(57)【要約】【課題】２つの基板を電気的に接続して積層基板を製造する方法に用いる導電性ポストにおいて、より簡易に導電性ポストへのはんだの過剰な濡れ上がりを抑制できる導電性ポストを提供する。【解決手段】導電性ポストは、第１の基板と第２の基板とを電気的に接続するために用いる導電性ポストであって、柱状の導電性の素体と、導電性の素体の側周面を覆う絶縁膜と、導電性の素体の上端面と下端面とを覆うはんだ膜と、を有し、柱状であって、長手方向の高さと短手方向の最大径とのアスペクト比（高さ／最大径）が１．５〜５．０の範囲である。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板と第２の基板とを電気的に接続するために用いる導電性ポストであって、
柱状の導電性の素体と、
前記導電性の素体の側周面を覆う絶縁膜と、
前記導電性の素体の上端面と下端面とを覆うはんだ膜と、
を有し、
柱状であって、長手方向の高さと短手方向の最大径とのアスペクト比（高さ／最大径）が１．５〜５．０の範囲である、導電性ポスト。
【請求項２】
第１の基板と第２の基板とを電気的に接続するために用いる導電性ポストであって、
柱状の導電性の素体と、
前記導電性の素体の上端面及び上側面を含む上端部と下端面及び下側面を含む下端部とを露出させながら、前記導電性の素体の側周面を覆う絶縁膜と、
前記導電性の素体の前記上端部と前記下端部とを覆うはんだ膜と、
を有し、
柱状であって、長手方向の高さと短手方向の最大径とのアスペクト比（高さ／最大径）が１．５〜５．０の範囲である、導電性ポスト。
【請求項３】
前記上端部及び前記下端部は、前記上端面から前記上側面にわたる距離及び前記下端面から前記下側面にわたる距離が前記導電性の素体の最大径の３〜３０％の範囲である、請求項２に記載の導電性ポスト。
【請求項４】
はんだ膜は、Ｓｎを主成分とし、前記Ｓｎと金属間化合物を形成しうる副成分を含む、請求項１から３のいずれか一項に記載の導電性ポスト。
【請求項５】
前記はんだ膜は、はんだめっき膜である、請求項１から４のいずれか一項に記載の導電性ポスト。
【請求項６】
前記はんだめっき膜は、ＳｎとＡｕの合金めっき膜である、請求項５に記載の導電性ポスト。
【請求項７】
前記はんだめっき膜は、さらに、表面にＡｕを主成分とする表面めっき膜を有する、請求項６に記載の導電性ポスト。
【請求項８】
前記はんだ膜は、Ｎｉを主成分とする下地めっき膜と、Ｓｎを主成分とし、前記Ｓｎと金属間化合物を形成しうる副成分を含むはんだめっき膜を有する、請求項１から３のいずれか一項に記載の導電性ポスト。
【請求項９】
絶縁膜で被覆された導電性の線材をその径方向に切断して、側周面を覆う絶縁膜を有する柱状の導電性の素体を得る工程と、
前記導電性の素体の上端面及び下端面にはんだめっき膜を形成して、柱状の前記導電性の素体の側周面を絶縁膜で覆うと共に、上端面及び下端面をはんだ膜で覆った導電性ポストを得る工程と、
を含む、導電性ポストの製造方法。
【請求項１０】
熱収縮性の絶縁膜で被覆された導電性の線材をその径方向に切断して、側周面を覆う絶縁膜を有する柱状の導電性の素体を得る工程と、
側周面を覆う前記絶縁膜を有する前記柱状の導電性の素体を加熱して、前記導電性の素体の上端面及び上側面を含む上端部と下端面及び下側面を含む下端部とを露出させる工程と、
前記導電性の素体の上端部及び下端部にはんだめっき膜を形成して、前記導電性の素体の側周面のうち、前記上側面と前記下側面を除く側周面を覆う絶縁膜と、前記上端部及び前記下端部を覆うはんだめっき膜とを有する導電性ポストを得る工程と、
を含む、導電性ポストの製造方法。
【請求項１１】
第１の基板と第２の基板とを柱状の導電性ポストを介して電気的に接続する積層基板の製造方法であって、
柱状の導電性の素体について側周面を絶縁膜で覆うと共に、上端面及び下端面をはんだ膜で覆った柱状の導電性ポストの前記上端面又は前記下端面の一方の端部と第１の基板の表面電極上との少なくともどちらか一方の表面にはんだペーストを設ける第１工程と、
前記導電性ポストの一方の端部を前記第１の基板の表面電極上に配置し、加熱して、前記導電性ポストの一方の端部の前記はんだ膜と前記はんだペーストとを溶融させ、前記導電性ポストの一方の端部と前記第１の基板の前記表面電極とを電気的に接続する第２工程と、
を含む、積層基板の製造方法。
【請求項１２】
前記第２工程の後に行われる工程であって、前記導電性ポストの他方の端部と前記第２の基板の表面電極上との少なくともどちらか一方の表面にはんだペーストを設ける第３工程と、
前記導電性ポストの他方の端部と前記第２の基板の前記表面電極とを合わせるように配置し、前記第２工程における加熱温度より低い温度で加熱して、前記導電性ポストの他方の端部と前記第２の基板の前記表面電極とを電気的に接続する第４工程と、
をさらに含む、請求項１１に記載の積層基板の製造方法。
【請求項１３】
前記第２工程は、２５０℃〜３５０℃の範囲で加熱する、請求項１１又は１２に記載の積層基板の製造方法。
【請求項１４】
前記第４工程は、前記第２工程における加熱温度より１０℃〜８０℃低い温度で加熱する、請求項１２に記載の積層基板の製造方法。
【請求項１５】
前記導電性ポストは、長手方向の高さと短手方向の最大径とのアスペクト比（高さ／最大径）が１．５〜５．０の範囲である、請求項１１から１４のいずれか一項に記載の積層基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、２以上の基板を接続した積層基板の製造方法に用いる導電性ポストに関する。また、導電性ポストを用いて２以上の基板を積層した積層基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、スマートフォン等の携帯端末機器では、搭載される半導体部品の一層の小型化が求められており、Ｓｔａｃｋｅｄ  Ｓｕｂｓｔｒａｔｅ技術やＰａｃｋａｇｅ  ｏｎ  Ｐａｃｋａｇｅ技術に代表される「基板積層技術（三次元基板技術）」が利用される場合がある。
【０００３】
こうした基板積層技術においては、上下２つの半導体実装基板を電気的に接続するため、はんだボールや金属ポスト等の接続導体が用いられている。特に、金属ポストは、はんだボールに比べて基板上での占有面積が小さいことから、高密度に実装部品が搭載された半導体実装基板の積層化に適している。
【０００４】
金属ポストの基板への実装は、通常、基板の表面電極にはんだペーストを印刷し、ここに金属ポストを搭載し、これをリフローする、といった手順で行われる。
【０００５】
しかし、各基板上の複数の表面電極に複数の金属ポストをそれぞれ実装する場合、各表面電極に等量のはんだペーストを印刷するのは難しい。各表面電極に印刷するはんだペーストの量がばらついてしまうと、リフロー時に金属ポストを濡れ上がるはんだ量にもばらつきが生じてしまう。そのため、各金属ポストの平坦性にばらつきが生じたり、濡れ上がったはんだ量にもばらつきが生じたりするため、他の基板への実装性が損なわれてしまうことがある。
【０００６】
一方、金属ポストではなく、半導体プロセスによって一方の基板上に連結部材を形成し、その側周面を絶縁膜でコートする手法、具体的には、基板上にフォトリソグラフィーおよびエッチング技術を利用してポストを形成した後、これを酸化することにより、その側面に酸化膜を形成する（例えば、特許文献１参照。）、あるいは、導体ポストの側面に樹脂を塗布して樹脂膜を形成する（例えば、特許文献２参照。）ことによって、連結部材へのはんだの過剰な濡れ上がりを防止する技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００６−２４５２８９号公報
【特許文献２】特開２０１１−９１０８７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかし、上記手法では、基板上に立てた金属ポストの側周面を酸化物や樹脂膜でコートする場合、プロセスの複雑化を招く。例えば、酸化処理時に他の素子がダメージを受けないよう、他の素子を保護しておく必要がある。また、柱状体の側面に均一な樹脂膜をコートすることも難しい。また、いずれにせよ、金属ポストの天面を絶縁膜がコートされてないよう保護しておく、あるいは、天面にコートされた絶縁膜を除去する、といった複雑な工程が必要となる。
【０００９】
本発明は、２つの基板を電気的に接続して積層基板を製造する方法に用いる導電性ポストにおいて、より簡易に導電性ポストへのはんだの過剰な濡れ上がりを抑制できる導電性ポストを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明に係る導電性ポストは、第１の基板と第２の基板とを電気的に接続するために用いる導電性ポストであって、
柱状の導電性の素体と、
前記導電性の素体の側周面を覆う絶縁膜と、
前記導電性の素体の上端面と下端面とを覆うはんだ膜と、
を有し、
柱状であって、長手方向の高さと短手方向の最大径とのアスペクト比（高さ／最大径）が１．５〜５．０の範囲である。
【発明の効果】
【００１１】
本発明に係る導電性ポストによれば、基板間を接続する接続導体として、側周面に絶縁膜を設けた柱状の導電性ポストを用いている。この導電性ポストによれば、側周面に絶縁膜を有するので、導電性ポストへのはんだの濡れ上がりを抑制でき、安定して積層基板を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】実施の形態１に係る積層基板の構成を示す概略側面図である。
【図２】実施の形態１に係る導電性ポストを模式的に示す斜視図である。
【図３】図２の導電性ポストの長手方向に沿った断面構造を示す断面図である。
【図４】図２の導電性ポストの製造方法において、表面に絶縁膜を被覆した金属線材を所定の長さに切断して、側周面に絶縁膜を有する導電性の素体を得る工程を示す模式図である。
【図５】（ａ）は、図４の工程によって得られた側周面に絶縁膜を有する導電性の素体の斜視図であり、（ｂ）は、図４の工程によって得られた側周面に絶縁膜を有する導電性の素体の断面図である。
【図６】図４の工程の後、上端面及び下端面に下地膜としてのＮｉめっき膜と表面膜としてのＳｎめっき膜とを設ける工程を行って得られた複数の導電性ポストを示す斜視図である。
【図７】（ａ）は、図６の工程で得られた導電性ポストの斜視図であり、（ｂ）は、図６の工程で得られた導電性ポストの断面図である。
【図８】実施の形態１に係る積層基板の製造方法において、第１の基板の表面電極の上にはんだペーストを設けた状態を示す概略側面図である。
【図９】図８の拡大断面図である。
【図１０】第１の基板の表面電極の上に設けたはんだペーストの上に導電性ポストを配置した状態を示す概略側面図である。
【図１１】図１０の拡大断面図である。
【図１２】第１の基板の表面電極の上に設けたはんだペーストの上に導電性ポストを配置した後、加熱して導電性ポストのはんだ膜を溶融させ、冷却後の状態を示す概略側面図である。
【図１３】図１２の拡大断面図である。
【図１４】第１の基板の表面電極の上に複数の導電性ポストを配置した状態を示す概略斜視図である。
【図１５】図１４の工程の後、第１の基板の上に半導体素子を実装した状態を示す概略側面図である。
【図１６】第２の基板の表面電極にはんだペーストを設け、第１の基板上の導電性ポストを対向させた状態を示す概略側面図である。
【図１７】図１６の拡大断面図である。
【図１８】図１６の工程の後、第２の基板の表面電極に設けたはんだペーストと、導電性ポストの上端面とを合わせるように配置した状態を示す概略側面図である。
【図１９】図１８の拡大断面図である。
【図２０】図１８の工程の後、リフロー炉において加熱処理を行った後の状態を示す概略側面図である。
【図２１】図２０の拡大断面図である。
【図２２】実施の形態１に係る積層基板の構成を示す概略側面図である。
【図２３】実施の形態２に係る導電性ポストの製造方法において、側周面に絶縁膜を被覆した導電性線材を所定の長さに切断して、側周面に絶縁膜を有する導電性の素体を得る工程を示す模式図である。
【図２４】（ａ）は、図２３の工程によって得られた側周面に絶縁膜を有する導電性の素体の斜視図であり、（ｂ）は、図２３の工程によって得られた側周面に絶縁膜を有する導電性の素体の断面図である。
【図２５】（ａ）は、導電性の素体の側周面を覆う絶縁膜を加熱して、導電性の素体の上端面及び上側面を含む上端部と下端面及び下側面を含む下端部とを露出させた斜視図であり、（ｂ）は、（ａ）の断面図である。
【図２６】（ａ）は、図２５（ａ）の上端部及び下端部に下地膜としてのＮｉめっき膜と表面膜としてのＳｎめっき膜とを設ける工程を行って得られた導電性ポストを示す斜視図であり、（ｂ）は、（ａ）の断面図である。
【図２７】図２６（ａ）の導電性ポストを用いて第１の基板と第２の基板とを接続した場合の接合部における拡大断面図である。
【図２８】実施の形態３に係る積層基板の製造方法において、複数の導電性ポストを収容容器に設けられた複数の収容孔に収容する様子を概略的に示す概念図である。
【図２９】収容容器の収容孔に収容された導電性ポストを示す概略断面図である。
【図３０】（ａ）及び（ｂ）は、収容容器の収容孔に導電性ポストを収容する工程を示す概略断面図である。
【図３１】収容容器の収容孔に収容された導電性ポストをマウンタヘッドでピックアップする工程を示す概略斜視図である。
【図３２】第１の基板の表面電極の上にマウンタヘッドを用いて導電性ポストを配置する工程を示す概略斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
第１の態様に係る導電性ポストは、第１の基板と第２の基板とを電気的に接続するために用いる導電性ポストであって、
柱状の導電性の素体と、
前記導電性の素体の側周面を覆う絶縁膜と、
前記導電性の素体の上端面と下端面とを覆うはんだ膜と、
を有し、
柱状であって、長手方向の高さと短手方向の最大径とのアスペクト比（高さ／最大径）が１．５〜５．０の範囲である。
【００１４】
上記構成によれば、側周面に絶縁膜を有するので、導電性ポストへのはんだの濡れ上がりを抑制でき、上下の基板にわたってはんだがつながることを抑制できると共に、接合部でのはんだの不足を抑制できる。
【００１５】
第２の態様に係る導電性ポストは、第１の基板と第２の基板とを電気的に接続するために用いる導電性ポストであって、
柱状の導電性の素体と、
前記導電性の素体の上端面及び上側面を含む上端部と下端面及び下側面を含む下端部とを露出させながら、前記導電性の素体の側周面を覆う絶縁膜と、
前記導電性の素体の前記上端部と前記下端部とを覆うはんだ膜と、
を有し、
柱状であって、長手方向の高さと短手方向の最大径とのアスペクト比（高さ／最大径）が１．５〜５．０の範囲である。
【００１６】
第３の態様に係る導電性ポストは、上記第２の態様において、前記上端部及び前記下端部は、前記上端面から前記上側面にわたる距離及び前記下端面から前記下側面にわたる距離が前記導電性の素体の最大径の３〜３０％の範囲であってもよい。
【００１７】
第４の態様に係る導電性ポストは、上記第１から第３のいずれかの態様において、はんだ膜は、Ｓｎを主成分とし、前記Ｓｎと金属間化合物を形成しうる副成分を含んでもよい。
【００１８】
第５の態様に係る導電性ポストは、上記第１から第４のいずれかの態様において、前記はんだ膜は、はんだめっき膜であってもよい。
【００１９】
第６の態様に係る導電性ポストは、上記第５の態様において、前記はんだめっき膜は、ＳｎとＡｕの合金めっき膜であってもよい。
【００２０】
第７の態様に係る導電性ポストは、上記第６の態様において、前記はんだめっき膜は、さらに、表面にＡｕを主成分とする表面めっき膜を有してもよい。
【００２１】
第８の態様に係る導電性ポストは、上記第１から第３のいずれかの態様において、前記はんだ膜は、Ｎｉを主成分とする下地めっき膜と、Ｓｎを主成分とし、前記Ｓｎと金属間化合物を形成しうる副成分を含むはんだめっき膜を有してもよい。
【００２２】
第９の態様に係る導電性ポストの製造方法は、絶縁膜で被覆された導電性の線材をその径方向に切断して、側周面を覆う絶縁膜を有する柱状の導電性の素体を得る工程と、
前記導電性の素体の上端面及び下端面にはんだめっき膜を形成して、柱状の前記導電性の素体の側周面を絶縁膜で覆うと共に、上端面及び下端面をはんだ膜で覆った導電性ポストを得る工程と、
を含む。
【００２３】
第１０の態様に係る導電性ポストの製造方法は、熱収縮性の絶縁膜で被覆された導電性の線材をその径方向に切断して、側周面を覆う絶縁膜を有する柱状の導電性の素体を得る工程と、
側周面を覆う前記絶縁膜を有する前記柱状の導電性の素体を加熱して、前記導電性の素体の上端面及び上側面を含む上端部と下端面及び下側面を含む下端部とを露出させる工程と、
前記導電性の素体の上端部及び下端部にはんだめっき膜を形成して、前記導電性の素体の側周面のうち、前記上側面と前記下側面を除く側周面を覆う絶縁膜と、前記上端部及び前記下端部を覆うはんだめっき膜とを有する導電性ポストを得る工程と、
を含む。
【００２４】
第１１の態様に係る積層基板の製造方法は、第１の基板と第２の基板とを柱状の導電性ポストを介して電気的に接続する積層基板の製造方法であって、
柱状の導電性の素体について側周面を絶縁膜で覆うと共に、上端面及び下端面をはんだ膜で覆った柱状の導電性ポストの前記上端部又は前記下端部の一方の端部と第１の基板の表面電極上との少なくともどちらか一方の表面にはんだペーストを設ける第１工程と、
前記導電性ポストの一方の端部を前記第１の基板の表面電極上に配置し、加熱して、前記導電性ポストの一方の端部の前記はんだ膜と前記はんだペーストとを溶融させ、前記導電性ポストの一方の端部と前記第１の基板の前記表面電極とを電気的に接続する第２工程と、
を含む。
【００２５】
第１２の態様に係る積層基板の製造方法は、上記第１１の態様において、前記第２工程の後に行われる工程であって、前記導電性ポストの他方の端部と前記第２の基板の表面電極上との少なくともどちらか一方の表面にはんだペーストを設ける第３工程と、
前記導電性ポストの他方の端部と前記第２の基板の前記表面電極とを合わせるように配置し、前記導電性ポストの一方の端部と前記第１の基板の前記表面電極とを電気的に接続する前記工程における加熱温度より低い温度で加熱して、前記導電性ポストの他方の端部と前記第２の基板の前記表面電極とを電気的に接続する第４工程と、
をさらに含んでもよい。
【００２６】
上記構成によれば、導電性ポストの他方の端部と第２の基板の表面電極とをはんだペーストを利用して接続するので、第１の基板と導電性ポストとの接続の際の加熱温度よりも低い温度で加熱でき、第１の基板と導電性ポストとの接続部分への熱的ダメージを抑制できる。
【００２７】
第１３の態様に係る積層基板の製造方法は、上記第１１又は第１２の態様において、前記第２工程は、２５０℃〜３５０℃の範囲で加熱してもよい。
【００２８】
第１４の態様に係る積層基板の製造方法は、上記第１２の態様において、前記第４工程は、前記第２工程における加熱温度より１０℃〜８０℃低い温度で加熱してもよい。
【００２９】
第１５の態様に係る積層基板の製造方法は、上記第１１から第１４のいずれかの態様において、前記導電性ポストは、長手方向の高さと短手方向の最大径とのアスペクト比（高さ／最大径）が１．５〜５．０の範囲であってもよい。
【００３０】
以下、本発明の実施の形態に係る積層基板の製造方法について、添付図面を参照しながら説明する。なお、図面において実質的に同一の部材については同一の符号を付している。
【００３１】
（実施の形態１）
＜積層基板＞
図１は、実施の形態１に係る積層基板２０の構成を示す概略側面図である。図２は、実施の形態１に係る導電性ポスト１０を模式的に示す斜視図であり、図３は、図２の導電性ポスト１０の長手方向に沿った断面構造を示す断面図である。この積層基板２０は、第１の基板１１の表面電極１３ａと、第２の基板１２の表面電極１３ｂとが、柱状の導電性の素体１の側周面に絶縁膜４を有し、上端面及び下端面に形成されたはんだ膜３ａ、３ｂを有する柱状の導電性ポスト１０を用いて電気的に接続されている。なお、図１では、第１の基板１１上には半導体素子１４が、第２の基板１２上には半導体素子１５がそれぞれマウントされているが、これらは実施の形態１に係る積層基板２０において必須のものではない。
【００３２】
この積層基板２０では、基板１１、１２間を接続する接続導体として、柱状であって、アスペクト比（高さ／最大径）が１．５〜５．０の範囲である導電性ポスト１０を用いている。これによって、基板１１、１２間を接続する接続導体としてはんだボール（アスペクト比（高さ／最大径）＝１）を用いた場合と対比して、導電性ポスト１０の基板１１、１２上に占める面積が相対的に小さく、各種部品の実装領域をより拡大できる。さらに、導電性ポスト１０の抵抗をはんだボールと比べて相対的に小さくできるので、２つの基板１１、１２間でのエネルギー損失をより抑制できる。
なお、ここで「積層基板」とは、複数の半導体実装基板をはんだボールや金属ポスト等の接続導体を介して電気的に接続して積層した構造体を意味する。つまり、この「積層基板」は、いわゆるセラミック多層基板等の内部配線による電気的接続を行う多層配線構造とは異なって、各基板間を接続導体によって電気的に接続する。ただし、基板の１つが上記のセラミック多層基板であってもよい。
【００３３】
以下に、この積層基板２０を構成する部材について説明する。
【００３４】
＜基板＞
第１の基板１１及び第２の基板１２としては、例えば、半導体実装基板であってもよい。あるいは、プリント配線基板、配線基板、基板、セラミック多層基板であってもよい。なお、各基板としては、実装用の配線等が含まれた基板であってもよく、配線が全く含まれていない基板であってもよい。
また、ここでは第１の基板１１と第２の基板１２との２つの場合について挙げたが、３以上の基板を積層してもよい。
【００３５】
＜導電性ポスト＞
この導電性ポスト１０は、基板１１、１２間を電気的に接続する接続導体として使用される柱状の導電性ポストであって、柱状の導電性の素体１の側周面に絶縁膜４を有し、上端面及び下端面にはんだ膜３ａ、３ｂを有する。
【００３６】
また、この導電性ポスト１０は、上端面及び下端面を覆うはんだ膜として、はんだ膜の下層にＮｉを主成分とする下地めっき膜２ａ、２ｂを有してもよい（図３）。また、表面にＳｎを主成分とし、Ｓｎと金属間化合物を形成しうる副成分を含むはんだめっき膜３ａ、３ｂを有してもよい。さらにＡｕを主成分とする表面めっき膜を有してもよい。
【００３７】
また、この導電性ポスト１０は、柱状であって、長手方向の高さと短手方向の最大径とのアスペクト比（高さ／最大径）が１．５〜５．０の範囲である。この導電性ポスト１０は、２つの基板１１、１２間を電気的に接続する接続導体として使用できる。また、この導電性ポスト１０は、柱状体であって、上記範囲のアスペクト比を有するので、２つの基板１１、１２間を電気的に接続する接続導体の１つであるはんだボール（アスペクト比（高さ／最大径）＝１）と対比して、導電性ポスト１０の基板上に占める面積が相対的に小さく、各種部品の実装領域をより拡大できる。
【００３８】
さらに、この導電性ポスト１０は、導電性の素体１の側周面を覆う絶縁膜４を有するので、リフロー時に、導電性ポスト１０にはんだが濡れ上がってくることを防ぐことができる。これによって、はんだが濡れ上がりすぎて上下につながることを抑制できると共に、接合部でのはんだの不足を抑制できる。
【００３９】
以下に、この導電性ポスト１０の構成について説明する。
【００４０】
＜形状及びアスペクト比＞
この導電性ポスト１０は、柱状を呈している。柱状とは、長手方向に垂直な水平断面の形状が長手方向に沿って一様である形状を意味する。例えば、円柱状、多角柱状等であってもよい。また、長手方向について上端面及び下端面を有する。なお、円柱状、多角柱状等のいずれの場合にも、その角が丸みを帯びていてもよい（角部にアールを有する）。また、この導電性ポスト１０を基板１１、１２間の接続導体として使用する場合であって、接続導体に高周波電流が流れる場合には、水平断面の形状として表皮効果による集中が生じる角部を有しない円柱状がより好ましい。
また、この導電性ポスト１０は、長手方向の高さと短手方向の最大径とのアスペクト比（高さ／最大径）が１．５〜５．０の範囲である。アスペクト比が１．５未満の場合にははんだボール（アスペクト比（高さ／最大径）＝１）との差異が小さくなるため実装領域を十分に広げる効果が小さくなる。また、アスペクト比が５．０を超えると、抵抗が相対的に大きくなる。
なお、この導電性ポスト１０は、長手方向の高さＴ１が、０．１ｍｍ〜３．０ｍｍの範囲であってもよい。長手方向の高さＴ１は、２つの基板間の距離に応じて選択すればよく、例えば、０．１ｍｍ〜２．０ｍｍの範囲、さらに、０．１ｍｍ〜１．０ｍｍの範囲であってもよい。また、最大径φ１は、０．０５〜０．６ｍｍの範囲であってもよい。また、例えば、０．０５〜０．４ｍｍの範囲、さらに、０．０５ｍｍ〜０．２ｍｍの範囲であってもよい。
【００４１】
＜導電性の素体＞
導電性の素体１は、導電性を有する素体であればよい。例えば、Ｃｕを主成分として含む合金であってもよい。具体的には、Ｃｕ−０．１５Ｍｇ−０．２２Ｚｎ（Ｃｕ６３重量％、Ｍｇ１５重量％、Ｚｎ２２重量％）等のＣｕ合金は、導電率及び加工性の点で優れている。なお、導電性の素体１は、上記Ｃｕ合金に限定されるものではなく、導電性を有する素体であれば使用できる。
【００４２】
＜絶縁膜＞
導電性の素体１の側周面を覆う絶縁膜４は、無機材料としては、ガラス（ガラスコート）、あるいは酸化膜を使用でき、有機材料としては、樹脂膜を使用できる。例えば、樹脂膜を用いることが好ましい。また、例えば、導電性の素体１としてＣｕを主成分とする金属線材を用いる場合には、絶縁膜として酸化銅の酸化膜としてもよい。例えば、樹脂膜としては、ポリイミドやエポキシ等を用いることができる。ガラスとしては、ガラスコート等であってもよい。ガラスコートを用いた場合、導電性ポスト１０の耐熱性を向上させることができる。
絶縁膜４の厚さａは、１μｍ〜３０μｍ程度であることが好ましい。絶縁膜４の厚さａが１μｍ未満の場合には、厚さむらが生じた場合に導電性の素体１がむき出しになる可能性があり、はんだの濡れ上がりの抑制効果が十分得られない可能性がある。絶縁膜４の厚さが３０μｍを超える場合には、導電性ポスト１０に占める金属等の導電性材料の割合が少なくなる。
側周面を覆う絶縁膜４によって、導電性ポスト１０にはんだが濡れ上がってくることを防ぐことができる。これによって、はんだが濡れ上がりすぎて上下につながることを抑制できると共に、接合部でのはんだの不足を抑制できる。
【００４３】
＜はんだ膜＞
はんだ膜３ａ、３ｂは、導電性の素体１の上端面及び下端面に形成されている。また、はんだ膜３ａ、３ｂは、一層又は二層以上からなるものでもよい。はんだ膜３ａ、３ｂの膜厚は、５〜５０μｍの範囲、好ましくは、１０〜５０μｍの範囲である。はんだ膜３ａ、３ｂの膜厚が５μｍ未満であると導電性ポスト１０と基板１１、１２の表面電極１３ａ、１３ｂとの固着力が低下する傾向にある。膜厚が５０μｍを超えると、導電性ポスト１０の高さにばらつきを生じやすくなり、積層基板２０中での各基板１１、１２の平坦性が低下する傾向にある。はんだペースト１９を用いた接合にあたって、導電性ポスト１０の上端面及び下端面にはんだ膜３を設けているので、はんだペーストとの濡れ性がよく、基板１１、１２の表面電極１３ａ、１３ｂとの十分な接合強度を確保できる。
【００４４】
さらに、はんだ膜としては、めっき膜を用いることができる。めっき膜を設けることによって、導電性の素体１の上端面及び下端面に存在する微少な凹凸を埋めて滑らかな表面性を得ることができる。なお、はんだ膜は、めっき膜に限定されるものではない。
はんだ膜は、例えば、Ｓｎを主成分とし、Ｓｎと金属間化合物を形成しうる副成分、例えば、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ等を含んでいてもよい。特に、融点が比較的高いことから、ＳｎとＡｕの合金めっき膜であることが好ましい。これによって、Ｓｎ単体よりもその融点を高くできる。この場合、Ｓｎと、各副成分とをそれぞれのめっき膜として積層して構成してもよい。
【００４５】
＜下地膜＞
またさらに、はんだ膜の下層に下地膜２ａ、２ｂを有してもよい（図３）。下地膜２ａ、２ｂは、抵抗値を調整するための材料によるめっき膜とすることができる。例えば、Ｎｉを主成分とする下地膜２ａ、２ｂとしてもよい。下地膜２ａ、２ｂとしてＮｉめっき膜を用いた場合には、はんだペーストの加熱時（１８０℃〜２７０℃）にもＮｉめっきは溶融しないため下地膜２として安定して存在する。
【００４６】
また、下地膜２ａ、２ｂの膜厚は、１〜１０μｍの範囲としてもよい。下地膜２ａ、２ｂの厚さが１μｍ未満であると、抵抗値が増加する傾向にある。また、下地膜２ａ、２ｂの厚さが１０μｍを超えると、はんだの濡れ量の制御が難しくなる。
【００４７】
＜表面めっき膜＞
さらに、はんだ膜の表面にＡｕを主成分とする表面めっき膜を有してもよい。はんだ膜の溶融時にその表面めっき膜中のＡｕをはんだの一成分として含ませることでさらに融点を上げることができる。
【００４８】
＜導電性ポストの製造方法＞
この導電性ポスト１０は、例えば、以下の工程によって製造できる。
（ａ）側周面に樹脂膜４を被覆したＣｕ系金属線材を所定長さごとに切断して、側周面に樹脂膜４を有する円柱状の導電性の素体１を得る（図４）。Ｃｕ系金属線材７の切断は、カット刃によって切断してもよく、あるいは、レーザ等によって切断してもよい。例えば、切断する長手方向の長さｈは、０．１ｍｍ〜５．０ｍｍの範囲であってもよい。また、０．１ｍｍ〜２．０ｍｍの範囲、さらに、０．１ｍｍ〜１ｍｍの範囲であってもよい。なお、Ｃｕ系金属線材の最大径φ０は、例えば、０．２ｍｍであってもよい。
（ｂ）得られた側周面に絶縁膜４を有する円柱状の導電性の素体１の上端面及び下端面について、下地膜としてＮｉめっき２ａ、２ｂを行う。その後、下地膜２ａ、２ｂの上に、はんだめっき膜としてＳｎめっき３ａ、３ｂを行う。めっき処理は、例えば、電解バレルめっきによって行うことができる。電解バレルめっきを行うことによって、絶縁膜４で覆われていない導電性の素体１の上端面及び下端面のみにＮｉめっき膜２ａ、２ｂ、及び、Ｓｎめっき膜３ａ、３ｂを形成できる。なお、めっき処理の方法として電解バレルめっきを挙げたが、これに限定するものではない。例えば、無電解めっき法によって行ってもよい。
以上の各工程によって、導電性ポスト１０が得られる。
【００４９】
＜積層基板の製造方法＞
実施の形態１に係る積層基板の製造方法は、第１の基板１１と第２の基板１２とを柱状の導電性ポスト１０を介して電気的に接続する積層基板の製造方法であって、
導電性の素体１の側周面に絶縁膜４を有し、上端面及び下端面にはんだ膜３を有する柱状の導電性ポスト１０の下端面と第１の基板の表面電極１３ａ上との少なくとも一の表面にはんだペーストを設ける第１工程と、
導電性ポスト１０の下端面を第１の基板１１の表面電極１３ａ上に配置し、加熱して、導電性ポスト１０の下端面のはんだ膜のうち、はんだペーストと接しているはんだ膜３を溶融させ、導電性ポスト１０の下端面と第１の基板１１の表面電極１３ａとを電気的に接続する第２工程と、
を含む。
【００５０】
これによって、導電性ポスト１０の上端面及び下端面に設けられたはんだ膜とはんだペースト８との濡れ性の良さを利用して、第１の基板１１の表面電極１３ａと導電性ポスト１０との電気的な接続を行うことができる。また、導電性ポスト１０の側周面に絶縁膜４を設けることによって導電性ポスト１０へのはんだの濡れ上がりを抑制でき、上下のはんだがつながることを抑制できると共に、接合部でのはんだの不足を抑制できる。
【００５１】
さらに、上記第２工程の後に行われる工程であって、導電性ポスト１０の上端面と第２の基板１２の表面電極１３ｂ上との少なくともどちらか一方の表面にはんだペースト１９を設ける第３工程と、
導電性ポスト１０の上端面と第２の基板１２の表面電極１３ｂとを合わせるように配置し、導電性ポスト１０の下端面と第１の基板１１の表面電極１３ａとを電気的に接続する工程における加熱温度より低い温度で加熱して、導電性ポスト１０の上端面と第２の基板１２の表面電極１３ｂとを電気的に接続する第４工程と、
をさらに含んでもよい。
【００５２】
これによって、導電性ポスト１０の他方の端部と第２の基板１２の表面電極１３ｂとをはんだペースト１９を利用して接続するので、第１の基板１１と導電性ポスト１０との接続の際の加熱温度よりも低い温度で加熱でき、第１の基板１１と導電性ポスト１０との接続部分への熱的ダメージを抑制できる。また、導電性ポスト１０の側周面に絶縁膜４を設けているので、導電性ポスト１０へのはんだの濡れ上がりを抑制した積層基板２０を得ることができる。
【００５３】
以下に、主として図８〜図２２を用いて、実施の形態１に係る積層基板２０の製造方法を説明する。図８は、第１の基板１１の表面電極１３ａの上にはんだペースト８を設けた状態を示す概略側面図である。図９は、図８の拡大断面図である。図１０は、第１の基板１１の表面電極１３ａの上に設けたはんだペースト８の上に導電性ポスト１０を配置した状態を示す概略側面図である。図１１は、図１０の拡大断面図である。図１２は、第１の基板１１の表面電極１３ａの上に設けたはんだペースト８の上に導電性ポスト１０を配置した後、加熱して導電性ポスト１０のはんだ膜３ａを溶融させ、冷却後の状態を示す概略側面図である。図１３は、図１２の拡大断面図である。図１４は、第１の基板１１の表面電極１３ａの上に複数の導電性ポスト１０を配置した状態を示す概略斜視図である。図１５は、図１４の工程の後、第１の基板１１の上に半導体素子１４を実装した状態を示す概略側面図である。図１６は、第２の基板１２の表面電極１３ｂにはんだペースト１９を設け、第１の基板１１上の導電性ポスト１０を対向させた状態を示す概略側面図である。図１７は、図１６の拡大断面図である。図１８は、図１６の工程の後、第２の基板１２の表面電極１３ｂに設けたはんだペースト１９と、導電性ポスト１０の上端面とを合わせるように配置した状態を示す概略側面図である。図１９は、図１８の拡大断面図である。図２０は、図１８の工程の後、リフロー炉において加熱処理を行った後の状態を示す概略側面図である。図２１は、図２０の拡大断面図である。図２２は、上記工程によって得られる積層基板２０の構成を示す概略断面図である。
【００５４】
（１）第１の基板１１の表面電極１３ａの上に、はんだペースト８を設ける（図８、図９）。なお、これとは逆に導電性ポスト１０の下端面５にはんだペースト８を設けてもよい。あるいは、導電性ポスト１０の下端面５と表面電極１３ａの上の両方にはんだペースト８を設けてもよい。
このはんだペースト８としては、例えば、はんだ、フラックス、溶剤等を含む。はんだとしては、はんだ粉末、具体的には、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系の高温はんだの粉末を用いてもよい。あるいは他の組成のはんだ粉末であってもよい。また、フラックス及び溶剤についても適宜選択すればよい。
（２）次に、第１の基板１１の表面電極１３ａの上に設けたはんだペースト８の上に導電性ポスト１０を配置する（図１０、図１１）。導電性ポスト１０は、その長手方向が表面電極１３ａの面に垂直となるように配置される。なお、はんだペースト８は、ある程度の粘性を有するので導電性ポスト１０を保持できる。
この場合、導電性ポスト１０の平坦性が確保されているので、導電性ポスト１０を第１の基板１１の表面電極１３ａの面に対して垂直に保持できる。
【００５５】
（３）次いで、リフロー炉で加熱して、はんだペーストと接しているはんだ膜３ａを溶融させ、その後、冷却して導電性ポスト１０を第１の基板１１の表面電極１３ａに電気的に接続する（図１２、図１３）。例えば、２５０〜３５０℃の温度範囲で加熱してもよい。まず、はんだペーストがフラックス成分を有する場合には、はんだペースト８に接するはんだ膜３ａの表面の酸化膜が洗浄・除去され、その部分のはんだ膜３ａが溶融しやすくなる。次いで、はんだペースト８と接しているはんだめっき膜３ａが溶融する。その結果、図１３の拡大断面図に示すようにはんだめっき膜であるＳｎめっき膜３ａが薄くなる。これによって、はんだ１７が固化して導電性ポスト１０と表面電極１３ａとを物理的にも互いに高い機械的強度で固定できる。
この場合、導電性ポスト１０の表面にははんだめっき膜３ａが５〜５０μｍの膜厚で設けられており、導電性ポスト１０と表面電極１３ａとの接合部に一定量のはんだ量を供給できる。
また、導電性ポスト１０の高さばらつきが抑制されているので、接合後の各導電性ポスト１０の上端面の高さばらつきも抑制できる。また、これによって、その後、導電性ポスト１０の上端面の上に第２の基板１２を載せた場合にも、第２の基板１２の平坦性を確保することができる。
【００５６】
また、図１３の拡大断面図に示すように、導電性ポスト１０の下端面のはんだ膜３ａとはんだペースト８とは互いに溶融し、連続した構造となっており、高い機械的強度を有する接合部が得られる。なお、はんだ膜３ａは、全体がはんだペースト８と必ずしも一体化していなくともよく、例えば、はんだ膜３ａの一部が残存していてもよい。
なお、さらに第１の基板１１の上に複数の導電性ポスト１０を配置してもよい（図１４）。また、リフロー炉での加熱前あるいは加熱後に、第１の基板１１の上に、例えば、半導体素子１４を実装してもよい（図１５）。半導体素子１４の実装は、例えば、はんだバンプによって実装してもよい。あるいはボンディングワイヤによって実装してもよい。
【００５７】
（４）第２の基板１２の表面電極１３ｂにはんだペースト１９を設ける（図１６、図１７）。なお、これとは逆に導電性ポスト１０の上端面にはんだペースト１９を設けてもよい。あるいは、導電性ポスト１０の上端面と表面電極１３ｂの上の両方にはんだペースト１９を設けてもよい。
このはんだペースト１９としては、例えば、はんだ、フラックス、溶剤等を含む。はんだとしては、はんだ粉末、具体的には、低温はんだの粉末を用いてもよい。あるいは他の組成のはんだ粉末であってもよい。また、フラックス及び溶剤についても適宜選択すればよい。
なお、このはんだペースト１９は、第１の基板１１上の表面電極１３ａの上に設けたはんだペースト８と実質的に同一であってもよい。あるいは、第１の基板１１上の表面電極１３ａ上に設けるはんだペースト８は、比較的高温で溶融する高温はんだを用い、第２の基板１２の表面電極１３ｂ上に設けるはんだペースト１９は、比較的低温で溶融する低温はんだを用いてもよい。この場合には、その後のリフロー炉における加熱時に第１の基板１１と導電性ポスト１０との接合部への熱的ダメージを抑制できる。
【００５８】
（５）次いで、第２の基板１２の表面電極１３ｂに設けたはんだペースト１９と、導電性ポスト１０の上端面とを合わせるように配置する（図１８、図１９）。
【００５９】
（６）リフロー炉において加熱処理を行って、導電性ポスト１０の上端面と第２の基板１２の表面電極１３ｂとを電気的に接続する（図２０、図２１）。この場合、導電性ポスト１０の下端面と第１の基板１１の表面電極１３ａとを電気的に接続する第２工程における加熱温度より低い温度で加熱してもよい。例えば、１０〜８０℃低い温度で加熱する。具体的には、１８０℃〜２７０℃の範囲で加熱すればよい。これによって、第１の基板１１と導電性ポスト１０との接合部への熱的ダメージを抑制できる。
また、この場合、導電性ポスト１０は、その側周面に絶縁膜４を設けているので、導電性ポスト１０へのはんだの濡れ上がりを抑制できる。
なお、上記と同様に、リフロー炉での加熱前又は加熱後に第２の基板１２の上に、例えば、半導体素子１５を実装してもよい（図２２）。半導体素子１５の実装は、例えば、ボンディングワイヤによって実装してもよい。あるいははんだバンプによって実装してもよい。
以上の各工程によって積層基板２０が得られる（図２２）。
【００６０】
この積層基板の製造方法では、基板１１、１２間の接続導体として、側周面に絶縁膜４を有する柱状の導電性ポスト１０を用いている。導電性ポスト１０の側周面に絶縁膜４を設けているので、導電性ポスト１０へのはんだの濡れ上がりを抑制でき、安定して積層基板２０を製造することができる。
【００６１】
（実施の形態２）
図２３は、実施の形態２に係る導電性ポストの製造方法において、側周面に絶縁膜４を被覆した導電性線材を所定の長さに切断して、側周面に絶縁膜４を有する導電性の素体１を得る工程を示す模式図である。図２４（ａ）は、図２３の工程によって得られた側周面に絶縁膜４を有する導電性の素体１の斜視図であり、図２４（ｂ）は、図２３の工程によって得られた側周面に絶縁膜４を有する導電性の素体１の断面図である。図２５（ａ）は、導電性の素体１の側周面を覆う絶縁膜４を加熱して、熱収縮によって導電性の素体１の上端面及び上側面を含む上端部と下端面及び下側面を含む下端部とを露出させた斜視図であり、図２４（ｂ）は、図２４（ａ）の断面図である。図２６（ａ）は、図２５（ａ）の上端部及び下端部に下地膜としてのＮｉめっき膜２ａ、２ｂと表面膜としてのＳｎめっき膜３ａ、３ｂとを設ける工程を行って得られた導電性ポスト１０ｂを示す斜視図であり、図２６（ｂ）は、図２６（ａ）の断面図である。図２７は、図２６（ａ）の導電性ポスト１０ｂを用いて第１の基板１１と第２の基板１２とを接続した場合の接合部における拡大断面図である。
【００６２】
＜導電性ポスト＞
実施の形態２に係る導電性ポスト１０ｂは、実施の形態１に係る導電性ポストと対比すると、絶縁膜４が、導電性の素体１の上端面及び上側面を含む上端部と下端面及び下側面を含む下端部とを露出させながら、導電性の素体１の側周面を覆う点で相違する。また、はんだ膜３ａ、３ｂは、絶縁膜４と、導電性の素体１の上端部と下端部とを覆う。
この導電性ポスト１０ｂによれば、側周面に絶縁膜４を有するので、導電性ポスト１０ｂへのはんだの濡れ上がりを抑制できる。さらに、上端部及び下端部における導電性の素体１の露出量を増やすことができ、はんだ膜を増やすことができると共に、はんだの濡れ上がり量を増やすことができるので、導電性ポスト１０ｂの接合強度を向上させることができる。
【００６３】
また、上端部及び下端部は、上端面から上側面にわたる距離ｂ及び下端面から下側面にわたる距離ｂが導電性の素体１の最大径φ０の３〜３０％の範囲であってもよい。
さらに、上端面および下端面における径φ２が中央部近傍の径φ１よりも大きくなる（φ２＞φ１）よう、めっき膜が厚いことが好ましい。これによって、導電性ポスト１０ｂの実装性や、導電性ポスト１０ｂと基板１１、１２との接合強度を向上させることができる。
【００６４】
＜導電性ポストの製造方法＞
実施の形態２に係る導電性ポスト１０ｂは、以下の工程によって得られる。
（１）熱収縮性の絶縁膜４で被覆された導電性の線材をその径方向に切断して、側周面を覆う絶縁膜４を有する柱状の導電性の素体１を得る。ここで、熱収縮性の絶縁膜４とは、例えば、ポリ塩化ビニル系、ポリエステル系、ポリオレフィン系、フッ素樹脂系等の樹脂膜を用いることができる。
（２）側周面を覆う絶縁膜４を有する柱状の導電性の素体１を加熱する。これによって、導電性の素体１の上端面及び上側面を含む上端部と下端面及び下側面を含む下端部とを露出させる。加熱温度は、例えば、５０〜２００℃の範囲、さらに好ましくは７０〜８０℃の範囲である。絶縁膜４として熱収縮性の樹脂を用いることで、加熱するだけで、導電性の素体１の上端部及び下端部を露出させることができる。また、樹脂が熱収縮することによって強度が確保できる場合もある。
なお、上端部及び下端部とは、上端面から上側面にわたる距離ｂ及び下端面から下側面にわたる距離ｂが導電性の素体１の最大径φ０の３〜３０％の範囲であってもよい。
また、ここでは絶縁膜４として熱収縮性の樹脂を用い、加熱によって上端部及び下端部を露出させたが、上端部及び下端部を露出させる方法は、これに限定されるものではない。
（３）導電性の素体１の上端部及び下端部にはんだめっき膜３ａ、３ｂを形成する。これによって、導電性の素体１の側周面のうち、上側面と下側面を除く側周面を覆う絶縁膜４と、上端部及び前記下端部を覆うはんだめっき膜３ａ、３ｂとを有する導電性ポスト１０ｂを得る。
【００６５】
この導電性ポストの製造方法によれば、側周面に絶縁膜４を有する導電性ポスト１０ｂを得られ、この導電性ポスト１０ｂによって、導電性ポスト１０ｂへのはんだの濡れ上がりを抑制できる。さらに、上端部及び下端部における導電性の素体１の露出量を増やすことができ、はんだ膜を増やすことができると共に、はんだの濡れ上がり量を増やすことができるので、導電性ポスト１０ｂの接合強度を向上させることができる。
なお、アスペクト比の大きな導電性ポストであると、はんだの濡れ上がり量が少ないとリフロー時に導電性ポストがきちんと立たないことがある。このため、端面部分における導電性の素体１の露出量がある程度あるほうが好ましい。なお、導電性の素体１の露出量は、バレル研磨等によっても増やすことができる。
【００６６】
さらに、上端面および下端面における径φ２が中央部近傍の径φ１よりも大きくなる（φ２＞φ１）よう、めっき膜を厚くしておくことが好ましい。すなわち、めっき膜の厚みを制御することによって、上端面および下端面における導電性ポスト１０ｂの径φ２を制御でき、導電性ポスト１０ｂの実装性や、導電性ポスト１０ｂと基板１１、１２との接合強度を向上させることができる。
【００６７】
（実施の形態３）
実施の形態３に係る積層基板の製造方法について、図２８から図３２を用いて説明する。図２８は、複数の導電性ポスト１０を収容容器２２に設けられた複数の収容孔２３に収容する様子を概略的に示す概念図である。図２９は、収容容器２２の収容孔２３に収容された導電性ポスト１０を示す概略断面図である。図３０の（ａ）及び（ｂ）は、収容容器２２の収容孔２３に導電性ポスト１０を収容する工程を示す概略断面図である。図３１は、収容容器２２の収容孔２３に収容された導電性ポスト１０をマウンタヘッド２６でピックアップする工程を示す概略斜視図である。図３２は、第１の基板１１の表面電極１３ａの上にマウンタヘッド２６を用いて導電性ポスト１０を配置する工程を示す概略斜視図である。
【００６８】
実施の形態３に係る積層基板の製造方法は、実施の形態１に係る積層基板の製造方法と対比すると、第１の基板１１の表面電極１３ａの上に導電性ポスト１０を配置する工程について以下の２点を特徴としている。なお、その他の点については実施の形態１に係る積層基板の製造方法と同様であるので説明を省略する。
ｉ）導電性ポスト１０を長手方向に沿って収容容器２２の収容孔２３に収容する点
ｉｉ）マウンタヘッド２６のマウンタノズル２７で導電性ポスト１０の上端面を吸着し、第１の基板１１の表面電極１３ａの上に導電性ポスト１０を配置する点
【００６９】
＜本開示の基礎となった知見＞
導電性ポスト１０を基板間の接続導体として使用する場合、第１の基板１１の表面電極１３ａの上に導電性ポスト１０の下端面５を配置する必要がある。例えば、マウンタヘッドを用いて導電性ポスト１０を配置することが考えられる。この場合、マウンタヘッド２６のノズルで吸着しやすくするために、複数の導電性ポスト１０を整列配置しておく必要がある。
【００７０】
ところで、基板間の接続導体の１つである金属ポスト（カラム）を整列配置する装置（カラム整列装置）が知られている（例えば、特開２００４−２００２８０号公報参照。）。本発明者は、このカラム整列装置では、整列板上にカラム（金属ポスト）を横向きに整列させることができるが、このままではマウンタヘッドで金属ポストの側面しか吸着できないという問題を見出した。つまり、金属ポストの側面しか吸着できないので、金属ポストの端面を基板に配置しようとすると、金属ポストの側面を吸着したままでマウンタヘッドを９０°回転させなければならない。このようにマウンタヘッドを９０°回転させて金属ポストを基板に配置させようとすると金属ポストが非常に小さいためにマウンタヘッドが基板に当たってしまい金属ポストを配置できないという問題が生じる。また、金属ポストが円柱状の場合には曲面状の側面を安定して吸着することは困難である。したがって、上記のカラム整列装置では、金属ポストを安定して基板上に配置することは困難であると考えられる。
なお、従来、実装部品はエンボステープ等に収容されていたが、実装部品を取り出した後、エンボステープは廃棄されており、金属ポストを整列配置させたエンボステープを用いた場合には廃棄物が発生するという問題もある。
【００７１】
本発明者は、上記問題を解決するため、複数の導電性ポスト１０を長手方向に沿って収容容器２２の収容孔２３に収容する工程と、マウンタヘッド２６のマウンタノズル２７で導電性ポスト１０の上端面を吸着し、第１の基板１１の表面電極１３ａの上に導電性ポスト１０を配置する工程と、を含む実施の形態３に係る積層基板の製造方法の構成に至ったものである。
【００７２】
実施の形態３に係る積層基板の製造方法における第１の基板１１の表面電極１３ａの上に導電性ポスト１０を配置する工程では、上述のように、
ｉ）導電性ポスト１０を長手方向に沿って収容容器２２の収容孔２３に収容する工程と、
ｉｉ）マウンタヘッド２６のマウンタノズル２７で導電性ポスト１０の上端面を吸着し、第１の基板１１の表面電極１３ａの上に導電性ポスト１０を配置する工程と、
を含むことを特徴とする。
上記特徴部分ｉ）によって、導電性ポスト１０を長手方向に沿って収容容器２２の収容孔２３に縦方向に収容でき、開口部２４に上端面を露出させることができる。これによって、その後の配置工程において、たとえ導電性ポスト１０の上端面の最大径が小さくてもマウンタノズル２７で容易に吸着でき、導電性ポスト１０の配置を容易に行うことができる（特徴部分ｉｉ））。
【００７３】
以下に、上記各特徴部分について、さらに詳細に説明する。
【００７４】
（１）導電性ポスト１０を収容する収容容器２２を用意する（図２８）。収容容器２２には、複数の収容孔２３が設けられている。収容孔２３の長手方向に垂直な水平断面の形状は、円形状又は多角形状であってもよい。収容孔２３は、図２９に示すように、導電性ポスト１０を収容するために、その内径φ２が、導電性ポスト１０の最大径φ１より大きい（φ１＜φ１）。また、収容孔２３は、開口部２４に向かって径が大きくなっていてもよい。これによって導電性ポスト１０が収容孔２３に入りやすくなる。また、開口部２４の縁部分は、アールが設けられていてもよい（角が丸くなっていてもよい）。収容孔２３の高さＴ２は、導電性ポスト１０の高さＴ１と同じかそれより大きくてもよい（Ｔ１≦Ｔ２）。さらに、収容孔２３の底面に吸引孔２５を設けていてもよい。吸引孔２５から吸引しながら導電性ポスト１０を収容させることで、導電性ポスト１０が収容孔２３に入りやすくなる。また、収容容器２２は、導電性を有していてもよい。収容容器２２が導電性を有していることによって、導電性ポスト１０の帯電を抑制でき、導電性ポスト１０が帯電していた場合にもその電荷を逃がすことができる。これによって、導電性ポスト１０が収容孔２３に入りやすくなる。
【００７５】
（２）収容容器２２の収容孔２３が設けられた面の上に複数の導電性ポスト１０を散乱させ（図３０（ａ））、収容容器２２を振動２８させて、導電性ポスト１０を長手方向に沿って収容容器２２の収容孔２３に収容する（図３０（ｂ））。収容容器２２は、上下方向及び左右方向に振動２８させてもよい。収容容器２２の各収容孔２３に導電性ポスト１０が入っているかいないかは、検出しておいてもよい。例えば、収容孔２３の底面に吸引孔２５を設けている場合には、収容容器２２の後方からバックライトを照射して、上方で透過光を検出すると、導電性ポスト１０が収容されている場合には透過光が暗くなり、収容されていない場合には透過光が明るくなる。これによって、収容孔２３に導電性ポスト１０が収容されているかいないかを検出できる。なお、吸引孔を設けていない場合であっても、透明又は半透明の収容容器２２を用いることで、透過光の明暗を検出することによって導電性ポスト１０の収容の有無を検出できる。
なお、収容孔２３に入らなかった導電性ポスト１０は、次の収容容器２２への収容工程に再利用できる。これによって、エンボステープを用いる場合に比べて廃棄物を少なくすることができる。
【００７６】
（３）収容容器２２の収容孔２３からマウンタヘッド２６のマウンタノズル２７で導電性ポスト１０の上端面を吸着し（図３１）、第１の基板１１の表面電極１３ａの上に導電性ポスト１０を配置する（図３２）。なお、上記のように、収容孔２３に導電性ポスト１０が収容されていない収容孔２３については、マウンタヘッド２６の走査をスキップしてもよい。
以上によって、第１の基板１１の表面電極１３ａの上に導電性ポスト１０を配置することができる。
【００７７】
なお、本開示においては、前述した様々な実施の形態のうちの任意の実施の形態を適宜組み合わせることを含むものであり、それぞれの実施の形態が有する効果を奏することができる。
【産業上の利用可能性】
【００７８】
本発明に係る積層基板の製造方法によれば、導電性ポストへのはんだの過剰な濡れ上がりを抑制でき、安定した積層基板の製造方法に利用することができる。
【符号の説明】
【００７９】
１  導電性の素体（Ｃｕ線）
２ａ、２ｂ  下地膜（Ｎｉめっき）
３ａ、３ｂ  はんだめっき膜（Ｓｎめっき）
４  絶縁膜
８  はんだペースト
１０  導電性ポスト
１１  第１の基板
１２  第２の基板
１３ａ、１３ｂ  表面電極
１４、１５  半導体素子
１６  はんだボール
１７  はんだ
１８  ボンディングワイヤ
１９  はんだペースト
２０  積層基板
２２  収容容器
２３  収容孔
２４  開口部
２５  吸引孔
２６  マウンタヘッド
２７  マウンタノズル
２８  振動
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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