(57)【要約】【課題】小型でかつ熱応力に対しても信頼性が高く、高感度の表面実装型サーキュレータを得ること。【解決手段】回路基板１０と、回路基板１０上の回路部１２に接続された複数の接続端子２３を有する表面実装型のサーキュレータ素子２０と、回路基板１０とフェライト板２１との間に配され、内壁を絶縁膜３３で覆われた貫通孔３２を備えた磁性体３０とを有する。サーキュレータ素子２０は、フェライト板２１上にスペーサ４０を介して、永久磁石５０で構成され、接続端子２３は、磁性体３０に形成された貫通孔３２を介して回路基板１０上の回路部１２に接続する実装構造を構成する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路基板と、
前記回路基板上の回路部に接続された複数の接続端子を有するフェライト板からなるサーキュレータ素子と、
前記回路基板と前記フェライト板との間に配され、内壁を絶縁膜で被覆された貫通孔を有する磁性体とを有し、
前記接続端子は、前記貫通孔を介して前記回路基板上の前記回路部に接続されたことを特徴とするサーキュレータ。
【請求項２】
前記磁性体は、複数の貫通孔を有する磁性板で構成され、
前記貫通孔の内壁を含む前記磁性板表面全体が絶縁膜で被覆されたことを特徴とする請求項１に記載のサーキュレータ。
【請求項３】
前記複数の貫通孔は、前記接続端子の配列位置に対応して形成され、
前記貫通孔毎に１つの前記接続端子が配されることを特徴とする請求項２に記載のサーキュレータ。
【請求項４】
前記接続端子は、複数の半田ボールが配列されたボールグリッドアレイであり、
前記複数の貫通孔は、前記半田ボールの配列位置に対応して形成され、
前記貫通孔毎に１つの前記半田ボールが配されることを特徴とする請求項３に記載のサーキュレータ。
【請求項５】
前記磁性体は、前記回路基板側である第１主面に形成された第１配線部と、前記フェライト板側である第２主面に形成された第２配線部と、前記複数の貫通孔内に形成された貫通導体部とを備え、前記貫通導体部を介して前記第１配線部と前記第２配線部とが電気的に接続された磁性板からなる配線基板であり、
前記フェライト板上の前記接続端子は前記第２配線部に接続されるとともに、
前記フェライト板上の前記第１配線部は、前記回路基板上に形成された基板接続端子を介して前記回路基板に接続されることを特徴とする請求項２に記載のサーキュレータ。
【請求項６】
前記基板接続端子は、異方性導電膜であることを特徴とする請求項５に記載のサーキュレータ。
【請求項７】
前記フェライト板の第１主面には、永久磁石が搭載され、前記第１主面に対向する第２主面には、前記磁性体が配されたことを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載のサーキュレータ。
【請求項８】
回路部を有する回路基板を形成する工程と、
内壁を絶縁膜で覆われた貫通孔を有する磁性体を形成する工程と、
前記回路基板上に前記磁性体を配置する工程と、
複数の接続端子を有するフェライト板からなる表面実装型のサーキュレータ素子を、前記貫通孔内に前記接続端子が符合させて、位置合わせし、前記フェライト板を配置する工程と、
前記回路基板を加熱し、前記接続端子を前記回路部に接続するリフロー工程とを含むことを特徴とするサーキュレータの製造方法。
【請求項９】
前記磁性体を形成する工程は、
磁性体に複数の貫通孔を穿孔する工程と、
前記貫通孔を含む、前記磁性体表面に絶縁膜を形成する工程とを含むことを特徴とする請求項８に記載のサーキュレータの製造方法。
【請求項１０】
前記フェライト板を配置する工程は、
前記貫通孔毎に１つの前記接続端子が配されるように前記接続端子を位置あわせし、仮接続する工程を含むことを特徴とする請求項９に記載のサーキュレータの製造方法。
【請求項１１】
前記接続端子は、複数の半田ボールが配列されたボールグリッドアレイであり、
前記複数の貫通孔は、前記半田ボールの配列位置に対応して形成され、
前記貫通孔毎に１つの前記半田ボールが配されることを特徴とする請求項１０に記載のサーキュレータの製造方法。
【請求項１２】
前記磁性体を形成する工程は、
磁性体に複数の貫通孔を穿孔する工程と、
前記磁性体表面に絶縁膜を形成する工程と、
前記回路基板側である第１主面に第１配線部を形成する工程と、
前記フェライト板側である第２主面に第２配線部を形成する工程と、
前記複数の貫通孔内に貫通導体部を形成し、前記貫通導体部を介して前記第１配線部と前記第２配線部とが電気的に接続された配線基板を形成する工程であり、
前記フェライト板を配置する工程は、
前記フェライト板上の前記接続端子を前記第２配線部に位置決めするとともに、
前記フェライト板上の前記第１配線部に接続された基板接続端子を、前記回路基板上に形成された回路部に位置決めする工程を含むことを特徴とする請求項９に記載のサーキュレータの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表面実装型のサーキュレータおよびサーキュレータの製造方法に係り、特にその実装構造に関する。
【０００２】
サーキュレータ（ＣＩＲ：Ｃｉｒｃｕｌａｔｏｒ）は、フェライト素子を用いた信号分離装置である。電磁波の進行方向に磁化されたフェライト素子を電磁波が通過すると、その偏波面は進行軸を中心にして右回りに回転するが、進行方向に対し下から上へ垂直に磁化されたフェライト素子を通過した電磁波は、偏波面を水平に保ちながら、右斜め前方へ進路を曲げる。電磁波が、どの入口から進入しても、常に右方の出口に誘導される。たとえば、サーキュレータの第１のパッド電極をアンテナに接続すると、受信した電波を第２のパッド電極で受け、第３のパッド電極を介して信号を送れば、同じアンテナで送信も受信も行うことができる。従って、サーキュレータは、アンテナと送信機と受信機の間の信号の分離に使用することができる。また、サーキュレータの１ポートに整合を取った負荷を接続し、一方向だけに高周波電力を通すように構成されるアイソレータ（ＩＳＯ：Ｉｓｏｌａｔｏｒ）も、サーキュレータと同様、レーダーにおいて有用なデバイスである。以下の説明において、実装方法においては、アイソレータも同様であり、サーキュレータとあるところは、アイソレータも含むものとする。
【０００３】
近年、送受信モジュールの実装コスト削減、小型化のため、回路基板上に、他部品とともに一括リフローを行うことが可能なサーキュレータが必要とされている。サーキュレータまたはアイソレータを基板に対して全面接合する構造も考えられるが、サーキュレータの主構造物であるフェライト板は脆性材料であり、かつ、回路基板との線膨張差が大きい。例えば、樹脂製の回路基板の線膨張率は１４ｐｐｍ、フェライト板は１０ｐｐｍであり、温度上昇が生じた場合、線膨張率の差に起因して発生する熱応力から、高接続信頼性を保証するのが困難となる。
【０００４】
回路基板からフェライト板を離すことによって線膨張差により発生する応力を緩和し、かつ、複数の裏面電極を形成することで小型化できる構造としては、リード端子に代えて基板実装面に複数接続箇所を持つ表面実装構造が提案されている。表面実装構造としては、接続端子として、半田ボールを用いたボールグリッドアレイ（ＢＧＡ：Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）構造、ピンを用いたピングリッドアレイ（ＰＧＡ：Ｐｉｎ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）構造、カラムを用いたカラムグリッドアレイ（ＣＧＡ:Ｃｏｌｕｍｎ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）がある。
【０００５】
サーキュレータは、所望の電気特性を得るための磁気回路を形成するため、フェライト板に対して外部磁場源である永久磁石と反対側に磁性体を有し、フェライト板に外部磁場を収束させる構造が必要となる。そこで、表面実装構造では、回路基板の対向面に磁性体を実装する構造、基板内層に磁性体を内蔵する構造、磁性体をなしにした磁性体レス構造、あるいは、特許文献１のようにフェライト板に磁性体を実装する構造が提案されている。磁性体をなしにした磁性体レス構造は、サーキュレータを構成するフェライト板に、異方性磁界の大きいマグネトプランバイトを材料とするマグネトプランバイト型フェライトを用いたものである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】米国特許第８２３４７７７号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、回路基板の対向面に磁性体を実装すると、実装占有面積の増大を招くことになり、サーキュレータを構成するフェライト板を回路基板に接合するための接合領域が、磁性体によって大きな制限を受けることになる。また、回路基板に磁性体を内蔵しようとすると、基板製造コスト増、あるいは回路基板内での線膨張差による信頼性劣化を招くことになる。さらにまた、磁性体レス構造は、他部品または回路基板への磁場の悪影響を招くことになる。さらにまた、特許文献１のように、フェライト板に磁性体を実装する場合、フェライト板上の磁性体の占有領域は、回路基板との接合に使用できないことになる。従って、接合面積の著しい低下による熱応力耐性および振動衝撃耐性低下を招くことにより、信頼性面にリスクを抱えるという問題がある。また、磁性体を小さくすると、十分に磁界を印加することができず、外部磁界をフェライト板に収束することができず、サーキュレータとして十分な感度を得ることができないという問題がある。
【０００８】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであって、小型でかつ熱応力に対する信頼性も高く、高感度の表面実装型サーキュレータを得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明は、回路基板と、回路基板上の回路部に接続された複数の接続端子を有するフェライト板からなる表面実装型のサーキュレータと、回路基板とフェライト板との間に配され、内壁を絶縁膜で被覆された貫通孔を有する磁性体とを有し、接続端子は、貫通孔を介して回路基板上の回路部に接続されたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、小型でかつ熱応力に対する信頼性も高く高感度の表面実装型サーキュレータを得ることができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の実施の形態１の表面実装型サーキュレータを示す図、（ａ）は斜視図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ断面図、（ｃ）は（ｂ）のＢ−Ｂ断面図
【図２】（ａ）および（ｂ）は、本発明の実施の形態１の表面実装型サーキュレータの回路基板の形成工程を示す工程断面図
【図３】（ａ）から（ｄ）は、本発明の実施の形態１の表面実装型サーキュレータのサーキュレータ素子の形成工程を示す工程断面図
【図４】（ａ）から（ｃ）は、本発明の実施の形態１の表面実装型サーキュレータの磁性体の形成工程を示す工程断面図
【図５】（ａ）から（ｃ）は、本発明の実施の形態１の表面実装型サーキュレータの組立工程を示す工程断面図
【図６】本発明の実施の形態２の表面実装型サーキュレータの断面図
【図７】本発明の実施の形態２の表面実装型サーキュレータの要部拡大断面図
【図８】（ａ）から（ｅ）は、本発明の実施の形態２の表面実装型サーキュレータの磁性体の形成工程を示す工程断面図
【図９】（ａ）から（ｃ）は、本発明の実施の形態２の表面実装型サーキュレータの組立工程を示す工程断面図
【図１０】本発明の実施の形態２の変形例の表面実装型サーキュレータを示す断面図
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下に、本発明の実施の形態にかかるサーキュレータおよびサーキュレータの製造方法を図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施の形態によりこの発明が限定されるものではない。尚、図において、同一又は同様の構成部分については同じ符号を付している。又、わかりやすくするために、断面であってもハッチングを付さない場合もある。なお、この実施の形態によりこの発明が限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において適宜変更可能である。また、以下に示す図面においては、理解の容易のため各層あるいは各部材の縮尺が実際と異なる場合があり、各図面間においても同様である。
【００１３】
実施の形態１.
図１は、本発明の実施の形態１の表面実装型サーキュレータを示す図、（ａ）は斜視図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ断面図、（ｃ）は（ｂ）のＢ−Ｂ断面図である。実施の形態１の表面実装型サーキュレータは、回路基板１０と、回路基板１０上の回路部１２に接続された複数の接続端子２３を有するフェライト板２１を有する表面実装型のサーキュレータ素子２０と、回路基板１０とフェライト板２１との間に挟みこまれた磁性体３０とを有する。接続端子２３は、磁性体３０に形成された貫通孔３２を介して回路基板１０上の回路部１２に接続することを特徴とする。なお貫通孔３２の内壁は、絶縁膜３３で覆われている。また、サーキュレータ素子２０は、フェライト板２１上にスペーサ４０を介して、接続された永久磁石５０を具備している。
【００１４】
本実施の形態では、磁性体３０としてニッケル板を用い、磁性体３０の、フェライト板２１と回路基板１０間の接続点に対応する領域に予め複数の貫通孔３２を開けておき、貫通孔３２内壁を含む磁性板３１全表面に絶縁処理を施し絶縁膜３３を形成している。絶縁膜３３は、ニッケル板からなる磁性板３１に、複数の貫通孔３２を形成した後、熱酸化を行うことで形成される。貫通孔３２付の磁性体３０をサーキュレータ素子２０の表面実装時に、回路基板１０-フェライト板２１間に挟み実装することで、回路接続部を除く、フェライト板２１の対向面の全面に、磁性体３０が配される。そして磁性体３０と永久磁石５０の位置関係についても理想的な構造を達成することができる。
【００１５】
磁性体３０には、サーキュレータ素子２０の接続端子２３の位置に対応して貫通孔３２が予め形成されており、表面全体に絶縁膜３３が形成され、電気的に絶縁されている。磁性体３０は、表面実装型のサーキュレータ素子２０の実装時に回路基板１０との間に挟み込まれて実装される。サーキュレータ素子２０の接続端子２３である半田ボールは、磁性体の貫通孔３２を介して回路基板１０上の回路部１２に接続される。磁性体３０を予めサーキュレータ素子２０の実装前にサーキュレータ素子２０を構成するフェライト板２１または回路基板１０に接合させておいてもよい。
【００１６】
回路基板１０としては、エポキシ樹脂などの樹脂基板、アルミナセラミックなどのセラミック基板などの絶縁性基板１１表面に導体パターンからなる回路部１２を形成したもの、あるいは多層配線構造を有する積層基板などが適用可能である。
【００１７】
サーキュレータ素子２０は、ＹＩＧからなるフェライト板２１に金薄膜などの導体層を形成してパターニングし、配線部２２を形成したものである。配線部２２は、図示しないが第１から第３の電極パッドを備え、３つのポートを構成するものである。そして配線部２２の第１から第３の電極パッドに相当する領域に、接続するように半田ボールからなる接続端子２３が分布配置されている。ここでは、配線部２２が図示しない再配列配線部を含み、フェライト板２１の回路基板１０側の面全体に接続端子２３が分布するように形成されているが、接続端子２３は必ずしもフェライト板２１の面全体に分布されていなくてもよい。ここで用いられるフェライト板２１としては、ＹＩＧなどのガーネットフェライトの他、マンガン亜鉛フェライト、ニッケル亜鉛フェライト、銅亜鉛フェライトなどのスピネルフェライト、などのフェライトが適用可能である。
【００１８】
ここで用いられる磁性板３１としては、ニッケル、ステンレス、酸化鉄、酸化クロム、コバルトなどの組成物で構成された強磁性体が適用可能である。
【００１９】
回路基板１０へのサーキュレータ素子２０の接続構造としては、半田ボールからなる接続端子２３を用いたボールグリッドアレイ（ＢＧＡ：Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）構造が用いられる。ＢＧＡは、アレイ状に二次元分布された半田ボールを接続端子とするものであり、フェライト板２１上の回路パターンに接続された再配列配線を含めてＢＧＡということもある。なお、接続構造としては、上記の接続構造以外にもピンを用いたピングリッドアレイ（ＰＧＡ：Ｐｉｎ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）構造、格子状に配列されたカラムを用いたカラムグリッドアレイ（ＣＧＡ：Ｃｏｌｕｍｎ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）などが適用可能である。
【００２０】
本実施の形態の構造をとることによって、信頼性が高く高感度の表面実装型サーキュレータを得ることが可能となる。特に、回路基板１０とサーキュレータ素子２０との接続を妨げることなく、磁性体３０を配することができるため、最適な配置を実施することができ、実装信頼性を損なうことなく所望の電気特性を得ることができる。又、他部品も所望の位置に配することができ、永久磁石５０から発生する磁界をサーキュレータ素子２０近傍に収束させることができるため、実装時に他部品、基板への永久磁石５０の影響を低減することができる。
【００２１】
次に、本実施の形態の表面実装型サーキュレータの製造方法について説明する。まず、図２（ａ）に示すように、回路基板としてアルミナセラミック基板からなる絶縁性基板１１を用意する。次いで絶縁性基板１１表面に真空蒸着法によりクロムおよび金の２層薄膜を成膜し、フォトリソグラフィにより、パターニングし、図２（ｂ）に示すように、回路部１２を形成する。
【００２２】
次いで、図３（ａ）に示すように、サーキュレータ素子２０を形成するためのフェライト板２１としてＹＩＧ板を用意する。次いでフェライト板２１表面に真空蒸着法により、Ｃｕ−Ｎｉ−Ａｕ膜などの多層薄膜を成膜し、フォトリソグラフィにより、パターニングし、図３（ｂ）に示すように、配線部２２を形成する。配線部２２としては多層薄膜に限定されることなく、ニッケル膜などの単層膜でもよいし、他の多層薄膜でもよい。そして、図３（ｃ）に示すように、配線部２２上に半田ボールからなる接続端子２３を配し、加熱することで配線部２２に接続端子２３を半田接合する。こののち図３（ｄ）に示すように、スペーサ４０を介して永久磁石５０を固着する。スペーサ４０としては絶縁性接着剤を用いる。
【００２３】
次いで、図４（ａ）に示すように、磁性体３０を形成するための磁性板３１としてニッケル板を用意する。次いで図４（ｂ）に示すように、磁性板３１にエッチングにより貫通孔３２を形成する。そして熱酸化により表面に酸化ニッケル膜からなる絶縁膜３３を成膜し、図４（ｃ）に示すように、磁性体３０を形成する。
【００２４】
以上のようにして回路基板１０、サーキュレータ素子２０、磁性体３０を形成した後、実装工程を実施する。まず、図５（ａ）に示すように、回路基板１０上に、回路部１２に位置あわせをして磁性体３０を絶縁性接着剤により接合する。この後図５（ｂ）に示すように、磁性体３０の貫通孔３２の位置に接続端子２３としての半田ボールが入るように位置あわせをし、サーキュレータ素子２０を仮接続する。そして、半田リフローのための熱処理を行い、図５（ｃ）に示すように、接続端子２３を回路基板１０上の回路部１２に接続する。
【００２５】
本実施の形態の方法では、貫通孔３２を基準位置として容易に半田ボールを位置あわせすることができ、容易に高精度の実装が実現される。また、一括リフロー工程で接続することができるため、製造作業性が良好である。
【００２６】
特に、本実施の形態ではＢＧＡ構造を用いており、ＢＧＡ構造では、穿孔穴である貫通孔３２をフェライト板２１へのボールすなわち接続端子２３搭載時の位置決め治具として使用することも可能であり、実装作業性が向上するとともに、部品製造時のコスト低減も可能である。永久磁石５０、スペーサ４０、フェライト板２１は接着等の接合方法で接合されており、スペーサ４０は永久磁石５０とフェライト板２１の電気絶縁の役割をもつものである。スペーサ４０はシート接着材、フィラー入りの非導電性接着剤などの絶縁性材料で代替してもよい。
【００２７】
実施の形態２．
図６は実施の形態２の表面実装型のサーキュレータを示す断面図である。本実施の形態では、磁性体１３０を、フェライト板２１と回路基板１０の内部に接続配線を備えた中間基板として実装した構造である。磁性体１３０は第１主面１３０Ａで回路基板１０と、第２主面１３０Ｂでフェライト板２１と、電気的に接続できるように導体層が表面および内部に配線され、内部に貫通導体部１３６を備えた貫通孔１３２を備えている。
【００２８】
本実施の形態では、図７に表面実装型サーキュレータの要部拡大断面図を示すように、磁性体１３０は、回路基板１０側である第１主面１３０Ａに形成された第１配線部１３４と、フェライト板２１側である第２主面１３０Ｂに形成された第２配線部１３５とを備えている。そして、複数の貫通孔１３２内に形成された貫通導体部１３６を備え、貫通導体部１３６を介して第１配線部１３４と第２配線部１３５とが電気的に接続され、配線基板を構成している。そして、フェライト板２１上の配線部２２に形成された接続端子２３は第２配線部１３５に接続される。回路基板１０側の第１配線部１３４は、基板接続端子としての異方性導電膜(ＡＣＦ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｆｉｌｍ)６０を介して回路基板１０に接続される。
【００２９】
図６のような実装構造をとることにより、実施の形態１のメリットを担保しつつ、さらにフェライト板２１と回路基板１０の線膨張差を緩和でき、かつ磁性体３０の表面絶縁処理が不要な構造となる。
【００３０】
次に、本実施の形態の表面実装型サーキュレータの製造方法について説明する。実施の形態１と大きく異なる点は、磁性体１３０の製造工程である。本実施の形態では、磁性体１３０の製造工程について説明する。図８（ａ）に示すように、磁性体１３０を形成するための磁性板１３１として酸化鉄基板を用意する。１３０Ａは磁性体の第１主面、１３０Ｂが磁性体の第２主面に相当する。次いで磁性板１３１にエッチングにより、磁性板１３１の第１主面１３１Ａから第２主面１３１Ｂに貫通する、貫通孔１３２を形成する。この後、図８（ｂ）に示すように、ソルダレジストに浸漬し、乾燥、硬化させ、樹脂膜からなる絶縁膜１３３を成膜する。そして、図８（ｃ）に示すように、磁性板１３１の第２主面１３１Ｂに真空蒸着およびフォトリソグラフィにより第２配線部１３５を形成する。このとき貫通孔１３２内には貫通導体部１３６が形成される。そしてさらに図８（ｄ）に示すように、磁性体１３１の第１主面１３１Ａに真空蒸着およびフォトリソグラフィにより第１配線部１３４を形成する。なお、絶縁膜１３３は樹脂膜に限定されることなく、熱酸化による酸化膜でもよく、熱酸化で均一な酸化膜を形成することで、ち密で信頼性の高い絶縁膜の形成が可能となる。
【００３１】
そして、図８（ｅ）に示すように、前記実施の形態１と同様にして形成されたサーキュレータ素子２０の接続端子２３である半田ボールを、第２配線部１３５に位置合わせして配置し、磁性体１３０上に半田ペーストで仮止めする。
【００３２】
また、回路基板１０についても実施の形態１と同様に形成する。
【００３３】
以上のようにして回路基板１０、磁性体１３０を搭載したサーキュレータ素子２０を形成した後、実装工程を実施する。まず、図９（ａ）に示すように、回路基板１０上に、異方性導電膜６０を配し、図９（ｂ）に示すように、さらにこの上層に磁性体１３０付きサーキュレータ素子２０を配し、仮接続する。この後図９（ｃ）に示すように、半田リフローのための熱処理を行い、接続端子２３を磁性体１３０上の第２配線部１３５に接続するとともに第１配線部１３４を回路基板１０上の回路部１２に異方性導電膜６０を介して接続する。なお、磁性板１３１の第１主面１３１Ａの第１配線部１３４と、第２主面１３１Ｂの第２配線部１３５とは、貫通導体部１３６を介して接続されている。磁性板１３１は貫通孔１３２の内壁を含む表面全体が絶縁膜１３３で覆われている。
【００３４】
以上説明したように、本実施の形態は、サーキュレータ素子２０を適用する製品の周波数帯によってフェライト板２１が大型化せざるを得ない設計の場合、回路基板１０との線膨張差により発生する熱応力によって要求される信頼性を満足できない場合に適用すると有効である。また、異方性導電膜を用いることで、アンダーフィルの充填が不要であり、接続の作業性が良い。
【００３５】
磁性体１３０とフェライト板２１および磁性体１３０と回路基板１０との接続構造は実施の形態１とは異なる構造でも、同一の構造でもよい。磁性体１３０とフェライト板２１との接続についてはＢＧＡ、ＰＧＡ、ＣＧＡ以外にもＡＣＦ(Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｆｉｌｍ)、ＡＣＰ(Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｐａｓｔｅ)のような異方性導電材料でも可能である。
【００３６】
また、回路基板１０と磁性体１３０との間についても、異方性導電膜のほか、ＢＧＡ、ＰＧＡ、ＣＧＡ以外にもＡＣＦ、ＡＣＰのような異方性導電材料でも可能である。
【００３７】
また、磁性体１３０が絶縁膜１３３で被覆されているため、磁性体１３０を回路基板１０に接合することが可能となり、磁性体１３０と回路基板１０とを密着することが可能となり、更なる小型化が可能となる。
【００３８】
ただし、本実施の形態では、磁性体１３０と回路基板１０との接続は異方性導電膜を用いているため、回路基板１０側の面には絶縁膜を形成しなくてもよい。ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｕｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法によって形成した酸化シリコン膜などを絶縁膜１３３として用いる場合には片面への成膜のみでよいため、作業性が向上する。
【００３９】
さらにまた、磁性体１３０を中間基板として、フェライト板２１からなるサーキュレータ２０と回路基板１０間を接合することで磁性体１３０とフェライト板２１間の接続が容易となる。
【００４０】
変形例．
前記実施の形態２では磁性体１３０と回路基板１０との接続にＡＣＦを用いたが、本発明の実施の形態２の変形例として、磁性体１３０と回路基板１０との接続構造をＢＧＡ接続とした構成も有効である。図１０に、実施の形態２の変形例として、磁性体１３０とフェライト板２１および磁性体１３０と回路基板１０との接続構造をＢＧＡ接続とした場合を示す。
【００４１】
前記実施の形態２では、回路基板１０と磁性体１３０との間を異方性導電膜６０で構成したが、本実施の形態では、図１０に示すように、半田ボールからなる基板接続端子１３を用いた点が異なるのみである。この基板接続端子１３は回路基板上に形成される。他は前記実施の形態２と同様であるためここでは説明を省略する。
【００４２】
実装に際しては、回路基板１０の回路部１２上に、半田ボールからなる基板接続端子１３を位置合わせし仮止めする。一方、磁性体１３０上に、サーキュレータ素子２０を配し、サーキュレータ素子２０の接続端子２３としての半田ボールを磁性体１３０上の第２配線部１３５に位置あわせし半田ペーストで仮接続する。この後、磁性体１３０の第１配線部１３４と回路基板１０の半田ボールからなる基板接続端子１３とを位置合わせし、仮接続する。そして、半田リフローのための熱処理を行い、接続端子２３を磁性体１３０上の第２配線部１３５に接続するとともに第１配線部１３４を回路基板１０上の回路部１２に基板接続端子１３を介して接続する。
【００４３】
本実施の形態では、異方性導電膜に代えて半田ボールを用いているため、実施の形態２に比べて、回路基板１０との距離をとるとともに接合面積を少なくしている。このため、回路基板１０の熱に起因する磁性体１３０の反りあるいは変形を抑制し、信頼性の高いサーキュレータを得ることが可能となる。
【００４４】
なお、この半田ボールからなる基板接続端子１３は、回路基板１０上に形成したが、磁性体１３０上に形成してもよい。また基板接続端子１３は半田ボールに限定されることなく、他の面実装部材あるいは面実装部材以外の実装部材を用いて実装してもよい。
【００４５】
以上説明してきたように、実施の形態１および２によれば、磁気回路形成のための回路基板対面へのキャリア実装あるいは基板内蔵が不要となるため、実装占有面積およびコストの低減が可能となる。また、フェライト板への外部磁場が集中するため、他部品、基板への外部磁場の影響を低減することができる。またフェライト板と回路基板間の接合構造に影響を与えることなく、実装することができ、かつ磁性体の配置もフェライト板上の全面に分布させることができることになり、サーキュレータの出力特性も良好となる。
【００４６】
前記各実施の形態では、基板間接続にＢＧＡを用いたが、ＢＧＡに限定されることなく、ＰＧＡ、ＣＧＡ、ＡＣＦなど他の面実装法を用いてもよいことはいうまでもない。また、前記各実施の形態では半田ボールを用いたＢＧＡによって基板間接続を行ったが、半田ボールでない場合は、各端子あるいは配線部に半田層を形成しておき、リフロー工程で半田を溶融させることで容易に一括接続を行うことが可能となる。
【００４７】
また前記各実施の形態では、永久磁石５０は、スペーサ４０を介してサーキュレータ２０上に搭載されたが、永久磁石５０は、別途設置筐体側に装着されていてもよい。
【００４８】
以上の実施の形態に示した構成は、本発明の内容の一例を示すものであり、別の公知の技術と組み合わせることも可能であるし、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、構成の一部を省略、変更することも可能である。
【符号の説明】
【００４９】
１０  回路基板、１１  絶縁性基板、１２  回路部、１３  基板接続端子、２０  サーキュレータ素子、２１  フェライト板、２２  配線部、２３  接続端子、３０，１３０  磁性体、３１  磁性板、３２  貫通孔、３３  絶縁膜、４０  スペーサ、５０  永久磁石、６０  異方性導電膜、１３０Ａ  第１主面、１３０Ｂ  第２主面、１３１  磁性板、１３２  貫通孔、１３３  絶縁膜、１３４  第１配線部、１３５  第２配線部、１３６  貫通導体部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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