(57)【要約】      （修正有）【課題】光起電装置の光誘起劣化を抑止するための方法及び抑止するための装置を提供する。【解決手段】光起電装置２を３００ｎｍから４５０ｎｍまでの波長を有する短波長光と、４５０ｎｍから１０００ｎｍまでの波長を有する長波長光とを含む光１２を使用して、周囲光の不在下で光起電装置２を加熱する照明処理にかけるステップと、光起電装置２の温度を、光起電装置２のアニール温度を上回って少なくとも０．５分間維持するステップとを有する。【選択図】図３
2016028418.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光起電装置（２）の光誘起劣化を抑止するための方法であって、
ａ）前記光起電装置（２）を、３００ｎｍ以上の波長を有する光を使用して周囲光の不在下で前記光起電装置（２）を加熱する照明処理にかけるステップと、
ｂ）  前記光起電装置（２）の温度を、前記光起電装置（２）のアニール温度を上回って少なくとも０．５分間維持するステップとを有することを特徴とする、方法。
【請求項２】
前記光起電装置（２）の温度が、６００℃を下回って維持されることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記維持するステップが、熱調節によって補助されることを特徴とする、請求項２の記載の方法。
【請求項４】
前記熱調節が、熱加熱、冷却、またはそれらの組み合わせによって実施されることを特徴とする、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
さらに、前記ステップ（ｂ）が実行されるとき、センサ（１４）を用いて前記光起電装置（２）の温度を検出することを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記光起電装置（２）が、ホウ素をドープした酸素含有シリコン基板であり、前記アニーリング温度が、２３０℃であることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記光起電装置（２）の温度が、２３０℃から５７７℃までの範囲内で維持されることを特徴とする、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記照明処理用の光が、４５０ｎｍから１０００ｎｍの範囲の波長を有することを特徴とする、請求項６に記載の方法。
【請求項９】
前記光起電装置（２）が、少なくとも０．５サンの光強度を有する光照明された表面（２０）を含むことを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記光強度が、０．９サンから５サンの範囲であることを特徴とする、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記照明処理用の光が、赤外線ランプ、ハロゲンランプ、半導体発光装置、有機発光装置またはそれらの組み合わせから発せられることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記光起電装置（２）が、ホウ素をドープした酸素含有シリコン基板、またはホウ素−ガリウムをドープした酸素含有シリコン基板であることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
光起電装置（２）の光誘起劣化を抑止するための装置（１）であって、
長手方向に沿って延びる天井壁（１０１）と、前記天井壁（１０１）から離間された基部壁（１０２）と、前記天井壁（１０１）と前記基部壁（１０２）との間に配設された周囲壁（１０３）とを有して室（１０４）を画定する、ハウジング（１０）であって、前記周囲壁（１０３）が、入口ポート（１０５）と、前記長手方向に前記入口ポート（１０５）の反対側の出口ポート（１０６）とを有する、ハウジング（１０）と、
前記天井壁（１０１）上に装着され、照明光のビームを下方向に発するように構成された光源（１２）と、
前記光起電装置（２）を運ぶための搬送セグメント（１１’）を有する搬送装置（１１）であって、前記搬送セグメント（１１’）が、前記光起電装置（２）が前記照明光のビームによって照明されることを可能にするために、前記入口ポート（１０５）から前記出口ポート（１０６）まで通り、前記基部壁（１０２）に対して平行にかつ近位にある走行ルートに沿って延びるように構成される、搬送装置（１１）と、
前記室（１０４）内に装着されて、前記光起電装置（２）の温度を検出する温度センサ（１４）と、
前記光起電装置（２）の温度を調節するための熱調節装置（１５）と、
前記光源（１２）によって発せられた光および前記熱調節装置（１５）を、前記温度センサ（１４）によって検出された温度に基づいて制御するように構成された制御装置（１８）とを有すること特徴とする、装置（１）。
【請求項１４】
前記光源（１２）が、赤外線ランプ、ハロゲンランプ、半導体発光装置、有機発光装置またはそれらの組み合わせを含むことを特徴とする、請求項１３に記載の装置（１）。
【請求項１５】
前記熱調節装置（１５）が、冷却装置（１６）を含むことを特徴とする、請求項１３に記載の装置（１）。
【請求項１６】
前記熱調節装置（１５）が、熱加熱装置（１９）を含むことを特徴とする、請求項１３に記載の装置（１）。
【請求項１７】
前記熱調節装置（１５）が、さらに、熱加熱装置（１９）を含むことを特徴とする、請求項１５に記載の装置（１）。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、光起電装置の光誘起劣化を抑止するための方法および装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
太陽電池などの光起電装置は、一般に、光誘起劣化として知られている悪影響を被る。太陽電池は、ほとんどが、結晶シリコンから作製された基板から製作される。結晶シリコンの成長中、酸素原子（不純物）が、ドーパントとして使用されるホウ素原子と一緒に溶融シリコン中に含まれる。結晶シリコンから作製された基板から製作された太陽電池が、照明されるとき、酸素原子およびホウ素原子は、電気的に活性な不純物であるホウ素−酸素欠陥を形成する。太陽電池の電気特性は、ホウ素−酸素欠陥によって引き起こされた基板内の少数キャリヤの寿命の低減によって悪影響が及ぼされ得る。追加的に、ホウ素−酸素欠陥の形成により、基板の材料品質は、太陽電池の最初の作動時間中、劣化し、太陽電池の効率は、これが特定の最終値において飽和に達するまで低下する。この現象は、光誘起劣化として知られている。
【０００３】
当技術分野では、光起電装置の光誘起劣化を低減するためのさまざまな手法が存在する。
【０００４】
第１の手法は、磁気チョクラルスキー法であり、この方法は、チョクラルスキー法中、溶融シリコン材料内に含有された酸素不純物を最小限に抑えることに基づく。しかし、磁気チョクラルスキー法は、相対的に複雑であり、磁気チョクラルスキー法によって作製された単結晶シリコンは、チョクラルスキー法によって作製されたものより高価である。
【０００５】
別の手法は、結晶シリコン内のホウ素濃度を低減させることである。ホウ素濃度が、有利には、約１×１０１６ｃｍ−３まで低下したとき、結晶シリコンによって作製された光起電装置の光誘起劣化が、低減され得る。しかし、光起電装置の光電変換効率は、望ましくないことに低減され得る。
【０００６】
加えて、シリコンウエハーが、浮遊帯法を用いて製作され得る。浮遊帯法によって作製されたシリコンウエハーは、最高品質を有するが、最も高価であり、主に、電子装置分野で使用される。
【０００７】
さらに、ホウ素を他のドーパント、たとえばガリウムに置き換える試みが存在する。しかし、シリコン中のその溶解挙動により、ガリウムは、均一な分布を達成することが非常に困難であるという決定的な欠点を有する。したがって、多数の不良品が、工業規模では予期されなければならず、そのような試みは、現在、工業的に実行不可能であると考えられる。
【０００８】
別の手法は、リンをドーパントとして使用することであり、これは、基板材料としてｎ−タイプのシリコンを用いることを伴う。しかし、ｎ−タイプの基板は、工業界では一般的ではなく、そのような手法は、生産プロセスの変更を必要とする。
【０００９】
米国特許第８，２６３，１７６号明細書は、安定した効率を有する光起電要素を製作するための方法を開示し、この方法では、安定化処理は、シリコン基板の温度を５０℃から２３０℃までの温度範囲内に維持し、好ましくは１０Ｗ／ｍ２より高い放射強度を有する光を用いてシリコン基板を照明することによってシリコン基板内に過剰な少数キャリヤを生成することによって実行される。
【００１０】
したがって、光起電装置の光電変換効率をさらに安定化させるために、光起電装置の光誘起劣化をさらに低減させる必要性が当技術分野において依然として存在する。
【００１１】
図１を参照すれば、一般的な光起電装置４が、半導体構造４０を含むように示されており、半導体構造４０は、光を受け入れるための前部表面４０６と、前部表面４０６の反対側の後部表面４０８と、接合部４０４とを有する。半導体構造４０は、第１の導電性タイプのシリコン基板４０１を含む。シリコン基板４０１は、単結晶シリコン基板、単様シリコン基板、または多結晶シリコン基板でよい。シリコン基板４０１は、通常、１５０μｍから２２０μｍの範囲の厚さを有する。接合部４０４は、ｐ−ｎ接合部、ｎ−ｐ接合部、ｐ−ｉ−ｎ接合部、ｎ−ｉ−ｐ接合部、二重接合部、複数接合部などでよい。
【００１２】
前部表面４０６は、たいてい、酸または塩基溶液を用いるエッチング処理でよい模様付け処理にかけられて、ピラミッド模様形状を形成する。前部表面４０６の光反射性は、ピラミッド模様形状によって効果的に低減され得る。
【００１３】
第２の導電性タイプの半導体領域４０３は、ホウ素、燐またはヒ素などのドーパントを前部表面４０６に表面的に拡散させ、それによって光起電装置４のエミッタ層を形成することによって形成される。光起電装置４の１つの構成では、シリコン基板４０１は、ｐ−タイプのものであり、半導体領域４０３は、ｎ‐タイプのものである。光起電装置４の代替の構成では、シリコン基板４０１は、ｎ−タイプのものであり、半導体領域４０３は、ｐ‐タイプのものである。
【００１４】
正電極４７が、前部表面４０６上に形成され、正電極４７と前部表面４０６の間にオーム接点が、形成される。正電極４７は、所定の金属ペースト（たとえば、銀ペースト）を前部表面４０６上にスクリーン印刷し、またはコーティングし、その後焼結することによって形成され得る。焼結中、銀ペースト内に含まれたガラス粉末は、前部表面４０６上に形成された反射防止層４５を通り抜けて、前部表面４０６上のシリコンと接触し、それによって正電極４７と前部表面４０６の間にオーム接点を形成する。
【００１５】
少なくとも１つの後側のバス電極４８が、後部表面４０８上に形成される。後側バス電極４８は、通常、銀ペーストから作製される。後部電極４９が、後部表面４０８上に形成され、後側バス電極４８と共に形成された領域以外の後部表面４０８全体を覆う。後部電極４９は、たいてい、アルミニウムペーストから作製される。後側バス電極４８および後部電極４９は、所定の金属ペーストを後部表面４０８上にスクリーン印刷またはコーティングし、その後５７０℃から８４０℃の温度範囲で共燃焼させることによって形成され得る。
【００１６】
図２を参照すれば、高効率の光起電装置４’が、図１に示される光起電装置４のものに類似する構成を有するように示されるが、高効率の光起電装置４’が、さらに、後部表面４０８上に形成された保護層４６を含むことが異なる。後部電極４９は、後部表面４０８上の保護層４６の存在により、後部表面４０８の相対的に小さい領域と接触する。
【００１７】
米国特許第８，２６３，１７６号明細書に開示された安定化処理が、光起電装置４および高効率光起電装置４’の光誘起劣化を抑止するために使用されるとき、高効率光起電装置４’の抑止効果は、望ましくないことに光起電装置４のものよりかなり低く、その理由は、後部電極４９が、高効率光起電装置４’の後部表面４０８の相対的に小さい領域と接触するためである。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１８】
本開示の第１の目的は、光起電装置の光誘起劣化を抑止するための方法であって、
通常の光起電装置およびさらに高効率光起電装置の光誘起劣化もより効果的に抑止することが有用である、方法を提供することである。
【００１９】
本開示の第２の目的は、光起電装置の光誘起劣化を抑止するための装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
本開示の第１の態様によれば、光起電装置の光誘起劣化を抑止するための方法であって、ａ）前記光起電装置を、３００ｎｍ以上の波長を有する光を使用して周囲光の不在下で前記光起電装置を加熱する照明処理にかけるステップと、ｂ）前記光起電装置の温度を、前記光起電装置のアニール温度を上回って少なくとも０．５分間維持するステップとを有する。
【００２１】
本開示の第２の態様によれば、光起電装置の光誘起劣化を抑止するための装置が提供される。前記装置は、ハウジングと、光源と、搬送セグメントを有する搬送装置と、温度センサと、熱調節装置と、制御装置と、を含む。ハウジングは、長手方向に沿って延びる天井壁と、前記天井壁から離間された基部壁と、前記天井壁と前記基部壁との間に配設された周囲壁とを有して室を画定する。前記周囲壁が、入口ポートと、前記長手方向に前記入口ポートの反対側の出口ポートとを有する。光源は、前記天井壁上に装着され、照明光のビームを下方向に発するように構成される。搬送装置は、前記光起電装置を運ぶための搬送セグメントを有し、前記搬送セグメントが、前記光起電装置が前記照明光のビームによって照明されることを可能にするために、前記入口ポートから前記出口ポートまで通り、前記基部壁に対して平行にかつ近位にある走行ルートに沿って延びるように構成される。温度センサは、前記室内に装着されて、前記光起電装置の温度を検出する。熱調節装置は、前記光起電装置の温度を調節する。制御装置は、前記光源によって発せられた光および前記熱調節装置を、前記温度センサによって検出された温度に基づいて制御するように構成される。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
本開示の他の特徴および利点は、添付の図を参照して実施形態の以下の詳細な説明において明らかになる。
【００２３】
【図１】通常の光起電装置の概略断面図である。
【図２】高効率光起電装置の概略断面図である。
【図３】本開示による光起電装置の光誘起劣化を抑止するための方法の一実施形態を示す概略図である。
【図４】本開示による光起電装置の光誘起劣化を抑止するための装置の第１の実施形態を示す概略図である。
【図５】本開示による光起電装置の光誘起劣化を抑止するための装置の第２の実施形態を示す概略図である。
【図６】本開示による光起電装置の光誘起劣化を抑止するための装置の第３の実施形態を示す概略図である。
【図７】本開示による光起電装置の光誘起劣化を抑止するための装置の第４の実施形態を示す概略図である。
【図８】本開示による光起電装置の光誘起劣化を抑止するための装置の第５の実施形態を示す概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
本発明がより詳細に説明される前に、本開示を通じて、同じ要素は、同じ参照番号によって示されることに留意すべきである。
【００２５】
図３を参照すれば、本開示による光起電装置の光誘起劣化を抑止するための方法の実施形態は、以下のステップを含む。
【００２６】
Ａ）照明処理：
光起電装置２は、光源１２から発せられ、かつ３００ｎｍ以上の波長を有する光を用いて周囲光の不在下で光起電装置２を加熱する照明処理にかけられる。
【００２７】
照明処理用の光源１２は、赤外線ランプ、ハロゲンランプ、半導体発光装置、有機光発光装置またはそれらの組み合わせである。
【００２８】
光起電装置２の例は、ホウ素をドープした、酸素含有シリコン基板、ホウ素−ガリウムをドープした、酸素含有シリコン基板などを含む。光起電装置２は、上部表面２０と、上部表面２０の反対側の後部表面２２とを有する。
【００２９】
光源１２から発せられた光は、３００ｎｍから４５０ｎｍまでの波長を有する短波長光と、４５０ｎｍ以上、好ましくは４５０ｎｍから１０００ｎｍまでの波長を有する長波長光とを含む。短波長光は、光起電装置２の上部表面２０を通り抜けることができるが、光起電装置２の後部表面２２に到達することはできない。長波長光は、光起電装置２の上部表面２０を通り抜けることができ、光起電装置２の後部表面２２に到達することができる。したがって、照明処理に使用される光は、好ましくは、４５０ｎｍから１０００ｎｍまでの波長を有する（すなわち、長波長光）。
【００３０】
照明処理にかけられた光起電装置２の温度は、有利には、光起電装置２のアニーリング温度より高くなるように上昇される。詳細には、照明される光起電装置２が、ホウ素をドープした、酸素含有シリコン基板であるとき、アニーリング温度は、２３０℃である。
【００３１】
Ｂ）光起電装置の温度を維持すること：
光起電装置２の温度は、光起電装置２のアニーリング温度を上回り、かつ好ましくは６００℃を下回って少なくとも０．５分間維持される。照明される光起電装置２が、ホウ素をドープした酸素含有シリコン基板であるとき、光起電装置２の温度は、２３０℃を上回って、好ましくは６００℃を下回って、より好ましくは２３０℃から５７７℃で維持される。光起電装置２の温度が５７７℃より高いとき、光起電装置２は、ひどく損傷される。
【００３２】
Ｃ）検出すること：
光起電装置２の温度は、ステップｂ）が実行されるとき、センサを用いて検出される。センサによって検出された光起電装置２の温度が、２３０℃から５７７℃の範囲外に降下するとき、維持するステップ（すなわち、ステップｂ））は、熱調節によって補助される。詳細には、センサによって検出された光起電装置２の温度が、２３０℃より低いとき、熱調節は、熱加熱によって実施される。センサによって検出された光起電装置２の温度が、５７７℃より高いとき、熱調節は、冷却によって実施される。
【００３３】
光起電装置の温度を２３０℃から５７７℃の範囲内に維持するために、光起電装置２の光照明された表面（すなわち上部表面２０）は、少なくとも０．５サン（Ｓｕｎ）、好ましくは０．９サンから５サンの光強度を有さなければならない。
【００３４】
図４を参照すれば、本開示の光起電装置２の光誘起劣化を抑止するための装置１の第１の実施形態が、ハウジング１０と、少なくとも１つの光源１２（複数光源１２が図４に示される）と、搬送セグメント１１’を有する搬送装置１１と、温度センサ１４と、熱調節装置１５と、制御装置１８とを含むように示される。
【００３５】
ハウジング１０は、長手方向に沿って延びる天井壁１０１と、天井壁１０１から離間されて置かれた基部壁１０２と、天井壁１０１と基部壁１０２との間に配設された周囲壁１０３とを有して、室１０４を画定する。周囲壁１０３は、入口ポート１０５と、長手方向に入口ポート１０５の反対側に出口ポート１０６とを有する。
【００３６】
少なくとも１つの光源１２は、天井壁１０１上に装着され、照明光のビームを下方向に発するように構成される。少なくとも１つの光源は、赤外線ランプ、ハロゲンランプ、半導体発光装置、有機発光装置またはそれらの組み合わせを含む。
【００３７】
少なくとも１つの光源１２が、上記で説明されたように、本開示の光起電装置の光誘起劣化を抑止するための方法において使用されるとき、少なくとも１つの光源１２は、３００ｎｍから４５０ｎｍの波長を有する短波長光と、４５０ｎｍ以上、好ましくは４５０ｎｍから１０００ｎｍまでの波長を有する長波長光とを含む光を発する。短波長光は、光起電装置２の上部表面２０を通り抜けることができるが、光起電装置２の後部表面２２に到達することはできない。長波長光は、光起電装置２の上部表面２０を通り抜けることができ、光起電装置２の後部表面２２に到達することができる。したがって、光源１２から発せられた光は、好ましくは、４５０ｎｍから１０００ｎｍまでの波長を有する（すなわち、長波長光）。さらに、少なくとも１つの光源１２によって発せられた光は、光起電装置２の光照明された表面（すなわち、上部表面２０）が、少なくとも０．５サン、好ましくは０．９サンから５サンの光強度を有するようなものである。
【００３８】
本開示の光起電装置２の光誘起劣化を抑止するための装置１が、米国特許第８，２６３，１７６号明細書に開示されたものなどの他の照明処理を実行するために使用されてよいこと、および少なくとも１つの光源２が、他の照明処理に関する特有の要求事項を満たす照明光を提供するように改変されてよいことに留意されたい。
【００３９】
搬送装置１１の搬送セグメント１１’は、光起電装置２を運ぶためのものであり、光起電装置２が照明光のビームによって照明されることを可能にするために、入口ポート１０５から出口ポート１０６まで通り、基部壁１０２に対して平行であり近位にある走行ルートに沿って延びるように構成される。
【００４０】
温度センサ１４が、室１０４内に装着されて光起電装置２の温度を検出する。本開示に適切な温度センサ１４の例は、赤外線温度センサ、熱電対温度センサなどを含む。
【００４１】
熱調節装置１５は、光起電装置２の温度を調節するために使用される。この実施形態では、熱調節装置１５は、温度センサ１４によって検出された光起電装置２の温度が、上述された維持するステップＢ）において光起電装置２の温度の所望の範囲（たとえば、上記で述べられたように２３０℃から５７７℃）の上限より高いとき、光起電装置２の温度を冷却するための冷却装置１６を含む。
【００４２】
冷却装置１６は、天井壁１０１上に装着され、ガス冷却ユニット１６２を含む。ガス冷却ユニット１６２は、光起電装置２を冷却するための冷却空気、冷却不活性ガス、またはそのようなものなどを提供する。この実施形態では、ガス冷却ユニット１６２によって提供された冷却ガスは、天井壁１０１から基部壁１０２まで流れる。
【００４３】
制御装置１８は、光源１２によって発せられた光および熱調節装置１５を、温度センサ１４によって検出された温度に基づいて制御するように構成される。
【００４４】
図５を参照すれば、本開示の光起電装置２の光誘起劣化を抑止するための装置１の第２の実施形態が、第１の実施形態のものに類似する構成を有するように示されるが、冷却装置１６が、基部壁１０２上に装着されること、およびガス冷却ユニット１６２によって提供された冷却ガスが、基部壁１０２から天井壁１０１まで流れることが異なる。
【００４５】
図６を参照すれば、本開示の光起電装置２の光誘起劣化を抑止するための装置１の第３の実施形態が、第１の実施形態のものに類似する構成を有するように示されるが、冷却装置１６が、搬送セグメント１１’の下方に装着される液体冷却ユニット１６４を含むことが異なる。液体冷却ユニット１６４には、光起電装置２を冷却するための水または冷媒などの冷却液体が供給される。
【００４６】
図７を参照すれば、本開示の光起電装置２の光誘起劣化を抑止するための装置１の第４の実施形態が、第２の実施形態のものに類似する構成を有するように示されるが、冷却装置１６が、さらに、搬送セグメント１１’の下方に装着された、液体冷却ユニット１６４を含むことが異なる。
【００４７】
図８を参照すれば、本開示の光起電装置２の光誘起劣化を抑止するための装置１の第５の実施形態が、第４の実施形態のものに類似する構成を有するように示されるが、熱調節装置１５が、さらに、光起電装置２を熱的に加熱するための、室１０４内に装着された熱加熱装置１９を含むことが異なる。
【００４８】
本開示の方法の有利な効果を実証するために、実験が実施された。数十の光起電装置の一群が、本開示の方法によって処理され、この方法では、光起電装置の温度は、２５０℃で１０分間維持された。処理後の光起電装置の初期光電変換効率が測定され、また、平均の初期光電変換効率が、算出され、表１に示される。処理後の光起電装置の光誘起劣化が、太陽光照明をシミュレートする条件下で試験された。光誘起劣化試験後の光起電装置の光電変換効率が、測定され、また、劣化試験後の平均光電変換効率が、算出され、表１に示される。劣化比は、平均の初期光電変換効率と劣化試験後の平均の光電変換効率との間の相違を、平均の初期光電変換効率で割ることによって算出された。この劣化比もまた表１に示される。
【００４９】
本開示の方法による処理を有さない、数十の光起電装置の別の群の初期光電変換効率が、測定され、その平均が算出され、表１に示される。光起電装置の光誘起劣化は、太陽光照明をシミュレートする状態下で試験された。光誘起劣化試験後の光起電装置の光電変換効率が、測定され、その平均が、算出され、表１に示される。劣化比が、同じ方法で算出され、表１に示される。
【００５０】
【表１】
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【００５１】
数十の光起電装置の複数の群が、本開示の方法によって処理され、この方法では、光起電装置の温度は、異なる時間期間（すなわち、５分、１０分、および１２分）の間２５０℃で維持された。処理後の光起電装置の複数の群の各々の光電変換効率の平均低減比が、本開示の方法を用いる処理前と処理後の光電変換効率間の相違を、本開示の方法を用いる処理前の光電変換効率で割ることによって算出された。その結果が、表２に示される。
【００５２】
比較のために、数十の光起電装置の一群が、米国特許第８，２６３，１７６号明細書で開示された照明安定化処理によって処理され、この方法では、光起電装置の温度は、異なる時間期間（すなわち、１０分および１５分）の間２００℃で維持された。米国特許第８，２６３，１７６号明細書に開示された照明安定化処理後の光起電装置の複数の群の各々の光電変換効率の平均低減比が、算出された。その結果もまた、表２に示される。
【００５３】
【表２】
2016028418.tif 000004
【００５４】
表２に示されるように、本開示の方法によって処理された光起電装置の光電変換効率の低減比は、米国特許第８，２６３，１７６号明細書で開示された照明安定化処理によって処理された光起電装置の光電変換効率の低減比よりかなり低い。
【００５５】
本開示は、例示的な実施形態（複数可）と考えられるものに関して説明されてきたが、本開示が、開示された実施形態（複数可）に限定されず、最も広い解釈の趣旨および範囲内に含められたさまざまな配置構成を含むように意図され、それによってすべてのそのような改変形態および等価の配置構成を包含することが理解される。
【図１】
2016028418.tif 000005
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
2016028418.tif 000009
【図６】
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【図７】
2016028418.tif 000011
【図８】
2016028418.tif 000012
【外国語明細書】
2016028418000001.pdf