(57)【要約】【課題】表示装置において、液体注入によるシャッターの不具合を抑える。【解決手段】表示装置１０は、第１基板１１と、第２基板２１と、シール部材２４と、シール部材２４で囲まれる空間に封入される液体とを備える。第１基板１１は、複数の配線と、複数のスイッチング素子１７と、複数の配線及び複数のスイッチング素子１７を覆う平坦化膜１０３と、平坦化膜１０３上において、複数のシャッター体２それぞれに対向して設けられ、複数のスイッチング素子１７と電気的に接続される複数の駆動ビーム６１、６２とを有する。平坦化膜１０３の周縁部１０３ａは、シール部材２４の外周面２４ａに露出しないように設けられ、且つ、平坦化膜１０３の周縁部１０３ａの少なくとも一部は、シール部材２４と重畳している。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光が透過可能な複数の第１開口部と、前記第１開口部に対して可動な状態で支持される複数のシャッター体とを有する第１基板と、
前記第１基板に対向して設けられ、前記複数の第１開口部と対応する複数の第２開口部を有する第２基板と、
前記第１基板及び前記第２基板との間において、前記複数のシャッター体が配置される領域を囲むように設けられたシール部材と、
前記第１基板及び前記第２基板の間において前記シール部材で囲まれる空間に封入される液体とを備え、
前記第１基板は、
複数の配線と、
前記複数の配線にそれぞれ接続される複数のスイッチング素子と、
前記複数の配線及び前記複数のスイッチング素子を覆う平坦化膜と、
前記平坦化膜上において、前記複数のシャッター体それぞれに対向して設けられ、前記複数のスイッチング素子と電気的に接続される複数の駆動ビームと、を有し、
前記シール部材は、前記液体を注入するための注入口を残して前記複数のシャッター体が設けられる領域を囲むシール本体と、前記注入口を塞ぐふた部を含み、
前記平坦化膜の周縁部は、前記シール部材の外周面に露出しないように設けられ、且つ、前記平坦化膜の周縁部は、前記シール本体と、少なくとも前記注入口が形成される部分において前記第１基板に垂直な方向に重畳している、表示装置。
【請求項２】
前記シール部材は、少なくとも３辺を有する多角形で形成され、
前記平坦化膜の周縁部は、前記シール部材の前記注入口が設けられる辺において、前記シール本体と重畳している、請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記平坦化膜の周縁部は、前記注入口が設けられる辺及びその辺に接続される２辺において、前記シール本体と重畳している、請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記シール本体の内周面全体にわたって前記平坦化膜の周縁部が前記シール本体と重畳している、請求項１〜３のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項５】
前記平坦化膜は、有機絶縁膜である、請求項１〜４のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項６】
前記シール部材に重畳する前記平坦化膜の周縁部から、前記シール部材の外周面までの距離は、１．４ｍｍ以上である、請求項１〜５のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項７】
前記シール部材の前記液体に接する面から前記シール部材と重なる前記平坦化膜の周縁部までの距離は、０．５ｍｍ以下である、請求項１〜６のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項８】
前記ふた部は、前記平坦化膜の周縁部と重畳しない位置に設けられる、請求項１〜７のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか１項に記載の表示装置において、
前記第１基板は、
前記シャッター体と電気的に接続され、印加される電圧に応じて弾性変形し、当該シャッター体を移動可能にするシャッタービームと、
前記シャッタービームと電気的に接続され、前記シャッタービームを前記平坦化膜上で支持するシャッタービームアンカーと、
前記駆動ビームと電気的に接続され、前記駆動ビームを前記平坦化膜上で支持する駆動ビームアンカーとを、さらに備える、表示装置。
【請求項１０】
第１基板に、複数の配線及び前記複数の配線それぞれに電気的に接続される複数のスイッチング素子を形成する工程と、
前記第１基板に、前記複数の配線及び前記複数のスイッチング素子を覆う平坦化膜を形成する工程と、
前記平坦化膜上に、前記複数のスイッチング素子それぞれに電気的に接続される複数の駆動ビーム及び、前記複数の駆動ビームそれぞれに対向して設けられ、前記第１基板に対して可動に支持される複数のシャッターを形成する工程と、
前記複数のシャッターが形成された領域を、注入口を残して囲むようにシール本体を設ける工程と、
前記シール本体により、前記第１基板に対して、第２基板を貼り合わせる工程と、
前記第１基板、第２基板及び前記シール本体で囲まれた空間に、前記注入口から液体を充填する工程と、
前記注入口を塞ぐふた部を形成する工程とを有し、
前記シール本体を設ける工程において、前記シール本体は、前記平坦化膜の周縁部が前記シール本体の外周面に露出せず、且つ、前記平坦化膜の周縁部が、少なくとも前記注入口が形成される部分において前記シール本体と前記第１基板に垂直な方向に重畳するように設けられる、表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、メカニカルシャッターを用いた表示装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、メカニカル（機械式）シャッターを用いた表示装置として、ＭＥＭＳディスプレイ（Micro Electro Mechanical System Display）が提案されている。例えば、下記特許文献１には、透過型のＭＥＭＳディスプレイが開示されている。このＭＥＭＳディスプレイでは、ＴＦＴ基板に、ＭＥＭＳからなる複数のシャッター機構が画素に対応してマトリクス状に配列される。対向基板のＴＦＴ基板側に積層された遮光膜には、画素に対応してマトリクス状に並ぶ複数の開口部が設けられる。シャッター機構のシャッター部が移動することにより、開口部を開閉し、バックライトユニットから表示面へ光を透過させたり遮断したりする。このようなＭＥＭＳディスプレイにおいては、ＴＦＴ基板と対向基板との間に、液体が、潤滑剤として、シャッター部を取り囲むように収容されることがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１０−５１７０７２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
このように、一対の基板の間に液体が収容されたＭＥＭＳディスプレイの作製においては、シール部材により互いに貼り合わされた一対の基板の間に液体を注入する工程が含まれる。この液体の注入時に、液体の流れによって基板に形成されたシャッターが動かされて不適切な位置で固定されてしまう事態が起こり得る。シャッターが固定されて動けなくなれば、そのシャッターが配置された画素では、透過光の制御ができなくなる。
【０００５】
そこで、本願は、液体注入によるシャッターの不具合を抑えることができる表示装置及びその製造方法を開示する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一実施形態における表示装置は、光が透過可能な複数の第１開口部と、前記第１開口部に対して可動な状態で支持される複数のシャッター体とを有する第１基板と、前記第１基板に対向して設けられ、前記複数の第１開口部と対応する複数の第２開口部を有する第２基板と、前記第１基板及び前記第２基板との間において、前記複数のシャッター体が配置される領域を囲むように設けられたシール部材と、前記第１基板及び前記第２基板の間において前記シール部材で囲まれる空間に封入される液体とを備える。前記第１基板は、複数の配線と、前記複数の配線にそれぞれ接続される複数のスイッチング素子と、前記複数の配線及び前記複数のスイッチング素子を覆う平坦化膜と、前記平坦化膜上において、前記複数のシャッター体それぞれに対向して設けられ、前記複数のスイッチング素子と電気的に接続される複数の駆動ビームと、を有する。前記シール部材は、前記液体を注入するための注入口を残して前記複数のシャッター体が設けられる領域を囲むシール本体と、前記注入口を塞ぐふた部を含む。前記平坦化膜の周縁部は、前記シール部材の外周面に露出しないように設けられ、且つ、前記平坦化膜の周縁部は、前記シール本体と、少なくとも前記注入口が形成される部分において前記第１基板に垂直な方向に重畳している。
【発明の効果】
【０００７】
本願開示によれば、表示装置において、液体注入によるシャッターの不具合を抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】図１は、本実施形態における表示装置の構成例を示す斜視図である。
【図２】図２は、表示装置１０の等価回路図である。
【図３】図３は、表示装置１０の１つの画素における構成例を示す断面図である。
【図４】図４は、１つの画素におけるシャッター機構の詳細な構成例を示す斜視図である。
【図５】図５は、図４に示すシャッター機構の平面図である。
【図６】図６は、シャッターの駆動例を示す図である。
【図７】図７は、シャッターの駆動例を示す図である。
【図８】図８は、１つの画素における回路構成例を示す等価回路図である。
【図９】図９は、１つの画素における回路構成の他の例を示す等価回路図である。
【図１０】図１０は、第１基板１１と第２基板２１の間のスペースに液体（オイル）を注入する様子の例を説明するための平面図である。
【図１１】図１１は、図１０のＡ−Ａ線の断面図である。
【図１２】図１２は、図１０に示すシール本体２４Ｄにおいて、注入口２４ｃを塞ぐふた部２４ｅを設けた場合の構成例を示す図である。
【図１３】図１３は、平坦化膜１０３−１の周縁部１０３ａ−１が、シール部材２４から離れた位置に形成される場合のオイル注入の例を説明するための図である。
【図１４】図１４は、図１３のＢ−Ｂ線の断面図である。
【図１５】図１５は、図１３及び図１４に示す構成の表示装置の各画素の動作試験の結果例を示す図である。
【図１６】図１６は、図１５における領域Ｒ１の拡大図である。
【図１７】図１７は、図１０及び図１１に示す構成の表示装置の各画素の動作試験の結果例を示す図である。
【図１８】図１８は、図１７における領域Ｒ１の拡大図である。
【図１９】図１９は、図１０に示す構成の変形例を示す図である。
【図２０】図２０は、図１０に示す構成の他の変形例を示す図である。
【図２１】図２１は、表示装置の製造工程の一例の説明図である。
【図２２】図２２は、表示装置の製造工程の一例の説明図である。
【図２３】図２３は、表示装置の製造工程の一例の説明図である。
【図２４】図２４は、表示装置の製造工程の一例の説明図である。
【図２５】図２５は、表示装置の製造工程の一例の説明図である。
【図２６】図２６は、表示装置の製造工程の一例の説明図である。
【図２７】図２７は、表示装置の製造工程の一例の説明図である。
【図２８】図２８は、表示装置の製造工程の一例の説明図である。
【図２９】図２９は、表示装置の膜構成の変形例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
本発明の一実施形態における表示装置は、光が透過可能な複数の第１開口部と、前記第１開口部に対して可動な状態で支持される複数のシャッター体とを有する第１基板と、前記第１基板に対向して設けられ、前記複数の第１開口部と対応する複数の第２開口部を有する第２基板と、前記第１基板及び前記第２基板との間において、前記複数のシャッター体が配置される領域を囲むように設けられたシール部材と、前記第１基板及び前記第２基板の間において前記シール部材で囲まれる空間に封入される液体とを備える。前記第１基板は、複数の配線と、前記複数の配線にそれぞれ接続される複数のスイッチング素子と、前記複数の配線及び前記複数のスイッチング素子を覆う平坦化膜と、前記平坦化膜上において、前記複数のシャッター体それぞれに対向して設けられ、前記複数のスイッチング素子と電気的に接続される複数の駆動ビームと、を有する。前記シール部材は、前記液体を注入するための注入口を残して前記複数のシャッター体が設けられる領域を囲むシール本体と、前記注入口を塞ぐふた部を含む。前記平坦化膜の周縁部は、前記シール部材の外周面に露出しないように設けられ、且つ、前記平坦化膜の周縁部は、前記シール本体と、少なくとも前記注入口が形成される部分において前記第１基板に垂直な方向に重畳している。
【００１０】
上記構成によれば、第１基板において、シャッターを駆動させるための配線及びスイッチング素子を覆う平坦化膜の上に、駆動ビーム及びシャッターが設けられる。この平坦化膜の周縁部は、第１基板と第２基板の間に封入された液体を囲むように設けられたシール部材の外周面に露出しないように設けられる。これにより、シール部材により封止される第１基板と第２基板の間の空間における防湿性の低下を抑えることができる。さらに、平坦化膜の周縁部が、少なくとも注入口が形成されるシール本体の部分と重畳することで、シール部材で囲まれる空間へ、液体が、注入口から流れ込む際に、平坦化膜の周縁部により影響を受けることが少なくなる。これにより、液体が注入される空間において、シャッター及び駆動ビームが設けられる平坦化膜の面と、平坦化膜が設けられない箇所の面との段差部分が少なくなる。そのため、液体を注入する際に、液体の流れが乱れにくくなる。その結果、液体の注入によるシャッターの不具合が発生しにくくなる。
【００１１】
前記シール部材は、少なくとも３辺を有する多角形で形成することができる。前記平坦化膜の周縁部は、前記シール部材の前記注入口が設けられる辺において、前記シール本体と重畳している構成とすることができる。これにより、注入口が設けられる辺において、平坦化膜の周縁部による段差をなくすことができる。そのため、注入口から注入された液体の流れがより乱れにくくなる。
【００１２】
前記平坦化膜の周縁部は、前記注入口が設けられる辺及びその辺に接続される２辺において、前記シール本体と重畳している構成とすることができる。これにより、注入口が設けられる辺及びその辺に繋がる２辺において、平坦化膜の周縁部による段差をなくすことができる。注入口から注入された液体の流れがより乱れにくくなる。
【００１３】
前記シール本体の内周面全体にわたって前記平坦化膜の周縁部が前記シール本体と重畳している構成とすることができる。これにより、注入される液体の流れがより乱れにくくなる。
【００１４】
前記平坦化膜は、有機絶縁膜とすることができる。これにより、平坦化膜の厚みを、例えば、無機絶縁膜よりも大きくすることができる。そのため、平坦化膜の厚みを大きくしつつも、液体注入時の流れによりシャッターの不具合が発生するのを抑えることができる。
【００１５】
前記シール部材に重畳する前記平坦化膜の周縁部から、前記シール部材の外周面までの距離は、１．４ｍｍ以上とすることができる。これにより、シール部材により封止された空間の防湿性の低下をより抑えることができる。
【００１６】
前記シール部材に重畳する前記平坦化膜の周縁部は、前記第１基板に垂直な方向において前記シール部材と重なる位置に設けられ、前記シール部材の前記液体に接する面から前記シール部材と重なる前記平坦化膜の周縁部までの距離は、０．５ｍｍ以下とすることができる。これにより、シール部材により封止された空間の防湿性低下をより抑えることができる。
【００１７】
前記ふた部は、前記平坦化膜の周縁部と重畳しない位置に設けることができる。これにより、ふた部を容易に形成することができる。
【００１８】
前記第１基板は、前記シャッター体と電気的に接続され、印加される電圧に応じて弾性変形し、当該シャッター体を移動可能にするシャッタービームと、前記シャッタービームと電気的に接続され、前記シャッタービームを前記平坦化膜上で支持するシャッタービームアンカーと、前記駆動ビームと電気的に接続され、前記駆動ビームを前記平坦化膜上で支持する駆動ビームアンカーと、さらに備えることができる。
【００１９】
本発明の一実施形態における表示装置の製造方法は、第１基板に、複数の配線及び前記複数の配線それぞれに電気的に接続される複数のスイッチング素子を形成する工程と、前記第１基板に、前記複数の配線及び前記複数のスイッチング素子を覆う平坦化膜を形成する工程と、前記平坦化膜上に、前記複数のスイッチング素子それぞれに電気的に接続される複数の駆動ビーム及び、前記複数の駆動ビームそれぞれに対向して設けられ、前記第１基板に対して可動に支持される複数のシャッターを形成する工程と、前記複数のシャッターが形成された領域を、注入口を残して囲むようにシール本体を設ける工程と、前記シール本体により、前記第１基板に対して、第２基板を貼り合わせる工程と、前記第１基板、第２基板及び前記シール本体で囲まれた空間に、前記注入口から液体を充填する工程と、前記注入口を塞ぐふた部を形成する工程とを有する。前記シール本体を設ける工程において、前記シール本体は、前記平坦化膜の周縁部が前記シール本体の外周面に露出せず、且つ、前記平坦化膜の周縁部が、少なくとも前記注入口が形成される部分において前記シール本体と前記第１基板に垂直な方向に重畳するように設けられる。
【００２０】
以下、図面を参照し、本発明の実施の形態を詳しく説明する。図中同一又は相当部分には同一符号を付してその説明は繰り返さない。なお、説明を分かりやすくするために、以下で参照する図面においては、構成が簡略化または模式化して示されたり、一部の構成部材が省略されたりしている。また、各図に示された構成部材間の寸法比は、必ずしも実際の寸法比を示すものではない。
【００２１】
＜実施形態１＞
図１は、本実施形態における表示装置の構成例を示す斜視図である。また、図２は、表示装置１０の等価回路図である。図１に示す表示装置１０は、透過型のＭＥＭＳディスプレイである。表示装置１０は、第１基板１１、第２基板２１及びバックライト３１が順に積層された構成を有する。
【００２２】
第１基板１１は、画像を表示するための画素が配置される表示領域１３と、各画素の光の透過を制御する信号を供給するソースドライバ１２及びゲートドライバ１４とを有する。第２基板２１は、バックライト３１のバックライト面を覆うように設置されている。
【００２３】
バックライト３１は、各画素にバックライト光を照射するために、例えば、赤色（Ｒ）光源、緑色（Ｇ）光源、及び青色（Ｂ）光源を有している。バックライト３１は、入力されるバックライト用制御信号に基づいて、所定の光源を発光させる。
【００２４】
図２に示すように、第１基板１１には、複数のデータ線１６と、データ線１６と交差して延びる複数のゲート線１５とが設けられ、データ線１６とゲート線１５とによって画素Ｐが形成されている。これにより、表示領域１３において、マトリクス状に画素Ｐが配置される。画素Ｐそれぞれに対応するシャッター機構Ｓが設けられる。
【００２５】
シャッター機構Ｓには、画素Ｐの表示を制御するシャッター、及びシャッターを駆動させる駆動ビーム（駆動電極）が含まれる。また、各画素Ｐの駆動ビームの電圧信号を制御するスイッチング素子１７が、画素Ｐごとに設けられる。スイッチング素子１７は、例えば、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin film transistor）で構成することができ、データ線１６、ゲート線１５及び駆動ビームに接続される。
【００２６】
各データ線１６はソースドライバ１２に接続され、各ゲート線１５はゲートドライバ１４に接続されている。ゲートドライバ１４は、各ゲート線１５に、ゲート線１５を選択又は非選択の状態に切り替えるゲート信号を順次入力することにより、ゲート線１５を走査する。ソースドライバ１２は、ゲート線１５の走査に同期して、各データ線１６にデータ信号を入力する。これにより、選択されたゲート線１５に接続された各画素Ｐのシャッター機構Ｓに、所望の信号電圧を印加する。
【００２７】
（シャッター機構の構成例）
図３は、表示装置１０の表示領域１３の１つの画素Ｐにおける構成例を示す断面図である。図３に示す例では、第１基板１１、第２基板２１及びバックライト３１が順に重ね合わされる。第１基板１１と第２基板２１は、間隔をあけて互いに対向するように配置される。第１基板１１と第２基板２１との間のスペースに、シャッター体２及び駆動ビーム６１、６２が配置される。第１基板１１と第２基板２１は、端部付近に設けられたシール部材２４に互いに貼り合わせられる。シール部材２４は、第１基板１１と第２基板２１との間のスペースを封止する。第１基板１１と第２基板２１との間のスペースには液体２５が充填される。液体２５は、例えば、シリコーンオイル等のオイルとすることができる。オイルは空気より誘電率が大きいため、オイルをシャッター体２が配置される空間に充填することにより、シャッター体２及び駆動ビーム６１、６２に印加する電圧を小さくすることができる。また、オイルによって、シャッター体２の動きによる振動を抑制することができる。第１基板１１及び第２基板２１の屈折率とオイルの屈折率との差を小さくするようなオイルを用いることで、第１基板１１及び第２基板２１の界面における光の反射を抑えることができる。なお、第１基板１１及び第２基板２１の間には、シール部材２４の他にも、スペースを保持するためのスペーサが設けられてもよい。
【００２８】
第１基板１１は、各画素に対応して設けられた第１開口部９−１、９−２を有する。第１開口部９−１、９−２は光が透過できる部分であり、第１開口部９−１、９−２以外の部分は光を通さない。例えば、図３に示すように、透明性基板１００に遮光膜２０１を形成し、この遮光膜２０１に設けられた穴（開口）を第１開口部９−１、９−２とすることができる。この場合、遮光膜２０１の材料として、例えば、不透明な絶縁体の材料を用いることができる。不透明な絶縁体の例として、黒色に着色されたＳＯＧ膜、黒色に着色されたＰＩ等の有機樹脂膜等が挙げられる。図３に示す例では、遮光膜２０１は、光透過膜２０４で覆われている。光透過膜２０４を、例えば、塗布により成膜可能な塗布型材料で形成することにより、遮光膜２０１のパターンで生じた凹凸を平坦にすることができる。塗布型材料として、例えば、透明な有機樹脂等が挙げられる。
【００２９】
なお、遮光膜２０１の代わりに又は遮光膜２０１に加えて、第１基板１１に設けられるシャッター体２を駆動するための配線（図３の例では、３０１、１１１、１１２等）のパターニングによって開口部を形成することもできる。また、遮光膜２０１と光透過膜２０４との間や光透過膜２０４の上に、さらに、無機絶縁膜等のような絶縁膜が設けられてもよい。無機絶縁膜は、例えば、酸素や窒素を含むシリコン無機膜とすることができる。
【００３０】
第２基板２１にも、各画素に対応する第２開口部２３が設けられる。この例では、第２基板２１の第１基板１１側の面に開口を有する遮光膜２２が設けられる。遮光膜２２は、例えば、黒色に着色されたＳＯＧ膜、低反射メタル膜又は、黒色に着色されたＰＩ等の有機樹脂膜とすることができる。遮光膜２２の開口が第２開口部２３となる。各画素において、第２基板２１の第２開口部２３と第１基板１１の第１開口部９−１、９−２は、第１基板１１又は第２基板２１に垂直な方向からみて重なる位置に配置される。
【００３１】
シャッター体２は、シャッター開口部４を有する板状体であり、第１基板１１の面と平行な方向に移動可能な状態で、第１基板１１上に支持される。例えば、シャッター体２には、弾性変形可能なシャッタービーム５１、５２が接続される。シャッター体２は、平坦化膜１０３の平坦な表面に略平行な方向に移動可能な状態で支持される。シャッター体２及びシャッタービーム５１、５２に対向する位置に駆動ビーム６１、６２が設けられる。駆動ビーム６１、６２には信号電圧が印加される。信号電圧が印加された駆動ビーム６１、６２とシャッター体２及びシャッタービーム５１、５２との間に生じる静電気力によってシャッター体２が移動する。すなわち、シャッター体２及び駆動ビーム６１、６２に印加された信号電圧に応じてシャッター体２が駆動される。シャッター体２のシャッター開口部４が第１基板１１の第１開口部９−１と重なる位置にシャッター体２が移動すると、画素を光が透過する開状態となる（図６参照）。このとき、シャッター体２の右の端部は、右の第１開口部９−２より左に、すなわち、駆動ビーム５１側に移動するので第１開口部９−２とシャッター体２も重ならない。シャッター開口部４と第１開口部９−１が全く重ならない位置にシャッター体２が移動すると、画素を光が透過しない閉状態となる（図７参照）。このときシャッター体２の右の端部は右の第１開口部９−２より右に、すなわち第２駆動ビーム６２側に移動し、第１開口部９−２はシャッター体２に覆われる。このように、各画素における駆動ビーム６１、６２の信号電圧を制御することにより、シャッター体２の位置を制御し、バックライト３１から表示面への光の透過を制御することができる。
【００３２】
第１基板１１上に、シャッターを駆動するための信号を供給する配線１１１及び電極３０１と、スイッチング素子１７が形成される。これら配線１１１、電極３０１及びスイッチング素子１７を覆うように平坦化膜１０３が設けられる。平坦化膜１０３の上において、シャッター体２は、シャッタービーム５１、５２に接続され、可動な状態で支持される（詳細は後述）。駆動ビーム６１、６２は、平坦化膜１０３上で固定された駆動ビームアンカー８１、８２に接続される。駆動ビーム６１、６２とスイッチング素子１７は、駆動ビームアンカー８１、８２及び平坦化膜１０３に設けられたコンタクトホールＣＨを介して、電気的に接続される。
【００３３】
スイッチング素子１７は、ゲート電極３０１にゲート絶縁膜１０１を介して対向する位置に設けられる半導体膜３０２、並びに、半導体膜３０２上で互いに離間して形成されるソース電極３０４及びドレイン電極３０５を含む。スイッチング素子１７の半導体膜３０２は、例えば、酸化物半導体とすることができる。一例として、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系の酸化物半導体膜等で半導体膜３０２を形成することができる。なお、図３では２つのスイッチング素子を示しているが、１つの画素Ｐに設けられるスイッチング素子の数はこれに限られない。また、スイッチング素子及び配線の構成は、図３に示す構成例に限られない。例えば、スイッチング素子１７又は平坦化膜１０３を覆うパッシベーション膜等、さらなる膜が、必要に応じて追加されてもよい。
【００３４】
図３に示す構成では、平坦化膜１０３を設けることにより、シャッター体２及び駆動ビーム６１、６２を支持するための平坦な面を形成することができる。平坦化膜１０３は、例えば、有機絶縁膜で形成することができる。一例として、ポリイミドやアクリル系などの透明の樹脂膜を平坦化膜１０３とすることができる。平坦化膜１０３の厚みは、配線１１１、１１２、及びスイッチング素子１７を覆いかつ表面が平坦になる程度の厚みとすることができる。例えば、平坦化膜１０３は、塗布により成膜可能な塗布型材料を用いることができる。塗布型材料で形成することにより、スイッチング素子１７及び配線１１１、１１２等のパターンで生じた凹凸を平坦にすることができる。また、平坦化膜１０３を、塗布型材料で形成することにより、平坦化膜１０３の厚みを、例えば、０．５〜３μｍ程度にすることができる。
【００３５】
平坦化膜１０３により、平坦化膜１０３上の導電体と平坦化膜１０３下の導電体との間の距離を確保し、これらの間に発生する寄生容量を抑えることができる。そのため、平坦化膜１０３の厚みは、第１基板１１における他のいずれの絶縁層の厚みよりも大きくすることができる。一例として、平坦化膜１０３の厚みは、２μｍ〜３μｍ程度とすることができる。
【００３６】
図３に示す断面においては、平坦化膜１０３の周縁部（端部）１０３ａは、シール部材２４と第１基板１１に垂直な方向に重畳している。また、平坦化膜１０３の周縁部１０３ａがシール部材２４に接している。平坦化膜１０３の周縁部１０３ａは、シール部材２４の内側に入り込んでいる。すなわち、シール部材２４に重畳する平坦化膜１０３の周縁部１０３ａは、第１基板１１に垂直な方向においてシール部材２４と重なる位置に設けられる。さらに、平坦化膜１０３の周縁部１０３ａは、シール部材２４の外周面２４ａに露出しないように設けられる。外周面２４ａは、シール部材２４が液体２５と重畳する面（すなわち内周面２４ｂ）と反対側の面である。平坦化膜１０３の周縁部１０３ａは、シール部材２４によって覆われている。すなわち、平坦化膜の周縁部１０３ａは、シール部材２４の一部と重なっている。
【００３７】
平坦化膜１０３の周縁部１０３ａとシール部材２４の外周面２４ａとの距離Ｗ１は、液体２４が封入される空間の防湿性が平坦化膜１０３によって著しく低下しない程度に設定することができる。例えば、距離Ｗ１を１．４ｍｍ以上とすることで、防湿性を良好に保つことができる。下記表１は、温度６０℃、湿度９０％の環境下で１０００時間表示装置を置いた場合の防湿性の試験結果の例を示す。表１に示す例では、距離Ｗ１を１．４ｍｍ以上とすることで、防湿性に起因する表示不良を許容範囲内となっている。
【表１】
2016080727.tif 000003
【００３８】
シール部材２４の液体２５に接する面（内周面２４ｂ）からシール部材２４と重なる平坦化膜１０３の周縁部１０３ａまでの距離Ｗ２は、防湿の観点からは短い方が好ましい。距離Ｗ２は、例えば、シール部材２４の成膜精度に応じて設定することができる。一例として、距離Ｗ２を０．５ｍｍ以下とすることができる。なお、平坦化膜１０３の周縁部１０３ａは、シール部材２４の内周面２４ｂに入り込まないで接するだけでもよい。この場合も、周縁部１０３ａとシール部材２４が重畳しているとみなすことができる。この場合、距離Ｗ２は、略０になる。すなわち、シール部材２４と平坦化膜１０３とが重なる部分の幅は、０ｍｍ〜０．５ｍｍ程度とすることができる。また、液体２５の注入時において液体の流れに影響がない程度のスペースが、平坦化膜１０３の周縁部１０３ａとシール部材２４の内周面２４ｂに存在する場合も、これら周縁部１０３ａとシール部材２４とは互いに重畳しているのと同等とみなすことができる。
【００３９】
図４は、１つの画素におけるシャッター機構の詳細な構成例を示す斜視図である。図５は、図４に示すシャッター機構の平面図である。図４及び図５に示す例では、シャッター体２は矩形の板である。この例では、シャッター体２の長手方向（長辺方向）に垂直な方向すなわち短手方向（短辺方向）がシャッター体２の駆動方向（移動方向）である。シャッター体２の短手方向における中央の部分にシャッター開口部４が形成される。シャッター開口部４は、シャッター体２の長手方向に延びて形成される。シャッター開口部４は、例えば、シャッター体２の長手方向に長辺を持つ矩形に形成される。
【００４０】
シャッター体２は、シャッター開口部４の端部（縁）４ａに対向して設けられた段差部３を有する。段差部３は、第１基板１１に垂直方向におけるシャッター体２の表面の位置、すなわち表面の高さが周囲と異なっている部分である。段差部３は、シャッター開口部４の端部に沿って延びている。このように、１つの方向に延びる線状の段差部３をシャッターに設けることで、上記１つの方向においてシャッターが撓むのを抑えることができる。
【００４１】
シャッター体２には、梁であるシャッタービーム５１、５２の一端が接続される。シャッタービーム５１、５２の他端は、第１基板１１に固定された支持部であるシャッタービームアンカー７１、７２に接続される。シャッタービーム５１、５２は、弾性変形可能である。駆動方向におけるシャッター体２の一方の端部に第１シャッタービーム５１が接続され、他方の端部に第２シャッタービーム５２が接続される。すなわち、第２シャッタービーム５２は、第１シャッタービーム５１が接続されるシャッター体２の端部と反対側の端部に接続される。この例では、シャッター体２の２つの長辺にそれぞれ２本の第１シャッタービーム５１と第２シャッタービーム５２が接続される。シャッタービーム５１、５２は、シャッター体２との接続箇所から外側へ延び、さらにシャッター体２の端部（本例では長辺）に沿って延びてシャッタービームアンカー７１、７２に接続される。このように、シャッタービーム５１、５２は、第１基板１１に対して固定されたシャッタービームアンカー７１、７２と、シャッター体２とを接続する。シャッタービーム５１、５２は可撓性を有するので、シャッター体２は、第１基板１１に対して可動な状態で支持される。また、シャッター体２は、シャッタービームアンカー７１、７２及びシャッタービーム５１、５２を介して第１基板１１に設けられた配線（図示せず）と電気的に接続される。
【００４２】
駆動ビーム６１、６２は、シャッター体２の駆動方向における両側に隣接して設けられる。第１駆動ビーム６１がシャッター体２の駆動方向における一方の端部に、第２駆動ビーム６２はシャッター体２の駆動方向における他方の端部に対向して設けられる。すなわち、駆動ビーム６１、６２は、シャッター体２に接続されたシャッタービーム５１、５２に対向する位置に配置される。駆動ビーム６１、６２の端部は、第１基板１１に固定された駆動ビームアンカー８１、８２に接続される。駆動ビーム６１、６２は、駆動ビームアンカー８１、８２を介して第１基板１１に設けられた配線（図示せず）と電気的に接続される。ここでは一例として、第１駆動ビーム６１は一対の駆動ビームで構成されるが、第１駆動ビーム６１は１本の駆動ビームで構成することもできる。第２駆動ビーム６２も同様である。
【００４３】
図４及び図５に示す例では、第１基板１１において、１つの画素につき２つの第１開口部９−１、９−２が設けられる。各画素のシャッター体２には１つのシャッター開口部４が設けられる。２つの開口部のうち１つの第１開口部９−１は、駆動ビーム６１、６２に信号電圧が印加されていない状態において、シャッター体２のシャッター開口部４の一部と重なる位置に設けられる。他の１つの第１開口部９−２は、駆動ビーム６１、６２に信号電圧が印加されていない状態において、シャッター体２の駆動方向における端部（縁）と重なる位置に設けられる。
【００４４】
（シャッターの動作例）
ここで、シャッター体２の動作例を説明する。駆動ビーム６１、６２に信号電圧が印加されていない場合、例えば、図５に示す位置にシャッター体２が配置される。駆動ビーム６１、６２に信号電圧が印加されていない状態では、駆動ビーム６１、６２とシャッター体２との間に静電気力が働いていない。図５に示す例では、シャッター体２のシャッター開口部４の一部と第１基板１１の１つの第１開口部９−１の一部とが重なる位置にシャッター体２が配置されている。また、シャッター体２の駆動方向の端部（本例ではシャッター体２の右長辺）と、第１基板１１の他の第１開口部９−２とが重なる位置にシャッター体２が配置されている。
【００４５】
第１の駆動ビーム６１にハイレベル（High level）の信号電圧を印加し、シャッター体２及び第２の駆動ビーム６２にローレベル（Low level）の信号電圧を印加した場合、例えば、図６に示すように、第１の駆動ビーム６１の方へシャッター体２が移動する。この場合、シャッター体２のシャッター開口部４の全体が第１基板１１の第１開口部９−１の全体と重なっている。また、シャッター体２の右の端部は、第１開口部９−２より左へ移動する。そのため、第１開口部９−１及び第１開口部９−２のいずれも覆われない。そのため、画素において光が透過する。すなわち、画素は開（open）状態となる。この場合、バックライト３１からの光が画素を透過して表示面から出射する。
【００４６】
第２の駆動ビーム６２にハイレベルの信号電圧を印加し、シャッター体２及び左の第１の駆動ビーム６１にローレベルの信号電圧を印加した場合、例えば、図７に示すように、第２の駆動ビーム６２の方へシャッター体２が移動する。この場合、シャッター体２のシャッター開口部４以外の部分が第１基板１１の第１開口部９−１、９−２の全体と重なっている。そのため、第１開口部９−１及び第１開口部９−２はシャッター体２によって覆われる。この場合、画素は閉（close）状態となる。バックライト３１からの光は、画素を透過しない。
【００４７】
（回路構成例）
図８は、１つの画素における回路構成例を示す等価回路図である。図８に示す例では、１つの画素について、スイッチング素子１７、１７ｕ、１７ｅ、１７ｐ１、１７ｐ２が設けられる。スイッチング素子１７は、ゲート信号ＳＧを供給するゲート線１５及びデータ信号ＳＤを供給するデータ線１６に接続され、シャッターの開閉（オン／オフ）を決めるデータ信号ＳＤの入力を制御する。スイッチング素子１７ｕは、スイッチング素子１７と第１の駆動ビーム６１との間に接続され、アップデート信号ＳＵに基づくタイミングで第１の駆動ビーム６１の電位をデータ信号に応じた電位に更新する。スイッチング素子１７ｅは、スイッチング素子１７ｕと第２の駆動ビーム６２との間に接続され、イネーブル信号ＳＥに基づくタイミングで第２の駆動ビーム６２の電位をデータ信号に応じた電位に更新する。スイッチング素子１７ｐ１、１７ｐ２は、第１及び第２の駆動ビーム６１、６２とアクチュエート電圧ＳＡ（常にハイレベル）を供給する配線との間にそれぞれ接続され、プリチャージ（pre-charge）制御信号ＳＰに基づいてアクチュエート電圧ＳＡを第１の駆動ビーム６１及び第２の駆動ビーム６２に供給する。シャッター体２は、シャッター駆動電圧ＳＳを供給するシャッター配線１９−２に接続される。
【００４８】
具体的には、スイッチング素子１７のゲートはゲート線１５に、ドレインはデータ線１６に、ソースは、スイッチング素子１７ｕのゲートに接続される。スイッチング素子１７ｕのドレインは、第１の駆動ビーム６１、スイッチング素子１７ｐ１のソース、及びスイッチング素子１７ｅのゲートに接続される。スイッチング素子１７ｕのソースは、アップデート信号ＳＵを供給する配線に接続される。スイッチング素子１７ｅのソースは、イネーブル信号ＳＥを供給する配線に接続される。スイッチング素子１７ｅのドレインは、スイッチング素子１７ｐ２のソース及び第２の駆動ビーム６２に接続される。スイッチング素子１７ｐ１、１７ｐ２のゲートは、プリチャージ制御信号ＳＰを供給する配線１９−１に接続され、ドレインは、アクチュエート電圧ＳＡを供給する配線に接続される。
【００４９】
スイッチング素子１７とスイッチング素子１７ｕとの間のノード（以下、ストレージノードと称する）とシャッター配線１９−２との間には容量Ｃ１が形成される。容量Ｃ１は、シャッター体２の開閉を示すデータ信号の信号電圧を保持する。第１の駆動ビーム６１とスイッチング素子１７ｕ、１７ｐ１、１７ｅが接続されるノード（以下、マスターノードｎ１と称する）とシャッター配線１９−２との間には容量Ｃ２が形成される。容量Ｃ２は、マスターノードｎ１に印加されたマスター駆動電圧を保持する。第２の駆動ビーム６２とスイッチング素子１７ｅ、１７ｐ１が接続されるノード（以下、スレーブノードｎ２と称する）とシャッター配線１９−２との間には容量Ｃ３が形成される。容量Ｃ３は、スレーブノードｎ２に印加されたスレーブ駆動電圧を保持する。
【００５０】
下記表は、上記信号のローレベル及びハイレベルの電圧の一例を示す表である。この例のように、異なるハイレベルの電圧を設定することで、下記のような動作をすることできる。下記の動作例において、アクチュエート電圧ＳＡは、例えば、常にハイレベル（３０Ｖ程度）に設定することができる。なお、各信号の電圧は、下記表２に示す例に限られない。
【表２】
2016080727.tif 000004
【００５１】
ゲート線１５に選択状態を示すゲート信号ＳＧが入力されスイッチング素子１７がＯＮになったタイミングで、データ線１６からデータ信号ＳＤが入力される。シャッター体２の開閉を決めるデータ信号ＳＤに応じたデータ電圧が容量Ｃ１に蓄えられる。この時、アップデート信号ＳＵはハイレベルであり、スイッチング素子１７ｕは、データ電圧によらずオフとなっている。スイッチング素子１７ｐ１、１７ｐ２がプリジャージ制御信号ＳＰに基づいてオンになったタイミングで、アクチュエート電圧ＳＡが第１の駆動ビーム６１及び第２の駆動ビーム６２に印加される。これにより、マスターノードｎ１及びスレーブノードｎ２に駆動電圧（ハイレベル）が蓄えられる。
【００５２】
アップデート信号ＳＵが、例えば、ハイレベルからローレベルに変化すると、ストレージノードのデータ電圧に応じてスイッチング素子１７ｕのオン／オフが制御される。本例では、データ電圧がハイレベルの場合に、スイッチング素子１７ｕはオンになり、ローレベルのアップデート信号ＳＵが供給され、マスターノードｎ１はローレベルとなる、データ電圧がローレベルの場合、アップデータ信号ＳＵがローレベルに変化してもスイッチング素子１７ｕがオフのままとなりマスターノードｎ１はハイレベル（駆動電圧）が維持される。イネーブル信号ＳＥが、例えば、ハイレベルからローレベルに変化すると、マスターノードｎ１の電圧に応じてスイッチング素子１７ｅのオン／オフが制御される。本例では、マスターノードｎ１がハイレベルの場合に、スイッチング素子１７ｅはオンになり、ローレベルのイネーブル信号ＳＥが供給され、スレーブノードｎ２はローレベルとなる、マスターノードｎ１がローレベルの場合、スイッチング素子１７ｅがオフのままとなりスレーブノードｎ２はハイレベル（駆動電圧）が維持される。
【００５３】
このように、画素へのデータ書き込み時は、常に、マスターノードｎ１とスレーブノードｎ２の電圧の極性（ハイ／ロー）が逆になる。そのため、シャッター体２の極性（ハイ／ロー）と逆の極性のノードの駆動ビームに、電気的な力によってシャッターが引き寄せられる。なお、シャッターの極性を所定周期で入れ替えることによりシャッターの帯電を防止することができる。下記表３は、データ信号ＳＤ、マスターノードｎ１、シャッター体２、及びスレーブノードｎ２の電圧レベルと、開閉状態との関係の一例を示す表である。
【表３】
2016080727.tif 000005
【００５４】
なお、回路構成は、上記例に限定されない。図９は、１つの画素における回路構成の他の例を示す等価回路図である。図９において図８に示す要素に対応する要素には同じ符号を付している。図９に示す例では、１つの画素につき２本のデータ線１６１、１６２が設けられる。これら２本のデータ線のうち一方のデータ線１６１は、第１の駆動ビーム６１の信号電圧を示す第１データ信号ＳＤ−１を供給し、他のデータ線１６２は、第２の駆動ビーム６２の信号電圧を示す第２データ信号ＳＤ−２を供給する。そのため、１回の書き込みにおいて、第１データ信号ＳＤ−１の極性と第２データ信号ＳＤ−２の極性は逆となる。
【００５５】
図９に示す例では、第１の駆動ビーム６１の電圧を制御する構成として、ゲート線１５のゲート信号ＳＧに基づいて、データ線１６２の第１データ信号ＳＤ−１の入力を制御するスイッチング素子１７１、第１データ信号ＳＤ−１に基づくデータ信号電圧を蓄積する容量Ｃ１１、データ信号電圧に応じて第１の駆動ビーム６１に接続されるマスターノードｎ１の電圧を制御するスイッチング素子１７ｕ１、マスターノードｎ１へのアクチュエート電圧ＳＡの供給を制御するスイッチング素子１７ｐ１が設けられる。同様に、第２の駆動ビーム６２の電圧を制御する構成として、スイッチング素子１７２、容量Ｃ１２、スイッチング素子１７ｕ２、及び、スイッチング素子１７ｐ２が設けられる。図９に示す回路においても、第１及び第２のデータ信号ＳＤ−１、ＳＤ−２に応じてシャッター体２の駆動が制御される。
【００５６】
（オイル注入の例）
図１０は、第１基板１１と第２基板２１の間のスペースに液体（オイル）を注入する様子の例を説明するための平面図である。図１０では、第２基板２１を透視した状態におけるシール部材２４と平坦化膜１０３の配置が示されている。図１１は、図１０のＡ−Ａ線の断面図である。図１０及び図１１において、説明に関連しない部材は図示を省略している。図１０、図１１に示す例では、シール部材２４のシール本体２４Ｄが、第１基板１１と第２基板２１（図示略）の間で、注入口２４ｃを残して、シャッター体２が配置される領域（すなわち表示領域）を囲むよう形成されている。平坦化膜１０３の周縁部１０３ａは、シール本体２４Ｄの内周面２４ｂ全体にわたってシール本体２４Ｄに重畳している。また、平坦化膜１０３の周縁部１０３ａは、シール本体２４Ｄの外周面２４ａに露出しないように配置されている。
【００５７】
図１０及び図１１に示す構成において、減圧状態で注入口２４ｃからオイルが注入される。オイルは、例えば、図１０の矢印Ｙ１に示す方向に流れる。このとき、第１基板１１、第２基板２１及びシール本体２４Ｄで囲まれる空間に注入されたオイルは、平坦化膜１０３に沿って流れる。すなわち、注入されたオイルは、略平坦な面上を流れてシャッター体２へ到達することになる。このオイルの流れによって、シャッター体２は、主に、平坦化膜１０３と略平行な方向、すなわち駆動方向に動かされる。そのため、シャッター体２がオイルの流れで動かされて不適切な位置で固定されてしまう事態は起こりにくい。
【００５８】
図１２は、図１０に示すシール本体２４Ｄにおいて、注入口２４ｃを塞ぐふた部２４ｅを設けた場合の構成例を示す図である。ふた部２４ｅは、例えば、接着剤等を注入口２４ｃに塗布することで形成することができる。図１２に示す例では、ふた部２４ｅは、平坦化膜１０３まで達していない。すなわち、平坦化膜１０３の周縁部１０３ａは、ふた部２４ｅには重畳していない。ふた部２４ｅをこのように形成しても、上記効果は得られる。なお、平坦化膜１０３の周縁部１０３ａを覆うようにふた部２４ｅを設けてもよい。
【００５９】
図１３は、平坦化膜１０３−１の周縁部１０３ａ−１が、シール部材２４から離れた位置に形成される場合のオイル注入の例を説明するための図である。図１３は、第２基板２１を透視した状態におけるシール部材２４と平坦化膜１０３−１の配置が示されている。図１４は、図１３のＢ−Ｂ線の断面図である。図１３及び図１４に示す例では、平坦化膜１０３−１の周縁部１０３ａ―１は、シール部材２４で囲まれる空間内にあり、シール部材２４と重畳していない。シール部材２４で囲まれる空間において平坦化膜１０３−１の周縁部１０３ａ―１による段差が生じる。そのため、平坦化膜１０３−１の周縁部１０３ａ―１とシール部材２４との間にスペースが生じる。このスペースにおけるセルギャップＧ１は、平坦化膜１０３−１が形成された領域におけるセルギャップＧ２より大きい。
【００６０】
図１３及び図１４に示す構成において、注入口２４ｃからオイルを注入した場合、セルギャップが大きい方へ流れるオイルの速度の方が、セルギャップが小さいほうへ流れるオイルの速度より早くなる。そのため、平坦化膜１０３−１とシール部材２４との間のスペースに流れ込んでから平坦化膜１０３−１へ流れ込むオイル（例えば、図１３において矢印Ｙ２、Ｙ３で示される流れ）と、注入口２４ｃから平坦化膜１０３−１上のみを進むオイルの流れ（例えば、図１３において矢印Ｙ１で示される流れ）とが平坦化膜１０３−１上でぶつかって流れが乱れやすくなる。これにより、シャッター体２は、オイルの流れにより、平坦化膜１０３−１に垂直な方向の力も受けやすくなる。その結果、図１４に示すように、シャッター体２が、駆動ビーム６１と第２基板２１との間に挟まって固定されてしまうような事態が起こりやすくなる。このような事態が生じると駆動ビーム６１に信号電圧が印加されてもシャッター体２は駆動しなくなる。このように、シャッター体２が動作しない画素は、不良画素となる。
【００６１】
図１５は、図１３及び図１４に示す構成の表示装置の各画素の動作試験の結果例を示す図である。図１６は、図１５における領域Ｒ１の拡大図である。図１５及び図１６に示す例では、表示画面の端部付近に不良画素が散見される。これらは、シャッター体２が駆動ビーム６１と基板１１又は１２との間に乗り上げたことにより生じた不良画素である。
【００６２】
図１７は、図１０及び図１１に示す構成の表示装置の各画素の動作試験の結果例を示す図である。図１８は、図１７における領域Ｒ２の拡大図である。図１７及び図１８に示す例では、不良画素はほとんど見られない。このように、平坦化膜１０３の周縁部１０３ａをシール部材２４で覆う構成により、オイル注入によるシャッター体２の動作不良を軽減することができる。
【００６３】
（変形例）
図１９は、図１０に示す構成の変形例を示す図である。図１０に示す例では、矩形に形成されたシール部材２４の４辺のいずれにおいても、シール本体２４Ｄに平坦化膜１０３の周縁部１０３ａが重畳する構成である。これに対して、図１９では、平坦化膜１０３の周縁部１０３ａは、シール部材２４の注入口２４ｃが設けられる辺Ｓ１において、シール本体２４Ｄと重畳している。他の３辺Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４においては、平坦化膜１０３の周縁部１０３ａは、シール本体２４Ｄに重畳していない。このように、注入口２４ｃ付近において、平坦化膜１０３の周縁部１０３ａをシール本体２４Ｄで覆うようにするだけでも、注入口２４ｃから注入される液体の流れを乱れにくくすることができる。例えば、注入口２４ｃにおけるシール本体２４Ｄの端部を含むシール本体２４Ｄの直線状に延びている部分において、平坦化膜１０３の周縁部１０３ａがシール本体２４Ｄに重畳する構成とすることができる。
【００６４】
図２０は、図１０に示す構成の他の変形例を示す図である。図２０に示す例では、平坦化膜１０３の周縁部１０３ａは、注入口２４ｃが設けられる辺Ｓ１及びその辺に接続される２辺Ｓ２、Ｓ４において、シール本体２４Ｄと重畳している。このように、注入口２４ｃが設けられる辺Ｓ１とその隣の２辺Ｓ２、Ｓ４において、平坦化膜１０３の周縁部１０３ａをシール本体２４Ｄで覆う構成とすることでも、注入口２４ｃから注入される液体の流れを乱れにくくすることができる。
【００６５】
なお、上記例ではいずれも、シール本体２４Ｄの基板に垂直な方向から見た形状は、矩形であるが、シール本体２４Ｄの形状はこれに限られない。例えば、基板に垂直な方向から見たシール本体２４Ｄの形状を、三角形又は五角形以上の多角形とすることができる。また、シール部材２４が形成する辺は、直線状のものに限られず曲線を含んでもよい。例えば、シール部材２４は、円形又は楕円形に形成されてもよい。
【００６６】
（製造方法）
ここで、図１〜３に示す表示装置の製造工程の一例を説明する。まず、透光性基板１００を準備する。そして、図２１に示すように、スピンコート法を用いて、遮光膜を成膜する。そして、２００〜３５０℃の雰囲気で１時間程度焼成して、遮光膜２０１を形成する。なお、スピンコート法の他、スリットコート法を用いて遮光膜を成膜してもよい。
【００６７】
次いで、スピンコート法を用いて、光透過膜２０４を成膜する。そして、２００〜３５０℃の雰囲気で約１時間程度焼成してする。なお、スピンコート法の他、スリットコート法を用いて光透過膜２０４を成膜してもよい。光透過膜２０４の厚みは、例えば、０．５〜３μｍとすることができる。また、光透過膜２０４は、例えば、感光性を有する材料で形成されていてもよい。感光性を有する材料で光透過膜２０４を形成することにより、製造工程を削減することができる。
【００６８】
次に、光透過膜２０４を覆うように、ＰＥＣＶＤ法を用いて透明絶縁膜２０５を成膜する。透明絶縁膜２０５の厚さは、例えば、５０〜２００ｎｍである。そして、フォトリソグラフィによって、透明絶縁膜２０５が表示領域１３において光透過膜２０４と同一のパターンとなるように透明絶縁膜２０５をパターンニングする。具体的には、ＣＦ４ガス及びＯ２ガスを用いてドライエッチングをして、透明絶縁膜２０５を形成する。形成した第３透明絶縁膜２０５に対して、窒素雰囲気下でアニール処理を行ってもよい。透明絶縁膜２０５は、例えば、窒素又は酸素を含むシリコン無機膜又はそれらの積層物により形成することができる。
【００６９】
次に、スパッタ法により、アルミニウム（Ａｌ）膜、タングステン（Ｗ）膜、モリブデン（Ｍｏ）膜、タンタル（Ｔａ）膜、クロム（Ｃｒ）膜、チタン（Ｔｉ）膜、銅（Ｃｕ）等の金属膜及びその合金を含む膜のいずれかからなる単層膜又は積層膜を積層した後パターンニングを行い、ゲート電極３０１及び配線１１１等となる第１導電膜を形成する。第１導電膜の厚さは、例えば５０〜５００ｎｍ程度である。
【００７０】
次に、図２２に示すように、第１導電膜を覆うように、透明絶縁膜２０５上に、ＰＥＣＶＤ法を用いてゲート絶縁膜１０１を成膜する。ゲート絶縁膜１０１は、例えば、窒素又は酸素窒素を含むシリコン系無機膜（ＳｉＮｘ膜又はＳｉＯ２膜等）、或いは、ＳｉＯ２膜及びＳｉＮｘ膜の積層膜であってもよい。ゲート絶縁膜１０１の厚さは、例えば１００〜５００ｎｍである。
【００７１】
次に、例えばスパッタ法を用いて、酸化物半導体膜を成膜する。そして、酸化物半導体膜をパターンニングして、薄膜トランジスタに対応する領域に酸化物半導体膜３０２を形成する。
【００７２】
次に、図２３に示すように、ゲート絶縁膜１０１及び酸化物半導体膜３０２を覆うように、ＰＥＣＶＤ法を用いてエッチストッパ層３０３を形成する。エッチストッパ層３０３の厚さは、例えば、１００〜５００ｎｍとすることができる。エッチストッパ層３０３は、例えば、窒素又は酸素を含むシリコン無機膜又はそれらの積層物により形成することができる。そして、ＴＦＴ３００のソース電極３０４及びドレイン電極３０５が酸化物半導体膜３０２に達するためのコンタクトホールＣＨ１、ＣＨ２を形成する。
【００７３】
続いて、ソース電極３０４，ドレイン電極３０５、配線１１２等となる第２導電膜を形成する。第２導電膜は、スパッタ法により、アルミニウム（Ａｌ）膜、タングステン（Ｗ）膜、モリブデン（Ｍｏ）膜、タンタル（Ｔａ）膜、クロム（Ｃｒ）膜、チタン（Ｔｉ）膜、銅（Ｃｕ）等の金属膜及びその合金を含む膜のいずれかからなる単層膜又は積層膜を積層して形成することができる。そして、第２導電膜をフォトリソグラフィによりパターンニングして、ソース電極３０４，ドレイン電極３０５、配線１１２、信号線（不図示）等を形成する。第２導電膜の厚さは、例えば、５０〜５００ｎｍである。
【００７４】
次に、ゲート絶縁膜１０１、酸化物半導体膜３０２、及び第２導電膜を覆うように、ＰＥＣＶＤ法を用いて第1パッシベーション膜１０２を形成する。第1パッシベーション膜１０２の厚さは、例えば１００〜５００ｎｍである。
【００７５】
次に、図２４に示すように、スピン法を用いて感光性樹脂膜を成膜し、平坦化膜１０３を形成する。ここで、形成する平坦化膜１０３の厚さは、例えば０．５〜３μｍである。
【００７６】
次に、平坦化膜１０３を覆うように、ＰＥＣＶＤ法を用いて第２パッシベーション膜１０４を形成する。第２パッシベーション膜１０４の厚さは、例えば、１００〜５００ｎｍである。そして、第１パッシベーション膜１０２、平坦化膜１０３及び第２パッシベーション膜１０４をエッチングして、第２パッシベーション膜１０４の表面からドレイン電極３０５に達するコンタクトホールＣＨ３を形成する。
【００７７】
次に、例えばスパッタ法を用いて、第２パッシベーション膜１０４の表面であってコンタクトホールＣＨ３の近傍に、透明導電膜１１４を形成する。
【００７８】
続いて、スパッタ法により、アルミニウム（Ａｌ）膜、タングステン（Ｗ）膜、モリブデン（Ｍｏ）膜、タンタル（Ｔａ）膜、クロム（Ｃｒ）膜、チタン（Ｔｉ）膜、銅（Ｃｕ）等の金属膜及びその合金を含む膜のいずれかからなる単層膜又は積層膜を積層し、第３導電膜を形成する。そして、第３導電膜をフォトリソグラフィによりパターンニングして、光透過領域Ａ以外の領域に、配線１１３等を形成する。
【００７９】
次に、図２５に示すように、配線１１３及び透明導電膜１１４等を覆うように、第２パッシベーション膜１０４上に、ＰＥＣＶＤ法を用いて第３パッシベーション膜１０５を形成する。第３パッシベーション膜１０５の厚さは、例えば、１００〜５００ｎｍである。そして、パッシベーション膜１０５をエッチングして、パッシベーション膜１０５の表面から透明導電膜１１４に達するコンタクトホールＣＨ４を形成する。第１、第２、第３パッシベーション膜１０２、１０４、１０５は、例えば、窒素又は酸素を含むシリコン無機膜又はそれらの積層物により形成することができる。
【００８０】
次に、図２６に示すように、例えばスピンコート法を用いて、少なくとも光透過領域Ａを含む領域に、レジストＲを塗布する。
【００８１】
次に、ＰＥＣＶＤ法を用いて、レジストＲを覆うように、リン、ヒ素等がドープされたアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）層を成膜する。このとき、レジストＲの表面と側面の両方を覆うように成膜する。成膜するａ−Ｓｉ層の厚さは、例えば、２００〜５００ｎｍである。そして、フォトリソグラフィを用いてａ−Ｓｉ層をパターンニングすることにより、駆動ビームアンカー８１、８２、駆動ビーム６１、６２（図２６には不図示）、シャッタービーム５１、５２（図２６には不図示）及びシャッター本体３ｂを形成する。なお、駆動ビーム及びシャッタービームは、レジストＲの側面に形成された部分で構成することができる。
【００８２】
続いて、シャッター本体３ｂの上層に、金属膜３ｃを設ける。金属膜３ｃは、例えば、スパッタ法により、アルミニウム（Ａｌ）膜、タングステン（Ｗ）膜、モリブデン（Ｍｏ）膜、タンタル（Ｔａ）膜、クロム（Ｃｒ）膜、チタン（Ｔｉ）膜、銅（Ｃｕ）膜等の金属膜又はその合金を含む膜を積層して形成する。これらシャッター本体３ｂ及び金属膜３ｃによりシャッター体２が形成される。
【００８３】
次に、図２７に示すように、酸素ガスを用いたプラズマエッチングにより、レジストＲを剥離する。これにより、シャッター体２がパッシベーション膜１０５から間隔を開けて浮いた状態で配置される。なお、シャッター体２は、シャッタービーム５１、５２（不図示）を介して、シャッタービームアンカー７１、７２（不図示）に支持される。
【００８４】
次に、図２８に示すように、シール部材２４を、平坦化膜１０３の周縁部１０３ａを覆う位置に塗る。なお、図２８に示す例では、第２、第３パッシベーション膜１０４、１０５は、平坦化膜１０３の周縁部１０３ａまで達していない。すなわち、第２、第３パッシベーション膜１０４、１０５は、シール部材２４と重畳されない位置に設けられる。これに対して、パッシベーション膜１０４、１０５は、平坦化膜１０３の周縁部１０３ａまで覆うように構成することもできる。
【００８５】
変形例として、図２９に示すように、平坦化膜１０３以外の一部の膜をシール部材２４の外周面に露出させることもできる。図２９に示す例では、平坦化膜１０３上に設けられる第２、第３パッシベーション膜１０４、１０５が、第１基板１１の端部まで延びて、シール部材２４の外周面に露出している。この他にも、例えば、一部の導体膜が、シール部材２４で囲まれる領域の外側の端子部まで延びて形成されてもよい。
【００８６】
シール部材２４は、例えば、エポキシ、アクリル酸塩、またはシリコン材料などの重合体接着剤で形成することができる。シール部材２４の材料は、例えば、２００°Ｃより低い硬化温度を有し、約５０ｐｐｍ／℃未満の熱膨張率を有するものを採用することができる。また、シール部材２４は、耐湿性を有していることが好ましい。なお、シール部材の材料は、特に限定されない。例えば、シール部材２４は、熱リフロー可能な半田金属、或いは、異方性の導電接着剤などの複合材料とすることができる。また、シール部材２４は、第１基板１１、第２基板２１のいずれか又は両方に塗布されてもよい。
【００８７】
シール部材２４は、例えば、図１０、図１８〜図１９に示すように、平坦化膜１０３の周縁部１０３ａの少なくとも一部がシール部材２４と重なり、かつその周縁部１０３ａは、シール部材２４の外周面に露出しないように形成される。このとき、注入口２４ｃを残してシャッター体２が配置される領域を囲むように、シール本体２４Ｄが塗布される。
【００８８】
アライメント工程を経て第１基板１１と第２基板２１が貼り合わされる。シール部材２４は、アライメント工程後の第１基板１１及び第２基板２１の相対位置関係を保持する。貼り合わされた第１基板１１、第２基板２１及びシール部材２４により囲まれる空間に、液体が充填される。液体注入は、例えば、真空チャンバ内の減圧下で、貼り合わされた第１基板１１及び第２基板２１を液体中に浸けることで行われる。液体は、特定のものに限定されない。充填される液体の例として、イオン除去水、メタノール、エタノール、シリコーンオイル、フッ化シリコーンオイル、ジメチルシロキサン、ポリジメチルシロキサン、ヘキサメチルジシロキサン、又はジエチルベンゼン等が挙げられる。なお、液体は、第１基板及び第２基板の基材の材料（例えばガラス）と屈折率が近いものとすることができる。
【００８９】
シール部材２４は、液体注入前又は液体注入後において、硬化処理される。硬化処理は、例えば、脱水硬化、紫外線硬化、熱硬化、又は、マイクロ波硬化等により行うことができる。
【００９０】
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は、上記実施形態に限られない。例えば、上記例では、シール部材２４と平坦化膜１０３の周縁部１０３ａが接しているが、シール部材２４と平坦化膜１０３の周縁部１０３ａとの間に、１つ以上の膜（例えば、無機膜等）が設けられてもよい。また、例えば、実施形態では、１つの画素において第１開口部９が２つあり、シャッター体２は、１つのシャッター開口部４を有する形態であるが、第１開口部９とシャッター体２のシャッター開口部４の数は、これに限られない。例えば、シャッター体２のシャッター開口部４と第１開口部９が１対１で対応する構成であってもよい。
【００９１】
また、上記例では、シャッタービーム５１、５２は、シャッター体２の駆動方向に垂直な方向（長手方向）における中心線Ｃ付近でシャッター体２に接続される。これに対して、シャッタービーム５１、５２は、中心線Ｃからいずれかのシャッター体２の端部に寄った位置に接続されてもよい。例えば、シャッター体２の駆動方向に垂直な方向における中心線と端部との間に接続されてもよい。また、第１シャッタービーム５１は、一対のシャッタービームからなっているが、第１シャッタービーム５１は、１本のシャッタービームで構成することもできる。第２シャッタービーム５２も同様である。
【００９２】
上記のスイッチング素子に用いる薄膜トランジスタは、例えば、アモルファスシリコンや、低温ポリシリコン、酸化物半導体を用いることができる。また、酸化物半導体の構成としては、例えば、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、亜鉛（Ｚｎ）、及び、酸素（Ｏ）から構成される化合物（Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ）、インジウム（Ｉｎ）、スズ（Ｔｉｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、及び、酸素（Ｏ）から構成される化合物（Ｉｎ−Ｔｉｎ−Ｚｎ−Ｏ）、又は、インジウム（Ｉｎ）、アルミニウム（Ａｌ）、亜鉛（Ｚｎ）、及び、酸素（Ｏ）から構成される化合物（Ｉｎ−Ａｌ−Ｚｎ−Ｏ）等であってもよい
【符号の説明】
【００９３】
２  シャッター体
５１、５２  シャッタービーム
６１、６２  駆動ビーム
７１、７２  シャッタービームアンカー
８１、８２  駆動ビームアンカー
９−１、９−２  開口部
１１  第１基板
２１  第２基板
２４  シール部材
１０３  平坦化膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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