(57)【要約】【課題】長期使用時においても高品位な画像を得られる画像形成方法。【解決手段】帯電工程と、静電潜像形成工程と、現像工程と、転写工程と、クリーニング工程とを有する画像形成方法において、該静電荷像担持体は、少なくとも光導電層と、水素化アモルファスシリコンカーバイトで構成された表面層とを順次積層した感光体であり、該表面層におけるケイ素原子の原子数と炭素原子の原子数との和に対する炭素原子の原子数の比（Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ））が０．５０以上０．６５以下であり、該表面層におけるケイ素原子の原子密度と炭素原子の原子密度との和が６．６０×１０２２ａｔｏｍｓ／ｃｍ3以上であり、該表面層の欠陥密度が９．０×１０１８ｓｐｉｎｓ/ｃｍ3以上２．２×１０１９ｓｐｉｎｓ／ｃｍ3以下であり、該トナーのタップ密度ρが、０．６０ｇ／ｃｍ３以上０．８０ｇ／ｃｍ３以下である。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
静電荷像担持体を帯電部材により帯電させる帯電工程と、帯電された該静電荷像担持体に静電潜像を形成させる静電潜像形成工程と、トナーと磁性キャリアを含む現像剤により該静電潜像を現像し、トナー像を形成する現像工程と、該静電荷像担持体の表面に形成された該トナー像を、中間転写体を介して又は介さずに記録媒体上に転写する転写工程と、転写後の該静電荷像担持体の表面をクリーニング部材でクリーニングするクリーニング工程とを有する画像形成方法において、
該静電荷像担持体は、少なくとも光導電層と、水素化アモルファスシリコンカーバイトで構成された表面層とを順次積層した感光体であり、
該表面層におけるケイ素原子の原子数（Ｓｉ）と炭素原子の原子数（Ｃ）との和に対する炭素原子の原子数（Ｃ）の比（Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ））が、０．５０以上０．６５以下であり、
該表面層におけるケイ素原子の原子密度と炭素原子の原子密度との和が、６．６０×１０２２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上であり、
該表面層の電子スピン共鳴測定によって求められる欠陥密度が、９．０×１０１８ｓｐｉｎｓ／ｃｍ３以上２．２×１０１９ｓｐｉｎｓ／ｃｍ３以下であり、
該トナーのタップ密度ρが、０．６０ｇ／ｃｍ３以上０．８０ｇ／ｃｍ３以下であることを特徴とする画像形成方法。
【請求項２】
前記トナーの最大圧密応力１０．０ｋＰａ時における単軸崩壊応力が、２．５ｋＰａ以上３．５ｋＰａ以下である請求項１に記載の画像形成方法。
【請求項３】
前記トナーが、トナー粒子表面に、一次粒子の個数平均粒子径８０μｍ以上５００μｍ以下の大粒径微粒子を分散させ、熱風による表面処理により該大粒径微粒子をトナー粒子表面に固着させて得られたトナーである請求項１又は２に記載の画像形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複写機、ファクシミリ、プリンタ、及びこれらの機能を複数備えた複合機などの画像形成装置における電子写真方式、静電記録方式、静電印刷方式に用いられる画像形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子写真方式を用いた複写機などの画像形成装置では、種々の手段により静電画像担持体上（以下感光体とも表記する）に静電潜像を形成させ、該静電潜像にトナーを現像して可視化する。得られたトナー画像は、必要に応じて中間転写体を介して紙などの記録媒体上に転写され、熱／圧力により記録媒体上のトナー画像を定着して出力画像を得る方法が知られている。
近年、電子写真装置は高速化及びカラー化に伴い、今まで以上に高画質な画像を安定して出力することが求められており、トナーと磁性キャリアを現像剤として用いる二成分現像方式が好ましい。また、特にＰＯＤ市場においては画像品質だけでなく、長期間にわたり安定した出力を可能にする耐久性に優れた製品が要求されている。そこで、感光体や現像剤の耐久性を向上させることが急務となっている。
【０００３】
例えば感光体においては、光導電層に水素化アモルファスシリコン（以下ａ−Ｓｉとも表記する）を用いたａ−Ｓｉ感光体が知られている。耐摩耗性が高いａ−Ｓｉ感光体を用いることで感光体を長寿命化し、ランニングコストを抑える方法が知られている。
ａ−Ｓｉ感光体の構成例として、導電性基体上に下部電荷注入阻止層、光導電層、表面層を順に積層した構成が挙げられる。中でも、表面層の材料として水素化アモルファスシリコンカーバイド（以下ａ−ＳｉＣとも表記する）を適用したａ−Ｓｉ感光体が知られている。ａ−ＳｉＣ表面層は耐摩耗性に優れていることから、主にプロセススピードの速い電子写真装置で用いられている。
従来、ａ−ＳｉＣ表面層は、耐摩耗性を優先して設計されることが多く、ａ−ＳｉＣ表面層を構成しているケイ素原子の原子数（Ｓｉ）と炭素原子の原子数（Ｃ）との和に対する炭素原子の原子数（Ｃ）の比率（Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ））が高い組成が選択される場合が多い。Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ）が高くなるほど、炭素原子同士の結合が増え、炭素原子の二重結合も増える傾向がある。その結果、Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ）が高いａ−ＳｉＣ表面層は光透過の観点では不利となり、光導電層へ到達する光が減少して電子写真感光体の感度低下を生じる。また、ａ−ＳｉＣ表面層の光透過が低い場合には、ａ−ＳｉＣ表面層の摩耗量に対する感度変動が大きくなることから、ａ−ＳｉＣ表面層の摩耗むらが発生した場合、感光体の感度むらが生じて画像濃度むらの原因にもなる。
【０００４】
また、ａ−ＳｉＣ表面層は、絶対湿度の高い環境下で使用した場合に、文字がぼけたり、文字が印字されずに白抜けが生じたりする「高湿流れ」が発生する場合があった。高湿流れとは、絶対湿度の高い環境下に設置された電子写真装置を用いて画像を出力し、しばらく時間をあけた後、再び画像を出力すると、出力画像において、文字がぼけたり、文字が印字されずに白抜けが生じたりするという画像不良のことである。高湿流れは、電子写真感光体の表面に水分が吸着することによって表面の抵抗が低下し、電荷が横流れを起こすために発生すると考えられている。特許文献１によれば、Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ）が０．６１以上０．７５以下とし、表面層におけるケイ素原子の原子密度と炭素原子の原子密度との和が６．６０×１０２２ａｔｏｍｓ/ｃｍ3以上とすることで、耐高湿流れ性（高湿流れ抑制効果）と耐摩耗性の両立が図られている。
さらに、ａ−ＳｉＣ表面層による光透過を改善する目的で、Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ）を比較的低く設定し、特許文献１に開示された技術を用いて耐摩耗性を向上させた場合、ａ−Ｓｉ
Ｃ表面層のＣ原子とＳｉ原子との結合が切れた、欠陥密度が多くなる場合があった。ａ−ＳｉＣ表面層の欠陥密度が多いａ−Ｓｉ感光体を２成分現像の電子写真装置に適用した場合、現像工程において現像スリーブから電子写真感光体へ磁性キャリア粒子を介して電荷注入が発生し、画像ボケが生じる場合があった。
【０００５】
また、画像形成工程において、転写工程後、トナーやトナーに含まれる無機微粉体などが感光体上に残った場合には、帯電工程で帯電装置が転写残トナーにより汚染され帯電が阻害されたり、均一な帯電ができなくなる問題がある。そこで、クリーニング部材による感光体のクリーニングが行われる。クリーニング工程としては、例えばファーブラシやウエブを使った方式が知られているが、低コストでクリーニング性能の高いブレード方式が好ましく用いられる。例えば、ゴムなどの弾性体でつくられたブレード状のクリーニング部材を感光体に押し当て、感光体上の転写残トナーなどをせき止めて回収する方法である。特に接触帯電装置を使用する場合には、転写残トナーなどによる帯電装置の汚染を防ぐため、非接触帯電装置の場合よりもより精密にクリーニングすることが必要な場合があり、クリーニング部材を感光体に強い圧力で押し当てることが必要になる場合がある。
耐摩耗性の高いａ−Ｓｉ感光体においては、クリーニング部材を強く押し当てた際に摩擦抵抗が高くなることがあり、特に低温低湿度の環境において、クリーニング部材の鳴きやびびりといった現象が起きやすい。そこで、潤滑性を有する無機微粉体を含有するトナーを用いることでクリーニング部材が強い圧力で押し当てられても、鳴き・びびりを抑制する提案がなされている（特許文献２）。しかしながら、さらなる長寿命化を図るためにはクリーニング部材を押し当てる圧力はできるだけ小さくし、感光体表面層の研磨は最少に抑えることがより好ましい。
【０００６】
一方、現像剤は現像器内で高速で撹拌されるため、トナー同士の接触や部材との擦れが発生し強い力を受け、トナー表面の外添剤が離脱したり、トナー表面に埋め込まれたりすることで現像剤は劣化する。その結果、現像性低下による耐久使用時の画像濃度低下や、トナー付着性が高まることによる転写性の低下が発生する。そこで、劣化を抑制し長寿命化を図るため様々な改良がなされている。例えば、トナー形状を球形化して接触面積を減らし流動性を高めたり、大粒径の無機微粒子を大量に添加してスペーサー効果により外添剤の埋め込みを低減させ、高い転写性を有するトナーが提案されている。
このような形状が丸く、流動性の高いトナーをクリーニングする際、クリーニング部材を押し当てる圧力が小さい場合、ブレードからのトナーのすり抜けが発生しやすくなる。さらに、低印字原稿を出力し続けた場合には、転写性が良好なため残トナーや無機微粒子のブレード部への供給が減少するために、研磨ムラが発生したり、摩擦抵抗が高まり鳴きやびびりが発生する場合があった。
以上のように、耐摩耗性に優れるａ−Ｓｉ感光体と高い転写性を有するトナーを用いて、さらなる長寿命化のためには、クリーニング部材を押し付ける圧力を小さくし研磨力を抑制することが必要である。そして、前述のようなクリーニング部材の鳴きやびびり、トナーのすり抜けが発生せず、また感光体の摩耗ムラがなく、幅広い使用環境において高画質な画像を長期間にわたり出力し続けることは、従来の技術では困難であった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２０１０−４９２４１号公報
【特許文献２】特開２０１０−３２５９８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、上記課題を解決することを目的とする。すなわち、長期使用時においても、高品位な画像を得られる画像形成方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、静電荷像担持体を帯電部材により帯電させる帯電工程と、帯電された該静電荷像担持体に静電潜像を形成させる静電潜像形成工程と、トナーと磁性キャリアを含む現像剤により該静電潜像を現像し、トナー像を形成する現像工程と、該静電荷像担持体の表面に形成された該トナー像を、中間転写体を介して又は介さずに記録媒体上に転写する転写工程と、転写後の該静電荷像担持体の表面をクリーニング部材でクリーニングするクリーニング工程とを有する画像形成方法において、
該静電荷像担持体は、少なくとも光導電層と、水素化アモルファスシリコンカーバイトで構成された表面層とを順次積層した感光体であって、
該表面層におけるケイ素原子の原子数（Ｓｉ）と炭素原子の原子数（Ｃ）との和に対する炭素原子の原子数（Ｃ）の比（Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ））が、０．５０以上０．６５以下であり、
該表面層におけるケイ素原子の原子密度と炭素原子の原子密度との和が、６．６０×１０２２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上であり、
該表面層の電子スピン共鳴測定によって求められる欠陥密度が、９．０×１０１８ｓｐｉｎｓ／ｃｍ３以上２．２×１０１９ｓｐｉｎｓ／ｃｍ３以下であり、 
該トナーのタップ密度ρが、０．６０ｇ／ｃｍ３以上０．８０ｇ／ｃｍ３以下であることを特徴とする画像形成方法に関する。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、長期使用時においても、高品位な画像を得られる画像形成方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明に係る電子写真感光体の模式断面図
【図２】本発明に用いることができる電子写真装置の模式断面図
【図３】電子写真感光体を作製できる成膜装置の概略図
【図４】画像メモリ評価に用いたチャートの模式図
【図５】本発明に用いられる熱球形化処理装置の図
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明を実施するための形態を詳細に説明する。但し、この実施の形態に記載されている構成要素の材質及び形状、その他の数値などは、特に特定的な記載がない限りは、この発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではない。
【００１３】
本発明の画像形成方法は、静電荷像担持体を帯電部材により帯電させる帯電工程と、帯電された該静電荷像担持体に静電潜像を形成させる静電潜像形成工程と、トナーと磁性キャリアを含む現像剤により該静電潜像を現像し、トナー像を形成する現像工程と、該静電荷像担持体の表面に形成された該トナー像を、中間転写体を介して又は介さずに記録媒体上に転写する転写工程と、転写後の該静電荷像担持体の表面をクリーニング部材でクリーニングするクリーニング工程とを有する画像形成方法において、
該静電荷像担持体は、少なくとも光導電層と、水素化アモルファスシリコンカーバイトで構成された表面層とを順次積層した感光体であって、
該表面層におけるケイ素原子の原子数（Ｓｉ）と炭素原子の原子数（Ｃ）との和に対する炭素原子の原子数（Ｃ）の比（Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ））が、０．５０以上０．６５以下であり、
該表面層におけるケイ素原子の原子密度と炭素原子の原子密度との和が、６．６０×１０２２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上であり、
該表面層の電子スピン共鳴測定によって求められる欠陥密度が、９．０×１０１８ｓｐ
ｉｎｓ／ｃｍ３以上２．２×１０１９ｓｐｉｎｓ／ｃｍ３以下であり、
該トナーのタップ密度ρが、０．６０ｇ／ｃｍ３以上０．８０ｇ／ｃｍ３以下であることを特徴とする。 
【００１４】
［画像形成方法の説明］
［電子写真感光体］
まず、本発明を適用した電子写真感光体の層構成について説明する。
図１（Ａ）は、ａ−Ｓｉ感光体の層構成を示す模式図である。基体１０１上に下部電荷注入阻止層１０２、光導電層１０３、表面層１０４が順次積層されている。個の層構成は主に正帯電用のａ−Ｓｉ感光体に適用される。
図１（Ｂ）は、光導電層１０３、表面層１０４の間に中間層１０５を設けたａ−Ｓｉ感光体の層構成を示す模式図である。中間層１０５に電荷阻止能を付与することによって負帯電用のａ−Ｓｉ感光体にも適用できる。
図１（Ｃ）は、光導電層１０３、表面層１０４の間に複数の中間層１０６を設けたａ−Ｓｉ感光体の層構成の模式図である。この構成も複数の中間層１０６のいずれかに電荷阻止能を付与することによって負帯電用のａ−Ｓｉ感光体にも適用できる。
図１（Ｄ）は、光導電層１０３、表面層１０４の間に変化層１０７を設けたａ−Ｓｉ感光体の層構成の模式図である。この構成も変化層１０７の一部分に電荷阻止能を付与することによって負帯電用のａ−Ｓｉ感光体にも適用できる。
【００１５】
次に、前述した層構成の電子写真感光体を構成する各層及び基体について説明する。
（表面層）
表面層は、ａ−ＳｉＣ表面層におけるケイ素原子の原子数（Ｓｉ）と炭素原子の原子数（Ｃ）との和に対する炭素原子の原子数（Ｃ）の比（Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ））が０．５０以上０．６５以下であり、前記表面層におけるケイ素原子の原子密度と炭素原子の原子密度との和が６．６０×１０２２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上であり、前記表面層の電子スピン共鳴測定によって求められる欠陥密度が９．０×１０１８ｓｐｉｎｓ／ｃｍ３以上２．２×１０１９ｓｐｉｎｓ／ｃｍ３以下である。
まず、感光体の感度特性を向上させるためには、ａ−ＳｉＣ表面層の光透過率を高くして光導電層に到達する光量を増やすことが重要である。そのためには、表面層を構成しているａ−ＳｉＣのＣ／（Ｓｉ＋Ｃ）を０．５０以上０．６５以下の範囲にすることによって、ａ−ＳｉＣ表面層の光学的バンドギャップが広くなり、光透過率を向上させることができる。特に、Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ）を０．５５以上０．６３以下とすることが好ましい。
【００１６】
次に、ａ−ＳｉＣ表面層は、画像出力の際に繰り返し帯電されることによって、最表面が酸化されて極性基が生成される。極性基が生成されると表面自由エネルギーが増大するため、水分の吸着量が増大する。表面に吸着した水分は表面抵抗を低抵抗化するため、高湿流れが発生する。つまり、耐高湿流れ性を向上させるためには、ａ−ＳｉＣ表面層の酸化を抑制することが有効である。ａ−ＳｉＣ表面層の酸化を抑制するためには、ａ−ＳｉＣ表面層におけるケイ素原子の原子密度と炭素原子の原子密度との和（Ｓｉ＋Ｃ原子密度）を６．６０×１０２２（ａｔｏｍｓ／ｃｍ3）以上とすることによって、ａ−ＳｉＣ表
面層の骨格を形成するケイ素原子と炭素原子の結合力が強まり、耐酸化性が向上する。該原子密度の和（Ｓｉ＋Ｃ原子密度）は、６．６０×１０２２（ａｔｏｍｓ／ｃｍ３）以上１３．０×１０２２（ａｔｏｍｓ／ｃｍ３）以下であることが好ましい。
【００１７】
また、ａ−ＳｉＣ表面層の欠陥密度に応じてａ−ＳｉＣ表面層の抵抗率が変化して画像解像度に影響を及ぼす。ａ−ＳｉＣ表面層の欠陥密度が多くなると抵抗率が小さくなり、極端に抵抗率が低くなると潜像を形成している電荷が横流れを引き起こして画像ボケの原因になる。一方、ａ−ＳｉＣ表面層の欠陥密度が少なくなり過ぎると抵抗率が大きくなり、表面層膜厚を厚膜化した場合には表面層の抵抗が顕著に増大するため、画像メモリの原
因になる。つまり、画像解像度と画像メモリを両立するためには欠陥密度を適正な範囲に設定する必要がある。
さらに、ａ−ＳｉＣ表面層の感光体を、二成分現像剤を用いた電子写真装置に適用した場合、ａ−ＳｉＣ表面層の欠陥密度は単に表面層の抵抗率へ影響を及ぼすだけでなく、現像工程において電荷注入を発生させる原因にもなる。ａ−ＳｉＣ表面層の欠陥密度が多くなるほど、現像スリーブから電子写真感光体に磁性キャリア粒子を介した電荷注入が増大し、画像ボケの原因となる。検討の結果、ａ−ＳｉＣ表面層の電子スピン共鳴測定によって求められる欠陥密度を９．０×１０１８ｓｐｉｎｓ／ｃｍ３以上２．２×１０１９ｓｐｉｎｓ／ｃｍ３以下に制御することによって上記課題を解決できることを見出した。１．１×１０１９ｓｐｉｎｓ／ｃｍ３以上１．８×１０１９ｓｐｉｎｓ／ｃｍ３以下が好ましい。
【００１８】
（中間層）
ａ−ＳｉＣ表面層の光透過率を向上させた本発明では、ａ−ＳｉＣ表面層と光導電層の間にａ−ＳｉＣで構成された中間層を設けることが好ましい。
本発明では光透過率を向上させるために、Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ）を０．５０以上０．６５以下の範囲とし、ａ−ＳｉＣ表面層の光学的バンドギャップを広く設定している。すなわち、同じ光導電層のバンドギャップを変更しない限り、表面層と光導電層の光学的バンドギャップの差が大きくなる。光学的バンドギャップの差が大きくなるとバンドの不整合が大きくなる傾向が有り、表面層と光導電層の層間で電荷の移動がスムーズではなくなる。例えば、露光により光導電層で発生した光キャリアが表面層と光導電層の界面の光導電層側にトラップされた場合、光導電層の抵抗が低いため、光キャリアが横流れして画像ボケが生じる場合が考えられる。
【００１９】
そのような場合、ａ−ＳｉＣの組成を適正化した中間層を設けることによって、露光により発生した光キャリアを表面層まで移動しやすくできる。そうすることで、前述の課題を解消できる。そのためには、ａ−ＳｉＣ中間層の（Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ））をａ−ＳｉＣ表面層のＣ／（Ｓｉ＋Ｃ）よりも低く設定することが好ましい。
もちろん、ａ−ＳｉＣ中間層を複数層に設けたり、ａ−ＳｉＣ中間層の（Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ））を連続的に変化させた変化層を設けたりしてもよい。この場合、光導電層からａ−ＳｉＣ表面層までａ−ＳｉＣ中間層の（Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ））が単調増加するように構成することが好ましい。単調増加とは（Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ））が光導電層から表面層に向かって実質的に下がっている領域を有さないことである。
【００２０】
また、負帯電用の電子写真感光体の場合、中間層に電荷阻止能を付与することが帯電特性を得るために有効である。電荷阻止能を向上させるためにａ−ＳｉＣ中間層に周期表第１３族に属する原子を含有させることが有効である。周期表１３族に属する原子の中でも、ホウ素原子、アルミニウム原子、ガリウム原子が好ましい。なお、電荷阻止能を付与した中間層を、以下「上部阻止層」とも表記する。
【００２１】
（光導電層）
本発明において、光導電層は、電子写真特性上の性能を満足できる光導電特性を有するものであればいずれのものであってもよいが、耐久性、安定性の観点から、ａ−Ｓｉ光導電層が好ましい。
本発明において、光導電層としてａ−Ｓｉで構成された光導電層を用いる場合は、ａ−Ｓｉ中の未結合手を補償するため、水素原子に加えて、ハロゲン原子を含有させることができる。
水素原子（Ｈ）及びハロゲン原子（Ｘ）の含有量の合計（Ｈ＋Ｘ）は、ケイ素原子（Ｓｉ）と水素原子（Ｈ）とハロゲン原子（Ｘ）との和（Ｓｉ＋Ｈ＋Ｘ）に対して１０原子％以上であることが好ましく、１５原子％以上であることがより好ましい。一方、３０原子
％以下であることが好ましく、２５原子％以下であることがより好ましい。
【００２２】
本発明において、光導電層には必要に応じて伝導性を制御するための原子を含有させることが好ましい。伝導性を制御するための原子は、光導電層中にまんべんなく均一に分布した状態で含有されていてもよいし、また、膜厚方向に不均一な分布状態で含有されている部分があってもよい。
伝導性を制御するための原子としては、半導体分野における、いわゆる不純物を挙げることができる。すなわち、ｐ型伝導性を与える周期表１３族に属する原子又はｎ型伝導性を与える周期表１５族に属する原子を用いることができる。周期表１３族に属する原子の中でも、ホウ素原子、アルミニウム原子、ガリウム原子が好ましい。周期表１５族に属する原子の中でも、リン原子、ヒ素原子が好ましい。
光導電層に含有される伝導性を制御するための原子の含有量は、ケイ素原子（Ｓｉ）に対して１×１０−２原子ｐｐｍ以上であることが好ましい。より好ましくは５×１０−２原子ｐｐｍ以上であり、１×１０−１原子ｐｐｍ以上であることがさらに好ましい。一方、上限は、１×１０４原子ｐｐｍ以下であることが好ましい。より好ましくは５×１０３原子ｐｐｍ以下であり、１×１０３原子ｐｐｍ以下であることがさらに好ましい。
【００２３】
本発明において、光導電層の膜厚は、所望の電子写真特性が得られること、経済的効果などの点から、１５μｍ以上であることが好ましく、２０μｍ以上であることがより好ましい。一方、６０μｍ以下であることが好ましく、５０μｍ以下であることがより好ましく、４０μｍ以下であることがさらに好ましい。光導電層の膜厚が１５μｍ未満であると、帯電部材への通過電流量が増大し、劣化が早まりやすい傾向がある。光導電層の膜厚が６０μｍを超えると、ａ−Ｓｉの異常成長部位が大きくなることがあり、具体的には、水平方向で５０〜１５０μｍ、高さ方向で５〜２０μｍとなり、表面を摺擦する部材へのダメージが無視できなくなる場合や、画像欠陥となる場合がある。
なお、光導電層は、単一の層で構成されてもよいし、複数の層（たとえば、電荷発生層と電荷輸送層）で構成されてもよい。
【００２４】
（下部電荷注入阻止層）
本発明においては、基体と光導電層との間に基体側からの電荷の注入を阻止する働きを有する電荷注入阻止層を設けることが好ましい。なお、下部電荷注入阻止層を、以下「下部阻止層」とも表記する。すなわち、下部阻止層は、電子写真感光体の表面が一定極性の帯電処理を受けた際、基体から光導電層への電荷の注入を阻止する機能を有する層である。このような機能を付与するために、下部阻止層には、光導電層を構成する材料をベースとしたうえで、伝導性を制御するための原子を光導電層に比べて比較的多く含有させることが好ましい。
【００２５】
伝導性を制御するために下部阻止層に含有させる原子は、電荷注入阻止層中にまんべんなく均一に分布した状態で含有されていてもよい。また、膜厚方向に不均一な分布状態で含有されている部分があってもよい。分布濃度が不均一な場合には、基体側に多く分布するように含有させるのが好適である。いずれの場合においても、伝導性を制御するための原子が基体の表面に対して平行面内方向に均一な分布で電荷注入阻止層に含有されることが、特性の均一化を図る上からも好ましい。
伝導性を制御するために電荷注入阻止層に含有させる原子としては、帯電極性に応じて周期表１３族又は１５族に属する原子を用いることができる。
さらに、下部阻止層には、炭素原子、窒素原子及び酸素原子のうち少なくとも１種の原子を含有させることにより、下部阻止層を基体との間の密着性を向上させることができる。
【００２６】
下部阻止層に含有される炭素原子、窒素原子及び酸素原子のうち少なくとも１種の原子
は、下部阻止層中にまんべんなく均一に分布した状態で含有されていてもよい。また、膜厚方向に均一に含有されてはいるが、面内方向に不均一に分布する状態で含有されている部分があってもよい。いずれの場合にも、伝導性を制御するための原子が基体の表面に対して平行面内方向に均一な分布で電荷注入阻止層に含有されることが、特性の均一化を図る上からも好ましい。
下部阻止層の膜厚は、所望の電子写真特性が得られること、経済的効果などの点から、０．１〜１０μｍであることが好ましく、０．３〜５μｍであることがより好ましく、０．５〜３μｍであることがよりさらに好ましい。膜厚を０．１μｍ以上にすることにより、基体からの電荷の注入阻止能を十分に有することができ、好ましい帯電能を得ることができる。一方、１０μｍ以下にすることにより、電荷注入阻止層形成時間の延長による製造コストの増加を防ぐことができる。
【００２７】
（基体）
基体は、導電性を有し、表面に形成される光導電層及び表面層を保持しうるものであれば特に限定されず、いずれのものであってもよい。基体の材質としては、たとえば、アルミニウム、鉄などの金属や、これらの合金などが挙げられる。なお、導電性を有する基体（導電性の基体）を、以下「導電性基体」とも表記する。
【００２８】
［本発明の電子写真感光体を適用した電子写真装置］
図２を用いてａ−Ｓｉ感光体を用いた電子写真装置による画像形成方法を説明する。
まず、電子写真感光体２０１を回転させ、電子写真感光体２０１の表面を主帯電器２０２により均一に帯電させる。その後、静電潜像形成手段（画像露光手段）２０３により電子写真感光体２０１の表面に画像露光光を照射し、電子写真感光体２０１の表面に静電潜像を形成した後、現像器２０４より供給されるトナーを用いて現像を行う。この結果、電子写真感光体２０１の表面にトナー像が形成される。そして、このトナー像を中間転写体２０５に転写し、中間転写体２０５から転写材（不図示）に２次転写して、定着手段（不図示）によりトナー像を転写材に定着させる。
一方、トナー像が転写された電子写真感光体２０１の表面に残留するトナーをクリーナー２０６により除去し、その後、電子写真感光体２０１の表面を前露光器２０７により露光することにより電子写真感光体２０１中の静電潜像時の残キャリアを除電する。この一連のプロセスを繰り返すことで連続して画像形成が行われる。
【００２９】
［本発明の電子写真感光体を製造するための製造装置及び製造方法］
本発明の電子写真感光体の製造方法は、前述した規定を満足する層を形成できるものであればいずれの方法であってもよい。具体的には、プラズマＣＶＤ法、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法などが挙げられる。これらの中でも、原料供給の容易さなどの点で、プラズマＣＶＤ法が好ましい。
【００３０】
以下に、プラズマＣＶＤ法を用いた製造装置及び製造方法について説明する。
図３は、本発明のａ−Ｓｉ感光体を作製するための高周波電源を用いたＲＦプラズマＣＶＤ法による電子写真感光体の堆積装置の一例を模式的に示した図である。
この堆積装置は、大別すると、反応容器３１１０を有する堆積装置３１００、原料ガス供給装置３２００、及び、反応容器３１１０内を減圧する為の排気装置（図示せず）から構成されている。
堆積装置３１００中の反応容器３１１０内にはアースに接続された基体３１１２、基体加熱用ヒーター３１１３、及び、原料ガス導入管３１１４が設置されている。さらにカソード電極３１１１には高周波マッチングボックス３１１５を介して高周波電源３１２０が接続されている。
原料ガス供給装置３２００は、原料ガスボンベ３２２１〜３２２５、バルブ３２３１〜３２３５、圧力調整器３２６１〜３２６５、流入バルブ３２４１〜３２４５、流出バルブ
３２５１〜３２５５及びマスフローコントローラ３２１１〜３２１５から構成されている。各原料ガスを封入したガスのボンベは補助バルブ３２６０を介して反応容器３１１０内の原料ガス導入管３１１４に接続されている。３１１６はガス配管であり、３１１７はリークバルブであり、３１２１は絶縁材料である。
【００３１】
次に、この装置を使った堆積膜の形成方法について説明する。まず、あらかじめ脱脂洗浄した基体３１１２を反応容器３１１０に受け台３１２３を介して設置する。次に、排気装置（図示せず）を運転し、反応容器３１１０内を排気する。真空計３１１９の表示を見ながら、反応容器３１１０内の圧力がたとえば１Ｐａ以下の所定の圧力になったところで、基体加熱用ヒーター３１１３に電力を供給し、基体３１１２をたとえば５０〜３５０℃の所定の温度に加熱する。このとき、ガス供給装置３２００より、Ａｒ、Ｈｅなどの不活性ガスを反応容器３１１０に供給して、不活性ガス雰囲気中で加熱を行うこともできる。
【００３２】
次に、ガス供給装置３２００より堆積膜形成に用いるガスを反応容器３１１０に供給する。すなわち、必要に応じてバルブ３２３１〜３２３５、流入バルブ３２４１〜３２４５、流出バルブ３２５１〜３２５５を開き、マスフローコントローラ３２１１〜３２１５に流量設定を行う。各マスフローコントローラの流量が安定したところで、真空計３１１９の表示を見ながらメインバルブ３１１８を操作し、反応容器３１１０内の圧力が所望の圧力になるように調整する。所望の圧力が得られたところで高周波電源３１２０より高周波電力を印加すると同時に高周波マッチングボックス３１１５を操作し、反応容器３１１０内にプラズマ放電を生起する。その後、速やかに高周波電力を所望の電力に調整し、堆積膜の形成を行う。
【００３３】
所定の堆積膜の形成が終わったところで、高周波電力の印加を停止し、バルブ３２３１〜３２３５、流入バルブ３２４１〜３２４５、流出バルブ３２５１〜３２５５、及び、補助バルブ３２６０を閉じ、原料ガスの供給を終える。同時に、メインバルブ３１１８を全開にし、反応容器３１１０内を１Ｐａ以下の圧力まで排気する。
以上で、堆積膜の形成を終えるが、複数の堆積膜を形成する場合、再び上記の手順を繰り返してそれぞれの層を形成すればよい。原料ガス流量や、圧力などを光導電層形成用の条件に一定の時間で変化させて、接合領域の形成を行うこともできる。
すべての堆積膜形成が終わったのち、メインバルブ３１１８を閉じ、反応容器３１１０内に不活性ガスを導入し大気圧に戻した後、基体３１１２を取り出す。
【００３４】
ａ−ＳｉＣ表面層の形成は、ケイ素原子供給用の原料ガスとしては、たとえば、シラン（ＳｉＨ４）、ジシラン（Ｓｉ２Ｈ６）などのシラン類が好適に使用できる。また、炭素原子供給用の原料ガスとしては、たとえば、メタン（ＣＨ４）、アセチレン（Ｃ２Ｈ２）などのガスが好適に使用できる。それらの原料ガスの混合比を調整することによって、ａ−ＳｉＣのＣ／（Ｓｉ＋Ｃ）を調整できる。
【００３５】
なお、本発明に係るａ−ＳｉＣ表面層の形成において、Ｓｉ＋Ｃ原子密度と欠陥密度を調整するために、水素（Ｈ２）希釈が有用な方法である。原料ガスを水素で希釈することによって、形成されるａ−ＳｉＣ表面層の含有水素量は一旦大きく減少し、その後微増に転じる。ａ−ＳｉＣ表面層の含有水素量が減少する領域にでは、ａ−ＳｉＣ表面層の含有水素量の減少に応じてＳｉ＋Ｃ原子密度が増大する。さらに、水素希釈量を増大させてａ−ＳｉＣ表面層の含有水素量が微増する領域では、ａ−ＳｉＣ表面層の含有水素量の微増にともなって欠陥密度が減少する。つまり、水素希釈量を最適化することによって、Ｓｉ＋Ｃ原子密度と欠陥密度の制御が可能になる。
なお、他のパラメータとして、原料ガス流量を少なくすること、高周波電力を高くすること、又は、基体の温度を高くすることなどによって、Ｓｉ＋Ｃ原子密度を高くすることができる。一方、成膜圧力を高くすることによって、欠陥密度を下げることができる。実
際は、これらの条件を適宜組み合わせて設定すればよい。
【００３６】
中間層の形成は、表面層を形成する場合と同様の方法を採用することができる。そして、反応容器に供給するガス量、高周波電力、反応容器内の圧力、基体の温度などの条件を、必要に応じて設定することで形成される。なお、中間層に電荷阻止能を付与するには、帯電極性に応じて周期表１３族又は１５族に属する原子を含有する原料ガスを添加して中間層を形成すればよい。周期表１３族又は１５族に属する原子を含有する原料ガスとしては、ホスフィン（ＰＨ３）、ジボラン（Ｂ２Ｈ６）などが挙げられる。
【００３７】
光導電層の形成は、ケイ素原子供給用の原料ガスとしては、たとえば、シラン（ＳｉＨ４）、ジシラン（Ｓｉ２Ｈ６）などのシラン類が好適に使用できる。また、水素原子供給用の原料ガスとしては、上記シラン類に加えて、たとえば、水素（Ｈ２）も好適に使用できる。
また、上述のハロゲン原子、伝導性を制御するための原子、炭素原子、酸素原子、窒素原子など光導電層を含有させる場合には、それぞれの原子を含むガス状又は容易にガス化しうる物質を材料として適宜使用すればよい。
【００３８】
［トナー］
本発明において用いられるトナーは、タップ密度ρが、０．６０ｇ／ｃｍ３以上０．８０ｇ／ｃｍ３以下である。好ましくは０．６５ｇ／ｃｍ３以上０．７８ｇ／ｃｍ３以下である。上記タップ密度を有することにより、クリーニング工程でのトナーのすり抜け生が抑制されるだけでなく、研磨ムラもより少なくなり、画像濃度ムラが小さくなる。トナーのタップ密度は、クリーニングブレードと感光体の間に挟まったトナーの状態を示しており、クリーニング性に影響する。
トナーのタップ密度ρが０．６０ｇ／ｃｍ３未満の場合、クリーナー部へのトナーの充填性が不十分となり、すり抜けが発生する。トナーのタップ密度ρが０．９０ｇ／ｃｍ３より大きい場合、クリーナー部へトナーが過剰に詰りすぎブレード圧が高くなる。その結果、研磨力が強くなり感光体の摩耗が促進される。
トナーのタップ密度ρは、トナーの粒度や平均円形度、流動性などにより制御することができる。
【００３９】
また、本発明のトナーは該トナーの最大圧密応力１０．０ｋＰａ時における単軸崩壊応力が、２．５ｋＰａ以上３．５ｋＰａ以下であることが好ましく、より好ましくは２．７ｋＰａ以上３．３ｋＰａ以下である。
単軸崩壊応力は、トナーの圧密状態でのトナー同士の付着力状態を示している。クリーニング圧を小さく設定した場合、形状が丸く、流動性の高いトナーはブレードからすり抜け、潤滑性の低下により鳴きやびびりの要因となる。そこで、単軸崩壊応力を特定の値に制御することにより、クリーニング部からすり抜けることなくトナーが保持できる。特に低印字原稿を出力し続けるような、クリーニング部へのトナー供給が少ない場合においても潤滑性が保たれ、研磨ムラの発生や、鳴きやびびりがより抑えられる。
該単軸崩壊応力は、トナーの粒度や平均円形度、流動性などにより制御することができる。
【００４０】
［樹脂］
本発明に係るトナーは、結着樹脂を有する。トナーに使用される結着樹脂としては、特に限定されず、下記の重合体又は樹脂を用いることが可能である。
例えば、ポリスチレン、ポリ−ｐ−クロルスチレン、ポリビニルトルエンなどのスチレン及びその置換体の単重合体；スチレン−ｐ−クロルスチレン共重合体、スチレン−ビニルトルエン共重合体、スチレン−ビニルナフタリン共重合体、スチレン−アクリル酸エステル共重合体、スチレン−メタクリル酸エステル共重合体、スチレン−α−クロルメタク
リル酸メチル共重合体、スチレン−アクリロニトリル共重合体、スチレン−ビニルメチルエーテル共重合体、スチレン−ビニルエチルエーテル共重合体、スチレン−ビニルメチルケトン共重合体、スチレン−アクリロニトリル−インデン共重合体などのスチレン系共重合体；ポリ塩化ビニル、フェノール樹脂、天然変性フェノール樹脂、天然樹脂変性マレイン酸樹脂、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、ポリ酢酸ビニル、シリコーン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリウレタン、ポリアミド樹脂、フラン樹脂、エポキシ樹脂、キシレン樹脂、ポリビニルブチラール、テルペン樹脂、クマロン−インデン樹脂、石油系樹脂などが使用できる。
これらの中で、低温定着性、帯電性制御の観点で、ポリエステル樹脂を用いることが好ましい。
【００４１】
本発明において、ポリエステル樹脂とは、「ポリエステルユニット」を有している樹脂である。即ち、ポリエステル樹脂には、ポリエステルユニットがビニル樹脂ユニットと化学的に結合したハイブリッド樹脂も含まれる。該ポリエステルユニットを構成する成分としては、具体的には、２価以上のアルコールモノマー成分と、２価以上のカルボン酸、２価以上のカルボン酸無水物及び２価以上のカルボン酸エステルなどの酸モノマー成分とが挙げられる。
【００４２】
例えば、該２価以上のアルコールモノマー成分として、ポリオキシプロピレン（２．２）−２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン、ポリオキシプロピレン（３．３）−２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン、ポリオキシエチレン（２．０）−２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン、ポリオキシプロピレン（２．０）−ポリオキシエチレン（２．０）−２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン、ポリオキシプロピレン（６）−２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパンなどのビスフェノールＡのアルキレンオキシド付加物、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、１，２−プロピレングリコール、１，３−プロピレングリコール、１，４−ブタンジオール、ネオペンチルグリコール、１，４−ブテンジオール、１，５−ペンタンジオール、１，６−ヘキサンジオール、１，４−シクロヘキサンジメタノール、ジプロピレングリコール、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、ポリテトラメチレングリコール、ソルビット、１，２，３，６−ヘキサンテトロール、１，４−ソルビタン、ペンタエリスリトール、ジペンタエリスリトール、トリペンタエリスリトール、１，２，４−ブタントリオール、１，２，５−ペンタントリオール、グリセリン、２−メチルプロパントリオール、２−メチル−１，２，４−ブタントリオール、トリメチロールエタン、トリメチロールプロパン、１，３，５−トリヒドロキシメチルベンゼンなどが挙げられる。
これらの中で好ましく用いられるアルコールモノマー成分としては、芳香族ジオールであり、ポリエステル樹脂を構成するアルコールモノマー成分において、芳香族ジオールは、８０モル％以上の割合で含有することが好ましい。
【００４３】
一方、該２価以上のカルボン酸、２価以上のカルボン酸無水物及び２価以上のカルボン酸エステルなどの酸モノマー成分としては、フタル酸、イソフタル酸及びテレフタル酸のような芳香族ジカルボン酸類又はその無水物；コハク酸、アジピン酸、セバシン酸及びアゼライン酸のようなアルキルジカルボン酸類又はその無水物；炭素数６〜１８のアルキル基若しくはアルケニル基で置換されたコハク酸又はその無水物；フマル酸、マレイン酸及びシトラコン酸のような不飽和ジカルボン酸類又はその無水物；が挙げられる。
これらの中で好ましく用いられる酸モノマー成分としては、テレフタル酸、コハク酸、アジピン酸、フマル酸、トリメリット酸、ピロメリット酸、ベンゾフェノンテトラカルボン酸やその無水物などの多価カルボン酸である。
【００４４】
また、該ポリエステル樹脂の酸価は、１ｍｇＫＯＨ／ｇ以上２０ｍｇＫＯＨ／ｇ以下で
あることがより摩擦帯電量の安定性の観点で好ましい。
なお、該酸価は、樹脂に用いるモノマーの種類や配合量を調整することにより、上記範囲とすることができる。具体的には、樹脂製造時のアルコールモノマー成分比／酸モノマー成分比、分子量を調整することにより制御できる。また、エステル縮重合後、末端アルコールを多価酸モノマー（例えば、トリメリット酸）で反応させることにより制御できる。
【００４５】
本発明のトナーは、ビニル系樹脂成分と炭化水素化合物が反応した構造を有する重合体をトナー粒子中に含有することが好ましい。
上記ビニル系樹脂成分と炭化水素化合物が反応した構造を有する重合体としては、ビニル系樹脂成分にポリオレフィンがグラフトした構造を有するグラフト重合体又はポリオレフィンにビニル系モノマーがグラフト重合したビニル系樹脂成分を有するグラフト重合体が特に好ましい。
上記ビニル系樹脂成分と炭化水素化合物が反応した構造を有する重合体は、トナー製造時の混練工程や表面平滑工程において溶融した結着樹脂とワックスに対し界面活性剤的な働きをする。従って、該重合体は、トナー粒子中のワックスの一次平均分散粒径のコントロールや、必要に応じ熱風により表面処理を行う際のワックスのトナー表面への移行速度のコントロールができるため好ましい。
上記ビニル系樹脂成分にポリオレフィンがグラフトした構造を有するグラフト重合体又はポリオレフィンにビニル系モノマーがグラフト重合したビニル系樹脂成分を有するグラフト重合体に関して、ポリオレフィンは二重結合を一つ有する不飽和炭化水素系モノマーの重合体又は共重合体であれば特に限定されず、様々なポリオレフィンを用いることができる。特にポリエチレン系、ポリプロピレン系が好ましく用いられる。
【００４６】
一方、ビニル系モノマーとしては、以下のものが挙げられる。
スチレン、ｏ−メチルスチレン、ｍ−メチルスチレン、ｐ−メチルスチレン、ｐ−メトキシスチレン、ｐ−フェニルスチレン、ｐ−クロルスチレン、３，４−ジクロルスチレン、ｐ−エチルスチレン、２，４−ジメチルスチレン、ｐ−ｎ−ブチルスチレン、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルスチレン、ｐ−ｎ−ヘキシルスチレン、ｐ−ｎ−オクチルスチレン、ｐ−ｎ−ノニルスチレン、ｐ−ｎ−デシルスチレン、ｐ−ｎ−ドデシルスチレンのようなスチレン及びその誘導体などのスチレン系モノマー。
メタクリル酸ジメチルアミノエチル、メタクリル酸ジエチルアミノエチルのようなアミノ基含有α−メチレン脂肪族モノカルボン酸エステル類；アクリロニトリル、メタアクリロニトリル、アクリルアミドのようなアクリル酸又はメタクリル酸誘導体などの窒素原子を含むビニル系モノマー。
マレイン酸、シトラコン酸、イタコン酸、アルケニルコハク酸、フマル酸、メサコン酸のような不飽和二塩基酸；マレイン酸無水物、シトラコン酸無水物、イタコン酸無水物、アルケニルコハク酸無水物のような不飽和二塩基酸無水物；マレイン酸メチルハーフエステル、マレイン酸エチルハーフエステル、マレイン酸ブチルハーフエステル、シトラコン酸メチルハーフエステル、シトラコン酸エチルハーフエステル、シトラコン酸ブチルハーフエステル、イタコン酸メチルハーフエステル、アルケニルコハク酸メチルハーフエステル、フマル酸メチルハーフエステル、メサコン酸メチルハーフエステルのような不飽和二塩基酸のハーフエステル；ジメチルマレイン酸、ジメチルフマル酸のような不飽和二塩基酸エステル；アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸、ケイヒ酸のようなα，β−不飽和酸；クロトン酸無水物、ケイヒ酸無水物のようなα，β−不飽和酸無水物、前記α，β−不飽和酸と低級脂肪酸との無水物；アルケニルマロン酸、アルケニルグルタル酸、アルケニルアジピン酸、これらの酸無水物、及びこれらのモノエステルなどのカルボキシル基を含むビニル系モノマー。
２−ヒドロキシエチルアクリレート、２−ヒドロキシエチルメタクリレート、２−ヒドロキシプロピルメタクリレートなどのアクリル酸又はメタクリル酸エステル類、４−（１
−ヒドロキシ−１−メチルブチル）スチレン、４−（１−ヒドロキシ−１−メチルヘキシル）スチレンなどの水酸基を含むビニル系モノマー。
アクリル酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸−ｎ−ブチル、アクリル酸イソブチル、アクリル酸プロピル、アクリル酸−ｎ−オクチル、アクリル酸ドデシル、アクリル酸−２−エチルヘキシル、アクリル酸ステアリル、アクリル酸−２−クロルエチル、アクリル酸フェニルのようなアクリル酸エステル類などのアクリル酸エステルからなるエステル単位。
メタクリル酸メチル、メタクリル酸エチル、メタクリル酸プロピル、メタクリル酸−ｎ−ブチル、メタクリル酸イソブチル、メタクリル酸−ｎ−オクチル、メタクリル酸ドデシル、メタクリル酸−２−エチルヘキシル、メタクリル酸ステアリル、メタクリル酸フェニル、メタクリル酸ジメチルアミノエチル、メタクリル酸ジエチルアミノエチルのようなα−メチレン脂肪族モノカルボン酸エステル類などのメタクリル酸エステルからなるエステル単位。
【００４７】
ビニル系樹脂成分と炭化水素化合物が反応した構造を有する重合体は、前述したこれらのモノマー同士の反応や、一方の重合体のモノマーと他方の重合体との反応など、公知の方法によって得ることができる。
ビニル系樹脂成分の構成単位として、スチレン系単位、さらにはアクリロニトリル、又はメタアクリロニトリルを含むことが好ましい。
【００４８】
上記重合体中の炭化水素化合物とビニル系樹脂成分の質量比は１／９９〜７５／２５であることが好ましい。炭化水素化合物とビニル系樹脂成分を上記範囲で用いることが、トナー粒子中へワックスを分散させるため及び必要に応じ熱風により表面処理を行う際のワックスのトナー表面への移行速度のコントロールができるために好ましい。
上記ビニル系樹脂成分と炭化水素化合物が反応した構造を有する重合体の含有量は、結着樹脂１００質量部に対して、０．２質量部以上２０質量部以下であることが好ましい。
【００４９】
上記重合体を上記範囲で用いることが、トナー粒子中へワックスを分散させるため及び熱風により表面処理を行う際のワックスのトナー表面への移行速度のコントロールができるため好ましい。
【００５０】
［ワックス］
トナーにはワックスを用いてもよい。トナーに用いられるワックスとしては、特に限定されないが、以下のものが挙げられる。低分子量ポリエチレン、低分子量ポリプロピレン、アルキレン共重合体、マイクロクリスタリンワックス、パラフィンワックス、フィッシャートロプシュワックスのような炭化水素系ワックス；酸化ポリエチレンワックスのような炭化水素系ワックスの酸化物又はそれらのブロック共重合物；カルナバワックスのような脂肪酸エステルを主成分とするワックス類；脱酸カルナバワックスのような脂肪酸エステル類を一部又は全部を脱酸化したもの。さらに、以下のものが挙げられる。
【００５１】
パルミチン酸、ステアリン酸、モンタン酸のような飽和直鎖脂肪酸類；ブラシジン酸、エレオステアリン酸、バリナリン酸のような不飽和脂肪酸類；ステアリルアルコール、アラルキルアルコール、ベヘニルアルコール、カルナウビルアルコール、セリルアルコール、メリシルアルコールのような飽和アルコール類；ソルビトールのような多価アルコール類；パルミチン酸、ステアリン酸、ベヘン酸、モンタン酸のような脂肪酸類と、ステアリルアルコール、アラルキルアルコール、ベヘニルアルコール、カルナウビルアルコール、セリルアルコール、メリシルアルコールのようなアルコール類とのエステル類；リノール酸アミド、オレイン酸アミド、ラウリン酸アミドのような脂肪酸アミド類；メチレンビスステアリン酸アミド、エチレンビスカプリン酸アミド、エチレンビスラウリン酸アミド、ヘキサメチレンビスステアリン酸アミドのような飽和脂肪酸ビスアミド類；エチレンビス
オレイン酸アミド、ヘキサメチレンビスオレイン酸アミド、Ｎ，Ｎ’ジオレイルアジピン酸アミド、Ｎ，Ｎ’ジオレイルセバシン酸アミドのような不飽和脂肪酸アミド類；ｍ−キシレンビスステアリン酸アミド、Ｎ，Ｎ’ジステアリルイソフタル酸アミドのような芳香族系ビスアミド類；ステアリン酸カルシウム、ラウリン酸カルシウム、ステアリン酸亜鉛、ステアリン酸マグネシウムのような脂肪族金属塩（一般に金属石けんといわれているもの）；脂肪族炭化水素系ワックスにスチレンやアクリル酸のようなビニル系モノマーを用いてグラフト化させたワックス類；ベヘニン酸モノグリセリドのような脂肪酸と多価アルコールの部分エステル化物；植物性油脂の水素添加によって得られるヒドロキシル基を有するメチルエステル化合物。
【００５２】
これらのワックスの中でも、低温定着性、耐定着巻きつき性を向上させるという観点で、パラフィンワックス、フィッシャートロプシュワックスのような炭化水素系ワックスが好ましい。
該ワックスの含有量は、結着樹脂１００質量部に対して、０．５質量部以上２０質量部以下で使用されることが好ましい。また、トナーの保存性と高温オフセット性の両立の観点から、示差走査熱量分析装置（ＤＳＣ）で測定される昇温時の吸熱曲線において、温度３０℃以上２００℃以下の範囲に存在する最大吸熱ピークのピーク温度が５０℃以上１１０℃以下であることが好ましい。
【００５３】
［着色剤］
トナーには着色剤を含有させてもよい。トナーに含有できる着色剤としては、以下のものが挙げられる。
黒色着色剤としては、カーボンブラック；イエロー着色剤とマゼンタ着色剤及びシアン着色剤とを用いて黒色に調色したものが挙げられる。着色剤には、顔料を単独で使用してもかまわないが、染料と顔料とを併用してその鮮明度を向上させた方がフルカラー画像の画質の点からより好ましい。
【００５４】
マゼンタ着色顔料としては、以下のものが挙げられる。Ｃ．Ｉ．ピグメントレッド１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、１２、１３、１４、１５、１６、１７、１８、１９、２１、２２、２３、３０、３１、３２、３７、３８、３９、４０、４１、４８：２、４８：３，４８：４、４９、５０、５１、５２、５３、５４、５５、５７：１、５８、６０、６３、６４、６８、８１：１、８３、８７、８８、８９、９０、１１２、１１４、１２２、１２３、１４６、１４７、１５０、１６３、１８４、２０２、２０６、２０７、２０９、２３８、２６９、２８２；Ｃ．Ｉ．ピグメントバイオレット１９；Ｃ．Ｉ．バットレッド１、２、１０、１３、１５、２３、２９、３５。
マゼンタ着色染料としては、以下のものが挙げられる。Ｃ．Ｉ．ソルベントレッド１、３、８、２３、２４、２５、２７、３０、４９、８１、８２、８３、８４、１００、１０９、１２１；Ｃ．Ｉ．ディスパースレッド９；Ｃ．Ｉ．ソルベントバイオレット８、１３、１４、２１、２７；Ｃ．Ｉ．ディスパーバイオレット１のような油溶染料、Ｃ．Ｉ．ベーシックレッド１、２、９、１２、１３、１４、１５、１７、１８、２２、２３、２４、２７、２９、３２、３４、３５、３６、３７、３８、３９、４０；Ｃ．Ｉ．ベーシックバイオレット１、３、７、１０、１４、１５、２１、２５、２６、２７、２８のような塩基性染料。
【００５５】
シアン着色顔料としては、以下のものが挙げられる。Ｃ．Ｉ．ピグメントブルー２、３、１５：２、１５：３、１５：４、１６、１７；Ｃ．Ｉ．バットブルー６；Ｃ．Ｉ．アシッドブルー４５、フタロシアニン骨格にフタルイミドメチル基を１〜５個置換した銅フタロシアニン顔料。
シアン着色染料としては、Ｃ．Ｉ．ソルベントブルー７０がある。
イエロー着色顔料としては、以下のものが挙げられる。Ｃ．Ｉ．ピグメントイエロー１
、２、３、４、５、６、７、１０、１１、１２、１３、１４、１５、１６、１７、２３、６２、６５、７３、７４、８３、９３、９４、９５、９７、１０９、１１０、１１１、１２０、１２７、１２８、１２９、１４７、１５１、１５４、１５５、１６８、１７４、１７５、１７６、１８０、１８１、１８５；Ｃ．Ｉ．バットイエロー１、３、２０。
イエロー着色染料としては、Ｃ．Ｉ．ソルベントイエロー１６２がある。
上記着色剤の使用量は、結着樹脂１００質量部に対して、０．１質量部以上３０質量部以下で使用されることが好ましい。
【００５６】
［荷電制御剤］
トナーには、必要に応じて荷電制御剤を含有させることもできる。トナーに含有される荷電制御剤としては、公知のものが利用できるが、特に、無色でトナーの帯電スピードが速く且つ一定の帯電量を安定して保持できる芳香族カルボン酸の金属化合物が好ましい。
ネガ系荷電制御剤としては、サリチル酸金属化合物、ナフトエ酸金属化合物、ジカルボン酸金属化合物、スルホン酸又はカルボン酸を側鎖に持つ高分子型化合物、スルホン酸塩又はスルホン酸エステル化物を側鎖に持つ高分子型化合物、カルボン酸塩又はカルボン酸エステル化物を側鎖に持つ高分子型化合物、ホウ素化合物、尿素化合物、ケイ素化合物、カリックスアレーンが挙げられる。荷電制御剤はトナー粒子に対して内添してもよいし外添してもよい。荷電制御剤の添加量は、結着樹脂１００質量部に対して、０．２質量部以上１０質量部以下が好ましい。
【００５７】
[大粒径微粒子]
本発明におけるトナーには、転写性を向上させることを目的として、一次粒子の個数平均粒子径が８０μｍ以上５００μｍ以下の大粒径微粒子を添加することが好ましい。粒径が小さいと凝集しやすくなり、大きいと重量当たりの個数が少なくなり転写性向上効果が弱くなる傾向にある。
【００５８】
本発明における大粒径微粒子としては、無機微粒子であることが好ましい。例えば金属酸化物である、シリカ、アルミナ、酸化チタン、酸化マグネシウム、酸化ジルコニウム、酸化クロム、酸化セリウム、酸化錫、酸化亜鉛などからなる無機微粒子が挙げられる。また、無定形炭素（カーボンブラックなど）、窒化物（窒化ケイ素など）、炭化物（炭化ケイ素など）、金属塩（チタン酸ストロンチウム、硫酸カルシウム、硫酸バリウム、炭酸カルシウムなど）からなる無機微粒子が挙げられる。
該無機微粒子が、シリカ微粒子及びチタニア微粒子、並びにこれらを複合化した金属酸化物のグループから選ばれる場合、金属元素の種類が同じであってもよいし、それぞれ異なっていてもよい。一種の無機微粒子を添加することがより好ましい。
【００５９】
本発明における該無機微粒子としては、シリカ微粒子、チタニア微粒子、及びこれらを複合化した金属酸化物からなるグループから選択されることが好ましい。
シリカ微粒子は、例えば、沈降法、ゾルゲル法に代表される、ケイ酸ナトリウムを中和することでシリカを得る湿式法、火炎溶融法やアーク法に代表される気相中でシリカを得る乾式法など任意の方法で製造されたシリカ微粒子が好ましく用いられる。その中でも一次粒子の個数平均径を所望の範囲に制御しやすいことから、ゾルゲル法又は火炎溶融法で製造されたシリカ微粒子がより好ましい。
チタニア微粒子の製造方法は特に制限されるものではなく、従来公知の硫酸法及び塩素法で製造されたチタニア微粒子、四塩化チタンを原料として気相中で酸素と反応させる気相酸化法で得られたチタニア微粒子が挙げられる。得られるチタニア微粒子の一次粒子の個数平均径を制御しやすいことから、硫酸法で得られたチタニア微粒子であることがより好ましい。チタニア微粒子は、ルチル型、アナターゼ型の２種類の結晶型のどちらも好ましく用いられる。アナターゼ型酸化チタン微粒子を得たい場合は、メタチタン酸を焼成する際に、ルチル転移抑制剤として、リン酸、リン酸塩、カリウム塩などを添加することが
好ましい。 また、ルチル型酸化チタン微粒子を得たい場合は、メタチタン酸を焼成する
際に、ルチル転移促進剤として、リチウム塩、マグネシウム塩、亜鉛塩及びアルミニウム塩などの塩類や、ルチル微結晶を含んだスラリーなどのシードを添加することが好ましい。
【００６０】
該無機微粒子として、ゾルゲル法で製造されたシリカ微粒子を用いる場合、加水分解・縮合反応工程における反応温度、有機溶媒の種類、アルコキシシランの滴下速度、並びに、水、有機溶媒及び触媒の重量比、撹拌速度などによって一次粒子の個数平均径を制御することが可能である。
該無機微粒子として、火炎溶融法で製造されたシリカ微粒子を用いる場合、原料ガス供給速度や、可燃性ガスの供給量及び酸素比率などによって一次粒子の個数平均径を制御することが可能である。
該無機微粒子として、硫酸法で製造されたチタニア微粒子を用いる場合、加水分解する際の温度、チタニアゲルの添加量、焼成する際の焼成温度や焼成時間によって一次粒子の個数平均径を制御することが可能である。
【００６１】
該無機微粒子は、表面を疎水化処理する目的で、表面処理を施すことが好ましい。このときの表面処理剤としては、シランカップリング剤又はシリコーンオイルが好ましく用いられる。
シランカップリング剤としては、例えば、ヘキサメチルジシラザン、トリメチルシラン、トリメチルクロルシラン、トリメチルエトキシシラン、ジメチルジクロルシラン、メチルトリクロルシラン、アリルジメチルクロルシラン、アリルフェニルジクロルシラン、ベンジルジメチルクロルシラン、ブロムメチルジメチルクロルシラン、α−クロルエチルトリクロルシラン、β−クロルエチルトリクロルシラン、クロルメチルジメチルクロルシラン、トリオルガノシリルメルカプタン、トリメチルシリルメルカプタン、トリオルガノシリルアクリレート、ビニルジメチルアセトキシシラメン、ジメチルジエトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジフェニルジエトキシシラン、へキサメチルジシロキサン、１，３−ジビニルテトラメチルジシロキサン、１，３−ジフェニルテトラメチルジシロキサン、及び１分子当たり２〜１２個のシロキサン単位を有し、末端に位置する単位に夫々１個あたりのケイ素原子に結合した水酸基を含有したジメチルポリシロキサンが挙げられる。
【００６２】
シリコーンオイルとしては、例えば、ジメチルシリコーンオイル，アルキル変性シリコーンオイル、α−メチルスチレン変性シリコーンオイル、クロルフェニルシリコーンオイル、フッ素変性シリコーンオイルなどが挙げられる。シリコーンオイルとしては上記式のものに限定されるわけではない。上記シリコーンオイルは、温度２５℃における粘度が５０〜１０００ｍｍ２／ｓのものが好ましい。５０ｍｍ２／ｓ未満では熱が加わることにより一部揮発し、帯電特性が劣化しやすい傾向にある。１０００ｍｍ２／ｓを超える場合では、処理作業上取扱いが困難となる傾向にある。シリコーンオイル処理の方法としては、公知技術が使用できる。例えば、ケイ酸微粉体とシリコーンオイルとを混合機を用い、混合する；ケイ酸微粉体中にシリコーンオイルを、噴霧器を用い噴霧する；又は溶剤中にシリコーンオイルを溶解させた後、ケイ酸微粉体を混合する方法が挙げられる。処理方法としてはこれに限定されるものではない。
該無機微粒子は、表面処理剤としてヘキサメチルジシラザン又はシリコーンオイルを用いたものが好ましい。
該無機微粒子の添加量は、トナー粒子１００質量部に対して、０．５質量部以上２０．０質量部以下が好ましい。
【００６３】
［その他外添剤］
必要に応じて流動性向上や摩擦帯電量調整のために、さらに外添剤が添加されていても
よい。  
用いられる外添剤の比表面積としては、比表面積が１０ｍ２／ｇ以上５０ｍ２／ｇ以下の無機微粒子が、外添剤の埋め込み抑制の観点で好ましい。該その他の外添剤の、一次粒子の個数平均粒径は、５μｍ以上８０μｍ未満であることが好ましい。
また、該外添剤は、トナー粒子１００質量部に対して、０．１質量部以上１０．０質量部以下使用されることが好ましい。
トナー粒子と外添剤との混合は、ヘンシェルミキサーのような公知の混合機を用いることができるが、混合できればよく、特に装置は限定されるものではない。
【００６４】
［磁性キャリア］
磁性キャリアとしては、例えば、表面を酸化した鉄粉、又は、未酸化の鉄粉や、鉄、リチウム、カルシウム、マグネシウム、ニッケル、銅、亜鉛、コバルト、マンガン、希土類のような金属粒子、それらの合金粒子、酸化物粒子、フェライトなどの磁性体や、磁性体と、この磁性体を分散した状態で保持するバインダー樹脂とを含有する磁性体分散樹脂キャリア（いわゆる樹脂キャリア）など、一般に公知のものを使用できる。
また、磁性キャリアの体積分布基準の５０％粒径（Ｄ５０）は、２０μｍ以上７０μｍ以下であることが、現像剤の流動性を保ち、帯電付与能を安定させ、濃度の変化防止のため好ましい。
磁性キャリアの混合比率は、現像剤中のトナー濃度として、２質量％以上１６質量％以下とすることが好ましく、より好ましくは４質量％以上１３質量％以下にすると通常良好な結果が得られる。
【００６５】
［製造方法］
トナーの製造方法は、特に限定されることなく、公知の製造方法を用いることができる。ここでは、粉砕法を用いたトナーの製造方法を例に挙げて説明する。
原料混合工程では、トナー粒子を構成する材料として、例えば、結着樹脂及び必要に応じてワックス、着色剤、荷電制御剤などの他の成分を、所定量秤量して配合し、混合する。混合装置の一例としては、ダブルコン・ミキサー、Ｖ型ミキサー、ドラム型ミキサー、スーパーミキサー、ヘンシェルミキサー、ナウタミキサ、メカノハイブリッド（日本コークス工業株式会社製）などが挙げられる。
【００６６】
次に、混合した材料を溶融混練して、結着樹脂中にワックスなどを分散させる。溶融混練工程では、加圧ニーダー、バンバリィミキサーのようなバッチ式練り機や、連続式の練り機を用いることができ、連続生産できる優位性から、１軸又は２軸押出機が主流となっている。例えば、ＫＴＫ型２軸押出機（神戸製鋼所社製）、ＴＥＭ型２軸押出機（東芝機械社製）、ＰＣＭ混練機（池貝鉄工製）、２軸押出機（ケイ・シー・ケイ社製）、コ・ニーダー（ブス社製）、ニーデックス（日本コークス工業株式会社製）などが挙げられる。更に、溶融混練することによって得られる樹脂組成物は、２本ロールなどで圧延され、冷却工程で水などによって冷却してもよい。
ついで、樹脂組成物の冷却物は、粉砕工程で所望の粒径にまで粉砕される。粉砕工程では、例えば、クラッシャー、ハンマーミル、フェザーミルのような粉砕機で粗粉砕した後、さらに、例えば、クリプトロンシステム（川崎重工業社製）、スーパーローター（日清エンジニアリング社製）、ターボ・ミル（ターボ工業製）やエアージェット方式による微粉砕機で微粉砕する。
【００６７】
その後、必要に応じて慣性分級方式のエルボージェット（日鉄鉱業社製）、遠心力分級方式のターボプレックス（ホソカワミクロン社製）、ＴＳＰセパレータ（ホソカワミクロン社製）、ファカルティ（ホソカワミクロン社製）のような分級機や篩分機を用いて分級し、トナー粒子を得る。
また、必要に応じて、粉砕後に、ハイブリタイゼーションシステム（奈良機械製作所製
）、メカノフージョンシステム（ホソカワミクロン社製）、ファカルティ（ホソカワミクロン社製）、メテオレインボー  ＭＲ  Ｔｙｐｅ（日本ニューマチック社製）を用いて、球形化処理のようなトナー粒子の表面処理を行うこともできる。
特に、本発明では、得られたトナー粒子表面に大粒径微粒子を添加・分散させ、その分散させた状態で熱風による表面処理により該大粒径微粒子をトナー粒子表面に固着させることが好ましい。また、熱風により該大粒径微粒子をトナー粒子表面に固着させた後に、さらに大粒径微粒子を添加・分散させることが好ましい。
【００６８】
本発明では、例えば、図５で表される表面処理装置を用いて熱風により表面処理を行い、必要に応じて分級をすることによりトナーを得ることができる。
原料定量供給手段１により定量供給された混合物は、圧縮気体調整手段２により調整された圧縮気体によって、原料供給手段の鉛直線上に設置された導入管３に導かれる。導入管を通過した混合物は、原料供給手段の中央部に設けられた円錐状の突起状部材４により均一に分散され、放射状に広がる８方向の供給管５に導かれ、熱処理が行われる処理室６に導かれる。
このとき、処理室に供給された混合物は、処理室内に設けられた混合物の流れを規制するための規制手段９によって、その流れが規制される。このため処理室に供給された混合物は、処理室内を旋回しながら熱処理された後、冷却される。
【００６９】
供給された混合物を熱処理するための熱は、熱風供給手段７から供給され、分配部材１２で分配され、熱風を旋回させるための旋回部材１３により、処理室内に熱風を螺旋状に旋回させて導入される。その構成としては、熱風を旋回させるための旋回部材１３が、複数のブレードを有しており、その枚数や角度により、熱風の旋回を制御することができる。処理室内に供給される熱風は、熱風供給手段７の出口部における温度が１００℃〜３００℃であることが好ましく、１３０℃〜１７０℃であることがより好ましい。熱風供給手段の出口部における温度が上記の範囲内であれば、混合物を加熱しすぎることによるトナー粒子の融着や合一を防止しつつ、トナー粒子を均一に球形化処理することが可能となる。このときの平均円形度としては、０．９５５〜０．９８０であることが好ましい。熱風は熱風供給手段出口１１から供給される。
【００７０】
さらに熱処理された熱処理トナー粒子は冷風供給手段８から供給される冷風によって冷却され、冷風供給手段８から供給される温度は−２０℃〜３０℃であることが好ましい。冷風の温度が上記の範囲内であれば、熱処理トナー粒子を効率的に冷却することができ、混合物の均一な球形化処理を阻害することなく、熱処理トナー粒子の融着や合一を防止することができる。冷風の絶対水分量は、０．５ｇ／ｍ３以上１５．０ｇ/ｍ３以下である
ことが好ましい。
次に、冷却された熱処理トナー粒子は、処理室の下端にある回収手段１０によって回収される。なお、回収手段の先にはブロワー（不図示）が設けられ、それにより吸引搬送される構成となっている。
【００７１】
また、粉体粒子供給口１４は、供給された混合物の旋回方向と熱風の旋回方向が同方向になるように設けられており、表面処理装置の回収手段１０は、旋回された粉体粒子の旋回方向を維持するように、処理室の外周部に設けられている。さらに、冷風供給手段８から供給される冷風は、装置外周部から処理室内周面に、水平かつ接線方向から供給されるよう構成されている。粉体供給口から供給される熱処理前トナー粒子の旋回方向、冷風供給手段から供給された冷風の旋回方向、熱風供給手段から供給された熱風の旋回方向がすべて同方向である。そのため、処理室内で乱流が起こらず、装置内の旋回流が強化され、熱処理前トナー粒子に強力な遠心力がかかり、熱処理前トナー粒子の分散性がさらに向上するため、合一粒子の少ない、形状の揃った熱処理トナー粒子を得ることができる。
【００７２】
また、必要に応じて、奈良機械製作所製のハイブリタイゼーションシステム、ホソカワミクロン社製のメカノフージョンシステムを用いてさらに表面改質及び球形化処理を行ってもよい。このような場合では必要に応じて風力式篩のハイボルター（新東京機械社製）などの篩分機を用いてもよい。
その後、必要に応じ、他の無機微粒子を外添し、流動性付与、帯電安定性を向上させてもよい。混合装置の一例としては、ダブルコン・ミキサー、Ｖ型ミキサー、ドラム型ミキサー、スーパーミキサー、ヘンシェルミキサー、ナウタミキサ、メカノハイブリッド（日本コークス工業株式会社製）などが挙げられる。
【００７３】
次に、本発明に関わる各物性の測定方法について記載する。
＜トナーの重量平均粒径（Ｄ４）の測定方法＞
トナーの重量平均粒径（Ｄ４）は、１００μｍのアパーチャーチューブを備えた細孔電気抵抗法による精密粒度分布測定装置「コールター・カウンター  Ｍｕｌｔｉｓｉｚｅｒ
３」（登録商標、ベックマン・コールター社製）と、測定条件設定及び測定データ解析をするための付属の専用ソフト「ベックマン・コールター  Ｍｕｌｔｉｓｉｚｅｒ  ３  Ｖｅｒｓｉｏｎ３．５１」（ベックマン・コールター社製）を用いて、実効測定チャンネル数２万５千チャンネルで測定し、測定データの解析を行い、算出した。
測定に使用する電解水溶液は、特級塩化ナトリウムをイオン交換水に溶解して濃度が約１質量％となるようにしたもの、例えば、「ＩＳＯＴＯＮ  ＩＩ」（ベックマン・コールター社製）が使用できる。
なお、測定、解析を行う前に、以下のように該専用ソフトの設定を行った。
該専用ソフトの「標準測定方法（ＳＯＭ）を変更画面」において、コントロールモードの総カウント数を５００００粒子に設定し、測定回数を１回、Ｋｄ値は「標準粒子１０．０μｍ」（ベックマン・コールター社製）を用いて得られた値を設定する。閾値／ノイズレベルの測定ボタンを押すことで、閾値とノイズレベルを自動設定する。また、カレントを１６００μＡに、ゲインを２に、電解液をＩＳＯＴＯＮ  ＩＩに設定し、測定後のアパーチャーチューブのフラッシュにチェックを入れる。
専用ソフトの「パルスから粒径への変換設定画面」において、ビン間隔を対数粒径に、粒径ビンを２５６粒径ビンに、粒径範囲を２μｍ以上６０μｍ以下に設定する。
【００７４】
具体的な測定法は以下の通りである。
（１）Ｍｕｌｔｉｓｉｚｅｒ  ３専用のガラス製２５０ｍｌ丸底ビーカーに該電解水溶液約２００ｍｌを入れ、サンプルスタンドにセットし、スターラーロッドの撹拌を反時計回りで２４回転／秒にて行う。そして、専用ソフトの「アパーチャーのフラッシュ」機能により、アパーチャーチューブ内の汚れと気泡を除去しておく。
（２）ガラス製の１００ｍｌ平底ビーカーに該電解水溶液約３０ｍｌを入れ、この中に分散剤として「コンタミノンＮ」（非イオン界面活性剤、陰イオン界面活性剤、有機ビルダーからなるｐＨ７の精密測定器洗浄用中性洗剤の１０質量％水溶液、和光純薬工業社製）をイオン交換水で３質量倍に希釈した希釈液を約０．３ｍｌ加える。
（３）発振周波数５０ｋＨｚの発振器２個を位相を１８０度ずらした状態で内蔵し、電気的出力１２０Ｗの超音波分散器「Ｕｌｔｒａｓｏｎｉｃ  Ｄｉｓｐｅｒｓｉｏｎ  Ｓｙｓｔｅｍ  Ｔｅｔｏｒａ１５０」（日科機バイオス社製）の水槽内に所定量のイオン交換水を入れ、この水槽中に該コンタミノンＮを約２ｍｌ添加する。
（４）上記（２）のビーカーを該超音波分散器のビーカー固定穴にセットし、超音波分散器を作動させる。そして、ビーカー内の電解水溶液の液面の共振状態が最大となるようにビーカーの高さ位置を調整する。
（５）上記（４）のビーカー内の電解水溶液に超音波を照射した状態で、トナー約１０ｍｇを少量ずつ該電解水溶液に添加し、分散させる。そして、さらに６０秒間超音波分散処理を継続する。なお、超音波分散にあたっては、水槽の水温が１０℃以上４０℃以下となる様に適宜調節する。
（６）サンプルスタンド内に設置した上記（１）の丸底ビーカーに、ピペットを用いてトナーを分散した該（５）の電解質水溶液を滴下し、測定濃度が約５％となるように調整する。そして、測定粒子数が５００００個になるまで測定を行う。
（７）測定データを装置付属の該専用ソフトにて解析を行い、重量平均粒径（Ｄ４）を算出する。なお、専用ソフトでグラフ／体積％と設定したときの、分析／体積統計値（算術平均）画面の「平均径」が重量平均粒径（Ｄ４）である。
【００７５】
＜トナーの平均円形度の測定方法＞
トナーの平均円形度は、フロー式粒子像分析装置「ＦＰＩＡ−３０００」（シスメックス社製）によって、校正作業時の測定及び解析条件で測定する。
フロー式粒子像分析装置「ＦＰＩＡ−３０００」（シスメックス社製）の測定原理は、流れている粒子を静止画像として撮像し、画像解析を行うというものである。試料チャンバーへ加えられた試料は、試料吸引シリンジによって、フラットシースフローセルに送り込まれる。フラットシースフローに送り込まれた試料は、シース液に挟まれて扁平な流れを形成する。フラットシースフローセル内を通過する試料に対しては、１／６０秒間隔でストロボ光が照射されており、流れている粒子を静止画像として撮影することが可能である。また、扁平な流れであるため、焦点の合った状態で撮像される。粒子像はＣＣＤカメラで撮像され、撮像された画像は５１２×５１２画素の画像処理解像度（一画素あたり０．３７×０．３７μｍ）で画像処理され、各粒子像の輪郭抽出を行い、粒子像の投影面積Ｓや周囲長Ｌなどが計測される。
次に、上記面積Ｓと周囲長Ｌを用いて円相当径と円形度を求める。円相当径とは、粒子像の投影面積と同じ面積を持つ円の直径のことであり、円形度Ｃは、円相当径から求めた円の周囲長を粒子投影像の周囲長で割った値として定義され、次式で算出される。
円形度Ｃ＝２×（π×Ｓ）１／２／Ｌ
粒子像が円形の時に円形度は１．０００になり、粒子像外周の凹凸の程度が大きくなればなるほど円形度は小さい値になる。各粒子の円形度を算出後、円形度０．２００〜１．０００の範囲を８００分割し、得られた円形度の相加平均値を算出し、その値を平均円形度とする。
【００７６】
具体的な測定方法は、以下の通りである。まず、ガラス製の容器中に予め不純固形物などを除去したイオン交換水約２０ｍｌを入れる。この中に分散剤として「コンタミノンＮ」（非イオン界面活性剤、陰イオン界面活性剤、有機ビルダーからなるｐＨ７の精密測定器洗浄用中性洗剤の１０質量％水溶液、和光純薬工業社製）をイオン交換水で約３質量倍に希釈した希釈液を約０．２ｍｌ加える。さらに測定試料を約０．０２ｇ加え、超音波分散器を用いて２分間分散処理を行い、測定用の分散液とする。その際、分散液の温度が１０℃以上４０℃以下となる様に適宜冷却する。超音波分散器としては、発振周波数５０ｋＨｚ、電気的出力１５０Ｗの卓上型の超音波洗浄器分散器（例えば「ＶＳ−１５０」（ヴェルヴォクリーア社製））を用い、水槽内には所定量のイオン交換水を入れ、この水槽中に該コンタミノンＮを約２ｍｌ添加する。
測定には、標準対物レンズ（１０倍）を搭載した該フロー式粒子像分析装置を用い、シース液にはパーティクルシース「ＰＳＥ−９００Ａ」（シスメックス社製）を使用した。該手順に従い調整した分散液を該フロー式粒子像分析装置に導入し、ＨＰＦ測定モードで、トータルカウントモードにて３０００個のトナー粒子を計測する。そして、粒子解析時の２値化閾値を８５％とし、解析粒子径を指定することにより、その範囲の粒子の個数割合（％）、平均円形度を算出することができる。トナーの平均円形度は、円相当径１．９８μｍ以上３９．９６μｍ以下とし、トナーの平均円形度を求めた。
測定にあたっては、測定開始前に標準ラテックス粒子（例えば、Ｄｕｋｅ  Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ社製の「ＲＥＳＥＡＲＣＨ  ＡＮＤ  ＴＥＳＴ  ＰＡＲＴＩＣＬＥＳ  Ｌａｔｅｘ  Ｍｉｃｒｏｓｐｈｅｒｅ  Ｓｕｓｐｅｎｓｉｏｎｓ  ５２００Ａ」をイオン交換水で希釈）を用いて自動焦点調整を行う。その後、測定開始から２時間毎に焦点調整を実施
することが好ましい。
なお、本願実施例では、シスメックス社による校正作業が行われた、シスメックス社が発行する校正証明書の発行を受けたフロー式粒子像分析装置を使用した。解析粒子径を円相当径１．９８μｍ以上３９．６９μｍ未満に限定した以外は、校正証明を受けた時の測定及び解析条件で測定を行った。
【００７７】
＜最大圧密応力（ａ）及び単軸崩壊応力（ｂ）の測定方法＞
最大圧密応力（ａ）と単軸崩壊応力（ｂ）は、シェアスキャン  ＴＳ−１２（Ｓｃｉ−Ｔｅｃ社製）により測定したものであり、シェアスキャンはＰｒｏｆ．Ｖｉｒｅｎｄｒａ
Ｍ．Ｐｕｒｉによって書かれた‘ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＺＩＮＧ  ＰＯＷＤＥＲ  ＦＬＯＷＡＢＩＬＩＴＹ（２００２．０１．２４発表）’記載のモールクーロンモデルによる原理で測定を行う。
具体的には、断面方向に直線的に剪断力を付加できる直線せん断セル（円柱状，直径８０ｍｍ，容量１４０ｃｍ3）を使用し室温環境（２３℃，６０％ＲＨ）にて測定を行った
。このセルの中にトナーを入れ、１．０ｋＰａになるように垂直荷重をかけ、この垂直荷重における最密な充填状態となるように圧密粉体層を作成する。この圧密状態の圧力を自動で検知し個人差なく作成できる点でシェアスキャンによる測定が本発明においては好ましい。同様に、垂直荷重を３．０ｋＰａ、５．０ｋＰａ及び７．０ｋＰａとした圧密粉体層を形成する。そして、各垂直荷重で形成したサンプルに圧密粉体層を形成した際にかけた垂直荷重を継続してかけながら徐々にせん断力を加え、その際のせん断応力の変動を測定する試験を行い、定常点を決定する。定常点に到達したとの判断は、上記試験において、せん断応力の変位と垂直荷重をかけるための荷重印加手段の垂直方向の変位が小さくなり、両者が安定した値を取るようになったとき定常点に到達したものとする。次に、定常点に到達した圧密粉体層から徐々に垂直荷重を除荷し、各荷重における破壊包絡線（垂直荷重応力ｖｓせん断応力のプロット）を作成し、Ｙ切片及び傾きを求める。モールクーロンモデルによる解析において、単軸崩壊応力及び最大圧密応力は下記式で表され、上記Ｙ切片は「凝集力」となり、傾きが「内部摩擦角」になる。
単軸崩壊応力（ｂ）＝２ｃ（１＋ｓｉｎφ）／ｃｏｓφ
最大圧密応力（ａ）＝（（Ａ−（Ａ2ｓｉｎ2φ−τssp2ｃｏｓ2φ）0.5）／ｃｏｓ2φ）
×（１＋ｓｉｎφ）−（ｃ／ｔａｎφ）
（Ａ＝σssp＋（ｃ／ｔａｎφ）、ｃ＝凝集力、φ＝内部摩擦角、τssp＝ｃ＋σssp×ｔ
ａｎφ、σssp＝定常点における垂直荷重）
各荷重において算出した単軸崩壊応力と最大圧密応力をプロット（Ｆｌｏｗ  Ｆｕｎｃｔｉｏｎ  Ｐｌｏｔ）し、そのプロットに基づき直線を引く。この直線より、最大圧密応力１０．０ｋＰａ時における単軸崩壊応力を求める。
【００７８】
＜トナーのタップ密度ρの測定方法＞
パウダーテスタＰＴ−Ｒ（ホソカワミクロン社製）を用いて測定を行った。測定に使用するサンプルは、２３℃，５０％ＲＨの環境下、２４時間調湿させたものを用いた。測定環境は、２３℃，５０％ＲＨで行った。また測定は、トナーを目開き７５μｍの篩を用いて、振幅を１ｍｍで振動させながら、容積１００ｍｌの金属性カップからオーバーフローするようにサンプルを補給しつつ、金属性カップを振幅１８ｍｍにて上下往復１８０回タッピングさせた。タッピング後のトナー重量から、タップ密度（固め見掛け密度）ρ（ｇ／ｃｍ３）を計算した。
【００７９】
＜表面層膜厚の測定＞
まず、下部阻止層、光導電層及び上部阻止層のみを形成したリファレンス電子写真感光体を作製し、任意の周方向における長手方向の中央部を１５ｍｍ四方の正方形で切り出し、リファレンス試料を作製した。
次に、下部阻止層、光導電層、上部阻止層及び表面層を形成した電子写真感光体を同様
に切り出し、測定用試料を作製した。
リファレンス試料と測定用試料を分光エリプソメトリー（Ｊ．Ａ．Ｗｏｏｌｌａｍ社製：高速分光エリプソメトリー  Ｍ−２０００）により測定し、表面層の膜厚を求めた。
分光エリプソメトリーの具体的な測定条件は、入射角：６０°、６５°、７０°、測定波長：１９５ｎｍから７００ｎｍ、ビーム径：１ｍｍ×２ｍｍである。
まず、リファレンス試料を分光エリプソメトリーにより各入射角で波長と振幅比Ψ及び位相差Δの関係を求めた。
次に、リファレンス試料の測定結果をリファレンスとして、測定用試料をリファレンス試料と同様に分光エリプソメトリーにより各入射角で波長と振幅比Ψ及び位相差Δの関係を求めた。
さらに、下部阻止層、光導電層、上部阻止層及び表面層を順次形成した。最表面に表面層と空気層が共存する粗さ層を有する層構成を計算モデルとして用いて、解析ソフトにより粗さ層の表面層と空気層の体積比を変化させた。各入射角における波長と振幅比Ψ及び位相差Δの関係を計算により求めた。そして、各入射角における上記計算により求めた波長と振幅比Ψ及び位相差Δの関係と測定用試料を測定して求めた波長と振幅比Ψ及び位相差Δの関係の平均二乗誤差が最小となるときの計算モデルを選択した。この選択した計算モデルにより表面層の膜厚を算出し、得られた値を表面層の膜厚とした。なお、解析ソフトはＪ．Ａ．Ｗｏｏｌｌａｍ社製のＷＶＡＳＥ３２を用いた。また、粗さ層の表面層と空気層の体積比に関しては、表面層：空気層を１０：０から１：９まで粗さ層における空気層の比率を１ずつ変化させて計算をした。
【００８０】
＜Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ））、Ｓｉ＋Ｃ原子密度の測定＞
上記測定用試料をＲＢＳ（ラザフォード後方散乱法）（日新ハイボルテージ（株）製：後方散乱測定装置  ＡＮ−２５００）により、ＲＢＳの測定面積における表面層中のケイ素原子及び炭素原子の原子数を測定した。測定したケイ素原子及び炭素原子の原子数から、（Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ））を求めた。次に、ＲＢＳの測定面積から求めたケイ素原子及び炭素原子に対し、分光エリプソメトリーにより求めた表面層の膜厚を用いて、Ｓｉ原子密度、Ｃ原子密度及びＳｉ＋Ｃ原子密度を求めた。
なお、中間層部の（Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ））は、ＲＢＳの測定結果をシミュレーション解析によって、深さ方向の分析を行った。
ＲＢＳの具体的な測定条件は、入射イオン：４Ｈｅ＋、入射エネルギー：２．３ＭｅＶ、入射角：７５°、試料電流：３５ｎＡ、入射ビーム経：１ｍｍである。また、ＲＢＳの検出器は、散乱角：１６０°、アパーチャ径：８ｍｍ、ＨＦＳの検出器は、反跳角：３０°、アパーチャ径：８ｍｍ＋Ｓｌｉｔで測定を行った。
【００８１】
＜欠陥密度の測定＞
ａ−ＳｉＣ表面層の欠陥密度は、電子スピン共鳴（ＥＳＲ）法（本体：ＢＲＵＫＥＲ社製  Ｅｌｅｘｓｙｓ Ｅ５８０、ガウスメーター：ＢＲＵＫＥＲ社製  ＥＲ０３６ＴＭ、
クライオスタット：ＯＸＦＯＲＤ社製  ＥＳＲ９００）により、測定した。
測定サンプルは電子写真感光体の任意の周方向における長手方向の中央部を短冊状（２０ｍｍ×３ｍｍ）に切り出し、以下の条件でＥＳＲ測定を行った。なお、ａ−ＳｉＣ表面層の欠陥密度は、主にＣ上のダングリングボンドに起因すると考えられる信号（ｇ値＝２．００２０〜２．００３０付近）から算出した。ＥＳＲの測定面積から求めた欠陥数に対し、分光エリプソメトリーにより求めた表面層の膜厚を用いて、欠陥密度を求めた。
ＥＳＲ法の具体的な測定条件は、測定温度：３０Ｋ、中心磁場：３３６９Ｇ、磁場掃引範囲：２００Ｇ、変調：１００ｋＨｚ,２０Ｇ、マイクロ波：９．４３ＧＨｚ,２μＷ、掃引時間：８３．８８６ｓ×１０ｔｉｍｅｓ、時定数：１６３．８４ｍｓ、データポイント数：１０２４ｐｏｉｎｔｓ、キャビティ：ＴＥ０１１,円筒型で行った。
【実施例】
【００８２】
以下、実施例及び比較例により、本発明をさらに詳しく説明するが、本発明はこれらにより何ら制限されるものではない。
【００８３】
[感光体の製造例]
＜ａ−Ｓｉ感光体１〜９の製造例＞
図３のプラズマ処理装置を用いて、円筒状基体（直径８４ｍｍ、長さ３７１ｍｍ、厚さ３ｍｍの鏡面加工を施した円筒状のアルミニウム製の導電性基体）上に表１に示す条件で下部阻止層、光導電層、上部阻止層、表面層を順次形成し、負帯電用のａ−Ｓｉ感光体１〜９を作製した。また、電子写真感光体の作製本数は、各成膜条件（層形成条件）で２本ずつ作製した。そして、得られたａ−Ｓｉ感光体１〜９のＳｉ原子密度、Ｃ原子密度、Ｓｉ＋Ｃ原子密度、（Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ））、欠陥密度を測定し表１に示す。
一方、各成膜条件の残りの１本の電子写真感光体を用いて、後述の各評価を行った。
【００８４】
【表１】
2016095471.tif 000002
【００８５】
［トナーの製造例］
＜結着樹脂１の製造例＞
ポリオキシプロピレン（２．２）−２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン７６．９質量部（０．１６７モル）、テレフタル酸２４．１質量部（０．１４５モル）、及びチタンテトラブトキシド０．５質量部をガラス製４リットルの４つ口フラスコに入れ、温度計、撹拌棒、コンデンサー及び窒素導入管を取りつけマントルヒーター内においた。次にフラスコ内を窒素ガスで置換した後、撹拌しながら徐々に昇温し、２００℃の温度で撹拌しつつ、４時間反応させた。（第１反応工程）その後、無水トリメリット酸２．０質量部（０．０１０モル）を添加し、１８０℃で１時間反応させ（第２反応工程）、結着樹脂１を得た。
この結着樹脂１の酸価は１０ｍｇＫＯＨ／ｇであり、水酸基価は６５ｍｇＫＯＨ／ｇであった。また、ＧＰＣによる分子量は、重量平均分子量（Ｍｗ）８，０００、数平均分子量（Ｍｎ）３，５００、ピーク分子量（Ｍｐ）５，７００、軟化点は９０℃であった。
【００８６】
［結着樹脂２の製造例］
ポリオキシプロピレン（２．２）−２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン７１．３質量部（０．１５５モル）、テレフタル酸２４．１質量部（０．１４５モル）、及びチタンテトラブトキシド０．６質量部をガラス製４リットルの４つ口フラスコに入れ、温度計、撹拌棒、コンデンサー及び窒素導入管を取りつけマントルヒーター内においた
。次にフラスコ内を窒素ガスで置換した後、撹拌しながら徐々に昇温し、２００℃の温度で撹拌しつつ、２時間反応させた。（第１反応工程）その後、無水トリメリット酸５．８質量部（０．０３０モル％）を添加し、１８０℃で１０時間反応させ（第２反応工程）、結着樹脂２を得た。
この結着樹脂２の酸価は１５ｍｇＫＯＨ／ｇであり、水酸基価は７ｍｇＫＯＨ／ｇである。また、ＧＰＣによる分子量は、重量平均分子量（Ｍｗ）２００，０００、数平均分子量（Ｍｎ）５，０００、ピーク分子量（Ｍｐ）１０，０００、軟化点は１３０℃であった。
【００８７】
＜トナー１の製造例＞
・結着樹脂１                                                  ７５．０質量部
・結着樹脂２                                                  ２５．０質量部
・フィッシャートロプシュワックス
（最大吸熱ピークのピーク温度７６℃）                            ５．０質量部
・Ｃ．Ｉ．ピグメントブルー１５：３                              ６．０質量部
・３，５−ジ−ｔ−ブチルサリチル酸アルミニウム化合物            ０．５質量部
該処方で示した原材料をヘンシェルミキサー（ＦＭ−７５型、三井鉱山（株）製）を用いて、回転数２０ｓ-1、回転時間５ｍｉｎで混合した後、温度１４０℃に設定した二軸混練機（ＰＣＭ−３０型、株式会社池貝製）にて混練した。得られた混練物を冷却し、ハンマーミルにて１ｍｍ以下に粗粉砕し、粗砕物を得た。得られた粗砕物を、機械式粉砕機（Ｔ−２５０、ターボ工業（株）製）にて微粉砕した。さらに回転型分級機（２００ＴＳＰ、ホソカワミクロン社製）を用い、分級を行い、トナー粒子を得た。回転型分級機（２００ＴＳＰ、ホソカワミクロン社製）の運転条件は、分級ローター回転数を５０．０ｓ-1で分級を行った。得られたトナー粒子は、重量平均粒径（Ｄ４）が５．５μｍであった。
得られたトナー粒子１００質量部に、ヘキサメチルジシラザン０．５質量％で表面処理された個数平均粒径１１０ｎｍのゾルゲルシリカ粒子４．０質量部を添加し、ヘンシェルミキサー（ＦＭ−７５型、三井鉱山（株）製）で、回転数３０ｓ−１、回転時間１０ｍｉｎで混合し、図５で示す表面処理装置によって熱処理を行った。運転条件はフィード量＝５ｋｇ／ｈｒとし、また、熱風温度Ｃ＝２００℃、熱風流量＝６ｍ３／ｍｉｎ、冷風温度Ｅ＝５℃、冷風流量＝４ｍ３／ｍｉｎ、冷風絶対水分量＝３ｇ／ｍ３、ブロワー風量＝２０ｍ３／ｍｉｎ、インジェクションエア流量＝１ｍ３／ｍｉｎ．とした。得られた処理トナー粒子は、平均円形度が０．９６４、重量平均粒径（Ｄ４）が６．３μｍであった。
得られた処理トナー粒子１００質量部にヘキサメチルジシラザン２．５質量％で表面処理した個数平均粒径４０ｎｍのシリカ微粒子１．０質量部、前述の個数平均粒径１１０ｎｍのゾルゲルシリカ粒子をさらに１．０質量部、ステアリン酸亜鉛６．５質量％で表面処理した個数平均粒径１２０ｎｍのチタン酸ストロンチウム微粒子０．５質量部を添加し、ヘンシェルミキサー（ＦＭ−７５型、三井鉱山（株）製）で回転数３０ｓ−１、回転時間１０ｍｉｎ混合して、トナー１を得た。得られたトナーの物性を表２に示す。
【００８８】
＜トナー２〜１０の製造例＞
表２に示す通りに、ＷＡＸ、ゾルゲルシリカ粒子それぞれの添加部数を変更し、熱風温度を表のとおりに変更する以外は、トナー１製造例と同様にして、トナー２〜１０を得た。得られたトナーの物性を表２に示す。
【００８９】
【表２】
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・表中、単軸崩壊応力は、トナーの最大圧密応力１０．０ｋＰａ時における単軸崩壊応力を示す。
【００９０】
［実施例１］
ａ−Ｓｉ感光体１と二成分現像剤１を用いて後述の評価を行った。評価結果を表４に示す。
［実施例２〜１４、比較例１〜４］
ａ−Ｓｉ感光体と二成分現像剤とを表３に記載の組み合わせに変更する以外は、実施例１と同様にして評価を行った。評価結果を表４に示す。
【００９１】
【表３】
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【００９２】
［画像評価］
（感度特性）
感度特性の評価は、キヤノン（株）製のデジタル電子写真装置「ｉｍａｇｅ ＲＵＮＮ
ＥＲ ＡＤＶＡＮＣＥ Ｃ７０６５」（商品名）の改造機を用いた。改造機は、一次帯電及び現像バイアスを外部電源から印加する構成とした。
作製した感光体をＢｋステーションに搭載した。一次帯電の一次電流とグリット電圧をワイヤー及びグリットを調整して感光体の暗部表面電位が５００Ｖになるように設定した。次に、先に設定した帯電条件で帯電させた状態で画像露光を照射し、その照射エネルギーを調整することにより、現像器位置の電位を１５０Ｖとした。
評価結果は感光体Ｎｏ．９（比較例４）を搭載した場合の照射エネルギーを１．００とした相対比較で示した。
Ａ：感光体Ｎｏ．９での照射エネルギーに対する照射エネルギーの比が０．９０未満。
Ｂ：感光体Ｎｏ．９での照射エネルギーに対する照射エネルギーの比が０．９０以上０．９５未満。
Ｃ：感光体Ｎｏ．９での照射エネルギーに対する照射エネルギーの比が０．９５以上。
【００９３】
（耐高湿流れ性）
耐高湿流れ性の評価は、感光体へのクリーニング部材の押し付け圧力を０．５２Ｎ（０．５３ｋｇｆ）に変更し、高温高湿環境下（３０℃／８０％ＲＨ）下で連続通紙試験前のＡ３文字チャート（４ｐｔ、印字率４％）の画像を出力した。このとき、感光体ヒーターをＯＮにする条件で実施した。
連続通紙試験前の画像出力後、連続通紙試験を実施した。連続通紙試験時は、電子写真装置を稼働して連続通紙試験を実施している間及び電子写真装置を停止している間を通じて常に感光体ヒーターをＯＦＦにする条件で実施した。
具体的には、印字率１％のＡ４テストパターンを用いて、１日当たり２．５万枚の連続通紙試験を２０日間実施して５０万枚まで行った。連続通紙試験終了後、高温高湿環境下で１５時間放置した。
１５時間後、感光体ヒーターをＯＦＦのまま立ち上げ、Ａ３文字チャート（４ｐｔ、印
字率４％）の画像を出力した。連続通紙試験前に出力した画像と、連続通紙試験後に出力した画像を、３００ｄｐｉの２値の条件でＰＤＦファイルに電子化した。
電子化した画像をＡｄｏｂｅ製の画像編集ソフト「Ａｄｏｂｅ  Ｐｈｏｔｏｓｈｏｐ」（商品名）を用いて、電子写真感光体１周分の画像領域の画像比率を測定した。次に、連続通紙耐久前に出力した画像に対する連続通紙試験後に出力した画像比率を求め、耐久流れの評価を行った。
高湿流れが発生した場合、画像全体で文字がぼける、又は、文字が印字されずに白抜けするため、連続通紙試験前の正常な画像と比較した場合、出力された画像比率が低下する。よって、連続通紙試験前の正常な画像に対する連続通紙試験後に出力された画像比率が１００％に近いほど高湿流れが良好となる。
Ａ：続通紙試験前の画像に対する連続通紙試験後に出力した画像比率が９５％以上１１０％以下。
Ｂ：連続通紙試験前の画像に対する連続通紙試験後に出力した画像比率が９０％以上９５％未満。
Ｃ：連続通紙試験前の画像に対する連続通紙試験後に出力した画像比率が８０％以上９０％未満。
Ｄ：連続通紙試験前の画像に対する連続通紙試験後に出力した画像比率が８０％未満。
【００９４】
（ドット再現性  （画像解像性））
ドット再現性の評価は、耐高湿流れ評価を行った後、高湿流れの影響を除外するために、温度２２℃、相対湿度５０％の環境下で、感光体ヒーターをＯＮにして、感光体の表面を約４０℃に保った条件で画像を出力した。
また、画像データはプリンタードライバーを介さずに直接出力可能な構成とし、１画素を１ドットで形成するドット画像を作成した。紙上の１ドットあたりの面積が、２００００μｍ２以上２５０００μｍ２となるように、レーザービームのスポット径を調整した。デジタルマイクロスコープＶＨＸ−５００（レンズワイドレンジズームレンズＶＨ−Ｚ１００・キーエンス社製）を用い、ドット１０００個の面積を測定した。
ドット面積の個数平均（Ｓ）とドット面積の標準偏差（σ）を算出し、ドット再現性指数を書き式により算出した。 
ドット再現性指数（Ｉ）＝σ／Ｓ×１００
Ａ：Ｉが４．０未満
Ｂ：Ｉが４．０以上６．０未満
Ｃ：Ｉが６．０以上８．０未満
Ｄ：Ｉが８．０以上
【００９５】
（画像メモリ）
画像メモリの評価は、図４に示すＡ３のテストチャートを出力して行った。このテストチャートは、画像の先端側にベタ白とベタ黒の繰り返しパターンがあり、その後、６００ｄｐｉの１ドット１スペースの面積比率２５％のハーフトーンで形成されている。感光体の１周目でベタ白ベタ黒の画像を形成した感光体部分が、２周目でハーフトーンを形成した画像において、該ハーフトーン部分の、１周目でベタ白を形成した感光体部分に対応する部分の濃度と、１周目でベタ黒を形成した部分に対応する部分との濃度の差を、反射濃度計（Ｘ−Ｒｉｔｅ  Ｉｎｃ製：５０４分光濃度計）により測定した。
この評価において、濃度差から以下の基準で評価を行った。
Ａ：濃度差が０．０１未満
Ｂ：濃度差が０．０１以上０．０２未満
Ｃ：濃度差が０．０２以上
【００９６】
（クリーニング不良） 
クリーニング不良の評価は、感光体へのクリーニング部材の押し付け圧力を０．５２Ｎ
（０．５３ｋｇｆ）に変更し、低温低湿環境下（１５℃／１０％ＲＨ）下で印字面積４％のＡ４文字チャートを連続１０万枚出力した。このとき、感光体ヒーターをＯＮにする条件で実施した。間欠通紙中の画像にクリーニング不良による縦スジやびびり跡の発生をチェックし、また耐久通紙完了後にトナーや無機微粉体による帯電ローラの表面汚染状態をチェックし、以下のように評価した。
Ａ‥通紙耐久を通じてクリーニング不良による画像欠陥は見られず、また耐久通紙完了後の帯電ローラの汚染状態も良好である。 
Ｂ‥通紙耐久を通じてクリーニング不良による画像欠陥は見られないが、耐久通紙完了後の帯電ローラに軽い汚染が見られる。 
Ｃ‥通紙耐久を通じてクリーニング不良による画像欠陥は見られないが、耐久通紙完了後の帯電ローラに汚染が見られる。 
Ｄ‥通紙耐久のなかでクリーニング不良による画像欠陥があった。 
【００９７】
（鳴き、びびり）
鳴き、びびりの評価は、クリーニング評価を行った後、低温低湿環境下（１５℃／１０％ＲＨ）下で感光体ヒーターを常時オフ設定に変更した。感光体ヒーターを常時オフに設定したまま、さらに印字面積２％のＡ４文字チャートを用いて、２枚通紙する毎に感光体の回転が５秒間停止する間欠運転にて、５０００枚の通紙耐久を行った。通紙終了後、そのままの環境下で１５時間放置したのち、再度、同様の間欠運転にて５０００枚の通紙耐久を行った。感光体の鳴きやびびりは、常温時よりもクリーニングブレードの弾性が低下する低温環境下で起きやすい。感光体の鳴き、びびりの評価方法としては、間欠通紙中の感光体の回転起動時や停止時、また特に低温低湿環境に放置後、冷えた状態からの起動時に、感光体から気になるような音があるかどうかを評価とした。 
Ａ：感光体の鳴きやびびりは全く認められない。   
Ｂ：ごく僅かな頻度で、通常は気付かない程度のごく小さな音が認められた。   
Ｃ：僅かな頻度で、通常は気にならない程度の小さな音が認められた。   
Ｄ：通常は気にならない程度の小さな音が認められた、又は頻度を問わず気になる音を確認した。   
【００９８】
【表４】
2016095471.tif 000005
【符号の説明】
【００９９】
１：原料定量供給手段、２：圧縮気体流量調整手段、３：導入管、４：突起状部材、５：供給管、６：処理室、７：熱風供給手段、８：冷風供給手段、９：規制手段、１０：回収手段、１１：熱風供給手段出口、１２：分配部材、１３：旋回部材、１４：粉体粒子供給口
１０１：基体上、１０２：下部電荷注入阻止層、１０３：光導電層、１０４：表面層、１０５：中間層、１０６：複数の中間層、１０７：変化層
２０１：電子写真感光体、２０２：主帯電器、２０３：静電潜像形成手段（画像露光手段）、２０４：現像器、２０５：中間転写体、２０６：クリーナー、２０７：前露光器
３１００：堆積装置、３１１０：反応容器、３２００：原料ガス供給装置、
３１１１：カソード電極、３１１２：基体、３１１３：基体加熱用ヒーター、３１１４：原料ガス導入管、３１１５：高周波マッチングボックス、３１１６：ガス配管、３１１７：リークバルブ、３１１８：メインバルブ、３１１９：真空計、３１２０：高周波電源、３１２１：絶縁材料、３１２３：受け台、
３２２１〜３２２５：原料ガスボンベ、３２３１〜３２３５：バルブ、３２６１〜３２６５：圧力調整器、３２４１〜３２４５：流入バルブ、３２５１〜３２５５：流出バルブ、３２１１〜３２１５：マスフローコントローラ、３２６０：補助バルブ
【図１】
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【図２】
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【図３】
2016095471.tif 000008
【図４】
2016095471.tif 000009
【図５】
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