(57)【要約】【課題】配向安定性を向上させた表示装置を提供する。【解決手段】一実施形態の表示装置は、第１基板と、第２基板と、液晶層と、を備える。第１基板は、第１電極と、この第１電極を覆う絶縁層と、この絶縁層の上に形成され第１電極と対向し、第１方向と平行に延出するとともに第１方向と交わる第２方向に沿って並ぶ複数の櫛歯電極及びこれら櫛歯電極を接続するとともに第２方向に延出する接続部を有する第２電極と、第２電極を覆う第１配向膜と、を備える。第２基板は、第１配向膜と対向する第２配向膜を備える。液晶層は、第１配向膜及び第２配向膜の間に封入された液晶分子を含む。液晶分子の初期配向方向は、第１方向或いは第１方向と直交する方向と平行である。接続部は、複数の櫛歯電極のうち最端に配置された櫛歯電極よりも第２方向に突出した突出部分を有している。【選択図】図９
2016048276.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１電極と、この第１電極を覆う絶縁層と、この絶縁層の上に形成され前記第１電極と対向し、第１方向と平行に延出するとともに前記第１方向と交わる第２方向に沿って並ぶ複数の櫛歯電極及びこれら櫛歯電極を接続するとともに前記第２方向に延出する接続部を有する第２電極と、前記第２電極を覆う第１配向膜と、を備える第１基板と、
前記第１配向膜と対向する第２配向膜を備える第２基板と、
前記第１配向膜及び前記第２配向膜の間に封入された液晶分子を含む液晶層と、
を備え、
前記液晶分子の初期配向方向は、前記第１方向或いは前記第１方向と直交する方向と平行であり、
前記接続部は、前記複数の櫛歯電極のうち最端に配置された前記櫛歯電極よりも前記第２方向に突出した突出部分を有する、
表示装置。
【請求項２】
前記複数の櫛歯電極は、
前記接続部の第１側辺部から前記第１方向と平行に延出するとともに前記第２方向に沿って並ぶ複数の第１櫛歯電極と、
前記接続部の第２側辺部から前記第１方向と平行に延出するとともに前記第２方向に沿って並ぶ複数の第２櫛歯電極と、
を含み、
前記突出部分は、前記複数の第１櫛歯電極のうち最端に配置された前記第１櫛歯電極及び前記複数の第２櫛歯電極のうち最端に配置された前記第２櫛歯電極のそれぞれよりも前記第２方向に突出している、
請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
第１電極と、この第１電極を覆う絶縁層と、この絶縁層の上に形成され前記第１電極と対向する第２電極と、前記第２電極を覆う第１配向膜と、を備える第１基板と、
前記第１配向膜と対向する第２配向膜を備える第２基板と、
前記第１配向膜及び前記第２配向膜の間に封入された液晶分子を含む液晶層と、
を備え、
前記液晶分子の初期配向方向は、第１方向或いはこの第１方向と直交する方向と平行であり、
前記第２電極は、
前記第１方向と交わる第２方向に沿って延出する接続部と、
前記接続部の第１側辺部から前記第１方向と平行に延出するとともに前記第２方向に沿って並ぶ複数の第１櫛歯電極と、
前記接続部の第２側辺部から前記第１方向と平行に延出するとともに前記第２方向に沿って前記複数の第１櫛歯電極と互い違いに並ぶ複数の第２櫛歯電極と、
を備え、
前記接続部は、前記複数の第１櫛歯電極のうち最端に配置された前記第１櫛歯電極よりも前記第２方向に突出した突出部分を有し、前記複数の第２櫛歯電極のうち前記突出部分の側の最端に配置された前記第２櫛歯電極は、他の前記第２櫛歯電極よりも前記第２方向における幅が大きい、
表示装置。
【請求項４】
第１電極と、この第１電極を覆う絶縁層と、この絶縁層の上に形成され前記第１電極と対向し、第１方向と平行に延出するとともに前記第１方向と交わる第２方向に沿って並ぶ複数のスリット及びこれら複数のスリットを連通させるとともに前記第２方向に延出する連通開口部を有する第２電極と、前記第２電極を覆う第１配向膜と、を備える第１基板と、
前記第１配向膜と対向する第２配向膜を備える第２基板と、
前記第１配向膜及び前記第２配向膜の間に封入された液晶分子を含む液晶層と、
を備え、
前記液晶分子の初期配向方向は、前記第１方向或いは前記第１方向と直交する方向と平行であり、
前記連通開口部は、前記複数のスリットのうち最端に配置された前記スリットよりも前記第２方向に突出した突出部分を有する、
表示装置。
【請求項５】
前記複数のスリットは、
前記連通開口部の第１側辺部から前記第１方向と平行に延出するとともに前記第２方向に沿って並ぶ複数の第１スリットと、
前記連通開口部の第２側辺部から前記第１方向と平行に延出するとともに前記第２方向に沿って並ぶ複数の第２スリットと、
を含み、
前記突出部分は、前記複数の第１スリットのうち最端に配置された前記第１スリット及び前記複数の第２スリットのうち最端に配置された前記第２スリットのそれぞれよりも前記第２方向に突出している、
請求項４に記載の表示装置。
【請求項６】
第１電極と、この第１電極を覆う絶縁層と、この絶縁層の上に形成され前記第１電極と対向する第２電極と、前記第２電極を覆う第１配向膜と、を備える第１基板と、
前記第１配向膜と対向する第２配向膜を備える第２基板と、
前記第１配向膜及び前記第２配向膜の間に封入された液晶分子を含む液晶層と、
を備え、
前記液晶分子の初期配向方向は、第１方向或いはこの第１方向と直交する方向と平行であり、
前記第２電極は、
前記第１方向と交わる第２方向に沿って延出する連通開口部と、
前記連通開口部の第１側辺部から前記第１方向と平行に延出するとともに前記第２方向に沿って並ぶ複数の第１スリットと、
前記連通開口部の第２側辺部から前記第１方向と平行に延出するとともに前記第２方向に沿って前記複数の第１スリットと互い違いに並ぶ複数の第２スリットと、
を備え、
前記連通開口部は、前記複数の第１スリットのうち最端に配置された前記第１スリットよりも前記第２方向に突出した突出部分を有し、前記複数の第２スリットのうち前記突出部分の側の最端に配置された前記第２スリットは、他の前記第２スリットよりも前記第２方向における幅が大きい、
表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
表示装置の一例として、ＩＰＳ（In-Plane-Switching）モードの液晶表示装置が知られている。ＩＰＳモードの液晶表示装置は、液晶層を封入する一対の基板のうちの一方の基板に画素電極及び共通電極が設けられ、これら電極間に発生する横電界を利用して液晶層の液晶分子の配向を制御する。また、画素電極及び共通電極を異なる層に配置し、これらの電極間に発生するフリンジ電界を利用して液晶分子の配向を制御するＦＦＳ（Fringe Field Switching）モードの液晶表示装置が実用化されている。
【０００３】
一方で、下記の特許文献１には、画素電極及び共通電極を異なる層に配置するとともに、液晶層に近い側の電極にスリットを設け、このスリットの幅方向において対向する一対の側辺部近傍における液晶分子を互いに逆方向に回転させる構造とすることで、従来のＦＦＳモードに比べて応答速度を速めるとともに配向安定性を向上させた高速横電界モードの液晶表示装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１４−７１３０９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記の高速横電界モードにおいて、配向安定性の更なる向上が求められている。  
本発明の一態様における目的は、配向安定性を向上させた表示装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
一実施形態に係る表示装置は、第１基板と、第２基板と、液晶層と、を備えている。上記第１基板は、第１電極と、この第１電極を覆う絶縁層と、この絶縁層の上に形成され上記第１電極と対向し、第１方向と平行に延出するとともに上記第１方向と交わる第２方向に沿って並ぶ複数の櫛歯電極及びこれら櫛歯電極を接続するとともに上記第２方向に延出する接続部を有する第２電極と、上記第２電極を覆う第１配向膜と、を備えている。上記第２基板は、上記第１配向膜と対向する第２配向膜を備えている。上記液晶層は、上記第１配向膜及び上記第２配向膜の間に封入された液晶分子を含む。上記液晶分子の初期配向方向は、上記第１方向或いは上記第１方向と直交する方向と平行である。上記接続部は、上記複数の櫛歯電極のうち最端に配置された上記櫛歯電極よりも上記第２方向に突出した突出部分を有している。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】図１は、第１実施形態に係る液晶表示装置の構成の一部を示す断面図である。
【図２】図２は、図１に示した第２電極に適用可能な形状の一例を模式的に示す図である。
【図３】図３は、図１に示した第１電極に適用可能な形状の一例を模式的に示す図である。
【図４】図４は、図２に示した第１電極及び図３に示した第２電極を用いて構成した副画素のレイアウトの一例を示す平面図である。
【図５】図５は、高速横電界モードを説明するための図であって、第２電極の一部と、液晶層に含まれる液晶分子の初期配向状態とを示している。
【図６】図６は、高速横電界モードを説明するための図であって、液晶層における等電位線を示している。
【図７】図７は、高速横電界モードを説明するための図であって、オン状態における液晶分子の配向状態を示している。
【図８】図８は、高速横電界モードを説明するための図であって、オン状態の副画素を透過する光の輝度分布を示している。
【図９】図９は、第１実施形態による作用の一例を説明するための図である。
【図１０】図１０は、第２実施形態に係る第２電極の一部を模式的に示す図である。
【図１１】図１１は、第３実施形態に係る液晶表示装置の構成の一部を示す断面図である。
【図１２】図１２は、図１１に示した第２電極に適用可能な形状の一例を模式的に示す図である。
【図１３】図１３は、図１１に示した第１電極に適用可能な形状の一例を模式的に示す図である。
【図１４】図１４は、第３実施形態に係る液晶表示装置における液晶分子の動作を説明するための図である。
【図１５】図１５は、第３実施形態による作用の一例を説明するための図である。
【図１６】図１６は、第４実施形態に係る第２電極の一部を模式的に示す図である。
【図１７】図１７は、第５実施形態に係る第２電極に適用可能な形状の一例を模式的に示す図である。
【図１８】図１８は、第６実施形態に係る第２電極の一部を模式的に示す図である。
【図１９】図１９は、第７実施形態に係る第２電極に適用可能な形状の一例を模式的に示す図である。
【図２０】図２０は、第８実施形態に係る第２電極の一部を模式的に示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
いくつかの実施形態につき、図面を参照しながら説明する。  
なお、開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。各図において、連続して配置される同一又は類似の要素については符号を省略することがある。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。
【０００９】
（第１実施形態）
図１は、第１実施形態に係る液晶表示装置ＤＳＰ１の構成の一部を示す断面図である。液晶表示装置ＤＳＰ１は、例えば、アクティブマトリクスタイプの透過型の表示パネルＰＮＬを備えている。
【００１０】
表示パネルＰＮＬは、画像を表示するための表示領域ＤＡにおいて、多数の単位画素ＰＸを備えている。単位画素ＰＸは、表示領域ＤＡに表示されるカラー画像を構成する最小単位であり、異なる色に対応する複数の副画素ＳＰＸを含む。図１の例においては、赤、緑、青にそれぞれ対応する副画素ＳＰＸＲ，ＳＰＸＧ，ＳＰＸＢが第１方向Ｘに並んだ単位画素ＰＸの構造を示している。なお、単位画素ＰＸは、副画素ＳＰＸＲ，ＳＰＸＧ，ＳＰＸＢの他に、例えば白に対応する副画素ＳＰＸなどを含んでいても良い。
【００１１】
表示パネルＰＮＬは、アレイ基板ＡＲと、アレイ基板ＡＲに対向して配置された対向基板ＣＴと、これらアレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとの間に封入された液晶層ＬＱと、を備えている。本実施形態において、液晶層ＬＱに含まれる液晶分子は、誘電率異方性が正（ポジ型）である。
【００１２】
アレイ基板ＡＲは、光透過性を有するガラス基板や樹脂基板などの第１絶縁基板１０を備えている。第１絶縁基板１０は、対向基板ＣＴと対向する側の第１主面１０Ａと、第１主面１０Ａの反対側の第２主面１０Ｂと、を有している。
さらに、アレイ基板ＡＲは、第１絶縁基板１０の第１主面１０Ａの側に、スイッチング素子ＳＷと、第１電極Ｅ１（下側電極）と、第２電極Ｅ２（上側電極）と、第１絶縁層１１と、第２絶縁層１２と、第１配向膜ＡＬ１と、を備えている。
【００１３】
スイッチング素子ＳＷは、副画素ＳＰＸにそれぞれ配置されている。スイッチング素子ＳＷは、第１絶縁基板１０の第１主面１０Ａに設けられ、第１絶縁層１１によって覆われている。第１電極Ｅ１は、第１絶縁層１１の上に形成されている。
図１の例において、第１電極Ｅ１は副画素ＳＰＸＲ，ＳＰＸＧ，ＳＰＸＢに亘って共通に設けられており、第２電極Ｅ２は副画素ＳＰＸＲ，ＳＰＸＧ，ＳＰＸＢに対して１つずつ設けられている。また、第１電極Ｅ１は、副画素ＳＰＸＲ，ＳＰＸＧ，ＳＰＸＢの第２電極Ｅ２に対向する位置において、それぞれ開口部７を有している。
【００１４】
第１電極Ｅ１は、第２絶縁層１２によって覆われている。第２電極Ｅ２は、第２絶縁層１２の上に形成され、第１電極Ｅ１と対向している。図１の例において、第２電極Ｅ２は、複数のスリットＳＬを有している。
第２電極Ｅ２は、開口部７、第１絶縁層１１に設けられたコンタクトホールＣＨ１、及び、第２絶縁層１２に設けられたコンタクトホールＣＨ２を通じて、それぞれ副画素ＳＰＸＲ，ＳＰＸＧ，ＳＰＸＢのスイッチング素子ＳＷと電気的に接続されている。
本実施形態において、第１電極Ｅ１はコモン電圧が供給される共通電極として機能し、第２電極Ｅ２は副画素ＳＰＸごとに選択的に電圧が供給される画素電極として機能する。第１電極Ｅ１及び第２電極Ｅ２は、例えば、インジウム錫酸化物（Indium Tin Oxide：ＩＴＯ）やインジウム亜鉛酸化物（Indium Zinc Oxide：ＩＺＯ）などの透明な導電材料で形成されている。
【００１５】
第１配向膜ＡＬ１は、第２電極Ｅ２を覆い、液晶層ＬＱと接している。第１配向膜ＡＬ１には、ラビング処理或いは光配向処理などの配向処理が施されている。
一方、対向基板ＣＴは、光透過性を有するガラス基板や樹脂基板などの第２絶縁基板２０を備えている。第２絶縁基板２０は、アレイ基板ＡＲと対向する側の第１主面２０Ａと、第１主面２０Ａの反対側の第２主面２０Ｂと、を有している。
【００１６】
さらに、対向基板ＣＴは、第２絶縁基板２０の第１主面２０Ａの側に、カラーフィルタ２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂと、ブラックマトリクス２２と、オーバーコート層２３と、第２配向膜ＡＬ２と、を備えている。
カラーフィルタ２１Ｒは、例えば赤色に着色された樹脂材料によって形成され、赤色の副画素ＳＰＸＲに配置されている。カラーフィルタ２１Ｇは、例えば緑色に着色された樹脂材料によって形成され、緑色の副画素ＳＰＸＧに配置されている。カラーフィルタ２１Ｂは、例えば青色に着色された樹脂材料によって形成され、青色の副画素ＳＰＸＢに配置されている。
【００１７】
ブラックマトリクス２２は、副画素ＳＰＸＲ，ＳＰＸＧ，ＳＰＸＢを区画する。カラーフィルタ２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂの境界は、ブラックマトリクス２２に重なっている。オーバーコート層２３は、カラーフィルタ２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂを覆うとともに、これらカラーフィルタ２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂの表面を平坦化している。
【００１８】
第２配向膜ＡＬ２は、オーバーコート層２３を覆っており、液晶層ＬＱと接している。第２配向膜ＡＬ２には、第１配向膜ＡＬ１と同じく、ラビング処理或いは光配向処理などの配向処理が施されている。
アレイ基板ＡＲの外面、すなわち第１絶縁基板１０の第２主面１０Ｂには、第１偏光板ＰＬ１を含む第１光学素子ＯＤ１が配置されている。また、対向基板ＣＴの外面、すなわち第２絶縁基板２０の第２主面２０Ｂには、第２偏光板ＰＬ２を含む第２光学素子ＯＤ２が配置されている。第１偏光板ＰＬ１の第１偏光軸（あるいは第１吸収軸）と第２偏光板ＰＬ２の第２偏光軸（あるいは第２吸収軸）とは、互いに直交するクロスニコルの位置関係にある。
【００１９】
このような構成の液晶表示装置ＤＳＰ１は、第１光学素子ＯＤ１の側から入射する光を副画素ＳＰＸごとに選択的に透過させることで、表示領域ＤＡに画像を表示する。
図２は、図１に示した第２電極Ｅ２に適用可能な形状の一例を模式的に示す図である。この図に示す第２電極Ｅ２は、第１方向Ｘと交わる第２方向Ｙに沿って延びる接続部３と、この接続部３の一方の側辺部から延出した複数の櫛歯電極４と、接続部３の一方の端部に設けられたコンタクト部５と、を有している。図２の例において、第２方向Ｙは、第１方向Ｘと直交する方向である。
【００２０】
櫛歯電極４は、いずれも第１方向Ｘと平行に延びるとともに、第２方向Ｙに沿って一定の間隔を空けて並んでいる。図２の例においては、先端に向けて先細る台形状の櫛歯電極４を示しているが、櫛歯電極は矩形状など他の形状であってもよい。隣り合う櫛歯電極４の間の空間が、上述のスリットＳＬに相当する。これらのスリットＳＬは、櫛歯電極４と同じく、第１方向Ｘと平行に延びている。
【００２１】
接続部３は、複数の櫛歯電極４のうち第２方向Ｙにおける最端（図中の下側の端）に配置された櫛歯電極４Ｅよりも第２方向Ｙに突出した突出部分３ａを有している。
図３は、図１に示した第１電極Ｅ１に適用可能な形状の一例を模式的に示す図である。この図においては、各副画素ＳＰＸの第２電極Ｅ２と対向する領域８を破線にて示している。
【００２２】
第１電極Ｅ１は、コンタクトホールＣＨ１，ＣＨ２に対応する位置に、上述の開口部７を有している。これら開口部７を除き、第１電極Ｅ１は、スリット等を有さない連続した形状である。
図４は、図２に示した第２電極Ｅ２及び図３に示した第１電極Ｅ１を用いて構成可能な副画素ＳＰＸのレイアウトの一例を示す平面図である。この図に示す副画素ＳＰＸは、第１方向Ｘに沿って互いに平行に延びるゲート線Ｇ１，Ｇ２と、第２方向Ｙに沿って互いに平行に延びるソース線Ｓ１，Ｓ２と、によってその領域が区画されている。
【００２３】
スイッチング素子ＳＷは、半導体層ＳＣと、ゲート電極ＧＥと、中継電極ＲＥと、を備えている。半導体層ＳＣの一端はソース線Ｓ１と電気的に接続されており、他端は中継電極ＲＥと電気的に接続されている。これら２つの端部の間において、半導体層ＳＣは、ゲート電極ＧＥと対向している。ゲート電極ＧＥは、例えばゲート線Ｇ１と一体的に形成されている。中継電極ＲＥは、コンタクトホールＣＨ１，ＣＨ２、及び開口部７を通じて第２電極Ｅ２のコンタクト部５と電気的に接続されている。
【００２４】
図４における１点鎖線は、ブラックマトリクス２２の端部を表している。すなわち、ブラックマトリクス２２は、ゲート線Ｇ１，Ｇ２、ソース線Ｓ１，Ｓ２、スイッチング素子ＳＷ、及びコンタクト部５と対向している。一方で、ブラックマトリクス２２は、ゲート線Ｇ１，Ｇ２及びソース線Ｓ１，Ｓ２で囲われた領域内において、画素開口部２２ａを形成している。
【００２５】
第２電極Ｅ２が備える櫛歯電極４は、画素開口部２２ａに延出している。図４の例において、接続部３の突出部分３ａは、ブラックマトリクス２２と対向している。
図１に示した第１配向膜ＡＬ１は、第１方向Ｘと平行な配向処理方向ＡＤに沿って配向処理が施されている。一方、第２配向膜ＡＬ２は、配向処理方向ＡＤ或いは配向処理方向ＡＤと反対の方向に配向処理が施されている。すなわち、本実施形態に係る液晶表示装置ＤＳＰ１においては、櫛歯電極４及びスリットＳＬの延出方向と、配向処理方向ＡＤ（或いは液晶分子の初期配向方向）とが略一致している。
【００２６】
このように、第２絶縁層１２を介して第１電極Ｅ１及び第２電極Ｅ２を対向させるとともに、液晶層ＬＱ側に位置する第２電極Ｅ２に櫛歯電極４を設け、且つこの櫛歯電極４及びスリットＳＬの延出方向と配向処理方向ＡＤとを一致させることにより、一般的なＦＦＳモードとは異なる応答速度の速い高速横電界モードを実現することができる。なお、ここにいう応答速度は、例えば、第１電極Ｅ１及び第２電極Ｅ２の間への電圧印加により液晶層ＬＱの光の透過率を所定レベルの間で遷移させる際の速度として定義することができる。
【００２７】
高速横電界モードの動作原理につき、図５乃至図８を用いて説明する。なお、図６及び図８においては、本実施形態との比較のために、接続部３が突出部分３ａを有していない第２電極Ｅ２を示している。
図５は、第２電極Ｅ２の一部と、液晶層ＬＱに含まれる液晶分子ＬＭの初期配向状態とを示す図である。第２電極Ｅ２が備える櫛歯電極４は、幅方向（第２方向Ｙ）において対向する一対の第１側辺部４１及び第２側辺部４２と、これら第１側辺部４１及び第２側辺部４２を繋ぐ頂辺部４３と、を有している。第１側辺部４１は、配向処理方向ＡＤに対して反時計回りに鋭角である角度θ（図５乃至図８においては約１.０度）だけ傾いており、第２側辺部４２は配向処理方向ＡＤに対して時計回りに角度θだけ傾いている。また、隣り合う２本の櫛歯電極４の間において、接続部３は、底辺部３１を形成している。底辺部３１及び第１側辺部４１により角部Ｃ１が形成され、第１側辺部４１及び頂辺部４３により角部Ｃ２が形成され、底辺部３１及び第２側辺部４２により角部Ｃ３が形成され、第２側辺部４２及び頂辺部４３により角部Ｃ４が形成されている。
【００２８】
第１電極Ｅ１と第２電極Ｅ２との間に電圧が印加されていないオフ状態において、液晶分子ＬＭは、図５に示すようにその長軸が配向処理方向ＡＤと一致するように初期配向される。つまり、図５に示した例では、液晶分子ＬＭの初期配向方向は第１方向Ｘと平行である。
【００２９】
第１電極Ｅ１と第２電極Ｅ２との間に電圧が印加されたオン状態においては、これら電極の間に電界が生じる。図６は、当該電界の液晶層ＬＱにおける等電位線を示す図である。なお、この等電位線は、第１配向膜ＡＬ１から所定高さの位置のＸ−Ｙ平面における電位を表しており、この等電位線と直交する方向が電界の方向に相当する。
【００３０】
櫛歯電極４の第１方向Ｘにおける中腹領域Ａ１において、第１側辺部４１及び第２側辺部４２近傍の等電位線は、これら第１側辺部４１及び第２側辺部４２と略平行となる。一方、接続部３近傍の根本領域Ａ２において、等電位線は、スリットＳＬの形状に沿って円弧状に約１８０度屈曲している。また、頂辺部４３近傍の先端領域Ａ３において、等電位線は、櫛歯電極４の形状に沿って円弧状に約１８０度屈曲している。
【００３１】
なお、図６に示す第２電極Ｅ２においては、接続部３が突出部分３ａを有していない。このような接続部３の第２方向Ｙにおける端部近傍の端部領域ＥＡ１においては、等電位線が他の領域に比べて密となる。すなわち、この端部領域ＥＡ１においては、他の領域に比べて電界強度が大きい。
【００３２】
図７は、オン状態における液晶分子ＬＭの配向状態を示す図である。本実施形態における液晶分子ＬＭは誘電率異方性が正であるため、図５に示したオフ状態から第１電極Ｅ１及び第２電極Ｅ２の間に電圧が印加されると、これにより生じる電界の方向に対して長軸が平行となる（或いは等電位線に直交する）ように液晶分子ＬＭを回転させる力が働く。
【００３３】
角部Ｃ１，Ｃ２の近傍においては、液晶分子ＬＭが実線矢印で示す第１回転方向Ｒ１に回転する。また、角部Ｃ３，Ｃ４の近傍においては、液晶分子ＬＭが破線矢印で示す第２回転方向Ｒ２に回転する。第１回転方向Ｒ１及び第２回転方向Ｒ２は、互いに反対の回転方向である。図７の例において、第１回転方向Ｒ１は時計回りの方向であり、第２回転方向Ｒ２は反時計回りの方向である。
【００３４】
角部Ｃ１〜Ｃ４は、第１側辺部４１及び第２側辺部４２の近傍における液晶分子ＬＭの回転方向を制御する配向制御機能（換言すると、配向を安定化させる機能）を有している。すなわち、第１側辺部４１の近傍の液晶分子ＬＭは、角部Ｃ１，Ｃ２の近傍における液晶分子ＬＭの回転の影響を受けて、第１回転方向Ｒ１に回転する。また、第２側辺部４２の近傍の液晶分子ＬＭは、角部Ｃ３，Ｃ４の近傍における液晶分子ＬＭの回転の影響を受けて、第２回転方向Ｒ２に回転する。一方で、第２方向Ｙにおける櫛歯電極４の中心ＣＲ１及びスリットＳＬの中心ＣＲ２の近傍においては、第１回転方向Ｒ１に回転する液晶分子ＬＭと第２回転方向Ｒ２に回転する液晶分子ＬＭとが拮抗している。このため、このような領域の液晶分子ＬＭは、初期配向状態に維持され、殆ど回転しない。
【００３５】
このように、高速横電界モードにおいては、第１側辺部４１及び第２側辺部４２の近傍において、底辺部３１から頂辺部４３まで液晶分子ＬＭの回転方向が揃う。これにより、電圧印加時における応答速度を速めるとともに、液晶分子ＬＭの回転方向のバラつきを抑えて配向安定性を高めることが可能となる。
【００３６】
また、外部から力が加わったことにより一時的に液晶分子ＬＭの配向が乱れたとしても、角部Ｃ１〜Ｃ４の近傍における液晶分子ＬＭが基点となって、第１側辺部４１及び第２側辺部４２の近傍における液晶分子ＬＭの配向方向を揃えることが可能となる。
なお、第１側辺部４１及び第２側辺部４２が配向処理方向ＡＤに対して傾いていることも、配向安定性の向上に寄与している。すなわち、配向処理方向ＡＤに対して傾いた第１側辺部４１及び第２側辺部４２の近傍においては、電界の方向が配向処理方向ＡＤに対して直角を除く角度で交わるために、電圧印可時における液晶分子ＬＭの回転方向を概ね一定に定めることができる。特に、中腹領域Ａ１においては、図６に示した等電位線が第１側辺部４１及び第２側辺部４２と略平行となっていることからも判るように、角部Ｃ１〜Ｃ４の影響が弱まる。したがって配向安定性の悪化が懸念されるが、第１側辺部４１及び第２側辺部４２を配向処理方向ＡＤに対して傾けることで、中腹領域Ａ１においても良好な配向安定性を確保することができる。
【００３７】
図８は、オン状態の副画素ＳＰＸを透過する光の輝度分布を示す図であり、白い領域ほど高輝度であることを表している。図５に示したオフ状態において、第１光学素子ＯＤ１に入射する光の一部は、第１偏光板ＰＬ１を透過し、表示パネルＰＮＬに入射する。表示パネルＰＮＬに入射した光は、第１偏光板ＰＬ１の第１偏光軸と直交する直線偏光である。このような直線偏光の偏光状態は、オフ時の表示パネルＰＮＬを通過した際にほとんど変化しない。このため、表示パネルＰＮＬを透過した直線偏光は、第１偏光板ＰＬ１に対してクロスニコルの位置関係にある第２偏光板ＰＬ２によって吸収される。
【００３８】
一方、図７に示したオン状態において、第１偏光板ＰＬ１を透過して表示パネルＰＮＬに入射した光の偏光状態は、液晶層ＬＱを通過する際に液晶分子ＬＭの配向状態（あるいは、液晶層のリタデーション）に応じて変化する。このため、液晶分子ＬＭが初期配向状態から回転した第１側辺部４１及び第２側辺部４２の近傍においては、液晶層ＬＱを通過した光の一部が第２偏光板ＰＬ２を透過する。したがって、図８に示すように、第１側辺部４１及び第２側辺部４２の近傍は高輝度となる。一方で、櫛歯電極４の中心ＣＲ１及びスリットＳＬの中心ＣＲ２の近傍は、液晶分子ＬＭが初期配向状態から殆ど回転していないために低輝度となる。
【００３９】
図８の（ａ）のように、第２方向Ｙの最端に配置された櫛歯電極４Ｅの近傍を除く領域においては、第１側辺部４１及び第２側辺部４２に対応する高輝度領域と第１側辺部４１及び第２側辺部４２の間の中心近傍の低輝度領域とが交互に現れる規則的な輝度分布が実現される。
【００４０】
一方で、図８の（ｂ）のように、櫛歯電極４Ｅの近傍の領域においては、輝度分布が乱れている。この乱れは、端部領域ＥＡ１の影響によって、液晶分子ＬＭの配向安定性が阻害されることに起因する。すなわち、図６を参照して上述した通り、端部領域ＥＡ１における電界強度は他の領域に比べて大きいため、端部領域ＥＡ１近傍の液晶分子ＬＭには強い配向規制力が働く。この配向規制力は、端部領域ＥＡ１の周囲の液晶分子ＬＭにも影響し、結果として櫛歯電極４Ｅの近傍の配向が乱される。
【００４１】
例えば、第１電極Ｅ１及び第２電極Ｅ２の間に電圧が印加された際に、端部領域ＥＡ１の近傍においては、接続部３の角部Ｃ５の配向制御機能により液晶分子ＬＭが第１回転方向Ｒ１に回転する。また、櫛歯電極４Ｅの第１側辺部４１の近傍の第１側辺領域ＳＡ１においても、液晶分子ＬＭは第１回転方向Ｒ１に回転する。そのため、端部領域ＥＡ１と第１側辺領域ＳＡ１の間においても液晶分子ＬＭが第１回転方向Ｒ１に回転し、結果として図８の（ｂ）に示すようにこれらの領域の間に亘る連続した高輝度領域が生じ得る。図８の例においては、この高輝度領域が更に、櫛歯電極４Ｅの隣の櫛歯電極４の第２側辺部４２近傍に生じる高輝度領域と繋がっている。
【００４２】
また、櫛歯電極４Ｅの第２側辺部４２の端部には、他の櫛歯電極４が有するような角部Ｃ４が形成されない。したがって、櫛歯電極４Ｅの第２側辺部４２の近傍においては角部Ｃ４による配向制御機能が働かない分、他の櫛歯電極４に比べて配向安定性が劣るおそれがある。
【００４３】
さらに、櫛歯電極４Ｅの第２側辺部４２近傍の第２側辺領域ＳＡ２においては、液晶分子ＬＭが第２回転方向Ｒ２に回転して配向するが、これとは反対の第１回転方向Ｒ１に液晶分子ＬＭが回転する端部領域ＥＡ１の影響によって配向が乱され得る。
本実施形態においては、接続部３に突出部分３ａを設けたことにより、上記のような櫛歯電極４Ｅの近傍の配向安定性の乱れを防ぐことができる。以下、この作用について説明する。
【００４４】
図９は、本実施形態に係る第２電極Ｅ２の一部を模式的に示す図である。この図に示すように、第２電極Ｅ２の接続部３に突出部分３ａを設けたことによって、端部領域ＥＡ１と、櫛歯電極４Ｅの第１側辺部４１近傍の第１側辺領域ＳＡ１との間の距離Ｄ１を長くすることができる。これにより、第１側辺領域ＳＡ１に対する端部領域ＥＡ１の影響を弱め、櫛歯電極４Ｅの近傍の配向安定性を高めることが可能となる。
【００４５】
また、突出部分３ａを設けたことにより、櫛歯電極４Ｅの第２側辺部４２と突出部分３ａとが他の櫛歯電極４と同様の角部Ｃ３を形成する。これにより、第２側辺領域ＳＡ２においても、他の櫛歯電極４の第２側辺部４２の近傍と同様の配向安定性を確保することができる。  
以上説明した他にも、本実施形態にて開示した構成からは、種々の好適な作用が得られる。
【００４６】
（第２実施形態）
第２実施形態について説明する。  
本実施形態は、第２電極Ｅ２の第２方向Ｙにおける端部近傍の配向乱れを抑制するための、第１実施形態とは異なる方法を開示する。特に言及しない構成については、第１実施形態と同様である。
図１０は、本実施形態に係る第２電極Ｅ２の一部を模式的に示す図である。第２電極Ｅ２は、第１実施形態と同じく、第２方向Ｙに沿って延びる接続部３と、この接続部３の一方の側辺部から第１方向Ｘに延出した複数の櫛歯電極４と、を有している。なお、本実施形態において、接続部３は、図９等に示した突出部分３ａを有していない。
【００４７】
第２方向Ｙにおける端部に配置された櫛歯電極４Ｅを除き、櫛歯電極４の根本の第２方向Ｙにおける幅はＷａ１であり、櫛歯電極４の先端の第２方向Ｙにおける幅はＷｂ１である。一方、櫛歯電極４Ｅの根本の第２方向Ｙにおける幅はＷａ１よりも大きいＷａ２であり（Ｗａ２＞Ｗａ１）、櫛歯電極４Ｅの先端の第２方向Ｙにおける幅はＷｂ１よりも大きいＷｂ２である（Ｗｂ２＞Ｗｂ１）。このように、図１０の例における櫛歯電極４Ｅは、他の櫛歯電極４よりも全長に亘って幅が大きい。
【００４８】
以上説明したように、第２方向Ｙにおける端部に配置された櫛歯電極４Ｅの幅を大きくすることによっても、接続部３の端部領域ＥＡ１と、第１側辺領域ＳＡ１との間の距離Ｄ１を長くすることができる。これにより、第１側辺領域ＳＡ１などへの端部領域ＥＡ１の影響を弱め、櫛歯電極４Ｅの近傍の配向安定性を高めることが可能となる。
（第３実施形態）
第３実施形態について説明する。第１実施形態と同一或いは類似の要素については同一の符号を付して詳細な説明を省略する。
【００４９】
図１１は、本実施形態に係る液晶表示装置ＤＳＰ２の構成の一部を示す断面図である。この液晶表示装置ＤＳＰ２は、第１電極Ｅ１が画素電極として機能し、第２電極Ｅ２が共通電極として機能する点で、第１実施形態にて開示した液晶表示装置ＤＳＰ１と相違する。
【００５０】
第１電極Ｅ１は、副画素ＳＰＸＲ，ＳＰＸＧ，ＳＰＸＢのそれぞれに対して１つずつ設けられ、絶縁層１１に設けられたコンタクトホールＣＨ１を通じてスイッチング素子ＳＷと電気的に接続されている。
第２電極Ｅ２は、副画素ＳＰＸＲ，ＳＰＸＧ，ＳＰＸＢに亘って共通に設けられている。また、第２電極Ｅ２は、副画素ＳＰＸＲ，ＳＰＸＧ，ＳＰＸＢのそれぞれにおいて、複数のスリットＳＬを有している。
【００５１】
本実施形態において、液晶層ＬＱに含まれる液晶分子は、第１実施形態と同じく誘電率異方性が正（ポジ型）である。
図１２は、図１１に示した第２電極Ｅ２に適用可能な形状の一例を模式的に示す図である。この図に示す第２電極Ｅ２は、複数の開口部ＡＰを有している。これらの開口部ＡＰは、各副画素ＳＰＸの第１電極Ｅ１と対向する位置にそれぞれ設けられている。
【００５２】
開口部ＡＰは、第２方向Ｙに延びる接続部３と、第１方向Ｘに延びる接続部６とによって閉じられている。接続部３の一方の側辺部からは、複数の櫛歯電極４が延出している。
櫛歯電極４は、いずれも第１方向Ｘと平行に延びるとともに、先端に向けて先細る。１本の接続部３から延出する各櫛歯電極４は、第２方向Ｙに沿って一定の間隔を空けて並んでいる。これらの櫛歯電極４によって、開口部ＡＰ内にスリットＳＬが形成されている。これらのスリットＳＬは、櫛歯電極４と同じく、第１方向Ｘと平行に延びている。
【００５３】
開口部ＡＰにおいて、スリットＳＬを除く部分は、連通開口部ＣＡに相当する。この連通開口部ＣＡは、第２方向Ｙに沿って延びるとともに、１つの開口部ＡＰに含まれる複数のスリットＳＬの端部を接続し、これらスリットＳＬを連通させている。
連通開口部ＣＡは、１つの開口部ＡＰに含まれる複数のスリットＳＬのうち第２方向Ｙにおける最端に配置されたスリットＳＬＥよりも第２方向Ｙに突出した突出部分ＣＡａを有している。図１２の例では、連通開口部ＣＡは、第２方向Ｙにおける両端部にそれぞれ突出部分ＣＡａを有している。
【００５４】
図１１に示した第１配向膜ＡＬ１は、第１方向Ｘと平行な配向処理方向ＡＤに沿って配向処理が施されている。一方、第２配向膜ＡＬ２は、配向処理方向ＡＤ或いは配向処理方向ＡＤと反対の方向に配向処理が施されている。すなわち、本実施形態に係る液晶表示装置ＤＳＰ２においては、櫛歯電極４及びスリットＳＬの延出方向と、配向処理方向ＡＤ（或いは液晶分子の初期配向方向）とが略一致している。
【００５５】
図１３は、図１１に示した第１電極Ｅ１に適用可能な形状の一例を模式的に示す図である。この図に示す第１電極Ｅ１は、スリット等が設けられていない連続した平板状であり、第１方向Ｘに沿った長さが第２方向Ｙに沿った長さよりも短い略長方形状に形成されている。また、図示した例では、第１電極Ｅ１は、スイッチング素子ＳＷとの電気的な接続のためのコンタクト部９を有している。
【００５６】
図１４は、液晶表示装置ＤＳＰ２における液晶分子ＬＭの動作を説明するための図である。なお、この図においては、本実施形態との比較のために、連通開口部ＣＡが突出部分ＣＡａを有していない第２電極Ｅ２を示している。
櫛歯電極４の第１側辺部４１及び第２側辺部４２の近傍における液晶分子ＬＭの動作は、第１実施形態と同様である。すなわち、第１電極Ｅ１と第２電極Ｅ２との間に電圧が印加されていないオフ状態において、液晶分子ＬＭは、その長軸が配向処理方向ＡＤと一致するように初期配向される。つまり、液晶分子ＬＭの初期配向方向は、第１方向Ｘと平行である。
【００５７】
一方、第１電極Ｅ１と第２電極Ｅ２との間に電圧が印加されると、第１側辺部４１の近傍の液晶分子ＬＭは角部Ｃ１から角部Ｃ２まで第１回転方向Ｒ１に回転し、第２側辺部４２の近傍の液晶分子ＬＭは角部Ｃ３から角部Ｃ４まで第２回転方向Ｒ２に回転する。このように、本実施形態に係る液晶表示装置ＤＳＰ２においても、高速横電界モードを実現することができる。
【００５８】
一方で、連通開口部ＣＡの第２方向Ｙにおける端部近傍の端部領域ＥＡ２においては、連通開口部ＣＡの角部Ｃ６（接続部３，６が成す角部）の配向制御機能により、液晶分子ＬＭが第２回転方向Ｒ２に回転する。このような端部領域ＥＡ２は、第１実施形態における端部領域ＥＡ１と同様に、櫛歯電極４Ｅ（或いはスリットＳＬＥ）の近傍の配向を乱し得る。例えば、端部領域ＥＡ２及び櫛歯電極４Ｅの第２側辺領域ＳＡ２における液晶分子ＬＭの回転方向はいずれも第２回転方向Ｒ２であるため、これらの領域の間の液晶分子ＬＭも第２回転方向Ｒ２に回転し、他の櫛歯電極４の周辺では生じない連続した高輝度領域が櫛歯電極４Ｅの周辺で生じ得る。
【００５９】
また、スリットＳＬＥでは、他のスリットＳＬと連通開口部ＣＡとの接続位置には存在している角部Ｃ２が形成されない。したがって、櫛歯電極４Ｅの第２側辺部４２の近傍の第２側辺領域ＳＡ２と対向する第３側辺領域ＳＡ３においては角部Ｃ２による配向制御機能が働かない分、他のスリットＳＬに比べて配向安定性が劣るおそれがある。
【００６０】
本実施形態においては、連通開口部ＣＡに突出部分ＣＡａを設けたことにより、上記のようなスリットＳＬＥの近傍の配向安定性の乱れを防ぐことができる。以下、この作用について説明する。
図１５は、本実施形態に係る第２電極Ｅ２の一部を模式的に示す図である。この図に示すように、第２電極Ｅ２の連通開口部ＣＡに突出部分ＣＡａを設けたことによって、端部領域ＥＡ２と、櫛歯電極４Ｅの第２側辺部４２の近傍の第２側辺領域ＳＡ２との間の距離Ｄ２を長くすることができる。これにより、端部領域ＥＡ２の第２側辺領域ＳＡ２への影響を弱め、櫛歯電極４Ｅ及びスリットＳＬＥの近傍の配向安定性を高めることが可能となる。
【００６１】
また、突出部分ＣＡａを設けたことにより、スリットＳＬＥと連通開口部ＣＡとの接続位置にも角部Ｃ２が形成される。これにより、第３側辺領域ＳＡ３においても、他のスリットＳＬ近傍の第２側辺領域ＳＡ２と同様の配向安定性を確保することができる。
なお、図１５には連通開口部ＣＡの一方の端部のみ図示したが、他端においても同様の作用が得られる。
【００６２】
（第４実施形態）
第４実施形態について説明する。  
本実施形態は、第１電極Ｅ１が画素電極として機能し、第２電極Ｅ２が共通電極として機能する場合において、第２電極Ｅ２の第２方向Ｙにおける端部近傍の配向乱れを抑制するための第３実施形態とは異なる方法を開示する。特に言及しない構成については、第３実施形態と同様である。
【００６３】
図１６は、本実施形態に係る第２電極Ｅ２の一部を模式的に示す図である。第２電極Ｅ２は、第３実施形態と同じく、第２方向Ｙに沿って延びる接続部３と、第１方向Ｘに沿って延びる接続部６とで閉じられた開口部ＡＰを有している。さらに、第２電極Ｅ２は、接続部３の一方の側辺部から開口部ＡＰ内に延出した複数の櫛歯電極４を有している。各櫛歯電極４は、第１方向Ｘと平行に延びている。
【００６４】
複数の櫛歯電極４によって第１方向Ｘと平行に延びるスリットＳＬが形成され、各スリットＳＬの端部が第２方向Ｙに延びる連通開口部ＣＡによって接続されている。なお、本実施形態において、連通開口部ＣＡは、図１３等に示した突出部分ＣＡａを有していない。
【００６５】
第２方向Ｙにおける端部のスリットＳＬＥを除き、スリットＳＬの根本（連通開口部ＣＡとの接続位置）の第２方向Ｙにおける幅はＷｃ１であり、スリットＳＬの先端の第２方向Ｙにおける幅はＷｄ１である。一方、スリットＳＬＥの根本の第２方向Ｙにおける幅はＷｃ１よりも大きいＷｃ２であり（Ｗｃ２＞Ｗｃ１）、スリットＳＬＥの先端の第２方向Ｙにおける幅はＷｄ１よりも大きいＷｄ２である（Ｗｄ２＞Ｗｄ１）。このように、図１６の例におけるスリットＳＬＥは、他のスリットＳＬよりも全長に亘って幅が大きい。
【００６６】
以上説明したように、第２方向Ｙにおける端部に位置するスリットＳＬＥの幅を大きくすることによっても、連通開口部ＣＡの端部領域ＥＡ２と、櫛歯電極４Ｅの第２側辺部４２近傍の第２側辺領域ＳＡ２との間の距離Ｄ２を長くすることができる。これにより、第２側辺領域ＳＡ２などへの端部領域ＥＡ２の影響を弱め、櫛歯電極４Ｅ及びスリットＳＬＥの近傍の配向安定性を高めることが可能となる。
【００６７】
（第５実施形態）
第５実施形態について説明する。本実施形態は第１実施形態の変形例に相当するものであり、第２電極Ｅ２の形状を除く構成は第１実施形態と同様である。
図１７は、本実施形態に係る第２電極Ｅ２に適用可能な形状の一例を模式的に示す図である。この図に示す第２電極Ｅ２は、第２方向Ｙに沿って延びる接続部３の第１側辺部３０ａ及び第２側辺部３０ｂの各々から櫛歯電極４が延出し、これら櫛歯電極４によって接続部３の両側にスリットＳＬが形成された両歯構造を有している。
【００６８】
具体的には、第１側辺部３０ａから櫛歯電極４ａが延出し、第２側辺部３０ｂから櫛歯電極４ｂが延出している。櫛歯電極４ａ，４ｂは、いずれも第１方向Ｘ（配向処理方向ＡＤ）と平行に延びるとともに、先端に向けて先細る。各櫛歯電極４ａは、第２方向Ｙに沿って一定の間隔を空けて並んでいる。また、各櫛歯電極４ｂは、第２方向Ｙに沿って一定の間隔を空けて並んでいる。隣り合う櫛歯電極４ａの間にスリットＳＬａが形成され、隣り合う櫛歯電極４ｂの間にスリットＳＬｂが形成されている。これらのスリットＳＬａ，ＳＬｂは、櫛歯電極４ａ，４ｂと同じく、第１方向Ｘと平行に延びている。
【００６９】
図１７の例において、櫛歯電極４ａ，４ｂの形状、及び、第２方向Ｙに隣り合う櫛歯電極４ａのピッチと第２方向Ｙに隣り合う櫛歯電極４ｂのピッチは、いずれも同じである。一方で、櫛歯電極４ａ，４ｂは、第２方向Ｙにおいて互い違いに配置されている。
【００７０】
なお、櫛歯電極４ａ，４ｂの形状及びピッチは異なっていても良い。また、櫛歯電極４ａ，４ｂは、第２方向Ｙにおいて互い違いではなく、第１方向Ｘに沿った同一直線上に配置されていても良い。
図１７の例に示す第２電極Ｅ２では、複数の櫛歯電極４ｂのうち最端（図中下側の端）に配置された櫛歯電極４ｂＥが、複数の櫛歯電極４ａのうち最端（図中下側の端）に配置された櫛歯電極４ａＥよりもコンタクト部５の側（図中の上側）に位置している。接続部３は、櫛歯電極４ａＥ及び櫛歯電極４ｂＥの双方よりも第２方向Ｙに突出した突出部分３ａを有している。
【００７１】
櫛歯電極４ａの近傍における液晶分子ＬＭの動作は、第１実施形態と同様である。すなわち、図１７（ａ）に示すように、第１電極Ｅ１及び第２電極Ｅ２の間に電圧を印加した際には、櫛歯電極４ａの第１側辺部４１の近傍における液晶分子ＬＭが第１側辺部４１の全長に亘って第１回転方向Ｒ１に回転し、第２側辺部４２の近傍における液晶分子ＬＭが第２側辺部４２の全長に亘って第１回転方向Ｒ１とは逆の第２回転方向Ｒ２に回転する。
【００７２】
一方で、図１７（ｂ）に示すように、櫛歯電極４ｂの第１側辺部４１の近傍における液晶分子ＬＭが第１側辺部４１の全長に亘って第２回転方向Ｒ２に回転し、第２側辺部４２の近傍における液晶分子ＬＭが第２側辺部４２の全長に亘って第１回転方向Ｒ１に回転する。
【００７３】
以上のような構造の第２電極Ｅ２においても、接続部３の端部領域の影響により、櫛歯電極４ａＥ，４ｂＥの近傍の配向が乱され得る。しかしながら、本実施形態においては接続部３が突出部分３ａを有しているために、第１実施形態と同じく、櫛歯電極４ａＥ，４ｂＥの近傍の液晶分子ＬＭに対する接続部３の端部領域の影響を弱め、配向安定性を高めることができる。
【００７４】
なお、図１７の例のように、櫛歯電極４ａ，４ｂが第２方向Ｙに互い違いで配列された構造においては、櫛歯電極４ａの第１側辺部４１と櫛歯電極４ｂの第２側辺部４２とが概ね同一の直線上に位置し、櫛歯電極４ａの第２側辺部４２と櫛歯電極４ｂの第１側辺部４１とが概ね同一の直線上に位置する。また、櫛歯電極４ａ，４ｂがそれぞれ反対方向に延出していることから、櫛歯電極４ａの第１側辺部４１近傍の液晶分子ＬＭの回転方向と櫛歯電極４ｂの第２側辺部４２近傍の液晶分子ＬＭの回転方向が同一となり、櫛歯電極４ａの第２側辺部４２近傍の液晶分子ＬＭの回転方向と櫛歯電極４ｂの第１側辺部４１近傍の液晶分子ＬＭの回転方向が同一となる。すなわち、第１方向Ｘにおいて近接する櫛歯電極４ａ，４ｂに亘り液晶分子ＬＭの回転方向が揃うため、応答速度を一層早めることができる。
【００７５】
（第６実施形態）
第６実施形態について説明する。  
本実施形態は、第５実施形態にて開示した両歯構造の第２電極Ｅ２において、端部近傍の配向乱れを抑制するための他の方法を開示する。特に言及しない構成については、第５実施形態と同様である。
図１８は、本実施形態に係る第２電極Ｅ２の一部を模式的に示す図である。第２電極Ｅ２は、第５実施形態と同じく、接続部３と、複数の櫛歯電極４ａ，４ｂと、を有している。接続部３は、最端に配置された櫛歯電極４ｂＥよりも第２方向Ｙに突出した突出部分３ａを有している。図１８の例では、突出部分３ａの第２方向Ｙにおける端部と、複数の櫛歯電極４ａのうち最端に配置された櫛歯電極４ａＥの第２方向Ｙにおける端部とが略同一の直線上に位置している。
【００７６】
最端に配置された櫛歯電極４ａＥを除き、櫛歯電極４ａの根本の第２方向Ｙにおける幅はＷａ１であり、櫛歯電極４ａの先端の第２方向Ｙにおける幅はＷｂ１である。一方、櫛歯電極４ａＥの根本の第２方向Ｙにおける幅はＷａ１よりも大きいＷａ２であり（Ｗａ２＞Ｗａ１）、櫛歯電極４ａＥの先端の第２方向Ｙにおける幅はＷｂ１よりも大きいＷｂ２である（Ｗｂ２＞Ｗｂ１）。
【００７７】
このように、櫛歯電極４ａＥの幅を他の櫛歯電極４ａよりも大きくした場合であっても、第２実施形態と同様に、接続部３の端部領域に起因した配向の乱れを防ぐことができる。
なお、櫛歯電極４ｂは、例えば、櫛歯電極４ｂＥを含みいずれも同じ形状である。但し、櫛歯電極４ｂＥに関しても、他の櫛歯電極４ｂより幅を大きくしても良い。  
櫛歯電極４ｂに関しては、接続部３の突出部分３ａの作用により、第１実施形態と同じく良好な配向安定性を確保することが可能である。
【００７８】
（第７実施形態）
第７実施形態について説明する。本実施形態は第２実施形態の変形例に相当するものであり、第２電極Ｅ２の形状を除く構成は第２実施形態と同様である。
図１９は、本実施形態に係る第２電極Ｅ２に適用可能な形状の一例を模式的に示す図である。この図においては、１つの副画素ＳＰＸに対応する開口部ＡＰの近傍の構造を示している。
本実施形態に係る第２電極Ｅ２は、開口部ＡＰの中央に向けて延出する櫛歯電極４ａ，４ｂを備えた両歯構造である。櫛歯電極４ａ，４ｂは、いずれも第１方向Ｘ（配向処理方向ＡＤ）と平行に延びるとともに、先端に向けて先細る。各櫛歯電極４ａは、第２方向Ｙに沿って一定の間隔を空けて並んでいる。また、各櫛歯電極４ｂは、第２方向Ｙに沿って一定の間隔を空けて並んでいる。各櫛歯電極４ａによってスリットＳＬａが形成され、各櫛歯電極４ｂによってスリットＳＬｂが形成されている。これらのスリットＳＬａ，ＳＬｂは、櫛歯電極４ａ，４ｂと同じく、第１方向Ｘと平行に延びるとともに、第２方向Ｙに沿って並んでいる。各スリットＳＬａ，ＳＬｂは、第２方向Ｙに沿って延びる連通開口部ＣＡによって接続されている。
【００７９】
他の観点から言うと、開口部ＡＰは、連通開口部ＣＡの第１側辺部ＣＡｂから延出した複数のスリットＳＬａと、連通開口部ＣＡの第２側辺部ＣＡｃから延出した複数のスリットＳＬｂと、を有している。
図１９の例において、櫛歯電極４ａ，４ｂの形状、及び、第２方向Ｙに隣り合う櫛歯電極４ａのピッチと第２方向Ｙに隣り合う櫛歯電極４ｂのピッチは、いずれも同じである。一方で、櫛歯電極４ａ，４ｂは、第２方向Ｙにおいて互い違いに配置されている。
【００８０】
なお、櫛歯電極４ａ，４ｂの形状及びピッチは異なっていても良い。また、櫛歯電極４ａ，４ｂは、第２方向Ｙにおいて互い違いではなく、第１方向Ｘに沿った同一直線上に配置されていても良い。
図１９の例に示す第２電極Ｅ２では、複数のスリットＳＬｂのうち上下の最端に位置する各スリットＳＬｂＥが、複数のスリットＳＬａのうち上下の最端に位置する各スリットＳＬａＥよりも外側に位置している。連通開口部ＣＡは、スリットＳＬｂＥ及びスリットＳＬａＥの双方よりも第２方向Ｙ或いはその反対方向に突出した２つの突出部分ＣＡａを第２方向Ｙにおける各端部に有している。
【００８１】
なお、櫛歯電極４ａ，４ｂの近傍における液晶分子ＬＭの動作は、図１７を用いて説明した通りである。また、図１９の例のように、櫛歯電極４ａ，４ｂが第２方向Ｙに互い違いで配列された構造においては、第１方向Ｘにおいて近接する櫛歯電極４ａ，４ｂに亘り液晶分子ＬＭの回転方向が揃うため、応答速度を一層早めることができる。
【００８２】
以上のような構造の第２電極Ｅ２においても、連通開口部ＣＡの端部領域の影響により、スリットＳＬａＥ，ＳＬｂＥの近傍の配向が乱され得る。しかしながら、本実施形態においては連通開口部ＣＡが突出部分ＣＡａを有しているために、第２実施形態と同じく、スリットＳＬａＥ，ＳＬｂＥの近傍に対する連通開口部ＣＡの端部領域の影響を弱め、配向安定性を高めることができる。  
【００８３】
（第８実施形態）
第８実施形態について説明する。  
本実施形態は、第７実施形態にて開示した両歯構造の第２電極Ｅ２において、端部近傍の配向乱れを抑制するための他の方法を開示する。特に言及しない構成については、第７実施形態と同様である。
図２０は、本実施形態に係る第２電極Ｅ２の一部を模式的に示す図である。第２電極Ｅ２は、第７実施形態と同じく、連通開口部ＣＡと、複数の櫛歯電極４ａ，４ｂと、を有している。複数の櫛歯電極４ａによって第１方向Ｘと平行に延びるスリットＳＬａが形成され、複数の櫛歯電極４ｂによって第１方向Ｘと平行に延びるスリットＳＬｂが形成され、各スリットＳＬの端部が第２方向Ｙに延びる連通開口部ＣＡによって接続されている。
【００８４】
連通開口部ＣＡは、最端に位置するスリットＳＬａＥよりも第２方向Ｙに突出した突出部分ＣＡａを有している。図２０の例では、突出部分ＣＡａの第２方向Ｙにおける端部と、複数のスリットＳＬｂのうち最端に位置するスリットＳＬｂＥの第２方向Ｙにおける端部とが略同一の直線上に位置している。
【００８５】
最端に位置するスリットＳＬｂＥを除き、スリットＳＬｂの根本（連通開口部ＣＡとの接続位置）の第２方向Ｙにおける幅はＷｃ１であり、スリットＳＬｂの先端の第２方向Ｙにおける幅はＷｄ１である。一方、スリットＳＬｂＥの根本の第２方向Ｙにおける幅はＷｃ１よりも大きいＷｃ２であり（Ｗｃ２＞Ｗｃ１）、スリットＳＬｂＥの先端の第２方向Ｙにおける幅はＷｄ１よりも大きいＷｄ２である（Ｗｄ２＞Ｗｄ１）。このように、図２０の例におけるスリットＳＬｂＥは、他のスリットＳＬｂよりも全長に亘って幅が大きい。
【００８６】
以上説明したように、スリットＳＬｂＥの幅を他のスリットＳＬｂよりも大きくした場合であっても、第４実施形態と同様に、連通開口部ＣＡの端部領域に起因した配向の乱れを防ぐことができる。
なお、スリットＳＬａは、例えば、スリットＳＬａＥを含みいずれも同じ形状である。但し、スリットＳＬａＥに関しても、他のスリットＳＬａより幅を大きくしても良い。  
スリットＳＬａに関しては、突出部分ＣＡａの作用により、第３実施形態と同じく良好な配向安定性を確保することが可能である。  
図２０には連通開口部ＣＡの一方の端部のみ図示したが、他端においても同様の作用が得られる。
【００８７】
（変形例）
第１乃至第８実施形態にて開示した構成は、適宜変形することができる。  
例えば、第１及び第２実施形態においては、液晶層ＬＱの液晶分子の誘電率異方性が正である場合に採用し得る構成を例示した。しかしながら誘電率異方性が負（ネガ型）である液晶分子により液晶層ＬＱを構成することもできる。この場合においては、配向処理方向ＡＤ（或いは液晶分子の初期配向方向）を櫛歯電極４及びスリットＳＬの延出方向に直交する方向（第２方向Ｙ）とすればよい。
【００８８】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００８９】
ＤＳＰ１，ＤＳＰ２…液晶表示装置、ＰＮＬ…表示パネル、ＡＲ…アレイ基板、ＣＴ…対向基板、ＬＱ…液晶層、Ｅ１…第１電極、Ｅ２…第２電極、ＳＬ…スリット、ＡＤ…配向処理方向、ＬＭ…液晶分子、Ｃ１〜Ｃ４…角部、Ｒ１…第１回転方向、Ｒ２…第２回転方向、３…接続部、３ａ…突出部分、５…櫛歯電極、ＳＡ１…第１側辺領域、ＳＡ２…第２側辺領域、ＥＡ１…端部領域。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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