(57)【要約】【課題】本発明は、有機ＥＬ表示装置の焼き付きを改善するために、有機ＥＬ素子に通電した際の色度変化を抑制することを、目的の一つとする。【解決手段】絶縁表面と、前記絶縁表面上に設けられたアノード電極と、前記画素電極上に設けられた有機層と、前記有機層上に設けられたカソード電極を有し、前記カソード電極又は前記アノード電極に接して設けられ、特定の波長域に対して光吸収性を有するフォトクロミック層をさらに有することを特徴とする、有機ＥＬ表示装置を提供する。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面と、前記絶縁表面上に設けられたアノード電極と、前記画素電極上に設けられた有機層と、前記有機層上に設けられたカソード電極を有し、
前記カソード電極又は前記アノード電極に接して設けられ、特定の波長域に対して光吸収性を有するフォトクロミック層をさらに有することを特徴とする、有機ＥＬ表示装置。
【請求項２】
前記フォトクロミック層は、通過する光の輝度が大きいときに透過率が小さく、通過する光の輝度が小さいときに透過率が大きいことを特徴とする、請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項３】
前記有機層は複数の発光層が積層されたタンデム構造であることを特徴とする、請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項４】
前記フォトクロミック層は、前記カソード電極上に設けられることを特徴とする、請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項５】
前記絶縁表面と前記アノード電極との間に反射メタル層が設けられ、
前記フォトクロミック層は、前記反射メタル層と前記アノード電極との間に設けられることを特徴とする、請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項６】
前記有機層は複数の発光層が複数の画素のそれぞれに設けられ、
前記フォトクロミック層は、前記複数の画素にわたって配置されていることを特徴とする、請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項７】
前記フォトクロミック層は、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ及びＢｉのうち少なくとも１つの元素を含む金属酸化物を含むことを特徴とする、請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項８】
前記フォトクロミック層は、ジアリールエテン化合物、スピロピラン化合物、スピロペリミジン化合物、ビオロゲン化合物、アゾベンゼン化合物及びスチルベン化合物のうちいずれかを含むことを特徴とする、請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項９】
前記フォトクロミック層は、波長が４００ｎｍから５００ｎｍの領域の光に対して光吸収性を有することを特徴とする、請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ表示装置に関し、特にフォトクロミック層を配置した有機ＥＬ素子における技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、モバイル用途の発光表示装置において、高精細化や低消費電力化に対する要求が強くなってきている。モバイル用途の表示装置としては、液晶表示装置（Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ  Ｄｅｖｉｃｅ：ＬＣＤ）や、有機ＥＬ表示装置等の自発光素子（ＯＬＥＤ：Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｌｉｇｈｔ−Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）を利用した表示装置や、電子ペーパー等が採用されている。
【０００３】
その中でも、ディスプレイパネルの薄型化や高輝度化や高速化を目的として、有機ＥＬ表示装置の開発が進められている。有機ＥＬ表示装置は、ＯＬＥＤから構成された画素を備えた表示装置であり、機械的な動作がないために反応速度が速く、各画素自体が発光するために高輝度表示が可能になるとともに、バックライト光源や偏光板が不要となるために薄型化が可能になるので、次世代の表示装置として期待されている。
【０００４】
ＯＬＥＤ素子は通電とともに発光効率が減少し、一定電流下における輝度が低下して、「焼き付き」と呼ばれる現象が生じることが知られている。特に、青色（Ｂ）発光するＯＬＥＤ素子と黄色（Ｙ）発光するＯＬＥＤ素子からなる白色タンデム構造のＯＬＥＤ素子では、ＢとＹのそれぞれの発光強度のバランスの変化が生じることによって色度も変化し、このような色度変化によって焼き付きが発生する可能性がある。
【０００５】
一方、有機ＥＬディスプレイの透明ディスプレイとしての機能を十分に発揮させることを目的として、フォトクロミック層の配置された有機ＥＬ表示装置が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１４−７２１２６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、有機ＥＬ表示装置の焼き付きを改善するために、有機ＥＬ素子に通電した際の色度変化を抑制することを、目的の一つとする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
絶縁表面と、前記絶縁表面上に設けられたアノード電極と、前記画素電極上に設けられた有機層と、前記有機層上に設けられたカソード電極を有し、前記カソード電極又は前記アノード電極に接して設けられ、特定の波長域に対して光吸収性を有するフォトクロミック層をさらに有することを特徴とする、有機ＥＬ表示装置。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の実施形態１における有機ＥＬ表示装置の全体の構成を示す図である。
【図２】本発明の実施形態１における有機ＥＬ表示装置の画素部の構成を示す図である。
【図３】本発明の実施形態１における有機ＥＬ表示装置の断面図である。
【図４】本発明の実施形態１における有機ＥＬ表示装置の断面の模式図である。
【図５】本発明の実施形態１における有機ＥＬ表示装置において、フォトクロミック層の特性、相対輝度の変化等を説明するグラフを示したものである。
【図６】本発明の実施形態１における有機ＥＬ表示装置の駆動方法を説明する図である。
【図７】本発明の実施形態２における有機ＥＬ表示装置の断面図である。
【図８】本発明の実施形態２における有機ＥＬ表示装置の断面の模式図である。
【図９】本発明の実施形態３における有機ＥＬ表示装置の断面の模式図である。
【図１０】本発明の実施形態４における有機ＥＬ表示装置の、発光層とフォトクロミック層との配置状態を示した模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下に、本発明の各実施形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。
【００１１】
＜実施形態１＞
図１乃至図６を用いて、実施形態１に係る有機ＥＬ表示装置の構成を説明する。
【００１２】
［有機ＥＬ表示装置の全体構成］
図１は、本発明の実施形態１に係る有機ＥＬ表示装置１００の全体構成を示す図である。有機ＥＬ表示装置１００は、基板１０１上に形成された、画素部（表示領域）１０２、走査線駆動回路１０３、データ線駆動回路１０４、及びドライバＩＣ１０５を備えている。ドライバＩＣは、走査線駆動回路１０３及びデータ線駆動回路１０４に信号を与える制御部として機能する。
【００１３】
なお、データ線駆動回路１０４は、ドライバＩＣ１０５に含まれる場合もある。図１では、基板１０１上にドライバＩＣ１０５を一体形成した例を示しているが、ＩＣチップのような形態で別途基板１０１上に配置してもよい。また、ドライバＩＣ１０５をＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ  Ｐｒｉｎｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔｓ）に設けて外付けする形態を採用してもよい。
【００１４】
図１に示す画素部１０２には、複数の画素がマトリクス状に配置される。各画素には、データ線駆動回路１０４から画像データに応じたデータ信号が与えられる。それらデータ信号を、各画素に設けられたトランジスタを介して画素電極に与えることにより、画像データに応じた画面表示を行うことができる。トランジスタとしては、典型的には、薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を用いることができる。ただし、薄膜トランジスタに限らず、電流量を制御可能な素子であれば、いかなる素子を用いても良い。
【００１５】
図２は、図１に示す有機ＥＬ表示装置１００における画素部１０２の構成を示す図である。本実施形態において、画素２０１は、赤（Ｒ）に対応するサブ画素２０１Ｒ、緑（Ｇ）に対応するサブ画素２０１Ｇ、青（Ｂ）に対応するサブ画素２０１Ｂ及び白（Ｗ）に対応するサブ画素２０１Ｗを含む。各サブ画素には、スイッチング素子として薄膜トランジスタ２０２が設けられる。薄膜トランジスタ２０２を用いて各サブ画素２０１Ｒ、２０１Ｇ及び２０１Ｂをオン／オフ制御することにより、各サブ画素に対応する任意の色を発光させ、１つの画素として様々な色を表現できる。
【００１６】
図２では、サブ画素として、ＲＧＢＷの４色を用いる構成を示したが、本実施形態はそれに限定されるものではなく、サブ画素をＷの代わりに黄色（Ｙ）を用いる構成や、ＲＧＢの三原色を用いる構成としてもよい。また、画素配列として、同一色に対応する画素がストライプ配列された例を示したが、その他デルタ配列やベイヤー配列、又はペンタイル構造を実現する配列であってもよい。
【００１７】
［有機ＥＬ表示装置の断面構造］
次に、図３を用いて、実施形態１に係る有機ＥＬ表示装置の断面構造を説明する。
【００１８】
図３は、実施形態１に係る有機ＥＬ表示装置の画素の断面図を示したものであり、図２に示す画素をＡ−Ａ’で切断した断面を示したものである。基板２０はガラス、樹脂等で形成される。基板２０上には、制御ＴＦＴ、駆動ＴＦＴ、蓄積容量等によって構成される画素回路層２１が配置される。画素回路層２１には、窒化シリコン、酸化シリコン等の無機材料で形成された層が複数積層された層間絶縁膜が含まれる。また、基板２０上には、画素回路層２１とともに、走査信号線、映像信号線、駆動電源線、補助容量電極等が適宜配置される。層間絶縁膜の上側には、平坦化のために、アクリル、ポリイミド等の有機材料で形成された平坦化膜２２が形成され、平坦化膜２２の上面は絶縁表面２３を形成する。
【００１９】
絶縁表面２３上には、陽極に相当するアノード電極２４が配置される。アノード電極２４は平坦化膜２２に形成されたコンタクトホールにも配置され、アノード電極２４と画素回路が電気的に接続される。アノード電極２４には、透光性材料を使用することができ、例えばＩＴＯ（酸化インジウム・スズ）、ＺｎＯ（酸化亜鉛）、ＳｎＯ２（酸化スズ）、Ｉｎ２Ｏ３（酸化インジウム）、ＩＺＯ（インジウムがドーパントとして添加された酸化亜鉛）、ＧＺＯ（ガリウムがドーパントとして添加された酸化亜鉛）、ＡＺＯ（アルミニウムがドーパントとして添加された酸化亜鉛）、ニオブ（Ｎｂ）などの不純物がドーパントとして添加された酸化チタンなどを使用することができる。アノード電極２４の下側（基板２０側）の面で、画素に対応する部分に、Ａｌ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ａｇ、またはこれらの合金などの光反射性を有する反射メタル２６が配置される。実施形態１に示されるトップエミッション型の有機ＥＬ表示装置では、光反射性を有する反射メタル２６と光透過性を有するアノード電極２４がこの順で積層されているので、反射メタル２６は有機層３０で発光し下側に放射された光を上側に反射するための光反射電極として機能する。なお、上述した反射メタル２６とアノード電極２４の層構造は一例にすぎず、絶縁表面２３上に、アノード電極、反射メタル、アノード電極をこの順に積層したような３層構造（例えば、ＩＴＯ／Ａｇ／ＩＴＯ）であってもよい。
【００２０】
アノード電極２４の端部や平坦化膜２２に形成された画素回路層２１とのコンタクトを覆うように、画素分離膜（いわゆるバンク）２８が配置される。画素分離膜２８には、一般的な樹脂材料を使用することができ、感光性樹脂材料を使用することもできる。感光性樹脂としては、例えば、感光性アクリル、感光性ポリイミドなどを使用することができる。アノード電極２４の、画素分離膜２８によって画定された部分が、画素となる。
【００２１】
アノード電極２４及び画素分離膜２８上に、有機層３０、カソード電極４０、フォトクロミック層５１、パッシベーション層４２がこの順で積層される。さらに、基板２０に対して対向基板４６が貼り合され、パッシベーション層４２と対向基板４６との間に充填材４４が充填される。有機層３０とフォトクロミック層５１の説明は、後述する。カソード電極４０は陰極に相当し、アノード電極２４とともに有機層３０に電力を供給する一枚の共通電極である。カソード電極４０には、透光性材料を使用することができる。透光性材料としては、アノード電極２４と同様に、例えば、ＩＴＯ、ＺｎＯ、ＳｎＯ２、Ｉｎ２Ｏ３、ＩＺＯ、ＧＺＯ、ＡＺＯ、Ｎｂなどの不純物がドーパントとして添加された酸化チタンなどを使用することができる。
【００２２】
パッシベーション層４２は、少なくとも有機層３０を覆うように配置され、水分や不純物に対するブロッキング能力が高い材料を使用することができる。例えば、ＳｉＮｘ膜、ＳｉＯｘ膜、ＳｉＮｘＯｙ膜、ＳｉＯｘＮｙ膜、ＡｌＮｘ膜、ＡｌＯｘ膜、ＡｌＯｘＮｙ膜、ＡｌＯｘＮｙ膜などを使用することができる（ｘ、ｙは任意）。また、これらの膜を積層した構造を使用してもよい。
【００２３】
充填材４４は、一般的な透明性の樹脂が用いられる。充填材４４は、基板２０及びこれと対向して貼り合わされる対向基板４６に形成された構造物によって形成された段差を緩和し、基板２０及び対向基板４６が略平行になるように両基板間に充填される。
【００２４】
［有機層の構造］
次に、図４を用いて、実施形態１の有機層３０について説明する。図４は、本発明の実施形態１における有機ＥＬ表示装置の断面の模式図であり、有機層３０を中心とした部分の拡大図である。
【００２５】
図４において示されるように、実施形態１における有機層３０は、黄色（Ｙ）を発光するＹ発光層３１と、青色（Ｂ）を発光するＢ発光層３２が積層された、タンデム構造を有している。Ｙ発光層３１から発光される黄色発光と、Ｂ発光層３２から発光される青色発光とが足し合されることによって、有機層３０は全体として白色を表示することができる。
【００２６】
有機層３０は、Ｙ発光層３１とＢ発光層３２以外に、キャリア輸送層（正孔輸送層８１、８２、電子輸送層８３、８４）、電荷発生層１０５などが配置される。有機層３０は、低分子系又は高分子系の有機材料が用いて形成される。例えば有機層３０に低分子系の有機材料を用いる場合、発光性の有機材料を含む発光層に加え、当該発光層を挟むように正孔輸送層８１、８２や電子輸送層８３、８４等のキャリア輸送層が付加される。また、正孔輸送層８１、Ｙ発光層３１及び電子輸送層８３からなるユニット（Ｙユニット）と、正孔輸送層８２、Ｂ発光層３２及び電子輸送層８４からなるユニット（Ｂユニット）とは、電荷発生層８５を介して積層される。電荷発生層８５は、Ｙユニットに電子を注入し、Ｂユニットに正孔を注入する。
【００２７】
［フォトクロミック層］
次に、実施形態１におけるフォトクロミック層５１について、図５もあわせて参照しながら説明する。
【００２８】
実施形態１におけるフォトクロミック層５１は、カソード電極４０上に接して配置される。フォトクロミック層５１は、特定の波長域に対して光吸収性を有する、無機化合物又は有機化合物が用いられる。
【００２９】
フォトクロミック層５１に用いられる無機化合物としては、例えば、チタン（Ｔｉ）、バナジウム（Ｖ）、クロム（Ｃｒ）、マンガン（Ｍｎ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、亜鉛（Ｚｎ）、ニオブ（Ｎｂ）、モリブデン（Ｍｏ）、ルテニウム（Ｒｕ）、インジウム（Ｉｎ）、スズ（Ｓｎ）、アンチモン（Ｓｂ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、レニウム（Ｒｅ）、オスミウム（Ｏｓ）、イリジウム（Ｉｒ）及びビスマス（Ｂｉ）のうち、少なくとも１つの元素を含む金属酸化物などを使用してもよい。これらの金属酸化物は、局在表面プラズモン共鳴によって、特定の波長を吸収する特性を持たせることができる。金属の種類、粒子の大きさ、粒子間距離、異方性によって、フォトクロミック層５１が光を吸収する波長域を調整することができる。
【００３０】
フォトクロミック層５１に用いられる有機化合物としては、例えば、ジアリールエテン（Ｄｉａｒｙｌｅｔｈｅｎｅ）化合物、スピロピラン（Ｓｐｉｒｏｐｙｒａｎｓ）化合物、スピロペリミジン（Ｓｐｉｒｏｐｅｒｉｍｉｄｉｎｅｓ）化合物、ビオロゲン（Ｖｉｏｌｏｇｅｎ）化合物、アゾベンゼン（Ａｚｏｂｅｎｚｅｎｅ）化合物及びスチルベン（Ｓｔｉｌｂｅｂｅ）化合物のうちいずれかを含む材料を使用してもよい。これらの有機化合物の末端官能基を付加又は除去することによって、フォトクロミック層５１が光を吸収する波長域を調整することができる。
【００３１】
さらに、フォトクロミック層５１は通過する光量が大きいほど光の吸収が大きくなる性質を有し、その結果としてフォトクロミック層５１を通過する光の透過率は低下する。図５（ａ）は、フォトクロミック層５１に放射される光の放射輝度（ｗ／ｓｒ）と、フォトクロミック層５１を通過する光の透過率との関係を示したグラフである。図５（ａ）を参照すると、放射輝度が大きいほど透過率が低く、放射輝度が小さいほど透過率が大きくなることがわかる。
【００３２】
［フォトクロミック層がもたらす効果］
図５（ｂ）は、Ｂ発光層とＹ発光層を有する有機ＥＬ素子に通電した場合の、通電時間に応じた、Ｂ発光、Ｙ発光それぞれの相対的な輝度変化を示した図である。図５（ｂ）において、ＢはＢ発光の相対的な輝度変化を、ＹはＹ発光の相対的な輝度変化を表している。ここでは、Ｙ発光層に比べて、Ｂ発光層の経年劣化が大きい場合を想定する。この場合、通電時間が一定時間経過すると、相対的な輝度の低下が、Ｙ発光層よりもＢ発光層のほうが大きくなる。その結果、有機層にＢ発光層とＹ発光層が配置されたタンデム構造を有する場合、通電時間が一定時間経過すると、白色色度が黄色側にシフトする。白色色度が黄色側にシフトすると、色度ずれに伴う焼き付き現象が発生しやすくなる。
【００３３】
実施形態１では、Ｂ波長域（４００〜５００ｎｍ）の光を選択的に吸収する性質を有するフォトクロミック層５１が、カソード電極４０上に配置される。フォトクロミック層５１がＢ波長域に光吸収性を有するので、フォトクロミック層５１を通過するＢ発光色は吸収するが、Ｙ発光色は吸収しない。さらに、フォトクロミック層５１は、通過する光の輝度が大きいほど透過率が低く、通過する光の輝度が小さいほど透過率が大きくなる性質を有する。すなわち、フォトクロミック層５１は、Ｂ発光色の輝度が大きいときはＢ発光色の透過光量を抑え、Ｂ発光色の輝度が小さいときはＢ発光色の透過光量を大きくする。これによって、フォトクロミック層５１を通過するＢ発光色の相対的な輝度は、フォトクロミック層５１を配置しない場合の相対的な輝度と比較して、通電時間に伴う低下を抑えることが可能となる。
【００３４】
図５（ｃ）は、通電時間に応じたＢ発光、Ｙ発光それぞれの相対的な輝度変化に加え、フォトクロミック層５１を通過したＢ発光色の相対的な輝度変化（図中のＢ’）を示した図である。図５（ｃ）のＢとＢ’とを比較すると、フォトクロミック層５１を通過させることによって相対的な輝度の低下が抑えられ、通電時間の経過に伴う特性が改善されていることがわかる。このように、フォトクロミック層５１を配置することによって、Ｂ発光色とＹ発光色のバランスの変化を抑え、色度変化に起因する焼き付き問題を改善することが可能となる。
【００３５】
［駆動方法］
次に、実施形態１における画素回路の駆動方法を、図６を用いて説明する。
【００３６】
上述のように、本発明の実施形態１におけるフォトクロミック層５１は、通過する光の輝度が大きいほど透過率が低く、通過する光の輝度が小さいほど透過率が大きくなる、という性質を有する。したがって、例えば発光させる階調ごとに有機層に流す電流値を変化させる駆動方法を取った場合、フォトクロミック層５１は有機層の発光強度に応じて透過率が変化するので、正確に階調を表現することが困難になることが考えられる。
【００３７】
そこで、実施形態１においては、発光デューティーを変化させる方式で、階調を制御してもよい。図６（ａ）は、フル階調で表示させる場合の、駆動時間と電流密度の関係を示したグラフである。図６（ａ）を参照すると、１フレーム間、一定の電流密度（５０（ａ．ｕ．））で駆動させていることがわかる。図６（ｂ）と図６（ｃ）は、それぞれ１／２階調と１／３階調で表示させる場合の、駆動時間と電流密度との関係を示したグラフである。図６（ｂ）及び図６（ｃ）と、図６（ａ）とを比較すると、いずれの階調表示の場合でも、同じ電流密度で駆動させていることがわかる。ただし、１／２階調で表示させる図６（ｂ）の場合は、駆動時間が１／２フレームであり、フル階調で表示させる図６（ａ）の場合の１／２の駆動時間で制御する。同様に、１／３階調で表示させる図６（ｃ）の場合は、フル階調の１／３の駆動時間で制御する。
【００３８】
以上説明したように、実施形態１では、電流密度を一定にしたまま発光デューティーを変化させる駆動方法で制御することによって、比較的容易に階調表現を行うことが可能となる。
【００３９】
［実施形態１の変形例］
実施形態１では、Ｂ波長域（４００〜５００ｎｍ）の光を選択的に吸収する性質を有するフォトクロミック層５１を例にして説明した。しかし、吸収する光の波長域はＢ波長域に限られない。例えば有機層３０を構成するＹ発光層３１とＢ発光層３２のそれぞれの材質によっては、Ｙ発光層３１の方がＢ発光層３２よりも輝度変化の経年劣化が大きいこともありえるので、この場合にはＹ波長域の光を選択的に吸収する性質を有するフォトクロミック層５１を配置してもよい。
【００４０】
＜実施形態２＞
次に、図７及び図８を用いて、実施形態２に係る有機ＥＬ表示装置の構成を説明する。なお、特に言及しない部分については、実施形態２と実施形態１とは共通するものとする。
【００４１】
図７は、実施形態２に係る有機ＥＬ表示装置の画素の断面図を示したものである。図７を参照すると、反射メタル２６とアノード電極２４との間に、フォトクロミック層５２が配置されていることがわかる。有機層３０で発光し下側（基板２０側）に放射された光は、透過性を有するアノード電極２４を通過し、光反射性を有する反射メタル２６で上側（表示装置の表示面側）に反射される。実施形態２では、アノード電極２４と反射メタル２６との間にフォトクロミック層５２が介在しているので、有機層３０で発光した光の一部がフォトクロミック層を通過することになる。
【００４２】
図８は、実施形態２に係る有機ＥＬ表示装置の断面の模式図であり、有機層３０を中心とした部分の拡大図である。図８において、Ｂ１はＢ発光層３２から上側に放射された光を、Ｂ２はＢ発光層から下側に放射された光を、Ｂ３はＢ２が反射メタル２６で反射された後の光を、それぞれ示している。Ｂ２は、反射メタル２６で反射される直前に、フォトクロミック層５２を通過する。また、Ｂ３は、反射メタル２６で反射された直後にフォトクロミック層５２を通過した光である。上述のように、フォトクロミック層５２は通過する光の輝度が大きいほど透過率が低く、通過する光の輝度が小さいほど透過率が大きくなる性質を有するので、Ｂ３はフォトクロミック層５２によって輝度が調整された光となっている。
【００４３】
このように、実施形態２に係る有機ＥＬ表示装置において、基板２０側からパッシベーション層４２を通過する青色光は、フォトクロミック層５２を通過しない青色光Ｂ１と、反射メタル２６で反射されフォトクロミック層５２を通過した青色光Ｂ３とが含まれる。したがって、フォトクロミック層５２を配置することによって、反射メタル２６で反射される青色光の輝度を制御し、結果として有機ＥＬ表示装置の青色光成分の輝度を調整することが可能となる。
【００４４】
［実施形態２の変形例］
実施例２は、実施例１と組み合わせたものであってもよい。すなわち、反射メタル２６とアノード電極２４との間にフォトクロミック層５２が配置されるとともに、カソード電極４０とパッシベーション層４２との間にフォトクロミック層５１が配置されてもよい。この場合、フォトクロミック層５１とフォトクロミック層５２は、それぞれ同じ波長域の光を選択的に吸収する性質を有しても良いし、別の波長域の光を選択的に吸収する性質を有しても良い。
【００４５】
＜実施形態３＞
次に、図９を用いて、実施形態３に係る有機ＥＬ表示装置の構成を説明する。
【００４６】
図９は、実施形態３に係る有機ＥＬ表示装置の断面の模式図であり、有機層３０を中心とした部分の拡大図である。実施形態３は、実施形態１とは異なり、Ｙ発光層の代わりに赤色（Ｒ）発光層３３と緑色（Ｇ）発光層３４が配置されることを特徴とする。なお、図９では、Ｒ発光層３３とＧ発光層３４が接して配置されているが、Ｒ発光層３３とＧ発光層３４との間に何らかの有機材料が配置されてもよい。
【００４７】
［実施形態３の変形例］
図９では、アノード電極に近い順に、Ｒ発光層３３、Ｇ発光層３４、Ｂ発光層３２が順に配置された構成をとるが、各発光層の配置の順番はこれと異なっても良い。また、図９ではフォトクロミック層５１がカソード電極４０とパッシベーション層４２との間に配置されるが、実施例２で説明したように、アノード電極２４と反射メタル２６との間にフォトクロミック層５２（図示せず）が配置されてもよい。また、上述した実施形態１のフォトクロミック層５１はＢ波長域の光を選択的に吸収する性質を有していたが、フォトクロミック層５１（あるいはフォトクロミック層５２）が、Ｒ波長域またはＧ波長域の光を選択的に吸収する性質を有する構成としてもよい。さらに、実施形態２の変形例のように、フォトクロミック層５１とフォトクロミック層５２を有し、それぞれが別の波長域の光を選択的に吸収する性質を有しても良い。
【００４８】
＜実施形態４＞
次に、図１０を用いて、実施形態４に係る有機ＥＬ表示装置の構成を説明する。
【００４９】
図１０は、実施形態４に係る有機ＥＬ表示装置の、発光層とフォトクロミック層５３との配置状態を示した模式図である。図８は、隣接するＲ、Ｇ及びＢの３つの画素付近の模式図であり、Ｒ画素に対応したアノード電極２４Ｒ、Ｇ画素に対応したアノード電極２４Ｇ及びＢ画素に対応したアノード電極２４Ｂが配置されている。実施形態４では、実施形態１乃至３で説明したタンデム構造はとらず、Ｒ発光層３５、Ｇ発光層３６及びＢ発光層３７が、基板２０（図示せず）と平行な面に並んで配置された、ＳＢＳ（Ｓｉｄｅ−Ｂｙ−Ｓｉｄｅ）方式の構造を有する。フォトクロミック層５３は、カソード電極４０とパッシベーション層４２との間に配置される。また、フォトクロミック層５３は、カソード電極４０と同様に、基板２０と略平行に一面にわたって形成される。
【００５０】
ここで、実施形態４のフォトクロミック層５３は、実施形態１で説明したフォトクロミック層５１と同様に、Ｂ波長域（４００〜５００ｎｍ）の光を選択的に吸収し、かつ、通過する光の輝度が大きいほど透過率が低く、通過する光の輝度が小さいほど透過率が大きくなる、という性質を有する。したがって、フォトクロミック層５３は、Ｒ発光層３５、Ｇ発光層３６及びＢ発光層３７の上側に配置されているが、Ｂ発光層３７から発生した光に対してのみ透過率を変化させ、Ｒ発光層３５及びＧ発光層３６から発生した光に対しては影響を及ばさない。このように、ＳＢＳ方式の有機ＥＬ表示装置においても、フォトクロミック層５３を配置することによって、実施形態１で説明したのと同様の効果を得ることが可能となる。
【００５１】
以上説明した実施形態においては、開示例として有機ＥＬ表示装置の場合を例示したが、その他の適用例として、液晶表示装置、自発発光型表示装置、あるいは電気泳動素子等を有する電子ペーパー型表示装置等、あらゆるフラットパネル型の表示装置が挙げられる。また、中小型から大型まで、特に限定することなく適用が可能であることは言うまでもない。
【００５２】
本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。例えば、前述の各実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除若しくは設計変更を行ったもの、又は、工程の追加、省略若しくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００５３】
２０…基板、２１…画素回路層、２２…平坦化膜、２３…絶縁表面、２４、２４Ｂ、２４Ｇ、２４Ｒ…アノード電極、２６…反射メタル、２８…画素分離膜、３０…有機層、３１…Ｙ発光層、３２、３７…Ｂ発光層、３３、３５…Ｒ発光層、３４、３６…Ｇ発光層、４０…カソード電極、４２…パッシベーション層、４４…充填材、４６…対向基板、５１、５２、５３…フォトクロミック層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図９】
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【図１０】
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【図４】
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【図８】
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