(57)【要約】      （修正有）【課題】検出が容易なフィディシャルマークおよび遮光領域（遮光枠）を備え、欠陥回避性と転写性の優れた反射型マスクブランク及び反射型マスクの製造方法を提供する。【解決手段】遮光領域３１のエッジの延長線上にフィディシャルマーク３２を配置し、マスク描画機やブランク欠陥検査機においてフィディシャルマーク３２の検出を容易とする。フィディシャルマーク３２と遮光領域３１の両方を有するために、欠陥の座標を算出して、欠陥を回避して描画を行うことができる。【選択図】図１２
2016031972.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に少なくとも多層反射層、吸収層を有する反射型マスクブランクにおいて、多層反射層を除去した遮光枠と、遮光枠外側の所定の位置にフィディシャルマークとが形成されたことを特徴とする反射型マスクブランク。
【請求項２】
フィディシャルマークが、３００ｎｍ以上１０μｍ以下の幅を有することを特徴とする請求項１に記載の反射型マスクブランク。
【請求項３】
前記フィディシャルマークは、遮光枠の４隅に形成されることを特徴とする請求項１または２に記載の反射型マスクブランク。
【請求項４】
前記遮光枠及びフィディシャルマークのエッジの側壁角は、９０±５度の垂直性を有することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の反射型マスクブランク。
【請求項５】
多層反射層の成膜に先立って、基板に遮光枠及びフィディシャルマークのレジストパターンを形成し、少なくとも多層反射層の成膜後にレジストパターンを除去する工程を具備することを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の反射型マスクブランクの製造方法。
【請求項６】
多層反射層上に遮光枠及びフィディシャルマークのレジストパターンを形成し、エッチングによって多層反射層を除去する工程を具備することを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の反射型マスクブランクの製造方法。
【請求項７】
前記レジストパターンは、光リソグラフィ、あるいは電子線リソグラフィによって形成することを特徴とする請求項５または６に記載の反射型マスクブランクの製造方法。
【請求項８】
請求項１〜４のいずれかに記載の反射型マスクブランクを用い、フィディシャルマークを基準として欠陥の座標を算出して、欠陥を回避して描画を行う事を特徴とする反射型マスクの製造方法。
【請求項９】
請求項１〜４のいずれかに記載の反射型マスクブランクを用いて作成されたことを特徴とする反射型マスク。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、反射型マスクブランク及び反射型マスクの製造方法に関し、特に極端紫外線（ＥｘｔｒｅｍｅＵｌｔｒａ Ｖｉｏｌｅｔ；以下「ＥＵＶ」と表記する）を光源とするＥＵＶリソグラフィを用いた半導体製造装置などに利用される反射型マスクブランク及び反射型マスクの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体デバイスの微細化に伴い、波長が１３．５ｎｍ近傍のＥＵＶを光源に用いたＥＵＶリソグラフィが提案されている。ＥＵＶリソグラフィは光源波長が短く光吸収性が非常に高いため、真空中で行われる必要がある。また、ＥＵＶの波長領域においては、ほとんどの物質の屈折率は１よりもわずかに小さい値であるため、ＥＵＶリソグラフィにおいては、従来から用いられてきた透過型の屈折光学系を使用することができず、反射光学系となる。従って、原版となるフォトマスク（以下、マスクと呼ぶ）も、従来の透過型のマスクは使用できないため、反射型のマスクとする必要がある。
【０００３】
反射型マスクブランクについて図１を参照して説明する。図１は、従来の反射型マスクブランクの一例の、模式断面図である。このような反射型マスクの元となる反射型マスクブランクは、低熱膨張基板１６上に、多層反射層１５、保護層１４、吸収層１３、低反射層１２、レジスト１１が順次積層された反射型マスクブランクである。また、低熱膨張基板１６の裏面には、露光機のマスクステージに静電チャックするために必要な裏面導電膜１７が成膜されている。反射型マスクブランクから反射型マスクへ加工する際には、ＥＢリソグラフィとエッチング技術とにより吸収層を部分的に除去し、吸収部と反射部とからなる回路パターンを形成する。このように作製された反射型マスクによって反射された光像が反射光学系を経て半導体基板上に転写される。
【０００４】
反射光学系を用いた露光方法では、マスク面に対して垂直方向から所定角度傾いた入射角（通常６°）で照射されるため、吸収層の膜厚が厚い場合、パターン自身の影が生じてしまい、この影となった部分における反射強度は、影になっていない部分よりも小さいため、コントラストが低下し、転写パターンには、エッジ部のぼやけや設計寸法からのずれが生じてしまう。これはシャドーイングと呼ばれ、反射型マスクの原理的課題の一つである。
【０００５】
このようなパターンエッジ部のぼやけや設計寸法からのずれを防ぐためには、吸収層の膜厚を薄くし、パターンの高さを低くすることが有効であるが、吸収層の膜厚が薄くなると、吸収層における遮光性が低下するため、転写コントラストが低下し、転写パターンの精度が低下することとなる。つまり吸収層を薄くし過ぎると転写パターンの精度を保つための必要なコントラストが得られなくなってしまう。つまり、吸収層の膜厚は厚すぎても薄すぎても問題になるので、現在は概ね５０〜９０ｎｍの間になっており、ＥＵＶ光（極端紫外光）の吸収層での反射率は０．５〜２％程度である。
【０００６】
一方、反射型マスクを用いて半導体基板上に転写回路パターンを形成する場合、一枚の半導体基板上には複数の回路パターンのチップが形成される。隣接するチップ間において、チップ外周部が重なる領域が存在する場合がある。これはウェハ１枚あたりに取れるチップを出来るだけ増加したいという生産性向上のために、チップを高密度に配置するためである。この場合、この重なる領域については複数回（最大で４回）に渡り露光（多重露光）されることになる。この転写パターンにおけるチップ外周部はマスク上でも外周部であり、通常、吸収層に当たる部分に位置する。しかしながら、上述したように吸収層上でのＥＵＶ光の反射率は、０．５〜２％程度あるために、多重露光によりチップ外周部が感光してしまうという問題があった。このため、マスク上のチップ外周部に通常の吸収層よりもＥＵＶ光の遮光性の高い領域（以下、遮光枠と呼ぶ）を設ける必要性が出てきた。
【０００７】
このような問題を解決するために、反射型マスクの吸収層から多層反射層までを掘り込んだ溝を形成することで多層反射層の反射率を低下させる手法がある。
【０００８】
また、ＥＵＶマスクに用いられる多層反射層は、Ｓｉ（シリコン）とＭｏ（モリブデン）をそれぞれ約４．２ｎｍと約２．８ｎｍの膜厚で交互に成膜されており、トータルで４０〜５０ペア（＝８０層から１００層程度）から成る。ＳｉやＭｏは、ＥＵＶ光に対する吸収（消衰係数）が小さく、且つＳｉとＭｏのＥＵＶ光における屈折率差が大きいので、ＳｉとＭｏの界面での反射率を高く出来るために用いられている。最初の界面で反射できずに透過したＥＵＶ光は次の界面で反射されるが、そこでも反射できずに透過したＥＵＶ光は次の界面で、というように４０回（４０ペアの場合）の反射するチャンスがある。各界面で反射したＥＵＶ光は、それぞれ位相が揃っており、その合算が多層反射層からのＥＵＶ反射率となり、ブランクメーカ各社から販売されているＥＵＶマスクブランクでは、概ね６２〜６５％程度である。
【０００９】
ＥＵＶマスク反射率は、半導体チップ製造のスループット（生産能力）に直接効いてくるため、出来るだけ高いことが望まれるが、現在知られている材料とその組み合わせは、上述したＳｉとＭｏの多層反射層が最良とされている。反射率を生み出す本質的な能力は、ＳｉとＭｏの界面であり、界面がきっちりと形成されていることが重要である。このため、ＳｉとＭｏを同一真空チャンバー内で、真空を破らずに交互に成膜（主としてスパッタリング法）する方法が取られている。
【００１０】
波長の極端に短いＥＵＶリソグラフィでは、低熱膨張基板に多層反射層を形成する際のパーティクルの発生が許されない。露光光の波長が短いため、多層反射層の微小な凹凸欠陥がウェハ上に転写するパターンの品質に影響を及ぼしてしまう。この微小な凹凸欠陥は位相欠陥と呼ばれており、高さが数ｎｍであっても微細なＬＳＩパターンの寸法誤差を許容できないものにしてしまう。
【００１１】
このような微小な凹凸欠陥の種は、低熱膨張基板表面の凹凸や異物、あるいは、多層反射層の堆積中に落下した異物である。これらの種の上に堆積した多層反射層は、その周辺の多層反射層と比べて局所的に位相差を生じるため、位相欠陥とも呼ばれ、転写パターンへ悪影響を及ぼす。
【００１２】
このような微小凹凸欠陥（位相欠陥）に対しては、いくつかの修正方法が提案されているが、修正可能な欠陥のタイプも限定されており、全ての微小凹凸欠陥を修正するのは現実的には困難である（例えば、特許文献１参照）。したがって、ＥＵＶマスクでは、このような位相欠陥の発生防止が最も重要であるが、一般的な透過型マスクと比べて複雑な層構成であるために、現在、無欠陥には程遠いブランク品質となっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１３】
【特許文献１】特開２０１０−０３４１２９号公報
【００１４】
このような問題を解決するために、ＥＵＶマスク上にパターンを形成する前に、位相欠陥の位置を検査により把握し、その位相欠陥を避けるようにパターン形成（描画）することが、提案されている。具体的には、その位相欠陥を吸収層でカバーしてしまうことで、位相欠陥が転写されることなく、吸収層の無い多層反射層からは欠陥の無い所望のパターンの反射光を得ることができる。したがって、困難な修正をすることなく、高品質の反射
型マスクの作製を可能にする製造方法が検討されている。
【００１５】
位相欠陥の正確な位置の把握と、それらの位相欠陥を正確に避けてパターン形成するためには、ＥＵＶマスク上にフィディシャルマークと呼ばれる目印（基準マーク）を形成する必要がある。フィディシャルマークがブランク欠陥検査機（ＤＵＶ光やＥＵＶ光）およびマスク描画機（ＥＢ）の基準となるため、フィディシャルマークは精度および再現性良く検出されることが重要である。また、フィディシャルマークの検出に時間がかかるとスループットの低下に繋がる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
反射型マスクにおける従来のフィディシャルマーク形成方法を、図２を参照して説明する。図２（ａ）は、多層反射層１５上に第２レジスト膜１８を塗布した反射型マスクブランクの模式断面図である。フォトリソグラフィもしくは電子線リソグラフィによってフィディシャルマークのレジストパターンを形成し（図２（ｂ））、次いで、エッチングによって多層反射層を掘り込み（図２（ｃ））、次いで、第２レジスト膜１８を剥膜洗浄することで、フィディシャルマークが形成される（図３（ｄ））。さらに、保護層１４、吸収層１３、低反射層１２及びレジスト膜１１を順次積層することで、フィディシャルマーク付き反射型マスクブランクが完成する（図３（e））。
【００１７】
図３（ｅ）を真上からみたフィディシャルマーク付きの反射型マスクブランク２０の平面図を図４に示す。このようにして形成されたフィディシャルマークは、フィディシャルマーク自体が小さく他に目印もないため、マスク描画機や欠陥検査機等で検出するのに時間がかかってしまい、場合によっては検出出来ない場合もある。
【００１８】
そこで、本発明は上記のような従来の形成方法の問題点を解決しようとするものであり、検出が容易なフィディシャルマークを備えた反射型マスクブランク及び反射型マスクの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
上記目的を達成するために本発明の請求項１の発明は、
基板上に少なくとも多層反射層、吸収層を有する反射型マスクブランクにおいて、多層反射層を除去した遮光枠と、遮光枠外側の所定の位置にフィディシャルマークとが形成されたことを特徴とする反射型マスクブランクとしたものである。
【００２０】
本発明に係る反射型フォトマスクでは、パターンの有効領域の外側に遮光枠を設ける。本発明の反射型マスクブランクでは、この遮光枠と、その遮光枠外側の所定の位置にフィディシャルマークとを設けたことにより、パターン形状の大きい遮光枠を参照して、フィディシャルマークを容易に検出することができる。なお、反射型マスクに複数のチップパターンを面付けして形成する場合（所謂レチクル）、その複数のチップパターンの、最外周の遮光枠の外側の所定の位置に、フィディシャルマークを設ける（以下同様とする）。すなわち、最外周の遮光枠内をパターンの有効領域とする。
【００２１】
請求項２の発明は、
フィディシャルマークが、３００ｎｍ以上１０μｍ以下の幅を有することを特徴とする請求項１に記載の反射型マスクブランクとしたものである。
【００２２】
請求項３の発明は、
前記フィディシャルマークは、遮光枠の４隅に形成されることを特徴とする請求項１または２に記載の反射型マスクブランクとしたものである。
【００２３】
このような構成とすることで、さらに容易にフィディシャルマークを検出することができる。
【００２４】
請求項４の発明は、
前記遮光枠及びフィディシャルマークのエッジの側壁角は、９０±５度の垂直性を有することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の反射型マスクブランクとしたものである。
【００２５】
請求項５の発明は、
多層反射層の成膜に先立って、基板に遮光枠及びフィディシャルマークのレジストパターンを形成し、少なくとも多層反射層の成膜後にレジストパターンを除去する工程を具備することを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の反射型マスクブランクの製造方法としたものである。
【００２６】
請求項６の発明は、
多層反射層上に遮光枠及びフィディシャルマークのレジストパターンを形成し、エッチングによって多層反射層を除去する工程を具備することを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の反射型マスクブランクの製造方法としたものである。
【００２７】
請求項７の発明は、
前記レジストパターンは、光リソグラフィ、あるいは電子線リソグラフィによって形成することを特徴とする請求項５または６に記載の反射型マスクブランクの製造方法としたものである。
【００２８】
請求項８の発明は、
請求項１〜４のいずれかに記載の反射型マスクブランクを用い、フィディシャルマークを基準として欠陥の座標を算出して、欠陥を回避して描画を行う事を特徴とする反射型マスクの製造方法としたものである。
【００２９】
請求項９の発明は、
請求項１〜４のいずれかに記載の反射型マスクブランクを用いて作成されたことを特徴とする反射型マスクとしたものである。
【発明の効果】
【００３０】
本発明によれば、遮光枠外側の所定の位置に、特にエッジの延長線上にフィディシャルマークを配置することによって、マスク描画機やブランク欠陥検査機においてフィディシャルマークの検出が容易になる。また、フィディシャルマークと遮光枠の両方を有するために、欠陥回避性と転写性の両方が優れた反射型マスクブランクとなる。さらに、遮光枠及びフィディシャルマークは同時に作製するため、遮光枠とフィディシャルマークを別々に作製する場合と比較して工程を簡略化できる。また、本発明のリフトオフによるフィディシャルマーク作製方法では、後にリフトオフによって除去されるレジストパターンを多層反射層成膜時にフィディシャルマークとして利用できるため、多層反射層の成膜途中での層毎の欠陥検査が可能であり、欠陥を検出した直後に欠陥部の修正処理を施すことで、更なる高品質な反射型マスクブランクの作製が可能となる。以上より、高品質な反射型マスクブランク及び反射型マスクの提供を可能とした。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】従来の反射型マスクブランクの一例の模式断面図である。
【図２】従来の反射型マスク製造における、フィディシャルマーク形成の工程の一部を順に説明するための、反射型マスクブランクの模式断面図である。
【図３】従来の反射型マスク製造における、フィディシャルマーク形成の工程の他の部分を順に説明するための、反射型マスクブランクの模式断面図である。
【図４】従来の反射型マスク製造における、フィディシャルマーク付きの反射型マスクブランクの平面図である。
【図５】本発明の実施形態に係るリフトオフを利用したフィディシャルマーク形成の各工程を順に説明するための第一の、反射型マスクブランクの模式断面図である。
【図６】本発明の実施形態に係るリフトオフを利用したフィディシャルマーク形成の各工程を順に説明するための第二の、反射型マスクブランクの模式断面図である。
【図７】本発明の実施形態に係るリフトオフを利用したフィディシャルマーク形成の各工程を順に説明するための第三の、反射型マスクブランクの模式断面図である。
【図８】本発明の実施形態に係るリフトオフを利用したフィディシャルマーク形成の各工程を順に説明するための第四の、反射型マスクブランクの模式断面図である。
【図９】本発明の実施形態に係るエッチングを利用したフィディシャルマーク形成の各工程を順に説明するための第一の、反射型マスクブランクの模式断面図である。
【図１０】本発明の実施形態に係るエッチングを利用したフィディシャルマーク形成の各工程を順に説明するための第二の、反射型マスクブランクの模式断面図である。
【図１１】本発明の実施形態に係るエッチングを利用したフィディシャルマーク形成の各工程を順に説明するための第三の、反射型マスクブランクの模式断面図である。
【図１２】本発明の実施形態に係る遮光領域及びフィディシャルマーク付きの反射型マスクブランクの平面図である。
【図１３】本発明の実施例に係る異物を意図的に混入した、フィディシャルマーク付きの反射型マスクブランクの平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３２】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
【００３３】
まず、本発明の実施形態に係る反射型マスクブランクの製造方法を、図５〜図８を参照して詳細に説明する。
【００３４】
図５〜図８は、本発明の実施形態に係る遮光枠及びフィディシャルマーク形成においてリフトオフを利用した形成方法を順に説明するための、反射型マスクブランクの模式断面図である。図５（ａ）は、低熱膨張基板１６上に第３レジスト膜２２を塗布した反射型マスクブランクの模式断面図である。また、低熱膨張基板１６の裏面には、露光機のマスクステージに静電チャックするために必要な裏面導電膜１７が成膜されている。以降の実施形態でも、裏面導電膜１７が成膜されている。次いで、フォトリソグラフィもしくは電子線リソグラフィによって、遮光枠及びフィディシャルマーク形成用のレジストパターンを形成する（図５（ｂ））。次いで、多層反射層１５を堆積し（図５（ｃ））、第３レジスト膜２２をリフトオフにより除去する（図５（ｄ））。その後、保護層１４、吸収層１３、低反射層１２及びレジスト膜１１を順次積層することで、遮光領域及びフィディシャルマーク付き反射型マスクブランクが完成する（図６（e））。この場合の全体工程は、図５（ａ）→図５（ｂ）→図５（ｃ）→図５（ｄ）→図６（ｅ）である。
【００３５】
あるいは、図５（ｂ）で遮光枠及びフィディシャルマーク用のレジストパターンを形成した後に、多層反射層１５と保護層１４を順次積層してから（図６（ｆ））、第３レジスト膜２２をリフトオフにより除去しても良い（図６（ｇ））。その後に吸収層１３、低反射層１２及びレジスト膜１１を順次積層することで、遮光領域及びフィディシャルマーク付き反射型マスクブランクが完成する（図６（ｈ））。この場合の全体工程は、図５（ａ）→図５（ｂ）→図６（ｆ）→図６（ｇ）→図６（ｈ）である。
【００３６】
あるいは、図５（ｂ）で遮光枠及びフィディシャルマーク用のレジストパターンを形成した後に、多層反射層１５、保護層１４、吸収層１３を順次積層してから（図７（ｉ））、第３レジスト膜２２をリフトオフにより除去しても良い（図７（ｊ））。その後に低反射層１２及びレジスト膜１１を順次積層することで、遮光領域及びフィディシャルマーク付き反射型マスクブランクが完成する（図７（ｋ））。この場合の全体工程は、図５（ａ）→図５（ｂ）→図７（ｉ）→図７（ｊ）→図７（ｋ））である。
【００３７】
あるいは、図５（ｂ）で遮光枠及びフィディシャルマーク用のレジストパターンを形成した後に、多層反射層１５、保護層１４、吸収層１３、低反射層１２を順次積層してから（図８（ｌ））、第３レジスト膜２２をリフトオフにより除去しても良い（図８（ｍ））。その後に、レジスト膜１１を塗布することで、遮光領域及びフィディシャルマーク付き反射型マスクブランクが完成する（８（ｎ））。この場合の全体工程は、図５（ａ）→図５（ｂ）→図８（ｌ）→図８（ｍ）→図８（ｎ））である。
【００３８】
図９（ａ）は、多層反射層１５上に第４レジスト膜２３を塗布した反射型マスクブランクの模式断面図である。フォトリソグラフィもしくは電子線リソグラフィによって遮光枠及びフィディシャルマークのレジストパターン（以上のリフトオフ方法の実施形態とは白黒逆の、反転パターンとなる）を形成し（図９（ｂ））、次いで、エッチングによって多層反射層１５を掘り込み（図９（ｃ））、次いで、第４レジスト膜２３を剥膜洗浄することで、遮光領域及びフィディシャルマークが形成される（図９（ｄ））。さらに、保護層１４、吸収層１３、低反射層１２及びレジスト膜１１を順次積層することで、遮光領域及びフィディシャルマーク付き反射型マスクブランクが完成する（図１０（e））。
【００３９】
図１０（ｆ）は、保護層１４上に第４レジスト膜２３を塗布した反射型マスクブランクの模式断面図である。フォトリソグラフィもしくは電子線リソグラフィによって遮光領域及びフィディシャルマークのレジストパターンを形成し（図１０（ｇ））、次いで、エッチングによって保護層１４及び多層反射層１５を掘り込み（図１０（ｈ））、次いで、第４レジスト膜２３を剥膜洗浄することで、遮光領域及びフィディシャルマークが形成される（図１１（ｉ））。さらに、吸収層１３、低反射層１２及びレジスト膜１１を順次積層することで、遮光領域及びフィディシャルマーク付き反射型マスクブランクが完成する（図１１（ｊ））。
【００４０】
図１２は、本発明の実施形態に係るリフトオフもしくはエッチングによって形成した遮光領域３１及びフィディシャルマーク３２付き反射型マスクブランク３０の平面図である。フィディシャルマーク３２は、遮光枠の外側の所定の位置に形成すればよいが、本例では遮光枠の４隅に形成している。また、４隅の頂点から縦方向および横方向にマスクエッジへ向かって形成されている。このようにして形成されたフィディシャルマーク３２は、遮光枠による遮光領域が非常に大きな目印になるため、フィディシャルマークの走査時に検出が容易になる。遮光枠の４隅に形成していることから、特に検出が容易である。４隅の頂点から縦方向および横方向にマスクエッジへ向かって形成されていることから、さらに検出が容易で、好ましい。
【００４１】
フィディシャルマークの線幅は、フィディシャルマークを検出する装置の検出手段に対し、高い検出性、再現性がある必要がある。ブランク検査機ではＤＵＶ光やＥＵＶ光、マスク描画機ではＥＢ(電子線)を用いてマーク検出するため、これらに対して高い検出性が得られるには、線幅３００ｎｍ〜１０μｍであることが好ましく、線幅１００ｎｍ〜１０μｍが一層好ましい。
【００４２】
本発明の遮光枠及びフィディシャルマーク形成方法でのリソグラフィとは、電子線リソグラフィとフォトリソグラフィのいずれでも良いが、予めリソグラフィの条件出しをして
、平滑かつ垂直にレジストパターンを形成出来る条件を見定めておくのが望ましい。電子線リソグラフィもしくはフォトリソグラフィのいずれの場合も、ドーズ量（露光量）に関して最適な範囲があるためである。つまりドーズ量が多すぎても、少なすぎてもラインエッジラフネスが悪くなり（＝パターン側壁面の表面荒れが起きる）、垂直性も低下するためである。
【００４３】
本発明のフィディシャルマークの垂直性は、９０±５度である。これは、先に述べた線幅と同様にブランク検査機やマスク描画機での検出性と、その再現性を高くできるためである。
【００４４】
一方、従来方法であるフィディシャルマーク作成方法では、フィディシャルマーク自体が小さく他に目印もないため、マスク描画機や欠陥検査機等で検出するのに時間がかかってしまう。
【００４５】
本発明の遮光枠３１及びフィディシャルマーク３２の作製方法では、遮光領域及びフィディシャルマークを同時に作製する事により、遮光枠による遮光領域が非常に大きな目印になるため、フィディシャルマークの検出を容易にしている。また、遮光領域及びフィディシャルマークは同時に作製するため、遮光枠とフィディシャルマークを別々に作製する場合と比較してスループットが向上する。
【実施例１】
【００４６】
次に、本発明の実施例１について図３（ｅ）と図６（ｅ）、図１０（ｅ）を用いて説明する。
図３（ｅ）は、従来技術のエッチング処理で作製したフィディシャルマーク付き反射型マスクブランクであり、図６（ｅ）は、リフトオフで作製した本発明の遮光枠及びフィディシャルマーク付き反射型マスクブランク、図１０（ｅ）は、エッチングで作製した本発明の遮光枠及びフィディシャルマーク付き反射型マスクブランクである。本実施例のフィディシャルマークは、いずれのブランクともに線幅１μｍで長さ５００μｍの十字マークとし、ブランクの４箇所（（Ｘ，Ｙ座標）＝（７２ｍｍ、７２ｍｍ）、（７２ｍｍ、−７２ｍｍ）、（−７２ｍｍ、７２ｍｍ）、（−７２ｍｍ、−７２ｍｍ））に配置した。これらのマスクブランクスに関してブランク欠陥検査装置（M2350 : Lasertec社）を用い、検査感度９０ｎｍの設定で、フィディシャルマークの配置よりも内側の領域１４０ｘ１４０ｍｍエリアを検査した。また、リファレンスとして、フィディシャルマークを形成していない反射型マスクブランクについても、同様に検査を実施した。
【００４７】
まず、リファレンスとなるフィディシャルマーク無し反射型マスクブランクの欠陥数は、３４個であった。また、本発明のリフトオフで作製した本発明の遮光枠及びフィディシャルマーク付き反射型マスクブランクは、欠陥数が３２個となり、フィディシャルマーク無しの反射型マスクブランクとほぼ同等の欠陥品質となった。このことから、本発明のリフトオフによる遮光枠及びフィディシャルマーク作製において欠陥の増加は見られないと判断できる。一方、従来方法のフィディシャルマーク付き反射型マスクブランクは、欠陥数が６２個となり、本発明のエッチングによる遮光枠及びフィディシャルマーク付き反射型マスクブランクは、欠陥数が６０個となり、リフトオフによる作製方法より欠陥が増加した。
【実施例２】
【００４８】
次に、本発明の実施例２について図３（ｅ）と図６（ｅ）、図１０（ｅ）を用いて説明する。
【００４９】
マスク描画機を用いて各ブランク（図３（ｅ）と図６（ｅ）、図１０（ｅ））のフィデ
ィシャルマークの検出にどの程度時間を要するか調査した結果を表１に示す。従来のフィディシャルマーク形成方法と比較して本発明のリフトオフ及びエッチングによって遮光領域とフィディシャルマークを同時に形成した方法は10倍以上も早くフィディシャルマークを検出できた。
【００５０】
【表１】
2016031972.tif 000003
【実施例３】
【００５１】
次に、本発明の実施例３について図１３を用いて説明する。
従来および本発明のフィディシャルマーク形成方法で、ブランク欠陥に対して、狙った箇所にどの程度精度良く描画出来るかを調べた。つまり、実デバイスパターンの場合は、これがパターンシフト精度となる。この評価のブランク欠陥は、フィディシャルマーク形成によって発生した欠陥を含まないように、予め多層反射層成膜前の基板の欠陥検査をしておき、基板が原因の位相欠陥（つまり、基板の検査で検出し、多層反射層成膜後にも検出したもの）から任意に２０個抽出し、この評価の対象とした。
【００５２】
図１３（ａ）は、従来方法で製造したマスクブランクの模式図で、フィデシャルマーク２１及び位相欠陥４１を有する。図１３（ｂ）は、本発明のマスクブランクの模式図で、遮光枠３１及びフィディシャルマーク３２並びに位相欠陥４１を有する。両図では、ブランク欠陥マップとフィディシャルマークのイメージを示す。
【００５３】
描画パターンは１０００ｎｍ（＝１μｍ）の四角形とし、多層反射層成膜後のブランク欠陥検査（Teron610  KLA社）で検出した位相欠陥４１の座標上に重なるように描画し、その後、ＥＵＶマスクパターン形成した（従来方法：図１３（ｃ）、本発明方法：図１３（ｄ））。その後、測長ＳＥＭ（E3620 : ADVANTEST）にて、位相欠陥４１から四角形パターン４２のエッジまでの距離を測定することで（図１３（ｅ））、欠陥の中心座標と、描画パターン（四角形）の中心座標がどの程度ずれているかを調べた。その結果を表２に示す。従来のフィディシャルマーク作成方法では、位置ズレ量が平均で、Ｘ＝２７２ｎｍ、Ｙ＝２４８ｎｍであったのに対し、本発明のフィディシャルマーク作成方法では、リフトオフを用いた方法で位置ズレ量が平均でＸ＝５０ｎｍ、Ｙ＝５４ｎｍ、エッチングを用いた方法で位置ズレ量が平均で、Ｘ＝１９５ｎｍ、Ｙ＝１７５ｎｍとなり、位置ズレ量も従来のフィディシャルマークより良く良好な結果であった。
検出できた。
【００５４】
【表２】
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以上、説明したように、本実施形態によれば、遮光枠による遮光領域のエッジの延長線上にフィディシャルマークを配置するため、マスク描画機やブランク欠陥検査機においてフィディシャルマークの検出が容易になる。また、フィディシャルマークと遮光枠による遮光領域の両方を有するために、フィディシャルマークを基準として欠陥の座標を算出して、欠陥を回避して描画を行うことによって、欠陥回避性と転写性の両方が優れた反射型マスクブランク及び反射型マスクの製造方法を提供することが可能である。
【符号の説明】
【００５５】
１０…反射型マスクブランク、１１…レジスト膜、１２…低反射層、１３…吸収層、１４…保護層、１５…多層反射層、１６…低熱膨張基板、１７…裏面導電層、１８…第２レジスト膜、２０…フィディシャルマーク付きブランク、２１…フィディシャルマーク、２２…第３レジスト膜、２３…第４レジスト膜、３０…遮光領域及びフィディシャルマーク付きブランク、３１…遮光領域、３２…第２フィディシャルマーク、４１…位相欠陥、４２…パターン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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