(57)【要約】【課題】外光の入射に起因する薄膜トランジスタの光リークを抑制できる反射型液晶表示装置を提供する。【解決手段】アレイ基板13は、ガラス基板21と、複数の薄膜トランジスタ22と、複数の画素電極27と、金属膜25とを備える。複数の薄膜トランジスタ22は、ガラス基板21に設けられる。複数の画素電極27は、互いに間隔を置いて設けられ、薄膜トランジスタ22により駆動される。複数の画素電極27は、対向基板側から入射した外光Ｌを反射する。金属膜25は、画素電極27，27の間隔と薄膜トランジスタ22との間に設けられる。【選択図】図１
2016095489.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示側基板と、
この表示側基板に対向配置された反表示側基板と、
これら表示側基板と反表示側基板との間に介在され光を変調させる光変調層とを具備し、
前記反表示側基板は、
反表示側基板本体と、
この反表示側基板本体に設けられた複数の薄膜トランジスタと、
互いに間隔を置いて設けられ、これら薄膜トランジスタにより駆動されるとともに前記表示側基板側から入射した光を反射する複数の画素電極と、
これら複数の画素電極の間隔と前記薄膜トランジスタとの間に設けられた外光入射抑制層とを備えた
ことを特徴とする反射型表示装置。
【請求項２】
前記外光入射抑制層は、遮光層である
ことを特徴とする請求項１記載の反射型表示装置。
【請求項３】
前記遮光層は、絶縁膜を介して前記画素電極の背面側に対向する金属膜である
ことを特徴とする請求項２記載の反射型表示装置。
【請求項４】
前記反表示側基板は、前記画素電極間で前記遮光層を覆う位相差層を備えている
ことを特徴とする請求項３記載の反射型表示装置。
【請求項５】
前記位相差層は、λ／４位相差層である
ことを特徴とする請求項４記載の反射型表示装置。
【請求項６】
前記遮光層は、前記画素電極が積層される平坦化層の下地となる黒色レジストである
ことを特徴とする請求項２記載の反射型表示装置。
【請求項７】
前記外光入射抑制層は、前記画素電極の少なくとも一部の反表示側と前記薄膜トランジスタとの間に介在され、反表示側から表示側へのみ光の透過を許容するハーフミラーである
ことを特徴とする請求項１記載の反射型表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、表示側基板側から光変調層を介して入射した外光を表示側基板側へと反射させる複数の画素電極を有する反表示側基板を備えた反射型表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、液晶表示装置(ＬＣＤ)は、アレイ基板、対向基板、及び、これら基板間に介在される光変調層である液晶層を備えており、バックライトを用いてアレイ基板の反表示側である背面側(後面側)から照射した光を透過させて画像を表示する透過型と、対向基板の表示側すなわち前面側から入射する光をアレイ基板に設けた画素電極により反射させて表示する反射型と、これらを組み合わせた半透過型とに大別される。
【０００３】
液晶表示装置では、画素電極を駆動させる薄膜トランジスタが画素電極の背面側に位置するため、その構造上、透過型、あるいは半透過型の液晶表示装置の場合には、アレイ基板の背面側に位置するバックライトからアレイ基板に入射した光の一部が薄膜トランジスタに入射しやすく、この入射によって光リークが発生し、フリッカなどが生じて表示品位が低下する場合があった。これに対して、反射型の液晶表示装置の場合には、前面側から入射する外光のみであるため、従来、薄膜トランジスタには光が入射しにくく、光リークは生じにくいと考えられてきた。
【０００４】
しかしながら、近年、反射型の液晶表示装置であっても、薄膜トランジスタに光リークが生じる場合があることが分かってきた。そのため、反射型の液晶表示装置に対しても薄膜トランジスタへの外光の入射を抑制することが望まれている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００２−３６５６６４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明が解決しようとする課題は、外光の入射に起因する薄膜トランジスタの光リークを抑制できる反射型表示装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
実施形態の反射型表示装置は、表示側基板と、この表示側基板に対向配置された反表示側基板と、これら表示側基板と反表示側基板との間に介在され光を変調させる光変調層とを有する。反表示側基板は、反表示側基板本体と、複数の薄膜トランジスタと、複数の画素電極と、外光入射抑制層とを備える。複数の薄膜トランジスタは、反表示側基板本体に設けられる。複数の画素電極は、互いに間隔を置いて設けられ、薄膜トランジスタにより駆動される。また、これら複数の画素電極は、表示側基板側から入射した光を反射する。そして、外光入射抑制層は、複数の画素電極の間隔と薄膜トランジスタとの間に設けられる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】第１の実施形態の反射型表示装置の反表示側基板の一部を拡大して模式的に示す断面図である。
【図２】同上反表示側基板の一部を拡大して模式的に示す断面図である。
【図３】同上反射型表示装置を模式的に示す説明図である。
【図４】同上反射型表示装置の概略を示す断面図である。
【図５】第２の実施形態の反射型表示装置の反表示側基板の一部を拡大して模式的に示す断面図である。
【図６】第３の実施形態の反射型表示装置の外光入射抑制層を拡大して模式的に示す断面図である。
【図７】同上反射型表示装置の反表示側基板の一部を拡大して模式的に示す断面図である。
【図８】第４の実施形態の反射型表示装置の反表示側基板の一部を拡大して模式的に示す断面図である。
【図９】同上反表示側基板の一部を拡大して模式的に示す平面図である。
【図１０】同上反射型表示装置の黒表示状態を模式的に示す説明図である。
【図１１】第５の実施形態の反射型表示装置の動作を模式的に示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、第１の実施形態の構成を図１ないし図４を参照して説明する。
【００１０】
図４において、11は反射型表示装置であるアクティブマトリクス型の反射型液晶表示装置を示し、この反射型液晶表示装置11は、概略として、反表示側基板としての第１の基板であるアレイ基板13と、表示側基板としての第２の基板である対向基板14と、これら基板13，14間に介在された光変調層である液晶層15とを備えている。そして、この反射型液晶表示装置11は、基板13，14間に間隙を保持する図示しない間隙保持部材(スペーサ)が介在されているとともに、液晶層15の周囲が例えば紫外線硬化性樹脂、あるいは熱硬化性樹脂などにより設けられたシール部材17により囲まれて封止されている。なお、以下、反射型液晶表示装置11を単に表示装置11と略記する。
【００１１】
アレイ基板13は、図１に示すように、透光性及び絶縁性を有する反表示側基板本体(第１の基板本体)としてのガラス基板21と、このガラス基板21上に設けられたスイッチング素子としての薄膜トランジスタ22と、この薄膜トランジスタ22を覆う層間絶縁膜23及び平坦化層である平坦化膜24と、この平坦化膜24上に直接接触して設けられた外光入射抑制層としての遮光層である金属膜25と、この金属膜25上に設けられた絶縁膜26と、この絶縁膜26上に設けられた複数の画素電極27とを備えている。また、このアレイ基板13には、走査線28(図２)及び信号線29(図２)が互いに絶縁された状態で格子状に配置されている。さらに、このアレイ基板13には、画素電極27全体を覆って、図示しない配向膜が設けられている。
【００１２】
ガラス基板21上には、図示しないが、例えば平坦化用のアンダーコート層などが設けられている。なお、アレイ基板13は、このガラス基板21に代えて、合成樹脂製の基板などの、透光性及び絶縁性を有する任意の基板を用いることができる。
【００１３】
薄膜トランジスタ22は、画素電極27を駆動するもので、例えばトップゲート型(スタガ型)、あるいはボトムゲート型(逆スタガ型)のいずれでもよいが、本実施形態では例えばトップゲート型のものとする。この薄膜トランジスタ22は、図２に示すように、半導体層22c、この半導体層22cのチャネル領域に対向するゲート電極31、半導体層22cのソース領域に電気的に接続されるソース電極32、及び、半導体層22cのドレイン領域に電気的に接続されるドレイン電極33を備え、走査線28と信号線29とが交差する位置にそれぞれ配置されている。したがって、薄膜トランジスタ22は、マトリクス状に配置されている。また、各薄膜トランジスタ22は、ゲート電極31が走査線28と電気的に接続され、ソース電極32が信号線29と電気的に接続され、かつ、ドレイン電極33が平坦化膜24(図１)に設けられたコンタクトホール34、及びこのコンタクトホール34に設けられた導通層35を介して画素電極27と電気的に接続されている。
【００１４】
図１に戻って、導通層35は、平坦化膜24上に、例えばＩＴＯなどの透明な導電性の材料により設けられている。
【００１５】
層間絶縁膜23は、薄膜トランジスタ22のゲート電極とソース電極及びドレイン電極33とを絶縁するもので、例えばシリコン酸化膜、シリコン窒化膜、あるいは合成樹脂などにより設けられている。
【００１６】
平坦化膜24は、例えば透光性を有する有機絶縁膜であり、上方に位置する画素電極27を平坦状とするために下側の層の段差を吸収して平坦化するものである。
【００１７】
金属膜25は、平坦化膜24の直上、すなわち平坦化膜24に直接接触して、例えばモリブデン(Ｍｏ)、あるいはモリブデンタングステン(ＭｏＷ)などの、導電性を有する金属により設けられている。この金属膜25は、例えば隣接する画素電極27a，27b間の隙間Ｇに対向する位置に配置されて、この隙間Ｇからの外光Ｌの入射を防止している。なお、この金属膜25は、外光Ｌの入射の防止用としては、少なくとも隣接する画素電極27a，27b間の隙間Ｇに対向する位置に配置すればよいが、本実施形態では、絶縁膜26によって画素電極27aと隣接する画素電極27bと金属膜25との間に画素電極27aと電気的に接続される補助容量を形成するように、例えば画素電極27aに対して導通層35を介して電気的に接続されているとともに、画素電極27a，27bに対向して広がって設けられている。すなわち、金属膜25は、薄膜トランジスタ22と複数の画素電極27a，27bの間隔(隙間Ｇ)との間に設けられている。
【００１８】
絶縁膜26は、金属膜25と画素電極27bとの導通を防止するとともに金属膜25と画素電極27との間に介在されて補助容量を形成するもので、金属膜25の直上、すなわち金属膜25に直接接触して、例えばシリコン窒化膜などにより設けられている。この絶縁膜26は、例えば透光性を有さず、画素電極27a，27b間の隙間Ｇに位置して遮光層として機能する。
【００１９】
画素電極27は、各薄膜トランジスタ22に対応して、それぞれ薄膜トランジスタ22の上方にマトリクス状に配置されている。換言すれば、薄膜トランジスタ22は、画素電極27の背面側に位置している。これら画素電極27は、光を反射する反射層37と、この反射層37上に積層された仕事関数調整層38とにより構成され、外光Ｌを反射する反射画素電極である。そして、画素電極27aと画素電極27bとは、互いに間隔を置いて(離間されて)設けられている。
【００２０】
反射層37は、例えばアルミニウムや銀、あるいは、これらを一成分とする化合物や合金などにより設けられている。
【００２１】
仕事関数調整層38は、後述する対向基板14(図３)の対向電極43と反射層37との仕事関数を調整するために設けられ、例えば対向電極43と同じ材質、例えばＩＴＯあるいはＩＺＯなどの透明な導電性の材質により設けられている。
【００２２】
また、図３に示す対向基板14は、透光性及び絶縁性を有する表示側基板本体(第２の基板本体)としてのガラス基板41を備えているとともに、ガラス基板41の液晶層15側に、カラーフィルタ(ＣＦ)層42、このカラーフィルタ層42上に設けられた共通電極である対向電極(透明電極)43、この対向電極43を覆いアレイ基板13側の配向膜とともに液晶層15の液晶分子を整列させる図示しない配向膜、及び、偏光板44などを備えている。この偏光板44には、例えば位相差板が一体的に設けられていてもよい。なお、この対向基板14は、ガラス基板に代えて、例えば合成樹脂製の基板などの、透光性及び絶縁性を有する任意の基板を用いることができる。
【００２３】
カラーフィルタ層42は、例えば赤、緑、青のそれぞれに対応するフィルタ部42r，42g，42bと、これらフィルタ部42r，42g，42b間を区画し不要光を遮断する図示しない遮光部(ブラックマトリクス)とを有し、各フィルタ部42r，42g，42bが各画素電極27に対応してそれぞれ設けられている。なお、カラーフィルタ層42のフィルタ部42r，42g，42bの配列や色は、表示装置11でのカラー表示を実現可能な任意のものに設定できる。
【００２４】
対向電極43は、複数の画素電極27、本実施形態では例えば全ての画素電極27に共通な共通電極であり、全ての画素電極27に対応する領域に例えばＩＴＯあるいはＩＺＯなどの透明な導電性の材質にて設けられている。
【００２５】
液晶層15は、例えばＴＮモードなどの各種モードを用いることができる。例えば、この液晶層15は、ツイステッドネマティック(ＴＮ)−ノーマリホワイト(ＮＷ)モードとなっている。
【００２６】
そして、図１ないし図４に示すように、上記の表示装置11は、走査線28からの信号に応じて各薄膜トランジスタ22がそれぞれ画素電極27を独立して駆動させ、信号線29からの信号に応じてこれら画素電極27と対向電極43との間に設定される電位差に応じて液晶層15の液晶分子が動作される。この状態で、対向基板14側から入射した外光Ｌが各画素電極27の反射層37によって反射されることにより、液晶層15の液晶分子の角度に応じて各画素電極27による反射光の透過率が設定され、カラーフィルタ層42を通過した反射光が画像として表示される。
【００２７】
このとき、隣接する画素電極27a，27b間の隙間Ｇへと入射する外光Ｌは、この隙間Ｇに位置する金属膜25(絶縁膜26)により反射及び吸収され、薄膜トランジスタ22への外光Ｌの入射が阻止される。この結果、外光Ｌの入射に起因する薄膜トランジスタ22の光リークを抑制(防止)できる。
【００２８】
また、薄膜トランジスタ22への外光Ｌの入射を阻止する金属膜25を画素電極27の背面側に絶縁膜26を介在させて補助容量を構成することにより、補助容量を別途形成する必要がなく、金属膜25及び絶縁膜26を有効に利用して高精細化が可能になる。
【００２９】
次に、第２の実施形態を、図５を参照して説明する。なお、上記第１の実施形態と同様の構成及び作用については、同一符号を付してその説明を省略する。
【００３０】
この第２の実施形態は、上記第１の実施形態の金属膜25に代えて、外光入射抑制層としての遮光層である合成樹脂製の黒色レジスト45を設けるものである。
【００３１】
この黒色レジスト45は、黒色の顔料を含んで遮光性を有し、層間絶縁膜23と平坦化膜24との間に位置し、画素電極27を積層する平坦化膜24の下地となっている。すなわち、この黒色レジスト45は、ドレイン電極33と導通層35(画素電極27)とのコンタクト部分以外を覆って層間絶縁膜23上の略全面に設けられている。この黒色レジスト45は、例えば０．３〜０．５μｍの厚みを有しており、光学密度(光学濃度)、すなわちＯＤが３以上、好ましくは３．５以上のものが用いられる。
【００３２】
そして、隣接する画素電極27a，27b間の隙間Ｇから入射する外光Ｌは、平坦化膜24を透過した後、黒色レジスト45により反射及び吸収され、薄膜トランジスタ22への外光Ｌの入射が阻止される。この結果、外光Ｌの入射に起因する薄膜トランジスタ22の光リークを抑制(防止)できる。
【００３３】
また、画素電極27が積層される平坦化膜24の下地となる黒色レジスト45によって薄膜トランジスタ22への外光Ｌの入射を阻止するので、遮光効果を簡易に実施することが可能となるとともに、例えば金属膜を設ける場合などと比較して、スパッタリング、エッチング及び剥離などの工程が不要で、省工程化が可能になる。この結果、製造コストをより低減できる。
【００３４】
しかも、黒色レジスト45は、平坦化膜24の下に設けているので、平坦化膜24の形成以降の工程において、例えばスパッタリング及びＣＶＤ用のチャンバへの黒色レジスト45中の顔料の付着などの影響を低減でき、平坦化膜24の形成以降の工程の信頼性を確保できる。
【００３５】
以上説明した少なくとも一つの実施形態によれば、少なくとも画素電極27a，27b間から入射する外光Ｌを金属膜25、あるいは黒色レジスト45によって遮光するので、薄膜トランジスタ22に対して外光Ｌをより確実に入射しにくくできる。
【００３６】
すなわち、反射型液晶表示装置11の場合、画素電極27a，27b間から入射した外光Ｌが内部で多重反射し、特に画素電極27の反射層37による反射光が薄膜トランジスタ22へと入射して光リークを生じさせるものと考えられるので、金属膜25を画素電極27a，27b間の隙間に配置して遮光、あるいは薄膜トランジスタ22の上方を黒色レジスト45によって覆って遮光することで、多重反射及び薄膜トランジスタ22への光の入射を根絶できる。
【００３７】
次に、第３の実施形態を、図６及び図７を参照して説明する。なお、上記各実施形態と同様の構成及び作用については、同一符号を付してその説明を省略する。
【００３８】
この第３の実施形態は、外光入射抑制層として、画素電極27の少なくとも一部の反表示側と薄膜トランジスタ22との間に、反表示側から表示側へのみ光の透過を許容するハーフミラー47を介在させたものである。
【００３９】
このハーフミラー47は、光を半透過させる半透過層51と、光を透過させる透過層52とにより構成され、導通層53により画素電極27(反射層37)と電気的に接続されている。このハーフミラー47は、半透過層51、透過層52の順に積層されている。したがって、透過層52が半透過層51と導通層53とにより挟まれ、半透過層51が画素電極27(反射層37)に対して離間され、導通層53が画素電極27(反射層37)と密着している。
【００４０】
半透過層51は、例えばモリブデンなどの導電性を有する金属により、画素電極27(反射層37)よりも小さい厚み、例えば５ｎｍ程度に設けられている。
【００４１】
透過層52は、例えばＩＴＯなどの透明な導電性を有する材質により、半透過層51よりも大きい厚み、例えば３０〜５０ｎｍ程度に設けられている。この透過層52は、表示領域から引き出されて表示装置11と図示しない外部の駆動回路とを接続するための図示しないパッド部の金属部分も覆うように設けられている。
【００４２】
導通層53は、ハーフミラー47を画素電極27(反射層37)に対して密着させるとともに導通させるもので、例えばモリブデンなどの導電性を有する金属により、半透過層51よりも大きい厚みに設けられている。
【００４３】
したがって、ハーフミラー47は、薄膜トランジスタ22(ドレイン電極33)と画素電極27とのコンタクト部(導通層53)を含む、このコンタクト部近傍の位置、すなわち薄膜トランジスタ22の上方の位置で画素電極27の背面側に配置されているが、画素電極27の背面側全体に亘って配置してもよい。
【００４４】
そして、ハーフミラー47を設ける際には、平坦化膜24にコンタクトホール34を設けた後、半透過層51、透過層52の順に成膜及びパターニングする。この後、透過層52を覆って平坦化膜24上に、導通層53、反射層37及び仕事関数調整層38を順次成膜及びパターニングすることで、画素電極27を設ける。
【００４５】
隣接する画素電極27a，27b間の隙間Ｇから入射する外光Ｌは、平坦化膜24と層間絶縁膜23との界面などにより反射されてハーフミラー47に入射し、半透過層51及び透過層52を透過した後、導通層53(画素電極27(反射層37))により再反射されるものの、半透過層51に対して表示側である図中の上側から反表示側である図中の下側へと透過しないため、この半透過層51に入射する光との干渉効果により、薄膜トランジスタ22への外光Ｌの入射が抑制される。すなわち、画素電極27の反表示側と薄膜トランジスタ22との間に反表示側から表示側へのみ光の透過を許容するハーフミラー47を設けることで、外光Ｌの入射に起因する薄膜トランジスタ22の光リークを抑制できる。
【００４６】
すなわち、反射型液晶表示装置11の場合、画素電極27a，27b間から入射した外光Ｌが内部で多重反射し、特に画素電極27の反射層37による反射光が薄膜トランジスタ22へと入射して光リークを生じさせるものと考えられるので、画素電極27a，27bの背面側に配置したハーフミラー47によって多重反射を抑制し、薄膜トランジスタ22への光の入射を抑制できる。
【００４７】
また、ハーフミラー47は、画素電極27を設ける際に一括加工できるので、工程数が増加しない。
【００４８】
次に、第４の実施形態を図８ないし図１０を参照して説明する。なお、上記各実施形態と同様の構成及び作用については、同一符号を付してその説明を省略する。
【００４９】
この第４の実施形態は、上記第１の実施形態において、表示装置11がツイステッドネマティック(ＴＮ)−ノーマリホワイト(ＮＷ)モードであり、アレイ基板13の画素電極27間の隙間Ｇが位相差層56により覆われているものである。
【００５０】
位相差層56は、λ／４位相差層であり、材料として所定の位置にパターニング可能な光重合性液晶が有効に用いられる。例えば、位相差層56としては、紫外線硬化型液晶やリアクティブメソゲン(活性高分子)材料などが適用できるとともに、これらの液晶材料を混合しての使用も可能である。これらの液晶材料を用い、部分露光によって位相差層56をパターニングできるとともに、材料を選択することで配向状態、すなわち位相差を設定できる。
【００５１】
この位相差層56は、図９に示すように、隣接する画素電極27a，27b間の隙間Ｇを覆って配置されている。このため、位相差層56は、平面視で例えば格子状に形成されている。
【００５２】
また、対向基板14の偏光板44には、位相差板58が付属されている。この位相差板58は、例えばλ／４位相差板であり、偏光板44と一体的に設けられている。そして、この位相差板58は、偏光板44とガラス基板41との間に介在されている。
【００５３】
そして、図１０に表示装置11の黒表示状態を模式的に示す。このとき、画素電極27，27間の液晶分子は動かないため、ノーマリホワイトモードの表示装置11の場合、偏光板44を透過して画素電極27，27間を通過する偏光方向が回転せず、位相差層56を備えないと、そのまま金属膜25によって反射された反射光が偏光板44を透過して光漏れが生じるおそれがある。そこで、本実施形態では、画素電極27，27間の隙間Ｇを位相差層56により覆うことで、画素電極27，27間の隙間Ｇに入射した光の位相が変化し、さらに金属膜25により反射されて位相差層56を再度透過することで位相が変化する。具体的に位相差層56がλ／４位相差層であるため、画素電極27，27間に入射して金属膜25により反射された光は、入射光と位相がλ／２異なっているので、偏光板44により吸収されて光漏れしない。この結果、コントラストの低下を抑制できる。
【００５４】
なお、上記第４の実施形態において、図１１に示す第５の実施形態のように、位相差板58に代えて、対向基板14の液晶層15側の全面に位相差層(インセル位相差層)59を設けることもできる。この場合には、表示装置11(対向基板14)の厚みをより低減でき、薄型化が可能になる。
【００５５】
以上説明した少なくとも一つの実施形態によれば、外光の入射に起因する薄膜トランジスタ22の光リークを抑制できるので、光リークに伴うフリッカの発生などの表示品位の低下を抑制した、信頼性が高い表示装置11を提供できる。
【００５６】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００５７】
11    反射型表示装置である反射型液晶表示装置
13    反表示側基板としてのアレイ基板
14    表示側基板としての対向基板
15    光変調層である液晶層
21    反表示側基板本体としてのガラス基板
22    薄膜トランジスタ
24    平坦化層である平坦化膜
25    外光入射抑制層としての遮光層である金属膜
26    絶縁膜
27    画素電極
45    外光入射抑制層としての遮光層である黒色レジスト
47    外光入射抑制層としてのハーフミラー
56    位相差層
【図１】
2016095489.tif 000003
【図２】
2016095489.tif 000004
【図３】
2016095489.tif 000005
【図４】
2016095489.tif 000006
【図５】
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【図６】
2016095489.tif 000008
【図７】
2016095489.tif 000009
【図８】
2016095489.tif 000010
【図９】
2016095489.tif 000011
【図１０】
2016095489.tif 000012
【図１１】
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