(57)【要約】【課題】多段チャンバー式減圧乾燥機を有するシート状基板用乾燥装置において、単一の真空ポンプで全チャンバーの減圧動作に対応する。【解決手段】減圧乾燥機は複数の減圧用チャンバーと、各チャンバーに吸気口が配管を経由して接続された単一の真空ポンプと、各チャンバーの排気および減圧状態を制御するものであって前記各チャンバーに対応してそれぞれ前記配管に設けられたバルブと、予め定められた減圧シーケンスに応じて各バルブを制御する制御装置を備えている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
塗布液を塗布されたシート状基板を搬送装置によりチャンバー内に搬入し、前記チャンバー内を予め定められた減圧シーケンスに応じて減圧することにより前記基板に塗布された前記塗布液を乾燥する減圧乾燥装置であって、複数の減圧用チャンバーと、前記各チャンバーに設けられた吸気口に配管を経由して接続された単一の減圧用ポンプと、それぞれの前記配管に設けられ、前記減圧用ポンプを作動させることにより、各チャンバの減圧状態を制御するバルブと、前記各チャンバーに設定された減圧シーケンスに応じて前記バルブを個別制御する制御装置と、を備えていることを特徴とする減圧乾燥装置。
【請求項２】
前記バルブは弁開閉角制御式バルブであって、弁開閉角によりチャンバー内の減圧状態を制御することを特徴とする請求項１に記載の減圧乾燥装置。
【請求項３】
塗布液を塗布されたシート状基板を搬送装置によりチャンバー内に搬入し、前記チャンバー内を予め定められた減圧シーケンスに応じて減圧することにより前記基板に塗布された前記塗布液を乾燥する減圧乾燥装置であって、複数の減圧用チャンバーと、前記各チャンバーに吸気口が配管を経由して接続された単一の減圧用ポンプと、それぞれの前記配管に設けられ、前記減圧用ポンプを作動させることにより、各チャンバの減圧状態を制御するレギュレータと、前記各チャンバーに設定された減圧シーケンスに応じて前記レギュレータを個別制御する制御装置と、前記各チャンバーへの気流を制御する為に前記チャンバーに対応してそれぞれ前記配管に設けられたバルブと、を備えていることを特徴とする減圧乾燥装置。
【請求項４】
シート状基板に塗布液を塗布装置により塗布し、ついで前記塗布基板を少なくとも一つの減圧用チャンバーを有する乾燥装置に搬入し、前記チャンバーに設定された減圧シーケンスに応じてチャンバー内を減圧することにより減圧乾燥を行い、乾燥終了後次工程に搬出する塗布乾燥装置を有するシート状基板の処理ラインを複数有する基板処理システムであって、前記減圧乾燥を行う減圧用ポンプであって基板処理システムに含まれる全乾燥装置のチャンバー数の合計より総数が少ない複数の減圧用ポンプと、前記減圧用ポンプが全てのチャンバーに接続可能な様に設置された配管と、前記配管経由で前記チャンバーに接続され前記複数の減圧用ポンプの接続切り替を行う複数のバルブと、を備えた基板処理システム。
【請求項５】
前記配管の前記複数のバルブのうち少なくとも全乾燥装置のチャンバー数の合計と同数のバルブは流量制御機能を有し、各チャンバーに対し少なくとも一つの流量制御機能付きバルブが接続されていることを特徴とする請求項４に記載の基板処理システム。
【請求項６】
シート状基板に塗布液を塗布装置により塗布し、ついで前記塗布基板を少なくとも一つの減圧用チャンバーを有する乾燥装置に搬入し、前記チャンバーに設定された減圧シーケンスに応じてチャンバー内を減圧することにより減圧乾燥を行い、乾燥終了後次工程に搬出する塗布乾燥装置を有するシート状基板処理ラインを複数有する基板処理システムであって、前記減圧乾燥を行う減圧用ポンプであって基板処理システムに含まれる全乾燥装置のチャンバー数の合計より総数が少ない複数の減圧用ポンプと、前記減圧用ポンプが全てのチャンバーに接続可能な様に設置された配管と、前記配管経由で前記チャンバーに接続され前記複数の減圧用ポンプの接続切り替を行う複数のバルブと、各チャンバーの減圧状態を制御するため各チャンバーに設置されたレギュレータと、前記チャンバーに設定された減圧シーケンスに応じて各チャンバー内を減圧する制御装置と、を備えたことを特徴とする基板処理システム。
【請求項７】
シート状基板に塗布液を塗布装置により塗布し、ついで前記塗布基板を少なくとも一つの減圧用チャンバーを有する乾燥装置に搬入し、前記チャンバーに設定された減圧シーケンスに応じてチャンバー内を減圧することにより減圧乾燥を行い、乾燥終了後次工程に搬出する塗布乾燥装置を有するシート状基板処理ラインを複数有する基板処理システムであって、前記減圧乾燥を行う減圧用ポンプであって基板処理システムに含まれる全乾燥装置のチャンバー数の合計より総数が少ない複数の減圧用ポンプと、前記減圧用ポンプが全てのチャンバーに接続可能な様に設置された配管と、前記配管経由で前記チャンバーに接続され前記複数の減圧用ポンプの接続切替を行う複数のバルブと、前記チャンバーに設定された減圧シーケンスに応じて各チャンバー内を減圧する制御装置と、前記減圧用ポンプの少なくとも一つに設けられた減圧用バッファタンクと、を備えたことを特徴とする基板処理システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、口金に形成されているスリットから塗布液を吐出することにより基板に対して塗布液を塗布し、当該基板を乾燥する基板処理システムに関し、とりわけ基板上の塗布液を乾燥する乾燥装置および当該乾燥装置を用いる基板処理システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
ガラス基板やフィルム等の基板に対して塗布液を塗布する装置として、塗布液を吐出するスリットが形成された口金を備えている塗布装置が知られている。この塗布装置は、塗布液を溜めるタンクと、このタンク内の塗布液を口金のスリットまで供給するための塗布液供給ポンプとを備えている。
【０００３】
前記口金の前記スリットは基板の幅方向に沿って長く形成されており、ステージ上に載置した基板に対して口金を水平に前記基板と相対移動させながら前記スリットから塗布液を吐出することで、前記基板の表面に塗布液の薄膜（塗膜）を形成する。
さらに塗膜が形成された前記基板は、たとえば減圧乾燥方法を利用した乾燥装置にて塗膜が乾燥され（特許文献１参照）、次の工程であるプリベーク工程に搬送される。
【０００４】
最近では塗布液の特性が改良され、前記塗布装置による塗布速度が200mm/sec以上に向上した塗布液も提供されている。この様な高速塗布液を用いた塗布に対して、塗布装置においては塗布液供給ポンプおよび塗布制御システムの改良により対応しているが、乾燥装置とりわけ減圧乾燥装置については大幅な乾燥時間の短縮は急速な減圧を必要とし、急速減圧を行った場合、乾燥時の気流が塗膜のムラに影響するため単純な減圧速度の増加による対応は困難となっている。
【０００５】
このため、特許文献２に示されている様に、乾燥装置の減圧用チャンバーを多段構成にし、各チャンバーで十分な乾燥時間を確保する一方、最初の1枚を除き連続塗布では基板を複数のチャンバーに振り分けることによりプロセスサイクルタイムを短縮するという工夫が為されている。
【０００６】
しかし、特許文献２に示された乾燥装置によれば、各チャンバーに真空ポンプを設置し、さらに全チャンバーに接続された共通真空ポンプを別途設けるため高価な真空ポンプを多数用いることによる設備コスト増加が問題となる。
【０００７】
近年、液晶パネルを含むディスプレイ機器の価格低下は著しく、この価格低下に対応する為に製造ランニングコストのみならず設備償却費を削減する為の製造ラインの設備費用削減が必要とされている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開Ｈ０９−２９１６７号公報
【特許文献２】特開２０１２−１８９３０３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
そこで、本発明の目的は、減圧乾燥法にて塗布基板を乾燥する乾燥装置が多段チャンバー構成になった場合においても、単独またはチャンバー合計より少数の真空ポンプで連続的に減圧乾燥を行える乾燥装置および当該乾燥装置を含む基板処理システムを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明における減圧乾燥装置は、塗布液を塗布されたシート状基板を搬送装置により減圧乾燥装置のチャンバー内に搬入し、前記チャンバー内を予め定められた減圧シーケンスに応じて減圧することにより前記基板に塗布された前記塗布液を乾燥する減圧乾燥装置であって、複数の減圧用チャンバーと、前記各チャンバーに設けられた吸気口に配管を経由して接続された単一の減圧用ポンプと、それぞれの前記配管に設けられ、前記減圧用ポンプを作動させることにより、各チャンバの減圧状態を制御するバルブと、各チャンバーの減圧状態を予め定められた減圧シーケンスに応じて減圧するために各バルブを個別制御する制御装置と、を備えていることを特徴としている。
【００１１】
本発明の減圧乾燥装置によれば、複数の減圧チャンバーに対して単一またはチャンバー合計より少数の減圧用ポンプを接続する基板処理ライン構成を可能にするなみならず、各チャンバーの予め定められた減圧シーケンスに応じて各チャンバーに配管を経由して接続されたバルブを個別に制御することにより真空ポンプの容量を複数チャンバーそれぞれに設けた場合の合計より少なく出来、各チャンバーに塗布終了した基板を逐次搬入しても所定通りの基板乾燥状態を連続的に各基板に実現することが出来る。これにより、減圧乾燥装置のコストを大幅に低下することが可能となる。
【００１２】
また本発明のバルブは弁開閉角制御式バルブであって、弁開閉角によりチャンバー内の減圧状態を制御することを特徴としている。
【００１３】
この様に弁開閉角によりバルブの流量を制御しているので、各バルブの排気力を細かく調整することが可能であり、予め定められた減圧シーケンスに応じて各チャンバーの減圧状態を制御することが出来る。
【００１４】
また本発明の第二の実施形態の減圧乾燥装置は、塗布液を塗布されたシート状基板を搬送装置により減圧乾燥装置のチャンバー内に搬入し、前記チャンバー内を予め定められた減圧シーケンスに応じて減圧することにより前記基板に塗布された前記塗布液を乾燥する減圧乾燥装置であって、複数の減圧用チャンバーと、前記各チャンバーに吸気口が配管を経由して接続された単一の減圧用ポンプと、それぞれの前記配管に設けられ、前記減圧用ポンプを作動させることにより、各チャンバの減圧状態を制御するレギュレータと、前記各チャンバーに設定された減圧シーケンスに応じて前記レギュレータを個別制御する制御装置と、前記各チャンバーへの気流を制御する為に前記チャンバーに対応してそれぞれ前記配管に設けられたバルブと、を備えていることを特徴としている。
【００１５】
本発明の第二の実施形態の減圧乾燥装置によれば、レギュレータを減圧状態の制御に用いることにより、より正確に各チャンバーの減圧状態を制御することが出来る。
【００１６】
本発明の基板処理システムは、シート状基板に塗布液を塗布装置により塗布し、ついで前記塗布基板を少なくとも一つの減圧用チャンバーを有する乾燥装置に搬入し、前記チャンバーに設定された減圧シーケンスに応じてチャンバー内を減圧することにより減圧乾燥を行い、乾燥終了後次工程に搬出する塗布乾燥装置を有するシート状基板の処理ラインを複数有する基板処理システムであって、前記減圧乾燥を行う減圧用ポンプであって基板処理システムに含まれる全乾燥装置のチャンバー数の合計より総数が少ない複数の減圧用ポンプと、前記減圧用ポンプが全てのチャンバーに接続可能な様に設置された配管と、前記配管経由で前記チャンバーに接続され前記複数の減圧用ポンプの接続切り替を行う複数のバルブと、を備えたことを特徴としている。
【００１７】
本発明の基板処理システムによれば、各々減圧乾燥装置を含む複数の基板処理ライン間で減圧用ポンプを共用するため、各減圧乾燥装置に特定の減圧用ポンプを割り当て接続した基板処理システムに比べ、プロセスサイクルタイムが速くなった場合においても稼働していない減圧用ポンプを減圧用ポンプが追加的に必要な基板処理ラインに追加接続することによりサイクルタイムを維持するとともに、設置する減圧用ポンプ台数を減らすことが可能になり、基板処理システムのコストを低減することができる。
【００１８】
本発明の基板処理システムにおけるバルブは、少なくとも全乾燥装置のチャンバー数の合計と同数のバルブは流量制御機能を有し、各チャンバーに対し少なくとも一つの流量制御機能付きバルブが接続されていることを特徴としている。
【００１９】
これにより、予め設定された減圧シーケンスに応じて制御装置により各チャンバーを減圧することができる。
本発明の第二の実施形態の基板処理システムは、シート状基板に塗布液を塗布装置により塗布し、ついで前記塗布基板を少なくとも一つの減圧用チャンバーを有する乾燥装置に搬入し、前記チャンバーに設定された減圧シーケンスに応じてチャンバー内を減圧することにより減圧乾燥を行い、乾燥終了後次工程に搬出する塗布乾燥装置を有するシート状基板処理ラインを複数有する基板処理システムであって、前記減圧乾燥を行う減圧用ポンプであって基板処理システムに含まれる全乾燥装置のチャンバー数の合計より総数が少ない複数の減圧用ポンプと、前記減圧用ポンプが全てのチャンバーに接続可能な様に設置された配管と、前記配管経由で前記チャンバーに接続され前記複数の減圧用ポンプの接続切り替を行う複数のバルブと、各チャンバーの減圧状態を制御するため各チャンバーに設置されたレギュレータと、前記チャンバーに設定された減圧シーケンスに応じて各チャンバー内を減圧する制御装置と、を備えたことを特徴としている。
【００２０】
本発明の第二の実施形態の基板処理システムによれば、レギュレータを減圧状態の制御に用いることにより、より正確に各チャンバーの減圧状態を制御することが出来る。
【００２１】
本発明の第三の実施形態の基板処理システムは、シート状基板に塗布液を塗布装置により塗布し、ついで前記塗布基板を少なくとも一つの減圧用チャンバーを有する乾燥装置に搬入し、前記チャンバーに設定された減圧シーケンスに応じてチャンバー内を減圧することにより減圧乾燥を行い、乾燥終了後次工程に搬出する塗布乾燥装置を有するシート状基板処理ラインを複数有する基板処理システムであって、前記減圧乾燥を行う減圧用ポンプであって基板処理システムに含まれる全乾燥装置のチャンバー数の合計より総数が少ない複数の減圧用ポンプと、前記減圧用ポンプが全てのチャンバーに接続可能な様に設置された配管と、前記配管経由で前記チャンバーに接続され前記複数の減圧用ポンプの接続切替を行う複数のバルブと、前記チャンバーに設定された減圧シーケンスに応じて各チャンバー内を減圧する制御装置と、前記減圧用ポンプの少なくとも一つに設けられた減圧用バッファタンクと、を備えたことを特徴としている。
【００２２】
本発明の第三の実施形態の基板処理システムによれば、主に各基板処理ラインの減圧乾燥装置に固定的に接続される減圧用ポンプと、必要時に臨時に減圧乾燥装置に接続される減圧用ポンプを分けることができ、また前記臨時接続用減圧ポンプにバッファタンクを設けることにより減圧力を調整することが可能となり、設置する減圧用ポンプの台数を大きく減少させることが可能となる。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、基板への塗布工程およびそれに続く乾燥工程を含む基板処理システムにおいて、乾燥工程における基板乾燥品質を低下させることなく、乾燥工程で使用される減圧乾燥機１台当たりの減圧乾燥用ポンプ台数を、現行のチャンバー１台当たり減圧乾燥用ポンプ一台という構成から減少させることが可能となり、基板処理システムの設備コストを大幅に減少させることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本発明の減圧乾燥装置の一実施形態を示す概略斜視図である。
【図２】基板の乾燥時間とチャンバー内圧の関係を示すグラフおよびチャンバー内圧とバルブの開度を示す図である。
【図３】プロセスサイクルと乾燥サイクルの関係を示すチャート図である。
【図４】本発明の減圧乾燥装置の別の実施形態を示す概略斜視図である。
【図５】本発明の基板処理システムの一実施形態を示す概略斜視図である。
【図６】複数の基板処理ラインにおけるプロセスサイクルと乾燥サイクルの関係を示すチャート図である。
【図７】本発明の基板処理システムの第二の実施形態を示す概略斜視図である。
【図８】本発明の基板処理システムの第三の実施形態を示す概略斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
【００２６】
図１は、本発明の減圧乾燥装置の一実施形態を示す概略図である。この減圧乾燥装置３０は、図示しない塗布装置により表面に塗布膜が形成された基板３２を搬送装置により減圧乾燥機１のチャンバー２ａ〜２ｃのいずれかに搬入しチャンバー内を減圧することにより基板３２表面の塗布膜を乾燥させるものである。ここで、本発明では搬送装置としてロボット３を利用しているが、その他の搬送機構、たとえばローラーコンベアまたは浮上搬送装置を利用しても構わない。また、ロボット３についてはその形式を特定するものではない。さらに、図１の実施形態に示す減圧乾燥装置１は３段チャンバー構成となっているが、本発明は３段構成以外の複数段チャンバー構成の減圧乾燥機にも同様に適用することが出来る。
【００２７】
本発明の減圧乾燥装置３０はチャンバー２ａ〜２ｃを有し、各チャンバーはチャンバー蓋２１および容器２２から構成されている。ロボット３がロボットハンド３１に積載した基板３２を減圧乾燥機３０に搬送すると、チャンバー蓋２１は図示しない駆動装置により容器２２との接触位置から上昇する。チャンバー容器２２にはその内部に図示しない基板受けステージならびにチャンバー容器２２の底部および前記基板受けを貫通する複数の基板受け部材（これも図示しない）が設けられていて、前記図示しない駆動装置により上昇および下降する。なお前記基板受けステージには、基板３２が乾燥時に前記基板受けステージと接触することを防止する図示しない基板保持部材が前記基板受け部材と異なる位置に複数設けられていて、前記基板受け部材は前記基板保持部材より低い位置まで下降することができる。一方、前記基板受け部材上昇時には、前記基板受け部材はロボットハンド３１の位置より高い位置まで上昇することが出来る。
【００２８】
ロボットハンド３１がチャンバー内の規定位置まで進入すると、前記基板受け部材は上昇し基板３２を保持する。同時にロボットハンド３１はチャンバー内より引き抜かれ、前記基板受け部材は下降し前記基板保持部材に基板３１を引き渡す。ついで、チャンバー蓋２１が下降し、下降終了と同時にチャンバーの減圧が開始される。ここで、連続基板処理動作時にはチャンバー２ａ〜２ｃへの基板搬送は基板が搬出済のチャンバーに対して行われるために、動作説明は特定のチャンバーを指定せずに行うこととする。
【００２９】
チャンバー２ａ〜２ｃには、減圧のため容器２２に真空ポンプ４に接続する配管２５が設けられている。配管２５はチャンバー２ａ〜２ｃを単一の真空ポンプ４に接続する為に図１に示すような配管構成となっている。また、チャンバー２ａ〜２ｃの減圧時に各チャンバーの開閉とその排気流量を制御するためにバルブ２３が各チャンバー毎に配管２５に設けられている。バルブ２３は図２にその概略構造が示されている様に内部に回転弁を有しており、流体の流れ方向に垂直な場合は閉となり、流れ方向に平行な場合は全開となるのみならずバルブ本体に対する弁の開度により流量をも調整することができる。
【００３０】
ここで図２を用いて減圧乾燥について詳述する。図２に示された「チャンバー内圧力−時間変化」グラフに示されている様に、減圧乾燥においては直線的に減圧するのでは無く、幾つかのステージに分けて減圧を行うことによりシート状基板の様な面積の大きい対象物を乾燥する際の気流による乾燥ムラを防止している。減圧開始ステージであるステージ１（Ｔ０〜Ｔ１）においては、急激な減圧は乾燥ムラを引き起こす為、図２「各ステージのバルブ開度」に示される様に、少しだけバルブ２３を開くと同時に真空ポンプ４ａまたは４ｂを駆動し、徐々に減圧対象チャンバーの減圧を行う。次にステージ２（Ｔ１〜Ｔ２）においてはバルブ２３の開度を増し、減圧速度を上昇させる。さらに、ステージ３（Ｔ２〜Ｔ４）においては、到達真空度に到達するためバルブを全開にする。ここで、Ｔ３はＴ２から到達到達真空度までの時間であり、バルブ２３は全開状態で有るためステージ３に含めている。到達到達真空度は目的が液の乾燥であるため、数パスカル（Ｐa）程度で十分である。次に、一定時間到達真空度を維持した後バルブ２３を閉とし、図１で図示しない配管経路より清浄空気（ＣＤＡ）または窒素ガスＮ２を供給しチャンバー２ａ内を大気圧に戻した後、チャンバー蓋２１を上昇し基板３２の入れ替えを行う。これら一連の動作（減圧シーケンス）は図示しない制御装置により制御される。
【００３１】
次に図３を用いて上記サイクルを連続で複数チャンバーを用いて実施した場合について各チャンバーの処理プロセスの相関関係について説明する。ここで、図３のチャートに示されているチャンバー１，２，３は連続基板処理における基板搬入の順を示すものであり、例えばチャンバー１が図１のチャンバー２ａの場合は、チャンバー２は図１のチャンバー２ｂ、チャンバー３はチャンバー２ｃとなる。基板塗布・乾燥プロセスにおいて、塗布時間と乾燥時間が一致することは殆ど無く、一般に乾燥時間の方が塗布時間より長くなる。従って、連続的に基板処理を行う場合、乾燥終了前に次の塗布済基板が減圧乾燥機に搬入されてくることになる。これに対応する為、一般的に減圧乾燥機には複数のチャンバーが設置されている。図３は図１に示された３段チャンバー構成の減圧乾燥機の基板処理チャートの一例を示している。これから明らかなように、３段チャンバーの全てがバルブ全開となる図２のグラフのステージ３に同時になることは無く、それどころか任意の２台のチャンバーが同時にステージ３になる時間もごく短いことが判る。このことは、３段チャンバー構成であっても真空ポンプは最大で２段分のチャンバーを同時に処理できる能力を備えていれば十分であることを示している。すなわち、前記チャンバー１がステージ３の場合、前記チャンバー２はステージ１または２であり、前記チャンバー３は未使用状態である。チャンバー２がステージ３になると、チャンバー１はステージ４から５、すなわちバルブ閉状態となり、チャンバー３はステージ１または２となる。さらにチャンバー３がステージ３になると、チャンバー２はステージ４から５、すなわちバルブ閉状態となり、チャンバー１が新たにステージ１または２となりこのサイクルが繰り返される。従って３段チャンバーが同時にステージ３になることは無い。
【００３２】
もちろん、図３は典型的な液についての乾燥サイクルの一例を示した物であり、塗布液によってはこのサイクルが変わることは言うまでも無い。しかし、一般的に塗布液が異なってもスロー減圧であるステージ１は乾燥ムラ防止のために一定時間必要であり、また急速減圧であるステージ２はチャンバー容積により左右される。従って塗布液の種類により影響を受けるものはステージ３であるが、ステージ３が短縮される方向に変更となる場合については、単にチャート全体が左に圧縮されるだけであるからステージ３が重なることにはならない。一方、ステージ３が延長される方向に変更される場合については、真空ポンプ４の能力を強化可能な場合はそのように対応すればよく、真空ポンプ４の能力強化で対応できない場合は、チャンバー段数を増やすか減圧乾燥機を増加して全体のサイクルタイムに合わせることとなる。チャンバー段数を増加するか減圧乾燥機を増加する場合は必要に応じ真空ポンプを増設すれば良い。すなわち、上記のようにあらゆるケースを考慮しても各チャンバー毎に真空ポンプを設ける必要は無い。
【００３３】
図４は図１の減圧乾燥装置の変形実施例を模式的に示したものである。図１の構成とは異なり、図３の減圧乾燥機４０においては各チャンバー２ａ〜２ｃ毎にレギュレータ２４が配管２５に設けられている。この構成において、バルブ２３は単に開/閉の機能のみを有し、流量調整はレギュレータ２４が行う。レギュレータ２４の設置位置に関しては、図４の例以外にもバルブ２３よりチャンバー側に設置しても構わない。図１の構成で図２に示す様な回転弁を有するバルブで流量調整を行う場合、開度と流量は必ずしも一次関数関係を示す訳では無く、従って事前テストばどにより予め設定値を調整しておく必要がある。そのため、塗布液交換（すなわち製造品種変更）を頻繁に行う場合、条件設定に時間が掛かる可能性がある。従って、レギュレータを利用することにより塗布液交換時などに迅速に対応できるだけでなく、減圧動作専用レギュレータを利用すれば、より精密な流量設定を行うことも可能になる。
【００３４】
次に、図５〜図６を使用して図１で示した本発明の減圧乾燥機を含む基板処理ラインを複数有する基板処理システムにおいて、図１〜図４で示された本発明の減圧乾燥装置を応用してシステム全体で設備を簡略化する実施例について説明する。図５は本発明の減圧乾燥機を含む複数の基板処理ラインから成る基板処理システムの一実施例である。基板処理システムは、例えば液晶パネルの場合は基板処理ラインを５〜６ライン有し、各基板処理ラインは洗浄→乾燥→塗布→乾燥→プリベーク→露光→現像/エッチング→洗浄→ベークの工程で構成されている。ここでは説明の簡略化の為、図５以降の基板処理システムは１０１ａおよび１０１ｂの２ライン構成とし、装置も図１と同じく搬入ロボットおよび減圧乾燥装置のみを表示する。基板処理ライン１０１ａおよび１０１ｂの減圧乾燥装置３０ａ、３０ｂは、単体では図１に示された減圧乾燥装置３０と同じ構成であり、装置構成の詳細記述は省略する。図５の基板処理システム５５においては、新たに真空ポンプ４ａｂが設けられ、バルブ２６により分岐され配管２５を経由して各チャンバー２ａａ〜２ｂｃに接続されている。ここで、バルブ２６はチャンバーに接続する配管２５の開/閉のみを制御し排気流量は制御しない。また、バルブの型式として４方弁を使うことが必要であるが、駆動方式は空圧開閉/電磁開閉のいずれでも問題無い。図５の基板処理システム５５においては、バルブ２６から出た配管はバルブ２３に対しチャンバーと反対側（すなわち真空ポンプ側）にて真空ポンプ４ａまたは４ｂからの配管と結合される。図５の構成においては、排気流量制御をバルブ２６が対応する為、真空ポンプ側にて接続する必要がある。また、真空ポンプ４ａ、４ｂに過重な負荷が掛からない様にさらにバルブ２８が設けられていて、真空ポンプ４ａ、４ｂと真空ポンプ４ａｂが減圧を行うチャンバー（２ａａ〜２ｂｃのいずれか）を分けている。その理由は以下の通りである。
【００３５】
真空ポンプ４ａｂからの配管がバルブ２３に対し真空ポンプ側で接続されている場合、真空ポンプ４ａまたは４ｂが真空ポンプ４ａｂの減圧するチャンバー（２ａａ〜２ｂｃのいずれか）に対しても接続状態となる。この場合、真空ポンプの負荷にどの様な影響が出るかは予測が付けがたく、最悪過剰負荷になりポンプ４ａおよび４ｂのいずれか、または双方が停止する危険性が生じる。そのため、このような事態を防止する為、真空ポンプ４ａおよび４ｂと真空ポンプ４ａｂからの配管接続部の間にさらにバルブ２８を設け、真空ポンプ４ａまたは４ｂが真空ポンプ４ａｂの減圧する前記チャンバー（２ａａ〜２ｂｃのいずれかで真空ポンプ４ａｂが接続されるもの）に対しても接続状態となることを防止する。
【００３６】
図６は図５で示した基板処理システム５５に対して、連続で基板処理を行った場合の各基板処理ラインの各チャンバー間のプロセス相関関係について説明する。説明を判りやすくする為、各ラインのスタートと塗布サイクル・乾燥サイクルは同じとしている。ここで、ライン１およびライン２は基板処理の順番を示すための便宜的呼び名であって、図５の基板処理ライン１０１ａおよび１０１ｂのいずれであってもよく、図６のチャートに示されているチャンバー１，２，３は連続基板処理における基板搬入の順を示すものであり、例えばライン１が図５の基板処理ライン１０１ａ、チャンバー１がチャンバー２ａａの場合、チャンバー２はチャンバー２ａｂ、チャンバー３はチャンバー２ｂｃとなる。図６から明らかなように、チャート上で縦線で挟まれた領域ｘにおいて、真空ポンプの負荷が最大になっていることが判る。ここで、各基板処理ライン１０１ａおよび１０１ｂの減圧乾燥装置３０ａおよび３０ｂに真空ポンプを追加することは可能ではあるが、図６に示す全開状態にはないラインのチャンバー３について追加真空ポンプ４ａｂを接続することにより、真空ポンプ４ａおよび４ｂをそれぞれ２チャンバー分の最大負荷に対応するだけの能力に限定することが可能となる。もちろん、減圧負荷および乾燥サイクルに応じて真空ポンプ４ａｂを複数設けても良い。
【００３７】
図６の基板処理システムの変形例として、図１の減圧乾燥装置に対する図４の減圧乾燥装置と同じく、図７に実施例である基板処理システム５６の様にレギュレータを利用する構成が可能である。図７の基板処理システム５６を構成する各基板処理ライン１０１ａおよび１０１ｂの減圧乾燥装置４０ａ、４０ｂの構成は図４の減圧乾燥装置４０と同じである為重複部分の説明は省略する。ここで、図１の減圧乾燥装置３０に対しレギュレータ２４を追加した図４の減圧乾燥装置４０場合は、レギュレータ２４の設置位置はバルブの前後どちらでも構わなかったが、図７の実施例においてはバルブ２３よりチャンバー側に設置する必要があり、また真空ポンプ４ａｂからの配管はバルブ２３とレギュレータ２４間でチャンバー２ａａ〜２ｂｃへの配管２５に接続する必要がある。この様に配管と機器の配置に制約が発生するのは以下の理由による。
【００３８】
図６のチャートに示された様に、領域ｘにおいては真空ポンプ４ａおよび４ｂはそれぞれ２台のチャンバー（２ａａ〜２ｂｃのいずれか）の減圧を行う。この状態で、真空ポンプ４ａｂからの配管がバルブ２３に対し真空ポンプ側で接続されているとすると、バルブ２３は残りのステージ１または２にあるチャンバー（２ａａ〜２ｂｃのいずれかで真空ポンプ４ａｂが接続されるもの）を減圧する為に開状態となるので、結果的に真空ポンプ４ａおよび４ｂに接続されることになる。この場合、真空ポンプの負荷にどの様な影響が出るかは予測が付けがたく、最悪過剰負荷になりポンプ４ａおよび４ｂのいずれか、または双方が停止する危険性が生じる。そのため、このような事態を防止する為、真空ポンプ４ａｂからの配管はバルブ２３とレギュレータ２４間でチャンバーへの配管に接続し、当該箇所のバルブ２３は閉にする必要が有る。
【００３９】
図８は図５の基板処理システムの変形例の異なる実施例を示すものである。図８の基板処理システム５７において、基板処理ライン１０１ａ、１０１ｂ共用の真空ポンプ４ａｂはバッファタンク２７を備えている。バッファタンク２７を設け予めバッファタンク２７内を減圧しておくことにより、真空ポンプ４ａｂは真空容量を増大することができる。このため真空ポンプ４ａｂの能力を計算上導き出されるものより低くすることが可能になる。このことは基板処理システム１１ｂの設備コストをさらに減少させることが可能になる。
【００４０】
図８において、各基板処理ライン１０１ａ、１０１ｂは図７と同じくレギュレータ２４を備えた構成となっているが、レギュレータ２４を使用しない図５と同じ構成であっても構わない。ただし、真空ポンプ４ａｂからの配管接続位置は、図７の減圧乾燥機の説明で記載した内容と同じ理由により、図７と同じ構成にする必要がある。
【００４１】
以上、本発明の各実施形態に係る減圧乾燥装置３０または４０によれば、複数のチャンバーを有する減圧乾燥装置であっても、チャンバーの数と同じ数の真空ポンプを必要とせず、設備コストの低い減圧乾燥装置を提供出来る。
【００４２】
また、本発明の各実施形態に係る基板処理システム５５，５６，５７によれば、基板処理システムを構成する基板処理ラインの減圧乾燥装置の真空ポンプを同じく減圧乾燥装置のチャンバー総数より少ない数でシステムスループットを低下することなく所定の基板乾燥を行うことが出来る。
【００４３】
今回開示した基板処理システムの実施形態については、塗布装置に関して制約を伴うものでは無い。従って塗布液を塗布し乾燥する形式の基板処理システムであればスリットノズルコータ、スピンコータ、インクジェットプリンターを含む任意の塗布装置に対応できる。また、基板については液晶等に用いられる矩形基板から半導体ウエハー用の円形基板の何れにも対応することが出来る。また塗布液についても制約は無く、溶剤を蒸発させ乾燥を行うものであれば任意の塗布液に対して対応出来る。
【００４４】
従って、本発明の減圧乾燥機および基板処理システムは、液晶パネル製造装置、有機ＥＬパネル製造装置、タッチパネル製造装置、半導体製造装置を含め各種産業用途に適用可能である。
【符号の説明】
【００４５】
２ａ：チャンバー  ３：ロボット    ４：真空ポンプ  ２１：チャンバー蓋  ２２：チャンバー容器    ２３：バルブ    ２４：レギュレータ  ２５：配管  ２６：バルブ  ２７：バッファタンク  ３０：減圧乾燥装置  ３１：ロボットハンド  ３２：基板  ５５：基板処理システム  １０１ａ：基板処理ライン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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