(57)【要約】      （修正有）【課題】着色の発生が有意に抑制された透光性基板、およびその製造方法を提供する。【解決手段】ガラス基板１１０と、ガラス基板１１０上に形成されたＩＴＯ膜１４０とを有する透光性基板１００であって、ガラス基板１１０は、Ｂｉ（ビスマス）、Ｔｉ（チタン）、およびＳｎ（スズ）からなる群から選定された少なくとも一つの元素を含み、ＩＴＯ膜１４０は、ガラス基板１１０に近い側の方が、ガラス基板から遠い側に比べて酸化の程度が高い状態となっている透光性基板。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス基板と、該ガラス基板上に形成された散乱層と、該散乱層上に形成されたＩＴＯ膜とを有する透光性基板の製造方法であって、
ガラス基板上に、ガラスからなるベース材と、該ベース材中に分散された複数の散乱物質とを有する散乱層を設置するステップであって、前記散乱層は、Ｂｉ（ビスマス）、Ｔｉ（チタン）、およびＳｎ（スズ）からなる群から選定された少なくとも一つの元素を含むステップと、
前記散乱層上に、ＩＴＯ膜を成膜するステップと、
を有し、
前記ＩＴＯ膜は、前記ガラス基板に近い側の方が、前記ガラス基板から遠い側に比べて酸化の程度が高い状態となるように成膜されることを特徴とする製造方法。
【請求項２】
ガラス基板と、該ガラス基板上のＩＴＯ膜とを有する透光性基板の製造方法であって、
Ｂｉ（ビスマス）、Ｔｉ（チタン）、およびＳｎ（スズ）からなる群から選定された少なくとも一つの元素を含むガラス基板を準備するステップと、
前記ガラス基板上に、ＩＴＯ膜を成膜するステップと、
を有し、
前記ＩＴＯ膜は、前記ガラス基板に近い側の方が、前記ガラス基板から遠い側に比べて酸化の程度が高い状態となるように成膜されることを特徴とする製造方法。
【請求項３】
前記ＩＴＯ膜を成膜するステップにより、前記ガラス基板に近い側から前記ガラス基板から遠い側に向かって、酸化の程度が連続的にまたは不連続に低下する前記ＩＴＯ膜が形成される、請求項１または２に記載の製造方法。
【請求項４】
前記ＩＴＯ膜を成膜するステップは、スパッタ法により、前記ＩＴＯ膜を成膜するステップを有し、
成膜の最初の段階では、成膜の終わりの段階に比べて、プラズマパワー密度Ｐd（Ｗ／ｃｍ２）に対する酸素分圧ＰＯ２（ｖｏｌ％）の比Ｒ（ｖｏｌ％・ｃｍ２／Ｗ）（Ｒ＝ＰＯ２／Ｐd）が大きい、請求項１乃至３のいずれか一つに記載の製造方法。
【請求項５】
前記成膜の最初の段階における比Ｒ（ｖｏｌ％・ｃｍ２／Ｗ）は、１．５（ｖｏｌ％・ｃｍ２／Ｗ）以上である、請求項４に記載の製造方法。
【請求項６】
前記ＩＴＯ膜を成膜するステップは、
（ｉ）第１のＩＴＯ層を成膜するステップと、その後、
（ｉｉ）前記第１のＩＴＯ層の上部に、第２のＩＴＯ層を成膜するステップと、
を有する、請求項１乃至３のいずれか一つに記載の製造方法。
【請求項７】
前記第１および第２のＩＴＯ層は、スパッタ法により成膜され、
前記（ｉ）のステップでは、前記（ｉｉ）のステップに比べて、プラズマパワー密度Ｐd（Ｗ／ｃｍ２）に対する酸素分圧ＰＯ２（ｖｏｌ％）の比Ｒ（ｖｏｌ％・ｃｍ２／Ｗ）（Ｒ＝ＰＯ２／Ｐd）が大きい、請求項６に記載の製造方法。
【請求項８】
前記（ｉ）のステップにおいて、前記比Ｒ（ｖｏｌ％・ｃｍ２／Ｗ）は、１．５（ｖｏｌ％・ｃｍ２／Ｗ）以上である、請求項７に記載の製造方法。
【請求項９】
前記ＩＴＯ膜は、２．３８×１０−４Ωｃｍ未満の抵抗率を有する、請求項１乃至８のいずれか一つに記載の製造方法。
【請求項１０】
前記ＩＴＯ膜を成膜するステップの前に、
前記ガラス基板または前記散乱層上に、金属酸化物および／もしくは金属酸窒化物を含む被覆層を成膜するステップ
を有する、請求項１乃至９のいずれか一つに記載の製造方法。
【請求項１１】
ガラス基板と、該ガラス基板上に形成されたＩＴＯ膜とを有する透光性基板であって、
前記ガラス基板は、Ｂｉ（ビスマス）、Ｔｉ（チタン）、およびＳｎ（スズ）からなる群から選定された少なくとも一つの元素を含み、
前記ＩＴＯ膜は、前記ガラス基板に近い側の方が、前記ガラス基板から遠い側に比べて酸化の程度が高い状態となっていることを特徴とする透光性基板。
【請求項１２】
ガラス基板と、該ガラス基板上に形成された散乱層と、該散乱層上に形成されたＩＴＯ膜とを有する透光性基板であって、
前記散乱層は、Ｂｉ（ビスマス）、Ｔｉ（チタン）、およびＳｎ（スズ）からなる群から選定された少なくとも一つの元素を含み、
前記ＩＴＯ膜は、前記散乱層に近い側の方が、前記散乱層から遠い側に比べて酸化の程度が高い状態となっていることを特徴とする透光性基板。
【請求項１３】
前記ＩＴＯ膜は、前記ガラス基板に近い側から前記ガラス基板から遠い側に向かって、酸化の程度が連続的にまたは不連続に低下する、請求項１１または１２に記載の透光性基板。
【請求項１４】
前記ＩＴＯ膜は、２ｎｍ〜５００ｎｍの厚さを有する、請求項１１乃至１３のいずれか一つに記載の透光性基板。
【請求項１５】
前記ＩＴＯ膜は、少なくとも２層の膜で構成され、前記ガラス基板に近い側の第１のＩＴＯ層と、前記ガラス基板から遠い側の第２のＩＴＯ層を有し、
前記第１のＩＴＯ層は、前記第２のＩＴＯ層よりも酸化の程度が高い状態となっている、請求項１１乃至１４のいずれか一つに記載の透光性基板。
【請求項１６】
前記ＩＴＯ膜は、２．３８×１０−４Ωｃｍ未満の抵抗率を有する、請求項１１乃至１５のいずれか一つに記載の透光性基板。
【請求項１７】
前記ＩＴＯ膜は、０．００８６以下の消衰係数を有する、請求項１１乃至１６のいずれか一つに記載の透光性基板。
【請求項１８】
さらに、前記ガラス基板と前記ＩＴＯ膜の間、または前記散乱と前記ＩＴＯ膜の間に、金属酸化物および／もしくは金属酸窒化物を含む被覆層を有する、請求項１１乃至１７のいずれか一つに記載の透光性基板。
【請求項１９】
ガラス基板と、第１の電極層と、有機発光層と、第２の電極層とをこの順に有する有機ＬＥＤ素子であって、
請求項１１乃至１８のいずれか一つに記載の透光性基板を備える、有機ＬＥＤ素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、透光性基板およびそのような透光性基板を備える有機ＬＥＤ素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）素子は、ディスプレイ、バックライト、および照明用途等に広く用いられている。
【０００３】
一般的な有機ＬＥＤ素子は、ガラス基板上に設置された第１の電極（陽極）と、第２の電極（陰極）と、これらの電極間に設置された有機発光層とを有する。電極間に電圧を印加すると、それぞれの電極から、有機発光層にホールおよび電子が注入される。このホールと電子が有機発光層内で再結合された際に、結合エネルギーが生じ、この結合エネルギーによって有機発光層中の有機発光材料が励起される。励起した発光材料が基底状態に戻る際に発光が生じるため、これを利用することにより、発光（ＬＥＤ）素子が得られる。
【０００４】
通常、第１の電極、すなわち陽極には、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ：インジウムスズ酸化物）のような透明電極層が使用され、第２の電極、すなわち陰極には、アルミニウムおよび銀等の金属明電極層が使用される。
【０００５】
なお、特許文献１には、ガラス基板上に、２層からなるＩＴＯ膜を成膜することが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００５−２６８６１６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
通常、有機ＬＥＤ素子を製造する場合、ガラス基板の上に第１の電極として、透明電極層が形成される。（ガラス基板の上に透明電極層が形成されて構成される部材は、しばしば、「透光性基板」と称される。「透光性基板」は、例えば、有機ＬＥＤ素子等の製品に至る前の半製品として利用される。）
しかしながら、本願発明者等の研究では、ガラス基板の上にＩＴＯ膜を形成した際に、しばしば、ガラス基板に着色が生じる現象が認められている。
【０００８】
このようなガラス基板の着色は、透光性基板、さらには有機ＬＥＤ素子の特性に大きな影響を及ぼす。例えば、着色が生じたガラス基板を備える有機ＬＥＤ素子では、使用時に、有機発光層において生じた光が素子内部で吸収されてしまい、光の取り出し効率が大きく低下してしまうという問題が生じ得る。
【０００９】
なお、特許文献１のガラス基板は、無アルカリガラスであり、ガラス組成として、酸化ビスマスや酸化チタンを含有していない。そのため、特許文献１は、上述した課題を何ら認識していない。
【００１０】
本発明は、このような課題に鑑みなされたものであり、本発明では、先行技術文献では認識されていない着色の発生が有意に抑制された透光性基板、およびそのような透光性基板を有する有機ＬＥＤ素子を提供することを目的とする。また、本発明では、着色の発生が有意に抑制された透光性基板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明では、ガラス基板と、該ガラス基板上に形成された散乱層と、該散乱層上に形成されたＩＴＯ膜とを有する透光性基板の製造方法であって、
ガラス基板上に、ガラスからなるベース材と、該ベース材中に分散された複数の散乱物質とを有する散乱層を設置するステップであって、前記散乱層は、Ｂｉ（ビスマス）、Ｔｉ（チタン）、およびＳｎ（スズ）からなる群から選定された少なくとも一つの元素を含むステップと、
前記散乱層上に、ＩＴＯ膜を成膜するステップと、
を有し、
前記ＩＴＯ膜は、前記ガラス基板に近い側の方が、前記ガラス基板から遠い側に比べて酸化の程度が高い状態となるように成膜されることを特徴とする製造方法が提供される。
【００１２】
また、本発明では、ガラス基板と、該ガラス基板上のＩＴＯ膜とを有する透光性基板の製造方法であって、
Ｂｉ（ビスマス）、Ｔｉ（チタン）、およびＳｎ（スズ）からなる群から選定された少なくとも一つの元素を含むガラス基板を準備するステップと、
前記ガラス基板上に、ＩＴＯ膜を成膜するステップと、
を有し、
前記ＩＴＯ膜は、前記ガラス基板に近い側の方が、前記ガラス基板から遠い側に比べて酸化の程度が高い状態となるように成膜されることを特徴とする製造方法が提供される。
【００１３】
ここで、本発明による製造方法において、前記ＩＴＯ膜を成膜するステップにより、前記ガラス基板に近い側から前記ガラス基板から遠い側に向かって、酸化の程度が連続的にまたは不連続に低下する前記ＩＴＯ膜が形成されても良い。
【００１４】
また、本発明による製造方法において、前記ＩＴＯ膜を成膜するステップは、スパッタ法により、前記ＩＴＯ膜を成膜するステップを有し、
成膜の最初の段階では、成膜の終わりの段階に比べて、プラズマパワー密度Ｐd（Ｗ／ｃｍ２）に対する酸素分圧ＰＯ２（ｖｏｌ％）の比Ｒ（ｖｏｌ％・ｃｍ２／Ｗ）（Ｒ＝ＰＯ２／Ｐd）が大きくても良い。
【００１５】
特に、本発明による製造方法において、前記成膜の最初の段階における比Ｒ（ｖｏｌ％・ｃｍ２／Ｗ）は、１．５（ｖｏｌ％・ｃｍ２／Ｗ）以上であっても良い。
【００１６】
また、本発明による製造方法において、前記ＩＴＯ膜を成膜するステップは、
（ｉ）第１のＩＴＯ層を成膜するステップと、その後、
（ｉｉ）前記第１のＩＴＯ層の上部に、第２のＩＴＯ層を成膜するステップと、
を有しても良い。
【００１７】
この場合、前記第１および第２のＩＴＯ層は、スパッタ法により成膜され、
前記（ｉ）のステップでは、前記（ｉｉ）のステップに比べて、プラズマパワー密度Ｐd（Ｗ／ｃｍ２）に対する酸素分圧ＰＯ２（ｖｏｌ％）の比Ｒ（ｖｏｌ％・ｃｍ２／Ｗ）（Ｒ＝ＰＯ２／Ｐd）が大きくなっていても良い。
【００１８】
特に、前記（ｉ）のステップにおいて、前記比Ｒ（ｖｏｌ％・ｃｍ２／Ｗ）は、１．５（ｖｏｌ％・ｃｍ２／Ｗ）以上であっても良い。
【００１９】
また、本発明による製造方法において、前記ＩＴＯ膜は、２．３８×１０−４Ωｃｍ未満の抵抗率を有しても良い。
【００２０】
また、本発明による製造方法は、前記ＩＴＯ膜を成膜するステップの前に、
前記ガラス基板または前記散乱層上に、金属酸化物および／もしくは金属酸窒化物を含む被覆層を成膜するステップ
を有しても良い。
【００２１】
さらに、本発明では、ガラス基板と、該ガラス基板上に形成されたＩＴＯ膜とを有する透光性基板であって、
前記ガラス基板は、Ｂｉ（ビスマス）、Ｔｉ（チタン）、およびＳｎ（スズ）からなる群から選定された少なくとも一つの元素を含み、
前記ＩＴＯ膜は、前記ガラス基板に近い側の方が、前記ガラス基板から遠い側に比べて酸化の程度が高い状態となっていることを特徴とする透光性基板が提供される。
【００２２】
また、本発明では、ガラス基板と、該ガラス基板上に形成された散乱層と、該散乱層上に形成されたＩＴＯ膜とを有する透光性基板であって、
前記散乱層は、Ｂｉ（ビスマス）、Ｔｉ（チタン）、およびＳｎ（スズ）からなる群から選定された少なくとも一つの元素を含み、
前記ＩＴＯ膜は、前記散乱層に近い側の方が、前記散乱層から遠い側に比べて酸化の程度が高い状態となっていることを特徴とする透光性基板が提供される。
【００２３】
ここで、本発明による透光性基板において、前記ＩＴＯ膜は、前記ガラス基板に近い側から前記ガラス基板から遠い側に向かって、酸化の程度が連続的にまたは不連続に低下しても良い。
【００２４】
また、本発明による透光性基板において、前記ＩＴＯ膜は、２ｎｍ〜５００ｎｍの厚さを有しても良い。
【００２５】
また、本発明による透光性基板において、前記ＩＴＯ膜は、少なくとも２層の膜で構成され、前記ガラス基板に近い側の第１のＩＴＯ層と、前記ガラス基板から遠い側の第２のＩＴＯ層を有し、
前記第１のＩＴＯ層は、前記第２のＩＴＯ層よりも酸化の程度が高い状態となっていても良い。
【００２６】
また、本発明による透光性基板において、前記ＩＴＯ膜は、２．３８×１０−４Ωｃｍ未満の抵抗率を有しても良い。
【００２７】
また、本発明による透光性基板において、前記ＩＴＯ膜は、０．００８６以下の消衰係数を有しても良い。
【００２８】
また、本発明による透光性基板は、波長５００ｎｍの光に対して、６％以下の吸収係数を有しても良い。
【００２９】
また、本発明による透光性基板は、さらに、前記ガラス基板と前記ＩＴＯ膜の間、または前記散乱と前記ＩＴＯ膜の間に、金属酸化物および／もしくは金属酸窒化物を含む被覆層を有しても良い。
【００３０】
さらに、本発明では、ガラス基板と、第１の電極層と、有機発光層と、第２の電極層とをこの順に有する有機ＬＥＤ素子であって、
前述のような特徴を有する透光性基板を備える、有機ＬＥＤ素子が提供される。
【発明の効果】
【００３１】
本発明では、着色の発生が有意に抑制された透光性基板、およびそのような透光性基板を有する有機ＬＥＤ素子を提供することができる。また、本発明では、着色の発生が有意に抑制された透光性基板の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】本発明の一形態による第１の透光性基板の概略的な断面図である。
【図２】本発明の一形態による第２の透光性基板の概略的な断面図である。
【図３】本発明の一形態による第３の透光性基板の概略的な断面図である。
【図４】本発明の一形態による有機ＬＥＤ素子の概略的な断面図である。
【図５】本発明による有機ＬＥＤ素子の製造方法の一例を概略的に示したフロー図である。
【発明を実施するための形態】
【００３３】
以下、図面を参照して、本発明について詳しく説明する。
【００３４】
（第１の透光性基板）
図１には、本発明の一形態による第１の透光性基板の概略的な断面図を示す。
【００３５】
図１に示すように、本発明の一形態による第１の透光性基板１００は、ガラス基板１１０と、該ガラス基板１１０上に形成されたＩＴＯ膜１４０とにより構成される。
【００３６】
ガラス基板１１０は、ビスマス（Ｂｉ）、チタン（Ｔｉ）、およびスズ（Ｓｎ）のうちの少なくとも一つの元素を含む。
【００３７】
図１には示されていないが、ガラス基板１１０とＩＴＯ膜１４０の間には、被覆層が設置されても良い。そのような被覆層は、例えば、ＩＴＯ膜１４０のパターン処理の際などにおいて、ガラス基板１１０の溶出や劣化等を防止する耐エッチングバリアとして機能する。被覆層は、例えば、金属酸化物または金属酸窒化物で構成される。ただし、被覆層は、必須の構成要素ではなく、図１のように省略しても良い。
【００３８】
ＩＴＯ膜１４０は、第１の透光性基板１００から完成製品、例えば有機ＬＥＤ素子が構成された際に、一方の電極（陽極）として機能する。
【００３９】
ＩＴＯ膜１４０は、前記ガラス基板１１０に近い側にある第１の表面１４２と、前記ガラス基板１１０から遠い側にある第２の表面１４４とを有する。
【００４０】
ここで、ＩＴＯ膜１４０は、第１の表面１４２側が第２の表面１４４側に比べて、酸化度合い（酸化の程度）が高い状態となっているという特徴を有する。また、第２の表面１４４側での導電性は、第１の表面１４２側よりも高くなっている。
【００４１】
ここで、このように構成されるＩＴＯ膜１４０の効果について説明する。
【００４２】
本願発明者らによれば、ガラス基板の上にＩＴＯ膜を形成した際、しばしば、ガラス基板に着色が生じることが認められている。このようなガラス基板の着色は、透光性基板、さらには有機ＬＥＤ素子の特性に大きな影響を及ぼす。例えば、着色が生じたガラス基板を備える有機ＬＥＤ素子では、使用時に、有機発光層において生じた光が素子内部で吸収されてしまい、光の取り出し効率が大きく低下してしまうという問題が生じ得る。
【００４３】
このようなガラス基板の着色は、ガラス基板に特定の成分が含まれている場合、より具体的には、ガラス基板中に、ビスマス（Ｂｉ）、チタン（Ｔｉ）、およびスズ（Ｓｎ）のうちの少なくとも一つの元素（以下、これらの元素をまとめて「被還元性元素」と称する）が含まれている場合に、生じる傾向にある。
【００４４】
一方、通常、ＩＴＯ膜を成膜する際の雰囲気は、比較的酸素の少ない雰囲気となっている。これは、「酸素過剰」な雰囲気下でＩＴＯ膜を成膜すると、得られるＩＴＯ膜の導電性が低下してしまい、素子の電極として使用することが難しくなるからである。
【００４５】
これらの事実から考察すると、ガラス基板の着色は、ガラス基板上にＩＴＯ膜を成膜する際に、ガラス基板の晒される環境が酸素欠乏となることに起因しているものと考えられる。すなわち、ＩＴＯ膜の成膜過程において、ガラス基板の近傍が酸化性の弱い雰囲気となるため、ガラス基板中の被還元性元素が還元され、これにより、ガラス基板が着色するものと考えられる。
【００４６】
以上の考察に基づき、本発明では、ＩＴＯ膜の成膜過程において、初期の段階では、成膜雰囲気を従来よりも「酸素過剰」な条件とする。これにより、成膜の際のガラス基板の近傍の雰囲気がより強い酸化性となり、ガラス基板中の被還元性元素の還元が抑制される。その結果、ガラス基板の着色を抑制することができる。
【００４７】
ただし、ＩＴＯ膜全体をそのような「酸素過剰」な条件で成膜してしまうと、今度は、前述のように、ＩＴＯ膜の抵抗が高くなってしまい、ＩＴＯ膜を素子の電極として使用することができなくなってしまう。
【００４８】
そこで、本発明では、初期の「酸素過剰」な条件下での成膜によって、「酸化の程度が高い」ＩＴＯ膜部分（以降、「第１のＩＴＯ部分」１４６と称する）が形成された以降は、成膜条件を例えば通常のものに戻し、「酸化の程度が低い」ＩＴＯ膜部分（以降、「第２のＩＴＯ部分」１４８と称する）を形成し、ＩＴＯ膜全体を構成する。
【００４９】
このような方法でＩＴＯ膜１４０を形成した場合、第１のＩＴＯ部分１４６が、第２のＩＴＯ部分１４８を成膜する際に、ガラス基板１１０に含まれる被還元性元素の還元反応のバリアとして機能する。このため、従来のような酸素欠乏環境で第２のＩＴＯ部分１４８を成膜しても、ガラス基板１１０中の被還元性元素が還元されることを抑制することができる。その結果、ガラス基板１１０の着色が有意に抑制される。
【００５０】
また、第２のＩＴＯ部分１４８は、第１のＩＴＯ部分１４６に比べて導電性が高くなっているため、これにより、ＩＴＯ膜１４０全体としての抵抗上昇を抑制することができる。
【００５１】
従って、図１に示すような構成のＩＴＯ膜１４０を有する透光性基板１００では、ガラス基板１１０の着色防止と、ＩＴＯ膜１４０の抵抗上昇抑制の両方の効果を得ることが可能となる。
【００５２】
ＩＴＯ膜１４０の抵抗率は、例えば、２．３８×１０−４Ωｃｍ未満であっても良い。
【００５３】
なお、ＩＴＯ膜１４０は、前述のように、酸化の程度が高い第１のＩＴＯ部分１４６および酸化の程度が低い第２のＩＴＯ部分１４８を有し、両ＩＴＯ膜の酸化の程度は、異なっている。ここで、第１のＩＴＯ部分１４６から第２のＩＴＯ部分１４８までの酸化の程度の変化の態様は、第１のＩＴＯ部分１４６の酸化の程度が第２のＩＴＯ部分１４８よりも低くなっている限り特に限られない。
【００５４】
例えば、ＩＴＯ膜１４０の酸化の程度は、第１の表面１４２から第２の表面１４４まで、連続的に変化しても良く、または不連続に（例えばステップ状に）変化しても良く、または連続部分と不連続部分を組み合わせた態様で変化しても良い。また、酸化の程度が連続的に変化する場合、その変化は、直線的であっても曲線的であっても良い。あるいは、第１のＩＴＯ部分１４６と第２のＩＴＯ部分１４８の間に、酸化の程度が最も低い、第３のＩＴＯ部分が存在しても良い。
【００５５】
さらに言えば、第１のＩＴＯ部分１４６および第２のＩＴＯ部分１４８という表現は、単なる便宜的なものに過ぎず、両者は、必ずしも明確に識別できる必要はない。すなわち、第１の透光性基板１００において重要なことは、ＩＴＯ膜１４０の第１の表面１４２側が第２の表面１４４側に比べて、酸化の程度が高い状態となっていることである。
【００５６】
なお、本願において、ＩＴＯ膜の「酸化の程度」および「酸化度合い」と言う用語は、２つの比較対象の間の差異を表現するために相対的に使用される指標であることに留意する必要がある。
【００５７】
ＩＴＯ膜１４０の「酸化度合い」は、例えば、２つの比較対象のそれぞれに対して、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）分析を行うことにより、相対評価することができる。
【００５８】
（第２の透光性基板）
次に、本発明の一形態による第２の透光性基板について説明する。
【００５９】
図２には、本発明の一形態による第２の透光性基板の概略的な断面図を示す。
【００６０】
図２に示すように、第２の透光性基板２００も、基本的に、第１の透光性基板１００と同様に構成される。従って、図２において、図１と同様の部材には、図１の部材の参照符号に１００を加えた参照符号が使用されている。
【００６１】
しかしながら、図２に示す第２の透光性基板２００は、ＩＴＯ膜２４０の構成が、図１のＩＴＯ膜１４０とは異なっている。すなわち、第１の表面２４２および第２の表面２４４を有するＩＴＯ膜２４０は、少なくとも２つの層を有する多層化構造を有する。例えば、図２において、ＩＴＯ膜２４０は、ガラス基板２１０に近い側に設置された第１のＩＴＯ層２４５と、ガラス基板２１０から遠い側に配置された第２のＩＴＯ層２４７を有する。
【００６２】
第１のＩＴＯ層２４５は、第２のＩＴＯ層２４７に比べて、酸化の程度が高い状態となっており、第２のＩＴＯ層２４７は、第１のＩＴＯ層２４５に比べて、導電性が高くなっている。
【００６３】
このような構成のＩＴＯ膜２４０を有する第２の透光性基板２００においても、第１の透光性基板１００と同様に、ガラス基板２１０の着色防止と、ＩＴＯ膜２４０の抵抗上昇抑制の両方の効果を得ることができることは明らかであろう。
【００６４】
なお、図２の例では、ＩＴＯ膜２４０は、２層構造であるが、ＩＴＯ膜２４０は、３層以上の多層化構造で構成されても良い。この場合、ガラス基板に最も近い側のＩＴＯ膜が、他のＩＴＯ膜に比べて、より酸化の程度が高い状態となるように構成される。
【００６５】
また、図２に示した第２の透光性基板２００において、ガラス基板２１０とＩＴＯ膜２４０の間には、被覆層が設置されても良い。
【００６６】
第１のＩＴＯ層２４５は、例えば、１ｎｍ〜２０ｎｍの厚さを有しても良い。同様に、第２のＩＴＯ層２４７は、例えば、１ｎｍ〜５００ｎｍの厚さを有しても良い。ＩＴＯ膜２４０全体の厚さは、例えば、２ｎｍ〜５２０ｎｍの範囲であっても良い。
【００６７】
また、ＩＴＯ膜２４０全体の抵抗率は、例えば、２．３８×１０−４Ωｃｍ未満であっても良い。
【００６８】
（第３の透光性基板）
以上、ガラス基板と、ＩＴＯ膜と、任意に設置される被覆層とで構成される透光性基板を例に、本発明の構成および効果について説明した。しかしながら、本発明は、そのような態様に限られるものではない。
【００６９】
例えば、最近では、透光性基板および有機ＬＥＤ素子からの光取り出し効率を高めることを目的として、ＩＴＯ膜を設置するためのガラス基板の表面に、光を散乱させるための散乱層を設置することが提案されている。
【００７０】
ここで、そのような散乱層は、例えば、ガラス製のベース材と、該ベース材中に分散された散乱物質とで構成される。従って、ガラス製の散乱層が前述の「被還元性元素」を含む場合にも、前述のような問題、すなわち、散乱層の上部にＩＴＯ膜を成膜する際に、散乱層が着色するという問題が生じ得る。
【００７１】
そこで、以下、そのような散乱層の着色の問題を有意に抑制するための、本発明の一実施例による別の透光性基板の構成について説明する。
【００７２】
図３には、本発明の一形態による第３の透光性基板３００の概略的な断面図を示す。
【００７３】
図３に示すように、第３の透光性基板３００は、ガラス基板３１０と、散乱層３２０と、ＩＴＯ膜３４０とを有する。
【００７４】
この形態では、前述のガラス基板１１０、２１０とは異なり、ガラス基板３１０は、必ずしも、前述の被還元性元素を含む必要はない。
【００７５】
散乱層３２０は、第１の屈折率を有するガラス製のベース材３２１と、該ベース材３２１中に分散された、前記ベース材３２１とは異なる第２の屈折率を有する複数の散乱物質３２４とで構成される。散乱層３２０（すなわち、ベース材３２１および／または散乱物質３２４）は、ビスマス（Ｂｉ）、チタン（Ｔｉ）、およびスズ（Ｓｎ）のうちの少なくとも一つの元素、すなわち「被還元性元素」を含む。
【００７６】
図３には示されていないが、散乱層３２０とＩＴＯ膜３４０の間には、被覆層が設置されても良い。そのような被覆層は、例えば、ＩＴＯ膜３４０のパターン処理の際などにおいて、ガラス基板３１０の溶出や劣化等を防止する耐エッチングバリアとして機能する。被覆層は、例えば、金属酸化物または金属酸窒化物で構成される。ただし、被覆層は、必須の構成要素ではなく、図３のように省略しても良い。
【００７７】
ＩＴＯ膜３４０は、第３の透光性基板３００から完成製品、例えば有機ＬＥＤ素子が構成された際に、一方の電極（陽極）として機能する。ＩＴＯ膜３４０は、前記ガラス基板３１０に近い側にある第１の表面３４２と、前記ガラス基板３１０から遠い側にある第２の表面３４４とを有する。
【００７８】
ＩＴＯ膜３４０は、多層化構造を有し、図３に示すように、少なくとも第１のＩＴＯ層３４５および第２のＩＴＯ層３４７の２層を有する。第１のＩＴＯ層３４５は、第２のＩＴＯ層３４７よりも散乱層３２０に近い側に設置される。
【００７９】
前述の図２に示した透光性基板２００のＩＴＯ膜２４０と同様に、第１のＩＴＯ層３４５は、第２のＩＴＯ層３４７に比べて酸化の程度が高い状態となっており、第２のＩＴＯ層３４７は、第１のＩＴＯ層３４５に比べて導電性が高くなっている。
【００８０】
第１のＩＴＯ層３４５は、例えば、１ｎｍ〜２０ｎｍの厚さを有しても良い。同様に、第２のＩＴＯ層３４７は、例えば、１ｎｍ〜５００ｎｍの厚さを有しても良い。ＩＴＯ膜３４０全体の厚さは、例えば、２ｎｍ〜５２０ｎｍの範囲であっても良い。
【００８１】
また、ＩＴＯ膜３４０全体の抵抗率は、例えば、２．３８×１０−４Ωｃｍ未満であっても良い。
【００８２】
ここで、第１のＩＴＯ層３４５は、従来よりも「酸素過剰」な雰囲気下で形成される。このため、第１のＩＴＯ層３４５の成膜中に、散乱層３２０中の被還元性元素が還元されることを有意に抑制することができる。一方、第２のＩＴＯ層３４７は、第１のＩＴＯ層３４５の成膜条件に比べて、より酸素の少ない雰囲気下、例えば従来と同等の酸化性の弱い雰囲気下で成膜される。ただし、第１のＩＴＯ層３４５の存在のため、すなわち、第１のＩＴＯ層３４５がバリア層として機能するため、第２のＩＴＯ層３４７を成膜する際にも、散乱層３２０に含まれる被還元性元素の還元反応は、抑制される。
【００８３】
その結果、散乱層３２０に着色を生じさせることなく、第２のＩＴＯ層３４７に比べて酸化の程度の高い状態の第１のＩＴＯ層３４５と、第１のＩＴＯ層３４５に比べて高導電性の第２のＩＴＯ層３４７と、を有するＩＴＯ膜３４０を形成することができる。
【００８４】
以上のことから、ＩＴＯ膜３４０を有する第３の透光性基板３００においても、散乱層３２０の着色防止と、ＩＴＯ膜３４０の抵抗上昇抑制の両方の効果を得ることが可能となる。
【００８５】
以上、散乱層を備えるタイプの第３の透光性基板３００について、その構成および効果を説明した。しかしながら、散乱層を備えるタイプの第３の透光性基板の構成は、これに限られるものではない。例えば、散乱層を備える透光性基板において、ＩＴＯ膜は、図１のＩＴＯ膜１４０のような「単層」で構成されても良い。この場合、前述のように、ＩＴＯ膜は、散乱層に近い表面側が、酸化の程度の高い第１のＩＴＯ部分となり、散乱層から遠い表面側が、酸化の程度の低い第２のＩＴＯ部分となるように構成される。
【００８６】
（有機ＬＥＤ素子）
次に、図４を参照して、本発明の一形態による有機ＬＥＤ素子について説明する。
【００８７】
図４には、本発明の一形態による有機ＬＥＤ素子の一例の概略的な断面図を示す。
【００８８】
図４に示すように、本発明の一形態による有機ＬＥＤ素子４０１は、ガラス基板４１０と、散乱層４２０と、第１の電極（陽極）層４４０と、有機発光層４５０と、第２の電極（陰極）層４６０とを、この順に積層することにより構成される。
【００８９】
ガラス基板４１０は、上部に有機ＬＥＤ素子を構成する各層を支持する役割を有する。図４の例では、有機ＬＥＤ素子４０１の下側の表面（すなわちガラス基板４１０の露出面）が光取り出し面４７０となる。
【００９０】
散乱層４２０は、第１の屈折率を有するガラス製のベース材４２１と、該ベース材４２１中に分散された、前記ベース材４２１とは異なる第２の屈折率を有する複数の散乱物質４２４とで構成される。
【００９１】
散乱層４２０は、有機発光層４５０から生じる光を効果的に散乱させ、有機ＬＥＤ素子４０１内で全反射される光の量を低減する役割を有する。従って、図４の構成の有機ＬＥＤ素子４０１では、光取り出し面４７０から出射される光量を向上させることができる。
【００９２】
散乱層４２０は、前述のような「被還元性元素」を含む。
【００９３】
第１の電極層４４０は、ＩＴＯ膜で構成される。一方、第２の電極層４６０は、例えばアルミニウムや銀のような金属で構成される。
【００９４】
有機発光層４５０は、通常の場合、発光層の他、電子輸送層、電子注入層、ホール輸送層、ホール注入層など、複数の層で構成される。
【００９５】
なお、図４には示されていないが、有機ＬＥＤ素子４０１において、散乱層４２０と第１の電極層４４０の間に、被覆層が設置されても良い。
【００９６】
被覆層は、散乱層の表面を平滑化して、以降の層の成膜処理を容易化する平滑化層、および／または第１の電極層のパターン処理の際に、散乱層の溶出や劣化等を防止する耐エッチングバリアとして機能する。被覆層は、金属酸化物または金属酸窒化物で構成される。
【００９７】
ここで、第１の電極層４４０を構成するＩＴＯ膜は、前述のように、多層化構造を有しても良い。例えば、図４では、ＩＴＯ膜は、ガラス基板４１０に近い側の第１のＩＴＯ層４４５と、ガラス基板４１０から遠い側の第２のＩＴＯ層４４７との２層で構成されている。また、第１のＩＴＯ層４４５は、第２のＩＴＯ層４４７に比べて、酸化の程度が高い状態となっており、第２のＩＴＯ層４４７は、第１のＩＴＯ層４４５に比べて、導電性が高くなっている。
【００９８】
このように構成された第１の電極層４４０を備える有機ＬＥＤ素子４０１においても、散乱層４２０の着色防止と、第１の電極層４４０の抵抗上昇抑制の両方の効果を得ることができる。
【００９９】
なお、図４において、ガラス基板４１０〜第１の電極層４４０までの部分は、前述の図３に示した透光性基板３００で構成されても良い。
【０１００】
また、図４の例では、第１の電極層４４０は、２層のＩＴＯ膜４４５および４４７で構成されている。しかしながら、第１の電極層４４０は、３層以上のＩＴＯ膜で構成されても良い。この場合、ガラス基板に最も近い側のＩＴＯ膜が、他のＩＴＯ膜に比べて、より酸化の程度の高い状態となるように構成される。
【０１０１】
あるいは、第１の電極層４４０は、図１に示したＩＴＯ膜１４０のような「単層」で構成されても良い。この場合、前述のように、ＩＴＯ膜は、散乱層に近い表面側が酸化の程度の高い第１のＩＴＯ部分となり、散乱層から遠い表面側が酸化の程度の低い第２のＩＴＯ部分となるように構成される。
【０１０２】
さらに、図４の構成では、有機ＬＥＤ素子４０１は、散乱層４２０を有する。しかしながら、有機ＬＥＤ素子において、散乱層４２０は、必ずしも必要ではなく、省略されても良い。ただし、そのような散乱層を含まない有機ＬＥＤ素子の場合、ガラス基板は、被還元性元素を含む組成を有する。
【０１０３】
（各構成素子について）
次に、有機ＬＥＤ素子４０１を構成する各素子の詳細について説明する。なお、以下に示す素子の一部は、図１〜図３に示した透光性基板１００〜３００においても同様に使用され得ることに留意する必要がある。
【０１０４】
（ガラス基板４１０）
ガラス基板４１０は、可視光に対する透過率が高い材料で構成される。ガラス基板の材料としては、アルカリガラス、無アルカリガラスまたは石英ガラスなどの無機ガラスが挙げられる。また、プラスチック基板の材料としては、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリエーテル、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリビニルアルコールならびにポリフッ化ビニリデンおよびポリフッ化ビニルなどのフッ素含有ポリマーが挙げられる。
【０１０５】
なお、有機ＬＥＤ素子が散乱層４２０を有しない場合、ガラス基板４１０中には、被還元性元素が含まれる。
【０１０６】
ガラス基板４１０の厚さは、特に限られないが、例えば、０．１ｍｍ〜２．０ｍｍの範囲であっても良い。強度および重量を考慮すると、ガラス基板４１０の厚さは、０．５ｍｍ〜１．４ｍｍであることが好ましい。
【０１０７】
（散乱層４２０）
散乱層４２０は、ベース材４２１と、該ベース材４２１中に分散された複数の散乱物質４２４とを有する。ベース材４２１は、第１の屈折率を有し、散乱物質４２４は、ベース材とは異なる第２の屈折率を有する。
【０１０８】
散乱層４２０は、前述の被還元性元素を含む。
【０１０９】
なお、散乱層４２０中の散乱物質４２４の存在量は、散乱層４２０の内部から外側に向かって小さくなっていることが好ましく、この場合、高効率の光取り出しを実現することができる。
【０１１０】
ベース材４２１は、ガラスで構成され、ガラスの材料としては、ソーダライムガラス、ホウケイ酸塩ガラス、無アルカリガラス、および石英ガラスなどの無機ガラスが使用される。
【０１１１】
散乱物質４２４は、例えば、気泡、析出結晶、ベース材とは異なる材料粒子、分相ガラス等で構成される。分相ガラスとは、２種類以上のガラス相により構成されるガラスをいう。
【０１１２】
ベース材４２１の屈折率と散乱物質４２４の屈折率の差は、大きい方が良く、このためには、ベース材４２１として高屈折率ガラスを使用し、散乱物質４２４として気泡を使用することが好ましい。
【０１１３】
ベース材４２１用の高屈折率のガラスのため、ネットワークフォーマとして、Ｐ２Ｏ５、ＳｉＯ２、Ｂ２Ｏ３、ＧｅＯ２、およびＴｅＯ２のうちの一種類または二種類以上の成分を選定し、高屈折率成分として、ＴｉＯ２、Ｎｂ２Ｏ５、ＷＯ３、Ｂｉ２Ｏ３、Ｌａ２Ｏ３、Ｇｄ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３、ＺｒＯ２、ＺｎＯ、ＢａＯ、ＰｂＯ、およびＳｂ２Ｏ３のうちの一種類または二種類以上の成分を選定しても良い。さらに、ガラスの特性を調整するため、アルカリ酸化物、アルカリ土類酸化物、フッ化物などを、屈折率に影響を及ぼさない範囲で、添加しても良い。
【０１１４】
従って、ベース材４２１を構成するガラス系としては、例えば、Ｂ２Ｏ３−ＺｎＯ−Ｌａ２Ｏ３系、Ｐ２Ｏ５−Ｂ２Ｏ３−Ｒ'２Ｏ−Ｒ"Ｏ−ＴｉＯ２−Ｎｂ２Ｏ５−ＷＯ３−Ｂｉ２Ｏ３系、ＴｅＯ２−ＺｎＯ系、Ｂ２Ｏ３−Ｂｉ２Ｏ３系、ＳｉＯ２−Ｂｉ２Ｏ３系、ＳｉＯ２−ＺｎＯ系、Ｂ２Ｏ３−ＺｎＯ系、Ｐ２Ｏ５−ＺｎＯ系などが挙げられる。ここで、Ｒ'はアルカリ金属元素、Ｒ"はアルカリ土類金属元素を示す。なお、以上の材料系は、一例に過ぎず、上記条件を満たすような構成であれば、使用材料は、特に限られない。
【０１１５】
ベース材４２１に、着色剤を添加することにより、発光の色味を変化させることもできる。着色剤としては、遷移金属酸化物、希土類金属酸化物、および金属コロイドなどを、単独でまたは組み合わせて使うことができる。
【０１１６】
（被覆層）
図４には示されていないが、散乱層４２０と第１の電極層４４０の間には、被覆層が設置されても良い。
【０１１７】
被覆層は、少なくとも一部が金属酸化物または金属酸窒化物で形成される。金属酸化物または金属酸窒化物を構成する金属種は、特に限られないが、金属種は、例えば、チタン、インジウム、スズ、タングステン、タンタル、および／またはニオブ等を含んでも良い。
【０１１８】
また、被覆層は、酸化珪素（ＳｉＯ２）をさらに含んでも良い。
【０１１９】
例えば、被覆層は、酸化チタンと酸化珪素の混合物で構成された層であっても良い。この場合、酸化チタンと酸化珪素の割合は、特に限られないが、両者の比（酸化チタン：酸化珪素）は、重量比で、例えば、８０：２０〜２０：８０の範囲であっても良い。特に、酸化チタン：酸化珪素の比は、重量比で、７５：２５〜４０：６０の範囲であることが好ましい。
【０１２０】
また、取り出し効率をより向上させるため、被覆層の屈折率は、第１の電極層４４０よりも低いことが好ましい。具体的には、被覆層の屈折率と散乱層４２０の屈折率の差は、０．２以下が好ましく、０．１３以下がより好ましく、０．１１以下がより好ましい。
【０１２１】
被覆層の膜厚は、特に限られない。被覆層の膜厚は、例えば、１００ｎｍ〜５００μｍの範囲であっても良い。
【０１２２】
被覆層は、湿式コーティング法または乾式コーティング法のいずれで形成されても良い。
【０１２３】
（第１の電極層４４０）
第１の電極層４４０は、前述のように、ＩＴＯ膜で構成される。また、ＩＴＯ膜は、前述のように、ガラス基板４１０に近い側の第１のＩＴＯ層４４５と、ガラス基板４１０から遠い側の第２のＩＴＯ層４４７との２層で構成されても良い。この場合、第１のＩＴＯ層４４５は、第２のＩＴＯ層４４７に比べて酸化の程度が高い状態となるように構成され、第２のＩＴＯ層４４７は、第１のＩＴＯ層４４５に比べて導電性が高くなるように構成される。
【０１２４】
第１のＩＴＯ層４４５の厚さは、特に限られないが、例えば、１ｎｍ〜２０ｎｍの範囲であることが好ましい。第２のＩＴＯ層４４７の厚さは、特に限られないが、例えば、１ｎｍ〜５００ｎｍの範囲であることが好ましい。
【０１２５】
なお、第１の電極層４４０を構成するＩＴＯ膜は、３層以上の層で構成されても良い。あるいは、前述の図１に示したように、ＩＴＯ膜は、第１の電極層４４０の第１の表面４４２から第２の表面４４４に沿って、酸化の程度が連続的にまたは不連続に変化（低下）するような、単一の層で構成されても良い。
【０１２６】
第１の電極層４４０の総厚さは、５０ｎｍ以上であることが好ましい。
【０１２７】
第１の電極層４４０の屈折率は、１．６５〜２．２の範囲である。なお、第１の電極層４４０の屈折率は、散乱層４２０を構成するベース材４２１の屈折率や第２の電極層４６０の屈折率を考慮して、決定することが好ましい。導波路計算や第２の電極層４６０の反射率等を考慮すると、第１の電極層４４０とベース材４２１の屈折率の差は、０．２以下であることが好ましい。
【０１２８】
（有機発光層４５０）
有機発光層４５０は、発光機能を有する層であり、通常の場合、ホール注入層と、ホール輸送層と、発光層と、電子輸送層と、電子注入層とにより構成される。ただし、有機発光層４５０は、発光層を有していれば、必ずしも他の層の全てを有する必要はないことは、当業者には明らかである。なお、通常の場合、有機発光層４５０の屈折率は、１．７〜１．８の範囲である。
【０１２９】
ホール注入層は、第１の電極層４４０からのホール注入の障壁を低くするため、イオン化ポテンシャルの差が小さいものが好ましい。電極からホール注入層への電荷の注入効率が高まると、有機ＬＥＤ素子４０１の駆動電圧が下がり、電荷の注入効率が高まる。
【０１３０】
ホール注入層の材料としては、高分子材料または低分子材料が使用される。高分子材料の中では、ポリスチレンスルフォン酸（ＰＳＳ）がドープされたポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ）が良く使用され、低分子材料の中では、フタロシアニン系の銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）が広く用いられる。 
ホール輸送層は、前述のホール注入層から注入されたホールを発光層に輸送する役割をする。ホール輸送層には、例えば、トリフェニルアミン誘導体、Ｎ，Ｎ'−ビス（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ'−ジフェニル−１，１'−ビフェニル−４，４'−ジアミン（ＮＰＤ）、Ｎ，Ｎ'−ジフェニル−Ｎ，Ｎ'−ビス[Ｎ−フェニル−Ｎ−（２−ナフチル）−4'−アミノビフェニル−４−イル] −１，１'−ビフェニル−４，４'−ジアミン（ＮＰＴＥ）、１，１'−ビス[（ジ−４−トリルアミノ）フェニル]シクロヘキサン（ＨＴＭ２）、およびＮ，Ｎ'−ジフェニル−Ｎ，Ｎ'−ビス（３−メチルフェニル）−１，１'−ジフェニル−４，４'−ジアミン（ＴＰＤ）などが用いられる。
【０１３１】
ホール輸送層の厚さは、例えば１０ｎｍ〜１５０ｎｍの範囲である。ホール輸送層の厚さが薄いほど、有機ＬＥＤ素子を低電圧化できるが、電極間短絡の問題から、通常は、１０ｎｍ〜１５０ｎｍの範囲である。 
発光層は、注入された電子とホールが再結合する場を提供する役割を有する。有機発光材料としては、低分子系または高分子系のものが使用される。
【０１３２】
発光層には、例えば、トリス（８−キノリノラート）アルミニウム錯体（Ａｌｑ３）、ビス（８−ヒドロキシ）キナルジンアルミニウムフェノキサイド（Ａｌｑ'２ＯＰｈ）、ビス（８−ヒドロキシ）キナルジンアルミニウム−２，５−ジメチルフェノキサイド（ＢＡｌｑ）、モノ(２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナート)リチウム錯体（Ｌｉｑ）、モノ（８−キノリノラート）ナトリウム錯体（Ｎａｑ）、モノ（２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナート）リチウム錯体、モノ（２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナート）ナトリウム錯体およびビス（８−キノリノラート）カルシウム錯体（Ｃａｑ２）などのキノリン誘導体の金属錯体、テトラフェニルブタジエン、フェニルキナクドリン（ＱＤ）、アントラセン、ペリレン、並びにコロネンなどの蛍光性物質が挙げられる。
【０１３３】
ホスト材料としては、キノリノラート錯体を使用しても良く、特に、８−キノリノールおよびその誘導体を配位子としたアルミニウム錯体が使用されても良い。 
電子輸送層は、電極から注入された電子を輸送する役割をする。電子輸送層には、例えば、キノリノールアルミニウム錯体（Ａｌｑ３）、オキサジアゾール誘導体（例えば、２，５−ビス（１−ナフチル）−１，３，４−オキサジアゾール（ＥＮＤ）、および２−(４−ｔ−ブチルフェニル) −５−（４−ビフェニル））−１，３，４−オキサジアゾール（ＰＢＤ）など）、トリアゾール誘導体、バソフェナントロリン誘導体、およびシロール誘導体などが用いられる。 
電子注入層は、例えば、第２の電極層４６０との界面に、リチウム（Ｌｉ）、セシウム（Ｃｓ）等のアルカリ金属をドープした層を設けることにより構成される。
【０１３４】
（第２の電極層４６０）
第２の電極層４６０には、仕事関数の小さな金属またはその合金が用いられる。第２の電極層４６０は、例えば、アルカリ金属、アルカリ土類金属、および周期表第３属の金属などであっても良い。第２の電極層４６０には、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、またはこれらの合金などが用いられる。
【０１３５】
また、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム銀（ＭｇＡｇ）の共蒸着膜、フッ化リチウム（ＬｉＦ）または酸化リチウム（Ｌｉ２Ｏ）の薄膜上に、アルミニウム（Ａｌ）を蒸着した積層電極が用いられても良い。さらに、カルシウム（Ｃａ）またはバリウム（Ｂａ）と、アルミニウム（Ａｌ）との積層膜が用いられても良い。
【０１３６】
（本発明の一形態による透光性基板の製造方法）
次に、図面を参照して、本発明の一形態による透光性基板の製造方法の一例について説明する。なお、ここでは、一例として、図３に示した透光性基板３００の構成を例に、その製造方法について説明する。ただし、以降の説明の一部は、図１および図２に示した透光性基板１００、２００の製造方法にも、同様に適用することができる。
【０１３７】
図５には、本発明の一形態による透光性基板を製造する際の概略的なフロー図を示す。
【０１３８】
図５に示すように、この透光性基板の製造方法は、
（ａ）ガラス基板上に、ガラスからなるベース材と、該ベース材中に分散された複数の散乱物質とを有する散乱層を設置するステップであって、前記散乱層は、Ｂｉ（ビスマス）、Ｔｉ（チタン）、およびＳｎ（スズ）からなる群から選定された少なくとも一つの元素を含むステップ（ステップＳ１１０）と、
（ｂ）前記散乱層上に、ＩＴＯ膜を成膜するステップであって、前記ＩＴＯ膜は、前記ガラス基板に近い側の方が、前記ガラス基板から遠い側に比べて酸化の程度が高い状態となるように成膜されるステップ（ステップＳ１２０）と、
を有する。以下、各ステップについて詳しく説明する。なお、以下の説明では、明確化のため、各部材の参照符号として、図３に示した参照符号を使用することにする。
【０１３９】
（ステップＳ１１０）
まず、ガラス基板３１０が準備される。次に、このガラス基板３１０上に、被還元性元素を含む散乱層３２０が形成される。
【０１４０】
散乱層３２０の形成方法は、特に限られないが、ここでは、特に、「フリットペースト法」により、散乱層３２０を形成する方法について説明する。ただし、その他の方法で散乱層３２０を形成しても良いことは、当業者には明らかである。
【０１４１】
フリットペースト法とは、フリットペーストと呼ばれるガラス材料を含むペーストを調製し（調製工程）、このフリットペーストを被設置基板の表面に塗布して、パターン化し（パターン形成工程）、さらにフリットペーストを焼成すること（焼成工程）により、被設置基板の表面に、所望のガラス製の膜を形成する方法である。以下、各工程について簡単に説明する。
【０１４２】
（調製工程）
まず、ガラス粉末、樹脂、および溶剤等を含むフリットペーストが調製される。
【０１４３】
ガラス粉末は、最終的に散乱層３２０のベース材３２１を形成する材料で構成される。ガラス粉末の組成は、所望の散乱特性が得られ、フリットペースト化して焼成することが可能なものであれば特に限られない。ただし、本発明では、散乱層は、被還元性元素を含む。
【０１４４】
ガラス粉末の組成は、例えば、Ｐ２Ｏ５を２０〜３０ｍｏｌ％、Ｂ２Ｏ３を３〜１４ｍｏｌ％、Ｂｉ２Ｏ３を１０〜２０ｍｏｌ％、ＴｉＯ２を３〜１５ｍｏｌ％、Ｎｂ２Ｏ５を１０〜２０ｍｏｌ％、ＷＯ３を５〜１５ｍｏｌ％含み、Ｌｉ２ＯとＮａ２ＯとＫ２Ｏの総量が１０〜２０ｍｏｌ％であり、以上の成分の総量が、９０ｍｏｌ％以上のものであっても良い。また、ＳｉＯ２は０〜３０ｍｏｌ％、Ｂ２Ｏ３は１０〜６０ｍｏｌ％、ＺｎＯは０〜４０ｍｏｌ％、Ｂｉ２Ｏ３は０〜４０ｍｏｌ％、Ｐ２Ｏ５は０〜４０ｍｏｌ％、アルカリ金属酸化物は０〜２０ｍｏｌ％であり、以上の成分の総量が、９０ｍｏｌ％以上のものであっても良い。ガラス粉末の粒径は、例えば、１μｍ〜１００μｍの範囲である。
【０１４５】
なお、最終的に得られる散乱層の熱膨張特性を制御するため、ガラス粉末には、所定量のフィラーを添加しても良い。フィラーには、例えば、ジルコン、シリカ、またはアルミナなどの粒子が使用され、粒径は、通常、０．１μｍ〜２０μｍの範囲である。
【０１４６】
樹脂には、例えば、エチルセルロース、ニトロセルロース、アクリル樹脂、酢酸ビニル、ブチラール樹脂、メラミン樹脂、アルキッド樹脂、およびロジン樹脂などが用いられる。なお、ブチラール樹脂、メラミン樹脂、アルキッド樹脂、およびロジン樹脂を添加すると、フリットペースト塗布膜の強度が向上する。
【０１４７】
溶剤は、樹脂を溶解し、粘度を調整する役割を有する。溶剤には、例えば、エーテル系溶剤（ブチルカルビトール（ＢＣ）、ブチルカルビトールアセテート（ＢＣＡ）、ジプロピレングリコールブチルエーテル、トリプロピレングリコールブチルエーテル、酢酸ブチルセロソルブ）、アルコール系溶剤（α−テルピネオール、パインオイル）、エステル系溶剤（２，２，４−トリメチル−１，３−ペンタンジオールモノイソブチレート）、フタル酸エステル系溶剤（ＤＢＰ（ジブチルフタレート）、ＤＭＰ（ジメチルフタレート）、ＤＯＰ（ジオクチルフタレート））がある。主に用いられているのは、α−テルピネオールや２，２，４−トリメチル−１，３−ペンタンジオールモノイソブチレート)である。なお、ＤＢＰ（ジブチルフタレート）、ＤＭＰ（ジメチルフタレート）、ＤＯＰ（ジオクチルフタレート）は、可塑剤としても機能する。
【０１４８】
その他、フリットペーストには、粘度の調整やフリット分散促進のため、界面活性剤を添加しても良い。また、表面改質のため、シランカップリング剤を使用しても良い。
【０１４９】
次に、これらの原料を混合し、ガラス原料が均一に分散されたフリットペーストを調製する。
【０１５０】
（パターン形成工程）
次に、前述の方法で調製したフリットペーストを、ガラス基板３１０上に塗布し、パターン化する。塗布の方法およびパターン化の方法は、特に限られない。例えば、スクリーン印刷機を用いて、ガラス基板３１０上にフリットペーストをパターン印刷しても良い。あるいは、ドクターブレード印刷法またはダイコート印刷法を利用しても良い。
【０１５１】
その後、フリットペースト膜は、乾燥される。
【０１５２】
（焼成工程）
次に、フリットペースト膜が焼成される。通常、焼成は、２段階のステップで行われる。第１のステップでは、フリットペースト膜中の樹脂が分解、消失され、第２のステップでは、ガラス粉末が軟化、焼結される。
【０１５３】
第１のステップは、大気雰囲気下で、フリットペースト膜を２００℃〜４００℃の温度範囲に保持することにより行われる。ただし、処理温度は、フリットペーストに含まれる樹脂の材料によって変化する。例えば、樹脂がエチルセルロースの場合は、処理温度は、３５０℃〜４００℃程度であり、樹脂がニトロセルロースの場合は、処理温度は、２００℃〜３００℃程度であっても良い。なお処理時間は、通常、３０分から１時間程度である。
【０１５４】
第２のステップは、大気雰囲気下で、フリットペースト膜を、含まれるガラス粉末の軟化温度±３０℃の温度範囲に保持することにより行われる。処理温度は、例えば、４５０℃〜６００℃の範囲である。また、処理時間は、特に限られないが、例えば、３０分〜１時間である。
【０１５５】
第２のステップ後に、ガラス粉末が軟化、焼結して、散乱層３２０のベース材３２１が形成される。また、フリットペースト膜中に内包させた散乱物質によって、例えば内在する気泡などによって、ベース材３２１中に均一に分散された散乱物質３２４が得られる。
【０１５６】
その後、ガラス基板３１０を冷却することにより、散乱層３２０を形成することができる。なお、最終的に得られる散乱層３２０の厚さは、５μｍ〜５０μｍの範囲であっても良い。
【０１５７】
ガラス基板３１０上に散乱層３２０が形成された後、必要な場合、散乱層３２０の上部に、被覆層が形成される。
【０１５８】
被覆層は、例えば、乾式コーティング法により形成される。あるいは、被覆層は、例えば、湿式コーティング法により形成されても良い。湿式コーティング法の種類は、特に限られず、例えば、有機金属溶液と有機金属粒子を含むゾルゲル液を用いて、被覆層を形成しても良い。
【０１５９】
（ステップＳ１２０）
次に、散乱層３２０の上部（被覆層が存在する場合は、その上）に、ＩＴＯ膜３４０が成膜される。
【０１６０】
ＩＴＯ膜３４０の設置方法は、特に限られず、ＩＴＯ膜３４０は、例えば、スパッタ法、蒸着法、および気相成膜法等の成膜法により設置されても良い。
【０１６１】
以下、一例として、スパッタ法により、ＩＴＯ膜３４０を形成する方法について説明する。
【０１６２】
スパッタ法によりＩＴＯ膜３４０を形成する場合、ＩＴＯ膜３４０は、第１のＩＴＯ層３４５を成膜するための第１の成膜工程と、第２のＩＴＯ層３４７を成膜するための第２の成膜工程によって成膜される。
【０１６３】
（ｉ  第１の成膜工程）
一般に、スパッタ法によりＩＴＯ膜を成膜する場合、金属インジウムと金属スズの合金からなるターゲット、またはＩＴＯターゲットが使用される。
【０１６４】
プラズマのパワー密度は、装置の規模によっても変化するが、例えば、０．２Ｗ／ｃｍ２〜３Ｗ／ｃｍ２の範囲である。
【０１６５】
また、スパッタリングガスとして、不活性ガスと酸素の混合ガスが使用される。
【０１６６】
本発明による一実施形態の製造方法では、第１の成膜工程において、従来よりも酸化性の強い雰囲気、すなわち「酸素過剰」な条件下で、第１のＩＴＯ層３４５が成膜される。
【０１６７】
ここで、本願では、以下の理由により、プラズマパワー密度Ｐd（Ｗ／ｃｍ２）に対するスパッタリングガスの酸素分圧ＰＯ２（ｖｏｌ％）の比Ｒ（ｖｏｌ％・ｃｍ２／Ｗ）、すなわちＲ＝ＰＯ２／Ｐdを用いて、成膜環境の酸化性を規定する。
【０１６８】
すなわち、例えば、スパッタリングガス中に含まれる酸素の量は、スパッタリング装置の規模および種類、ならびにプラズマのパワー等、各種成膜条件によって変動する。従って、成膜環境の酸化性を、単にスパッタリングガス中の酸素分圧で表すことは難しい。しかしながら、本願のような指標Ｒ（ｖｏｌ％・ｃｍ２／Ｗ）（Ｒ＝ＰＯ２／Ｐd）を使用した場合、前述のような変動因子の影響が規格化され、成膜環境の酸化性をより適正に比較することが可能になる。
【０１６９】
なお、前記定義によれば、指標Ｒ（ｖｏｌ％・ｃｍ２／Ｗ）が大きいほど、その環境は、より酸化性であり、「酸素過剰」な条件であると言える。指標Ｒ（ｖｏｌ％・ｃｍ２／Ｗ）は、１．０３（ｖｏｌ％・ｃｍ２／Ｗ）よりも大きいことが好ましく、１．５（ｖｏｌ％・ｃｍ２／Ｗ）以上であることがより好ましい。指標Ｒ（ｖｏｌ％・ｃｍ２／Ｗ）は、例えば、約１．６以上、または約２以上である。
【０１７０】
このような「酸素過剰」な条件下で第１のＩＴＯ層３４５を成膜することにより、スパッタリング処理中に、散乱層３２０中の被還元性元素が還元されることを有意に抑制することができる。また、「酸素過剰」な条件下で、スパッタリング成膜を行うことにより、散乱層３２０上に、酸化の程度が高い第１のＩＴＯ層３４５を成膜することができる。
【０１７１】
（ｉｉ  第２の成膜工程）
次に、第１のＩＴＯ層３４５の上部に、第２のＩＴＯ層３４７が成膜される。
【０１７２】
第２のＩＴＯ層３４７は、第１の成膜工程で選定された成膜環境よりも酸化性の弱い条件、すなわち、第１の成膜工程における指標Ｒ（ｖｏｌ％・ｃｍ２／Ｗ）よりも小さな指標Ｒ（ｖｏｌ％・ｃｍ２／Ｗ）を示す環境下で成膜される。例えば、第２のＩＴＯ層３４７は、従来のＩＴＯ膜の成膜の際に一般に採用されているような条件下で成膜されても良い。
【０１７３】
第２の成膜工程において、指標Ｒ（ｖｏｌ％・ｃｍ２／Ｗ）は、１．０３以下であることが好ましい。
【０１７４】
ここで、第２のＩＴＯ層３４７を成膜する際には、散乱層３２０の上部に、既に、酸化の程度が高い第１のＩＴＯ層３４５が形成されている。このため、この第１のＩＴＯ層３４５のバリア効果により、第２のＩＴＯ層３４７を成膜中に、散乱層３２０に含まれる被還元性元素が還元されることを抑制することができる。
【０１７５】
従って、第２の成膜工程においても、散乱層３２０に着色を生じさせることなく、第２のＩＴＯ層３４７を成膜することができる。
【０１７６】
以上のような第１の成膜工程および第２の成膜工程を経て、第１のＩＴＯ層３４５および第２のＩＴＯ層３４７を有するＩＴＯ膜３４０を形成することができる。
【０１７７】
ここで、第２のＩＴＯ層３４７は、指標Ｒがより小さな条件（すなわち、より酸化性の弱い条件）下で成膜されるため、第１のＩＴＯ層３４５に比べて、膜の導電性を高めることができる。従って、ＩＴＯ膜３４０全体を、酸化の程度が高い状態の第１のＩＴＯ層３４５で構成した場合に比べて、ＩＴＯ膜３４０の抵抗率を低減させることができる。
【０１７８】
例えば、ＩＴＯ膜３４０全体の抵抗率は、従来の方法で成膜されるＩＴＯ膜と遜色のない値、例えば１．５×１０−４Ωｃｍ程度にすることができる。
【０１７９】
このようにして、第２のＩＴＯ層３４７に比べて酸化の程度が高い状態の第１のＩＴＯ層３４５と、該第１のＩＴＯ層３４５に比べて高導電性の第２のＩＴＯ層３４７と、を有するＩＴＯ膜３４０を形成することができる。
【０１８０】
その後、ＩＴＯ膜３４０は、エッチング処理等により、パターン化されても良い。
【０１８１】
以上の工程により、ガラス基板３１０、散乱層３２０、およびＩＴＯ膜３４０を有する透光性基板３００を製造することができる。
【０１８２】
なお、透光性基板３００から有機ＬＥＤ素子を製造する場合は、さらに、有機発光層および第２の電極層を順次形成すれば良い。
【０１８３】
例えば、蒸着法および／または塗布法等により、第１のＩＴＯ層３４０上に、有機発光層が設置されても良い。また、例えば、蒸着法、スパッタ法、気相成膜法等により、有機発光層上に、第２の電極層４６０が設置されても良い。
【０１８４】
なお、上記記載では、明確に識別することが可能な２つのＩＴＯ膜３４５および３４７を有する複層構造のＩＴＯ膜３４０が形成される場合を例に、本発明の一実施例による製造方法について説明した。このような複層構造のＩＴＯ膜３４０は、例えば、プラズマ密度および酸素分圧等のような成膜条件を変更する前に、一旦成膜過程を中断した場合などに形成されやすい。
【０１８５】
しかしながら、本発明の製造方法は、これに限られるものではなく、スパッタ法により、例えば、図１に示すような、特性の異なる２つの部分１４６、１４８を有する単層構造のＩＴＯ膜１４０が成膜されても良い。そのような単層構造のＩＴＯ膜１４０は、例えば、成膜条件を変更する際に、成膜処理を中断せず、成膜を継続的に実施させること等により、構成することができる。
【０１８６】
また、上記記載では、ＩＴＯ膜３４０は、スパッタ法により成膜される。しかしながら、これは単なる一例であって、ＩＴＯ膜３４０は、その他の成膜方法で形成されても良い。
【０１８７】
以上、ガラス基板の上にＩＴＯ膜が設置されて構成される透光性基板および有機ＬＥＤ素子を例に、本発明の課題およびそれを解決するための思想について説明した。
【０１８８】
しかしながら、本発明の適用範囲は、そのような透光性基板および有機ＬＥＤ素子に限られるものではない。
【０１８９】
例えば、透光性基板の電極層には、ＩＴＯ膜以外にも各種導電性酸化物、例えば、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ：インジウム亜鉛酸化物）、ＡＺＯ（ＡｌドープＺｎＯ）、ＳｎＯ２、ＴａドープＳｎＯ２、およびＴｉドープＩｎ２Ｏ３等が使用され得る。このような導電性酸化物は、通常、ＩＴＯ膜を成膜する場合と同様の条件、すなわち酸素欠乏が生じやすい環境下で、ガラス基板上に成膜される。従って、ＩＴＯ膜以外の各種導電性酸化物を成膜する場合にも、ガラス基板の着色という同様の課題が生じ得る。そのような課題に対しても、本発明を適用することにより、問題を解決することができる。
【実施例】
【０１９０】
次に、本発明の実施例について説明する。
【０１９１】
（予備試験）
以下の方法により、ガラス基板上にＩＴＯ膜を成膜し、得られたサンプルの特性を評価した。
【０１９２】
（例１）
ＩＴＯターゲットを使用し、スパッタリング装置を用いて、Ｂｉ（ビスマス）を含むガラス基板上にＩＴＯ膜を成膜した。ガラス基板中のＢｉの濃度は、２０ｍｏｌ％である。
【０１９３】
ガラス基板温度は、３８０℃に加熱した。また、プラズマガスとして、アルゴンガスと酸素の混合ガスを使用した。酸素濃度（ＰＯ２）は、０．７９ｖｏｌ％とした。
【０１９４】
成膜時のプラズマ密度（Ｐｄ）は、０．２５Ｗ／ｃｍ２とした。従って、指標Ｒ（ｖｏｌ％・ｃｍ２／Ｗ）（Ｒ＝ＰＯ２／Ｐｄ）は、３．２０（ｖｏｌ％・ｃｍ２／Ｗ）である。ＩＴＯ膜の厚さは、３０ｎｍ（目標）とした。
【０１９５】
成膜後に、ＩＴＯ膜を有するガラスサンプル（以下、「サンプル１」と称する）が得られた。
【０１９６】
（例２）
例１と同様の方法により、ＩＴＯ膜を有するガラスサンプル（以下、「サンプル２」と称する）を作製した。
【０１９７】
ただし、この例２では、酸素濃度（ＰＯ２）は、０．７９ｖｏｌ％とし、成膜時のプラズマ密度（Ｐｄ）は、０．９９Ｗ／ｃｍ２とした。従って、指標Ｒ（ｖｏｌ％・ｃｍ２／Ｗ）は、０．８０（ｖｏｌ％・ｃｍ２／Ｗ）である。ＩＴＯ膜の厚さは、１５０ｎｍ（目標）とした。その他の条件は、例１の場合と同様である。
【０１９８】
これにより、サンプル２が得られた。
【０１９９】
（例３）
例１と同様の方法により、ＩＴＯ膜を有するガラスサンプル（以下、「サンプル３」と称する）を作製した。
【０２００】
ただし、この例３では、酸素濃度（ＰＯ２）は、１．５７ｖｏｌ％とし、成膜時のプラズマ密度（Ｐｄ）は、０．９９Ｗ／ｃｍ２とした。従って、指標Ｒ（ｖｏｌ％・ｃｍ２／Ｗ）は、１．５９（ｖｏｌ％・ｃｍ２／Ｗ）である。ＩＴＯ膜の厚さは、１５０ｎｍ（目標）とした。その他の条件は、例１の場合と同様である。
【０２０１】
これにより、サンプル３が得られた。
【０２０２】
（例４）
例１と同様の方法により、ＩＴＯ膜を有するガラスサンプル（以下、「サンプル４」と称する）を作製した。
【０２０３】
ただし、この例４では、酸素濃度（ＰＯ２）は、１．９６ｖｏｌ％とし、成膜時のプラズマ密度（Ｐｄ）は、０．９９Ｗ／ｃｍ２とした。従って、指標Ｒ（ｖｏｌ％・ｃｍ２／Ｗ）は、１．９８（ｖｏｌ％・ｃｍ２／Ｗ）である。ＩＴＯ膜の厚さは、１５０ｎｍ（目標）とした。その他の条件は、例１の場合と同様である。
【０２０４】
これにより、サンプル４が得られた。
【０２０５】
（例５）
例１と同様の方法により、ＩＴＯ膜を有するガラスサンプル（以下、「サンプル５」と称する）を作製した。
【０２０６】
ただし、この例５では、酸素濃度（ＰＯ２）は、０．６０ｖｏｌ％とし、成膜時のプラズマ密度（Ｐｄ）は、１．５３Ｗ／ｃｍ２とした。従って、指標Ｒ（ｖｏｌ％・ｃｍ２／Ｗ）は、０．３９（ｖｏｌ％・ｃｍ２／Ｗ）である。ＩＴＯ膜の厚さは、１５０ｎｍ（目標）とした。その他の条件は、例１の場合と同様である。
【０２０７】
これにより、サンプル５が得られた。
【０２０８】
（例６）
例１と同様の方法により、ＩＴＯ膜を有するガラスサンプル（以下、「サンプル６」と称する）を作製した。
【０２０９】
ただし、この例６では、酸素濃度（ＰＯ２）は、０．７９ｖｏｌ％とし、成膜時のプラズマ密度（Ｐｄ）は、１．５３Ｗ／ｃｍ２とした。従って、指標Ｒ（ｖｏｌ％・ｃｍ２／Ｗ）は、０．５２（ｖｏｌ％・ｃｍ２／Ｗ）である。ＩＴＯ膜の厚さは、１５０ｎｍ（目標）とした。その他の条件は、例１の場合と同様である。
【０２１０】
これにより、サンプル６が得られた。
【０２１１】
（例７）
例１と同様の方法により、ＩＴＯ膜を有するガラスサンプル（以下、「サンプル７」と称する）を作製した。
【０２１２】
ただし、この例７では、酸素濃度（ＰＯ２）は、１．５７ｖｏｌ％とし、成膜時のプラズマ密度（Ｐｄ）は、１．５３Ｗ／ｃｍ２とした。従って、指標Ｒ（ｖｏｌ％・ｃｍ２／Ｗ）は、１．０３（ｖｏｌ％・ｃｍ２／Ｗ）である。ＩＴＯ膜の厚さは、１５０ｎｍ（目標）とした。その他の条件は、例１の場合と同様である。
【０２１３】
これにより、サンプル７が得られた。
【０２１４】
（例８）
例１と同様の方法により、ＩＴＯ膜を有するガラスサンプル（以下、「サンプル８」と称する）を作製した。
【０２１５】
ただし、この例８では、酸素濃度（ＰＯ２）は、２．３４ｖｏｌ％とし、成膜時のプラズマ密度（Ｐｄ）は、１．５３Ｗ／ｃｍ２とした。従って、指標Ｒ（ｖｏｌ％・ｃｍ２／Ｗ）は、１．５３（ｖｏｌ％・ｃｍ２／Ｗ）である。ＩＴＯ膜の厚さは、１５０ｎｍ（目標）とした。その他の条件は、例１の場合と同様である。
【０２１６】
これにより、サンプル８が得られた。
【０２１７】
以下の表１には、サンプル１〜８の製作条件をまとめて示した。
【０２１８】
【表１】
2016048596.tif 000003
（評価）
前述のように作製した各サンプル１〜８を用いて、着色評価試験、吸収係数の測定、ホール抵抗率測定、および消衰係数測定を行った。
【０２１９】
各評価試験結果を、まとめて前述の表１に示した。
【０２２０】
着色評価試験は、下記の手順で実施した：
（１）ＩＴＯを成膜したサンプルを塩化鉄水溶液にてウエットエッチングする；
（２）サンプルの分光吸収量を分光装置（パーキンエルマー社製、Ｌａｍｂｄａ９５０）にて評価する；
（３）吸収量が基材ガラスの吸収よりも大きいものは、ＩＴＯ成膜プロセス中に基材に着色が生じていると判断する。
【０２２１】
評価の結果、サンプル１、３、４および８は、着色していないものの、サンプル２、５、６および７は、着色していることが確認された。
【０２２２】
ＩＴＯ膜を設置する前のガラス基板を用いて、同様の測定を行ったところ、ガラス基板の波長５５０ｎｍにおける吸収量ａは、約５．１％であった。
【０２２３】
また、指標Ｒ（ｖｏｌ％・ｃｍ２／Ｗ）との比較から、指標Ｒ（ｖｏｌ％・ｃｍ２／Ｗ）が１．０３（ｖｏｌ％・ｃｍ２／Ｗ）以下では着色が生じるものの、指標Ｒ（ｖｏｌ％・ｃｍ２／Ｗ）が１．５３（ｖｏｌ％・ｃｍ２／Ｗ）以上では、着色が生じないことがわかった。
【０２２４】
このことから、第１のＩＴＯ層（酸化の程度がより高い部分）の成膜時の条件としては、指標Ｒ（ｖｏｌ％・ｃｍ２／Ｗ）が１．０３よりも大きく、指標Ｒ（ｖｏｌ％・ｃｍ２／Ｗ）が１．５３以上であることが好ましいと言える。
【０２２５】
次に、各サンプル１〜８のホール抵抗率を、ホール抵抗率測定装置により測定した。
【０２２６】
測定の結果、ホール抵抗率は、指標Ｒ（ｖｏｌ％・ｃｍ２／Ｗ）が小さい方が小さくなる傾向にあることがわかる。これは、指標Ｒ（ｖｏｌ％・ｃｍ２／Ｗ）が小さい場合、すなわち酸化性が弱い環境で成膜を行った場合、形成されるＩＴＯ膜の酸化の程度が低くなり、ＩＴＯ膜の抵抗が低下することを示唆しており、これまでに述べてきた考察と一致する。従って、抵抗抑制の観点からは、指標Ｒ（ｖｏｌ％・ｃｍ２／Ｗ）は、できるだけ低い方が好ましいと言える。
【０２２７】
次に、各サンプル１〜８の消衰係数ｋを測定した。消衰係数ｋは、エリプソメトリー法により測定した。
【０２２８】
測定の結果、着色が生じなかったサンプル１、３、４および８では、消衰係数ｋが比較的小さくなった（最大でも０．００５１）。一方、着色が生じたサンプル２、５、６および７では、消衰係数ｋが比較的大きくなった（最小でも０．００５６）。
【０２２９】
このことから、消衰係数ｋは、指標Ｒ（ｖｏｌ％・ｃｍ２／Ｗ）に関連する値として利用することができることがわかった。すなわち、指標Ｒ（ｖｏｌ％・ｃｍ２／Ｗ）が大きい場合、消衰係数ｋは小さくなる傾向にあり、指標Ｒ（ｖｏｌ％・ｃｍ２／Ｗ）が小さい場合、消衰係数ｋは大きくなる傾向にあると言える。
【０２３０】
また、第１のＩＴＯ層（酸化の程度がより高い部分）は、消衰係数ｋが０．００５６よりも小さく、特に、０．００５１以下となるように成膜することが好ましいと言える。
【０２３１】
以上の予備試験の結果から、成膜時のパラメータと、得られるＩＴＯ膜の特性の間のおおよその関係が把握された。
【０２３２】
（成膜試験）
（サンプルＡの作製）
次に、予備試験で使用したガラス基板と同じガラス基板を使用して、この表面に２層構造のＩＴＯ膜を成膜し、サンプル（「サンプルＡ」と称する）を作製した。
【０２３３】
最初に、プラズマ密度（Ｐｄ）０．２５Ｗ／ｃｍ２、および酸素濃度（ＰＯ２）０．７９ｖｏｌ％の環境下で、ガラス基板上に第１のＩＴＯ層をスパッタリング成膜した（第１の成膜）。第１の成膜時の指標Ｒ（ｖｏｌ％・ｃｍ２／Ｗ）は、３．２０（ｖｏｌ％・ｃｍ２／Ｗ）である。なお、第１のＩＴＯ層の厚さは、１０ｎｍ（目標）とした。なお、その他のスパッタリング条件は、予備試験の場合と同様である。
【０２３４】
第１の成膜の完了後に、一旦成膜を中断し、成膜条件を変更した。
【０２３５】
次に、プラズマ密度（Ｐｄ）１．５３Ｗ／ｃｍ２、および酸素濃度（ＰＯ２）０．６０ｖｏｌ％の環境下で、第１のＩＴＯ層上に、第２のＩＴＯ層をスパッタリング成膜した（第２の成膜）。第２の成膜時の指標Ｒ（ｖｏｌ％・ｃｍ２／Ｗ）は、０．３９（ｖｏｌ％・ｃｍ２／Ｗ）である。なお、第２のＩＴＯ層の厚さは、１５０ｎｍ（目標）とした。
【０２３６】
これにより、総厚さが約１６０ｎｍの、２層構造のＩＴＯ膜を成膜した。
【０２３７】
（サンプルＢの作製）
予備試験で使用したガラス基板と同じガラス基板を使用して、この表面に単層構造のＩＴＯ膜を成膜し、サンプル（「サンプルＢ」と称する）を作製した。
【０２３８】
ＩＴＯ膜は、プラズマ密度（Ｐｄ）１．５３Ｗ／ｃｍ２、および酸素濃度（ＰＯ２）２．３４ｖｏｌ％の環境下で、ガラス基板上にスパッタリング成膜した。成膜時の指標Ｒ（ｖｏｌ％・ｃｍ２／Ｗ）は、１．５３（ｖｏｌ％・ｃｍ２／Ｗ）である。なお、ＩＴＯ膜の厚さは、１５０ｎｍ（目標）とした。なお、その他のスパッタリング条件は、予備試験の場合と同様である。
【０２３９】
（サンプルＣの作製）
予備試験で使用したガラス基板と同じガラス基板を使用して、この表面に単層構造のＩＴＯ膜を成膜し、サンプル（「サンプルＣ」と称する）を作製した。
【０２４０】
ＩＴＯ膜は、プラズマ密度（Ｐｄ）１．５３Ｗ／ｃｍ２、および酸素濃度（ＰＯ２）０．６０ｖｏｌ％の環境下で、ガラス基板上にスパッタリング成膜した。成膜時の指標Ｒ（ｖｏｌ％・ｃｍ２／Ｗ）は、０．３９（ｖｏｌ％・ｃｍ２／Ｗ）である。なお、ＩＴＯ膜の厚さは、１５０ｎｍ（目標）とした。なお、その他のスパッタリング条件は、予備試験の場合と同様である。
【０２４１】
表２には、サンプルＡ〜Ｃの成膜条件をまとめて示した。
【０２４２】
【表２】
2016048596.tif 000004
（評価）
このようにして得られたサンプルＡ、Ｂ、Ｃを用いて、前述の方法により、着色評価試験、吸収係数の測定、ホール抵抗率測定、および消衰係数測定を行った。
【０２４３】
測定結果を、前述の表２に示す。
【０２４４】
表２に示すように、着色評価試験の結果、サンプルＡに着色は生じていないことが確認された。なお、吸収量の測定の結果、サンプルＡの吸収量ａは、５．２３％であった。この吸収量ａの値は、ガラス基板の吸収量ａに接近しており、前述の予備試験において、着色が生じなかったサンプル群（サンプル１、３、４および８）において得られた吸収量ａの値ともほぼ一致する。
【０２４５】
同様に、サンプルＢにおいても、着色は生じていなかった（吸収量ａ＝５．４３％）。
【０２４６】
これに対して、サンプルＣは、吸収量が９．４７％であり、着色が生じていた。
【０２４７】
次に、ホール抵抗率測定の結果、サンプルＡのホール抵抗率は、１．３０×１０−４Ωｃｍであった。
【０２４８】
この値は、前述の予備試験において、酸化性の弱い雰囲気で製作されたサンプル５（指標Ｒ＝０．３９ｖｏｌ％・ｃｍ２／Ｗ）、およびサンプル６（指標Ｒ＝０．５２ｖｏｌ％・ｃｍ２／Ｗ）に対して測定されたホール抵抗率に匹敵する。このことから、サンプルＡでは、第１の成膜を酸素過剰な条件（指標Ｒ＝３．２０ｖｏｌ％・ｃｍ２／Ｗ）で実施したにも関わらず、ＩＴＯ膜の抵抗上昇は、有意に抑制されていることがわかった。
【０２４９】
一方、サンプルＢのホール抵抗率は、２．３８×１０−４Ωｃｍであり、サンプルＢのようなＩＴＯ膜の形成方法では、ＩＴＯ膜の抵抗上昇が避けられないことが確認された。サンプルＣのホール抵抗率は、１．２６×１０−４Ωｃｍであるが、吸収が生じていた。
【０２５０】
このように、酸化の程度が高い第１のＩＴＯ層と、酸化の程度が低い第２のＩＴＯ層とを順次成膜することにより、ガラス基板の着色の発生を抑制できることがわかった。また、このような構成のＩＴＯ膜を形成することにより、ＩＴＯ膜全体の抵抗の上昇を有意に抑制できることが確認された。
【産業上の利用可能性】
【０２５１】
本発明は、発光デバイス等に使用される有機ＬＥＤ素子に適用することができる。
【符号の説明】
【０２５２】
１００    第１の透光性基板
１１０    ガラス基板
１４０    ＩＴＯ膜
１４２    第１の表面
１４４    第２の表面
１４６    第１のＩＴＯ部分
１４８    第２のＩＴＯ部分
２００    第２の透光性基板
２１０    ガラス基板
２４０    ＩＴＯ膜
２４２    第１の表面
２４４    第２の表面
２４５    第１のＩＴＯ層
２４７    第２のＩＴＯ層
３００    第３の透光性基板
３１０    ガラス基板
３２０    散乱層
３２１    ベース材
３２４    散乱物質
３４０    ＩＴＯ膜
３４２    第１の表面
３４４    第２の表面
３４５    第１のＩＴＯ層
３４７    第２のＩＴＯ層
４０１    有機ＬＥＤ素子
４１０    ガラス基板
４２０    散乱層
４２１    ベース材
４２４    散乱物質
４４０    第１の電極層
４４２    第１の表面
４４４    第２の表面
４４５    第１のＩＴＯ層
４４７    第２のＩＴＯ層
４５０    有機発光層
４６０    第２の電極層
４７０    光取り出し面
【図１】
2016048596.tif 000005
【図２】
2016048596.tif 000006
【図３】
2016048596.tif 000007
【図４】
2016048596.tif 000008
【図５】
2016048596.tif 000009