(57)【要約】【課題】部品点数を増やすことなく、放熱性を確保できる電子装置を提供すること。【解決手段】電子装置１００は、冷媒３００が流れている流路２２０が形成されると共に流路２２０に達する開口部２３０が形成された被取付体２００に取り付けられてなるものである。電子装置１００は、パワー半導体素子２０を含む回路素子が一面に実装された回路基板１０と、被取付体２００に取り付けられた状態で被取付体２００と対向する部位であり、一面及びパワー半導体素子２０を封止しているモールド樹脂５０と、を有している。モールド樹脂５０は、開口部２３０を塞いで流路２２０の一部をなす流路形成部５３と、流路形成部５３を囲う位置にＯリング４００が配置されるシール部５２と、を有しており、流路形成部５３が開口部２３０を塞ぎつつ、シール部５２と被取付体２００とでＯリング４００を挟み込んだ状態で被取付体２００に取り付けられている。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
冷媒（３００）が流れている流路（２２０，２２０ａ）が形成されると共に前記流路に達する開口部（２３０）が形成された被取付体（２００，２００ａ）に取り付けられてなるものであり、
動作することで発熱する発熱回路素子（２０）を含む回路素子（２０，２１，２２，２４）が一面に実装された回路基板（１０，１０ａ）と、
前記被取付体に取り付けられた状態で前記被取付体と対向する部位であり、前記一面及び前記回路素子を封止しているモールド樹脂（５０，５０ａ〜５０ｄ）と、を有した電子装置であって、
前記モールド樹脂は、前記開口部を塞いで前記流路の一部をなす流路形成部（５３〜５６）と、前記流路形成部を囲う位置に環状のシール部材（４００）が配置される配置部（５２）と、を有しており、前記流路形成部が前記開口部を塞ぎつつ、前記配置部と前記被取付体とで前記シール部材を挟み込んだ状態で前記被取付体に取り付けられていることを特徴とする電子装置。
【請求項２】
前記流路形成部は、前記発熱回路素子に対向する位置に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の電子装置。
【請求項３】
前記モールド樹脂（５０，５０ａ，５０ｄ）は、前記流路形成部（５３，５４）が周辺よりも窪んだ形状を有していることを特徴とする請求項１又は２に記載の電子装置。
【請求項４】
前記モールド樹脂（５０ｂ）は、前記流路形成部（５５）が周辺よりも突出した形状を有していることを特徴とする請求項１又は２に記載の電子装置。
【請求項５】
前記モールド樹脂（５０ａ）は、凹凸（５４ａ）が形成された前記流路形成部（５４）を有していることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の電子装置。
【請求項６】
二つの前記被取付体（２００，２００ａ）に挟み込まれた状態で取り付けられてなる電子装置であって、
前記回路基板（１０ａ）は、前記一面の反対面である裏面に、動作することで発熱する裏面回路素子（２５）が実装されており、
前記モールド樹脂が対向している前記被取付体（２００）とは異なる前記被取付体である裏面被取付体（２００ａ）と対向する部位であり、前記裏面及び前記裏面回路素子を封止している裏面モールド樹脂（５０ｄ）を有しており、
前記裏面モールド樹脂は、前記裏面被取付体の前記開口部を塞いで前記流路（２２０ａ）の一部をなす裏面流路形成部（５７）と、前記裏面被取付体の前記裏面流路形成部を囲う位置に環状の裏面シール部材（４００）が配置される裏面配置部（５２ａ）と、を有しており、前記裏面流路形成部が前記開口部を塞ぎつつ、前記裏面配置部と前記裏面被取付体とで前記裏面シール部材を挟み込んだ状態で前記裏面被取付体に取り付けられていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の電子装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路基板に発熱回路素子が実装されており、発熱回路素子がモールド樹脂で封止された電子装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、回路基板に発熱回路素子が実装されており、発熱回路素子がモールド樹脂で封止された装置の一例として、特許文献１に開示された発振回路がある。この発振回路は、液体冷媒によって冷却されている。また、発振回路は、回路基板と、回路基板に実装されたベアチップと、回路基板に実装されベアチップと電気的に接続された信号出力部と、ベアチップを封止してベアチップと液体冷媒とを隔離する封止部とを備えている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００６−２６９８１１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記発振回路は、液体冷媒によって冷却されているため、放熱性を確保することができる。しかしながら、発振回路は、ベアチップは封止部で封止されているため液体冷媒に晒されないが、封止部で封止されていない部位が液体冷媒に晒されることになる。つまり、発振回路は、回路基板の表面、信号出力部、及び回路基板と信号出力部との接続部が液体冷媒に晒される。よって、発振回路は、液体冷媒に晒されている部位が液体冷媒によって腐食する可能性がある。よって、発振回路は、腐食を防ぐための部材が必要になる。このように、発振回路は、放熱性を確保できるものの、部品点数が増えるという問題がある。
【０００５】
本発明は、上記問題点に鑑みなされたものであり、部品点数を増やすことなく、放熱性を確保できる電子装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するために本発明は、
冷媒（３００）が流れている流路（２２０）が形成されると共に流路に達する開口部（２３０）が形成された被取付体（２００）に取り付けられてなるものであり、
動作することで発熱する発熱回路素子（２０）を含む回路素子（２０，２１，２２，２４）が一面に実装された回路基板（１０，１０ａ）と、
被取付体に取り付けられた状態で被取付体と対向する部位であり、一面及び回路素子を封止しているモールド樹脂（５０，５０ａ〜５０ｄ）と、を有した電子装置であって、
モールド樹脂は、開口部を塞いで流路の一部をなす流路形成部（５３〜５６）と、流路形成部を囲う位置に環状のシール部材（４００）が配置される配置部（５２）と、を有しており、流路形成部が開口部を塞ぎつつ、配置部と被取付体とでシール部材を挟み込んだ状態で被取付体に取り付けられていることを特徴とする。
【０００７】
このように、本発明は、被取付体に取り付けられてなるものである。また、本発明は、回路基板の一面及び発熱回路素子を封止しているモールド樹脂が被取付体に対向して、被取付体に取り付けられるものである。この被取付体は、冷媒が流れている流路、及び流路に達する開口部が形成されている。よって、被取付体は、冷媒が流路から開口部にまで達することになる。
【０００８】
そして、本発明は、モールド樹脂の流路形成部が被取付体の開口部を塞ぎつつ、被取付体に取り付けられている。このため、本発明は、モールド樹脂のみが冷媒に接することになり、発熱回路素子が冷媒に晒されることを防止できる。よって、本発明は、冷媒によって発熱回路素子が腐食したりすることを抑制しつつ、発熱回路素子から発せられた熱を、モールド樹脂を介して冷媒に放熱できる。このように、本発明は、部品点数を増やすことなく放熱性を確保できる。
【０００９】
更に、本発明は、モールド樹脂における流路形成部を囲う位置に、環状のシール部材が配置される配置部が設けられている。そして、本発明は、この配置部と被取付体とでシール部材を挟み込んだ状態で被取付体に取り付けられている。よって、本発明は、被取付体との間から冷媒が漏れ出すことを抑制できる。つまり、本発明は、モールド樹脂の一部である流路形成部で開口部を塞いだとしても、モールド樹脂と被取付体との間から冷媒が漏れ出すことを抑制できる。
【００１０】
なお、特許請求の範囲、及びこの項に記載した括弧内の符号は、ひとつの態様として後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものであって、発明の技術的範囲を限定するものではない。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】実施形態における取付構造の概略構成を示す平面図である。
【図２】実施形態における電子装置の概略構成を示す一面側平面図である。
【図３】図１のIII−III線に沿う断面図である。
【図４】実施形態における被取付体の概略構成を示す平面図である。
【図５】変形例１における取付構造の概略構成を示す断面図である。
【図６】変形例２における取付構造の概略構成を示す断面図である。
【図７】変形例３における取付構造の概略構成を示す断面図である。
【図８】変形例４における取付構造の概略構成を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下において、図面を参照しながら、発明を実施するための複数の形態を説明する。各形態において、先行する形態で説明した事項に対応する部分には同一の参照符号を付して重複する説明を省略する場合がある。各形態において、構成の一部のみを説明している場合は、構成の他の部分については先行して説明した他の形態を参照し適用することができる。
【００１３】
本実施形態では、本発明を図１〜図３などに示す電子装置１００に適用した例を採用する。電子装置１００は、図３に示すように、後程説明する被取付体２００に取り付けられてなるものである。電子装置１００は、例えば、車両に搭載されてなる車載電子装置に適用できる。本実施形態では、電子装置１００を車載電子装置に適用した例を採用する。しかしながら、本発明はこれに限定されない。
【００１４】
電子装置１００は、図３に示すように、回路基板１０と、回路基板１０の一面に実装された回路素子としてのパワー半導体素子２０と、回路基板１０の一面に設けられてパワー半導体素子２０を封止しているモールド樹脂５０とを備えて構成されている。なお、以下においては、パワー半導体素子２０をパワー素子２０とも記載する。
【００１５】
また、電子装置１００は、回路素子としての抵抗２１やコンデンサ２２が回路基板１０の一面に実装されていてもよい。この抵抗２１やコンデンサ２２は、はんだ４０を介して、回路基板１０に実装されている。このコンデンサ２２は、図３に示すように、パワー素子２０や抵抗２１よりも背が高い回路素子である。更に、電子装置１００は、回路基板１０の一面の反対面である裏面に、外部素子２３が実装されていてもよい。この外部素子２３は、パワー素子２０や抵抗２１などと共に、電子装置１００の回路を構成する素子であり抵抗やコンデンサなどを採用できる。このように、電子装置１００は、両面実装構造を有している。
【００１６】
なお、抵抗２１、コンデンサ２２、外部素子２３は、はんだ４０を介して、回路基板１０に電気的及び機械的に接続されていると言うこともできる。また、本発明は、はんだ４０とは異なる導電性の接着剤を用いることもできる。また、後程説明するが、抵抗２１やコンデンサ２２は、パワー素子２０と共にモールド樹脂５０で封止されているのに対して、外部素子２３は、モールド樹脂５０で封止されていない。よって、モールド樹脂５０で封止されているパワー素子２０などは、モールド内素子と称することができる。一方、外部素子２３は、モールド外素子と称することができる。
【００１７】
回路基板１０は、絶縁性の樹脂基材に導電性部材からなる配線が形成されたものである。回路基板１０は、例えば、コア層と、コア層に積層されたビルドアップ層とを含む所謂ビルドアップ基板を採用できる。また、回路基板１０は、コア層が設けられておらず、複数のビルドアップ層が積層された所謂エニーレイヤー基板であっても採用できる。しかしながら、本発明はこれに限定されない。本発明は、セラミックスに配線が形成された回路基板１０であっても採用できる。上記のように、回路基板１０は、一面と裏面の両方に回路素子が実装されているため、両面実装基板と言うこともできる。
【００１８】
なお、回路基板１０は、一面にパワー素子２０などの回路素子などが実装されるランドが設けられている。同様に、回路基板１０は、裏面に外部素子２３が実装されるランドが設けられている。このランドは、配線と電気的に接続されている。
【００１９】
また、回路基板１０は、例えば直方体形状を有している。つまり、回路基板１０は、一面及び裏面が矩形形状を有しており、一面と裏面とに連続して設けられた四つの側面を有している。
【００２０】
更に、回路基板１０は、自身の厚み方向に貫通した基板貫通穴が設けられている。基板貫通穴は、一面から裏面に達する穴である。基板貫通穴は、樹脂基材の壁面に囲まれた空間と言うこともできる。また、この壁面は、回路基板１０の内壁面と言うこともできる。
【００２１】
基板貫通穴は、後程説明するモールド樹脂５０に形成されたモールド貫通穴５１と連続した貫通穴であり、ねじ５００が挿入される穴である。言い換えると、電子装置１００は、回路基板１０の裏面からモールド反対面に亘って、基板貫通穴とモールド貫通穴５１とによる貫通穴が形成されている。そして、回路基板１０は、例えば、図２に示すように、自身の厚み方向に水平な平面における四隅に基板貫通穴が設けられている。なお、モールド反対面に関しては、後程説明する。また、基板貫通穴とモールド貫通穴５１とは、直線状に形成されている。
【００２２】
パワー素子２０は、回路基板１０の一面Ｓ１に実装されている回路素子であり、自身が動作することで熱を発するものである。パワー素子２０は、特許請求の範囲における発熱回路素子に相当する。パワー素子２０は、例えば、ＭＯＳＦＥＴやＩＧＢＴなどを採用できる。
【００２３】
また、パワー素子２０は、例えば、両面に電極が形成されたベアチップ状態の半導体素子である。パワー素子２０は、自身の実装面が回路基板１０の一面と対向した状態で第２ヒートシンク３２を介して回路基板１０に実装されている。つまり、パワー素子２０は、実装面側の電極が第２ヒートシンク３２と電気的及び機械的に接続されている。そして、第２ヒートシンク３２は、回路基板１０の一面に設けられたランドと電気的及び機械的に接続されている。なお、実装面側の電極と第２ヒートシンク３２、及び第２ヒートシンク３２とランドとは、はんだや、はんだとは異なる導電性の接着剤を介して、電気的及び機械的に接続されている。
【００２４】
第２ヒートシンク３２は、銅などの金属を主成分としたものであり、例えば平板形状を有している。第２ヒートシンク３２は、パワー素子２０から発せられた熱を放熱する放熱部材としての機能に加えて、パワー素子２０と回路基板１０の間における電流経路としての機能を有している。なお、本発明、第２ヒートシンク３２が設けられていなくても目的を達成できる。つまり、パワー素子２０は、第２ヒートシンク３２を介することなく、はんだなどを介して、回路基板１０に実装されていてもよい。
【００２５】
更に、パワー素子２０は、回路基板１０への実装面の反対面である非実装面に第１ヒートシンク３１が機械的及び電気的に接続されている。第１ヒートシンク３１は、銅などの金属を主成分とした部材である。第１ヒートシンク３１は、パワー素子２０の非実装面に対向する素子側部位と、回路基板１０の一面に対向する基板側部位と、素子側部位と基板側部位とを連結している連結部位とが一体的に設けられた部材である。第１ヒートシンク３１は、素子側部位がパワー素子２０における非実装面側の電極に電気的及び機械的に接続されており、基板側部位が回路基板１０のランドに電気的及び機械的に接続されている。第１ヒートシンク３１は、例えば、はんだや、はんだとは異なる導電性の接着剤を介して、パワー素子２０及び回路基板１０と電気的及び機械的に接続されている。第１ヒートシンク３１は、パワー素子２０から発せられた熱を放熱する放熱部材としての機能に加えて、パワー素子２０と回路基板１０の間における電流経路としての機能を有している。
【００２６】
このように、パワー素子２０は、非実装面に第１ヒートシンク３１が電気的及び機械的に接続されている。このため、パワー素子２０から発せられた熱は、非実装面から第１ヒートシンク３１の素子側部位に伝達される。よって、第１ヒートシンク３１は、パワー素子２０から発せられた熱が非実装面側から放熱されやすくなるように設けられている、と言うことができる。
【００２７】
なお、第１ヒートシンク３１は、素子側部位がパワー素子２０における非実装面の全域と対向しつつ、非実装面側の電極と電気的及び機械的に接続されている。このようにすることで、第１ヒートシンク３１は、素子側部位が非実装面の一部のみに対向している場合よりも放熱性を向上できる。しかしながら、第１ヒートシンク３１は、素子側部位が非実装面の一部のみに対向しつつ、非実装面側の電極と電気的及び機械的に接続されていてもよい。更に、本発明は、第１ヒートシンク３１が設けられていなくても目的を達成できる。つまり、パワー素子２０は、第１ヒートシンク３１を介することなく、ワイヤなどで回路基板１０と電気的及び機械的に接続されていてもよい。
【００２８】
モールド樹脂５０は、例えばエポキシ系などの樹脂に、ＡＬ２Ｏ３などのフィラ−が混ぜられたものなどからなる。モールド樹脂５０は、一面に設けられ、パワー素子２０を封止している。また、モールド樹脂５０は、パワー素子２０に加えて、パワー素子２０と回路基板１０との接続部位、すなわちランドや第２ヒートシンク３２などを一体的に封止している。また、モールド樹脂５０は、パワー素子２０と共に、第１ヒートシンク３１、及び第１ヒートシンク３１とパワー素子２０の接続部位、第１ヒートシンク３１と回路基板１０との接続部位を一体的に封止している。なお、本実施形態のモールド樹脂５０は、パワー素子２０と共に、一面に実装された抵抗２１やコンデンサ２２、及びこれらと回路基板１０との接続部位、すなわちランドやはんだ４０を一体的に封止している。
【００２９】
モールド樹脂５０は、回路基板１０における一面の少なくとも一部に密着しつつ、パワー素子２０などを封止していると言うことができる。本実施形態では、回路基板１０における一面の全域に密着して設けられたモールド樹脂５０を採用している。つまり、回路基板１０は、一面の全域がモールド樹脂５０によって封止されている。また、モールド樹脂５０は、回路基板１０の一面や、一面に実装されたパワー素子２０などを覆っているということもできる。
【００３０】
なお、上記のようにモールド樹脂５０は、第１ヒートシンク３１の素子側部位上にも設けられている。つまり、モールド樹脂５０は、素子側部位におけるパワー素子２０が接続されている側の反対側にも設けられている。この反対側に設けられているモールド樹脂５０の厚みは、第１ヒートシンク３１の絶縁性が確保でき、且つ、できるだけ薄い方が好ましい。電子装置１００は、第１ヒートシンク３１及びモールド樹脂５０を介して、パワー素子２０から発せられた熱を放熱するためである。
【００３１】
モールド樹脂５０は、回路基板１０の基板貫通穴に対向する位置に、自身の厚み方向に貫通したモールド貫通穴５１が設けられている。モールド貫通穴５１は、モールド樹脂５０の壁面で囲まれた空間と言うこともできる。なお、この壁面は、モールド樹脂５０の内壁面と言うこともできる。以下においては、基板貫通穴と、基板貫通穴に連通しているモールド貫通穴５１とからなる貫通穴を装置貫通穴とも記載する。
【００３２】
更に、電子装置１００は、被取付体２００に取り付けられた状態で、モールド樹脂５０が被取付体２００と対向することになる。以下においては、モールド樹脂５０における被取付体２００と対向面、すなわち、一面と接する面の反対面をモールド反対面とも称する。また、モールド樹脂５０は、後程説明する流路形成部５３とシール部５２が周辺よりも窪んでおり、その他の部位におけるモールド反対面が平坦に形成されている。
【００３３】
モールド樹脂５０は、図２，図３に示すように、被取付体２００の開口部２３０を塞いで流路２２０の一部をなす流路形成部５３が設けられている。電子装置１００は、被取付体２００に取り付けられた状態で、流路形成部５３が開口部２３０を塞いでいる。
【００３４】
流路形成部５３は、図３に示すように、パワー素子２０に対向する位置に設けると好ましい。言い換えると、流路形成部５３は、パワー素子２０の対向領域に設けられると好ましい。このようにすることで、電子装置１００は、パワー素子２０から冷媒までの距離を短くできる。このため、電子装置１００は、パワー素子２０の放熱性を向上できる。
【００３５】
また、モールド樹脂５０は、図３に示すように、流路形成部５３が周辺よりも窪んだ形状にすると好ましい。つまり、モールド反対面は、パワー素子２０に対向する領域が周辺よりも凹んでいる。よって、電子装置１００は、一面からモールド反対面までの厚みが、流路形成部５３の領域よりも、流路形成部５３の領域の周辺領域の方が厚くなっている。このようにすることで、電子装置１００は、パワー素子２０よりも背が高い回路素子（ここでは、コンデンサ２２）であっても、パワー素子２０が実装されている一面に実装できる。例えば、モールド樹脂５０は、コンデンサ２２の高さに合わせて均一な厚みにすることも考えられる。この場合、パワー素子２０上のモールド樹脂５０の厚みが厚くなる。これに対して、電子装置１００は、流路形成部５３が周辺よりも窪んでいるため、一面にコンデンサ２２が実装されていたとしても、パワー素子２０上のモールド樹脂５０の厚みを薄くできる。よって、電子装置１００は、パワー素子２０とコンデンサ２２とが一面に実装されていても、パワー素子２０の放熱性が低下することを抑制できる。なお、パワー素子２０よりも背が高い回路素子は、コンデンサ２２に限定されない。
【００３６】
電子装置１００は、モールド樹脂５０の流路形成部５３で被取付体２００の開口部２３０を塞ぐものである。よって、電子装置１００は、被取付体２００との間から冷媒３００が漏れ出さないようにすることが好ましい。そこで、モールド樹脂５０は、図２に示すように、流路形成部５３を囲う位置に環状のＯリング４００が配置されるシール部５２が形成されていると好ましい。このシール部５２は、図３に示すように、周辺よりも窪んだ部位である。モールド樹脂５０は、シール部５２が周辺よりも窪んだ形状をなしている。言い換えると、モールド樹脂５０は、流路形成部５３を全周に亘って囲う環状の溝であるシール部５２が形成されている。図３に示すように、一例として、モールド樹脂５０では、断面が三角形状の溝であるシール部５２が形成されている例を採用している。しかしながら、シール部５２の溝形状は、これに限定されない。なお、シール部５２は、特許請求の範囲における配置部に相当する。
【００３７】
このように、電子装置１００は、パワー素子２０などをモールド樹脂５０で封止しているので、パワー素子２０などに埃などが付着することを抑制できる。また、電子装置１００は、パワー素子２０と回路基板１０との接続部位などを封止しているので、パワー素子２０などと回路基板１０との接続信頼性を確保できる。
【００３８】
また、電子装置１００は、回路基板１０の一面側だけがモールド樹脂５０で封止されている。よって、電子装置１００は、ハーフモールドパッケージと言うこともできる。モールド樹脂５０は、コンプレッション成型やトランスファー成型によって形成することができる。
【００３９】
ここで、電子装置１００の製造方法の一例を説明する。まず、第１工程では、回路基板１０の一面にパワー素子２０などを実装する。つまり、第１工程では、ボンディングなどによって、回路基板１０とパワー素子２０などとを電気的及び機械的に接続する。その後、第２工程では、回路基板１０と、回路基板１０に実装されたパワー素子２０とに第１ヒートシンク３１を取り付ける。この第１工程及び第２工程によって、回路基板１０にパワー素子２０などが実装された第１構造体が製造される。
【００４０】
その後、第３工程では、パワー素子２０などが実装された回路基板１０の一面にモールド樹脂５０を形成する。この第３工程では、モールド成型用の金型に第１構造体をセットしてモールド成型する。また、上記のように、第３工程は、トランスファー成型やコンプレッション成型を採用できる。
【００４１】
第３工程を実施する際には、基板貫通穴にモールド樹脂５０が入り込まないようにするために、基板貫通穴を棒状の部材で塞ぎつつモールド成型する。この棒状の部材は、金型における回路基板１０の一面に対向する面から基板貫通穴に達する長さのものが好ましい。このような棒状の部材を用いることで、第３工程では、基板貫通穴がモールド樹脂５０で塞がれることなく、基板貫通穴と連通したモールド貫通穴５１を有したモールド樹脂５０を形成できる。
【００４２】
また、第３工程で用いる金型は、シール部５２と流路形成部５３を形成するために、回路基板１０の一面に対向する面が凸状になっている。つまり、金型における回路基板１０の一面に対向する面は、シール部５２と流路形成部５３に対応する位置が周辺よりも突出している。この第３工程によって、第１構造体にモールド樹脂５０が形成された第２構造体が製造される。
【００４３】
その後、第４工程では、第２構造体における回路基板１０の裏面に、外部素子２３を実装する。つまり、第４工程では、ボンディングなどによって、回路基板１０と外部素子２３とを電気的及び機械的に接続する。電子装置１００は、このようにして製造することができる。
【００４４】
次に、被取付体２００の構成に関して説明する。被取付体２００は、図３，図４に示すように、冷媒３００が流れている流路２２０が形成されると共に流路２２０に達する開口部２３０が形成されている。被取付体２００は、アルミニウムなどの金属を主成分とした基部２１０に流路２２０が形成されている。また、基部２１０は、流路２２０に達する貫通穴である開口部２３０が形成されている。
【００４５】
ところで、車両に搭載される車載機器は、自身の筐体に流路２２０が形成されているものがある。よって、被取付体２００は、流路２２０が形成された車載機器の筐体を採用できる。なお、車載機器としては、例えば、電子装置１００によって駆動制御される走行用モータやエンジンやトランスミッションなどをあげることができる。また、冷媒３００は、冷却水、エンジンオイル、ＡＴＦなど、車両で使用されている各種冷媒を採用できる。ＡＴＦは、Automatic Transmission Fluidの略称である。
【００４６】
ここで、被取付体２００に対する電子装置１００の取付構造に関して説明する。電子装置１００は、図３に示すように、モールド樹脂５０のモールド反対面が被取付体２００に対向した状態で、被取付体２００に取り付けられている。また、電子装置１００は、流路形成部５３が開口部２３０を塞ぎつつ、シール部５２と被取付体２００とでＯリング４００を挟み込んだ状態で被取付体２００に取り付けられている。つまり、電子装置１００は、シール部５２にＯリング４００が配置された状態で被取付体２００に取り付けられている。
【００４７】
このように、本取付構造は、Ｏリング４００を採用している。しかしながら、本取付構造はこれに限定されない。本取付構造は、モールド樹脂５０と被取付体２００との密着性を向上でき、モールド樹脂５０と被取付体２００との間から冷媒３００が漏れるのを抑制できるものであれば、Ｏリング４００とは異なるシール部材でも採用できる。また、本取付構造は、モールド樹脂５０と被取付体２００との間から冷媒３００が漏れない程度に、モールド樹脂５０と被取付体２００とが密着していれば、Ｏリング４００を設ける必要がない。なお、Ｏリング４００は、特許請求の範囲におけるシール部材に相当する。
【００４８】
また、電子装置１００は、図１，図３に示すように、ねじ５００によって被取付体２００に固定されている。ねじ５００は、ねじ頭と、ねじ頭から突出して設けられた部位の先端側にねじ溝部が形成されている。ねじ５００は、ねじ頭が回路基板１０の裏面に配置され、ねじ頭から突出して設けられた部位が装置貫通穴に挿入され、且つ、ねじ溝部がモールド樹脂５０から突出している。そして、ねじ５００は、ねじ溝部が被取付体２００にねじ穴に締結される。このように、電子装置１００は、被取付体２００に対して、ねじ５００によって、ねじ止めされる。
【００４９】
なお、本取付構造は、電子装置１００を被取付体２００に固定するための固定部材としてねじ５００を採用している。しかしながら、本取付構造は、これに限定されない。固定部材としては、例えば、回路基板１０の裏面に当接される頭部と、被取付体２００に挿入されることで弾性変形する変形部と、頭部と変形部とを繋いでいる部位であり基板貫通穴とモールド貫通穴５１に配置される柱状部とを有した固定ピンなどを採用できる。
【００５０】
以上のように、電子装置１００は、被取付体２００に取り付けられてなるものである。また、電子装置１００は、回路基板１０の一面及びパワー素子２０を封止しているモールド樹脂５０が被取付体２００に対向して、被取付体２００に取り付けられるものである。この被取付体２００は、冷媒３００が流れている流路２２０、及び流路２２０に達する開口部２３０が形成されている。よって、被取付体２００は、冷媒３００が流路２２０から開口部２３０にまで達することになる。
【００５１】
そして、電子装置１００は、モールド樹脂５０の流路形成部５３が被取付体２００の開口部２３０を塞ぎつつ、被取付体２００に取り付けられている。このため、電子装置１００は、モールド樹脂５０のみが冷媒３００に接することになり、パワー素子２０などが冷媒３００に晒されることを防止できる。よって、電子装置１００は、冷媒３００によってパワー素子２０が腐食したりすることを抑制しつつ、パワー素子２０から発せられた熱を、モールド樹脂５０を介して冷媒３００に放熱できる。このように、電子装置１００は、部品点数を増やすことなく放熱性を確保できる。また、電子装置１００は、加工工程の複雑化を抑制しつつ放熱性を確保できる。
【００５２】
更に、電子装置１００は、モールド樹脂５０における流路形成部５３を囲う位置に、Ｏリング４００が配置されるシール部５２が設けられている。そして、電子装置１００は、このシール部５２と被取付体２００とでＯリング４００を挟み込んだ状態で被取付体２００に取り付けられている。よって、電子装置１００は、被取付体２００との間から冷媒３００が漏れ出すことを抑制できる。つまり、電子装置１００は、モールド樹脂５０の一部である流路形成部５３で開口部２３０を塞いだとしても、モールド樹脂５０と被取付体２００との間から冷媒３００が漏れ出すことを抑制できる。また、電子装置１００は、モールド樹脂５０にシール部５２が形成されているため、モールド成型時のシール部５２を形成できる。よって、電子装置１００は、工数を増やすことなく、冷媒３００の漏れ出しを抑制可能な構造を提供できる。言い換えると、電子装置１００は、モールド成型にて同時にシール部５２を設けることで一括での取り付けが可能となる。
【００５３】
また、電子装置１００は、パワー素子２０などが実装された一面のみにモールド樹脂５０が形成されており、このモールド樹脂５０の一部のみが冷媒３００に晒されることになる。このため、電子装置１００は、回路基板１０の裏面にも外部素子２３を実装できる。つまり、電子装置１００は、回路基板１０の両面に回路素子が実装された両面実装構造のパッケージとすることができる。よって、電子装置１００は、放熱性を確保しつつ、回路素子を高密度実装できる。言い換えると、電子装置１００は、放熱性を確保しつつ、小型化できる。
【００５４】
また、電子装置１００は、界面接触の低減による低熱抵抗化、部品点数低減による低コスト化、両面実装可能なことによる小型及び高密度実装化が可能な優れた構造を有していると言うことができる。
【００５５】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明した。しかしながら、本発明は、上述した実施形態に何ら制限されることはなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、種々の変形が可能である。以下に、本発明の変形例１〜４に関して説明する。上述の実施形態及び変形例１〜４は、夫々単独で実施することも可能であるが、適宜組み合わせて実施することも可能である。本発明は、実施形態において示された組み合わせに限定されることなく、種々の組み合わせによって実施可能である。
【００５６】
（変形例１）
変形例１の電子装置１００ａは、図５に示すように、モールド樹脂５０ａを備えて構成されている。モールド樹脂５０ａは、凹凸部５４ａが形成された流路形成部５４を有している。つまり、流路形成部５４は、流路形成部５３と同様に周辺よりも凹んでいる。更に、流路形成部５４は、凹部と凸部が連続的に配置された凹凸部５４ａが形成されている。この凹凸部５４ａは、金型における回路基板１０の一面に対向する面に、凹凸部５４ａに対応する凸部などを設けることで形成できる。
【００５７】
電子装置１００ａは、電子装置１００と同様の効果を奏することができる。更に、電子装置１００ａは、凹凸部５４ａを有しているため、モールド樹脂５０ａにおける冷媒３００との接触面積を広くすることができる。よって、電子装置１００ａは、放熱性を向上できる。なお、凹凸部５４ａは、以下に説明する変形例２〜４にも適用できる。
【００５８】
（変形例２）
変形例２の電子装置１００ｂは、図６に示すように、モールド樹脂５０ｂを備えて構成されている。電子装置１００ｂは、回路基板１０の一面に、パワー素子２０よりも背が高い回路素子が実装されておらず、パワー素子２０よりも背が低いコンデンサ２４などが実装されている。そして、モールド樹脂５０ｂは、流路形成部５５が周辺よりも突出した形状を有している。また、モールド樹脂５０ｂは、パワー素子２０を囲うように周辺よりも突出した流路形成部５５が形成されている。この流路形成部５５は、金型における回路基板１０の一面に対向する面に、流路形成部５５に対応する凹部を設けることで形成できる。
【００５９】
モールド樹脂５０ｂは、流路形成部５５が形成されているため、流路形成部５５の側壁が、パワー素子２０の側壁に対向する位置に形成される。また、本変形例では、第１ヒートシンク３１が設けられているため、流路形成部５５の側壁が第１ヒートシンク３１の連結部位にも対向して設けられている。なお、流路形成部５５の側壁とは、モールド樹脂５０における被取付体２００に接する平坦面から立ち上がった部位であり、流路形成部５５の側面と言うこともできる。一方、パワー素子２０側壁とは、パワー素子２０の実装面と非実装面とを繋ぐ側面である。
【００６０】
電子装置１００ｂは、電子装置１００と同様の効果を奏することができる。更に、電子装置１００ｂは、流路形成部５５が形成されているため、パワー素子２０の非実装面上だけでなく、パワー素子２０の側壁側にもモールド樹脂５０を介して冷媒３００が通ることになる。よって、電子装置１００ｂは、パワー素子２０を非実装面からだけでなく、側壁からも放熱しやすくなる。よって、電子装置１００ｂは、放熱性を向上できる。
【００６１】
（変形例３）
変形例３の電子装置１００ｃは、図７に示すように、モールド樹脂５０ｃを備えて構成されている。モールド樹脂５０ｃは、モールド反対面が全域に亘って平坦に形成されている。よって、モールド樹脂５０ｃは、流路形成部５６が周辺と面一に形成されている。この電子装置１００ｃは、電子装置１００と同様の効果を奏することができる。
【００６２】
（変形例４）
変形例４の電子装置１００ｄは、図８に示すように、二つの被取付体２００，２００ａで挟み込まれた状態で、各被取付体２００，２００ａに取り付けられている。二つの被取付体２００，２００ａのうちの一方は、後程説明するモールド樹脂５０ｄが対向する裏面被取付体２００ａである。裏面被取付体２００ａは、被取付体２００と同様に、基部２１０ａに、冷媒３００が流れている流路２２０ａが形成されると共に流路２２０ａに達する開口部２３０ａが形成されている。なお、図８における符号２００ｂは、被取付体２００と裏面被取付体２００ａとを連結する連結部材である。
【００６３】
電子装置１００ｄは、回路基板１０ａの一面だけではなく裏面にもパワー素子２５が実装されている。パワー素子２５は、特許請求の範囲における裏面回路素子に相当する。パワー素子２５は、パワー素子２０と同様に、動作することで発熱する発熱回路素子であり、ＭＯＳＦＥＴやＩＧＢＴなどを採用できる。しかしながら、パワー素子２５は、パワー素子２０と同じ素子でなくてもよい。また、電子装置１００ｄは、電子装置１００の一面側と同様に、回路基板１０ａの裏面に抵抗２１などが実装されている。更に、電子装置１００ｄは、回路基板１０ａの裏面にコンデンサ２２が実装されていてもよい。なお、回路基板１０ａの一面側は、電子装置１００と同様である。しかしながら、図８では、コンデンサ２２の図示を省略している。
【００６４】
また、電子装置１００ｄは、回路基板１０ａの裏面側にもモールド樹脂５０ｄが形成されている。モールド樹脂５０ｄ、特許請求の範囲における裏面モールド樹脂に相当する。モールド樹脂５０ｄは、裏面被取付体２００ａと対向する部位である。
【００６５】
また、モールド樹脂５０ｄは、モールド樹脂５０と同様の材料で構成されている。モールド樹脂５０ｄは、回路基板１０ａの裏面及びパワー素子２５などを封止している。また、モールド樹脂５０ｄは、モールド樹脂５０と同様に、流路形成部５７が設けられている。つまり、流路形成部５７は、裏面被取付体２００ａの開口部２３０ａを塞いで流路２２０ａの一部をなす部位である。更に、モールド樹脂５０ｄは、モールド樹脂５０と同様に、流路形成部５７を囲う位置に環状のＯリング４００が配置されるシール部５２ａが形成されている。また、モールド樹脂５０ｄは、モールド貫通穴５１に連通した貫通穴が形成されている。流路形成部５７は、特許請求の範囲における裏面流路形成部に相当する。シール部５２ａは、特許請求の範囲における裏面配置部に相当する。シール部５２ａに配置されるＯリング４００は、裏面シール部材に相当する。
【００６６】
モールド樹脂５０ｄは、流路形成部５７が裏面被取付体２００ａの開口部２３０ａを塞ぎつつ、シール部５２と裏面被取付体２００ａとでＯリング４００を挟み込んだ状態で裏面被取付体２００ａに取り付けられている。このように、電子装置１００ｄが、一面側に被取付体２００が取り付けられており、裏面側に裏面被取付体２００ａが取り付けられている。
【００６７】
電子装置１００ｄは、電子装置１００と同様の効果を奏することができる。更に、電子装置１００ｄは、回路基板１０ａの両面がモールド封止されていても放熱性を確保できる。
【符号の説明】
【００６８】
１０，１０ａ  回路基板、２０，２５  パワー素子、２１  抵抗、２２，２４  コンデンサ、２３  外部素子、３１  第１ヒートシンク、３２  第２ヒートシンク、４０  はんだ、５０，５０ａ〜５０ｄ  モールド樹脂、５１  モールド貫通穴、５２  シール部、５３〜５７  流路形成部、５４ａ  凹凸部、１００，１００ａ〜１００ｄ  電子装置、２００  被取付体、２００ａ  連結部材、２１０  基部、２２０  流路、２３０  開口部、３００  冷媒、４００  Ｏリング、５００  ねじ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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