(57)【要約】【課題】第１電極と第２電極の間に有機層を挟んだ発光部を有する発光装置において、第１電極に異物が残りにくくする。【解決手段】発光部は基板１００に形成されており、第１電極１１０、第２電極１３０、及び有機層１２０を有している。有機層１２０は、第１電極１１０と第２電極１３０の間に位置している。そして図２に示すように、第１電極１１０は、第１層１１０ａ及び第２層１１０ｂを含む積層構造を有している。第２層１１０ｂは、第１層１１０ａよりも上又は下に位置しており、第１層１１０ａよりも柔らかい。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１電極、第２電極、及び前記第１電極と前記第２電極の間に位置する有機層を有する発光部を備え、
前記第１電極は、第１層と、前記第１層よりも上または下に位置していて前記第１層よりも柔らかい第２層と、を含む積層構造を有する発光装置。
【請求項２】
請求項１に記載の発光装置において、
前記第２層の密度は、前記第１層の密度よりも低い発光装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の発光装置において、
前記第２層は前記第１層よりも上に位置している発光装置。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか一項に記載の発光装置において、
前記積層構造の層数は２又は３である発光装置。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか一項に記載の発光装置において、
前記第２層は、前記第１層と同じ材料によって形成されている発光装置。
【請求項６】
請求項５に記載の発光装置において、
前記第１層及び前記第２層は透明導電材料を用いて形成されている発光装置。
【請求項７】
請求項６に記載の発光装置において、
前記透明電極材料はＩＴＯ又はＩＺＯである発光装置。
【請求項８】
基板に第１電極を形成する工程と、
前記第１電極の上に有機層を形成する工程と、
前記有機層の上に第２電極を形成する工程と、
を備え、
前記第１電極を形成する工程は、
スパッタリングにより第１層を形成する工程と、
前記第１層を形成する前又は形成した後に行われ、前記第１層を形成するときよりも前記スパッタリングの入力電力を下げることにより、前記第１層より柔らかい第２層を形成する工程と、
を含む発光装置の製造方法。
【請求項９】
請求項８に記載の発光装置の製造方法において、
前記第２層を形成する工程は前記第１層を形成する工程よりも後に行われる発光装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項８又は９に記載の発光装置の製造方法において、
前記第１電極の層数は２又は３である発光装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光装置及び発光装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年は、発光素子として有機ＥＬ（Organic Electroluminescence）素子を有する発光装置の開発が進んでいる。有機ＥＬ素子は、第１電極と第２電極の間に、有機層を挟んだ構成を有している。
【０００３】
特許文献１には、第１電極となる電極材料膜の表面を研磨することにより電極材料膜の凹凸を少なくし、さらにこの電極材料膜の表面を化学エッチング処理することにより、研磨時に形成されたエッジを除去することが記載されている。
【０００４】
また特許文献２には、第１電極を複数の導電膜の積層構造とすることが記載されている。具体的には、特許文献２に記載の第１電極は、３つの導電膜を積層した構成を有している。そして第１の導電膜を形成した後及び第２の導電膜を形成した後のそれぞれのタイミングにおいて、純水による洗浄が行われている。これにより、各膜に含まれていた異物が除去される、と記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００６−１２７１４号公報
【特許文献２】特開２００１−１１８４４０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献２に記載の方法によれば、第１電極を複数の導電膜の積層構造とし、さらに、導電膜を形成した後に洗浄処理を行うことにより、導電膜に含まれていた異物が除去される。本発明者は、この洗浄時に異物を除去しやすくするための第１電極の構造を検討した。
【０００７】
本発明が解決しようとする課題としては、第１電極と第２電極の間に有機層を挟んだ発光部を有する発光装置において、第１電極に異物が残りにくくすることが一例として挙げられる。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
請求項１に記載の発明は、第１電極、第２電極、及び前記第１電極と前記第２電極の間に位置する有機層を有する発光部を備え、
前記第１電極は、第１層と、前記第１層よりも上または下に位置していて前記第１層よりもやわらかい第２層と、を含む積層構造を有する発光装置である。
【０００９】
請求項８に記載の発明は、基板に第１電極を形成する工程と、
前記第１電極の上に有機層を形成する工程と、
前記有機層の上に第２電極を形成する工程と、
を備え、
前記第１電極を形成する工程は、
スパッタリングにより第１層を形成する工程と、
前記第１層を形成する前又は形成した後に行われ、前記第１層を形成するときよりも前記スパッタリングの入力電力を下げることにより、前記第１層より柔らかい第２層を形成する工程と、
を含む発光装置の製造方法である。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】実施形態に係る発光装置の構成を示す断面図である。
【図２】図１の点線αで囲んだ領域を拡大した図である。
【図３】第１電極を拡大した断面図である。
【図４】変形例に係る発光装置の構成の要部を示す断面図である。
【図５】実施例１に係る発光装置の平面図である。
【図６】図５から隔壁、第２電極、有機層、及び絶縁層を取り除いた図である。
【図７】図５のＡ−Ａ断面図である。
【図８】図５のＢ−Ｂ断面図である。
【図９】図５のＣ−Ｃ断面図である。
【図１０】実施例２に係る発光装置の構成を示す平面図である。
【図１１】図１０から第２電極を取り除いた図である。
【図１２】図１１から有機層を取り除いた図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
【００１２】
図１は、実施形態に係る発光装置１０の構成を示す断面図である。図２は図１の点線αで囲んだ領域を拡大した図である。図１に示すように、実施形態に係る発光装置１０は、基板１００及び発光部１４０を有している。発光部１４０は基板１００に形成されており、第１電極１１０、第２電極１３０、及び有機層１２０を有している。有機層１２０は、第１電極１１０と第２電極１３０の間に位置している。そして図２に示すように、第１電極１１０は、第１層１１０ａ及び第２層１１０ｂを含む積層構造を有している。第２層１１０ｂは、第１層１１０ａよりも上又は下に位置しており、第１層１１０ａよりも柔らかい。ここで、柔らかいとは、硬度が低いことと、密度が低いことの少なくとも一方である。図２に示す例において、第２層１１０ｂは第１電極１１０の表層に位置しており、また、第１層１１０ａのすぐ上に位置している。以下、詳細に説明する。
【００１３】
まず、図１を用いて発光装置１０の構成を説明する。
【００１４】
発光装置１０がボトムエミッション型である場合、基板１００は、例えばガラスや透光性の樹脂などの透光性の材料で形成されている。ただし、発光装置１０がトップエミッション型である場合、基板１００は透光性を有さない材料で形成されていてもよい。基板１００は、例えば矩形などの多角形である。基板１００は可撓性を有していてもよい。基板１００が可撓性を有している場合、基板１００の厚さは、例えば１０μｍ以上１０００μｍ以下である。特に基板１００がガラスである場合、基板１００の厚さは、例えば２００μｍ以下である。基板１００が樹脂である場合、基板１００は、例えばＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＥＳ（ポリエーテルサルホン）、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタラート）、又はポリイミドを用いて形成されている。また、基板１００が樹脂である場合、水分が基板１００を透過することを抑制するために、基板１００の少なくとも一面（好ましくは両面）に、ＳｉＮｘやＳｉＯＮなどの無機バリア膜が形成されている。
【００１５】
基板１００には、発光部１４０が形成されている。発光部１４０は有機ＥＬ素子を有している。この有機ＥＬ素子は、第１電極１１０、有機層１２０、及び第２電極１３０をこの順に積層させた構成を有している。
【００１６】
第１電極１１０は、光透過性を有する透明電極である。透明電極を構成する透明導電材料は、金属を含む材料、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）、ＩＷＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｕｎｇｓｔｅｎ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）、ＺｎＯ（Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）等の金属酸化物である。第１電極１１０の厚さは、例えば１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である。第１電極１１０は、例えばスパッタリング法又は蒸着法を用いて形成される。なお、第１電極１１０は、カーボンナノチューブ、又はＰＥＤＯＴ／ＰＳＳなどの導電性有機材料であってもよい。
【００１７】
有機層１２０は発光層を有している。有機層１２０は、例えば、正孔注入層、発光層、及び電子注入層を積層させた構成を有している。正孔注入層と発光層との間には正孔輸送層が形成されていてもよい。また、発光層と電子注入層との間には電子輸送層が形成されていてもよい。有機層１２０は蒸着法で形成されてもよい。また、有機層１２０のうち少なくとも一つの層、例えば第１電極１１０と接触する層は、インクジェット法、印刷法、又はスプレー法などの塗布法によって形成されてもよい。なお、この場合、有機層１２０の残りの層は、蒸着法によって形成されている。また、有機層１２０のすべての層が、塗布法を用いて形成されていてもよい。
【００１８】
第２電極１３０は、例えば、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｍｇ、Ｓｎ、Ｚｎ、及びＩｎからなる第１群の中から選択される金属、又はこの第１群から選択される金属の合金からなる金属層を含んでいる。この場合、第２電極１３０は遮光性を有している。第２電極１３０の厚さは、例えば１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である。ただし、第２電極１３０は、第１電極１１０の材料として例示した材料を用いて形成されていてもよい。第２電極１３０は、例えばスパッタリング法又は蒸着法を用いて形成される。
【００１９】
なお、上記した第１電極１１０及び第２電極１３０の材料は、発光装置１０がボトムエミッション型の場合である。発光装置１０がトップエミッション型である場合、第１電極１１０の材料と第２電極１３０の材料は逆になる。すなわち第１電極１１０の材料には上記した第２電極１３０の材料が用いられ、第２電極１３０の材料には上記した第１電極１１０の材料が用いられる。
【００２０】
また発光装置１０は、第１端子１１２を有している。第１端子１１２は第１電極１１０に接続している。本図に示す例において、第１端子１１２は、引出配線１１４を介して第１電極１１０に接続している。引出配線１１４は第１電極１１０と一体になっている。また、第１端子１１２の少なくとも一部は、第１電極１１０と一体になっている。そして、第１端子１１２は、ＦＰＣ（Flexible Printed Circuit）などの導通部材に接続される。
【００２１】
また、発光装置１０は、さらに封止部材を有していてもよい。封止部材は、例えばガラス、アルミニウムなどの金属、又は樹脂を用いて形成されており、基板１００と同様の多角形や円形であり、中央に凹部を設けた形状を有している。そして封止部材の縁は接着材で基板１００に固定されている。これにより、封止部材と基板１００で囲まれた空間は封止される。そして発光部１４０は、この封止された空間の中に位置している。なお、封止部材は原子層成長（ＡＬＤ）法で形成された膜又は化学気相成長（ＣＶＤ）法で形成された膜であってもよい。
【００２２】
次に図２を用いて、第１電極１１０の構成について説明する。上記したように、第１電極１１０は、第１層１１０ａ及び第２層１１０ｂを有している。第２層１１０ｂは第１層１１０ａより密度が低く、柔らかい。厚さ方向の断面において、第２層１１０ｂの密度は第１層１１０ａの密度よりも低い。これらの密度の大小は、例えばＸＲＤ（X‐ray diffraction）やＲＢＳ（Rutherford Backscattering Spectrometry）を用いて判断することができる。また、第１層１１０ａ及び第２層１１０ｂの密度は、第１電極１１０の断面写真において空隙の割合を測定しても、判断できる。また、第１層１１０ａ及び第２層１１０ｂの硬度は、マイクロビッカース試験などによって測定されてもよい。
【００２３】
第２層１１０ｂは、第１層１１０ａと同一の材料（例えばＩＴＯ又はＩＺＯなどの透明導電材料）によって形成することができる。このようにすると、成膜条件を途中で変更することにより、第１層１１０ａと第２層１１０ｂとを同一の成膜装置で連続して形成することができる。また本図に示す例において、第２層１１０ｂは第１層１１０ａよりも上に位置している。
【００２４】
なお、図１に示した引出配線１１４及び第１端子１１２は、第１層１１０ａ又は第２層１１０ｂのどちらか一層のみで形成されていてもよいし、第１層１１０ａと第２層１１０ｂを積層した構成であってもよい。後者の場合、第１端子１１２及び引出配線１１４を第１電極１１０と同一工程で形成することができる。
【００２５】
次に、発光装置１０の製造方法を説明する。まず基板１００に第１電極１１０、第１端子１１２、及び引出配線１１４となる導電膜を、例えばスパッタリング法を用いて形成する。このとき、成膜条件を途中で変更する。例えばスパッタリングの入力電力を途中で下げる。これにより、第１層１１０ａとなる膜及び第２層１１０ｂとなる膜を、この順に連続して製膜することができる。又、第１層１１０ａとなる膜をスパッタリング法で形成した後、別の装置にてスパッタリングの入力電圧を下げた成膜条件で第２層１１０ｂとなる膜を形成しても良い。次いで、この導電膜を、例えばフォトリソグラフィー法を利用して所定のパターンにする。これにより、第１電極１１０、第１端子１１２、及び引出配線１１４が形成される。
【００２６】
次いで、第１電極１１０の表面を洗浄する。詳細には、第１電極１１０の表面を純水または中性やアルカリ性のガラス用洗剤を用いて、ブラシまたは超音波で処理する。洗浄の前に研磨材を用いて研磨してもよい。研磨により第１電極１１０の凸凹は少なくなる。この洗浄及び研磨により、第１電極１１０の表面に付着していた異物は除去される。
【００２７】
ただし、第１層１１０ａの成膜工程と第２層１１０ｂの成膜工程の間に、第１層１１０ａの表面を洗浄する工程が行われてもよい。又、洗浄の前に研磨材を用いて研磨してもよい。
【００２８】
次いで、有機層１２０及び第２電極１３０をこの順に形成する。有機層１２０が蒸着法で形成される層を含む場合、この層は、例えばマスクを用いるなどして所定のパターンに形成される。第２電極１３０も、例えばマスクを用いるなどして所定のパターンに形成される。その後、封止部材（図示せず）を用いて発光部１４０を封止する。なお、本実施形態において、第１層１１０ａの成膜工程と第２層１１０ｂの成膜工程は逆であってもよい。
【００２９】
図３は、第１電極１１０を拡大した断面図である。第１電極１１０を構成する各層を形成する際、第１電極１１０の表面に異物Ｍが入り込むことがある。これに対して、上記したように、第１電極１１０を形成した後、有機層１２０を形成する前に、第１電極１１０の表面を洗浄する。又、洗浄の前に研磨してもよい。ここで、第１電極１１０の表面は第２層１１０ｂである。第２層１１０ｂは第１層１１０ａよりも柔らかい。このため、図３に示すように、第２層１１０ｂに異物Ｍが埋まっていても、異物Ｍは容易に除去される。
【００３０】
従って、本実施形態によれば、第１電極１１０の表面に異物Ｍが残留する可能性は低くなる。従って、発光装置１０の歩留まりや信頼性は高くなる。
【００３１】
（変形例）
図４は、変形例に係る発光装置１０の構成の要部を示す断面図であり、実施形態における図２に対応している。本変形例に係る発光装置１０は、第１電極１１０の層数を除いて、実施形態に係る発光装置１０と同様の構成である。
【００３２】
本実施例において、第１電極１１０は少なくとも３層の導体層を有している。いずれの導体層も、同一の導電材料（例えばＩＴＯなどの透明導電材料）を用いて形成されている。例えば第１電極１１０は、第１層１１０ａの上に第２層１１０ｂを有し、さらに、第２層１１０ｂの上に、第３層１１０ｃを有している。第３層１１０ｃは、例えば第２層１１０ｂと同様の成膜条件を用いて形成されており、第１層１１０ａよりも柔らかい。そして第２層１１０ｂを形成する工程と第３層１１０ｃを形成する工程の間には、実施形態に示した洗浄工程が行われる。さらに、洗浄工程の前に研磨工程が行われてもよい。また、第１層１１０ａが形成された後、及び、第３層１１０ｃが形成された後の少なくとも一方において、実施形態に示した洗浄工程が行われてもよい。この場合、さらに、洗浄工程の前に研磨工程が行われてもよい。
【００３３】
実施形態において図３を用いて説明したように、第２層１１０ｂの表面に異物が入り込み、この異物が洗浄工程において除去されることがある。この場合、第２層１１０ｂのうち異物が存在していた部分には凹部１１０ｄが形成される。本変形例では、第３層１１０ｃは凹部１１０ｄの内部にも形成される。言い換えると、凹部１１０ｄは第３層１１０ｃによって埋まる。このため、第１電極１１０の表面は、平坦化する。特に第３層１１０ｃが形成される前に研磨処理が行われた場合、凹部１１０ｄは小さくなるか、又は無くなるため、とくに第１電極１１０の表面は平坦化しやすい。
【００３４】
本変形例によっても、第１電極１１０の表面に異物が残留する可能性は低くなる。従って、発光装置１０の歩留まりや信頼性は高くなる。また、第２層１１０ｂの上に第３層１１０ｃを形成したため、第１電極１１０の表面の平坦性は高くなる。
【実施例】
【００３５】
（実施例１）
図５は、実施例１に係る発光装置１０の平面図である。図６は、図５から隔壁１７０、第２電極１３０、有機層１２０、及び絶縁層１５０を取り除いた図である。図７は図５のＡ−Ａ断面図であり、図８は図５のＢ−Ｂ断面図であり、図９は図５のＣ−Ｃ断面図である。
【００３６】
本実施例に係る発光装置１０は表示装置であり、基板１００、第１電極１１０、複数の第１端子１１２、複数の第２端子１３２、発光部１４０、絶縁層１５０、複数の開口１５２、複数の開口１５４、複数の引出配線１１４、有機層１２０、第２電極１３０、複数の引出配線１３４、及び複数の隔壁１７０を有している。
【００３７】
本実施例において、第１電極１１０の層構造は、実施形態又はその変形例と同様である。
【００３８】
また、第１電極１１０は、第１方向（図５におけるＹ方向）にライン状に延在している。そして第１電極１１０の端部は、引出配線１１４に接続している。
【００３９】
引出配線１１４の上には、導体層１６２が形成されてもよい。導体層１６２は、引出配線１１４よりも低抵抗な材料、例えば金属によって形成されている。導体層１６２は多層構造を有していてもよい。この場合、導体層１６２は、例えば、Ｍｏ又はＭｏ合金などの金属層である第１導電層、Ａｌ又はＡｌ合金などの金属層である第２導電層、及び、Ｍｏ又はＭｏ合金などの金属層である第３導電層をこの順に積層した構成を有している。第２導電層の厚さは、例えば５０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下である。好ましくは１００ｎｍ以下である。また第１導電層及び第３導電層は、第２導電層よりも薄く、例えば３０ｎｍ以下、好ましくは２５ｎｍ以下である。なお、導体層１６２は第１端子１１２を覆っていてもよいし、覆っていなくてもよい。
【００４０】
絶縁層１５０は、例えばポリイミドなどの感光性の樹脂材料によって形成されており、図５、及び図７〜図９に示すように、複数の第１電極１１０上及びその間の領域に形成されている。絶縁層１５０には、複数の開口１５２及び複数の開口１５４が形成されている。複数の第２電極１３０は、第１電極１１０と交差する方向（例えば直交する方向：図５におけるＸ方向）に互いに平行に延在している。そして、複数の第２電極１３０の間には、詳細を後述する隔壁１７０が延在している。開口１５２は、平面視で第１電極１１０と第２電極１３０の交点に位置している。具体的には、複数の開口１５２は、第１電極１１０が延在する方向（図５におけるＹ方向）に並んでいる。また、複数の開口１５２は、第２電極１３０の延在方向（図５におけるＸ方向）にも並んでいる。このため、複数の開口１５２はマトリクスを構成するように配置されていることになる。
【００４１】
開口１５４は、平面視で複数の第２電極１３０のそれぞれの一端側と重なる領域に位置している。また開口１５４は、開口１５２が構成するマトリクスの一辺に沿って配置されている。そしてこの一辺に沿う方向（例えば図５におけるＹ方向、すなわち第１電極１１０に沿う方向）で見た場合、開口１５４は、所定の間隔で配置されている。開口１５４からは、引出配線１３４の一部分が露出している。そして、引出配線１３４は、開口１５４を介して第２電極１３０に接続している。
【００４２】
引出配線１３４は、第２電極１３０を第２端子１３２に接続する配線であり、第１電極１１０と同一の材料からなる層を有している。引出配線１３４の一端側は開口１５４の下に位置しており、引出配線１３４の他端側は、絶縁層１５０の外部に引き出されている。そして本図に示す例では、引出配線１３４の他端側は第２端子１３２となっている。そして引出配線１３４の上には、導体層１６２が形成されてもよい。導体層１６２は第２端子１３２を覆っていてもよいし、覆っていなくてもよい。
【００４３】
開口１５２と重なる領域には、有機層１２０が形成されている。有機層１２０の正孔輸送層は第１電極１１０に接しており、有機層１２０の電子輸送層は第２電極１３０に接している。このため、発光部１４０は、開口１５２と重なる領域それぞれに位置していることになる。
【００４４】
なお、図７及び図８に示す例では、有機層１２０を構成する各層は、いずれも開口１５２の外側まではみ出している場合を示している。そして図５に示すように、有機層１２０は、隔壁１７０が延在する方向において、隣り合う開口１５２の間にも連続して形成されていてもよいし、連続して形成していなくてもよい。ただし、図９に示すように、有機層１２０は、開口１５４には形成されていない。
【００４５】
第２電極１３０は、図５、図７〜図９に示すように、第１方向と交わる第２方向（図５におけるＸ方向）に延在している。そして隣り合う第２電極１３０の間には、隔壁１７０が形成されている。隔壁１７０は、第２電極１３０と平行すなわち第２方向に延在している。隔壁１７０の下地は、例えば絶縁層１５０である。隔壁１７０は、例えばポリイミド系樹脂などの感光性の樹脂であり、露光及び現像されることによって、所望のパターンに形成されている。なお、隔壁１７０はポリイミド系樹脂以外の樹脂、例えばエポキシ系樹脂やアクリル系樹脂、二酸化珪素等の無機材料で構成されていても良い。
【００４６】
隔壁１７０は、断面が台形の上下を逆にした形状（逆台形）になっている。すなわち隔壁１７０の上面の幅は、隔壁１７０の下面の幅よりも大きい。このため、隔壁１７０を第２電極１３０より前に形成しておくと、蒸着法やスパッタリング法を用いて、第２電極１３０を基板１００の一面側に形成することで、複数の第２電極１３０を一括で形成することができる。また、隔壁１７０は、有機層１２０を分断する機能も有している。
【００４７】
また、第１端子１１２及び第２端子１３２には、ＦＰＣ（Flexible Printed Circuit）２００が接続している。本図に示す例では、第１端子１１２及び第２端子１３２は基板１００の同一の辺に沿って配置されている。このため、第１端子１１２及び第２端子１３２を、一つのＦＰＣ２００に接続することができる。
【００４８】
次に、本実施例における発光装置１０の製造方法を説明する。まず、基板１００上に第１電極１１０、第１端子１１２、第２端子１３２、及び引出配線１１４，１３４を形成する。これらの形成方法は、実施形態において第１電極１１０及び第１端子１１２を形成する方法と同様である。
【００４９】
次いで、引出配線１１４上及び引出配線１３４上を含む領域に、導体層１６２となる導電膜を形成する。次いで、この導電膜を、例えばフォトリソグラフィー法を利用して所定のパターンにする。これにより、導体層１６２が形成される。
【００５０】
次いで、第１電極１１０上に、絶縁層１５０となる絶縁膜を、例えば塗布法を用いて形成する。次いで、この絶縁膜を露光及び現像する。これにより、絶縁層１５０が形成される。この工程において、開口１５２，１５４も形成される。
【００５１】
次いで、隔壁１７０を形成する。隔壁１７０の形成方法も、絶縁層１５０の形成方法と同様である。さらに有機層１２０及び第２電極１３０を形成する。これらの形成方法は、実施形態と同様である。
【００５２】
本実施例において、第１電極１１０は、実施形態における第１電極１１０と同様の構成を有している。このため、実施形態と同様に、第１電極１１０の表面に異物が残留する可能性は低くなる。従って、発光装置１０の歩留まりや信頼性は高くなる。
【００５３】
（実施例２）
図１０は、実施例２に係る発光装置１０の構成を示す平面図である。図１１は、図１０から第２電極１３０を取り除いた図である。図１２は、図１１から有機層１２０と絶縁層１５０を取り除いた図である。本図に示す発光装置１０は照明装置である。このため、発光部１４０は基板１００の縁を除いた領域に形成されている。
【００５４】
詳細には、第１電極１１０は基板１００のほぼ全面に形成されている。絶縁層１５０は第１電極１１０の縁を覆っている。絶縁層１５０は、第１電極１１０の縁において第１電極１１０と第２電極１３０が短絡することを防止している。また、有機層１２０は、第１電極１１０のうち絶縁層１５０で囲まれた領域の中に形成されている。言い換えると、絶縁層１５０は発光部１４０を画定している。
【００５５】
第１電極１１０の上には複数の補助電極１６０が形成されている。補助電極１６０は、実施例１における導体層１６２と同様の層構造を有しており、第１の方向（図１０における上下方向）に延在している。補助電極１６０を設けることにより、第１電極１１０の見かけ上の抵抗を下げることができる。なお、本実施例において、第１端子１１２の上及び第２端子１３２の上に、導体層１６２が形成されていてもよい。この場合、第１端子１１２の上に位置する導体層１６２は、補助電極１６０と一体に形成されてもよい。
【００５６】
本実施例において、第１電極１１０の層構造は実施形態又はその変形例と同様である。このため、実施形態と同様に、第１電極１１０の表面に異物が残留する可能性は低くなる。従って、発光装置１０の歩留まりや信頼性は高くなる。
【００５７】
以上、図面を参照して実施形態及び実施例について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。
【符号の説明】
【００５８】
１０ 発光装置
１００ 基板
１１０ 第１電極
１１０ａ 第１層
１１０ｂ 第２層
１１０ｃ 第３層
１１０ｄ 凹部
１２０ 有機層
１３０ 第２電極
１４０ 発光部
１５０ 絶縁層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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