(57)【要約】【課題】加工性を向上させることができるとともに、異常放電の発生が抑制されるスパッタリングターゲット材及びその製造方法を提供する。【解決手段】母材及び添加金属の共晶組織である複数の晶出物が晶出している鋳塊に対して押出し成形を行うことで、複数の晶出物がそれぞれ押出し方向に引き伸ばされた押出し材により形成されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
母材としての金属と、前記母材としての金属とは異なる金属である添加金属と、を含む合金で形成されるスパッタリングターゲット材であって、
前記母材及び前記添加金属の共晶組織である複数の晶出物が晶出している鋳塊に対して押出し成形を行うことで、複数の前記晶出物がそれぞれ押出し方向に引き伸ばされた押出し材により形成されている
スパッタリングターゲット材。
【請求項２】
前記晶出物の押出し方向における長さが、押出し方向と直交する方向における長さよりも長い
請求項１に記載のスパッタリングターゲット材。
【請求項３】
酸素濃度が２０ｐｐｍ以下である
請求項１又は２に記載のスパッタリングターゲット材。
【請求項４】
母材としての金属中に、前記母材としての金属と異なる金属である添加金属を添加し、前記母材及び前記添加金属の共晶組織である複数の晶出物を晶出させた鋳塊を鋳造する鋳造工程と、
加熱手段により前記鋳塊の融点温度より低い温度に加熱した前記鋳塊に対して押出し成形を行うことで、前記複数の晶出物をそれぞれ押出し方向に引き伸ばして押出し材を形成する押出し工程と、を有する
スパッタリングターゲット材の製造方法。
【請求項５】
前記押出し工程では、押出し比が８以上である押出し成形を行う
請求項４に記載のスパッタリングターゲット材の製造方法。
【請求項６】
前記押出し工程を行いつつ、前記押出し工程で形成された前記押出し材の水冷による冷却を行う冷却工程を行う
請求項４又は５に記載のスパッタリングターゲット材の製造方法。
【請求項７】
前記押出し工程では、前記鋳塊の温度が前記鋳塊の融点温度より５０℃以上低い温度となるように加熱する
請求項４ないし６のいずれかに記載のスパッタリングターゲット材の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、スパッタリングターゲット材及びスパッタリングターゲット材の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、有機ＥＬやタッチパネル等の駆動回路として、例えば薄膜トランジスタ（以下ＴＦＴという）が用いられている。ＴＦＴは、例えば、半導体層が設けられた基板と、基板（半導体層）上に設けられるバリア層と、バリア層上に設けられ、配線が形成される主導電層と、を備える配線積層体により形成されている。近年、より高精細で、より低消費電力である有機ＥＬやタッチパネルの開発が進められている。ＴＦＴの半導体層として、例えば、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）及び亜鉛（Ｚｎ）の酸化物（ＩＧＺＯ）等からなる酸化物半導体層が設けられている。バリア層は、主導電層を保護する保護層として機能する。バリア層は、モリブデン（Ｍｏ）やチタン（Ｔｉ）等の高融点金属で形成されている。主導電層は、例えば純銅（Ｃｕ）で形成されている。主導電層の形成は、スパッタリングターゲット材（以下では、単にターゲット材とも言う。）を用いたスパッタリングにより行われる。
【０００３】
しかしながら、ＭｏやＴｉ等は非常に高価である。そこで、ＭｏやＴｉ等のバリア層を設けることなく、Ｃｕ−カルシウム（Ｃａ）系合金で形成されるターゲット材を用いて主導電層を形成する技術が提案されている（例えば特許文献１参照）。例えば、基板（半導体層）上に、Ｃｕ−Ｃａ系合金で主導電層を形成する技術が提案されている。これにより、例えば、半導体層中の酸素（Ｏ）と主導電層中のＣａとが結合することで、半導体層と主導電層との間の界面にバリア層が形成される。従って、ＭｏやＴｉ等のバリア層が不要となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１３−１４８０８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１では、Ｃｕ５Ｃａを主体とする晶出物（Ｃｕ−Ｃａ系晶出物）を晶出させた鋳塊を鋳造した後、熱間圧延や冷間圧延等を行ってＣｕ−Ｃａ系合金からなるターゲット材を形成している。このようなターゲット材は、熱間圧延時や冷間圧延時等に割れが発生してしまうことがある。つまり、ターゲット材の加工性が低下してしまうことがある。また、このようなターゲット材は、スパッタリング時に異常放電が発生してしまうことがある。
【０００６】
本発明は、上記課題を解決し、加工性を向上させるとともに、異常放電の発生が抑制されるスパッタリングターゲット材及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明は次のように構成されている。
本発明の一態様によれば、
母材としての金属と、前記母材としての金属とは異なる金属である添加金属と、を含む合金で形成されるスパッタリングターゲット材であって、
前記母材及び前記添加金属の共晶組織である複数の晶出物が晶出している鋳塊に対して押出し成形を行うことで、複数の前記晶出物がそれぞれ押出し方向に引き伸ばされた押出し材により形成されているスパッタリングターゲット材が提供される。
【０００８】
本発明の他の態様によれば、
母材としての金属中に、前記母材としての金属と異なる金属である添加金属を添加し、前記母材及び前記添加金属の共晶組織である複数の晶出物を晶出させた鋳塊を鋳造する鋳造工程と、加熱手段により前記鋳塊の融点温度より低い温度に加熱した前記鋳塊に対して押出し成形を行うことで、前記複数の晶出物をそれぞれ押出し方向に引き伸ばして押出し材を形成する押出し工程と、を有するスパッタリングターゲット材の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、加工性を向上させるとともに、異常放電の発生を抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の一実施形態にかかるターゲット材を用いて形成した配線積層体の概略断面図の一例である。
【図２】本発明の一実施例にかかるターゲット材を形成する鋳塊の鋳造組織を示すＳＥＭ画像である。
【図３】本発明の一実施例にかかるターゲット材を形成する鋳塊の鋳造組織を示すＳＥＭ画像である。
【図４】本発明の一実施例にかかるターゲット材のスパッタリング面に対して垂直な面のＳＥＭ画像である。
【図５】本発明の一実施例にかかるターゲット材のスパッタリング面に対して垂直な面のＳＥＭ画像である。
【図６】本発明の一実施例にかかるターゲット材の異常放電を検出する装置を示す概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
（発明者等が得た知見）
まず、本発明の実施形態の説明に先立ち、発明者等が得た知見について説明する。上述したように、Ｃｕ５Ｃａを主体とする晶出物（Ｃｕ−Ｃａ系晶出物）を晶出させた鋳塊を鋳造した後、熱間圧延や冷間圧延等の圧延を行って、Ｃｕ−Ｃａ系合金からなるターゲット材を形成すると、晶出物部分と他の部分（Ｃｕ部分）とで導電率が異なる。つまり、晶出部分の電気抵抗はＣｕ部分の電気抵抗よりも高い。このため、スパッタリング時にターゲット材に異常放電が発生してしまうことがある。また、晶出部分とＣｕ部分とでスパッタリング時にスパッタ粒子が放出される速度（スパッタ速度）が相違してしまう。具体的には、晶出物部分のスパッタ速度は、Ｃｕ部分のスパッタ速度よりも遅い。このようなスパッタ速度の違いから、晶出物部分が凸部となる凹凸がターゲット材のスパッタリング面に形成されることがある。このため、凸部に電流が集中し（凸部に電荷が溜まり）、異常放電が発生することがある。上述したように、圧延によりターゲット材を形成すると、圧延の際に晶出物が押し潰されてしまうため、ターゲット材のスパッタリング面に存在し、凸部が形成されることとなる複数の晶出物部分のそれぞれの大きさが大きくなってしまう。その結果、電荷が溜まりやすい部分が多くなるため、異常放電が発生しやすくなる。
【００１２】
また、圧延を行ってターゲット材を形成すると、ターゲット材の加工性が低下してしまうことがある。例えば、熱間圧延時や冷間圧延時等に、ターゲット材に割れが発生してしまうことがある。これは、Ｃａが酸素と結合しやすいため、熱間圧延時等に鋳塊が加熱されることで、鋳塊中に晶出されたＣｕ−Ｃａ系晶出物が酸化されて脆くなってしまうことに起因すると考えられる。特に、熱間圧延を複数パスに分けて行うと、Ｃｕ−Ｃａ系晶出物の酸化がより進んでしまうため、より脆くなってしまうことがある。
【００１３】
また、Ｃｕ−Ｃａ系晶出物が酸化された箇所は、酸化されていない箇所と比べて電気抵抗が高くなってしまう。従って、例えばスパッタリング時、Ｃｕ−Ｃａ系晶出物に、電荷がより蓄積されやすく（チャージアップされやすく）なり、異常放電サイトが形成されやすくなる。その結果、ターゲット材に異常放電がより発生しやすくなることがある。
【００１４】
本発明は、発明者が見出した上記知見に基づくものである。
【００１５】
＜本発明の一実施形態＞
（１）配線積層体の構成
まず、本実施形態にかかる配線積層体の構成について、図１を用いて説明する。
【００１６】
図１に示すように、本実施形態にかかる配線積層体１０は、半導体層を備える基板１と、基板１上（基板１が備える半導体層上）に設けられる主導電層２と、主導電層２上に設けられる絶縁膜３と、を備えている。基板１として、例えばガラス基板や、シリコン（Ｓｉ）基板等が用いられる。主導電層２は、母材としての金属（例えば銅（Ｃｕ））と、母材と異なる金属である添加金属とを含む銅合金で形成され、配線が形成される配線膜（主配線膜）として機能する。また、主導電層２は電極としても機能する。主導電層２は、例えばターゲット材を用いたスパッタリング（例えばマグネトロンスパッタリング）により形成されている。絶縁膜３は、例えば酸化シリコン（ＳｉＯ２）膜で形成されている。半導体層は、例えばインジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）及び亜鉛（Ｚｎ）の酸化物（ＩＧＺＯ）からなる酸化物半導体で形成されている。
【００１７】
主導電層２と、主導電層２に接し、酸素を含有する層（例えば半導体層や絶縁層３）と、の間の界面には、主導電層２を構成する金属（Ｃｕ）の絶縁層３への拡散を抑制するバリア層が形成されている。つまり、主導電層２が酸素を含有する層と接することで、主導電層２に含まれる添加金属が、例えば半導体層や絶縁層３に含まれる酸素と結合してバリア層が形成されている。
【００１８】
（２）スパッタリングターゲット材の構成
続いて、例えば上述の主導電層２の形成に用いられるスパッタリングターゲット材について説明する。
【００１９】
本実施形態にかかるスパッタリングターゲット材（ターゲット材）は、母材としての金属と、母材と異なる金属である添加金属とを含み、残部が不可避的不純物からなる合金で形成されている。母材として、例えば銅（Ｃｕ）が用いられている。具体的には、母材として、例えば純度が９９．９９％以上である無酸素銅が用いられることが好ましい。添加金属としては、酸素と結合しやすい金属を用いるとよい。例えば、添加金属としては、カルシウム（Ｃａ）を用いるとよい。つまり、ターゲット材は、Ｃｕを母材とし、その母材中に所定量のＣａを含有させ、残部が不可避的不純物からなる銅合金（Ｃｕ−Ｃａ系合金）で形成されているとよい。
【００２０】
ターゲット材は、電気抵抗の低い部分（低抵抗部分）と、電気抵抗の高い部分（高抵抗部分）と、を有している。つまり、ターゲット材は、低抵抗部分及び高抵抗部分の２相で構成されている。
【００２１】
低抵抗部分は、母材（例えばＣｕ）により形成された相（母相）により形成されている。高抵抗部分は、母材及び添加金属の共晶組織である晶出物（以下では、単に「晶出物」とも言う。）により形成されている。例えば、母材としてＣｕを用い、添加金属としてＣａを用いた場合、低抵抗部分は純銅により形成され、高抵抗部分は例えばＣｕ５Ｃａにより形成されている。なお、純銅は、Ｃａの含有量が０．１原子％未満である銅を含むものとする。
【００２２】
ターゲット材は、母材としての金属と、添加金属とを含み、複数の晶出物が晶出している鋳塊に対して押出し成形を行うことで、晶出物がそれぞれ押出し方向に引き伸ばされた押出し材により形成されている。つまり、ターゲット材は、押し潰された晶出物が少ない押出し材により形成されている。
【００２３】
各晶出物はそれぞれ、押出し方向における長さが、押出し方向と直交する方向における長さよりも長いことが好ましい。つまり、スパッタリング面に存在するそれぞれの晶出物の押出し方向における長さが、押出し方向と直交する方向における長さよりも長いことが好ましい。例えば、各晶出物はそれぞれ、紐状に形成されていることが好ましい。つまり、各晶出物はそれぞれ、扁平な形状には形成されていないことが好ましい。
【００２４】
晶出物はそれぞれ、押出し方向と直交する方向の最大長さ（スパッタリング面における晶出物の最大幅）が例えば１２μｍ以下であることが好ましい。各晶出物の最大幅が１２μｍを超えると、スパッタリングを行う過程で、母材（低抵抗部分）と晶出物（高抵抗部分）との導電率の違いに起因してターゲット材のスパッタリング面に形成される複数の凸部（以下では「各凸部」とも言う。）のそれぞれの大きさが大きくなってしまう。具体的には、晶出物は、母材に比べて高抵抗であるため、スパッタされにくい。このため、スパッタリングが進むにしたがって、晶出物の箇所を凸部とする凹凸がスパッタリング面に形成されてしまう。この場合、凸部で放電が発生し、各凸部がそれぞれ大きくなるほど、各凸部で発生する放電量が大きくなることがある。その結果、異常放電の発生を抑制できないことがある。各晶出物の最大幅を１２μｍ以下にすることで、各凸部をそれぞれ小さくできるため、異常放電の発生をより抑制できる。
【００２５】
添加金属であるＣａの含有量（濃度）は例えば１原子％以上５原子％以下（１ａｔ％以上５ａｔ％以下）であることが好ましい。
【００２６】
Ｃａの含有量が１原子％未満であると、ターゲット材を用いて上述の主導電層２を形成した場合、主導電層２が所望の特性を有しないことがある。例えば、上述のバリア層を形成できず、主導電層２に含まれるＣｕが、基板１が備える半導電層や絶縁層３に拡散してしまう（つまり拡散バリア性が低下する）ことがある。また、主導電層２と基板１（基板１が備える半導体層）や絶縁層３との密着性が低下したり、主導電層２の耐酸化性が低下したりすることがある。また、ターゲット材を形成する際の加工性が低下してしまうことがある。具体的には、母材と添加金属とを含む鋳塊の鋳造性や熱間加工性が低下することがある。例えば、ターゲット材を形成する銅合金が４００℃程度での加熱プロセスに耐えることができないことがある。Ｃａの含有量を１原子％以上にすることで、ターゲット材を用いて形成した主導電層２が所望の特性を有するとともに、所望の加工性を有するようになる。
【００２７】
Ｃａの含有量が５原子％を超えると、ターゲット材を用いて形成した主導電層２の密着性等の特性をより向上させることはできるが、ターゲット材における晶出物の体積量が多くなりすぎることがある。従って、複数の晶出物をそれぞれ引き伸ばした場合であっても、スパッタリング時にスパッタリング面に形成される凸部が大きくなってしまうことがある。また、ターゲット材において、高抵抗であり、スパッタリング時にチャージアップしやすい箇所が多くなってしまう。その結果、絶縁破壊が生じることがある。さらに、酸素と結びつきやすいＣａの量が多くなるため、酸素を含有する晶出物の量が多くなることがある。これらの結果、異常放電の発生を抑制できないことがある。Ｃａの含有量を５原子％以下にすることで、ターゲット材における晶出物の体積量が多くなりすぎてしまうことを抑制できる。また、酸素を含有する晶出物の量も低減できる。その結果、異常放電の発生をより抑制できる。
【００２８】
ターゲット材は、酸素含有量が例えば２０ｐｐｍ以下であることが好ましい。ターゲット材の酸素含有量が２０ｐｐｍを超えると、添加金属がターゲット材中の酸素と結合し、酸素を含有する晶出物の量が多くなることがある。その結果、晶出物が酸化されやすくなるため、異常放電サイトが形成され易くなり、異常放電の発生を抑制できないことがある。酸素含有量を２０ｐｐｍ以下にすることで、酸素を含有する晶出物の量を低減でき、異常放電の発生を抑制できる。
【００２９】
（３）スパッタリングターゲット材の製造方法
次に、本実施形態にかかるスパッタリングターゲット材の製造方法について説明する。
【００３０】
（鋳造工程）
まず、母材であるＣｕを例えば高周波溶解炉等を用いて溶解して銅の溶湯を形成する。続いて、銅の溶湯中に、添加金属として所定量のＣａを添加して混合し、銅合金の溶湯を形成する。このとき、銅合金中のＣａの含有量が１原子％以上５原子％以下になるように、Ｃａの添加量を調整する。そして、この銅合金の溶湯を鋳型に注いで（出湯して）冷却し、Ｃｕ中に所定量のＣａを含有し、残部が不可避的不純物からなり、Ｃｕ及びＣａの共晶組織である晶出物（例えばＣｕ５Ｃａ）を晶出させた銅合金（Ｃｕ−Ｃａ系合金）の鋳塊（例えばビレット）を鋳造する。
【００３１】
（押出し工程）
鋳造工程が終了した後、晶出物が晶出している鋳塊に対して押出し成形を行い、鋳塊中の複数の晶出物をそれぞれ押出し方向に引き伸ばして押出し材を形成する。例えば、加熱手段と押出しダイスとを備える押し出し機を用い、加熱手段により所定温度に加熱した鋳塊に対して押出し成形を行う。この場合、鋳塊の内部が酸化されてしまうことを抑制するため、加熱手段として、鋳塊を急速に加熱することができる誘導加熱を行う手段を用いることが好ましい。なお、押出し成形は、晶出物が押出し方向に分断されるまで行ってもよい。
【００３２】
また、押出し成形時に鋳塊が溶融（再溶解）してしまい、押出し成形を行うことができなくなることを抑制するため、鋳塊の温度が鋳塊の融点温度より低い温度になるように、加熱手段により鋳塊を加熱することが好ましい。特に、押出し成形時に発生する加工熱により鋳塊が融点以上の温度に加熱されてしまうことを抑制するため、押出し成形時の鋳塊の温度が鋳塊の融点温度より例えば５０℃以上低い温度になるように、鋳塊を加熱することがより好ましい。なお、加工熱とは、摩擦熱等の鋳塊自身から発せられる熱である。つまり、加工熱とは、加熱手段以外の手段によって発生する熱である。
【００３３】
例えば、銅合金中におけるＣａの含有量（Ｃａ濃度）が約１７原子％以下である場合、Ｃｕ−Ｃａ系合金の融点は９１７℃である。従って、Ｃａの含有量が１原子％以上５原子％以下であるＣｕ−Ｃａ系合金の鋳塊の場合、押出し成形時の鋳塊の温度が例えば６５０℃以上８５０℃以下になるように鋳塊を加熱することが好ましい。
【００３４】
押出し成形時の鋳塊の温度が６５０℃未満であると、押出し成形を行うことができるまで鋳塊が軟化していないことがある。つまり、メタルフローが不十分なことがある。このため、鋳塊の押出し成形を行うことが難しくなることがある。また、鋳塊を押出せた場合であっても、晶出物は母相に比べて軟化温度が高いため、晶出物が軟化していないことがある。従って、母相のみが引き伸ばされてしまい、晶出物が引き伸ばされないことがある。その結果、晶出物の幅が急激に大きくなってしまうことがある。例えば、晶出物の最大幅が１２μｍを超えてしまうことがある。押出し成形時の鋳塊の温度を６５０℃以上にすることで、これらを解決でき、鋳塊に対して押出し成形を行うことができるとともに、鋳塊中に晶出した晶出物を押出し方向に引き伸ばすことができる。例えば、晶出物の最大幅を１２μｍ以下にできる。
【００３５】
押出し成形時の鋳塊の温度が８５０℃を超えると、加工熱により、鋳塊が融点以上の温度に加熱されて溶融してしまうことがある。その結果、鋳塊の押出し成形を行うことができないことがある。押出し成形時の鋳塊の加熱温度を８５０℃以下にすることで、加工熱により、鋳塊が融点以上の温度に加熱されてしまうことを抑制できる。
【００３６】
また、押出し成形は、押出し比が８以上であるとよい。なお、押出し比（＝鋳塊の断面積／押出し材の断面積）とは、押出し材の断面積に対する鋳塊の断面積の割合である。押出し比の調整は、例えば鋳塊の断面積や押出し材の断面積を調整することで行うことができる。
【００３７】
押出し比が８未満であると、母相よりも硬い晶出物に充分に荷重をかけることができず、母相のみが引き伸ばされてしまうことがある。つまり、晶出物を十分に引き伸ばすことができないことがある。その結果、晶出物の最大幅を例えば１２μｍ以下にできないことがある。押出し比を８以上にすることで、晶出物に充分に荷重をかけることができ、晶出物を十分に引き伸ばすことができる。
【００３８】
なお、押出し比は８以上であって、押出し材を形成する過程で、押出し材に割れが発生しない値以下であるとよい。押出し比は、鋳塊の径（ビレット径）や、使用する押し出し機の荷重条件、形成する押出し材の寸法（大きさ）等により適宜決定することができる。
【００３９】
（冷却工程）
押出し工程で形成した押出し材を、所定の温度（例えば１００℃付近）まで冷却する。この場合、余熱による押出し材の加熱を抑制するため、押出し工程を経た後、なるべく早く押出し材の冷却を行うことが好ましい。特に、押出し工程を経た直後に押出し材の冷却を行うことがより好ましい。例えば、押出しダイスから押出された後、数十秒以内に所定温度になるように押出し材を冷却（急冷）することが好ましい。押出し材の冷却は、上述の押出し工程と同時並行的に行うことが好ましい。
【００４０】
また、押出し材の内部への酸素の侵入を抑制するため、押出し材の冷却は水冷により行うとよい。水冷は、例えば水を張った水槽中で押出し材を水に浸すことにより行う。水槽は、押出しダイスの出口に可能な限り近い位置に設けることが好ましい。なお、水冷を行っている際、水槽内の水中で押出し材を走行させてもよい。
【００４１】
また、押出し材の冷却は、押出し材が所定温度（例えば１００℃付近）になるまで３０℃／ｓ以上の降温速度で行うことが好ましい。降温速度の調整は、例えば水冷の温度（水槽内の水の温度）を調整することで行うことができる。なお、降温速度とは、平均降温速度である。
【００４２】
（面削工程）
冷却工程が終了した後、面削を行うことで、押出し工程での加熱により形成された押出し材の表面の黒皮（つまり酸化された部分）を削って除去する。これにより、本実施形態に係るスパッタリングターゲット材が形成される。
【００４３】
（４）本実施形態にかかる効果
本実施形態によれば、以下に示す１つまたは複数の効果を奏する。
【００４４】
（ａ）ターゲット材を、母材及び添加金属の共晶組織である複数の晶出物が晶出している鋳塊に対して押出し成形を行い、複数の晶出物がそれぞれ押出し方向に引き伸ばされた押出し材により形成することで、スパッタリング時にターゲット材に発生する異常放電を抑制できる。
【００４５】
（ｂ）具体的には、ターゲット材のスパッタリング面に存在し、母相に比べて高抵抗である各晶出物のそれぞれの大きさを小さくできる。つまり、スパッタリング時にチャージアップされやすい各晶出物のそれぞれの大きさを小さくできる。その結果、異常放電サイトとなりやすい部分を低減できる。従って、上記（ａ）の効果を得ることができる。
【００４６】
（ｃ）また、スパッタリングを行う過程で、ターゲット材のスパッタリング面に形成される各凸部のそれぞれの大きさを、例えば圧延を行った圧延材により形成したターゲット材よりも小さくできる。従って、スパッタリング時に各凸部での放電量が大きくなることを抑制できる。従って、上記（ａ）の効果を得ることができる。
【００４７】
（ｄ）また、異常放電の発生が抑制されることで、ターゲット材を用いて形成される配線積層体１０の歩留りを向上させることができる。例えば、ターゲット材の異常放電に起因して形成される巨大な粒子（例えばパーティクル）が、スパッタリングにより形成している膜（スパッタ膜、例えば主導電膜２）の表面に付着することを抑制できる。つまり、製品不良となる配線積層体を低減できる。
【００４８】
（ｅ）本実施形態は、例えば添加金属（Ｃａ）が酸素と結びつくことで、晶出物中に酸素が含まれてしまっている場合に特に有効である。例えば、晶出物中に存在する酸素により晶出物が酸化されると、晶出物の電気抵抗がより高くなるため、スパッタリング時に晶出物に電荷がより蓄積されやすくなる。つまり、異常放電サイトが形成されやすくなる。このような場合であっても、ターゲット材を晶出物が押出し方向に引き伸ばされた押出し材により形成することで、スパッタリング時に晶出物に電荷が蓄積しにくくなる。従って、上記（ａ）〜（ｄ）の効果を得ることができる。
【００４９】
（ｆ）各晶出物のそれぞれの押出し方向における長さを、押出し方向と直交する方向における長さよりも長くする（例えば晶出物のそれぞれの最大幅を１２μｍ以下にする）ことで、スパッタリング面に存在する各晶出物のそれぞれの大きさをより小さくできる。また、スパッタリング時にスパッタリング面に形成される各凸部のそれぞれの大きさをより小さくできる。その結果、上記（ａ）〜（ｄ）の効果をより得ることができる。
【００５０】
（ｇ）Ｃａの含有量を１原子％以上５原子％以下にすることで、ターゲット材における晶出物の体積量が多くなりすぎることを抑制できる。従って、上記（ａ）〜（ｄ）の効果をより得ることができる。また、ターゲット材を用いて形成した主導電層２が所望の拡散バリア性、密着性、耐酸化性等の特性を有するようになる。また、母材と添加金属とを含む鋳塊を形成する際の鋳造性や熱間加工性等の低下を抑制でき、ターゲット材の加工性をより向上させることができる。
【００５１】
（ｈ）ターゲット材の酸素濃度を２０ｐｐｍ以下にすることで、酸素を含有する晶出物の量をより低減できる。これにより、晶出物の酸化が進むことをより抑制できる。従って、少なくとも上記（ａ）〜（ｄ）の効果をより得ることができる。
【００５２】
（ｉ）ターゲット材を押出し材により形成することで、つまりターゲット材を押出し成形により形成することで、ターゲット材の加工性を向上させることができる。例えば、押出し成形を行う過程で押出し材（ターゲット材）に割れが発生しにくくなる。
【００５３】
例えば、１パスでターゲット材を形成できるため、ターゲット材の熱履歴を低減できる。従って、加熱による晶出物の酸化の進行を最低限に抑えることができ、晶出物の脆化を抑制できる。なお、ここでの１パスとは、押出しダイスを通過する回数が１回であることを言う。また、押出し成形を例えば押出しダイスを用いて行うことで、鋳塊の全周を拘束させて押出し成形を行うことができる。従って、押出し成形を行う過程で押出し材に割れが発生することを抑制できる。
【００５４】
（ｊ）押出し成形時に鋳塊の加熱を誘導加熱により行うことで、鋳塊を急速に加熱できる。これにより、押出し成形時の加熱で鋳塊の内部の酸化が進むことを抑制できる。その結果、晶出物の酸化が進むことをより抑制できる。従って、少なくとも上記（ａ）〜（ｄ）の効果をより得ることができる。
【００５５】
（ｋ）押出し成形時の鋳塊の温度を、鋳塊の融点温度より低い温度にすることで、押出し成形時に鋳塊が溶融（再溶解）することを抑制できる。具体的には、押出し成形時の鋳塊の温度を、鋳塊の融点より例えば５０℃以上低い温度にすることで、加工熱が発生した場合であっても、鋳塊が溶融することを抑制できる。例えば、Ｃａの含有量が１原子％以上５原子％以下であるＣｕ−Ｃａ系合金の鋳塊の場合、押出し成形時の鋳塊の温度を例えば６５０℃以上８５０℃以下にすることで、加工熱が発生した場合であっても、鋳塊が溶融することを抑制しつつ、鋳塊中に晶出した晶出物を押出し方向に引き伸ばすことができる。
【００５６】
（ｌ）押出し比が８以上である押出し成形を行うことで、晶出物に充分に荷重をかけることができ、晶出物を十分に引き伸ばすことができる。これにより、晶出物の押出し方向における長さを、押出し方向と直交する方向の長さよりも長くすることが容易になる。例えば、晶出物の最大幅を１２μｍ以下にしやすくなる。その結果、少なくとも上記（ａ）〜（ｄ）（ｆ）の効果をより得ることができる。
【００５７】
（ｍ）押出し工程が終了した後なるべく早く、より好ましくは押出し工程が終了した直後に、押出し材の冷却を行うことで、余熱による押出し材の加熱を抑制できる。その結果、晶出物の酸化の進行をより抑制できる。従って、少なくとも上記（ａ）〜（ｄ）の効果をより得ることができる。
【００５８】
（ｎ）押出し材の冷却を水冷で行うことで、ターゲット材（押出し材）の内部への酸素の侵入を抑制できる。これにより、晶出物における酸素の含有量をより低減できる。その結果、晶出物の酸化が進むことをより抑制できる。従って、少なくとも上記（ａ）〜（ｅ）の効果をより得ることができる。
【００５９】
これに対し、押出し材の冷却を空冷で行うと、ターゲット材の内部への酸素の侵入を抑制できないことがある。従って、晶出物における酸素の含有量が多くなってしまうことがある。その結果、押出し成形により晶出物が引き伸ばされた押出し材を用いてターゲット材を形成した場合であっても、スパッタリング時にターゲット材に発生する異常放電を抑制できないことがある。
【００６０】
（ｏ）押出し材の降温速度を３０℃／ｓ以上にすることで、余熱による押出し材の加熱をより抑制できる。その結果、晶出物の酸化の進行をより抑制できる。従って、少なくとも上記（ａ）〜（ｄ）の効果をより得ることができる。
【００６１】
（ｐ）母材のＣｕとして、例えば純度が９９．９９％以上（４Ｎ以上）である無酸素銅を用いることで、ターゲット材自身が有する酸素を低減できる。その結果、晶出物における酸素の含有量をより低減でき、晶出物の酸化が進むことをより抑制できる。従って、少なくとも上記（ａ）〜（ｄ）の効果をより得ることができる。
【００６２】
（ｑ）本実施形態にかかるターゲット材を用いて主導電層２を設けて配線積層体１０を形成することで、主導電層２と、主導電層２に接し、酸素を含有する層と、の間の界面にバリア層を形成できる。例えばＭｏやＴｉ等の高価な材料を用いることなく、バリア層を形成できる。従って、配線積層体１０の製造コストを低減させることができる。
【００６３】
ここで、参考までに、鋳塊に対して熱間圧延等の圧延を行うことで形成したターゲット材、つまり圧延材によりターゲット材を形成する場合について説明する。
【００６４】
鋳塊に対して圧延を行って形成した圧延材は、鋳塊中に晶出した晶出物が押し潰されて、二次元方向に延びる。つまり、圧延材と同一の組成の鋳塊を用いて形成した押出し材と比べて、晶出物の圧延方向と直交する方向の最大長さ（最大幅）が長くなる。従って、ターゲット材のスパッタリング面に存在する各晶出物のそれぞれの大きさが大きくなることがある。また、スパッタリングを行う過程で、ターゲット材のスパッタリング面に形成される各凸部のそれぞれの大きさが大きくなってしまうことがある。このため、ターゲット材に発生する異常放電を抑制できないことがある。
【００６５】
また、ターゲット材を圧延材により形成すると、圧延材を形成する際、通常、圧延は複数パスに分けて行われる。例えば１パスでターゲット材を形成することが難しい。なお、ここでの１パスとは、圧延ロールを通過する回数が１回であることを言う。このため、圧延材の熱履歴が上述の押出し材と比べて大きくなってしまう。その結果、圧延材では、押出し材に比べて、晶出物の酸化が進行することで晶出物が脆化し、ターゲット材の加工性が低下することがある。さらにまた、圧延ロールを用いた圧延では、ターゲット材（圧延材）の幅方向の側面が自由になっているため、ターゲット材の加工性が低下し、圧延を行う過程でターゲット材に割れが発生しやすくなる。
【００６６】
これに対し、本実施形態では、ターゲット材を押出し材で形成することで、ターゲット材を圧延材で形成する際に生じる上記課題を解決できる。
【００６７】
＜本発明の他の実施形態＞
以上、本発明の一実施形態を具体的に説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。
【００６８】
上述の実施形態では、母材としてＣｕを用い、添加金属としてＣａを用いる場合について説明したが、これに限定されるものではない。つまり、低抵抗部分と高抵抗部分とを有するターゲット材であれば、母材としての金属及び添加金属は特に限定されるものではない。
【００６９】
上述の実施形態では、酸素を含む半導体層及び酸素を含む絶縁膜を備える配線積層体について説明したが、これに限定されるものではない。つまり、酸素を含む半導体層又は酸素を含む絶縁膜の少なくともいずれかを備えていればよい。これにより、上記（ｑ）の効果を得ることができる。
【実施例】
【００７０】
次に、本発明の実施例を説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００７１】
＜試料の作製＞
（試料１）
［押出し材の作製］
試料１では、母材としての純度が９９．９９％（４Ｎ）である純銅（無酸素銅）を用いた。そして、例えば坩堝式溶解炉を用い、不活性ガス雰囲気中にて、カーボン坩堝中で母材を所定温度に加熱して溶解し、銅の溶湯を作製した。そして、坩堝式溶解炉による銅の溶湯の加熱を維持しつつ、添加金属としてのＣａを銅の溶湯に添加して銅合金の溶湯を作製した。このとき、銅合金中のＣａの含有量が１．１原子％となるように、Ｃａの添加量を調整した。その後、銅合金の溶湯を鋳型に注いで冷却し、所定形状（φ２５０ｍｍ×６００ｍｍＬ）の銅合金の鋳塊（ビレット）を鋳造した。つまり、Ｃａの含有量が１．１原子％であり、残部が不可避的不純物からなるＣｕ−Ｃａ系合金のビレットを鋳造した。
【００７２】
ここで、図２に、このビレットの鋳造組織のＳＥＭ画像を示す。図３は、図２の部分拡大図の一例を示すＳＥＭ画像である。図２及び図３から、Ｃｕ５Ｃａからなる晶出物がＣｕ中に網目状に存在していることが確認できる。
【００７３】
ビレットを鋳造した後、加熱手段（誘導加熱手段）としてインダクションコイルを用い、得られたビレットが８５０℃となるように、ビレットを所定時間加熱した。ビレットが８５０℃まで昇温した後直ちに、押出し出口（開口部）の大きさが２１０ｍｍＷ×２５ｍｍｔである押出しダイスを用いて、ビレットを押出し成形し、押出し材を作製した。これを、試料１とした。なお、押出し成形時の押出し比は９．３である。
【００７４】
続いて、得られた試料１の押出し材を水冷により急冷した。具体的には、押出しダイスの押出し出口から出てきた押出し材ができるだけ早く水槽内に入るように、水を張った水槽を、押出しダイスの押出し出口に可能な限り近い位置に配置した。そして、押出し出口から出てきた押出し材を水槽に入れて押出し材の冷却を開始した。このとき、押出し材が、押出し工程が終了した後、数十秒以内で１００℃まで冷却されるように、水槽内の水の温度を調整した。押出し材が１００℃まで冷却されるまでの押出し材の降温速度は４２℃／ｓであった。降温速度の測定は以下のように行った。まず、接触式温度計を用い、水槽内の最後端で押出し材に温度計を押し当てて押出し材の温度を測定し、押出し材の温度が１００℃まで低下するのに要した時間を測定した。そして、得られた時間で、押出し材の低下温度（＝押出し時の加熱温度（８５０℃）−１００℃）を除し、この値を降温速度（℃／ｓ）とした。
【００７５】
［ターゲット材の作製］
前端部と後端部を切除した後の定常部が５ｍ以上である押出し材を定尺に切断した。その後、押出し時の加熱によって押出し材の表面に形成された表面酸化層（黒皮）を面削にて除去した。面削を行った押出し材に所定の加工を行い、２００ｍｍＷ×２０ｍｍｔであり、幅広面をスパッタリング面とするターゲット材を作製した。このとき、押出し材の前部から１０枚、中部から１０枚、後部から１０枚ずつターゲット材を作製した。なお、押出し材の前部とは、定尺に切断した押出し材のうち、最初の方に押し出されてきた押出し材の部分をいい、押出し材の後部とは、終わりの方に押し出されてきた押出し材の部分をいい、押出し材の中部とは、押出し材の前部と後部との間に位置する押出し材の部分をいう。
【００７６】
（試料２〜２０）
試料２〜２０では、Ｃａの含有量（添加量）、押出し時の加熱温度、降温速度をそれぞれ、下記の表１に示す通りとした。また、試料１９，２０では、押出し材を冷却する際に、水冷ではなく、空冷で行った。その他は、試料１と同様にして押出し材を得た。これらをそれぞれ、試料２〜２０とした。そして、試料２〜２０のそれぞれの押出し材の前部から１０枚、中部から１０枚、後部から１０枚ずつターゲット材を作製した。
【００７７】
（試料２１）
試料２１では、母材としての純度が９９．９９％（４Ｎ）である純銅（無酸素銅）を用いた。そして、例えば坩堝式溶解炉を用い、不活性ガス雰囲気中にて、カーボン坩堝中で母材を所定温度に加熱して溶解し、銅の溶湯を作製した。そして、坩堝式溶解炉による銅の溶湯の加熱を維持しつつ、添加金属としてのＣａを銅の溶湯に添加して銅合金の溶湯を作製した。このとき、銅合金中のＣａの含有量が１原子％となるように、Ｃａの添加量を調整した。つまり、Ｃａの含有量が１原子％であり、残部が不可避的不純物からなるＣｕ−Ｃａ系合金のケークを鋳造した。その後、銅合金の溶湯を鋳型に注いで冷却し、所定形状（２００ｍｍＷ×１５０ｍｍｔ×８００ｍｍＬ）の銅合金の鋳塊（ケーク）を鋳造した。得られたケークを、加熱炉にて、６００℃で所定時間加熱した。その後、断面が２１０ｍｍ×２５ｍｍｔの圧延材を得るべく、加工度が１０％の熱間圧延を、複数パスに分けてケークに行った。加工度（％）は、下記（式１）から算出される。
（式１）
加工度（％）＝｛（加工前の板厚−加工後の板厚）／加工前の板厚｝×１００
【００７８】
（試料２２〜２３）
試料２２では、Ｃａの含有量が３原子％であり、残部が不可避的不純物からなるＣｕ−Ｃａ系合金のケークを鋳造した。このとき、ガス炉を用いたケークの加熱温度を７５０℃とした。また、試料２３では、Ｃａの含有量が５原子％であり、残部が不可避的不純物からなるＣｕ−Ｃａ系合金のケークを鋳造した。このとき、ガス炉を用いたケークの加熱温度を８５０℃とした。その他は、試料２１と同様にして、断面が２１０ｍｍ×２５ｍｍｔの圧延材を得るべく、ケークに加工度が１０％の熱間圧延を複数回行った。
【００７９】
＜加工性の評価＞
得られた試料１〜２３の押出し材（圧延材）の加工性についての評価を行った。つまり、押出し材（圧延材）を作製する際に、割れが発生することなく、所定形状（２００ｍｍＷ×２０ｍｍｔのターゲット材を形成できる形状）の押出し材（圧延材）が得られるか否かを評価した。割れが発生しなかった押出し材（圧延材）の評価を「○」とし、割れが発生した押出し材（圧延材）の評価を「×」とした。評価結果を、下記の表１に示す。
【００８０】
【表１】
2016098385.tif 000003
【００８１】
＜加工性の評価結果＞
試料１〜２０と、試料２１〜２３と、の比較から、ターゲット材を押出し材により形成することで、ターゲット材を圧延材で形成する場合よりも、ターゲット材の加工性を向上させることができることを確認した。
【００８２】
具体的には、２００ｍｍＷ×２０ｍｍｔのターゲット材を形成できる押出し材を形成した場合であっても、押出し材の成形時に、押出し材に割れが発生することを抑制できることを確認した。これに対し、試料２１〜２３ではいずれも、２〜４パス（圧延材の厚さが９８〜１２１ｍｍｔ）で圧延材の割れの発生が確認できた。つまり、熱間圧延によりターゲット材を形成しようとすると、目標サイズである圧延材を得ることができなかった。具体的には、面削を行った後の圧延材の大きさを２００ｍｍＷ×２０ｍｍｔにすることができなかった。なお、試料２１〜２３では、目標サイズである圧延材が得られなかったため、以下のスパッタリング性の評価は行っていない。
【００８３】
＜スパッタリング性の評価＞
試料１〜２０の前部、中部、後部の各位置から作製したターゲット材についてそれぞれ、スパッタリング性の評価を行った。具体的には、各ターゲット材のスパッタリング面の評価と、異常放電の発生回数の評価と、を行った。
【００８４】
（スパッタリング面の評価）
試料１〜２０の前部、中部、後部のそれぞれの位置から作製した各ターゲット材のスパッタリング面に対して垂直な面（ターゲット材の厚み方向に平行な面）をＳＥＭ法により撮影して、１１０μｍ×１６０μｍのＳＥＭ画像を取得した（ＳＥＭ観察写真を撮影した）。ＳＥＭ画像上の複数の晶出物（共晶組織、結晶組織）のそれぞれについて、押出し方向と直交する方向の最大長さ（最大幅）を測定した。試料１〜２０の前部、中部、後部のそれぞれの位置から作製した各ターゲット材における晶出物の最大幅をそれぞれ、上記表１に示す。
【００８５】
また、試料１〜２０においてそれぞれ、前部、中部、後部のそれぞれの位置から作製した各ターゲット材間で、晶出物の最大幅にばらつきがないかを確認した。具体的には、試料１〜２０においてそれぞれ、前部、中部、後部の各ターゲット材の晶出物の最大幅の標準偏差を算出した。ここで、例えば、図４に、試料１から作製したターゲット材のスパッタリング面に対して垂直な面のＳＥＭ画像の一例を示し、図５に、試料１６から作製したターゲット材のスパッタリング面に対して垂直な面のＳＥＭ画像の一例を示す。図４と図５とを比較すると、図４に示すターゲット材の方が、図５に示すターゲット材と比べて、晶出物の最大幅が小さいことが分かる。つまり、押出し温度が高い方が、晶出物を引き伸ばしやすいため、晶出物の最大幅が小さくなり、押出し温度が低くなると、晶出物を引き伸ばしにくくなるため、晶出物の最大幅が大きくなることが分かる。この結果から、晶出物の最大幅は、押出し成形の加工状況を反映しているとも考えられる。従って、一の押出し材を形成する際に、ビレットの加熱温度が大幅にずれたりすることなく、均一な条件で押出し成形が行われているか否かの指標として、晶出物の最大幅の標準偏差を用いた。標準偏差の値が小さいほど、均一な条件で押出し成形が行われていることを示している。試料１〜２０のそれぞれにおける前部、中部、後部の各ターゲット材の晶出物の最大幅の標準偏差をそれぞれ表１に示す。
【００８６】
（異常放電の発生回数の評価）
［評価用サンプルの作製］
試料１〜２０の前部、中部、後部からそれぞれ作製した各ターゲット材から、φ１００ｍｍ×５ｍｍｔの評価用サンプルを切り出した。これらの評価用サンプルを用いて、スパッタリングを行い、スパッタリング時に、各評価用サンプルに発生した異常放電の回数（頻度）を測定して評価した。
【００８７】
［異常放電の発生回数の測定方法］
異常放電の発生回数の測定は、図６に示すような検出装置システム（アークモニタ）を用いて行った。つまり、異常放電の発生回数の測定は、スパッタリング時に成膜が行われる基板に電気的に接続される基板電極と、ターゲット材である各評価用サンプルに電気的に接続されるカソード電極との間に印加される電流と電圧とをモニタして異常放電の発生を判定してカウントすることで行った。異常放電の発生回数を測定した際のスパッタリング条件は、下記の表２に示す通りとした。つまり、異常放電の発生回数の測定は、スパッタリングを行うチャンバ内の圧力を０．５Ｐａとし、投入パワーを１ｋＷ（ＤＣ）とし、プロセスガスとしてアルゴン（Ａｒ）ガスを用い、スパッタリング時間を連続２時間として行った。スパッタリング時間を２時間とすることで、評価用サンプルであるターゲット材のエロージョン深さが約２ｍｍとなる。また、スパッタリング開始後３０秒間のプリスパッタリングで発生した異常放電は、大気に触れた影響で発生した可能性があるため、異常放電の発生回数にはカウントしなかった。
【００８８】
【表２】
2016098385.tif 000004
【００８９】
［異常放電の発生回数の評価結果］
試料１〜２０のそれぞれから作製した各評価用サンプルに発生した異常放電の発生回数を、上記の表１に示す。また、各試料の前部、中部、及び後部の評価用サンプルの異常放電の発生回数の平均も算出した。
【００９０】
＜評価結果＞
試料１〜２０から、ターゲット材を押出し材で形成することで、異常放電の発生回数を低減することができることを確認した。具体的には、試料１〜２０の各試料の前部、中部、及び後部から作製したターゲット材を用いてスパッタリングを行った際、異常放電の発生回数の平均を２２回以下にできることを確認した。つまり、試料１〜２０の各押出し材から作製したターゲット材はいずれも、良好なスパッタリング性を有することを確認した。
【００９１】
試料１〜１８と、試料１９〜２０と、の比較から、押出し成形後の押出し材の冷却を水冷で行うと、冷却を空冷で行った場合よりも、異常放電の発生回数をより低減できることを確認した。具体的には、試料１〜１８では、各試料の前部、中部、及び後部の異常放電の発生回数の平均を１０回以下にできることを確認した。これに対し、試料１９〜２０では、押出し成形後の押出し材の冷却を空冷で行ったため、冷却時に押出し材内部に酸素が侵入し、その結果、晶出物が酸化されることで、異常放電の発生回数が多くなる（１０回を超える）ことがあることを確認した。
【００９２】
試料１〜１７と、試料１８と、の比較から、押出し材を冷却する際の降温速度を３０℃／ｓ以上にすることで、余熱による押出し材の加熱をより抑制できることを確認した。その結果、晶出物の酸化の進行をより抑制でき、異常放電の発生回数をさらに低減できることを確認した。具体的には、試料１〜１７では、各試料の前部、中部、及び後部の異常放電の発生回数の平均を８回以下にできることを確認した。
【００９３】
試料１〜１５と、試料１６〜１７と、の比較から、押出し材を形成する際（押出し成形時）の鋳塊（ビレット）の温度が６５０℃以上にすることで、スパッタリング面の晶出物の最大幅を１２μｍ以下に、より確実にすることができることを確認した。その結果、スパッタリング時の異常放電の発生回数をさらに低減することができることを確認した。具体的には、試料１〜１５から、異常放電の発生回数の平均を３回以下にすることができることを確認した。これに対し、試料１６〜１７では、作製したターゲット材のスパッタリング面の晶出物の最大幅が１２μｍを超えることがあることを確認した。つまり、Ｃａの含有量が約１７原子％以下であるＣｕ−Ｃａ系合金の場合、鋳塊の加熱温度を６５０℃未満にすると、ビレットを押し出して押出し材を形成した場合であっても、晶出物を十分に引き伸ばすことができず、晶出物の最大幅が急激に大きくなることがあることを確認した。その結果、鋳塊の加熱温度を６５０℃以上にした試料１〜１５と比べて、スパッタリング時にスパッタリング面に形成される凸部が多くなり、異常放電が発生しやすくなることを確認した。
【００９４】
なお、試料１〜２０からそれぞれ作製したターゲット材はいずれも、標準偏差が１．７以下であった。つまり、いずれの試料も、押出し成形は均一な条件で行われていることを確認した。
【００９５】
＜本発明の好ましい態様＞
以下に、本発明の好ましい態様について付記する。
【００９６】
［付記１］
本発明の一態様によれば、
母材としての金属と、前記母材としての金属とは異なる金属である添加金属と、を含む合金で形成されるスパッタリングターゲット材であって、
前記母材及び前記添加金属の共晶組織である複数の晶出物が晶出している鋳塊に対して押出し成形を行うことで、複数の前記晶出物がそれぞれ押出し方向に引き伸ばされた押出し材により形成されているスパッタリングターゲット材が提供される。
【００９７】
［付記２］
付記１のスパッタリングターゲット材であって、好ましくは、
前記晶出物の押出し方向における長さが、押出し方向と直交する方向における長さよりも長い。
【００９８】
［付記３］
付記１又は２のスパッタリングターゲット材であって、好ましくは、
前記晶出物の押出し方向と直交する方向の最大の長さが１２μｍ以下である。
【００９９】
［付記４］
付記１ないし３のいずれかのスパッタリングターゲット材であって、好ましくは、
酸素濃度が２０ｐｐｍ以下である。
【０１００】
［付記５］
付記１ないし４のスパッタリングターゲット材であって、好ましくは、
前記母材としての金属は銅であり、
前記添加金属はカルシウムである。
【０１０１】
［付記６］
付記５のスパッタリングターゲット材であって、好ましくは、
前記カルシウムの含有量は１〜５原子％である。
【０１０２】
［付記７］
本発明の他の態様によれば、
母材としての金属中に、前記母材としての金属と異なる金属である添加金属を添加し、前記母材及び前記添加金属の共晶組織である複数の晶出物を晶出させた鋳塊を鋳造する鋳造工程と、
加熱手段により前記鋳塊の融点温度より低い温度に加熱した前記鋳塊に対して押出し成形を行うことで、複数の前記晶出物をそれぞれ押出し方向に引き伸ばして押出し材を形成する押出し工程と、を有するスパッタリングターゲット材の製造方法が提供される。
【０１０３】
［付記８］
付記７のスパッタリングターゲット材の製造方法であって、好ましくは、
前記押出し工程では、前記晶出物の押出し方向における長さが、押出し方向と直交する方向の長さよりも長くなるような押出し成形を行う。
【０１０４】
［付記９］
付記７又は８のスパッタリングターゲット材の製造方法であって、好ましくは、
前記押出し工程では、押出し比が８以上である押出し成形を行う。
【０１０５】
［付記１０］
付記７ないし９のいずれかのスパッタリングターゲット材の製造方法であって、好ましくは、
前記押出し工程を行いつつ、前記押出し工程で形成された前記押出し材の水冷による冷却を行う冷却工程を行う。
【０１０６】
［付記１１］
付記７ないし１０のいずれかのスパッタリングターゲット材の製造方法であって、好ましくは、
前記冷却工程では、前記押出し材の温度が１００℃付近となるまで、３０℃／ｓ以上の降温速度で前記押出し材を冷却する。
【０１０７】
［付記１２］
付記７ないし１１のいずれかのスパッタリングターゲット材の製造方法であって、好ましくは、
前記押出し工程では、前記鋳塊の温度が前記鋳塊の融点温度より５０℃以上低い温度となるように前記鋳塊を加熱する。
【０１０８】
［付記１３］
付記７ないし１２のいずれかのスパッタリングターゲット材の製造方法であって、好ましくは、
前記母材としての金属として銅を用い、前記添加金属としてカルシウムを用い、
前記押出し工程では、前記鋳塊の温度が６５０℃以上８５０℃以下となるように前記鋳塊を加熱する。
【符号の説明】
【０１０９】
１        基板
２        主導電層
３        絶縁膜
１０      配線積層体
【図１】
2016098385.tif 000005
【図６】
2016098385.tif 000006
【図２】
2016098385.tif 000007
【図３】
2016098385.tif 000008
【図４】
2016098385.tif 000009
【図５】
2016098385.tif 000010