(57)【要約】      （修正有）【課題】特別な検査工程を設けることなく、積層した半導体デバイスウエーハに発生したずれを効率的に検出し、ずれ量が許容値を超える場合には取り除くことが可能な加工装置を提供する。【解決手段】複数の円形の板状物が張り合わされた被加工物１３に、所定の加工を施す加工装置であって、仮置きテーブル２０に載置された、被加工物の外周縁の位置を検出する外周縁検出手段を備え、仮置きテーブルの上方に配設された、第１及び第２の発光手段２４ａ、２４ｂと、第１の発光手段及び第２の発光手段からの検出光を、受光する第１、第２の受光手段２６ａ、２６ｂとを含んでいる。仮置きテーブルを回転させた状態で、第１及び第２検出光を被加工物に照射し、被加工物における一対の外周縁の位置を複数回検出し、直径算出手段で被加工物の直径を複数回算出し、直径の最大値と最小値との差をずれ量算出手段で算出する。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の円形の板状物が張り合わされた被加工物に所定の加工を施す加工装置であって、
被加工物を保持する保持面を有するチャックテーブルと、
該チャックテーブルに保持された被加工物を加工する加工手段と、
被加工物を複数収容するカセットと、
該カセットが載置されるカセット載置台と、
該カセットに収容された被加工物を搬出する第１の搬送手段と、
該第１の搬送手段によって該カセットから搬出された被加工物を突き当てる突き当て部材と、
被加工物よりも小さい直径を有し被加工物を保持する仮置きテーブルと、
該仮置きテーブルを回転させる回転手段と、
被加工物を該チャックテーブルへ搬送する第２の搬送手段と、
該第１の搬送手段と該第２の搬送手段とを制御する制御手段と、
該仮置きテーブルに載置された被加工物の外周縁の位置を検出する外周縁検出手段と、を備え、
該第１の搬送手段は、該カセットに収容された被加工物の下面を吸引して搬出し、被加工物の中心と想定される仮の中心を該仮置きテーブルの回転中心と一致させて被加工物を該仮置きテーブル上に載置し、
該外周縁検出手段は、
該仮置きテーブルの上方に配設され、該仮置きテーブルに載置された被加工物の外周縁部に外側エッジが被加工物の外周縁よりも外側に位置し内側エッジが被加工物に照射される第１検出光を照射する第１の発光手段と、
該仮置きテーブルの上方で且つ該仮置きテーブルの回転中心を挟んで該第１の発光手段と点対称となる位置に配設され、被加工物の外周縁部に外側エッジが被加工物の外周縁よりも外側に位置し内側エッジが被加工物に照射される第２検出光を照射する第２の発光手段と、
該第１の発光手段に対応して該仮置きテーブルの下方に配設され該第１検出光を受光する第１の受光手段と、
該第２の発光手段に対応して該仮置きテーブルの下方に配設され該第２検出光を受光する第２の受光手段と、を含み、
該第１及び第２の発光手段は被加工物が載置された該仮置きテーブルを回転させた状態で該第１及び第２検出光を被加工物に照射し、該第１及び第２の受光手段は被加工物によって一部が遮られた該第１及び第２検出光の受光位置から被加工物における一対の外周縁の位置を複数回検出し、
該制御手段は、該外周縁検出手段によって複数回検出された一対の外周縁の位置から被加工物の直径の値を複数回算出する直径算出手段と、
該直径算出手段によって算出された複数の直径の値と予め設定された被加工物を構成する複数の板状物のずれ量の許容値とを記憶する記憶手段と、
該記憶手段に記憶された該複数の直径の値の最大値と最小値との差を実際のずれ量として算出するずれ量算出手段と、を有し、
該実際のずれ量の値が該許容値以下の場合は該第２の搬送手段によって被加工物を該チャックテーブルに搬送して該加工手段によって加工を行い、該実際のずれ量の値が該許容値を超える場合は該第１の搬送手段によって被加工物を該カセットに戻すことを特徴とする加工装置。
【請求項２】
該第１の搬送手段は、該カセットに収納された被加工物の下面を吸引して被加工物を該カセットから搬出し、被加工物を該突き当て部材に突き当て可能な位置に搬送し、被加工物の吸引を解除して被加工物が該第１の搬送手段上に載置された状態で被加工物を該突き当て部材に突き当てて被加工物と該第１の搬送手段との位置関係を所定の位置関係に設定し、該第１の搬送手段と被加工物の位置関係から被加工物の中心と想定される仮の中心を該仮置きテーブルの回転中心と一致させて被加工物を該仮置きテーブル上に載置することを特徴とする請求項１記載の加工装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はそれぞれ複数のデバイスを表面に有する複数のウエーハを積層して構成された積層ウエーハを加工する加工装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの製造プロセスにおいては、半導体ウエーハの表面にストリートと呼ばれる分割予定ラインによって区画された各領域にＩＣやＬＳＩ等のデバイスが形成される。そして、分割予定ラインに沿って半導体ウエーハをチップに分割することで、個々の半導体デバイスが製造される。このようにして製造された半導体デバイスは各種電気機器に広く利用されている。
【０００３】
近年、電気機器の小型化・薄型化に伴い半導体デバイスパッケージも小型化・薄型化が要求され、実装の高密度化が要求されている。複数の半導体デバイスを一つのパッケージに集積する手法の一つに複数の半導体デバイスチップを縦方向に積層して実装する三次元実装がある。
【０００４】
従来の三次元実装では、ワイヤボンディングを用いて半導体デバイスチップ間、或いは半導体デバイスチップとインターポーザとを接続していた。ワイヤボンディングによる接続では、その配線長分インダクタンス等が大きくなるので高速での信号のやり取りには向かないという問題があるとともに、ワイヤが半導体デバイスチップ等に触れないようにチップを積層する必要があるため小型化が難しい等の問題がある。
【０００５】
近年、新たな三次元実装技術として、ワイヤの代わりにＳｉ貫通電極（Ｔｈｒｏｕｇｈ−Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｖｉａ：ＴＳＶ）を用いた実装技術が注目されている。ＴＳＶ技術を用いると、配線長がワイヤより短いため配線抵抗やインダクタンスが大幅に低減でき、消費電力も大幅に低減できるというメリットがある。
【０００６】
一方、半導体デバイスチップの積層方法の一つとして、複数の半導体デバイスウエーハ同士を積層し、積層した半導体デバイスウエーハを貫く貫通電極を形成してウエーハ同士を接続する積層方法（Ｗａｆｅｒ  Ｏｎ  Ｗａｆｅｒ：ＷＯＷ）がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００３−２４９６２０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
積層された半導体デバイスウエーハは研削又は研磨による薄化や樹脂によるモールディングなどの工程を経て個々のデバイスチップに分割されるが、積層された段階で半導体デバイスウエーハ同士にずれが発生する場合がある。
【０００９】
このずれを検出するためには顕微鏡を用いた専用の検査工程を設ける必要があるが、工程数が増える上に検査に時間がかかり、生産コストが高くなってしまうなどの問題が発生している。
【００１０】
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、特別な検査工程を設けることなく積層した半導体デバイスウエーハに発生したずれを効率的に検出し、ずれ量が許容値を超える場合には次の工程に積層デバイスウエーハを送ることなく取り除くことが可能な加工装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明によると、複数の円形の板状物が張り合わされた被加工物に所定の加工を施す加工装置であって、被加工物を保持する保持面を有するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された被加工物を加工する加工手段と、被加工物を複数収容するカセットと、該カセットが載置されるカセット載置台と、該カセットに収容された被加工物を搬出する第１の搬送手段と、該第１の搬送手段によって該カセットから搬出された被加工物を突き当てる突き当て部材と、被加工物よりも小さい直径を有し被加工物を保持する仮置きテーブルと、該仮置きテーブルを回転させる回転手段と、被加工物を該チャックテーブルへ搬送する第２の搬送手段と、該第１の搬送手段と該第２の搬送手段とを制御する制御手段と、該仮置きテーブルに載置された被加工物の外周縁の位置を検出する外周縁検出手段と、を備え、該第１の搬送手段は、該カセットに収容された被加工物の下面を吸引して搬出し、被加工物の中心と想定される仮の中心を該仮置きテーブルの回転中心と一致させて被加工物を該仮置きテーブル上に載置し、該外周縁検出手段は、該仮置きテーブルの上方に配設され、該仮置きテーブルに載置された被加工物の外周縁部に外側エッジが被加工物の外周縁よりも外側に位置し内側エッジが被加工物に照射される第１検出光を照射する第１の発光手段と、該仮置きテーブルの上方で且つ該仮置きテーブルの回転中心を挟んで該第１の発光手段と点対称となる位置に配設され、被加工物の外周縁部に外側エッジが被加工物の外周縁よりも外側に位置し内側エッジが被加工物に照射される第２検出光を照射する第２の発光手段と、該第１の発光手段に対応して該仮置きテーブルの下方に配設され該第１検出光を受光する第１の受光手段と、該第２の発光手段に対応して該仮置きテーブルの下方に配設され該第２検出光を受光する第２の受光手段と、を含み、該第１及び第２の発光手段は被加工物が載置された該仮置きテーブルを回転させた状態で該第１及び第２検出光を被加工物に照射し、該第１及び第２の受光手段は被加工物によって一部が遮られた該第１及び第２検出光の受光位置から被加工物における一対の外周縁の位置を複数回検出し、該制御手段は、該外周縁検出手段によって複数回検出された一対の外周縁の位置から被加工物の直径の値を複数回算出する直径算出手段と、該直径算出手段によって算出された複数の直径の値と予め設定された被加工物を構成する複数の板状物のずれ量の許容値とを記憶する記憶手段と、該記憶手段に記憶された該複数の直径の値の最大値と最小値との差をずれ量として算出するずれ量算出手段と、を有し、該実際のずれ量の値が該許容値以下の場合は該第２の搬送手段によって被加工物を該チャックテーブルに搬送して該加工手段によって加工を行い、該実際のずれ量の値が該許容値を超える場合は該第１の搬送手段によって被加工物を該カセットに戻すことを特徴とする加工装置が提供される。
【００１２】
好ましくは、該第１の搬送手段は、該カセットに収納された被加工物の下面を吸引して被加工物を該カセットから搬出し、被加工物を該突き当て部材に突き当て可能な位置に搬送し、被加工物の吸引を解除して被加工物が該第１の搬送手段上に載置された状態で被加工物を該突き当て部材に突き当てて被加工物と該第１の搬送手段との位置関係を所定の位置関係に設定し、該第１の搬送手段と被加工物の位置関係から被加工物の中心と想定される仮の中心を該仮置きテーブルの回転中心と一致させて被加工物を該仮置きテーブル上に載置する。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によると、外周縁検出手段で被加工物が載置された仮置きテーブルを回転させた状態で被加工物に対して第１及び第２検出光を照射して被加工物における一対の外周縁の位置を複数回検出し、この検出値に基づいて直径算出手段で被加工物の直径の値を複数算出し、複数の直径の値の最大値と最小値との差をずれ量算出手段で算出し、ずれ量の値が許容値以下の場合にはチャックテーブルに搬送して被加工物を加工し、ずれ量の値が許容値を超える場合は被加工物をカセットに戻すように制御するので、検査工程を加工装置内で実施することができ、検査工程にかかる時間を抑制し生産コストを抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明実施形態の切削装置の斜視図である。
【図２】カセット及びカセット載置台上に収容された外周縁検出手段の縦断面図である。
【図３】外周縁検出手段の側面図及び制御手段のブロック図である。
【図４】第１の搬送手段の作用を説明する模式的平面図である。
【図５】図５（Ａ）は複数のウエーハが積層された被加工物のずれ量算出手段で算出されたずれ量の最大値を示す図、図５（Ｂ）はずれ量の最小値を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図１を参照すると、本発明実施形態に係る切削装置２の斜視図が示されている。４は切削装置２のベースであり、ベース４に隣接してカセット載置台６が上下動可能に配設されている。
【００１６】
図２に最も良く示されるように、カセット載置台６は開口７を有する箱形状に形成されており、支持部１４と一体的に形成された係合部１４ａ内に内蔵されたナットがボールねじ８に螺合している。ボールねじ８とボールねじ８の一端に連結されたパルスモータ１０とでカセット載置台移動機構１２を構成する。
【００１７】
カセット載置台６上には複数の載置棚１７を有するカセット１６が載置されている。特に図示しないがカセット１６内には複数の積層ウエーハ１３が載置棚１７で両側を支持されて収容されている。
【００１８】
カセット載置台６は、底壁６ａと、上壁６ｂと、後壁６ｃを有しており、カセット載置台６内には外周縁検出ユニット（外周縁検出手段）１８が配設されている。外周縁検出ユニット１８は、カセット載置台６の底壁６ａ上に配設された仮置きテーブル２０と、後壁６ｃの内側に取り付けられた突き当て部材２２と、を含んでいる。
【００１９】
外周縁検出ユニット１８は更に、仮置きテーブル２０上に載置された積層ウエーハ（被加工物）１８の外周縁部に向かって第１検出光を照射する上壁６ｂの下面に取り付けられた第１の発光ユニット（第１の発光手段）２４ａと、第１の発光ユニット２４ａに対向して底壁６ａ上に配設された第１の受光ユニット（第１の受光手段）２６ａと、仮置きテーブル２０の回転中心の延長線に対して点対称となる位置で上壁６ｂの下面に取り付けられた第２の発光ユニット（第２の発光手段）２４ｂと、第２の発光ユニット２４ｂに対向して底壁６ａ上に配設された第２の受光ユニット（第２の受光手段）２６ｂと、を含んでいる。
【００２０】
ここで、積層ウエーハ（貼り合わせウエーハ）１３は表面に複数のデバイスが形成された第１ウエーハ１１ａと、同じく表面に複数のデバイスが形成された第２ウエーハ１１ｂとを、それぞれのデバイスの位置関係が対応するように接着されて構成されている。
【００２１】
この接着時には第１ウエーハ１１ａと第２ウエーハ１１ｂとの外周縁が一致するように注意して接着するが、多少の誤差が出るものであり、本発明の外周縁検出手段は積層ウエーハ１３の外周縁の位置を検出するものである。
【００２２】
再び図１を参照すると、２８は第１の搬送ユニット（第１の搬送手段）であり、表面に複数の吸引孔３２を有するハンド３０と、ハンド３０を支持するＬ形状の支持部材３４と、支持部材３４の下端部に連結されたＹ軸移動ブロック３６を含んでいる。
【００２３】
Ｙ軸移動ブロック３６内にはナットが内蔵されており、このナットがＹ軸方向に伸長するようにベース４に回転可能に取り付けられたボールねじ３８に螺合している。ボールねじ３８と、ボールねじ３８の一端に連結されたパルスモータ４０とで第１の搬送ユニット２８の移動機構４２を構成する。パルスモータ４０を駆動するとボールねじ３８が回転し、第１の搬送ユニット２８がＹ軸方向に移動される。
【００２４】
ベース４上には第１の門型フレーム４４が立設されている。この第１の門型フレーム４４の前面にはＹ軸方向に伸長する２本のガイドレール４６，４８が配設されている。５０は第２の搬送ユニット（第２の搬送手段）であり、ガイドレール４６に案内されてＹ軸方向に移動するとともに、上下方向（Ｚ軸方向）にも移動可能なように配設されている。
【００２５】
５２は第３の搬送ユニット（第３の搬送手段）であり、ガイドレール４８に案内されてＹ軸方向に移動可能に配設されるとともに、上下方向（Ｚ軸方向）にも移動可能に配設されている。
【００２６】
ベース４の概略中央部には被加工物１３を吸引保持するチャックテーブル５４が回転可能且つＸ軸方向に往復動可能に配設されている。第１の門型フレーム４４の背面側には第２の門型フレーム５６がベース４上に立設されている。第２の門型フレーム５６には第１Ｙ軸移動ブロック５８ａと第２Ｙ軸移動ブロック５８ｂがそれぞれ独立してＹ軸方向に移動可能なように配設されている。
【００２７】
第１Ｙ軸移動ブロック５８ａには、第１Ｚ軸移動ブロック６０ａが第１Ｚ軸移動機構６２ａによりＺ軸方向に移動可能なように取り付けられており、第２Ｙ軸移動ブロック５８ｂには、第２Ｚ軸移動ブロック６０ｂが第２Ｚ軸移動機構６２ｂによりＺ軸方向に移動可能なように取り付けられている。
【００２８】
第１Ｚ軸移動ブロック６０ａには先端に切削ブレードを有する第１切削ユニット６４ａが配設されており、第２Ｚ軸６０ｂには先端に切削ブレードを有する第２切削ユニット６４ｂが配設されている。
【００２９】
６６はスピンナ洗浄ユニットであり、第１切削ユニット６４ａ及び／又は第２切削ユニット６４ｂで切削加工の完了した被加工物は第３の搬送ユニット５２によりスピンナ洗浄ユニット６６まで搬送され、スピンナ洗浄ユニット６６でスピン洗浄及びスピン乾燥される。
【００３０】
次に、図３を参照して、第１及び第２の発光ユニット２４ａ，２４ｂと第１及び第２の受光ユニット２６ａ，２６ｂとの配置関係について説明する。第１の発光ユニット２４ａは光源として半導体レーザーを有しており、半導体レーザーから出射されたレーザー光をミラーにより反射してから横に長い長方形のスリットを通し、このスリットの透過光をコリメートレンズを通して平行光に変換し、第１検出光を２５ａとして出射する。
【００３１】
第１検出光２５ａの幅は本実施形態では２８ｍｍに設定されている。同様に、第２の発光ユニット２４ｂから出射される第２検出光２５ｂもその幅が２８ｍｍのコリメートされた第２検出光として出射される。
【００３２】
第１の発光ユニット２４ａは第１検出光２５ａの外側エッジが積層ウエーハ１３の外周縁よりも外側に位置し、第１検出光２５ａが部分的に積層ウエーハ１３の外周縁部に遮られるようにカセット載置台６の上壁６ｂに取り付けられている。第１の発光ユニット２４ａに対向して第１の受光ユニット２６ａがカセット載置台６の底壁６ａに固定されている。
【００３３】
第２の発光ユニット２４ｂは仮置きテーブル２０の回転中心の延長線に対して第１の発光ユニット２４ａと点対称となる位置でカセット載置台６の上壁６ｂに取り付けられている。この取り付け位置では、第２の発光ユニット２４ｂから出射された第２検出光２５ｂは仮置きテーブル２０上に載置された積層ウエーハ１３に対して、その外側エッジが積層ウエーハ１３の外周縁よりも外側に位置し第２検出光２５ｂは部分的に積層ウエーハ１３に遮られるようになる。第２の発光ユニット２４ｂに対向して第２の受光ユニット２６ｂがカセット載置台６の底壁６ａに固定されている。
【００３４】
第１の受光ユニット２６ａ及び第２の受光ユニット２６ｂとも、Ｙ軸方向に整列したラインセンサから構成されており、ラインセンサの各セグメントの座標値は制御手段６８に格納されている。
【００３５】
制御手段６８は、第１の受光ユニット２６ａ及び第２の受光ユニット２６ｂの出力から積層ウエーハ１３の直径を算出する直径算出手段７０と、直径算出手段７０で算出された直径と予め設定された積層ウエーハ１３を構成する第１ウエーハ１１ａと第２ウエーハ１１Ｂとのずれ量の許容値とを記憶する記憶手段７２と、記憶手段７２に記憶された複数の直径の値の最大値と最小値との差を実際のずれ量として算出するずれ量算出手段７４とを含んでいる。
【００３６】
以下、上述したように構成された外周縁検出ユニット１８の作用について説明する。まず、第１の搬送ユニット２８をＹ軸方向に移動してハンド３０をカセット１６内に挿入させ、ハンド３０の吸引孔３２によりカセット１６内に収納された積層ウエーハ１３の下面を吸引してカセット１６内から搬出する。
【００３７】
次いで、カセット載置台移動機構１２を駆動してカセット載置台６を上昇させ、次いで、図４（Ａ）に示すように、第１の搬送ユニット２８をＹ軸方向に移動して積層ウエーハ１３を吸引保持したハンド３０をカセット載置台６内に侵入させる。
【００３８】
次いで、図４（Ｂ）に示すように、ハンド３０による積層ウエーハ１３の吸着を解除してから、第１の搬送ユニット２８をＹ軸方向に更に移動して、ハンド３０上に載置されている積層ウエーハ１３を突き当て部材２２の円弧状突き当て面２２ａに突き当てる。
【００３９】
ここで、突き当て部材２２の円弧状突き当て面２２ａの曲率半径は積層ウエーハ１３の曲率半径に一致するように形成されているため、積層ウエーハ１３は突き当て部材２２の円弧状突き当て面２２ａに密着するように突き当てられ、積層ウエーハ１３の中心のＸ軸方向の座標値は仮置きテーブル２０の回転中心のＸ軸方向の座標値と一致する。
【００４０】
この状態でハンド３０で積層ウエーハ１３を再び吸引保持し、図４（Ｃ）に示すように、第１の搬送ユニット２８を矢印Ｙ２方向に予め定められた距離だけ移動すると、積層ウエーハ１３の中心が仮置きテーブル２０の回転中心と一致するように第１の搬送ユニット２８が組み立てられている。
【００４１】
ハンド３０の積層ウエーハ１３に対する吸引保持を解除し、カセット載置台移動機構１２を駆動して仮置きテーブル２０を上昇させると、積層ウエーハ１３の中心と想定される仮の中心を仮置きテーブル２０の回転中心と一致させて積層ウエーハ１３を仮置きテーブル２０上に載置することができる。
【００４２】
次いで、仮置きテーブル２０で積層ウエーハ１３を吸引保持し、仮置きテーブル２０を回転させた状態で第１の発光ユニット２４ａ及び第２の発光ユニット２４ｂから第１検出光２５ａ及び第２検出光２５ｂを同時に照射する。
【００４３】
第１の受光ユニット２６ａ及び第２の受光ユニット２６ｂは、積層ウエーハ１３によって遮られた第１検出光２５ａ、第２検出光２５ｂの位置から、積層ウエーハ１３における一対の外周縁の位置を複数回検出し、この検出値を制御手段６８に送信する。
【００４４】
制御手段６８は、外周縁検出ユニット１８によって複数回検出された一対の外周縁の位置から積層ウエーハ１３の直径を直径算出手段７０で複数回算出する。この複数回の算出には、図５（Ａ）に示す積層ウエーハ１３の直径の最大値と、図５（Ｂ）に示す積層ウエーハ１３の直径の最小値とが含まれる。
【００４５】
ずれ量算出手段７４では、記憶手段７２に記憶された複数の直径の値の最大値と最小値との差を実際のずれ量として算出し、この実際のずれ量の値が記憶手段７２に記憶されている許容値以下の場合は、第１の搬送ユニット２８で積層ウエーハ１３をカセット載置台６内から搬出した後、第２の搬送ユニット５０で第１の搬送ユニット２８から積層ウエーハ１３を受け取り、積層ウエーハ１３をチャックテーブル５４まで搬送して、第１切削ユニット６４ａ及び第２切削ユニット６４ｂでチャックテーブル５４に保持された積層ウエーハ１３のエッジトリミングを実施する。
【００４６】
一方、ずれ量算出手段７４で算出した実際のずれ量の値が記憶手段７２に記憶されている許容値を超える場合には、この積層ウエーハ１３をチャックテーブル５４まで搬送せずに、第１の搬送ユニット２８で積層ウエーハ１３をカセット１６の所定位置に戻し、この位置を制御手段６８で記憶する。
【００４７】
上述した実施形態によると、カセット載置台６内に配置された外周縁検出ユニット１８により仮置きテーブル２０上に載置された積層ウエーハ１３の外周縁を複数箇所で検出して、積層ウエーハ１３の直径の最大値と最小値とをずれ量として検出することができるため、ずれ量が予め定められた許容値を超える積層ウエーハの場合には、この積層ウエーハを次の工程に送ることなく容易に取り除くことができる。
【００４８】
上述した実施形態では、本発明をエッジトリミングを実施する切削装置に適用した例について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、積層ウエーハを加工する研削装置、レーザー加工装置等の他の加工装置にも同様に適用することができる。
【符号の説明】
【００４９】
２    切削装置
６    カセット載置台
１１ａ    第１ウエーハ
１１ｂ    第２ウエーハ
１２    カセット載置台移動機構
１３    積層ウエーハ（被加工物）
１８    外周縁検出ユニット
２０    仮置きテーブル
２２    突き当て部材
２４ａ    第１の発光ユニット
２４ｂ    第２の発光ユニット
２６ａ    第１の受光ユニット
２６ｂ    第２の受光ユニット
２８    第１の搬送ユニット
３０    ハンド
４２    Ｙ軸移動機構
４４    第１門型フレーム
５０    第２の搬送ユニット
５２    第３の搬送ユニット
５４    チャックテーブル
５６    第２門型フレーム
６４ａ    第１切削ユニット
６４ｂ    第２切削ユニット
６８    制御手段
７０    直径算出手段
７２    記憶手段
７４    ずれ量算出手段
【図１】
2016048744.tif 000003
【図２】
2016048744.tif 000004
【図３】
2016048744.tif 000005
【図４】
2016048744.tif 000006
【図５】
2016048744.tif 000007