(57)【要約】【課題】  エッチング深さのばらつきを抑制できるエッチング装置を提供する。【解決手段】  エッチング装置１００は、対象物に液体を散布するための、可動ノズル２０及び固定ノズル１０と、可動ノズル２０の位置及び姿勢の少なくとも一方を変更するためのノズル駆動装置３０と、可動ノズル２０及び固定ノズル１０にエッチング液を個別に供給可能な、第１及び第２エッチング液供給装置４０、５０を含む供給手段と、エッチング液が散布されている対象物を撮像する撮像素子６０と、撮像素子６０で得られた撮像画像データに基づいて対象物におけるエッチングの進行状況を解析するデータ解析装置６５と、ノズル駆動装置３０及び供給手段を制御する制御装置７０と、を備え、該制御装置７０は、データ解析装置６５での解析結果に基づいてノズル駆動装置３０を制御可能である。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
対象物に液体を散布するための、複数のノズルから成るノズル群と、
前記複数のノズルにエッチング液を個別に供給可能な供給手段と、
エッチング液が散布された前記対象物を撮像する撮像手段と、
前記撮像手段で得られた撮像画像データに基づいて前記対象物におけるエッチングの進行状況を解析する解析手段と、
前記解析手段での解析結果に基づいて前記供給手段を制御する制御手段と、を備えるエッチング装置。
【請求項２】
前記ノズル群は、前記対象物の全面に液体を散布可能に配置されていることを特徴とする請求項１に記載のエッチング装置。
【請求項３】
前記解析手段は、前記撮像画像データから、前記対象物におけるエッチングの進行が相対的に遅い領域又は早い領域を特定し、
前記制御手段は、前記ノズル群における前記遅い領域又は前記早い領域に対応する一部のノズルに対するエッチング液の供給を制御することを特徴とする請求項１又は２に記載のエッチング装置。
【請求項４】
前記制御手段は、前記一部のノズルに対するエッチング液の供給量、濃度、種類の少なくとも１つを変更することを特徴とする請求項３に記載のエッチング装置。
【請求項５】
前記解析手段は、前記遅い領域を特定し、
前記制御手段は、前記遅い領域に対応する一部のノズルのみにエッチング液を供給することを特徴とする請求項３に記載のエッチング装置。
【請求項６】
対象物に液体を散布するための、少なくとも１つの可動ノズルを含む複数のノズルと、
前記可動ノズルの位置及び姿勢の少なくとも一方を変更するための駆動手段と、
前記複数のノズルにエッチング液を個別に供給可能な供給手段と、
エッチング液が散布された前記対象物を撮像する撮像手段と、
前記撮像手段で得られた撮像画像データに基づいて前記対象物におけるエッチングの進行状況を解析する解析手段と、
前記解析手段での解析結果に基づいて前記駆動手段を制御する制御手段と、を備えるエッチング装置。
【請求項７】
前記複数のノズルは、前記対象物の全面に液体を散布可能に配置された固定ノズル又は固定ノズル群を更に含み、
前記可動ノズルは、前記対象物の一部に液体を散布可能であることを特徴とする請求項６に記載のエッチング装置。
【請求項８】
前記解析手段は、前記撮像画像データから、前記対象物におけるエッチングの進行が相対的に遅い領域を特定し、
前記制御手段は、前記可動ノズルから前記遅い領域に液体を散布可能に前記可動ノズルの位置及び姿勢を変更することを特徴とする請求項６又は７に記載のエッチング装置。
【請求項９】
前記解析手段は、前記撮像画像データから、前記対象物の表面のパターン形状、コントラスト及び反射率の少なくとも１つを求めて、前記エッチングの進行が相対的に遅い領域又は早い領域を特定することを特徴とする請求項３〜５、８に記載のエッチング装置。
【請求項１０】
前記対象物のエッチング完了後の画像である目標画像データを格納する格納手段を更に備え、
前記解析手段は、前記撮像画像データを前記目標画像データと比較し、前記エッチングの進行が相対的に遅い領域又は早い領域を特定することを特徴とする請求項３〜５、８に記載のエッチング装置。
【請求項１１】
前記解析手段は、前記撮像画像データを前記目標画像データと比較し、前記対象物におけるエッチング終端を判定することを特徴とする請求項１０に記載のエッチング装置。
【請求項１２】
前記供給手段は、前記複数のノズルのうち少なくとも１つのノズルにエッチング作用のない液体を供給可能であることを特徴とする請求項１〜１１のいずれか一項に記載のエッチング装置。
【請求項１３】
前記液体は、純水であることを特徴とする請求項１２に記載のエッチング装置。
【請求項１４】
前記対象物は、基板上に複数の層が積層された積層体であり、
前記複数のノズルは、前記基板に向けてエッチング液を散布可能であることを特徴とする請求項１〜１３のいずれか一項に記載のエッチング装置。
【請求項１５】
前記積層体は、
前記基板上に積層されたエッチング抑制層と、
前記エッチング抑制層上に積層された活性層と、
前記活性層上に積層された半導体多層膜反射鏡と、を含むことを特徴とする請求項１４に記載のエッチング装置。
【請求項１６】
前記積層体は、前記基板と前記エッチング抑制層との間に配置された別の半導体多層膜反射鏡を更に含むことを特徴とする請求項１５に記載のエッチング装置。
【請求項１７】
複数のノズルから成るノズル群から対象物にエッチング液を散布する工程と、
エッチング液が散布された前記対象物を撮像する工程と、
前記撮像する工程で得られた撮像画像データに基づいて前記対象物におけるエッチングの進行状況を解析する工程と、
前記解析する工程での解析結果に基づいて、前記ノズル群の一部のノズルに対するエッチング液の供給を制御する工程と、を含むエッチング方法。
【請求項１８】
前記解析する工程では、前記対象物におけるエッチングの進行が相対的に遅い領域又は早い領域を特定し、
前記一部のノズルは、前記エッチングの進行が相対的に遅い領域又は早い領域に液体を散布可能な少なくとも１つの前記ノズルであることを特徴とする請求項１７に記載のエッチング方法。
【請求項１９】
少なくとも１つの可動ノズルを含む複数のノズルのうち前記可動ノズル以外のノズルから対象物にエッチング液を散布する第１散布工程と、
エッチング液が散布された前記対象物を撮像する工程と、
前記撮像する工程で得られた撮像画像データに基づいて前記対象物におけるエッチングの進行状況を解析する工程と、
前記解析する工程での解析結果に基づいて前記可動ノズルの位置及び姿勢の少なくとも一方を変更し、前記可動ノズルから前記対象物にエッチング液を散布する第２散布工程と、を含むエッチング方法。
【請求項２０】
前記解析する工程では、前記撮像画像データから、前記対象物におけるエッチングの進行が相対的に遅い領域を特定し、
前記第２散布工程では、前記エッチングの進行が相対的に遅い領域にエッチング液を散布することを特徴とする請求項１９に記載のエッチング方法。
【請求項２１】
対象物に液体を散布するための、複数のノズルから成るノズル群と、
前記複数のノズルにエッチング液を個別に供給可能な供給手段と、
前記対象物におけるエッチングの進行状況を画像監視するための監視手段と、
前記監視手段で得られた監視画像を処理する処理手段と、
前記処理手段での処理結果に基づいて前記供給手段を制御する制御手段と、を備えるエッチング装置。
【請求項２２】
対象物に液体を散布するための、少なくとも１つの可動ノズルを含む複数のノズルと、
前記可動ノズルの位置及び姿勢の少なくとも一方を変更するための駆動手段と、
前記複数のノズルにエッチング液を個別に供給可能な供給手段と、
前記対象物におけるエッチングの進行状況を画像監視するための監視手段と、
前記監視手段で得られた監視画像を処理する処理手段と、
前記処理手段での処理結果に基づいて前記駆動手段を制御する制御装置と、を備えるエッチング装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、エッチング装置及びエッチング方法に係り、更に詳しくは、対象物にエッチング液を散布するエッチング装置及びエッチング方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、対象物にエッチング液を散布してエッチングする技術が知られている。
【０００３】
そして、特許文献１には、複数のノズルから対象物にエッチング液を散布してエッチングを行う半導体装置の製造方法が開示されている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１に開示されている半導体装置の製造方法では、エッチング深さのばらつきを抑制できなかった。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、対象物に液体を散布するための、複数のノズルから成るノズル群と、前記複数のノズルにエッチング液を個別に供給可能な供給手段と、エッチング液が散布された前記対象物を撮像する撮像手段と、前記撮像手段で得られた撮像画像データに基づいて前記対象物におけるエッチングの進行状況を解析する解析手段と、前記解析手段での解析結果に基づいて前記供給手段を制御する制御手段と、を備えるエッチング装置である。
【発明の効果】
【０００６】
本発明によれば、エッチング深さのばらつきを抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】第１実施形態のエッチング装置の構成を概略的に示す図である。
【図２】第２実施形態のエッチング装置の構成を概略的に示す図である。
【図３】対象物のエッチング完了後の画像である目標画像を示す図である。
【図４】エッチング液が散布された対象物を撮像して得られる撮像画像（エッチング途中の画像）を示す図である。
【図５】第３実施形態の積層体を含むエッチング加工対象物を示す図である。
【図６】第３実施形態の光デバイスを示す図である。
【図７】積層体のエッチング途中の干渉縞を示す図である。
【図８】変形例の積層体を含むエッチング加工対象物を示す図である。
【図９】変形例の光デバイスを示す図である。
【図１０】第４実施形態のエッチング装置について説明するための図（その１）である。
【図１１】第４実施形態のエッチング装置について説明するための図（その２）である。
【図１２】第５実施形態のエッチング装置について説明するための図（その２）である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
《第１実施形態》
以下、図１を参照して、第１実施形態を説明する。
【０００９】
第１実施形態のエッチング装置１００は、エッチング対象物（以下では単に「対象物」とも称する）をウェットエッチングする装置である。
【００１０】
エッチング装置１００は、図１に示されるように、固定ノズル１０、可動ノズル２０、ノズル駆動装置３０、第１エッチング液供給装置４０、第２エッチング液供給装置５０、撮像素子６０、データ解析装置６５、制御装置７０などを備えている。以下では、図１に示されるＺ軸方向を鉛直方向とするＸＹＺ３次元直交座標系を適宜用いて説明する。
【００１１】
固定ノズル１０は、固定タイプのスプレーノズルであり、対象物が支持される支持ステージ８０の直上に設置されている。ここでは、対象物は例えば金属膜とされ、この金属膜が上面（＋Ｚ側の面）に形成されたウェハが吸着装置（不図示）によって支持ステージ８０上に吸着保持される。固定ノズル１０は、対象物の全面にエッチング液を散布可能となっている。
【００１２】
可動ノズル２０は、可動タイプのスプレーノズルであり、支持ステージ８０の上方に配置され、ノズル駆動装置３０により駆動される。可動ノズル２０は、エッチング対象物の一部にエッチング液を散布可能となっている。
【００１３】
ノズル駆動装置３０は、可動ノズル２０を支持ステージ８０の上方でＸＹ平面（水平面）に沿って１次元又は２次元移動可能、かつ首振り可能に構成されている。すなわち、ノズル駆動装置３０は、可動ノズル２０の水平方向の位置及び姿勢の少なくとも一方を変更可能に構成されている。可動ノズル２０の上記１次元又は２次元移動は、１軸駆動用又は２軸駆動用のアクチュエータにより実現できる。可動ノズル２０の上記首振りは、例えば可動ノズル２０を保持するヒンジ機構やボールジョイント機構と可動ノズル２０を動作させるアクチュエータ（例えばモータ）とにより実現できる。なお、上記１軸駆動用及び２軸駆動用のアクチュエータの構成要素としては、例えば、ガイド機構としてのラック＆ピニオン機構、ボールねじ機構、スライドレール機構、駆動源としてのモータ、ソレノイド、シリンダ等が挙げられる。
【００１４】
第１エッチング液供給装置４０は、固定ノズル１０にエッチング液やリンス用の純水を供給可能な装置であり、制御装置７０により制御される。第１エッチング液供給装置４０は、固定ノズル１０へのエッチング液の供給量（単位時間当たりの供給量もしくは総供給量、以下同様）、濃度、種類の少なくとも１つを変更可能に構成されている。
【００１５】
第２エッチング液供給装置５０は、可動ノズル２０にエッチング液やリンス用の純水を供給可能な装置であり、制御装置７０により制御される。第２エッチング液供給装置４０は、可動ノズル２０へのエッチング液の供給量、濃度、種類の少なくとも１つを変更可能に構成されている。
【００１６】
撮像素子６０は、エッチング液が散布されている（ウェットエッチングされている）対象物を撮像し、得られた撮像画像データをデータ解析装置６５に出力する。撮像素子６０としては、例えばＣＣＤイメージセンサ、ＣＭＯＳイメージセンサ等が挙げられる。
【００１７】
データ解析装置６５は、撮像素子６０からの撮像画像データに基づいて対象物におけるエッチングの進行状況を解析（信号処理）し、その解析結果（以下では「解析データ」とも称する）を制御装置７０に出力する。
【００１８】
制御装置７０は、データ解析装置６５からの解析データに基づいてノズル駆動装置３０を制御するとともに、必要に応じて又は解析データに基づいて第１及び第２エッチング液供給装置４０、５０を個別に制御する。
【００１９】
すなわち、制御装置７０は、解析データに基づいてノズル駆動装置３０を介して可動ノズル２０を駆動することで、可動ノズル２０から対象物へのエッチング液の散布範囲を変更することができる。また、制御装置７０は、必要に応じて又は解析データに基づいて各エッチング液供給装置を制御することで、該エッチング液供給装置から対応するノズルへのエッチング液の供給量、濃度、種類の少なくとも１つを変更することができる。
【００２０】
制御装置７０は、オペレータによる操作部（不図示）を介したエッチング開始要求を受けると、エッチング処理（ウェットエッチング）を開始する。
【００２１】
以下に、エッチング装置１００を用いて、ウェハ上に形成された対象物としての金属膜をウェットエッチングする方法の一例を説明する。具体的には、ウェットエッチングにより６インチシリコンウェハ上にアルミニウムによる配線構造を形成する例を説明する。
【００２２】
先ず、アルミニウムによる配線を形成するために、６インチシリコンウェハ全面にアルミニウム膜を形成した後に、配線としてアルミニウムを残す領域にのみフォトレジストによるマスクを形成する。この一連の工程は、一般的な半導体製造プロセス技術を用いて容易に実施できる。
【００２３】
全面にアルミニウム膜が形成され、該アルミニウム膜の保護すべき領域にフォトレジストによるマスクが形成された６インチシリコンウェハを、吸着装置を用いて支持ステージ８０上に吸着保持させる。
【００２４】
制御装置７０は、エッチング開始要求を受けると、第１エッチング液供給装置４０を稼働させて固定ノズル１０にエッチング液を供給することによりアルミニウム膜全面に向けてエッチング液を散布してエッチングを開始させる。ここでは、第１エッチング液供給装置４０から固定ノズル１０に供給されるエッチング液は、アルミニウムのエッチング液として作用する、りん酸：硫酸＝４：１で混合したものを８０℃に加熱したものが用いられる。
【００２５】
撮像素子６０は、エッチング液が散布されているアルミニウム膜を撮像し、得られた撮像画像データをリアルタイムでデータ解析装置６５に送る。
【００２６】
データ解析装置６５は、撮像素子６０からの撮像画像データから、ウェハ上におけるエッチングによりアルミニウムが除去された領域とアルミニウムが残存する領域との反射率の違いに起因するコントラスト（画像の明暗、濃淡）を検出し、相対的にエッチングの進行が遅い領域（相対的に反射率が高く明るい領域、図４参照）を特定し、その特定結果を解析データとして制御装置７０に出力する。
【００２７】
なお、エッチングによっては、当初曇って見える対象物の表面が鏡面に変化する場合もあるので、この場合は、対象物の表面の反射率を例えば反射率測定器を用いて測定することでエッチングの進行が遅い領域を特定できる。
【００２８】
また、上記コントラストに代えて、対象物の表面のパターン形状を検出し、該パターン形状における歪な部分をエッチングの進行が遅い領域として特定することもできる。
【００２９】
制御装置７０は、データ解析装置６５からの特定結果に基づいて、必要に応じてノズル駆動装置３０を稼働させるとともに、第２エッチング液供給装置５０を稼働させて可動ノズル２０からアルミニウム膜におけるエッチングの進行が遅い領域に向けてエッチング液を散布する。結果として、アルミニウム膜のエッチング領域（マスクが形成されていない領域）がほぼ均一にエッチングされる。ここでは、第２エッチング液供給装置４０から可動ノズル２０に供給されるエッチング液は、アルミニウムのエッチング液として作用する、りん酸：硫酸＝４：１で混合したものを８０℃に加熱したものが用いられる。
【００３０】
データ解析装置６５は、撮像素子６０からの撮像画像データを解析中に、反射率の違いに起因するコントラストが完全に消失したとき、エッチングが終端（アルミニウム膜の下面、すなわちウェハの上面）に達したと判断して、制御装置７０にエッチング完了信号を出力する。制御装置７０は、エッチング完了信号を受信すると、第１及び第２エッチング液供給装置４０、５０それぞれから供給される液体をエッチング液から純水に切り替え、純水によるリンスを行って、エッチングを完了させる。
【００３１】
以上説明した本実施形態のエッチング装置１００は、第１の観点からすると、対象物に液体を散布するための、可動ノズル２０及び固定ノズル１０と、可動ノズル２０の位置及び姿勢の少なくとも一方を変更するためのノズル駆動装置３０と、可動ノズル２０及び固定ノズル１０にエッチング液を個別に供給可能な、第１及び第２エッチング液供給装置４０、５０を含む供給手段と、エッチング液が散布された対象物を撮像する撮像素子６０と、撮像素子６０で得られた撮像画像データに基づいて対象物におけるエッチングの進行状況を解析するデータ解析装置６５と、ノズル駆動装置３０及び供給手段を制御する制御装置７０と、を備え、該制御装置７０は、データ解析装置６５での解析結果に基づいてノズル駆動装置３０を制御可能である。
【００３２】
また、本実施形態のエッチング装置１００は、第２の観点からすると、対象物に液体を散布するための、可動ノズル２０及び固定ノズル１０と、可動ノズル２０を動作させるためのノズル駆動装置３０と、可動ノズル２０及び固定ノズル１０にエッチング液を個別に供給可能な第１及び第２エッチング液供給装置４０、５０を含む供給手段と、対象物におけるエッチングの進行状況を画像監視するための撮像素子６０と、該撮像素子６０で得られた監視画像データを解析（処理）するデータ解析装置６５と、ノズル駆動装置３０及び供給手段を制御する制御装置７０と、を備え、制御装置７０は、データ解析装置６５での解析結果に基づいてノズル駆動装置３０を制御可能である。
【００３３】
そして、固定ノズル１０は、対象物の全面に液体を散布可能であり、可動ノズル２０は、対象物の一部に液体を散布可能である。
【００３４】
この場合、固定ノズル１０から対象物の全面にエッチング液を散布してエッチングを行うとともに、可動ノズル２０から対象物におけるエッチングの進行が遅い領域にエッチング液を散布することができる。また、撮像画像データ（監視画像データ）から、エッチングの進行が遅い領域を正確に特定でき、かつエッチング終端を正確に判定することができる。
この結果、エッチング深さのばらつきを抑制できる。
【００３５】
これにより、エッチング選択比が小さい場合、すなわちエッチングすべき層とその下層とのエッチングレートの差が小さい場合においても、オーバーエッチングを抑制することができる。
【００３６】
そこで、エッチング装置１００は、エッチング終端を定めるためのエッチング抑制層等を有するエッチング選択比が大きいエッチング対象物に限られず、オーバーエッチングのおそれがあるエッチング選択比が小さいエッチング対象物でも充分に対応可能である。
【００３７】
一方、特許文献１（特開２００９−１０５３５３号公報）では、エッチング対象物全体に散布するノズルと、エッチング液の量が少なくなると予想されるエッチング対象物中央部にエッチング液を散布するノズルを用いているが、エッチング終端を正確に判定することはできない。
【００３８】
詳述すると、特許文献１では、回転しているウェハにエッチング液を散布したときにウェハ中央部のエッチング液の量が少なくなるのを解消するためにウェハ全体にエッチング液を散布するのに加えてウェハ中央部に別途エッチング液を供給している。つまり、引用文献１では、エッチング深さのばらつきが同心円状に分布するということを前提にしているのみであり、ウェハ中央部のエッチング液の供給量を適切に制御することはできない。
【００３９】
しかも、実際のエッチングでは、エッチングのばらつきが厳密に同心円状に分布することはなく、エッチング対象物の膜厚分布や、膜自体が持つ応力の分布などにより様々な分布になるのが一般的である。
【００４０】
結果として、特許文献１では、実際に発生するエッチングのばらつきに対応することができず、エッチング深さのばらつきを抑制できない。
【００４１】
また、データ解析装置６５は、撮像画像データから対象物におけるエッチングの進行が遅い領域を特定し、その特定結果を制御装置７０に出力するため、制御装置７０は、ノズル駆動装置３０を介して可動ノズル２０をエッチングの進行が遅い領域に向けることができる。
【００４２】
また、データ解析装置６５は、撮像画像データから対象物の表面のパターン形状、コントラスト及び反射率の少なくとも１つを求めて、エッチングの進行が遅い領域を特定するため、その特定精度を高めることができる。
【００４３】
また、制御装置７０は、データ解析装置６５での解析結果に基づいて供給手段を制御可能であるため、適切なエッチング液でエッチングを行うことができる。
【００４４】
また、供給手段は、固定ノズル１０及び可動ノズル２０へのエッチング液の供給量、種類、濃度の少なくとも１つを個別に変更可能であるため、固定ノズル１０及び可動ノズル２０にエッチング液を適切に供給することができる。
【００４５】
また、供給手段は、少なくとも２つのノズルにエッチング作用のない液体（たとえば純水）を供給可能であるため、対象物をエッチング完了後にリンスすることができる。
【００４６】
また、エッチング作用のない液体は、純水であるため、対象物を十分に洗浄することができる。
【００４７】
また、第１実施形態のエッチング方法は、エッチング液を散布するための可動ノズル２０及び固定ノズル１０のうち固定ノズル１０から対象物に向けてエッチング液を散布する第１散布工程と、エッチング液が散布された対象物を撮像する工程と、該撮像する工程で得られた撮像画像データに基づいて対象物におけるエッチングの進行状況を解析する工程と、該解析する工程での解析結果に基づいて可動ノズル２０の位置及び姿勢の少なくとも一方を変更し、可動ノズル２０から対象物に向けてエッチング液を散布する第２散布工程と、を含む。
【００４８】
そして、第１散布工程では、対象物の全面にエッチング液を散布し、解析する工程では、対象物におけるエッチングの進行が遅い領域を特定し、第２散布工程では、エッチングの進行が遅い領域にエッチング液を散布する。
【００４９】
この場合、固定ノズル１０から対象物の全面にエッチング液を散布してエッチングを行うとともに、可動ノズル２０から対象物におけるエッチングの進行が遅い領域にエッチング液を散布することができる。また、撮像画像データから、エッチングの進行が遅い領域を正確に特定でき、かつエッチング終端を正確に判定することができる。
この結果、エッチング深さのばらつきを抑制できる。
【００５０】
また、第２散布工程では、解析結果に基づいて可動ノズル２０及び固定ノズル１０へのエッチング液の供給を個別に制御可能であるため、可動ノズル２０及び固定ノズル１０へエッチング液を適切に供給できる。
【００５１】
以下に、他の実施形態を説明するが、他の実施形態では、第１実施形態と同様の機能を有する装置、部材等には同一の符号を付して、その説明を省略する。
【００５２】
《第２実施形態》
図２〜図４を参照して、第２実施形態のエッチング装置２００について説明する。
【００５３】
エッチング装置２００は、図２に示されるように、第１実施形態のエッチング装置１００の構成に加えて、画像データ格納部９０を備えている。画像データ格納部９０は、画像データを格納できるものであれば良く、例えばメモリ、ハードディスク等の記憶装置が挙げられる。
【００５４】
画像データ格納部９０には、エッチングが正常に終了したときの（エッチングが完了したときの）のエッチング対象物の画像データである目標画像データが格納されている（図３参照）。
【００５５】
第２実施形態でも、第１実施形態と同様に、固定ノズル１０からエッチング対象物の全面に向けてエッチング液を散布し、かつ可動ノズル２０からエッチングの遅い領域に向けてエッチング液を散布してエッチングを行うが、ここでは、更に、撮像素子６０からの撮像画像データと目標画像データとを常時もしくは定期的に比較しながらエッチングの終端を判定する。
【００５６】
具体的には、データ解析装置６５が、撮像素子６０からの撮像画像データを解析する際に、画像データ格納部９０に格納されている目標画像データを読み出し、該目標画像データと撮像画像データとを、エッチング対象物の表面のパターン形状、コントラスト、反射率などにより比較し、撮像画像データがエッチング目標画像データに一致しているか否か、すなわちエッチングが正常に終了したか否かを判断する。
【００５７】
データ解析装置６５は、エッチングが正常に終了したと判断した場合には、エッチング終了信号を制御装置７０に出力する。制御装置７０は、エッチング終了信号を受信すると、第１及び第２エッチング液供給装置４０、５０から供給される液体をエッチング液から純水に切り替え、純水によるリンスを行って、エッチングを完了させる。
【００５８】
一方、データ解析装置６５は、エッチングが正常に終了していないと判断した場合には、撮像画像データと目標画像データとの比較により、エッチングが未終了な領域（以下では「エッチング未終了領域」とも称する）を特定し、その特定結果を制御装置７０に出力する。図４には、撮像素子６０によって撮像されたエッチング対象物の画像であって、一部の領域のエッチングが終了し、残りの領域のエッチングが未終了（途中）の画像、すなわちエッチングが正常に終了していない画像が示されている。
【００５９】
制御装置７０は、データ解析装置６５からエッチング未終了領域の特定結果を受信すると、必要に応じてノズル駆動装置３０を制御するとともに、第２エッチング液供給装置５０を稼働させて、可動ノズル２０からエッチング未終了領域にエッチング液を集中的に散布する。
【００６０】
この際も、データ解析装置６５は、撮像素子６０からの撮像画像データと目標画像データとを常時又は定期的に比較して、エッチングが正常に終了したか否かを判断する。そして、データ解析装置６５は、エッチングが正常に終了していないと判断した場合には、エッチング未終了領域を特定し、特定結果を制御装置７０に出力する。そして、制御装置７０は、エッチング未終了領域にエッチング液を集中的に散布する。
【００６１】
このような一連の動作を、データ解析装置６５が、エッチングが正常に終了したと判断するまで（撮像画像データが目標画像データに一致するまで）、繰り返し行う。この一連の動作を繰り返すときは、回を追う毎に、エッチング液を散布すべき領域であるエッチング未終了領域が狭まっていくことになる。
【００６２】
そこで、オーバーエッチングを抑制するために、エッチング液の散布範囲が異なる複数の可動ノズルを用意してエッチング液を散布すべき範囲の大きさに応じて適切な可動ノズルを選択的に使用するようにしても良い。
【００６３】
以上説明した第２実施形態のエッチング装置２００は、対象物のエッチング完了後の画像である目標画像データを格納する画像データ格納部９０を更に備え、データ解析装置６５は、撮像画像データを目標画像データと比較し、エッチングの進行が遅い領域を特定する。
この場合、エッチングの進行が遅い領域をより正確に特定することができる。
【００６４】
また、データ解析装置６５は、撮像画像データを目標画像データと比較し、対象物におけるエッチング終端を判定するため、エッチング終端を精度良く判定することができる。
【００６５】
なお、第２実施形態では、必ずしもエッチングの進行状況を常時もしくは定期的撮像画像データと目標画像データとを比較する必要はなく、エッチングに要すると想定される時間だけ固定ノズル１０のみからエッチング液を散布し、該時間が経過後、撮像画像データと目標画像データとを比較し、エッチングが正常に終了していない場合に、エッチング未終了領域に可動ノズル２０からエッチング液を散布するようにしても良い。そして、再度、エッチング対象物の画像を確認し、エッチングが正常に終了している場合には純水でリンスしてエッチングを完了させ、エッチングが正常に終了していない場合にはエッチング未終了領域に可動ノズル２０からエッチング液を散布するようにしても良い。
【００６６】
《第３実施形態》
以下に、図５〜図７を参照して、第３実施形態を説明する。
【００６７】
第３実施形態では、ＧａＡｓ基板上に複数の半導体層（エピタキシャル層）が積層された積層体を含む光デバイス３００の製造方法を説明する。
【００６８】
具体的には、光デバイス３００は、図５に示されるように、ＧａＡｓ基板上に複数の半導体層を積層して積層体を作製し、該積層体のＧａＡｓ基板側の面とは反対側の面を支持基板に接合し、ＧａＡｓ基板をエッチングして除去することで製造される。
【００６９】
積層体は、化合物半導体デバイスの一般的な製造プロセスで製造される。詳述すると、積層体は、ＧａＡｓ基板上に下部半導体多層膜反射鏡、エッチングの進行を遅らせるためのエッチング抑制層、活性層、上部半導体多層膜反射鏡が順次積層された構造を有している。この積層体が支持基板に接合されることで、該積層体のエッチングされる面であるＧａＡｓ基板面が露出したエッチング加工対象物が生成される。このエッチング加工対象物からＧａＡｓ基板を除去したものが光デバイス３００である。すなわち、光デバイス３００は、２つの半導体多層膜反射鏡の間に配置された活性層が注入電流により励起され、レーザ発振する面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ）である。
【００７０】
上部半導体多層膜反射鏡及び下部半導体多層膜反射鏡それぞれは、化合物半導体で形成される分布ブラック反射鏡（ＤＢＲ：Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ  Ｂｒａｇｇ  Ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ）からなり、レーザ共振器の共振鏡となる。
【００７１】
分布ブラック反射鏡として、一例として、ＡｌＡｓ層及びＡｌ０．１Ｇａ０．９Ａｓ層のペアを２５ペア積層したものを用いている。
【００７２】
また、活性層は、一例として、量子井戸構造、すなわち圧縮して歪ませたＩｎＧａＡｓ系とＧａＡｓとの多層構造を有し、構造内の正味歪みを相殺するように構成されている。
【００７３】
一般的に、ＧａＡｓ系の化合物半導体を使用する場合、組成及び膜厚の設計により、出射されるレーザ光の波長が９００〜１２００ｎｍの波長範囲で設計することが可能となる。
【００７４】
また、光デバイス３００では、活性層における量子井戸構造の層間に形成されるバリア層の吸収によりキャリアを発生させることで量子井戸を励起することができるため、しきい値電流を定めるバリア層のバンドギャップよりも高い光子エネルギーの励起であれば吸収される。そこで、活性層への注入電流をしきい値電流以上とすれば、活性層を励起することが可能である。
【００７５】
本実施形態では、活性層の量子井戸構造を１５層の多層構造としている。また、活性層を発振波長が１０６０ｎｍとなるように設計し、各半導体多層膜反射鏡を１０６０ｎｍで高反射率となるように設計している。
【００７６】
ここでは、活性層及び各半導体多層膜反射鏡を形成する手法として、金属有機化学気相成長法（ＭＯＣＶＤ方）又は化学気相成長法（ＣＶＤ法）を用いている。
【００７７】
このように層構成の設計により発振波長を選択できることが半導体のエピタキシャル多層構造を用いる利点である。
【００７８】
以下に、積層体及び支持基板を含むエッチング加工対象物に対して、第１及び第２実施形態のエッチング装置１００、２００のいずれかを用いて、ＧａＡｓ基板、下部半導体多層膜反射鏡をエッチングして、エッチング抑制層でエッチングを終了させるプロセスについて説明する。ここでのエッチングの手順は、上記第１又は第２実施形態とほぼ同様に行われる。
【００７９】
ここでは、固定ノズル１０、可動ノズル２０に供給するエッチング液として、アンモニア水と過酸化水素水を１：２０の容量比で混合し、温度を２０℃に調整したエッチング液を用いた。
【００８０】
一般的にこのようなエッチング加工対象物に対してエッチングを行うと、全面が均一にエッチングされることはなく、図６に示されるようにエッチングの進行（エッチングレート）が速い領域と、エッチングの進行が遅い領域が生じてしまう。すなわち、エッチング加工対象物の中央部から周辺部にかけてエッチングの進行が徐々に速くなる傾向がある。
【００８１】
ここで、エッチング加工対象物を例えば光学顕微鏡等の画像認識手段で観察すると、いわゆる干渉縞を観察することができる（図７参照）。このような干渉縞が観察できることからも、エッチングが均一に進行していないことが分かる。
【００８２】
そこで、干渉縞の中心付近を狙って可動ノズル２０からエッチング液を噴霧することで、エッチングの均一化を図ることができる。また、干渉縞の変化もリアルタイムで観察することができるので、精度の高い制御が可能となる。
【００８３】
以上説明した第３実施形態では、対象物は基板上に複数の層が積層された積層体であり、固定ノズル１０及び可動ノズル２０は、基板に向けてエッチング液を散布可能であるため、積層体の基板を含む部分を略均一にエッチングすることができる。
【００８４】
また、積層体は、基板上に配置された下部半導体多層膜反射鏡と、該下部半導体多層膜反射鏡上に配置されたエッチング抑制層と、該エッチング抑制層上に配置された活性層と、該活性層上に配置された上部半導体多層膜反射鏡と、を含む。
この場合、エッチング抑制層をエッチング終端として略均一にエッチングすることができる。
【００８５】
このように、エッチング装置１００、２００は、化合物半導体基板上に膜厚がナノメートルのオーダーで制御されてエピタキシャル成長した積層体に対して、化合物半導体基板のみをエッチングで除去する目的の高精度のエッチングにも充分適応可能である。
【００８６】
なお、上記第３実施形態では、エッチング対象物が、活性層が２つの半導体多層膜反射鏡で挟持された電流励起型の半導体レーザ（面発光レーザ）である光デバイス３００の製造に用いられる積層体とされているが、これに限られず、要は、基板上に複数の層（例えば半導体層）が積層された積層体であることが好ましい。
【００８７】
例えば、図９に示される変形例のように、化合物半導体基板上にエッチング抑制層、活性層、半導体多層膜反射鏡がこの順に積層された積層体（図８参照）から、化合物半導体基板をエッチングにより除去することで作製される光デバイス６００であって、該活性層が照射光により励起される光励起型の半導体レーザ（図９参照）としても良い。この光励起型の半導体レーザを用いてレーザ発振させるためには、半導体多層膜反射鏡と共にレーザ共振器の共振鏡を構成する外部反射鏡が必要となる。なお、光デバイス６００のエッチング抑制層には、照射光の少なくとも一部を透過させる材料を用いることが好ましい。
【００８８】
この光デバイス６００では、量子井戸構造の層間に形成されるバリア層の吸収によりキャリアを発生させることで量子井戸を励起することができるため、バリア層のバンドギャップよりも高い光子エネルギーの励起であれば吸収される。そのため励起用光源（例えば半導体レーザ）からの励起光の波長は発振波長以下であれば、活性層を励起することが可能である。
【００８９】
なお、上記第１〜第３実施形態及び変形例では、単一の可動ノズルを用いているが、これに限らず、複数の可動ノズルを用いても良い。例えば、エッチングの進行が遅い領域が複数点在している場合に、複数の可動ノズルから各エッチングの進行が遅い領域にエッチング液を散布するようにしても良い。
【００９０】
また、上記第１〜第３実施形態では、対象物の全面にエッチング液を散布可能な単一の固定ノズルを用いているが、これに限らず、対象物の全面にエッチング液を散布可能な、複数の固定ノズルを含む固定ノズル群を用いても良い。
【００９１】
また、上記第１〜第３実施形態では、固定ノズル１０から対象物の全面にエッチング液を散布しながら可動ノズル２０から対象物のエッチングの遅い領域にのみエッチング液を散布しているが、これに限られない。
【００９２】
例えば、一の可動ノズルから対象物におけるエッチングの進行が遅い領域にエッチング液を散布するのに並行して、別のノズル（他の可動ノズル又は固定ノズル）から対象物の全面もしくはエッチングの進行が遅い領域以外の領域にエッチング作用がない液体（例えば純水）を散布しても良い。この場合、エッチングの進行が遅い領域のエッチングのみを進行させることができ、かつエッチングの進行が遅い領域のエッチングによってエッチングの進行が遅い領域以外の領域に発生する物質やパーティクルなどの異物を容易に除去することができる。また、この際、一の可動ノズルからのエッチング液の供給量、濃度、種類の少なくとも１つや、別のノズルからのエッチング作用の液体の供給量を調整することで、エッチングの進行が遅い領域に散布されるエッチング液の濃度を所望の濃度にすることができる。なお、エッチングの進行が遅い領域以外の領域が乾燥すると異物を除去することが困難となる。
【００９３】
また、上記第１〜第３実施形態及び変形例では、第１及び第２エッチング液供給装置４０、５０は、エッチング液の供給量、濃度、種類の少なくとも１つが変更可能に構成されているが、第１及び第２エッチング液供給装置４０、５０の少なくとも一方は、エッチング液の供給量、濃度、種類の全てが変更不可であっても良い。また、固定ノズル１０及び可動ノズル２０に個別にエッチング液を供給するための供給手段は、単一の装置で構成されても良い。
【００９４】
また、上記第１〜第３実施形態及び変形例では、ノズル駆動装置３０は、可動ノズル２０をＸＹ平面に沿った１次元又は２次元移動可能、かつ首振り可能に構成されているが、要は、可動ノズルから対象物の任意の領域にエッチング液を散布できるよう可動ノズルの位置及び姿勢の少なくとも一方を変更可能であれば良い。例えば、ノズル駆動装置を、可動ノズルをＸＹ平面に沿った１次元又は２次元移動、及び首振りに加えて、Ｚ軸方向にも移動可能に構成しても良い。可動ノズル２０をＺ軸方向に移動可能とすることで散布範囲を調整することが可能となる。また、例えば、ノズル駆動装置を、可動ノズルを例えば１次元又は２次元移動のみ、首振りのみ、Ｚ軸方向の１次元移動のみとなるように構成しても良い。
【００９５】
《第４実施形態》
以下に、図１０、図１１を参照して、第４実施形態を説明する。
【００９６】
第４実施形態のエッチング装置４００について説明する。エッチング装置４００は、図１０に示されるように、複数のノズル１０５から成るノズル群と、複数のノズル１０５にエッチング液を個別に供給可能なエッチング液供給装置１０３と、複数のノズル１０５にリンス液（例えば純水）を個別に供給可能なリンス液供給装置１０４と、エッチング液供給装置１０３及びリンス液供給装置１０４を制御する制御装置１０６と、撮像素子６０と、データ解析装置６５と、を備えている。
【００９７】
ノズル群の複数のノズル１０５は、支持ステージ８０上に支持（吸着保持）された、金属膜（エッチング対象物）が形成された円形のウェハの直上に該ウェハの全域をカバーするように（散布範囲とするように）ＸＹ平面に沿ってアレイ状に配置されている。すなわち、各ノズル１０５は、固定ノズルである。ここでは、複数のノズル１０５は、ウェハの形状に応じて全体として略円形領域を形成するように配置されている。
【００９８】
なお、ノズル群は、要は、エッチング対象物の全域にエッチング液を散布可能に配置されていれば良く、必ずしもエッチング対象物の形状に応じた形状でなくても良い。
【００９９】
第４実施形態でも、エッチング液が散布されている対象物を撮像素子６０で撮像し、その撮像結果（出力信号）からエッチングの進行状況をデータ解析装置６５で解析する。
【０１００】
以下に、第４実施形態のエッチング方法について説明する。第４実施形態のエッチング方法は、上記実施形態に対して、エッチング液の散布方法が異なる。
【０１０１】
先ず、制御装置１０６は、エッチング液供給装置１０３にノズル群の全てのノズルにエッチング液を供給させ、エッチング対象物の全面にエッチング液を散布する（図１０参照）。ここでは、各ノズルへのエッチング液の種類、供給量、濃度、種類を同一とする。
【０１０２】
エッチングが進行すると、エッチング速度（エッチングレート）の差（ばらつき）によってエッチングが終端に達した領域（エッチング終了領域）とエッチングが終了せず被エッチング物が残っている領域（エッチング未終了領域）とがウェハ上に混在する。
【０１０３】
そこで、データ解析装置６５は、撮像素子６０からの撮像画像データに基づいてエッチング未終了領域を特定し、制御装置１０６に出力する。制御装置１０６は、エッチング液供給装置１０３を制御してエッチング未終了領域に対応するノズル（少なくともエッチング未終了領域にエッチング液を散布可能なノズル）のみにエッチング液を供給し、エッチング未終了領域のみに局所的にエッチング液を散布して、エッチングの進行を均一化する（図１１参照）。
【０１０４】
なお、ここでは、エッチング液供給装置１０３、およびリンス液供給装置１０４を１つずつ配備しているが、種類や濃度の異なるエッチング液、リンス液を同時もしくは切り替えて使用できるようにするために、エッチング液供給装置及びリンス液供給装置の少なくとも一方を複数設けても良い。
【０１０５】
ここで、６インチシリコンウェハ上にアルミニウムによる配線構造を形成する工程の例を示す。アルミニウムによる配線を形成するために、６インチシリコンウェハ全面にアルミニウムを形成した後に、配線としてアルミニウムを残す領域にのみレジストによるマスクを形成する。ここまでの工程は、一般的な半導体製造プロセス技術を用いれば容易にできる。このように、全面にアルミニウム、保護する領域にフォトレジストによる保護のためのマスクを形成した６インチウェハを支持ステージ８０に吸着、保持させる。エッチング液供給装置１０３からノズル１０５に供給するエッチング液として、アルミニウムのエッチング液として作用する、りん酸：硫酸＝４：１の容量比で混合したものを８０℃に加熱して用いた。エッチングの進行状況は、撮像素子６０で観察（撮像）し、エッチングによりアルミニウムが除去された領域と、まだアルミニウムが存在するところの反射率の違いに起因するコントラスト差をデータ解析装置６５により判定しながらエッチングを行う。
【０１０６】
このように、エッチング装置４００では、エッチング中にエッチング対象物の反射率の変化を常にモニタ（画像監視）しながらエッチングを行う。
【０１０７】
この際、データ解析装置６５は、撮像素子６０からリアルタイムで送信される信号を処理し、所定の基準値を越えたコントラスト差が生じた場合に、エッチングの進行に不均一が生じたと判断する。この場合、データ解析装置６５は、エッチングの進行の遅い領域を特定し、その特定結果を制御装置１０６に送信する。そこで、制御装置１０６は、エッチングの進行の遅い領域に対応する一部のノズルのみからエッチング液を散布するようにエッチング液供給装置１０３を制御し、周囲に比較して局所的にエッチングが進む状況をつくりだしてエッチングの均一化を行う。
【０１０８】
そして、撮像素子６０からの信号に対するデータ解析装置６５での処理結果に基づいて制御装置１０６が、反射率の違いに起因するコントラスト差が完全に消失したところをエッチングの終端と判断して、エッチング液供給装置１０３から上記一部のノズルへのエッチング液の供給を停止し、リンス液供給装置１０４から各ノズル１０５への純水の供給を開始して、純水によるリンスを行って、エッチングを完了させる。
【０１０９】
以上説明した第４実施形態のエッチング装置４００は、第１の観点からすると、対象物に液体を散布するための、複数のノズル１０５から成るノズル群と、複数のノズル１０５にエッチング液を個別に供給可能なエッチング液供給装置１０３と、エッチング液が散布された対象物を撮像する撮像素子６０と、該撮像素子６０で得られた撮像画像データに基づいて対象物におけるエッチングの進行状況を解析するデータ解析装置６５と、該データ解析装置６５での解析結果に基づいてエッチング液供給装置１０３を制御する制御装置１０６と、を備えている。
【０１１０】
また、第４実施形態のエッチング装置４００は、第２の観点からすると、対象物に液体を散布するための、複数のノズル１０５から成るノズル群と、複数のノズル１０５にエッチング液を個別に供給可能な、エッチング液供給装置１０３を含む供給手段と、対象物におけるエッチングの進行状況を画像監視するための撮像素子６０と、該撮像素子６０で得られた監視画像を処理するデータ解析装置６５と、該データ解析装置６５での処理結果に基づいて供給手段を制御する制御装置１０６と、を備えている。
【０１１１】
そして、ノズル群は、対象物の全面に液体を散布可能に配置され、制御装置１０６は、解析結果に基づいて、ノズル群の一部のノズル１０５に対するエッチング液供給装置１０３によるエッチング液の供給を制御する。
【０１１２】
この場合、ノズル群から対象物の全面にエッチング液を散布してエッチングを行った後、一部のノズルから対象物におけるエッチングの進行が遅い領域にエッチング液を散布することができる。また、撮像画像データ（監視画像データ）から、エッチングの進行が遅い領域を正確に特定でき、かつエッチング終端を正確に判定することができる。
この結果、エッチング深さのばらつきを抑制できる。
【０１１３】
これにより、エッチング選択比が小さい場合、すなわちエッチングすべき層とその下層とのエッチングレートの差が小さい場合においても、オーバーエッチングを抑制することができる。
【０１１４】
そこで、エッチング装置４００は、エッチング終端を定めるためのエッチング抑制層等を有するエッチング選択比が大きいエッチング対象物に限られず、オーバーエッチングのおそれがあるエッチング選択比が小さいエッチング対象物でも充分に対応可能である。
【０１１５】
また、エッチング装置４００は、ノズル群を対象物の全面にエッチング液を散布可能に配置し、一部のノズルへのエッチング液の供給を制御できるため、可動ノズルやノズル駆動装置を設けることなく、エッチング深さのばらつきを抑制できる。
【０１１６】
この場合、機械的な構造部を少なくできるため、エッチングプロセスの再現性、安定性を向上させることができる。また、故障のリスクを軽減することもできる。
【０１１７】
また、エッチング装置４００でも、エッチング対象物を第３実施形態の積層体とすることで、エッチング装置１００、２００と同様に、化合物半導体基板上に膜厚がナノメートルのオーダーで制御されてエピタキシャル成長した積層体に対して、化合物半導体基板のみをエッチングで除去する目的の高精度のエッチングにも充分適応可能である。
【０１１８】
なお、エッチング装置４００のエッチング対象物は、第３実施形態の積層体に限らず、要は、基板上に複数の層（例えば半導体層）が積層された積層体であることが好ましい。
【０１１９】
なお、第４実施形態では、制御装置は、ノズル群の全ノズルからのエッチング液の散布を行った後、エッチングの進行が遅い領域に対応する一部のノズルのみからエッチング液の散布を行うことで、エッチング深さのばらつきを抑制しているが、これに限られない。例えば、ノズル群の全ノズルからのエッチング液の散布を行っている途中に、一部のノズルに対するエッチング液供給装置１０３によるエッチング液の供給量、濃度、種類の少なくとも１つを変更して、エッチング深さのばらつきを抑制しても良い。具体的には、エッチングの進行が相対的に遅い領域に対応する一部のノズルに供給するエッチング液の供給量及び濃度の少なくとも一方を残りのノズルに供給するエッチング液よりも大きくし、種類をエッチング効果のより大きいものに変更しても良い。また、エッチングの進行が相対的に早い領域に対応する一部のノズルに供給するエッチング液の供給量、濃度を残りのノズルに供給するエッチング液よりも小さくし、種類をエッチング効果のより小さいものに変更しても良い。
【０１２０】
《第５実施形態》
以下に、図１２を参照して、第５実施形態を説明する。
【０１２１】
第５実施形態のエッチング装置５００は、図１２に示されるように、第４実施形態のエッチング装置４００の構成に加えて、画像データ格納部９０を備えている。画像データ格納部９０は、画像データを格納できるものであれば良く、例えばメモリ、ハードディスク等の記憶装置が挙げられる。
【０１２２】
画像データ格納部９０には、エッチングが正常に終了したときの（エッチングが完了したときの）のエッチング対象物の画像データである目標画像データが格納されている（図３参照）。
【０１２３】
第５実施形態でも、第４実施形態と同様に、ノズル群からエッチング対象物の全面に向けてエッチング液を散布した後、一部のノズル１０５からエッチングの相対的に遅い領域に向けてエッチング液を散布してエッチングを行うが、ここでは、更に、撮像素子６０からの撮像画像データと目標画像データとを常時もしくは定期的に比較しながらエッチングの終端を判定する。
【０１２４】
具体的には、データ解析装置６５が、撮像素子６０からの撮像画像データを解析する際に、画像データ格納部９０に格納されている目標画像データを読み出し、該目標画像データと撮像画像データとを、エッチング対象物の表面のパターン形状、コントラスト、反射率などにより比較し、撮像画像データがエッチング目標画像データに一致しているか否か、すなわちエッチングが正常に終了したか否かを判断する。
【０１２５】
データ解析装置６５は、エッチングが正常に終了したと判断した場合には、エッチング終了信号を制御装置１０６に出力する。制御装置１０６は、エッチング終了信号を受信すると、エッチング液供給装置から供給される液体をエッチング液から純水に切り替え、純水によるリンスを行って、エッチングを完了させる。
【０１２６】
一方、データ解析装置６５は、エッチングが正常に終了していないと判断した場合には、撮像画像データと目標画像データとの比較により、エッチングが未終了な領域（以下では「エッチング未終了領域」とも称する）を特定し、その特定結果を制御装置１０６に出力する。図４には、撮像素子６０によって撮像されたエッチング対象物の画像であって、一部の領域のエッチングが終了し、残りの領域のエッチングが未終了（途中）の画像、すなわちエッチングが正常に終了していない画像が示されている。
【０１２７】
制御装置１０６は、データ解析装置６５からエッチング未終了領域の特定結果を受信すると、エッチング液供給装置１０３を制御して、一部のノズル１０５のみからエッチング未終了領域にエッチング液を集中的に散布する。
【０１２８】
この際も、データ解析装置６５は、撮像素子６０からの撮像画像データと目標画像データとを常時又は定期的に比較して、エッチングが正常に終了したか否かを判断する。そして、データ解析装置６５は、エッチングが正常に終了していないと判断した場合には、エッチング未終了領域を特定し、特定結果を制御装置１０６に出力する。そして、制御装置１０６は、エッチング未終了領域にエッチング液を集中的に散布する。
【０１２９】
このような一連の動作を、データ解析装置６５が、エッチングが正常に終了したと判断するまで（撮像画像データが目標画像データに一致するまで）、繰り返し行う。この一連の動作を繰り返すときは、回を追う毎に、エッチング液を散布すべき領域であるエッチング未終了領域が狭まっていくことになる。
【０１３０】
そこで、オーバーエッチングを抑制するために、エッチング液を散布すべき範囲の大きさに応じてエッチング液を供給するノズルの数を調整するようにしても良い。
【０１３１】
以上説明した第５実施形態のエッチング装置５００は、対象物のエッチング完了後の画像である目標画像データを格納する画像データ格納部９０を更に備え、データ解析装置６５は、撮像画像データを目標画像データと比較し、エッチングの進行が遅い領域を特定する。
この場合、エッチングの進行が遅い領域をより正確に特定することができる。
【０１３２】
また、データ解析装置６５は、撮像画像データを目標画像データと比較し、対象物におけるエッチング終端を判定するため、エッチング終端を精度良く判定することができる。
【０１３３】
また、エッチング装置５００でも、エッチング対象物を第３実施形態の積層体とすることで、エッチング装置１００、２００、４００と同様に、化合物半導体基板上に膜厚がナノメートルのオーダーで制御されてエピタキシャル成長した積層体に対して、化合物半導体基板のみをエッチングで除去する目的の高精度のエッチングにも充分適応可能である。
【０１３４】
なお、エッチング装置５００のエッチング対象物は、第３実施形態の積層体に限らず、要は、基板上に複数の層（例えば半導体層）が積層された積層体であることが好ましい。
【０１３５】
なお、第５実施形態では、必ずしもエッチングの進行状況を常時もしくは定期的撮像画像データと目標画像データとを比較する必要はなく、エッチングに要すると想定される時間だけノズル群から対象物の全面にエッチング液を散布し、該時間が経過後、撮像画像データと目標画像データとを比較し、エッチングが正常に終了していない場合に、エッチング未終了領域に一部のノズル１０５からエッチング液を散布するようにしても良い。そして、再度、エッチング対象物の画像を確認し、エッチングが正常に終了している場合には純水でリンスしてエッチングを完了させ、エッチングが正常に終了していない場合にはエッチング未終了領域に一部のノズルからエッチング液を散布するようにしても良い。
【０１３６】
また、上記第４及び第５実施形態では、対象物におけるエッチングの進行が相対的に遅い領域を特定し、該遅い領域に対応する一部のノズルのみからエッチング液を散布させてエッチング深さのばらつきを抑制しているが、これに限られない。例えば、対象物におけるエッチングの進行が相対的に早い領域を特定し、該早い領域に対応する一部のノズル１０５へのエッチング液の供給量、濃度、種類の少なくとも１つを変更してエッチング深さのばらつきを抑制しても良い。具体的には、エッチングの進行が相対的に早い領域に対応する一部のノズルに供給するエッチング液の供給量及び濃度の少なくとも一方を残りのノズルに供給するエッチング液よりも小さくし（０を含む）、種類をエッチング効果のより小さいものに変更しても良い。
【０１３７】
また、上記各実施形態のエッチング装置によるエッチング対象物は、上記各実施形態及び変形例で説明したものに限らず、要は、ウェットエッチングの対象となる物であれば良い。
【符号の説明】
【０１３８】
１０…固定ノズル、２０…可動ノズル、３０…ノズル駆動装置（駆動手段）、４０…第１エッチング液供給装置（供給手段の一部）、５０…第２エッチング液供給装置（供給手段の一部）、６０…撮像素子（撮像手段）、６５…データ解析装置（解析手段、処理手段）、７０…制御装置（制御手段）、９０…画像データ格納部（格納手段）、１０３…エッチング液供給装置（供給手段の一部）、１０４…リンス液供給装置（供給手段の一部）、１０５…ノズル、１０６…制御装置（制御手段）、１００、２００、４００、５００…エッチング装置。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０１３９】
【特許文献１】特開２００９−１０５３５３号公報
【図１】
2016119443.tif 000003
【図２】
2016119443.tif 000004
【図３】
2016119443.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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