(57)【要約】      （修正有）【課題】抵抗値調整の高い精度が得られると共に、トリム時間のスループットも向上させることができる電子デバイスの抵抗値調整方法を提供する。【解決手段】絶縁性基材２と、抵抗膜３と、複数の櫛部４ａを有して形成された櫛形電極４とを備えた電子デバイス１の抵抗値調整方法であって、電子デバイスの抵抗値を測定する工程と、レーザ光を照射して櫛部４ａを切断する粗調整工程と、該工程後に、レーザ光を照射して抵抗膜を切断する微調整工程とを有する。粗調整工程で、切断した際に電子デバイスの抵抗値が目標抵抗値になる櫛部４ａの切り離し長さの全長を計算で求め、切り離し長さの全長よりも短い切り離し長さとなる位置及び本数で櫛部４ａの切断を行い、微調整工程で、電子デバイスの抵抗値を測定しながら、電子デバイスの抵抗値が目標抵抗値になるまで抵抗膜３の切断を行う。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性基材と、前記絶縁性基材上に形成された抵抗膜と、前記抵抗膜上に複数の櫛部を有して互いに対向してパターン形成された一対の櫛形電極とを備えた電子デバイスの抵抗値を調整する方法であって、
前記電子デバイスの抵抗値を測定する工程と、
レーザ光を照射して複数の前記櫛部のうち一部を切断して前記櫛形電極から切り離す粗調整工程と、
前記粗調整工程後に、レーザ光を照射して前記抵抗膜の一部を隣接する前記櫛部の間で切断する微調整工程とを有し、
前記粗調整工程で、切断した際に前記電子デバイスの抵抗値が目標抵抗値になる前記櫛部の切り離し長さの全長を計算で求め、前記切り離し長さの全長よりも短い切り離し長さとなる位置及び本数で前記櫛部の切断を行い、
前記微調整工程で、前記電子デバイスの抵抗値を測定しながら、前記電子デバイスの抵抗値が前記目標抵抗値になるまで前記抵抗膜の切断を行うことを特徴とする電子デバイスの抵抗値調整方法。
【請求項２】
請求項１に記載の電子デバイスの抵抗値調整方法において、
測定対象の前記電子デバイスが載置される試料台上に設置された前記電子デバイスと同構造の基準素子の抵抗値を測定する工程を備え、
前記目標抵抗値が、前記基準素子の抵抗値であることを特徴とする電子デバイスの抵抗値調整方法。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の電子デバイスの抵抗値調整方法において、
前記粗調整工程で、前記櫛部を基端部で切断することを特徴とする電子デバイスの抵抗値調整方法。
【請求項４】
請求項３に記載の電子デバイスの抵抗値調整方法において、
前記粗調整工程で、基端部が隣接する２つの前記櫛部を切断する際に、前記隣接する前記櫛部の一方を切断した後に、前記隣接する２つの前記櫛部間の前記抵抗膜も連続して切断し、さらに前記隣接する前記櫛部の他方を連続して切断することを特徴とする電子デバイスの抵抗値調整方法。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか一項に記載の電子デバイスの抵抗値調整方法において、
前記電子デバイスが、前記絶縁性基材を絶縁性フィルムとし、前記抵抗膜をサーミスタ薄膜とした薄膜サーミスタ素子であることを特徴とする電子デバイスの抵抗値調整方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄膜サーミスタ素子等の電子デバイスにレーザ光を照射して所望の抵抗値に合わせるトリミングを行う電子デバイスの抵抗値調整方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、温度検出用や温度補償用として用いられている薄膜あるいは厚膜タイプのサーミスタとしては、絶縁性基板（シリコン基板やアルミナ基板等）上に感温抵抗膜であるサーミスタ部を形成し、その両端に端子電極部を形成した構造のものが知られている。このようなサーミスタを含む感温抵抗膜等の抵抗値精度を向上させる手段として、従来、抵抗薄膜である感温抵抗膜（サーミスタ膜）やその表面に形成された櫛形電極（櫛歯電極とも言う）をレーザトリミングして調整する方法が知られている。特に、近年はサブミクロンの膜から形成される薄膜素子や薄膜サーミスタ素子、温度係数の大きな素子をレーザトリミングして抵抗値調整するニーズがある。
【０００３】
例えば、特許文献１には、ＮＴＣサーミスタ薄膜と、ＮＴＣサーミスタ薄膜上に設けられた電極対とからなる薄膜ＮＴＣサーミスタ素子の製造方法について、電極対に、レーザ光を照射してその一部を切断して薄膜サーミスタ素子の抵抗値調整を行うためのトリミング用電極パターンを設けたものが記載されている。この方法では、抵抗値の目標値より１０％程度小さくなるようにサーミスタ薄膜の形成及び電極パターニングを行い、次に実際のサーミスタ素子の抵抗値を測定した後、目標値からのずれに対応させた長さだけレーザ光でトリミング用電極パターンをカットしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０００−３４８９１１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記従来の技術には、以下の課題が残されている。
すなわち、特許文献１に記載の方法では、予めトリム位置を計算した理論値（設計値）に基づいてトリムするが、実際には櫛形電極のＬＩＮＥ  ａｎｄ  Ｓｐａｃｅのばらつきやパターン欠陥等により、理論値に基づいた位置で切断すると、避けられない抵抗値誤差が生じてしまう不都合があった。
また、薄膜サーミスタの抵抗値調整を電極トリムで行う際、櫛形電極間のスペースとサーミスタ膜の厚みとの比率（スペース／厚み）が小さい場合、単純な平行平板モデルによる計算が可能となるが、上記比率が大きくなると、平行平板モデルによる単純な計算結果との乖離が大きくなる。例えば、電界シミュレーションの計算値が正しいとすると、平行平板モデルによる計算値と電界シミュレーション計算値との抵抗値誤差は、上記比率が３０の場合（膜が薄い場合）は０．６％程度となるが、上記比率が３の場合（膜が厚い場合）は３７％程度となり、平行平板モデルの単純計算ではサーミスタ膜の厚さに応じて誤差が大きくなってしまい、トリミング後の実際の抵抗値と計算による抵抗値とでずれが生じてしまう不都合があった。
【０００６】
本発明は、前述の課題に鑑みてなされたもので、抵抗値調整の高い精度が得られると共に、トリム時間のスループットも向上させることができる電子デバイスの抵抗値調整方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、前記課題を解決するために以下の構成を採用した。すなわち、第１の発明に係る電子デバイスの抵抗値調整方法は、絶縁性基材と、前記絶縁性基材上に形成された抵抗膜と、前記抵抗膜上に複数の櫛部を有して互いに対向してパターン形成された一対の櫛形電極とを備えた電子デバイスの抵抗値を調整する方法であって、前記電子デバイスの抵抗値を測定する工程と、レーザ光を照射して複数の前記櫛部のうち一部を切断して前記櫛形電極から切り離す粗調整工程と、前記粗調整工程後に、レーザ光を照射して前記抵抗膜の一部を隣接する前記櫛部の間で切断する微調整工程とを有し、前記粗調整工程で、切断した際に前記電子デバイスの抵抗値が目標抵抗値になる前記櫛部の切り離し長さの全長を計算で求め、前記切り離し長さの全長よりも短い切り離し長さとなる位置及び本数で前記櫛部の切断を行い、前記微調整工程で、前記電子デバイスの抵抗値を測定しながら、前記電子デバイスの抵抗値が前記目標抵抗値になるまで前記抵抗膜の切断を行うことを特徴とする。
【０００８】
この電子デバイスの抵抗値調整方法では、粗調整工程で、切断した際に電子デバイスの抵抗値が目標抵抗値になる櫛部の切り離し長さの全長を計算で求め、切り離し長さの全長よりも短い切り離し長さとなる位置及び本数で櫛部の切断を行い、微調整工程で、電子デバイスの抵抗値を測定しながら、電子デバイスの抵抗値が目標抵抗値になるまで抵抗膜の切断を行うので、高精度な抵抗値調整が可能であると共にトリム時間のスループットを向上させることができる。すなわち、設計値に基づいた計算で得た切り離し長さの全長よりも短くなる位置及び本数で櫛部を切断することで、抵抗値の粗調整を行い、微調整用の切りしろを残しておく。これによって、切りしろ分について実際の抵抗値を測定しながら抵抗膜の切断を行うことで、設計値に対して寸法等のばらつきがあっても、高精度な抵抗値調整が可能になる。なお、実際の抵抗値を測定しながら抵抗膜を切断する方法だけで抵抗値調整を行う場合、トリムする電子デバイスの抵抗値が目標抵抗値から大きく離れている場合では、長い時間で多くの抵抗膜をトリムする必要があるため、抵抗膜の発熱による抵抗値ドリフトが発生し、抵抗膜切断による抵抗値調整の精度が低下する。また、抵抗膜のトリムに時間がかかり、スループットが低下してしまう。しかしながら、本発明では、櫛形電極の櫛部の切断によって粗調整を行い、抵抗膜の切断によって微調整を行うので、抵抗膜をトリムする時間が短くて済み、発熱による抵抗値ドリフトを抑制することができると共に、スループットを向上させることができる。
【０００９】
第２の発明に係る電子デバイスの抵抗値調整方法は、第１の発明において、測定対象の前記電子デバイスが載置される試料台上に設置された前記電子デバイスと同構造の基準素子の抵抗値を測定する工程を備え、前記目標抵抗値が、前記基準素子の抵抗値であることを特徴とする。
すなわち、この電子デバイスの抵抗値調整方法では、同じ試料台上にあって測定対象の電子デバイスと同じ温度環境となる基準素子の抵抗値を目標抵抗値とするので、試料台の温度にも対応した目標抵抗値によって、より高精度に抵抗値調整を行うことができる。
【００１０】
第３の発明に係る電子デバイスの抵抗値調整方法は、第１又は第２の発明において、前記粗調整工程で、前記櫛部を基端部で切断することを特徴とする。
すなわち、この電子デバイスの抵抗値調整方法では、粗調整工程で、櫛部を基端部で切断するので、大きく抵抗値を増加させることができ、抵抗値の粗調整が容易になる。
【００１１】
第４の発明に係る電子デバイスの抵抗値調整方法は、第３の発明において、前記粗調整工程で、基端部が隣接する２つの前記櫛部を切断する際に、前記隣接する前記櫛部の一方を切断した後に、前記隣接する２つの前記櫛部間の前記抵抗膜も連続して切断し、さらに前記隣接する前記櫛部の他方を連続して切断することを特徴とする。
この電子デバイスの抵抗値調整方法では、粗調整工程で、基端部が隣接する２つの櫛部を切断する際に、隣接する櫛部の一方を切断した後に、隣接する２つの櫛部間の抵抗膜も連続して切断し、さらに隣接する櫛部の他方を連続して切断するので、櫛部を切断した際に生じる金属の飛散物によるショートを抑制することができる。
すなわち、櫛部の基端部をレーザ光で切断する際、近傍の櫛部の先端とこの先端に対向する櫛形電極の一部との間に金属の飛散物が付着してショートさせるおそれがあるが、基端部が隣接する２つの櫛部の間に介在する抵抗膜も連続して切断することで、基端部が隣接する２つの櫛部の間にある櫛部の先端とこの先端に対向する櫛形電極の一部との間に付着した飛散物が抵抗膜の切断時に除去され、ショートを抑制することができる。
【００１２】
第５の発明に係る電子デバイスの抵抗値調整方法は、第１から第４の発明のいずれかにおいて、前記電子デバイスが、前記絶縁性基材を絶縁性フィルムとし、前記抵抗膜をサーミスタ薄膜とした薄膜サーミスタ素子であることを特徴とする。
すなわち、この電子デバイスの抵抗値調整方法では、電子デバイスが、前記絶縁性基材を絶縁性フィルムとし、前記抵抗膜をサーミスタ薄膜とした薄膜サーミスタ素子であるので、高精度に抵抗値調整された薄膜サーミスタ素子が得られる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、以下の効果を奏する。
すなわち、本発明に係る電子デバイスの抵抗値調整方法によれば、粗調整工程で、切断した際に電子デバイスの抵抗値が目標抵抗値になる櫛部の切り離し長さの全長を計算で求め、切り離し長さの全長よりも短い切り離し長さとなる位置及び本数で櫛部の切断を行い、微調整工程で、電子デバイスの抵抗値を測定しながら、電子デバイスの抵抗値が目標抵抗値になるまで抵抗膜の切断を行うので、高精度な抵抗値調整が可能であると共にトリム時間のスループットを向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明に係る電子デバイスの抵抗値調整方法の第１実施形態において、抵抗値調整された電子デバイスの要部を示す平面図である。
【図２】第１実施形態において、レーザトリミング時の吸着プレート（試料台）を示す斜視図である。
【図３】第１実施形態において、レーザトリミング時の電子デバイスを示す斜視図である。
【図４】第１実施形態において、平行平板モデルによる計算方法を説明するための図である。
【図５】本発明に係る電子デバイスの抵抗値調整方法の第２実施形態において、抵抗値調整された電子デバイスの要部を示す平面図である。
【図６】図５の二点鎖線で囲んだ領域周辺において、レーザ光で切断された部分を示す拡大図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明に係る電子デバイスの抵抗値調整方法における第１実施形態を、図１から図４を参照しながら説明する。なお、以下の説明に用いる図面の一部では、各部を認識可能又は認識容易な大きさとするために必要に応じて縮尺を適宜変更している。
【００１６】
本実施形態の電子デバイス１の抵抗値調整方法は、図１及び図２に示すように、絶縁性基材２と、絶縁性基材２上に形成された抵抗膜３と、抵抗膜３上に複数の櫛部４ａを有して互いに対向してパターン形成された一対の櫛形電極４とを備えた電子デバイス１の抵抗値を調整する方法であって、電子デバイス１の抵抗値を測定する工程と、レーザ光Ｌを照射して複数の櫛部４ａのうち一部を切断して櫛形電極４から切り離す粗調整工程と、粗調整工程後に、レーザ光Ｌを照射して抵抗膜３の一部を隣接する櫛部４ａの間で切断する微調整工程とを有している。
【００１７】
上記粗調整工程では、切断した際に電子デバイス１の抵抗値が目標抵抗値になる櫛部４ａの切り離し長さの全長を計算で求め、切り離し長さの全長よりも短い切り離し長さとなる位置及び本数で櫛部４ａの切断を行う。
なお、粗調整工程では、櫛部４ａを基端部で切断することが好ましい。
また、微調整工程では、電子デバイス１の抵抗値を測定しながら、電子デバイス１の抵抗値が目標抵抗値になるまで抵抗膜３の切断を行う。
【００１８】
また、この電子デバイス１の抵抗値調整方法は、測定対象の電子デバイス１が載置される吸着プレート（試料台）５上に設置された電子デバイス１と同構造の基準素子１Ａの抵抗値を測定する工程を備え、目標抵抗値が、基準素子１Ａの抵抗値とされる。
【００１９】
上記電子デバイス１は、フィルム型サーミスタセンサであって、図３に示すように、絶縁性基材２を絶縁性フィルムとし、抵抗膜３をサーミスタ薄膜とした薄膜サーミスタ素子である。
上記絶縁性基材２は、例えば厚さ７．５〜１２５μｍのポリイミド樹脂シートで矩形状に形成されている。なお、絶縁性基材２としては、他にＰＥＴ：ポリエチレンテレフタレート，ＰＥＮ：ポリエチレンナフタレート等でも構わない。
【００２０】
上記抵抗膜３は、例えばＴｉＡｌＮのサーミスタ材料で形成されているサーミスタ薄膜である。特に、このサーミスタ薄膜は、一般式：ＴｉｘＡｌｙＮｚ（０．７０≦ｙ／（ｘ＋ｙ）≦０．９５、０．４≦ｚ≦０．５、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）で示される金属窒化物からなり、その結晶構造が、六方晶系のウルツ鉱型の単相である。
上記絶縁性基材２の両端部上には、図３に示すように、一対の櫛形電極４に接続された一対の端子電極６がパターン形成されている。
上記端子電極６及び櫛形電極４は、例えば抵抗膜３上に形成された膜厚５〜１００ｎｍのＣｒ又はＮｉＣｒの接合層と、該接合層上にＡｕ等の貴金属で膜厚５０〜１０００ｎｍで形成された電極層とを有している。
【００２１】
測定対象である電子デバイス１は、図２に示すように、真空吸着用の複数の吸着孔（図示略）を有した吸着プレート５上に載置されると共に、吸着孔に吸引されて吸着プレート５表面に密着固定される。
上記吸着プレート５は、温度調整機構（図示略）によって一定の温度に調整されている。
また、吸着プレート５の表面には、上述したように、トリミングを行う電子デバイス１とは別に電子デバイス１の基準素子１Ａが設置されている。この基準素子１Ａは、測定対象の電子デバイス１と同じ構造のものが採用される。
【００２２】
上記レーザ光Ｌは、例えばＳＨＧレーザを光源とした波長５３２ｎｍのレーザ光Ｌが採用される。なお、レーザ光Ｌの照射としては、波長５３２ｎｍ以下で、発熱の少ないアブレーションモードによる照射が好ましい。
測定対象の電子デバイス１と基準素子１Ａとの抵抗値は、図３に示すように、一対の端子電極６に一対の測定用プローブ７ａを接触させ、一対の測定用プローブ７ａに接続されている抵抗計測器７によって測定する。
【００２３】
本実施形態の電子デバイスの抵抗値調整方法では、まず粗調整工程を行うために、基準素子１Ａの抵抗値を測定し、この抵抗値を目標抵抗値として平板平行モデルによってトリミングする櫛部４ａの本数を計算で求める。具体的には、
目標抵抗値：Ｒｐ、
電子デバイス抵抗値：Ｒ、
総電極距離：d_total、
切断すべき電極距離：d_trim、
カット本数ごとの補正値：d_comp（Ｎ）、
櫛部４ａの長さ：Ｌ、
トリム幅：ｔ、
ライン幅（櫛部幅）：Ｗ、
切断すべき総本数：Ｎとし、
目標抵抗値との比率演算「ｋ＝Ｒ／Ｒｐ」を行うと共に、切断すべき総電極距離演算「d_trim＝（１−ｋ）d_total」を行う。
【００２４】
次に、図４に示すように、切断すべき総本数演算「Ｎ＝Int（d_trim／（２Ｌ＋Ｗ））＋１」を行い、さらに切断すべき総電極距離補正演算「d_trim_c＝d_trim＋d_comp（Ｎ）」を行う。
このように計算して得た切断すべき総本数Ｎに基づいて、切断すべき総本数Ｎに対応する櫛部４ａの基端部だけをレーザ光Ｌを照射し切断して櫛形電極４から切り離す。すなわち、切断した際に電子デバイス１の抵抗値が目標抵抗値になる櫛部４ａの切り離し長さの全長「d_trim_c」を計算で求め、この切り離し長さの全長「d_trim_c」よりも短い切り離し長さとなる本数Ｎで櫛部４ａの切断を行う。
【００２５】
なお、従来の平行平板モデルのみによるトリミング方法では、さらに櫛部先端からのトリミング位置「Ｘ＝（d_trim_c／２）−（Ｌ＋Ｗ／２）（Ｎ−１）−（Ｗ／２）＋（ｔ／２）」を計算し、切断すべき総本数Ｎに対応する櫛部４ａの基端部と、トリミング位置Ｘに対応する櫛部４ａの途中位置とにレーザ光Ｌを照射して切断を行っている。しかしながら、本実施形態では、従来の櫛部先端からのトリミング位置Ｘで切断する分に対応する調整を、設計値に対する実際のパターンのずれ等を考慮して、次の微調整工程で行っている。
【００２６】
すなわち、粗調整工程の後、微調整工程として、図２から図４に示すように、電子デバイス１の抵抗値を測定しながら、電子デバイス１の抵抗値が基準素子１Ａの抵抗値（目標抵抗値）になるまで抵抗膜３の切断を行う。このとき、抵抗膜３は、隣接する櫛部４ａ間で櫛部４ａに沿って直線状に切断される。また、この際、吸着プレート５の面内温度分布は均一に制御されている。
【００２７】
このように本実施形態の電子デバイスの抵抗値調整方法では、粗調整工程で、切断した際に電子デバイス１の抵抗値が目標抵抗値になる櫛部４ａの切り離し長さの全長を計算で求め、切り離し長さの全長よりも短い切り離し長さとなる位置及び本数で櫛部４ａの切断を行い、微調整工程で、電子デバイス１の抵抗値を測定しながら、電子デバイス１の抵抗値が目標抵抗値になるまで抵抗膜３の切断を行うので、高精度な抵抗値調整が可能であると共にトリム時間のスループットを向上させることができる。
【００２８】
すなわち、設計値に基づいた計算で得た切り離し長さの全長よりも短くなる位置及び本数で櫛部４ａを切断することで、抵抗値の粗調整を行い、微調整用の切りしろを残しておく。これによって、切りしろ分について実際の抵抗値を測定しながら抵抗膜３の切断を行うことで、設計値に対して寸法等のばらつきがあっても、高精度な抵抗値調整が可能になる。また、櫛形電極４の櫛部４ａの切断によって粗調整を行い、抵抗膜３の切断によって微調整を行うので、抵抗膜３をトリムする時間が短くて済み、発熱による抵抗値ドリフトを抑制することができると共に、スループットを向上させることができる。
【００２９】
また、同じ吸着プレート５上にあって測定対象の電子デバイス１と同じ温度環境となる基準素子１Ａの抵抗値を目標抵抗値とするので、吸着プレート５の温度にも対応した目標抵抗値によって、より高精度に抵抗値調整を行うことができる。
さらに、粗調整工程で、櫛部４ａを基端部で切断するので、大きく抵抗値を増加させることができ、抵抗値の粗調整が容易になる。
【００３０】
したがって、絶縁性基材２を絶縁性フィルムとし、抵抗膜３をサーミスタ薄膜とした薄膜サーミスタ素子を抵抗値調整する電子デバイス１とすることで、高精度に抵抗値調整された薄膜サーミスタ素子が得られる。
【００３１】
次に、本発明に係る電子デバイスの抵抗値調整方法の第２実施形態について、以下に説明する。なお、以下の実施形態の説明において、上記実施形態において説明した同一の構成要素には同一の符号を付し、その説明は省略する。
【００３２】
第２実施形態と第１実施形態との異なる点は、第１実施形態では、複数の櫛部４ａの基端部をレーザ光Ｌで切断する際に、一本ずつレーザ光Ｌを照射して個別に分けて切断しているのに対し、第２実施形態の電子デバイスの抵抗値調整方法では、図５及び図６に示すように、粗調整工程で、基端部が隣接する２つの櫛部４ａを切断する際に、隣接する櫛部４ａの一方を切断した後に、隣接する２つの櫛部４ａ間の抵抗膜３も連続して切断し、さらに隣接する櫛部４ａの他方を連続して切断する点である。
【００３３】
すなわち、第２実施形態では、例えば、図６に示すように、粗調整工程において、レーザ光Ｌの照射位置を図６において左側から右側に移動させつつ左側の櫛部４ａの基端部を切断する。この際、切断によるＡｕ等の金属の飛散物が、切断した櫛部４ａの周囲に付着することがある。左側の櫛部４ａの基端部を切断した後、レーザ光Ｌによる切断を停止せず、そのままレーザ光Ｌの照射位置を右側に移動させて次の右側の櫛部４ａの基端部までの間にある抵抗膜３も切断する。このとき、図６中の二点鎖線で囲まれた部分は、基端部が隣接する２つの左右の櫛部４ａの間にある櫛部４ａの先端に近接しており、飛散物が付着するとショートするおそれがあるが、その部分の抵抗膜３がレーザ光Ｌによって切断される際に、抵抗膜３に付着した飛散物も除去される。
【００３４】
この後、さらに、そのままレーザ光Ｌの照射位置を右側に移動させて右側の櫛部４ａの基端部まで切断する。
次に、所定本数の櫛部４ａの基端部をレーザ光Ｌで上記のように連続切断した後、微調整工程において、抵抗値を測定しながら目標抵抗値になるまで抵抗膜３を切断する。このとき、粗調整工程で照射しているレーザ光Ｌを停止せず、そのまま最後に基端部を切断した櫛部４ａに沿って抵抗膜３を切断する。すなわち、レーザ光Ｌの照射位置の移動方向を、微調整工程では粗調整工程での移動方向に対して直交する方向を変更することで、粗調整工程と微調整工程との切断を連続的に行う。
【００３５】
このように第２実施形態の電子デバイスの抵抗値調整方法では、粗調整工程で、基端部が隣接する２つの櫛部４ａを切断する際に、隣接する櫛部４ａの一方を切断した後に、隣接する２つの櫛部４ａ間の抵抗膜３も連続して切断し、さらに隣接する櫛部４ａの他方を連続して切断するので、櫛部４ａを切断した際に生じる金属の飛散物によるショートを抑制することができる。
【００３６】
すなわち、基端部が隣接する２つの櫛部４ａの間に介在する抵抗膜３も連続して切断することで、基端部が隣接する２つの櫛部４ａの間にある櫛部４ａの先端とこの先端に対向する櫛形電極４の一部との間に付着した飛散物が抵抗膜３の切断時に除去され、ショートを抑制することができる。
【実施例】
【００３７】
次に、本発明に係る電子デバイスの抵抗値調整方法について、上記第１実施形態に基づいて実際にレーザトリミングを行った結果を説明する。
【００３８】
本発明の実施例では、電子デバイスとしてフレキシブルサーミスタ（フィルム型の薄膜サーミスタ素子）の抵抗値調整を行った。
この電子デバイス及びレーザ光は、以下の条件のものとした。
・絶縁性基板：厚み５０μｍのポリイミドシート
・櫛形電極の厚み：２００ｎｍ
・抵抗膜（サーミスタ膜）：１００ｎｍ
・櫛形電極本数：２０本
・櫛部の長さ：１５４０μｍ
・Ｌｉｎｅ／Ｓｐａｃｅ：３０μｍ／３０μｍ
・レーザ光：第２高調波レーザ（波長：５３２ｎｍ）
【００３９】
上記条件において、従来の平行平板モデルによる櫛部のみを切断する抵抗値調整（比較例１）と、抵抗膜のみを切断する抵抗値調整（比較例２）と、櫛部と抵抗膜とを切断する本発明の実施例（実施例１）とを行った。
上記比較例１では、レーザ光を、出力：０．００６Ｗ、Bitesize：１μｍ、Rate：３０００Ｈｚのパルスレーザとし、調整前の素子抵抗値：４０５ｋΩ（ａｔ２５℃）、目標抵抗値：５００ｋΩとして、抵抗値調整を行ったところ、トリム後の素子抵抗値が４９６．２ｋΩ（目標抵抗値に対して−０．９６％）であった。
【００４０】
また、上記比較例２では、レーザ光を、出力：０．００４Ｗ、Bitesize：３μｍ、Rate：７０００Ｈｚ(Step and Measure)、Bites/Step：３Stepのパルスレーザとし、調整前の素子抵抗値：４０５ｋΩ（ａｔ２５℃）、目標抵抗値：５００ｋΩとして、抵抗値調整を行ったところ、トリム後の素子抵抗値が５０２．８ｋΩ（目標抵抗値に対して０．５６％）であった。
【００４１】
さらに、上記実施例１では、レーザ光を、粗調整工程で比較例１のレーザ光条件とすると共に微調整工程で比較例２のレーザ光条件とし、調整前の素子抵抗値：４０５ｋΩ（ａｔ２５℃）、目標抵抗値：５００ｋΩとして、抵抗値調整を行ったところ、トリム後の素子抵抗値が４９９．２ｋΩ（目標抵抗値に対して−０．１６％）であった。このように本発明の実施例は、上記比較例１及び２に比べて高い精度で抵抗値調整ができている。
【００４２】
なお、本発明の技術範囲は上記各実施形態及び実施例に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
【符号の説明】
【００４３】
１……電子デバイス、１Ａ…基準素子、２…絶縁性基材、３…抵抗膜、４…櫛形電極、４ａ…櫛部、５…吸着プレート（試料台）、Ｌ…レーザ光
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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