(57)【要約】【課題】ウェーハを横断する直線状の分割予定ラインによってデバイスの形成領域が区画されていない場合でも、分割予定ラインに沿って適切に分割できるウェーハの分割方法を提供する。【解決手段】デバイスを形成する領域を六角形に区画する分割予定ラインを検出し、検出した分割予定ラインに沿ってレーザー光線照射手段によりレーザー光線を照射してウェーハの内部に改質層を形成する（ステップＳ２）。六角形と相似形でデバイスよりやや小さい吸引領域を有する吸引部材とウェーハの裏面とを当接させて吸引部材により分割対象のデバイスを吸引する（ステップＳ３）。吸引部材でデバイスを吸引した状態で吸引部材とデバイスの周囲のウェーハとを互いに離反する方向に相対的に移動させ、吸引部材で吸引されたデバイスを周囲の分割予定ラインに沿って分割する（ステップＳ４）。【選択図】図３
2016119323.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に分割予定ラインによって区画された多角形の領域にデバイスが形成されたウェーハを該分割予定ラインに沿ってデバイスチップに分割するウェーハの分割方法であって、
粘着テープの粘着面にウェーハを貼着する貼着ステップと、
該分割予定ラインに沿って分割起点を形成する分割起点形成ステップと、
該貼着ステップと該分割起点形成ステップを実施した後、該多角形と相似形で該デバイスよりやや小さい吸引領域を有する吸引部材で、該粘着テープに貼着されたウェーハの該デバイスを選択的に吸引する吸引ステップと、
該吸引ステップを実施した後、該吸引部材で該デバイスを吸引したまま該吸引部材と該デバイスの周囲の該ウェーハとを互いに離反する方向に相対的に移動させ、該吸引部材で吸引された該デバイスを周囲の該分割予定ラインに沿って分割する分割ステップと、を備えることを特徴とするウェーハの分割方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウェーハの分割方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイス製造工程においては、略円板形状である半導体ウェーハの表面に格子状に配列された分割予定ラインによって複数の領域が区画され、この区画された領域にＩＣ（Integrated  Circuit）、ＬＳＩ（Large  Scale  Integration）等のデバイスを形成する。半導体ウェーハを分割予定ラインに沿って分割することにより個々の半導体デバイスを製造している。半導体ウェーハや光デバイスウェーハ等のウェーハを分割予定ラインに沿って分割する方法として、パルスレーザー光線を用い、分割すべき領域（分割予定ライン）の内部に形成した改質層や、分割予定ラインの表面に形成した加工溝を分割起点にして、外力を加えることにより、ウェーハを分割するものである（特許文献１）。外力を付与して分割する際に、ウェーハの幅を超える長さに延在する棒状部材で分割予定ラインに沿って押圧し、ウェーハを分割するブレーキング装置が提案されている（特許文献２）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特許第３４０８８０５号公報
【特許文献２】特開２０１１−２４３８０４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、ウェーハには、ウェーハを横断する直線状の分割予定ラインによって、デバイスの形成領域が区画されていないものがある。例えば、ＬＥＤ（Light  Emitting  Diode）素子は、分割予定ラインによってデバイスの形成領域が六角形に区画されている。ブレーキング装置は、棒状部材により分割予定ラインに沿って押圧してデバイスを分割するので、デバイスが六角形の領域に形成されている場合、ウェーハを横断する分割予定ラインが直線状にならず、棒状部材の押圧部分とウェーハの分割予定ラインとが一致しないため、誤ってデバイスを破断してしまう恐れがあった。
【０００５】
そこで、本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、ウェーハを横断する直線状の分割予定ラインによってデバイスの形成領域が区画されていない場合でも、分割予定ラインに沿って適切に分割できるウェーハの分割方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明に係るウェーハの分割方法は、表面に分割予定ラインによって区画された多角形の領域にデバイスが形成されたウェーハを該分割予定ラインに沿ってデバイスチップに分割するウェーハの分割方法であって、粘着テープの粘着面にウェーハを貼着する貼着ステップと、該分割予定ラインに沿って分割起点を形成する分割起点形成ステップと、該貼着ステップと該分割起点形成ステップを実施した後、該多角形と相似形で該デバイスよりやや小さい吸引領域を有する吸引部材で、該粘着テープに貼着されたウェーハの該デバイスを選択的に吸引する吸引ステップと、該吸引ステップを実施した後、該吸引部材で該デバイスを吸引したまま該吸引部材と該デバイスの周囲の該ウェーハとを互いに離反する方向に相対的に移動させ、該吸引部材で吸引された該デバイスを周囲の該分割予定ラインに沿って分割する分割ステップと、を備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００７】
本願発明のウェーハの分割方法によれば、デバイスの形状に合わせた吸引部材により分割対象のデバイスを吸引して他のデバイスと離間することで、ウェーハを横断する直線状の分割予定ラインによってデバイスの形成領域が区画されていない場合でも、確実に分割予定ラインに沿って分割できるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】図１は、レーザー加工装置の構成例を示す斜視図である。
【図２】図２は、吸引手段の構成例を示す概略図である。
【図３】図３は、ウェーハの分割方法を示すフローチャートである。
【図４】図４は、ウェーハの貼着例（その１）を示す斜視図である。
【図５】図５は、ウェーハの貼着例（その２）を示す斜視図である。
【図６】図６は、改質層の形成例を示す側面図である。
【図７】図７は、ウェーハの分割例（その１）を示す斜視図である。
【図８】図８は、ウェーハの分割例（その２）を示す側面図である。
【図９】図９は、ウェーハの分割例（その３）を示す側面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換又は変更を行うことができる。
【００１０】
〔実施形態〕
実施形態に係るレーザー加工装置について説明する。図１は、レーザー加工装置の構成例を示す斜視図である。図２は、吸引手段の構成例を示す概略図である。
【００１１】
レーザー加工装置１００は、分割予定ラインＬによって六角形に区画された領域にデバイスＤが形成されたウェーハＷを当該分割予定ラインＬに沿って六角形のデバイスチップに分割する装置である。
【００１２】
ウェーハＷは、シリコン、サファイア、ガリウムなどを母材とする円板状の半導体ウェーハや光デバイスウェーハである。ウェーハＷは、分割予定ラインＬによって六角形に区画された領域にデバイスＤが形成されている。環状フレームＦに貼着された粘着テープＴに、デバイスＤが複数形成されているウェーハＷの表面が貼着されることで、ウェーハＷは、環状フレームＦに固定されている。
【００１３】
レーザー加工装置１００は、図１に示すように、チャックテーブル１と、レーザー光線照射手段２と、Ｘ軸移動手段３と、図示しないＹ軸移動手段と、図示しないＺ軸移動手段と、撮像手段４と、分割機構５と、カセットエレベータ６と、仮置き手段７と、制御手段８とを備えている。
【００１４】
チャックテーブル１は、ウェーハＷを保持するものであり、保持面１１と、クランプ部１２とを備えている。保持面１１は、ポーラスセラミック等から形成された円盤形状であり、図示しない真空吸引経路を介して図示しない吸引源と接続され、載置されたウェーハＷを吸引保持する。クランプ部１２は、図示しないエアーアクチュエータにより駆動され、ウェーハＷの周囲の環状フレームＦを挟持する。
【００１５】
レーザー光線照射手段２は、チャックテーブル１に保持されたウェーハＷにレーザー光線を照射してウェーハＷの内部に、後述する改質層を形成する。ここで、改質層とは、密度、屈折率、機械的強度やその他の物理的特性が周囲のそれとは異なる状態になった領域のことを意味し、溶融処理領域、クラック領域、絶縁破壊領域、屈折率変化領域、及びこれらの領域が混在した領域等である。レーザー光線照射手段２は、図示しないレーザー発振器と、レーザー発振器により発振されたレーザー光線をウェーハＷに照射する図示しない集光器とを含んで構成されている。
【００１６】
Ｘ軸方向は、チャックテーブル１を移動させる方向である。Ｙ軸方向は、チャックテーブル１を移動させる方向と直交する方向である。Ｘ軸方向及びＹ軸方向は、同一水平面上で直交する。Ｚ軸方向は、当該同一水平面に直交する方向（鉛直方向）である。＋Ｚ軸方向は、上向きの鉛直方向であり、−Ｚ軸方向は、下向きの鉛直方向である。
【００１７】
Ｘ軸移動手段３は、移動基台３１を備え、チャックテーブル１とレーザー光線照射手段２とをＸ軸方向に相対的に加工送りさせる。Ｘ軸移動手段３は、例えばパルスモータやボールねじ、ガイドレール等を含んで構成されている。Ｘ軸移動手段３は、チャックテーブル１が固定された移動基台３１を装置本体１０１に対してＸ軸方向に相対移動させる。
【００１８】
図示しないＹ軸移動手段は、チャックテーブル１とレーザー光線照射手段２とをＹ軸方向に相対移動させる。Ｙ軸移動手段は、例えばパルスモータやボールねじ、ガイドレール等を備えている。
【００１９】
図示しないＺ軸移動手段は、チャックテーブル１とレーザー光線照射手段２とをＺ軸方向に相対移動させる。Ｚ軸移動手段は、例えばパルスモータやボールねじ、ガイドレール等を含んで構成されている。
【００２０】
撮像手段４は、図示しない赤外線カメラを備え、チャックテーブル１に保持されたウェーハＷの裏面ＷＲ側からウェーハＷを透過してウェーハＷの表面に形成された分割予定ラインＬを撮像し、撮像した画像を制御手段８に出力する。
【００２１】
分割機構５は、分割予定ラインＬによって六角形に区画された領域にデバイスＤが形成されたウェーハＷを当該分割予定ラインＬに沿って、後述する六角形のデバイスチップに分割する。分割機構５は、保持手段５１と、吸引手段５２とを備えている。
【００２２】
保持手段５１は、分割予定ラインＬに改質層が形成されたウェーハＷを保持するものであり、保持面５１１と、昇降機構５１２とを備えている。保持面５１１は、円盤形状に形成され、図示しないクランプ部によりウェーハＷの環状フレームＦを挟持する。昇降機構５１２は、例えばアクチュエータとしてのピストン機構であり、保持面５１１をＺ軸方向に上下動させる。
【００２３】
吸引手段５２は、保持手段５１により保持されたウェーハＷに形成された個々のデバイスＤを吸引するものである。吸引手段５２は、吸引部材５２１と、吸引源５２２と、ＸＹ軸移動手段５２３とを備えている。吸引部材５２１は、図２に示すように、六角形の筒状の部材であり、樹脂や金属等から形成されている。
【００２４】
吸引部材５２１は、上面５２１ａが閉塞され、底面５２１ｂには、開口された吸引部５２１ｃを有している。吸引部５２１ｃは、六角形と相似形でデバイスＤよりやや小さい吸引領域５２１ｄを有する。例えば、吸引部５２１ｃは、その外形がデバイスＤの外形と略等しく形成され、吸引部５２１ｃの厚み分だけデバイスＤの外形よりも小さい吸引領域５２１ｄを有する。吸引部材５２１の上面５２１ａは、中央部分が開口され、開口された箇所には、結合部材５２４が取り付けられている。結合部材５２４は、真空吸引経路５２５を介して吸引源５２２に接続されている。吸引手段５２は、吸引源５２２からの負圧により、真空吸引経路５２５を介して吸引部材５２１の吸引部５２１ｃでデバイスＤを吸引する。真空吸引経路５２５には、電磁弁５２６が配設されている。電磁弁５２６は、制御手段８に接続され、真空吸引経路５２５を弁により開閉して吸引源５２２からの負圧を制御する。
【００２５】
ＸＹ軸移動手段５２３は、アーム５２３ａと、図示しない駆動手段とを備えている。アーム５２３ａの先端には、吸引部材５２１の吸引部５２１ｃが−Ｚ軸方向に保持面５１１を向くように吸引部材５２１が取り付けられている。アーム５２３ａの後端は、駆動手段に固定されている。駆動手段は、例えばパルスモータやボールねじ、ガイドレール等を含んで構成され、アーム５２３ａをＸ軸方向及びＹ軸方向に移動させる。
【００２６】
カセットエレベータ６は、粘着テープＴを介して環状フレームＦに貼着されたウェーハＷを複数枚収容する。カセットエレベータ６は、装置本体１０１に対してＺ軸方向に昇降自在に設けられている。
【００２７】
仮置き手段７は、レーザー加工前後のウェーハＷを一時的に載置するものであり、搬出入手段７１と、一対のレール７２とを備えている。搬出入手段７１は、レーザー加工前のウェーハＷをカセットエレベータ６から取り出すと共に、レーザー加工後のウェーハＷをカセットエレベータ６内に挿入する。一対のレール７２は、レーザー加工前後のウェーハＷを一時的に載置する。
【００２８】
制御手段８は、レーザー加工装置１００を制御するものであり、レーザー光線照射手段２、Ｘ軸移動手段３、Ｙ軸移動手段、Ｚ軸移動手段を制御して分割予定ラインＬに沿ってウェーハＷの内部に改質層を形成する。また、制御手段８は、分割機構５を制御して、ウェーハＷを分割予定ラインＬに沿ってデバイスチップに分割する。
【００２９】
次に、レーザー加工装置１００を用いたウェーハＷの分割方法について説明する。図３は、ウェーハＷの分割方法を示すフローチャートである。図４は、ウェーハの貼着例（その１）を示す斜視図である。図５は、ウェーハの貼着例（その２）を示す斜視図である。図６は、改質層の形成例を示す側面図である。図７は、ウェーハの分割例（その１）を示す斜視図である。図８は、ウェーハの分割例（その２）を示す側面図である。図９は、ウェーハの分割例（その３）を示す側面図である。
【００３０】
粘着テープＴの粘着面Ｔ１にウェーハＷを貼着する（ステップＳ１；貼着ステップ）。例えば、図示しないテープ貼着装置により、環状フレームＦに粘着テープＴを貼り付け、図４及び図５に示すように、環状フレームＦに貼り付けられた粘着テープＴにウェーハＷの表面ＷＳを貼り合わせ、環状フレームＦによりウェーハＷを保持する。環状フレームＦに保持されたウェーハＷはカセットエレベータ６に収容される。カセットエレベータ６に収容されたレーザー加工前のウェーハＷは、仮置き手段７の搬出入手段７１により取り出されて、一対のレール７２に一時的に載置される。レール７２に載置されたウェーハＷは、図示しない搬送手段によりチャックテーブル１に搬送され、チャックテーブル１により吸引保持される。
【００３１】
ウェーハＷをチャックテーブル１により吸引保持した後、分割予定ラインＬに沿って分割起点を形成する（ステップＳ２；分割起点形成ステップ）。例えば、制御手段８は、撮像手段４から画像データを入力し、入力した画像データに基づいてアライメントを実施する。例えば、制御手段８は、記憶部８１に記憶されたアライメント用のパターンに基づいて、画像データからアライメント用のターゲットを検出し、検出したターゲットに基づいて、デバイスＤを形成する領域を六角形に区画する分割予定ラインＬを検出する。制御手段８は、図６に示すように、検出した分割予定ラインＬに沿ってレーザー光線照射手段２によりレーザー光線を照射してウェーハＷの内部に改質層Ｋを形成する。
【００３２】
ウェーハＷに改質層Ｋを形成後、ウェーハＷのデバイスＤを吸引部材５２１により選択的に吸引する（ステップＳ３；吸引ステップ）。例えば、改質層Ｋが形成されたウェーハＷを図示しない搬送手段により保持手段５１の保持面５１１に載置し、図示しないクランプ部によりウェーハＷの環状フレームＦを挟持する。ウェーハＷが保持手段５１により保持された状態で、吸引手段５２の吸引部材５２１を分割対象のデバイスＤの直上に配置する。例えば、図示しない赤外線カメラにより、ウェーハＷの裏面ＷＲ側からウェーハＷを透過して表面ＷＳに形成された分割予定ラインＬを撮像し、撮像した分割予定ラインＬの画像データを制御手段８に出力する。なお、赤外線カメラは、改質層Ｋを撮像して、改質層Ｋの画像データを制御手段８に出力するようにしてもよい。制御手段８は、赤外線カメラから入力した画像データに基づいて分割予定ラインＬを検出する。制御手段８は、検出した分割予定ラインＬに基づいて、吸引部材５２１を分割対象のデバイスＤの直上に配置する。吸引部材５２１をデバイスＤの直上に配置後、制御手段８は、電磁弁５２６を励磁させて弁を開状態とし、真空吸引経路５２５を開通させて吸引部材５２１の吸引部５２１ｃに負圧を発生させる。吸引部５２１ｃに負圧が発生した状態で、制御手段８は、昇降機構５１２の保持面５１１を＋Ｚ軸方向に移動させ、図７及び図８に示すように、吸引部材５２１の吸引部５２１ｃとウェーハＷの裏面ＷＲとを当接させて吸引部材５２１により分割対象のデバイスＤを吸引する。
【００３３】
吸引部材５２１によりデバイスＤを吸引後、吸引部材５２１でデバイスＤを吸引した状態で、吸引部材５２１とデバイスＤの周囲のウェーハＷとを互いに離反する方向に相対的に移動させ、吸引部材５２１で吸引されたデバイスＤを周囲の分割予定ラインＬに沿って分割する（ステップＳ４；分割ステップ）。例えば、制御手段８は、吸引部材５２１がデバイスＤを吸引した状態で、図９に示すように、吸引部材５２１の位置を固定し、保持手段５１の昇降機構５１２を−Ｚ軸方向に移動させる。昇降機構５１２を−Ｚ軸方向に移動させると、吸引部材５２１で吸引されたデバイスＤは、当該デバイスＤの周囲の分割予定ラインＬに沿って形成された改質層Ｋを起点にして、周囲の分割予定ラインＬに沿ってデバイスチップＤ１に分割される。このとき、デバイスチップＤ１は、粘着テープＴに貼着されており、粘着テープＴを介して環状フレームＦに保持されている。
【００３４】
デバイスＤを分割予定ラインＬに沿って分割後、制御手段８は、電磁弁５２６の励磁を停止させて弁を閉状態とし、真空吸引経路５２５を閉じて吸引部材５２１の吸引部５２１ｃに発生した負圧を停止させる。吸引部５２１の負圧を停止させると、吸引部５２１により吸引されているデバイスチップＤ１は、吸引部５２１から解放される。デバイスチップＤ１を吸引部５２１から解放後、制御手段８は、分割予定ラインＬに基づいて、吸引部材５２１を次の分割対象のデバイスＤの直上に配置する。デバイスチップＤ１を形成した時と同様に、制御手段８は、電磁弁５２６を励磁させて弁を開状態とし、真空吸引経路５２５を開通させて吸引部材５２１の吸引部５２１ｃに負圧を発生させる。吸引部５２１ｃに負圧が発生した状態で、制御手段８は、保持手段５１の昇降機構５１２を＋Ｚ軸方向に移動させ、吸引部材５２１の吸引部５２１ｃとウェーハＷの裏面ＷＲとを当接させて吸引部材５２１によりデバイスＤを吸引し、改質層Ｋを起点にして分割を行う。これらの作業を繰り返して、ウェーハＷに形成された全てのデバイスＤに対して分割加工を実施する。ウェーハＷの分割加工を実施した後、図示しない搬送手段によりウェーハＷを仮置き手段７の一対のレール７２に搬送し、搬出入手段７１によりウェーハＷをカセットエレベータ６に収容する。
【００３５】
以上のように、実施形態に係るウェーハの分割方法によれば、デバイスＤの六角形の形状に合わせた吸引部材５２１により分割対象のデバイスＤを吸引して他のデバイスＤと離間させるものである。これにより、分割対象のデバイスＤを囲む分割予定ラインＬの改質層Ｋに対して均等に破断力が働くので、六角形のデバイスＤを分割ラインＬに沿って確実に分割できる。
【００３６】
〔変形例〕
分割起点としてウェーハＷの内部に改質層Ｋを形成する例を説明したが、改質層Ｋを形成する代わりに、レーザーによりウェーハＷの表面又は裏面に分割起点用の溝を形成するようにしてもよい。
【００３７】
分割予定ラインＬによって六角形に区画された領域にデバイスＤが形成される例を説明したが、分割予定ラインＬによって区画される領域は多角形であればよく、六角形に限定されない。
【００３８】
本発明は、ウェーハを横断する分割予定ラインが直線状に形成されたウェーハを分割する場合であっても適用可能であるが、ウェーハＷを横断する分割予定ラインＬが、直線状に形成されないウェーハＷを分割する場合に特に効果を発揮する。ウェーハＷを横断する分割予定ラインＬによって区画された六角形の領域毎にデバイスＤが形成されている。
【００３９】
六角形の吸引部５２１ｃは、その厚み分だけデバイスＤよりも小さい吸引領域５２１ｄを有する例を説明したが、分割対象のデバイスＤを吸引して分割できれば吸引領域５２１ｄの大きさや形状は特に限定されない。例えば、吸引領域５２１ｄは、デバイスＤの半分程度の面積としてもよい。この場合、吸引部５２１ｃは、デバイスＤの中央部分を吸引する。
【００４０】
ウェーハＷの裏面ＷＲを吸引部材５２１により吸引する例を説明したが、ウェーハＷの裏面ＷＲを粘着テープＴに貼着し、ウェーハＷの表面ＷＳに形成されたデバイスＤを吸引部材５２１により吸引するようにしてもよい。
【００４１】
１個の吸引部材５２１を用いて、デバイスＤを吸引して分割する例を説明したが、複数個の吸引部材５２１を用いてもよい。複数個の吸引部材５２１を用いる場合、分割対象とする個々のデバイスＤは、一定の間隔をもたせる必要がある。これは、分割対象のデバイスＤは、他のデバイスＤと比較して高い位置に持ち上げられることにより分割予定ラインＬの改質層Ｋにより分割されるからである。
【００４２】
分割予定ラインＬに沿ってウェーハＷを分割する際に、吸引部材５２１の位置は固定した状態で、保持手段５１の昇降機構５１２を−Ｚ軸方向に移動させて分割する例を説明したが、これに限定されない。保持手段５１の昇降機構５１２の位置を固定し、吸引部材５２１を＋Ｚ軸方向へ移動させてウェーハＷを分割するようにしてもよい。また、保持手段５１の昇降機構５１２を−Ｚ軸方向に移動させると共に、吸引部材５２１を＋Ｚ軸方向へ移動させてウェーハＷを分割するようにしてもよい。
【００４３】
分割されたデバイスチップＤ１は、粘着テープＴを介して環状フレームＦに保持される例を説明したが、これに限定されない。例えば、デバイスチップＤ１に分割後、当該デバイスチップＤ１を吸引部材５２１により吸引した状態を維持し、吸引部材５２１と、昇降機構５１２の保持面５１１に保持されたウェーハＷとをさらに離間させて粘着テープＴからデバイスチップＤ１を剥離し、粘着テープＴから剥離されたデバイスチップＤ１を図示しない収納ケースに収納するようにしてもよい。
【符号の説明】
【００４４】
１  チャックテーブル
２  レーザー光線照射手段
５  分割機構
５１  保持手段
５１１  保持面
５１２  昇降機構
５２  吸引手段
５２１  吸引部材
５２１ｃ  吸引部
５２１ｄ  吸引領域
５２２  吸引源
５２３  ＸＹ軸移動手段
５２３ａ  アーム
５２４  結合部材
５２５  真空吸引経路
５２６  電磁弁
８  制御手段
１００  レーザー加工装置
Ｄ  デバイス
Ｄ１  デバイスチップ
Ｆ  環状フレーム
Ｋ  改質層
Ｌ  分割予定ライン
Ｔ  粘着テープ
Ｗ  ウェーハ
【図１】
2016119323.tif 000003
【図２】
2016119323.tif 000004
【図３】
2016119323.tif 000005
【図４】
2016119323.tif 000006
【図５】
2016119323.tif 000007
【図６】
2016119323.tif 000008
【図７】
2016119323.tif 000009
【図８】
2016119323.tif 000010
【図９】
2016119323.tif 000011