(57)【要約】      （修正有）【課題】シリコン製の時計部品であっても強度を落とすことなく、また製造時間を増加させることなく、時計部品の製造番号や型式番号など意味ある情報を部品に設けることを可能とする時計部品を提供する。【解決手段】シリコンを主成分とする時計部品１０であって、少なくとも一部が、シリコンを酸化することによって形成されるシリコン酸化物からなり、内部の酸化強度と表面の酸化強度とが異なっている。このようなシリコン酸化物により、図形、記号若しくは文字又はそれらの組み合わせによる識別模様３５ａ〜３５ｄを構成する。このようにすることで、脆性材料であるシリコンであっても時計部品１０に識別模様３５ａ〜３５ｄを設けることができ、時計部品１０としての強度向上と温度特性の改善とを合わせて行うことができる。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコンを主成分とする時計部品であって、
一部分のみが、シリコンを酸化することによって形成されるシリコン酸化物からなり、前記一部分の酸化強度とその他の部分の酸化強度とが異なっており、
前記シリコン酸化物により、図形、記号若しくは文字又はそれらの組み合わせによる識別模様を構成する
ことを特徴とする時計部品。
【請求項２】
脱進機を構成するがんぎ車及びアンクル、調速機構を構成するひげぜんまい及びてん輪、又は輪列を構成する歯車のうちの、いずれか１つである
ことを特徴とする請求項１に記載の時計部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、機械部品に関し、特に機械式時計の駆動機構に用いられる時計部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の機械式時計においては、機械の運転を規則正しく一定の速度に保つために、ひげぜんまいとてん輪（てん真付）とで構成される調速機（てんぷ）が使われている。等時性のあるひげぜんまいの伸縮によりてん輪が規則正しく往復回転運動を行う。
【０００３】
てんぷには、がんぎ車とアンクルとで構成される脱進機という機構が接続されており、香箱内の動力ぜんまいからエネルギーが伝達されて、振動を持続するようになっている。
【０００４】
一般に知られているひげぜんまいは、金属を加工して形成する場合が多い。このため、その加工精度のばらつきや金属が有する内部応力の影響などによって、設計通りの形状が得られない場合がある。
【０００５】
ひげぜんまいは規則的にてんぷを振動させる必要があるから、設計通りの形状が得られないとてん輪も等時性のある運動ができなくなり、時計の歩度ずれが生じてしまう。時計の歩度とは、一日あたりの時計の進み又は遅れの程度を示すものである。
【０００６】
ところで近年、シリコン基板をエッチング加工することによって時計部品を製造する試みがなされている。従来の金属部品を用いる時計部品の製造に比べ軽量にできるという利点と、大量生産ができる利点とがあると言われている。これにより、小型軽量の時計を製造することができると期待されている。
【０００７】
シリコン基板をエッチングする際、ドライエッチング技術である反応性イオンエッチング（Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｅｔｃｈｉｎｇ：ＲＩＥ）技術を用いるが、近年では、深掘りＲＩＥ（Ｄｅｅｐ  ＲＩＥ）技術が開発され、アスペクト比が高いエッチングが可能になってきた。
【０００８】
この深掘りＲＩＥ技術によると、エッチングがフォトレジストなどでマスクした部分の下に回り込まないために、垂直深さ方向にマスクパターンを忠実に再現できるようになる。
このため、シリコン基板をエッチングする際に、時計部品を設計通りの形状で精度よく製造することが可能となってきた。
【０００９】
そもそもシリコンは、金属よりも温度特性がよく、従来のひげぜんまいの材料として用いられる金属よりも環境温度に対して変形しにくいという特徴がある。このことから、時計の調速機構にもこの技術を応用することが考えられている。
【００１０】
しかしながら、シリコンは脆性材料であるから、時計が大きな衝撃を受けたときにひげぜんまいが破損してしまう恐れがある。こうした点に配慮したシリコン製のひげぜんまいが知られている（例えば、特許文献１、特許文献２参照。）。
【００１１】
特許文献１、２に示した従来技術は、シリコン製の母材の表面上に二酸化珪素などの膜を別途成膜する技術である。このような技術をもってシリコン製の時計部品を製造すると、耐衝撃性が向上する。これは、シリコンは劈開面で脆性破壊が起きやすいが、結晶性の
ない膜で被覆することによりそれを防ぐためである。
【００１２】
ところで、ひげぜんまいや歯車などの時計部品を組み立てる際、各時計部品が固有のマーク等を有するようにしておくと、都合がよい。そのマーク等の例は、仕様や製造番号、又は組み付け方向などを示す記号や文字、模様など意味のあるものとするのである。そうすることにより、時計の機構を組み立てる最中に、部品の間違いや組み付けの間違いを排除できるからである。
【００１３】
このようなマーク等を部品に設けるとき、金属製の時計部品の場合は、他の部品と噛み合う場所や、回転軸と嵌合する場所などの精度を要求される部位を避けるなどして、かつ認識しやすい部位を選び、鋭利な先端を有する硬質な器具、例えば「けがき針」などを用い、部品の表面に浅い傷を付けてマーク等を描くことが多い。なお、この浅い傷を設けることを「けがく」と言い、その作業工程を「けがき」と言う。
【００１４】
しかしながら、シリコン製の時計部品は、そのけがきを行うことができない。シリコンは脆性材料であるから、けがく最中に破壊が生じてしまうからである。
そこで、レーザーの照射により物体の表面を局所的に溶解させ、文字等を刻印する公知のレーザーマーキング技術により、シリコン製の時計部品にマーク等を描くことが考えられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１５】
【特許文献１】実用新案登録第３１５４０９１号公報（第３頁、図２）
【特許文献２】特許第５３７８６５４号公報（第３頁、図１）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
しかし、レーザーマーキング技術を上述の特許文献１、２に示した従来技術に適用すると、レーザー照射の際に、シリコン製の母材の表面に成膜した二酸化珪素などの膜が飛び散り、時計機構に入り込んでしまうことが分かった。そうすると、時計そのものに致命的な障害を起こす恐れがある。
【００１７】
また、レーザー照射の際に、レーザー出力にばらつき等があると、シリコン製の母材もダメージを受けてしまい、部品の強度が低下してしまうことがある。
【００１８】
さらにまた、時計部品は非常に小型であり、レーザーマーキング装置への設置や位置決めなど、時計部品の製造途中や製造後にレーザーマーキングを行うこと自体、非常に手間が掛る作業であり、時計部品の製造時間が増加してしまい、結果、時計のコストアップに繋がってしまう。
【００１９】
本発明の目的は、上記従来技術の課題に鑑み、シリコン製の時計部品であっても強度を落とすことなく、また製造時間を増加させることなく、時計部品の識別を可能とする時計部品を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
前述した目的を達成するための本発明における時計部品は、以下の構成を採用する。
【００２１】
シリコンを主成分とする時計部品であって、一部分のみが、シリコンを酸化することによって形成されるシリコン酸化物からなり、一部分の酸化強度とその他の部分の酸化強度とが異なっており、シリコン酸化物により、図形、記号若しくは文字又はそれらの組み合
わせによる識別模様を構成することを特徴とする。
【００２２】
また、このような時計部品は、脱進機を構成するがんぎ車及びアンクル、調速機構を構成するひげぜんまい及びてん輪、又は輪列を構成する歯車のうちの、いずれか１つであってもよい。
【００２３】
このような構成にすれば、シリコン製の時計部品の識別が可能である。またシリコン酸化物による識別模様を有することにより、時計部品の強度が向上し温度特性も改善できる。
【発明の効果】
【００２４】
この発明にかかる時計部品によれば、シリコン製であっても強度が高く、製造時間を増加させず、時計部品の識別が可能であるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】本発明の時計部品が組み込まれる機械式時計の駆動機構を説明する説明図である。
【図２】本発明の時計部品を、ひげぜんまいを例示して説明する平面図及び断面図である。
【図３】本発明の時計部品を説明する平面図及び断面図であって、ひげ持部分を拡大した図である。
【図４】本発明の時計部品を説明する平面図及び断面図であって、ひげ持部分を拡大した図である。
【図５】本発明の時計部品を説明する平面図及び断面図であって、ぜんまい部の一部を拡大した図である。
【図６】本発明の時計部品を、ひげぜんまいを例示して説明する平面図である。
【図７】本発明の時計部品を説明する断面図であって、ぜんまい部の一部を拡大した図である。
【図８】時計部品の所定部分にシリコン酸化物からなる識別模様を形成する手法を説明する図であって、酸素イオンのイオン注入における打ち込み角度について説明する説明図である。
【図９】時計部品の所定部分にシリコン酸化物からなる識別模様を形成する手法を説明する図であって、イオン注入におけるイオン注入量と酸化物化した状態とを、イオン注入量と酸化物化のプロファイルを用いて説明する説明図である。
【図１０】本発明の時計部品を製造方法を説明する断面図であって、第１の製造方法を説明する図である。
【図１１】本発明の時計部品を製造方法を説明する断面図であって、第２の製造方法を説明する図である。
【図１２】本発明の時計部品を製造方法を説明する断面図であって、第３の製造方法を説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
本発明の時計部品は、時計部品の形状を成す主要な部材がシリコンであり、その時計部品の内部又は表面の少なくとも一部がシリコン酸化物化されている。そして、時計部品の一部と他の部分とで酸化強度が異なっている。この酸化強度の違いにより、図形、記号若しくは文字又はそれらの組み合わせによる模様を構成している。
【００２７】
そのような模様を識別模様と呼ぶことにする。識別模様は、図形、記号若しくは文字又はそれらの組み合わせによるものであり、例えば、型式番号や製造番号、組み立ての際に時計部品を組み付ける方向などの意味のある情報や、バーコードのような幾何学模様を所
定のルールで配列させたものである。そのような識別模様を可視化又は光学的に読み取り可能な状態にすることで、時計部品を識別することができる。
【００２８】
これにより、時計の組み立て途中であれば、時計部品を正しく選択でき、組み付ける向きなどを間違えることはない。また完成した時計にあっては、時計の製造元や製造国などを確認できるので、模倣品との区別が容易になる。
【００２９】
識別模様を構成するシリコン酸化物は、例えば、シリコン製の母材の所定の部分に所定の深さで酸素イオンを注入し、その後に加熱処理を施すことでシリコンと酸素イオンとを反応させてなる。
【００３０】
このとき、シリコンがどの程度シリコン酸化物化したかを表すものが酸化強度である。
この酸化強度（酸化の強弱）と分布の状態を表すものを、酸化物化プロファイルという。
酸化物化プロファイルは、シリコン製の母材にどのように酸素イオンを注入するかで決まる。この酸素イオンの注入の濃度（注入量の多少）と分布の状態を表すものを、イオン注入量プロファイルという。
【００３１】
つまり、識別模様は、シリコン製の母材の内部に、所定のイオン注入量プロファイルとなるように酸素イオンを注入する。その後、シリコン製の母材を加熱処理することで、シリコン製の母材に所定の酸化物化プロファイルを有するシリコン酸化物を形成させるのである。
【００３２】
このとき、イオン注入量プロファイルが急峻（つまり、所定の部分に集中して酸素イオンが注入されている状態）であれば、酸化物化プロファイルも急峻（つまり、局所的に酸化強度が強い状態）になる。また、イオン注入量プロファイルが緩やか（つまり、所定の範囲に広がりをもって酸素イオンが注入されている状態）であれば、酸化物化プロファイルも緩やか（つまり、所定の範囲で酸化強度が低い状態）になる。
【００３３】
このように、本発明の時計部品は、形成したい識別模様に合わせてマスクなどを施した上で、シリコン製の母材に、酸化強度が異なる部分を形成させ、この酸化強度の違いにより、図形、記号若しくは文字又はそれらの組み合わせによる識別模様を構成するのである。
【００３４】
また、識別模様を設けることで、時計部品の強度を向上させることもできる。つまり、シリコン製の母材の一部をシリコン酸化物化することで、シリコンの脆性が改善され、強度が増すのである。
【００３５】
また、識別模様を設けることで、時計部品の温度特性を改善することもできる。つまり、シリコン酸化物の温度特性は、シリコンとは逆の温度特性を示すので、シリコン酸化物の温度特性とシリコンの母材の温度特性とが互いに打ち消す方向に作用することができるのである。
【００３６】
以上説明した本発明の時計部品を、以下に図面を参照して詳述する。
説明にあっては、時計部品の例としてひげぜんまいを用いて説明する。まず、本発明の時計部品を用いた時計の駆動機構を説明し、その後に識別模様を形成した時計部品について説明する。そして、時計部品の一部と他の部分とで酸化強度を異ならせる手法と、時計部品の製造方法とを説明する。
【００３７】
なお、説明に用いる図面は模式的に示す模式図とし、発明に関係のない構成は図示を省
略している。また、同一の構成には同一の番号を付与しており、説明を省略している。
【００３８】
［機械式時計の駆動機構の説明：図１］
まず、本発明の時計部品が組み込まれる時計の駆動機構として、機械式時計の駆動機構について説明する。図１は、本発明の時計部品が組み込まれる機械式時計の駆動機構のうち、輪列部分を抜き出した説明図である。
【００３９】
図１において、この発明にかかる時計部品が組み込まれる機械式時計の駆動機構１０１は、香箱１０２、脱進機１０３、調速機構（てんぷ）１０４、輪列１０５などを備えている。香箱１０２は、薄い円筒形状をなす箱の内側に、図示を省略する動力ぜんまいを収容している。香箱１０２の外周部の香箱車と呼ばれる歯車が設けてあり、輪列１０５を構成する番車と噛み合っている。
【００４０】
脱進機１０３は、がんぎ車１０６およびアンクル１０７によって構成される。がんぎ車１０６は、カギ型の歯を備えた歯車であって、がんぎ車１０６の歯はアンクル１０７に噛み合う。アンクル１０７は、がんぎ車１０６の歯に噛み合うことによってがんぎ車１０６の回転運動を往復運動に変換する。
【００４１】
てんぷ１０４は、ひげぜんまい１０やてん輪１０９などによって構成される。ひげぜんまい１０は、巻回された状態の長尺状のぜんまい部を有し、コイル形状をなしている。ひげぜんまい１０は、機械式時計に組み込まれて駆動機構１０１を構成した状態において、優れた等時性を示すように設計されている。
【００４２】
てんぷ１０４は、ひげぜんまい１０のバネ力による伸縮によって、規則正しく往復運動をおこなうことができる。てん輪１０９は、リング形状をなし、アンクル１０７からの反復運動を調節・制御して、一定速度の振動を保つ。てん輪１０９は、てん輪１０９がなすリング形状の内側に、てん輪１０９の中心となるてん真１０９ａから放射状に延設するアームを備えている。
【００４３】
輪列１０５は、香箱１０２からがんぎ車１０６の間に設けられて、それぞれが噛み合わされた複数の歯車によって構成される。具体的には、輪列１０５は、二番車１１０、三番車１１１、四番車１１２などによって構成される。香箱１０２の香箱車は、二番車１１０と噛み合っている。四番車１１２には秒針１１３が装着され、二番車１１０には分針１１４が装着されている。図１においては、時針や各歯車を支持する地板などは図示を省略する。
【００４４】
駆動機構１０１においては、動力ぜんまいの中心は逆回転できないように香箱１０２の中心（香箱真）に固定されており、動力ぜんまいの外側の端部は香箱の内周面に固定されているため、香箱１０２の中心（香箱真）に巻き付けられた動力ぜんまいが元に戻ろうとすると、巻き上げられた方向と同じ方向にほどけようとする動力ぜんまいの外側の端部に付勢されて、香箱１０２が巻き上げられたぜんまいがほどける方向と同じ方向に回転する。香箱１０２の回転は、二番車１１０、三番車１１１、四番車１１２に順次伝達され、四番車１１２からがんぎ車１０６に伝達される。
【００４５】
がんぎ車１０６にはアンクル１０７が噛み合っているため、がんぎ車１０６が回転すると、がんぎ車１０６の歯（衝撃面）がアンクル１０７の入り爪を押し上げ、これによってアンクル１０７におけるてんぷ１０４側の先端がてんぷ１０４を回転させる。てんぷ１０４が回転すると、アンクル１０７の出爪が即座にがんぎ車１０６を停止させる。てんぷ１０４がひげぜんまい１０８の力で逆回転すると、アンクル１０７の入り爪が解除され、がんぎ車１０６が再び回転する。
【００４６】
このように、等時性のあるひげぜんまい１０の伸縮によっててんぷ１０４に規則正しい往復回転運動を繰り返させ、脱進機１０３は、てんぷ１０４に対して往復運動するための力を与え続けるとともに、てんぷ１０４からの規則正しい振動によって輪列１０５における各歯車を一定速度で回転させる。
【００４７】
図１に示す例は、機械式時計の駆動機構の一部であるが、機械式時計を構成する時計部品は、隣接する他の時計部品と噛み合ったり重なり合っていたりしているため、組み立てに際しては、所定の順番で組む必要がある。そのような組み立てにあって、使用する時計部品の組み間違えが起こると、最初から組み直す必要が生じることもあり、組み立て時間の大変なロスとなる。また、再度の組み直しの最中に時計部品に傷を付けてしまうなどすれば、時計の精度に影響が出るばかりか、出荷基準を満たさなくもなり、製造コストの大変な増加になる。
【００４８】
しかしながら、本発明の時計部品であれば、時計部品に識別模様を設けることができるので、目視や光学的な手法で部品を認識でき、組み間違えを排除することができる。
【００４９】
また、時計部品を組み上げて駆動機構を構成した時点で、型式番号や製造番号、組み立て時期などを確認できるので、製造中の工程管理やライン管理もし易くなるほか、完成した時計が市場に出た後に、修理を行う際にも、その時計の状態や仕様をすぐさま確認できるので、修理時間を短くすることができる。
【００５０】
また、詳しくは後述するが、時計部品の内部に識別模様を形成することもでき、そうすると、時計部品の外観では識別模様が表現されておらず、光学的手法で初めて認識できるため、識別模様が表現する記号や文字やマーク類の内容やその意味する内容を秘匿しておけば、模倣品との区別を確実に行うことができる。これにより市場から模倣品を排除することもできる。
【００５１】
［時計部品の構造の説明：図２］
次に、図２を用いて識別模様を設けた時計部品（ひげぜんまい）について説明する。
図２は、ひげぜんまい１０の構造を示す説明図である。図２（ａ）は、ひげぜんまい１０の平面図を示し、図２（ｂ）は、図２（ａ）に示すＡ−Ａ´断面を示している。
【００５２】
ひげぜんまい１０は、母材をシリコンとする。細いコイル形状のぜんまい部１１における、内周側の端部に設けられたひげ玉１２を備えている。ぜんまい部１１とひげ玉１２とは、接続部１２ｂによって接続されている。ひげ玉１２には、図１に示すてん真１０９ａが嵌合する貫通穴１２ａが設けてある。
【００５３】
ぜんまい部１１は、ひげ玉１２の接続部１２ｂを介して、ひげ玉１２を中心に巻回するコイル形状をなす。さらに、ひげぜんまい１０は、細いコイル形状のぜんまい部１１における、外周側の端部に設けられたひげ持１３を備えている。
【００５４】
この実施形態におけるひげぜんまい１０は、少なくとも一部分が、シリコン酸化物によって形成されている。図２（ａ）においては、一例としてひげ持１３にシリコン酸化物からなる識別模様５が設けてある。図２（ａ）に示す例では、識別模様５は、平面視で円形をなす模様である。この識別模様５の形状については、円形に限定されることはなく、無論一例である。
【００５５】
識別模様５は、図形、記号若しくは文字又はそれらの組み合わせによるものであり、型式番号や製造番号、組み立ての際に時計部品を組み付ける方向など、意味のある情報を可
視化したものである。このように、識別模様５を設けることで、このひげぜんまい１０の情報を知ることができ、時計機構の組み立て途中や組み立て後に、どのような時計部品を用いたかを目視や光学的な手法で読み取ることができる。
【００５６】
識別模様５は、シリコンを母材とするひげぜんまい１０を構成するひげ持１３の表面から内部方向に向かってシリコン酸化物化している。シリコン製の母材の内部に向かって局所的にシリコンと酸素とが結合してなるシリコン酸化物を形成している。
【００５７】
図２（ａ）に示す例は、シリコン製の母材からなるひげ持１３の表面にもシリコン酸化物化している部分を設ける場合である。この例では、ひげ持１３の表面１３ａはフラットであり、ひげ持１３の形状そのものは変化していない。
【００５８】
シリコンを母材とするひげぜんまい１０の所定部分をシリコン酸化物化するには、例えば、酸素イオンをイオン注入し、加熱することでシリコンと酸素イオンとを反応させてなる。
酸素イオンの注入にあっては、その注入量、打ち込み角度、加速電圧を設定し、酸素イオンを注入する部分が開口したマスクを用いるなどして、シリコン製の母材の所定の部分に所定の深さで酸素イオンを注入する。この手法については後述する。
【００５９】
図２（ｂ）において，符号ｔは、ひげぜんまい１０の厚さ寸法を示している。ひげぜんまい１０の厚さ寸法は、後述する積層基板（ＳＯＩ基板）におけるシリコン層の板厚寸法または、シリコン単結晶基板から形成される厚さ方向の寸法に応じて定められる。
図２（ｂ）において、符号ｗは、ひげぜんまい１０の平面視における幅寸法を示している。ひげぜんまい１０の幅寸法は、ぜんまい部１１の位置に応じて異ならせてもよい。すなわち、ひげぜんまい１０におけるぜんまい部１１の一部の幅寸法をｗとし、別の一部の幅寸法をｗよりも大きい寸法としてもよい。
【００６０】
ところで、ヤング率（Ｙｏｕｎｇ’ｓ  ｍｏｄｕｌｕｓ）は、フックの法則が成立する弾性範囲における同軸方向のひずみと応力との比例定数であって、物体に対して当該物体を引っ張る方向に外力を加えた場合における、当該物体の伸びと当該物体に加えられた外力との関係から求められる。ヤング率は、縦弾性係数、曲げ剛性あるいはたわみ剛性などとも称される。
【００６１】
具体的に、例えば、断面積（Ｓ）の物体に力（Ｆ）が加えられることによって、当該物体の元の長さ（Ｌ）が（ΔＬ）だけ伸びた場合のヤング率（Ｅ）は、Ｅ＝（Ｆ／Ｓ）／（ΔＸ／Ｘ）で表される。
【００６２】
このように、ひげぜんまい１０は、所定のヤング定数を有するように、その母材とぜんまい部の厚さ寸法ｔ、幅寸法ｗを決めるのである。
【００６３】
上述のように、シリコン製の時計部品の内部や表面の任意の部分をシリコン酸化物化することができるため、時計部品そのものの形状は変化せず、設計通りの形状を有することができる。
【００６４】
また、事前に実験やシミュレーションを行うことで、シリコン酸化物の硬さなどは調べられるから、時計部品の設計段階において、時計部品のどの箇所をシリコン酸化物化するか決められるので、その実験やシミュレーションからの情報に鑑みて、時計部品のヤング率を決めることができる。
【００６５】
そうすると、識別模様を設けても、時計部品は設計通りの形状とヤング率とを有するこ
とができる。もちろん、シリコン製の母材とシリコン酸化物とは結合しているため、双方が剥離してしまうこともなく、時計部品は、設計した性能を非常に長い時間維持することができる。
【００６６】
［識別模様の説明１：図３］
次に、図３を用いてひげぜんまいのひげ持に設ける識別模様について説明する。
図３は、図２（ａ）に示すひげ持１３を拡大した図であって、図３（ａ）は、平面図である。図３（ｂ）、図３（ｃ）、図３（ｄ）は、図３（ａ）における切断線Ｂ−Ｂ´における断面図であって、それぞれ識別模様５を構成するシリコン酸化物の形状の違いを説明するものである。図３において、符号５ａ、５ｂは、識別模様であり、符号１３ｂは、ひげ持１３の表面１３ａと対向する裏面である。
【００６７】
図３（ａ）に示すように、識別模様５は、平面視で円形をなす模様である。例えば、ひげぜんまい１０の大きさごとにこの識別模様５の円形の大きさを変えるなど、所定のルールに基づいて円形の大きさを決める。そうすることで、時計の組み立ての際にひげぜんまいの選択を間違えずに済む。
【００６８】
図３（ｂ）に示す例は、識別模様５を、ひげ持１３の表面１３ａから内部方向に向かって形成する例である。識別模様５の深さは、この例ではひげ持１３の中心よりやや表面１３ａ寄りである。
【００６９】
図３（ｃ）に示す例は、１つ目の識別模様５ａを、ひげ持１３の表面１３ａから内部方向に向かって形成し、２つ目の識別模様５ｂを、ひげ持１３の裏面１３ｂから内部方向に向かって形成する例である。この例では、識別模様５ａ、５ｂは平面視で重なるように形成している。
【００７０】
図３（ｄ）に示す例は、識別模様５を、ひげ持１３の表面１３ａから裏面１３ｂまで連続して形成する例であって、シリコン製のひげ持１３をシリコン酸化物である識別模様５が貫通しているような形状である。
【００７１】
このように、ひげ持１３に設ける識別模様５は、図３（ａ）に示すような平面視で円形であっても、図３（ｂ）〜図３（ｃ）に示すように、深さ方向に形状を変えることができる。識別模様５を目視や光学的な手法で認識するとき、表面１３ａ側からのみ行うのであれば、図３（ｂ）に示す形状でよく、裏面１３ｂからも認識する必要があるときは、図３（ｃ）又は図３（ｄ）に示す形状とすればよい。
【００７２】
なお、識別模様５は、シリコンの母材の一部を選択的にシリコン酸化物化しているため、シリコン製の母材の内部にあっては、シリコンとシリコン酸化物との境界は、徐々にシリコンからシリコン酸化物化している（つまり、酸化物化プロファイルを有している。）。図３では、その状況に鑑みて、シリコンの母材の内部において、シリコンとシリコン酸化物との境界を点線で示している。以降の説明に用いる図面も同様である。
【００７３】
なお、この識別模様５の深さは、識別模様５をどのように認識するかなどにより決めることができる。一般に、シリコン酸化物は、一定の波長の光を照射したとき、その厚さに応じて反射光の色が変化することが知られている。この特徴を用いて、シリコンからなる部分と反射光の違いで文字や記号などを判別することができる。
【００７４】
例えば、目視による認識は、所定の明るさの照明下などであれば、肉眼や拡大鏡を用いて目視で反射光を認識でき、識別模様５が表現する文字や記号が意味する情報を確認できる。また、可視光や赤外線やレーザーなどを照射して、その反射の強度を光学的に読み取
ることでも、識別模様５が表現する情報を確認できる。このような光学的に情報を読み取る技術は広く知られているため、詳細な説明は省略する。
【００７５】
識別模様５のシリコン製の母材の深さ方向の形状は、肉眼で確認するときと、光やレーザーを用いて光学的に確認するときとでは異なる場合がある。そのようなときは、事前に実験などにより確認しておき、ひげ持１３に設ける識別模様５の深さや形状を決めればよい。
【００７６】
なお、光学的に識別模様５を認識するときに、赤外線を用いれば裏面１３ｂから赤外線を照射してもよい。これは、シリコンは所定の波長の赤外線を透過する特性を有しているからであって、図３（ｂ）に示す形状のようにシリコン酸化物が表面１３ａ側にあっても、裏面１３ｂからの赤外線照射及び光学的な読み取りにより認識が可能となる。
このように、光学的に識別模様を確認する際に、用いる光に応じて光学系の設置を変えることができ、装置等の配置の自由度が増す。
【００７７】
［識別模様の説明２：図４］
次に、図４を用いてひげぜんまいのひげ持に設ける識別模様のその他の例について説明する。
図４は、図３と同様に図２（ａ）に示すひげ持１３を拡大した図であって、図４（ａ）は、平面図である。図４（ｂ）は、図４（ａ）における切断線Ｃ−Ｃ´における断面図である。符号１３ｃ、１３ｄは、それぞれひげ持１３の側面であり、符号Ｐは、識別模様１５の中心を示す仮想的な点である。
【００７８】
図４（ａ）に示すように、識別模様１５は、平面視で円形をなす模様であるが、図３に示す例とは異なり、ひげ持１３の表面１３ａにはシリコン酸化物が露出していない。この場合は、上述の通り、赤外線を使い光学的に識別模様１５を認識することができる。
【００７９】
図４（ｂ）に示すように、識別模様１５は、ひげ持１３の内部の所定の位置に形成している。識別模様１５が形成される深さ位置は、この例ではひげ持１３の中心付近であって、識別模様１５の中心点Ｐは、ひげ持１３の中心付近にある。
【００８０】
識別模様１５は、ひげ持１３の内部にその断面が円形となるように形成されている。つまり、識別模様１５は、ひげ持１３の内部に、中心点Ｐを中心として、球状に形成されている。
【００８１】
このようにすれば、赤外線を用いて光学的に識別模様１５を認識しようとしたとき、ひげ持１３の表面１３ａ、裏面１３ｂ、側面１３ｃ、１３ｄのどの面から見ても同じ円形に見えるので、認識する方向を問わず確認できる
【００８２】
なお、詳しくは後述するが、ひげ持１３において、識別模様１５の中心点Ｐになる位置に集中するように酸素イオンを注入すれば、加熱により注入された酸素イオンが周囲のシリコンと反応するとき、中心点Ｐから周囲に反応が均等に広がるため、シリコン製の母材の中で球状に形成することができる。
【００８３】
図４に示す識別模様１５は、ひげ持１３の表面にはなくその内部に設けている。このような場合は、ひげぜんまいの表面を特に美麗にしたい場合に適している。時計は装飾品という側面もあり、内部の時計部品を使用者に見せるよう時計外装の一部を透明部材とした時計もある。そのような時計向けに、識別模様を肉眼では見えなくするときに便利である。また、説明したように、模倣対策にも有利である。
【００８４】
［識別模様の説明３：図５］
次に、図５を用いてひげぜんまいのぜんまい部に設ける識別模様について説明する。
図５は、図２（ａ）に示すぜんまい部１１の一部を拡大した図である。図５（ａ）、図５（ｄ）、図５（ｇ）、図５（ｊ）は、ひげ玉１２の周囲を巻回するぜんまい部１１の、ある１つの周回における部分を拡大して示す平面図である。符号２５は識別模様である。符号１１ａはぜんまい部１１の表面、符号１１ｂは対向する裏面である。
【００８５】
図５（ａ）の切断線Ｄ−Ｄ´における断面図が、図５（ｂ）、図５（ｃ）であって、双方の違いは、識別模様２５の形成場所である。
図５（ｂ）に示すように、シリコン酸化物からなる識別模様２５は、ぜんまい部１１の表面１１ａの幅ｗ方向（図２参照）全てにわたると共に、この表面１１ａから内部に向かって設けている。
図５（ｃ）に示す例は、１つ目の識別模様２５ａを、ぜんまい部１１の表面１１ａの幅ｗ方向全てにわたると共に、この表面１１ａから内部に向かって設け、２つ目の識別模様２５ｂを、ぜんまい部１１の裏面１１ｂの幅ｗ方向全てにわたると共に、この裏面１１ｂから内部に向かって設けている。これら２つで識別模様２５を構成している。この例では、識別模様２５ａ、２５ｂは平面視で重なるように形成している。
【００８６】
図５（ｄ）の切断線Ｅ−Ｅ´における断面図が、図５（ｅ）、図５（ｆ）であって、双方の違いは、識別模様２５の形成場所である。
図５（ｅ）に示すように、シリコン酸化物からなる識別模様２５は、ぜんまい部１１の表面１１ａの一部から裏面１１ｂにわたり設けている。
図５（ｆ）に示す例は、１つ目の識別模様２５ｃを、ぜんまい部１１の表面１１ａの一部から内部に向かって設け、２つ目の識別模様２５ｄを、ぜんまい部１１の裏面１１ｂの一部から内部に向かって設けている。これら２つで識別模様２５を構成している。この例では、識別模様２５ｃ、２５ｄは平面視で重なるように形成している。
【００８７】
図５（ｇ）の切断線Ｆ−Ｆ´における断面図が、図５（ｈ）、図５（ｉ）であって、双方の違いは、識別模様２５の形成場所である。
図５（ｈ）に示すように、１つ目の識別模様２５ｅと２つ目の識別模様２５ｆとを、ぜんまい部１１の表面１１ａの角部から裏面１１ｂの角部にわたり設けている。
図５（ｉ）に示す例では、１つ目の識別模様２５ｇと２つ目の識別模様２５ｈとを、ぜんまい部１１の表面１１ａの角部から内部に向かって設け、３つ目の識別模様２５ｉと４つ目の識別模様２５ｊとを、ぜんまい部１１の裏面１１ｂの角部から内部に向かって設けており、これら４つで識別模様２５を構成している。この例では、識別模様２５ｇ、２５ｈと識別模様２５ｉ、２５ｊとは、平面視で重なるように形成している。
【００８８】
図５（ｊ）の切断線Ｇ−Ｇ´における断面図が、図５（ｋ）、図５（ｌ）であって、双方の違いは、識別模様２５の形成場所である。
図５（ｋ）に示すように、シリコン酸化物からなる識別模様２５は、ぜんまい部１１の表面１１ａの幅ｗ方向全てにわたると共に、ぜんまい部１１の中心付近に設けている。
図５（ｌ）に示す例は、１つ目の識別模様２５ｋを、ぜんまい部１１の表面１１ａの幅ｗ方向全てにわたると共に、ぜんまい部１１の内部のやや表面１１ａ寄りに設け、２つ目の識別模様２５ｍを、ぜんまい部１１の裏面１１ｂの幅ｗ方向全てにわたると共に、ぜんまい部１１の内部のやや裏面１１ｂ寄りに設けている。この例では、識別模様２５ｋ、２５ｍは平面視で重なるように形成している。
【００８９】
なお、この図５（ｊ）〜図５（ｌ）に示す例は、シリコン酸化物化した部位の多くがぜんまい部１１の内部にあるため、図４に示す例と同様に、赤外線を用いて光学的に認識可能である。この例も、時計部品の表面に文字や記号が目立たないので、美麗な時計部品を
用いたい時計の部品として適しており、模倣品の対策にも効果的である。
【００９０】
以上、図５を用いて説明したように、識別模様２５は、ひげぜんまい１０を構成するぜんまい部１１に設けてもよい。すでに説明したように、シリコンとシリコン酸化物とでは光の反射が異なるから、その色合いの違いにより、識別模様として認識できる。
なお、図５に例示した識別模様２５は一例であり、時計部品の仕様や性能やサイズに鑑みて自由に決めることができる。
【００９１】
［識別模様の説明４：図６］
次に、図６を用いてひげぜんまいのぜんまい部に設ける識別模様のその他の例について説明する。
図６は、図２（ａ）に示すひげぜんまい１０と同様な平面図であり、符号３５は識別模様である。図６に示す例は、ひげ玉１２の周囲に巻回するぜんまい部１１の全体を見たときに識別模様３５が判別できるように、文字や記号などの識別模様を広範囲にわたり形成するものである。
【００９２】
図６に示すように、ひげぜんまい１０のぜんまい部１１に、識別模様３５ａ〜３５ｄを設けており、識別模様３５ａは、アルファベットの「Ｃ」、識別模様３５ｂは、アルファベットの「Ｔ」、識別模様３５ｃは、アルファベットの「Ｚ」を示している。この「Ｃ」、「Ｔ」、「Ｚ」の３つの文字で意味のある情報、例えば、社名の略称などとすれば、製造元を特定できるマークとすることもできる。
【００９３】
また、識別模様３５ｄは、記号の「←（矢印）」を示すものであって、時計部品の特徴的な構造や組み付け方法などを表すことができる。図６の例では、ひげ玉１３の方向を示す矢印である。
【００９４】
図６に示す例のように、時計部品全体を見たときに識別模様３５が判別できるように、意味ある文字や記号となるように形成しておけば、時計の製造元の判別や、時計の組み立ての際に部品の表裏を間違えずに済むなどできるので、便利である。
【００９５】
［識別模様の説明４：図７］
次に、図７を用いてひげぜんまいのぜんまい部に設ける識別模様の他の例について説明する。
図７は、図２（ａ）に示すぜんまい部１１の一部を拡大した図であって、ひげ玉１２の周囲を巻回するぜんまい部１１の、ある１つの周回における部分を拡大して示す断面図である。符号３５は識別模様である。符号１１ｃ、１１ｄは、それぞれぜんまい部１１の側面である。
【００９６】
図７に示す例は、ぜんまい部１１を構成するシリコン製の母材の断面に、識別模様３５を形成する例であり、その断面に意味のある文字や記号など形成する例である。
図７（ａ）に示す例では、ぜんまい部１１の表面１１ａと裏面１１ｂと側面１１ｃとの３面から内部に向かってシリコンをシリコン酸化物化しており、アルファベットの「Ｃ」を表している。
図７（ｂ）に示す例では、ぜんまい部１１の表面１１ａと裏面１１ｂと、２つの側面１１ｃ、１１ｄとの４面から内部に向かってシリコンをシリコン酸化物化しており、またぜんまい部１１の内部の中央部分にもその幅ｗ方向全面にわたりシリコン酸化物化している。これらにより、漢字の「日」を表している。
【００９７】
図７に示すように、ぜんまい部１１の断面に意味のある文字や記号など設けておけば、時計部品や時計そのものを識別可能となる。例えば、アルファベット「Ｃ」を社名や会社
のペットネームやそれらの頭文字と関連付けておくことで、時計部品の製造元を表すことができたり、漢字「日」は日本を連想することができるので、日本で製造した時計部品であることを表したりできる。
【００９８】
図７に示す「Ｃ」や「日」は、無論一例であり、別の文字や記号、幾何学模様などとしてもよい。文字や記号やマーク類を、製造元などが独自に取り決めた決まりに準じて配置するなどしてもよく、その内容を製造元などが秘匿しておけば、模倣品との区別を付けやすくなる。また、識別模様をバーコードのような幾何学模様を所定のルールで配列させたものとしてもよい。
【００９９】
さらにまた、時計部品の断面に文字やマーク類が表現されているから外観は識別模様３５を有さない場合と違いがなく、美麗さを要求される時計部品にも適している。
【０１００】
なお、すでに説明しているように、シリコンは赤外線を透過するから、時計部品の断面に意味ある文字やマーク類を表現しても、赤外線等を照射して光学的に観察すれば容易に認識できる。
【０１０１】
［シリコン酸化物による強度の向上について］
次に、シリコン製の母材の一部をシリコン酸化物化することで、時計部品が向上することを説明する。
【０１０２】
すでに説明したように、従来技術に代表されるような、シリコン製の母材の表面上を別の膜で被覆する技術は、シリコン製の母材の強度が増すことが知られている。これは、シリコンは劈開面で脆性破壊が起きやすいが、結晶性のない膜で被覆することによりそれを防ぐためである。
【０１０３】
本発明の時計部品は、シリコンを母材とする時計部品に識別模様を設けることで、その一部をシリコン酸化物化している。つまり、結晶性のないシリコン酸化物をその表面や内部に有しているため、脆性改善され、シリコン製の母材を破壊され難くできるのである。
【０１０４】
特に、時計部品にあってひげぜんまいは、伸縮や変形がしやすいため、時計に落下や他の物体の衝突などの予期せぬ衝撃が加わった際に、他の時計部品との接触や衝突が起きやすい。このため、シリコン製のひげぜんまいでは破壊が起きやすかった。しかし、図５、図７に示すひげぜんまい１０のように、そのぜんまい部１１に識別模様２５、３５を設けることで、脆性改善され、ひげぜんまい１０自体が破壊され難くなり、時計の耐衝撃性を向上させることができる。
つまり、識別模様をぜんまい部に設けることで、時計部品の認識と強度の向上とを両立することができる。
【０１０５】
［時計部品の温度特性の改善について］
次に、シリコン製の母材の一部をシリコン酸化物化することで、時計部品の温度特性が改善することを説明する。
【０１０６】
良く知られているように、シリコン酸化物の温度特性は、シリコンとは逆の温度特性を示す。一般的に、ヤング率は、温度の変動に応じて変動するという温度特性を示す。このため、シリコンを母材とする（要するに、シリコンの結晶構造を有する材料を単体で用いて）製造した時計部品は、温度の変動に伴うヤング率の変動に起因して、環境温度に応じて性能が変動してしまう。すでに説明しているように、ひげぜんまい１０などの時計部品は非常に精密な精度が要求されるため、温度の変化に伴う性能の変動は、時計の精度にばらつきを生じる原因となる。
【０１０７】
本発明の時計部品は、その識別に用いる識別模様をシリコン酸化物で構成しているため、シリコンの母材の一部がシリコン酸化物になっており、時計部品においてシリコン酸化物の温度特性とシリコンの母材の温度特性とが互いに打ち消す方向に作用することができる。これにより、温度特性に優れた時計部品とすることができるのである。
【０１０８】
特に、時計部品にあってひげぜんまいは、一定の周期で伸縮運動を繰り返すことで一定の時間を刻むことを要求されるため、その温度によるヤング率の変動は、時計の精度を低下させてしまう。しかし、図５に示すひげぜんまい１０のように、そのぜんまい部１１に識別模様２５を設けることで、上述のように温度特性が改善され、ひげぜんまい１０自体が温度変化の影響を受け難くなり、時計の精度を向上させることができる。
【０１０９】
もちろん、シリコンとシリコン酸化物とが密接に結び付いた状態で互いに温度特性を打ち消すので、設計通りのひげぜんまいの外形形状としながら、従来技術よりもさらに温度特性に優れた時計部品とすることができる。
つまり、識別模様をぜんまい部に設けることで、時計部品としての認識と時計部品としての温度特性の改善とを両立することができる。
【０１１０】
このように、時計部品に識別模様を設けることで、時計部品の認識と、強度の向上及び温度特性の改善とを両立することができる。
【０１１１】
［識別模様の形成方法の説明：図８、図９］
次に、シリコンを母材とする時計部品の所定部分にシリコン酸化物からなる識別模様を形成する手法を説明する。
識別模様の形成にあっては、酸素イオンを注入し、熱処理を施してなる製造方法を説明する。この場合、イオン注入装置に、酸素イオンを注入する部分が開口したマスクを形成するなどしたシリコン製の母材を投入し、所定の真空度にする。そして酸素イオンをイオン注入するのであるが、すでに説明しているように、酸素イオンを注入する際には、その注入量、打ち込み角度、加速電圧を設定する。
【０１１２】
まず、図８を用いて酸素イオンのイオン注入における打ち込み角度について説明する。次に、図９を用いてイオン注入におけるイオン注入量と酸化物化した状態とを、イオン注入量と酸化物化のプロファイルを用いて説明する。
【０１１３】
［イオンの打ち込み角度の説明：図８］
図８は、酸素イオンのイオン注入における打ち込み角度を説明する説明図である。
図８において、符号２００は、時計部品（この場合はひげぜんまい１０）の切り出し元となるシリコンの基板、例えば、シリコンウェハである。図８は、後述する製造工程が進み、ひげぜんまい１０の形状が加工された状態を示しており、一例として、ひげぜんまい１０が４つ切り出される基板２００を示している。
【０１１４】
符号θ１はツイスト角の角度、θ２はチルト角の角度である。符号６０は、ツイスト角やチルト角をそれぞれ個別に調整することが可能な、基板２００を載置し固定可能なステージであり、イオン注入装置の内部に設けてある。
【０１１５】
ひげぜんまい１０は、基板２００の表面に形成されている枠部２２０に支持部２２１で接続されている。図８に示す例では、製造工程が進み、枠部２２０が基板２００の表面となっている。空隙２３０は、基板２００がない空間部分であるが、この支持部２２１により、基板２００を把持するなどしてもひげぜんまい１０が基板２００から離断して落下することはない（例えば、図１０（ｈ）を参照。）。
【０１１６】
ひげぜんまい１０などの時計部品の切り出し元となる基板２００に対する酸素イオンの注入に際しては、この基板２００のツイスト角（θ１）やチルト角（θ２）の調整を行う。
ツイスト角とは、基板２００がなす面の広がり方向（面方向）に直交する軸心（基板２００の法線６１）周りに、この基板２００を回転させることによって変化する角度である。つまり、基板２００を平面視したときの回転方向の角度である。
【０１１７】
具体的には、酸素イオンの注入を行うイオン注入装置において、基板２００を支持するステージ６０を、このステージ６０がなす面の法線６１周りに角度θ１だけ回転させることによって調整することができる。
【０１１８】
チルト角は、基板２００の法線６１方向と、この基板２００に対して注入される酸素イオンの注入方向６２とが交差する角度（法線６１方向と注入方向６２とがなす角度）である。つまり、基板２００を傾ける角度である。
【０１１９】
具体的には、ステージ６０がなす面の広がり方向が基準（たとえば水平）に対してなす角度が変化するように、このステージ６０の傾斜角度を角度θ２だけ変化させることによって調整することができる。
【０１２０】
基板２００に対する酸素イオンの注入に際して、ステージ６０すなわち基板２００の面方向のツイスト角やチルト角を調整することにより、基板２００に対して所望の位置および深さに酸素イオンを注入することができる。
【０１２１】
例えば、チルト角（θ２）が０（ゼロ）度である場合、酸素イオンが基板２００を突き抜けてしまう（通過してしまう）確率と、シリコン原子に衝突して意図している位置（および深さなど）に酸素イオンを注入できない確率と、が高くなる傾向にある。
【０１２２】
これに対し、チルト角（θ２）を調整することにより、酸素イオンが基板２００を突き抜けてしまう確率を低くすることができるとともに、意図している位置に酸素イオンを注入できる確率を高めることができる。これにより、意図している位置に酸素イオンが注入された、目的とする構造を備えた時計部品を製造することができる。
【０１２３】
［酸素イオンの注入位置と酸化物化のプロファイルの説明：図９］
次に、酸素イオンのイオン注入量プロファイルと酸化物化プロファイルについて説明する。
図９は、図２に示したひげぜんまい１０のぜんまい部１１に対する酸素イオンの注入位置と、その後の加熱処理による酸化物化によって形成されるシリコン酸化物の状態を示す説明図である。
この図９に示す例では、シリコンの母材の厚さ方向における中央部分を酸素イオンの注入位置としている。
図９において、符号４０は、イオン注入された酸素イオン、符号５０は、熱処理により加熱して酸素イオンがシリコンと反応してシリコン酸化物化した状態（すなわち、すでに説明した識別模様５、１５、２５、３５に相当）である。
【０１２４】
図９（ａ）は、図９（ｂ）よりも、酸素イオン４０の注入状態の違いによる酸素イオン４０の注入量の変化が急であって、酸素イオン４０の注入量が局所的に高い例を示している。
【０１２５】
図９（ａ）に示すように、局所的に酸素イオン４０の注入量が高くなるように、局所的
に集中して酸素イオン４０の注入を行うと、イオン注入量プロファイルは急峻になる。加熱した後に形成されるシリコン酸化物５０は、酸素イオンを集中的に注入した帯状部分のみに現れた状態になる。そのときのシリコン酸化物５０の酸化物化プロファイルである酸化強度は、酸素イオン４０の注入量が高い位置が局所的に強くなり、イオン注入量が少ない位置が弱くなる。
【０１２６】
一方、図９（ｂ）は、図９（ａ）よりも、酸素イオン４０の注入状態の違いによる酸素イオン４０の注入量の変化が緩やかで、酸素イオン４０を注入する位置の幅が広い例を示している。
【０１２７】
図９（ｂ）に示すように、酸素イオン４０がシリコン製の母材の中でばらけるようにイオン注入を行うと、酸素イオン４０の注入量の変化が緩やかになり、イオン注入量プロファイルも緩やかになる。加熱した後に形成されるシリコン酸化物５０も、酸素イオンを注入した部分を反映して幅の広い状態になる。そのときにシリコン酸化物５０の酸化強度も緩やかになる。すなわち、シリコン酸化物５０は、ひげぜんまい１０を構成するシリコンの母材の広い範囲に分布するようになる。
【０１２８】
このとき、シリコンがどの程度シリコン酸化物化したかを表すものが酸化強度である。
この酸化強度（酸化の強弱）と分布の状態を表すものを、酸化物化プロファイルという。
酸化物化プロファイルは、シリコン製の母材にどのように酸素イオンを注入するかで決まる。この酸素イオンの注入の濃度（注入量の多少）と分布の状態を表すものを、イオン注入量プロファイルという。
【０１２９】
すでに説明した時計部品は、内部の酸化強度と表面の酸化強度とを異ならせている。すなわち、この時計部品において、シリコンがシリコン酸化物化している割合が、この時計部品の内部と表面とで異なっている（酸化物化プロファイルを有する。）。
【０１３０】
これにより、時計部品における酸化の度合いを、時計部品全体にわたって一定（均一）とするのではなく、時計部品中の場所によって（内部か表面かによって）変化させている。上述のように、時計部品の表面から内部に向かって、又は時計部品の内部から表面に向かって、シリコンがシリコン酸化物化している割合が多くなる時計部品とすることができる。
【０１３１】
しかし、そのシリコン酸化物化している割合を時計部品全体にわたってほぼ一定とすることもできる。その例を、図９（ｃ）に示す。
この例は、図９（ｂ）よりも、さらに酸素イオン４０の注入状態の違いによる酸素イオン４０の注入量の変化が緩やかで、酸素イオン４０を注入する位置の幅がさらに広くなっている。
【０１３２】
図９（ｃ）に示すように、酸素イオン４０がシリコン製の母材の中でさらにばらけるように、すなわちシリコン製の母材の中にほぼ均等に酸素イオンが存在するようにイオン注入を行うと、多少の酸化物化プロファイルを持つものの、シリコン製の母材のほぼ全体をシリコン酸化物化することもできる。そうすると、ひげぜんまい１０をシリコン酸化物で形成したものに近い状態にすることもできる。
【０１３３】
この例においては、時計部品において、シリコンの割合が減ったため、シリコンの温度特性とシリコン酸化物の温度特性とで互いに打ち消すことができないが、厳しい温度特性を要求されず、強度を優先したい時計部品、例えば、時計内のムーブメントを固定するフレームや輪列押さえ（輪列機構を押さえる板部材）などに用いることができる。
【０１３４】
また、知られているように、シリコン酸化物を熱酸化やＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：化学気相成長）法で形成するとき、目的とする膜厚が厚くなると、その形成が長時間になってしまう。これは、熱酸化の場合は所定の膜厚以上になると酸化が進行しにくくなるためであり、ＣＶＤ法の場合は、所定のレートでシリコン酸化物を堆積するため、形成したい膜厚が厚いと時間も長くなるためである。
【０１３５】
しかしながら、酸素イオンを注入し、熱処理を施してなる製造方法であれば、図９（ｃ）に示す例のように、時計部品の厚さがどのような厚さであっても、上述のように、酸素イオンを注入する部位の深さ方向に対して、酸素イオンをばらけさせて注入すれば、そのほぼすべてをシリコン酸化物化できる。熱酸化技術、ＣＶＤ法よりも短時間で形成できるほか、それらの技術では形成できないか長大な時間が掛る厚さ（例えば、１００μｍを超える場合など）のシリコン酸化物も形成可能なのである。
【０１３６】
以上、図９を用いて、シリコン製の母材の所定位置に酸素イオンを注入させる手法を説明した。
このように、酸素イオンを局所に集中して注入するか、広い範囲にわたって注入するかを調整することにより、時計部品におけるシリコン酸化物の酸化強度の変化を調整することができる。そして、このように、単一の時計部品内において酸化の進行（酸化度合）を変化させることにより、単一の時計部品においてシリコンの温度特性を発揮する部分とシリコン酸化物の温度特性を発揮する部分とを設けることができ、環境温度変化に対する高い温度補償性能を確保することができる。もちろん、シリコン酸化物はシリコンの母材よりも強度が高いから、時計部品の強度も向上させることができる。
【０１３７】
［酸素イオン注入の例の説明］
次に、すでに説明した時計部品に識別模様を形成する際のプロセスの条件（酸素イオンの打ち込み角度、その注入量、加速電圧）の例を説明する。もちろん、以下説明するプロセス条件は、シリコン製の母材の厚さ方向の寸法も関係しているため一例であるが、例えば、図２（ｂ）に示す厚さ寸法ｔが５０μｍ〜１００μｍである場合を想定している。なお、酸素イオン注入する場所は、マスクなどを施した上で、注入場所を決めて行うものとする。また、注入したい部分の形状等により、所定のツイスト角（θ１）から角度を変えながら注入する、いわゆる回転注入やステップ注入も、必要に応じて行ってもよい。
【０１３８】
図３（ｂ）に示すひげ持１３に対して、酸素イオンを注入するプロセスの条件は、表面１３ａ側からイオン注入するとし、例えば、酸素イオンの注入量を１Ｅ１７〜１Ｅ１８［ｉｏｎ／ｃｍ２］、加速電圧を２０ｋｅＶに設定し、ツイスト角（θ１）を２２度、チルト角（θ２）を７度に設定する。
【０１３９】
図３（ｃ）に示すひげ持１３に対して、酸素イオンを注入するプロセスの条件は、表面１３ａ側からイオン注入するとし、例えば、酸素イオンの注入量を１Ｅ１７〜１Ｅ１８［ｉｏｎ／ｃｍ２］、ツイスト角（θ１）を２２度、チルト角（θ２）を７度に設定する。識別模様５ａを形成するときは、加速電圧を２０ｋｅＶに設定し、識別模様５ｂを形成するときは、加速電圧を２００ｋｅＶに設定する。
【０１４０】
なお、識別模様５ｂを形成するために行う酸素イオン注入は、裏面１３ｂ側から行ってもよく、この場合、加速電圧は２０ｋｅＶとすればよい。
【０１４１】
図３（ｄ）に示すひげ持１３に対して、酸素イオンを注入するプロセスの条件は、表面１３ａ側からイオン注入するとし、例えば、酸素イオンの注入量を１Ｅ１７〜１Ｅ１８［ｉｏｎ／ｃｍ２］、加速電圧を２０〜２００ｋｅＶに設定し、ツイスト角（θ１）を２２
度、チルト角（θ２）を０〜４５度に設定する。
【０１４２】
そして、チルト角（θ２）を０〜４５度の範囲の中で一定の角度とし、加速電圧を２０〜２００ｋｅＶの範囲の中で変化させながら酸素イオンを注入する。
または、加速電圧を２０〜２００ｋｅＶの範囲の中で一定にして、チルト角（θ２）を０〜４５度の範囲の中で変化させながら酸素イオンを注入してもよい。
【０１４３】
図４（ｂ）に示すひげ持１３に対して、酸素イオンを注入するプロセスの条件は、表面１３ａ側からイオン注入するとし、例えば、酸素イオンの注入量を１Ｅ１７〜１Ｅ１８［ｉｏｎ／ｃｍ２］、加速電圧を２００ｋｅＶに設定し、ツイスト角（θ１）を２２度、チルト角（θ２）を６度以下に設定する。
【０１４４】
図５（ｂ）、図５（ｃ）、図５（ｅ）、図５（ｆ）、図５（ｈ）、図５（ｉ）、図５（ｋ）に示すぜんまい部１１の例は、上述の図３（ｂ）〜図３（ｄ）、図４（ｂ）のひげ持１３に対して行うプロセス条件を応用することができるので、説明を省略する。
【０１４５】
図５（ｌ）に示すぜんまい部１１に対して、酸素イオンを注入するプロセスの条件は、表面１１ａ側からイオン注入するとし、例えば、酸素イオンの注入量を１Ｅ１７〜１Ｅ１８［ｉｏｎ／ｃｍ２］、ツイスト角（θ１）を２２度、チルト角（θ２）を７度に設定する。識別模様２５ｋを形成するときは、加速電圧を４０ｋｅＶに設定し、識別模様２５ｍを形成するときは、加速電圧を２００ｋｅＶに設定する。
【０１４６】
なお、識別模様２５ｍを形成するために行う酸素イオン注入は、裏面１１ｂ側から行ってもよく、この場合、加速電圧は４０ｋｅＶとすればよい。
【０１４７】
図７に示す、アルファベット「Ｃ」や漢字「日」の形成にかかる酸素イオンの注入プロセスは、すでに説明したプロセス条件を応用して実施する。ひげぜんまい１０に設ける酸素イオン注入用のマスクを工夫して、例えば、図７（ａ）に示すアルファベット「Ｃ」の場合は、ぜんまい部１１の４つの外表面のうち連続する３つの面に酸素イオンを注入し、残余の１つの面には酸素イオンを注入しないことによって実現することができる。
また、図７（ｂ）に示す漢字「日」の場合は、ぜんまい部１１の４つの外表面のうち連続する４つの面に酸素イオンを注入し、図５（ｋ）の構成をなすときの条件を応用すればよい。
【０１４８】
［時計部品の製造方法の説明１：図１０］
次に、時計部品を製造する方法を説明する。説明にあっては、時計部品の例として図２に示すひげぜんまい１０のひげ持１３とぜんまい部１１の最外周部分との断面を例にする。識別模様は、酸素イオンを注入し熱処理を行って形成する例を用い、ひげ持の表面に形成する例（図３（ｂ）参照）で説明する。
【０１４９】
製造方法は、第１〜第３の３つの製造方法を図１０、図１１、図１２を用いて説明する。
第１の製造方法は、２つの単結晶シリコン層の間にシリコン酸化膜を挟んだＳＯＩ基板を用いる例であって、時計部品の形状を形成した後に、所定の部位に酸素イオンを注入する例である。
第２の製造方法は、ＳＯＩ基板を用いる例であって、時計部品の形状を形成する前に、所定の部位に酸素イオンを注入する例である。
第３の製造方法は、単結晶シリコン基板を用いる例であって、時計部品の形状を形成する前に、所定の部位に酸素イオンを注入する例である。
【０１５０】
［第１の製造方法の説明：図１０］
先ず、第１の製造方法を説明する。
図１０（ａ）に示すように、ベースとなる単結晶シリコンからなる支持層２０の上部に、シリコン酸化膜からなる酸化膜２１を備え、この酸化膜２１の上部に単結晶シリコンからなる活性層２２を有する、ＳＯＩ基板２０１を用意する。なお、時計部品は、この活性層２２に形成される。
【０１５１】
次に、図１０（ｂ）に示すように、活性層２２の上部に時計部品の形状に基づいたマスク３０を形成する。マスク３０は、例えば、フォトレジストである。
【０１５２】
次に、図１０（ｃ）に示すように、マスク３０のマスクパターンを活性層２２に設けるために、活性層２２の余剰部分をエッチング除去する。活性層２２へのエッチングは、深掘りＲＩＥ技術によるドライエッチングにより行う。このとき用いるエッチングガスは、例えば、ＳＦ６（六フッ化硫黄）とＣ４Ｆ８（八フッ化シクロブタン）との混合ガス（ＳＦ６＋Ｃ４Ｆ８）を用いることができる。図１０（ｃ）では、エッチングガスが矢印Ｇの方向から到来する様子を示している。
【０１５３】
図１０（ｄ）に示すように、深掘りＲＩＥ技術を用いたドライエッチングにより、マスク３０の形状を反映した活性層２２が形成される。深掘りＲＩＥ技術により、マスク３０の下側にはエッチングが進行していない。
【０１５４】
次に、図１０（ｅ）に示すように、公知の手法でマスク３０を除去した後、活性層２２の上部に、酸素イオンをイオン注入したい部分が開口した開口部３５ａを有するマスク３５を形成する。マスク３５は、例えば、フォトレジストである。
【０１５５】
次に、図１０（ｆ）に示すように、すでに説明した、酸素イオンの注入量、打ち込み角度、加速電圧を設定し、望むイオン注入量プロファイルとなるように、酸素イオンをイオン注入する。図１０（ｆ）では、酸素イオンが矢印Ｆの方向から到来する様子を示している。すると、活性層２２の酸素イオンを注入したい部分に酸素イオン４０が注入される。
【０１５６】
次に、図１０（ｇ）に示すように、公知の手法でマスク３５を除去した後、酸化膜２１を除去する。この酸化膜２１の除去は、例えば、フッ酸を用いたウェットエッチングを行う。フッ酸は、シリコン酸化膜はエッチングできるがシリコンはエッチングされないため、酸化膜２１のみをエッチング除去できる。この手法は、一般的にリフトオフ工程と呼ばれる。このリフトオフ工程により、時計部品の形状が形成される。
なお、活性層２２の内部にイオン注入された酸素イオン４０は、シリコンと反応していないため、フッ酸を用いてウェットエッチングしても除去されない。
【０１５７】
このリフトオフ工程により、活性層２２と支持層２０とが分離されるが、時計部品（活性層２２）は、図１０には図示しないが、例えば、図８に示す支持部２２１により枠部２２０と接続されており、時計部品のみ落下することはない。
【０１５８】
次に、図１０（ｈ）に示すように、熱処理を行って酸素イオン４０と周囲のシリコンとを反応させてシリコン酸化物化させる。この熱処理は熱酸化ともいい、１１００℃に加熱する。加熱時間は、望む熱酸化プロファイルにより変わるので数値は省略する。これにより、識別模様５が形成され、時計部品（ひげぜんまい１０）が完成する。
【０１５９】
［第２の製造方法の説明：図１１］
次に、第２の製造方法を説明する。
図１１（ａ）に示すように、第１の製造方法と同様な、支持層２０、酸化膜２１、活性
層２２を有する、ＳＯＩ基板２０１を用意する。
【０１６０】
次に、図１１（ｂ）に示すように、活性層２２の上部に、酸素イオンをイオン注入したい部分が開口した開口部３５ａを有するマスク３５を形成する。マスク３５は、例えば、フォトレジストである。
【０１６１】
次に、図１１（ｃ）に示すように、すでに説明した、酸素イオンの注入量、打ち込み角度、加速電圧を設定し、望むイオン注入量プロファイルとなるように、酸素イオンをイオン注入する。図１１（ｃ）では、酸素イオンが矢印Ｆの方向から到来する様子を示している。すると、活性層２２の酸素イオンを注入したい部分に酸素イオン４０が注入される。
【０１６２】
次に、図１１（ｄ）に示すように、マスク３５を除去した後、活性層２２の上部に時計部品の形状に基づいたマスク３０を形成する。マスク３０は、例えば、フォトレジストである。
【０１６３】
次に、図１１（ｅ）に示すように、マスク３０のマスクパターンを活性層２２に設けるために、活性層２２の余剰部分をエッチング除去する。活性層２２へのエッチングは、深掘りＲＩＥ技術によるドライエッチングにより行う。このとき用いるエッチングガスは、第１の製造方法と同様に、混合ガス（ＳＦ６＋Ｃ４Ｆ８）を用いる。図１１（ｅ）の矢印Ｇは、エッチングガスの到来方向を示すものである。
そして、図１１（ｆ）に示すように、マスク３０の形状を反映した活性層２２が形成される。
【０１６４】
次に、図１１（ｇ）に示すように、リフトオフ工程により、酸化膜２１を除去する。この酸化膜２１の除去は、例えば、フッ酸を用いたウェットエッチングを行う。このリフトオフ工程を行っても、第１の製造方法と同様に、時計部品のみが落下することはない。
【０１６５】
次に、図１１（ｈ）に示すように、熱処理を行って酸素イオン４０と周囲のシリコンとを反応させてシリコン酸化物化させる。この熱処理は１１００℃に加熱する。加熱時間は、望む熱酸化プロファイルにより変わるので数値は省略する。これにより、識別模様５が形成され、時計部品（ひげぜんまい１０）が完成する。
【０１６６】
［第３の製造方法の説明：図１２］
次に、第３の製造方法を説明する。
図１２（ａ）に示すように、単結晶シリコンからなるシリコン単結晶基板２０２を用意する。このようなシリコン単結晶基板は、バルク基板とも呼ばれている。このシリコン単結晶基板２０２の表面に時計部品を形成する。
【０１６７】
次に、図１２（ｂ）に示すように、シリコン単結晶基板２０２の上部に時計部品の形状に基づいたマスク３０を形成する。マスク３０は、例えば、フォトレジストである。
【０１６８】
次に、図１２（ｃ）に示すように、マスク３０のマスクパターンをシリコン単結晶基板２０２に設けるために、シリコン単結晶基板２０２の上部の余剰部分をエッチング除去する。シリコン単結晶基板２０２へのエッチングは、深掘りＲＩＥ技術によるドライエッチングにより行う。このとき、エッチング時間を制御することにより、シリコン単結晶基板２０２の厚さ方向における途中、仮想線Ｑまでエッチングにより除去する、いわゆるハーフエッチングを行う。
【０１６９】
シリコン単結晶基板２０２の表面から仮想線Ｑまでの厚さは、図２（ｂ）に示す時計部品の厚さ寸法ｔと同じとすると、時計部品のさらなる形状加工の工程が不要となり便利で
ある。
【０１７０】
深掘りＲＩＥ技術に用いるエッチングガスは、例えば、ＳＦ６（六フッ化硫黄）とＣ４Ｆ８（八フッ化シクロブタン）との混合ガス（ＳＦ６＋Ｃ４Ｆ８）を用いることができる。図１２（ｃ）では、エッチングガスが矢印Ｇの方向から到来する様子を示している。
【０１７１】
次に、図１２（ｄ）に示すように、マスク３０を除去した後、シリコン単結晶基板２０２の上部に、酸素イオンをイオン注入したい部分が開口した開口部３５ａを有するマスク３５を形成する。マスク３５は、例えば、フォトレジストである。
【０１７２】
次に、図１２（ｅ）に示すように、すでに説明した、酸素イオンの注入量、打ち込み角度、加速電圧を設定し、望むイオン注入量プロファイルとなるように、酸素イオンをイオン注入する。図１２（ｅ）では、酸素イオンが矢印Ｆの方向から到来する様子を示している。すると、シリコン単結晶基板２０２の酸素イオンを注入したい部分に酸素イオン４０が注入される。
【０１７３】
次に、図１２（ｆ）に示すように、マスク３５を除去した後、熱処理を行う。熱処理は、酸素イオン４０と周囲のシリコンとを反応させてシリコン酸化物化させるために行うもので、１１００℃に加熱する。加熱時間は、望む熱酸化プロファイルにより変わるので数値は省略する。これにより、識別模様５が形成される。
【０１７４】
次に、図１２（ｇ）に示すように、シリコン単結晶基板２０２の表面に、保護膜３６を形成する。保護膜３６は、ハーフエッチングにより形成した、時計部品のパターンを保護するために用いるものである。
【０１７５】
その後、シリコン単結晶基板２０２の裏面からシリコン単結晶基板を除去する。これはシリコン単結晶基板２０２から時計部品を切り出すために行うものである。
裏面から行うシリコン単結晶基板２０２のシリコンの除去は、公知の技術を用いることができる。例えば、エッチング技術や研磨剣術である。一例をあげると、エッチングで除去する場合は、ＨＮＯ３＋ＨＦ（フッ硝酸）等を用いたウェットエッチング、深掘りＲＩＥ技術を用いたドライエッチングを用いることができる。研磨で除去する場合は、ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ：化学機械研磨）法などを用いることができる。もちろん、それらの技術を組み合わせてもよい。
【０１７６】
シリコン単結晶基板２０２の裏面をどのような技術で除去するかは、時計部品のサイズや仕様、製造コストなどに鑑みて自由に選べるが、選択した技術に対応した保護膜３６を用いることは無論である。なお、選択した保護膜３６により、シリコン単結晶基板２０２の表面における保護膜３６の膜厚や被覆形状が変わることも無論である。
【０１７７】
例えば、ＣＭＰ法で除去する場合は、図１２（ｇ）例示したように、保護膜３６をシリコン単結晶基板２０２の表面が平坦になるように形成するとよい。この保護膜３６側がＣＭＰ法を行う加工装置において、シリコン単結晶基板２０２を載置するステージの方向となるからである。
【０１７８】
また、ウェットエッチングでシリコン単結晶基板２０２の裏面を除去する場合には、シリコン単結晶基板２０２の表面が必ずしも平坦となる必要はなく、保護膜３６は表面形状に沿った膜としてもよい。例えば、薄い酸化膜等を用いることができる。なお、ウェットエッチングを行う際に、シリコン単結晶基板２０２の表面側にエッチング液が回り込まないように保護する公知の治具を用いてもよい。
【０１７９】
そして、選択したシリコン単結晶基板２０２の除去技術を用いて、エッチング時間や除去時間などの加工時間を制御して、シリコン単結晶基板２０２の厚さ方向に向かってシリコンを除去し、仮想線Ｑの位置まで除去する。
【０１８０】
このシリコン単結晶基板２０２の裏面除去により、時計部品が切り出されるが、時計部品は、すでに説明した製造方法と同様に、図１２には図示しない支持部２２１（図８参照）により枠部２２０（図８参照）と接続されており、時計部品のみ落下することはない。最後に、保護膜３６を除去することにより、図１２（ｈ）に示すように、時計部品（ひげぜんまい１０）が完成する。
【０１８１】
以上、第１から第３の製造方法を説明したが、本発明の時計部品の製造方法はこれに限定されるものではなく、改良や工程の組み合わせが可能である。
【０１８２】
本実施形態では、識別模様の形成に際して、シリコン製の母材に酸素イオンを注入して熱処理を施してシリコン酸化物を形成する製造方法について詳しく説明したが、これに限定するものではない。
【０１８３】
例えば、熱酸化やＣＶＤ法でシリコン酸化物を形成し、これを識別模様としてもよい。その際は、耐酸化マスクとして知られる窒化物にてシリコン酸化物を形成しない箇所をマスキングし、選択的にシリコン酸化物を形成すればよい。
【０１８４】
すでに説明したように、シリコンがどの程度シリコン酸化物化したかを表すものが酸化強度である。上述の熱酸化の場合、形成したシリコン酸化物の内部では酸化強度は一様であるが、時計部品としてみたとき、酸化強度の違いは、シリコン酸化物の分布の違いとして表すことができる。例えば、シリコン製の母材の表面にシリコン酸化物を形成したとき、平面的にシリコンの部分とシリコン酸化物の部分とがあるから、その違いが酸化強度として表すことができる。
【０１８５】
上述のＣＶＤ法の場合は、形成したシリコン酸化物の内部の酸化強度を一定とすることも、変えることもできる。例えば、通常は、炉（ベルジャ）の中にガス化したモノシラン（ＳｉＨ４）と酸素とを所定のガス流量で入れて反応させ、シリコン酸化物を形成してなるが、処理中に酸素ガスのガス流量を変更することで、形成する膜厚方向で酸化強度を変えることができる。例えば、酸素ガスのガス流量を段階的又は徐々に減らすことで、膜厚方向で酸化強度を弱くすることができる。
【０１８６】
なお、このような熱酸化やＣＶＤ法で形成すると、目的とするシリコン酸化物の厚さが厚くなってしまう場合がある。そうすると、時計部品としてその外形形状変わってしまうことがあるが、その場合には、シリコン酸化物を形成したい箇所の寸法をあらかじめ所望の大きさより小さく形成する（例えば、シリコン製の母材の表面に形成する場合は、その高さ方向を小さくしておく）、シリコン酸化物を形成したい箇所に溝部を形成してシリコン製の母材の深さ方向の寸法を小さくしておくなどすればよい。
【０１８７】
また、以上の説明は、時計部品の例として、ひげぜんまいを例示して行ったが、もちろん本発明の時計部品はこれに限定しない。例えば、図１に示す輪列１０５を構成する二番車１１０、三番車１１１、四番車１１２、がんぎ車１０６などの歯車であってもよい。
【０１８８】
このとき、歯車においては、図示はしないが、例えば、軸支部分の周縁部をシリコン酸化物化する。これにより、歯車を軸支する軸と歯車とが接触したり擦れ合ったりすることによる周縁部の摩耗を抑制することができる。
【０１８９】
また、歯車においては、図示はしないが、例えば、外周縁部をシリコン酸化物化してもよい。歯車の外周縁部は、いわゆる歯先であり、別の歯車などと接触したり擦れ合ったり衝突したりする部分であるから、これにより、外周縁部の摩耗や損傷（いわゆる歯車の歯欠け）を抑制することができる。
【０１９０】
また、歯車においては、図示はしないが、歯車の上端面（表側扁平面）や下端面（下側の扁平面）をシリコン酸化物化してもよい。これにより、軸心方向において歯車に接触あるいは対向する別の時計部品と接触したり衝突したりすることによる摩耗や損傷を抑制することができる。
【０１９１】
さらにまた、時計部品の他の例としては、がんぎ車１０６と噛み合うアンクル１０７としてもよい。知られているように、アンクルは、がんぎ車の歯との接触部分には、爪石と呼ばれる石が埋め込まれている。本発明の時計部品は、爪石を含んだ形状にアンクルを形成し、爪石に相当する部分をシリコン酸化物化する。これにより、爪石と同様の効果を得ることができる。もちろん、爪石そのものが不要となるから、部品点数の低減に加え、アンクルの製造工程を簡略化できるというメリットもある。
【０１９２】
このように、所望の位置にシリコン酸化物を設けた時計部品を用いて機械式時計の駆動機構を構成することにより、計時の精度を確保して、歩度調整を不要とすることができる。また、歩度調整を不要とすることにより、歩度調整を実現するための緩急機構を不要とすることができるので、このような時計部品により構成された駆動機構を備えた機械式時計の小型化を図ることができる。
【産業上の利用可能性】
【０１９３】
本発明の時計部品は、シリコン製の時計部品の識別が可能であり、組み立てやすく模倣対策もでき、さらに強度と温度特性も向上できる。ゆえに、小型軽量で温度特性や耐衝撃性を重視する、機械式の腕時計に好適である。
【符号の説明】
【０１９４】
５、１５、２５、３５  識別模様
１０  ひげぜんまい
１１  ぜんまい部
１２  ひげ玉
１３  ひげ持
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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