(57)【要約】    【課題】  インダクタ回路のインダクタ特性を向上することが可能なプリント配線板の提供。    【解決手段】  コア基板３０の第１磁性体層１２４が充填された第１の開口部１２６と第２磁性体層２４が充填された第２の開口部２６とが、第２ビルドアップ層５５Ｓの厚み方向において重なるように配置される。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
コア絶縁層と、    
前記コア絶縁層上に設けられて絶縁層と導体層とが交互に積層されてなるビルドアップ層とを備えるプリント配線板であって、
前記ビルドアップ層には、インダクタ回路が設けられるとともに、前記インダクタ回路を構成する複数のインダクタパターンによって囲まれて磁性体が充填された第１の開口部が形成され、
前記インダクタ回路の内層側には、磁性体が充填された第２の開口部が形成され、
前記第１の開口部と前記第２の開口部とが前記ビルドアップ層の厚み方向において重なるように配置される。
【請求項２】
請求項１のプリント配線板であって、
前記第２の開口部は、前記コア絶縁層に形成される。
【請求項３】
請求項１のプリント配線板であって、
前記第１の開口部と前記第２の開口部とが繋がっている。
【請求項４】
請求項１のプリント配線板であって、
前記第２の開口部の第１の開口部側の面の面積は、前記第１の開口部の第２の開口部側の面の面積より大きい。
【請求項５】
請求項１のプリント配線板であって、
１つの前記第２の開口部に対して複数の前記第１の開口部が前記ビルドアップ層の厚み方向において重なるように配置される。
【請求項６】
請求項２のプリント配線板であって、
前記第２の開口部は、前記コア絶縁層を貫通するように形成される。
【請求項７】
請求項１のプリント配線板であって、
前記インダクタ回路上に位置する前記コア絶縁層に導体が充填された複数の第３の開口部が形成される。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インダクタが内部に形成されるプリント配線板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の小型化、高機能化に伴って、プリント配線板に搭載される外付け電子部品の部品点数の削減が求められている。例えば特許文献１においては、インダクタ素子をプリント配線板の内部に形成することが開示されている。このインダクタ素子は、平面視略環状のインダクタパターンと、そのインダクタパターンの内周側に設けられている磁性体とから構成されている。この特許文献１においては、磁性体をインダクタパターンの中心に配置することでインダクタ特性の向上を目的としている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１０−１２３８７９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上述した特許文献１では、インダクタパターンの中心に磁性体を配置する構成であるため、インダクタパターンによって磁性体の大きさが限られてしまい、さらなるインダクタ特性の向上を図ることが困難であると考えられる。
【０００５】
本発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、その目的とするところは、インダクタ回路のインダクタ特性を向上することが可能なプリント配線板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の請求項１に係る発明は、コア絶縁層と、前記コア絶縁層上に設けられて絶縁層と導体層とが交互に積層されてなるビルドアップ層とを備えるプリント配線板であって、前記ビルドアップ層には、インダクタ回路が設けられるとともに、前記インダクタ回路を構成する複数のインダクタパターンによって囲まれて磁性体が充填された第１の開口部が形成され、前記インダクタ回路の内層側には、磁性体が充填された第２の開口部が形成され、前記第１の開口部と前記第２の開口部とが前記ビルドアップ層の厚み方向において重なるように配置される。
【発明の効果】
【０００７】
請求項１のプリント配線板では、磁性体が充填された第１の開口部と磁性体が充填された第２の開口部とがビルドアップ層の厚み方向において重なるように配置されるため、より大きな磁性体をインダクタ回路のために内蔵することができる。このため、インダクタ回路のインダクタ特性を向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の第１実施形態のプリント配線板を示す断面図。
【図２】インダクタの各インダクタパターンを示す平面図。
【図３】インダクタの各インダクタパターンを示す平面図。
【図４】第１実施形態における第１の開口部と第２の開口部との位置関係を示す断面図。
【図５】第１実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図６】第１実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図７】第１実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図８】第１実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図９】第１実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図１０】第１実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図１１】第２実施形態のプリント配線板を示す断面図。
【図１２】第２実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図１３】第３実施形態における第１の開口部と第２の開口部との位置関係を示す断面図。
【図１４】第４実施形態のプリント配線板を示す断面図。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
[第１実施形態]
本発明の第１実施形態に係るプリント配線板１０の断面が図１に示される。プリント配線板１０は、第１面Ｆと第１面Ｆと反対側の第２面Ｓを有するコア基板（コア絶縁層）３０と、コア基板３０の第１面Ｆ側に形成される第１ビルドアップ層５５Ｆと、コア基板３０の第２面Ｓ側に形成される第２ビルドアップ層５５Ｓとを備えている。
【００１０】
コア基板３０は、第１面とその第１面と反対側の第２面を備える絶縁性基材３０Ａと、絶縁性基材３０Ａの第１面上の第１層間材２２Ｆと、絶縁性基材３０Ａの第２面上の第２層間材２２Ｓと、第１層間材２２Ｆの第１面上の第１導体層３４Ａと、第２層間材２２Ｓの第２面上の第２導体層３４Ｂと、第１導体層３４Ａと第２導体層３４Ｂとを接続するためのスルーホール導体３６と、第２磁性体層２４と、を備えている。コア基板３０の第１面Ｆと第１層間材２２Ｆの第１面とは同じ面であり、コア基板３０の第２面Ｓと第２層間材２２Ｓの第２面とは同じ面である。
【００１１】
スルーホール導体３６は、絶縁性基材３０Ａに形成されている、スルーホール導体用の貫通孔（第３の開口部）３１内をめっき膜で充填することにより形成される。貫通孔３１は、絶縁性基材３０Ａの第１面側に形成されている第１開口部３１ａと、第２面側に形成されている第２開口部３１ｂで形成されている。第１開口部３１ａは第１面から第２面に向かってテーパしているとともに、第２開口部３１ｂは第２面から第１面に向かってテーパしており、該第１開口部３１ａと該第２開口部３１ｂは絶縁性基材３０Ａの内部で繋がっている（図５（Ｃ））。
【００１２】
第１ビルドアップ層５５Ｆを形成する第１樹脂絶縁層５０Ｃ上には、第１導体層５８Ｃが設けられている。第１導体層５８Ｃと第１導体層３４Ａとは、第１樹脂絶縁層５０Ｃに形成される第１ビア導体６０Ｃにより接続されている。第１樹脂絶縁層５０Ｃ及び第１導体層５８Ｃ上には、第１樹脂絶縁層５０Ｅ，５０Ｇ、５０Ｉ、５０Ｋ、５０Ｍが順次積層されている。第１樹脂絶縁層５０Ｅ，５０Ｇ、５０Ｉ、５０Ｋ、５０Ｍ上には、それぞれ第１導体層５８Ｅ，５８Ｇ、５８Ｉ、５８Ｋ、５８Ｍが形成されている。そして、上下の第１導体層同士は、各樹脂絶縁層の内部に設けられている第１ビア導体６０Ｅ，６０Ｇ、６０Ｉ、６０Ｋ、６０Ｍによりそれぞれ接続されている。
【００１３】
第２ビルドアップ層５５Ｓを形成する第２樹脂絶縁層５０Ｄ上には、第２導体層５８Ｄが設けられている。第２導体層５８Ｄと第１導体層３４Ｂとは、第２樹脂絶縁層５０Ｄに形成される第２ビア導体６０Ｄにより接続されている。第２樹脂絶縁層５０Ｄ及び第２導体層５８Ｄ上には、第２樹脂絶縁層５０Ｆ，５０Ｈ、５０Ｊ、５０Ｌ、５０Ｎが順次積層されている。第２樹脂絶縁層５０Ｆ，５０Ｈ、５０Ｊ、５０Ｌ、５０Ｎ上には、それぞれ第２導体層５８Ｆ，５８Ｈ、５８Ｊ、５８Ｌ、５８Ｎが形成されている。そして、上下の第２導体層同士は、各樹脂絶縁層の内部に設けられている第２ビア導体６０Ｆ，６０Ｈ、６０Ｊ、６０Ｌ、６０Ｎによりそれぞれ接続されている。
【００１４】
ビルドアップ層５５Ｆ，５５Ｓを形成する樹脂絶縁層の少なくとも一層は、無機繊維補強材を含んでいることが好ましい。この場合、プリント配線板１０に剛性が付与され、反りを抑制しやすくなる。
【００１５】
第２ビルドアップ層５５Ｓには、インダクタ回路１００が形成されている。このインダクタ回路１００は、インダクタパターン１５８Ｂと、第２樹脂絶縁層５０Ｄ上のインダクタパターン１５８Ｄと、第２樹脂絶縁層５０Ｆ上のインダクタパターン１５８Ｆと、第２樹脂絶縁層５０Ｈ上のインダクタパターン１５８Ｈと、第２樹脂絶縁層５０Ｊ上のインダクタパターン１５８Ｊと、第２樹脂絶縁層５０Ｌ上のインダクタパターン１５８Ｌと、を有している。異なる層に位置するインダクタパターン同士は、各樹脂絶縁層の内部に設けられている第２ビア導体６０Ｄ，６０Ｆ，６０Ｈ、６０Ｊ、６０Ｌによりそれぞれ接続されることで積層コイルを形成する。インダクタ回路１００は、このような積層コイルを複数有し、各積層コイルは並列または直列で繋げられる。図１では、便宜上、１つの積層コイルを図示している。
【００１６】
インダクタパターン１５８Ｂは略１周のコイル形状の配線パターンで形成されている。インダクタパターン１５８Ｂ以外のインダクタパターンは２つの配線パターンで形成されている。第１実施形態では、積層コイルは隣接する同形状の積層コイルと接続配線Ｌ１Ｏを介して接続される。インダクタパターン１５８Ｂの一部は電極１５８ＢＤとして機能する。その電極１５８ＢＤにコア基板３０のビア導体３６Ｂを介してスルーホール導体３６が接続される。
【００１７】
インダクタ回路１００では、スルーホール導体３６から電極１５８ＢＤに流れる電流は反時計回りにインダクタパターン１５８Ｂを略１周流れて、出力接続部Ｐ１Ｏに至る（図２（Ａ））。出力接続部Ｐ１Ｏは、ビア導体６０Ｄを介してインダクタパターン１５８Ｄ２の入力接続部Ｖ２Ｉに接続される。入力接続部Ｖ２Ｉから流れる電流はインダクタパターン１５８Ｄ２を反時計回りに略半周流れて、出力接続部Ｐ２Ｏに至る（図２（Ｂ））。出力接続部Ｐ２Ｏは、ビア導体６０Ｆを介してインダクタパターン１５８Ｆ２の入力接続部Ｖ３Ｉに接続される。入力接続部Ｖ３Ｉから流れる電流はインダクタパターン１５８Ｆ２を反時計回りに略半周流れて、出力接続部Ｐ３Ｏに至る（図２（Ｃ））。出力接続部Ｐ３Ｏは、ビア導体６０Ｈを介してインダクタパターン１５８Ｈ２の入力接続部Ｖ４Ｉに接続される。入力接続部Ｖ４Ｉから流れる電流はインダクタパターン１５８Ｈ２を反時計回りに略半周流れて、出力接続部Ｐ４Ｏに至る（図３（Ａ））。出力接続部Ｐ４Ｏは、ビア導体６０Ｊを介してインダクタパターン１５８Ｊ２の入力接続部Ｖ５Ｉに接続される。入力接続部Ｖ５Ｉから流れる電流はインダクタパターン１５８Ｊ２を反時計回りに略半周流れて、出力接続部Ｐ５Ｏに至る（図３（Ｂ））。出力接続部Ｐ５Ｏは、ビア導体６０Ｌを介してインダクタパターン１５８Ｌ２の入力接続部Ｖ６Ｉに接続される。入力接続部Ｖ６Ｉから流れる電流はインダクタパターン１５８Ｌ２を反時計回りに略半周流れて、入力接続部Ｌ１０に至り、隣接配置された積層コイル側へ出力される（図３（Ｃ））。
【００１８】
一方、隣接配置された積層コイル側からの出力が、インダクタパターン１５８Ｌ１に、入力接続部１５８ＬＤＩから接続される。入力接続部１５８ＬＤＩから流れる電流は反時計回りに第１のインダクタパターン１５８Ｌ１を反時計回りに略半周流れて、出力接続部Ｖ６Ｏに至る（図３（Ｃ））。出力接続部Ｖ６Ｏは、ビア導体６０Ｌを介してインダクタパターン１５８Ｊ１の入力接続部Ｐ５Ｉに接続される。入力接続部Ｐ５Ｉから流れる電流はインダクタパターン１５８Ｊ１を反時計回りに略半周流れて、入力接続部Ｖ５Ｏに至る（図３（Ｂ））。出力接続部Ｖ５Ｏは、ビア導体６０Ｊを介してインダクタパターン１５８Ｈ１の入力接続部Ｐ４Ｉに接続される。入力接続部Ｐ４Ｉから流れる電流はインダクタパターン１５８Ｈ１を反時計回りに略半周流れて、入力接続部Ｖ４Ｏに至る（図３（Ａ））。出力接続部Ｖ４Ｏは、ビア導体６０Ｈを介してインダクタパターン１５８Ｆ１の入力接続部Ｐ３Ｉに接続される。入力接続部Ｐ３Ｉから流れる電流はインダクタパターン１５８Ｆ１を反時計回りに略半周流れて、入力接続部Ｖ３Ｏに至る（図２（Ｃ））。出力接続部Ｖ３Ｏは、ビア導体６０Ｆを介してインダクタパターン１５８Ｄ１の入力接続部Ｐ２Ｉに接続される。入力接続部Ｐ２Ｉから流れる電流はインダクタパターン１５８Ｄ１を反時計回りに略半周流れて、入力接続部Ｖ２Ｏに至る（図２（Ｂ））。出力接続部Ｖ２Ｏは、ビア導体６０Ｄを介してインダクタパターン１５８Ｂの電極１５８ＢＤに接続される（図２（Ａ））。
【００１９】
インダクタ回路１００が複数の積層コイルを有する場合、インダクタ回路１００は共通な出力電極を有することができる。その場合、各積層コイルは並列で接続される。各積層コイルの各出力電極に接続ビア導体が形成されてもよい。複数の積層コイルが並列で繋げられると、複数の積層コイルが低い抵抗で繋げられる。そのため、複数の積層コイルでインダクタ回路１００が形成されても、低抵抗なインダクタが得られる。
【００２０】
インダクタパターンで囲まれる第２樹脂絶縁層５０Ｄ，５０Ｆ，５０Ｈ、５０Ｊ、５０Ｌには、第１の開口部１２６がインダクタパターンと同心状に設けられる。第１の開口部１２６は、インダクタパターンの内縁に対して所定の距離、例えば、６０μｍ離れて、コア基板３０に向けてテーパ状に縮径するように形成される。第１の開口部１２６内には第１磁性体層１２４が略円筒状に充填されている。第１磁性体層１２４は、鉄-ニッケル合金、鉄合金、アモルファス合金等の磁性体粒子を含む樹脂から形成されている。磁性体粒子の量は、例えば、３０〜６０vol％である。
【００２１】
コア基板３０に設けられる第２磁性体層２４は、インダクタ回路１００のインダクタ特性の向上を図るためのもので、第１磁性体層１２４と同様に、鉄-ニッケル合金、鉄合金、アモルファス合金等の磁性体粒子を含む樹脂から形成されている。第２磁性体層２４は、図４に示すように、コア基板３０の絶縁性基材３０Ａに対してインダクタ回路１００の積層コイルごとに設けられる第２の開口部２６に充填される磁性体粒子を含む樹脂が硬化することで形成される。
【００２２】
第２の開口部２６は、インダクタ回路１００の内層側に位置し、その外周形状が上記積層コイルの外周に沿い、コア基板３０のスルーホール導体３６に対してショートやクラック等の信頼性課題が生じない程度の所定の間隔Ｘ、例えば、１０〜１５０μｍ（スルーホール導体３６の位置精度に依存）の間隔をあけるように形成されている。すなわち、第２磁性体層２４は、スルーホール導体３６に対して上記所定の間隔Ｘをあけるように形成される。なお、第２磁性体層２４（第２の開口部２６）は、積層コイルの配線密度Ｌ／Ｓ（ラインスペース）のＳの大きさ分（例えば５〜１００μｍ）は積層コイルよりも外周側に拡大してもよい。
【００２３】
第１磁性体層１２４が充填された第１の開口部１２６と第２磁性体層２４が充填された第２の開口部２６とが、第２ビルドアップ層５５Ｓの厚み方向において重なるように配置される（図１および図４）。第２の開口部２６の第１の開口部側の面の面積は、第１の開口部１２６の第２の開口部側の面の面積より大きい。このため、より大きな磁性体をインダクタ回路１００のために内蔵することができる。これにより、インダクタ回路１００のインダクタ特性、特にＬ値を向上することができる。本実施形態では、第１磁性体層１２４と第２磁性体層２４との間には、第２層間材２２Ｓ（１０〜７５μｍ）が介在している。
【００２４】
第１ビルドアップ層５５Ｆの上面側の最外層の第１樹脂絶縁層５０Ｍ上には、開口７１を有するソルダーレジスト層７０Ｆが設けられている。開口７１の内部には、半導体素子等を接続するための半田バンプ７６が形成されている。第２ビルドアップ層５５Ｓの下面側の最外層の第２樹脂絶縁層５０Ｎ上には、ソルダーレジスト層７０Ｓが設けられている。
【００２５】
第１実施形態のプリント配線板１０の製造方法が図５〜図１０に示される。
（１）絶縁性基材３０Ａとその両面に銅箔３２が積層されている両面銅張積層板３０Ｚが出発材料である。絶縁性基材３０Ａの厚さは、１００〜４００μｍである。厚みが１００μｍより薄いと基板強度が低すぎる。厚みが４００μｍを越えるとプリント配線板の厚さが厚くなる。絶縁性基材３０Ａは第１面Ｆとその第１面Ｆと反対側の第２面Ｓを有する。銅箔３２の表面に図示されない黒化処理が施される（図５（Ａ））。
【００２６】
（２）絶縁性基材３０Ａの第１面Ｆ側から両面銅張積層板３０Ｚにレーザが照射される。絶縁性基材３０Ａの第１面Ｆから第２面Ｓに向けて細くなっている第１開口部３１ａが形成される（図５（Ｂ））。
【００２７】
（３）絶縁性基材３０Ａの第２面Ｓ側から両面銅張積層板３０Ｚにレーザが照射される。絶縁性基材３０Ａの第２面Ｓから第１面Ｆに向けて細くなっている第２開口部３１ｂが形成される（図５（Ｃ））。第２開口部３１ｂは絶縁性基材３０Ａ内で第１開口部３１ａと繋がりスルーホール導体用の貫通孔３１が形成される。
【００２８】
（４）無電解めっき処理により無電解めっき膜３３が貫通孔３１の内壁と銅箔３２上に形成される（図５（Ｄ））。
【００２９】
（５）電解めっき処理により、無電解めっき膜３３上に電解めっき膜３７が形成される。貫通孔３１内にスルーホール導体３６が形成される。スルーホール導体３６は貫通孔３１の内壁に形成されている無電解めっき膜３３と貫通孔３１を充填している電解めっき膜３７で形成される（図５（Ｅ））。
【００３０】
（６）絶縁性基材３０Ａの表面の電解めっき膜３７に所定パターンのエッチングレジスト３５が形成される（図５（Ｆ））。
【００３１】
（７）エッチングレジストから露出する電解めっき膜３７、無電解めっき膜３３、銅箔３２が除去される。その後、エッチングレジストが除去され導体層２８Ａ、２８Ｂ及びスルーホール導体３６が形成される（図６（Ａ））。
【００３２】
（８）絶縁性基材３０Ａに対して、第２の開口部２６が、インダクタ回路１００の各積層コイルに対向する位置であってスルーホール導体３６に対して上記所定の間隔Ｘをあけるように、ドリル等を用いて形成される（図６（Ｂ））。
【００３３】
（９）絶縁性基材３０Ａの第２面Ｓにテープ９４が貼られる。第２の開口部２６の一方の口はテープで塞がれる（図６（Ｃ））。テープ９４の例としてＰＥＴフィルムが挙げられる。
【００３４】
（１０）第２の開口部２６内に磁性材料用溶液が充填された後に加熱により硬化されて、第２磁性体層２４が形成される（図６（Ｄ））。
上述した磁性材料用溶液は、以下の様にして作製される。
（Ａ）樹脂含有溶液の作製
MEK６．８ｇとキシレン２７．２ｇの混合溶媒に、エポキシ樹脂（ジャパン・エポキシ・レジン社製、商品名：エピコート１００７）８５ｇと酸化鉄（III）などの磁性体粒子が添加されることで、樹脂含有溶液が作製される。磁性体粒子の例として、クロム酸化鉄（フェリクロム）、コバルト酸化鉄、バリウムフェライトなどが挙げられる。
（Ｂ）磁性材料用溶液の作製
前記(Ａ)の樹脂含有溶液に硬化剤としてのジシアンジアミド（ビィ・ティ・アイ・ジャパン社製、商品名：ＣＧ−１２００）と硬化触媒（四国化成社製、商品名：キュアゾール２Ｅ４ＨＺ）が添加される。その後、これらの混合物は三本ローラで混練され、磁性材料用溶液が形成される。硬化剤と硬化触媒の添加量はエポキシ１００ｇに対してそれぞれ３．３ｇである。
【００３５】
（１１）絶縁性基材３０Ａの第１面Ｆ上にＢ−ステージのプリプレグが積層される（図６（Ｅ））。プリプレグの代わりに層間絶縁層用樹脂フィルムが積層されてもよい。プリプレグはガラスクロスなどの補強材を有するが層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムは補強材を有していない。両者ともガラス粒子などの無機粒子を含むことが好ましい。充填剤はシリカなどの無機粒子を含んでいる。
【００３６】
（１２）テープ剥離後（図７（Ａ））、絶縁性基材３０Ａの第２面Ｓ上にＢ−ステージのプリプレグが積層される。絶縁性基材３０Ａの第１面Ｆと第２面Ｓ上のプリプレグが硬化される。絶縁性基材３０Ａの第１面と第２面上に第１層間材２２Ｆおよび第２層間材２２Ｓが形成される（図７（Ｂ））。
【００３７】
（１３）第１面側からＣＯ２ガスレーザにて第１層間材２２Ｆにスルーホール導体３６や導体層２８Ａに至るビア導体用の開口５１が形成される。第２面側から第２層間材２２Ｓにスルーホール導体３６や導体層２８Ｂに至るビア導体用の開口５１が形成される（図７（Ｃ））。層間材２２Ｆ，２２Ｓに粗面が形成される（図示せず）。
【００３８】
（１４）無電解めっき処理により、ビア導体用の開口５１の内壁と層間材２２Ｆ，２２Ｓ上に無電解めっき膜５２が形成される（図７（Ｄ））。
【００３９】
（１５）無電解めっき膜５２上にめっきレジスト５４が形成される（図７（Ｅ））。
【００４０】
（１６）次に、電解めっき処理により、めっきレジスト５４から露出する無電解めっき膜５２上に電解めっき膜５６が形成される（図８（Ａ））。
【００４１】
（１７）続いて、めっきレジスト５４が５％ＮａＯＨで除去される。その後、電解銅めっき膜５６から露出する無電解めっき膜５２がエッチングにて除去され、無電解めっき膜５２と電解めっき膜５６からなる導体層３４Ａ、３４Ｂが形成される。導体層３４Ａ、３４Ｂは複数の導体回路やビア導体のランドを含む。また、導体層３４Ｂは第１の開口部１２６の投影領域を含めた領域に形成されるレーザーストッパ層５９を含む。同時に、ビア導体３６Ａ、３６Ｂが形成される。これにより、コア基板３０が完成する（図８（Ｂ））。ビア導体３６Ａ、３６Ｂは絶縁性基材３０Ａの導体層やスルーホール導体３６と層間材２２Ｆ，２２Ｓ上の導体層３４Ａ、３４Ｂを接続している。導体層３４Ｂはインダクタパターン１５８Ｂも含む。インダクタパターン１５８Ｂの電極１５８ＢＤはビア導体３６Ｂによりスルーホール導体３６に接続される。
【００４２】
（１８）コア基板３０の第１面Ｆ上および第２面Ｓ上にそれぞれ積層されたＢ−ステージのプリプレグが硬化することで第１樹脂絶縁層５０Ｃおよび第２樹脂絶縁層５０Ｄが形成される。導体層３４Ａ、３４Ｂやビア導体３６Ａ、３６Ｂに至るビア導体用の開口が形成された後、図７（Ｄ）〜図８（Ｂ）と同様な処理がなされて、導体層５８Ｃ、５８Ｄやビア導体６０Ｃ、６０Ｄが形成される（図８（Ｃ））。導体層５８Ｄはインダクタパターン１５８Ｄも含み、インダクタパターン１５８Ｄの入力接続部Ｖ２Ｉはビア導体６０Ｄによりインダクタパターン１５８Ｂの出力接続部Ｐ１Ｏに接続される。
【００４３】
図８（Ｃ）の処理が繰り返されることで、第１樹脂絶縁層５０Ｃおよび第２樹脂絶縁層５０Ｄ上に第１樹脂絶縁層５０Ｅおよび第２樹脂絶縁層５０Ｆが形成され、第１樹脂絶縁層５０Ｅに導体層５８Ｅおよびビア導体６０Ｅが形成され、第２樹脂絶縁層５０Ｆに導体層５８Ｆおよびビア導体６０Ｆが形成される。導体層５８Ｆはインダクタパターン１５８Ｆも含み、インダクタパターン１５８Ｆの入力接続部Ｖ３Ｉはビア導体６０Ｆによりインダクタパターン１５８Ｄの出力接続部Ｐ２Ｏに接続され、入力接続部Ｖ３Ｏはビア導体６０Ｆによりインダクタパターン１５８Ｄの入力接続部Ｐ２Ｉに接続される。
【００４４】
さらに、図８（Ｃ）の処理が繰り返されることで、第１樹脂絶縁層５０Ｅおよび第２樹脂絶縁層５０Ｆ上に第１樹脂絶縁層５０Ｇおよび第２樹脂絶縁層５０Ｈが形成され、第１樹脂絶縁層５０Ｇに導体層５８Ｇおよびビア導体６０Ｇが形成され、第２樹脂絶縁層５０Ｈに導体層５８Ｈおよびビア導体６０Ｈが形成される。導体層５８Ｈはインダクタパターン１５８Ｈも含み、インダクタパターン１５８Ｈの入力接続部Ｖ４Ｉはビア導体６０Ｈによりインダクタパターン１５８Ｆの出力接続部Ｐ３Ｏに接続され、入力接続部Ｖ４Ｏはビア導体６０Ｈによりインダクタパターン１５８Ｆの入力接続部Ｐ３Ｉに接続される。
【００４５】
さらに、図８（Ｃ）の処理が繰り返されることで、第１樹脂絶縁層５０Ｇおよび第２樹脂絶縁層５０Ｈ上に第１樹脂絶縁層５０Ｉおよび第２樹脂絶縁層５０Ｊが形成され、第１樹脂絶縁層５０Ｉに導体層５８Ｉおよびビア導体６０Ｉが形成され、第２樹脂絶縁層５０Ｊに導体層５８Ｊおよびビア導体６０Ｊが形成される。導体層５８Ｊはインダクタパターン１５８Ｊも含み、インダクタパターン１５８Ｊの入力接続部Ｖ５Ｉはビア導体６０Ｊによりインダクタパターン１５８Ｈの出力接続部Ｐ４Ｏに接続され、入力接続部Ｖ５Ｏはビア導体６０Ｊによりインダクタパターン１５８Ｈの入力接続部Ｐ４Ｉに接続される。
【００４６】
さらに、図８（Ｃ）の処理が繰り返されることで、第１樹脂絶縁層５０Ｉおよび第２樹脂絶縁層５０Ｊ上に第１樹脂絶縁層５０Ｋおよび第２樹脂絶縁層５０Ｌが形成され、第１樹脂絶縁層５０Ｋに導体層５８Ｋおよびビア導体６０Ｋが形成され、第２樹脂絶縁層５０Ｌに導体層５８Ｌおよびビア導体６０Ｌが形成される。導体層５８Ｌはインダクタパターン１５８Ｌも含み、インダクタパターン１５８Ｌの入力接続部Ｖ６Ｉはビア導体６０Ｌによりインダクタパターン１５８Ｊの出力接続部Ｐ５Ｏに接続され、入力接続部Ｖ６Ｏはビア導体６０Ｌによりインダクタパターン１５８Ｊの入力接続部Ｐ５Ｉに接続される（図９（Ａ））。
【００４７】
続いて、レーザー穴明け加工を用いて第１の開口部１２６の一部を構成する開口部１２６ａを形成することで、レーザーストッパ層５９の中央部が露出する（図９（Ｂ））。そして、エッチングにより開口部１２６ａから露出するレーザーストッパ層５９を除去することで、各インダクタパターンと中心を同じくする第１の開口部１２６が、樹脂絶縁層５０Ｌ、５０Ｊ、５０Ｈ、５０Ｆ、５０Ｄに形成される（図１０（Ａ））。第１の開口部１２６内に、上述した磁性材料用溶液が充填された後に加熱により硬化されて、第１磁性体層１２４が形成される（図１０（Ｂ））。
【００４８】
第１磁性体層１２４の形成後、図８（Ｃ）の処理が繰り返されることで、第１樹脂絶縁層５０Ｋおよび第２樹脂絶縁層５０Ｌ上に第１樹脂絶縁層５０Ｍおよび第２樹脂絶縁層５０Ｎが形成され、第１樹脂絶縁層５０Ｍに導体層５８Ｍおよびビア導体６０Ｍが形成され、第２樹脂絶縁層５０Ｎに導体層５８Ｎおよびビア導体６０Ｎが形成される。これにより、コア基板３０の第１面Ｆ上に第１ビルドアップ層５５Ｆが形成され、コア基板３０の第２面Ｓ上に第２ビルドアップ層５５Ｓが形成される（図１０（Ｃ））。
【００４９】
（１９）第１ビルドアップ層５５Ｆ上に開口７１を有するソルダーレジスト層７０Ｆが形成され、第２ビルドアップ層５５Ｓ上にソルダーレジスト層７０Ｓが形成される。開口７１は導体層やビア導体の上面を露出する。その部分はパッドとして機能する。パッド上にニッケル層７２とニッケル層７２上の金層７４で形成される金属膜が形成される。ニッケル−金層以外にニッケル−パラジウム−金層からなる金属膜が挙げられる。この後、パッド上に半田バンプ７６が形成され、半田バンプ７６を有するプリント配線板１０が完成する（図１）。
【００５０】
[第２実施形態]
図１１は、第２実施形態のプリント配線板１０を示す。
第２実施形態に係るプリント配線板１０は、上記第１実施形態と異なり、第１の開口部１２６と第２の開口部２６とが繋がるように形成される。これにより、図１１に示すように、第２磁性体層２４と第１磁性体層１２４とが密着する。
【００５１】
第２実施形態のプリント配線板１０の製造方法が図１２に示される。
（１）第１実施形態と同様に図５（Ａ）〜図１０（Ａ）までの処理がなされてエッチングにより開口部１２６ａから露出するレーザーストッパ層５９を除去した後、サンドブラスト加工等、加工部が高温になりにくい加工方法により、第２層間材２２Ｓの第２面Ｓに対して、開口部１２６ａと第２の開口部２６とを繋げる開口部を形成するように第１の開口部１２６が形成される（図１２（Ａ））。第１の開口部１２６を介して第２磁性体層２４が露出する。
【００５２】
（２）第１の開口部１２６の形成後、第１の開口部１２６内に、上述した磁性材料用溶液が充填された後に加熱により硬化されて、第１磁性体層１２４が形成される（図１２（Ｂ））。これにより、第１磁性体層１２４は、第２磁性体層２４と密着するように形成される。
【００５３】
（３）第１磁性体層１２４の形成後、第１樹脂絶縁層５０Ｍおよび第２樹脂絶縁層５０Ｎが形成されることで、コア基板３０の第１面Ｆ上に第１ビルドアップ層５５Ｆが形成され、コア基板３０の第２面Ｓ上に第２ビルドアップ層５５Ｓが形成される。第１ビルドアップ層５５Ｆ上にソルダーレジスト層７０Ｆが形成され、第２ビルドアップ層５５Ｓ上にソルダーレジスト層７０Ｓが形成され、半田バンプ７６を有するプリント配線板１０が完成する（図１１）。
【００５４】
第２実施形態のプリント配線板では、第１の開口部１２６と第２の開口部２６とが繋がるように形成されることで第１磁性体層１２４と第２磁性体層２４とが密着するので、インダクタ回路１００のインダクタ特性、特にＬ値を、上記第１実施形態よりも向上することができる。
【００５５】
[第３実施形態]
図１３は、第３実施形態における第１の開口部１２６と第２の開口部２６との位置関係を示す。
第３実施形態に係るプリント配線板１０は、上記第１実施形態と異なり、複数の第２磁性体層２４のうちの少なくとも一部の第２磁性体層２４が互いに連結されるように形成される。具体的には、例えば、図１３に示すように、隣り合う第２磁性体層２４と第２磁性体層２４とが、スルーホール導体３６に対して上記所定の間隔Ｘをあけた状態で連結するように、第２の開口部２６が形成される。すなわち、１つの第２の開口部２６に対して、複数の第１の開口部１２６が第２ビルドアップ層５５Ｓの厚み方向において重なるように配置される。
【００５６】
これにより、インダクタ回路１００にて利用される磁性体の体積が大きくなるので、インダクタ回路１００のインダクタ特性、特にＬ値を、上記第１実施形態よりも向上することができる。
【００５７】
[第４実施形態]
図１４は、第４実施形態のプリント配線板１０を示す。
第４実施形態に係るプリント配線板１０は、上記第１実施形態と異なり、第２の開口部２６が第２ビルドアップ層５５Ｓに形成される。具体的には、例えば、図１４に示すように、インダクタ回路１００がインダクタパターン１５８Ｆ、１５８Ｈ、１５８Ｊ、１５８Ｌを有するように形成される場合、インダクタパターンで囲まれる第２樹脂絶縁層５０Ｈ、５０Ｊ、５０Ｌに第１の開口部１２６がインダクタパターンと同心状に形成され、第２樹脂絶縁層５０Ｄに第２の開口部２６が形成される。第１の開口部１２６に第１磁性体層１２４が充填され、第２の開口部２６に第２磁性体層２４が充填される。すなわち、第２ビルドアップ層５５Ｓ内において、第１の開口部１２６と第２の開口部２６とが第２ビルドアップ層５５Ｓの厚み方向において重なるように配置される。
【００５８】
このようにしても、比較的小さなインダクタ回路１００であっても、利用される磁性体の体積が大きくなるので、インダクタ回路１００のインダクタ特性、特にＬ値を向上することができる。
【００５９】
この場合、第２の開口部２６は、上記第１実施形態と同様に、さらにコア基板３０に形成されてもよい。これにより、コア基板３０内の第２の開口部２６に充填される第２磁性体層２４と第２ビルドアップ層５５Ｓ内の第２の開口部２６に充填される第２磁性体層２４とを利用できるので、インダクタ回路１００のインダクタ特性、特にＬ値をさらに向上することができる。
【００６０】
また、第２の開口部２６は、コア基板３０を貫通するように形成されてもよい。このようにしても、インダクタ回路１００にて利用される磁性体の体積が大きくなるので、インダクタ回路１００のインダクタ特性、特にＬ値を、上記第１実施形態よりも向上することができる。
【符号の説明】
【００６１】
１０ プリント配線板
２４ 第２磁性体層
２６ 第２の開口部
３０ コア基板（コア絶縁層）
５５Ｆ 第１ビルドアップ層
５５Ｓ 第２ビルドアップ層
１００ インダクタ回路
１２４ 第１磁性体層
１２６ 第１の開口部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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