(57)【要約】【課題】連続めっき処理装置において、装置の緊急停止があった場合にも品質上に遜色ない製品を製造する。【解決手段】めっき液内において基板からなるカソード基板と金属系のアノード基板、もしくは不溶解性アノードとの間に給電しつつ、めっき処理を行う連続めっき処理装置であって、めっき処理中にて装置の搬送停止状態で、前記カソード基板がめっき浴内に停滞した場合に、前記カソード基板の電位を酸化還元反応が進まない平衡電位に保つ連続めっき処理装置を用いる。【選択図】図２
2016151034.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
めっき液内において基板からなるカソード基板と金属系のアノード基板、もしくは不溶解性アノードとの間に給電しつつ、めっき処理を行う連続めっき処理装置であって、めっき処理中にて装置の搬送停止状態で、前記カソード基板がめっき浴内に停滞した場合に、前記カソード基板の電位を酸化還元反応が進まない平衡電位に保つことを特徴とする連続めっき処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の連続めっき処理装置であって、前記カソード基板の電位を前記平衡電位にする制御が、前記カソード基板のアノード電流密度（ia）、およびカソード電流密度（ic）が等しく、以下の式９を満たすように制御することで前記カソード基板の電位を前記平衡電位に保つことを特徴とする連続めっき処理装置。
（式９）ia = | ic |
【請求項３】
請求項２に記載の連続めっき処理装置であって、各カソード基板毎にポテンショスタットを設け、該カソード基板に該ポテンショスタットの作用電極を電気接続し、前記ポテンショスタットの信号電圧を読取り前記ポテンショスタットの作用電極の電位を制御することで、前記カソード基板の電位を前記平衡電位に保つワーク基板電位制御回路を設けたことを特徴とする連続めっき処理装置。
【請求項４】
請求項１乃至３の何れか一項に記載の連続めっき処理装置であって、前記カソード基板が銅箔基板であることを特徴とする連続めっき処理装置。
【請求項５】
請求項１に記載の連続めっき処理装置であって、前記めっき浴が硫酸銅水溶液であることを特徴とする連続めっき処理装置。
【請求項６】
請求項１乃至５の何れか一項に記載の連続めっき処理装置を用いることを特徴とする連続めっき処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、めっき槽内を搬送中の各ワーク基板に連続給電しつつ連続めっき処理形成する連続めっき処理装置および連続めっき処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体素子やチップを実装するための配線用基板は、モバイル化、省スペース化の進歩が目まぐるしく、環境対策やコストダウンとも相まって小型化、薄型化に向かっている。高集積化を初めとし、半導体パッケージにプロダクト・インテグレーション、モビリティ、信頼性、性能など、様々な面において高い要求への対応が求められている。  
【０００３】
半導体パッケージ分野においては、フリップチップ・ボールグリッドアレイ（FCBGA）のさらなる成長が期待されている。また、パッケージ・オン・パッケージ（POP）の成長が著しく、また３次元パッケージングの高集積化に対応した貫通ビアの開発等も日々続けられている。
【０００４】
フリップチップパッケージは、これまで同様にその電気的特性や小型化により、プロセッサやワイヤレス機器の実装技術がワイヤボンドからフリップチップにシフトしている。パッケージ基板については、ハイエンドデバイスの多くが、ワイヤボンドからフリップチップへと乗り換え済みで、チップ上の実装密度の観点などによりバンプピッチの微細化はさらに追求されている。
【０００５】
微細化・高精細化が進むにつれて、面内の均一性など仕上がりめっき膜品質への要求も高くなる。その結果、電解めっき処理に求められる品質水準もより高度なものとなっている。スルーホールを有するプリント配線回路基板のめっき方法には、種々あるが、一般的には、ドリルもしくはレーザー加工にて穿孔することでスルーホール（板厚方向に貫通する貫通穴）を設けた基板の両面に無電解めっきを施し、その後に電解めっきを施して両面およびスルーホール内に皮膜を形成する方法が一般的に採用されている。
【０００６】
電解めっき処理において、電解めっき液の管理、製品のロット内品質の均一性の点より、バッチめっき処理よりも連続めっき処理の方が優位である。しかし、連続めっき処理の場合、ワーク基板が搬送されながらめっき処理が施されるため、装置トラブルで搬送ができなくなり槽内にワーク基板が長時間停滞した場合、品質面で致命的となる。
【０００７】
＜関連技術の特許文献＞    
特許文献１において高品質処理を確実に行うことができる平板形状物の表面処理装置の提案がされている。
【０００８】
特許文献２において平板形状物を縦吊状態のまま処理槽の処理液中に確実かつ円滑に搬入させることができる平板形状物の表面処理方法および表面処理装置が提案されている。
【０００９】
特許文献３および特許文献４においてはワーク基板ごとに設定電流値を変えためっき処理ができる連続めっき処理装置の提案がされている。
【００１０】
特許文献５においては、複数の分割陰極レールを用いることなく、設定電流値に応じた膜厚で各ワーク基板にメッキ皮膜を形成する連続メッキ装置の提案がされている。
【００１１】
特許文献６においては、メンテナンス作業を必要とする期間を延長することで生産性を
大幅に向上できるめっき処理装置が提案されている。
【００１２】
特許文献７においては、ワーク基板と陽極電極との間の距離を、ノズルと陽極電極とを干渉させずに短くできる構造を採用することで、ワーク基板に通電する電流密度を効率的に高めることができる連続メッキ装置の提案がされている。
【００１３】
特許文献８においては、被処理物を垂下し、複数ピッチを有する電解処理槽をタクト又は連続処理を行う装置において、該被処理物に給電するための機能を有するハンガーに、処理ピッチ数と同数の給電レールに各々対応する給電ブラシを取付け、各々のハンガーに対応する複数の整流器を備え、各ハンガー固有の電流制御を連続して行えることを特徴とする給電方法が従来技術として考案されている。
【００１４】
特許文献９においては、ブラインドビアホールを有する基板のビアフィリングめっき方法およびその装置の提案がされている。
【００１５】
特許文献１０においては、治具のクランプ部材を内側起立隔壁の上端に近づけて配置可能として、内側起立隔壁間で処理されるワーク基板の処理面積を拡大できる表面処理装置の提案がされている。
【００１６】
特許文献１１では、不溶性陽極を用いる連続電解銅めっき方法において、被めっき物中の非貫通孔、例えば、ビルドアッププリント配線板用の基板材料のブラインドビアホール内部を長期間安定して充填できる方法が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１７】
【特許文献１】特開２００６−１１１９４６号公報
【特許文献２】特開２００６−１１８０１９号公報
【特許文献３】特開２００９−１３２９９９号公報
【特許文献４】特開２０１４−７４２３７号公報
【特許文献５】特開２０１３−７２１３１号公報
【特許文献６】特開２００５−７６１００号公報
【特許文献７】特開２０１３−８２９９６号公報
【特許文献８】特開平４−７２０９５号公報
【特許文献９】特開２００４−３３２０９４号公報
【特許文献１０】特開２０１１−５８０９８号公報
【特許文献１１】特開２００７−１６９７００号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１８】
図１のように、連続銅めっき処理装置で、ワーク基板１９（カソード基板；被めっき処理対象物／製品）をめっき浴槽１０に浸漬して搬送しながらめっき処理を施しているとき、その連続銅めっき処理の最中に、装置トラブルで装置の緊急停止措置が講じられた際、ワーク基板１９がめっき浴槽１０内に停滞する。
【００１９】
その様にワーク基板１９の搬送が停止され、ワーク基板１９がめっき浴１０に停滞し、ワーク基板１９にカソード電流が供給されない状態では、ワーク基板１９の表面の銅とめっき槽中のめっき浴１０との平衡反応によってワーク基板１９の表面に望まれないめっき処理が行われる問題が発生する。
【００２０】
つまり、ワーク基板１９への電流供給を止めた場合、硫酸酸性溶液のめっき浴１０中に
浸漬された処理途中のワーク基板１９表面では局部アノード（陽極）と局部カソード（陰極）が生じ、以下の式１に示す銅のアノード溶解（酸化）反応と、式２に示す水素イオンのカソード還元反応が進行する。
【００２１】
すなわち、ワーク基板１９にカソード電流が供給されない場合では、ワーク基板１９の表面で局部アノード（陽極）と局部カソード（陰極）が生じることによって、マイクロセルが形成され、電池作用により式１で示すアノード溶解（酸化）反応、式２で示す水素イオンのカソード還元反応が進行する為、ワーク基板１９の表面の銅膜厚の均一性が損なわれる問題が発生する。
【００２２】
（式１−１）局部アノード：Cu → Cu2+ + 2e−
（式１−２）局部アノード：Cu → Cu+ + e−
（式２）    局部カソード：2H++ 2e− →  H2↑
【００２３】
その銅のアノード溶解（酸化）反応と水素イオンのカソード還元反応とが、ワーク基板１９の表面の銅膜厚の均一性を無くしワーク基板１９の品質を劣化させ不良品にしてしまう問題があった。
【００２４】
上記の問題を防ぐ対策として、ワーク基板１９側にめっき処理と同じ所定時間、定電流を供給する方法も講じられている。しかし、その所定時間を超える停滞があった場合、停滞時間に比例してワーク基板１９表面の銅膜厚が厚くなるためワーク基板１９の銅膜厚が規格上限を超えて厚くなってしまいワーク基板１９が不良品になる問題があった。
【００２５】
また、他の改善策として、連続めっき処理装置がワーク基板１９の搬送を停止した際に、ワーク基板１９をめっき浴１０から急いで引き上げる対策が考えられる。しかし、その対策をした場合でも、めっき浴１０にめっき液がワーク基板１９上に残っているため、その残留めっき液が同様にワーク基板１９の表面で局部アノード（陽極）と局部カソード（陰極）を生じる問題が発生する問題があった。
【００２６】
本発明は、連続めっき処理装置において、装置が緊急停止しワーク基板がめっき浴中に停滞した場合に、連続めっき処理装置が再稼動した際に再び電解めっき処理を継続させて、装置の緊急停止があった場合でも品質に問題が無くワーク基板にめっき処理を施すことができる連続めっき処理方法を得ることを目的とする。
【００２７】
そのために、本発明の課題は、ワーク基板がめっき浴中に停滞している間に、ワーク基板の銅表面の析出反応や局部アノード溶解（酸化）反応や局部カソード反応を進行させないようにし、停滞時間中にワーク基板の銅膜厚および表面状態を変えない連続めっき処理方法を得ることにある。
【課題を解決するための手段】
【００２８】
本発明は、上記課題を解決するために、めっき液内において基板からなるカソード基板と金属系のアノード基板、もしくは不溶解性アノードとの間に給電しつつ、めっき処理を行う連続めっき処理装置であって、めっき処理中にて装置の搬送停止状態で、前記カソード基板がめっき浴内に停滞した場合に、前記カソード基板の電位を酸化還元反応が進まない平衡電位に保つことを特徴とする連続めっき処理装置である。
【００２９】
本発明は、この構成の連続めっき処理装置を用いることにより、装置の稼動停止の際、めっき浴中に浸漬させられたワーク基板の電位を平衡電位にコントロールすることで、ワーク基板へのカソード析出、ワーク基板からのアノード溶解もさせることなく、ワーク基板が長時間停滞した後、装置が再稼動した際に再びめっき処理を継続させて、ワーク基板へのめっき処理の品質を劣化させないようにできる効果がある。
【００３０】
また、本発明は、上記の連続めっき処理装置であって、前記カソード基板の電位を前記平衡電位にする制御が、前記カソード基板のアノード電流密度（ia）、およびカソード電流密度（ic）が等しく、以下の式９を満たすように制御することで前記カソード基板の電位を前記平衡電位に保つことを特徴とする連続めっき処理装置である。
（式９）ia = | ic |
【００３１】
また、本発明は、上記の連続めっき処理装置であって、各カソード基板毎にポテンショスタットを設け、該カソード基板に該ポテンショスタットの作用電極を電気接続し、前記ポテンショスタットの信号電圧を読取り前記ポテンショスタットの作用電極の電位を制御することで、前記カソード基板の電位を前記平衡電位に保つワーク基板電位制御回路を設けたことを特徴とする連続めっき処理装置である。
【００３２】
また、本発明は、上記の連続めっき処理装置であって、前記カソード基板が銅箔基板であることを特徴とする連続めっき処理装置である。
【００３３】
また、本発明は、上記の連続めっき処理装置であって、前記めっき浴が硫酸銅水溶液であることを特徴とする連続めっき処理装置である。
【００３４】
また、本発明は、上記の連続めっき処理装置を用いることを特徴とする連続めっき処理方法である。
【発明の効果】
【００３５】
本発明によると、装置の稼動停止の際、めっき浴中に浸漬させられたワーク基板の電位を平衡電位にコントロールすることで、ワーク基板へのカソード析出を無くし、ワーク基板からのアノード溶解も無くすことができる効果がある。
【００３６】
そのため、装置の稼動停止の際にワーク基板がめっき浴中に長時間停滞しても、ワーク基板表面上に局部アノードと局部カソードによるマイクロセル腐食を発生させることが無い。その為、ワーク基板がめっき浴中に浸漬した状態で停滞させた場合もワーク基板のめっき処理面の品質の劣化を防ぐことができる効果がある。
【００３７】
それにより、装置が停止した場合でも、装置が再稼動した際に再びめっき処理を継続させてワーク基板に対して品質の良いめっきの形成を維持できる効果がある。
【００３８】
すなわち、本発明によれば、装置停止によりめっき槽内にワーク基板が停滞しても、ワーク基板のめっき膜厚もしくはめっき膜品質が規格を満足する良好な製品品質を維持できる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】本発明の実施形態の連続めっき処理装置の概略構成図である。
【図２】本発明の第１の実施形態の連続めっき処理装置の概略図（ワーク基板への一括給電方式）である。
【図３】本発明の実施形態において分極曲線によって平衡電位を求める方法を示す図である。
【図４】本発明の実施形態のポテンショスタットと各電極の配置図である。
【図５】本発明の実施形態のポテンショスタットの電気回路図である。
【図６】本発明の第２の実施形態の連続めっき処理装置の概略図（ワーク基板への個々の給電方式）である。
【発明を実施するための形態】
【００４０】
＜第１の実施形態＞
以下、本発明の第１の実施形態の連続めっき処理装置を図１から５を参照して説明する。本実施形態は、図２のように、めっきの電源ユニット１３のカソード電極に接続するカソード基板、すなわち、各ワーク基板１９にポテンショスタット２０の作用電極（ＷＥ）２１を電気接続する。そして、各ポテンショスタット２０をワーク基板電位制御回路３０が制御する。各ポテンショスタット２０は各ワーク基板冶具に固定して組込む。
【００４１】
（本発明の原理）
本発明は、連続めっき処理装置の緊急停止によりワーク基板１９のめっき浴１０内での搬送が停止された際に、ワーク基板１９毎に設けたポテンショスタット２０がワーク基板１９とめっき液の間に電位を印加し、ワーク基板１９の電位を平衡電位に保つ。すなわち、ワーク基板１９の電位を、アノード（陽極）反応による陽極電流密度とカソード（陰極）反応による陰極電流密度を停止させる平衡電位に保つ。
【００４２】
それにより、連続めっき処理装置が緊急停止してワーク基板１９がめっき浴１０の硫酸酸性溶液中に浸漬される時間が通常のめっき処理よりも長くなっても、ワーク基板１９の品質を損なわないようにできる効果がある。
【００４３】
すなわち、ワーク基板１９を平衡電位に保つことで、硫酸酸性溶液のめっき浴１０中に浸漬されたワーク基板１９の表面に電解析出もさせず、局部アノードおよび局部カソードも生じさせない様にできる効果がある。
【００４４】
陽極電流密度（ia)と陰極電流密度(ic)はそれぞれ以下の式４と式５で計算できる。先ず、ワーク基板１９の表面での酸化還元反応を、還元体Ｒが酸化体Ｏに酸化される以下の式３で表す。
（式３）Ｒ→Ｏ＋n(e−)
ここで、ｎは反応電子数である。
【００４５】
この、アノード電流密度ｉａとカソード電流密度ｉｃが以下の式４と式５で表される。（式４）ia = nFk0・CsR exp [ αa・nF・η/(RT) ]
（式５）ic = - nFk0・CsO exp [ αc・nF・η/(RT) ]
（式６）η= E - Eeq 
ここで、Ｆはファラデー定数であり、Ｒは気体定数であり、k0はη= E-Eeq = 0における酸化（陽極）反応と還元（陰極）反応の反応定数である。Eeqは平衡電位（標準酸化還元電位）であり、Ｅはワーク基板１９の電位である。CsRおよびCsOはそれぞれ還元体Ｒと酸化体Ｏの電極表面での濃度である。αaとαcは移動係数であり無次元量である。
【００４６】
上記の式４と式５により、ワーク基板１９での酸化（陽極）反応と還元（陰極）反応とが合わさって得られる正味の全電流密度iは次の式７で表される。
（式７）i = ia - | ic |
【００４７】
つまり、
（式８）i = nF・k0・CsR exp [ αa・nFη/(RT) ]
- nF・k0・CsO exp [ -αc・nFη/(RT) ]
となる。
【００４８】
ワーク基板１９での酸化（陽極）反応と還元（陰極）反応とが合わさって得られる式８の電流密度ｉは図３のようになる。図３のように、その電流密度ｉがゼロになるときが、
反応が平衡した状態である。すなわち、反応が平衡した状態では以下の式９であらわされるように、アノード電流密度ｉａとカソード電流密度ｉｃが釣り合う関係が成り立つことで電流密度ｉがゼロになる。
（式９）ia = | ic | = i0
この釣り合い状態におけるアノード電流密度ｉａの値をi０と定義する。
【００４９】
η= E - Eeq = 0では、次の式１０のようになる。
（式１０）i0 = nF・k0・CeqR  = nF・k0・CeqO
ここで、CeqOおよびCeqRはそれぞれ動的平衡状態における酸化体Ｏと還元体Ｒの電極表面濃度であり、その値は、溶液内部における酸化体Ｏと還元体Ｒの濃度（CbRとCbO）に等しい。
【００５０】
電極反応における、電荷移動過程および物質移動過程を考慮すると次の式１１のようになる。
（式１１）i/i0 = (CsR/CeqR)・exp[αa・nFη/(RT)] 
- (CsO/CeqO)・exp[-αc・nFη/(RT)]
【００５１】
現状のめっき浴１０内では、銅濃度リッチである為、物質移動過程は律速とならず、電荷移動律速となる。この場合、CsR = CeqRおよびCsO = CeqOが成立するため、上の式１１は以下の式１２（Butler - Volmer equation）で表される。
（式１２）i = i0  [ exp（αa・nFη/(RT)）- exp （-αc・nFη/(RT)）]
【００５２】
そして、η= E - Eeq = 0の条件が成り立つ場合には、ワーク基板１９全体でのアノード電流密度ｉａとカソード電流密度ｉｃが釣り合い、両電流密度が合計された正味の全電流密度iがゼロになる。
【００５３】
（連続めっき処理装置）
図１と図２に、本実施形態の連続めっき処理装置の概略図を示す。本実施形態の連続めっき処理装置は、各ワーク基板１９毎に、図４の様にポテンショスタット２０とワーク基板電位制御回路３０を備える。そして、ポテンショスタット２０の作用電極（WE：ワーキングエレクトロード）２１をワーク基板１９に接続する。
【００５４】
図２の様に、各ワーク基板１９ａ、１９ｂ、１９ｃ毎にポテンショスタット２０ａ、２０ｂ、２０ｃと、それに接続するワーク基板電位制御回路３０ａ、３０ｂ、３０ｃを設置する。
【００５５】
また、めっきの電源ユニット１３の陰極端子１５（カソード）を、給電ケーブル１８で陰極中継部材１６に電気接続する。陰極中継部材１６にアーム部材１７（１７ａ、１７ｂ、１７ｃ）を接触させて通電させ、各アーム部材１７ａ、１７ｂ、１７ｃがワーク基板１９ａ、１９ｂ、１９ｃを保持しつつ電気接続させる。
【００５６】
めっきの電源ユニット１３の陽極端子１４（アノード）は、給電ケーブル１２で、金属系のアノード基板、もしくは不溶解性アノードで構成した陽極電極体１１に接続する。
【００５７】
そして、ワーク基板１９（１９ａ、１９ｂ、１９ｃ）を硫酸銅と硫酸を含むめっき浴１０に浸漬し、めっき浴１０中に、ポテンショスタット２０の対極（ＣＥ）２２と参照電極（ＲＥ）２３を浸漬する。
【００５８】
図４のように、ポテンショスタット２０毎に設置したワーク基板電位制御回路３０が、ポテンショスタット２０のＶｅｏ端子からの受け取った信号に基づきポテンショスタット
２０に加える印加電圧Ｖｅｉを制御し、それにより、ワーク基板１９の電位を制御する。
【００５９】
（ポテンショスタット）
図４に、硫酸銅・硫酸めっき浴１０中のワーク基板１９毎に設置するポテンショスタット２０とワーク基板電位制御回路３０の各電極の配置を示す。
【００６０】
図４のように、硫酸銅・硫酸めっき浴１０中に浸漬させられた銅めっきを形成する対象のワーク基板１９（WE）に、ポテンショスタット２０の作用電極（WE:ワーキングエレクトロード）２１を接続してワーク基板１９に電位を加える。そのポテンショスタット２０をワーク基板電位制御回路３０が制御することで、ワーク基板１９の電位を制御する。
【００６１】
ポテンショスタット２０の対極２２は、白金メッシュ電極（CE）で構成し、参照電極（ＲＥ）２３は、パラジウム・水素電極もしくは銀塩化銀電極、飽和カロメル電極などで構成する。また、選択した電極の必要に応じて、塩橋を併用してもよい。
【００６２】
ポテンショスタット２０の対極２２と参照電極（ＲＥ）２３を硫酸銅・硫酸めっき浴１０中に配置する。
【００６３】
図５にポテンショスタット２０の回路図を示す。ポテンショスタット２０は、コントロールアンプＯＰ１とボルテージフォロワＯＰ２とI-V変換器ＯＰ３との３つのオペアンプを用いる。I-V変換器ＯＰ３には、可変レンジ抵抗器Ｒｘを接続する。
【００６４】
図５の作用電極（WE）２１は、I-V変換器ＯＰ３の回路の作用によって、仮想接地されている。すなわち、I-V変換器ＯＰ３の回路の作用により、作用電極（WE）２１の電位がポテンショスタット２０の接地電位と同じ電位にされる（作用電極（WE）２１の電位＝０V）。
【００６５】
３電極式のポテンショスタット２０の回路は、以下の式１３のように、参照電極（RE）２３に対する作用電極（WE）２１の電位を、ワーク基板電位制御回路３０からポテンショスタット２０に印加した電位（V外）Ｖｅｉに等しくなるよう、作用電極（WE）２１と対極（CE）２２間の電位を制御する。
（式１３）  Ｖｅｉ（V外）＝（WEの電位）-（REの電位）
を満たすように電位を制御する。
【００６６】
すなわち、コントロールアンプＯＰ１は、接地電位にある作用電極（WE）２１に対する参照電極（RE）２３の電位を、以下の式１４で与えられる電位になるように制御する。
（式１４）  Ｖｅｉ（V外）＝-REの電位
【００６７】
ワーク基板電位制御回路３０からポテンショスタット２０にかける印加電圧Ｖｅｉはそのまま参照電極２３にかかる電圧である。一方、作用電極（ＷＥ）２１の電圧は接地電圧である。つまり、参照電極２３に対して作用電極（ＷＥ）２１は−Ｖｅｉの電位にある。こうして、作用電極（ＷＥ）２１の電位を参照電極２３に対して決定し、規制する。
【００６８】
こうして、ワーク基板電位制御回路３０がコントロールアンプＯＰ１に加える印加電位Ｖｅｉが、コントロールアンプＯＰ１の作用によって、作用電極（WE）２１と参照電極（RE）２３の間に加わる。それによって、作用電極（WE）２１と参照電極（RE）２３の電位差を制御する。
【００６９】
その電位差の制御は、結局は作用電極（WE）２１とめっき浴１０との間の電位差を制御することになる。その電位差により、めっき浴１０の溶液と作用電極（WE）２１が反応し
てＣＥ−ＷＥ間に流れる電流が変わる。
【００７０】
ボルテージフォロワＯＰ２用のオペアンプは、参照電極（RE：２２）について、内部抵抗が無視できるほどの小さい電流を流して測定をする為に用いる。
【００７１】
I-V変換器ＯＰ３用のオペアンプは、
溶液-作用電極（WE：２１）界面、つまりWE−CE間を流れる電流ＩＷＥを電位信号（V信）に変換したＶ信（Ｖｅｏ）に変換してモニタリングするために用いる。
【００７２】
図５で、作用電極WE−対極CE間を流れる電流ＩＷＥの極性は、作用電極（WE）２１から対極（CE）２２へ流れる方向を正とする。
【００７３】
ポテンショスタット２０は、以下の式１５であらわされる、可変レンジ抵抗器Rxの抵抗値Ｒｘに比例する電圧信号Ｖｅｏを出力し、その信号をワーク基板電位制御回路３０が受信する。
（式１５）  Ｖｅｏ（V信）＝IWE・Ｒｘ
【００７４】
I-V変換器ＯＰ３が、信号源が電流源のときのインバータ回路であることより、作用電極２１に流れる電流測定回路であるといえる。すなわち、作用電極２１に流れる電流を測ることができる。
【００７５】
参照電極２３はボルテージフォロワＯＰ２のプラス入力端子に単独で接続されている。入力端のインピーダンスは極めて大きなため電流を流すことができない。すなわち、参照電極２３には電流は流さないということになる。
【００７６】
（ワーク基板電位制御回路）
ワーク基板電位制御回路３０は、ポテンショスタット２０の信号電圧Ｖｅｏ（V信）を世も取って、ポテンショスタット２０に加える印加電圧Ｖｅｉを制御する。
【００７７】
すなわち、ワーク基板電位制御回路３０は、ポテンショスタット２０の信号電圧Ｖｅｏがゼロになるようにポテンショスタット２０への印加電圧Ｖｅｉを制御する。
【００７８】
これにより、ワーク基板電位制御回路３０は、ワーク基板１９に接続したポテンショスタット２０の作用電極（WE：ワーキングエレクトロード）２１の電流をゼロにすることで、ワーク基板１９に流れる電流密度ｉをゼロにする。
【００７９】
ここで、ポテンショスタット２０の信号電圧Ｖｅｏ（V信）を０ボルトにした場合は、ワーク基板１９全体での正味の全電流密度iがゼロになるが、その状態では、ワーク基板１９の電位が平衡電位（Eeq）にある。
【００８０】
それにより、図３のように、ワーク基板１９の電位を平衡電位（Eeq）にする。結局、図５のポテンショスタット２０への印加電圧Ｖｅｉを制御することでポテンショスタット２０の信号電圧Ｖｅｏ（V信）を０ボルトに制御することで、作用電極２１の電位を平衡電位（Eeq）にする。
【００８１】
このようにすることで、ワーク基板１９の電位を平衡電位（Eeq）にすることで、ワーク基板１９が長時間めっき槽内で停滞した場合でも、ワーク基板１９に形成されるめっき膜厚異常の不具合を防ぐことができ、ワーク基板１９の表面の局部アノード（陽極）溶解などによる不具合を防ぐことができる効果がある。
【００８２】
＜第２の実施形態＞
本発明の第２の実施形態の連続めっき処理装置の概略図を図６に示す。図６のように、本実施形態は、連続めっき処理装置がワーク基板１９ごとに設定電流値を変えてめっき処理をする。
【００８３】
本実施形態の連続めっき処理装置は、第１の実施形態と同様に、各ワーク基板１９毎に、ポテンショスタット２０とワーク基板電位制御回路３０を備える。そして、ポテンショスタット２０の作用電極（WE：ワーキングエレクトロード）２１をワーク基板１９に接続する。
【００８４】
本実施形態は、連続めっき処理装置がワーク基板１９ごとに設定電流値を変えるために、めっきの電源ユニット１３の陰極端子１５（カソード）を、給電ケーブル１８ａで陰極中継部材１６ａに電気接続する。陰極中継部材１６ａにアーム部材１７ａを接触させて通電させ、アーム部材１７ａがワーク基板１９ａを保持しつつ電気接続させる。
【００８５】
また、めっきの電源ユニット１３の陰極端子１５（カソード）を、給電ケーブル１８ｂで陰極中継部材１６ｂに電気接続し、陰極中継部材１６ｂにアーム部材１７ｂを接触させて通電させ、アーム部材１７ｂがワーク基板１９ｂを保持しつつ電気接続させる。
【００８６】
そして、めっきの電源ユニット１３の陰極端子１５（カソード）を、給電ケーブル１８ｃで陰極中継部材１６ｃに電気接続し、陰極中継部材１６ｃにアーム部材１７ｃを接触させて通電させ、アーム部材１７ｃがワーク基板１９ｃを保持しつつ電気接続させる。
【実施例】
【００８７】
被めっき処理用のワーク基板１９として、無電解銅めっき処理を施した厚さが約１ｍｍで縦横の寸法が１メートル弱のガラスエポキシ基板を用い、硫酸酸性の硫酸銅水溶液のめっき浴槽１０を有する連続めっき処理装置において連続めっき処理を実施した。
【００８８】
実施例１を実施し、また、実施例１と比較するために比較例１と比較例２を実施した。実施例１において電解めっきによる銅の仕上がり膜厚は２５μｍ狙いとした。
【００８９】
＜実施例１＞
第１の実施形態の図２の構成の連続めっき処理装置を用い、硫酸銅と硫酸を含むめっき浴１０と、めっき浴１０に浸漬した銅箔基板であるワーク基板１９と、陽極電極体１１と、ワーク基板１９に作用電極（ＷＥ）２１を接続したポテンショスタット２０と、ワーク基板電位制御回路３０と、めっきの電源ユニット１３で構成した。
【００９０】
ワーク基板電位制御回路３０が、ポテンショスタット２０に加える印加電圧Ｖｅｉを制御して、ポテンショスタット２０から受け取る信号電圧Ｖｅｏをゼロにするようにポテンショスタット２０を制御して、ポテンショスタット２０がワーク基板１９に加える電位を平衡電位（Eeq）に制御した。
【００９１】
この連続めっき処理装置を用い、めっき浴１０内にワーク基板１９を３０分停滞させる処理を行った。
電流密度：１．０Ａ／(ｄｍ)２。
処理時間：８０分＋３０分停滞処理。
【００９２】
（８０分＋３０分停滞処理）
４０分連続めっき処理→３０分停滞→４０分連続めっき処理。
【００９３】
＜比較例１＞
従来技術の連続めっき処理装置を用い、めっき浴槽内停滞が無い場合の処理を行った。電流密度：１．０Ａ／(ｄｍ)２。
処理時間：８０分。
【００９４】
＜比較例２＞
従来技術の連続めっき処理装置を用い、３０分のめっき浴槽内停滞を含む処理を行った。
電流密度：１．０Ａ／(ｄｍ)２。
処理時間：８０分＋３０分停滞処理。
【００９５】
（８０分＋３０分停滞処理）
４０分連続めっき処理→３０分停滞→４０分連続めっき処理。
【００９６】
比較例２では、停滞時に、カソード（ワーク基板１９）側には、常時めっき処理時と同様の電流密度が供給される。
【００９７】
（実施例１と比較例１、比較例２の結果の比較）
【００９８】
【表１】
2016151034.tif 000003
【００９９】
３０分のめっき浴槽内停滞を含む、従来技術による比較例２においては、銅めっき膜厚が狙いの２５μｍに対して３４．８９μｍに仕上がり、めっき浴槽内でワーク基板１９が停滞した分銅めっき膜厚が厚く仕上がる結果であった。
【０１００】
一方、本発明における実施例１では、３０分のめっき浴槽１０内のワーク基板１９の停滞を含むが、従来技術のめっき浴槽１０内のワーク基板１９の停滞が無い場合の比較例１のめっき膜厚の仕上がりの２５．６３μｍと同様の２５．３８μｍの仕上がりであり、良好な品質のめっき厚が得られた。
【０１０１】
すなわち、実施例１ではめっき浴槽１０内でワーク基板１９が３０分間停滞したが、同じく３０分のめっき浴槽１０内停滞を含む比較例２のようには、銅めっき膜厚の品質劣化が無い、良好なめっき厚が得られる効果があった。
【０１０２】
なお、本発明は、以上の実施形態の、ワーク基板１９を垂直方向に配置して保持してめっき浴１０中を連続搬送する連続めっき処理装置に限定されず、ワーク基板１９を水平方向に配置して保持してめっき浴１０中を連続搬送する連続めっき処理装置に適用することもできる。
【符号の説明】
【０１０３】
１０・・・めっき浴
１１・・・陽極電極体
１２・・・給電ケーブル
１３・・・電源ユニット
１４・・・陽極端子
１５・・・陰極端子
１６・・・陰極中継部材
１７・・・アーム部材
１８・・・給電ケーブル
１９、１９ａ、１９ｂ、１９ｃ・・・ワーク基板(陰極電極)
２０、２０ａ、２０ｂ、２０ｃ・・・ポテンショスタット
２１、２１ａ、２１ｂ、２１ｃ・・・作用電極（WE:ワーキングエレクトロード）
２２、２２ａ、２２ｂ、２２ｃ・・・対極（CE:カウンターエレクトロード）
２３、２３ａ、２３ｂ、２３ｃ・・・参照電極（RE:リファレンスエレクトロード）
３０、３０ａ、３０ｂ、３０ｃ・・・ワーク基板電位制御回路
ＯＰ１・・・コントロールアンプ
ＯＰ２・・・ボルテージフォロワ
ＯＰ３・・・I-V変換器
Ｖｅｉ・・・ポテンショスタットへの印加電圧
Ｖｅｏ・・・ポテンショスタットの信号電圧
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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