(57)【要約】【課題】本発明は、歩留まりを向上させることができるチップ抵抗器を提供することを目的とするものである。【解決手段】本発明のチップ抵抗器は、絶縁基板１１と、前記絶縁基板１１上に形成された抵抗体１３と、前記抵抗体１３を覆うように形成されたガラスを主成分とする第１の保護膜１４と、前記第１の保護膜１４を覆うように形成された樹脂からなる第２の保護膜１６とを備え、前記第１の保護膜１４を前記絶縁基板１１の幅と同一の幅に形成し、前記抵抗体１３と前記絶縁基板１１の幅方向の側部１１ａ、１１ｂとの間に位置し、かつ前記第２の保護膜１６に覆われている前記第１の保護膜１４に溝部１８を設けたものである。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板と、前記絶縁基板上に形成された抵抗体と、前記抵抗体を覆うように形成されたガラスを主成分とする第１の保護膜と、前記第１の保護膜を覆うように形成された樹脂からなる第２の保護膜とを備え、前記第１の保護膜を前記絶縁基板の幅と同一の幅に形成し、前記抵抗体と前記絶縁基板の幅方向の側部との間に位置し、かつ前記第２の保護膜に覆われている前記第１の保護膜に溝部を設けるようにしたチップ抵抗器。
【請求項２】
前記溝部を前記第１の保護膜の４隅近傍に形成した請求項１に記載のチップ抵抗器。
【請求項３】
絶縁基板と、前記絶縁基板上に形成された抵抗体と、前記抵抗体を覆うように形成されたガラスを主成分とする第１の保護膜と、前記第１の保護膜を覆うように形成された樹脂からなる第２の保護膜とを備え、前記第１の保護膜を前記絶縁基板の幅と同一の幅に形成し、前記第１の保護膜の表面を粗面化したチップ抵抗器。
【請求項４】
前記第１の保護膜の前記ガラスを、融点が高いガラス成分と融点が低いガラス成分とを混合して構成することによって前記第１の保護膜の表面を粗面化した請求項３に記載のチップ抵抗器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、各種電子機器に使用される小形のチップ抵抗器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来のこの種のチップ抵抗器は、図３、図４に示すように、絶縁基板１と、絶縁基板１上に形成された一対の上面電極２と、一対の上面電極２間に形成された抵抗体３と、抵抗体３を覆うように形成されたガラスを主成分とする第１の保護膜４と、抵抗体３に形成された抵抗値修正（トリミング）用のトリミング溝５と、一対の上面電極２の一部と第１の保護膜４を覆うように形成された樹脂からなる第２の保護膜６と、絶縁基板１の端面に形成された端面電極７、およびめっき層８とを備えていた。
【０００３】
また、第１の保護膜４は絶縁基板１の幅と同一の幅に形成されていた。ここで、図４は、説明を簡単にするために、トリミング溝５、端面電極７、めっき層８を省略している。
【０００４】
なお、この出願の発明に関する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献１が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００７−１７３５７４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記した従来のチップ抵抗器においては、第２の保護膜６が、幅方向で絶縁基板１に接触せず、密着性の悪い第１の保護膜４と接触しているため、工程の途中などの衝撃で第２の保護膜６が欠けたり割れたりし易くなり、この結果、歩留まりが悪化するという課題を有していた。
【０００７】
本発明は上記従来の課題を解決するもので、歩留まりを向上させることができるチップ抵抗器を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するために、本発明は、絶縁基板と、前記絶縁基板上に形成された抵抗体と、前記抵抗体を覆うように形成されたガラスを主成分とする第１の保護膜と、前記第１の保護膜を覆うように形成された樹脂からなる第２の保護膜とを備え、前記第１の保護膜を前記絶縁基板の幅と同一の幅に形成し、前記抵抗体と前記絶縁基板の幅方向の側部との間に位置し、かつ前記第２の保護膜に覆われている前記第１の保護膜に溝部を設けるようにした。
【発明の効果】
【０００９】
以上のように本発明のチップ抵抗器は、第１の保護膜を絶縁基板の幅と同一の幅に形成し、抵抗体と絶縁基板の幅方向の側部との間に位置する第１の保護膜に溝部を設けているため、第１の保護膜の溝部内に第２の保護膜が入り込み、これにより、アンカー効果が生じるため、第１の保護膜と第２の保護膜との密着性が向上し、この結果、工程の途中などの衝撃で第２の保護膜が欠けたり割れたりしにくくなり、歩留まりが向上するという優れた効果を奏するものである。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の一実施の形態におけるチップ抵抗器の断面図
【図２】同チップ抵抗器の主要部の上面図
【図３】従来のチップ抵抗器の断面図
【図４】同チップ抵抗器の主要部の上面図
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明の一実施の形態におけるチップ抵抗器について、図面を参照しながら説明する。
【００１２】
図１は本発明の一実施の形態におけるチップ抵抗器の断面図、図２は同チップ抵抗器の主要部の上面図である。
【００１３】
本発明の一実施の形態におけるチップ抵抗器は、図１、図２に示すように、絶縁基板１１と、絶縁基板１１上に形成された一対の上面電極１２と、一対の上面電極１２間に形成された抵抗体１３と、抵抗体１３を覆うように形成されたガラスを主成分とする第１の保護膜１４と、抵抗体１３に形成された抵抗値修正（トリミング）用のトリミング溝１５と、一対の上面電極１２の一部と第１の保護膜１４を覆うように形成された樹脂からなる第２の保護膜１６と、絶縁基板１１の端面に形成された端面電極１７とを備えていた。なお、図２では、説明を簡単にするために、トリミング溝１５、端面電極１７を省略している。
【００１４】
また、第１の保護膜１４は絶縁基板１１の幅と同一の幅に（絶縁基板１１の幅方向の一方の側部１１ａから他方の側部１１ｂに至るまで全面に）形成され、そして、第１の保護膜１４の第２の保護膜１６に覆われている箇所において、抵抗体１３と絶縁基板１１の幅方向の一方の側部１１ａおよび他方の側部１１ｂとの間にそれぞれ溝部１８を設けている。
【００１５】
上記構成において、前記絶縁基板１１は、Ａｌ2Ｏ3を９６％含有するアルミナで構成され、その形状は矩形状（上面視にて長方形）となっている。
【００１６】
また、前記一対の上面電極１２は、絶縁基板１１上面の両端部に設けられ、ガラスを含有するＣｕからなる厚膜材料を印刷、焼成することによって形成されている。また、絶縁基板１１裏面の両端部に裏面電極を設けてもよい。なお、一対の上面電極１２を形成せず、抵抗体１３を棒状に形成してもよい。
【００１７】
さらに、前記抵抗体１３は、絶縁基板１１の上面において、一対の上面電極１２間に、ＣｕＮｉからなる厚膜材料を印刷した後、焼成することによって形成されている。
【００１８】
そして、前記第１の保護膜１４は、ガラスを主成分とし、抵抗体１３を覆うように形成されている。また、この第１の保護膜１４は、絶縁基板１１の幅方向の一方の側部１１ａから他方の側部１１ｂに至るまで全面に、すなわち、絶縁基板１１の幅と同一の幅になるように形成されている。さらに、第１の保護膜１４は、絶縁基板１１の長さより短くなり、一対の上面電極１２の一部は第１の保護膜１４から露出している。一方、抵抗体１３は絶縁基板１１の幅方向の一方の側部１１ａ、他方の側部１１ｂから離れて形成され、第１の保護膜１４の幅、絶縁基板１１の幅より狭い幅で形成されている。ここで、幅とは電流が流れる方向と直交する方向での寸法を示す。
【００１９】
さらにまた、前記トリミング溝１５は、抵抗体１３にレーザ照射することによりＬ字状、あるいは直線状、Ｊ字状に形成されたもので、これにより、抵抗体１３の抵抗値が修正される。このとき、第１の保護膜１４も同時にレーザで切削される。なお、場合によっては、トリミング溝１５は形成しなくてもよい。
【００２０】
そして、前記第２の保護膜１６は、一対の上面電極１２の一部、抵抗体１３および第１の保護膜１４の全体を覆うように、エポキシ樹脂により形成されている。したがって、第２の保護膜１６も、絶縁基板１１の幅と同一の幅になるように形成されている。
【００２１】
また、前記一対の端面電極１７は、絶縁基板１１の両端面に設けられ、一対の上面電極１２、抵抗体１３の上面と電気的に接続されるように、Ａｇと樹脂からなる材料を印刷することによって形成される。
【００２２】
さらに、この一対の端面電極１７の表面には、Ｎｉめっき層、Ｓｎめっき層からなるめっき層１９が形成されている。
【００２３】
そして、前記溝部１８は、第１の保護膜１４の第２の保護膜１６に覆われている箇所において、抵抗体１３と絶縁基板１１の幅方向の一方の側部１１ａとの間および絶縁基板１１の他方の側部１１ｂとの間にそれぞれ直線状に形成されている。また、溝部１８はレーザ照射によって形成し、かつ抵抗値が変動しないように抵抗体１３を切削しないようし、そして、第１の保護膜１４のみを切削する。
【００２４】
なお、図２では、抵抗体１３と一方の側部１１ａとの間に１つ、抵抗体１３と他方の側部１１ｂとの間に１つの計２つの溝部１８を形成したが、いずれか一方に１つを形成してもよいし、抵抗体１３と一方の側部１１ａとの間、抵抗体１３と他方の側部１１ｂとの間にそれぞれ複数の溝部１８を形成してもよい。なお、溝部１８の形状は直線状に限定されない。
【００２５】
次に、本発明の一実施の形態におけるチップ抵抗器の製造方法について、図１、図２を参照しながら説明する。
【００２６】
なお、一般に、生産性を向上させるために、複数のチップ抵抗器に相当する領域を有するシート状の絶縁基板を用いるが、ここでは説明を簡単にするために１つのチップ抵抗器について説明する。
【００２７】
まず、絶縁基板１１の上面の両端部において、ガラスフリットが含有されたＣｕからなる厚膜材料を印刷、焼成して一対の上面電極１２を設ける。
【００２８】
次に、一対の上面電極１２間を電気的に接続するように、ＣｕＮｉからなる抵抗ペーストを絶縁基板１１の上に印刷し、焼成することにより抵抗体１３を形成する。
【００２９】
次に、抵抗体１３を覆うように、ガラスを主成分とするペーストを印刷、焼成して第１の保護膜１４を形成する。このとき、第１の保護膜１４の幅を絶縁基板１１の幅と同一にする。
【００３０】
次に、一対の上面電極１２に抵抗値測定用のプローブを当接し、抵抗体１３の抵抗値を測定しながら、レーザを照射してトリミング溝１５を形成し、抵抗体１３が所定の抵抗値になるように抵抗値修正する。このとき、同時に第１の保護膜１４も切削する。
【００３１】
次に、抵抗体１３と絶縁基板１１の幅方向の一方の側部１１ａとの間、および他方の側部１１ｂとの間にそれぞれ直線状にレーザを照射することによって、溝部１８を形成する。
【００３２】
次に、一対の上面電極１２の一部、第１の保護膜１４の全面を覆い、溝部１８内に入り込むようにエポキシ樹脂ペーストを印刷し、焼成することにより第２の保護膜１６を形成する。このとき、第２の保護膜１６の幅を絶縁基板１１の幅と同一にする。
【００３３】
次に、絶縁基板１１の両端面に、露出した一対の上面電極１２と電気的に接続されるようにＡｇと樹脂からなる材料を印刷し、一対の端面電極１７を形成する。
【００３４】
最後に、露出した一対の上面電極１２の一部、一対の端面電極１７の表面に、Ｃｕめっき層、Ｎｉめっき層、Ｓｎめっき層を形成することによりめっき層１９を構成する。
【００３５】
上記したように本発明の一実施の形態においては、第１の保護膜１４を絶縁基板１１の幅と同一の幅に形成し、抵抗体１３と絶縁基板１１の幅方向の側部１１ａ、１１ｂとの間に位置する第１の保護膜１４に溝部１８を設けているため、第１の保護膜１４の溝部１８内に第２の保護膜１６が入り込み、これにより、アンカー効果が生じるため、第１の保護膜１４と第２の保護膜１６との密着性が向上し、この結果、工程の途中などの衝撃で第２の保護膜１６が欠けたり割れたりしにくくなり、歩留まりが向上するという効果が得られるものである。
【００３６】
すなわち、第１の保護膜１４はガラスで構成されているためその表面が平滑であり、そのため、第２の保護膜１６と第１の保護膜１４との密着性が悪いが、溝部１８内に第２の保護膜１６が入り込み、そして第２の保護膜１６全体を焼成して一体的に硬化することによって、第１の保護膜１４に第２の保護膜１６が食い込んでアンカー効果が生じるようにし、第２の保護膜１６と第１の保護膜１４との密着性を向上させている。
【００３７】
そして、トリミング溝１５を形成する場合は、トリミング溝１５内に第２の保護膜１６が入り込むことができるため、アンカー効果が生じて密着性が向上するが、最も欠けや割れが発生し易い第２の保護膜１６の周縁部、特に４隅の角張った箇所でのアンカー効果は生じなくなる。したがって、図２に示すように、溝部１８を第１の保護膜１４の４隅近傍に形成すれば、より効果的に密着性を向上させることができる。
【００３８】
また、溝部１８をレーザで形成する場合、トリミング溝１５を形成するために使用したレーザをそのままの条件で続けて使用すれば、生産性が向上する。
【００３９】
さらに、アンカー効果を生じさせて、第２の保護膜１６と第１の保護膜１４との密着性を向上させるために、第１の保護膜１４の表面を粗面化してもよい。そのための方法として、第１の保護膜１４の焼成後にサンドブラスト処理する等の方法がある。
【００４０】
そして、第１の保護膜１４の表面を粗面化させる別の方法として、第１の保護膜１４を融点が高いガラス成分と融点が低いガラス成分を混合させて構成し、融点が高いガラス成分の融点と、融点が低いガラス成分の融点の間の温度で焼成する方法がある。このとき、融点が低いガラス成分が溶融して形成された第１の保護膜１４の表面のところどころに、溶融していない融点が高いガラス成分が露出し、これによって、第１の保護膜１４の表面を粗面化することができる。
【産業上の利用可能性】
【００４１】
本発明に係るチップ抵抗器は、歩留まりを向上させることができるという効果を有するものであり、特に、各種電子機器に使用されるチップ抵抗器等において有用となるものである。
【符号の説明】
【００４２】
１１  絶縁基板
１２  一対の上面電極
１３  抵抗体
１４  第１の保護膜
１６  第２の保護膜
１８  溝部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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