(57)【要約】【課題】イオンビームを偏向させてパーキングさせるイオン照射装置において、当該パーキングに起因するコンタミネーションを低減する。【解決手段】イオン源２から引き出されたイオンビームＩＢをワークＷに照射するイオン照射装置１００であって、イオンビームＩＢを、ワークＷに照射される照射軌道Ｌ１から偏向させて、ワークＷに照射させないパーキング軌道Ｌ２とするイオンビームパーキング機構７と、パーキング軌道Ｌ２とされたイオンビームＩＢによってスパッタリングされた粒子が堆積する堆積部位Ｘの周囲にプラズマを発生させて、堆積部位Ｘに堆積した粒子を除去するクリーニング機構８とを備える。【選択図】図１
2016048665.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
イオン源から引き出されたイオンビームをワークに照射するイオン照射装置であって、
前記イオンビームを、前記ワークに照射される照射軌道から偏向させて、前記ワークに照射させないパーキング軌道にするイオンビームパーキング機構と、
前記パーキング軌道とされたイオンビームによってスパッタリングされた粒子が堆積する堆積部位の周囲にプラズマを発生させて、前記堆積部位に堆積した粒子を除去するクリーニング機構とを備えるイオン照射装置。
【請求項２】
前記クリーニング機構が、
前記堆積部位に対向して設けられる放電電極と、
前記堆積部位及び前記放電電極の間に電圧を印加して放電させる放電用電源と、
前記堆積部位及び前記放電電極の間にプラズマ化するクリーニングガスを供給するクリーニングガス供給部と、
前記プラズマにより除去された除去物を前記堆積部位が位置する空間から排出する除去物排出部とを備える請求項１記載のイオン照射装置。
【請求項３】
前記放電電極が、前記堆積部位に対向する対向位置及び前記堆積部位に対向しない退避位置の間で移動可能に構成されている請求項２記載のイオン照射装置。
【請求項４】
前記イオンビームパーキング機構が、
前記イオンビームを挟んで配置された偏向電極と、
前記偏向電極に偏向電圧を印加する偏向用電源と、
前記偏向電極よりもイオンビーム下流側に設けられたマスクとを備え、
前記マスクが、
前記照射軌道にあるイオンビームが通過するスリットと、
前記パーキング軌道にあるイオンビームを遮る遮断部とを有する請求項１記載のイオン照射装置。
【請求項５】
前記イオンビームの質量分析を行う分析電磁石と、
前記分析電磁石を通過したイオンビームのうち、所望のイオンを含むイオンビームを通過させる分析スリットとを備え、
前記偏向電極が、前記分析電磁石及び前記分析スリットの間に設けられており、
前記マスクが、前記分析スリットである請求項４記載のイオン照射装置。
【請求項６】
前記マスクが、前記イオンビームを整形する整形マスクである請求項４記載のイオン照射装置。
【請求項７】
前記イオンビームパーキング機構による偏向時間を積算する偏向時間積算部を備え、
前記偏向時間積算部により得られた積算偏向時間に基づいて、前記クリーニング機構が、前記堆積部位をクリーニングする請求項１記載のイオン照射装置。
【請求項８】
前記堆積部位に堆積した膜厚を測定する膜厚計を備え、
前記膜厚計により得られた膜厚に基づいて、前記クリーニング機構が、前記堆積部位をクリーニングする請求項１記載のイオン照射装置。
【請求項９】
前記クリーニング機構による前記堆積部位のクリーニング時に、前記ワークを前記イオンビームが照射される照射位置から退避させる請求項１記載のイオン照射装置。
【請求項１０】
イオン源から引き出されたイオンビームをワークに照射するものであり、前記イオンビームを、前記ワークに照射される照射軌道から偏向させて、前記ワークに照射させないパーキング軌道とするイオンビームパーキング機構と、前記パーキング軌道とされたイオンビームによってスパッタリングされた粒子が堆積する堆積部位の周囲にプラズマを発生させて、前記堆積部位に堆積した粒子を除去するクリーニング機構とを備えるイオン照射装置のクリーニング方法であって、
前記イオンビームパーキング機構による前記イオンビームの積算偏向時間を偏向時間積算計により積算し、当該偏向時間積算計により得られた積算偏向時間をトリガーとして、前記クリーニング機構により前記堆積部位のクリーニングを開始するイオン照射装置のクリーニング方法。
【請求項１１】
イオン源から引き出されたイオンビームをワークに照射するものであり、前記イオンビームを、前記ワークに照射される照射軌道から偏向させて、前記ワークに照射させないパーキング軌道とするイオンビームパーキング機構と、前記パーキング軌道とされたイオンビームによってスパッタリングされた粒子が堆積する堆積部位の周囲にプラズマを発生させて、前記堆積部位に堆積した粒子を除去するクリーニング機構とを備えるイオン照射装置のクリーニング方法であって、
前記堆積部位に堆積した膜厚を膜厚計により測定し、当該膜厚計により得られた膜厚をトリガーとして、前記クリーニング機構により前記堆積部位のクリーニングを開始するイオン照射装置のクリーニング方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、イオン照射装置及び当該イオン照射装置のクリーニング方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来のイオン注入装置では、イオン源と、このイオン源からイオンビームを引き出す引出電極との間に生じる放電（グリッチ）が問題となっている。このグリッチにより、イオン源から引き出されるイオンビームが短時間に急激に減少してしまい、所望のイオンビームをウエハに照射することができなくなってしまう。特に、近年のウエハの大口径化に伴いイオンビーム電流が増大化されており、前記グリッチの問題がより一層顕著となっている。
【０００３】
このグリッチに対する処置としては、特許文献１に示すように、イオンビームを質量分析する質量分析磁石装置と、所望のイオンを含むイオンビームを通過させる質量分析スリットとの間に偏向装置を設けたものがある。このイオン注入装置は、グリッチ発生時に、偏向装置によりイオンビームを偏向させて、当該イオンビームを質量分析スリットの上流側の面に当てることにより、パーキングさせてウエハに照射しないように構成している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特許第５２４２９３７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記のように、偏向装置によりイオンビームを偏向させて、質量分析スリットの上流側の面にイオンビームを当てると、イオンビームが当たった部分がスパッタリングされて粒子が飛び散り、その周辺部分に堆積してしまう。
【０００６】
グリッチ回復後にイオンビームの偏向を戻し、通常のイオン注入処理を開始すると、分析スリットを通過するイオンビームが堆積物をスパッタリングして、スパッタリングされて生じた不純物がウエハに注入されてしまい、クロスコンタミネーションが生じてしまう。
【０００７】
そこで、本発明は、上記問題点を解決すべくなされたものであり、イオンビームを偏向させてワークに照射させないパーキング機能を有するイオン照射装置において、パーキングされたイオンビームにより生じる粒子の堆積物によるクロスコンタミネーションを防止することをその主たる課題とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
すなわち本発明に係るイオン照射装置は、イオン源から引き出されたイオンビームをワークに照射するイオン照射装置であって、前記イオンビームを、前記ワークに照射される照射軌道から偏向させて、前記ワークに照射させないパーキング軌道にするイオンビームパーキング機構と、前記パーキング軌道とされたイオンビームによってスパッタリングされた粒子が堆積する堆積部位の周囲にプラズマを発生させて、前記堆積部位に堆積した粒子を除去するクリーニング機構とを備えることを特徴とする。ここで、堆積部位とは、引出電極からワークの間において、照射軌道にあるイオンビームを取り囲む部分であって、パーキング軌道にあるイオンビームが照射されない部分であり、且つ、パーキング軌道にあるイオンビームによってスパッタリングされた粒子が堆積する部分である。
【０００９】
このようなイオン照射装置であれば、クリーニング機構が、堆積部位の周囲にプラズマを発生させて、当該堆積部位に堆積した粒子を除去するので、照射軌道にあるイオンビームが堆積した粒子をスパッタリングして生じる不純物を低減することができる。これにより、パーキング軌道にあるイオンビームにより生じる粒子の堆積物によるクロスコンタミネーションを防止することができる。
【００１０】
前記クリーニング機構の具体的な実施の態様としては、前記クリーニング機構が、前記堆積部位に対向して設けられる放電電極と、前記堆積部位及び前記放電電極の間に電圧を印加して放電させる放電用電源と、前記堆積部位及び前記放電電極の間にプラズマ化するクリーニングガスを供給するクリーニングガス供給部と、前記プラズマにより除去された除去物を前記堆積部位が位置する空間から排出する除去物排出部とを備えることが望ましい。
ここで、プラズマにより除去された除去物を除去排出部により外部に排出しているので、堆積部位から除去された除去物が空間内に留まることを防ぎ、クロスコンタミネーションを防止することができる。
【００１１】
前記放電電極が、前記堆積部位に対向する対向位置及び前記堆積部位に対向しない退避位置の間で移動可能に構成されていることが望ましい。
このように放電電極が対向位置及び退避位置の間で移動可能とすることで、対向位置にある放電電極が照射軌道にあるイオンビームを遮る構成の場合には、放電電極を退避位置に移動させることで、照射軌道にあるイオンビームを遮らないようにすることができる。
【００１２】
前記イオンビームパーキング機構の具体的な実施の態様としては、前記イオンビームパーキング機構が、前記イオンビームを挟んで配置された偏向電極と、前記偏向電極に偏向電圧を印加する偏向用電源と、前記偏向電極よりもイオンビーム下流側に設けられたマスクとを備え、前記マスクが、前記照射軌道にあるイオンビームが通過するスリットと、前記パーキング軌道にあるイオンビームを遮る遮断部とを有することが望ましい。
これならば、スリットを有するマスクに対してイオンビームがスリットを通過しない程度に偏向させればよいので、照射軌道とパーキング軌道との切り替えを簡単かつ瞬時に行うことができる。
【００１３】
イオン照射装置が、前記イオンビームの質量分析を行う分析電磁石と、前記分析電磁石を通過したイオンビームのうち、所望のイオンを含むイオンビームを通過させる分析スリットとを備え、前記偏向電極が、前記分析電磁石及び前記分析スリットの間に設けられており、前記マスクが、前記分析スリットであることが望ましい。
これならば、既存の構成部品を用いてマスクを形成することができる。
【００１４】
前記マスクが、前記イオンビームを整形する整形マスクであることが望ましい。
これならば、既存の構成部品を用いてマスクを形成することができる。
【００１５】
イオンビームパーキング機構によるイオンビームのパーキング時間（偏向時間）と、堆積部位への堆積量とは相関しているので、前記イオンビームパーキング機構による偏向時間を積算する偏向時間積算部を備え、前記偏向時間積算部により得られた積算偏向時間に基づいて、前記クリーニング機構が、前記堆積部位をクリーニングすることが望ましい。
これならば、積算偏向時間に基づいてクリーニング機構が堆積部位のクリーニングを開始するので、適切なタイミングで堆積部位のクリーニングを行うことができる。
【００１６】
また、前記堆積部位に堆積した膜厚を測定する膜厚計を備え、前記膜厚計により得られた膜厚に基づいて、前記クリーニング機構が、前記堆積部位をクリーニングすることが望ましい。
これならば、堆積部位に堆積した膜厚に基づいてクリーニング機構が堆積部位のクリーニングを開始するので、積算偏向時間よりも一層適切なタイミングで堆積部位のクリーニングを行うことができる。
【００１７】
前記クリーニング機構による前記堆積部位のクリーニング時に、前記ワークを前記イオンビームが照射される照射位置から退避させることが望ましい。
これならば、クリーニング時に堆積部位から飛散した粒子やプラズマがウエハに届きにくくなり、クロスコンタミネーションを防止することができる。
【００１８】
また、本発明に係るイオン照射装置のクリーニング方法は、イオン源から引き出されたイオンビームをワークに照射するものであり、前記イオンビームを、前記ワークに照射される照射軌道から偏向させて、前記ワークに照射させないパーキング軌道とするイオンビームパーキング機構と、前記パーキング軌道とされたイオンビームによってスパッタリングされた粒子が堆積する堆積部位の周囲にプラズマを発生させて、前記堆積部位に堆積した粒子を除去するクリーニング機構とを備えるイオン照射装置のクリーニング方法であって、前記イオンビームパーキング機構による前記イオンビームの積算偏向時間を偏向時間積算計により積算し、当該偏向時間積算計により得られた積算偏向時間をトリガーとして、前記クリーニング機構により前記堆積部位のクリーニングを開始することを特徴とする。
【００１９】
さらに、本発明に係るイオン照射装置のクリーニング方法は、イオン源から引き出されたイオンビームをワークに照射するものであり、前記イオンビームを、前記ワークに照射される照射軌道から偏向させて、前記ワークに照射させないパーキング軌道とするイオンビームパーキング機構と、前記パーキング軌道とされたイオンビームによってスパッタリングされた粒子が堆積する堆積部位の周囲にプラズマを発生させて、前記堆積部位に堆積した粒子を除去するクリーニング機構とを備えるイオン照射装置のクリーニング方法であって、前記堆積部位に堆積した膜厚を膜厚計により測定し、当該膜厚計により得られた膜厚をトリガーとして、前記クリーニング機構により前記堆積部位のクリーニングを開始することを特徴とする。
【発明の効果】
【００２０】
このように構成した本発明によれば、イオンビームを偏向させてワークに照射させないパーキング機能を有するイオン照射装置において、パーキングされたイオンビームにより生じる粒子の堆積物によるクロスコンタミネーションを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明の一実施形態におけるイオン照射装置の構成を示す模式図。
【図２】同実施形態のマスク（分析スリット）の堆積部位を示す模式図。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下に、本発明に係るイオン照射装置の一実施形態について、図面を参照して説明する。
【００２３】
本実施形態に係るイオン照射装置１００は、ワークであるウエハＷに対して所望のイオンを照射するイオン照射装置であり、図１に示すように、イオン源２と、当該イオン源２からイオンビームＩＢを引き出す引出電極３と、イオンビームＩＢの質量分析を行う分析電磁石４と、当該分析電磁石４を通過したイオンビームＩＢのうち、所望のイオンを含むイオンビームＩＢを通過させる分析スリット５と、当該分析スリット５を通過したイオンビームＩＢが照射されるウエハＷを保持するプラテン（ウエハ保持機構）６とを備えている。なお、このイオン照射装置１００は、ウエハＷに対してスポットビームを照射するもの、当該スポットビームをスキャンしたスキャンビームを照射するもの、照射方向に直交する断面が所定方向の延びた帯状のリボンビームを照射するもの、スポットビームを所定方向に掃引しながら、ウエハをスキャンするメカニカルスキャンタイプのもの、前記リボンビームを照射しながら、ウエハをスキャンするもの等が考えられる。
【００２４】
ここで、イオン源２からプラテン６までのイオンビームＩＢの経路は、真空チャンバにより囲まれており、イオン注入時は真空に保たれている。この真空チャンバは、複数に分割されており、本実施形態では、例えば、イオン源２及び引出電極３を収容するイオン源収容室と、分析電磁石４及び分析スリットを収容する質量分析系収容室と、プラテンを収容するプラテン収容室とに区画されている。なお、各収容室の間には、図示しないゲートバルブが設けられていることもあり、当該ゲートバルブの開閉により各収容室を仕切ることができる。
【００２５】
また、このイオン照射装置１００は、イオンビームＩＢの発生を止めることなく、ウエハＷへのイオンビームＩＢの照射を一時中断させるイオンビームパーキング機構７を備えている。
【００２６】
このイオンビームパーキング機構７は、イオンビームＩＢを、ウエハＷに照射される照射軌道Ｌ１から偏向させて、ウエハＷに照射させないパーキング軌道Ｌ２にするものである。具体的にイオンビームパーキング機構７は、イオンビームＩＢを挟んで配置された偏向電極７１と、偏向電極７１に偏向電圧を印加する偏向用電源７２と、偏向電極７１よりもイオンビーム下流側に設けられたマスク７３とを備えている。
【００２７】
本実施形態の偏向電極７１は、分析電磁石４と分析スリット５との間に設けられている。
【００２８】
また、マスク７３は、照射軌道Ｌ１にあるイオンビームＩＢが通過するスリット７３Ｓと、パーキング軌道Ｌ２にあるイオンビームＩＢを遮る遮断部７３Ｂとを有する。本実施形態のマスク７３は、分析スリット５により構成されている。つまり、分析スリット５のスリット５Ｓが、マスク７３のスリット７３Ｓとなり、分析スリット５のスリット５Ｓの周囲に形成された平面部５１が遮断部７３Ｂとなる。
【００２９】
このように構成したイオンビームパーキング機構７は、イオン源２及び引出電極３の間に放電（グリッチ）が発生したことが検知された場合に、偏向用電源７２が偏向電極７１に所定の偏向電圧を印加して、分析電磁石４を通過したイオンビームＩＢを偏向させて、分析スリット５の平板部５１（遮断部７３Ｂ）に当てる（図２参照）。これにより、イオンビームパーキング機構７は、グリッチ発生時から所定期間の間、イオンビームＩＢをパーキング軌道Ｌ２にして、イオンビームＩＢがウエハＷに照射されないパーキング状態とする。
【００３０】
なお、放電（グリッチ）の発生は、引出電極３に電圧を印加する引出用電源３１の出力電圧をモニターして、当該出力電圧が所定値以下となった場合に検出することができる。その他、ファラデーカップ（不図示）により得られたイオンビーム電流値がゼロ又は所定値以下となった場合に検知することができる。
【００３１】
しかして本実施形態のイオン照射装置１００は、パーキング軌道Ｌ２とされたイオンビームＩＢによってスパッタリングされた粒子が堆積する堆積部位Ｘの周囲にプラズマを発生させて、堆積部位Ｘに堆積した粒子を除去するクリーニング機構８を備えている。
【００３２】
具体的にクリーニング機構８は、堆積部位Ｘに対向して設けられる放電電極８１と、堆積部位Ｘ及び放電電極８１の間に電圧を印加して放電させる放電用電源８２と、堆積部位Ｘ及び放電電極８１の間にプラズマ化するクリーニングガスを供給するクリーニングガス供給部８３と、プラズマにより除去された除去物を堆積部位Ｘが位置する空間から排出する除去物排出部８４とを備える。
【００３３】
本実施形態の堆積部位Ｘは、図２に示すように、分析スリット５（具体的には平板部５１）の上流側の表面において、パーキング軌道Ｌ２とされたイオンビームＩＢが当たらない部分であってパーキング軌道Ｌ２とされたイオンビームＩＢによりスパッタリングされた粒子が堆積する部分である。つまり、分析スリット５の上流側の表面において、パーキング軌道Ｌ２とされたイオンビームＩＢが当たる部分以外の部分である。
【００３４】
放電電極８１は、前記堆積部位Ｘとなる分析スリット５の上流側の表面に対向して設けられる。具体的に放電電極８１は、前記堆積部位Ｘを含む分析スリット５の上流側の表面の全体に対向して設けられる。また、放電電極８１は、分析スリット収容室を形成するチャンバ部分ＶＣ１に対して電気的に絶縁された状態で設けられている。なお、前記チャンバ部分ＶＣ１は分析スリット５と等電位である。さらに、放電電極８１は、図示しない放電電極移動機構により、分析スリット５に対向する対向位置Ｐと、分析スリット５に対向せず、当該分析スリット５から退避した退避位置Ｑとの間で移動可能に設けられている。
【００３５】
なお、本実施形態の対向位置Ｐは、イオンビームＩＢの照射軌道Ｌ１及びパーキング軌道Ｌ２を遮るように前記分析スリット５に対向する位置である。つまり、イオンビームＩＢが発生している場合には、対向位置Ｐにある放電電極８１の上流側の表面にイオンビームＩＢが当たることになる。また、本実施形態の退避位置Ｑは、照射軌道Ｌ１にあるイオンビームＩＢを遮らないように分析スリット５から退避した位置である。さらに、本実施形態の放電電極移動機構は、放電電極８１を前記イオンビームＩＢの軌道に実質的に垂直な方向に移動させるものである。
【００３６】
クリーニングガス供給部８３は、分析スリット収容室を形成するチャンバ部分ＶＣ１に接続されたクリーニングガス供給管８３１と、当該クリーニングガス供給管８３１上に設けられた電磁弁等の開閉弁８３２とを備えている。なお、クリーニングガス供給管８３１には、例えばアルゴンガス等のクリーニングガスが充填されたガスボンベ等のガス供給源８３３が接続されている。
【００３７】
このクリーニングガス供給管８３１は、分析スリット収容室を形成するチャンバ部分ＶＣ１において、偏向電極７１及び分析スリット５の間に接続されている。つまり、分析スリット収容室を形成するチャンバ部分ＶＣ１に形成されたクリーニングガス供給口８３１ｈは、偏向電極７１及び分析スリット５の間に位置して、当該偏向電極７１及び分析スリット５の間にクリーニングガスを供給する。これにより、堆積部位Ｘと放電電極８１との間にプラズマが発生する。
【００３８】
除去物排出部８４は、分析スリット収容室を形成するチャンバ部分ＶＣ１に形成された排出口８４１ｈと、当該排出口８４１ｈに接続された電磁弁等の開閉弁８４２と、当該開閉弁の下流側に設けられた真空ポンプ８４３とを備えている。
【００３９】
この排出口８４１ｈは、分析スリット収容室を形成するチャンバ部分ＶＣ１において、偏向電極７１及び分析スリット５の間に位置して、当該偏向電極７１及び分析スリット５の間から優先的にガス及び不純物を排出する。
【００４０】
本実施形態では、前記クリーニング機構８を用いたクリーニングの開始トリガーとして、偏向時間積算部９を用いている。
【００４１】
偏向時間積算部９は、イオンビームパーキング機構７によるイオンビームＩＢの偏向時間を積算する積算計であり、具体的には、偏向用電源７２が偏向電圧を偏向電極７１に印加した時間、つまり偏向用電源７２の出力ＯＮ時間を積算するものである。この偏向時間積算部９は、偏向用電源７２から電源ＯＮ信号を取得することにより、偏向時間を積算するものである。なお、偏向時間積算部９は、偏向用電源７２を制御する制御機器が当該電源７２とは別に設けられている場合には、当該制御機器から電源ＯＮ信号を取得するようにしても良い。また、偏向時間積算部９の機能を偏向用電源７２又は当該電源７２とは別に設けられた制御機器に持たせても良い。
【００４２】
そして、偏向時間積算部９により得られた積算偏向時間が所定時間に達したことをトリガーとして、クリーニング機構８がクリーニングを開始する。
【００４３】
次に、このように構成したイオン照射装置１００のクリーニング動作について説明する。
【００４４】
偏向時間積算部９により得られた積算偏向時間が所定時間に達した場合に、先ず、イオン照射装置１００の制御機器１０が、放電電極移動機構を制御して、放電電極８１を退避位置Ｑから対向位置Ｐに移動させるとともに、クリーニングガス供給部８３の開閉弁８３２を開放させることにより、クリーニングガス供給口８３１ｈからクリーニングガスを真空チャンバ内に導入する。これにより、少なくとも放電電極８１及び堆積部位Ｘである分析スリット５の間の空間は、クリーニングガスにより充満される。なお、この状態において、イオンビームＩＢは、イオンビームパーキング機構７によりパーキング軌道Ｌ２とされている。
【００４５】
そして、制御機器１０が、放電用電源８２を制御して、放電電極８１と堆積部位Ｘである分析スリット５との間にグロー放電を生じさせるための電圧を印加する。放電電極８１と分析スリット５との間のグロー放電により、クリーニングガスがプラズマ化して、分析スリット５上に堆積した堆積物がスパッタリングされて除去される。
【００４６】
グロー放電を開始してから所定時間経過後、制御機器１０は、放電用電源８２を制御して、放電電極８１と分析スリット５との間の電圧印加を停止し、放電電極移動機構を制御して、放電電極８１を退避位置Ｑに移動させる。また、制御機器１０は、クリーニングガス供給部８３の開閉弁８３２を閉じて、クリーニングガスの供給を停止する。なお、この状態において、イオンビームＩＢは、イオンビームパーキング機構７によりパーキング軌道Ｌ２とされたままである。
【００４７】
その後、制御機器１０は、真空ポンプ８４３が動作した状態で、開閉弁８４３を開放して、堆積部位Ｘである分析スリット５から除去された堆積物を排出口８４１ｈを介して外部に排出する。
【００４８】
このようなクリーニングの終了後、制御機器１０が、イオンビームパーキング機構７の偏向用電源７２を制御して、偏向電極７１への電圧印加を停止して、イオンビームＩＢを照射軌道として、ウエハＷに対するイオン注入処理を開始する。
【００４９】
なお、上記のクリーニング動作では、イオンビームＩＢはパーキング軌道Ｌ２の状態のまま維持されていたが、クリーニングの開始時にイオンビームＩＢの発生を停止して、クリーニングの終了後にイオンビームＩＢを発生させるようにしても良い。
【００５０】
＜本実施形態の効果＞
このように構成した本実施形態に係るイオン照射装置１００によれば、クリーニング機構８により、パーキング軌道Ｌ２にあるイオンビームＩＢにより生じる粒子が堆積する堆積部位Ｘとの間でプラズマを発生させて、当該堆積部位Ｘに堆積した粒子を除去するので、照射軌道Ｌ１にあるイオンビームＩＢが堆積した粒子をスパッタリングして生じる不純物を低減することができる。これにより、パーキング軌道Ｌ２にあるイオンビームＩＢにより生じる粒子の堆積物によるクロスコンタミネーションを防止することができる。
【００５１】
また、イオンビームパーキング機構７のマスク７３を分析スリット５により構成しているので、既存の構成部品を用いてマスク７３を形成することができる。
【００５２】
なお、本発明は前記実施形態に限られるものではない。
【００５３】
例えば、前記実施形態では、イオンビームパーキング機構７のマスク７３が分析スリット５であったが、分析スリット５に限られず、引出電極３及びウエハＷの間において、イオンビームＩＢの経路上に位置し、且つ、パーキング軌道とされたイオンビームＩＢが当たる部材であれば良い。例えば、分析スリットとウエハとの間に設けられ、イオンビームＩＢを整形する整形マスクを、イオンビームパーキング機構のマスクとしても良い。
【００５４】
また、マスクは、引出電極３及びウエハＷの間において、イオンビームＩＢの経路上に位置し、且つ、パーキング軌道とされたイオンビームＩＢが当たる部材であれば、スリットを有さない構成であっても良い。
【００５５】
さらに、堆積部位Ｘは、パーキング軌道とされたイオンビームＩＢにより生じる粒子が堆積する部分であれば、マスクである分析スリットに限られず、例えば、真空チャンバの内部に配置されたその他の構成部品や、真空チャンバの内面であっても良い。
【００５６】
その上、クリーニング機構８のクリーニングの開始トリガーとしては、前記実施形態の他に、グリッチ測定計又は膜厚計を用いたものも考えられる。
【００５７】
グリッチ測定計は、引出電極３及び引出用電源３１の間に設けて、グリッチ時間又はグリッチ回数を積算するものである。そして、このグリッチ測定計により得られた積算時間又は積算回数が所定値を超えた場合に、クリーニング機構８により堆積部位Ｘのクリーニングを行うようにする。
【００５８】
膜厚計は、例えば水晶振動子センサであり、堆積部位に設けて、堆積した粒子の膜厚を測定するものである。そして、この膜厚計により得られた膜厚が所定値を超えた場合に、クリーニング機構８により堆積部位Ｘのクリーニングを行うようにする。
【００５９】
その他、本発明は前記実施形態に限られず、その趣旨を逸脱しない範囲で種々の変形が可能である。
【符号の説明】
【００６０】
１００・・・イオン照射装置
ＩＢ  ・・・イオンビーム
２    ・・・イオン源
３    ・・・引出電極
３１  ・・・引出用電源
４    ・・・分析電磁石
５    ・・・分析スリット
７    ・・・イオンビームパーキング機構
Ｌ１  ・・・照射軌道
Ｌ２  ・・・パーキング軌道
７１  ・・・偏向電極
７２  ・・・偏向用電源
７３  ・・・マスク
７３Ｓ・・・スリット
７３Ｂ・・・遮断部
Ｘ    ・・・堆積部位
８    ・・・クリーニング機構
８１  ・・・放電電極
Ｐ    ・・・対向位置
Ｑ    ・・・退避位置
８２  ・・・放電用電源
８３  ・・・クリーニングガス供給部
８４  ・・・除去物排出部
９    ・・・偏向時間積算部
【図１】
2016048665.tif 000003
【図２】
2016048665.tif 000004