(57)【要約】      （修正有）【課題】段差状のエッチング残渣不良およびエッチング不足不良を低減させるドライエッチング方法および二酸化ケイ素（ＳｉＯ2）基板の製造方法を提供する。【解決手段】六フッ化エタン（Ｃ2Ｆ6）とヘリウム（Ｈｅ）とを含むエッチングガスを用い、二酸化ケイ素（ＳｉＯ2）基板としての水晶基板１１０の側壁に側壁保護膜を形成しながら水晶基板１１０をエッチングするドライエッチング方法であって、六フッ化エタン（Ｃ2Ｆ6）の流量Ｓ１とヘリウム（Ｈｅ）の流量Ｓ２とを加算した総流量（Ｓ１＋Ｓ２）が、４５ｓｃｃｍ以上１１０ｓｃｃｍ以下であり、ヘリウム（Ｈｅ）の流量Ｓ２を六フッ化エタン（Ｃ2Ｆ6）の流量Ｓ１で除算した流量比（Ｓ２／Ｓ１）が、０より大きく１．０未満である。【選択図】図４
2016131173.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
六フッ化エタン（Ｃ2Ｆ6）とヘリウム（Ｈｅ）とを含むエッチングガスを用い、
被加工物の側壁に側壁保護膜を形成しながら前記被加工物をエッチングするドライエッチング方法であって、
前記六フッ化エタン（Ｃ2Ｆ6）の流量と前記ヘリウム（Ｈｅ）の流量とを加算した総流量が、４５ｓｃｃｍ以上１１０ｓｃｃｍ以下であり、
前記ヘリウム（Ｈｅ）の流量を前記六フッ化エタン（Ｃ2Ｆ6）の流量で除算した流量比が、０より大きく１．０未満であることを特徴とするドライエッチング方法。
【請求項２】
請求項１に記載のドライエッチング方法において、
前記側壁保護膜は、フッ素（Ｆ）、炭素（Ｃ）、およびケイ素（Ｓｉ）を含む膜であること
を特徴とするドライエッチング方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載のドライエッチング方法において、
前記被加工物は、６０μｍ以上の厚さを有する二酸化ケイ素（ＳｉＯ2）基板であることを特徴とするドライエッチング方法。
【請求項４】
金属層を形成する金属層形成工程と、
六フッ化エタン（Ｃ2Ｆ6）とヘリウム（Ｈｅ）とを含むエッチングガスを用い、二酸化ケイ素（ＳｉＯ2）基板をドライエッチングするドライエッチング工程と、を含み、
前記ドライエッチング工程において、
前記六フッ化エタン（Ｃ2Ｆ6）の流量と前記ヘリウム（Ｈｅ）の流量とを加算した総流量が、４５ｓｃｃｍ以上１１０ｓｃｃｍ以下であり、
前記ヘリウム（Ｈｅ）の流量を前記六フッ化エタン（Ｃ2Ｆ6）の流量で除算した流量比が、０より大きく１．０未満であることを特徴とする二酸化ケイ素（ＳｉＯ2）基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ドライエッチング方法および二酸化ケイ素（ＳｉＯ2）基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、ジャイロセンサーに用いられる駆動用振動腕や検出用振動腕を有するジャイロ素子は水晶などの二酸化ケイ素（ＳｉＯ2）基板をフォトリソグラフィー技術やエッチング技術を用いて加工することで形成されている。二酸化ケイ素（ＳｉＯ2）基板を加工するエッチング技術には、ウェットエッチング方法やドライエッチング方法があり、近年では、エッチング異方性や加工プロセスのばらつきなどにより、振動腕の断面形状が矩形状とならずに、平行四辺形や菱形になってしまうウェットエッチング方法に代わり、振動腕の断面形状が設計に近い矩形状に加工し易いドライエッチング方法が多用されている。例えば、特許文献１では、石英ガラスなどの二酸化ケイ素（ＳｉＯ2）基板を流量５０ｓｃｃｍ（ｓｔａｎｄａｒｄ  ｃｕｂｉｃ  ｃｅｎｔｉｍｅｔｅｒ  ｐｅｒ  ｍｉｎｕｔｅ）の六フッ化エタン（Ｃ2Ｆ6）と流量５０ｓｃｃｍのヘリウム（Ｈｅ）とを含むエッチングガスを用い、基板の側壁に側壁保護膜を形成しながら基板をエッチングするドライエッチング方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１３−２０７３３２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１に記載のエッチングガスの条件では、水晶などの二酸化ケイ素（ＳｉＯ2）基板をドライエッチングした場合、エッチング時に側壁保護膜が側壁から剥離し、剥がれた側壁保護膜によって、エッチングする領域が覆われエッチングされず段差状のエッチング残渣が生じるという課題があった。特に、ジャイロ素子の振動腕に段差状のエッチング残渣が生じると振動のＱ値が低下し検出感度が劣化してしまい問題であった。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【０００６】
［適用例１］本適用例に係るドライエッチング方法は、六フッ化エタン（Ｃ2Ｆ6）とヘリウム（Ｈｅ）とを含むエッチングガスを用い、被加工物の側壁に側壁保護膜を形成しながら前記被加工物をエッチングするドライエッチング方法であって、前記六フッ化エタン（Ｃ2Ｆ6）の流量と前記ヘリウム（Ｈｅ）の流量とを加算した総流量が、４５ｓｃｃｍ以上１１０ｓｃｃｍ以下であり、前記ヘリウム（Ｈｅ）の流量を前記六フッ化エタン（Ｃ2Ｆ6）の流量で除算した流量比が、０より大きく１．０未満であることを特徴とする。
【０００７】
本適用例によれば、エッチングガスの六フッ化エタン（Ｃ2Ｆ6）の流量とヘリウム（Ｈｅ）の流量とを加算した総流量を４５ｓｃｃｍ以上１１０ｓｃｃｍ以下とすることで、被加工物の側壁に生成する側壁保護膜が剥がれ難くなり、側壁保護膜の剥離に起因した段差状のエッチング残渣の発生を低減することができる。また、ヘリウム（Ｈｅ）の流量を六フッ化エタン（Ｃ2Ｆ6）の流量で除算した流量比を０より大きく１．０未満とすることで、ヘリウム（Ｈｅ）が添加されることによりエッチングガスがチャンバー内に分散され面内均一性を向上させることができ、ヘリウム（Ｈｅ）の流量が六フッ化エタン（Ｃ2Ｆ6）の流量より小さいことによりエッチングレートの低下を防ぎ、エッチング不足による不良を低減することができる。従って、段差状のエッチング残渣やエッチング不足による不良が低減できるドライエッチング方法を提供することができる。
【０００８】
［適用例２］上記適用例に記載のドライエッチング方法において、前記側壁保護膜は、フッ素（Ｆ）、炭素（Ｃ）、およびケイ素（Ｓｉ）を含む膜であることが好ましい。
【０００９】
本適用例によれば、側壁保護膜がフッ素（Ｆ）、炭素（Ｃ）、およびケイ素（Ｓｉ）を含む膜であるため、六フッ化エタン（Ｃ2Ｆ6）を含むエッチングガスによる浸食を防ぐ強固な保護膜となるため、エッチング加工を施すことで生じる被加工物の側壁を侵食することを防ぎ、被加工物の厚さ方向にエッチングすることができる。そのため、加工精度が高く、アスペクト比の大きいエッチング加工を行うことができる。
【００１０】
［適用例３］上記適用例に記載のドライエッチング方法において、前記被加工物は、６０μｍ以上の厚さを有する二酸化ケイ素（ＳｉＯ2）基板であることが好ましい。
【００１１】
本適用例によれば、水晶などの二酸化ケイ素（ＳｉＯ2）基板からジャイロ素子を製造する場合、基板の厚さが６０μｍより薄いと、角速度の印加に伴い振動腕の側面部に生じる電荷が少ないため、検出感度が小さくなり、高精度のジャイロ素子を製造することができない。そのため、二酸化ケイ素（ＳｉＯ2）基板の厚さを６０μｍ以上とすることで、高い検出感度を有するジャイロ素子を製造することができる。
【００１２】
［適用例４］本適用例に係る二酸化ケイ素（ＳｉＯ2）基板の製造方法は、金属層を形成する金属層形成工程と、六フッ化エタン（Ｃ2Ｆ6）とヘリウム（Ｈｅ）とを含むエッチングガスを用い、二酸化ケイ素（ＳｉＯ2）基板をドライエッチングするドライエッチング工程と、を含み、前記ドライエッチング工程において、前記六フッ化エタン（Ｃ2Ｆ6）の流量と前記ヘリウム（Ｈｅ）の流量とを加算した総流量が、４５ｓｃｃｍ以上１１０ｓｃｃｍ以下であり、前記ヘリウム（Ｈｅ）の流量を前記六フッ化エタン（Ｃ2Ｆ6）の流量で除算した流量比が、０より大きく１．０未満であることを特徴とする。
【００１３】
本適用例によれば、金属層形成工程において、エッチングしない部分を覆う金属マスクを形成し、その後、ドライエッチング工程において、六フッ化エタン（Ｃ2Ｆ6）の流量とヘリウム（Ｈｅ）の流量とを加算した総流量が、４５ｓｃｃｍ以上１１０ｓｃｃｍ以下であり、ヘリウム（Ｈｅ）の流量を六フッ化エタン（Ｃ2Ｆ6）の流量で除算した流量比が、０より大きく１．０未満であるエッチングガスを用いてエッチングする。そのため、二酸化ケイ素（ＳｉＯ2）基板の側壁に生成する側壁保護膜が剥がれ難くなり、側壁保護膜の剥離に起因した段差状のエッチング残渣の発生を低減することができる。また、ヘリウム（Ｈｅ）が添加されることによりエッチングガスがチャンバー内に分散され面内均一性を向上させることができ、ヘリウム（Ｈｅ）の流量が六フッ化エタン（Ｃ2Ｆ6）の流量より小さいことによりエッチングレートの低下を防ぎ、エッチング不足による不良を低減することができる。従って、段差状のエッチング残渣やエッチング不足による不良が低減できる二酸化ケイ素（ＳｉＯ2）基板の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】二酸化ケイ素（ＳｉＯ2）基板から形成したジャイロ素子の形状を模式的に示す概略平面図。
【図２】ジャイロ素子の外形を形成する製造方法を示す工程図。
【図３】（ａ）〜（ｄ）主要な工程毎の図１におけるＡ−Ａ線での概略断面図。
【図４】（ｅ）〜（ｈ）主要な工程毎の図１におけるＡ−Ａ線での概略断面図。
【図５】（ａ）〜（ｆ）ドライエッチング工程において生じる段差状のエッチング残渣の発生要因を説明する図４（ｅ）におけるＢ部の拡大図。
【図６】段差状のエッチング残渣不良が発生しない六フッ化エタン（Ｃ2Ｆ6）とヘリウム（Ｈｅ）との流量条件を示す図。
【図７】エッチング不足不良が発生しない六フッ化エタン（Ｃ2Ｆ6）とヘリウム（Ｈｅ）との流量条件を示す図。
【図８】段差状のエッチング残渣不良およびエッチング不足不良の発生しない六フッ化エタン（Ｃ2Ｆ6）とヘリウム（Ｈｅ）との流量条件を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。なお、以下の各図においては、各層や各部材を認識可能な程度の大きさにするため、各層や各部材の尺度を実際とは異ならせている。また、図１、図３、および図４において、説明の便宜上、互いに直交する３軸として、Ｘ軸、Ｙ軸およびＺ軸を図示しており、その図示した矢印の先端側を「＋側」、基端側を「−側」としている。また、以下の説明では、Ｘ軸に平行な方向を「Ｘ軸方向」と言い、Ｙ軸に平行な方向を「Ｙ軸方向」と言い、Ｚ軸に平行な方向を「Ｚ軸方向」と言う。更に、説明の便宜上、Ｚ軸方向から見たときの平面視において、Ｚ軸方向の面を主面として、また、Ｘ軸方向から見たときの平面視において、Ｘ軸方向の面を側面として説明する。
【００１６】
＜実施形態＞
［ジャイロ素子の形状］
先ず、本発明の実施形態に係るドライエッチング方法で加工したジャイロ素子の形状について、図１を参照して説明する。図１はジャイロ素子を模式的に示す概略平面図である。なお、ジャイロ素子１００には、検出用電極、検出用配線、駆動用電極、駆動用配線、および調整用電極などが設けられているが、説明の便宜上、図１においては省略している。
【００１７】
ジャイロ素子１００は、図１に示すように、基材（主要部分を構成する材料）を加工することにより一体に形成された基部１０と、基部１０のＹ軸方向の端部１０ａ，１０ｂのうち一方の端部１０ｂから、並行するようにＹ軸に沿って延出された一対の駆動用振動腕１２ａ，１２ｂと、基部１０の他方の端部１０ａからＹ軸に沿って並行するように延出された一対の検出用振動腕１４ａ，１４ｂと、基部１０の他方の端部１０ａからＹ軸に沿って並行するように延出された一対の調整用振動腕１６ａ，１６ｂと、を有している。
【００１８】
また、基部１０から延出する第１連結部２０ａ、および第１連結部２０ａに連結する第１支持部２２ａと、基部１０から第１連結部２０ａと反対方向に延出する第２連結部２０ｂ、および第２連結部２０ｂに連結する第２支持部２２ｂと、が設けられている。更に、第１支持部２２ａおよび第２支持部２２ｂは、駆動用振動腕１２ａ，１２ｂの側で一体的に繋って、固定枠部２４を構成している。そして、ジャイロ素子１００は、固定枠部２４の所定の位置で、図示しないパッケージ等の基板に固定される。
【００１９】
なお、駆動用振動腕１２ａ，１２ｂの先端部には錘部３２ａ，３２ｂが設けられており、検出用振動腕１４ａ，１４ｂの先端部には錘部３４ａ，３４ｂが設けられている。錘部３２ａ，３２ｂ，３４ａ，３４ｂを設けることによって、共振周波数を同一で駆動用振動腕１２ａ，１２ｂおよび検出用振動腕１４ａ，１４ｂの延出する方向の長さ（Ｙ軸方向の長さ）を短くすることができるため、ジャイロ素子１００の小型化を図ることができる。また、駆動用振動腕１２ａ，１２ｂおよび検出用振動腕１４ａ，１４ｂの共振周波数を低めることができる。更に、錘部３２ａ，３２ｂ，３４ａ，３４ｂは、必要に応じて複数の幅（Ｘ軸方向の長さ）を有していても良く、省略しても良い。なお、錘部３２ａ，３２ｂ，３４ａ，３４ｂに金属膜等で形成された質量部（図示せず）を設け、この質量部の一部をレーザー光等で除去することにより駆動用振動腕１２ａ，１２ｂおよび検出用振動腕１４ａ，１４ｂの共振周波数を調整することができる。
【００２０】
本実施形態のジャイロ素子１００では、基材として圧電体材料である水晶を用いた例について説明する。ジャイロ素子１００をなす基材は、水晶結晶軸において直交するＸ軸およびＹ軸で規定される平面に沿って切り出されて平板状に加工され、平面と直交するＺ軸方向に所定の厚みを有している。Ｘ軸を中心に０度から２度の範囲で回転して切り出したものを使用することができる。Ｙ軸およびＺ軸についても同様である。本実施形態においてジャイロ素子１００は、水晶を用いたが他の圧電材料、例えば、タンタル酸リチウムやチタン酸ジルコン酸鉛等を基材として用いても良い。なお、所定の厚み（Ｚ軸方向の長さ）は、振動周波数、外形サイズ、加工性などにより適宜設定される。
【００２１】
更に、ジャイロ素子１００には、図１に示すように、水晶の結晶Ｘ軸（電気軸）と交差する方向に検出用振動腕１４ａ，１４ｂと並行させて且つ検出用振動腕１４ａ，１４ｂを内側に挟むように、基部１０の他方の端部１０ａから延出された一対の調整用振動腕１６ａ，１６ｂが設けられている。即ち、調整用振動腕１６ａ，１６ｂは、Ｙ軸に沿って＋Ｙ軸方向に延出され、検出用振動腕１４ａ，１４ｂと所定の間隔を空けて内側に挟むように位置し、且つ並行するように設けられている。
【００２２】
なお、調整用振動腕１６ａ，１６ｂは、チューニングアームと呼ばれることもある。このような調整用振動腕１６ａ，１６ｂが設けられていることにより、水晶のエッチング異方性や加工プロセスのばらつきなどによって、駆動用振動腕１２ａ，１２ｂの断面形状が矩形状とならずに、平行四辺形や菱形となることによる駆動用振動腕１２ａ，１２ｂの振動方向の設計値からのずれ、所謂振動漏れによる漏れ出力を調整することが可能となる。換言すれば、駆動振動が漏れる（伝播する）、所謂振動漏れで発生する検出用振動腕１４ａ，１４ｂの電荷を調整用振動腕１６ａ，１６ｂに発生する電荷で相殺することができる。
【００２３】
また、調整用振動腕１６ａ，１６ｂは、駆動用振動腕１２ａ，１２ｂおよび検出用振動腕１４ａ，１４ｂよりも全長が短く形成されている。これにより、漏れ出力を調整するための調整用振動腕１６ａ，１６ｂの振動が、駆動用振動腕１２ａ，１２ｂと検出用振動腕１４ａ，１４ｂによるジャイロ素子１００の主要な振動を阻害することがないので、ジャイロ素子１００の振動特性が安定するとともに、ジャイロ素子１００の小型化にも有利となる。
【００２４】
更に、調整用振動腕１６ａ，１６ｂの基部１０と接続する一端と反対側の他端側の先端部には、調整用振動腕１６ａ，１６ｂより幅が広い（Ｘ軸方向の寸法が大きい）略矩形状の幅広部としての錘部３６ａ，３６ｂが設けられている。このように、調整用振動腕１６ａ，１６ｂの先端部に錘部３６ａ，３６ｂを設けることにより、調整用振動腕１６ａ，１６ｂにおける質量変化を顕著にさせることができ、ジャイロ素子１００の高感度化に寄与する効果を更に向上させることができる。
【００２５】
基部１０の中央は、ジャイロ素子１００の重心とすることができる。そして、Ｘ軸、Ｙ軸およびＺ軸は、互いに直交し、重心を通るものとする。ジャイロ素子１００の外形は、重心を通るＹ軸方向の仮想の中心線に対して線対称とすることができる。これにより、ジャイロ素子１００の外形はバランスのよいものとなり、ジャイロ素子１００の特性が安定して、検出感度が向上するので好ましい。このようなジャイロ素子１００の外形は、フォトリソグラフィー技術を用いたエッチング（ウェットエッチング又はドライエッチング）により形成することができる。なお、ジャイロ素子１００は、１枚の水晶ウェハーから複数個取りすることが可能である。
【００２６】
［ジャイロ素子の動作原理］
次に、ジャイロ素子１００の動作原理について説明する。
駆動モードにおいて、駆動用電極に所定の交流電圧を印加すると、駆動用振動腕１２ａ，１２ｂは、ＸＹ面内方向で逆向きに即ち互いに接近離反する向きに屈曲振動（面内モード振動）する。また、調整用振動腕１６ａ，１６ｂは、駆動用振動腕１２ａ，１２ｂの屈曲振動（面内モード振動）に基部１０を介して共振し、駆動用振動腕１２ａ，１２ｂと同様に、ＸＹ面内方向で逆向きに即ち互いに接近離反する向きに屈曲振動（面内モード振動）する。
【００２７】
この状態でジャイロ素子１００が各振動腕の延出方向であるＹ軸回りに回転する角速度ωを印加すると、その角速度ωに応じて発生するコリオリ力の作用により、駆動用振動腕１２ａ，１２ｂは主面に垂直な面外方向即ちＺ軸方向に互いに逆向きに屈曲振動（面外モード振動）する。このＺ軸方向の振動に共振して、検出用振動腕１４ａ，１４ｂが検出モードで、同じくＺ軸方向に互いに逆向きに屈曲振動（面外モード振動）する。このとき、検出用振動腕１４ａ，１４ｂの振動方向は、駆動用振動腕１２ａ，１２ｂの振動方向とは逆相になる。
【００２８】
つまり、駆動用振動腕１２ａが＋Ｚ軸方向に振動すると、駆動用振動腕１２ｂは−Ｚ軸方向に振動する面外モード振動の屈曲振動となる。この駆動用振動腕１２ａ，１２ｂの面外モードの屈曲振動が基部１０を介して検出用振動腕１４ａ，１４ｂに伝わることで、検出用振動腕１４ａ，１４ｂを共振させ、検出用振動腕１４ａが−Ｚ軸方向に振動すると、検出用振動腕１４ｂは＋Ｚ軸方向に振動する面外モードの屈曲振動となる。
【００２９】
この検出モードにおいて、検出用振動腕１４ａ，１４ｂの検出用電極間に発生する電荷量を取り出すことによって、ジャイロ素子１００に加えられた角速度ωが求められる。
【００３０】
このようなジャイロ素子１００の外形は、後述する二酸化ケイ素（ＳｉＯ2）基板の製造方法又はドライエッチング方法により形成することができる。また、ジャイロ素子１００は、１枚の二酸化ケイ素（ＳｉＯ2）基板から複数個取りすることが可能である。
【００３１】
［ジャイロ素子の製造方法］
次に、本発明の実施形態に係る二酸化ケイ素（ＳｉＯ2）基板の製造方法の一例として、水晶を基材（主要部分を構成する材料）とするジャイロ素子１００の製造方法を挙げ、図２から図４を参照して説明する。
図２は、ジャイロ素子の外形を形成する製造方法を示す工程図である。図３（ａ）〜（ｄ）は、主要な工程毎の図１におけるＡ−Ａ線での概略断面図である。図４（ｅ）〜（ｈ）は、主要な工程毎の図１におけるＡ−Ａ線での概略断面図である。
【００３２】
ジャイロ素子１００の外形を形成する製造方法は、図２に示すように、下地層形成工程（Ｓｔｅｐ１）と、レジストパターニング工程（Ｓｔｅｐ２）と、金属層形成工程（Ｓｔｅｐ３）と、レジスト・下地層剥離工程（Ｓｔｅｐ４）と、支持基板固定工程（Ｓｔｅｐ５）と、ドライエッチング工程（Ｓｔｅｐ６）と、支持基板分離工程（Ｓｔｅｐ７）と、下地層剥離工程（Ｓｔｅｐ８）と、を含んでいる。
【００３３】
＜下地層形成工程（Ｓｔｅｐ１）＞
先ず、下地層形成工程（Ｓｔｅｐ１）では、二酸化ケイ素（ＳｉＯ2）基板としての水晶基板１１０の表裏の両主面に下地層１２０を形成する。図３（ａ）は、水晶基板１１０に下地層１２０を形成した後の概略断面図である。下地層１２０は、スパッタリング法、ＣＶＤ（ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｖａｐｏｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、無電解めっき法などで成膜できる。下地層１２０の材料としては、例えば、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、チタンタングステン（ＴｉＷ）、クロム（Ｃｒ）、ニッケルクロム（ＮｉＣｒ）、アルミニウム（Ａｌ）などを使用することができる。水晶基板１１０と下地層１２０との密着性を高めるための密着層（図示せず）が設けられていてもよい。本実施形態では、厚さ略１１０μｍの水晶基板１１０上にクロム（Ｃｒ）の密着層を介して厚さ略１００ｎｍの下地層１２０を銅（Ｃｕ）で形成している。
【００３４】
＜レジストパターニング工程（Ｓｔｅｐ２）＞
レジストパターニング工程（Ｓｔｅｐ２）では、フォトリソグラフィーを用いて一方（＋Ｚ軸方向）の主面上にレジスト１３０をパターニングする。図３（ｂ）は、パターニング後の概略断面図である。レジスト１３０は、例えばコーターなどを使用して水晶基板１１０の一方（＋Ｚ軸方向）の主面に略２５μｍの厚さで均一に塗布される。水晶基板１１０に塗布されたレジスト１３０は、例えば、コンタクトアライナー、プロキシミティアライナーなどの露光装置を用いて図示しないフォトマスクを介して露光される。その後、レジスト１３０を現像することにより、平面視におけるジャイロ素子１００の外形形状に開口されたパターンのレジスト１３０が形成される。
【００３５】
＜金属層形成工程（Ｓｔｅｐ３）＞
次に、金属層形成工程（Ｓｔｅｐ３）では、水晶基板１１０をエッチングしてジャイロ素子１００を形成する際のマスクになる金属層１４０を水晶基板１１０の表裏の両主面に形成する。図３（ｃ）は、金属層１４０を形成した後の概略断面図である。金属層１４０は、パターニングしたレジスト１３０をマスクとして露出している下地層１２０の上と、他方（−Ｚ軸方向）の主面側の下地層１２０の上と、にめっき技術により形成される。本実施形態の金属層１４０は、ニッケル（Ｎｉ）を無電解めっき法により略１５μｍの厚さで形成されている。
【００３６】
＜レジスト・下地層剥離工程（Ｓｔｅｐ４）＞
レジスト・下地層剥離工程（Ｓｔｅｐ４）では、レジスト１３０と下地層１２０とを除去して金属マスクとなる金属層１４０を形成する。図３（ｄ）は、レジスト１３０と下地層１２０とを剥離した後の概略断面図である。金属層形成工程（Ｓｔｅｐ３）で下地層１２０のマスクとして使用され不要となったレジスト１３０を剥離し、露出した下地層１２０を除去することで、金属マスクとなるジャイロ素子１００の外形形状にパターニングされた金属層１４０が形成される。レジスト１３０の剥離方法としては、レジスト剥離剤を用いたウェットエッチング法や、オゾンやプラズマを用いたドライエッチング法などを用いることができる。下地層１２０の剥離方法としては、下地層１２０に用いた材料に反応する反応性ガスなどを用いたドライエッチング法や、下地層１２０に用いた材料を腐食溶解する液体に浸漬させるウェットエッチング法などを用いることができる。
【００３７】
＜支持基板固定工程（Ｓｔｅｐ５）＞
支持基板固定工程（Ｓｔｅｐ５）では、シリコンなどの支持基板１５０上に両面接着テープなどの固定用部材１６０を介して金属層１４０が形成された水晶基板１１０を固定する。図４（ｅ）は、支持基板１５０上に水晶基板１１０を固定した後の概略断面図である。水晶基板１１０は固定用部材１６０を介して支持基板１５０に貼り合わせた状態で、ドライエッチング装置のチャンバー内への搬入とチャンバー内に設けられたステージへの載置がなされる。前述のように本実施形態の水晶基板１１０は厚さが略１１０μｍと非常に薄いが、厚さが６００〜８００μｍと十分な強度を有する支持基板１５０に貼り合わせた状態で取り扱うことによって搬入時に作用する外力による水晶基板１１０の損傷を確実に防止できる。
【００３８】
＜ドライエッチング工程（Ｓｔｅｐ６）＞
ドライエッチング工程（Ｓｔｅｐ６）では、ドライエッチング装置（図示せず）を用いて金属層１４０をマスクとしてジャイロ素子１００の外形に水晶基板１１０をエッチングする。ドライエッチング装置には、一例として、ＩＣＰ（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｃｏｕｐｌｉｎｇ  Ｐｌａｓｍａ）型（誘導結合プラズマ型）のＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｅｔｃｈｉｎｇ）装置を用いる。図４（ｆ）は、水晶基板１１０をエッチングした後の概略断面図である。
【００３９】
ドライエッチング工程（Ｓｔｅｐ６）は、先ず、ドライエッチング装置のチャンバー内に設けられたステージ上に、水晶基板１１０を固定した支持基板１５０を静電吸着によって高い密着度で固定する。その後、チャンバー内を１．０Ｐａ程度まで減圧し、六フッ化エタン（Ｃ2Ｆ6）とヘリウム（Ｈｅ）とを含むエッチングガスをチャンバー内に供給する。ここで、エッチングガスを、六フッ化エタン（Ｃ2Ｆ6）の流量Ｓ１とヘリウム（Ｈｅ）の流量Ｓ２とを加算した総流量（Ｓ１＋Ｓ２）を４５ｓｃｃｍ以上１１０ｓｃｃｍ以下の範囲内で、ヘリウム（Ｈｅ）の流量Ｓ２を六フッ化エタン（Ｃ2Ｆ6）の流量Ｓ１で除算した流量比（Ｓ２／Ｓ１）を０より大きく１．０未満の範囲内となる条件に設定する。この条件に至った理由については、後に詳細に説明する。
【００４０】
次に、チャンバー内に設けられているコイルに高周波数の大電流を流すことによって高電圧と高周波数の変動磁場により、六フッ化エタン（Ｃ2Ｆ6）が分解し誘導結合プラズマを発生させる。その後、ステージの電位をマイナス電位とすると、誘導結合プラズマのプラスイオンがステージに引き寄せられて、水晶基板１１０に衝突し、金属層１４０でマスクされていない部分の水晶基板１１０がエッチングされ、ジャイロ素子１００の外形が形成される。また、その時に発生するフッ素（Ｆ）、炭素（Ｃ）、およびケイ素（Ｓｉ）を含む反応生成物は真空排気されるが、一部はエッチング側面に付着する。これは側壁保護膜と呼ばれ横方向（Ｘ軸方向）のエッチングを阻止する役目を果たす。
【００４１】
なお、ここでは、ドライエッチング装置に誘導結合型を用いた場合を説明したが、ドライエッチング装置には、コイルの部分に対向電極を用いた容量結合型（平行平板型）を用いてもよい。
【００４２】
＜支持基板分離工程（Ｓｔｅｐ７）＞
支持基板分離工程（Ｓｔｅｐ７）では、金属層１４０を剥離してエッチングを施した水晶基板１１０から支持基板１５０を分離する。図４（ｇ）は、金属層１４０を剥離し水晶基板１１０と支持基板１５０とを分離した後の概略断面図である。金属層１４０の剥離方法としては、金属層１４０に用いた材料を腐食溶解する液体に浸漬させるウェットエッチング法などを用いることができる。
【００４３】
＜下地層剥離工程（Ｓｔｅｐ８）＞
下地層剥離工程（Ｓｔｅｐ８）では、下地層１２０を剥離する。図４（ｈ）は、下地層１２０を剥離した後の概略断面図である。下地層１２０の剥離方法としては、下地層１２０に用いた材料に反応する反応性ガスなどを用いたドライエッチング法や、下地層１２０に用いた材料を腐食溶解する液体に浸漬させるウェットエッチング法などを用いることができる。
【００４４】
以上の工程を経てジャイロ素子１００の外形が形成される。その後、フォトリソグラフィー技術により電極が形成されることで、ジャイロ素子１００が完成する。
【００４５】
［エッチング不良］
次に、図２におけるドライエッチング工程（Ｓｔｅｐ６）におけるエッチング不良について述べる。
エッチング不良には、段差状のエッチング残渣不良とエッチング不足不良とがある。
【００４６】
［段差状のエッチング残渣不良］
先ず、ドライエッチング中に生じる段差状のエッチング残渣３００不良について、図５を参照し説明する。
図５（ａ）〜（ｆ）は、ドライエッチング工程において生じる段差状のエッチング残渣の発生要因を説明する図４（ｅ）におけるＢ部の拡大図である。
図５（ｆ）で示す段差状のエッチング残渣３００は、以下に説明する経緯で発生するものと考えられる。
先ず、図５（ａ）における金属層１４０のマスクで覆われていない水晶基板１１０の表面にエッチングイオンが衝突し、エッチングが始まる。
【００４７】
その後、水晶基板１１０のエッチングと同時に、エッチングにより生じる水晶基板１１０のケイ素（Ｓｉ）と、エッチングガスに含まれる六フッ化エタン（Ｃ2Ｆ6）がプラズマにより分解された炭素（Ｃ）およびフッ素（Ｆ）による反応生成物が側壁保護膜２００として、図５（ｂ）に示すように、水晶基板１１０の側壁１７０に付着する。なお、フッ素（Ｆ）、炭素（Ｃ）、およびケイ素（Ｓｉ）の反応生成物である側壁保護膜２００は、六フッ化エタン（Ｃ2Ｆ6）を含むエッチングガスによる浸食を防ぐ強固な保護膜であるため、エッチング加工を施すことで生じる水晶基板１１０の側壁１７０を侵食することを防ぎ、水晶基板１１０の厚さ方向（Ｚ軸方向）にエッチングすることができる。そのため、加工精度が高く、アスペクト比の大きいエッチング加工を行うことができる。
【００４８】
更に、エッチングを継続し、図５（ｃ）に示すように、水晶基板１１０の厚さ方向（Ｚ軸方向）の半分以上をエッチングする。
すると、エッチング装置のチャンバー内の温度上昇に伴い、水晶基板１１０とフッ素（Ｆ）、炭素（Ｃ）、およびケイ素（Ｓｉ）の反応生成物である側壁保護膜２００との線膨張係数の違いにより側壁保護膜２００に内部応力が発生することで、側壁保護膜２００が亀裂し、図５（ｄ）に示すように、水晶基板１１０の側壁１７０から剥離してしまう。
【００４９】
その後、エッチングを継続すると、水晶基板１１０の側壁１７０から剥離した側壁保護膜２００の一部がエッチング加工する水晶基板１１０の表面を覆い、一種のマスクとなるため、図５（ｅ）に示すように、エッチングされずに残ってしまう。
そのため、水晶基板１１０のエッチングが終了しても、図５（ｆ）に示すように、剥離した側壁保護膜２００の一部に覆われた領域は、段差状のエッチング残渣３００を生じる。
この段差状のエッチング残渣３００は、水晶基板１１０から前述したジャイロ素子１００などを製造する場合、ジャイロ素子１００の各振動腕に生じると、各振動腕の振動を阻害しＱ値を著しく低下させ、検出感度を劣化してしまい、製造歩留まりの点で問題となる。そのため、このような段差状のエッチング残渣３００が生じないエッチングガスの条件を見出す必要がある。
【００５０】
［エッチング不足不良］
次に、ドライエッチング中に生じるエッチング不足不良について説明する。
エッチング不足とは、エッチングガスのエッチング速度の低下に伴い、金属マスクで覆われた形状通りに、エッチングされずに、エッチング残渣が生じることであり、エッチング装置のチャンバー内に六フッ化エタン（Ｃ2Ｆ6）を均一に分散させ、面内均一性を向上させる作用をするヘリウム（Ｈｅ）が過剰になった場合などに生じ易い。これは、ヘリウム（Ｈｅ）過多となり、六フッ化エタン（Ｃ2Ｆ6）の濃度が薄くなりエッチング速度が低下するためである。エッチング不足が生じることで、段差状のエッチング残渣３００発生の場合と同様に、水晶基板１１０から前述したジャイロ素子１００などを製造する場合、ジャイロ素子１００の各振動腕や各振動腕の又部に生じると、各振動腕の振動を阻害しＱ値を著しく低下させ、検出感度を劣化してしまい、製造歩留まりの点で問題となる。そのため、このようなエッチング不足が生じないエッチングガスの条件を見出す必要がある。
【００５１】
［エッチングガス条件］
次に、本実施形態に係るドライエッチング方法におけるエッチングガスの条件について、図６から図８を参照し説明する。
図６は、段差状のエッチング残渣不良が発生しない六フッ化エタン（Ｃ2Ｆ6）とヘリウム（Ｈｅ）との流量条件を示す図である。図７は、エッチング不足不良が発生しない六フッ化エタン（Ｃ2Ｆ6）とヘリウム（Ｈｅ）との流量条件を示す図である。図８は、段差状のエッチング残渣不良およびエッチング不足不良の発生しない六フッ化エタン（Ｃ2Ｆ6）とヘリウム（Ｈｅ）との流量条件を示す図である。なお、図６と図７において、ＯＫとは段差状のエッチング残渣又はエッチング不足が生じないことであり、ＮＧとは段差状のエッチング残渣又はエッチング不足が生じることである。また、図８において、ＯＫとは段差状のエッチング残渣３００およびエッチング不足が生じないことである。
【００５２】
先ず、図５（ｆ）に示す段差状のエッチング残渣３００が発生しない六フッ化エタン（Ｃ2Ｆ6）とヘリウム（Ｈｅ）との流量条件を見出すために、六フッ化エタン（Ｃ2Ｆ6）の流量Ｓ１範囲を３０ｓｃｃｍから１００ｓｃｃｍまで変化させ、各六フッ化エタン（Ｃ2Ｆ6）の流量Ｓ１に対してヘリウム（Ｈｅ）の流量Ｓ２範囲を１５ｓｃｃｍから６０ｓｃｃｍまで変化させ、エッチング加工を施し、段差状のエッチング残渣３００の発生状況を確認実験した結果を図６に示す。
図６より、ヘリウム（Ｈｅ）の流量Ｓ２が４５ｓｃｃｍで六フッ化エタン（Ｃ2Ｆ6）の流量Ｓ１が７０ｓｃｃｍ以上の条件において、段差状のエッチング残渣３００が発生する。よって、六フッ化エタン（Ｃ2Ｆ6）の流量Ｓ１とヘリウム（Ｈｅ）の流量Ｓ２とを加算した総流量（Ｓ１＋Ｓ２）が１１０ｓｃｃｍより大きい場合に、段差状のエッチング残渣３００が発生するといえる。また、ヘリウム（Ｈｅ）の流量Ｓ２が１０ｓｃｃｍで六フッ化エタン（Ｃ2Ｆ6）の流量Ｓ１が３０ｓｃｃｍの条件において、段差状のエッチング残渣３００が発生する。よって、六フッ化エタン（Ｃ2Ｆ6）の流量Ｓ１とヘリウム（Ｈｅ）の流量Ｓ２とを加算した総流量（Ｓ１＋Ｓ２）が４５ｓｃｃｍより小さい場合に、段差状のエッチング残渣３００が発生するといえる。
【００５３】
次に、エッチング不足が発生しない六フッ化エタン（Ｃ2Ｆ6）とヘリウム（Ｈｅ）との流量条件を見出すために、六フッ化エタン（Ｃ2Ｆ6）の流量Ｓ１範囲を３０ｓｃｃｍから１００ｓｃｃｍまで変化させ、各六フッ化エタン（Ｃ2Ｆ6）の流量Ｓ１に対してヘリウム（Ｈｅ）の流量Ｓ２範囲を１５ｓｃｃｍから６０ｓｃｃｍまで変化させ、エッチング加工を施し、エッチング不足の発生状況を確認実験した結果を図７に示す。
図７より、六フッ化エタン（Ｃ2Ｆ6）の流量Ｓ１が３０ｓｃｃｍでヘリウム（Ｈｅ）の流量Ｓ２が３０ｓｃｃｍ以上の条件と、六フッ化エタン（Ｃ2Ｆ6）の流量Ｓ１が４０ｓｃｃｍでヘリウム（Ｈｅ）の流量Ｓ２が４０ｓｃｃｍ以上の条件と、において、エッチング不足が発生する。よって、ヘリウム（Ｈｅ）の流量Ｓ２を六フッ化エタン（Ｃ2Ｆ6）の流量Ｓ１で除算した流量比（Ｓ２／Ｓ１）が１．０以上では、エッチング不足が発生するといえる。
【００５４】
従って、段差状のエッチング残渣不良およびエッチング不足不良の発生しない六フッ化エタン（Ｃ2Ｆ6）とヘリウム（Ｈｅ）との流量条件は、図６の結果および図７の結果より、図８に示すように、六フッ化エタン（Ｃ2Ｆ6）の流量Ｓ１とヘリウム（Ｈｅ）の流量Ｓ２とを加算した総流量（Ｓ１＋Ｓ２）が４５ｓｃｃｍ以上１１０ｓｃｃｍ以下であり、且つヘリウム（Ｈｅ）の流量Ｓ２を六フッ化エタン（Ｃ2Ｆ6）の流量Ｓ１で除算した流量比（Ｓ２／Ｓ１）が０より大きく１．０未満であるといえる。
【００５５】
以上、本実施形態に係るドライエッチング方法において、六フッ化エタン（Ｃ2Ｆ6）とヘリウム（Ｈｅ）とを含むエッチングガスを用い、水晶基板１１０の側壁１７０に側壁保護膜２００を形成しながら水晶基板１１０をエッチングする際、六フッ化エタン（Ｃ2Ｆ6）の流量Ｓ１とヘリウム（Ｈｅ）の流量Ｓ２とを加算した総流量（Ｓ１＋Ｓ２）を４５ｓｃｃｍ以上１１０ｓｃｃｍ以下とし、ヘリウム（Ｈｅ）の流量Ｓ２を六フッ化エタン（Ｃ2Ｆ6）の流量Ｓ１で除算した流量比（Ｓ２／Ｓ１）を０より大きく１．０未満としている。
【００５６】
そのため、二酸化ケイ素（ＳｉＯ2）基板としての水晶基板１１０の側壁１７０に生成する側壁保護膜２００が剥がれ難くなり、側壁保護膜２００の剥離に起因した段差状のエッチング残渣３００の発生を低減することができる。また、ヘリウム（Ｈｅ）が添加されることによりエッチングガスがチャンバー内に分散され面内均一性を向上させることができ、ヘリウム（Ｈｅ）の流量Ｓ２が六フッ化エタン（Ｃ2Ｆ6）の流量Ｓ１より小さいことによりエッチングレートの低下を防ぎ、エッチング不足による不良を低減することができる。従って、段差状のエッチング残渣３００およびエッチング不足による不良が低減できるドライエッチング方法を提供することができる。
【００５７】
また、側壁保護膜２００はフッ素（Ｆ）、炭素（Ｃ）、およびケイ素（Ｓｉ）を含む膜であるため、六フッ化エタン（Ｃ2Ｆ6）を含むエッチングガスによる浸食を防ぐ強固な保護膜とすることができるため、エッチング加工を施すことで生じる水晶基板１１０の側壁１７０を侵食することを防ぎ、水晶基板１１０の厚さ方向（Ｚ軸方向）にエッチングすることができる。そのため、加工精度が高く、アスペクト比の大きいエッチング加工を行うことができる。
【００５８】
また、被加工物である水晶基板１１０の厚さを６０μｍ以上とすることで、水晶基板１１０からジャイロ素子１００を製造する場合、水晶基板１１０の厚さが６０μｍより薄いと、角速度の印加に伴い振動腕の側面部に生じる電荷が少ないため、検出感度が小さくなり、高精度のジャイロ素子を製造することができない。そのため、二酸化ケイ素（ＳｉＯ2）基板の厚さを６０μｍ以上とすることで、高い検出感度を有するジャイロ素子１００を製造することができる。
【００５９】
また、本実施形態に係る二酸化ケイ素（ＳｉＯ2）基板としての水晶基板１１０の製造方法からジャイロ素子１００を製造する方法において、マスクとなる金属層１４０を形成する金属層形成工程（Ｓｔｅｐ３）と、六フッ化エタン（Ｃ2Ｆ6）とヘリウム（Ｈｅ）とを含むエッチングガスを用い、水晶基板１１０をドライエッチングするドライエッチング工程（Ｓｔｅｐ６）と、を含み、ドライエッチング工程（Ｓｔｅｐ６）において、六フッ化エタン（Ｃ2Ｆ6）の流量Ｓ１とヘリウム（Ｈｅ）の流量Ｓ２とを加算した総流量（Ｓ１＋Ｓ２）を４５ｓｃｃｍ以上１１０ｓｃｃｍ以下とし、ヘリウム（Ｈｅ）の流量Ｓ２を六フッ化エタン（Ｃ2Ｆ6）の流量Ｓ１で除算した流量比（Ｓ２／Ｓ１）を０より大きく１．０未満としている。
【００６０】
そのため、二酸化ケイ素（ＳｉＯ2）基板としての水晶基板１１０の側壁１７０に生成する側壁保護膜２００が剥がれ難くなり、側壁保護膜２００の剥離に起因した段差状のエッチング残渣３００の発生を低減することができる。また、ヘリウム（Ｈｅ）が添加されることによりエッチングガスがチャンバー内に分散され面内均一性を向上させることができ、ヘリウム（Ｈｅ）の流量Ｓ２が六フッ化エタン（Ｃ2Ｆ6）の流量Ｓ１より小さいことによりエッチングレートの低下を防ぎ、エッチング不足による不良を低減することができる。従って、段差状のエッチング残渣３００およびエッチング不足による不良が低減できる二酸化ケイ素（ＳｉＯ2）基板としての水晶基板１１０の製造方法を提供することができる。
【符号の説明】
【００６１】
１０…基部、１０ａ，１０ｂ…端部、１２ａ，１２ｂ…駆動用振動腕、１４ａ，１４ｂ…検出用振動腕、１６ａ，１６ｂ…調整用振動腕、２０ａ…第１連結部、２０ｂ…第２連結部、２２ａ…第１支持部、２２ｂ…第２支持部、２４…固定枠部、３２ａ，３２ｂ，３４ａ，３４ｂ，３６ａ，３６ｂ…錘部、１００…ジャイロ素子、１１０…二酸化ケイ素（ＳｉＯ2）基板としての水晶基板、１２０…下地層、１３０…レジスト、１４０…金属層、１５０…支持基板、１６０…固定用部材、１７０…側壁、２００…側壁保護膜、３００…段差状のエッチング残渣、Ｓ１…六フッ化エタン（Ｃ2Ｆ6）の流量、Ｓ２…ヘリウム（Ｈｅ）の流量。
【図１】
2016131173.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
2016131173.tif 000008
【図７】
2016131173.tif 000009
【図８】
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