(57)【要約】【課題】放射線照射を照射する同時に、該放射線照射によって生ずる感度上昇、すなわち、ゴースト（ブライトバーンによる残像現象）を効率的に消去することができる放射線検出器及びその製造方法を提供する。【解決手段】柱状結晶構造を有するシンチレータ層と、該シンチレータ層に隣接して形成されたゴースト消去層と、光電変換素子層とを有し、該ゴースト消去層が３００〜５００ｎｍに発光ピーク波長を有し、かつ、該シンチレータ層と該ゴースト消去層とが、放射線の照射により同時に発光する放射線検出器。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
柱状結晶構造を有するシンチレータ層と、該シンチレータ層に隣接して形成されたゴースト消去層と、光電変換素子層とを有し、
該ゴースト消去層が３００〜５００ｎｍに発光ピーク波長を有し、かつ、
該シンチレータ層と該ゴースト消去層とが、放射線の照射により同時に発光することを特徴とする放射線検出器。
【請求項２】
前記ゴースト消去層が、前記シンチレータ層を構成する元素以外の元素を１種以上含む、請求項１に記載の放射線検出器。
【請求項３】
さらに反射層を有する、請求項１又は２に記載の放射線検出器。
【請求項４】
前記反射層がゴースト消去層を兼ねる、請求項３に記載の放射線検出器。
【請求項５】
前記ゴースト消去層が柱状結晶構造を有する、請求項１〜４のいずれか一項に記載の放射線検出器。
【請求項６】
前記ゴースト消去層が、前記シンチレータ層と前記光電変換素子層との間に介在する光学結合層である、請求項１〜３及び５のいずれか一項に記載の放射線検出器。
【請求項７】
前記光電変換素子層が、シンチレータ層に対し、放射線の入射側に配置されている、請求項１〜６のいずれか一項に記載の放射線検出器。
【請求項８】
支持体上に、柱状結晶構造を有するシンチレータ層と、ゴースト消去層とをこれらが互いに隣接するように形成する工程と、該シンチレータ層上に光電変換素子層を設ける工程とを含み、
該ゴースト消去層が３００〜５００ｎｍに発光ピーク波長を有し、かつ、
該シンチレータ層と該ゴースト消去層とが、放射線の照射により同時に発光することを特徴とする放射線検出器の製造方法。
【請求項９】
光電変換素子層上に、柱状結晶構造を有するシンチレータ層と、ゴースト消去層とをこれらが互いに隣接するように形成する工程を含み、
該ゴースト消去層が３００〜５００ｎｍに発光ピーク波長を有し、かつ、
該シンチレータ層と該ゴースト消去層とが、放射線の照射により同時に発光することを特徴とする放射線検出器の製造方法。
【請求項１０】
前記ゴースト消去層が、前記シンチレータ層を構成する元素以外の元素を１種以上含む、請求項８又は９に記載の放射線検出器の製造方法。
【請求項１１】
前記支持体上に、前記シンチレータ層と前記ゴースト消去層とをこれらが互いに隣接するように形成するに先立って、
さらに反射層を形成する、請求項８又は１０に記載の放射線検出器の製造方法。
【請求項１２】
前記光電変換素子上に、前記シンチレータ層と前記ゴースト消去層とをこれらが互いに隣接するように形成した後に、
さらに反射層を形成する、請求項９又は１０に記載の放射線検出器の製造方法。
【請求項１３】
前記反射層がゴースト消去層を兼ねる、請求項１１又は１２に記載の放射線検出器の製造方法。
【請求項１４】
前記ゴースト消去層が柱状結晶構造を有する、請求項８〜１３のいずれか一項に記載の放射線検出器の製造方法。
【請求項１５】
前記ゴースト消去層が、前記シンチレータ層と前記光電変換素子層との間に介在する光学結合層である、請求項８、１０、１１及び１４のいずれか一項に記載の放射線検出器の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ゴーストを消去する機能を有する放射線検出器及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
Ｘ線画像のデジタル技術の一つとしてコンピューテッドラジオグラフィ〔ＣＲ〕が現在医療現場で受け入れられている。しかしながら、コンピューテッドラジオグラフィ〔ＣＲ〕は、鮮鋭性が充分でなく空間分解能も不充分であり、スクリーン・フィルムシステムの画質レベルには到達していない。そこで、新たなデジタルＸ線画像撮影技術として、例えば、非特許文献１（Physics Today;1997, 11 p.24のジョン・ローランズ論文"Amorphous Semiconductor Usher in Digital X-ray Imaging"）及び非特許文献２（SPIE；1997, 32 p.2のエル・イー・アントヌク論文"Development of a High Resolution, Active Matrix, Flat-Panel Imager with Enhanced Fill Factor"）等に記載された薄膜トランジスタ〔ＴＦＴ〕を用いたフラットパネルディテクタ〔ＦＰＤ〕が開発されている。
【０００３】
放射線画像撮影技術は、医療用の用途のほかに、非破壊検査にも使用されている。非破壊検査とは、機械部品や構造物に生じた有害なきずを、対象物を破壊することなく検出する技術である。このような非破壊検査においても、近年、コンピューテッドラジオグラフィ〔ＣＲ〕やフラットパネル型の放射線ディテクター（フラットパネルディテクタ）〔ＦＰＤ〕等に代表されるデジタル処理された放射線検出器が使用されるようになってきている。
【０００４】
非特許文献１及び２では、Ｘ線からの可視化手段としてヨウ化セシウム（ＣｓＩ）が使用されており、ヨウ化セシウム（ＣｓＩ）がＸ線から可視光線への変換効率が比較的高いことから、ヨウ化セシウム（ＣｓＩ）と薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）とを組み合わせたフラットパネルが、高感度のＸ線画像可視化システムとして着目されている。
【０００５】
しかしながら、ＣｓＩシンチレータに多量のＸ線が照射されることにより、ＣｓＩシンチレータにブライトバーンによる一時的な感度上昇が発生し、ＦＰＤ画像でのアーチファクト又はゴースト（残像現象）を生じさせる。この感度上昇は経時とともに元の感度に戻るが、撮影のたびにＦＰＤのゲイン調整（感度補正）を実施することでは対応が難しい。また感度上昇は画像領域内で不均一に発生してしまうため、コントラストの低下等を招き、画質を劣化させるという問題もあるため、改善が望まれている。
【０００６】
このようなゴーストの発生を解消するために、特許文献１（特表２０１３−５２８７９２号公報）には、光検出装置と、シンチレータ層と、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を有する発光層と、反射層との組み合わせを有するＸ線検出器が記載されている。特許文献１では、Ｘ線の入射を受けてシンチレータ層内で生成される光は、反射層によって光検出装置の検出面に向かって反射され、それにより検出器の応答速度が高められ、また、反射層から放射された光はシンチレータ層に到達し、ゴーストの形成が抑制されることが記載されている。特許文献２（特表２０１０−５２３９９７号公報）及び特許文献３（国際公開第２００８−１２６００９号）には、１次放射線がＸ線であるＸ線撮像デバイスにおいて、１次放射線をシンチレータに照射することにより生成するゴーストを、２次放射線としてＸ線ではなく、非Ｘ線放射線、例えば、紫外線又は青色光線を光検出器に照射することで更正することが記載されている。特許文献１〜３には、このような光をシンチレータ層がＸ線照射されていない期間中に放射することでゴーストを消去することが記載されている。
【０００７】
特許文献４（特許第４７９０８６３号公報）には、シンチレータ基板と、該シンチレータ中で生成される光の一部をセンサアレイの方へ反射する反射層とを有する検出器であって、該反射層がリフレッシュ光及びシンチレータからの光の波長に対して部分的に透明となるように、複数のホールを有する検出器が記載されている。特許文献４では、リフレッシュ光として紫外線を照射することにより、ゴーストを改善している。
【０００８】
特許文献５（特開２０１２−２８６１７号公報）には、トランジスタの閾値電圧のシフトを抑制できる放射線検出装置が記載され、該放射線検出装置では、光電変換素子が入射した放射線を光に変換し、これに応じた電荷を発生し、トランジスタが該電荷に対応する検出信号を出力して、紫外線変換部が該トランジスタに入射される放射線を紫外線に変換することが記載されている。特許文献５には、トランジスタは紫外線が入射されることにより、帯電量がゼロに近づき、閾地電圧のシフトが抑制されることが記載されている。
【０００９】
特許文献６（米国特許出願公開第２０１４−００１３６７Ａ１号明細書）には、タリウム賦活ヨウ化セシウムにより形成され、放射線を可視光線に変換して放射するシンチレータ層と、該放射された可視光線を検出して電荷を発生するアモルファスシリコンにより形成された光電変換素子が複数配列された光電変換パネルとを備える放射線検出器が記載され、タリウム賦活ヨウ化セシウムにおけるタリウム添加量及びアニール温度を制御することにより、ゴーストの低減性を向上させている。
【００１０】
上記したような技術では、Ｘ線の照射とは別に、リフレッシュ光を照射する、又は賦活剤や温度を調節する等してゴーストの低減を図っており、ゴースト消去のための操作が別途必要である。よって、効率的にゴーストを防止し、消去する技術が要望されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特表２０１３−５２８７９２号公報
【特許文献２】特表２０１０−５２３９９７号公報
【特許文献３】国際公開第２００８−１２６００９号
【特許文献４】特許第４７９０８６３号公報
【特許文献５】特開２０１２−２８６１７号公報
【特許文献６】米国特許出願公開第２０１４−００１３６７Ａ１号明細書
【非特許文献】
【００１２】
【非特許文献１】Physics Today;1997,11 P24頁のジョン・ローランズ論文"Amorphous Semiconductor Usher in Digital X-ray Imaging"
【非特許文献２】SPIE；1997,32,P2のエル・イー・アントヌク論文"Development of a High Resolution, Active Matrix, Flat-Panel Imager with Enhanced Fill Factor"
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
本発明は、放射線照射によって生ずる感度上昇、すなわち、ゴースト（ブライトバーンによる残像現象）の発生を効率的でかつ簡便に抑制することができる放射線検出器及びその製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明は、以下の事項からなる。
本発明の放射線検出器は、柱状結晶構造を有するシンチレータ層と、該シンチレータ層に隣接して形成されたゴースト消去層と、光電変換素子層とを有し、該ゴースト消去層が３００〜５００ｎｍに発光ピーク波長を有し、かつ、該シンチレータ層と該ゴースト消去層とが、放射線の照射により同時に発光することを特徴とする。
【００１５】
前記ゴースト消去層は、前記シンチレータ層を構成する元素以外の元素を１種以上含むことが好ましい。
さらに反射層を有することが好ましい。
【００１６】
前記反射層はゴースト消去層を兼ねることが好ましい。
前記ゴースト消去層は柱状結晶構造を有することが好ましい。
前記ゴースト消去層は、前記シンチレータ層と前記光電変換素子層との間に介在する光学結合層であることが好ましい。
【００１７】
前記光電変換素子層は、シンチレータ層に対し、放射線の入射側に配置されていることが好ましい。
本発明の放射線検出器の製造方法は、支持体上に、柱状結晶構造を有するシンチレータ層と、ゴースト消去層とをこれらが互いに隣接するように形成する工程と、該シンチレータ層上に光電変換素子層を設ける工程とを含み、該ゴースト消去層が３００〜５００ｎｍに発光ピーク波長を有し、かつ、該シンチレータ層と該ゴースト消去層とが、放射線の照射により同時に発光することを特徴とする。
【００１８】
本発明の放射線検出器の製造方法は、光電変換素子層上に、柱状結晶構造を有するシンチレータ層と、ゴースト消去層とをこれらが互いに隣接するように形成する工程を含み、該ゴースト消去層が３００〜５００ｎｍに発光ピーク波長を有し、かつ、該シンチレータ層と該ゴースト消去層とが、放射線の照射により同時に発光することを特徴とする。
【００１９】
前記ゴースト消去層は、前記シンチレータ層を構成する元素以外の元素を１種以上含むことが好ましい。
前記支持体上に、前記シンチレータ層と前記ゴースト消去層とをこれらが互いに隣接するように形成するに先立って、さらに反射層を形成することが好ましい。
【００２０】
前記光電変換素子層上に、前記シンチレータ層と前記ゴースト消去層とをこれらが互いに隣接するように形成した後に、さらに反射層を形成することが好ましい。
前記反射層はゴースト消去層を兼ねることが好ましい。
【００２１】
前記ゴースト消去層は柱状結晶構造を有することが好ましい。
前記ゴースト消去層は、前記シンチレータ層と前記光電変換素子層との間に介在する光学結合層であることが好ましい。
【発明の効果】
【００２２】
本発明の放射線検出器は、特別にゴーストを消去する操作を採用しなくても、放射線照射を受けると同時に、シンチレータ層と該シンチレータ層に隣接して形成されたゴースト消去層とが発光するため、放射線照射によって生ずる感度上昇、すなわち、ゴーストの発生を効果的に抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】図１は、実施例１の実施形態を示す図である。
【図２】図２は、実施例２の実施形態を示す図である。
【図３】図３は、実施例３の実施形態を示す図である。
【図４】図４は、実施例４の実施形態を示す図である。
【図５】図５は、実施例５の実施形態を示す図である。
【図６】図６は、実施例６の実施形態を示す図である。
【図７】図７は、実施例７の実施形態を示す図である。
【図８】図８は、実施例８の実施形態を示す図である。
【図９】図９は、本発明の放射線検出器の一例を示す断面図である。
【図１０】図１０は、図９のＡ−Ａ断面図である。
【図１１】図１１は、本発明の放射線検出器を、放射線の照射側とは逆の方向から見た平面図である。
【図１２】図１２は、蒸着装置の概略構成を示す図である。
【図１３】図１３は、シンチレータ層がＸ線照射を受けて発光した光の発光強度を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
本発明の放射線検出器及びその製造方法について説明する。
〔放射線検出器〕
本発明の放射線検出器は、支持体上に、柱状結晶構造を有するシンチレータ層と、該シンチレータ層に隣接して形成されたゴースト消去層と、光電変換素子層とを有する。具体的な実施形態の概略構成図を図１〜４に示す。
【００２５】
また、上記光電変換素子層は、放射線の入射側とは反対側に配置されていてもよいし、放射線の入射側に配置されていてもよい。すなわち、光電変換素子層を支持体として、該光電変換素子層上にシンチレータ層を形成させてもよい。このような実施形態の概略構成図を図５〜８に示す。
以下、上記放射線検出器を構成する各要素について説明し、本発明を詳細に説明する。
【００２６】
シンチレータ層
シンチレータ層は、支持体上に蒸着により形成された、柱状結晶構造を有する蛍光体材料からなる層である。前記蛍光体材料は、特にその種類が限定されるものではないが、主成分として蛍光体母体化合物であるヨウ化セシウム（ＣｓＩ）を含むものが一般的である。前記蛍光体材料としては、具体的には、蛍光体母体化合物であるヨウ化セシウム（ＣｓＩ）に、賦活剤としてタリウム（Ｔｌ）、ナトリウム（Ｎａ）、又はタリウム（Ｔｌ）及びナトリウム（Ｎａ）の両方を添加したものを好適に使用することができる。
【００２７】
シンチレータ層ではＸ線を吸収し、エネルギーを、５５０ｎｍ付近を中心とする可視光線に変換する。これにより、放射線検出器は、シンチレータ層を通過した緑色の光（５５０ｎｍ付近）を捉え、発色させることができる。このとき賦活剤であるタリウム又はナトリウムの相対含有量は０．１〜５モル％であることが好ましい。賦活剤の量が上記範囲内であると、Ｘ線を照射したときの蛍光の極大波長がずれることがなく、光電変換素子層による蛍光の検出精度が向上する点で好ましい。なお、賦活剤の相対含有量は、蛍光体母体化合物１モルに対する賦活剤のモル％で示される。
【００２８】
上記したとおりヨウ化セシウムは、タリウム又はナトリウムを添加することによりＸ線を緑色に発色させるが、賦活剤としてタリウム及びナトリウム以外にもユーロピウム（Ｅｕ）及びセリウム（Ｃｅ）等を添加することによってＸ線を発色させてもよい。すなわち、本発明におけるヨウ化セシウムを含むシンチレータ層は、ヨウ化セシウムの他に上記の他の成分を含有するものであってもよい。
【００２９】
ここで、支持体には、例えば、（１）炭素繊維強化プラスチック（ＣＦＲＰ：Carbon Fiber Reinforced Plastics）、（２）カーボン（アモルファスカーボン、木炭及び紙を炭化処理して固めたもの等）、（３）プラスチック、（４）ガラス、（５）金属（例えば、アルミニウム）、又は（６）上記（１）〜（５）の材料を薄く形成し、発泡樹脂でサンドイッチしたもの等が用いられる。これらは単独で用いてもよいし、積層して用いてもよい。これらの材料のうち、特にポリイミドが、耐熱性に優れるため、ヨウ化セシウムを含む蛍光体材料を蒸着するのに好適に使用される。
シンチレータ層の膜厚は、通常２０〜１０００μｍ、好ましくは５０〜８００μｍである。
【００３０】
ゴースト消去層
ゴースト消去層は、シンチレータ層に隣接して形成される層である。本発明の放射線検出器は、このような層構成を有することにより、Ｘ線等の放射線照射を受けると、シンチレータ層とゴースト消去層とが同時に発光し、放射線照射によって生ずる感度上昇、すなわち、ゴーストの発生を抑制することができる。以下、説明する。
【００３１】
シンチレータ層は、図１３に示されるように、Ｘ線等の放射線の照射を受けると、ピーク波長が５５０ｎｍ付近にある可視光線を放射するが、Ｘ線のような電離放射線の照射を受けて自由電子が生ずると、この自由電子がシンチレータ層中に存在する、例えば、ハライドイオンが抜けてできた欠陥、すなわちＦ中心に捕獲される。これら捕獲された電子は次のＸ線照射により励起、発光が起こり、ゴースト像となる。従来の放射線画像検出器では、Ｘ線が照射されると、必然的に残存光像がエネルギーとしてシンチレータ層に残り、次のＸ線照射により発光することでゴーストが発生するという問題があった。
【００３２】
本発明では、ゴースト消去層として、４００ｎｍ付近にピーク波長のある蛍光を発する層をシンチレータ層に隣接して設けることにより、Ｘ線の照射によりシンチレータ層から可視光線の放射とともにＦ中心にゴーストとなる電子が捕獲されるが、それと同時にゴースト消去層より４００ｎｍ付近にある紫外線が放射されて、Ｆ中心に補足された電子が励起され、発光することにより消去される。
【００３３】
すなわち、本発明では、Ｘ線照射により、シンチレータ層では、ピーク波長が５５０ｎｍ付近にある可視光線が放射され、ゴースト消去層では、４００ｎｍ付近にある紫外線が放射される。そのため、本発明では、Ｘ線の使用中、残存光像を形成する部分の電子が伝導帯にまで引き上げられることにより、Ｘ線の照射と同時にゴーストを消去することができ、放射線検出器の感度上昇を抑制することができる。
【００３４】
ゴースト消去層には、Ｘ線により３００〜５００ｎｍに発光する物質であることが必須であり、さらには、シンチレータ層を構成する元素以外の元素を１種以上含むことが好ましい。上記特性を満たす物質であれば特に制限なく使用することが可能であるが、一例として、ゴースト消去層には、蛍光体母体化合物が賦活剤によって活性化された化合物が含まれ、該活性化された化合物として、ＲｂＢｒ：Ｔｌ+、ＢａＦＩ：Ｅｕ2-、ＢａＦＢｒ：Ｅｕ2-、ＢａＦ（Ｂｒ0.8Ｉ0.2）：Ｅｕ2-、ＺｎＳ：Ａｌ及びＺｎＳ：Ａｕ並びにタリウム活性化ヨウ化セシウム（ＣｓＩ：Ｅｕ）等が挙げられる。
【００３５】
ゴースト消去層を構成する元素は、蛍光体母体化合物及び賦活剤の双方において、シンチレータ層を構成する元素とは異なっていてもよいし、賦活剤のみにおいて、シンチレータ層を構成する元素とは異なっていてもよい。例えば、シンチレータ層がタリウム活性化ヨウ化セシウム（ＣｓＩ：Ｔｌ）又はナトリウム活性化ヨウ化セシウム（ＣｓＩ：Ｎａ）であり、ゴースト消去層がユーロピウム活性化ヨウ化セシウム（ＣｓＩ：Ｅｕ）又は上記輝尽性蛍光体である場合が挙げられる。
【００３６】
ゴースト消去層は、塗布により形成された塗膜であってもよいし、シンチレータ層と同様に、蒸着により形成された柱状結晶構造を有する層であってもよい。
塗布法によりゴースト消去層を形成する場合には、例えば、ＢａＦＩ：Ｅｕ2-、ＢａＦＢｒ：Ｅｕ2-、及びＢａＦ（Ｂｒ0.8Ｉ0.2）：Ｅｕ2-等の輝尽性蛍光体を、ポリエステル、ポリウレタン等の樹脂と混合して、さらにトルエン、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）等の溶剤中に分散させて、支持体等の上に塗工し、乾燥させることにより形成する。塗布法を用いる場合は、これらの材料を適切に選択することにより、ゴースト消去層を、後述する反射層と兼ねた層とすることもできる。
【００３７】
蒸着法により、ゴースト消去層を形成する場合には、例えば、ＲｂＢｒ：Ｔｌ+やヨウ化セシウム（ＣｓＩ）を蛍光体母体化合物とし、ユーロピウム（Ｅｕ）を賦活剤として、シンチレータ層の形成と同様の方法によって形成する。
【００３８】
ゴースト消去層の膜厚は、通常１〜５００μｍ、好ましくは５〜３００μｍである。
ゴースト消去層は、シンチレータ層と光電変換素子層との間に介在する光学結合層であってもよい。
【００３９】
光学結合層には、例えば、多層構成のもの、空気層及び接着機能層等が含まれる。具体的には、熱硬化性樹脂、光学グリース、ホットメルト樹脂等が挙げられる。
熱硬化性樹脂としては、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂等が好ましく用いられる。硬化させた樹脂等の固体で形成する代わりに、透明な液体やゲル状物質で形成することも可能である。この場合も、液体やゲル状物質からなる光学結合層が、蛍光体の柱状結晶の各先端Ｐａ部分と光電変換素子層の表面とにそれぞれ密接する状態に形成される。
【００４０】
熱硬化性樹脂としては、例えば、アクリル系、エポキシ系及びシリコーン系などの常温硬化型の接着剤がより好ましい。特に、ゴム系の接着剤は弾力性を有するため、接着樹脂として特に好ましい。
【００４１】
ゴム系の接着剤の樹脂としては、スチレン−イソプレン−スチレン等のブロックコポリマー系や、ポリブタジエン、ポリブチレン等の合成ゴム系接着剤、及び天然ゴム等を使用できる。市販されているゴム系接着剤の例としては一液型ＲＴＶゴムＫＥ４２０（信越化学工業（株）製）などが好適に使用される。
【００４２】
またシンチレータ層と光電変換素子層との間には、光学結合層として、粘着性を有する光学グリース等も使用できる。光学グリースには、透明性が高く粘着性があれば公知のいかなるものも使用できる。市販されている光学グリースとしては、例えば、シリコンオイル（ＫＦ９６Ｈ−１００万ＣＳ：信越化学工業（株）製）などが好適に使用される。
【００４３】
一方、光学結合層は、その屈折率が、シンチレータの蛍光体の柱状結晶の屈折率とＴＦＴ表面の屈折率のうち、小さい方の屈折率以上で大きい方の屈折率以下の屈折率となるように形成されている。
【００４４】
光学結合層は、放射線の照射によりシンチレータ層で発光した光が光学結合層を介して光電変換素子に到達するようにするために透明であり、光の透過率が９０％以上の高透過率であることが好ましい。
【００４５】
シンチレータ層上にホットメルト樹脂を設けることもできる。ホットメルト樹脂は、保護層として、シンチレータパネルと平面受光素子面（光電変換素子層）との接着も兼ねることができる。
【００４６】
本発明でいうホットメルト樹脂とは、水や溶剤を含まず室温で固体であり、不揮発性の熱可塑性材料からなる接着性樹脂ある。樹脂温度が上昇すると溶融し、樹脂温度が低下すると固化する。また加熱溶融状態で接着性が有り、常温で固体状態となり接着性を持たないものである。光透過性の点から、ポリオレフィン系樹脂がより好ましい。
【００４７】
ホットメルト樹脂はポリオレフィン系、ポリエステル系又はポリアミド系の樹脂を主成分とするものが好適であるが、これに限定されない。
ホットメルト樹脂の厚みは２０μｍ以下が好ましい。
【００４８】
またホットメルト樹脂の溶融開始温度は、ＴＦＴなどの平面受光素子（光電変換素子層）での連続使用特性、接着剥がれ防止性などの面から、６０℃以上、１５０℃以下が好ましい。ホットメルト樹脂の溶融開始温度は可塑剤添加により調整可能である。
【００４９】
光電変換素子層
光電変換素子層は、照射されたＸ線等の放射線が、シンチレータ層で変換された可視光線を検知して電気信号に変換する層である。図１０に示すように、光電変換素子層７２は基板４の上に形成され、該基板４の上に二次元状に配列されている。
【００５０】
光電変換素子層とは、例えば、ガラス基板表面に、フォトセンサと、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin film Transistor）又は電荷結合素子（ＣＣＤ：Charge Coupled Device）からなる画素を二次元状に配置した、所謂センサーパネルである。
【００５１】
その他の層
本発明の放射線検出器は、支持体の表面に、反射層を有していてもよい。
反射層は、シンチレータ層で放射された可視光線又は紫外線を、感光層である光電変換素子層に戻すため、アルミニウム、アルミニウム合金、銀、若しくは銀合金等の金属薄膜、又は光散乱粒子をバインダーに分散させた薄膜で形成されている。
【００５２】
光散乱粒子としては、例えば、アナターゼ型若しくはルチル型の二酸化チタン（ＴｉＯ2）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、炭酸水酸化鉛（ＩＩ）（ＰｂＣＯ3・Ｐｂ(ＯＨ)2）、硫酸バリウム（ＢａＳＯ4）、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）、Ｍ（ＩＩ）ＦＸ（ただし、Ｍ（ＩＩ）は、バリウム、ストロンチウム及びカルシウムから選ばれる少なくとも一種の原子であり、Ｘは、塩素原子又は臭素原子である。）、炭酸カルシウム（ＣａＣＯ3）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、三酸化アンチモン（Ｓｂ2Ｏ3）、二酸化ケイ素（ＳｉＯ2）、二酸化ジルコニウム（ＺｒＯ2）、リトポン（ＢａＳＯ4・ＺｎＳ）、ケイ酸マグネシウム、塩基性ケイ硫酸塩、二塩基性リン酸鉛及びケイ酸アルミニウム等の白色顔料を使用することができる。これらの白色顔料は、隠蔽力が強く、屈折率が大きいため、光を反射し、屈折させることによりシンチレータ層での発光を容易に散乱し、放射線検出器の感度を顕著に向上させることができる。
【００５３】
このような反射層を形成するのに使用されるバインダー（高分子結合材）としては、例えば、ポリウレタン、塩化ビニル共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル−塩化ビニリデン共重合体、塩化ビニル−アクリロニトリル共重合体、ブタジエン−アクリロニトリル共重合体、アラミド、ナイロン、ポリビニルブチラール、ポリエステル、セルロース誘導体（ニトロセルロース等）、スチレン−ブタジエン共重合体、その他各種の合成ゴム系樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、フェノキシ樹脂、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、尿素ホルムアミド樹脂等が挙げられる。また、バインダーのガラス転移点〔Ｔｇ〕は１００℃以下であることが、支持体とシンチレータ層の接着性向上の観点から好ましい。また融点を有する材料であれば、支持体とシンチレータ層の接着性向上の観点から、常圧環境下での融点が３００℃以下であることが好ましい。
【００５４】
ただし、上述したように、反射層がゴースト消去層を兼ねている場合であって、塗布により反射層を形成する場合には、ゴースト消去用の塗料を調製することができないため、金属薄膜を用いることはできない。
【００５５】
反射層の膜厚は、通常１〜３００μｍ、好ましくは５〜２００μｍである。
反射層の上にはさらに下引層を有していてもよい。下引層は、シンチレータ層を形成する柱状結晶の土台となるものであり、支持体とシンチレータ層との接着性を向上させる役割を有する。
【００５６】
下引層を構成する材料としては、易接着性のポリマー、すなわち、前記した反射層を形成するのに使用されるバインダーと同じものが挙げられる。
下引層の膜厚は、通常０．１〜１０μｍ、好ましくは０．５〜５μｍである。下引層の膜厚が０．１〜１０μｍであると、詳細には、下引層の膜厚が０．１μｍ以上であると、支持体とシンチレータ層との接着性が向上し、下引層の膜厚が５μｍ以下であると、下引層内での光散乱が抑制され、鮮鋭性が向上する。
【００５７】
放射線検出器
次に、本発明の放射線検出器について、図９〜１１に基づいて装置を参照しつつ説明する。
【００５８】
上記放射線検出器は筐体状をなしている。図９は、放射線検出器１の例を示す外観斜視図である。図１０は図９におけるＡ−Ａ断面図であり、図２に示す実施形態を詳細に表したものである。
【００５９】
図９に示す筐体状の放射線検出器１の内部には，シンチレータ層３と、基板４等からなるセンサーパネルとが含まれる。シンチレータ層３は、放射線入射面Ｒを有する長辺側の両端部に開口部を有する中空の角筒状のハウジング本体部２Ａと、このハウジング本体部２Ａの両側の開口部を閉塞する蓋部材２Ｂ、２Ｃとを有する筐体２内に配置されて使用される。
【００６０】
ここで使用されるハウジング本体部２Ａは、例えばＸ線を透過するカーボン板又はプラスチック等の放射線透過性材料で形成されている。このハウジング本体部２Ａの両側の開口部を蓋部材２Ｂ、２Ｃで閉塞することにより筐体２が形成されている。
【００６１】
なお、ハウジング本体部２Ａの開口部は長辺側に設けられているものに限定されない。また、筐体２は、図９に示した所謂モノコック型に限定されない。このようなモノコック型として形成する代わりに、例えば、フレーム板とバック板とで形成された、いわゆる弁当箱型とすることも可能である。
【００６２】
図９に示すように、筐体２の一方側の蓋部材２Ｂには、電源スイッチ３７、選択スイッチ３８、クレイドル及び通知手段へのコネクタ３９、インジケータ４０等が形成されている。インジケータ４０は、内蔵されるバッテリ２４の充電状態及び放射線検出器１の稼働状態等を表示するＬＥＤ等で構成されている。
【００６３】
上記のコネクタ３９の周囲には、溝部３９ａが形成されている。この溝部３９ａは、放射線検出器１のコネクタ３９が、この放射線検出器１を収容し充放電するクレイドル側のコネクタに接続された際にクレイドル側のコネクタの周囲に形成されている保護枠部材（図示なし）と嵌合可能に形成されている。
【００６４】
なお、このコネクタ３９に通信用のケーブル等の各種ケーブル等を接続することができ、これら接続先のコネクタにもクレイドル側のコネクタと同様の保護枠部材を設け、溝部はこれらの保護枠部材とも同様に嵌合可能に構成されることが好ましい。
【００６５】
また、蓋部材２Ｂ、蓋部材２Ｃの一端部には、画像データ等をコンソールに無線で転送するための通信手段であるアンテナ装置（図示なし）を内包することができる。この場合、アンテナ装置の数は特に限定されないが、各種の設置状況に対応できるように複数個所に設けられていることが好ましい。なお、画像データ等をコンソールに有線方式で転送するように構成することも可能であり、その場合、例えば、前述したコネクタ３９にケーブル等を接続して送受信するように構成される。
【００６６】
筐体２の内部には、図１０に示すように、ガラス等からなる基板４の下部に鉛の薄板７９等を介して基台３１が配置されている。
この基台３１には、例えば、図１１に示されるようなシグナルインターフェース基板３２ａ、ゲートインターフェース基板３２ｂ、コントロール基板３２ｃ及び電源基板３２ｄ等の電子部品３２が配設されたＰＣＢ基板３３並びに放射線検出器１の各機能部に電力を供給するバッテリ２４等が配置されている（図１０）。また、基台３１には、センサーパネル等に衝撃が加わって筐体内部に衝突するのを防止するために、筐体２内部の側壁との間に緩衝部材３６等が適宜取り付けられる（図１０）。
【００６７】
基板４の上には光電変換素子層７２が配置されており、上述のように放射線照射方向Ｒ方向から照射されたＸ線がシンチレータ層３で変換された可視光線を検知して電気信号に変換する。なお、基板４には、必要な平滑性を有するものであれば特に制限はないが、例えば、ガラス、石英、光透過性プラスチックフィルム等が使用される。ここで使用される光透過性プラスチックの例には、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリフェニレンスルフィド、ポリアリレート、ポリイミド、ポリカーボネート（ＰＣ）、セルロースアセテート（ＴＡＣ）、セルロースアセテートプロピオネート（ＣＡＰ）等が挙げられる。また、これらの樹脂から形成されるフィルムにシリカ、アルミナ及びポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）等の有機又は無機のフィラーを含有させてもよい。なお、基板４として、アラミドバイオナノファイバー等を用いて形成されたフレキシブル基板も好適に使用することができる。
【００６８】
図１〜８は、本発明の放射線検出器の具体的な実施形態を示すものである。
図１は、支持体７５の一方の表面に、ゴースト消去層兼反射層７７が形成され、該ゴースト消去層兼反射層７７の表面に、シンチレータ層３の柱状結晶を成長させ、該シンチレータ層３の表面に、光電変換素子層７２を接合させた実施形態を示す。
【００６９】
図２は、上記した図１０の概略構成図であり、支持体７５の一方の表面に反射層７６が形成され、該反射層７６の表面に、ゴースト消去層７３の柱状結晶を成長させ、該柱状結晶の先端部分からさらにシンチレータ層３の柱状結晶を成長させ、該シンチレータ層３の表面に光電変換素子層７２を接合させた実施形態を示す。
【００７０】
図３は、支持体７５の一方の表面に反射層７６が形成され、該反射層７６の表面に、ゴースト消去層７３が形成され、該ゴースト消去層７３の表面からシンチレータ層３の柱状結晶を成長させ、該シンチレータ層３の表面に光電変換素子層７２を接合させた実施形態を示す。
【００７１】
図４は、支持体７５の一方の表面に反射層７６が形成され、該反射層７６の表面からシンチレータ層３の柱状結晶を成長させ、該シンチレータ層３の表面と、光電変換素子層７２とを、ゴースト消去層７３を介して接合させた実施形態を示す。
【００７２】
上記実施形態は、支持体７５側の表面を基準面として、シンチレータ層３を形成した例であるが、支持体７５側の代わりに光電変換素子層７２側の表面を基準面としてシンチレータ層３を形成することもできる。
【００７３】
図５は、光電変換素子層７２の一方の表面に、シンチレータ層３の柱状結晶を成長させ、該シンチレータ層３の表面に、ゴースト消去層兼反射層７７が形成された実施形態を示す。
【００７４】
図６は、光電変換素子層７２の一方の表面に、シンチレータ層３の柱状結晶を成長させ、該柱状結晶の先端部分からさらにゴースト消去層７３の柱状結晶を成長させ、該ゴースト消去層７３の表面に反射層７６が形成された実施形態を示す。
【００７５】
図７は、光電変換素子層７２の一方の表面に、シンチレータ層３の柱状結晶を成長させ、該シンチレータ層３の表面に、ゴースト消去層７３が形成され、該ゴースト消去層７３の表面に反射層７６が形成された実施形態を示す。
【００７６】
図８は、光電変換素子層７２の一方の表面に、ゴースト消去層７３が形成され、該ゴースト消去層７３の表面に、シンチレータ層３の柱状結晶を成長させ、該シンチレータ層３の表面に、反射層７６が形成された実施形態を示す。
【００７７】
〔放射線検出器の製造方法〕
本発明の放射線検出器のうち、図１〜４に示す実施形態の製造方法は、支持体上に、柱状結晶構造を有するシンチレータ層と、ゴースト消去層とをこれらが互いに隣接するように形成する工程と、該シンチレータ層上に光電変換素子層を設ける工程とを含む。
【００７８】
具体的には、支持体表面に、ゴースト消去層用材料、又は、必要に応じて反射層兼ゴースト消去層用材料を適用してゴースト消去層又は反射層兼ゴースト消去層を形成し、該ゴースト消去層又は反射層兼ゴースト消去層の上に、柱状結晶構造を有するシンチレータ層を蒸着により形成し、該シンチレータ層と光電変換素子層とを接着させる方法（図１）；支持体表面に、必要に応じて反射層形成用材料を適用して反射層を形成し、該支持体又は反射層の上に、ゴースト消去層及びシンチレータ層をこの順に順次蒸着して、柱状結晶構造を有するゴースト消去層とシンチレータ層とを形成し、該シンチレータ層と光電変換素子層とを接着させる方法（図２）；支持体表面に、必要に応じて反射層形成用材料を適用して反射層を形成し、該支持体又は反射層の上に、ゴースト消去層用材料を適用してゴースト消去層を形成し、該ゴースト消去層の上にシンチレータ層を蒸着により形成し、該シンチレータ層と光電変換素子層とを接着させる方法（図３）；支持体表面に、必要に応じて反射層形成用材料を適用して反射層を形成し、該支持体又は反射層の上に、柱状結晶構造を有するシンチレータ層を蒸着により形成し、該シンチレータ層と光電変換素子層とを接着させる方法（図４）とがある。シンチレータ層と光電変換素子層との接着は、ホットメルト樹脂等の接着剤を介して行う。
【００７９】
本発明の放射線検出器のうち、図５〜８に示す実施形態の製造方法は、光電変換素子上に、柱状結晶構造を有するシンチレータ層と、ゴースト消去層とをこれらが互いに隣接するように形成する工程を含む。
【００８０】
具体的には、光電変換素子層の上に、柱状結晶構造を有するシンチレータ層を蒸着により形成し、該シンチレータ層の上に、ゴースト消去層用材料、又は、必要に応じて反射層兼ゴースト消去層用材料を適用してゴースト消去層又は反射層兼ゴースト消去層を形成する方法（図５）、光電変換素子層の上に、シンチレータ層とゴースト消去層とをこの順に順次蒸着して、柱状結晶構造を有するシンチレータ層とゴースト消去層とを形成し、該ゴースト消去層の上に、必要に応じて反射層形成用材料を適用して反射層を形成する方法（図６）；光電変換素子層の上に、柱状結晶構造を有するシンチレータ層を蒸着により形成し、該シンチレータ層の上に、ゴースト消去層用材料を適用してゴースト消去層を形成し、該ゴースト消去層の上に、必要に応じて反射層を形成する方法（図７）；光電変換素子層の上に、ゴースト消去層用材料を適用してゴースト消去層を形成し、該ゴースト消去層の上に、柱状結晶構造を有するシンチレータ層を蒸着により形成し、該シンチレータ層の上に、必要に応じて反射層を形成する方法（図８）がある。
【００８１】
なお、図１〜８に示す実施形態の製造方法において、「ゴースト消去層用材料又は反射層兼ゴースト消去層用材料を適用する」とは、これらの材料を溶剤等に溶解又は分散させて得られた塗料を塗工し、乾燥させること、該塗料により形成された層を有する離型フィルムを使って熱転写をすること、及び、これらの材料を樹脂等と混合して製膜したものを適用すること、等を含む。
【００８２】
蒸着によるシンチレータ層の形成方法について、図１２に基づいて説明する。なお、図１２中の「蒸着用基板」とは、シンチレータ層の形成予定面を有する基板全般をさす。よって、「蒸着用基板」には、支持体、光電変換素子層、支持体若しくは光電変換素子層の上に反射層を有するもの、又は、支持体若しくは光電変換素子層の上にゴースト消去層を有するものが含まれる。
【００８３】
蒸着に使用される装置には、特に限定はないものの、例えば、図１２に示される蒸着装置５１を用いることが好ましい。
まず、支持体ホルダ５５に蒸着用基板５４を取り付ける。次いで、真空容器５２の底面付近において、蒸着用基板５４に垂直な中心線を中心とした円の円周上に蒸発源５８ａ、５８ｂを配置する。こうすることで、蒸発源５８ａ、５８ｂの蒸気流が重なり合う部分が整流化され、蒸着用基板５４の表面に蒸着するシンチレータ層の結晶性が等方的に均一になるとの効果が得られる。蒸発源５８の数をさらに多くすると、多くの箇所で蒸気流が整流化されるため、より広範囲において、均一な結晶性を有するシンチレータ層を形成することができる。
【００８４】
次いで、真空容器５２の内部を真空排気し、通常１×１０-2〜１０Ｐａ程度、好ましくは１×１０-2〜１Ｐａの中真空にする。具体的には、蒸着装置５１内を排気して１×１０-5〜１×１０-2Ｐａ程度の高真空にした後、アルゴンガス、ネオンガス又は窒素ガス等の不活性ガスを導入して中真空にする。排気装置としては、ロータリーポンプ、ターボ分子ポンプ、クライオポンプ、ディフュージョンポンプ及びメカニカルブースタ等を適宜組み合わせて用いることができる。
【００８５】
その後、支持体回転機構５６により支持体ホルダ５５を蒸発源５８ａ、５８ｂに対して回転させ、加熱した蒸発源５８ａ、５８ｂから蛍光体材料を蒸発させて、蒸着用基板５４の表面にシンチレータ層を所望の厚さまで形成させる。蒸着用基板５４の表面に蛍光体材料を蒸着させる工程を複数回に分けて行って、前記シンチレータ層を形成させてもよい。なお、これにより、蒸着装置５１内の水分圧や酸素分圧等を調節することができる。
【００８６】
蒸着時、必要に応じて、蒸着用基板５４を冷却又は加熱してもよいし、必要に応じて、酸素又は水素等のガスを導入しながら蒸着する反応性蒸着を行ってもよい。
蒸着終了後、前記シンチレータ層を加熱処理してもよい。
【００８７】
シンチレータ層の膜厚は、放射線検出器の使用目的により、また、蛍光体材料の種類により異なるが、本発明の効果を得る観点から、通常２０〜１０００μｍ、好ましくは５０〜８００μｍである。
【００８８】
前記シンチレータ層が形成される蒸着用基板４の温度は、通常、室温〜３００℃であり、好ましくは５０〜２５０℃である。
なお、ゴースト消去層を蒸着により形成する場合も、シンチレータ層の形成方法と同様に行う。
【００８９】
蒸着用基板５４上にシンチレータ層を形成した後、必要に応じて、該シンチレータ層を保護するため、保護層を設けることができる。保護層は、保護層用の塗布液をシンチレータ層の表面に直接塗布するか、又はあらかじめ別途形成した保護層を前記シンチレータ層に接着することにより形成する。
【００９０】
前記光電変換素子層は、シンチレータ層に対し、放射線の入射側、反射側、どちらに設置されていても良いが、好ましくは、放射線の入射側に配置されている構成の方が画質の面で有利である。
【実施例】
【００９１】
次に、本発明の実施例を示して本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらによって限定されるものではない。
実施例及び比較例における、用語の意味は下記のとおりである。
【００９２】
＜感度上昇率＞
感度上昇率は、センサーパネルに、管電圧８０ｋＶｐのＸ線を３０Ｒ（レーザーエネルギー１２．８Ｊ）照射したときのセンサーパネルの感度の変化率である。
【００９３】
Ｘ線の照射前後でセンサーパネルの感度が変化しない場合は０％とした。感度上昇率が０％を超える場合はゴーストが生じたことを意味し、感度上昇率が０％であることはゴーストが消去されたことを意味する。
【００９４】
［比較例１］
反射層の形成
平均粒径０．２μｍのルチル型二酸化チタン４０質量部及びポリエステル樹脂１０質量部（バイロン６３０、東洋紡（株）製）に、トルエン２５質量部及びメチルエチルケトン（ＭＥＫ）２５質量部を添加した後、サンドミルにて分散して反射層用塗料を調製した。
【００９５】
この反射層用塗料を厚さ１２５μｍのポリイミドフィルム（ユーピレックス（ＵＰＩＬＥＸ）−１２５Ｓ、宇部興産（株）製）基板上に塗工した後、乾燥させ、膜厚５０μｍの反射層を形成した。
【００９６】
シンチレータ層の形成
図１２に示すように、蛍光体母体化合物としてヨウ化セシウム（ＣｓＩ）を第１の抵抗加熱ルツボに充填し（蒸着源５８ａ）、賦活剤としてヨウ化タリウム（ＴｌＩ）を第２の抵抗加熱ルツボに充填した（蒸着源５８ｂ）。回転可能な支持体ホルダ５５に、前記した反射層を形成した基板（以下この項において「蒸着用基板５４」という。）を設置し、蒸着用基板５４と蒸着源５８ａ、５８ｂとの間隔を４００ｍｍに調節した。
【００９７】
次いで、蒸着装置５１の真空容器５２内部にある空気を一旦排気し、アルゴンガスを導入して蒸着装置５１の真空容器５２内における真空度を０.５Ｐａ（絶対圧）に調整した後、１０ｒｐｍの速度で支持体ホルダ５５と共に蒸着用基板５４を回転させた。そして、蒸着用基板５４の温度を２５℃とし、第１の抵抗加熱ルツボを加熱して蛍光体材料を蒸着用基板５４の反射層側の面に蒸着して、シンチレータ層を構成する部分のうち根元部を３μｍ形成した。なお、蒸着用基板５４の加熱は、支持体ホルダ５５を加熱することにより行った。
【００９８】
このようにして根元部を形成した後、蒸着用基板５４の温度を２００℃とし、第２の抵抗加熱ルツボを加熱することにより、該根元部の上に蛍光体材料をさらに蒸着させて、シンチレータ層を形成した。
【００９９】
このとき、シンチレータ層内の賦活剤濃度が０．３ｍｏｌ％となるように、第２の抵抗加熱ルツボの加熱温度を制御することにより、賦活剤の蒸着速度を調整した。
シンチレータ層の膜厚が４００μｍとなったところで蒸着を終了し、ポリイミド基板上に反射層及びシンチレータ層をこの順に有するシンチレータプレートを得た。
【０１００】
ＴＦＴパネルとの接着
得られたシンチレータプレートのシンチレータ層側の面と、ＴＦＴパネルの表面とを、厚さ３０μｍのホットメルト樹脂で接着し、放射線検出器の構成部分である撮像パネルを得た。
感度上昇率
感度上昇率は６％であった。
【０１０１】
［実施例１］
反射層兼ゴースト消去層の形成
平均粒径３μｍのＢａＦＢｒＩ：Ｅｕ４０質量部及びポリエステル樹脂１０質量部（バイロン６３０：東洋紡（株）製）に、トルエン２５質量部及びメチルエチルケトン（ＭＥＫ）２５質量部を添加した後、サンドミルにて分散して反射層兼ゴースト消去層用塗料を調製した。
この反射層兼ゴースト消去層用塗料を、厚さ１２５μｍのポリイミドフィルム（ＵＰＩＬＥＸ−１２５Ｓ、宇部興産（株）製））基板上に塗工した後、乾燥させ、膜厚５０μｍの反射層兼ゴースト消去層を形成した。
【０１０２】
シンチレータ層の形成
反射層兼ゴースト消去層を形成させた基板を用いたこと以外は、比較例１と同様にして、シンチレータプレートを得た。
ＴＦＴとの接着
実施例１で得られたシンチレータプレートを用いたこと以外は、比較例１と同様にして、図１に示す撮像パネルを得た。
感度上昇率
感度上昇率は０％であった。
【０１０３】
［実施例２］
反射層の形成
比較例１と同様にして反射層を形成した。
ゴースト消去層の形成
図１２に示すように、蛍光体母体化合物としてヨウ化セシウム（ＣｓＩ）を第１の抵抗加熱ルツボに充填し（蒸着源５８ａ）、賦活剤としてユーロピウム（Ｅｕ）を第２の抵抗加熱ルツボに充填した（蒸着源５８ｂ）。回転可能な支持体ホルダ５５に、反射層を形成させた基板（以下この項において「蒸着用基板５４」という。）を設置し、蒸着用基板５４と蒸着源５８ａ、５８ｂとの間隔を４００ｍｍに調節した。
【０１０４】
次いで、蒸着装置５１の真空容器５２内部にある空気を一旦排気し、アルゴンガスを導入して蒸着装置５１の真空容器５２内における真空度を０.５Ｐａ（絶対圧）に調整した後、１０ｒｐｍの速度で支持体ホルダ５５と共に蒸着用基板５４を回転させた。そして、蒸着用基板５４の温度を２５℃とし、第１の抵抗加熱ルツボを加熱して蛍光体材料を蒸着用基板５４の反射層側の面に蒸着して、ゴースト消去層を構成する部分のうち根元部を３μｍ形成した。
【０１０５】
このようにして根元部を形成した後、蒸着用基板５４の温度を２００℃とし、第２の抵抗加熱ルツボを加熱することにより、該根元部の上に蛍光体材料をさらに蒸着させて、ゴースト消去層を形成した。
【０１０６】
このとき、ゴースト消去層内の賦活剤濃度が０．３ｍｏｌ％となるように第２の抵抗加熱ルツボの加熱温度を制御することで賦活剤の蒸着速度を調整した。
ゴースト消去層の膜厚が５０μｍとなったところで蒸着を終了し、蒸着用基板５４の反射層側の面に所定膜厚のゴースト消去層を形成した。
【０１０７】
シンチレータ層の形成
図１２に示すように、蛍光体母体化合物としてヨウ化セシウム（ＣｓＩ）を第１の抵抗加熱ルツボに充填し（蒸着源５８ａ）、賦活剤としてタリウム（Ｔｌ）を第２の抵抗加熱ルツボに充填した（蒸着源５８ｂ）。
【０１０８】
次いで、蒸着装置５１の真空容器５２内部にある空気を一旦排気し、アルゴンガスを導入して蒸着装置５１の真空容器５２内における真空度を０.５Ｐａ（絶対圧）に調整した後、１０ｒｐｍの速度で支持体ホルダ５５と共に蒸着用基板５４（反射層の上にゴースト消去層を形成させた基板）を回転させた。そして、蒸着用基板５４の温度を２００℃とし、第２の抵抗加熱ルツボを加熱し、蛍光体材料を蒸着用基板５４のゴースト消去層側の面に蒸着させて、シンチレータ層を形成した。
【０１０９】
このとき、シンチレータ層内の賦活剤濃度が０．３ｍｏｌ％となるように、第２の抵抗加熱ルツボの加熱温度を制御することにより、賦活剤の蒸着速度を調整した。
シンチレータ層の膜厚が４００μｍとなったところで蒸着を終了し、蒸着用基板５４のゴースト消去層側の面に所定膜厚のシンチレータ層を有するシンチレータプレートを得た。
【０１１０】
ＴＦＴとの接着
実施例２で得られたシンチレータプレートを用いたこと以外は、比較例１と同様にして、図２に示す撮像パネルを得た。
感度上昇率
感度上昇率は０％であった。
【０１１１】
［実施例３］
反射層の形成
比較例１と同様にして反射層を形成した。
ゴースト消去層の形成
平均粒径３μｍのＢａＦＢｒＩ：Ｅｕ４５質量部及びポリエステル樹脂５質量部（バイロン６３０：東洋紡（株）製）に、トルエン２５質量部及びメチルエチルケトン（ＭＥＫ）２５質量部を添加した後、サンドミルにて分散してゴースト消去層用塗料を調製した。
このゴースト消去層用塗料を、反射層の上にさらに塗工した後、乾燥させ、膜厚１０μｍのゴースト消去層を形成した。
【０１１２】
シンチレータ層の形成
ゴースト消去層を形成した基板を用いたこと以外は、比較例１と同様にしてシンチレータプレートを得た。
ＴＦＴとの接着
実施例３で得られたシンチレータプレートを用いたこと以外は、比較例１と同様にして、図３に示す撮像パネルを得た。
感度上昇率
感度上昇率は０％であった。
【０１１３】
［実施例４］
反射層及びシンチレータ層の形成
比較例１と同様にして、ポリイミド基板上に反射層及びシンチレータ層をこの順に有するシンチレータプレートを得た。
ゴースト消去層用膜材料の作製
ホットメルト樹脂５０質量部及び平均粒径３μｍのＢａＦＢｒＩ：Ｅｕ粒子５０質量部を、ホットメルト樹脂の融点以上の温度で混練後、製膜して厚さ３０μｍのゴースト消去層用膜材料を作製した。
【０１１４】
ＴＦＴとの接着
得られたシンチレータプレートとＴＦＴパネルとを、前記ゴースト消去層用膜材料を介して接着し、図４に示す撮像パネルを得た。
感度上昇率
感度上昇率は２％であった。
【０１１５】
［実施例５］
シンチレータ層の形成
ＴＦＴ基板を用いたこと以外は、比較例１と同様にして、シンチレータ層を形成した。
ゴースト消去層兼反射層の形成
実施例１に記載の反射層兼ゴースト消去層用塗料を離型フィルム（製品名：パナピールＮＰ７５Ａ、パナック（株）製）表面に塗工した後、乾燥させ、膜厚５０μｍの反射層兼ゴースト消去層用フィルムを作製した。
この反射層兼ゴースト消去層用フィルムを、シンチレータ層を形成させたＴＦＴ基板のシンチレータ層側の表面に熱転写し、離型フィルムを剥離することで、図５に示す撮像パネルを得た。
感度上昇率
感度上昇率は０％であった。
【０１１６】
［実施例６］
シンチレータ層の形成
図１２に示すように、蛍光体母体化合物としてヨウ化セシウム（ＣｓＩ）を第１の抵抗加熱ルツボに充填し（蒸着源５８ａ）、賦活剤としてタリウム（Ｔｌ）を第２の抵抗加熱ルツボに充填した（蒸着源５８ｂ）。回転可能な支持体ホルダ５５に、蒸着用基板５４としてＴＦＴ基板を設置し、蒸着用基板５４と蒸着源５８ａ、５８ｂとの間隔を４００ｍｍに調節した。
【０１１７】
次いで、蒸着装置５１の真空容器５２内部にある空気を一旦排気し、アルゴンガスを導入して蒸着装置５１の真空容器５２内における真空度を０.５Ｐａ（絶対圧）に調整した後、１０ｒｐｍの速度で支持体ホルダ５５と共に蒸着用基板５４を回転させた。そして、蒸着用基板５４の温度を２５℃とし、第１の抵抗加熱ルツボを加熱して蛍光体材料を蒸着用基板５４であるＴＦＴ基板上に蒸着して、シンチレータ層を構成する部分のうち根元部を３μｍ形成した。
【０１１８】
このようにして根元部を形成した後、蒸着用基板５４の温度を２００℃とし、第２の抵抗加熱ルツボを加熱することにより、該根元部の上に蛍光体材料をさらに蒸着させた。
このとき、シンチレータ層内の賦活剤濃度が０．３ｍｏｌ％となるように第２の抵抗加熱ルツボの加熱温度を制御することで賦活剤の蒸着速度を調整した。
シンチレータ層の膜厚が４００μｍとなったところで蒸着を終了し、蒸着用基板５４であるＴＦＴ基板の表面に所定膜厚のシンチレータ層を有するシンチレータプレートを得た。
【０１１９】
ゴースト消去層の形成
蛍光体母体化合物としてヨウ化セシウム（ＣｓＩ）を第１の抵抗加熱ルツボに充填し（蒸着源５８ａ）、賦活剤としてユーロピウム（Ｅｕ）を第２の抵抗加熱ルツボに充填した（蒸着源５８ｂ）。
【０１２０】
次いで、蒸着装置１の真空容器２内部にある空気を一旦排気し、アルゴンガスを導入して蒸着装置５１の真空容器５２内における真空度を０.５Ｐａ（絶対圧）に調整した後、１０ｒｐｍの速度で支持体ホルダ５と共に蒸着用基板５４（シンチレータ層を形成させたＴＦＴ基板）を回転させた。そして、蒸着用基板５４の温度を２００℃とし、第２の抵抗加熱ルツボを加熱し、蛍光体材料を蒸着用基板５４のシンチレータ層側の面に蒸着させて、シンチレータ層を形成した。
【０１２１】
このとき、シンチレータ層内の賦活剤濃度が０．３ｍｏｌ％となるように第２の抵抗加熱ルツボの加熱温度を制御することで賦活剤の蒸着速度を調整した。
ゴースト消去層の膜厚が５０μｍとなったところで蒸着を終了し、シンチレータ上に所定膜厚のゴースト消去層を形成した。
【０１２２】
反射層の形成
比較例１に記載の反射層用塗料を離型フィルム（製品名：パナピールＮＰ７５Ａ、パナック（株）製）上に塗工した後、乾燥させ、膜厚５０μｍの反射層形成用フィルムを作製した。
シンチレータ層及びゴースト消去層をこの順に形成させたＴＦＴ基板のゴースト消去層の上に、前記反射層形成用フィルムを熱転写し、離型フィルムを剥離して、図６に示す撮像パネルを得た。
感度上昇率
感度上昇率は０％であった。
【０１２３】
［実施例７］
シンチレータ層の形成
ＴＦＴ基板を用いたこと以外は、比較例１と同様にして、シンチレータ層を形成した。
反射層用フィルムの作製
比較例１に記載の反射層用塗料を離型フィルム（製品名：パナピールＮＰ７５Ａ、パナック（株）製）上に塗工した後、乾燥させ、膜厚５０μｍの反射層形成用フィルムを作製した。
【０１２４】
ゴースト消去層の形成
平均粒径３μｍのＢａＦＢｒＩ：Ｅｕ４５質量部及びポリエステル樹脂５質量部（バイロン６３０：東洋紡（株）製）に、トルエン２５質量部及びメチルエチルケトン（ＭＥＫ）２５質量部を添加した後、サンドミルにて分散してゴースト消去層用塗料を調製した。このゴースト消去層用塗料を前記反射層形成用フィルム上に塗工した後、乾燥させ、反射層用フィルム上に膜厚１０μｍのゴースト消去層を形成した。
ＴＦＴ基板上に形成させたシンチレータ層表面にこれを熱転写し、離型フィルムを剥離して、図７に示す撮像パネルを得た。
感度上昇率
感度上昇率は０％であった。
【０１２５】
［実施例８］
ゴースト消去層の形成
平均粒径３μｍのＢａＦＢｒＩ：Ｅｕ４５質量部及びポリエステル樹脂５質量部（バイロン６３０：東洋紡（株）製）に、トルエン２５質量部及びメチルエチルケトン（ＭＥＫ）２５質量部を添加した後、サンドミルにて分散してゴースト消去層用塗料を調製した。
このゴースト消去層用塗料をＴＦＴ基板上に塗工した後、乾燥させ、膜厚１０μｍのゴースト消去層を形成した。
【０１２６】
シンチレータ層の形成
ゴースト消去層を形成させたＴＦＴ基板を用いたこと以外は、比較例１と同様にして、シンチレータ層を形成した。
反射層の形成
比較例１と記載の反射層用塗料を離型フィルム（製品名：パナピールＮＰ７５Ａ、パナック（株）製）上に塗工した後、乾燥させ、膜厚５０μｍの反射層用フィルムを作製した。シンチレータ層表面にこれを熱転写し、離型フィルムを剥離することで、図８に示す撮像パネルを得た。
感度上昇率
感度上昇率は２％であった。
【産業上の利用可能性】
【０１２７】
本発明の放射線検出器は、医療分野に限らず、Ｘ線画像を使用する分野、例えば、非破壊検査等の分野においても利用することができる。
【符号の説明】
【０１２８】
１  ・・・放射線検出器
２  ・・・筐体
２Ａ・・・ハウジング本体部
２Ｂ、２Ｃ・・・蓋部材
３  ・・・シンチレータ層
４  ・・・基板
１５ｂ・・・ゲートドライバ
１６  ・・・ＩＣ
２４  ・・・バッテリ
３１  ・・・基台
３２  ・・・電子部品
３２ａ・・・シグナルインターフェース基板
３２ｂ・・・ゲートインターフェース基板
３２ｃ・・・コントロール基板
３２ｄ・・・電源基板
３３  ・・・ＰＣＢ基板
３６  ・・・緩衝部材
３７  ・・・電源スイッチ
３８  ・・・選択スイッチ
３９  ・・・コネクタ
４０  ・・・インジケータ
７１  ・・・光学補償層
７２  ・・・光電変換素子層
７３  ・・・ゴースト消去層
７４  ・・・下引層
７５  ・・・支持体
７６  ・・・反射層
７７  ・・・ゴースト消去層兼反射層
７８  ・・・蛍光体保護層
７９  ・・・鉛の薄板
５１  ・・・蒸着装置
５２  ・・・真空容器
５３  ・・・真空ポンプ
５４  ・・・蒸着用基板
５５  ・・・支持体ホルダ
５６  ・・・支持体回転機構
５７  ・・・支持体回転軸
５８  ・・・５８ａ、５８ｂ 蒸発源
５９  ・・・シャッタ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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