(57)【要約】      （修正有）【課題】半導体素子や液晶表示装置等の不良解析を効率的に行うことができる解析装置を提供する。【解決手段】解析装置１１は、被測定試料１２の内部を表すデータを取得する取得部と、前記データに基づいて、前記被測定試料の不良の位置を特定する特定部と、前記被測定試料の表面のうち、前記不良の位置に対応する位置に目印を付けるマーキング部２０と、を備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被測定試料の内部を表すデータを取得する取得部と、
前記データに基づいて、前記被測定試料の不良の位置を特定する特定部と、
前記被測定試料の表面のうち、前記不良の位置に対応する位置に目印を付けるマーキング部と、
を備えた解析装置。
【請求項２】
前記特定部は、前記被測定試料の内部構造の座標データを含む設計データと、前記データとを比較した結果に基づいて、前記不良発生位置を特定する請求項１記載の解析装置。
【請求項３】
前記被測定試料に電磁波を照射する電磁波照射部をさらに備えた請求項１または２に記載の解析装置。
【請求項４】
前記電磁波は、Ｘ線を含む請求項３記載の解析装置。
【請求項５】
前記被測定試料に赤外線を走査して照射する赤外線照射部をさらに備え、
前記画像取得部は、前記赤外線を照射することによって前記被測定試料に流れる電流値を検出して測定する電流検出部を含んでおり、前記赤外線を走査した位置と、前記電流検出部で検出した電流値とを関連付けることによって、前記データを取得する請求項１または２に記載の解析装置。
【請求項６】
前記被測定試料に電圧を印加して、前記被測定試料の内部構造に温度変化を生じさせる電圧印加部をさらに備え、
前記画像取得部は、前記温度変化を赤外線の振幅および位相として取得し、前記赤外線の振幅および位相を用いて、前記データを生成する請求項１または２に記載の解析装置。
【請求項７】
前記被測定試料に超音波を発信する超音波発信部をさらに備え、
前記画像取得部は、前記被測定試料から反射される反射波または透過する透過波を受信する超音波受信部を含み、
前記画像取得部は、前記発信された超音波、および前記反射波または前記透過波のそれぞれの振幅、周波数、および位相のうちの１つ以上を用いて、前記データを生成する請求項１または２に記載の解析装置。
【請求項８】
前記マーキング部は、レーザ光を前記被測定試料に向けて照射するレーザ発光器、針先を前記被測定試料に突き当てるケガキ針、前記被測定試料上に貼付される面に接着部材を塗布したシールを先端に付した棒状部材、および、粉体または流体を射出するノズルのうち少なくとも１つを含む請求項１〜７のいずれか１つに記載の解析装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本実施形態は、解析装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子や液晶表示装置等の微細化、高機能化が進展し、欠陥や不良の解析技術は複雑化している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００９−１４５３２４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
実施形態は、半導体素子や液晶表示装置等の不良解析を効率的に行うことができる解析装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
実施形態に係る解析装置は、被測定試料の内部を表すデータを取得する取得部と、前記データに基づいて、前記被測定試料の不良の位置を特定する特定部と、前記被測定試料の表面のうち、前記不良の位置に対応する位置に目印を付けるマーキング部と、を備える。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】第１の実施形態に係る解析装置の構成を例示するブロック図である。
【図２】図２（ａ）〜図２（ｅ）は、解析装置のマーキング部の構成例を模式的に示すブロック図である。
【図３】半導体素子の不良解析を行う場合の一例を示すフローチャートである。
【図４】半導体素子を非破壊で不良解析を行う場合の一例を示すフローチャートである。
【図５】図５（ａ）は、Ｘ線解析装置を用いて撮像された被測定試料の内部構造を示す画像データの例である。図５（ｂ）は、被測定試料のピン配置および配線を表す設計データの一例である。
【図６】超音波探傷装置を用いて撮像された被測定試料の内部構造を示す画像を模式的に表した例である。図６（ａ）は、超音波の透過波による画像の模式図であり、図６（ｂ）は、超音波の反射波による画像の模式図データである。図６（ｃ）は、図６（ｂ）の焦点位置を変えた場合の画像データの一例である。
【図７】第２の実施形態に係る解析装置の構成を例示するブロック図である。
【図８】第３の実施形態に係る解析装置の構成を例示するブロック図である。
【図９】第４の実施形態に係る解析装置の構成を例示するブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下、図面を参照しつつ、本発明の実施形態について説明する。
【０００８】
なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。また、本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
【０００９】
（第１の実施形態）
図１は、本実施形態に係る解析装置１１の構成を例示するブロック図である。
本実施形態に係る解析装置１１は、本体１と、Ｘ線照射部１３と、ステージ１４と、Ｘ線カメラ１５と、不良発生位置特定部１７と、マーキング部２０と、を備える。解析装置１１は、いわゆるＸ線解析装置（Ｘ線顕微鏡）である。解析装置１１は、被測定試料１２にＸ線を照射して、透過Ｘ線をＸ線カメラ１５で撮像することによって、被測定試料１２の内部構造の画像データを取得する。なお、以下では、Ｘ線解析装置について説明するが、本実施形態は、Ｘ線を可視光に変更することによって、光学顕微鏡に適用することができ、その他任意の波長を用いる解析装置に適用することができる。
【００１０】
本体１は、Ｘ線照射部１３、ステージ１４、Ｘ線カメラ１５、および不良発生位置特定部１７にそれぞれ接続されている。不良発生位置特定部１７は、マーキング部２０に接続される。本体１は、これら各部に信号を送信して適切に動作させる。
【００１１】
本体１は、Ｘ線発生部２と、撮影制御部５と、ステージ制御部６と、画像処理部７と、内部バス８と、記憶部９と、を含む。
【００１２】
Ｘ線発生部２は、Ｘ線照射部１３および撮影制御部５にそれぞれ接続されている。Ｘ線発生部２は、Ｘ線制御部３と高電圧発生部４とを含む。Ｘ線発生部２のうちＸ線制御部３は、たとえば外部のコントローラ（図示せず）からのＸ線の照射指示を受信して、受信した信号に基づいて高電圧発生部４を起動する。高電圧発生部４は、高電圧を発生しＸ線照射部１３を駆動する。Ｘ線の照射指示には、たとえば被測定試料１２の撮像時の倍率、走査範囲、解像度等を含んでもよい。
【００１３】
撮影制御部５は、Ｘ線制御部３に接続されており、Ｘ線制御部３からＸ線照射部１３の動作状態等の状況を知らせる信号を受信する。Ｘ線照射部１３の動作状態は、たとえばＸ線制御部３が高電圧発生部４によってＸ線照射部１３の駆動を開始した旨の信号であり、Ｘ線照射部１３の駆動を終了した旨の信号である。撮影制御部５は、これらの信号を受信して、Ｘ線カメラ１５による撮影動作を開始し、終了する。
【００１４】
撮影制御部５は、ステージ制御部６に接続されており、ステージ１４の位置情報をステージ制御部６に送信する。ステージ１４の位置情報は、外部コントローラ等から撮影制御部５に入力される。
【００１５】
撮影制御部５は、Ｘ線カメラ１５に接続されており、Ｘ線カメラ１５によって取得された被測定試料１２の透過Ｘ線像に関する画像信号を取り込む。撮影制御部５は、画像処理部７に接続されており、Ｘ線カメラ１５から取り込んだ画像信号を画像処理部７に送信する。撮影制御部５は、内部バス８を介して、画像処理部７で処理された画像データを記憶部９に保存する。撮影制御部５は、記憶部９に保存された画像データを含む処理データを読み出して、画像処理部７に伝送することができる。
【００１６】
撮影制御部５は、たとえばＣＰＵ（Central Processing Unit）またはＭＰＵ（Micro Processing Unit）を含み、外部のコントローラ等の指示に基づいて、Ｘ線発生部２、ステージ制御部６、および画像処理部７を制御する。また、撮影制御部５は、内部バス８を介して記憶部９からプログラムを読み出し、プログラムの各ステップを実行する。
【００１７】
記憶部９は、たとえばＲＯＭ（Read Only Memory）、ＲＡＭ（Random Access Memory）等の半導体メモリであってもよく、磁気記憶媒体・光磁気記憶媒体・光記憶媒体等の記憶装置であってもよい。記憶部９は、これら複数の記憶媒体の組み合わせであってもよい。
【００１８】
ステージ制御部６は、撮影制御部５から位置情報を取得し、位置情報に基づいてステージ駆動部１０を駆動させる。ステージ駆動部１０は、撮影制御部５からの位置情報に基づいて、被測定試料１２が載置されたステージ１４の、被測定試料１２のＸ線照射部１３に対する相対位置を設定する。なお、ステージ駆動部１０が位置センサを併置しているので、ステージ制御部６は、ステージ駆動部１０の位置センサの位置情報を受信することによってステージ１４の位置を取得することができる。
【００１９】
ステージ駆動部１０は、ステージ１４を移動させるモータやアクチュエータ等を含み、これらを駆動するドライバ回路等を含む。ステージ駆動部１０は、また、ステージ１４とＸ線照射部１３との相対位置を検出する位置センサを含む。ステージ駆動部１０は、被測定試料１２を載置するステージ１４を撮影制御部５によって設定された位置情報にしたがって移動させる。ステージ駆動部１０は、ステージ１４をＸ線照射部１３に対して適切な位置に移動させる。
【００２０】
画像処理部７は、不良発生位置特定部１７に接続されている。画像処理部７は、撮影制御部５によって、本体１に取り込まれた画像データの信号処理を行う。画像処理部７は、撮影制御部５によって記憶部９に蓄積された画像データを読み出すとともに、記憶部９に蓄積された被測定試料１２の内部構造の座標を含む設計データを読み出すこともできる。画像処理部７は、たとえばモニタ１６と接続して、処理した画像データをモニタ１６に画像として出力するようにしてもよい。
【００２１】
Ｘ線照射部１３は、本体１との接続を介して、本体１の指令を受けとり、被測定試料１２にＸ線を適切に照射する。
【００２２】
ステージ１４は、所定の領域に不良解析の対象となる被測定試料１２を載置する面を含む。ステージ１４は、撮影制御部５から位置情報を受けとったステージ制御部６によって、その位置情報に、Ｘ線照射部１３との相対位置が設定される。
【００２３】
Ｘ線カメラ１５は、Ｘ線照射部１３によってＸ線を照射された被測定試料１２の透過Ｘ線画像を撮像し、撮影制御部５へ画像データを伝送する。
【００２４】
不良発生位置特定部１７は、画像認識部１８と、マーキング部駆動部１９と、を含む。画像認識部１８は、画像処理部７に接続され、画像処理部７から画像データを受信する。マーキング部駆動部１９は、画像認識部１８に接続され、画像認識部１８からマーキング部２０が移動する位置情報を取得する。マーキング部２０は、マーキング部駆動部１９に接続されており、取得した位置情報に基づいてマーキング部２０を移動させる。不良発生位置特定部１７は、透過Ｘ線によって撮像された画像データに基づいて、被測定試料１２の内部の不良発生位置を特定する。不良発生位置特定部１７は、画像処理部７から送信される画像信号に基づいてマーキング部２０を不良発生位置に移動させ、マーキング部２０にマーキング動作を行わせる。
【００２５】
画像認識部１８は、画像処理部７から処理された画像データを取得する。画像認識部１８は、たとえば記憶部９から、内部バス８、撮影制御部５および画像処理部７を介して画像データを読み出す。画像認識部１８は、読み出した画像データに基づいて不良箇所を判定する。画像認識部１８は、不良と判定した不良発生箇所の座標を生成し、マーキング部駆動部１９に伝達する。
【００２６】
画像認識部１８において不良発生箇所の判定を行う場合に、画像認識部１８は、被測定試料１２に関するＣＡＤ（Computer Aided Design）データ等の内部構造の座標を含む設計データを用いることができる。
【００２７】
より具体的には、画像認識部１８は、記憶部９に、あらかじめ被測定試料１２の、座標データを含むＣＡＤを用いた設計データを格納し、被測定試料１２の透過Ｘ線の画像データと設計データとを比較する。画像認識部１８は、入力された画像データの特徴パラメータを有する特徴部分を抽出して、設計データとの対応付けを行う。特徴部分には、たとえば、ボンディングパッドの形状データや、大きさのデータ等を含めることができる。対応付けされたそれぞれの特徴部分は、設計データに基づく座標データを有する。対応付けされなかった画像データの特徴部分は、座標データを有しない。そこで、画像認識部１８は、対応付けされなかった特徴部分の周囲の特徴部分の座標データを用いた補完を行うことによって、座標データを算出する。たとえば、チップ表面の異物付着による不良発生箇所は、設計データには存在しないので、上述のような手順によって、画像認識部１８は、検出異物の特徴部分を、対応付けされない特徴部分として抽出し、座標データを割り当てて不良発生箇所として特定することができる。その他周知の画像認識技術を用いることによって、不良発生位置特定部１７は、不良発生箇所を抽出して、特定することができる。なお、本実施形態の解析装置では、画像認識部１８は、読み出した座標データを含む設計データと、Ｘ線透過像の画像データとを、モニタ１６に重ねて表示するようにできる。そのため、解析者は、目視によって、不良発生箇所の座標を取得することもできる。
【００２８】
マーキング部駆動部１９は、画像認識部１８で取得した不良発生箇所の位置の座標データを受信して、その座標の位置へマーキング部２０を移動させる。マーキング部駆動部１９は、不良発生位置の位置座標に到達したマーキング部２０によって被測定試料１２上に目印を付けるようにマーキング部２０を駆動する。
【００２９】
マーキング部２０は、特定された不良発生位置の座標データを取得してマーキング部駆動部１９によって、適切な位置に移動する。マーキング部２０は、マーキング部駆動部１９との接続を介して、不良発生位置を表示する目印を被測定試料１２上に目印を付けるための駆動信号を受信して、被測定試料１２上の不良が発生した位置に相当する位置に目印を付ける。不良原因となる半導体素子等の欠陥等は、被測定試料１２の内部で発生しているので、不良が発生している位置自体に直接マーキングをすることはできない。そこで、たとえば実際に不良が発生している位置を撮影方向に投影したときのパッケージ表面の位置を不良が発生した位置に相当する位置とする。マーキング部２０は、被測定試料１２上の不良が発生した位置に相当する位置に対する相対位置を決定して、その位置に移動することができればよい。たとえば、マーキング部２０は、Ｘ線照射部１３およびステージ１４とは別の支柱（図示せず）に固定され、ステージ１４に対して相対移動するようにしてもよい。あるいは、マーキング部２０は、Ｘ線照射部１３に固定されてもよい。Ｘ線照射部１３に固定されたマーキング部２０は、ステージ１４に対する相対位置を設定できる。この場合には、マーキング部２０のステージ１４に対する相対位置は、ステージ制御部６およびステージ駆動部１０によって設定されるようにしてもよい。また、マーキング部２０は、ステージ１４に固定して、マーキング部駆動部１９を介して駆動されて、ステージ１４に対して相対移動するようにしてもよい。
【００３０】
図２（ａ）〜図２（ｅ）は、マーキング部２０の構成例を模式的に示すブロック図である。
図２（ａ）に示すように、マーキング部２０は、たとえば、レーザ発光器２１ａを含む。マーキング部２０は、レーザ発光器２１ａから出力されるレーザ光を被測定試料１２の表面の適切な位置に照射されるように、レーザ光を導光する導光体２１ｂを含む。導光体２１ｂは、たとえば光ファイバである。マーキング部２０がレーザ発光器２１ａを含む場合には、マーキング部駆動部１９は、レーザ発光器２１ａを駆動するレーザ発信機を含む。マーキング部２０は、マーキング部駆動部１９からのマーキング信号にしたがって、レーザ光を被測定試料１２表面の、不良発生位置に相当する位置に照射する。レーザ光は、パルス状に複数回に分けて、被測定試料１２上に照射するようにしてもよい。被測定試料１２が樹脂封止された半導体素子や、ＢＧＡ等の場合には、レーザ光が照射された箇所は、被測定試料１２の表面がレーザ加工されて、不良発生位置に相当する位置を表示する。
【００３１】
図２（ｂ）に示すように、マーキング部２０は、たとえば、先端が先鋭なケガキ針２１ｃと、このケガキ針２１ｃを被測定試料１２表面の、不良発生位置に相当する位置に突き当てるソレノイド駆動回路２１ｄとを含む。マーキング部２０は、ソレノイド駆動回路２１ｄに駆動電流を流すことによって、ケガキ針２１ｃの先端を被測定試料１２表面に突き当てる。ケガキ針２１ｃは、突き当てた先端で被測定試料１２の表面を削って、不良発生位置に相当する位置を表示する。
【００３２】
図２（ｃ）に示すように、マーキング部２０は、接着剤が両面に塗布されたラベル２２ａを先端に付着させた棒状部材２１ｅを含んでもよい。マーキング部２０は、棒状部材２１ｅの先端をソレノイド駆動回路２１ｆによって被測定試料１２の表面に押し当てる。棒状部材２１ｅは、ラベル２２ａを、被測定試料１２表面の、不良発生位置に相当する位置に押し付けて貼付する。
【００３３】
図２（ｄ）に示すように、マーキング部２０は、先端に吸引口２１ｈを有する吸引チャック２１ｇと、吸引口２１ｈから大気を吸引する吸引ポンプ２１ｋとを含む。マーキング部２０は、被測定試料１２側の片面に粘着剤が塗布されたラベル２２ｂを吸引口２１ｈに吸引する。吸引チャック２１ｇは、被測定試料１２表面の、不良発生位置に相当する位置にラベル２２ｂを押し付けて貼付する。
【００３４】
被測定試料１２に貼りつけるラベル２２ａ，２２ｂは、貼付後、Ｘ線等が透過しないように、金属製の材料で形成され、または金属材料を含有したインク等が塗布されていることが望ましい。ラベル２２ａ，２２ｂに金属が含まれることによって、Ｘ線等が透過しないようにできる。したがって、解析者は、再度のＸ線解析や、その他の解析を行う場合に、被測定試料１２に貼付したラベル２２ａ，２２ｂを目印とすることができる。
【００３５】
図２（ｅ）に示すように、マーキング部２０は、たとえば、粉体または液体等の射出材料２２ｃを射出するノズル２１ｍであってもよい。マーキング部２０は、ノズル２１ｍから射出材料２２ｃを蓄積するタンク２１ｎを含む。マーキング部２０は、タンク２１ｎ中の空気や射出材料を圧縮することによって、射出材料２２ｃをノズル２１ｍの先端から射出する。マーキング部２０のノズル２１ｍは、インクや粉末を射出して、被測定試料１２上の不良発生位置に相当する位置に付着させる。インクや粉末に金属材料を含ませることによって、Ｘ線等が透過しないようにできるので、解析装置１１を用いる解析者は、再度のＸ線解析や、その他の解析を行う場合に、被測定試料１２に付着したインクや粉末を目印とすることができる。
【００３６】
マーキング部２０のノズル２１ｍから、光硬化性や熱硬化性の導電性ペーストを供給するようにしてもよい。不良発生箇所が１か所に断定できないような場合に、マーキング部２０は、複数の候補箇所にノズル２１ｍで導電性ペーストを被測定試料１２上に付着させ、別の解析を行った後に残った候補箇所に塗布された導電性ペーストに紫外線をあて、あるいは熱風をあてて硬化させるようにしてもよい。導電性ペーストは、金属材料を含んでいるので、導電性ペーストで形成された目印は、Ｘ線等を透過しないようにすることができる。
【００３７】
いずれの場合についても、被測定試料１２の外形の一辺の長さが１１ｍｍ〜１２ｍｍ程度であるＢＧＡパッケージの半導体素子の場合には、マーキングする目印の径は、０．５ｍｍ程度が望ましい。なお、マーキングする目印の大きさおよび形状は、任意に設定することができるのはいうまでもない。
【００３８】
マーキング部２０は、図２（ａ）〜図２（ｅ）に示した構成を少なくとも１つ含むことができる。マーキング部２０は、これらの構成のうち複数を含むようにしてもよい。マーキング部２０が複数の構成を含む場合には、それぞれの構成を着脱自在にして、たとえば被測定試料の表面材質や、複数の解析装置の使用順序に応じて交換して用いる場合を含む。
【００３９】
本実施形態の解析装置１１は、以下のように動作する。
【００４０】
解析装置１１は、Ｘ線照射部１３によって、被測定試料１２にＸ線を照射し、Ｘ線カメラ１５によって、透過Ｘ線像を取得する。
【００４１】
解析装置１１は、取得した透過Ｘ線像を本体１の撮影制御部５を介して取り込み、画像処理部７によって画像処理された画像データを生成する。
【００４２】
解析装置１１は、不良発生位置特定部１７の画像認識部１８によって、生成された画像データから不良発生位置を検出して特定し、被測定試料１２上の不良発生位置に相当する位置にマーキング部２０を移動させる。
【００４３】
解析装置１１は、マーキング部２０によって、マーキング部駆動部１９を介して、被測定試料１２上の不良発生位置に相当する位置にマーキングする。
【００４４】
以上のようにして、解析装置１１は、Ｘ線カメラ１５によって取得した画像データを画像処理することによって不良発生箇所を特定し、被測定試料１２上の不良発生箇所に相当する位置にマーキング部２０を移動させて、所定の目印を、被測定試料１２上の不良発生位置に相当する位置にマーキングすることができる。したがって、解析装置１１を用いる解析者は、被測定試料１２の設計データ等との照合を手作業で行う必要がないので、被測定試料１２の不良解析を効率よく進めることができる。また、解析装置１１は、不良発生位置特定部１７およびマーキング部２０によって、被測定試料１２の不良発生位置に相当する位置を正確に特定することができるので、解析者は、不良解析の効率をさらに向上させることができる。
【００４５】
半導体素子や液晶表示装置等は、年々高機能化している。このような分野では、微細加工技術の進歩により高密度化が進み、３次元構造等の複雑な構造の素子が一般的に流通するようになっている。このような微細構造素子の不良原因を追求し、製造工程等に的確にフィードバックすることは、さらなるデバイスの高機能化を実現する上において、重要な事項となっている。このような高機能素子の不良発生要因は多岐にわたり、複雑である。近年では、これらの不良解析を行うにあたり、高機能かつ高性能な解析装置を利用することができるようになってきたが、適切な結果を得るために、不良解析を行う解析者は、不良発生要因に応じてこれらを使い分けることが肝要である。したがって、解析者は、適切な評価計画を立てて、不良解析を行う必要がある。
【００４６】
図３は、半導体素子の一般的な不良解析の手順の一例を示すフローチャートである。
【００４７】
ステップＳ１において、解析者は、被測定試料の電気的特性の概略を確認する。被測定試料の電気特性の概略を確認するには、解析者は、たとえば、半導体テスタやカーブトレーサ等を用いることができる。これらの電気的特性確認によって、解析者は、どのパス、どの端子間に不良が発生しているかを予測することができる。
【００４８】
ステップＳ２において、解析者は、予想される不良発生要因から最適な解析装置を選択する。解析者は、その解析の結果と電気的特性の不良の発生状況とを比較・照合し不良発生箇所を特定する。
【００４９】
ステップＳ３において、解析者は、ステップＳ２の解析結果にしたがって、被測定試料の封止樹脂等の開封を行う。樹脂開封では、解析者は、必要に応じて、不良発生箇所近傍の一部や、封止樹脂全部を除去する。
【００５０】
ステップＳ４において、解析者は、光学顕微鏡や電子顕微鏡を用いてチップ表面の外観調査や、プローバ等を用いて電気的特性を確認する。
【００５１】
ステップＳ５において、解析者は、不良発生部位および不良発生要因を特定し、当初の段階の不良内容および特定された不良発生箇所（ステップＳ２）の結果の相関性の有無を確認する。
【００５２】
たとえば、ステップＳ２において、内部に焼損や、ワイヤ変形等の構造の異常等の不良を認めた場合には、解析者は、さらに詳細に不良発生箇所を特定し、不良発生原因を特定する必要がある。しかしながら、内部の不良発生箇所を調査するために、不良サンプルを開封してしまうと、それ以前の状態に戻すことができないので、解析者は、慎重に判断する必要がある。そのため、解析者は、非破壊で不良解析を行う解析装置を適切に利用し、適切な結果を得るように留意する必要がある。
【００５３】
一方で、これら解析装置は、特定の不良発生要因に対する不良検出感度は良好であるが、他の不良発生要因に対しては検出することがほとんどできない。あるいは、解析装置の中には、Ｘ線解析装置や超音波探傷装置等のように、特定の不良発生箇所に対して、焦点を合わせる等の調整を行った上で、不良発生箇所を特定することができる装置もある。そのため、解析者は、複数の装置を用い、あるいは単独の装置であっても、複数回に分けて解析装置を用いる必要がある。
【００５４】
図４は、図３のステップＳ２における非破壊解析の手順の一例を示すフローチャートである。
【００５５】
ステップＳ５１において、解析者は、Ｘ線解析装置を用いて、被測定試料の内部構造を取得する。ワイヤオープン等の構造上の問題がある場合には、Ｘ線解析装置で検出が可能である。
【００５６】
ステップＳ５２において、解析者は、超音波探傷装置（ＳＡＴ、Scanning Acoustic Tomograph）を用いて、チップ表面の封止樹脂の剥離状態等の３次元的な構造上の不具合の検出が可能な場合がある。
【００５７】
ステップＳ５３において、解析者は、赤外線発熱解析装置を用いて、被測定試料のリーク発生箇所等を３次元的に検出することができる場合がある。
【００５８】
ステップＳ５４において、解析者は、ＯＢＩＣ／ＯＢＩＲＣＨ解析装置を用いて、微小リークの発生箇所を検出することができる場合がある。ＯＢＩＣ／ＯＢＩＲＣＨ解析装置を利用する場合には、半導体素子の裏面を研削して、裏面から赤外線レーザ光を照射することがあるので、この解析を行った後には、ＳＡＴ解析等ができなくなる。
【００５９】
このように、解析者は、多くの場合には、Ｘ線解析装置、超音波探傷装置、赤外線発熱解析装置、およびＯＢＩＣ／ＯＢＩＲＣＨ解析装置等のうち、少なくとも２種類以上の解析装置を組み合わせて用いる。また、解析者は、被測定試料を開封した後に、チップ等の表面を観察するために数種類の解析装置を用いる場合もある。
【００６０】
ある解析装置において、不良と認められる箇所を発見した場合には、解析者は、その後の解析においてその箇所を重点的に調査することとなる。不良発生箇所を発見した場合には、被測定試料を他の解析装置にセットし直す必要があるが、なんらかの目印を付けなければ、いずれの箇所が不良発生箇所であったかが不明となってしまう。
【００６１】
図５（ａ）は、Ｘ線解析装置を用いて撮像された半導体素子の内部状態の一部分の画像例である。図５（ｂ）は、図５（ａ）の画像例の半導体素子の物理的なピン配置を表す設計データ例である。
【００６２】
図６（ａ）〜図６（ｃ）は、超音波探傷装置を用いて撮像された同一の半導体素子の内部状態の一部分の画像例を模式的に示したものである。図６（ａ）は、透過超音波を用いて撮像された画像データ例である。図６（ｂ）および図６（ｃ）は、超音波の反射波を用いて撮像された画像データ例であり、それぞれ異なる焦点位置とした場合の撮像例である。なお、被測定試料には、チップ１およびチップ２が封止されたマルチチップモジュール（Multi-Chip Package）製品を用いている。
【００６３】
たとえば、図５（ａ）に示すように、Ｘ線解析装置を用いた解析によって、リード端子間に異物の影が認められたような場合には、解析者は、その箇所を具体的に特定する必要がある。そこで、解析者は、図５（ｂ）のような設計データを参照しつつ、たとえば右から何番目の端子間であるかを、Ｘ線解析装置の走査範囲や倍率を変更することによって異物発見位置を特定する。
【００６４】
図６（ａ）に示すように、超音波探傷装置では、超音波の透過波を用いることによって、不良発生箇所を検出することができる。超音波探傷装置では、より鮮明に不良発生位置を特定するために、解析者は、超音波探傷装置で超音波の反射波を用いる。解析者は、図６（ｂ）および図６（ｃ）に示すように、焦点位置を変えながら、反射波像を取得して、不良発生箇所を特定する。図６（ｂ）では、チップ１に焦点を合わせるようにして画像を取得しており、図６（ｃ）では、チップ２に焦点を合わせるようにして画像を取得している。このように、超音波探傷装置による不良解析では、２次元平面上の座標位置ばかりでなく、３次元方向に不良発生箇所を探索する必要があるので、長時間の解析作業を要する。
【００６５】
目印を付けないで上述の各解析作業を進めようとすると、解析者は、解析工程ごとに不良が発生している位置を探さなければならず、作業効率が低下する。また、被測定試料を開封した場合には、チップ等の表面に手作業で目印を付けることは困難である。
【００６６】
本実施形態の解析装置１１では、不良を発見した場合に、不良発生位置特定部１７によって、その不良発生位置を特定することができる。解析装置１１は、不良発生位置特定部１７によって、自動的にマーキング部２０を不良発生位置へ移動させて目印を付けることができる。そのため、解析者は、作業の効率を大幅に改善することができる。また、本実施形態の解析装置１１では、不良発生位置特定部１７によって、不良発生位置を正確な座標で特定することができるので、解析者は、たとえば被測定試料１２の表面に手書きで目印を付ける場合に比べて、格段に解析作業の精度を向上させることができる。
【００６７】
（第２の実施形態）
第１の実施形態では、Ｘ線解析装置に基づく解析装置について説明をしたが、本体を変更することによって、解析装置は、超音波探傷装置にも適用することができる。超音波探傷装置は、水中に載置した被測定試料に超音波を放射し、反射波または透過波と発信超音波とを取得して信号処理を行うことによって被測定試料の内部を画像データ化する。
【００６８】
図７は、第２の実施形態に係る解析装置４１の構成を例示するブロック図である。本実施形態の解析装置４１は、超音波探傷装置である。
【００６９】
解析装置４１は、本体３１と、超音波プローブ４３と、ステージ４４と、不良発生位置特定部１７と、マーキング部５０と、を備える。解析装置４１は、超音波プローブ４３で超音波を被測定試料１２に照射し、反射してきた超音波を超音波プローブ４３で受信して、本体１で、被測定試料１２に関する超音波画像を構築する。
【００７０】
本体３１は、超音波プローブ４３、ステージ４４、および不良発生位置特定部１７に接続されている。また不良発生位置特定部１７は、マーキング部５０に接続されている。本体３１は、これら各部に信号を送信して、適切に動作させる。
【００７１】
本体３１は、超音波発信部３３と、超音波受信部３４と、画像制御部３５と、超音波プローブ位置制御部３６と、画像処理部３７と、内部バス８と、記憶部９と、を含む。
【００７２】
超音波発信部３３は、超音波プローブ４３に接続されており、超音波プローブ４３を駆動する。超音波プローブ４３は、超音波発信部３３が発信して出力する電気信号を超音波信号に変換して出力する。
【００７３】
超音波受信部３４は、超音波プローブ４３に接続されており、超音波プローブ４３で受信して、電気信号に変換された被測定試料１２の超音波の反射波の電気信号を受信する。超音波受信部３４は、受信した反射波の信号を画像制御部３５に伝送する。
【００７４】
画像制御部３５は、超音波発信部３３および超音波受信部３４から超音波画像構築のための超音波信号を取得する。
【００７５】
画像制御部３５は、超音波プローブ位置制御部３６に接続され、超音波プローブ位置制御部３６にステージ４４に対する超音波プローブ４３の相対位置に関する位置情報を送信する。
【００７６】
画像制御部３５は、画像処理部３７に接続され、超音波発信部３３および超音波受信部３４によって取得した超音波から変換された電気信号を伝送する。画像制御部３５は、内部バス８を介して、画像処理部３７で処理された画像データを記憶部９に蓄積する。画像制御部３５は、記憶部９に蓄積された画像データを含む処理データを読み出して、画像処理部３７に伝達することができる。
【００７７】
画像制御部３５は、たとえばＣＰＵ（Central Processing Unit）またはＭＰＵ（Micro Processing Unit）等であり、外部のコントローラ等の指示に基づいて、超音波プローブ位置制御部３６を制御し、画像処理部３７を制御する。また、画像制御部３５は、記憶部９からプログラムを読み出し、プログラムの各ステップを実行する。
【００７８】
内部バス８および記憶部９は、第１の実施形態の解析装置と同じなので、説明を省略する。
【００７９】
超音波プローブ位置制御部３６は、画像制御部３５から位置情報を取得し、位置情報に基づいて超音波プローブ位置駆動部４０を駆動させる。超音波プローブ位置制御部３６は、超音波プローブ４３の被測定試料１２に対する相対位置を設定する。ステージ４４をターンテーブルとした場合には、超音波プローブ位置制御部３６は、ステージ４４の角度情報を設定することができる。また、超音波プローブ４３を、超音波の発信方向を軸にして回転させるようにする場合には、超音波プローブ位置制御部３６は、超音波プローブ４３の角度情報を設定することができる。超音波プローブ４３のステージ４４に対する相対位置は、超音波プローブ位置駆動部４０に併置された位置センサによって検出され、超音波プローブ位置制御部３６は、位置情報を、超音波プローブ位置駆動部４０との接続を介して受信する。
【００８０】
超音波プローブ位置駆動部４０は、超音波プローブ４３を移動させるモータやアクチュエータ等を含み、これらを駆動するドライバ回路等を含む。超音波プローブ位置駆動部４０は、超音波プローブ４３とステージ４４との相対位置を検出する位置センサを含む。超音波プローブ４３は、超音波プローブ位置駆動部４０によって被測定試料１２と超音波プローブ４３との相対位置に移動する。
【００８１】
本実施形態の解析装置４１では、被測定試料１２の超音波探傷を行うため、被測定試料１２は水中に載置される。したがって、被測定試料１２を載置するステージ４４も水中に載置されるので、ステージ４４は水槽５１に対して固定され、超音波プローブ４３が、ステージ４４に対して相対移動する。超音波プローブ位置駆動部４０は、超音波プローブ位置制御部３６との接続を介して、超音波プローブ４３を、被測定試料１２が載置されたステージ４４の設定された位置に移動させる。
【００８２】
超音波プローブ４３は、超音波を発信するトランスデューサと、超音波を受信するトランスデューサとを含む。超音波プローブ４３は、これら送受信のためのトランスデューサが一体となって構成されていてもよく、別体として含んでいてもよい。超音波プローブ４３は、画像制御部３５との接続を介して、その指令にしたがって、被測定試料１２に超音波を発信する。超音波プローブ４３は、被測定試料１２から反射される反射波を受信して、本体１に伝送する。超音波発信用プローブと受信用プローブとの間に被測定試料１２を配置して、超音波プローブ４３が、超音波の透過波を受信することができるようにしてもよい。
【００８３】
ステージ４４は、所定の領域に解析対象となる被測定試料１２を載置する面を含む。本実施形態の解析装置４１は、被測定試料１２および被測定試料１２を載置するステージ４４を水中に載置する水槽５１を含む。ステージ４４は、水槽５１のたとえば底部に設置され、水槽５１は、適切な固定台５２によって固定される。
【００８４】
不良発生位置特定部１７は、画像認識部１８と、マーキング部駆動部１９とを含む。画像認識部１８は、画像処理部３７に接続され、画像処理部３７から信号処理された画像データを受信する。画像認識部１８が受信する画像データの形式を第１の実施形態の場合のデータ形式と合わせることによって、本実施形態の画像認識部１８は、第１の実施形態の画像認識部１８と同一とすることができる。なお、画像処理部３７から受けとる画像データの形式が異なる場合には、不良発生位置特定部１７は、適切な形式に変換する処理ブロックを、画像処理部３７と、画像認識部１８との間に接続されるようにしてもよい。不良発生位置特定部１７は、第１の実施形態の解析装置１１のものを用いることができるので、詳細な説明を省略する。また、後述する第３および第４の実施形態についても同様に、同一の不良発生位置特定部１７を用いることができる。
【００８５】
マーキング部５０は、マーキング部駆動部１９によって、適切な位置に移動する。マーキング部５０は、マーキング部駆動部１９との接続を介して、不良発生箇所を表示する目印を被測定試料１２上に付着させるための駆動信号を取得して、被測定試料１２上に目印を付ける。
【００８６】
マーキング部５０は、第１の実施形態のマーキング部２０と同様の構成とすることができるが、被測定試料１２が水中に載置される点で第１の実施形態のマーキング部２０と相違する。マーキング部５０は、水槽５１中の水を抜いた後に、動作させるようにしてもよい。その場合には、第１の実施形態の場合と同様に、レーザ光照射、ケガキ針の突出、シール貼付、または流体ノズルによる粉体、液体の射出をすることによって被測定試料１２上にマーキングすることができる。水槽５１に水をためたままでマーキングする場合には、ケガキ針の突出や、液体の射出等にマーキングの方法が限られる。また、マーキング部５０の水中に没する部分には、気密性が必要となる。マーキングの方法および構成は、第１の実施形態の場合と同様であるので、詳細な説明を省略する。
【００８７】
本実施形態の解析装置４１は、以下のように動作する。
【００８８】
解析装置４１は、超音波プローブ４３および超音波発信部３３によって被測定試料１２に向けて超音波を発信し、超音波プローブ４３および超音波受信部３４によって、被測定試料１２からの反射波または被測定試料１２の透過波を取得する。
【００８９】
解析装置４１は、取得した反射波または透過波の電気信号を本体３１の画像制御部３５を介して取り込み、画像処理部３７によって処理して、超音波の画像データを構築する。
【００９０】
解析装置４１は、不良発生位置特定部１７の画像認識部１８によって、構築された画像データから不良発生位置を検出して特定し、被測定試料１２表面の、不良発生位置に相当する位置にマーキング部５０を移動させる。
【００９１】
解析装置４１は、マーキング部５０によって、マーキング部駆動部１９を介して、被測定試料１２表面の、不良発生位置に相当する位置にマーキングする。
【００９２】
以上のようにして、解析装置４１は、超音波プローブ４３、超音波発信部３３、および超音波受信部３４によって取得した画像データを処理することによって不良発生箇所を特定し、被測定試料１２上でマーキング部５０を移動させて、所定の目印を被測定試料１２表面の、不良発生位置に相当する位置にマーキングすることができる。したがって、解析装置４１を用いる解析者は、被測定試料１２の設計データ等との照合を手作業で行う必要がないので、被測定試料１２の不良解析を効率よく進めることができる。
【００９３】
（第３の実施形態）
本実施形態では、赤外線発熱解析装置に適用する場合について説明する。赤外線発熱装置は、被測定試料に電圧を印加し、赤外線カメラを用いて、印加された電圧によって発生する赤外線の輻射像を撮像する。赤外線発熱解析装置は、被測定試料にパルス状に繰り返し電圧を印加し、輻射される赤外線の振幅および位相を取得し、信号処理することによって発熱箇所の３次元上の位置を示すことができるとの特長を有する。
【００９４】
図８は、第３の実施形態に係る解析装置８１の構成を例示するブロック図である。本実施形態の解析装置８１は、赤外線発熱解析装置である。
【００９５】
本実施形態に係る解析装置８１は、本体７１と、ステージ８４と、赤外線カメラ８５と、不良発生位置特定部１７と、マーキング部２０と、を備える。
【００９６】
本体７１は、ステージ８４、赤外線カメラ８５、および不良発生位置特定部１７にそれぞれ接続されている。不良発生位置特定部１７は、赤外線カメラ８５に接続されている。本体７１は、電圧印加端子８３ａ，８３ｂに接続されている。電圧印加端子８３ａ，８３ｂは、ステージ８４上に構成される測定台８３に設置され、被測定試料１２の電源端子に接続される。本体７１は、ステージ８４、赤外線カメラ８５、不良発生位置特定部１７に信号を送り、適切に動作させる。本体７１は、電圧印加端子８３ａ，８３ｂとの接続を介して、測定台８３に接続された被測定試料１２の電源端子に適切な電圧を印加する。
【００９７】
本体１は、電圧発生部７３と、撮影制御部７５と、ステージ制御部７６と、画像処理部７７と、内部バス８と、記憶部９と、を含む。
【００９８】
電圧発生部７３は、撮影制御部７５に接続され、撮影制御部７５からの信号に基づいて、被測定試料１２に電圧を印加する。電圧発生部７３は、測定台８３に設置された電圧印加端子８３ａ，８３ｂを介して、被測定試料１２の電源端子に適切な電圧を印加する。電圧発生部７３は、たとえば、振幅および位相が制御された繰り返しパルス電圧を出力する。パルス電圧の振幅および位相は、撮影制御部７５からの信号に基づいて設定される。
【００９９】
撮影制御部７５は、赤外線カメラ８５に接続され、パルス電圧の印加によって被測定試料１２から輻射される赤外線の画像信号を取り込む。撮影制御部７５は、画像処理部７７に接続され、赤外線カメラ８５で撮像された画像信号を処理するために画像信号を画像処理部７７に伝送する。撮影制御部７５は、内部バス８を介して、画像処理部７７で処理された画像データを記憶部９に蓄積する。撮影制御部７５は、記憶部９に蓄積された画像データを含む処理データを読み出して、画像処理部７７に伝達することができる。
【０１００】
画像処理部７７は、撮影制御部７５から赤外線の画像信号を信号処理して画像データを生成する。画像データは、被測定試料１２から輻射される赤外線の振幅に基づく振幅画像信号と、輻射赤外線の位相に基づく位相画像信号とを含む。画像処理部７７は、撮影制御部７５の指令にしたがって、振幅画像信号および位相画像信号に基づいて画像データを構築する。
【０１０１】
撮影制御部７５の信号に基づいて、画像処理部７７は、構築された画像データを、不良発生位置特定部１７に伝送する。画像処理部７７は、モニタ１６との接続を介して、モニタ１６へ伝送してもよい。
【０１０２】
撮影制御部７５、ステージ制御部７６、画像処理部７７、内部バス８、記憶部９、およびステージ駆動部８０の構成および動作は、第１の実施形態に係る解析装置１１と同様であるので、詳細な説明を省略する。
【０１０３】
不良発生位置特定部１７は、画像認識部１８と、マーキング部駆動部１９とを含む。画像認識部１８は、画像処理部７７に接続され、画像処理部７７から信号処理された画像データを受けとる。画像認識部１８が受けとる画像データの形式を第１の実施形態の場合のデータ形式と合わせることによって、本実施形態の画像認識部１８は、第１の実施形態の画像認識部１８と同一とすることができる。なお、受けとる画像データの形式が異なる場合には、適切な形式に変換する処理ブロックを、画像処理部７７と、画像認識部１８との間に挿入するようにしてもよい。したがって、不良発生位置特定部１７は、第１の実施形態の解析装置１１のものを用いることができるので、詳細な説明を省略する。
【０１０４】
本実施形態の場合には、水中等で不良検出を行う必要はなく、第１の実施形態と同様に、マーキング部２０を構成することができるので、詳細な説明を省略する。
【０１０５】
赤外線発熱解析装置は、被測定試料１２から輻射される赤外線の振幅画像信号および位相画像信号に基づいて画像データを構築することができる。そのため、赤外線発熱解析装置は、ＳｉＰ（System in Package）のような３次元構造の半導体素子の不良発生箇所を非破壊で検出することを可能にする。
【０１０６】
本実施形態の解析装置８１は、以下のように動作する。
【０１０７】
解析装置８１は、電圧発生部７３によって、被測定試料１２の電源端子に適切な電圧を印加する。
【０１０８】
解析装置８１は、赤外線カメラ８５によって、被測定試料１２の電源端子に印加される電圧によって発生する被測定試料１２の輻射赤外線像を取得する。
【０１０９】
解析装置８１は、撮影制御部７５を介して、取得した赤外線による発熱画像を取り込み、画像処理部７７によって画像データを構築する。
【０１１０】
解析装置８１は、不良発生位置特定部１７の画像認識部１８によって、生成された画像データから不良発生位置を検出して特定し、マーキング部駆動部１９によって、被測定試料１２表面の、不良発生位置に相当する位置にマーキング部２０を移動させる。
【０１１１】
解析装置８１は、マーキング部２０によって、マーキング部駆動部１９を介して、被測定試料１２表面の、不良発生位置に相当する位置にマーキングする。
【０１１２】
以上のようにして、解析装置８１は、赤外線カメラ８５によって取得した画像データを処理することによって不良発生箇所を特定し、被測定試料１２表面の、不良発生位置に相当する位置にマーキング部２０を移動させて、所定の目印を被測定試料１２上にマーキングすることができる。したがって、解析装置８１を用いる解析者は、被測定試料１２の設計データ等との照合を手作業で行う必要がないので、被測定試料１２の不良解析を効率よく進めることができる。
【０１１３】
（第４の実施形態）
本実施形態では、ＯＢＩＣ（Optical Beam Induced Current）およびＯＢＩＲＣＨ（Optical Beam Induced Resistance Change）解析装置に適用した場合について説明する。ＯＢＩＣ／ＯＢＩＲＣＨ解析装置は、被測定試料の表面または裏面に赤外線レーザ光を照射し、赤外線レーザ光によって電子を励起させ（ＯＢＩＣ）、あるいは赤外線レーザ光による発熱で抵抗変化を生じさせる（ＯＢＩＲＣＨ）。ＯＢＩＣ／ＯＢＩＲＣＨ解析装置は、赤外線レーザ光を走査しながら、電流値を測定して、２次元平面における電流値または抵抗値の変化を画像化して出力する。
【０１１４】
図９は、第４の実施形態に係る解析装置１２１の構成の一例を示すブロック図である。
【０１１５】
本実施形態に係る解析装置１２１は、本体１１１と、赤外線照射部１１３と、ステージ１１４と、電流検出端子１２３ａ，１２３ｂを有する測定台１２３と、不良発生位置特定部１７と、マーキング部２０と、を備える。
【０１１６】
本体１１１は、赤外線照射部１１３、ステージ１２４、電流検出端子１２３ａ，１２３ｂ、および不良発生位置特定部１７にそれぞれ接続されている。不良発生位置特定部１７は、マーキング部２０に接続されている。本体１１１は、赤外線照射部１１３、ステージ１２４、および不良発生位置特定部１７に信号を送り、適切に動作させる。本体１１１は、被測定試料１２の電源端子に接続された電流検出端子１２３ａ，１２３ｂから電流値を取得する。
【０１１７】
本体１１１は、赤外線制御部１１２と、撮影制御部１１５と、ステージ制御部１１６と、画像処理部１１７と、内部バス８と、記憶部９と、ステージ駆動部１２０と、電流検出部１２５と、を含む。
【０１１８】
赤外線制御部１１２は、撮影制御部１１５に接続され、撮影制御部１１５から信号を受信し、赤外線照射部１１３の赤外線レーザ光源を制御する。赤外線照射部１１３は、赤外線制御部１１２の制御のもとに、赤外線レーザ光を被測定試料１２に対して照射し、被測定試料１２上の所定の領域を走査する。
【０１１９】
電流検出部１２５は、撮影制御部１１５に接続され、被測定試料１２の電源端子に流れる電流を検出し、検出した電流値を、撮影制御部１１５に伝送する。ステージ１２４は、被測定試料１２を載置するための測定台１２３を含んでおり、測定台１２３は、被測定試料１２の電源端子と、電流検出端子１２３ａ，１２３ｂとの間の接続をとるために設けられている。
【０１２０】
撮影制御部１１５は、赤外線制御部１１２および赤外線照射部１１３による走査情報を取得する。撮影制御部１１５は、被測定試料１２に流れる電流値を取得する。撮影制御部１１５は、これら走査情報と、電流値とに基づいて、電流値の位置情報を取得して、画像処理部１１７と協働して、電流値を含む２次元画像を構築する。
【０１２１】
画像処理部１１７は、撮影制御部１１５との接続を介して受信した電流値に基づいて画像データを構築する。画像処理部１１７は、撮影制御部１１５の指令にしたがって、構築された画像データを、モニタ１６に出力し、不良発生位置特定部１７に送信する。
【０１２２】
本体１１１の撮影制御部１１５、ステージ制御部１１６、画像処理部１１７、内部バス８、記憶部９、およびステージ駆動部１２０の構成および動作は、第１の実施形態に係る解析装置１１と同様であるので、詳細な説明を省略する。不良発生位置特定部１７およびマーキング部２０の構成および動作についても第１の実施形態の解析装置１１と同様であるので説明を省略する。
【０１２３】
ＯＢＩＣ解析装置では、赤外線照射によって、励起された光電子による電流を電流検出部１２５で検出する。ＯＢＩＲＣＨ解析装置の場合には、赤外線照射によって変化した半導体層の抵抗値の変化を、その半導体層に流れる電流として電流検出部１２５で検出する。
【０１２４】
本実施形態の解析装置１２１は、以下のように動作する。
【０１２５】
解析装置１２１は、赤外線照射部１１３によって、被測定試料１２の所定の領域を走査する。解析装置１２１は、電流検出部１２５によって、赤外線が走査された領域の電流値を検出する。
【０１２６】
解析装置１２１は、撮影制御部１１５および画像処理部１１７によって、赤外線の走査位置と、その走査位置における電流値とをマッピングして被測定試料１２の電流値の画像データを構築する。
【０１２７】
解析装置１２１は、不良発生位置特定部１７の画像認識部１８によって、構築された画像データから不良発生位置を検出して特定し、被測定試料１２表面の、不良発生位置に相当する位置にマーキング部２０を移動させる。
【０１２８】
解析装置１２１は、マーキング部２０によって、マーキング部駆動部１９を介して、被測定試料１２表面の、不良発生位置に相当する位置にマーキングする。
【０１２９】
以上のようにして、解析装置１２１は、電流測定部によって取得した電流値を、赤外線制御部１１２の赤外線走査情報に基づいて２次元データ化された画像データを処理することによって不良発生箇所を特定することができる。そして、解析装置１２１は、被測定試料１２上の不良発生箇所に相当する位置にマーキング部２０を移動させて、所定の目印を被測定試料１２上にマーキングすることができる。
【０１３０】
以上説明した実施形態によれば、取得した画像データを処理することによって、不良発生位置を特定することができ、被測定試料表面の、不良発生位置に相当する位置に目印（レーザ照射痕、ケガキ針の痕、シール、インク、粉体、光・熱硬化性エポキシ樹脂等）を付けることができる。解析者は、ＣＡＤデータ等を参照して手作業で被測定試料に印を付ける必要がないので、作業の効率化を図ることができる。また、解析者は、被測定試料表面の、不良発生位置に相当する位置に付けられた印を目印にして、次の不良解析作業を行うことができるので、効率よく不良解析を進めることができる。被測定試料表面の、不良発生位置に相当する位置に目印を付けるマーキング部は、複数の構成から選択することができるので、被測定試料上に付ける目印の材料は、解析対象、解析内容、あるいは解析装置の仕様順序等によって適切に選択することができる。
【０１３１】
以上、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他のさまざまな形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明およびその等価物の範囲に含まれる。また、前述の各実施形態は、相互に組み合わせて実施することができる。
【符号の説明】
【０１３２】
１，３１，７１，１１１  本体、２  Ｘ線発生部、３  Ｘ線制御部、４  高電圧発生部、５，７５，１１５  撮影制御部、６，７６，１１６  ステージ制御部、７，３７，７７，１１７  画像処理部、８  内部バス、９  記憶部、１０  ステージ駆動部、１１，４１，８１，１２１  解析装置、１２  被測定試料、１３  Ｘ線照射部、１４，４４，８４，１２４  ステージ、１５  Ｘ線カメラ、１６  モニタ、１７  不良発生位置特定部、１８  画像認識部、１９  マーキング部駆動部、２０  マーキング部、２１ａ  レーザ発光器、２１ｂ  導光体、２１ｃ  ケガキ針、２１ｄ，２１ｆ  ソレノイド駆動回路、２１ｅ  棒状部材、２１ｇ  吸引チャック、２１ｈ  吸引口、２１ｋ  吸引ポンプ、２１ｍ  ノズル、２１ｎ  タンク、２２ａ，２２ｂ  ラベル、２２ｃ  射出材料、３３  超音波発信部、３４  超音波受信部、３５  画像制御部、３６  超音波プローブ位置制御部、４０  超音波プローブ位置駆動部、４３  超音波プローブ、５１  水槽、５２  固定台、７３  電圧発生部、８３、１２３  測定台、８３ａ，８３ｂ  電圧印加端子、８５  赤外線カメラ、１１２  赤外線制御部、１１３  赤外線照射部、１２３ａ，１２３ｂ  電流検出端子、１２５  電流検出部
【図１】
2016057187.tif 000003
【図２】
2016057187.tif 000004
【図３】
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【図４】
2016057187.tif 000006
【図７】
2016057187.tif 000007
【図８】
2016057187.tif 000008
【図９】
2016057187.tif 000009
【図５】
2016057187.tif 000010
【図６】
2016057187.tif 000011