(57)【要約】【課題】電子部品の小型化を実現させるために使用可能な樹脂組成物および構造体、かかる構造体の製造方法、さらには、かかる構造体を備える電子部品を提供する。【解決手段】オームの法則に従わない非直線性の電圧−電流特性を示す構造体を作製するための樹脂組成物であって、熱硬化性樹脂と、複数の結晶部および該結晶部同士を離隔する粒界部を有する半導体セラミックス粒子と、を含み、前記半導体セラミックス粒子を、当該樹脂組成物全量に対して、６０質量％以上９７質量％以下含むことを特徴とする。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
オームの法則に従わない非直線性の電圧−電流特性を示す構造体を作製するための樹脂組成物であって、
熱硬化性樹脂と、
複数の結晶部および該結晶部同士を離隔する粒界部を有する半導体セラミックス粒子と、を含み、
前記半導体セラミックス粒子を、当該樹脂組成物全量に対して、６０質量％以上９７質量％以下含むことを特徴とする樹脂組成物。
【請求項２】
硬化促進剤をさらに含む請求項１に記載の樹脂組成物。
【請求項３】
離型剤をさらに含む請求項１または２に記載の樹脂組成物。
【請求項４】
前記結晶部が、酸化亜鉛、炭化ケイ素、チタン酸ストロンチウム、およびチタン酸バリウムからなる群より選択される１種以上を含む材料により形成されている請求項１乃至３のいずれか一項に記載の樹脂組成物。
【請求項５】
前記粒界部が、ビスマス、プラセオジム、アンチモン、マンガン、コバルトおよびニッケル、またはこれらの化合物からなる群より選択される１種以上を含む材料により形成されている請求項１乃至４のいずれか一項に記載の樹脂組成物。
【請求項６】
当該樹脂組成物は、顆粒状、タブレット状、またはシート状である請求項１乃至５のいずれか一項に記載の樹脂組成物。
【請求項７】
オームの法則に従わない非直線性の電圧−電流特性を示す構造体の製造方法であって、
請求項１乃至６のいずれか一項に記載の樹脂組成物を準備する工程と、
前記樹脂組成物を圧縮成形、またはトランスファー成形することにより前記構造体を得る工程と、を有することを特徴とする構造体の製造方法。
【請求項８】
オームの法則に従わない非直線性の電圧−電流特性を示す構造体であって、
熱硬化性樹脂と、複数の結晶部および該結晶部同士を離隔する粒界部を有する半導体セラミックス粒子と、を含む樹脂組成物の硬化物で構成され、
前記半導体セラミックス粒子を、当該樹脂組成物全量に対して、６０質量％以上９７質量％以下含むことを特徴とする構造体。
【請求項９】
基板と、該基板上に設けられ、互いに離間した第１の端子および第２の端子を有する電子素子と、
該電子素子の前記基板上に、前記第１の端子および前記第２の端子に接触するように設けられた請求項８に記載の構造体と、を有し、
前記第１の端子と前記第２の端子との間に、一部の前記半導体セラミックス粒子が配設されていることを特徴とする電子部品。
【請求項１０】
前記第１の端子と前記第２の端子との間に配設された前記半導体セラミックス粒子同士は、互いに接触している請求項９に記載の電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、樹脂組成物、構造体の製造方法、構造体および電子部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、高密度に実装できる技術が進歩したことに伴い、電子部品の小型化および軽量化が進んでいる。それ故、電子部品内に実装されている回路は、高密度化される傾向にある。
ここで、電子部品内に実装されている回路を高密度化した場合には、静電気等の過電圧が印加されることにより、当該電子部品の誤作動が生じる、当該電子部品が損傷する、等の不都合が生じる可能性は高まる傾向にある。
こうした事情に鑑みて、電子部品内に実装されている回路中に搭載されている電子素子を静電気等の過電圧から保護するために、上記電子素子とともに同回路に搭載させる耐電圧保護素子（バリスタ素子等）について、種々の検討がなされている（特許文献１等）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００４−２４７３４６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記従来の耐電圧保護素子は、電子素子とともに回路内に配置して使用することを前提としたものである。それ故、従来の電子部品内には、耐電圧保護素子を配置する空間を確保する必要があった。しかし、電子部品の小型化および軽量化に要求される技術水準は、ますます高まっている。
【０００５】
そこで、本発明者らは、電子部品内に実装されている回路中に搭載する電子素子自体の内部に、静電気等の過電圧から保護する機能を有した構成を具備させることができれば、電子部品をさらに小型化できると考えた。
【０００６】
以上を踏まえ、本発明は、電子部品の小型化を実現させるために使用可能な樹脂組成物および構造体、かかる構造体の製造方法、さらには、かかる構造体を備える電子部品を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明によれば、オームの法則に従わない非直線性の電圧−電流特性を示す構造体を作製するための樹脂組成物であって、
熱硬化性樹脂と、
複数の結晶部および該結晶部同士を離隔する粒界部を有する半導体セラミックス粒子と、を含み、
前記半導体セラミックス粒子を、当該樹脂組成物全量に対して、６０質量％以上９７質量％以下含むことを特徴とする樹脂組成物が提供される。
【０００８】
また、本発明によれば、オームの法則に従わない非直線性の電圧−電流特性を示す構造体の製造方法であって、
上記樹脂組成物を準備する工程と、
前記樹脂組成物を圧縮成形、またはトランスファー成形することにより前記構造体を得る工程と、を有することを特徴とする構造体の製造方法が提供される。
【０００９】
さらに、本発明によれば、オームの法則に従わない非直線性の電圧−電流特性を示す構造体であって、
熱硬化性樹脂と、複数の結晶部および該結晶部同士を離隔する粒界部を有する半導体セラミックス粒子と、を含む樹脂組成物の硬化物で構成され、
前記半導体セラミックス粒子を、当該樹脂組成物全量に対して、６０質量％以上９７質量％以下含むことを特徴とする構造体が提供される。
【００１０】
さらに、本発明によれば、基板と、該基板上に設けられ、互いに離間した第１の端子および第２の端子を有する電子素子と、
該電子素子の前記基板上に、前記第１の端子および前記第２の端子に接触するように設けられた前記構造体と、を有し、
前記第１の端子と前記第２の端子との間に、一部の前記半導体セラミックス粒子が配設されていることを特徴とする電子部品が提供される。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、電子部品の小型化を実現させるために使用可能な樹脂組成物および構造体、かかる構造体の製造方法、さらには、かかる構造体を備える電子部品を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本実施形態に係る半導体セラミックス粒子の拡大断面図である。
【図２】本実施形態に係る構造体の一例を示す模式図である。
【図３】本実施形態に係る構造体の一例を示す模式図である。
【図４】電流値の測定結果から非直線係数とバリスタ電圧を算出する方法を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
【００１４】
＜＜樹脂組成物＞＞
本実施形態に係る樹脂組成物（以下、「本樹脂組成物」とも示す。）は、オームの法則に従わない非直線性の電圧−電流特性を示す構造体３００を作製するためのものである（図２参照）。具体的には、本樹脂組成物は、熱硬化性樹脂と、複数の結晶部および結晶部同士を離隔する粒界部を有する半導体セラミックス粒子とを含んでいる。また、本樹脂組成物は、その全量に対して、上記半導体セラミックス粒子を６０質量％以上９７質量％以下で含んでいる。
【００１５】
かかる構成を採用した樹脂組成物を用いることによって、電子部品の回路内に配置される電子素子自体の内部に、静電気等の過電圧から保護する機能を有した構成（構造体３００）を歩留りよく具備させることが可能となる。このため、従来の電子部品のように、電子素子と、耐電圧保護素子とを回路内に配置する必要がなくなり、結果として、電子部品の小型化を実現させることができる。
【００１６】
ここで、本実施形態に係る製造方法により得られる構造体３００が有する、オームの法則に従わない非直線性の電圧−電流特性（バリスタ特性）とは、少なくとも２つの電極端子を備えた電子部品に対して徐々に増大する電圧を印加した際に、一般的にバリスタ素子と呼ばれている過電圧保護素子に流れる電流が非直線的に増大する特性のことを指す。本実施形態において、上記バリスタ特性を有した構造体３００とは、具体的には、第１の端子と第２の端子とを有する電子部品に搭載させる構造体であり、上記構造体３００を電子部品に搭載させた時、第１の端子と第２の端子との間の電圧が装置の耐電圧未満である場合には絶縁性を示し、かつ第１の端子と第２の端子との間の電圧が装置の駆動電圧以上である場合には導電性を示すものを指す。
【００１７】
なお、本実施形態に係る構造体３００の有する特性が、上述したように絶縁性から導電性に変換される電圧や、導電性から絶縁性に変換される電圧のことを、以下、バリスタ電圧と称する。
【００１８】
以下、本実施形態に係る樹脂組成物（高電圧保護部材形成用樹脂組成物）について、詳細に説明する。
【００１９】
従来の電子部品においては、上記背景技術の項や発明が解決しようとする課題の項で述べたように、当該電子部品を静電気等の過電圧から保護するため、当該電子部品の回路内に電子素子とともに耐電圧保護素子を具備させる構成を採用することが通常であった。そのため、従来の電子部品内には、耐電圧保護素子を配置する空間を確保する必要があった。それ故、近年要求されている、電子部品のさらなる小型化については、限界を有していた。
【００２０】
こうした事情に鑑みて、本発明者は、電子部品の回路内に配置される電子素子自体の内部に、静電気等の過電圧から保護する機能を有した構成を具備させることができれば、電子部品をさらに小型化できると考えた。具体的には、本発明者は、少なくとも２つの電極端子（第１の端子と第２の端子）を備えた、たとえば、半導体素子等の電子素子において、上記第１の端子と第２の端子の双方と接するように配することの可能な、たとえば、膜状であり、かつバリスタ特性を示す部材を実現することが、設計指針として有効であることを見出した。
【００２１】
しかし、上述したバリスタ特性を示す部材（構造体３００）を作製するためには、以下の３つの特性を有する樹脂組成物を作製する必要があった。上記樹脂組成物に要求される第１の特性は、バリスタ特性を示す部材の使用対象である電子素子中に搭載されている電極端子の形状に対応できるように上記部材の形状を制御できる程度に優れた成形性である。上記樹脂組成物に要求される第２の特性は、従来の電子部品において電極端子を保護するために使用されていた封止材の有する機能、すなわち、耐久性、耐湿性および密着性等の要求特性を保持していることである。上記樹脂組成物に要求される第３の特性は、当該樹脂組成物が十分なバリスタ特性を発現できることである。
【００２２】
こうした事情に鑑みて、本発明者は、上述した３つの要求特性を満たす樹脂材料を作製するための設計指針について鋭意検討した結果、バリスタ特性を備えた半導体セラミックス粒子１００を（図１参照）、樹脂組成物中に配合すれば、電子部品内に実装される回路中に搭載する電子素子自体の内部に、静電気等の過電圧や外部環境から加わる応力の外的負荷から上記電子素子を保護する機能を有した構成を具備させることのできる部材を歩留りよく作製することが可能であるとの知見を得た。
【００２３】
くわえて、本発明者は、上述した第１の特性を満たす観点、すなわち、十分な成形性を実現する観点から、上述したバリスタ特性を示す部材を作製する方法としては、圧縮成形法またはトランスファー成形法を採用することが望ましいことも知見した。それ故、本樹脂組成物は、顆粒状、タブレット状またはシート状の形態に加工されたものであることが望ましい。
【００２４】
＜熱硬化性樹脂＞
本樹脂組成物に含まれる熱硬化性樹脂の具体例としては、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂、トリアジン骨格含有フェノールノボラック樹脂などのノボラック型フェノール樹脂；未変性のレゾールフェノール樹脂、桐油、アマニ油、クルミ油などで変性した油変性レゾールフェノール樹脂などのレゾール型フェノール樹脂などのフェノール樹脂；ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＥ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＭ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＰ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＺ型エポキシ樹脂などのビスフェノール型エポキシ樹脂；フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂などのノボラック型エポキシ樹脂；ビフェニル型エポキシ樹脂、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂、アリールアルキレン型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、フェノキシ型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ノルボルネン型エポキシ樹脂、アダマンタン型エポキシ樹脂、フルオレン型エポキシ樹脂などのエポキシ樹脂；ユリア（尿素）樹脂、メラミン樹脂などのトリアジン環を有する樹脂；不飽和ポリエステル樹脂；ビスマレイミド化合物などのマレイミド樹脂；ポリウレタン樹脂；ジアリルフタレート樹脂；シリコーン樹脂；ベンゾオキサジン樹脂；シアネートエステル樹脂；ポリイミド樹脂；ポリアミドイミド樹脂；ベンゾシクロブテン樹脂、ノボラック型シアネート樹脂、ビスフェノールＡ型シアネート樹脂、ビスフェノールＥ型シアネート樹脂、テトラメチルビスフェノールＦ型シアネート樹脂等のビスフェノール型シアネート樹脂などが挙げられる。これらの中の１種類を単独で用いてもよいし、異なる重量平均分子量を有する２種類以上を併用してもよく、１種類または２種類以上と、それらのプレポリマーを併用してもよい。
【００２５】
熱硬化性樹脂の含有量は、本樹脂組成物に対して、好ましくは、１質量％以上３８質量％以下であり、より好ましくは、１．５質量％以上３５質量％以下であり、さらに好ましくは、２質量％以上３０質量％以下であり、最も好ましくは、３質量％以上２５質量％以下である。熱硬化性樹脂の含有量を上記下限値以上とすることにより、熱硬化性樹脂の流動性低下を抑制することができる。また、熱硬化性樹脂の含有量を上記上限値以下とすることにより、熱硬化性樹脂の熱放散性の低下を抑制できるとともに、本樹脂組成物からなる構造体３００の備えるバリスタ特性が低下することを抑制することが可能である。
【００２６】
本樹脂組成物に含まれる熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂を用いることが好ましい。上記エポキシ樹脂としては、その分子量、分子構造に関係なく、１分子内にエポキシ基を２個以上有するモノマー、オリゴマー、ポリマー全般を使用することが可能である。
【００２７】
このようなエポキシ樹脂の具体例としては、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、ハイドロキノン型エポキシ樹脂等の結晶性エポキシ樹脂；クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ナフトールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂；フェニレン骨格含有フェノールアラルキル型エポキシ樹脂、ビフェニレン骨格含有フェノールアラルキル型エポキシ樹脂、フェニレン骨格含有ナフトールアラルキル型エポキシ樹脂等のフェノールアラルキル型エポキシ樹脂；トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、アルキル変性トリフェノールメタン型エポキシ樹脂等の３官能型エポキシ樹脂；ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂、テルペン変性フェノール型エポキシ樹脂等の変性フェノール型エポキシ樹脂；トリアジン核含有エポキシ樹脂等の複素環含有エポキシ樹脂等が挙げられ、これらは１種類を単独で用いても２種類以上を組み合わせて用いてもよい。
【００２８】
一方、本樹脂組成物に含まれる熱硬化性樹脂として、シリコーン樹脂を用いることができる。これにより、Ｓｉに由来する無機的性質に起因した無機系材料に対する良好な親和性を有する樹脂組成物とすることができる。
【００２９】
硬化型シリコーン系樹脂の主剤および硬化剤は、１官能性シラン由来の単位、２官能性シラン由来の単位、３官能性シラン由来の単位、および４官能性シラン由来の単位のうちの少なくとも１種を繰り返し単位として含んでいてもよい。
【００３０】
ここで、１官能性シラン由来の単位とは、下記一般式（１）で表される繰り返し単位（Ｍ単位）のことをいう。
【００３１】
Ｒ３ＳｉＯ１／２      （１）
［ただし、Ｒは、メチル基、エチル基、プロピル基、シクロヘキシル基、フェニル基等の非反応性官能基、またはビニル基、水素原子、ヒドロキシ基、アルコキシ基、エポキシ基等の反応性官能基を示す。］
【００３２】
また、２官能性シラン由来の単位とは、下記一般式（２）で表される繰り返し単位（Ｄ単位）のことをいう。
【００３３】
Ｒ２ＳｉＯ２／２      （２）
［ただし、Ｒは、メチル基、エチル基、プロピル基、シクロヘキシル基、フェニル基等の非反応性官能基、またはビニル基、水素原子、ヒドロキシ基、アルコキシ基、エポキシ基等の反応性官能基を示す。］
【００３４】
また、３官能性シラン由来の単位とは、下記一般式（３）で表される繰り返し単位（Ｔ単位）のことをいう。
【００３５】
ＲＳｉＯ３／２      （３）
［ただし、Ｒは、メチル基、エチル基、プロピル基、シクロヘキシル基、フェニル基等の非反応性官能基、またはビニル基、水素原子、ヒドロキシ基、アルコキシ基、エポキシ基等の反応性官能基を示す。］
【００３６】
また、４官能性シラン由来の単位とは、下記一般式（４）で表される繰り返し単位（Ｑ単位）のことをいう。
ＳｉＯ４／２      （４）
【００３７】
本樹脂組成物は、離型剤を含有していることが好ましい。こうすることで、バリスタ特性を示す部材（構造体３００）を歩留りよく作製することが可能となる。この理由は、以下の通りである。本樹脂組成物は、上述したように、圧縮成形法またはトランスファー成形法によりバリスタ特性を示す部材（構造体３００）を作製するための原材料として使用することを想定したものである。上記圧縮成形法またはトランスファー成形法を採用する場合には樹脂金型を用いて上記部材（構造体３００）を作製することになる。この場合、本樹脂組成物を用いて上記部材（構造体３００）を成形した後、金型から成形物を離型する必要がある。そして、成形金型から成形物を離型する際の離型力が強くなると、得られた成形物が破損するという不都合が生じやすくなる傾向にある。そのため、離型剤を含む樹脂組成物を使用した場合には、上述した不都合が生じることを抑制することが可能であり、結果として、バリスタ特性を示す部材（構造体３００）を歩留りよく作製することが可能となる。
【００３８】
本実施形態に係る離型剤の具体例としては、天然ワックス、合成ワックス、高級脂肪酸もしくはその金属塩類、パラフィン、酸化ポリエチレン等が挙げられる。離型剤の含有量は、熱硬化性樹脂組成物全量に対して、好ましくは、０．０１質量％以上１質量％以下であり、さらに好ましくは、０．０３質量％以上０．８質量％以下である。
【００３９】
本樹脂組成物中に含まれる樹脂材料２００（図２および図３参照）には、硬化剤を含有させてもよい。上記硬化剤は、熱硬化性樹脂と反応して硬化させるものであればよく、ここで、熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂を用いる場合に使用可能な硬化剤の具体例としては、エチレンジアミン、トリメチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン等の炭素数２〜２０の直鎖脂肪族ジアミン、メタフェニレンジアミン、パラフェニレンジアミン、パラキシレンジアミン、４，４’−ジアミノジフェニルメタン、４，４’−ジアミノジフェニルプロパン、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル、４，４’−ジアミノジフェニルスルホン、４，４’−ジアミノジシクロヘキサン、ビス（４−アミノフェニル）フェニルメタン、１，５−ジアミノナフタレン、メタキシレンジアミン、１，１−ビス（４−アミノフェニル）シクロヘキサン、ジシアノジアミド等のアミノ類；アニリン変性レゾール樹脂やジメチルエーテルレゾール樹脂等のレゾール型フェノール樹脂；フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ｔｅｒｔ−ブチルフェノールノボラック樹脂、ノニルフェノールノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂；フェニレン骨格含有フェノールアラルキル樹脂、ビフェニレン骨格含有フェノールアラルキル樹脂等のフェノールアラルキル樹脂；ナフタレン骨格やアントラセン骨格のような縮合多環構造を有するフェノール樹脂；ポリパラオキシスチレン等のポリオキシスチレン；ヘキサヒドロ無水フタル酸（ＨＨＰＡ）、メチルテトラヒドロ無水フタル酸（ＭＴＨＰＡ）などの脂環族酸無水物、無水トリメリット酸（ＴＭＡ）、無水ピロメリット酸（ＰＭＤＡ）、ベンゾフェノンテトラカルボン酸（ＢＴＤＡ）などの芳香族酸無水物などを含む酸無水物等；ポリサルファイド、チオエステル、チオエーテルなどのポリメルカプタン化合物；イソシアネートプレポリマー、ブロック化イソシアネートなどのイソシアネート化合物；カルボン酸含有ポリエステル樹脂などの有機酸類等が挙げられる。これらは１種類を単独で用いても２種類以上を組み合わせて用いてもよい。
【００４０】
中でも構造体３００の耐湿性、信頼性を向上させる観点から、１分子内に少なくとも２個のフェノール性水酸基を有する化合物が好ましく、その具体例としては、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ｔｅｒｔ−ブチルフェノールノボラック樹脂、ノニルフェノールノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂；レゾール型フェノール樹脂；ポリパラオキシスチレン等のポリオキシスチレン；フェニレン骨格含有フェノールアラルキル樹脂、ビフェニレン骨格含有フェノールアラルキル樹脂、フェニレン骨格含有ナフトールアラルキル型フェノール樹脂等が挙げられる。
【００４１】
本樹脂組成物中に含まれる樹脂材料２００には、硬化促進剤を含有させてもよい。熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂を用いる場合には、たとえば、エポキシ基等の官能基と硬化剤との硬化反応を促進させるものであればよく、その具体例としては、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７等のジアザビシクロアルケン及びその誘導体；トリブチルアミン、ベンジルジメチルアミン等のアミン系化合物；２−メチルイミダゾール等のイミダゾール化合物；トリフェニルホスフィン、メチルジフェニルホスフィン等の有機ホスフィン類；テトラフェニルホスホニウム・テトラフェニルボレート、テトラフェニルホスホニウム・テトラ安息香酸ボレート、テトラフェニルホスホニウム・テトラナフトイックアシッドボレート、テトラフェニルホスホニウム・テトラナフトイルオキシボレート、テトラフェニルホスホニウム・テトラナフチルオキシボレート等のテトラ置換ホスホニウム・テトラ置換ボレート；ベンゾキノンをアダクトしたトリフェニルホスフィン等が挙げられる。これらは１種類を単独で用いても２種類以上を組み合わせて用いてもよい。
【００４２】
また、熱硬化性樹脂としてシリコーン系樹脂を用いる場合には、Ｈ２ＰｔＣｌ６・ｍＨ２Ｏ、Ｋ２ＰｔＣｌ６、ＫＨＰｔＣｌ６・ｍＨ２Ｏ、Ｋ２ＰｔＣｌ４、Ｋ２ＰｔＣｌ４・ｍＨ２Ｏ、ＰｔＯ２・ｍＨ２Ｏ（ｍは、それぞれ正の整数）や、これらの化合物と、オレフィン等の炭化水素、アルコールまたはビニル基含有オルガノポリシロキサンとの錯体等が好ましく用いられる。
【００４３】
また、本樹脂組成物中に含まれる樹脂材料２００には、上記の成分以外に、必要に応じて、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン等のカップリング剤；各種着色剤；シリコーンオイル、シリコーンゴム等の低応力剤；ハイドロタルサイト等のイオン捕捉剤；水酸化アルミニウム等の難燃剤；酸化防止剤等の各種添加剤を配合させてもよい。
【００４４】
着色剤としては、例えば、緑色、赤色、青色、黄色、黒色のような色を呈する染料、黒色のような色を呈する顔料、および色素からなる群から選択される１種または２種以上を含むものが挙げられる。
【００４５】
このうち、緑色の着色剤としては、例えば、アントラキノン系、フタロシアニン系、ペリレン系のような公知の着色剤を１種または２種以上含むものが挙げられる。
【００４６】
また、黒色顔料としては、例えば、カーボンブラックなどが挙げられ、黒色染料としては、例えば、アゾ系等の金属錯塩黒色染料、または、アントラキノン系化合物等の有機黒色染料などが挙げられる。当該黒色染料としては、特に限定されないが、例えば、Ｋａｙａｓｅｔ  Ｂｌａｃｋ  Ａ−Ｎ（日本化薬株式会社製）、Ｋａｙａｓｅｔ  Ｂｌａｃｋ  Ｇ（日本化薬株式会社製）等が挙げられる。黒色顔料は１種または２種以上用いてもよい。
【００４７】
＜半導体セラミックス粒子＞
図１は、本実施形態に係る半導体セラミックス粒子の拡大断面図である。
図１に示すように、本実施形態に係る半導体セラミックス粒子１００は、複数の結晶部１０と、結晶部１０同士を離隔する粒界部２０とを有する粒子である。言い換えれば、本実施形態に係る半導体セラミックス粒子１００は、粒界部２０と、上記粒界部２０を介して互いに離間するように配置される２以上の結晶部１０とからなる複数の結晶が凝集した粒子であるともいえる。かかる半導体セラミックス粒子１００は、当該粒子に対してバリスタ電圧未満の電圧が印加された場合には、粒界部２０が抵抗として作用するため電流を通さないが、バリスタ電圧以上の電圧が印加された場合には、トンネル効果が生じて図１に示す矢印のように電流を通すという特性を有する粒子である。
【００４８】
なお、本実施形態に係る半導体セラミックス粒子１００のようにバリスタ特性を備えた部材については、従来の電子部品において電子素子とともに同回路に搭載させる耐電圧保護素子（バリスタ素子等）中に含まれていた。しかし、以下の２つの要求特性を満たす上記半導体セラミックス粒子１００を含む樹脂組成物からなる部材を歩留りよく製造する方法については、これまでに報告されていなかった。上述した１つ目の要求特性は、電子部品内に実装される回路中に搭載する電子素子自体の内部に具備させることが可能なことである。上述した２つ目の要求特性は、当該部材を電子素子自体の内部に具備させた場合に、静電気等の過電圧にくわえて、外部環境から加わる応力から上記電子素子を保護できる機能を備えていることである。
【００４９】
半導体セラミックス粒子１００の平均粒子径Ｄ５０は、好ましくは、０．０１μｍ以上１５０μｍ以下であり、より好ましくは、０．１μｍ以上１２０μｍ以下であり、さらに好ましくは、１μｍ以上９０μｍ以下であり、最も好ましくは５μｍ以上６０μｍ以下である。こうすることで、半導体セラミックス粒子１００を含む樹脂組成物により形成された構造体３００の形状に依存することなく、バリスタ特性を発現することが可能となる。
【００５０】
また、半導体セラミックス粒子１００は、球状粒子であることが好ましい。これにより、バリスタ特性の制御を容易に行うことができる。
【００５１】
半導体セラミックス粒子１００において結晶部１０は、酸化亜鉛、炭化ケイ素、チタン酸ストロンチウム、および、チタン酸バリウムからなる群より選択される１種以上を含む材料により形成されていることが好ましい。中でも、酸化亜鉛を主成分として含む材料は、半導体セラミックス粒子１００自体の非直線性係数やエネルギー耐量を向上させる観点から好ましい。炭化ケイ素を主成分として含む材料は、絶縁破壊電圧が高いため、バリスタ電圧を高電圧に設定する場合には好適である。また、チタン酸ストロンチウムを主成分として含む材料は、高電圧・高周波ノイズの吸収や抑制という点において、好適である。
【００５２】
半導体セラミックス粒子１００において粒界部２０は、ビスマス、プラセオジム、アンチモン、マンガン、コバルトおよびニッケル、またはこれらの化合物からなる群より選択される１種以上を含む材料により形成されていることが好ましい。中でも、粒界部２０は、非直線性抵抗特性が良好であるという観点から、ビスマス、プラセオジム、またはこれらの化合物からなる群より選択される１種以上を含む材料により形成されていることが好ましい。なお、上記これらの化合物としては、酸化物、窒化物、有機化合物、その他の無機化合物等の形態が挙げられるが、バリスタ特性を良好に発現させる観点から、酸化物であることが好ましい。
【００５３】
半導体セラミックス粒子１００の含有量は、確実に構造体３００のバリスタ特性を発現させる観点から、本樹脂組成物全量に対して、６０質量％以上９７質量％以下であるが、好ましくは、７０質量％以上９５質量％以下であり、さらに好ましくは、７５質量％以上９３質量％以下である。半導体セラミックス粒子１００の含有量を上記数値範囲内となるよう制御することにより、図２に示す模式図のように、２つの電極端子３０間が、複数の粒子同士が互いに接するように半導体セラミックス粒子１００により埋め尽くされた構造体３００を実現することができる。
【００５４】
また、このように、本樹脂組成物が半導体セラミックス粒子１００を多量に含有すれば、構造体３００の製造時に樹脂組成物を溶融させても、溶融状態の樹脂組成物中において半導体セラミックス粒子１００が沈降するスペースがなくなるか、極めて少なくなる。このため、半導体セラミックス粒子１００は、溶融状態の樹脂組成物中で偏在することが防止または抑制される。その結果、製造された構造体３００中において、半導体セラミックス粒子１００は均一に分散した状態で存在するようになる。
【００５５】
このようなことから、半導体セラミックス粒子１００の含有量を上記数値範囲内となるよう制御した場合には、構造体３００の良好なバリスタ特性を確実に発現させることが可能となる。
【００５６】
本樹脂組成物中には、導電粒子を含有させることができる。こうすることで、本樹脂組成物により形成された構造体３００を備える電子部品に対して、バリスタ電圧を超える高電圧が印加された際に、当該構造体３００の電気伝導性を良好なものとすることができる。具体的には、図３に示すように、２つの電極端子３０間を埋め尽くすように配される複数の半導体セラミックス粒子１００同士の隙間領域に、導電粒子５０を入り込ませることが可能となる。
【００５７】
導電粒子５０の含有量は、確実に構造体３００のバリスタ特性を発現させる観点から、本樹脂組成物全量に対して、好ましくは、１質量％以上２０質量％以下であり、さらに好ましくは、２質量％以上１５質量％以下であり、最も好ましくは、２質量％以上１０質量％以下である。導電粒子５０の含有量を上記数値範囲内となるよう制御することにより、図３に示す模式図のように、２つの電極端子３０間を埋め尽くすように配される複数の半導体セラミックス粒子１００の隙間領域に、万遍なく導電粒子５０を入り込ませることが可能となる。
【００５８】
導電粒子５０の平均粒子径Ｄ５０は、確実に構造体のバリスタ特性を発現させる観点から、好ましくは、０．０１μｍ以上５０μｍ以下であり、より好ましくは、０．０２μｍ以上４０μｍ以下であり、さらに好ましくは、０．０５μｍ以上３０μｍ以下であり、最も好ましくは、０．１μｍ以上２０μｍ以下である。
【００５９】
導電粒子５０を形成する材料の具体例としては、ニッケル、カーボンブラック、アルミニウム、銀、金、銅、グラファイト、亜鉛、鉄、ステンレス鋼、錫、黄銅、及び、それらの合金からなる群より選択される導電材料や、酸化亜鉛、炭化ケイ素、チタン酸ストロンチウム、および、チタン酸バリウムからなる群より選択される半導電材料等が挙げられる。
【００６０】
また、本樹脂組成物に含まれる半導体セラミックス粒子１００と、導電粒子５０の大きさは、以下の条件を満たすものであることが好ましい。具体的には、半導体セラミックス粒子１００の平均粒子径Ｄ５０をＸとし、導電粒子５０の平均粒子径Ｄ５０をＹとした時、Ｙ／Ｘの値が、０．０５以上１未満であることが好ましく、０．１以上０．８以下であるとさらに好ましい。こうすることで、図３に示す模式図のように、２つの電極端子３０間を埋め尽くすように配される複数の半導体セラミックス粒子１００の隙間領域に、導電粒子５０を入り込ませやすくなる。
【００６１】
本実施形態に係る樹脂組成物は、熱硬化性樹脂と、特定量のバリスタ特性を示す半導体セラミックス粒子１００とを含む構成を採用している。かかる構成を採用した樹脂組成物を用いることによって、電子部品の回路内に配置される電子素子自体の内部に、静電気等の過電圧や外部環境から加わる応力の外的負荷から上記電子素子を保護する機能を有した構成を具備させることが可能となるため、従来の電子部品のように、電子素子と、耐電圧保護素子とを回路内に配置する必要がなくなり、結果として、電子部品の小型化を実現させることができる。
【００６２】
＜＜構造体の製造方法＞＞
本実施形態に係る構造体３００の製造方法は、前述したような熱硬化性樹脂と半導体セラミックス粒子１００とを含む樹脂組成物を準備する工程と、樹脂組成物を圧縮成形、またはトランスファー成形することにより構造体３００を得る工程とを有する。かかる製造方法により作製された構造体３００は、たとえば、半導体素子や発光素子等の電子素子自体の内部に静電気等の過電圧から保護する機能（バリスタ特性）を有した膜状等の形態の部材として具備させることが可能である。そのため、本実施形態に係る製造方法により得られる構造体３００を用いることにより、電子部品の小型化を実現することができる。
【００６３】
以下、本実施形態に係る樹脂組成物を用いて、電子部品（電子素子）中にバリスタ特性を示す部材（構造体３００）を作製する方法について、説明する。
【００６４】
本実施形態に係る樹脂組成物を用いる場合、圧縮成形法およびトランスファー成形法のいずれかの樹脂成形方法により、バリスタ特性を示す部材（構造体３００）を電子部品中に歩留りよく作製することができる。かかる構造体３００は、基板６０と、基板６０上に設けられ、互いに離間した少なくとも２つの電極端子３０（第１の端子と第２の端子）とを備えた電子素子（たとえば、半導体素子等）において、上記第１の端子と第２の端子の双方と接するように配して使用することを想定しているが、上記樹脂成形方法によれば、電極端子の形状に対応した構造体３００を作製することが可能である（図２および図３参照）。
【００６５】
ここで、構造体３００を作製するために、樹脂組成物を圧縮成形する手法を採用する場合には、上記樹脂組成物は、顆粒状、粉末状またはシート状をなすものであることが好ましい。一方、構造体３００を作製するために、樹脂組成物をトランスファー成形する手法を採用する場合には、上記樹脂組成物は、タブレット状をなすものであることが好ましい。
【００６６】
電子部品中にバリスタ特性を示す部材（構造体３００）を作製する方法の一例、すなわち、構造体３００を電子部品内部に搭載させる方法の一例としては、たとえば、第１の端子と第２の端子とを有する電子素子に対して、上記第１の端子と第２の端子の双方と接するように、本樹脂組成物を圧縮成形またはトランスファー成形することにより構造体３００（高電圧保護部材）を形成する工程を含む方法が挙げられる。
【００６７】
以下、本実施形態に係る構造体３００を電子部品内部に搭載させる方法の一例について、まずは、顆粒状の樹脂組成物を用いて圧縮成形することにより構造体３００を製造する場合を例に挙げて説明する。ただし、本実施形態に係る構造体３００を電子部品内部に搭載させる方法については、以下の例に限定されない。
【００６８】
まず、圧縮成形金型の上型と下型の間に、顆粒状の樹脂組成物が収容された樹脂材料供給容器を設置する。次いで、第１の端子と第２の端子とを有する電子素子を、クランプ、吸着のような固定手段により圧縮成型金型の上型および下型の一方に固定する。以下では、上記電子素子における第１の端子と第２の端子とを有する面が樹脂材料供給容器に対面するように電子素子を圧縮成型金型の上型に固定した場合を例に挙げて説明する。
【００６９】
次に、減圧下、金型の上型と下型の間隔を狭めながら、樹脂材料供給容器の底面を構成するシャッター等の樹脂材料供給機構により、秤量された顆粒状の樹脂組成物を下型が備える下型キャビティ内へ供給する。これにより、顆粒状の樹脂組成物は、下型キャビティ内で所定温度に加熱され、溶融状態となる。次いで、金型の上型と下型を結合させることにより、溶融状態の樹脂組成物を上型に固定された電子素子に備わる第１の端子と第２の端子とに対して押し当てる。こうすることで、第１の端子と第２の端子間に形成された間隔を溶融状態の樹脂組成物で埋めることができる。
【００７０】
その後、金型の上型と下型を結合させた状態を保持しながら、所定時間をかけて樹脂組成物を硬化させる。これにより、樹脂組成物の硬化物が確実にバリスタ特性を発現することができる。ここで、圧縮成形を行う場合には、金型内を減圧しながら樹脂封止を行うことが好ましく、真空条件下で行うとさらに好ましい。これにより、少なくとも第１の端子と第２の端子を取り囲む領域については樹脂組成物の未充填部分を残さずに良好に充填することができる。
【００７１】
また、顆粒状の樹脂組成物を用いて圧縮成形する場合における成形温度は、特に限定されるわけではないが、５０〜２５０℃が好ましく、５０〜２００℃がさらに好ましく、８０〜１８０℃が特に好ましい。また、成形圧力は、特に限定されるわけではないが、０．５〜１２ＭＰａであることが好ましく、１〜１０ＭＰａが特に好ましい。成形温度および圧力を上記範囲とすることで、溶融状態の樹脂組成物が充填されない部分が発生することと第１の端子と第２の端子とを有する電子素子が位置ずれしてしまうことの両方を防止することができる。
【００７２】
次に、本実施形態に係る構造体３００を電子部品内部に搭載させる方法の一例について、シート状の樹脂組成物を用いて圧縮成形することにより構造体３００を製造する場合を例に挙げて説明する。
【００７３】
まず、第１の端子と第２の端子とを有する電子素子を、クランプ、吸着のような固定手段により圧縮成形金型の上型および下型の一方に固定する。以下では、上記電子素子における第１の端子と第２の端子とを有する面が樹脂材料供給容器に対面するように電子素子を圧縮成型金型の上型に固定した場合を例に挙げて説明する。
【００７４】
次に、金型の上型に固定した電子素子の第１の端子と第２の端子に対応する位置となるように、金型の下型キャビティ内にシート状の樹脂組成物を配置する。次いで、減圧下、金型の上型と下型の間隔を狭めることにより、シート状の樹脂組成物は、下型キャビティ内で所定温度に加熱され、溶融状態となる。その後、金型の上型と下型を結合させることにより、溶融状態の樹脂組成物を上型に固定された電子素子に備わる第１の端子と第２の端子とに対して押し当てる。こうすることで、第１の端子と第２の端子間に形成された間隔を溶融状態の樹脂組成物で埋めることができる。
【００７５】
その後、金型の上型と下型を結合させた状態を保持しながら、所定時間をかけて樹脂組成物を硬化させる。これにより、樹脂組成物の硬化物が確実にバリスタ特性を発現することができる。ここで、圧縮成形を行う場合には、金型内を減圧しながら樹脂封止を行うことが好ましく、真空条件下で行うとさらに好ましい。これにより、少なくとも第１の端子と第２の端子を取り囲む領域については樹脂組成物の未充填部分を残さずに良好に充填することができる。
【００７６】
また、シート状の樹脂組成物を用いて圧縮成形する場合における成形温度は、特に限定されるわけではないが、５０〜２５０℃が好ましく、５０〜２００℃がさらに好ましく、８０〜１８０℃が特に好ましい。また、成形圧力は、特に限定されるわけではないが、０．５〜１２ＭＰａであることが好ましく、１〜１０ＭＰａが特に好ましい。成形温度および圧力を上記範囲とすることで、溶融状態の樹脂組成物が充填されない部分が発生することと第１の端子と第２の端子とを有する電子素子が位置ずれしてしまうことの両方を防止することができる。
【００７７】
次に、本実施形態に係る構造体３００を電子部品内部に搭載させる方法の一例について、タブレット状の樹脂組成物を用いてトランスファー成形することにより構造体３００を製造する場合を例に挙げて説明する。
【００７８】
まず、第１の端子と第２の端子とを有する電子素子を設置した成形金型を準備する。ここで準備する成形金型は、タブレット状の樹脂組成物を仕込むポットと、その後、圧力をかけて樹脂組成物を溶融させるためにポットに挿入する補助ラムを備えたプランジャーと、溶融させた樹脂組成物を成形空間内に送り込むスプルーとが設けられているものである。
【００７９】
次いで、成形金型を閉じた状態で、ポット内にタブレット状の樹脂組成物を仕込む。ここで、ポット内に仕込む樹脂組成物は、予め、プレヒーター等によって予熱することにより半溶融の状態にされていてもよい。次に、ポット内に仕込んだ樹脂組成物を溶融させるために、樹脂組成物に対して、補助ラムを備えたプランジャーをポットに挿入して圧力をかける。その後、溶融した樹脂組成物を、スプルーを介して成形空間内に導入する。次に、成形空間内に充填された樹脂組成物は、加熱加圧されることにより硬化する。樹脂組成物が硬化した後、成形金型を開くことにより、確実にバリスタ特性を発現する樹脂組成物の硬化物で構成される構造体３００を備えた電子部品を得ることができる。
【００８０】
また、トランスファー成形における成形温度は、特に限定されるわけではないが、５０〜２５０℃が好ましく、５０〜２００℃がさらに好ましく、８０〜１８０℃が特に好ましい。成形温度を上記範囲とすることで、溶融状態の樹脂組成物が充填されない部分が発生することと第１の端子と第２の端子とを有する電子素子が位置ずれしてしまうことの両方を防止することができる。
【００８１】
本実施形態に係る上記方法によれば、半導体素子などの電子素子自体の内部に静電気等の過電圧や外部環境から加わる応力等の外的負荷から上記電子素子を保護する機能を有する膜状等の形態の部材を歩留りよく形成することが可能である。この技術を用いれば、上記背景技術の項で述べた耐電圧保護素子（バリスタ素子等）を要さない電子部品を実現することが可能である。すなわち、本実施形態に係る製造方法を用いれば、従来の電子部品を大幅に小型化することが可能となる。
【００８２】
なお、本発明の樹脂組成物は、常温で液状の熱硬化性樹脂（例えば、シリコーン樹脂等）を用いれば、液状とすることができる。この場合、かかる液状の樹脂組成物は、射出成形することにより構造体３００を製造することもできる。ただし、常温で固体状の熱硬化性樹脂（特に、前述したようなエポキシ樹脂）を用いて、樹脂組成物を顆粒状またはペレット状とすることにより、樹脂組成物の保存時や構造体３００の製造時に、半導体セラミックス粒子１００が樹脂組成物中で偏在することを防止または抑制することができる。このため、製造された構造体３００中において、半導体セラミックス粒子１００をより均一に分散した状態で存在させることができる。その結果、構造体３００により良好なバリスタ特性を確実に付与することが可能となる。
【００８３】
上記のようにして、少なくとも２つの電極端子３０（第１の端子および第２の端子）を有する電子素子と、電子素子に、第１の端子および第２の端子に接触するように搭載された（配設された）構造体３００とを有する本実施形態の電子部品が得られる（図２および図３参照）。
【００８４】
なお、上述した実施形態では、第１の端子および第２の端子を、それぞれ電極端子３０として説明したが、第１の端子および第２の端子は、それぞれ、基板上に設けられた回路を構成する配線であってもよい。
【００８５】
なお、本発明は前述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。
【００８６】
以上、図面を参照して本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。
【実施例】
【００８７】
以下、本発明を実施例および比較例により説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００８８】
＜実施例１＞
（熱硬化性樹脂含有ワニスの調製）
熱硬化性樹脂としてビフェニレン骨格含有フェノールアラルキル型エポキシ樹脂（日本化薬社製、ＮＣ３０００）を３７質量部、ビスフェノールＡ型液状エポキシ樹脂（三菱化学社製、ＹＬ６８１０）を１６質量部、硬化剤としてフェニレン骨格含有ナフトールアラルキル型フェノール樹脂（新日鉄住金化学社製、ＳＮ４８５）を９質量部、ビフェニレン骨格含有フェノールアラルキル樹脂（明和化成社製、ＭＥＨ−７８５１ＳＳ）を３２質量部、離型剤としてモンタン酸エステル系ワックス（クラリアントジャパン社製、ＷＥ−４）を１質量部、硬化促進剤として下記式（１）で表される化合物５質量部をプロピレングリコールモノメチルエーテルに溶解させ、熱硬化性樹脂含有ワニス（Ａ）を得た。
【００８９】
【化１】
2016145331.tif 000002
【００９０】
得られた熱硬化性樹脂含有ワニス（Ａ）中の樹脂分４０．０質量部に対して、半導体セラミックス粒子としてマイクロバリスタ（セラオン社製、平均粒子径Ｄ５０：５０μｍ）６０質量部を投入し、３本ロールを用いて混練した後、溶剤除去、造粒を経て、顆粒状の樹脂組成物を得た。
【００９１】
（回路間封止）
次に、得られた樹脂組成物を用いて電極間封止を行った。基板として、ＦＲ−４基材（厚み０．１５ｍｍ）と、回路層（銅回路、厚み１２μｍ、隣接する回路間の最短距離が２００μｍ）とを有する電子素子を使用した。このような回路を有する基板上に圧縮成型機（ＴＯＷＡ社製）を用いて１５０℃、１００ｋＮ、５ｍｉｎで隣接する回路を覆うように上記樹脂組成物を成形した。その後、１５０℃で２時間加熱して樹脂組成物を硬化させ、回路間を封止した基板を作製した。
【００９２】
＜実施例２＞
実施例１と同様にして得られた熱硬化性樹脂含有ワニス（Ａ）中の樹脂分３０．０質量部に対して、半導体セラミックス粒子としてマイクロバリスタ（セラオン社製、平均粒子径Ｄ５０：５０μｍ）７０質量部を投入し、３本ロールを用いて混練した後、溶剤除去、造粒を経て、顆粒状の樹脂組成物を得た。
【００９３】
（回路間封止）
上記で得られた樹脂組成物を用いて実施例１と同様に電極間封止を行い、回路間を封止した基板を作製した。
【００９４】
＜実施例３＞
実施例１と同様にして得られた熱硬化性樹脂含有ワニス（Ａ）中の樹脂分１５．０質量部に対して、半導体セラミックス粒子としてマイクロバリスタ（セラオン社製、平均粒子径Ｄ５０：５０μｍ）８５質量部を投入し、３本ロールを用いて混練した後、溶剤除去、造粒を経て、顆粒状の樹脂組成物を得た。
【００９５】
（回路間封止）
上記で得られた樹脂組成物を用いて実施例１と同様に電極間封止を行い、回路間を封止した基板を作製した。
【００９６】
＜実施例４＞
実施例１と同様にして得られた熱硬化性樹脂含有ワニス（Ａ）中の樹脂分１０．０質量部に対して、半導体セラミックス粒子としてマイクロバリスタ（セラオン社製、平均粒子径Ｄ５０：５０μｍ）９０質量部を投入し、３本ロールを用いて混練した後、溶剤除去、造粒を経て、顆粒状の樹脂組成物を得た。
【００９７】
（回路間封止）
上記で得られた樹脂組成物を用いて実施例１と同様に電極間封止を行い、回路間を封止した基板を作製した。
【００９８】
＜実施例５＞
実施例１と同様にして得られた熱硬化性樹脂含有ワニス（Ａ）中の樹脂分７．０質量部に対して、半導体セラミックス粒子としてマイクロバリスタ（セラオン社製、平均粒子径Ｄ５０：５０μｍ）９３質量部を投入し、３本ロールを用いて混練した後、溶剤除去、造粒を経て、顆粒状の樹脂組成物を得た。
【００９９】
（回路間封止）
上記で得られた樹脂組成物を用いて実施例１と同様に電極間封止を行い、回路間を封止した基板を作製した。
【０１００】
＜実施例６＞
実施例１と同様にして得られた熱硬化性樹脂含有ワニス（Ａ）中の樹脂分５．０質量部に対して、半導体セラミックス粒子としてマイクロバリスタ（セラオン社製、平均粒子径Ｄ５０：５０μｍ）９５質量部を投入し、３本ロールを用いて混練した後、溶剤除去、造粒を経て、顆粒状の樹脂組成物を得た。
【０１０１】
（回路間封止）
上記で得られた樹脂組成物を用いて実施例１と同様に電極間封止を行い、回路間を封止した基板を作製した。
【０１０２】
＜実施例７＞
実施例１と同様にして得られた熱硬化性樹脂含有ワニス（Ａ）中の樹脂分１５．０質量部に対して、半導体セラミックス粒子としてマイクロバリスタ（セラオン社製、平均粒子径Ｄ５０：５０μｍ）８０質量部、導電粒子として銅粉（三井金属鉱業社製、ＥＡＷ、平均粒子径Ｄ５０：２０μｍ）５質量部を投入し、３本ロールを用いて混練した後、溶剤除去、造粒を経て、顆粒状の樹脂組成物を得た。
【０１０３】
（回路間封止）
上記で得られた樹脂組成物を用いて実施例１と同様に電極間封止を行い、回路間を封止した基板を作製した。
【０１０４】
＜実施例８＞
（熱硬化性樹脂含有ワニスの調製）
熱硬化性樹脂としてビフェニレン骨格含有フェノールアラルキル型エポキシ樹脂（日本化薬社製、ＮＣ３０００）を３７．５質量部、ビスフェノールＡ型液状エポキシ樹脂（三菱化学社製、ＹＬ６８１０）を１６．０質量部、硬化剤としてフェニレン骨格含有ナフトールアラルキル型フェノール樹脂（新日鉄住金化学社製、ＳＮ４８５）を９．０質量部、ビフェニレン骨格含有フェノールアラルキル樹脂（明和化成社製、ＭＥＨ−７８５１ＳＳ）を３２．５質量部、硬化促進剤として上記式（１）で表される化合物５．０質量部をプロピレングリコールモノメチルエーテルに溶解させ、熱硬化性樹脂含有ワニス（Ｂ）を得た。
【０１０５】
得られた熱硬化性樹脂含有ワニス（Ｂ）中の樹脂分１５．０質量部に対して、半導体セラミックス粒子としてマイクロバリスタ（セラオン社製）８０質量部、導電粒子として銅粉（三井金属鉱業社製、ＥＡＷ）５質量部を投入し、３本ロールを用いて混練した後、溶剤除去、造粒を経て、顆粒状の樹脂組成物を得た。
【０１０６】
（回路間封止）
上記で得られた樹脂組成物を用いて実施例１と同様に電極間封止を行い、回路間を封止した基板を作製した。
【０１０７】
＜比較例１＞
実施例１と同様にして得られた熱硬化性樹脂含有ワニス（Ａ）中の樹脂分４０．０質量部に半導体セラミックス粒子としてマイクロバリスタ（セラオン社製）５５質量部、導電粒子として銅粉（三井金属鉱業社製、ＥＡＷ）５質量部を投入し、３本ロールを用いて混練した後、溶剤除去、造粒を経て、顆粒状の樹脂組成物を得た。
【０１０８】
（回路間封止）
上記で得られた樹脂組成物を用いて実施例１と同様に電極間封止を行い、回路間を封止した基板を作製した。
【０１０９】
＜比較例２＞
実施例１と同様にして得られた熱硬化性樹脂含有ワニス（Ａ）中の樹脂分２．５質量部に半導体セラミックス粒子としてマイクロバリスタ（セラオン社製）９７．５質量部を投入し、３本ロールを用いて混練した後、溶剤除去、造粒を経て、顆粒状の樹脂組成物を得た。
【０１１０】
（回路間封止）
上記で得られた樹脂組成物を用いて実施例１と同様に電極間封止を行い、回路間を封止した基板を作製した。
【０１１１】
実施例、比較例で得られた基板において成形性、回路間の電流・電圧特性および剥離性の評価を後述する方法により評価した。
【０１１２】
＜評価項目＞
（１）成形性
成形性は基板の外観を目視で観察し、樹脂組成物の未充填の有無について確認した。いずれの回路間においても未充填が無い場合を（○）、極一部の回路間において未充填がある場合を（△）、多くの回路間において未充填がある場合を（×）と判定した。
【０１１３】
（２）電気特性評価
回路間の電流・電圧特性は、ｐＡ  ｍｅｔｅｒ／ＤＣ  ＶＯＬＴＡＧＥ  ＳＯＵＲＣＥ  ４１４０Ｂ（アジレントテクノロジー社製）を用いて隣接した回路間に０Ｖから１００Ｖまで昇圧速度０．５Ｖ／ｓｅｃで印加した時に流れた電流値を測定した。このようにして得られた結果に基づいて、図４に示すように、対数軸でプロットしたグラフを作成した。次いで、得られたグラフから、非直線係数とバリスタ電圧を算出した。
【０１１４】
具体的には、得られたグラフの変曲点より高圧側のグラフの接線（ａ）を下記式（２）で表わした時の乗数αを、非直線係数として算出し、低圧側のグラフの接線（ｂ）と高圧側の接線（ａ）の交点を、バリスタ電圧として算出した。また、バリスタ特性は、バリスタ電圧の算出可能な場合を（○）、不可能な場合を（×）と判定した。
【０１１５】
【数１】
2016145331.tif 000003
【０１１６】
（３）離型性
離型性は成形後の金型からの離型のし易さについて確認した。離型性が良好な場合を（○）、回路間を封止する樹脂組成物の硬化物（構造体）に若干の亀裂や変形を生じることなく離型できない場合を（△）、樹脂組成物の硬化物に破壊を生じることなく離型できない場合を（×）と判定した。
上記評価項目に関する評価結果を、以下の表１に各成分の配合比率と共に示す。
【０１１７】
【表１】
2016145331.tif 000004
【０１１８】
【表２】
2016145331.tif 000005
【０１１９】
また、シート状の樹脂組成物を用いた圧縮成形、および、タブレット状の樹脂組成物を用いたトランスファー成形により、回路間を封止した基板を作製して、前記と同様の評価を行ったところ、同様の結果が得られた。なお、樹脂組成物には、前記実施例および比較例と同様の組成のものを用いた。
【符号の説明】
【０１２０】
１０  結晶部
２０  粒界部
３０  電極端子
５０  導電粒子
６０  基板
１００  半導体セラミックス粒子
２００  樹脂材料
３００  バリスタ特性を示す部材（構造体）
【図１】
2016145331.tif 000006
【図２】
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【図３】
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【図４】
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