(57)【要約】【課題】大型化することなく性能を維持することができる上、熱電変換素子の剥離及び破損を抑制することができるペルチェ素子を提供する。【解決手段】本発明のペルチェ素子は、一方側基板１に形成された一方側電極部３と、他方側基板２に形成された他方側電極部４と、電力が印加されると一方側基板１から他方側基板２に熱を移動させる複数の熱電変換素子５と、他方側電極部４と熱電変換素子５とを接合する導電性を有する他方側接合部７と、を備え、他方側接合部７は、他方側基板２のうち複数の熱電変換素子５が配列される矩形状の素子配列部分Ａにおいて、素子配列部分Ａの少なくとも四隅部分Ａ０を含む第一領域Ａ１に配置される接合材７１の融点が、素子配列部分Ａのうち第一領域Ａ１以外の領域である第二領域Ａ２に配置される接合材７２の融点よりも低くなるように構成されている。【選択図】図３
2016031966.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方側基板と、
他方側基板と、
前記一方側基板に形成された一方側電極部と、
前記他方側基板に形成された他方側電極部と、
前記一方側電極部と前記他方側電極部の間に配置され、電力が印加されると前記一方側基板から前記他方側基板に熱を移動させる複数の熱電変換素子と、
前記一方側電極部と前記熱電変換素子とを接合する導電性を有する一方側接合部と、
前記他方側電極部と前記熱電変換素子とを接合する導電性を有する他方側接合部と、
を備え、
前記他方側接合部は、前記他方側基板のうち前記複数の熱電変換素子が配列される矩形状の素子配列部分において、前記素子配列部分の少なくとも四隅部分を含む第一領域に配置される接合材の融点が、前記素子配列部分のうち前記第一領域以外の領域である第二領域に配置される接合材の融点よりも低くなるように構成されているペルチェ素子。
【請求項２】
前記他方側接合部は、二種類の接合材で構成され、
前記一方側接合部は、前記第二領域に配置される接合材と同一の接合材である請求項１に記載のペルチェ素子。
【請求項３】
前記第一領域は、前記素子配列部分の一辺の中点を通り且つ前記一辺に直交する直線に対して線対称に形成されている請求項１又は２に記載のペルチェ素子。
【請求項４】
前記第二領域は、前記素子配列部分の中心部分を中心とした円状に形成されている請求項１〜３の何れか一項に記載のペルチェ素子。
【請求項５】
前記他方側接合部は、二種類の接合材で構成され、
前記第一領域は、前記素子配列部分の一辺に沿って配置された矩形状の領域と、前記素子配列部分の前記一辺の対辺に沿って配置された矩形状の領域と、で構成され、
前記第二領域は、前記素子配列部分の中心部分を含む矩形状に形成されている請求項１〜３の何れか一項に記載のペルチェ素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ペルチェ素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
ペルチェ素子は、熱電変換素子のペルチェ効果を利用して対象物の温調（温度調整）を行う装置である。ペルチェ素子は、主に、一方側基板と、他方側基板と、両基板の間に配置された複数の熱電変換素子と、を備えている。ペルチェ素子に電力が印加されると、一方側基板から他方側基板に熱が移動する。この際、一方側基板が吸熱されて低温となり、他方側基板が放熱されて高温となる。この際、他方側基板は熱により膨張し、熱電変換素子と他方側基板の電極との間には応力が発生する。この応力により、熱電変換素子と他方側基板の電極との間で剥離が生じたり、熱電変換素子が破損したりするおそれがあった。このような断線や破損が生じると、ペルチェ素子は機能しなくなる。
【０００３】
ここで、例えば特開２００４−１７２２１６号公報には、四隅部分に熱電変換素子を配置しない熱電モジュールが記載されている。この熱電モジュールによれば、基板の変位により大きな応力を受ける四隅部分に熱電変換素子がないため、当該部分の熱電変換素子の剥離及び破損が防止される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−１７２２１６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記熱電モジュールでは、四隅部分に熱電変換素子が配置されていない分、単位面積あたりの吸熱量は低下し、冷却性能の低下又は性能確保を目的としたモジュールの大型化の問題がある。
【０００６】
本発明は、このような事情に鑑みて為されたものであり、大型化することなく性能を維持することができる上、熱電変換素子の剥離及び破損を抑制することができるペルチェ素子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明のペルチェ素子は、一方側基板と、他方側基板と、前記一方側基板に形成された一方側電極部と、前記他方側基板に形成された他方側電極部と、前記一方側電極部と前記他方側電極部の間に配置され、電力が印加されると前記一方側基板から前記他方側基板に熱を移動させる複数の熱電変換素子と、前記一方側電極部と前記熱電変換素子とを接合する導電性を有する一方側接合部と、前記他方側電極部と前記熱電変換素子とを接合する導電性を有する他方側接合部と、を備え、前記他方側接合部は、前記他方側基板のうち前記複数の熱電変換素子が配列される矩形状の素子配列部分において、前記素子配列部分の四隅部分を含む第一領域に配置される接合材の融点が、前記素子配列部分のうち前記第一領域以外の領域である第二領域に配置される接合材の融点よりも低くなるように構成されている。
【発明の効果】
【０００８】
本発明のペルチェ素子によれば、他方側基板が高温となった際、低融点である第一領域の接合材が、第二領域の接合材よりも先に柔らかくなり、他方側基板の膨張による変位が第一領域の接合材の柔軟性により吸収される。第一領域は応力が大きい四隅部分を含む領域であり、熱電変換素子の剥離及び破損が効果的に抑制される。そして、第二領域の接合材により熱電変換素子の固定機能は担保される。また、本発明のペルチェ素子によれば、素子配列部分の四隅部分にも熱電変換素子が配置されるため、大型化することなく性能を維持することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】第一実施形態のペルチェ素子の構成を示す構成図である。
【図２】第一実施形態のペルチェ素子の内部構成を説明するための平面説明図である。
【図３】第一実施形態の素子配列部分を説明するための平面説明図である。
【図４】第一実施形態の変形態様の素子配列部分を説明するための平面説明図である。
【図５】第二実施形態の素子配列部分を説明するための平面説明図である。
【図６】第三実施形態の素子配列部分を説明するための平面説明図である。
【図７】第三実施形態の変形態様の素子配列部分を説明するための平面説明図である。
【図８】その他の変形態様の素子配列部分を説明するための平面説明図である。
【図９】その他の変形態様の素子配列部分を説明するための平面説明図である。
【図１０】その他の変形態様の素子配列部分を説明するための平面説明図である。
【図１１】その他の変形態様の素子配列部分を説明するための平面説明図である。
【図１２】その他の変形態様の素子配列部分を説明するための平面説明図である。
【図１３】その他の変形態様の素子配列部分を説明するための平面説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、図中、同一符号を付してある。また、説明に用いる各図は概念図であり、各部の形状は必ずしも厳密なものではない場合がある。また、図面において、連続的に配置された部品について、一部に符号を付し、その他については符号を省略している。また、本実施形態では、「一方」を「上方」とし、「他方」を「下方」とした具体例について説明する。また、電極、配線、及び回路等において「接続」とは、特に説明がない場合でも「電気的な接続」を意味する。
【００１１】
＜第一実施形態＞
第一実施形態のペルチェ素子は、図１〜図３に示すように、上部絶縁基板（「一方側基板」に相当する）１と、下部絶縁基板（「他方側基板」に相当する）２と、上側電極部（「一方側電極部」に相当する）３と、下側電極部（「他方側電極部」に相当する）４と、複数の熱電変換素子５と、上側接合部（「一方側接合部」に相当する）６と、下側接合部（「他方側接合部」に相当する）７と、を備えている。
【００１２】
上部絶縁基板１は、セラミックなどの絶縁部材で構成された平板状の基板である。下部絶縁基板２は、上部絶縁基板１同様、セラミックなどの絶縁部材で構成された平板状の基板である。下部絶縁基板２は、上部絶縁基板１に対向している。上部絶縁基板１及び下部絶縁基板２は、共に矩形状（ここでは正方形状）であり、両者の面積は同じである。
【００１３】
上側電極部３は、上部絶縁基板１の下面に形成され、複数の平板状の電極で構成されている。上側電極部３は、上部絶縁基板１の下面に全体として矩形状（ここでは正方形状）に配置されている。上側電極部３の各電極には、２つの熱電変換素子５が配置され、その両者が電極により接続されている。
【００１４】
下側電極部４は、下部絶縁基板２の上面に形成され、複数の平板状の電極４ａ、４ｂで構成されている。下側電極部４は、下部絶縁基板２の上面に全体として矩形状（ここでは正方形状）に配置されている。下側電極部４は、上側電極部３に対向して配置されている。下側電極部４の各電極４ａには、２つの熱電変換素子５が配置され、その両者が電極４ａにより接続されている。下側電極部４の２つの電極４ｂは、それぞれ１つの熱電変換素子５が配置され、それぞれの空いたスペースに外部配線８が接続されている。
【００１５】
熱電変換素子５は、熱と電力とを変換する素子である。熱電変換素子５は、上側電極部３の電極及び下側電極部４の電極４ａに２つ配置可能な角柱状に形成されている。熱電変換素子５は、上側電極部３と下側電極部４の間に配置されている。すべての熱電変換素子５は、下部絶縁基板２上に、全体として矩形状に配列されている。下部絶縁基板２における当該矩形状の部分（領域）を「素子配列部分Ａ」と称する。素子配列部分Ａは、下側電極部４が配置された部分、すなわち下側電極部４上面で形成される矩形状の領域ともいえる。第一実施形態では、下部絶縁基板２の上面全体に熱電変換素子５が配置されるため、下部絶縁基板２の上面全体が素子配列部分Ａとなる。
【００１６】
複数の熱電変換素子５は、ｐ型半導体とｎ型半導体が交互に配列されて構成されている。上側電極部３と下側電極部４と複数の熱電変換素子５は、１つの回路を形成している。ペルチェ素子に外部配線８から電力が供給されると、回路中の熱電変換素子５により、上部絶縁基板１から下部絶縁基板２に熱が移動する。つまり、上部絶縁基板１が吸熱側であり、下部絶縁基板２が放熱側すなわち高温側である。
【００１７】
上側接合部６は、上側電極部３と熱電変換素子５とを接合する導電性を有する接合材（導電性接合材）である。第一実施形態の上側接合部６は、一種類の接合材で構成されており、１つの融点を有している。接合材は、例えば、ろう材、はんだ、又は接着剤であり、ペルチェ素子（基板１、２）の温度環境（使用による温度幅）に応じて決定される。例えば、ペルチェ素子が室温から２００℃程度の範囲の温度環境で使用される場合、２４０℃程度が融点である接合材（例えば組成が９５Ｓｎ、５Ｓｂのはんだ）が上側接合部６の接合材として採用できる。第一実施形態では、ペースト状の接合材が使用され、上側電極部３への上部接合部６への塗布は例えばスクリーン印刷で行われる。
【００１８】
下側接合部７は、下側電極部４と熱電変換素子５とを接合する導電性を有する接合材（導電性接合材）である。第一実施形態の下側接合部７は、二種類の接合材で構成されており、塗布の場所により異なる融点を有している。接合材は、上側接合部６同様、例えば、ろう材、はんだ、又は接着剤であり、基板１、２の温度環境に応じて決定される。
【００１９】
具体的に、下側接合部７は、図３に示すように、第一接合材７１と、第二接合材７２と、を備えている。第一接合材７１は、図面において電極４ａ、４ｂ上で白黒のドットハッチで表された部分に塗布され、第二接合材７２は、図面において電極４ａ上で白抜きで表された部分に塗布されている。
【００２０】
第一接合材７１は、素子配列部分Ａの少なくとも四隅部分Ａ０を含む第一領域Ａ１に配置されている。つまり、第一接合材７１は、第一領域Ａ１に配置された熱電変換素子５と、第一領域Ａ１に配置された下側電極部４の電極４ａ、４ｂとを接合・接続している。第一接合材７１の融点は、第二接合材７２の融点より低い。例えば、ペルチェ素子が室温から２００℃程度の範囲の温度環境で使用される場合、１７０℃程度が融点である接合材（例えば組成が９９Ｓｎ、１Ｇｅのはんだ）が第一接合材７１として採用できる。
【００２１】
第二接合材７２は、素子配列部分Ａの第一領域Ａ１以外の領域である第二領域Ａ２に配置されている。第二接合材７２の融点は、第一接合材７１の融点より高い。第二接合材７２には、温度環境に応じて、接合状態を確実に維持できる接合材が用いられる。第一実施形態の第二接合材７２は、上側接合部６と接合材と同一である。下側接合部７は、ペースト状であり、下側電極部４に例えばスクリーン印刷又はディスペンサにより塗布される。接合温度は、高融点側の接合温度、すなわち第二接合材７２の接合温度で行うことができる。
【００２２】
ここで素子配列部分Ａについて詳細に説明する。素子配列部分Ａは、上述のとおり、低融点の第一接合材７１が配置される第一領域Ａ１と、高融点の第二接合材７２が配置される第二領域Ａ２と、で構成されている。第一領域Ａ１は、図３において電極４ａ、４ｂ上で白黒のドットハッチで表された部分を含む領域である。第二領域Ａ２は、図３において電極４ａ上で白抜きで表された部分を含む領域である。
【００２３】
第一実施形態の第二領域Ａ２は、図３に示すように、素子配列部分Ａの中心部分を中心とした円状に形成されている。第一実施形態では、素子配列部分Ａは正方形に形成されており、第二領域Ａ２は素子配列部分Ａの一辺の長さを直径とした円状に形成されている。
【００２４】
第二領域Ａ２の円状は、例えば素子配列部分Ａ上に素子配列部分Ａの中心部分を中心として仮想円を配置した場合、仮想円（点線参照）の内側に配置された熱電変換素子５で構成されても良い。あるいは、第二領域Ａ２の円状は、例えば図４に示すように、仮想円（点線参照）が通過した（オーバーラップした）熱電変換素子５と、仮想円の内側の熱電変換素子５により構成されても良い。ここでの「円状」とは円又は楕円の軌跡に基づいた形状を意味する。
【００２５】
第一領域Ａ１は、素子配列部分Ａの隅部（角部）に位置する４つの領域（独立領域）で構成されている。ここでの各独立領域は、凹弧状（又は三角形状）に形成されている。第一領域Ａ１は、素子配列部分Ａの一辺の中点を通り且つ当該一辺に直交する直線（一点鎖線参照）に対して線対称に形成されている。なお、円状や線対称など第一領域Ａ１の形状について、全体に対してごく少数の熱電変換素子５の有無などの微差は、許容され、本実施形態に含まれる。
【００２６】
第一実施形態のペルチェ素子によれば、下部絶縁基板２が高温となった際、低融点である第一領域Ａ１の第一接合材７１が、第二領域Ａ２の第二接合材７２よりも先に柔らかくなり、下部絶縁基板２の膨張による変位が第一接合材７１の柔軟性により吸収される。換言すると、第一領域Ａ１の応力は、低融点の第一接合材７１により分散し逃がされる。また、下側接合部７が全体的に柔らかくなるわけでなく、高融点の第二領域の接合材すなわち第二接合材７２により、熱電変換素子５の固定機能が担保される。素子配列部分Ａは、可動領域（第一領域Ａ１）と固定領域（第二領域Ａ２）を有するといえる。
【００２７】
熱が発生する素子配列部分Ａにおいて、素子配列部分Ａの中心から比較的大きく離間した四隅部分Ａ０は、熱により熱電変換素子５と下側電極部４との間に発生する応力が大きい部分である。換言すると、四隅部分Ａ０は、下部絶縁基板２の変位（膨張）が大きい部分である。第一領域Ａ１は少なくとも当該四隅部分Ａ０を含む領域であり、低融点の第一接合材７１が当該第一領域Ａ１に配置されている。これにより、熱電変換素子５の剥離及び破損が効果的に抑制される。さらに、第一実施形態のペルチェ素子によれば、素子配列部分Ａの四隅部分Ａ０にも熱電変換素子５が配置されるため、大型化することなく性能を維持することができる。
【００２８】
また、第一実施形態では、下側接合部７が、融点が異なる二種類の接合材で構成されている上、上側接合部６に下側接合部７の第二接合材７２と同一の接合材が使用されている。このため、ペルチェ素子に使われる接合材が全体で二種類だけで済み、製造が容易となる上、製造コストの増加が抑制される。なお、上側接合部６が下側接合部７で使用される接合材と異なる接合材であっても、下側接合部７が二種類の接合材で構成されることで、下側接合部７の形成が容易となり、製造コストの増加も抑制できる。
【００２９】
また、第一領域Ａ１が上記のとおり線対称に形成されているため、素子配列部分Ａの中心部分からの距離が左右及び／又は上下で均等となり、応力集中が抑制される。つまり、効果的に熱電変換素子５の剥離や破損が抑制される。さらに、第一実施形態では、第二領域Ａ２が素子配列部分Ａの中心部分を中心とした円状に形成されているため、均等に応力が分散され、応力集中がさらに抑制される。これにより、さらに効果的に熱電変換素子５の剥離や破損が抑制される。また、第一実施形態のペルチェ素子は、第二領域Ａ２が素子配列部分Ａの端部（辺）に接触する形になり、熱電変換素子５の固定力と安定性の面で有利となる。
【００３０】
＜第二実施形態＞
第二実施形態のペルチェ素子は、第一領域及び第二領域の形状の点で第一実施形態と異なっている。したがって、異なっている部分について説明し、第一実施形態と同様の構成については、同符号を付して説明は省略する。
【００３１】
第二実施形態の素子配列部分Ａは、図５に示すように、第一領域Ａ１０と、第二領域Ａ２０と、で構成されている。第一領域Ａ１０は、素子配列部分Ａの第一の辺ａ１に沿って配置された矩形状（ここでは長方形状）の領域Ａ１１と、素子配列部分Ａの第三の辺ａ３（辺ａ１の対辺）に沿って配置された矩形状（ここでは長方形状）の領域Ａ１２と、で構成されている。換言すると、第一領域Ａ１０は、第二の辺ａ２から第四の辺ａ４（辺ａ２の対辺）まで配置された、離間且つ並列した２列の矩形状の領域である。第一領域Ａ１は、互いに連結していない２つの矩形状の領域（独立領域）で構成されている。第一接合材７１は、第一領域Ａ１０内の熱電変換素子５配置位置に塗布されている。
【００３２】
第二領域Ａ２０は、素子配列部分Ａの中心部分を含む矩形状（ここでは長方形状）に形成されている。第二領域Ａ２０は、素子配列部分Ａの辺ａ２から辺ａ４まで延伸している。第二接合材７２は、第二領域Ａ２０内の熱電変換素子５配置位置に塗布されている。第二実施形態のペルチェ素子によっても、第一領域Ａ１０が可動領域となり、第二領域Ａ２０が固定領域となるため、第一実施形態と同様の効果が発揮される。
【００３３】
また、第二実施形態では、第二領域Ａ２０が円状ではなく、一辺からその対辺まで亘る矩形状に形成されている。この構成によれば、素子配列部分Ａが、第一領域Ａ１０及び第二領域Ａ２０（すなわち二種類の接合材）により、３列の矩形状領域で構成される。これにより、スクリーン印刷が容易となり、製造コストの増加が抑制される上、作業効率は向上する。また、第二領域Ａ２０が素子配列部分Ａの端部（辺）に接触する形になり、熱電変換素子５の固定力と安定性の面で有利となる。ただし、応力集中抑制の面では、第一実施形態の第二領域Ａ２の配置（円状）が優れている。なお、素子配列部分Ａが長方形状である場合、第一領域Ａ１０の各領域Ａ１１、Ａ１２及び／又は第二領域Ａ２０は正方形状であっても良い。
【００３４】
＜第三実施形態＞
第三実施形態のペルチェ素子は、第一領域及び第二領域の形状の点で第一実施形態と異なっている。したがって、異なっている部分について説明し、第一実施形態と同様の構成については、同符号を付して説明は省略する。
【００３５】
第三実施形態の素子配列部分Ａは、図６に示すように、第一領域Ａ１００と、第二領域Ａ２００と、で構成されている。第二領域Ａ２００は、中心部分が素子配列部分Ａの中心部分に一致した、ひし形状（ここでは正方形状を４５度回転させた形状）に形成されている。第二領域Ａ２００は、ひし形の軌跡（点線参照）に基づいて設定される。第一領域は、素子配列部分Ａの隅部（角部）に位置する４つの三角形状の領域が連結されて構成されている。第一領域Ａ１は、素子配列部分Ａの一辺の中点を通り且つ当該一辺に直交する直線（一点鎖線参照）に対して線対称に形成されている。第一領域Ａ１００には低融点の第一接合材７１が塗布され、第二領域Ａ２００には高融点の第二接合材７２が塗布されている。
【００３６】
第三実施形態のペルチェ素子によれば、第一実施形態と同様の効果が発揮される。また、第二領域Ａ２００は中心部分が素子配列部分Ａと共通のひし形状であるため、四隅部分Ａ０を構成する各隅部に均等な三角形状の第一領域Ａ１００が形成される。この構成によれば、円状よりも容易に接合材を配置できる上、応力を効果的に逃がすことができる。なお、ひし形状の各角の角度は９０度でなくとも良い。
【００３７】
また、図７に示すように、第一領域Ａ１００が、互いに連結していない４つの三角形状の領域（独立領域）で構成されていても良い。この場合、第二領域Ａ２００が素子配列部分Ａの端部（辺）に接触する形になり、熱電変換素子５の固定力と安定性の面で有利となる。
【００３８】
＜その他変形態様＞
本発明は、上記実施形態に限られない。例えば、上側接合部６は、複数の接合材で構成されても良い。また、下側接合部７は、３種類以上の接合材で構成されても良い。この場合も、四隅部分Ａ０に塗布された接合材の融点が下側接合部７のなかで最も低い。また、下側接合部７は、３種類以上の接合材を有し、素子配列部分Ａの中央ほど高融点の接合材が配置される構成でも良い。また、上側接合部６は、第二接合材７１とは異なる接合材でも良い。
【００３９】
また、素子配列部分Ａは、長方形状でも良い。また、第二領域Ａ２は、楕円状でも良い。素子配列部分Ａが長方形状の場合に、例えば長手方向を一致させて、第二領域Ａ２を楕円状としても良い。また、四隅部分Ａ０の各隅部は、隅に配置された１つ又は複数の熱電変換素子５に対応する位置であれば良く、隅に配置された１つ又は複数の電極４ａ、４ｂに対応する位置であっても良い。外部配線８が隅にある場合、外部配線８が接続された部分の周囲に配置された熱電変換素子５の少なくとも１つが、四隅部分Ａ０の１つの隅部の位置に相当する。また、第一領域Ａ１、Ａ１０、Ａ１００は、線対称でなくても良い。
【００４０】
また、第一領域Ａ１、Ａ１００は、独立領域が１つ、２つ、又は４つとなるように構成されても良い。例えば図８に示すように、第一領域Ａ１は、隣り合う２つの隅部の領域が連結して形成された独立領域を２つ有する構成でも良い。また、例えば図９に示すように、第一領域Ａ１は、４つの隅部の領域が連結した１つの独立領域で構成されていても良い。
【００４１】
また、本発明の素子配列部分Ａの構成例を図１０〜図１３に表す。これらの構成によっても、第一領域Ａ１と第二領域Ａ２が存在するため、ペルチェ素子を大型化することなく性能を維持することができ、熱電変換素子５の剥離及び破損を抑制することができる。
【００４２】
このように、本実施形態のペルチェ素子は、一方側基板１と、他方側基板２と、前記一方側基板１に形成された一方側電極部３と、前記他方側基板２に形成された他方側電極部４と、前記一方側電極部３と前記他方側電極部４の間に配置され、電力が印加されると前記一方側基板１から前記他方側基板２に熱を移動させる複数の熱電変換素子５と、前記一方側電極部３と前記熱電変換素子５とを接合する導電性を有する一方側接合部６と、前記他方側電極部４と前記熱電変換素子５とを接合する導電性を有する他方側接合部７と、を備え、前記他方側接合部７は、前記他方側基板２のうち前記複数の熱電変換素子５が配列される矩形状の素子配列部分Ａにおいて、前記素子配列部分Ａの少なくとも四隅部分Ａ０を含む第一領域Ａ１、Ａ１０、Ａ１００に配置される接合材７１の融点が、前記素子配列部分Ａのうち前記第一領域Ａ１、Ａ１０、Ａ１００以外の領域である第二領域Ａ２、Ａ２０、Ａ２００に配置される接合材７２の融点よりも低くなるように構成されている。
【００４３】
また、前記他方側接合部７は、二種類の接合材７１、７２で構成され、前記一方側接合部６は、前記第二領域Ａ２、Ａ２０、Ａ２００に配置される接合材７２と同一の接合材である。また、前記第一領域Ａ１、Ａ１０、Ａ１００は、前記素子配列部分Ａの一辺の中点を通り且つ前記一辺に直交する直線に対して線対称に形成されている。また、前記第二領域Ａ２、Ａ２００は、前記素子配列部分Ａの中心部分を中心とした円状に形成されている。また、前記他方側接合部７は、二種類の接合材７１、７２で構成され、前記第一領域Ａ１０は、前記素子配列部分Ａの一辺ａ１に沿って配置された矩形状の領域Ａ１１と、前記素子配列部分Ａの前記一辺ａ１の対辺ａ３に沿って配置された矩形状の領域Ａ１２と、で構成され、前記第二領域Ａ２０は、前記素子配列部分Ａの中心部分を含む矩形状に形成されている。
【符号の説明】
【００４４】
１：上部絶縁基板（一方側基板）、  ２：下部絶縁基板（他方側基板）、
３：上側電極部（一方側電極部）、  ４：下側電極部（他方側電極部）、
５：熱電変換素子５、  ６：上側接合部（一方側接合部）、
７：下側接合部（他方側接合部）、  ７１：第一接合材、  ７２：第二接合材、
Ａ：素子配列部分、  Ａ０：四隅部分、  Ａ１、Ａ１０、Ａ１００：第一領域、
Ａ２、Ａ２０、Ａ２００：第二領域
【図１】
2016031966.tif 000003
【図２】
2016031966.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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