(57)【要約】【課題】主表面に研磨パッドを押し当てて主表面を研磨する際に、研磨パッドへの引っかかりを抑制できるエピタキシャル成長用サファイア単結晶基板の提供。【解決手段】第１の主表面と、端面と、  第１の主表面と端面との間に形成されたテーパー形状の面取り部を有し、  面取り部の端面側の端部の第１の主表面からの距離、および／または面取り部の角度が異なる部分を含み、  面取り部の端面側の端部の第１の主表面からの距離の最大値は、第１の主表面に研磨パッドを押し当てて研磨をする際に、基板が研磨パッドに沈み込む最大深さの１．１倍以上、  面取り部の端面側の端部の、第１の主表面からの距離が最大値をとる第１の端部を含む面取り部と第１の主表面との間の角度は２５度より大きく５５度未満、  第１の端部と対向する第２の端部を含む面取り部と第１の主表面との間の角度は２５度より大きく６５度未満であるエピタキシャル成長用サファイア単結晶基板。【選択図】図３
2016000671.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の主表面と、
前記第１の主表面と対向する位置にある第２の主表面と、
前記第１の主表面の外周縁と、前記第２の主表面の外周縁との間に配置された端面とを有するエピタキシャル成長用サファイア単結晶基板であって、
前記第１の主表面と、前記端面とにより形成される角部には、テーパー形状の面取り部が形成され、
前記面取り部の前記端面側の端部の、前記第１の主表面からの距離、および／または前記面取り部と前記第１の主表面との間の角度が異なる部分を含んでおり、
前記面取り部の前記端面側の端部の、前記第１の主表面からの距離の最大値は、前記第１の主表面に研磨パッドを押し当てて研磨をする際に、エピタキシャル成長用サファイア単結晶基板が前記研磨パッドに沈み込む最大深さの１．１倍以上であり、
前記面取り部の前記端面側の端部の、前記第１の主表面からの距離が最大値をとる前記面取り部の前記端面側の端部のうち選択された１つの端部である第１の端部と、前記エピタキシャル成長用サファイア単結晶基板の中心軸とを通る断面において、
前記第１の端部を含む前記面取り部と前記第１の主表面との間の角度は、２５度より大きく５５度未満であり、
前記第１の端部と、前記エピタキシャル成長用サファイア単結晶基板の中心軸を挟んで対向する位置の、前記面取り部の前記端面側の端部である第２の端部を含む前記面取り部と前記第１の主表面との間の角度は、２５度より大きく６５度未満であるエピタキシャル成長用サファイア単結晶基板。
【請求項２】
前記面取り部の前記端面側の端部の、前記第１の主表面からの距離は、前記第１の主表面に研磨パッドを押し当てて研磨をする際に、エピタキシャル成長用サファイア単結晶基板が前記研磨パッドに沈み込む最大深さの１．６倍以下である請求項１に記載のエピタキシャル成長用サファイア単結晶基板。
【請求項３】
前記第２の端部の前記第１の主表面からの距離は、前記面取り部の前記端面側の端部の、前記第１の主表面からの距離うち、最小値である請求項１または２に記載のエピタキシャル成長用サファイア単結晶基板。
【請求項４】
前記第１の主表面と、前記端面とにより形成される角部を含む、前記面取り部を形成する際に除去された部分について、
前記第２の端部を含み、前記エピタキシャル成長用サファイア単結晶基板の中心軸を通る断面での前記面取り部を形成する際に除去された部分の断面積の方が、
前記第１の端部を含み、前記エピタキシャル成長用サファイア単結晶基板の中心軸を通る断面での前記面取り部を形成する際に除去された部分の断面積よりも小さくなっている請求項１乃至３のいずれか一項に記載のエピタキシャル成長用サファイア単結晶基板。
【請求項５】
前記面取り部の前記端面側の端部の、前記第１の主表面からの距離、および前記面取り部と前記第１の主表面との間の角度が、前記エピタキシャル成長用サファイア単結晶基板の外周に沿って連続的に変化する請求項１乃至４のいずれか一項に記載のエピタキシャル成長用サファイア単結晶基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、エピタキシャル成長用サファイア単結晶基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
エピタキシャル成長に用いる基板として、円板形状を有する基板が従来から用いられており、主表面である円形形状の上面及び下面と、上面と下面との間に配置された端面とを有している。係る円板形状を有する基板は、例えば略円柱形状を有するインゴットをスライスして形成することができる。
【０００３】
エピタキシャル成長に用いる基板の上面と端面との間の角部や、下面と端面との間の角部について、インゴットをスライスした鋭利な形状のままにしておくと、基板をハンドリングする際や、位置合わせする際に、基板に割れや欠けが発生する場合があった。そこで、基板に割れや欠けが発生することを防止するため、基板の上面および／または下面と、端面との間の角部について面取り加工（べベル加工）が施されるようになっている。
【０００４】
ここで、図１に面取り加工が施された従来のエピタキシャル成長用基板の断面構成図を示す。図１は、基板１０の中心軸Ｏを通り上面（主表面）１１と垂直な面での断面を示している。なお、図１中には一点鎖線で断面に現れない面取り部の形状も示している。従来の基板１０は、上面（主表面）１１と端面１２との間には面取り部１３１が、また下面（主表面）１４と端面１２との間には面取り部１３２が配置されていた。そして、面取り部１３１、面取り部１３２は均一な形状とされ、例えば上面１１と面取り部１３１との間の角度や、下面１４と面取り部１３２との間の角度θは基板１０の外周に渡って均一に構成されていた。また、面取り部１３１の端面１２側の端部の上面１１からの距離や、面取り部１３２の端面１２側の端部の下面１４からの距離も均一に構成されていた。
【０００５】
面取り部の構成について例えば特許文献１には、表裏の周縁をそれぞれ面取りした半導体シリコン基板において、表裏の面取りのうち少なくとも一方を２段面取り構造とし、内側の面取り部と、外側の面取り部についてそれぞれ所定の角度とした半導体シリコン基板が提案されている。
【０００６】
また、特許文献２には、少なくとも片面が主表面として鏡面加工され、主表面と端面、主表面の裏面と端面とでそれぞれ構成されるエッジ部にそれぞれエッジ加工が施されたサファイア基板が開示されており、該エッジ加工がテーパー加工により形成され、テーパー加工により形成されたテーパー面がサファイア基板表面となす角度を２０〜７０°の傾斜面とすることが提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開平０６−０６１２０１号公報
【特許文献２】特開２００６−１４７８９１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ところで、エピタキシャル成長に用いるサファイア単結晶基板を製造する際、エピタキシャル成長に用いるサファイア基板の一方の主表面について所望の表面粗さとなるように研磨する精密研磨工程が行われている。精密研磨工程では主表面のうち、研磨面ではない方の面を研磨ブロックに貼り付けて固定し、基板の研磨面に研磨パッドを押し当て、基板の研磨面と研磨パッドとの間に研磨液を供給しながら、研磨パッド及び研磨ブロックを所定の方向に回転させて行われる。
【０００９】
しかしながら、特許文献１、２で提案された形状の面取り部を有する基板の場合、精密研磨工程において基板の端面が研磨パッドに引っかかり易かった。このため、精密研磨工程の間に研磨ブロックから基板が剥がれる場合や、基板の位置がずれる場合があり、所望の表面特性、形状にできない場合や、かえって基板に傷が生じる場合があった。
【００１０】
そこで上記従来技術が有する問題に鑑み本発明の一側面では、主表面に研磨パッドを押し当てて主表面を研磨する際に、研磨パッドへの引っかかりを抑制できるエピタキシャル成長用サファイア単結晶基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記課題を解決するため本発明の一態様によれば、第１の主表面と、
前記第１の主表面と対向する位置にある第２の主表面と、
前記第１の主表面の外周縁と、前記第２の主表面の外周縁との間に配置された端面とを有するエピタキシャル成長用サファイア単結晶基板であって、
前記第１の主表面と、前記端面とにより形成される角部には、テーパー形状の面取り部が形成され、
前記面取り部の前記端面側の端部の、前記第１の主表面からの距離、および／または前記面取り部と前記第１の主表面との間の角度が異なる部分を含んでおり、
前記面取り部の前記端面側の端部の、前記第１の主表面からの距離の最大値は、前記第１の主表面に研磨パッドを押し当てて研磨をする際に、エピタキシャル成長用サファイア単結晶基板が前記研磨パッドに沈み込む最大深さの１．１倍以上であり、
前記面取り部の前記端面側の端部の、前記第１の主表面からの距離が最大値をとる前記面取り部の前記端面側の端部のうち選択された１つの端部である第１の端部と、前記エピタキシャル成長用サファイア単結晶基板の中心軸とを通る断面において、
前記第１の端部を含む前記面取り部と前記第１の主表面との間の角度は、２５度より大きく５５度未満であり、
前記第１の端部と、前記エピタキシャル成長用サファイア単結晶基板の中心軸を挟んで対向する位置の、前記面取り部の前記端面側の端部である第２の端部を含む前記面取り部と前記第１の主表面との間の角度は、２５度より大きく６５度未満であるエピタキシャル成長用サファイア単結晶基板を提供する。
【発明の効果】
【００１２】
本発明のエピタキシャル成長用サファイア単結晶基板の一態様によれば、主表面に研磨パッドを押し当てて主表面を研磨する際に、研磨パッドへの引っかかりを抑制できるエピタキシャル成長用サファイア単結晶基板を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】従来のエピタキシャル成長用単結晶基板の断面構成図。
【図２】本発明の実施形態に係るエピタキシャル成長用サファイア単結晶基板の斜視説明図。
【図３】図２のＡ−Ａ´線での断面図。
【図４】精密研磨工程の概略説明図。
【図５】図４のＢ−Ｂ´線での断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明を実施するための形態について図面を参照して説明するが、本発明は、下記の実施形態に制限されることはなく、本発明の範囲を逸脱することなく、下記の実施形態に種々の変形および置換を加えることができる。
（エピタキシャル成長用サファイア単結晶基板）
本実施形態では、エピタキシャル成長用サファイア単結晶基板の一構成例について説明する。
【００１５】
本実施形態のエピタキシャル成長用サファイア単結晶基板は、第１の主表面と、第１の主表面と対向する位置にある第２の主表面と、第１の主表面の外周縁と、第２の主表面の外周縁との間に配置された端面とを有することができる。また、第１の主表面と、端面とにより形成される角部には、テーパー形状の面取り部を形成することができる。
【００１６】
そして、本実施形態のエピタキシャル成長用サファイア単結晶基板においては、面取り部の端面側の端部の、第１の主表面からの距離、および／または面取り部と第１の主表面との間の角度が異なる部分を含むことができる。この際、面取り部の端面側の端部の、第１の主表面からの距離の最大値は、第１の主表面に研磨パッドを押し当てて研磨をする際に、エピタキシャル成長用サファイア単結晶基板が研磨パッドに沈み込む最大深さの１．１倍以上とすることが好ましい。
【００１７】
また、面取り部の端面側の端部の、第１の主表面からの距離が最大値をとる面取り部の端面側の端部のうち選択された１つの端部である第１の端部と、エピタキシャル成長用サファイア単結晶基板の中心軸とを通る断面において、第１の端部を含む前記面取り部と第１の主表面との間の角度は、２５度より大きく５５度未満とすることが好ましい。
【００１８】
さらに、第１の端部と、エピタキシャル成長用サファイア単結晶基板の中心軸を挟んで対向する位置の、面取り部の端面側の端部である第２の端部を含む面取り部と第１の主表面との間の角度は、２５度より大きく６５度未満であることが好ましい。
【００１９】
図２、図３を用いて本実施形態のエピタキシャル成長用サファイア単結晶基板（以下単に「基板」とも記載する）の一構成例について具体的に説明する。
【００２０】
図２は本実施形態のエピタキシャル成長用サファイア単結晶基板の斜視図を示している。なお、図２においては面取り部の記載を省略している。
【００２１】
図３は図２におけるＡ−Ａ´線での断面図を模式的に示しており、Ａ−Ａ´線での断面は図２に示したエピタキシャル成長用サファイア単結晶基板の第１の主表面２１と垂直な中心軸Ｏを通る面となっている。なお、図３では、面取り部の形状が分かり易いように、本来断面には表れない面取り部の形状を一点鎖線で示している。
【００２２】
図２、図３に示すようにエピタキシャル成長用サファイア単結晶基板２０は第１の主表面２１と、第１の主表面２１と対向する位置にある第２の主表面２２とを有することができる。そして、図２に示すように第１の主表面２１の外周縁２１１と、第２の主表面２２の外周縁２２１との間に端面２３を有することができる。
【００２３】
なお、基板２０は例えば図２に示すように円板形状を有することができる。ただし、図示しないオリエンテーションフラットやノッチ等を設けることもできるため、完全な円板形状である必要はない。
【００２４】
さらに、本実施形態のエピタキシャル成長用サファイア単結晶基板２０においては、図３に示すように第１の主表面２１と端面２３とにより形成される角部３１にはテーパー形状の面取り部３２を形成することができる。この場合、図３中点線で示した部分は除去され、第１の主表面２１と端面２３との間に面取り部３２が配置されることになる。
【００２５】
既述のようにエピタキシャル成長に用いるサファイア単結晶基板を製造する際、基板の一方の主表面について所望の表面粗さとなるように研磨する精密研磨工程が行われている。精密研磨工程では主表面のうち、研磨面ではない主表面を研磨ブロックに貼り付けて固定し、基板の研磨面に研磨パッドを押し当て、基板の研磨面と研磨パッドとの間に研磨液を供給しながら、研磨パッド及び研磨ブロックを所定の方向に回転させて行われる。しかし、従来は精密研磨工程において基板の端面が研磨パッドに引っかかり易く、基板が研磨ブロックから剥がれる場合や、ずれる場合があった。
【００２６】
そこで、本発明の発明者らは従来の基板を精密研磨する際に、基板の端面が研磨パッドに引っかかる原因について検討を行った。
【００２７】
ここでまず、基板を精密研磨する際の状況について図４、図５を用いて説明する。図４は基板の精密研磨工程の上面図を示しており、説明に必要な部材以外については記載を省略している。また、図５は図４におけるＢ−Ｂ´線での断面図を示している。なお、後述のように基板２０は研磨ブロック４２の下面に固定されている。このため、本来図４において基板２０は研磨ブロック４２に覆われて見えないが、説明の便宜上、基板２０の位置を示している。また、図５において基板２０の面取り部については記載を省略している。
【００２８】
図５に示したように基板２０の第１の主表面２１を精密研磨する際、基板２０は、研磨面となる第１の主表面２１を下方にし、研磨面と対向する位置にある第２の主表面２２を上方にし、第２の主表面２２を研磨ブロック４２に貼り付け、固定することができる。
【００２９】
そして、定盤４４上に固定された研磨パッド４３を研磨ブロック４２に固定された基板２０の研磨面となる第１の主表面２１に押し当てることができる。このように研磨パッド４３を基板２０に押し当てた状態で、研磨パッド４３と基板２０との間に研磨液を供給しながら、例えば研磨パッド４３を図４の矢印ａの方向に、研磨ブロック４２を矢印ｂの方向に回転させることにより研磨を行うことができる。
【００３０】
基板２０の第１の主表面２１の精密研磨を行っている場合、図５に示したように、研磨パッド４３を基板２０に押し当てている。このため、研磨パッド４３のうち、基板２０の研磨面である第１の主表面２１と接している部分よりも研磨パッド４３の回転方向上流側の領域４５の辺りから研磨パッド４３の沈みこみが始まる。そして、基板２０の研磨面である第１の主表面２１と接している部分及びその近傍の領域４６では研磨パッド４３に沈みこみがみられる。
【００３１】
本発明の発明者らの検討によれば、従来の基板２０においては研磨パッド４３の沈み込みが始まる研磨パッド４３の回転方向上流側の領域４５で、基板２０の端面が研磨パッド４３に引っかかり、基板２０に力が加わっていたと考えられる。このため、研磨ブロック４２から基板２０が剥離する場合や、位置ずれを生じる場合があったと考えられる。そしてさらに、基板２０の第１の主表面２１と端面２３との間に設けられた面取り部のサイズ、及び研磨時の基板２０の研磨パッド４３への最大沈み込み量ｈｐａｄと、基板２０の研磨パッド４３への引っかかりの発生のし易さとの間に相関があることを見出した。すなわち、研磨パッド４３の回転方向上流側で、面取り部３２の端面２３側の端部の第１の主表面２１からの距離が十分に長くない場合、研磨パッド４３が沈み込む前に基板２０の端面と接触し、基板２０に対して力が加わり引っかかりが生じ易くなることを見出した。
【００３２】
そして、研磨ブロック４２に複数の基板２０を固定した際に、研磨パッド４３の回転方向上流側の領域４５内に、面取り部３２の高さが最大沈みこみ量ｈｐａｄよりも高い部分を含むことで、基板２０の研磨パッド４３への引っかかりの発生を抑制できることを見出した。
【００３３】
このため面取り部３２の端面２３側の端部の、第１の主表面２１からの距離の最大値となる第１の端部３２１Ａの第１の主表面からの距離ｈ１は、第１の主表面２１に研磨パッドを押し当てて研磨をする際に、基板２０が研磨パッドに沈み込む最大深さｈｐａｄの１．１倍以上とすることが好ましい。特に、面取り部３２の端面２３側の端部の、第１の主表面２１からの距離が最大値となる第１の端部３２１Ａの第１の主表面２１からの距離ｈ１は、基板２０が研磨パッドに沈みこむ最大深さｈｐａｄの１．２倍以上とすることがより好ましい。
【００３４】
ただし、面取り部３２について、面取り部３２の端面２３側の端部の、第１の主表面２１からの距離の最大値が大きくなるほど面取り部３２を形成する際の研磨量が増大することとなる。このため、面取り部３２の端面２３側の端部の、第１の主表面２１からの距離は、第１の主表面に研磨パッドを押し当てて研磨する際に、基板２０が研磨パッドに沈み込む最大深さｈｐａｄの１．６倍以下であることが好ましい。すなわち、第１の端部３２１Ａの第１の主表面２１からの距離ｈ１は基板２０が研磨パッドに沈み込む最大深さｈｐａｄの１．６倍以下であることが好ましい。これにより、面取り部３２を形成する際の研磨量を抑制することができ好ましい。
【００３５】
なお、面取り部３２の端面２３側の端部の第１の主表面２１からの距離が最大値をとる箇所、または領域は面取り部３２内に複数個所あってもよく、１箇所のみであっても良い。
【００３６】
ここで面取り部３２の端面２３側の端部の、第１の主表面２１からの距離が最大値をとる面取り部３２の端面２３側の端部のうち選択された１つの端部を第１の端部３２１Ａとする。この場合、第１の端部３２１Ａと、基板２０の中心軸Ｏを通る断面における、面取り部３２と第１の主表面２１との間の角度θ１は、２５度より大きく５５度未満であることが好ましい。
【００３７】
本発明の発明者らの検討によると、θ１が５５度以上となり、９０度に近づくにつれて、研磨パッド４３からの力が基板２０に加わり易くなり、精密研磨工程で基板の研磨パッド４３への引っかかりが生じて基板のズレ、剥がれを生じる場合があった。また、θ１が２５度以下または６５度以上の基板においては、搬送やハンドリングの際に欠けが発生し易くなる場合があった。
【００３８】
このため上述のように、θ１を２５度より大きく５５度未満とすることにより、精密研磨工程において第１の主表面に研磨パッドを押し当てて研磨する際に、研磨パッドへの引っかかりを抑制でき、かつ搬送やハンドリングの際の欠けや割れを抑制でき、好ましい。特に精密研磨工程において第１の主表面２１に研磨パッドを押し当てて研磨する際の研磨パッドへの引っかかりの発生と、搬送やハンドリングの際の欠けや割れの発生とをより確実に抑制するため、θ１は３５度以上４５度以下とすることがより好ましい。
【００３９】
そして、基板２０を研磨ブロック４２に貼り付ける際、第１の端部３２１Ａを研磨ブロック４２の外周側に配置することで、精密研磨工程において上述のように基板２０の研磨パッド４３への引っかかりを抑制できる。
【００４０】
また、本実施形態のエピタキシャル成長用サファイア単結晶基板２０においては、面取り部３２を形成する際の研磨量が少なくなるように構成されていることが好ましい。しかし例えば、面取り部３２全体について面取り部３２の端面２３側の端部の、第１の主表面２１からの距離が上述の最大値で一定で、面取り部３２と第１の主表面２１との間の角度が一定の場合、面取り部３２を形成する際の研磨量は多くなり好ましくない。
【００４１】
そこで、本実施形態の基板２０においては面取り部３２の端面２３側の端部の、第１の主表面２１からの距離および／または面取り部３２と第１の主表面２１との間の角度が異なる部分を含むように構成することができる。
【００４２】
具体的には例えば図３に示したように、基板２０の面取り部３２について面取り部３２の端面２３側の端部の、第１の主表面２１からの距離が異なる部分を含むことができる。また、基板２０の面取り部３２と、第１の主表面２１との間の角度が異なる部分を含むこともできる。
【００４３】
ここで例えば、第１の端部３２１Ａと、基板２０の中心軸Ｏを挟んで対向する位置の、面取り部３２の端面２３側の端部である第２の端部３２１Ｂとする。この場合、第２の端部３２１Ｂと、基板２０の中心軸Ｏを通る断面において、第２の端部３２１Ｂを含む面取り部３２と第１の主表面２１との間の角度θ２は２５度よりも大きく６５度未満であることが好ましい。
【００４４】
本発明の発明者らの検討によると、θ２が６５度以上となると精密研磨工程で基板のズレ、剥がれを生じる場合があった。さらに、θ２が２５度以下または６５度以上の基板においては、搬送やハンドリングの際に欠けが発生しやすくなる場合があった。
【００４５】
このため、θ２を２５度よりも大きく６５度未満とすることにより、精密研磨工程において第１の主表面２１に研磨パッド４３を押し当てて研磨する際に、研磨パッド４３への引っかかりを抑制でき、かつ搬送やハンドリングの際に欠けの発生を抑制でき、好ましい。
【００４６】
特に精密研磨工程において第１の主表面２１に研磨パッド４３を押し当てて研磨する際の研磨パッド４３への引っかかりの発生と、搬送やハンドリングの際の欠けや割れの発生とをより確実に抑制するため、θ２は３５度以上５５度以下とすることがより好ましい。
【００４７】
なお、上述のように第２の端部３２１Ｂは、第１の端部３２１Ａと基板２０の中心軸Ｏを挟んで対向する位置にある。すなわち、第１の端部３２１Ａと、基板２０の中心軸Ｏと、第２の端部３２１Ｂとは、図３に示すように同一平面上に位置していることとなる。このため、上述の第２の端部３２１Ｂと、基板２０の中心軸Ｏを通る断面とは、図３に示した断面であり、第１の端部３２１Ａと、基板２０の中心軸Ｏとを通る断面と同じ断面となる。
【００４８】
また、第２の端部３２１Ｂの、第１の主表面２１からの距離ｈ２は、面取り部３２の端面２３側の端部の、第１の主表面２１からの距離のうち、最小値をとることが好ましい。
【００４９】
これは、面取り部３２の端面側の端部の第１の主表面２１からの距離を上述の研磨パッドに沈み込む最大深さの１．１倍以上、面取り部３２と第１の主表面２１との間の角度がθ１として、均一な面取り部３２を形成した場合よりも研磨量を低減できるためである。このように面取り部３２を形成する際の研磨量を低減することにより生産性を高めることができるため好ましい。
【００５０】
特に面取り部３２を形成する際の研磨量を低減するため、第１の主表面２１と、端面２３とにより形成される角部３１を含む、面取り部３２を形成する際に除去された部分について、図３に示す断面積Ｓ３２１Ｂの方が断面積Ｓ３２１Ａよりも小さいことが好ましい。
【００５１】
なお、断面積Ｓ３２１Ａとは、第１の端部３２１Ａを含み、基板２０の中心軸Ｏを通る断面での面取り部３２を形成する際に除去された角部３１を含む部分の断面積を示している。すなわち、図３において、点線と面取り部３２とで囲まれ第１の端部３２１Ａを含む領域の面積である。
【００５２】
また、断面積Ｓ３２１Ｂは、第２の端部３２１Ｂを含み、基板２０の中心軸Ｏを通る断面での面取り部３２を形成する際に除去された角部３１を含む部分の断面積を示している。すなわち、図３において点線と面取り部３２とで囲まれ、第２の端部３２１Ｂを含む領域の面積である。
【００５３】
これは既述のように、精密研磨工程で研磨パッド４３から基板２０に加わる力を抑制し、基板２０の研磨パッド４３への引っかかりの発生の抑制のため、第１の端部３２１Ａの、第１の主表面２１からの距離ｈ１は所定の長さ以上とすることが好ましい。このため、第１の端部３２１Ａにおいては、面取り部３２を形成する際に除去する部分の面積Ｓ３２１Ａは大きくなる。
【００５４】
しかしながら第２の端部３２１Ｂに関しては、例えば第２の端部３２１Ｂの第１の主表面２１からの距離ｈ２と、精密研磨工程で基板２０の研磨ブロック４２からの剥がれや、ずれの発生との間にほとんど相関がみられない。このため、第２の端部３２１Ｂでは、面取り部３２を形成する際に除去する部分の面積Ｓ３２１ＢをＳ３２１Ａよりも小さくし、面取り時の研磨量を減らし生産性を高めることが好ましい。
【００５５】
なお面取り時の研磨量を減らすため、第１の端部３２１Ａ以外の面取り部３２の端面２３側の任意の端部と、第１の主表面２１と垂直な中心軸Ｏとを通る断面での面取り部３２を形成する際に除去された部分の断面積はＳ３２１Ａよりも小さいことがより好ましい。
【００５６】
また、面取り部３２の端面２３側の端部の、第１の主表面２１からの距離、および面取り部３２と第１の主表面２１との間の角度が、エピタキシャル成長用サファイア単結晶基板２０の外周に沿って連続的に変化することが好ましい。すなわち面取り部３２が、面取り部３２の端面２３側の端部が連続した１本の線である１つの面により形成されていることが好ましい。
【００５７】
上述のように、第１の端部３２１Ａの第１の主表面２１からの距離ｈ１、及び第１の端部３２１Ａ、第２の端部３２１Ｂにおける第１の主表面２１と面取り部３２との間の角度を所定の範囲にすることで、精密研磨工程における基板２０の研磨パッドへの引っかかりの発生を抑制できる。
【００５８】
このため、面取り部３２は係る要件を充足するように形成すればよく、例えば面取り部３２は、複数の面により構成することもできる。この際、面取り部３２の端面２３側の端部が非連続な線とすることもできる。
【００５９】
しかしながら上述のように、面取り部３２は生産性の観点から面取り部３２と第１の主表面２１との間の角度、および面取り部３２の端面２３側の端部の、第１の主表面２１からの距離が、基板２０の外周に沿って連続的に変化することが好ましい。すなわち、図３に一点鎖線で示したように面取り部３２の端面２３側の端部が連続した１本の線であり、面取り部３２が１つの面により形成されていることが好ましい。この場合、面取り部３２と第１の主表面２１との間の角度についても基板２０の外周に沿って連続的に変化させることが好ましい。
【００６０】
本実施形態のエピタキシャル成長用サファイア単結晶基板は例えば図３に示すように、第２の主表面２２と端面２３とにより形成される角部３３にも面取り部３４を形成しても良い。面取り部３４の構成については特に限定されるものではなく、任意の構成とすることができる。例えば図３に示したように、面取り部３４の端面２３側の端部の、第２の主表面２２からの距離が一定である、面取り部３４とすることもできる。また、面取り部３２の場合と同様に面取り部３４の端面２３側の端部の、第２の主表面２２からの距離、および／または面取り部３４と第２の主表面２２との間の角度が異なる部分を含むように面取り部３４を構成することもできる。
【００６１】
また、面取り部３４は図３に示したように断面が直線形状となる場合に限定されるものではなく、断面が曲線形状となるように形成しても良い。
【００６２】
以上に説明した本実施形態のエピタキシャル成長用サファイア単結晶基板によれば、主表面に研磨パッドを押し当てて主表面を研磨する際に、研磨パッドへの引っかかりを抑制できる。また、搬送やハンドリングの際に基板に欠けや割れが生じることを抑制できる。
（エピタキシャル成長用サファイア単結晶基板の製造方法）
本実施形態のエピタキシャル成長用サファイア単結晶基板の製造方法の一構成例について説明する。
【００６３】
本実施形態のエピタキシャル成長用サファイア単結晶基板の製造方法は、例えば以下の工程を有することができる。
（ａ）インゴットをスライスし基板とする切断工程。
（ｂ）基板の第１の主表面及び第２の主表面（上下面）を研磨する両面研磨工程。
（ｃ）基板の端面を面取りする面取り工程。
（ｄ）基板の第１の主表面を研磨する精密研磨工程。
（ｅ）基板を洗浄する洗浄工程。
【００６４】
なお、上記工程に限定されるものではなく、必要に応じて各種工程を付加することができる。また、（ｂ）〜（ｄ）の工程は、上記の順番に限定されるものではなく、必要に応じて任意の順番で行うことができる。（ｂ）、（ｄ）の研磨に関する工程はそれぞれ研磨の程度を代えて複数回行うこともでき、その場合についても各研磨の工程を任意の順番で行うことができる。ただし、精密研磨工程において研磨パッドに基板が引っかかることを抑制するため、最初に（ｄ）の精密研磨工程を実施する前に、（ｃ）の面取り工程を実施することが好ましい。
【００６５】
（ａ）切断工程では、略円柱形状を有するインゴットをスライスすることにより円板形状の基板とすることができる。インゴットをスライスする方法は特に限定されるものではないが、例えば、マルチワイヤーソー等によりスライスすることができる。
【００６６】
（ｂ）両面研磨工程では、基板の第１の主表面、及び第２の主表面を同時に研磨することにより、基板に含まれる反りを除去したり、両主表面について所望の表面粗さとすることができる。両面研磨工程は例えば両面研磨装置を用いて行うことができ、遊離砥粒または固定砥粒を用いて実施することができる。
【００６７】
（ｃ）面取り工程では、例えば図３に示したように、第１の主表面２１と端面３２との間に面取り部３２を形成することができる。また、さらに第２の主表面２２と端面３２との間にも面取り部３４を形成しても良い。面取り部は例えば上述のエピタキシャル成長用サファイア単結晶基板で図３を用いて説明した形状とすることができるため、ここでは説明を省略する。
【００６８】
なお、少なくとも（ａ）工程、及び（ｃ）の工程を実施することにより、上述のエピタキシャル成長用サファイア単結晶基板とすることができる。
【００６９】
（ｄ）精密研磨工程については既述のように、例えば片面研磨装置を用いて実施することができる。精密研磨工程では、まず、図４、図５に示したように定盤４４上に固定された研磨パッド４３を、研磨ブロック４２に固定された複数枚の基板２０の研磨面となる第１の主表面２１に押し当てることができる。そして、研磨パッド４３を基板２０に押し当てた状態で、研磨パッド４３と基板２０との間に研磨液を供給しながら、例えば研磨パッド４３を図４の矢印ａの方向に、研磨ブロック４２を矢印ｂの方向に回転させることにより研磨を行うことができる。
【００７０】
本実施形態のエピタキシャル成長用サファイア単結晶基板の製造方法で製造する基板の面取り部は、面取り部３２の端面２３側の端部の、第１の主表面２１からの距離、および／または面取り部３２と第１の主表面２１との間の角度が異なる部分を含むことができる。
【００７１】
そして、精密研磨工程において研磨ブロック４２に複数枚の基板２０を固定する際、基板２０の面取り部３２の端面２３側の端部のうち、第１の主表面２１からの距離が最大値をとる第１の端部３２１Ａが研磨ブロック４２の外周側に位置することが好ましい。これは、基板２０の面取り部３２の端面２３側の端部のうち、第１の主表面２１からの距離が最大値をとる第１の端部３２１Ａを研磨ブロック４２の外周側に配置することにより、研磨パッド４３が沈み込む前に基板２０の端面に接触することを抑制できるためである。これにより、精密研磨工程において研磨パッドへの引っかかりを抑制できるため好ましい。
【００７２】
また、基板２０の面取り部３２の端面２３側の端部のうち、第１の端部３２１Ａと基板２０の中心軸を挟んで対向する位置の、面取り部３２の端面２３側の端部である第２の端部３２１Ｂは研磨ブロック４２の中心側に位置することが好ましい。
【００７３】
例えば、図４、図５に示したように研磨ブロック４２が円板形状を有する場合、第１の端部３２１Ａと、第２の端部３２１Ｂとは、研磨ブロック４２の中心軸を通り、基板２０を貼り付ける研磨ブロック４２の下面と垂直な１つの面内に位置することが好ましい。
【００７４】
（ｅ）の洗浄工程では、基板２０に付着した砥粒等をきれいに洗い流すように洗浄を行うことができる。具体的な方法は特に限定されるものではなく、例えば純水や有機溶剤により洗浄することができる。
【００７５】
また、上述のように本実施形態のエピタキシャル成長用サファイア単結晶基板の製造方法においては、さらに任意の工程を付加することができる。
【００７６】
例えば、第２の主表面２２について所望の表面粗さとなるように、例えば研磨および／またはサンドブラスト処理を行う第２の主表面研磨工程を行うことができる。
【００７７】
さらには、面取り部３２、面取り部３４や、端面２３について研磨を行う工程を実施することもできる。
【００７８】
また、基板２０に反りがある場合に、反りを除去するために基板に熱処理を行う熱処理工程を実施することもできる。
【００７９】
以上に説明した本実施形態のエピタキシャル成長用サファイア単結晶基板の製造方法においては、所定の形状の面取り部を有する基板を用いているため、第１の主表面に研磨パッドを押し当てて精密研磨する際に、研磨パッドへの引っかかりを抑制できる。さらに、本実施形態のエピタキシャル成長用サファイア単結晶基板の製造方法により得られた基板は、搬送やハンドリングの際の欠けや割れの発生を抑制できる
【実施例】
【００８０】
以下に具体的な実施例を挙げて説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
［参考例１］
本参考例では、エピタキシャル成長用単結晶基板に形成した面取り部による搬送時の割れ、欠けの発生を抑制する効果について検討した。
【００８１】
本参考例では、直径１５０ｍｍ、板厚が１．５ｍｍの円板形状のエピタキシャル成長用サファイア単結晶基板を用意した。なお、係るエピタキシャル成長用サファイア基板はサファイアインゴットをワイヤーソーによりスライスした（切断工程）後、基板の第１の主表面、及び第２の主表面を両面研磨装置により研磨したものである（両面研磨工程）。
【００８２】
そして、第１の主表面と、端面とにより形成される角部、及び第２の主表面と、端面とにより形成される角部に、表１に示す所定のテーパー形状の面取り部を形成した（面取り工程）。
【００８３】
いずれの参考例でも、面取り部は、表１に示すように図３における第１の端部３２１Ａの第１の主表面２１からの距離ｈ１、及び第２の端部３２１Ｂの第１の主表面２１からの距離ｈ２は同じ値となっている。すなわち、第１の主表面または第２の主表面から、面取り部の端面側の端部までの距離は一定としている。
【００８４】
さらに、第１の端部３２１Ａにおける、第１の主表面２１と面取り部３２との間の角度θ１、及び第２の端部３２１Ｂにおける、第１の主表面２１と面取り部３２との間の角度θ２は同じ角度になっている。すなわち、面取り部と第１の主表面との間の角度も一定としている。
【００８５】
また、各参考例について第２の主表面と端面とにより形成される角部にも同様の形状の面取り部を形成した。
【００８６】
すなわち、図１に一点鎖線で示した均一な形状の面取り部を有するエピタキシャル成長用サファイア単結晶基板としている。
【００８７】
なお、本参考例においては表１に示すように参考例１−１〜参考例１−１５の１５種類の面取り形状を有するエピタキシャル成長用サファイア単結晶基板を作製し、評価を行った。
【００８８】
評価は以下の手順により実施した。
【００８９】
まず、各参考例について作製した２０枚のエピタキシャル成長用サファイア単結晶基板を、エピタキシャル成長用サファイア単結晶基板を収容するためのカセット（ｅＰＡＣＫ株式会社製  型式：ｅＰＢ−６／１５０−２５−ｅＭ０８）に参考例毎に収容し、フィルムによりカセット表面を覆った。
【００９０】
次いで、エピタキシャル成長用サファイア単結晶基板を収容したカセットを台車により１０分間搬送するとともに、エアピンセットを用いたハンドリングにて一枚一枚をカセットからカセットに入替える作業(計５回)を行った。
【００９１】
その後、カセットからエピタキシャル成長用サファイア単結晶基板を取り出し、欠け、割れの有無を評価した。１枚でも欠け、割れが生じていた場合には×、欠け、割れが生じていなかった場合には〇として評価を行った。結果を表１に示す。
【００９２】
【表１】
2016000671.tif 000003
表１に示した結果によると、搬送時の欠け、割れの発生は、第１の主表面または第２の主表面から、面取り部の端面側の端部までの距離によらず、面取り部と第１の主表面または第２の主表面との間の角度に依存していることが確認できる。
【００９３】
本参考例の結果から、面取り部を形成する場合、面取り部と主表面との間の角度は２５度より大きく６５度未満とすることが好ましいことを確認できた。
［実験例１］
本実験例では、面取り部の形状と、精密研磨工程における研磨ブロックからのエピタキシャル成長用サファイア単結晶基板のズレ、剥がれの有無との関係について検討を行った。
【００９４】
本実験例では参考例１の場合と同様に直径１５０ｍｍ、板厚が１．５ｍｍの円板形状のエピタキシャル成長用サファイア単結晶基板を用意した。そして、中心軸を通る断面において、図３に示した断面を有するように、第１の主表面２１と、端面２３とにより形成される角部、及び第２の主表面２２と端面２３とにより形成される角部にテーパー形状の面取り部を形成した（面取り工程）。なお、図３において、第１の主表面２１と、端面２３とは直角となっており、図３中点線で示した面取り部を形成する際に除去した部分の断面は直角三角形となっている。
【００９５】
第１の主表面２１と、端面２３とにより形成される角部については、第２の端部３２１Ｂではθ２を４５度、ｈ２を１５０μｍとなるように、第１の端部３２１Ａではθ１及びｈ１は各実験例について表２に示した値となるように面取り部を形成した。なお、いずれの実験例でも、図３中一点鎖線で示したように、第１の端部３２１Ａと第２の端部３２１Ｂとの間では第１の主表面２１と面取り部３２間の角度、及び面取り部３２の端面２３側の端部の第１の主表面２１からの距離が連続的に変化するように面取り部３２を形成した。
【００９６】
第２の主表面２２と、端面２３とにより形成される角部については、第２の主表面２２と面取り部３４との間の角度が４５度、面取り部３４の端面２３側の端部の第２の主表面２２からの距離が１５０μｍとなるように面取り部３４を形成した。すなわち、第２の主表面２２と、端面２３とにより形成される角部については、第２の主表面２２と面取り部３４との間の角度、及び面取り部３４の端面２３側の端部の第２の主表面２２からの距離が均一になるように形成した。
【００９７】
以上の条件により面取り部を形成した各実験例のエピタキシャル成長用サファイア単結晶基板について、片面研磨装置（不二越機械工業株式会社製  型式：ＳＰＭ−１９Ａ）を用いて精密研磨工程を行った。なお、片面研磨装置の研磨ブロック４２は図４、図５に示すように円板形状をしており、５枚の基板を同時に貼り付けることができる。
【００９８】
精密研磨工程を行うに当たって、まず、各実験例の基板の第２の主表面を図４、図５に示したように研磨ブロック４２に貼り付けた。なお、上述のように研磨ブロック４２には５枚の基板を貼りつけることができるため、各実験例について２０枚の基板を用意し５枚ずつ同時に研磨を行った。この際、基板２０は、基板２０の第１の端部３２１Ａと、第２の端部３２１Ｂとが、研磨ブロック４２の中心軸Ｏ´を通り研磨ブロック４２の下面と垂直な１つの面内に位置し、第２の端部３２１Ｂが研磨ブロック４２の中心軸Ｏ´側に位置するように貼り付けた。
【００９９】
次いで、エピタキシャル成長用サファイア単結晶基板の第１の主表面に不織布製の研磨パッド４３を研磨圧が６００ｇ／ｃｍ２になるように押し当てた。なお、この際、研磨パッド４３へのエピタキシャル成長用サファイア単結晶基板の最大沈みこみ深さは１３０μｍであることが確認できた。
【０１００】
係る状態で、エピタキシャル成長用サファイア単結晶基板と研磨パッドとの間に研磨液であるコロイダルシリカスラリーを供給しながら、研磨パッド４３及び研磨ブロック４２をそれぞれ図４に示した矢印ａ、矢印ｂの方向に回転させながら研磨を行った。第１の主表面を１０μｍ研磨し終えたところで研磨を終了した。研磨の途中で研磨ブロック４２からエピタキシャル成長用サファイア単結晶基板の剥がれ、ズレが観察された場合には研磨を中止した。
【０１０１】
各実験例について、１枚でも研磨中に研磨ブロック４２から基板の剥がれ、ズレが発生した実験例については×と評価した。ズレ、剥がれが発生しなかった実験例については〇と評価した。
【０１０２】
実験例１−７、実験例１−１２、実験例１−１３が実施例となる。
【０１０３】
また、実験例１−１〜実験例１−６、実験例１−８〜実験例１−１１、実験例１−１４、実験例１−１５が比較例となる。
【０１０４】
結果を表２に示す。
【０１０５】
【表２】
2016000671.tif 000004
表２に示した結果によると、第１の端部３２１Ａの第１の主表面２１からの距離ｈ１が基板２０の最大沈みこみ深さである１３０μｍより小さい実験例１−１〜実験例１−５については、ズレ、剥がれが発生することを確認できた。これは、研磨ブロック４２に固定する際、研磨パッドの回転方向上流側に配置した第１の端部３２１Ａの第１の主表面２１からの距離ｈ１が、基板２０の最大沈み込み深さよりも低く、基板２０の端面に研磨パッドからの力が基板２０に加わったためと考えられる。
【０１０６】
また、表２に示した結果によると、ｈ１の長さが１５０μｍ、２００μｍでもθ１の角度が５５度以上である実験例１−９、実験例１−１０、実験例１−１４、実験例１−１５ではズレ、剥がれが発生することを確認できた。これは精密研磨工程において、研磨パッドの沈み込みを始める部分と対向する面取り部の角度が５５度以上となると、研磨パッドからの力が基板に加わり易くなるためと考えられる。
【０１０７】
本実験例の条件において、第１の端部３２１Ａの第１の主表面２１からの距離が、精密研磨工程において基板が研磨パッドに沈み込む最大深さよりも長いこと。さらに、第１の端部３２１Ａにおいて、面取り部と第１の主表面との間の角度が５５度未満との条件を満たすこと。以上の２つの条件を満たすことにより、主表面に研磨パッドを押し当てて主表面を研磨する精密研磨時に、研磨パッドへの引っかかりを抑制できることを確認できた。
【０１０８】
特に参考例１の結果から、第１の端部３２１Ａにおいて、面取り部と第１の主表面との間の角度を２５度より大きく５５度未満とすることで、搬送やハンドリングの際の欠けや割れを抑制できることも確認できた。
【０１０９】
このため、実施例である実験例１−７、１−１２、実験例１−１３については主表面に研磨パッドを押し当てて主表面を研磨する際に、研磨パッドへの引っかかりを抑制でき、搬送やハンドリング時に欠けや割れを抑制できることを確認できた。
［実験例２］
本実験例では、面取り部の形状と、精密研磨工程における研磨ブロックからのエピタキシャル成長用サファイア単結晶基板のズレ、剥がれの有無との関係について検討を行った。
【０１１０】
本実験例では参考例１の場合と同様に直径１５０ｍｍ、板厚が１．５ｍｍの円板形状のエピタキシャル成長用サファイア単結晶基板を用意した。そして、中心軸を通る断面において、図３に示した断面を有するように、第１の主表面２１と、端面２３とにより形成される角部、及び第２の主表面２２と端面２３とにより形成される角部にテーパー形状の面取り部を形成した。
【０１１１】
第１の主表面２１と、端面２３とにより形成される角部については、第２の端部３２１Ｂではθ２及びｈ２は各実験例について表３に示した値となるように、第１の端部３２１Ａではθ１が４５度、ｈ１が１５０μｍとなるように面取り部を形成した。なお、いずれの実験例でも図３中に一点鎖線で示したように、第１の端部３２１Ａと第２の端部３２１Ｂとの間では第１の主表面２１と面取り部３２間の角度、及び面取り部３２の端面２３側の端部の第１の主表面２１からの距離が連続的に変化するように面取り部３２を形成した。
【０１１２】
第２の主表面２２と、端面２３とにより形成される角部については、第２の主表面と面取り部の間の角度が４５度、面取り部の端面２３側の端部の第２の主表面からの距離が１５０μｍとなるように面取り部を形成した。
【０１１３】
以上の条件により面取り部を形成した各実験例の基板について、実験例１と同じ片面研磨装置（不二越機械工業株式会社製  型式：ＳＰＭ−１９Ａ）を用いて精密研磨工程を行った。
【０１１４】
精密研磨工程を行うに当たって、まず、各実験例の基板の第２の主表面を図４、図５に示したように研磨ブロック４２に貼り付けた。なお、上述のように研磨ブロック４２には５枚の基板を貼りつけることができるため、各実験例について２０枚の基板を用意し５枚ずつ同時に研磨を行った。この際、基板２０は、基板２０の第１の端部３２１Ａと、第２の端部３２１Ｂとが、研磨ブロック４２の中心軸Ｏ´を通り研磨ブロック４２の下面と垂直な１つの面内に位置し、第２の端部３２１Ｂが研磨ブロック４２の中心軸Ｏ´側に位置するように貼り付けた。
【０１１５】
次いで、基板の第１の主表面に不織布製の研磨パッド４３を研磨圧が６００ｇ／ｃｍ２になるように押し当てた。なお、この際、研磨パッド４３へのエピタキシャル成長用サファイア単結晶基板の最大沈みこみ深さは１３０μｍであることが確認できた。
【０１１６】
係る状態で、エピタキシャル成長用サファイア単結晶基板と研磨パッドとの間に研磨液であるコロイダルシリカスラリーを供給しながら、研磨パッド４３及び研磨ブロック４２をそれぞれ図４に示した矢印ａ、矢印ｂの方向に回転させながら研磨を行った。第１の主表面を１０μｍ研磨し終えたところで研磨を終了した。研磨の途中で研磨ブロック４２からエピタキシャル成長用サファイア単結晶基板の剥がれ、ズレが観察された場合には研磨を中止した。
【０１１７】
各実験例について、１枚でも研磨中に研磨ブロック４２から基板の剥がれ、ズレが発生した実験例については×と評価した。ズレ、剥がれが発生しなかった実験例については〇と評価した。
【０１１８】
実験例２−２〜実験例２−４、実験例２−７、実験例２−９が実施例となる。
【０１１９】
また、実験例２−１、実験例２−５、実験例２−６、実験例２−８、実験例２−１０が比較例となる。
【０１２０】
結果を表３に示す。
【０１２１】
【表３】
2016000671.tif 000005
表３に示した結果によると、θ２の角度が６５度の実験例２−５、実験例２−１０については、精密研磨工程中に基板２０のズレ、剥がれが発生することを確認でき、それ以外の実験例では精密研磨工程中に基板２０のズレ、剥がれは発生しないことを確認できた。これらの結果から研磨ブロック４２に固定する際に、研磨ブロック４２の中心側に位置する第２の端部３２１Ｂについても、面取り部と第１の主表面との間の角度によってはズレ、剥がれが発生することを確認できた。
【０１２２】
本実験例の条件において、第２の端部３２１Ｂを含む面取り部３２と第１の主表面２１との間の角度が６５度未満の場合、第１の主表面２１に研磨パッドを押し当てて主表面を研磨する精密研磨時に、研磨パッドへの引っかかりを抑制できることを確認できた。
【０１２３】
特に参考例１の結果も考慮に入れると、第２の端部３２１Ｂを含む面取り部３２と第１の主表面２１との間の角度を２５度より大きく６５度未満とすることにより、搬送やハンドリングの際の欠けや割れも抑制できることも確認できた。
【０１２４】
このため、実施例である実験例２−２〜実験例２−４、実験例２−７、実験例２−９については主表面に研磨パッドを押し当てて主表面を研磨する際に、研磨パッドへの引っかかりを抑制でき、搬送やハンドリング時に欠けや割れを抑制できることを確認できた。
【０１２５】
また表３には、面取り部３２の端面２３側の端部の第１の主表面２１からの距離と、面取り部３２と第１の主表面２１との間の角度が均一な実験例２−８における面取り部３２を形成する際の研磨量を１００％とした際の、各実験例の面取り部３２形成時の研磨量を示している。
【０１２６】
これによると、実施例である実験例２−２〜実験例２−４、実験例２−７、実験例２−９の中でも、実験例２−２〜実験例２−４、実験例２−９は周面に渡って均一な形状の面取り部３２を形成した実験例２−８よりも研磨量を抑制できていることを確認できた。
【０１２７】
なお、実験例２−２〜実験例２−４、実験例２−９においては、図３に示したＳ３２１Ａと、Ｓ３２１Ｂとが、Ｓ３２１Ａ＞Ｓ３２１Ｂの関係を満たしていることも確認できた。既述のように、Ｓ３２１Ａは第１の端部３２１Ａを含み、基板２０の中心軸を通る断面において、第１の端部３２１Ａを含む面取り部３２を形成する際に除去された部分の断面積を示している。また、Ｓ３２１Ｂは第２の端部３２１Ｂを含み、基板２０の中心軸を通る断面において、第２の端部３２１Ｂを含む面取り部を形成する際に除去された部分の断面積を示している。
【符号の説明】
【０１２８】
２０      エピタキシャル成長用サファイア単結晶基板
２１      第１の主表面
２２      第２の主表面
２３      端面
３２１Ａ  第１の端部
３２１Ｂ  第２の端部
【図１】
2016000671.tif 000006
【図２】
2016000671.tif 000007
【図３】
2016000671.tif 000008
【図４】
2016000671.tif 000009
【図５】
2016000671.tif 000010