(57)【要約】【課題】静電容量方式のタッチパネルセンサーなどに代表される入力装置に好ましく用いられる電極であって、ブラックマトリックスとの色度や反射率（輝度）の差が小さく、電極が視認されず、反射率が低い新規な電極；およびその製造方法を提供する。【解決手段】基板上に形成される電極であって、基板側から順に、Ａｌ膜またはＡｌ合金膜からなる第１層と、１０〜１３原子％のＣｕを含むＡｌ−Ｃｕ合金の窒化膜ならなる第２層と、透明導電膜からなる第３層の積層構造を有する。上記電極は、Ｙｘｙ表色系における色度座標（ｘ、ｙ）が、０．１９≦ｘ≦０．３２、且つ０．１９≦ｙ≦０．３２を満たし、刺激値Ｙが８以下を満足する。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成される電極であって、基板側から順に、
Ａｌ膜またはＡｌ合金膜からなる第１層と、
１０〜１３原子％のＣｕを含むＡｌ−Ｃｕ合金の窒化膜ならなる第２層と、
透明導電膜からなる第３層の積層構造を有する電極。
【請求項２】
Ｙｘｙ表色系における色度座標（ｘ、ｙ）が、０．１９≦ｘ≦０．３２、且つ０．１９≦ｙ≦０．３２を満たし、刺激値Ｙが８以下である請求項１に記載の電極。
【請求項３】
基板上に形成される電極であって、基板側から順に、
Ａｌ膜またはＡｌ合金膜からなる第１層と、
１０〜１２原子％のＣｕを含むＡｌ−Ｃｕ合金の窒化膜ならなる第２層と、
透明導電膜からなる第３層の積層構造を有する電極。
【請求項４】
Ｙｘｙ表色系における色度座標（ｘ、ｙ）が、０．２２≦ｘ≦０．３２、且つ０．２２≦ｙ≦０．３２を満たし、刺激値Ｙが８以下である請求項３に記載の電極。
【請求項５】
前記第３層は、ＩｎとＳｎを少なくとも含む酸化物からなる透明導電膜、またはＩｎとＺｎを少なくとも含む酸化物からなる透明導電膜である請求項１〜４のいずれかに記載の電極。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれかに記載の電極を有する入力装置。
【請求項７】
請求項１〜５のいずれかに記載の電極を有するタッチパネルセンサー。
【請求項８】
請求項１〜５のいずれかに記載の電極を構成する第２層の成膜に用いられるスパッタリングターゲットであって、１０〜１３原子％のＣｕを含み、残部：Ａｌおよび不可避的不純物であるスパッタリングターゲット。
【請求項９】
請求項１〜５のいずれかに記載の電極を製造する方法であって、
窒素ガスを含む反応性スパッタリング法によって前記第２層を成膜する電極の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、入力装置などに用いられる電極、およびその製造方法に関する。以下では、入力装置の代表例としてタッチパネルセンサーを例に挙げて説明するが、本発明はこれに限定されない。
【背景技術】
【０００２】
タッチパネルセンサーは、液晶表示装置や有機ＥＬ装置などの表示装置の表示画面上に入力装置として貼り合わせて使用される。タッチパネルセンサーは、その使い勝手の良さから、銀行のＡＴＭや券売機、カーナビ、ＰＤＡ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ  Ｄｉｇｉｔａｌ  Ａｓｓｉｓｔａｎｔｓ、個人用の携帯情報端末）、コピー機の操作画面などに使用されており、近年では携帯電話やタブレットＰＣに至るまで幅広く使用されている。その入力ポイントの検出方式には、抵抗膜方式、静電容量方式、光学式、超音波表面弾性波方式、圧電式等が挙げられる。これらのうち、携帯電話やタブレットＰＣには、静電容量方式が、応答性が良くコストがかからず構造が単純である等の理由から好適に用いられている。
【０００３】
静電容量方式のタッチパネルセンサーは、一例として、ガラス基板などの透明基板上に、二方向の透明電極が直交して配置され、その表面に保護ガラスなどのカバー（絶縁体）が被覆された構造を有している。上記構成のタッチパネルセンサーの表面を指やペン等でタッチすると、両透明電極間の静電容量が変化するため、当該静電容量を介して流れる電流量の変化をセンサーで感知することにより、タッチされた箇所を把握することができる。
【０００４】
上記構成のタッチパネルセンサーに用いられる透明基板として、タッチパネルセンサー専用の基板を用いても良いが、表示装置に用いられる透明基板を用いることもできる。具体的には、例えば、液晶表示装置に用いられるカラーフィルタ基板や、有機ＥＬ装置に用いられるガラス基板などが挙げられる。このような表示装置用透明基板の使用により、タッチパネルセンサーに要求される特性（例えば、ディスプレイのコントラスト比の向上、輝度の向上、スマートフォンなどの薄型化など）に対応可能となる。
【０００５】
最近では、上記透明電極を用いた場合の接触感度向上やノイズ低減のために、電極として、低抵抗な金属電極の使用が検討されている。
【０００６】
しかし、金属は反射性、且つ遮光性である。そのため、金属からなる金属電極は反射率が高く、使用者の肉眼で見える（視認される）ため、コントラスト比が低下するという問題がある。そのため、金属電極を用いる場合には、金属膜に黒色化処理を施して反射率を低減させるなどの方法が採用されている。
【０００７】
例えば特許文献１には、銅配線の視認される側に黒色の酸化銅皮膜を有するタッチパネルが開示されている。ここでは、専用のアルカリ薬液を用いて針状結晶の酸化銅皮膜に変化させる黒化処理を行っているため、酸化の進行を均一且つ再現良く制御することが難しいという問題がある。
【０００８】
また、特許文献２には、従来の黒化処理とは異なり、金属配線部を酸化させることなく低反射処理を施すことができる技術として、金属配線部に黒色の有機顔料または無機顔料などの微粒子を含む低反射層を有する金属電極を備えたタッチパネルセンサーが開示されている。しかし、上記特許文献２では、金属電極膜形成プロセスに加え、インクジェット法を用いて上記低反射層を形成するため、プロセスが煩雑になるうえ、重ね合せ精度の問題や微細化が困難といった問題がある。
【０００９】
ところでタッチパネルセンサー基板には、遮光膜としてブラックマトリックスが形成されている。ブラックマトリックスは、センサー基板に対向するカバーガラスやカバーフィルム上に形成されており、画素間の光漏れによるコントラストおよび色純度の低下を防止する役割を有している。具体的には、タッチパネルセンサーのブラックマトリックスと筐体の色調を合わせることが必要となり、ブラックマトリックスの反射色調が無彩色から青みの色調となるように調整することが求められている（例えば特許文献３および特許文献４）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開２０１３−２０６３１５号公報
【特許文献２】特開２０１３−２３５３１５号公報
【特許文献３】特開２０１３−２０５４７４号公報
【特許文献４】特許第５０９９０９４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
タッチパネルセンサーの電極には、従来、ＩＴＯなどの透明導電膜が使用されていたため、当該電極とブラックマトリックスとの色度の差は問題にならなかった。ところが透明導電膜は抵抗が高いため、タッチパネルの大型化や感度向上に対するニーズに応えるためには不十分であった。そこで透明導電膜の替わりに、抵抗の低い金属膜を電極として用いることが考えられる。しかし、金属膜をそのまま電極として使用すると、上述したように金属は反射率が高く、色度も制御されていないため、周囲のブラックマトリックスとの色度や反射率（輝度）の差が大きく、電極が視認されてディスプレイの表示性能を低下させるという問題があった。
【００１２】
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、好ましくは静電容量方式のタッチパネルセンサーなどに代表される入力装置に用いられる電極であって、ブラックマトリックスとの色度や反射率（輝度）の差が小さく、電極が視認されず、反射率が低い新規な電極；およびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記課題を解決し得た本発明の電極は、基板上に形成される電極であって、基板側から順に、Ａｌ膜またはＡｌ合金膜からなる第１層と、１０〜１３原子％のＣｕを含むＡｌ−Ｃｕ合金の窒化膜ならなる第２層と、透明導電膜からなる第３層の積層構造を有するところに要旨を有する。
【００１４】
本発明の好ましい実施形態において、上記電極は、Ｙｘｙ表色系における色度座標（ｘ、ｙ）が、０．１９≦ｘ≦０．３２、且つ０．１９≦ｙ≦０．３２を満たし、刺激値Ｙが８以下である。
【００１５】
上記課題を解決し得た本発明の他の電極は、基板上に形成される電極であって、基板側から順に、Ａｌ膜またはＡｌ合金膜からなる第１層と、１０〜１２原子％のＣｕを含むＡｌ−Ｃｕ合金の窒化膜ならなる第２層と、透明導電膜からなる第３層の積層構造を有するところに要旨を有する。
【００１６】
本発明の好ましい実施形態において、上記電極は、Ｙｘｙ表色系における色度座標（ｘ、ｙ）が、０．２２≦ｘ≦０．３２、且つ０．２２≦ｙ≦０．３２を満たし、刺激値Ｙが８以下である。
【００１７】
本発明の好ましい実施形態において、上記第３層は、ＩｎとＳｎを少なくとも含む酸化物からなる透明導電膜、またはＩｎとＺｎを少なくとも含む酸化物からなる透明導電膜である。
【００１８】
本発明には、上記のいずれかに記載の電極を有する入力装置も含まれる。
【００１９】
本発明には、上記のいずれかに記載の電極を有するタッチパネルセンサーも含まれる。
【００２０】
本発明には、上記のいずれかに記載の電極を構成する第２層の成膜に用いられるスパッタリングターゲットであって、１０〜１３原子％のＣｕを含み、残部：Ａｌおよび不可避的不純物であるスパッタリングターゲットも含まれる。
【００２１】
本発明には、上記のいずれかに記載の電極を製造する方法であって、窒素ガスを含む反応性スパッタリング法によって上記第２層を成膜するところに要旨を有する。
【発明の効果】
【００２２】
本発明に係る積層構造の電極は、第２層が所定量のＣｕを含むＡｌ−Ｃｕ合金の窒化膜で構成されているため、ブラックマトリックスとの色度や反射率（輝度）の差が小さく、電極が視認されず、反射率が低い新規な電極を提供することができる。よって、上記積層構造の本発明電極を、入力装置用電極として用いれば、金属膜単独では不可能であった低反射率と、所定の色度を兼ね備えた電極を備えた入力装置が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】図１は、一般的な液晶表示装置の構成を模式的に示す概略断面図である。
【図２】図２は、静電容量型のタッチパネルにおける入力装置の一例を示す概略平面図である。
【図３】図３は、前記図２の点線Ａ１−Ａ１における断面構造の一例を示す概略断面図である。
【図４】図４は、本発明の電極の一実施態様に係る電極を示す概略断面図である。
【図５】図５は、色度座標ｘ、ｙと色調との関係を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
まずタッチパネル構造における液晶表示装置部分について説明する。尚、以下ではディスプレイ、即ち表示装置として液晶表示装置を例に挙げるが、本発明はこれに限定されず、その他の表示装置として例えば有機ＥＬ装置等にも適用できる。
【００２５】
図１は、一般的な液晶表示装置の構成を模式的に示す概略断面図である。図１に示す液晶表示装置は、ＴＦＴ基板を有している。ＴＦＴ基板は、例えば、アレイ基板である。ＴＦＴ基板には、対向基板が対向して配置されている。対向基板は、例えば、透明基板であり、視認される側に配置される。対向基板には、カラーフィルタ、ブラックマトリックス（ＢＭ）、透明基板が形成される。ＴＦＴ基板と対向基板との間には液晶が導入された液晶層が狭持され、液晶層は封止材によって封止される。更に、対向基板の外側の面には、図示しないが偏光板及び位相差板等が設けられる。また、液晶表示パネルの反視認側には、図示しないがバックライトユニット等が配設される。
【００２６】
本発明の電極を含む入力装置、特にタッチパネルセンサーは、上記液晶表示装置の透明基板の上方、即ち、操作面側に配置される。
【００２７】
図２は、静電容量型のタッチパネルにおける入力装置の好ましい一実施形態を示す概略平面図である。図２に示す入力装置は、配線が格子形状となっている。詳細には、透明基板の上部に、行ごとにＸ方向に配される駆動用の複数の金属電極と；列ごとにＹ方向に配される検出用の複数の金属電極と；が設けられる。検出用電極と駆動用電極は、それぞれ異なる層に設けられており、絶縁層により互いに絶縁される。
【００２８】
図２の構成では、駆動用電極への電圧の印加により、駆動用電極と検出用電極の間に生じるキャパシタンスの変化によって、ユーザのタッチ位置を検出する。
【００２９】
本構成は、抵抗の小さい金属電極を検出用電極および駆動用電極として用いることから、それぞれの電極を幅の狭い配線として形成することが可能である。そのためアクティブエリアの透過率を十分高くすることができる特徴を有する。
【００３０】
前記図２の点線Ａ１−Ａ１における断面構造の好ましい一実施形態として、図３の構造が挙げられる。図３は、図２の入力装置を、図１に示す液晶表示装置の透明基板に搭載した構造の一例を示す概略断面図である。
【００３１】
図３に示されるように、透明基板の上部には、行ごとにＸ方向に配される複数の第１の金属電極が、同一の層に配置される。さらに列ごとにＹ方向に配される複数の第２の金属電極が、第１の金属電極とは異なる層に配置される。この複数の第１の金属電極と第２の金属電極は、表示装置の視認性を低下させないために、ブラックマトリックスの直上に配置することが好ましい。複数の第１の金属電極の間、複数の第２の金属電極の間、および、第１の金属電極と第２の金属電極との間には、第１の絶縁層、第２の絶縁層が配置される。絶縁層には、例えば公知の透光性絶縁樹脂などを用いることができる。
【００３２】
前記図３において、第１の金属電極や第２の金属電極として、本発明の電極を好適に用いることができる。以下では、前記図３の第１の金属電極を例として、その好ましい具体例を図４に示しながら、本発明の電極の好ましい実施形態を詳しく説明する。但し、本発明の電極はこれらの図に限定されない。尚、図４では、基板を透明基板としている。基板は特に限定されない意図である。液晶表示装置に適用する場合は、透明基板としてＣＦ基板を用いるが、本発明の電極を有機ＥＬ表示装置に用いる場合は、ＣＦ基板は不要な場合が多く、カバーガラスのようなガラス基板等の透明基板を用いることができる。本発明に用いられる基板の種類は後に詳述する。
【００３３】
図４は、本発明の電極の好ましい一実施形態を示す概略断面図である。図４において電極は、基板上側から順に、Ａｌ膜またはＡｌ合金膜からなる第１層、一部が窒化しているＡｌ−（１０〜１３原子％）Ｃｕ合金からなる第２層、そして透明導電膜からなる第３層が少なくとも形成されている。上記積層構造において、第１層は電極に用いられる配線用膜として作用し、第２層および第３層は光学調整層として作用する。
【００３４】
以下では、前記の第１層、第２層および第３層の各層について詳述する。まずは第１層について説明する。
【００３５】
本発明に用いられる第１層は、Ａｌ膜またはＡｌ合金膜（以下、Ａｌ／Ａｌ合金膜と略記する場合がある。）で構成される。
【００３６】
電極層として用いられる上記第１層のＡｌ合金膜は、合金成分として、高融点金属元素、希土類金属元素の少なくとも一種以上を含有することが好ましい。これにより、熱凝集抑制効果が発揮される。ここで、高融点金属元素は、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｗ、Ｃｒ、Ｍｎなどの融点が１２００℃以上の金属を意味する。また、希土類金属元素とは、ランタノイド元素（ＬａからＬｕまでの１５元素）およびＳｃ（スカンジウム）とＹ（イットリウム）を含む意味である。
【００３７】
上記第１層の膜厚は、積層構造としたときのシート抵抗値を所定範囲まで下げるため、５０ｎｍ以上であることが好ましい。第１層の膜厚が５０ｎｍを下回ると、所望とするシート抵抗値を得ることが難しい。より好ましくは１００ｎｍ以上である。しかし、上記第１層の膜厚が４００ｎｍを超えると、リン硝酢酸系エッチング液によるウェットエッチング加工性や製造性が低下する虞があるため、第１層の膜厚を４００ｎｍ以下とすることが好ましい。より好ましくは３００ｎｍ以下である。
【００３８】
本発明に用いられる第２層は、Ａｌと、１０〜１３原子％または１０〜１２原子％のＣｕを含むＡｌ合金の一部が窒化（以下、Ａｌ−Ｃｕ合金−Ｎ層と略記する場合がある）している層である。本発明のように所定量のＣｕを含むＡｌ−Ｃｕ合金は、電極の色度を適切に制御できるため、非常に有用である。特に上記第２層は、色度座標ｘ、ｙの制御に有効であり、これにより、ブラックマトリックスの式目とほぼ同等の式目が得られる。これに対し、Ｃｕ量が本発明の範囲を外れるＡｌ−Ｃｕ合金−Ｎ層を第２層として用いた積層構造では、後記する実施例の欄に示すように色度座標ｘ、ｙの少なくとも一方が適切でなく、入力装置用電極として適切でない。
【００３９】
本明細書において「その一部が窒化されている」とは、所望の効果が有効に発揮されるよう、上記Ａｌ合金中に少なくとも窒素を含有していれば良く、必ずしも、化学量論組成を満足する窒化物である必要はない。例えば、上記Ａｌ−Ｃｕ合金の窒化物をＡｌ−Ｃｕ−Ｎｙで表した場合、ｙは約０．１〜０．９５であっても良い。
【００４０】
また、上記第２層中の窒素含有量やＡｌ合金中のＣｕ含有量は、第２層内の膜厚方向において、一定であっても良いし、変化しても良い（すなわち、濃度分布を有していても良い）。本発明において、上記第２層は積層構造の光学調整としての役割を担っており、所望とする色度座標（ｘ、ｙ）および刺激値Ｙを有する限り、第２層中の窒素含有量や合金元素の分布は問わない。
【００４１】
本発明に用いられる第３層は透明導電膜で構成される。上記第３層は、前述した第２層と合わせて、本願発明に係る積層構造の光学調整層として有効に作用する層である。特に第３層は、刺激値Ｙの制御に有効であり、第３層の設置により、Ｙ値を低く制御し得、低反射率を実現することができる。上記透明導電膜としては、本発明の技術分野において通常用いられるものであれば特に限定されないが、ＩｎとＳｎを少なくとも含む酸化物からなる透明導電膜、またはＩｎとＺｎを少なくとも含む酸化物からなる透明導電膜、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎ−Ｓｎ−Ｏ）、ＩＺＯ（Ｉｎ−Ｚｎ−Ｏ）などが、好ましく用いられる。
【００４２】
本発明に用いられる基板は、本発明の技術分野に通常用いられ、透明性を有するものであれば特に限定されず、例えば、カラーフィルタ基板やカバーガラスを構成する、ガラス基板、フィルム基板、プラスチック基板、石英基板などが挙げられる。
【００４３】
上述した積層構造を有する本発明の電極は、電極とブラックマトリックスとの色度や反射率（輝度）の差が小さくなるように適切に制御されている。具体的には、上記第２層がＡｌ−（１０〜１３原子％）Ｃｕ合金−Ｎ層からなる場合、Ｙｘｙ表色系における色度座標（ｘ、ｙ）は０．１９≦ｘ≦０．３２、且つ０．１９≦ｙ≦０．３２を満たし、刺激値Ｙは８以下を満足する。また、上記第２層がＡｌ−（１０〜１２原子％）Ｃｕ合金−Ｎ層からなる場合、Ｙｘｙ表色系における色度座標（ｘ、ｙ）は０．２２≦ｘ≦０．３２、且つ０．２２≦ｙ≦０．３２を満たし、刺激値Ｙは８以下を満足する。
【００４４】
Ｙｘｙ表色系は、標準表色系として承認された色のものさしであり、ＪＩＳ  Ｚ８１１０の参考図で示されるｘｙ色度図と、原刺激の混色量（刺激値とも呼ばれる）Ｙを組み合わせたＹｘｙの三要素で表される。ｘｙで色相・彩度の情報、Ｙが明度情報Ｙに対応する。参考のため、図５に上記色度座標ｘ、ｙと色調との関係を示す。ｘ軸は数値が大きくなる程、赤みの比率が増し、数値が小さくなる程、青みの比率が増す。一方、色度座標のｙ軸は数値が大きくなる程、緑みの比率が増し、数値が小さくなる程、青みの比率が増す。
【００４５】
ここで上記色度座標（ｘ、ｙ）の範囲は、前述した特許文献３に記載の「無彩色から青みの色調」、および特許文献４に記載の「無彩色或いは準無彩色の色調」を考慮し、樹脂系ブラックマトリックスと同等の色目とするとの観点から、決定されたものである。無彩色および準無彩色の定義は前述した特許文献４に記載されており、無彩色とは、標準Ｃ光源からの光がブラックマトリックスを透過あるいは反射した後に有する色度座標ｘ、ｙがＪＩＳ  Ｚ８１１０の参考図で示される色度図上での白色の範囲；主に、［ｘ＝０．２７、ｙ＝０．２７］〜［ｘ＝０．３７、ｙ＝０．３７］の略楕円状の領域にあるものをいう。また、準無彩色とは、上記色度座標ｘ、ｙがＪＩＳ  Ｚ８１１０の参考図で示される色度図上での紫みの白、青みの白、緑みのあるいは黄みの白の範囲；主に、［ｘ＝０．２２、ｙ＝０．２２］〜［ｘ＝０．４２、ｙ＝０．４２］の略楕円状の領域からピンクを除いた領域）にあることをいう。本発明では、前述した特許文献３におけるタッチパネル用基板のブラックマトリックスにおいて、青みの反射色特性が規定されていることも勘案して、色度座標ｘ、ｙの下限を０．１９まで広げることにした。また、色度座標ｘ、ｙの上限は、一般的な樹脂系ブラックマトリックスと同等の色目とするとの観点から、０．３２に制限した。
【００４６】
色度座標ｘ、ｙの下限および上限を、一般的な樹脂系ブラックマトリックスと同等の色目とするとの観点からすると、色度座標ｘ、ｙは０．２２≦ｘ≦０．３２、且つ０．２２≦ｙ≦０．３２を満たすことが好ましい。これに対し、色度座標ｘ、ｙが０．１９≦ｘ≦０．２２、且つ０．１９≦ｙ≦０．２２を満たすものは、一般的な樹脂系ブラックマトリックスより青みを帯びているが、色差（色度差）が小さいため、本発明で許容される範囲である。
【００４７】
また、刺激値Ｙは、上述したように明度に関する指標であり、反射率を考慮して決定されたものである。好ましくはＹは５以下である。
【００４８】
本発明の電極は、所望とする低反射率の更なる向上、および色度の制御を目的として、或いは、他の特性向上を目的として、公知の膜を介在させることもできる。以下に、五層構造からなる本発明電極の、好ましい実施形態を説明するが、本発明はこれに限定されない。
【００４９】
以上、本発明の電極について詳述した。
【００５０】
本明細書において「電極」は電極形状に加工する前の配線も含む。上述したように本発明の電極は、低いシート抵抗と低い反射率を兼ね備えているため、入力装置の入力領域に用いられる電極のみならず、当該電極を延長してパネル外周部の配線領域にも適用可能である。
【００５１】
前述した図４では、検出用電極および駆動電極を金属電極により形成し、入力装置を液晶のカラーフィルタとカバーガラスの間に形成する、いわゆるオンセル型構造に適用する例を示し、その構成を詳細に説明したが、本発明はこれに限定されない。
【００５２】
本発明の電極は、例えば液晶表示装置内、例えばＴＦＴ基板と透明基板の間に入力装置の電極を組み込んだいわゆるインセル型構造に適用することも可能である。
【００５３】
また本発明の電極が適用される入力装置には、タッチパネルなどのように表示装置に入力手段を備えた入力装置；タッチパッドのような表示装置を有さない入力装置の両方が含まれる。具体的には上記各種表示装置と位置入力手段を組み合わせ、画面上の表示を押すことで機器を操作する入力装置や、位置入力手段上の入力位置に対応して別途設置されている表示装置を操作する入力装置の電極にも本発明の電極を用いることができる。上記入力装置には、本発明の電極に加えて、上記に例示した通り、透明基板、透明電極、接着層、絶縁膜等が含まれうるが、これらは、タッチパネルやタッチパッド等で用いられているものを採用することができる。
【００５４】
次に、本発明の電極を製造する方法について説明する。以下では前述した図４の積層構造を例に製造方法を説明する。
【００５５】
上述した積層構造を有する電極を製造するに当たっては、細線化や膜内の合金成分の均一化、更には添加元素量の制御のし易さなどの観点から、スパッタリングターゲットを用いてスパッタリング法にて成膜することが好ましい。
【００５６】
特に本発明の電極を特徴付ける第２層を構成するＡｌ−Ｃｕ合金−Ｎ層を成膜するには、例えば、Ａｌスパッタリングターゲットと所望の添加元素を含むスパッタリングターゲットのコスパッタ法；Ａｌスパッタリングターゲット上に所望の元素を含む金属チップをチップオンして成膜する方法などが挙げられる。或いは、所望の組成になるよう合金ターゲットを用いてもよい。
【００５７】
生産性および膜質制御などの観点を考慮すると、窒素ガスを含む反応性スパッタリング法を採用することが好ましい。すなわち、本発明に係る電極の製造方法は、窒素ガスを含む反応性スパッタリング法によって上記第２層を構成するＡｌ−Ｃｕ合金−Ｎ層を成膜するところに特徴がある。
【００５８】
上記第２層を成膜するための反応性スパッタリング法の条件は、例えば、導入したい窒素層などに応じて適切に制御すれば良いが、以下のように制御することが好ましい。
・基板温度：室温〜４００℃
・成膜温度：室温〜４００℃
・雰囲気ガス：窒素ガス、Ａｒガス
・成膜時の窒素ガス流量：Ａｒガスの５〜５０％
・スパッタパワー：１００〜５００Ｗ
・到達真空度：１×１０-6Ｔｏｒｒ以下
【００５９】
使用するスパッタリングターゲットは、成膜したい第２層に対応するＡｌまたはＡｌ合金のスパッタリングターゲットを用いれば良い。Ａｌ−Ｘ合金−Ｎ層を成膜する場合、使用するスパッタリングターゲットとして、成膜したい第２層を構成する金属元素を含む複数のスパッタリングターゲットを用いてもよい。スパッタリングターゲットの形状は特に限定されず、スパッタリング装置の形状や構造に応じて任意の形状（角型プレート状、円形プレート状、ドーナツプレート状、円筒状など）に加工したものを用いることができる。
【００６０】
但し、第２層の成膜方法は上記方法に限定されない。例えば、予め窒化処理された、Ａｌ窒化物またはＡｌ合金窒化物のスパッタリングターゲットを用い、Ａｒ等の希ガス元素のみを含む雰囲気（窒素ガスの導入なし）でスパッタリングし、所望とする第２層を成膜しても良い。
【００６１】
本発明は上記第２層の成膜方法に特徴があり、それ以外の各層の成膜方法は、本発明の技術分野において通常用いられる方法を適宜採用することができる。
【実施例】
【００６２】
以下、実施例を挙げて本発明をより具体的に説明するが、本発明は下記実施例によって制限されず、前・後記の趣旨に適合し得る範囲で変更を加えて実施することも可能であり、それらはいずれも本発明の技術的範囲に包含される。
【００６３】
本実施例では、透明基板側から順に、表１に記載の第１層、第２層（Ａｌ−Ｃｕ合金−Ｎ層）および第３層を積層させた三層構造の積層膜試料を作製した後、ＣＩＥ（国際照明委員会：Ｃｏｍｍｉｓｓｉｏｎ  Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌｅ  ｄ‘Ｅｃｌａｉｒａｇｅ）のＣＩＥ  Ｙｘｙ表色系にて色度ｘ、ｙ、Ｙを測定した。
【００６４】
（１）試料の作製
（１−１）第１層の成膜
まず、透明基板として無アルカリ硝子板（板厚０．７ｍｍ、直径４インチ）を用い、その表面に、ＤＣマグネトロンスパッタリング法により、表１に示す第１層を成膜した。成膜に当たっては、成膜前にチャンバー内の雰囲気を一旦、到達真空度：３×１０-6Ｔｏｒｒに調整してから、上記金属膜と同一の成分組成を有する直径４インチの円盤型スパッタリングターゲットを用い、下記条件でスパッタリングを行った。
（スパッタリング条件）
・Ａｒガス圧：２ｍＴｏｒｒ
・Ａｒガス流量：３０ｓｃｃｍ
・スパッタパワー：５００Ｗ
・基板温度：室温
・成膜温度：室温
・第１層の膜厚：２５０ｎｍ
【００６５】
（１−２）第２層の成膜
第２層が表１に記載の組成となるよう、所望組成のＡｌ−Ｃｕ合金ターゲットを用い、以下の条件で、窒素との反応性スパッタリング法による成膜を行なった。
（反応性スパッタリング条件）
・Ａｒ＋Ｎ2ガス圧：２ｍＴｏｒｒ
・Ａｒガス流量：１０ｓｃｃｍ
・Ｎ2ガス流量：５ｓｃｃｍ
・スパッタパワー：５００Ｗ
・基板温度：室温
・成膜温度：室温
・第２層の膜厚：５０ｎｍ
【００６６】
（１−３）第３層の成膜
上記のようにして第２層のＡｌ−Ｃｕ合金−Ｎ層を成膜した後、引き続き、その表面に、ＤＣマグネトロンスパッタリング法により、下記のスパッタリング条件で、透明導電膜としてＩＺＯ膜またはＩＴＯ膜（第３層）を成膜した。透明導電膜の成膜に当たっては、成膜前にチャンバー内の雰囲気を一旦、到達真空度：３×１０-6Ｔｏｒｒに調整してから、透明導電膜と同一組成のＩＺＯスパッタリングターゲットまたはＩＴＯスパッタリングターゲット（直径４インチの円盤型）を用いた。
（スパッタリング条件）
・ガス圧：２ｍＴｏｒｒ
・Ａｒガス流量：１８ｓｃｃｍ
・Ｏ２ガス流量：１ｓｃｃｍ
・スパッタパワー：２５０Ｗ
・基板温度：室温
・成膜温度：室温
・第３層の膜厚：５０ｎｍ
【００６７】
このようにして得られた積層膜の色度を以下のようにして測定した。
【００６８】
（１）積層膜の色度ｘ、ｙ、Ｙの測定
上記の方法で得られた積層膜の反射率について、日本分光社製Ｖ−５７０分光光度計を用い、３６０〜８００ｎｍの可視光領域での絶対反射率を測定して求めた。このようにして得られた絶対反射率をもとに、前述したＣＩＥ  Ｙｘｙ表色系にて、色度ｘ、ｙと刺激値Ｙを算出した。本実施例では、下記◎または〇を合格（色度が適切に制御されている）と評価した。
・◎：色度（ｘ，ｙ）が０．２２≦ｘ≦０．３２、且つ０．２２≦ｙ≦０．３２を満たし、刺激値Ｙが８以下であるもの
・〇：色度（ｘ，ｙ）が０．１９≦ｘ≦０．２２、且つ０．１９≦ｙ≦０．２２を満たし、刺激値Ｙが８以下であるもの
【００６９】
これらの結果を表１に併記する。
【００７０】
【表１】
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【００７１】
Ｎｏ．３〜５、８〜１１はいずれも、本発明の要件を満足する本発明例であり、色度（ｘ，ｙ）および刺激値Ｙの両方が適切な範囲を満たしている。
【００７２】
これに対し、以下の例は本発明の要件を満足しない比較例であり、本発明の電極としては適さない。
【００７３】
まず、Ｎｏ．１は第２層中のＣｕ含有量が７原子％と少ない例、Ｎｏ．６は第２層中のＣｕ含有量が１４原子％と多い例であり、いずれもｙが適切な下限値を下回り、青色が強くなった。
【００７４】
また、Ｎｏ．２は第２層中のＣｕ含有量が９原子％と少ない例、Ｎｏ．７は第２層中のＣｕ含有量が１７原子％と多い例であり、いずれも、ｘ、ｙ共に適切な下限を下回り、やはり青色が強くなった。
【００７５】
また、Ｎｏ．１２は、第２層中のＣｕ含有量が７原子％と少なく、且つ、第３層を有しない比較例である。色度ｘ、ｙは適切な範囲に制御されているが、刺激値Ｙが適切な上限（８以下）を大きく外れてしまい、反射率が高く、本発明の電極としては適さないことがわかる。
【００７６】
Ｎｏ．１３は、第３層を有しない比較例である。色度ｘ、ｙは適切な範囲に制御されているが、刺激値Ｙが適切な上限（８以下）を大きく外れてしまい、反射率が高く、本発明の電極としては適さないことがわかる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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