(57)【要約】      （修正有）【課題】電磁シールドによって半導体パッケージやモジュールが大型化しても、電子機器が大型化することがない小型化可能な部品により電子機器を小型化する技術を提供する。【解決手段】筐体と、第１の基板１１と、第１の基板に向いた第１の面３１aと、第２の面３１bとを有した第２の基板３１と、電子部品３３と、第２の面と電子部品とを覆い、外面２１a、２１b，２１cを有した封止材３４と、封止材の前記外面を覆ったシールド２２と、電子部品と導電部（シールド）との間に介在し、封止材の外面に含まれる有機材料と化学反応したことにより電子部品の外面に結合され、シールドに含まれる無機材料と化学反応したことにより導電部に結合された接合層とを具備する。導電部は、電子部品の外面に化学結合されて電子部品の外面の少なくとも一部を覆う。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
筐体と、
前記筐体に収容された第１の基板と、
前記第１の基板に向いた第１の面と、前記第１の面の反対側に位置する第２の面とを有した第２の基板と、
前記第２の面に実装され、電磁波を放出可能な電子部品と、
前記第２の面と前記電子部品とを覆い、外面を有した封止材と、
前記第１の面に設けられた電極と、
前記電極と前記第１の基板とを電気的に接続した端子と、
前記封止材の前記外面を覆ったシールドと、
前記部品と前記導電部との間に介在させられ、前記封止材の前記外面に含まれる有機材料と化学反応したことにより当該部品の前記外面に結合され、前記シールドに含まれる無機材料と化学反応したことにより当該導電部に結合された接合部と、
を具備した電子機器。
【請求項２】
前記シールドは、前記封止材の外面に存在した金属分子と、前記金属分子での無電解メッキの触媒となる触媒分子と、を有し、
前記接合部は、前記シールドの前記触媒分子に化学反応したことにより結合され、
前記金属分子は、前記触媒分子を介して前記接合部に結合された、
請求項１の電子機器。
【請求項３】
前記接合部は、前記封止材の前記外面に含まれる有機材料と化学反応することで、表面にジチオールトリアジン基を設ける分子接合剤を有した、請求項１又は請求項２の電子機器。
【請求項４】
電子部品と、前記電子部品が実装された基板と、前記電子部品を覆う封止材と、を有する部品と、
前記部品の外面の少なくとも一部を覆った導電部と、
前記部品と前記導電部との間に介在させられ、前記部品の前記外面に化学結合され、前記導電部に化学結合された接合部と、
を具備した電子機器。
【請求項５】
前記導電部は、前記導電部の外面に存在した第１の分子と、前記第１の分子での無電解メッキの触媒となる第２の分子と、を有し、
前記接合部は、前記導電部の前記第２の分子に化学結合された、
請求項４の電子機器。
【請求項６】
前記接合部は、前記部品の前記外面と化学反応が可能で、且つ前記導電部と化学反応が可能な官能基を有した分子接合剤を有した、請求項４又は請求項５の電子機器。
【請求項７】
前記部品の前記外面は、電極が設けられた面を有し、
前記導電部は、前記部品の前記外面の、前記面を外れた部分を覆った、
請求項４乃至請求項６のいずれか一つの電子機器。
【請求項８】
部品と、
前記部品の外面に化学結合されて前記部品の前記外面の少なくとも一部を覆った導電部と、
を具備した電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子機器に搭載される半導体パッケージやモジュールは、電磁波の放出を抑制するための電磁シールドによって覆われる。例えば、半導体パッケージのモールド樹脂に、メッキやスパッタリングによって電磁シールドとしての金属層が形成される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１１−２１１０２３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
電磁シールドによって半導体パッケージやモジュールが大型化すると、電子機器が大型化することになり得る。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
一つの実施の形態に係る電子機器は、部品と、導電部と、を備える。前記導電部は、前記部品の外面に化学結合されて前記部品の前記外面の少なくとも一部を覆う。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】図１は、一つの実施の形態に係る電子機器を示す斜視図である。
【図２】図２は、一つの実施形態の電子機器の一部を示す断面図である。
【図３】図３は、一つの実施形態の半導体パッケージの一部を拡大して模式的に示す断面図である。
【図４】図４は、一つの実施形態の半導体パッケージの製造方法の一部について例示するフローチャートである。
【図５】図５は、一つの実施形態のカットされた部品を示す断面図である。
【図６】図６は、一つの実施形態のフィルムが貼り付けられた部品を示す断面図である。
【図７】図７は、一つの実施形態の表面処理された部品の一部を模式的に示す断面図である。
【図８】図８は、一つの実施形態の部品の一部と分子接合剤とを模式的に示す断面図である。
【図９】図９は、一つの実施形態の分子接合剤が化学結合された部品の一部を模式的に示す断面図である。
【図１０】図１０は、一つの実施形態の触媒分子が分子接合剤に化学結合された部品の一部を模式的に示す断面図である。
【図１１】図１１は、一つの実施形態のシールドが形成された部品を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下に、一つの実施の形態について、図１乃至図１１を参照して説明する。なお、実施形態に係る構成要素や、当該要素の説明について、複数の表現を併記することがある。当該構成要素及び説明について、記載されていない他の表現がされることは妨げられない。さらに、複数の表現が記載されない構成要素及び説明について、他の表現がされることは妨げられない。
【０００８】
図１は、一つの実施の形態に係る電子機器１を示す斜視図である。電子機器１は、例えばパーソナルコンピュータである。電子機器１はこれに限らず、ポータブルコンピュータ、タブレット、スマートフォン、携帯電話、携帯情報端末（ＰＤＡ）、テレビジョン受像機、及びディスプレイのような他の電子機器であっても良い。
【０００９】
図１に示すように、電子機器１は、筐体１０と、プリント配線板（ＰＣＢ）１１とを有する。筐体１０は、例えば、外装部及び壁とも称され得る。ＰＣＢ１１は、第１の基板の一例であり、例えば、部品とも称され得る。ＰＣＢ１１は、筐体１０に収容され、図１において破線で示される。
【００１０】
図２は、電子機器の一部を示す断面図である。図２に示すように、電子機器１は、半導体パッケージ１２をさらに有する。半導体パッケージ１２は、例えば、モジュール、ユニット、部品、及び組立品とも称され得る。
【００１１】
半導体パッケージ１２は、例えばボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）である。なお、半導体パッケージ１２はこれに限らず、他の半導体パッケージであっても良い。半導体パッケージ１２は、ＰＣＢ１１に実装される。なお、半導体パッケージ１２は、例えば、フレキシブルプリント配線板（ＦＰＣ）のような他の部品に実装されても良い。
【００１２】
半導体パッケージ１２は、部品２１と、シールド２２とを有する。部品２１は、例えば、パッケージ、モジュール、ユニット、組立品、被着物、及び対象物とも称され得る。シールド２２は、シールド及び導電部の一例であり、例えば、金属層、導電層、層、覆部、遮蔽部、遮断部、及び部分とも称され得る。
【００１３】
部品２１は、略直方体状に形成される。なお、部品２１の形状はこれに限らない。部品２１は、底面２１ａと、上面２１ｂと、複数の側面２１ｃとを有する。底面２１ａ、上面２１ｂ、及び側面２１ｃは、外面の一例である。なお、部品２１は、外面の一例としての他の面を有しても良い。底面２１ａは、電極が設けられた面の一例である。
【００１４】
底面２１ａは、ＰＣＢ１１に向いた面である。上面２１ｂは、底面２１ａの反対側に位置した面である。側面２１ｃは、底面２１ａと上面２１ｂとの間に設けられた面である。底面２１ａ、上面２１ｂ、及び側面２１ｃは略平坦に形成されるが、例えば曲面状の部分や凹凸を有しても良い。
【００１５】
部品２１は、基板３１と、複数の端子３２と、複数の電子部品３３と、ソルダーレジスト３４とをさらに有する。基板３１は、第２の基板の一例であり、例えば、部品とも称され得る。端子３２は、例えば、接続部とも称され得る。ソルダーレジスト３４は、封止材の一例であり、例えば、モールド、保護部、包部、収容部、及び部分とも称され得る。電子部品３３は、例えば、部品及び発生源とも称され得る。
【００１６】
基板３１は、半導体パッケージ１２の基板である。基板３１は、底面３１ａと、実装面３１ｂとを有する。底面３１ａは、第１の面の一例であり、部品２１の底面２１ａを形成する。なお、部品２１の底面２１ａは、他の部分によって形成されても良い。実装面３１ｂは、第２の面の一例であり、底面３１ａの反対側に位置した略平坦な面である。
【００１７】
基板３１は、複数の電極４１をさらに有する。電極４１は、例えば、接続部及び導電部とも称され得る。電極４１は、半導体パッケージ１２の電極である。複数の電極４１は、基板３１の底面３１ａ（部品２１の底面２１ａ）にそれぞれ設けられる。
【００１８】
複数の端子３２は、例えば、半田によって作られ、球状に形成される。なお、端子３２の材料及び形状はこれに限らない。端子３２は、基板３１の対応する電極４１にそれぞれ取り付けられる。端子３２は、ＰＣＢ１１に形成されたランドと、電極４１とを、それぞれ電気的に接続する。これにより、半導体パッケージ１２がＰＣＢ１１に実装される。
【００１９】
複数の電子部品３３は、基板３１の実装面３１ｂにそれぞれ実装される。複数の電子部品３３は、例えば、コンデンサのような素子や、半導体パッケージのような種々の素子を含んだ部品を有する。なお、電子部品３３はこれに限らない。電子部品３３は、それぞれ電磁波を発生（放出）させ得る。
【００２０】
ソルダーレジスト３４は、例えば、エポキシ樹脂のような合成樹脂によって作られる。合成樹脂は有機材料の一例である。ソルダーレジスト３４は、基板３１の実装面３１ｂ上に設けられる。ソルダーレジスト３４は、実装面３１ｂ及び複数の電子部品３３を覆い、当該電子部品３３を保護する。言い換えると、複数の電子部品３３は、ソルダーレジスト３４の中に配置される。ソルダーレジスト３４は、部品２１の上面２１ｂを形成する。基板３１とソルダーレジスト３４とが、部品２１の側面２１ｃを形成する。言い換えると、ソルダーレジスト３４は、外面の一例としての上面２１ｂと側面２１ｃの一部とを有する。
【００２１】
シールド２２は、例えば、部品２１が銅で無電解メッキされることによって形成された金属層である。なお、シールド２２はこれに限らず、導電性を有した他の材料によって作られても良いし、他の方法で形成されても良い。
【００２２】
シールド２２は、部品２１の上面２１ｂと側面２１ｃとを覆う。すなわち、シールド２２は、部品２１の外面の、電極４１が設けられた底面２１ａを外れた部分を覆う。シールド２２は、部品２１の底面２１ａの一部をさらに覆っても良い。この場合、シールド２２は電極４１から離間される。
【００２３】
シールド２２は、例えば、電子部品３３が発した電磁波を反射及び吸収し、当該電磁波のエネルギーを減衰させる。これにより、シールド２２は、半導体パッケージ１２の外部に、電子部品３３が発した電磁波が放出されることを抑制する。
【００２４】
図３は、半導体パッケージ１２の一部を拡大して模式的に示す断面図である。図３に示すように、半導体パッケージ１２は、接合層５１をさらに有する。接合層５１は、接合部の一例であり、例えば、介在部、中間部、結合部、及び層とも称され得る。
【００２５】
接合層５１は、部品２１とシールド２２との間に介在させられる。接合層５１は、部品２１の上面２１ｂ及び側面２１ｃに化学結合されるとともに、シールド２２に化学結合される。詳しく述べると、接合層５１は、部品２１の上面２１ｂ及び側面２１ｃに含まれる有機材料と化学反応したことにより、当該上面２１ｂ及び側面２１ｃに結合される。さらに、接合層５１は、シールド２２に含まれる無機材料と化学反応したことにより、当該シールド２２に結合される。シールド２２は、接合層５１によって、部品２１の上面２１ｂ及び側面２１ｃに化学結合される。
【００２６】
図３に示すように、シールド２２は、層部５５と、触媒部５６とを有する。層部５５は、例えば、銅（Ｃｕ）分子である層分子５５ａを有する。層分子５５ａは、金属分子及び第１の分子の一例である。層部５５は、図２に示すシールド２２の外面２２ａを形成する。言い換えると、シールド２２の外面２２ａに、層分子５５ａが存在する。触媒部５６は、例えば、パラジウム（Ｐｄ）分子である触媒分子５６ａを有する。触媒分子５６ａは、触媒分子及び第２の分子の一例である。パラジウム分子は無機材料の一例である。
【００２７】
接合層５１は、シールド２２の触媒部５６を形成した触媒分子５６ａに化学結合される。すなわち、シールド２２の触媒部５６は、接合層５１によって、部品２１に化学結合される。部品２１に化学結合された触媒部５６を触媒として、層分子５５ａが無電解メッキにより析出されることで、層部５５が形成される。言い換えると、層部５５は、触媒部５６を介して接合層５１に化学結合される。なお、触媒分子５６ａは、パラジウムに限らず、例えば、鉄やニッケルのような鉄族元素や白金族元素の他の分子であっても良い。
【００２８】
以下、図４乃至図１１を参考に、半導体パッケージ１２の製造方法の一部について例示する。なお、半導体パッケージ１２の製造方法は以下の方法に限らず、他の方法を用いても良い。図４は、半導体パッケージ１２の製造方法の一部について例示するフローチャートである。
【００２９】
図５は、カットされた部品２１を示す断面図である。まず、一つの大型の基板（３１）の上に、複数の電子部品（３３）が実装され、当該電子部品（３３）がソルダーレジスト（３４）によって覆われる。このように形成された大型の部品（２１）の集合体が、例えばダイシングソーによってフルカットされることにより、部品（２１）の集合体から図５に示された個別の部品２１が形成される（Ｓ１１）。なお、部品２１はこれに限らず、例えば、個別の基板３１の上に複数の電子部品３３が実装され、当該電子部品がソルダーレジスト３４によって覆われることで形成されても良い。
【００３０】
図６は、フィルム６１が貼り付けられた部品２１を示す断面図である。次に、図６に示すように、部品２１の底面２１ａに、フィルム６１が貼り付けられる（Ｓ１２）。フィルム６１は、フィルム状のメッキレジストである。なお、フィルム６１の代わりに、例えば、インク状のメッキレジストが部品２１の底面２１ａに塗布されても良い。
【００３１】
フィルム６１は、部品２１の底面２１ａのほぼ全域を覆う。なお、フィルム６１は、部品２１の底面２１ａの一部を覆っても良い。この場合、フィルム６１は、底面２１ａに設けられた電極４１を覆う。
【００３２】
フィルム６１は、接着面６１ａを有する。接着面６１ａが、部品２１の底面２１ａに接着される。接着面６１ａは熱溶融性を有しており、フィルム６１は、加熱されることで部品２１から取り外し可能となる。なお、フィルム６１はこれに限らない。
【００３３】
図７は、表面処理された部品２１の一部を模式的に示す断面図である。次に、部品２１が、例えば、プラズマ又はコロナ放電によって表面処理される（Ｓ１３）。これにより、部品２１の上面２１ｂ及び側面２１ｃがクリーニングされるとともに、上面２１ｂ及び側面２１ｃにヒドロキシ基（ＯＨ基）７１が生成される。図７は、ヒドロキシ基７１を化学式（分子式）で示す。
【００３４】
図７は、説明のために一つのヒドロキシ基７１のみを示すが、部品２１の上面２１ｂ及び側面２１ｃには、複数のヒドロキシ基７１が生成される。なお、例えば上面２１ｂ及び側面２１ｃにヒドロキシ基７１が存在する場合、表面処理が省略されても良い。また、表面処理は、フィルム６１が部品２１に貼り付けられる前に行われても良い。
【００３５】
図８は、部品２１の一部と分子接合剤７５とを模式的に示す断面図である。次に、部品２１に、分子接合剤７５が付与される（Ｓ１４）。分子接合剤７５は、例えば分子接着剤とも称され得る。図８は、分子接合剤７５を化学式（構造式）で示す。
【００３６】
分子接合剤７５は、部品２１の上面２１ｂ及び側面２１ｃと化学反応が可能で、且つシールド２２の触媒部５６と化学反応が可能な官能基を有した化合物である。分子接合剤７５は、例えば、６−（３−トリエトキシシリルプロピルアミノ）−１，３，５−トリアジン−２，４−ジチオールモノナトリウム塩（以下、ＴＥＳと称する）である。なお、分子接合剤７５はこれに限らない。
【００３７】
例えば、フィルム６１が貼り付けられ、表面処理がされた部品２１が、分子接合剤７５を含む薬液に浸漬される。当該薬液は、例えば、水溶媒又はアルコール溶媒に水溶性の分子接合剤７５を溶かすことにより作られる。
【００３８】
図９は、分子接合剤７５が化学結合された部品２１の一部を模式的に示す断面図である。図９に示すように、薬液中の分子接合剤７５は、部品２１の上面２１ｂ及び側面２１ｃに生成されたヒドロキシ基７１と化学反応し、上面２１ｂ及び側面２１ｃに化学結合される。これにより、接合層５１が形成される。
【００３９】
分子接合剤７５であるＴＥＳは、部品２１の上面２１ｂ及び側面２１ｃに化学結合されることで、接合層５１の表面（部品２１と反対側の部分）に、シールド２２の触媒部５６と化学反応が可能な官能基であるジチオールトリアジン基を生成する。なお、分子接合剤７５はこれに限らない。
【００４０】
図１０は、触媒分子５６ａが分子接合剤７５に化学結合された部品２１の一部を模式的に示す断面図である。次に、部品２１の上面２１ｂ及び側面２１ｃに形成された接合層５１に、触媒分子５６ａが担持（付与）される（Ｓ１５）。
【００４１】
触媒分子５６ａとしてのパラジウム分子が、接合層５１の表面に形成されたジチオールトリアジン基と化学反応し、接合層５１に化学結合される。このように、接合層５１に化学結合された触媒分子５６ａが、触媒部５６を形成する。触媒部５６によって、接合層５１に覆われた部品２１の表面がメタライズされる。
【００４２】
図１１は、シールド２２が形成された部品２１を示す断面図である。次に、部品２１に、図３に示す層部５５が形成されることで、シールド２２が形成される（Ｓ１６）。シールド２２の層部５５は、上述のように、例えば無電解メッキによって形成される。層分子５５ａである銅分子は、触媒部５６を触媒として、触媒部５６の表面に析出される。これにより、層部５５が形成され、図１１に示すように、部品２１の上面２１ｂ及び側面２１ｃを覆うシールド２２が形成される。
【００４３】
層部５５は、接合層５１によって部品２１の上面２１ｂ及び側面２１ｃに化学結合された触媒部５６上に析出される。このため、層部５５及び触媒部５６を有したシールド２２は、接合部５１によって部品２１の上面２１ｂ及び側面２１ｃに化学結合される。
【００４４】
なお、シールド２２はこれに限らず、例えば、スパッタリングのような他の方法によって形成されても良い。例えば、部品２１の上面２１ｂ及び側面２１ｃに接合層５１が形成された状態で、部品２１にスパッタリングがされる。スパッタリングにより接合層５１の表面に付着された金属分子は、接合層５１に化学結合される。このように、スパッタリングによって形成されたシールド２２も、接合層５１によって、部品２１の上面２１ｂ及び側面２１ｃに化学結合される。
【００４５】
次にフィルム６１が、部品２１の底面２１ａから剥離される（Ｓ１７）。フィルム６１が剥離されることで、底面２１ａに設けられた電極４１が露出される。当該電極４１に端子３２が取り付けられることで、図２に示す半導体パッケージ１２が形成される。
【００４６】
上記の一つの実施の形態に係る電子機器１において、部品２１の少なくとも一部を覆うシールド２２は、当該部品２１の上面２１ｂ及び側面２１ｃに化学結合される。これにより、シールド２２に覆われた部品２１が小型化可能となる。
【００４７】
従来、メッキによってシールドが形成される場合、シールドと部品との間の密着力を向上するために部品の外面が粗化されることがある。この場合、粗化により部品内部の電子部品が露出されることを抑制するため、部品の外面を形成したソルダーレジストが厚く設定されることがある。
【００４８】
このような場合に比べ、本実施形態の電子機器１では、シールド２２が部品２１に化学結合される。化学結合による密着力（接着強度、ピール強度）は、例えば接着剤と被着体との間で働くファンデルワールス力による密着力より十分に大きい。このため、部品２１の上面２１ｂ及び側面２１ｃが粗化される必要が無い。従って、部品２１のソルダーレジスト３４が、粗化がされる場合に比べより薄くされることが可能となり、部品２１が小型化可能となる。さらに、シールド２２と部品２１との密着力が十分大きいため、半導体パッケージ１２の信頼性が向上する。加えて、部品２１のソルダーレジスト３４が粗化される場合に比べ、シールド２２の厚さがより薄くされることが可能となり、シールド２２の形成時間がより短縮される。
【００４９】
また、従来、部品の外面が粗化される場合、部品の電極が設けられた面がレジスト（フィルム）により保護されることがある。この場合、レジストと部品との接着部分に、例えば、粗化のためのアルカリ性の薬液が侵入することがある。当該薬液により接着部分が浸食されると、電極が形成された面にもメッキが形成されてしまい、部品の歩留まりが低下するおそれがある。
【００５０】
このような場合に比べ、本実施形態の電子機器１では、上記の通り、部品２１の上面２１ｂ及び側面２１ｃが粗化される必要が無い。このため、部品２１とフィルム６１との接着部分が浸食されて部品２１の歩留まり低下することが、抑制可能となる。さらに、フィルム６１が、粗化のための薬液に対する耐性（例えば耐アルカリ性）を有する必要が無く、使用可能なフィルム６１の種類が増加される。
【００５１】
また、部品が大きくなるにしたがって、例えば歪みや熱膨張により部品が変形しやすくなる。部品が変形すると、部品とレジストとの接着部分に粗化のための薬液が侵入しやすくなる可能性がある。
【００５２】
しかし、本実施形態の電子機器１では、上記の通り、部品２１の上面２１ｂ及び側面２１ｃが粗化される必要が無い。このため、ソルダーレジスト３４が粗化される場合に比べ、部品２１を大きく設定しやすい。
【００５３】
部品２１の上面２１ｂ及び側面２１ｃに化学結合され、シールド２２にも化学結合された接合層５１が、部品２１とシールド２２との間に介在させられる。これにより、シールド２２と部品２１の上面２１ｂ及び側面２１ｃとが互いに異種の材料で形成されていても、シールド２２が接合層５１によって部品２１の上面２１ｂ及び側面２１ｃに化学結合できる。
【００５４】
接合層５１は、シールド２２の、触媒となる触媒分子５６ａに化学結合される。触媒分子５６ａが触媒となることで、接合層５１を介して、部品２１の上面２１ｂ及び側面２１ｃ上に層分子５５ａを無電解メッキし、部品２１の少なくとも一部を覆うシールド２２を形成することが容易となる。さらに、無電解メッキによりシールド２２が容易に形成され得るため、スパッタリングによりシールド２２が形成される場合よりも、部品２１の製造コストが低減される。さらに、スパッタリングによりシールド２２が形成される場合に比べ、接合層５１の厚さがより均一になる。
【００５５】
接合層５１は、部品２１の上面２１ｂ及び側面２１ｃと化学反応が可能で、且つシールド２２と化学反応が可能な官能基を有した分子接合剤７５を有する。このような分子接合剤７５により、部品２１の上面２１ｂ及び側面２１ｃが一種類の官能基に変換される。このため、シールド２２と部品２１の上面２１ｂ及び側面２１ｃとが互いに異種の材料で形成されていても、シールド２２が接合層５１によって部品２１の上面２１ｂ及び側面２１ｃに化学結合できる。
【００５６】
シールド２２は、部品２１の外面の、電極４１が設けられた底面２１ａを外れた上面２１ｂ及び側面２１ｃを覆う。これにより、シールド２２が電極４１を短絡させることが抑制される。
【００５７】
部品２１は、電磁波を発する電子部品３３と、電子部品３３を覆った基板３１及びソルダーレジスト３４とを有する。シールド２２は、基板３１及びソルダーレジスト３４が形成した部品２１の上面２１ｂ及び側面２１ｃの少なくとも一部を覆う。これにより、電子部品３３が発した電磁波がシールド２２によって遮断され、電子機器１が電磁波を発することが抑制される。
【００５８】
以上説明した少なくとも一つの実施形態によれば、導電部が、部品の外面に化学結合されて当該部品の外面の少なくとも一部を覆う。これにより、導電部に覆われた部品が小型化可能となる。
【００５９】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００６０】
１０…電子機器、１１…半導体パッケージ、２１…部品、２１ａ…底面、２１ｂ…上面、２１ｃ…側面、２２…シールド、２２ａ…外面、３１…基板、３３…電子部品、３４…ソルダーレジスト、４１…電極、５１…接合層、５５…層部、５５ａ…層分子、５６…触媒部、５６ａ…触媒分子、７５…分子接合剤。
【図１】
2016111026.tif 000003
【図２】
2016111026.tif 000004
【図３】
2016111026.tif 000005
【図４】
2016111026.tif 000006
【図５】
2016111026.tif 000007
【図６】
2016111026.tif 000008
【図７】
2016111026.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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