(57)【要約】【課題】ＩＰＳ方式の液晶表示装置において、画面コーナー部における黒むらを対策する。【解決手段】第１の画素にはｙ方向と第１の角度を有する画素電極が形成され、第１の画素と上下左右に隣接する画素の画素電極はｙ方向と第２の角度を有し、第１の角度と前記第２の角度は絶対値が等しく、符号が反対である。そうすると、画素電極に電圧を印加したときの液晶の回転方向が隣接する画素間において反対方向となる。これによって、液晶中に含まれるイオン等が表示領域周辺に流れるのを防止することができ、画面コーナー部における黒ムラを防止することができる。【選択図】図２
2016014779.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の方向に延在し、前記第１の方向に直角な第２の方向に配列した走査線と、前記第２の方向に延在し、前記第１の方向に配列した映像信号線との間に画素が形成されたＴＦＴ基板と対向基板との間に液晶が挟持された液晶表示装置であって、
第１の画素には前記第２の方向と第１の角度を有する画素電極が形成され、
前記第１の画素と上下左右に隣接する画素の画素電極は前記第２の方向と第２の角度を有し、前記第１の角度と前記第２の角度は絶対値が等しく、符号が反対であることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
第１の方向に延在し、前記第１の方向に直角な第２の方向に配列した走査線と、前記第２の方向に延在し、前記第１の方向に配列した映像信号線との間に画素が形成されたＴＦＴ基板と対向基板との間に液晶が挟持された液晶表示装置であって、
第１の画素には前記第１の方向に凸になるように屈曲した画素電極が形成され、
前記第１の画素と上下左右に隣接する画素の画素電極は、前記第１の方向と逆方向に凸になるように屈曲した画素電極が形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３】
第１の方向に延在し、前記第１の方向に直角な第２の方向に配列した走査線と、前記第２の方向に延在し、前記第１の方向に配列した映像信号線との間に画素が形成されたＴＦＴ基板と対向基板との間に液晶が挟持された液晶表示装置であって、
第１の画素セットは前記第２の方向と第１の角度を有する画素電極を有する複数の画素から形成され、
前記第１の画素セットと上下左右に隣接する画素セットは、前記第２の方向と第２の角度を有する画素電極を有する複数の画素から形成され、前記第１の角度と前記第２の角度は絶対値が等しく、符号が反対であることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項４】
前記画素セットは、左右方向に隣接する３個の画素から構成されていることを特徴とする請求項３に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記画素セットは、左右方向に隣接する４個の画素から構成されていることを特徴とする請求項３に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記画素セットは、上下左右方向に隣接する４個の画素から構成されていることを特徴とする請求項３に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
第１の方向に延在し、前記第１の方向に直角な第２の方向に配列した走査線と、前記第２の方向に延在し、前記第１の方向に配列した映像信号線との間に画素が形成されたＴＦＴ基板と対向基板との間に液晶が挟持された液晶表示装置であって、
第１の画素セットは前記第１の方向に凸になるように屈曲した画素電極を有する複数の画素から形成され、
前記第１の画素セットと上下左右に隣接する画素セットは、前記第１の方向と逆方向に凸になるように屈曲した画素電極を有する複数の画素から形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項８】
前記画素セットは、左右方向に隣接する３個の画素から構成されていることを特徴とする請求項７に記載の液晶表示装置。
【請求項９】
前記画素セットは、左右方向に隣接する４個の画素から構成されていることを特徴とする請求項７に記載の液晶表示装置。
【請求項１０】
前記画素セットは、上下左右方向に隣接する４個の画素から構成されていることを特徴とする請求項７に記載の液晶表示装置。
【請求項１１】
第１の方向に延在し、前記第１の方向に直角な第２の方向に配列した走査線と、前記第２の方向に延在し、前記第１の方向に配列した映像信号線との間に画素が形成されたＴＦＴ基板と対向基板との間に液晶が挟持された液晶表示装置であって、
第１の行における第１の画素には前記第２の方向と第１の角度を有する画素電極が形成され、第１の画素に左右方向に隣接する画素には、前記第２の方向と第２の角度を有し、前記第１の角度と前記第２の角度は絶対値が等しく、符号が反対である画素電極が形成され、
前記第１の行の上下方向に隣接する第２の行における第２の画素には前記第２の方向と第１の角度を有する画素電極が形成され、第２の画素に左右方向に隣接する画素には、前記第２の方向と第２の角度を有し、前記第１の角度と前記第２の角度は絶対値が等しく、符号が反対である画素電極が形成され、
前記第１の画素と前記第２の画素は、前記第１の方向に、前記画素の前記第１の方向のピッチの１/２だけずれていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１２】
第１の方向に延在し、前記第１の方向に直角な第２の方向に配列した走査線と、前記第２の方向に延在し、前記第１の方向に配列した映像信号線との間に画素が形成されたＴＦＴ基板と対向基板との間に液晶が挟持された液晶表示装置であって、
第１の行における第１の画素には前記第１の方向に凸となるように屈曲した画素電極が形成され、第１の画素に左右方向に隣接する画素には、前記第１の方向と逆方向に凸になるように屈曲した画素電極が形成され、
前記第１の行の上下方向に隣接する第２の行における第２の画素には前記第１の方向に凸となるように屈曲した画素電極が形成され、第２の画素に左右方向に隣接する画素には、前記第１の方向と逆方向に凸になるように屈曲した画素電極が形成され、
前記第１の画素と前記第２の画素は、前記第１の方向に、前記画素の前記第１の方向のピッチの１/２だけずれていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１３】
第１の方向に延在し、前記第１の方向に直角な第２の方向に配列した走査線と、前記第２の方向に延在し、前記第１の方向に配列した映像信号線との間に画素が形成されたＴＦＴ基板と対向基板との間に液晶が挟持された液晶表示装置であって、
第１の画素のコモン電極には前記第２の方向と第１の角度を有するスリットが形成され、
前記第１の画素と上下左右に隣接する画素のコモン電極のスリットは前記第２の方向と第２の角度を有し、前記第１の角度と前記第２の角度は絶対値が等しく、符号が反対であることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１４】
第１の方向に延在し、前記第１の方向に直角な第２の方向に配列した走査線と、前記第２の方向に延在し、前記第１の方向に配列した映像信号線との間に画素が形成されたＴＦＴ基板と対向基板との間に液晶が挟持された液晶表示装置であって、
第１の画素のコモン電極には前記第１の方向に凸になるように屈曲したスリットが形成され、
前記第１の画素と上下左右に隣接する画素のコモン電極には、前記第１の方向と逆方向に凸になるように屈曲したスリットが形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１５】
第１の方向に延在し、前記第１の方向に直角な第２の方向に配列した走査線と、前記第２の方向に延在し、前記第１の方向に配列した映像信号線との間に画素が形成されたＴＦＴ基板と対向基板との間に液晶が挟持された液晶表示装置であって、
第１の画素セットは前記第２の方向と第１の角度を有するスリットが形成されたコモン電極を有する複数の画素から形成され、
前記第１の画素セットと上下左右に隣接する画素セットは、前記第２の方向と第２の角度を有するスリットが形成されたコモン電極を有する複数の画素から形成され、前記第１の角度と前記第２の角度は絶対値が等しく、符号が反対であることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１６】
前記画素セットは、左右方向に隣接する３個の画素から構成されていることを特徴とする請求項１５に記載の液晶表示装置。
【請求項１７】
前記画素セットは、左右方向に隣接する４個の画素から構成されていることを特徴とする請求項１５に記載の液晶表示装置。
【請求項１８】
前記画素セットは、上下左右方向に隣接する４個の画素から構成されていることを特徴とする請求項１５に記載の液晶表示装置。
【請求項１９】
第１の方向に延在し、前記第１の方向に直角な第２の方向に配列した走査線と、前記第２の方向に延在し、前記第１の方向に配列した映像信号線との間に画素が形成されたＴＦＴ基板と対向基板との間に液晶が挟持された液晶表示装置であって、
第１の画素セットは前記第１の方向に凸になるように屈曲したスリットが形成されたコモン電極を有する複数の画素から形成され、
前記第１の画素セットと上下左右に隣接する画素セットは、前記第１の方向と逆方向に凸になるように屈曲したスリットが形成されたコモン電極を有する複数の画素から形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２０】
前記画素セットは、左右方向に隣接する３個の画素から構成されていることを特徴とする請求項１９に記載の液晶表示装置。
【請求項２１】
前記画素セットは、左右方向に隣接する４個の画素から構成されていることを特徴とする請求項１９に記載の液晶表示装置。
【請求項２２】
前記画素セットは、上下左右方向に隣接する４個の画素から構成されていることを特徴とする請求項１９に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は表示装置に係り、特に視野角特性の優れた横電界方式の液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置では画素電極および薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等を有する画素がマトリクス状に形成されたＴＦＴ基板と、ＴＦＴ基板に対向して、対向基板が配置され、ＴＦＴ基板と対向基板の間に液晶が挟持されている。そして液晶分子による光の透過率を画素毎に制御することによって画像を形成している。液晶表示装置はフラットで軽量であることから、色々な分野で用途が広がっている。携帯電話やＤＳＣ（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｓｔｉｌｌ Ｃａｍｅｒａ）等には、小型の液晶表示装置が広く使用されている。
【０００３】
液晶表示装置では視野角特性が問題であるが、ＩＰＳ（Ｉｎ  Ｐｌａｎｅ  Ｓｗｉｃｈｉｎｇ）方式は、液晶分子をＴＦＴ基板の主面と平行方向に回転させるものであり、他の方式に比べて視野角特性が優れている。しかし、ＩＰＳ方式においても、液晶分子の回転方向と関連して方位角方向において、視野角特性の差が生ずる。
【０００４】
特許文献１には、１画素内に種々の方向の櫛歯状電極を形成することによって、方位角異方性の軽減を図る技術が記載されている。特許文献２には、１画素内において、櫛歯電極を屈曲させることによって、液晶分子の回転方向を異ならせ、視野角特性の均一化を図る技術が記載されている。特許文献３には、上下方向に隣りあう画素における画素電極の傾斜の方向を逆方向とすることによって、２画素毎に視野角特性の均一化を図る技術が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００５−１９６１１８
【特許文献２】特開２００９−２３７５４１
【特許文献３】特開２０１２−５３１３７
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献２に記載の技術は、画素内において、画素電極を屈曲させて液晶分子の回転方向が異なる２つの領域を形成する技術であるが、画素電極あるいはコモン電極によって形成される電界の方向によって、液晶中に含まれるイオンや不純物（以下イオン等という）に特定方向の流れが生ずる。特許文献３に記載の技術は、縦方向に隣りあう画素における画素電極の傾きを異ならせるものであるが、この場合も、画素電極あるいはコモン電極によって形成される電界の方向によって、液晶中に含まれるイオン等に特定方向の流れが生ずることは同じである。
【０００７】
このように、液晶中のイオン等が特定方向に流れる現象が生ずると、イオン等の流れる方向によって、特に表示領域のコーナー部において、イオン等が集積されることによる黒むらが発生する。図２８は、画素電極の形状によって、イオン等が表示領域の斜め上方向に流れ、斜め上のコーナー部に集積し、黒むらを生ずる例である。図２８において、ＴＦＴ基板と対向基板との間に液晶が挟持され、ＴＦＴ基板の一部が端子部となっている、図２８の表示領域において、イオン等が矢印４０の方向に流れた場合、表示領域の右上のコーナー部に黒むらが発生する例である。一方、図２９は、画素電極が図２８の場合とは異なる場合に、イオン等が表示領域の斜め下方向に流れ、斜め下のコーナー部に集積し、表示領域の斜め下に黒むらを生ずる例である。
【０００８】
本発明の課題は、視野角の方位角方向の均一性を図った画素を有するＩＰＳ方式の液晶表示装置において、イオン等の集積による、表示領域周辺、特にコーナー部の黒むらを防止することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は上記問題を克服するものであり、具体的な手段は次のとおりである。
【００１０】
（１）第１の方向に延在し、前記第１の方向に直角な第２の方向に配列した走査線と、前記第２の方向に延在し、前記第１の方向に配列した映像信号線との間に画素が形成されたＴＦＴ基板と対向基板との間に液晶が挟持された液晶表示装置であって、第１の画素には前記第２の方向と第１の角度を有する画素電極が形成され、前記第１の画素と上下左右に隣接する画素の画素電極は前記第２の方向と第２の角度を有し、前記第１の角度と前記第２の角度は絶対値が等しく、符号が反対であることを特徴とする液晶表示装置。
【００１１】
（２）第１の方向に延在し、前記第１の方向に直角な第２の方向に配列した走査線と、前記第２の方向に延在し、前記第１の方向に配列した映像信号線との間に画素が形成されたＴＦＴ基板と対向基板との間に液晶が挟持された液晶表示装置であって、第１の画素には前記第１の方向に凸になるように屈曲した画素電極が形成され、前記第１の画素と上下左右に隣接する画素の画素電極は、前記第１の方向と逆方向に凸になるように屈曲した画素電極が形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
【００１２】
（３）第１の方向に延在し、前記第１の方向に直角な第２の方向に配列した走査線と、前記第２の方向に延在し、前記第１の方向に配列した映像信号線との間に画素が形成されたＴＦＴ基板と対向基板との間に液晶が挟持された液晶表示装置であって、第１の画素セットは前記第２の方向と第１の角度を有する画素電極を有する複数の画素から形成され、前記第１の画素セットと上下左右に隣接する画素セットは、前記第２の方向と第２の角度を有する画素電極を有する複数の画素から形成され、前記第１の角度と前記第２の角度は絶対値が等しく、符号が反対であることを特徴とする液晶表示装置。
【００１３】
（４）前記画素セットは、左右方向に隣接する３個の画素から構成されていることを特徴とする（３）に記載の液晶表示装置。
【００１４】
（５）前記画素セットは、左右方向に隣接する４個の画素から構成されていることを特徴とする（３）に記載の液晶表示装置。
【００１５】
（６）前記画素セットは、上下左右方向に隣接する４個の画素から構成されていることを特徴とする（３）に記載の液晶表示装置。
【００１６】
（７）第１の方向に延在し、前記第１の方向に直角な第２の方向に配列した走査線と、前記第２の方向に延在し、前記第１の方向に配列した映像信号線との間に画素が形成されたＴＦＴ基板と対向基板との間に液晶が挟持された液晶表示装置であって、第１の画素セットは前記第１の方向に凸になるように屈曲した画素電極を有する複数の画素から形成され、前記第１の画素セットと上下左右に隣接する画素セットは、前記第１の方向と逆方向に凸になるように屈曲した画素電極を有する複数の画素から形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
【００１７】
（８）前記画素セットは、左右方向に隣接する３個の画素から構成されていることを特徴とする（７）に記載の液晶表示装置。
【００１８】
（９）前記画素セットは、左右方向に隣接する４個の画素から構成されていることを特徴とする（７）に記載の液晶表示装置。
【００１９】
（１０）前記画素セットは、上下左右方向に隣接する４個の画素から構成されていることを特徴とする（７）に記載の液晶表示装置。
【００２０】
（１１）第１の方向に延在し、前記第１の方向に直角な第２の方向に配列した走査線と、前記第２の方向に延在し、前記第１の方向に配列した映像信号線との間に画素が形成されたＴＦＴ基板と対向基板との間に液晶が挟持された液晶表示装置であって、第１の行における第１の画素には前記第２の方向と第１の角度を有する画素電極が形成され、第１の画素に左右方向に隣接する画素には、前記第２の方向と第２の角度を有し、前記第１の角度と前記第２の角度は絶対値が等しく、符号が反対である画素電極が形成され、前記第１の行の上下方向に隣接する第２の行における第２の画素には前記第２の方向と第１の角度を有する画素電極が形成され、第２の画素に左右方向に隣接する画素には、前記第２の方向と第２の角度を有し、前記第１の角度と前記第２の角度は絶対値が等しく、符号が反対である画素電極が形成され、前記第１の画素と前記第２の画素は、前記第１の方向に、前記画素の前記第１の方向のピッチの１/２だけずれていることを特徴とする液晶表示装置。
【００２１】
（１２）第１の方向に延在し、前記第１の方向に直角な第２の方向に配列した走査線と、前記第２の方向に延在し、前記第１の方向に配列した映像信号線との間に画素が形成されたＴＦＴ基板と対向基板との間に液晶が挟持された液晶表示装置であって、第１の行における第１の画素には前記第１の方向に凸となるように屈曲した画素電極が形成され、第１の画素に左右方向に隣接する画素には、前記第１の方向と逆方向に凸になるように屈曲した画素電極が形成され、前記第１の行の上下方向に隣接する第２の行における第２の画素には前記第１の方向に凸となるように屈曲した画素電極が形成され、第２の画素に左右方向に隣接する画素には、前記第１の方向と逆方向に凸になるように屈曲した画素電極が形成され、前記第１の画素と前記第２の画素は、前記第１の方向に、前記画素の前記第１の方向のピッチの１/２だけずれていることを特徴とする液晶表示装置。
【００２２】
（１３）第１の方向に延在し、前記第１の方向に直角な第２の方向に配列した走査線と、前記第２の方向に延在し、前記第１の方向に配列した映像信号線との間に画素が形成されたＴＦＴ基板と対向基板との間に液晶が挟持された液晶表示装置であって、第１の画素のコモン電極には前記第２の方向と第１の角度を有するスリットが形成され、前記第１の画素と上下左右に隣接する画素のコモン電極のスリットは前記第２の方向と第２の角度を有し、前記第１の角度と前記第２の角度は絶対値が等しく、符号が反対であることを特徴とする液晶表示装置。
【００２３】
（１４）第１の方向に延在し、前記第１の方向に直角な第２の方向に配列した走査線と、前記第２の方向に延在し、前記第１の方向に配列した映像信号線との間に画素が形成されたＴＦＴ基板と対向基板との間に液晶が挟持された液晶表示装置であって、第１の画素のコモン電極には前記第１の方向に凸になるように屈曲したスリットが形成され、前記第１の画素と上下左右に隣接する画素のコモン電極には、前記第１の方向と逆方向に凸になるように屈曲したスリットが形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
【００２４】
（１５）第１の方向に延在し、前記第１の方向に直角な第２の方向に配列した走査線と、前記第２の方向に延在し、前記第１の方向に配列した映像信号線との間に画素が形成されたＴＦＴ基板と対向基板との間に液晶が挟持された液晶表示装置であって、第１の画素セットは前記第２の方向と第１の角度を有するスリットが形成されたコモン電極を有する複数の画素から形成され、前記第１の画素セットと上下左右に隣接する画素セットは、前記第２の方向と第２の角度を有するスリットが形成されたコモン電極を有する複数の画素から形成され、前記第１の角度と前記第２の角度は絶対値が等しく、符号が反対であることを特徴とする液晶表示装置。
【００２５】
（１６）前記画素セットは、左右方向に隣接する３個の画素から構成されていることを特徴とする（１５）に記載の液晶表示装置。
【００２６】
（１７）前記画素セットは、左右方向に隣接する４個の画素から構成されていることを特徴とする（１５）に記載の液晶表示装置。
【００２７】
（１８）前記画素セットは、上下左右方向に隣接する４個の画素から構成されていることを特徴とする（１５）に記載の液晶表示装置。
【００２８】
（１９）第１の方向に延在し、前記第１の方向に直角な第２の方向に配列した走査線と、前記第２の方向に延在し、前記第１の方向に配列した映像信号線との間に画素が形成されたＴＦＴ基板と対向基板との間に液晶が挟持された液晶表示装置であって、第１の画素セットは前記第１の方向に凸になるように屈曲したスリットが形成されたコモン電極を有する複数の画素から形成され、前記第１の画素セットと上下左右に隣接する画素セットは、前記第１の方向と逆方向に凸になるように屈曲したスリットが形成されたコモン電極を有する複数の画素から形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
【００２９】
（２０）前記画素セットは、左右方向に隣接する３個の画素から構成されていることを特徴とする（１９）に記載の液晶表示装置。
【００３０】
（２１）前記画素セットは、左右方向に隣接する４個の画素から構成されていることを特徴とする（１９）に記載の液晶表示装置。
【００３１】
（２２）前記画素セットは、上下左右方向に隣接する４個の画素から構成されていることを特徴とする（１９）に記載の液晶表示装置。
【００３２】
なお、個々の画素において、映像信号線が第２の方向と所定の角度をなす場合もあるが、表示領域全体としては、映像信号線は第２の方向に延在していることに変わりはない。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】ＩＰＳ方式の液晶表示装置の断面図である。
【図２】実施例１の画素電極の平面図である。
【図３】実施例１の他の画素電極の平面図である。
【図４】実施例１の画素電極配置を示す平面図である。
【図５】実施例１の動作を示す平面模式図である。
【図６】他の画素電極の平面図である。
【図７】さらに他の画素電極の平面図である。
【図８】さらに他の画素電極の平面図である。
【図９】画素電極、ＴＦＴ、柱状スペーサの配置を示す平面図である。
【図１０】画素電極、ＴＦＴ、柱状スペーサの配置を示す他の平面図である。
【図１１】画素電極、ＴＦＴ、柱状スペーサの配置を示すさらに他の平面図である。
【図１２】画素電極、ＴＦＴ、柱状スペーサの配置を示すさらに他の平面図である。
【図１３】実施例２の画素電極の平面図である。
【図１４】実施例２の他の画素電極の平面図である。
【図１５】実施例２のさらに他の画素電極の平面図である。
【図１６】実施例２のさらに他の画素電極の平面図である。
【図１７】実施例２の画素電極配置を示す平面図である。
【図１８】実施例２の動作を示す平面模式図である。
【図１９】実施例３の画素電極配置を示す平面図である。
【図２０】実施例４の画素電極配置を示す平面図である。
【図２１】実施例５の画素電極配置を示す平面図である。
【図２２】実施例６の画素電極配置を示す平面図である。
【図２３】実施例７の画素電極配置を示す平面図である。
【図２４】実施例８の画素電極配置を示す平面図である。
【図２５】実施例９の画素電極配置を示す平面図である。
【図２６】コモン電極トップのＩＰＳ方式の液晶表示装置の断面図である。
【図２７】実施例１０の画素電極配置を示す平面図である。
【図２８】従来例の問題点を示す平面図である。
【図２９】従来例の問題点を示す他の平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３４】
本発明による具体的な画素構造を説明する前に、本発明が適用される液晶表示装置の構造を説明する。図１は、本発明が適用される液晶表示装置の断面図である。図１におけるＴＦＴは、いわゆるトップゲートタイプのＴＦＴであり、使用される半導体としては、ＬＴＰＳ（Ｌｏｗ  Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  Ｐｏｌｉ−Ｓｉ）が使用されている。一方、ａ−Ｓｉ半導体を使用した場合は、いわゆるボトムゲート方式のＴＦＴが多く用いられる。以後の説明では、トップゲート方式のＴＦＴを用いた場合を例にして説明するが、ボトムゲート方式のＴＦＴを用いた場合についても、本発明を適用することが出来る。
【００３５】
図１において、ガラス基板１００の上にＳｉＮからなる第１下地膜１０１およびＳｉＯ２からなる第２下地膜１０２がＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）によって形成される。第１下地膜１０１および第２下地膜１０２の役割はガラス基板１００からの不純物が半導体層１０３を汚染することを防止することである。
【００３６】
第２下地膜１０２の上には半導体層１０３が形成される。この半導体層１０３は第２下地膜１０２に上にＣＶＤによってａ−Ｓｉ膜を形成し、これをレーザアニールすることによってｐｏｌｙ−Ｓｉ膜に変換したものである。このｐｏｌｙ−Ｓｉ膜をフォトリソグラフィによってパターニングする。
【００３７】
半導体膜１０３の上にはゲート絶縁膜１０４が形成される。このゲート絶縁膜１０４はＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）によるＳｉＯ２膜である。この膜もＣＶＤによって形成される。その上にゲート電極１０５が形成される。ゲート電極１０５は図２に示す走査線１０が兼ねている。ゲート電極１０５は例えば、ＭｏＷ膜によって形成される。ゲート電極１０５あるいは走査線１０の抵抗を小さくする必要があるときはＡｌ合金が使用される。
【００３８】
ゲート電極１０５はフォトリソグラフィによってパターニングされるが、このパターニングの際に、イオンインプランテーションによって、リンあるいはボロン等の不純物をｐｏｌｙ−Ｓｉ層にドープしてｐｏｌｙ−Ｓｉ層にソースＳあるいはドレインＤを形成する。また、ゲート電極１０５のパターニングの際のフォトレジストを利用して、ｐｏｌｙ−Ｓｉ層のチャネル層と、ソースＳあるいはドレインＤとの間にＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ  Ｄｏｐｅｄ  Ｄｒａｉｎ）層を形成する。
【００３９】
その後、ゲート電極１０５を覆って第１層間絶縁膜１０６をＳｉＯ２によって形成する。第１層間絶縁膜１０６はゲート電極１０５とコンタクト電極１０７を絶縁するためである。第１層間絶縁膜１０６およびゲート絶縁膜１０４には、半導体層１０３のソース部Ｓをコンタクト電極１０７と接続するためのスルーホール１２０が形成される。第１層間絶縁膜１０６とゲート絶縁膜１０４にスルーホール１２０を形成するためのフォトリソグラフィは同時に行われる。
【００４０】
第１層間絶縁膜１０６の上にコンタクト電極１０７が形成される。コンタクト電極１０７は、スルーホール１３０を介して画素電極１１２と接続する。ＴＦＴのドレインＤは、図示しない部分において図２に示す映像信号線２０とスルーホール１４０を介して接続している。
【００４１】
コンタクト電極１０７および映像信号線は、同層で、同時に形成される。コンタクト電極１０７および映像信号線（以後コンタクト電極１０７で代表させる）は、抵抗を小さくするために、例えば、ＡｌＳｉ合金が使用される。ＡｌＳｉ合金はヒロックを発生したり、Ａｌが他の層に拡散したりするので、例えば、図示しないＭｏＷによるバリア層、およびキャップ層によってＡｌＳｉをサンドイッチする構造がとられている。
【００４２】
コンタクト電極１０７を覆って無機パッシベーション膜（絶縁膜）１０８を被覆し、ＴＦＴ全体を保護する。無機パッシベーション膜１０８は第１下地膜１０１と同様にＣＶＤによって形成される。無機パッシベーション膜１０８を覆って有機パッシベーション膜１０９が形成される。有機パッシベーション膜１０９は感光性のアクリル樹脂で形成される。有機パッシベーション膜１０９は、アクリル樹脂の他、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等でも形成することが出来る。有機パッシベーション膜１０９は平坦化膜としての役割を持っているので、厚く形成される。有機パッシベーション膜１０９の膜厚は１〜４μｍであるが、多くの場合は２μｍ程度である。
【００４３】
画素電極１１０とコンタクト電極１０７との導通を取るために、無機パッシベーション膜１０８および有機パッシベーション膜１０９にスルーホール１３０が形成される。有機パッシベーション膜１０９は感光性の樹脂を使用している。感光性の樹脂を塗付後、この樹脂を露光すると、光が当たった部分のみが特定の現像液に溶解する。すなわち、感光性樹脂を用いることによって、フォトレジストの形成を省略することが出来る。有機パッシベーション膜１０９にスルーホール１３０を形成したあと、２３０℃程度で有機パッシベーション膜を焼成することによって有機パッシベーション膜１０９が完成する。
【００４４】
その後コモン電極１１０となるＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）をスパッタリングによって形成し、スルーホール１３０およびその周辺からＩＴＯを除去するようにパターニングする。コモン電極１１０は各画素共通に平面状に形成することが出来る。その後、第２層間絶縁膜１１１となるＳｉＮをＣＶＤによって全面に形成する。その後、スルーホール１３０内において、コンタクト電極１０７と画素電極１１２の導通をとるためのスルーホールを第２層間絶縁膜１１１および無機パッシベーション膜１０８に形成する。
【００４５】
その後、ＩＴＯをスパッタリングによって形成し、パターニングして画素電極１１２を形成する。図２以後に本発明における画素電極１１２の平面形状を示す。画素電極１１２の上に配向膜材料をフレキソ印刷あるいはインクジェット等によって塗布し、焼成して配向膜１１３を形成する。配向膜１１３の配向処理にはラビング法のほか偏光紫外線による光配向が用いられる。
【００４６】
画素電極１１２とコモン電極１１０の間に電圧が印加されると図１に示すような電気力線が発生する。この電界によって液晶分子３０１を回転させ、液晶層３００を通過する光の量を画素毎に制御することによって画像を形成する。
【００４７】
図１において、液晶層３００を挟んで対向基板２００が配置されている。対向基板２００の内側には、カラーフィルタ２０１が形成されている。カラーフィルタ２０１は画素毎に、赤、緑、青のカラーフィルタが形成されており、これによってカラー画像が形成される。カラーフィルタ２０１とカラーフィルタ２０１の間にはブラックマトリクス２０２が形成され、画像のコントラストを向上させている。なお、ブラックマトリクス２０２はＴＦＴの遮光膜としての役割も有し、ＴＦＴに光電流が流れることを防止している。
【００４８】
カラーフィルタ２０１およびブラックマトリクス２０２を覆ってオーバーコート膜２０３が形成されている。カラーフィルタ２０１およびブラックマトリクス２０２の表面は凹凸となっているために、オーバーコート膜２０３によって表面を平らにしている。オーバーコート膜の上には、液晶の初期配向を決めるための配向膜１１３が形成される。配向膜１１３の配向処理はＴＦＴ基板１００側の配向膜１１３と同様、ラビング法あるいは光配向法が用いられる。
【００４９】
なお、以上の構成は例であり、例えば、品種によってＴＦＴ基板１００における無機パッシベーション膜１０８が形成されていない場合もある。また、スルーホール１３０の形成プロセスも品種によって異なる場合がある。
【００５０】
また、図１は、画素電極１１２がコモン電極１１０よりも上に存在する、画素電極トップの場合の例である。一方、後で説明するように、画素電極１１２よりもコモン電極１１０が上側に存在するコモン電極トップのタイプも存在する。本発明は、このような、コモン電極トップの場合についても適用することができる。以下に実施例を用いて本発明を詳細に説明する。
【実施例１】
【００５１】
図２は画素の構成を示す平面図である。図２において、走査線１０が横方向に延在し、縦方向に配列している。映像信号線２０が縦方向に延在し、横方向に配列している。走査線１０と映像信号線２０で囲まれた領域に画素電極１１２が存在している。図２において、半導体層１０３は映像信号線２０の下を延在し、走査線１０の下を２回くぐっている。半導体層が走査線の下をくぐっている部分において、ＴＦＴが形成されている。すなわち、この部分で走査線はゲート電極１０５の役割をしている。半導体層１０３には第３スルーホール１４０を介して映像信号が供給される。
【００５２】
半導体層１０３は走査線をくぐった後、第１スルーホール１２０を介してコンタクト電極１０７と接続する。コンタクト電極１０７は第２スルーホール１３０を介して画素電極１１２と接続している。図２において、画素電極１１２は走査線の１０の延在方向と直角方向に対して傾斜を有している。液晶の配向方向を走査線１０の延在方向あるいは走査線の延在方向と直角方向とする場合に、液晶分子の回転方向を統一させるためである。なお、液晶の配向方向は、液晶の誘電率異方性が正の場合は走査線１０の延在方向と直角方向であり、液晶の誘電率異方性が負の場合は、走査線１０の延在方向である。
【００５３】
図３は、画素電極１１２の傾斜の方向が図２の場合と反対の場合である。図３において、画素電極１１２に電圧が印加されると、液晶分子の回転方向は、図２の場合とは逆になる。その他の構成は図２で説明したのと同様である。
【００５４】
図４は本実施例における画素の配置を示す平面図である。図４は、３×３の画素を表示している。また、画素内におけるストライプは画素電極１１２を示している。わかりやすくするために画素内におけるその他の構成は省略している。図４の中央の画素の画素電極１１２に注目すると、この画素の画素電極１１２のｙ軸方向に対する傾きに対し、該画素の上下および左右に隣接する画素の画素電極１１２のｙ軸方向に対する傾きは逆方向である。したがって、画素電極１１２に電圧を印加した場合、該画素における液晶分子の回転方向は、上下、左右に隣接する画素における液晶分子の回転方向とは逆となっている。これは、図４における中央の画素のみならず、全ての画素についても同様である。つまり、液晶分子の回転方向は隣接する画素毎に反対となるので、表示領域全体としては、特定の方向への液晶や液晶に含まれるイオン等の流れは生じない。
【００５５】
図５は図４に対応して、液晶分子３０１の回転方向を示す平面模式図である。図５の場合は、液晶分子３０１が負の誘電率異方性を有する場合である。図５において、矢印の点線ＡＬは配向膜の配向方向である。点線で示す液晶分子３０１の長軸は配向方向ＡＬに初期配向している。画素電極１１２に電圧が印加されると電界はＬＦで示す点線の方向になり、液晶分子３０１の長軸はＬＦと直角方向になるように回転する。液晶分子３０１が負の誘電率異方性を有しているからである。
【００５６】
図５において、横方向に隣りあう画素電極１１２の傾きはｙ軸方向に対して逆となっている。したがって、画素電極１１２に電圧を印加した場合の液晶分子３０１の回転方向は、隣接する左右の画素で互いに逆方向となっている。また、上下に隣接する画素同士でも、画素電極１１２のｙ軸方向に対する傾きは逆方向である。したがって、画素電極１１２に電圧を印加した場合の液晶分子３０１の回転方向は、隣接する上下の画素で互いに逆方向となっている。したがって、表示領域全体として見た場合は、液晶、あるいは、液晶に含まれる不純物等の流れは生じない。このように、本発明によれば、液晶に含まれる不純物あるいはイオン等が表示領域の周辺、あるいは、コーナー部に集まって、黒むらを生じさせるという現象を防止することができる。
【００５７】
ところで、液晶の画素電極１１２の形状に起因して、一部で液晶の回転方向が逆になる領域、いわゆるドメインが発生することがある。このドメインの発生を防止するために、画素電極１１２に対して、先端付近を屈曲させる場合がある。図６はこのような屈曲部を有する画素電極の平面図である。図６において、ストライプ状の画素電極１１２の長さはＬ１であり、先端が長さＬ２にわたって屈曲している。画素電極１１２の傾きという場合は、ストライプ状の長さＬ１の部分の傾きをいう。なお、本明細書では、ストライプ状の画素電極を櫛歯状電極ともいう。
【００５８】
以上は、画素電極１１２が単一の櫛歯電極の場合について説明したが、本発明はこれに限らず、色々な画素電極１１２の場合について適用することができる。図７及び図８は画素電極１１２が３本の櫛歯状電極によって構成されている場合である。図７は、図２と同じ方向に画素電極１１２が傾いている場合であり、図８は、図３と同じ方向に画素電極１１２が傾いている場合である。図７及び図８に示す画素電極１１２を図４に準じて配列することによって、液晶、あるいは、液晶に含まれる不純物やイオン等が一定の方向に流れることを防止し、表示領域のコーナー部等における黒むらを防止することができる。
【００５９】
図９乃至１２は画素電極１１２の配置と、ＴＦＴ及び柱状スペーサ２１０の配置の例を示す平面図である。図９は、４画素のＴＦＴが近接するコーナー部に集められ、ＴＦＴが存在しない部分のコーナー部に柱状スペーサ２１０を配置した例である。図１０はＴＦＴと柱状スペーサの位置を図９の場合と交代した場合の例である。いずれの場合も問題なく本発明を適用することが出来る。
【００６０】
図１１は、上下２画素分のＴＦＴを隣りあうコーナー部に配置し、他のコーナー部に柱状スペーサ２１０を配置した例である。図１１では、ＴＦＴと柱状スペーサ２１０を交互に配置している。図１２は、ＴＦＴの位置と柱状スペーサの位置を図１１の場合と交代した例である。いずれの場合も問題なく本発明を適用することが出来る。
【実施例２】
【００６１】
図１３は本発明における他の画素電極１１２の形状を示す平面図である。図１３において、画素電極１１２は中央付近で屈曲している。したがって、画素電極１１２の、屈曲部よりもＴＦＴ側に近い側と、屈曲部よりもＴＦＴ側から遠い側とでは、画素電極１１２に電圧を印加した場合の液晶分子３０１の回転方向が逆である。すなわち、図１３の構成は、一つの画素内において、視野角の方位角依存性を補償することができる。図１４は、画素電極１１２の屈曲方向が図１３と逆であるが、一つの画素内において、視野角の方位角依存性を補償することができることは図１３と同じである。
【００６２】
図１３および図１４に示すような画素では画素の上半分と下半分とでは、液晶分子３０１の回転方向、すなわち、ドメインが異なるのでデュアルドメイン方式と呼ばれている。これに対して、先に説明したような、上下に隣接する２つの画素における液晶分子３０１の回転方向を逆とすることによって視野角の方位角依存性を補償する方式は擬似デュアルドメイン方式と呼ばれている。
【００６３】
図１３および図１４は画素電極１１２が単一櫛歯電極で構成される場合のデュアルドメインを可能にする例である。デュアルドメインを可能とする画素電極１１２は種々存在する。図１５および図１６は、画素電極１１２が３本の櫛歯電極によって構成される例である。図１５の場合において、画素電極１１２に電圧を印加した場合の液晶分子３０１の回転方向は、図１３の場合に準ずる。また、図１６の場合において、画素電極１１２に電圧を印加した場合の液晶分子３０１の回転方向は、図１４の場合に準ずる。
【００６４】
画素電極１１２における櫛歯電極は１本あるいは３本の場合に限らず、複数本の場合でもよいし、各櫛歯電極の長さが異なっていてもよい。図１７は画素電極１１２が２本の櫛歯電極によって構成される場合における本実施例による画素配置の例である。図１７は、３×３の画素を表示している。わかりやすくするために画素内には画素電極１１２における櫛歯電極のみ記載し、その他の構成は省略している。図１７の中央の画素の画素電極１１２に注目すると、この画素の画素電極１１２の屈曲方向に対して、該画素の上下および左右に隣接する画素の画素電極１１２の屈曲方向は逆方向である。したがって、画素電極１１２に電圧を印加した場合、該画素における、画素の上半分および下半分の液晶分子３０１の回転方向は、上下、左右に隣接する画素における、画素の上半分および下半分の液晶分子の回転方向とは逆となっている。この状況は、図１７における中央の画素のみならず、他の全ての画素についても同様である。つまり、画素の上半分および下半分の液晶分子３０１の回転方向は隣接する画素毎に反対となるので、表示領域全体としては、特定の方向への流れは生じない。したがって、液晶に含まれるイオン等の不純物も特定の方向に流れることは無くなる。
【００６５】
図１８は図１７に対応した、液晶分子３０１の回転方向を示す平面模式図である。図１８の場合は、液晶分子３０１が負の誘電率異方性を有する場合である。図１８において、矢印の点線ＡＬは配向膜の配向方向である。点線で示す液晶分子３０１の長軸は配向方向ＡＬに初期配向している。画素電極１１２に電圧が印加されると電界はＬＦで示す点線の方向になり、液晶分子３０１の長軸はＬＦと直角方向になるように回転する。液晶分子３０１が負の誘電率異方性を有しているからである。
【００６６】
図１８において、横方向に隣りあう画素電極１１２の屈曲の方向は、ｘ軸方向に対して逆となっている。したがって、画素電極１１２に電圧を印加した場合の、画素の上半分と下半分の液晶分子の回転方向は、矢印で示すように、隣接する左右の画素で互いに逆方向となっている。また、上下に隣接する画素同士でも、画素の上半分と下半分の液晶分子の回転方向は、隣接する上下の画素で互いに逆方向となっている。
【００６７】
したがって、表示領域全体として見た場合は、液晶、あるいは、液晶に含まれるイオンや不純物等の流れは生じない。このように本実施例の構成においても、液晶に含まれる不純物あるいはイオン等が表示領域の周辺、あるいは、コーナー部に集まって、黒むらを生じさせるという現象を防止することができる。
【実施例３】
【００６８】
図１９は本実施例における画素の配置を示す平面図である。図１９における画素電極１１２は、実施例１における図２および図３に示す画素電極１１２を用いている。図１９におけるＲ、Ｇ、Ｂは赤画素（Ｒ）、緑画素（Ｇ）、青画素（Ｂ）を示している。
【００６９】
図１９が実施例１における図４と異なる点は、画素電極１１２の傾斜の向きが図４では、画素毎に逆方向になっているのに対し、図１９では、赤画素（Ｒ）、緑画素（Ｇ）、青画素（Ｂ）のセット内では傾斜の向きが同じ方向であり、画素（Ｒ）、緑画素（Ｇ）、青画素（Ｂ）のセット毎に傾斜が逆になっていることである。
【００７０】
画素セット内で画素電極１１２の傾斜の方向を変えると、画面を斜めから見た場合、色むらの原因となる場合があるので、画素セット内では、画素電極１１２の傾斜をそろえている。画素セットとしても、表示領域全体を考えると、面積は十分に小さいので、液晶、あるいは、液晶に含まれる不純物およびイオン等が一定の方向に流れ、表示領域のコーナー部等に黒むらを生じさせるという現象は防止することができる。
【実施例４】
【００７１】
図２０は本実施例における画素の配置を示す平面図である。図２０における画素電極１１２は、実施例２における図１３および図１４に示す画素電極１１２を用いている。図２０におけるＲ、Ｇ、Ｂは赤画素（Ｒ）、緑画素（Ｇ）、青画素（Ｂ）を示している。
【００７２】
図２０が実施例２における図１７と異なる点は、画素電極１１２の屈曲の方向が図１７では、画素毎に逆方向になっているのに対し、図２０では、赤画素（Ｒ）、緑画素（Ｇ）、青画素（Ｂ）のセット内では屈曲の向きが同じ方向であり、画素（Ｒ）、緑画素（Ｇ）、青画素（Ｂ）のセット毎に屈曲の方向が逆になっていることである。
【００７３】
画素セット内で画素電極１１２の屈曲の方向を変えると、画面を斜めから見た場合、色むらの原因となる場合があるので、画素セット内では、画素電極の屈曲の方向をそろえている。画素セットとしても、表示領域全体を考えると、面積は十分に小さいので、液晶、あるいは、液晶に含まれる不純物およびイオン等が一定の方向に流れ、表示領域のコーナー部等に黒むらを生じさせるという現象は防止することができる。
【実施例５】
【００７４】
図２１は本実施例における画素の配置を示す平面図である。図２１における画素電極１１２は、実施例１における図２および図３に示す画素電極１１２を用いている。図２１におけるＲ、Ｇ、Ｂ、Ｗは赤画素（Ｒ）、緑画素（Ｇ）、青画素（Ｂ）、白画素（Ｗ）を示している。白画素（Ｗ）は画面の透過率を向上させるために用いている。
【００７５】
図２１が実施例１における図４と異なる点は、画素電極１１２の傾斜の向きが図４では、画素毎に逆方向になっているのに対し、図２１では、赤画素（Ｒ）、緑画素（Ｇ）、青画素（Ｂ）、白画素（Ｗ）のセット内では傾斜の向きが同じ方向であり、画素（Ｒ）、緑画素（Ｇ）、青画素（Ｂ）、白画素（Ｗ）のセット毎に傾斜が逆になっていることである。
【００７６】
画素セット内で画素電極１１２の傾斜の方向を変えると、画面を斜めから見た場合、色むらの原因となる場合があるので、画素セット内では、画素電極の傾斜をそろえている。画素セットとしても、表示領域全体を考えると、面積は十分に小さいので、液晶、あるいは、液晶に含まれる不純物およびイオン等が一定の方向に流れ、表示領域のコーナー部等に黒むらを生じさせるという現象は防止することができる。
【実施例６】
【００７７】
図２２は本実施例における画素の配置を示す平面図である。図２２における画素電極１１２は、実施例２における図１３および図１４に示す画素電極１１２を用いている。図２２におけるＲ、Ｇ、Ｂは赤画素（Ｒ）、緑画素（Ｇ）、青画素（Ｂ）、白画素（Ｗ）を示している。
【００７８】
図２２が実施例２における図１７と異なる点は、画素電極１１２の屈曲の方向が図１７では、画素毎に逆方向になっているのに対し、図２０では、赤画素（Ｒ）、緑画素（Ｇ）、青画素（Ｂ）、白画素（Ｗ）のセット内では屈曲の向きが同じ方向であり、画素（Ｒ）、緑画素（Ｇ）、青画素（Ｂ）、白画素（Ｗ）のセット毎に屈曲の方向が逆になっていることである。
【００７９】
画素セット内で画素電極１１２の屈曲の方向を変えると、画面を斜めから見た場合、色むらの原因となる場合があるので、画素セット内では、画素電極の屈曲の方向をそろえている。画素セットとしても、表示領域全体を考えると、面積は十分に小さいので、液晶、あるいは、液晶に含まれる不純物およびイオン等が一定の方向に流れ、表示領域のコーナー部等に黒むらを生じさせるという現象は防止することができる。
【実施例７】
【００８０】
図２３は本実施例における画素の配置を示す平面図である。図２３における画素電極１１２は、実施例１における図２および図３に示す画素電極１１２を用いている。図２３におけるＲ、Ｇ、Ｂ、Ｗは赤画素（Ｒ）、緑画素（Ｇ）、青画素（Ｂ）、白画素（Ｗ）を示している。白画素（Ｗ）は画面の透過率を向上させるために用いている。
【００８１】
本実施例においても、画素電極１１２の傾斜の向きを、赤画素（Ｒ）、緑画素（Ｇ）、青画素（Ｂ）、白画素（Ｗ）のセット内では同じにし、赤画素（Ｒ）、緑画素（Ｇ）、青画素（Ｂ）、白画素（Ｗ）のセット毎に逆方向にしていることは実施例５と同様であるが、画素セット内での画素の配置を替えている。すなわち、実施例５では、４個の画素を横方向に並べているが、本実施例では、４個の画素を上下左右に２個ずつ並べている。このような配置が色むらの発生を軽減する場合があるからである。
【００８２】
このような配置の画素セットとしても、表示領域全体を考えると、面積は十分に小さいので、液晶、あるいは、液晶に含まれる不純物およびイオン等が一定の方向に流れ、表示領域のコーナー部等に黒むらを生じさせるという現象は防止することができる。
【実施例８】
【００８３】
図２４は本実施例における画素の配置を示す平面図である。図２４における画素電極１１２は、実施例２における図１３および図１４に示す画素電極１１２を用いている。図２４におけるＲ、Ｇ、Ｂは赤画素（Ｒ）、緑画素（Ｇ）、青画素（Ｂ）、白画素（Ｗ）を示している。
【００８４】
図２４が実施例６における図２２と異なる点は、図２２では、赤画素（Ｒ）、緑画素（Ｇ）、青画素（Ｂ）、白画素（Ｗ）が横方向に並んでいるのに対し、図２４では、本実施例では４個の画素を上下左右に２個ずつ並べている点である。このような配置が色むらの発生を軽減する場合があるからである。
【００８５】
このような配置の画素セットとしても、表示領域全体を考えると、面積は十分に小さいので、液晶、あるいは、液晶に含まれる不純物およびイオン等が一定の方向に流れ、表示領域のコーナー部等に黒むらを生じさせるという現象は防止することができる。
【実施例９】
【００８６】
図２５は本実施例における画素の配置を示す平面図である。図２５における画素電極１１２は、実施例１における図２および図３に示す画素電極１１２を用いている。図２５におけるＲ、Ｇ、Ｂは赤画素（Ｒ）、緑画素（Ｇ）、青画素（Ｂ）を示している。
【００８７】
図２５が実施例１における図４と異なる点は、赤画素（Ｒ）、緑画素（Ｇ）、青画素（Ｂ）が本実施例ではデルタ配置をしている点である。図２５において、左右に隣接する画素同士では、画素電極の傾斜の向きが逆方向となっている。図２５はデルタ配置であるから、画素は行毎に画素ピッチの半分ずつ横方向にずれている。その他の点は、実施例１と同様である。
【００８８】
図２５に示すような画素配置としても、液晶、あるいは、液晶に含まれる不純物およびイオン等が一定の方向に流れ、表示領域のコーナー部等に黒むらを生じさせるという現象は防止することができる。
【００８９】
以上の本実施例の説明は、実施例１の図２および３、図７および８に示す画素電極１１２に即したものである。本実施例は、実施例２の図１３乃至１６に示すような、屈曲した画素電極１１２の場合についても同様に適用することができる。
【実施例１０】
【００９０】
実施例１乃至９は、画素電極１１２がコモン電極１１０の上方に存在するいわゆる画素電極トップの構成の場合について本発明を説明した。しかし、本発明は、コモン電極１１０が画素電極１１２の上方に存在する、いわゆるコモン電極トップの場合についても適用することができる。
【００９１】
図２６は、コモン電極トップの構造を示す断面図である。図２６が図１と異なる点は、画素電極１１２が画素内では平面状に形成され、第２層間絶縁膜１１１を介してコモン電極１１０が平面ベタで形成され、コモン電極１１０にスリット１１０１が形成されている点である。画素電極１１２にＴＦＴを介して電圧が供給されると、コモン電極１１０からコモン電極のスリット１１０１を介して画素電極１１２に電気力線が延びる。この電界によって液晶を回転させる。その他の構成は図１と同じなので、説明を省略する。
【００９２】
図２７は、コモン電極トップの場合の本発明の実施例を示す平面図である。図２７において、コモン電極１１２は各画素共通に形成されている。図２７において、画素の境界は点線で記載されている。画素内において、コモン電極１１０にはスリット１１０１が形成されている。このスリット１１０１はｙ方向に対して傾いて形成されている。スリット１１０１の傾斜の向きは、隣接する画素の上下左右で逆方向となっている。
【００９３】
このような構成によって、実施例１で説明したのと同じように、液晶、あるいは、液晶に含まれる不純物およびイオン等が一定の方向に流れ、表示領域のコーナー部等に黒むらを生じさせるという現象を防止することができる。
【００９４】
図２７は実施例１に対応する場合の例であるが、コモン電極トップの場合も、実施例２乃至９で説明した画素電極１１２をコモン電極のスリット１１０１に置き換えることによって、実施例２乃至９と同様な効果を得ることができる。
【符号の説明】
【００９５】
１０…走査線、  ２０…映像信号線、  ３０…表示領域、  ３５…黒むら、  ４０…イオンの移動方向、  １００…ＴＦＴ基板、  １０１…第１下地膜、  １０２…第２下地膜、  １０３…半導体層、  １０４…ゲート絶縁膜、  １０５…ゲート電極、  １０６…第１層間絶縁膜、  １０７…コンタクト電極、  １０８…無機パッシベーション膜、  １０９…有機パッシベーション膜、  １１０…コモン電極、  １１１…第２層間絶縁膜、  １１２…画素電極、  １１３…配向膜、  １２０…第１スルーホール、  １３０…第２スルーホール、  １４０…第３スルーホール、  １５０…端子、  ２００…対向基板、  ２０１…カラーフィルタ、  ２０２…ブラックマトリクス、  ２０３…オーバーコート膜、  ２１０…柱状スペーサ、  ３００…液晶層、  ３０１…液晶分子、  １１０１…スリット、  ＡＬ…配向方向、ＬＦ…電界方向、  Ｄ…ドレイン部、  Ｓ…ソース部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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