(57)【要約】【課題】共振効果を最大限に活かして、共振効果をより高めることが可能な表示装置及び当該表示装置を有する電子機器を提供する。【解決手段】本開示の表示装置は、反射板と半透過板とが発光色毎に異なる距離で配置されて共振器構造を構成している。この共振器構造において、反射板と半透過板との間に、発光層を含む発光機能層、透明なカソード電極、及び、カソード電極を保護する保護膜が、順に、積層されている。そして、半透過板は、保護膜の上に形成されている。【選択図】  図５
2016143585.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
反射板と半透過板とが発光色毎に異なる距離で配置され、
反射板と半透過板との間に、
発光層を含む発光機能層、
透明なカソード電極、及び、
カソード電極を保護する保護膜が、順に、積層されており、
半透過板は、保護膜の上に形成されている、
表示装置。
【請求項２】
保護膜は、膜厚が発光色毎に異なる、
請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
反射板と発光機能層との間に、透明なアノード電極を有する、
請求項１に記載の表示装置。
【請求項４】
反射板は、アノード電極の機能を持つ、
請求項１に記載の表示装置。
【請求項５】
反射板と発光機能層との間に、発光色毎に膜厚が異なる層間膜を有する、
請求項１に記載の表示装置。
【請求項６】
層間膜と発光機能層との間に、透明なアノード電極を有する、
請求項５に記載の表示装置。
【請求項７】
発光機能層は、白色光を発光する、
請求項１に記載の表示装置。
【請求項８】
発光機能層は、赤色光を発光する赤色発光機能層、緑色光を発光する緑色発光機能層、及び、青色光を発光する青色発光機能層が積層されて成る、
請求項７に記載の表示装置。
【請求項９】
反射板と半透過板とが発光色毎に異なる距離で配置され、
反射板と半透過板との間に、
発光層を含む発光機能層、
透明なカソード電極、及び、
カソード電極を保護する保護膜が、順に、積層されており、
半透過板は、保護膜の上に形成されている、
表示装置を有する電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、表示装置及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
画素の発光素子として、自発光素子である有機エレクトロルミネッセンス（Electro Luminescence：ＥＬ）素子を用いた有機ＥＬ表示装置がある。有機ＥＬ表示装置において、共振効果によって特定の波長の光を強調する共振器構造を採用することで、色域の拡大や発光効率の向上を図ることができる（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
特許文献１に記載の表示装置では、アノード電極を半透過電極とするとともに、アノード電極と反射板との間に層間膜を設け、当該層間膜の膜厚を変えることで、半透過電極であるアノード電極と反射板との間の光路長を変えるようにしている。そして、半透過電極（アノード電極）と反射板との間での共振効果によって画素毎に発光色を変えるようにしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００９−１３５０８１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上述した、共振器構造を採用する表示装置において、共振効果を最大限に活かすには、共振器構造の最終的な光路長のバラツキを抑制する必要がある。しかしながら、特許文献１に記載の表示装置では、アノード電極と反射板との間に介在する層間膜の膜厚を変えることによって半透過電極と反射板との間の光路長を変えるようにしている。そのため、最終的な光路長は、加工のできない発光機能層の成膜のみで決まってしまい、最終的な光路長にバラツキがあっても調整することが困難となる。その結果、共振効果を最大限に活かすことができないため、色域や発光効率のバラツキを生むことになる。
【０００６】
そこで、本開示は、共振効果を最大限に活かして、共振効果をより高めることが可能な表示装置及び当該表示装置を有する電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の目的を達成するための本開示の表示装置は、
反射板と半透過板とが発光色毎に異なる距離で配置され、
反射板と半透過板との間に、
発光層を含む発光機能層、
透明なカソード電極、及び、
カソード電極を保護する保護膜が、順に、積層されており、
半透過板は、保護膜の上に形成されている。また、上記の目的を達成するための本開示の電子機器は、上記の構成の表示装置を有する。
【０００８】
上記の構成の表示装置あるいは当該表示装置を有する電子機器では、発光機能層上にカソード電極を配置し、カソード電極の上に保護膜を介して半透過板を配置し、発光色毎に距離が異なる反射板と半透過板との間で共振効果を得る構造となっている。この構造によれば、保護膜を成膜した後に半透過板を形成することになり、反射板と半透過板との間の最終的な光路長を保護膜の加工によって決定できるため、共振器構造の最終的な光路長のバラツキを抑制することができる。
【発明の効果】
【０００９】
本開示によれば、共振器構造の最終的な光路長のバラツキを抑制することができるために、共振効果を最大限に活かして、共振効果をより高めることができる。尚、ここに記載された効果に必ずしも限定されるものではなく、本明細書中に記載されたいずれかの効果であってもよい。また、本明細書に記載された効果はあくまで例示であって、これに限定されるものではなく、また付加的な効果があってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】図１は、本開示の前提となるアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置の基本的な構成の概略を示すシステム構成図である。
【図２】図２は、２Ｔｒ２Ｃの単位画素（画素回路）の回路構成を示す回路図である。
【図３】図３は、共振器構造を有するＲＧＢ３つの副画素の従来例に係る画素構造を示す断面図である。
【図４】図４は、典型的なタンデム構造の白色有機ＥＬ素子の構造の一例を示す要部の断面図である。
【図５】図５は、共振器構造を有するＲＧＢ３つの副画素の実施例１に係る画素構造を示す断面図である。
【図６】図６は、共振器構造を有するＲＧＢ３つの副画素の実施例２に係る画素構造を示す断面図である。
【図７】図７は、レンズ交換式一眼レフレックスタイプのデジタルスチルカメラの外観図であり、図７Ａにその正面図を示し、図７Ｂにその背面図を示す。
【図８】図８は、ヘッドマウントディスプレイの外観図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本開示の技術を実施するための形態（以下、「実施形態」と記述する）について図面を用いて詳細に説明する。本開示の技術は実施形態に限定されるものではなく、実施形態における種々の数値や材料などは例示である。以下の説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。尚、説明は以下の順序で行う。
１．本開示の表示装置及び電子機器、全般に関する説明
２．本開示の前提となる表示装置
２−１．システム構成
２−２．画素回路
２−３．共振器構造
３．本開示の一実施形態
３−１．実施例１
３−２．実施例２
４．電子機器
【００１２】
＜本開示の表示装置及び電子機器、全般に関する説明＞
本開示の表示装置及び当該表示装置を有する電子機器にあっては、発光色毎に距離が異なる半透過板と反射板との間で共振効果を得る共振器構造が構成されている。各色の光の波長はそれぞれ異なる。従って、共振器構造にあっては、各色のスペクトルピーク波長に半透過板と反射板との間の光路長を合致させ、各色から最も強い光を取り出すようにしている。発光機能層で発生した光は、半透過板と反射板との間で反射を繰り返す。そして、光路長の合致した波長の光のみ共振させて強調し、光路長のずれたそれ以外の波長の光を弱める。その結果、外部に取り出される光のスペクトルが急峻かつ高強度になり、輝度と色純度が優れたものとなる。
【００１３】
上述した好ましい構成を含む本開示の表示装置及び電子機器にあっては、保護膜について、その膜厚が発光色毎に異なる構成とすることができる。保護膜の膜厚を発光色毎に異なることで、共振器構造を構成する半透過板と反射板との間の光路長を、発光色毎に最適化することができる。また、反射板と発光機能層との間に、透明なアノード電極を有する構成とすることができる。あるいは又、反射板について、アノード電極の機能を持つ、即ち、反射板をアノード電極と兼用した構成とすることができる。
【００１４】
あるいは又、上述した好ましい構成を含む本開示の表示装置及び電子機器にあっては、反射板と発光機能層との間に、発光色毎に膜厚が異なる層間膜を有する構成とすることができる。層間膜の膜厚を発光色毎に異なることで、共振器構造を構成する半透過板と反射板との間の光路長を、発光色毎に最適化することができる。また、層間膜と発光機能層との間に、透明なアノード電極を有する構成とすることができる。
【００１５】
本開示の表示装置は、発光色が異なる複数の副画素から成る単位画素が行列状に配置されて成るカラー表示装置である。カラー表示装置において、１つの画素は、赤色を発光する赤色発光副画素、緑色を発光する緑色発光副画素、及び、青色を発光する青色発光副画素の３つの副画素、あるいは、４つ以上の副画素から構成される。
【００１６】
このようなカラー表示装置にあっては、発光機能層について、白色光を発光する構成とすることができる。また、発光機能層について、赤色光を発光する赤色発光機能層、緑色光を発光する緑色発光機能層、及び、青色光を発光する青色発光機能層が積層されて成る構成とすることができる。
【００１７】
発光機能層が白色光を発光するカラー表示装置にあっては、カラーフィルタを備える構成とし、各色発光副画素を、白色光を発光する発光素子とカラーフィルタとの組合せから成る構成とすることができる。あるいは又、カラーフィルタを用いなくても、共振器構造によって、副画素毎に、赤色光、緑色光、及び、青色光を取り出す構成とすることができる。
【００１８】
上述した好ましい構成を含む本開示の表示装置及び電子機器にあっては、表示装置を、複数の副画素が有機ＥＬ素子（有機エレクトロルミネッセンス素子）から成る発光部（発光素子）を有する有機ＥＬ表示装置の構成とすることができる。すなわち、有機ＥＬ表示装置にあっては、有機ＥＬ素子のそれぞれによって副画素が構成される。
【００１９】
有機ＥＬ表示装置は、例えば、パーソナルコンピュータやビデオカメラ、デジタルスチルカメラを構成するモニター装置として使用することができるし、テレビジョン受像機や携帯電話機、ＰＤＡ（Personal Digital Assistant，携帯情報端末）、ゲーム機器に組み込まれたモニター装置として使用することができる。あるいは又、電子ビューファインダー（Electronic View Finder：ＥＶＦ）や頭部装着型ディスプレイ（Head Mounted Display：ＨＭＤ）に適用することができる。あるいは又、その他、液晶表示装置用のバックライト装置や面状光源装置を含む照明装置を挙げることができる。
【００２０】
有機ＥＬ素子において、発光機能層である有機層は、発光層（例えば、有機発光材料から成る発光層）を備えている。この有機層は、具体的には、例えば、正孔輸送層と発光層と電子輸送層との積層構造、正孔輸送層と電子輸送層を兼ねた発光層との積層構造、正孔注入層と正孔輸送層と発光層と電子輸送層と電子注入層との積層構造等から構成することができる。また、これらの積層構造等をタンデムユニットとする場合、有機層は、第１のタンデムユニット、接続層、及び、第２のタンデムユニットが積層された２段のタンデム構造を有していてもよく、更には、３つ以上のタンデムユニットが積層された３段以上のタンデム構造を有していてもよい。これらの場合、発光色を赤色、緑色、青色と各タンデムユニットで変えることで、全体として白色を発光する有機層を得ることができる。
【００２１】
有機層の形成方法として、真空蒸着法等の物理的気相成長法（ＰＶＤ法）；スクリーン印刷法やインクジェット印刷法といった印刷法；転写用基板上に形成されたレーザ吸収層と有機層の積層構造に対してレーザ光を照射することでレーザ吸収層上の有機層を分離して、有機層を転写するといったレーザ転写法、各種の塗布法を例示することができる。有機層を真空蒸着法に基づき形成する場合、例えば、所謂メタルマスクを用い、当該メタルマスクに設けられた開口を通過した材料を堆積させることによって有機層を得ることができるし、有機層を、パターニングすること無く、全面に形成してもよい。
【００２２】
＜本開示の前提となる表示装置＞
［システム構成］
図１は、本開示の前提となるアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置の基本的な構成の概略を示すシステム構成図である。
【００２３】
アクティブマトリクス型表示装置は、発光部（発光素子）の駆動を、当該発光部と同じ画素内に設ける能動素子、例えば絶縁ゲート型電界効果トランジスタによって行う表示装置である。絶縁ゲート型電界効果トランジスタとしては、典型的には、薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor：ＴＦＴ）を用いることができる。
【００２４】
ここでは、一例として、単位画素（画素回路）の発光部（発光素子）が有機ＥＬ素子から成るアクティブマトリクス方式の有機ＥＬ表示装置の場合を例に挙げて説明するものとする。有機ＥＬ素子は、デバイスに流れる電流値に応じて発光輝度が変化する電流駆動型の電気光学素子である。以下では、「単位画素／画素回路」を単に「画素」と記述する場合もある。
【００２５】
図１に示すように、本開示の前提となるアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置１０は、複数の単位画素２０が行列状（２次元マトリクス状）に２次元配置されて成る画素アレイ部３０と、その周辺領域に配置されて画素２０を駆動する駆動部（周辺回路）とを有する構成となっている。駆動部は、例えば、書込み走査部４０、電源供給走査部５０、及び、信号出力部６０等から成り、画素アレイ部３０の各画素２０を駆動する。
【００２６】
本例では、書込み走査部４０、電源供給走査部５０、及び、信号出力部６０は、画素アレイ部３０の周辺回路として当該画素アレイ部３０と同じ基板上、即ち、表示パネル７０上に搭載されている。但し、書込み走査部４０、電源供給走査部５０、及び、信号出力部６０のいくつか、あるいは全部を表示パネル７０の外部に設ける構成を採ることも可能である。また、書込み走査部４０及び電源供給走査部５０をそれぞれ、画素アレイ部３０の一方側に配置する構成としているが、画素アレイ部３０を挟んで両側に配置する構成を採ることも可能である。表示パネル７０の基板としては、ガラス基板等の透明絶縁性基板を用いることもできるし、シリコン基板等の半導体基板を用いることもできる。
【００２７】
カラー表示対応の有機ＥＬ表示装置１０では、カラー画像を形成する際の単位となる１つの画素（単位画素／ピクセル）は複数の色の副画素（サブピクセル）から構成される。このとき、副画素の各々が図１の画素２０に相当することになる。より具体的には、カラー表示対応の表示装置では、１つの画素は、例えば、赤色（Ｒｅｄ：Ｒ）光を発光する副画素、緑色（Ｇｒｅｅｎ：Ｇ）光を発光する副画素、及び、青色（Ｂｌｕｅ：Ｂ）光を発光する副画素の３つの副画素から構成される。
【００２８】
但し、１つの画素としては、ＲＧＢの３原色の副画素の組み合わせに限られるものではなく、３原色の副画素に更に１色あるいは複数色の副画素を加えて１つの画素を構成することも可能である。より具体的には、例えば、輝度向上のために白色（Ｗｈｉｔｅ；Ｗ）光を発光する副画素を加えて１つの画素を構成したり、色再現範囲を拡大するために補色光を発光する少なくとも１つの副画素を加えて１つの画素を構成したりすることも可能である。
【００２９】
画素アレイ部３０には、ｍ行ｎ列の画素２０の配列に対して、行方向（画素行の画素の配列方向／水平方向）に沿って走査線３１（３１1〜３１m）と電源供給線３２（３２1〜３２m）とが画素行毎に配線されている。更に、ｍ行ｎ列の画素２０の配列に対して、列方向（画素列の画素の配列方向／垂直方向）に沿って信号線３３（３３1〜３３n）が画素列毎に配線されている。
【００３０】
走査線３１1〜３１mは、書込み走査部４０の対応する行の出力端にそれぞれ接続されている。電源供給線３２1〜３２mは、電源供給走査部５０の対応する行の出力端にそれぞれ接続されている。信号線３３1〜３３nは、信号出力部６０の対応する列の出力端にそれぞれ接続されている。
【００３１】
書込み走査部４０は、シフトレジスタ回路等によって構成されている。この書込み走査部４０は、画素アレイ部３０の各画素２０への映像信号の信号電圧の書込みに際して、走査線３１（３１1〜３１m）に対して書込み走査信号ＷＳ（ＷＳ1〜ＷＳm）を順次供給することによって画素アレイ部３０の各画素２０を行単位で順番に走査する、所謂、線順次走査を行う。
【００３２】
電源供給走査部５０は、書込み走査部４０と同様に、シフトレジスタ回路等によって構成されている。この電源供給走査部５０は、書込み走査部４０による線順次走査に同期して、第１電源電圧Ｖccpと当該第１電源電圧Ｖccpよりも低い第２電源電圧Ｖiniとで切り替わることが可能な電源電圧ＤＳ（ＤＳ1〜ＤＳm）を電源供給線３２（３２1〜３２m）に供給する。後述するように、電源電圧ＤＳのＶccp／Ｖiniの切替えによって、画素２０の発光／非発光（消光）の制御が行われる。
【００３３】
信号出力部６０は、信号供給源（図示せず）から供給される、輝度情報に応じた映像信号の信号電圧（以下、単に「信号電圧」と記述する場合もある）Ｖsigと基準電圧Ｖofsとを選択的に出力する。ここで、基準電圧Ｖofsは、映像信号の信号電圧Ｖsigの基準となる電圧（例えば、映像信号の黒レベルに相当する電圧）であり、後述する閾値補正処理の際に用いられる。
【００３４】
信号出力部６０から出力される信号電圧Ｖsig／基準電圧Ｖofsは、信号線３３（３３1〜３３n）を介して画素アレイ部３０の各画素２０に対して、書込み走査回路４０による走査によって選択された画素行の単位で書き込まれる。すなわち、信号出力部６０は、信号電圧Ｖsigを行（ライン）単位で書き込む線順次書込みの駆動形態を採っている。
【００３５】
［画素回路］
図２は、単位画素（画素回路）２０の具体的な回路構成の一例を示す回路図である。画素２０の発光部は、デバイスに流れる電流値に応じて発光輝度が変化する電流駆動型の電気光学素子の一例である有機ＥＬ素子２１から成る。
【００３６】
図２に示すように、画素２０は、有機ＥＬ素子２１と、有機ＥＬ素子２１に電流を流すことによって当該有機ＥＬ素子２１を駆動する駆動回路とによって構成されている。有機ＥＬ素子２１は、全ての画素２０に対して共通に配線された共通電源線３４にカソード電極が接続されている。
【００３７】
有機ＥＬ素子２１を駆動する駆動回路は、駆動トランジスタ２２、書込みトランジスタ２３、保持容量２４、及び、補助容量２５、即ち、２つのトランジスタ（Ｔｒ）と２つの容量素子（Ｃ）を有する、２Ｔｒ２Ｃの回路構成となっている。ここでは、駆動トランジスタ２２及び書込みトランジスタ２３としてＮチャネル型の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を用いている。但し、ここで示した、駆動トランジスタ２２及び書込みトランジスタ２３の導電型の組み合わせは一例に過ぎず、これらの組み合わせに限られるものではない。
【００３８】
駆動トランジスタ２２は、一方の電極（ソース／ドレイン電極）が電源供給線３２（３２1〜３２m）に接続され、他方の電極（ソース／ドレイン電極）が有機ＥＬ素子２１のアノード電極に接続されている。書込みトランジスタ２３は、一方の電極（ソース／ドレイン電極）が信号線３３（３３1〜３３n）に接続され、他方の電極（ソース／ドレイン電極）が駆動トランジスタ２２のゲート電極に接続されている。また、書込みトランジスタ２３のゲート電極は、走査線３１（３１1〜３１m）に接続されている。
【００３９】
駆動トランジスタ２２及び書込みトランジスタ２３において、一方の電極とは、一方のソース／ドレイン領域に電気的に接続された金属配線を言い、他方の電極とは、他方のソース／ドレイン領域に電気的に接続された金属配線を言う。また、一方の電極と他方の電極との電位関係によって一方の電極がソース電極ともなればドレイン電極ともなり、他方の電極がドレイン電極ともなればソース電極ともなる。
【００４０】
保持容量２４は、一方の電極が駆動トランジスタ２２のゲート電極に接続され、他方の電極が駆動トランジスタ２２の他方の電極、及び、有機ＥＬ素子２１のアノード電極に接続されている。補助容量２５は、一方の電極が有機ＥＬ素子２１のアノード電極に、他方の電極が有機ＥＬ素子２１のカソード電極にそれぞれ接続されている、即ち、有機ＥＬ素子２１に対して並列に接続されている。
【００４１】
上記の構成において、書込みトランジスタ２３は、書込み走査部４０から走査線３１を通してゲート電極に印加される、高電圧の状態がアクティブ状態となる書込み走査信号ＷＳに応答して導通状態となる。これにより、書込みトランジスタ２３は、信号線３３を通して信号出力部６０から異なるタイミングで供給される、輝度情報に応じた映像信号の信号電圧Ｖsig又は基準電圧Ｖofsをサンプリングし、画素２０内に書き込む。書込みトランジスタ２３によって書き込まれた信号電圧Ｖsig又は基準電圧Ｖofsは保持容量２４に保持される。
【００４２】
駆動トランジスタ２２は、電源供給線３２（３２1〜３２m）の電源電圧ＤＳが第１電源電圧Ｖccpにあるときには、一方の電極がドレイン電極、他方の電極がソース電極となって飽和領域で動作する。これにより、駆動トランジスタ２２は、電源供給線３２から電流の供給を受けて有機ＥＬ素子２１を電流駆動にて発光駆動する。より具体的には、駆動トランジスタ２２は、飽和領域で動作することにより、保持容量２４に保持された信号電圧Ｖsigの電圧値に応じた電流値の駆動電流を有機ＥＬ素子２１に供給し、当該有機ＥＬ素子２１を電流駆動することによって発光させる。
【００４３】
駆動トランジスタ２２は更に、電源電圧ＤＳが第１電源電圧Ｖccpから第２電源電圧Ｖiniに切り替わったときには、一方の電極がソース電極、他方の電極がドレイン電極となってスイッチングトランジスタとして動作する。これにより、駆動トランジスタ２２は、有機ＥＬ素子２１への駆動電流の供給を停止し、有機ＥＬ素子２１を非発光状態にする。すなわち、駆動トランジスタ２２は、有機ＥＬ素子２１の発光／非発光を制御するトランジスタとしての機能をも併せ持っている。
【００４４】
この駆動トランジスタ２２のスイッチング動作により、有機ＥＬ素子２１が非発光状態となる期間（非発光期間）を設け、有機ＥＬ素子２１の発光期間と非発光期間の割合（デューティ）を制御することができる。このデューティ制御により、１表示フレーム期間に亘って画素が発光することに伴う残像ボケを低減できるために、特に、動画の画品位をより優れたものとすることができる。
【００４５】
電源供給走査部５０から電源供給線３２を通して選択的に供給される第１，第２電源電圧Ｖccp，Ｖiniのうち、第１電源電圧Ｖccpは有機ＥＬ素子２１を発光駆動する駆動電流を駆動トランジスタ２２に供給するための電源電圧である。また、第２電源電圧Ｖiniは、有機ＥＬ素子２１に対して逆バイアスを掛けるための電源電圧である。この第２電源電圧Ｖiniは、基準電圧Ｖofsよりも低い電圧、例えば、駆動トランジスタ２２の閾値電圧をＶthとするときＶofs−Ｖthよりも低い電圧、好ましくは、Ｖofs−Ｖthよりも十分に低い電圧に設定される。
【００４６】
画素アレイ部３０の各画素２０は、駆動トランジスタ２２の特性のばらつきに起因する駆動電流のばらつきを補正する機能を有している。駆動トランジスタ２２の特性としては、例えば、駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖthや、駆動トランジスタ２２のチャネルを構成する半導体薄膜の移動度ｕ（以下、単に「駆動トランジスタ２２の移動度ｕ」と記述する）を例示することができる。
【００４７】
閾値電圧Ｖthのばらつきに起因する駆動電流のばらつきの補正（以下、「閾値補正」と記述する）は、駆動トランジスタ２２のゲート電圧Ｖgを基準電圧Ｖofsに初期化することによって行われる。具体的には、駆動トランジスタ２２のゲート電圧Ｖgの初期化電圧（基準電圧Ｖofs）を基準として当該初期化電圧から駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖthを減じた電位に向けて、駆動トランジスタ２２のソース電圧Ｖsを変化させる動作が行われる。この動作が進むと、やがて、駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間電圧Ｖgsが駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖthに収束する。この閾値電圧Ｖthに相当する電圧は保持容量２４に保持される。そして、保持容量２４に閾値電圧Ｖthに相当する電圧が保持されていることで、映像信号の信号電圧Ｖsigによる駆動トランジスタ２２の駆動の際に、駆動トランジスタ２２に流れるドレイン−ソース間電流Ｉdsの閾値電圧Ｖthに対する依存性を抑えることができる。
【００４８】
一方、移動度ｕのばらつきに起因する駆動電流のばらつきの補正（以下、「移動度補正」と記述する）は、書込みトランジスタ２３が導通状態となり、映像信号の信号電圧Ｖsigを書き込んでいる状態で、駆動トランジスタ２２を介した電流を保持容量２４に流すことによって行われる。換言すれば、駆動トランジスタ２２に流れる電流Ｉdsに応じた帰還量（補正量）で保持容量２４に負帰還をかけることによって行われる。上記の閾値補正により、映像信号を書き込んだときには既にドレイン−ソース間電流Ｉdsの閾値電圧Ｖthに対する依存性が打ち消されており、当該ドレイン−ソース間電流Ｉdsは、駆動トランジスタ２２の移動度ｕに依存したものとなっている。従って、駆動トランジスタ２２に流れる電流Ｉdsに応じた帰還量で駆動トランジスタ２２のドレイン−ソース間電圧Ｖdsに負帰還をかけることで、駆動トランジスタ２２に流れるドレイン−ソース間電流Ｉdsの移動度ｕに対する依存性を抑えることができる。
【００４９】
［共振器構造］
上述した、発光色が異なる複数の副画素から成る単位画素２０が行列状に配置されて成る有機ＥＬ表示装置１０においては、色域の拡大や発光効率の向上を図る目的で、共振効果によって特定の波長の光を強調する共振器構造を採用している。以下に、共振器構造の従来例について図３を用いて説明する。
【００５０】
図３は、共振器構造を有するＲ（ＲＥＤ），Ｇ（ＧＲＥＥＮ），Ｂ（ＢＬＵＥ）の３つの副画素２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂの従来例に係る画素構造を示す断面図である。図３に示す従来例に係る画素構造において、カソード電極８１は、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）と銀（Ａｇ）との合金（Ｍｇ-Ａｇ合金）から成り、半透過板（半透過電極）を兼ねた構成となっており、全画素（副画素）共通に設けられている。カソード電極８１は、発光機能層である有機層８２の上に形成されている。カソード電極８１の上には、当該カソード電極８１を保護する保護膜８３が形成されている。
【００５１】
有機層８２は、白色光を発光する白色発光機能層であり、透明導電材料である例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide：酸化インジウム・スズ）から成るアノード電極８４Ｒ，８４Ｇ，８４Ｂの上に形成されている。アノード電極８４Ｒ，８４Ｇ，８４Ｂの下方には副画素２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂ毎に、例えば、アルミニウム（Ａｌ）と銅（Ｃｕ）との合金（Ａｌ-Ｃｕ合金）から成る反射板８５Ｒ，８５Ｇ，８５Ｂが配されている。また、アノード電極８４Ｒ，８４Ｇ，８４Ｂと反射板８５Ｒ，８５Ｇ，８５Ｂとの間には層間膜８６が介在している。
【００５２】
上記の構成の従来例に係る画素構造において、半透過電極であるカソード電極８１と反射板８５Ｒ，８５Ｇ，８５Ｂとにより、白色発光機能層である有機層８２で発生した光を共振させる共振器構造が構成されている。この共振器構造では、アノード電極８４Ｒ，８４Ｇ，８４Ｂと反射板８５Ｒ，８５Ｇ，８５Ｂとの間に介在する層間膜８６の膜厚を変えることにより、カソード電極８１と反射板８５Ｒ，８５Ｇ，８５Ｂとの間の光路長を発光色毎に変えて最適化し、画素（副画素）毎に発光色を変えるようにしている。
【００５３】
共振器構造を有する副画素２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂを備える有機ＥＬ表示装置１０において、共振効果を最大限に活かすには、共振器構造の最終的な光路長のバラツキを抑制する必要がある。
【００５４】
しかしながら、上記の構成の従来例に係る画素構造では、アノード電極８４Ｒ，８４Ｇ，８４Ｂと反射板８５Ｒ，８５Ｇ，８５Ｂとの間に層間膜８６を介在させ、当該層間膜８６の膜厚を変えることによってカソード電極８１と反射板８５Ｒ，８５Ｇ，８５Ｂとの間の光路長を最適化するようにしている。そのため、最終的な光路長は、加工のできない発光機能層である有機層８２の成膜のみで決まってしまい、最終的な光路長にバラツキがあっても調整することが困難となる。その結果、共振効果を最大限に活かすことができないため、色域や発光効率のバラツキを生むことになる。
【００５５】
＜本開示の一実施形態＞
そこで、本開示の一実施形態では、共振効果を最大限に活かして、共振効果をより高めるようにするために、反射板と半透過板とが発光色毎に異なる距離で配置されて共振器構造を構成する画素構造において、カソード電極の機能と半透過板の機能とを分けた構造とする。そして、反射板と半透過板との間に、発光機能層である有機層、透明なカソード電極、及び、カソード電極を保護する保護膜を順に積層し、保護膜の上に半透過板を形成した構成を採っている。
【００５６】
このように、本実施形態に係る画素構造では、発光機能層上にカソード電極を配置し、カソード電極の上に保護膜を介して半透過板を配置し、発光色毎に距離が異なる半透過板と反射板との間で共振効果を得る構造となっている。この共振器構造によれば、保護膜を成膜した後に半透過板を形成することになり、半透過板と反射板との間の最終的な光路長を保護膜の加工によって決定できるため、共振器構造の最終的な光路長のバラツキを抑制することができる。その結果、共振効果を最大限に活かして、共振効果をより高めることができる。
【００５７】
発光機能層である有機層は、発光層（例えば、有機発光材料から成る発光層）を備えている。この有機層は、具体的には、例えば、正孔輸送層と発光層と電子輸送層との積層構造、正孔輸送層と電子輸送層を兼ねた発光層との積層構造、正孔注入層と正孔輸送層と発光層と電子輸送層と電子注入層との積層構造等から構成することができる。
【００５８】
また、これらの積層構造等をタンデムユニットとする場合、有機層は、第１のタンデムユニット、接続層、及び、第２のタンデムユニットが積層された２段のタンデム構造を有していてもよく、更には、３つ以上のタンデムユニットが積層された３段以上のタンデム構造を有していてもよい。これらの場合、発光色を赤色、緑色、青色と各タンデムユニットで変えることで、全体として白色を発光する有機層（白色発光機能層）を得ることができ、タンデム構造の白色有機ＥＬ素子となる。
【００５９】
図４は、典型的なタンデム構造の白色有機ＥＬ素子の構造の一例を示す要部の断面図である。ここでは、共振器構造を持たないタンデム構造の白色有機ＥＬ素子について、一例として、３段タンデム構造の場合を例に挙げ、図面の簡略化のために、基本的な構造について簡素化して示している。また、ＲＧＢの３つの副画素のうち、２つの副画素の画素構造について図示している。
【００６０】
図４において、ウインド絶縁膜７１の凹部７１Ａの底部には、アノード電極８４（８４Ｒ，８４Ｇ，８４Ｂ）が画素（副画素）単位で設けられている。このアノード電極８４と全画素共通に設けられたカソード電極８１との間には、有機層８２が全画素共通に設けられて白色有機ＥＬ素子２１Ｗを構成している。そして、カソード電極８１の上には層間絶縁膜７２が積層されている。
【００６１】
白色有機ＥＬ素子２１Ｗにおいて、有機層８２は、アノード電極８４の上に、一例として、電荷注入層８２１、Ｒの発光層８２２Ｒ、接続層８２３、Ｇの発光層８２２Ｇ、接続層８２４、及び、Ｂの発光層８２２Ｂが順に全画素共通に堆積されることによって形成されている。そして、図２の駆動トランジスタ２２による電流駆動の下に、駆動トランジスタ２２からアノード電極８４を通して有機層８２に電流が流れることで、当該有機層８２内の各発光層８２２Ｒ，８２２Ｇ，８２２Ｂにおいて電子と正孔が再結合する際に発光するようになっている。このとき、Ｒ，Ｇ，Ｂの各発光層８２２Ｒ，８２２Ｇ，８２２Ｂの発光色が重ね合わされて（合成されて）白色光となる。
【００６２】
以下に、共振器構造を有する本実施形態に係る画素構造の具体的な実施例について説明する。
【００６３】
［実施例１］
図５は、共振器構造を有する共振器構造を有するＲＧＢ３つの副画素の実施例１に係る画素構造を示す断面図である。
【００６４】
図５において、ＲＧＢの副画素２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂの各反射板８５Ｒ，８５Ｇ，８５Ｂは、例えば、Ａｌ-Ｃｕ合金から成り、層間膜８６の表層部に各発光色間で同一の層として形成されている。ＲＧＢの副画素２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂの各々において、反射板８５Ｒ，８５Ｇ，８５Ｂの上には、例えば、ＩＴＯから成る透明なアノード電極８４Ｒ，８４Ｇ，８４Ｂが形成されている。
【００６５】
アノード電極８４Ｒ，８４Ｇ，８４Ｂの上には、白色発光機能層である有機層８２が形成されている。この有機層８２の上には、例えば、ＩＴＯから成る透明なカソード電極８１が全画素共通に形成されている。そして、カソード電極８１の上には、当該カソード電極８１を保護する保護膜８３Ａがシリコン窒化膜ＳｉＮ等によって形成されている。保護膜８３Ａは、副画素２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂ毎に膜厚差を有している。この膜厚差は、ドライエッチング加工等によって形成することができる。
【００６６】
副画素２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂ毎に膜厚差を有する保護膜８３Ａの上には、例えば、Ｍｇ-Ａｇ合金やアルミナＡｌ2Ｏ3によって半透過板８７Ｒ，８７Ｇ，８７Ｂがハーフミラーとして成膜されている。半透過板８７Ｒ，８７Ｇ，８７Ｂの上には、これら半透過板８７Ｒ，８７Ｇ，８７Ｂを保護する保護膜８３Ｂがシリコン窒化膜ＳｉＮ等によって形成されている。
【００６７】
上記の構成の実施例１に係る画素構造にあっては、カソード電極８１とは機能を別にする半透過板８７Ｒ，８７Ｇ，８７Ｂと反射板８５Ｒ，８５Ｇ，８５Ｂとにより、白色発光機能層である有機層８２で発生した光を共振させる共振器構造が構成されている。この共振器構造では、カソード電極８１と半透過板８７Ｒ，８７Ｇ，８７Ｂとの間に介在する保護膜８３Ａの膜厚を変えることにより、半透過板８７Ｒ，８７Ｇ，８７Ｂと反射板８５Ｒ，８５Ｇ，８５Ｂとの間の光路長を発光色毎に変えて最適化し、画素（副画素）毎に発光色を変えるようにしている。
【００６８】
実施例１に係る画素構造における共振器構造によれば、保護膜８３Ａを成膜し、ドライエッチング加工等によって各発光色毎に段差を形成し、段差形成後に半透過板８７Ｒ，８７Ｇ，８７Ｂを形成することになる。これにより、半透過板８７Ｒ，８７Ｇ，８７Ｂと反射板８５Ｒ，８５Ｇ，８５Ｂとの間の最終的な光路長を保護膜８３Ａの加工によって決定できる。従って、共振器構造の最終的な光路長のバラツキを抑制することができるため、共振効果を最大限に活かして、共振効果をより高めることができる。その結果、色域や発光効率のバラツキを抑えることができる。
【００６９】
先述した従来例に係る画素構造（図３参照）では、アノード電極８４Ｒ，８４Ｇ，８４Ｂと反射板８５Ｒ，８５Ｇ，８５Ｂとの間に層間膜８６を介在させ、当該層間膜８６の膜厚を変えることによってカソード電極８１と反射板８５Ｒ，８５Ｇ，８５Ｂとの間の光路長を最適化するようにしている。従って、反射板８５Ｒ，８５Ｇ，８５Ｂとは別に、アノード電極８４Ｒ，８４Ｇ，８４Ｂである透明電極が必要となる。
【００７０】
実施例１に係る画素構造の場合には、上記の例では、反射板８５Ｒ，８５Ｇ，８５Ｂとは別に透明電極であるアノード電極８４Ｒ，８４Ｇ，８４Ｂを設ける構成としているが、反射板８５Ｒ，８５Ｇ，８５Ｂにアノード電極８４Ｒ，８４Ｇ，８４Ｂの機能を持たせる構成を採ることも可能である。すなわち、反射板８５Ｒ，８５Ｇ，８５Ｂをアノード電極８４Ｒ，８４Ｇ，８４Ｂとして兼用することも可能である。
【００７１】
［実施例２］
図６は、共振器構造を有する共振器構造を有するＲＧＢ３つの副画素の実施例２に係る画素構造を示す断面図である。
【００７２】
図６に示すように、アノード電極８４Ｒ，８４Ｇ，８４Ｂは透明電極から成り、層間膜８６と白色発光機能層である有機層８２との間に設けられている。そして、実施例２に係る画素構造では、アノード電極８４Ｒ，８４Ｇ，８４Ｂと反射板８５Ｒ，８５Ｇ，８５Ｂとの間に介在する層間膜８６の膜厚を変えることにより、画素（副画素）毎に発光色を変えるようにしている。この点については、先述した従来例に係る画素構造（図３参照）と同様である。但し、カソード電極８１とは別に半透過板８７Ｒ，８７Ｇ，８７Ｂを設け、カソード電極８１の上に保護膜８３Ａを形成し、保護膜８３Ａの上にカソード電極８１を形成している点で、構成上、従来例に係る画素構造とは大きく異なっている。
【００７３】
上記の構成の実施例２に係る画素構造においても、実施例１に係る画素構造と同様に、カソード電極８１とは機能を異にする半透過板８７Ｒ，８７Ｇ，８７Ｂと反射板８５Ｒ，８５Ｇ，８５Ｂとにより、白色発光機能層である有機層８２で発生した光を共振させる共振器構造が構成されている。但し、実施例１に係る画素構造とは異なり、アノード電極８４Ｒ，８４Ｇ，８４Ｂと反射板８５Ｒ，８５Ｇ，８５Ｂとの間に介在する層間膜８６の膜厚を変えることにより、半透過板８７Ｒ，８７Ｇ，８７Ｂと反射板８５Ｒ，８５Ｇ，８５Ｂとの間の光路長を発光色毎に変えて最適化し、画素（副画素）毎に発光色を変えるようにしている。
【００７４】
実施例２に係る画素構造における共振器構造によれば、保護膜８３Ａを成膜した後に半透過板８７Ｒ，８７Ｇ，８７Ｂを形成することになる。これにより、半透過板８７Ｒ，８７Ｇ，８７Ｂと反射板８５Ｒ，８５Ｇ，８５Ｂとの間の最終的な光路長を保護膜８３Ａの加工によって決定できる。従って、共振器構造の最終的な光路長のバラツキを抑制することができるため、共振効果を最大限に活かして、共振効果をより高めることができる。その結果、色域や発光効率のバラツキを抑えることができる。
【００７５】
＜電子機器＞
以上説明した本開示の表示装置は、電子機器に入力された映像信号、若しくは、電子機器内で生成した映像信号を、画像若しくは映像として表示するあらゆる分野の電子機器の表示部（表示装置）として用いることができる。一例として、例えば、テレビジョンセット、デジタルスチルカメラ、ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話機等の携帯端末装置、ビデオカメラ、ヘッドマウントディスプレイ等の表示部として用いることができる。
【００７６】
このように、あらゆる分野の電子機器において、その表示部として本開示の表示装置を用いることにより、以下のような効果を得ることができる。すなわち、本開示の技術によれば、共振効果を最大限に活かして、共振効果をより高めることができ、その結果、色域や発光効率のバラツキを抑えることができるため、表示品位の向上に寄与することができる。
【００７７】
本開示の表示装置は、封止された構成のモジュール形状のものをも含む。一例として、画素アレイ部に透明なガラス等の対向部が貼り付けられて形成された表示モジュールが該当する。尚、表示モジュールには、外部から画素アレイ部への信号等を入出力するための回路部やフレキシブルプリントサーキット（ＦＰＣ）などが設けられていてもよい。以下に、本開示の表示装置を用いる電子機器の具体例として、デジタルスチルカメラ及びヘッドマウントディスプレイを例示する。但し、ここで例示する具体例は一例に過ぎず、これに限られるものではない。
【００７８】
（具体例１）
図７は、レンズ交換式一眼レフレックスタイプのデジタルスチルカメラの外観図であり、図７Ａにその正面図を示し、図７Ｂにその背面図を示す。レンズ交換式一眼レフレックスタイプのデジタルスチルカメラは、例えば、カメラ本体部（カメラボディ）１１１の正面右側に交換式の撮影レンズユニット（交換レンズ）１１２を有し、正面左側に撮影者が把持するためのグリップ部１１３を有している。
【００７９】
そして、カメラ本体部１１１の背面略中央にはモニタ１１４が設けられている。モニタ１１４の上部には、ビューファインダ（接眼窓）１１５が設けられている。撮影者は、ビューファインダ１１５を覗くことによって、撮影レンズユニット１１２から導かれた被写体の光像を視認して構図決定を行うことが可能である。
【００８０】
上記の構成のレンズ交換式一眼レフレックスタイプのデジタルスチルカメラにおいて、そのビューファインダ１１５として本開示の表示装置を用いることができる。すなわち、本例に係るレンズ交換式一眼レフレックスタイプのデジタルスチルカメラは、そのビューファインダ１１５として本開示の表示装置を用いることによって作製される。
【００８１】
（具体例２）
図８は、ヘッドマウントディスプレイの外観図である。ヘッドマウントディスプレイは、例えば、眼鏡形の表示部２１１の両側に、使用者の頭部に装着するための耳掛け部２１２を有している。このヘッドマウントディスプレイにおいて、その表示部２１１として本開示の表示装置を用いることができる。すなわち、本例に係るヘッドマウントディスプレイは、その表示部２１１として本開示の表示装置を用いることによって作製される。
【００８２】
尚、本開示は以下のような構成をとることもできる。
［１］反射板と半透過板とが発光色毎に異なる距離で配置され、
反射板と半透過板との間に、
発光層を含む発光機能層、
透明なカソード電極、及び、
カソード電極を保護する保護膜が、順に、積層されており、
半透過板は、保護膜の上に形成されている、
表示装置。
［２］保護膜は、膜厚が発光色毎に異なる、
上記［１］に記載の表示装置。
［３］反射板と発光機能層との間に、透明なアノード電極を有する、
上記［１］又は上記［２］に記載の表示装置。
［４］反射板は、アノード電極の機能を持つ、
上記［１］又は上記［２］に記載の表示装置。
［５］反射板と発光機能層との間に、発光色毎に膜厚が異なる層間膜を有する、
上記［１］に記載の表示装置。
［６］層間膜と発光機能層との間に、透明なアノード電極を有する、
上記［５］に記載の表示装置。
［７］発光機能層は、白色光を発光する、
上記［１］から上記［６］のいずれかに記載の表示装置。
［８］発光機能層は、赤色光を発光する赤色発光機能層、緑色光を発光する緑色発光機能層、及び、青色光を発光する青色発光機能層が積層されて成る、
上記［７］に記載の表示装置。
［９］反射板と半透過板とが発光色毎に異なる距離で配置され、
反射板と半透過板との間に、
発光層を含む発光機能層、
透明なカソード電極、及び、
カソード電極を保護する保護膜が、順に、積層されており、
半透過板は、保護膜の上に形成されている、
表示装置を有する電子機器。
【符号の説明】
【００８３】
１０・・・有機ＥＬ表示装置、２０（２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂ）・・・単位画素（画素／画素回路）、２１（２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂ，２１Ｗ）・・・有機ＥＬ素子、２２・・・駆動トランジスタ、２３・・・書込みトランジスタ、２４・・・保持容量、２５・・・補助容量、３０・・・画素アレイ部、３１（３１1〜３１m）・・・走査線、３２（３２1〜３２m）・・・電源供給線、３３（３３1〜３３n）・・・信号線、３４・・・共通電源線、４０・・・書込み走査部、５０・・・電源供給走査部、６０・・・信号出力部、７０・・・表示パネル、８１・・・カソード電極、８２・・・有機層（白色発光機能層）、８３，８３Ａ，８３Ｂ・・・保護膜、８４Ｒ，８４Ｇ，８４Ｂ・・・アノード電極、８５Ｒ，８５Ｇ，８５Ｂ・・・反射板、８６・・・層間膜、８７Ｒ，８７Ｇ，８７Ｂ・・・半透過板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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