(57)【要約】【課題】シャッター体の位置の不良を是正することが容易な構成を持つ表示装置を実現する。【解決手段】表示装置は、複数の画素それぞれに対応して設けられた開口部９−１、９―２を有する基板と、複数の画素それぞれに対応して設けられ、基板に対して可動な状態で支持されたシャッター体２と、シャッター体それぞれに対応して設けられ、信号電圧が印加されることにより対応するシャッター体２を駆動させる駆動ビーム６１、６２とを備える。シャッター体２は、シャッター開口部４と、シャッター開口部４の端部に対向して設けられた段差部３とを有する。段差部３は、シャッター開口部４へ向かって突出している突出部３ａを含む。突出部３ａは、駆動ビーム６１、６２に信号電圧が印加されていない状態において、基板に垂直な方向から見た場合に、基板の開口部９−１と重なる位置に設けられる。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素を有する表示装置であって、
前記複数の画素それぞれに対応して設けられた開口部を有する基板と、
前記複数の画素それぞれに対応して設けられ、前記基板に対して可動な状態で支持されたシャッター体と、
前記シャッター体と電気的に接続され、弾性変形することで当該シャッター体を移動可能にする第1のシャッタービームと、
前記シャッター体と電気的に接続され、弾性変形することで当該シャッター体を移動可能にする第２のシャッタービームと、
前記第１のシャッタービームと電気的に接続され、前記第１のシャッタービームを支持する第１のシャッタービームアンカーと、
前記第２のシャッタービームと電気的に接続され、前記第２のシャッタービームを支持する第２のシャッタービームアンカーと、
前記第1のシャッタービームと対向して設けられ、信号電圧が印加されることにより前記シャッター体を駆動させる第1の駆動ビームと、
前記第２のシャッタービームと対向して設けられ、信号電圧が印加されることにより前記シャッター体を駆動させる第２の駆動ビームと、
前記第1の駆動ビームと電気的に接続され、前記第1の駆動ビームを支持する第1の駆動ビームアンカーと、
前記第２の駆動ビームと電気的に接続され、前記第２の駆動ビームを支持する第２の駆動ビームアンカーとを備え、
前記シャッター体は、シャッター開口部と、前記シャッター開口部の端部に対向して設けられた段差部とを有し、
前記段差部は、前記前記シャッター体の移動方向に突出している突出部を含み、
前記突出部は、前記第１の駆動ビーム及び前記第２の駆動ビームに信号電圧が印加されていない状態において、前記基板に垂直な方向から見た場合に、前記基板の開口部と重なる位置に設けられる、表示装置。
【請求項２】
前記段差部は、前記対向するシャッター開口部の端部に沿って延びて形成され、前記段差部が延びる方向に並ぶ複数の前記突出部を含む、請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記段差部において、前記シャッター体の駆動方向に垂直な方向における中心線を挟んで両側にそれぞれ少なくとも１つの前記突出部が設けられる、請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記突出部は、前記対向するシャッター開口部の端部に接するように形成される、請求項１〜３のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項５】
前記段差部は、前記シャッター開口部を挟んで対称に設けられた一対の段差部からなり、
前記一対の段差部において、前記シャッター開口部を挟んで対称に前記突出部が設けられる、請求項１〜４のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項６】
前記基板の開口部は、１画素につき少なくとも２つ設けられ、
前記シャッター体は、１つのシャッター開口部を有し、
１つの画素における前記基板の開口部のうち１つは、前記第１の駆動ビーム及び前記第２の駆動ビームに信号電圧が印加されていない状態において、前記基板に垂直な方向から見た場合に前記シャッター体のシャッター開口部の一部と重なる位置に設けられ、前記１つの画素における前記基板の開口部のうち他の１つは、前記第１の駆動ビーム及び前記第２の駆動ビームに信号電圧が印加されていない状態において、前記基板に垂直な方向から見た場合に前記シャッター体の端部と重なる位置に設けられる、請求項１〜５のいずれか１項の記載の表示装置。
【請求項７】
前記基板は、前記シャッター体が設けられるスペースを挟んで対向する一対の基板を含み、
前記段差部における前記シャッター体表面の前記一対の基板のうち一方の基板からの距離は、前記段差部以外の部分におけるシャッター体表面の前記一方の基板からの距離よりも小さい、請求項１〜６のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項８】
前記基板は、前記シャッター体が設けられるスペースを挟んで対向する一対の基板を含み、
前記スペースには液体が充填される、請求項１〜７のいずれか1項に記載の表示装置。
【請求項９】
複数の画素を有し、画素それぞれに対応する移動可能なシャッター体及び前記シャッター体を駆動するための駆動ビームを備える表示装置の製造方法であって、
前記複数の画素それぞれに対応する第１開口部を有する第１基板上に、シャッター体及び前記駆動ビームを前記第１基板上に支持するアンカーの形状に対応する第１レジスト及び、前記シャッター体及び前記駆動ビームの形状に対応する第２レジストを形成する工程と、
前記第１レジスト及び前記第２レジストの上に、導体膜及び金属膜を成膜する工程と、
前記導体膜及び前記金属膜の上に、前記金属膜を残したい領域に対応する第３レジストを形成する工程と、
前記第３レジストが形成された状態で前記導体膜及び前記金属膜をエッチングする工程と、
前記第１レジスト、第２レジスト、及び第３レジストを除去し、前記アンカーにより前記第１基板上に移動可能に支持されたシャッター体及び駆動ビームを形成する工程と、
前記第１基板の前記第１開口部に対応する第２開口部を有する第２基板を前記第１基板に貼り合わせる工程と、
前記シャッター体が前記第１基板又は前記第２基板に接触していないか検査する工程と、
前記検査の結果、前記第１基板又は前記第２基板に接触していると判定されたシャッター体に、前記駆動ビームに信号電圧が印加されていない状態において、前記第１開口部又は前記第２開口部を介してレーザ光を照射することで、前記シャッター体を前記第１基板又は前記第２基板から離す修正工程とを有し、
前記シャッター体及び前記駆動ビームを形成する工程において、前記シャッター体は、シャッター開口部と前記シャッター開口部の端部に対向して設けられた段差部とを有し、前記段差部は前記シャッター体の移動方向に突出する突出部を含み、前記突出部は、前記駆動ビームに信号電圧が印加されていない状態において、前記第１基板に垂直な方向から見た場合に、前記第１基板又は前記第２基板の開口部と重なる位置に設けられるように形成され、
前記修正工程において、前記レーザ光は、前記シャッター体の前記突出部へ照射される、表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、メカニカルシャッターを用いた表示装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、メカニカル（機械式）シャッターを用いた表示装置として、ＭＥＭＳディスプレイ（Micro Electro Mechanical System Display）が提案されている。例えば、下記特許文献１には、透過型のＭＥＭＳディスプレイが開示されている。このＭＥＭＳディスプレイでは、ＴＦＴ基板に、ＭＥＭＳからなる複数のシャッター機構が画素に対応してマトリクス状に配列される。対向基板のＴＦＴ基板側に積層された遮光膜には、画素に対応してマトリクス状に並ぶ複数の開口部が設けられる。シャッター機構のシャッター部が移動することにより、開口部を開閉し、バックライトユニットから表示面へ光を透過させたり遮断したりする。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１４−１４２３９４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
このように、ＭＥＭＳディスプレイでは、シャッター部は、基板の開口部に対して移動可能な状態で支持される。そのため、シャッター部は、ＴＦＴ基板及び対向基板のいずれの基板に対しても接触せずに浮いた状態を保つ必要がある。しかし、製造工程において、シャッター部が基板に接触して移動不可能な状態に陥る場合がある。このような場合に、従来のＭＥＭＳディスプレイの構造では、シャッター部に力を加えて基板と離すことが困難であった。そこで、本願は、シャッターの位置の不良を是正することが容易な構成を持つ表示装置及びその製造方法を開示する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一実施形態における表示装置は、複数の画素と、前記複数の画素それぞれに対応して設けられた複数の開口部を有する基板と、前記複数の画素それぞれに対応して設けられ、前記基板に対して可動な状態で支持されたシャッターと、前記シャッターそれぞれに対応して設けられ、信号電圧が印加されることにより対応するシャッターを駆動させる駆動ビームとを備える。前記シャッターは、開口と、前記開口の端部に対向して設けられた段差部とを有する。前記段差部は、前記シャッター体の移動方向に突出している突出部を含む。前記突出部は、前記駆動ビームに信号電圧が印加されていない状態において、前記基板に垂直な方向から見た場合に、前記基板の開口部と重なる位置に設けられる。
【発明の効果】
【０００６】
本願開示によれば、シャッターの位置の不良を是正することが容易な構成を持つ表示装置が実現できる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】図１は、本実施形態における表示装置の構成例を示す斜視図である。
【図２】図２は、表示装置１０の等価回路図である。
【図３】図３は、表示装置１０の１つの画素における構成例を示す断面図である。
【図４】図４は、１つの画素におけるシャッター機構の詳細な構成例を示す斜視図である。
【図５】図５は、図４に示すシャッター機構の平面図である。
【図６】図６は、シャッターの駆動例を示す図である。
【図７】図７は、シャッターの駆動例を示す図である。
【図８】図８は、１つの画素における回路構成例を示す等価回路図である。
【図９】図９は、１つの画素における回路構成の他の例を示す等価回路図である。
【図１０Ａ】図１０Ａは、図５のＡ―Ａ線部分の断面におけるシャッター体２と開口部９−１、９−２の位置関係を示す図である。
【図１０Ｂ】図１０Ｂは、図５のＢ―Ｂ線部分の断面におけるシャッター体２と開口部９−１、９−２の位置関係を示す図である。
【図１０Ｃ】図１０Ｃは、シャッター体が基板に接触して駆動できない状態の例を示す図である。
【図１１】図１１は、突出部３ａの位置を説明するための図である。
【図１２】図１２は、本実施形態における１画素のシャッター機構の構成例を示す斜視図である。
【図１３】図１３は、図１２に示すシャッター機構の平面図である。
【図１４Ａ】図１４Ａは、図１３に示すシャッター機構の製造工程の一例を説明するための図である。
【図１４Ｂ】図１４Ｂは、図１３に示すシャッター機構の製造工程の一例を説明するための図である。
【図１４Ｃ】図１４Ｃは、図１３に示すシャッター機構の製造工程の一例を説明するための図である。
【図１４Ｄ】図１４Ｄは、図１３に示すシャッター機構の製造工程の一例を説明するための図である。
【図１４Ｅ】図１４Ｅは、図１３に示すシャッター機構の製造工程の一例を説明するための図である。
【図１４Ｆ】図１４Ｆは、図１３に示すシャッター機構の製造工程の一例を説明するための図である。
【図１５Ａ】図１５Ａは、突出部の変形例を示す図である。
【図１５Ｂ】図１５Ｂは、突出部の変形例を示す図である。
【図１５Ｃ】図１５Ｃは、突出部の変形例を示す図である。
【図１５Ｄ】図１５Ｄは、突出部の変形例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
本発明の一実施形態における表示装置は、複数の画素と、前記複数の画素それぞれに対応して設けられた開口部を有する基板と、前記複数の画素それぞれに対応して設けられ、前記基板に対して可動な状態で支持されたシャッター体と、前記シャッター体それぞれに対応して設けられ、信号電圧が印加されることにより対応するシャッター体を駆動させる駆動ビームとを備える。前記シャッター体は、開口と、前記開口の端部に対向して設けられた段差部とを有する。前記段差部は、前記前記シャッター体の移動方向に突出している突出部を含む。前記突出部は、前記駆動ビームに信号電圧が印加されていない状態において、前記基板に垂直な方向から見た場合に、前記基板の開口部と重なる位置に設けられる。
【０００９】
前記表示装置は、前記シャッター体と電気的に接続され、弾性変形することで当該シャッター体を移動可能にする第1のシャッタービームと、前記シャッター体と電気的に接続され、弾性変形することで当該シャッター体を移動可能にする第２のシャッタービームと、前記第１のシャッタービームと電気的に接続され、前記第１のシャッタービームを支持する第１のシャッタービームアンカーと、前記第２のシャッタービームと電気的に接続され、前記第２のシャッタービームを支持する第２のシャッタービームアンカーとを備えることができる。また、前記駆動ビームは、前記第1のシャッタービームと対向して設けられ、信号電圧が印加されることにより前記シャッター体を駆動させる第1の駆動ビームと、前記第２のシャッタービームと対向して設けられ、信号電圧が印加されることにより前記シャッター体を駆動させる第２の駆動ビームにより構成することができる。さらに、表示装置は、前記第1の駆動ビームと電気的に接続され、前記第1の駆動ビームを支持する第1の駆動ビームアンカーと、前記第２の駆動ビームと電気的に接続され、前記第２の駆動ビームを支持する第２の駆動ビームアンカーとを備えることができる。
【００１０】
上記構成において、段差部の突出部は、駆動ビームに信号電圧が印加されていない状態において、基板の開口部と、基板に垂直な方向において重なるように配置される。これにより、開口部を介してシャッター体の段差部の突出部に光を照射することが容易になる。ここで、シャッター体の段差部に対してレーザ光等の光を照射することで、シャッター体に対して力を加えられることが見出されている。そのため、シャッター体の位置の不良を是正することが容易になる。
【００１１】
前記段差部は、前記対向する開口の端部に沿って延びて形成され、前記段差部が延びる方向に並ぶ複数の前記突出部を含むことができる。これにより、シャッター体の段差部が延びる方向において、複数の位置でレーザ光等を照射することが容易になる。その結果、シャッター体の位置の不良を是正することがさらに容易になる。
【００１２】
前記段差部において、前記シャッター体の駆動方向に垂直な方向における中心線を挟んで両側にそれぞれ少なくとも１つの前記突出部が設けられてもよい。これにより、シャッター体の位置の不良を是正することがさらに容易になる。例えば、シャッター体の駆動方向に垂直な方向におけるシャッター体の両端部のいずれか一方が基板に接触する不良が生じた場合、基板に接触した部分に近い位置の突出部にレーザ光等を照射することにより、容易に位置不良を是正することができる。
【００１３】
前記突出部は、前記対向する開口の端部に接するように形成することができる。これにより、レーザ光等を照射することによりシャッター体に対して力を加えることができる突出部の面積を広げることができる。そのため、シャッター体の位置の不良を是正することがさらに容易になる。
【００１４】
前記段差部は、前記開口を挟んで対称に設けられた一対の段差部で構成されてもよい。この場合、前記一対の段差部において、前記開口を挟んで対称に前記突出部を設けることができる。これにより、シャッター構造の対称性を高めることができる。
【００１５】
前記基板の開口部は、１画素につき少なくとも２つ設けることができる。さらに、前記シャッターは、１つの開口を有する構成とすることができる。この場合、１つの画素における前記基板の開口部のうち１つは、前記駆動ビームに信号電圧が印加されていない状態において、前記基板に垂直な方向から見た場合に前記シャッター体の開口の一部と重なる位置に設けられ、前記１つの画素における前記基板の開口部のうち他の１つは、前記駆動ビームに信号電圧が印加されていない状態において、前記基板に垂直な方向から見た場合に前記シャッター体の端部と重なる位置に設けられる構成とすることができる。これにより、１つの開口を有するシャッター体で２つの開口部の開閉をすることができる。そのため、シャッター構成を簡単にすることができる。
【００１６】
前記基板は、前記シャッター体が設けられるスペースを挟んで対向する一対の基板を含む構成とすることができる。この場合、前記段差部におけるシャッター体表面の前記一対の基板のうち一方の基板からの距離は、前記段差部以外の部分におけるシャッター体表面の前記一方の基板からの距離よりも小さくすることができる。このように、段差部を、一方の基板に対して最も低いレイヤとして形成することで、段差部の突出部と一方の基板との距離が他の部分よりも小さくなる。そのため、一方の基板の開口部を介して突出部へ光を照射しやすくなる。
【００１７】
前記基板は、前記シャッター体が設けられるスペースを挟んで対向する一対の基板を含み、前記スペースにはオイルが充填される構成とすることができる。これにより、段差部の突出部へ光を照射した場合に、シャッター体に対して力が加わりやすくなる。
【００１８】
複数の画素を有し、画素それぞれに対応する移動可能なシャッター体及び前記シャッター体を駆動するための駆動ビームを備える表示装置の製造方法も、本発明の実施形態に含まれる。一実施形態における製造方法は、前記複数の画素それぞれに対応する第１開口部を有する第１基板上に、シャッター体及び前記駆動ビームを前記第１基板上に支持するアンカーの形状に対応する第１レジスト及び、前記シャッター体及び前記駆動ビームの形状に対応する第２レジストを形成する工程と、前記第１レジスト及び前記第２レジストの上に、導体膜及び金属膜を成膜する工程と、前記導体膜及び前記金属膜の上に、前記金属膜を残したい領域に対応する第３レジストを形成する工程と、前記第３レジストが形成された状態で前記導体膜及び前記金属膜をエッチングする工程と、前記第１レジスト、第２レジスト、及び第３レジストを除去し、前記アンカーにより前記第１基板上に移動可能に支持されたシャッター体及び駆動ビームを形成する工程と、前記第１基板の前記第１開口部に対応する第２開口部を有する第２基板を前記第１基板に貼り合わせる工程と、前記シャッター体が前記第１基板又は前記第２基板に接触していないか検査する工程と、前記検査の結果、前記第１基板又は前記第２基板に接触していると判定されたシャッター体に、前記駆動ビームに信号電圧が印加されていない状態において、前記第１開口部又は前記第２開口部を介してレーザ光を照射することで、前記シャッター体を前記第１基板又は前記第２基板から離す修正工程とを有する。前記シャッター体及び前記駆動ビームを形成する工程において、前記シャッター体は、開口と前記開口の端部に対向して設けられた段差部とを有し、前記段差部は前記シャッター体の移動方向に突出する突出部を含み、前記突出部は、前記駆動ビームに信号電圧が印加されていない状態において、前記第１基板に垂直な方向から見た場合に、前記第１基板又は前記第２基板の開口部と重なる位置に設けられるように形成される。前記修正工程において、前記レーザ光は、前記シャッター体の前記突出部へ照射される。
【００１９】
以下、図面を参照し、本発明の実施の形態を詳しく説明する。図中同一又は相当部分には同一符号を付してその説明は繰り返さない。なお、説明を分かりやすくするために、以下で参照する図面においては、構成が簡略化または模式化して示されたり、一部の構成部材が省略されたりしている。また、各図に示された構成部材間の寸法比は、必ずしも実際の寸法比を示すものではない。
【００２０】
＜実施形態１＞
図１は、本実施形態における表示装置の構成例を示す斜視図である。また、図２は、表示装置１０の等価回路図である。図１に示す表示装置１０は、透過型のＭＥＭＳディスプレイである。表示装置１０は、第１基板１１、第２基板２１及びバックライト３１が順に積層された構成を有する。
【００２１】
第１基板１１は、画像を表示するための画素が配置される表示領域１３と、各画素の光の透過を制御する信号を供給するソースドライバ１２とゲートドライバ１４とを有する。第２基板２１は、バックライト３１のバックライト面を覆うように設置されている。
【００２２】
バックライト３１は、各画素にバックライト光を照射するために、例えば、赤色（Ｒ）光源、緑色（Ｇ）光源、及び青色（Ｂ）光源を有している。バックライト３１は、入力されるバックライト用制御信号に基づいて、所定の光源を発光させる。
【００２３】
図２に示すように、第１基板１１には、複数のデータ線１６と、データ線１６と交差して延びる複数のゲート線１５とが設けられ、データ線１６とゲート線１５とによって画素Ｐが形成されている。これにより、表示領域１３において、マトリクス状に画素Ｐが配置される。画素Ｐそれぞれに対応するシャッター機構Ｓが設けられる。
【００２４】
シャッター機構Ｓには、画素Ｐの表示を制御するシャッター、及びシャッターを駆動させる駆動ビーム（駆動電極）が含まれる。また、各画素Ｐの駆動ビームの電圧信号を制御するスイッチング素子１７が、画素Ｐごとに設けられる。スイッチング素子１７は、例えば、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin film transistor）で構成することができ、データ線１６、ゲート線１５及び駆動ビームに接続される。
【００２５】
各データ線１６はソースドライバ１２に接続され、各ゲート線１５はゲートドライバ１４に接続されている。ゲートドライバ１４は、各ゲート線１５に、ゲート線１５を選択又は非選択の状態に切り替えるゲート信号を順次入力することにより、ゲート線１５を走査する。ソースドライバ１２は、ゲート線１５の走査に同期して、各データ線１６にデータ信号を入力する。これにより、選択されたゲート線１５に接続された各画素Ｐのシャッター機構Ｓに、所望の信号電圧を印加する。
【００２６】
（シャッター機構の構成例）
図３は、表示装置１０の表示領域１３の１つの画素Ｐにおける構成例を示す断面図である。図３に示す例では、第１基板１１、第２基板２１及びバックライト３１が順に重ね合わされる。第１基板１１と第２基板２１は、間隔をあけて互いに対向するように配置される。第１基板１１と第２基板２１との間のスペースに、シャッター体２及び駆動ビーム６が配置される。第１基板１１と第２基板２１は、端部付近に設けられたシール材２４に互いに貼り合わせられる。シール材２４は、第１基板１１と第２基板２１との間のスペースを封止する。第１基板１１と第２基板２１との間のスペースには液体２５が充填される。液体２５は、例えば、シリコンオイル等のオイルとすることができる。オイルによって、シャッター体２の動きによる振動を抑制することができる。また、第１基板１１及び第２基板２１の屈折率とオイルの屈折率との差を小さくするようなオイルを用いることで、第１基板１１及び第２基板２１の界面における光の反射を抑えることができる。なお、第１基板１１及び第２基板２１の間には、シール材２４の他にも、スペースを保持するためのスペーサが設けられてもよい。
【００２７】
第１基板１１は、各画素に対応して設けられた開口部９−１、９−２を有する。開口部９−１、９−２は光が透過できる部分であり、開口部９−１、９−２以外の部分は光を通さない。例えば、第１基板１１に遮光膜１１１を形成し、この遮光膜１１１に開口部９−１、９−２を形成することができる。この場合、遮光膜１１１の材料として、例えば、不透明な絶縁体の材料を用いることができる。或いは、遮光膜１１１の代わりに又は遮光膜１１１に加えて、第１基板１１に設けられるシャッター体２を駆動するための配線のパターニングによって開口部９を形成することもできる。また、第２基板２１にも、各画素に対応する開口部２３が設けられる。この例では、第２基板２１の第１基板１１側の面に開口を有する遮光膜２２が設けられる。遮光膜２２の開口が開口部２３となる。各画素において、第２基板２１の開口部２３と第１基板１１の開口部９は、第１基板１１又は第２基板２１に垂直な方向からみて重なる位置に配置される。
【００２８】
シャッター体２は、シャッター開口部４を有する板状体であり、第１基板１１の面と平行な方向に移動可能な状態で第１基板１１によって支持される。シャッター体２に隣接して駆動ビーム６が設けられる。駆動ビーム６には信号電圧が印加される。信号電圧が印加された駆動ビーム６とシャッター体２との間に生じる静電気力によってシャッター体２が移動する。すなわち、駆動ビーム６に印加された信号電圧に応じてシャッター体２が駆動される。シャッター体２のシャッター開口部４の全体が第１基板１１の開口部９−１と重なる位置にシャッター体２が移動すると、画素を光が透過する開状態となる。このとき、シャッター体２の右の端部は、右の開口部９−２より左に移動するので開口部９−２とシャッター体２も重ならない。シャッター開口部４と開口部９−１が全く重ならない位置にシャッター体２が移動すると、画素を光が透過しない閉状態となる。このときシャッター体２の右の端部は右の開口部９−２より右に移動し、開口部９−２はシャッター体２に覆われる。このように、各画素における駆動ビーム６の信号電圧を制御することにより、シャッター体２の位置を制御し、バックライト３１から表示面への光の透過を制御することができる。
【００２９】
図４は、１つの画素におけるシャッター機構の詳細な構成例を示す斜視図である。図５は、図４に示すシャッター機構の平面図である。図４及び図５に示す例では、シャッター体２は矩形の板である。この例では、シャッター体２の長手方向（長辺方向）に垂直な方向すなわち短手方向（短辺方向）がシャッター体２の駆動方向（移動方向）である。シャッター体２の短手方向における中央の部分にシャッター開口部４が形成される。シャッター開口部４は、シャッター体２の長手方向に延びて形成される。シャッター開口部４は、例えば、シャッター体２の長手方向に長辺を持つ矩形に形成される。
【００３０】
シャッター体２は、シャッター開口部４の端部（縁）４ａに対向して設けられた段差部３を有する。段差部３は、第１基板１１に垂直方向におけるシャッター体２の表面の位置、すなわち表面の高さが周囲と異なっている部分である。段差部３は、シャッター開口部４の端部に沿って延びている。すなわち、段差部３も、シャッター体２の長手方向（駆動方向と垂直な方向）に延びて形成される。この例では、段差部３は、シャッター開口部４の長辺から離れた位置でシャッター開口部４の長辺に沿って延びる線上に形成される。このように、１つの方向に延びる線状の段差部をシャッターに設けることで、上記１つの方向においてシャッターが撓むのを抑えることができる。シャッター開口部４の端部４ａとシャッター体２の端部２ａとの間の中心線上に段差部３を設けることで、効率よく撓みを抑えることができる。
【００３１】
段差部３は、シャッター開口部４へ向かって突出している突出部３ａを含む。突出部３ａは、駆動ビーム６１、６２に信号電圧が印加されていない状態において、基板（第１基板１１又は第２基板２１）に垂直な方向から見た場合に、開口部９−１又は開口部２３と重なる位置に設けられる。本例では、シャッター体２の表面は、高さが異なる複数のレイヤを有し、複数のレイヤのうち最も第１基板１１に近い、すなわち最も低いレイヤが段差部３となる。そのため、突出部３ａも、最も低いレイヤとして形成される。突出部３ａの詳細については後述する。
【００３２】
シャッター体２には、梁であるシャッタービーム５１、５２の一端が接続される。シャッタービーム５１、５２の他端は、第１基板１１に固定された支持部であるシャッタービームアンカー７１、７２に接続される。シャッタービーム５１、５２は、弾性変形可能である。駆動方向におけるシャッター体２の一方の端部に第１シャッタービーム５１が接続され、他方の端部に第２シャッタービーム５２が接続される。すなわち、第２シャッタービーム５２は、第１シャッタービーム５１が接続されるシャッター体２の端部と反対側の端部に接続される。この例では、シャッター体２の２つの長辺にそれぞれ２本の第１シャッタービーム５１と第２シャッタービーム５２が接続される。シャッタービーム５１、５２は、シャッター体２の駆動方向に垂直な方向（長手方向）における中心線Ｃ付近でシャッター体２に接続される。すなわち、シャッタービーム５１、５２は、駆動方向に垂直な方向において、略中央の位置に接続される。シャッタービーム５１、５２は、シャッター体２との接続箇所から外側へ延び、さらにシャッター体２の端部（本例では長辺）に沿って延びてシャッタービームアンカー７１、７２に接続される。このように、シャッタービーム５１、５２は、第１基板１１に対して固定されたシャッタービームアンカー７１、７２と、シャッター体２とを接続する。シャッタービーム５１、５２は可撓性を有するので、シャッター体２は、第１基板１１に対して可動な状態で支持される。また、シャッター体２は、シャッタービームアンカー７１、７２及びシャッタービーム５１、５２を介して第１基板１１に設けられた配線（図示せず）と電気的に接続される。
【００３３】
駆動ビーム６１、６２は、シャッター体２の駆動方向における両側に隣接して設けられる。第１駆動ビーム６１がシャッター体２の駆動方向における一方の端部に、第２駆動ビーム６２はシャッター体２の駆動方向における他方の端部に対向して設けられる。すなわち、駆動ビーム６１、６２は、シャッター体２に接続されたシャッタービーム５１、５２に対向する位置に配置される。駆動ビーム６１、６２の端部は、第１基板１１に固定された駆動ビームアンカー８１、８２に接続される。駆動ビーム６１、６２は、駆動ビームアンカー８１、８２を介して第１基板１１に設けられた配線（図示せず）と電気的に接続される。ここでは一例として、第１駆動ビーム６１は一対の駆動ビームで構成されるが、第１駆動ビーム６１は１本の駆動ビームで構成することもできる。第２駆動ビーム６２も同様である。
【００３４】
図４及び図５に示す例では、第１基板１１において、１つの画素につき２つの開口部９−１、９−２が設けられる。各画素のシャッター体２には１つのシャッター開口部４が設けられる。２つの開口部のうち１つの開口部９−１は、駆動ビーム６１、６２に信号電圧が印加されていない状態において、シャッター体２のシャッター開口部４の一部と重なる位置に設けられる。他の１つの開口部９−２は、駆動ビーム６１、６２に信号電圧が印加されていない状態において、シャッター体２の駆動方向における端部（縁）と重なる位置に設けられる。
【００３５】
（シャッターの動作例）
ここで、シャッター体２の動作例を説明する。駆動ビーム６１、６２に信号電圧が印加されていない場合、例えば、図５に示す位置にシャッター体２が配置される。駆動ビーム６１、６２に信号電圧が印加されていない状態では、駆動ビーム６１、６２とシャッター体２との間に静電気力が働いていない。例えば、表示装置１０の製造工程において、シャッタービーム５１、５２及びシャッター体２を形成した時のシャッター体２の位置が、駆動ビーム６１、６２に信号電圧が印加されていない状態におけるシャッター体２の位置となることが多い。なお、シャッター体２及びシャッター体２の両側に設けられた駆動ビーム６１、６２に同じ信号電圧が印加されている場合も、駆動ビーム６１、６２に信号電圧が印加されていない状態と同じとみなすこともできる。例えば、シャッター体２と、両側の駆動ビーム６１、６２の電位が同じ場合、シャッター体２は、両側の駆動ビーム６１、６２から斥力を受けて両側の駆動ビーム６１、６２の略中心の位置に配置される。もし駆動ビーム６１、６２に信号電圧が印加されていない場合にもシャッター体２が駆動ビーム６１、６２の中心に配置されるよう形成されている場合は、シャッター体２と両側の駆動ビーム６１、６２の電位が同じ状態は、駆動ビーム６１、６２に信号電圧が印加されていない状態と同じとみなすことができる。
【００３６】
図５に示す例では、シャッター体２のシャッター開口部４の一部と第１基板１１の１つの開口部９−１の一部とが重なる位置にシャッター体２が配置されている。また、シャッター体２の駆動方向の端部（本例ではシャッター体２の右長辺）と、第１基板１１の他の開口部９−２とが重なる位置にシャッター体２が配置されている。この例では、駆動ビーム６１、６２に信号電圧が印加されていない状態においては、第１基板１１の面に垂直な方向から見て、シャッター体２によって開口部９−１及び開口部９−２の半分以上が覆われている状態となる。また、このとき、シャッター体２のシャッター開口部４の左に設けられた段差部３の突出部３ａは、第１基板１１の開口部９−１と重なっている。すなわち、左の段差部３の突出部３ａは、駆動ビーム６１、６２に信号電圧が印加されていない状態において、第１基板１１に垂直な方向から見た場合に第１基板１１の開口部９−１と重なる位置に設けられる。なお、シャッター開口部４の右に設けられた段差部３の突出部３ａは、第１基板１１の開口部９−１、９−２と重なっていない。突出部３ａを左右対称に形成することで、シャッター体２の動作を安定させることができる。
【００３７】
第１の駆動ビーム６１にハイレベル（High level）の信号電圧を印加し、シャッター体２及び第２の駆動ビーム６にローレベル（Low level）の信号電圧を印加した場合、例えば、図６に示すように、第１の駆動ビーム６１の方へシャッター体２が移動する。この場合、シャッター体２のシャッター開口部４の全体が第１基板１１の開口部９−１の全体と重なっている。また、シャッター体２の右の端部は、開口部９−２より左へ移動する。そのため、開口部９−１及び開口部９−２のいずれも覆われない。そのため、画素において光が透過する。すなわち、画素は開（open）状態となる。この場合、バックライト３１からの光が画素を透過して表示面から出射する。
【００３８】
第２の駆動ビーム６２にハイレベルの信号電圧を印加し、シャッター体２及び左の第１の駆動ビーム６１にローレベルの信号電圧を印加した場合、例えば、図７に示すように、第２の駆動ビーム６２の方へシャッター体２が移動する。この場合、シャッター体２のシャッター開口部４以外の部分が第１基板１１の開口部９−１、９−２の全体と重なっている。そのため、開口部９−１及び開口部９−２はシャッター体２によって覆われる。この場合、画素は閉（close）状態となる。バックライト３１からの光は、画素を透過しない。
【００３９】
（回路構成例）
図８は、１つの画素における回路構成例を示す等価回路図である。図８に示す例では、１つの画素について、スイッチング素子１７、１７ｕ、１７ｅ、１７ｐ１、１７ｐ２が設けられる。スイッチング素子１７は、ゲート線１５及びデータ線１６に接続され、シャッターの開閉（オン／オフ）を決めるデータ信号ＳＤの入力を制御する。スイッチング素子１７ｕは、スイッチング素子１７と第１の駆動ビーム６１との間に接続され、アップデート信号ＳＵに基づくタイミングで第１の駆動ビーム６１の電位をデータ信号に応じた電位に更新する。スイッチング素子１７ｅは、スイッチング素子１７ｕと第２の駆動ビーム６２との間に接続され、イネーブル信号ＳＥに基づくタイミングで第２の駆動ビーム６２の電位をデータ信号に応じた電位に更新する。スイッチング素子１７ｐ１、１７ｐ２は、第１及び第２の駆動ビーム６１、６２とシャッター駆動電圧ＳＡを供給する配線との間にそれぞれ接続され、プリチャージ（pre-charge）制御信号に基づいてシャッター駆動電圧ＳＡの第１の駆動ビーム６１及び第２の駆動ビーム６２への供給を制御する。シャッター体２は、シャッター配線１９−２に接続される。
【００４０】
具体的には、スイッチング素子１７のゲートはゲート線１５に、ドレインはデータ線１６に、ソースは、スイッチング素子１７ｕのゲートに接続される。スイッチング素子１７ｕのドレインは、第１の駆動ビーム６１、スイッチング素子１７ｐ１のソース、及びスイッチング素子１７ｅのゲートに接続される。スイッチング素子１７ｕのソースは、アップデート信号ＳＵを供給する配線に接続される。スイッチング素子１７ｅのソースは、イネーブル信号ＳＥを供給する配線に接続される。スイッチング素子１７ｅのドレインは、スイッチング素子１７ｐ２のソース及び第２の駆動ビーム６２に接続される。スイッチング素子１７ｐ１、１７ｐ２のゲートは、プリチャージ制御信号ＳＰを供給する配線１９−１に接続され、ドレインは、シャッター駆動電圧ＳＡを供給する配線に接続される。
【００４１】
スイッチング素子１７とスイッチング素子１７ｕとの間のノード（以下、ストレージノードと称する）とシャッター配線１９−２との間には容量Ｃ１が形成される。容量Ｃ１は、シャッター体２の開閉を示すデータ信号の信号電圧を保持する。第１の駆動ビーム６１とスイッチング素子１７ｕ、１７ｐ１、１７ｅが接続されるノード（以下、マスターノードｎ１ｎ１と称する）とシャッター配線１９−２との間には容量Ｃ２が形成される。容量Ｃ２は、マスターノードｎ１ｎ１に保持されたシャッター駆動電圧を安定化させる。第２の駆動ビーム６２とスイッチング素子１７ｅ、１７ｐ１が接続されるノード（以下、スレーブノードｎ２と称する）とシャッター配線１９−２との間には容量Ｃ３が形成される。容量Ｃ３は、スレーブノードｎ２に保持されたシャッター駆動電圧を安定化させる。
【００４２】
ゲート線１５に選択状態を示すゲート信号が入力されスイッチング素子１７がＯＮになったタイミングで、データ線１６からデータ信号ＳＤが入力される。シャッター体２の開閉を決めるデータ信号ＳＤに応じたデータ電圧が容量Ｃ１に蓄えられる。この時、アップデート信号ＳＵは、スイッチング素子１７ｕは、データ電圧によらずオフとなっている。スイッチング素子１７ｐ１、１７ｐ２がプリジャージ制御信号ＳＰに基づいてオンになったタイミングで、シャッター駆動電圧ＳＡが第１の駆動ビーム６１及び第２の駆動ビーム６２に印加される。これにより、マスターノードｎ１ｎ１及びスレーブノードｎ２ｎ２に駆動電圧（ハイレベル）が蓄えられる。
【００４３】
アップデート信号ＳＵが、例えば、ハイレベルからローレベルに変化すると、ストレージノードのデータ電圧に応じてスイッチング素子１７ｕのオン／オフが制御される。本例では、データ電圧がハイレベルの場合に、スイッチング素子１７ｕはオンになりマスターノードｎ１ｎ１はローレベルとなる、データ電圧がローレベルの場合、スイッチング素子１７ｕがオフのままとなりマスターノードｎ１ｎ１はハイレベル（駆動電圧）となる。イネーブル信号ＳＥが、例えば、ハイレベルからローレベルに変化すると、マスターノードｎ１の電圧に応じてスイッチング素子１７ｅのオン／オフが制御される。本例では、マスターノードｎ１がハイレベルの場合に、スイッチング素子１７ｕはオンになりスレーブノードｎ２はローレベルとなる、マスターノードｎ１がローレベルの場合、スイッチング素子１７ｕがオフのままとなりスレーブノードｎ２はハイレベル（駆動電圧）となる。
【００４４】
このように、画素へのデータ書き込み時は、常に、マスターノードｎ１とスレーブノードｎ２の電圧の極性（ハイ／ロー）が逆になる。そのため、シャッター体２の極性（ハイ／ロー）と逆の極性のノードの駆動ビームに、電気的な力によってシャッターが引き寄せられる。なお、シャッターの極性を所定周期で入れ替えることによりシャッターの帯電を防止することができる。
【００４５】
なお、回路構成は、上記例に限定されない。図９は、１つの画素における回路構成の他の例を示す等価回路図である。図９において図８に示す要素に対応する要素には同じ符号を付している。図９に示す例では、１つの画素につき２本のデータ線１６１、１６２が設けられる。これら２本のデータ線のうち一方のデータ線１６１は、第１の駆動ビーム６１の信号電圧を示す第データ信号ＳＤ−１を供給し、他のデータ線１６２は、第２の駆動ビーム６２の信号電圧を示す第２データ信号ＳＤ−２を供給する。そのため、１回の書き込みにおいて、第１データ信号ＳＤ−１の極性と第２データ信号ＳＤ−２の極性は逆となる。
【００４６】
図９に示す例では、第１の駆動ビーム６１の電圧を制御する構成として、ゲート線１５のゲート信号ＳＧに基づいて、データ線１６２の第１データ信号ＳＤ−１の入力を制御するスイッチング素子１７１、第１データ信号ＳＤ−１に基づくデータ信号電圧を蓄積する容量Ｃ１１、データ信号電圧に応じて第１の駆動ビーム６１に接続されるマスターノードｎ１の電圧を制御するスイッチング素子１７ｕ１、マスターノードｎ１へのシャッター駆動電圧ＳＡの供給を制御するスイッチング素子１７ｐ１が設けられる。同様に、第２の駆動ビーム６２の電圧を制御する構成として、スイッチング素子１７２、容量Ｃ１２、スイッチング素子１７ｕ２、及び、スイッチング素子１７ｐ２が設けられる。図９に示す回路においても、第１及び第２のデータ信号１６１、１６２に応じてシャッター体２の駆動が制御される。
【００４７】
（シャッター位置是正の例）
ここで、シャッター体２の段差部３の突出部３ａを利用したシャッター位置是正の例を説明する。図１０Ａは、図５に示すＡ―Ａ線部分の断面におけるシャッター体２と開口部９−１、９−２の位置関係を示す図である。図１０Ｂは、図５に示すＢ―Ｂ線部分の断面におけるシャッター体２と開口部９−１、９−２の位置関係を示す図である。図１０Ａに示す例では、駆動ビーム６１、６２に信号電圧が印加されていない状態において、突出部３ａは、開口部９−１と、第１基板１１に垂直な方向において重なる位置に配置される。この場合、第１基板１１の外側から開口部９−１を介して突出部３ａにレーザ光Ｌを照射することが容易になる。レーザ光Ｌを突出部３ａに照射することにより、シャッター体２にレーザ光Ｌの進む方向の力を加えることができることが見出されている。例えば、シャッター体２が配置される第１基板１１と第２基板２１との間の空間にオイルを充填した場合、レーザ光をシャッター体２に照射すると、シャッター体２のレーザ光が当たった部分で熱が発生して周りのオイルが気化することによりシャッター体２に力が印加されると考えられる。
【００４８】
これにより、例えば、図１０Ｃに示すように、シャッター体２が製造工程の不良により第１基板１１に接触して駆動ができない状態となった場合、第１基板１１の開口部９−１を介してシャッター体２の段差部３の突出部３ａにレーザ光を照射することで、シャッター体２に力を加えて、シャッター体２を第１基板１１から離すことができる。
【００４９】
これに対して、図１０Ｂに示す位置では、開口部９−１と段差部３とが重なっていない。そのため、開口部９−１を透過したレーザ光Ｌは、シャッター体２の段差部３ではない部分に照射されやすくなる。段差部３でない部分にレーザ光Ｌによる力が加わった場合、シャッター体２が撓むのみでシャッター体２の位置は変わらないことが多い。そのため、シャッター体２の位置を是正するためには、シャッター体２の段差部３にレーザ光を照射することが好ましい。突出部３ａを設けることにより、開口部９−１を介して段差部３にレーザ光を照射することが容易になる。
【００５０】
図１０Ａに示す例では、段差部３におけるシャッター体２表面の第１基板１１との距離（すなわち、シャッター体２表面の第１基板１１に対する高さ）は、段差部３以外の部分のシャッター体２表面の第１基板１１との距離よりも小さくなっている。そのため、突出部３ａは、段差部３以外の部分よりも第１基板１１から近い位置に配置される。そのため、第１基板１１の開口部９−１を介して突出部３ａへレーザ光を照射することが容易になる。また、レーザ光を突出部３ａへ照射することにより、効率よくシャッター体２に力を加えることができる。
【００５１】
なお、上記例では、第１基板１１の開口部９−１を介してレーザ光を照射することにより、シャッター体２の位置を是正する場合について説明したが、第２基板２１の開口部２３を介してレーザ光をシャッター体２に照射することによって位置を是正することもできる。例えば、段差部３におけるシャッター体２表面の第２基板２１との距離を、段差部３以外の部分のシャッター体２表面の第２基板２１との距離よりも小さくすることもできる。
【００５２】
（突出部の構成について）
図４及び図５で示したシャッター体２では、突出部３ａは、シャッター開口部４へ向かって突出する形態となっている。これにより、シャッター開口部４に近い位置に突出部３ａを設けることができるので、第１基板１１の開口部９−１と重なりやすい位置に突出部３ａが設けられる。なお、段差部３全体を第１基板１１に近づけすぎると段差部３の面積が大きくなりシャッター体２が第１基板１１に接触しやすくなる場合がある。そのため、図４及び図に示すように、シャッター開口部４に沿って延びる段差部３の一部において、シャッター開口部４へ突出する突出部３ａを設けることで、段差部３の弊害を抑えつつレーザ光による位置是正を容易にすることができる。
【００５３】
図４及び図５で示したシャッター体２では、段差部３が延びる方向（図５ではｙ方向）に並ぶ複数の突出部３ａが設けられる。このように１本の線に沿って形成される段差部３において複数の突出部３ａを並べて配置することで、レーザ光の照射可能な位置を上記１本の線の方向に分布させることができる。例えば、上記例のように、シャッター体２の長手方向（図５ではｙ方向）に複数の突出部３ａを分布して設けることで、シャッター体２の長手方向における一部に力を加えたい場合に、適切な位置の突出部３ａにレーザ光を照射することができる。
【００５４】
例えば、図４及び図５に示した例では、段差部３において、シャッター体２の駆動方向（移動方向：図５ではｘ方向）に垂直な方向における中心線Ｃを挟んで両側にそれぞれ１つずつ突出部３ａが設けられる。このように、中心線Ｃの両側に少なくとも１つの突出部３ａを配置することで、駆動方向に垂直な方向におけるシャッター体２の両端部のいずれか一方に力を加えやすくなる。例えば、シャッター体２の片側の端部（図５ではシャッター体２の上辺）のみが第１基板１１に接触している場合、中心線Ｃよりもこの片側の端部側にある突出部３ａにレーザ光を照射することで、シャッター体２の上記片側の端部に対して効率よく力を加えることができる。
【００５５】
図１１は、突出部３ａの位置を説明するための図である。図１１に示す例では、シャッター体２の駆動方向に垂直な方向における中心線Ｃの両側に１つずつ突出部３ａが設けられる。この構成において、さらに、シャッター体２の駆動方向に垂直な方向（長手方向）における端部（図１１では、上辺と下辺）から、突出部３ａの中心までの距離Ｌｓｈｏｒｔ１、Ｌｓｈｏｒｔ２は、シャッター体２の長手方向の長さＬｓｈｕｔｔｅｒの２０％以内とすることができる。突出部３ａは、長手方向の両端部（上辺と下辺）のうち一方の端部、例えばＨｅａｄ側の端部（図１１では、シャッター体２の上辺）でシャッター体２が第１基板１１に接触した場合、Ｈｅａｄ側の突出部３ａにレーザ光を照射することで、容易にシャッター体２を正常な位置に戻すことができる。逆に、長手方向の両端部のうち他方の端部、すなわちＴａｉｌ側の端部（図１１では、下辺）でシャッター体２が第１基板１１に接触した場合、Ｔａｉｌ側の突出部３ａにレーザ光を照射することで、容易にシャッター体２を正常な位置に戻すことができる。シャッター体２の長手方向の両端（図１１では、上辺と下辺の両方）がいずれも落ちた場合は、Ｈｅａｄ側の突出部３ａとＴａｉｌ側の突出部３ａの両方にレーザ光を照射することができる。
【００５６】
突出部３ａの面積は特に限定されないが、例えば、開口部９−１と重なる段差部３の面積が約２５μｍ２以上となるよう突出部３ａを設けることができる。一例として、段差部３において長手方向に沿って延びるリブからシャッター開口部４へ向かって突出する突出部３ａの面積を３μｍ×７μｍとすることができる。
【００５７】
また、図４、図５及び図１１で示したシャッター体２は、シャッター開口部４を挟んで対称に設けられた一対の段差部３を有する。一対の段差部３において、シャッター開口部４を挟んで対称に突出部３ａが設けられる。上記例では、段差部３の形状は、駆動方向におけるシャッター体２の中心線Ｃ２を対称軸として線対称となっている。このように、シャッター開口部４の両側に、対称に突出部３ａを設けることで、シャッター体２の形状の対称性を確保することができる。なお、形状の対称性は厳密でなくてもよい。例えば、シャッター開口部４の両側の突出部３ａのシャッター開口部４からの距離を等しくするだけでもある程度対称性を確保することができる。
【００５８】
なお、突出部３ｂは、必ずしもシャッター開口部４の両側に設ける必要はない。図１１に示す例では、駆動ビーム６１、６２に信号電圧が印加されていない状態で開口部９−１と重なる位置に突出部３ａが設けられるだけで、レーザ光の照射によりシャッター２の位置是正が容易になるという効果は得られる。例えば、シャッター開口部４を対向して設けられる一対の段差部３において、片方の段差部３のみ（図１１の例では、シャッター開口部４の左の段差部のみ）に突出部３ａを設けることもできる。
【００５９】
＜実施形態２＞
図１２は、本実施形態における１画素のシャッター機構の構成例を示す斜視図である。図１３は、図１２に示すシャッター機構の平面図である。図１２及び図１３に示す例では、突出部３ｂは、対向するシャッター開口部４の端部（縁）に接するように形成される。シャッター開口部４の端部は、突出部３ｂと接する部分で段差が生じている。この例では、段差部３は、シャッター体２の長手方向（駆動方向と垂直方向）に延びる線状部分と、この線状からシャッター開口部４へ向けて突出しシャッター開口部４の長辺に達する突出部３ｂとを含む。段差部３は、第１基板１１の面に平行な面（底面）と垂直な面（側壁）を有する。突出部３ｂの側壁はシャッター開口部４中まで延びて形成される。シャッター開口部４中に延びて形成された側壁、すなわち橋梁部３ｃは、シャッター開口部４を挟んで対向する位置にある突出部３ｂの側壁に接続される。すなわち、シャッター開口部４を挟んで対向する位置にある突出部３ｂは、シャッター開口部４を跨ぐ、第１基板１１に垂直な板状体の橋梁部３ｃにより互いに接続されている。これにより、シャッター体２が撓みにくくすることができる。ここで、シャッター体２は、導体層及び金属層を含む構成とすることができる。この場合、シャッター開口部４を跨ぐ橋梁部３ｃは、例えば、導体層のみで形成することができる。
【００６０】
このように、シャッター体２における段差部３の突出部３ｂをシャッター開口部４に接するように形成することで、レーザ光を照射できる面積をより広く確保することができる。例えば、後述するように、レジストの上にシャッター体２の材料を成膜することによって、段差部３を有するシャッター体２を形成する場合、突出部３ｂが所望の面積より小さく形成される場合がある。そのため、図１２及び図１３に示すように、突出部３ｂをシャッター開口部４に達する範囲まで広げて形成することで、より確実に突出部３ｂの面積を確保することが可能になる。
【００６１】
（製造工程）
ここで、図１３に示すシャッター機構の製造工程の一例を説明する。図１４Ａ〜図１４Ｆは、図１３に示すシャッター機構の製造工程の一例を説明するための図である。図１４Ａ〜図１４Ｆにおいて、右の図は、図１３における線Ｄの部分、左の図は、図１３の線Ｅの部分の製造工程をそれぞれ示している。なお、図１４Ａ〜図１４Ｆに示す製造工程は、実施形態１にも適用することができる。
【００６２】
図１４Ａに示すように、第１基板１１上に、第１レジストＡが及び第２レジストＭが塗布され、フォトリソグラフィによりパターニングされる。第１レジストＡ及び第２レジストＭは、例えば、ハーフトーンマスクを用いることで、１回のリソグラフィ工程で形成することができる。これらの第１レジストＡ及び第２レジストＭは、シャッタービームアンカー７１、７２、駆動ビームアンカー８１、８２、駆動ビーム６１、６２、シャッタービーム５１、５２、及びシャッター体２を形成するためのものである。例えば、第１レジストＡは、第１基板１１に固定するシャッタービームアンカー７１、７２、駆動ビームアンカー８１、８２を形成する部分の形状に応じて形成される。第２レジストＭは、シャッタービーム５１、５２、駆動ビーム６１、６２及びシャッター体２の形状に応じてパターニングされる。図１４Ａの例では、シャッタービームアンカー７１、７２、駆動ビームアンカー８１、８２が形成される領域には、第１レジストＡも第２レジストＭも設けないようにしている。また、シャッター体２、シャッタービーム５１、５２、駆動ビーム６１、６２が設けられる領域には、少なくとも第１レジストＡが設けられる。シャッター体２の段差部３が形成される部分には第２レジストＭを設けないようにしている。
【００６３】
図１４Ｂに示すように、第１レジストＡ及び第２レジストＭの上に導体層４１が、例えば、ＣＶＤ法を用いて成膜される。導体層４１は、例えば、アモルファスシリコン、ＳｉＧｅ、ＧａＡｓ、ＣｄＳｅ、ＩｎＰその他の半導体により形成することができる。図１４Ｃに示すように、導体層４１の上に金属層４２が成膜される。金属層４２は、例えば、Ａｌを含む合金、又は、Ｃｕ、Ｎｏ、Ｍｏ、Ｔａ等により形成することができる。
【００６４】
図１４Ｄに示すように、第３レジストＭ２が形成され、フォトリソグラフィによりパターニングされる。図１４Ｅに示すように、金属層４２及び第３レジストＭ２から露出した部分は、ウェットエッチングにより除去される。導体層４１は、異方性ドライエッチングにより除去される。異方性ドライエッチングでは、第１レジストＡ及び第２レジストＭの上面に形成された導体層４１のうち、第３レジストＭ２及び金属層４２で覆われていない部分が除去される。第１レジストＡ及び第２レジストＭの側面（壁）に形成された導体層４１は残る。この第１レジストＡ及び第２レジストＭの側面に残る導体層４１によりシャッタービーム５１、５２及び駆動ビーム６１、６２を形成することができる。これにより、シャッタービーム５１、５２及び駆動ビーム６１、６２を、第１基板１１の面に平行な方向において弾性変形しやすい構造で形成することができる。
【００６５】
図１４Ｆに示すように、犠牲層として形成された第１レジストＡ及び第２レジストＭが除去される。これにより、第１基板１１に固定されるシャッタービームアンカー７１、７２、駆動ビーム６１、６２、シャッタービーム５１、５２、及びシャッター体２が形成される。シャッター体２は、導体層４１と金属層４２を含む。
【００６６】
第１基板１１のシャッタービームアンカー７１、７２、駆動ビーム６１、６２、シャッタービーム５１、５２及びシャッター体２が形成された面に対向する位置に第２基板２１が貼り合わされる。第１基板１１と第２基板２１が貼り合わされた状態で、シャッター体２が第１基板１１又は第２基板に接触していないか検査される。検査の結果、第１基板１１又は第２基板２１に接触していると判定されたシャッター体２には、レーザ光が照射される。レーザ光は、上述したように、シャッター体２の段差部３の突出部３ａ、３ｂに対して照射される。これにより、シャッター体２を第１基板１１又は第２基板２１から離して正常な位置に戻すことができる。
【００６７】
（変形例）
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は、上記実施形態１、２に限られない。例えば、実施形態１、２では、１つの画素において開口部９が２つあり、シャッター体２は、１つのシャッター開口部４を有する形態であるが、開口部９とシャッター体２のシャッター開口部４の数は、これに限られない。例えば、シャッター体２のシャッター開口部４と開口部９が１対１で対応する構成であってもよい。
【００６８】
また、上記実施形態１、２では、突出部３ａと第１基板１１の開口部９−１との位置関係について説明したが、突出部３ａと第２基板２１の開口部２３との位置関係も同様な構成にすることができる。
【００６９】
また、上記例では、シャッタービーム５１、５２は、シャッター体２の駆動方向に垂直な方向（長手方向）における中心線Ｃ付近でシャッター体２に接続される。これに対して、シャッタービーム５１、５２は、中心線Ｃからいずれかのシャッター体２の端部に寄った位置に接続されてもよい。例えば、シャッター体２の駆動方向に垂直な方向における中心線と端部との間に接続されてもよい。また、第１シャッタービーム５１は、一対のシャッタービームからなっているが、第１シャッタービーム５１は、１本のシャッタービームで構成することもできる。第２シャッタービーム５２も同様である。
【００７０】
上記のスイッチング素子に用いる薄膜トランジスタは、例えば、アモルファスシリコンや、低温ポリシリコン、酸化物半導体を用いることができる。また、酸化物半導体の構成としては、例えば、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、亜鉛（Ｚｎ）、及び、酸素（Ｏ）から構成される化合物（Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ）、インジウム（Ｉｎ）、スズ（Ｔｉｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、及び、酸素（Ｏ）から構成される化合物（Ｉｎ−Ｔｉｎ−Ｚｎ−Ｏ）、又は、インジウム（Ｉｎ）、アルミニウム（Ａｌ）、亜鉛（Ｚｎ）、及び、酸素（Ｏ）から構成される化合物（Ｉｎ−Ａｌ−Ｚｎ−Ｏ）等であってもよい。
【００７１】
また、段差部３及び突出部３ａの形態も上記例に限られない。例えば、図１５Ａに示すように、シャッター開口部４に対向する１つの段差部３に突出部３ａを１つ配置することもできる。図１５Ａに示す例では、シャッター開口部４を挟んで対向する一対の段差部３が設けられ、一対の段差部３それぞれにおいて、１つずつ突出部３ａが設けられる。また、図１５Ａに示す例では、突出部３ａは、シャッター体２の駆動方向に垂直な方向（図１５Ａではｙ方向）においてシャッタービーム５１がシャッター体２に接続される位置と同じ位置に設けられる。すなわち、突出部３ａにより形成されるリブ（溝）は駆動方向（ｘ方向）に延びてシャッター体２の端部２ａに接続されている。このように、シャッタービーム５１の接続位置に近い位置に突出部３ａを設けることで、突出部３ａにレーザ光を照射することによる力がシャッタービーム５１にも伝わりやすくなる。
【００７２】
図１５Ｂに示す例では、突出部３ａがシャッター開口部３ａに接続されている。突出部３ａが接続されるシャッター開口部３ａの端部からさらにシャッター開口部３ａを跨ぐ橋梁部３ｃが延びて、対岸に設けられた段差部３の突出部３ａに接続されている。このように、シャッタービーム５１のシャッター体２への接続位置と突出部３ａとシャッター開口部３ａを跨ぐ橋梁部３ｃを略１つの直線に沿って並ぶように配置することで、突出部３ａへのレーザ光照射によるシャッター体２の持ち上げ効果を高めることができる。
【００７３】
図１５Ｃに示す例では、突出部３ａは、シャッター開口部４とは反対側のシャッター体２の端部に向かって延びて形成される。この例では、駆動ビーム５１、５２に信号電圧が印加されていない状態において、第１基板１１の開口部９−２と重なるシャッター体２の端部へ向かって延びる突出部３ａが形成される。図１５Ｄは、突出部３ａは、シャッター体２の端部２ａに達するまで延びて形成される。これにより、シャッター体２の端部２ａと重なる第１基板１１の開口部９−２と重なりやすい位置に突出部３ａを設けることができる。
【符号の説明】
【００７４】
２  シャッター
３  段差部
３ａ、３ｂ  突出部
４  開口
５１、５２  シャッタービーム
６、６１、６２  駆動ビーム
７１、７２  シャッタービームアンカー
８１、８２  駆動ビームアンカー
９−１、９−２  開口部
基板１１、２１
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０Ａ】
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【図１０Ｂ】
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【図１０Ｃ】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４Ａ】
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【図１４Ｂ】
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【図１４Ｃ】
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【図１４Ｄ】
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【図１４Ｅ】
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【図１４Ｆ】
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【図１５Ａ】
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【図１５Ｂ】
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【図１５Ｃ】
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【図１５Ｄ】
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