(57)【要約】      （修正有）【課題】真空蒸着等において、樹脂基材の熱線の吸収を抑制し、樹脂基材の温度上昇による変形や寸法変化を抑制でき、生産性に優れた金属蒸着膜の形成方法の提供。【解決手段】樹脂基材１上への金属蒸着膜の形成方法であって、５０〜５００Ｊ／ｍ２の蒸着熱量で金属蒸着膜を形成する第１工程と、金属蒸着膜の熱線反射率が５０％以上となったときに蒸着熱量を増大させて金属蒸着膜を形成する第２工程とを有し、第１工程の金属蒸着源１１として、第２工程の金属蒸着源１３よりも熱容量が小さい金属蒸着源を用いる金属蒸着膜の形成方法。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂基材上への金属蒸着膜の形成方法であって、
５０〜５００Ｊ／ｍ２の蒸着熱量で金属蒸着膜を形成する第１工程と、
前記金属蒸着膜の熱線反射率が５０％以上となったときに、蒸着熱量を増大させて、金属蒸着膜を形成する第２工程とを有する金属蒸着膜の形成方法。
【請求項２】
前記金属蒸着膜がパターン状であることを特徴とする請求項１に記載の金属蒸着膜の形成方法。
【請求項３】
前記樹脂基材の表面温度を９０℃以下に維持することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の金属蒸着膜の形成方法。
【請求項４】
前記第２工程の蒸着熱量が、６００〜３０００Ｊ／ｍ２であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の金属蒸着膜の形成方法。
【請求項５】
前記第１工程の金属蒸着源として、前記第２工程の金属蒸着源よりも熱容量が小さい金属蒸着源を用いることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の金属蒸着膜の形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、金属蒸着膜の形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、「有機ＥＬ素子」と記載する。）や液晶表示素子等の薄膜ディスプレー素子等の製造においては、可撓性の樹脂基材上に真空蒸着等の気相法によって電極等の金属蒸着膜が形成される。
【０００３】
薄膜ディスプレー素子等の製造において、生産性向上のために種々の検討がなされている。ここで、有機ＥＬ素子を例に挙げて考えてみると、生産性向上のための方法としては、有機ＥＬ素子の生産速度を増大させる方法と単位面積当たりの取り数を増大させる方法を挙げることができる。
【０００４】
ロールツーロール方式での有機ＥＬ素子のパターン状の成膜において、パターンの寸法精度を確保するために、従来は、一旦基材を止めて基材とマスクの位置合わせをして成膜するという間欠生産法が採用されていた。しかしそれでは、生産速度が遅くなり、生産性を高めることができない。そのため、基材の移動と同期して移動する帯状マスクを用いて、基材の移動を止めずに、パターン状に成膜する連続成膜法によって、生産速度の増大が図られてきた。
【０００５】
しかし、生産速度の増大のためには、大面積の基材上に高速に連続で成膜することが必要になり、熱容量が大きい蒸着源を用いることが必要となった結果、基材への輻射熱が増大する上に、基材の冷却が難しくなり、温度上昇による基材の変形や寸法変化が大きな課題となった。
【０００６】
特に、フィルムなどの熱容量の小さな樹脂基材上に高融点金属材料を成膜すると、蒸着源からの輻射熱や高温粒子の付着によって基材温度が上昇し、緻密で連続な膜を形成することが難しくなり、基材温度上昇に伴う基材変形などの不具合が発生した。
【０００７】
成膜時の基材の温度上昇を抑制するための方法として、いくつかの方法が開示されている。特許文献１には、冷却キャンに基材を抱かせて、基材側の熱容量を増大させる方法が開示されている。特許文献２には、輻射熱をパターン状の輻射熱遮蔽板によってカットする方法が開示されている。特許文献３には、赤外線反射体を設けた蒸着マスクを用いる方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２０００−１７８７１８号公報
【特許文献２】特開昭５９−１１０７７７号公報
【特許文献３】特開２００６−２３３２８５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、特許文献１の方法では、冷却キャンを含む成膜装置の占有面積が大きくなり、また装置コストが増大する。特許文献２の方法では、マスク等の温度上昇は抑制できるが、成膜パターンなどに制約が発生する。特許文献３の方法では、蒸着マスクの熱膨張やたわみを抑制することは可能であるが、開口部が大きいマスクの場合に、樹脂基材の加熱変形等を抑制することはできない。一般に、成膜面積が大きく、速い成膜速度で、金属蒸着を行う場合は、基材に到達する輻射熱が大きくなり、基材は熱によるダメージを受け易くなる。
【００１０】
本発明は、上記の事情に鑑みてなされたものである。すなわち、本発明の課題は、樹脂基材の熱線の吸収を抑制し、樹脂基材の温度上昇による変形や寸法変化を抑制することができ、生産性に優れた金属蒸着膜の形成方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明者らは、熱容量が小さく、熱線の発生量が少ない蒸着源を用いて、基材に予め薄い金属膜を形成することを検討した。薄い層ではあっても、金属層であるため、電磁波すなわち熱線を反射することが可能である。その結果、基材自体が熱線の影響を受けにくくなり、その後に熱容量が大きく、熱線の発生量が大きな蒸着源を用いて成膜しても、基材の受ける熱線が抑制され、基材の成膜エリアの温度上昇を抑えることが可能となることを見出した。
【００１２】
本発明は、このような知見に基づいて完成するに至ったものである。すなわち、本発明は、以下のような構成を有している。
【００１３】
１．樹脂基材上への金属蒸着膜の形成方法であって、５０〜５００Ｊ／ｍ２の蒸着熱量で金属蒸着膜を形成する第１工程と、前記金属蒸着膜の熱線反射率が５０％以上となったときに、蒸着熱量を増大させて、金属蒸着膜を形成する第２工程とを有する金属蒸着膜の形成方法。
【００１４】
２．前記金属蒸着膜がパターン状であることを特徴とする前記１に記載の金属蒸着膜の形成方法。
【００１５】
３．前記樹脂基材の表面温度を９０℃以下に維持することを特徴とする前記１または前記２に記載の金属蒸着膜の形成方法。
【００１６】
４．前記第２工程の蒸着熱量が、６００〜３０００Ｊ／ｍ２であることを特徴とする前記１〜３のいずれか１項に記載の金属蒸着膜の形成方法。
【００１７】
５．前記第１工程の金属蒸着源として、前記第２工程の金属蒸着源よりも熱容量が小さい金属蒸着源を用いることを特徴とする前記１〜４のいずれか１項に記載の金属蒸着膜の形成方法。
【発明の効果】
【００１８】
本発明の金属蒸着膜の形成方法は、樹脂基材の熱線の吸収を抑制し、樹脂基材の温度上昇による変形や寸法変化を抑制することができ、生産性にも優れている。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の金属蒸着膜の形成方法に係る第１成膜装置の模式的断面図である。
【図２】本発明の金属蒸着膜の形成方法に係る第２成膜装置の模式的断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、本発明の実施形態について説明するが、本発明は、以下に説明する実施形態に何ら制限されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で実施形態を任意に変更して実施することが可能である。
【００２１】
本発明の金属蒸着膜の形成方法で製造される金属蒸着膜が形成された樹脂基材は、有機ＥＬ素子や液晶表示素子等の薄膜ディスプレー素子等の電極、コンデンサや電池等の電極、パターンマスク、意匠フィルム、反射フィルム、光学フィルム等として利用し得るものである。
以下では、代表的な用途である有機ＥＬ素子の電極を例に挙げて説明するが、他の用途にも適宜適用し得るものである。
【００２２】
（金属蒸着膜の形成方法）
本発明の金属蒸着膜の形成方法は、樹脂基材上への金属蒸着膜の形成方法であって、５０〜５００Ｊ／ｍ２の蒸着熱量で金属蒸着膜を形成する第１工程と、前記金属蒸着膜の熱線反射率が５０％以上となったときに、蒸着熱量を増大させて、金属蒸着膜を形成する第２工程とを有している。
【００２３】
樹脂基材としては、材料の種類に特に限定はなく、また透明であっても不透明であってもよい。樹脂としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリフェニレンスルフィド、ポリアリレート、ポリイミド、ポリカーボネート（ＰＣ）、セルローストリアセテート（ＴＡＣ）、セルロースアセテートプロピオネート（ＣＡＰ）等が挙げられる。この中でも、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）が好ましい。
【００２４】
樹脂基材の厚さは、特に限定はないが、１０〜２００μｍが好ましい。樹脂基材の厚さがこの範囲であると、機械的強度に優れ、フレキシブル性に優れた基材とすることができる。樹脂基材の厚さのより好ましい上限は１５０μｍであり、より好ましい下限は２０μｍである。
【００２５】
樹脂基材は、枚葉であってもよいし、長尺であってもよい。長尺の樹脂基材は、通常ロール状に巻かれている。本発明の金属蒸着膜の形成方法は、密閉された真空のチャンバ内において、ロールツーロール方式で連続的に金属蒸着膜を形成することを可能とするものである。そのため、長尺の樹脂基材を用いるときに、本発明の効果がより適切に発揮される。
【００２６】
本発明の金属蒸着膜の形成方法は、減圧雰囲気下で行われる気相成膜方法である。気相成膜方法としては、（真空）蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法などが挙げられる。これらの中でも、簡便な装置で製造することが可能な真空蒸着法が好ましく用いられる。
【００２７】
金属蒸着膜の金属としては、銀、金、銅、アルミニウム、白金などの高融点材料を使用することができる。金属材料は、金属単体、合金、金属酸化物であってもよい。
【００２８】
蒸着熱量とは、金属蒸着膜を形成する工程で、樹脂基材が受ける熱量のことである。樹脂基材が受ける熱量とは、金属蒸着源から放出される熱線を樹脂基材が受けて吸収される熱量と金属蒸着源から放出される高温粒子が樹脂基材に付着することによって受ける熱量の総和である。蒸着熱量は、樹脂基材の単位面積当たりの容積、比熱、昇温温度から算出される総熱量を、単位面積当たりの熱量に換算することによって求めることができる。
【００２９】
熱線とは、赤外線のことであり、波長０．７μｍ〜１ｍｍの電磁波のことである。赤外線はさらに波長に応じて、近赤外線、中赤外線、遠赤外線に分類される。近赤外線の波長はおよそ０．７〜２．５μｍであり、中赤外線の波長はおよそ２．５〜４μｍであり、遠赤外線の波長はおよそ４〜１０００μｍである。
【００３０】
本発明者らの検討によると、樹脂基材が受ける熱量としては、高温粒子が樹脂基材に付着することによって受ける熱量よりは、金属蒸着源から放出される熱線を樹脂基材が受けて吸収される熱量の方が大きい。そのため、金属蒸着源から放出される熱線を樹脂基材が受けて吸収される熱量による樹脂基材の加熱を抑制することが重要となる。
【００３１】
（第１工程）
本発明の金属蒸着膜の形成方法では、まず、第１工程として、樹脂基材上に５０〜５００Ｊ／ｍ２の蒸着熱量で金属蒸着膜を形成する。５０〜５００Ｊ／ｍ２の蒸着熱量であれば、樹脂基材の表面温度を９０℃以下に維持することが可能となり、金属蒸着膜の形成時に樹脂基材が変形や寸法変化を引き起こすことを抑えることができる。第１工程において、樹脂基材の表面温度は、８０℃以下に維持することがより好ましく、７０℃以下に維持することがさらに好ましい。樹脂基材の材料は前記したとおりである。
【００３２】
第１工程で、金属蒸着膜を形成することによって、当該金属蒸着膜による熱線反射率を５０％以上とすることができる。樹脂基材の表面の熱線反射率が５０％以上となっていると、次の第２工程において、当該樹脂基材上に熱線の発生量が大きな蒸着源を用いて、高い蒸着熱量で金属蒸着膜を形成したとしても、熱線の吸収による樹脂基材の加熱が大きく抑制されることとなり、変形や寸法変化を抑えることが可能となる。すなわち、従来からの課題であった金属の蒸着時の熱線による樹脂基材の温度上昇と、樹脂基材の変形や寸法変化といった問題点は、予め、樹脂基材上に薄い金属層を形成する工程を設けることによって解決できたこととなる。
【００３３】
第１工程において、樹脂基材の表面に金属蒸着膜を形成することによって、金属蒸着膜の熱線反射率を５０％以上とすることが、第１工程から第２工程に移行するときの判断基準となる。熱線反射率５０％との閾値は、本発明者らによる多くの試験を踏まえて設定されたものである。
【００３４】
ここで、熱線反射率とは、波長１μｍの赤外線を用いて測定される。具体的には、分光光度計（日立ハイテクノロジー社製、製品名「Ｕ−４１００」）を使用して、２３℃において波長１μｍの赤外線を用いて熱線透過率を測定し、式（１００（％）−熱線透過率（％））によって、熱線反射率を算出した。
【００３５】
第１工程において、樹脂基材の表面に金属蒸着膜を形成して、金属蒸着膜の熱線反射率を５０％以上とするためには、一般的な目安として、樹脂基材上に３０ｎｍ以上の厚さの金属蒸着膜を形成することが好ましい。３０ｎｍ以上の厚さの金属蒸着膜を形成することに要する時間は、金属種や成膜条件にもよるが、３０〜３０００秒程度である。
【００３６】
樹脂基材上に３０ｎｍ以上の厚さの金属蒸着膜を形成すると、均一で連続した金属層となり、導電性が発現し、金属内の自由電子が電磁波の振動電場に合わせて集団振動することが可能となり、電磁波である赤外線は反射される。そのため、第２工程において、その後、５００Ｊ／ｍ２を超える蒸着熱量で金属蒸着膜を形成しても、多くの赤外線が反射されるため、樹脂基材の加熱が抑制され、変形や寸法変化を抑制することができる。
【００３７】
金属蒸着膜の厚さが３０ｎｍのときに、熱線反射率を５０％以上となったのであれば、３０ｎｍを超えてさらに厚い金属蒸着膜を形成しても、一般に、熱線反射率の数値はそれ以上大きくは向上しない。そのため、３０ｎｍの厚さの金属蒸着膜を形成することが目安となる。より好ましくは、第１工程で、厚さ３０〜５０ｎｍの金属蒸着膜を形成する。
【００３８】
但し、金属蒸着膜の熱線反射率５０％以上を発現する金属蒸着膜の最小厚さは、金属蒸着膜を構成する金属種によって変動する。上記の３０ｎｍの厚さは、金属種としてアルミニウムを用いた場合の数値である。そのため、第１工程から第２工程へ移動する時期を、金属蒸着膜の厚さによって決めるときは、予め、金属種に応じて、金属蒸着膜の熱線反射率が５０％以上となる厚さを特定しておくことが必要となる。また、金属蒸着膜を３０ｎｍ等の特定の厚さとする成膜条件は、事前に成膜条件を種々変えた予備試験を行うことによって、設定することができる。
【００３９】
（第２工程）
第１工程で、熱線反射率５０％以上の金属蒸着膜を形成したあと、樹脂基材に対して次の第２工程を行う。第２工程においては、蒸着熱量を増大させて、金属蒸着膜を形成することができる。具体的には、５００Ｊ／ｍ２を超える高い蒸着熱量で金属蒸着膜を形成することが可能である。第２工程の蒸着熱量は、好ましくは、６００〜３０００Ｊ／ｍ２である。第２工程において、工業的に採用し得る高い蒸着熱量で成膜することが可能となるので、金属蒸着膜の生産性を向上させることができる。
【００４０】
また、第２工程においては、樹脂基材の表面温度は、９０℃以下に維持することが好ましい。そうすることによって、金属蒸着膜の形成時に樹脂基材が変形や寸法変化を引き起こすことを抑えることができる。第２工程において、樹脂基材の表面温度は、８０℃以下に維持することがより好ましく、７０℃以下に維持することがさらに好ましい。
【００４１】
（第１工程と第２工程の構成）
第１工程で形成される金属蒸着膜の厚さと第２工程で形成される金属蒸着膜の厚さとは、特に制限があるわけではないが、通常は、第１工程で形成される金属蒸着膜の厚さは、第２工程で形成される金属蒸着膜の厚さより薄い。第１工程で形成される金属蒸着膜は、熱線反射率５０％以上の金属蒸着膜であればよいので、その機能さえ有していれば、厚さはより薄く、短時間で形成されることが望ましい。
【００４２】
そのため、第１工程の金属蒸発源は、第２工程の金属蒸発源と比べて小さいものであったり、第１工程の金属蒸発源と樹脂基材との距離を第２工程の場合と比べて離したりすることが好ましい。
【００４３】
一方、第２工程で形成される金属蒸着膜は、金属蒸着膜本来の機能である電極や導電層等の機能を発現させるためのものであるため、それらの機能発現に必要な所定の厚さのものとすることが必要となる。第１工程で形成された熱線反射機能を有する金属蒸着膜があることにより、高い蒸着熱量を有した大型の金属蒸発源を用いて、高速で短時間に所定の厚さの金属蒸着膜を形成することが可能となる。
【００４４】
本発明の金属蒸着膜は、樹脂基材上の全面に形成される場合もあるし、パターン状に形成される場合もある。本発明では、金属蒸着膜を種々のパターン状に形成するときに、樹脂基材が変形や寸法変化を引き起こすことを抑制するという本発明の効果がより一層適切に発揮される。
【００４５】
パターン状に金属蒸着膜を形成するときには、マスクが用いられる。マスクは、所定の形状パターンの開口部を有した薄厚の基材である。マスクは、樹脂基材の蒸着源側に、樹脂基材に密着してまたは近接して設置される。マスクの材質としては、線熱膨張係数の少ない金属マスクを好ましく用いることができる。例えば、インバーや４２アロイの合金等がある。マスクは、長尺の樹脂基材に適用して、連続してパターン形成するときには、樹脂基材と同期して移動する帯状マスクを使用することが望ましい。また、無端のベルト状マスクとすることもできる。
【００４６】
第１工程で形成される金属蒸着膜のパターンと第２工程で形成される金属蒸着膜のパターンとは、同一であっても、異なっていてもよい。例えば、第１工程のマスクと第２工程のマスクの位置を位置調整（アライメント）することによって、第１工程と第２工程の金属蒸着膜を同一のパターンとすることができる。また、第１工程と第２工程の金属蒸着膜のパターンを相似形として、第１工程の金属蒸着膜のパターンを第２工程の金属蒸着膜のパターンよりやや大き目や小さ目に形成することもできる。また、第１工程の金属蒸着膜を樹脂基材の全面に形成し、第２工程の金属蒸着膜は特定形状のパターンとして形成することもできる。
【００４７】
第１工程で形成される金属蒸着膜の金属種と第２工程で形成される金属蒸着膜の金属種とは、同一であっても、異なっていてもよい。例えば、同一の金属による金属蒸着膜を第１工程と第２工程によって短時間に高い生産性で形成することができる。また、第１工程で熱線反射率と樹脂との密着性に優れた金属の皮膜を形成し、第２工程で導電性に優れた厚手の電極層を短時間で形成することができる。
【００４８】
（第１成膜装置）
本発明の金属蒸着膜の形成方法を実施することができる成膜装置の具体例として、以下に第１成膜装置について説明する。
図１は、本発明の金属蒸着膜の形成方法に係る第１成膜装置の模式的断面図である。第１成膜装置は、ロール状に巻かれた長尺の樹脂基材上に連続的にパターン状の金属蒸着膜を形成し、その後ロール状に巻き取ることができるロールツーロール方式の成膜装置である。
【００４９】
第１成膜装置は、内部を真空に減圧することができるチャンバ２０内に収納されている。長尺の樹脂基材１を巻いた巻き出しロール３から、樹脂基材１が引き出される。その後、樹脂基材１は、ガイドロール４とガイドロール５との間の蒸着領域を水平方向に搬送される。一方、長尺の帯状マスク２を巻いた巻き出しロール７から、帯状マスク２が引き出される。その後、帯状マスク２は、ガイドロール８とガイドロール９との間の蒸着領域を水平方向に搬送される。帯状マスク２は、所定のパターン状の開口部を有している。
【００５０】
ガイドロール４とガイドロール５との間の蒸着領域において、樹脂基材１と帯状マスク２とは互いに平行に近接しており、両者の搬送速度は同等であり、両者は同期して移動している。図示はされていないが、樹脂基材１の所定の位置と帯状マスク２の所定の位置とが重なるように、位置調整（アライメント）されている。
【００５１】
ガイドロール４とガイドロール５との間の蒸着領域には、熱線の発生量が小さな小容量蒸着源１１と熱線の発生量が大きな大容量蒸着源１３が１個ずつ設置されている。熱線の発生量が小さな小容量蒸着源１１からは金属蒸気１２が帯状マスク２と樹脂基材１に向けて照射されている。熱線の発生量が大きな大容量蒸着源１３からは金属蒸気１４が帯状マスク２と樹脂基材１に向けて照射されている。
【００５２】
樹脂基材１と帯状マスク２とが近接して同期して移動している間に、まず、第１工程として、熱線の発生量が小さな小容量蒸着源１１によって、５０〜５００Ｊ／ｍ２の蒸着熱量で、樹脂基材１上に金属蒸着膜が形成される。第１工程で形成される金属蒸着膜は、熱線反射率が５０％以上となるように成膜条件（蒸着源温度、発生金属蒸気量、搬送速度、等）が設定されている。得られた金属蒸着膜は、帯状マスク２が有する所定のパターン状の開口部に相当するパターンで形成される。
【００５３】
引き続いて、第２工程として、熱線の発生量が大きな大容量蒸着源１３によって、第１工程よりも増大させた蒸着熱量で、樹脂基材１上に金属蒸着膜が形成される。第１工程のマスクと第２工程のマスクの位置を位置調整（アライメント）することによって、第１工程と第２工程の金属蒸着膜を同一のパターンとする。
【００５４】
パターン状の金属蒸着膜が形成された樹脂基材１は、その後、ガイドロール５を通って、巻き取りロール６として巻き取られる。一方、帯状マスク２は、その後、ガイドロール９を通って、巻き取りロール１０として巻き取られる。
【００５５】
（第１成膜装置の変形例）
第１成膜装置では、第１工程と第２工程とは、同一のパターンの金属蒸着膜を形成するものであるが、第１工程の帯状マスク２と第２工程の帯状マスク２とを分離して、チャンバ２０内に２種類の帯状マスク２の供給ロールを設けることによって、第１工程と第２工程で形成される金属蒸着膜のパターンを変えることができる。
【００５６】
（第２成膜装置）
図２は、本発明の金属蒸着膜の形成方法に係る第２成膜装置の模式的断面図である。第２成膜装置は、第１成膜装置と同様に、ロール状に巻かれた長尺の樹脂基材上に連続的にパターン状の金属蒸着膜を形成し、その後ロール状に巻き取ることができるロールツーロール方式の成膜装置である。
【００５７】
第１成膜装置と多くの部分は共通であるので、それらの説明を省略する。以下に、第１成膜装置と異なる部分についてのみ説明する。
【００５８】
第２成膜装置のガイドロール４とガイドロール５との間の蒸着領域には、熱線の発生量が小さな小容量蒸着源１１と熱線の発生量が大きな大容量蒸着源１３がそれぞれ２個ずつ設置されている。熱線の発生量が小さな小容量蒸着源１１Ａ、１１Ｂからは金属蒸気１２が帯状マスク２と樹脂基材１に向けて照射されている。熱線の発生量が大きな大容量蒸着源１３Ａ、１３Ｂからは金属蒸気１４が帯状マスク２と樹脂基材１に向けて照射されている。
【００５９】
熱線の発生量が小さな小容量蒸着源１１Ａ、１１Ｂにおいて、熱線の発生量は、小容量蒸着源１１Ａの方が小容量蒸着源１１Ｂよりもより小さくなるように設定されている。同様に、熱線の発生量が大きな大容量蒸着源１３Ａ、１３Ｂにおいて、熱線の発生量は、大容量蒸着源１３Ａの方が大容量蒸着源１３Ｂよりもより小さくなるように設定されている。そのため、樹脂基材１が蒸着領域を右から左へ進むにつれて、蒸着源から発生する熱量が段階的に大きくなるように設定されている。そのため、樹脂基材１が受ける蒸着熱量が徐々に大きくなることとなり、樹脂基材１の昇温カーブはなだらかなものとなり、樹脂基材１が受ける熱的なダメージをより小さくすることができる。
【００６０】
（第２成膜装置の変形例）
第２成膜装置のガイドロール４とガイドロール５との間の蒸着領域に設置する、熱線の発生量が小さな小容量蒸着源１１と熱線の発生量が大きな大容量蒸着源１３の数をそれぞれさらに増やすことができる。そうすることで、樹脂基材１が受ける蒸着熱量を連続的に変化させて、樹脂基材１の昇温カーブをよりなだらかなものとすることができる。
【００６１】
以上説明してきたように、本発明の金属蒸着膜の形成方法は、金属材料を成膜する際に、樹脂基材の温度上昇を抑制することによって、緻密な金属の連続膜を形成することが可能である。また、２つの工程に分けることによって、より高速で短時間に金属蒸着膜を形成することができる。また、加熱による樹脂基材の変形なども抑制できるため、基材の変形に起因する成膜時の搬送トラブルなども抑制することができる。
【符号の説明】
【００６２】
１      樹脂基材
２      帯状マスク
３      巻き出しロール（樹脂基材）
４、５、８、９    ガイドロール
６      巻き取りロール（樹脂基材）
７      巻き出しロール（帯状マスク）
１０    巻き取りロール（帯状マスク）
１１    小容量蒸着源
１３    大容量蒸着源
２０    チャンバ
【図１】
2016121374.tif 000003
【図２】
2016121374.tif 000004