(57)【要約】【課題】微細且つ良好な孔を形成し得るレーザ加工方法、ガラス加工部品の製造方法及びレーザ加工装置を提供する。【解決手段】ガラス基板４６の一方の主面から他方の主面に向かう方向に進行する超短パルスレーザ光Ａの集光点５６をガラス基板の他方の主面側から一方の主面側に移動させながら超短パルスレーザ光を照射することにより改質部５０を形成する工程と、改質部をエッチングすることにより孔を開ける工程とを有し、超短パルスレーザ光の１パルスの単位面積当たりのエネルギーをＥ、集光点の移動速度をｖ、繰り返し周波数をｆとすると、０．０５×１０６［Ｊ／ｍ２］≦Ｅ≦０．５×１０６［Ｊ／ｍ２］であり、０．２２×１０−１２［ｍ・ｓ］≦（ｖ／ｆ２）≦１０×１０−１２［ｍ・ｓ］であり、０．０１８×１０１８［Ｊ／（ｍ３・ｓ）］≦（Ｅ・ｆ２／ｖ）≦０．８１×１０１８［Ｊ／（ｍ３・ｓ）］である。【選択図】図３
2016049542.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス基板の一方の主面から他方の主面に向かう方向に進行する超短パルスレーザ光の集光点を、前記ガラス基板の前記他方の主面側から前記一方の主面側に移動させながら、前記ガラス基板に前記超短パルスレーザ光を照射することにより、前記ガラス基板に改質部を形成する工程と、
前記改質部をエッチングすることにより、前記ガラス基板に孔を開ける工程とを有し、
前記超短パルスレーザ光の１パルスの単位面積当たりのエネルギーをＥ、前記超短パルスレーザ光の前記集光点の移動速度をｖ、前記超短パルスレーザ光の繰り返し周波数をｆとすると、
０．０５×１０６［Ｊ／ｍ２］≦Ｅ≦０．５×１０６［Ｊ／ｍ２］であり、
０．２２×１０−１２［ｍ・ｓ］≦（ｖ／ｆ２）≦１０×１０−１２［ｍ・ｓ］であり、
０．０１８×１０１８［Ｊ／（ｍ３・ｓ）］≦（Ｅ・ｆ２／ｖ）≦０．８１×１０１８［Ｊ／（ｍ３・ｓ）］である、レーザ加工方法。
【請求項２】
複数の板状体を積み重ねる工程と、
前記複数の板状体が積み重ねられた積重体の一方の主面から他方の主面に向かう方向に進行するパルスレーザ光の集光点を、前記積重体の前記他方の主面側から前記一方の主面側に徐々に移動させながら、前記積重体に前記パルスレーザ光を照射することにより、前記板状体に改質部を形成する工程と、
前記改質部をエッチングすることにより、前記板状体に孔を形成する工程と
を有するレーザ加工方法。
【請求項３】
前記パルスレーザは、超短パルスレーザ光である、請求項２記載のレーザ加工方法。
【請求項４】
前記板状体は、ガラス基板である、請求項２又は３記載のレーザ加工方法。
【請求項５】
前記ガラス基板は、第１の成分である酸化ケイ素と、前記第１の成分と異なる成分である第２の成分とを少なくとも含む多成分ガラス基板であり、
前記板状体に孔を形成する工程では、前記第１の成分と反応する第１の薬液であるフッ酸と、前記第２の成分と反応する酸性の薬液である第２の薬液とを含むエッチング液を用いて、前記改質部をエッチングする、請求項１又は４記載のレーザ加工方法。
【請求項６】
前記第２の成分は、酸化マグネシウム又は酸化カルシウムであり、
前記第２の薬液は、硝酸、塩酸又は硫酸である、請求項５記載のレーザ加工方法。
【請求項７】
ガラス基板の一方の主面から他方の主面に向かう方向に進行する超短パルスレーザ光の集光点を、前記ガラス基板の前記他方の主面側から前記一方の主面側に徐々に移動させながら、前記ガラス基板に前記超短パルスレーザ光を照射することにより、前記ガラス基板に改質部を形成する工程と、
前記改質部をエッチングすることにより、前記ガラス基板に孔を開ける工程とを有し、
前記超短パルスレーザ光の１パルスの単位面積当たりのエネルギーをＥ、前記超短パルスレーザ光の前記集光点の移動速度をｖ、前記超短パルスレーザ光の繰り返し周波数をｆとすると、
０．０５×１０６［Ｊ／ｍ２］≦Ｅ≦０．５×１０６［Ｊ／ｍ２］であり、
０．２２×１０−１２［ｍ・ｓ］≦（ｖ／ｆ２）≦１０×１０−１２［ｍ・ｓ］であり、
０．０１８×１０１８［Ｊ／（ｍ３・ｓ）］≦（Ｅ・ｆ２／ｖ）≦０．８１×１０１８［Ｊ／（ｍ３・ｓ）］である、ガラス加工部品の製造方法。
【請求項８】
複数のガラス基板を積み重ねる工程と、
前記複数のガラス基板が積み重ねられた積重体の一方の主面から他方の主面に向かう方向に進行するパルスレーザ光の集光点を、前記積重体の前記他方の主面側から前記一方の主面側に徐々に移動させながら、前記積重体に前記パルスレーザ光を照射することにより、前記ガラス基板に改質部を形成する工程と、
前記改質部をエッチングすることにより、前記ガラス基板に孔を形成する工程と
を有するガラス加工部品の製造方法。
【請求項９】
超短パルスレーザ光を発する光源と、
ガラス基板の一方の主面から他方の主面に向かう方向に進行する前記超短パルスレーザ光の集光点を、前記ガラス基板の前記他方の主面側から前記一方の主面側に移動させながら、前記ガラス基板に前記超短パルスレーザ光を照射することにより、前記ガラス基板に改質部を形成する制御部とを有し、
前記超短パルスレーザ光の１パルスの単位面積当たりのエネルギーをＥ、前記超短パルスレーザ光の前記集光点の移動速度をｖ、前記超短パルスレーザ光の繰り返し周波数をｆとすると、
０．０５×１０６［Ｊ／ｍ２］≦Ｅ≦０．５×１０６［Ｊ／ｍ２］であり、
０．２２×１０−１２［ｍ・ｓ］≦（ｖ／ｆ２）≦１０×１０−１２［ｍ・ｓ］であり、
０．０１８×１０１８［Ｊ／（ｍ３・ｓ）］≦（Ｅ・ｆ２／ｖ）≦０．８１×１０１８［Ｊ／（ｍ３・ｓ）］である、レーザ加工装置。
【請求項１０】
パルスレーザ光を発する光源と、
複数の板状体が積み重ねられた積重体の一方の主面から他方の主面に向かう方向に進行する前記パルスレーザ光の集光点を、前記積重体の前記他方の主面側から前記一方の主面側に徐々に移動させながら、前記積重体に前記パルスレーザ光を照射することにより、前記板状体に改質部を形成する制御部と
を有するレーザ加工装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レーザ加工方法、ガラス加工部品の製造方法及びレーザ加工装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
物体に孔を開ける技術として、ドリル等を用いた機械的な孔開け加工が知られている。
【０００３】
しかし、機械的な孔開け加工では、数μｍから数十μｍの径の微細な孔を硬脆性材料に開けることは容易ではない。
【０００４】
一方、レーザ光を用いてアブレーションを行うことにより、物体に孔を開ける技術も提案されている。
【０００５】
しかし、レーザ光を用いたアブレーションにより孔を形成しようとした場合には、クラックが生じやすく、物体が割れてしまう場合がある。
【０００６】
近時では、レーザ光をガラス等に照射することにより変質部を形成し、変質部をエッチングすることにより孔を形成する技術が提案されている（特許文献１，２）。この技術を用いれば、クラックを生じさせることなく、孔を形成することが可能となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００４−３５１４９４号公報
【特許文献２】特開２０１１−１７８６４２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、単にレーザ光を照射することにより改質部を形成し、かかる改質部をエッチングした場合には、必ずしも良好な孔を形成し得ない。
【０００９】
本発明の目的は、微細な孔を良好に形成し得るレーザ加工方法、ガラス加工部品の製造方法及びレーザ加工装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
実施形態の一観点によれば、ガラス基板の一方の主面から他方の主面に向かう方向に進行する超短パルスレーザ光の集光点を、前記ガラス基板の前記他方の主面側から前記一方の主面側に移動させながら、前記ガラス基板に前記超短パルスレーザ光を照射することにより、前記ガラス基板に改質部を形成する工程と、前記改質部をエッチングすることにより、前記ガラス基板に孔を開ける工程とを有し、前記超短パルスレーザ光の１パルスの単位面積当たりのエネルギーをＥ、前記超短パルスレーザ光の前記集光点の移動速度をｖ、前記超短パルスレーザ光の繰り返し周波数をｆとすると、０．０５×１０６［Ｊ／ｍ２］≦Ｅ≦０．５×１０６［Ｊ／ｍ２］であり、０．２２×１０−１２［ｍ・ｓ］≦（ｖ／ｆ２）≦１０×１０−１２［ｍ・ｓ］であり、０．０１８×１０１８［Ｊ／（ｍ３・ｓ）］≦（Ｅ・ｆ２／ｖ）≦０．８１×１０１８［Ｊ／（ｍ３・ｓ）］である、レーザ加工方法が提供される。
【００１１】
実施形態の他の観点によれば、複数の板状体を積み重ねる工程と、前記複数の板状体が積み重ねられた積重体の一方の主面から他方の主面に向かう方向に進行するパルスレーザ光の集光点を、前記積重体の前記他方の主面側から前記一方の主面側に徐々に移動させながら、前記積重体に前記パルスレーザ光を照射することにより、前記板状体に改質部を形成する工程と、前記改質部をエッチングすることにより、前記板状体に孔を形成する工程とを有するレーザ加工方法が提供される。
【００１２】
実施形態の更に他の観点によれば、ガラス基板の一方の主面から他方の主面に向かう方向に進行する超短パルスレーザ光の集光点を、前記ガラス基板の前記他方の主面側から前記一方の主面側に徐々に移動させながら、前記ガラス基板に前記超短パルスレーザ光を照射することにより、前記ガラス基板に改質部を形成する工程と、前記改質部をエッチングすることにより、前記ガラス基板に孔を開ける工程とを有し、前記超短パルスレーザ光の１パルスの単位面積当たりのエネルギーをＥ、前記超短パルスレーザ光の前記集光点の移動速度をｖ、前記超短パルスレーザ光の繰り返し周波数をｆとすると、０．０５×１０６［Ｊ／ｍ２］≦Ｅ≦０．５×１０６［Ｊ／ｍ２］であり、０．２２×１０−１２［ｍ・ｓ］≦（ｖ／ｆ２）≦１０×１０−１２［ｍ・ｓ］であり、０．０１８×１０１８［Ｊ／（ｍ３・ｓ）］≦（Ｅ・ｆ２／ｖ）≦０．８１×１０１８［Ｊ／（ｍ３・ｓ）］である、ガラス加工部品の製造方法が提供される。
【００１３】
実施形態の更に他の観点によれば、複数のガラス基板を積み重ねる工程と、前記複数のガラス基板が積み重ねられた積重体の一方の主面から他方の主面に向かう方向に進行するパルスレーザ光の集光点を、前記積重体の前記他方の主面側から前記一方の主面側に徐々に移動させながら、前記積重体に前記パルスレーザ光を照射することにより、前記ガラス基板に改質部を形成する工程と、前記改質部をエッチングすることにより、前記ガラス基板に孔を形成する工程とを有するガラス加工部品の製造方法が提供される。
【００１４】
実施形態の更に他の観点によれば、超短パルスレーザ光を発する光源と、ガラス基板の一方の主面から他方の主面に向かう方向に進行する前記超短パルスレーザ光の集光点を、前記ガラス基板の前記他方の主面側から前記一方の主面側に移動させながら、前記ガラス基板に前記超短パルスレーザ光を照射することにより、前記ガラス基板に改質部を形成する制御部とを有し、前記超短パルスレーザ光の１パルスの単位面積当たりのエネルギーをＥ、前記超短パルスレーザ光の前記集光点の移動速度をｖ、前記超短パルスレーザ光の繰り返し周波数をｆとすると、０．０５×１０６［Ｊ／ｍ２］≦Ｅ≦０．５×１０６［Ｊ／ｍ２］であり、０．２２×１０−１２［ｍ・ｓ］≦（ｖ／ｆ２）≦１０×１０−１２［ｍ・ｓ］であり、０．０１８×１０１８［Ｊ／（ｍ３・ｓ）］≦（Ｅ・ｆ２／ｖ）≦０．８１×１０１８［Ｊ／（ｍ３・ｓ）］である、レーザ加工装置が提供される。
【００１５】
実施形態の更に他の観点によれば、パルスレーザ光を発する光源と、複数の板状体が積み重ねられた積重体の一方の主面から他方の主面に向かう方向に進行する前記パルスレーザ光の集光点を、前記積重体の前記他方の主面側から前記一方の主面側に徐々に移動させながら、前記積重体に前記パルスレーザ光を照射することにより、前記板状体に改質部を形成する制御部とを有するレーザ加工装置が提供される。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、集光点をガラス基板の下面側から上面側に移動させながら超短パルスレーザ光を照射することにより、ガラス基板に改質部を形成する。この際、所定の式を満たすように、超短パルスレーザ光の１パルスの単位面積当たりのエネルギーＥ、超短パルスレーザ光の集光点の移動速度ｖ、及び、超短パルスレーザ光の繰り返し周波数ｆを設定する。このため、本発明によれば、適度な改質部をガラス基板に形成することができる。そして、改質部をエッチングすれば、微細な孔を良好に形成することができる。
【００１７】
また、本発明によれば、複数の板状体を重ね合わせた状態でレーザ光を照射することにより改質部を形成する。上下が他の板状体で挟まれた板状体においては、表層部が空中に露出していない状態でレーザ光が照射される。このため、上下が他の板状体で挟まれた板状体においては、加工閾値が極度に低下してしまうのを防止することができる。このため、本発明によれば、上下が他の板状体により挟まれた板状体において、良好な改質部を形成することができ、ひいては、上下が他の板状体により挟まれた板状体において、良好な孔を形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の第１実施形態によるレーザ加工装置を示すブロック図である。
【図２】レーザ光源から発せられるレーザ光の波形を概念的に示すタイムチャートである。
【図３】本発明の第１実施形態によるレーザ加工方法及びガラス加工部品の製造方法を示す工程断面図である。
【図４】本発明の第１実施形態によるレーザ加工方法及びガラス加工部品の製造方法を示す工程断面図である。
【図５】図５（ａ）は、レーザ光の集光点の送り速度とレーザ光の繰り返し周波数と形成された孔の良否の判定結果との関係を示す表であり、図５（ｂ）は、集光点の送り方向におけるレーザ光の空間的な照射間隔Ｄとレーザ光の時間的な照射間隔Ｔとの積Ｙを示す表である。
【図６】ガラス基板に形成された孔のＳＥＭ像を示す図である。
【図７】ガラス基板に形成された孔のＳＥＭ像を示す図である。
【図８】エッチング液中における第１の薬液及び第２の薬液の混合量と形成された孔のテーパ角との関係を示す表である。
【図９】ガラス基板に形成された孔の光学顕微鏡写真を示す図である。
【図１０】ガラス基板に形成された孔の光学顕微鏡写真を示す図である。
【図１１】本発明の第２実施形態によるレーザ加工装置を示すブロック図である。
【図１２】本発明の第２実施形態によるレーザ加工方法及びガラス加工部品の製造方法を示す工程断面図である。
【図１３】本発明の第２実施形態によるレーザ加工方法及びガラス加工部品の製造方法を示す工程断面図である。
【図１４】ガラス基板に形成した孔をガラス基板の上面側から観察したＳＥＭ像を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明の実施の形態について図面を用いて説明する。なお、本発明は以下の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において適宜変更可能である。また、以下で説明する図面において、同じ機能を有するものは同一の符号を付し、その説明を省略又は簡潔にすることもある。
【００２０】
［第１実施形態］
本発明の第１実施形態によるレーザ加工方法、ガラス加工部品の製造方法及びレーザ加工装置について図面を用いて説明する。
【００２１】
（レーザ加工装置）
まず、本実施形態によるレーザ加工方法及びカラス加工部品の製造方法に用いられるレーザ加工装置について説明する。図１は、本実施形態によるレーザ加工装置を示すブロック図である。図１において、各構成要素間の接続は実線で示されており、レーザ光の光路は破線で示されている。
【００２２】
本実施形態によるレーザ加工装置２は、加工対象物１６にレーザ光を照射することにより、加工対象物１６に改質部（変質部）５０（図３参照）を形成するものである。改質部５０はエッチングされやすくなるため、改質部５０をエッチングすることにより、孔（貫通孔）５２（図４（ｂ）参照）を形成することが可能である。そして、孔５２内に導電体を埋め込めば、孔５２内に貫通電極（ビア）５４を形成することが可能である。
【００２３】
本実施形態によるレーザ加工装置２は、レーザ光Ａを発するレーザ光源１０と、本実施形態によるレーザ加工装置全体の制御を司る制御部１４とを有している。また、本実施形態によるレーザ加工装置２は、加工対象物１６が載置されるステージ１８を更に有している。
【００２４】
本実施形態によるレーザ加工装置２は、例えば、ガラス加工部品を製造する製造装置に備えられている。ここでは、加工対象物１６がガラス基板４６である場合を例に説明するが、加工対象物１６はガラス基板４６に限定されるものではない。本実施形態によるレーザ加工装置２は、様々な加工対象物１６に改質部５０を形成することができ、様々な物品を製造することが可能である。
【００２５】
制御部１４は、種々の演算、制御、判別等の処理を実行するＣＰＵ（図示せず）を有している。また、制御部１４は、ＣＰＵによって実行される様々な制御プログラム等を格納するＲＯＭ（図示せず）等を有している。また、制御部１４は、ＣＰＵが処理中のデータや入力データ等を一時的に格納するＲＡＭ（図示せず）等を有している。
【００２６】
制御部１４には、所定の指令やデータなどをユーザが入力するための入力操作部３８が接続されている。かかる入力操作部３８としては、例えばキーボードや各種スイッチ等が用いられる。
【００２７】
制御部１４には、種々の表示を行うための表示部４０が接続されている。表示部４０には、例えば、本実施形態によるレーザ加工装置２の動作状態、ステージ１８の状態、ＣＣＤカメラ４２により取得された画像等が表示される。表示部４０としては、例えば液晶ディスプレイ等が用いられる。
【００２８】
レーザ光源１０は、レーザ光（レーザビーム）Ａを発するものである。より具体的には、レーザ光源１０は、パルスレーザ光Ａを発するものである。ここでは、パルスレーザ光Ａとして、例えば超短パルスレーザを用いる。超短パルスレーザ光Ａとしては、例えばフェムト秒レーザ光が用いられている。フェムト秒レーザ光とは、一般的には、パルス幅がフェムト秒（ｆｓ：１０−１５秒）オーダーのレーザ光、即ち、パルス幅が１ｆｓ以上、１ｐｓ未満のレーザ光のことである。レーザ光源１０からは、例えば、パルス幅がフェムト秒のオーダーのパルスレーザビームＡが出射される。本実施形態では、レーザ光源１０として、例えば、中心波長１０４５ｎｍ程度、パルス幅８００ｆｓ程度のレーザ発振器が用いられている。本実施形態においてパルスレーザ光Ａとして超短パルスレーザ光を用いるのは、超短パルスレーザ光は、熱溶融を起こすことなく精密微細加工を実現し得るためである。
【００２９】
なお、ここでは、レーザ光Ａのパルス幅を８００ｆｓ程度とする場合を例に説明したが、レーザ光Ａのパルス幅は８００ｆｓ程度に限定されるものではない。また、レーザ光Ａのパルス幅は、フェムト秒のオーダーに限定されるものではなく、ピコ秒のオーダーであってもよい。本願の明細書及び特許請求の範囲において、超短パルスレーザ光とは、パルス幅がフェムト秒であるパルスレーザ光に限定されるものではなく、パルス幅が数十ピコ秒以下であるピコ秒レーザ光をも含むものとする。また、本願の明細書及び特許請求の範囲において、フェムト秒レーザ光とは、パルス幅がフェムト秒であるレーザ光に限定されるものではなく、パルス幅が数十ピコ秒以下であるピコ秒レーザ光をも含むものとする。
【００３０】
また、レーザ光源１０から発せられるレーザ光Ａの中心波長も、１０４５ｎｍ程度に限定されるものではなく、適宜設定し得る。
【００３１】
レーザ光Ａを発するレーザ光源１０の定格出力は、例えば１２０ｍＷ程度とする。なお、レーザ光Ａを発するレーザ光源１０の定格出力は、１２０ｍＷ程度に限定されるものではなく、適宜設定し得る。
【００３２】
レーザ光源１０は、制御部１４により制御される。制御部１４は、予め設定されたパルス幅や繰り返し周波数でレーザ光源１０からパルスレーザ光Ａを出射させる。レーザ光源１０から出射されるレーザ光Ａのパルス幅や繰り返し周波数等は、ユーザが入力操作部３８を介して適宜設定し得る。図２は、レーザ光源から発せられるレーザ光の波形を概念的に示すタイムチャートである。図２に示すように、所定の繰り返し周期Ｔでレーザ光Ａのパルスが出射される。レーザ光のパルスの繰り返し周波数は、例えば１ｋＨｚ〜１ＭＨｚ程度とする。なお、レーザ光Ａのパルスの繰り返し周波数は、１ｋＨｚ〜１ＭＨｚ程度に限定されるものではなく、適宜設定し得る。ユーザにより入力された各種の設定情報等は、制御部１４に設けられた記憶部（図示せず）内に適宜記憶される。
【００３３】
レーザ光Ａを発するレーザ光源１０の後段には、レーザ光Ａのビーム径を調整するためのビームエキスパンダ１２が設けられている。ビームエキスパンダ１２の後段には、レーザ光の偏光方向を制御する１／２波長板２０が設けられている。１／２波長板２０の後段には、レーザ光の出力を調整する偏光ビームスプリッタ２２が設けられている。１／２波長板２０は、回転させることによりレーザ光の偏光方向を変更することができる光学素子である。偏光ビームスプリッタ２２は、入射光の偏光成分を分岐することができる光学素子である。１／２波長板２０を回転することによりレーザ光の偏光方向を変更すると、偏光ビームスプリッタ２２において分岐される偏光成分の割合が変化する。１／２波長板２０の回転角を適宜調整することにより、偏光ビームスプリッタ２２から出射されるレーザ光のパワーを適宜調整することができる。１／２波長板２０と偏光ビームスプリッタ２２とが相俟って出力減衰器２４が構成されている。このように、レーザ光源１０から出射されるパルスレーザ光のレーザ強度は、出力減衰器２４により調整し得るようになっている。加工対象物１６に照射されるパルスレーザ光のレーザ強度（パルスエネルギー）は、ユーザが入力操作部３８を介して適宜設定し得る。
【００３４】
出力減衰器２４により調整されたレーザ光Ａのパルスエネルギー、即ち、加工対象物１６に照射されるレーザ光Ａのパルスエネルギーは、適度に設定することが好ましい。より具体的には、加工対象物１６に照射されるレーザ光Ａの単位面積当たりのパルスエネルギーを、適度に設定することが好ましい。加工対象物１６に照射されるレーザ光Ａの単位面積当たりのパルスエネルギー（１パルスの単位面積当たりのエネルギー）が過度に高い場合には、微細で良好な孔５２を形成し得ないためである。一方、加工対象物１６に照射されるレーザ光Ａの単位面積当たりのパルスエネルギーが過度に低い場合には、十分に改質を行うことができず、開口不良等の要因となるためである。
【００３５】
なお、ここでは、１／２波長板２０と偏光ビームスプリッタ２２とにより構成される出力減衰器２４を用いてレーザ光の強度を調整する場合を例に説明したが、レーザ光Ａの強度を調整する手段はこれに限定されるものではない。任意の調整手段を用いてレーザ光Ａの強度を適宜調整し得る。
【００３６】
出力減衰器２４の後段には、レーザ光Ａのビーム径を調整するためのビームエキスパンダ２６が設けられている。ビームエキスパンダ２６の後段には、ミラー３０が配されている。ミラー３０に導入されるレーザ光Ａは、ミラー３０により反射されて、レンズ（対物レンズ）３２に導入されるようになっている。レンズ３２の倍率は、例えば２０倍程度とする。レンズ３２の開口数（ＮＡ）は、例えば０．４程度とする。レーザ光Ａの集光点（焦点、ビームウエスト）５５（図３参照）におけるビーム径は、例えばφ２．６μｍ程度とする。なお、ビーム径は、波長を開口数（ＮＡ）で除することにより求められる。また、レーザ光Ａの集光点５５におけるビーム径は、φ２．６μｍ程度に限定されるものではなく、適宜設定し得る。
【００３７】
レンズ３２の下方には、ステージ１８が位置している。ステージ１８上には、加工対象物１６が載置される。加工対象物（被加工物、物体、物品）１６は、例えば、ガラス基板４６とする。ガラス基板４６は、例えば多成分ガラス基板（多成分系ガラス基板）とする。より具体的には、ガラス基板４６は、無アルカリガラスとする。なお、ガラス基板４６は、多成分ガラス基板に限定されるものではない。様々なガラス基板４６を加工対象物１６とすることができる。また、加工対象物１６は、ガラス基板に限定されるものではなく、様々な物体を加工対象物とすることができる。
【００３８】
加工対象物１６に照射されるレーザ光Ａの進行方向は、加工対象物１６の一方の主面（図１における上面）側から他方の主面（図１における下面）側に向かう方向とする。
【００３９】
ステージ１８には、ステージ１８を駆動するためのステージ駆動部３６が接続されている。制御部１４は、ステージ駆動部３６を介してステージ１８を駆動する。ステージ１８としては、例えばＸＹＺθ軸ステージ等を用いることができる。制御部１４は、例えばステージ１８の上面の法線方向にステージ１８を所望の速度で上下させることができる。ステージ１８を所望の速度で上下させることができるため、レーザ光Ａの集光点（焦点、ビームウエスト）５６（図３参照）を所望の送り速度で上下方向に移動させることができる。レーザ光Ａの集光点５６の送り速度とは、集光点５６をレーザ光Ａの光軸に沿って移動させる際におけるレーザ光Ａの集光点５６の移動速度のことである。レーザ光Ａの集光点５６の送り方向は、加工対象物１６の他方の主面（図１における下面）側から加工対象物１６の一方の主面（図１における上面）側に向かう方向とする。レーザ光Ａの集光点５６の送り方向とは、集光点５６をレーザ光Ａの光軸に沿って移動させる際におけるレーザ光Ａの集光点５６の移動方向のことである。
【００４０】
なお、ステージ１８は、ＸＹＺθ軸ステージに限定されるものではなく、例えばＸＹＺ軸ステージ等であってもよい。
【００４１】
レーザ光Ａの集光点５６におけるビーム径は、例えば数μｍ〜数十μｍの範囲で適宜設定される。なお、レーザ光Ａの集光点５６におけるビーム径は、数μｍ〜数十μｍに限定されるものではなく、適宜設定し得る。
【００４２】
集光点５６におけるレーザ光Ａの断面形状は、例えば円形とする。なお、集光点５６におけるレーザ光Ａの断面形状は、円形に限定されるものではなく、例えば楕円形等であってもよい。
【００４３】
ステージ１８の上方には、ＣＣＤカメラ４２が設けられている。ＣＣＤカメラ４２により取得される画像は、制御部１４に入力されるようになっている。制御部１４は、ＣＣＤカメラ４２により取得される画像を用いて、加工対象物１６の位置決め等を行う。
【００４４】
加工対象物１６に対するレーザ光Ａの走査を開始する前には、加工対象物１６の位置が所定の位置に設定される。制御部１４は、ステージ制御部３６を介してステージ１８を適宜制御し、レーザ光Ａの照射が可能な範囲内に加工対象物１６を位置させる。
【００４５】
加工対象物１６に対するレーザ光Ａの照射を開始する際には、例えば、ユーザが入力操作部３８を介してレーザ光Ａの照射の開始の指示を行う。
【００４６】
レーザ光Ａの照射の開始の指示が入力されると、制御部１４は、加工対象物１６の所定の箇所にレーザ光Ａが照射されるように、ステージ１８をＸＹ方向（ステージ１８の上面の面内方向）に移動させる。そして、制御部１４は、ステージ１８をＺ方向（ステージ１８の上面の法線方向）に移動させることにより、所望の送り速度でレーザ光Ａの集光点５６を移動させながら、加工対象物１６にレーザ光Ａを照射する。なお、ステージ１８をＺ方向に移動させる代わりに、レンズ３２をＺ方向に移動させることにより、集光点５６を移動させても良い。
【００４７】
各々の照射予定箇所に対してレーザ光Ａの照射が順次行われる。全ての照射予定箇所に対してレーザ光Ａの照射が完了すると、レーザ光Ａを照射する工程が完了する。
【００４８】
（レーザ加工方法及びガラス加工部品の製造方法）
次に、本実施形態によるレーザ加工方法及びガラス加工部品の製造方法について図面を用いて説明する。図３及び図４は、本実施形態によるレーザ加工方法及びガラス加工部品の製造方法を示す工程断面図である。
【００４９】
本実施形態によるレーザ加工方法及びガラス加工部品の製造方法は、例えば、図１を用いて上述した本実施形態によるレーザ加工装置を用いて実施することができる。
【００５０】
まず、加工対象物１６を用意する。加工対象物１６は、例えばガラス基板４６とする。ガラス基板４６としては、例えば多成分ガラス基板とする。ガラス基板４６の厚さは、例えば１００μｍ程度とする。なお、ガラス基板４６は多成分ガラス基板に限定されるものではなく、様々なガラス基板４６を適宜用いることができる。また、加工対象物１６は、ガラス基板４６に限定されるものではなく、様々な物体を加工対象物１６とすることができる。
【００５１】
次に、照射予定箇所に対するレーザ光Ａの照射を開始する。図３（ａ）は、照射予定箇所に対してレーザ光Ａの照射を開始した段階を示している。レーザ光Ａの進行方向は、加工対象物１６の一方の主面（図３（ａ）における上面）側から他方の主面（図３（ａ）における下面）側に向かう方向とする。レーザ光Ａの照射を開始する段階におけるレーザ光Ａの集光点５６の位置は、加工対象物１６の下面の近傍とする。レーザ光Ａとしては、例えば超短パルスレーザ光を用いる。レーザ光Ａとして超短パルスレーザ光を用いるのは、超短パルスレーザ光を用いると、微細で良好な改質部５０を形成することができ、ひいては、微細で良好な孔５２を形成することが可能なためである。ここでは、例えばパルス幅が８００ｆｓ程度のフェムト秒レーザ光を、レーザ光Ａとして用いる。なお、超短パルスレーザ光Ａのパルス幅は８００ｆｓに限定されるものではなく、適宜設定することができる。レーザ光Ａの波長は、例えば１０４５ｎｍ程度とする。なお、レーザ光の波長は１０４５ｎｍに限定されるものではなく、適宜設定することができる。
【００５２】
集光点５６におけるレーザ光Ａの断面の径は、例えばφ２．６μｍ程度とする。なお、集光点５６におけるレーザ光Ａの断面の径は、φ２．６μｍ程度に限定されるものではなく、形成する孔５２の径に応じて適宜設定すればよい。
【００５３】
加工対象物１６に照射されるレーザ光Ａの１パルスの単位面積当たりのエネルギー（単位面積当たりのパルスエネルギー）をＥとすると、Ｅは以下のような式（１）を満たすことが好ましい。
【００５４】
０．０５×１０６［Ｊ／ｍ２］≦Ｅ≦０．５×１０６［Ｊ／ｍ２］  ・・・（１）
【００５５】
加工対象物１６に照射されるレーザ光Ａの単位面積当たりのパルスエネルギーＥを、式（１）に示す範囲内に設定するのは、以下のような理由によるものである。即ち、加工対象物１６に照射されるレーザ光Ａの単位面積当たりのパルスエネルギーＥが比較的小さい場合には、十分な改質を行うことができず、開口不良等の要因となる。一方、加工対象物１６に照射されるレーザ光Ａの単位面積当たりのパルスエネルギーＥが比較的大きい場合には、過度の改質が生じ、良好な孔５２を形成し得ない。良好な孔５２を形成するためには、加工対象物１６に照射されるレーザ光Ａの単位面積当たりのパルスエネルギーＥを適度に設定することが好ましく、式（１）の範囲内とすることが極めて重要である。このような理由により、本実施形態では、加工対象物１６に照射されるレーザ光の単位面積当たりのパルスエネルギーＥを、式（１）を満たすように設定している。
【００５６】
レーザ光Ａの集光点５６の送り方向は、加工対象物１６の他方の主面（図３（ａ）における下面）側から一方の主面（図３（ａ）における上面）側に向かう方向とする。レーザ光Ａの集光点５６の送り方向を、加工対象物１６の下面側から上面側に向かう方向とするのは、以下のような理由によるものである。即ち、加工対象物１６にレーザ光Ａを照射すると、集光点５６の近傍において改質が生じる。改質された箇所より下方には、レーザ光Ａが到達しにくい。従って、レーザ光Ａの集光点５６の送り方向を、加工対象物１６の上面側から下面側に向かう方向とした場合には、上面側に形成された改質部によってレーザ光が妨げられ、下面側にレーザ光を到達させることが困難となる。このような理由により、レーザ光Ａの集光点５６の送り方向は、加工対象物１６の下面側から上面側に向かう方向としている。
【００５７】
レーザ光Ａの集光点５６の送り速度は、１ｍｍ／ｓ〜２０ｍｍ／ｓの範囲内とすることが好ましい。レーザ光Ａの集光点５６の送り速度を１ｍｍ／ｓ〜２０ｍｍ／ｓの範囲内とすることが好ましいのは、以下のような理由によるものである。即ち、レーザ光Ａの集光点５６の送り速度が比較的遅い場合には、過度の改質が生じ、良好な孔５２を形成し得ない場合がある。また、レーザ光Ａの集光点５６の送り速度が比較的遅い場合には、スループットの低下をも招く。一方、レーザ光Ａの集光点５６の送り速度が比較的速い場合には、十分な改質を行うことができず、開口不良等の要因となる。従って、高いスループットで良好な孔５２を形成するためには、レーザ光Ａの集光点５６の送り速度を１ｍｍ／ｓ〜２０ｍｍ／ｓの範囲内とすることが好ましい。
【００５８】
なお、レーザ光Ａの集光点５６の送り速度は、１ｍｍ／ｓ〜２０ｍｍ／ｓに限定されるものではなく、適宜設定することができる。
【００５９】
レーザ光Ａの集光点５６の送り方向におけるレーザ光Ａの空間的な照射間隔Ｄは、適度に設定することが好ましい。レーザ光Ａの集光点５６の送り方向におけるレーザ光Ａの空間的な照射間隔Ｄを適度に設定することが好ましいのは、以下のような理由によるものである。即ち、集光点５６の送り方向におけるレーザ光Ａの空間的な照射間隔Ｄが比較的小さい場合には、レーザ光Ａが集光される箇所が互いに重なり合い、過度の改質が生じ、良好な孔５２を形成し得ない場合がある。また、集光点５６の送り方向におけるレーザ光Ａの空間的な照射間隔Ｄが比較的大きい場合には、十分な改質を行うことができず、開口不良等の要因となる。集光点５６の送り方向におけるレーザ光Ａの空間的な照射間隔は、レーザ光Ａの集光点５６の送り速度ｖとレーザ光Ａの繰り返し周波数ｆとにより規定される。従って、集光点５６の送り方向におけるレーザ光Ａの空間的な照射間隔Ｄが適度な大きさとなるように、レーザ光Ａの集光点５６の送り速度ｖとレーザ光Ａの繰り返し周波数ｆとを適宜設定することが好ましい。
【００６０】
図５（ａ）は、レーザ光の集光点の送り速度ｖとレーザ光の繰り返し周波数ｆと形成された孔５２の良否の判定結果との関係を示す表である。図５（ａ）における横軸は、レーザ光Ａの集光点５６の送り速度ｖを示しており、図５（ａ）における縦軸は、レーザ光Ａの繰り返し周波数ｆを示している。図５（ａ）における○印は、当該条件において形成された孔５２が良好であったことを示している。図５（ａ）における×印は、当該条件において形成された孔５２が良好ではなかったことを示している。図５（ａ）における△印は、当該条件において形成された孔５２が必ずしも十分に良好ではなかったことを示している。図５（ａ）においては、良好な孔５２が形成されたもの、即ち、○であったものを、太線で囲むことにより強調表示している。図５（ａ）における空欄は、当該条件において実験を行わなかったことを示している。実験の際には、レーザ光Ａの中心波長λは、１０４５μｍとした。また、レンズ３２の開口数ＮＡは、約０．４とした。また、集光点５６におけるレーザ光Ａの径は、約２．６μｍとした。また、集光点５６におけるレーザ光Ａの断面積は、約５．３μｍ２とした。また、加工対象物１６に照射されるレーザ光Ａの単位面積当たりのパルスエネルギーＥは、約０．１８×１０６［Ｊ／ｍ２］とした。
【００６１】
図５（ｂ）は、集光点の送り方向におけるレーザ光の空間的な照射間隔Ｄとレーザ光の時間的な照射間隔Ｔとの積Ｙを示す表である。図５（ｂ）における横軸は、レーザ光Ａの集光点５６の送り速度ｖを示しており、図５（ｂ）における縦軸は、レーザ光Ａの繰り返し周波数ｆを示している。図５（ｂ）に示す積Ｙの単位は、１０−１２［ｍ・ｓ］である。
【００６２】
集光点５６の送り方向におけるレーザ光Ａの空間的な照射間隔をＤとし、レーザ光Ａの集光点５６の送り速度をｖとし、レーザ光Ａの繰り返し周波数をｆとすると、以下のような式（２）が成立する。
【００６３】
Ｄ＝ｖ／ｆ  ・・・（２）
【００６４】
また、レーザ光Ａの時間的な照射間隔をＴとすると、以下のような式（３）が成立する。
【００６５】
Ｔ＝１／ｆ  ・・・（３）
【００６６】
集光点５６の送り方向におけるレーザ光Ａの空間的な照射間隔Ｄとレーザ光Ａの時間的な照射間隔Ｔとの積をＹとすると、以下のような式（４）が成立する。
【００６７】
Ｙ＝Ｄ・Ｔ＝（ｖ／ｆ）・（１／ｆ）＝ｖ／ｆ２  ・・・（４）
【００６８】
図５（ｂ）は、上述したように、集光点５６の送り方向におけるレーザ光Ａの空間的な照射間隔Ｄとレーザ光Ａの時間的な照射間隔Ｔとの積Ｙを示すものであり、式（４）により算出された値が記載されている。
【００６９】
図５（ａ）と図５（ｂ）とを比較して分かるように、集光点５６の送り方向におけるレーザ光Ａの空間的な照射間隔Ｄとレーザ光Ａの時間的な照射間隔Ｔとの積Ｙと、形成される孔５２の良否との間には関連がある。集光点５６の送り方向におけるレーザ光Ａの空間的な照射間隔Ｄとレーザ光Ａの時間的な照射間隔Ｔとの積Ｙが大きすぎる場合には、良好な孔５２を形成し得ない。一方、集光点５６の送り方向におけるレーザ光Ａの空間的な照射間隔Ｄとレーザ光Ａの時間的な照射間隔Ｔとの積Ｙが小さすぎる場合にも、良好な孔５２を形成し得ない。図５（ａ）と図５（ｂ）とを比較して分かるように、良好な孔５２を形成するためには、集光点５６の送り方向におけるレーザ光Ａの空間的な照射間隔Ｄとレーザ光Ａの時間的な照射間隔Ｔとの積Ｙ、即ち、ｖ／ｆ２の値が、以下のような式（５）を満たすことが必要である。
【００７０】
０．２２２２×１０−１２［ｍ・ｓ］≦ｖ／ｆ２≦１０×１０−１２［ｍ・ｓ］  ・・・（５）
【００７１】
上述したように、改質部５０を形成する際には、加工対象物１６に照射されるレーザ光Ａの単位面積当たりのパルスエネルギーＥを、０．１８×１０６［Ｊ／ｍ２］とした。
【００７２】
従って、改質部５０を形成した際におけるレーザ光Ａの単位面積当たりのパルスエネルギーＥと式（５）とに基づいて、以下のような式（６）を得ることができる。式（６）は、レーザ光の空間的照射間隔Ｄとレーザ光の時間的照射間隔Ｔとの積Ｙに対するレーザ光の単位面積当たりのパルスエネルギーＥの比の範囲を示している。
【００７３】
｛（０．１８×１０６［Ｊ／ｍ２］）／（１０×１０−１２［ｍ・ｓ］）｝≦（Ｅ／Ｙ）≦｛（０．１８×１０６［Ｊ／ｍ２］）／（０．２２２２×１０−１２［ｍ・ｓ］）｝  ・・・（６）
【００７４】
式（６）をまとめると、以下のような式（７）になる。
【００７５】
０．０１８×１０１８［Ｊ／（ｍ３・ｓ）］≦（Ｅ・ｆ２／ｖ）≦０．８１×１０１８［Ｊ／（ｍ３・ｓ）］  ・・・（７）
【００７６】
このように、式（１）、式（５）及び式（７）を満たすように、レーザ光Ａの単位面積当たりのパルスエネルギーＥ、レーザ光Ａの繰り返し周波数ｆ、及び、レーザ光Ａの送り速度ｖを設定すれば、良好な孔５２を形成することが可能である。従って、式（１）、式（５）及び式（７）を満たすように、レーザ光Ａの単位面積当たりのパルスエネルギーＥ、レーザ光の繰り返し周波数ｆ、及び、レーザ光の送り速度ｖを設定する。ここでは、レーザ光Ａの単位面積当たりのパルスエネルギーＥを、例えば０．１８×１０６［Ｊ／ｍ２］程度とする。また、ここでは、レーザ光Ａの繰り返し周波数ｆを、例えば１００ｋＨｚ程度とする。また、ここでは、レーザ光Ａの集光点５６の送り速度ｖを、例えば２０ｍｍ／ｓ程度とする。なお、レーザ光Ａの単位面積当たりのパルスエネルギーＥ、レーザ光Ａの繰り返し周波数ｆ及びレーザ光Ａの送り速度ｖは、これらに限定されるものではなく、式（１）、式（５）及び式（７）を満たす範囲内で適宜設定すればよい。
【００７７】
図３（ｂ）は、途中までレーザ光Ａの集光点５６を途中まで移動させた状態を示す断面図である。図３（ｂ）から分かるように、レーザ光Ａの集光点５６を移動させた箇所まで改質部６５が形成されている。
【００７８】
図３（ｃ）は、加工対象物１６の上面までレーザ光Ａの集光点５６を移動させた状態を示す断面図である。図３（ｃ）から分かるように、加工対象物１６の上面まで改質部５０が形成されている。
【００７９】
図４（ａ）は、全ての照射予定箇所に対するレーザ光Ａの照射が完了した状態を示している。全ての照射予定箇所に対するレーザ光Ａの照射が完了すると、加工対象物１６は、ステージ１８上から取り外される。
【００８０】
次に、加工対象物１６に対してエッチングを行う。エッチング方法としては、例えばウェットエッチングを用いる。上述したように、ここでは、加工対象物１６であるガラス基板４６として、多成分ガラス基板が用いられている。多成分ガラス基板は、例えば、第１の成分である酸化ケイ素と、第１の成分と異なる成分である第２の成分とを少なくとも含んでいる。フッ酸は、酸化ケイ素に反応しやすく、特に改質された酸化ケイ素に反応しやすいが、第２の成分にはあまり反応しない。このため、単にフッ酸を用いて改質部５０をエッチングしようとした場合には、エッチングに長時間を要してしまう。そこで、本実施形態では、エッチング液として、第１の成分である酸化ケイ素に反応する第１の薬液であるフッ酸（ＨＦ）と、第２の成分と反応する酸性の薬液である第２の薬液とを含むエッチング液を用いる。このような第２の薬液としては、例えば、硝酸（ＮＨＯ３）、塩酸（ＨＣｌ）、リン酸（Ｈ３ＰＯ４）又は、硫酸（Ｈ２ＳＯ４）を用いることができる。ここでは、第２の薬液として、例えば硝酸を用いる。このようなエッチング液を用いてエッチングを行うため、十分に速いエッチングレートで改質部５２をエッチングすることができる。
【００８１】
エッチング液中における第１の薬液の混合量に対する第２の薬液の混合量の比を大きくすると、ガラス基板４６に形成される孔５２のテーパ角が大きくなる傾向がある。エッチング液中における第１の薬液の混合量に対する第２の薬液の混合量の比を大きくすると孔５２のテーパ角が大きくなるのは、以下のような理由によるものである。即ち、第１の薬液は、改質された酸化ケイ素に対する選択性が極めて高い。一方、第２の薬液は、改質された酸化ケイ素に対する選択性があまり高くない。このため、エッチング液中における第１の薬液の混合量に対する第２の薬液の混合量の比を大きくしていくと、エッチングの異方性が弱められていく。このため、エッチング液中における第１の薬液の混合量に対する第２の薬液の混合量の比を大きくしてくと、孔５２のテーパ角が大きくなっていく。
【００８２】
なお、エッチング液中における第１の薬液の混合量に対する第２の薬液の混合量の比を大きくすると、ガラス基板４６に形成される孔５２のテーパ角が大きくなる傾向があるというのは、本願発明者らが初めて見いだした現象である。
【００８３】
第１の薬液であるフッ酸と第２の薬液である硝酸との混合比を例えば１：１とすれば、テーパ角の小さい孔５２を形成することが可能である。ここでは、第１の薬液であるフッ酸と第２の薬液である硝酸との混合比を例えば１：１とする。
【００８４】
エッチング時間は、例えば５〜１０分程度とすることができる。なお、エッチング時間は、５〜１０分程度に限定されるものではなく、加工対象物１６であるガラス基板４６の厚さに応じて適宜設定すればよい。
【００８５】
エッチング中において、エッチング液の攪拌を行ってもよいし、エッチング液の攪拌を行わなくてもよい。ここでは、エッチング液の攪拌は行わない。
【００８６】
エッチング液の温度は、例えば室温とする。なお、エッチング液の温度は、室温に限定されるものではなく、適宜設定することができる。
【００８７】
改質層５０のエッチングレートはガラス基板４６のうちの改質されていない部分のエッチングレートに対して十分に速いため、エッチングを行うと、加工対象物１６であるガラス基板４６に孔（貫通孔）５２が形成される。孔５２の径は、例えばφ１５μｍ程度となる。なお、孔５２の径は、φ１５μｍ程度に限定されるものではなく、適宜設定することが可能である。
【００８８】
次に、図４（ｃ）に示すように、孔５２内に、ビア（導電体）５４を埋め込む。ビア５４の材料としては、例えば銅（Ｃｕ）を用いる。例えば無電解めっき法及び電界めっき法を用いることにより、孔５２内にビア５４を埋め込むことが可能である。
【００８９】
こうして、孔５２内にビア５４が埋め込まれたガラス加工部品が得られる。このようにして製造し得るガラス加工部品としては、例えばガラスインターポーザ等が挙げられる。なお、このようにして製造されるガラス加工部品は、ガラスインターポーザに限定されるものではない。
【００９０】
（評価結果）
次に、本実施形態によるレーザ加工方法及びガラス加工部品の製造方法の評価結果について図面を用いて説明する。
【００９１】
図６（ａ）は、本実施形態によるレーザ加工方法によりガラス基板に形成された孔をガラス基板の上面側から観察したＳＥＭ（Scanning Electron Microscope、走査型電子顕微鏡）像を示す図である。図６（ｂ）は、本実施形態によるレーザ加工方法によりガラス基板に形成された孔５２の断面のＳＥＭ像を示す図である。図６（ｂ）は、孔５２の長手方向に沿った断面を観察したものである。図６に示す孔５２を形成する際には、上述した式（１）、式（５）及び式（７）を満たすように、レーザ光Ａの単位面積当たりのパルスエネルギーＥ、レーザ光の繰り返し周波数ｆ、及び、レーザ光の送り速度ｖを設定した。具体的には、図６に示す孔５２を形成する際には、レーザ光Ａの単位面積当たりのパルスエネルギーＥを０．１８×１０１６［Ｊ／ｍ２］とし、レーザ光Ａの集光点５６の送り速度ｖを２０ｍｍ／ｓとし、レーザ光Ａの繰り返し周波数ｆを１００ｋＨｚとした。エッチング液中におけるフッ酸の混合量は１ｍｏｌ／ｋｇとし、エッチング液中における硝酸の混合量は１ｍｏｌ／ｋｇとした。エッチング時間は、５分とした。
【００９２】
図６から分かるように、微細で良好な孔５２をガラス基板４６に形成することができた。孔５２の径は、約φ１５μｍであった。
【００９３】
図７は、孔の長手方向における断面の電子顕微鏡写真を示す図である。図７（ａ）は、実施例１の場合を示している。実施例１では、上述した式（１）、式（５）及び式（７）を満たすように、レーザ光Ａの単位面積当たりのパルスエネルギーＥ、レーザ光の繰り返し周波数ｆ、及び、レーザ光の送り速度ｖを設定した。具体的には、実施例１では、レーザ光Ａの単位面積当たりのパルスエネルギーＥを０．１８×１０１６［Ｊ／ｍ２］とし、レーザ光Ａの集光点５６の送り速度ｖを２０ｍｍ／ｓとし、レーザ光Ａの繰り返し周波数ｆを１００ｋＨｚとした。図７（ｂ）は、比較例２の場合の場合を示している。比較例２では、レーザ光Ａの空間的な照射間隔Ｄを小さめに設定した。具体的には、比較例２では、レーザ光Ａの単位面積当たりのパルスエネルギーＥを０．１８×１０１６［Ｊ／ｍ２］とし、レーザ光Ａの集光点５６の送り速度ｖを２０ｍｍ／ｓとし、レーザ光Ａの繰り返し周波数ｆを４００ｋＨｚとした。比較例２では、ｖ／ｆ２の値が１２．５×１０−１２［ｍ・ｓ」であり、式（５）を満たしていなかった。
【００９４】
図７（ｂ）から分かるように、比較例２の場合には、孔１５２の内壁に大きな凹凸が生じてしまった。比較例２において、孔１５２の内壁に大きな凹凸が生じたのは、レーザ光Ａが集光される箇所が重なり合い、過度な改質が生じたためと考えられる。
【００９５】
これに対し、図７（ａ）から分かるように、実施例１の場合、即ち、本実施形態の場合には、孔５２の内壁に大きな凹凸は確認されなかった。このように、本実施形態によれば、微細で良好な孔５２を形成することが可能である。
【００９６】
図８は、エッチング液中における第１の薬液及び第２の薬液の混合量とガラス基板に形成された孔のテーパ角との関係を示す表である。第１の薬液としては、フッ酸を用いた。第２の薬液としては、硝酸を用いた。比較例１は、フッ酸の混合量を１ｍｏｌ／ｋｇとし、硝酸の混合量を０ｍｏｌ／ｋｇとした場合を示している。実施例２は、フッ酸の混合量を１ｍｏｌ／ｋｇとし、硝酸の混合量を１ｍｏｌ／ｋｇとした場合を示している。実施例３は、フッ酸の混合量を１ｍｏｌ／ｋｇとし、硝酸の混合量を３ｍｏｌ／ｋｇとした場合を示している。実施例４は、フッ酸の混合量を１ｍｏｌ／ｋｇとし、硝酸の混合量を５ｍｏｌ／ｋｇとした場合を示している。実施例５は、フッ酸の混合量を１ｍｏｌ／ｋｇとし、硝酸の混合量を７ｍｏｌ／ｋｇとした場合を示している。
【００９７】
図９及び図１０は、ガラス基板に形成された孔の光学顕微鏡写真を示す図である。図９（ａ）は比較例１に対応しており、図９（ｂ）は実施例２に対応しており、図９（ｃ）は実施例３に対応している。図１０（ａ）は実施例４に対応しており、図１０（ｂ）は実施例５に対応している。
【００９８】
図８乃至図１０から分かるように、エッチング液中における第１の薬液の混合量に対する第２の薬液の混合量の比が大きくなると、形成される孔５２のテーパ角が大きくなる。従って、所望のテーパ角が得られるように、エッチング液中における第１の薬液の混合量と第２の薬液の混合量との比を設定すればよい。第１の薬液の混合量に対する第２の薬液の混合量の比を適宜設定することにより、所望のテーパ角を得ることが可能である。
【００９９】
このように、本実施形態によれば、集光点５６をガラス基板４６の下面側から上面側に移動させながら超短パルスレーザ光Ａを照射することにより、ガラス基板４６に改質部５０を形成する。この際、上記の式（１）、式（５）及び式（７）を満たすように、超短パルスレーザ光Ａの１パルスの単位面積当たりのエネルギーＥ、超短パルスレーザ光Ａの集光点５６の移動速度ｖ、及び、超短パルスレーザ光Ａの繰り返し周波数ｆを設定する。このため、本実施形態によれば、適度な改質部５０をガラス基板４６に形成することができる。そして、改質部５０をエッチングすれば、微細で良好な孔５２を形成することができる。
【０１００】
また、本実施形態によれば、ガラス基板に含まれる第１の成分に反応する第１の薬液であるフッ酸を含むのみならず、ガラス基板に含まれる第２の成分と反応する酸性の薬液である第２の薬液をも含むエッチング液を用いて、改質部５０をエッチングする。このため、本実施形態によれば、ガラス基板が多成分ガラスである場合においても、極めて短時間で改質部５０をエッチングすることができる。しかも、エッチング液における第１の薬液と第２の薬液との混合比を適宜設定することにより、孔５２のテーパ角を所望の角度に設定することも可能である。
【０１０１】
［第２実施形態］
本発明の第２実施形態によるレーザ加工方法、ガラス加工部品の製造方法及びレーザ加工装置について図面を用いて説明する。図１１は、本実施形態によるレーザ装置を示すブロック図である。図１２及び図１３は、本実施形態によるレーザ加工方法及びガラス加工部品の製造方法を示す工程断面図である。図１乃至図１０に示す第１実施形態によるレーザ加工方法等と同一の構成要素には、同一の符号を付して説明を省略または簡潔にする。
【０１０２】
本実施形態によるレーザ加工方法及びガラス加工部品の製造方法は、複数の板状体４６ａ〜４６ｅを積み重ねた状態でレーザ光Ａを照射するものである。
【０１０３】
本実施形態によるレーザ加工方法及びガラス加工部品の製造方法は、例えば、図１を用いて上述した第１実施形態によるレーザ加工装置と同様のレーザ加工装置を用いることができる。
【０１０４】
まず、図１１に示すように、ステージ１８上に、加工対象物１６を配する。加工対象物１６は、例えば、複数の板状体４６ａ〜４６ｅが積み重ねられた積重体４８とする。本実施形態において、複数の板状体４６ａ〜４６ｅを積み重ねた状態でレーザ光Ａを照射するのは、ある板状体の上下に他の板状体がそれぞれ存在する状態でレーザ光Ａを照射すると、当該板状体に良好な改質部５０を形成し得るためである。最下部の板状体４６ａの下側には他の板状体が存在しないため、最下部の板状体４６ａには必ずしも良好な改質部５０を形成し得ない。また、最上部の板状体４６ｅの上側には他の板状体が存在しないため、最上部の板状体４６ｅには必ずしも良好な改質部５０を形成し得ない。従って、最下部の板状体４６ａと最上部の４６ｅは製品に用いることができない場合がある。ここでは、上下に他の板状体が存在する板状体４６ｂ〜４６ｄについては製品に用い、最下部の板状体４６ａと最上部の板状体４６ｅについては製品に用いない場合を例に説明する。なお、最下部の板状体４６ａと最上部の板状体４６ｅを製品に用いない場合に限定されるものではなく、所定の品質を満たせば、これら板状体４６ａ、４６ｅを製品に用いるようにしてもよい。
【０１０５】
板状体４６ｂ〜４６ｄの各々は、例えばガラス基板とする。ガラス基板４６ｂ〜４６ｄとしては、例えば多成分ガラス基板とする。より具体的には、ガラス基板４６ｂ〜４６ｄは、無アルカリガラスとする。なお、ガラス基板４６ｂ〜４６ｄは、多成分ガラス基板に限定されるものではない。様々な材料の板状体４６ｂ〜４６ｄを加工対象物とすることができる。
【０１０６】
最下部の板状体４６ａ及び最上部の板状体４６ｅは、板状体４６ｂ〜４６ｄと異なる材料であってもよいし、板状体４６ｂ〜４６ｄと同じ材料であってもよい。ここでは、板状体４６ａ、４６ｅとして、板状体４６ｂ〜４６ｄと同じ材料を用いる。
【０１０７】
板状体４６ｂ〜４６ｄの各々の厚さは、例えば１００μｍ程度とする。なお、板状体４６ｂ〜４６ｄの厚さは、１００μｍに限定されるものではなく、適宜設定し得る。板状体４６ａ、４６ｅの各々の厚さは、例えば１ｍｍ程度とする。なお、板状体４６ａ、４６ｅの厚さは、１ｍｍに限定されるものではなく、適宜設定し得る。
【０１０８】
次に、照射予定箇所にレーザ光Ａを照射する。図１２（ａ）は、照射予定箇所に対してレーザ光Ａの照射を開始した段階を示している。レーザ光Ａの進行方向は、加工対象物１６の一方の主面（図１２（ａ）における上面）側から他方の主面（図１２（ａ）における下面）側に向かう方向とする。照射予定箇所にレーザ光Ａの照射を開始する段階におけるレーザ光Ａの集光点５６の位置（始点）は、ガラス基板４６ａとガラス基板４６ｂとの界面より下方とする。レーザ光Ａとしては、例えば超短パルスレーザ光を用いる。レーザ光Ａとして超短パルスレーザ光を用いるのは、超短パルスレーザ光を用いると、微細で良好な改質部５０を形成することができ、ひいては、微細で良好な孔５２を形成することが可能なためである。ここでは、例えばパルス幅が８００ｆｓ程度のフェムト秒レーザ光を、レーザ光として用いる。なお、超短パルスレーザ光のパルス幅は８００ｆｓに限定されるものではなく、適宜設定することができる。レーザ光の波長は、例えば１０４５ｎｍ程度とする。なお、レーザ光の波長は１０４５ｎｍに限定されるものではなく、適宜設定することができる。集光点５６におけるレーザ光Ａの断面の径は、例えばφ２．６μｍ程度とする。なお、集光点５６におけるレーザ光Ａの断面の径は、φ２．６μｍに限定されるものではなく、形成したい孔５２の径に応じて適宜設定すればよい。
【０１０９】
レーザ光Ａの集光点５６の送り方向は、第１実施形態と同様に、加工対象物１６の他方の主面（図１２（ａ）における下面）側から一方の主面（図１２（ａ）における上面）側に向かう方向とする。加工対象物１６に照射されるレーザ光Ａの単位面積当たりのパルスエネルギーＥ、レーザ光Ａの集光点５６の送り速度ｖ、レーザ光Ａの繰り返し周波数ｆは、特に限定されるものではないが、第１実施形態と同様に、式（１）、式（５）及び式（７）を満たすように設定することができる。ここでは、加工対象物１６に照射されるレーザ光Ａの単位面積当たりのパルスエネルギーＥを、例えば０．１８×１０６［Ｊ／ｍ２］程度とする。レーザ光Ａの集光点５６の送り速度ｖは、例えば１ｍｍ／ｓ〜２０ｍｍ／ｓの範囲内とする。ここでは、レーザ光Ａの集光点５６の送り速度ｖを、２０ｍｍ／ｓとする。また、ここでは、レーザ光Ａの繰り返し周波数ｆを、例えば１００ｋＨｚとする。
【０１１０】
図１２（ｂ）は、途中までレーザ光Ａの集光点５６を移動させた状態を示す断面図である。図１２（ｂ）から分かるように、レーザ光Ａを移動させた箇所まで改質部５６が形成されている。
【０１１１】
図１２（ｃ）は、ガラス基板４６ｄとガラス基板４６ｅとの界面より上方までレーザ光Ａの集光点５６を移動させた状態を示す断面図である。レーザ光Ａの照射を終了させる位置（終点）は、ガラス基板４６ｄとガラス基板４６ｅとの界面より上方とする。図１２（ｃ）から分かるように、レーザ光Ａの照射の始点から終点に達するように改質部５０が形成される。
【０１１２】
本実施形態において、ガラス基板４６ａ〜４６ｅを重ね合わせた状態でレーザ光Ａを照射するのは、以下のような理由によるものである。即ち、１枚のガラス基板にレーザ光Ａを単に照射することにより改質部５０を形成した場合には、必ずしも良好な改質部５０が得られず、ひいては必ずしも良好な孔５２が得られない場合がある。具体的には、孔５２の上部や下部において欠損が生じてしまう場合がある。１枚のガラス基板に単にレーザ光Ａを照射すると良好な改質部５０が得られない場合があるのは、空中に露出しているガラス基板の表層部は、加工閾値が過度に低くなっているためと考えられる。これに対し、本実施形態のように、ガラス基板４６ａ〜４６ｅを積み重ねた状態でレーザ光を照射すれば、ガラス基板４６ｂ〜４６ｄの表層部が空中に露出していない状態でガラス基板４６ｂ〜４６ｄに改質部５０が形成される。ガラス基板４６ｂ〜４６ｄの表層部が空中に露出していないため、ガラス基板４６ｂ〜４６ｄの表層部の加工閾値が過度に低くなるのを防止することができる。このため、本実施形態によれば、ガラス基板４６ｂ〜４６ｄに良好な改質部５０を形成することができ、ひいては、良好な孔５２をガラス基板４６ｂ〜４６ｄに形成することができる。このような理由により、本実施形態では、ガラス基板４６ａ〜４６ｅを重ね合わせた状態でレーザ光Ａを照射するようにしている。
【０１１３】
図１３（ａ）は、すべての照射予定箇所に対してレーザ光Ａの照射が完了した状態を示している。すべての照射予定箇所に対してレーザ光Ａの照射が完了すると、加工対象物１６がステージ１８上から取り外される。
【０１１４】
次に、図１３（ｂ）に示すように、各々のガラス基板４６ｂ〜４６ｄに対してエッチングを行う。エッチング方法としては、例えばウェットエッチングを用いる。上述したように、本実施形態においても、ガラス基板４６ｂ〜４６ｄとして、例えば多成分ガラス基板が用いられている。従って、本実施形態においても、第１の成分に反応する第１の薬液であるフッ酸（ＨＦ）と、第２の成分と反応する酸性の薬液である第２の薬液とを含むエッチング液を用いる。第２の薬液としては、第１実施形態と同様に、例えば、硝酸（ＮＨＯ３）、塩酸（ＨＣｌ）、又は、硫酸（Ｈ２ＳＯ４）を用いることができる。第１の薬液と第２の薬液との混合比は、第１実施形態と同様に、適宜設定することができる。
【０１１５】
次に、図１３（ｃ）に示すように、孔５２内に、導電体を埋め込むことにより、ビア（貫通電極）５４を形成する。
【０１１６】
こうして、孔５２内にビア５４が埋め込まれたガラス加工部品が得られる。
【０１１７】
（評価結果）
本実施形態によるレーザ加工方法及びガラス加工部品の製造方法の評価結果について図１４を用いて説明する。図１４は、ガラス基板に形成した孔をガラス基板の上面側から観察したＳＥＭ像を示す図である。図１４（ａ）は、実施例６、即ち、本実施形態の場合を示している。実施例６では、複数のガラス基板を積み重ねた状態でレーザ光Ａを照射し、この後、改質部５０をエッチングすることにより孔５２を形成した。図１４（ｂ）は、比較例３の場合を示している。比較例３では、１枚のガラス基板に対してレーザ光Ａを照射し、この後、改質部５０をエッチングすることにより孔２５２を形成した。
【０１１８】
図１４（ｂ）から分かるように、比較例３の場合には、孔２５２の上部において欠損が生じてしまっている。
【０１１９】
これに対し、実施例６の場合、即ち、本実施形態の場合には、良好な孔５２が得られた。
【０１２０】
このように、本実施形態によれば、複数の板状体４６ａ〜４６ｅを重ね合わせた状態でレーザ光Ａを照射することにより改質部５０を形成する。上下が他の板状体で挟まれた板状体４６ｂ〜４６ｄにおいては、表層部が空中に露出していない状態でレーザ光Ａが照射される。このため、上下が他の板状体で挟まれた板状体４６ｂ〜４６ｄにおいては、加工閾値が極度に低下してしまうのを防止することができる。このため、本発明によれば、上下が他の板状体により挟まれた板状体４６ｂ〜４６ｄにおいて、良好な改質部５０を形成することができ、ひいては、上下が他の板状体により挟まれた板状体４６ｂ〜４６ｄにおいて、良好な孔５２を形成することができる。
【０１２１】
［変形実施形態］
上記実施形態に限らず種々の変形が可能である。
【０１２２】
例えば、第２実施形態では、レーザ光源１０が超短パルスレーザ光Ａを出射する場合を例に説明したが、これに限定されるものではない。例えば、レーザ光源１０から出射されるレーザ光Ａが、超短パルスレーザ光よりパルス幅が大きい短パルスレーザ光であってもよい。例えば、レーザ光源１０から出射されるレーザ光Ａがナノ秒レーザ光であってもよいし、レーザ光源１０から出射されるレーザ光Ａがピコ秒レーザ光であってもよい。ナノ秒レーザ光とは、パルス幅がナノ秒のオーダーであるレーザ光のことである。ピコ秒レーザ光とは、パルス幅がピコ秒のオーダーであるレーザ光のことである。
【０１２３】
また、第１実施形態では、１枚のガラス基板４６にレーザ光Ａを照射することにより改質部５０を形成する場合を例に説明したが、これに限定されるものではない。第１実施形態において、第２実施形態のように複数のガラス基板を積み重ねた状態でレーザ光Ａを照射するようにしてもよい。第１実施形態において、複数のガラス基板を積み重ねた状態でレーザ光Ａを照射すれば、孔５２の上部や下部において孔５２が欠損が生じてしまうのを確実に防止することができ、より良好な孔５２を形成することができる。
【０１２４】
また、上記実施形態では、ステージ１８を移動させることにより所望の箇所にレーザ光Ａを照射する場合を例に説明したが、これに限定されるものではない。例えば、ガルバノミラー（図示せず）とＦθ（Ｆ−Ｔｈｅｔａ）レンズ（図示せず）とを用いて、所望の箇所にレーザ光Ａを照射するようにしてもよい。
【０１２５】
また、上記実施形態では、孔５２が貫通孔である場合を例に説明したが、孔５２は貫通孔に限定されるものではない。底面の存在する孔５２を形成する場合にも、本発明を適用することができる。
【０１２６】
上記実施形態に関し、更に以下の付記を開示する。
【０１２７】
（付記１）
ガラス基板の一方の主面から他方の主面に向かう方向に進行する超短パルスレーザ光の集光点を、前記ガラス基板の前記他方の主面側から前記一方の主面側に移動させながら、前記ガラス基板に前記超短パルスレーザ光を照射することにより、前記ガラス基板に改質部を形成する工程と、
前記改質部をエッチングすることにより、前記ガラス基板に孔を開ける工程とを有し、
前記超短パルスレーザ光の１パルスの単位面積当たりのエネルギーをＥ、前記超短パルスレーザ光の前記集光点の移動速度をｖ、前記超短パルスレーザ光の繰り返し周波数をｆとすると、
０．０５×１０６［Ｊ／ｍ２］≦Ｅ≦０．５×１０６［Ｊ／ｍ２］であり、
０．２２×１０−１２［ｍ・ｓ］≦（ｖ／ｆ２）≦１０×１０−１２［ｍ・ｓ］であり、
０．０１８×１０１８［Ｊ／（ｍ３・ｓ）］≦（Ｅ・ｆ２／ｖ）≦０．８１×１０１８［Ｊ／（ｍ３・ｓ）］である、レーザ加工方法。
【０１２８】
（付記２）
複数の板状体を積み重ねる工程と、
前記複数の板状体が積み重ねられた積重体の一方の主面から他方の主面に向かう方向に進行するパルスレーザ光の集光点を、前記積重体の前記他方の主面側から前記一方の主面側に徐々に移動させながら、前記積重体に前記パルスレーザ光を照射することにより、前記板状体に改質部を形成する工程と、
前記改質部をエッチングすることにより、前記板状体に孔を形成する工程と
を有するレーザ加工方法。
【０１２９】
（付記３）
前記パルスレーザは、超短パルスレーザ光である、付記２記載のレーザ加工方法。
【０１３０】
（付記４）
前記板状体は、ガラス基板である、付記２又は３記載のレーザ加工方法。
【０１３１】
（付記５）
前記ガラス基板は、第１の成分である酸化ケイ素と、前記第１の成分と異なる成分である第２の成分とを少なくとも含む多成分ガラス基板であり、
前記板状体に孔を形成する工程では、前記第１の成分と反応する第１の薬液であるフッ酸と、前記第２の成分と反応する酸性の薬液である第２の薬液とを含むエッチング液を用いて、前記改質部をエッチングする、付記１又は４記載のレーザ加工方法。
【０１３２】
（付記６）
前記第２の成分は、酸化マグネシウム又は酸化カルシウムであり、
前記第２の薬液は、硝酸、塩酸又は硫酸である、付記５記載のレーザ加工方法。
【０１３３】
（付記７）
ガラス基板の一方の主面から他方の主面に向かう方向に進行する超短パルスレーザ光の集光点を、前記ガラス基板の前記他方の主面側から前記一方の主面側に徐々に移動させながら、前記ガラス基板に前記超短パルスレーザ光を照射することにより、前記ガラス基板に改質部を形成する工程と、
前記改質部をエッチングすることにより、前記ガラス基板に孔を開ける工程とを有し、
前記超短パルスレーザ光の１パルスの単位面積当たりのエネルギーをＥ、前記超短パルスレーザ光の前記集光点の移動速度をｖ、前記超短パルスレーザ光の繰り返し周波数をｆとすると、
０．０５×１０６［Ｊ／ｍ２］≦Ｅ≦０．５×１０６［Ｊ／ｍ２］であり、
０．２２×１０−１２［ｍ・ｓ］≦（ｖ／ｆ２）≦１０×１０−１２［ｍ・ｓ］であり、
０．０１８×１０１８［Ｊ／（ｍ３・ｓ）］≦（Ｅ・ｆ２／ｖ）≦０．８１×１０１８［Ｊ／（ｍ３・ｓ）］である、ガラス加工部品の製造方法。
【０１３４】
（付記８）
複数のガラス基板を積み重ねる工程と、
前記複数のガラス基板が積み重ねられた積重体の一方の主面から他方の主面に向かう方向に進行するパルスレーザ光の集光点を、前記積重体の前記他方の主面側から前記一方の主面側に徐々に移動させながら、前記積重体に前記パルスレーザ光を照射することにより、前記ガラス基板に改質部を形成する工程と、
前記改質部をエッチングすることにより、前記ガラス基板に孔を形成する工程と
を有するガラス加工部品の製造方法。
【０１３５】
（付記９）
前記孔内に導電体を埋め込む工程を更に有する、付記７又は８記載のガラス加工部品の製造方法。
【０１３６】
（付記１０）
超短パルスレーザ光を発する光源と、
ガラス基板の一方の主面から他方の主面に向かう方向に進行する前記超短パルスレーザ光の集光点を、前記ガラス基板の前記他方の主面側から前記一方の主面側に移動させながら、前記ガラス基板に前記超短パルスレーザ光を照射することにより、前記ガラス基板に改質部を形成する制御部とを有し、
前記超短パルスレーザ光の１パルスの単位面積当たりのエネルギーをＥ、前記超短パルスレーザ光の前記集光点の移動速度をｖ、前記超短パルスレーザ光の繰り返し周波数をｆとすると、
０．０５×１０６［Ｊ／ｍ２］≦Ｅ≦０．５×１０６［Ｊ／ｍ２］であり、
０．２２×１０−１２［ｍ・ｓ］≦（ｖ／ｆ２）≦１０×１０−１２［ｍ・ｓ］であり、
０．０１８×１０１８［Ｊ／（ｍ３・ｓ）］≦（Ｅ・ｆ２／ｖ）≦０．８１×１０１８［Ｊ／（ｍ３・ｓ）］である、レーザ加工装置。
【０１３７】
（付記１１）
パルスレーザ光を発する光源と、
複数の板状体が積み重ねられた積重体の一方の主面から他方の主面に向かう方向に進行する前記パルスレーザ光の集光点を、前記積重体の前記他方の主面側から前記一方の主面側に徐々に移動させながら、前記積重体に前記パルスレーザ光を照射することにより、前記板状体に改質部を形成する制御部と
を有するレーザ加工装置。
【符号の説明】
【０１３８】
１６…加工対象物
３０…ミラー
３２…レンズ
４６…ガラス基板
４６ａ〜４６ｅ…板状体
４８…積重体
５０…改質部
５２、１５２、２５２…孔
５４…ビア
５６…集光点
【図１】
2016049542.tif 000003
【図２】
2016049542.tif 000004
【図３】
2016049542.tif 000005
【図４】
2016049542.tif 000006
【図５】
2016049542.tif 000007
【図８】
2016049542.tif 000008
【図１１】
2016049542.tif 000009
【図１２】
2016049542.tif 000010
【図１３】
2016049542.tif 000011
【図６】
2016049542.tif 000012
【図７】
2016049542.tif 000013
【図９】
2016049542.tif 000014
【図１０】
2016049542.tif 000015
【図１４】
2016049542.tif 000016