(57)【要約】【課題】白傷を抑制する。【解決手段】画素特性に影響がない領域に、ゲッタリング領域を有する。画素特性に影響がない領域は、高ドーズ量でイオン注入された領域である。高ドーズ量でイオン注入された領域とは、ソース、ドレイン部およびコンタクト部形成時にイオン注入された領域である。高ドーズ量は、1.0E14以上である。ゲッタリング領域を形成するドーズ量は、5.0E14以上である。ゲッタリング領域は、窒素（Ｎ）、フッ素（Ｆ）、炭素（Ｃ）、アルゴン（Ａｒ）、酸素（Ｏ）、これらの元素を含む分子イオン、またはこれらの元素を含むクラスターイオンである。本技術の一側面は、撮像素子に適用できる。【選択図】図７
2016119411.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素特性に影響がない領域に、ゲッタリング領域を有する
撮像素子。
【請求項２】
前記画素特性に影響がない領域は、高ドーズ量でイオン注入された領域である
請求項１に記載の撮像素子。
【請求項３】
前記高ドーズ量でイオン注入された領域とは、ソース、ドレイン部およびコンタクト部形成時にイオン注入された領域である
請求項２に記載の撮像素子。
【請求項４】
前記高ドーズ量は、1.0E14以上である
請求項２に記載の撮像素子。
【請求項５】
前記ゲッタリング領域を形成するドーズ量は、5.0E14以上である
請求項１に記載の撮像素子。
【請求項６】
前記ゲッタリング領域は、窒素（Ｎ）、フッ素（Ｆ）、炭素（Ｃ）、アルゴン（Ａｒ）、酸素（Ｏ）、これらの元素を含む分子イオン、またはこれらの元素を含むクラスターイオンである
請求項１に記載の撮像素子。
【請求項７】
画素特性に影響がない領域に、ゲッタリング領域を有する撮像素子を製造する
製造装置。
【請求項８】
前記画素特性に影響がない領域を、高ドーズ量でイオン注入された領域とし、その領域に、前記ゲッタリング領域を形成する
請求項７に記載の製造装置。
【請求項９】
前記高ドーズ量でイオン注入された領域は、ソース、ドレイン部およびコンタクト部形成時にイオン注入された領域である
請求項８に記載の製造装置。
【請求項１０】
前記高ドーズ量は、1.0E14以上である
請求項８に記載の製造装置。
【請求項１１】
前記ゲッタリング領域を形成するドーズ量は、5.0E14以上である
請求項７に記載の製造装置。
【請求項１２】
前記ゲッタリング領域を、窒素（Ｎ）、フッ素（Ｆ）、炭素（Ｃ）、アルゴン（Ａｒ）、酸素（Ｏ）、これらの元素を含む分子イオン、またはこれらの元素を含むクラスターイオンをイオン注入することで形成する
請求項７に記載の製造装置。
【請求項１３】
前記高ドーズ量でイオン注入した領域を形成する前または形成した後に、前記ゲッタリング領域を形成する
請求項７に記載の製造装置。
【請求項１４】
画素特性に影響がない領域に、ゲッタリング領域を形成するステップを含む
製造方法。
【請求項１５】
前記画素特性に影響がない領域を、高ドーズ量でイオン注入された領域とし、その領域に、前記ゲッタリング領域を形成するステップを含む
請求項１４に記載の製造方法。
【請求項１６】
前記高ドーズ量でイオン注入された領域は、ソース、ドレイン部およびコンタクト部形成時にイオン注入された領域である
請求項１５に記載の製造方法。
【請求項１７】
前記高ドーズ量を、1.0E14以上として、前記画素特性に影響がない領域を形成するステップを含む
請求項１５に記載の製造方法。
【請求項１８】
前記ドーズ量を、5.0E14以上として、前記ゲッタリング領域を形成するステップを含む
請求項１４に記載の製造方法。
【請求項１９】
前記ゲッタリング領域を、窒素（Ｎ）、フッ素（Ｆ）、炭素（Ｃ）、アルゴン（Ａｒ）、酸素（Ｏ）、これらの元素を含む分子イオン、またはこれらの元素を含むクラスターイオンをイオン注入することで形成する
請求項１４に記載の製造方法。
【請求項２０】
前記高ドーズ量でイオン注入した領域を形成する前または形成した後に、前記ゲッタリング領域を形成する
請求項１５に記載の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本技術は、撮像素子、製造装置、製造方法に関する。詳しくは、白傷の発生を抑制する撮像素子、製造装置、製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
撮像素子には、主に、CCD（Charge Coupled Device）とCMOS（Complementary MOS）が普及している。固体撮像素子であるCCDは、基板にゲッターサイトを有し、目的イオンの活性化や結晶回復の為の熱処理により白傷原因となる金属不純物が、ゲッターサイトにトラップされ、白傷を抑制する構成とされている。
【０００３】
一方CMOSイメージセンサは、CCDと比べ、原理的にスミアやブルーミングが発生しない事や消費電力が少ないというメリットがある。しかしながら、CMOSイメージセンサは、先端Logicを混載している為、熱処理温度を上げると目的不純物の熱拡散が悪影響を及ぼす為、熱処理温度を上げる事が困難である。その為、ゲッターサイトに金属不純物が拡散しづらく、CCDと比べ白傷が多く発生してしまう。
【０００４】
特許文献１では、エクステンション構造の不純物拡散層を形成するに際して、ポケット領域を形成する不純物としてアンチモン（Ｓｂ）をイオン注入した後、続いて拡散抑制物質である窒素（Ｎ）を、ゲート絶縁膜の界面近傍及びポケット領域の不純物が形成する電気的欠陥界面であるアモルファス／結晶界面の２箇所に濃度ピークを有するように注入し、エクステンション領域及び深いソース／ドレイン領域を形成するためのイオン注入を実行することが開示されている。
【０００５】
このようなことを実行することで、閾値電圧のロールオフ特性及び電流駆動能力を向上させ、ドレインリーク電流の低減を図りつつも、素子の微細化・高集積化することが提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特許第４２３６９９２号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
特許文献１には、白傷の発生を抑制するための提案はなされていない。しかしながら、白傷の発生を抑制することは、撮像素子の性能を向上させるために望まれている。また、目的不純物の熱拡散による悪影響を低減させ、熱処理温度を上げることができるようにすることも望まれている。
【０００８】
本技術は、このような状況に鑑みてなされたものであり、白傷の発生を抑制し、目的不純物の熱拡散による悪影響を低減させることができるようにするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本技術の一側面の撮像素子は、画素特性に影響がない領域に、ゲッタリング領域を有する。
【００１０】
前記画素特性に影響がない領域は、高ドーズ量でイオン注入された領域であるようにすることができる。
【００１１】
前記高ドーズ量でイオン注入された領域とは、ソース、ドレイン部およびコンタクト部形成時にイオン注入された領域であるようにすることができる。
【００１２】
前記高ドーズ量は、1.0E14以上であるようにすることができる。
【００１３】
前記ゲッタリング領域を形成するドーズ量は、5.0E14以上であるようにすることができる。
【００１４】
前記ゲッタリング領域は、窒素（Ｎ）、フッ素（Ｆ）、炭素（Ｃ）、アルゴン（Ａｒ）、酸素（Ｏ）、これらの元素を含む分子イオン、またはこれらの元素を含むクラスターイオンであるようにすることができる。
【００１５】
本技術の一側面の製造装置は、画素特性に影響がない領域に、ゲッタリング領域を有する撮像素子を製造する。
【００１６】
前記画素特性に影響がない領域を、高ドーズ量でイオン注入された領域とし、その領域に、前記ゲッタリング領域を形成するようにすることができる。
【００１７】
前記高ドーズ量でイオン注入された領域は、ソース、ドレイン部およびコンタクト部形成時にイオン注入された領域であるようにすることができる。
【００１８】
前記高ドーズ量は、1.0E14以上であるようにすることができる。
【００１９】
前記ゲッタリング領域を形成するドーズ量は、5.0E14以上であるようにすることができる。
【００２０】
前記ゲッタリング領域を、窒素（Ｎ）、フッ素（Ｆ）、炭素（Ｃ）、アルゴン（Ａｒ）、酸素（Ｏ）、これらの元素を含む分子イオン、またはこれらの元素を含むクラスターイオンをイオン注入することで形成するようにすることができる。
【００２１】
前記高ドーズ量でイオン注入した領域を形成する前または形成した後に、前記ゲッタリング領域を形成するようにすることができる。
【００２２】
本技術の一側面の製造方法は、画素特性に影響がない領域に、ゲッタリング領域を形成するステップを含む。
【００２３】
前記画素特性に影響がない領域を、高ドーズ量でイオン注入された領域とし、その領域に、前記ゲッタリング領域を形成するステップを含むようにすることができる。
【００２４】
前記高ドーズ量でイオン注入された領域は、ソース、ドレイン部およびコンタクト部形成時にイオン注入された領域であるようにすることができる。
【００２５】
前記高ドーズ量を、1.0E14以上として、前記画素特性に影響がない領域を形成するステップを含むようにすることができる。
【００２６】
前記ドーズ量を、5.0E14以上として、前記ゲッタリング領域を形成するステップを含むようにすることができる。
【００２７】
前記ゲッタリング領域を、窒素（Ｎ）、フッ素（Ｆ）、炭素（Ｃ）、アルゴン（Ａｒ）、酸素（Ｏ）、これらの元素を含む分子イオン、またはこれらの元素を含むクラスターイオンをイオン注入することで形成するようにすることができる。
【００２８】
前記高ドーズ量でイオン注入した領域を形成する前または形成した後に、前記ゲッタリング領域を形成するようにすることができる。
【００２９】
本技術の一側面の撮像素子においては、画素特性に影響がない領域に、ゲッタリング領域が設けられている。
【００３０】
本技術の一側面の製造装置および製造方法においては、画素特性に影響がない領域に、ゲッタリング領域を有する撮像素子が製造される。
【発明の効果】
【００３１】
本技術の一側面によれば、白傷の発生を抑制し、目的不純物の熱拡散による悪影響を低減させることが可能となる。
【００３２】
なお、ここに記載された効果は必ずしも限定されるものではなく、本開示中に記載されたいずれかの効果であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】熱処理について説明するための図である。
【図２】白傷とドーズ量の関係について説明するための図である。
【図３】撮像素子の製造について説明するための図である。
【図４】撮像素子の製造について説明するための図である。
【図５】撮像素子の製造について説明するための図である。
【図６】熱拡散について説明するための図である。
【図７】熱拡散の抑制について説明するための図である。
【図８】ゲッタリング領域の形成位置について説明するための図である。
【図９】ゲッタリング領域の形成位置について説明するための図である。
【図１０】形成されたゲッタリング領域について説明するための図である。
【図１１】撮像装置の構成について説明するための図である。
【図１２】撮像素子の使用例について説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００３４】
以下に、本技術を実施するための形態（以下、実施の形態という）について説明する。なお、説明は、以下の順序で行う。
１．白傷について
２．撮像素子の製造
３．撮像装置の構成
４．撮像素子の使用例
【００３５】
＜白傷について＞
以下に説明する本技術は、CCD（Charge Coupled Device）やCMOS（Complementary MOS）といった撮像素子に適用できる。CCDは、基板にゲッターサイトを有し、目的イオンの活性化や結晶回復の為の熱処理により白傷原因となる金属不純物が、ゲッターサイトにトラップされ、白傷を抑制する構成にされている。
【００３６】
一方CMOSイメージセンサは、CCDと比べ、原理的にスミアやブルーミングが発生しない事や消費電力が少ないというメリットがある。しかしながら、CMOSイメージセンサにおいて、先端Logicを混載している為熱処理温度を上げると目的不純物の熱拡散が悪影響を及ぼす為、熱処理温度を上げる事が困難である。その為、ゲッターサイトへ金属不純物が拡散しづらく、CCDと比べ白傷が多く発生してしまう。
【００３７】
図１は、CCDとCMOSの熱履歴を比較するための図である。図１の上図は、CCDの熱履歴を表し、下図は、CMOSの熱履歴を表す。図１において、横軸は、プロセスフロー順を表し、縦軸は、熱処理温度を表す。図１は、CCDまたはCMOSを製造するプロセスフローにおいて、どの程度の熱が加えられて処理されるのかを表す図である。
【００３８】
図１から、CCDの方がCMOSよりも、熱を加えられる処理工程が多いことが読み取れる。仮に、CMOSのプロセスフローにおいて熱を加える処理を、CCDと同等に行った場合、上記したように、目的不純物の熱拡散が発生し、悪影響、例えば、白傷の原因となる可能性がある。
【００３９】
白傷とは、撮像装置（カメラ）で真っ暗闇を撮影したときに、白い傷のようなものが見えることがあり、そのような欠陥のことである。
【００４０】
以下に説明する撮像素子の製造工程によれば、白傷などの原因を取り除き、熱を加える処理工程を増やすことができる。以下に説明する撮像素子の製造工程では、窒素（Ｎ）を注入する処理が含まれる。窒素を注入することで、白傷の発生を抑制できることは、本出願人が確認しており、その結果を、図２に示す。
【００４１】
図２は、白傷の窒素ドーズ依存を表すグラフであり、横軸が、窒素の注入量を表し、縦軸が、白傷の個数を表す。図２では、窒素（Ｎ）を注入せずに撮像素子を製造したときの白傷の個数、窒素のドーズ量を１Ｅ１３として撮像素子を製造したときの白傷の個数、窒素のドーズ量を５Ｅ１４として撮像素子を製造したときの白傷の個数、窒素のドーズ量を１Ｅ１６として撮像素子を製造したときの白傷の個数をそれぞれグラフ化している。
【００４２】
図２から、窒素のドーズ量を５Ｅ１４以上として撮像素子を製造することで、白傷の個数が減少することが確認できる。このように、白傷の発生を抑制する撮像素子の製造について、図３以降を参照して説明する。
【００４３】
＜撮像素子の製造＞
図３を参照し、撮像素子の形成、特に、撮像素子を構成するトランジスタの形成について説明する。工程Ｓ１において、Ｐ型基板（シリコン基板）１０１上に薄いゲート酸化膜１０２が成膜される。工程Ｓ２において、形成されたゲート酸化膜１０２上に、ゲート電極用のポリシリコン１０３の膜が成膜される。
【００４４】
工程Ｓ３において、ゲート電極形成のためのマスク１０４がレジストで形成される。そして、工程Ｓ４において、エッチングによりゲート電極が形成される。
【００４５】
工程Ｓ５において、センサー部１０６を形成するためマスク１０５がレジストで形成される。例えば、全面にフォトレジストが塗布され、フォトリソグラフィーにより塗布されたフォトレジストが加工され、センサー部１０６を形成する部分のみが開口されたレジストマスク１０５が形成される。
【００４６】
センサー部１０６は、Ｎ型領域１０７とＰ型領域１０８とから構成されている。Ｎ型領域１０７は、例えば、リン（Ｐ）または砒素（ＡＳ）がイオン注入されることで形成される。Ｐ型領域１０８は、ホウ素（Ｂ）やＢＦ２などのホウ素（Ｂ）を含有するイオンが注入されることで形成される。
【００４７】
次にサイドウォールが形成される。まず工程Ｓ６において、サイドウォール用の熱酸化膜１０９が、ゲート酸化膜１０２やゲート電極１０３上に成膜される。工程Ｓ７において、サイドウォールを形成するためのマスク１１０がレジストで形成される。工程Ｓ８において、例えば、DRYエッチングにより、サイドウォールが形成される。
【００４８】
サイドウォールが形成された後、ドレイン部が形成される。まず工程Ｓ９（図５）において、ドレイン部形成のためのマスク１１１が形成される。工程Ｓ１０において、ドレイン部１１２が形成される。ドレイン部１１２は、ｎ型不純物（適宜、目的不純物と記述する）として、リン（Ｐ）または砒素（ＡＳ）がイオン注入されることで形成される。
【００４９】
工程Ｓ１１において、ゲッタリング領域１１３が形成される。ゲッタリング領域１１３は、窒素（Ｎ）がイオン注入されることで形成される。注入される窒素のドーズ量は、図２を参照して説明したように、5.0E14以上が良い。その後、1100℃の短時間アニールにて、ドレイン部１１２が形成される。
【００５０】
このようにして撮像素子が製造される。なお、転送トランジスタやリセットトランジスタ等の撮像素子を構成する他の部分は、上記した工程で製造されたり、この後の工程として製造されたりする。
【００５１】
ここで、図６を参照する。図６は、窒素の注入を行わず（工程Ｓ１１の処理を行わず）、ゲッタリング領域１１３を形成せずに、アニール処理を行ったときの状態を表している。ゲッタリング領域１１３を設けずに、アニール処理のような熱処理を行った場合、ドレイン部１１２（Ｎ型領域）内の不純物が、Ｐ型基板１０１内に拡散してしまう。
【００５２】
すなわち、アニール処理は、不純物活性化の為の熱処理であるが、熱処理が行われることで、目的不純物の拡散が起こる可能性がある。このことは、撮像素子の特性の悪化を引き起こす。特性の悪化とは、例えば、白傷の原因となってしまうことである。
【００５３】
そこで、工程Ｓ１１において、窒素を注入し、ゲッタリング領域１１３を形成することで、不純物の拡散を抑制する。図７は、ゲッタリング領域１１３を形成した後に、アニール処理を行った場合の状態を表している。
【００５４】
図７に示すように、ゲッタリング領域１１３を形成することで、アニール処理時に、ドレイン部１１２での不純物の拡散は、ゲッタリング領域１１３により抑制される。また、センサー部１０６を形成するＮ型領域１０７からも、不純物が拡散する可能性があるが、Ｎ型領域１０７からの不純物は、ゲッタリング領域１１３により捕らえられ、Ｎ型領域１０７からの不純物による悪影響も抑制することが可能となる。
【００５５】
このように、ゲッタリング領域１１３を形成することで、熱処理時に不純物の拡散を抑制することができ、また、不純物が拡散しても、その拡散した不純物をゲッタリング領域１１３で捕らえることができるため、熱処理時に不純物が拡散し、撮像素子の性能に悪影響を及ぼすようなことを抑制することができる。
【００５６】
なおここでは、窒素（Ｎ）を注入することでゲッタリング領域１１３を形成したが、窒素（Ｎ）の他、カーボン（Ｃ）、フッ素（Ｆ）、酸素（Ｏ）、アルゴン（Ａｒ）などがイオン注入されることで、ゲッタリング領域１１３が形成されるようにしても良い。また、分子イオンやクラスターイオンなどでも良い。
【００５７】
また窒素（Ｎ）は、単イオン（Ｎ）で注入しても良いが、分子イオン（Ｎ２）でも良い。窒素の単イオン（Ｎ）よりも、分子イオン（Ｎ２）の方が、生産性が高くなり、ダメージが少なくなり、金属不純物をゲッタリングする領域を形成しやすい傾向にあるため、分子イオンが注入されることで、ゲッタリング領域１１３が形成されるようにしても良い。
【００５８】
図５の工程Ｓ１１または図７に示したように、窒素の深さＲｐ（ゲッタリング領域１１３の深さ）は、目的不純物の深さＲｐ（ドレイン部１１２の深さ）と同じ深さになるように注入される。または、図８に示すように、目的不純物（ドレイン部１１２）を覆うように深めの位置に、窒素が注入され、ゲッタリング領域１１３’が形成されても良い。
【００５９】
または図９に示すように、電気的特性（画素特性）に影響を及ぼさない部位であれば、深い所に金属不純物をゲッタリングするゲッタリング領域１１３”が形成されるようにしても良い。電気的特性（画素特性）に影響を与えない領域とは、例えば、ソース、ドレイン部、コンタクト部などの1.0E14以上の高いドーズ量注入領域である。
【００６０】
また図示はしないが、複数回に分けて窒素の注入を行い、目的不純物（この場合、ドレイン部１１２）を囲うようにゲッタリング領域１１３が形成されるようにしても良い。
【００６１】
このような画素特性に影響を与えない領域に選択的にゲッタリング領域１１３を形成でき、白傷の発生を抑制することができる。
【００６２】
ここでは、工程Ｓ１０（図５）において、リン（Ｐ）または砒素（ＡＳ）がイオン注入されることでドレイン部１１２が形成され、その後、工程Ｓ１１でゲッタリング領域１１３を形成するために窒素が注入されるとしたが、窒素が注入された後、リン（Ｐ）または砒素（ＡＳ）がイオン注入されるようにしても良い。
【００６３】
換言すれば、工程Ｓ１０と工程Ｓ１１は、順序を入れ替えても良い。さらに換言すれば、目的不純物の先に窒素を注入しても良いし、窒素を注入した後に目的不純物を注入するようにしても良い。窒素の注入を、目的不純物の注入後に行っても、上記した効果は得られる。
【００６４】
ゲッタリング領域１１３を形成時に用いる注入装置は、質量分離を用いた汎用イオン注入装置だけではなく、プラズマドーピング装置を用いても良く、プラズマドーピング装置によるイオン注入で形成されるようにしても良い。
【００６５】
メタルコンタミ成分をゲッタリングする為には温度が高く、時間の長いアニール処理が望ましい。熱処理条件はデバイスに依存するところである。本技術によれば、ゲッタリング領域１１３を設けることで、熱拡散による悪影響を抑制することができるため、アニール処理の時間を長くすることができる。また、他の処理フローにおいても、熱処理を新たに加えたり、時間を長くしたりすることも可能となり、撮像素子の製造時の自由度を向上させ、撮像素子の性能も向上させることが可能となる。
【００６６】
図１０は、ゲッタリング領域１１３を形成した基板と、形成していない基板を、それぞれ撮影したときの画像を示す。図１０に示した画像は、STEM解析で断面を比較したときの画像である。図１０の上図は、窒素注入がない場合の基板断面の画像であり、下図は、窒素注入ありの場合の基板断面の画像である。
【００６７】
まず図１０の上図を参照するに、窒素注入がない場合には、注入飛程付近に発生する欠陥であるEnd of Range欠陥のみが確認できる。図１０の下図を参照するに、窒素（Ｎ２＋Ｐ）注入がある場合には、End of Range欠陥だけでなく、最表面にゲッタリング領域１１３が形成されているのが確認できる。
【００６８】
このように、ゲッタリング領域１１３が形成されることで、不純物の拡散を抑制でき、トランジスタのショートチャネルを防止し、窒素先打ちでチャネリング成分の深さ方向の拡がりを抑制でき、最表面にゲッタリング領域１１３を形成することでメタルゲッタリングを行うことができるようになる。またこれらの効果はトランジスタ素子の抵抗特性を損なうことなく得られる効果である。
【００６９】
＜撮像装置の構成＞
上記した撮像素子は、デジタルスチルカメラやビデオカメラ等の撮像装置や、携帯電話機などの撮像機能を有する携帯端末装置や、画像読取部に撮像装置を用いる複写機など、画像取込部（光電変換部）に撮像素子を用いる電子機器全般に対して適用可能である。
【００７０】
図１１は、本技術に係る電子機器、例えば撮像装置の構成の一例を示すブロック図である。図１１に示すように、本技術に係る撮像装置５００は、レンズ群５０１等を含む光学系、撮像素子（撮像デバイス）５０２、ＤＳＰ回路５０３、フレームメモリ５０４、表示装置５０５、記録装置５０６、操作系５０７および電源系５０８等を有する。そして、ＤＳＰ回路５０３、フレームメモリ５０４、表示装置５０５、記録装置５０６、操作系５０７および電源系５０８がバスライン５０９を介して相互に接続されている。
【００７１】
レンズ群５０１は、被写体からの入射光（像光）を取り込んで撮像素子５０２の撮像面上に結像する。撮像素子５０２は、レンズ群５０１によって撮像面上に結像された入射光の光量を画素単位で電気信号に変換して画素信号として出力する。
【００７２】
表示装置５０５は、液晶表示装置や有機ＥＬ（electro luminescence）表示装置等のパネル型表示装置からなり、撮像素子５０２で撮像された動画または静止画を表示する。記録装置５０６は、撮像素子５０２で撮像された動画または静止画を、ＤＶＤ（Digital Versatile Disk）、ＨＤＤ（Hard disk drive）等の記録媒体に記録する。
【００７３】
操作系５０７は、ユーザによる操作の下に、本撮像装置が持つ様々な機能について操作指令を発する。電源系５０８は、ＤＳＰ回路５０３、フレームメモリ５０４、表示装置５０５、記録装置５０６および操作系５０７の動作電源となる各種の電源を、これら供給対象に対して適宜供給する。
【００７４】
上記の構成の撮像装置は、ビデオカメラやデジタルスチルカメラ、さらには携帯電話機等のモバイル機器向けカメラモジュールなどの撮像装置として用いることができる。そして、当該撮像装置において、撮像素子５０２として、上述した撮像素子を用いることができる。
【００７５】
＜撮像素子の使用例＞
【００７６】
図１２は、上述の撮像素子や撮像素子を含む撮像装置を使用する使用例を示す図である。
【００７７】
上述した撮像素子は、例えば、以下のように、可視光や、赤外光、紫外光、Ｘ線等の光をセンシングする様々なケースに使用することができる。
【００７８】
・ディジタルカメラや、カメラ機能付きの携帯機器等の、鑑賞の用に供される画像を撮影する装置
・自動停止等の安全運転や、運転者の状態の認識等のために、自動車の前方や後方、周囲、車内等を撮影する車載用センサ、走行車両や道路を監視する監視カメラ、車両間等の測距を行う測距センサ等の、交通の用に供される装置
・ユーザのジェスチャを撮影して、そのジェスチャに従った機器操作を行うために、TVや、冷蔵庫、エアーコンディショナ等の家電に供される装置
・内視鏡や、赤外光の受光による血管撮影を行う装置等の、医療やヘルスケアの用に供される装置
・防犯用途の監視カメラや、人物認証用途のカメラ等の、セキュリティの用に供される装置
・肌を撮影する肌測定器や、頭皮を撮影するマイクロスコープ等の、美容の用に供される装置
・スポーツ用途等向けのアクションカメラやウェアラブルカメラ等の、スポーツの用に供される装置
・畑や作物の状態を監視するためのカメラ等の、農業の用に供される装置
【００７９】
なお、本明細書に記載された効果はあくまで例示であって限定されるものでは無く、また他の効果があってもよい。
【００８０】
なお、本技術の実施の形態は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、本技術の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能である。
【００８１】
なお、本技術は以下のような構成も取ることができる。
【００８２】
（１）
画素特性に影響がない領域に、ゲッタリング領域を有する
撮像素子。
（２）
前記画素特性に影響がない領域は、高ドーズ量でイオン注入された領域である
前記（１）に記載の撮像素子。
（３）
前記高ドーズ量でイオン注入された領域とは、ソース、ドレイン部およびコンタクト部形成時にイオン注入された領域である
前記（２）に記載の撮像素子。
（４）
前記高ドーズ量は、1.0E14以上である
前記（２）または（３）に記載の撮像素子。
（５）
前記ゲッタリング領域を形成するドーズ量は、5.0E14以上である
前記（１）乃至（４）のいずれかに記載の撮像素子。
（６）
前記ゲッタリング領域は、窒素（Ｎ）、フッ素（Ｆ）、炭素（Ｃ）、アルゴン（Ａｒ）、酸素（Ｏ）、これらの元素を含む分子イオン、またはこれらの元素を含むクラスターイオンである
前記（１）乃至（５）のいずれかに記載の撮像素子。
（７）
画素特性に影響がない領域に、ゲッタリング領域を有する撮像素子を製造する
製造装置。
（８）
前記画素特性に影響がない領域を、高ドーズ量でイオン注入された領域とし、その領域に、前記ゲッタリング領域を形成する
前記（７）に記載の製造装置。
（９）
前記高ドーズ量でイオン注入された領域は、ソース、ドレイン部およびコンタクト部形成時にイオン注入された領域である
前記（８）に記載の製造装置。
（１０）
前記高ドーズ量は、1.0E14以上である
前記（８）または（７）に記載の製造装置。
（１１）
前記ゲッタリング領域を形成するドーズ量は、5.0E14以上である
前記（７）乃至（１０）のいずれかに記載の製造装置。
（１２）
前記ゲッタリング領域を、窒素（Ｎ）、フッ素（Ｆ）、炭素（Ｃ）、アルゴン（Ａｒ）、酸素（Ｏ）、これらの元素を含む分子イオン、またはこれらの元素を含むクラスターイオンをイオン注入することで形成する
前記（７）乃至（１１）のいずれかに記載の製造装置。
（１３）
前記高ドーズ量でイオン注入した領域を形成する前または形成した後に、前記ゲッタリング領域を形成する
前記（７）乃至（１２）のいずれかに記載の製造装置。
（１４）
画素特性に影響がない領域に、ゲッタリング領域を形成するステップを含む
製造方法。
（１５）
前記画素特性に影響がない領域を、高ドーズ量でイオン注入された領域とし、その領域に、前記ゲッタリング領域を形成するステップを含む
前記（１４）に記載の製造方法。
（１６）
前記高ドーズ量でイオン注入された領域は、ソース、ドレイン部およびコンタクト部形成時にイオン注入された領域である
前記（１５）に記載の製造方法。
（１７）
前記高ドーズ量を、1.0E14以上として、前記画素特性に影響がない領域を形成するステップを含む
前記（１５）または（１６）に記載の製造方法。
（１８）
前記ドーズ量を、5.0E14以上として、前記ゲッタリング領域を形成するステップを含む
前記（１４）乃至（１７）のいずれかに記載の製造方法。
（１９）
前記ゲッタリング領域を、窒素（Ｎ）、フッ素（Ｆ）、炭素（Ｃ）、アルゴン（Ａｒ）、酸素（Ｏ）、これらの元素を含む分子イオン、またはこれらの元素を含むクラスターイオンをイオン注入することで形成する
前記（１４）乃至（１８）のいずれかに記載の製造方法。
（２０）
前記高ドーズ量でイオン注入した領域を形成する前または形成した後に、前記ゲッタリング領域を形成する
前記（１５）乃至（１８）のいずれかに記載の製造方法。
【符号の説明】
【００８３】
１０１  Ｐ型基板，  １０２  ゲート酸化膜，  １０３  ポリシリコン，  １０４  マスク，  １０５  マスク，  １０６  センサー部，  １０７  Ｎ型領域，  １０８  Ｐ型領域，  １０９  熱酸化膜，  １１０  マスク，  １１１  マスク，  １１２  ドレイン部，  １１３  ゲッタリング領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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