(57)【要約】【課題】  マグネシア質セラミックス製の絶縁基体に設けられた導体層の接着強度を高く維持できる素子搭載用基板およびこれを用いた実装基板を提供する。【解決手段】  マグネシア質セラミックス製の板状をした絶縁基体１の両主面１ｓｕに、アルミナ、コージエライト、スピネル、ステアタイトおよびフォルステライトの群から選ばれる一種を主成分として含むセラミック部材１３を設け、該セラミック部材１３の表面１３ａに導体層１４を設けてなる。実装基板Ｂは、上記の素子搭載用基板Ａの導体層１４上に電気素子２３が実装されている。【選択図】  図１
2016174084.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マグネシア質セラミックス製の板状をした絶縁基体の両主面に、アルミナ、コージエライト、スピネル、ステアタイトおよびフォルステライトの群から選ばれる一種を主成分として含むセラミック部材を設け、該セラミック部材の表面に導体層を設けてなることを特徴とする素子搭載用基板。
【請求項２】
前記セラミック部材の平均厚みが２０μｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の素子収納用基板。
【請求項３】
前記セラミック部材が、コージエライト、スピネル、ステアタイトおよびフォルステライトの群から選ばれる一種を主成分として含むものであることを特徴とする請求項１または２に記載の素子搭載用基板。
【請求項４】
前記セラミック部材が、ステアタイトまたはフォルステライトを主成分として含むものであることを特徴とする請求項１乃至３のうちいずれかに記載の素子搭載用基板。
【請求項５】
前記絶縁基体の側面に、アルミナ、コージエライト、スピネル、ステアタイトおよびフォルステライトの群から選ばれる一種を主成分として含むセラミック部材が設けられていることを特徴とする請求項１乃至４のうちいずれかに記載の素子搭載用基板。
【請求項６】
前記セラミック部材が、前記絶縁基体の周縁部に設けられた環状の堤部を有することを特徴とする請求項１乃至５のうちいずれかに記載の素子搭載用基板。
【請求項７】
請求項１乃至６のうちいずれかに記載の素子搭載用基板の前記導体層上に電気素子が実装されていることを特徴とする実装基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、素子搭載用基板および実装基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体材料を応用した電子デバイスとして、ＬＳＩ（Large Scale Integration）に代
表される半導体素子、ＬＥＤ（Light Emitting Diode）などの発光素子、およびＣＣＤ（Charged Coupled Device）やＣＭＯＳ（Compensated Metal Oxide Semiconductor）を用
いた撮像素子などが挙げられる。
【０００３】
近年、これらの電子デバイスについて、さらなる高性能化に向けた取り組みが行われているが、例えば、ＬＳＩの高集積化、ＬＥＤの高輝度化および撮像素子の高解像度化を図ると、電子デバイスを動作させるための電力量の増加に伴って発熱量が増加し、これにより電子デバイスの誤動作の発生頻度が高まるという不具合が生じてくる。このため、電子デバイスを搭載するための素子搭載用基板としては、より高い放熱性を有するものが求まられており、以前より、例えば、アルミナ質セラミックスを絶縁基体として用いた素子搭載用基板が多用されている。
【０００４】
また、電子デバイスが高性能化されてくると、それ自体の物理的なサイズが大きくなることから、電子デバイスを搭載するための素子搭載用基板のサイズも大面積化が必要になってくる。
【０００５】
ところが、素子搭載用基板として、例えば、上記したアルミナ質セラミックス製のものを適用した場合、素子搭載用基板のサイズの増加に伴い、これが実装されるマザーボード（基材はＦＲ−４）との間の熱膨張率の違いから、素子搭載用基板とマザーボードとを接続している端子（この場合、ハンダ製のボール状端子）が破壊されやすく、接続信頼性が低下し易いという問題がある。
【０００６】
そこで、本出願人は、以前、アルミナ質セラミックスよりも熱伝導率および熱膨張率が高いセラミックスとして、マグネシア質セラミックスを絶縁基体として適用した素子搭載用基板を提案した（例えば、特許文献１を参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００６−４１４５４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、マグネシア質セラミックスはアルミナ質セラミックスに比べて、元々、耐薬品性が弱いことから、例えば、素子搭載用基板を製造するめっき工程において、使用される酸性あるいはアルカリ性の薬品によって絶縁基体が浸食され易く、これにより絶縁基体の表面に形成された導体層の接着強度が低下し易いという問題がある。
【０００９】
従って、本発明は、上記課題に鑑みて案出されたものであり、その目的は、マグネシア質セラミックス製の絶縁基体に設けられた導体層の接着強度を高く維持できる素子搭載用基板およびこれを用いた実装基板を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の素子搭載用基板は、マグネシア質セラミックス製の板状をした絶縁基体の両主面に、アルミナ、コージエライト、スピネル、ステアタイトおよびフォルステライトの群から選ばれる一種を主成分として含むセラミック部材を設け、該セラミック部材の表面に導体層を設けてなるものである。
【００１１】
本発明の実装基板は、上記の素子搭載用基板の前記導体層上に電気素子が実装されているものである。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、マグネシア質セラミックスを絶縁基体に用いても、表面に設けられた導体層の接着強度を高く維持できる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の素子搭載用基板の第１実施形態を示す断面模式図である。
【図２】第２実施形態の素子搭載用基板を示す断面模式図である。
【図３】（ａ）は、第３実施形態の素子搭載用基板を示す断面模式図であり、（ｂ）は、同素子搭載用基板の平面模式図である。
【図４】本発明の実装基板の一実施形態を示す断面模式図である。
【図５】第１実施形態の素子搭載基板を例にしたときの製造工程を示す模式図である。
【図６】図５に続く製造工程を示す模式図である。
【図７】（ａ）（ｂ）は、導体層がセラミック部材内に埋設されている構造の素子搭載用基板の製造工程を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
図１は、本発明の素子搭載用基板の第１実施形態を示す断面模式図である。
【００１５】
第１実施形態の素子搭載用基板は、マグネシア質セラミックス製の板状をした絶縁基体１の表面および内部に導体層３およびビア導体５を有する配線基板７をコア基板とするものである。このコア基板である配線基板７の両主面には、膜状のセラミック部材１３が配置されている。さらに、このセラミック部材１３の表面１３ａには導体層１４が設けられている。
【００１６】
この場合、セラミック部材１３の表面に設けられた導体層１４（以下、表面導体層１４とする。）は、セラミック部材１３を厚み方向に貫いている貫通導体１５を介して配線基板７内部の導体層３またはビア導体５に接続されている。
【００１７】
絶縁基体１は、絶縁層１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄおよび１ｅ（以下、１ａ〜１ｅと表す場合がある。）が積層された構成である。
【００１８】
セラミック部材１３は、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、コージエライト（２ＭｇＯ・２Ａｌ２Ｏ３・５ＳｉＯ２）、スピネル（ＭｇＯ・Ａｌ２Ｏ３）、ステアタイト（ＭｇＯ・ＳｉＯ２）およびフォルステライト（２ＭｇＯ・ＳｉＯ２）の群から選ばれる一種を主成分とするものである。
【００１９】
第１実施形態の素子搭載用基板によれば、マグネシア質セラミックス製の絶縁基体１の両主面１ｓｕに、マグネシア質セラミックスよりも耐薬品性の高い、アルミナ、コージエライト、スピネル、ステアタイトおよびフォルステライトの群から選ばれる一種を主成分として含むセラミック部材１３が膜状の形で設けられていることから、マグネシア質セラミックス製の絶縁基体１が薬品などによって浸食されるのを防ぐことができる。
【００２０】
また、この素子搭載用基板では、表面導体層１４がマグネシア質セラミックス製の絶縁基体１の主面１ｓｕ上ではなく、絶縁基体１の主面１ｓｕに設けられたセラミック部材１３の表面１３ａ上に設けられていることから、マグネシア質セラミックス製の絶縁基体１に比べてセラミック部材１３の耐薬品性が高い分、表面導体層１４のセラミック部材１３との間の接着強度を高く維持することができる。
【００２１】
ここで、セラミック部材中に、アルミナ、コージエライト、スピネル、ステアタイトおよびフォルステライトの群から選ばれる一種を主成分として含むとは、セラミック部材１３に最も多くの質量比率（または体積比率）で含まれる場合のことを言い、例えば、セラミック部材のＸ線回折を行ったときに、上記したアルミナ、コージエライト、スピネル、ステアタイトおよびフォルステライトがメインピークとして現れる場合を言う。
【００２２】
第１実施形態の素子搭載用基板では、膜状であるセラミック部材１３の平均厚みが２０μｍ以下であることが望ましい。膜状のセラミック部材１３の平均厚みが２０μｍ以下であると、マグネシア質セラミックス製の絶縁基体１が有する熱伝導率および熱膨張率の低下を小さくすることができる。こうして、高熱伝導性および高熱膨張性を有し、かつ耐薬品性が高く、表面導体層１４の接着強度の高い素子搭載基板を得ることができる。なお、膜状のセラミック部材１３の平均厚みの下限としては、絶縁基体１の耐薬品性を維持するという理由から１μｍ以上であることが望ましい。
【００２３】
絶縁基体１の厚みとしては１００μｍ以上を有していることが望ましい。また、配線基板７中に占める絶縁基体１の割合（導体層３およびビア導体の部分を除く割合）として６０質量％以上であることが望ましい。
【００２４】
この素子搭載用基板では、セラミック部材１３は、コージエライト、スピネル、ステアタイトおよびフォルステライトの群から選ばれる一種を主成分として含むものであることが望ましい。
【００２５】
セラミック部材１３が、コージエライト、スピネル、ステアタイトおよびフォルステライトの群から選ばれる一種を主成分として含むものであると、ＭｇＯを主成分とする絶縁基体１との間で両部材の組成の変動を小さくすることができるため、絶縁性や機械的強度を高く維持することができる。この場合、セラミック部材１３の材料としては、ＭｇＯを主成分とする絶縁基体１との接着力を高くできるという点で、特に、ステアタイトまたはフォルステライトを主成分として含むものがより好ましい。
【００２６】
また、絶縁基体１の両主面１ｓｕに設けられるセラミック部材１３は、上面側および下面側ともに同じ材料を主成分とするものであることが望ましい。絶縁基体１の両主面１ｓｕに設けられるセラミック部材１３が、ともに同じ材料を主成分とするものであると、セラミック部材１３を介した熱伝導率および熱膨張率を絶縁基体１の両主面１ｓｕ側で同じにすることができる。これによりセラミック部材１３の変形が抑えられ、セラミック部材１３が絶縁基体１から剥がれるのを抑えることができる。
【００２７】
図２は、第２実施形態の素子搭載用基板を示す断面模式図である。図２に示す素子搭載用基板は、セラミック部材１３が絶縁基体１の側面１ｓｉにも設けられたものである。セラミック部材１３が絶縁基体１の側面１ｓｉに設けられていると、絶縁基体１の両主面１ｓｕだけではなく、絶縁基体１の側面１ｓｉ側についても薬品などによって浸食されるのを防ぐことができる。
【００２８】
この場合、絶縁基体１の側面１ｓｉに設けられるセラミック部材１３の厚みは、上記と
同様の理由から２０μｍ以下であることが望ましく、さらには、セラミック部材１３の材料としても、上記と同様、コージエライト、スピネル、ステアタイトおよびフォルステライトの群から選ばれる一種を主成分として含むものが好ましい。
【００２９】
また、絶縁基体１の主面１ｓｕおよび側面１ｓｉに設けられるセラミック部材１３は、ともに同じ材料を主成分とするものであることが望ましい。絶縁基体１の主面１ｓｕおよび側面１ｓｉに設けられるセラミック部材１３が、ともに同じ材料を主成分とするものであると、セラミック部材１３を介した熱伝導率および熱膨張率を絶縁基体１の主面１ｓｕおよび側面１ｓｉ側で同じにすることができる。これによりセラミック部材１３の変形が抑えられ、セラミック部材１３が絶縁基体１から剥がれるのを抑えることができる。
【００３０】
図３は、（ａ）は、第３実施形態の素子搭載用基板を示す断面模式図であり、（ｂ）は、同素子搭載用基板の平面模式図である。図３に示す素子搭載用基板では、セラミック部材１３が、さらに、絶縁基体１の周縁部１ｃｉに環状に設けられた堤部１９を有している。すなわち、セラミック部材１３は、膜状のセラミック部材１７と、このセラミック部材１７上に設けられた堤部１９とを有している。この場合、堤部１９は、絶縁基体１の耐薬品性を高くするという理由から、膜状のセラミック部材１７と一体化させて設けられていることが望ましい。この場合もセラミック部材１３の材料は、アルミナ、コージエライト、スピネル、ステアタイトおよびフォルステライトの群から選ばれる一種を主成分として含むものであるのが良い。素子搭載用基板が、図３に示すようなキャビティ構造の場合においても、堤部１９として設けられるセラミック部材１３が上記した材料であれば、マグネシア質セラミックス製である絶縁基板１の熱伝導率および熱膨張率の低下を抑えることができる。この場合、絶縁基板１の表面１ｓｕ上に形成した膜状のセラミック部材１３の場合と同様の理由から、ステアタイトまたはフォルステライトがより望ましい。
【００３１】
本実施形態の素子搭載用基板は、絶縁基体１の面積が１〜２５００ｍｍ２、厚みが０．１〜５ｍｍと、小型から大型まであらゆるサイズに適したものとなるが、特に、熱膨張率が５×１０−６／℃よりも大きいＦＲ−４製のマザーボードにハンダボールなどの接続端子を介して直接接続されるようなタイプの場合に、素子搭載用基板の面積が４００ｍｍ２以上、特に、９００ｍｍ２以上ある大型の素子搭載用基板として好適なものとなる。
【００３２】
この場合、絶縁基体１の周縁部１ｃｉに設けられる堤部１９のサイズは、搭載される素子のサイズに応じて適宜決められる。
【００３３】
図４は、本発明の実装基板の一実施形態を示す断面模式図である。図４に示す実装基板（以下、符号Ｂを付す。）は、素子搭載用基板（以下、符号Ａを付す。）として、上記した第１実施形態の素子搭載用基板Ａを適用した例である。この実装基板Ｂでは、セラミック部材１３の表面１３ａに設けられた表面導体層１４に接続部材２１を介して電気素子２３が接続されている。
【００３４】
本実施形態の実装基板Ｂによれば、第１実施形態の素子搭載用基板Ａの構造に基づき、素子搭載用基板Ａを構成するメインの部材であるマグネシア質セラミックス製の絶縁基体１が薬品などによって浸食されるのを防ぐことができる。この実装基板Ｂの場合、マグネシア質セラミックス製の絶縁基体１の主面１ｓｕに耐食性の高いセラミック部材１３を介して半導体素子等の電気素子２３が実装される表面導体層１４が設けられていることから、素子搭載用基板Ａの絶縁基体１としてマグネシア質セラミックスを適用した場合にも表面導体層１４の接着強度を高く維持することができる。こうして表面導体層１４上に実装される電気素子２３の駆動安定性や接続の寿命を長期間維持することができる。
【００３５】
次に、素子搭載用基板Ａおよび実装基板Ｂの製造方法について説明する。図５（ａ）（
ｂ）は、第１実施形態の素子搭載基板を例にしたときの製造工程を示す模式図である。図６（ｃ）（ｄ）および（ｅ）は、図５（ａ）（ｂ）に続く製造工程を示す模式図である。
【００３６】
まず、絶縁層１ａ〜１ｅを形成するためのシート状成形体３１を作製する。シート状成形体３１の固形分としては、例えば、ＭｇＯ粉末を主成分とし、これにＹ２Ｏ３などの希土類元素の酸化物を添加した混合粉末を用いる。この場合、希土類元素の酸化物の添加量は、ＭｇＯ粉末を１００質量部としたときに２〜１０質量部であることが望ましい。
【００３７】
次に、混合粉末に対して、有機バインダーを溶媒とともに添加してスラリーを調製した後、これを、例えば、ドクターブレード法を用いて成形することによりシート状成形体３１を得る。
【００３８】
次に、図５（ａ）に示すように、作製したそれぞれのシート状成形体３１の所定の箇所に貫通孔を形成し、次いで、形成した貫通孔内に印刷法により導体ペーストを充填し、焼成後にビア導体５となるビアパターン３３を形成する。
【００３９】
次に、ビアパターン３３を形成したシート状成形体３１の主面に、同じく印刷法により導体層３となる配線パターン３５を形成し、こうしてビアパターン３３および配線パターン３５を有するパターンシート３７を形成する。
【００４０】
次に、図５（ｂ）に示すように、作製したパターンシート３７を複数層積層し、加圧加熱することにより、積層体３９を形成する。この積層体３９が焼成後に配線基板７となる部分である。また、積層体３９のうちビアパターン３３および配線パターン３７を除いた部分が、焼成後に絶縁基体１となる部分である。
【００４１】
次に、図６（ｃ）に示すように、この積層体３９の両主面の所定の位置に、膜状のセラミック部材１３用の貫通導体１５となる柱状パターン４１を形成し、次いで、図６（ｄ）に示すように、この柱状パターン４１の周囲を埋めるように、膜状のセラミック部材１３となるセラミック塗膜４３を形成する。
【００４２】
この場合、セラミック塗膜４３を形成するためのセラミックペーストとしては、アルミナ、コージエライト、スピネル、ステアタイトおよびフォルステライトの群から選ばれる一種と有機バインダとを混合して調製したものを用いる。
【００４３】
次に、図６（ｅ）に示すように、積層体３９の主面に形成したセラミック塗膜４３の表面に、柱状パターン４１を覆うように導体パターン４５を形成して、素子搭載用基板Ａとなる複合積層体４７を形成する。
【００４４】
ビアパターン３３、配線パターン３５、柱状パターン４１および導体パターン４５を形成するための導体ペーストとしては、ＭｇＯを主成分とするシート状成形体３１およびセラミック塗膜４３との同時焼成を可能にするという点で、金属成分として、例えば、Ｍｏ粉末、Ｗ粉末、およびＣｕとＷとの混合粉末のうちのいずれかを適用するのが良い。
【００４５】
次に、作製した複合積層体４７を所定の条件にて焼成を行って第１実施形態の素子搭載用基板Ａの素体を得る。
【００４６】
最後に、作製した素体の表面に露出した表面導体層１４に、ＮｉめっきおよびＡｕめっきを施すことによって第１実施形態の素子搭載用基板Ａを得る。
【００４７】
上記した素子搭載用基板Ａの製造方法によれば、絶縁基体１となる積層体３９の表面に
、セラミック部材１３となるセラミック塗膜４３、貫通導体１５となる柱状パターン４１、および表面導体層１４となる導体パターン４５を生の状態で形成し、積層密着した後に同時焼成するものであることから、絶縁基体１とセラミック部材１３とを直接強固に接着させることができる。また、セラミック部材１３の表面に設けられた表面導体層１４を、セラミック部材１３を厚み方向に貫いている貫通導体１５を介して配線基板７の導体層３またはビア導体５と強固に接合させることができる。こうして、めっき工程を経ても接着強度の高い表面導体層１４を有する素子搭載用基板Ａを得ることができる。
【００４８】
以上、第１実施形態の素子搭載用基板Ａを例にして、その製造方法を説明したが、この製造方法は、第２および第３の実施形態の素子搭載用基板にも適用でき、同様の効果を得ることができる。
【００４９】
第２実施形態の素子搭載用基板を作製する場合には、図５（ｂ）および図６（ｃ）〜（ｅ）における積層体３９または複合積層体４７の側面にセラミックペーストを用いてセラミック塗膜４３を形成する。
【００５０】
第３実施形態の素子搭載用基板を作製する場合には、図６（ｅ）に示す複合積層体４７を形成した後に堤部用成形体を形成する。堤部用成形体はセラミックペーストを用いる以外に、シート状成形体３１を打ち抜き法などを用いて所定の形状に加工した後、これを複合積層体４７の上面に接着させるようにする。
【００５１】
図７（ａ）（ｂ）は、導体層がセラミック部材内に埋設されている構造の素子搭載用基板の製造工程を示す模式図である。
【００５２】
なお、複合積層体４７を作製する場合、図６（ｃ）〜（ｅ）では、柱状パターン４１および導体パターン４５について、別々に形成する方法を説明したが、これ以外に、図７に示すように、積層体３９の表面に、柱状パターン４１および導体パターン４５を一体化させた導体パターン４６を形成した後に、その周囲にセラミック塗膜４３を形成する方法を採用しても良い。このような製法によれば、焼成後において、表面導体層１４の表面と膜状のセラミック部材１３の表面とが面一になった素子搭載用基板Ａを得ることができ、表面導体層１４をさらに剥がれ難くすることができる。このとき、導体パターン４６（焼成後の表面導体層１４に対応）は、図７に示すように、断面の形状が台形状になっているのが良い。導体パターン４６（表面導体層１４）の断面が台形状であると、導体パターン４６（表面導体層１４）は中央部から周縁部の裾野にかけて厚みが次第に薄くなることから、表面導体層１４の裾野をセラミック部材１３で覆うようにすることができ、これにより表面導体層１４の接着強度をさらに高めることが可能になる。ここで、面一とは、膜状のセラミック部材１３の表面を基準面にしたときに、表面導体層１４の表面が±２μｍ以内の範囲にある場合のことを言う。
【００５３】
実装基板Ｂを作製する場合には、作製した素子搭載用基板Ａの表面導体層１４上に、ＣＭＯＳなどの電気素子２３を接続部材２１を介して当接させ、加熱または加圧加熱により接合部材２１を表面導体層１４に接着させて素子搭載用基板Ａに電気素子２３を固定する。次いで、必要に応じて、電気素子２３を有機樹脂で覆うようにする。実装基板Ｂに第３実施形態の素子搭載用基板を適用したときには、堤部１９の上面に蓋体を接合するようにする。蓋体の材料としては、種々のセラミック材料やコバール(Fe-Ni-Co)などの金属材料を適用することが可能である。
【実施例】
【００５４】
以下、素子搭載用基板を作製し、評価を行った。まず、ＭｇＯ粉末９３質量％に対して、Ｙ２Ｏ３粉末を７質量％の割合で混合した後、さらに、固形分比率１００質量部に対し
、有機バインダーとしてアクリル系バインダーを１９質量部添加してスラリーを調製した。その後、ドクターブレード法にて平均厚みが０．５ｍｍおよび１ｍｍのシート状成形体を作製した。
【００５５】
次に、得られたシート状成形体に、ビアパターンおよび配線パターンを形成してパターンシートを作製した。ビアパターンの形成には固形分比率が３５体積％の導体ペーストを用い、配線パターンの形成には固形分比率が６５体積％の導体ペーストを用いた。金属粉末としては、Ｍｏ粉末を用いた。
【００５６】
次に、作製したパターンシートを図５（ａ）に示すような構成となるように形成した後、積層し、図５（ｂ）に示すような構成の積層体を作製した。
【００５７】
次に、作製した積層体の上面および下面のビアパターンが露出した箇所に、導体ペーストを用いて柱状パターンを形成し、次いで、この柱状パターンの周囲を埋めるセラミック塗膜を形成した。セラミック塗膜を形成するためのセラミックペーストは、表１（試料Ｎｏ．８〜１３）に示すセラミック材料を含むものを用いた。
【００５８】
次に、積層体の両主面に形成したセラミック塗膜の表面に、柱状パターンを覆うように導体パターンを形成して、素子搭載用基板となる複合積層体を形成した。柱状パターンおよび導体パターンにも金属粉末としてはＭｏ粉末を適用した。表面導体層は焼成後の面積が２ｍｍ×２ｍｍとなるように設定した。また、表面導体層を形成した領域の周囲に、面積が２ｍｍ×２５ｍｍの接着強度測定用の表面導体層を隣接させて形成した。
【００５９】
次に、作製した複合積層体を焼成することにより素子搭載用基板の素体を得た。焼成条件は、Ｎ２／Ｈ２混合ガスを用いた還元雰囲気中、最高温度を１６００℃、保持時間を１時間とした。
【００６０】
表１の試料Ｎｏ．２〜７については、積層体の上面および下面に柱状パターンを形成した時点で一旦、上記と同様の条件（Ｎ２／Ｈ２混合ガスを用いた還元雰囲気中、最高温度を１６００℃、保持時間を１時間）にて焼成を行い、その後に、試料Ｎｏ．２〜７の材料を含むセラミックペーストを塗布し、さらに、その表面に導体パターンを形成した後、還元雰囲気中、１５５０℃、１時間の熱処理を行ってセラミック塗膜の焼き付けを行った。
【００６１】
最後に、作製した素体の表面に露出した表面導体層に、ＮｉめっきおよびＡｕめっきを施すことによって素子搭載用基板を得た。
【００６２】
得られた素子搭載用基板は、平面の面積が３０ｍｍ×３０ｍｍ、厚みが２．５ｍｍであった。
【００６３】
次に、得られた素子搭載用基板について、めっき工程の前後におけるＭｇの溶出量をＩＣＰ（Inductively Coupled Plasma）分析により求めた。
【００６４】
Ｍｇの溶出量を求めるための試料としては、作製した素子搭載用基板から縦横のサイズが２５ｍｍ×２５ｍｍに切り出したものを浸漬用サンプルとし、リン酸を５質量％含む水溶液を調製し、これを８０℃に加温した後、サンプルを１分ほど浸漬したものを用いた。試料数は１個とした。
【００６５】
表面導体層の接着強度は、素子搭載用基板の膜状のセラミック部材の表面に形成した面積が２ｍｍ×２５ｍｍの表面導体層を用いて評価した。この場合、表面導体層の表面に別に無電解Ｎｉめっきを施した後、Ａｇロウを用いてステンレス製の金具を取り付け、この
金具を引きはがす時の荷重を測定することにより求めた。試料数（測定箇所）は５個とし、平均値を求めた。
【００６６】
また、作製した素子搭載用基板について、厚み方向の熱伝導率をレーザーフラッシュ法により測定した。試料は素子搭載用基板から直径１０ｍｍの試料を切り出したものを用いた。試料数は１個とした。
【００６７】
比較例として、絶縁基体の両主面に膜状のセラミック部材を設けないものについて、同様の評価を行った。
【００６８】
【表１】
2016174084.tif 000003
【００６９】
表１の結果からわかるように、膜状のセラミック部材を設けなかった試料（試料Ｎｏ．１）は、Ｍｇの溶出量が５６０μｇ／ｍｌであり、表面導体層の接着強度が５Ｎ、および素子搭載用基板の熱伝導率が４５Ｗ／ｍ・Ｋであったが、絶縁基体の両主面に膜状のセラ
ミック部材を形成した試料（試料Ｎｏ．２〜１３）は、Ｍｇの溶出量は３５０μｇ／ｍｌ以下と少なく、また、その導体層の接着強度は２１Ｎ以上であった。このとき、素子搭載用基板の熱伝導率は２２〜４２Ｗ／ｍ・Ｋであった。
【００７０】
これらの試料の中で、セラミック部材としてＭｇＯを含む材料（コージエライト、スピネル、ステアタイトおよびフォルステライト）を適用した試料（試料Ｎｏ．４〜１３）では、Ｍｇの溶出量が９５μｇ／ｍｌ以下、表面導体層の接着強度が３２Ｎ以上、素子搭載用基板の熱伝導率が３０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であった。
【００７１】
さらに、セラミック部材としてステアタイトまたはフォルステライトを含む材料を適用した試料（試料Ｎｏ．８〜１３）では、Ｍｇの溶出量が９０μｇ／ｍｌ以下、導体層の接着強度が３３Ｎ以上、素子搭載用基板の熱伝導率が３０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であった。
【符号の説明】
【００７２】
Ａ・・・・・・・・・・・素子搭載用基板
Ｂ・・・・・・・・・・・実装基板
１・・・・・・・・・・・絶縁基体
１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄ、１ｅ・・・絶縁層
１ｓｕ・・・・・・・・・（絶縁基体の）主面
１ｓｉ・・・・・・・・・（絶縁基体の）側面
１ｃｉ・・・・・・・・・（絶縁基体の）周縁部
３・・・・・・・・・・・導体層
５・・・・・・・・・・・ビア導体
７・・・・・・・・・・・配線基板
１３、１７・・・・・・・セラミック部材
１３ａ・・・・・・・・・（セラミック部材の）表面
１４・・・・・・・・・・表面導体層
１５・・・・・・・・・・貫通導体
１９・・・・・・・・・・堤部
２１・・・・・・・・・・接続部材
２３・・・・・・・・・・電気素子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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