(57)【要約】【課題】従来の分割パターンでは、瞳強度分布の感度のずれ量（基線長）が大きくとれない。また像の非対称性が大きく、焦点検出を行う上での特性が悪くなるという課題があった。【解決手段】マイクロレンズ下部に形成された画素部を複数分割にする視差画像を得る撮像素子において、水平方向と垂直方向の画素分割の分割重心長さを異ならせること、複数分割画素全てが、水平、または垂直方向の最外周に接するように構成することを特徴とする。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
マイクロレンズ下部に形成された画素部を複数分割にする視差画像を得る撮像素子（１０７）において、
水平方向と垂直方向の画素分割の分割重心長さを異ならせること、
複数分割画素全てが、水平、または垂直方向の最外周に接するように構成すること、
を特徴とする撮像素子（１０７）。
【請求項２】
複数分割画素数が４つであること、
水平方向、または垂直方向のみに転送電極（３０７）を形成するように構成されること、
を特徴とする請求項１に記載の撮像素子（１０７）。
【請求項３】
複数分割画素数が４つであること、
水平方向、垂直方向の形状が末広がりとなっていること、
を特徴とする請求項１又は請求項２に記載の撮像素子（１０７）。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３の何れか一項に記載の撮像素子（１０７）を備えたことを特徴とする撮像装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、撮像素子、および撮像装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
撮影レンズの焦点状態を検出する方式の一つとして、各画素にマイクロレンズが形成された２次元撮像素子を用いて、瞳分割位相差方式の焦点検出を行う撮像装置が提案されている。
【０００３】
特許文献１では、１つの画素に対して、１つのマイクロレンズと複数に分割された光電変換部が形成されている２次元撮像素子を用いた撮像装置が開示されている。分割された光電変換部は、１つのマイクロレンズを介して撮影レンズの射出瞳の異なる領域を受光するように構成され、瞳分割を行っている。これらの分割された光電変換部で受光したそれぞれの信号から像ずれ量を求めて、焦点検出を行い、分割された光電変換部で受光した信号を足し合わせることで、撮像信号を取得する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】米国特許第４４１０８０４号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、光電変換部を複数に分離するために形成される従来の分割帯では、瞳強度分布の感度のずれ量（基線長）が大きくとれない。また、像の非対称性が大きくなり、焦点検出を行う上での特性が低くなるという課題がある。
【０００６】
本発明は、上記の課題に鑑みてなされたものであり、光電変換部の分割に伴い発生する基線長が小さくなる現象、及び像の非対称性が大きくなる現象を抑制可能な撮像素子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の目的を達成するために、本発明の撮像素子は、
マイクロレンズ下部に形成された画素部を複数分割にする視差画像を得る撮像素子において、
水平方向と垂直方向の画素分割の分割重心長さを異ならせること
複数分割画素全てが、水平、または垂直方向の最外周に接するように構成すること
を特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の撮像素子によれば、画素配線を複雑化することなく、瞳強度分布の形の崩れる現象と基線長が小さくなる現象を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の実施形態における撮像装置の概略構成図
【図２】本発明の実施例１における画素配列の概略図
【図３】本発明の実施例１における第１画素の概略平面図と概略断面図
【図４】本発明の実施例１における瞳分割の概略説明図
【図５】本発明の実施例１と従来例との瞳強度分布の概略説明図
【図６】明るいレンズ装着時の実施例１と従来例との瞳強度分布の概略説明図
【図７】暗いレンズ装着時の実施例１と従来例との瞳強度分布の概略説明図
【図８】口径食発生時の実施例１と従来例との瞳強度分布の概略説明図
【図９】本発明の実施例２における画素配列の概略図
【図１０】本発明の実施例２における第１画素の概略平面図と概略断面図
【図１１】本発明の実施例２と従来例との瞳強度分布の概略説明図
【図１２】明るいレンズ装着時の実施例２と従来例との瞳強度分布の概略説明図
【図１３】暗いレンズ装着時の実施例２と従来例との瞳強度分布の概略説明図
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明を実施するための形態を図面に基づいて説明する。
【００１１】
［実施例１］
本発明の実施例１について、図１から図８を用いて以下に説明する。図１は本発明における撮像素子を有する撮像装置であるカメラの構成図を示している。同図において、１０１は結像光学系の先端に配置された第１レンズ群で、光軸方向に進退可能に保持される。１０２は絞り兼用シャッタで、その開口径を調節することで撮影時の光量調節を行なうほか、静止画撮影時には露光秒時調節用シャッタとしての機能も備える。１０３は第２レンズ群である。そして前記絞り兼用シャッタ１０２及び第２レンズ群１０３は一体となって光軸方向に進退し、前記第１レンズ群１０１の進退動作との連動により、変倍作用（ズーム機能）をなす。
【００１２】
１０５は第３レンズ群で、光軸方向の進退により、焦点調節を行なう。１０６は光学的ローパスフィルタで、撮影画像の偽色やモアレを軽減するための光学素子である。１０７は２次元ＣＭＯＳフォトセンサーと周辺回路からなる撮像素子である。
【００１３】
１１１はズームアクチュエータで、不図示のカム筒を回動することで、第１レンズ群１１１ないし第３レンズ群１０３を光軸方向に進退駆動し、変倍操作を行なう。１１２は絞りシャッタアクチュエータで、絞り兼用シャッタ１０２の開口径を制御して撮影光量を調節すると共に、静止画撮影時の露光時間制御を行なう。１１４はフォーカスアクチュエータで、第３レンズ群１０５を光軸方向に進退駆動して焦点調節を行なう。
【００１４】
１１５は撮影時の被写体照明用電子フラッシュで、キセノン管を用いた閃光照明装置が好適だが、連続発光するＬＥＤを備えた照明装置を用いても良い。１１６はＡＦ補助光手段で、所定の開口パターンを有したマスクの像を、投光レンズを介して被写界に投影し、暗い被写体あるいは低コントラスト被写体に対する焦点検出能力を向上させる。
【００１５】
１２１はＣＰＵで、カメラ本体の種々の制御を司るカメラ内ＣＰＵで、演算部、ＲＯＭ、ＲＡＭ、Ａ／Ｄコンバータ、Ｄ／Ａコンバータ、通信インターフェイス回路等を有し、ＲＯＭに記憶された所定のプログラムに基づいて、カメラが有する各種回路を駆動し、ＡＦ、撮影、画像処理と記録等の一連の動作を実行する。ＣＰＵ１２１は本発明の演算手段、焦点検出手段、判定手段である。
【００１６】
１２２は電子フラッシュ制御回路で、撮影動作に同期して照明手段１１５を点灯制御する。１２３は補助光駆動回路で、焦点検出動作に同期してＡＦ補助光手段１１６を点灯制御する。１２４は撮像素子駆動回路で、撮像素子１０７の撮像動作を制御するとともに、取得した画像信号をＡ／Ｄ変換してＣＰＵ１２１に送信する。１２５は画像処理回路で、撮像素子１０７が取得した画像のγ変換、カラー補間、ＪＰＥＧ圧縮等の処理を行なう。
【００１７】
１２６はフォーカス駆動回路で、焦点検出結果に基づいてフォーカスアクチュエータ１１４を駆動制御し、第３レンズ群１０５を光軸方向に進退駆動して焦点調節を行なう。１２８はシャッタ駆動回路で、絞りシャッタアクチュエータ１１２を駆動制御して絞り兼用シャッタ１０２の開口を制御する。１２９はズーム駆動回路で、撮影者のズーム操作に応じてズームアクチュエータ１１１を駆動する。
【００１８】
１３１はＬＣＤ等の表示器で、カメラの撮影モードに関する情報、撮影前のプレビュー画像と撮影後の確認用画像、焦点検出時の合焦状態表示画像等を表示する。１３２は操作スイッチ群で、電源スイッチ、レリーズ（撮影トリガ）スイッチ、ズーム操作スイッチ、撮影モード選択スイッチ等で構成される。１３３は着脱可能なフラッシュメモリで、撮影済み画像を記録する。
【００１９】
本実施例１における撮像素子の画素配列の概略図を図２に示す。図２は、本実施例１の２次元ＣＭＯＳセンサー（撮像素子）の画素配列を、４列×４行画素の範囲で示したものである。図２に示した４列×４行画素を面上に多数配置し、高解像度画像の取得を可能としている。本実施例１においては、画素ピッチが４μm、有効画素数が横４０００列×縦２６６７行＝約１０６７万画素、撮像画面サイズが横３６ｍｍ×縦２４ｍｍの撮像素子として説明を行なう。
【００２０】
実施例１において、図２に示した２行×２列の第１画素群２１０は、対角２画素にＧ(緑)の分光感度を有する第１画素２１０Ｇを配置し、他の２画素にＲ(赤)の分光感度を有する第１画素２１０ＲとＢ(青)の分光感度を有する第１画素２１０Ｂが配置されている。また、図２に示した２行×２列の第２画素群２２０は、対角２画素にＧの分光感度を有する第２画素２２０Ｇを配置し、２画素にＲ(赤)の分光感度を有する第２画素２２０ＲとＢ(青)の分光感度を有する第２画素２２０Ｂが配置されている。
【００２１】
図２に示した撮像素子の１つの第１画素２１０Ｇを、撮像素子の受光面側（＋ｚ側）から見た平面図を図３（ａ）に示し、図３（ａ）のａ−ａ断面を-ｙ側から見た断面図を図３（ｂ）に示す。
【００２２】
図３に示すように、本実施例１の第１画素２１０Ｇでは、各画素の受光側に入射光を集光するためのマイクロレンズ３０５が形成され、図３（a）で示す水平方向と垂直方向の画素分割の分割重心長さを異ならせた分割パターンの光電変換部ＰＤが形成される。また実施例１の光電変換部ＰＤは、水平、垂直方向に末広がりとなる分割パターン構成となっている。
【００２３】
また図３（a）で示すように複数の光電変換部ＰＤ全てが、水平、または垂直方向の最外周に接するように構成されており、光電変換部ＰＤで発生した電荷を転送するためのポリシリコン３０７で構成された転送電極が配置される。このような構成を取ることにより、信号取り出しのための配線が画素に対し左右の領域のみにレイアウトすることができる。
【００２４】
光電変換部ＰＤは、ｐ型層とｎ型層の間にイントリンシック層を挟んだｐｉｎ構造フォトダイオードとしても良いし、必要に応じて、イントリンシック層を省略し、ｐｎ接合フォトダイオードとしても良い。
【００２５】
第１画素と第２画素には、マイクロレンズ３０５と光電変換部ＰＤとの間に、カラーフィルター３０６が形成される。また、必要に応じて、カラーフィルターを省略しても良い。
【００２６】
図３に示した第１画素２１０Ｇ（第２画素２２０Ｇ）に入射した光は、マイクロレンズ３０５により集光され、カラーフィルター３０６で分光されたのち、光電変換部ＰＤで受光される。
【００２７】
光電変換部ＰＤでは、受光量に応じて電子とホールが対生成し、空乏層で分離された後、負電荷の電子はｎ型層（不図示）に蓄積され、一方、ホールは定電圧源（不図示）に接続されたｐ型層を通じて撮像素子外部へ排出される。
【００２８】
本発明の分割パターンに対し、仮に上下左右に電荷を転送するためのポリシリコン３０７を配置すると、上下用の取り出し配線と、左右用の取り出し配線がクロスすることになる。従って配線ショートしないように、本発明に対し更に一段電極層を積み上げる必要が生じる。
【００２９】
図４に、画素の分割された光電変換部と瞳分割との対応関係を示した概略説明図を示す。図３（ａ）に示した第１画素２１０Ｇのａ−ａ断面を＋ｙ側から見た断面図と結像光学系の射出瞳面を図４に示す。４００は、レンズの射出瞳を示している。また図４では、射出瞳面の座標軸と対応を取るため、断面図のｘ軸とｙ軸を図３に対して反転させている。
【００３０】
図４で、第１画素の射出瞳上での瞳透過領域は、分割された光電変換部ＰＤの受光面Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄと、マイクロレンズによって、概ね、共役関係になっており、第１画素で受光可能な瞳領域Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄを表すことになる。
【００３１】
図４では、分割された光電変換部ＰＤと一致した瞳分割を示しているが、実際には回折やレンズ収差などの影響で、光電変換部ＰＤの受光面の像は、明瞭な領域とならない。
【００３２】
分割された光電変換部ＰＤの受光面Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄは、図４で示す瞳透過領域と射出瞳領域が重なった領域から、光を受光することができる。つまり各受光面Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄの瞳感度分布は、Ｘ方向は瞳透過領域と射出瞳領域が重なった領域のＹ方向の積分を取ることで求めることができる。Ｙ方向もＸ方向と同様の手法で、瞳感度分布を求めることができる。
【００３３】
図５は、分割された画素の光電変換部の瞳強度分布を説明する図である。図５（a）、（b）、（c）は、従来の分割画素パターンに対する特性であり、図５（d）、（e）、（f）は、実施例１の分割画素パターンに対する特性である。
【００３４】
図５（a）は、従来の分割画素パターンA、B、C、Dの射出瞳面上での分割パターンの様子を示す。図５（b）は、従来の分割画素A、B、C、DのX方向の瞳強度分布を示す。図５（c）は、従来の分割画素分割画素C、DのY方向の瞳強度分布を示す。図５（d）は、実施例１の分割画素パターンA、B、C、Dを示す。図５（e）は、実施例１の分割画素A、BのX方向の瞳強度分布を示す。図５（f）は、実施例１の分割画素C、DのY方向の瞳強度分布を示す。
【００３５】
図５からわかるように、従来の瞳強度分布に対し、本発明では、水平方向と垂直方向画素分割重心長さを異ならせることにより、水平、垂直ともに、入射角が大きい方向に末広がりとなる瞳強度分布を実現している。
【００３６】
図６は、比較的明るいレンズ（F値：２．８）を装着した場合の、中央画素部での各分割された画素の光電変換部の瞳強度分布を説明する図である。図６（a）、（b）、（c）は、従来の分割画素パターンに対する特性であり、図６（d）、（e）、（f）は、実施例１の分割画素パターンに対する特性である。４００は、射出瞳の形状を示す。
【００３７】
図６（b）、（e）からわかるように、比較的明るいレンズ（F値：２.8）を装着した場合の、X方向の本発明の瞳強度分布は従来の瞳強度分布に対し、形の崩れが小さい。これは、レンズ枠によって外周部の強度の落ち方がじわじわと落ちるのに対し、元々の瞳強度分布を末広がりにすることによりこの効果を発揮する。この２つの瞳強度分布の形をできるだけ同じような形にすることが、焦点検出性能の誤差を抑えることになる。つまり本発明では瞳強度分布の形の上で、焦点検出性能に有利であることがわかる。また瞳分離の長さ、所謂基線長は本発明の方が長くなる。この基線長は長ければ長いほど、ピントずれ検出敏感度を上げることができ、この点においても本発明の方が、焦点検出性能に有利となる。
【００３８】
一方、図６（c）、（f）からわかるように、比較的明るいレンズ（F値：２.8）を装着した場合の、Y方向の本発明の瞳強度分布についても、X方向と同様の特徴を持つ。特に基線長の拡大には大きな効果が発揮される。このような特徴を効果を持たせるためには、水平と垂直の基線長を変えることによって可能とすることができる。
【００３９】
図７は、比較的暗いレンズ（F値＝５.６）を装着した場合の、中央画素部での各分割された画素の光電変換部の瞳強度分布を説明する図である。図７（a）、（b）、（c）は、従来の分割画素パターンに対する特性であり、図７（d）、（e）、（f）は、実施例１の分割画素パターンに対する特性である。４００は、射出瞳の形状を示す。
【００４０】
図７（b）、（e）からわかるように、比較的暗いレンズ（F値＝５.６）を装着した場合の、X方向の本発明の瞳強度分布は従来の瞳強度分布に対し、形の崩れが小さい。これは、レンズ枠によって外周部の強度の落ち方がじわじわと落ちるのに対し、元々の瞳強度分布を末広がりにすることによりこの効果を発揮する。この２つの瞳強度分布の形をできるだけ同じような形にすることが、焦点検出性能の誤差を抑えることになる。つまり本発明では瞳強度分布の形の上で、焦点検出性能に有利であることがわかる。また瞳分離の長さ、所謂基線長は本発明の方が長くなる。この基線長は長ければ長いほど、ピントずれ検出敏感度を上げることができ、この点においても本発明の方が、焦点検出性能に有利となる。
【００４１】
一方、図７（c）、（f）からわかるように、比較的暗いレンズ（F値＝５.６）を装着した場合の、Y方向の本発明の瞳強度分布についても、X方向と同様の特徴を持つ。特に基線長の拡大には大きな効果が発揮される。このような特徴を効果を持たせるためには、水平と垂直の基線長を変えることによって可能とすることができる。
【００４２】
図８は、ある特定の口径食（ビネッティング）が生じた場合の、対角画素部での各分割された画素の光電変換部の瞳強度分布を説明する図である。図８（a）、（b）、（c）は、従来の分割画素パターンに対する特性であり、図８（d）、（e）、（f）は、実施例１の分割画素パターンに対する特性である。４００は、射出瞳の形状を示す。
【００４３】
図８（b）、（e）からわかるように、ある特定の口径食（ビネッティング）が生じた場合の、X方向の本発明の瞳強度分布は従来の瞳強度分布に対し、形の崩れが小さい。この２つの瞳強度分布の形をできるだけ同じような形にすることが、焦点検出性能の誤差を抑えることになる。つまり本発明では瞳強度分布の形の上で、焦点検出性能に有利であることがわかる。また瞳分離の長さ、所謂基線長についても、は本発明の方が長くなる。この基線長は長ければ長いほど、ピントずれ検出敏感度を上げることができ、この点においても本発明の方が、焦点検出性能に有利となる。
【００４４】
一方、図８（c）、（f）からわかるように、ある特定の口径食（ビネッティング）が生じた場合の、Y方向の本発明の瞳強度分布についても、X方向と同様の特徴を持つ。特に基線長の拡大には大きな効果が発揮される。このような特徴を効果を持たせるためには、水平と垂直の基線長を変えることによって可能とすることができる。
【００４５】
以上の構成により、小絞りやビネッティングが生じた場合でも、画素配線を複雑化することなく、瞳強度分布の形の崩れる現象と基線長が小さくなる現象を抑制することが可能となる。
【００４６】
［実施例２］
本発明の実施例２について、図９から図１３を用いて以下に説明する。実施例２において、図９に示した２行×２列の第１画素群２１０は、対角２画素にＧ(緑)の分光感度を有する第１画素２１０Ｇを配置し、他の２画素にＲ(赤)の分光感度を有する第１画素２１０ＲとＢ(青)の分光感度を有する第１画素２１０Ｂが配置されている。また、図２に示した２行×２列の第２画素群２２０は、対角２画素にＧの分光感度を有する第２画素２２０Ｇを配置し、２画素にＲ(赤)の分光感度を有する第２画素２２０ＲとＢ(青)の分光感度を有する第２画素２２０Ｂが配置されている。
【００４７】
図２に示した撮像素子の１つの第１画素２１０Ｇを、撮像素子の受光面側（＋ｚ側）から見た平面図を図１０（ａ）に示し、図１０（ａ）のａ−ａ断面を-ｙ側から見た断面図を図１０（ｂ）に示す。
【００４８】
図１０に示すように、本実施例２の第１画素２１０Ｇでは、各画素の受光側に入射光を集光するためのマイクロレンズ３０５が形成され、図１０（a）で示す水平方向と垂直方向の画素分割の分割重心長さを異ならせた分割パターンの光電変換部ＰＤが形成される。
【００４９】
また図１０（a）で示すように複数の光電変換部ＰＤ全てが、水平、または垂直方向の最外周に接するように構成されており、光電変換部ＰＤで発生した電荷を転送するためのポリシリコン３０７で構成された転送電極が配置される。このような構成を取ることにより、信号取り出しのための配線が画素に対し左右の領域のみにレイアウトすることができる。その他、実施例１で説明した構成と同様となっている。
【００５０】
図１１は、分割された画素の光電変換部の瞳強度分布を説明する図である。図１１（a）、（b）、（c）は、従来の分割画素パターンに対する特性であり、図１１（d）、（e）、（f）は、実施例２の分割画素パターンに対する特性である。
【００５１】
図１１（a）は、従来の分割画素パターンA、B、C、Dの射出瞳面上での分割パターンの様子を示す。図１１（b）は、従来の分割画素A、B、C、DのX方向の瞳強度分布を示す。図１１（c）は、従来の分割画素分割画素C、DのY方向の瞳強度分布を示す。図１１（d）は、実施例２の分割画素パターンA、B、C、Dを示す。図１１（e）は、実施例２の分割画素A、BのX方向の瞳強度分布を示す。図１１（f）は、実施例２の分割画素C、DのY方向の瞳強度分布を示す。
【００５２】
図１１からわかるように、従来の瞳強度分布に対し、本発明では、水平方向と垂直方向画素分割重心長さを異ならせることにより、垂直方向に対して、入射角が大きい方向に瞳強度分布がシフトした特性を実現している。
【００５３】
図１２は、比較的明るいレンズ（F値：２．８）を装着した場合の、中央画素部での各分割された画素の光電変換部の瞳強度分布を説明する図である。図１２（a）、（b）、（c）は、従来の分割画素パターンに対する特性であり、図１２（d）、（e）、（f）は、実施例２の分割画素パターンに対する特性である。４００は、射出瞳の形状を示す。
【００５４】
図１２（b）、（e）からわかるように、比較的明るいレンズ（F値：２.8）を装着した場合の、X方向の本発明の瞳強度分布は従来の瞳強度分布に対し、形の崩れがほとんどない。これは、上下方向の瞳強度分布が狭いことにより、レンズ枠によるケラレがほとんどないことによる。この２つの瞳強度分布の形をできるだけ同じような形にすることが、焦点検出性能の誤差を抑えることになる。つまり本発明では瞳強度分布の形の上で、焦点検出性能に有利であることがわかる。また瞳分離の長さ、所謂基線長は本発明の方が長くなる。この基線長は長ければ長いほど、ピントずれ検出敏感度を上げることができ、この点においても本発明の方が、焦点検出性能に有利となる。
【００５５】
一方、図１２（c）、（f）からわかるように、比較的明るいレンズ（F値：２.8）を装着した場合の、Y方向の本発明の瞳強度分布についても、X方向と同様の特徴を持つ。特に基線長の拡大には大きな効果が発揮される。このような特徴を効果を持たせるためには、水平と垂直の基線長を変えることによって可能とすることができる。
【００５６】
図１３は、比較的暗いレンズ（F値＝５.６）を装着した場合の、中央画素部での各分割された画素の光電変換部の瞳強度分布を説明する図である。図１３（a）、（b）、（c）は、従来の分割画素パターンに対する特性であり、図１３（d）、（e）、（f）は、実施例２の分割画素パターンに対する特性である。４００は、射出瞳の形状を示す。
【００５７】
図１３（b）、（e）からわかるように、比較的暗いレンズ（F値＝５.６）を装着した場合の、X方向の本発明の瞳強度分布は従来の瞳強度分布に対し、形の崩れがほとんどない。これは、上下方向の瞳強度分布が狭いことにより、レンズ枠によるケラレがほとんどないことによる。この２つの瞳強度分布の形をできるだけ同じような形にすることが、焦点検出性能の誤差を抑えることになる。つまり本発明では瞳強度分布の形の上で、焦点検出性能に有利であることがわかる。また瞳分離の長さ、所謂基線長は本発明の方が長くなる。この基線長は長ければ長いほど、ピントずれ検出敏感度を上げることができ、この点においても本発明の方が、焦点検出性能に有利となる。
【００５８】
一方、図１３（c）、（f）からわかるように、比較的暗いレンズ（F値＝５.６）を装着した場合の、Y方向の本発明の瞳強度分布についても、X方向と同様の特徴を持つ。特に基線長の拡大には大きな効果が発揮される。このような特徴を効果を持たせるためには、水平と垂直の基線長を変えることによって可能とすることができる。
【００５９】
以上の構成により、小絞りやビネッティングが生じた場合でも、画素配線を複雑化することなく、瞳強度分布の形の崩れる現象と基線長が小さくなる現象を抑制することが可能となる。
【００６０】
以上説明したように、本発明は水平方向と垂直方向の画素分割の分割重心長さを異ならせることにより、小絞りやビネッティングが生じた場合でも、瞳強度分布の形の崩れる現象と基線長が小さくなる現象を抑制することが可能となる。また、複数分割画素全てが、水平、または垂直方向の最外周に接するように構成することにより、画素配線を複雑化することなく、上記の効果を達成することができる。
【００６１】
従って、水平方向と垂直方向の画素分割の分割重心長さを異ならせ、複数分割画素全てが、水平、または垂直方向の最外周に接するように構成されたものは、実施例１、２以外の構成においても、本発明に含まれる。
【符号の説明】
【００６２】
１０１  第１レンズ群、１０２  絞り兼用シャッタ、１０３  第２レンズ群、
１０５  第３レンズ群、１０６  光学的ローパスフィルタ、１０７  撮像素子、
１１４  フォーカスアクチュエータ、１２１  ＣＰＵ、１２４  撮像素子駆動回路、
１２５  画像処理回路、１３１  表示器、１３２  操作スイッチ群、
１３３  フラッシュメモリ、２１０  第１画素群、
２１０Ｒ，２１０Ｇ ，２１０Ｂ ，２２０Ｇ  第１画素、２２０  第２画素群  、
２２０Ｒ，２２０Ｇ，２２０Ｂ，２２０Ｇ  第２画素、２３０  第１画素群、
２３０Ｒ，２３０Ｇ，２３０Ｂ，２３０Ｇ  第１画素、２４０  第２画素群、
２４０Ｒ，２４０Ｇ，２４０Ｂ，２４０Ｇ  第２画素、３０５  マイクロレンズ、
３０７  ポリシリコン（転送電極）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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