(57)【要約】【課題】静電放電の問題を効果的に解決できる画像センサ構造を提供する。【解決手段】画像センサ構造であって、第１面１２０１および第２面１２０２を有し、感知領域１４を有する基板１２と、基板１２の第１面上１２０１に形成され、感知領域１４を囲む第１金属層１６と、基板１２の第１面上１２０１に形成され、感知領域１４と金属層１６の一部とを覆い、第１の金属層の露出領域Ａ１を露出する保護層１８とを含み、露出領域Ａ１は、第１の幅Ｄ１を有する第１部分Ｐ１、第２の幅Ｄ２を有する第２部分Ｐ２、第３の幅Ｄ３を有する第３部分Ｐ３、および第４の幅Ｄ４を有する第４部分Ｐ４を含む画像センサ構造。【選択図】図１
2016174138.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像センサ構造であって、
第１面および第２面を有し、感知領域を有する基板と、
前記基板の前記第１面上に形成され、前記感知領域を囲む第１の金属層と、
前記基板の前記第１面上に形成され、前記感知領域と前記第１の金属層の一部とを覆い、前記第１の金属層の露出領域を露出する保護層とを含み、
前記露出領域は、第１の幅を有する第１部分、第２の幅を有する第２部分、第３の幅を有する第３部分、および第４の幅を有する第４部分を含む画像センサ構造。
【請求項２】
前記第１の金属層の前記露出領域の前記第１部分の前記第１の幅、前記第２部分の前記第２の幅、前記第３部分の前記第３の幅、および前記第４部分の前記第４の幅は、それぞれ３５μｍより大きい請求項１に記載の画像センサ構造。
【請求項３】
前記基板の第２面の下方に形成され、前記第１の金属層を囲む第２の金属層を更に含み、前記感知領域から前記第２の金属層までの最短水平距離が定義されている請求項１に記載の画像センサ構造。
【請求項４】
前記感知領域から前記第２の金属層までの最短水平距離の半分の距離は、前記第１の金属層の前記露出領域の前記第１部分の前記第１の幅、前記第２部分の前記第２の幅、前記第３部分の前記第３の幅、および前記第４部分の前記第４の幅よりも大きい請求項３に記載の画像センサ構造。
【請求項５】
前記第１の金属層の前記露出領域の前記第１部分と前記第３部分は、前記保護層によって分離され、前記第１の金属層の前記露出領域の前記第２部分と前記第４部分は、前記保護層によって分離される請求項１に記載の画像センサ構造。
【請求項６】
前記第１部分は、前記第１の金属層の前記露出領域の前記第２部分と前記第４部分に接続され、前記第３部分は、前記第１の金属層の前記露出領域の前記第２部分と前記第４部分に接続される請求項１に記載の画像センサ構造。
【請求項７】
前記保護層は、第１側、第２側、第３側、および第４側を有し、前記第１の金属層の前記露出領域の前記第１部分、前記第２部分、前記第３部分、および前記第４部分にそれぞれ対応している請求項１に記載の画像センサ構造。
【請求項８】
第１面と第２面を有し、感知領域を含む基板を提供するステップ、
第１の金属層を前記基板の前記第１面上に形成し、前記感知領域を囲むステップ、および
保護層を前記基板の前記第１面上に形成し、前記感知領域と前記第１の金属層の一部を覆うステップを含む画像センサ構造を製造する方法。
【請求項９】
第２の金属層を、前記第１の金属層を囲うように、前記基板の前記第２面上に形成し、フォトレジスト層を十分な厚さになるまで周囲サブスクライブラインに配置された複数のパッド上に充填し、前記パッドと前記スクライブラインをエッチングするエッチングプロセスを行うステップを更に含む請求項８に記載の画像センサ構造を製造する方法。
【請求項１０】
第１の平坦化層を前記基板のフォトレジスト層、前記第１の金属層、および前記第１面上にコンフォーマルに形成し、カラーフィルターパターンを前記感知領域内の前記第１の平坦化層上にコーティングするステップを更に含む請求項９に記載の画像センサ構造を製造する方法。
【請求項１１】
複数のマイクロレンズを、第２の平坦化層の下方にあるカラーフィルターパターンに対応して、前記第１の平坦化層と前記カラーフィルターパターン上にコンフォーマルに形成された第２の平坦化層上に形成するステップを更に含み、前記保護層は、前記第２の平坦化層上に形成され、前記マイクロレンズと前記第１の金属層の一部を覆い、前記保護層によって覆われていない前記第１の金属層の一部を露出する請求項１０に記載の画像センサ構造を製造する方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、画像センサ構造に関し、裏面側金属層に広い露出領域を有する画像センサ構造に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
光学像を電子信号に変換する一種の半導体装置である画像センサが知られている。画像センサは、通常、電荷結合素子（ＣＣＤ）および相補型金属酸化物半導体（ＣＭＯＳ）画像センサに分けることができる。これらの画像センサでは、ＣＭＯＳ画像センサは、入射光を検出して、それを電子信号に変換するフォトダイオード、および電子信号を送信して処理する論理回路を含む。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
例えば、ボンディングパッドおよびスクライブラインをエッチング（ｏｐｅｎｉｎｇ）するエッチングステップ（即ち、マイクロレンズ保護（ＭＰ）エッチングステップ）などの特定の半導体製造プロセスにおいては、静電荷が発生し、端にある裏面側金属（ＢＭＥ）に蓄積する。しかしながら、静電放電（ＥＳＤ）により、これらの静電荷が放電されたとき、静電荷は基板の下方を通過し、基板を損傷する場合がある。
【０００４】
従って、ボンディングパッドおよびスクライブラインをエッチングするマイクロレンズ保護（ＭＰ）エッチングステップにおける静電放電（ＥＳＤ）の問題を効果的に解決できる、新しい画像センサ構造を開発することが望ましい。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の１つの実施形態は、第１面および第２面を有し、感知領域を有する基板と、基板の第１面上に形成され、感知領域を囲む第１金属層と、基板の第１面上に形成されて、感知領域と第１金属層の一部を覆って、第１の金属層の露出領域を露出する保護層とを含む画像センサ構造を提供する。露出領域は、第１の幅を有する第１部分、第２の幅を有する第２部分、第３の幅を有する第３部分、および第４の幅を有する第４部分を含む。
【０００６】
感知領域は、その中に光電変換ユニットを含む。
【０００７】
光電変換ユニットは、フォトダイオードを含む。
【０００８】
画像センサ構造は、光電変換ユニット上に形成されたカラーフィルターを更に含む。
【０００９】
画像センサ構造は、カラーフィルター上に形成された複数のマイクロレンズを更に含む。
【００１０】
保護層は、マイクロレンズを覆う。
【００１１】
保護層は、フォトレジストを含む。
【００１２】
第１の金属層の露出領域の第１部分と第３部分は、保護層によって分離される。
【００１３】
第１の金属層の露出領域の第２部分と第４部分は、保護層によって分離される。
【００１４】
第１の金属層の露出領域の第１部分は、第１の金属層の露出領域の第２部分と第４部分に接続される。
【００１５】
第１の金属層の露出領域の第３部分は、第１の金属層の露出領域の第２部分と第４部分に接続される。
【００１６】
保護層は、第１側、第２側、第３側、および第４側を有し、第１の金属層の露出領域の第１部分、第２部分、第３部分、および第４部分にそれぞれ対応している。
【００１７】
画像センサ構造は、基板の第２面の下方に形成され、第１の金属層を囲む第２の金属層を更に含む。
【００１８】
感知領域から第２の金属層までの最短水平距離が定義されている。第１の金属層の露出領域の第１の金属層の露出領域Ａ１の第１部分の第１の幅、第２部分の第２の幅、第３部分の第３の幅、および第４部分の第４の幅は、それぞれ３５μｍより大きく、感知領域から第２の金属層までの最短水平距離の半分より小さい。
【００１９】
画像センサ構造は、背面照射型画像センサ構造を含む。
【００２０】
本発明の一実施形態は、第１面と第２面を有し、感知領域を含む基板を提供するステップ、第１の金属層を基板の第１面上に形成し、感知領域を囲むステップ、および保護層を基板の第１面上に形成し、感知領域と第１の金属層の一部を覆うステップを含む画像センサ構造を製造する方法を提供する。
【００２１】
本製造方法は、第２の金属層を基板の第２面の下方に形成し、第１の金属層を囲むステップを更に含む。
【００２２】
本製造方法は、フォトレジスト層を、十分な厚さになるまで、周囲サブスクライブラインに配置された複数のパッド上に充填するステップを更に含む。
【００２３】
本製造方法は、第１の平坦化層を基板のフォトレジスト層、第１の金属層、および第１面上にコンフォーマルに形成するステップを更に含む。
【００２４】
本製造方法は、カラーフィルターパターンを感知領域内の第１の平坦化層上にコーティングするステップを更に含む。
【００２５】
本製造方法は、複数のマイクロレンズを、第２の平坦化層の下方にあるカラーフィルターパターンに対応して、第１の平坦化層とカラーフィルターパターン上にコンフォーマルに形成された第２の平坦化層上に形成するステップを更に含む。
【００２６】
保護層は、第２の平坦化層上に形成され、マイクロレンズと第１の金属層の一部を覆い、保護層によって覆われていない第１の金属層の一部を露出する。
【００２７】
本製造方法は、パッドとスクライブラインをエッチングするエッチングプロセスを行うステップを更に含む。
【００２８】
詳細な説明は、添付の図面と併せて以下の実施形態に説明される。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
添付の図面とともに以下の本発明の様々な実施形態の詳細な説明を検討することで、本発明をより完全に理解することができる。
【図１】本発明の一実施形態に係る画像センサ構造の上面図である。
【図２】図１の断面線Ａ−Ａ’に沿った断面図であり、本発明の一実施形態に係る画像センサ構造を示している。
【図３】本発明の一実施形態に係る画像センサ構造の上面図である。
【図４】図３の断面線Ｂ−Ｂ’に沿った断面図であり、本発明の一実施形態に係る画像センサ構造を示している。
【図５】本発明の一実施形態に係る画像センサ構造の上面図である。
【図６】図５の断面線Ｃ−Ｃ’に沿った断面図であり、本発明の一実施形態に係る画像センサ構造を示している。
【図７Ａ】本発明の一実施形態に係る画像センサ構造を製造する方法を示す断面図である。
【図７Ｂ】本発明の一実施形態に係る画像センサ構造を製造する方法を示す断面図である。
【図７Ｃ】本発明の一実施形態に係る画像センサ構造を製造する方法を示す断面図である。
【図７Ｄ】本発明の一実施形態に係る画像センサ構造を製造する方法を示す断面図である。
【図７Ｅ】本発明の一実施形態に係る画像センサ構造を製造する方法を示す断面図である。
【図７Ｆ】本発明の一実施形態に係る画像センサ構造を製造する方法を示す断面図である。
【図７Ｇ】本発明の一実施形態に係る画像センサ構造を製造する方法を示す断面図である。
【図７Ｈ】本発明の一実施形態に係る画像センサ構造を製造する方法を示す断面図である。
【図８】従来の画像センサ構造の上面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
以下の説明では、本発明を実施するベストモードを開示している。この説明は、本発明の一般原理を例示する目的のためのものであり、本発明を限定するものではない。本発明の範囲は、添付の請求の範囲を参考にして決定される。
【００３１】
本発明の一実施形態に係る画像センサ構造を、図１および図２を参照にしながら説明する。図１は、画像センサ構造の上面図である。図２は、図１の断面線Ａ−Ａ’に沿った画像センサ構造の断面図である。
【００３２】
図１と図２に示すように、画像センサ構造１０が提供される。画像センサ構造１０は、第１面１２０１と第２面１２０２を有し、感知領域１４を含む基板１２と、基板１２の第１面１２０１上に形成されて、感知領域１４を囲む第１の金属層１６と、基板１２の第１面１２０１上に形成されて、感知領域１４と金属層１６の一部を覆って、第１の金属層１６の露出領域Ａ１を露出する保護層１８とを含む。露出領域Ａ１は、第１の幅Ｄ１を有する第１部分Ｐ１、第２の幅Ｄ２を有する第２部分Ｐ２、第３の幅Ｄ３を有する第３部分Ｐ３、および第４の幅Ｄ４を有する第４部分Ｐ４を含む。
【００３３】
いくつかの実施形態では、感知領域１４は、その中に光電変換ユニット２０を含むことができる。
【００３４】
いくつかの実施形態では、光電変換ユニット２０は、フォトダイオードを含むことができる。
【００３５】
いくつかの実施形態では、画像センサ構造１０は、光電変換ユニット２０上に形成されたカラーフィルター２２を更に含むことができる。
【００３６】
いくつかの実施形態では、画像センサ構造１０は、カラーフィルター２２上に形成された複数のマイクロレンズ２４を更に含むことができる。
【００３７】
いくつかの実施形態では、保護層１８は、マイクロレンズ２４を覆う。
【００３８】
いくつかの実施形態では、保護層１８は、フォトレジストを含むことができる。
【００３９】
いくつかの実施形態では、第１の金属層１６の露出領域Ａ１の第１部分Ｐ１と第３部分Ｐ３は、保護層１８によって分離されることができる。
【００４０】
いくつかの実施形態では、第１の金属層１６の露出領域Ａ１の第２部分Ｐ２と第４部分Ｐ４は、保護層１８によって分離されることができる。
【００４１】
いくつかの実施形態では、第１部分Ｐ１は、第１の金属層１６の露出領域Ａ１の第２部分Ｐ２と第４部分Ｐ４に接続されることができる。
【００４２】
いくつかの実施形態では、第３部分Ｐ３は、第１の金属層１６の露出領域Ａ１の第２部分Ｐ２と第４部分Ｐ４に接続されることができる。
【００４３】
いくつかの実施形態では、保護層１８は、第１側Ｓ１、第２側Ｓ２、第３側Ｓ３、および第４側Ｓ４を有し、第１の金属層１６の露出領域Ａ１の第１部分Ｐ１、第２部分Ｐ２、第３部分Ｐ３、および第４部分Ｐ４にそれぞれ対応している。
【００４４】
いくつかの実施形態では、画像センサ構造１０は、基板１２の第２面１２０２の下方に形成され、第１の金属層１６を囲む第２の金属層２６を更に含むことができる。
【００４５】
感知領域１４から第２の金属層２６までの最短水平距離Ｌが定義されている。第１の金属層１６の露出領域Ａ１の第１部分Ｐ１の第１の幅Ｄ１、第２部分Ｐ２の第２の幅Ｄ２、第３部分Ｐ３の第３の幅Ｄ３、および第４部分Ｐ４の第４の幅Ｄ４は、それぞれ３５μｍより大きく、Ｌ／２（感知領域１４から第２の金属層２６までの最短水平距離Ｌの半分）より小さい。
【００４６】
この実施形態では、第１の金属層１６の露出領域Ａ１の第１部分Ｐ１の第１の幅Ｄ１は、第３部分Ｐ３の第３の幅Ｄ３と同様の大きさである。第１の金属層１６の露出領域Ａ１の第２部分Ｐ２の第２の幅Ｄ２は、第４部分Ｐ４の第４の幅Ｄ４と同様の大きさである。
【００４７】
いくつかの実施形態では、画像センサ構造１０は、周囲サブスクライブライン３０に配置された複数のパッド２８を更に含むことができる。
【００４８】
いくつかの実施形態では、画像センサ構造１０は、背面照射型画像センサ構造を含むことができる。
【００４９】
本発明の一実施形態に係る画像センサ構造を図３および図４を参照にしながら説明する。図３は、画像センサ構造の上面図である。図４は、図３の断面線Ｂ−Ｂ’に沿った画像センサ構造の断面図である。
【００５０】
図３と図４に示すように、画像センサ構造１００が提供される。画像センサ構造１００は、第１面１２０１と第２面１２０２を有し、感知領域１４０を含む基板１２０と、基板１２０の第１面１２０１上に形成され、感知領域１４０を囲む第１の金属層１６０と、基板１２０の第１面１２０１上に形成され、感知領域１４０および第１の金属層１６０の一部を覆い、第１の金属層１６０の露出領域Ａ１を露出する保護層１８０を含む。露出領域Ａ１は、第１の幅Ｄ１を有する第１部分Ｐ１、第２の幅Ｄ２を有する第２部分Ｐ２、第３の幅Ｄ３を有する第３部分Ｐ３、および第４の幅Ｄ４を有する第４部分Ｐ４を含む。
【００５１】
いくつかの実施形態では、感知領域１４０は、その中に光電変換ユニット２００を含むことができる。
【００５２】
いくつかの実施形態では、光電変換ユニット２００は、フォトダイオードを含むことができる。
【００５３】
いくつかの実施形態では、画像センサ構造１００は、光電変換ユニット２００上に形成されたカラーフィルター２２０を更に含むことができる。
【００５４】
いくつかの実施形態では、画像センサ構造１００は、カラーフィルター２２０上に形成された複数のマイクロレンズ２４０を更に含むことができる。
【００５５】
いくつかの実施形態では、保護層１８０は、マイクロレンズ２４０を覆う。
【００５６】
いくつかの実施形態では、保護層１８０は、フォトレジストを含むことができる。
【００５７】
いくつかの実施形態では、第１の金属層１６０の露出領域Ａ１の第１部分Ｐ１と第３部分Ｐ３は、保護層１８０によって分離されることができる。
【００５８】
いくつかの実施形態では、第１の金属層１６０の露出領域Ａ１の第２部分Ｐ２と第４部分Ｐ４は、保護層１８０によって分離されることができる。
【００５９】
いくつかの実施形態では、第１部分Ｐ１は、第１の金属層１６０の露出領域Ａ１の第２部分Ｐ２と第４部分Ｐ４に接続されることができる。
【００６０】
いくつかの実施形態では、第３部分Ｐ３は、第１の金属層１６０の露出領域Ａ１の第２部分Ｐ２と第４部分Ｐ４に接続されることができる。
【００６１】
いくつかの実施形態では、保護層１８０は、第１側Ｓ１、第２側Ｓ２、第３側Ｓ３、および第４側Ｓ４を有し、第１の金属層１６０の露出領域Ａ１の第１部分Ｐ１、第２部分Ｐ２、第３部分Ｐ３、および第４部分Ｐ４にそれぞれ対応している。
【００６２】
いくつかの実施形態では、画像センサ構造１００は、基板１２０の第２面１２０２の下方に形成され、第１の金属層１６０を囲んだ第２の金属層２６０を更に含むことができる。
【００６３】
感知領域１４０から第２の金属層２６０までの最短水平距離Ｌが定義されている。第１の金属層１６０の露出領域Ａ１の第１部分Ｐ１の第１の幅Ｄ１、第２部分Ｐ２の第２の幅Ｄ２、第３部分Ｐ３の第３の幅Ｄ３、および第４部分Ｐ４の第４の幅Ｄ４は、それぞれ３５μｍより大きく、Ｌ／２（感知領域１４０から第２の金属層２６０までの最短水平距離Ｌの半分）より小さい。
【００６４】
この実施形態では、第１の金属層１６０の露出領域Ａ１の第３部分Ｐ３の第３の幅Ｄ３は、第１部分Ｐ１の第１の幅Ｄ１より大きい。第１の金属層１６０の露出領域Ａ１の第２部分Ｐ２の第２の幅Ｄ２は、第４部分Ｐ４の第４の幅Ｄ４と同様の大きさである。
【００６５】
いくつかの実施形態では、画像センサ構造１００は、周囲サブスクライブライン３００に配置された複数のパッド２８０を更に含むことができる。
【００６６】
いくつかの実施形態では、画像センサ構造１００は、背面照射型画像センサ構造を含むことができる。
【００６７】
本発明の一実施形態に係る画像センサ構造を図５および図６を参照にしながら説明する。図５は、画像センサ構造の上面図である。図６は、図５の断面線Ｃ−Ｃ’に沿った画像センサ構造の断面図である。
【００６８】
図５と図６に示すように、画像センサ構造１０００が提供される。画像センサ構造１０００は、第１面１２０１と第２面１２０２を有し、感知領域１４００を含む基板１２００と、基板１２００の第１面１２０１上に形成されて、感知領域１４００を囲む第１の金属層１６００と、基板１２００の第１面１２０１上に形成され、感知領域１４００および金属層１６００の一部を覆い、第１の金属層１６００の露出領域Ａ１を露出する保護層１８００とを含む。露出領域Ａ１は、第１の幅Ｄ１を有する第１部分Ｐ１、第２の幅Ｄ２を有する第２部分Ｐ２、第３の幅Ｄ３を有する第３部分Ｐ３、および第４の幅Ｄ４を有する第４部分Ｐ４を含む。
【００６９】
いくつかの実施形態では、感知領域１４００は、その中に光電変換ユニット２０００を含むことができる。
【００７０】
いくつかの実施形態では、光電変換ユニット２０００は、フォトダイオードを含むことができる。
【００７１】
いくつかの実施形態では、画像センサ構造１０００は、光電変換ユニット２０００上に形成されたカラーフィルター２２００を更に含むことができる。
【００７２】
いくつかの実施形態では、画像センサ構造１０００は、カラーフィルター２２００上に形成された複数のマイクロレンズ２４００を更に含むことができる。
【００７３】
いくつかの実施形態では、保護層１８００は、マイクロレンズ２４００を覆う。
【００７４】
いくつかの実施形態では、保護層１８００は、フォトレジストを含むことができる。
【００７５】
いくつかの実施形態では、第１の金属層１６００の露出領域Ａ１の第１部分Ｐ１と第３部分Ｐ３は、保護層１８００によって分離されることができる。
【００７６】
いくつかの実施形態では、第１の金属層１６００の露出領域Ａ１の第２部分Ｐ２と第４部分Ｐ４は、保護層１８００によって分離されることができる。
【００７７】
いくつかの実施形態では、第１部分Ｐ１は、第１の金属層１６００の露出領域Ａ１の第２部分Ｐ２と第４部分Ｐ４に接続されることができる。
【００７８】
いくつかの実施形態では、第３部分Ｐ３は、第１の金属層１６００の露出領域Ａ１の第２部分Ｐ２と第４部分Ｐ４に接続されることができる。
【００７９】
いくつかの実施形態では、保護層１８００は、第１側Ｓ１、第２側Ｓ２、第３側Ｓ３、および第４側Ｓ４を有し、第１の金属層１６００の露出領域Ａ１の第１部分Ｐ１、第２部分Ｐ２、第３部分Ｐ３、および第４部分Ｐ４にそれぞれ対応している。
【００８０】
いくつかの実施形態では、画像センサ構造１０００は、基板１２００の第２面１２０２の下方に形成され、第１の金属層１６００を囲んだ第２の金属層２６００を更に含むことができる。
【００８１】
感知領域１４００から第２の金属層２６００までの最短水平距離Ｌが定義されている。第１の金属層１６００の露出領域Ａ１の第１部分Ｐ１の第１の幅Ｄ１、第２部分Ｐ２の第２の幅Ｄ２、第３部分Ｐ３の第３の幅Ｄ３、および第４部分Ｐ４の第４の幅Ｄ４は、それぞれ３５μｍより大きく、Ｌ／２（感知領域１４００から第２の金属層２６００までの最短水平距離Ｌの半分）より小さい。
【００８２】
この実施形態では、第１の金属層１６００の露出領域Ａ１の第１部分Ｐ１の第１の幅Ｄ１は、第３部分Ｐ３の第３の幅Ｄ３と同様の大きさである。第１の金属層１６００の露出領域Ａ１の第４部分Ｐ４の第４の幅Ｄ４は、第２部分Ｐ２の第２の幅Ｄ２より大きい。
【００８３】
いくつかの実施形態では、画像センサ構造１０００は、周囲サブスクライブライン３０００に配置された複数のパッド２８００を更に含むことができる。
【００８４】
いくつかの実施形態では、画像センサ構造１０００は、背面照射型画像センサ構造を含むことができる。
【００８５】
本発明の一実施形態に係る画像センサ構造を製造する方法が図７Ａ〜７Ｈを参照にしながら説明される。図７Ａ〜７Ｈは、画像センサ構造の製造方法の断面図である。
【００８６】
図７Ａに示すように、基板構造５０が提供される。基板構造５０は、第１面５２０１と第２面５２０２を有し、感知領域５４を含む基板５２および基板５２の第１面５２０１上に形成され、感知領域５４を囲む第１の金属層５６を含む。感知領域５４は、その中に光電変換ユニット６０を含むことができる。光電変換ユニット６０は、フォトダイオードを含むことができる。基板構造５０は、基板５２の第２面５２０２の下方に形成され、第１の金属層５６を囲む第２の金属層６６を更に含むことができる。基板構造５０は、周囲サブスクライブライン７０に配置された複数のパッド６８を更に含むことができる。
【００８７】
図７Ｂに示すように、フォトレジスト層７２が、十分な厚さになるまでパッド６８上に充填されて、フォトレジスト層７２の表面７２０１を、基板５２の第１面５２０１と同じ高さにする。
【００８８】
図７Ｃに示すように、例えば、フォトレジスト層、酸化物層、窒化物層、または酸窒化物層である第１の平坦化層７４は、基板５２のフォトレジスト層７２、第１の金属層５６と、第１面５２０１上にコンフォーマルに形成される。
【００８９】
図７Ｄに示すように、カラーフィルターパターン６２、例えば、赤色（Ｒ）カラーフィルター、青色（Ｂ）カラーフィルターパターン、および緑色（Ｇ）カラーフィルターパターンが、感知領域５４内の第１の平坦化層７４の下方にある光電変換ユニット６０に対応して、第１の平坦化層７４上にコーティングされる。
【００９０】
図７Ｅに示すように、例えば、フォトレジスト層、酸化物層、窒化物層、または酸窒化物層である第２の平坦化層７６は、基板５２のフォトレジスト層７４とカラーフィルターパターン上にコンフォーマルに形成される。
【００９１】
図７Ｆに示すように、複数のマイクロレンズ６４は、第２の平坦化層７６の下方にあるカラーフィルターパターン６２に対応して第２の平坦化層７６上に形成される。
【００９２】
図７Ｇに示すように、例えば、コーティング、露出、または現像（リソグラフィ）のプロセスによって、パターン化された保護層５８、例えば、パターン化されたフォトレジスト層が第２の平坦化層７６上に形成されて、マイクロレンズ６４と第１の金属層５６の一部を覆い、パターン化された保護層５８によって覆われていない第１の金属層５６（露出された領域）の一部を露出する。第１の金属層５６の露出された領域のプロファイルは、図１、図３、および図５のプロファイルと同様である。
【００９３】
図７Ｈに示すように、エッチングプロセス７８、例えば、プラズマエッチングが、後続する電気的テスト用に、パッド６８とスクライブライン７０をエッチングするように行われる。
【００９４】
図８に示すように、従来の画像センサ構造１０’では、保護層１８’とボンディングパッド２８’との間の距離の設計は、ｄ１、ｄ２、ｄ３、およびｄ４である。エッチングプロセスがボンディングパッド２８’とスクライブライン３０’をエッチングするように行われたとき、静電荷は、第１の金属層１６’（裏面側金属（ＢＭＥ））の露出領域Ａ１’に蓄積する。しかしながら、これらの静電荷は、短い距離ｄ１、ｄ２、ｄ３、ｄ４、および露出領域Ａ１’のために放電し易く、基板を通過して損傷を与える（静電放電（ＥＳＤ）の問題を受けて）。反対に、本画像センサ構造１０（図１に示されるように）では、第１の金属層１６の露出領域Ａ１の幅の設計は、Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３、およびＤ４を含む。エッチングプロセスがボンディングパッド２８とスクライブライン３０をエッチングするように行われたとき、静電荷が第１の金属層１６（裏面側金属（ＢＭＥ））の露出領域Ａ１’に蓄積しても、これらの静電荷は、充分に大きい幅Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３、およびＤ４と露出領域Ａ１により、基板を通過して損傷を与えることなく（静電放電（ＥＳＤ）の問題の防止）、裏面側金属（ＢＭＥ）に残る。具体的には、Ｄ１は、ｄ１の約１．５倍であり、Ｄ２は、ｄ２の約１．５倍であり、Ｄ３は、ｄ３の約１．５倍であり、Ｄ４は、ｄ４の約１．５倍である。
【００９５】
本発明は、実施例の方法及び望ましい実施の形態によって記述されているが、本発明は開示された実施形態に限定されるものではない。逆に、当業者には自明の種々の設計変更及び均等物をカバーするものである。よって、添付の請求の範囲は、最も広義な解釈が与えられ、全てのこのような設計変更及び均等物を含むべきである。
【符号の説明】
【００９６】
１０、１００、１００・・・本発明の画像センサ構造
１０’・・・従来の画像センサ構造
１２、５２、１２０、１２００・・・基板
１４、５４、１４０、１４００・・・感知領域
１６、１６’、５６、１６０、１６００・・・第１金属層
１８、１８’、５８、１８０、１８００・・・（パターン化された）保護層
２０、６０、２００、２０００・・・光電変換ユニット
２２、６２、２２０、２２００・・・カラーフィルター（パターン）
２４、６４、２４０、２４００・・・マイクロレンズ
２６、６６、２６０、２６００・・・第２の金属層
２８、２８’、６８、２８０、２８００・・・パッド（ボンディングパッド）
３０、３０’、７０、３００、３０００・・・（周囲）サブスクライブライン
５０・・・基板構造
７２・・・フォトレジスト層
７４・・・第１の平坦化層
７６・・・第２の平坦化層
７８・・・エッチングプロセス
１２０１、５２０１・・・基板の第１面
１２０２、５２０２・・・基板の第２面
７２０１・・・フォトレジスト層の表面
Ａ１、Ａ１’ ・・・第１の金属層の露出領域
Ｄ１・・・第１の金属層の露出領域の第１部分の第１の幅
Ｄ２・・・第１の金属層の露出領域の第２部分の第２の幅
Ｄ３・・・第１の金属層の露出領域の第３部分の第３の幅
Ｄ４・・・第１の金属層の露出領域の第４部分の第４の幅
Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３、Ｄ４・・・第１の金属層の露出領域の幅
ｄ１、ｄ２、ｄ３、ｄ４・・・保護層とボンディングパッドとの間の距離
Ｌ・・・感知領域から第２の金属層までの最短水平距離
Ｐ１・・・第１の金属層の露出領域の第１部分
Ｐ２・・・第１の金属層の露出領域の第２部分
Ｐ３・・・第１の金属層の露出領域の第３部分
Ｐ４・・・第１の金属層の露出領域の第４部分
Ｓ１・・・保護層の第１側
Ｓ２・・・保護層の第２側
Ｓ３・・・保護層の第３側
Ｓ４・・・保護層の第４側
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図７Ｃ】
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【図７Ｄ】
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【図７Ｅ】
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【図７Ｆ】
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【図７Ｇ】
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【図７Ｈ】
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【図８】
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