(57)【要約】【目的】  極小の半導体素子を収容するのに適した極小の半導体素子用容器を提供する。さらには、半導体素子用容器の容体の側壁が極めて薄い場合にも、接合剤を使って容体に蓋体を接合する際に接合剤がはみ出ることがない半導体素子用容器を提供する。【解決手段】  本発明の半導体素子用容器は、一実施例においては、平面視で四角形の開口を有する槽状の形状に形成された金属製の容体１であって、該容体の側壁１ｃの天部から水平方向外周側へ突出した鍔部を有し、この鍔部の上面または上記側壁の上面に沿って周回する溝１ｅが形成された容体１と、蓋体２であって、該蓋体の裏面に半導体３が取り付けられていて、セラミック材料もしくはセラミックを主成分とする材料から形成された蓋体２と、からなる。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
平面視で四角形の開口を有する槽状の形状に形成された金属製の容体であって、該容体の側壁の上面に沿って周回する溝が形成された容体と、
蓋体であって、該蓋体の裏面に半導体素子が取り付けられていて、セラミック材料もしくはセラミックを主成分とする材料から形成された蓋体と、
からなる、半導体素子を収容するための半導体素子用容器。
【請求項２】
平面視で四角形の開口を有する槽状の形状に形成された金属製の容体であって、該容体の側壁の天部から水平方向外周側へ突出した鍔部を有し、この鍔部の上面ないし上記側壁の上面に沿って周回する溝が形成された容体と、
蓋体であって、該蓋体の裏面に半導体素子が取り付けられていて、セラミック材料もしくはセラミックを主成分とする材料から形成された蓋体と、
からなる、半導体素子を収容するための半導体素子用容器。
【請求項３】
上記溝に塗布された接合剤を使って上記容体に上記蓋体が接合されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体素子を収容するための半導体素子用容器。
【請求項４】
平面視で四角形の開口を有する槽状の形状に形成された金属製の容体であって、該容体の側壁の天部よりも低い位置から水平方向外周側へ突出した鍔部を有する容体と、
蓋体であって、該蓋体の裏面に半導体素子が取り付けられていて、セラミック材料もしくはセラミックを主成分とする材料から形成された蓋体と、
からなる、半導体素子を収容するための半導体素子用容器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子を収容するための容器に関し、詳しくは、極小の半導体素子を収容するための半導体素子用容器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、極小の半導体素子を収容する半導体素子用容器は、半導体素子が取り付けられた容体と、この容体を封止するように形成された蓋である蓋体と、から構成されており、容体の底に半導体素子が取り付けられた後、ろう付け等により蓋体が接合されていた。
【０００３】
つまり、従来品の半導体素子用容器は、槽状のセラミック製の容体に半導体素子を納め、これに金属等から形成された蓋をすることにより形成されていた。
【０００４】
ところで近年、半導体素子はサブミリサイズ或いはサブミクロンサイズまで小型化されており、そのような極小の半導体素子を収容するのに適切な極小の半導体素子用容器があることが望ましい。しかし、従来品のように半導体素子用容器の容体がセラミック製であると、これを極小の寸法に成形することが難しく、特には、セラミック製の容体の側壁を薄くつくることが難しいために、極小の半導体に見合った極小の半導体素子用容器を提供できなかった。
【０００５】
また、極小の半導体素子用容器をつくれたとしても、その極小の半導体素子用容器の容体と蓋体とを接合剤を使って接合する際に、容体の薄い側壁の天部に塗布された接合剤がはみ出てしまうと（ダレの発生）、その半導体素子用容器が実装された電子基板が故障する原因となる恐れがあった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平０６−１５１６２８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、極小の半導体素子を収容するのに適した極小の半導体素子用容器を提供することを目的とする。さらには、極小の寸法の半導体素子用容器の容体の側壁が極めて薄い場合にも、接合剤を使って容体に蓋体を接合する際に、側壁の天部に塗布された接合剤がはみ出ることがない半導体素子用容器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
従来の半導体素子用容器は一般に、半導体素子が納められたセラミック製の容体と、金属製の蓋体とから構成されていた。これに対して、本発明の半導体素子用容器は、比較的成形し易い金属製の容体と、セラミック材料もしくはセラミックを主成分とする材料から形成された蓋体と、からなる点で、従来品とは基本的な構成が異なる。
【０００９】
一態様においては、本発明の半導体素子用容器は、平面視で四角形の開口を有する槽状の形状に形成された金属（例えば鉄）製の容体であって、該容体の側壁の上面に沿って周回する溝が形成された容体と、蓋体であって、該蓋体の裏面に半導体素子が取り付けられていて、セラミック材料もしくはセラミックを主成分とする材料から形成された蓋体と、からなる。
【００１０】
他の態様においては、本発明の半導体素子用容器は、平面視で四角形の開口を有する槽状の形状に形成された金属製の容体であって、該容体の側壁の天部から水平方向外周側へ突出した鍔部を有し、この鍔部の上面ないし側壁の上面に沿って周回する溝が形成された容体と、容体の開口を閉塞するための蓋体であって、該蓋体の裏面に半導体素子が取り付けられていて、セラミック材料もしくはセラミックを主成分とする材料から形成された蓋体と、からなる。なお、本明細書中における「鍔部の上面ないし側壁の上面に沿って周回する溝」とは、側壁の天部から水平方向外周側へ突出した鍔部の上面または側壁の上面に沿って周回する溝だけでなく、鍔部の上面と側壁の上面との境界線上に形成された溝を含むものとする。また、本明細書中における「主成分」とは、材料の成分として５０％以上含有していることを意味する。
【００１１】
さらに他の態様においては、本発明の半導体素子用容器は、平面視で四角形の開口を有する槽状の形状に形成された金属製の容体であって、該容体の側壁の天部よりも低い位置から水平方向外周側へ突出した鍔部を有する容体と、蓋体であって、該蓋体の裏面に半導体素子が取り付けられていて、セラミック材料もしくはセラミックを主成分とする材料から形成された蓋体と、からなる。
【発明の効果】
【００１２】
本発明においては、セラミック材料もしくはセラミックを主成分とする材料から形成された蓋体の裏面に半導体素子が取り付けられる。また、従来はセラミック製であった容体を金属製とすることで、容体の側壁を薄く形成することが可能となるので、極小の半導体素子を収容するのに相応しい極小の半導体素子用容器を提供することができる。一例においては、本発明の半導体素子用容器における容体は、平面視で開口が１ｍｍ×１．５ｍｍの縦横の寸法を有する。他の例においては、本発明の半導体素子用容器における容体は、平面視で開口が１ｍｍ×１．５ｍｍよりも若干大きい縦横の寸法（例えば、２ｍｍ×２ｍｍ）或いは若干小さい縦横の寸法（例えば、１ｍｍ×１．２ｍｍ）を有する。さらには、当技術分野において半導体素子の小型化が進められていることに伴い、サブミリサイズの縦横の寸法にまで小型化（ダウンサイジング）される可能性もある。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の半導体素子用容器の一例を示す斜視図。
【図２】図１に示される半導体素子用容器の断面図。
【図３】本発明の半導体素子用容器の他の実施例を示す断面図。
【図４】容体と蓋体とが接合された状態を示す断面図。
【図５】容体と、半導体素子が取り付けられた蓋体とを示す断面図。
【図６】容体と蓋体とが接合された状態を示す断面図。
【図７】本発明の半導体素子用容器のさらに他の実施例を示す断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
本発明の半導体素子用容器について、添付の図面を参照しながら以下に詳細に説明する。
【００１５】
図１は、半導体素子用容器の一実施例を示す。本発明の半導体用素子用容器は、金属材料から形成された容体１と、セラミック材料もしくはセラミックを主成分とする材料から形成された蓋体２と、からなる。
【００１６】
金属製の容体１は、平面視で四角形の開口１ｂを有する槽状の形状に形成されていて、内底１ａと側壁１ｃを有する。一実施例においては、図３に示されるように、容体１の側壁の上面に沿って周回する溝１ｅが周知の種々の技術（レーザ加工技術を含むこともある）によって形成され得る。他の実施例においては、容体１の側壁１ｃの天部から水平方向外周側へ突出した鍔部１ｄが形成されていて、この鍔部１ｄの上面ないし側壁１ｃの上面に沿って周回するように溝１ｅが形成されている。
【００１７】
蓋体２は、容体１の溝１ｅ全体を覆うように容体１に被せられて容体１と接合される。容器の容体と蓋体との接合について説明すると、容体の側壁の上面に沿って周回するように形成された溝に、金−錫合金ペースト（接合剤）が塗布され、該容体に蓋体が接合される。容体の側壁の上面に形成された溝に塗布された金−錫合金ペーストを使って接合されるので、容体と蓋体とが接合される際に接合剤がはみ出てしまうことがなく、振動や衝撃に対して耐性の高い強固な接合を実現することができる。
【００１８】
図２は、図１に示した半導体素子用容器の断面図である。この実施例においては、容体１の鍔部１ｄの上面ないし側壁１ｃの上面に沿って溝１ｅが形成されている。なお、図２においては、半円形（Ｕ字形）の断面形状を有する溝１ｅが示されているが、楔形（Ｖ字形）の断面形状などの他の断面形状を有する溝が採用される場合もある。
【００１９】
図３は、他の実施例の半導体素子用容器における容体１と蓋体２の断面図である。容体１の側壁１ｃの上面に沿って、周回する溝１ｅが形成されている。
【００２０】
図４に示されるように、半導体素子用容器の容体１の溝１ｅに塗布された接合剤４を使って該容体１に蓋体２が接合されることで、該半導体素子用容器内が密封される。
【００２１】
図５は、図１および図２に示した実施例の半導体素子用容器における容体１と、半導体素子３が取り付けられた蓋体２と、を示す断面図である。半導体素子３は、当技術分野で周知の接着技術を用いて蓋体２の裏面２ａに取り付けられている。
【００２２】
図６に示されるように、半導体素子３が取り付けられた蓋体２は、容体１の溝１ｅに塗布された接合剤４を使って容体２に接合される。溝１ｅに接合剤４が塗布された後、真空雰囲気において半導体素子用容器の容体１と蓋体２とが接合されると、該半導体素子用容器内が密封される。接合剤４としては、金−錫合金ペーストが使用されることが望ましいが、銀ペースト（銀ろう）、低融点ガラスまたは半田等の他の適切な接合剤が使用される場合もある。
【００２３】
図７（ａ）および図７（ｂ）は、本発明のさらに他の実施例の半導体素子用容器における容体１と蓋体２の断面図である。この実施例においては、半導体素子用容器の容体１の側壁１ｃの天部の高さから水平方向外周側へ鍔部が突出しているのではなく、容体１の側壁１ｃの天部よりも低い位置から水平方向外周側へ鍔部１ｄが突出していて、この鍔部１ｄの上面に接合剤４が塗布される。図示されているように、接合剤４が塗布されるべき面と蓋体２との間に隙間が存在するので、容体１と蓋体２とを接合する際に、接合剤４を塗り過ぎないようにすれば、接合剤４が外周側へはみ出てしまうことがない。
【符号の説明】
【００２４】
１…容体
１ａ…内底
１ｂ…開口
１ｃ…側壁
１ｄ…鍔部
１ｅ…溝
２…蓋体
２ａ…裏面
３…半導体素子
４…接合剤
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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