(57)【要約】【課題】リジッド部の表側と裏側に実装される電子部品同士を高密度に接続することが可能なフレックスリジッド配線板及び半導体モジュールの提供を目的とする。【解決手段】本発明のフレックスリジッド配線板１０は、可撓性基材１５と、厚さ方向から見たときに可撓性基材１５を挟むように配置される非可撓性基材３０と、可撓性基材１５及び非可撓性基材３０の表裏の両面に積層されて主リジッド部１２Ａ及び副リジッド部１２Ｂを形成すると共に、可撓性基材１５の一部をフレックス部１１として露出させるビルドアップ層５０Ｆ，５０Ｓと、主リジッド部１２Ａの表裏の両面に形成されて、グリッド状に配列される電子部品実装用の複数の実装パッド４１Ｆ，４１Ｓと、を有し、可撓性基材１５の主リジッド部１２Ａ側の端部が、主リジッド部１２Ａを厚さ方向から見たときに、複数の実装パッド４１Ｆ，４１Ｓの配列領域Ｒ１の外側に配置されている。【選択図】図１
2016048722.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
可撓性を有するフレックス部と、
前記フレックス部の両側に配置されて、前記フレックス部を介して接続される主リジッド部及び副リジッド部と、を備えるフレックスリジッド配線板であって、
可撓性基材と、
厚さ方向から見たときに前記可撓性基材を挟むように配置される非可撓性基材と、
前記可撓性基材及び前記非可撓性基材の表裏の両面に積層されて前記主リジッド部及び前記副リジッド部を形成すると共に、前記可撓性基材の一部を前記フレックス部として露出させるビルドアップ層と、
前記主リジッド部における表裏の両面に形成されて、グリッド状に配列される電子部品実装用の複数の実装パッドと、を有し、
前記可撓性基材の前記主リジッド部側の端部が、前記主リジッド部を厚さ方向から見たときに、前記複数の実装パッドの配列領域の外側に配置されている
【請求項２】
請求項１に記載のフレックスリジッド配線板であって、
前記主リジッド部に形成されて、前記非可撓性基材を貫通するビア導体と前記ビルドアップ層を貫通するビア導体とを重ねて接続してなるスタックビアを備え、
前記実装パッドのうち表裏の一方側の面に配置される第１パッドと、前記実装パッドのうち表裏の他方側の面に配置される第２パッドとが、前記スタックビアを介して接続される。
【請求項３】
請求項２に記載のフレックスリジッド配線板であって、
前記第１パッドが能動部品実装用であり、前記第２パッドが受動部品実装用である。
【請求項４】
請求項３に記載のフレックスリジッド配線板であって、
前記第１パッドがＩＣ実装用である。
【請求項５】
請求項３又は４に記載のフレックスリジッド配線板であって、
複数の前記第１パッドは、前記配列領域の外周部に配置され且つ前記フレックス部を介して前記副リジッド部に接続される複数の外側パッドと、前記配列領域のうち前記複数の外側パッドより内側に配置され且つ前記第２パッドに接続される複数の内側パッドと、を有する。
【請求項６】
請求項５に記載のフレックスリジッド配線板であって、
前記複数の内側パッドが全て前記スタックビアに接続されている。
【請求項７】
請求項５又は６に記載のフレックスリジッド配線板であって、
前記外側パッドと前記副リジッド部との間を接続する配線は、厚さ方向から見たときに、前記複数の内側パッドが形成される領域の外側に配置されている。
【請求項８】
請求項３乃至７に記載のフレックスリジッド配線板と、
前記第１パッドに実装される能動部品と、
前記第２パッドに実装される受動部品と、を有する半導体モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、可撓性を有するフレックス部と、フレックス部の両側に配置されてフレックス部を介して接続される非可撓性のリジッド部と、を備えるフレックスリジッド配線板及びそれを有する半導体モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、この種のフレックスリジッド配線板として、可撓性基材の両側部上に非可撓性基材が積層されて、可撓性基材の中央部によりフレックス部が形成されると共に、可撓性基材の両側部と非可撓性基材とによりリジッド部が形成されるものが知られている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００９−２６７０８１号公報（［００１８］、図１）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上述した従来のフレックスリジッド配線板では、可撓性基材が伸縮しやすいため、リジッド部の表側と裏側に実装される電子部品同士を接続する配線の位置合わせが難しく、それら電子部品同士を高密度に接続することが困難であるという問題が考えられる。
【０００５】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、リジッド部の表側と裏側に実装される電子部品同士を高密度に接続することが可能なフレックスリジッド配線板及びそれを有する半導体モジュールの提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するためになされた本発明に係るフレックスリジッド配線板は、可撓性を有するフレックス部と、フレックス部の両側に配置されて、フレックス部を介して接続される非可撓性の主リジッド部及び副リジッド部と、を備えるフレックスリジッド配線板であって、可撓性基材と、厚さ方向から見たときに可撓性基材を挟むように配置される非可撓性基材と、可撓性基材及び非可撓性基材の表裏の両面に積層されて主リジッド部及び副リジッド部を形成すると共に、可撓性基材の一部をフレックス部として露出させるビルドアップ層と、主リジッド部における表裏の両面に形成されて、グリッド状に配列される電子部品実装用の複数の実装パッドと、を有し、可撓性基材の主リジッド部側の端部が、主リジッド部を厚さ方向から見たときに、複数の実装パッドの配列領域の外側に配置されている。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本発明の一実施形態に係るフレックスリジッド配線板の断面図
【図２】フレックスリジッド配線板を第１面側から見た平面図
【図３】外側パッドと副リジッド部を接続する配線の取り回しを示す図
【図４】半導体モジュールの側面図
【図５】フレックスリジッド配線板の製造工程を示す図
【図６】フレックスリジッド配線板の製造工程を示す図
【図７】フレックスリジッド配線板の製造工程を示す図
【図８】フレックスリジッド配線板の製造工程を示す図
【図９】フレックスリジッド配線板の製造工程を示す図
【図１０】フレックスリジッド配線板の製造工程を示す図
【図１１】フレックスリジッド配線板の製造工程を示す図
【図１２】フレックスリジッド配線板の製造工程を示す図
【図１３】フレックスリジッド配線板の製造工程を示す図
【図１４】変形例に係るフレックスリジッド配線板の側面図
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、本発明の一実施形態を図１〜図１３に基づいて説明する。本実施形態のフレックスリジッド配線板１０は、可撓性基材１５と、厚さ方向から見たときに可撓性基材１５を挟むように配置される非可撓性基材３０，３０とを備えている。可撓性基材１５及び非可撓性基材３０，３０の表裏の両面には、非可撓性基材３０と同じ材質のビルドアップ層５０Ｆ，５０Ｓが積層されている。
【０００９】
ビルドアップ層５０Ｆ，５０Ｓは、可撓性基材１５の両側部を覆い、可撓性基材１５の中央部を露出させる。そして、可撓性基材１５の露出部分によって、可撓性を有するフレックス部１１が形成され、フレックス部１１の両側に、非可撓性基材３０とビルドアップ層５０Ｆ，５０Ｓとを含む主リジッド部１２Ａ及び副リジッド部１２Ｂが形成される。主リジッド部１２Ａと副リジッド部１２Ｂとは、フレックス部１１を介して折り曲げ可能に接続される。なお、可撓性基材１５の両側部は、主リジッド部１２Ａ及び副リジッド部１２Ｂに若干入り込んでいる。
【００１０】
可撓性基材１５は、例えば、ポリイミドフィルム等の樹脂フィルム２５Ｋの両面に接着層２５Ａを積層してなる可撓性中間基材２５と、可撓性中間基材２５の表裏の一方側の面である第１面２５Ｆ上に形成される第１配線層２４Ｆと、可撓性中間基材２５の表裏の他方側の面である第２面２５Ｓ上に形成される第２配線層２４Ｓと、を備える。第１配線層２４Ｆ及び第２配線層２４Ｓは、主リジッド部１２Ａと副リジッド部１２Ｂとを連絡する直線状に複数形成されている（図２参照。同図には、第１配線層２４Ｆのみが示されている。）。なお、第１配線層２４Ｆと第２配線層２４Ｓとは、可撓性中間基材２５を貫通するビアを介して接続されていてもよい。
【００１１】
第１配線層２４Ｆ上には、接着層８１Ｆが形成され、この接着層８１Ｆ上にカバーレイ（被覆層）８０Ｆが形成されている。カバーレイ８０Ｆは、ソルダーレジスト層８４Ｆにて被覆されている。第２配線層２４Ｓ上には、接着層８１Ｓが形成され、この接着層８１Ｓ上にカバーレイ（被覆層）８０Ｓが形成されている。カバーレイ８０Ｓは、ソルダーレジスト層８４Ｓにて被覆されている。なお、カバーレイ８０Ｆ，８０Ｓは、ポリイミド等の絶縁膜から構成されている。
【００１２】
非可撓性基材３０は、非可撓性中間基材３１と、非可撓性中間基材３１の表裏の一方側の面である第１面３１Ｆ上に形成されている第１中間導体層３２Ｆと、非可撓性中間基材３１の表裏の他方側の面である第２面３１Ｓ上に形成されている第２中間導体層３２Ｓと、を有する。第１中間導体層３２Ｆと第２中間導体層３２Ｓとは、非可撓性中間基材３１を貫通するビア導体３３を介して接続されている。非可撓性中間基板３１は、絶縁性材料で構成され、例えば、プリプレグ（心材を樹脂含浸してなるＢステージの樹脂シート）からなる。
【００１３】
第１中間導体層３２Ｆ上には、ビルドアップ絶縁層５１Ｆ，５７Ｆ，６３Ｆと、ビルドアップ導体層５３Ｆと、が交互に積層されている。また、第２中間導体層３２Ｓ上には、ビルドアップ絶縁層５１Ｓ，５７Ｓ，６３Ｓと、ビルドアップ導体層５３Ｓと、が交互に積層されている。そして、ビルドアップ絶縁層５１Ｆ，５７Ｆ，６３Ｆとビルドアップ導体層５３Ｆとによって上述のビルドアップ層５０Ｆが形成され、ビルドアップ絶縁層５１Ｓ，５７Ｓ，６３Ｓとビルドアップ導体層５３Ｓとによって上述のビルドアップ層５０Ｓが形成されている。
【００１４】
ビルドアップ絶縁層６３Ｆ，６３Ｓ上に積層されるビルドアップ導体層５３Ｆ，５３Ｓ、即ち、最外のビルドアップ導体層５３Ｆ，５３Ｓの上には、ソルダーレジスト層６７Ｆ，６７Ｓが積層されている。ソルダーレジスト層６７Ｆは、フレックスリジッド配線板１０の表裏の一方側の第１面１０Ｆを構成し、ソルダーレジスト層６７Ｓは、フレックスリジッド配線板１０の表裏の他方側の第２面１０Ｓを構成する。
【００１５】
フレックスリジッド配線板１０の第１面１０Ｆ側のソルダーレジスト層６７Ｆには、最外のビルドアップ導体層５３Ｆの一部を露出させる開口６８Ｆが複数形成されている。そして、それら複数の開口６８Ｆによって、主リジッド部１２Ａの表裏の一方側の第１面１２ＡＦに、最外のビルドアップ導体層５３Ｆの一部を露出させてなる電子部品実装用の実装パッド４１Ｆが複数形成され、副リジッド部１２Ｂの表裏の一方側の第１面１２ＢＦに、最外のビルドアップ導体層５３Ｆの一部を露出させてなる実装パッド４３Ｆが複数形成される。また、フレックスリジッド配線板１０の第２面１０Ｓ側のソルダーレジスト層６７Ｓには、最外のビルドアップ導体層５３Ｓの一部を露出させる開口６８Ｓが複数形成されている。そして、それら複数の開口６８Ｓによって、主リジッド部１２Ａの表裏の他方側の第２面１２ＡＳに、最外のビルドアップ導体層５３Ｓの一部を露出させてなる電子部品実装用の実装パッド４１Ｓが複数形成され、副リジッド部１２Ｂの表裏の他方側の第２面１２ＢＳに、最外のビルドアップ導体層５３Ｓの一部を露出させてなる実装パッド４３Ｓが複数形成される。なお、本実施形態では、実装パッド４１Ｆにより本発明の「第１パッド」が構成され、実装パッド４１Ｓにより本発明の「第２パッド」が構成されている。
【００１６】
図２に示すように、主リジッド部１２Ａの表裏の両面に形成される複数の実装パッド４１Ｆ，４１Ｓは、グリッド状に配列されている（図２には、実装パッド４１Ｆのみが示されている。）。実装パッド４１Ｆのピッチ及び実装パッド４１Ｓのピッチは、２５０〜５００μｍになっている。ここで、上述したように、可撓性基材１５の両側部は、主リジッド部１２Ａ及び副リジッド部１２Ｂに入り込んでいる（図２では、可撓性基材１５の両側部が点線で示されている。）。そして、主リジッド部１２Ａを厚さ方向から見たときに、可撓性基材１５の主リジッド１２Ａ側の端部は、実装パッド４１Ｆが配列されている配列領域Ｒ１の外側に配置されている。
【００１７】
図１に示すように、フレックスリジッド配線板１０の第１面１０Ｆ側の実装パッド４１Ｆの一部は、可撓性基材１５の第１配線層２４Ｆを介して、副リジッド部１２Ｂに接続され、残りの実装パッド４１Ｆが、フレックスリジッド配線板１０の第２面１０Ｓ側の実装パッド４１Ｓに接続される。具体的には、図１及び図２に示すように、実装パッド４１Ｆのうち配列領域Ｒ１の外周部に配置される外側パッド４１ＦＡが、副リジッド部１２Ｂに接続され、実装パッド４１Ｆのうち外側パッド４１ＦＡよりも配列領域Ｒ１の内側に配置される内側パッド４１ＦＢが、実装パッド４１Ｓに接続される。なお、図２の例では、実装パッド４１Ｆが配列される配列領域Ｒ１と、内側パッド４１ＦＢが配列される内側領域Ｒ２とが、共に、四角形状に示されている。
【００１８】
図１に示すように、外側パッド４１ＦＡと第１配線層２４Ｆとの間を接続する配線４５は、ビルドアップ導体層５３Ｆの一部に配線パターンを形成することで構成される。図３に示すように、配線４５は、内側パッド４１ＦＢが配列される内側領域Ｒ２の外側に配置されていて、内側パッド４１ＦＢ同士の間を通らないようになっている。
【００１９】
図１に示すように、実装パッド４１Ｆと実装パッド４１Ｓとは、主リジッド部１２の厚さ方向に延びるスタックビア４２を介して接続される。スタックビア４２は、非可撓性基材３０を貫通するビア導体３３と、ビルドアップ絶縁層５１Ｆ，５７Ｆ，６３Ｆを貫通する複数のビア導体５４Ｆと、ビルドアップ絶縁層５１Ｓ，５７Ｓ，６３Ｓを貫通する複数のビア導体５４Ｓと、を直線状に積み重ねて形成されている。
【００２０】
主リジッド部１２Ａの第１面１２ＡＦには、能動部品９０が実装され、この能動部品９０に実装パッド４１Ｆが接続される。また、主リジッド部１２Ａの第２面１２ＡＳには、受動部品９１が実装され、この受動部品９１に実装パッド４１Ｓが接続される。そして、図４に示すように、フレックスリジッド配線板１０と、能動部品９０と、受動部品９１とで、本発明に係る半導体モジュール１００が形成される。能動部品９０は、実装パッド４１Ｆのうち内側パッド４１ＦＢ（図１参照）を介して、受動部品９１に接続されると共に、外側パッド４１ＦＡ（図１参照）を介して、副リジッド部１２Ｂに接続され、さらに、副リジッド部１２Ｂ内に形成される配線（図示せず）によって実装パッド４３Ｆ，４３Ｓに接続される。なお、実装パッド４３Ｆ，４３Ｓには、コネクタ等の電子部品９３が実装されてもよい。能動部品９０の例としては、半導体素子やＩＣ等が挙げられるが、本実施形態では、ＩＣである。受動部品９１の例としては、チップコンデンサ、インダクタ、抵抗、圧電素子等が挙げられる。
【００２１】
フレックスリジッド配線板１０の構造に関する説明は以上である。次に図５〜図１３に基づいて、フレックスリジッド配線板１０の製造方法について説明する。
【００２２】
フレックスリジッド配線板１０は、以下のように製造される。
（１）図５（Ａ）に示すように、絶縁基材２１Ｋの上面に銅箔２１Ｃが積層されたキャリア２１が、支持基板２３上に積層される。なお、絶縁基材２１Ｋと銅箔２１Ｃとの間、及び、キャリア２１（絶縁基材２１Ｋ）と支持基板２３との間には、図示しない接着層が形成され、絶縁基材２１Ｋと銅箔２１Ｃとの間の接着力は、キャリア２１（絶縁基材２１Ｋ）と支持基板２３との間の接着力よりも弱くなっている。
【００２３】
（２）銅箔２１Ｃ上に、無電解めっき処理、めっきレジスト処理、電解めっき処理が行われて、めっきレジストの非形成部に所定パターンの第１配線層２４Ｆと第１中間導体層３２Ｆとが形成される（図５（Ｂ）参照）。このとき、第１中間導体層３２Ｆは、キャリア２１の両端部の上に配置され、第１配線層２４Ｆは、キャリア２１の中央寄り部分の上に配置される。
【００２４】
（３）図５（Ｃ）に示すように、樹脂フィルム２５Ｋの両面に接着層２５Ａを積層してなる可撓性中間基材２５が準備されると共に、非可撓性中間基材３１，３１が、可撓性中間基材２５を受容可能な隙間を空けて配置される。なお、可撓性中間基材２５の厚さと非可撓性中間基材３１の厚さは略同じになっている。
【００２５】
（４）図６（Ａ）に示すように、キャリア２１上に、可撓性中間基材２５が第１面２５Ｆ側から積層されると共に、非可撓性中間基材３１，３１が第１面３１Ｆ側から積層され、さらに、非可撓性中間基材３１,３１の第２面３１Ｓ,３１Ｓ上と、可撓性中間基材２５の第２面２５Ｓ上とに銅箔３４が積層されて、プレスが行われる。このとき、可撓性中間基材２５は、第１配線層２４Ｆ上に配置され、非可撓性中間基材３１，３１は、水平方向で可撓性中間基材２５を挟むように配置される。また、第１配線層２４Ｆ及び第１中間導体層３２Ｆは、可撓性中間基材２５及び非可撓性中間基材３１，３１にめり込む。
【００２６】
（５）レーザ加工によって、非可撓性中間基材３１，３１及び銅箔３４に第１中間導体層３２Ｆを露出させる開口３５が形成される。そして、無電解めっき処理、めっきレジスト処理、電解めっき処理が行われ、図６（Ｂ）に示すように、めっきレジストの非形成部分に第２配線層２４Ｓ及び第２中間導体層３２Ｓが形成されると共に、開口３５内にビア導体３３が形成される。なお、第２配線層２４Ｓは、非可撓性中間基材３１，３１同士を連絡する線状に複数形成され（図２参照）、第２配線層２４Ｓの両端部が非可撓性中間基材３１，３１の第２面３１Ｓ，３１Ｓ上に配置される。
【００２７】
（６）図７（Ａ）に示すように、キャリア２１の絶縁基板２１Ｋと、支持基材２３とが剥離され、非可撓性中間基材３１の第１面３１Ｆ側に銅箔２１Ｃが露出する。
【００２８】
（７）図７（Ｂ）に示すように、エッチング処理によって、銅箔２１Ｃ及び銅箔３４が除去される。このとき、第２配線層２４Ｓ及び第２中間導体層３２Ｓは、可撓性中間基材２５の第２面２５Ｓ及び非可撓性中間基材３１の第２面３１Ｓから突出し、第１配線層２４Ｆ及び第１中間導体層３２Ｆは、可撓性中間基材２５及び非可撓性中間基材３１内に埋設される。
【００２９】
（８）第１配線層２４Ｆの中間部に接着層８１Ｆを介してカバーレイ８０Ｆが積層されると共に、第２配線層２４Ｓの中間部に接着層８１Ｓを介してカバーレイ８０Ｓが積層され、さらに、非可撓性中間基材３１の第１面３１Ｆ側と第１配線層２４Ｆの両端部とに、プリプレグからなるビルドアップ絶縁層５１Ｆが積層されると共に、非可撓性中間基材３１の第２面３１Ｓ側と第２配線層２４Ｓの両端部とに、ビルドアップ絶縁層５１Ｓが積層される。そして、ビルドアップ絶縁層５１Ｆ，５１Ｓ上に銅箔５２Ｆ，５２Ｓが積層される（図８（Ａ）参照）。
【００３０】
（９）レーザ加工によって、ビルドアップ絶縁層５１Ｆに、第１配線層２４Ｆ及び第１中間導体層３２Ｆを露出させる開口５５Ｆが形成されると共に、ビルドアップ絶縁層５１Ｓに、第２中間導体層３２Ｓを露出させる開口５５Ｓが形成され、上記（５）〜（７）の工程と同様にして、ビア導体５４Ｆ，５４Ｓと、ビルドアップ導体層５３Ｆ，５３Ｓが形成される（図８（Ｂ）参照）。
【００３１】
（１０）図９（Ａ）に示すように、カバーレイ８０Ｆ上にソルダーレジスト層８４Ｆが形成されると共に、ソルダーレジスト層８４Ｆ上に剥離層８６Ｆが形成され、さらに、カバーレイ８０Ｓ上にソルダーレジスト層８４Ｓが形成されると共に、ソルダーレジスト層８４Ｓ上に剥離層８６Ｓが形成される。
【００３２】
（１１）図９（Ｂ）に示すように、ソルダーレジスト層８４Ｆ及び剥離層８６Ｆの水平方向両側にビルドアップ絶縁層５７Ｆが形成されると共に、ソルダーレジスト層８４Ｓ及び剥離層８６Ｓの水平方向両側にビルドアップ絶縁層５７Ｓが形成され、それらビルドアップ絶縁層５７Ｆ，５７Ｓ上に銅箔６２Ｆ，６２Ｓが積層される。
【００３３】
（１２）上記（９）の工程と同様にして、ビルドアップ絶縁層５７Ｆ，５７Ｓに開口５５Ｆ，５５Ｓが形成されると共に、ビルドアップ絶縁層５７Ｆ，５７Ｓを貫通するビア導体５４Ｆ，５４Ｓが形成され、ビルドアップ絶縁層５７Ｆ，５７Ｓ上にビルドアップ導体層５３Ｆ，５３Ｓが形成される。また、剥離層８６Ｆ，８６Ｓ上には、端部に銅箔６２Ｆ，６２Ｓを露出させた状態で剥離用導体６１Ｆ，６１Ｓが形成される（図１０参照）。
【００３４】
（１３）ビルドアップ導体層５３Ｆ，５３Ｓ上と、剥離用導体６１Ｆ．６１Ｓ上とに、ビルドアップ絶縁層６３Ｆ，６３Ｓと、銅箔６４Ｆ，６４Ｓが積層される。そして、レーザ加工によって、ビルドアップ絶縁層６３Ｆ，６３Ｓに、ビルドアップ導体層５３Ｆ，５３Ｓを露出させる開口５５Ｆ，５５Ｓが形成されると共に、剥離用導体６１Ｆ，６１Ｓの外周の銅箔６２Ｆ，６２Ｓを露出させるスリット６６Ｆ，６６Ｓが形成される（図１１参照）。
【００３５】
（１４）上記（９）の工程と同様に、ビルドアップ絶縁層６３Ｆ，６３Ｓを貫通するビア導体５４Ｆ，５４Ｓが形成され、ビルドアップ絶縁層６３Ｆ，６３Ｓ上にビルドアップ導体層５３Ｆ，５３Ｓが形成される。また、スリット６６Ｆ，６６Ｓの底部から剥離層８６Ｆ，８６Ｓの外側にはみ出す銅箔６２Ｆ，６２Ｓが除去される（図１２参照）。なお、このとき、可撓性中間基材２５に対して左右方向の一方側（図１２の例では左側）に位置するビア導体３３には、複数のビア導体５４Ｆと複数のビア導体５４Ｓとが厚さ方向に重ねて接続され、それらビア導体３３，５４Ｆ，５４Ｓによってスタックビア４２が形成される。
【００３６】
（１５）図１３に示すように、ソルダーレジスト層８４Ｆ，８４Ｓ上の剥離層８６Ｆ，８６Ｓ及びスリット６６Ｆ，６６Ｓの内側に位置するビルドアップ絶縁層６３Ｓ，６３Ｆが除去される。このとき、非可撓性中間基材２５、カバーレイ８０Ｆ，８０Ｓ及びソルダーレジスト層８４Ｆ，８４Ｓを備える可撓性基材１５の一部が露出し、その露出部分によってフレックス部１１が形成される。
【００３７】
（１６）ビルドアップ絶縁層６３Ｆ，６３Ｓ上にソルダーレジスト層６７Ｆ，６７Ｓ（図１参照）が形成されて、フレックス部１１に対して左右方向の一方側に、スタックビア４２を有する主リジッド部１２Ａが形成されると共に、フレックス部１１を挟んで主リジッド部１２Ａと反対側に、副リジッド部１２Ｂが形成される。そして、ソルダーレジスト層６７Ｆ，６７Ｓに開口６８Ｆ，６８Ｓが形成されて、主リジッド部１２Ａにおける最外のビルドアップ導体層５３Ｆ，５３Ｓの一部が第１パッド４１Ｆ及び第２パッド４１Ｓとして露出し、副リジッド部１２Ｂにおける最外のビルドアップ導体層５３Ｆ，５３Ｓの一部が実装パッド４３Ｆ，４３Ｓとして露出する。以上により、図１に示したフレックスリジッド配線板１０が完成する。
【００３８】
本実施形態のフレックスリジッド配線板１０の構造及び製造方法に関する説明は以上である。次に、フレックスリジッド配線板１０の作用効果について説明する。
【００３９】
本実施形態のフレックスリジッド配線板１０によれば、主リジッド部１２Ａを厚さ方向から見たときに、可撓性基材１５が実装パッド４１Ｆ，４１Ｓの配列領域Ｒ１の外側に配置されているので、主リジッド部１２Ａの表側と裏側に実装される電子部品９０，９１同士を接続する配線の位置合わせが容易となり、電子部品９０，９１同士を高密度に接続することが可能となる。しかも、実装パッド４１Ｆ，４１Ｓがグリッド状に配列されているので、電子部品９０，９１同士の接続をより高密度にすることが可能となる。
【００４０】
また、本実施形態のフレックスリジッド配線板１０では、実装パッド４１Ｆと実装パッド４１Ｓとが、非可撓性基材３０を貫通するビア導体３３と、ビルドアップ層５０Ｆ，５０Ｓを貫通するビア導体５４Ｆ，５４Ｓを重ねて接続してなるスタックビア４２を介して接続されているので、第１パッド４１Ｆと第２パッド４１Ｓを接続する配線の距離を短くすることが可能となる。
【００４１】
さらに、本実施形態のフレックスリジッド配線板１０では、複数の第１パッド４１のうち、副リジッド部１２Ｂに接続される外側パッド４１ＦＡは、第１パッド４１Ｆの配列領域Ｒ１の外周部に配置され、外側パッド４１ＦＡと副リジッド部１２Ｂとの間を接続する配線４５は、第２パッド４１Ｓに接続される内側パッド４１ＦＢが配列される内側領域Ｒ２の外側に配置されているので、内側パッド４１ＦＢ同士の間を配線４５が通らなくなり、複数の内側パッド４１ＦＢのピッチを小さくして、内側パッド４１ＦＢの高密度化が可能となる。
【００４２】
［他の実施形態］
本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、例えば、以下に説明するような実施形態も本発明の技術的範囲に含まれ、さらに、下記以外にも要旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施することができる。
【００４３】
（１）上記実施形態では、実装パッド４１Ｆ，４１Ｓの配列領域Ｒ１及び内側パッド４１ＦＢが配列される内側領域Ｒ２が四角形状であったが、それら領域Ｒ１，Ｒ２の形状は、特に限定されることなく、例えば、円形状であっても十字形状であってもよい。また、配列領域Ｒ１と内側領域Ｒ２とは、異なる形状であってもよい。
【００４４】
（２）上記実施形態では、上記実施例では、可撓性中間基材２５と非可撓性中間基材３１とをほぼ同一の厚さとしたが、例えば、可撓性中間基材２５を非可撓性中間基材３１よりも薄くしてもよい。この場合、可撓性中間基材２５と、ビルドアップ絶縁層５１Ｆ，５１Ｓとの間の空隙は、任意の樹脂、例えば、ビルドアップ絶縁層５１Ｆ，５１Ｓから滲み出た樹脂や、製造時に、高さ調整のために予め挿入される樹脂にて充填される。
【００４５】
（３）上記実施形態の例では、可撓性中間基材２５は、ほぼ均一の幅に形成されていたが、フレックス部１１を構成する部分（露出する部分）が幅広に形成されてもよい。
【００４６】
（４）上記実施形態では、副リジッド部１２Ｂの表裏の両面に実装パッド４３Ｆ，４３Ｓが形成されていたが、片面にのみ形成されていてもよい。
【００４７】
（５）上記実施形態のフレックスリジッド配線板１０及び半導体モジュール１００では、主リジッド部１２Ａの側方にフレックス部１１と副リジッド部１２Ｂを１つずつ備える構成であったが、例えば、図１４に示すフレックスリジッド配線板１０Ｖ及び半導体モジュール１００Ｖのように、フレックス部１１と副リジッド部１２Ｂを複数ずつ備える構成であってもよい（図１４には、フレックス部１１及び副リジッド部１２Ｂを２つずつ備える例が示されている。）。
【符号の説明】
【００４８】
１０，１０Ｖ    フレックスリジッド配線板
１１    フレックス部
１２Ａ    主リジッド部
１２Ｂ    副リジッド部
１５    可撓性基材
３０    非可撓性基材
３３    ビア導体
４１Ｆ    実装パッド（第１パッド）
４１Ｓ    実装パッド（第２パッド）
４２    スタックビア
５０    ビルドアップ層
５４Ｆ，５４Ｓ    ビア導体
９０    能動部品
９１    受動部品
１００，１００Ｖ    半導体モジュール
Ｒ１    配列領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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