(57)【要約】【課題】成膜装置又は洗浄装置において、ヒータが容器の内壁から取り外れることを抑制する。【解決手段】回収室２０の内壁にヒータ１００が設けられている。そして２つの支持部材３００がヒータ１００を介して互いに対向している。そして保持軸４００が２つの支持部材３００に跨って設けられている。保持軸４００は、互いに逆側を向いている曲面４０２及び平面４０４を有している。曲面４０２には、凹部４１０が形成されている。曲面４０２が回収室２０の内壁に対向する向きに保持軸４００が支持されている場合、凹部４１０はヒータ１００を覆う。【選択図】図１０
2016199790.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
容器と、
前記容器の内壁に設けられたヒータと、
前記容器の内壁に設けられ、前記ヒータを介して互いに対向しており、それぞれが開口を有する２つの支持部材と、
一方の前記支持部材の前記開口を貫通し、かつ他方の前記支持部材の前記開口に入り込んでいる保持軸と、
を備え、
前記保持軸は、
前記容器の内壁に対向しており、曲率が第１曲率である第１側面と、
前記第１側面に交わっており、曲率が前記第１曲率よりも小さい第２曲率である第２側面と、
前記第１側面に形成され、前記第２側面に繋がり、前記ヒータを覆う凹部と、
を備える成膜装置。
【請求項２】
請求項１に記載の成膜装置において、
前記凹部は、前記第１側面を巻く方向に延伸しており、一端及び他端が前記第２側面に繋がっている成膜装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の成膜装置において、
前記支持部材は、前記開口に繋がる第１穴を有し、
前記保持軸は、前記支持部材の前記第１穴に繋がる第２穴を有し、
前記支持部材の前記第１穴を貫通し、前記保持軸の前記第２穴に差し込まれる固定部材を備える成膜装置。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか一項に記載の成膜装置において、
前記保持軸は、
前記２つの支持部材の間に位置し、前記第１側面に形成された第３穴を備える成膜装置。
【請求項５】
請求項１〜３のいずれか一項に記載の成膜装置において、
前記保持軸は、
前記２つの支持部材の間に位置し、前記第１側面に形成され、互いに対向する２つの平面を備える成膜装置。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか一項に記載の成膜装置において、
前記ヒータは、前記容器の前記内壁が囲む空間を１周よりも長い周巻くように配置されており、
前記保持軸は、
前記ヒータの複数の前記周を跨って設けられており、
それぞれが前記複数の周のいずれかを覆う複数の前記凹部を備える成膜装置。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか一項に記載の成膜装置において、
前記第１側面は曲面であり、
前記第２側面は平面である成膜装置。
【請求項８】
半導体膜が付着した部材を洗浄する洗浄装置であって、
前記半導体膜の反応生成物が回収される容器と、
前記容器の内壁に設けられたヒータと、
前記容器の内壁に設けられ、前記ヒータを介して互いに対向しており、それぞれが開口を有する２つの支持部材と、
一方の前記支持部材の前記開口を貫通し、かつ他方の前記支持部材の前記開口に入り込んでいる保持軸と、
を備え、
前記保持軸は、
前記容器の内壁に対向しており、曲率が第１曲率である第１側面と、
前記第１側面に交わっており、曲率が前記第１曲率よりも小さい第２曲率である第２側面と、
前記第１側面に形成され、前記第２側面に繋がり、前記ヒータを覆う凹部と、
を備える洗浄装置。
【請求項９】
成膜装置の容器の内壁にヒータを保持する保持方法であって、
曲率が第１曲率である第１側面と、
前記第１側面に交わっており、曲率が前記第１曲率よりも小さい第２曲率である第２側面と、
前記第１側面に形成され、前記第２側面に繋がる凹部と、
を備える保持軸を準備し、
前記容器の内壁に前記ヒータを設け、
それぞれが開口を有する２つの支持部材を前記容器の内壁に設け、前記ヒータを介して前記２つの支持部材を互いに対向させ、
一方の前記支持部材の前記開口に前記保持軸を貫通させ、かつ他方の前記支持部材の前記開口に前記保持軸を入り込ませ、
前記保持軸の前記第１側面を前記容器の内壁に対向させ、前記保持軸の前記凹部で前記ヒータを覆う、保持方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、成膜装置、洗浄装置、及び保持方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、成膜室で窒化物半導体層を成膜するための成膜装置が開発されている。さらに、現在、窒化物半導体層が付着した部材を洗浄する洗浄装置が開発されている。特許文献１には、このような洗浄装置の一例が記載されている。この例において、洗浄装置の洗浄室の内部には、窒化物半導体層が付着した部品が配置される。そして洗浄装置は、洗浄室に繋がる回収室を備えている。洗浄室には、ハロゲン含有ガスが供給される。これにより、上記した窒化物半導体層は、ハロゲン含有ガスと反応して、ハロゲン化ガリウムなる。そしてこのハロゲン化ガリウムは、洗浄室から回収室に送られる。そしてこのハロゲン化ガリウムは、回収室から外部に排出される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】国際公開第２０１２／１５７１６１号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
成膜装置及び洗浄装置では、容器（例えば、上記した成膜室又は上記した回収室）の内部の温度を上昇させるために、容器の内壁にヒータを設けることがある。成膜装置及び洗浄装置では、このようなヒータが容器の内壁から取り外れることを抑制することが重要となる。
【０００５】
本発明の目的は、成膜装置又は洗浄装置において、ヒータが容器の内壁から取り外れることを抑制することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明によれば、
容器と、
前記容器の内壁に設けられたヒータと、
前記容器の内壁に設けられ、前記ヒータを介して互いに対向しており、それぞれが開口を有する２つの支持部材と、
一方の前記支持部材の前記開口を貫通し、かつ他方の前記支持部材の前記開口に入り込んでいる保持軸と、
を備え、
前記保持軸は、
前記容器の内壁に対向しており、曲率が第１曲率である第１側面と、
前記第１側面に交わっており、曲率が前記第１曲率よりも小さい第２曲率である第２側面と、
前記第１側面に形成され、前記第２側面に繋がり、前記ヒータを覆う凹部と、
を備える成膜装置が提供される。
【０００７】
本発明によれば、
半導体膜が付着した部材を洗浄する洗浄装置であって、
前記半導体膜の反応生成物が回収される容器と、
前記容器の内壁に設けられたヒータと、
前記容器の内壁に設けられ、前記ヒータを介して互いに対向しており、それぞれが開口を有する２つの支持部材と、
一方の前記支持部材の前記開口を貫通し、かつ他方の前記支持部材の前記開口に入り込んでいる保持軸と、
を備え、
前記保持軸は、
前記容器の内壁に対向しており、曲率が第１曲率である第１側面と、
前記第１側面に交わっており、曲率が前記第１曲率よりも小さい第２曲率である第２側面と、
前記第１側面に形成され、前記第２側面に繋がり、前記ヒータを覆う凹部と、
を備える洗浄装置が提供される。
【０００８】
本発明によれば、
成膜装置の容器の内壁にヒータを保持する保持方法であって、
曲率が第１曲率である第１側面と、
前記第１側面に交わっており、曲率が前記第１曲率よりも小さい第２曲率である第２側面と、
前記第１側面に形成され、前記第２側面に繋がる凹部と、
を備える保持軸を準備し、
前記容器の内壁に前記ヒータを設け、
それぞれが開口を有する２つの支持部材を前記容器の内壁に設け、前記ヒータを介して前記２つの支持部材を互いに対向させ、
一方の前記支持部材の前記開口に前記保持軸を貫通させ、かつ他方の前記支持部材の前記開口に前記保持軸を入り込ませ、
前記保持軸の前記第１側面を前記容器の内壁に対向させ、前記保持軸の前記凹部で前記ヒータを覆う、保持方法が提供される。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、成膜装置又は洗浄装置において、ヒータが容器の内壁から取り外れることを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】第１の実施形態に係る成膜装置の構成を示す図である。
【図２】図１に示した回収室の内壁の一部を示す斜視図である。
【図３】図２に示した支持部材の詳細を説明するための図である。
【図４】図２に示した保持軸の詳細を説明するための図である。
【図５】回収室の内壁に取り付けられた支持部材によって保持軸を支持する方法の一例を示す図である。
【図６】回収室の内壁に設けられたヒータを保持軸によって保持する方法の一例を示す図である。
【図７】ヒータを回収室の内壁に保持する方法を説明するための図である。
【図８】ヒータを回収室の内壁に保持する方法を説明するための図である。
【図９】ヒータを回収室の内壁に保持する方法を説明するための図である。
【図１０】ヒータを回収室の内壁に保持する方法を説明するための図である。
【図１１】ヒータを回収室の内壁に保持する方法を説明するための図である。
【図１２】ヒータを回収室の内壁に保持する方法を説明するための図である。
【図１３】保持軸を支持部材に固定する方法の詳細を説明するための図である。
【図１４】図１の変形例を示す図である。
【図１５】第２の実施形態に係る成膜装置又は洗浄装置に用いられる保持軸の詳細を説明するための図である。
【図１６】ヒータを回収室の内壁に保持する方法を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
【００１２】
なお、以下に示す説明において、温度制御部３４及びバルブ制御部６４は、ハードウエア単位の構成ではなく、機能単位のブロックを示している。温度制御部３４及びバルブ制御部６４は、任意のコンピュータのＣＰＵ、メモリ、メモリにロードされた本図の構成要素を実現するプログラム、そのプログラムを格納するハードディスクなどの記憶メディア、ネットワーク接続用インタフェースを中心にハードウエアとソフトウエアの任意の組合せによって実現される。そして、その実現方法、装置には様々な変形例がある。
【００１３】
（第１の実施形態）
図１は、第１の実施形態に係る成膜装置の構成を示す図である。この成膜装置は、成膜室１０、回収室２０、温度測定部３２、温度制御部３４、バルブ４２，４４、バルブ５２，５４、減圧部５６、圧力測定部６２、及びバルブ制御部６４を備える。
【００１４】
成膜装置は、成膜室１０の内部で基板Ｗ（例えば、サファイアウェハ又はＳｉＣウェハ）に、半導体膜、具体的には窒化物半導体層を堆積する。なお、本図に示す例において、基板Ｗはステージ１２に載せられている。さらに、ステージ１２は、回転軸１４によって回転可能になっている。さらに、成膜室１０の周囲には、ヒータ１６が設けられている。これにより、成膜室１０の内部の温度を所望の温度に加熱することができる。窒化物半導体層は、ＡｌｘＩｎｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ＜１、０≦ｙ＜１、０≦ｘ＋ｙ＜１）層である。窒化物半導体層は、ＨＶＰＥ（Ｈｙｄｒｉｄｅ  Ｖａｐｏｒ  Ｐｈａｓｅ  Ｅｐｉｔａｘｙ）を用いて堆積させる。より詳細には、窒化物半導体層は、原料ガス（例えば、ＡｌＣｌガス、ＩｎＣｌガス、ＧａＣｌガス、及びＮＨ３ガス）を成膜室１０の内部で反応させることで堆積させる。
【００１５】
上記した窒化物半導体層は、基板Ｗだけでなく、基板Ｗ以外の部分（例えば、成膜室１０の内壁、ステージ１２の表面、及び回転軸１４の表面）にも堆積される。詳細を後述するように、本図に示す例では、このような窒化物半導体層を除去する。
【００１６】
本図に示す例において、回収室２０は、成膜室１０の下方に位置している。回収室２０の内部の空間の平面形状は、例えば円である。回収室２０は、排出管１８を介して成膜室１０に繋がっている。本図に示す例では、複数の排出管１８が設けられている。これら複数の排出管１８は、平面視において、回収室２０の中心を囲むように（より具体的には、例えば円周に沿って）配置されている。詳細を後述するように、回収室２０では、成膜室１０から除去された窒化物半導体層が回収される。言い換えると、回収室２０は、成膜室１０の内部を洗浄する洗浄装置の一部となっている。この洗浄装置は、成膜室１０及び回収室２０双方の外部に位置する部材（例えば、温度測定部３２、温度制御部３４、バルブ４２，４４、バルブ５２，５４、減圧部５６、圧力測定部６２、及びバルブ制御部６４）を備える。
【００１７】
回収室２０は、ヒータ１００を有している。ヒータ１００は、回収室２０の内部の温度を上昇させるために用いられる。ヒータ１００は、回収室２０の内壁に設けられている。具体的には、ヒータ１００は、回収室２０の内壁の上面、回収室２０の内壁の下面、及び回収室２０の内壁の側面に設けられている。回収室２０の内壁の上面及び下面それぞれに設けられたヒータ１００は、平面視においてスパイラル状に延伸している。回収室２０の内壁の側面に設けられたヒータ１００は、回収室２０の内壁が囲む空間を巻くように延伸している。なお、回収室２０の内壁の側面に設けられたヒータ１００の詳細は、図２を用いて後述する。
【００１８】
回収室２０は、流路１１０を有している。流路１１０は、回収室２０の内部の温度を降下させるために用いられる。本図に示す例において、流路１１０は、回収室２０の外側に配置されている。そして流路１１０は、回収室２０の側面を巻くように延伸している。流路１１０には、適当な温度の液体（例えば、水）が流れる。これにより、回収室２０の内部の温度を降下させることができる。
【００１９】
本図に示す例では、回収室２０の温度（より具体的には、回収室２０の内部の温度）は、温度測定部３２によって測定されている。温度測定部３２の測定結果を示す信号は、温度制御部３４に送信される。さらに、温度制御部３４には、所望の温度を示す温度制御信号が外部から送信される。温度制御部３４は、これらの信号に基づいて、ヒータ１００及び流路１１０を制御する。これにより、回収室２０の内部の温度を上記した温度制御信号の示す温度（所望の温度）にすることができる。
【００２０】
バルブ４２，４４は、バルブ制御部６４によって互いに独立に制御されている。バルブ４２が開いた場合、成膜室１０にハロゲン含有ガスが供給される。バルブ４４が開いた場合、成膜室１０に不活性ガスが供給される。なお、ハロゲン含有ガスは、例えば、Ｃｌ２、ＨＣｌ、ＳｉＣｌ４、ＳｉＨＣｌ３、ＳｉＨ２Ｃｌ２、ＳｉＨ３Ｃｌ、ＢＣｌ３、ＣＨＣｌ３、ＣＨ２Ｃｌ２、及びＣＨ３Ｃｌの少なくとも一つである。不活性ガスは、例えば、窒素、ヘリウム、及びアルゴンの少なくとも一つである。
【００２１】
バルブ５２，５４は、バルブ制御部６４によって互いに独立に制御されている。バルブ５２が開いた場合、回収室２０の内部の空間及び成膜室１０の内部の空間は、減圧部５６（例えば、真空ポンプ）に繋がる。このため、バルブ５２が開いた場合、回収室２０の内部の気体及び成膜室１０の内部の気体が減圧部５６を介して外部に排出される。これに対してバルブ５２が閉じたままバルブ５４が開いた場合、回収室２０の内部の気体及び成膜室１０の内部の気体は、外部の領域に直接排出される。
【００２２】
本図に示す例では、成膜室１０の内部の圧力は、圧力測定部６２によって測定されている。バルブ制御部６４は、圧力測定部６２の測定結果を示す信号を受信する。さらに、バルブ制御部６４は、所望の圧力を示す圧力制御信号を外部から受信する。バルブ制御部６４は、これらの信号に基づいて、バルブ４２，４４及びバルブ５２，５４を制御する。これにより、成膜室１０の内部の圧力を上記した圧力制御信号の示す圧力（所望の圧力）にすることができる。
【００２３】
次に、本図を用いて、成膜室１０の洗浄方法（言い換えると、成膜室１０の内部に残った窒化物半導体層を除去する方法）の一例について説明する。まず、バルブ４２，４４，５４を閉じたままバルブ５２を開く。これにより、成膜室１０の内部の空間及び回収室２０の内部の空間が減圧部５６に繋がる。これにより、成膜室１０の内部の圧力を降下させる。さらに、ヒータ１６を用いて成膜室１０の内部の温度を上昇させる。
【００２４】
次いで、バルブ５２を閉じてバルブ４２を開くことにより、成膜室１０の内部にハロゲン含有ガスを供給する。次いで、バルブ４２，４４，５２，５４を閉じることにより、成膜室１０の内部の圧力を上昇させる。この場合において、上記したように、成膜室１０の内部の温度は、ヒータ１６によって適当な温度まで上昇している。これにより、成膜室１０の内部において、上記したハロゲン含有ガスと上記した窒化物半導体層が反応して、気相のハロゲン化ガリウム（例えば、ＧａＣｌ３）が生成される。
【００２５】
次いで、バルブ４２を閉じてバルブ４４を開くことにより、成膜室１０に不活性ガスを供給する。これにより、上記したハロゲン化ガリウム（気体）及び上記した不活性ガスは、排出管１８を通過して、その後、回収室２０の内部の空間に入り込む。
【００２６】
次いで、流路１１０を用いることにより（例えば、流路１１０に水を流すことにより）、回収室２０の内部の温度を例えば０℃以上４０℃以下に保つ。この場合、バルブ４４は開いたままでもよい（言い換えると、成膜室１０の内部の空間に不活性ガスを供給し続けてもよい）し、又は閉じていてもよい。これにより、上記したハロゲン化ガリウムは、回収室２０において気相から固相に変化する。これにより、回収室２０では、上記したハロゲン化ガリウムが固相で回収される。なお、回収室２０の内壁は、例えばステンレスを用いて形成されている。この場合、回収室２０の内壁が上記したハロゲン化ガリウムと反応することを抑制することができる。
【００２７】
次いで、ヒータ１００を用いることにより、回収室２０の内部の温度を例えば８０℃以上２００℃以下に上昇させる。この場合、バルブ４４は開いたままでもよい（言い換えると、成膜室１０の内部の空間に不活性ガスを供給し続けてもよい）し、又は閉じていてもよい。これにより、上記したハロゲン化ガリウムは、固相から気相に変化する。
【００２８】
次いで、成膜室１０の内部の圧力及び回収室２０の内部の圧力をおおよそ大気圧まで上昇させる。具体的には、バルブ４２，５２，５４を閉じてバルブ４４を開く（言い換えると、成膜室１０の内部の空間及び回収室２０の内部の空間に不活性ガスを供給する。）。次いで、バルブ４４を閉じる。次いで、バルブ５２又はバルブ５４を開くことにより、上記したハロゲン化ガリウム（気体）及び上記した不活性ガスを外部に排出する。このようにして、成膜室１０の内部に残った窒化物半導体層が除去される。
【００２９】
図２は、図１に示した回収室２０の内壁の一部を示す斜視図である。本図は、回収室２０の内壁の側面を示している。本図に示すように、回収室２０（容器）は、ヒータ１００、取付部材２００、支持部材３００、保持軸４００、及び固定部材５００を備える。本図に示す例において、ヒータ１００は、図１に示した例において回収室２０の内側壁に設けられたヒータ１００である。
【００３０】
本図に示す例において、回収室２０の内壁が囲む空間の平面形状は円となっている。ヒータ１００は、回収室２０の内壁に設けられている。ヒータ１００は、上記した円の周に沿って延伸している。詳細には、ヒータ１００は、回収室２０の内壁が囲む空間を第１平面（例えば、回収室２０の上面及び下面の一方に平行な平面）に沿って巻き、その後、折れ曲がって、さらにその後、上記した空間を上記した第１平面に平行な第２平面に沿って巻く。このようにして、ヒータ１００は、回収室２０の内壁が囲む空間を１周よりも長い周巻くように配置されている。そして回収室２０の内壁には、穴６１０が形成されている。ヒータ１００は、一端が穴６１０に入り込んでおり、かつ他端が同一の又は異なる穴６１０に入り込んでいる。これにより、ヒータ１００の一端及び他端を回収室２０の外側に延伸させることができる。
【００３１】
本図に示す例では、ほぼ等間隔に並んだ複数の周が複数のヒータ１００によって形成されている。詳細には、１つのヒータ１００が上記した空間をおおよそ１．５周〜２周巻いている。この場合、例えば、１つのヒータ１００は、上記した空間を上記した第１平面に沿ってほぼ１周巻き、かつ上記した空間を上記した第２平面に沿ってほぼ０．５周〜１周巻いている。そしてこのようなヒータ１００を複数並べることで、上記した複数の周が形成されている。
【００３２】
なお、ヒータ１００は、例えば、電気抵抗によって発熱する導体（例えば、ニクロム）を金属（例えば、ステンレス）で覆うことにより形成されている。より具体的には、ヒータ１００は、例えば、シースヒータである。上記したように、ヒータ１００は、回収室２０の内部の温度を上昇させるために用いられる。このため、この温度によってヒータ１００が熱膨張することがある。詳細を後述するように、本図に示す例では、ヒータ１００が熱膨張しても、ヒータ１００が回収室２０の内壁から取り外れることを抑制することができる。
【００３３】
ヒータ１００の表面は回収室２０の内壁に溶接されておらず、ヒータ１００は回収室２０の内壁から取り外し可能になっている。そしてヒータ１００は、取付部材２００によって回収室２０の内壁に取り付けられている。取付部材２００は、例えば金属（例えば、ステンレス）を用いて形成されている。取付部材２００は、ヒータ１００を覆っている。これにより、ヒータ１００は、回収室２０の内壁に取り付けられている。
【００３４】
詳細には、図７〜図１２を用いて後述するように、取付部材２００は、板状部材の一端を、ヒータ１００を跨ぐように湾曲させることにより形成されている。そして取付部材２００の他端は、回収室２０の内壁に沿って延伸し、かつ回収室２０の内壁に溶接されている。これに対して、取付部材２００の上記した一端は、回収室２０の内壁に溶接されておらず、回収室２０の内壁から取り外し可能になっている。これにより、例えばメンテナンスのためヒータ１００を取り外す必要がある場合は、例えば、取付部材２００の上記した一端を回収室２０の内壁から離れる方向に折り曲げることにより、ヒータ１００を取り外すことができる。一方、このような構造においては、ヒータ１００が熱膨張すると、ヒータ１００が取付部材２００の上記した一端から取り外れることがある。詳細を後述するように、本図に示す例では、ヒータ１００が取り外れることを保持軸４００によって抑制する。
【００３５】
支持部材３００は、回収室２０の内壁に溶接により取り付けられている。本図に示す例では、２つの支持部材３００がヒータ１００の複数の周を介して互いに対向している。より詳細には、２つの支持部材３００は、ヒータ１００の巻き軸方向（言い換えると、回収室２０の内壁の上面及び下面の一方に垂直な方向）に並んでいる。２つの支持部材３００それぞれは、開口３１０を有している。一方の支持部材３００の開口３１０及び他方の支持部材３００の開口３１０は、平面形状が円である。そしてこれらの開口３１０は、２つの支持部材３００が並んでいる方向から見た場合、中心が重なっている。
【００３６】
保持軸４００は、２つの支持部材３００に跨って設けられている。具体的には、保持軸４００は、一方の支持部材３００の開口３１０を貫通し、他方の支持部材３００の開口３１０に入り込んでいる。保持軸４００は、互いに逆側を向いている曲面４０２（第１面）及び平面４０４（第２面）を有している。曲面４０２は、回収室２０の内壁に対向している。そして曲面４０２には、複数の凹部４１０が形成されている。複数の凹部４１０それぞれは、曲面４０２を巻く方向に延伸しており、一端及び他端が平面４０４に繋がっている。そして複数の凹部４１０それぞれは、ヒータ１００の複数の周のいずれかを覆っている。これにより、ヒータ１００は、回収室２０の内壁に保持される。
【００３７】
なお、平面４０４は、曲面４０２よりも曲率が小さい曲面であってもよい。詳細を後述するように、平面４０４は、保持軸４００と回収室２０の内壁の間にヒータ１００が通過可能な隙間を生成するために形成されている。この場合、平面４０４が曲面であってもこの曲面の曲率が曲面４０２の曲率よりも小さい場合、上記した隙間を生成することが可能である。
【００３８】
本図に示す例では、複数の保持軸４００が回収室２０の内壁に沿って等間隔に配置されている。これにより、保持軸４００によってヒータ１００を保持する力が回収室２０の内壁に沿って均等に分配される。さらに、本図に示す例では、複数の取付部材２００の一部がヒータ１００の巻き軸方向に沿って複数列に配置されている。これら複数列は、複数の保持軸４００によって覆われている領域を通過するヒータ１００に設けられている。さらに、上記した複数列は、回収室２０の内壁に沿って等間隔に配置されている。これにより、取付部材２００によってヒータ１００の上記した周を取り付ける力が回収室２０の内壁に沿って均等に分配される。さらに、本図に示す例では、上記した複数列の配置間隔が複数の保持軸４００の配置間隔よりも狭いものとなっている。
【００３９】
保持軸４００は、固定部材５００によって支持部材３００に固定されている。詳細を後述するように、固定部材５００は、支持部材３００及び保持軸４００を貫通する軸状の部材の両端を折り曲げることにより形成されている。固定部材５００がこのような形状を有する場合、固定部材５００が支持部材３００及び保持軸４００から抜けることを抑制することができる。
【００４０】
図３は、図２に示した支持部材３００の詳細を説明するための図である。本図（ａ）は支持部材３００の平面図であり、本図（ｂ）は支持部材３００の側面図である。支持部材３００は、開口３１０を有する基材（例えば、ステンレス）を用いて形成されている。本図に示す例において、開口３１０の平面形状は円である。そして支持部材３００は、側面の一部が取付面３０２になっている。取付面３０２を回収室２０（図２）の内壁に溶接することで、支持部材３００は回収室２０（図２）の内壁に取り付けられる。
【００４１】
本図に示す例において、取付面３０２は平面である。これに対して、回収室２０（図２）の内壁は円柱状の空間の側面を囲む曲面となっている。ただし、支持部材３００の大きさは、回収室２０（図２）の内壁が囲む空間の大きさよりも圧倒的に小さい。このため、回収室２０（図２）の内壁のうち取付面３０２が取り付けられる部分は、ほぼ平面とみなすことができる。
【００４２】
支持部材３００は、取付面３０２に交わる側面に穴３２０（第１穴）を有する。穴３２０には、固定部材５００（図２）が貫通する。本図に示す例では、２つの穴３２０が開口３１０を介して互いに対向する。２つの穴３２０は、取付面３０２に平行な一直線上に沿って形成されている。
【００４３】
支持部材３００は、取付面３０２に交わる側面に凸部３３０を有する。凸部３３０は、側面の一部が取付面３０２の一部となっている。本図に示す例において、支持部材３００は、開口３１０を介して互いに逆側に位置する２つの凸部３３０を有する。これにより、取付面３０２の面積を大きいものにすることができる。このため、取付面３０２を回収室２０（図２）の内壁に溶接することが容易となる。
【００４４】
図４は、図２に示した保持軸４００の詳細を説明するための図である。本図（ａ）は保持軸４００の上面図であり、本図（ｂ）は保持軸４００を曲面４０２側から見た平面図であり、本図（ｃ）は保持軸４００の側面図である。本図に示す例において、保持軸４００は、円柱の側面を欠くことにより形成された基材（例えば、ステンレス）を用いて形成されている。
【００４５】
詳細には、保持軸４００は、互いに逆側を向いている曲面４０２及び平面４０４を有する。曲面４０２は、上記した円柱の側面の一部である。曲面４０２には、複数の凹部４１０が形成されている。複数の凹部４１０は、保持軸４００の上記した基材の延伸方向に沿って等間隔に配置されている。さらに、複数の凹部４１０それぞれは、保持軸４００の上記した基材の延伸方向に直交する平面に沿って曲面４０２を巻く方向に延伸している。そして凹部４１０は、一端及び他端が平面４０４に繋がっている。上記したように、凹部４１０は、ヒータ１００（図２）を覆う。
【００４６】
本図に示す例では、保持軸４００は、保持軸４００の延伸方向に沿って互いに逆側に位置する２つの穴４２０（第２穴）を有する。穴４２０は、保持軸４００の曲面４０２に形成されている。そして本図に示す例では、穴４２０は、平面４０４に平行な直線に沿って保持軸４００の上記した基材を貫通している。穴４２０には、固定部材５００（図２）が差し込まれる。
【００４７】
さらに、本図に示す例では、曲面４０２に穴４３０（第３穴）が形成されている。穴４３０は、保持軸４００を２つの支持部材３００（図２）で支持した場合、２つの支持部材３００（図２）の間に位置するようになる。詳細を後述するように、穴４３０を用いることにより、２つの支持部材３００（図２）に支持された保持軸４００を回転させることができる。なお、本図に示す例では、穴４３０は、平面４０４に平行な方向に沿って保持軸４００の基材を貫通している。
【００４８】
図５は、回収室２０の内壁に取り付けられた支持部材３００によって保持軸４００を支持する方法の一例を示す図である。本図は、ヒータ１００、支持部材３００、及び保持軸４００を保持軸４００の延伸方向から見た図である。なお、本図では、説明のため、固定部材５００を図示していない。本図に示す例では、支持部材３００は、取付面３０２（図３）が回収室２０の内壁に取り付けられている。そして保持軸４００の一部が支持部材３００の開口３１０に差し込まれている。詳細には、本図に示す例において、開口３１０の平面形状は円である。これに対して、保持軸４００の平面形状は、開口３１０の上記した円の一部を欠いた形状である。このため、保持軸４００を開口３１０に差し込むことができる。
【００４９】
本図に示す例では、支持部材３００の開口３１０の一部がヒータ１００と重なっている。そして保持軸４００の平面４０４が回収室２０の内壁に対向している。そして保持軸４００の平面４０４と回収室２０の内壁の間に隙間が生成されている。この隙間は、ヒータ１００の幅よりも広い。このため、ヒータ１００は、この隙間を通過することができる。
【００５０】
図６は、回収室２０の内壁に設けられたヒータ１００を保持軸４００によって保持する方法の一例を示す図である。本図は、回収室２０の内壁、ヒータ１００、及び保持軸４００をヒータ１００の延伸方向に垂直な断面から見た図である。本図に示す例では、保持軸４００は、曲面４０２が回収室２０の内壁に対向する向きに配置されている。そして曲面４０２と回収室２０の内壁の間に形成される隙間が小さいものとなっている。具体的には、上記した隙間は、ヒータ１００が通過することができない程の幅となっている。そしてヒータ１００は、保持軸４００の凹部４１０に覆われている。この場合、仮に取付部材２００（図２）が例えばヒータ１００の熱膨張によって成膜室１０の内壁から取り外れたとしても、ヒータ１００は保持軸４００によって保持される。
【００５１】
図７〜図１２の各図は、ヒータ１００を回収室２０の内壁に保持する方法を説明するための図である。まず、図７に示すように、板状の取付部材２００の一端を回収室２０の内壁に溶接する。次いで、取付部材２００の近傍を通過するようにヒータ１００を回収室２０の内壁に設ける。次いで、ヒータ１００を覆うように取付部材２００を湾曲させる。これにより、ヒータ１００が回収室２０の内壁に支持される。なお、取付部材２００の他端は、回収室２０の内壁に溶接しない。次いで、回収室２０の内壁に溶接により２つの支持部材３００を取り付ける。
【００５２】
次いで、図８に示すように、２つの支持部材３００の外側から２つの支持部材３００の一方の開口３１０に保持軸４００を差し込む。開口３１０に保持軸４００を差し込む場合、保持軸４００は、平面４０４（図４）が回収室２０と対向する向きに向ける。
【００５３】
次いで、図９に示すように、２つの支持部材３００の一方の開口３１０に保持軸４００を貫通させる。さらに、保持軸４００の一部を２つの支持部材３００の他方の開口３１０に差し込む。図５を用いて説明したように、保持軸４００の平面４０４（図５）と回収室２０の内壁の間にはヒータ１００が通過可能な隙間が生成される。このため、本図に示すように、保持軸４００は、ヒータ１００の上方を通過することができる。
【００５４】
次いで、図１０に示すように、保持軸４００の穴４３０に軸４３２を差し込む。そして軸４３２を回転させることで、保持軸４００を回転させる。保持軸４００の曲面４０２には、凹部４１０が形成されている。そして凹部４１０は、平面４０４に繋がっている。このため、凹部４１０がヒータ１００を覆うように保持軸４００を回転させることができる。
【００５５】
次いで、図１１に示すように、保持軸４００を平面４０４が回収室２０の内壁とは逆側を向くまで回転させる。次いで、穴４３０（図１０）から軸４３２（図１０）を抜く。本図に示す例において、凹部４１０は、ヒータ１００を覆っている。これにより、図６を用いて説明したように、ヒータ１００を回収室２０の内壁に保持することができる。
【００５６】
次いで、図１２に示すように、支持部材３００及び保持軸４００に固定部材５００を貫通させる。これにより、保持軸４００を支持部材３００に固定する。
【００５７】
図１３は、保持軸４００を支持部材３００に固定する方法の詳細を説明するための図である。まず、本図（ａ）に示すように、固定部材５００を準備する。本図（ａ）に示す例において、固定部材５００は、軸状の部材（例えば、ステンレス）である。保持軸４００は、一端が支持部材３００の開口３１０（図３）に差し込まれている。そして支持部材３００の穴３２０と保持軸４００の穴４２０は、互いに繋がっている。これにより、固定部材５００を支持部材３００の穴３２０及び保持軸４００の穴４２０に通過させることができる。これにより、保持軸４００が支持部材３００に固定される。次いで、本図（ｂ）に示すように、固定部材５００の両端を折り曲げる。これにより、固定部材５００が支持部材３００の穴３２０及び保持軸４００の穴４２０から抜けることが防止される。
【００５８】
以上、本実施形態によれば、回収室２０の内壁にヒータ１００が設けられている。そして２つの支持部材３００がヒータ１００を介して互いに対向している。そして保持軸４００が２つの支持部材３００に跨って設けられている。保持軸４００は、互いに逆側を向いている曲面４０２及び平面４０４を有している。曲面４０２には、凹部４１０が形成されている。曲面４０２が回収室２０の内壁に対向する向きに保持軸４００が支持されている場合、凹部４１０はヒータ１００を覆う。これにより、ヒータ１００は、回収室２０の内壁に保持される。
【００５９】
なお、ヒータ１００、取付部材２００、支持部材３００、保持軸４００、及び固定部材５００を設ける容器は、回収室２０に限定されるものではない。例えば、図１に示した例においては、ヒータ１００、取付部材２００、支持部材３００、保持軸４００、及び固定部材５００は、成膜室１０の内壁に設けてもよい。
【００６０】
図１４は、図１の変形例を示す図である。本図は、対象物Ｔを洗浄するための洗浄装置の構成を示している。本図に示す例では、成膜室１０（図１）に代えて洗浄室１１が設けられている。洗浄室１１の内部には、対象物Ｔが搬入されている。対象物Ｔには、窒化物半導体層が付着している。対象物Ｔは、例えば、窒化物半導体層の堆積に用いられる部品（例えば、治具）である。他の例として、対象物Ｔは、窒化物半導体層が付着した基板であってもよい。本図に示す例では、図１に示した例と同様にしてこの窒化物半導体層を除去することにより、対象物Ｔを洗浄することができる。
【００６１】
（第２の実施形態）
図１５は、第２の実施形態に係る成膜装置又は洗浄装置に用いられる保持軸４００の詳細を説明するための図であり、第１の実施形態の図４に対応する。本実施形態に係る成膜装置は、以下の点を除いて、第１の実施形態に係る成膜装置と同様の構成である。
【００６２】
本図に示す例において、保持軸４００の側面には、２つの平面４４０が形成されている。本図に示す例において、２つの平面４４０は、平面４０４に交わり、かつ互いに対向している。２つの平面４４０は、保持軸４００を２つの支持部材３００（図２）で支持した場合、２つの支持部材３００（図２）の間に位置するようになる。詳細を後述するように、２つの平面４４０を用いることにより、２つの支持部材３００（図２）に支持された保持軸４００を回転させることができる。
【００６３】
図１６は、ヒータ１００を回収室２０の内壁に保持する方法を説明するための図である。まず、第１の実施形態と同様にして、図７及び図８に示した工程を行う。
【００６４】
次いで、図１６に示すように、保持軸４００を回転させる。この場合、２つの支持部材３００の間には、２つの平面４４０が位置している。このため、工具（例えば、ペンチ）で２つの平面４４０を挟むことにより、保持軸４００を回転させることができる。
【００６５】
その後の工程は、第１の実施形態と同様である。
【００６６】
本実施形態においても、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００６７】
以上、図面を参照して本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。
【符号の説明】
【００６８】
１０  成膜室
１１  洗浄室
１２  ステージ
１４  回転軸
１６  ヒータ
１８  排出管
２０  回収室
３２  温度測定部
３４  温度制御部
４２  バルブ
４４  バルブ
５２  バルブ
５４  バルブ
５６  減圧部
６２  圧力測定部
６４  バルブ制御部
１００  ヒータ
１１０  流路
２００  取付部材
３００  支持部材
３０２  取付面
３１０  開口
３２０  穴
３３０  凸部
４００  保持軸
４０２  曲面
４０４  平面
４１０  凹部
４２０  穴
４３０  穴
４３２  軸
４４０  平面
５００  固定部材
６１０  穴
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
2016199790.tif 000016
【図１５】
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【図１６】
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