(57)【要約】      （修正有）【課題】電子写真感光体の表面に現れる光の干渉を低減すると同時に、そのような、電子写真感光体に堆積された表面層又は表面層の最表面側に設けられた表面領域の膜厚を、正確にかつ簡易に測定できる堆積膜形成方法の提供。【解決手段】減圧にし得る反応容器４０１の中に、円筒状基体１３０並びに円筒状基体１３０の上部及び／又は下部と接する補助基体１２０を設置し、補助基体１２０の表面を覆う補助基体カバー１１０を設置した状態で、堆積膜を形成する第１の堆積膜形成工程と、補助基体カバー１１０を移動させることによって、補助基体１２０の表面の一部を出現させた状態で、堆積膜を形成する第２の堆積膜形成工程と、を含む堆積膜形成方法。【選択図】図４
2016145400.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
減圧にし得る反応容器の中に、円筒状基体並びに前記円筒状基体の上部及び／又は下部と接する補助基体を設置し、気相成長法により、前記円筒状基体の表面に堆積膜を形成する堆積膜形成方法であって、
前記堆積膜は、ケイ素原子を母材とするアモルファスシリコンで構成される光導電層と、ケイ素原子と炭素原子を母材とするアモルファスシリコンカーバイトで構成される表面層とを少なくとも有し、
前記表面層は、最表面側に設けられた表面領域と、ケイ素原子の原子数（Ｓｉ）と炭素原子の原子数（Ｃ）との和に対する炭素原子の原子数（Ｃ）の比（Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ））が前記表面層の最表面側に向かって漸増している変化領域とを有し、
前記補助基体の表面を覆う補助基体カバーを設置した状態で、前記堆積膜を形成する第１の堆積膜形成工程と、
前記補助基体カバーを移動させることによって、前記補助基体の表面の一部を出現させた状態で、前記堆積膜を形成する第２の堆積膜形成工程と、
を含むことを特徴とする堆積膜形成方法。
【請求項２】
前記第２の堆積膜形成工程において、前記表面領域を形成する請求項１に記載の堆積膜形成方法。
【請求項３】
前記補助基体カバーを前記円筒状基体から遠ざける方向へ移動させることによって、前記堆積膜が形成されていない前記補助基体の表面の一部を、前記円筒状基体の端面の近傍に出現させる請求項１又は２に記載の堆積膜形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、堆積膜形成方法に関し、特に、光（ここでは、紫外線、可視光線、赤外線、Ｘ線、γ線などの広義の光を指す。）のような電磁波に感受性のある光受容部材を安定して形成するのに適した堆積膜形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
像形成分野において、光受容部材における光受容層を形成する光導電材料としては、高感度で、ＳＮ比〔光電流（Ｉｐ）／暗電流（Ｉｄ）〕が高く、照射する電磁波のスペクトル特性に適合した吸収スペクトルを有する。さらに、光応答性が早く、所望の暗抵抗値を有すること、使用時において人体に対して無害であること、などの特性が要求される。特に、事務機としてオフィスで使用される電子写真装置内に組み込まれる光受容部材の場合には、上記の使用時における無公害性は重要な点である。
【０００３】
このような点に優れた性質を示す光導電材料に水素化アモルファスシリコンがあり、電子写真感光体としての応用が開示されている。このような光受容部材は、一般的には、導電性の支持体を温度５０℃〜３５０℃に加熱する。そして、該支持体上に真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、熱ＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法などの成膜法により水素化アモルファスシリコンからなる光導電層を形成する。なかでもプラズマＣＶＤ法、すなわち、原料ガスにＤＣ電力、又は低周波、高周波もしくはマイクロ波電力を印加してグロー放電によって原料ガスを分解し、支持体上に水素化アモルファスシリコン堆積膜を形成する方法が好適なものとして実用に付されている。
【０００４】
また、水素化アモルファスシリコン堆積膜で構成された光導電層を有する光導電部材の、電気的、光学的、光導電的特性及び使用環境特性、さらには経時的安定性について改善がなされている。改善の方法として、ケイ素原子を母体としたアモルファス材料で構成された光導電層上に、ケイ素原原子及び炭素原子を含む光導電性のアモルファス材料で構成された表面保護層を設ける技術が開示されている。また、表面層と光導電層の間の屈折率の差を無視できるようにして、界面での光の反射を低減することにより、デジタル高速連続画像システム用の電子写真感光体を得る技術が開示されている。
【０００５】
さらに、上記のような、表面層と光導電層の間の屈折率の差を無視できる構成において、表面層と光導電層の間の領域の一部に、所定の膜厚で、所定の範囲だけ屈折率（ｎ）を急激に変化させる。それにより、ある程度の反射面を形成させ、表面層の膜厚管理が可能な構成とすることで、生産工程内での表面層膜厚の安定性を可能とする技術が開示されている。（特許文献１参照）これにより、可干渉光であっても優れた画像特性を有する電子写真感光体を得る技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００２−６２６７４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
近年、オフィス等で使われる、電子写真方式の複写機、プリンターなどの画像形成装置は、デジタル化、フルカラー化、高速化が進むにつれ、より高画質で安定して画像を出力できることが求められている。そのため、電子写真装置内の光学露光装置、現像装置、転写装置などの改良がなされた結果、電子写真感光体においても従来以上の特性の均一性の向上が求められるようになった。
【０００８】
前述のように、従来の電子写真感光体では、屈折率（ｎ）を急激に変化させることで、入射光に対して、反射面を形成している。この反射面での反射光と、表面層の最表面側の反射光との干渉波形を利用して、表面層の膜厚を光学的に測定している。このような状況で、表面層の膜厚が変化すると、干渉波形も変化する。つまり、膜厚の変化に応じ、電子写真感光体の表面層を通過する光量が、干渉波形の振幅に応じて、変化することになる。その結果、電子写真装置において、一定の露光を電子写真感光体に照射しても、干渉波形の振幅に応じて、僅かであるが、表面電位が変化することになる。
【０００９】
従来、このような僅かな表面電位の変化は、画像上問題になることは無かった。
しかし、前述のように、電子写真装置の改良がなされた結果、特にハーフトーンと呼ばれる中間色の画像において、正確に画像が再現されない場合がある。
よって、画像特性の向上を図るには、極力前述の反射面を無くし、電子写真感光体の表面に現れる光の干渉を低減する必要が有る。
【００１０】
一方、長期間、安定した画像特性を得るために、耐久性に関わる部分では、表面層の膜厚の適正化は、重要な項目である。よって、生産工程内での表面層の膜厚のばらつきの無い常に安定した膜厚の電子写真感光体を生産することは、重要である。このとき、安定した膜厚が生産されているかを確認するため、表面層の膜厚を正確に測定する必要がある。
しかし、前述のように、反射面を無くした場合には、従来のように、光の干渉を利用した簡易で、正確な膜厚測定は使用できなくなる。一方、破壊検査を行うことで、測定は可能となるが、生産効率が低下し、測定のための工程が煩雑となってしまう。
そこで、本発明は、電子写真感光体の表面に現れる光の干渉を低減すると同時に、そのような、電子写真感光体に堆積された表面層又は表面層の最表面側に設けられた表面領域の膜厚を、正確にかつ簡易に測定できる堆積膜形成方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上述した目的を達成するため、本発明によれば、
減圧にし得る反応容器の中に、円筒状基体並びに前記円筒状基体の上部及び／又は下部と接する補助基体を設置し、気相成長法により、前記円筒状基体の表面に堆積膜を形成する堆積膜形成方法であって、
前記堆積膜は、ケイ素原子を母材とするアモルファスシリコンで構成される光導電層と、ケイ素原子と炭素原子を母材とするアモルファスシリコンカーバイトで構成される表面層とを少なくとも有し、
前記表面層は、最表面側に設けられた表面領域と、ケイ素原子の原子数（Ｓｉ）と炭素原子の原子数（Ｃ）との和に対する炭素原子の原子数（Ｃ）の比（Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ））が前記表面層の最表面側に向かって漸増している変化領域とを有し、
前記補助基体の表面を覆う補助基体カバーを設置した状態で、前記堆積膜を形成する第１の堆積膜形成工程と、
前記補助基体カバーを移動させることによって、前記補助基体の表面の一部を出現させた状態で、前記堆積膜を形成する第２の堆積膜形成工程と、
を含むことを特徴とする堆積膜形成方法が提供される。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、電子写真感光体の表面に現れる光の干渉を低減すると同時に、そのような、電子写真感光体に堆積された表面層の膜厚を、正確にかつ簡易に測定することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の堆積膜の形成方法に用いる、基体ホルダ、上補助基体及び下補助基体カバーの一例を示す模式図である。
【図２】本発明の堆積膜の形成方法における、円筒状基体の設置方法の一例を示す模式図である。
【図３】本発明の堆積膜の形成方法における、円筒状基体の設置方法の一例を示す模式図である。
【図４】本発明の堆積膜の形成方法で用いることができるａ−Ｓｉ電子写真感光体の製造装置の一例を示す模式図である。
【図５】ａ−Ｓｉ電子写真感光体の層構成の一例を示す模式図である。
【図６Ａ】本発明の堆積膜の形成方法における、補助基体カバーの移動方法の一例を示す模式図である。
【図６Ｂ】本発明の堆積膜の形成方法における、補助基体カバーの移動方法の一例を示す模式図である。
【図７】本発明の堆積膜の形成方法における、補助基体の表面における堆積膜の形成状況の一例を示す模式図である。
【図８】本発明の堆積膜の形成方法に用いる、基体ホルダ、上補助基体、上補助基体カバー及びアダプターの一例を示す模式図である。
【図９】本発明の堆積膜の形成方法における、円筒状基体の設置方法の別の一例を示す模式図である。
【図１０】本発明の堆積膜の形成方法における、円筒状基体の設置方法の別の一例を示す模式図である。
【図１１】本発明の堆積膜の形成方法における、補助基体カバーの移動方法の別の一例を示す模式図である。
【図１２】従来の堆積膜の形成方法に用いる、基体ホルダ、上補助基体及び下補助基体の一例を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
本発明の堆積膜形成方法は、減圧にし得る反応容器の中に、円筒状基体並びに円筒状基体の上部及び／又は下部と接する補助基体を設置し、気相成長法により、円筒状基体の表面に堆積膜を形成する。
以下、本発明の具体的な実施形態について、図面を参照して説明する。
図１は、ａ−Ｓｉ電子写真感光体を製造するために用いる、基体ホルダ、上補助基体及び下補助基体カバーの一構成例を示す模式図である。図１において、（ａ１）は基体ホルダの上面図（平面図）、（ａ２）は（ａ１）のＡ−Ａ線断面図、（ａ３）は（ａ１）のＢ−Ｂ線断面図を示す。（ｂ１）は下補助基体カバーの上面図（平面図）、（ｂ２）は（ｂ１）のＡ−Ａ線断面図、（ｂ３）は（ｂ１）のＢ−Ｂ線断面図を示す。（ｃ１）は上補助基体の上面図（平面図）、（ｃ２）は（ｃ１）のＡ−Ａ線断面図を示す。
【００１５】
基体ホルダ１００は、円筒状の本体１０１と、本体１０１の下部に設けられた、下補助基体１０２、下補助基体１０２の外周面に設けられた凸部１０３とからなっている。凸部１０３は、対向する位置に２箇所設けられている。
図１（ａ１）において凸部１０３ａはＡ−Ａ線よりも左側に存在するため、図１（ａ２）においても図示される。一方、図１（ａ１）において凸部１０３ｂはＡ−Ａ線よりも右側に存在するため、図１（ａ２）においては図示されない。
図１（ａ３）はＢ−Ｂ線よりも凸部１０３ｂ側から、凸部１０３ａ側を見たＢ−Ｂ線断面図であるため、図１（ａ３）において凸部１０３ａは中心線よりも右側に図示される。
下補助基体１０２は、基体ホルダ１００の下端から高さＨ２まで設けられている。また、凸部１０３はその上端が基体ホルダ１００の下端から高さＨ３となるように設けられている。凸部１０３の先端を通る外周円の半径をＲ１としている。
【００１６】
下補助基体カバー１１０は、円筒状の本体１１１と、内周面１１２の一部に設けられた段差を備えた切欠き部１１３とからなっている。切欠き部１１３は、第１の上端１１４と第２の上端１１５を備えている。切欠き部１１３は、対向する位置に２箇所設けられている。
図１（ｂ１）において、上側に図示されている切欠き部を１１３ｂとし、下側に図示されている切欠き部を１１３ａとする。
図１（ｂ２）のＡ−Ａ線断面図において、切欠き部１１３ａは左側に図示され、切欠き部１１３ｂは右側に図示される。
図１（ｂ３）はＢ−Ｂ線よりも切欠き部１１３ｂ側から、切欠き部１１３ａ側を見たＢ−Ｂ線断面図であるため、図１（ｂ３）には切欠き凸部１１３ａが図示される。
【００１７】
下補助基体カバー１１０は、下端から上端までの高さをｈ１としている。第１の上端１１４は、下補助基体カバー１１０の下端からの高さをｈ４とし、第２の上端１１５は、下補助基体カバー１１０の下端からの高さをｈ５としている。
図１（ｂ２）に図示されている切欠き部１１３ａは、切欠き部１１３ａの一部である。具体的には、図１（ｂ１）においてＡ−Ａ線よりも左側に存在する部分（つまり、図１（ｂ１）に図示されている切欠き部１１３ａの左半分）である。
図１（ｂ３）に図示されている切欠き部１１３ａは、Ｂ−Ｂ線よりも切欠き部１１３ｂ側から見た切欠き部１１３ａである。このため、図１（ｂ１）においてＡ−Ａ線よりも左側に図示されている切欠き部１１３ａの左半分が、図１（ｂ３）において中心線よりも右側に図示されている切欠き部１１３ａの右半分に対応する。
つまり、図１（ｂ２）に図示されている切欠き部１１３ａは、図１（ｂ３）に図示されている切欠き部１１３ａの右半分であるから、図１（ｂ２）に図示されている切欠き部１１３ａの高さはｈ４となる。
下補助基体カバー１１０の内周面１１２の半径をｒ０、切欠き部１１３の端面を通る外周円の半径をｒ１としている。
上補助基体１２０は、円筒状の本体１２０から成っている。
【００１８】
以上のように構成された、基体ホルダ１００、上補助基体１２０及び下補助基体カバー１１０を用いて行われる、堆積膜の形成方法の一例について説明する。
図２（ａ１）〜（ａ３）、（ｂ１）〜（ｂ３）及び図３（ａ１）〜（ａ３）、（ｂ１）〜（ｂ３）は、ａ−Ｓｉ電子写真感光体を製造するために用いる円筒状基体１３０を、基体ホルダ１００に取り付ける一構成例を示す模式図である。
円筒状基体１３０、基体ホルダ１００、下補助基体カバー１１０、上補助基体１２０は、いずれも、例えばアルミニウムから成る。
【００１９】
まず、図２（ａ１）〜（ａ３）に示すように、下補助基体カバー１１０を、基体ホルダ１００の上方から基体ホルダ１００に通し、下補助基体１０２の方に移動させる。
下補助基体カバー１１０を移動させるときに、切欠き部１１３を、凸部１０３の位置に合わせ、凸部１０３が、切欠き部１１３を通るようにする。さらに、凸部１０３が、切欠き部１１３の第１の上端１１４に位置するように位置調整を行い、下補助基体カバー１１０を移動させる。
このとき、凸部１０３の先端を通る外周円の半径をＲ１は、下補助基体カバー１１０の内周面１１２の半径ｒ０より大きく、切欠き部１１３の端面を通る外周円の半径ｒ１より小さくしておく。これにより、凸部１０３が、切欠き部１１３に入り込み、かつ第１の上端１１４に引っ掛かる。
【００２０】
その状態を、図２（ｂ１）〜（ｂ３）に示す。
このとき、基体ホルダ１００の下端から凸部１０３の上端までの距離Ｈ３と、下補助基体カバー１１０の下端から切欠き部１１３の第１の上端１１４までの距離ｈ４を同一とする。
また、基体ホルダ１００の下端から下補助基体１０２の上端までの距離Ｈ２と、下補助基体カバー１１０の、下端から上端までの距離ｈ１を同一とする。
こうすることで、下補助基体１０２の外周面が全て、下補助基体カバー１１０で覆われる。
【００２１】
次に、図３（ａ１）〜（ａ３）に示すように、円筒状基体１３０を、基体ホルダ１００の上方から基体ホルダ１００に通し、下補助基体１０２の上に載せて設置する。
さらに、図３（ｂ１）〜（ｂ３）に示すように、上補助基体１２０を、基体ホルダ１００の上方から基体ホルダ１００に通し、円筒状基体１３０の上に載せて設置する。
このようにして、基体ホルダ１００に取り付けられた、円筒状基体１３０に、例えば図４に示すａ−Ｓｉ電子写真感光体を作製する装置を用いて、電子写真感光体を製造する。
例えば、図５に示すａ−Ｓｉ堆積膜５０１を形成することにより、ａ−Ｓｉ電子写真感光体が作製できる。
【００２２】
図５は、ａ−Ｓｉ電子写真感光体の好適な層構成の一例を示した模式的構成図である。ａ−Ｓｉ電子写真感光体は、円筒状基体１３０の外周面上に堆積膜５０１が設けられている。堆積膜５０１は、円筒状基体１３０側から順に、下部阻止層５０２、光導電層５０３、表面層５０４から構成され、表面層５０４は、表面領域５０５と変化領域５０６から構成されている。光導電層５０３は、ケイ素原子を母材とするアモルファスシリコンで構成される。表面層５０４は、ケイ素原子と炭素原子を母材とするアモルファスシリコンカーバイトで構成される。
【００２３】
図４は、ａ−Ｓｉ電子写真感光体を作製するために供される装置の一例であり、１３．５６ＭＨｚの高周波電源を用いたＲＦプラズマＣＶＤ法による堆積膜形成装置４００を模式的に示した断面図である。反応容器４０１は、円筒状のカソード電極４０２、上下の絶縁碍子４０３、底壁４０４、上部フランジ４０５、蓋４０６からなる。反応容器４０１には排気管４２１、排気バルブ４２３を介して真空ポンプユニット４２０が接続され、反応容器４０１の内部を減圧可能としている。ほかに、反応容器４０１の下部には、受台４０８を回転可能にするモータ４０９、真空計４１２が取り付けられている。
【００２４】
円筒状基体１３０は、下補助基体カバー１１０、上補助基体１２０と共に、基体ホルダ１００に装着された状態で、反応容器４０１の内部の受台４０８の上に載置される。さらに、反応容器４０１の内部には、基体ホルダ１００を内部から加熱するヒータ４０７、及び原料ガス導入管４１３が設置されている。原料ガス導入管４１３は、円筒状基体１３０を取り囲むように複数本配設され、その側面には、長手方向に沿って多数の細孔（不図示）が設けられている。更に、原料ガス導入管４１３は、ガス供給系に接続されている。そのガス供給系には、原料ガスの流量を調整するためのマスフローコントローラ（不図示）を内在させたミキシング装置４２６が設けられている。またガス供給系には、原料ガス供給管４１４を介して原料ガス導入管４１３に供給する原料ガスの流量を調整するための原料ガス導入バルブ４１５が設けられている。
【００２５】
また、カソード電極４０２はマッチングボックス４１６を介して高周波電源４１７に接続されている。
堆積膜形成装置４００が備える排気系は、排気手段である真空ポンプユニット４２０が、排気配管４２１を介して、底壁４０４の排気部４２２に接続されている。排気配管４２１には、排気メインバルブ４２３が設けられている。
真空ポンプユニット４２０には、例えばロータリーポンプや、メカニカルブースターポンプを用いることができる。
【００２６】
上記の円筒状基体１３０と下補助基体カバー１１０、上補助基体１２０を用い、堆積膜形成装置４００を用いて、ａ−Ｓｉ電子写真感光体を作製する一例を以下に示す。
まず、反応容器４０１の蓋４０６を開ける。次に、円筒状基体１３０、下補助基体カバー１１０、上補助基体１２０が装着された基体ホルダ１００を受台４０８の上に載置して蓋４０６を閉める。
次に、排気バルブ４２３を開いて反応容器４０１の内部を排気する。そして、真空計４１２の読みが例えば、１Ｐａ以下になった時点で原料ガス導入バルブ４１５を開け、加熱用の不活性ガス（例えば、Ａｒガス）を原料ガス導入管４１３より反応容器４０１の内部に導入する。反応容器４０１の内部が所望の圧力になるように加熱用の不活性ガスのガス流量及び真空ポンプユニット４２０の排気速度を調整する。
その後、不図示の温度コントローラーを作動させて円筒状基体１３０をヒータ４０７により加熱し、円筒状基体１３０の温度を例えば２０℃〜３５０℃の所定の温度に制御する。円筒状基体１３０が所定の温度に加熱されたところで、不活性ガスの導入を徐々に止めて、堆積膜形成用の所定の原料ガスを原料ガス供給装置からミキシング装置４２６により混合した後に反応容器４０１の内部に徐々に導入する。原料ガスとしては、例えばシラン（ＳｉＨ４）、ジシラン（Ｓｉ２Ｈ６）、メタン（ＣＨ４）、エタン（Ｃ２Ｈ６）、一酸化窒素（ＮＯ）などの材料ガスと、ジボラン（Ｂ２Ｈ６）、ホスフィン（ＰＨ３）などのドーピングガス、水素（Ｈ２）、ヘリウム（Ｈｅ）、アルゴン（Ａｒ）などの希釈ガスを用いる。次に、不図示のマスフローコントローラーによって、原料ガスが所定の流量になるように調整する。その際、反応容器４０１の内部が例えば０．１Ｐａから数１００Ｐａの圧力を維持するよう真空計４１２を見ながら真空ポンプユニット４２０の排気速度を調整する。
【００２７】
以上の手順によって堆積膜形成の準備を完了した後、堆積膜の形成を行う。反応容器４０１の内部の圧力が安定したことを確認した後、高周波電源４１７を所定の電力に設定して高周波電力をカソード電極４０２に印加し高周波グロー放電を励起させる。このときマッチングボックス４１６を高周波の反射電力が最小となるように調整し、高周波の入射電力から反射電力を差し引いた値が所定の値となるように調整する。この放電エネルギーによって反応容器４０１の内部に導入された原料ガスが分解され、円筒状基体１３０の上に所定の堆積膜が形成される。なお、堆積膜の形成を行っている間は、モータ４０９を運転し、円筒状基体１３０を所定の速度、例えば１ｒｐｍで回転させる。
【００２８】
所定の膜厚の堆積膜が形成された後、高周波電力の供給を止め、原料ガス導入バルブ４１５を閉じて、反応容器４０１への原料ガスの流入を止め、反応容器４０１の内部を一旦高真空に排気して堆積膜の形成を終える。上記のような操作を繰り返し行うことによって、所定の層構成のａ−Ｓｉ電子写真感光体が形成できる。
本発明においては、表面層５０４の変化領域５０６の堆積膜が形成された後、高周波電力の供給、及び円筒状基体１３０の回転を止める。
そして、下補助基体カバー１１０を移動させ、堆積膜が形成されていない下補助基体１０２の一部を出現させる。
【００２９】
図６Ａ及び図６Ｂを用いて、堆積膜が形成されていない下補助基体１０２の一部の出現の仕方の一例について説明する。
図６Ａ（ａ１）〜（ａ３）及び（ｂ１）〜（ｂ３）並びに図６Ｂ（ｃ１）〜（ｃ３）は、図４の円筒状基体１３０の近傍を示した模式図である。図６Ａ及び６Ｂにおいて、（ａ１）、（ｂ１）及び（ｃ１）は上面図（平面図）、（ａ２）は（ａ１）の、（ｂ２）は（ｂ１）の、（ｃ２）は（ｃ１）のＡ−Ａ線断面図、（ａ３）は（ａ１）の、（ｂ３）は（ｂ１）の、（ｃ３）は（ｃ１）のＢ−Ｂ線断面図を示す。
まず、図６（ａ１）〜（ａ３）は、モータ４０９の駆動を停止し、円筒状基体１３０、基体ホルダ１００、下補助基体カバー１１０及び上補助基体１２０が、回転を停止している状態を示している。
【００３０】
次に、図６（ｂ１）〜（ｂ３）に示すように、モータ４０９を上面図で矢印に示すように、反時計方向に回転させる。これにより、受台４０８及び、基体ホルダ１００も、同様の方向に回転し始める。このとき、下補助基体カバー１１０が、基体ホルダ１００に連れて、回転しないようにすることで、凸部１０３を切欠き部１１３の第１の上端１１４の位置から、第２の上端１１５の下に移動させる。
下補助基体カバー１１０が、基体ホルダ１００に連れて回転しないようにするには、特に制限は無い。例えば、棒状の冶具（図示せず）を下補助基体カバー１１０に押しつけて回転しないようにしてもよい。また、基体ホルダ１００を反時計方向に急激に回転させることで、凸部１０３を第１の上端１１４で滑らせて、基体ホルダ１００に連れて回転させなくしても良い。
次に、前述のような棒状の冶具を下補助基体カバー１１０に押つけることを解除したり、あるいは、急激に回転することを停止したりすることで、下補助基体カバー１１０が自由に動くことが可能な状態とする。すると、下補助基体カバー１１０のみが全体的に下に移動する。そして、凸部１０３が第２の上端１１５に接触して、下補助基体カバー１１０の下降が停止する。このときの状態を図６Ｂ（ｃ１）〜（ｃ３）に示す。
【００３１】
図６Ｂ（ｃ１）〜（ｃ３）に示すように、下補助基体カバー１１０が、第１の上端１１４と第２の上端１１５の差分だけ下に移動することにより、堆積膜が形成されていない下補助基体１０２の一部１０４が出現する。この場合、堆積膜が形成されていない下補助基体１０２の一部１０４の範囲は、第１の上端１１４と第２の上端１１５の差分つまり、ｈ５−ｈ４となる。
その後、再び、モータ４０９を運転し、円筒状基体１３０を所定の速度、例えば１ｒｐｍで回転させる。そして、前述と同様に、表面層５０４の表面領域５０５を形成するための、原料ガスが供給されていることを確認する。次に、反応容器４０１の内部の圧力が安定したことを確認した後、高周波電源４１７を所定の電力に設定して高周波電力をカソード電極４０２に印加し高周波グロー放電を励起させ、表面層５０４の表面領域５０５を形成する。
【００３２】
このとき、前述の堆積膜が形成されていない下補助基体１０２の一部１０４には、表面層５０４の表面領域５０５のみが、堆積することになる。
所定のａ−Ｓｉ堆積膜を形成した後、反応容器４０１の蓋４０６を開け、ａ−Ｓｉ堆積膜が形成された円筒状基体１３０と下補助基体カバー１１０、上補助基体１２０が装着された基体ホルダ１１０を反応容器４０１から取り出す。このようにして、ａ−Ｓｉ電子写真感光体が完成する。
【００３３】
次に、下補助基体１０２の一部１０４に堆積した表面領域５０５の膜厚測定について述べる。
図７（ａ１）〜（ａ２）は、前述のように、所定のａ−Ｓｉ堆積膜を形成した後、反応容器４０１から取り出された基体ホルダ１１０を示す。図７（ａ１）は上面図（平面図）、（ａ２）は矢印Ａから見た模式図を示す。
図中斜線の部分は、堆積膜が形成されている部分である。
図７（ａ１）〜（ａ２）に示すように、下補助基体１０２の一部１０４には、表面領域５０５のみが堆積している。また、下補助基体１０２の、下補助基体１０２の一部１０４以外の部分１０５には、堆積膜が形成されていない。
【００３４】
そのため、表面領域５０５のみが堆積している下補助基体１０２の一部１０４と、下補助基体１０２の一部１０４以外の部分１０５を用いて、表面領域５０５の膜厚を求めることができる。
膜厚の求め方は特に制限はないが、例えば、表面粗さ計（例えば、（株）ミツトヨ製  フォームトレーサＳＶ−Ｃ４０００Ｓ４）を用いて、下補助基体１０２の一部１０４と、下補助基体１０２の一部１０４以外の部分１０５との段差を測定することで求めてもよい。
また、反射分光計（例えば、大塚電子（株）製  ＳＰＥＣＴＲＯ  ＭＵＬＴＩ  ＣＨＡＮＮＥＬ  ＰＨＯＴＯ  ＤＥＴＥＣＴＯＲ  ＭＣ−２０００）を用い、下補助基体１０２の一部１０４での、光学的干渉波形を利用して、求めても良い。
【００３５】
次に、本発明の別の具体的な実施形態について、図面を参照して説明する。
図８は、ａ−Ｓｉ電子写真感光体の製造方法に用いる、基体ホルダ、上補助基体カバー、上補助基体及びアダプターの一構成例を示す模式図である。（ａ１）〜（ａ２）は基体ホルダを、（ｂ１）〜（ｂ２）は上補助基体カバーを、（ｃ１）〜（ｃ２）はアダプターを、（ｄ１）〜（ｄ２）は上補助基体を示す。
図８において、（ａ１）、（ｂ１）、（ｃ１）及び（ｄ１）は上面図（平面図）を、（ａ２）、（ｂ２）、（ｃ２）及び（ｄ２）はＡ−Ａ線断面図を示す。
基体ホルダ８００は、円筒状の本体８０１と、本体８０１の下部に設けられた下補助基体８０２と、上端部に設けられた溝部８０３とからなっている。
溝部８０３は、四角柱部８０４と円柱部８０５とから構成されている。
【００３６】
上補助基体カバー８１０は、円筒状の本体８１１から成り、本体８１１の一方は、解放部８１２を有し、他方は、閉じた状態８１３となっている。
上補助基体８２０は、円筒状の本体８２０から成っている。
アダプター８３０は、円盤部８３１と、四角柱部８３２から成っている。四角柱部８３２の内部には円柱状の穴８３３が形成され、円柱状の穴８３３の内面には固体潤滑材（図示せず）が、設置されている。
以上のように構成された、基体ホルダ８００、上補助基体８２０、上補助基体カバー８１０及びアダプター８３０を用いて行われる、電子写真感光体の製造方法の一例について説明する。
【００３７】
図９（ａ１）〜（ａ２）、（ｂ１）〜（ｂ２）及び図１０（ａ１）〜（ａ２）、（ｂ１）〜（ｂ２）は、ａ−Ｓｉ電子写真感光体を製造するための堆積膜形成方法に用いる円筒状基体１３０を、基体ホルダ８００に取り付ける一構成例を示す模式図である。
円筒状基体１３０、基体ホルダ８００、上補助基体カバー８１０、上補助基体８２０、及びアダプター８３０は、いずれも、例えばアルミニウムから成る。
まず、図９（ａ１）〜（ａ２）に示すように、円筒状基体１３０を、基体ホルダ８００の上方から基体ホルダ８００に通し、下補助基体部８０２の上に載せて設置する。
さらに、図９（ｂ１）〜（ｂ２）に示すように、上補助基体８２０を、基体ホルダ８００の上方から基体ホルダ８００に通し、円筒上基体１３０の上に載せて設置する。
【００３８】
さらに、図１０（ａ１）〜（ａ２）に示すように、アダプター８３０を、基体ホルダ８００の上端部の溝部８０３に設置する。このとき、アダプター８３０の四角柱部８３２が、溝部８０３の四角柱部８０４に挿入されるように設置する。
最後に、図１０（ｂ１）〜（ｂ２）に示すように、上補助基体カバー８１１を、開放部８１２を上補助基体８２０の上方から挿入し、上補助基体８２０を覆うように設置する。
【００３９】
このようにして、基体ホルダ８００に取り付けられた、円筒状基体１３０に、前述のように、例えば図４に示すａ−Ｓｉ電子写真感光体を作製する装置を用いて、堆積膜を形成する。
前述と同様に、表面層５０４の変化領域５０６の堆積膜が形成された後、高周波電力の供給を止める。
そして、上補助基体カバー８１０を移動させ、堆積膜が形成されていない上補助基体８２０の一部を出現させる。
【００４０】
図１１を用いて、堆積膜が形成されていない上補助基体８２０の一部の出現の仕方の一例について説明する。
図１１は、図４の円筒状基体１３０の近傍を示した模式図である。、図１１（ａ１）及び（ｂ１）は上面図（平面図）、図１１（ａ２）及び（ｂ２）はＡ−Ａ線断面図を示す。
円柱状の棒状部材９００は、堆積膜形成装置４００内に設けられ、基体ホルダ８００の内部に位置し、上下方向に伸縮可能となっている。
まず、図１１（ａ１）〜（ａ２）は、高周波電力の供給を停止した時の状態を示している。棒状部材９００は、表面層５０４の変化領域５０６の堆積膜形成が終了するまでは、図１１（ａ１）〜（ａ２）に示すように、基体ホルダ８００の中心に位置し、いずれの部材とも接触していない状態でいる。
【００４１】
次に、棒状部材９００を上方向に伸ばし、その先端をアダプター８３０の円柱状の穴８３３内に挿入する。その後更に、棒状部材９００を伸ばすことで、アダプター８３０が基体ホルダ８００から持ち上げられる。アダプター８３０が持ち上げられることで、アダプター８３０に載っている上補助基体カバー８１０も移動する（持ち上げられる）。このとき、基体ホルダ８００、上補助基体８２０、及び円筒状基体１３０は、移動しない。アダプター８３０は、アダプター８３０の四角柱部８３２が、基体ホルダ８００の溝部８０３の四角柱部８０４から外れない位置まで移動を行う。その時の状態を図１１（ｂ１）〜（ｂ２）に示す。
【００４２】
図１１（ｂ１）〜（ｂ２）に示すように、上補助基体カバー８１０が移動することで、上補助基体８２０の、堆積膜が形成されていない部分８２１が出現する（露出する）。
アダプター８３０の四角柱部８３２が、基体ホルダ８００の溝部８０３の四角柱部８０４に挿入されているため、基体ホルダ８００が回転することで、アダプター８３０及び上補助基体カバー８１０も同様に回転する。アダプター８３０の円柱状の穴８３３の内面の固体潤滑材（図示せず）によって、固体潤滑材（図示せず）と棒状部材９００の先端付近が摺擦することで、棒状部材９００が静止したまま、アダプター８３０が回転可能となっている。
【００４３】
そして、前述と同様に、表面層５０４の表面領域５０５を形成するための、原料ガスが供給されていることを確認する。次に、反応容器４０１の内部の圧力が安定したことを確認した後、高周波電源４１７を所定の電力に設定して高周波電力をカソード電極４０２に印加し高周波グロー放電を励起させ、表面層５０４の表面領域５０５を形成する。
このとき、前述の堆積膜が形成されていない上補助基体８２０の一部８２１には、表面層５０４の表面領域５０５のみが、堆積することになる。
所定のａ−Ｓｉ堆積膜を形成した後、反応容器４０１の蓋４０６を開け、ａ−Ｓｉ堆積膜が形成された円筒状基体１３０、上補助基体カバー８１０、上補助基体８２０が装着された基体ホルダ１１０を反応容器４０１から取り出す。このようにして、ａ−Ｓｉ電子写真感光体が完成する。
【００４４】
次に、上補助基体８２０の一部８２１に堆積した表面領域５０５の膜厚測定について述べる。図７（ｂ１）〜（ｂ２）は、前述のように、所定のａ−Ｓｉ堆積膜を形成した後、反応容器４０１から取り出された上補助基体８２０を示す。図７（ｂ１）は上面図（平面図）、（ｂ２）は矢印Ａから見た模式図を示す。
図中斜線の部分は、堆積膜が形成されている部分である。
【００４５】
図７（ｂ２）に示すように、上補助基体８２０の一部８２１には、表面領域５０５のみが堆積している。また、上補助基体８２０の、上補助基体８２０の一部８２１以外の部分８２２には、堆積膜が形成されていない。
そのため、表面領域５０５のみが堆積している上補助基体８２０の一部８２１と、上補助基体８２０の一部８２１以外の部分８２２を用いて、前述のように表面領域５０５の膜厚を求めることができる。
【００４６】
本発明において、円筒状基体１３０は、使用目的に応じた材質であればよい。円筒状基体１３０の材質としては、例えば、銅、アルミニウム、ニッケル、コバルト、鉄、クロム、モリブデン、チタンやこれらの合金を用いることができる。中でも加工性や製造コストを考慮するとアルミニウムが優れている。この場合、Ａｌ−Ｍｇ系合金、Ａｌ−Ｍｎ系合金のいずれかを用いることが好ましい。
【００４７】
上補助基体１２０、８２０、下補助基体１０２、８０２の材質は、使用目的に応じた材質であればよく、例えば、銅、アルミニウム、ニッケル、コバルト、鉄、クロム、モリブデン、チタンやこれらの合金、例えばステンレス等が挙げられる。補助基体の材質は必ずしも円筒状基体１３０と一致している必要はないが、円筒状基体１３０と同種の材質であることが、補助基体上に堆積した堆積膜の密着性を向上させる観点からは好ましい。
【００４８】
また、補助基体カバー１１０，８１０の材質は特に制限は無い。補助基体の材質は必ずしも円筒状基体１３０と一致している必要はないが、円筒状基体１３０と同種の材質であることが、補助基体上に堆積した堆積膜の密着性を向上させる観点からは好ましい。
補助基体カバー１１０，８１０の形状は、補助基体の一部あるいは全部を覆い隠すことができ、堆積膜形成中に移動させることで、補助基体の一部に、堆積膜が形成されていない表面１０４、８２１を出現させることが可能であれば特に制限は無い。
補助基体カバー１１０，８１０の移動の仕方は、特に制限は無く、前述のように、棒状部材９００のような軸を用いて、上下方向に移動させても良い。また、前述のように、回転を利用して、移動させても良い。あるいは、例えば、真空搬送機などを用いて、補助基体から取り除いてもよい。
【００４９】
堆積膜が形成されていない補助基体の一部の出現させる位置に関しては特に制限は無い。長手方向に関しては、前述の様な、補助基体の円筒状基体１３０よりでも良いし、補助基体の中央部でも良いし、円筒状基体１３０と反対側でもよい。しかし、円筒状基体１３０に近いほど、円筒状基体１３０に堆積した堆積膜の膜厚に近い値が得ることができ好ましい。また、周方向に関しても、前述の様な、補助基体の全周でも良いし、周方向の一部分だけ出現させても良い。
また、前述のように、堆積膜が形成されていない補助基体の一部を出現させるのは、上補助基体でも下補助基体でもどちらでも良い。また、上補助基体と下補助基体両方出現させても良い。
【００５０】
以上の様に、本発明の堆積膜の形成方法では、円筒状基体の上部及び／又は下部に補助基体を設け、これら補助基体の表面に補助基体カバーを設置する。
そして、堆積膜の形成の途中で、補助基体カバーを移動させ、補助基体の一部に、堆積膜が形成されていない表面を出現させ、その後、形成工程を継続することにより、表面を出現させた後の堆積膜の膜厚測定を、毎回容易に行うことが可能となる。
【００５１】
さらに、電子写真感光体の表面に現れる光の干渉を低減するために、表面層が最表面側に設けられた表面領域と、変化領域とを有する電子写真感光体において、表面領域の膜厚を、毎回、正確にかつ簡易に測定することが可能となる。変化領域は、補助基体カバーを移動させた後に形成され、ケイ素原子の原子数（Ｓｉ）と炭素原子の原子数（Ｃ）との和に対する炭素原子の原子数（Ｃ）の比（Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ））が表面層の最表面側に向かって漸増している。
【実施例】
【００５２】
以下、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらによって何ら限定されるものではない。なお、以下の説明では上述した実施形態において示したのと同じ部分に対しては同じ符号を用いて説明する。
【００５３】
＜実施例１＞
図４に示す堆積膜形成装置４００を用いて、アルミニウムよりなる直径８４ｍｍ、長さ３８１ｍｍ、肉厚３ｍｍの円筒状基体１３０の表面に、表１に示す条件で、堆積膜を形成してａ−Ｓｉ電子写真感光体の作製を行った。
本実施例において、図１に示す、基体ホルダ１００、下補助基体カバー１１０、上補助基体１２０を用いた。
【００５４】
基体ホルダ１００の下補助基体１０２において、下補助基体の高さＨ２＝８０ｍｍ、凸部１０３の上端部の位置Ｈ３＝４０ｍｍとした。
下補助基体カバー１１０の高さｈ１＝８０ｍｍ、第１の上端１１４の高さｈ４＝４０ｍｍ、第２の上端１１５の高さｈ５＝６０ｍｍとした。
こうすることで、下補助基体１０２の外周面を全て下補助基体カバー１１０で覆った。また、下補助基体カバー１１０を下に移動するようにすることで、堆積膜が形成されていない下補助基体１１０の一部１０４の幅を２０ｍｍとした。
【００５５】
そして、図２（ａ）、（ｂ）及び図３（ａ）、（ｂ）を用いて、説明したように、基体ホルダ１００に円筒状基体１３０、下補助基体カバー１１０、上補助基体１２０を設置した。
そして、堆積膜形成装置４００に、円筒状基体１３０を搬入し、前述のように、表面層５０４の変化領域５０６形成後、下補助基体１０２を移動させ、堆積膜が形成されていない下補助基体１１０の一部１０４を出現させた。その後、引き続き、表面層５０４の表面領域５０５を形成し、ａ−Ｓｉ電子写真感光体を作製した。
本実施例では、表１に示すように、表面層５０４の表面領域５０５の堆積膜形成時間を替えることで膜厚を変化させたａ−Ｓｉ電子写真感光体を２本作製した。
作製されたａ−Ｓｉ電子写真感光体に関して、「ハーフトーンムラの評価」「表面領域の膜厚測定」「総合判定」を以下のように実施した。
【００５６】
「ハーフトーンムラの評価」
本実施例用に改造したキヤノン（株）製の電子写真方式の複写機（商品名：ｉＲＣ６８８０Ｎ）に感光体を設置し、Ａ４画像で、画素密度が３７．５％となるハーフトーン画像を出力した。なお、画像形成（画像出力）時の画像露光が照射されていない部分における電位を５００Ｖとし、画像露光が照射された部分における電位を１５０Ｖとし、潜像コントラスト電位Ｖｃを３５０Ｖとした。
【００５７】
得られた画像において、感光体の１周分の領域を８等分し、さらに、軸方向を１０等分し得られた８０個所の画像濃度を、反射濃度計（分光濃度計）（Ｘ−Ｒｉｔｅ社製、商品名：５０４分光濃度計）を用いて測定した。
得られた画像の８０個所の濃度の最大値（Ｍａｘ）及び最小値（Ｍｉｎ）からＭａｘ−Ｍｉｎを求めた。
各感光体において、比較例１にて用いた感光体のハーフトーンムラを基準として、以下のランクに区分した。
【００５８】
◎：基準に対して６５％以上９５％未満。
○：基準に対して９５％以上１０５％未満で同レベル。
△：基準に対して１０５％以上。
【００５９】
「表面領域の膜厚」
反射分光計（大塚電子（株）製  ＳＰＥＣＴＲＯ  ＭＵＬＴＩ  ＣＨＡＮＮＥＬ  ＰＨＯＴＯ  ＤＥＴＥＣＴＯＲ  ＭＣ−２０００）を用い、下補助基体１０２の一部１０４での表面反射率を測定した。このとき、下補助基体１０２の一部１０４以外の下補助基体１０２表面反射率を基準として、波長を３５０ｎｍから７５０ｎｍまで変化させた。得られた反射スペクトラムと、予め測定していた、表面領域５０５の屈折率を用いて、表面領域５０５の膜厚を算出した。
【００６０】
「総合判定」
◎：表面領域５０５の膜厚が、容易に測定可能で、かつ、ハーフトーンムラが非常に良好。
○：表面領域５０５の膜厚が、容易に測定可能で、かつ、ハーフトーンムラが良好。
△：ハーフトーンムラが非常に良好。しかし、表面領域５０５の膜厚が、容易に測定できない。
◎以上で、本発明の効果が得られている。
得られた、結果を表２に示す。
【００６１】
【表１】
2016145400.tif 000003
【００６２】
【表２】
2016145400.tif 000004
【００６３】
＜実施例２＞
本実施例において、図８に示す、基体ホルダ８００、上補助基体カバー８１０、上補助基体８２０、アダプター８３０を用いた以外は、実施例１と同様にａ−Ｓｉ電子写真感光体の作製を行った。
そして、図９（ａ）、（ｂ）及び図１０（ａ）、（ｂ）を用いて、説明したように、基体ホルダ８００に円筒状基体１３０、上補助基体カバー８１０、上補助基体８２０、アダプター８３０を設置した。
【００６４】
そして、堆積膜形成装置４００に、円筒状基体１３０を搬入し、前述のように、表面層５０４の変化領域５０６形成後、棒状部材９００を移動させ、堆積膜が形成されていない上補助基体８２０の一部８２１を、幅１５ｍｍ出現させた。その後、引き続き、表面層５０４の表面領域５０５を形成し、ａ−Ｓｉ電子写真感光体を作製した。
作製されたａ−Ｓｉ電子写真感光体に関して、「ハーフトーンムラの評価」「表面領域の膜厚測定」「総合判定」を以下のように実施した。
【００６５】
「ハーフトーンムラの評価」「総合判定」
実施例１と同様に行った。
「表面領域の膜厚」
表面粗さ計（（株）ミツトヨ製  フォームトレーサＳＶ−Ｃ４０００Ｓ４）を用いて、上補助基体８２０の堆積膜が形成している部分８２１から、上補助基体８２０の堆積膜が形成されていない部分まで、触針をスキャンさせた。得られた断面曲線から、上補助基体８２０の堆積膜が形成されていない部分と、上補助基体８２０の堆積膜が形成している部分８２１の段差より、表面領域５０５の膜厚を算出した。
得られた、結果を表２に示す。
【００６６】
＜比較例１＞
本比較例では、表３に示すように、表面層５０４は、変化領域５０６の終端部に屈折率（ｎ）が急激に変化する領域を４０Åの膜厚で設け、その領域前後の屈折率（ｎ）の差が０．３となるよう、ガス量を変化させた。
また、本比較例においては、図１２に示すように、基体ホルダ１２００、上補助基体１２１０、下補助基体１２２０を用い、補助基体カバーは使用しなかった。
それ以外は、実施例１及び実施例２と同様にａ−Ｓｉ電子写真感光体の作製を行った。
作製されたａ−Ｓｉ電子写真感光体に関して、「ハーフトーンムラの評価」「表面領域の膜厚測定」を以下のように実施した。
【００６７】
「ハーフトーンムラの評価」「総合判定」
実施例１と同様に行った。
「表面領域の膜厚」
反射分光計（大塚電子（株）製  ＳＰＥＣＴＲＯ  ＭＵＬＴＩ  ＣＨＡＮＮＥＬ  ＰＨＯＴＯ  ＤＥＴＥＣＴＯＲ  ＭＣ−２０００）を用い、円筒状基体１３０の表面反射率を測定した。このとき、別に用意した、堆積膜が形成されていない円筒状基体１３０の表面反射率を基準として、波長を３５０ｎｍから７５０ｎｍまで変化させた。得られた反射スペクトラムと、予め測定していた、表面領域５０５の屈折率を用いて、表面領域５０５の膜厚を算出した。
得られた、結果を表２に示す。
【００６８】
【表３】
2016145400.tif 000005
【００６９】
＜比較例２＞
本比較例においては、表４に示す条件を用いた以外は、比較例１と同様にａ−Ｓｉ電子写真感光体の作製を行った。
そして、比較例１と同様の評価を行った。
得られた、結果を表２に示す。
【００７０】
【表４】
2016145400.tif 000006
【００７１】
表２から明らかなように、本発明の堆積膜の形成方法によれば、電子写真感光体の表面に現れる光の干渉を低減すると同時に、そのような、電子写真感光体に堆積された表面層の膜厚を、毎回、正確にかつ簡易に測定することが可能であることが判った。
実施例１、実施例２から明らかなように、本発明によれば、補助基体の表面領域５０５のみが堆積した部分を用い、容易に表面領域５０５の膜厚を測定することができる。また、膜厚が変化した場合でも、その変化を感度良く検出することができる。
【００７２】
よって、堆積膜形成毎に、容易に表面層の膜厚を測定することができ、安定した膜厚が生産されているかの確認することが容易に可能となった。
また、膜厚の測定が、電子写真感光体自体を使って行う必要がないため、例えば、測定時に、電子写真感光体にキズや汚れが付いてしまうことが、低減することが可能となる。その結果、生産性の向上が可能となり、コストダウンも可能となる。
さらに、本発明によれば、容易に表面領域５０５の膜厚を管理できると同時に、ハーフトーンムラの低減が可能となった。
【００７３】
比較例１に対して、実施例１、実施例２及び比較例２は、ハーフトーンムラが良化している。この原因は、以下の様に考えられる。
比較例１は、変化領域５０６の終了時に、急峻に屈折率を変化させている領域を形成している。これにより、この部分で、明確に光の反射面が生じる。この部分の反射と表面の反射により、電子写真感光体の表面で反射分光を測定した時、反射スペクトラムに、約４．０％程度の振幅の干渉波形が見られる。このような干渉波形が得られるために、比較例１は、表面領域５０５の膜厚を光学的に容易に測定することができる。一方、電子写真感光体の周方向及び長手方向には、表面領域５０５の膜厚ムラが僅かに生じている場合が有る。この場合、表面領域５０５の膜厚ムラに応じて、反射スペクトラムの干渉波形が変化してくる。その結果、電子写真装置で用いられる有る特定の波長の像露光（例えば、波長６６０ｎｍの半導体レーザー）に対して、前述の様に反射スペクトラムの干渉波形が変化していると、電子写真感光体の場所によって、反射率が変化することになる。つまり、電子写真感光体の表面層内に入射する像露光光量が変化することになる。ハーフトーン領域においては、この像露光光量の変化による、画像濃度の変化が顕著になりやすい。
【００７４】
一方、実施例１、実施例２及び比較例２は、比較例１とは異なり、変化領域５０６と表面領域５０５の間で、明確な反射面が生じていない。よって、電子写真感光体の表面で反射分光を測定した時、反射スペクトラムに、極めて振幅の小さい干渉波形しか見られない。そのため、表面領域５０５の膜厚ムラが生じていても、場所による反射率の変化が極めて小さい。よって、ハーフトーンムラが向上していると考えられる。
【００７５】
比較例２は、この様に、反射スペクトラムに、明確な干渉波形が現れないため、表面領域５０５の膜厚を、光学的に測定することが不可能となる。膜厚を測定するためには、電子写真感光体の一部のあるいは、補助基体の一部を破壊検査によって、測定するしかないため、非常に煩雑になってしまう。さらに、破壊検査となるため、実質的に堆積膜形成毎に、表面層の膜厚を測定することは、不可能と考えられる。
【００７６】
以上の様に、本発明によれば、アモルファスシリコンで構成される光導電層と、アモルファスシリコンカーバイトで構成される表面層を有し、
前記表面層は最表面側に設けられた表面領域と、変化領域とを有する電子写真感光体を製造することで、ハーフトーンムラを抑制することが可能となる。変化領域は、ケイ素原子の原子数（Ｓｉ）と炭素原子の原子数（Ｃ）との和に対する炭素原子の原子数（Ｃ）の比（Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ））が表面層の最表面側に向かって漸増している。
さらに、第１の堆積膜形成工程において補助基体の表面に補助基体カバーを設置し、表面層の表面領域形成の直前に、補助基体カバーを移動させ、補助基体の一部の表面を出現させた後に、第２の堆積膜形成工程を実行する。そして、第２の堆積膜形成工程の終了後に、製造された電子写真感光体と補助基体を取り出し、第２の堆積膜形成工程の際に補助基体の表面に形成された表面層の表面領域の膜厚を測定する。このようにすることで、電子写真感光体に堆積された表面層の表面領域の膜厚を、毎回、正確にかつ簡易に測定することが可能となる。
【符号の説明】
【００７７】
１００、８００、１２００  基体ホルダ
１０１、８０１  本体
１０２、８０２、１２１０  下補助基体
１０３  凸部
１１０  下補助基体カバー
１１１  本体
１１２  内周面
１１３  切欠き部
１１４  第１の上端
１１５  第２の上端
１２０、８２０、１２２０  上補助基体
１３０  円筒状基体
４００  堆積膜形成装置
４０１  反応容器
４０２  カソード電極
４０３  絶縁碍子
４０４  底壁
４０５  上部フランジ
４０６  蓋
４０７  ヒータ
４０８  受け台
４０９  モータ
４１２  真空計
４１３  原料ガス導入管
４１４  原料ガス供給管
４１５  原料ガス流入バルブ
４１６  マッチングボックス
４１７  高周波電源
４２０  真空ポンプユニット
４２１  排気配管
４２２  排気部
４２３  排気メインバルブ
５０１  ａ−Ｓｉ堆積膜
５０２  下部阻止層
５０３  光導電層
５０４  表面層
５０５  表面領域
５０６  変化領域
８０３  溝部
８０４  四角柱部
８０５  円柱部
８１２  開放部
８１３  閉じた状態
８３０  アダプター    ８３１  円盤部
８３２  四角柱部      ８３３  円柱状の穴
【図１】
2016145400.tif 000007
【図２】
2016145400.tif 000008
【図３】
2016145400.tif 000009
【図４】
2016145400.tif 000010
【図５】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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