(57)【要約】【課題】ピックアップ性が良好であり、持ち帰りの発生を抑制することができるコレット、その使用方法、および、そのコレットを使用した光半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】コレット７は、封止半導体素子３を吸引して移動するコレット７であって、開口部８と開口部８を囲う当接部９とを有する吸引部７を備え、封止半導体素子３に対する開口部８の面積比が、８％以上８８％以下であり、当接部８のショアＡが、６５以上９５未満である。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被着体を吸引して移動するコレットであって、
開口部と前記開口部を囲う当接部とを有する吸引部を備え、
前記被着体に対する前記開口部の面積比が、８％以上８８％以下であり、
前記当接部のショアＡが、６５以上９５未満である
ことを特徴とする、コレット。
【請求項２】
前記被着体に対する前記開口部の面積比が、８％以上７６％以下であることを特徴とする、請求項１に記載のコレット。
【請求項３】
前記被着体に対する前記吸引部の面積比が、３５％以上１２６％以下であることを特徴とする、請求項１または２に記載のコレット。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか一項に記載のコレットを、前記吸引部が被着体と間隔を隔てて対向するように配置する配置工程、
吸引の実施によって前記被着体を前記当接部に当接させる当接工程、
前記コレットを移動させる移動工程、および、
吸引の解除によって前記被着体を前記当接部から離隔させる離隔工程
を備えることを特徴とする、コレットの使用方法。
【請求項５】
前記被着体が、光半導体素子と前記光半導体素子を封止する封止層とを備える封止半導体素子であって、
前記封止層が、タック性を備え、
前記当接工程において、前記封止層を前記当接部に当接させることを特徴とする、請求項４に記載の使用方法。
【請求項６】
搬送基材と前記搬送基材の上に配置される封止半導体素子とを搬送する搬送工程、および、
請求項１〜３のいずれか一項に記載のコレットを使用して、前記封止半導体素子を吸引して移送する移送工程、および、
前記封止半導体素子を実装基材に実装する実装工程
を備えることを特徴とする、光半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、コレット、その使用方法および光半導体装置の製造方法に関し、詳しくは、コレット、コレットを使用する方法、および、コレットを使用して光半導体装置を製造する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、光半導体装置を組み立てるには、例えば、まずＬＥＤ（発光ダイオード素子）などの光半導体素子を用意し、その光半導体素子を実装基材に実装し、実装後の光半導体素子を封止材で封止する。
【０００３】
そして、光半導体装置を工業的にかつ効率的に組み立てるために、あらかじめ光半導体素子を多量に用意し、次いで、その多量の光半導体素子を搬送テープなどの長尺な搬送基材に一旦収容し、次いで、その収容された搬送基材を、実装基材が多数整列配置された実装台の周辺まで搬送し、次いで、搬送基材から光半導体素子をピックアップして実装台まで移動させ、光半導体素子を実装基材に実装し、最後に、光半導体装置を封止材で封止する。
【０００４】
このとき、光半導体素子などの半導体素子をピックアップするために、コレットを備えた吸引装置が用いられることが知られている（例えば、特許文献１参照。）。この吸引装置のピックアップの方法としては、具体的には、吸引開口部が形成されたコレットを半導体素子の上方近傍に移動させ、半導体素子のみを吸い上げてコレット表面に当接させる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平８−１８１１５８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかるに、近年、光半導体装置の種類や製造工程の多様化により、光半導体素子が封止層で予め封止された封止半導体素子を、実装基材に実装する要望が存在する。封止半導体素子は、リフレクター材料や薄膜ガラスで被覆されている従来の半導体素子そのものとは異なり、光半導体素子の全面が封止層（樹脂）で被覆されている場合がある。また、封止半導体素子は、ピックアップ工程に至るまでに、粘着テープを使用した転写を複数回実施して製造されて、その表面に粘着成分が残存している場合がある。そのため、封止半導体素子は、一般的に、その表面にタック性を備える。
【０００７】
このような封止半導体素子をコレットでピックアップする際に、そのタック性の影響によって、封止半導体素子が搬送テープ表面から離隔しない場合がある。すなわち、ピックアップできない不具合が生じる。
【０００８】
また、封止半導体素子をピックアップできた場合であっても、コレットを搬送テープ側から実装台に移動させて封止半導体素子を実装基材に実装させる場合に、封止半導体素子がコレット表面から離隔しない場合が生じる。そうすると、封止半導体素子をピックアップした状態でコレットが再度搬送テープ側に移動する不具合（持ち帰り現象）が生じる。
【０００９】
本発明は、ピックアップ性が良好であり、持ち帰りの発生を抑制することができるコレット、その使用方法、および、そのコレットを使用した光半導体装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明のコレットは、被着体を吸引して移動するコレットであって、開口部と前記開口部を囲う当接部とを有する吸引部を備え、前記被着体に対する前記開口部の面積比が、８％以上８８％以下であり、前記当接部のショアＡが、６５以上９５未満であることを特徴としている。
【００１１】
また、本発明のコレットは、前記被着体に対する前記開口部の面積比が、８％以上７６％以下であることが好適である。
【００１２】
また、本発明のコレットは、前記被着体に対する前記吸引部の面積比が、３５％以上１２６％以下であることが好適である。
【００１３】
本発明のコレットの使用方法は、上記のコレットを、前記吸引部が被着体と間隔を隔てて対向するように配置する配置工程、吸引の実施によって前記被着体を前記当接部に当接させる当接工程、前記コレットを移動させる移動工程、および、吸引の解除によって前記被着体を前記当接部から離隔させる離隔工程を備えることを特徴としている。
【００１４】
また、本発明のコレットの使用方法は、前記被着体が、光半導体素子と前記光半導体素子を封止する封止層とを備える封止半導体素子であって、前記封止層が、タック性を備え、前記当接工程において、前記封止層を前記当接部に当接させることが好適である。
【００１５】
本発明の光半導体装置の製造方法は、搬送基材と前記搬送基材の上に設けられる封止半導体素子とを搬送する搬送工程、上記のコレットを使用して、前記封止半導体素子を吸引して移送する移送工程、および、前記封止半導体素子を実装基材に実装する実装工程を備えることを特徴としている。
【発明の効果】
【００１６】
本発明のコレットおよびその使用方法は、被着体に対するコレットの開口部の面積比が、８％以上８８％以下であり、コレットの当接部のショアＡが、６５以上９５未満であるため、ピックアップ性が良好であり、かつ持ち帰りの発生を抑制することができる。そのため、被着体の実装性に優れる。
【００１７】
また、本発明の光半導体装置の製造方法によれば、本発明のコレットを使用しているため、光半導体装置の歩留まりに優れる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】図１は、本発明のコレットの第１実施形態を使用する工程の斜視図を示す。
【図２】図２Ａおよび図２Ｂは、本発明の使用法方法において使用する素子搭載基材であって、図２Ａは、側面図およびその拡大図を示し、図２Ｂは、図２Ａの拡大図の平面図を示す。
【図３】図３Ａ〜図３Ｆは、本発明のコレットを使用して、光半導体装置を製造する工程図であって、図３Ａは、素子搭載基材を用意し、搬送する用意工程、図３Ｂは、コレットを配置する配置工程、図３Ｃは、封止半導体素子を当接部に当接させる当接工程、図３Ｄは、コレットを移動する移動工程、図３Ｅは、封止半導体素子を実装基材に実装する実装工程、図３Ｆは、封止半導体素子を当接部から離隔させる離隔工程を示す。
【図４】図４Ａ〜図４Ｂは、図１のコレットの吸引部を示す図であって、図４Ａは、コレットに封止半導体素子が当接されていない状態、図４Ｂは、コレットに封止半導体素子が当接されている状態を示す。
【図５】図５Ａ〜図５Ｂは、本発明のコレットの第２実施形態（開口部が略矩形状である形態）の吸引部を示す図であって、図５Ａは、コレットに封止半導体素子が当接されていない状態、図５Ｂは、コレットに封止半導体素子が当接されている状態を示す。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
図１において、以下で説明する方向は、各図に示す方向矢印記載の通りである。
【００２０】
図２Ａにおいて、紙面上下方向は、素子搭載基材の上下方向（厚み方向、第１方向）であって、紙面上側は、上側（厚み方向一方側、第１方向一方側）、紙面下側は、下側（厚み方向他方側、第１方向他方側）である。紙面左右方向は、長手方向（第１方向に直交する第２方向）であって、紙面右側が、長手方向一方側（第２方向一方側）、紙面左側が、長手方向他方側（第２方向他方側）である。紙面紙厚方向は、幅方向（第１方向および第２方向に直交する第３方向）であって、紙面奥側が、幅方向一方側（第３方向一方側）、紙面手前側が、幅方向他方側（第３方向他方側）である。以下の説明において、素子搭載基材の方向に関する記載については、図２Ａの方向に準じる。  
【００２１】
図１〜図４Ｂを参照して、本発明の光半導体装置１０の製造方法の一実施形態を説明する。光半導体装置１０の製造方法は、用意工程、搬送工程、移送工程および実装工程を備える。以下、各工程を詳述する。
【００２２】
（用意工程）
用意工程では、図２Ａ、図２Ｂおよび図３Ａに示すように、素子搭載基材１を用意する。
【００２３】
素子搭載基材１は、搬送基材の一例としての搬送テープ２と、被着体の一例としての封止半導体素子３とを備えている。
【００２４】
搬送テープ２は、長手方向に長尺なシートであって、リール２１にロール状に巻回されている。搬送テープ２は、支持部２０と、支持部２０に設けられる複数の収容部１１とを備えている。
【００２５】
支持部２０は、搬送テープ２の外形形状をなし、平板形状に形成されている。
【００２６】
複数の収容部１１は、支持部２０の幅方向（長手方向と直交方向）の略中央部に、長手方向に等間隔で配置されている。収容部１１は、平面視略矩形状に形成されている。また、収容部１１は、封止半導体素子３を搬送テープ２内部に収容可能なように、搬送テープ２が下側に向って凹むように形成されており、また、側断面視においては、上側に向かって広がるテーパ形状に形成されている。なお、収容部１１の底部の略中央部には、封止半導体素子３を下方に吸引して封止半導体素子３を底部に配置する吸込口１２が形成されている。また、収容部１１の底部の厚みは、支持部２０の厚みと略同一である。
【００２７】
搬送テープ２の厚みは、例えば、例えば、０．０５ｍｍ以上、好ましくは、０．１ｍｍ以上であり、また、例えば、５ｍｍ以下、好ましくは、１ｍｍ以下である。
【００２８】
収容部１１の深さ（収容部１１の底部の上面から支持部２０の上面までの上下方向長さ）は、後述する封止層４の厚みよりも高くなるように調整されており、例えば、０．１ｍｍ以上、好ましくは、０．５ｍｍ以上であり、また、例えば、５ｍｍ以下、好ましくは、３ｍｍ以下である。
【００２９】
収容部１１の底部の長手方向長さおよび幅方向長さのそれぞれは、封止層４（後述）の長手方向長さおよび幅方向長さのそれぞれよりも長くなるように調整され、それぞれ、例えば、０．１ｍｍ以上、好ましくは、０．５ｍｍ以上であり、また、例えば、１５ｍｍ以下、好ましくは、１０ｍｍ以下である。
【００３０】
搬送テープ２は、例えば、複数の収容部１１が形成されるように、厚みが均一で長尺なシートの略中央部を下側に向かって平面視略矩形状にプレス加工することにより得られる。
【００３１】
素子搭載基材１において、封止半導体素子３は、搬送テープ２に搭載されている。詳しくは、封止半導体素子３は、収容部１１の底部上面の平面視略中央部に接触するように、搬送テープ２に配置されている。封止半導体素子３は、光半導体素子５と封止層４とを備えている。
【００３２】
光半導体素子５としては、例えば、青色光を発光する青色ＬＥＤ（発光ダイオード素子）が挙げられる。光半導体素子５の下面には、電極（図示せず）が設けられている。
【００３３】
光半導体素子５の形状は、例えば、平板矩形状であり、その寸法は、用途および目的に応じて適宜調整される。具体的には、厚みが、例えば、１０μｍ以上１０００μｍ以下である。長手方向長さおよび幅方向長さの最大長さが、例えば、０．０５ｍｍ以上、好ましくは、０．１ｍｍ以上であり、また、例えば、５ｍｍ以下、好ましくは、２ｍｍ以下である。
【００３４】
封止層４は、光半導体素子５を封止するように形成されている。詳しくは、光半導体素子５の上面および周側面を被覆し、光半導体素子５の下面を露出するように、平面視略矩形状および側面視略矩形状に形成されている。また、封止層４の下面（最下面）は、収容部１１の底部の上面と接触している。
【００３５】
封止層４は、タック性を備えている。すなわち、封止層４は、その表面、具体的には、上面、周側面および下面において、タック性を備えている。
【００３６】
封止層４の最小荷重値は、例えば、５ｍＮ／１０ｍｍ以上、好ましくは、４０ｍＮ／１０ｍｍ以上である。また、例えば、５００ｍＮ／１０ｍｍ以下、好ましくは、２００ｍＮ／１０ｍｍ以下である。封止層４の最小荷重値が上記範囲となる場合、封止層４は適度なタック性を備える。そして、本発明の製造方法では、特に、タック性を有する封止層４を備える封止半導体素子３に対して、良好なピックアップ性および持ち帰り抑制を発揮することができる。
【００３７】
封止層４の最小荷重値は、精密荷重測定装置（型番：Ｍ−１６０５ＩＩＶＬ、アイコーエンジニアリング社製）を用いて、装置のプローブを封止層４の表面に押し付けた後引き上げる際に測定される荷重の最小値の絶対値を測定することにより求められる。測定条件は、プローブ先端：直径４ｍｍのニトリルブタジエンゴム、最大荷重：４５００ｍＮ、速度：０．５（最低速度）とする。
【００３８】
硬化性樹脂組成物としては、例えば、熱硬化性樹脂組成物、紫外線硬化性樹脂組成物などが挙げられ、好ましくは、熱硬化性樹脂組成物が挙げられる。
【００３９】
熱硬化性樹脂組成物としては、２段反応熱硬化性樹脂組成物、１段反応熱硬化性樹脂組成物などが挙げられる。
【００４０】
２段反応熱硬化性樹脂組成物は、２つの反応機構を有しており、第１段の反応で、Ａステージ状態からＢステージ化（半硬化）し、次いで、第２段の反応で、Ｂステージ状態からＣステージ化（完全硬化）することができる樹脂組成物である。つまり、２段反応熱硬化性樹脂は、適度の加熱条件によりＢステージ状態となることができる。
【００４１】
１段反応熱硬化性樹脂組成物は、１つの反応機構を有しており、第１段の反応で、Ａステージ状態からＣステージ化（完全硬化）することができる樹脂組成物である。Ｂステージ状態となることができる１段反応熱硬化性樹脂組成物は、第１段の反応の途中で、その反応が停止して、Ｂステージ状態を維持することができ、その後のさらなる加熱によって、第１段の反応が再開されて、Ｂステージ状態からＣステージ化（完全硬化）することができる。
【００４２】
硬化性樹脂組成物としては、具体的には、例えば、シリコーン樹脂組成物、エポキシ樹脂組成物、ウレタン樹脂組成物、ポリイミド樹脂組成物、フェノール樹脂組成物、尿素樹脂組成物、メラミン樹脂組成物、不飽和ポリエステル樹脂組成物などが挙げられ、好ましくは、シリコーン樹脂組成物が挙げられる。
【００４３】
シリコーン樹脂組成物としては、好ましくは、２段反応性熱硬化性シリコーン樹脂組成物、１段反応性熱硬化性シリコーン樹脂組成物が挙げられ、より好ましくは、１段反応性熱硬化性シリコーン樹脂組成物が挙げられる。
【００４４】
１段反応性熱硬化性シリコーン樹脂組成物としては、例えば、フェニル基を分子内に含むフェニル系シリコーン樹脂組成物などが挙げられる。
【００４５】
封止層４を形成する硬化性樹脂組成物は、例えば、蛍光体、無機フィラーなどを含有することもできる。
【００４６】
蛍光体は、波長変換機能を有しており、例えば、青色光を黄色光に変換することのできる黄色蛍光体、青色光を赤色光に変換することのできる赤色蛍光体などが挙げられる。
【００４７】
黄色蛍光体としては、例えば、（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ）２ＳｉＯ４；Ｅｕ、（Ｓｒ，Ｂａ）２ＳｉＯ４：Ｅｕ（バリウムオルソシリケート（ＢＯＳ））などのシリケート蛍光体、例えば、Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ（ＹＡＧ（イットリウム・アルミニウム・ガーネット）：Ｃｅ）、Ｔｂ３Ａｌ３Ｏ１２：Ｃｅ（ＴＡＧ（テルビウム・アルミニウム・ガーネット）：Ｃｅ）などのガーネット型結晶構造を有するガーネット型蛍光体、例えば、Ｃａ−α−ＳｉＡｌＯＮなどの酸窒化物蛍光体などが挙げられる。赤色蛍光体としては、例えば、ＣａＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ、ＣａＳｉＮ２：Ｅｕなどの窒化物蛍光体などが挙げられる。
【００４８】
無機フィラーとしては、例えば、シリカ、タルク、アルミナ、酸化ホウ素、酸化カルシウム、酸化亜鉛、酸化ストロンチウム、酸化マグネシウム、酸化ジルコニウム、酸化バリウム、酸化アンチモンなどの酸化物、例えば、窒化アルミニウム、窒化ケイ素などの窒化物などの無機物粒子が挙げられる。
【００４９】
封止層４の厚み（最上面と最下面との上下方向長さ）（ひいては、封止半導体素子３の厚み）は、例えば、０．１ｍｍ以上、好ましくは、０．２ｍｍ以上であり、また、例えば、５ｍｍ以下、好ましくは、３ｍｍ以下である。  封止層４の長手方向長さおよび幅方向長さ（特に封止層４上面における長さ）は、それぞれ、例えば、０．１ｍｍ以上、好ましくは、０．５ｍｍ以上であり、また、例えば、１０ｍｍ以下、好ましくは、３ｍｍ以下である。
【００５０】
封止層４の上面の面積は、具体的には、例えば、０．３ｍｍ２以上、好ましくは、１ｍｍ２以上であり、また、例えば、９ｍｍ２以下、好ましくは、４ｍｍ２以下である。
【００５１】
封止半導体素子３は、例えば、第１剥離シートと、第１剥離シートの上に設けられ、封止層４（Ｂステージ）とを備える封止層転写シートを用意する工程、第２剥離シートと、第２剥離シートの上に設けられる光半導体素子５とを備える光半導体素子シートを用意する工程、封止層転写シートの封止層４を光半導体素子シートに転写して、光半導体素子５を封止層４で封止する工程、第１剥離シートおよび第２剥離シートを剥離する工程により得られる。
【００５２】
素子搭載基材１は、上記で得られる封止半導体素子３を搬送テープ２の収容部１１に配置することにより作製することができる。例えば、吸込口１２から下方に向かって吸引しながら、公知の搬送アームを用いて封止半導体素子３の下面が収容部１１の底部の上面に接触するように封止半導体素子３を配置する工程、吸引を維持したまま、搬送アームを封止半導体素子３から離隔する工程によって作製することができる。
【００５３】
（搬送工程）
搬送工程では、用意工程後に、図１および図３Ａに示すように、素子搭載基材１を搬送する。
【００５４】
具体的には、図１に示すように、搬送領域１３において、ロールトゥロール法によって、素子搭載基材１の長手方向が搬送方向と一致するように、素子搭載基材１を搬送方向一方側から搬送方向他方側に向かって搬送する。すなわち、一方のリール２１に巻回された搬送テープ２を他方のリール２２に巻回することにより、素子搭載基材１を搬送する。
【００５５】
なお、素子搭載基材１が搬送されている搬送領域１３の搬送方向中央が、ピックアップ領域１４として区画される。
【００５６】
ピックアップ領域１４の直交方向（搬送方向と直交する方向）一方側には、間隔を隔てて、実装領域１５が区画されている。
【００５７】
実装領域１５には、実装台１６が配置されている。
【００５８】
実装台１６の上面には、複数の実装基材１７が整列配置されている。実装基材１７は、例えば、絶縁基板からなる。実装基材１７の上面には、電極を含む導体パターン（図示せず）が形成されている。
【００５９】
（移送工程）
移送工程では、搬送工程後に、コレット６を備える吸引移動装置１８を使用して、ピックアップ領域１４から実装領域１５まで、封止半導体素子３を移送する。具体的には、配置工程、当接工程、移動工程を備える。
【００６０】
吸引移動装置１８は、図１に示すように、コレット６と、移動部１９（仮想線で示す）とを備えている。
【００６１】
コレット６は、上下方向（搬送方向および直交方向と直交する方向）に延びる管状に形成され、下端部に、吸引部７を備えている。
【００６２】
吸引部７は、図４Ａに示すように、底面視略矩形状に形成されており、開口部８と当接部９とを備えている。
【００６３】
吸引部７の面積（すなわち、開口部８の面積と当接部９の面積との合計）は、封止半導体素子３の上面の面積に対して、その面積比（吸引部７／封止半導体素子３）は、例えば、２０％以上、好ましくは、３５％以上であり、また、例えば、１６０％以下、好ましくは、１２６％以下となるように設定する。吸引部７の面積（すなわち、開口部８の面積と当接部９の面積との合計）は、具体的には、例えば、０．０６ｍｍ２以上、好ましくは、０．１ｍｍ２以上であり、また、例えば、１４ｍｍ２以下、好ましくは、１１ｍｍ２以下である。吸引部７の面積比を上記範囲内とすることにより、封止半導体素子３と吸引部７との接触面積を確保できる。また、封止半導体素子３の面積に対する吸引部７の面積のはみ出しを低減して、実装済みの封止半導体素子３との間隔をより狭く確保することができる。このため、密集した実装基材１７群に対しても、ピックアップした封止半導体素子３を高速で確実に実装することができる。
【００６４】
開口部８は、底面視略円形状に形成され、コレット６を上下方向に貫通している。開口部８は、開口部８の中心が吸引部７の重心（中心）と一致するように、形成されている。
【００６５】
開口部８の面積は、封止半導体素子３の上面の面積に対して、その面積比（開口部８／封止半導体素子３）が、８％以上８８％以下となるように設定する。面積比は、好ましくは、１２％以上であり、また、好ましくは、７６％以下である。開口部８の面積は、具体的には、例えば、０．０３ｍｍ２以上、好ましくは、０．０４ｍｍ２以上であり、また、例えば、８ｍｍ２以下、好ましくは、７ｍｍ２以下である。開口部８を上記範囲内とすることにより、コレット６によって確実に封止半導体素子３をピックアップし、かつ、封止半導体素子３の持ち帰りを抑制して実装基材１７に確実に実装することができる。また、高速でピックアップおよび実装することができる。
【００６６】
当接部９は、開口部８を囲うように形成される底面視枠形状に形成されている。
【００６７】
当接部９は、底面視略矩形状（特に、略正方形状）に形成されている。当接部９の外形は、吸引部７の外形と一致し、当接部９の内形は、開口部８の形状と一致する。
【００６８】
当接部９の搬送方向長さおよび直交方向長さは、それぞれ、例えば、１ｍｍ以上、好ましくは、１０ｍｍ以上であり、また、例えば、１０００ｍｍ以下、好ましくは、１００ｍｍ以下である。
【００６９】
当接部９のショアＡ（硬度）は、６５以上であり、９５未満である。好ましくは、７０以上、より好ましくは、８０以上であり、また、好ましくは、９０以下、より好ましくは、８５以下である。当接部９のショアＡを上記範囲内とすることにより、コレット６によって確実に封止半導体素子３をピックアップし、かつ、封止半導体素子３の持ち帰りを抑制して実装基材１７に確実に実装することができる。
【００７０】
ショアＡは、ＪＩＳ  Ｋ  ６２５３−３（２０１２年）に基づいて、デュロメーター（スプリング式ゴム硬度計）を用いて測定される。
【００７１】
当接部９は、例えば、ゴムなどから形成されている。ゴムとしては、例えば、天然ゴム、合成ゴムなどが挙げられる。合成ゴムとしては、例えば、ブチルゴム、スチレン・ブタジエンゴム（ＳＢＲ）、イソプレンゴム（ＩＲ）、エチレンプロピレンゴム（ＥＰＭ）、エチレン・プロピレン・ジエンゴム（ＥＰＤＭ）、ウレタンゴム、シリコーンゴム、フッ素ゴムなどが挙げられる。
【００７２】
移動部１９は、図１に示すように、コレット６を搬送方向、直交方向および上下方向に移動させる装置（Ｘ−Ｙ−Ｚテーブル）である。移動部１９は、ピックアップ領域１４および実装領域１５の上方に配置されており、コレット６を移動可能なように、移動部１９の下面において係止している。
【００７３】
吸引移動装置１８は、図示しないコンプレッサーを備えている。コンプレッサーにより、コレット６の開口部８内部の空気を吸引し、ひいては、封止半導体素子３を吸引することが可能となる。
【００７４】
配置工程では、図３Ｂに示すように、コレット６を、吸引部７が封止半導体素子３と間隔を隔てて対向するように配置する。
【００７５】
詳しくは、ピックアップ領域１４において、搬送テープ２に収容され連続して搬送されてくる封止半導体素子３の上方近傍に、移動部１９によりコレット６を移動させる。
【００７６】
このとき、図４Ｂに示すように、上下方向に投影したときに、開口部８が封止半導体素子３に含まれるように配置する。より具体的には、封止半導体素子３の重心が開口部８の中心および吸引部７の重心と一致するように配置する。
【００７７】
吸引部７の下面（当接面）と、封止半導体素子３の上面との間隔は、例えば、１０μｍ以上、好ましくは、５０μｍ以上であり、また、例えば、１０００μｍ以下、好ましくは、５００μｍ以下である。
【００７８】
当接工程では、配置工程後に、図３Ｃに示すように、吸引の実施によって封止半導体素子３を当接部９に当接させる。
【００７９】
具体的には、コンプレッサーを稼働させ、開口部８内部を低圧（負圧）にすることにより、吸引を実施する。
【００８０】
吸引力は、例えば、０．１ａｔｍ以上、好ましくは、０．２ａｔｍ以上であり、また、例えば、１０ａｔｍ以下、好ましくは、３ａｔｍ以下となるように設定する。
【００８１】
これにより、封止半導体素子３は、開口部８（上方）に向かって吸い上げられるため、搬送テープ２から離隔し、当接部９に当接される。すなわち、封止半導体素子３が、コレット６によってピックアップされる。
【００８２】
なお、当接工程では、開口部８は、封止半導体素子３の上面によって完全に被覆される。
【００８３】
移動工程では、当接工程後に、図３Ｄに示すように、コレット６を移動させる。
【００８４】
具体的には、吸引により封止半導体素子３を当接部９に当接させながら、移動部１９をコレット６が搬送方向、直交方向および上下方向に任意に移動するように稼働させて、コレットをピックアップ領域１４から実装領域１５まで移動する。
【００８５】
これにより、封止半導体素子３が実装領域１５まで移送される。
【００８６】
（実装工程）
実装工程は、移送工程後に、封止半導体素子３を実装基材１７に実装する工程であって、具体的には、接触工程および離隔工程を備える。
【００８７】
接触工程では、図３Ｅに示すように、封止半導体素子３を実装基材１７に接触させる。
【００８８】
具体的には、コレット６を下方に移動することにより、封止半導体素子３の下面を実装基材１７の上面に接触させる。より詳しくは、封止半導体素子３の下面の電極（図示せず）および実装基材１７の上面の電極（図示せず）を接触させる。すなわち、フリップチップ実装を実施する。
【００８９】
この接触工程の際、コレット６を下方に移動して封止半導体素子３を実装基材１７に接触した後、当接部９によって封止層４の上面が上下方向にわずかに凹むように、コレット６を下方に移動させる（押し込む）。これより、封止半導体素子３を確実に実装基材１７に配置することができる。
【００９０】
封止層４が凹む上下方向高さ（押し込み距離）は、例えば、１０μｍ以上、好ましくは、５０μｍ以上であり、また、例えば、１０００μｍ以下、好ましくは、５００μｍ以下となるように設定する。
【００９１】
離隔工程では、接触工程後に、図３Ｆに示すように、吸引の解除によって封止半導体素子３を当接部９から離隔させる。
【００９２】
具体的には、吸引の実施を停止した後に、コレット６を上方に移動する。これにより、封止半導体素子３が当接部９から離隔され、封止半導体素子３が実装基材１７に実装される。
【００９３】
この離隔工程の際、コンプレッサーの稼働により開口部８に空気を送り込む。これにより、封止半導体素子３は空気によって下方に押し出され、当接部９から容易に離隔する。
【００９４】
空気圧は、例えば、０．０１ａｔｍ以上、好ましくは、０．１ａｔｍ以上であり、また、例えば、１０ａｔｍ以下、好ましくは、１ａｔｍ以下となるように設定する。
【００９５】
このようにして、封止半導体素子３が実装基材１７に実装された光半導体装置１０が得られる。
【００９６】
次いで、必要に応じて、光半導体装置１０に、熱または紫外線照射を実施して、封止層４を完全硬化する。
【００９７】
この光半導体装置１０の製造方法によれば、コレット６が確実に封止半導体素子３をピックアップし、かつ、封止半導体素子３の持ち帰りを抑制して実装基材１７に確実に実装することができる。そのため、光半導体装置１０の製造の歩留まりを向上させることができる。
【００９８】
なお、配置工程、当接工程、移動工程および離隔工程を備える方法が、本発明のコレットの使用方法の一実施形態である。
【００９９】
（変形例）
図４Ａの実施形態では、開口部８が底面視略矩形状に形成されているが、例えば、図５Ａに示すように、開口部８を底面視略矩形状に形成することもできる。
【０１００】
図５Ａにおける開口部８は、開口部８の重心が吸引部７の重心と一致するように形成されている。開口部８は、開口部８の各辺が吸引部７の各辺と平行となるように形成されている。
【０１０１】
そして、配置工程では、図５Ｂに示すように、上下方向に投影したときに、開口部８が封止半導体素子３に含まれるように、配置する。すなわち、封止半導体素子３の重心が開口部８の重心および吸引部７の重心と一致するように、配置する。また、封止半導体素子３の各辺が、開口部８の各辺と平行となるように配置する。
【０１０２】
この実施形態においても、図４Ａと同様の作用効果を奏する。
【０１０３】
また、図４Ａの実施形態では、吸引部７の外形が底面視略矩形状に形成されているが、例えば、図示しないが、吸引部７の外形を底面視略円形状に形成することもできる。
【０１０４】
また、図４Ａの実施形態では、コレット６全体が同一材料（例えば、ゴム）から形成されているが、例えば、コレット６の下端部の吸引部７のみを特定のショアＡとなる材料から形成し、下端部よりも上側では、異なる材料から形成することもできる。
【０１０５】
また、図示しないが、搬送テープ２には、複数のアライメントマークを設けることもできる。アライメントマークは、吸引移動装置１８が収容部１１の位置を認識するために、収容部１１に対応して設けられる。アライメントマークは、各収容部１１の長手方向略中央部であって、収容部１１の幅方向一方側または他方側に形成される。
【実施例】
【０１０６】
以下に、実施例および比較例を挙げて本発明をさらに詳しく説明するが、本発明はそれらに限定されない。また、以下の記載において用いられる配合割合（含有割合）、物性値、パラメータなどの具体的数値は、上記の「発明を実施するための形態」において記載されている、それらに対応する配合割合（含有割合）、物性値、パラメータなど該当記載の上限値（「以下」、「未満」として定義されている数値）または下限値(「以上」、「超過」として定義されている数値）に代替することができる。
【０１０７】
実施例１
（素子搭載基材）
被着体として、１．６ｍｍ×１．６ｍｍ、厚み０．４５ｍｍの封止層で光半導体素子（青色ＬＥＤ）が封止された封止半導体素子を使用した。
【０１０８】
封止層は、フェニル系シリコーン樹脂組成物（１段反応性熱硬化性）を加熱により硬化したものとした。この封止層の最小荷重値は、８０ｍＮ／１０ｍｍであった。
【０１０９】
搬送基材として、収容部が長手方向に等間隔に多数形成されている長尺な搬送テープ（厚み０．２３ｍｍ）を使用した。なお、収容部（底部）のサイズは、１．８ｍｍ×１．８ｍｍ、深さ０．６５ｍｍであった。
【０１１０】
搬送テープの各収容部に封止半導体素子を収容し、素子搭載基材を得た（図２Ａ参照）。
【０１１１】
なお、封止層の最小荷重値は下記のようにして測定した。
【０１１２】
まず、封止層を１０ｍｍ×２０ｍｍ×厚み０．４ｍｍに成形した最小荷重値測定用サンプルを作製した。
【０１１３】
次いで、精密荷重測定装置（型番：Ｍ−１６０５ＩＩＶＬ、アイコーエンジニアリング社製）を用意し、そのステージにサンプルを固定した。
【０１１４】
精密荷重測定装置のプローブ（プローブ直径４ｍｍ）先端に、ニトリルブタジエンゴム（直径４ｍｍ、厚み０．６ｍｍ）を取付けた。次いで、最大荷重：４５００ｍＮ、速度：０．５（最低速度）の設定条件で、このプローブ先端をサンプルの上面に対して上方から下方に向かって押し付けた後、引き続いて、プローブを上方に向かって引き上げた。
【０１１５】
この押し付け時および引き上げ時に測定されるプローブ先端の上下方向位置（変位）と荷重とを、それぞれＸ軸およびＹ軸としてプロットして、グラフを得た。このグラフのうち引き上げ時のグラフにおいて、荷重（Ｙ軸）の最小値（マイナス値）の絶対値を最小荷重値として求めた。
【０１１６】
（吸引移動装置）
吸引移動装置として、表面実装機（ＳＵＭＳＵＮＧ社製、ＳＭＴ装置、「ＣＰ４５ＦＶ」）を使用した。
【０１１７】
吸引移動装置に使用するコレットの当接部は、ショアＡが８０であるゴムから形成した。コレットの吸引部の形状は、底面視略矩形状とし、面積０．９０３ｍｍ２（封止半導体素子に対して３５％）とした。コレットの開口部の形状は、略円形状とし、面積０．１９６ｍｍ２（封止半導体素子に対して８％）とした（図４Ａ参照）。
【０１１８】
なお、ショアＡは、デュロメーター（スプリング式ゴム硬度計）を用いて、ＪＩＳ  Ｋ  ６２５３−３（２０１２年）に基づいて測定した。
【０１１９】
（半導体装置の製造方法）
表面実装機の設定条件について、下記のように設定した。
【０１２０】
・ピックアップ時
吸引力：−０．７９ａｔｍ、待機時間：３０ｍｓ、吸引部と封止半導体素子との距離：１００μｍ、ピックアップスピード：最速（設定値１）
・実装時
空気圧：０．２ａｔｍ、待機時間：３０ｍｓ、コレットの押し込み距離：１００μｍ、実装スピード：最速（設定値１）
実装台には、１．６ｍｍ×１．６ｍｍの実装基材が、計６０個（２０列×３列）、２００μｍ間隔で整列配置されていた。
【０１２１】
上記設定条件で表面実装機を稼働させることにより、素子搭載基材から搬送されてくる封止半導体素子をピックアップして、実装基材に実装した（図３Ａ〜図３Ｆ参照）。
【０１２２】
（評価）
（１）ピックアップ性
封止半導体素子を吸引してコレットに当接できた成功率が、９５％以上であった場合を○と評価し、９５％未満を×と評価した。結果を表１に示す。
【０１２３】
（２）実装性（持ち帰り発生の抑制）
ピックアップした封止半導体素子を実装基材に実装できた成功率（すなわち、持ち帰りが発生しなかった率）が９５％以上であった場合を○と評価し、９５％未満であった場合を×と評価した。結果を表１に示す。
【０１２４】
（３）速度
ピックアップ速度および実装速度の設定を３以上の場合で、上記ピックアップ性および実装性の測定が可能であった場合を○と評価し、設定が４の場合で、上記ピックアップ性および実装性を測定した場合を△と評価し、設定が５の場合で、上記ピックアップ性および実装性を測定した場合を×と評価した。結果を表１に示す。なお、速度の設定は、最速が１であり、最低が５であった。
【０１２５】
（４）実装密度
各実装基材の間隔が２００μｍ以下である場合で、上記ピックアップ性および実装性の測定が可能であった場合を○と評価し、各実装基材の間隔が２００μｍ超過し６００μｍ以下である場合で、上記ピックアップ性および実装性を測定した場合を△と評価し、各実装基材の間隔が６００μｍを超過した場合で、上記ピックアップ性および実装性を測定した場合を×と評価した。結果を表１に示す。
【０１２６】
実施例２〜９
コレットの当接部の形状および材質などを表１に記載の形状および材質に変更した以外は、実施例１と同様に、各実施例の光半導体装置の製造を実施した。また、上記評価を測定した。結果を表１に示す。
【０１２７】
比較例１〜７
コレットの当接部の形状および材質などを表１に記載の形状および材質に変更した以外は、実施例１と同様に、各比較例の光半導体装置の製造を実施した。また、上記評価を測定した。結果を表１に示す。
【０１２８】
【表１】
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【符号の説明】
【０１２９】
３  封止半導体素子
４  封止層
５  光半導体素子
６  コレット
７  吸引部
８  開口部
９  当接部
１０  光半導体装置
１７  実装基材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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