(57)【要約】【課題】歩留まりの低下が低減された信頼性の高い物理量センサー、この物理量センサーを容易に製造することができ、歩留まりの低下を低減することができる物理量センサーの製造方法、かかる物理用センサーを備えた電子機器および移動体を提供すること。【解決手段】物理量センサー１は、支持基板２と、支持基板２に搭載された加速度検出素子３と、支持基板２に接合され、加速度検出素子３を封止するための封止基板５と、を有し、封止基板５には、支持基板２との接合面５３１に隣接する切欠きが形成されており、切欠きには、封止基板５を構成する材料とは異なる材料で構成されている充填材７が設けられている。【選択図】図３
2016095143.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持基板と、
前記支持基板に搭載されたセンサー素子と、
前記支持基板に接合され、前記センサー素子を封止するための封止基板と、を有し、
前記支持基板および前記封止基板のうちの少なくとも一方には、前記支持基板および前
記封止基板の接合面に隣接する切欠きが形成されており、
前記切欠きには、前記封止基板を構成する材料とは異なる材料で構成されている充填材
が設けられていることを特徴とする物理量センサー。
【請求項２】
前記充填材は、低融点ガラス材料を含んでいる請求項１に記載の物理量センサー。
【請求項３】
前記封止基板は、シリコン材料を含んでいる請求項１または２に記載の物理量センサー
。
【請求項４】
前記支持基板は、ガラス材料を含んでいる請求項１ないし３のいずれか１項に記載の物
理量センサー。
【請求項５】
前記切欠きは、前記接合面に対して外側に設けられている請求項１ないし４のいずれか
１項に記載の物理量センサー。
【請求項６】
前記切欠きは、前記封止基板に形成されている請求項１ないし５のいずれか１項に記載
の物理量センサー。
【請求項７】
センサー素子と、前記センサー素子が配置された支持基板の母材と、前記センサー素子
を封止する封止基板の母材と、を用意する工程と、
前記支持基板の母材と、前記封止基板の母材と、を接合して接合体を形成する工程と、
前記接合体を切断する工程と、を含み、
前記用意する工程において用意した前記支持基板の母材および前記封止基板の母材のう
ちの少なくとも一方には、切断する部位に沿って凹部が設けられており、
前記接合体を形成する工程に先立って、前記凹部に前記封止基板の構成材料とは異なる
材料の充填材を設ける工程を含んでいることを特徴とする物理量センサーの製造方法。
【請求項８】
請求項１ないし６のいずれか１項に記載の物理量センサーを備えていることを特徴とす
る電子機器。
【請求項９】
請求項１ないし６のいずれか１項に記載の物理量センサーを備えていることを特徴とす
る移動体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、物理量センサー、物理量センサーの製造方法、電子機器および移動体に関す
るものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、例えば角速度等の物理量を検出する物理量センサーが開発されている。この
ような物理量センサーとして、例えば、特許文献１に記載されているような、素子基板と
、素子基板上に搭載されたＭＥＭＳ素子と、素子基板に接合され、ＭＥＭＳ素子をカバー
するキャップ基板とを備えているＭＥＭＳデバイスを用いることができる。
【０００３】
また、このようなＭＥＭＳデバイスは、素子基板の原料基板に複数のＭＥＭＳ素子を搭
載し、ＭＥＭＳ素子を覆うように素子基板の原料基板にキャップ基板の原料基板を接合し
た後、前記各原料基板を個片化することにより得ることができる。この個片化に際し、特
許文献１では、エッチングにより各原料基板を切断しているが、一般的には、ダイシング
装置を用いて各原料基板は切断される。
【０００４】
しかし、ダイシング装置を用いて個片化すると、従来の構成のＭＥＭＳデバイスでは、
ダイシング時の衝撃により、素子基板とキャップ基板との接合部分でこれらが剥離してし
まうということがあった。その結果、ＭＥＭＳ素子がキャップ基板および素子基板により
封止されていないＭＥＭＳデバイスが生産され易くなることで、ＭＥＭＳデバイスの歩留
まりが低下してしまい、また、剥離が生じていないＭＥＭＳデバイスについても、その信
頼性が低下してしまうという問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１１−２４５５８７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は、歩留まりの低下が低減された信頼性の高い物理量センサー、この物理
用センサーを容易に製造することができ、歩留まりの低下を低減することができる物理量
センサーの製造方法、かかる物理用センサーを備えた電子機器および移動体を提供するこ
とにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の
形態または適用例として実現することが可能である。
【０００８】
［適用例１］
本適用例の物理量センサーは、支持基板と、
前記支持基板に搭載されたセンサー素子と、
前記支持基板に接合され、前記センサー素子を封止するための封止基板と、を有し、
前記支持基板および前記封止基板のうちの少なくとも一方には、前記支持基板および前
記封止基板の接合面に隣接する切欠きが形成されており、
前記切欠きには、前記封止基板を構成する材料とは異なる材料で構成されている充填材
が設けられていることを特徴とする。
【０００９】
これにより、例えば、ダイシングブレードを用いて、平面視で切欠きと重なる位置で支
持基板および封止基板を一括して切断することにより物理量センサーの外形を形成する際
、切欠きが設けられていることで、支持基板と封止基板の接合面にダイシングブレードが
直接当たらないようにすることができる。これにより、切断により生じる衝撃が接合面に
加わることを回避することができる。また、充填材により切欠きを保護することができる
。このようなことから、支持基板と封止基板とが剥離することを低減することができる。
このため、支持基板および封止基板によってセンサー素子が封止された信頼性の高い物理
量センサーを高い歩留まりで得ることができる。
【００１０】
また、支持基板および封止基板の接合面に隣接する切欠きに充填材が設けられているこ
とで、接合面における支持基板と封止基板との接合を補強することができる。
【００１１】
［適用例２］
本適用例の物理量センサーでは、前記充填材は、低融点ガラス材料を含んでいることが
好ましい。
【００１２】
これにより、充填材が、支持基板と封止基板とを接着する接着材として機能するので、
支持基板と封止基板とをより強固に接合することができる。
【００１３】
［適用例３］
本適用例の物理量センサーでは、前記封止基板は、シリコン材料を含んでいることが好
ましい。
【００１４】
これにより、例えば支持基板がガラス材料で構成されている場合、支持基板と封止基板
とを陽極接合により接合することができるので、これらをより強固に接合することができ
る。そのため、支持基板と封止基板とにより形成される収納空間内の気密性をより高くす
ることができる。
【００１５】
［適用例４］
本適用例の物理量センサーでは、前記支持基板は、ガラス材料を含んでいることが好ま
しい。
【００１６】
これにより、例えば封止基板がシリコン材料で構成されている場合、支持基板と封止基
板とを陽極接合により接合することができるので、これらをより強固に接合することがで
きる。そのため、支持基板と封止基板とにより形成される収納空間内の気密性をより高く
することができる。
【００１７】
［適用例５］
本適用例の物理量センサーでは、前記切欠きは、前記接合面に対して外側に設けられて
いることが好ましい。
【００１８】
このように、平面視において、センサー素子を取り囲む支持基板と封止基板の接合面の
外側に切欠きが設けられていることで、例えば、ダイシングブレードを用いて平面視で切
欠きと重なる位置で支持基板および封止基板を一括して切断することにより物理量センサ
ーの外形を形成する際、支持基板と封止基板の接合面にダイシングブレードが当たること
をより効果的に回避することができる。これにより、切断により生じる衝撃によって、支
持基板と封止基板とが接合面で剥離することをより低減することができる。
【００１９】
［適用例６］
本適用例の物理量センサーでは、前記切欠きは、前記封止基板に形成されていることが
好ましい。
【００２０】
これにより、例えば、封止基板側から支持基板側に向かって支持基板および封止基板を
一括して切断する際、先に切断される封止基板側に切欠きが設けられていることで、封止
基板と支持基板とが接合面で剥離することをさらに低減することができる。
【００２１】
［適用例７］
本適用例の物理量センサーの製造方法は、センサー素子と、前記センサー素子が配置さ
れた支持基板の母材と、前記センサー素子を封止する封止基板の母材と、を用意する工程
と、
前記支持基板の母材と、前記封止基板の母材と、を接合して接合体を形成する工程と、
前記接合体を切断する工程と、を含み、
前記用意する工程において用意した前記支持基板の母材および前記封止基板の母材のう
ちの少なくとも一方には、切断する部位に沿って凹部が設けられており、
前記接合体を形成する工程に先立って、前記凹部に前記封止基板の構成材料とは異なる
材料の充填材を設ける工程を含んでいることを特徴とする。
【００２２】
これにより、例えばダイシングブレードにより、接合体の平面視で凹部と重なるように
接合体を切断する際、凹部が設けられていることで、ダイシングブレードが接合面に直接
当たらないようにすることができる。これにより、切断により生じる衝撃が接合面に加わ
ることを回避することができる。また、充填材が設けられていることで、凹部を切断する
ことで得られた切欠きを保護することができる。このようなことから、支持基板と封止基
板とが剥離することを低減することができる。このため、支持基板および封止基板によっ
てセンサー素子が封止された信頼性の高い物理量センサーを高い歩留まりで得ることがで
きる。
【００２３】
［適用例８］
本発明の電子機器は、本発明の物理量センサーを備えていることを特徴とする。
【００２４】
これにより、信頼性の高い電子機器を提供することができる。
【００２５】
［適用例９］
本発明の移動体は、本発明の物理量センサーを備えていることを特徴とする。
【００２６】
これにより、信頼性の高い移動体を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】本発明の第１実施形態に係る物理量センサーを示す平面図である。
【図２】図１に示す加速度検出素子（センサー素子）を示す平面図である。
【図３】図２中のＡ−Ａ線断面図である。
【図４】図２中のＢ−Ｂ線断面図である。
【図５】図３に示す加速度検出素子の部分拡大断面図である。
【図６】図３に示す物理量センサーの製造方法を説明するための図である。
【図７】図３に示す物理量センサーの製造方法を説明するための図である。
【図８】図３に示す物理量センサーの製造方法を説明するための図である。
【図９】図３に示す物理量センサーの製造方法を説明するための図である。
【図１０】図３に示す物理量センサーの製造方法を説明するための図である。
【図１１】本発明の電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピューターの構成を示す斜視図である。
【図１２】本発明の電子機器を適用した携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。
【図１３】本発明の電子機器を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。
【図１４】本発明の移動体の一例を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
以下、本発明の物理量センサー、物理量センサーの製造方法、電子機器および移動体の
好適な実施形態について、添付図面を参照しつつ説明する。
【００２９】
１．物理量センサーおよび物理量センサーの製造方法
図１は、本発明の第１実施形態に係る物理量センサーを示す平面図である。図２は、図
１に示す加速度検出素子（センサー素子）を示す平面図である。図３は、図２中のＡ−Ａ
線断面図である。図４は、図２中のＢ−Ｂ線断面図である。図５は、図３に示す加速度検
出素子の部分拡大断面図である。図６〜図１０は、図３に示す物理量センサーの製造方法
を説明するための図である。
【００３０】
なお、以下では、説明の便宜上、図１、図２中の紙面手前側を「上」、紙面奥側を「下
」、右側を「右」、左側を「左」と言う。また、図１〜図５では、互いに直交する３つの
軸として、Ｘ軸、Ｙ軸およびＺ軸が図示されている。また、以下では、Ｘ軸に平行な方向
を「Ｘ軸方向」、Ｙ軸に平行な方向（左右方向）を「Ｙ軸方向」、Ｚ軸に平行な方向（上
下方向）を「Ｚ軸方向」と言う。
【００３１】
≪物理量センサー≫
図１に示す物理量センサー１は、本発明の物理量センサーの一例であり、Ｘ軸方向を含
む面内方向の加速度を検出することができるセンサーである。この物理量センサー１は、
図１〜図４に示すように、支持基板２と、支持基板２に搭載された加速度検出素子（セン
サー素子）３と、支持基板２上に形成された配線４１、４２、４３および電極４４、４５
、４６を有する導電パターン４と、加速度検出素子３を覆うように支持基板２に接合され
た封止基板５と、を有している。
【００３２】
（支持基板）
支持基板２は、加速度検出素子３を支持する部材である。
【００３３】
図３、図４に示すように、支持基板２は、平面視形状が四角形状をなし、その平面視に
おける中央部に、上面に開口している凹部（開口）２１を有している。凹部２１上には、
加速度検出素子３が設けられており、凹部２１は、加速度検出素子３と支持基板２との接
触を防止するための逃げ部として機能している。
【００３４】
支持基板２は、平板状の底部２５と、底部２５の上面の外縁部に設けられた枠状の側壁
部２６とを有しており、これにより凹部（開口）２１が規定されている。また、図２〜図
４に示すように、側壁部２６の上面には、複数の溝２２、２３、２４が形成されている。
溝２２は、凹部２１の外周に沿って設けられ、その一端が側壁部２６の上面の−Ｘ側の外
縁部に延びている。溝２３は、溝２２の内側で、凹部２１の外周に沿って設けられ、その
一端が側壁部２６の−Ｘ側の外縁部に延びている。溝２４は、側壁部２６の−Ｘ側の外縁
部に直線状に設けられている。
【００３５】
このような支持基板２は、例えばナトリウム（Ｎａ）やカリウム（Ｋ）等のアルカリ金
属イオンを含むガラス材料（例えば、パイレックスガラス（登録商標）のような硼珪酸ガ
ラス）で構成されている。なお、本実施形態では、支持基板２は、アルカリ金属イオンを
含むガラス材料で構成されているが、支持基板２の構成材料はこれに限定されない。支持
基板２の構成材料としては、例えば、セラミック材料やシリコン材料であってもよい。た
だし、後述する加速度検出素子３の構成材料がシリコン材料を主材料としている場合、支
持基板２の構成材料は、アルカリ金属イオンを含むガラス材料を主成分としていることが
好ましい。これにより、支持基板２と加速度検出素子３とを陽極接合することができ、こ
れらをより強固に接合することができる。
【００３６】
（加速度検出素子）
図２に示すように、加速度検出素子３は、固定部３１、３２と、連結部３３、３４と、
可動部３５と、複数の可動電極指３６１を有する可動電極部３６と、複数の第１固定電極
指３７１を有する第１固定電極部３７と、複数の第２固定電極指３８１を有する第２固定
電極部３８とを有している。なお、固定部３１、３２と、連結部３３、３４と、可動部３
５と、可動電極部３６とは、一体的に形成されている。このような加速度検出素子３は、
例えば、リン、ボロン等の不純物がドープされたシリコン基板から形成されている。
【００３７】
固定部３１、３２は、それぞれ、支持基板２の側壁部２６の上面に陽極接合されており
、固定部３１、３２は、平面視において凹部２１を介して互いに対向するように、凹部２
１の外縁近傍に設けられている。これにより、可動部３５、連結部３３、３４および可動
電極部３６は、それぞれ、凹部２１上で支持基板２と接触しないように配置されている。
【００３８】
可動部３５は、Ｘ軸方向に延びた長尺状をなし、固定部３１と固定部３２との間に設け
られている。
【００３９】
連結部３３は可動部３５を固定部３１に連結し、連結部３４は可動部３５を固定部３２
に連結している。このような連結部３３、３４は、それぞれ、Ｘ軸方向に可動部３５を変
位し得るように構成されている。連結部３３は、Ｙ軸方向に蛇行しながらＸ軸方向に延び
る形状をなす２つの梁３３１、３３２で構成されており、連結部３４は、Ｙ軸方向に蛇行
しながらＸ軸方向に延びる形状をなす２つの梁３４１、３４２で構成されている。
【００４０】
可動電極部３６は、可動部３５から延出した複数（本実施形態では１０本）の可動電極
指３６１を有している。これら可動電極指３６１は、それぞれ、可動部３５に接続され、
可動部３５からＹ軸方向（＋Ｙ軸方向または−Ｙ軸方向）に延出した長尺状をなしている
。また、可動電極指３６１は、櫛歯状をなすようにＸ軸方向に一定の間隔で並んでいる。
【００４１】
第１固定電極部３７は、複数（本実施形態では８本）の第１固定電極指３７１を有して
いる。これら第１固定電極指３７１は、それぞれ可動電極指３６１の一方側（−Ｘ方向側
）に配置され、対応する可動電極指３６１に対して間隔を隔てて噛み合う櫛歯状をなすよ
うに並んでいる。このような複数の第１固定電極指３７１は、それぞれ、一方の端部が固
定端として支持基板２の側壁部２６の上面に接合され、他方の端部が自由端として可動部
３５側に延出して凹部２１上に位置している。
【００４２】
第２固定電極部３８は、複数（本実施形態では８本）の第２固定電極指３８１を有して
いる。これら第２固定電極指３８１は、それぞれ可動電極指３６１の他方側（＋Ｘ方向側
）に配置され、対応する可動電極指３６１に対して間隔を隔てて噛み合う櫛歯状をなすよ
うに並んでいる。このような複数の第２固定電極指３８１は、それぞれ、一方の端部が固
定端として支持基板２の側壁部２６の上面に接合され、他方の端部が自由端として可動部
３５側に延出して凹部２１上に位置している。
【００４３】
（導電パターン）
図２に示すように、導電パターン４は、配線４１、４２、４３と、電極４４、４５、４
６とを有している。これら電極４４、４５、４６は、図１に示すように、支持基板２のＸ
軸側の外縁部にて外部に露出して配置されている。
【００４４】
配線４１は、支持基板２に形成された溝２２内に、凹部２１の外周に沿うように設けら
れている。また配線４１は、その一端が側壁部２６の−Ｘ軸側の外縁部に設けられた電極
４４に電気的に接続されている。また、配線４１は、導電性を有する複数の突起（導電性
バンプ）４７を介して複数の第１固定電極指３７１に電気的に接続されている。
【００４５】
配線４２は、支持基板２に形成された溝２３内に、配線４１の内側で、かつ、凹部２１
の外周に沿うように設けられている。また、配線４２は、その一端が側壁部２６の−Ｘ軸
側の外縁部に設けられた電極４５に電気的に接続されている。また、配線４２は、導電性
を有する複数の突起（導電性バンプ）４８を介して複数の第２固定電極指３８１に電気的
に接続されている。
【００４６】
配線４３は、支持基板２に形成された溝２４内に、側壁部２６の−Ｘ軸側の外縁部で直
線状に延びるように設けられている。また配線４３は、その一端部が側壁部２６の−Ｘ軸
側の外縁部に設けられた電極４６に電気的に接続されている。また、配線４３は、導電性
を有する突起（導電性バンプ）４９を介して固定部３１に電気的に接続されている。
【００４７】
なお、配線４１、４２、４３および電極４４、４５、４６の構成材料としては、それぞ
れ、導電性を有するものであれば、特に限定されず、各種電極材料を用いることができる
。例えば、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ等の金属単体またはこれらを含む合金等の金属
が好適に用いられる。
【００４８】
このような構成の導電パターン４は、電極４４と電極４６とにより、第１固定電極部３
７と可動電極部３６との間の静電容量を測定することができる。また、電極４５と電極４
６とにより、第２固定電極部３８と可動電極部３６との間の静電容量を測定することがで
きる。
【００４９】
（封止基板）
図３および図４に示すように、封止基板５は、平面視形状が四角形状をなし、その平面
視における中央部に、下面に開放している凹部５１を有している。この封止基板５が支持
基板２に接合されることにより、凹部５１と凹部２１とで加速度検出素子３を収納する収
納空間Ｓが形成されている。このように封止基板５が支持基板２に接合されるにより、収
納空間Ｓ内で加速度検出素子３を気密的に封止し、これにより、収納空間Ｓ内に外部から
の埃や水分等が侵入することを防止している。
【００５０】
このような封止基板５は、例えば、表面の面方位が（１００）面の単結晶シリコン基板
で構成されており、封止基板５と支持基板２とは、陽極接合法により接合されている。こ
のように封止基板５と支持基板２とが陽極接合されていることで、支持基板２と封止基板
５とをより強固に接合することができる。このため、収納空間Ｓ内のより高い気密性を確
保することができる。
【００５１】
なお、本実施形態では、封止基板５は、前述したように単結晶シリコン基板で構成され
ているが、封止基板５の構成材料はこれに限定されない。封止基板５の構成材料としては
、例えば、セラミック材料やガラス材料等であってもよい。ただし、支持基板２がアルカ
リ金属イオンを含むガラス材料で構成されている場合、封止基板５の構成材料は、シリコ
ン材料を主材料としていることが好ましい。これにより、前述したように、封止基板５と
支持基板２とを陽極接合することができるので、これらをより強固に接合することができ
る。
【００５２】
また、本実施形態では、封止基板５が支持基板２に接合された状態で、支持基板２に形
成されている溝２２、２３、２４を介して収納空間Ｓの内外が連通されているため、図示
はしないが、例えば樹脂材料や、酸化物等で構成された封止材により溝２２、２３、２４
を塞いでいる。なお、支持基板２に形成された溝の構成や、導電パターン４の構成等によ
っては、前記封止材を用いなくてもよい。
【００５３】
このような封止基板５は、平板状の頂部５２と、頂部５２の下面の外縁部に設けられた
枠状の側壁部５３とを有しており、頂部５２と側壁部５３とで凹部５１が形成されている
。そして、封止基板５と支持基板２との接合は、側壁部５３の下面（第２面）である接合
面５３１と、側壁部２６の上面（第１面）である接合面２６１とでなされている。
【００５４】
より具体的には、図１、図３および図４に示すように、側壁部５３は、Ｘ軸方向に沿っ
て延びる一対の側壁５３ａおよび側壁５３ｂと、側壁５３ａおよび側壁５３ｂの両端を繋
ぎ、Ｙ軸方向に沿って延びる一対の側壁５３ｃおよび側壁５３ｄとを有している。そして
、図１、図３および図４に示すように、側壁５３ａの下面（第２面）である接合面５３１
ａと、側壁５３ｂの下面（第２面）である接合面５３１ｂと、側壁５３ｃの下面（第２面
）である接合面５３１ｃと、側壁５３ｄの下面（第２面）である接合面５３１ｄとが、支
持基板２の接合面２６１に接合している。
【００５５】
このような側壁部５３のうち、支持基板２の電極４４、４５、４６が形成されている側
の側壁５３ｄ以外の３つの側壁５３ａ、５３ｂ、５３ｃには、それぞれ、傾斜面（切欠き
）５３５が形成されている（図１、図５参照）。
【００５６】
側壁５３ａに設けられた傾斜面５３５は、側壁５３ａの外側の下端部に側壁５３ａの長
手方向に沿って設けられ、側壁５３ｂに設けられた傾斜面５３５は、側壁５３ｂの外側の
下端部に側壁５３ｂの長手方向に沿って設けられ、側壁５３ｃに設けられた傾斜面５３５
は、側壁５３ｃの外側の下端部に側壁５３ｃの長手方向に沿って設けられている。
【００５７】
なお、以下に、側壁５３ａ、５３ｂ、５３ｃに設けられた各傾斜面５３５とその周辺の
構成について説明するが、側壁５３ａ、５３ｂ、５３ｃに設けられた各傾斜面５３５およ
びその周辺の構成は同様であるため、側壁５３ａに設けられた傾斜面５３５およびその周
辺の構成について代表して説明する。
【００５８】
図５に示すように、傾斜面５３５は、側壁５３ａの側面と接合面５３１とを繋ぎ、接合
面５３１に対して角度θで傾斜している。なお、本実施形態では、傾斜面５３５の角度θ
は、５４．７°程度である。
【００５９】
ここで、傾斜面５３５と、支持基板２の上面のうち傾斜面５３５と対向（対応）してい
る部分である対向面２６２とで欠損部６が形成されている。
【００６０】
欠損部６には、欠損部６内をほぼ埋めるように充填材７が設けられており、充填材７の
外表面は封止基板５の側面と面一になっている。ただし、欠損部６の傾斜面５３５側には
、若干の隙間６１が存在している。
【００６１】
欠損部６に設けられた充填材７は、対向面２６２と傾斜面５３５とを接着する接着材と
して機能している。このため、充填材７は、接合面５３１と接合面２６１との接合を補強
する補強材として機能している。これにより、支持基板２と封止基板５との接合強度をよ
り高くすることができる。
【００６２】
充填材７の構成材料としては、例えば、金属材料、ガラス材料等が挙げられ、中でもガ
ラス材料であるのが好ましく、特に、低融点ガラス材料であるのが好ましい。これにより
、支持基板２および封止基板５の熱による変形が生じ難い温度で欠損部６に充填材７を充
填させることができ、充填材７によって対向面２６２と傾斜面５３５とをより強固に接合
することができる。
【００６３】
特に、本実施形態のように、支持基板２がアルカリ金属イオンを含むガラス材料で構成
され、封止基板５がシリコン基板で構成されている場合、充填材７が低融点ガラス材料を
主材料として構成されていることで、充填材７によって、傾斜面５３５と対向面２６２と
をより一層強固に接合することができる。ここで、低融点ガラス材料とは、６００℃以下
のガラス転移温度のガラス材料を言う。このような低融点ガラス材料としては、具体的に
は、例えば、ＰｂＯ−ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３や、Ｎａ２Ｏ−Ｐ２Ｏ５−ＳｉＯ２などが挙げ
られる。
【００６４】
以上、物理量センサー１の構成について説明した。このような物理量センサーは、次の
ようにしてＸ軸方向の加速度を検出する。すなわち、Ｘ軸方向の加速度が物理量センサー
１に加わると、このＸ軸方向の加速度の変化に応じて、加速度検出素子３の可動部３５お
よび可動電極指３６１が、連結部３３、３４を弾性変形させながら図２中の矢印ａで示す
ようにＸ軸方向（＋Ｘ軸方向または−Ｘ軸方向）に変位する。このような変位に伴って、
可動電極指３６１と第１固定電極指３７１との間の隙間、および、可動電極指３６１と第
２固定電極指３８１との間の隙間の大きさがそれぞれ変化する。これにより、可動電極部
３６と第１固定電極部３７との間の静電容量の大きさ、および、可動電極部３６と第２固
定電極部３８との間の静電容量の大きさが変化する。これらの静電容量の変化に基づいて
、物理量センサー１に加わったＸ軸方向の加速度を求めることができる。
【００６５】
≪物理量センサーの製造方法≫
次に、物理量センサー１の製造方法（本発明の物理量センサーの製造方法）について説
明する。
【００６６】
物理量センサー１の製造方法は、［１］複数の加速度検出素子３と、支持基板２を形成
するための第１基板２０（支持基板２の母材）と、封止基板５を形成するための第２基板
５０（封止基板５の母材）とを用意する準備工程と、［２］第１基板２０と第２基板５０
とを接合して接合体１０を形成する接合体形成工程と、［３］ダンシングブレードを用い
て接合体１０を切断して個片化する切断工程と、を含む。
【００６７】
［１］準備工程
まず、複数の加速度検出素子３と、第１基板２０と、第２基板５０とを用意する。
【００６８】
この準備工程は、〈１−１〉複数の加速度検出素子３と、第１基板２０とを用意する工
程と、〈１−２〉第２基板５０を用意する工程と、〈１−３〉第２基板５０に充填材７を
配置する工程と、を含む。
【００６９】
〈１−１〉
対向する２つの主面２０１、２０２を有する第１基板２０と、複数の加速度検出素子３
とを用意する。
【００７０】
具体的には、まず、図６（ａ）に示すように、例えばナトリウム（Ｎａ）やカリウム（
Ｋ）等のアルカリ金属イオンを含むガラス基板を用意して、フォトリソグラフィー技法お
よびエッチング技法によりパターニングすることで、ガラス基板に凹部２１と溝２２、２
３を形成する。このとき、図６（ａ）では図示しないが、上記と同様にして溝２４も形成
する。これにより、複数の支持基板２が一体形成された第１基板２０を得ることができる
。
【００７１】
次いで、第１基板２０の主面２０１に金属膜を製膜し、この金属膜をフォトリソグラフ
ィー技法およびエッチング技法によりパターニングすることにより、複数の配線４１、４
２を形成する。このとき、図６（ａ）では図示しないが、上記と同様にして、配線４３お
よび電極４４、４５、４６も形成する。次いで、配線４２上に複数の突起（導電性バンプ
）４８を形成する。このとき、図６（ａ）では図示しないが、配線４１上に複数の突起４
７（導電性バンプ）や、配線４３上に突起（導電性バンプ）４９も形成する。このように
して、第１基板２０上に導電パターン４が形成される。
【００７２】
次に、図６（ｂ）に示すように、第１基板２０の一方の主面２０１にシリコン基板３０
を陽極接合する。なお、シリコン基板３０を陽極接合した後、必要に応じて、例えばＣＭ
Ｐ法、ドライポリッシュ法によりシリコン基板３０を薄肉化してもよい。また、シリコン
基板３０と第１基板２０との接合は、陽極接合に限定されず、例えば接着材を用いた接合
等であってもよい。ただし、シリコン基板３０と第１基板２０とを陽極接合することで、
これらの接合強度をより高くすることができる。
【００７３】
次に、図６（ｃ）に示すように、シリコン基板３０をフォトリソグラフィー技法および
エッチング技法によりパターニングすることで、凹部２１に対応させて加速度検出素子３
を形成する。
【００７４】
このようにして、第１基板２０と、凹部２１に平面視で重なるように第１基板２０上に
配置された複数の加速度検出素子３を得ることができる。
【００７５】
〈１−２〉
次に、支持基板２を形成するための第２基板５０（封止基板５の母材）を用意する。
【００７６】
具体的には、まず、図７（ａ）に示すように、例えば対向する２つの主面５０１および
主面５０２の面方位が（１００）面の単結晶シリコン基板５０’を用意する。
【００７７】
次に、図７（ｂ）に示すように、フォトリソグラフィー技法により、水蒸気雰囲気でシ
リコン基板５０’を１１００℃程度で加熱処理して、シリコン基板５０’の全面に厚さ１
μｍの熱酸化膜（ＳｉＯ２膜）を形成した後、前記熱酸化膜をパターニングする。これに
より、シリコン基板５０’の全面にマスクＭを形成する。このマスクＭは、主面５０１側
で、平面視で、凹部５１と、溝（凹部）５２０とに対応する箇所に開口している。なお、
溝５２０は、後の工程を経て、欠損部６を形成する部分である。
【００７８】
次に、図７（ｃ）に示すように、マスクＭを介してシリコン基板５０’を例えばＫＯＨ
（水酸化カリウム）水溶液等のアルカリ性のエッチング液によりウエットエッチングする
。これにより、シリコン基板５０’に凹部５１と溝５２０とが形成される。その後、例え
ばフッ酸水溶液等によりウエットエッチングすることにより、マスクＭを除去する。これ
により、図８に示すように、複数の封止基板５が一体形成された第２基板５０を得ること
ができる。
【００７９】
図８に示すように、第２基板５０に形成された溝５２０（より具体的には溝５２０の頂
部５２２）は、第２基板５０の平面視にて、第２基板５０の切断予定部５０Ｘと重なるよ
うに形成されている。なお、切断予定部５０Ｘとは、後の切断工程にて、例えばダイシン
グブレードを用いて切断される部分である。
【００８０】
また、溝５２０は、一対（２つ）の傾斜面５３５’で形成されている。一対の傾斜面５
３５’は、その幅Ｌがほぼ等しくなっていて、一対の傾斜面５３５’が接続している部分
が、頂部５２２を構成している。このため、溝５２０の断面形状は、図８に示すように、
三角形（より具体的には二等辺三角形）をなしている。
【００８１】
また、複数の傾斜面５３５’は、それぞれ、第２基板５０の主面５０１に対して角度θ
で傾斜している。角度θは、主面５０１と傾斜面５３５’とのなす角度θであり、本実施
形態では、角度θは、５４．７°程度となっている。
【００８２】
このように傾斜面５３５’が傾斜しているのは、単結晶シリコン基板で構成された第２
基板５０が、その結晶異方性により面方位（１００）よりも面方位（１１１）面のエッチ
ング速度が遅いことに起因している。第２基板５０は、主面５０１の面方位が（１００）
の単結晶シリコン基板で構成されているため、上述したようにウエットエッチング（異方
性エッチング）することにより、主面５０１に対して傾斜した傾斜面５３５’が形成され
る。
【００８３】
また、傾斜面５３５’は、後の工程にて第２基板５０が切断されることで、封止基板５
が有する傾斜面５３５となる。そのため、前記のようにして、主面５０１の面方位が（１
００）である第２基板５０を用い、これをウエットエッチングすることで、主面５０１に
対して傾斜した傾斜面５３５を容易に形成することができる。
〈１−３〉
次に、図９に示すように、第２基板５０に形成された溝５２０に、例えば低融点ガラス
で構成された固体状の充填材７を配置する。このように、次の接合体形成工程の前に、溝
５２０に充填材７を配置しておく。
【００８４】
溝５２０内に配置される充填材７としては、その断面形状が円形状をなすガラス棒を用
いる。なお、充填材７は、その断面形状が円形状のものに限定されず、例えば、断面形状
が、三角形や四角形等の多角形状等であっても構わない。ただし、断面形状が円形状の充
填材７は、入手し易く、また溝５２０内に配置し易く、溝５２０内における安定性に優れ
ているため好ましい。
【００８５】
また、本工程における充填材７は、溝５２０内に収まるサイズのものを用いることが好
ましい。すなわち、充填材７を溝５２０内に配置した状態で、第２基板５０の側面視にて
主面５０１から充填材７が突出しないサイズのものを用いることが好ましい。これにより
、次の［２］接合体形成工程にて、第１基板２０と第２基板５０とを接合したときに、こ
れらの接合の妨げとなること、すなわち、第１基板２０と第２基板５０とが直接接合され
る部分に充填材７が介在することを回避することができる。
【００８６】
以上、準備工程について説明した。なお、前述した説明では、第１基板２０と加速度検
出素子３とを用意した後に、第２基板５０を用意したが、第２基板５０を用意した後に、
第１基板２０と加速度検出素子３を用意してもよいし、これらを同時に用意してもよい。
【００８７】
［２］接合体形成工程
次に、第１基板２０と第２基板５０とを接合して接合体１０を形成する。
【００８８】
具体的には、まず、図１０（ａ）に示すように、１つの凹部２１に１つの凹部５１を対
応させて第１基板２０上に第２基板５０を配置する。これにより、凹部２１と凹部５１と
で形成された空間内に加速度検出素子３が配置され、溝５２０内（より具体的には、主面
２０１と溝５２０とで形成された空間内）に充填材７が配置された状態となる。
【００８９】
次いで、図１０（ｂ）に示すように、第１基板２０の主面２０１と第２基板５０の主面
５０１とを昇温し、所定温度（例えば、４００℃程度）に達したところで、第１基板２０
および第２基板５０の双方に所定の電圧（例えば、８００Ｖ程度）を印加する。これによ
り、第１基板２０および第２基板５０を陽極接合する。その後、第１基板２０および第２
基板５０への電圧の印加を停止し、またこれらを降温する。これにより、第１基板２０と
第２基板５０とは主面２０１と主面５０１とで接合され、これにより、接合面５３１と接
合面２６１とが形成される。
【００９０】
また、前記陽極接合の際の熱により、充填材７は溝５２０内で溶融する。これにより、
充填材７は液体状となって変形し、溝５２０内に濡れ広がる。そして、前記陽極接合後の
降温により、充填材７は溝５２０内で固化する。これにより、充填材７は、溝５２０内で
第１基板２０と第２基板５０とを接着する。なお、溝５２０内の第２基板５０側には若干
の隙間６１’が形成される。
【００９１】
また、図示はしないが、上記のようにして第１基板２０と第２基板５０とを接合した後
、外部に連通している溝２２、２３、２４を例えば樹脂材料等で構成された封止材により
封止する。なお、この溝２２、２３、２４の封止は、第１基板２０や第２基板５０の構成
等によって省略してもよい。
【００９２】
このようにして、図１０（ｂ）に示すような、第１基板２０と第２基板５０とが接合さ
れた接合体１０を得ることができる。
【００９３】
［３］切断工程
次に、図１０（ｃ）に示すように、例えばダイシングブレード８２を用いて第２基板５
０側の主面５０２側から接合体１０を切断して切込み８１を形成する。切込み８１の一部
は、平面視で溝５２０と重なるように形成する。このようにして、接合体１０を個片化す
ることにより、図３に示すような物理量センサー１を得ることができる。
【００９４】
ダイシングブレード８２を用いて接合体１０を切断する際、前述したように、第２基板
５０に溝５２０が設けられているため、平面視で溝５２０と重なるように接合体１０を切
断することにより、ダイシングブレード８２が接合面５３１、２６１に直接当たらないよ
うにすることができる。そのため、切断により生じる衝撃が接合面５３１、２６１に加わ
ることを回避することができる。また、溝５２０内に充填材が設けられていることで、溝
５２０が切断されることにより形成された傾斜面（切欠き）５３５や、接合面５３１、２
６１を充填材によって保護することができる。このようなことから、前記衝撃によって接
合面５３１、２６１の接合強度が低下し、第１基板２０と第２基板５０とが剥離すること
を低減することができる。また、溝５２０内に充填材７が設けられておらず、溝５２０内
が空洞であると、接合体１０を切断する際に第１基板２０や第２基板５０に欠けが生じる
こと、すなわちチッピングが生じ易くなることがあるが、本実施形態では、溝５２０内に
充填材７が設けられているため、チッピングの発生を低減することができる。また、チッ
ピングが生じると、欠けた箇所を基にして接合面５３１、２６１での剥離が生じるおそれ
があるが、本実施形態によれば、このような問題も発生しない。このようなことから、支
持基板２および封止基板５によって加速度検出素子３が封止された信頼性の高い物理量セ
ンサーを高い歩留まりで得ることができる。
【００９５】
また、本実施形態では、溝５２０内には、頂部５２２側に若干の隙間６１’が設けられ
ているが、前記のように、溝５２０内をほぼ埋めるように充填材７が設けられているため
、前述したようなチッピングの発生を低減することができる。なお、接合体１０を切断す
ることにより、隙間６１’から図５に示す隙間６１が得られるが、接合体１０を切断した
後に、隙間６１にさらに充填材７を追加して、隙間６１の全域を充填材７で充填してもよ
い。これにより、支持基板２と封止基板５との接合強度をより高くすることができる。
【００９６】
また、前述したようなダイシングブレード８２を接合面５３１、２６１に直接当たり難
くする観点から、前記準備工程にて、溝５２０は、その幅Ｗがダイシングブレード８２の
幅よりも大きくなるように形成しておくことが好ましい（図８参照）。具体的には、溝５
２０の幅をＷ［μｍ］とし、ダイシングブレード８２の幅をＷ１［μｍ］としたとき、幅
Ｗと幅Ｗ１との関係が、例えば、２００［μｍ］＜Ｗ−Ｗ１＜１０００［μｍ］であるの
が好ましく、１５０［μｍ］＜Ｗ−Ｗ１＜５００［μｍ］であるのがより好ましい。これ
により、ダイシングブレード８２が接合面５３１、２６１に直接接することをより確実に
回避することができる。また、接合面５３１、２６１同士の接合面積が小さくなるのを抑
制することができる。
【００９７】
なお、溝５２０の幅Ｗは、前述したように、ダイシングブレード８２の幅Ｗ１よりも大
きいことが好ましいが、ダイシングブレード８２の幅Ｗ１よりも小さくてもよい。
【００９８】
溝５２０の幅Ｗが、ダイシングブレード８２の幅Ｗ１よりも十分に大きくない場合には
、溝５２０のうちの接合面５３１、２６１とは反対側の部分を切断することにより、第１
基板２０と第２基板５０とが剥離することをより確実に回避することができる。
【００９９】
また、前述したように、接合面５３１と接合面２６１とは陽極接合され、一方、溝５２
０内において、傾斜面５３５’同士は充填材７により接着されている。このように接合面
５３１と接合面２６１とが陽極接合されていることで、接合面５３１と接合面２６１とが
衝撃により剥離することをさらに低減することができる。
【０１００】
また、傾斜面５３５’が、第１基板２０よりも先に切断される第２基板５０側に設けら
れていることで、接合面５３１と接合面２６１とが衝撃により剥離することをさらに低減
することができる。
【０１０１】
また、平面視において（Ｚ軸方向から見て）、加速度検出素子３を取り囲む支持基板２
と封止基板５の接合面５３１、２６１の外側に傾斜面５３５が位置するように、溝５２０
を設けることで、接合面５３１と接合面２６１とが切断時の衝撃により剥離することをさ
らに低減することができる。
【０１０２】
以上、物理量センサー１の製造方法について説明した。なお、前述したように、本実施
形態の物理量センサー１では、封止基板５に傾斜面５３５が設けられていたが、封止基板
５に傾斜面５３５を設けず、代わりに支持基板２に傾斜面が設けられていてもよいし、封
止基板５と支持基板２の双方に、それぞれ傾斜面が設けられていてもよい。これら場合で
も、前述したように、第１基板２０および第２基板５０を切断することによる衝撃によっ
て、第１基板２０および第２基板５０が剥離することを低減することができる。ただし、
前述したように、第１基板２０および第２基板５０のうち切断し始める側の基板（本実施
形態では封止基板５）に傾斜面が設けられていることが好ましい。これにより、接合面５
３１と接合面２６１とが衝撃により剥離することをより効果的に低減することができる。
【０１０３】
また、封止基板５には、３つの傾斜面５３５が設けられていたが、傾斜面５３５の数は
、特に限定されない。また、第２基板５０の溝５２０の数も限定されない。溝５２０は、
第２基板５０を切断する箇所に設けられていればよい。
【０１０４】
また、前述した説明では、切欠きは傾斜面５３５で構成されていたが、切欠きは傾斜し
た面で構成されていなくてもよい。例えば、Ｘ−Ｙ平面に対して平行な面とそれに直交す
る面とで形成されていてもよい。また、前述した説明では、溝（凹部）５２０は、２つの
傾斜面５３５’で形成されていたが、溝（凹部）５２０は、傾斜した面で形成されていな
くてもよい。例えば、溝５２０の断面形状が四角形状をなしていてもよい。このような場
合でも、傾斜面５３５を設けることによる効果と同様の効果を得ることができる。
【０１０５】
２．電子機器
次いで、本発明の物理量センサーを適用した電子機器（本発明の電子機器）について、
図１１〜図１３に基づき、詳細に説明する。
【０１０６】
図１１は、本発明の物理量センサーを備える電子機器を適用したモバイル型（またはノ
ート型）のパーソナルコンピューターの構成を示す斜視図である。この図において、パー
ソナルコンピューター１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、表示
部２０００を備えた表示ユニット１１０６とにより構成され、表示ユニット１１０６は、
本体部１１０４に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。このようなパー
ソナルコンピューター１１００には、フィルター、共振器、基準クロック等として機能す
る物理量センサー１が内蔵されている。
【０１０７】
図１２は、本発明の物理量センサーを備える電子機器を適用した携帯電話機（ＰＨＳも
含む）の構成を示す斜視図である。この図において、携帯電話機１２００は、複数の操作
ボタン１２０２、受話口１２０４および送話口１２０６を備え、操作ボタン１２０２と受
話口１２０４との間には、表示部２０００が配置されている。このような携帯電話機１２
００には、フィルター、共振器等として機能する物理量センサー１が内蔵されている。
【０１０８】
図１３は、本発明の物理量センサーを備える電子機器を適用したディジタルスチルカメ
ラの構成を示す斜視図である。なお、この図には、外部機器との接続についても簡易的に
示されている。ここで、通常のカメラは、被写体の光像により銀塩写真フィルムを感光す
るのに対し、ディジタルスチルカメラ１３００は、被写体の光像をＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ
Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｄｅｖｉｃｅ）などの撮像素子により光電変換して撮像信号（画像信
号）を生成する。
【０１０９】
ディジタルスチルカメラ１３００におけるケース（ボディー）１３０２の背面には、表
示部２０００が設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており
、表示部は、被写体を電子画像として表示するファインダとして機能する。また、ケース
１３０２の正面側（図中裏面側）には、光学レンズ（撮像光学系）やＣＣＤなどを含む受
光ユニット１３０４が設けられている。
【０１１０】
撮影者が表示部に表示された被写体像を確認し、シャッターボタン１３０６を押下する
と、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、メモリー１３０８に転送・格納される。また
、このディジタルスチルカメラ１３００においては、ケース１３０２の側面に、ビデオ信
号出力端子１３１２と、データ通信用の入出力端子１３１４とが設けられている。そして
、図示されるように、ビデオ信号出力端子１３１２にはテレビモニター１４３０が、デ−
タ通信用の入出力端子１３１４にはパーソナルコンピューター１４４０が、それぞれ必要
に応じて接続される。さらに、所定の操作により、メモリー１３０８に格納された撮像信
号が、テレビモニター１４３０や、パーソナルコンピューター１４４０に出力される構成
になっている。このようなディジタルスチルカメラ１３００には、フィルター、共振器等
として機能する物理量センサー１が内蔵されている。
【０１１１】
なお、本発明の物理量センサーを備える電子機器は、図１１のパーソナルコンピュータ
ー（モバイル型パーソナルコンピューター）、図１２の携帯電話機、図１３のディジタル
スチルカメラの他にも、例えば、インクジェット式吐出装置（例えばインクジェットプリ
ンター）、ラップトップ型パーソナルコンピューター、テレビ、ビデオカメラ、ビデオテ
ープレコーダー、カーナビゲーション装置、ページャー、電子手帳（通信機能付も含む）
、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ
電話、防犯用テレビモニター、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、医療機器（例えば電子体温計、
血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡）、魚群探知機、各種測
定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシミュレーター等に
適用することができる。
【０１１２】
３．移動体
次いで、本発明の物理量センサーを適用した移動体（本発明の移動体）について、図１
４に基づき、詳細に説明する。
【０１１３】
図１４は、本発明の移動体を適用した自動車を示す斜視図である。この図において、自
動車１５００は、車体１５０１と、４つの車輪１５０３とを有しており、車体１５０１に
設けられた図示しない動力源（エンジン）によって車輪１５０３を回転させるように構成
されている。
【０１１４】
このような自動車１５００には、物理量センサー１が内蔵されている。物理量センサー
１によれば、車体１５０１の姿勢や移動方向を検出することができる。物理量センサー１
の検出信号は、車体姿勢制御装置１５０２に供給され、車体姿勢制御装置１５０２は、そ
の信号に基づいて車体１５０１の姿勢を検出し、検出結果に応じてサスペンションの硬軟
を制御したり、個々の車輪１５０３のブレーキを制御したりすることができる。
【０１１５】
なお、本発明の物理量センサーを備える移動体は、自動車に限定されず、例えば、オー
トバイ、鉄道等の他の車両、航空機、船舶、宇宙船、二足歩行ロボットやラジコンヘリコ
プター等にも適用可能である。
【０１１６】
以上、本発明の物理量センサー、物理量センサーの製造方法、電子機器および移動体に
ついて図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明は、これに限定されるものではなく
、各部の構成は、同様の機能を有する任意の構成のものに置換することができる。また、
本発明に、他の任意の構成物が付加されていてもよい。また、各実施形態を適宜組み合わ
せてもよい。
【０１１７】
前述した本実施形態では、本発明の物理量センサーが備えるセンサー素子の一例として
加速度検出素子を用いた場合について説明したが、センサー素子としては、特に限定され
ず、例えば、角速度検出素子等にも適用することができる。また、センサー素子としては
、例えば、Ｈ型音叉、二脚音叉、三脚音叉等の種々の角速度検出素子に適用することが可
能である。
【符号の説明】
【０１１８】
１……物理量センサー
１０……接合体
２……支持基板
２１……凹部
２２、２３、２４……溝
２５……底部
２６……側壁部
２６１……接合面
２６２……対向面
２０……第１基板
２０１、２０２……主面
３……加速度検出素子
３１、３２……固定部
３３……連結部
３３１、３３２……梁
３４……連結部
３４１、３４２……梁
３５……可動部
３６……可動電極部
３６１……可動電極指
３７……第１固定電極部
３７１……第１固定電極指
３８……第２固定電極部
３８１……第２固定電極指
３０……シリコン基板
４……導電パターン
４１、４２、４３……配線
４４、４５、４６……電極
４７、４８、４９……突起（導電性バンプ）
５……封止基板
５０Ｘ……切断予定部
５１……凹部
５２……頂部
５２２……頂部
５３……側壁部
５３ａ、５３ｂ、５３ｃ、５３ｄ……側壁
５３１……接合面
５３１ａ、５３１ｂ、５３１ｃ、５３１ｄ……接合面
５３５、５３５’、５３５ａ、５３５ｂ、５３５ｃ……傾斜面
５０……第２基板
５０’……単結晶シリコン基板
５０１、５０２……主面
５２０……溝
６……欠損部
６１……隙間
６１’……隙間
７……充填材
８１……切込み
８２……ダイシングブレード
１１００……パーソナルコンピューター
１１０２……キーボード
１１０４……本体部
１１０６……表示ユニット
１２００……携帯電話機
１２０２……操作ボタン
１２０４……受話口
１２０６……送話口
１３００……ディジタルスチルカメラ
１３０２……ケース
１３０４……受光ユニット
１３０６……シャッターボタン
１３０８……メモリー
１３１２……ビデオ信号出力端子
１３１４……入出力端子
１４３０……テレビモニター
１４４０……パーソナルコンピューター
１５００……自動車
１５０１……車体
１５０２……車体姿勢制御装置
１５０３……車輪
２０００……表示部
ａ……矢印
Ｌ……幅
Ｍ……マスク
Ｓ……収納空間
Ｗ、Ｗ１……幅
θ……角度
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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