(57)【要約】      （修正有）【課題】厚みムラの発生を低減しながら安定して均一な厚みの塗布膜を形成する。【解決手段】塗布装置は、塗布方向ＡＲ１に対して前方に位置する前方部位２４１Ａｆおよび塗布方向ＡＲ１に対して後方に位置するとともに前方部位２４１Ａｆとの間に吐出用スリットを形成する後方部位２４１Ａｂを有し、吐出用スリットから溶液Ｌ１を吐出して塗布対象物４に塗布する吐出部２４と、前方部位２４１Ａｆおよび後方部位２４１Ａｂの少なくとも一方を温度調整するための制御装置Ｔ１，Ｔ２とを備えている。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
塗布方向に対して前方に位置する前方部位および前記塗布方向に対して後方に位置するとともに前記前方部位との間に吐出用スリットを形成する後方部位を有し、前記吐出用スリットから溶液を吐出して塗布対象物に塗布する吐出部と、
前記前方部位および前記後方部位の少なくとも一方を温度調整するための制御装置と
を備えている塗布装置。
【請求項２】
前記制御装置は、前記前方部位を温度調整するための第１制御部と前記後方部位を温度調整するための第２制御部とを備えている、請求項１に記載の塗布装置。
【請求項３】
前記制御装置は、前記塗布対象物を温度調整するための第３制御部をさらに備えている、請求項１または２に記載の塗布装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれかに記載の塗布装置を用い、前記後方部位の温度を前記前方部位の温度よりも高くなるようにしながら前記溶液を前記塗布対象物に塗布する塗布方法。
【請求項５】
さらに前記塗布対象物の温度を前記後方部位の温度よりも高くなるようにしながら前記溶液を前記塗布対象物に塗布する、請求項４に記載の塗布方法。
【請求項６】
請求項４または５に記載の塗布方法を用いて電極層上に原料溶液の塗布膜を形成する工程と、
前記塗布膜を加熱して第１の半導体層にする工程と、
前記第１の半導体層上に該第１の半導体層とは異なる導電型の第２の半導体層を形成する工程と
を具備する光電変換装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、溶液を塗布対象物の塗布面に膜状に塗布するための塗布装置およびこれを用いた塗布方法ならびに光電変換装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
化合物半導体から成る光吸収層を具備した太陽電池パネルがある。この太陽電池パネルでは、例えば、ガラス製の基板上に、Ｍｏから成る下部電極層が配され、この下部電極層の上に化合物半導体から成る光吸収層が配されている。さらに、その光吸収層の上には、硫化亜鉛、硫化カドミウム等から成るバッファ層と、酸化亜鉛等から成る透明の上部電極層とがこの順に積層されている。
【０００３】
そして、例えば、基板上に形成された下部電極層の上から複数の金属元素を含む溶液が塗布されることで塗布膜が形成された後に、この塗布膜に乾燥および熱処理が施されることで光吸収層が形成され得る（例えば、特許文献１および特許文献２）。
【０００４】
このような溶液の塗布に関しては、例えば、特許文献３に示すように、溶液を吐出するためのスリット状の吐出口を有するノズルを用いた塗布方法がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００１−５３３１４号公報
【特許文献２】特開２００１−２７４１７６号公報
【特許文献３】特開２００６−２６１３２６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
各種溶液の塗布に関しては、量産性を高めるため、大面積の塗布対象物に対して高速で塗布することが要求されている。しかしながら、特許文献３の塗布装置では、塗布が十分に行なわれず、塗布膜に筋状の厚みムラが生じやすくなる。
【０００７】
そこで、厚みムラの発生を低減しながら安定して均一な厚みの塗布膜を形成することが可能な塗布装置が望まれている。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の第１の態様に係る塗布装置は、塗布方向に対して前方に位置する前方部位および前記塗布方向に対して後方に位置するとともに前記前方部位との間に吐出用スリットを形成する後方部位を有し、前記吐出用スリットから溶液を吐出して塗布対象物に塗布する吐出部と、前記前方部位および前記後方部位の少なくとも一方を温度調整するための制御装置とを備えている。
【０００９】
本発明の第２の態様に係る塗布方法は、上記塗布装置を用い、前記後方部位の温度を前記前方部位の温度よりも高くなるようにしながら前記溶液を前記塗布対象物に塗布する。
【００１０】
本発明の第３の態様に係る光電変換装置の製造方法は、上記の塗布方法を用いて電極層上に原料溶液の塗布膜を形成する工程と、前記塗布膜を加熱して第１の半導体層にする工程と、前記第１の半導体層上に該第１の半導体層とは異なる導電型の第２の半導体層を形成する工程とを具備する。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の上記各態様によれば、厚みムラの発生を低減しながら安定して均一な厚みの塗布膜を形成することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】一実施形態に係る塗布装置の概略構成を示す斜視図である。
【図２】吐出部の構成を模式的に示す正面図である。
【図３】図２にて一点鎖線Ｉ−Ｉで示した位置における吐出部のＸＺ断面を模式的に示す図である。
【図４】吐出部によって塗布対象物に溶液が塗布される様子を模式的に示す図である。
【図５】塗布装置を用いた光電変換装置の製造プロセスの流れの一例を示すフローチャートである。
【図６】光電変換装置の一例を示す斜視図である。
【図７】図６の光電変換装置の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。なお、図面においては同様な構成および機能を有する部分については同じ符号が付されており、下記説明では重複説明が省略される。また、図面は模式的に示されたものであり、各図における各種構造のサイズおよび位置関係等は正確に図示されたものではない。なお、図１〜図４には、塗布装置１における各部の配置関係を明示するために、塗布対象物４の一主面に沿った吐出部２４の移動方向をＸ軸方向とし、吐出部２４の長手方向をＹ軸方向とする右手系のＸＹＺ座標系が付されている。但し、溶液供給源２４０については、吐出部２４に対する配置関係が描かれたものではない。
【００１４】
＜(１)塗布装置の概略構成＞
一実施形態に係る塗布装置１は、平板状の塗布対象物４の一主面上に所定の溶液を塗布する装置である。図１で示されるように、塗布装置１は、本体部２と制御部３とを備えている。本体部２は、載物台２１と可動梁機構２２と駆動部２３とを備えている。
【００１５】
載物台２１は、塗布対象物４が載置される台であり、該塗布対象物４を保持する。載物台２１は、略直方体の形状を有する。該載物台２１の上面と下面と側面は何れも略平坦となるように加工されている。また、載物台２１の上部には、塗布対象物４が載置される載置部２１１が配されている。
【００１６】
載置部２１１の上面２１１ｓには、例えば、ストッパーＳｔ１，Ｓｔ２，Ｓｔ３が配されている。２つのストッパーＳｔ１，Ｓｔ２は、上面２１１ｓに固定されている。また、１つのストッパーＳｔ３は、上面２１１ｓに対して移動可能である。例えば、塗布対象物４が略長方形の盤面を有する場合、該塗布対象物４が載置部２１１上に載置される際には、塗布対象物４の隣り合う２つの角部が固定のストッパーＳｔ１，Ｓｔ２によって位置決めされる。そして、該塗布対象物４が、固定のストッパーＳｔ１，Ｓｔ２と可動のストッパーＳｔ３とによって挟持される。なお、載置部２１１に、例えば、多数の吸引口が配され、塗布対象物４が、多数の吸引口によって吸引されることで、載置部２１１上に吸着されても良い。
【００１７】
また、載置部２１１のうち、塗布対象物４が載置される領域を挟むＹ軸方向の両端部近傍には、Ｘ軸方向に延在している一対の走行溝２１２が配されている。走行溝２１２は、可動梁機構２２を支持し、該可動梁機構２２のＸ軸方向に沿った移動を案内する。
【００１８】
可動梁機構２２は、梁部２２１と２つの走行部２２２と吐出部２４とを備えている。梁部２２１は、２つの走行部２２２の間にＹ軸方向に沿って架設されている。つまり、２つの走行部２２２が梁部２２１を介して連結されている。また、梁部２２１の下部には吐出部２４が取り付けられている。
【００１９】
吐出部２４は、所定の溶液を吐出して塗布対象物４の一主面上に該所定の溶液を塗布するノズルである。該吐出部２４は、吐出部本体部２４１と２つの側方平板２４２とを備えている。そして、吐出部本体部２４１の両端に、それぞれ側方平板２４２が取り付けられている。
【００２０】
走行部２２２は、梁部２２１を介して吐出部２４を支持している。また、走行部２２２は、昇降機構Ｓｍ１，Ｓｍ２を備えている。昇降機構Ｓｍ１，Ｓｍ２は、例えば、ボールネジとサーボモーターとを有している。また、昇降機構Ｓｍ１，Ｓｍ２は、制御部３から入力される制御信号に応じて、梁部２２１の姿勢を保持したままで、該梁部２２１をＺ軸方向に昇降させ得る。
【００２１】
駆動部２３は、可動梁機構２２をＸ軸方向に移動させる部分である。該駆動部２３は、例えば、一対の移動子２３１と一対の固定子２３２とリニアエンコーダー２３３とを備えている。一対の移動子２３１は、可動梁機構２２の両端部に取り付けられている。一対の固定子２３２は、載物台２１の両側部においてＸ軸方向に沿って配されている。駆動部２３では、一対の移動子２３１と一対の固定子２３２とが、例えば、コアレスリニアモータを構成し、可動梁機構２２をＸ軸方向に移動させ得る。また、リニアエンコーダー２３３は、一対の移動子２３１のＸ軸方向における位置を検出し得る。リニアエンコーダー２３３によって検出された一対の移動子２３１の位置を示す情報は、制御部３に送られる。
【００２２】
制御部３は、本体部２における各種動作を制御する部分である。該制御部３は、プロセッサー部３１と記憶部３２とを備えている。プロセッサー部３１は、記憶部３２に記憶されているプログラムを読み込んで実行することで、各種のデータ処理を行う。記憶部３２は、プログラムおよび各種データを記憶する。なお、制御部３には、例えば、図示を省略する操作部および表示部が配されている。操作部は、オペレーターの操作を受け付ける。表示部は、各種データを可視的に出力し得る。
【００２３】
また、制御部３は、本体部２とデータの送受信が可能に接続されている。制御部３は、操作部から入力される信号およびリニアエンコーダー２３３から入力される一対の移動子２３１の位置を示す情報に基づいて、一対の移動子２３１および一対の固定子２３２の動作を制御する。つまり、制御部３によって、載物台２１上における可動梁機構２２の各種動作が制御され得る。
【００２４】
また、制御部３は、操作部から入力される信号および図示が省略されている各種センサから入力される信号に基づいて、昇降機構Ｓｍ１，Ｓｍ２の動作、吐出部２４からの所定の溶液の吐出を制御する。
【００２５】
＜(２)吐出部の構成＞
図２は、吐出部２４の一構成例を模式的に示す正面図である。図３は、図２にて一点鎖線Ｉ−Ｉで示した位置における吐出部２４のＸＺ断面の構成を模式的に示す図である。
【００２６】
吐出部２４は、吐出部本体部２４１と、１対の側方平板２４２とで構成されている。また、吐出部本体部２４１は、吐出用スリット２４１Ａｓの−Ｘ側に位置する前方の部分（以下では前方部位と言う）２４１Ａｆと、吐出用スリット２４１Ａｓの＋Ｘ側に位置する
後方の部分（以下では後方部位と言う）２４１Ａｂとを有している。前方部位２４１Ａｆおよび後方部位２４１Ａｂは、それぞれＹ軸方向に延在している。このような前方部位２４１Ａｆおよび後方部位２４１Ａｂが間隔をあけて配置されることによって吐出用スリット２４１Ａｓが構成されている。
【００２７】
また、側方平板２４２は、吐出部本体部２４１のＹ軸方向の両端部に取り付けられている。このため、吐出用スリット２４１ＡｓのＹ軸方向の両端部が側方平板２４２によって規定されている。
【００２８】
そして、吐出部２４の下面には、前方部位２４１Ａｆと後方部位２４１Ａｂと側方平板２４２とで囲まれた吐出口２４１Ａｏが構成されている。吐出口２４１Ａｏは、Ｙ軸方向に延びるスリット状の開口である。吐出部２４では、溶液供給源２４０から所定の溶液が吐出用スリット２４１Ａｓに供給されると、該所定の溶液が吐出口２４１Ａｏから塗布対象物４に向けて吐出される。すなわち、塗布装置１は、いわゆるスリットコーターとして機能する。
【００２９】
そして、図４で示されるように、例えば、吐出部２４が、Ｘ軸に沿った矢印ＡＲ１で示される−Ｘ方向に移動しながら、吐出部２４から所定の溶液Ｌ１を塗布対象物４に向けて吐出することで、塗布対象物４の上に所定の溶液Ｌ１が塗布され得る。なお、図４は図３で示した吐出部２４のＸＺ断面に相当する。
【００３０】
ここで溶液供給源２４０は、例えば、所定の溶液Ｌ１を貯蔵するタンクおよび所定の溶液Ｌ１を送出するポンプ等を有していれば良い。
【００３１】
また、所定の溶液Ｌ１は、例えば、１１族元素（Ｉ−Ｂ族元素ともいう）、１３族元素（III−Ｂ族元素ともいう）および有機カルコゲン化合物が一つの分子内に含まれた単一
源錯体（米国特許第６９９２２０２号明細書参照）と、有機溶媒とを混合させることで作製され得る。所定の溶液Ｌ１では、例えば、単一源錯体の濃度が１０ｗｔ％以上となり得る。なお、有機カルコゲン化合物とは、カルコゲン元素を含む有機化合物であり、炭素元素とカルコゲン元素との共有結合を有する有機化合物である。また、カルコゲン元素とは、１６族元素（VI−Ｂ族元素ともいう）のうちの硫黄、セレンおよびテルルである。有機カルコゲン化合物としては、例えば、チオール、セレノール、テルロール等が採用され得る。また、有機溶媒としては、例えば、メタノール等のアルコール類、アニリンやピリジン等のアミン類等が採用され得る。
【００３２】
さらに、塗布装置１は、前方部位２４１Ａｆおよび後方部位２４１Ａｂの少なくとも一方を温度調整するための制御装置を備えている。図３において制御装置は、前方部位２４１Ａｆの温度を調整するための第１制御部Ｔ１と、後方部位２４１Ａｂの温度を調整するための第２制御部Ｔ２とを備えている例を示しているが、いずれか一方だけであってもよい。
【００３３】
第１制御部Ｔ１および第２制御部Ｔ２は、それぞれ、ヒーター等の加熱器であってもよく、水冷管等の冷却器であってもよい。図３では、第１制御部Ｔ１が水を循環させる水冷管であり、第２制御部Ｔ２が電熱線型のヒーターである例を示している。また、図３では、第１制御部Ｔ１が前方部位２４１Ａｆの内部に設けられている例を示しているが、前方部位２４１Ａｆの表面または外部に設けられていてもよい。同様に、図３では、第２制御部Ｔ２が後方部位２４１Ａｂの内部に設けられている例を示しているが、後方部位２４１Ａｂの表面または外部に設けられていてもよい。
【００３４】
このような構成によって、前方部位２４１Ａｆの温度と後方部位２４１Ａｂの温度とに
差を生じさせることによって、塗布対象物４上に形成される塗布膜に筋状の厚みムラが生じるのを有効に低減でき、安定して均一な厚みの塗布膜を形成可能となる。具体的には、後方部位２４１Ａｂの温度を前方部位２４１Ａｆの温度よりも高くすることで、溶液Ｌ１の前方部位２４１Ａｆに対する濡れ性を低下させるとともに溶液Ｌ１の後方部位２４１Ａｂに対する濡れ性を高めることができる。その結果、吐出口２４１Ａｏの近傍に溶液Ｌ１の安定したビード（液溜まり）を形成することができ、高速で塗布を行なっても塗布膜に筋状の厚みムラが生じ難くなる。
【００３５】
また、塗布装置１は、上記構成に加えて、塗布対象物４を温度調整するための第３制御部Ｔ３をさらに備えていてもよい。図４では、載置部２１１の内部に第３制御部Ｔ３が設けられている例を示しているが、載置部２１１の表面または外部に設けられていてもよい。第３制御部Ｔ３は、第１制御部Ｔ１と同様に、ヒーター等の加熱器であってもよく、水冷管等の冷却器であってもよい。図４では、電熱線型のヒーターである例を示している。
【００３６】
このような構成によって、塗布対象物４の温度を高くして溶液Ｌ１の塗布対象物に対する濡れ性を高めることができ、塗布膜に筋状の厚みムラが生じるのをさらに低減できる。特に、塗布対象物４の温度、後方部位２４１Ａｂおよび前方部位２４１Ａｆの順に温度が異なるようにすれば、さらに均一な厚みの塗布膜を形成することが可能となる。
【００３７】
＜(３)光電変換装置の製造プロセス＞
ここで、上記構成を有する塗布装置１を用いた光電変換装置の製造プロセスの一例について説明する。なお、ここでは、図６および図７に示すような、太陽電池等に用いられる光電変換装置の一例に基づいて説明をする。また、ここでは、塗布装置１を用いて光電変換装置５１１の光吸収層（以下では第１の半導体層という）５０３が形成される。第１の半導体層５０３は、例えば、第１導電型（ここではｐ型の導電型）を有するＩ−III−VI
族化合物半導体の層であれば良い。Ｉ−III−VI族化合物半導体とは、Ｉ−III−VI族化合物を主に含む半導体である。なお、Ｉ−III−VI族化合物を主に含む半導体とは、Ｉ−III−VI族化合物を７０ｍｏｌ％以上含む半導体のことを言う。以下の記載においても、「主に含む」は「７０ｍｏｌ％以上含む」ことを意味する。
【００３８】
Ｉ−III−VI族化合物は、１１族元素と１３族元素と１６族元素とを主に含む化合物で
ある。Ｉ−III−VI族化合物としては、例えば、ＣｕＩｎＳｅ2（ＣＩＳとも言う）、Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ2（ＣＩＧＳとも言う）およびＣｕ（Ｉｎ，Ｇａ）（Ｓｅ，Ｓ）2（ＣＩＧＳＳとも言う）等が採用され得る。本一例では、第１の半導体層が、ＣＩＧＳを主に含む。
【００３９】
図５は、塗布装置１を用いた光電変換装置５１１の製造プロセスの一例の流れを示すフローチャートである。
【００４０】
まず、図５のステップＳｐ１では、略矩形の盤面を有する平板状の基板５０１が準備される。基板５０１は、複数の光電変換セル５１０を支持するものである。基板５０１に含まれる主な材料としては、例えば、ガラス、セラミックスおよび樹脂等が採用され得る。また、基板５０１の厚さは、例えば、１ｍｍ以上で且つ３ｍｍ以下程度であれば良い。
【００４１】
ステップＳｐ２では、洗浄された基板５０１の一主面の略全面に、スパッタリング法または蒸着法等が用いられて、導電層としての下部電極層５０２が形成される。下部電極層５０２に含まれる主な材料としては、例えば、Ｍｏ、Ａｌ、Ｔｉ、ＴａおよびＡｕ等の導電性を有する各種金属等が採用され得る。また、下部電極層５０２の厚さは、例えば、０．２μｍ以上で且つ１μｍ以下程度であれば良い。下部電極層５０２はレーザースクライビング等で所望のパターン形状（溝Ｐ１を有する形状）に加工される。
【００４２】
このステップＳｐ１〜Ｓｐ２の処理により、基板５０１と、該基板５０１上に設けられている下部電極層５０２とを有する塗布対象物４が形成され得る。
【００４３】
ステップＳｐ３では、塗布装置１を用いた所定の溶液Ｌ１の塗布工程が行われる。具体的には、吐出部２４を塗布対象物４の塗布面に対して一定間隔をあけて配置する。そして吐出部２４を−Ｘ方向に移動させながら吐出口２４１Ａｏから溶液Ｌ１を吐出して塗布面上に溶液Ｌ１を膜状に塗布する。なお、この塗布膜の厚みは、例えば１０〜１００μｍである。なお、本実施形態では、図６および図７に示す光電変換装置１１のＸ軸方向に沿って吐出部２４を移動させながら溶液Ｌ１を吐出する例を示しているが、これに限定されず、Ｙ軸方向に沿って吐出部２４を移動させながら溶液Ｌ１を吐出してもよい。
【００４４】
ステップＳｐ４では、ステップＳｐ３で形成された略均一な所定の溶液Ｌ１の塗布膜が乾燥される。このステップＳｐ４では、例えば、塗布対象物４の上に形成された塗布膜に不活性気体中もしくは還元雰囲気で熱処理が施される。熱処理の温度は、５０℃以上で且つ４００℃以下であれば良い。このとき、塗布膜が乾燥されるとともに塗布膜中の有機物が熱分解されてもよい。
【００４５】
ステップＳｐ５では、ステップＳｐ４で乾燥された所定の溶液Ｌ１の略均一な塗布膜が加熱処理されることで、塗布対象物４の上に略均一な第１の半導体層５０３が形成される。このステップＳｐ５の加熱処理は、例えば、カルコゲン元素としてのＳｅの気体と非酸化性気体とを含む雰囲気中で行われれば良い。非酸化性気体は、例えば、窒素等の不活性の気体および水素等の還元性の気体の少なくとも一方の気体であれば良い。この第１の半導体層５０３は、例えば０．５〜３μｍの厚みを有している。なお、このような第１の半導体層５０３は、例えば、ステップＳｐ３およびステップＳｐ４が複数回繰り返されることによって所望の厚みを有する塗布膜の積層体が形成された後に、ステップＳｐ５による加熱処理が行われることで形成されてもよい。
【００４６】
ステップＳｐ６では、光電変換装置５１１の製造プロセスにおけるその後の工程が行われる。ここで、その後の工程の一例について説明する。
【００４７】
まず、ステップＳｐ５で形成された第１の半導体層５０３の上に、第２の半導体層５０４が形成される。第２の半導体層５０４は、第１の半導体層５０３の第１導電型とは異なる第２導電型（ここではｎ型の導電型）を有する半導体を主に含む。この第２の半導体層５０４は、化学浴槽堆積法(ＣＢＤ法)によって形成され得る。例えば、酢酸カドミウムとチオ尿素とがアンモニアに溶解させられることで作製された溶液に第１の半導体層５０３が浸漬されることで、ＣｄＳを主に含む第２の半導体層５０４が形成される。これにより、第１の半導体層５０３と第２の半導体層５０４とが積層されている光電変換層が形成され得る。
【００４８】
さらに、この第２の半導体層５０４の上に上部電極層５０５が形成されてもよい。上部電極層５０５は、スパッタリング法、蒸着法または化学的気相成長（ＣＶＤ）法等で形成される。上部電極層５０５は、例えば、スズがドープされた酸化インジウム（ＩＴＯ）やアルミニウムがドープされた酸化亜鉛（ＡＺＯ）等が用いられ得る。
【００４９】
次に、上部電極層５０５の上面のうちの所定の形成対象位置から下部電極層５０２の上面に至る領域に、一方向に直線状に延在する接続導体用溝部Ｐ２が形成される。接続導体用溝部Ｐ２は、スクライブ針が用いられたメカニカルスクライビング等によって形成され得る。
【００５０】
次に、上記上部電極層５０５の上に帯状の集電電極５０７が形成されるとともに上記接続導体用溝部Ｐ２の内部に接続導体５０６が形成される。接続導体５０６および集電電極５０７は、例えば、銀等の金属粉が樹脂製のバインダー等に分散させられた金属ペーストが上部電極層５０５上および接続導体用溝部Ｐ２内に充填され、加熱によって固化されることで形成され得る。
【００５１】
そして、集電電極５０７および接続導体５０６が形成された後、上部電極層５０５の上面のうちの所定の形成対象位置から下部電極層５０２の上面に至る領域に、メカニカルスクライビング等によって一方向に直線状に延在するセル分割用溝部Ｐ３が形成される。これにより、基板５０１上に複数の光電変換セル５１０が配されている光電変換装置５１１が得られる。
【００５２】
なお、この光電変換装置５１１では、例えば、隣接する光電変換セル５１０のうち一方の光電変換セル５１０の上部電極層５０５が、接続導体５０６によって隣の光電変換セル５１０から延伸されている下部電極層５０２に電気的に接続されている。つまり、光電変換装置５１１では、基板５０１上に配されている複数の光電変換セル５１０が電気的に直列に接続されている。
【００５３】
本発明は上述の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良などが可能である。
【符号の説明】
【００５４】
１：塗布装置
２１１：載置部
２４：吐出部
２４１Ａｓ：吐出用スリット
２４１Ａｏ：吐出口
２４１Ａｆ：前方部位
２４１Ａｂ：後方部位
４：塗布対象物
ＡＲ１：塗布方向
Ｌ１：溶液
Ｔ１：制御装置（第１制御部）
Ｔ２：制御装置（第２制御部）
Ｔ３：制御装置（第３制御部）
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図１】
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