(57)【要約】      （修正有）【課題】殺ダニ活性を有する光学活性なフェニルスルホキシド誘導体を簡単な操作により、高いエナンチオマー過剰率及び高い収率で製造できる方法の提供。【解決手段】式（１）で表される光学活性なフェニルスルホキシド誘導体の製造方法であって、式（２）で表されるフェニルスルフィド誘導体を、金属−キラル配位子錯体触媒及び無機塩の存在下で、酸化剤と反応させる方法。2016056104.tif 000046（Ｒ１はハロ置換又は未置換のアルキル基等、Ｒ２及びＲ３はＨ、ハロゲン又はアルキル基で、メチル基に代表される；＊は不斉中心）【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式（１）：
【化１】
2016056104.tif 000042
（式中、
Ｒ１は、Ｃ１〜Ｃ１０アルキル基、Ｃ１〜Ｃ６ハロアルキル基、Ｃ１〜Ｃ４アルコキシＣ２〜Ｃ１０アルキル基、Ｃ１〜Ｃ４ハロアルコキシＣ２〜Ｃ１０アルキル基、Ｃ１〜Ｃ４アルキルチオＣ２〜Ｃ１０アルキル基、またはＣ１〜Ｃ４ハロアルキルチオＣ２〜Ｃ１０アルキル基であり；
Ｒ２およびＲ３は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、またはＣ１〜Ｃ４アルキル基であり；そして
＊は不斉中心を示す。）
で表される光学活性なフェニルスルホキシド誘導体の製造方法であって、
一般式（２）：
【化２】
2016056104.tif 000043
（式中、Ｒ１、Ｒ２およびＲ３は、上記で定義した通りである。）
で表されるフェニルスルフィド誘導体を、金属化合物とキラル配位子としての一般式（３）：    
【化３】
2016056104.tif 000044
（式中、
Ｒ４およびＲ５は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基、フェニルＣ１〜Ｃ６アルキル基、Ｃ６〜Ｃ１０アリール基、シアノ基、ニトロ基、またはＣ１〜Ｃ６アルコキシ基であり；
Ｒ６は、Ｃ１〜Ｃ４アルキル基、シアノ基、ニトロ基、カルボキシ基、Ｃ１〜Ｃ４アルコキシカルボニル基、Ｃ１〜Ｃ４アルキルカルボニル基、ヒドロキシＣ１〜Ｃ４アルキル基、Ｃ１〜Ｃ４アルコキシＣ１〜Ｃ４アルキル基、アミノＣ１〜Ｃ４アルキル基、シアノＣ１〜Ｃ４アルキル基、ニトロＣ１〜Ｃ４アルキル基、カルボキシＣ１〜Ｃ４アルキル基、またはＣ１〜Ｃ４アルコキシカルボニルＣ１〜Ｃ４アルキル基であり；
Ｒ７は、水素原子、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基、フェニルＣ１〜Ｃ６アルキル基、またはＣ６〜Ｃ１０アリール基であり；そして
＊は不斉中心を示す。）
または一般式（４）：
【化４】
2016056104.tif 000045
（式中、
Ｒ８およびＲ９は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基、フェニルＣ１〜Ｃ６アルキル基、Ｃ６〜Ｃ１０アリール基、シアノ基、ニトロ基、またはＣ１〜Ｃ６アルコキシ基であり；
Ｒ１０およびＲ１１は、それぞれ独立して、水素原子、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基、
フェニルＣ１〜Ｃ６アルキル基、もしくはＣ６〜Ｃ１０アリール基であり、またはＲ１０およびＲ１１は、それらが結合している炭素原子と一緒になって、５もしくは６員の炭素環を形成していてもよく；そして
＊は不斉中心を示す。）
で表される化合物を含む金属−キラル配位子錯体であるキラル触媒および添加剤としての無機塩の存在下で、酸化剤と反応させることを特徴とする方法。
【請求項２】
金属化合物が鉄化合物であり；
キラル配位子が一般式（３）で表される化合物であり；
Ｒ４およびＲ５が、それぞれ独立して、ハロゲン原子またはＣ１〜Ｃ６アルキル基であり；
Ｒ６がヒドロキシＣ１〜Ｃ４アルキル基であり；そして
Ｒ７がＣ１〜Ｃ６アルキル基である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
金属化合物が鉄化合物であり；
キラル配位子が一般式（３）で表される化合物であり；
Ｒ４およびＲ５がヨウ素原子またはｔｅｒｔ−ブチル基であり；
Ｒ６がヒドロキシメチル基であり；そして
Ｒ７がイソプロピル基またはｔｅｒｔ−ブチル基である、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
Ｒ１がＣ１〜Ｃ４ハロアルキルチオＣ２〜Ｃ１０アルキル基であり；そして
Ｒ２およびＲ３が、それぞれ独立して、ハロゲン原子またはＣ１〜Ｃ４アルキル基である、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
Ｒ１が５−（トリフルオロメチルチオ）ペンチル基または６−（トリフルオロメチルチオ）ヘキシル基であり；
Ｒ２はフッ素原子であり；そして
Ｒ３は塩素原子である、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
Ｒ１が５−（トリフルオロメチルチオ）ペンチル基または６−（トリフルオロメチルチオ）ヘキシル基であり；そして
Ｒ２およびＲ３がメチル基である、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
金属化合物が鉄化合物であり；
キラル配位子が一般式（３）で表される化合物であり；
Ｒ４およびＲ５が、それぞれ独立して、ハロゲン原子またはＣ１〜Ｃ６アルキル基であり；
Ｒ６がヒドロキシＣ１〜Ｃ４アルキル基であり；
Ｒ７がＣ１〜Ｃ６アルキル基であり；
Ｒ１がＣ１〜Ｃ４ハロアルキルチオＣ２〜Ｃ１０アルキル基であり；そして
Ｒ２およびＲ３が、それぞれ独立して、ハロゲン原子またはＣ１〜Ｃ４アルキル基である、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
金属化合物が鉄化合物であり；
キラル配位子が一般式（３）で表される化合物であり；
Ｒ４およびＲ５がヨウ素原子またはｔｅｒｔ−ブチル基であり；
Ｒ６がヒドロキシメチル基であり；
Ｒ７がイソプロピル基またはｔｅｒｔ−ブチル基であり；
Ｒ１が５−（トリフルオロメチルチオ）ペンチル基または６−（トリフルオロメチルチオ）ヘキシル基であり；
Ｒ２はフッ素原子であり；そして
Ｒ３は塩素原子である、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
金属化合物が鉄化合物であり；
キラル配位子が一般式（３）で表される化合物であり；
Ｒ４およびＲ５がヨウ素原子またはｔｅｒｔ−ブチル基であり；
Ｒ６がヒドロキシメチル基であり；
Ｒ７がイソプロピル基またはｔｅｒｔ−ブチル基であり；
Ｒ１が５−（トリフルオロメチルチオ）ペンチル基または６−（トリフルオロメチルチオ）ヘキシル基であり；そして
Ｒ２およびＲ３がメチル基である、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
添加剤としてのアルカリ金属炭酸水素塩、アルカリ金属炭酸塩、アルカリ金属リン酸水素塩、アルカリ金属ホウ酸塩、またはアルカリ金属ケイ酸塩の存在下で反応が行われる、請求項１から請求項９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
添加剤としてのアルカリ金属炭酸水素塩の存在下で反応が行われる、請求項１から請求項９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
添加剤としての炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、リン酸水素ナトリウム、リン酸水素カリウム、ホウ酸ナトリウム、ホウ酸カリウム、ケイ酸ナトリウム、またはケイ酸カリウムの存在下で反応が行われる、請求項１から請求項９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１３】
添加剤としての炭酸水素ナトリウムまたは炭酸水素カリウムの存在下で反応が行われる、請求項１から請求項９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１４】
添加剤としての炭酸水素ナトリウムの存在下で反応が行われる、請求項１から請求項９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１５】
反応が−１０〜＋５℃で行われる、請求項１から請求項１４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１６】
転化率が７５％以上である、請求項１から請求項１５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１７】
転化率が７５〜１００％である、請求項１から請求項１５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１８】
転化率が９０％以上である、請求項１から請求項１５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１９】
転化率が９０〜１００％である、請求項１から請求項１５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２０】
一般式（１）で表される光学活性なフェニルスルホキシド誘導体が９０％ｅｅ以上のエナンチオマー過剰率を有する、請求項１から請求項１９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２１】
一般式（１）で表される光学活性なフェニルスルホキシド誘導体が９０〜１００％ｅｅのエナンチオマー過剰率を有する、請求項１から請求項１９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２２】
一般式（１）で表される光学活性なフェニルスルホキシド誘導体が９５％ｅｅ以上のエナンチオマー過剰率を有する、請求項１から請求項１９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２３】
一般式（１）で表される光学活性なフェニルスルホキシド誘導体が９５〜１００％ｅｅのエナンチオマー過剰率を有する、請求項１から請求項１９のいずれか１項に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光学活性なフェニルスルホキシド誘導体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
光学活性なスルホキシド誘導体は、医薬（特許文献１参照）および農薬（特許文献２および３参照）の分野において、薬量の低減等の観点から注目されている。したがって、スルホキシド誘導体が高いエナンチオマー過剰率および高い収率で製造されることは、重要である。高いエナンチオマー過剰率により、必要とされないエナンチオマーから生じ得る潜在的な危険が回避される（非特許文献１参照）。
【０００３】
殺ダニ活性を有するフェニルスルホキシド誘導体について、光学活性体が報告されているが、その製造方法はキラル固定相上のＨＰＬＣによる光学分割であった（特許文献４参照）。しかし、キラル固定相を用いるエナンチオマーのＨＰＬＣ分離は、一般的に大きなスケールでの工業的生産に適していない。例えば、キラル固定相の高いコストおよび分離に必要な時間のために、キラル相上のＨＰＬＣの利用は経済的ではない。つまり、特許文献４には、光学活性なフェニルスルホキシド誘導体の工業的に好ましく有用な製造方法は開示されていなかった。加えて、これまでに、特許文献４に記載のフェニルスルホキシド誘導体については、光学分割を用いないでエナンチオマー過剰率が高い目的化合物を与える製造方法は、知られていなかった。
【０００４】
特許文献３には、殺ダニ剤として有用な光学活性なスルホキシド誘導体が記載されている。さらに、特許文献５は、特許文献３に記載の光学活性なスルホキシド誘導体の酸化反応による製造方法を開示する。しかし、特許文献５に記載の酸化反応により製造されたスルホキシド誘導体のエナンチオマー過剰率は、満足できるものではない。実際に、特許文献５に記載の方法では、高いエナンチオマー過剰率を有するスルホキシド誘導体を得るために、再結晶による精製が必要であった。再結晶の濾液には、スルホキシド誘導体の必要ではないエナンチオマーが含有されている。結果として、かなりの量のスルホキシド誘導体が廃棄されることになる。さらに、スルホキシド誘導体が液体であるか、またはその融点が低い場合は、再結晶による精製は不可能または困難である。このような場合は、エナンチオマー過剰率がより高い不斉酸化が必要とされるのである。加えて、酸化反応の収率（すなわち、反応収率）もまた向上された製造方法が望まれている。
【０００５】
アミジンを部分構造として持つスルフィド誘導体を、アルカリ金属リン酸水素塩とアルカリ金属リン酸二水素塩を含む緩衝剤を使用して、シッフ塩基を含む金属−キラル配位子錯体であるキラル触媒の存在下で、酸化させて、光学活性なスルホキシド誘導体を得ることが報告されている（特許文献６の実施例１を参照）。
【０００６】
しかし、特許文献６では、収率、エナンチオマー過剰率、および必要な触媒の量に対する、緩衝剤中に含まれるアルカリ金属リン酸水素塩の効果は明確ではなかった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】ドイツ特許第４０３５４５５号
【特許文献２】国際公開第２０１１／１５２３２０号
【特許文献３】特開２０１１−２１９４１９号公報
【特許文献４】国際公開第２０１３／１５７２２９号
【特許文献５】米国特許出願公開第２０１１／００１５４０５号
【特許文献６】国際公開第２０１３／０９２３５０号
【非特許文献】
【０００８】
【非特許文献１】Ｓｃｉｅｎｃｅ、１９９３年、２５９巻、４７９−４８３頁
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
上記した従来技術における１以上の欠点または問題を解決することができる、光学活性なフェニルスルホキシド誘導体の製造方法に対する緊急の必要性があった。
【００１０】
したがって、本発明の目的は、工業的に好ましく、経済的であり、そして環境にも優しい、光学活性なフェニルスルホキシド誘導体の製造方法を提供することにある。
【００１１】
本発明のより具体的な目的は、当該誘導体を、簡単な操作により、高いエナンチオマー過剰率および高い収率で製造できる方法を提供することにある。特に、特許文献４に記載のフェニルスルホキシド誘導体を、高いエナンチオマー過剰率で、そして再結晶による精製を必要としないで（すなわち、再結晶によるエナンチオマー過剰率の向上を必要としないで）製造できることが、望まれていた。この目的を達成するためには、先行技術と比較して、より高いエナンチオマー過剰率を与える不斉酸化反応を提供する必要がある。
【００１２】
本発明のより具体的な他の目的は、安価でありかつ環境負荷を低減できる方法を提供することにある。この目的を達成するためには、不斉酸化反応において、廃棄物となる望まれない光学異性体の生成を抑制することが必要である。さらに、キラル触媒の量（すなわち、金属化合物の量およびキラル配位子の量）を減少することが望まれる。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記のような状況に鑑み、本発明者らは、光学活性なフェニルスルホキシド誘導体の製造方法について鋭意研究した。その結果、本発明者らは、意外にも、一般式（１）：
【００１４】
【化１】
2016056104.tif 000002
【００１５】
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３および＊は、下記〔１〕記載の通りである。）
【００１６】
で表される光学活性なフェニルスルホキシド誘導体が、
一般式（２）：
【００１７】
【化２】
2016056104.tif 000003
【００１８】
（式中、Ｒ１、Ｒ２およびＲ３は、下記〔１〕記載の通りである。）
で表されるフェニルスルフィド誘導体を、金属化合物とキラル配位子としての一般式（３）：
【００１９】
【化３】
2016056104.tif 000004
【００２０】
（式中、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７および＊は、下記〔１〕記載の通りである。）
または一般式（４）：
【００２１】
【化４】
2016056104.tif 000005
【００２２】
（式中、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１１および＊は、下記〔１〕記載の通りである。）
で表される化合物を含む金属−キラル配位子錯体であるキラル触媒および添加剤としての無機塩（好ましくは炭酸水素ナトリウム等のアルカリ金属炭酸水素塩）の存在下で、酸化剤と反応させることにより、製造できることを見出した。本発明者らはこの知見に基づき本発明を完成するに至った。
【００２３】
すなわち、本発明は、下記〔１〕から〔２３〕項に記載の発明を提供することにより上記課題を解決したものである。
【００２４】
〔１〕一般式（１）：
【００２５】
【化５】
2016056104.tif 000006
【００２６】
（式中、
Ｒ１は、Ｃ１〜Ｃ１０アルキル基、Ｃ１〜Ｃ６ハロアルキル基、Ｃ１〜Ｃ４アルコキシＣ２〜Ｃ１０アルキル基、Ｃ１〜Ｃ４ハロアルコキシＣ２〜Ｃ１０アルキル基、Ｃ１〜Ｃ４アルキルチオＣ２〜Ｃ１０アルキル基、またはＣ１〜Ｃ４ハロアルキルチオＣ２〜Ｃ１０アルキル基であり；
Ｒ２およびＲ３は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、またはＣ１〜Ｃ４アルキル基であり；そして
＊は不斉中心を示す。）
で表される光学活性なフェニルスルホキシド誘導体の製造方法であって、
一般式（２）：
【００２７】
【化６】
2016056104.tif 000007
【００２８】
（式中、Ｒ１、Ｒ２およびＲ３は、上記で定義した通りである。）
で表されるフェニルスルフィド誘導体を、金属化合物とキラル配位子としての一般式（３）：
【００２９】
【化７】
2016056104.tif 000008
【００３０】
（式中、
Ｒ４およびＲ５は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基、フェニルＣ１〜Ｃ６アルキル基、Ｃ６〜Ｃ１０アリール基、シアノ基、ニトロ基、またはＣ１〜Ｃ６アルコキシ基であり；
Ｒ６は、Ｃ１〜Ｃ４アルキル基、シアノ基、ニトロ基、カルボキシ基、Ｃ１〜Ｃ４アルコキシカルボニル基、Ｃ１〜Ｃ４アルキルカルボニル基、ヒドロキシＣ１〜Ｃ４アルキル基、Ｃ１〜Ｃ４アルコキシＣ１〜Ｃ４アルキル基、アミノＣ１〜Ｃ４アルキル基、シアノＣ１〜Ｃ４アルキル基、ニトロＣ１〜Ｃ４アルキル基、カルボキシＣ１〜Ｃ４アルキル基、またはＣ１〜Ｃ４アルコキシカルボニルＣ１〜Ｃ４アルキル基であり；
Ｒ７は、水素原子、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基、フェニルＣ１〜Ｃ６アルキル基、またはＣ６〜Ｃ１０アリール基であり；そして
＊は不斉中心を示す。）
または一般式（４）：
【００３１】
【化８】
2016056104.tif 000009
【００３２】
（式中、
Ｒ８およびＲ９は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基、フェニルＣ１〜Ｃ６アルキル基、Ｃ６〜Ｃ１０アリール基、シアノ基、ニトロ基、またはＣ１〜Ｃ６アルコキシ基であり；
Ｒ１０およびＲ１１は、それぞれ独立して、水素原子、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基、
フェニルＣ１〜Ｃ６アルキル基、もしくはＣ６〜Ｃ１０アリール基であり、またはＲ１０およびＲ１１は、それらが結合している炭素原子と一緒になって、５もしくは６員の炭素環を形成していてもよく；そして
＊は不斉中心を示す。）
で表される化合物を含む金属−キラル配位子錯体であるキラル触媒および添加剤としての無機塩の存在下で、酸化剤と反応させることを特徴とする方法。
【００３３】
〔２〕金属化合物が鉄化合物であり；
キラル配位子が一般式（３）で表される化合物であり；
Ｒ４およびＲ５が、それぞれ独立して、ハロゲン原子またはＣ１〜Ｃ６アルキル基であり；
Ｒ６がヒドロキシＣ１〜Ｃ４アルキル基であり；そして
Ｒ７がＣ１〜Ｃ６アルキル基である、〔１〕に記載の方法。
【００３４】
〔３〕金属化合物が鉄化合物であり；
キラル配位子が一般式（３）で表される化合物であり；
Ｒ４およびＲ５がヨウ素原子またはｔｅｒｔ−ブチル基であり；
Ｒ６がヒドロキシメチル基であり；そして
Ｒ７がイソプロピル基またはｔｅｒｔ−ブチル基である、〔１〕に記載の方法。
【００３５】
〔４〕Ｒ１がＣ１〜Ｃ４ハロアルキルチオＣ２〜Ｃ１０アルキル基であり；そして
Ｒ２およびＲ３が、それぞれ独立して、ハロゲン原子またはＣ１〜Ｃ４アルキル基である、〔１〕に記載の方法。
【００３６】
〔５〕Ｒ１が５−（トリフルオロメチルチオ）ペンチル基または６−（トリフルオロメチルチオ）ヘキシル基であり；
Ｒ２はフッ素原子であり；そして
Ｒ３は塩素原子である、〔１〕に記載の方法。
【００３７】
〔６〕Ｒ１が５−（トリフルオロメチルチオ）ペンチル基または６−（トリフルオロメチルチオ）ヘキシル基であり；そして
Ｒ２およびＲ３がメチル基である、〔１〕に記載の方法。
【００３８】
〔７〕金属化合物が鉄化合物であり；
キラル配位子が一般式（３）で表される化合物であり；
Ｒ４およびＲ５が、それぞれ独立して、ハロゲン原子またはＣ１〜Ｃ６アルキル基であり；
Ｒ６がヒドロキシＣ１〜Ｃ４アルキル基であり；
Ｒ７がＣ１〜Ｃ６アルキル基であり；
Ｒ１がＣ１〜Ｃ４ハロアルキルチオＣ２〜Ｃ１０アルキル基であり；そして
Ｒ２およびＲ３が、それぞれ独立して、ハロゲン原子またはＣ１〜Ｃ４アルキル基である、〔１〕に記載の方法。
【００３９】
〔８〕金属化合物が鉄化合物であり；
キラル配位子が一般式（３）で表される化合物であり；
Ｒ４およびＲ５がヨウ素原子またはｔｅｒｔ−ブチル基であり；
Ｒ６がヒドロキシメチル基であり；
Ｒ７がイソプロピル基またはｔｅｒｔ−ブチル基であり；
Ｒ１が５−（トリフルオロメチルチオ）ペンチル基または６−（トリフルオロメチルチオ）ヘキシル基であり；
Ｒ２はフッ素原子であり；そして
Ｒ３は塩素原子である、〔１〕に記載の方法。
【００４０】
〔９〕金属化合物が鉄化合物であり；
キラル配位子が一般式（３）で表される化合物であり；
Ｒ４およびＲ５がヨウ素原子またはｔｅｒｔ−ブチル基であり；
Ｒ６がヒドロキシメチル基であり；
Ｒ７がイソプロピル基またはｔｅｒｔ−ブチル基であり；
Ｒ１が５−（トリフルオロメチルチオ）ペンチル基または６−（トリフルオロメチルチオ）ヘキシル基であり；そして
Ｒ２およびＲ３がメチル基である、〔１〕に記載の方法。
【００４１】
〔１０〕添加剤としてのアルカリ金属炭酸水素塩、アルカリ金属炭酸塩、アルカリ金属リン酸水素塩、アルカリ金属ホウ酸塩、またはアルカリ金属ケイ酸塩の存在下で反応が行われる、〔１〕から〔９〕のいずれか１項に記載の方法。
【００４２】
〔１１〕添加剤としてのアルカリ金属炭酸水素塩の存在下で反応が行われる、〔１〕から〔９〕のいずれか１項に記載の方法。
【００４３】
〔１２〕添加剤としての炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、リン酸水素ナトリウム、リン酸水素カリウム、ホウ酸ナトリウム、ホウ酸カリウム、ケイ酸ナトリウム、またはケイ酸カリウムの存在下で反応が行われる、〔１〕から〔９〕のいずれか１項に記載の方法。
【００４４】
〔１３〕添加剤としての炭酸水素ナトリウムまたは炭酸水素カリウムの存在下で反応が行われる、〔１〕から〔９〕のいずれか１項に記載の方法。
【００４５】
〔１４〕添加剤としての炭酸水素ナトリウムの存在下で反応が行われる、〔１〕から〔９〕のいずれか１項に記載の方法。
【００４６】
〔１５〕反応が−１０〜＋５℃で行われる、〔１〕から〔１４〕のいずれか１項に記載の方法。
【００４７】
〔１６〕転化率が７５％以上である、〔１〕から〔１５〕のいずれか１項に記載の方法。
【００４８】
〔１７〕転化率が７５〜１００％である、〔１〕から〔１５〕のいずれか１項に記載の方法。
【００４９】
〔１８〕転化率が９０％以上である、〔１〕から〔１５〕のいずれか１項に記載の方法。
【００５０】
〔１９〕転化率が９０〜１００％である、〔１〕から〔１５〕のいずれか１項に記載の方法。
【００５１】
〔２０〕一般式（１）で表される光学活性なフェニルスルホキシド誘導体が９０％ｅｅ以上のエナンチオマー過剰率を有する、〔１〕から〔１９〕のいずれか１項に記載の方法。
【００５２】
〔２１〕一般式（１）で表される光学活性なフェニルスルホキシド誘導体が９０〜１００％ｅｅのエナンチオマー過剰率を有する、〔１〕から〔１９〕のいずれか１項に記載の方法。
【００５３】
〔２２〕一般式（１）で表される光学活性なフェニルスルホキシド誘導体が９５％ｅｅ以上のエナンチオマー過剰率を有する、〔１〕から〔１９〕のいずれか１項に記載の方法。
【００５４】
〔２３〕一般式（１）で表される光学活性なフェニルスルホキシド誘導体が９５〜１００％ｅｅのエナンチオマー過剰率を有する、〔１〕から〔１９〕のいずれか１項に記載の方法。
【発明の効果】
【００５５】
本発明により、殺ダニ剤として有用な一般式（１）で表される光学活性なスルホキシド誘導体の新規で工業的に適用できる製造方法が提供される。本発明によれば、上記した従来技術における１以上の欠点または問題を解決することができる、光学活性なフェニルスルホキシド誘導体の製造方法が提供される。
【００５６】
本発明の不斉酸化反応では、エナンチオマー過剰率が大幅に改善されている。したがって、本発明によれば、光学活性なフェニルスルホキシド誘導体を、簡単な操作により、高いエナンチオマー過剰率で製造できる。加えて、添加剤としての無機塩を用いることにより、収率および転化率も増加している。ここで、転化率は実質的に収率と同じであると理解できる。したがって、本発明によれば、添加剤（無機塩、好ましくはアルカリ金属炭酸水素塩、より好ましくは炭酸水素ナトリウム）の使用により、エナンチオマー過剰率と収率の改善が満足に達成されたのである。
【００５７】
特に、本発明によれば、特許文献４に記載のフェニルスルホキシド誘導体を、十分に高いエナンチオマー過剰率で、そしてエナンチオマー過剰率を向上させるための再結晶による精製を必要としないで製造できる。目的のスルホキシド誘導体が液体であるか、またはその融点が低い場合は、再結晶による精製は不可能または困難であるが、本発明の方法はそのような場合にも適している。さらに、本発明によれば、非常にコストがかかり複雑なキラル固定相上のＨＰＬＣによる光学分割を用いずに、エナンチオマー過剰率の高いフェニルスルホキシド誘導体を得ることができる。
【００５８】
同時に、本発明によれば、不斉酸化反応におけるエナンチオマー過剰率の増加により、廃棄物となる望まれない光学異性体を削減できる。したがって、本発明は環境負荷を低減できる。
【００５９】
本発明によれば、添加剤としての無機塩を用いることにより、キラル触媒の量（すなわち、金属化合物の量およびキラル配位子の量）を大幅に減少することができる。触媒の使用量の減少は、廃棄物を減少することになるため、本発明は環境負荷を低減できる。加えて、高価な配位子の使用量を低減することにより、製造コストが低減できる。
【００６０】
本発明によれば、触媒に含まれる金属化合物として鉄化合物を用いた場合に、フェニルスルホキシド誘導体をより高いエナンチオマー過剰率およびより高い収率で製造できる。不斉酸化反応において触媒として使用可能な遷移金属化合物の中でも、鉄化合物は、経済的な優位性だけでなく、環境への負荷も低く、かつ人間を含む生物に対する毒性が低いという優位性を有している。
【００６１】
したがって、本発明の方法は、工業的に好ましく、経済的であり、そして環境にも優しい。
【発明を実施するための形態】
【００６２】
以下、本発明について詳細に説明する。
【００６３】
本発明による方法は、以下のスキーム：
【００６４】
【化９】
2016056104.tif 000010
【００６５】
（式中、Ｒ１、Ｒ２およびＲ３は、上記〔１〕で定義された通りである。）
によって示される。
【００６６】
本明細書において用いられる用語および記号について以下に説明する。
【００６７】
ハロゲン原子とは、フッ素原子、塩素原子、臭素原子またはヨウ素である。生成物の有用性等の観点から、ハロゲン原子の好ましい例は、フッ素原子および塩素原子である。
【００６８】
「Ｃａ〜Ｃｂ」とは、炭素原子数がａ〜ｂ個であることを意味する。例えば、「Ｃ１〜Ｃ４アルキル基」の「Ｃ１〜Ｃ４」とは、アルキル基の炭素原子数が１〜４であることを意味する
【００６９】
Ｃ１〜Ｃ１０アルキル基とは、１〜１０個の炭素原子を有する直鎖または分岐鎖のアルキル基を意味する。
【００７０】
Ｃ１〜Ｃ１０アルキル基の例は、
メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、
ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、
ペンチル基、ヘキシル基、へプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基
等を含むが、これらに限定されるものではない。
【００７１】
Ｃ２〜Ｃ１０アルキル基とは、２〜１０個の炭素原子を有する直鎖または分岐鎖のアルキル基を意味する。
【００７２】
Ｃ２〜Ｃ１０アルキル基の例は、上記のＣ１〜Ｃ１０アルキル基の例のうちの適切な例を含むが、これらに限定されるものではない。
【００７３】
Ｃ１〜Ｃ６アルキル基とは、１〜６個の炭素原子を有する直鎖または分岐鎖のアルキル基を意味する。
【００７４】
Ｃ１〜Ｃ６アルキル基の例は、上記のＣ１〜Ｃ１０アルキル基の例のうちの適切な例を含むが、これらに限定されるものではない。
【００７５】
Ｃ１〜Ｃ４アルキル基とは、１〜４個の炭素原子を有する直鎖または分岐鎖のアルキル基を意味する。
【００７６】
Ｃ１〜Ｃ４アルキル基の例は、上記のＣ１〜Ｃ１０アルキル基の例のうちの適切な例を含む。
【００７７】
ハロアルキル基とは、同一または異なる１以上のハロゲン原子で置換された直鎖または分岐鎖状のアルキル基をいう。
【００７８】
Ｃ１〜Ｃ６ハロアルキル基とは、同一または異なる１〜１３個のハロゲン原子により置換されている、炭素原子数が１〜６の直鎖または分岐鎖のアルキル基を意味する（ここで、ハロゲン原子は上記の定義と同じ意味を有する。）。
【００７９】
Ｃ１〜Ｃ４ハロアルキル基とは、同一または異なる１〜９個のハロゲン原子により置換されている、炭素原子数が１〜４の直鎖または分岐鎖のアルキル基を意味する（ここで、ハロゲン原子は上記の定義と同じ意味を有する。）。
【００８０】
Ｃ１〜Ｃ６ハロアルキル基の例は、
フルオロメチル基、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル基、クロロジフルオロメチル基、
２−フルオロエチル基、２−クロロエチル基、２，２，２−トリフルオロエチル基、ペンタフルオロエチル基、
３−フルオロプロピル基、３−クロロプロピル基、２，２，３，３，３−ペンタフルオロプロピル基、２，２，２−トリフルオロ−１−トリフルオロメチルエチル基、ヘプタフルオロプロピル基、１，２，２，２−テトラフルオロ−１−トリフルオロメチルエチル基、
４−フルオロブチル基、４−クロロブチル基、４−ブロモブチル基、２，２，３，３，４，４，４−へプタフルオロブチル基、
５−フルオロペンチル基、５−クロロペンチル基、５−ブロモペンチル基、
６−フルオロヘキシル基、６−クロロヘキシル基、６−ブロモヘキシル基等を含むが、これらに限定されるものではない。
【００８１】
Ｃ１〜Ｃ４ハロアルキル基の例は、上記のＣ１〜Ｃ６ハロアルキル基の例のうちの適切な例を含む。
【００８２】
Ｃ１〜Ｃ６アルコキシ基とは、（Ｃ１〜Ｃ６アルキル）−Ｏ−基を意味する（ここで、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基部分は上記の定義と同じ意味を有する。）。
【００８３】
Ｃ１〜Ｃ６アルコキシ基の例は、
メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、イソブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ペンチルオキシ基、イソペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、イソヘキシルオキシ基等を含むが、これらに限定されるものではない。
【００８４】
Ｃ１〜Ｃ４アルコキシ基とは、（Ｃ１〜Ｃ４アルキル）−Ｏ−基を意味する（ここで、Ｃ１〜Ｃ４アルキル基は上記の定義と同じ意味を有する。）。
【００８５】
Ｃ１〜Ｃ４アルコキシ基の例は、上記のＣ１〜Ｃ６アルコキシ基の例のうちの適切な例である。
【００８６】
Ｃ１〜Ｃ４ハロアルコキシ基とは、（Ｃ１〜Ｃ４ハロアルキル）−Ｏ−基を意味する（ここで、Ｃ１〜Ｃ４ハロアルキル基部分は上記と同じ意味を有する。）。
【００８７】
Ｃ１〜Ｃ４ハロアルコキシ基の例は、
フルオロメトキシ基、ジフルオロメトキシ基、トリフルオロメトキシ基、クロロジフルオロメトキシ基、
２−フルオロエトキシ基、２−クロロエトキシ基、２，２，２−トリフルオロエトキシ基、ペンタフルオロエトキシ基、
３−フルオロプロポキシ基、３−クロロプロポキシ基、２，２，３，３，３−ペンタフルオロプロポキシ基、ヘプタフルオロプロポキシ基、２，２，２−トリフルオロ−１−トリフルオロメチルエトキシ基、
４−フルオロブトキシ基、２，２，３，３，４，４，４−へプタフルオロブトキシ基等を含むが、これらに限定されるものではない。
【００８８】
Ｃ１〜Ｃ４アルキルチオ基とは、（Ｃ１〜Ｃ４アルキル）−Ｓ−基を意味する（ここで、Ｃ１〜Ｃ４アルキル基部分は上記と同じ意味を有する。）。
【００８９】
Ｃ１〜Ｃ４アルキルチオ基の例は、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、イソプロピルチオ基、ブチルチオ基、ｓｅｃ−ブチルチオ基、イソブルチオ基、ｔｅｒｔ−ブルチオ基を含む。
【００９０】
Ｃ１〜Ｃ４ハロアルキルチオ基とは、（Ｃ１〜Ｃ４ハロアルキル）−Ｓ−基を意味する（ここで、Ｃ１〜Ｃ４ハロアルキル基部分は上記と同じ意味を有する。）。
【００９１】
Ｃ１〜Ｃ４ハロアルキルチオ基の例は、
フルオロメチルチオ基、ジフルオロメチルチオ基、トリフルオロメチルチオ基、クロロジフルオロメチルチオ基、
２−フルオロエチルチオ基、２−クロロエチルチオ基、２，２，２−トリフルオロエチルチオ基、ペンタフルオロエチルチオ基、
３−フルオロプロピルチオ基、３−クロロプロピルチオ基、２，２，３，３，３−ペンタフルオロプロピルチオ基、ヘプタフルオロプロピルチオ基、２，２，２−トリフルオロ−１−トリフルオロメチルエチルチオ基、
４−フルオロブチルチオ基、２，２，３，３，４，４，４−へプタフルオロブチルチオ基等を含むが、これらに限定されるものではない。
【００９２】
Ｃ１〜Ｃ４アルコキシＣ２〜Ｃ１０アルキル基とは、Ｃ１〜Ｃ４アルコキシ基により置換されたＣ２〜Ｃ１０アルキル基を意味する（ここで、Ｃ１〜Ｃ４アルコキシ基およびＣ２〜Ｃ１０アルキル基は上記と同じ意味を有する。）。
【００９３】
Ｃ１〜Ｃ４アルコキシＣ２〜Ｃ１０アルキル基の例は、５−（メトキシ）ペンチル基、６−（メトキシ）ヘキシル基等を含むが、これらに限定されるものではない。
【００９４】
Ｃ１〜Ｃ４ハロアルコキシＣ２〜Ｃ１０アルキル基とは、Ｃ１〜Ｃ４ハロアルコキシ基により置換されたＣ２〜Ｃ１０アルキル基を意味する（ここで、Ｃ１〜Ｃ４ハロアルコキシ基およびＣ２〜Ｃ１０アルキル基は上記と同じ意味を有する。）。
【００９５】
Ｃ１〜Ｃ４ハロアルコキシＣ２〜Ｃ１０アルキル基の例は、
５−（ジフルオロメトキシ）ペンチル基、５−（トリフルオロメトキシ）ペンチル基、
６−（ジフルオロメメトキシ）ヘキシル基、６−（トリフルオロメトキシ）ヘキシル基等を含むが、これらに限定されるものではない。
【００９６】
Ｃ１〜Ｃ４アルキルチオＣ２〜Ｃ１０アルキル基とは、Ｃ１〜Ｃ４アルキルチオ基により置換されたＣ２〜Ｃ１０アルキル基を意味する（ここで、Ｃ１〜Ｃ４アルキルチオ基およびＣ２〜Ｃ１０アルキル基は上記と同じ意味を有する。）。
【００９７】
Ｃ１〜Ｃ４アルキルチオＣ２〜Ｃ１０アルキル基の例は、
２−（メチルチオ）エチル基、３−（メチルチオ）プロピル基、４−（メチルチオ）ブチル基、
５−（メチルチオ）ペンチル基、５−（エチルチオ）ペンチル基、５−（プロピルチオ）ペンチル基、５−（ブチルチオ）ペンチル基、
６−（メチルチオ）ヘキシル基、６−（エチルチオ）ヘキシル基、６−（プロピルチオ）ヘキシル基、６−（ブチルチオ）ヘキシル基、
７−（メチルチオ）へプチル基、８−（メチルチオ）オクチル基、９−（メチルチオ）ノナニル基、１０−（メチルチオ）デカニル基等を含むが、これらに限定されるものではない。
【００９８】
生成物等の有用性の観点から、Ｃ１〜Ｃ４アルキルチオＣ２〜Ｃ１０アルキル基の好ましい例は、５−（メチルチオ）ペンチル基および６−（メチルチオ）ヘキシル基を含む。
【００９９】
Ｃ１〜Ｃ４ハロアルキルチオＣ２〜Ｃ１０アルキル基とは、Ｃ１〜Ｃ４ハロアルキルチオ基により置換されたＣ２〜Ｃ１０アルキル基を意味する（ここで、Ｃ１〜Ｃ４ハロアルキルチオ基およびＣ２〜Ｃ１０アルキル基は上記と同じ意味を有する。）。
【０１００】
Ｃ１〜Ｃ４ハロアルキルチオＣ２〜Ｃ１０アルキル基の例は、
２−（トリフルオロメチルチオ）エチル基、３−（トリフルオロメチルチオ）プロピル基、４−（トリフルオロメチルチオ）ブチル基、５−（ジフルオロメチルチオ）ペンチル基、
５−（トリフルオロメチルチオ）ペンチル基、５−（２，２，２−トリフルオロエチルチオ）ペンチル基、５−（ペンタフルオロエチルチオ）ペンチル基、５−（２，２，３，３，３−ペンタフルオロプロピルチオ）ペンチル基、５−（２，２，３，３，４，４，４−へプタフルオロブチルチオ）ペンチル基、６−（ジフルオロメチルチオ）ヘキシル基、
６−（トリフルオロメチルチオ）ヘキシル基、６−（２，２，２−トリフルオロエチルチオ）ヘキシル基、６−（ペンタフルオロエチルチオ）ヘキシル基、６−（２，２，３，３，３−ペンタフルオロプロピルチオ）ヘキシル基、６−（２，２，３，３，４，４，４−へプタフルオロブチルチオ）ヘキシル基、
７−（トリフルオロメチルチオ）へプチル基、８−（トリフルオロメチルチオ）オクチル基、９−（トリフルオロメチルチオ）ノナニル基、１０−（トリフルオロメチルチオ）デカニル基等を含むが、これらに限定されるものではない。
【０１０１】
生成物等の有用性の観点から、Ｃ１〜Ｃ４ハロアルキルチオＣ２〜Ｃ１０アルキル基の好ましい例は、５−（トリフルオロメチルチオ）ペンチル基および６−（トリフルオロメチルチオ）ヘキシル基を含む。
【０１０２】
フェニルＣ１〜Ｃ６アルキル基とは、フェニル基により置換されたＣ１〜Ｃ６アルキル基を意味する（ここで、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基は上記と同じ意味を有する。）。
【０１０３】
フェニルＣ１〜Ｃ６アルキル基の例は、ベンジル基、１−フェニルエチル基、２−フェニルエチル基、３−フェニルプロピル基等を含むが、これらに限定されるものではない。
【０１０４】
Ｃ６〜Ｃ１０アリール基の例は、フェニル基、１−ナフチル基、および２−ナフチル基である。１−ナフチル基はナフタレン−１−イル基とも言う。２−ナフチル基はナフタレン−２−イル基とも言う。
【０１０５】
Ｃ１〜Ｃ４アルコキシカルボニル基とは、（Ｃ１〜Ｃ４アルキル）−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−基を意味する（ここで、Ｃ１〜Ｃ４アルキル基部分は上記の定義と同じ意味を有する。）。
【０１０６】
Ｃ１〜Ｃ４アルコキシカルボニル基の例は、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロポキシカルボニル基、イソプロポキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基等を含むが、これらに限定されるものではない。
【０１０７】
Ｃ１〜Ｃ４アルキルカルボニル基とは、（Ｃ１〜Ｃ４アルキル）−Ｃ（＝Ｏ）−基を意味する（ここで、Ｃ１〜Ｃ４アルキル基部分は上記の定義と同じ意味を有する。）。
【０１０８】
Ｃ１〜Ｃ４アルキルカルボニル基の例は、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基、バレリル基等を含むが、これらに限定されるものではない。
【０１０９】
ヒドロキシＣ１〜Ｃ４アルキル基とは、ヒドロキシ基により置換されたＣ１〜Ｃ４アルキル基を意味する（ここで、Ｃ１〜Ｃ４アルキル基は上記と同じ意味を有する。）。
【０１１０】
ヒドロキシＣ１〜Ｃ４アルキル基の例は、
ヒドロキシメチル基、
１−ヒドロキシエチル基、２−ヒドロキシエチル基、
１−ヒドロキシプロピル基、２−ヒドロキシプロピル基等を含むが、これらに限定されるものではない。
【０１１１】
Ｃ１〜Ｃ４アルコキシＣ１〜Ｃ４アルキル基とは、Ｃ１〜Ｃ４アルコキシ基により置換されたＣ１〜Ｃ４アルキル基を意味する（ここで、Ｃ１〜Ｃ４アルコキシ基およびＣ１〜Ｃ４アルキル基は上記と同じ意味を有する。）。
【０１１２】
Ｃ１〜Ｃ４アルコキシＣ１〜Ｃ４アルキル基の例は、
メトキシメチル基、エトキシメチル基、プロポキシメチル基、イソプロポキシメチル基、
１−メトキシエチル基、２−メトキシエチル基、１−エトキシエチル基、２−エトキシエチル基、１−プロポキシエチル基、２−プロポキシエチル基、１−イソプロポキシエチル基、２−イソプロポキシエチル基、
１−メトキシプロピル基、２−メトキシプロピル基、３−メトキシプロピル基等を含むが、これらに限定されるものではない。
【０１１３】
アミノＣ１〜Ｃ４アルキル基とは、アミノ基により置換されたＣ１〜Ｃ４アルキル基を意味する（ここで、Ｃ１〜Ｃ４アルキル基は上記と同じ意味を有する。）。
【０１１４】
アミノＣ１〜Ｃ４アルキル基の例は、
アミノメチル基、
１−アミノエチル基、２−アミノエチル基、
１−アミノプロピル基、２−アミノプロピル基等を含むが、これらに限定されるものではない。
【０１１５】
シアノＣ１〜Ｃ４アルキル基とは、シアノ基により置換されたＣ１〜Ｃ４アルキル基を意味する（ここで、Ｃ１〜Ｃ４アルキル基は上記と同じ意味を有する。）。
【０１１６】
シアノＣ１〜Ｃ４アルキル基の例は、
シアノメチル基、
１−シアノエチル基、２−シアノエチル基、
１−シアノプロピル基、２−シアノプロピル基等を含むが、これらに限定されるものではない。
【０１１７】
ニトロＣ１〜Ｃ４アルキル基とは、ニトロ基により置換されたＣ１〜Ｃ４アルキル基を意味する（ここで、Ｃ１〜Ｃ４アルキル基は上記と同じ意味を有する。）。
【０１１８】
ニトロＣ１〜Ｃ４アルキル基の例は、
ニトロメチル基、
１−ニトロエチル基、２−ニトロエチル基、
１−ニトロプロピル基、２−ニトロプロピル基等を含むが、これらに限定されるものではない。
【０１１９】
カルボキシＣ１〜Ｃ４アルキル基とは、カルボキシ基により置換されたＣ１〜Ｃ４アルキル基を意味する（ここで、Ｃ１〜Ｃ４アルキル基は上記と同じ意味を有する。）。
【０１２０】
カルボキシＣ１〜Ｃ４アルキル基の例は、
カルボキシメチル基、
１−カルボキシエチル基、２−カルボキシエチル基、
１−カルボキシプロピル基、２−カルボキシプロピル基等を含むが、これらに限定されるものではない。
【０１２１】
Ｃ１〜Ｃ４アルコキシカルボニルＣ１〜Ｃ４アルキル基とは、Ｃ１〜Ｃ４アルコキシカルボニル基により置換されたＣ１〜Ｃ４アルキル基を意味する（ここで、Ｃ１〜Ｃ４アルコキシカルボニル基およびＣ１〜Ｃ４アルキル基は上記と同じ意味を有する。）。
【０１２２】
Ｃ１〜Ｃ４アルコキシカルボニルＣ１〜Ｃ４アルキル基の例は、
メトキシカルボニルメチル基、エトキシカルボニルメチル基、プロポキシカルボニルメチル基、イソプロポキシカルボニルメチル基、
１−メトキシカルボニルエチル基、２−メトキシカルボニルエチル基、１−エトキシカルボニルエチル基、２−エトキシカルボニルエチル基、１−プロポキシカルボニルエチル基、２−プロポキシカルボニルエチル基、１−イソプロポキシカルボニルエチル基、２−イソプロポキシカルボニルエチル基、
１−メトキシカルボニルプロピル基、２−メトキシカルボニルプロピル基、３−メトキシカルボニルプロピル基等を含むが、これらに限定されるものではない。
【０１２３】
５もしくは６員の炭素環の例は、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロペンテン、シクロヘキセン等を含むが、これらに限定されるものではない。
【０１２４】
（原料化合物：一般式（２）で表されるフェニルスルフィド誘導体）
一般式（２）で表されるフェニルスルフィド誘導体の調製は、例えば、国際公開第２０１３／１５７２２９号（特許文献４）に記載されているか、または同様の方法で行われ得る。
【０１２５】
（酸化剤）
本発明で使用される酸化剤は、反応が進行する限りは、いずれの酸化剤でもよい。対応する原料化合物（スルフィド誘導体）を目的化合物（スルホキシド誘導体）に酸化できる酸化剤を用いることができる。本発明で使用される酸化剤の例は、無機過酸化物（例えば、過酸化水素、尿素−過酸化水素付加体等）、有機過酸（例えば、過酢酸、トリフルオロ過酢酸、過安息香酸、ｍ−クロロ過安息香酸等）、有機過酸化物（例えば、ｔｅｒｔ−ブチルヒドロペルオキシド、クメンヒドロペルオキシド等）等を含むが、これらに限定されるものではない。反応性、選択性および経済効率等の観点から、好ましい酸化剤は過酸化水素である。酸化剤は、単独でまたは任意の割合の２種以上の組み合わせで使用してもよい。
【０１２６】
酸化剤の形態は、反応が進行する限りは、いずれの形態でもよい。酸化剤の形態は、当業者により適切に選択されることができる。酸化剤として過酸化水素を用いるときは、過酸化水素の形態は、反応が進行する限りは、いずれの形態でもよい。危険性と経済効率を考慮して、好ましい形態の過酸化水素の例は、５〜６０ｗｔ％過酸化水素水溶液、好ましくは５〜４０ｗｔ％過酸化水素水溶液、より好ましくは１０〜３５ｗｔ％過酸化水素水溶液、さらに好ましくは２５〜３５ｗｔ％過酸化水素水溶液を含む。なお、本明細書中、例えば、「３０％過酸化水素水溶液」は「３０％過酸化水素」とも言う。
【０１２７】
（酸化剤の使用量）
本発明の方法における酸化剤の使用量は、反応が進行する限りは、いずれの量でもよい。
【０１２８】
収率の向上および経済効率等の観点から、本発明における酸化剤の下限としては、一般式（２）で表されるフェニルスルフィド誘導体（原料化合物）１モルに対して、０．９モル以上、好ましくは１．０モル以上を例示することができる。
【０１２９】
安全性、副生成物の抑制および経済効率等の観点から、本発明における酸化剤の上限としては、一般式（２）で表されるフェニルスルフィド誘導体（原料化合物）１モルに対して、４．０モル以下、好ましくは３．０モル以下、より好ましくは２．５モル以下を例示することができる。
【０１３０】
さらに、本発明における酸化剤の使用量としては、上記の下限と上限の適宜な且つ任意の組み合わせを例示することができる。したがって、安全性、収率の向上、副生成物の抑制、および経済効率等の観点から、本発明における酸化剤の使用量としては、一般式（２）で表されるフェニルスルフィド誘導体（原料化合物）１モルに対して、０．９〜４．０モル、好ましくは１．０〜３．０モル、より好ましくは１．０〜２．５モルを例示することができる。しかしながら、本発明における酸化剤の使用量は、目的と状況に応じて、当業者により適宜調整されることができる。
【０１３１】
（キラル触媒：金属−キラル配位子錯体）
本発明におけるキラル触媒は、金属−キラル配位子錯体である。金属−キラル配位子錯体は、金属化合物とキラル配位子から調製することができる。加えて、金属−キラル配位子錯体は、金属化合物および配位子以外の成分を含んでいてもよい。したがって、金属−キラル配位子錯体は、金属化合物とキラル配位子を含む。
【０１３２】
（金属化合物）
本発明における金属−キラル配位子錯体に含まれる金属化合物について、説明する。本発明で使用される金属化合物は、反応が進行する限りは、いずれの金属化合物でもよい。本発明で使用される金属化合物は公知の化合物であるか、または公知の化合物から公知の方法に準じて製造することができる化合物である。
【０１３３】
金属化合物は、金属アセチルアセトネート、金属ハロゲン化物、金属酸化物、金属アルコキシド等であるが、これらに限定されるものではない。
【０１３４】
金属化合物の金属は好ましくは遷移金属である。
【０１３５】
金属化合物の例は、鉄化合物、バナジウム化合物、チタン化合物、マンガン化合物、銅化合物、モリブデン化合物、ジルコニウム化合物等を含むが、これらに限定されるものではない。
【０１３６】
エナンチオマー過剰率、収率、転化率、および経済効率等の観点から、金属化合物は、好ましくは鉄化合物、バナジウム化合物、より好ましくは鉄化合物である。
【０１３７】
鉄化合物の例は、鉄（ＩＩＩ）アセチルアセトネート、塩化鉄（ＩＩＩ）、臭化鉄（ＩＩＩ）、鉄（ＩＩＩ）メトキシド、鉄（ＩＩＩ）エトキシド、鉄（ＩＩＩ）プロポキシド、鉄（ＩＩＩ）イソプロポキシド等を含むが、これらに限定されるものではない。「鉄（ＩＩＩ）アセチルアセトネート」は、「Ｆｅ（ａｃａｃ）３」または「トリス（２，４−ペンタンジナオト）鉄（ＩＩＩ）」とも言う。上記と同様の観点から、鉄化合物の好ましい例は、鉄（ＩＩＩ）アセチルアセトネート、塩化鉄（ＩＩＩ）を含む。鉄化合物のより好ましい例は、鉄（ＩＩＩ）アセチルアセトネートを含む。
【０１３８】
バナジウム化合物の例は、バナジルアセチルアセトネート、酸化バナジウム（Ｖ）、トリイソプロポキシバナジウム（Ｖ）オキシド等を含むが、これらに限定されるものではない。「バナジルアセチルアセトネート」は、「ＶＯ（ａｃａｃ）２」、「ビス（２，４−ペンタンジナオト）バナジウム（ＩＶ）オキシド」または「バナジウム（ＩＶ）オキシアセチルアセトネート」とも言う。「トリイソプロポキシバナジウム（Ｖ）オキシド」は、「ＶＯ（０ｉＰｒ）３」または「トリイソプロポキシオキソバナジウム（Ｖ）とも言う。上記と同様の観点から、バナジウム化合物の好ましい例は、バナジルアセチルアセトネート、酸化バナジウム（Ｖ）を含む。バナジウム化合物のより好ましい例は、バナジルアセチルアセトネートを含む。
【０１３９】
チタン化合物の例は、四塩化チタン、チタン（ＩＶ）メトキシド、チタン（ＩＶ）エトキシド、チタン（ＩＶ）プロポキシド、チタン（ＩＶ）イソプロポキシド、チタン（ＩＶ）ｔｅｒｔ−ブトキシド等を含むが、これらに限定されるものではない。
【０１４０】
マンガン化合物の例は、マンガン（ＩＩＩ）アセチルアセトネート、塩化マンガン（ＩＩ）等を含むが、これらに限定されるものではない。「マンガン（ＩＩＩ）アセチルアセトネート」は、「Ｍｎ（ａｃａｃ）３」とも言う。
【０１４１】
銅化合物の例は、銅（ＩＩ）アセチルアセトネート、塩化銅（Ｉ）、塩化銅（ＩＩ）等を含むが、これらに限定されるものではない。「銅（ＩＩ）アセチルアセトネート」は、「Ｃｕ（ａｃａｃ）２」とも言う。
【０１４２】
モリブデン化合物の例は、モリブデニルアセチルアセトネート等を含むが、これらに限定されるものではない。「モリブデニルアセチルアセトネート」は、「ＭｏＯ２（ａｃａｃ）２」、「ビス（２，４−ペンタンジナオト）モリブデン（ＶＩ）ジオキシド」または「モリブデン（ＩＶ）ジオキシアセチルアセトネート」とも言う。
【０１４３】
ジルコニウム化合物の例は、ジルコニウム（ＩＶ）アセチルアセトネート、四塩化ジルコニウムを含むが、これらに限定されるものではない。「ジルコニウム（ＩＶ）アセチルアセトネート」は、「Ｚｒ（ａｃａｃ）２」または「テトラキス（２，４−ペンタンジナオト）ジルコニウム（ＩＶ）」とも言う。
【０１４４】
本発明における金属化合物は、単独でまたは任意の割合の２種以上の組み合わせで使用してもよい。本発明における金属化合物の形態は、反応が進行する限りは、いずれの形態でもよい。本発明における金属化合物の形態は、当業者により適切に選択されることができる。
【０１４５】
（金属化合物の使用量）
本発明の方法における金属化合物の使用量は、反応が進行する限りは、いずれの量でもよい。収率の向上、環境負荷の低減、および経済効率等の観点から、本発明における金属化合物の使用量としては、一般式（２）で表されるフェニルスルフィド誘導体（原料化合物）１モルに対して、０．１〜１０．０ｍｏｌ％、好ましくは０．３〜５．０ｍｏｌ％、より好ましくは０．５〜３．０ｍｏｌ％を例示することができる。
【０１４６】
金属化合物の使用量は、添加剤（無機塩、好ましくはアルカリ金属炭酸水素塩、より好ましくは炭酸水素ナトリウム）の使用により、低減することができる。添加剤としての無機塩を用いた場合は、上記と同様の観点から、本発明における金属化合物の使用量としては、一般式（２）で表されるフェニルスルフィド誘導体（原料化合物）１モルに対して、０．１〜４．０ｍｏｌ％、好ましくは０．３〜３．０ｍｏｌ％、より好ましくは０．５〜２．０ｍｏｌ％、さらに好ましくは０．５〜１．５ｍｏｌ％を例示することができる。
【０１４７】
（キラル配位子）
本発明における金属−キラル配位子錯体に含まれるキラル配位子について説明する。本発明で使用されるキラル配位子は、反応が進行する限りは、いずれのキラル配位子でもよい。本発明で使用されるキラル配位子は公知の化合物であるか、または公知の化合物から公知の方法に準じて製造することができる化合物である。
【０１４８】
キラル配位子は
一般式（３）：
【０１４９】
【化１０】
2016056104.tif 000011
【０１５０】
（式中、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７および＊は、下記の通りである。）
または一般式（４）：
【０１５１】
【化１１】
2016056104.tif 000012
【０１５２】
（式中、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１１および＊は、下記の通りである。）
で表される化合物である。
【０１５３】
一般式（３）中、Ｒ４およびＲ５は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基、フェニルＣ１〜Ｃ６アルキル基、Ｃ６〜Ｃ１０アリール基、シアノ基、ニトロ基、またはＣ１〜Ｃ６アルコキシ基である。
【０１５４】
エナンチオマー過剰率、収率、転化率、および経済効率等の観点から、好ましいＲ４およびＲ５の例は、それぞれ独立して、ハロゲン原子またはＣ１〜Ｃ６アルキル基である。
【０１５５】
より好ましいＲ４およびＲ５の例は、ヨウ素原子またはｔｅｒｔ−ブチル基である。
【０１５６】
一般式（３）中、Ｒ６は、Ｃ１〜Ｃ４アルキル基、シアノ基、ニトロ基、カルボキシ基、Ｃ１〜Ｃ４アルコキシカルボニル基、Ｃ１〜Ｃ４アルキルカルボニル基、ヒドロキシＣ１〜Ｃ４アルキル基、Ｃ１〜Ｃ４アルコキシＣ１〜Ｃ４アルキル基、アミノＣ１〜Ｃ４アルキル基、シアノＣ１〜Ｃ４アルキル基、ニトロＣ１〜Ｃ４アルキル基、カルボキシＣ１〜Ｃ４アルキル基、またはＣ１〜Ｃ４アルコキシカルボニルＣ１〜Ｃ４アルキル基である。
【０１５７】
エナンチオマー過剰率、収率、転化率、および経済効率等の観点から、好ましいＲ６の例は、ヒドロキシＣ１〜Ｃ４アルキル基である。
【０１５８】
より好ましいＲ６の例は、ヒドロキシメチル基である。
【０１５９】
一般式（３）中、Ｒ７は、水素原子、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基、フェニルＣ１〜Ｃ６アルキル基、またはＣ６〜Ｃ１０アリール基である。
【０１６０】
エナンチオマー過剰率、収率、転化率、および経済効率等の観点から、好ましいＲ７の例は、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基である。
【０１６１】
より好ましいＲ７の例は、イソプロピル基またはｔｅｒｔ−ブチル基である。
【０１６２】
一般式（３）中、＊は不斉中心を示す。
【０１６３】
エナンチオマー過剰率、収率、転化率、および経済効率等の観点から、一般式（３）中、好ましいＲ４、Ｒ５、Ｒ６、およびＲ７の組み合わせは：
Ｒ４およびＲ５が、それぞれ独立して、ハロゲン原子またはＣ１〜Ｃ６アルキル基であり；
Ｒ６がヒドロキシＣ１〜Ｃ４アルキル基であり；
Ｒ７がＣ１〜Ｃ６アルキル基である。
【０１６４】
より好ましいＲ４、Ｒ５、Ｒ６、およびＲ７の組み合わせは：
Ｒ４およびＲ５がヨウ素原子またはｔｅｒｔ−ブチル基であり；
Ｒ６がヒドロキシメチル基であり；
Ｒ７がイソプロピル基またはｔｅｒｔ−ブチル基である。
【０１６５】
一般式（４）中、Ｒ８およびＲ９は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基、フェニルＣ１〜Ｃ６アルキル基、Ｃ６〜Ｃ１０アリール基、シアノ基、ニトロ基、またはＣ１〜Ｃ６アルコキシ基である。
【０１６６】
エナンチオマー過剰率、収率、転化率、および経済効率等の観点から、好ましいＲ８およびＲ９の例は、それぞれ独立して、ハロゲン原子またはＣ１〜Ｃ６アルキル基である。
【０１６７】
より好ましいＲ８およびＲ９の例は、ヨウ素原子またはｔｅｒｔ−ブチル基である。
【０１６８】
一般式（４）中、Ｒ１０およびＲ１１は、それぞれ独立して、水素原子、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基、フェニルＣ１〜Ｃ６アルキル基、もしくはＣ６〜Ｃ１０アリール基であり、またはＲ１０およびＲ１１は、それらが結合している炭素原子と一緒になって、５もしくは６員の炭素環を形成していてもよい。
【０１６９】
エナンチオマー過剰率、収率、転化率、および経済効率等の観点から、好ましいＲ１０およびＲ１１の例は、それらが結合している炭素原子と一緒になって形成された、５もしくは６員の炭素環である
【０１７０】
より好ましいＲ１０およびＲ１１の例は、それらが結合している炭素原子と一緒になって形成された、シクロヘキサンである。
【０１７１】
一般式（４）中、＊は不斉中心を示す。
【０１７２】
エナンチオマー過剰率、収率、転化率、および経済効率等の観点から、一般式（４）中、好ましいＲ８、Ｒ９、Ｒ１０、およびＲ１１の組み合わせは：
Ｒ８およびＲ９が、それぞれ独立して、ハロゲン原子またはＣ１〜Ｃ６アルキル基であり；
Ｒ１０およびＲ１１が、それらが結合している炭素原子と一緒になって形成された、５もしくは６員の炭素環である。
【０１７３】
より好ましいＲ８、Ｒ９、Ｒ１０、およびＲ１１の組み合わせは：
Ｒ８およびＲ９がヨウ素原子またはｔｅｒｔ−ブチル基であり；
Ｒ１０およびＲ１１が、それらが結合している炭素原子と一緒になって形成された、シクロヘキサンである。
【０１７４】
エナンチオマー過剰率、収率、転化率、および経済効率等の観点から、キラル配位子としては、一般式（３）で表される化合物が、好ましい。上記の好ましいＲ４、Ｒ５、Ｒ６、およびＲ７の組み合わせを有する一般式（３）で表される化合物が、より好ましい。上記のより好ましいＲ４、Ｒ５、Ｒ６、およびＲ７の組み合わせを有する一般式（３）で表される化合物が、さらに好ましい。
【０１７５】
キラル配位子の具体例は、下記式（３−ａ−Ｒ）、（３−ａ−Ｓ）、（３−ｂ−Ｒ）、（３−ｂ−Ｓ）、（４−ａ−Ｒ）、（４−a−Ｓ）、（４−ｂ−Ｒ）および（４−ｂ−Ｓ）の化合物を含む。
【０１７６】
【化１２】
2016056104.tif 000013
【０１７７】
【化１３】
2016056104.tif 000014
【０１７８】
【化１４】
2016056104.tif 000015
【０１７９】
【化１５】
2016056104.tif 000016
【０１８０】
【化１６】
2016056104.tif 000017
【０１８１】
【化１７】
2016056104.tif 000018
【０１８２】
【化１８】
2016056104.tif 000019
【０１８３】
【化１９】
2016056104.tif 000020
【０１８４】
エナンチオマー過剰率、収率、転化率、および経済効率等の観点から、好ましいキラル配位子の具体例は、式（３−ａ−Ｒ）、（３−ａ−Ｓ）、（３−ｂ−Ｒ）、および（３−ｂ−Ｓ）である。生成物の有用性等および経済効率等の観点から、より好ましいキラル配位子の具体例は、式（３−ａ−Ｒ）、（３−ｂ−Ｒ）、さらに好ましくは（３−ａ−Ｒ）である。
【０１８５】
本発明におけるキラル配位子は、単独でまたは任意の割合の２種以上の組み合わせで使用してもよい。本発明におけるキラル配位子の形態は、反応が進行する限りは、いずれの形態でもよい。本発明における金属化合物の形態は、当業者により適切に選択されることができる。
【０１８６】
（キラル配位子の使用量）
本発明の方法におけるキラル配位子の使用量は、反応が進行する限りは、いずれの量でもよい。収率およびエナンチオマー過剰率の向上、環境負荷の低減、および経済効率等の観点から、本発明におけるキラル配位子の使用量としては、一般式（２）で表されるフェニルスルフィド誘導体（原料化合物）１モルに対して、０．１〜２０．０ｍｏｌ％、好ましくは０．３〜１０．０ｍｏｌ％、より好ましくは０．５〜６．０ｍｏｌ％を例示することができる。
【０１８７】
キラル配位子の使用量は、添加剤（無機塩、好ましくはアルカリ金属炭酸水素塩、より好ましくは炭酸水素ナトリウム）の使用により、低減することができる。添加剤としての無機塩を用いた場合は、上記と同様の観点から、本発明における金属化合物の使用量としては、一般式（２）で表されるフェニルスルフィド誘導体（原料化合物）１モルに対して、０．１〜８．０ｍｏｌ％、好ましくは０．３〜６．０ｍｏｌ％、より好ましくは０．５〜４．０ｍｏｌ％、さらに好ましくは０．５〜３．０ｍｏｌ％、特に好ましくは１．０〜２．０ｍｏｌ％を例示することができる。
【０１８８】
（添加剤としての無機塩）
本発明の反応では、反応が進行する限りは、添加剤としての無機塩を使用してもよく、また使用しなくてもよい。例えば、実施例１４に示されるように、無機塩を使用しない場合でも、十分に反応が進行する。しかしながら、キラル触媒の量（すなわち、金属化合物の量およびキラル配位子の量）の低減、エナンチオマー過剰率、収率および転化率の向上の観点から、本発明の反応では、好ましくは添加剤としての無機塩が用いられる。言い換えれば、本発明の反応は、好ましくは添加剤としての無機塩の存在下で行われる。
【０１８９】
本発明で使用される添加剤としての無機塩は、反応が進行する限りは、いずれの無機塩でもよい。本発明の反応で使用される添加剤としての無機塩の例は、
アルカリ金属炭酸水素塩（例えば、炭酸水素リチウム（ＬｉＨＣＯ３）、炭酸水素ナトリウム（ＮａＨＣＯ３）、炭酸水素カリウム（ＫＨＣＯ３）、炭酸水素セシウム（ＣｓＨＣＯ３））、
アルカリ金属炭酸塩（例えば、炭酸リチウム（Ｌｉ２ＣＯ３）、炭酸ナトリウム（Ｎａ２ＣＯ３）、炭酸カリウム（Ｋ２ＣＯ３）、炭酸セシウム（Ｃｓ２ＣＯ３））、
アルカリ金属リン酸塩（例えば、リン酸ナトリウム（Ｎａ３ＰＯ４）、リン酸カリウム（Ｋ３ＰＯ４）、ピロリン酸ナトリウム（Ｓｏｄｉｕｍ  ｐｙｒｏｐｈｏｓｐｈａｔｅ）（Ｎａ４Ｐ２Ｏ７）、ピロリン酸カリウム（Ｐｏｔａｓｓｉｕｍ  ｐｙｒｏｐｈｏｓｐｈａｔｅ）（Ｋ４Ｐ２Ｏ７））、
アルカリ金属リン酸水素塩（例えば、リン酸水素ナトリウム（Ｎａ２ＨＰＯ４）、リン酸水素カリウム（Ｋ２ＨＰＯ４））、
アルカリ金属リン酸二水素塩（例えば、リン酸二水素ナトリウム（ＮａＨ２ＰＯ４）、リン酸二水素カリウム（ＫＨ２ＰＯ４））、
アルカリ金属ホウ酸塩（例えば、メタホウ酸ナトリウム（Ｓｏｄｉｕｍ  ｍｅｔａｂｏｒａｔｅ）（ＮａＢＯ２）、オルトホウ酸ナトリウム（Ｓｏｄｉｕｍ  ｏｒｔｈｏｂｏｒａｔｅ）（ＮａＢＯ２）、四ホウ酸ナトリウム（Ｓｏｄｉｕｍ  ｔｅｔｒａｂｏｒａｔｅ）（Ｎａ２Ｂ４Ｏ７）、八ホウ酸ナトリウム（Ｓｏｄｉｕｍ  ｏｃｔａｂｏｒａｔｅ）（Ｎａ２Ｂ８Ｏ１３）、メタホウ酸カリウム（Ｐｏｔａｓｓｉｕｍ  ｍｅｔａｂｏｒａｔｅ）（ＫＢＯ２）、オルトホウ酸カリウム（Ｐｏｔａｓｓｉｕｍ  ｏｒｔｈｏｂｏｒａｔｅ）（ＮａＢＯ２）、四ホウ酸カリウム（Ｐｏｔａｓｓｉｕｍ  ｔｅｔｒａｂｏｒａｔｅ）（Ｋ２Ｂ４Ｏ７）、八ホウ酸カリウム（Ｐｏｔａｓｓｉｕｍ  ｏｃｔａｂｏｒａｔｅ）（Ｋ２Ｂ８Ｏ１３））、
アルカリ金属ケイ酸塩（例えば、オルトケイ酸ナトリウム（Ｓｏｄｉｕｍ  ｏｒｔｈｏｓｉｌｉｃａｔｅ）（Ｎａ４ＳｉＯ４）、メタケイ酸ナトリウム（Ｓｏｄｉｕｍ  ｍｅｔａｓｉｌｉｃａｔｅ）（Ｎａ２ＳｉＯ３）、メタ二ケイ酸ナトリウム（Ｓｏｄｉｕｍ  ｍｅｔａｄｉｓｉｌｉｃａｔｅ）（Ｎａ２Ｓｉ２Ｏ５）、テトラケイ酸ナトリウム（Ｓｏｄｉｕｍ  ｔｅｔｒａｓｉｌｉｃａｔｅ）（Ｎａ２Ｓｉ４Ｏ９）、オルトケイ酸カリウム（Ｐｏｔａｓｓｉｕｍ  ｏｒｔｈｏｓｉｌｉｃａｔｅ）（Ｋ４ＳｉＯ４）、メタケイ酸カリウム（Ｐｏｔａｓｓｉｕｍ  ｍｅｔａｓｉｌｉｃａｔｅ）（Ｋ２ＳｉＯ３）、メタ二ケイ酸カリウム（Ｐｏｔａｓｓｉｕｍ  ｍｅｔａｄｉｓｉｌｉｃａｔｅ）（Ｋ２Ｓｉ２Ｏ５）、テトラケイ酸カリウム（Ｐｏｔａｓｓｉｕｍ  ｔｅｔｒａｓｉｌｉｃａｔｅ）（Ｋ２Ｓｉ４Ｏ９））、
アルカリ金属アルミン酸塩（例えば、二酸化ナトリウムアルミニウム（Ｓｏｄｉｕｍ  ａｌｕｍｉｎｉｕｍ  ｄｉｏｘｉｄｅ）（ＮａＡｌＯ２）、二酸化カリウムアルミニウム（Ｐｏｔａｓｓｉｕｍ  ａｌｕｍｉｎｉｕｍ  ｄｉｏｘｉｄｅ）（ＫＡｌＯ２）、テトラヒドロキソアルミン酸ナトリウム（Ｓｏｄｉｕｍ  ｔｅｔｒａｈｙｄｒｏｘｏ  ａｌｕｍｉｎａｔｅ）（Ｎａ［Ａｌ（ＯＨ）４］）、テトラヒドロキソアルミン酸カリウム（Ｐｏｔａｓｓｉｕｍ  ｔｅｔｒａｈｙｄｒｏｘｏ  ａｌｕｍｉｎａｔｅ）（Ｋ［Ａｌ（ＯＨ）４］））、
アルカリ金属硫酸塩（例えば、硫酸ナトリウム（Ｎａ２ＳＯ４）、硫酸カリウム（Ｋ２ＳＯ４））等を含むが、これらに限定されるものではない。
【０１９０】
キラル触媒の量（すなわち、金属化合物の量およびキラル配位子の量）の低減、エナンチオマー過剰率、収率および転化率の向上、経済効率等の観点から、好ましい無機塩の例は、アルカリ金属炭酸水素塩、アルカリ金属炭酸塩、アルカリ金属リン酸水素塩、アルカリ金属ホウ酸塩、アルカリ金属ケイ酸塩である。
【０１９１】
より好ましい無機塩の例は、アルカリ金属炭酸水素塩である。
【０１９２】
キラル触媒の量（すなわち、金属化合物の量およびキラル配位子の量）の低減、エナンチオマー過剰率、収率および転化率の向上、経済効率等の観点から、好ましい無機塩の具体例は、
炭酸水素リチウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム、炭酸水素セシウム、
炭酸リチウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸セシウム、
リン酸水素ナトリウム、リン酸水素カリウム、
ホウ酸ナトリウム、ホウ酸カリウム、
ケイ酸ナトリウム、ケイ酸カリウムである。
【０１９３】
一つの態様において、上記と同様の観点から、
より好ましい無機塩の具体例は、
炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム、
炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、
リン酸水素ナトリウム、リン酸水素カリウム、
ホウ酸ナトリウム、ホウ酸カリウム、
ケイ酸ナトリウム、ケイ酸カリウム、
さらに好ましくは炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム、
特に好ましくは炭酸水素ナトリウムである。
【０１９４】
別の態様において、
より好ましい無機塩の具体例は、上記と同様の観点から、
炭酸水素リチウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム、炭酸水素セシウム、
さらに好ましくは炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム、
特に好ましくは炭酸水素ナトリウムである。
【０１９５】
上記の無機塩は無水物であっても水和物であってもよい。上記の無機塩は単塩であっても複塩であっても良い。本発明における無機塩は、単独でまたは任意の割合の２種以上の組み合わせで使用してもよい。本発明における無機塩の形態は、反応が進行する限りは、いずれの形態でもよい。本発明における無機塩の形態は、当業者により適切に選択されることができる。
【０１９６】
上記の添加剤としての無機塩の存在下で反応を行うことにより、キラル触媒の量（すなわち、金属化合物の量およびキラル配位子の量）を低減することができる。さらに、それにより、エナンチオマー過剰率、収率および転化率を向上することができる。
【０１９７】
（添加剤としての無機塩の使用量）
本発明の方法における添加剤としての無機塩の使用量は、反応が進行する限りは、いずれの量でもよい。キラル触媒の量（すなわち、金属化合物の量およびキラル配位子の量）の低減、エナンチオマー過剰率、収率および転化率の向上、経済効率等の観点から、本発明における添加剤としての無機塩の使用量としては、一般式（２）で表されるフェニルスルフィド誘導体（原料化合物）１モルに対して、０（ゼロ）〜２０．０ｍｏｌ％、好ましくは０．１〜１０．０ｍｏｌ％、より好ましくは０．５〜５．０ｍｏｌ％、さらに好ましくは０．５〜２．０ｍｏｌ％を例示することができる。
【０１９８】
（溶媒）
反応の円滑な進行等の観点から、本発明の反応は溶媒の存在下で実施することが好ましい。本発明の反応における溶媒は、反応が進行する限りは、いずれの溶媒でもよい。
【０１９９】
本発明の反応における溶媒としては、例えば、
水、
ハロゲン化脂肪族炭化水素類（例えば、ジクロロメタン、クロロホルム、四塩化炭素、１，２−ジクロロエタン、１，３−ジクロロプロパン、１，４−ジクロロブタン、トリクロロエタン、トリクロロエチレン、テトラクロロエタン、テトラクロロエチレン、ペンタクロロエタン、トリクロロトリフルオロメタン等、
好ましくはジクロロメタン、クロロホルム、１，２−ジクロロエタン、
より好ましくはジクロロメタン）
芳香族炭化水素誘導体類（例えば、ベンゼン、トルエン、キシレン、トリメチルベンゼン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼン、クロロトルエン、ベンゾトリフルオリド、４−クロロベンゾトリフルオリド、ジフルオロベンゼン、ブロモベンゼン、ニトロベンゼン等、
好ましくは、トルエン、キシレン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、クロロトルエン）、
ニトリル類（例えば、アセトニトリル、プロピオニトリル、ブチロニトリル等、
好ましくはアセトニトリル）、
カルボン酸エステル類（例えば、酢酸エチル、酢酸イソプロピル、酢酸ブチル等）、
アミド類（例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡＣ）、Ｎ，Ｎ−ジエチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）等、
好ましくはＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡＣ）、Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）
より好ましくはＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ））、
アルキル尿素類（例えば、Ｎ，Ｎ’−ジメチルイミダゾリジノン（ＤＭＩ）等）、
スルホキシド類（例えば、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）等）、
スルホン類（例えば、スルホラン等）、
炭酸エステル類（例えば、エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート等）
アルコール類（例えば、メタノール、エタノール、プロパノール、２−プロパノール、ブタノール、エチレングリコール等）、
エーテル類（例えば、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、２−メチルテトラヒドロフラン、１，４−ジオキサン、ジメチルエーテル（ＤＭＥ）、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジブチルエーテル、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルエーテル、シクロペンチルメチルエーテル（ＣＰＭＥ）、メチル−ｔｅｒｔ−ブチルエーテル（ＭＴＢＥ）、ｔｅｒｔ−アミルメチルエーテル（ＴＡＭＥ）、１，２−ジメトキシエタン（ＤＭＥ）、ジグリム（ｄｉｇｌｙｍｅ）、トリグリム（ｔｒｉｇｌｙｍｅ）、４−メトキシベンゼン、ジフェニルエーテル等）、および
任意の割合のそれらの任意の組み合わせを含むが、これらに限定されるものではない。
【０２００】
反応性および経済効率等の観点から、溶媒の好ましい例は、水、ハロゲン化脂肪族炭化水素類、芳香族炭化水素誘導体類、ニトリル類、カルボン酸エステル類、アミド類、および任意の割合のそれらの任意の組み合わせを含む。
【０２０１】
溶媒のより好ましい例は、水、ハロゲン化脂肪族炭化水素類、芳香族炭化水素誘導体類、ニトリル類、アミド類、および任意の割合のそれらの任意の組み合わせを含む。
【０２０２】
溶媒のさらに好ましい例は、水、ハロゲン化脂肪族炭化水素類、芳香族炭化水素誘導体類、および任意の割合のそれらの任意の組み合わせを含む。
【０２０３】
溶媒の特に好ましい例は、水、ハロゲン化脂肪族炭化水素類、および任意の割合のそれらの任意の組み合わせ）を含む。
【０２０４】
溶媒の好ましい具体例は、水、ジクロロメタン、クロロホルム、四塩化炭素、１，２−ジクロロエタン、トルエン、キシレン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、クロロトルエン、アセトニトリル、酢酸エチル、酢酸イソプロピル、酢酸ブチル、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡＣ）、Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）、および任意の割合のそれらの任意の組み合わせを含む。
【０２０５】
溶媒のより好ましい具体例は、水、ジクロロメタン、クロロホルム、四塩化炭素、１，２−ジクロロエタン、トルエン、キシレン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、アセトニトリル、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、および任意の割合のそれらの組み合わせを含む。
【０２０６】
溶媒のさらに好ましい具体例は、水、ジクロロメタン、クロロホルム、四塩化炭素、１，２−ジクロロエタン、トルエン、キシレン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、および任意の割合のそれらの組み合わせを含む。
【０２０７】
溶媒の特に好ましい具体例は、水、ジクロロメタン、および任意の割合のそれらの組み合わせを含む。しかしながら、本発明の反応における溶媒は当業者により適切に選択されることができる。
【０２０８】
溶媒の使用量は、反応が進行する限りは、いずれの量でもよい。収率の向上、副生成物の抑制、および経済効率等の観点から、一般式（２）で表されるフェニルスルフィド誘導体（原料化合物）１モルに対して、０．０１〜１０．０Ｌ（リットル）、好ましくは０．１〜５．０Ｌを例示できる。しかしながら、本発明の反応における溶媒の使用量は当業者により適切に調整されることができる。２種以上の溶媒の組み合わせを用いるときは、２種以上の溶媒の割合は、反応が進行する限りは、いずれの割合でもよい。
【０２０９】
（反応温度）
本発明の反応温度は、特に制限されない。収率およびエナンチオマー過剰率の向上、副生成物の抑制、および経済効率等の観点から、−３０〜＋５０℃（すなわち、マイナス３０℃〜プラス５０℃）、好ましくは−２０〜＋１５℃（すなわち、マイナス２０℃〜プラス１５℃）、より好ましくは−１５〜＋１０℃（すなわち、マイナス１５℃〜プラス１５℃）、さらに好ましくは−１０〜＋５℃（すなわち、マイナス１０℃〜プラス５℃）の範囲を例示できる。
【０２１０】
（反応時間）
本発明の反応時間は、特に制限されない。収率およびエナンチオマー過剰率の向上、副生成物の抑制、および経済効率等の観点から、０．５〜１２０時間、好ましくは１〜９６時間、より好ましくは１〜７２時間の範囲を例示できる。
しかしながら、本発明の反応時間は当業者により適切に調整されることができる。
【０２１１】
（収率（Ｙｉｅｌｄ））
本発明における収率は、一般式（２）で表されるフェニルスルフィド誘導体（原料化合物）のモル数に対する、得られた一般式（１）で表されるフェニルスルスルホキシド化合物（目的化合物）のモル数、ここで得られた目的化合物はその（＋）−エナンチオマーとその（−）−エナンチオマーの両方を含む、から計算することができる。すなわち、本発明における収率は、以下の式で表される：
収率（％）＝（得られた目的化合物のモル数）／（原料化合物のモル数）×１００
また、本発明における収率は、以下の式でも表される：
収率（％）＝［（得られた目的化合物の（＋）−エナンチオマーのｍｏｌ数）＋（得られた目的化合物の（−）−エナンチオマーのｍｏｌ数）］／（原料化合物のｍｏｌ数）×１００
【０２１２】
本発明の反応における収率としては、好ましくは６０〜１００％、より好ましくは７５〜１００％、さらに好ましくは８０％〜１００％、さらに好ましくは、９０％〜１００％、特に好ましくは、９５％〜１００％の範囲を例示できる。
【０２１３】
（転化率（Ｃｏｎｖｅｒｓｉｏｎ））
本発明における転化率は、一般式（２）で表されるフェニルスルフィド誘導体（原料化合物）の仕込み量に対する、反応中に消費された一般式（２）で表されるフェニルスルフィド誘導体（原料化合物）の量の百分率（ｍｏｌ／ｍｏｌ×１００）である。すなわち、本発明における転化率は、以下の式で表される：
転化率（％）＝（消費された原料化合物のモル数）／（仕込んだ原料化合物のモル数）×１００
【０２１４】
本発明の反応における転化率としては、好ましくは６０〜１００％、より好ましくは７５〜１００％、さらに好ましくは８０％〜１００％、さらに好ましくは、９０％〜１００％、特に好ましくは、９５％〜１００％の範囲を例示できる。
【０２１５】
（転化収率（Ｃｏｎｖｅｒｓｉｏｎ  Ｙｉｅｌｄ））
本発明における転化収率は、反応中に消費された原料化合物の量に対する、得られた目的化合物のモル数から計算することができる。すなわち、本発明における転化収率は、以下の式で表される：
転化収率（％）＝（得られた目的化合物のモル数）／（消費された原料化合物のモル数）×１００
（上式中、目的化合物は一般式（１）で表されるフェニルスルホキシド化合物であり、ここで目的化合物はその（＋）−エナンチオマーとその（−）−エナンチオマーの両方を含み、原料化合物は一般式（２）で表されるフェニルスルフィド誘導体である。）
また、本発明における転化収率は、以下の式でも表される：
転化収率（％）＝［（得られた目的化合物の（＋）−エナンチオマーのｍｏｌ数）＋（得られた目的化合物の（−）−エナンチオマーのｍｏｌ数）］／（消費された原料化合物のｍｏｌ数）×１００
なお、本明細書中、「転化収率（ｃｏｎｖｅｒｓｉｏｎ  ｙｉｅｌｄ）」は「転化率に対する収率（ｙｉｅｌｄ  ｏｎ  ｃｏｎｖｅｒｓｉｏｎ）」とも言うことができる。転化収率は、多きいほど、好ましい。なぜなら、その値が大きくなるほど、反応から得られる望ましくない副生成物の量が少なくなるからである。言い換えれば、転化収率は、反応の選択性（Ｓｅｌｅｃｔｉｖｉｔｙ）を意味する。
【０２１６】
本発明の反応における転化収率としては、好ましくは９０〜１００％、より好ましくは９５〜１００％。さらに好ましくは９８〜１００％の範囲を例示できる。
【０２１７】
（エナンチオマー過剰率（％ｅｅ））
用語「エナンチオマー過剰率（％ｅｅ）」は、当業者によく知られている。エナンチオマー過剰率は、２種のエナンチオマーのうちの一方の、他方に対する過剰率であり、百分率で表される。問題の化合物ＡＢがエナンチオマーＡとエナンチオマーＢからなる場合に、言い換えれば、問題の化合物ＡＢ中にエナンチオマーＡとエナンチオマーＢが含まれる場合に、エナンチオマー過剰率は、問題の化合物ＡＢ中のエナンチオマーＡのモル数とエナンチオマーＢのモル数からから計算することができる。すなわち、エナンチオマー過剰率は、ＡＢ→Ａ＋Ｂの分割について、下記のように定義される：
エナンチオマー過剰率（％ｅｅ）＝［（エナンチオマーＡのモル数）−（エナンチオマーＢのモル数）］／［（エナンチオマーＡのモル数）＋（エナンチオマーＢのモル数）］×１００
ただし、エナンチオマーＡが過剰のエナンチオマーである。
【０２１８】
エナンチオマー過剰率は、化合物のエナンチオマー純度の尺度であり、混合物中の純粋な優勢なエナンチオマーの比率を示し、残りの部分は化合物のラセミ体である。例えば、９０％ｅｅは、問題の化合物において、一方のエナンチオマーが９５％および他方が５％存在することを表わす。同時に、９０％ｅｅは、問題の化合物において、過剰のエナンチオマーが９０％およびラセミ体が１０％存在することを表わす。エナンチオマー過剰率の値は０％ｅｅ（ゼロ％ｅｅ）〜１００％ｅｅの値であり、０％ｅｅはラセミ体であり、１００％ｅｅは純粋な単一のエナンチオマーである。
【０２１９】
本発明の反応におけるエナンチオマー過剰率としては、好ましくは７０〜１００％ｅｅ、より好ましくは８０〜１００％ｅｅ、さらに好ましくは９０〜１００％ｅｅ、特に好ましくは９５〜１００％ｅｅの範囲を例示できる。
【０２２０】
また、エナンチオマー過剰率は、キラル触媒および添加剤（無機塩）によってだけではなく、撹拌速度によっても、調節され得ることが観察された。ここで、撹拌速度は撹拌効率に影響する。さらに撹拌効率は、撹拌速度だけではなく、反応容器、撹拌装置等によっても変動することが当業者によく知られている。したがって、撹拌速度、反応容器、撹拌装置等は当業者により適切に選択されることができる。言い換えれば、撹拌効率は当業者により適切に調整されることができる。また、本発明の反応における溶媒もエナンチオマー過剰率に影響する。しかし、溶媒は当業者により適切に選択されることができる。加えて、エナンチオマー過剰率に影響する要因には、温度も含まれる。
【０２２１】
以下、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、本発明は、これら実施例によって何ら限定されるものではない。
【０２２２】
本明細書中、実施例および参考例の各物性の測定には次の機器および条件を用いた。
【０２２３】
（１Ｈ−ＮＭＲ：１Ｈ核磁気共鳴スペクトル）
機器：ＪＥＯＬ  ＪＭＮ−ＥＣＳ−３００またはＪＥＯＬ  ＪＭＮ−Ｌａｍｂｄａ−４００（株式会社ＪＥＯＬ  ＲＥＳＯＮＡＮＣＥ製）
内部基準物質：テトラメチルシラン（ＴＭＳ）
【０２２４】
（融点）
機器：Ｙａｎａｃｏ  ＭＰ‐５００Ｖ（株式会社アナテック・ヤナコ製）
【０２２５】
（旋光度）
機器：Ｐ−２２００（日本分光株式会社（ＪＡＳＣＯ  Ｃｏ．，Ｌｔｄ．）製）
【０２２６】
（ＨＰＬＣ：高速液体クロマトグラフィー）
（分析条件（Ａ））
ポンプ：ＰＵ−９８０（日本分光株式会社（ＪＡＳＣＯ  Ｃｏ．，Ｌｔｄ．）製）
検出器：ＵＶ−９７０（日本分光株式会社（ＪＡＳＣＯ  Ｃｏ．，Ｌｔｄ．）製）
カラム：ＣＨＩＲＡＬＰＡＫ  ＡＤ（ダイセル化学工業株式会社製）
移動層：ヘキサン／イソプロパノール＝９６／４
流速：１．０ｍＬ／ｍｉｎ
カラム温度：３５℃
検出：ＵＶ  ２５４ｎｍ
【０２２７】
ＨＰＬＣ分析方法に関しては、必要に応じて、以下の文献を参照することができる。
文献（ａ）：（社）日本化学会編、「新実験化学講座９  分析化学  ＩＩ」、第８６〜１１２頁（１９７７年）、発行者  飯泉新吾、丸善株式会社
文献（ｂ）：（社）日本化学会編、「実験化学講座２０−１  分析化学」第５版、第１３０〜１５１頁（２００７年）、発行者  村田誠四郎、丸善株式会社
【０２２８】
（エナンチオマー過剰率）
エナンチオマー過剰率は、キラル固定相上のＨＰＬＣ分析またはキラルシフト試薬を用いる１Ｈ−ＮＭＲ分析により測定された。
【０２２９】
（エナンチオマー過剰率；ＨＰＬＣ分析）
エナンチオマー過剰率の測定におけるＨＰＬＣ分析条件としては、上記のＨＰＬＣの分析条件（Ａ）が用いられた。
【０２３０】
（エナンチオマー過剰率；１Ｈ−ＮＭＲ分析）
エナンチオマー過剰率の測定における１Ｈ−ＮＭＲ分析条件としては、下記の条件が用いられた。
機器：ＪＥＯＬ  ＪＭＮ−ＥＣＳ−３００またはＪＥＯＬ  ＪＭＮ−Ｌａｍｂｄａ−４００（株式会社ＪＥＯＬ  ＲＥＳＯＮＡＮＣＥ製）
キラルシフト試薬：キラバイト−ＡＲ（東京化成工業株式会社製）
溶媒：ＣＤＣＬ３
例えば、ベンゼン環上のメチル基由来のピーク高さの比から算出した。
【０２３１】
本明細書中、室温は１５℃から３０℃である。
【０２３２】
本発明の実施例では、以下に示す式（３−ａ−Ｒ）、（３−ａ−Ｓ）、（３−ｂ−Ｓ）、（４−ａ−Ｓ）、または（４−ｂ−Ｓ）の化合物を配位子としてそれぞれ用いた。
【０２３３】
【化２０】
2016056104.tif 000021
【０２３４】
【化２１】
2016056104.tif 000022
【０２３５】
【化２２】
2016056104.tif 000023
【０２３６】
【化２３】
2016056104.tif 000024
【０２３７】
【化２４】
2016056104.tif 000025
【０２３８】
実施例１
（＋）−６−トリフルオロメチルチオヘキシル−［２，４−ジメチル−５−（２，２，２−トリフルオロエチルスルフィニル）フェニル］エーテルの製造
【０２３９】
【化２５】
2016056104.tif 000026
【０２４０】
６−トリフルオロメチルチオヘキシル−［２，４−ジメチル−５−（２，２，２−トリフルオロエチルチオ）フェニル］エーテル（原料化合物；１．５ｇ、３．５７ｍｍｏｌ）をジクロロメタン（１０ｍＬ）に溶解した。そこにＦｅ（ａｃａｃ）３（金属化合物；１２．６ｍｇ、０．０３６ｍｏｌ）および式（３−ａ−Ｒ）の化合物（配位子；２５．３ｍｇ、０．０５４ｍｏｌ）のジクロロメタン（４．３ｍＬ）溶液を加えた。混合物を室温で３０分環撹拌した後、−１０℃に冷却した。そこに炭酸水素ナトリウム（添加剤；３．０ｍｇ、０．０３６ｍｏｌ）の３０％過酸化水素（酸化剤；０．８１ｇ、７．１ｍｍｏｌ）溶液を加えた。反応の進行をＴＬＣ（薄層クロマトグラフィー）によりモニターしながら、混合物を−５℃で撹拌した。４８時間後、ＴＬＣで原料化合物の消失を確認した。反応混合物にヘキサン（１４．３ｍＬ）と１Ｍクエン酸水溶液（５ｍＬ）を加えた後、混合物を室温で２時間撹拌した。有機層を分離し、得られた有機層を亜硫酸水素ナトリウム水溶液、水、および食塩水で順次洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下で濃縮した。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン−酢酸エチル）により精製し、目的化合物１．４８ｇを無色結晶として得た。エナンチオマー過剰率は上記のＨＰＬＣ分析により決定された。
収率：９５％
エナンチオマー過剰率：９５．６％ｅｅ
比旋光度：＋９３．２
融点：３３．０−３４．０℃
1Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ（ｐｐｍ，ＴＭＳ基準）：１．４８−１．５２（ｍ，４Ｈ），１．７１−１．７６（ｍ，２Ｈ），１．７９−１．８５（ｍ，２Ｈ），２．２３（ｓ，３Ｈ），２．２８（ｓ，３Ｈ），２．９０（ｔ，２Ｈ），３．３０−３．４５（ｍ，２Ｈ），４．０４（ｔ，２Ｈ），７．０１（ｓ，１Ｈ），７．３６（ｓ，１Ｈ）
【０２４１】
実施例２
（＋）−６−トリフルオロメチルチオヘキシル−［２，４−ジメチル−５−（２，２，２−トリフルオロエチルスルフィニル）フェニル］エーテルの製造
【０２４２】
【化２６】
2016056104.tif 000027
【０２４３】
６−トリフルオロメチルチオヘキシル−［２，４−ジメチル−５−（２，２，２−トリフルオロエチルチオ）フェニル］エーテル（原料化合物；７．０ｇ、１６．６５ｍｍｏｌ）をジクロロメタン（６０ｍＬ）に溶解した。Ｆｅ（ａｃａｃ）３（金属化合物；５９ｍｇ、０．１６６ｍｍｏｌ）および式（３−ａ−Ｒ）の化合物（配位子；１１８ｍｇ、０．２５０ｍｍｏｌ）のジクロロメタン（７ｍＬ）溶液を加えた。混合物を室温で３０分撹拌した後、−１０℃に冷却した。そこに炭酸水素ナトリウム（添加剤；１４ｍｇ、０．１６６ｍｍｏｌ）の３０％過酸化水素（酸化剤；２．８３ｇ、２５．０ｍｍｏｌ）溶液を加えた。反応の進行をＴＬＣ（薄層クロマトグラフィー）によりモニターしながら、混合物を−５℃で撹拌した。３日後、ＴＬＣで原料化合物の消失を確認した。反応混合物にヘキサン（６７ｍＬ）と１Ｍクエン酸水溶液（２０ｍＬ）を加えた後、混合物を室温で２時間撹拌した。有機層を分離し、得られた有機層を亜硫酸水素ナトリウム水溶液、水、および食塩水で順次洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下で濃縮した。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン−酢酸エチル）により精製し、目的化合物６．９ｇを無色結晶として得た。エナンチオマー過剰率は上記のＨＰＬＣ分析により決定された。
収率：９５％
エナンチオマー過剰率：９７．１％ｅｅ
融点：３３．０−３４．０℃
【０２４４】
実施例３
光学活性な６−ブロモヘキシル−［２，４−ジメチル−５−（２，２，２−トリフルオロエチルスルフィニル）フェニル］エーテルの製造
【０２４５】
【化２７】
2016056104.tif 000028
【０２４６】
（１）触媒溶液の調製
Ｆｅ（ａｃａｃ）３（金属化合物；８．４ｍｇ、０．０２３８ｍｍｏｌ）および式（３−ａ−Ｒ）の化合物（配位子；１６．９ｍｇ、０．０３５７ｍｍｏｌ）をジクロロメタン（１０ｍＬ）溶液に溶解した。
（２）添加剤および酸化剤溶液の調製
炭酸水素ナトリウム（添加剤；７．５ｍｇ、０．０８９３ｍｍｏｌ）を３０％過酸化水素（酸化剤；１．０ｇ）に溶解した。
（３）標題化合物の製造
６−ブロモヘキシル−［２，４−ジメチル−５−（２，２，２−トリフルオロエチルチオ）フェニル］エーテル（原料化合物；５０ｍｇ、１２５ｍｍｏｌ）に上記（１）で調製した触媒溶液１．０５ｍＬ（Ｆｅ（ａｃａｃ）３０．００２５ｍｍｏｌおよび式（３−ａ−Ｒ）の化合物０．００３７５ｍｍｏｌを含む）を加えた。混合物を室温で３０分間撹拌した後、−１０℃に冷却した。そこに上記（２）で調製した添加剤および酸化剤溶液０．０２８ｍＬ（炭酸水素ナトリウム０．２１ｍｇ、０．００２５ｍｍｏｌおよび過酸化水素０．２５０ｍｍｏｌを含む）を加えた。反応の進行をＴＬＣ（薄層クロマトグラフィー）によりモニターしながら、混合物を−５℃で撹拌した。２日後、ＴＬＣで原料化合物の消失を確認した。反応混合物にヘキサン（５ｍＬ）と１Ｍクエン酸水溶液（１ｍＬ）を加えた後、混合物を室温で２時間撹拌した。有機層を分離し、得られた有機層を亜硫酸水素ナトリウム水溶液、水、および食塩水で順次洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下で濃縮した。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン−酢酸エチル）により精製し、目的化合物４７．２ｍｇを無色結晶として得た。エナンチオマー過剰率は上記のＨＰＬＣ分析により決定された。
収率：９１％
エナンチオマー過剰率：９７．６％ｅｅ
融点：７０．０−７２．０℃
1Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ（ｐｐｍ，ＴＭＳ基準）：  １．４９−１．５７（ｍ，４Ｈ），１．８２−１．９３（ｍ，４Ｈ），２．２４（ｓ，３Ｈ），２．２８（ｓ，３Ｈ），３．３０−３．４５（ｍ，２Ｈ），３．４３（ｔ，２Ｈ），４．０４（ｔ，２Ｈ），７．０１（ｓ，１Ｈ），  ７．３６（ｓ，１Ｈ）
【０２４７】
実施例４
（＋）−６−トリフルオロメチルチオヘキシル−［２，４−ジメチル−５−（２，２，２−トリフルオロエチルスルフィニル）フェニル］エーテルの製造
【０２４８】
【化２８】
2016056104.tif 000029
【０２４９】
（１）触媒溶液の調製
Ｆｅ（ａｃａｃ）３（金属化合物；８．４ｍｇ、０．０２３８ｍｍｏｌ）および式（３−ａ−Ｒ）の化合物（配位子；１６．９ｍｇ、０．０３５７ｍｍｏｌ）をジクロロメタン（１０ｍＬ）溶液に溶解した。
（２）添加剤および酸化剤溶液の調製
炭酸水素ナトリウム（添加剤；４．９ｍｇ、０．０５８９ｍｍｏｌ）を３０％過酸化水素（酸化剤；１．０ｇ）に溶解した。
（３）標題化合物の製造
６−トリフルオロメチルチオヘキシル−［２，４−ジメチル−５−（２，２，２−トリフルオロエチルチオ）フェニル］エーテル（原料化合物；１００ｍｇ、０．２３８ｍｍｏｌ）をジクロロメタン（０．９ｍＬ）に溶解した。そこに上記（１）で調製した触媒溶液１．０ｍＬ（Ｆｅ（ａｃａｃ）３０．００２３８ｍｍｏｌおよび式（３−ａ−Ｒ）の化合物０．００３５７ｍｍｏｌを含む）を加えた。混合物を室温で３０分間撹拌した後、−１０℃に冷却した。そこに上記（２）で調製した添加剤および酸化剤溶液０．０３６ｍＬ（炭酸水素ナトリウム０．２０ｍｇ、０．００２３８ｍｍｏｌおよび過酸化水素０．３５７ｍｍｏｌを含む）を加えた。混合物を−５℃で４８時間撹拌した。反応混合物にヘキサン（１．９ｍＬ）と１Ｍクエン酸水溶液（１ｍＬ）を加えた後、混合物を室温で２時間撹拌した。反応混合物の有機層をＨＰＬＣにより分析した。分析の結果は以下の通りであった：
目的化合物（（＋）−エナンチオマー）：９８．９５％
目的化合物の（−）−異性体：１．０５％
その他の類縁体は存在しなかった。
転化率：１００％、
転化収率：１００％
エナンチオマー過剰率：９７．９％ｅｅ
エナンチオマー過剰率は上記のＨＰＬＣ分析により決定された。
【０２５０】
実施例５〜１０
（＋）−６−トリフルオロメチルチオヘキシル−［２，４−ジメチル−５−（２，２，２−トリフルオロエチルスルフィニル）フェニル］エーテルの製造
【０２５１】
【化２９】
2016056104.tif 000030
【０２５２】
実施例５〜１３では、添加剤を変更した以外は、実施例４と同じ条件で反応を行った。結果を表１に示す。加えて、実施例４の結果も表１に示す。
【０２５３】
【表１】
2016056104.tif 000031
【０２５４】
実施例１４
（＋）−６−トリフルオロメチルチオヘキシル−［２，４−ジメチル−５−（２，２，２−トリフルオロエチルスルフィニル）フェニル］エーテルの製造
【０２５５】
【化３０】
2016056104.tif 000032
【０２５６】
６−トリフルオロメチルチオヘキシル−［２，４−ジメチル−５−（２，２，２−トリフルオロエチルチオ）フェニル］エーテル（原料化合物；１００ｍｇ、０．２３８ｍｍｏｌ）をジクロロメタン（１．９ｍＬ）に溶解した。そこにＦｅ（ａｃａｃ）３（金属化合物；４．２ｍｇ、０．０１１９ｍｍｏｌ）および式（３−ａ−Ｒ）の化合物（配位子；８．４ｍｇ、０．０１７８ｍｍｏｌ）を加えた。混合物を室温で３０分撹拌した後、−１０℃に冷却した。そこに３０％過酸化水素（酸化剤；０．０３６ｍＬ、０．３５７ｍｍｏｌ）を加えた。混合物を−５℃で４８時間撹拌した。反応終了後、反応混合物にヘキサン（１．９ｍＬ）と１Ｍクエン酸水溶液（１ｍＬ）を加えた後、混合物を室温で２時間撹拌した。反応混合物の有機層をＨＰＬＣにより分析した。分析の結果は以下の通りであった：
目的化合物（（＋）−エナンチオマー）：９８．３％
目的化合物の（−）−異性体：１．７％
その他の類縁体は存在しなかった。
転化率：１００％、
転化収率：１００％
エナンチオマー過剰率：９６．６％ｅｅ
エナンチオマー過剰率は上記のＨＰＬＣ分析により決定された。
【０２５７】
実施例１５
（−）−５−トリフルオロメチルチオペンチル−［４−クロロ−２−フルオロ−５−（２，２，２−トリフルオロエチルスルフィニル）フェニル］エーテルの製造
【０２５８】
【化３１】
2016056104.tif 000033
【０２５９】
５−トリフルオロメチルチオペンチル−［４−クロロ−２−フルオロ−５−（２，２，２−トリフルオロエチルチオ）フェニル］エーテル（原料化合物；１００ｍｇ、０．２３２ｍｍｏｌ）をジクロロメタン（０．９３ｍＬ）に溶解した。そこにＦｅ（ａｃａｃ）３（金属化合物；３．３ｍｇ、０．００９３ｍｍｏｌ）および式（３−ａ−Ｓ）の化合物（配位子；６．６ｍｇ、０．０１３．９ｍｍｏｌ）を加えた。混合物を室温で３０分撹拌した後、−５℃に冷却した。そこに３０％過酸化水素（酸化剤；０．０４７ｍＬ、０．４６ｍｍｏｌ）を加え、混合物を−５℃で１５時間撹拌した後、Ｆｅ（ａｃａｃ）３（３．３ｍｇ、０．００９３ｍｍｏｌ）を加え、さらに混合物を−５℃で１０時間撹拌した。反応終了後、反応混合物にヘキサン（１．９ｍＬ）と１Ｍクエン酸水溶液（１ｍＬ）を加えた後、混合物を室温で２時間撹拌した。反応混合物の有機層をＨＰＬＣにより分析した。分析の結果は以下の通りであった：
原料化合物：２０．７％
目的化合物（（−）−エナンチオマー）：８５．８５％
目的化合物の（＋）−異性体：３．４５％
その他の類縁体は存在しなかった。
転化率：７９．３％、
転化収率：１００％
エナンチオマー過剰率：９１．３％ｅｅ
エナンチオマー過剰率は上記のＨＰＬＣ分析により決定された。
【０２６０】
実施例１６
（−）−６−トリフルオロメチルチオヘキシル−［２，４−ジメチル−５−（２，２，２−トリフルオロエチルスルフィニル）フェニル］エーテルの製造
【０２６１】
【化３２】
2016056104.tif 000034
【０２６２】
６−トリフルオロメチルチオヘキシル−［２，４−ジメチル−５−（２，２，２−トリフルオロエチルチオ）フェニル］エーテル（原料化合物；２００ｍｇ、０．４７６ｍｍｏｌ）をジクロロメタン（１．９ｍＬ）に溶解した。そこにＦｅ（ａｃａｃ）３（金属化合物；３．４ｍｇ、０．００９５ｍｍｏｌ）および式（３−ａ−Ｓ）の化合物（配位子；６．８ｍｇ、０．０１４３ｍｍｏｌ）を加えた。混合物を室温で３０分撹拌した後、０℃に冷却した。そこに３０％過酸化水素（酸化剤；０．０９５ｍＬ、０．９５ｍｍｏｌ）を加えた。混合物を０℃で１５時間撹拌した。反応終了後、反応混合物にヘキサン（１．９ｍＬ）と１Ｍクエン酸水溶液（１ｍＬ）を加えた後、混合物を室温で２時間撹拌した。反応混合物の有機層をＨＰＬＣにより分析した。分析の結果は以下の通りであった：
原料化合物：１４．４％
目的化合物（（−）−エナンチオマー）：８２．４％
目的化合物の（＋）−異性体：３．２％
その他の類縁体は存在しなかった。
転化率：８５．６％、
転化収率：１００％
エナンチオマー過剰率：９２．６％ｅｅ
エナンチオマー過剰率は上記のＨＰＬＣ分析により決定された。
【０２６３】
参考例１〜５
光学活性な６−トリフルオロメチルチオヘキシル−［２，４−ジメチル−５−（２，２，２−トリフルオロエチルスルフィニル）フェニル］エーテルの製造
【０２６４】
【化３３】
2016056104.tif 000035
【０２６５】
参考例１および２では、金属化合物、配位子および添加剤を変更した以外は、実施例３または４と同様の条件で反応を行った。参考例３〜５では、添加剤を変更した以外は、実施例３または４と同様の条件で反応を行った。結果を表２に示す。
【０２６６】
【表２】
2016056104.tif 000036
【０２６７】
参考例６
（−）−６−トリフルオロメチルチオヘキシル−［２，４−ジメチル−５−（２，２，２−トリフルオロエチルスルフィニル）フェニル］エーテルの製造
【０２６８】
【化３４】
2016056104.tif 000037
【０２６９】
６−トリフルオロメチルチオヘキシル−［２，４−ジメチル−５−（２，２，２−トリフルオロエチルチオ）フェニル］エーテル（原料化合物；２００ｍｇ、０．４７６ｍｍｏｌ）をジクロロメタン（１．９ｍＬ）に溶解した。そこにＶＯ（ａｃａｃ）２（金属化合物；２．５２ｍｇ、０．００９５ｍｍｏｌ）および式（３−ａ−Ｓ）の化合物（配位子；６．８ｍｇ、０．０１４３ｍｍｏｌ）を加えた。混合物を室温で３０分撹拌した後、そこに３０％過酸化水素（酸化剤；０．０９５ｍＬ、０．９５ｍｍｏｌ）を加えた。混合物を室温で１５時間撹拌した。反応終了後、反応混合物にヘキサン（１．９ｍＬ）と１Ｍクエン酸水溶液（１ｍＬ）を加えた後、混合物を室温で２時間撹拌した。得られた反応混合物の有機層の一部を減圧下で濃縮し、１Ｈ−ＮＭＲにより分析した。分析の結果は以下の通りであった：
原料化合物：６０％
目的化合物（（−）−エナンチオマー）：３１．６％
目的化合物の（＋）−異性体：８．４％
その他の類縁体は存在しなかった。
転化率：４０％、
転化収率：１００％
エナンチオマー過剰率：５８％ｅｅ
エナンチオマー過剰率は上記の１Ｈ−ＮＭＲ分析により決定された。
【０２７０】
参考例７〜１３
【０２７１】
【化３５】
2016056104.tif 000038
【０２７２】
参考例７〜１３では、金属化合物および配位子を表３に示すように変更した以外は、参考例６と同じ条件で反応を行った。結果を表３に示す。
【０２７３】
【表３】
2016056104.tif 000039
【０２７４】
続いて、本発明の方法により製造し得る、一般式（１）で表される光学活性なフェニルスルホキシド誘導体の示す有害生物防除作用（殺ダニ活性）について説明する。
【０２７５】
次に、代表的な製剤例を挙げて製剤方法を具体的に説明する。化合物、添加剤の種類及び配合比率は、これのみに限定されることなく広い範囲で変更可能である。以下の説明において「部」は質量部を意味する。（以下では、（＋）−６−トリフルオロメチルチオヘキシル−［２，４−ジメチル−５−（２，２，２−トリフルオロエチルスルフィニル）フェニル］エーテルを化合物番号Ｉ、ラセミ体の（６−トリフルオロメチルチオヘキシル−［２，４−ジメチル−５−（２，２，２−トリフルオロエチルスルフィニル）フェニル］エーテル）を化合物番号ＩＩ、（−）−６−トリフルオロメチルチオヘキシル−［２，４−ジメチル−５−（２，２，２−トリフルオロエチルスルフィニル）フェニル］エーテルを化合物番号ＩＩＩと示す。また各光学異性体は光学活性ＨＰＬＣによりそれぞれ分取し、試験に供試した。）
【０２７６】
［製剤例１］乳剤
化合物番号Ｉの化合物                                ３０部
シクロヘキサノン                                    ２０部
ポリオキシエチレンアルキルアリールエーテル          １１部
アルキルベンゼンスルホン酸カルシウム                  ４部
メチルナフタリン                                    ３５部
以上を均一に溶解して乳剤とした。
【０２７７】
［製剤例２］水和剤
化合物番号Ｉの化合物                                １０部
ナフタレンスルホン酸ホルマリン縮合物ナトリウム塩      ０．５部
ポリオキシエチレンアルキルアリールエーテル            ０．５部
珪藻土                                              ２４部
クレー                                              ６５部
以上を均一に混合粉砕して水和剤とした。
【０２７８】
［製剤例３］粉剤
化合物番号Ｉの化合物                                  ２部
珪藻土                                                ５部
クレー                                              ９３部
以上を均一に混合粉砕して粉剤とした。
【０２７９】
［製剤例４］粒剤
化合物番号Ｉの化合物                                  ５部
ラウリルアルコール硫酸エステルのナトリウム塩          ２部
リグニンスルホン酸ナトリウム                          ５部
カルボキシメチルセルロース                            ２部
クレー                                              ８６部
以上を均一に混合粉砕した。この混合物に水２０部相当量を加えて練合し、押出式造粒機を用いて１４〜３２メッシュの粒状に加工した後、乾燥して粒剤とした。
【０２８０】
次に、化合物番号Ｉ、ＩＩ及びＩＩＩを有効成分とする有害生物防除剤の奏する効果について試験例をもって説明する。
【０２８１】
［試験例１］
ナミハダニに対する殺成虫活性（リーフディスク散布試験）
容量６０ｍＬのプラスチックカップに半分程度水を入れ、孔あきの蓋をし、この孔に脱脂綿を入れて水をしみ込ませ、その上に濾紙を２枚重ねて置いた。その上に直径２ｃｍの円形に切り取ったインゲン(Phaseolus vulgaris)の葉を２枚のせ、ロディー乳剤、ピラニカＥＷ、バロックフロアブル、オサダンフロアブル、ニッソラン水和剤を毎週実用濃度で散布し、淘汰をかけた薬剤抵抗性ナミハダニ（Tetranychus urticae）の雌成虫を１０頭ずつ接種し、２５℃恒温室に一晩置いた。異常虫及び死亡虫を取り除いた後、製剤例２に準じて製剤された試験化合物を所定濃度に希釈調整した薬剤を自動散布装置で散布した（１５０Ｌ/１０ａ相当）。処理５日後に死亡虫数を数え、下記の式により殺成虫率を算出した。試験は２連制で行った。
【０２８２】
【数１】
2016056104.tif 000040
【０２８３】
【表４】
2016056104.tif 000041
【産業上の利用可能性】
【０２８４】
本発明によれば、殺ダニ剤等の農薬として有用である一般式（１）で表される光学活性なフェニルスルホキシド誘導体の新規な製造方法が提供される。
【０２８５】
上記のように、一般式（１）で表される光学活性なフェニルスルホキシド誘導体は優れた殺ダニ活性を示す。
【０２８６】
さらに、本発明によれば、一般式（１）で表される光学活性なフェニルスルホキシド誘導体を、簡単な操作により、高いエナンチオマー過剰率および高い収率で製造できる。特に、本発明によれば、一般式（１）で表される光学活性なフェニルスルホキシド誘導体を、再結晶による精製を必要としないで、またキラル固定相上のＨＰＬＣによる光学分割を用いずに、高いエナンチオマー過剰率で製造できる。
【０２８７】
加えて、本発明の方法は、添加剤としての無機塩（好ましくは炭酸水素ナトリウム等のアルカリ金属炭酸水素塩）を用いることにより、廃棄物となる望まれない光学異性体の生成だけではなく、高価な触媒の使用量も低減できる。
【０２８８】
したがって、本発明の方法は経済的であり、環境にも優しく、高い工業的な利用価値を有する。要するに、本発明は高い産業上の利用可能性を有する。