(57)【要約】      （修正有）【課題】消費電力の低減を図ったレーザ装置を提供する。【解決手段】複数種類の駆動電流に応じて駆動条件が制御される半導体レーザ１１１と、前記駆動電流の和が所定の閾値以下となるように前記駆動条件を制御する制御部１２と、を備える。さらに半導体レーザ１１１の温度を設定温度に制御する熱電クーラ１１０と半導体レーザ１１１が動作する環境温度を検出する温度センサ１１４を備え、半導体レーザ１１１は利得領域で発光した光を増幅する半導体増幅領域３５を含み、前記複数種類の駆動電流は熱電クーラ１１０のための第１の駆動電流と、半導体増幅領域３５のための第２の駆動電流を含む。【選択図】図１
2016100380.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数種類の駆動電流に応じて駆動条件が制御される半導体レーザと、
前記駆動電流の和が所定の閾値以下となるように前記駆動条件を制御する制御部と、
を備えた、レーザ装置。
【請求項２】
前記半導体レーザの温度を設定温度に制御する熱電クーラと、
前記半導体レーザが動作する環境温度を検出する温度センサと、を更に備え、
前記半導体レーザは、利得領域で発光した光を増幅する半導体増幅領域を含み、
前記複数種類の駆動電流は、前記熱電クーラのための第１の駆動電流と、前記半導体増幅領域のための第２の駆動電流と、を含み、
前記駆動条件の制御は、前記熱電クーラによって前記半導体レーザの温度を設定温度に制御する温度制御を含み、
前記温度制御は、前記温度センサで検出された環境温度に応じて、前記第１及び第２の駆動電流の和が前記閾値以下を満たすようになされる、請求項１に記載のレーザ装置。
【請求項３】
第１の関係と第２の関係とに基づいて予め求められた、前記閾値以下の条件を満たす前記設定温度の設定値を、前記環境温度毎に記憶する記憶部を備え、
前記第１の関係は、前記環境温度における前記設定温度と、前記第１の駆動電流と、の第１の関係であり、
前記第２の関係は、前記環境温度における前記設定温度と、前記温度制御に応じた前記半導体レーザの出力光パワーの温度依存性損失と、の関係であり、
前記制御部は、
前記温度センサで検出された前記環境温度に対応する前記設定値を前記記憶部から読み出して、前記温度制御を行なう、請求項２に記載のレーザ装置。
【請求項４】
前記半導体レーザの温度を設定温度に制御する熱電クーラと、
前記半導体レーザが動作する環境温度を検出する温度センサと、
前記半導体レーザの出力光パワーをモニタするモニタと、を更に備え、
前記複数種類の駆動電流は、前記熱電クーラのための第１の駆動電流と、前記半導体増幅領域のための第２の駆動電流と、前記利得領域のための第３の駆動電流と、を含み、
前記駆動条件の制御は、前記第１の駆動電流を制御して前記半導体レーザの温度を設定温度に制御する温度制御と、前記モニタでモニタされた前記出力光パワーが目標パワーになるように前記第２及び第３の駆動電流の一方又は双方を制御する出力光パワー制御と、を含み、
前記温度制御及び前記出力光パワー制御は、
前記温度センサで検出された環境温度と、前記半導体レーザの発光波長の設定に応じた前記半導体増幅領域の波長依存性と、に基づいて、前記第１〜第３の駆動電流の和が前記閾値以下に維持されるようになされる、請求項１に記載のレーザ装置。
【請求項５】
第１の関係と第２の関係と第３の関係とに基づいて予め求められた、前記閾値以下の条件を満たす前記設定温度の設定値及び前記第３の駆動電流の設定値を、前記環境温度毎に記憶する記憶部を備え、
前記第１の関係は、前記環境温度における前記設定温度と、前記第１の駆動電流と、の第１の関係であり、
前記第２の関係は、前記環境温度における前記設定温度と、前記温度制御に応じた前記半導体レーザの出力光パワーの温度依存性損失と、の関係であり、
前記第３の関係は、前記半導体増幅領域の前記発光波長に対する増幅利得の関係であり、
前記制御部は、
前記温度センサで検出された前記環境温度及び前記半導体レーザの発光波長の設定に対応する前記各設定値を読み出して、前記半導体レーザの前記設定温度の制御と前記出力光パワーの一定制御とを実施する、請求項４に記載のレーザ装置。
【請求項６】
複数種類の駆動電流に応じて駆動条件が制御される半導体レーザと、
前記駆動電流の和が所定の閾値以下となるように前記駆動条件を制御する制御部と、
前記半導体レーザの出力光パワーをモニタするモニタと、を備え、
前記複数種類の駆動電流は、前記半導体増幅領域のための第２の駆動電流と、前記利得領域のための第３の駆動電流と、を含み、
前記駆動条件の制御は、前記モニタでモニタされた前記出力光パワーが目標パワーになるように前記第２及び第３の駆動電流の一方又は双方を制御する出力光パワー制御を含み、
前記出力光パワー制御は、
前記半導体レーザの発光波長の設定に応じた前記半導体増幅領域の波長依存性に基づき、前記第２及び第３の駆動電流の和が、前記閾値以下に維持されるようになされる、レーザ装置。
【請求項７】
前記発光波長と前記半導体増幅領域の前記発光波長に対する増幅利得との関係に基づいて予め求められた、前記閾値以下の条件を満たす前記第３の駆動電流の設定値を、前記発光波長毎に記憶する記憶部を備え、
前記制御部は、
前記半導体レーザの発光波長の設定に対応する前記設定値を前記記憶部から読み出して、前記出力光パワーの一定制御を行なう、請求項６に記載のレーザ装置。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか１項に記載のレーザ装置を備えた、光送信機。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レーザ装置、及び、光送信機に関する。
【背景技術】
【０００２】
光通信技術分野において、波長可変機能を有する光送信機が製品化されている。例えば、チューナブルＴＯＳＡ（Transmitter Optical Sub-Assembly）を搭載した１０ＧチューナブルＸＦＰ(10-Gigabit Small Form Factor Pluggable)モジュールが製品化されている。
【０００３】
チューナブルＴＯＳＡには、例示的に、発光素子として、チューナブルレーザダイオード（ＬＤ）等の半導体レーザが用いられる。半導体レーザは、発光波長の安定化等のために、半導体レーザの温度モニタに基づいて駆動条件が制御されたり、熱電クーラ（Thermoelectric Cooler, TEC）を用いて温度一定制御されたりする。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】国際公開第２０１１／０４８８６９号
【特許文献２】特開２０１１−０１８８３３号公報
【特許文献３】特開平０６−３３８６５２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ＴＯＳＡの消費電力仕様は、通常の動作温度範囲（例示的に、−５℃〜＋７０℃）において、３．５ワット（Ｗ）未満程度に規定されることが多い。
【０００６】
その一方で、近年、光送信機等の高密度実装を目的に、消費電力はそのままで、ＴＯＳＡの動作温度範囲を拡大（例示的に、−５℃〜＋８５℃）するニーズがある。
【０００７】
また、チューナブルＳＦＰ＋モジュールにおいても、通常の動作温度範囲（例示的に、−５℃〜＋７０℃）で、消費電力が１．５Ｗ未満であることが求められている。
【０００８】
以上のような背景から、チューナブルＴＯＳＡ（別言すると、レーザモジュールあるいはレーザ装置）の低消費電力化が重要である。
【０００９】
１つの側面では、本発明の目的の１つは、レーザ装置の消費電力低減を図ることにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
１つの側面において、レーザ装置は、複数種類の駆動電流に応じて駆動条件が制御される半導体レーザと、前記駆動電流の和が所定の閾値以下となるように前記駆動条件を制御する制御部と、を備えてよい。
【００１１】
更に、１つの側面において、光送信機は、上記のレーザ装置を備えてよい。
【発明の効果】
【００１２】
１つの側面として、レーザ装置の消費電力低減を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】一実施形態に係るレーザ装置の構成例を示すブロック図である。
【図２】図１に例示するＤＢＲ（Distributed Bragg Reflection）レーザの構成例を示すブロック図である。
【図３】図１及び図２に例示するＤＢＲレーザの発振動作を説明するための図である。
【図４】ＤＢＲレーザの環境温度（Ｔａ）に対する熱電クーラ（ＴＥＣ）の駆動電流（Ｉｔｅｃ）の特性の一例を示す図である。
【図５】レーザ設定温度（Ｔｌｄ）に応じたレーザ駆動電流（Ｉｇａｉｎ）対レーザ出力光パワー（Ｉ−Ｌ）特性の一例を示す図である。
【図６】ＤＢＲレーザの半導体増幅領域の駆動電流が一定での波長に対する増幅利得の特性の一例を示す図である。
【図７】図１に例示するメモリに記憶されるルックアップテーブルの一例を示す図である。
【図８】一実施形態の効果を説明するための図である。
【図９】一実施形態の効果を説明するための図である。
【図１０】一実施形態の効果を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。ただし、以下に説明する実施形態は、あくまでも例示であり、以下に明示しない種々の変形や技術の適用を排除する意図はない。また、以下に説明する各種の例示的態様は、適宜に組み合わせて実施しても構わない。なお、以下の実施形態で用いる図面において、同一符号を付した部分は、特に断らない限り、同一若しくは同様の部分を表す。
【００１５】
図１は、一実施形態に係るレーザ装置の構成例を示すブロック図である。図１に示すレーザ装置１は、例示的に、ＤＢＲレーザ装置１であり、チューナブルレーザブロック１１と、制御ブロック１２と、を備える。なお、レーザ装置１は、「レーザモジュール１」と称してもよい。レーザモジュール１は、例示的に、光送信機の例えばＴＯＳＡに搭載されてよい。
【００１６】
チューナブルレーザブロック１１は、例示的に、ＤＢＲレーザ１１１と、光変調器１１２と、波長ロッカ１１３と、を備える。ＤＢＲレーザ１１１は、発光波長（「発振波長」と称してもよい。）が可変の半導体レーザダイオード（ＬＤ）の一例である。
【００１７】
ＤＢＲレーザ１１１、光変調器１１２、及び、波長ロッカ１１３は、例示的に、熱電クーラ（ＴＥＣ）１１０上に設けられてよい。ＴＥＣ１１０によって、ＤＢＲレーザ１１１、光変調器１１２、及び、波長ロッカ１１３の温度が目標温度になるように制御されてよい。
【００１８】
ＴＥＣ１１０は、例示的に、ペルチェ素子によるペルチェ効果を利用して対象物を加熱及び冷却することが可能なデバイスの一例である。ペルチェ素子は、２つの熱電子材料（例えば、ビスマスとテルル）の接合部に電流を流すことにより発熱現象を生じ、電流を流す向き（別言すると、電流の正負）を逆転することで吸熱現象を生じる。
【００１９】
ＴＥＣ１１０の温度制御のため、ＴＥＣ１１０には、温度センサの一例であるサーミスタ１１４が設けられてよい。サーミスタ１１４で検出される温度情報に基づいて、制御ブロック１２が、ＴＥＣ１１０の温度（以下「ＴＥＣ温度」と称することがある。）を制御（フィードバック制御）してよい。
【００２０】
ＴＥＣ温度のフィードバック制御は、例示的に、ＴＥＣドライバ１３を介して行なわれてよい。ＴＥＣドライバ１３は、制御ブロック１２から与えられるＴＥＣ温度の制御情報に応じた電流を生成してＴＥＣ１１０に与える。当該電流は、「ＴＥＣ電流（Ｉｔｅｃ）」と称してもよい。
【００２１】
ＤＢＲレーザ１１１は、図１及び図２に例示するように、リアミラー部３１、位相部３２、利得（ゲイン）部３３、フロントミラー部３４、及び、半導体増幅（ＳＯＡ）部３５を含んでよい。なお、これらの各部３１〜３５は、それぞれ「領域３１〜３５」と称されてもよい。
【００２２】
利得部３３及びＳＯＡ部３５を含む部分は、「アクティブ部（又は領域）」と称してよく、位相部３２、フロントミラー部３４及びリアミラー部３１を含む部分は、「チューニング部（又は領域）」と称してよい。
【００２３】
アクティブ部において、利得部３３に電流が注入されると、当該電流に応じて、活性層である利得部３３が活性化されて発光が生じる。なお、利得部３３に注入される電流は、「利得電流（Ｉｇａｉｎ）」と称してもよい。「利得電流」は、ＤＢＲレーザ１１１の「駆動電流」あるいは「レーザ駆動電流」と称してもよい。
【００２４】
利得部３３で発光した光は、ＳＯＡ部３５にて増幅される。ＳＯＡ部３５に注入される電流（「ＳＯＡ駆動電流」と称してよい。）を制御することにより、ＤＢＲレーザ１１１の出力光パワーを安定化制御することができる。なお、ＳＯＡ駆動電流は、「ＳＯＡ電流（Ｉｓｏａ）」と略称してもよい。
【００２５】
上述したＴＥＣ電流（Ｉｔｅｃ）、ＳＯＡ電流（Ｉｓｏａ）、及び、レーザ駆動電流（Ｉｇａｉｎ）は、それぞれ、第１、第２、及び、第３の駆動電流の一例に相当すると捉えてよい。
【００２６】
一方、チューニング部において、フロントミラー部３４及びリアミラー部３１は、いずれも例えば回折格子であり、利得部３３で発光した光を反射する。したがって、各回折格子３１及び３４のそれぞれで周期的な反射光ピーク（「ブラッグピーク（Bragg Peaks）」と称してよい。）が得られる。
【００２７】
ここで、２つの回折格子３１及び３４の周期は、互いに僅かに異なるように設定される。そのため、波長領域（別言すると、周波数領域）において、フロントミラー部３４及びリアミラー部３１で得られる周期的な反射光ピークにズレが生じる。
【００２８】
例えば図３において、符号３０１がフロントミラー部３４で得られる周期的な反射光ピークを表し、符号３０２がリアミラー部３１で得られる周期的な反射光ピークを表す。なお、図３の横軸は波長（別言すると、周波数）を表し、縦軸は反射率を表す。また、点線矢印３０３は、キャビティモードを表す。
【００２９】
矢印３０４に例示するように、フロントミラー部３４で得られる周期的な反射光ピーク３０１と、リアミラー部３１で得られる周期的な反射光ピーク３０２と、が重なる特定の波長で光共振（発振）が生じる。このようにしてＤＢＲレーザは、レーザ発振して発光する。
【００３０】
各ミラー部３１及び３４で得られる反射光ピークは、例示的に、各ミラー部３１及び３４の一方又は双方のミラー角度を制御することで、波長領域において相対的にシフトさせることができる。反射光ピークの相対的なシフトに応じて、発振波長を可変（制御）することができる。
【００３１】
ミラー角度は、例示的に、電流によって制御（「設定」と称してもよい。）できる。ミラー角度を制御する電流は、「ミラー電流」と称してよい。リアミラー部３１のミラー電流は「Ｉｄｂｒ−ｆ」と表してよく、フロントミラー部３４のミラー電流は「Ｉｄｂｒ−ｆ」と表してよい。
【００３２】
また、位相部３２に注入する電流を制御してキャビティモード３０３をシフトさせることで、発振波長を微調整して発振波長を安定化することができる。位相部３２に注入される電流は、「位相電流（Ｉｐｈａｓｅ）」と称してもよい。なお、位相電流制御による発振波長の「微調整」に対して、上述したミラー電流制御による発振波長の制御を「粗調整」と称してもよい。
【００３３】
図１に例示するように、ＤＢＲレーザ１１１の各部３１〜３５に与えられる電流は、それぞれ、制御ブロック１２によって制御されてよい。例示的に、制御ブロック１２は、電流デジタル−アナログ変換器（ＩＤＡＣ）１４に接続され、ＩＤＡＣ１４にて、制御ブロック１２から与えられたデジタル電流値がアナログ電流値に変換される。
【００３４】
アナログ電流値は、リアミラー電流Ｉｄｂｒ−ｒ、位相電流Ｉｐｈａｓｅ、レーザ駆動電流Ｉｇａｉｎ、フロントミラー電流Ｉｄｂｒ−ｆ、及び、ＳＯＡ電流Ｉｓｏａのいずれかに対応する電流値である。当該アナログ電流値が、それぞれ、ＤＢＲレーザ１１１の各領域３１〜３５のうちの対応する領域に与えられる。
【００３５】
制御ブロック１２とＩＤＡＣ１４との間の接続インタフェースには、例示的に、シリアルペリフェラルインタフェース（ＳＰＩ）１３４を用いてよい。制御ブロック１２は、ＳＰＩ１３４を介した通信にてデジタル電流値をＩＤＡＣ１４に与えることができる。
【００３６】
次に、図１に例示する光変調器１１２は、ＤＢＲレーザ１１１の出力光を駆動信号にて変調する。光変調器１１２は、例示的に、マッハツェンダ（ＭＺ）変調器であってよい。駆動信号は、例示的に、送信データ信号であり、送信データ信号に応じてＤＢＲレーザ１１１の出力光である連続光が変調される。
【００３７】
ＭＺ変調器１１２は、例示的に、ＤＢＲレーザ１１１の出力光を２分岐するスプリッタと、各分岐光を導波する２つの導波路と、２つの導波路を導波した光を合成するコンバイナと、を備えてよい。
【００３８】
スプリッタ及びコンバイナには、例示的に、マルチモード干渉（ＭＭＩ）導波路カプラを用いてよい。２つの導波路は、それぞれ、「アーム」と称されてよい。各アームには、例示的に、駆動信号が与えられる駆動電極が設けられる。
【００３９】
一方の駆動電極には、駆動信号の同相（Ｉ）成分が与えられ、他方の駆動電極には駆動信号の直交位相（Ｑ）成分が与えられる。Ｉ成分が与えられる駆動電極に対応したアームは、「Ｉアーム」と称してよく、Ｑ成分が与えられる駆動電極に対応したアームは、「Ｑアーム」と称してよい。
【００４０】
駆動信号は、例示的に、ドライバユニット１５によって駆動電極に与えられる。ドライバユニット１５は、例示的に、駆動信号を生成するドライバアンプと、ＭＺ変調器１１２のバイアス電圧を制御するバイアスアンプと、を含んでよい。
【００４１】
Ｉアーム及びＱアームを伝搬する光の位相が、それぞれに対応する駆動電極に与えられる駆動信号に応じて変化することで、コンバイナの一例であるＭＭＩ導波カプラでの干渉状態が変化する。
【００４２】
これにより、コンバイナの出力において、駆動信号に応じた光の点滅が生じる。このようにして、ＤＢＲレーザ１１１の出力光が、ＭＺ変調器１１２にて、駆動信号に応じて変調される。
【００４３】
ＭＺ変調器１１２の出力光は、波長ロッカ１１３によって、その波長が安定化されてよい。波長ロッカ１１３には、ＤＢＲレーザ１１１の出力光の波長及びパワーを検出する光検出器が備えられてよい。「検出」は「モニタ」と称してもよい。
【００４４】
したがって、波長ロッカ１１３は、ＤＢＲレーザ１１１の出力光波長と出力光パワーとをモニタ可能なモニタの一例に相当すると捉えてもよい。光検出器には、フォトディテクタ（あるいはフォトダイオード）（ＰＤ）が用いられてよい。
【００４５】
図１には、例示的に、波長を検出するＰＤ及びその検出情報を「ＰＤ＿Ｒ」で表し、パワーを検出するＰＤ及びその検出情報を「ＰＤ＿Ｔ」で表している。また、波長ロッカ１１３には、波長ロッカ１１３の温度を制御するためのエタロン素子が備えられてもよい。
【００４６】
波長ロッカ１１３で検出された、ＤＢＲレーザ１１１の出力光の波長情報及びパワー情報は、制御ブロック１２よるＤＢＲレーザ１１１の波長制御に用いられてよい。
【００４７】
制御ブロック１２は、例示的に、ＴＥＣ１１０の温度制御、及び、ＤＢＲレーザ１１１の波長可変制御を行なう。制御ブロック１２は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）等の、演算能力を備えたプロセッサ回路あるいはプロセッサデバイスを用いて実現されてよい。なお、「制御ブロック１２」は、単に「制御部」あるいは「コントローラ」と称してもよい。
【００４８】
制御ブロック１２は、例示的に、ＬＤ制御部１２１、温度制御部１２２、パワー制御部１２３、周波数（波長）制御部１２４、及び、温度センサ１２５を備える。
【００４９】
また、制御ブロック１２は、例示的に、ＴＥＣ設定部１２６、リアミラー電流設定部１２９、位相電流設定部１３０、利得電流設定部１３１、フロントミラー電流設定部１３２、ＳＯＡ電流設定部１３３、及び、ＭＺバイアス制御部１３５を備える。ＴＥＣ設定部１２６及び各電流設定部１２９〜１３３は、ＤＢＲレーザ１１１の駆動条件を制御する複数種類の駆動電流を出力する駆動部に相当すると捉えてもよい。
【００５０】
更に、制御ブロック１２は、例示的に、アナログ−デジタル変換器（ＡＤＣ）１２７、１３８及び１３９と、デジタル−アナログ変換器（ＤＡＣ）１２８、１３６及び１３７と、ＳＰＩ１３４と、メモリ１４０と、を備える。
【００５１】
温度センサ１２５は、チューナブルレーザブロック１１の周辺温度（又は「環境温度」と称してもよい。）Ｔａを検出（センシング）する。なお、「Ｔａ」の「Ｔ」は、「Temperature」の頭文字を表し、「ａ」は、「ambient」の頭文字を表す、と捉えてよい。
【００５２】
ＬＤ制御部１２１は、温度制御部１２２、パワー制御部１２３、及び、周波数制御部１２４と連携して、ＴＥＣ温度、ＤＢＲレーザ１１１の出力光パワー、及び、ＤＢＲレーザ１１１の出力光波長を設定、制御する。
【００５３】
例えば、温度制御部１２２は、ＡＤＣ１２７を介して得られるサーミスタ１１４の出力電圧値に基づいて、ＴＥＣ電流を制御してＴＥＣ温度を制御することで、ＤＢＲレーザ１１１の温度を安定化制御する。
【００５４】
ＴＥＣ電流の制御は、例示的に、温度制御部１２２からの制御に応じてＴＥＣ設定部１２６がＴＥＣ電流の設定情報を、ＤＡＣ１２８を介してＴＥＣドライバ１３に与えることで実施される。
【００５５】
ＴＥＣドライバ１３は、ＤＡＣ１２８から与えられた設定情報に応じたＴＥＣ電流を、ＴＥＣ１１０に与える。
【００５６】
以上の温度制御部１２２による温度制御は、ＡＴＣ（Automatic Temperature Control）と称してよい。そのため、温度制御部１２２は、ＡＴＣ（Automatic Temperature Controller）１２２と表記されてよい。
【００５７】
ＡＴＣによって温度が安定化制御された環境において、ＤＢＲレーザ１１１は、利得電流（Ｉｇａｉｎ）及びＳＯＡ電流（Ｉｓｏａ）が、それぞれ、利得部３３及びＳＯＡ部３５に与えられて発光する。
【００５８】
利得部３３に注入される利得電流（Ｉｇａｉｎ）は、例示的に、利得電流設定部１３１からＳＰＩ１３４及びＩＤＡＣ１４を介して設定（制御）される。ＳＯＡ部３５に注入されるＳＯＡ電流（Ｉｓｏａ）は、例示的に、ＳＯＡ電流設定部１３３からＳＰＩ１３４及びＩＤＡＣ１４を介して設定（制御）される。
【００５９】
ＤＢＲレーザ１１１の発光パワーは、例えばパワー制御部１２３によって安定化制御される。ＤＢＲレーザ１１１の発光波長は、例えば周波数制御部１２４によって安定化制御される。
【００６０】
例えば、パワー制御部１２３は、波長ロッカ１１３で検出されてＡＤＣ１３９を介して得られる、ＤＢＲレーザ１１１の出力光パワー情報に基づいて、ＳＯＡ電流（Ｉｓｏａ）を制御する。これにより、ＤＢＲレーザ１１１の発光パワーが安定化される。
【００６１】
ＳＯＡ電流Ｉｓｏａの制御は、例示的に、パワー制御部１２３からの制御に応じてＳＯＡ電流設定部１３３がＳＯＡ電流の設定情報を、ＳＰＩ１３４を介してＩＤＡＣ１４に与えることで実施される。
【００６２】
ＩＤＡＣ１４は、ＳＰＩ１３４を介して制御ブロック１２から与えられた、ＳＯＡ電流の設定情報に応じたＳＯＡ電流をＤＢＲレーザ１１１のＳＯＡ部３５に与える。
【００６３】
以上のパワー制御部１２３によるＤＢＲレーザ１１１の発光パワー制御は、ＡＰＣ（Automatic Power Control）と称してよい。そのため、パワー制御部１２３は、ＡＰＣ（Automatic Power Controller）１２３と表記されてよい。
【００６４】
一方、ＤＢＲレーザ１１１の発光波長の制御は、図３にて既述のように、リアミラー電流及びフロントミラー電流の一方又は双方を制御して各回折格子３１及び３４で得られる反射光ピークを波長領域において相対的にシフトさせることで実施可能である。リアミラー電流は、「Ｉｄｂｒ−ｒ」又は「Ｉｒｍ」と表記してよく、フロントミラー電流は、「Ｉｄｂｒ−ｆ」又は「Ｉｆｍ」と表記してよい。
【００６５】
リアミラー電流の制御（又は、設定）は、リアミラー電流（Ｉｒｍ）設定部１２９からＳＰＩ１３４及びＩＤＡＣ１４を介して実施されてよい。フロントミラー電流の制御（設定）は、フロントミラー電流（Ｉｆｍ）設定部１３２からＳＰＩ１３４及びＩＤＡＣ１４を介して実施されてよい。
【００６６】
各ミラー電流の一方又は双方の制御によって、ＤＢＲレーザ１１１の出力光波長を目標波長に制御（粗調整）することが可能であり、周波数制御部１２４によって微調整を行なうことで、ＤＢＲレーザ１１１の発光波長を安定化させることができる。
【００６７】
例えば、周波数制御部１２４は、波長ロッカ１１３で検出されてＡＤＣ１３８を介して得られる、ＤＢＲレーザ１１１の出力光波長情報に基づいて、ＤＢＲレーザ１１１の位相部３２に注入される位相電流（Ｉｐｈａｓｅ）を制御する。
【００６８】
位相電流（Ｉｐｈａｓｅ）の制御に応じて、図３にて既述のように、キャビティモードが制御される。したがって、ＤＢＲレーザ１１１の発光波長を制御（微調整）して安定化させることが可能となる。
【００６９】
以上の周波数制御部１２４によるＤＢＲレーザ１１１の発光波長制御は、ＡＦＣ（Automatic Frequency Control）と称してよい。そのため、周波数制御部１２４は、ＡＦＣ（Automatic Frequency Controller）１２４と表記されてよい。
【００７０】
以上のようにして、ＤＢＲレーザ１１１は、制御ブロック１２による上記のＡＴＣ、ＡＰＣ及びＡＦＣを組み合わせた制御を受けて、温度、発光パワー、及び、発光波長が設定、制御、あるいは、チューニングされる。別言すると、ＡＴＣ、ＡＰＣ及びＡＦＣのいずれかによって、ＤＢＲレーザ１１１の駆動条件が制御される。
【００７１】
なお、ＭＺバイアス制御部１３５は、ＭＺ変調器１１２のバイアス電圧を制御（設定）する情報を、ＤＡＣ１３６及び１３７を介してドライバユニット１５（バイアスアンプ）に与える。バイアス電圧の制御は、ＤＢＲレーザ１１１に対するＡＴＣ、ＡＰＣ及びＡＦＣには影響しない。
【００７２】
次に、温度センサ１２５で検出される、ＤＢＲレーザ１１１の環境温度Ｔａと、既述のＡＴＣによって安定化される、ＤＢＲレーザ１１１の温度Ｔｌｄと、の関係について説明する。なお、ＤＢＲレーザ１１１の温度Ｔｌｄは、便宜的に、「レーザ設定温度（Ｔｌｄ）」と称してよい。
【００７３】
ＤＢＲレーザ１１１の環境温度Ｔａと設定温度Ｔｌｄとの差分が大きいほど、ＴＥＣ１１０に求められる温度制御幅が大きくなる。そのため、ＴＥＣ電流（Ｉｔｅｃ）が増加し、レーザ装置１の消費電力が増加する。
【００７４】
レーザ設定温度Ｔｌｄを高くすることで、環境温度Ｔａが高温時のＴＥＣ電流Ｉｔｅｃを低減できるが、逆に、環境温度Ｔａが低温時のＴＥＣ電流Ｉｔｅｃは増加してしまう。
【００７５】
その一例について図４を参照して説明する。図４は、ＤＢＲレーザ１１１の環境温度Ｔａに対するＴＥＣ電流Ｉｔｅｃの特性の一例を示す図である。当該特性は、第１の関係の一例に相当すると捉えてよい。図４において、横軸は、環境温度Ｔａ［℃］を表し、例示的に、ＤＢＲレーザ１１１が通常動作可能な温度範囲を表している。横軸は、ＴＥＣ電流［ｍＡ］を表し、例示的に、正（＋）のＴＥＣ電流Ｉｔｅｃによって「冷却」が行なわれ、負（−）のＴＥＣ電流Ｉｔｅｃによって「加熱」が行なわれる。
【００７６】
また、図４において、符号Ａ１、Ｂ１、及び、Ｃ１で示す特性は、それぞれ、レーザ設定温度（Ｔｌｄ）が、低温（Ｌｏｗ）、中間温度（Ｍｉｄ）、及び、高温（Ｈｉｇｈ）である時の特性例である。非限定的な一例として、Ｔｌｄ（Ｌｏｗ）＝２０℃、Ｔｌｄ（Ｍｉｄ）＝３０℃、Ｔｌｄ（Ｈｉｇｈ）＝４０℃と考えてよい。
【００７７】
図４に例示するように、いずれの特性Ａ１、Ｂ１及びＣ１についても、環境温度Ｔａとレーザ設定温度Ｔｌｄとの差分が最小であれば、ＴＥＣ温度を制御しなくてもよいので、ＴＥＣ電流Ｉｔｅｃは、０［ｍＡ］でよい。
【００７８】
これに対して、環境温度Ｔａとレーザ設定温度Ｔｌｄとの差分が大きくなるほど、ＤＢＲレーザ１１１の温度を設定温度Ｔｌｄに近づけるためにＴＥＣ１１０に対してより大きな冷却効果又は加熱効果が求められるため、ＴＥＣ電流Ｉｔｅｃは増加する。
【００７９】
ここで、環境温度Ｔａが、ＤＢＲレーザ１１１の冷却が求められる温度範囲にある場合、レーザ設定温度Ｔｌｄを上げれば、ＴＥＣ１１０に求められる冷却効果を低減できるから、冷却時のＴＥＣ電流Ｉｔｅｃを低減できる。
【００８０】
しかし、レーザ設定温度Ｔｌｄを上げてしまうと、環境温度Ｔａが、ＤＢＲレーザ１１１の加熱が求められる温度範囲にある場合には、ＴＥＣ１１０に求められる加熱効果がより大きくなるため、加熱時のＴＥＣ電流Ｉｔｅｃは増大してしまう。
【００８１】
例えば、環境温度Ｔａ＝７０℃において、レーザ設定温度ＴｌｄをＴｌｄ（Ｍｉｄ）＝３０℃よりも高いＴｌｄ（Ｈｉｇｈ）＝４０℃に設定（特性Ｂ１から特性Ｃ１に変更）すれば、冷却時のＴＥＣ電流Ｉｔｅｃを低減できる。
【００８２】
しかし、環境温度Ｔａ＝０℃では、レーザ設定温度Ｔｌｄとの差分が特性Ｂ１よりも特性Ｃ１の方が大きくなるため、より大きな加熱効果が必要になり、加熱時のＴＥＣ電流Ｉｔｅｃは増大してしまう。
【００８３】
逆に、環境温度Ｔａが、ＤＢＲレーザ１１１の加熱が求められる温度範囲にある場合、レーザ設定温度Ｔｌｄを下げれば、ＴＥＣ１１０に求められる加熱効果を低減できるから、加熱時のＴＥＣ電流Ｉｔｅｃを低減できる。
【００８４】
しかし、レーザ設定温度Ｔｌｄを下げてしまうと、環境温度Ｔａが、ＤＢＲレーザ１１１の冷却が求められる温度範囲にある場合には、ＴＥＣ１１０に求められる冷却効果がより大きくなるため、冷却時のＴＥＣ電流Ｉｔｅｃは増大してしまう。
【００８５】
例えば、環境温度Ｔａ＝０℃において、レーザ設定温度ＴｌｄをＴｌｄ（Ｍｉｄ）＝３０℃よりも低いＴｌｄ（Ｌｏｗ）＝２０℃に設定（特性Ｂ１から特性Ａ１に変更）すれば、加熱時のＴＥＣ電流Ｉｔｅｃを低減できる。
【００８６】
しかし、環境温度Ｔａ＝７０℃では、レーザ設定温度Ｔｌｄとの差分が特性Ｂ１よりも特性Ａ１の方が大きくなるため、より大きな冷却効果が必要になり、冷却時のＴＥＣ電流Ｉｔｅｃは増大してしまう。
【００８７】
また、レーザ設定温度Ｔｌｄを上げて冷却時のＴＥＣ電流Ｉｔｅｃを低減できたとしても、レーザ設定温度Ｔｌｄが高くなると、ＤＢＲレーザ１１１の微分効率に温度依存性があるため、利得電流Ｉｇａｉｎ一定のままでは、レーザ出力光パワーは低下する。
【００８８】
図５に、レーザ設定温度Ｔｌｄに応じたレーザ駆動電流（Ｉｇａｉｎ）対レーザ出力光パワー（Ｉ−Ｌ）特性の一例を示す。なお、図５において、横軸が、レーザ駆動電流（Ｉｇａｉｎ）［ｍＡ］を表し、縦軸が、レーザ出力光パワー［μＷ］を表す。
【００８９】
また、図４と同様に、図５において、符号Ａ２、Ｂ２、及び、Ｃ２で示す特性は、それぞれ、レーザ設定温度Ｔｌｄが、低温（Ｌｏｗ）、中間温度（Ｍｉｄ）、及び、高温（Ｈｉｇｈ）である時の特性例である。非限定的な一例として、Ｔｌｄ（Ｌｏｗ）＝２０℃、Ｔｌｄ（Ｍｉｄ）＝３０℃、Ｔｌｄ（Ｈｉｇｈ）＝４０℃と考えてよい。
【００９０】
例えば図５において駆動電流Ｉｇａｉｎが一定（点線で示すように例えば６０ｍＡ一定）では、レーザ設定温度Ｔｌｄを高くするほど、レーザ出力光パワーが低下する。別言すると、図５に例示する特性は、環境温度Ｔａにおけるレーザ設定温度Ｔｌｄと、ＤＢＲレーザ１１１の温度制御に応じたレーザ出力光パワーの温度依存性損失と、の関係を示す第２の関係の一例に相当すると捉えてよい。
【００９１】
規定のレーザ出力光パワーを得るために、このような温度依存性のレーザ出力光パワーの低下（あるいは損失）を補うには、ＳＯＡ電流を増加してＳＯＡ利得を増加すればよい。別言すると、ＳＯＡ電流は、ＤＢＲレーザ１１１の温度制御に応じて、レーザ出力光パワーの温度依存性損失を補償するように制御されてよい。
【００９２】
しかし、ＴＥＣ電流の低減による消費電力低減効果が、ＳＯＡ電流の増加によって相殺されて薄れてしまう。別言すると、環境温度Ｔａの変化に応じて、消費電力的に最適なレーザ設定温度Ｔｌｄも変化する。
【００９３】
更に、レーザ駆動電流Ｉｇａｉｎを一定に制御（ＡＰＣ）する場合、ＳＯＡ部３５の利得に波長依存性があるため、利得の低い波長帯において目標のレーザ出力光パワーを得るには、ＳＯＡ電流を増加させることになり、消費電力が増える。そのため、レーザ駆動電流Ｉｇａｉｎを増加してレーザ出力光パワーを稼いだ方が、ＳＯＡ電流Ｉｓｏａを増加するよりも消費電力的に有利な場合がある。
【００９４】
図６に、ＳＯＡ電流が一定での波長に対するＳＯＡ利得の特性の一例を示す。当該特性は、第３の関係の一例に相当すると捉えてよい。図６において、横軸が、波長［ｎｍ］を表し、縦軸が、ＳＯＡ利得［ｄＢ］を表す。また、図６において、符号Ａ３は、波長に対するＳＯＡ利得の最大値の変化（特性）を表し、符号Ｂ３は、波長に対するＳＯＡ利得の最小値の変化（特性）を表す。
【００９５】
図６に例示するように、短波長側ではＳＯＡ利得が低下する傾向にあるため、レーザ駆動電流Ｉｇａｉｎを一定に制御するＡＰＣでは、ＳＯＡ電流Ｉｓｏａを増加することで、目標のレーザ出力光パワーを得ることができる。別言すると、ＤＢＲレーザ１１１の発光波長（λ）の設定（以下「レーザ設定波長」ともいう。）に依存して、消費電力的に最適なレーザ駆動電流Ｉｇａｉｎが変化する。
【００９６】
そこで、本実施形態では、制御ブロック１２において、例えば、環境温度Ｔａに応じて、ＴＥＣ電流（Ｉｔｅｃ）とＳＯＡ電流（Ｉｓｏａ）との和が最小になるようにレーザ設定温度（Ｔｌｄ）を制御（ＡＴＣ）してよい。当該制御は、「レーザ設定温度（Ｔｌｄ）最適化制御」と称してよい。
【００９７】
代替的あるいは追加的に、本実施形態の制御ブロック１２は、レーザ出力光パワーの一定制御（ＡＰＣ）において、レーザ設定波長λに応じて、レーザ駆動電流ＩｇａｉｎとＳＯＡ電流Ｉｓｏａとの和が最小になるようにレーザ駆動電流Ｉｇａｉｎを制御してよい。当該制御は、「レーザ駆動電流（Ｉｇａｉｎ）最適化制御」と称してよい。
【００９８】
別言すると、本実施形態の制御ブロック１２は、環境温度Ｔａ及びレーザ設定波長λに応じて、ＴＥＣ電流Ｉｔｅｃと、レーザ駆動電流Ｉｇａｉｎと、ＳＯＡ電流Ｉｓｏａと、の総和が最小となるように、レーザ設定温度Ｔｌｄとレーザ駆動電流Ｉｇａｉｎとを制御（ＡＴＣ及びＡＰＣ）してよい。
【００９９】
例えば、メモリ１４０に、環境温度Ｔａ毎およびレーザ設定波長λ毎に、レーザ設定温度Ｔｌｄの設定値と、レーザ駆動電流Ｉｇａｉｎの設定値と、を記憶しておく。これらのデータ（「パラメータ」と称してよい。）は、非限定的な一例として、テーブル形式のデータ（例えば、ルックアップテーブル）にて、メモリ１４０に記憶されてよい。
【０１００】
メモリ１４０は、記憶部、記憶装置、あるいは記憶媒体の一例であり、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）や、ハードディスクドライブ（ＨＤＤ）、ソリッドステートドライブ（ＳＳＤ）等であってよい。
【０１０１】
制御ブロック１２（例えば、ＬＤ制御部１２１）は、温度センサ１２５で検出された環境温度Ｔａと、レーザ設定波長λと、に対応した、レーザ設定温度Ｔｌｄ及びレーザ駆動電流Ｉｇａｉｎの設定値をメモリ１４０から読み出す。これにより、上述した最適化制御が可能となる。
【０１０２】
レーザ設定温度Ｔｌｄ及びレーザ駆動電流Ｉｇａｉｎの設定値は、例示的に、図４〜図６に例示した特性に基づいてシミュレーション等で予め求めることが可能である。
【０１０３】
例えば、これらの設定値は、ＴＥＣ電流の温度特性、ＤＢＲレーザ１１１の微分効率の温度特性（別言すると、ＳＯＡ利得の温度特性）、及び、ＳＯＡ利得の波長特性に基づいて、シミュレーション等で算出されてよい。
【０１０４】
ただし、これらの設定値は、実験的に環境温度Ｔａ及びレーザ設定波長λを変更して実測した実測値に基づいて求められてもよい。
【０１０５】
なお、レーザ設定温度Ｔｌｄが変化すると、ＤＢＲレーザ１１１のミラー部３１及び３４の反射特性が変化して、発振波長の変動要因となり得る。
【０１０６】
かかる発振波長の変動は、反射特性の変動をキャンセル可能なミラー電流の設定値を、レーザ設定温度Ｔｌｄ毎にメモリ１４０に記憶しておくことで、補償可能である。
【０１０７】
レーザ駆動電流Ｉｇａｉｎの変化に応じた発振波長の変動についても、同様に、反射特性の変動をキャンセル可能なミラー電流の設定値を、レーザ駆動電流Ｉｇａｉｎ毎にメモリ１４０に記憶しておくことで、補償可能である。
【０１０８】
図７に、メモリ１４０に記憶されるルックアップテーブルＬＴの一例を示す。図７に例示するルックアップテーブルＬＴには、非限定的な一例として、レーザ設定波長λ１〜λ９０の９０波長のそれぞれにつき、異なる２０個の環境温度Ｔａ＝Ｔ１〜Ｔ２０に対する、レーザ設定温度Ｔｌｄ及びレーザ駆動電流Ｉｔｅｃの設定値が登録されている。
【０１０９】
併せて、フロントミラー電流Ｉｄｂｒ−ｆ及びリアミラー電流Ｉｄｂｒ−ｒの設定値も、９０波長のそれぞれにつき２０個の温度分だけ、登録されている。なお、これらの各ミラー電流Ｉｄｂｒ−ｆ及びＩｄｂｒ−ｒの設定値は、オプションであっても構わない。
【０１１０】
これらの設定値は、ＴＥＣ電流Ｉｔｅｃと、レーザ駆動電流Ｉｇａｉｎと、ＳＯＡ電流Ｉｓｏａと、の総和が最小となる条件を満たすように予め求められた情報に相当すると捉えてよい。
【０１１１】
なお、図７に例示するルックアップテーブルＬＴは、環境温度Ｔａに応じたＴｌｄ最適化制御と、レーザ設定波長λに応じたＩｇａｉｎ最適化制御とを組み合わせて実施する場合のテーブル例である。これらの最適化制御の一方を実施すればよい場合、他方に関するパラメータは固定値にしてもよい。
【０１１２】
例えば、環境温度Ｔａに応じたＴｌｄ最適化制御さえ可能でよければ、ルックアップテーブルＬＴにおいて、レーザ設定波長λにおけるレーザ駆動電流Ｉｇａｉｎの設定値は、固定値でよい。この場合、レーザ設定温度Ｔｌｄの設定値は、ＴＥＣ電流ＩｔｅｃとＳＯＡ電流Ｉｓｏａとの和が最小となる条件を満たす情報に相当する、と捉えてよい。
【０１１３】
また、レーザ設定波長λに応じたＩｇａｉｎ最適化制御さえ可能でよければ、ルックアップテーブルＬＴにおいて、環境温度に対するレーザ設定温度Ｔｌｄの設定値は、固定値でよい。この場合、レーザ駆動電流Ｉｇａｉｎの設定値は、レーザ駆動電流ＩｇａｉｎとＳＯＡ電流Ｉｓｏａとの和が最小となる条件を満たす情報に相当する、と捉えてよい。
【０１１４】
次に、図８〜図１０を参照して、上述したＴｌｄ最適化制御及びＩｇａｉｎ最適化制御によって得られる効果の一例について説明する。
【０１１５】
図８は、レーザ装置（「モジュール」と称してよい。）１の温度（Ｔｃ）に対する消費電力特性の一例を示すグラフである。図８において、符号Ａ４は、Ｔｌｄ一定制御（非最適化制御）における初期状態での特性を表している。一方、符号Ｂ４は、Ｔｌｄ一定制御においてレーザ設定温度Ｔｌｄを図４にて説明したように高くした場合の特性を表している。なお、モジュール１の温度Ｔｃは、環境温度Ｔａと等価であると捉えてよい。
【０１１６】
特性Ａ４及びＢ４との比較から、Ｔｌｄ一定制御（非最適化制御）では、レーザ設定温度Ｔｌｄを高くすることで、環境温度ＴａがＤＢＲレーザ１１１の冷却を求められる温度（例えばＴａ＞２０℃）である時（高温時）の消費電力を低減できる。別言すると、Ｔａ＞２０℃では、特性Ａ４よりも特性Ｂ４の方が、消費電力が小さい、といえる。
【０１１７】
しかし、環境温度Ｔａが、ＤＢＲレーザ１１１の加熱を求められる温度（例えばＴａ＜２０℃）では、特性Ａと特性Ｂとで消費電力の大小関係が逆転するため、消費電力は初期状態（特性Ａ４）よりも増加してしまう。
【０１１８】
これに対して、図９は、本実施形態のＴｌｄ最適化制御での、レーザ装置１の温度に対する消費電力特性の一例を示すグラフである。図９において、符号Ａ５は、Ｔｌｄ最適化制御における初期状態での特性を表している。一方、符号Ｂ５は、Ｔｌｄ最適化制御においてレーザ設定温度Ｔｌｄを図４にて説明したように高くした場合の特性を表している。
【０１１９】
特性Ａ５と特性Ｂ５との比較から、ＤＢＲレーザ１１１の加熱を求められる温度（例えばＴａ＜２０℃）でも、特性Ａ５と特性Ｂ５とで消費電力の大小関係は逆転しないことが分かる。これは、本実施形態のＴｌｄ最適化制御によれば、環境温度Ｔａ毎にＴＥＣ電流とＳＯＡ電流との和が最小化されるようにレーザ設定温度Ｔｌｄが最適化されるからである。
【０１２０】
したがって、ＤＢＲレーザ１１１の動作温度範囲のすべてにおいて（別言すると、環境温度Ｔａが低温であるか高温であるかに関わらず）、レーザ装置１の消費電力低減を図ることができる。
【０１２１】
また、図１０は、波長に対するレーザ駆動電流（Ｉｇａｉｎ）及びＳＯＡ電流（Ｉｓｏａ）の和の特性の一例を示すグラフである。図１０において、符号Ａ６は、本実施形態によるレーザ駆動電流（Ｉｇａｉｎ）最適化制御を行なわずにＩｇａｉｎ一定制御を行なった場合の特性を表す。一方、符号Ｂ６は、本実施形態によるＩｇａｉｎ最適化制御での特性を表す。
【０１２２】
特性Ａ６に例示するように、Ｉｇａｉｎ一定制御では、ＳＯＡ利得の波長依存性により、短波長側の電流（Ｉｇａｉｎ＋Ｉｓｏａ）が増加してしまう。
【０１２３】
これに対して、本実施形態のＩｇａｉｎ最適化制御では、レーザ設定波長毎にレーザ駆動電流Ｉｇａｉｎが最適化されるので、特性Ｂ６に例示するように、ＤＢＲレーザ１１１の波長可変範囲において、電流（Ｉｇａｉｎ＋Ｉｓｏａ）の増加を抑えることができる。したがって、レーザ装置１の消費電力低減を図ることができる。
【０１２４】
（その他）
なお、上述した実施形態では、レーザ設定温度（Ｔｌｄ）及びレーザ駆動電流（Ｉｇａｉｎ）の「最適化」制御について説明した。「最適化」制御は、既述の電流和を「最小化」する制御と捉えてよいが、レーザ装置１の消費電力低減効果が得られれば、必ずしも「最小化」制御されなくてもよい。例えば、既述の電流和が最小値でなくても所定の閾値以下であることをもって「最小化」と扱って構わない。そのため、「最適化制御」は、「適応制御」と言い換えてもよい。
【符号の説明】
【０１２５】
１  レーザ装置
１１  チューナブルレーザブロック
１２  制御ブロック
１３  ＴＥＣドライバ
１４  電流デジタル−アナログ変換器（ＩＤＡＣ）
１５  ドライバユニット
３１  リアミラー部
３２  位相部
３３  利得（ゲイン）部
３４  フロントミラー部
３５  半導体増幅（ＳＯＡ）部
１１０  熱電クーラ（ＴＥＣ）
１１１  ＤＢＲレーザ
１１２  光変調器
１１３  波長ロッカ
１２１  ＬＤ制御部
１２２  温度制御部（ＡＴＣ）
１２３  パワー制御部（ＡＰＣ）
１２４  周波数（波長）制御部（ＡＦＣ）
１２５  温度センサ
１２６  ＴＥＣ設定部
１２７，１３８，１３９  アナログ−デジタル変換器（ＡＤＣ）
１２８，１３６，１３７  デジタル−アナログ変換器（ＤＡＣ）
１２９  リアミラー電流設定部
１３０  位相電流設定部
１３１  利得電流設定部
１３２  フロントミラー電流設定部
１３３  ＳＯＡ電流設定部
１３４  シリアルパラレルインタフェース（ＳＰＩ）
１３５  ＭＺバイアス制御部
１４０  メモリ
ＬＴ  ルックアップテーブル
【図１】
2016100380.tif 000003
【図２】
2016100380.tif 000004
【図３】
2016100380.tif 000005
【図４】
2016100380.tif 000006
【図５】
2016100380.tif 000007
【図６】
2016100380.tif 000008
【図７】
2016100380.tif 000009
【図８】
2016100380.tif 000010
【図９】
2016100380.tif 000011
【図１０】
2016100380.tif 000012