(57)【要約】【課題】本発明はダイボンド工程やワイヤボンド工程で発生する熱による硬化の影響を受けず、封止工程にて配線基板の凹凸を十分に埋め込むことが可能で、且つ、短時間の加熱で十分な接着力を発現することが可能な接着フィルムを提供することを目的とする。【解決手段】接着剤層を有する半導体用接着シートであって、硬化後の前記接着剤層は、動的粘弾性測定装置を用いて周波数１０Ｈｚで測定した１７５℃での貯蔵弾性率が３ＭＰａ以下であり、また前記接着剤層を配線基板に熱圧着し、１５０℃で１時間硬化させた後の接着剤層硬化物の１７５℃におけるダイシェア強度が０．３ＭＰａ以上であることを特徴とする半導体用接着フィルム。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
接着剤層を有する半導体用接着シートであって、硬化後の前記接着剤層は、動的粘弾性測定装置を用いて周波数１０Ｈｚで測定した１７５℃での貯蔵弾性率が３ＭＰａ以下であり、前記接着剤層を配線基板に熱圧着し、１５０℃で１時間硬化させた後の接着剤層硬化物の１７５℃におけるダイシェア強度が０．３ＭＰａ以上であることを特徴とする半導体用接着フィルム。
【請求項２】
前記接着剤層はエポキシ樹脂と、エポキシ樹脂硬化剤と、エポキシ基含有（メタ）アクリル共重合体と、シランカップリング剤を含む接着剤組成物であって、前記シランカップリング剤が、下記一般式：
【化１】
2016190963.tif 000005
（ｎは１〜３の整数であり、Ｒはメトキシ基（ＣＨ３Ｏ−）またはメチル基（ＣＨ３−）のいずれかで構成される）で表される請求項１の半導体用接着フィルム。
【請求項３】
前記接着剤層の厚さが、３〜４０μｍである請求項１又は２記載の半導体用接着フィルム。
【請求項４】
前記エポキシ基含有（メタ）アクリル共重合体が、−５０〜３０℃のガラス転移温度（Ｔｇ）を有し、かつエポキシ基含有反復単位を０．５〜３．０質量％含む、重量平均分子量が１０万以上の共重合体であることを特徴とする請求項１〜３記載のいずれか一項記載の半導体用接着フィルム。
【請求項５】
前記エポキシ樹脂と前記エポキシ樹脂硬化剤の合計質量Ａと、前記エポキシ基含有（メタ）アクリル共重合体の質量Ｂとの比率Ｂ／(Ａ＋Ｂ）が、０．７０〜０．９０である請求項１〜４記載のいずれか一項記載の半導体用接着フィルム。
【請求項６】
前記接着剤組成物が、さらに、平均粒径が０．０１〜０．１μｍである無機フィラーを樹脂１００質量部に対して１０〜３０質量部含む、請求項１〜５記載のいずれか一項記載の半導体用接着フィルム。
【請求項７】
前記無機フィラーが真球状であることを特徴とする請求１〜６のいずれか一項記載の半導体用接着フィルム。
【請求項８】
前記接着剤層がシリカフィラーを含有する請求項１〜７のいずれか一項記載の半導体用接着フィルム。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか一項に記載の半導体用接着フィルムとダイシングテープを一体化してなるダイシングテープ一体型半導体用接着フィルム。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか一項に記載の半導体用接着フィルムを用いて、半導体素子と配線基板とを接着した構造を有してなる半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体用接着フィルム、ダイシングテープ一体型半導体用接着フィルム及び半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体素子と半導体素子搭載用配線基板の接合には銀ペーストが主に使用されていた。しかし、近年の半導体素子の小型化・高性能化に伴い、使用される配線基板にも小型化・細密化が要求されるようになってきている。こうした要求に対して、銀ペーストでは、はみ出しや半導体素子の傾きに起因するワイヤボンド時における不具合の発生、接着フィルムの膜厚の制御困難性、および接着フィルムのボイド発生などにより前記要求に対処しきれなくなってきている。そのため、前記要求に対処するべく、近年、フィルム状の接着剤が使用されるようになってきた。
【０００３】
実装基板作製プロセスは下記の通りである。まず当該接着フィルムをダイシングテープと貼り合わせた後、接着フィルムのもう片面を半導体ウェハの裏面に貼付ける。その後、ダイシング工程にて前記ウェハと接着フィルムを半導体素子に個片化する。次にダイボンド工程にて個片化した接着フィルム付き半導体素子をピックアップし、配線基板に接合する（ダイアタッチ工程）。その後、配線基板に接合した半導体素子が搬送中に剥がれたり、取れたりすることを防ぐために、オーブンにて短時間硬化を行う（仮硬化工程）。その後、ワイヤボンド工程、封止工程、封止材硬化工程、半田ボール付けを行うリフロー工程を経ることで、実装基板が得られる（例えば特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００９−８８４８０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
半導体素子をはじめとする各種電子部品を搭載した実装基板として最も重要な特性の一つとして信頼性がある。信頼性を低下させる要因の一つとして、接着フィルムが配線基板上の凹凸を十分に埋め込ませることができない点が挙げられる。ダイボンド工程にて配線基板上面に貼り付けた接着フィルムは、仮硬化工程及び、ワイヤボンド工程を経た後、封止工程での高い温度と圧力によって、配線基板上面の凹凸を埋め込ませる必要がある。しかし、近年、配線基板に接着フィルム付き半導体素子を多段に積層させることで実装基板の高容量化が進んでおり、半導体素子を多段に積層するためにダイボンド工程とワイヤボンド工程を繰り返し行うことで、これらの工程での加熱により、接着フィルムの硬化が進み、封止工程で配線基板の凹凸を埋め込ませることができず、結果として実装基板の信頼性を低下させるという問題がある。
【０００６】
実装基板の高容量化の観点から、接着フィルムの重要特性として、封止工程での配線基板上面の凹凸埋込み性が挙げられる。そのためにはダイボンド工程及びワイヤボンド工程での加熱の影響を受けにくい接着フィルムの硬化が必要である。
【０００７】
ダイボンド工程及びワイヤボンド工程での加熱の影響を受けにくい接着フィルムは一方で被着体に対する接着力が長時間熱履歴を加えないと発現せず、接着フィルム付き半導体素子を配線基板に接合した後、ダイボンド工程やワイヤボンド工程で配線基板に接合した半導体素子が搬送中に剥がれたり、取れるリスクがある。そのためオーブンでの硬化工程を加えることで接着フィルムと配線基板との接着力を向上させ、剥がれるリスクを回避するが、加熱の影響を受けにくい設計の接着フィルムの場合はオーブンの条件をより長時間にする必要があり、工程時間の長時間化の懸念がある。
【０００８】
本発明はダイボンド工程やワイヤボンド工程で発生する熱による硬化の影響を受けず、封止工程にて配線基板の凹凸を十分に埋め込むことが可能で、且つ、短時間の加熱で十分な接着力を発現することが可能な接着フィルム、ダイシングテープ一体型半導体用接着フィルム及び半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、以下のことを特徴とする。
【００１０】
接着剤層を有する半導体用接着シートであって、硬化後の前記接着剤層は、動的粘弾性測定装置を用いて周波数１０Ｈｚで測定した１７５℃での貯蔵弾性率が３ＭＰａ以下であり、前記接着剤層を配線基板に熱圧着し、１５０℃で１時間硬化させた後の接着剤層硬化物の１７５℃におけるダイシェア強度が０．３ＭＰａ以上であることを特徴とする半導体用接着フィルム。
【００１１】
前記接着剤層はエポキシ樹脂と、エポキシ樹脂硬化剤と、エポキシ基含有（メタ）アクリル共重合体と、シランカップリング剤を含む接着剤組成物であって、前記シランカップリング剤が、下記一般式：
【化１】
2016190963.tif 000002
（ｎは１〜３の整数であり、Ｒはメトキシ基（ＣＨ３Ｏ−）またはメチル基（ＣＨ３−）のいずれかで構成される）で表される半導体用接着フィルム。
【００１２】
前記接着剤層の厚さが、１〜４０μｍである半導体用接着フィルム。
【００１３】
前記エポキシ基含有（メタ）アクリル共重合体が、−５０〜３０℃のガラス転移温度（Ｔｇ）を有し、かつエポキシ基含有反復単位を０．５〜３．０質量％含む、重量平均分子量が１０万以上の共重合体であることを特徴とする半導体用接着フィルム。
【００１４】
前記エポキシ樹脂と前記エポキシ樹脂硬化剤の合計質量Ａと、前記エポキシ基含有（メタ）アクリル共重合体の質量Ｂとの比率Ｂ／（Ａ＋Ｂ）が、０．７０〜０．９０である半導体用接着フィルム。
【００１５】
前記接着剤組成物が、さらに、平均粒径が０．０１〜０．１μmである無機フィラーを樹脂１００質量部に対して１０〜３０質量部含む半導体用接着フィルム。
【００１６】
前記無機フィラーが真球状であることを特徴とする半導体用接着フィルム。
【００１７】
前記接着剤層がシリカフィラーを含有する半導体用接着フィルム。
【００１８】
半導体用接着フィルムとダイシングテープを一体化してなるダイシングテープ一体型半導体用接着フィルム。
【００１９】
半導体用接着フィルムを用いて、半導体素子と支持部材とを接着した構造を有してなる半導体装置。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、ダイボンド工程やワイヤボンド工程で発生する熱による硬化の影響を受けず、封止工程にて配線基板の凹凸を十分に埋め込むことが可能で、且つ、短時間の加熱で十分な接着力を発現することが可能な接着フィルム、ダイシングテープ一体型半導体用接着フィルム及び半導体装置を提供することができる。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
（半導体用接着フィルム）
本発明の半導体用接着フィルムを構成する接着剤層は、硬化後のＣステージ状態において、動的粘弾性測定装置を用いて周波数１０Ｈｚで測定した１７５℃での貯蔵弾性率が３ＭＰａ以下である。１７５℃は封止工程での温度を想定しており、３ＭＰａ以上の場合、封止工程での配線基板上面の凹凸埋込み性が不十分になる可能性がある。
【００２２】
前記硬化後の接着剤層の貯蔵弾性率は、接着剤層を１７５℃、５時間硬化させた後、動的粘弾性測定装置（レオロジ社製、商品名ＤＶＥ−Ｖ４）を用いて、接着剤層硬化物に引張り荷重をかけて、周波数１０Ｈｚ、昇温速度３〜１０℃／分で−５０〜３００℃まで測定する温度依存性測定モードで測定することができる。
【００２３】
本発明の半導体用接着フィルムは、配線基板に熱圧着し、１５０℃で１時間硬化させた後の接着剤層硬化物の１７５℃におけるダイシェア強度が０.３ＭＰａ以上である。前記ダイシェア強度が０．３ＭＰａ未満では、基板搬送時に接着フィルムと基板間で剥離が発生したり、モールド時にシリコンウェハと接着シート間に異物が混入する可能性がある。
【００２４】
前記ダイシェア強度は、接着フィルムの接着剤層面をシリコンウェハに７０℃で貼り付け、接着剤層を圧力０.１５ＭＰａ、時間１.０秒、温度１２０℃の条件で凹凸のある配線基板に圧着し、１５０℃で１時間硬化させて接着剤硬化物のサンプルを作製し、万能ボンドテスター（Ｄａｇｅ社製）を用いて、測定温度１７５℃で測定することができる。
【００２５】
また、本発明の半導体用接着フィルムは、接着剤層面を有機基板に貼付し、７０℃で３時間硬化させた後、８５℃、相対湿度８５％、保持時間４８時間の条件で吸湿処理し、処理前後の有機基板に対する接着剤層硬化物の２６５℃におけるダイシェア強度の比（吸湿処理後のダイシェア強度／吸湿処理前のダイシェア強度）が０．７以上であることが好ましい。前記ダイシェア強度比が０．７未満では、耐半田リフロー性に劣り、接着剤層と基板間で剥離が発生する可能性がある。前記ダイシェア強度は接着力の指標であり、ダイシェア強度比が大きいほど耐半田リフロー性に優れ高い信頼性を有することになる。
【００２６】
前記ダイシェア強度比は以下により求めることができる。接着フィルムの接着剤層面を半体素子に温度７０℃、圧力０.３ＭＰａ、速度０.３ｍ／分の条件で貼付し、その後、０．１ＭＰａ、時間５秒、温度１２０℃の条件で有機基板に圧着し、１７５℃で５時間硬化させた後、温度８５℃、相対湿度８５％、保持時間４８時間の条件で吸湿処理し、万能ボンドテスター（Ｄａｇｅ社製）を用いて、測定温度２６５℃で吸湿処理後のダイシェア強度を測定し、ダイシェア強度比を算出する。
【００２７】
前記ダイシェア強度比を０.７以上にする方法として、例えば接着剤層を構成する成分である硬化剤として吸水率が２質量％以下のフェノール樹脂を用いることや、硬化促進剤の配合量を調整することが挙げられる。
【００２８】
（接着剤層）
以下、本発明の半導体用接着フィルムを構成する接着剤層について説明する。
【００２９】
（エポキシ基含有（メタ）アクリル共重合体）
本発明に使用するエポキシ基含有（メタ）アクリル共重合体は、−５０〜３０℃のガラス転移温度（Ｔｇ）を有し、かつエポキシ基含有反復単位を０．５〜３．０質量％含む、重量平均分子量が１０万以上の共重合体である。
【００３０】
エポキシ基含有（メタ）アクリル共重合体は、例えば、（メタ）アクリルエステル共重合体、アクリルゴムを使用することができ、アクリルゴムがより好ましい。アクリルゴムは、アクリル酸エステルを主成分とし、主として、ブチルアクリレートとアクリロニトリル等との共重合体や、エチルアクリレートとアクリロニトリル等との共重合体などからなるゴムである。
【００３１】
アクリル共重合体の官能性モノマーとしては、エポキシ樹脂と非相溶であるものが、硬化後にエポキシ樹脂とアクリル共重合体がそれぞれ分離し、耐リフロークラック性および耐熱性が有効に発現された接着剤を得ることができる点で好ましい。なかでも、エポキシ樹脂と非相溶であるグリシジルアクリレートまたはグリシジルメタクリレートを用いるのが好ましい。このエポキシ基含有反復単位の量は、エポキシ基含有（メタ）アクリル共重合体に０．５〜３．０質量％含有されることが必要である。この範囲にあると、接着力の確保とゲル化の防止が同時に図ることができる。
【００３２】
また共重合体中のエポキシ基含有反復単位以外は、エチルもしくはブチル（メタ）アクリル反復単位、または両者の混合物を用いることができる。混合比率は、本発明の共重合体のガラス転移温度（以下「Ｔｇ」という）−５０〜３０℃を考慮して決定される。
【００３３】
このエポキシ基含有反復単位を０．５〜２．７質量％含有するエポキシ基含有（メタ）アクリル共重合体は、例えば、グリシジルを３質量％含有する帝国化学産業株式会社製のＨＴＲ―８６０Ｐ−３（商品名）を用いて、調製することができる。重合方法は特に限定されず、パール重合、溶液重合等を使用することができる。これにより、Ｂステージ状態での接着剤層のタック性が適切であり、取り扱い性が良好である。
【００３４】
エポキシ基含有アクリル共重合体の重量平均分子量は、１０万〜３００万であり、好ましくは５０万〜２００万である。重量平均分子量がこの範囲にあると、フィルム状、フィルム状での強度、可撓性、タック性を適切に制御することができるとともに、フロー性が良く、配線の回路充填性を良好に保つことができる。
【００３５】
（エポキシ樹脂とポキシ樹脂硬化剤）
エポキシ樹脂とエポキシ樹脂硬化剤の合計質量Ａと、前記エポキシ基含有（メタ）アクリル共重合体の質量Ｂとの比率Ｂ／（Ａ＋Ｂ）は、０．７０〜０．９０であることが好ましい。０．７０以下では弾性率が高くなり、封止工程において配線基板上面の凹凸埋込み性が低下し、フィルムと配線基板間に空間（ボイド）が残る可能性があり、これがリフロー工程で発泡し、ＰＫＧ信頼性を低下させる可能性がある。また０．９０以上ではダイシェア強度が低下し、基板搬送時などに接着フィルムが基板から剥離する懸念がある。
【００３６】
（無機フィラー）
また、本発明で任意的に使用される無機フィラーは、特に限定されず、例えば、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、ホウ酸アルミウィスカ、窒化ホウ素、結晶性シリカ、非晶性シリカを使用することができ、これらは、１種または２種以上を併用することができる。熱伝導性向上のためには、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、結晶性シリカ、非晶性シリカ等が含有されていることが好ましい。溶融粘度の調整やチキソトロピック性の付与の目的には、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、結晶性シリカ、非晶性シリカなどが含有されていることが好ましい。また、無機フィラーが真球状であるのが好ましい。
【００３７】
無機フィラーの使用量は、接着剤組成物１００質量部に対して１０〜３０質量部が好ましい。１０質量部以下では接着性が低下し、ＰＫＧ（パッケージ）信頼性を低下させる恐れがある。また３０質量部以上だと弾性率が上昇し、基板凹凸を追従するための十分なやわらかさを維持することが困難になる可能性がある。また、無機フィラーの平均粒径は、接着性および接着剤層の厚みの点から、０．０１μｍ〜０．１μｍが好ましい。０．０１μｍ以下ではフィラー同士が凝集することでフィルム上にフィラー凝集物が析出し、フィルム外観の悪化が懸念させる。また０．１μｍ以上ではフィルムを薄膜化した際、フィラー起因のスジ状のキズが原因となり、フィルム外観を悪化させる懸念がある。また凹凸のある配線基板に熱圧着した際、接着面積の低下が原因でダイシェア強度が低下し、基板搬送時などに接着フィルムが基板から剥離する懸念がある。
【００３８】
（硬化促進剤）
また、本発明の接着剤組成物には、硬化促進剤を添加することもできる。硬化促進剤は、特に限定されず、各種イミダゾール類を用いることができる。イミダゾール類としては、２−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−メチルイミダゾール等が挙げられ、これらは１種または２種以上を併用することもできる。
【００３９】
硬化促進剤の添加量は、エポキシ樹脂およびエポキシ樹脂硬化剤との合計質量１００質量部に対して０．０５〜０．２質量部が好ましく、０．０５〜０．１質量部がより好ましい。この範囲にあると、封止工程での配線基板上面の凹凸埋込み性とＰＫＧ信頼性を両立することが可能である。０．０５質量部以下だと封止材硬化工程でフィルムを完全に硬化させることができず、ＰＫＧ信頼性を低下させる恐れがある。０．２質量部以上だと封止工程前の加熱でフィルム硬化が進み、フィルムが硬くなることで封止工程での配線基板上面の凹凸埋込み性が低下し、フィルムと配線基板間に空間（ボイド）が残る可能性があり、これがリフロー工程で発泡し、ＰＫＧ信頼性を低下させる可能性がある。
【００４０】
（その他の材料）
接着フィルムを構成する樹脂組成物は、上記のエポキシ樹脂、硬化剤、エポキシ基含有（メタ）アクリル共重合体、無機フィラー、硬化促進剤の他に、必要に応じて、触媒、添加剤、カップリング剤等の各種添加剤をさらに含んでも良い。特に制限は無いが、被着体に対して接着力を向上させるために、カップリング剤を含むことが好ましい。
【００４１】
（カップリング剤）
接着フィルムを構成する樹脂組成物のうち、カップリング剤として下記一般式：
【化２】
2016190963.tif 000003
（ｎは１〜３の整数であり、Ｒはメトキシ基（ＣＨ３Ｏ−）またはメチル基（ＣＨ３−）のいずれかで構成される）で表されるシランカップリング剤を含んでいることが望ましい。
【００４２】
前記シランカップリング剤としては３−（Ｎ−フェニル）アミノプロピルトリメトキシシラン、３−（Ｎ−フェニル）アミノメチルトリメトキシシラン、３−（Ｎ―フェニル）アミノジメトキシメチルシランなどが挙げられ、これらは１種または２種以上を併用することもできる。
【００４３】
（支持体）
本発明の接着フィルムは、本発明の接着剤組成物を溶剤に溶解あるいは分散してワニスとし、支持体上に塗布、加熱し溶剤を除去することによって、フィルム状に形成して得ることができる。
【００４４】
支持体としては、ポリテトラフルオロエチレン、ポリエチレンテレフタレート、ポイエチレン、ポリプロピレン、ポリメチルペンテン、ポリイミドなどのプラスチックのフィルムを使用することができ、これら支持体は、表面を離型処理して使用することもできる。また支持体は、使用時に剥離して、接着フィルムのみとしたのち使用することもでき、また、支持体とともに接着フィルム付き支持体として使用し、後に支持体を除去することもできる。
【００４５】
（溶剤）
上記の接着剤組成物をワニス化するための溶剤としては、特に限定されないが、フィルム作製時の揮発性等を考慮すると、メタノール、エタノール、２−メトキシエタノール、２−ブトキシエタノール、メチルエチルケトン、アセトン、メチルイソブチルケトン、２−エトキシエタノール、トルエン、キシレンなどの比較的低沸点の溶媒を使用するのが好ましい。また、塗膜性を向上させるために、ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルピロリドン、シクロヘキサノンなどの比較的高沸点の溶媒を加えることもできる。
【００４６】
（フィラーの分散）
本発明の接着剤組成物に無機フィラーを添加した際のワニスの製造には、無機フィラーの分散性を考慮して、らいかい機、三本ロール、ボールミルまたはビーズミルなどを使用するのが好ましく、これらを組み合せて使用することもできる。また、無機フィラーと低分子量物をあらかじめ混合した後、高分子量物を配合することによって、混合する時間を短縮することも可能となる。また、ワニスとした後、真空脱気等によってワニス中の気泡を除去することもできる。
【００４７】
（塗工）
支持体へのワニスの塗布方法（塗工方法）としては、公知の方法を用いることができ、例えば、ナイフコート法、ロールコート法、スプレーコート法、グラビアコート法、バーコート法、カーテンコート法等が挙げられる。
【００４８】
（接着フィルムの厚さ）
接着フィルムの厚さ（接着剤層の厚さ）は、特に限定されるものではないが、３〜４０μmが好ましい。この範囲にあると、配線基板の凹凸埋込み性を十分に発揮できるともに、経済的である。
【００４９】
（フィルムラミネート）
また、本発明の接着フィルムは、所望の厚さを得るために、２枚以上を貼り合わせることもできる。この場合には、接着フィルム同士の剥離が発生しないための貼り合わせ条件が必要である。
【００５０】
（ダイシングテープ一体型半導体用接着フィルム）
本発明の接着フィルムは、それ自体で用いても構わないが、本発明の接着フィルムを従来公知のダイシングテープ上に積層したダイシングテープ一体型接着フィルムとして用いることもできる。ダイシングテープ上に接着フィルムを積層する方法としては、印刷のほか、予め作成した接着フィルムをダイシングテープ上にプレス、ホットロールラミネート方法が挙げられるが、連続的に製造でき、効率が良い点でホットロールラミネート方法が好ましい。尚、ダイシングテープの膜厚は、特に制限はなく、接着フィルムの膜厚やダイシングテープ一体型接着フィルムの用途によって適宜、当業者の知識に基づいて定められるものであるが、経済性がよく、フィルムの取扱い性が良い点で６０〜２００μｍ、好ましくは７０〜１７０μｍである。
【００５１】
（配線基板）
本発明に用いる半導体搭載用配線基板としては、ダイパットを有するリードフレーム、セラミック基板や有機基板等を基板材質に限定されることなく用いることができる。セラミック基板としては、アルミナ基板、窒化アルミ基板等を用いることができる。有機基板としては、ガラスクロスにエポキシ樹脂を含漬させたＦＲ−４基板、ビスマレイミド−トリアジン樹脂を含漬させたＢＴ基板、さらにはポリイミドフィルムを基材として用いたポリイミドフィルム基板等を用いることができる。
【００５２】
配線の形状としては、片面配線、両面配線、多層配線いずれの構造でも良く、必要に応じて電気的に接続された貫通孔、非貫通孔を設けても良い。さらに、配線が半導体装置の外部表面に現れる場合には、保護樹脂層を設けることが好ましい。
【００５３】
（圧着）
接着フィルムを配線基板へ張り付ける方法としては、接着フィルムを所定の形状に切断し、その切断された接着フィルムを配線基板の所望の位置に熱圧着する方法が一般的ではあるが、これを限定するものではない。
【００５４】
（半導体素子）
半導体素子としては、ＩＣ、ＬＳＩ、ＶＬＳＩ等一般の半導体素子を使用することができる。
【００５５】
（半導体装置）
本発明の半導体用接着フィルムを用いて、半導体素子と配線基板とを接着した構造を有してなる半導体装置を作製することができる。
【００５６】
（半導体装置の反り）
半導体素子と配線基板の間に発生する熱応力は、半導体素子と配線基板の面積差が小さい場合に著しいが、本発明の半導体装置は低弾性率の接着フィルムを用いることによりその熱応力を緩和して信頼性を確保する。これらの効果は、半導体素子の面積が、配線基板の面積の７０％以上である場合に非常に有効に現れるものである。また、このように半導体素子と配線基板の面積差が小さい半導体装置においては、外部接続端子はエリア状に設けられる場合が多い。
【００５７】
（接着剤層の揮発分）
また、本発明の接着フィルムの特性として、前記接着フィルムを配線基板の所望の位置に熱圧着する工程や、ワイヤーボンディングで接続する工程等、加熱される工程において、接着剤層からの揮発分を抑制できる。
【実施例】
【００５８】
以下、本発明を実施例により詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００５９】
エポキシ樹脂として、エポキシ当量２１０のクレゾールノボラック型エポキシ樹脂（東都化成株式会社製、商品名：ＹＤＣＮ−７００−１０）、エポキシ樹脂硬化剤としてフェノール樹脂（三井化学株式会社製、商品名：ＸＬＣ−ＬＬ）、シランカップリング剤として、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン（モーメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン合同会社製、商品名：Ａ−１８９）と、３−（Ｎ−フェニル）アミノプロピルトリメトキシシラン（モーメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン合同会社製、商品名：Ｙ９６６９）、硬化促進剤（四国化成工業株式会社製、商品名：２ＰＺ−ＣＮ）、フィラーとして、平均粒径が約０．０５０μmの真球状シリカ（株式会社アドマテックス製、商品名：ＹＡ０５０Ｃ）からなる組成物に、シクロヘキサノンを加えて攪拌混合した。
【００６０】
これに、グリシジル基含有反復単位を３．０質量％含むアクリルゴム（ナガセケムテック株式会社製、商品名：ＨＴＲ−８６０Ｐ−３、重量平均分子量８０万、このアクリルゴムは、質量比で、ブチルアクリレート／エチルアクリレート／アクリロニトリル／グリシジルメタクリレートが、３９．４／２９．３／３０．３／３を含む）を混合し、真空脱気した。こうして作製したワニスを、離型処理した厚さ３８μmのポリエチレンテレフタレートフィルム上に塗布し、９０℃で５分間、及び１３０℃で５分間加熱乾燥して、膜厚が２０μmのＢステージ状態の塗膜を形成し、キャリアフィルムを備えた接着フィルムを作製した。以下同様に表１の各接着フィルムを作製した。表１に実施例１〜３および比較例１〜２の配合質量部を示す。
【００６１】
なお、作製した接着剤組成物における、エポキシ樹脂とエポキシ樹脂硬化剤の合計質量Ａと、エポキシ基含有（メタ）アクリル共重合体（アクリルゴム）の質量Ｂとの比率も合わせて表１に示す。
【００６２】
【表１】
2016190963.tif 000004
【００６３】
（ダイシェア強度）
接着フィルム付き半導体チップ（縦５ｍｍ×横５ｍｍ）を温度１２０℃、圧力０.１５ＭＰａ、時間１.０秒の条件で、配線基板（有機基板、レジストは太陽インキ製造株式会社製、商品名：ＡＵＳ３０８、上面の凹凸は約６μｍ）に圧着し、１５０℃で１時間硬化させて接着剤硬化物のサンプルを作製し、万能ボンドテスター（Ｄａｇｅ社製）を用いて、測定温度１７５℃で測定した。
【００６４】
（弾性率）
接着剤層を厚さ１６０μｍまでラミネートし、幅４ｍｍ、長さ４０ｍｍの大きさに切り出す。１７５℃、５時間硬化させた後、動的粘弾性測定装置（レオロジ社製、商品名ＤＶＥ−Ｖ４）を用いて、接着剤層硬化物に引張り荷重をかけて、チャック間１０ｍｍ、体積変化率５％、周波数１０Ｈｚ、昇温速度３〜１０℃／分で−５０〜３００℃まで測定する温度依存性測定モードで測定した。
【００６５】
（埋込み評価）
接着フィルム付き半導体チップ（縦７．５ｍｍ×横７．５ｍｍ）を１２０℃、０．１ＭＰａ、１秒の条件で、配線基板（有機基板、レジストは太陽インキ製造株式会社製、商品名：ＡＵＳ３０８、上面の凹凸は約６μｍ）に貼り付けたサンプルを作製し、ホットプレート上で硬化させた（１５０℃、６時間）。その後、モールド用封止材（日立化成株式会社製、商品名：ＣＥＬ-９７００ＨＦ）を用いて１７５℃、６．９ＭＰａ、１２０秒の条件で封止を行い、評価用パッケージを作製し、配線基板上面の凹凸への充填性を観察した。超音波顕微鏡で観察を行い、前記凹凸に空隙のないものを○、あるものを×とした。
【００６６】
（フィルム外観）
作製したワニスを、離型処理した厚さ３８μmのポリエチレンテレフタレートフィルム上に塗布し、９０℃で５分間、及び１３０℃で５分間加熱乾燥して、膜厚が２０μmのＢステージ状態の塗膜を形成した後、塗膜表面の外観を目視で観察した結果、直径１ｍｍ以上の凝集物が観察された場合を×、観察されなかった場合を○とした。