(57)【要約】【課題】半導体素子と基板とを電気的に接続する導体薄膜のパターン微細化と、段差部での配線接続信頼性を両立させた、半導体装置と製造方法および装置の提供。【解決手段】配線を有する基板と、前記基板上に配置された半導体素子と、前記基板と当接しない面に配置された前記半導体素子の外部接続端子と、前記半導体素子と当接する面に配置された前記基板の外部接続端子とを備え、前記半導体素子と前記基板の外部接続端子同士を、有機材料を含まない導電膜で電気的に接続することを特徴とする半導体装置を用いる。【選択図】図１
2016131171.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線を有する基板と、
前記基板上に配置された半導体素子と、
前記基板と当接しない面に配置された前記半導体素子の第１外部接続端子と、
前記半導体素子と当接する面に配置された前記基板の第２外部接続端子と、
前記第１外部接続端子と前記第２外部接続端子とを電気的に接続する導電膜を備え、
前記導電膜は、複数の金属粒子を連結して形成されている半導体装置。
【請求項２】
前記導電膜は、前記半導体素子上方からの平面視において、前記第２外部接続端子から前記第１外部接続端子へと、幅が減少することを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記導電膜は、前記複数の金属粒子間に空隙がある請求項１または２記載の半導体装置。
【請求項４】
前記複数の金属粒子は、球状形状の金属粒子と楕円体形状の金属粒子とを含む請求項から３のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第１外部接続端子上の前記複数の金属粒子、または、前記第２外部接続端子上の前記複数の金属粒子は、前記第１外部接続端子と前記第２外部接続端子との間の前記複数の金属粒子より、前記楕円体形状の金属粒子の割合が高い請求項４記載の半導体装置。
【請求項６】
前記複数の金属粒子は、大きさの異なる金属粒子を含む請求項１から５のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項７】
半導体素子の第１外部接続端子と基板の第２外部接続端子との間に、導電膜を形成する半導体装置の製造方法であり、
前記基板上に前記半導体素子を位置させ、
溶融金属材料を滴下し、粒子状の複数の金属粒子を積層することで前記導電膜を形成し、
前記導電膜は、前記半導体素子上からの平面視において、前記第２外部接続端子から前記第１外部接続端子へと、幅が減少している半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記複数の金属粒子は、球状形状の金属粒子と楕円体形状の金属粒子を含む溶融度請求項７記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
基板上に半導体素子を配置する位置決めする搬送部と、
前記半導体素子の前記外部接続端子と前記基板の前記外部接続端子の間に、溶融させた金属粒子を滴下することで導電膜を形成する材料滴下部と、
前記溶融させた金属粒子が前記基板に到着前に、前記金属粒子に光エネルギーを付与するエネルギー付与部と、を含む製造装置。
【請求項１０】
前記材料滴下部は、圧電素子をアクチュエータとしたインクジェット装置である、
請求項９に記載の製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置、半導体装置の製造方法、半導体装置の製造装置に関する。特に、基板上の電極と半導体素子の電極とが、導電材料で接続された半導体装置、および、その製造方法、製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話、スマートフォンなどに代表されるモバイル情報機器は、より一層の小型軽量薄型化が進み、そのための工夫が必要となっている。そこで、個々の部品自体の小型軽量化だけでなく、基板の配線パターン微細化と、それに伴う基板上への高密度実装化が強く求められている。
【０００３】
従来の例を図８の断面図に示す（特許文献１）。図８に示すように、基板１の上に半導体素子２を固定し、その後に、半導体素子２の第１外部接続端子３と基板１の第２外部接続端子４との間を、金属ワイヤー５で配線接続する構造がとられている。別の例を図９の断面図に示す。
【０００４】
図９は、金属ワイヤー５の部分を無くした構造を示す。つまり、半導体素子２を基板１に埋め込むことで、半導体素子２の第１外部接続端子３と基板１の第２外部接続端子４との段差を無くしている。そして、半導体素子２の第１外部接続端子３と基板１の第２外部接続端子４との間を、導電ペースト膜６で配線接続した構造がとられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００１−５３４４７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ここで、全体を薄くすることを考える。図８では金属ワイヤー５があるので、図９と比較して、薄型化に適していない。しかし、基板１がさらに薄型化した場合には、半導体素子２を基板１に埋め込むことができなくなり、図９の構造がとれない。
【０００７】
本願発明は、半導体素子２を基板１の上に配置した場合であっても、金属ワイヤー５を使用せず、薄い半導体実装構造体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために、配線を有する基板と、基板上に配置された半導体素子と、基板と当接しない面に配置された半導体素子の第１外部接続端子と、半導体素子と当接する面に配置された基板の第２外部接続端子と、半導体素子と基板の外部接続端子同士を電気的に接続する導電膜を備え、導電膜の断面積が半導体素子の外部接続端子に近いほど小さい半導体装置を用いる。
【０００９】
基板上に半導体素子を配置する工程と、半導体素子の外部接続端子と、基板の外部接続端子の間に導電膜を形成する工程と、を含み、導電膜は、溶融金属材料を滴下して形成される、半導体装置の製造方法を用いる。
【００１０】
基板上に半導体素子を配置する位置決め搬送装置と、半導体素子の外部接続端子と、基板の前記外部接続端子の間に導電膜を形成する材料滴下装置と、を有する製造装置を用いる。
【発明の効果】
【００１１】
本願発明では、半導体実装構造体として、厚みが薄く、かつ、半導体素子の電極と、基板の電極との間を、応力の少ない、電極で繋ぐことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】（ａ）〜（ｃ）実施の形態１の半導体装置の断面図
【図２】（ａ）〜（ｂ）実施の形態１の製造工程を示す断面図
【図３】（ａ）実施の形態１の導電膜の正面図、（ｂ）（ａ）の側面図
【図４】（ａ）実施の形態１の導電膜の正面図、（ｂ）（ａ）の側面図
【図５】（ａ）実施の形態１の導電膜の正面図、（ｂ）（ａ）の側面図
【図６】（ａ）〜（ｃ）実施の形態１の材料滴下装置の斜視図および断面図
【図７】実施の形態２の材料滴下装置のノズル断面図
【図８】従来のワイヤーボンド接続型の半導体装置の断面図
【図９】従来の半導体素子埋込み型の半導体装置の断面図
【発明を実施するための形態】
【００１３】
（実施の形態１：構造）
図１（ａ）は、実施の形態１における実施の形態の半導体装置における導電膜７の長手方向断面図である。図１（ｂ）、図１（ｃ）は、実施の形態１における実施の形態の半導体装置における導電膜７の短手方向断面図である。
【００１４】
実施の形態１の半導体装置は、図１（ａ）に示すように、配線を有する基板１と、基板１上に配置された半導体素子２とを含む。半導体素子２は、基板１と当接しない面に配置された半導体素子２の第１外部接続端子３を有する。基板１は、半導体素子２と当接する面に配置された第２外部接続端子４を有する。さらに、半導体装置は、第１外部接続端子３と第２外部接続端子４とを接続する、導電膜７を有する。
【００１５】
＜基板１＞
基板１の主な構成材料としては、ガラスやシリコン（Ｓｉ）、セラミック、プラスチックなど制限することなく、様々な種類の材料を用いることができる。また、ポリイミドやＰＥＴ（ポリエチレンテレフタラート）、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）など薄い樹脂材料から構成され、フレキシブル性を有する基板を用いることもできる。
【００１６】
基板１の外部接続端子パターン配線の材料としては、導電材料であれば特に制限はないが、例えば、銅（Ｃｕ）や銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、金（Ａｕ）などを用いることができる。
＜半導体素子２＞
半導体素子２は、トランジスタやダイオード、抵抗、コンデンサ、インダクタなどの電気回路で構成され、第１外部接続端子３を介して、基板１と電気的に接続される。この第１外部接続端子３の材料としては、導電材料であれば特に制限はないが、例えば、銅（Ｃｕ）やニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、窒化チタン（ＴｉＮ）、錫（Ｓｎ）などを用いることができる。また、この第１外部接続端子３の電極開口サイズは、形状、大きさとも特に制限はないが、例えば５μｍ〜１００μｍ程度と、基板１の第２外部接続端子４のサイズに比べて小さく設定することができる。
【００１７】
＜導電膜７＞
導電膜７は、半導体素子２の第１外部接続端子３と、基板１の第２外部接続端子４を電気的に接続するものである。図１（ｂ）では、導電膜７は、その幅が一定である。幅が一定の場合、導電膜７同士の間隔が保たれ、電気的に安定する。別の例として、図１（ｃ）では、その幅が変化させている。半導体素子２の第１外部接続端子３に近いほど、導電膜７の幅（図１（ｂ）、半導体素子２の上方から見た時（平面視）の幅）を小さくしている。
【００１８】
これは、基板１側の方が、半導体素子２より、電極密度が小さく、余裕度があるためである。また、下記のように、金属粒子により導電膜７を作製する場合、下側である第２外部接続端子４側の金属粒子数を大きく、第１外部接続端子３側の金属粒子の数を小さくすることで、安定でして作製できる。
【００１９】
または、下側である第２外部接続端子４側の金属粒子径を大きく、第１外部接続端子３側の金属粒子径を小さくすることで、安定でして作製できる。
【００２０】
導電膜７の材料としては、導電材料であれば特に制限はないが、銅（Ｃｕ）や銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、はんだなどを用いることができる。
【００２１】
（製造方法および製造装置）
実施の形態１の製造方法を、図２（ａ）と図２（ｂ）の断面図で説明する。図２（ａ）に示すように、基板１上に半導体素子２を配置する工程と、図２（ｂ）のように、半導体素子２の第１外部接続端子３と基板１の第２外部接続端子４との間に、導電膜７を形成する工程とを有する。
【００２２】
また、実施の形態１の半導体装置の製造装置は、基板１上に半導体素子２を配置する位置決め搬送装置と、半導体素子２の第１外部接続端子３と、基板１の第２外部接続端子４の間に導電膜７を形成する溶融金属材料の滴下装置とを有する。
【００２３】
また、滴下装置としては、ディスペンス装置やダイコート装置など特に制限されないが、成膜パターニングの精細度と自由度の観点から圧電素子をアクチュエータとしたインクジェット装置であることが好ましい。滴下装置の一例を、実施の形態２で示す。
【００２４】
図３から図５で導電膜７の詳細を示す。図３から図５は、上記の溶融金属材料の滴下装置で、半田材料を用いた場合の導電膜７の図である。溶融された半田材料の硬化度合い（溶融状態）を調整して以下の構造とできる。半田材料以外でも溶融して滴下できるものなら用いることができる。
【００２５】
図３（ａ）は、導電膜７の拡大正面図である。図３（ｂ）は、導電膜７の拡大側面図である。第１半田粒子１１により、第１外部接続端子３と第２外部接続端子４とが接続されている。導電膜７では、第１半田粒子１１が、粒子形状を一部保ちつつ、第１半田粒子１１同士が接触する部分が溶けて接続されている。さらに、導電膜７には、空隙１７が存在する。
【００２６】
第１半田粒子１１が、一部溶けて繋がっており、空隙１７が存在することから、導電膜７の応力が緩和されている。空隙１７は、第１半田粒子１１を、インクジェット装置で形成する場合には、第１半田粒子１１の粒子径を制御することで形成できる。大きな粒子の場合は、大きな空隙ができる。小さな粒子径の場合、小さな空隙ができる。
【００２７】
空隙１７の割合は、５％〜４０％である。５％より小さいと、応力緩和ができず、物理的に接続ができなくなる可能性が生じる。
【００２８】
４０％を超えると、抵抗値が高くなり端子間の電気的接続ができない。
ここで、空隙１７の割合とは、全体積（外表面で近似した体積）に対して、第１半田粒子１１が存在しない内部の空間となっている体積の割合である。
【００２９】
なお、第２外部接続端子４側を、第１外部接続端子３側より、より大きい直径の第１半田粒子としてもよい。粒子を積み重ねるので、下部ほど大きくしっかりしている方が積層しやすい。下記の例でも、どうように、下部の粒子を大きな直径の粒子にするとよりよい。
【００３０】
図４（ａ）は、別の例の導電膜７の拡大正面図である。図４（ｂ）は、導電膜７の拡大側面図である。第１半田粒子１１と第２半田粒子１２とにより、第１外部接続端子３と第２外部接続端子４とが接続されている。第２半田粒子１２は、第１半田粒子１１より、溶けている程度が大きい。そのため、第２半田粒子１２は、球状でなく楕円体、または扁球体、または、葉巻型形状である。
【００３１】
ここで、第１半田粒子１１と第２半田粒子１２の形状の定義をする。
第１半田粒子１１は、球状で接触部分は溶けて接続されている。接続部分を除いて、球と仮定した場合、最長の径（直径）に対する最短の径（直径）の比は、１．０以上、１．５未満である。
【００３２】
第２半田粒子１２は、楕円体で接触部分は溶けて接続されている。接続部分を除いて、楕円体と仮定した場合、最長の径に対する最短の径の比は、１．５以上３．０未満である。
【００３３】
導電膜７では、第１半田粒子１１は球状、第２半田粒子１２は楕円体で、その接触部分が溶けて繋がっている。
【００３４】
特に、第１外部接続端子３と第２外部接続端子４の上の少なくとも１方は、第２半田粒子１２を多くする。第２半田粒子１２はより溶けているので、第１外部接続端子３と第２外部接続端子４により密着する。
【００３５】
また、第１外部接続端子３と第２外部接続端子４との間では、第１半田粒子１１をより多くする。第１半田粒子１１は、第２半田粒子１２より溶けていないので、空隙１７が存在する確率が多く、応力緩和に有効である。
【００３６】
図５（ａ）は、導電膜７の別の例の拡大正面図である。図５（ｂ）は、導電膜７の拡大側面図である。第１半田粒子１１と第３半田粒子１３により、第１外部接続端子３と第２外部接続端子４とが接続されている。導電膜７では、第１半田粒子１１が、粒子形状を一部保ちつつ、第３半田粒子１３が完全に溶けている。さらに、導電膜７には、空隙１７が存在する。
【００３７】
特に、第１外部接続端子３と第２外部接続端子４の上には、第３半田粒子１３が位置する。第３半田粒子１３は溶けているので、第１外部接続端子３と第２外部接続端子４により密着する。また、第１外部接続端子３と第２外部接続端子４との間では、第１半田粒子１１が位置する。第１半田粒子１１は、一部が溶け、その他の部分では、形状を維持しているので、空隙１７が存在し、導電膜７の応力緩和がされる。
【００３８】
また、基板１、半導体素子２の表面付近は、第１半田粒子１１、または、第２半田粒子１２として、上方に第３半田粒子１３を設けてもよい。下方では、あまり溶けてない粒子を設け、上方には、溶けた粒子を設けることで、熱を半導体素子２に与えず、導電性を確保できる。
【００３９】
なお、半田粒子径は、５〜１００μｍである。金属を溶融して塗布できるものなら、半田以外の金属も用いることができる。
【００４０】
銅、銀、金などの場合は、融点が高いため、ナノ粒子を用いる。ナノ粒子を含むペースト材料を、ペースト化したものを滴下して、下記いずれかの方法で金属焼結させることで配線形成する方法がある。ペースト液滴の飛翔中に光エネルギーを照射して空中で金属焼結する方法、基板を加熱し、基板に着弾したペースト液滴を金属焼結させる方法がある。
【００４１】
特に、半導体素子２が、熱に弱い、衝撃に弱い場合、たとえば、ＣＭＯＳイメージセンサ（シーモスイメージセンサ、ＣＭＯＳ  ｉｍａｇｅ  ｓｅｎｓｏｒ（相補性金属酸化膜半導体）を用いた固体撮像素子）の場合、この実施の形態の構造は有効である。つまり、従来のワイヤーボンドでは、１００度以上の高温の溶融金属での１回での接合となり、半導体素子２にダメージがでる。実施の形態１の構造では、複数の金属粒子により、時間をずらして形成するので、温度の点、衝撃の点で、半導体素子２に影響が少ない。
【００４２】
（実施の形態２）
図６（ａ）は、実施の形態における実施の形態２の材料滴下装置５００の斜視図である。図６（ｂ）は、図６（ａ）に示された材料滴下装置５００のＡ線での断面図である。図６（ｃ）は、図６（ａ）に示された材料滴下装置５００のＢ線での断面図（上面図）である。実施の形態１の構造を作製する装置である。以下説明しない事項は、上記実施の形態１と同様である。
【００４３】
以下でインクとは、金属粒子を含む液体である。ナノ粒子の金属を含むペーストなどである。融点の低い金属の場合、金属単体の場合もある。
【００４４】
図６（ａ）〜図６（ｃ）に示されるように、材料滴下装置５００は、インク供給管５０１と、インク供給流路５０２と、複数のインク室５０３と、複数のノズル穴５０４を有する。
【００４５】
また、インク供給管５０１およびインク供給流路５０２のうち、少なくともいずれか一方を加熱し、内部インク材料を加熱することができる。この場合、加熱ヒータ５０５でインク供給流路５０２を加熱する。
【００４６】
さらに、インク室５０３の内部のインク材料の圧力を制御することができる、圧電素子５０６（変位印加装置）を有する。
また、圧電素子５０６が加熱に弱い場合は、インク室５０３との間に断熱機構を付与することも可能である。
【００４７】
実施の形態２においては、導電膜７を形成する材料滴下装置５００の内部に加熱ヒータ５０５を有する。導電材料を加熱することによって、溶融状態とした後、圧力を加えることによって、装置外部に材料を滴下する。滴下された材料は、雰囲気や半導体素子、基板などによって自然冷却され、半導体素子２や基板１上で固化されて導電膜７が形成される。
【００４８】
さらに、水や空気などの冷媒による強制冷却を行っても良く、冷却条件によって形成される膜パターンの形状を制御することが可能となる。冷却速度を高めるほど、着弾後の液滴の拡がりを低減することができ、より微細な配線パターンを形成することができる。
【００４９】
実施の形態１における半導体素子２の第１外部接続端子３に近いほど導電膜７のパターン断面積を小さく形成するために、溶融金属材料の滴下法を採用する。半導体素子２の第１外部接続端子３に近いほど滴下液滴のサイズを小さくしたり、滴下数を少なくしたり、冷却速度を高めることが好適である。条件により、実施の形態１の構造を作製できる。
【００５０】
これにより、半導体素子２に圧力や熱をかけることなく、半導体素子２の第１外部接続端子３と、基板１の第２外部接続端子４を微細なパターンで電気的に接続することが可能となる。また、圧力や熱による半導体素子２の損傷を抑制し、半導体素子２と基板１との良好な電気的接続状態を確保することが可能となる。
【００５１】
特に、微細半導体配線プロセスにおける脆弱な層間絶縁膜を有する半導体素子だけでなく、有機ＥＬ発光材料や有機光電変換材料、有機半導体材料、マイクロオンチップレンズ材料など熱損傷の影響が大きい半導体素子などに有効である。
【００５２】
また、滴下される材料に溶媒やバインダー樹脂などの低粘度成分が含まれない材料とすることによって、着弾後の基板１上でのパターンにじみが抑制され、より微細な膜パターン形成が可能となる。
【００５３】
圧力を加える手段としては、いかなる方法でも構わないが、圧電素子をアクチュエータとしたインクジェット法によって行うことが好適である。これにより、滴下材料の量と滴下位置を高精度に制御することが可能となる。さらに、微小液滴を滴下することが可能となるため、雰囲気による自然冷却の影響が顕著になり、半導体素子２や基板１に伝達される熱量をさらに低減させることが可能となる。
【００５４】
（実施の形態３）
図７は、実施の形態３の材料滴下装置６００のノズル断面図である。実施の形態１の構造を作製する装置である。以下説明しない事項は、上記実施の形態１，２と同様である。
【００５５】
図７に示されるように、材料滴下装置６００は、インク供給流路６０２と、インク室６０３と、ノズル６０４と、変位印加装置（圧電素子）６０６と、ワーク６０８と、ワーク保持装置６０９と、エネルギー光源装置６１０を有する。
【００５６】
実施の形態３においては、導電膜７を形成する材料滴下装置６００は、滴下された導電材料（インク液滴６１１）が半導体素子２および基板１に着弾する前に、光エネルギーを付与する装置を有する。溶媒や分散材、導電粒子などが含まれる液体状の導電材料（インク液滴６１１）は、材料滴下装置６００内で圧力を加えられることによって、ノズル６０４から滴下される。滴下されたインク液滴６１１に対して、エネルギー光源装置６１０のレーザ光などの光エネルギーを照射することによって、溶媒や分散材を蒸発させ、導電粒子を溶融させ、溶融導電材料で構成される液滴とすることが可能となる。なお、液体状の導電材料（インク液滴６１１）は、照射される光エネルギーにより、金属成分以外は除去される。
【００５７】
＜エネルギー光源装置６１０＞
エネルギー光源装置６１０は、ノズル６０４から滴下されたインク液滴６１１に対して、光エネルギーを照射することができる。エネルギー光源装置６１０は、レーザ照射装置、ＣＯ２レーザや半導体レーザ、ファイバレーザ、ＹＡＧレーザなどのレーザ光に加え、ＵＶランプ光などいずれの方法も用いることができる。
【００５８】
滴下材料以外の半導体素子２や基板１などに光エネルギーが照射されると劣化、損傷することがあるため、最小限に抑制することが好適である。
【００５９】
そこで、図７に示すように、エネルギー光源装置６１０からの光エネルギーは、材料滴下装置６００から滴下されたインク液滴６１１が進む鉛直方向とは垂直な方向に照射されることが好適である。これにより、半導体素子２や基板１などに照射される光エネルギー量を低減することが可能となる。
【００６０】
＜マスク６１２＞
ここで、半導体素子２や基板１などに照射される光エネルギー量をさらに低減するために、インク液滴６１１だけが透過できる穴を有するマスク６１２を設置すると好適である。
【００６１】
また、材料滴下装置６００におけるノズル６０４に光エネルギーが照射されると、ノズル６０４内部のインクが溶融し、固化することにより、ノズル詰まりが発生することになる。したがって、材料滴下装置６００のノズル６０４に照射される光エネルギー量をさらに低減するために、インク液滴６１１だけが透過できる穴を有するマスク６１２を設置すると好適である。
【００６２】
＜レーザの場合＞
レーザ光を使用する場合、レーザ光を連続的に発振させ、そのレーザ光の道筋に、インク液滴６１１を落下させることでインク液滴６１１中金属粒子を溶かすことができる。
【００６３】
なお、すべての粒子にレーザが照射されない場合でも、照射された金属粒子が溶け、その溶けた金属粒子に、レーザ照射されていない（溶けていない）金属粒子が接触することで、レーザ照射されていない粒子の一部が溶け、導電膜７が形成される。
【００６４】
レーザ光の発振周波数と、金属粒子の吐出割合（吐出密度、空間密度）との関係で、図３〜図５の構造を作製できる。
【００６５】
例として、金属粒子の速度は、１ｍ／ｓ〜１０ｍ／ｓ、レーザの照射スポット径が１０〜１０００ｕｍとすると、金属粒子は、照射スポットを１ｕｓ〜１ｍｓ程度で通過する。この間で、金属粒子はレーザ光を受け、溶ける。
【００６６】
また、材料滴下装置６００のノズル６０４から粒子が滴下されるタイミングに同期させて、滴下材料が光エネルギー照射範囲に存在する時だけ光エネルギーを照射することにより、前述のようなノズル詰まりや半導体素子２や基板１に対する劣化、損傷の発生を最小限に抑制することが可能となる。
【００６７】
さらに、複数のノズル６０４がある場合には、ノズル６０４ごとにレーザ光線を設け、金属粒子に確実にレーザを照射できるようにしてもよい。
【００６８】
＜インク液滴６１１＞
また、金属粒子材料としては、金属球や金属片など様々な材料を用いることができ、特に、金属ナノ材料と分類されるナノスケールの超微粒子を用いれば、より少ないエネルギーおよび熱量で金属溶融させることが可能となり、半導体素子や基板に伝達される熱量を低減させることが可能となる。
【００６９】
（なお）
上記実施の形態は、組み合わせることができる。
【産業上の利用可能性】
【００７０】
本発明の半導体装置および製造方法は、高機能、多機能でコンパクト化が要望される携帯電話、スマートフォンなどをはじめとする各種のモバイル情報機器に広く利用できる。特に、微細半導体配線プロセスにおける脆弱な層間絶縁膜を有する半導体素子だけでなく、有機ＥＬ発光材料や有機光電変換材料、有機半導体材料、マイクロオンチップレンズ材料など熱損傷の影響が大きい半導体素子などに有効である。
【符号の説明】
【００７１】
１  基板
２  半導体素子
３  第１外部接続端子
４  第２外部接続端子
５  金属ワイヤー
６  導電ペースト膜
７  導電膜
１１  第１半田粒子
１２  第２半田粒子
１３  第３半田粒子
５０１  インク供給管
５０２  インク供給流路
５０３  インク室
５０４  ノズル穴
５０５  加熱ヒータ
５０６  圧電素子
６０２  インク供給流路
６０３  インク室
６０４  ノズル
６０６  変位印加装置
６０８  ワーク
６０９  ワーク保持装置
６１０  エネルギー光源装置
６１１  インク液滴
６１２  マスク
【図１】
2016131171.tif 000003
【図２】
2016131171.tif 000004
【図３】
2016131171.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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