(57)【要約】【課題】ＲＦ試験を手動操作にて行った場合であっても、評価結果のばらつきが抑制される電子装置を提供する。【解決手段】電子装置１は、基板４１上に形成されたトランジスタ１２と、基板４１上に設けられ、トランジスタ１２に接続される伝送線路４６と、伝送線路４６に接続されるＲＦパッド１３と、ＲＦパッド１３の異なる位置に接続された第１の配線５１および第２の配線５２を介して、ＲＦパッド１３と伝送線路４６とを電気的に接続する接続配線４３と、を有する。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成されたトランジスタと、
前記基板上に設けられ、前記トランジスタに接続される伝送線路と、
前記伝送線路に接続される電極パッドと、
前記電極パッドの異なる位置に接続された第１の配線および第２の配線を介して、前記電極パッドと前記伝送線路とを電気的に接続する接続配線とを有する、電子装置。
【請求項２】
前記第１の配線および前記第２の配線は、前記電極パッドと前記伝送線路との間で並列接続となっている、請求項１に記載の電子装置。
【請求項３】
前記第１の配線および前記第２の配線は、前記伝送線路よりも単位長さ当たりのインダクタ成分が大きい、請求項１又は２に記載の電子装置。
【請求項４】
前記伝送線路は、前記トランジスタに接続される一端と前記電極パッドに接続される他端とを有し、
前記第１の配線は、前記電極パッドの中央部に対して前記伝送線路の一端側に位置する部分に接続され、
前記第２の配線は、前記電極パッドの前記中央部に対して前記伝送線路の一端側の反対側に位置する部分に接続される、請求項１〜３のいずれか一項に記載の電子装置。
【請求項５】
前記第１の配線と前記第２の配線とは、前記電極パッドの前記中央部に対して点対称、もしくは前記電極パッドの前記中央部を通過し、前記伝送線路の延在方向と直交する直線に対して線対称に設けられている、請求項４に記載の電子装置。
【請求項６】
前記第１の配線と前記第２の配線とは、互いに同じ長さである、請求項１〜５のいずれか一項に記載の電子装置。
【請求項７】
前記第１の配線及び前記第２の配線のそれぞれは、ビアを含む、請求項１〜６のいずれか一項に記載の電子装置。
【請求項８】
前記電極パッドの一部の領域上には、前記トランジスタが外部の装置に接続されるためのはんだボールが設けられている、請求項１〜７のいずれか一項に記載の電子装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体集積回路等の電子装置内に設けられている電界効果トランジスタ（以下、ＦＥＴ：  Ｆｉｅｌｄ  Ｅｆｆｅｃｔ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒとする）及び機能回路等においては、様々な特性を評価するための試験が行われる。この試験として、例えばプローブ電極（ＲＦプローブ）を電子装置の信号入力用パッドに接続し、ＦＥＴ等のＲＦ特性（高周波特性）を評価するＲＦ試験がある。
【０００３】
例えば特許文献１には、マイクロ波集積回路（以下、ＭＭＩＣ：  Ｍｏｎｏｌｉｔｈｉｃ  Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ  Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔとする）を接地されたシールドメタルにて覆うことによって、パッケージ実装時の条件に近いＭＭＩＣに対してＲＦ試験を行う技術が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平６−３３４００４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、ＲＦ試験においては、手動操作によってＲＦプローブを電子装置のＲＦパッドに接触させることが通常行われる。このため、ＲＦプローブとＲＦパッドとが互いに接触するコンタクト部分にはばらつきが生じ、当該コンタクト部分から評価対象であるＦＥＴ等までの線路長が変化する。この場合、ミリ波帯で用いられる電子装置に対してＲＦ試験を行うと、測定されるＦＥＴのＲＦ特性は、上記線路に依存してばらついてしまう。
【０００６】
本発明は、ＲＦ試験を手動操作にて行った場合であっても、評価結果のばらつきが抑制される電子装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一側面に係る電子装置は、基板上に形成されたトランジスタと、基板上に設けられ、トランジスタに接続される伝送線路、伝送線路に接続される電極パッドと、電極パッドの異なる位置に接続された第１の配線および第２の配線を介して、電極パッドと伝送線路とを電気的に接続する接続配線とを有する。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、ＲＦ試験を手動操作にて行った場合であっても、評価結果のばらつきが抑制される電子装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】図１は、本実施形態に係る電子装置の側面図である。
【図２】図２は、本実施形態に係る電子装置がＲＦプローブに接続されている状態を示す平面図である。
【図３】図３は、電子装置の主面の一部を拡大した図である。
【図４】図４は、図３におけるＩＶ−ＩＶに沿った断面図である。
【図５】図５は、比較例に係る電子装置にＲＦプローブを接触させる際の図である。
【図６】図６は、本実施形態に係る電子装置にＲＦプローブを接触させる際の図である。
【図７】図７は、図６の一部を模式的に示した図である。
【図８】図８は、第１変形例の電子装置の主面の一部を拡大した平面図である。
【図９】図９は、図８の一部を模式的に示した図である。
【図１０】図１０は、第２変形例の電子装置の主面の一部を拡大した図である。
【図１１】図１１は、第３変形例の電子装置の主面の一部を拡大した図である。
【図１２】図１２は、第４変形例の電子装置の主面の一部を拡大した図である。
【図１３】図１３は、図１２のＸＩＩＩ−ＸＩＩＩに沿った断面図である。
【図１４】１４は、実施例のＲＦプローブに接続される評価用端子を模式的に示した図である。
【図１５】図１５は、図１４の等価回路を示す図である。
【図１６】図１６は、比較例のＲＦプローブに接続される評価用端子を模式的に示した図である。
【図１７】図１７は、図１６の等価回路を示す図である。
【図１８】図１８は、高周波信号の周波数を５０ＧＨｚとした場合のアイソレーションを示すグラフである。
【図１９】図１９は、高周波信号の周波数を８０ＧＨｚとした場合のアイソレーションを示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
［本願発明の実施形態の説明］
最初に本願発明の実施形態の内容を列記して説明する。本願発明の一実施形態は、基板上に形成されたトランジスタと、基板上に設けられ、トランジスタに接続される伝送線路と、伝送線路に接続される電極パッドと、電極パッドの異なる位置に接続された第１の配線および第２の配線を介して、電極パッドと伝送線路とを電気的に接続する接続配線とを有する、電子装置である。
【００１１】
この電子装置では、トランジスタに接続される伝送線路は、第１の配線及び第２の配線を有する接続配線を介して電極パッドに接続されている。ＲＦプローブを電極パッドに接触させてトランジスタのＲＦ特性を評価する場合、ＲＦプローブは、第１の配線を介して伝送線路に接続されると共に、第２の配線を介して伝送線路に接続される。ここで、第１の配線及び第２の配線は、電極パッドの異なる位置に接続されている。この場合、電極パッドとＲＦプローブとが互いに接触するコンタクト部分から伝送線路までの線路長は、第１の配線を介した線路のインピーダンスと第２の配線を介した線路のインピーダンスの合成値となる。そして、この合成値は、両線路の線路長の並列値となる。これにより、上記コンタクト部分が電極パッドの中央部からずれたとしても、当該コンタクト部分から伝送線路までの線路に基づくインピーダンスは、二つの経路に係るインピーダンスの並列値となり、変動しにくくなる。したがって、ＲＦ試験を手動操作にて行った場合であっても、ＲＦ特性の評価結果のばらつきが抑制される。
【００１２】
また、第１の配線および第２の配線は、電極パッドと伝送線路との間で並列接続となっていてもよい。この場合、第１の配線を介した線路長と第２の配線を介した線路長との判別が容易になる。
【００１３】
また、第１の配線および第２の配線は、伝送線路よりも単位長さ当たりのインダクタ成分が大きくてもよい。
【００１４】
伝送線路は、トランジスタと接続される一端と電極パッドと接続される他端とを有し、第１の配線は、電極パッドの中央部に対して伝送線路の一端側に位置する部分に接続され、第２の配線は、電極パッドの中央部に対して伝送線路の一端側の反対側に位置する部分に接続されてもよい。この場合、第１の配線を介した線路長と第２の配線を介した線路長とが同一となる上記コンタクト部分の領域が小さくなり、線路長の変動が効果的に小さくなる。
【００１５】
また、第１の配線と第２の配線とは、電極パッドの中央部に対して点対称、もしくは電極パッドの中央部を通過し、伝送線路の延在方向と直交する直線に対して線対称に設けられていてもよい。この場合、電極パッドの中央部から第１の配線までの線路長は、電極パッドの中央部から第２の配線までの線路長と等しくなる。したがって、インピーダンスの変動が一層小さくなる。
【００１６】
また、第１の配線と第２の配線とは、互いに同じ長さであってもよい。この場合、インピーダンスの変動が一層小さくなる。
【００１７】
また、第１の配線及び第２の配線のそれぞれは、ビアを含んでもよい。
【００１８】
また、電極パッドの一部の領域上には、トランジスタが外部の装置に接続されるためのはんだボールが設けられていてもよい。
【００１９】
［本願発明の実施形態の詳細］
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、以下の説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には、同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。
【００２０】
図１は、本実施形態に係る電子装置の側面図である。図１に示されるように、電子装置１は、本体部２と、外部端子３とを備えている。電子装置１は、例えばＭＭＩＣである。本体部２は、例えば略長方形の平面形状を有しており、後述する配線及びトランジスタを含む各種機能回路を搭載する。外部端子３は、本体部２の主面２ａ上に位置しており、本体部２内の機能回路と、配線基板等の外部装置とを接続するために設けられている。外部端子３は、例えば略長方形の平面形状又は円形の平面形状を有しており、金（Ａｕ）から構成される導電層である。外部端子３には、例えばスズ、銀、銅等の金属又はそれらの合金等の導電性材料で形成された、球形状のはんだボール４が設けられていてもよい。この場合、外部端子３は、はんだボール４を介して外部装置に接続される。
【００２１】
図２は、本実施形態に係る電子装置がＲＦプローブに接続されている状態を示す平面図である。図２に示されるように、本体部２は、基準パターン１１、トランジスタ１２、ＲＦパッド（電極パッド）１３〜１８、ＤＣパッド１９，２０、信号線路２１，２２、及び配線２３，２４を有している。
【００２２】
基準パターン１１は、主面２ａ上の略一面に設けられており、例えば金（Ａｕ）によって形成される導電層である。したがって、電子装置１は表面実装型のＭＭＩＣである。基準パターン１１は、基準電位を有しており、ＲＦパッド１３，１４と電気的に絶縁している。主面２ａ上における基準パターン１１とＲＦパッド１３，１４との間には、隙間１１ａ，１１ｂが設けられている。
【００２３】
トランジスタ１２は、例えばガリウムヒ素（ＧａＡｓ）系半導体材料、ガリウムナイトライド（ＧａＮ）系半導体材料、又はシリコン（Ｓｉ）系半導体材料をチャネルとするＦＥＴである。トランジスタ１２は、主面２ａ上の信号線路２１，２２を介してＲＦパッド１３，１４に接続されており、ＲＦパッド１３，１４が接続するトランジスタ１２の面とは異なる面で接続する配線２３、２４を介してＤＣパッド１９，２０に接続されている。例えば、トランジスタ１２のゲートはＲＦパッド１３に接続されており、トランジスタ１２のドレインはＲＦパッド１４に接続されており、トランジスタ１２のソースはＤＣパッド１９，２０に接続されている。なお、本明細書における「接続」とは、直接的な接続に限らず、電気的な接続及び機能的な接続を含む。
【００２４】
ＲＦパッド１３〜１８は、図１における外部端子３に相当する導電層であり、円形の平面形状を有する。例えばＲＦパッド１３には第１の電位が入力され、ＲＦパッド１４には第２の電位が入力される。ＲＦパッド１５〜１８は、基準パターン１１に接続されている。同様に、ＤＣパッド１９，２０も基準パターン１１に接続されている。ＲＦパッド１３と、トランジスタ１２と、ＲＦパッド１４とは、一方向に沿って順に配列されている。ＲＦパッド１５，１３，１６は、上記一方向と直交する方向に沿って順に配列されている。同様に、ＲＦパッド１７，１４，１８は、上記一方向と直交する方向に沿って順に配列されている。ＲＦパッド１３，１４は、基準パターン１１と同じ導電膜から形成されている。なお、ＲＦパッド１５〜１８及びＤＣパッド１９，２０は、基準パターン１１の一部であってもよい。
【００２５】
プローブヘッド３１，３２は、本体部２のトランジスタ１２のＲＦ試験を行う電極である。プローブヘッド３１は、ＲＦパッド１３，１５，１６に接続されており、プローブヘッド３２は、ＲＦパッド１４，１７，１８に接続されている。プローブヘッド３１，３２の間隔は一定であり、プローブヘッド３１，３２に形成されている配線パターン（不図示）の伝送インピーダンスは、例えば５０Ωに設定されている。
【００２６】
プローブヘッド３１は、プローブ３１ａ〜３１ｃを有している。プローブ３１ａはＲＦパッド１３に接続されており、プローブ３１ｂはＲＦパッド１５に接続されており、プローブ３１ｃはＲＦパッド１６に接続されている。プローブ３１ａには、第１の電位を有する高周波信号が入力され、プローブ３１ｂ、３１ｃには、基準電位が入力される。プローブ３１ａ〜３１ｃは互いに同一形状であることから、プローブ３１ａ，３１ｂ，３１ｃとＲＦパッド１３，１５，１６とがそれぞれ互いに接触する位置は、後述する図４の伝送線路４６の延在方向と直交する直線Ａ１上に位置している。なお、本実施形態では、直線Ａ１は、ＲＦパッド１３，１５，１６の中央部を通過している。
【００２７】
プローブヘッド３２は、プローブ３２ａ〜３２ｃを有している。プローブ３２ａ、３２ｂ，３２ｃは、ＲＦパッド１４，１７，１８にそれぞれ接続されている。プローブ３２ａには、第２の電位のバイアスが与えられ、プローブ３２ｂ、３２ｃには、基準電位が入力される。プローブ３２ａ〜３２ｃは互いに同一形状であることから、プローブ３２ａ，３２ｂ，３２ｃとＲＦパッド１４，１７，１８とがそれぞれ互いに接触する位置は、直線Ａ２上に位置している。なお、本実施形態では、直線Ａ２は、ＲＦパッド１４，１７，１８の中央部を通過している。
【００２８】
信号線路２１，２２の端部２１ａ，２２ａは、それぞれ直線Ａ３，Ａ４上に位置している。ここで、ＲＦ試験においては評価結果のばらつきを抑制するため、直線Ａ１から直線Ａ３までの距離は、直線Ａ２から直線Ａ４までの距離と等しい。
【００２９】
図３は、電子装置１の主面２ａの一部を拡大した図である。図４は、図３におけるＩＶ−ＩＶに沿った断面図である。図３及び図４に示されるように、本体部２は、基板４１と、基板４１上に形成されたトランジスタ１２と、トランジスタ１２上に設けられる信号線路２１と、信号線路２１の端部２１ｂ上に設けられるビア４２と、ビア４２上に設けられる接続配線４３と、トランジスタ１２、信号線路２１、及び接続配線４３が埋設されている絶縁層４４と、接続配線４３上に設けられるパッド形成領域４５と、絶縁層４４上に設けられる基準パターン１１と、パッド形成領域４５上に設けられるＲＦパッド１３とを有している。基板４１は、例えば略矩形の平面形状を有するＧａＡｓ基板である。ビア４２は、例えば金（Ａｕ）によって形成される導電層である。絶縁層４４は、例えばポリイミド等の絶縁性の樹脂から形成される層である。本実施形態では、絶縁層４４は、複数のポリイミド層から構成されている。パッド形成領域４５は、例えば金（Ａｕ）によって形成される導電層である。パッド形成領域４５は、ＲＦパッド１３と同一の形状でもよいし、異なる形状でもよい。
【００３０】
信号線路２１は、例えば金（Ａｕ）によって形成され、トランジスタ１２とＲＦパッド１３とを接続する配線である。信号線路２１は、トランジスタ１２と基準パターン１１との間の絶縁層４４内に設けられている。基準パターン１１と重なっている信号線路２１の部分２１ｃは、その周囲を囲む絶縁層４４を介して基準パターン１１と結合し、当該部分２１ｃの特性インピーダンスは、例えば５０Ωに設定されている。本明細書においては、この信号線路２１の当該部分２１ｃと基準パターン１１とを含めて伝送線路４６とする。また、部分２１ｃにおいて、トランジスタ１２に接続される端部を、伝送線路４６の一端４６ａとし、トランジスタ１２に接続されない端部を、伝送線路４６の他端４６ｂとする。信号線路２１における部分２１ｃは、部分２１ｃ以外の部分２１ｄよりも線路の長さが短いため、インダクタ成分が小さくなる。
【００３１】
接続配線４３は、例えば金（Ａｕ）によって形成され、伝送線路４６よりも単位長さ当たりのインダクタ成分が大きい配線である。接続配線４３は、ビア４２を介して信号線路２１の端部２１ｂと接続されている。接続配線４３は、ビア４２の上面から分岐した第１の配線５１及び第２の配線５２を有する。
【００３２】
第１の配線５１は、ビア４２の上面からトランジスタ１２側（図４における紙面右側）に延在する導電部５１ａと、導電部５１ａのトランジスタ１２側の端部５１ａ１上に設けられるビア５１ｂとを有する。第１の配線５１は、導電部５１ａ及びビア５１ｂから構成される多層配線である。本実施形態では、第１の配線５１は、信号線路２１と平行である。
【００３３】
第２の配線５２は、ビア４２の上面から導電部５１ａと反対側に延在する導電部５２ａと、導電部５２ａのトランジスタ１２側の反対側の端部５２ａ１上に設けられるビア５２ｂとを有する。第２の配線５２は、導電部５２ａ及びビア５２ｂから構成される多層配線である。本実施形態では、第２の配線５２は、信号線路２１と平行である。
【００３４】
第１の配線５１及び第２の配線５２は、ビア４２の中心から分岐している。また、第１の配線５１及び第２の配線５２は、互いに同じ長さである。第１の配線５１及び第２の配線５２は、ビア４２の中心に対し点対称に設けられている。第１の配線５１及び第２の配線５２は、ビア４２とパッド形成領域４５との間において並列接続されている。
【００３５】
ＲＦパッド１３は、接続配線４３を介して信号線路２１の端部２１ｂに接続されている。具体的には、第１の配線５１と、ＲＦパッド１３の中央部１３ａに対してトランジスタ１２側に位置する部分とが、パッド形成領域４５を介して接続されている。また、第２の配線５２と、ＲＦパッド１３における中央部１３ａに対してトランジスタ１２側の反対側に位置する部分とが、パッド形成領域４５を介して接続されている。よって、第１の配線５１及び第２の配線５２は、ＲＦパッド１３の互いに異なる位置に接続され、第１の配線５１は、ＲＦパッド１３の中央部１３ａに対して伝送線路４６の一端４６ａ側に位置する部分に接続され、第２の配線５２は、ＲＦパッド１３の中央部１３ａに対して伝送線路４６の一端４６ａ側の反対側（又は伝送線路４６の他端４６ｂ側）に位置する部分に接続されている。つまり、第１の配線５１は、ＲＦパッド１３の中央部１３ａに対して伝送線路４６寄りに接続され、第２の配線５２は、ＲＦパッド１３の中央部１３ａに対して伝送線路４６とは反対側に接続されている。
【００３６】
ＲＦパッド１３とビア５１ｂとが重なる部分、及びＲＦパッド１３とビア５２ｂとが重なる部分は、信号線路２１に沿って設けられている。図４に示されるように、ＲＦパッド１３の中央部１３ａは、接続配線４３のビア４２の中心と重なっている。第１の配線５１及び第２の配線５２は、ＲＦパッド１３の中央部１３ａに対して点対称に設けられている。また、図３に示されるように、第１の配線５１及び第２の配線５２は、ＲＦパッド１３の中央部１３ａを通過する直線Ａ１に対して線対称である。
【００３７】
以上に説明した、本実施形態の電子装置１によって得られる効果について説明する。図５は、比較例に係る電子装置にＲＦプローブを接触させる際の図である。図６は、本実施形態に係る電子装置にＲＦプローブを接触させる際の図である。図７は、図６を模式的に示した図である。図５に示されるように、比較例に係る電子装置では、ＲＦパッド１３の中央部１３ａに対して信号線路２１側に位置する部分に単一の接続配線１４３が接続されている。比較例におけるＲＦパッド１３にＲＦプローブを接触させてトランジスタのＲＦ試験を行う場合、ＲＦパッド１３とＲＦプローブとのコンタクト部分Ｃ１１〜Ｃ１３から信号線路２１の端部２１ｂまでの線路長は、当該コンタクト部分Ｃ１１〜Ｃ１３の位置に応じて変化する。
【００３８】
例えば、比較例に係る電子装置１０１のＲＦ試験において、ＲＦパッド１３の中央部１３ａから信号線路２１の端部２１ｂまでの線路長をＬ１１とする。ここで、コンタクト部分Ｃ１１がＲＦパッド１３の中央部１３ａと重なる場合、コンタクト部分Ｃ１１から信号線路２１の端部２１ｂまでの線路長は、Ｌ１１と等しくなる。また、コンタクト部分Ｃ１２がＲＦパッド１３の中央部１３ａに対して信号線路２１側にＬｘずれた場合、コンタクト部分Ｃ１２から信号線路２１の端部２１ｂまでの線路長は、Ｌ１１−Ｌｘとなる。コンタクト部分Ｃ１３がＲＦパッド１３の中央部１３ａに対して信号線路２１側の反対側にＬｘずれた場合、コンタクト部分Ｃ１３から信号線路２１の端部２１ｂまでの線路長は、Ｌ１１＋Ｌｘとなる。すなわち、比較例においては、コンタクト部分Ｃ１１〜Ｃ１３の位置によって最大２Ｌｘの線路長差が発生する。例えばＬｘを１０μｍとし、電子装置１０１が６０ＧＨｚ以上のミリ波帯で用いられると設定すると、コンタクト部分Ｃ１２の場合とコンタクト部分Ｃ１３の場合とでは、約６ＧＨｚの周波数帯域の差が生ずる。したがって、ＲＦ試験を手動操作にて行った場合、上記コンタクト部分がずれることによって、ＲＦ特性の評価結果のばらつきが発生し、回路設計における誤差が発生する。
【００３９】
これに対して、図６及び図７に示されるように、本実施形態に係る電子装置１では、ＲＦパッド１３は、第１の配線５１及び第２の配線５２を介して信号線路２１の端部２１ｂに接続されている。ここで、図７に示されるように、第１の配線５１を介した中央部１３ａから端部２１ｂまでの線路長をＬ１とし、第２の配線５２を介した中央部１３ａから端部２１ｂまでの線路長をＬ２とする。この場合、中央部１３ａから端部２１ｂまでの特性インピーダンスは、第１の配線５１を介した線路のインピーダンスと第２の配線５２を介した線路のインピーダンスとの合成値となる。線路のインピーダンスは線路のインダクタンスに依存し、また該インダクタンスは線路長に比例する。したがって、上記合成値は、両線路の線路長の並列値Ｌ１／／Ｌ２となる。また、図６及び図７に示されるように、コンタクト部分Ｃ２がＲＦパッド１３の中央部１３ａに対して信号線路２１側にＬｘずれた場合、コンタクト部分Ｃ２から信号線路２１の端部２１ｂまでの線路のインピーダンスは、（Ｌ１−Ｌｘ）／／（Ｌ２＋Ｌｘ）に比例する。コンタクト部分Ｃ３がＲＦパッド１３の中央部１３ａに対して信号線路２１側の反対側にＬｘずれた場合、コンタクト部分Ｃ３から端部２１ｂまでの線路のインピーダンスは、（Ｌ１＋Ｌｘ）／／（Ｌ２−Ｌｘ）に比例する。
【００４０】
ここで、ＲＦパッド１３の中央部１３ａから端部２１ｂまでの距離を１００μｍとし、コンタクト点のずれＬｘを２０μｍとする。この場合、コンタクト部分Ｃ２から端部２１ｂまでのインピーダンスは（（Ｌ１−Ｌｘ）／／（Ｌ２＋Ｌｘ））に比例し、コンタクト部分Ｃ３から端部２１ｂまでのインピーダンスは（（Ｌ１＋Ｌｘ）／／（Ｌ２−Ｌｘ））に比例し、ともに約９９μｍとなる。したがって、本実施形態では、コンタクト部分がＲＦパッド１３の中央部１３ａからずれたとしても、当該コンタクト部分から信号線路２１の端部２１ｂまでの線路に基づくインピーダンスは、二つの経路に係るインピーダンスの並列値となり、その変動が小さくなる。以上より、ＲＦ試験を手動操作にて行った場合であっても、上記コンタクト部分から被測定物のトランジスタ１２までの、伝送線路４６を介した線路長の変動によるインピーダンス変動が小さくなるので、ＲＦ特性の評価結果のばらつきが抑制される。また、ＲＦ試験を精度よく行うことができ、回路設計における誤差の発生を抑制できる。
【００４１】
また、第１の配線５１と第２の配線５２とは、ＲＦパッド１３の中央部１３ａに対して点対称、もしくはＲＦパッド１３の中央部１３ａを通過する直線Ａ１に対して線対称に設けられていてもよい。この場合、ＲＦパッド１３の中央部１３ａから第１の配線５１までの線路長は、ＲＦパッド１３の中央部１３ａから第２の配線５２までの線路長と等しくなる。したがって、コンタクト部分からトランジスタ１２までのインピーダンスの変動が小さくなる。
【００４２】
また、第１の配線５１と第２の配線５２とは、互いに同じ長さであることが好ましい。この場合、第１の配線５１及び信号線路２１を併せた線路長は、第２の配線５２及び信号線路２１を併せた線路長と等しくなる。したがって、コンタクト部分からトランジスタ１２までのインピーダンスの変動が小さくなる。
【００４３】
また、図４に示されるように、第１の配線５１及び第２の配線５２は、ＲＦパッド１３と基板４１との間で絶縁層４４に埋設されている。これにより、第１の配線５１及び第２の配線５２の引き回し面積を小さくでき、素子の高集積化及び小型化が可能となる。
【００４４】
図８は、第１変形例の電子装置１Ａの主面の一部を拡大した平面図である。図９は、図８の一部を模式的に示した図である。図８及び図９に示されるように、電子装置１ＡのＲＦパッド１３は、互いに並列関係である第１の配線５１、第２の配線５２、第３の配線５３及び第４の配線５４を介して信号線路２１に接続されている。具体的には、図８に示されるように、ＲＦパッド１３の中央部１３ａに対してＲＦパッド１５側の部分と第３の配線５３とが接続されており、ＲＦパッド１３の中央部１３ａに対してＲＦパッド１６側の部分と第４の配線５４とが接続されている。第３の配線５３及び第４の配線５４は、第１の配線５１及び第２の配線５２と同様にビア４２の中心から分岐している。また、第３の配線５３及び第４の配線５４は、同じ長さであり、中央部１３ａに対して点対称である。この場合であっても、第１実施形態と同等の機能を奏する。さらに、図９に示されるようにＲＦパッド１３から信号線路２１までのインピーダンスは、第１の配線５１、第２の配線５２、第３の配線５３又は第４の配線５４を介した４つの線路長の合成値（並列値）となる。したがって、ＲＦ試験において、プローブヘッド３１とＲＦパッド１３とのコンタクト部分が中央部１３ａから任意の方向にずれた場合であっても、当該コンタクト部分から信号線路２１の端部２１ｂまでのインピーダンスの変動が小さくなる。
【００４５】
図１０は、第２変形例に係る電子装置の主面の一部を拡大した図である。図１０に示されるように、電子装置１ＢのＲＦパッド１３は、互いに並列関係である第１の配線５１Ａ，５１Ｂ、及び第２の配線５２Ａ，５２Ｂを介して信号線路２１に接続されている。具体的には、第１の配線５１Ａは、ＲＦパッド１３の中央部１３ａに対してトランジスタ１２側且つＲＦパッド１５側の部分に、第１の配線５１Ｂは、トランジスタ１２側且つＲＦパッド１６側の部分に、それぞれ接続されている。第２の配線５２Ａは、ＲＦパッド１３の中央部１３ａに対してトランジスタ１２側の反対側且つＲＦパッド１６側の部分に、第２の配線５２Ｂは、トランジスタ１２側の反対側且つＲＦパッド１５側の部分に、それぞれ接続されている。また、第１の配線５１Ａ及び第２の配線５２Ａは、互いに同じ長さであり、中央部１３ａに対して点対称である。第１の配線５１Ｂ及び第２の配線５２Ｂは、互いに同じ長さであり、中央部１３ａに対して点対称である。また、第１の配線５１Ａ，５１Ｂ及び第２の配線５２Ａ，５２Ｂは、直線Ａ１に対して線対称である。この場合であっても、第１実施形態と同等の機能を実現する。さらに、図１０のＲＦパッド１３及び各配線を模式的に表すと、図９と同等の構成となる。なお、第１の配線５１Ａ，５１Ｂ及び第２の配線５２Ａ，５２Ｂは、互いに同じ長さでもよい。
【００４６】
図１１は、第３変形例の電子装置の主面の一部を拡大した図である。図１１に示されるように、電子装置１ＣのＲＦパッド１３Ａは、矩形の平面形状を有し、互いに並列関係である第１の配線５１Ａ，５１Ｂ、及び第２の配線５２Ａ，５２Ｂを介して信号線路２１に接続されている。この場合であっても、第１実施形態と同等の機能を奏する。さらに、図１１のＲＦパッド１３Ａ及び各配線を模式的に表すと、図９と同等の構成となる。したがって、第３変形例は、第１変形例及び第２変形例と同等の機能を奏する。なお、ＲＦパッド１３Ａの形状は、矩形（正方形状、長方形状、ひし形状又は平行四辺形状等）に限らず、多角形状（例えば六角形状又は八角形状等）又は楕円形状であってもよい。
【００４７】
図１２は、第４変形例の電子装置の主面の一部を拡大した図である。図１３は、図１２のＸＩＩＩ−ＸＩＩＩに沿った断面図である。図１２及び図１３に示されるように、電子装置１ＤのＲＦパッド１３Ｂの一部の領域１３Ｂａ上には、はんだボール４が設けられている。また、ＲＦパッド１３Ｂは、上記領域１３Ｂａに加えてはんだボール４が形成されていない領域１３Ｂｂを有している。領域１３Ｂｂは、領域１３Ｂａに対してトランジスタ１２側の反対側に位置している。これにより、例えばＲＦパッド１３Ｂ上にはんだボール４が設けられた後、又は電子装置１Ｄの製造工程が全て完了した後であっても、領域１３ＢａにＲＦプローブを接触させ、ＲＦ試験を行うことができる。また、この場合であっても、第１実施形態と同等の効果を奏する。
【実施例】
【００４８】
本発明を以下の実施例によりさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの例に限定されるものではない。
【００４９】
（実施例）
図１４は、ＲＦプローブに接続される評価用端子を模式的に示した図である。まず、図１４に示されるように、ＲＦパッド１３Ａと、信号線路２１と、ビア４２、第１の配線５１、及び第２の配線５２を有する接続配線４３とを備える評価用端子６０を準備した。ＲＦパッド１３Ａ、信号線路２１、及び接続配線４３は、金（Ａｕ）から形成された導電層とした。ＲＦパッド１３Ａは、互いに並列関係である第１の配線５１及び第２の配線５２を介して信号線路２１の端部２１ｂに接続されている。具体的には、ＲＦパッド１３Ａの一つの辺１３ｂに第１の配線５１が接続され、ＲＦパッド１３Ａにおいて辺１３ｂに対向する辺１３ｃに第２の配線５２が接続される。また、第１の配線５１及び第２の配線５２は、ＲＦパッド１３Ａの中央部１３ａに対して点対称に設けられている。信号線路２１の端部２１ｂの反対側は、５０Ωの特性インピーダンスを有する伝送線路に接続した。
【００５０】
ここで、ＲＦパッド１３Ａは、矩形の平面形状と仮定し、各辺１３ｂ〜１３ｅの長さを８０μｍと設定した。また、第１の配線５１及びビア４２を組み合わせた構造と、第２の配線５２及びビア４２を組み合わせた構造のそれぞれは、幅Ｗ１を６μｍ、長さを１００μｍとし、信号線路２１は幅Ｗ２を１９μｍ、長さＫ１を５０μｍとした。また、評価用端子  ６０における各配線及びＲＦパッド１３Ａが絶縁層を介して積層されている場合、当該絶縁層を比誘電率が６であるポリイミド層とした。なお、ＲＦパッド１３Ａ、信号線路２１、接続配線４３、及び絶縁層の厚さは考慮しないものとした。
【００５１】
また、プローブヘッド３１がＲＦパッド１３Ａと接触するコンタクト部分ＣとＲＦパッド１３Ａの辺１３ｂの間隔をＤとした。コンタクト部分Ｃが辺１３ｂに接触する場合、間隔Ｄは０μｍとなる。コンタクト部分Ｃが辺１３ｃに接触する場合、間隔Ｄは８０μｍとなる。したがって、間隔Ｄの範囲は０μｍ以上８０μｍ以下である。なお、プローブヘッド３１の伝送線路は、５０Ωの特性インピーダンスを備える。
【００５２】
図１５は、図１４の等価回路である。図１５に示されるように、評価用端子６０は、ブロック７１〜７５を備えている。ブロック７１は、ＲＦパッド１３Ａにおいて辺１３ｂからコンタクト部分Ｃまでの領域に相当する。ブロック７２は、ＲＦパッド１３Ａにおいてコンタクト部分Ｃから辺１３ｃまでの領域に相当する。ブロック７３は、第１の配線５１及びビア４２を組み合わせた配線に相当する。ブロック７４は、第２の配線５２及びビア４２を組み合わせた配線に相当する。ブロック７５は、信号線路２１に相当する。ブロック７６はプローブヘッド３１に相当する。ブロック７７は、基準パターン１１に覆われた箇所の信号線路２１に相当する。
【００５３】
（比較例）
図１６は、比較例に係る評価用端子を模式的に示した図である。図１６に示されるように、ＲＦパッド１３Ａと信号線路２１とを接続する配線を単一の接続配線１４３とした以外は実施例の評価用端子６０と同一条件に設定した評価用端子１６０を準備した。また、接続配線１４３の幅Ｗ３を１９μｍ、長さＫ２を１００μｍと設定した。実施例と同様に、特性インピーダンス５０Ωを有する伝送線路にプローブヘッド３１を接触させた。
【００５４】
図１７は、図１６の等価回路を示す図である。図１７に示されるように、評価用端子１６０は、ブロック１７１〜１７３を備えている。ブロック１７１は、ＲＦパッド１３Ａの辺１３ｂからコンタクト部分Ｃまでの領域に相当する。ブロック１７２は、コンタクト部分Ｃから辺１３ｃまでの領域に相当する。ブロック１７３は、接続配線１４３と信号線路２１とを組み合わせた配線に相当する。
【００５５】
（ＲＦ試験）
実施例に係る評価用端子６０と比較例に係る評価用端子１６０とについて、それぞれＲＦ試験を行った。当該ＲＦ試験では、高周波信号を、プローブヘッド３１を介してＲＦパッド１３Ａに入力し、他方のＲＦパッド１４から漏れ出る高周波信号を、プローブヘッド３２を介して検出した。そして、ＲＦパッド１３Ａの辺１３ｂとコンタクト部分との間隔Ｄを変化させることにより、所定の周波数における評価用端子６０，１６０のアイソレーションのばらつきを評価した。なお、アイソレーションは、入力電力と出力電力との比率（デジベル（ｄＢ））で表される。上記間隔Ｄの変化に伴うアイソレーションの値の変動が小さいほど、評価用端子内のＲＦ特性のばらつきが小さい。
【００５６】
図１８は高周波信号の周波数を５０ＧＨｚとした場合のアイソレーションの評価結果を示す。図１８において、縦軸はアイソレーションを示し、横軸は間隔Ｄの長さを示している。図１８に示されるように、実施例に係る評価用端子６０のアイソレーション８１は、間隔Ｄが変化してもほぼ一定の値である約−４０ｄＢを示した。一方、比較例に係る評価用端子１６０のアイソレーション８２は、間隔Ｄの変化に応じて変化している。具体的には、間隔Ｄが０μｍの場合アイソレーションは約−３５ｄＢを示し、間隔Ｄが８０μｍの場合アイソレーションは約−３２ｄＢを示した。以上より、高周波信号の周波数が５０ＧＨｚの場合、実施例に係る評価用端子６０は、比較例に係る評価用端子１６０よりもＲＦ特性の変動が小さいことが確認された。
【００５７】
図１９は、高周波信号の周波数を８０ＧＨｚとした場合のアイソレーションを示す。図１９に示されるように、実施例に係る評価用端子６０のアイソレーション９１は、間隔Ｄが変化してもほぼ一定の値である約−６２ｄＢを示した。一方、比較例に係る評価用端子１６０のアイソレーション９２は、間隔Ｄの変化に応じて変化している。具体的には、間隔Ｄが０μｍの場合アイソレーションは約−５６ｄＢを示し、間隔Ｄが８０μｍの場合アイソレーションは約−５１ｄＢを示した。以上より、高周波信号の周波数が８０ＧＨｚの場合であっても、実施例に係る評価用端子６０は、比較例に係る評価用端子１６０よりもＲＦ特性の変動が小さいことが確認された。
【００５８】
本発明による電子装置は、上述した実施形態、変形例及び実施例に限られるものではなく、他に様々な変形が可能である。例えば、上述した実施形態及び変形例の記載内容を適宜組み合わせてもよい。また、上述した実施形態及び変形例において、接続配線４３にパッド形成領域４５は必ずしも設けられなくてもよい。また、パッド形成領域４５及びＲＦパッド１３が共通であってもよい。
【００５９】
また、接続配線４３に含まれる第１の配線５１〜第４の配線５４は、必ずしも同じ長さでなく、且つ、点対称又は線対称になるように設けられなくてもよい。また、接続配線４３は、第１の配線５１〜第４の配線５４に加えて、その他の配線を有していてもよい。また、接続配線４３は、偶数となる複数の配線を有していてもよいし、奇数となる複数の配線を有していてもよい。
【符号の説明】
【００６０】
１，１Ａ〜１Ｄ，１０１…電子装置、２…本体部、２ａ…主面、３…外部端子、４…はんだボール、１１…基準パターン、１２…トランジスタ、１３〜１８，１３Ａ，１３Ｂ…ＲＦパッド、１３ａ…中央部、１３ｂ〜１３ｅ…辺、２１，２２…信号線路、２１ｂ…端部、３１，３２…プローブヘッド、４１…基板、４２，５１ｂ，５２ｂ…ビア、４３，１４３…接続配線、４６…伝送線路、５１，５１Ａ，５１Ｂ…第１の配線、５２，５２Ａ，５２Ｂ…第２の配線、６０，１６０…評価用端子、Ｃ１〜Ｃ３，Ｃ１１〜Ｃ１３…コンタクト部分、Ｄ…間隔。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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