(57)【要約】【課題】ダイシング時に窒化物半導体素子の側面に残るパーティクルによる影響をより低減する。【解決手段】ｃ面を主面とするサファイア基板と、サファイア基板の主面上に形成されたＡｌｘＧａｙＩｎｚＮｖ(ｘ＋ｙ＋ｚ＝ｖ＝１、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１）で表される単一又は複数の窒化物半導体層を含む窒化物半導体部とを備えた窒化物半導体素子であって、窒化物半導体部及びサファイア基板は、側面として、窒化物半導体層のｍ面と平行な面で切断された２つの面（ｆ１、ｆ３）と窒化物半導体層のａ面と平行な面で切断された２つの面（ｆ２、ｆ４）とを有する。【選択図】      図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｃ面を主面とするサファイア基板と、前記サファイア基板の前記主面上に形成されたＡｌｘＧａｙＩｎｚＮｖ(ｘ＋ｙ＋ｚ＝ｖ＝１、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１）で表される単一又は複数の窒化物半導体層を含む窒化物半導体部とを有し、
前記窒化物半導体部は、レーザ熱を利用して前記窒化物半導体層のｍ面と平行な面で切断された２つの面を側面として有する窒化物半導体素子。
【請求項２】
ｃ面を主面とするサファイア基板と、前記サファイア基板の前記主面上に形成されたＡｌｘＧａｙＩｎｚＮｖ(ｘ＋ｙ＋ｚ＝ｖ＝１、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１）で表される単一又は複数の窒化物半導体層を含む窒化物半導体部とを有し、
前記窒化物半導体部及び前記サファイア基板は、前記窒化物半導体層のｍ面と平行な面で切断された２つの面と前記窒化物半導体層のａ面と平行な面で切断された２つの面とを側面として有し、
前記窒化物半導体部及び前記サファイア基板の、前記ｍ面と平行な面で切断された面は、前記サファイア基板に対応する酸化アルミニウムを含む面と前記窒化物半導体部に対応する前記ＡｌｘＧａｙＩｎｚＮｖを含む面とが隣接する面であり、
前記ａ面と平行な面で切断された面は、前記サファイア基板に対応する酸化アルミニウムを含む面と前記窒化物半導体部に対応するＡｌｘ１Ｇａｙ１Ｉｎｚ１Ｎｖ１(ｘ１＋ｙ１＋ｚ１＝１、０≦ｘ１≦１、０≦ｙ１≦１、０≦ｚ１≦１、０≦ｖ１＜１）を含む面とが隣接する面である窒化物半導体素子。
【請求項３】
ｃ面を主面とするサファイア基板と、前記サファイア基板の前記主面上に形成されたＡｌｘＧａｙＩｎｚＮｖ(ｘ＋ｙ＋ｚ＝ｖ＝１、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１）で表される単一又は複数の窒化物半導体層を含む窒化物半導体部とを有し、
前記窒化物半導体部及び前記サファイア基板が、前記窒化物半導体層のｍ面と平行な面で切断された２つの面と前記窒化物半導体層のａ面と平行な面で切断された２つの面とを側面として有する窒化物半導体素子の移動方法であって、
前記側面のうち、前記ｍ面と平行な面で切断された２つの面を挟んで前記窒化物半導体素子を移動する窒化物半導体素子の移動方法。
【請求項４】
ｃ面を主面とするサファイア基板と、前記サファイア基板の前記主面上に形成されたＡｌｘＧａｙＩｎｚＮｖ(ｘ＋ｙ＋ｚ＝ｖ＝１、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１）で表される単一又は複数の窒化物半導体層を含む窒化物半導体部とを有する窒化物半導体ウェハを、前記窒化物半導体層のｍ面と平行な２つの面及び前記窒化物半導体層のａ面と平行な２つの面に沿ってレーザ熱を利用して切断し窒化物半導体素子に個片化する工程と、
前記窒化物半導体層のｍ面と平行な面で切断された２つの面を挟んで前記窒化物半導体素子を移動する工程と、
移動した前記窒化物半導体素子を他の部材に電気的に接続する工程と、
を有する半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は窒化物半導体素子、窒化物半導体素子の移動方法及び半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
窒化物半導体素子は、様々な電子機器に用いられており、演算処理装置、発光素子や受光素子等の光学デバイス、及び各種センサ等に応用されている。これらは、外部からの電力を変換する装置、或いは外部電力を発光へと変換する装置、又は外部光を電力へと変換する装置である。
窒化物半導体素子は、一般的にウェハをチップへと分割し、分割したチップをチップソータ等で抽出し、組立を行うことでパッケージ化している。ウェハをチップへと分割した際、チップ側面に、例えばチップ分割時に生成された破片等がパーティクルとなって付着していると、チップソータの装置本体の汚染が生じたり、半導体装置組立時に窒化物半導体素子が傾斜して取り付けられたりする等の問題が発生する。そのため、ウェハをチップへと分割した際に同時にパーティクルを除去する手法が広く用いられている。
【０００３】
例えば、特許文献１では、ウェハ及びチップを保持するダイシングテープに微細孔を形成し、ダイシングと同時に吸引を行うことで、発生したパーティクルを除去する手法が提案されている。また、特許文献２では、ウェハを分割するためにレーザ加工を行った後に、加工部の一部を研磨除去することで後工程でのパーティクルの発生を抑制する手法が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特許第４５０６６５０号
【特許文献２】特許第４７７４９２８号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
このように、窒化物半導体素子をウェハからチップへと分割する工程で発生する、窒化物半導体素子自体が発生源となるパーティクルの除去は、窒化物半導体素子を有する半導体装置の不良低減のためには重要である。
しかしながら、特許文献１や特許文献２で記載された方法では、ダイシング時に窒化物半導体素子側面に付着する破片の発生を抑制することや、ダイシングにより窒化物半導体素子側面に形成される変質部等といった、バーティクルを生成するパーティクル源を完全に除去することは困難である。
本発明は、このような問題に鑑みてなされたものであり、ダイシング時に窒化物半導体素子に残るパーティクルの発生を、より低減することの可能な窒化物半導体素子、窒化物半導体素子の移動方法及び半導体装置の製造方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一態様による窒化物半導体素子は、ｃ面を主面とするサファイア基板と、前記サファイア基板の前記主面上に形成されたＡｌｘＧａｙＩｎｚＮｖ(ｘ＋ｙ＋ｚ＝ｖ＝１、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１）で表される単一又は複数の窒化物半導体層を含む窒化物半導体部とを有し、前記窒化物半導体部は、レーザ熱を利用して前記窒化物半導体層のｍ面と平行な面で切断された２つの面を側面として有することを特徴とする。
【０００７】
本発明の他の態様による窒化物半導体素子は、ｃ面を主面とするサファイア基板と、前記サファイア基板の前記主面上に形成されたＡｌｘＧａｙＩｎｚＮｖ(ｘ＋ｙ＋ｚ＝ｖ＝１、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１）で表される単一又は複数の窒化物半導体層を含む窒化物半導体部とを有し、前記窒化物半導体部及び前記サファイア基板は、前記窒化物半導体層のｍ面と平行な面で切断された２つの面と前記窒化物半導体層のａ面と平行な面で切断された２つの面とを側面として有し、前記窒化物半導体部及び前記サファイア基板の、前記ｍ面と平行な面で切断された面は、前記サファイア基板に対応する酸化アルミニウムを含む面と前記窒化物半導体部に対応する前記ＡｌｘＧａｙＩｎｚＮｖを含む面とが隣接する面であり、前記ａ面と平行な面で切断された面は、前記サファイア基板に対応する酸化アルミニウムを含む面と前記窒化物半導体部に対応するＡｌｘ１Ｇａｙ１Ｉｎｚ１Ｎｖ１(ｘ１＋ｙ１＋ｚ１＝１、０≦ｘ１≦１、０≦ｙ１≦１、０≦ｚ１≦１、０≦ｖ１＜１）を含む面とが隣接する面であることを特徴とする。
【０００８】
また、本発明の他の態様による窒化物半導体素子の移動方法は、ｃ面を主面とするサファイア基板と、前記サファイア基板の前記主面上に形成されたＡｌｘＧａｙＩｎｚＮｖ(ｘ＋ｙ＋ｚ＝ｖ＝１、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１）で表される単一又は複数の窒化物半導体層を含む窒化物半導体部とを有し、前記窒化物半導体部及び前記サファイア基板が、前記窒化物半導体層のｍ面と平行な面で切断された２つの面と前記窒化物半導体層のａ面と平行な面で切断された２つの面とを側面として有する窒化物半導体素子の移動方法であって、前記側面のうち、前記ｍ面と平行な面で切断された２つの面を挟んで前記窒化物半導体素子を移動することを特徴とする。
【０００９】
さらに、本発明の他の態様による半導体装置の製造方法は、ｃ面を主面とするサファイア基板と、前記サファイア基板の前記主面上に形成されたＡｌｘＧａｙＩｎｚＮｖ(ｘ＋ｙ＋ｚ＝ｖ＝１、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１）で表される単一又は複数の窒化物半導体層を含む窒化物半導体部とを有する窒化物半導体ウェハを、前記窒化物半導体層のｍ面と平行な２つの面及び前記窒化物半導体層のａ面と平行な２つの面に沿ってレーザ熱を利用して切断し窒化物半導体素子に個片化する工程と、前記窒化物半導体層のｍ面と平行な面で切断された２つの面を挟んで前記窒化物半導体素子を移動する工程と、移動した前記窒化物半導体素子を他の部材に電気的に接続する工程と、を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の一態様によれば、窒化物半導体素子の、チップ側面のパーティクル付着率を低減することができる。そのため、この窒化物半導体素子を用いた半導体装置等の組立装置のパーティクルによる汚染や、半導体装置等の組立不良を抑制することができ、歩留まり向上等を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】ウルツ鉱型結晶構造の基本ベクトルａ１、ａ２、ａ３及びｃと、ａ面、ｃ面及びｍ面とを示す斜視図である。
【図２】窒化物半導体層のｍ面に平行な面で切断された面及び窒化物半導体層のａ面に平行な面で切断された面を示す説明図である。
【図３】本実施形態に係る窒化物半導体発光素子の一例を示す断面図である。
【図４】窒化物半導体発光素子のａ面断面のＳＥＭ画像の一例である。
【図５】窒化物半導体発光素子のｍ面断面のＳＥＭ画像の一例である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下の詳細な説明では、本発明の実施形態の完全な理解を提供するように多くの特定の具体的な構成について記載されている。しかしながら、このような特定の具体的な構成に限定されることなく他の実施態様が実施できることは明らかであろう。また、以下の実施形態は、特許請求の範囲に係る発明を限定するものではなく、実施形態で説明されている特徴的な構成の組み合わせの全てを含むものである。
【００１３】
以下、図面を参照して本発明の一実施形態について説明する。
＜窒化物半導体素子＞
本発明の一実施形態における窒化物半導体素子は、ｃ面を主面とするｃ面サファイア基板と、ｃ面サファイア基板の主面上に形成されたＡｌｘＧａｙＩｎｚＮｖ(ｘ＋ｙ＋ｚ＝ｖ＝１、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１）で表される単一又は複数の窒化物半導体層を含む窒化物半導体部とを有し、窒化物半導体部及びｃ面サファイア基板が、窒化物半導体層のｍ面と平行な面で切断された２つの面と窒化物半導体層のａ面と平行な面で切断された２つの面とを側面として有している。
【００１４】
ここで、窒化物半導体層は、ウルツ鉱型結晶構造を有している。図１は、ウルツ鉱型結晶構造の面方位を六方晶指数で表している。図１では、ａ１、ａ２、ａ３及びｃで表される基本ベクトルを用いて結晶面及びその面方位が表される。基本ベクトルｃは、［０００１］方向に延びており、この方向の軸は「ｃ軸」と呼ばれる。ｃ軸に垂直な面は「ｃ面」又は「（０００１）面」と呼ばれる。図１には、ｃ面の他に、ａ面「＝（１１−２０）面」及びｍ面「＝（１−１００）面」を示している。
そして、図２に示すように、窒化物半導体素子の４つの側面ｆ１〜ｆ４のうち、平行な側面ｆ１とｆ３とが図１に示す窒化物半導体層のｍ面と平行な面で切断され、平行な側面ｆ２とｆ４とが図１に示す窒化物半導体層のａ面と平行な面で切断されている。
【００１５】
本発明の一実施形態における窒化物半導体素子は、窒化物半導体部がメサ構造やトレンチ構造といった凹凸構造を有していても良く、また電極やパッシベーション層を有していても良く、またポリイミドや樹脂を表面に有していても良い。
また、本発明の一実施形態における窒化物半導体素子は、上記構造を有していればその用途は特に限定されず、例えば発光ダイオード、レーザ、トランジスタ、センサ、太陽電池等の用途が挙げられる。また、組立工程においてパーティクルが不良要因になりやすい、フリップチップ構造を有する半導体装置に組み込まれる窒化物半導体素子に適用することによって、特に効果を得ることができる。
【００１６】
［窒化物半導体部］
窒化物半導体部は、ｃ面サファイア基板の主面であるｃ面上に形成される。
窒化物半導体部は、窒化物半導体層を有し、窒化物半導体層は素子の特性を引き出す活性領域を有している。活性領域とは、例えば、発光ダイオードにおいては正孔と電子とが再結合する活性層を示し、受光素子においては光を吸収し正孔及び電子を放出する受光層を示し、トランジスタにおいては電流が流れるチャネル層を示す。
【００１７】
窒化物半導体層は、単層でも積層でも良い。また、窒化物半導体部は、活性領域を有する窒化物半導体層の他に、例えば転位を低減することを目的とした転位低減層やバッファ層等を有していても良い。
窒化物半導体層の材料としては、窒化ガリウム（ＧａＮ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化インジウム（ＩｎＮ）、或いはこれらの混晶が挙げられる。
窒化物半導体層は、導電性を有する目的でシリコン（Ｓｉ）やマグネシウム（Ｍｇ）等の不純物をドーピングしていても良い。また、発光素子としての機能を有していれば炭素（Ｃ）、水素（Ｈ）、酸素（Ｏ）等の不純物が混入していても良い。
【００１８】
窒化物半導体層は、複数の窒化物半導体層からなるｐｎ接合又はｐｉｎ接合を有する積層構造とすることが出来る。窒化物半導体層は、例えば、ｃ面サファイア基板のｃ面上に、ＡｌＮ層、Ｎ型ＡｌＩｎＧａＮ、ＡｌＩｎＧａＮ多重量子井戸積層薄膜、Ｐ型ＡｌＩｎＧａＮ、及びＰ型ＧａＮを、この順に積層した構造を採用することが出来る。
その他にも、窒化物半導体部は、窒化物半導体素子の特性を引き出すための構造を有していればよく、上記の限りではない。
【００１９】
［ｍ面断面の構造］
窒化物半導体部及びｃ面サファイア基板が、窒化物半導体層のｍ面と平行な面で切断されることにより形成される面をｍ面断面、窒化物半導体層のａ面と平行な面で切断されることにより形成される面をａ面断面とする。
ここで、本発明の一実施形態における窒化物半導体素子は、窒化物半導体層のａ面とｃ面サファイア基板のｍ面とが同一面と平行となるように、窒化物半導体層がｃ面サファイア基板の主面上に形成される。
【００２０】
したがって、ｍ面断面のうちｃ面サファイア基板に対応する面は、酸化アルミニウムを含む、ｃ面サファイア基板のａ面と平行な面となり、ｍ面断面のうち窒化物半導体部に対応する面は、ＡｌｘＧａｙＩｎｚＮｖ(ｘ＋ｙ＋ｚ＝ｖ＝１、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１）を含む、窒化物半導体層のｍ面と平行な面となる。つまり、ｍ面断面は、酸化アルミニウムを含む面とＡｌｘＧａｙＩｎｚＮｖ(ｘ＋ｙ＋ｚ＝ｖ＝１、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１）を含む面とが隣接する面となる。
【００２１】
一方、ａ面断面のうちｃ面サファイア基板に対応する面は、酸化アルミニウムを含む、ｃ面サファイア基板のｍ面と平行な面となり、ａ面断面のうち窒化物半導体部に対応する面は、Ａｌｘ１Ｇａｙ１Ｉｎｚ１Ｎｖ１(ｘ１＋ｙ１＋ｚ１＝１、０≦ｘ１≦１、０≦ｙ１≦１、０≦ｚ１≦１、０≦ｖ１＜１）を含む、窒化物半導体層のａ面と平行な面となる。つまり、ａ面断面は、酸化アルミニウムを含む面とＡｌｘ１Ｇａｙ１Ｉｎｚ１Ｎｖ１(ｘ１＋ｙ１＋ｚ１＝１、０≦ｘ１≦１、０≦ｙ１≦１、０≦ｚ１≦１、０≦ｖ１＜１）を含む面とが隣接する面となる。
【００２２】
ここで、例えばレーザスクライブ、レーザアブレーション、ステルスダイシング等のレーザ熱を利用した分割手法を用いて窒化物半導体素子のウェハからチップを分断すると、一般的に、レーザ熱により窒素分子（Ｎ２）の脱離が生じるため、ＡｌｘＧａｙＩｎｚＮｖ(ｘ＋ｙ＋ｚ＝ｖ＝１、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１）を含む窒化物半導体層の側端部には、窒素分子（Ｎ２）が脱離した、Ａｌｘ１Ｇａｙ１Ｉｎｚ１Ｎｖ１(ｘ１＋ｙ１＋ｚ１＝１、０≦ｘ１≦１、０≦ｙ１≦１、０≦ｚ１≦１、０≦ｖ１＜１）からなる変質部が形成される。
【００２３】
つまり、ＡｌｘＧａｙＩｎｚＮｖ(ｘ＋ｙ＋ｚ＝ｖ＝１、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１）から窒素分子（Ｎ２）が脱離する反応熱より大きく、ＡｌｘＧａｙＩｎｚＮｖの気化熱より小さい熱エネルギーを、レーザ熱により、ＡｌｘＧａｙＩｎｚＮｖを含む窒化物半導体層に対して与えると、窒素分子（Ｎ２）が脱離し変質部が形成される。つまり、ＡｌｘＧａｙＩｎｚＮｖ(ｘ＋ｙ＋ｚ＝ｖ＝１、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１）を含む窒化物半導体層を、レーザ熱を利用した分割手法を用いて分割することによって、窒化物半導体層の側端部に変質部が形成される。
【００２４】
また、レーザ熱を利用した分割手法を用いて、窒化物半導体素子を、窒化物半導体層のｍ面に平行な面で分割した場合、ウェハは窒化物半導体層のｍ面に沿って割れようとするため、窒化物半導体層部分では、窒化物半導体層の側端部に形成された変質部Ａｌｘ１Ｇａｙ１Ｉｎｚ１Ｎｖ１を含む最表面ではなく、最表面よりも内側の単結晶ＡｌｘＧａｙＩｎｚＮｖが露出するように劈開する。
【００２５】
そのため、窒化物半導体層のｍ面に沿ってウェハを分割した場合、チップ側面のｃ面サファイア基板に対応する部分には、酸化アルミニウムを含む、ｃ面サファイア基板のａ面に平行な面を露出させることができる。また、チップ側面の窒化物半導体部に対応する部分には、ＡｌｘＧａｙＩｎｚＮｖ(ｘ＋ｙ＋ｚ＝ｖ＝１、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１）を含む、窒化物半導体層のｍ面に平行な面を露出させることができる。つまり、Ａｌｘ１Ｇａｙ１Ｉｎｚ１Ｎｖ１が付着していないｍ面断面を得ることができる。
【００２６】
このように形成された平行なｍ面断面どうしを挟んで窒化物半導体素子を移動することは、パーティクルの付着の少ない面を挟持して移動することになる。そのため、例えば、チップソータで窒化物半導体素子を移動した場合、窒化物半導体素子に付着しているパーティクルがそもそも少ないため、窒化物半導体素子側のパーティクルがチップソータ側に移ることを低減することができる。そのため、結果的に、窒化物半導体素子に付着したパーティクルによりチップソータが汚染されることを抑制することができる。また、付着するパーティクルが少ないｍ面断面どうしを挟持するため、チップソータの挟持機構と窒化物半導体素子との間にパーティクルが介在すること等により組立時に窒化物半導体素子の位置ずれが生じたり、また、パーティクルが介在した状態で窒化物半導体素子を固定することにより、窒化物半導体素子が傾いて固定されたりする等といった、組立不良が生じることを低減することができる。
【００２７】
［ａ面断面の構造］
ａ面断面は、前述のように、ｃ面サファイア基板に対応する部分に形成される、酸化アルミニウムを含む面と、窒化物半導体部に対応する部分に形成される、窒素分子（Ｎ２）が脱離したＡｌｘ１Ｇａｙ１Ｉｎｚ１Ｎｖ１(ｘ１＋ｙ１＋ｚ１＝１、０≦ｘ１≦１、０≦ｙ１≦１、０≦ｚ１≦１、０≦ｖ１＜１）からなる変質部を含む面と、が隣接する面となる。
変質部Ａｌｘ１Ｇａｙ１Ｉｎｚ１Ｎｖ１(ｘ１＋ｙ１＋ｚ１＝１、０≦ｘ１≦１、０≦ｙ１≦１、０≦ｚ１≦１、０≦ｖ１＜１）は、前述のように、ＡｌｘＧａｙＩｎｚＮｖ(ｘ＋ｙ＋ｚ＝ｖ＝１、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１）から窒素分子（Ｎ２）が脱離する反応熱より大きく、ＡｌｘＧａｙＩｎｚＮｖの気化熱より小さい熱エネルギーを与えたときに生成され、本実施形態では、レーザ熱を利用した分割手法を用いた際に形成される。
ここで、窒素分子（Ｎ２）が脱離したＡｌｘ１Ｇａｙ１Ｉｎｚ１Ｎｖ１は、単結晶ではないため結合が弱く、パーティクル源となって組立不良を引き起こしやすい。
【００２８】
窒化物半導体素子のウェハを、前述のレーザ熱を利用した分割手法を用いて窒化物半導体層のａ面に平行な面に沿って劈開しようとした場合、窒化物半導体層のａ面は、窒化物半導体層のｍ面と比較して劈開性が高くはないため、加工痕に沿った分割が為される。そのため、窒化物半導体素子のウェハに対し、窒化物半導体層のａ面に平行な面に沿って劈開を実施した場合、その断面は、ｃ面サファイア基板に対応する部分に形成される、酸化アルミニウムを含む面（ｃ面サファイア基板のｍ面に平行な面）と、窒化物半導体部に対応する部分に形成される、Ａｌｘ１Ｇａｙ１Ｉｎｚ１Ｎｖ１(ｘ１＋ｙ１＋ｚ１＝１、０≦ｘ１≦１、０≦ｙ１≦１、０≦ｚ１≦１、０≦ｖ１＜１）を含む面（窒化物半導体層のａ面に平行な面）とが隣接する面となる。つまり、窒化物半導体素子のａ面断面には変質部Ａｌｘ１Ｇａｙ１Ｉｎｚ１Ｎｖ１を含む面が残る。
【００２９】
そのため、例えばチップソータ等により、窒化物半導体素子の平行なａ面断面どうしを挟み込むようにして窒化物半導体素子を移動すると、ａ面断面のＡｌｘ１Ｇａｙ１Ｉｎｚ１Ｎｖ１等がパーティクルとなってチップソータの挟持機構に移り、挟持機構に移ったパーティクルがチップソータの装置本体に移り、結果的にチップソータの装置汚染が生じる可能性がある。また、パーティクルが付着したａ面断面を挟持することにより、挟持機構と窒化物半導体素子との間にパーティクルが介在した状態で窒化物半導体素子を挟持することによって窒化物半導体素子の位置ずれが生じたり、パーティクルが介在した状態で窒化物半導体素子を組み立てることによって窒化物半導体素子が傾いて固定されたりする等の、組立不良が生じる可能性がある。
【００３０】
ＡｌｘＧａｙＩｎｚＮｖから窒素分子（Ｎ２）が抜けたＡｌｘ１Ｇａｙ１Ｉｎｚ１Ｎｖ１はＥＤＸ（Energy Dispersive X-ray spectroscopy：エネルギー分散型Ｘ線分析)、ＸＲＦ（X-ray Fluorescence Analysis：蛍光Ｘ線元素分析法）、ＡＥＳ（Auger Electron Spectroscopy：オージェ電子分光法）、ＳＩＭＳ（Secondary Ion Mass Spectrometry：二次イオン質量分析法）等各種分析手法で同定が可能であるが、特にＥＤＸでの測定が簡便で最適である。
【００３１】
窒化物半導体層としては具体的には、ＡｌｘＧａｙＩｎｚＮｖ(ｘ＋ｙ＋ｚ＝ｖ＝１、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１）、ＧａｙＩｎｚＮｖ(ｙ＋ｚ＝ｖ＝１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１）、ＡｌｘＩｎｚＮｖ(ｘ＋ｚ＝ｖ＝１、０≦ｘ≦１、０≦ｚ≦１）、ＡｌｘＧａｙＮｖ(ｘ＋ｙ＝ｖ＝１、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）、ＩｎｚＮｖ(ｚ＝ｖ＝１、０≦ｚ≦１）、ＡｌｘＮｖ(ｘ＝ｖ＝１、０≦ｘ≦１）、ＧａｙＮｖ(ｙ＝ｖ＝１、０≦ｙ≦１）が適用できる。また、各窒化物半導体層を適用した場合に、レーザ熱を利用した分割により形成される、窒素分子（Ｎ２）が脱離したＡｌＧａＩｎＮは、それぞれ、Ａｌｘ１Ｇａｙ１Ｉｎｚ１Ｎｖ１（ｘ１＋ｙ１＋ｚ１＝１、０≦ｘ１≦１、０≦ｙ１≦１、０≦ｚ１≦１、０≦ｖ１＜１）、Ｇａｙ１Ｉｎｚ１Ｎｖ１（ｙ１＋ｚ１＝１、０≦ｙ１≦１、０≦ｚ１≦１、０≦ｖ１＜１）、Ａｌｘ１Ｉｎｚ１Ｎｖ１（ｘ１＋ｚ１＝１、０≦ｘ１≦１、０≦ｚ１≦１、０≦ｖ１＜１）、Ａｌｘ１Ｇａｙ１Ｎｖ１（ｘ１＋ｙ１＝１、０≦ｘ１≦１、０≦ｙ１≦１、０≦ｖ１＜１）、Ｉｎｚ１Ｎｖ１（ｚ１＝１、０≦ｚ１≦１、０≦ｖ１＜１）、Ａｌｘ１Ｎｖ１（ｘ１＝１、０≦ｘ１≦１、０≦ｖ１＜１）、Ｇａｙ１Ｎｖ１（ｙ１＝１、０≦ｙ１≦１、０≦ｖ１＜１）となる。
【００３２】
ここで、前述のように、本発明の一実施形態では、窒化物半導体素子のウェハをレーザ熱を利用してチップに分割する際に、分割過程において窒化物半導体層に形成される変質部Ａｌｘ１Ｇａｙ１Ｉｎｚ１Ｎｖ１を利用してｍ面断面を形成している。したがって、変質部Ａｌｘ１Ｇａｙ１Ｉｎｚ１Ｎｖ１は、窒化物半導体素子のウェハをレーザ熱を利用してチップに分割する際に、窒化物半導体層の側面となる平行な２つの断面のうちの、少なくとも１面、すなわちｍ面断面となる側面に、分割過程で形成されれば良く、また、窒化物半導体層のｍ面断面となる一つの側面全面に形成されていなくとも、一部に形成されていればよい。また、分割過程において、変質部Ａｌｘ１Ｇａｙ１Ｉｎｚ１Ｎｖ１は連続に形成されていても、不連続に形成されていても良い。
そして、チップに分割された後の窒化物半導体素子においては、変質部Ａｌｘ１Ｇａｙ１Ｉｎｚ１Ｎｖ１は、必ずしも、窒化物半導体層のａ面断面となる平行な２つの側面に形成されていなくとも良く、何れか一面に形成されていてもよく、また、側面全面ではなくその一部にのみ形成されていてもよい。
【００３３】
また、前述のように、ＡｌｘＧａｙＩｎｚＮｖから窒素分子（Ｎ２）が脱離したＡｌｘ１Ｇａｙ１Ｉｎｚ１Ｎｖ１は、パーティクル源となりやすいため、窒化物半導体発光素子の製造過程で、サファイア基板側面や、窒化物半導体部に保護膜であるパッシベーション層等、ＡｌｘＧａｙＩｎｚＮｖ層を除く他の層が含まれる場合には、これら他の層の側面等に、Ａｌｘ１Ｇａｙ１Ｉｎｚ１Ｎｖ１からなるパーティクルが意図せず付着し、結果的に、サファイア基板側面やパッシベーション層等の側面も、Ａｌｘ１Ｇａｙ１Ｉｎｚ１Ｎｖ１を含む面を有することと同等となる場合がある。同様に、ｍ面断面やａ面断面にもＡｌｘ１Ｇａｙ１Ｉｎｚ１Ｎｖ１からなるパーティクルが意図せず付着することがあり、また、ｍ面断面においては、さらに、分割時に、力が正確に伝わらない等により窒化物半導体層のｍ面で劈開することができず、ｍ面断面に意図せず変質部Ａｌｘ１Ｇａｙ１Ｉｎｚ１Ｎｖ１が残る可能性がある。このように、ｍ面断面の側面に意図せず変質部Ａｌｘ１Ｇａｙ１Ｉｎｚ１Ｎｖ１が含まれたり、ａ面断面、サファイア基板側面やパッシベーション層等の側面に、意図せずＡｌｘ１Ｇａｙ１Ｉｎｚ１Ｎｖ１を含む面が含まれたとしても問題はない。
【００３４】
また、上述のように、変質部Ａｌｘ１Ｇａｙ１Ｉｎｚ１Ｎｖ１は、レーザ熱を利用してチップに分割する過程で、窒化物半導体層の平行な２つの側面のうちの、ｍ面断面となる少なくとも１つの側面に形成されればよいため、ｍ面断面において変質部が形成され得る熱エネルギーをレーザ熱により与えるようにすればよい。
また、前述のように、変質部Ａｌｘ１Ｇａｙ１Ｉｎｚ１Ｎｖ１は、窒化物半導体層のｍ面断面となる少なくとも１つの側面に形成されればよいため、言い換えれば、ａ面断面においては必ずしも変質部が形成されなくてもよい。したがって、ａ面断面は、特にレーザ熱を利用してチップに分割する必要はなく、例えば、ブレードを用いたダイシングにより分割するようにしてもよい。
【００３５】
＜窒化物半導体素子の移動装置及び移動方法＞
本発明の一実施形態における窒化半導体素子の移動方法は、ｃ面サファイア基板と、このｃ面サファイア基板の主面であるｃ面の上に形成されたＡｌｘＧａｙＩｎｚＮｖ(ｘ＋ｙ＋ｚ＝ｖ＝１、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１）で表される単一又は複数の窒化物半導体層を含む窒化物半導体部とを有し、窒化物半導体部及びｃ面サファイア基板が、窒化物半導体層のｍ面と平行な面で切断された２つの面と、窒化物半導体層のａ面と平行な面で切断された２つの面と、を側面として有する窒化物半導体素子の移動方法である。
【００３６】
窒化物半導体素子の移動装置は、ｍ面断面とａ面断面とからなる４つの側面のうち、窒化物半導体層のｍ面と平行な面で切断された２つのｍ面断面を挟持して窒化物半導体素子を移動する。
移動装置としては、窒化物半導体素子を移動することの可能な構造と機構とを有していれば、特に制限されず、例えば平行な２面を挟み込むようにして窒化物半導体素子を移動することの可能な形状の挟持機構を有した前述のチップソータ等が挙げられる。
【００３７】
なお、例えば、窒化物半導体素子の４面を挟み込むようにして移動する場合には、実質的にａ面断面にかかる圧力がｍ面断面にかかる圧力よりも小さくなるように挟めばよい。つまり、パーティクル源となるａ面断面のパーティクルが挟持機構に移ったり、パーティクルにより組立不良が生じたりすることを低減するためには、パーティクルがより少ないｍ面断面を挟み込んで移動すればよい。したがって、窒化物半導体素子の４面を挟持する挟持機構である場合には、主にｍ面断面を挟み込み、あたかもｍ面断面のみを挟持しているかのように挟持することによって、パーティクルが原因で生じる位置ずれ等の発生を低減することができる。
【００３８】
また、窒化物半導体素子を、主にｍ面断面を挟んで挟持するのであれば、ａ面断面及びｍ面断面共に圧力が加わるように挟み込んでもよく、このとき、ａ面断面には全く圧力が加わらないように挟み込んでもよい。その際、ａ面断面に挟持機構が接触していても、接触していなくても良い。
なお、本発明における窒化物半導体素子に関しては、上記の移動方法にしたがって移動することによって、パーティクルによる位置ずれ等の影響を低減することができるが、上述のように、窒化物半導体部及びｃ面サファイア基板を含む側面のうち、平行な２つの側面をｍ面断面としたため、少なくともｍ面断面に存在するパーティクル源を低減することができる。つまり、パーティクル源を低減することにより発生するパーティクルを低減することができるため、他の移動方法を採用した場合であってもパーティクル等による影響を抑制することは可能である。
【００３９】
＜半導体装置の製造方法＞
本実施形態の半導体装置の製造方法は、ｃ面サファイア基板と、このｃ面サファイア基板の主面であるｃ面上に形成されたＡｌｘＧａｙＩｎｚＮｖ(ｘ＋ｙ＋ｚ＝ｖ＝１、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１）で表される単一又は複数の窒化物半導体層を含む窒化物半導体部とを有する窒化物半導体ウェハを、窒化物半導体層のｍ面と平行な２つの面及び窒化物半導体層のａ面と平行な２つの面に沿ってレーザ熱を利用して切断し窒化物半導体素子に個片化する工程と、窒化物半導体層のｍ面と平行な２つの面を挟んで窒化物半導体素子を移動する工程と、移動された窒化物半導体素子を他の部材に電気的に接続する工程と、を有する。
【００４０】
なお、窒化物半導体ウェハとは、窒化物半導体素子が複数形成されているウェハを指す。
ウェハを窒化物半導体素子に個片化する工程は、窒化物半導体素子がウェハからチップに分割され、且つ、分割時に窒化物半導体層に熱エネルギーを与えることのできる分割手法であれば特に制限されない。例えばウェハをダイシングテープ上に貼り付けた状態で、表面にアブレーション加工傷を形成するレーザスクライブ、基材を溶融させるＬＭＡ（Ｌａｓｅｒ  Ｍｅｌｔｉｎｇ  Ａｌｔｅｒａｔｉｏｎ法）、基材内部に集光し、変質部を形成するステルスダイシングなどが挙げられる。また、これらの手法で傷を形成した後に、ステージ上でローラを用いて圧力を加えること、テープ等の支持体にウェハを貼り付け、支持体を拡張すること、ステージ上でブレード（刃）を加工傷に沿って押し付けること、等の各種手法を用いて素子を個片化しても良い。
【００４１】
窒化物半導体素子を移動する工程において、窒化物半導体素子を移動する移動装置は、窒化物半導体素子を挟み込んで移動することが可能な構造と機構を有していれば、特に制限されない。移動装置としては、例えば平行な２つの面を挟み込むようにして窒化半導体素子を挟持することの可能な挟持機構を有するチップソータなどが挙げられる。また、前述のように、実質的にａ面断面にかかる圧力がｍ面断面にかかる圧力より小さければ本発明の効果は得られ、この条件を満たしていればａ面断面、ｍ面断面共に圧力が加わるように挟み込んでも、或いはａ面断面には全く圧力が加わらなくても良い。また、ａ面断面には移動装置が接触していても良く、逆に接触していなくても良い。
【００４２】
窒化物半導体素子を他の部材に電気的に接続する工程では、例えば移動した窒化物半導体素子を直接他の部材へ貼り付けるフリップチップボンディングや、或いは移動した窒化物半導体素子の電気的接続部に対して導電性ワイヤー等を接続する等の技術が用いられるが、他の部材に電気的に接続し、外部から電力を印加する、或いは電力を引き出す構造を形成することができればこの限りではない。
【００４３】
なお、本発明における半導体装置の製造方法に関しては、上記の製造方法にしたがって半導体装置を製造することによって、パーティクルによる位置ずれ等の影響を低減することができるが、上述のように、窒化物半導体部及びｃ面サファイア基板を含む側面のうち、平行な２つの側面をｍ面断面としたため、少なくともｍ面断面に存在するパーティクル源を低減することができ、すなわち発生するパーティクルそのものを低減することができるため、他の製造方法を採用した場合でも、パーティクル等による影響を抑制することは可能である。
【００４４】
＜実施形態の効果＞
このように、本実施形態では、窒化物半導体部及びｃ面サファイア基板を含む側面のうち、平行な２つの側面をｍ面断面とし、他の平行な２つの側面をａ面断面としたため、ｍ面断面に存在するパーティクル源を低減することができる。したがって、パーティクルにより生じる位置ずれ等の発生を低減することができる。
また、窒化物半導体素子を移動するときには、パーティクル源の少ないｍ面断面どうしを挟み込むようにして移動するため、挟持機構と窒化物半導体素子との間にパーティクルが介在した状態で組立等を行うことによって位置ずれや組立不良等が生じることを低減することができる。
【００４５】
さらに、窒化物半導体からなる半導体装置を製造する場合には、ｃ面サファイア基板と、このｃ面サファイア基板の主面であるｃ面上に形成されたＡｌｘＧａｙＩｎｚＮｖ(ｘ＋ｙ＋ｚ＝ｖ＝１、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１）で表される単一又は複数の窒化物半導体層を含む窒化物半導体部とを有する窒化物半導体ウェハを、窒化物半導体層のｍ面と平行な２つの面及び窒化物半導体層のａ面と平行な２つの面に沿ってレーザ熱を利用して切断して窒化半導体素子に個片化し、窒化物半導体層のｍ面と平行な２つの面を挟んで窒化物半導体素子を移動し、この窒化物半導体素子を他の部材に対して電気的に接続するようにしたため、パーティクルによる組立不良等の発生を低減し、歩留りの向上を図ることができる。
【００４６】
なお、本発明の一実施形態における窒化物半導体素子は、ｃ面サファイア基板は、必ずしも、窒化物半導体層のｍ面と平行な面で切断された２つの面と窒化物半導体層のａ面と平行な面で切断された２つの面とを側面として有していなくともよい。すなわち、窒化物半導体層がパーティクル源となるため、少なくとも、窒化半導体部が窒化物半導体層のｍ面と平行な面で切断された２つの面と、窒化物半導体層のａ面と平行な面で切断された２つの面とを側面として有していればよい。例えば窒化物半導体素子は八角形のような多角形状等、窒化物半導体層の形状とｃ面サファイア基板の形状とが異なる素子形状であってもよく、窒化物半導体層の側面とｃ面サファイア基板の側面とが同一面に含まれていなくてもよい。
【実施例】
【００４７】
＜実施例＞
図３に示すように、ｃ面サファイア基板１の主面であるｃ面の上に、窒化物半導体部として、ＡｌＮ層２を４μｍと、Ｎ型Ａｌ０．７Ｇａ０．３Ｎ層３を２μｍと、ＡｌＧａＮ発光層４と、Ｐ型Ａｌ０．１Ｇａ０．９Ｎ層５と、Ｐ型ＧａＮ層６を２００ｎｍと、をこの順に積層し成膜した。この積層構造を、一部を残して除去し、外部から電力を印加するためのメサ構造１０を形成した。さらに、Ｎ型Ａｌ０．７Ｇａ０．３Ｎ層３の上面にＮ型電極７を形成し、メサ構造１０の上面にＰ型電極８を形成し、窒化物半導体発光素子パターンを有する窒化物半導体ウェハを用意した。このウェハをＵＶテープ上に貼り付けた後、ステルスダイシング及びエキスパンドを行い、図３に示すような窒化物半導体発光素子へと分割した。
【００４８】
このとき、ウェハを、窒化物半導体層（ＡｌＮ層２及びＮ型Ａｌ０．７Ｇａ０．３Ｎ層３）のｍ面に平行な２つの面で切断すると共に、窒化物半導体層のａ面に平行な２つの面で切断し、窒化物半導体層のｍ面に平行な面で切断された２つのｍ面断面と、窒化物半導体層のａ面に平行な面で切断された２つのａ面断面とを、側面として有する窒化物半導体発光素子を形成した。
【００４９】
また、ステルスダイシングを行うことにより、分割予定線を形成すると共に、ステルスダイシングによる熱エネルギーを窒化物半導体層（ＡｌＮ層２及びＮ型Ａｌ０．７Ｇａ０．３Ｎ層３）に与えることにより、窒素分子（Ｎ２）の脱離を図った。
このようにして形成した窒化物半導体発光素子のａ面断面及びｍ面断面をＳＥＭ−ＥＤＸで組成確認した結果を図４及び図５に示す。また、図４における各測定領域（Ａ１〜Ａ４）における、ＩＩＩ族元素の合計が１になるように規格化した組成比を表１に示し、図５における各測定領域（Ｂ１〜Ｂ３）における、ＩＩＩ族元素の合計が１になるように規格化した組成比を表２に示す。
【００５０】
【表１】
2016149391.tif 000003
【００５１】
【表２】
2016149391.tif 000004
【００５２】
表１及び表２に示すように、組成解析の結果、ａ面断面のうち、ｃ面サファイア基板１の断面（ｃ面サファイア基板１のｍ面に平行な面）（Ａ４）は、Ａｌ２Ｏ３．６の酸化アルミニウムを含む面であることが確認された。また、ａ面断面のうち、ＡｌＮ層２の断面（ＡｌＮ層２のａ面に平行な面）は、下部領域（Ａ３）はＡｌ１Ｎ０．０２Ｏ０．０９を含む面であり、上部領域（Ａ２）はＡｌ１Ｎ０．９０Ｏ０．０６を含む面であることが確認された。さらに、ａ面断面のうち、Ｎ型Ａｌ０．７Ｇａ０．３Ｎ層３の断面（ＡｌＮ層２のａ面に平行な面）（Ａ１）はＡｌ０．６８Ｇａ０．３２Ｎ０．３０Ｏ０．０３を含む面であることが確認された。すなわち、ａ面断面は、ｃ面サファイア基板に対応する酸化アルミニウムＡｌＯを含む面と、ＡｌＮ層２に対応する下部領域の窒素（Ｎ）が大幅に抜けたＡｌＮＯ（ＡｌＮ層２の側端部）を含む面と、Ｎ型Ａｌ０．７Ｇａ０．３Ｎ層３に対応する窒素（Ｎ）が大幅に抜けたＡｌＧａＮ（Ｎ型Ａｌ０．７Ｇａ０．３Ｎ層３の側端部）を含む面とが隣接していることが確認された。
【００５３】
一方、ｍ面断面のうち、ｃ面サファイア基板１の断面（ｃ面サファイア基板１のａ面に平行な面）（Ｂ３）は、Ａｌ２Ｏ３。６を含む面であることが確認された。また、ｍ面断面のうち、ＡｌＮ層２の断面（ＡｌＮ層２のｍ面に平行な面）（Ｂ２）はＡｌ１Ｎ１を含む面であり、Ｎ型Ａｌ０．７Ｇａ０．３Ｎ層３の断面（ＡｌＮ層２のｍ面に平行な面）（Ｂ１）はＡｌ０．６５Ｇａ０．３５Ｎ０．９Ｏ０．０４を含む面であることが確認された。すなわち、ｍ面断面は、ｃ面サファイア基板に対応する酸化アルミニウムＡｌＯを含む面と、ＡｌＮ層２に対応する窒素分子（Ｎ２）が抜けていないＡｌＮＯ（ＡｌＮ層２の側端部）を含む面と、Ｎ型Ａｌ０．７Ｇａ０．３Ｎ層３に対応する窒素分子（Ｎ２）が抜けていないＡｌＧａＮ（Ｎ型Ａｌ０．７Ｇａ０．３Ｎ層３の側端部）を含む面とが隣接していることが確認された。
このようにして形成された窒化物半導体発光素子を、平行な２つのｍ面断面を挟み込むようにしてチップソータで移動し、フリップチップボンディングを行い、電気特性を調べたところ、ショート不良の発生率は０．１％であった。
【００５４】
＜比較例１＞
上記実施例と同様の方法で得られた窒化物半導体発光素子を、平行な２つのａ面断面を挟み込むようにしてチップソータで移動し、フリップチップボンディングを行い、電気特性を調べたところ、ショート不良の発生率は０．２％であった。
これは、窒素分子（Ｎ２）が大幅に抜けたＡｌＧａＮ（Ａｌ１Ｎ０．０２Ｏ０．０９の側端部）を含むａ面断面どうしを挟み込むように窒化物半導体発光素子を移動した場合、平行な２つのｍ面断面どうしを挟み込むように窒化物半導体発光素子を移動した場合と比較して、パーティクルを介してショートする、或いは、フリップチップボンディングの際の位置ずれによりショートする、等のショート不良が増えたためと考えられる。
【００５５】
＜比較例２＞
上記実施例と同様の手順で、ｃ面サファイア基板１の主面であるｃ面上にＡｌＮ、Ｎ型Ａｌ0.7Ｇａ0.3Ｎ、ＡｌＧａＮ発光層、Ｐ型ＡｌＧａＮ、Ｐ型ＧａＮをこの順に積層し、外部から電力を印加するためのメサ構造を形成し、さらに、Ｎ型電極、Ｐ型電極を形成した窒化物半導体ウェハを用意した。このウェハをＵＶテープ上に貼り付けた。その後、ＡｌＮ層のａ面から５°傾けた面と平行な面と、ＡｌＮ層のｍ面から５°傾けた面と平行な面とに沿って、ウェハに対してステルスダイシングを実施し、エキスパンドを行ってチップに分割し、ＡｌＮ層のａ面に平行な面及びｍ面に平行な面からそれぞれ５°傾けた面で切断した窒化物半導体発光素子を得た。
【００５６】
このようにして形成された窒化物半導体発光素子を、チップソータでボンディング装置に移動し、フリップチップボンディングを行った。
このフリップチップボンディングを行った窒化物半導体発光素子について、電気特性を調べたところ、ショート不良の発生率は０．５％であった。
これはＡｌＮ層のａ面に平行な面及びｍ面に平行な面からそれぞれ５°傾けた面に沿ってステルスダイシングを実施した結果、窒化物半導体発光素子のいずれの断面にも窒素分子（Ｎ２）が大幅に抜けたＡｌＧａＮ層が形成され、これによりパーティクルを介してショートする、或いは、フリップチップボンディングの際の位置ずれによりショートする、等のショート不良が増えたためと考えられる。
【００５７】
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明の技術的範囲は、上述した実施形態に記載の技術的範囲には限定されない。上述した実施形態に、多様な変更又は改良を加えることも可能であり、そのような変更又は改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲から明らかである。
【符号の説明】
【００５８】
１  サファイア基板
２  ＡｌＮ層
３  Ｎ型Ａｌ０．７Ｇａ０．３Ｎ層
４  ＡｌＧａＮ発光層
５  Ｐ型Ａｌ０．１Ｇａ０．９Ｎ層
６  Ｐ型ＧａＮ層
７  Ｎ型電極
８  Ｐ型電極
１０  メサ構造
【図１】
2016149391.tif 000005
【図２】
2016149391.tif 000006
【図３】
2016149391.tif 000007
【図４】
2016149391.tif 000008
【図５】
2016149391.tif 000009