック図である。
【００１２】
ＭＭＩＣ２は、複数の整合回路１１（１１ａ〜１１ｃ）、電界効果トランジスタ（ＦＥＴ：Ｆｉｅｌｄ  ｅｆｆｅｃｔ  ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）等のトランジスタ１２（１２ａ，１２ｂ）、トランジスタのソースライン１５（１５ａ〜１５ｂ）に形成されたパッド体１３（１３ａ〜１３ｂ）、パッド体１３を接地するためのボンディングワイヤ１４（１４ａ〜１４ｂ）を備え、トランジスタ１２は整合回路１１を接続している。なお、トランジスタ１２や整合回路１１の数は例示である。
【００１３】
但し、各パッド体１３に接続されるボンディングワイヤ１４は１本とか限らず、各トランジスタ１２におけるソースのインピーダンス値に応じて複数本接続される場合がある。
【００１４】
トランジスタ１２の雑音特性を調整するためには、このトランジスタ１２から入力側の整合回路１１をみたインピーダンス（利得整合インピーダンス）と、トランジスタ１２の雑音整合のインピーダンス（雑音整合インピーダンス）とを一致させることが好ましい。
【００１５】
しかし、一般的には、最適な雑音整合インピーダンスは、最適な利得整合インピーダンスと異なり、利得整合インピーダンスの方が雑音整合インピーダンスよりも低くなる傾向がある。このため、利得整合インピーダンスと雑音整合インピーダンスとを同時に整合（最適化）させることが困難である。
【００１６】
そこで、トランジスタ１２のソースにインダクタを挿入することで、利得整合インピーダンスを雑音整合インピーダンスに近づける。このインダクタの機能をボンディングワイヤ１４がなす。
【００１７】
ボンディングワイヤのインピーダンスは、ワイヤ径やワイヤ長さに依存する。図２は、ボンディングワイヤのワイヤ長さに対するインピーダンスを示した図である。ワイヤ長が、標準的な長さ（設計上想定したワイヤ長）に応じて雑音特性が変化している。
【００１８】
そこで、本実施形態では、図１又は図３に示すように、複数のボンディングワイヤがボンディングできるように、パッド体１３は通常のパッドサイズ（１つのボンディングワイヤがボンディングされるサイズ）より大きい面積に設定されている。従って、パッド体は、少なくとも２本以上のボンディングワイヤがボンディングされるサイズである。
【００１９】
図３は、１つのパッド体１３に３本のボンディングワイヤ１４＿１〜１４＿３を接続した場合を例示した図である。例えば、設計上はパッド体１３の位置Ｐ２とアース点ＧＮＤとを所定の径の２本のボンディングワイヤ１４＿２、１４＿４で接続した場合に、所望のインピーダンス値が得られるとする。
【００２０】
このとき、ボンディングワイヤ１４＿２だけをボンディングしたときのＭＭＩＣの雑音指数（実測してみる）から、追加するボンディングワイヤのワイヤ長さがボンディングワイヤ１４＿２と同じ長さでよいのか、これより長い必要があるのか、または短くする必要があるかを判断する。
【００２１】
そして、同じ長さで良い場合には、ボンディングワイヤ１４＿４を追加してボンディングすればよい。また、短くする必要がある場合は、位置Ｐ３とアース点ＧＮＤとを接続する（ボンディングワイヤ１４＿３を形成する）。一方、長くする必要がある場合は、位置Ｐ１とアース点ＧＮＤとを接続する（ボンディングワイヤ１４＿１を形成する）。
【００２２】
なお、上記説明では、ボンディングワイヤのワイヤ径が同じである場合を例に説明したが、ワイヤ径を変えてもよい。例えば、ボンディングワイヤ１４＿２とボンディングワイヤ１４＿１とを形成する場合、ボンディングワイヤ１４＿２と、これよりワイヤ径の大きいボンディングワイヤ１４＿４とを形成してもよい。
【００２３】
ところで、複数本のボンディングワイヤがボンディングできるパッド体のサイズは大きくなり、当該パット体を形成するためのペース確保が困難となる場合がある。このような場合には、図４に示すように、パッド体を複数のパッド（小パッド）１６に分割形成し、かつ、各小パッド１６はパッド接続線１７により接続した構成であっても良い。各パッドの間隔、即ちパッド接続線１７の長さは一定である必要はない。
【００２４】
図４（ａ）は、三角形の頂点をなすように小パッド１６が分割された場合、図４（ｂ）は一列に小パッド１６が分割された場合、図４（ｃ）は四角形の頂点をなすように小パッド１６が分割された場合を示している。
【００２５】
以上説明したように、製造バラツキによりＭＭＩＣの雑音指数が低くても、雑音指数に応じたボンディングを行うことで、良好な雑音特性を持つＭＭＩＣが提供できるようになる。従って、ＭＭＩＣの歩留まりを向上させることが可能になる。
【発明の利用が考えられる分野】
【００２６】
本発明にかかるモノシリックマイクロ波集積回路は、複数のＭＭＩＣにより構成されたハイブリッドＩＣ等にも利用可能である。
【符号の説明】
【００２７】
２    モノシリックマイクロ波集積回路
１１    整合回路
１２    トランジスタ
１３    パッド体
１４    ボンディングワイヤ
１５  ソースライン
１６    小パッド
１７    パッド接続線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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