(57)【要約】      （修正有）【課題】半導体レーザーアレイとマイクロレンズアレイとを組み合わせる際に、両者間の位置ずれや平行度の狂いを防止して光利用効率の低下を抑制または防止できるレーザー光源を提供する。【解決手段】複数の面発光レーザー２を備えた面発光レーザーアレイと、面発光レーザー２の光路に位置するマイクロレンズアレイと、を有し、面発光レーザーアレイ側の基板４およびマイクロレンズアレイ側の基板２２には、凹部５および凸部６，２３および凸部が設けられ、凹部５および凸部６，２３は、基板４および基板２２のそれぞれの面上の非線対称または非点対称の位置に配置され、前記凹部５と前記凸部２３とが互いに嵌め込まれるとともに、凸部６と凹部とが互いに嵌め込まれて面発光レーザーアレイとマイクロレンズアレイとが一体化される。【選択図】図２
2016014752.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の面発光レーザーを備えた面発光レーザーアレイと、
前記面発光レーザーの光路に位置するマイクロレンズを備えたマイクロレンズアレイと、を有し、
前記面発光レーザーアレイ側の基板および前記マイクロレンズアレイ側の基板には、それぞれ凹部および凸部が設けられ、
前記凹部および凸部は、前記面発光レーザーアレイ側の基板および前記マイクロレンズアレイ側の基板のそれぞれの面上の非線対称または非点対称の位置に配置され、前記面発光レーザーアレイ側の前記凹部と前記マイクロレンズアレイ側の前記凸部とが互いに嵌め込まれるとともに、前記面発光レーザーアレイ側の前記凸部と前記マイクロレンズアレイ側の前記凹部とが互いに嵌め込まれて前記面発光レーザーアレイと前記マイクロレンズアレイとが一体化されるレーザー光源。
【請求項２】
前記凹部の深さと前記凸部の高さは、前記面発光レーザーに対する前記マイクロレンズアレイの光学的距離に相当する対向間隔が得られる寸法を持たせてあることを特徴とする請求項１記載のレーザー光源。
【請求項３】
前記凹部の底部と前記凸部の頭部とを突き当てることにより前記対向間隔が規定されることを特徴とする請求項２記載のレーザー光源。
【請求項４】
前記面発光レーザーアレイと前記マイクロレンズアレイとに各端部が当接したスペーサが配置されていることを特徴とする請求項１乃至３のうちのいずれか一つに記載のレーザー光源。
【請求項５】
潜像担持体に対する光走査装置として、請求項１乃至４のうちのいずれか一つに記載のレーザー光源を用いることを特徴とする光走査装置。
【請求項６】
潜像担持体に形成された静電潜像がトナーにより可視像処理されることによって形成されたトー像を記録媒体に転写することで画像形成を行う画像形成装置であって、前記静電潜像の形成のために請求項５記載の光走査装置を用いることを特徴とする画像形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レーザー光源、光走査装置および画像形成装置に関し、さらに詳しくは、レーザーアレイとレンズアレイとを用いる場合の組み付け精度維持のための構成に関する。
【背景技術】
【０００２】
加工機やセンサなどに用いられる高出力光源としてレーザー光源とマイクロレンズとを組み合わせる構成が知られている（例えば、特許文献１〜４）。
図１７は、上記構成の一例を示しており、この構成では、レーザーバー１０１を積層したスタックレーザー１０２とこれに発光点に対応した位置にマイクロレンズ１０３を配置したレンズアレイ１０４および集光レンズ１０５が組み合わされている。
この高出力光源は、スタックレーザー１０２が出射する数１００〜数ｋＷのレーザビームを加工面上で集光させることで切断・溶接等のレーザー加工を行う。なお、金属の切断においては、電力密度として１０6〜１０8Ｗ／ｃｍ2が必要とされ、レーザー出力が１ｋＷ時では集光径がφ１ｍｍ以下であることを要する。
このような出力条件の一つである、上記集光径を設定するには、図１８に示すように、半導体レーザーアレイ１１０から出射されたレーザー光をマイクロレンズアレイ１１１により平行光化し、集光レンズ１１２で集光してマルチモード光ファイバー１１３に導く構成が用いられる。
この構成によれば、半導体レーザー光を効率よく集光させる半導体レーザーアレイ装置が得られる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
半導体レーザーアレイ装置では、半導体レーザーアレイとマイクロレンズアレイとの対向関係が上記の集光径によるレーザー出力を得る際の重要な条件となる。つまり、半導体レーザーアレイとマイクロレンズアレイとの対向間隔そして対向位置に関する精度を維持することが必要となる。対向位置に関しては、半導体レーザーアレイとマイクロレンズアレイとの光軸が一致する位置関係であることが望ましい。
このように、半導体レーザーアレイとマイクロレンズアレイとの位置ずれや平行度の狂いが生じていると、光利用効率が低下してしまう。
【０００４】
半導体レーザーアレイは、多数の面発光レーザーの集合体で構成され、各面発光レーザーの並べ方も専有面積の小型化を意図して平面視において正方形状に並べられる場合がある。
面発光レーザーを形成された基板および面発光レーザーに対向するマイクロレンズを備えたマイクロレンズアレイを構成する光学基板は、面発光レーザーに並べ方に順じて形状が決められ、この場合には、平面視において正方形状が用いられる。
平面視において基板の形状が正方形状である場合には、円形の場合と同様に、相対する基板同士の向きが定まりにくい。つまり、各基板の平面中心を基準に回転させると、回転位置において互いの基板同士で対向するアレイ同士の光学的位置関係が適正な関係になっているかを判断することが難しい。
例えば、正方形状の基板では９０度、８０度、２７０度などの回転位相のいずれにおいても対向する基板同士の位置が同じ形状を有しているので、レンズアレイと面発光レーザーの光軸が一致しないまま、あるいは対向間隔が一定でない状態で組み立てられてしまう虞がある。
このように、半導体レーザーアレイとマイクロレンズアレイとの位置ずれや平行度に狂いが生じた状態で半導体レーザーアレイ装置が組み立てられると、光利用効率が低下した状態を改善することができなくなる。
【０００５】
本発明の目的は、半導体レーザーアレイとマイクロレンズアレイとを組み合わせる際に、両者間の位置ずれや平行度の狂いを防止して光利用効率の低下を抑制および／または防止できるレーザー光源を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
この目的を達成するため、本発明は、複数の面発光レーザーを備えた面発光レーザーアレイと、前記面発光レーザーの光路に位置するマイクロレンズを備えたマイクロレンズアレイと、を有し、前記面発光レーザーアレイ側の基板および前記マイクロレンズアレイ側の基板には、それぞれ凹部および凸部が設けられ、前記凹部および凸部は、前記面発光レーザーアレイ側の基板および前記マイクロレンズアレイ側の基板のそれぞれの面上の非線対称または非点対称の位置に配置され、前記面発光レーザーアレイ側の前記凹部と前記マイクロレンズアレイ側の前記凸部とが互いに嵌め込まれるとともに、前記面発光レーザーアレイ側の前記凸部と前記マイクロレンズアレイ側の前記凹部とが互いに嵌め込まれて前記面発光レーザーアレイと前記マイクロレンズアレイとが一体化されるレーザー光源にある。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、面発光レーザーアレイとマイクロレンズアレイとを一体化するために用いられる凹部および凸部が、基板の面上で非線対称または非点対称の位置にそれぞれ形成されているので、互いに嵌め込まれると各アレイ同士の位置ずれや平行度の狂いが防止または抑制される。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明を実施するための形態に係るレーザー光源の一例を説明するための模式的な断面図である。
【図２】図１に示したレーザー光源の斜視図である。
【図３】図１に示したレーザー光源に用いられる面発光レーザーアレイの構成を示す模式的な断面図である。
【図４】図３に示した面発光レーザーアレイを対象として凹部を形成する手順を説明するための模式的な断面図である。
【図５】図３に示した面発光レーザーアレイを対象として凸部を形成する手順を説明するための模式的な断面図である。
【図６】図１に示したレーザー光源に用いられるマイクロレンズアレイの構成を説明するための模式的な断面図である。
【図７】図６に示したマイクロレンズアレイを対象として凹部および凸部を形成する手順を説明するための模式的な断面図である。
【図８】本発明を実施するための形態に係るレーザー光源の別の例を説明するための模式的な断面図である。
【図９】図８に示したレーザー光源の斜視図である。
【図１０】図８に示したレーザー光源に用いられる面発光レーザーアレイの構成を説明するための模式的な断面図である。
【図１１】図１０に示した面発光レーザーアレイを対象として凹部および凸部を形成する手順を説明するための模式的な断面図である。
【図１２】図８に示したレーザー光源に用いられるマイクロレンズアレイの構成を説明するための模式的な断面図である。
【図１３】図１２に示したマイクロレンズアレイを対象として凹部および凸部を形成する手順を説明するための模式的な断面図である。
【図１４】本発明を実施するための形態に係るレーザー光源の他の例を説明するための模式的な断面図である。
【図１５】図１４に示したレーザー光源の斜視図である。
【図１６】図１に示したレーザー光源を備えた光走査装置を用いる画像形成装置の構成を説明するための模式図である。
【図１７】レーザー光源の従来例の一例を説明するための模式図である。
【図１８】レーザー光源の従来例の他の例を説明するための模式図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、図面に基づき、本発明を実施するための形態について説明する。
図１においてレーザー光源１００は、複数の面発光レーザー２を備えた面発光レーザーアレイ１と面発光レーザー２の光路に位置する複数のマイクロレンズ２１を備えたマイクロレンズアレイ２０とが組み合わされて構成されている。
面発光レーザー２は、基板４に形成され、配電電極３からの給電により周知の面発光を行うことができる。
【００１０】
面発光レーザーアレイ１の基板４およびマイクロレンズアレイ２０の基板２２には、図１〜３に示すように、それぞれ異なる位置に、凹部５，２４および凸部６，２３が設けられている。凹部５，２４および凸部６，２３は、面発光レーザーアレイ１とマイクロレンズアレイ２０との光学的位置関係を設定するための位置合わせに用いられる部材である。
【００１１】
面発光レーザーアレイ１側に設けられている凹部５および凸部６とマイクロレンズアレイ２０側に設けられている凹部２４および凸部２３は、基板の面上で面発光レーザーアレイ１の中心軸Ｐを基準として非点対称または非線対称の位置にそれぞれ配置されている。
図２（Ａ）に示す構成では、π／４（ｒａｄ）毎の位置で、面発光レーザーアレイ１の中心軸Ｐを基準とした回転方向に沿って基板４側では、非点対称あるいは非線対称の並び順となるように、凹部５、凹部５、凸部６、凸部６という並び順で４組設けられている。
図２（Ｂ）には、中心軸Ｐを中心とする点対称の位置に凹部５，凸部６が交互に並べられている場合が示されている。
【００１２】
図２（Ａ）に示す凹部５，凸部６の並び順とすることにより、マイクロレンズアレイ２０側の凹部２４および凸部２３に対する嵌め込まれる位置は、前記中心軸Ｐを基準として２π（ｒａｄ）の回転位相に限定される位置となる。
これに対して、図２（Ｂ）に示した凹部５，凸部６の並び順であると、マイクロレンズアレイ２０側の凹部２４および凸部２３に対する嵌め込まれる位置は、前記中心軸Ｐを基準とした場合に２π（ｒａｄ）だけでなくπ（ｒａｄ）の回転位相も含まれる。
従って、図２（Ｂ）に示した並び順である、非点対称あるいは非線対称でない位置に凹部５および凸部６を配置した場合には、正規の向き以外の誤った向きにマイクロレンズアレイ２０側の凹部２４および凸部２３が嵌め込まれてしまうことになる。このような嵌め込み位置が正規の条件と異なってしまうと、面発光レーザーアレイ１側とマイクロレンズアレイ２０側との光学的位置関係が狂ってしまう結果となる。
【００１３】
凹部５および凸部６は、周知の超微細加工に用いられるフォトリソグラフィにより位置決めされて形成される。
つまり、凹部５は、図４に示すように、フォトリソグラフィで形成されたレジストパターン７をマスキングとしてドライエッチングあるいはウエットエッチングなどの研削プロセスにより形成される。
図４に示す手順では、凹部５が半径５０μｍ、深さ２０μｍに形成されている。
この深さに関しては、相手側の凸部が嵌め込まれた際にその頭部が突き当たることで面発光レーザーアレイ１に対するマイクロレンズアレイ２０の光学的距離に相当する対向間隔が得られる寸法に対応させてある
【００１４】
一方、凸部６の形成に際しては、図５に示すように、厚さ７０μｍのレジストパターンを形成した後、レジストパターンによりマスキングした状態で該当箇所にメッキプロセスを用いて柱状に凸部を盛り付けた状態で形成する。
凸部６の高さに関しても、上述した凹部５の深さと同様な考えが用いられている。
【００１５】
凸部６は、図２に示すように、マイクロレンズアレイ２０側も含めて正面視形状が、一例として、テーパーコーン状に形成されている。この形状での頭部までの距離に相当する高さおよび、テーパ量（勾配角度）は、次の条件で決められている。
つまり、嵌め込まれた際に頭部が相手側の凹部の底部に突き当たった時点で、面発光レーザーアレイ１とマイクロレンズアレイ２０との対向間隔が所定の光学的位置関係が得られること、そして、突き当たった時点で機械的な嵌合状態の一つである「締まり嵌め」が得られて径方向でのガタ付きのない状態が得られること。
これとは別に、凸部６の形状をテーパーコーンとしないで円柱状とした場合においても、上述した条件である径方向でのガタ付きがないことおよび上記所定の光学的位置関係が得られることを満足する条件とすることもちろんである。
【００１６】
マイクロレンズアレイ２０は、図６に示すように、面発光レーザーアレイ１に備えられている面発光レーザー２の数に対応するマイクロレンズ２１が無機系あるいは有機系の光透過性材料を用いて成形されている。
マイクロレンズアレイ２０側にも、面発光レーザーアレイ１との位置合わせのための凹部２４および凸部２３が設けられている。
凹部２４は、図７（Ａ）、（Ｂ） に示すように、面発光レーザーアレイ１側の凹部５と同様に、フォトリソグラフィで形成されたレジストパターン２５をマスキングにしてドライエッチングあるいはウエットエッチング等のプロセスにより形成される。この場合の凹部２４は、半径５０μｍ、深さ２０μｍの設定で形成される。この深さに関しては、前述した面発光レーザーアレイ１側の凹部５と同様な考えにより寸法が設定されている。
凸部２３は、図７（Ｃ），（Ｄ）に示すように、フォトリソグラフィで形成されたレジストパターン２６をマスキングに用いてメッキプロセスにより金属の柱形状の盛り付けを行うことで形成される。凸部２３は、厚さ５０μｍのレジストパターン２６を形成した後、レジストパターン２６をマスクにしてニッケル（Ｎｉ）メッキプロセスを用いて柱状に凸部２３を形成する。
以上のように、面発光レーザーアレイ１側およびマイクロレンズアレイ２０側での凹部の深さおよび凸部の高さは、上述した条件をそれぞれ用いられている。
【００１７】
以上の構成においては、面発光レーザーアレイ１側の凹部５とマイクロレンズアレイ２０側の凸部２４とが互いに嵌め込まれるとともに、マイクロレンズアレイ２０側の凹部２４と面発光レーザーアレイ１側の凸部６とが互いに嵌め込まれる。
面発光レーザーアレイ１側の凹部５，および凸部６、そしてマイクロレンズアレイ２０側の凹部２４および凸部２３は、いずれも非線対称または非点対称の位置にあるので、両方のアレイ同士を組み付ける際の向きが一義的に決められることになる。
つまり、凹部５，２４および凸部６，２３が互いに嵌め込められる位置は、面発光レーザー２の中心Ｐを基準として０（ｒａｄ）または２π（ｒａｄ）の位置に限定され、これ以外の回転位置での嵌め込みは行えない。この結果、面発光レーザー２に対するマイクロレンズ２１の対向位置関係は予め設定されている適正な関係に維持されることになり、光学的位置関係の狂いが生じないことにより光利用効率の低下を抑制および／または防止することができる。
また、凹部５，２４および凸部６，２３の深さおよび高さが面発光レーザーアレイ１とマイクロレンズアレイ２０との対向間隔を一定に維持することができる寸法とされているので、凹部内に凸部が嵌り込んで突き当たることにより、上記対向間隔を一定間隔に維持できる。よって、面発光レーザー２とマイクロレンズ２１との間の光学的距離が一定に維持されるので、光利用効率の低下を抑止できる。
【００１８】
次に、上述した凹部および凸部を、面発光レーザー２が形成される過程において作製する工程について説明する。
図８において、面発光レーザーアレイ１での凹部５および凸部６の配置構成は、図１に示した場合と同様に、面発光レーザー２の中心Ｐ（図２参照）を基準として非点対称あるいは非線対称の位置関係となるように位置決めされている。
図８以降に示す構成では、面発光レーザー２を形成する際の半導体基板４の構成の一部を残したまま、凹部および凸部を形成する点が、図１に示した場合と異なっている。
図８に示すように、面発光レーザーアレイ１側の凹部５の周囲には、面発光レーザー２を形成する工程で形成された凸形状のエッチングマスクである誘電体膜９が残されている。また、凸部６には、面発光レーザー２を形成する工程で形成された凸形状部上面に金属膜３１が残置されている。
図９には、図８に示した半導体レーザー装置１００の外観が示されており、同図において、図２に示した場合と異なる点は、符号９および３１で示す誘電体層および金属が存在している点である。
【００１９】
面発光レーザーアレイ１側の半導体基板４には、図１０に示すように、複数の面発光レーザー２およびこれの給電用電極３が形成されている。各部を形成する際のマスキングに用いられる誘電体層９および金属３１が残置されたまま、凹部５および凸部６が形成されている。
これら凹部５および凸部６は、図１１に示す手順により形成される。
凹部５を形成する領域では、面発光レーザー２を形成する際に成膜、蒸着により堆積した誘電体層９を残す（図１１（Ａ）、（Ｂ））。この後、レジストパターン４１を形成して誘電体層９およびレジストパターン４１をマスクにしてドライエッチングあるいはウエットエッチングにより凹部５を形成する（図１１（Ｃ））。
凹部５を形成した後、残っている凸部にレジストパターン４２およびその上面に金属膜３１を蒸着し、リフトオフすることにより蒸着された金属膜３１およびレジストパターン４２を取り除く（図１１（Ｄ），（Ｅ））。
凸部６を形成する位置の金属膜３１を含めて厚さ５０μｍのレジストパターン４３を蒸着することで成膜し、これをマスクとして、電界メッキプロセスにより金属の柱形状を盛りつけして形成することにより凸部６を形成する（図１１（Ｆ））。
この場合の凹部５および凸部６の深さおよび高さは、前述した場合と同様な理由に基づき、寸法が特定される。
この工程においても、前述した場合と同様な理由に基づき、凹部５および凸部６の配置関係が決められており、リソグラフィにより基板上に形成されるので、位置の狂いが生じるのを抑止でき、嵌め込まれた際の突き当て状態による対向間隔の維持が可能となる。
【００２０】
一方、マイクロレンズアレイ２０側には、図１２に示すように、凹部２４および凸部２３が設けられている。
マイクロレンズ２１は、面発光レーザー２の配置位置および個数に対応して設けられており、面発光レーザー２がｍ×ｎの配置個数である場合には、同じくｍ×ｎの配置個数が用いられる。これにより、面発光レーザーアレイ１側の基板４とマイクロレンズアレイ２０側の基板２２は、図２に示した場合と同様に、正方形状を呈している。
このため、凹部５，２４および凸部６，２３の配置関係を、前述の場合と同様に、非点対称または非線対称の位置に配置されている関係とすると、互いに嵌め込まれた際の両方のアレイ１，２０の向きが所定の光学的関係を維持できる向きで一体化されることになる。
【００２１】
マイクロレンズアレイ２０側での凹部２４および凸部２３の形成は図１３に示す手順が用いられる。
マイクロレンズアレイ２０の基板２２にマイクロレンズ２１を形成する過程において、凹部および凸部に対応する箇所をリソグラフィによってレジストパターン４４から除去し、レジストパターン４４上に金属膜３１を蒸着により成膜する（図１３（Ａ）、（Ｂ））
レジストパターン４４および金属膜３１をリフトオフして基板２２上に接している箇所での金属膜３１を残し（図１３（Ｃ）、レジストパターン４５をマスクとして凹部２４を形成する（図１３（Ｄ）。
凹部２４を形成した後、レジストパターン４６をマスクにして金属膜３１の上面に電界メッキプロセスにより柱形状の凸部２３を形成する（図１３（Ｅ））。
【００２２】
次に、上述した凹部および凸部を備えた面発光レーザーアレイ１およびマイクロレンズアレイ２０の対向位置関係を適正に維持するための構成に関する別の例について説明する。
面発光レーザーアレイ１およびマイクロレンズアレイ２０は、対向間隔を、凹部に嵌り込む凸部の突き当てによって規定するようになっている。つまり、凹部５，２４の深さ、そして凸部６，２３の高さは、前述したように、凸部６，２３の頭部が凹部５，２４の底部に突き当たることにより所定の対向間隔を維持できる寸法に設定されている。
いままで説明した構成では、凹部および凸部が複数組み合わされ、互いに嵌め込まれることで面発光レーザーアレイ１とマイクロレンズアレイ２０との対向間隔に加えて、互いの平行度を維持させるようになっている。
図１４，１５には、上記互いの平行度を維持する構成として、面発光レーザーアレイ１とマイクロレンズアレイ２０とに各端部が当接したスペーサ３０を設けた構成が示されている。
つまり、面発光レーザーアレイ１とマイクロレンズアレイ２０との対向面間に、これら各アレイに対向する端面を当接させることが可能なスペーサ３０が配置されている。
スペーサ３０は、面発光レーザーアレイ１とマイクロレンズアレイ２０とでサンドイッチ状態にされることにより、面発光レーザーアレイ１とマイクロレンズアレイ２０との平行度を維持している。これにより、仮に凹部内の凸部にガタが生じても、面発光レーザーアレイ１の面発光レーザー２とマイクロレンズアレイ２０のマイクロレンズ２２との対向位置関係が変化しないように維持される。よって、両者間での光利用効率の低下が抑制および／または防止されることになる。
【００２３】
上述した凹部５，２４内に嵌め込まれた凸部６，２３および、スペーサ３０は、接着剤あるいは、ロウ付け等により相対する側の位置と互いに固定される。
【００２４】
以上のような構成を備えたレーザー光源１００は、図１６に示すように、潜像担持体である感光体２００を備えた画像形成装置３００での静電潜像形成のために用いられる光走査装置４００に装備されて使用される。
図１６において、画像形成装置３００は、詳細を説明しないが、電子写真方式を用いて感光体２００に形成された静電潜像がトナーにより可視像処理されることにより形成されたトナー像を記録紙などの記録媒体に転写することで画像形成を行う装置である。
光走査装置４００は、レーザー光源１００から出射されたレーザー光が偏向素子４０１を始めとする各種光学部材（便宜上、纏めて符号４０２で表示する）を介して感光体２００に導かれる構成を備えている。
【００２５】
以上、本発明の好ましい実施の形態について説明したが、本発明はかかる特定の実施形態に限定されるものではなく、上述の説明で特に限定していない限り、特許請求の範囲に記載された本発明の趣旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。例えば、前述した凸部の形状に関して、テーパーコーン形状での頭部が突き当たった時ではなく、突き当たるまでの途中で締まり嵌め状態となり、その状態で前述した対向間隔が得られる形状の条件を設定することも可能である。
本発明の実施の形態に記載された効果は、本発明から生じる最も好適な効果を列挙したに過ぎず、本発明による効果は、本発明の実施の形態に記載されたものに限定されるものではない。
【符号の説明】
【００２６】
１  面発光レーザーアレイ
２  面発光レーザー
４  面発光レーザーアレイ側の基板
２２  マクロレンズアレイ側の基板
５  面発光レーザーアレイ側の凹部
２４  マイクロレンズアレイ側の凹部
６  面発光レーザーアレイ側の凸部
２３  マイクロレンズアレイ側の凸部
２０  マイクロレンズアレイ
２１  マイクロレンズ
３０  スペーサ
１００  レーザー光源
２００  潜像担持体
３００  画像形成装置
４００  光走査装置
Ｐ  面発光レーザーの中心軸
【先行技術文献】
【特許文献】
【００２７】
【特許文献１】特開平１１−１７２６８号公報
【特許文献２】特開２００１−１８５７９号公報
【特許文献３】特開２０１０−１６１１０５号公報
【特許文献４】特許第４０６９９２８号
【図１】
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【図２】
2016014752.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2016014752.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
2016014752.tif 000012
【図１１】
2016014752.tif 000013
【図１２】
2016014752.tif 000014
【図１３】
2016014752.tif 000015
【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
2016014752.tif 000018
【図１７】
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【図１８】
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