(57)【要約】【課題】検査対象部品を個別的かつ効率的に検査することが可能なシミュレーションデータを生成する。【解決手段】検査対象部品５１で構成される単位電気回路（Ｃｓ１，Ｃｓ２）が接触点Ｐ１，Ｐ２を並列接続点として複数並列接続されて構成された並列回路Ｃｓｐを検査対象回路５０として抽出する抽出処理部と、検査対象回路５０の検査対象部品５１のすべてが良好であることを示す第１良否状態、並びに断線状態の検査対象部品が１つ以上存在する単位電気回路を不良単位電気回路として不良単位電気回路が１つ以上存在するすべての組み合わせ、および短絡状態の検査対象部品が１つ以上存在する組み合わせを予め決められた特定方法で特定した各組み合わせにそれぞれ対応する第２良否状態と、各良否状態において接触点Ｐ１，Ｐ２で測定されるべき被測定量のシミュレーション値とを対応付けたシミュレーションデータを生成するデータ生成部とを備えている。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の検査対象部品を含んで構成される回路網の中から、検査用プローブを接触可能な一対の接触点を有して当該各接触点間に前記検査対象部品が存在する検査対象回路を抽出すると共に、前記各接触点において測定されるべき被測定量をシミュレーションして求めたシミュレーション値を示すシミュレーションデータを生成するデータ生成装置であって、
１つ以上の前記検査対象部品で構成される単位電気回路が前記各接触点を並列接続点として複数並列接続されて構成された並列回路を前記検査対象回路として抽出する抽出処理部と、
前記検査対象回路における前記検査対象部品のすべてが良好との良否状態を示す第１良否状態、および前記検査対象部品の中に不良状態の検査対象部品が１つ以上存在する場合における当該不良状態の検査対象部品の各組み合わせにそれぞれ対応して当該各検査対象部品の良否状態を示す第２良否状態と、前記各良否状態における前記シミュレーション値とを対応付けた前記シミュレーションデータを生成する生成処理を実行するデータ生成部とを備え、
前記データ生成部は、前記生成処理において、前記不良状態としての断線状態の前記検査対象部品が１つ以上存在する前記単位電気回路を不良単位電気回路として当該不良単位電気回路が１つ以上存在するすべての組み合わせにそれぞれ対応する前記各検査対象部品の良否状態と、前記不良状態としての短絡状態の前記検査対象部品が前記検査対象回路内に１つ以上存在するときの当該短絡状態の検査対象部品の組み合わせを予め決められた特定方法で特定した各組み合わせにそれぞれ対応する前記各検査対象部品の良否状態とを前記第２良否状態として規定して前記シミュレーションデータを生成するデータ生成装置。
【請求項２】
前記データ生成部は、前記生成処理において、１つの前記単位電気回路にのみ前記短絡状態の検査対象部品が１つ以上存在するとして当該１つの単位電気回路内における当該短絡状態の検査対象部品のすべての組み合わせを特定する処理をすべての単位電気回路について行う方法を前記特定方法として実行する請求項１記載のデータ生成装置。
【請求項３】
請求項１または２記載のデータ生成装置と、前記各接触点における前記被測定量を測定する測定部と、前記測定された被測定量と前記シミュレーションデータとを比較して前記検査対象部品を検査する検査部とを備えている検査装置。
【請求項４】
複数の検査対象部品を含んで構成される回路網の中から、検査用プローブを接触可能な一対の接触点を有して当該各接触点間に前記検査対象部品が存在する検査対象回路を抽出すると共に、前記各接触点において測定されるべき被測定量をシミュレーションして求めたシミュレーション値を示すシミュレーションデータを生成するデータ生成方法であって、
１つ以上の前記検査対象部品で構成される単位電気回路が前記各接触点を並列接続点として複数並列接続されて構成された並列回路を前記検査対象回路として抽出すると共に、
前記検査対象回路における前記検査対象部品のすべてが良好との良否状態を示す第１良否状態、および前記検査対象部品の中に不良状態の検査対象部品が１つ以上存在する場合における当該不良状態の検査対象部品の各組み合わせにそれぞれ対応して当該各検査対象部品の良否状態を示す第２良否状態と、前記各良否状態における前記シミュレーション値とを対応付けた前記シミュレーションデータを生成する生成処理を実行し、
前記生成処理において、前記不良状態としての断線状態の前記検査対象部品が１つ以上存在する前記単位電気回路を不良単位電気回路として当該不良単位電気回路が１つ以上存在するすべての組み合わせにそれぞれ対応する前記各検査対象部品の良否状態と、前記不良状態としての短絡状態の前記検査対象部品が前記検査対象回路内に１つ以上存在するときの当該短絡状態の検査対象部品の組み合わせを予め決められた特定方法で特定した各組み合わせにそれぞれ対応する前記各検査対象部品の良否状態とを前記第２良否状態として規定して前記シミュレーションデータを生成するデータ生成方法。
【請求項５】
前記生成処理において、１つの前記単位電気回路にのみ前記短絡状態の検査対象部品が１つ以上存在するとして当該１つの単位電気回路内における当該短絡状態の検査対象部品のすべての組み合わせを特定する処理をすべての単位電気回路について行う方法を前記特定方法として実行する請求項４記載のデータ生成方法。
【請求項６】
請求項４または５記載のデータ生成方法によって生成したシミュレーションデータと前記各接触点において測定した前記被測定量とを比較して前記検査対象部品を検査する検査方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数の検査対象部品を含んで構成される回路網の中から抽出した検査対象回路の接触点において測定されるべき被測定量のシミュレーション値を示すシミュレーションデータを生成するデータ生成装置、検査装置、データ生成方法、および検査方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
この種の装置として、下記特許文献１において出願人が開示した電子回路検査装置が知られている。この電子回路検査装置は、電子回路（回路網）の共振周波数よりも低い周波数の検査用信号および共振周波数よりも高い周波数の検査用信号を供給して電子回路を流れる交流電流と検査用信号の交流電圧との間の位相差を測定する測定部と、各検査用信号の供給時に測定された各位相差の極性の違いの有無に基づいて電子回路の良否を判別する判別部とを備えている。この場合、判別部は、例えば、各位相差の極性が互いに異なるときに電子回路が良好であると判別する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００６−２３１３８号公報（第６−７頁、第１図）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところが、上記の電子回路検査装置には、改善すべき以下の課題がある。すなわち、この電子回路検査装置では、電子回路の全体としての良否を検査することができるものの、電子回路を構成する各電子部品について個別に検査することができない。このため、電子回路が全体として不良であった場合に、どの電子部品が不良であるかを特定することができないという課題がある。この場合、各電子部品に対して個別に検査用のプローブを接触させて検査を行う方法があるが、基板内に内蔵された内蔵部品や、基板表面に実装されている電子部品のうちの他の電子部品が障害物となって検査用のプローブを接触させることが困難な電子部品については、各電子部品の良否を個別に検査することができないため、どの電子部品が不良であるかを特定することは依然として困難である。
【０００５】
一方、検査用のプローブを接触させることが可能な一対の接触点間に配線パターン等を介して接続されている電子部品が複数存在するときに、次のようにして、電子部品の良否を個別に検査する方法が考えられる。この方法では、すべての電子部品が良好である状態において各接触点で測定されるべき被測定量（上記の例では位相差）のシミュレーション値、および電子部品の中に不良の電子部品が１つ以上存在する状態における不良の電子部品のすべての組み合わせにそれぞれ対応するシミュレーション値を求める。そして、これらのシミュレーション値と実際に測定した被測定量とを比較して、測定値に合致するシミュレーション値に対応する状態（良否状態）を検査結果とする。しかしながら、この方法では、例えば、一対の接触点間に数多くの電子部品が存在しているときには、不良の電子部品の組み合わせが膨大となって検査効率が低下するという課題が生じるおそれがある。
【０００６】
本発明は、かかる課題に鑑みてなされたものであり、検査対象部品を個別的かつ効率的に検査することが可能なシミュレーションデータを生成し得るデータ生成装置、検査装置、データ生成方法および検査方法を提供することを主目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成すべく請求項１記載のデータ生成装置は、複数の検査対象部品を含んで構成される回路網の中から、検査用プローブを接触可能な一対の接触点を有して当該各接触点間に前記検査対象部品が存在する検査対象回路を抽出すると共に、前記各接触点において測定されるべき被測定量をシミュレーションして求めたシミュレーション値を示すシミュレーションデータを生成するデータ生成装置であって、１つ以上の前記検査対象部品で構成される単位電気回路が前記各接触点を並列接続点として複数並列接続されて構成された並列回路を前記検査対象回路として抽出する抽出処理部と、前記検査対象回路における前記検査対象部品のすべてが良好との良否状態を示す第１良否状態、および前記検査対象部品の中に不良状態の検査対象部品が１つ以上存在する場合における当該不良状態の検査対象部品の各組み合わせにそれぞれ対応して当該各検査対象部品の良否状態を示す第２良否状態と、前記各良否状態における前記シミュレーション値とを対応付けた前記シミュレーションデータを生成する生成処理を実行するデータ生成部とを備え、前記データ生成部は、前記生成処理において、前記不良状態としての断線状態の前記検査対象部品が１つ以上存在する前記単位電気回路を不良単位電気回路として当該不良単位電気回路が１つ以上存在するすべての組み合わせにそれぞれ対応する前記各検査対象部品の良否状態と、前記不良状態としての短絡状態の前記検査対象部品が前記検査対象回路内に１つ以上存在するときの当該短絡状態の検査対象部品の組み合わせを予め決められた特定方法で特定した各組み合わせにそれぞれ対応する前記各検査対象部品の良否状態とを前記第２良否状態として規定して前記シミュレーションデータを生成する。
【０００８】
また、請求項２記載のデータ生成装置は、請求項１記載のデータ生成装置において、前記データ生成部は、前記生成処理において、１つの前記単位電気回路にのみ前記短絡状態の検査対象部品が１つ以上存在するとして当該１つの単位電気回路内における当該短絡状態の検査対象部品のすべての組み合わせを特定する処理をすべての単位電気回路について行う方法を前記特定方法として実行する。
【０００９】
また、請求項３記載の検査装置は、請求項１または２記載のデータ生成装置と、前記各接触点における前記被測定量を測定する測定部と、前記測定された被測定量と前記シミュレーションデータとを比較して前記検査対象部品を検査する検査部とを備えている。
【００１０】
また、請求項４記載のデータ生成方法は、複数の検査対象部品を含んで構成される回路網の中から、検査用プローブを接触可能な一対の接触点を有して当該各接触点間に前記検査対象部品が存在する検査対象回路を抽出すると共に、前記各接触点において測定されるべき被測定量をシミュレーションして求めたシミュレーション値を示すシミュレーションデータを生成するデータ生成方法であって、１つ以上の前記検査対象部品で構成される単位電気回路が前記各接触点を並列接続点として複数並列接続されて構成された並列回路を前記検査対象回路として抽出すると共に、前記検査対象回路における前記検査対象部品のすべてが良好との良否状態を示す第１良否状態、および前記検査対象部品の中に不良状態の検査対象部品が１つ以上存在する場合における当該不良状態の検査対象部品の各組み合わせにそれぞれ対応して当該各検査対象部品の良否状態を示す第２良否状態と、前記各良否状態における前記シミュレーション値とを対応付けた前記シミュレーションデータを生成する生成処理を実行し、前記生成処理において、前記不良状態としての断線状態の前記検査対象部品が１つ以上存在する前記単位電気回路を不良単位電気回路として当該不良単位電気回路が１つ以上存在するすべての組み合わせにそれぞれ対応する前記各検査対象部品の良否状態と、前記不良状態としての短絡状態の前記検査対象部品が前記検査対象回路内に１つ以上存在するときの当該短絡状態の検査対象部品の組み合わせを予め決められた特定方法で特定した各組み合わせにそれぞれ対応する前記各検査対象部品の良否状態とを前記第２良否状態として規定して前記シミュレーションデータを生成する。
【００１１】
また、請求項５記載のデータ生成方法は、請求項４記載のデータ生成方法において、前記生成処理において、１つの前記単位電気回路にのみ前記短絡状態の検査対象部品が１つ以上存在するとして当該１つの単位電気回路内における当該短絡状態の検査対象部品のすべての組み合わせを特定する処理をすべての単位電気回路について行う方法を前記特定方法として実行する。
【００１２】
また、請求項６記載の検査方法は、請求項４または５記載のデータ生成方法によって生成したシミュレーションデータと前記各接触点において測定した前記被測定量とを比較して前記検査対象部品を検査する。
【発明の効果】
【００１３】
請求項１記載のデータ生成装置、請求項３記載の検査装置、請求項４記載のデータ生成方法、および請求項６記載の検査方法では、各検査対象部品の第１良否状態および第２良否状態と、各良否状態において各接触点で測定されるべき被測定量のシミュレーション値とを対応付けたシミュレーションデータを生成する。このため、各接触点において測定した被測定量とシミュレーションデータに含まれるシミュレーション値とを比較することで、検査対象回路の全体としての良否（すべての検査対象部品が良好であるか否か）を検査することができることに加えて、いずれかの検査対象部品が不良である場合において、どの検査対象部品が不良であるかを特定することができる。したがって、このデータ生成装置、検査装置、データ生成方法および検査方法によれば、例えば、各検査対象部品の端子に個別に（検査対象部品毎に）検査用プローブをプロービングさせること（つまり、検査対象部品を個別的に検査すること）が困難な場合であっても、検査対象部品を個別的に検査することができる。また、このデータ生成装置、検査装置、データ生成方法および検査方法では、１つ以上の検査対象部品で構成される単位電気回路が各接触点を並列接続点として複数並列接続されて構成された並列回路を検査対象回路として抽出し、不良状態としての断線状態の検査対象部品が１つ以上存在する単位電気回路を不良単位電気回路として、不良単位電気回路が１つ以上存在するすべての組み合わせにそれぞれ対応する各検査対象部品の良否状態を第２良否状態として規定する。つまり、この検査装置および検査方法では、１つの単位電気回路を１つの単位として断線状態の組み合わせを特定している。したがって、このデータ生成装置、検査装置、データ生成方法および検査方法によれば、不良状態としての断線状態についての第２良否状態の数を少なく抑えることができるため、検査効率を向上可能なシミュレーションデータを生成することができる。
【００１４】
また、請求項２記載のデータ生成装置、請求項３記載の検査装置、請求項５記載のデータ生成方法、および請求項６記載の検査方法では、生成処理において、１つの単位電気回路にのみ短絡状態の検査対象部品が１つ以上存在するとして１つの単位電気回路内における短絡状態の検査対象部品のすべての組み合わせを特定する処理をすべての単位電気回路について行う。このため、このデータ生成装置、検査装置、データ生成方法および検査方法によれば、不良状態としての短絡状態についての第２良否状態の数を少なく抑えることができる結果、検査効率をさらに向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】検査装置１の構成を示す構成図である。
【図２】回路基板１００における検査対象回路５０の構成を示す構成図である。
【図３】データ生成処理３０のフローチャートである。
【図４】第１実施例における生成処理を説明する第１の説明図である。
【図５】第１実施例における生成処理を説明する第２の説明図である。
【図６】第１実施例における生成処理を説明する第３の説明図である。
【図７】第２実施例における生成処理を説明する第１の説明図である。
【図８】第２実施例における生成処理を説明する第２の説明図である。
【図９】第２実施例における生成処理を説明する第３の説明図である。
【図１０】第２実施例における生成処理を説明する第４の説明図である。
【図１１】第２実施例における生成処理を説明する第５の説明図である。
【図１２】第２実施例における生成処理を説明する第６の説明図である。
【図１３】第２実施例における生成処理を説明する第７の説明図である。
【図１４】第２実施例における生成処理を説明する第８の説明図である。
【図１５】第２実施例における生成処理を説明する第９の説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、データ生成装置、検査装置、データ生成方法および検査方法の実施の形態について、添付図面を参照して説明する。
【００１７】
最初に、検査装置１の構成について説明する。図１に示す検査装置１は、検査装置の一例であって、後述する検査方法に従い、例えば、図２に示す回路基板１００における検査対象回路５０内の電子部品である検査対象部品５１を検査可能に構成されている。また、検査装置１は、後述するデータ生成方法に従い、例えば、検査対象回路５０内の各検査対象部品５１を検査する際に用いるシミュレーションデータＤｄを生成可能に構成されている。具体的には、検査装置１は、図１に示すように、操作部２、表示部３、記憶部４、プロービング機構５、測定部６および処理部７を備えて構成されている。この場合、操作部２、表示部３、記憶部４および処理部７によってデータ生成装置が構成される。
【００１８】
操作部２は、操作に応じて測定部６および処理部７に対して操作信号を出力する。表示部３は、処理部７によって実行される検査処理の結果等を表示する。
【００１９】
記憶部４は、処理部７によって実行されるデータ生成処理３０（図３参照）において用いられる回路網データＤａおよび定数データＤｂを記憶する。また、記憶部４は、データ生成処理３０において生成されるシミュレーションデータＤｄを記憶する。
【００２０】
この場合、回路網データＤａは、回路基板１００を構成する回路網において検査用プローブ８（図１参照）の接触が可能な接触点（例えば、図２に示す接触点Ｐ１，Ｐ２）、および各接触点間に位置する検査対象部品５１を特定可能なデータであって、回路基板１００に形成される配線パターン、ランドおよびレジスト（いずれも図示を省略する）の形状や形成位置、並びに回路基板１００に実装される検査対象部品５１の形状や実装位置を示す各種のデータ（ＣＡＤデータ、ガーバデータおよびマウントデータ）を含んでいる。また、定数データＤｂは、検査対象部品５１毎に規定されている定数（抵抗値や容量値等）を特定可能な情報を含んでいる。
【００２１】
プロービング機構５は、測定部６の制御に従い、接触点Ｐ１，Ｐ２（図２参照）に対して検査用プローブ８をプロービングさせるプロービング処理を実行する。測定部６は、プロービング機構５を制御してプロービング処理を実行させる。また、測定部６は、検査用プローブ８を介して検査対象回路５０内の接触点Ｐ１，Ｐ２において入出力する電気信号に基づき、各接触点Ｐ１，Ｐ２における被測定量（例えば、インピーダンス）を測定する測定処理を実行する。
【００２２】
処理部７は、操作部２から出力される操作信号に従って検査装置１を構成する各部を制御する。また、処理部７は、抽出処理部として機能し、図３に示すデータ生成処理３０において、回路基板１００を構成する回路網の中から検査対象回路５０を抽出する抽出処理を実行する。
【００２３】
また、処理部７は、データ生成部として機能し、図３に示すデータ生成処理３０を実行することにより、シミュレーションデータＤｄを生成する。この場合、シミュレーションデータＤｄには、接触点Ｐ１，Ｐ２の位置を示す情報が含まれている。また、シミュレーションデータＤｄには、検査対象回路５０における検査対象部品５１のすべてが良好との良否状態を示す第１良否状態、および検査対象部品５１の中に不良状態の検査対象部品５１が１つ以上存在する場合における不良状態の検査対象部品５１の各組み合わせにそれぞれ対応して各検査対象部品５１の良否状態を示す第２良否状態の各良否状態において、接触点Ｐ１，Ｐ２で測定されるべき被測定量のシミュレーション値が、各良否状態を示す情報と対応付けられた状態で含まれている。
【００２４】
また、処理部７は、検査部として機能し、検査対象部品５１を検査する検査処理を実行する。この場合、処理部７は、測定部６によって測定された被測定量の測定値とシミュレーションデータＤｄに含まれるシミュレーション値とを比較して、測定値に合致するシミュレーション値に対応する良否状態を特定し、特定した良否状態を検査対象部品５１の検査結果とする。また、処理部７は、検査対象部品５１の検査結果を表示部３に表示させる。
【００２５】
次に、検査装置１によってシミュレーションデータＤｄを生成するデータ生成方法、および生成したシミュレーションデータＤｄを用いて検査装置１によって検査対象部品５１を検査する検査方法について、図面を参照して説明する。
【００２６】
まず、回路基板１００（図２参照）についての回路網データＤａおよび定数データＤｂを記憶部４に記憶させる。次いで、操作部２を操作して、生成処理の実行を指示する。これに応じて、処理部７が、図３に示すデータ生成処理３０を実行する。
【００２７】
このデータ生成処理３０では、処理部７は、回路網データＤａおよび定数データＤｂを記憶部４から読み出す（ステップ３１）。続いて、処理部７は、読み出した回路網データＤａに基づき、回路基板１００を構成する回路網の中から検査対象回路５０を抽出する抽出処理を実行する（ステップ３２）。
【００２８】
この抽出処理では、処理部７は、回路網データＤａに含まれるＣＡＤデータ、ガーバデータおよびマウントデータに基づき、回路網において検査用プローブ８の接触が可能な一対の接触点を特定する。次いで、処理部７は、１つ以上の検査対象部品５１で構成される単位電気回路が各接触点を並列接続点として複数並列接続されて構成された並列回路を抽出し、その並列回路を検査対象回路５０とする。
【００２９】
この場合、処理部７は、例えば、図２に示すように、一対の接触点Ｐ１，Ｐ２を特定し、接触点Ｐ１，Ｐ２間に直列接続された３つの抵抗Ｒ１〜Ｒ３で構成された単位電気回路Ｃｓ１と、接触点Ｐ１，Ｐ２間に直列接続されたコンデンサＣおよび抵抗Ｒ４で構成された単位電気回路Ｃｓ２とが各接触点Ｐ１，Ｐ２を並列接続点として並列接続されて構成された並列回路Ｃｓｐを抽出したものとする。なお、この並列回路Ｃｓｐは、他の検査対象部品５１（他の並列回路）とは分離して存在するものとする。
【００３０】
続いて、処理部７は、シミュレーションデータＤｄの生成処理を実行する（ステップ３３）。この生成処理では、処理部７は、検査対象回路５０における検査対象部品５１のすべてが良好との良否状態を示す第１良否状態において接触点Ｐ１，Ｐ２で測定されるべき被測定量（例えば、インピーダンス）のシミュレーション値（以下、第１良否状態におけるシミュレーション値を「シミュレーション値Ｂｓ１」ともいう）をシミュレーションして算出する。また、処理部７は、検査対象回路５０における検査対象部品５１の中に不良状態の検査対象部品５１が１つ以上存在する場合における不良状態の検査対象部品５１の各組み合わせにそれぞれ対応して各検査対象部品５１の良否状態を示す各第２良否状態において接触点Ｐ１，Ｐ２で測定されるべきインピーダンスのシミュレーション値（以下、第２良否状態におけるシミュレーション値を「シミュレーション値Ｂｓ２」ともいい、シミュレーション値Ｂｓ１，Ｂｓ２を区別しないときには「シミュレーション値Ｂｓ」ともいう）をシミュレーションして算出する。また、処理部７は、各良否状態（第１良否状態および第２良否状態）と各シミュレーション値Ｂｓとを対応付け、この状態の情報をシミュレーションデータＤｄに含ませる。また、処理部７は、シミュレーションデータＤｄに接触点Ｐ１，Ｐ２の位置を示す情報を含ませる。
【００３１】
ここで、この検査装置１では、処理部７は、次のようにして、第２良否状態を規定している。まず、処理部７は、断線状態および短絡状態の２種類の状態を不良状態として規定し、この２種類の不良状態毎に異なる特定方法で不良状態の検査対象部品５１の組み合わせを特定し、各組み合わせにそれぞれ対応する各検査対象部品５１の良否状態を第２良否状態として規定する。
【００３２】
断線状態の検査対象部品５１の組み合わせについては、まず、検査対象部品５１が１つ以上存在する単位電気回路Ｃｓを「不良単位電気回路」として規定する。次いで、不良単位電気回路が１つ以上存在するすべての組み合わせを特定し、各組み合わせにそれぞれ対応する各検査対象部品５１の良否状態を第２良否状態として規定する。この場合、図２に示すように、検査対象回路５０は、２つの単位電気回路Ｃｓ１，Ｃｓ２を有しているため、不良単位電気回路の組み合わせとしては、単位電気回路Ｃｓ１が不良単位電気回路であるとき（図４参照）、単位電気回路Ｃｓ２が不良単位電気回路であるとき（図５参照）、および単位電気回路Ｃｓ１，Ｃｓ２の双方が不良単位電気回路であるとき（図６参照）の３つの組み合わせが存在する。この場合、断線が存在する箇所は、不良単位電気回路内のいずれの位置であっても１つの不良単位電気回路とする。この特定方法で特定される組み合わせの数Ｌは、検査対象回路５０を構成する単位電気回路Ｃｓの数をｎとすると、次の式（１）で表される。
Ｌ＝ｎＣ１＋ｎＣ２＋・・・＋ｎＣｎ  ・・・式（１）  
この場合、検査対象回路５０ではｎ＝２であるため、
Ｌ＝２Ｃ１＋２Ｃ２＝３
となる。
【００３３】
また、短絡状態の検査対象部品５１の組み合わせについては、検査対象回路５０における各検査対象部品５１の中の１つ以上の検査対象部品５１が短絡状態であるすべての組み合わせを特定し（予め決められた特定方法の一例）、各組み合わせにそれぞれ対応する各検査対象部品５１の良否状態を第２良否状態として規定する。この特定方法で特定される組み合わせの数Ｋは、検査対象回路５０における検査対象部品５１の数をｍとすると、次の式（２）で表される。
Ｋ＝ｍＣ１＋ｍＣ２＋・・・＋ｍＣｍ  ・・・式（２）
この場合、図２に示すように、検査対象回路５０は５つの検査対象部品５１（４つの抵抗Ｒ１〜Ｒ４、および１つのコンデンサＣ）を有しており、ｍ＝５であるため、
Ｋ＝５Ｃ１＋５Ｃ２＋５Ｃ３＋５Ｃ４＋５Ｃ５＝５＋１０＋１０＋５＋１＝３１
となる。
【００３４】
このようにして、処理部７は、この検査対象回路５０における検査対象部品５１について、１つの第１良否状態（検査対象部品５１のすべてが良好との良好状態）と、不良状態の検査対象部品５１の３４個の組み合わせ（断線状態についての３個の組み合わせ、および短絡状態についての３１個の組み合わせ）にそれぞれ対応して各検査対象部品５１の良否状態を示す３４個の第２良否状態とを規定する。
【００３５】
続いて、処理部７は、生成したシミュレーションデータＤｄを記憶部４に記憶させて（ステップ３４）、データ生成処理３０を終了する。
【００３６】
次に、上記のシミュレーションデータＤｄを用いて、図２に示す回路基板１００の検査対象回路５０における各検査対象部品５１を検査する際には、まず、図外の保持部に回路基板１００を保持させ、次いで、操作部２を操作して検査の開始を指示する。この際に、測定部６が、プロービング機構５を制御して、プロービング処理を実行させる。これに応じて、プロービング機構５は、検査用プローブ８を検査対象回路５０内の接触点Ｐ１，Ｐ２にそれぞれプロービングさせる。
【００３７】
続いて、測定部６は、測定処理を実行する。この測定処理では、測定部６は、検査用プローブ８を介して接触点Ｐ１，Ｐ２に測定用信号（例えば、交流電流）を供給する。次いで、測定部６は、検査用プローブ８を介して入力した電気信号（例えば、交流電圧）を検出する。続いて、測定部６は、測定用信号の電流値と、検出した電気信号の電圧値と、測定用信号および入力した電気信号の位相差とに基づいて接触点Ｐ１，Ｐ２間のインピーダンス（被測定量）を測定し、測定値を処理部７に出力する。
【００３８】
次いで、処理部７が特定処理を実行する。この特定処理では、処理部７は、記憶部４からシミュレーションデータＤｄを読み出す。続いて、処理部７は、測定部６によって測定されたインピーダンスの測定値と、シミュレーションデータＤｄに含まれるシミュレーション値Ｂｓとを比較して、測定値に合致するシミュレーション値Ｂｓを特定（検索）する。
【００３９】
この場合、測定値が、第１良否状態におけるシミュレーション値Ｂｓ１に合致するとき（例えば、測定値がシミュレーション値Ｂｓ１の９９％の値から１０１％の値までの範囲内のとき）には、検査対象回路５０におけるすべての検査対象部品５１が良好状態（第１良否状態）であるとの検査結果を得ることができる。また、測定値が、いずれかの第２良否状態のシミュレーション値Ｂｓ２に合致するとき（例えば、測定値がシミュレーション値Ｂｓ２の９９％の値から１０１％の値までの範囲内のとき）には、その第２良否状態によって示される各検査対象部品５１の良否状態を検査結果として得ることができる。次いで、処理部７は、その検査結果を表示部３に表示させる。以上により、検査対象回路５０の各検査対象部品５１に対する検査が終了する。
【００４０】
上記したように、この検査装置１（データ生成装置）および検査方法（データ生成方法）では、各検査対象部品５１の良否状態（第１良否状態および第２良否状態）と、各良否状態において測定されるべき接触点Ｐ１，Ｐ２における被測定量のシミュレーション値Ｂｓとを対応付けたシミュレーションデータＤｄを生成するため、接触点Ｐ１，Ｐ２において測定した被測定量とシミュレーションデータＤｄに含まれるシミュレーション値Ｂｓとを比較することで、検査対象回路５０の全体としての良否（すべての検査対象部品５１が良好であるか否か）を検査することができることに加えて、いずれかの検査対象部品５１が不良である場合において、どの検査対象部品５１が不良であるかを特定することが可能となっている。したがって、この検査装置１および検査方法では、検査対象部品５１が基板内に内蔵されていたり、他の検査対象部品５１が障害物となっていたりして、各検査対象部品５１の端子に個別に（検査対象部品５１毎に）検査用プローブ８をプロービングさせること（つまり、検査対象部品５１を個別的に検査すること）が困難な場合であっても、不良の検査対象部品５１が存在するときに、その不良の検査対象部品５１を確実に特定することが可能となっている。
【００４１】
また、この検査装置１（データ生成装置）および検査方法（データ生成方法）では、不良状態としての断線状態の検査対象部品５１が１つ以上存在する単位電気回路Ｃｓを不良単位電気回路として、不良単位電気回路が１つ以上存在するすべての組み合わせにそれぞれ対応する各検査対象部品５１の良否状態を第２良否状態として規定する。つまり、この検査装置１および検査方法では、１つの単位電気回路Ｃｓ全体を１つの単位として断線状態の組み合わせを特定している。この場合、１つの検査対象部品５１を１つの単位とする断線状態の組み合わせの数は、上記した短絡状態の検査対象部品５１のすべての組み合わせの数Ｋと同数の３１となる。これに対して、単位電気回路Ｃｓを１つの単位として断線状態の組み合わせの数Ｌは、上記したように３となる。このように、この検査装置１および検査方法では、不良状態としての断線状態についての第２良否状態の数を少なく抑えることが可能となっている。また、１つの単位電気回路Ｃｓに断線状態の検査対象部品５１が１つだけ存在していたとしても複数存在していたとしても、接触点Ｐ１，Ｐ２間のインピーダンスの値には差が殆ど生じない。このため、この検査装置１および検査方法では、上記のように第２良否状態の数を少なく抑えることが可能な結果、検査精度を低下させることなく検査効率を向上可能なシミュレーションデータＤｄを生成することが可能となっている。
【００４２】
次に、他の実施例（第２実施例）について説明する。なお、上記した構成および方法（第１実施例）と同様の構成および方法については、重複する説明を省略する。この構成および方法では、上記したデータ生成処理３０のステップ３３（生成処理）において、不良状態としての短絡状態の検査対象部品５１の組み合わせを次のような特定方法（予め決められた特定方法の他の一例）で特定する。
【００４３】
この特定方法では、１つの単位電気回路Ｃｓにのみ短絡状態の検査対象部品５１が１つ以上存在すると仮定して、その単位電気回路Ｃｓ内における短絡状態の検査対象部品５１のすべての組み合わせを特定する処理を、すべての単位電気回路Ｃｓについて行う。具体的には、まず、検査対象回路５０を構成する２つの単位電気回路Ｃｓ１，Ｃｓ２（図２参照）のうちの、単位電気回路Ｃｓ１にのみ短絡状態の検査対象部品５１が１つ以上存在すると仮定して、単位電気回路Ｃｓ１内における短絡状態の検査対象部品５１のすべての組み合わせを特定する。
【００４４】
この場合、図２に示すように、単位電気回路Ｃｓ１は、３つの検査対象部品５１（抵抗Ｒ１〜Ｒ３）を有しているため、短絡状態の検査対象部品５１の組み合わせとしては、抵抗Ｒ１が短絡状態であるとき（図７参照）、抵抗Ｒ２が短絡状態であるとき（図８参照）、抵抗Ｒ３が短絡状態であるとき（図９参照）、抵抗Ｒ１，Ｒ２が短絡状態であるとき（図１０参照）、抵抗Ｒ２，Ｒ３が短絡状態であるとき（図１１参照）、抵抗Ｒ１，Ｒ３が短絡状態であるとき（図１２参照）、および抵抗Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３が短絡状態であるとき（図１３参照）の７つの組み合わせが存在する。
【００４５】
続いて、２つの単位電気回路Ｃｓ１，Ｃｓ２（図２参照）のうちの、単位電気回路Ｃｓ２にのみ、短絡状態の検査対象部品５１が１つ以上存在すると仮定して、単位電気回路Ｃｓ２内における短絡状態の検査対象部品５１のすべての組み合わせを特定する。この場合、図２に示すように、単位電気回路Ｃｓ２は、２つの検査対象部品５１（コンデンサＣおよび抵抗Ｒ４）を有しているため、短絡状態の検査対象部品５１の組み合わせとしては、コンデンサＣが短絡状態であるとき（図１４参照）、抵抗Ｒ４が短絡状態であるとき（図１５参照）、およびコンデンサＣと抵抗Ｒ４との双方が短絡状態であるとき（図１３参照）の３つの組み合わせが存在する。
【００４６】
この場合、図１３に示すように、コンデンサＣと抵抗Ｒ４との双方の短絡状態、および抵抗Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３のすべての短絡状態は、いずれも接触点Ｐ１，Ｐ２が短絡している状態であって互いに共通する状態である（ダブる）ため、これらの２つの短絡状態を１つの組み合わせとする。つまり、処理部７は、短絡状態の検査対象部品５１の組み合わせとして、９つの組み合わせを特定し、各組み合わせにそれぞれ対応する各検査対象部品５１の良否状態を第２良否状態として規定する。このように、この特定方法では、短絡状態の検査対象部品５１が複数の単位電気回路Ｃｓに同時には存在しない（短絡状態の検査対象部品５１が１つ以上存在する単位電気回路Ｃｓが複数存在することはない）ことを前提にして、短絡状態の検査対象部品５１のすべての組み合わせを特定する。この特定方法で特定した組み合わせの数Ｊは、検査対象回路５０を構成する各単位電気回路Ｃｓにおける検査対象部品５１の数をそれぞれａ，ｂ，ｃ・・・とすると、次の式（３）で表される。
Ｊ＝（ａＣ１＋ａＣ２＋・・・＋ａＣａ−１）＋（ｂＣ１＋ｂＣ２＋・・・＋ｂＣｂ−１）＋（ｃＣ１＋ｃＣ２＋・・・＋ｃＣｃ−１）＋・・・＋１  ・・・式（３）
なお、式（３）は、各単位電気回路Ｃｓにおける組み合わせの数から、上記した互いに共通する状態（接触点Ｐ１，Ｐ２が短絡している状態）に相当する１つをそれぞれ除き、最後にその１つを加算する式となっている。
この場合、検査対象回路５０ではａ＝３，ｂ＝２であるため、
Ｊ＝（３Ｃ１＋３Ｃ２）＋（２Ｃ１）＋１＝６＋２＋１＝９
となる。
【００４７】
また、処理部７は、上記した第１実施例と同様にして、断線状態について３つ組み合わせを特定すると共に、１つの第１良否状態を特定する。このようにして、この第２実施例では、処理部７は、検査対象回路５０における検査対象部品５１について、１つの第１良否状態（検査対象部品５１のすべてが良好との良好状態）と、不良状態の検査対象部品５１の１２個の組み合わせ（断線状態についての３つの組み合わせ、および短絡状態についての９つの組み合わせ）にそれぞれ対応して各検査対象部品５１の良否状態を示す１２個の第２良否状態とを規定する。
【００４８】
次いで、処理部７は、規定した各良否状態（第１良否状態および第２良否状態）において測定されるべきシミュレーション値Ｂｓを算出し、各良否状態と各シミュレーション値Ｂｓとを対応付けた状態の情報を含むシミュレーションデータＤｄを生成して、記憶部４に記憶させて（ステップ３４）、データ生成処理３０を終了する。
【００４９】
このシミュレーションデータＤｄを用いて、図２に示す回路基板１００の検査対象回路５０における各検査対象部品５１を検査する際には、上記した第１実施例の検査方法と同様にして、回路基板１００を保持させた後に、操作部２を操作して検査の開始を指示する。この際に、プロービング機構５がプロービング処理を実行し、測定部６が測定処理を実行する。続いて、処理部７が特定処理を実行して、測定部６によって測定された測定値とシミュレーションデータＤｄに含まれるシミュレーション値Ｂｓとを比較して、測定値に合致するシミュレーション値Ｂｓを特定する。次いで、処理部７は、特定したシミュレーション値Ｂｓに対応する各検査対象部品５１の良否状態を検査結果として表示部３に表示させて、検査を終了する。
【００５０】
ここで、不良状態としての短絡状態の検査対象部品５１が１つの検査対象回路５０内に複数存在する確率は、一般的に小さい。このため、短絡状態の検査対象部品５１が１つの検査対象回路５０内に複数存在していたとしても、それらが異なる単位電気回路Ｃｓに属している確率、つまり、短絡状態の検査対象部品５１が１つ以上存在する単位電気回路Ｃｓが複数存在する確率は、さらに小さいこととなる。したがって、この第２実施例のように、短絡状態の検査対象部品５１が１つ以上存在する単位電気回路Ｃｓが複数存在することはないことを前提にして第２良否状態を規定している場合においても、不良状態の検査対象部品５１が検査対象回路５０内に存在する場合において、その検査対象部品５１がどの検査対象部品５１であるかを高い確率で特定することが可能となっている。一方、この第２実施例では、第２良否状態の数（１２個）が、上記した第１実施例における第２良否状態の数（３４個）よりも少ないため、測定値と比較するシミュレーション値Ｂｓ２の数が少ない結果、特定処理の処理効率をさらに向上させることが可能となっている。
【００５１】
このように、このデータ生成装置、検査装置１、データ生成方法および検査方法では、各検査対象部品５１の第１良否状態および第２良否状態と、各良否状態において接触点Ｐ１，Ｐ２で測定されるべき被測定量のシミュレーション値Ｂｓとを対応付けたシミュレーションデータＤｄを生成する。このため、接触点Ｐ１，Ｐ２において測定した被測定量とシミュレーションデータＤｄに含まれるシミュレーション値Ｂｓとを比較することで、検査対象回路５０の全体としての良否（すべての検査対象部品５１が良好であるか否か）を検査することができることに加えて、いずれかの検査対象部品５１が不良である場合において、どの検査対象部品５１が不良であるかを特定することができる。したがって、このデータ生成装置、検査装置１、データ生成方法および検査方法によれば、例えば、各検査対象部品５１の端子に個別に（検査対象部品５１毎に）検査用プローブ８をプロービングさせること（つまり、検査対象部品５１を個別的に検査すること）が困難な場合であっても、検査対象部品５１を個別的に検査することができる。また、このデータ生成装置、検査装置１、データ生成方法および検査方法では、１つ以上の検査対象部品５１で構成される単位電気回路が接触点Ｐ１，Ｐ２を並列接続点として複数並列接続されて構成された並列回路Ｃｓｐを検査対象回路５０として抽出し、不良状態としての断線状態の検査対象部品５１が１つ以上存在する単位電気回路Ｃｓを不良単位電気回路として、不良単位電気回路が１つ以上存在するすべての組み合わせにそれぞれ対応する各検査対象部品５１の良否状態を第２良否状態として規定する。つまり、この検査装置１および検査方法では、１つの単位電気回路Ｃｓを１つの単位として断線状態の組み合わせを特定している。したがって、このデータ生成装置、検査装置１、データ生成方法および検査方法によれば、不良状態としての断線状態についての第２良否状態の数を少なく抑えることができるため、検査効率を向上可能なシミュレーションデータＤｄを生成することができる。
【００５２】
また、このデータ生成装置、検査装置１、データ生成方法および検査方法では、生成処理において、１つの単位電気回路Ｃｓにのみ短絡状態の検査対象部品５１が１つ以上存在するとして１つの単位電気回路Ｃｓ内における短絡状態の検査対象部品５１のすべての組み合わせを特定する処理をすべての単位電気回路Ｃｓについて行う。このため、このデータ生成装置、検査装置１、データ生成方法および検査方法によれば、不良状態としての短絡状態についての第２良否状態の数を少なく抑えることができる結果、検査効率をさらに向上させることができる。
【００５３】
なお、データ生成装置およびデータ生成方法は、上記の構成および方法に限定されない。例えば、２つの単位電気回路Ｃｓ１，Ｃｓ２が並列接続された検査対象回路５０における検査対象部品５１についてのシミュレーションデータＤｄを生成し、この検査対象回路５０における検査対象部品５１を検査する例について上記したが、検査対象回路５０の構成はこれに限定されず、３つ以上の単位電気回路Ｃｓが並列接続された各種の検査対象回路５０に適用することができる。また、この場合における各単位電気回路Ｃｓの構成も上記した単位電気回路Ｃｓ１，Ｃｓ２の構成に限定されず、抵抗ＲやコンデンサＣ以外の１または２以上の検査対象部品５１（例えば、コイルやダイオード）で構成された各種の単位電気回路Ｃｓに適用することができる。
【００５４】
また、被測定量としてのインピーダンスのシミュレーション値Ｂｓを示すシミュレーションデータＤｄを生成する例について上記したが、インピーダンス以外の被測定量（例えば、抵抗、電圧、電流、静電容量およびインダクタンス等の物理量）のシミュレーション値Ｂｓを示すシミュレーションデータＤｄを生成することができる。
【符号の説明】
【００５５】
１  検査装置
２  操作部
３  表示部
４  記憶部
６  測定部
７  処理部
８  検査用プローブ
５０  検査対象回路
５１  検査対象部品
１００  回路基板
Ｂｓ１，Ｂｓ２  シミュレーション値
Ｃｓ１，Ｃｓ２  単位電気回路
Ｃｓｐ  並列回路
Ｄｄ  シミュレーションデータ
Ｐ１，Ｐ２  接触点
【図１】
2016057248.tif 000003
【図２】
2016057248.tif 000004
【図３】
2016057248.tif 000005
【図４】
2016057248.tif 000006
【図５】
2016057248.tif 000007
【図６】
2016057248.tif 000008
【図７】
2016057248.tif 000009
【図８】
2016057248.tif 000010
【図９】
2016057248.tif 000011
【図１０】
2016057248.tif 000012
【図１１】
2016057248.tif 000013
【図１２】
2016057248.tif 000014
【図１３】
2016057248.tif 000015
【図１４】
2016057248.tif 000016
【図１５】
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