(57)【要約】【課題】大気中の水分が基板とシール材との界面を通過して液晶層の中に侵入し、表示品位の低下を招くことを抑制すること。【解決手段】画素電極１２が配置された素子基板本体１１と、画素電極１２を覆うように配置された第１配向層４１と、共通電極２３が配置された対向基板本体２１と、共通電極２３を覆うように配置された第２配向層４２と、素子基板本体１１と対向基板本体２１との間に配置され、画素電極１２が配置された領域を囲むように設けられたシール材５２と、シール材５２で囲まれた領域に配置された液晶層５０と、を含み、対向基板本体２１の側から素子基板本体１１の側を見たとき、画素電極が配置された領域を表示領域Ｖ、及びシール材５２が設けられた領域をシール領域Ｈ３とし、第１配向層４１の表面及び第２配向層４２の表面の少なくとも一方は、表示領域Ｖと比べてシール領域Ｈ３で水との親和性が高いことを特徴とする。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素電極が配置された第１基板と、
前記画素電極を覆うように配置された第１配向層と、
前記第１基板に対向し、共通電極が配置された第２基板と、
前記共通電極を覆うように配置された第２配向層と、
前記第１基板と前記第２基板との間に配置され、前記画素電極が配置された領域を囲むように設けられたシール材と、
前記シール材で囲まれた領域に配置された電気光学層と、
を含み、
前記第２基板の側から前記第１基板の側を見たとき、前記画素電極が配置された領域を第１領域、及び前記シール材が設けられた領域を第２領域とし、
前記第１配向層の表面及び前記第２配向層の表面の少なくとも一方は、前記第１領域と比べて前記第２領域で水との親和性が高いことを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記第１領域と前記第２領域との間に第３領域を有し、前記第１配向層の表面及び前記第２配向層の表面の少なくとも一方は、前記第１領域、前記第３領域、前記第２領域の順に水との親和性が高いことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記第１領域と前記第２領域との間に第３領域を有し、前記第１配向層の表面及び前記第２配向層の表面の少なくとも一方は、前記第２領域及び前記第３領域で水との親和性が同じであることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記第１配向層は、第３配向層と、前記第３配向層を覆い前記第３配向層よりも水との親和性が低い第４配向層とを含み、
前記第２領域の前記第１配向層は前記第３配向層で構成され、前記第１領域の前記第１配向層は前記第３配向層と前記第４配向層とで構成されることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記第１配向層は、第３配向層と、前記第３配向層を覆い前記第３配向層よりも水との親和性が低い第４配向層と、前記第３配向層を覆い前記第３配向層よりも水との親和性が低く前記第４配向層よりも水との親和性が高い第５配向層と、を含み、
前記第２領域の前記第１配向層は前記第３配向層で構成され、前記第１領域の前記第１配向層は前記第３配向層と前記第４配向層とで構成され、前記第３領域の前記第１配向層は前記第３配向層と前記第５配向層とで構成されることを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記第２配向層は、第６配向層と、前記第６配向層を覆い前記第６配向層よりも水との親和性が低い第７配向層とを含み、
前記第２領域の前記第２配向層は前記第６配向層で構成され、前記第１領域の前記第２配向層は前記第６配向層と前記第７配向層とで構成されることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記２配向層は、第６配向層と、前記第６配向層を覆い前記第６配向層よりも水との親和性が低い第７配向層と、前記第６配向層を覆い前記第６配向層よりも水との親和性が低く前記第７配向層よりも水との親和性が高い第８配向層と、を含み、
前記第２領域の前記第２配向層は前記第６配向層で構成され、前記第１領域の前記第２配向層は前記第６配向層と前記第７配向層とで構成され、前記第３領域の前記第２配向層は前記第６配向層と前記第８配向層とで構成されることを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置。
【請求項８】
基板と、
前記基板を覆うように配置される配向層と、
を含み、
前記配向層のシール材と重なる領域である第２領域の表面は、前記配向層の前記第２領域の内側の領域である第１領域の表面よりも、水との親和性が高いことを特徴とする電気光学装置。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか１項に記載の電気光学装置を有していることを特徴とする電子機器。
【請求項１０】
画素電極と前記画素電極を覆う第１配向層とを有する第１基板と、共通電極と前記共通電極を覆う第２配向層とを有する第２基板とが、前記画素電極が配置された領域を囲むように設けられたシール材を介して接着され、前記シール材で囲まれた領域に電気光学層が配置された電気光学装置の製造方法であって、
前記第２基板の側から前記第１基板の側を見たとき、前記画素電極が配置された領域を第１領域、及び前記シール材が設けられた領域を第２領域としたとき、
前記第１領域及び前記第２領域を覆うように、第３配向層を前記第１基板に形成する工程と、
前記第３配向層の表面を覆い、前記第３配向層よりも水との親和性が低い第４配向層を形成する工程と、
前記第２領域に光を照射し、前記第２領域の前記第４配向層を除去する工程と、
を含むことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１１】
前記第１領域と前記第２領域との間に第３領域を有し、
前記第４配向層を除去する工程で照射する光よりも単位面積当たりのエネルギー密度が低い光を、前記第３領域の前記第４配向層に照射して、前記第３領域の前記第４配向層を前記第４配向層よりも水との親和性が高い第５配向層に変換することを特徴とする請求項１０に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１２】
画素電極と前記画素電極を覆う第１配向層とを有する第１基板と、共通電極と前記共通電極を覆う第２配向層とを有する第２基板とが、前記画素電極が配置された領域を囲むように設けられたシール材を介して接着され、前記シール材で囲まれた領域に電気光学層が配置された電気光学装置の製造方法であって、
前記第２基板の側から前記第１基板の側を見たとき、前記画素電極が配置された領域を第１領域、及び前記シール材が設けられた領域を第２領域としたとき、
前記第１領域及び前記第２領域を覆うように、第６配向層を前記第２基板に形成する工程と、
前記第６配向層の表面を覆い、前記第６配向層よりも水との親和性が低い第７配向層を形成する工程と、
前記第２領域に光を照射し、前記第２領域の前記第７配向層を除去する工程と、
を含むことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１３】
前記第１領域と前記第２領域との間に第３領域を有し、
前記第７配向層を除去する工程で照射する光よりも単位面積当たりのエネルギー密度が低い光を前記第３領域に照射し、前記第３領域の前記第７配向層を前記第７配向層よりも水との親和性が高い第８配向層に変換することを特徴とする請求項１２に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１４】
前記光は、波長が１８０ｎｍ〜４００ｎｍの紫外線であることを特徴とする請求項１０乃至１３のいずれか１項に記載の電気光学装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置、当該電気光学装置を搭載した電子機器、及び当該電気光学装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
画素電極がマトリックス状に配置された表示領域を有する液晶装置は、例えばプロジェクターなどの光変調装置（ライトバルブ）に使用されている。当該液晶装置では、一対の基板がシール材によって所定の間隙を有するように貼り合わされ、シール材で囲まれた領域に液晶が封入（充填）されている。当該液晶装置を駆動すると、一対の基板のそれぞれの近傍で液晶に一方向の流れ（フロー）が生じ、液晶中に混入したイオン性不純物も液晶と一緒に移動する。イオン性不純物が液晶と一緒に移動し、表示領域の特定箇所に偏在すると、焼き付きなどの表示不具合を招くおそれがあった。
【０００３】
このイオン性不純物の偏在を抑制するために、例えば特許文献１の方法が提案されている。特許文献１では、表示領域の周辺に複数の電極を隣接して設け、隣接する電極の電位を変化させて横方向の電界を発生させ、当該横方向の電界によって、イオン性不純物を表示領域内から表示領域外にすばやく移動させることで、表示領域におけるイオン性不純物の偏在を抑制できるとしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−５８４９７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１の方法では、大気中の水分（湿気）が基板とシール材との界面を通過して液晶の中に混入（侵入）すると、イオン性不純物を表示領域内から表示領域外に移動させることが難しくなるという課題を有していた。
【０００６】
詳しくは、シール材はアクリル樹脂やエポキシ樹脂などの有機材料で構成され、例えばハーメチンクシールなどの方法と比べて、基板とシール材との界面を通過して大気中の水分（湿気）が液晶の中に混入（侵入）しやすい。仮に、液晶の中に水分が侵入すると、水分は表示領域の親水性の高い部分に吸着しやすい。水分が表示領域の親水性の高い部分に吸着すると、液晶中のイオン性不純物を引き寄せ、イオン性不純物をトラップする。イオン性不純物が、表示領域の水分が吸着した部分にトラップされると、表示領域の周辺に設けられた横方向の電界によって、イオン性不純物を表示領域内から表示領域外に排出することが難しくなる。従って、イオン性不純物が偏在するようになり、イオン性不純物が偏在した部分で、焼き付きなどの表示品位の低下を招くおそれがあった。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【０００８】
［適用例１］本適用例に係る電気光学装置は、画素電極が配置された第１基板と、前記画素電極を覆うように配置された第１配向層と、前記第１基板に対向し、共通電極が配置された第２基板と、前記共通電極を覆うように配置された第２配向層と、前記第１基板と前記第２基板との間に配置され、前記画素電極が配置された領域を囲むように設けられたシール材と、前記シール材で囲まれた領域に配置された電気光学層と、を含み、前記第２基板の側から前記第１基板の側を見たとき、前記画素電極が配置された領域を第１領域、及び前記シール材が設けられた領域を第２領域とし、前記第１配向層の表面及び前記第２配向層の表面の少なくとも一方は、前記第１領域と比べて前記第２領域で水との親和性が高いことを特徴とする
【０００９】
本適用例に係る電気光学装置では、第１基板と第２基板との間にシール材が配置され、第１基板の第１配向層と第２基板の第２配向層とがシール材で接着され、シール材で囲まれた領域の内側に電気光学層が配置（密封）されている。第１領域（画素電極が配置された領域）は表示がなされる表示領域となり、第２領域はシール材が配置されるシール領域となる。
【００１０】
シール領域の第１配向層の表面、つまりシール材と接する第１配向層が、表示領域の第１配向層の表面よりも水との親和性が高くなると、シール材と第１配向層との界面を介して侵入しようとする水分（湿気）は、水との親和性が高い部分の第１配向層に拘束（トラップ）され、シール材で囲まれた領域の内側に侵入しにくくなる。シール領域の第２配向層の表面、つまりシール材と接する第２配向層が、表示領域の第２配向層の表面よりも水との親和性が高くなると、シール材と第２配向層との界面を介して侵入しようとする水分（湿気）は、水との親和性が高い部分に拘束（トラップ）され、シール材で囲まれた領域の内側に侵入しにくくなる。
【００１１】
第１配向層の表面及び第２配向層の表面の少なくとも一方は、表示領域と比べてシール領域で水との親和性が高くなっているので、第１配向層とシール材との界面を介して侵入しようとする水分、及び第２配向層とシール材との界面を介して侵入しようとする水分の少なくとも一方は、水との親和性が高くなった部分（第１配向層の表面及び第２配向層の表面の少なくとも一方）にトラップされ、シール材で囲まれた領域の内側、つまり電気光学層の中に侵入しにくくなる。
従って、電気光学層への水分侵入が抑制されるので、電気光学層への水分侵入による悪影響、すなわち電気光学装置の表示品位の低下を抑制し、電気光学装置の表示品位を高めることができる。
【００１２】
［適用例２］上記適用例に記載の電気光学装置において、前記第１領域と前記第２領域との間に第３領域を有し、前記第１配向層の表面及び前記第２配向層の表面の少なくとも一方は、前記第１領域、前記第３領域、前記第２領域の順に水との親和性が高いことが好ましい。
【００１３】
表示領域（第１領域）とシール領域（第２領域）との間に、第３領域が配置され、第１配向層の表面及び第２配向層の表面の少なくとも一方は、表示領域からシール領域に向かう方向に水との親和性が高くなり、シール領域から表示領域に向かう方向に水との親和性が低くなっている。
よって、第１配向層とシール材との界面を介して侵入しようとする水分、及び第２配向層とシール材との界面を介して侵入しようとする水分の少なくとも一方は、シール領域の水との親和性が高くなった部分（第１配向層の表面及び第２配向層の表面の少なくとも一方）にトラップされ、シール材で囲まれた領域の内側、つまり電気光学層の中に侵入しにくくなる。
【００１４】
さらに、電気光学層の中の水分を、表示領域からシール領域に向かう方向に移動（排出）させやすい。つまり、表示領域の電気光学層の中の水分をシール領域に向かう方向に移動（排出）させ、表示領域の電気光学層の中の水分の表示への悪影響を弱めることができる。
【００１５】
［適用例３］上記適用例に記載の電気光学装置において、前記第１領域と前記第２領域との間に第３領域を有し、前記第１配向層の表面及び前記第２配向層の表面の少なくとも一方は、前記第２領域及び前記第３領域で水との親和性が同じであることが好ましい。
【００１６】
表示領域（第１領域）とシール領域（第２領域）との間に、第３領域が配置され、第１配向層の表面及び第２配向層の表面の少なくとも一方は、第１領域よりも水との親和性が高く、第３領域及び第２領域で水との親和性が同じある。
よって、第１配向層とシール材との界面を介して侵入しようとする水分、及び第２配向層とシール材との界面を介して侵入しようとする水分の少なくとも一方は、シール領域の水との親和性が高くなった部分（第１配向層の表面及び第２配向層の表面の少なくとも一方）にトラップされ、シール材で囲まれた領域の内側、つまり電気光学層の中に侵入しにくくなる。
【００１７】
仮に、配向層とシール材との界面を介して電気光学層に水分が侵入したとしても、当該水分は、第３領域の水との親和性が高くなった部分（第１配向層の表面及び第２配向層の表面の少なくとも一方）にトラップされ、表示領域に侵入しにくくなり、水分の表示への悪影響をさらに弱めることができる。
【００１８】
［適用例４］上記適用例に記載の電気光学装置において、前記第１配向層は、第３配向層と、前記第３配向層を覆い前記第３配向層よりも水との親和性が低い第４配向層とを含み、前記第２領域の前記第１配向層は前記第３配向層で構成され、前記第１領域の前記第１配向層は前記第３配向層と前記第４配向層とで構成されることが好ましい。
【００１９】
第２領域の第１配向層の表面は第３配向層であり、第１領域の第１配向層の表面は第３配向層よりも水との親和性が低い第４配向層であるので、第２領域の第１配向層の表面を第１領域の第１配向層の表面よりも水との親和性を高くすることができる。
【００２０】
［適用例５］上記適用例に記載の電気光学装置において、前記第１配向層は、第３配向層と、前記第３配向層を覆い前記第３配向層よりも水との親和性が低い第４配向層と、前記第３配向層を覆い前記第３配向層よりも水との親和性が低く前記第４配向層よりも水との親和性が高い第５配向層と、を含み、前記第２領域の前記第１配向層は前記第３配向層で構成され、前記第１領域の前記第１配向層は前記第３配向層と前記第４配向層とで構成され、前記第３領域の前記第１配向層は前記第３配向層と前記第５配向層とで構成されることが好ましい。
【００２１】
第２領域の第１配向層の表面は第３配向層であり、第３領域の第１配向層の表面は第３配向層よりも水との親和性が低く第４配向層よりも水との親和性が高い第５配向層であり、第１領域の第１配向層の表面は第３配向層よりも水との親和性が低い第４配向層であるので、第１配向層の表面を、第１領域、第３領域、第２領域の順に水との親和性を高くすることができる。
【００２２】
［適用例６］上記適用例に記載の電気光学装置において、前記第２配向層は、第６配向層と、前記第６配向層を覆い前記第６配向層よりも水との親和性が低い第７配向層とを含み、前記第２領域の前記第２配向層は前記第６配向層で構成され、前記第１領域の前記第２配向層は前記第６配向層と前記第７配向層とで構成されることが好ましい。
【００２３】
第２領域の第２配向層の表面は第６配向層であり、第１領域の第２配向層の表面は第６配向層よりも水との親和性が低い第７配向層であるので、第２領域の第２配向層の表面を第１領域の第２配向層の表面よりも水との親和性を高くすることができる。
【００２４】
［適用例７］上記適用例に記載の電気光学装置において、前記２配向層は、第６配向層と、前記第６配向層を覆い前記第６配向層よりも水との親和性が低い第７配向層と、前記第６配向層を覆い前記第６配向層よりも水との親和性が低く前記第７配向層よりも水との親和性が高い第８配向層と、を含み、前記第２領域の前記第２配向層は前記第６配向層で構成され、前記第１領域の前記第２配向層は前記第６配向層と前記第７配向層とで構成され、前記第３領域の前記第２配向層は前記第６配向層と前記第８配向層とで構成されることが好ましい。
【００２５】
第２領域の第２配向層の表面は第６配向層であり、第３領域の第２配向層の表面は第６配向層よりも水との親和性が低く第７配向層よりも水との親和性が高い第８配向層であり、第１領域の第２配向層の表面は第６配向層よりも水との親和性が低い第７配向層であるので、第２配向層の表面を、第１領域、第３領域、第２領域の順に水との親和性を高くすることができる。
【００２６】
［適用例８］本適用例に係る電気光学装置は、基板と、前記基板を覆うように配置される配向層と、を含み、前記配向層のシール材と重なる領域である第２領域の表面は、前記配向層の前記第２領域の内側の領域である第１領域の表面よりも、水との親和性が高いことを特徴とする。
【００２７】
シール材と重なる領域である第２領域は、シール材が配置されるシール領域である、第２領域の内側の領域である第１領域は、表示がなされる表示領域である。
配向層のシール領域（第２領域）の表面は、配向層の表示領域（第１領域）の表面よりも水との親和性が高いので、配向層とシール材との界面を介して表示領域に侵入しようとする水分は、水との親和性が高くなった部分（配向層のシール領域の表面）にトラップされ、表示領域に侵入しにくくなる。
従って、表示領域への水分侵入による表示品位の低下を抑制することができる。
【００２８】
［適用例９］本適用例に記載の電子機器は、上記適用例に記載の電気光学装置を含むことを特徴とする。
【００２９】
上記適用例に記載の電気光学装置では、電気光学層への水分侵入による表示品位の低下が抑制され、表示品位が高められているので、上記適用例に記載の電気光学装置が適用された電子機器は優れた表示品位を有するようになる。例えば、プロジェクター、直視型テレビ、携帯電話、携帯用オーディオ機器、パーソナルコンピューター、モニター付きビデオカメラ、カーナビゲーション装置、電子手帳、電卓、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、ディジタルスチルカメラなどの電子機器に、上記適用例に記載の電気光学装置を適用することで、優れた表示品位が実現される。
【００３０】
［適用例１０］本適用例に記載の電気光学装置の製造方法は、画素電極と前記画素電極を覆う第１配向層とを有する第１基板と、共通電極と前記共通電極を覆う第２配向層とを有する第２基板とが、前記画素電極が配置された領域を囲むように設けられたシール材を介して接着され、前記シール材で囲まれた領域に電気光学層が配置された電気光学装置の製造方法であって、前記第２基板の側から前記第１基板の側を見たとき、前記画素電極が配置された領域を第１領域、及び前記シール材が設けられた領域を第２領域としたとき、前記第１領域及び前記第２領域を覆うように、第３配向層を前記第１基板に形成する工程と、前記第３配向層の表面を覆い、前記第３配向層よりも水との親和性が低い第４配向層を形成する工程と、前記第２領域に光を照射し、前記第２領域の前記第４配向層を除去する工程と、を含むことを特徴とする。
【００３１】
第１領域及び第２領域を覆うように、第３配向層と、第３配向層よりも水との親和性が低い第４配向層とを順に形成した後に、第２領域に光を照射し、第２領域の第４配向層を除去することによって、第２領域に第３配向層が配置され、第１領域に第３配向層と第４配向層とが配置された第１配向層を形成することができる。すなわち、水との親和性が、第１領域よりも第２領域で高くなった第１配向層を形成することができる。
【００３２】
［適用例１１］上記適用例に記載の電気光学装置の製造方法において、前記第１領域と前記第２領域との間に第３領域を有し、前記第４配向層を除去する工程で照射する光よりも単位面積当たりのエネルギー密度が低い光を、前記第３領域の前記第４配向層に照射して、前記第３領域の前記第４配向層を前記第４配向層よりも水との親和性が高い第５配向層に変換することが好ましい。
【００３３】
第４配向層を除去（分解）する光よりも単位面積当たりのエネルギー密度が低い光を第３領域の第４配向層に照射し、第４配向層を部分的に分解して第４配向層よりも水との親和性が高い第５配向層を形成する。その結果、第２領域に第３配向層が配置され、第３領域に第３配向層と第５配向層とが配置され、第１領域に第３配向層と第４配向層とが配置された第１配向層を形成し、第１配向層の水との親和性を、第１領域、第３領域、第２領域の順に高めることができる。
【００３４】
［適用例１２］本適用例に記載の電気光学装置の製造方法は、画素電極と前記画素電極を覆う第１配向層とを有する第１基板と、共通電極と前記共通電極を覆う第２配向層とを有する第２基板とが、前記画素電極が配置された領域を囲むように設けられたシール材を介して接着され、前記シール材で囲まれた領域に電気光学層が配置された電気光学装置の製造方法であって、前記第２基板の側から前記第１基板の側を見たとき、前記画素電極が配置された領域を第１領域、及び前記シール材が設けられた領域を第２領域としたとき、前記第１領域及び前記第２領域を覆うように、第６配向層を前記第２基板に形成する工程と、前記第６配向層の表面を覆い、前記第６配向層よりも水との親和性が低い第７配向層を形成する工程と、前記第２領域に光を照射し、前記第２領域の前記第７配向層を除去する工程と、を含むことを特徴とする。
【００３５】
第１領域及び第２領域を覆うように、第６配向層と、第６配向層よりも水との親和性が低い第７配向層とを順に形成した後に、第２領域に光を照射し、第２領域の第７配向層を除去することによって、第２領域に第６配向層が配置され、第１領域に第６配向層と第７配向層とが配置された第２配向層を形成することができる。すなわち、水との親和性が、第１領域よりも第２領域で高くなった第２配向層を形成することができる。
【００３６】
［適用例１３］上記適用例に記載の電気光学装置の製造方法において、前記第１領域と前記第２領域との間に第３領域を有し、前記第７配向層を除去する工程で照射する光よりも単位面積当たりのエネルギー密度が低い光を前記第３領域に照射し、前記第３領域の前記第７配向層を前記第７配向層よりも水との親和性が高い第８配向層に変換することが好ましい。
【００３７】
第７配向層を除去（分解）する光よりも単位面積当たりのエネルギー密度が低い光を第３領域の第７配向層に照射し、第７配向層を部分的に分解して第７配向層よりも水との親和性が高い第８配向層を形成する。その結果、第２領域に第６配向層が配置され、第３領域に第６配向層と第８配向層とが配置され、第１領域に第６配向層と第７配向層とが配置された第２配向層を形成し、第２配向層の水との親和性を、第１領域、第３領域、第２領域の順に高めることができる。
【００３８】
［適用例１４］上記適用例に記載の電気光学装置の製造方法において、前記光は、波長が１８０ｎｍ〜４００ｎｍの紫外線であることが好ましい。
【００３９】
第４配向層や第７配向層に１８０ｎｍ〜４００ｎｍの範囲の紫外線を照射すると、第４配向層や第７配向層を効率的に分解し、除去することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】実施形態１に係る液晶装置の構成を示す概略平面図。
【図２】図１のＡ−Ａ’線に沿った液晶装置の概略断面図。
【図３】実施形態１に係る液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図。
【図４】（ａ）は対向基板の概略断面図、（ｂ）は素子基板の概略断面図。
【図５】実施形態１に係る液晶装置の製造方法の特徴部分の工程フロー。
【図６】図５に示す工程フローの主要工程を経た後の状態を示す素子基板の概略断面図。
【図７】図５に示す工程フローの主要工程を経た後の状態を示す対向基板の概略断面図。
【図８】（ａ）はシランカップリング剤の構造図、（ｂ）は素子基板及び対向基板に設けられた配向層の状態を模式的に示す構造図。
【図９】（ａ）は実施形態２に係る液晶装置の対向基板の概略断面図、（ｂ）は実施形態２に係る液晶装置の素子基板の概略断面図。
【図１０】実施形態２に係る液晶装置の製造方法の特徴部分の工程フロー。
【図１１】図１０に示す工程フローの主要工程を経た後の状態を示す素子基板の概略断面図。
【図１２】図１０に示す工程フローの主要工程を経た後の状態を示す対向基板の概略断面図。
【図１３】（ａ）は実施形態３に係る液晶装置の対向基板の概略断面図、（ｂ）は実施形態３に係る液晶装置の素子基板の概略断面図。
【図１４】投射型表示装置の構成を示す概略図。
【発明を実施するための形態】
【００４１】
以下、図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。かかる実施形態は、本発明の一態様を示すものであり、この発明を限定するものではなく、本発明の技術的思想の範囲内で任意に変更可能である。また、以下の各図においては、各層や各部位を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部位の縮尺を実際とは異ならせしめてある。
【００４２】
（実施形態１）
「液晶装置の概要」
実施形態１に係る液晶装置１は、薄膜トランジスター（以降、ＴＦＴと称す）３０を備えた透過型液晶装置であり、例えば後述する液晶プロジェクターの光変調素子として好適に用いることができるものである。
なお、液晶装置１は、本発明における「電気光学装置」の一例である。
【００４３】
図１は、液晶装置の構成を示す概略平面図である。図２は、図１のＡ−Ａ’線に沿った液晶装置の概略断面図である。図３は液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図である。以下に、本実施形態に係る液晶装置１の全体構成について、図１乃至図３を参照して説明する。
【００４４】
図１及び図２に示すように、本実施形態に係る液晶装置１は、互いに対向するように配置された素子基板１０及び対向基板２０と、これら一対の基板によって挟持された液晶層５０とを有している。
【００４５】
素子基板１０は、対向基板２０よりも大きく、長方形状を有している。素子基板１０は、対向基板２０の外周に沿って配置されたシール材５２を介して、対向基板２０に接着されている。シール材５２としては、例えば熱硬化性または紫外線硬化性のエポキシ樹脂などの接着剤を使用することができる。シール材５２には、素子基板１０と対向基板２０とを一定の間隔（ギャップ）に保持するスペーサー（図示省略）が混入されている。シール材５２によって囲まれた領域に液晶層５０が封入（密封）されている。
なお、液晶層５０は、本発明における「電気光学層」の一例である。
【００４６】
液晶層５０は、負の誘電異方性を有し、素子基板１０の第１配向層４１と、対向基板２０の第２配向層４２とに対してプレチルトが与えられた１軸垂直配向となっている。
【００４７】
素子基板１０と対向基板２０との間隙への液晶層５０の封入（充填）では、一対の基板のうちの一方の基板の外周に沿ってシール材５２を配置し、シール材５２の内側に所定量の液晶層５０を滴下し、液晶層５０が滴下された一方の基板と他方の基板とを減圧下で貼り合わせるＯＤＦ（One  Drop  Fill）方式が採用されている。
なお、液晶層５０の封入（充填）では、シール材５２に注入孔を設け、当該注入孔を介して素子基板１０と対向基板２０との間隙に液晶層５０を充填（注入）する方法、例えば真空注入法や毛細管現象を利用して注入する方法を採用してもよい。
【００４８】
シール材５２で囲まれた領域の内側には、額縁形状の見切り部５３が設けられている。見切り部５３で囲まれた領域の内側には、画素Ｐ１（画素電極１２）及びダミー画素Ｐ２（ダミー画素電極１２ａ）が配置されている。
【００４９】
画素Ｐ１（画素電極１２）はマトリクス状に配置され、画素Ｐ１（画素電極１２）が配置された領域が表示領域Ｖとなる。換言すれば、対向基板２０（対向基板本体２１）の側から素子基板１０（素子基板本体１１）の側を見たとき、画素Ｐ１（画素電極１２）が配置された領域が表示領域Ｖとなる。表示領域Ｖの周縁部、つまり表示領域Ｖと対向基板２０（対向基板本体２１）の端との間が非表示領域Ｈとなる。
なお、表示領域Ｖは、本発明における「第１領域」の一例である。
【００５０】
ダミー画素Ｐ２（ダミー画素電極１２ａ）は、見切り部５３と表示領域Ｖとの間に配置されている。詳しくは、見切り部５３と表示領域Ｖとの間には、素子基板１０の長辺方向に沿って２個のダミー画素Ｐ２が配置されている。ダミー画素Ｐ２は、画素Ｐ１と同じ構成を有し、常に黒表示となる信号が供給されている。つまり、ダミー画素Ｐ２及び見切り部５３によって、光を遮光する遮光領域が形成される。ダミー画素Ｐ２及び見切り部５３によって形成された遮光領域の内側が、表示領域Ｖとなる。
なお、見切り部５３と表示領域Ｖとの間で素子基板１０の長辺方向に沿って配置されるダミー画素Ｐ２の数は、２個に限定されず、単数であっても、３個以上の複数であってもよい。さらに、ダミー画素Ｐ２を設けない構成であってもよい。
見切り部５３と対向基板２０（対向基板本体２１）の端との間には、シール材５２が配置されている。
【００５１】
ダミー画素Ｐ２が設けられた領域が、ダミー画素領域Ｈ１であり、表示領域Ｖを囲むように設けられている。シール材５２が設けられた領域が、シール領域Ｈ３であり、見切り領域Ｈ２を囲むように配置されている。換言すれば、対向基板２０（対向基板本体２１）の側から素子基板１０（素子基板本体１１）の側を見たとき、シール材５２が設けられた領域がシール領域Ｈ３となる。シール材５２とダミー画素領域Ｈ１との間の領域が、見切り領域Ｈ２である。見切り部５３は、見切り領域Ｈ２の少なくとも一部に設けられている。また、非表示領域Ｈは、ダミー画素領域Ｈ１と見切り領域Ｈ２とシール領域Ｈ３とで構成される。
なお、シール領域Ｈ３は、本発明における「第２領域」の一例である。見切り領域Ｈ２は、本発明における「第３領域」の一例である。
【００５２】
シール領域Ｈ３の一方の端は、対向基板２０（対向基板本体２１）の端に配置される。見切り領域Ｈ２の一方の端（シール領域Ｈ３の他方の端）は、シール材５２と見切り部５３との間に配置され、シール領域Ｈ３と見切り領域Ｈ２との境界をなす。見切り領域Ｈ２の他方の端は、見切り部５３とダミー画素Ｐ２との境界に配置され、見切り領域Ｈ２とダミー画素領域Ｈ１との境界をなす。
【００５３】
素子基板１０の第１辺部と第１辺部に沿ったシール材５２との間には、データ線駆動回路１０１が設けられている。該第１辺部と直交し互いに対向する他の第２辺部、第３辺部に沿ったシール材５２と表示領域Ｖとの間には、走査線駆動回路１０２が設けられている。該第１辺と対向する他の第４辺に沿ったシール材５２と表示領域Ｖとの間には、二つの走査線駆動回路１０２を繋ぐ複数の配線１０５が設けられている。素子基板１０のデータ線駆動回路１０１が設けられた側の端部には、複数の外部接続用端子１０３が設けられている。複数の外部接続用端子１０３と、データ線駆動回路１０１及び走査線駆動回路１０２との間には、それぞれを電気的に接続する配線が設けられている。
【００５４】
図２に示すように、素子基板１０は、素子基板本体１１、及び素子基板本体１１の液晶層５０側の面に設けられた薄膜トランジスター（Thin  Film  Transistor；以降ＴＦＴと称す）３０、ダミーＴＦＴ３０ａ、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０２、層間絶縁層３１、画素電極１２、ダミー画素電極１２ａ、外部接続用端子１０３、第１配向層４１などを有している。
換言すれば、素子基板１０は、画素電極１２が配置された素子基板本体１１と、画素電極１２を覆うように配置された第１配向層４１とを有している。
なお、素子基板本体１１は、本発明における「第１基板」の一例である。
【００５５】
素子基板本体１１は、例えば石英基板やガラス基板などの透光性の絶縁基板で構成されている。素子基板本体１１の液晶層５０側の面には、ＴＦＴ３０、ダミーＴＦＴ３０ａ、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０２などが設けられている。ＴＦＴ３０及びダミーＴＦＴ３０ａは、例えばｎチャネル型ＴＦＴであり、同じ構成を有している。データ線駆動回路１０１及び走査線駆動回路１０２は、例えばｎチャネル型ＴＦＴとｐチャネル型ＴＦＴとを備えたＣＭＯＳ型ＴＦＴで構成されている。ＴＦＴ３０、ダミーＴＦＴ３０ａ、データ線駆動回路１０１、及び走査線駆動回路１０２は、同じ工程で形成され、半導体層、複数の導電層、及び複数の絶縁層を有している。これら複数の導電層及び複数の絶縁層を用いて形成された立体配線（図示省略）によって、データ線駆動回路１０１及び走査線駆動回路１０２と、外部接続用端子１０３とが電気的に接続されている。
【００５６】
ＴＦＴ３０、ダミーＴＦＴ３０ａ、データ線駆動回路１０１、及び走査線駆動回路１０２は、層間絶縁層３１で覆われている。層間絶縁層３１は、例えば酸化シリコンなどの透光性の絶縁膜で構成されている。層間絶縁層３１の上には、画素電極１２、ダミー画素電極１２ａ、外部接続用端子１０３などが設けられている。画素電極１２及びダミー画素電極１２ａは、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明導電材料で構成されている。
【００５７】
画素電極１２は、層間絶縁層３１を貫くコンタクトホール（図示省略）を介してＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されている。ダミー画素電極１２ａは、層間絶縁層３１を貫くコンタクトホール（図示省略）を介してダミーＴＦＴ３０ａのドレインに電気的に接続されている。
【００５８】
画素電極１２及びダミー画素電極１２ａを覆うように、第１配向層４１が設けられている。第１配向層４１は、対向基板２０と平面的に重なるように設けられている。第１配向層４１は、例えば素子基板本体１１の略全面を覆うように設けてもよい。素子基板本体１１の略全面を覆うように第１配向層４１を設ける場合、第１配向層４１に外部接続用端子１０３を露出させるコンタクトホールを形成する必要がある。
第１配向層４１の詳細は後述する。
【００５９】
対向基板２０は、対向基板本体２１、並びに対向基板本体２１の液晶層５０側の面に順に積層された見切り部５３、絶縁膜２２、共通電極２３、第２配向層４２などを有している。
換言すれば、対向基板２０は、共通電極２３が配置された対向基板本体２１と、共通電極２３を覆うように配置された第２配向層４２とを有している。
なお、対向基板本体２１は、本発明における「第２基板」の一例である。
【００６０】
対向基板本体２１は、例えば石英基板やガラス基板などの透光性の絶縁基板で構成されている。見切り部５３は、例えば遮光性の金属あるいは金属酸化物などで構成されている。見切り部５３は、上述した走査線駆動回路１０２と平面的に重なるように設けられ、対向基板２０側から入射する光を遮り、光による走査線駆動回路１０２の誤動作を防止している。また、見切り部５３は、不必要な迷光が表示領域Ｖに入射しないように遮光して、表示領域Ｖにおける表示コントラストを高めている。
【００６１】
絶縁膜２２は、透光性の無機絶縁材料からなり、例えば常圧または減圧ＣＶＤ法などを用いて形成された酸化シリコンを使用することができる。絶縁膜２２は、対向基板本体２１の上に見切り部５３が形成されることで生ずる表面の凹凸を緩和可能な程度の膜厚を有している。
【００６２】
共通電極２３は、絶縁膜２２の上に形成され、ＩＴＯなどの透明導電材料で構成される。また、共通電極２３は、対向基板本体２１の略全面に設けられている。共通電極２３は、対向基板２０の四隅に設けられた上下導通部１０６により素子基板１０の引き回し配線（図示省略）に電気的に接続されている。
第２配向層４２の詳細は後述する。
【００６３】
図３に示すように、液晶装置１は、少なくとも表示領域Ｖにおいて互いに絶縁されて直交する複数の走査線５及び複数のデータ線６と、走査線５に対して平行する容量線７とを有する。なお、容量線７の配置はこれに限定されず、データ線６に対して平行するように配置してもよい。
【００６４】
走査線５とデータ線６とで区分された領域には、画素電極１２と、ＴＦＴ３０と、蓄積容量７０とが設けられ、これらが画素Ｐ１の画素回路を構成している。
なお、図示を省略するが、走査線５とデータ線６とで区分された領域には、ダミー画素電極１２ａと、ダミーＴＦＴ３０ａと、ダミー蓄積容量とが設けられ、これらがダミー画素Ｐ２の画素回路を構成している。
【００６５】
走査線５はＴＦＴ３０のゲートに電気的に接続され、データ線６はＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。画素電極１２はＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されている。
【００６６】
データ線６はデータ線駆動回路１０１（図１参照）に接続されており、データ線駆動回路１０１からデータ線６を介して、画像信号Ｄ１，Ｄ２，…，Ｄｎが各画素Ｐ１に供給される。走査線５は走査線駆動回路１０２に接続されており、走査線駆動回路１０２から走査線５を介して、走査信号ＳＣ１，ＳＣ２，…，ＳＣｍが各画素Ｐ１に供給される。データ線駆動回路１０１からデータ線６に供給される画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、この順に線順次で供給してもよく、互いに隣り合う複数のデータ線６に対してグループごとに供給してもよい。
【００６７】
液晶装置１は、スイッチング素子であるＴＦＴ３０が走査信号ＳＣ１〜ＳＣｍの入力により一定期間だけオン状態となったタイミングに同期して、データ線６から画像信号Ｄ１〜Ｄｎが供給され、画像信号Ｄ１〜Ｄｎに対応する電荷が画素電極１２と共通電極２３との間の容量に蓄積され、一定期間保持される。
【００６８】
画素電極１２と共通電極２３との間の容量に蓄積された電荷のリークの影響を軽減するために、画素電極１２と共通電極２３との間に、液晶容量と並列に蓄積容量７０が付加されている。蓄積容量７０は、ＴＦＴ３０のドレインと容量線７との間に設けられている。
【００６９】
このような液晶装置１は透過型であって、電圧が印加されない時の画素の透過率が電圧印加時の透過率よりも大きくて明表示となるノーマリーホワイトモードや、電圧が印加されない時の画素の透過率が電圧印加時の透過率よりも小さくて暗表示となるノーマリーブラックモードの光学設計が採用される。光学設計に応じて、光の入射側と射出側とにそれぞれ偏光素子（図示省略）が配置されて用いられる。
【００７０】
「配向層の概要」
図４（ａ）は、図２から対向基板を抜き出した図であり、対向基板の概略断面図である。図４（ｂ）は、図２から素子基板を抜き出した図であり、素子基板の概略断面図である。
図４（ａ）及び図４（ｂ）には、シール材５２が仮想線で図示されている。
以下、図４（ａ）及び図４（ｂ）を参照し、素子基板１０及び対向基板２０に設けられた配向層４１，４２の詳細を説明する。
【００７１】
図４（ａ）に示すように、対向基板２０の第２配向層４２は、第６配向層４６と第７配向層４７とで構成される。第６配向層４６は、共通電極２３を覆うように設けられ、表示領域Ｖ及び非表示領域Ｈの全般に配置されている。第７配向層４７は、第６配向層４６を覆うように設けられ、表示領域Ｖと、ダミー画素領域Ｈ１と、見切り領域Ｈ２とに配置されている。
【００７２】
シール領域Ｈ３に配置される第２配向層４２は、第６配向層４６で構成されている。ダミー画素領域Ｈ１と見切り領域Ｈ２と表示領域Ｖとに配置される第２配向層４２は、第６配向層４６と第７配向層４７とで構成されている。
【００７３】
第６配向層４６は、例えば酸化シリコンで構成される無機配向層である。第７配向層４７は、第６配向層４６の表面に疎水化処理を施すことで形成された疎水性被膜であり、第６配向層４６よりも水との親和性が低い。
よって、第２配向層４２の表面が第６配向層４６である部分は、水との親和性が高い部分となり、第２配向層４２の表面が第７配向層４７である部分は、水との親和性が低い部分となる。
【００７４】
見切り領域Ｈ２とダミー画素領域Ｈ１と表示領域Ｖとの第２配向層４２の表面は第７配向層４７であり、シール領域Ｈ３の第２配向層４２の表面は第６配向層４６であるので、見切り領域Ｈ２とダミー画素領域Ｈ１と表示領域Ｖの第２配向層４２の表面は、シール領域Ｈ３の第２配向層４２の表面よりも水との親和性が低い。すなわち、シール領域Ｈ３の第２配向層４２の表面は、表示領域Ｖの第２配向層４２の表面よりも水との親和性が高い。従って、第２配向層４２の表面は、表示領域Ｖと比べてシール領域Ｈ３で水との親和性が高い。
【００７５】
図４（ｂ）に示すように、素子基板１０の第１配向層４１は、第３配向層４３と第４配向層４４とで構成される。第３配向層４３は、画素電極１２及びダミー画素電極１２ａを覆うように設けられ、表示領域Ｖ及び非表示領域Ｈの全般に配置されている。第４配向層４４は、第３配向層４３を覆うように設けられ、表示領域Ｖと、ダミー画素領域Ｈ１と、見切り領域Ｈ２とに配置されている。
その結果、シール領域Ｈ３に配置される第１配向層４１は、第３配向層４３で構成されている。ダミー画素領域Ｈ１と見切り領域Ｈ２と表示領域Ｖとに配置される第１配向層４１は、第３配向層４３と第４配向層４４とで構成されている。
【００７６】
第３配向層４３は、例えば酸化シリコンで構成される無機配向層であり、第６配向層４６と同じ構成を有している。第４配向層４４は、第３配向層４３の表面に疎水化処理を施すことで形成された疎水性被膜であり、第７配向層４７と同じ構成を有し、第３配向層４３よりも水との親和性が低い。よって、第１配向層４１の表面が第３配向層４３である部分は、水との親和性が高い部分となり、第１配向層４１の表面が第４配向層４４である部分は、水との親和性が低い部分となる。
【００７７】
見切り領域Ｈ２とダミー画素領域Ｈ１と表示領域Ｖとの第１配向層４１の表面は第４配向層４４であり、シール領域Ｈ３の第１配向層４１の表面は第３配向層４３であるので、見切り領域Ｈ２とダミー画素領域Ｈ１と表示領域Ｖとの第１配向層４１の表面は、シール領域Ｈ３の第１配向層４１の表面よりも水との親和性が低い。すなわち、シール領域Ｈ３の第１配向層４１の表面は、表示領域Ｖの第１配向層４１の表面よりも水との親和性が高い。従って、第１配向層４１の表面は、表示領域Ｖと比べてシール領域Ｈ３で水との親和性が高い。
【００７８】
このように、対向基板２０において、シール領域Ｈ３の第２配向層４２の表面は、表示領域Ｖの第２配向層４２の表面よりも水との親和性が高く、素子基板１０において、シール領域Ｈ３の第１配向層４１の表面は、表示領域Ｖの第１配向層４１の表面よりも水との親和性が高い。すなわち、素子基板１０及び対向基板２０共に、シール材５２が接する部分の配向層４１，４２は、表示領域Ｖの配向層４１，４２よりも水との親和性が高い。
【００７９】
大気中の水分（湿気）が、シール材５２と配向層４１，４２との界面を通過し、液晶層５０の中に侵入する恐れがある。仮に、大気中の水分がシール材５２と配向層４１，４２との界面を通過して液晶層５０の中に侵入（混入）すると、例えば液晶層５０の比抵抗が低下し、画素電極１２と共通電極２３との間の容量（液晶容量、蓄積容量７０）に蓄積される電荷のリークが大きくなり、液晶層５０に印加される実効電圧が劣化し、表示ムラなどの表示品位の低下を招く恐れがある。さらに、液晶層５０の中に侵入した水分が表示領域Ｖの配向層４１，４２に吸着すると、吸着した水分が液晶層中のイオン性不純物を引き寄せ、イオン性不純物を偏在させ、焼き付きなどの表示品位の低下を招く恐れがある。
【００８０】
シール材５２と接する部分の配向層４１，４２（シール領域Ｈ３の配向層４１，４２）は、表示領域Ｖの配向層４１，４２よりも水との親和性が高い。水分は、水との親和性が低い部分の配向層４１，４２よりも、水との親和性が高い部分の配向層４１，４２に吸着しやすい（トラップされやすい）。よって、シール材５２と配向層４１，４２との界面から侵入しようとする水分は、水との親和性が高い部分（シール領域Ｈ３の配向層４１，４２）に拘束（トラップ）され、液晶層５０の中に侵入しにくい。従って、液晶層５０の中に水分が侵入しにくいので、上述した表示ムラや焼き付きなどの表示品位の低下を招きにくく、表示品位を高めることができる。
【００８１】
さらに、酸化シリコンなどの無機配向層（第３配向層４３、第６配向層４６）は、ポリイミドなどの有機配向層と比べて耐熱性や耐光性に優れているが、有機配向層と比べてアンカリング力が弱く、僅かな外乱の影響を受けて配向力が低下しやすい。例えば、無機配向層（第３配向層４３、第６配向層４６）は水分を吸着しやすく、水分の吸着によって配向力が低下しやすい。すなわち、無機配向層（第３配向層４３、第６配向層４６）は、ポリイミドなどの有機配向層と比べて耐湿性に劣る。
【００８２】
表示領域Ｖにおいて、素子基板１０の第１配向層４１、及び対向基板２０の第２配向層４２は、共に無機配向層（第３配向層４３、第６配向層４６）と疎水性被膜（第４配向層４４、第７配向層４７）とで構成されている。つまり、表示領域Ｖの配向層４１，４２は、シール領域Ｈ３の配向層４１，４２と比べて水との親和性が低く、水分の影響を受けにくく、耐湿性が高められている。仮に、大気中の水分が液晶層５０の中に侵入したとしても、表示領域Ｖの配向層４１，４２に吸着しにくいので、表示ムラ（配向力の低下）や焼き付き（イオン性不純物の偏在）などの表示品位の低下を招きにくく、表示品位を高めることができる。
【００８３】
「液晶装置の製造方法」
図５は、液晶装置の製造方法の特徴部分の工程フローである。図６は、図４（ｂ）に対応する図であり、図５に示す工程フローの主要工程を経た後の状態を示す素子基板の概略断面図である。図７は、図４（ａ）に対応する図であり、図５に示す工程フローの主要工程を経た後の状態を示す対向基板の概略断面図である。図８（ａ）は、シランカップリング剤の構造図であり、図８（ｂ）は素子基板及び対向基板に設けられた配向層の状態を模式的に示す構造図である。
【００８４】
図７では、図４（ａ）と上下が逆に図示されている。
図８（ｂ）では、無機配向層（第３配向層４３、第６配向層４６）を構成する酸化シリコンが、珪素原子（Ｓｉ）に対する酸素原子（Ｏ）の比率を２として図示されている。なお、無機配向層（第３配向層４３、第６配向層４６）を構成する酸化シリコンにおける珪素原子（Ｓｉ）に対する酸素原子（Ｏ）の比率は、２より小さくてもよい。
本実施形態に係る液晶装置１の製造方法では、第１配向層４１及び第２配向層４２を形成する工程に特徴があり、他の工程は公知技術を使用している。以下に、図４及び図５を参照して、液晶装置１の製造方法の特徴点を説明する。
【００８５】
図５に示すように、液晶装置１の製造方法は、素子基板１０に第３配向層４３を形成する工程（ステップＳ１）と、素子基板１０に第４配向層４４を形成する工程（ステップＳ２）と、シール領域Ｈ３に紫外線６５を照射し第４配向層４４を除去する工程（ステップＳ３）と、素子基板１０にシール材５２を形成する工程（ステップＳ４）と、素子基板１０に液晶層５０を滴下する工程（ステップＳ５）と、対向基板２０に第６配向層４６を形成する工程（ステップＳ１１）と、対向基板２０に第７配向層４７を形成する工程（ステップＳ１２）と、シール領域Ｈ３に紫外線６５を照射し第７配向層４７を除去する工程（ステップＳ１３）と、素子基板１０と対向基板２０とを貼り合せる工程（ステップＳ２１）とを含む。
【００８６】
なお、ステップＳ１〜ステップＳ３は、素子基板１０に第１配向層４１を形成する工程であり、本実施形態に係る液晶装置１の製造方法の特徴をなす。ステップＳ１１〜ステップＳ１３は、対向基板２０に第２配向層４２を形成する工程であり、本実施形態に係る液晶装置１の製造方法の特徴をなす。
【００８７】
図６（ａ）に示すように、ステップＳ１では、素子基板１０の厚さ方向と交差する方向から酸化シリコンを素子基板１０に斜め蒸着し、第３配向層４３を形成する。つまり、図中の矢印で示された斜め方向から酸化シリコンを飛来させ、素子基板１０の上に酸化シリコンを堆積して、第３配向層４３を形成する。第３配向層４３は、表示領域Ｖ及び非表示領域Ｈに形成される。また、外部接続用端子１０３が形成された領域は、メタルマスク（図示省略）でマスキングされ、外部接続用端子１０３に酸化シリコンが堆積しないようになっている。
【００８８】
図７（ａ）に示すように、ステップＳ１１では、対向基板２０の厚さ方向と交差する方向から酸化シリコンを対向基板２０に斜め蒸着し、第６配向層４６を形成する。つまり、図中の矢印で示された斜め方向から酸化シリコンを飛来させ、対向基板２０の上に酸化シリコンを堆積し、第６配向層４６を形成する。第６配向層４６は、表示領域Ｖ及び非表示領域Ｈに形成される。
【００８９】
第３配向層４３及び第６配向層４６を形成する材料は、可視光に対して透明な無機材料であれば良く、酸化シリコンの他に、例えば酸化アルミニウム、酸化チタン、フッ化マグネシウムなどを使用することができる。さらに、無機材料を蒸着する方法としては、スパッタ法、電子ビーム蒸着法、イオンアシスト蒸着法などの方法を使用することができる。
【００９０】
図６（ｂ）に示すように、ステップＳ２では、例えばスピンコート法、ディップコート法、印刷方式、吹き付け方式などによって、シランカップリング剤９０（図８（ａ）参照）を素子基板１０に塗布し、乾燥させて、概略１００℃〜２００℃の熱処理を施し、第３配向層４３の上に第４配向層４４を形成する。
【００９１】
図７（ｂ）に示すように、ステップＳ１２では、例えばスピンコート法、ディップコート法、印刷方式、吹き付け方式などによって、シランカップリング剤９０を対向基板２０に塗布し、乾燥させて、概略１００℃〜２００℃の熱処理を施し、第６配向層４６の上に第７配向層４７を形成する。
【００９２】
図８（ａ）に示すように、シランカップリング剤９０は、加水分解性を有するアルコキシ基９１と、炭素数が１〜２０の直鎖、環状もしくは分岐のアルキル基９２（疎水基）との両者を併せ持つケイ素化合物である。なお、図中で、アルコキシ基９１はＯＲ1で図示され、アルキル基９２（疎水基）はＲ2で図示されている。
【００９３】
図８（ｂ）に示すように、水分によってシランカップリング剤９０のアルコキシ基９１が加水分解してシラノール基が生成した後に、シランカップリング剤９０のシラノール基と配向層４３，４６（酸化シリコン）の水酸基とが脱水縮合反応し、シランカップリング剤９０が配向層４３，４６（酸化シリコン）の表面に結合する。
この反応と並行して、シラノール基同士が縮合しシリコンオリゴマー９４を形成する。すなわち、シリコンオリゴマー９４は、疎水基（アルキル基９２）を有するケイ素化合物（シランカップリング剤９０）をモノマーとして、当該ケイ素化合物同士が重合した重合体（ポリマー）である。つまり、疎水基（アルキル基９２）を有するケイ素化合物の重合体（シリコンオリゴマー９４）が、配向層４４，４７である。
【００９４】
このように、第３配向層４３にシランカップリング剤９０を塗布し、乾燥することで第３配向層４３を覆う第４配向層４４（シリコンオリゴマー９４）を形成し、第６配向層４６にシランカップリング剤９０を塗布し、乾燥することで第６配向層４６を覆う第７配向層４７（シリコンオリゴマー９４）を形成する。
【００９５】
シリコンオリゴマー９４は、配向層４３，４６と結合する側（配向層４３，４６と接する側）と反対側に炭素数が１〜２０の直鎖、環状もしくは分岐のアルキル基９２（疎水基）が配置されている。よって、配向層４３，４６がシリコンオリゴマー９４（配向層４４，４７）で覆われると、配向層４３，４６とシリコンオリゴマー９４（配向層４４，４７）との積層体の表面に、炭素数が１〜２０の直鎖、環状もしくは分岐のアルキル基Ｒ2（疎水基）が配置され、酸化シリコン（配向層４３，４６）よりも水との親和性が低くなる。
【００９６】
このように、第４配向層４４及び第７配向層４７は、末端（表面）にアルキル基９２（疎水基）を有するケイ素化合物の重合体（シリコンオリゴマー９４）である。アルキル基９２（疎水基）によって、第３配向層４３と第４配向層４４とを積層した膜の表面は、第３配向層４３の表面よりも水との親和性が低くなり、第６配向層４６と第７配向層４７とを積層した膜の表面は、第６配向層４６の表面よりも水との親和性が低くなる。
【００９７】
図６（ｃ）に示すように、ステップＳ３では、例えば石英基板６２の上にクロムなどの遮光膜６３が設けられたマスク６１を使用し、遮光膜６３によって表示領域Ｖとダミー画素領域Ｈ１と見切り領域Ｈ２とを遮光して、図中の矢印で示された紫外線６５を、シール領域Ｈ３の第４配向層４４に照射する。詳しくは、波長範囲が１８０ｎｍ〜４００ｎｍであり、照度が１５０ｍＷ／ｃｍ2〜２４０ｍＷ／ｃｍ2である紫外線６５を、シール領域Ｈ３の第４配向層４４に概略４０秒照射する。すなわち、波長範囲が１８０ｎｍ〜４００ｎｍであり、積算光量（単位面積当たりの照射エネルギー）が６０００ｍＪ／ｃｍ2〜９６００ｍＪ／ｃｍ2である紫外線６５を、シール領域Ｈ３の第４配向層４４に照射する。すると、シール領域Ｈ３の第４配向層４４が分解し、除去される。
その結果、シール領域Ｈ３に配置された第３配向層４３と、ダミー画素領域Ｈ１と見切り領域Ｈ２と表示領域Ｖとに配置された第３配向層４３及び第４配向層４４とで構成される第１配向層４１が、素子基板１０に形成される。
【００９８】
なお、ステップＳ２において、第４配向層４４が層間絶縁層３１や外部接続用端子１０３の上にも形成された場合、層間絶縁層３１や外部接続用端子１０３の上に形成された第４配向層４４は、ステップＳ３の紫外線６５の照射によって分解し、除去される。
【００９９】
図７（ｃ）に示すように、ステップＳ１３では、上述したステップＳ３と同じ条件の紫外線６５、すなわち波長範囲が１８０ｎｍ〜４００ｎｍであり、積算光量（単位面積当たりの照射エネルギー）が６０００ｍＪ／ｃｍ2〜９６００ｍＪ／ｃｍ2である紫外線６５を、シール領域Ｈ３の第７配向層４７に照射し、シール領域Ｈ３の第７配向層４７を分解し、除去する。
その結果、シール領域Ｈ３に配置された第６配向層４６と、ダミー画素領域Ｈ１と見切り領域Ｈ２と表示領域Ｖとに配置された第６配向層４６及び第７配向層４７とで構成される第２配向層４２が、対向基板２０に形成される。
【０１００】
図６（ｄ）に示すように、ステップＳ４では、例えばディスペンサーを使用してシール材５２（例えば、エポキシ樹脂）を、素子基板１０のシール領域Ｈ３の第３配向層４３の上に塗布する。
【０１０１】
図６（ｅ）に示すように、ステップＳ５では、例えばディスペンサーを使用して液晶層５０をシール材５２の内側に滴下する。
【０１０２】
ステップＳ２１では、対向基板２０を素子基板１０に押圧しながら所定の位置に貼り合せ、シール材５２を硬化させて対向基板２０と素子基板１０とを接着し、対向基板２０と素子基板１０との間に液晶層５０が封入（密封）された液晶装置１（図２参照）を形成する。
なお、上述したステップＳ５及びステップＳ２１は、減圧雰囲気の中で処理されている。
【０１０３】
かかる製造方法によって、シール領域Ｈ３において水との親和性が高くなり、表示領域Ｖにおいて水との親和性が低くなった配向層４１，４２を、素子基板１０及び対向基板２０の両方に安定して形成し、シール材５２と配向層４１，４２との界面から水分が侵入しにくくなり、表示品位が高められた液晶装置１を製造することができる。
【０１０４】
（実施形態２）
「液晶装置の概要」
図９（ａ）は、図４（ａ）に対応する図であり、実施形態２に係る液晶装置の対向基板の概略断面図である。図９（ｂ）は、図４（ｂ）に対応する図であり、本実施形態に係る液晶装置の素子基板の概略断面図である。
本実施形態では、素子基板１０の第１配向層４１及び対向基板２０の第２配向層４２の構成、並びにその製造方法が、実施形態１と異なる。他の構成は、本実施形態に係る液晶装置２と実施形態１に係る液晶装置１とで同じである。
以下に、図９（ａ）及び図９（ｂ）を参照して、本実施形態に係る液晶装置２の概要を、実施形態１との相違点を中心に説明する。なお、実施形態１と同一の構成部位については、同一の符号を附し、重複する説明を省略する。
【０１０５】
図９（ａ）に示すように、対向基板２０の第２配向層４２は、第６配向層４６と第７配向層４７と第８配向層４８とで構成される。第６配向層４６は、画素電極１２及びダミー画素電極１２ａを覆うように設けられ、表示領域Ｖ及び非表示領域Ｈの全般に配置されている。第７配向層４７は、第６配向層４６を覆うように設けられ、表示領域Ｖとダミー画素領域Ｈ１とに配置されている。第８配向層４８は、第６配向層４６を覆うように設けられ、見切り領域Ｈ２に配置されている。
その結果、シール領域Ｈ３の第２配向層４２は第６配向層４６で構成され、見切り領域Ｈ２の第２配向層４２は第６配向層４６と第８配向層４８とで構成され、ダミー画素領域Ｈ１及び表示領域Ｖの第２配向層４２は第６配向層４６と第７配向層４７とで構成されている。
【０１０６】
図９（ｂ）に示すように、素子基板１０の第１配向層４１は、第３配向層４３と第４配向層４４と第５配向層４５とで構成される。第３配向層４３は、画素電極１２及びダミー画素電極１２ａを覆うように設けられ、表示領域Ｖ及び非表示領域Ｈの全般に配置されている。第４配向層４４は、第３配向層４３を覆うように設けられ、表示領域Ｖとダミー画素領域Ｈ１とに配置されている。第５配向層４５は、第３配向層４３を覆うように設けられ、見切り領域Ｈ２に配置されている。
その結果、シール領域Ｈ３の第１配向層４１は第３配向層４３で構成され、見切り領域Ｈ２の第１配向層４１は第３配向層４３と第５配向層４５とで構成され、ダミー画素領域Ｈ１及び表示領域Ｖの第１配向層４１は第３配向層４３と第４配向層４４とで構成されている。
【０１０７】
第３配向層４３及び第６配向層４６は、例えば酸化シリコンで構成される無機配向層である。
第４配向層４４、第５配向層４５、第７配向層４７、及び第８配向層４８は、第３配向層４３または第６配向層４６の表面に疎水化処理を施すことで形成された疎水性被膜であり、第３配向層４３や第６配向層４６よりも水との親和性が低い。詳しくは、第４配向層４４、第５配向層４５、第７配向層４７、及び第８配向層４８は、末端（表面）に疎水基（アルキル基９２）を有するケイ素化合物の重合体（シリコンオリゴマー９４（図８（ｂ）参照））である。
【０１０８】
詳細は後述するが、第５配向層４５は、第４配向層４４に光（紫外線）を照射することで形成され、第４配向層４４よりも水との親和性が高められている。
第３配向層４３が第４配向層４４で覆われた部分の表面（表示領域Ｖ及びダミー画素領域Ｈ１の第１配向層４１）、第３配向層４３が第５配向層４５で覆われた部分の表面（見切り領域Ｈ２の第１配向層４１）、第３配向層４３の表面（シール領域Ｈ３の第１配向層４１）の順に、水との親和性が高くなる。すなわち、第１配向層４１は、表示領域Ｖ及びダミー画素領域Ｈ１、見切り領域Ｈ２、シール領域Ｈ３の順に水との親和性が高くなっている。
【０１０９】
詳細は後述するが、第８配向層４８は、第７配向層４７に光（紫外線）を照射することで形成され、第７配向層４７よりも水との親和性が高められている。
第６配向層４６が第７配向層４７で覆われた部分の表面（表示領域Ｖ及びダミー画素領域Ｈ１の第２配向層４２）、第６配向層４６が第８配向層４８で覆われた部分の表面（見切り領域Ｈ２の第２配向層４２）、第６配向層４６の表面（シール領域Ｈ３の第２配向層４２）の順に、水との親和性が高くなる。すなわち、第２配向層４２は、表示領域Ｖ及びダミー画素領域Ｈ１、見切り領域Ｈ２、シール領域Ｈ３の順に水との親和性が高くなっている。
【０１１０】
シール材５２と接する部分の配向層４１，４２（シール領域Ｈ３の配向層４１，４２）は、他の領域の配向層４１，４２よりも水との親和性が高く、水分を吸着し、拘束（トラップ）しやすい。よって、シール材５２と配向層４１，４２との界面から侵入しようとする水分は、シール領域Ｈ３の配向層４１，４２に拘束（トラップ）され、液晶層５０の中に侵入しにくい。従って、液晶層５０の中に水分が侵入しにくいので、表示ムラや焼き付きなどの表示品位の低下を招きにくく、表示品位を高めることができる。
【０１１１】
さらに、第１配向層４１及び第２配向層４２は、表示領域Ｖからシール領域Ｈ３に向かう方向に水との親和性が高くなっているので、液晶層５０の中の水分やイオン性不純物は表示領域Ｖからシール領域Ｈ３に向かう方向に移動しやすい。逆に、第１配向層４１及び第２配向層４２は、シール領域Ｈ３から表示領域Ｖに向かう方向に水との親和性が低くなっているので、液晶層５０の中の水分やイオン性不純物はシール領域Ｈ３から表示領域Ｖに向かう方向に移動しにくい。従って、液晶層５０の中の水分やイオン性不純物を、非表示領域Ｈから表示領域Ｖの側に侵入しにくくし、表示領域Ｖから非表示領域Ｈの側に排出しやくすることで、水分やイオン性不純物の表示への悪影響を弱めることができる。
【０１１２】
「液晶装置の製造方法」
図１０は、液晶装置の製造方法の特徴部分の工程フローである。図１１は、図６に対応する図であり、図１０に示す工程フローの主要工程を経た後の状態を示す素子基板の概略断面図である。図１２は、図７に対応する図であり、図１０に示す工程フローの主要工程を経た後の状態を示す対向基板の概略断面図である。
本実施形態に係る液晶装置２の製造方法では、第１配向層４１及び第２配向層４２を形成する工程に特徴があり、他の工程は公知技術を使用している。以下に、図１０乃至図１２を参照して、液晶装置２の製造方法の概要を実施形態１との相違点を中心に説明する。
【０１１３】
図１０に示すように、液晶装置２の製造方法は、素子基板１０に第３配向層４３を形成する工程（ステップＳ１）と、素子基板１０に第４配向層４４を形成する工程（ステップＳ２）と、シール領域Ｈ３及び見切り領域Ｈ２に紫外線６５を照射し第５配向層４５を形成する工程（ステップＳ３１）と、シール領域Ｈ３に紫外線６５を照射し第５配向層４５を除去する工程（ステップＳ３２）と、素子基板１０にシール材５２を形成する工程（ステップＳ４）と、素子基板１０に液晶層５０を滴下する工程（ステップＳ５）と、対向基板２０に第６配向層４６を形成する工程（ステップＳ１１）と、対向基板２０に第７配向層４７を形成する工程（ステップＳ１２）と、シール領域Ｈ３及び見切り領域Ｈ２に紫外線６５を照射し第８配向層４８を形成する工程（ステップＳ１４）と、シール領域Ｈ３に紫外線６５を照射し第８配向層４８を除去する工程（ステップＳ１５）と、素子基板１０と対向基板２０とを貼り合せる工程（ステップＳ２１）とを含む。
【０１１４】
なお、ステップＳ１、ステップＳ２、ステップＳ３１、及びステップＳ３２は、素子基板１０に第１配向層４１を形成する工程であり、本実施形態に係る液晶装置２の製造方法の特徴をなす。ステップＳ１１、ステップＳ１２、ステップＳ１４、及びステップＳ１５は、対向基板２０に第２配向層４２を形成する工程であり、本実施形態に係る液晶装置２の製造方法の特徴をなす。
また、ステップＳ１、ステップＳ２、ステップＳ４、ステップＳ５、ステップＳ１１、ステップＳ１２、及びステップＳ２１は、実施形態１と同じであり、説明を省略する。
【０１１５】
図１１（ａ）に示すように、ステップＳ３１では、例えば石英基板６２の上にクロムなどの遮光膜６３が設けられたマスク６１を使用し、遮光膜６３によって表示領域Ｖとダミー画素領域Ｈ１とを遮光して、図中の矢印で示された紫外線６５を、見切り領域Ｈ２及びシール領域Ｈ３に配置された素子基板１０の第４配向層４４に照射する。詳しくは、波長範囲が１８０ｎｍ〜４００ｎｍであり、照度が１５０ｍＷ／ｃｍ2〜２４０ｍＷ／ｃｍ2である紫外線６５を、見切り領域Ｈ２及びシール領域Ｈ３の第４配向層４４に概略２０秒照射する。すなわち、波長範囲が１８０ｎｍ〜４００ｎｍであり、積算光量（単位面積当たりの照射エネルギー）が３０００ｍＪ／ｃｍ2〜４８００ｍＪ／ｃｍ2である紫外線６５を、見切り領域Ｈ２及びシール領域Ｈ３の第４配向層４４に照射する。
以降、積算光量（単位面積当たりの照射エネルギー）を、照射エネルギーと称す。
【０１１６】
本実施形態の紫外線６５の照射エネルギーは、実施形態１の紫外線６５の照射エネルギーの半分になっている。このため、シール領域Ｈ３の第４配向層４４は完全に分解されず、部分的に分解される。つまり、第４配向層４４を完全に分解する照射エネルギーよりも小さな照射エネルギーの紫外線６５を照射し、第４配向層４４を部分的に分解して、第５配向層４５を形成する。
あるいは、第４配向層４４を完全に分解する照射エネルギーよりも小さな照射エネルギーの紫外線６５を照射し、第４配向層４４のアルキル基（Ｒ2）を部分的に分解して（酸化して）、第５配向層４５を形成する。
その結果、ステップＳ３１で形成した第５配向層４５は、第４配向層４４よりも水との親和性が高く、第３配向層４３よりも水との親和性が低くなる。
【０１１７】
このように、ステップＳ３１では、第４配向層４４を完全に分解する照射エネルギーよりも小さな照射エネルギーの紫外線６５を第４配向層４４に照射し、第４配向層４４よりも水との親和性が高く、第３配向層４３よりも水との親和性が低い第５配向層４５を形成する。
【０１１８】
図１２（ａ）に示すように、ステップＳ１４では、図中の矢印で示された紫外線６５を、見切り領域Ｈ２及びシール領域Ｈ３に配置された対向基板２０の第７配向層４７に照射する。詳しくは、波長範囲が１８０ｎｍ〜４００ｎｍであり、照射エネルギーが３０００ｍＪ／ｃｍ2〜４８００ｍＪ／ｃｍ2である紫外線６５を、見切り領域Ｈ２及びシール領域Ｈ３に配置された対向基板２０の第７配向層４７に照射する。つまり、第７配向層４７を完全に分解する照射エネルギーよりも小さな照射エネルギーの紫外線６５を照射し、第７配向層４７を部分的に分解して、第８配向層４８を形成する。
あるいは、第７配向層４７を完全に分解する照射エネルギーよりも小さな照射エネルギーの紫外線６５を照射し、第７配向層４７のアルキル基（Ｒ2）を部分的に分解して（酸化して）、第８配向層４８を形成する。
その結果、ステップＳ１４で形成した第８配向層４８は、第７配向層４７よりも水との親和性が高く、第６配向層４６よりも水との親和性が低くなる。
【０１１９】
このように、ステップＳ１４では、第７配向層４７を完全に分解する照射エネルギーよりも小さな照射エネルギーの紫外線６５を第７配向層４７に照射し、第７配向層４７よりも水との親和性が高く、第６配向層４６よりも水との親和性が低い第８配向層４８を形成する。
【０１２０】
ステップＳ３１及びステップＳ１４では、水との親和性が低い配向層４４，４７を完全に分解する照射エネルギーよりも小さな照射エネルギーの紫外線６５を照射し、配向層４４，４７を部分的に分解して、または配向層４４，４７のアルキル基（Ｒ2）を部分的に分解して（酸化して）、配向層４４，４７を配向層４５，４８に変換する（配向層４４，４７から配向層４５，４８を形成する）。その結果、水との親和性を配向層４４，４７よりも高く、配向層４３，４６よりも低い配向層４５，４８を安定して形成することができる。
【０１２１】
例えば、配向層４４，４７表面のＡ領域とＢ領域とＣ領域とＤ領域に、Ａ領域とＢ領域とＣ領域とＤ領域との順に照射エネルギーが大きくなった紫外線６５を照射すると、水との親和性を、Ａ領域とＢ領域とＣ領域とＤ領域との順に高くすることができる。つまり、紫外線６５の照射エネルギーによって、配向層４３，４６の水の親和性と配向層４４，４７の水との親和性との間で、配向層４５，４８の水との親和性を調整することができる。
【０１２２】
図１１（ｂ）に示すように、ステップＳ３２では、例えば石英基板６２の上にクロムなどの遮光膜６３が設けられたマスク６１を使用し、遮光膜６３によって表示領域Ｖとダミー画素領域Ｈ１と見切り領域Ｈ２とを遮光して、図中の矢印で示された紫外線６５を、シール領域Ｈ３に配置された素子基板１０の第５配向層４５に照射し、第５配向層４５を分解し、除去する。詳しくは、波長範囲が１８０ｎｍ〜４００ｎｍであり、照射エネルギーが３０００ｍＪ／ｃｍ2〜４８００ｍＪ／ｃｍ2である紫外線６５を、シール領域Ｈ３の第５配向層４５に照射し、第５配向層４５を分解し、除去する。
換言すれば、第４配向層４４が完全に分解される照射エネルギーの紫外線６５を、ステップＳ３１及びステップＳ３２の２回に分けて照射し、シール領域Ｈ３の第４配向層４４を完全に分解し、シール領域Ｈ３の第３配向層４３を露出させる。
【０１２３】
そして、ステップＳ１、ステップＳ２、ステップＳ３１、及びステップＳ３２を経ることによって、シール領域Ｈ３に第３配向層４３が配置され、見切り領域Ｈ２に第３配向層４３と第５配向層４５とが配置され、ダミー画素領域Ｈ１及び表示領域Ｖに第３配向層４３と第４配向層４４とが配置された第１配向層４１を形成し、第１配向層４１の水との親和性を、表示領域Ｖ及びダミー画素領域Ｈ１、見切り領域Ｈ２、シール領域Ｈ３の順に高くすることができる。
図１２（ｂ）に示すように、シール領域Ｈ３に配置された対向基板２０の第８配向層４８に紫外線６５を照射し、第８配向層４８を分解し、除去する。詳しくは、波長範囲が１８０ｎｍ〜４００ｎｍであり、照射エネルギーが３０００ｍＪ／ｃｍ2〜４８００ｍＪ／ｃｍ2である紫外線６５を、シール領域Ｈ３の第８配向層４８に照射し、第８配向層４８を分解し、除去する。
【０１２４】
換言すれば、第７配向層４７が完全に分解される照射エネルギーの紫外線６５を、ステップＳ１４及びステップＳ１５の２回に分けて照射し、シール領域Ｈ３の第７配向層４７を完全に分解し、シール領域Ｈ３の第６配向層４６を露出させる。
【０１２５】
そして、ステップＳ１１、ステップＳ１２、ステップＳ１４、及びステップＳ１５を経ることによって、シール領域Ｈ３に第６配向層４６が配置され、見切り領域Ｈ２に第６配向層４６と第８配向層４８とが配置され、ダミー画素領域Ｈ１及び表示領域Ｖに第６配向層４６と第７配向層４７とが配置された第２配向層４２を形成し、第２配向層４２の水との親和性を、表示領域Ｖ及びダミー画素領域Ｈ１、見切り領域Ｈ２、シール領域Ｈ３の順に高くすることができる。
【０１２６】
（実施形態３）
図１３（ａ）は、図４（ａ）に対応する図であり、実施形態３に係る液晶装置の対向基板の概略断面図である。図１３（ｂ）は、図４（ｂ）に対応する図であり、本実施形態に係る液晶装置の素子基板の概略断面図である。
本実施形態では、素子基板１０の第１配向層４１を構成する第４配向層４４の位置、並びに対向基板２０の第２配向層４２を構成する第７配向層４７の位置が、実施形態１と異なる。他の構成は、本実施形態に係る液晶装置３と実施形態１に係る液晶装置１とで同じである。
以下に、図１３（ａ）及び図１３（ｂ）を参照して、本実施形態に係る液晶装置３の概要を、実施形態１との相違点を中心に説明する。なお、実施形態１と同一の構成部位については、同一の符号を附し、重複する説明を省略する。
【０１２７】
図１３（ａ）に示すように、対向基板２０の第２配向層４２は、第６配向層４６と第７配向層４７とで構成される。第６配向層４６は、共通電極２３を覆うように設けられ、表示領域Ｖ及び非表示領域Ｈの全般に配置されている。第７配向層４７は、第６配向層４６を覆うように設けられ、表示領域Ｖと、ダミー画素領域Ｈ１とに配置されている。
【０１２８】
表示領域Ｖ及びダミー画素領域Ｈ１の第２配向層４２の表面は第７配向層４７であり、見切り領域Ｈ２及びシール領域Ｈ３の第２配向層４２の表面は第６配向層４６であるので、見切り領域Ｈ２及びシール領域Ｈ３の第２配向層４２の表面は、表示領域Ｖ及びダミー画素領域Ｈ１の第２配向層４２の表面よりも水との親和性が高い。さらに、見切り領域Ｈ２及びシール領域Ｈ３の第２配向層４２の表面は、共に第６配向層４６であるので、第２配向層４２の表面は、見切り領域Ｈ２及びシール領域Ｈ３で、水との親和性が同じである。
【０１２９】
図１３（ｂ）に示すように、素子基板１０の第１配向層４１は、第３配向層４３と第４配向層４４とで構成される。第３配向層４３は、画素電極１２及びダミー画素電極１２ａを覆うように設けられ、表示領域Ｖ及び非表示領域Ｈの全般に配置されている。第４配向層４４は、第３配向層４３を覆うように設けられ、表示領域Ｖと、ダミー画素領域Ｈ１とに配置されている。
【０１３０】
表示領域Ｖ及びダミー画素領域Ｈ１の第１配向層４１の表面は第４配向層４４であり、見切り領域Ｈ２及びシール領域Ｈ３の第１配向層４１の表面は第３配向層４３であるので、見切り領域Ｈ２及びシール領域Ｈ３の第１配向層４１の表面は、表示領域Ｖ及びダミー画素領域Ｈ１の第１配向層４１の表面よりも水との親和性が高い。さらに、見切り領域Ｈ２及びシール領域Ｈ３の第１配向層４１の表面は、共に第３配向層４３であるので、第１配向層４１の表面は、見切り領域Ｈ２及びシール領域Ｈ３で、水との親和性が同じである。
【０１３１】
このように、本実施形態では、見切り領域Ｈ２及びシール領域Ｈ３の配向層４１，４２が、表示領域Ｖ及びダミー画素領域Ｈ１の配向層４１，４２よりも水との親和性が高くなっている。一方、実施形態１では、シール領域Ｈ３の配向層４１，４２が、表示領域Ｖとダミー画素領域Ｈ１と見切り領域Ｈ２との配向層４１，４２よりも、水との親和性が高くなっている。すなわち、配向層４１，４２の水との親和性が高くなった部分の面積が、実施形態１と比べて本実施形態の方が広くなっている。この点が本実施形態と実施形態１との相違点である。
【０１３２】
本実施形態では、シール材５２と接する部分の配向層４１，４２（シール領域Ｈ３の配向層４１，４２）に加えて、見切り領域Ｈ２の配向層４１，４２も、表示領域Ｖの配向層４１，４２よりも水との親和性が高くなっている。よって、シール材５２と配向層４１，４２との界面から侵入しようとする水分は、シール材５２と接する部分の配向層４１，４２に拘束（トラップ）され、液晶層５０の中に侵入しにくくなる。仮に、シール材５２と配向層４１，４２との界面から見切り領域Ｈ２の液晶層５０の中に水分が侵入した場合に、当該水分は、見切り領域Ｈ２の配向層４１，４２に拘束（トラップ）されるので、実施形態１と比べて表示領域Ｖの液晶層５０の中に水分が侵入しにくくなる。従って、実施形態１と比べて、表示ムラや焼き付きなどの表示品位の低下をより強く抑制することができる。
【０１３３】
＜電子機器＞
次に、本実施形態に係る電子機器について図１４を参照して説明する。図１４は電子機器としての投射型表示装置（液晶プロジェクター）の構成を示す概略図である。
【０１３４】
図１４に示すように、電子機器としての投射型表示装置１０００は、システム光軸Ｌに沿って配置された偏光照明装置１１００と、光分離素子としての２つのダイクロイックミラー１１０４，１１０５と、３つの反射ミラー１１０６，１１０７，１１０８と、５つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３，１２０４，１２０５と、３つの光変調素子としての透過型の液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０と、光合成素子としてのクロスダイクロイックプリズム１２０６と、投射レンズ１２０７とを備えている。
【０１３５】
偏光照明装置１１００は、超高圧水銀灯やハロゲンランプなどの白色光源からなる光源としてのランプユニット１１０１と、インテグレーターレンズ１１０２と、偏光変換素子１１０３とから概略構成されている。
【０１３６】
ダイクロイックミラー１１０４は、偏光照明装置１１００から射出された偏光光束のうち、赤色光（Ｒ）を反射させ、緑色光（Ｇ）と青色光（Ｂ）とを透過させる。もう１つのダイクロイックミラー１１０５は、ダイクロイックミラー１１０４を透過した緑色光（Ｇ）を反射させ、青色光（Ｂ）を透過させる。
【０１３７】
ダイクロイックミラー１１０４で反射した赤色光（Ｒ）は、反射ミラー１１０６で反射した後にリレーレンズ１２０５を経由して液晶ライトバルブ１２１０に入射する。
ダイクロイックミラー１１０５で反射した緑色光（Ｇ）は、リレーレンズ１２０４を経由して液晶ライトバルブ１２２０に入射する。
ダイクロイックミラー１１０５を透過した青色光（Ｂ）は、３つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３と２つの反射ミラー１１０７，１１０８とからなる導光系を経由して液晶ライトバルブ１２３０に入射する。
【０１３８】
液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０は、クロスダイクロイックプリズム１２０６の色光ごとの入射面に対してそれぞれ対向するように配置されている。液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０に入射した色光は、映像情報（映像信号）に基づいて変調されクロスダイクロイックプリズム１２０６に向けて射出される。このプリズムは、４つの直角プリズムが貼り合わされ、その内面に赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されている。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が合成される。合成された光は、投射光学系である投射レンズ１２０７によってスクリーン１３００上に投射され、画像が拡大されて表示される。
【０１３９】
液晶ライトバルブ１２１０には、上述した液晶装置１、液晶装置２、または液晶装置３のいずれかが適用されている。液晶装置１、液晶装置２、または液晶装置３は、色光の入射側と射出側とにおいてクロスニコルに配置された一対の偏光素子の間に隙間を置いて配置されている。他の液晶ライトバルブ１２２０，１２３０も同様である。
【０１４０】
上述したように、液晶装置１，２，３では、液晶層５０の中への水分侵入や水分侵入の悪影響（表示品位の低下）が抑制され、表示品位が高められている。従って、液晶装置１，２，３が適用された投射型表示装置１０００も、高品位の表示を提供することができる。
【０１４１】
また、電子機器としては、投射型表示装置１０００の他に、直視型テレビ、携帯電話、携帯用オーディオ機器、パーソナルコンピューター、モニター付きビデオカメラ、カーナビゲーション装置、電子手帳、電卓、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、ディジタルスチルカメラなどの各種電子機器に、本発明に係る液晶装置１，２，３を適用させることができる。
【０１４２】
本発明は、上記実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う液晶装置及び当該液晶装置が搭載された電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれる。
上記実施形態以外にも様々な変形例が考えられる。以下、変形例を挙げて説明する。
【０１４３】
（変形例１）
実施形態１では、シール領域Ｈ３において水との親和性が高くなり、表示領域Ｖにおいて水との親和性が低くなった配向層（第１配向層４１、第２配向層４２）を、素子基板１０及び対向基板２０の両方に設けていた。
シール領域Ｈ３において水との親和性が高くなり、表示領域Ｖにおいて水との親和性が低くなった第１配向層４１を、素子基板１０だけに設ける構成であってもよい。さらに、シール領域Ｈ３において水との親和性が高くなり、表示領域Ｖにおいて水との親和性が低くなった第２配向層４２を、対向基板２０だけに設ける構成であってもよい。すなわち、シール領域Ｈ３において水との親和性が高くなり、表示領域Ｖにおいて水との親和性が低くなった配向層が、素子基板１０及び対向基板２０の少なくとも一方に形成されている構成を有していればよい。
【０１４４】
実施形態２では、素子基板１０及び対向基板２０では、配向層（第１配向層４１、第２配向層４２）の水との親和性が、表示領域Ｖ及びダミー画素領域Ｈ１、見切り領域Ｈ２、シール領域Ｈ３の順に高くなっていた。
素子基板１０だけが、第１配向層４１の水との親和性が、表示領域Ｖ及びダミー画素領域Ｈ１、見切り領域Ｈ２、シール領域Ｈ３の順に高くなった構成であってもよい。対向基板２０だけが、第２配向層４２の水との親和性が、表示領域Ｖ及びダミー画素領域Ｈ１、見切り領域Ｈ２、シール領域Ｈ３の順に高くなった構成であってもよい。
すなわち、素子基板１０及び対向基板２０の少なくとも一方において、配向層（第１配向層４１、第２配向層４２）の水との親和性が、表示領域Ｖ及びダミー画素領域Ｈ１、見切り領域Ｈ２、シール領域Ｈ３の順に高くなった構成を有していればよい。
【０１４５】
実施形態３では、素子基板１０及び対向基板２０では、配向層（第１配向層４１、第２配向層４２）の水との親和性が、見切り領域Ｈ２とシール領域Ｈ３とで同じであった。
素子基板１０だけが、第１配向層４１の水との親和性が、見切り領域Ｈ２とシール領域Ｈ３とで同じある構成であってもよい。また、対向基板２０だけが、第２配向層４２の水との親和性が、見切り領域Ｈ２とシール領域Ｈ３とで同じある構成であってもよい。
すなわち、素子基板１０及び対向基板２０の少なくとも一方において、配向層（第１配向層４１、第２配向層４２）の水との親和性が、見切り領域Ｈ２とシール領域Ｈ３とで同じである構成を有していればよい。
【０１４６】
（変形例２）
配向層４４，４７は、炭素数が１〜２０の直鎖、環状もしくは分岐のアルキル基Ｒ2（疎水基）を有するケイ素化合物（シランカップリング剤９０）を配向層４３，４６に塗布し、乾燥させて形成したケイ素化合物の重合体（シリコンオリゴマー９４）であったが、これに限定されない。
【０１４７】
例えば、配向層４４，４７は、末端にフッ素やフルオロアルキル基を有するケイ素化合物を配向層４３，４６に塗布し、乾燥させて形成したケイ素化合物の重合体（疎水性被膜）であってもよい。例えば、配向層４４，４７は、脂肪族アルコールを配向層４３，４６に塗布し、乾燥させて形成した疎水性被膜であってもよい。
【０１４８】
（変形例３）
配向層４１，４２の水との親和性が高い部分の端は、シール材５２と表示領域Ｖとの間に配置されていればよい。実施形態３では、配向層４１，４２の水との親和性が高い部分を、シール領域Ｈ３及び見切り領域Ｈ２に配置したが、例えば配向層４１，４２の水との親和性が高い部分を、シール領域Ｈ３及び見切り領域Ｈ２の一部に配置する構成であってもよい。また、配向層４１，４２の水との親和性が低い部分は、平面視で表示領域Ｖと重なる（同じ）、または表示領域Ｖよりも広い構成であればよい。
【符号の説明】
【０１４９】
１，２，３…液晶装置、５…走査線、６…データ線、７…容量線、１０…素子基板、１１…素子基板本体、１２…画素電極、１２ａ…ダミー画素電極、２０…対向基板、２１…対向基板本体、２２…絶縁膜、２３…共通電極、３０…ＴＦＴ、３０ａ…ダミーＴＦＴ、３１…層間絶縁層、４１…第１配向層、４３…第３配向層、４４…第４配向層、４５…第５配向層、４２…第２配向層、４６…第６配向層、４７…第７配向層、４８…第８配向層、５０…液晶層、５２…シール材、５３…見切り部、７０…蓄積容量、９０…シランカップリング剤、９１…アルコキシ基、９２…アルキル基、９４…シリコンオリゴマー、１０１…データ線駆動回路、１０２…走査線駆動回路、１０３…外部接続用端子、１０６…上下導通部、Ｖ…表示領域、Ｈ…非表示領域、Ｈ１…ダミー画素領域、Ｈ２…見切り領域、Ｈ３…シール領域、Ｐ１…画素、Ｐ２…ダミー画素。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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