(57)【要約】【課題】発光装置の基板から封止層を部分的に除去する工程を有する発光装置の製造方法において、発光装置の製造コストを抑制し、かつ作業効率が低下しないようにする。【解決手段】発光部が形成される基板１００のうち封止膜２００を除去すべき第１領域に、ガラス転移又は相転移を起こすリフトオフ層２２０を形成する。次いで、基板１００の上及び発光部の上に、封止膜２００を形成する。次いで、リフトオフ層２２０を、リフトオフ層２２０のガラス転移温度又は相転移温度以上まで加熱し、その後冷却する。これにより、封止膜２００にはクラック２０２が生じる。その後、リフトオフ層２２０及びリフトオフ層２２０上に位置する封止膜２００を除去する。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光部が形成される基板のうち封止膜を除去すべき第１領域に、ガラス転移又は相転移を起こすリフトオフ層を形成する工程と、
前記基板の上及び前記発光部の上に、封止膜を形成する工程と、
前記リフトオフ層を、前記リフトオフ層のガラス転移温度又は相転移温度以上まで加熱し、その後冷却する工程と、
前記リフトオフ層及び前記リフトオフ層上に位置する前記封止膜を除去する工程と、
を備える発光装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の発光装置の製造方法において、
前記リフトオフ層を形成する工程の前に、前記第１領域に、前記発光部に電気的に接続する端子を形成する工程を備える発光装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の発光装置の製造方法において、
前記発光部は有機層を有しており、
前記リフトオフ層は、前記有機層よりもガラス転移温度又は相転移温度が低い材料を用いて形成されている発光装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年は、発光部に有機ＥＬ（Organic Electroluminescence）素子を有する発光装置の開発が進んでいる。有機ＥＬ素子は、有機層を、第１電極及び第２電極で挟んだ構成を有している。有機層は水分や酸素に弱いため、発光部は封止される必要がある。発光部を封止する方法の一つに、封止層を用いる方法がある。封止層を形成する方法としては、ＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）法、ＣＶＤ法、又はスパッタリング法などの気相成膜法がある。気相成膜法を用いた場合、封止層は、端子の上など、封止層を形成すべきでない領域にも形成されてしまう。このため、封止層を部分的に除去する必要がある。
【０００３】
例えば特許文献１には、封止層を形成する工程の前に、封止層を除去すべき領域に、レーザ光を吸収する材料からなるリフトオフ層を形成することが記載されている。特許文献１では、封止層を形成した後、このリフトオフ層にレーザを照射することにより、リフトオフ層及びその上に位置する封止層を除去することが記載されている。
【０００４】
また特許文献２には、封止層を形成する工程の前に、封止層を除去すべき領域に、リフトオフ用フィルムを張り付けることが記載されている。特許文献２では、封止層を形成した後、このリフトオフ用フィルムの端をつまんではがすことにより、リフトオフ用フィルム及びその上に位置する封止層を除去することが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００７−２３４３１８号公報
【特許文献２】特開２００７−２３４３１２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１に記載の方法では、発光装置の製造工程において、レーザを照射するための装置を用いる必要がある。このため、発光装置の製造コストが高くなってしまう。また特許文献２に記載の方法では、リフトオフ用フィルムの端をつまむ必要があるため、作業効率が低下してしまう。
【０００７】
本発明が解決しようとする課題としては、発光装置の基板から封止層を部分的に除去する工程を有する発光装置の製造方法において、発光装置の製造コストを抑制し、かつ作業効率が低下しないようにすることが一例として挙げられる。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
請求項１に記載の発明は、発光部が形成される基板のうち封止膜を除去すべき第１領域に、ガラス転移又は相転移を起こすリフトオフ層を形成する工程と、
前記基板の上及び前記発光部の上に、封止膜を形成する工程と、
前記リフトオフ層を、前記リフトオフ層のガラス転移温度又は相転移温度以上まで加熱し、その後冷却する工程と、
前記リフトオフ層及び前記リフトオフ層上に位置する前記封止膜を除去する工程と、
を備える発光装置の製造方法である。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】実施形態に係る発光装置の平面図である。
【図２】図１から第２電極を取り除いた図である。
【図３】図２から絶縁層及び有機層を取り除いた図である。
【図４】図１のＡ−Ａ断面図である。
【図５】発光装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図６】発光装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図７】第２の実施形態に係る発光装置の平面図である。
【図８】図７から隔壁、第２電極、有機層、及び絶縁層を取り除いた図である。
【図９】図７のＢ−Ｂ断面図である。
【図１０】図７のＣ−Ｃ断面図である。
【図１１】図７のＤ−Ｄ断面図である。
【図１２】第３の実施形態に係る発光装置の製造方法を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
図１は、実施形態に係る発光装置１０の平面図である。図１において、封止膜２００は点線で示されている。図２は、図１から第２電極１３０を取り除いた図である。図３は図２から絶縁層１５０及び有機層１２０を取り除いた図である。図４は図１のＡ−Ａ断面図である。実施形態に係る発光装置１０は、基板１００、発光部１４０、及び封止膜２００を有している。発光部１４０は基板１００の第１面１０２に形成されている。封止膜２００は、基板１００の第１面１０２に形成されており、発光部１４０を封止している。封止膜２００は第１面１０２のうち一部の領域（第１領域）には形成されていない。詳細を後述するように、この部分に位置していた封止膜２００は、リフトオフ法を用いて除去されている。以下、詳細に説明する。
【００１１】
まず、図１〜図４を用いて発光装置１０について説明する。
【００１２】
発光装置１０がボトムエミッション型の発光装置である場合、基板１００は、例えばガラス基板や樹脂基板などの透光性を有する基板である。一方、発光装置１０がトップエミッション型の発光装置である場合、基板１００は透光性を有していなくてもよい。また、基板１００は可撓性を有していてもよい。可撓性を有している場合、基板１００の厚さは、例えば１０μｍ以上１０００μｍ以下である。基板１００は、例えば矩形などの多角形である。基板１００が樹脂基板である場合、基板１００は、例えばＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＥＳ（ポリエーテルサルホン）、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタラート）、又はポリイミドを用いて形成されている。また、基板１００が樹脂基板である場合、水分が基板１００を透過することを抑制するために、基板１００の少なくとも一面（好ましくは両面）に、ＳｉＮｘやＳｉＯＮなどの無機バリア膜が形成されている。なお、この無機バリア膜と基板１００の間に、平坦化層（例えば有機層）が設けられていてもよい。
【００１３】
基板１００の第１面１０２には、発光部１４０が形成されている。発光部１４０は、第１電極１１０、有機層１２０、及び第２電極１３０をこの順に積層させた構成を有している。
【００１４】
第１電極１１０は、光透過性を有する透明電極である。透明電極の材料は、金属を含む材料、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）、ＩＷＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｕｎｇｓｔｅｎ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）、ＺｎＯ（Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）等の金属酸化物である。第１電極１１０の厚さは、例えば１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である。第１電極１１０は、例えばスパッタリング法又は蒸着法を用いて形成される。なお、第１電極１１０は、カーボンナノチューブ、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳなどの導電性有機材料を用いて形成されていてもよい。
【００１５】
有機層１２０は発光層を有している。有機層１２０は、例えば、正孔注入層、発光層、及び電子注入層をこの順に積層させた構成を有している。正孔注入層と発光層との間には正孔輸送層が形成されていてもよい。また、発光層と電子注入層との間には電子輸送層が形成されていてもよい。有機層１２０は蒸着法で形成されてもよい。また、有機層１２０のうち少なくとも一つの層、例えば第１電極１１０と接触する層は、インクジェット法、印刷法、又はスプレー法などの塗布法によって形成されてもよい。なお、この場合、有機層１２０の残りの層は、蒸着法によって形成されている。また、有機層１２０のすべての層が、塗布法を用いて形成されていてもよい。
【００１６】
第２電極１３０は、例えば、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ（ＡｇインクやＡｇナノワイヤの場合もある）、Ｐｔ、Ｍｇ、Ｓｎ、Ｚｎ、及びＩｎからなる第１群の中から選択される金属、又はこの第１群から選択される金属の合金からなる金属層を含んでいる。この場合、第２電極１３０は遮光性を有している。第２電極１３０の厚さは、例えば１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である。ただし、第２電極１３０は、第１電極１１０の材料として例示した材料を用いて形成されていてもよい。第２電極１３０は、例えばスパッタリング法又は蒸着法を用いて形成される。
【００１７】
なお、上記した第１電極１１０及び第２電極１３０の材料は、発光装置１０がボトムエミッション型の場合である。発光装置１０がトップエミッション型の場合、第１電極１１０の材料と第２電極１３０の材料は逆になる。すなわち第１電極１１０の材料には上記した第２電極１３０の材料が用いられ、第２電極１３０の材料には上記した第１電極１１０の材料が用いられる。
【００１８】
第１電極１１０の縁は、絶縁層１５０によって覆われている。絶縁層１５０は例えばポリイミドなどの感光性の樹脂材料によって形成されており、第１電極１１０のうち発光部１４０の発光領域となる部分を囲んでいる。絶縁層１５０を設けることにより、第１電極１１０の縁において第１電極１１０と第２電極１３０が短絡することを抑制できる。
【００１９】
また、発光装置１０は、第１端子１１２及び第２端子１３２を有している。第１端子１１２は第１電極１１０に接続しており、第２端子１３２は第２電極１３０に接続している。第１端子１１２及び第２端子１３２は、例えば、第１電極１１０と同一の材料で形成された層を有している。なお、第１端子１１２と第１電極１１０の間には引出配線が設けられていてもよい。また、第２端子１３２と第２電極１３０の間にも引出配線が設けられていてもよい。
【００２０】
第１端子１１２には、ボンディングワイヤ、又はリード端子などの導電部材を介して制御回路の正極端子が接続され、第２端子１３２には、ボンディングワイヤ又はリード端子などの導電部材を介して制御回路の負極端子が接続される。ただし第１端子１１２及び第２端子１３２の少なくとも一方には、半導体パッケージなどの回路素子が直接接続されてもよい。また第１端子１１２及び第２端子１３２は、フレキシブルプリント基板（ＦＰＣ）を介して制御回路に接続されていてもよい。この場合、第１端子１１２及び第２端子１３２は、例えば異方性導電性樹脂を介してＦＰＣと接続する。
【００２１】
基板１００には、さらに封止膜２００が設けられている。
【００２２】
封止膜２００は、基板１００のうち発光部１４０が形成されている面に形成されており、発光部１４０を覆っている。ただし、第１端子１１２及び第２端子１３２は封止膜２００で覆われていない。封止膜２００は、例えば絶縁材料、さらに具体的には無機材料によって形成されている。また、封止膜２００の厚さは、好ましくは３００ｎｍ以下である。また封止膜２００の厚さは、例えば５０ｎｍ以上である。封止膜２００は、ＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）法を用いて形成されている。ＡＬＤ法を用いることにより、封止膜２００の段差被覆性は高くなる。ただし封止膜２００は、他の成膜法、例えばＣＶＤ法やスパッタリング法を用いて形成されていてもよい。この場合、封止膜２００は、ＳｉＯ２又はＳｉＮなど絶縁膜によって形成されており、その膜厚は、例えば１０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下である。
【００２３】
封止膜２００は、複数の層を積層した多層構造を有していてもよい。この場合、第１の材料からなる第１封止層と、第２の材料からなる第２封止層とを繰り返し積層した構造を有していてもよい。最下層は第１封止層及び第２封止層のいずれであってもよい。また、最上層も第１封止層及び第２封止層のいずれであってもよい。また、封止膜２００は第１の材料と第２の材料の混在する単層であってもよい。
【００２４】
そして、基板１００のうち第１端子１１２が位置している領域及び第２端子１３２が位置している領域（第１領域の一例）のそれぞれには、封止膜２００は形成されていない。
【００２５】
なお、封止膜２００の上に被覆層が形成されていてもよい。この被覆層は、少なくとも発光部１４０と重なる領域に形成されているが、第１端子１１２の大部分及び第２端子１３２の大部分とは重なっていない。被覆層は、エポキシ樹脂などの熱硬化型の樹脂を用いて形成されている。ただし被覆層は、光硬化型の樹脂であってもよいし、粘着層を有するフィルム又は金属箔であってもよい。また被覆層はガラス板であってもよい。そして、被覆層は封止層よりも厚い。
【００２６】
次に、発光装置１０の製造方法について、図５及び図６を用いて説明する。まず、基板１００上に第１電極１１０を形成する。この工程において、第１端子１１２及び第２端子１３２も形成される。次いで、絶縁層１５０、有機層１２０、及び第２電極１３０をこの順に形成する。これにより、発光部１４０が形成される（第１工程）。
【００２７】
次いで、図５に示すように、基板１００のうち封止膜２００を除去すべき領域（第１領域）、例えば第１端子１１２及び第２端子１３２の上に、リフトオフ層２２０を形成する（第２工程）。リフトオフ層２２０は、犠牲層ともいわれ、例えば薬液や水によって除去される層であり、ガラス転移又は相転移を起こす材料を用いて形成されている。ここで、リフトオフ層２２０を形成する材料のガラス転移温度又は相転移温度は、有機層１２０を構成する材料のガラス転移温度又は相転移温度よりも低いのが好ましい。このような材料としては、例えばＴＰＤ（triphenyldiamine）を用いることができる。また、リフトオフ層２２０の厚さは、例えば０．１μｍ以上５μｍ以下である。
【００２８】
次いで、封止膜２００を、例えば、ＣＶＤ法、スパッタリング法、ＡＬＤ法などの成膜法を用いて形成する（第３工程）。このとき、封止膜２００は発光部１４０と重なる領域を含めて、基板１００の第１面１０２のほぼ全面に形成される。このため、第１端子１１２及び第２端子１３２も封止膜２００で覆われる。
【００２９】
次いで、リフトオフ層２２０を加熱して、リフトオフ層２２０の温度を、リフトオフ層２２０のガラス転移温度以上又は相転移温度以上にする（第４工程）。この時の加熱温度は、有機層１２０を構成する材料のガラス転移温度未満又は相転移温度未満であるのが好ましい。例えばリフトオフ層２２０は、６０℃以上９５℃未満に加熱される。リフトオフ層２２０がガラス転移又は相転移を起こすと、リフトオフ層２２０の体積は変化する。これにより、図６に示すように、封止膜２００のうちリフトオフ層２２０上に位置する部分にはクラック２０２が発生する。
【００３０】
次いで、封止膜２００のうち第１端子１１２と重なる部分及び第２端子１３２と重なる部分を、リフトオフ層２２０を溶解させる液体（薬液又は水）で洗浄する。この液体は、クラック２０２を経由してリフトオフ層２２０に到達し、リフトオフ層２２０を溶解させる。これにより封止膜２００のうち第１端子１１２と重なる部分及び第２端子１３２と重なる部分は除去される（第５工程）。
【００３１】
以上、本実施形態によれば、リフトオフ層２２０は、ガラス転移又は相転移を起こす材料を用いて形成されている。そして、封止膜２００を形成した後、リフトオフ処理を行う前に、リフトオフ層２２０の温度を、リフトオフ層２２０のガラス転移温度以上又は相転移温度以上にしている。このため、封止膜２００のうちリフトオフ層２２０上に位置する部分にはクラック２０２が発生する。従って、リフトオフ処理において、リフトオフ層２２０を溶解させるための液体がクラック２０２を介してリフトオフ層２２０に到達する。従って、リフトオフ法を用いて封止膜２００を除去することができる。また、クラック２０２は、リフトオフ層２２０を加熱することにより形成されるため、発光装置の製造コストの増加量は少なく、また、作業効率も低下しにくい。
【００３２】
（第２の実施形態）
図７は、第２の実施形態に係る発光装置１０の平面図である。図８は、図７から隔壁１７０、第２電極１３０、有機層１２０、及び絶縁層１５０を取り除いた図である。図９は図７のＢ−Ｂ断面図であり、図１０は図７のＣ−Ｃ断面図であり、図１１は図７のＤ−Ｄ断面図である。
【００３３】
本実施形態に係る発光装置１０はディスプレイであり、基板１００、第１電極１１０、発光部１４０、絶縁層１５０、複数の開口１５２、複数の開口１５４、複数の引出配線１１４、有機層１２０、第２電極１３０、複数の引出配線１３４、及び複数の隔壁１７０を有している。
【００３４】
第１電極１１０は、第１方向（図７におけるＹ方向）にライン状に延在している。そして第１電極１１０の端部は、引出配線１１４に接続している。
【００３５】
引出配線１１４は、第１電極１１０を第１端子１１２に接続する配線である。本図に示す例では、引出配線１１４の一端側は第１電極１１０に接続しており、引出配線１１４の他端側は第１端子１１２となっている。本図に示す例において、第１電極１１０及び引出配線１１４は一体になっている。そして引出配線１１４の上には、導体層１６０が形成されている。導体層１６０は、第１電極１１０よりも抵抗の低い金属、例えばＡｌ又はＡｇを用いて形成されている。導体層１６０は、複数の層を積層した構成（例えばＭｏ合金層、Ａｌ合金層、及びＭｏ合金層をこの順に積層した構成）を有していてもよい。なお、引出配線１１４の一部は絶縁層１５０によって覆われている。
【００３６】
絶縁層１５０は、図７、及び図９〜図１１に示すように、複数の第１電極１１０上及びその間の領域に形成されている。絶縁層１５０には、複数の開口１５２及び複数の開口１５４が形成されている。複数の第２電極１３０は、第１電極１１０と交差する方向（例えば直交する方向：図７におけるＸ方向）に互いに平行に延在している。そして、複数の第２電極１３０の間には、詳細を後述する隔壁１７０が延在している。開口１５２は、平面視で第１電極１１０と第２電極１３０の交点に位置している。具体的には、複数の開口１５２は、第１電極１１０が延在する方向（図７におけるＹ方向）に並んでいる。また、複数の開口１５２は、第２電極１３０の延在方向（図７におけるＸ方向）にも並んでいる。このため、複数の開口１５２はマトリクスを構成するように配置されていることになる。
【００３７】
開口１５４は、平面視で複数の第２電極１３０のそれぞれの一端側と重なる領域に位置している。また開口１５４は、開口１５２が構成するマトリクスの一辺に沿って配置されている。そしてこの一辺に沿う方向（例えば図７におけるＹ方向、すなわち第１電極１１０に沿う方向）で見た場合、開口１５４は、所定の間隔で配置されている。開口１５４からは、引出配線１３４の一部分が露出している。そして、引出配線１３４は、開口１５４を介して第２電極１３０に接続している。
【００３８】
引出配線１３４は、第２電極１３０を第２端子１３２に接続する配線であり、第１電極１１０と同一の材料からなる層を有している。引出配線１３４の一端側は開口１５４の下に位置しており、引出配線１３４の他端側は、絶縁層１５０の外部に引き出されている。そして本図に示す例では、引出配線１３４の他端側が第２端子１３２となっている。そして引出配線１３４の上にも、導体層１６０が形成されている。なお、引出配線１３４の一部は絶縁層１５０によって覆われている。
【００３９】
開口１５２と重なる領域には、有機層１２０が形成されている。有機層１２０の正孔注入層は第１電極１１０に接しており、有機層１２０の電子注入層は第２電極１３０に接している。このため、発光部１４０は、開口１５２と重なる領域それぞれに位置していることになる。
【００４０】
なお、図９及び図１０に示す例では、有機層１２０を構成する各層は、いずれも開口１５２の外側まではみ出している場合を示している。そして図７に示すように、有機層１２０は、隔壁１７０が延在する方向において、隣り合う開口１５２の間にも連続して形成されていてもよいし、連続して形成していなくてもよい。ただし、図１１に示すように、有機層１２０は、開口１５４には形成されていない。
【００４１】
第２電極１３０は、図７、図９〜図１１に示すように、第１方向と交わる第２方向（図７におけるＸ方向）に延在している。そして隣り合う第２電極１３０の間には、隔壁１７０が形成されている。隔壁１７０は、第２電極１３０と平行すなわち第２方向に延在している。隔壁１７０の下地は、例えば絶縁層１５０である。隔壁１７０は、例えばポリイミド系樹脂などの感光性の樹脂であり、露光及び現像されることによって、所望のパターンに形成されている。なお、隔壁１７０はポリイミド系樹脂以外の樹脂、例えばエポキシ系樹脂やアクリル系樹脂、二酸化珪素等の無機材料で構成されていても良い。
【００４２】
隔壁１７０は、断面が台形の上下を逆にした形状（逆台形）になっている。すなわち隔壁１７０の上面の幅は、隔壁１７０の下面の幅よりも大きい。このため、隔壁１７０を第２電極１３０より前に形成しておくと、蒸着法やスパッタリング法を用いて、第２電極１３０を基板１００の一面側に形成することで、複数の第２電極１３０を一括で形成することができる。また、隔壁１７０は、有機層１２０を分断する機能も有している。
【００４３】
そして本実施形態においても、発光装置１０は封止膜２００を有している。封止膜２００の構成及びレイアウトは、第１の実施形態に示した通りである。ただし本実施形態では、第１端子１１２及び第２端子１３２は、基板１００のうち同一の辺に沿って配置されている。このため、封止膜２００のうち第１端子１１２を露出するための開口と、第２端子１３２を露出するための開口は互いに繋がっている。
【００４４】
次に、本実施形態における発光装置１０の製造方法を説明する。まず、基板１００上に第１電極１１０、引出配線１１４，１３４を形成する。これらの形成方法は、第１の実施形態において第１電極１１０を形成する方法と同様である。
【００４５】
次いで、引出配線１１４上及び引出配線１３４上に、導体層１６０を形成する。次いで、絶縁層１５０を形成し、さらに隔壁１７０を形成する。次いで有機層１２０及び第２電極１３０を形成する。これらの形成方法は、第１の実施形態と同様である。
【００４６】
そして、リフトオフ層２２０及び封止膜２００をこの順に形成する。次いで、リフトオフ層２２０を、リフトオフ層２２０のガラス転移温度又は相転移温度以上に加熱することにより、封止膜２００のうちリフトオフ層２２０と重なる領域にクラック２０２を発生させる。次いで、封止膜２００のうちリフトオフ層２２０と重なっている領域、例えば封止膜２００のうち第１端子１１２と重なる部分及び第２端子１３２と重なる部分を除去する。これらの工程は、第１の実施形態と同様である。
【００４７】
本実施形態によれば、発光部１４０を用いたディスプレイにおいて、第１の実施形態と同様に、封止膜２００のうち除去すべき領域、例えば封止膜２００のうち第１端子１１２の上に位置する部分及び第２端子１３２の上に位置する部分を容易に除去することができる。
【００４８】
（第３の実施形態）
本実施形態に係る発光装置１０は、製造方法を除いて、第１の実施形態又は第２の実施形態と同様である。
【００４９】
本実施形態において、上述した第１の工程〜第５の工程において、発光装置１０の基板１００は、図１２に示すように、複数の発光装置１０がつながった状態になっている。そして、封止膜２００を形成した後、基板１００は、複数の発光装置１０のそれぞれに分割される。この際、分割線となる分割領域１０１の上に封止膜２００が存在していると、この分割時に封止膜２００にクラックが入る可能性がある。この場合、このクラックが成長して発光部１４０に到達する可能性がある。
【００５０】
これに対して本実施形態では、図１２に示すように、封止膜２００を形成する前、分割領域１０１にはリフトオフ層２２０が設けられている。この部分に位置するリフトオフ層２２０は、第１端子１１２及び第２端子１３２と重なる領域に位置するリフトオフ層２２０と同一工程で形成される。
【００５１】
そして、封止膜２００を形成した後、リフトオフ層２２０を、リフトオフ層２２０のガラス転移温度又は相転移温度以上まで加熱する。これにより、封止膜２００のうちリフトオフ層２２０と重なる部分には、図６に示したクラック２０２が発生する。そして、封止膜２００のうちリフトオフ層２２０と重なる領域に位置する部分を、リフトオフ法を用いて除去する。この工程は、第１の実施形態に示した通りである。
【００５２】
その後、分割領域１０１に沿って基板１００を分割する。このタイミングにおいて、封止膜２００のうち分割領域１０１に位置する部分は除去される。従って、本実施形態によれば、分割時に封止膜２００にクラックが入ることを防止できる。また、封止膜２００のうち第１端子１１２の上に位置する部分及び第２端子１３２の上に位置する部分も、容易に除去することができる。
【００５３】
以上、図面を参照して実施形態及び実施例について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。
【符号の説明】
【００５４】
１０  発光装置
１００  基板
１０１  分割領域
１０２  第１面
１１０  第１電極
１１２  第１端子
１２０  有機層
１３０  第２電極
１３２  第２端子
１４０  発光部
１５０  絶縁層
２００  封止層
２０２  クラック
２２０  リフトオフ層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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