(57)【要約】【課題】新規な構造で、電磁ノイズから半導体チップを遮断する。【解決手段】封止樹脂４００は、半導体チップ２００の第３面２０２の上方に凸部４１０を有している。封止樹脂４００は、透光性を有している。シールド樹脂５００は、凸部４１０の上面が露出した状態で封止樹脂４００の表面を封止している。シールド樹脂５００は、遮光性及び導電性を有している。配線基板１００は、第１面１０２にシールド電極１３４を有している。シールド電極１３４は、封止樹脂４００の側面から露出する側面を有している。シールド電極１３４のこの側面は、封止樹脂４００の側面と同一面を形成し、かつシールド樹脂５００に接している。これにより、シールド電極１３４は、シールド樹脂５００に電気的に接続している。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線基板と、
前記配線基板に搭載され、前記配線基板とは逆側の面に光電変換部を有する半導体チップと、
前記半導体チップを封止し、透光性を有する封止樹脂と、
前記封止樹脂の表面を封止し、遮光性及び導電性を有するシールド樹脂と、
前記シールド樹脂に形成され、前記配線基板に垂直な方向から見た場合に少なくとも一部が前記光電変換部と重なる開口と、
前記配線基板に設けられ、前記シールド樹脂に電気的に接続している第１電極と、
を備える半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記第１電極は、
前記配線基板のうち前記半導体チップ側を向いている第１面に形成されており、かつ
前記封止樹脂の側面から露出する側面を有しており、
前記第１電極の前記側面は、前記封止樹脂の前記側面と同一面を形成し、かつ前記シールド樹脂に接している半導体装置。
【請求項３】
請求項２に記載の半導体装置において、
前記配線基板は、前記第１電極の前記側面と前記同一面を形成している面を側面に有しており、
前記シールド樹脂は、前記同一面に沿って形成されている第１部分を有しており、
前記配線基板の厚さ方向において、前記シールド樹脂の前記第１部分の下端は、前記配線基板の前記第１面よりも下に位置する半導体装置。
【請求項４】
請求項３に記載の半導体装置において、
前記配線基板は、前記側面に凸部を有しており、
前記配線基板の厚さ方向において、前記シールド樹脂の前記第１部分の前記下端は、前記凸部に達している半導体装置。
【請求項５】
請求項２〜４のいずれか一項に記載の半導体装置において、
前記配線基板のうち前記第１面とは逆側に位置する第２面に形成され、前記第１電極と電気的に接続している外部接続電極を備え、
前記配線基板に垂直な方向から見た場合、前記外部接続電極は、前記半導体チップの少なくとも一部と重なる半導体装置。
【請求項６】
請求項５に記載の半導体装置において、
前記配線基板に垂直な方向から見た場合、前記外部接続電極は、前記半導体チップを内側に含む半導体装置。
【請求項７】
半導体装置と、
前記半導体装置を実装している実装基板と、
を備え、
前記半導体装置は、
配線基板と、
前記配線基板に搭載され、前記配線基板とは逆側の面に光電変換部を有する半導体チップと、
前記半導体チップを封止し、透光性を有する封止樹脂と、
前記封止樹脂の表面を封止し、遮光性及び導電性を有するシールド樹脂と、
前記シールド樹脂に形成され、前記配線基板に垂直な方向から見た場合に少なくとも一部が前記光電変換部と重なる開口と、
前記配線基板に設けられ、前記シールド樹脂に電気的に接続している第１電極と、
を備える電子装置。
【請求項８】
請求項７に記載の電子装置において、
前記配線基板は、前記配線基板のうち前記半導体チップとは逆側の面が前記実装基板の表面に対向する向きに前記実装基板に搭載されている電子装置。
【請求項９】
請求項７に記載の電子装置において、
前記配線基板は、前記配線基板のうち前記半導体チップとは逆側の面が前記実装基板の表面に交わる向きに前記実装基板に搭載されている電子装置。
【請求項１０】
請求項９に記載の電子装置において、
前記封止樹脂と前記実装基板は、前記シールド樹脂を介さず互いに対向している電子装置。
【請求項１１】
第１電極を有する配線基板、及び光電変換部を有する半導体チップを準備する工程と、
前記半導体チップのうち前記光電変換部とは逆側の面が前記配線基板と対向する向きに前記半導体チップを前記配線基板に搭載する工程と、
透光性を有する封止樹脂で前記半導体チップを封止する工程と、
前記第１電極の一部が除去されるように前記封止樹脂に溝を形成することにより、前記第１電極の表面の一部を前記封止樹脂から露出させる工程と、
遮光性及び導電性を有するシールド樹脂を前記溝に充填する工程と、
前記シールド樹脂を充填した後、前記溝に沿って前記配線基板を個片化する工程と、
を備える半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記配線基板は、前記配線基板のうち前記半導体チップ側を向いている第１面に、前記第１電極を有しており、
前記溝を形成する工程では、前記配線基板の厚さ方向において、前記溝の下端を前記配線基板の前記第１面よりも下に位置させる半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載の半導体装置の製造方法において、
前記溝を形成する工程では、前記配線基板の厚さ方向において、前記溝の下端を、前記配線基板のうち前記第１面の逆側に位置する第２面よりも上に位置させる半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
請求項１１〜１３のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記半導体チップを前記配線基板に搭載する工程では、互いに隣り合う２つの前記半導体チップを前記配線基板に搭載し、
前記溝を形成する工程では、前記２つの半導体チップの間に前記溝を形成せず、
前記配線基板を個片化する工程では、前記配線基板を、前記２つの半導体チップの一方を含む単位と前記２つの半導体チップの他方を含む単位に個片化する半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置、電子装置、及び半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一部の半導体装置では、半導体チップが発光素子（例えば、ＬＥＤ：Ｌｉｇｈｔ−Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）又は受光素子（例えば、フォトダイオード）を有している。このような半導体装置では、半導体チップを外部の領域から遮断するために半導体チップを封止する必要がある。
【０００３】
特許文献１には、受光素子を有する半導体チップを封止する方法の一例が記載されている。この例では、配線基板に搭載された半導体チップが封止樹脂で封止されている。さらに、配線基板には、成型された樹脂枠が搭載されている。この樹脂枠は、封止樹脂を覆っており、絶縁性樹脂枠及び導電性樹脂枠を含んでいる。絶縁性樹脂枠は、平面視で封止樹脂を囲んでいる。導電性樹脂枠は、絶縁性樹脂枠が囲む領域を覆っており、一部が絶縁性樹脂枠の外側面を覆っている。そして導電性樹脂枠は、半導体チップの上方に開口を有している。
【０００４】
特許文献２には、受光素子を有する半導体チップを封止する方法の一例が記載されている。この例では、配線基板に搭載された半導体チップが透光性の封止樹脂で封止されている。封止樹脂は、半導体チップの上方に凸部を有している。封止樹脂の表面は、凸部の上面が露出されるように遮光性樹脂で封止されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平８−１６７７２４号公報
【特許文献２】特開２０１４−９９４６８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
発光素子及び受光素子の少なくとも一方を有する半導体チップでは、電磁ノイズから半導体チップを遮断する必要がある。本発明者は、新規な構造で、電磁ノイズから半導体チップを遮断することを検討した。
【０００７】
本発明が解決しようとする課題としては、新規な構造で、電磁ノイズから半導体チップを遮断することが一例として挙げられる。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
請求項１に記載の発明は、
配線基板と、
前記配線基板に搭載され、前記配線基板とは逆側の面に光電変換部を有する半導体チップと、
前記半導体チップを封止し、透光性を有する封止樹脂と、
前記封止樹脂の表面を封止し、遮光性及び導電性を有するシールド樹脂と、
前記シールド樹脂に形成され、前記配線基板に垂直な方向から見た場合に少なくとも一部が前記光電変換部と重なる開口と、
前記配線基板に設けられ、前記シールド樹脂に電気的に接続している第１電極と、
を備える半導体装置である。
【０００９】
請求項７に記載の発明は、
半導体装置と、
前記半導体装置を実装している実装基板と、
を備え、
前記半導体装置は、
配線基板と、
前記配線基板に搭載され、前記配線基板とは逆側の面に光電変換部を有する半導体チップと、
前記半導体チップを封止し、透光性を有する封止樹脂と、
前記封止樹脂の表面を封止し、遮光性及び導電性を有するシールド樹脂と、
前記シールド樹脂に形成され、前記配線基板に垂直な方向から見た場合に少なくとも一部が前記光電変換部と重なる開口と、
前記配線基板に設けられ、前記シールド樹脂に電気的に接続している第１電極と、
を備える電子装置である。
【００１０】
請求項１１に記載の発明は、
第１電極を有する配線基板、及び光電変換部を有する半導体チップを準備する工程と、
前記半導体チップのうち前記光電変換部とは逆側の面が前記配線基板と対向する向きに前記半導体チップを前記配線基板に搭載する工程と、
透光性を有する封止樹脂で前記半導体チップを封止する工程と、
前記第１電極の一部が除去されるように前記封止樹脂に溝を形成することにより、前記第１電極の表面の一部を前記封止樹脂から露出させる工程と、
遮光性及び導電性を有するシールド樹脂を前記溝に充填する工程と、
前記シールド樹脂を充填した後、前記溝に沿って前記配線基板を個片化する工程と、
を備える半導体装置の製造方法である。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】実施形態に係る半導体装置の構成を示す断面図である。
【図２】図１に示した半導体装置の構成を示す上面図である。
【図３】図１に示した半導体装置の構成を示す下面図である。
【図４】図１に示した半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図５】図１に示した半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図６】図１に示した半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図７】図１に示した半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図８】図１に示した半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図９】図１に示した半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図１０】図１に示した半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図１１】図１に示した半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図１２】図１に示した半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図１３】図１に示した半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図１４】図１に示した半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図１５】図１に示した半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図１６】図１に示した半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図１７】図１に示した半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図１８】図１に示した半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図１９】図１の変形例を示す図である。
【図２０】図１９に示した半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図２１】図１９に示した半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図２２】図１９に示した半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図２３】実施例１に係る半導体装置の構成を示す断面図である。
【図２４】図２３に示した半導体装置の構成を示す上面図である。
【図２５】図２３に示した半導体装置の構成を示す下面図である。
【図２６】実施例２に係る電子装置の構成を示す断面図である。
【図２７】実施例３に係る電子装置の構成を示す断面図である。
【図２８】図２７に示した電子装置に用いられる配線基板の下面図である。
【図２９】図２７に示した電子装置の製造方法を説明するための図である。
【図３０】図２７に示した電子装置の製造方法を説明するための図である。
【図３１】図２７に示した電子装置の製造方法を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
【００１３】
図１は、実施形態に係る半導体装置の構成を示す断面図である。この半導体装置は、配線基板１００、半導体チップ２００、ボンディングワイヤ３００、封止樹脂４００、及びシールド樹脂５００を備えている。
【００１４】
半導体チップ２００は、配線基板１００の第１面１０２に搭載されている。半導体チップ２００は、裏面（第４面２０４）が配線基板１００の第１面１０２に対向する向きに搭載されている。本図に示す例では、半導体チップ２００は、ダイパッド１２０上に配置されている。半導体チップ２００の第４面２０４は、例えば銀ペーストによってダイパッド１２０に固定されている。
【００１５】
半導体チップ２００は、裏面（第４面２０４）とは逆側の面である第３面２０２（能動面）側に光電変換部を有している。これにより、半導体チップ２００は、光信号（例えば、可視光、赤外線、又は紫外線）を電気信号に変換することができ、又は電気信号を光信号に変換することができる。具体的には、光電変換部は、受光素子（例えば、フォトダイオード）及び発光素子（例えば、ＬＥＤ：Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）の少なくとも一方を有している。これらの素子は、例えば、半導体チップ２００に用いられる基板（例えば、シリコン基板）を用いて形成されている。
【００１６】
半導体チップ２００は、第３面２０２に光学面２１０を有している。半導体チップ２００が受光素子として機能する場合、光信号は、光学面２１０を介して半導体チップ２００（光電変換部）に入力される。一方、半導体チップ２００が発光素子として機能する場合、光信号は、光学面２１０を介して半導体チップ２００（光電変換部）から出力される。
【００１７】
封止樹脂４００は、半導体チップ２００及び配線基板１００の第１面１０２を封止している。封止樹脂４００は、透光性を有する樹脂（例えば、エポキシ樹脂又はシリコン樹脂）を用いて形成されている。これにより、半導体チップ２００に入力される光信号及び半導体チップ２００から出力される光信号は、封止樹脂４００を透過することができる。
【００１８】
封止樹脂４００は、半導体チップ２００の第３面２０２（光学面２１０）の上方に凸部４１０を有している。凸部４１０の上面は、シールド樹脂５００（詳細は後述）によって覆われておらず、露出している。言い換えると、シールド樹脂５００は、凸部４１０が位置する領域において、開口を有している。この開口は、平面視において、少なくとも一部が半導体チップ２００の光学面２１０と重なっている。これにより、封止樹脂４００の外側からの光信号は、凸部４１０から封止樹脂４００の内側に入り込むことができる。一方、封止樹脂４００の内側からの光信号は、凸部４１０から封止樹脂４００の外側に出ることができる。なお、本図に示す例において、凸部４１０の上面は平坦である。そして凸部４１０の側面は、上側に向かうにつれて凸部４１０の幅が狭くなる方向に傾斜している。さらに、凸部４１０の上面は、シールド樹脂５００の上面と同一面を形成している。
【００１９】
シールド樹脂５００は、凸部４１０の上面が露出した状態で封止樹脂４００の表面を封止している。詳細には、シールド樹脂５００は、凸部４１０の側面、封止樹脂４００の上面、及び封止樹脂４００の側面を封止している。シールド樹脂５００は、遮光性を有している。これにより、シールド樹脂５００の外側からの光信号は、シールド樹脂５００によって遮断される。さらに、シールド樹脂５００は、導電性を有している。これにより、外部からの電磁ノイズがシールド樹脂５００を流れることができる。言い換えると、シールド樹脂５００は、外部からの電磁ノイズが半導体チップ２００（特に、光学面２１０）に入り込むことを抑制している。なお、シールド樹脂５００は、例えば、遮光性を有する樹脂（例えば、エポキシ樹脂又はシリコン樹脂）に導電性フィラー（例えば、カーボン）を分散させることで形成されている。
【００２０】
本図に示す例において、配線基板１００は、コア層１１０を用いて形成されている。コア層１１０は、絶縁層であり、例えば樹脂（より具体的には、例えばエポキシ樹脂）を用いて形成されている。配線基板１００（コア層１１０）は、第１面１０２に、ダイパッド１２０及び複数の電極１３０を有している。さらに、配線基板１００は、第１面１０２とは逆側の面である第２面１０４（裏面）に、複数の外部接続電極１４０を有している。詳細を後述するように、複数の電極１３０は、互いに異なる外部接続電極１４０に電気的に接続している。
【００２１】
本図に示す例では、電極１３０及び外部接続電極１４０は、金属層１５０（例えば、Ｃｕ層）、金属層１６０（例えば、Ａｕ層）、及び絶縁部材１７０（例えば、エポキシ樹脂）を用いて、一体として形成されている。詳細には、コア層１１０に形成されたスルーホールの内壁に金属層１５０の一部（ホール部分）が形成されている。このスルーホールには、絶縁部材１７０の一部が埋め込まれている。絶縁部材１７０は、上端がスルーホールの上端（第１面１０２）から上側に突出し、かつ下端がスルーホールの下端（第２面１０４）から下側に突出している。絶縁部材１７０の上端は、金属層１５０の一部によって覆われている。金属層１５０のこの一部には、金属層１６０が積層している。絶縁部材１７０の下端は、金属層１５０の一部によって覆われている。金属層１５０のこの一部には、金属層１６０が積層している。このように、金属層１５０は、スルーホールの上端（第１面１０２）よりも上側に位置する部分（上側部分）が電極１３０の一部となり、かつスルーホールの下端（第２面１０４）よりも下側に位置する部分（下側部分）が外部接続電極１４０の一部となっている。そして金属層１５０のこれら上側部分及び下側部分は、金属層１５０の上記したホール部分を介して繋がっている。これにより、電極１３０及び外部接続電極１４０は、電気的に互いに接続している。
【００２２】
さらに、本図に示す例では、ダイパッド１２０は、金属層１５０及び金属層１６０を用いて形成されている。詳細には、ダイパッド１２０では、金属層１５０及び金属層１６０がこの順で積層している。
【００２３】
一部の電極１３０は、接続電極１３２であり、ボンディングワイヤ３００を介して半導体チップ２００に電気的に接続している。一方、他の一部の電極１３０は、シールド電極１３４（第１電極）であり、詳細を後述するようにシールド樹脂５００に電気的に接続している。シールド電極１３４は、半導体チップ２００から電気的に分離している。本図に示す例では、シールド電極１３４には、半導体チップ２００に電気的に接続する部材（例えば、ボンディングワイヤ）が取り付けられていない。
【００２４】
本図に示すように、シールド電極１３４は、封止樹脂４００の側面から露出する側面を有している。シールド電極１３４のこの側面は、封止樹脂４００の側面と同一面を形成し、かつシールド樹脂５００に接している。これにより、シールド電極１３４は、シールド樹脂５００に電気的に接続している。そしてシールド電極１３４は、外部接続電極１４０（シールド外部接続電極１４４）に電気的に接続している。これにより、外部からの電磁ノイズは、シールド樹脂５００及びシールド電極１３４を介して、シールド外部接続電極１４４に流れることができる。
【００２５】
本図に示す例において、配線基板１００は、シールド電極１３４の上記した側面（封止樹脂４００の側面から露出している側面）と同一面を形成している面を側面に有している。さらに、シールド樹脂５００は、一部（第１部分）が上記した同一面に沿って形成されている。配線基板１００の厚さ方向において、シールド樹脂５００のこの第１部分の下端は、配線基板１００の第１面１０２よりも下に位置している。
【００２６】
本図に示す例において、配線基板１００は、側面に凸部１１２を有している。シールド樹脂５００の上記した第１部分の下端は、凸部１１２に達している。なお、本図に示す例において、凸部１１２は、配線基板１００の厚さ方向で下側に向かうにつれて配線基板１００の幅が広がる方向に傾斜する傾斜面を有している。さらに、凸部１１２は、下側の端面が配線基板１００の第２面１０４と同一面を形成している。さらに、凸部１１２は、上面がシールド樹脂５００の表面と同一面を形成している。
【００２７】
図２は、図１に示した半導体装置の構成を示す上面図である。図３は、図１に示した半導体装置の構成を示す下面図である。図２に示すように、配線基板１００は、第１面１０２に、ダイパッド１２０及び複数の電極１３０を有している。ダイパッド１２０は、配線基板１００の中心に位置している。複数の電極１３０は、ダイパッド１２０の周囲に位置している。図３に示すように、配線基板１００は、第２面１０４に複数の外部接続電極１４０を有している。
【００２８】
図２に示すように、配線基板１００の平面形状及び半導体チップ２００の平面形状は、いずれも矩形である。そして平面視において、配線基板１００と半導体チップ２００は、中心が重なっている。なお、本図に示す例では、光学面２１０の平面形状も矩形である。そして光学面２１０は、中心が半導体チップ２００の中心と重なっている。
【００２９】
本図に示す例において、複数の電極１３０は、配線基板１００の縁に沿って配置されている。詳細には、本図に示す例において、配線基板１００は、５つの電極１３０を有している。そして５つの電極１３０のうち３つの電極１３０（接続電極１３２）は、配線基板１００（矩形）の第１辺に沿って配置されている。そして５つの電極１３０のうち２つの電極１３０（シールド電極１３４）は、配線基板１００のうち第１辺に対向する第２辺に沿って配置されている。ただし、複数の電極１３０の平面レイアウトは、本図に示す例に限定されるものではない。なお、本図に示す例において、複数の電極１３０は、平面形状がいずれも矩形である。
【００３０】
３つの接続電極１３２は、１つが電源電位供給用の電極であり、もう１つが接地電位供給用の電極であり、残りの１つが信号入出力用の電極である。本図に示す例では、接地電位供給用の接続電極１３２が配線１２２を介してダイパッド１２０と電気的に接続している。接地電極用の接続電極１３２は、ダイパッド１２０及び配線１２２と一体として形成されている。なお、これら３つの接続電極１３２は、例えば、接地電位供給用の電極、電源電位供給用の電極、及び信号入出力用の電極の順で並んでいる。
【００３１】
接続電極１３２は、ボンディングワイヤ３００を介して半導体チップ２００のパッド２２０に電気的に接続している。これに対して、シールド電極１３４は、半導体チップ２００から電気的に分離されている。本図に示す例では、シールド電極１３４には、半導体チップ２００に電気的に接続する部材（例えば、ボンディングワイヤ）が取り付けられていない。一方、シールド電極１３４は、縁の一部がシールド樹脂５００に接している。これにより、シールド電極１３４は、シールド樹脂５００に電気的に接続している。
【００３２】
図３に示すように、複数の外部接続電極１４０は、配線基板１００の縁に沿って配置されている。図１〜図３に示す例では、複数の外部接続電極１４０は、コア層１１０を介して互いに異なる電極１３０に対向するように配置されている。
【００３３】
図４〜図１８の各図は、図１に示した半導体装置の製造方法を説明するための図である。まず、図４に示すように、配線基板１００を準備する。本図に示す例において、配線基板１００は、コア層１１０（例えば、樹脂層）の両面それぞれに金属層１５０（例えば、Ｃｕ層）を有している。
【００３４】
次いで、図５に示すように、配線基板１００にスルーホール１１４を形成する。スルーホール１１４が形成された領域には、後述する工程で、電極１３０及び外部接続電極１４０（図１）が形成される。
【００３５】
次いで、図６に示すように、配線基板１００に金属メッキ（例えば、Ｃｕメッキ）を行う。これにより、スルーホール１１４の内壁に金属層１５０が形成される。さらに、コア層１１０の両面それぞれでは、金属層１５０の膜厚が増加する。
【００３６】
次いで、図７に示すように、スルーホール１１４に絶縁部材１７０を埋め込む。本図に示す例では、絶縁部材１７０の上面は、配線基板１００の上面と同一面を形成している。同様にして、絶縁部材１７０の下面は、配線基板１００の下面と同一面を形成している。絶縁部材１７０は、例えば、次のようにして形成される。まず、液状又はゲル状の絶縁材料（例えば、エポキシインク）をスルーホール１１４に埋め込む。次いで、この材料を乾燥させることで、この材料を固化する。次いで、この材料のうちスルーホール１１４からはみ出ている部分を研磨する。これにより、この材料の上面及び下面は、それぞれ、配線基板１００の上面及び下面と同一面を形成するようになる。このようにして、本図に示すように絶縁部材１７０が形成される。
【００３７】
次いで、図８に示すように、配線基板１００に金属メッキ（例えば、Ｃｕメッキ）を行う。これにより、絶縁部材１７０の上面及び下面が金属層１５０によって覆われる。さらに、コア層１１０の両面それぞれでは、金属層１５０の膜厚が増加する。
【００３８】
次いで、図９に示すように、配線基板１００の上面の一部の領域及び配線基板１００の下面の一部の領域をマスク膜７１０（例えば、レジスト膜）で覆う。本図に示す例では、ダイパッド１２０（図１）が形成される領域（ダイパッド領域）、電極１３０（図１）が形成される領域、及び外部接続電極１４０（図１）が形成される領域をマスク膜７１０が覆っている。さらに、本図に示す例では、シールド電極１３４（図１）が形成される領域を覆うマスク膜７１０は、シールド外部接続電極１４４（図１）が形成される領域を覆うマスク膜７１０よりも、ダイパッド領域から遠くに達している。
【００３９】
次いで、図１０に示すように、マスク膜７１０をマスクとして金属層１５０をエッチングする。これにより、ダイパッド１２０（図１）の一部となるパターン、電極１３０（図１）の一部となるパターン、及び外部接続電極１４０（図１）の一部となるパターンが形成される。次いで、マスク膜７１０を除去する。
【００４０】
次いで、図１１に示すように、金属層１５０に金属めっき（例えば、Ａｕメッキ）を行う。これにより、金属層１５０に金属層１６０が積層する。そしてダイパッド１２０、電極１３０、及び外部接続電極１４０が形成される。
【００４１】
次いで、図１２に示すように、半導体チップ２００をダイパッド１２０に搭載する。半導体チップ２００は、例えば銀ペーストによってダイパッド１２０に固定される。
【００４２】
次いで、図１３に示すように、ボンディングワイヤ３００を用いて配線基板１００と半導体チップ２００を接続する。
【００４３】
次いで、図１４に示すように、封止樹脂４００で半導体チップ２００及び配線基板１００の第１面１０２を封止する。
【００４４】
次いで、図１５に示すように、ダイシングブレード７２２を用いて封止樹脂４００の上面に凹部４２０を形成する。これにより、半導体チップ２００の第３面２０２の上方において封止樹脂４００に凸部４１０が形成される。なお、本図に示す例では、ダイシングブレード７２２は、先端に向かうにつれて幅が狭くなっている。これにより、凸部４１０の側面は、上側に向かうにつれて凸部４１０の幅が狭くなる方向に傾斜している。
【００４５】
次いで、図１６に示すように、ダイシングブレード７２４を用いて封止樹脂４００の凹部４２０の底面に溝４３０を形成する。溝４３０を形成する際、ダイシングブレード７２４は、シールド電極１３４の一部を除去する。これにより、シールド電極１３４の表面の一部が封止樹脂４００の表面から露出する。そしてシールド電極１３４のこの一部は、封止樹脂４００の表面と同一面を形成するようになる。なお、接続電極１３２は溝４３０から離間している。このため、接続電極１３２がダイシングブレード７２４によって除去されることはない。
【００４６】
本図に示す例では、ダイシングブレード７２４の先端は、封止樹脂４００を貫通する。そしてダイシングブレード７２４の先端は、配線基板１００の第１面１０２よりも下、かつ配線基板１００の第２面１０４よりも上に達する。言い換えると、ダイシングブレード７２４の先端は、配線基板１００を貫通しない。これにより、溝４３０の下端の下方には、配線基板１００の一部が残る。配線基板１００のこの一部は、配線基板１００を個片化する工程（詳細は後述）で、凸部１１２（図１）となる。なお、本図に示す例では、ダイシングブレード７２４は、先端に向かうにつれて幅が狭くなっている。これにより、溝４３０の下端の側面は、下側に向かうにつれて溝４３０の幅が狭くなる方向に傾斜している。
【００４７】
次いで、図１７に示すように、封止樹脂４００の凹部４２０及び封止樹脂４００の溝４３０にシールド樹脂５００を充填する。上記したように、シールド電極１３４は、一部が封止樹脂４００の表面から露出している。これにより、シールド電極１３４のこの一部は、シールド樹脂５００と接することができる。なお、シールド樹脂５００を充填する際、シールド樹脂５００が封止樹脂４００の凸部４１０の上面を覆わないようにする。
【００４８】
シールド樹脂５００は、例えば、次のようにして充填される。まず、液状又はゲル状の樹脂を凹部４２０及び溝４３０に充填する。この場合、この樹脂が凸部４１０の上面と同一面を形成するようにする。次いで、この樹脂を加熱する。これにより、この樹脂が硬化する。このようにして、本図に示すように、凸部４１０の上面が露出するように凹部４２０及び溝４３０にシールド樹脂５００が充填される。
【００４９】
次いで、図１８に示すように、ダイシングブレード７２６を用いて溝４３０に沿って配線基板１００を個片化する。これにより、図１に示した半導体装置が製造される。なお、この場合、配線基板１００は、図１６に示した工程で溝４３０の下端の下方に残った部分が凸部１１２となる。なお、本図に示す例では、シールド樹脂５００の側面及び凸部１１２の上面は、ダイシングブレード７２６の側面に沿って形成される。このため、シールド樹脂５００の側面及び凸部１１２の上面は、同一面を形成している。
【００５０】
図１９は、図１の変形例を示す図である。本変形例に係る半導体装置は、以下の点を除いて、実施形態に係る半導体装置と同様の構成である。本図に示す例において、シールド樹脂５００は、半導体チップ２００の上方において開口を有している。そしてシールド樹脂５００のこの開口には、封止樹脂４００は入り込んでいない。言い換えると、本図に示す例において、封止樹脂４００は、凸部４１０（図１）を有していない。
【００５１】
図２０〜図２２の各図は、図１９に示した半導体装置の製造方法を説明するための図である。まず、実施形態と同様にして、図４〜図１４に示した工程を行う。
【００５２】
次いで、図２０に示すように、半導体チップ２００の上方にマスク膜７１２（例えば、レジスト膜）を形成する。
【００５３】
次いで、図２１に示すように、ダイシングブレード７２４を用いて封止樹脂４００に溝４３０を形成する。図１６に示した例と同様にして、溝４３０を形成する際、ダイシングブレード７２４は、シールド電極１３４の一部を除去する。これにより、シールド電極１３４の表面の一部が封止樹脂４００の表面から露出する。
【００５４】
次いで、図２２に示すように、溝４３０（図２１）をシールド樹脂５００で埋め込むとともに、封止樹脂４００の上面をシールド樹脂５００で封止する。この場合、半導体チップ２００の上方には、マスク膜７１２が位置する。このため、マスク膜７１２が位置する領域では、封止樹脂４００の上面は、シールド樹脂５００で封止されない。
【００５５】
次いで、マスク膜７１２を除去する。これにより、シールド樹脂５００は、半導体チップ２００の上方において開口を有するようになる。次いで、図１８に示した例と同様にして、配線基板１００を個片化する。これにより、図１９に示した半導体装置が製造される。
【００５６】
以上、本実施形態によれば、シールド樹脂５００は、導電性を有している。シールド電極１３４は、シールド樹脂５００に電気的に接続している。これにより、外部からの電磁ノイズは、シールド樹脂５００を介してシールド電極１３４に流れることができる。これにより、このノイズが半導体チップ２００に入り込むことが抑制される。
【実施例】
【００５７】
（実施例１）
図２３は、実施例１に係る半導体装置の構成を示す断面図であり、実施形態の図１に対応する。図２４は、図２３に示した半導体装置の構成を示す上面図であり、実施形態の図２に対応する。図２５は、図２３に示した半導体装置の構成を示す下面図であり、実施形態の図３に対応する。本実施例に係る半導体装置は、以下の点を除いて、実施形態に係る半導体装置の構成と同様である。
【００５８】
図２５に示すように、平面視において、シールド外部接続電極１４４は、半導体チップ２００を内側に含んでいる。ただし、平面視において、シールド外部接続電極１４４は、半導体チップ２００の一部のみと重なっていてもよい。シールド外部接続電極１４４は、シールド樹脂５００に電気的に接続している。これにより、本図に示す例においては、半導体チップ２００の裏面（第４面２０４）をシールド外部接続電極１４４によってシールドすることができる。
【００５９】
詳細には、図２５に示すように、配線基板１００には、シールド外部接続電極１４４が１つのみ設けられている。シールド外部接続電極１４４は、平面形状が矩形である。そして配線基板１００（矩形）の第１辺に沿って、３つの外部接続電極１４２が配置されている。シールド外部接続電極１４４は、３つの外部接続電極１４２が並んでいる方向から見た場合に３つの外部接続電極１４２とは重ならない領域のほぼ全体に設けられている。図２４に示すように、配線基板１００の第１面１０２には、２つのシールド電極１３４が設けられている。これら２つのシールド電極１３４は、同一の外部接続電極１４４（図２５）に電気的に接続している。なお、図２３に示す例では、シールド外部接続電極１４４は、一部が凸部１１２を介してシールド樹脂５００の下端の下方に位置している。
【００６０】
（実施例２）
図２６は、実施例２に係る電子装置の構成を示す断面図であり、実施形態の図１に対応する。本実施例に係る電子装置は、図１に示した半導体装置を搭載している実装基板６００を備えている。
【００６１】
本図に示す例では、配線基板１００は、実装基板６００の実装面（第５面６０２）に搭載されている。実装基板６００は、例えば、マザーボードである。本図に示す例では、実装基板６００は、実装基板６００の第５面６０２と配線基板１００の第２面１０４が対向する向き（具体的には、第５面６０２と第２面１０４が平行になる向き）に半導体装置を実装している。配線基板１００は、ハンダボール６１０を介して実装基板６００に固定されている。ハンダボール６１０は、外部接続電極１４０（外部接続電極１４２及びシールド外部接続電極１４４）に形成されている。このため、ハンダボール６１０を介してシールド外部接続電極１４４を接地することで、外部からの電磁ノイズをシールド樹脂５００、シールド電極１３４、シールド外部接続電極１４４、ハンダボール６１０、及び実装基板６００を介してグラウンドに流すことができる。
【００６２】
（実施例３）
図２７は、実施例３に係る電子装置の構成を示す断面図であり、実施例２の図２６に対応する。図２８は、図２７に示した電子装置に用いられる配線基板１００の下面図であり、実施例１の図２５に対応する。本実施例に係る電子装置は、以下の点を除いて、実施例２に係る電子装置の構成と同様である。
【００６３】
図２８に示すように、配線基板１００に垂直な方向から見た場合、シールド外部接続電極１４４は、半導体チップ２００を内側に含んでいる。そして図２７に示すように、実装基板６００は、実装基板６００の第５面６０２と配線基板１００の第２面１０４が交わる向き（具体的には、第５面６０２と第２面１０４が直交する向き）に半導体装置を搭載している。そして配線基板１００及び封止樹脂４００は、シールド樹脂５００を介さず実装基板６００に対向している。本実施例によれば、半導体チップ２００の裏面（第４面２０４）を実装基板６００で覆わなくても、半導体チップ２００の裏面（第４面２０４）をシールド外部接続電極１４４によってシールドすることができる。さらに、配線基板１００及び封止樹脂４００は、実装基板６００と対向する部分がシールド樹脂５００によって覆われていなくても、この部分は実装基板６００によってシールドすることができる。
【００６４】
図２８に示すように、配線基板１００は、第１辺に沿って配置された３つの外部接続電極１４２を有している。配線基板１００は、この第１辺に繋がる側面が実装基板６００に対向する向きに実装基板６００に搭載されている。これにより、実装基板６００の第５面６０２に近い位置に３つの外部接続電極１４２を配置させることができる。これにより、図２７に示すように、外部接続電極１４２は、ハンダフィレット６２０を介して実装基板６００に電気的に接続することができる。なお、本図に示す例では、ハンダフィレット６２０は、一部が外部接続電極１４２と第５面６０２の間に形成された空間に入り込んでいる。
【００６５】
図２８に示すように、配線基板１００は、第２面１０４（裏面）に外部接続電極１４６を有している。外部接続電極１４６は、上記した第１辺に沿って３つの外部接続電極１４２から離間して配置されている。３つの外部接続電極１４２及び外部接続電極１４６を介して実装基板６００の反対側には、シールド外部接続電極１４４が設けられている。シールド外部接続電極１４４は、配線１４８を介して外部接続電極１４６に電気的に接続している。外部接続電極１４６は、外部接続電極１４２と同様にして、実装基板６００の第５面６０２に近い位置に配置されている。これにより、外部接続電極１４２と同様にして、ハンダフィレットを介して外部接続電極１４６を実装基板６００に電気的に接続させることができる。このようにして、シールド外部接続電極１４４は、実装基板６００に電気的に接続する。
【００６６】
図２９〜図３１の各図は、図２７に示した電子装置の製造方法を説明するための図である。まず、図４〜図１５に示した工程を行う。ただし、本実施例では、互いに隣り合う２つの半導体チップ２００の一方に接続する各電極（接続電極１３２及びシールド電極１３４）と２つの半導体チップ２００の他方に接続する各電極（接続電極１３２及びシールド電極１３４）は、これら２つの半導体チップ２００の間を通過する直線に関して対称に配置されている。具体的には、接続電極１３２は、互いに隣り合う２つの半導体チップ２００の間に配置されている。これに対して、シールド電極１３４は、互いに隣り合う２つの半導体チップ２００の外側に配置されている。
【００６７】
次いで、図２９に示すように、ダイシングブレード７２４を用いて封止樹脂４００の凹部４２０の底面に溝４３０を形成する。本図に示す例では、互いに隣り合う２つの半導体チップ２００の間には、溝４３０を形成しない。
【００６８】
次いで、図３０に示すように、封止樹脂４００の凹部４２０及び封止樹脂４００の溝４３０にシールド樹脂５００を充填する。
【００６９】
次いで、図３１に示すように、ダイシングブレード７２６を用いて溝４３０に沿って配線基板１００を個片化する。さらに、本図に示す例では、互いに隣り合う２つの半導体チップ２００の間でもダイシングブレード７２６によってダイシングを行う。これにより、配線基板１００は、２つの半導体チップ２００の一方を含む単位と２つの半導体チップ２００の他方を含む単位に個片化される。そしてこの場合、２つの単位は、互いに対向する面にシールド樹脂５００を有しない。
【００７０】
次いで、図２７に示すように、シールド樹脂５００が形成されていない面と実装基板６００の第５面６０２を対向する方向に配線基板１００を実装基板６００に搭載する。これにより、本図に示す電子装置が製造される。
【００７１】
本実施例においても、シールド電極１３４は、シールド樹脂５００に電気的に接続している。これにより、外部からの電磁ノイズを、シールド樹脂５００を介してシールド電極１３４に流すことができる。さらに、本実施例では、半導体チップ２００の裏面（第４面２０４）をシールド外部接続電極１４４によってシールドすることができる。さらに、本実施例では、配線基板１００及び封止樹脂４００は、実装基板６００と対向する部分がシールド樹脂５００によって覆われていなくても、この部分は実装基板６００によってシールドすることができる。
【００７２】
以上、図面を参照して実施形態及び実施例について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。
【符号の説明】
【００７３】
１００  配線基板
１０２  第１面
１０４  第２面
１１０  コア層
１１２  凸部
１１４  スルーホール
１２０  ダイパッド
１２２  配線
１３０  電極
１３２  接続電極
１３４  シールド電極
１４０  外部接続電極
１４２  外部接続電極
１４４  シールド外部接続電極
１４６  外部接続電極
１４８  配線
１５０  金属層
１６０  金属層
１７０  絶縁部材
２００  半導体チップ
２０２  第３面
２０４  第４面
２１０  光学面
２２０  パッド
３００  ボンディングワイヤ
４００  封止樹脂
４１０  凸部
４２０  凹部
４３０  溝
５００  シールド樹脂
６００  実装基板
６０２  第５面
６１０  ハンダボール
６２０  ハンダフィレット
７１０  マスク膜
７１２  マスク膜
７２２  ダイシングブレード
７２４  ダイシングブレード
７２６  ダイシングブレード
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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