(57)【要約】【課題】  塊状のダイヤモンドを粉砕することなく、粒径の揃ったナノ結晶ダイヤモンド粒子を製造できるようにする。【解決手段】  反応室（２）内に形成したプラズマ空間（Ｐ）に、シリコン及び炭素を含有する原料ガスを供給することにより、前記原料ガスに含まれるシリコン及び炭素をプラズマ環境下で遊離させ、ＳＰ３結晶構造を有するシリコンを結晶核としてその周囲に炭素を気相合成により共有結合させ、プラズマ空間（Ｐ）の直下に配した回収容器（５）を負極に帯電させて回収するようにした。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
炭素をＳＰ３結晶構造で共有結合させるナノ結晶ダイヤモンドの製造方法であって、
反応室内に形成したプラズマ空間に、シリコン及び炭素を含有する原料ガスを供給することにより、前記原料ガスに含まれるシリコン及び炭素をプラズマ環境下で遊離させ、
ＳＰ３結晶構造を有するシリコンを結晶核としてその周囲に炭素を気相合成により共有結合させることを特徴とするナノ結晶ダイヤモンドの製造方法。
【請求項２】
前記プラズマ空間の直下に負極に帯電される回収容器を配しておき、プラズマ空間で気相合成されて正極に帯電された結晶を前記回収容器に回収する請求項１記載のナノ結晶ダイヤモンドの製造方法。
【請求項３】
前記原料ガスが、シリコン及び炭素の双方を含む一種類以上のＳｉ−Ｃ系ガスを用いる請求項１記載のナノ結晶ダイヤモンドの製造方法。
【請求項４】
前記Ｓｉ−Ｃ系ガスが、モノメチルシラン、テトラメチルシラン、または、トリエチルシランを主成分とする請求項３記載のナノ結晶ダイヤモンドの製造方法。
【請求項５】
前記原料ガスとして、少なくともシリコンを含む一種類以上のシリコン系ガスと、少なくとも炭素を含有する１種類以上の炭素系ガスを用いる請求項１記載のナノ結晶ダイヤモンドの製造方法。
【請求項６】
前記炭素系ガスとして、アルカン、アルケン、又は、アルキンを主成分とするガスを用いた請求項５記載のナノ結晶ダイヤモンドの製造方法。
【請求項７】
炭素をＳＰ３結晶構造で共有結合させたナノ結晶ダイヤモンドであって、
プラズマ環境下で遊離されたシリコンと炭素を気相合成させ、ＳＰ３結晶構造を有するシリコンを結晶核としてその周囲に炭素が順次共有結合されたことを特徴とするナノ結晶ダイヤモンド。
【請求項８】
炭素をＳＰ３結晶構造で共有結合させるナノ結晶ダイヤモンドの製造装置であって、
シリコン及び炭素が含まれる原料ガスを供給する原料ガス供給系と、反応室内にプラズマ空間を形成するプラズマトーチと、プラズマ空間で生成された生成物を回収する回収容器を備え、
前記プラズマトーチは、原料ガスが流れるノズルの中心に針状電極が配され、前記ノズルの先端開口部と針状電極との間で前記プラズマ空間が形成され、
前記回収容器は、前記ノズルの先端開口部の直下に負極に帯電されて配されたことを特徴とするナノ結晶ダイヤモンドの製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、励起光を照射することにより蛍光を呈するナノ結晶ダイヤモンド及びその製造方法、製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
生物科学研究にとって蛍光イメージングは必須の基盤技術となっている。
蛍光イメージングは生体の観察対象物質に蛍光性を付与することにより高感度、多色で動的なイメージングが可能な手法であり、バイオセンサとして用いられる蛍光プローブは、生物学、医学、薬学等の分野において、蛍光イメージングを支える重要な要素技術である。
蛍光プローブは、励起光を照射するなど特定の条件下でのみ“蛍光”を発するため，試験管の中(in vitro)だけでなく「生きている状態の生物試料」(in vivo)における種々の生理活性物質の動態をリアルタイムに観測することを可能にする。
【０００３】
このような蛍光プローブとしては、従来より、ローダミンのような低分子有機化合物の蛍光色素を用いる場合、もう一つはＧＦＰを始めとする蛍光タンパク質を用いる場合が知られているが、近年これらの蛍光色素の他，半導体量子ドットやナノ結晶ダイヤモンド粒子を利用した蛍光プローブの開発が盛んになっている。
半導体量子ドットは、従来の蛍光色素と比較して，蛍光強度や単色性が高く，耐光性が強いため，生体内の単一分子イメージングに用いるプローブとして最適であるが、カドミウムを含むため、培養細胞での試験において、溶出したカドミウムが細胞死を引き起こすという問題がある。
表面のコーティングを工夫することでカドミウムの溶出を減らすことは可能であるが、カドミウムを用いない方がより安全であることは言うまでもない。
【０００４】
これに対し，ナノ結晶ダイヤモンド（Nano Clystal Diamond）は無毒・無害で生体親和性が高いため、生物や医療の分野にもその応用範囲が広がりつつある。
現在、蛍光性ナノ結晶ダイヤモンド(３〜１００ｎｍ)を用いた蛍光イメージングを実現するために，生体中で長期間安定に溶解可能で、さらに標的部位に選択的に取り込まれるような機能を与えて，それらを光励起や磁気共鳴により蛍光観察する方法の検討が行われている。
【０００５】
標準的な蛍光性ナノ結晶ダイヤモンドの作製方法としては、イオン注入法（特許文献１及び２参照）が知られている。
この方法は、デトネーション法（爆轟法）等の高温高圧法により蛍光性のない合成ダイヤモンド粒子を予め生成し、これを遠心分離によりサイズごとに分級して、スラリー中に分散させた後、これをシリコン基板上に塗布して膜厚約３８０ｎｍのダイヤモンド薄膜を形成する。
この状態で、真空チャンバ内で、シリコン基板上に磁性金属元素イオンを含むイオンビームを走査させながら照射してれ蛍光性を付与し、その後、基板からダイヤモンド薄膜を機械的に剥離粉砕して、アニール処理を施して、蛍光性ＮＣＤが形成される。
ここでは、ダイヤモンドに注入された不純物としての金属元素イオンが蛍光性を付与している。
【０００６】
また、磁性体金属イオンを注入するのではなく、合成ダイヤモンド粒子に不純物として分散されている窒素を利用して、蛍光中心となる窒素空孔（Ｎ−Ｖセンター）を形成して蛍光性ＮＣＤを製造する方法も提案されている（特許文献３参照）。
この方法は、高温高圧法により生成された合成ダイヤモンド粒子中に不純物として窒素が分散されていることを利用し、この合成ダイヤモンド粒子を適当なボックス内に層状に敷きつめて、電子ビームを照射することにより、結晶格子中に空孔を形成する。次いで、これをアニールすることにより、不純物として合成ダイヤモンド中に分散されている窒素原子が空孔と結合して蛍光中心（Ｎ−Ｖセンター）が形成されると共に、層状のダイヤモンドが凝集してダイヤモンド結晶構造の塊が形成されるので、これを粉砕して微粒化すれば蛍光性ナノ結晶ダイヤモンドが得られる。
【０００７】
いずれの方法で生成されたナノ結晶ダイヤモンドも、表面をカルボキシル基で終端させ、高分子で化学修飾し，生体環境下での溶解と癌細胞等への選択的な取り込みを可能とし、蛍光プローブとして用いることができる。
【０００８】
しかしながら、どちらも工程が複雑なだけでなく、最終的にＮＣＤを生成する際に、ダイヤモンドの機械的な粉砕が必要であるため、生産性に劣るという問題がある。
また、デトネーション法などで生成されたナノ結晶ダイヤモンドは粒径が均一ではなく、様々な粒径の粒子が混在しているので、均一なダイヤモンド被膜やダイヤモンド層を形成するために分級が必要となる。
【０００９】
さらに、結晶性が劣るため、金属原子をイ才ン注入したり、不純物として含有される窒素を利用したりして蛍光性を付与しようとしても、発光中心の形成が極めて困難であるという問題があった。
そして、最終的には、これを粉砕しなければならないので、生産効率が低く、粒径のコントロールも困難であるという問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開２０１２−２０６８６３号公報
【特許文献２】特開２０１０−０１３７１８号公報
【特許文献３】特表２０１０−５２６７４６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
そこで本発明は、結晶性の劣る合成ダイヤモンドを使用することなく、ダイヤモンド粒子中に高効率で容易に蛍光中心を形成することができ、また、塊状のダイヤモンドを粉砕する必要がなく、粒径の揃ったナノ結晶ダイヤモンドを製造できるようにすることを技術的課題としている。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
この課題を解決するために、本発明は、炭素をＳＰ３結晶構造で共有結合させるナノ結晶ダイヤモンドの製造方法であって、
反応室内に形成したプラズマ空間に、シリコン及び炭素を含有する原料ガスを供給することにより、前記原料ガスに含まれるシリコン及び炭素をプラズマ環境下で遊離させ、
ＳＰ３結晶構造を有するシリコンを結晶核としてその周囲に炭素を気相合成により共有結合させることを特徴とする。
【００１３】
また、本発明に係るナノ結晶ダイヤモンドの製造装置は、シリコン及び炭素が含まれる原料ガスを供給する原料ガス供給系と、反応室内にプラズマ空間を形成するプラズマトーチと、プラズマ空間で生成された生成物を回収する回収容器を備え、
前記プラズマトーチは、原料ガスが流れるノズルの中心に配された針状電極が配され、前記ノズルの先端開口部と針状電極との間で前記プラズマ空間が形成され、
前記回収容器は、前記ノズルの先端開口部の直下に負極に帯電されて配されたことを特徴とする。
【００１４】
さらに、前記製造方法により製造されたナノ結晶ダイヤモンドは、プラズマ環境下で遊離されたシリコンと炭素を気相合成させ、ＳＰ３結晶構造を有するシリコンを結晶核としてその周囲に炭素が順次共有結合されたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１５】
本発明に係る蛍光ナノ結晶ダイヤモンド粒子の製造方法によれば、原料ガスをプラズマ空間に供給することにより、原料ガスに含まれるシリコン及び炭素が、シリコンラジカル及び炭素ラジカルに遊離される。
このとき、原料ガスの供給量をコントロールすることにより、シリコン及び炭素の供給量や、シリコンラジカル及び炭素ラジカルのプラズマ滞在時間をコントロールすることができる。
【００１６】
ここで、炭素濃度に対してシリコン濃度が低くなるように原料ガスの種類及び供給量を設定すれば、シリコンラジカルの周囲には、十分な量の炭素ラジカルが存在することとなる。
シリコンは炭素に比して原子が大きいため、シリコンを結晶核としてその周囲に炭素が結合されるが、シリコンはダイヤモンドと同じＳＰ３結晶構造でしか共有結合されないので、炭素がシリコンに対してＳＰ３結晶構造で結合され、さらに、その炭素に対して他の炭素が次々とＳＰ３結晶構造で結合されて、結晶成長していく。
【００１７】
このように、プラズマ空間で、シリコンラジカルを結晶核としてその周囲に炭素ラジカルを結合させることによりナノ結晶ダイヤモンドが気相合成されるので、合成ダイヤモンドを分級したり、金属イオンなどを注入したダイヤモンドを剥がして粉砕する手間は一切必要ない。
【００１８】
また、シリコンを結晶核としていることから、生成されたナノ結晶ダイヤモンドの核には必ずシリコンが存在することとなり、このシリコンと炭素は原子の大きさが異なるので、シリコンの周囲が歪んでシリコン空孔が形成され、これが蛍光中心となって蛍光性が付与されるものと推測される。
したがって、生成されたナノ結晶ダイヤモンドはすべて蛍光性が付与されていることとなる。
【００１９】
さらに、プラズマ空間において結晶核となるシリコンに炭素が結合するので、原料ガスがプラズマを通過する時間を調整することにより反応時間を設定することができ、これによって生成されるナノ結晶ダイヤモンドの粒径をコントロールすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明に係るナノ結晶ダイヤモンドの分子構造を示す模式図。
【図２】本発明に係るナノ結晶ダイヤモンドの蛍光スペクトルを示すグラフ。
【図３】本発明に係るナノ結晶ダイヤモンドの製造装置を示す説明図。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
本例では、結晶性の劣る合成ダイヤモンドを使用することなく、ダイヤモンド粒子中に高効率で容易に蛍光中心を形成することができ、また、塊状のダイヤモンドを粉砕する必要がなく、粒径の揃ったナノ結晶ダイヤモンド粒子を効率的で製造するという目的を達成するために、
反応室内に形成したプラズマ空間に、シリコン及び炭素を含有する原料ガスを供給することにより、前記原料ガスに含まれるシリコン及び炭素をプラズマ環境下で遊離させ、
ＳＰ３結晶構造を有するシリコンを結晶核としてその周囲に炭素を気相合成により共有結合させた。
【実施例１】
【００２２】
図１（ａ）は本発明に係るナノ結晶ダイヤモンド（Nano Crystal Diamond：以下「ＮＣＤ」と略す。）の原料となるシリコンラジカルと炭素ラジカルを示す説明図、（ｂ）はシリコンラジカルを結晶核として炭素ラジカルがＳＰ３結晶構造に共有結合されたＮＣＤの分子構造を示す説明図である。
【００２３】
図１（ａ）に示すように、原料ガスに含まれるシリコン及び炭素がプラズマ空間Ｐ内で、シリコンラジカルＳｉ（ｒ）と炭素ラジカルＣ（ｒ）に遊離され、炭素ラジカルＣ（ｒ）に対してシリコンラジカルＳｉ（ｒ）の濃度が低くなるように原料ガスの種類及び供給量を設定することにより、シリコンラジカルＳｉ（ｒ）の周囲に炭素ラジカルＣ（ｒ）が凝集した状態となる。
【００２４】
この状態で、図１（ｂ）に示すように、シリコンラジカルＳｉ（ｒ）を結晶核として、その周囲に炭素ラジカルＣ（ｒ）が順次共有結合され、中心にシリコンＳｉが一つだけ存在するＮＣＤが生成される。
これは、シリコンＳｉは炭素Ｃより原子量が大きいことから、炭素同士が結合する結合力よりも、シリコンと炭素との結合力の方が大きいと考えられるためである。
また、シリコンはダイヤモンドと同じＳＰ３結晶構造しか取り得ないので、シリコンに対して供給結合される炭素はＳＰ３結晶構造を呈する。
【００２５】
言い換えれば、ダイヤモンド粒子の中心に位置する炭素Ｃを一つだけシリコンＳｉに置き換えた結晶構造となる。
この結晶成長は、プラズマ空間Ｐ内における反応時間に依存し、反応時間は原料ガスの種類及び供給量に依存し、本例では、ＮＣＤの粒径が３〜１００ｎｍに成長されるように、原料ガスの種類及び供給量を選定している。
【００２６】
このように生成されたＮＣＤは、結晶核となるシリコンの原子量が炭素よりも大きいために、シリコンの周囲が歪んで、シリコン空孔（Ｓｉ-Vacancy）が形成され、これが蛍光中心（Ｓｉ−Ｖセンター）となって蛍光性が付与されるものと推測される。
【００２７】
図２はこのように生成されたＮＣＤに、レーザダイオード励起型ＳＨＧ−Ｎｄ:ＹＡＧレーザ (波長：５３２ｎｍ)を励起光として照射したときに測定された蛍光スペクトルを示すもので、励起光の波長よりも長波長側の波長７００ｎｍ付近に光強度のピークが観察されたことから蛍光現象が生じていると考えられる。
【実施例２】
【００２８】
図３は、本発明に係るＮＣＤの製造装置１を示す模式図である。
この製造装置１は、真空チャンバで成る反応室２内に、マイクロ波プラズマトーチ３が下向きに取り付けられ、原料ガス供給系４から供給されるシリコン及び炭素をプラズマトーチ３の先端に形成されるプラズマ空間Ｐで気相合成させて、その生成物を回収容器５で回収するものである。
【００２９】
プラズマトーチ３は、円筒形空洞共振器６と、その中心軸上に配置された電極アンテナ７とで構成される同軸空洞共振器８を備えている。
円筒形空洞共振器６には、原料ガス供給系４から供給された原料ガスを流入させるガス流入ポート９が形成されている。
【００３０】
電極アンテナ７は、その上端側流入ポート１０ａから内管１１ａに供給された冷却水が、下端側から外管１１ｂに流入してその上端側流出ポート１０ｂから排出される水冷式二重管構造に形成され、その先端にタングステン製の針状電極１２が取り付けられている。
【００３１】
この電極アンテナ７にマイクロ波を伝搬させる金属製導波ロッド１３は、絶縁スリーブ１３ａを介して円筒空洞共振器６に貫通され、その一端が電極アンテナ７の外管１１ｂに接続され、他端がマイクロ波を伝搬する導波管１４内に貫通して設けられている。
なお、導波管１４の管端部には、２.４５ＧＨｚのマイクロ波を発生する出力４００Ｗのマグネトロン（図示せず）が装着されている。
【００３２】
プラズマトーチ３は、円筒形空洞共振器６の先端がノズル１５に形成され、当該ノズル１５の先端開口部１５ａと針状電極１２の先端が近接して配されており、針状電極１２を陰極（−１００Ｖ）とし、ノズル１５が陽極（アース）となるように直流電圧を印加した状態でマイクロ波を供給することにより、ノズル１５と針状電極１２の間で放電を起こし、ノズル１５の先端にプラズマ空間Ｐが形成される。
【００３３】
原料ガス供給系４は、プラズマ空間ＰにシリコンＳｉと炭素Ｃを供給することができれば足りるが、気相合成された生成物に混入する可能性のある不純物を含むガスを使用することは好ましくない。
この原料ガスとして、例えば、シリコン及び炭素を含むＳｉ−Ｃ系ガスを用いることができ、このＳｉ−Ｃ系ガスとしては、例えば、モノメチルシラン、テトラメチルシラン、または、トリエチルシランを主成分とするガスが用いられる。
本例では、反応室２に供給される成分が、シリコンＳｉ、炭素Ｃ、水素Ｈのみとなるようにテトラメチルシランを用いた。
【００３４】
また、原料ガスとして、少なくともシリコンを含む一種類以上のシリコン系ガスと、少なくとも炭素を含有する１種類以上の炭素系ガスを混合して供給してもよい。
この場合、炭素系ガスとして、アルカン、アルケン、又は、アルキンを主成分とするガスを用いることができる。
【００３５】
本例の原料ガス供給系４は、原料ガスとなる液状のテトラメチルシランを充填した恒温タンク２１が、流量制御ポンプ２２を介してプラズマトーチ３のガス流入ポート９に接続されると共に、キャリアガス供給源２３がレギュレータ２４を介して恒温タンク２１に接続されている。
キャリアガス供給源２３からは水素が供給され、テトラメチルシランをバブリングして気化させ、プラズマトーチ３に供給できるようになっている。
【００３６】
反応室２には、真空ポンプ２５が接続されると共に、反応室２内の圧力を測定する圧力センサ２６が取り付けられている。
また、反応室２内部には、前記ノズル１５の先端開口部１５ａの直下に、前記プラズマ空間Ｐで気相合成された生成物を回収するモリブデン製のカップ状回収容器５が配されており、回収容器５はこれを支持するリング状ブラケット２７を介して負極に帯電されている。
【００３７】
プラズマ空間Ｐで気相合成されたナノ粒子は、非常に細かく軽いことから、吸引捕捉しようとしてもフィルタが直ぐに目詰まり起こしてしまうため効率よく捕捉できないが、これらのナノ粒子は陽極に帯電していることから、これとは反対極の負極に回収容器５を帯電させることにより確実に静電捕捉される。
【実施例３】
【００３８】
次に、ＮＣＤの製造方法について説明する。
まず、真空ポンプ２５を駆動して反応室２内を３０torrに維持し、出力４００Ｗのマグネトロンから２.４５ＧＨｚのマイクロ波を供給し、プラズマトーチ３の先端で放電を起こさせ、プラズマ空間Ｐを形成する。
この状態で、レギュレータ２４及び流量制御ポンプ２２を調整して、水素を恒温タンク２１に供給してトリメチルシランをバブリングして気化させ、２３１cc／minのガスをプラズマトーチ３に２０分間継続して供給した。
供給ガス２３１cc／min中、キャリアガスとしての水素ガスが２２０cc／minであり、ガス化トリメチルシランが１１cc／minであった。
【００３９】
テトラメチルシランは化学式Ｓｉ（ＣＨ３）４で表され、シリコンＳｉを中心に四つのメチル基ＣＨ３−が結合されたものであるが、プラズマ空間Ｐ内では、夫々の元素が切り離されて、シリコンラジカルＳｉ（ｒ）と炭素ラジカルＣ（ｒ）が遊離して浮遊している状態となる。
【００４０】
このとき、テトラメチルシランＳｉ（ＣＨ３）４の各元素が完全に遊離して、プラズマ空間Ｐ中にシリコンＳｉと炭素Ｃが正確に１：４の割合で存在するのではなく、テトラメチルシランから遊離されたシリコンラジカルＳｉ（ｒ）の周囲に、これと共有結合し得る多数の炭素ラジカルＣ（ｒ）が存在するものと考えられる。
これは、テトラメチルシランの四つのメチル基ＣＨ３−のいくつかが水素Ｈと置換され、トリメチルシランＳｉＨ（ＣＨ３）３、ジメチルシランＳｉＨ２（ＣＨ３）２、モノメチルシランＳｉＨ３（ＣＨ３）となって存在するものもあり、これにより、十分な量の炭素ラジカルＣ（ｒ）が供給されるものと考えられる。
【００４１】
シリコンは、ダイヤモンドと同じＳＰ３結晶構造しか取り得ないので、シリコンラジカルＳｉ（ｒ）の周囲に炭素ラジカルＣ（ｒ）が凝集すると、炭素に比して大きいシリコンラジカルＳｉ（ｒ）が結晶核となり、炭素ラジカルＣ（ｒ）がシリコンラジカルＳｉ（ｒ）に対してＳＰ３結晶構造で共有結合され、さらに、その炭素に対して他の炭素が次々と結合され結晶成長して、ＮＣＤが生成される。
【００４２】
原料ガス供給系４からは連続して新たな原料ガスが供給されるので、プラズマ空間Ｐで生成されたＮＣＤは、その原料ガスによって押し出されるようにノズル１５から反応室２内に流出される。
このとき、ノズル１５の直下に配された回収容器５は負に帯電されており、ＮＣＤは正に帯電しているため、ノズル１５から反応室２内に流出されたＮＣＤは静電作用により回収容器５に捕捉される。
【００４３】
このように生成されたＮＣＤの粒径は、製造条件が等しければほぼ等しいため、その後、分級したり、粉砕する手間は一切必要なく、極めて簡単にＮＣＤを製造することができる。
また、プラズマ空間Ｐにおいてシリコンラジカルと炭素ラジカルが共有結合されて結晶成長するので、製造条件（原料ガスの種類及び供給量など）を調整して、プラズマ空間Ｐでの滞在時間（反応時間）を調整することにより粒径をコントロールすることができる。
【００４４】
さらに、シリコンを結晶核として炭素が共有結合して結晶成長しているので、生成されたＮＣＤの核には必ずシリコンが存在することとなり、また、このシリコンによって蛍光性が付与されるため、蛍光粒子の生産効率に優れ、結晶性にも優れる。
そして、このように生成された蛍光性ＮＣＤを従来と同様、その表面をカルボキシル基で終端させ，高分子で化学修飾すれば、生体環境下での溶解と癌細胞等への選択的に結合する蛍光プローブとして用いることができる。
【００４５】
なお、原料ガスとしては、プラズマ空間ＰにシリコンＳｉと炭素Ｃを供給することができればテトラメチルシランを使用する場合に限らず、例えば、モノメチルシラン、テトラメチルシラン、または、トリエチルシランを主成分とするガスを用いてもよい。
【００４６】
また、原料ガスとして、少なくともシリコンを含む一種類以上のシリコン系ガスと、少なくとも炭素を含有する１種類以上の炭素系ガスを混合して供給してもよい。
この場合、炭素系ガスとして、メタンガスＣＨ３、エチレンガスＣ２Ｈ２、アセチレンガスＣ２Ｈ２、プロパンガスＣ３Ｈ８その他のアルカン、アルケン又はアルキンを主成分とするガスを用いることができる。
【産業上の利用可能性】
【００４７】
本発明は、生物学、医学、薬学分野において蛍光イメージングを行う蛍光プローブなどを製造する用途に用いられる。
【符号の説明】
【００４８】
Ｓｉ（ｒ）…シリコンラジカル
Ｃ（ｒ）……炭素ラジカル
Ｐ……………プラズマ空間
Ｓｉ…………シリコン
Ｃ……………炭素
１……………ＮＣＤ製造装置
２……………反応室
３……………プラズマトーチ
４……………原料ガス供給系
５……………回収容器
７……………電極アンテナ
１２…………針状電極  
１５…………ノズル  
１５ａ………開口部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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