(57)【要約】【課題】液晶表示装置の画質を向上させること。【解決手段】液晶表示装置の画素部全面において画像信号の書き込み及びバックライトの点灯を順次行うのではなく、画素部の特定の領域毎に画像信号の書き込み及びバックライトの点灯を順次行う。これにより、当該液晶表示装置の各画素に対する画像信号の入力頻度を向上させることなどが可能になる。その結果、当該液晶表示装置において生じるカラーブレイクなどの表示劣化を抑制し、画質を向上させることが可能である。【選択図】図６
2016014886.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｍ行ｎ列に配設された複数の画素を有する画素部と、
１行目に配設されたｎ個の画素乃至Ａ行目（Ａは、ｍ／２以下の自然数）に配設されたｎ個の画素に対する第１の色を呈する光の透過を制御するための画像信号の走査及び（Ａ＋１）行目に配設されたｎ個の画素乃至２Ａ行目に配設されたｎ個の画素に対する第２の色を呈する光の透過を制御するための画像信号の走査を並行して行う駆動回路と、
それぞれが異なる色を呈する光を発光する複数の光源を備えた複数のバックライトユニットがマトリクス状に配設されたバックライトと、
（Ｂ＋１）行目（Ｂは、Ａ／２以下の自然数）に配設されたｎ個の画素乃至前記Ａ行目に配設されたｎ個の画素に対する前記第１の色を呈する光の透過を制御するための画像信号の走査及び（Ａ＋Ｂ＋１）行目に配設されたｎ個の画素乃至前記２Ａ行目に配設されたｎ個の画素に対する前記第２の色を呈する光の透過を制御するための画像信号の走査が行われる期間内において、前記複数のバックライトユニットのうち、前記１行目に配設されたｎ個の画素乃至Ｂ行目に配設されたｎ個の画素に光を照射するためのバックライトユニットにおいて前記第１の色を呈する光の光源を点灯させ、かつ前記（Ａ＋１）行目に配設されたｎ個の画素乃至（Ａ＋Ｂ）行目に配設されたｎ個の画素に光を照射するためのバックライトユニットにおいて前記第２の色を呈する光の光源を点灯させるバックライト制御回路と、を有し、
前記画素部は、トランジスタを有し、
前記トランジスタは、
下地層と、
前記下地層上の半導体層と、
前記半導体層上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上のゲート電極と、を有し、
前記下地層および前記ゲート絶縁層は、化学量論的組成比より酸素が多い領域を有する絶縁層であることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記バックライトユニットは、それぞれが異なる色を呈する光を発光する、少なくとも３つの光源を有し、
前記バックライト制御回路は、前記画素部において第１の画像を形成する際に前記複数の光源のいずれか一を順次点灯させ、前記第１の画像に続いて前記画素部に形成される第２の画像を形成する際に前記複数の光源のいずれか２つを順次点灯させることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記バックライトユニットは、赤を呈する光の光源、緑を呈する光の光源、及び青を呈する光の光源を有することを特徴とする液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置及びその駆動方法に関する。特に、フィールドシーケンシャル
方式によって表示を行う液晶表示装置及びその駆動方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置の表示方法として、カラーフィルター方式及びフィールドシーケンシャル
方式が知られている。前者によって表示を行う液晶表示装置では、各画素に、特定色を呈
する波長の光のみを透過するカラーフィルター（例えば、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）
）を有する複数の副画素が設けられる。そして、副画素毎に白色光の透過を制御し、且つ
画素毎に複数の色を混色することで所望の色を形成している。一方、後者によって表示を
行う液晶表示装置では、それぞれが異なる色を呈する光を発光する複数の光源（例えば、
Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青））が設けられる。そして、当該複数の光源のそれぞれが点
滅を繰り返し、且つ画素毎にそれぞれの色を呈する光の透過を制御することで所望の色を
形成している。すなわち、前者は、特定色を呈する光毎に一画素の面積を分割することで
所望の色を形成する方式であり、後者は、特定色を呈する光毎に表示期間を時間分割する
ことで所望の色を形成する方式である。
【０００３】
フィールドシーケンシャル方式によって表示を行う液晶表示装置は、カラーフィルター
方式によって表示を行う液晶表示装置と比較し、以下の利点を有する。まず、フィールド
シーケンシャル方式によって表示を行う液晶表示装置では、各画素に副画素を設ける必要
がない。そのため、開口率を向上させること又は画素数を増加させることが可能である。
加えて、フィールドシーケンシャル方式によって表示を行う液晶表示装置では、カラーフ
ィルターを設ける必要がない。つまり、当該カラーフィルターにおける光吸収による光の
損失がない。そのため、透過率を向上させること及び消費電力を低減することが可能であ
る。
【０００４】
特許文献１では、フィールドシーケンシャル方式によって表示を行う液晶表示装置が開
示されている。具体的には、各画素に、画像信号の入力を制御するトランジスタと、該画
像信号を保持する信号保持容量と、該信号保持容量から表示画素容量への電荷の移動を制
御するトランジスタとが設けられた液晶表示装置が開示されている。当該構成を有する液
晶表示装置は、信号保持容量に対する画像信号の入力と、表示画素容量が保持する電荷に
応じた表示とを並行して行うことが可能である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００９−４２４０５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上述したように、フィールドシーケンシャル方式によって表示を行う液晶表示装置では
特定色を呈する光毎に表示期間が時間分割される。そのため、利用者の瞬きなど短時間の
表示の遮りに起因して特定の表示情報が欠落することによって、当該利用者に視認される
表示が本来の表示情報に基づく表示から変化（劣化）すること（カラーブレイク、色割れ
ともいう）がある。そこで、本発明の一態様は、フィールドシーケンシャル方式によって
表示を行う液晶表示装置の画質の低下を抑制することを課題の一とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一態様は、ｍ行ｎ列に配設された複数の画素を有する画素部と、１行目に配設
されたｎ個の画素乃至Ａ行目（Ａは、ｍ／２以下の自然数）に配設されたｎ個の画素に対
する第１の色を呈する光の透過を制御するための画像信号の走査及び（Ａ＋１）行目に配
設されたｎ個の画素乃至２Ａ行目に配設されたｎ個の画素に対する第２の色を呈する光の
透過を制御するための画像信号の走査を並行して行う駆動回路と、それぞれが異なる色を
呈する光を発光する複数の光源を備えた複数のバックライトユニットがマトリクス状に配
設されたバックライトと、（Ｂ＋１）行目（Ｂは、Ａ／２以下の自然数）に配設されたｎ
個の画素乃至前記Ａ行目に配設されたｎ個の画素に対する前記第１の色を呈する光の透過
を制御するための画像信号の走査及び（Ａ＋Ｂ＋１）行目に配設されたｎ個の画素乃至前
記２Ａ行目に配設されたｎ個の画素に対する前記第２の色を呈する光の透過を制御するた
めの画像信号の走査が行われる期間内において、前記複数のバックライトユニットのうち
、前記１行目に配設されたｎ個の画素乃至Ｂ行目に配設されたｎ個の画素に光を照射する
ためのバックライトユニットにおいて前記第１の色を呈する光の光源を点灯させ且つ前記
（Ａ＋１）行目に配設されたｎ個の画素乃至（Ａ＋Ｂ）行目に配設されたｎ個の画素に光
を照射するためのバックライトユニットにおいて前記第２の色を呈する光の光源を点灯さ
せるバックライト制御回路と、を有することを特徴とする液晶表示装置である。
【０００８】
また、本発明の一態様は、それぞれが異なる色を呈する光を発光する複数の光源が点滅
を繰り返し、且つｍ行ｎ列（ｍ、ｎは、４以上の自然数）に配設された複数の画素毎にそ
れぞれの色を呈する光の透過を制御することで画素部に画像を形成する液晶表示装置の駆
動方法であって、第１の色を呈する光の透過を制御するための画像信号の入力が１行目に
配設されたｎ個の画素乃至Ａ行目（Ａは、ｍ／２以下の自然数）に配設されたｎ個の画素
に対して順次行われ且つ第２の色を呈する光の透過を制御するための画像信号の入力が（
Ａ＋１）行目に配設されたｎ個の画素乃至２Ａ行目に配設されたｎ個の画素に対して順次
行われる第１の期間内において、前記１行目に配設されたｎ個の画素乃至Ｂ行目（Ｂは、
Ａ／２以下の自然数）に配設されたｎ個の画素に対する前記第１の色を呈する光の透過を
制御するための画像信号の入力及び前記（Ａ＋１）行目に配設されたｎ個の画素乃至（Ａ
＋Ｂ）行目に配設されたｎ個の画素に対する前記第２の色を呈する光の透過を制御するた
めの画像信号の入力が行われた後に、前記１行目に配設されたｎ個の画素乃至前記Ｂ行目
に配設されたｎ個の画素のそれぞれに対して第１の色を呈する光が供給され且つ前記（Ａ
＋１）行目に配設されたｎ個の画素乃至前記（Ａ＋Ｂ）行目に配設されたｎ個の画素のそ
れぞれに対して第２の色を呈する光が供給され、第３の色を呈する光の透過を制御するた
めの画像信号の入力が前記１行目に配設されたｎ個の画素乃至前記Ａ行目に配設されたｎ
個の画素に対して行われ且つ第４の色を呈する光の透過を制御するための画像信号の入力
が前記（Ａ＋１）行目に配設されたｎ個の画素乃至前記２Ａ行目に配設されたｎ個の画素
に対して行われる、前記第１の期間後の期間である第２の期間内において、前記１行目に
配設されたｎ個の画素乃至前記Ｂ行目に配設されたｎ個の画素に対する前記第３の色を呈
する光の透過を制御するための画像信号の入力及び前記（Ａ＋１）行目に配設されたｎ個
の画素乃至前記（Ａ＋Ｂ）行目に配設されたｎ個の画素に対する前記第４の色を呈する光
の透過を制御するための画像信号の入力が行われた後に、前記１行目に配設されたｎ個の
画素乃至前記Ｂ行目に配設されたｎ個の画素のそれぞれに対して第３の色を呈する光が供
給され且つ前記（Ａ＋１）行目に配設されたｎ個の画素乃至前記（Ａ＋Ｂ）行目に配設さ
れたｎ個の画素のそれぞれに対して第４の色を呈する光が供給され、前記画素部において
表示される第１の画像が、前記第１の色を呈する光及び前記第２の色を呈する光を用いて
形成され、前記第１の画像に続いて前記画素部において表示される第２の画像が、前記第
３の色を呈する光及び前記第４の色を呈する光を用いて形成され、前記第１の色を呈する
光及び前記第２の色を呈する光は、前記複数の光源のいずれか一を点灯させることで形成
され、前記第３の色を呈する光及び前記第４の色を呈する光は、前記複数の光源の少なく
とも２つを点灯させることで形成されることを特徴とする液晶表示装置の駆動方法である
。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の一態様の液晶表示装置は、画素部全面において画像信号の入力及びバックライ
トの点灯を順次行うのではなく、画素部の特定の領域毎に画像信号の入力及びバックライ
トの点灯を順次行うことが可能である。これにより、当該液晶表示装置の各画素に対する
画像信号の入力頻度を向上させることなどが可能になる。その結果、当該液晶表示装置に
おいて生じるカラーブレイクなどの表示劣化を抑制し、画質を向上させることが可能であ
る。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】（Ａ）液晶表示装置の構成例を示す図、（Ｂ）画素の構成例を示す図。
【図２】（Ａ）走査線駆動回路の構成例を示す図、（Ｂ）走査線駆動回路で用いられる信号の一例を示すタイミングチャート、（Ｃ）パルス出力回路の構成例を示す図。
【図３】（Ａ）パルス出力回路の一例を示す回路図、（Ｂ）〜（Ｄ）パルス出力回路の動作の一例を示すタイミングチャート。
【図４】（Ａ）信号線駆動回路の構成例を示す図、（Ｂ）信号線駆動回路の動作の一例を示す図。
【図５】バックライトの構成例を示す図。
【図６】液晶表示装置の動作例を説明する図。
【図７】（Ａ）、（Ｂ）パルス出力回路の一例を示す回路図。
【図８】（Ａ）、（Ｂ）パルス出力回路の一例を示す回路図。
【図９】液晶表示装置の動作例を説明する図。
【図１０】液晶表示装置の動作例を説明する図。
【図１１】（Ａ）〜（Ｄ）トランジスタの具体例を示す図。
【図１２】（Ａ）、（Ｂ）画素のレイアウトの具体例を示す上面図。
【図１３】画素のレイアウトの具体例を示す断面図。
【図１４】液晶表示装置の具体例を示す（Ａ）上面図、及び（Ｂ）断面図。
【図１５】液晶表示装置の具体例を示す斜視図。
【図１６】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ１）〜（Ｅ１）、（Ｃ２）〜（Ｅ２）液晶表示装置において用いられる基板の一形態を説明する図。
【図１７】（Ａ）液晶表示装置の一例を示す上面図、（Ｂ）液晶表示装置に貼り合わせられる金属板の一例を示す図、（Ｃ）金属板が貼り合わされた液晶表示装置の一例を示す図。
【図１８】（Ａ）〜（Ｆ）電子機器の一例を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下では、本発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。ただし、本発明
は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨およびその範囲から逸脱することなくその形態
および詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。したがって、
本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【００１２】
まず、本発明の一態様の液晶表示装置について図１〜図６を参照して説明する。
【００１３】
＜液晶表示装置の構成例＞
図１（Ａ）は、液晶表示装置の構成例を示す図である。図１（Ａ）に示す液晶表示装置
は、画素部１０と、走査線駆動回路１１と、信号線駆動回路１２と、各々が平行又は略平
行に配設され、且つ走査線駆動回路１１によって電位が制御されるｍ本の走査線１３と、
各々が平行又は略平行に配設され、且つ信号線駆動回路１２によって電位が制御される、
ｎ本の信号線１４と、を有する。さらに、画素部１０は、３つの領域（領域１０１〜領域
１０３）に分割され、領域毎にマトリクス状に配設された複数の画素を有する。なお、各
走査線１３は、画素部１０においてｍ行ｎ列に配設された複数の画素のうち、いずれかの
行に配設されたｎ個の画素に電気的に接続される。また、各信号線１４は、ｍ行ｎ列に配
設された複数の画素のうち、いずれかの列に配設されたｍ個の画素に電気的に接続される
。
【００１４】
図１（Ｂ）は、図１（Ａ）に示す液晶表示装置が有する画素１５の回路図の一例を示す
図である。図１（Ｂ）に示す画素１５は、ゲートが走査線１３に電気的に接続され、ソー
ス及びドレインの一方が信号線１４に電気的に接続されたトランジスタ１６と、一方の電
極がトランジスタ１６のソース及びドレインの他方に電気的に接続され、他方の電極が容
量電位を供給する配線（容量配線ともいう）に電気的に接続された容量素子１７と、一方
の電極（画素電極ともいう）がトランジスタ１６のソース及びドレインの他方及び容量素
子１７の一方の電極に電気的に接続され、他方の電極（共通電極、対向電極ともいう）が
共通電位（対向電位ともいう）を供給する配線に電気的に接続された液晶素子１８と、を
有する。なお、トランジスタ１６は、ｎチャネル型のトランジスタである。また、容量電
位と共通電位を同一の電位とすることが可能である。
【００１５】
＜走査線駆動回路１１の構成例＞
図２（Ａ）は、図１（Ａ）に示す液晶表示装置が有する走査線駆動回路１１の構成例を
示す図である。図２（Ａ）に示す走査線駆動回路１１は、第１の走査線駆動回路用クロッ
ク信号（ＧＣＫ１）を供給する配線乃至第４の走査線駆動回路用クロック信号（ＧＣＫ４
）を供給する配線と、第１のパルス幅制御信号（ＰＷＣ１）を供給する配線乃至第６のパ
ルス幅制御信号（ＰＷＣ６）を供給する配線と、１行目に配設された走査線１３に電気的
に接続された第１のパルス出力回路２０＿１、乃至、ｍ行目に配設された走査線１３に電
気的に接続された第ｍのパルス出力回路２０＿ｍと、を有する。なお、ここでは、第１の
パルス出力回路２０＿１〜第ｋのパルス出力回路２０＿ｋ（ｋは、ｍ／２未満の４の倍数
）が、領域１０１に配設された走査線１３＿１〜１３＿ｋにそれぞれ電気的に接続され、
第（ｋ＋１）のパルス出力回路２０＿ｋ＋１〜第２ｋのパルス出力回路２０＿２ｋが、領
域１０２に配設された走査線１３＿ｋ＋１〜１３＿２ｋにそれぞれ電気的に接続され、第
（２ｋ＋１）のパルス出力回路２０＿２ｋ＋１〜第ｍのパルス出力回路２０＿ｍが領域１
０３に配設された走査線１３＿２ｋ＋１〜１３＿ｍにそれぞれ電気的に接続されることと
する。また、第１のパルス出力回路２０＿１乃至第ｍのパルス出力回路２０＿ｍは、第１
のパルス出力回路２０＿１に入力される走査線駆動回路用スタートパルス（ＧＳＰ）をき
っかけとしてシフト期間毎にシフトパルスを順次シフトする機能を有する。さらに、第１
のパルス出力回路２０＿１乃至第ｍのパルス出力回路において複数のシフトパルスのシフ
トを並行して行うことが可能である。すなわち、第１のパルス出力回路２０＿１乃至第ｍ
のパルス出力回路２０＿ｍにおいてシフトパルスのシフトが行われている期間内であって
も、第１のパルス出力回路２０＿１に走査線駆動回路用スタートパルス（ＧＳＰ）を入力
することが可能である。
【００１６】
図２（Ｂ）は、上記信号の具体的な波形の一例を示す図である。図２（Ｂ）に示す第１
の走査線駆動回路用クロック信号（ＧＣＫ１）は、周期的にハイレベルの電位（高電源電
位（Ｖｄｄ））とロウレベルの電位（低電源電位（Ｖｓｓ））を繰り返す、デューティー
比が１／４の信号である。また、第２の走査線駆動回路用クロック信号（ＧＣＫ２）は、
第１の走査線駆動回路用クロック信号（ＧＣＫ１）から１／４周期分位相がずれた信号で
あり、第３の走査線駆動回路用クロック信号（ＧＣＫ３）は、第１の走査線駆動回路用ク
ロック信号（ＧＣＫ１）から１／２周期位相がずれた信号であり、第４の走査線駆動回路
用クロック信号（ＧＣＫ４）は、第１の走査線駆動回路用クロック信号（ＧＣＫ１）から
３／４周期位相がずれた信号である。第１のパルス幅制御信号（ＰＷＣ１）は、周期的に
ハイレベルの電位（高電源電位（Ｖｄｄ））とロウレベルの電位（低電源電位（Ｖｓｓ）
）を繰り返す、デューティー比が１／３の信号である。また、第２のパルス幅制御信号（
ＰＷＣ２）は、第１のパルス幅制御信号（ＰＷＣ１）から１／６周期位相がずれた信号で
あり、第３のパルス幅制御信号（ＰＷＣ３）は、第１のパルス幅制御信号（ＰＷＣ１）か
ら１／３周期位相がずれた信号であり、第４のパルス幅制御信号（ＰＷＣ４）は、第１の
パルス幅制御信号（ＰＷＣ１）から１／２周期位相がずれた信号であり、第５のパルス幅
制御信号（ＰＷＣ５）は、第１のパルス幅制御信号（ＰＷＣ１）から２／３周期位相がず
れた信号であり、第６のパルス幅制御信号（ＰＷＣ６）は、第１のパルス幅制御信号（Ｐ
ＷＣ１）から５／６周期位相がずれた信号である。なお、ここでは、第１の走査線駆動回
路用クロック信号（ＧＣＫ１）乃至第４の走査線駆動回路用クロック信号（ＧＣＫ４）の
パルス幅と第１のパルス幅制御信号（ＰＷＣ１）乃至第６のパルス幅制御信号（ＰＷＣ６
）のパルス幅の比は、３：２とする。
【００１７】
上述した液晶表示装置においては、第１のパルス出力回路２０＿１乃至第ｍのパルス出
力回路２０＿ｍとして、同一の構成を有する回路を適用することができる。ただし、パル
ス出力回路が有する複数の端子の電気的な接続関係は、パルス出力回路毎に異なる。具体
的な接続関係について図２（Ａ）、（Ｃ）を参照して説明する。
【００１８】
第１のパルス出力回路２０＿１乃至第ｍのパルス出力回路２０＿ｍのそれぞれは、端子
２１〜端子２７を有する（図２（Ｃ））。なお、端子２１〜端子２４及び端子２６は入力
端子であり、端子２５及び端子２７は出力端子である。
【００１９】
まず、端子２１について述べる。第１のパルス出力回路２０＿１の端子２１は、走査線
駆動回路用スタートパルス（ＧＳＰ）を供給する配線に電気的に接続され、第２のパルス
出力回路２０＿２〜第ｍのパルス出力回路２０＿ｍの端子２１は、前段のパルス出力回路
の端子２７に電気的に接続される。
【００２０】
次いで、端子２２について述べる。第（４ａ−３）のパルス出力回路（ａは、ｍ／４以
下の自然数）の端子２２は、第１の走査線駆動回路用クロック信号（ＧＣＫ１）を供給す
る配線に電気的に接続され、第（４ａ−２）のパルス出力回路の端子２２は、第２の走査
線駆動回路用クロック信号（ＧＣＫ２）を供給する配線に電気的に接続され、第（４ａ−
１）のパルス出力回路の端子２２は、第３の走査線駆動回路用クロック信号（ＧＣＫ３）
を供給する配線に電気的に接続され、第４ａのパルス出力回路の端子２２は、第４の走査
線駆動回路用クロック信号（ＧＣＫ４）を供給する配線に電気的に接続される。
【００２１】
次いで、端子２３について述べる。第（４ａ−３）のパルス出力回路の端子２３は、第
２の走査線駆動回路用クロック信号（ＧＣＫ２）を供給する配線に電気的に接続され、第
（４ａ−２）のパルス出力回路の端子２３は、第３の走査線駆動回路用クロック信号（Ｇ
ＣＫ３）を供給する配線に電気的に接続され、第（４ａ−１）のパルス出力回路の端子２
３は、第４の走査線駆動回路用クロック信号（ＧＣＫ４）を供給する配線に電気的に接続
され、第４ａのパルス出力回路の端子２３は、第１の走査線駆動回路用クロック信号（Ｇ
ＣＫ１）を供給する配線に電気的に接続される。
【００２２】
次いで、端子２４について述べる。第（２ｂ−１）のパルス出力回路（ｂは、ｋ／２以
下の自然数）の端子２４は、第１のパルス幅制御信号（ＰＷＣ１）を供給する配線に電気
的に接続され、第２ｂのパルス出力回路の端子２４は、第４のパルス幅制御信号（ＰＷＣ
４）を供給する配線に電気的に接続され、第（２ｃ−１）のパルス出力回路（ｃは、（ｋ
／２＋１）以上ｋ以下の自然数）の端子２４は、第２のパルス幅制御信号（ＰＷＣ２）を
供給する配線に電気的に接続され、第２ｃのパルス出力回路の端子２４は、第５のパルス
幅制御信号（ＰＷＣ５）を供給する配線に電気的に接続され、第（２ｄ−１）のパルス出
力回路（ｄは、（ｋ＋１）以上ｍ／２以下の自然数）の端子２４は、第３のパルス幅制御
信号（ＰＷＣ３）を供給する配線に電気的に接続され、第２ｄのパルス出力回路の端子２
４は、第６のパルス幅制御信号（ＰＷＣ６）を供給する配線に電気的に接続される。
【００２３】
次いで、端子２５について述べる。第ｘのパルス出力回路（ｘは、ｍ以下の自然数）の
端子２５は、ｘ行目に配設された走査線１３＿ｘに電気的に接続される。
【００２４】
次いで、端子２６について述べる。第ｙのパルス出力回路（ｙは、ｍ−１以下の自然数
）の端子２６は、第（ｙ＋１）のパルス出力回路の端子２７に電気的に接続され、第ｍの
パルス出力回路の端子２６は、第ｍのパルス出力回路用ストップ信号（ＳＴＰ）を供給す
る配線に電気的に接続される。なお、第ｍのパルス出力回路用ストップ信号（ＳＴＰ）は
、仮に第（ｍ＋１）のパルス出力回路が設けられていれば、当該第（ｍ＋１）のパルス出
力回路の端子２７から出力される信号に相当する信号である。具体的には、これらの信号
は、実際にダミー回路として第（ｍ＋１）のパルス出力回路を設けること、又は外部から
当該信号を直接入力することなどによって第ｍのパルス出力回路に供給することができる
。
【００２５】
各パルス出力回路の端子２７の接続関係は既出である。そのため、ここでは前述の説明
を援用することとする。
【００２６】
＜パルス出力回路の構成例＞
図３（Ａ）は、図２（Ａ）、（Ｃ）に示すパルス出力回路の構成例を示す図である。図
３（Ａ）に示すパルス出力回路は、トランジスタ３１乃至トランジスタ３９を有する。
【００２７】
トランジスタ３１は、ソース及びドレインの一方が高電源電位（Ｖｄｄ）を供給する配
線（以下、高電源電位線ともいう）に電気的に接続され、ゲートが端子２１に電気的に接
続される。
【００２８】
トランジスタ３２は、ソース及びドレインの一方が低電源電位（Ｖｓｓ）を供給する配
線（以下、低電源電位線ともいう）に電気的に接続され、ソース及びドレインの他方がト
ランジスタ３１のソース及びドレインの他方に電気的に接続される。
【００２９】
トランジスタ３３は、ソース及びドレインの一方が端子２２に電気的に接続され、ソー
ス及びドレインの他方が端子２７に電気的に接続され、ゲートがトランジスタ３１のソー
ス及びドレインの他方並びにトランジスタ３２のソース及びドレインの他方に電気的に接
続される。
【００３０】
トランジスタ３４は、ソース及びドレインの一方が低電源電位線に電気的に接続され、
ソース及びドレインの他方が端子２７に電気的に接続され、ゲートがトランジスタ３２の
ゲートに電気的に接続される。
【００３１】
トランジスタ３５は、ソース及びドレインの一方が低電源電位線に電気的に接続され、
ソース及びドレインの他方がトランジスタ３２のゲート及びトランジスタ３４のゲートに
電気的に接続され、ゲートが端子２１に電気的に接続される。
【００３２】
トランジスタ３６は、ソース及びドレインの一方が高電源電位線に電気的に接続され、
ソース及びドレインの他方がトランジスタ３２のゲート、トランジスタ３４のゲート、並
びにトランジスタ３５のソース及びドレインの他方に電気的に接続され、ゲートが端子２
６に電気的に接続される。なお、トランジスタ３６のソース及びドレインの一方が、低電
源電位（Ｖｓｓ）よりも高電位であり且つ高電源電位（Ｖｄｄ）よりも低電位である電源
電位（Ｖｃｃ）を供給する配線に電気的に接続される構成とすることもできる。
【００３３】
トランジスタ３７は、ソース及びドレインの一方が高電源電位線に電気的に接続され、
ソース及びドレインの他方がトランジスタ３２のゲート、トランジスタ３４のゲート、ト
ランジスタ３５のソース及びドレインの他方、並びにトランジスタ３６のソース及びドレ
インの他方に電気的に接続され、ゲートが端子２３に電気的に接続される。なお、トラン
ジスタ３７のソース及びドレインの一方が、電源電位（Ｖｃｃ）を供給する配線に電気的
に接続される構成とすることもできる。
【００３４】
トランジスタ３８は、ソース及びドレインの一方が端子２４に電気的に接続され、ソー
ス及びドレインの他方が端子２５に電気的に接続され、ゲートがトランジスタ３１のソー
ス及びドレインの他方、トランジスタ３２のソース及びドレインの他方、並びにトランジ
スタ３３のゲートに電気的に接続される。
【００３５】
トランジスタ３９は、ソース及びドレインの一方が低電源電位線に電気的に接続され、
ソース及びドレインの他方が端子２５に電気的に接続され、ゲートがトランジスタ３２の
ゲート、トランジスタ３４のゲート、トランジスタ３５のソース及びドレインの他方、ト
ランジスタ３６のソース及びドレインの他方、並びにトランジスタ３７のソース及びドレ
インの他方に電気的に接続される。
【００３６】
なお、以下においては、トランジスタ３１のソース及びドレインの他方、トランジスタ
３２のソース及びドレインの他方、トランジスタ３３のゲート、並びにトランジスタ３８
のゲートが電気的に接続するノードをノードＡとし、トランジスタ３２のゲート、トラン
ジスタ３４のゲート、トランジスタ３５のソース及びドレインの他方、トランジスタ３６
のソース及びドレインの他方、トランジスタ３７のソース及びドレインの他方、並びにト
ランジスタ３９のゲートが電気的に接続するノードをノードＢとして説明する。
【００３７】
＜パルス出力回路の動作例＞
上述したパルス出力回路の動作例について図３（Ｂ）〜（Ｄ）を参照して説明する。な
お、ここでは、第１のパルス出力回路２０＿１の端子２１に入力される走査線駆動回路用
スタートパルス（ＧＳＰ）の入力タイミングを制御することで、第１のパルス出力回路２
０＿１、第（ｋ＋１）のパルス出力回路２０＿ｋ＋１、及び第（２ｋ＋１）のパルス出力
回路２０＿２ｋ＋１の端子２７から同一タイミングでシフトパルスを出力する場合の動作
例について説明する。具体的には、図３（Ｂ）は、走査線駆動回路用スタートパルス（Ｇ
ＳＰ）が入力される際の第１のパルス出力回路２０＿１の各端子に入力される信号の電位
、並びにノードＡ及びノードＢの電位を示しており、図３（Ｃ）は、第ｋのパルス出力回
路２０＿ｋからハイレベルの電位が入力される際の第（ｋ＋１）のパルス出力回路２０＿
ｋ＋１の各端子に入力される信号の電位、並びにノードＡ及びノードＢの電位を示してお
り、図３（Ｄ）は、第２ｋのパルス出力回路２０＿２ｋからハイレベルの電位が入力され
る際の第（２ｋ＋１）のパルス出力回路２０＿２ｋ＋１の各端子に入力される信号の電位
、並びにノードＡ及びノードＢの電位を示している。なお、図３（Ｂ）〜（Ｄ）では、各
端子に入力される信号を括弧書きで付記している。また、それぞれの後段に配設されるパ
ルス出力回路（第２のパルス出力回路２０＿２、第（ｋ＋２）のパルス出力回路２０＿ｋ
＋２、第（２ｋ＋２）のパルス出力回路２０＿２ｋ＋２）の端子２５から出力される信号
（Ｇｏｕｔ２、Ｇｏｕｔｋ＋２、Ｇｏｕｔ２ｋ＋２）及び端子２７から出力される信号（
ＳＲｏｕｔ２＝第１のパルス出力回路２０＿１の端子２６の入力信号、ＳＲｏｕｔｋ＋２
＝第（ｋ＋１）のパルス出力回路２０＿ｋ＋１の端子２６の入力信号、ＳＲｏｕｔ２ｋ＋
２＝第（２ｋ＋１）のパルス出力回路２０＿２ｋ＋１の端子２６の入力信号）も付記して
いる。なお、図中において、Ｇｏｕｔは、パルス出力回路の走査線に対する出力信号を表
し、ＳＲｏｕｔは、当該パルス出力回路の、前段及び後段のパルス出力回路に対する出力
信号を表している。
【００３８】
まず、図３（Ｂ）を参照して、第１のパルス出力回路２０＿１に走査線駆動回路用スタ
ートパルス（ＧＳＰ）としてハイレベルの電位が入力される場合について説明する。
【００３９】
期間ｔ１において、端子２１にハイレベルの電位（高電源電位（Ｖｄｄ））が入力され
る。これにより、トランジスタ３１、３５がオン状態となる。そのため、ノードＡの電位
がハイレベルの電位（高電源電位（Ｖｄｄ）からトランジスタ３１のしきい値電圧分下降
した電位）に上昇し、且つノードＢの電位が低電源電位（Ｖｓｓ）に下降する。これに付
随して、トランジスタ３３、３８がオン状態となり、トランジスタ３２、３４、３９がオ
フ状態となる。以上により、期間ｔ１において、端子２７から出力される信号は、端子２
２に入力される信号となり、端子２５から出力される信号は、端子２４に入力される信号
となる。ここで、期間ｔ１において、端子２２及び端子２４に入力される信号は、共にロ
ウレベルの電位（低電源電位（Ｖｓｓ））である。そのため、期間ｔ１において、第１の
パルス出力回路２０＿１は、第２のパルス出力回路２０＿２の端子２１、及び画素部にお
いて１行目に配設された走査線にロウレベルの電位（低電源電位（Ｖｓｓ））を出力する
。
【００４０】
期間ｔ２において、各端子に入力される信号は期間ｔ１から変化しない。そのため、端
子２５及び端子２７から出力される信号も変化せず、共にロウレベルの電位（低電源電位
（Ｖｓｓ））を出力する。
【００４１】
期間ｔ３において、端子２４にハイレベルの電位（高電源電位（Ｖｄｄ））が入力され
る。なお、ノードＡの電位（トランジスタ３１のソースの電位）は、期間ｔ１においてハ
イレベルの電位（高電源電位（Ｖｄｄ）からトランジスタ３１のしきい値電圧分下降した
電位）まで上昇している。そのため、トランジスタ３１はオフ状態となっている。この時
、端子２４にハイレベルの電位（高電源電位（Ｖｄｄ））が入力されることで、トランジ
スタ３８のソースとゲートの容量結合によって、ノードＡの電位（トランジスタ３８のゲ
ートの電位）がさらに上昇する（ブートストラップ動作）。また、当該ブートストラップ
動作を行うことによって、端子２５から出力される信号が端子２４に入力されるハイレベ
ルの電位（高電源電位（Ｖｄｄ））から下降することがない。そのため、期間ｔ３におい
て、第１のパルス出力回路２０＿１は、画素部において１行目に配設された走査線にハイ
レベルの電位（高電源電位（Ｖｄｄ）＝選択信号）を出力する。
【００４２】
期間ｔ４において、端子２２にハイレベルの電位（高電源電位（Ｖｄｄ））が入力され
る。ここで、ノードＡの電位は、ブートストラップ動作によって上昇しているため、端子
２７から出力される信号が端子２２に入力されるハイレベルの電位（高電源電位（Ｖｄｄ
））から下降することがない。そのため、期間ｔ４において、端子２７からは、端子２２
に入力されるハイレベルの電位（高電源電位（Ｖｄｄ））が出力される。すなわち、第１
のパルス出力回路２０＿１は、第２のパルス出力回路２０＿２の端子２１にハイレベルの
電位（高電源電位（Ｖｄｄ）＝シフトパルス）を出力する。また、期間ｔ４において、端
子２４に入力される信号はハイレベルの電位（高電源電位（Ｖｄｄ））を維持するため、
第１のパルス出力回路２０＿１から画素部において１行目に配設された走査線に対して出
力される信号は、ハイレベルの電位（高電源電位（Ｖｄｄ）＝選択信号）のままである。
なお、期間ｔ４における当該パルス出力回路の出力信号には直接関与しないが、端子２１
にロウレベルの電位（低電源電位（Ｖｓｓ））が入力されるためトランジスタ３５はオフ
状態となる。
【００４３】
期間ｔ５において、端子２４にロウレベルの電位（低電源電位（Ｖｓｓ））が入力され
る。ここで、トランジスタ３８はオン状態を維持する。そのため、期間ｔ５において、第
１のパルス出力回路２０＿１から画素部において１行目に配設された走査線に対して出力
される信号は、ロウレベルの電位（低電源電位（Ｖｓｓ））となる。
【００４４】
期間ｔ６において、各端子に入力される信号は期間ｔ５から変化しない。そのため、端
子２５及び端子２７から出力される信号も変化せず、端子２５からはロウレベルの電位（
低電源電位（Ｖｓｓ））が出力され、端子２７からはハイレベルの電位（高電源電位（Ｖ
ｄｄ）＝シフトパルス）が出力される。
【００４５】
期間ｔ７において、端子２３にハイレベルの電位（高電源電位（Ｖｄｄ））が入力され
る。これにより、トランジスタ３７がオン状態となる。そのため、ノードＢの電位がハイ
レベルの電位（高電源電位（Ｖｄｄ）からトランジスタ３７のしきい値電圧分下降した電
位）に上昇する。つまり、トランジスタ３２、３４、３９がオン状態となる。また、これ
に付随して、ノードＡの電位がロウレベルの電位（低電源電位（Ｖｓｓ））へと下降する
。つまり、トランジスタ３３、３８がオフ状態となる。以上により、期間ｔ７において、
端子２５及び端子２７から出力される信号は、共に低電源電位（Ｖｓｓ）となる。すなわ
ち、期間ｔ７において、第１のパルス出力回路２０＿１は、第２のパルス出力回路２０＿
２の端子２１、及び画素部において１行目に配設された走査線に低電源電位（Ｖｓｓ）を
出力する。
【００４６】
次いで、図３（Ｃ）を参照して、第（ｋ＋１）のパルス出力回路２０＿ｋ＋１の端子２
１に第ｋのパルス出力回路２０＿ｋからシフトパルスとしてハイレベルの電位が入力され
る場合について説明する。
【００４７】
期間ｔ１及び期間ｔ２において、第（ｋ＋１）のパルス出力回路２０＿ｋ＋１の動作は
、上述した第１のパルス出力回路２０＿１と同様である。そのため、ここでは前述の説明
を援用することとする。
【００４８】
期間ｔ３において、各端子に入力される信号は期間ｔ２から変化しない。そのため、端
子２５及び端子２７から出力される信号も変化せず、共にロウレベルの電位（低電源電位
（Ｖｓｓ））を出力する。
【００４９】
期間ｔ４において、端子２２及び端子２４にハイレベルの電位（高電源電位（Ｖｄｄ）
）が入力される。なお、ノードＡの電位（トランジスタ３１のソースの電位）は、期間ｔ
１においてハイレベルの電位（高電源電位（Ｖｄｄ）からトランジスタ３１のしきい値電
圧分下降した電位）まで上昇している。そのため、トランジスタ３１は、期間ｔ１におい
てオフ状態となっている。ここで、端子２２及び端子２４にハイレベルの電位（高電源電
位（Ｖｄｄ））が入力されることで、トランジスタ３３のソースとゲート及びトランジス
タ３８のソースとゲートの容量結合によって、ノードＡの電位（トランジスタ３３、３８
のゲートの電位）がさらに上昇する（ブートストラップ動作）。また、当該ブートストラ
ップ動作を行うことによって、端子２５及び端子２７から出力される信号が端子２２及び
端子２４に入力されるハイレベルの電位（高電源電位（Ｖｄｄ））から下降することがな
い。そのため、期間ｔ４において、第（ｋ＋１）のパルス出力回路２０＿ｋ＋１は、画素
部において（ｋ＋１）行目に配設された走査線及び第（ｋ＋２）のパルス出力回路２０＿
ｋ＋２の端子２１にハイレベルの電位（高電源電位（Ｖｄｄ）＝選択信号、シフトパルス
）を出力する。
【００５０】
期間ｔ５において、各端子に入力される信号は期間ｔ４から変化しない。そのため、端
子２５及び端子２７から出力される信号も変化せず、ハイレベルの電位（高電源電位（Ｖ
ｄｄ）＝選択信号、シフトパルス）を出力する。
【００５１】
期間ｔ６において、端子２４にロウレベルの電位（低電源電位（Ｖｓｓ））が入力され
る。ここで、トランジスタ３８はオン状態を維持する。そのため、期間ｔ６において、第
（ｋ＋１）のパルス出力回路２０＿ｋ＋１から画素部において（ｋ＋１）行目に配設され
た走査線に対して出力される信号は、ロウレベルの電位（低電源電位（Ｖｓｓ））となる
。
【００５２】
期間ｔ７において、端子２３にハイレベルの電位（高電源電位（Ｖｄｄ））が入力され
る。これにより、トランジスタ３７がオン状態となる。そのため、ノードＢの電位がハイ
レベルの電位（高電源電位（Ｖｄｄ）からトランジスタ３７のしきい値電圧分下降した電
位）に上昇する。つまり、トランジスタ３２、３４、３９がオン状態となる。また、これ
に付随して、ノードＡの電位がロウレベルの電位（低電源電位（Ｖｓｓ））へと下降する
。つまり、トランジスタ３３、３８がオフ状態となる。以上により、期間ｔ７において、
端子２５及び端子２７から出力される信号は、共に低電源電位（Ｖｓｓ）となる。すなわ
ち、期間ｔ７において、第（ｋ＋１）のパルス出力回路２０＿ｋ＋１は、第（ｋ＋２）の
パルス出力回路２０＿ｋ＋２の端子２１、及び画素部において（ｋ＋１）行目に配設され
た走査線に低電源電位（Ｖｓｓ）を出力する。
【００５３】
次いで、図３（Ｄ）を参照して、第（２ｋ＋１）のパルス出力回路２０＿２ｋ＋１の端
子２１に第２ｋのパルス出力回路２０＿ｋからシフトパルスとしてハイレベルの電位が入
力される場合について説明する。
【００５４】
期間ｔ１乃至期間ｔ３において、第（２ｋ＋１）のパルス出力回路２０＿２ｋ＋１の動
作は、上述した第（ｋ＋１）のパルス出力回路２０＿ｋ＋１と同様である。そのため、こ
こでは前述の説明を援用することとする。
【００５５】
期間ｔ４において、端子２２にハイレベルの電位（高電源電位（Ｖｄｄ））が入力され
る。なお、ノードＡの電位（トランジスタ３１のソースの電位）は、期間ｔ１においてハ
イレベルの電位（高電源電位（Ｖｄｄ）からトランジスタ３１のしきい値電圧分下降した
電位）まで上昇している。そのため、トランジスタ３１は、期間ｔ１においてオフ状態と
なっている。ここで、端子２２にハイレベルの電位（高電源電位（Ｖｄｄ））が入力され
ることで、トランジスタ３３のソースとゲートの容量結合によって、ノードＡの電位（ト
ランジスタ３３のゲートの電位）がさらに上昇する（ブートストラップ動作）。また、当
該ブートストラップ動作を行うことによって、端子２７から出力される信号が端子２２に
入力されるハイレベルの電位（高電源電位（Ｖｄｄ））から下降することがない。そのた
め、期間ｔ４において、第（２ｋ＋１）のパルス出力回路２０＿２ｋ＋１は、第（２ｋ＋
２）のパルス出力回路２０＿２ｋ＋２の端子２１にハイレベルの電位（高電源電位（Ｖｄ
ｄ）＝シフトパルス）を出力する。なお、期間ｔ４における当該パルス出力回路の出力信
号には直接関与しないが、端子２１にロウレベルの電位（低電源電位（Ｖｓｓ））が入力
されるためトランジスタ３５はオフ状態となる。
【００５６】
期間ｔ５において、端子２４にハイレベルの電位（高電源電位（Ｖｄｄ））が入力され
る。ここで、ノードＡの電位は、ブートストラップ動作によって上昇しているため、端子
２５から出力される信号が端子２４に入力されるハイレベルの電位（高電源電位（Ｖｄｄ
））から下降することがない。そのため、期間ｔ５において、端子２５からは、端子２２
に入力されるハイレベルの電位（高電源電位（Ｖｄｄ））が出力される。すなわち、第（
２ｋ＋１）のパルス出力回路２０＿２ｋ＋１は、画素部において（２ｋ＋１）行目に配設
された走査線にハイレベルの電位（高電源電位（Ｖｄｄ）＝選択信号）を出力する。また
、期間ｔ５において、端子２２に入力される信号はハイレベルの電位（高電源電位（Ｖｄ
ｄ））を維持するため、第（２ｋ＋１）のパルス出力回路２０＿２ｋ＋１から第（２ｋ＋
２）のパルス出力回路２０＿２ｋ＋２の端子２１に対して出力される信号は、ハイレベル
の電位（高電源電位（Ｖｄｄ）＝シフトパルス）のままである。
【００５７】
期間ｔ６において、各端子に入力される信号は期間ｔ５から変化しない。そのため、端
子２５及び端子２７から出力される信号も変化せず、共にハイレベルの電位（高電源電位
（Ｖｄｄ）＝選択信号、シフトパルス）を出力する。
【００５８】
期間ｔ７において、端子２３にハイレベルの電位（高電源電位（Ｖｄｄ））が入力され
る。これにより、トランジスタ３７がオン状態となる。そのため、ノードＢの電位がハイ
レベルの電位（高電源電位（Ｖｄｄ）からトランジスタ３７のしきい値電圧分下降した電
位）に上昇する。つまり、トランジスタ３２、３４、３９がオン状態となる。また、これ
に付随して、ノードＡの電位がロウレベルの電位（低電源電位（Ｖｓｓ））へと下降する
。つまり、トランジスタ３３、３８がオフ状態となる。以上により、期間ｔ７において、
端子２５及び端子２７から出力される信号は、共に低電源電位（Ｖｓｓ）となる。すなわ
ち、期間ｔ７において、第（２ｋ＋１）のパルス出力回路２０＿２ｋ＋１は、第（２ｋ＋
２）のパルス出力回路２０＿２ｋ＋２の端子２１、及び画素部において（２ｋ＋１）行目
に配設された走査線に低電源電位（Ｖｓｓ）を出力する。
【００５９】
図３（Ｂ）〜（Ｄ）に示すように、第１のパルス出力回路２０＿１乃至第ｍのパルス出
力回路２０＿ｍでは、走査線駆動回路用スタートパルス（ＧＳＰ）の入力タイミングを制
御することで、複数のシフトパルスのシフトを並行して行うことが可能である。具体的に
は、走査線駆動回路用スタートパルス（ＧＳＰ）の入力後、第ｋのパルス出力回路２０＿
ｋの端子２７からシフトパルスが出力されるタイミングと同じタイミングで再度走査線駆
動回路用スタートパルス（ＧＳＰ）を入力することによって、第１のパルス出力回路２０
＿１及び第（ｋ＋１）のパルス出力回路２０＿ｋ＋１から同じタイミングでシフトパルス
を出力させることが可能である。また、同様に走査線駆動回路用スタートパルス（ＧＳＰ
）を入力することによって、第１のパルス出力回路２０＿１、第（ｋ＋１）のパルス出力
回路２０＿ｋ＋１、及び第（２ｋ＋１）のパルス出力回路２０＿２ｋ＋１から同じタイミ
ングでシフトパルスを出力させることが可能である。
【００６０】
加えて、第１のパルス出力回路２０＿１、第（ｋ＋１）のパルス出力回路２０＿ｋ＋１
、及び第（２ｋ＋１）のパルス出力回路２０＿２ｋ＋１は、上記の動作に並行して、それ
ぞれ異なるタイミングで走査線に対する選択信号の供給を行うことが可能である。すなわ
ち、上述した走査線駆動回路は、固有のシフト期間を有するシフトパルスを複数シフトし
且つ同一タイミングにおいてシフトパルスが入力された複数のパルス出力回路がそれぞれ
異なるタイミングで走査線に対して選択信号を供給することが可能である。
【００６１】
＜信号線駆動回路１２の構成例＞
図４（Ａ）は、図１（Ａ）に示す液晶表示装置が有する信号線駆動回路１２の構成例を
示す図である。図４（Ａ）に示す信号線駆動回路１２は、第１の出力端子乃至第ｎの出力
端子を有するシフトレジスタ１２０と、画像信号（ＤＡＴＡ）を供給する配線と、ソース
及びドレインの一方が画像信号（ＤＡＴＡ）を供給する配線に電気的に接続され、ソース
及びドレインの他方が画素部において１列目に配設された信号線１４＿１に電気的に接続
され、ゲートがシフトレジスタ１２０の第１の出力端子に電気的に接続されたトランジス
タ１２１＿１、乃至、ソース及びドレインの一方が画像信号（ＤＡＴＡ）を供給する配線
に電気的に接続され、ソース及びドレインの他方が画素部においてｎ列目に配設された信
号線１４＿ｎに電気的に接続され、ゲートがシフトレジスタ１２０の第ｎの出力端子に電
気的に接続されたトランジスタ１２１＿ｎと、を有する。なお、シフトレジスタ１２０は
、信号線駆動回路用スタートパルス（ＳＳＰ）としてハイレベルの電位が入力されること
をきっかけとしてシフト期間毎に順次第１の出力端子乃至第ｎの出力端子からハイレベル
の電位を出力する機能を有する。すなわち、トランジスタ１２１＿１乃至トランジスタ１
２１＿ｎは、シフト期間毎に順次オン状態となる。
【００６２】
図４（Ｂ）は、画像信号（ＤＡＴＡ）を供給する配線が供給する画像信号のタイミング
の一例を示す図である。図４（Ｂ）に示すように、画像信号（ＤＡＴＡ）を供給する配線
は、期間ｔ４において、１行目に配設された画素用画像信号（ｄａｔａ  １）を供給し、
期間ｔ５において、（ｋ＋１）行目に配設された画素用画像信号（ｄａｔａ  ｋ＋１）を
供給し、期間ｔ６において、（２ｋ＋１）行目に配設された画素用画像信号（ｄａｔａ  
２ｋ＋１）を供給し、期間ｔ７において、２行目に配設された画素用画像信号（ｄａｔａ
２）を供給する。以下、同様に画像信号（ＤＡＴＡ）を供給する配線は、特定の行に配
設された画素用画像信号を順次供給する。具体的には、ｓ行目（ｓは、ｋ未満の自然数）
に配設された画素用画像信号→ｋ＋ｓ行目に配設された画素用画像信号→２ｋ＋ｓ行目に
配設された画素用画像信号→ｓ＋１行目に配設された画素用画像信号という順序で画像信
号を供給する。上述した走査線駆動回路及び信号線駆動回路が当該動作を行うことにより
、走査線駆動回路が有するパルス出力回路におけるシフト期間毎に画素部に配設された３
行の画素に対する画像信号の入力を行うことが可能である。すなわち、上述した走査線駆
動回路及び信号線駆動回路が当該動作を行うことにより、ｍ行ｎ列に配設された複数の画
素に対して、３種類の画像信号の走査を並行して行うことが可能である。
【００６３】
＜バックライトの構成例＞
図５は、図１（Ａ）に示す液晶表示装置の画素部１０の背後に設けられるバックライト
の構成例を示す図である。図５に示すバックライトは、マトリクス状に配設された複数の
バックライトユニット４０を有する。なお、バックライトユニット４０は、赤（Ｒ）を呈
する光の光源、緑（Ｇ）を呈する光の光源、及び青（Ｂ）を呈する光の光源を有する。ま
た、複数のバックライトユニット４０における光源の点滅は、バックライト制御回路４１
によって制御される。なお、ここでは、バックライト制御回路４１は、ｍ行ｎ列に配設さ
れた複数の画素のうちｔ行ｎ列（ここでは、ｔは、ｋ／４とする）に配設された画素に対
して光を照射するためのバックライトユニット群４２毎に、光源の点滅を制御できること
とする。すなわち、当該バックライト制御回路４１は、１行目乃至ｔ行目用バックライト
ユニット群〜（２ｋ＋３ｔ＋１）行目乃至ｍ行目用バックライトユニット群において点灯
される光を独立に制御できることとする。さらに、バックライト制御回路４１は、バック
ライトユニット群４２に含まれるバックライトユニット４０が有する３種の光源のいずれ
か一を点灯させること、いずれか二つを同時に点灯させること、及び全てを同時に点灯さ
せることが可能であることとする。なお、当該３種の光源の全てを同時に点灯させた場合
、バックライトユニット４０は、白（Ｗ）を呈する光を発光することとする。また、当該
光源としては、ＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ−Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）などを適用するこ
とが可能である。
【００６４】
＜液晶表示装置の動作例＞
図６は、上述した液晶表示装置における画像信号の走査と、バックライトが有する１行
目乃至ｔ行目用バックライトユニット群〜（２ｋ＋３ｔ＋１）行目乃至ｍ行目用バックラ
イトユニット群のそれぞれにおいて点灯される光のタイミングとを示す図である。なお、
図６において縦軸は画素部における行（１行目乃至ｍ行目）を表し、横軸は時間を表して
いる。上述した液晶表示装置では、１行目に配設された画素〜ｍ行目に配設された画素に
対して順次画像信号を入力するのではなく、ｋ行分隔離されて配設された画素に対して順
次画像信号を入力する（１行目に配設された画素→ｋ＋１行目に配設された画素→２ｋ＋
１行目に配設された画素→２行目に配設された画素という順序で画像信号を入力する）こ
とが可能である。これにより、期間Ｔ１において、１行目に配設されたｎ個の画素乃至ｔ
行目に配設されたｎ個の画素に対する青（Ｂ）を呈する光の透過を制御するための画像信
号の走査、（ｋ＋１）行目に配設されたｎ個の画素乃至（ｋ＋ｔ）行目に配設されたｎ個
の画素に対する緑（Ｇ）を呈する光の透過を制御するための画像信号の走査、及び（２ｋ
＋１）行目に配設されたｎ個の画素乃至（２ｋ＋ｔ）行目に配設されたｎ個の画素に対す
る赤（Ｒ）を呈する光の透過を制御するための画像信号の走査を並行して行うことが可能
である。
【００６５】
また、図６に示すように当該液晶表示装置では、期間Ｔ２において、１行目乃至ｔ行目
用バックライトユニット群において青（Ｂ）の光源を点灯させ、且つ（ｋ＋１）行目乃至
（ｋ＋ｔ）行目用バックライトユニット群において緑（Ｇ）の光源を点灯させ、且つ（２
ｋ＋１）行目乃至（２ｋ＋ｔ）行目用バックライトユニット群において赤（Ｒ）の光源を
点灯させることが可能である。なお、期間Ｔ２は、（ｔ＋１）行目に配設されたｎ個の画
素乃至ｋ行目に配設されたｎ個の画素に対する青（Ｂ）を呈する光の透過を制御するため
の画像信号の走査、（ｋ＋ｔ＋１）行目に配設されたｎ個の画素乃至２ｋ行目に配設され
たｎ個の画素に対する緑（Ｇ）を呈する光の透過を制御するための画像信号の走査、及び
（２ｋ＋ｔ＋１）行目に配設されたｎ個の画素乃至ｍ行目に配設されたｎ個の画素に対す
る赤（Ｒ）を呈する光の透過を制御するための画像信号の走査が並行して行われる期間で
ある。
【００６６】
なお、図６に示す動作例においては、各画素に対して赤（Ｒ）を呈する光の透過を制御
するための画像信号の入力〜青（Ｂ）を呈する光の照射までが行われることによって画素
部に１枚の画像が形成されることとする。すなわち、当該画像は、赤（Ｒ）を呈する光、
緑（Ｇ）を呈する光、及び青（Ｂ）を呈する光を用いて形成される。
【００６７】
さらに、図６に示す動作例においては、当該画像に続いて画素部に形成される画像が、
赤（Ｒ）を呈する光及び緑（Ｇ）を呈する光の混色によって形成される有彩色を呈する光
、緑（Ｇ）を呈する光及び青（Ｂ）を呈する光の混色によって形成される有彩色を呈する
光、並びに青（Ｂ）を呈する光及び赤（Ｒ）を呈する光の混色によって形成される有彩色
を呈する光を用いて形成される。
【００６８】
＜本明細書で開示される液晶表示装置について＞
本明細書で開示される液晶表示装置は、画像信号の走査と、特定のバックライトユニッ
ト群における光源の点灯とを並行して行うことが可能である。そのため、当該液晶表示装
置の各画素に対する画像信号の入力頻度を向上させることなどが可能になる。その結果、
フィールドシーケンシャル方式によって表示を行う液晶表示装置において生じるカラーブ
レイクを抑制し、該液晶表示装置が表示する画質を向上させることが可能である。
【００６９】
また、本明細書で開示される液晶表示装置は、上記の動作を簡便な画素構成でありなが
ら実現することが可能である。具体的には、特許文献１で開示される液晶表示装置の画素
には、本明細書で開示される液晶表示装置の画素の構成に加えて、電荷の移動を制御する
トランジスタが必要になる。また、該トランジスタのスイッチングを制御するための信号
線も別途必要になる。これに対し、本明細書で開示される液晶表示装置の画素構成は、簡
便である。すなわち、本明細書で開示される液晶表示装置は、特許文献１で開示される液
晶表示装置と比較して画素の開口率を向上させることが可能である。また、画素部に延在
する配線数を低減することで各種配線間に生じる寄生容量を低減することが可能である。
すなわち、画素部に延在する各種配線の高速駆動が可能となる。
【００７０】
また、図６に示す動作例のようにバックライトを点灯する場合、隣接するバックライト
ユニット群が異なる色を呈することがない。具体的には、期間Ｔ１において画像信号の走
査が行われる領域に対して当該走査後にバックライトユニット群を点灯する場合、隣接す
るバックライトユニット群が異なる色を呈することがない。例えば、期間Ｔ１において、
（ｋ＋１）行目に配設されたｎ個の画素から（ｋ＋ｔ）行目に配設されたｎ個の画素に対
して緑（Ｇ）を呈する光の透過を制御するための画像信号の走査が終了した後に（ｋ＋１
）行目乃至（ｋ＋ｔ）行目用バックライトユニット群において緑（Ｇ）の光源を点灯させ
る際に、（３ｔ＋１）行目乃至ｋ行目用バックライトユニット群及び（ｋ＋ｔ＋１）行目
乃至（ｋ＋２ｔ）行目用バックライトユニット群においては、緑（Ｇ）の光源が点灯され
る又は点灯自体が行われない（赤（Ｒ）、青（Ｂ）の光源が点灯されることがない）。そ
のため、特定の色の画像情報が入力された画素を、当該特定の色と異なる色を呈する光が
透過する確率を低減することが可能である。
【００７１】
また、図６に示す動作例のように、液晶表示装置が表示する画像の中にバックライトユ
ニットが有する３つの光源のいずれか２つを異なる組み合わせで順次点灯することで形成
される画像を含む場合、当該液晶表示装置の表示輝度の向上を図ることが可能である。ま
た、バックライトユニットが有する複数の光源のそれぞれの点灯期間を長期間確保するこ
とで、液晶表示装置の表示色調の細分化を図る（表示する色の濃淡などをより細かく表現
する）ことが可能である。
【００７２】
＜変形例＞
上述した液晶表示装置は、本発明の一態様であり、当該液晶表示装置と異なる点を有す
る液晶表示装置も本発明には含まれる。
【００７３】
例えば、上述した液晶表示装置においては、画素部１０を３つの領域に分割し、該３つ
の領域に並行して画像信号を供給する構成について示したが、本発明の液晶表示装置は、
当該構成に限定されない。すなわち、本発明の液晶表示装置では、画素部１０を３つ以外
の複数の領域に分割し、該複数の領域に並行して画像信号を供給する構成とすることが可
能である。なお、当該領域数を変化させる場合、当該領域数に応じて走査線駆動回路用ク
ロック信号及びパルス幅制御信号等を設定する必要があることを付記する。
【００７４】
また、上述した液晶表示装置においては、液晶素子に印加される電圧を保持するための
容量素子が設けられる構成（図１（Ｂ）参照）について示したが、当該容量素子を設けな
い構成とすることも可能である。この場合、画素の開口率を向上させることが可能である
。また、画素部に延在する容量配線を削除することができるため、画素部に延在する各種
配線の高速駆動が可能となる。
【００７５】
また、パルス出力回路として、図３（Ａ）に示したパルス出力回路に、ソース及びドレ
インの一方が高電源電位線に電気的に接続され、ソース及びドレインの他方がトランジス
タ３２のゲート、トランジスタ３４のゲート、トランジスタ３５のソース及びドレインの
他方、トランジスタ３６のソース及びドレインの他方、トランジスタ３７のソース及びド
レインの他方、並びにトランジスタ３９のゲートに電気的に接続され、ゲートがリセット
端子（Ｒｅｓｅｔ）に電気的に接続されたトランジスタ５０を付加した構成（図７（Ａ）
参照）を適用することが可能である。なお、当該リセット端子には、画素部に１枚の画像
が形成された後の期間においてハイレベルの電位が入力され、その他の期間においてはロ
ウレベルの電位が入力される。なお、トランジスタ５０は、ハイレベルの電位が入力され
ることでオン状態となるトランジスタである。これにより、各ノードの電位を初期化する
ことができるので、誤動作を防止することが可能となる。なお、当該初期化を行う場合に
は、画素部に１枚の画像が形成される期間後に初期化期間を設ける必要があることを付記
する。また、図９を参照して後述するが、画素部に１枚の画像を形成する期間後にバック
ライトを消灯する期間を設ける場合、当該消灯する期間において当該初期化を行うことが
可能である。
【００７６】
また、パルス出力回路として、図３（Ａ）に示したパルス出力回路に、ソース及びドレ
インの一方がトランジスタ３１のソース及びドレインの他方並びにトランジスタ３２のソ
ース及びドレインの他方に電気的に接続され、ソース及びドレインの他方がトランジスタ
３３のゲート及びトランジスタ３８のゲートに電気的に接続され、ゲートが高電源電位線
に電気的に接続されたトランジスタ５１を付加した構成（図７（Ｂ）参照）を適用するこ
とも可能である。なお、トランジスタ５１は、ノードＡの電位がハイレベルの電位となる
期間（図３（Ｂ）〜（Ｄ）に示した期間ｔ１〜期間ｔ６）においてオフ状態となる。その
ため、トランジスタ５１を付加した構成とすることで、期間ｔ１〜ｔ６において、トラン
ジスタ３３のゲート及びトランジスタ３８のゲートと、トランジスタ３１のソース及びド
レインの他方並びにトランジスタ３２のソース及びドレインの他方との電気的な接続を遮
断することが可能となる。これにより、期間ｔ１〜期間ｔ６に含まれる期間において、当
該パルス出力回路で行われるブートストラップ動作時の負荷を低減することが可能である
。
【００７７】
また、パルス出力回路として、図７（Ｂ）に示したパルス出力回路に、ソース及びドレ
インの一方がトランジスタ３３のゲート並びにトランジスタ５１のソース及びドレインの
他方に電気的に接続され、ソース及びドレインの他方がトランジスタ３８のゲートに電気
的に接続され、ゲートが高電源電位線に電気的に接続されたトランジスタ５２を付加した
構成（図８（Ａ）参照）を適用することも可能である。なお、上述したようにトランジス
タ５２を設けることによって、当該パルス出力回路で行われるブートストラップ動作時の
負荷を低減することが可能である。特に、当該パルス出力回路がトランジスタ３３のソー
スとゲートとの容量結合のみによってノードＡの電位を上昇させる場合（図３（Ｄ）参照
）、における負荷の低減による効果が大きい。
【００７８】
また、パルス出力回路として、図８（Ａ）に示したパルス出力回路からトランジスタ５
１を削除し、且つソース及びドレインの一方がトランジスタ３１のソース及びドレインの
他方、トランジスタ３２のソース及びドレインの他方、並びにトランジスタ５２のソース
及びドレインの一方に電気的に接続され、ソース及びドレインの他方がトランジスタ３３
のゲートに電気的に接続され、ゲートが高電源電位線に電気的に接続されたトランジスタ
５３を付加した構成（図８（Ｂ）参照）を適用することも可能である。なお、上述したよ
うにトランジスタ５３を設けることによって、当該パルス出力回路で行われるブートスト
ラップ動作時の負荷を低減することが可能である。また、当該パルス出力回路に生じる不
正パルスが、トランジスタ３３、３８のスイッチングに与える影響を軽減することが可能
である。
【００７９】
また、上述した液晶表示装置においては、バックライトユニットとして赤（Ｒ）、緑（
Ｇ）、青（Ｂ）のいずれか一の光を発光する３種の光源を横に直線的に並べる構成（図５
参照）について示したが、バックライトユニットの構成は、当該構成に限定されない。例
えば、当該３種の光源を三角形配置しても良いし、当該３種の光源を縦に直線的に並べて
もよいし、赤（Ｒ）を呈する光の光源のみを有するバックライトユニット、緑（Ｇ）を呈
する光の光源のみを有するバックライトユニット、及び青（Ｂ）を呈する光の光源のみを
有するバックライトユニットを別途設けても良い。また、上述した液晶表示装置において
は、バックライトとして直下型方式のバックライトを適用する構成（図５参照）について
示したが、当該バックライトとしてエッジライト方式のバックライトを適用することも可
能である。
【００８０】
また、上述した液晶表示装置においては、赤（Ｒ）の光源の点灯→緑（Ｇ）の光源の点
灯→青（Ｂ）の光源の点灯の順、又は赤（Ｒ）及び緑（Ｇ）の光源の点灯→緑（Ｇ）及び
青（Ｂ）の光源の点灯→青（Ｂ）及び赤（Ｒ）の光源の点灯の順でバックライトユニット
群が有する光源が点灯することで画素部に１枚の画像が形成される構成について示したが
（図６参照）、１枚の画像を形成するためのバックライトユニット群が有する光源の点灯
順は特定の順番に限定されない。すなわち、上述した光源の点灯順は、適宜並び変えるこ
とが可能である。また、視感度の低い青（Ｂ）を呈する光が他の色を呈する光よりも長期
間点灯されるように制御することなども可能である。
【００８１】
また、上述した液晶表示装置においては、画像信号の走査及び特定のバックライトユニ
ット群における光源の点灯を連続的に行う構成（図６参照）について示したが、液晶表示
装置の動作は、当該構成に限定されない。例えば、画素部において１枚の画像が形成され
る期間の前後に、画像信号の走査及び特定のバックライトユニット群における光源の点灯
が行われない期間を設ける構成とすることが可能である（図９参照）。これにより、当該
液晶表示装置において生じるカラーブレイクを抑制し、該液晶表示装置の表示画質を向上
させることが可能である。なお、図９においては、画像信号の走査及び特定のバックライ
トユニット群における光源の点灯を行わない構成について例示しているが、各画素に対し
て光を透過させないための画像信号を走査する構成とすることも可能である。
【００８２】
また、上述した液晶表示装置においては、画素部の特定の領域毎にバックライトユニッ
トが有する３つの光源の１つ又は２つを点灯することで形成される光を用いて画素部に画
像を形成する構成（図６参照）について示したが、バックライトユニットが有する３つの
光源のすべてが点灯することで形成される光を用いて画素部に画像を形成する構成（図１
０参照）とすることも可能である。この場合、液晶表示装置の表示輝度をさらに向上させ
ること及び表示色調をさらに細分化させることが可能である。なお、図１０に示す動作例
においては、画像が、赤（Ｒ）を呈する光の透過を制御するための画像信号の走査〜バッ
クライトユニット群における赤（Ｒ）の光源、緑（Ｇ）の光源、及び青（Ｂ）の光源の同
時点灯までの動作によって形成され、当該画像に続く画像が、赤（Ｒ）を呈する光及び緑
を呈する光の混色によって形成される有彩色を呈する光の透過を制御するための画像信号
の走査〜バックライトユニット群における赤（Ｒ）の光源、緑（Ｇ）の光源、及び青（Ｂ
）の光源の同時点灯までの動作によって形成されることとする。
【００８３】
また、上述した液晶表示装置においては、バックライトとして赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青
（Ｂ）のいずれか一を呈する光の発光する３種の光源を組み合わせて用いる構成について
示したが、本発明の液晶表示装置は、当該構成に限定されない。すなわち、本発明の液晶
表示装置では、任意の色を呈する光の光源を組み合わせてバックライトを構成することが
可能である。例えば、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）、白（Ｗ）、若しくは赤（Ｒ）、緑
（Ｇ）、青（Ｂ）、黄（Ｙ）を呈する光の４種の光源を組み合わせて用いること、又はシ
アン（Ｃ）、マゼンタ（Ｍ）、イエロー（Ｙ）を呈する光の３種の光源を組み合わせて用
いることなどが可能である。なお、バックライトユニットが白（Ｗ）を呈する光を発光す
る光源を有する場合、当該光源は発光効率が高いため、バックライトユニットの消費電力
を低減することが可能である。また、バックライトユニットが補色の関係にある光の２種
の光源を有する場合（例えば、青（Ｂ）と黄（Ｙ）の光源を有する場合）、当該２種の光
源が発光する光を混色することで白（Ｗ）を呈する光を形成することも可能である。さら
に、淡色の赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、及び青（Ｂ）、並びに濃色の赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、及び
青（Ｂ）の６種の光源を組み合わせて用いること、又は赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）、
シアン（Ｃ）、マゼンタ（Ｍ）、イエロー（Ｙ）の６種の光源を組み合わせて用いること
なども可能である。このように、より多種の光源を組み合わせて用いることで、当該液晶
表示装置において表現できる色域を拡大し、画質を向上させることが可能である。
【００８４】
なお、変形例として述べた構成の複数を、図１〜図６を参照して説明した液晶表示装置
に対して適用することも可能である。
【００８５】
＜具体例＞
以下では、上述した液晶表示装置の具体的な構成について説明する。
【００８６】
＜トランジスタの具体例＞
まず、上述した液晶表示装置の画素部又は各種回路に用いられるトランジスタの具体例
について図１１を参照して説明する。なお、当該液晶表示装置において、画素部及び各種
回路のそれぞれに設けられるトランジスタは、同一構成を有するトランジスタを適用して
もよいし、それぞれ毎に異なる構成を有するトランジスタを適用してもよい。
【００８７】
図１１（Ａ）に示すトランジスタ２４５０においては、基板２４００上にゲート層２４
０１が形成され、ゲート層２４０１上にゲート絶縁層２４０２が形成され、ゲート絶縁層
２４０２上に半導体層２４０３が形成され、ゲート絶縁層２４０２及び半導体層２４０３
上にソース層２４０５ａ及びドレイン層２４０５ｂが形成されている。また、半導体層２
４０３、ソース層２４０５ａ、及びドレイン層２４０５ｂ上に絶縁層２４０７が形成され
ている。また、絶縁層２４０７上に保護絶縁層２４０９を形成してもよい。トランジスタ
２４５０は、ボトムゲート構造のトランジスタの一つである。
【００８８】
図１１（Ｂ）に示すトランジスタ２４６０においては、基板２４００上にゲート層２４
０１が形成され、ゲート層２４０１上にゲート絶縁層２４０２が形成され、ゲート絶縁層
２４０２上にソース層２４０５ａ及びドレイン層２４０５ｂが形成され、ゲート絶縁層２
４０２、ソース層２４０５ａ、及びドレイン層２４０５ｂ上に半導体層２４０３が形成さ
れている。また、半導体層２４０３、ソース層２４０５ａ、及びドレイン層２４０５ｂ上
に絶縁層２４０７が形成されている。また、絶縁層２４０７上に保護絶縁層２４０９を形
成してもよい。トランジスタ２４６０は、ボトムゲート構造のトランジスタの一つである
。
【００８９】
図１１（Ｃ）に示すトランジスタ２４７０においては、基板２４００上に下地層２４３
６が形成され、下地層２４３６上に半導体層２４０３が形成され、半導体層２４０３及び
下地層２４３６上にソース層２４０５ａ及びドレイン層２４０５ｂが形成され、半導体層
２４０３、ソース層２４０５ａ、及びドレイン層２４０５ｂ上にゲート絶縁層２４０２が
形成され、ゲート絶縁層２４０２上にゲート層２４０１が形成されている。また、ゲート
層２４０１上に保護絶縁層２４０９を形成してもよい。トランジスタ２４７０は、トップ
ゲート構造のトランジスタの一つである。
【００９０】
図１１（Ｄ）に示すトランジスタ２４８０においては、基板２４００上に下地層２４３
６が形成され、下地層２４３６上にソース層２４０５ａ及びドレイン層２４０５ｂが形成
され、下地層２４３６、ソース層２４０５ａ、及びドレイン層２４０５ｂ上に半導体層２
４０３が形成され、半導体層２４０３、ソース層２４０５ａ、及びドレイン層２４０５ｂ
上にゲート絶縁層２４０２が形成され、ゲート絶縁層２４０２上にゲート層２４０１が形
成されている。また、ゲート層２４０１上に保護絶縁層２４０９を形成してもよい。トラ
ンジスタ２４８０は、トップゲート構造のトランジスタの一つである。
【００９１】
なお、基板２４００としては、半導体基板（例えば単結晶基板又はシリコン基板）、Ｓ
ＯＩ基板、ガラス基板、石英基板、表面に絶縁層が設けられた導電性基板、又はプラスチ
ック基板、貼り合わせフィルム、繊維状の材料を含む紙、若しくは基材フィルムなどの可
撓性基板などがある。ガラス基板の一例としては、バリウムホウケイ酸ガラス、アルミノ
ホウケイ酸ガラス、又はソーダライムガラスなどがある。可撓性基板の一例としては、ポ
リエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエー
テルサルフォン（ＰＥＳ）に代表されるプラスチック、又はアクリル等の可撓性を有する
合成樹脂などがある。
【００９２】
また、ゲート層２４０１としては、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、チタン（Ｔｉ
）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、ネ
オジム（Ｎｄ）、スカンジウム（Ｓｃ）から選ばれた元素、上述した元素を成分とする合
金、または上述した元素を成分とする窒化物を適用することができる。また、これらの材
料の積層構造を適用することもできる。
【００９３】
また、ゲート絶縁層２４０２としては、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化シリコ
ン、窒化酸化シリコン、酸化アルミニウム、酸化タンタル、酸化ガリウムなどの絶縁体を
適用することができる。また、これらの材料の積層構造を適用することもできる。なお、
酸化窒化シリコンとは、その組成として、窒素よりも酸素の含有量が多いものであり、濃
度範囲として酸素が５５〜６５原子％、窒素が１〜２０原子％、シリコンが２５〜３５原
子％、水素が０．１〜１０原子％の範囲において、合計１００原子％となるように各元素
を任意の濃度で含むものをいう。また、窒化酸化シリコン膜とは、その組成として、酸素
よりも窒素の含有量が多いものであり、濃度範囲として酸素が１５〜３０原子％、窒素が
２０〜３５原子％、Ｓｉが２５〜３５原子％、水素が１５〜２５原子％の範囲において、
合計１００原子％となるように各元素を任意の濃度で含むものをいう。
【００９４】
また、半導体層２４０３としては、シリコン（Ｓｉ）若しくはゲルマニウム（Ｇｅ）な
どの周期表第１４族元素を主構成元素とする材料、シリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ）若
しくはガリウムヒ素（ＧａＡｓ）などの化合物、酸化亜鉛（ＺｎＯ）若しくはインジウム
（Ｉｎ）及びガリウム（Ｇａ）を含む酸化亜鉛などの酸化物、又は半導体特性を示す有機
化合物などの半導体材料を適用することができる。また、これらの半導体材料からなる層
の積層構造を適用することもできる。
【００９５】
さらに、半導体層２４０３としてシリコン（Ｓｉ）を適用する場合、当該半導体層２４
０３の結晶状態は限定されない。すなわち、アモルファスシリコン、微結晶シリコン、多
結晶シリコン、及び単結晶シリコンのいずれかを半導体層２４０３として適用することが
可能である。なお、微結晶シリコンは、そのラマンスペクトルが単結晶シリコンを示す５
２０ｃｍ−１よりも低波数側に、シフトしている。即ち、単結晶シリコンを示す５２０ｃ
ｍ−１とアモルファスシリコンを示す４８０ｃｍ−１の間に微結晶シリコンのラマンスペ
クトルのピークがある。また、未結合手（ダングリングボンド）を終端するため水素また
はハロゲンを少なくとも１原子％またはそれ以上含んでいる。さらに、ヘリウム、アルゴ
ン、クリプトン、またはネオンなどの希ガス元素を含ませて格子歪みをさらに助長させる
ことで、安定性が増し良好な微結晶半導体が得られる。
【００９６】
また、半導体層２４０３として酸化物（酸化物半導体）を適用する場合、少なくともＩ
ｎ、Ｇａ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｈｆ及びランタノイドから選ばれた一種以上の元素
を含有する。例えば、四元系金属酸化物であるＩｎ−Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系、三元系金
属酸化物であるＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ−Ｏ系、Ｉｎ−Ａｌ−Ｚｎ−
Ｏ系、Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系、Ａｌ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系、Ｓｎ−Ａｌ−Ｚｎ−Ｏ系、Ｉ
ｎ−Ｈｆ−Ｚｎ−Ｏ系、Ｉｎ−Ｌａ−Ｚｎ−Ｏ系、Ｉｎ−Ｃｅ−Ｚｎ−Ｏ系、Ｉｎ−Ｐｒ
−Ｚｎ−Ｏ系、Ｉｎ−Ｎｄ−Ｚｎ−Ｏ系、Ｉｎ−Ｐｍ−Ｚｎ−Ｏ系、Ｉｎ−Ｓｍ−Ｚｎ−
Ｏ系、Ｉｎ−Ｅｕ−Ｚｎ−Ｏ系、Ｉｎ−Ｇｄ−Ｚｎ−Ｏ系、Ｉｎ−Ｔｂ−Ｚｎ−Ｏ系、Ｉ
ｎ−Ｄｙ−Ｚｎ−Ｏ系、Ｉｎ−Ｈｏ−Ｚｎ−Ｏ系、Ｉｎ−Ｅｒ−Ｚｎ−Ｏ系、Ｉｎ−Ｔｍ
−Ｚｎ−Ｏ系、Ｉｎ−Ｙｂ−Ｚｎ−Ｏ系、Ｉｎ−Ｌｕ−Ｚｎ−Ｏ系、二元系金属酸化物で
あるＩｎ−Ｇａ−Ｏ系、Ｉｎ−Ｚｎ−Ｏ系、Ｓｎ−Ｚｎ−Ｏ系、Ａｌ−Ｚｎ−Ｏ系、Ｚｎ
−Ｍｇ−Ｏ系、Ｓｎ−Ｍｇ−Ｏ系、Ｉｎ−Ｍｇ−Ｏ系、または単元系金属酸化物であるＩ
ｎ−Ｏ系、Ｓｎ−Ｏ系、Ｚｎ−Ｏ系などを用いることができる。また、上記酸化物半導体
にＳｉＯ２を含んでもよい。ここで、例えば、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体とは
、少なくともＩｎとＧａとＺｎを含む酸化物であり、その組成比に特に制限はない。また
、ＩｎとＧａとＺｎ以外の元素を含んでもよい。
【００９７】
また、酸化物半導体として、化学式ＩｎＭＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍ＞０）で表記される薄
膜を用いることができる。ここで、Ｍは、Ｇａ、Ａｌ、ＭｎおよびＣｏから選ばれた一ま
たは複数の金属元素を示す。例えばＭとして、Ｇａ、Ｇａ及びＡｌ、Ｇａ及びＭｎ、また
はＧａ及びＣｏなどを選択することができる。
【００９８】
また、酸化物半導体としてＩｎ−Ｚｎ−Ｏ系の材料を用いる場合、用いるターゲットの
組成比は、原子数比で、Ｉｎ：Ｚｎ＝５０：１〜１：２（モル数比に換算するとＩｎ２Ｏ
３：ＺｎＯ＝２５：１〜１：４）、好ましくはＩｎ：Ｚｎ＝２０：１〜１：１（モル数比
に換算するとＩｎ２Ｏ３：ＺｎＯ＝１０：１〜１：２）、さらに好ましくはＩｎ：Ｚｎ＝
１．５：１〜１５：１（モル数比に換算するとＩｎ２Ｏ３：ＺｎＯ＝３：４〜１５：２）
とする。例えば、Ｉｎ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体の形成に用いるターゲットは、原子数比
がＩｎ：Ｚｎ：Ｏ＝Ｘ：Ｙ：Ｚのとき、Ｚ＞１．５Ｘ＋Ｙとする。
【００９９】
また、ソース層２４０５ａ及びドレイン層２４０５ｂとしては、アルミニウム（Ａｌ）
、銅（Ｃｕ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（
Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、ネオジム（Ｎｄ）、スカンジウム（Ｓｃ）から選ばれた元素、
上述した元素を成分とする合金、または上述した元素を成分とする窒化物を適用すること
ができる。また、これらの材料の積層構造を適用することもできる。
【０１００】
また、ソース層２４０５ａ及びドレイン層２４０５ｂ（これらと同じ層で形成される配
線層を含む）となる導電膜は導電性の金属酸化物で形成しても良い。導電性の金属酸化物
としては酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）、酸化スズ（ＳｎＯ２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、
酸化インジウム酸化スズ（Ｉｎ２Ｏ３―ＳｎＯ２、ＩＴＯと略記する）、酸化インジウム
酸化亜鉛（Ｉｎ２Ｏ３―ＺｎＯ）またはこれらの金属酸化物材料に酸化シリコンを含ませ
たものを用いることができる。
【０１０１】
なお、絶縁層２４０７としては、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、酸化アルミニウム
、酸化窒化アルミニウム、酸化ガリウムなどの絶縁体を適用することができる。また、こ
れらの材料の積層構造を適用することもできる。
【０１０２】
また、保護絶縁層２４０９としては、窒化シリコン、窒化アルミニウム、窒化酸化シリ
コン、窒化酸化アルミニウムなどの絶縁体を適用することができる。また、これらの材料
の積層構造を適用することもできる。
【０１０３】
また、下地層２４３６としては、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、窒
化酸化シリコン、酸化アルミニウム、酸化タンタル、酸化ガリウムなどの絶縁体を適用す
ることができる。また、これらの材料の積層構造を適用することもできる。
【０１０４】
なお、半導体層２４０３として酸化物半導体を適用する場合、該酸化物半導体に接する
絶縁層（ここでは、ゲート絶縁層２４０２、絶縁層２４０７、下地層２４３６が相当する
）としては、第１３族元素および酸素を含む絶縁材料を用いることが好ましい。酸化物半
導体材料には第１３族元素を含むものが多く、第１３族元素を含む絶縁材料は酸化物半導
体との相性が良く、これを酸化物半導体に接する絶縁層に用いることで、酸化物半導体と
の界面の状態を良好に保つことができる。
【０１０５】
第１３族元素を含む絶縁材料とは、絶縁材料に一または複数の第１３族元素を含むこと
を意味する。第１３族元素を含む絶縁材料としては、例えば、酸化ガリウム、酸化アルミ
ニウム、酸化アルミニウムガリウム、酸化ガリウムアルミニウムなどがある。ここで、酸
化アルミニウムガリウムとは、ガリウムの含有量（原子％）よりアルミニウムの含有量（
原子％）が多いものを示し、酸化ガリウムアルミニウムとは、ガリウムの含有量（原子％
）がアルミニウムの含有量（原子％）以上のものを示す。
【０１０６】
例えば、ガリウムを含有する酸化物半導体層に接して絶縁層を形成する場合に、絶縁層
に酸化ガリウムを含む材料を用いることで酸化物半導体層と絶縁層の界面特性を良好に保
つことができる。例えば、酸化物半導体層と酸化ガリウムを含む絶縁層とを接して設ける
ことにより、酸化物半導体層と絶縁層の界面における水素のパイルアップを低減すること
ができる。なお、絶縁層に酸化物半導体の成分元素と同じ族の元素を用いる場合には、同
様の効果を得ることが可能である。例えば、酸化アルミニウムを含む材料を用いて絶縁層
を形成することも有効である。なお、酸化アルミニウムは、水を透過させにくいという特
性を有しているため、当該材料を用いることは、酸化物半導体層への水の侵入防止という
点においても好ましい。
【０１０７】
また、半導体層２４０３として酸化物半導体を適用する場合、該酸化物半導体に接する
絶縁層は、酸素雰囲気下による熱処理や、酸素ドープなどにより、絶縁材料を化学量論的
組成比より酸素が多い状態とすることが好ましい。酸素ドープとは、酸素をバルクに添加
することをいう。なお、当該バルクの用語は、酸素を薄膜表面のみでなく薄膜内部に添加
することを明確にする趣旨で用いている。また、酸素ドープには、プラズマ化した酸素を
バルクに添加する酸素プラズマドープが含まれる。また、酸素ドープは、イオン注入法ま
たはイオンドーピング法を用いて行ってもよい。
【０１０８】
例えば、当該絶縁層として酸化ガリウムを用いた場合、酸素雰囲気下による熱処理や、
酸素ドープを行うことにより、酸化ガリウムの組成をＧａ２ＯＸ（Ｘ＝３＋α、０＜α＜
１）とすることができる。
【０１０９】
また、当該絶縁層として酸化アルミニウムを用いた場合、酸素雰囲気下による熱処理や
、酸素ドープを行うことにより、酸化アルミニウムの組成をＡｌ２ＯＸ（Ｘ＝３＋α、０
＜α＜１）とすることができる。
【０１１０】
また、当該絶縁層として酸化ガリウムアルミニウム（酸化アルミニウムガリウム）を用
いた場合、酸素雰囲気下による熱処理や、酸素ドープを行うことにより、酸化ガリウムア
ルミニウム（酸化アルミニウムガリウム）の組成をＧａＸＡｌ２−ＸＯ３＋α（０＜Ｘ＜
２、０＜α＜１）とすることができる。
【０１１１】
酸素ドープ処理を行うことにより、化学量論的組成比より酸素が多い領域を有する絶縁
層を形成することができる。このような領域を備える絶縁層と酸化物半導体層が接するこ
とにより、絶縁層中の過剰な酸素が酸化物半導体層に供給され、酸化物半導体層中、また
は酸化物半導体層と絶縁層の界面における酸素不足欠陥を低減し、酸化物半導体層をＩ型
化またはＩ型に限りなく近い酸化物半導体とすることができる。
【０１１２】
なお、半導体層２４０３として酸化物半導体を適用する場合において、半導体層２４０
３に接する絶縁層のうち、上層に位置する絶縁層及び下層に位置する絶縁層の一方のみを
化学量論的組成比より酸素が多い領域を有する絶縁層とすることもできるが、両方の絶縁
層を化学量論的組成比より酸素が多い領域を有する絶縁層とすることが好ましい。化学量
論的組成比より酸素が多い領域を有する絶縁層を、半導体層２４０３に接する絶縁層の、
上層及び下層に位置する絶縁層に用い、半導体層２４０３を挟む構成とすることで、上記
効果をより高めることができる。
【０１１３】
また、半導体層２４０３として酸化物半導体を適用する場合において、半導体層２４０
３の上層または下層に用いる絶縁層は、上層と下層で同じ構成元素を有する絶縁層として
も良いし、異なる構成元素を有する絶縁層としても良い。例えば、上層と下層とも、組成
がＧａ２ＯＸ（Ｘ＝３＋α、０＜α＜１）の酸化ガリウムとしても良いし、上層と下層の
一方を組成がＧａ２ＯＸ（Ｘ＝３＋α、０＜α＜１）の酸化ガリウムとし、他方を組成が
Ａｌ２ＯＸ（Ｘ＝３＋α、０＜α＜１）の酸化アルミニウムとしても良い。
【０１１４】
また、半導体層２４０３として酸化物半導体を適用する場合において、半導体層２４０
３に接する絶縁層は、化学量論的組成比より酸素が多い領域を有する絶縁層の積層として
も良い。例えば、半導体層２４０３の上層に組成がＧａ２ＯＸ（Ｘ＝３＋α、０＜α＜１
）の酸化ガリウムを形成し、その上に組成がＧａＸＡｌ２−ＸＯ３＋α（０＜Ｘ＜２、０
＜α＜１）の酸化ガリウムアルミニウム（酸化アルミニウムガリウム）を形成してもよい
。なお、半導体層２４０３の下層を、化学量論的組成比より酸素が多い領域を有する絶縁
層の積層としても良いし、半導体層２４０３の上層及び下層の両方を、化学量論的組成比
より酸素が多い領域を有する絶縁層の積層としても良い。
【０１１５】
また、半導体層２４０３として酸化物半導体を適用する場合、トランジスタが光の照射
によって劣化することがある。具体的には、光負バイアス試験後のトランジスタのしきい
値電圧がマイナスシフトするなどの劣化が生じることがある。なお、光負バイアス試験と
は、トランジスタが形成されている基板の温度（基板温度）を一定に維持し、トランジス
タのソース及びドレインを同電位とした状態で光を照射しながら、ゲートにソース及びド
レインよりも低い電位を一定時間印加する試験である。そのため、半導体層２４０３とし
て酸化物半導体を適用する場合、半導体層２４０３に対して光が照射されないように遮光
層などを設けることが好ましい。
【０１１６】
＜画素レイアウトの具体例＞
次いで、上述した液晶表示装置の画素のレイアウトの具体例について図１２（Ａ）、（
Ｂ）、図１３を参照して説明する。なお、図１２（Ａ）は、図１（Ｂ）に示した画素のレ
イアウトの上面図を示す図であり、図１２（Ｂ）は、図１２（Ａ）上に示した画素上に設
けられる遮蔽層２４２を含んだレイアウトを示す図であり、図１３は、図１２（Ａ）、（
Ｂ）に示すＡ−Ｂ線における断面図を示す図である。なお、図１２（Ａ）、（Ｂ）におい
ては、液晶層、対向電極などの構成は割愛している。以下、具体的な構造について図１３
を参照して説明する。
【０１１７】
トランジスタ１６は、基板２２０上に設けられた導電層２２２と、導電層２２２上に設
けられた絶縁層２２３と、導電層２２２上に絶縁層２２３を介して設けられた半導体層２
２４と、半導体層２２４の一端上に設けられた導電層２２５ａと、半導体層２２４の他端
上に設けられた導電層２２５ｂと、を有する。なお、導電層２２２は、ゲート層として機
能し、絶縁層２２３は、ゲート絶縁層として機能し、導電層２２５ａ及び導電層２２５ｂ
の一方はソース層、他方はドレイン層として機能する。
【０１１８】
容量素子１７は、基板２２０上に設けられた導電層２２６と、導電層２２６上に設けら
れた絶縁層２２７と、導電層２２６上に絶縁層２２７を介して設けられた導電層２２８と
、を有する。なお、導電層２２６は、容量素子１７の一方の電極として機能し、絶縁層２
２７は、容量素子１７の誘電体として機能し、導電層２２８は、容量素子１７の他方の電
極として機能する。また、導電層２２６は、導電層２２２と同一材料からなり、絶縁層２
２７は、絶縁層２２３と同一材料からなり、導電層２２８は、導電層２２５ａ及び導電層
２２５ｂと同一材料からなる。また、導電層２２６は、導電層２２５ｂと電気的に接続さ
れている。
【０１１９】
なお、トランジスタ１６及び容量素子１７上には、絶縁層２２９が設けられている。
【０１２０】
液晶素子１８は、絶縁層２２９上に設けられた透明導電層２３１と、対向基板２４０上
に設けられた透明導電層２４１と、透明導電層２３１と透明導電層２４１に挟持された液
晶層２５０と、を有する。なお、透明導電層２３１は、液晶素子１８の画素電極として機
能し、透明導電層２４１は、液晶素子１８の対向電極として機能する。また、透明導電層
２３１は、導電層２２５ｂ及び導電層２２８と電気的に接続されている。
【０１２１】
なお、透明導電層２３１と液晶層２５０の間、または透明導電層２４１と液晶層２５０
の間に、配向膜を適宜設けても良い。配向膜は、ポリイミド、ポリビニルアルコールなど
の有機樹脂を用いて形成することができ、その表面には、ラビングなどの、液晶分子を一
定方向に配列させるための配向処理が施されている。ラビングは、配向膜に接するように
、ナイロンなどの布を巻いたローラーを回転させて、上記配向膜の表面を一定方向に擦る
ことで、行うことができる。なお、酸化珪素などの無機材料を用い、配向処理を施すこと
なく、蒸着法で配向特性を有する配向膜を直接形成することも可能である。
【０１２２】
また、液晶層２５０を形成するために行われる液晶の注入は、ディスペンサ式（滴下式
）を用いても良いし、ディップ式（汲み上げ式）を用いていても良い。
【０１２３】
なお、対向基板２４０上には、画素間における液晶の配向の乱れに起因するディスクリ
ネーションが視認されるのを防ぐため、又は、拡散した光が隣接する複数の画素に並行し
て入射するのを防ぐために、光を遮蔽することができる遮蔽層２４２が設けられている。
遮蔽層２４２には、カーボンブラック、二酸化チタンよりも酸化数が小さい低原子価酸化
チタンなどの黒色顔料を含む有機樹脂を用いることができる。また、クロムを用いた膜で
、遮蔽層２４２を形成することも可能である。
【０１２４】
特に、トランジスタ１６の半導体層２２４として酸化物半導体が適用される場合、図１
３に示す構成は以下の点で好ましい。上述したように、半導体層として酸化物半導体が適
用されたトランジスタは、光照射によって劣化することがある。これに対し、図１３に示
すトランジスタ１６は、少なくとも導電層２２２、２２５ａ、２２５ｂ及び遮蔽層２４２
によって半導体層２２４を遮光することが可能である。そのため、トランジスタ１６の信
頼性を向上させることが可能である。
【０１２５】
透明導電層２３１及び透明導電層２４１は、例えば、酸化珪素を含む酸化インジウムス
ズ（ＩＴＳＯ）、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化インジウム
亜鉛（ＩＺＯ）、ガリウムを添加した酸化亜鉛（ＧＺＯ）などの透光性を有する導電材料
を用いることができる。
【０１２６】
なお、図１３では、透明導電層２３１と透明導電層２４１の間に液晶層２５０が挟持さ
れる構造を有する液晶素子を例に挙げて説明したが、本発明の一態様に係る液晶表示装置
はこの構成に限定されない。ＩＰＳ型の液晶素子やブルー相を示す液晶を用いた液晶素子
のように、一対の電極が共に一の基板に形成されていても良い。特に、ブルー相を示す液
晶を用いた液晶素子は応答速度が速いため、高速駆動が要求されるフィールドシーケンシ
ャル方式によって表示を行う液晶表示装置が有する液晶素子として好適である。
【０１２７】
＜液晶表示装置の具体例＞
次いで、液晶表示装置のパネルの具体例について、図１４を用いて説明する。図１４（
Ａ）は、基板４００１と対向基板４００６とをシール材４００５によって接着させたパネ
ルの上面図であり、図１４（Ｂ）は、図１４（Ａ）のＣ−Ｄ線における断面図に相当する
。
【０１２８】
基板４００１上に設けられた画素部４００２と、走査線駆動回路４００４とを囲むよう
に、シール材４００５が設けられている。また、画素部４００２、走査線駆動回路４００
４の上に対向基板４００６が設けられている。よって、画素部４００２と走査線駆動回路
４００４は、基板４００１とシール材４００５と対向基板４００６とによって、液晶４０
０７と共に封止されている。
【０１２９】
また、基板４００１上のシール材４００５によって囲まれている領域とは異なる領域に
、信号線駆動回路４００３が形成された基板４０２１が、実装されている。図１４（Ｂ）
では、信号線駆動回路４００３に含まれるトランジスタ４００９を例示している。
【０１３０】
また、基板４００１上に設けられた画素部４００２、走査線駆動回路４００４は、トラ
ンジスタを複数有している。図１４（Ｂ）では、画素部４００２に含まれるトランジスタ
４０１０、トランジスタ４０２２を例示している。
【０１３１】
また、液晶素子４０１１が有する画素電極４０３０は、トランジスタ４０１０と電気的
に接続されている。そして、液晶素子４０１１の対向電極４０３１は、対向基板４００６
に形成されている。画素電極４０３０と対向電極４０３１と液晶４００７とが重なってい
る部分が、液晶素子４０１１に相当する。
【０１３２】
また、スペーサ４０３５が、画素電極４０３０と対向電極４０３１との間の距離（セル
ギャップ）を制御するために設けられている。なお、図１４（Ｂ）では、スペーサ４０３
５が、絶縁膜をパターニングすることで形成されている場合を例示しているが、球状スペ
ーサを用いていても良い。
【０１３３】
また、信号線駆動回路４００３、走査線駆動回路４００４、画素部４００２に与えられ
る各種信号及び電位は、引き回し配線４０１４及び引き回し配線４０１５を介して、接続
端子４０１６から供給されている。接続端子４０１６は、ＦＰＣ４０１８が有する端子と
、異方性導電膜４０１９を介して電気的に接続されている。
【０１３４】
なお、基板４００１、対向基板４００６、基板４０２１には、ガラス、セラミックス、
プラスチックを用いることができる。プラスチックには、ＦＲＰ（Ｆｉｂｅｒｇｌａｓｓ
−Ｒｅｉｎｆｏｒｃｅｄ  Ｐｌａｓｔｉｃｓ）板、ＰＶＦ（ポリビニルフルオライド）フ
ィルム、ポリエステルフィルムまたはアクリル樹脂フィルムなどが含まれる。
【０１３５】
但し、液晶素子４０１１からの光の取り出し方向に位置する基板には、ガラス板、プラ
スチック、ポリエステルフィルムまたはアクリルフィルムのような透光性を有する材料を
用いる。
【０１３６】
図１５は、本発明の一態様に係る液晶表示装置の構造を示す、斜視図の一例である。図
１５に示す液晶表示装置は、画素部を有するパネル１６０１と、第１の拡散板１６０２と
、プリズムシート１６０３と、第２の拡散板１６０４と、導光板１６０５と、バックライ
トパネル１６０７と、回路基板１６０８と、信号線駆動回路の形成された基板１６１１と
を有している。
【０１３７】
パネル１６０１と、第１の拡散板１６０２と、プリズムシート１６０３と、第２の拡散
板１６０４と、導光板１６０５と、バックライトパネル１６０７とは、順に積層されてい
る。バックライトパネル１６０７は、複数のバックライトユニットで構成されたバックラ
イト１６１２を有している。導光板１６０５内部に拡散されたバックライト１６１２から
の光は、第１の拡散板１６０２、プリズムシート１６０３及び第２の拡散板１６０４によ
って、パネル１６０１に照射される。
【０１３８】
なお、ここでは、第１の拡散板１６０２と第２の拡散板１６０４とを用いているが、拡
散板の数はこれに限定されず、単数であっても３以上であっても良い。そして、拡散板は
導光板１６０５とパネル１６０１の間に設けられていれば良い。よって、プリズムシート
１６０３よりもパネル１６０１に近い側にのみ拡散板が設けられていても良いし、プリズ
ムシート１６０３よりも導光板１６０５に近い側にのみ拡散板が設けられていても良い。
【０１３９】
また、プリズムシート１６０３は、図１５に示した断面が鋸歯状の形状に限定されず、
導光板１６０５からの光をパネル１６０１側に集光できる形状を有していれば良い。
【０１４０】
回路基板１６０８には、パネル１６０１に入力される各種信号を生成する回路、または
これら信号に処理を施す回路などが設けられている。そして、図１５では、回路基板１６
０８とパネル１６０１とが、ＣＯＦテープ１６０９を介して接続されている。また、信号
線駆動回路の形成された基板１６１１が、ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｆｉｌｍ）法を用い
てＣＯＦテープ１６０９に接続されている。
【０１４１】
図１５では、バックライト１６１２の駆動を制御する制御系の回路が回路基板１６０８
に設けられており、該制御系の回路とバックライトパネル１６０７とがＦＰＣ１６１０を
介して接続されている例を示している。ただし、上記制御系の回路はパネル１６０１に形
成されていても良く、この場合はパネル１６０１とバックライトパネル１６０７とがＦＰ
Ｃなどにより接続されるようにする。
【０１４２】
＜液晶表示装置用基板の具体例＞
次いで、上述した液晶表示装置において用いられる、基板の具体例について図１６、図
１７を参照して説明する。
【０１４３】
まず、作製基板６２００上に、剥離層６２０１を介して、トランジスタや層間絶縁膜、
配線、画素電極など、素子基板として必要な要素を含む被剥離層６１１６を形成する。
【０１４４】
作製基板６２００としては、石英基板、サファイア基板、セラミック基板や、ガラス基
板、金属基板などを用いることができる。なお、これら基板は、可撓性を明確に表さない
程度に厚みのあるものを使用することで、精度良くトランジスタなどの素子を形成するこ
とができる。可撓性を明確に表さない程度とは、通常液晶ディスプレイを作製する際に使
用されているガラス基板の弾性率程度、またはより弾性率が大きいことを言う。
【０１４５】
剥離層６２０１は、スパッタリング法やプラズマＣＶＤ法、塗布法、印刷法等により、
タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、ニオブ
（Ｎｂ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、亜鉛（Ｚｎ）
、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐｄ）、オスミウム（Ｏｓ）、
イリジウム（Ｉｒ）、珪素（Ｓｉ）から選択された元素、又はこれらの元素を主成分とす
る合金材料、又はこれらの元素を主成分とする化合物材料からなる層を、単層又は積層し
て形成する。
【０１４６】
剥離層６２０１が単層構造の場合、好ましくは、タングステン層、モリブデン層、又は
タングステンとモリブデンの混合物を含む層を形成する。また、剥離層６２０１として、
タングステンの酸化物若しくは酸化窒化物を含む層、モリブデンの酸化物若しくは酸化窒
化物を含む層、又はタングステンとモリブデンの混合物の酸化物若しくは酸化窒化物を含
む層を形成することも可能である。なお、タングステンとモリブデンの混合物とは、例え
ば、タングステンとモリブデンの合金に相当する。
【０１４７】
剥離層６２０１が積層構造の場合、好ましくは、１層目として金属層を形成し、２層目
として金属酸化物層を形成する。代表的には１層目としてタングステン層、モリブデン層
、又はタングステンとモリブデンの混合物を含む層を形成し、２層目として、タングステ
ン、モリブデン若しくはタングステンとモリブデンの混合物の酸化物、それらの窒化物、
それらの酸化窒化物、又はそれらの窒化酸化物を形成すると良い。２層目の金属酸化物層
の形成は、１層目の金属層上に、酸化物層（例えば酸化シリコンなどの絶縁層として利用
できるもの）を形成することで金属層表面に当該金属の酸化物が形成されることを応用し
ても良い。
【０１４８】
続いて、剥離層６２０１上に、被剥離層６１１６を形成する（図１６（Ａ）参照）。被
剥離層６１１６としては、トランジスタや層間絶縁膜、配線、画素電極など、素子基板と
して必要な要素が含まれる。これらは、フォトリソグラフィ法などを用いて作製すること
ができる。
【０１４９】
次いで、剥離用接着剤６２０３を用いて被剥離層６１１６を仮支持基板６２０２に接着
した後、被剥離層６１１６を作製基板６２００の剥離層６２０１から剥離して転置する（
図１６（Ｂ）参照）。これにより被剥離層６１１６は、仮支持基板側に設けられる。なお
、本明細書において、作製基板から仮支持基板に被剥離層を転置する工程を転置工程とい
う。
【０１５０】
仮支持基板６２０２は、ガラス基板、石英基板、サファイア基板、セラミック基板、金
属基板などを用いることができる。また、以降の処理温度に耐えうる耐熱性を有するプラ
スチック基板を用いても良い。
【０１５１】
また、ここで用いる剥離用接着剤６２０３は、水や溶媒に可溶なものや、紫外線などの
照射により可塑化させることが可能であるような、必要時に仮支持基板６２０２と被剥離
層６１１６とを分離することが可能な接着剤を用いる。
【０１５２】
なお、仮支持基板６２０２への転置工程は、様々な方法を適宜用いることができる。例
えば、剥離層６２０１として、被剥離層６１１６と接する側に金属酸化膜を含む膜を形成
した場合は、当該金属酸化膜を結晶化させることにより脆弱化して、被剥離層６１１６を
作製基板６２００から剥離することができる。また、作製基板６２００と被剥離層６１１
６の間に、剥離層６２０１として水素を含む非晶質シリコン膜を形成した場合は、レーザ
光の照射またはエッチングにより当該水素を含む非晶質シリコン膜を除去して、被剥離層
６１１６を作製基板６２００から剥離することができる。また、剥離層６２０１として窒
素、酸素や水素等を含む膜（例えば、水素を含む非晶質シリコン膜、水素含有合金膜、酸
素含有合金膜など）を用いた場合には、剥離層６２０１にレーザ光を照射して剥離層６２
０１内に含有する窒素、酸素や水素をガスとして放出させ、被剥離層６１１６と作製基板
６２００との分離を促進することができる。他の方法として、剥離層６２０１と被剥離層
６１１６との界面に液体を浸透させて作製基板６２００から被剥離層６１１６を剥離して
もよい。剥離層６２０１をタングステンで形成し、アンモニア水と過酸化水素水の混合溶
液により剥離層６２０１をエッチングしながら剥離を行う方法もある。
【０１５３】
また、上記剥離方法を複数組み合わせることでより容易に剥離工程を行うことができる
。レーザ光の照射、ガスや溶液などによる剥離層６２０１へのエッチング、鋭いナイフや
メスなどによる機械的な除去を部分的に行い、剥離層６２０１と被剥離層６１１６とを剥
離しやすい状態にしてから、物理的な力（機械等による）によって剥離を行う工程などが
これに当たる。剥離層６２０１を金属と金属酸化物との積層構造により形成した場合、レ
ーザ光の照射によって形成される溝や鋭いナイフやメスなどによる傷などをきっかけとし
て、剥離層６２０１から物理的に引き剥がすことも容易となる。
【０１５４】
また、これら剥離を行う際に水などの液体をかけながら剥離してもよい。
【０１５５】
被剥離層６１１６を作製基板６２００から分離する方法としては、他に、被剥離層６１
１６が形成された作製基板６２００を、機械的に研磨などを行って除去する方法や、溶液
やＮＦ３、ＢｒＦ３、ＣｌＦ３等のフッ化ハロゲンガスによるエッチングで除去する方法
等も用いることができる。この場合は、剥離層６２０１を設けなくとも良い。
【０１５６】
続いて、作製基板６２００から剥離され、露出した剥離層６２０１、若しくは被剥離層
６１１６表面に剥離用接着剤６２０３とは異なる接着剤による第１の接着剤層６１１１を
用いて転置基板６１１０を接着する（図１６（Ｃ１）参照）。
【０１５７】
第１の接着剤層６１１１の材料としては、紫外線硬化型接着剤など光硬化型の接着剤、
反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、または嫌気型接着剤など各種硬化型接着剤を用いる
ことができる。
【０１５８】
転置基板６１１０としては、じん性が大きい各種基板を用い、例えば、有機樹脂のフィ
ルムや金属基板などを好適に使用することができる。じん性の大きい基板は耐衝撃性に優
れ、破損し難い基板である。有機樹脂のフィルムは軽量であり、また、金属基板も薄いも
のは軽量であることから、通常のガラス基板を使用する場合と比較して、大幅な軽量化が
可能となる。このような基板を用いることによって、軽く、破損しにくい表示装置を作製
することができるようになる。
【０１５９】
このような基板を構成する材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥ
Ｔ）又はポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル樹脂、アクリル樹脂、ポ
リアクリルニトリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネー
ト樹脂（ＰＣ）、ポリエーテルスルフォン樹脂（ＰＥＳ）、ポリアミド樹脂、ポリシクロ
オレフィン樹脂、ポリスチレン、ポリアミドイミド樹脂、ポリ塩化ビニル等などが挙げら
れる。これら有機材料からなる基板は、じん性が大きいことから、耐衝撃性にも優れ、破
損しにくい基板である。また、これら有機材料のフィルムは軽量であることから、通常の
ガラス基板と比較して、非常に軽量化された表示装置を作製することが可能となる。また
、この場合、転置基板６１１０は、少なくとも各画素の光が透過する領域と重なる部分に
開口が設けられた金属板６２０６をさらに備えることが好ましい構成である。この構成と
することによって、寸法変化を抑制しながらじん性が大きく、耐衝撃性が高く破損しにく
い転置基板６１１０を構成できる。さらに、金属板６２０６の厚さを薄くすることで、従
来のガラス基板よりも軽い転置基板６１１０を構成できる。このような基板を用いること
によって、軽く、破損しにくい表示装置を作製することができるようになる。（図１６（
Ｄ１）参照）。
【０１６０】
図１７（Ａ）は、液晶表示装置の上面図の一例を示す図である。図１７（Ａ）のように
、第１の配線層６２１０と第２の配線層６２１１とが交差し、第１の配線層６２１０と第
２の配線層６２１１に囲まれた領域が光を透過する領域６２１２である液晶表示装置の場
合、図１７（Ｂ）のように、第１の配線層６２１０及び第２の配線層６２１１と重なる部
分が残り、碁盤の目状に開口が設けられた金属板６２０６を用いれば良い。図１７（Ｃ）
は、図１７（Ａ）に示した液晶表示装置と、図１７（Ｂ）に示した金属板６２０６とを貼
り合わせた図である。図１７（Ｃ）に示すように金属板６２０６を貼り合わせて用いるこ
とにより、有機樹脂からなる基板を用いたことによる合わせ精度の悪化や基板の伸びによ
る寸法変化を抑制することができる。なお、偏光板（図示せず）が必要な場合には、転置
基板６１１０と金属板６２０６の間に設けても、金属板６２０６のさらに外側に設けても
良い。偏光板はあらかじめ金属板６２０６に貼り付けられていても良い。なお、軽量化の
観点からは、金属板６２０６として上記寸法安定化の効果を奏する範囲内において薄い基
板を採用することが好ましい。
【０１６１】
その後、被剥離層６１１６から仮支持基板６２０２を分離する。剥離用接着剤６２０３
は必要時に仮支持基板６２０２と被剥離層６１１６とを分離することが可能な材料で形成
されているので、当該材料に合った方法により仮支持基板６２０２を分離すれば良い。な
お、バックライトが点灯することによって、図面矢印の方向から転置基板６１１０に対し
て光が照射される（図１６（Ｅ１）参照）。
【０１６２】
以上により、トランジスタから画素電極までが形成された被剥離層６１１６を転置基板
６１１０上に作製することができ、軽量かつ耐衝撃性の高い素子基板を作製することがで
きる。
【０１６３】
上述した構成を有する表示装置は、本発明の一態様であり、当表示装置と異なる構成を
備える以下の表示装置も本発明に含まれる。上述の転置工程（図１６（Ｂ）参照）の後、
転置基板６１１０を貼り付ける前に、露出した剥離層６２０１、若しくは被剥離層６１１
６表面に、金属板６２０６を貼り付けても良い（図１６（Ｃ２）参照）。この場合、金属
板６２０６からの汚染物質が、被剥離層６１１６におけるトランジスタの特性に悪影響を
及ぼすことを防ぐため、バリア層６２０７を間に設けると良い。バリア層６２０７を設け
る場合は、露出した剥離層６２０１、または被剥離層６１１６表面にバリア層６２０７を
設けてから、金属板６２０６を貼り付ければ良い。バリア層６２０７は無機材料や有機材
料などにより形成すれば良く、代表的には窒化シリコンなどが挙げられるが、トランジス
タの汚染を防止することができれば、これらに限られることはない。バリア層６２０７は
透光性を有する材料で形成するか、もしくは透光性を有する程度に薄い膜とするなど、少
なくとも可視光に対する透光性を有するように作製する。なお、金属板６２０６は、剥離
用接着剤６２０３とは異なる接着剤を用いて第２の接着剤層（図示せず）を形成し、接着
すればよい。
【０１６４】
この後、第１の接着剤層６１１１を金属板６２０６表面に形成し、転置基板６１１０を
貼り付け（図１６（Ｄ２））、被剥離層６１１６から仮支持基板６２０２を分離する（図
１６（Ｅ２））ことにより、同様に軽量且つ耐衝撃性の高い素子基板を作製することがで
きる。なお、バックライトが点灯することによって、図面矢印の方向から転置基板６１１
０に対して光が照射される。
【０１６５】
このように作製した軽量かつ耐衝撃性の高い素子基板と、対向基板とを液晶層を間に挟
持させてシール材で固着することによって、軽量かつ耐衝撃性の高い液晶表示装置を作製
することができる。対向基板としては、じん性が大きく、可視光に対する透光性を有する
基板（転置基板６１１０に用いることが可能なプラスチック基板と同様のもの）を用いる
ことができる。必要に応じてこれに偏光板、ブラックマトリクス、及び配向膜が設けられ
ていても良い。液晶層を形成する方法としては、ディスペンサ法や注入法などを適用する
ことができる。
【０１６６】
以上のように作製された軽量かつ耐衝撃性の高い液晶表示装置は、トランジスタなどの
微細な素子の作製を、寸法安定性が比較的良好なガラス基板上などで行うことができ、ま
た、従来どおりの作製方法の適用が可能であることから、微細な素子であっても精度良く
形成することができる。このため、耐衝撃性を有しながらも、高精細で高品質な画像を提
供でき、且つ軽量な液晶表示装置を提供することが可能となる。
【０１６７】
さらに、上記のように作製した液晶表示装置は、可撓性を有せしめることも可能である
。
【０１６８】
＜液晶表示装置を搭載した各種電子機器について＞
以下では、本明細書で開示される液晶表示装置を搭載した電子機器の例について図１８
を参照して説明する。
【０１６９】
図１８（Ａ）は、ノート型のパーソナルコンピュータを示す図であり、本体２２０１、
筐体２２０２、表示部２２０３、キーボード２２０４などによって構成されている。
【０１７０】
図１８（Ｂ）は、携帯情報端末（ＰＤＡ）を示す図であり、本体２２１１には表示部２
２１３と、外部インターフェイス２２１５と、操作ボタン２２１４等が設けられている。
また、操作用の付属品としてスタイラス２２１２がある。
【０１７１】
図１８（Ｃ）は、電子書籍２２２０を示す図である。電子書籍２２２０は、筐体２２２
１および筐体２２２３の２つの筐体で構成されている。筐体２２２１および筐体２２２３
は、軸部２２３７により一体とされており、該軸部２２３７を軸として開閉動作を行うこ
とができる。このような構成により、電子書籍２２２０は、紙の書籍のように用いること
が可能である。
【０１７２】
筐体２２２１には表示部２２２５が組み込まれ、筐体２２２３には表示部２２２７が組
み込まれている。表示部２２２５および表示部２２２７は、続き画面を表示する構成とし
てもよいし、異なる画面を表示する構成としてもよい。異なる画面を表示する構成とする
ことで、例えば右側の表示部（図１８（Ｃ）では表示部２２２５）に文章を表示し、左側
の表示部（図１８（Ｃ）では表示部２２２７）に画像を表示することができる。
【０１７３】
また、図１８（Ｃ）では、筐体２２２１に操作部などを備えた例を示している。例えば
、筐体２２２１は、電源２２３１、操作キー２２３３、スピーカー２２３５などを備えて
いる。操作キー２２３３により、頁を送ることができる。なお、筐体の表示部と同一面に
キーボードやポインティングデバイスなどを備える構成としてもよい。また、筐体の裏面
や側面に、外部接続用端子（イヤホン端子、ＵＳＢ端子、またはＡＣアダプタおよびＵＳ
Ｂケーブルなどの各種ケーブルと接続可能な端子など）、記録媒体挿入部などを備える構
成としてもよい。さらに、電子書籍２２２０は、電子辞書としての機能を持たせた構成と
してもよい。
【０１７４】
また、電子書籍２２２０は、無線で情報を送受信できる構成としてもよい。無線により
、電子書籍サーバから、所望の書籍データなどを購入し、ダウンロードする構成とするこ
とも可能である。
【０１７５】
図１８（Ｄ）は、携帯電話機を示す図である。当該携帯電話機は、筐体２２４０および
筐体２２４１の二つの筐体で構成されている。筐体２２４１は、表示パネル２２４２、ス
ピーカー２２４３、マイクロフォン２２４４、ポインティングデバイス２２４６、カメラ
用レンズ２２４７、外部接続端子２２４８などを備えている。また、筐体２２４０は、当
該携帯電話機の充電を行う太陽電池セル２２４９、外部メモリスロット２２５０などを備
えている。また、アンテナは筐体２２４１内部に内蔵されている。
【０１７６】
表示パネル２２４２はタッチパネル機能を備えており、図１８（Ｄ）には映像表示され
ている複数の操作キー２２４５を点線で示している。なお、当該携帯電話は、太陽電池セ
ル２２４９から出力される電圧を各回路に必要な電圧に昇圧するための昇圧回路を実装し
ている。また、上記構成に加えて、非接触ＩＣチップ、小型記録装置などを内蔵した構成
とすることもできる。
【０１７７】
表示パネル２２４２は、使用形態に応じて表示の方向が適宜変化する。また、表示パネ
ル２２４２と同一面上にカメラ用レンズ２２４７を備えているため、テレビ電話が可能で
ある。スピーカー２２４３およびマイクロフォン２２４４は音声通話に限らず、テレビ電
話、録音、再生などが可能である。さらに、筐体２２４０と筐体２２４１はスライドし、
図１８（Ｄ）のように展開している状態から重なり合った状態とすることができ、携帯に
適した小型化が可能である。
【０１７８】
外部接続端子２２４８はＡＣアダプタやＵＳＢケーブルなどの各種ケーブルと接続可能
であり、充電やデータ通信が可能になっている。また、外部メモリスロット２２５０に記
録媒体を挿入し、より大量のデータの保存および移動に対応できる。また、上記機能に加
えて、赤外線通信機能、テレビ受信機能などを備えたものであってもよい。
【０１７９】
図１８（Ｅ）は、デジタルカメラを示す図である。当該デジタルカメラは、本体２２６
１、表示部（Ａ）２２６７、接眼部２２６３、操作スイッチ２２６４、表示部（Ｂ）２２
６５、バッテリー２２６６などによって構成されている。
【０１８０】
図１８（Ｆ）は、テレビジョン装置を示す図である。テレビジョン装置２２７０では、
筐体２２７１に表示部２２７３が組み込まれている。表示部２２７３により、映像を表示
することが可能である。なお、ここでは、スタンド２２７５により筐体２２７１を支持し
た構成を示している。
【０１８１】
テレビジョン装置２２７０の操作は、筐体２２７１が備える操作スイッチや、別体のリ
モコン操作機２２８０により行うことができる。リモコン操作機２２８０が備える操作キ
ー２２７９により、チャンネルや音量の操作を行うことができ、表示部２２７３に表示さ
れる映像を操作することができる。また、リモコン操作機２２８０に、当該リモコン操作
機２２８０から出力する情報を表示する表示部２２７７を設ける構成としてもよい。
【０１８２】
なお、テレビジョン装置２２７０は、受信機やモデムなどを備えた構成とするのが好適
である。受信機により、一般のテレビ放送の受信を行うことができる。また、モデムを介
して有線または無線による通信ネットワークに接続することにより、一方向（送信者から
受信者）または双方向（送信者と受信者間、あるいは受信者間同士など）の情報通信を行
うことが可能である。
【符号の説明】
【０１８３】
１０                      画素部
１１                      走査線駆動回路
１２                      信号線駆動回路
１３                      走査線
１３＿１〜１３＿ｍ        走査線
１４                      信号線
１４＿１〜１４＿ｎ        トランジスタ
１５                      画素
１６                      トランジスタ
１７                      容量素子
１８                      液晶素子
２０＿１〜２０＿ｍ        パルス出力回路
２１〜２７                端子
３１〜３９                トランジスタ
４０                      バックライトユニット
４１                      バックライト制御回路
４２                      バックライトユニット群
５０〜５３                トランジスタ
１０１〜１０３            領域
１２０                    シフトレジスタ
１２１＿１〜１２１＿ｎ    トランジスタ
２２０                    基板
２２２                    導電層
２２３                    絶縁層
２２４                    半導体層
２２５ａ                  導電層
２２５ｂ                  導電層
２２６                    導電層
２２７                    絶縁層
２２８                    導電層
２２９                    絶縁層
２３１                    透明導電層
２４０                    対向基板
２４１                    透明導電層
２４２                    遮蔽層
２５０                    液晶層
１６０１                  パネル
１６０２                  拡散板
１６０３                  プリズムシート
１６０４                  拡散板
１６０５                  導光板
１６０７                  バックライトパネル
１６０８                  回路基板
１６０９                  ＣＯＦテープ
１６１０                  ＦＰＣ
１６１１                  基板
１６１２                  バックライト
２２０１                  本体
２２０２                  筐体
２２０３                  表示部
２２０４                  キーボード
２２１１                  本体
２２１２                  スタイラス
２２１３                  表示部
２２１４                  操作ボタン
２２１５                  外部インターフェイス
２２２０                  電子書籍
２２２１                  筐体
２２２３                  筐体
２２２５                  表示部
２２２７                  表示部
２２３１                  電源
２２３３                  操作キー
２２３５                  スピーカー
２２３７                  軸部
２２４０                  筐体
２２４１                  筐体
２２４２                  表示パネル
２２４３                  スピーカー
２２４４                  マイクロフォン
２２４５                  操作キー
２２４６                  ポインティングデバイス
２２４７                  カメラ用レンズ
２２４８                  外部接続端子
２２４９                  太陽電池セル
２２５０                  外部メモリスロット
２２６１                  本体
２２６３                  接眼部
２２６４                  操作スイッチ
２２６５                  表示部（Ｂ）
２２６６                  バッテリー
２２６７                  表示部（Ａ）
２２７０                  テレビジョン装置
２２７１                  筐体
２２７３                  表示部
２２７５                  スタンド
２２７７                  表示部
２２７９                  操作キー
２２８０                  リモコン操作機
２４００                  基板
２４０１                  ゲート層
２４０２                  ゲート絶縁層
２４０３                  半導体層
２４０５ａ                ソース層
２４０５ｂ                ドレイン層
２４０７                  絶縁層
２４０９                  保護絶縁層
２４３６                  下地層
２４５０                  トランジスタ
２４６０                  トランジスタ
２４７０                  トランジスタ
２４８０                  トランジスタ
４００１                  基板
４００２                  画素部
４００３                  信号線駆動回路
４００４                  走査線駆動回路
４００５                  シール材
４００６                  対向基板
４００７                  液晶
４００９                  トランジスタ
４０１０                  トランジスタ
４０１１                  液晶素子
４０１４                  引き回し配線
４０１５                  引き回し配線
４０１６                  接続端子
４０１８                  ＦＰＣ
４０１９                  異方性導電膜
４０２１                  基板
４０２２                  トランジスタ
４０３０                  画素電極
４０３１                  対向電極
４０３５                  スペーサ
６１１０                  転置基板
６１１１                  接着剤層
６１１６                  被剥離層
６２００                  作製基板
６２０１                  剥離層
６２０２                  仮支持基板
６２０３                  剥離用接着剤
６２０６                  金属板
６２０７                  バリア層
６２１０                  配線層
６２１１                  配線層
６２１２                  領域
６５１１                  トランジスタ
６５１２                  容量素子
６５１３                  液晶素子
６５２１                  トランジスタ
６５３１                  トランジスタ
【図１】
2016014886.tif 000003
【図２】
2016014886.tif 000004
【図３】
2016014886.tif 000005
【図４】
2016014886.tif 000006
【図５】
2016014886.tif 000007
【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
2016014886.tif 000013
【図１２】
2016014886.tif 000014
【図１３】
2016014886.tif 000015
【図１４】
2016014886.tif 000016
【図１５】
2016014886.tif 000017
【図１６】
2016014886.tif 000018
【図１７】
2016014886.tif 000019
【図１８】
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