(57)【要約】【課題】従来よりも生産性を向上させることが可能な振動片の製造方法の提供。【解決手段】水晶振動片１の製造方法は、水晶基板１０１を用意する水晶基板準備工程と、複数の開口部３１を備えたマスク３０を用意するマスク準備工程と、水晶基板１０１と開口部３１との間に隙間Ｄを設けた状態で、マスク３０で水晶基板１０１を覆う水晶基板被覆工程と、水晶基板１０１におけるマスク３０の開口部３１と対向する位置に、スパッタ法により露出面が湾曲している耐蝕膜４０を一括して形成する耐蝕膜形成工程と、水晶基板１０１を、耐蝕膜４０を含めてドライエッチングし、少なくとも一方の主面１２に耐蝕膜４０の形状を反映した湾曲部１４を形成する湾曲部形成工程と、を含むことを特徴とする。【選択図】図５
2016131345.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を用意する工程と、
複数の開口部を備えたマスクを用意する工程と、
前記基板と前記開口部との間に隙間を設けた状態で、前記マスクで前記基板を覆う工程と、
前記基板における前記マスクの前記開口部と対向する位置に、スパッタ法により露出面が湾曲している耐蝕膜を一括して形成する工程と、
前記基板を、前記耐蝕膜を含めてドライエッチングし、少なくとも一方の主面に前記耐蝕膜の形状を反映した湾曲部を形成する工程と、
を含むことを特徴とする振動片の製造方法。
【請求項２】
前記基板は、前記マスクの前記開口部の数に合わせて個片化されていることを特徴とする請求項１に記載の振動片の製造方法。
【請求項３】
前記マスクの前記開口部の面積、及び前記開口部と前記基板との隙間の少なくとも一方を変えた状態で、スパッタ法により前記耐蝕膜上に別の耐蝕膜を形成するステップを、更に含むことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の振動片の製造方法。
【請求項４】
前記耐蝕膜は、ＣｒまたはＮｉを含むことを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか一項に記載の振動片の製造方法。
【請求項５】
前記基板は、ＳＣカットまたはＡＴカットの水晶基板であることを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか一項に記載の振動片の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、振動片の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、コンベックス形状を有する振動片の製造方法として、ノズルと水晶基板との間に開口部を備えたマスクを水晶基板から離れた位置に配置し、微粒子をノズルから噴射して水晶基板上に凸面を有する薄膜パターンを形成する工程と、この薄膜パターンをマスクとして水晶基板をエッチングし、少なくとも一方の面に凸面を有する水晶振動板を形成する工程と、を有している水晶振動子の製造方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。
この水晶振動子の製造方法によれば、マスクを水晶基板から離れた位置に配置し、微粒子をノズルから噴射することによって、滑らかな曲面からなる凸面の薄膜パターンを形成することができ、最終的には滑らかな曲面からなる凸面を有する水晶振動板（以下、水晶振動片という）を形成できるとされている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００８−２２８２４０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記水晶振動子の製造方法は、複数の水晶振動片を一括して製造する場合に、１つの薄膜パターンを形成後、ノズルを次の開口部へ移動してノズルから微粒子を噴射して次の薄膜パターンを形成し、この動作を開口部の数に応じて繰り返した後、ノズルを最後の開口部へ移動してノズルから微粒子を噴射して最後の薄膜パターンを形成することになる。
このように、上記水晶振動子の製造方法は、複数の水晶振動片を一括して製造する場合に、ノズルを開口部１つひとつに合わせて移動し、薄膜パターンを１つずつ形成しなければならないことから、数が多ければ多いほど全部の薄膜パターンの形成に膨大な時間を要し、生産性が低下する虞がある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【０００６】
［適用例１］本適用例にかかる振動片の製造方法は、基板を用意する工程と、複数の開口部を備えたマスクを用意する工程と、前記基板と前記開口部との間に隙間を設けた状態で、前記マスクで前記基板を覆う工程と、前記基板における前記マスクの前記開口部と対向する位置に、スパッタ法により露出面が湾曲している耐蝕膜を一括して形成する工程と、前記基板を、前記耐蝕膜を含めてドライエッチングし、少なくとも一方の主面に前記耐蝕膜の形状を反映した湾曲部を形成する工程と、を含むことを特徴とする。
【０００７】
これによれば、振動片の製造方法は、基板におけるマスクの複数の開口部と対向する位置に、スパッタ法により露出面が湾曲している耐蝕膜（薄膜パターンに相当）を一括して形成することから、従来（例えば、特許文献１、以下同様）よりも耐蝕膜形成の工数を大幅に削減することが可能となる。
この結果、振動片の製造方法は、従来よりも振動片の生産性を大幅に向上させることができる。
【０００８】
［適用例２］上記適用例にかかる振動片の製造方法において、前記基板は、前記マスクの前記開口部の数に合わせて個片化されていることが好ましい。
【０００９】
これによれば、振動片の製造方法は、基板がマスクの開口部の数に合わせて個片化されていることから、後工程で分割される場合よりも個別の作業性が向上する。
【００１０】
［適用例３］上記適用例にかかる振動片の製造方法において、前記マスクの前記開口部の面積、及び前記開口部と前記基板との隙間の少なくとも一方を変えた状態で、スパッタ法により前記耐蝕膜上に別の耐蝕膜を形成するステップを、更に含むことが好ましい。
【００１１】
これによれば、振動片の製造方法は、マスクの開口部の面積、及び開口部と基板との隙間の少なくとも一方を変えた状態で、スパッタ法により耐蝕膜上に別の耐蝕膜を形成することから、これらの耐蝕膜の形状を反映した湾曲部によって振動エネルギーの閉じ込め効果を、更に向上させることができる。
この結果、振動片の製造方法は、振動片のＣＩ値を低減し、優れた振動特性を有する振動片を製造することができる。
【００１２】
［適用例４］上記適用例にかかる振動片の製造方法において、前記耐蝕膜は、ＣｒまたはＮｉを含むことが好ましい。
【００１３】
これによれば、振動片の製造方法は、耐蝕膜がＣｒ（クロム）またはＮｉ（ニッケル）を含むことから、例えば、材料に水晶を用いた振動片への密着性がよく、他の材料よりも比較的硬度が高いことによって、ドライエッチングの選択比を大きくすることができる。
この結果、振動片の製造方法は、ドライエッチングによる湾曲部の形成を確実に行うことができる。
【００１４】
［適用例５］上記適用例にかかる振動片の製造方法において、前記基板は、ＳＣカットまたはＡＴカットの水晶基板であることが好ましい。
【００１５】
これによれば、振動片の製造方法は、基板がＳＣカットまたはＡＴカットの水晶基板であることから、湾曲部による振動エネルギーの閉じ込め効果を、より顕著に奏することが可能な振動片を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】第１実施形態のＳＣカットの水晶振動片の概略構成を示す模式図であり、（ａ）は斜視図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線での断面図。
【図２】水晶振動片の製造方法の主要な製造工程を示すフローチャート。
【図３】（ａ）は水晶基板準備工程を説明する平面図、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ線での断面図。
【図４】（ａ）はマスク準備工程を説明する平面図、（ｂ）は（ａ）のＣ−Ｃ線での断面図。
【図５】（ａ）は水晶基板被覆工程を説明する断面図、（ｂ）は耐蝕膜形成工程を説明する断面図、（ｃ）、（ｄ）は湾曲部形成工程を説明する断面図。
【図６】第１実施形態の変形例のＳＣカットの水晶振動片の概略構成を示す模式図であり、（ａ）は斜視図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線での断面図。
【図７】変形例の水晶振動片の製造方法を説明する断面図。
【図８】第２実施形態のＡＴカットの水晶振動片の概略構成を示す模式図であり、（ａ）は斜視図、（ｂ）は（ａ）のＥ−Ｅ線での断面図。
【図９】水晶基板準備工程を説明する平面図。
【図１０】（ａ）はマスク準備工程を説明する平面図、（ｂ）は（ａ）のＦ−Ｆ線での断面図。
【図１１】（ａ）は水晶基板被覆工程を説明する断面図、（ｂ）、（ｃ）は耐蝕膜形成工程を説明する断面図。
【図１２】（ａ）〜（ｄ）は湾曲部形成工程を説明する断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明を具体化した実施形態について図面を参照して説明する。
【００１８】
（第１実施形態）
最初に、振動片の一例としてのＳＣカットの水晶振動片の構成について説明する。
図１は、ＳＣカットの水晶振動片の概略構成を示す模式図である。図１（ａ）は、斜視図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ線での断面図である。なお、以降の各図を含めて、わかり易くするために、各構成要素の寸法比率は、実際と異なる。
【００１９】
図１に示すように、ＳＣカットの水晶振動片１は、水晶の原石などから所定の角度で切り出された基板としての水晶基板から、スパッタ技術、フォトリソグラフィー技術、ドライエッチング技術などを用いて円盤状に形成されている。
水晶振動片１は、振動部１０と、振動部１０を取り巻く外周部１１と、を備えている。振動部１０には、互いに表裏の関係にある一方の主面１２及び他方の主面１３の少なくとも一方（ここでは一方の主面１２）に、図１（ｂ）の断面図で外側（紙面上方）に緩やかな曲線を描いて突出している湾曲部１４が設けられている（コンベックス形状を有している）。
【００２０】
水晶振動片１は、振動部１０の一方の主面１２及び他方の主面１３に、励振電極１５，１６が平面視で互いに重なるように設けられている。
水晶振動片１は、外部から励振電極１５，１６に駆動信号が印加されると、振動部１０が厚みすべり振動を励起されて、所定の周波数で振動（発振）する。
水晶振動片１の周波数の温度特性は、例えば、７５℃付近に変曲点を有する緩やかな３次曲線となる。これにより、水晶振動片１は、例えば、７５℃付近に温度調節された恒温槽を備えたパッケージ内に収容されることによって、周波数変動が極めて少ない高精度（誤差がＰＰＢ単位）な基準クロック発振源となる。
【００２１】
また、水晶振動片１は、振動部１０に湾曲部１４が設けられていることから、振動エネルギーの閉じ込め効果が高くなり、高次屈曲などの短波長の不要振動モードが抑制される。これにより、水晶振動片１は、湾曲部１４がない場合よりもＣＩ値が低減することから、厚みすべり振動を効率的に行うことができる。
【００２２】
次に、水晶振動片１の製造方法について説明する。
図２は、水晶振動片の製造方法の主要な製造工程を示すフローチャートである。図３〜図５は、各製造工程を説明する模式図である。図３（ａ）は、水晶基板準備工程を説明する平面図であり、図３（ｂ）は、図３（ａ）のＢ−Ｂ線での断面図である。図４（ａ）は、マスク準備工程を説明する平面図であり、図４（ｂ）は、図４（ａ）のＣ−Ｃ線での断面図である。図５（ａ）は、水晶基板被覆工程を説明する断面図であり、図５（ｂ）は、耐蝕膜形成工程を説明する断面図であり、図５（ｃ）、図５（ｄ）は、湾曲部形成工程を説明する断面図である。
【００２３】
図２に示すように、水晶振動片１の製造方法は、水晶基板準備工程と、マスク準備工程と、水晶基板被覆工程と、耐蝕膜形成工程と、湾曲部形成工程と、を含んでいる。
【００２４】
［水晶基板準備工程］
まず、図３に示すように、水晶の原石などから所定の角度で切り出されたウエハー状の母材から、円板状に個片化された複数（ここでは９個）の水晶基板１０１を、ホルダー（案内板）２０に設けられた水晶基板１０１の径より僅かに大きい径の凹部である案内部２１にセットする。
なお、ホルダー２０は、水晶基板１０１がセットされた状態で、水晶基板１０１の上面（後に主面１２となる面）よりもホルダー２０の上面の方が高くなるように設定されている。
【００２５】
［マスク準備工程］
ついで、図４に示すように、複数（ここでは９個）の円形状の開口部３１を備えた平板状のマスク３０を用意する。なお、マスク３０の隣り合う開口部３１間の中心距離は、ホルダー２０の隣り合う案内部２１間の中心距離と略一致している。
なお、マスク３０には、ステンレス鋼などの金属を用いることが、耐久性や加工精度などの観点から好ましい。また、マスク３０は、Ｓｉ（シリコン）やガラス・石英などの剛性の強い基板を用いて、フォトリソグラフィー技術、エッチング技術により作製することが、加工精度の観点から好ましい。
【００２６】
［水晶基板被覆工程］
ついで、図５（ａ）に示すように、ホルダー２０の上面にマスク３０を載置し、固定することにより、水晶基板１０１と開口部３１との間に隙間Ｄを設けた状態で、マスク３０で水晶基板１０１を覆う。
この際、平面視で水晶基板１０１の中心とマスク３０の開口部３１の中心とが一致するように、マスク３０とホルダー２０とを、例えば、図示しないピンとこのピンに嵌合する孔などによって位置合わせする。
【００２７】
［耐蝕膜形成工程］
ついで、図５（ｂ）に示すように、図示しないスパッタ装置を用いて、それぞれの水晶基板１０１におけるマスク３０のそれぞれの開口部３１と対向する位置に、スパッタ法により耐蝕膜４０を一括して（９箇所まとめて）形成する。
この際、水晶基板１０１とマスク３０の開口部３１との間に隙間Ｄが設けられていることから、スパッタリングによりターゲット材から弾き出された粒子（原子や分子など）の一部は、開口部３１を通過した後、マスク３０と水晶基板１０１との間で、開口部３１の外側に広がるように回り込んで水晶基板１０１の上面に堆積する。この粒子の堆積量は、開口部３１から離れるほど少なくなる。
これにより、耐蝕膜４０は、開口部３１の中心部分に対向する中央部が最も厚く、そこから離れるに従い薄くなることから、露出面（表面）が外側に湾曲している形状に形成されることになる。
【００２８】
なお、耐蝕膜４０の材料としては、特に限定されないが、水晶への密着性やドライエッチングの選択比の観点などから、ＣｒまたはＮｉを含むこと（Ｃｒ単体またはＮｉ単体に加えて、Ｃｒ合金またはＮｉ合金が含まれる）が好ましい。他の材料としては、Ｗ（タングステン）、Ｔｉ（チタン）などの単体、またはこれらを含む合金などが挙げられる。
【００２９】
［湾曲部形成工程］
ついで、図５（ｃ）、図５（ｄ）に示すように、図示しないドライエッチング装置を用いて、支持基板５０に固定した水晶基板１０１を、耐蝕膜４０を含めてドライエッチングし、後に振動部１０となる部分の少なくとも一方の主面（ここでは主面１２）に、耐蝕膜４０の形状を反映（転写）した湾曲部１４を形成する。
これにより、湾曲部１４を備えた完成前の水晶振動片１’を得る。
なお、ドライエッチングに用いるエッチングガスとしては、特に限定されないが、Ｃ2Ｆ6、ＣＦ4、Ｃ4Ｆ8、ＣＨＦ3、Ｃ4Ｆ6、Ｃ5Ｆ8、ＣＨ2Ｆ2、ＳＦ6、ＮＦ3などの単体ガス、またはこれらを含む混合ガスなどが挙げられる。
【００３０】
以上の工程を経た後に、励振電極１５，１６などの電極類を配置し、周波数調整、検査などを経ることにより、図１に示すような水晶振動片１を得る。
【００３１】
上述したように、第１実施形態の水晶振動片１の製造方法は、それぞれの水晶基板１０１におけるマスク３０のそれぞれの開口部３１と対向する位置に、スパッタ法により露出面が湾曲している耐蝕膜４０を一括して形成することから、従来よりも耐蝕膜４０形成の工数を大幅に削減することが可能となる。
この結果、水晶振動片１の製造方法は、従来よりも水晶振動片１の生産性を大幅に向上させることができる。
【００３２】
また、水晶振動片１の製造方法は、水晶基板１０１がマスク３０の開口部３１の数に合わせて個片化されていることから、後工程で分割される場合よりも個別の作業性が向上する。
【００３３】
また、水晶振動片１の製造方法は、耐蝕膜４０がＣｒまたはＮｉを含むことから、材料に水晶を用いた水晶振動片１（水晶基板１０１）への密着性がよく、他の材料よりも比較的硬度が高いことによって、ドライエッチングの選択比を大きくすることができる。
この結果、水晶振動片１の製造方法は、ドライエッチングによる湾曲部１４の形成を確実に行うことができる。
【００３４】
また、水晶振動片１の製造方法は、基板がＳＣカットの水晶基板１０１であることから、湾曲部１４による振動エネルギーの閉じ込め効果を、より顕著に奏することが可能な水晶振動片１を製造することができる。
なお、湾曲部１４の湾曲の度合いは、マスク３０と水晶基板１０１との隙間Ｄ、マスク３０の開口部３１の径、マスク３０の開口部３１の厚みなどを適宜設定することによって調整する。
また、湾曲部１４は、主面１２，１３の両方に設けてもよい。
【００３５】
（変形例）
次に、第１実施形態の変形例について説明する。
図６は、変形例のＳＣカットの水晶振動片の概略構成を示す模式図である。図６（ａ）は、斜視図であり、図６（ｂ）は、図６（ａ）のＡ−Ａ線での断面図である。図７は、変形例の水晶振動片の製造方法を説明する模式断面図である。なお、第１実施形態との共通部分には、同一符号を付して詳細な説明を省略し、第１実施形態と異なる部分を中心に説明する。
【００３６】
図６に示すように、変形例の水晶振動片２は、第１実施形態と比較して、湾曲部１１４の形状が異なる。
水晶振動片２の湾曲部１１４は、１段目の湾曲部１１４ａの上に、１段目の湾曲部１１４ａよりも小さい２段目の湾曲部１１４ｂが載置されたような２段構成となっている。
図７に示すように、水晶振動片２の湾曲部１１４は、上述した製造方法の耐蝕膜形成工程において、マスク３０の開口部３１の面積、及び開口部３１と水晶基板１０１との隙間Ｄの少なくとも一方を変えた状態で、スパッタ法により耐蝕膜４０上に別の耐蝕膜１４０を形成し、湾曲部形成工程において、耐蝕膜４０及び耐蝕膜１４０を含めて水晶基板１０１をドライエッチングすることにより形成する。
【００３７】
これによれば、水晶振動片２の製造方法は、耐蝕膜形成工程において、マスク３０の開口部３１の面積、及び開口部３１と水晶基板１０１との隙間Ｄの少なくとも一方を変えた状態で、スパッタ法により耐蝕膜４０上に別の耐蝕膜１４０を形成することから、耐蝕膜４０，１４０の形状を反映した２段構成の湾曲部１１４によって振動エネルギーの閉じ込め効果を、更に向上させることができる。
この結果、水晶振動片２の製造方法は、水晶振動片２のＣＩ値を第１実施形態よりも低減し、優れた振動特性を有する水晶振動片２を製造することができる。
なお、ここでは、湾曲部１１４を２段構成としたが、３段以上の構成としてもよい。
また、この変形例の湾曲部１１４の構成は、以下の第２実施形態にも適用可能である。
【００３８】
（第２実施形態）
次に、振動片の他の一例としてのＡＴカットの水晶振動片の構成について説明する。
図８は、ＡＴカットの水晶振動片の概略構成を示す模式図である。図８（ａ）は、斜視図であり、図８（ｂ）は、図８（ａ）のＥ−Ｅ線での断面図である。
【００３９】
図８に示すように、ＡＴカットの水晶振動片３は、水晶の原石などから所定の角度で切り出された基板としての水晶基板から、スパッタ技術、フォトリソグラフィー技術、ドライエッチング技術などを用いて形成されている。
水晶振動片３は、振動部２１０と、振動部２１０の一端に一体で接続されている基部２１１と、を備え、平面視で略矩形状に形成されている。
振動部２１０には、互いに表裏の関係にある一方の主面２１２及び他方の主面２１３の少なくとも一方（ここでは両方の主面２１２，２１３）に、図８（ｂ）の断面図で外側に緩やかな曲線を描いて突出している湾曲部２１４ａ，２１４ｂが設けられている（ここでは、頂上部の平坦領域も含めて湾曲部と定義する）。湾曲部２１４ａ，２１４ｂの平面形状は、略矩形となっている。
【００４０】
水晶振動片３は、振動部２１０の一方の主面２１２及び他方の主面２１３に、略矩形状の励振電極２１５，２１６が平面視で互いに重なるように設けられている。
水晶振動片３は、基部２１１の両端に励振電極２１５，２１６から引き出された引出電極２１７，２１８が設けられている。
水晶振動片３は、外部から引出電極２１７，２１８を経由して、励振電極２１５，２１６に駆動信号が印加されると、振動部２１０が厚みすべり振動を励起されて、所定の周波数で振動（発振）する。
水晶振動片３の周波数の温度特性は、例えば、２５℃付近に変曲点を有する緩やかな３次曲線となる。これにより、水晶振動片３は、例えば、２５℃付近に温度調節された恒温槽を備えたパッケージ内に収容されることによって、周波数変動が極めて少ない高精度な基準クロック発振源となる。
【００４１】
また、水晶振動片３は、振動部２１０に湾曲部２１４ａ，２１４ｂが設けられていることから、振動エネルギーの閉じ込め効果が高くなり、高次屈曲などの短波長の不要振動モードが抑制される。これにより、水晶振動片３は、湾曲部２１４ａ，２１４ｂがない場合よりもＣＩ値が低減することから、厚みすべり振動を効率的に行うことができる。
【００４２】
次に、水晶振動片３の製造方法について説明する。
ここでは、第１実施形態と異なる点を中心に説明する。なお、水晶振動片３の製造方法の主要な製造工程を示すフローチャートは、第１実施形態と同様である（図２参照）。
図９〜図１２は、第２実施形態の主要な製造工程を説明する模式図である。
図９は、水晶基板準備工程を説明する平面図である。図１０（ａ）は、マスク準備工程を説明する平面図であり、図１０（ｂ）は、図１０（ａ）のＦ−Ｆ線での断面図である。図１１（ａ）は、水晶基板被覆工程を説明する断面図である。図１１（ｂ）、図１１（ｃ）は、耐蝕膜形成工程を説明する断面図である。図１２（ａ）〜図１２（ｄ）は、湾曲部形成工程を説明する断面図である。
【００４３】
［水晶基板準備工程］
まず、図９に示すように、水晶の原石などから所定の角度で切り出されたウエハー状の水晶基板２０３を用意する。２点鎖線で示すように、この水晶基板２０３からは、３行×３列の行列状に９個の水晶振動片３が形成可能である。なお、水晶振動片３は、個片化されるまで、連結部２０４によって水晶基板２０３本体と接続されている。
【００４４】
［マスク準備工程］
ついで、図１０に示すように、複数（ここでは９個）の矩形状の開口部２３１を備えた略平板状のマスク２３０を用意する。
マスク２３０の水晶基板２０３側の主面２３２には、水晶基板２０３と開口部２３１との間に隙間を確保するための凹部２３３が設けられている。これにより、開口部２３１は、主面２３２側から見ると凹部２３３の底面に設けられていることになる。なお、主面２３２と表裏の関係にある主面２３４は、平面となっている。
開口部２３１は、水晶基板２０３に形成される水晶振動片３の位置に合わせて３行×３列の行列状に９個設けられている。
【００４５】
［水晶基板被覆工程］
ついで、図１１（ａ）に示すように、水晶基板２０３の一方の面（後に主面２１２となる面）にマスク２３０を載置し、固定することにより、水晶基板２０３と開口部２３１との間に隙間Ｇを設けた状態で、マスク２３０で水晶基板２０３を覆う。
【００４６】
［耐蝕膜形成工程］
ついで、図１１（ｂ）に示すように、図示しないスパッタ装置を用いて、水晶基板２０３の一方の面におけるマスク２３０のそれぞれの開口部２３１と対向する位置に、スパッタ法により耐蝕膜２４０ａを一括して（９箇所まとめて）形成する。
この際、水晶基板２０３とマスク２３０の開口部２３１との間に隙間Ｇが設けられていることから、スパッタリングによりターゲット材から弾き出された粒子（原子や分子など）の一部は、開口部２３１を通過した後、マスク２３０の凹部２３３と水晶基板２０３との間で、開口部２３１の外側に広がるように回り込んで水晶基板２０３の一方の面に堆積する。この粒子の堆積量は、開口部２３１から離れるほど少なくなる。
これにより、耐蝕膜２４０ａは、開口部２３１の中心部分に対向する中央部が最も厚く、そこから離れるに従い薄くなることから、露出面（表面）が、中央部の一部に平坦な部分を含みつつ、外側に湾曲している形状に形成されることになる。
【００４７】
ついで、図１１（ｃ）に示すように、水晶基板２０３を反転し、上記と同様にして一方の面の反対側となる他方の面（後に主面２１３となる面）に、耐蝕膜２４０ｂを一括して（９箇所まとめて）形成する。
この際、耐蝕膜２４０ａとスパッタ装置のステージなどとの干渉を回避するために、水晶基板２０３は、耐蝕膜２４０ａと対向する部分に凹部が設けられているホルダー２２０などで支持することが好ましい。
【００４８】
［湾曲部形成工程］
ついで、図１２に示すように、図示しないドライエッチング装置を用いて、支持基板２５０に固定した水晶基板２０３を、耐蝕膜２４０ａ，２４０ｂを含めてドライエッチングし、少なくとも一方の主面（ここでは、両方の主面２１２，２１３）に耐蝕膜２４０ａ，２４０ｂの形状を反映（転写）した湾曲部２１４ａ，２１４ｂを形成する。
【００４９】
詳述すると、まず、図１２（ａ）に示すように、水晶基板２０３の一方の面側を、耐蝕膜２４０ａを含めてドライエッチングし、後に振動部２１０となる部分の一方の主面２１２に耐蝕膜２４０ａの形状を反映した湾曲部２１４ａを形成する。
ついで、図１２（ｂ）に示すように、水晶基板２０３を反転し、水晶基板２０３の他方の面側を、耐蝕膜２４０ｂを含めてドライエッチングし、後に振動部２１０となる部分の他方の主面２１３に耐蝕膜２４０ｂの形状を反映した湾曲部２１４ｂを形成する。
【００５０】
ついで、図１２（ｃ）に示すように、水晶基板２０３の両方の主面２１２，２１３に保護膜２６０を成膜し、フォトリソグラフィー技術などを用いて水晶振動片３の外形形状をパターニングする。
なお、保護膜２６０の材料としては、特に限定されないが、一例として、ＣｒまたはＮｉを含むものが挙げられる。
【００５１】
ついで、図１２（ｄ）に示すように、水晶基板２０３を主面２１２側または主面２１２，２１３の両側からドライエッチングして、水晶振動片３の外形形状を形成し、複数の完成前の水晶振動片３’を得る。
なお、図１２（ｄ）は、主面２１２側から厚みの略半分までドライエッチングした後、水晶基板２０３を反転して、主面２１３側から残りの略半分をドライエッチングした状態を示している。
なお、水晶振動片３の外形形状の形成には、例えば、フッ酸（フッ化水素酸）またはフッ酸水溶液などのエッチング液によるウエットエッチングを用いてもよい。
【００５２】
以上の工程を経た後に、保護膜２６０を除去し、励振電極２１５，２１６、引出電極２１７，２１８を配置し、連結部２０４（図９参照）を切断して個片化し、周波数調整、検査などを経ることにより、図８に示すような水晶振動片３を得る。
【００５３】
上述したように、第２実施形態の水晶振動片３の製造方法は、第１実施形態で述べた効果の他に、基板がＡＴカットの水晶基板２０３であることから、湾曲部２１４ａ，２１４ｂによる振動エネルギーの閉じ込め効果を、より顕著に奏することが可能な水晶振動片３を製造することができる。
なお、湾曲部２１４ａ，２１４ｂの湾曲の度合いは、マスク２３０と水晶基板２０３との隙間Ｇ、マスク２３０の開口部２３１の形状、マスク２３０の開口部２３１の厚みなどを適宜設定することによって調整する。
また、マスク２３０の開口部２３１の平面形状は、振動エネルギーの更なる閉じ込め効果の観点から略楕円形状としてもよい。
なお、湾曲部２１４ａ，２１４ｂは、いずれか一方のみを形成してもよい。
【００５４】
なお、振動片の材料としては、水晶に限定されるものではなく、タンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ3）、四ホウ酸リチウム（Ｌｉ2Ｂ4Ｏ7）、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ3）、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）などの圧電体、またはシリコン（Ｓｉ）などの半導体でもよい。
また、厚みすべり振動の駆動方法は、圧電体の圧電効果によるものの他に、クーロン力による静電駆動でもよい。
【符号の説明】
【００５５】
１，２，３…振動片としての水晶振動片、１’，３’…完成前の水晶振動片、１０…振動部、１１…外周部、１２，１３…主面、１４…湾曲部、１５，１６…励振電極、２０…ホルダー、２１…案内部、３０…マスク、３１…開口部、４０…耐蝕膜、５０…支持基板、１０１…基板としての水晶基板、１１４…湾曲部、１１４ａ…１段目の湾曲部、１１４ｂ…２段目の湾曲部、１４０…耐蝕膜、２０３…基板としての水晶基板、２１０…振動部、２１１…基部、２１２，２１３…主面、２１４ａ，２１４ｂ…湾曲部、２１５，２１６…励振電極、２１７，２１８…引出電極、２２０…ホルダー、２３０…マスク、２３１…開口部、２３２，２３４…マスクの主面、２３３…凹部、２４０ａ，２４０ｂ…耐蝕膜、２５０…支持基板、２６０…保護膜。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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