(57)【要約】      （修正有）【課題】シャッターを制御する信号の不良によって生じる輝点や黒点等の表示不良を抑制する技術を提供する。【解決手段】表示装置は、画素ごとに開口領域を有する第１基板と、画素ごとに開口領域に対向して配置されるシャッター部を有する第２基板とを備える。シャッター部は、シャッター体１４１を支持する第１シャッタービーム及び第２シャッタービームと電気的に接続された第１シャッタービームアンカー及び第２シャッタービームアンカーと、第１駆動ビームアンカー１４２１及び第２駆動ビームアンカー１４３１のそれぞれに電圧を供給する複数の配線とを備える。第２基板において、各画素における第１駆動ビームアンカー１４２１及び第２駆動ビームアンカー１４３１は、当該画素とは異なる他の画素における第１駆動ビームアンカー１４２１及び第２駆動ビームアンカー１４３１に接続された配線とを接続するための修正用配線７１０，７２０を備える。【選択図】図８
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素を有する表示装置であって、
前記画素ごとに開口領域を有する第１基板と、
前記画素ごとに、前記開口領域に対向して配置されるシャッター部を有する第２基板と、を備え、
前記シャッター部は、
印加される電圧に応じて移動可能なシャッター体と、
前記シャッター体と電気的に接続され、印加される電圧に応じて弾性変形し、当該シャッター体を移動可能にする第１のシャッタービームと、
前記シャッター体と電気的に接続され、印加される電圧に応じて弾性変形し、当該シャッター体を移動可能にする第２のシャッタービームと、
前記第１のシャッタービームと電気的に接続され、前記第１のシャッタービームを支持する第１のシャッタービームアンカーと、
前記第２のシャッタービームと電気的に接続され、前記第２のシャッタービームを支持する第２のシャッタービームアンカーと、
前記第１のシャッタービームと対向する第１の駆動ビームと、
前記第２のシャッタービームと対向する第２の駆動ビームと、
前記第１の駆動ビームと電気的に接続され、前記第１の駆動ビームを支持する第１の駆動ビームアンカーと、
前記第２の駆動ビームと電気的に接続され、前記第２の駆動ビームを支持する第２の駆動ビームアンカーと、
前記第１のシャッタービームアンカーおよび前記第２のシャッタービームアンカーと、前記第１の駆動ビームアンカー、前記第２の駆動ビームアンカーのそれぞれに電圧を供給する複数の配線と、を備え、
前記第２基板は、
一の画素における前記第１のシャッタービームアンカー、及び前記第２のシャッタービームアンカー、又は前記第１の駆動ビームアンカー、又は前記第２の駆動ビームアンカーに接続された前記配線と、前記一の画素とは異なる他の画素における前記第１のシャッタービームアンカー、及び前記第２のシャッタービームアンカー、又は前記第１の駆動ビームアンカー、又は前記第２の駆動ビームアンカーに接続された前記配線とを接続するための修正用配線を備える、表示装置。
【請求項２】
前記修正用配線は、前記第１の駆動ビームアンカーに対応する第１の修正用配線と、前記第２の駆動ビームアンカーに対応する第２の修正用配線と、を備える請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記修正用配線は、前記第１のシャッタービームアンカー、及び前記第２のシャッタービームアンカーに対応して設けられている、請求項１に記載の表示装置。
【請求項４】
前記第２基板は、第１金属層と、絶縁膜を介して前記第１金属層の上に配置された第２金属層とを備え、
前記修正用配線は、前記第２金属層に形成され、
前記修正用配線と接続される前記配線は前記第１金属層に形成され、
前記修正用配線は、当該修正用配線と接続される前記配線と重なるように配置されている、請求項１から３のいずれか一項に記載の表示装置。
【請求項５】
前記第２基板は、前記第１金属層及び前記第２金属層に重なるように遮光膜を備え、
前記修正用配線と、当該修正用配線と接続される前記配線とが重なる領域の少なくとも一部の領域における前記遮光膜は、開口を有する、請求項４に記載の表示装置。
【請求項６】
前記修正用配線と、当該修正用配線と接続される前記配線とが重なる領域の少なくとも一部の領域における前記絶縁膜は、他の領域における前記絶縁膜よりも膜厚が小さい、請求項４又は５に記載の表示装置。
【請求項７】
前記一の画素における前記修正用配線は、当該修正用配線と接続される前記配線と導通し、前記他の画素における前記修正用配線は、当該修正用配線と接続される前記配線と導通していない、請求項１から６のいずれか一項に記載の表示装置。
【請求項８】
前記他の画素は、前記一の画素に隣接する画素である、請求項１から７のいずれか一項に記載の表示装置。
【請求項９】
前記一の画素における前記第１のシャッタービームアンカー、及び前記第２のシャッタービームアンカー、又は前記第１の駆動ビームアンカー、又は前記第２の駆動ビームアンカーに接続された前記配線は断線されており、
当該一の画素における前記第１のシャッタービームアンカー、及び前記第２のシャッタービームアンカー、又は前記第１の駆動ビームアンカー、又は前記第２の駆動ビームアンカーは、前記修正用配線と電気的に接続されている、請求項１から８のいずれか一項に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置に関し、特に、メカニカルシャッターを用いた表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍｓ）を用いた表示装置（以下、ＭＥＭＳディスプレイ）が注目され、これに関する様々な技術が開発されている。ＭＥＭＳディスプレイは、光源からの光を透過させる開口部を画素ごとに有する対向基板と、開口部と、トランジスタ等によって移動可能に構成されたＭＥＭＳシャッターとを画素ごとに有するアクティブマトリクス基板とを備える。光源から照射される光は対向基板における開口部を透過する。各画素に設けられたＭＥＭＳシャッターの位置によって、対向基板を透過した光は、アクティブマトリクス基板における開口部を透過する。つまり、ＭＥＭＳシャッターの位置を制御することにより、アクティブマトリクス基板の開口部を透過する光量が制御され、各画素における輝度が調整される（下記特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特表２０１３−５０７２０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、ＭＥＭＳシャッターの位置を制御するための信号がＭＥＭＳシャッターに正常に入力されない場合、ＭＥＭＳシャッターは動作せず、アクティブマトリクス基板の開口部から常に光が透過する状態、または、開口部から常に光が透過しない状態となる。そのため、アクティブマトリクス基板の開口部から常に光が透過する状態で黒色を表示するとその画素は輝点となり、常に光が透過しない状態で白色を表示すると、その画素は黒点となって表示される。
【０００５】
本発明は、シャッターを制御する信号の不良によって生じる輝点や黒点等の表示不良を抑制する技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、複数の画素を有する表示装置であって、前記画素ごとに開口領域を有する第１基板と、前記画素ごとに、前記開口領域に対向して配置されるシャッター部を有する第２基板と、を備え、前記シャッター部は、印加される電圧に応じて移動可能なシャッター体と、前記シャッター体と電気的に接続され、印加される電圧に応じて弾性変形し、当該シャッター体を移動可能にする第１のシャッタービームと、前記シャッター体と電気的に接続され、印加される電圧に応じて弾性変形し、当該シャッター体を移動可能にする第２のシャッタービームと、前記第１のシャッタービームと電気的に接続され、前記第１のシャッタービームを支持する第１のシャッタービームアンカーと、前記第２のシャッタービームと電気的に接続され、前記第２のシャッタービームを支持する第２のシャッタービームアンカーと、前記第１のシャッタービームと対向する第１の駆動ビームと、前記第２のシャッタービームと対向する第２の駆動ビームと、前記第１の駆動ビームと電気的に接続され、前記第１の駆動ビームを支持する第１の駆動ビームアンカーと、前記第２の駆動ビームと電気的に接続され、前記第２の駆動ビームを支持する第２の駆動ビームアンカーと、前記第１のシャッタービームアンカーおよび前記第２のシャッタービームアンカーと、前記第１の駆動ビームアンカー、前記第２の駆動ビームアンカーのそれぞれに電圧を供給する複数の配線と、を備え、前記第２基板は、一の画素における前記第１のシャッタービームアンカー、及び前記第２のシャッタービームアンカー、又は前記第１の駆動ビームアンカー、又は前記第２の駆動ビームアンカーに接続された前記配線と、前記一の画素とは異なる他の画素における前記第１のシャッタービームアンカー、及び前記第２のシャッタービームアンカー、又は前記第１の駆動ビームアンカー、又は前記第２の駆動ビームアンカーに接続された前記配線とを接続するための修正用配線を備える。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、シャッターを制御する信号の不良によって生じる輝点や黒点等の表示不良を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】図１は、実施形態に係る表示装置の概略構成を示す模式図である。
【図２】図１に示す表示装置の回路ブロック図である。
【図３】図１に示すアクティブマトリクス基板の１つの画素におけるシャッター部を示す斜視図である。
【図４】図４の（ａ）は、図３に示すシャッター部を上から見た模式図であり、図４の（ｂ）は、図４の（ａ）に示すシャッター部をＩ−Ｉ線で切断した断面図である。
【図５Ａ】図５Ａは、図３に示すシャッター体の位置を説明する模式図とその断面図である。
【図５Ｂ】図５Ｂは、図３に示すシャッター体の位置を説明する模式図とその断面図である。
【図６】図６は、図３に示すシャッター部の駆動回路の等価回路を例示した図である。
【図７Ａ】図７Ａは、隣接する画素における駆動回路の配置レイアウトを例示した模式図である。
【図７Ｂ】図７Ｂは、図７Ａに示す駆動回路の一部を拡大した模式図である。
【図８】図８は、図７Ａに示す各画素の駆動回路の等価回路における修正用配線を示した図である。
【図９】図９の（ａ）は、図７Ｂに示すＡ−Ａ断面を示す断面図である。図９の（ｂ）は、図７Ｂに示すＢ−Ｂ断面を示す断面図である。図９の（ｃ）は、図７Ｂに示すＣ−Ｃ断面を示す断面図である。
【図１０Ａ】図１０Ａは、図７Ａに示す駆動回路の配置レイアウトにおける配線の切断位置を説明する図である。
【図１０Ｂ】図１０Ｂの（ａ）は、図１０Ａに示す切断位置Ｒ１における断面図である。図１０Ｂの（ｂ）は、図１０Ａに示す切断位置Ｒ２における断面図である。
【図１０Ｃ】図１０Ｃは、図８に示す等価回路における切断位置を示す図である。
【図１０Ｄ】図１０Ｄは、図１０Ａに示す切断位置で切断し、修正用配線を電気的に接続した状態を示す図である。
【図１１】図１１は、図１０Ａとは異なる切断位置を説明する図である。
【図１２】図１２は、変形例（１）における修正用配線を説明する図である。
【図１３】図１３は、変形例（３）における修正用配線の他の接続例を説明する断面図である。
【図１４】図１４は、変形例（４）における修正用配線の下層に設けられた遮光膜を説明する断面図である。
【図１５】図１５は、変形例（６）における駆動回路の等価回路図である。
【図１６】図１６は、図１５に示す駆動回路を用いる場合の修正用配線を説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
本発明の一実施形態に係る表示装置は、前記画素ごとに開口領域を有する第１基板と、前記画素ごとに、前記開口領域に対向して配置されるシャッター部を有する第２基板と、を備え、前記シャッター部は、印加される電圧に応じて移動可能なシャッター体と、前記シャッター体と電気的に接続され、印加される電圧に応じて弾性変形し、当該シャッター体を移動可能にする第１のシャッタービームと、前記シャッター体と電気的に接続され、印加される電圧に応じて弾性変形し、当該シャッター体を移動可能にする第２のシャッタービームと、前記第１のシャッタービームと電気的に接続され、前記第１のシャッタービームを支持する第１のシャッタービームアンカーと、前記第２のシャッタービームと電気的に接続され、前記第２のシャッタービームを支持する第２のシャッタービームアンカーと、前記第１のシャッタービームと対向する第１の駆動ビームと、前記第２のシャッタービームと対向する第２の駆動ビームと、前記第１の駆動ビームと電気的に接続され、前記第１の駆動ビームを支持する第１の駆動ビームアンカーと、前記第２の駆動ビームと電気的に接続され、前記第２の駆動ビームを支持する第２の駆動ビームアンカーと、前記第１のシャッタービームアンカーおよび前記第２のシャッタービームアンカーと、前記第１の駆動ビームアンカー、前記第２の駆動ビームアンカーのそれぞれに電圧を供給する複数の配線と、を備え、前記第２基板は、一の画素における前記第１のシャッタービームアンカー、及び前記第２のシャッタービームアンカー、又は前記第１の駆動ビームアンカー、又は前記第２の駆動ビームアンカーに接続された前記配線と、前記一の画素とは異なる他の画素における前記第１のシャッタービームアンカー、及び前記第２のシャッタービームアンカー、又は前記第１の駆動ビームアンカー、又は前記第２の駆動ビームアンカーに接続された前記配線とを接続するための修正用配線を備える（第１の構成）。
【００１０】
第１の構成によれば、表示装置は、画素ごとに開口領域を有する第１基板と、画素ごとに、第１基板の開口領域に対向して配置されたシャッター部を有する第２基板とを備える。シャッター部は、シャッター体と、シャッター体と電気的に接続された第１シャッタービーム及び第２シャッタービームと、第１シャッタービーム及び第２シャッタービームと電気的に接続され、これらを支持する第１シャッタービームアンカー及び第２シャッタービームアンカーと、第１シャッタービーム及び第２シャッタービームに対向して配置される第１駆動ビーム及び第２駆動ビームと、第１駆動ビーム及び第２駆動ビームと電気的に接続され、これらを支持する第１駆動ビームアンカー及び第２駆動ビームアンカーとを備える。また、シャッター部は、シャッター体と第１のシャッタービームアンカー、第２のシャッタービームアンカー、第１の駆動ビームアンカー、及び第２の駆動ビームアンカーのそれぞれに電圧を供給する複数の配線とを備える。複数の配線に印加される電圧に応じて、シャッター体は第１シャッタービーム及び第２シャッタービームによって移動可能に支持される。第２基板において、各画素における第１のシャッタービームアンカー及び第２のシャッタービームアンカー、又は第１の駆動ビームアンカー、又は前記第２の駆動ビームアンカーに接続された配線は、他の画素における第１のシャッタービームアンカー及び第２のシャッタービームアンカー、又は第１の駆動ビームアンカー、又は第２の駆動ビームアンカーに接続された配線と接続するための修正用配線が設けられている。そのため、例えば、シャッター部を駆動するための駆動回路が不良であったり、駆動回路における容量のリークによって正常な信号が供給できない場合や、第１のシャッタービームアンカー及び第２のシャッタービームアンカー、又は第１の駆動ビームアンカー、又は前記第２の駆動ビームアンカーに接続された配線が不良等で、シャッター体を移動させることができない不良画素がある場合、修正用配線を用いて、他の画素における第１のシャッタービームアンカー及び第２のシャッタービームアンカー、又は第１の駆動ビームアンカー、又は前記第２の駆動ビームアンカーに接続された配線と同様に不良画素に電圧を供給することが可能となる。その結果、シャッター体が動作しないことによる輝点や黒点等の表示不良を抑制することができる。
【００１１】
第２の構成は、第１の構成において、前記修正用配線は、前記第１の駆動ビームアンカーに対応する第１の修正用配線と、前記第２の駆動ビームアンカーに対応する第２の修正用配線と、を備えることとしてもよい。
【００１２】
第３の構成は、第１の構成において、前記修正用配線は、前記第１のシャッタービームアンカー、及び前記第２のシャッタービームアンカーに対応して設けられていることとしてもよい。
【００１３】
第４の構成は、第１から第３のいずれかの構成において、前記第２基板は、第１金属層と、絶縁膜を介して前記第１金属層の上に配置された第２金属層とを備え、前記修正用配線は、前記第２金属層に形成され、前記修正用配線と接続される前記配線は前記第１金属層に形成され、前記修正用配線は、当該修正用配線と接続される前記配線と重なるように配置されていることとしてもよい。
【００１４】
第５の構成は、第４の構成において、前記第２基板は、前記第１金属層及び前記第２金属層に重なるように遮光膜を備え、前記修正用配線と、当該修正用配線と接続される前記配線とが重なる領域の少なくとも一部の領域における前記遮光膜は、開口を有することとしてもよい。第４の構成によれば、修正用配線と、修正用配線と接続される配線とが重なる領域の少なくとも一部の遮光膜は開口を有するため、開口がない場合と比べ、開口部分において修正用配線と配線とを導通させやすくすることができる。
【００１５】
第６の構成は、第４又は第５の構成において、前記修正用配線と、当該修正用配線と接続される前記配線とが重なる領域の少なくとも一部の領域における前記絶縁膜は、他の領域における前記絶縁膜よりも膜厚が小さいこととしてもよい。第５の構成によれば、修正用配線と、修正用配線と接続される配線とが重なる領域の少なくとも一部の絶縁膜は他の領域よりも膜厚が小さいため、膜厚が小さい部分において修正用配線と配線とを導通させやすくすることができる。
【００１６】
第７の構成は、第１から第６のいずれかの構成において、前記一の画素における前記修正用配線は、当該修正用配線と接続される前記配線と導通し、前記他の画素における前記修正用配線は、当該修正用配線と接続される前記配線と導通していないこととしてもよい。第６の構成によれば、一の画素と他の画素の修正用配線と当該修正用配線と接続される配線とが導通していない場合と比べ、両画素における修正用配線と配線との間を導通させやすくすることができる。
【００１７】
第８の構成は、第１から第７のいずれかの構成において、前記他の画素は、前記一の画素に隣接する画素であることとしてもよい。
【００１８】
第８の構成によれば、各画素における第１のシャッタービームアンカー、第２のシャッタービームアンカー、又は第１の駆動ビームアンカー及び第２の駆動ビームアンカーは、修正用配線を介して、当該画素に隣接する画素における第１のシャッタービームアンカー、第２のシャッタービームアンカー、又は第１の駆動ビームアンカー及び第２の駆動ビームアンカーに接続された配線と同じ電圧が印加される。その結果、不良画素のシャッター体は、隣接する画素のシャッター体と同様に動作する。不良画素と隣接する画素は略同じ色調の画像が表示されやすいため、隣接する画素と同様に不良画素のシャッター体を動作させても違和感のない画像を表示させることができる。
【００１９】
第９の構成は、第１から第８のいずれかの構成において、前記一の画素における前記第１のシャッタービームアンカー、及び前記第２のシャッタービームアンカー、又は前記第１の駆動ビームアンカー、又は前記第２の駆動ビームアンカーに接続された前記配線は断線されており、当該一の画素における前記第１のシャッタービームアンカー、及び前記第２のシャッタービームアンカー、又は前記第１の駆動ビームアンカー、又は前記第２の駆動ビームアンカーは、前記修正用配線と電気的に接続されていることとしてもよい。
【００２０】
第９の構成によれば、ある画素における第１のシャッタービームアンカー、及び第２のシャッタービームアンカー、又は第１の駆動ビームアンカー、又は第２の駆動ビームアンカーに接続された配線は断線され、当該画素の第１のシャッタービームアンカー、及び第２のシャッタービームアンカー、又は第１の駆動ビームアンカー、又は第２の駆動ビームアンカーと修正用配線とが電気的に接続されているため、他の画素のシャッター体と同様に当該画素のシャッター体を移動可能に支持することができる。
【００２１】
以下、図面を参照し、本発明の実施の形態を詳しく説明する。図中同一又は相当部分には同一符号を付してその説明は繰り返さない。
【００２２】
図１は、本実施形態に係る表示装置の概略構成を示す模式図である。また、図２は、図１に示す表示装置の等価回路図である。図１に示す表示装置１は、透過型のＭＥＭＳディスプレイである。表示装置１は、アクティブマトリクス基板（第２基板）１０、対向基板(第１基板)２０、及びバックライト３０が順に積層された構成を有する。図１におけるＺ軸正方向側から表示装置１は視認される。
【００２３】
アクティブマトリクス基板１０は、画像を表示するための画素ＰＩＸが配置される表示領域１００と、各画素ＰＩＸの光の透過を制御する信号を供給するソースドライバ１１０とゲートドライバ１２０とを有する。対向基板２０は、バックライト３０のバックライト面を覆うように設置されている。
【００２４】
バックライト３０は、各画素ＰＩＸにバックライト光を照射するために、例えば、赤色（Ｒ）光源、緑色（Ｇ）光源、および、青色（Ｂ）光源を有している。バックライト３０は、入力されるバックライト用制御信号に基づいて、所定の光源を発光させる。
【００２５】
図２に示すように、アクティブマトリクス基板１０には、複数のゲート線１１と、ゲート線１１と交差して延びる複数のソース線１２とが設けられ、ゲート線１１とソース線１２とによって画素ＰＩＸが形成されている。
【００２６】
各ソース線１２はソースドライバ１１０に接続され、各ゲート線１１はゲートドライバ１２０に接続されている。ゲートドライバ１２０は、各ゲート線１１に、ゲート線１１を選択状態に切り替えるゲート信号を順次入力することにより、ゲート線１１を走査する。ソースドライバ１１０は、ゲート線１１の走査に同期して、各ソース線１２にデータ信号を入力する。これにより、選択されたゲート線１１に接続された各画素ＰＩＸのシャッター機構Ｓを含むシャッター部１０３に所望の信号電圧を印加する。
【００２７】
なお、シャッター機構Ｓは、例えば、特表２００８−５３３５１０号公報や特表２００８−５３２０６８号公報に開示されているように、ＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍｓ）技術により実現されるシャッター（光の透過及び非透過を制御する素子）である。
【００２８】
次に、シャッター部１０３について説明する。シャッター部１０３は、シャッター機構Ｓと、シャッター機構Ｓを駆動するための駆動回路とを有する。以下、各構成について具体的に説明する。
【００２９】
図３は、アクティブマトリクス基板１０の１つの画素におけるシャッター機構Ｓを示す斜視図である。また、図４の（ａ）は、図３に示すシャッター機構Ｓを上から見た模式図であり、図４の（ｂ）は、図４の（ａ）に示すシャッター機構ＳをＩ−Ｉ線で切断した断面を表す図である。
【００３０】
図４の（ｂ）に示すように、対向基板２０は、例えば、ガラス等の光の透過性の高い透明な基板２００上に、バックライト３０からの光を透過させる開口領域と、光を遮蔽する遮光領域とが形成されるように、所定の間隔で第２遮光膜２０１が設けられている。第２遮光膜２０１は、例えば、カーボンブラックを含む樹脂材料、Ｔｉ、クロム等の金属膜で構成されている。
【００３１】
図３及び図４の（ａ）に示すように、シャッター機構Ｓは、例えば、シャッター体１４１と、第１電極部１４２と、第２電極部１４３とを備える。なお、図３では図示を省略したが、シャッター体１４１は、図４の（ｂ）に示すように、第１電極部１４２側の端部、第２電極部１４３側の端部、開口部１４１０の長手方向の両方の端部において、シャッター体１４１の底部から上方へ略垂直に伸びる側壁部を有する。
【００３２】
図３及び図４の（ａ）に示すように、第１電極部１４２は、第１駆動ビームアンカー１４２１、第１駆動ビーム１４２４，１４２５、第１シャッタービームアンカー１４２２，１４２３と、第１シャッタービーム１４２６，１４２７とを備える。第１駆動ビーム１４２４，１４２５と、第１シャッタービーム１４２６，１４２７は、例えば、リン、ヒ素等がドープされたアモルファスシリコン等、導電性及び弾性を有する材料で構成される。第１駆動ビームアンカー１４２１と第１駆動ビーム１４２４，１４２５とは電気的に接続されている。第１シャッタービームアンカー１４２２，１４２３と、第１シャッタービーム１４２６，１４２７とはそれぞれ電気的に接続されている。第１シャッタービーム１４２６，１４２７は、シャッター体１４１と電気的に接続され、シャッター体１４１を移動可能に支持する。
【００３３】
また、第２電極部１４３は、第２駆動ビームアンカー１４３１と、第２駆動ビーム１４３４，１４３５と、第２シャッタービームアンカー１４３２，１４３３と、第２シャッタービーム１４３６，１４３７とを備える。第２駆動ビーム１４３４，１４３５と、第２シャッタービーム１４３６，１４３７は、例えば、リン、ヒ素等がドープされたアモルファスシリコン等、導電性及び弾性を有する材料で構成される。第２駆動ビームアンカー１４３１と第２駆動ビーム１４３４，１４３５とは電気的に接続されている。第２シャッタービームアンカー１４３２，１４３３と、第２シャッタービーム１４３６，１４３７とはそれぞれ電気的に接続されている。第２シャッタービーム１４３６，１４３７は、シャッター体１４１と電気的に接続され、シャッター体１４１を移動可能に支持する。
【００３４】
シャッター体１４１は、第１シャッタービーム１４２６，１４２７、及び第２シャッタービーム１４３６，１４３７と接続され、アクティブマトリクス基板１０上に支持される。
【００３５】
シャッター体１４１は、略中央部に矩形状の開口部１４１０を有する。図３及び図４の（ｂ）に示すように、アクティブマトリクス基板１０には、開口領域として、２つの開口部１３０２、１３０３が設けられている。この例では、シャッター体１４１は、その開口部１４１０がアクティブマトリクス基板１０上の開口部１３０２、１３０３と重ならず、開口部１３０２、１３０３から光を透過させない位置に支持されている。第１シャッタービーム１４２６，１４２７と第１駆動ビーム１４２４，１４２５の間、及び、第２シャッタービーム１４３６，１４３７と第２駆動ビーム１４３４，１４３５の間に電気的な力が働いていない場合、シャッター体１４１は、図３及び図４の（ａ）（ｂ）に示す状態となる。
【００３６】
本実施形態では、各画素ＰＩＸに設けられたシャッター部１０３の駆動回路によって、第１電極部１４２における第１シャッタービームアンカー１４２２、１４２３と、第２電極部１４３における第２シャッタービームアンカー１４３２、１４３３に対し、正又は負の極性の固定電位が供給される。また、第１駆動ビームアンカー１４２１と第２駆動ビームアンカー１４３１には、一定時間ごとに互いに極性が異なる電位が供給される。
【００３７】
例えば、第１シャッタービームアンカー１４２２、１４２３、及び第２シャッタービームアンカー１４３２、１４３３の電位がＨ（Ｈｉｇｈ）レベル、第１駆動ビームアンカー１４２１の電位がＨレベル、第２駆動ビームアンカー１４３１の電位がＬ（Ｌｏｗ）レベルの場合、第１シャッタービーム１４２４、１４２５、第２シャッタービーム１４３４、１４３５の電位はＨレベルである。また、このとき、第１駆動ビーム１４２４，１４２５の電位はＨレベル、第２駆動ビーム１４３４，１４３５の電位はＬレベルとなる。その結果、図５Ａの（ａ）に示すように、第２シャッタービーム１４３６，１４３７と第２駆動ビーム１４３４、１４３５とが静電気力により接触する。この場合、図５Ａの（ｂ）に示すように、シャッター体１４１の開口部１４１０の位置が、アクティブマトリクス基板１０における開口部１３０３の方向へずれ、開口部１３０３から光が透過する。
【００３８】
また、例えば、第１シャッタービームアンカー１４２２、１４２３、及び第２シャッタービームアンカー１４３２、１４３３の電位がＨレベル、第１駆動ビームアンカー１４２１の電位がＬレベル、第２駆動ビームアンカー１４３１の電位がＨレベルの場合、第１シャッタービーム１４２４、１４２５、第２シャッタービーム１４３４、１４３５の電位はＨレベルである。また、このとき、第１駆動ビーム１４２４，１４２５の電位はＬレベル、第２駆動ビーム１４３４，１４３５の電位はＨレベルとなる。その結果、図５Ｂの（ａ）に示すように、第１シャッタービーム１４２６，１４２７と第１駆動ビーム１４２４、１４２５とが静電気力により接触する。この場合、図５Ｂの（ｂ）に示すように、シャッター体１４１の開口部１４１０の位置が、アクティブマトリクス基板１０における開口部１３０２の方向へずれ、開口部１３０２から光が透過する。
【００３９】
ここで、シャッター機構Ｓに電圧を供給する駆動回路について具体例を挙げて説明する。図６は、１つのシャッター部１０３における駆動回路の等価回路図である。図６に示す例では、１つの画素について、スイッチング素子１０１、５０１〜５０４が設けられる。スイッチング素子１０１、５０１〜５０４は、例えば、薄膜トランジスタで構成される。薄膜トランジスタは、例えば、アモルファスシリコンや、低温ポリシリコン、酸化物半導体を用いることができる。また、酸化物半導体の構成としては、例えば、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、亜鉛（Ｚｎ）、及び酸素（Ｏ）から構成される化合物（Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ）、インジウム（Ｉｎ）、錫（Ｔｉｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、及び酸素（Ｏ）から構成される化合物（Ｉｎ−Ｔｉｎ−Ｚｎ−Ｏ）、又は、インジウム（Ｉｎ）、アルミニウム（Ａｌ）、亜鉛（Ｚｎ）、及び酸素（Ｏ）から構成される化合物（Ｉｎ−Ａｌ−Ｚｎ−Ｏ）等であってもよい。
【００４０】
スイッチング素子１０１は、ゲート線１１及びソース線１２に接続され、シャッターの開閉（オン／オフ）を決めるデータ信号（ＳＤ）の入力を制御する。スイッチング素子５０４は、スイッチング素子１０１と第１駆動ビームアンカー１４２１との間に接続され、アップデート信号（ＳＵ）に基づくタイミングで第１駆動ビームアンカー１４２１の電位をデータ信号に応じた電位に更新する。スイッチング素子５０３は、スイッチング素子５０４と第２駆動ビームアンカー１４３１との間に接続され、イネーブル信号（ＳＥ）に基づくタイミングで第２駆動ビームアンカー１４３１の電位をデータ信号に応じた電位に更新する。スイッチング素子５０１、５０２は、第１及び第２駆動ビームアンカー１４２１、１４３１とシャッター駆動電圧（ＳＡ）を供給する配線との間にそれぞれ接続され、プリチャージ（pre-charge）制御信号に基づいてシャッター駆動電圧（ＳＡ）の第１駆動ビームアンカー１４２１及び第２駆動ビームアンカー１４３１への供給を制御する。シャッター体１４１は、シャッター信号（ＳＳ）を供給する配線に接続される。
【００４１】
具体的には、スイッチング素子１０１のゲート端子はゲート線１１に、ドレイン端子はソース線１２に、ソース端子は、スイッチング素子５０４のゲート端子に接続される。スイッチング素子５０４のドレイン端子は、第１駆動ビームアンカー１４２１、スイッチング素子５０１のソース端子、及びスイッチング素子５０３のゲート端子に接続される。スイッチング素子５０４のソース端子は、アップデート信号（ＳＵ）を供給する端子Ａ６に接続される。スイッチング素子５０３のソース端子は、イネーブル信号（ＳＥ）を供給する端子Ａ７に接続される。スイッチング素子５０３のドレイン端子は、スイッチング素子５０２のソース端子及び第２駆動ビームアンカー１４３１に接続される。スイッチング素子５０１、５０２のゲート端子は、プリチャージ制御信号（ＳＰ）を供給する端子Ａ１に接続され、ドレイン端子は、シャッター駆動電圧（ＳＡ）を供給する端子Ａ５に接続される。
【００４２】
スイッチング素子１０１とスイッチング素子５０４との間のノード（以下、ストレージノードと称する）と、端子Ａ４からシャッター信号（ＳＳ）を供給する配線(以下、シャッター配線と称する)との間には容量Ｃ１が形成される。容量Ｃ１は、シャッターの開閉を示すデータ信号の信号電圧を保持する。第１駆動ビームアンカー１４２１とスイッチング素子５０４、５０１、５０３が接続されるノード（以下、マスターノードと称する）とシャッター配線との間には容量Ｃ２が形成される。容量Ｃ２は、マスターノードに保持されたシャッター駆動電圧を安定化させる。第２駆動ビームアンカー１４３１とスイッチング素子５０４、５０１が接続されるノード（以下、スレーブノードと称する）とシャッター配線との間には容量Ｃ３が形成される。容量Ｃ３は、スレーブノードに保持されたシャッター駆動電圧を安定化させる。
【００４３】
ゲート線１１に選択状態を示すゲート信号が入力されスイッチング素子１０１がオンになったタイミングで、ソース線１２からデータ信号（ＳＤ）が入力される。シャッターの開閉を決めるデータ信号（ＳＤ）に応じたデータ電圧が容量Ｃ１に蓄えられる。この時、スイッチング素子５０４は、データ電圧によらずオフとなっている。スイッチング素子５０１、５０２がプリジャージ制御信号（ＳＰ）に基づいてオンになったタイミングで、シャッター駆動電圧（ＳＡ）が第１駆動ビームアンカー１４２１及び第２駆動ビームアンカー１４３１に印加される。これにより、マスターノード及びスレーブノードに駆動電圧（ハイレベル）が蓄えられる。
【００４４】
アップデート信号（ＳＵ）が、例えば、ＨレベルからＬレベルに変化すると、ストレージノードのデータ電圧に応じてスイッチング素子５０４のオン／オフが制御される。本例では、データ電圧がＨレベルの場合に、スイッチング素子５０４はオンになりマスターノードはＬレベルとなり、データ電圧がＬレベルの場合、スイッチング素子５０４がオフのままとなりマスターノードはＨレベル（駆動電圧）となる。イネーブル信号（ＳＥ）が、例えば、ＨレベルからＬレベルに変化すると、マスターノードの電圧に応じてスイッチング素子５０３のオン／オフが制御される。本例では、マスターノードがＨレベルの場合に、スイッチング素子５０４はオンになりスレーブノードはＬレベルとなり、マスターノードがＬレベルの場合、スイッチング素子５０４がオフのままとなりスレーブノードはＨレベル（駆動電圧）となる。
【００４５】
このように、画素へのデータ書き込み時は、常に、マスターノードとスレーブノードの電圧の極性（Ｈ／Ｌ）が逆になる。そのため、シャッター体１４１の極性（Ｈ／Ｌ）と逆の極性のノードの駆動ビームに、電気的な力によってシャッター体１４１が引き寄せられる。なお、シャッターの極性を所定周期で入れ替えることによりシャッターの帯電を防止することができる。
【００４６】
次に、駆動回路１４５の各素子の配置レイアウトについて説明する。図７Ａは、例えば、ソース線１２に沿って隣接する２つの画素ＰＩＸ（１）（２）における駆動回路１４の各素子の配置レイアウトを例示した模式図である。また、図７Ｂは、図７Ａに示す一点鎖線で囲んだ部分を拡大した図である。
【００４７】
図７Ａに示すＭ１は、ガラス等の透過性を有する基板上に形成されたゲート層（以下、ゲート層Ｍ１）であり、例えば、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）等の金属又はその合金等からなる金属膜で構成されている。
【００４８】
Ｍ２は、ゲート絶縁膜を介してゲート層Ｍ１の上に形成されたソース層（以下、ソース層Ｍ２）である。ソース層Ｍ２は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）等の金属又はその合金等からなる金属膜で構成されている。
【００４９】
図７Ａにおけるコンタクト１４２Ｃは、第１駆動ビームアンカー１４２１（図３参照）に接続されており、コンタクト１４３Ｃは、第２駆動ビームアンカー１４３１（図３参照）に接続されている。
【００５０】
本実施形態では、図７Ａ、７Ｂに示すように、画素ＰＩＸ（１）（２）に、各画素における駆動回路１４５を互いに接続する修正用配線７１０、７２０が設けられている。図８に示すように、修正用配線７１０は、画素ＰＩＸ（１）の第２駆動ビームアンカー１４３１に接続された配線と、画素ＰＩＸ（２）の第２駆動ビームアンカー１４３１に接続された配線の間を接続するための配線である。また、修正用配線７２０は、画素ＰＩＸ（１）の第１駆動ビームアンカー１４２１に接続された配線と、画素ＰＩＸ（２）の第１駆動ビームアンカー１４２１に接続された配線の間を接続するための配線である。修正用配線７１０、７２０は、ソース層Ｍ２に形成される。
【００５１】
図９の（ａ）は、図７Ｂに示す修正用配線７１０の部分をＡ−Ａ線で切断した断面図であり、図９の（ｂ）は、図７Ｂに示すソース配線６０１の一部をＢ−Ｂ線で切断した断面図である。また、図９の（ｃ）は、図７Ｂに示す修正用配線７２０の部分をＣ−Ｃ線で切断した断面図である。
【００５２】
図７Ｂ及び図９の（ａ）（ｂ）に示すように、修正用配線７１０（Ｍ２）は、画素ＰＩＸ（１）（２）において、スイッチング素子５０３のソース端子に接続されたソース配線６０１、６０２（Ｍ２）の下側のゲート配線６１１、６１２（Ｍ１）の上に、ゲート絶縁膜ＧＩを介して形成されている。この状態は、図９の（ａ）に示すように、修正用配線７１０が、ゲート配線６１１、６１２と接続されておらず、画素ＰＩＸ（１）（２）のコンタクト１４３Ｃ(図７Ｂ参照)において、各第２駆動ビームアンカー１４３１が修正用配線７１０と接続されていない。
【００５３】
また、図７Ａ及び図９の（ｃ）に示すように、修正用配線７２０（Ｍ２）は、画素ＰＩＸ（１）（２）において、スイッチング素子５０４のソース端子及びスイッチング素子５０１のドレイン端子と接続されたコンタクトホールＣＨ（図７Ａ参照）を介して接続されたゲート配線６２１、６２２（Ｍ１）の上に、ゲート絶縁膜ＧＩを介して形成されている。この状態は、図９の（ｃ）に示すように、修正用配線７２０が、ゲート配線６２１、６２２と接続されておらず、画素ＰＩＸ（１）（２）のコンタクト１４２Ｃ(図７Ｂ参照)において、各第１駆動ビームアンカー１４２１が修正用配線７２０と接続されていない。
【００５４】
例えば、画素ＰＩＸ（１）における第１駆動ビームアンカー１４２１及び第２駆動ビームアンカー１４３１に正常に電圧が供給されず、画素ＰＩＸ（１）が不良画素である場合、図１０Ａに示すＲ１及びＲ２の部分をレーザー光（以下、切断用レーザー）によって切断する。そして、図１０Ｂに示すように、基板１０００の裏面側から修正用配線７１０（Ｍ２）の両端Ｓ１，Ｓ２と、修正用配線７２０（Ｍ２）の両端Ｓ３，Ｓ４の部分に、所定波長域のレーザー光（以下、接続用レーザー）を照射する。つまり、図１０Ｃに示すように、画素ＰＩＸ（１）における第１駆動ビームアンカー１４２１及び第２駆動ビームアンカー１４３１にそれぞれ接続された配線（マスターノードとスレーブノード）上のＲ１、Ｒ２を切断し、修正用配線７１０と７２０を、画素ＰＩＸ（１）と画素ＰＩＸ（２）における第１駆動ビームアンカー１４２１と第２駆動ビームアンカー１４２１に接続する。なお、切断用レーザーには、例えば、１０６４μｍの長波長域のレーザー光を用い、接続用レーザーには、例えば、５３２μｍの短波長域のレーザー光を用いてもよい。
【００５５】
これにより、レーザー光の熱によって、図１０Ｂの（ｃ）（ｄ）に示すように、Ｓ１〜Ｓ４の各部においてゲート層Ｍ１とソース層Ｍ２とが接続される。その結果、図１０Ｄに示すように、画素ＰＩＸ（１）におけるソース配線６０１とゲート配線６２１が断線され、修正用配線７１０（Ｍ２）の両端Ｓ１，Ｓ２とゲート配線６１１，６１２（Ｍ１）とが電気的に接続され、修正用配線７２０（Ｍ２）の両端Ｓ３，Ｓ４とゲート配線６２１，６２２とが電気的に接続される。
【００５６】
これにより、画素ＰＩＸ（１）の第２駆動ビームアンカー１４３１には、修正用配線７１０を介して画素ＰＩＸ（２）におけるスイッチング素子５０３のソース端子に接続されたソース配線６０２（図７Ｂ、図９の（ｂ）参照）の電位が供給される。また、画素ＰＩＸ（１）の第１駆動ビームアンカー１４２１には、修正用配線７２０を介して画素ＰＩＸ（２）におけるゲート配線６２２の電位が供給される。つまり、画素ＰＩＸ（１）における第１駆動ビームアンカー１４２１と第２駆動ビームアンカー１４３１は、修正用配線７１０及び７２０によって、画素ＰＩＸ（２）における第１駆動ビームアンカー１４２１と第２駆動ビームアンカー１４３１のそれぞれに接続された配線と電気的に接続される。その結果、画素ＰＩＸ（１）におけるシャッター体１４１は、画素ＰＩＸ（２）におけるシャッター体１４１と同様に駆動する。
【００５７】
なお、上記の例では、図１０Ａにおいて、画素ＰＩＸ（１）における第１駆動ビームアンカー１４２１に接続されたゲート配線６２１（Ｍ１）上のＲ２の位置で切断したが、図１１に示すように、Ｒ３の位置で切断してもよい。図１１に示すように、ゲート配線６２１（Ｍ１）の上にはソース層Ｍ２が形成されており、ゲート配線６２１（Ｍ１）とソース層Ｍ２との間に容量が形成されている。そのため、この容量を残す場合には、図１１に示すＲ３の位置で切断すればよい。
【００５８】
上述した実施形態では、各画素ＰＩＸは、当該画素ＰＩＸにおける第１駆動ビームアンカー１４２１と第２駆動ビームアンカー１４３１と、隣接する画素ＰＩＸにおける第１駆動ビームアンカー１４２１と第２駆動ビームアンカー１４３１にそれぞれ接続された配線とを接続するための修正用配線７１０，７２０とを備える。そのため、例えば、表示装置の製造時における検査において、ある画素ＰＩＸにおける第１駆動ビームアンカー１４２１と第２駆動ビームアンカー１４３１に電圧が正常に供給されず、不良画素であることが検出された場合、その画素ＰＩＸにおける第１駆動ビームアンカー１４２１と第２駆動ビームアンカー１４３１に接続された各配線を切断し、修正用配線７１０，７２０を導通させることにより、不良画素の第１駆動ビームアンカー１４２１と第２駆動ビームアンカー１４３１に対して電圧を供給することができる。これにより、不良画素のシャッター体１４１を、隣接する画素ＰＩＸのシャッター体１４１と同様に動作させることができ、シャッター体１４１が動作しないことによって生じる輝点や黒点等の表示不良を抑制することができる。
【００５９】
また、修正用配線７１０，７２０は、不良画素に隣接する画素ＰＩＸの第１駆動ビームアンカー１４２１と第２駆動ビームアンカー１４３１に接続された各配線と接続されている。互いに隣接する画素ＰＩＸは、類似した輝度値の画像が表示されやすい。そのため、不良画素のシャッター体１４１を隣接する画素ＰＩＸのシャッター体１４１と同様に動作させても画像の品質が低下しにくい。
【００６０】
以上、本発明の実施の形態を説明したが、上述した実施の形態は本発明を実施するための例示に過ぎない。よって、本発明は上述した実施の形態に限定されることなく、その趣旨を逸脱しない範囲内で上述した実施の形態を適宜変形して実施することが可能である。以下、本発明の変形例について説明する。
【００６１】
（１）上述した実施形態では、シャッター体１４１の電位をＨレベルに固定し、第１駆動ビームアンカー１４２１と第２駆動ビームアンカー１４３１の電位をＨレベル又はＬレベルに制御し、各画素ＰＩＸにおける第１駆動ビームアンカー１４２１と第２駆動ビームアンカー１４３１に修正用配線７１０，７２０を接続する例を説明したが、以下のように構成してもよい。例えば、第１駆動ビームアンカー１４２１と第２駆動ビームアンカー１４３１に対してＨレベル又はＬレベルの固定電位を供給し、第１シャッタービームアンカー１４２２，１４２３と、第２シャッタービームアンカー１４３２，１４３３に、ＨレベルとＬレベルの電位を一定時間ごとに交互に供給してもよい。この場合には、図１２に示すように、隣接する各画素ＰＩＸ（１）（２）において、シャッター信号を供給する端子Ａ４に接続された配線同士を接続する修正用配線８００を形成するようにしてもよい。また、上述の実施形態では、第１駆動ビームアンカー１４２１と第２駆動ビームアンカー１４３１とに対応する修正用配線７１０，７２０を設けたが、少なくとも一方に対応する修正用配線が設けられていればよい。
【００６２】
（２）上述した実施形態では、修正用配線７１０，７２０は、ソース線１２（図２参照）に沿って隣接する画素の第１駆動ビームアンカー１４２１と第２駆動ビームアンカー１４３１にそれぞれ接続された配線同士を接続する例を説明したが、例えば、ゲート線１１に沿って隣接する画素の第１駆動ビームアンカー１４２１と第２駆動ビームアンカー１４３１にそれぞれ接続された配線同士を接続してもよい。また、例えば、シャッター体１４１の駆動方法が、奇数列の画素と、偶数列の画素とで異なる場合、各画素における修正用配線７１０,７２０は、シャッター体１４１の駆動方法が同じ各画素の第１駆動ビームアンカー１４２１と第２駆動ビームアンカー１４３１にそれぞれ接続された配線同士を接続してもよい。要は、アクティブマトリクス基板１０において、各画素における第１駆動ビームアンカー１４２１と第２駆動ビームアンカー１４３１と、当該画素とは異なる他の画素における第１駆動ビームアンカー１４２１と第２駆動ビームアンカー１４３１に接続された各配線と接続するための修正用配線が設けられていればよい。
【００６３】
（３）上述した実施形態において、例えば、図１３に示すように、修正用配線７１０の一方の端部Ｓ２が予めゲート配線６０４（Ｍ１）に接続されていてもよい。このように構成することにより、図１０Ｂの（ａ）の場合と比べ、接続用レーザーを照射する箇所を減らすことができるので、修正用配線７１０を導通させやくすることができる。なお、図示を省略するが、修正用配線７２０も同様に、修正用配線７２０の一方の端部Ｓ１又はＳ２がゲート配線６０３又は６０４に予め接続されていてもよい。
【００６４】
（４）また、上述した実施形態において、基板１０００の上において、開口部１３０２，１３０３（図３参照）以外の領域に第１遮光膜を設け、第１遮光膜の上にゲート層Ｍ１を設け、ゲート層Ｍ１の上に、絶縁膜を介してソース層Ｍ２が設けられていてもよい。この場合、例えば、図１４に示すように、第１遮光膜１１００において、修正用配線７１０の各端部Ｓ１，Ｓ２（図７Ａ参照）と重なる位置に開口１１００ａを設けてもよい。このように構成することにより、修正用配線７１０の各端部Ｓ１、Ｓ２にレーザー光が照射しやすくなり、修正用配線７１０を導通させやすくすることができる。修正用配線７２０が設けられる部分の第１遮光膜１１００については図示を省略するが、上記修正用配線７１０が設けられた部分と同様、修正用配線７２０の各端部Ｓ３、Ｓ４と重なる位置に開口１１００ａが設けられていてもよい。
【００６５】
（５）上述した実施形態において、修正用配線と、当修正用配線と接続される配線、つまり、ゲート配線６１１，６１２，６２１，６２２（図７Ｂ参照）とが重なる部分の少なくとも一部の絶縁膜は、他の部分における絶縁膜よりも膜厚が小さくてもよい。このように構成することにより、修正用配線７１０，７２０の各端部Ｓ１〜Ｓ４の位置にレーザー光を照射した際、修正用配線７１０，７２０を導通させやすくすることができる。
【００６６】
（６）上述した実施形態では、図６に示す駆動回路１４５によってシャッター部１０３を駆動する例を説明したが、図１５に示す駆動回路を用いてもよい。図１５は、１つの画素における回路構成の他の例を示す等価回路図である。図１５において図６に示す要素に対応する要素には同じ符号を付している。図１５に示す例では、１つの画素につき２本のデータ線１６１、１６２が設けられる。これら２本のデータ線のうち一方のデータ線１６１は、第１駆動ビームアンカー１４２１の信号電圧を示す第１データ信号ＳＤ−１を供給し、他のデータ線１６２は、第２駆動ビームアンカー１４３１の信号電圧を示す第２データ信号ＳＤ−２を供給する。そのため、１回の書き込みにおいて、第１データ信号ＳＤ−１の極性と第２データ信号ＳＤ−２の極性は逆となる。
【００６７】
図１５に示す例では、第１駆動ビームアンカー１４２１の電圧を制御する構成として、ゲート線１１のゲート信号ＳＧに基づいて、データ線１６２の第１データ信号ＳＤ−１の入力を制御するスイッチング素子１０１、第１データ信号ＳＤ−１に基づくデータ信号電圧を蓄積する容量Ｃ１１、データ信号電圧に応じて第１駆動ビームアンカー１４２１に接続されるマスターノードの電圧を制御するスイッチング素子５０４１、マスターノードへのシャッター駆動電圧ＳＡの供給を制御するスイッチング素子５０１が設けられる。同様に、第２駆動ビームアンカー１４３１の電圧を制御する構成として、スイッチング素子５０５、容量Ｃ１２、スイッチング素子５０３１、及び、スイッチング素子５０２が設けられる。図１５に示す回路においても、第１及び第２のデータ信号１６１、１６２に応じてシャッター体１４１の駆動が制御される。
【００６８】
この場合には、図１６に示すように、画素ＰＩＸ（１）と画素ＰＩＸ（２）において修正用配線９１０、９２０を配置する。修正用配線９２０は、ＰＩＸ（１）における第１駆動ビームアンカー１４２１に接続されるマスターノードと、ＰＩＸ（２）における第１駆動ビームアンカー１４２１に接続されるマスターノードとを接続するための修正用配線である。修正用配線９１０は、ＰＩＸ（１）における第２駆動ビームアンカー１４３１に接続されるマスターノードと、ＰＩＸ（２）における第２駆動ビームアンカー１４３１に接続されるマスターノードとを接続するための修正用配線である。
【符号の説明】
【００６９】
１…表示装置、１０…アクティブマトリクス基板、２０…対向基板、３０…バックライト、１０１，５０１〜５０４…スイッチング素子、１０３…シャッター部、１４１…シャッター体、１４２…第１電極部、１４３…第２電極部、１４２１…第１駆動ビームアンカー、１４２２，１４２３…第１シャッタービームアンカー、１４３１…第２駆動ビームアンカー、１４３２，１４３３…第２シャッタービームアンカー、１４２４，１４２５…第１駆動ビーム、１４２６，１４２７…第１シャッタービーム、１４３４，１４３５…第２駆動ビーム、１４３６，１４３７…第２シャッタービーム、７１０，７２０，８００，９１０，９２０…修正用配線、Ｓ…シャッター機構、１１００…第１遮光膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図６】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図８】
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【図９】
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【図１０Ａ】
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【図１０Ｂ】
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【図１０Ｃ】
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【図１０Ｄ】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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