(57)【要約】【課題】均一性よくレジスト液を塗布することができるレジスト塗布方法を提供する。【解決手段】本発明に係るレジスト塗布方法は、基板の略中心上に、レジスト液を供給する供給工程ＳＳと、供給工程ＳＳの後に、基板を回転させる基板回転工程Ｓ５と、を含み、供給工程ＳＳの終了時において、基板は静止している。【選択図】図３
2016100549.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の略中心上に、レジスト液を供給する供給工程と、
前記供給工程の後に、前記基板を回転させる基板回転工程と、
を含み、
前記供給工程の終了時において、前記基板は静止している、レジスト塗布方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記供給工程の開始時において、前記基板は静止している、レジスト塗布方法。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記供給工程と前記基板回転工程との間に、前記レジスト液の供給を停止させた状態で
、前記基板を静止させる基板静止工程を含む、レジスト塗布方法。
【請求項４】
請求項３において、
前記基板静止工程は、０．２秒以上１秒以下の間行われる、レジスト塗布方法。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれか１項において、
前記供給工程は、
前記基板を回転させて前記レジスト液を供給する回転供給工程と、
前記回転供給工程の後に、前記基板を静止させて前記レジスト液を供給する静止供給工
程と、
を含む、レジスト塗布方法。
【請求項６】
請求項５において、
前記静止供給工程は、０．３秒以上１秒以下の間行われる、レジスト塗布方法。
【請求項７】
請求項５または６において、
前記回転供給工程における前記基板の回転数は、前記基板回転工程における前記基板の
回転数よりも高い、レジスト塗布方法。
【請求項８】
請求項１ないし７のいずれか１項において、
前記レジスト液の粘度は、５０ｃＰ以上である、レジスト塗布方法。
【請求項９】
請求項１ないし８のいずれか１項において、
前記基板回転工程では、前記レジスト液の厚さを４μｍ以上にする、レジスト塗布方法
。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レジスト塗布方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体製造プロセスにおいて、所定形状のレジスト層を形成する方法として、フォトリ
ソグラフィー技術が知られている。フォトリソグラフィー技術は、例えば半導体ウェハー
上にレジスト液を塗布してレジスト層を形成し（レジスト塗布工程）、レジスト層を所定
のパターンに露光し（露光工程）、露光されたレジスト層を現像する（現像工程）技術で
ある。レジスト塗布工程では、ウェハーの表面の略中心にノズルからレジスト液を供給し
、ウェハーを回転させてウェハー上でレジストを拡散させる、いわゆるスピンコート法が
用いられる（例えば特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１０−４２３２５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記のようなスピンコート法において、厚さの均一なレジスト層を形成するためには、
ウェハー上に均一性よくレジスト液を塗布することが求められる。しかしながら、特に、
厚いレジスト層を形成する場合は、粘度の高いレジスト液を用いる必要がある。粘度の高
いレジスト液は、ウェハー上において厚さの分布が生じると、分布を小さくするような流
動が起きにくい。そのため、ウェハー上に均一性よくレジスト液を塗布することが困難な
場合がある。
【０００５】
本発明のいくつかの態様に係る目的の１つは、均一性よくレジスト液を塗布することが
できるレジスト塗布方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は前述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の態
様又は適用例として実現することができる。
【０００７】
［適用例１］
本発明に係るレジスト塗布方法の一態様は、
基板の略中心上に、レジスト液を供給する供給工程と、
前記供給工程の後に、前記基板を回転させる基板回転工程と、
を含み、
前記供給工程の終了時において、前記基板は静止している。
【０００８】
このようなレジスト塗布方法では、基板上に、均一性よくレジスト液を塗布することが
できる。
【０００９】
［適用例２］
適用例１において、
前記供給工程の開始時において、前記基板は静止していてもよい。
【００１０】
このようなレジスト塗布方法では、基板上に、より均一性よくレジスト液を塗布するこ
とができる。
【００１１】
［適用例３］
適用例１または２において、
前記供給工程と前記基板回転工程との間に、前記レジスト液の供給を停止させた状態で
、前記基板を静止させる基板静止工程を含んでもよい。
【００１２】
このようなレジスト塗布方法では、基板回転工程の前に、レジスト液を供給ノズルから
分離させることができる。
【００１３】
［適用例４］
適用例３において、
前記基板静止工程は、０．２秒以上１秒以下の間行われてもよい。
【００１４】
このようなレジスト塗布方法では、基板静止工程の前に、レジスト液の、基板の中心部
上の凸部がなくなることを防ぎつつ、確実に、レジスト液を供給ノズルから分離させるこ
とができる。
【００１５】
［適用例５］
適用例１ないし４のいずれか１例において、
前記供給工程は、
前記基板を回転させて前記レジスト液を供給する回転供給工程と、
前記回転供給工程の後に、前記基板を静止させて前記レジスト液を供給する静止供給工
程と、
を含んでもよい。
【００１６】
このようなレジスト塗布方法では、均一性よくレジスト液を塗布することができる。
【００１７】
［適用例６］
適用例５において、
前記静止供給工程は、０．３秒以上１秒以下の間行われてもよい。
【００１８】
このようなレジスト塗布方法では、レジスト液の、基板の外周部上の凸部をなくすこと
ができ、かつ、基板の外周部上に比べて、中心部上のレジスト液の厚さが大きくなりすぎ
てしまうことを抑制することができる。
【００１９】
［適用例７］
適用例５または６において、
前記回転供給工程における前記基板の回転数は、前記基板回転工程における前記基板の
回転数よりも高くてもよい。
【００２０】
このようなレジスト塗布方法では、レジスト液に塗布ムラが発生することを抑制しつつ
、基板の中心部上のレジスト液を、基板の外周部に拡散させることができる。
【００２１】
［適用例８］
適用例１ないし７のいずれか１例において、
前記レジスト液の粘度は、５０ｃＰ以上であってもよい。
【００２２】
このようなレジスト塗布方法では、基板上において厚さの分布が生じると分布を小さく
するような流動が起きにくい粘度の高いレジスト液においても、均一性よく塗布すること
ができる。
【００２３】
［適用例９］
適用例１ないし４のいずれか１例において、
前記基板回転工程では、前記レジスト液の厚さを４μｍ以上にしてもよい。
【００２４】
このようなレジスト塗布方法では、このような厚いレジスト液でも、均一性よく塗布す
ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】本実施形態に係るレジスト塗布方法におけるレジスト塗布装置を模式的に示す断面図。
【図２】本実施形態に係るレジスト塗布方法を説明するためのフローチャート。
【図３】本実施形態に係るレジスト塗布方法を説明するためのタイムチャート。
【図４】本実施形態に係るレジスト塗布方法における基板上のレジスト液の状態を模式的に示す断面図。
【図５】本実施形態に係るレジスト塗布方法における基板上のレジスト液の状態を模式的に示す断面図。
【図６】参考例に係るレジスト塗布方法における基板上のレジスト液の状態を模式的に示す断面図。
【図７】参考例に係るレジスト塗布方法における基板上のレジスト液の状態を模式的に示す断面図。
【図８】本実施形態の変形例に係るレジスト塗布方法を説明するためのタイムチャート。
【図９】比較例に係るレジスト塗布方法を説明するためのタイムチャート。
【図１０】基板面内におけるレジスト液の厚さの平均およびばらつきを示すグラフ。
【図１１】基板面内における基板中心からの距離に対するレジスト液の厚さを示すグラフ。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
以下、本発明の好適な実施形態について、図面を用いて詳細に説明する。なお、以下に
説明する実施形態は、特許請求の範囲に記載された本発明の内容を不当に限定するもので
はない。また、以下で説明される構成の全てが本発明の必須構成要件であるとは限らない
。
【００２７】
１．  レジスト塗布方法
本実施形態に係るレジスト塗布方法について、図面を参照しながら説明する。まず、本
実施形態に係るレジスト塗布方法における基板および液体塗布装置について、説明する。
図１は、本実施形態に係るレジスト塗布方法における基板１０およびレジスト塗布装置２
０を模式的に示す断面図である。
【００２８】
基板１０としては、例えば、半導体ウェハー（より具体的には直径６インチのシリコン
ウェハー）を用いる。基板１０の表面は、平坦であってもよいし、凹部などがパターニン
グされていてもよい。
【００２９】
レジスト塗布装置２０としては、例えば、スピンコーターを用いる。スピンコーターは
、基板１０を回転させつつ、基板１０の表面の中心上にレジスト液を吐出し遠心力で拡散
させること（ダイナミックディスペンス）により、基板１０の表面上にレジスト液を塗布
することができる装置である。レジスト塗布装置２０は、ステージ２２と、供給ノズル２
４と、を有している。
【００３０】
ステージ２２は、基板１０を回転可能に支持している。ステージ２２の、基板１０の裏
面と接触する接触面２３には多数の孔（図示せず）が設けられおり、該多数の孔は真空ポ
ンプ（図示せず）に接続されている。基板１０をステージ２２上に載置した状態で、接触
面２３に設けられた孔から空気を吸引すると、基板１０の裏面は、ステージ２２の接触面
２３に吸着されて固定される。ステージ２２は、図２の矢印で示すように、接触面２３の
中心を通る鉛直線まわりに回転可能になっている。そのため、ステージ２２の接触面２３
の中心と基板１０の中心とを重ね合わせるようにして、ステージ２２上に基板１０を固定
し、ステージ２２を回転動作させることにより、基板１０をその表面の中心を通る鉛直線
まわりに回転させることができる。
【００３１】
供給ノズル２４は、先端に供給口２５を有し、後端がレジスト液を圧送するレジスト液
圧送部（図示せず）に接続されている。供給ノズル２４は、供給口２５がステージ２２の
接触面２３の中心部上方に位置するように調整されている。これにより、レジスト液は、
レジスト液圧送部の圧送動作によって、供給ノズル２４を通って供給口２５まで圧送され
、ステージ２２上に固定された基板１０の表面の中心部上に滴下される。
【００３２】
次に、本実施形態に係るレジスト塗布方法について、具体的に説明する。図２は、本実
施形態に係るレジスト塗布方法を説明するためのフローチャートである。図３は、本実施
形態に係るレジスト塗布方法を説明するためのタイムチャートである。図４および図５は
、本実施形態に係るレジスト塗布方法における基板１０上のレジスト液３０の状態を模式
的に示す断面図である。
【００３３】
まず、基板１０をレジスト塗布装置２０のステージ２２に載置した後、基板１０の略中
心上に、レジスト液を供給（吐出）する（供給工程ＳＳ）。具体的には、まず、図４（Ａ
）に示すように、基板１０を静止させてレジスト液３０を供給する（第１静止供給工程Ｓ
１）。レジスト液３０は、接続部３２において供給ノズル２４に接続された状態で、供給
ノズル２４の供給口２５から供給される。第１静止供給工程Ｓ１では、ステージ２２を回
転させていないので、レジスト液３０は、基板１０の外周部まで拡散していない。ステー
ジ２２の回転数（回転速度）は、例えば、ゼロである。第１静止供給工程Ｓ１は、例えば
、０．３秒以上２秒以下の間行われる。なお、「基板１０は静止している」とは、ステー
ジ２２を回転動作させていないことをいう。
【００３４】
レジスト液３０としては、光が当たることにより酸が発生し、発生した酸が現像に寄与
する化学増幅型を用いてもよい。レジスト液３０は、ノボラック樹脂を含んでいてもよい
。基板１０の表面に滴下した時点でのレジスト液３０の粘度は、室温で、例えば、５０ｃ
Ｐ（５０ｍＰａ・秒）以上である。レジスト液３０を供給する供給工程において、ウェハ
ー１枚当たりのレジスト液３０の供給量（吐出量、塗布量）は、例えば、０．５ｍｌ以上
３ｍｌ以下である。供給口２５から供給されるレジスト液３０の供給速度（吐出速度、デ
ィスペンスレート）は、例えば、０．２ｍｌ／秒以上３ｍｌ／秒以下である。
【００３５】
次に、図４（Ｂ）に示すように、ステージ２２を回転させることにより、基板１０を回
転させてレジスト液３０を供給する（回転供給工程Ｓ２）。回転供給工程Ｓ２では、レジ
スト液３０は遠心力により基板１０の外周部まで拡散し、基板１０の外周部上においてレ
ジスト液３０は凸形状となる。すなわち、レジスト液３０は、基板１０の外周部上に、外
周凸部３４を有する。回転供給工程Ｓ２では、所定の加速度で基板１０の回転数を上昇さ
せた後、回転数を所定の時間一定に保ち、その後、所定の加速度で回転数を減少させる。
基板１０の回転数（一定に保たれる回転数）は、例えば、３０００ｒｐｍ以上７０００ｒ
ｐｍ以下である。基板１０の回転の加速度は、例えば、２０００ｒｐｍ／秒以上３０００
０ｒｐｍ／秒以下である。回転供給工程Ｓ２における基板１０の回転数（一定に保たれる
回転数）は、基板回転工程Ｓ５における基板１０の回転数（一定に保たれる回転数）より
も高い。回転供給工程Ｓ２は、例えば、１秒以上１０秒以下の間行われる。
【００３６】
次に、図４（Ｃ）に示すように、ステージ２２の回転を停止させることにより、基板１
０を静止させてレジスト液３０を供給する（第２静止供給工程Ｓ３）。第２静止供給工程
Ｓ３では、基板１０の中心部上のレジスト液３０は、基板１０の外周部に拡散せずに、基
板１０の中心上に塗布される。そのため、回転供給工程Ｓ２で形成されたレジスト液３０
の外周凸部３４は、均されてなくなる。または、外周凸部３４の厚さは、レジスト液３０
の他の部分に対して相対的に小さくなる。第２静止供給工程Ｓ３は、例えば、０．３秒以
上１秒以下の間行われる。第２静止供給工程Ｓ３の時間が０．３秒より短いと、外周凸部
３４をなくすことができない場合がある。第２静止供給工程Ｓ３の時間が１秒より長いと
、基板１０の外周部上に比べて、中心部上のレジスト液３０の厚さが大きくなりすぎてし
まい、基板回転工程Ｓ５において、レジスト液３０の均一性が悪化する場合がある。
【００３７】
上記のように、レジスト液３０を供給する供給工程ＳＳは、第１静止供給工程Ｓ１と、
第１静止供給工程Ｓ１の後に行われる回転供給工程Ｓ２と、回転供給工程Ｓ２の後に行わ
れる第２静止供給工程Ｓ３と、を含む。すなわち、供給工程ＳＳの開始時および終了時に
おいて、基板１０は静止している。
【００３８】
次に、図５（Ｄ）に示すように、レジスト液３０の供給を停止させた状態で、基板１０
を静止させる（基板静止工程Ｓ４）。基板静止工程Ｓ４では、供給口２５からレジスト液
３０は吐出されない。基板静止工程Ｓ４では、レジスト液３０を供給ノズル２４から分離
させることができ、基板１０の中央部上においてレジスト液３０は凸形状となる。すなわ
ち、レジスト液３０は、基板１０の中央部上において、中央凸部３６を有する。基板静止
工程Ｓ４は、例えば、０．２秒以上１秒以下の間行われる。基板静止工程Ｓ４の時間が０
．２秒より短いと、レジスト液３０を供給ノズル２４から分離させることができない場合
がある。基板静止工程Ｓ４の時間が１秒より長いと、レジスト液３０が均されて中央凸部
３６がなくなってしまう場合がある。
【００３９】
次に、図５（Ｅ）に示すように、レジスト液３０の供給を停止させた状態で、ステージ
２２を回転させることにより、基板１０を回転させる（基板回転工程Ｓ５）。基板回転工
程Ｓ５において、レジスト液３０の中央凸部３６は、基板１０の外周部の方向に拡散し、
均されてなくなる。または、中央凸部３６の厚さは、レジスト液３０の他の部分に対して
相対的に小さくなる。基板回転工程Ｓ５では、所定の加速度で基板１０の回転数を上昇さ
せた後、回転数を所定の時間一定に保つ。基板１０の回転数（一定に保たれる回転数）は
、例えば、１０００ｒｐｍ以上５０００ｒｐｍ以下である。基板１０の回転の加速度は、
例えば、２０００ｒｐｍ／秒以上３００００ｒｐｍ／秒以下である。基板回転工程Ｓ５で
は、遠心力によって、レジスト液３０の一部を基板１０の表面から飛ばすことができ、レ
ジスト液３０の厚さを調整することができる。例えば、基板回転工程Ｓ５では、レジスト
液３０の厚さを４μｍ以上にすることができる。その後、所定の加速度で回転数を減少さ
せて、基板１０を静止させる。
【００４０】
以上の工程により、基板１０上にレジスト液３０を塗布することができる。
【００４１】
本実施形態に係るレジスト塗布方法は、例えば、以下の特徴を有する。
【００４２】
本実施形態に係るレジスト塗布方法では、供給工程ＳＳ（Ｓ１〜Ｓ３）と、供給工程Ｓ
１〜Ｓ３の後に基板回転工程Ｓ５と、を含み、供給工程Ｓ１〜Ｓ３の終了時において、基
板１０は静止している。そのため、本実施形態に係るレジスト塗布方法では、回転供給工
程Ｓ２で形成されたレジスト液３０の外周凸部３４を、第２静止供給工程Ｓ３でなくなら
せることができ、さらに、基板静止工程Ｓ４で中央凸部３６を形成することができる。し
たがって、本実施形態に係るレジスト塗布方法では、基板回転工程Ｓ５において、基板１
０の中心部上のレジスト液３０を基板１０の外周部に拡散させることにより、基板１０上
に、均一性よくレジスト液３０を塗布することができる。さらに、本実施形態に係るレジ
スト塗布方法では、供給工程Ｓ１〜Ｓ３の開始時において、基板１０は静止している。そ
のため、より均一性よくレジスト液３０を塗布することができる。
【００４３】
ここで、図６および図７は、参考例に係るレジスト塗布方法における基板１０１０上の
レジスト液１０３０の状態を模式的に示す断面図である。
【００４４】
図６に示す方法では、まず、図６（Ａ）に示すように、レジスト塗布装置１０２０のス
テージ１０２２を回転させることにより、基板１０１０を回転させながら、供給ノズル１
０２４の供給口１０２５からレジスト液１０３０を供給する。供給されたレジスト液１０
３０は、図６（Ｂ）に示すように、基板１０１０の外周部に向けて拡散する。そして、基
板１０１０を回転させながら、レジスト液１０３０の供給を停止する。次に、図６（Ｃ）
に示すように、レジスト液１０３０の供給を停止した状態で、基板１０１０を回転させる
。図６に示す方法では、レジスト液１０３０を供給する工程の終了時において、基板１０
１０は回転しているため、局所的に基板１０１０の中央部上のレジスト液１０３０の厚さ
を大きくすることができず、図６（Ｃ）に示すように、基板１０１０の外周部上に比べて
、基板１０１０の中央部上のレジスト液１０３０の厚さが小さくなる。さらに、図６に示
す方法では、レジスト液１０３０を供給する工程の開始時において、基板１０１０は回転
しているため、よりいっそう、基板１０１０の外周部上に比べて、基板１０１０の中央部
上のレジスト液１０３０の厚さが小さくなる。さらに、気泡を巻き込んで、塗布ムラが発
生する場合がある。
【００４５】
図７に示す方法では、まず、図７（Ａ）に示すように、基板１０１０を静止させて、レ
ジスト液１０３０を供給する。次に、図７（Ｂ）に示すように、基板１０１０を回転させ
て、レジスト液１０３０を供給する。そして、基板１０１０を回転させながら、レジスト
液１０３０の供給を停止する。次に、図７（Ｃ）に示すように、レジスト液１０３０の供
給を停止した状態で、基板１０１０を回転させる。図７に示す方法においても、図６に示
す方法と同様に、レジスト液１０３０を供給する工程の終了時において、基板１０１０は
回転しているため、局所的に基板１０１０の中央部上のレジスト液１０３０の厚さを大き
くすることができず、図７（Ｃ）に示すように、基板１０１０の外周部上に比べて、基板
１０１０の中央部上のレジスト液１０３０の厚さが小さくなる。なお、図７に示す方法で
は、レジスト液１０３０を供給する工程の開始時において、基板１０１０は静止している
ため、図６に示す方法よりも、基板１０１０の外周部上のレジスト液１０３０の厚さと、
基板１０１０の中央部上のレジスト液１０３０の厚さと、の差は、小さくなる。
【００４６】
本実施形態に係るレジスト塗布方法では、供給工程Ｓ１〜Ｓ３の終了時において基板１
０は静止していため、上述した図６に示す方法および図７に示す方法に比べて、均一性よ
くレジスト液３０を塗布することができる。
【００４７】
本実施形態に係るレジスト塗布方法では、供給工程Ｓ１〜Ｓ３と基板回転工程Ｓ５との
間に、基板静止工程Ｓ４を含む。そのため、本実施形態に係るレジスト塗布方法では、基
板回転工程Ｓ５の前に、レジスト液３０を供給ノズル２４から分離させることができる。
【００４８】
本実施形態に係るレジスト塗布方法では、基板静止工程Ｓ４は、０．２秒以上１秒以下
の間行われる。そのため、本実施形態に係るレジスト塗布方法では、基板回転工程Ｓ５の
前に中央凸部３６がなくなることを防ぎつつ、確実に、レジスト液３０を供給ノズル２４
から分離させることができる。
【００４９】
本実施形態に係るレジスト塗布方法では、回転供給工程Ｓ２の後に第２静止供給工程Ｓ
３を含み、第２静止供給工程Ｓ３は、０．３秒以上１秒以下の間行われる。そのため、本
実施形態に係るレジスト塗布方法では、レジスト液３０の外周凸部３４をなくすことがで
き、かつ、基板１０の外周部上に比べて、中心部上のレジスト液３０の厚さが大きくなり
すぎてしまうことを抑制することができる。
【００５０】
本実施形態に係るレジスト塗布方法では、回転供給工程Ｓ２における基板１０の回転数
は、基板回転工程Ｓ５における基板１０の回転数よりも高い。そのため、本実施形態に係
るレジスト塗布方法では、レジスト液３０に塗布ムラが発生することを抑制しつつ、基板
１０の中心部上のレジスト液３０を、基板１０の外周部に拡散させることができる。回転
供給工程Ｓ２では、基板１０が静止している状態から、レジスト液３０を供給ノズル２４
に接続させたまま基板１０を回転させるので、回転数が小さいと、レジスト液３０の接続
部３２が回転によって揺れてレジスト液３０に塗布ムラが発生する場合がある。一方、基
板回転工程Ｓ５では、レジスト液３０は供給ノズル２４と離間しているので、回転数を大
きくしなくても塗布ムラは発生しにくく、接続部３２に起因する塗布ムラを考慮せずに、
回転数を決定することができる。
【００５１】
本実施形態に係るレジスト塗布方法では、レジスト液３０の粘度は、５０ｃＰ以上であ
る。本実施形態に係るレジスト塗布方法では、このように、基板１０上において厚さの分
布が生じると分布を小さくするような流動が起きにくい粘度の高いレジスト液３０におい
ても、均一性よく塗布することができる。
【００５２】
本実施形態に係るレジスト塗布方法では、基板回転工程Ｓ５では、レジスト液３０の厚
さを４μｍ以上にする。本実施形態に係るレジスト塗布方法では、このように厚いレジス
ト液３０でも、均一性よく塗布することができる。
【００５３】
なお、上述した実施形態は一例であって、これらに限定されるわけではない。例えば、
本発明に係るレジスト塗布方法は、図８に示すように、レジスト液を供給する工程ＳＳに
おいて、基板を静止させた状態から基板の回転数を上昇させて回転数を一定に保った後、
回転数を減少させて基板を静止させ、さらに、回転数を上昇させて回転数を一定に保った
後に、回転数を減少させて基板を静止させてもよい。
【００５４】
２．  実験例
以下に実験例を示し、本発明をより具体的に説明する。なお、本発明は、以下の実験例
によってなんら限定されるものではない。
【００５５】
２．１．  レジスト塗布処理
実施例に係るレジスト塗布方法では、上述した図２に示すようなフローチャート、およ
び図３に示すようなタイムチャートで塗布処理を行った。第１静止供給工程Ｓ１の時間を
、１秒間とした。回転供給工程Ｓ２において、加速度１００００ｒｐｍ／秒で基板の回転
数を上昇させて５０００ｒｐｍで１秒間保ち、加速度１００００ｒｐｍ／秒で回転数を減
少させた。第２静止供給工程Ｓ３の時間を、０．６６秒とした。基板静止工程Ｓ４の時間
を、０．３４秒とした。基板回転工程Ｓ５において、加速度１００００ｒｐｍ／秒で回転
数を上昇させて３０００ｒｐｍで３０秒間保ち、加速度３０００ｒｐｍ／秒で回転数を減
少させた。
【００５６】
比較例に係るレジスト塗布方法では、図９に示すようなタイムチャートで塗布処理を行
った。工程Ｓ１００１において、レジスト液を供給していない状態で、基板の回転数を１
５００ｒｐｍから、加速度１００００ｒｐｍ／秒で３０００ｒｐｍまで上昇させた。工程
Ｓ１００２において、回転数を３０００ｒｐｍに保ちながら、２．５秒間レジスト液を塗
布した。工程Ｓ１００３において、基板が回転している状態でレジスト液の供給を停止し
て、加速度１００００ｒｐｍ／秒で、回転数を３０００ｒｐｍから１５００ｒｐｍに減少
させ、１５００ｒｐｍで０．５秒間保ち、その後、加速度１００００ｒｐｍ／秒で３００
０ｒｐｍまで上昇させた。工程Ｓ１００４において、３０００ｒｐｍで３０秒間保ち、加
速度３０００ｒｐｍ／秒で回転数を減少させた。
【００５７】
実施例に係るレジスト塗布方法および比較例に係るレジスト塗布方法ともに、基板とし
ては、直径６インチのシリコンウェハーを用いた。レジスト塗布装置としては、スピンコ
ーターを用い、ウェハー１枚当たりのレジスト液の供給量を１．６ｍｌとし、レジスト液
の供給速度を０．６ｍｌ／秒とした。レジスト液としては、粘度９６ｃＰのＺＲ８８００
（東京応化工業社製）を用いた。
【００５８】
２．２．  レジスト液の厚さの均一性評価
上記のような方法で形成されたレジスト液の厚さの均一性評価を行った。図１０は、基
板面内におけるレジスト液の厚さの平均およびばらつきを示すグラフである。図１１は、
基板面内における基板中心からの距離に対するレジスト液の厚さを示すグラフである。な
お、レジスト液の厚さは、大日本スクリーン製造社製膜厚測定装置（ラムダエース）を用
いて測定した。また、図１１において、横軸の＋の数値は、基板中心（ゼロ）から所定の
方向における距離を示し、マイナスの数値は、基板中心から所定の方向とは反対の方向に
おける距離を示している。
【００５９】
図１０および図１１に示すように、実施例に係るレジスト塗布方法は、比較例に係るレ
ジスト塗布方法に比べて、基板上に、均一性よくレジスト液を塗布することができること
がわかった。
【００６０】
上述した実施形態は一例であって、これらに限定されるわけではない。例えば、各実施
形態および各変形例を適宜組み合わせることも可能である。
【００６１】
本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法及び
結果が同一の構成、あるいは目的及び効果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施
の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実
施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することが
できる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構
成を含む。
【符号の説明】
【００６２】
１０…基板、２０…レジスト塗布装置、２２…ステージ、２３…接触面、２４…供給ノズ
ル、２５…供給口、３０…レジスト液、３２…接続部、３４…外周凸部、３６…中央凸部
、１０１０…基板、１０２０…レジスト塗布装置、１０２２…ステージ、１０２４…供給
ノズル、１０２５…供給口、１０３０…レジスト液
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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