(57)【要約】【課題】  常温常湿環境下、および、厳しい条件である低温低湿環境下において、ゴースト現象による画像欠陥が抑制された電子写真感光体を提供する。【解決手段】  感光層が、ガリウムフタロシアニン結晶を含有し、  該ガリウムフタロシアニン結晶が、下記式（１）で示されるアミド化合物、およびＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミドを結晶内に含有することを特徴とする電子写真感光体。  Ｒ１−ＮＨＣＨＯ      （１）  （上記式（１）中、Ｒ１は、メチル基、プロピル基、またはビニル基を示す。）【選択図】  なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持体および該支持体上に形成された感光層を有する電子写真感光体において、
該感光層が、ガリウムフタロシアニン結晶を含有し、
該ガリウムフタロシアニン結晶が、下記式（１）で示されるアミド化合物、およびＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミドを結晶内に含有することを特徴とする電子写真感光体：
Ｒ１−ＮＨＣＨＯ      （１）
（上記式（１）中、Ｒ１は、メチル基、プロピル基、またはビニル基を示す。）。
【請求項２】
前記アミド化合物がＮ−メチルホルムアミドである請求項１に記載の電子写真感光体。
【請求項３】
前記感光層が、電荷発生層、および該電荷発生層上に形成された電荷輸送層を有する積層型感光層であり、
該電荷発生層が、前記ガリウムフタロシアニン結晶を含有する請求項１または２に記載の電子写真感光体。
【請求項４】
前記ガリウムフタロシアニン結晶が、ＣｕＫα線のＸ線回折におけるブラッグ角２θにおいて７．４°±０．３°および２８．３°±０．３°にピークを有する請求項１〜３のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
【請求項５】
前記ガリウムフタロシアニン結晶が、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶またはクロロガリウムフタロシアニン結晶である請求項１〜４のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
【請求項６】
前記ガリウムフタロシアニン結晶内に含有される前記式（１）で示されるアミド化合物の含有量が、前記ガリウムフタロシアニン結晶内に含有されるＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミドの含有量以上である請求項１〜５のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
【請求項７】
前記ガリウムフタロシアニン結晶内に含有される前記式（１）で示されるアミド化合物とＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミドの合計の含有量が、該ガリウムフタロシアニン結晶中のガリウムフタロシアニンの含有量に対して０．１質量％以上３．０質量％以下である請求項１〜６のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
【請求項８】
電子写真装置本体に着脱自在であるプロセスカートリッジであって、
該プロセスカートリッジは、
請求項１〜７のいずれか１項に記載の電子写真感光体と、
帯電手段、現像手段、およびクリーニング手段からなる群より選択される少なくとも１つの手段と、を有し、かつ、
該電子写真感光体と、帯電手段、現像手段、およびクリーニング手段からなる群より選択される少なくとも１つの手段とが一体に支持されていることを特徴とするプロセスカートリッジ。。
【請求項９】
請求項１〜７のいずれか１項に記載の電子写真感光体、ならびに、帯電手段、露光手段、現像手段および転写手段を有することを特徴とする電子写真装置。
【請求項１０】
下記式（１）で示されるアミド化合物、およびＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミドを結晶内に含有することを特徴とするガリウムフタロシアニン結晶：
Ｒ１−ＮＨＣＨＯ      （１）
（上記式（１）中、Ｒ１は、メチル基、プロピル基、またはビニル基を示す。）。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子写真感光体、電子写真感光体を有するプロセスカートリッジおよび電子写真装置、ならびに、ガリウムフタロシアニン結晶に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、電子写真分野における像露光手段としてよく用いられている半導体レーザーの発振波長は、６５０〜８２０ｎｍと長波長であり、これらの長波長の光に高い感度を有する電子写真感光体の開発が進められている。
【０００３】
フタロシアニン顔料は、こうした長波長領域までの光に高い感度を有する電荷発生物質として有効である。特にオキシチタニウムフタロシアニンやガリウムフタロシアニンは、優れた感度特性を有しており、これまでに様々な結晶形が報告されている。
【０００４】
ところが、フタロシアニン顔料を用いた電子写真感光体は、優れた感度特性を有しているものの、生成したフォトキャリアが感光層に残存しやすく、一種のメモリーとして、ゴースト現象などの電位変動を起こしやすいという課題があった。
【０００５】
特許文献１には、フタロシアニン顔料のアシッドペースティング工程時に特定の有機電子アクセプターを添加することにより、増感効果が得られることが報告されている。しかしながら、この製造方法では添加物（有機電子アクセプター）が化学変化することの懸念、および、所望の結晶形への変換が困難である場合があるという課題がある。
【０００６】
そこで、特許文献２では、顔料と特定の有機電子アクセプターとを湿式粉砕処理することにより、結晶変換と同時に結晶の表面に有機電子アクセプターを取り込み、電子写真特性を改善することが報告されている。
【０００７】
また、特許文献３には、極性有機溶剤を含有するヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶が開示されている。Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノホルムアミドなどを変換溶剤に使用することにより極性有機溶剤が結晶内に取り込まれ、優れた感度特性を有する結晶が得られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００１−４０２３７号公報
【特許文献２】特開２００６−７２３０４号公報
【特許文献３】特開平７−３３１１０７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
近年のさらなる高画質化に対しては、様々な環境下においてゴースト現象による画質劣化の改善が望まれている。その中でも特に、低温低湿環境下では、よりゴースト現象が発生しやすくなるため、更なる改善が求められている。
【００１０】
しかしながら、特許文献２、３に記載された技術は、ゴースト現象による画質劣化の改善が十分とはいえない場合があることが分かった。特許文献２に記載されたフタロシアニン結晶は、結晶内部に有機電子アクセプターを含有してはおらず、混合状態または表面に付着した程度である。そのため、有機電子アクセプターによる残存するフォトキャリアを減少させる効果が十分に得られず、ゴースト現象が生じることがあった。また、特許文献３に記載されたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶では、残存するフォトキャリアが増加して、ゴースト現象の生じやすくなることがわかった。
【００１１】
本発明の目的は、常温常湿環境下、および、厳しい条件である低温低湿環境下において、ゴースト現象による画像欠陥が抑制された電子写真感光体、ならびに、該電子写真感光体を有するプロセスカートリッジおよび電子写真装置を提供することにある。
【００１２】
更に、本発明の他の目的は、電荷発生物質として優れた特性を有するガリウムフタロシアニン結晶を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明は、支持体および該支持体上に形成された感光層を有する電子写真感光体において、該感光層が、ガリウムフタロシアニン結晶を含有し、該ガリウムフタロシアニン結晶が、下記式（１）で示されるアミド化合物、およびＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミドを結晶内に含有することを特徴とする電子写真感光体である。
【００１４】
Ｒ１−ＮＨＣＨＯ      （１）
（上記式（１）中、Ｒ１は、メチル基、プロピル基、またはビニル基を示す。）
【００１５】
また、本発明は、上記電子写真感光体と、帯電手段、現像手段、およびクリーニング手段からなる群より選択される少なくとも１つの手段とを一体に支持し、電子写真装置本体に着脱自在であるプロセスカートリッジである。
【００１６】
また、本発明は、上記電子写真感光体、ならびに、帯電手段、露光手段、現像手段および転写手段を有する電子写真装置である。
【００１７】
また、本発明は、前記式（１）で示されるアミド化合物、およびＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミドを結晶内に含有することを特徴とするガリウムフタロシアニン結晶である。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、常温常湿環境下、および、厳しい条件である低温低湿環境下において、ゴースト現象による画像欠陥が抑制された電子写真感光体、ならびに、電子写真感光体を有するプロセスカートリッジおよび電子写真装置を提供することができる。
【００１９】
さらに、本発明によれば、電荷発生物質として優れた特性を有するガリウムフタロシアニン結晶を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】電子写真感光体を有するプロセスカートリッジを備えた電子写真装置の概略構成の一例を示す図である。
【図２】実施例１−１で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折図である。
【図３】実施例１−３で得られたクロロガリウムフタロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折図である。
【図４】実施例１−７で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折図である。
【図５】電子写真感光体の層構成の一例を示す図である。
【図６】実施例１−４で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶のＮＭＲスペクトルを示す図である。
【図７】比較例１−１で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶のＮＭＲスペクトルを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
＜電子写真感光体＞
本発明の電子写真感光体は、支持体および該支持体上に形成された感光層を有し、該感光層が、ガリウムフタロシアニン結晶を含有する。
【００２２】
そして、該ガリウムフタロシアニン結晶が、下記式（１）で示されるアミド化合物、およびＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミドを結晶内に含有することを特徴とする。
Ｒ１−ＮＨＣＨＯ      （１）
（上記式（１）中、Ｒ１は、メチル基、プロピル基、またはビニル基を示す。）
【００２３】
〔ガリウムフタロシアニン結晶〕
前記ガリウムフタロシアニン結晶を構成するガリウムフタロシアニンとしては、例えば、ガリウムフタロシアニン分子のガリウム原子に軸配位子としてハロゲン原子、ヒドロキシ基、または、アルコキシ基を有するものが挙げられる。また、フタロシアニン環にハロゲン原子などの置換基を有していてもよい。
【００２４】
ガリウムフタロシアニン結晶の中でも、優れた感度を有するヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶、クロロガリウムフタロシアニン結晶、ブロモガリウムフタロシアニン結晶、ヨードガリウムフタロシアニン結晶が好ましい。その中でも、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶、クロロガリウムフタロシアニン結晶が特に好ましい。ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶は、ガリウム原子が軸配位子としてヒドロキシ基を有するものである。クロロガリウムフタロシアニン結晶は、ガリウム原子が軸配位子として塩素原子を有するものである。
【００２５】
さらに、ゴースト現象による画像欠陥の抑制の観点から、前記ガリウムフタロシアニン結晶は、ＣｕＫα線のＸ線回折におけるブラッグ角２θにおいて７．４°±０．３°および２８．３°±０．３°にピークを有することが好ましい。
【００２６】
前記式（１）で示されるアミド化合物、およびＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミドを結晶内に含有するガリウムフタロシアニン結晶の製造方法について説明する。
【００２７】
前記式（１）で示されるアミド化合物、およびＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミドを結晶内に含有するガリウムフタロシアニン結晶は、アシッドペースティング法または乾式ミリング法により得られたガリウムフタロシアニンを、前記式（１）で示されるアミド化合物、およびＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミドと共に、湿式ミリング処理することにより得られる。
【００２８】
ここで行う湿式ミリング処理とは、サンドミル、ボールミル、攪拌装置などのミリング装置を用いて行う処理である。そこに必要に応じて、ガラスビーズ、スチールビーズ、アルミナボールといった分散剤を加えても良い。ミリング時間は、５〜１００時間程度が好ましい。特に好ましい方法は、５〜１０時間おきにサンプルをとり、結晶のブラッグ角を確認する方法である。
【００２９】
前記式（１）で示されるアミド化合物とＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド化合物の含有量は、ガリウムフタロシアニン１質量部に対し、それぞれ３〜２０質量部であることが好ましく、合計で５〜３０質量部であることが好ましい。ミリング処理で必要に応じて加えられる分散剤の量は、ガリウムフタロシアニン１質量部に対し、１０〜５０質量部であることが好ましい。また、分散剤は、直径が０．４ｍｍ〜２ｍｍの球状のものであることが好ましい。
【００３０】
前記ガリウムフタロシアニン結晶内に含有される前記式（１）で示されるアミド化合物とＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミドの合計の含有量が、該ガリウムフタロシアニン結晶中のガリウムフタロシアニンの含有量に対して０．１質量％以上３．０質量％以下であることが好ましく、より好ましくは０．４質量％以上２．０質量％以下である。前記式（１）で示されるアミド化合物とＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミドの合計の含有量が、上記の範囲内であることによって、更にゴースト現象による画像欠陥を抑制できる。
【００３１】
また、前記ガリウムフタロシアニン結晶内に含有される前記式（１）で示されるアミド化合物の含有量が、前記ガリウムフタロシアニン結晶内に含有されるＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミドの含有量以上であることが好ましい。また、前記ガリウムフタロシアニン結晶内に含有される前記式（１）で示されるアミド化合物の含有量は、ヒドロキシガリウムフタロシアニンに対して０．３質量％以上１．９質量％以下であることが好ましい。前記ガリウムフタロシアニン結晶内に含有される前記式（１）で示されるアミド化合物の含有量が上記の範囲内であることによって、更にゴースト現象による画像欠陥を抑制できる。
【００３２】
また、ゴースト現象による画像欠陥の抑制の観点から、前記式（１）で示されるアミド化合物がＮ−メチルホルムアミドであることがより好ましい。これは、Ｎ−メチルホルムアミドが、ガリウムフタロシアニンとの相溶性が高く、かつ、分極しやすいという特性を有するためであると考えられる。すなわち、相溶性が高いため、Ｎ−メチルホルムアミドはガリウムフタロシアニン結晶内に取り込まれやすい。そして、分極しやすいため、Ｎ−メチルホルムアミドはガリウムフタロシアニン結晶内において、ゴースト現象の原因となる電荷の滞留状態を更に抑制するため、ゴースト現象の発生しにくくなっている。
【００３３】
本発明において、ガリウムフタロシアニン結晶が前記式（１）で示されるアミド化合物、およびＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミドを結晶内に含有しているかどうかについて、得られたガリウムフタロシアニン結晶をＮＭＲ測定のデータを解析することにより決定した。
【００３４】
本発明において、ガリウムフタロシアニン結晶のＸ線回折およびＮＭＲの測定は、次の条件で行ったものである。
【００３５】
［粉末Ｘ線回折測定］
使用測定機：理学電気（株）製、Ｘ線回折装置ＲＩＮＴ−ＴＴＲＩＩ
Ｘ線管球：Ｃｕ
管電圧：５０ＫＶ
管電流：３００ｍＡ
スキャン方法：２θ／θスキャン
スキャン速度：４．０°／ｍｉｎ
サンプリング間隔：０．０２°
スタート角度（２θ）：５．０°
ストップ角度（２θ）：４０．０°
アタッチメント：標準試料ホルダー
フィルター：不使用
インシデントモノクロ：使用
カウンターモノクロメーター：不使用
発散スリット：開放
発散縦制限スリット：１０．００ｍｍ
散乱スリット：開放
受光スリット：開放
平板モノクロメーター：使用
カウンター：シンチレーションカウンター。
【００３６】
［ＮＭＲ測定（１Ｈ−ＮＭＲ測定）］
使用測定器：ＢＲＵＫＥＲ製、ＡＶＡＮＣＥＩＩＩ  ５００
測定核種：１Ｈ
溶媒：重硫酸（Ｄ２ＳＯ４）
積算回数：２０００。
【００３７】
本発明に係るガリウムフタロシアニン結晶は、光導電体としての機能に優れ、電子写真感光体以外にも、太陽電池、センサー、スイッチング素子などに適用することが可能である。
【００３８】
次に、前記式（１）で示されるアミド化合物、およびＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミドを結晶内に含有するガリウムフタロシアニン結晶を電子写真感光体における電荷発生物質として用いる場合について説明する。
【００３９】
本発明の電子写真感光体は、支持体および該支持体上に形成された感光層を有する。感光層は、電荷発生物質および電荷輸送物質をともに含有する単層型感光層や、電荷発生物質を含有する電荷発生層と電荷輸送物質を含有する電荷輸送層とに分離した積層型感光層がある。中でも、電荷発生層、電荷発生層上に形成された電荷輸送層を有する積層型感光層が好ましい。
【００４０】
図５の（ａ）および（ｂ）は、本発明の電子写真感光体の層構成の一例を示す図である。図５の（ａ）および（ｂ）中、１０１は支持体であり、１０２は下引き層であり、１０３は感光層であり、１０４は電荷発生層、１０５は電荷輸送層である。
【００４１】
〔支持体〕
支持体としては、導電性を有するもの（導電性支持体）が好ましい。例えば、アルミニウム、アルミニウム合金、銅、亜鉛、ステンレス、バナジウム、モリブデン、クロム、チタン、ニッケル、インジウム、金および白金などの金属製、合金製の支持体が挙げられる。また、アルミニウム、アルミニウム合金、酸化インジウム、酸化スズおよび酸化インジウム−酸化スズ合金を真空蒸着法によって被膜形成された層を有する樹脂製支持体も用いることができる。また、導電性粒子をプラスチックや紙に含浸させた支持体や、導電性ポリマーを有するプラスチックなどを支持体として用いることができる。支持体の表面には、レーザー光の散乱による干渉縞の抑制などを目的として、切削処理、粗面化処理、アルマイト処理、電解複合研磨処理、湿式ホーニング処理、乾式ホーニング処理などを施してもよい。
【００４２】
〔導電層〕
支持体と後述の下引き層との間には、レーザー光の散乱による干渉縞の抑制や、支持体の傷の隠蔽（被覆）などを目的として、導電層を設けてもよい。導電層は、カーボンブラック、金属粒子、金属酸化物粒子などの導電性粒子、結着樹脂、および、溶剤を分散処理することによって得られる導電層用塗布液を塗布して塗膜を形成し、得られた塗膜を乾燥させることによって形成することができる。
【００４３】
導電性粒子としては、例えば、アルミニウム粒子、酸化チタン粒子、酸化スズ粒子、酸化亜鉛粒子、カーボンブラック、銀粒子が挙げられる。結着樹脂としては、例えば、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリビニルブチラール、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、フェノール樹脂、アルキッド樹脂が挙げられる。導電層用塗布液の溶剤としては、例えば、エーテル系溶剤、アルコール系溶剤、ケトン系溶剤、芳香族炭化水素系溶剤が挙げられる。
【００４４】
〔下引き層〕
支持体および感光層の間にはバリア機能と接着機能とを持つ下引き層（バリア層、中間層とも呼ばれる。）を設けることもできる。下引き層は、結着樹脂、および溶剤を混合することによって得られる下引き層用塗布液の塗膜を形成し、この塗膜を乾燥させることによって下引き層を形成することができる。さらには、電子写真感光体の電位変動を改善する目的で抵抗制御剤、電子輸送性化合物、アクセプター化合物を加えてもよい。
【００４５】
結着樹脂としては、例えば、ポリビニルアルコール、ポリエチレンオキシド、エチルセルロース、メチルセルロース、カゼイン、ポリアミド（ナイロン６、ナイロン６６、ナイロン６１０、共重合ナイロンおよびＮ−アルコキシメチル化ナイロンなど）、ポリウレタン、アクリル樹脂、アリル樹脂、アルキッド樹脂、エポキシ樹脂が挙げられる。下引き層の膜厚は、０．１〜１０μｍであることが好ましく、より好ましくは０．５〜５μｍである。下引き層用塗布液の溶剤としては、例えば、エーテル系溶剤、アルコール系溶剤、ケトン系溶剤、芳香族炭化水素系溶剤が挙げられる。抵抗制御剤としては、例えば、酸化チタン粒子、酸化スズ粒子、酸化亜鉛粒子が挙げられる。電子輸送性化合物やアクセプター化合物としてはとしては、アゾ顔料、ペリレン顔料等のＮ型顔料、ベンゾキノン、アントラキノン、アリザリン、ベンズアントロン等の芳香族ケトン系化合物が挙げられる。
【００４６】
〔感光層〕
単層型感光層を形成する場合、電荷発生物質として前記式（１）で示されるアミド化合物、およびＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミドを結晶内に含有するガリウムフタロシアニン結晶、電荷輸送物質、および結着樹脂を溶剤に混合して、塗布液を調製する。この塗布液の塗膜を形成し、得られた塗膜を乾燥させることによって単層型感光層を形成することができる。
【００４７】
積層型感光層を形成する場合、電荷発生層は、電荷発生物質として本発明に係るガリウムフタロシアニン結晶、および結着樹脂を溶剤に混合させて電荷発生層用塗布液を調製する。この電荷発生層用塗布液の塗膜を形成し、得られた塗膜を乾燥させることによって電荷発生層を形成することができる。また、蒸着によって電荷発生層を形成することもできる。
【００４８】
単層型感光層または電荷発生層に用いられる結着樹脂としては、例えば、ポリカーボネート、ポリエステル、ブチラール樹脂、ポリビニルアセタール、アクリル樹脂、酢酸ビニル樹脂、尿素樹脂などが挙げられる。これらの中でも、ブチラール樹脂が好ましい。また、これらの結着樹脂は、１種のみを使用してもよく、混合または共重合体として２種以上を併用してもよい。
【００４９】
単層型感光層用の塗布液、または電荷発生層用塗布液に用いられる溶剤としては、例えば、アルコール系溶剤、スルホキシド系溶剤、ケトン系溶剤、エーテル系溶剤、エステル系溶剤または芳香族炭化水素系溶剤などが挙げられる。また、これらの溶剤は、１種のみを使用してもよく、２種以上を併用してもよい。
【００５０】
感光層が単層型である場合、電荷発生物質の含有量は、感光層の全質量に対して３〜３０質量％であることが好ましい。また、電荷輸送物質の含有量は、感光層の全質量に対して３０〜７０質量％であることが好ましい。単層型感光層の膜厚は、５〜４０μｍであることが好ましく、１０〜３０μｍであることがより好ましい。
【００５１】
感光層が積層型である場合、電荷発生物質の含有量は、電荷発生層の全質量に対して２０〜９０質量％であることが好ましく、５０〜８０質量％であることがより好ましい。電荷発生層の膜厚は、０．０１〜１０μｍであることが好ましく、０．１〜３μｍであることがより好ましい。
【００５２】
感光層は単層型より積層型の方が電荷発生層の機能が効率的に発揮できるので好ましい。
【００５３】
本発明においては、前記式（１）で示されるアミド化合物、およびＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミドを結晶内に含有するガリウムフタロシアニン結晶を電荷発生物質として用いるが、他の電荷発生物質と混合して用いることが可能である。この場合、前記式（１）で示されるアミド化合物、およびＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミドを結晶内に含有するガリウムフタロシアニン結晶の含有率は、全電荷発生物質に対して５０質量％以上であることが好ましい。
【００５４】
〔電荷輸送層〕
電荷輸送層は、電荷輸送物質および結着樹脂を溶剤に溶解させて得られた電荷輸送層用塗布液を塗布して塗膜を形成し、得られた塗膜を乾燥させることによって電荷輸送層を形成することができる。
【００５５】
電荷輸送物質としては、例えば、トリアリールアミン系化合物、ヒドラゾン系化合物、スチルベン系化合物、ピラゾリン系化合物、オキサゾール系化合物、チアゾール系化合物、トリアリルメタン系化合物などが挙げられる。
【００５６】
電荷輸送層に用いられる結着樹脂としては、例えば、ポリエステル、アクリル樹脂、ポリビニルカルバゾール、フェノキシ樹脂、ポリカーボネート、ポリビニルブチラール、ポリスチレン、ポリビニルアセテート、ポリサルホン、ポリアリーレート、塩化ビニリデン、アクリロニトリル共重合体、ポリビニルベンザールなどの樹脂が用いられる。
【００５７】
また、電荷輸送物質の含有量は、電荷輸送層の全質量に対して２０〜８０質量％であることが好ましく、３０〜７０質量％であることがより好ましい。電荷輸送層の膜厚は、５〜４０μｍであることが好ましく、１０〜３０μｍであることがより好ましい。
【００５８】
感光層の塗布方法としては、ディッピング法、スプレーコーティング法、スピンナーコーティング法、ビードコーティング法、ブレードコーティング法、ビームコーティング法などの塗布方法を用いることができる。
【００５９】
〔保護層〕
感光層上には、必要に応じて保護層を設けてもよい。保護層は、結着樹脂を溶剤に溶解させて得られた保護層用塗布液の塗膜を形成し、この塗膜を乾燥させることによって形成することができる。結着樹脂としては、例えば、ポリビニルブチラール、ポリエステル、ポリカーボネート（ポリカーボネートＺ、変性ポリカーボネートなど）、ナイロン、ポリイミド、ポリアリーレート、ポリウレタン、スチレン−ブタジエンコポリマー、スチレン−アクリル酸コポリマー、スチレン−アクリロニトリルコポリマーが挙げられる。
【００６０】
また、保護層に電荷輸送能を持たせるために、電荷輸送能（正孔輸送能）を有するモノマーを種々の重合反応、架橋反応を用いて硬化させることによって保護層を形成してもよい。具体的には、連鎖重合性官能基を有する電荷輸送性化合物（正孔輸送性化合物）を重合または架橋させ、硬化させることによって保護層を形成することが好ましい。
【００６１】
保護層の膜厚は、０．０５〜２０μｍであることが好ましい。保護層には、導電性粒子や紫外線吸収剤などを含有させてもよい。導電性粒子としては、例えば、酸化スズ粒子などの金属酸化物粒子が挙げられる。
【００６２】
＜プロセスカートリッジおよび電子写真装置＞
図１に、電子写真感光体を有するプロセスカートリッジを備えた電子写真装置の概略構成の一例を示す。
【００６３】
図１において、円筒状（ドラム状）の電子写真感光体１は、軸２を中心に矢印方向に所定の周速度（プロセススピード）をもって回転駆動される。電子写真感光体１の表面は、回転過程において、帯電手段３により、正または負の所定電位に帯電される。次いで、帯電された電子写真感光体１の表面には、像露光手段（不図示）から像露光光４が照射され、目的の画像情報に対応した静電潜像が形成されていく。像露光光４は、例えば、スリット露光やレーザービーム走査露光などの像露光手段から出力される、目的の画像情報の時系列電気デジタル画像信号に対応して強度変調された光である。
【００６４】
電子写真感光体１の表面に形成された静電潜像は、現像手段５内に収容された現像剤（トナー）で現像（正規現像または反転現像）され、電子写真感光体１の表面にはトナー像が形成される。電子写真感光体１の表面に形成されたトナー像は、転写手段６により、転写材７に転写されていく。このとき、転写手段６には、バイアス電源（不図示）からトナーの保有電荷とは逆極性の電圧（転写バイアス）が印加される。また、転写材７は、転写材供給手段（不図示）から電子写真感光体１の回転と同期して取り出されて、電子写真感光体１と転写手段６との間（当接部）に給送される。
【００６５】
トナー像が転写された転写材７は、電子写真感光体１の表面から分離されて、像定着手段８へ搬送されて、トナー像の定着処理を受け、画像形成物（プリント、コピー）として電子写真装置の外へプリントアウトされる。
【００６６】
トナー像が転写材７に転写された後の電子写真感光体１の表面は、クリーニング手段９により、転写残りの現像剤（転写残トナー）などの付着物の除去を受けて清浄される。また、転写残トナーを現像手段などで回収することもできる（クリーナレスシステム）。
【００６７】
さらに、電子写真感光体１の表面には、前露光手段（不図示）からの前露光光１０が照射され、除電処理された後、繰り返し画像形成に使用される。なお、図１に示すように、帯電手段３が帯電ローラーなどを用いた接触帯電手段である場合は、前露光手段は必ずしも必要ではない。
【００６８】
本発明においては、上述の電子写真感光体１、帯電手段３、現像手段５およびクリーニング手段９などの構成要素のうち、複数の構成要素を容器に納めて一体に支持してプロセスカートリッジを形成してもよい。このプロセスカートリッジを電子写真装置本体に対して着脱自在に構成することができる。例えば、電子写真感光体１と、帯電手段３、現像手段５およびクリーニング手段９から選択される少なくとも１つとを一体に支持してカートリッジ化する。そして、電子写真装置本体のレールなどの案内手段１２を用いて電子写真装置本体に着脱自在なプロセスカートリッジ１１とすることができる。
【００６９】
像露光光４は、電子写真装置が複写機やプリンターである場合には、原稿からの反射光や透過光であってもよい。または、センサーで原稿を読み取り、信号化し、この信号に従って行われるレーザービームの走査、ＬＥＤアレイの駆動もしくは液晶シャッターアレイの駆動などにより放射される光であってもよい。
【実施例】
【００７０】
以下に、具体的な実施例を挙げて本発明をさらに詳細に説明する。ただし、本発明は、これらに限定されるものではない。以下に記載の「部」は「質量部」を意味し、「％」は「質量％」を意味する。なお、実施例および比較例の電子写真感光体の各層の膜厚は、渦電流式膜厚計（Ｆｉｓｃｈｅｒｓｃｏｐｅ、フィッシャーインスツルメント社製）で求め、または、単位面積当たりの質量から比重換算で求めた。
【００７１】
＜ガリウムフタロシアニン顔料の合成＞
〔合成例１〕
窒素フローの雰囲気下、フタロニトリル５．４６部およびα−クロロナフタレン４５部を反応釜に投入した後、加熱し、温度３０℃まで昇温させた後、この温度を維持した。次に、この温度（３０℃）で三塩化ガリウム３．７５部を投入した。投入時の混合液の水分値は１５０ｐｐｍであった。その後、温度２００℃まで昇温させた。次に、窒素フローの雰囲気下、温度２００℃で４．５時間反応させた後、冷却し、温度１５０℃に達したときに生成物を濾過した。得られた濾過物をＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミドを用いて温度１４０℃で２時間分散洗浄した後、濾過した。得られた濾過物をメタノールで洗浄した後、乾燥させ、クロロガリウムフタロシアニン顔料を４．６５部（収率７１％）得た。
【００７２】
〔合成例２〕
合成例１で得られたクロロガリウムフタロシアニン顔料４．６５部を、温度１０℃で濃硫酸１３９．５部に溶解させ、攪拌下、氷水６２０部中に滴下して再析出させて、フィルタープレスを用いて濾過した。得られたウエットケーキ（濾過物）を２％アンモニア水で分散洗浄した後、フィルタープレスを用いて濾過した。次いで、得られたウエットケーキ（濾過物）をイオン交換水で分散洗浄した後、フィルタープレスを用いた濾過を３回繰り返し、その後、固形分２３％の含水ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料を得た。
【００７３】
次に、得られた含水ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料６．６ｋｇをハイパー・ドライ乾燥機（商品名：ＨＤ−０６Ｒ、周波数（発振周波数）：２４５５ＭＨｚ±１５ＭＨｚ、日本バイオコン（株）製）を用いて以下のように乾燥させた。
【００７４】
前記含水ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料を、専用円形プラスチックトレイにフィルタープレスより取り出したままの固まりの状態（含水ケーキ厚４ｃｍ以下）で載せ、遠赤外線はオフ、乾燥機の内壁の温度は５０℃になるように設定した。そして、マイクロ波照射時は真空ポンプとリークバルブを調整し、真空度を４．０〜１０．０ｋＰａに調整した。
【００７５】
まず、第１工程として、４．８ｋＷのマイクロ波をヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料に５０分間照射し、次に、マイクロ波を一旦切ってリークバルブを一旦閉じて２ｋＰａ以下の高真空にした。この時点でのヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料の固形分は８８％であった。
【００７６】
第２工程として、リークバルブを調整し、真空度（乾燥機内の圧力）を前記設定値内（４．０〜１０．０ｋＰａ）に調整した後、１．２ｋＷのマイクロ波をヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料に５分間照射し、また、マイクロ波を一旦切ってリークバルブを一旦閉じて２ｋＰａ以下の高真空にした。この第２工程をさらに１回繰り返した（計２回）。この時点でのヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料の固形分は９８％であった。
【００７７】
さらに第３工程として、第２工程でのマイクロ波を１．２ｋＷから０．８ｋＷに代えた以外は第２工程と同様にしてマイクロ波照射を行った。この第３工程をさらに１回繰り返した（計２回）。
【００７８】
さらに第４工程として、リークバルブを調整し、真空度（乾燥機内の圧力）を前記設定値内（４．０〜１０．０ｋＰａ）に復圧した後、０．４ｋＷのマイクロ波をヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料に３分間照射し、また、マイクロ波を一旦切ってリークバルブを一旦閉じて２ｋＰａ以下の高真空にした。この第４工程をさらに７回繰り返した（計８回）。
【００７９】
以上、合計３時間で、含水率１％以下のヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料を１．５２ｋｇ得た。
【００８０】
＜実施例１−１〜１−８、および、比較例１−１〜１−５＞
〔実施例１−１〕
合成例２で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料０．５部、Ｎ−メチルホルムアミド８部、およびＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド２部を、直径０．８ｍｍのガラスビーズ２０部とともにボールミルでミリング処理を室温（２３℃）下で１００時間行った。この際、容器は規格びん（製品コード：ＰＳ−６、柏洋硝子製）を用い、容器が１分間に１２０回転する条件で行った。こうして得られた分散液にテトラヒドロフランを３０部添加した後、濾過器によって濾過し、さらに濾過器に残った濾取物をテトラヒドロフランで十分に洗浄した。そして、洗浄された濾取物を真空乾燥させて、アミド化合物含有ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を０．４４部得た。得られた結晶の粉末Ｘ線回折図を図２に示す。
【００８１】
また、ＮＭＲ測定により、実施例１−１で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内に、プロトン比率から換算し、ヒドロキシガリウムフタロシアニンに対して、Ｎ−メチルホルムアミドが１．４質量％、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドが０．３質量％含有されていることが確認された。Ｎ−メチルホルムアミド、およびＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミドはテトラヒドロフランに相溶することから、Ｎ−メチルホルムアミド、およびＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミドは結晶内に含有することが分かる。
【００８２】
〔実施例１−２〕
実施例１−１において、Ｎ−メチルホルムアミド８部、およびＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド２部を、Ｎ−メチルホルムアミド５部、およびＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド５部に代えた以外は、実施例１−１と同様に処理し、アミド化合物含有ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を０．４５部得た。得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折は、図２と同様であった。
【００８３】
また、ＮＭＲ測定により、実施例１−２で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内に、プロトン比率から換算し、ヒドロキシガリウムフタロシアニンに対して、Ｎ−メチルホルムアミドが０．９質量％、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドが０．８質量％含有されていることが確認された。
【００８４】
〔実施例１−３〕
実施例１−１において、Ｎ−メチルホルムアミド８部、およびＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド２部を、Ｎ−メチルホルムアミド２部、およびＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド８部に代えた以外は、実施例１−１と同様に処理し、アミド化合物含有ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を０．４５部得た。得られた結晶の粉末Ｘ線回折図を図３に示す。
【００８５】
また、ＮＭＲ測定により、実施例１−３で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内に、プロトン比率から換算し、ヒドロキシガリウムフタロシアニンに対して、Ｎ−メチルホルムアミドが０．５質量％、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドが１．３質量％含有されていることが確認された。
【００８６】
〔実施例１−４〕
実施例１−１において、ミリング処理時間を１００時間から４８時間に代えた以外は、実施例１−１と同様に処理し、アミド化合物含有ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を０．４５部得た。得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折は、図２と同様であった。
【００８７】
また、ＮＭＲ測定により、実施例１−４で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内に、プロトン比率から換算し、ヒドロキシガリウムフタロシアニンに対して、Ｎ−メチルホルムアミドが１．９質量％、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドが０．５質量％含有されていることが確認された。得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶のＮＭＲスペクトルを図６に示す。
【００８８】
〔実施例１−５〕
実施例１−１において、Ｎ−メチルホルムアミド８部、およびＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド２部を、Ｎ−ｎ−プロピルホルムアミド８部、およびＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド２部に代えた以外は、実施例１−１と同様に処理し、アミド化合物含有ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を０．４３部得た。得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折は、図２と同様であった。
【００８９】
また、ＮＭＲ測定により、実施例１−５で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内に、プロトン比率から換算し、ヒドロキシガリウムフタロシアニンに対して、Ｎ−ｎ−プロピルホルムアミドが１．６質量％、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドが０．２質量％含有されていることが確認された。
【００９０】
〔実施例１−６〕
実施例１−１において、Ｎ−メチルホルムアミド８部、およびＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド２部を、Ｎ−ビニルホルムアミド８部、およびＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド２部に代えた以外は、実施例１−１と同様に処理し、アミド化合物含有ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を０．４５部得た。得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折は、図２と同様であった。
【００９１】
また、ＮＭＲ測定により、実施例１−５で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内に、プロトン比率から換算し、ヒドロキシガリウムフタロシアニンに対して、Ｎ−ビニルホルムアミドが１．６質量％、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドが０．３質量％含有されていることが確認された。
【００９２】
〔実施例１−７〕
合成例１で得られたクロロガリウムフタロシアニン顔料０．５部、および直径０．８ｍｍのガラスビーズ２０部とともにボールミルでミリング処理を室温（２３℃）下で４０時間行った。この際、容器は規格びん（製品コード：ＰＳ−６、柏洋硝子製）を用い、容器が１分間に１２０回転する条件で行った。次に、この容器内にＮ−メチルホルムアミド５部、およびＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド５部を加え、同条件でミリング処理を１００時間行った。こうして得られた分散液からアミド化合物溶剤含有ガリウムフタロシアニン結晶をテトラヒドロフランを用いて取り出し、濾過し、濾過器上をテトラヒドロフランで十分に洗浄した。濾取物を真空乾燥させて、アミド化合物含有クロロガリウムフタロシアニン結晶を０．４６部得た。得られた結晶の粉末Ｘ線回折図を図４に示す。
【００９３】
また、ＮＭＲ測定により、実施例１−７で得られたクロロガリウムフタロシアニン結晶内に、プロトン比率から換算し、クロロガリウムフタロシアニンに対して、Ｎ−メチルホルムアミドが０．４質量％、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドが０．４質量％含有されていることが確認された。
【００９４】
〔実施例１−８〕
実施例１−７において、Ｎ−メチルホルムアミド５部、およびＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド５部を、Ｎ−メチルホルムアミド８部、およびＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド２部に代えた以外は、実施例１−７と同様に処理し、アミド化合物含有クロロガリウムフタロシアニン結晶を０．４６部得た。得られたクロロシガリウムフタロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折は、図４と同様であった。
【００９５】
また、ＮＭＲ測定により、実施例１−８で得られたクロロガリウムフタロシアニン結晶内に、プロトン比率から換算し、クロロガリウムフタロシアニンに対して、Ｎ−メチルホルムアミドが０．５質量％、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドが０．１質量％含有されていることが確認された。
【００９６】
〔比較例１−１〕
実施例１−４において、Ｎ−メチルホルムアミド８部、およびＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド２部を、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド１０部に代えた以外は、実施例１−４と同様に処理し、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を０．４５部得た。得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折は、図３と同様であった。
【００９７】
また、ＮＭＲ測定により、比較例１−１で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内に、プロトン比率から換算し、ヒドロキシガリウムフタロシアニンに対して、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドが２．１質量％含有されていることが確認された。得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶のＮＭＲスペクトルを図７に示す。
【００９８】
〔比較例１−２〕
比較例１−１において、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド１０部をジメチルスルホキシド１０部に変更した以外は、比較例１−１と同様に処理し、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を０．４６部得た。得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折は、図２と同様であった。
【００９９】
また、ＮＭＲ測定により、比較例１−２で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内に、プロトン比率から換算し、ヒドロキシガリウムフタロシアニンに対して、ジメチルスルホキシドが２．１質量％含有されていることが確認された。
【０１００】
〔比較例１−３〕
実施例１−７において、Ｎ−メチルホルムアミド５部、およびＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド５部を、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド１０部に代えた以外は、実施例１−７と同様に処理し、クロロガリウムフタロシアニン結晶を０．４７部得た。得られたクロロガリウムフタロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折は、図４と同様であった。
【０１０１】
また、ＮＭＲ測定により、比較例１−３で得られたクロロガリウムフタロシアニン結晶内に、プロトン比率から換算し、クロロガリウムフタロシアニンに対して、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドが質量１．０％含有されていることが確認された。
【０１０２】
〔比較例１−４〕
実施例１−１において、Ｎ−メチルホルムアミド８部、およびＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド２部を、ジメチルスルホキシド５部、およびＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド５部に代えた以外は、実施例１−１と同様に処理し、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を０．４５部得た。得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折は、図３と同様であった。
【０１０３】
また、ＮＭＲ測定により、比較例１−４で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内に、プロトン比率から換算し、ヒドロキシガリウムフタロシアニンに対して、ジメチルスルホキシドが１．２質量％、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドが１．１質量％含有されていることが確認された。
【０１０４】
〔比較例１−５〕
実施例１−１において、Ｎ−メチルホルムアミド８部、およびＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド２部を、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド５部、およびＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド５部に代えた以外は、実施例１−１と同様に処理し、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を０．４６部得た。得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折は、図３と同様であった。
【０１０５】
また、ＮＭＲ測定により、比較例１−５で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内に、プロトン比率から換算し、ヒドロキシガリウムフタロシアニンに対して、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドが１．４質量％、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドが１．１質量％含有されていることが確認された。
【０１０６】
＜実施例２−１〜２−８、および、比較例２−１〜２−５＞
〔実施例２−１〕
酸化スズで被覆した硫酸バリウム粒子（商品名：パストランＰＣ１、三井金属鉱業（株）製）６０部、酸化チタン粒子（商品名：ＴＩＴＡＮＩＸ  ＪＲ、テイカ（株）製）１５部、レゾール型フェノール樹脂（商品名：フェノライト  Ｊ−３２５、ＤＩＣ（株）製、固形分７０質量％）４３部、シリコーンオイル（商品名：ＳＨ２８ＰＡ、東レ・ダウコーニング（株）製）０．０１５部、シリコーン樹脂（商品名：トスパール１２０、モメンティブ・パフォーマンス・マテリアル（株）製）３．６部、２−メトキシ−１−プロパノール５０部、およびメタノール５０部をボールミルに入れて、２０時間分散処理することによって、導電層用塗布液を調製した。
【０１０７】
この導電層用塗布液を、支持体としてのアルミニウムシリンダー（直径２４ｍｍ）上に浸漬塗布して塗膜を形成し、得られた塗膜を３０分間１４０℃で乾燥させた。このようにして、膜厚が１５μｍの導電層を形成した。
【０１０８】
次に、共重合ナイロン樹脂（商品名：アミランＣＭ８０００、東レ（株）製）１０部およびメトキシメチル化６ナイロン樹脂（商品名：トレジンＥＦ−３０Ｔ、ナガセケムテックス（株）製）３０部を、メタノール４００部／ｎ−ブタノール２００部の混合溶剤に溶解させることによって、下引き層用塗布液を調製した。
【０１０９】
この下引き層用塗布液を導電層上に浸漬塗布して塗膜を形成し、得られた塗膜を乾燥させることによって、膜厚が０．５μｍの下引き層を形成した。
【０１１０】
次に、実施例１−１で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶（電荷発生物質）１０部、ポリビニルブチラール（商品名：エスレックＢＸ−１、積水化学工業（株）製）５部、および、シクロヘキサノン２５０部を混合した。これを、直径１ｍｍのガラスビーズを用いたサンドミルに入れ、４時間分散処理して分散液を調製し、分散液に酢酸エチル２５０部を加えて希釈することによって、電荷発生層用塗布液を調製した。
【０１１１】
この電荷発生層用塗布液を下引き層上に浸漬塗布して塗膜を形成し、得られた塗膜を１０分間１００℃で乾燥させることによって、膜厚が０．１６μｍの電荷発生層を形成した。
【０１１２】
次に、下記式（２）で示される化合物（電荷輸送物質）８部、および、ポリカーボネート（商品名：ユーピロンＺ−２００、三菱ガス化学（株）製）１０部を、モノクロロベンゼン７０部に溶解させて、電荷輸送層用塗布液を調製した。
【０１１３】
【化１】
2016161711.tif 000002
（２）
この電荷輸送層用塗布液を電荷発生層上に浸漬塗布して塗膜を形成し、得られた塗膜を１時間１１０℃で乾燥させることによって、膜厚が２３μｍの電荷輸送層を形成した。
【０１１４】
このようにして、円筒状（ドラム状）の実施例２−１の電子写真感光体を作製した。
【０１１５】
〔実施例２−２〜２−８〕
実施例２−１において、電荷発生層用塗布液を調製する際のガリウムフタロシアニン結晶を、実施例１−２〜１−８で得られたガリウムフタロシアニン結晶にそれぞれ変更した。それ以外は、実施例２−１と同様にして実施例２−２〜２−８の電子写真感光体をそれぞれ作製した。
【０１１６】
〔比較例２−１〜２−５〕
実施例２−１において、電荷発生層用塗布液を調製する際のガリウムフタロシアニン結晶を、比較例１−１〜１−５で得られたガリウムフタロシアニン結晶にそれぞれ変更した。それ以外は、実施例２−１と同様にして比較例２−１〜２−５の電子写真感光体をそれぞれ作製した。
【０１１７】
〔実施例２−１〜２−８および比較例２−１〜２−５の評価〕
実施例２−１〜２−８および比較例２−１〜２−５の電子写真感光体について、ゴースト画像評価を行った。
【０１１８】
評価用の電子写真装置としては、日本ヒューレットパッカード（株）製のレーザービームプリンター（商品名：Ｃｏｌｏｒ  Ｌａｓｅｒ  Ｊｅｔ  ＣＰ３５２５ｄｎ）を、以下に示す改造を施して用いた。すなわち、前露光は点灯せず、帯電条件と像露光量は可変で作動するようにした。また、シアン色用のプロセスカートリッジに上記作製した電子写真感光体を装着してシアン色用のプロセスカートリッジのステーションに取り付けた。また、他の色（マゼンタ、イエロー、ブラック）用のプロセスカートリッジをプリンター本体に装着せずとも作動するようにした。
【０１１９】
画像の出力に際しては、シアン色用のプロセスカートリッジのみを本体に取り付け、シアントナーのみによる単色画像を出力した。
【０１２０】
まず、温度２３℃／湿度５５％ＲＨの常温常湿環境下で、初期の暗部電位が−５００Ｖ、明部電位が−１００Ｖになるように帯電条件と像露光量を調整した。電位設定の際の円筒状の電子写真感光体の表面電位の測定は、プロセスカートリッジを改造し、現像位置に電位プローブ（商品名：ｍｏｄｅｌ６０００Ｂ−８、トレック・ジャパン（株）製）を装着した。さらに、円筒状の電子写真感光体の中央部の電位を表面電位計（商品名：ｍｏｄｅｌ３４４、トレック・ジャパン（株）製）を使用して測定した。
【０１２１】
その後、同条件（常温常湿環境）下でゴースト画像評価を行った。その後、１０００枚の繰り返し通紙試験を行い、繰り返し通紙試験終了直後および繰り返し通紙試験終了後１５時間経過時でのゴースト画像評価を行った。常温常湿環境下における評価結果を表１に示す。
【０１２２】
次に、電子写真感光体を評価用の電子写真装置とともに温度１５℃／湿度１０％ＲＨの低温低湿環境下で３日間放置した後、ゴースト画像評価を行った。そして、同条件（低温低湿環境）下で１０００枚の繰り返し通紙試験を行い、繰り返し通紙終了直後および繰り返し通紙試験終了後１５時間経過時でのゴースト画像評価を行った。低温低湿環境下における評価結果を表１に示す。
【０１２３】
なお、繰り返し通紙試験は、印字率１％でＥ文字画像をＡ４サイズの普通紙にシアン単色で印字する条件で行った。
【０１２４】
また、ゴースト画像評価の方法は、以下の通りである。
【０１２５】
ゴースト画像評価は、１枚目にベタ白画像を出力し、その後ゴーストチャートを４種各１枚の計４枚出力する。次に、ベタ黒画像を１枚出力した後に再度ゴーストチャートを４種各１枚の計４枚出力する。この順番で画像出力を行い、計８枚のゴースト画像で評価した。ゴーストチャートは、出力画像書き出し（紙上端１０ｍｍ）位置から３０ｍｍの範囲をベタ白背景に２５ｍｍ四方のベタ黒の正方形を等間隔、かつ、平行に４つ並べ、出力画像書き出し位置から３０ｍｍ以降はハーフトーンの印字パターンを４種類出力した。４種類のゴーストチャートをもとに、ランク分けを行った。
【０１２６】
なお、４種類のゴーストチャートとは、出力画像書き出し位置から３０ｍｍ以降のハーフトーンパターンのみ異なるチャートで、ハーフトーンのパターンは、以下の４種類である。
（１）横＊１ドット、１スペースの印字（レーザー露光）パターン。
（２）横＊２ドット、２スペースの印字（レーザー露光）パターン。
（３）横＊２ドット、３スペースの印字（レーザー露光）パターン。
（４）桂馬パターンの印字（レーザー露光）パターン。（将棋の桂馬の動きのように６マスに２ドット印字するパターン）
＊：「横」とは、レーザースキャナーの走査方向（出力された用紙では水平方向）を指す。
【０１２７】
ゴースト画像のランク分けは、目視で以下のように行った。なお、ランク４、５、６は、本発明の効果が十分に得られていないレベルと判断した。
ランク１：いずれのゴーストチャートでもゴーストは見えない。
ランク２：特定のゴーストチャートでゴーストがうっすら見える。
ランク３：いずれのゴーストチャートでもゴーストがうっすら見える。
ランク４：特定のゴーストチャートでゴーストが見える。
ランク５：いずれのゴーストチャートでもゴーストが見える。
ランク６：特定のゴーストチャートでゴーストがはっきり見える。
【０１２８】
【表１】
2016161711.tif 000003
【符号の説明】
【０１２９】
１  電子写真感光体
２  軸
３  帯電手段
４  像露光光
５  現像手段
６  転写手段
７  転写材
８  像定着手段
９  クリーニング手段
１０  前露光光
１１  プロセスカートリッジ
１２  案内手段
【図１】
2016161711.tif 000004
【図２】
2016161711.tif 000005
【図３】
2016161711.tif 000006
【図４】
2016161711.tif 000007
【図５】
2016161711.tif 000008
【図６】
2016161711.tif 000009
【図７】
2016161711.tif 000010