(57)【要約】【課題】蛍光体層を光出射側に貼付により形成した発光装置の製造工程において、信頼性を維持しつつ、製造工程の簡略化を図ること。【解決手段】複数の発光素子を所定の間隔で基板に搭載する工程と、複数の発光素子の上面に蛍光体板を配置して複数の発光素子の上面と接合させる工程と、基板と蛍光体板との間に、軟化させた樹脂を充填する工程と、樹脂を硬化させて複数の発光素子を封止する工程と、基板、樹脂及び蛍光体板を所定の位置で切断して個片化する工程からなる。樹脂は、その自重や吸引により充填する。【選択図】図２
2016119402.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の発光素子を所定の間隔で基板に搭載する工程と、
前記複数の発光素子の上面に蛍光体板を配置して前記複数の発光素子の前記上面と接合させる工程と、
前記基板と前記蛍光体板との間に、軟化させた樹脂を充填する工程と、
前記樹脂を硬化させて複数の前記発光素子を封止する工程と、
前記基板、前記樹脂及び前記蛍光体板を所定の位置で切断して個片化する工程と
を有することを特徴とする発光装置の製造方法。
【請求項２】
前記樹脂は白色であることを特徴とする請求項１に記載の発光装置の製造方法。
【請求項３】
前記蛍光体板は、母材が有機材料からなり、直接前記複数の発光素子の前記上面と接合していることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の発光装置の製造方法。
【請求項４】
前記蛍光体板は、母材が無機材料からなり、接着材を介して前記複数の発光素子の前記上面と接合していることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の発光装置の製造方法。
【請求項５】
前記樹脂は、前記基板を水平面から傾けて前記樹脂の自重により前記基板と前記蛍光体板との間に充填することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の発光装置の製造方法。
【請求項６】
前記樹脂は、吸引により前記基板と前記蛍光体板との間に充填することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の発光装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光装置の製造方法に関し、より詳しくは、発光素子からの出射光と、この出射光を励起光とする蛍光体からの波長変換光との混合光を得る発光装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＬＥＤチップからの出射光と、この出射光を励起光とする蛍光体からの波長変換光との混合光による白色光を得るＬＥＤパッケージでは小型化が求められており、ＬＥＤチップと同等のサイズのパッケージであるＣＳＰ（Ｃｈｉｐ  Ｓｉｚｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）が市場において見られるようになった。
【０００３】
上記のようなＬＥＤパッケージにおいて、白色光の指向性を高めるために、ＬＥＤチップの周囲を白色樹脂で覆う形態を有するものも開発されている（例えば、特許文献１，２参照。）。
【０００４】
このようなＬＥＤパッケージ（発光装置）の製造方法について、その断面図を図１０（ａ），（ｂ），（ｃ），（ｄ）に示す。まず、図１０（ａ）に示すように、実装基板１０２の上に複数のＬＥＤチップ１０１をフリップチップ実装により搭載し、次に、図１０（ｂ）に示すように、各々のＬＥＤチップ１０１の上面に蛍光体層１０３を貼付する。そして、図１０（ｃ）に示すように、ＬＥＤチップ１０１が搭載されていない部分に、蛍光体層の上面と略同等程度の高さとなる所定量の白色樹脂をディスペンサ１２０から塗布し硬化させて封止層１０４を形成した後、図１０（ｄ）に示すように、ダイサー１２１にて個別のＬＥＤパッケージに切り分ける。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１４−１１２６３５号公報
【特許文献２】特開２０１４−２０７３４９号公報
【特許文献３】特開２０１３−１３６６７１号公報
【特許文献４】特開２０１３−１３８１０６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記のようなＬＥＤパッケージの製造方法では、各々のＬＥＤチップ１０１の上面に蛍光体層１０３を形成する工程が煩雑であり、製造工程が複雑化してしまう。これにより、ＬＥＤパッケージの製造コストが高くなってしまう。
【０００７】
また、特許文献３，４では、蛍光体含有樹脂フィルムと封止樹脂フィルムを積層した二層フィルムを用いて、圧縮成形により蛍光体層及び封止層を形成する方法が開示されているが、大気雰囲気下においては、二層フィルムと実装基板との間に空気が閉じ込められるため、真空雰囲気下でなければ複数のＬＥＤチップの間の空隙を隙間なく二層フィルムで埋め込むことは困難である。従って、ＬＥＤチップの封止後に気泡が生じ、信頼性を向上させることができない。また、上記したような、封止層に白色樹脂を適用する場合には、ＬＥＤチップの上面に白色樹脂が残存し、ＬＥＤチップからの光取り出しが困難となる。
【０００８】
本発明は、このような従来技術の課題を鑑みてなされたものであって、蛍光体層を光出射側に貼付により形成した発光装置の製造工程において、信頼性を維持しつつ、製造工程の簡略化を図ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記の課題は、複数の発光素子を所定の間隔で基板に搭載する工程と、前記複数の発光素子の上面に蛍光体板を配置して前記複数の発光素子の前記上面と接合させる工程と、前記基板と前記蛍光体板との間に、軟化させた樹脂を充填する工程と、前記樹脂を硬化させて複数の前記発光素子を封止する工程と、前記基板、前記樹脂及び前記蛍光体板を所定の位置で切断して個片化する工程とを有することを特徴とする発光装置の製造方法により解決される。
【００１０】
ここで、前記樹脂は白色であってもよく、前記蛍光体板は、母材が有機材料からなり、直接前記複数の発光素子の前記上面と接合していてもよいし、前記蛍光体板は、母材が無機材料からなり、接着材を介して前記複数の発光素子の前記上面と接合していてもよい。
【００１１】
また、前記樹脂は、前記基板を水平面から傾けて前記樹脂の自重により前記基板と前記蛍光体板との間に充填してもよく、前記樹脂は、吸引により前記基板と前記蛍光体板との間に充填してもよい。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の発光装置の製造方法によれば、個別の発光装置を構成する蛍光体層及び封止層を複数の発光装置において一括して形成することができるため、発光装置の製造方法を簡略化することができる。また、基板と蛍光体層との間に軟化させた樹脂を注入して硬化させて封止層を形成するため、気泡が生じることなく封止層を形成することができる。
【００１３】
また、白色樹脂により封止すれば、発光装置の出射光の指向性が高まる。更に、蛍光体板の母材が有機材料であれば、直接発光素子の上面に蛍光体板を接合しやすくなり、蛍光体板の母材が無機材料であれば、発光装置の高寿命化を促進できる。
また、基板を水平面から傾けて樹脂の自重により基板と蛍光体板との間に充填することや、吸引により基板と蛍光体板との間に充填することにより、発光装置の製造方法を更に簡略化することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】図１（ａ）は、本発明の第１の実施の形態に係る製造方法により得られる発光装置を示す断面図であり、図１（ｂ）は、本発明の第１の実施の形態に係る製造方法により得られる発光装置に用いる発光素子を示す断面図である。
【図２】図２（ａ），（ｂ），（ｃ），（ｄ）は、本発明の第１の実施の形態に係る発光装置の製造方法を示す断面図であり、図２（ａ）は、発光素子搭載工程を示す断面図であり、図２（ｂ）は、蛍光体層形成工程を示す断面図であり、図２（ｃ）は、発光素子封止工程をしめす断面図であり、図２（ｄ）は、発光装置個片化工程を示す断面図である。
【図３】図３（ａ），（ｂ）は、本発明の第１の実施の形態に係る発光素子封止工程を示す断面図であり。図３（ａ）は、液状樹脂の自重により封止樹脂を充填させる方法を示す断面図であり、図３（ｂ）は、ポンプによる吸引により封止樹脂を充填させる方法を示す断面図である。
【図４】図４は、本発明の第１の実施の形態に係る蛍光体形成工程の変形例を示す断面図である。
【図５】図５は、本発明の第１の実施の形態に係る発光素子搭載工程の変形例を示す断面図である。
【図６】図６は、本発明の第２の実施の形態に係る製造方法により得られる発光装置を示す断面図である。
【図７】図７は、本発明の第２の実施の形態の変形例に係る製造方法により得られる発光装置を示す断面図である。
【図８】図８は、本発明の第３の実施の形態に係る製造方法により得られる発光装置を示す断面図である。
【図９】図９は、本発明の第３の実施の形態の変形例に係る製造方法により得られる発光装置を示す断面図である。
【図１０】図１０（ａ），（ｂ），（ｃ），（ｄ）は、従来の発光装置の製造方法を示す断面図であり、図１０（ａ）は、発光素子の搭載工程を示す断面図であり、図１０（ｂ）は、蛍光体層の形成工程を示す断面図であり、図１０（ｃ）は、発光素子の封止工程を示す断面図であり、図１０（ｄ）は、個別の発光装置に切断する個片化工程を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下に、添付の図面に基づいて、本発明を実施するための最良の形態について説明する。
【００１６】
（第１の実施の形態）
図１（ａ）は、本発明の第１の実施の形態に係る製造方法により得られるＬＥＤパッケージ（発光装置）を示す断面図である。
本実施の形態のＬＥＤパッケージは、実装基板２と、基板に正負のバンプ１ａ，１ｂを介して電気的に接続されるＬＥＤチップ１と、ＬＥＤチップ１の上面に直接接合された層厚が均一の蛍光体層３と、実装基板２と蛍光体層３との間を充填してＬＥＤチップを封止する封止層４からなる。そして、実装基板２、封止樹脂４、蛍光体層３の端面は面一となるように形成されている。
【００１７】
実装基板２は、ガラスエポキシ基板や、アルミナ等のセラミック基板からなる。また、封止層４は、酸化チタン等の白色顔料を含有させたエポキシ樹脂又はシリコーン樹脂からなる。また、蛍光体層３は、蛍光体粒子が分散されたエポキシ樹脂又はシリコーン樹脂等、母材が有機材料のものからなる。
【００１８】
本発明の実施の形態に用いる蛍光体粒子の種類としては、ＬＥＤチップ１からの出射光と、この出射光を励起光とする蛍光体粒子からの波長変換光との混合光により所望の色温度及び演色性の白色光を得るように、種々の選択が可能である。
例えば、紫色ＬＥＤチップと併用する場合、演色性の観点から、青色蛍光体粒子及び黄色蛍光体粒子と組み合わせて用いるか、青色蛍光体粒子，黄色蛍光体粒子及び赤色蛍光体粒子と組み合わせて用いるか、青色蛍光体粒子，緑色蛍光体粒子及び赤色蛍光体粒子と組み合わせて用いることが好ましい。
【００１９】
また、青色ＬＥＤチップと併用する場合、上記と同様の観点から、黄色蛍光体粒子と組み合わせて用いるか、黄色蛍光体粒子及び赤色蛍光体粒子と組み合わせて用いるか、緑色蛍光体粒子及び赤色蛍光体粒子と組み合わせて用いることが好ましい。
【００２０】
青色蛍光体粒子（ピーク波長：４５０ｎｍ〜４９５ｎｍ）としては、例えば、以下の蛍光材料が挙げられる。
（Ｂａ，Ｓｒ）ＭｇＡｌ１０Ｏ１７：Ｅｕ２＋
（Ｂａ，Ｃａ，Ｍｇ）５（ＰＯ４）３Ｃｌ：Ｅｕ２＋
（Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ）２ＳｉＳ４：Ｃｅ３＋
（Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ）１０（ＰＯ４）・Ｃｌ２：Ｅｕ２＋
【００２１】
緑色蛍光体粒子（ピーク波長：４９５ｎｍ〜５７０ｎｍ）としては、例えば、以下の蛍光材料が挙げられる。
Ｓｉ６−ｚＡｌｚＯｚＮ８−ｚ：Ｅｕ２＋（但し、０＜ｚ≦４．０）
（Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ）Ｓｉ２Ｏ２Ｎ２：Ｅｕ２＋
（Ｌｕ，Ｇｄ）３（Ａｌ，Ｓｃ）５Ｏ１２：Ｃｅ３＋
（Ｓｒ，Ｂａ）２ＳｉＯ４：Ｅｕ２＋（但し、Ｓｒの係数＜Ｂａの係数）
（Ｓｒ，Ｂａ）３ＳｉＯ５：Ｅｕ２＋（但し、Ｓｒの係数＜Ｂａの係数）
（Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ）Ｇａ２Ｓ４：Ｅｕ２＋
【００２２】
黄色蛍光体粒子（ピーク波長：５７０ｎｍ〜５９０ｎｍ）としては、例えば、以下の蛍光材料が挙げられる。
（Ｙ，Ｇｄ）３（Ａｌ，Ｓｃ）５Ｏ１２：Ｃｅ３＋
（Ｓｒ，Ｂａ）２ＳｉＯ４：Ｅｕ２＋（但し、Ｓｒの係数＞Ｂａの係数）
（Ｓｒ，Ｂａ）３ＳｉＯ５：Ｅｕ２＋（但し、Ｓｒの係数＞Ｂａの係数）
（Ｃａ，Ｍｇ）ｘ（Ｓｉ，Ａｌ）１２（Ｏ，Ｎ）１６：Ｅｕ２＋（但し、０＜ｘ≦２）
【００２３】
赤色光変換蛍光体（ピーク波長：５９０ｎｍ〜７００ｎｍ）としては、例えば、以下の蛍光体が挙げられる。
（Ｃａ，Ｓｒ）ＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ２＋
（Ｃａ，Ｓｒ）２Ｓｉ５Ｎ８：Ｅｕ２＋
（Ｙ，Ｌａ）Ｏ３：Ｅｕ２＋
（Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ）２（Ｓｉ,Ｇｅ，Ｔｉ）Ｆ６：Ｍｎ４＋
【００２４】
次に、本実施の形態に用いるＬＥＤチップについて説明する。
図１（ｂ）は、本実施の形態に用いるＬＥＤチップ（発光素子）を示す断面図である。本実施の形態のＬＥＤチップ１は、サファイアからなる成長基板１１と、成長基板１１の上に設けられるバッファ層（図示せず。）と、ｎ型層１２と、発光層１３と、ｐ型層１４が成長基板１１側から順に形成された窒化ガリウム系化合物半導体（Ａｌ１−Ｘ−ＹＩｎＸＧａＹＮ、０≦Ｘ≦１，０≦Ｙ≦１，０≦Ｘ＋Ｙ≦１）からなる半導体層積層体を備えている。ｐ型層１４の表面には、ｐ型層１４とオーミック接合するＡｇからなる反射性のｐ側オーミック電極１５が形成され、ＬＥＤチップの所定の領域は、ｐ型層からｎ型層が露出するまでドライエッチングされている。そして、露出したｎ型層の底面の所定の領域及びｐ側オーミック電極の所定の領域には、各々、Ｎｉ／Ａｕからなるｎ側パッド電極１６ａ及びｎ側パッド電極１６ｂが形成されている。
【００２５】
半導体積層体の各層は、例えば、有機金属化学気相成長法（Ｍｅｔａｌ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＭＯＣＶＤ）、分子線エピタキシー法（Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ  Ｂｅａｍ  Ｅｐｉｔａｘｙ：ＭＢＥ）、ハライド気相エピタキシー法（Ｈａｌｉｄｅ  Ｖａｐｏｒ  Ｐｈａｓｅ  Ｅｐｉｔａｘｙ：ＨＶＰＥ）等によって形成される。また、ｐ側オーミック電極１５，ｎ側パッド電極１６ａ及びｎ側パッド電極１６ａは、スパッタリング法又は真空蒸着法等を用いて形成される。
【００２６】
成長基板１１はサファイアに限らず、スピネル，窒化ガリウム，炭化珪素，酸化ガリウム等に代替してもよい。また、ｐ側オーミック電極１５は、Ａｇに限定されず、Ａｇ，Ａｇを主成分とする合金，Ｒｈ，Ｒｈを主成分とする合金等に代替してもよい。
【００２７】
ｐ側パッド電極１６ａとｎ側パッド電極１６ｂとの間に、上述した正負のバンプ１ａ，１ｂを介して実装基板から所定の電圧が印加されると、例えば、発光層１３から紫色光〜青色光が出射され、ｐ側オーミック電極１５側への出射光は、ｐ側オーミック電極１５により成長基板１１側に反射され、成長基板１１側への出射光とともにＬＥＤチップ１から外部へ放射されるようになっている。
【００２８】
次いで、本実施の形態のＬＥＤパッケージの製造方法について説明する。
図２は、本実施の形態のＬＥＤパッケージ（発光装置）の製造方法を示す断面図である。
まず、図２（ａ）に示すように、複数のＬＥＤチップ１をバンプ１ａ，１ｂを介してフリップチップ実装により実装基板２に電気的に接続させて搭載する（発光素子搭載工程）。次に、図２（ｂ）に示すように、ＬＥＤチップ１の上面に蛍光体粒子が分散されたシリコーン樹脂を母材とした蛍光体シート（蛍光体板）を貼付して、これを加熱により硬化させて蛍光体層３を形成するとともに、蛍光体層３をＬＥＤチップ１の上面と接合させる（蛍光体層形成工程）。この際、ＬＥＤチップ１が搭載されていない領域であって、実装基板２と蛍光体シート３との間には、空隙が形成される。
【００２９】
その後、図２（ｃ）に示すように、この空隙に、ディスペンサ２０により酸化チタン等の白色顔料が含有された白色の液状シリコーン樹脂からなる封止樹脂を所定の温度で加熱して低粘度化させてから注入して充填した後、更に温度を上昇させて封止樹脂を硬化させてＬＥＤチップ１を封止する封止層４を形成する（発光素子封止工程）。最後に、図２（ｄ）に示すように、実装基板２の裏面に形成された外部接続用導体パターンにより位置認識をして、ＬＥＤチップ１が搭載されていない領域を実装基板２側からダイサー２１により切断することにより、実装基板２、封止層４、蛍光体層３の端面が面一となった個別のＬＥＤパッケージを得る（発光装置個片化工程）。
【００３０】
ここで、上述して発光素子封止工程について、更に、詳述する。
図３は、ＬＥＤチップ（発光素子）の封止工程を示す断面図である。
図３（ａ）は、実装基板２の一端辺側に、低粘度化させた液状の封止樹脂４ａをできディスペンサ２０により供給し、実装基板２の他端辺側を水平面から下方に傾け、液状の封止樹脂４ａの自重により、実装基板２と蛍光体シート３との間の空隙に液状の封止樹脂４ａを充填させる方法である。また、図３（ｂ）は、実装基板２の一端辺側に、低粘度化させた液状の封止樹脂４ａをできディスペンサ２０により供給し、実装基板２の他端辺側から吸引ポンプや真空ポンプ等のポンプ２２により吸引することにより、実装基板２と蛍光体シート３との間の空隙に液状の封止樹脂４ａを充填させる方法である。
【００３１】
尚、上述した蛍光体形成工程では、ＬＥＤチップ１の上面に蛍光体シートを貼付して加熱により硬化させるのみで蛍光体層４を形成したが、図４に示すように、ＬＥＤチップ１の上面に蛍光体シート４ａを馴染ませるために、ローラ２３により蛍光体シート４ａをその上面から印圧してもよい。これにより、ＬＥＤチップ１と蛍光体層４との接合性が増す。更に、蛍光体シート４ａを加熱しながら印圧して、蛍光体シート４ａの硬化を促進させてもよい。
【００３２】
また、上述した発光素子搭載工程において、ＬＥＤチップ１をフリップチップ実装した後、図５に示すように、ＬＥＤチップ１と実装基板２との間にエポキシ樹脂又はシリコーン樹脂からなるアンダーフィル樹脂を注入し、アンダーフィル層６を形成してもよい。これにより、発光装置個片化工程におけるダイサーからの振動等によるＬＥＤチップ１と実装基板２との間の断線等の電気的不具合の発生が抑制される。
【００３３】
本発明の第１の実施の形態のＬＥＤパッケージ（発光装置）の製造方法によれば、発光装置個片化工程において、個別のＬＥＤパッケージを構成する蛍光体層及び封止層を複数のＬＥＤパッケージにおいて一括して形成することができるため、ＬＥＤパッケージの製造方法を簡略化することができる。また、発光素子封止工程において、実装基板と蛍光体層との間に軟化させた液状樹脂を注入して硬化させて封止層を形成するため、気泡が生じることなく封止層を形成することができる。
【００３４】
（第２の実施の形態）
図２は、本発明の第２の実施の形態に係る製造方法により得られるＬＥＤパッケージ（発光装置）を示す断面図である。
本実施の形態のＬＥＤパッケージの製造方法では、第１の実施の形態のＬＥＤパッケージの製造方法と比較して、蛍光体シート（蛍光体板）が可撓性を有する母材が有機材料である点において異なる。そのため、得られるＬＥＤパッケージにおいて、蛍光体層４ａがＬＥＤチップ１の上面においては平坦となっているが、ＬＥＤチップ１の上面端部から外側にかけて、実装基板２に向かって下方に撓んでいる。
【００３５】
このような可撓性を有する蛍光体シートの特性を利用した例を図７に示す。図７に示す本実施の形態の変形例に係る製造方法により得られるＬＥＤパッケージでは、実装基板２ａにＬＥＤチップ１だけでなくツェナダイオード等のＬＥＤチップ１を保護するための保護チップ（保護素子）５を正負のバンプ５ａ，５ｂを介してフリップチップ実装により搭載しており、ＬＥＤチップ１と保護チップ５の上面の高さが異なる。
【００３６】
この場合、蛍光体シートの可撓性により、蛍光体シートが実装基板２ａに向かって撓むため、高さの異なるＬＥＤチップ１及び保護チップ５の双方の上面に蛍光体層３ａを接合させることができる。これにより、ＬＥＤパッケージを動作させて白色光を出射させた際に、蛍光体粒子の波長変換ロスにより生じる発熱を、蛍光体層３ａに直接接するＬＥＤチップ１と保護チップ１の双方を介して実装基板２ａに放熱することができるため、ＬＥＤパッケージの放熱性が向上する。
【００３７】
本実施の形態に係る製造方法により得られるＬＥＤパッケージ（発光装置）によれば、蛍光体シートが実装基板に向かって下方に撓むため、蛍光体層と封止層との接合面積が増加し、蛍光体層と封止層との間の剥離が抑制され、ＬＥＤパッケージの信頼性が向上する。
【００３８】
（第３の実施の形態）
図３は、本発明の第３の実施の形態に係る製造方法により得られるＬＥＤパッケージ（発光装置）を示す断面図である。
本実施の形態のＬＥＤパッケージの製造方法では、第１，２の実施の形態のＬＥＤパッケージの製造方法と比較して、蛍光体シート（蛍光体板）が接合性を有さない点において異なる。本実施の形態の蛍光体シートとしては、蛍光体粒子が分散されたガラスを母材とする蛍光体含有ガラスや、蛍光体の原料を焼結した蛍光体自体が母材である蛍光体焼結体等、母材が無機材料であるものが挙げられる。
【００３９】
本実施の形態の場合、蛍光体シートが接合性を有さないため、蛍光体シートとＬＥＤチップ１の上面との接合はＬＥＤチップ１からの出射光を透過する透明性を有する接着材からなる接合層６を介して行われる、また、蛍光体シートが硬化等を必要とせず、そのまま蛍光体層３ｂを形成する。
【００４０】
本実施の形態において、第２の実施の形態の変形例と同様に、実装基板２ａにＬＥＤチップ１とともに保護チップ５を搭載する場合、図９に示すように、保護チップ５の上面にも接着材を塗布して保護チップ５の上面を蛍光体シートと接合層６ｂを介して接合させることが好ましい。これにより、蛍光体層６ｂと保護チップ６ｂの上面との間に隙間が生じないため、封止層６ｂでの気泡の発生が抑制される。この際、接合層６ｂには透明性が要求されないため、ＡｌＮ等の高い放熱性を有する粒子を接着材に含有させることが好ましい。これにより、蛍光体の波長変換ロスにより生じる発熱を、蛍光体層３ｂと高い放熱性を有する接合層６ｂから保護チップ１を介して実装基板２ａに放熱することができるため、ＬＥＤパッケージの放熱性が向上する。
【００４１】
本実施の形態に係る製造方法により得られるＬＥＤパッケージ（発光装置）によれば、蛍光体層を無機材料により形成するため、蛍光体層の劣化が抑制され、ＬＥＤパッケージの高寿命化を促進することができる。
【００４２】
（その他の実施の形態）
上記の実施の形態では、窒化ガリウム系化合物半導体からなるＬＥＤチップについて例示したが、セレン化亜鉛系化合物半導体（Ｚｎ１−ＸＣｄＸＳｅ１−ＹＳＹ、０≦Ｘ≦１，０≦Ｙ≦１）等のその他の無機系化合物半導体からなるＬＥＤチップについても本発明を採用することができる。また、上記の実施の形態では、ＬＥＤチップについて例示したが、レーザダイオードや発光サイリスタ等のその他の無機系発光素子についても本発明を採用することができる。
【００４３】
また、上記の実施の形態では、１つのパッケージ当たりに１つのＬＥＤチップを用いる場合について示したが、１つのパッケージ当たりに複数の同色のＬＥＤチップを含ませてもよいし、１つのパッケージ当たりに複数種のＬＥＤチップを含ませてもよい。複数のＬＥＤチップを併用する場合、例えば、青色ＬＥＤチップ及び緑色ＬＥＤチップと併用する場合、赤色蛍光体と組み合わせることが好ましいし、青色ＬＥＤチップ及び赤色ＬＥＤチップと併用する場合、緑色蛍光体粒子又は黄色蛍光体粒子と組み合わせることが好ましい。
【産業上の利用可能性】
【００４４】
本発明の発光装置の製造方法は、表示装置、照明装置、バックライト装置等の光源に採用することができる。
【符号の説明】
【００４５】
１，１０１                ＬＥＤチップ
１ａ，１ｂ                バンプ
２，２ａ，１０２          実装基板
３，３ａ，３ｂ，１０３    蛍光体層
４，１０４                封止層
５                        保護チップ
５ａ，５ｂ                バンプ
６                        アンダーフィル層
２０                      ディスペンサ
２１，１２１              ダイサー
１１                      成長基板
１２                      ｎ型層
１３                      発光層
１４                      ｐ型層
１５                      ｐ側オーミック電極
１６ａ，１６ｂ            パッド電極
【図１】
2016119402.tif 000003
【図２】
2016119402.tif 000004
【図３】
2016119402.tif 000005
【図４】
2016119402.tif 000006
【図５】
2016119402.tif 000007
【図６】
2016119402.tif 000008
【図７】
2016119402.tif 000009
【図８】
2016119402.tif 000010
【図９】
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【図１０】
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