(57)【要約】【課題】本発明は、高い導電性および反射防止機能を有する透明導電基材を提供することを主目的とする。【解決手段】本発明は、一方の表面上に凹凸構造部を備える透明樹脂基材と、上記透明樹脂基材の上記凹凸構造部を備える表面上に形成され、少なくとも金属繊維を含む透明導電層とを有し、上記透明導電層の表面は、多数の突起部が反射防止を図る光の波長領域の最短波長以下の周期で形成されていることを特徴とする透明導電基材を提供することにより、上記課題を解決する。【選択図】図１
2016095422.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方の表面上に凹凸構造部を備える透明樹脂基材と、
前記透明樹脂基材の前記凹凸構造部を備える表面上に形成され、少なくとも金属繊維を含む透明導電層と
を有し、
前記透明導電層の表面は、多数の突起部が反射防止を図る光の波長領域の最短波長以下の周期で形成されていること
を特徴とする透明導電基材。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、金属繊維を含む透明導電層を有する透明導電基材に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ＬＣＤ、ＰＤＰ等のディスプレイ、タッチパネル、太陽電池等の透明電極として、透明かつ導電性の薄膜からなる透明導電層が用いられている。この透明導電層を有する透明導電基材としては、透明樹脂基材上に酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）等の金属微粒子からなる透明導電層（以下、単に金属微粒子膜とする場合がある。）を積層したものが用いられてきた。
【０００３】
また、各種デバイスにおいては、外光反射を防止する目的から透明導電基材に反射防止機能を付与することが求められていた。
例えば、表示装置等では、表示画面において光が反射して画像視認性が低下する問題や、表示装置の内部において透明導電基材とこれに隣接する各種部材との間で生じる光反射により、表示画像上に干渉縞、ゴースト像等が発生するといった問題がある。具体的には、有機ＥＬ等の表示装置上に空気層を介してタッチパネルが配置されたタッチパネル付き表示装置においては、タッチパネルと空気層との界面において有機ＥＬ等からの発光光が反射してしまい、画像視認性が低下してしまう。また、太陽電池においては、外光反射により、太陽光の発電効率が低下するといった問題がある。
このため、反射防止膜が設けられた透明導電基材が用いられていた。
【０００４】
反射防止膜としては、例えばモスアイと呼ばれる微細凹凸形状を有する膜が知られており、上記形状により極めて高い反射防止機能を発揮することができる（特許文献１参照）。しかし、例えばタッチパネルセンサとして用いられる透明導電基材では、反射防止膜上に直に透明導電層を形成することで、透明導電基材の設計の自由度を高めることが可能となることから、透明導電層を微細凹凸形状に追従させることが求められている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】国際公開第２０１４−５１０８２号パンフレット
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、透明導電層である金属微粒子膜を微細凹凸面の形状に追従するように形成することは非常に困難である。また、反射防止機能を発揮するための微細凹凸形状は、反射防止を図る光の波長以下の周期で突起部および溝部が形成されているところ、微細凹凸面上に金属微粒子膜を形成すると、金属微粒子により微細凹凸面の表面形状がくずれ、反射防止効果が低減してしまうという問題がある。
【０００７】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、高い導電性および反射防止機能を有する透明導電基材を提供することを主目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するために、本発明は、一方の表面上に凹凸構造部を備える透明樹脂基材と、上記透明樹脂基材の上記凹凸構造部を備える表面上に形成され、少なくとも金属繊維を含む透明導電層とを有し、上記透明導電層の表面は、多数の突起部が反射防止を図る光の波長領域の最短波長以下の周期で形成されていることを特徴とする透明導電基材を提供する。
【０００９】
本発明によれば、凹凸構造部上に金属繊維を含む透明導電層が追従して密着形成されており、上記透明導電層の表面の突起部が、反射防止機能を奏するための所望の周期で形成されていることから、本発明の透明導電基材は、透明導電層による高い導電率を発揮しつつ、凹凸構造部による高い反射防止機能も発揮することが可能となる。
【発明の効果】
【００１０】
本発明においては、高い導電性および反射防止機能を有する透明導電基材を提供することができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の透明導電基材の一例を示す概略断面図である。
【図２】本発明における透明導電層の態様を説明する説明図である。
【図３】本発明の透明導電基材の他の例を示す概略断面図である。
【図４】本発明における凹凸構造部の拡大図である。
【図５】本発明の透明導電基材の他の例を示す概略断面図である。
【図６】本発明の透明導電基材の他の例を示す概略断面図である。
【図７】本発明の透明導電基材の他の例を示す概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
本発明の透明導電基材は、透明導電層の形成位置に応じて２つの態様に大別される。
以下、本発明の透明導電基材の各態様について説明する。
【００１３】
Ａ．第１態様の透明導電基材
本態様の透明導電基材は、一方の表面上に凹凸構造部を備える透明樹脂基材と、上記透明樹脂基材の上記凹凸構造部を備える表面上に形成され、少なくとも金属繊維を含む透明導電層とを有し、上記透明導電層の表面は、多数の突起部が反射防止を図る光の波長領域の最短波長以下の周期で形成されていることを特徴とするものである。
【００１４】
本態様の透明導電基材について、図面を参照しながら説明する。図１は本態様の透明導電基材の一例を示す概略断面図である。図１に例示するように、本態様の透明導電基材１０は、一方の表面上に凹凸構造部３を備える透明樹脂基材１と、透明樹脂基材１の凹凸構造部３を備える表面上を追従するように密着形成された、少なくとも金属繊維１１を含む透明導電層２と、を有するものである。凹凸構造部３および凹凸構造部３上に形成された透明導電層２は、反射防止を図る光の波長領域の最短波長以下の周期で形成された突起部３ａ、および隣接する突起部３ａ間に溝部を有する構造である。
【００１５】
本態様によれば、凹凸構造部上に金属繊維を含む透明導電層が追従して密着形成されており、上記透明導電層の表面の突起部が、反射防止機能を奏するための所望の周期で形成されていることから、本態様の透明導電基材は、透明導電層による高い導電率を発揮しつつ、凹凸構造部による高い反射防止機能も発揮することが可能となる。
【００１６】
また、本態様においては、凹凸構造部の表面上に直接、透明導電層が追従して密着形成されていることから、本態様の透明導電基材をタッチパネルセンサとして用いた場合に、センサー感度を向上させることができる。
【００１７】
以下、本態様の透明導電基材の構成について説明する。
【００１８】
１．透明導電層
本態様における透明導電層は、透明樹脂基材の凹凸構造部を備える表面上に形成され、少なくとも金属繊維を含むものである。また、上記透明導電層の表面は、多数の突起部が反射防止を図る光の波長領域の最短波長以下の周期で形成されている。
本態様における透明導電層は、上記凹凸構造部に追従して密着していることから、透明導電層の表面に有する突起部とは、すなわち透明導電層が上記凹凸構造部の突起部に追従して成る部分である。
【００１９】
金属微粒子を含む透明導電層は、所望の導電性を発揮するために厚膜となりやすく、また、脆弱性や透明樹脂基材から剥離しやすいといった特長がある。このため、フレキシブル性が要求される用途には適さない。
これに対し、金属繊維を含む透明導電層は、薄膜であっても高い導電性を発揮することができ、且つ、金属微粒子等から形成される透明導電層と比較して高い屈曲性を示すことができる。また、金属繊維を含む透明導電層は、凹凸構造部に追従して密着させることができ、均一な膜厚で凹凸構造部上に形成することができる。
【００２０】
（１）金属繊維
透明導電層における金属繊維としては、例えば、金属ナノワイヤ、金属マイクロワイヤ、金属ナノチューブ、金属マイクロチューブ等が挙げられる。中でも、透明性および導電性に優れることから、金属ナノワイヤが好ましい。
【００２１】
金属繊維を構成する材料としては、例えば、金属、合金、金属酸化物が挙げられる。具体的には、銀、銅、金、白金、ニッケル、パラジウム、ロジウム、イリジウム、ルテニウム、オスミウム、鉄、コバルト、錫、マンガン、モリブデン、タングステン、ニオブ、タンタル、チタン、ビスマス、アンチモン、鉛、アルミニウムまたはこれらの合金等が挙げられる。また、ＺｎＯ等も挙げられる。金属繊維は、１種単独で用いてもよく２種以上を混合して用いてもよい。
【００２２】
また、金属ナノワイヤおよび金属マイクロワイヤはコアシェル構造を有するものであってもよい。例えば、銀をコア、金や白金をシェルとするものを挙げることができる。この場合、銀が金または白金で覆われているため、銀の酸化を抑制することができ、良好な導電性を得ることができる。シェルとして用いられる金属材料としては、上述した金、白金の他にパラジウムや銅等が挙げられる。
さらに、金属繊維を構成する金属の種類にもよるが、金属繊維の表面は酸化されていてもよい。
【００２３】
金属繊維の平均直径としては、金属繊維の形態や透明導電基材の用途等に応じて適宜調整され、例えば０．１ｎｍ〜１ｍｍの範囲内、中でも０．１ｎｍ〜１００μｍの範囲内であることが好ましい。金属ナノワイヤの場合、平均直径は１ｎｍ〜１００ｎｍの範囲内であることが好ましく、中でも１０ｎｍ〜８０ｎｍの範囲内、特に２０ｎｍ〜６０ｎｍの範囲内、さらには４０ｎｍ〜６０ｎｍの範囲内であることが好ましい。金属繊維の直径が上記範囲内であれば、導電性および透明性を確保することができる。
【００２４】
また、金属繊維の平均長さとしては、金属繊維の平均直径よりも十分に大きければよく、金属繊維の形態や透明導電基材の用途等に応じて適宜調整される。金属ナノワイヤの場合、平均長さは５０ｎｍ〜１０００μｍの範囲内であることが好ましく、中でも５０ｎｍ〜５００μｍの範囲内であることが好ましい。金属繊維の長さが長ければ、１本の金属繊維で長い導電パスを形成することができる。
【００２５】
また、金属繊維はアスペクト比（金属繊維の長さ／金属繊維の直径）が大きいことが好ましい。アスペクト比を大きくすることで、効果的に金属繊維同士の接点を形成することが可能となると共に、透明導電層が高透明性且つ低ヘイズ値を示すことが可能となるからである。
具体的なアスペクト比としては、金属繊維の種類にもよるが、例えば金属ナノワイヤであれば１００〜５０００の範囲内が好ましい。金属ナノワイヤのアスペクト比が上記範囲よりも小さい場合は、金属ナノワイヤ同士の接点を効果的に形成することができず、透明導電層が高い表面抵抗率を示すこととなる。さらに、透明導電層の光吸収および反射成分が大きくなるため、光透過性が低下する傾向となる。一方、金属ナノワイヤのアスペクト比が上記範囲よりも大きい場合、金属ナノワイヤの精製に時間がかかるため生産性に乏しく、また、透明導電層を形成するために金属ナノワイヤを含む液を塗工する際に、ダイヘッド等の吐出口にて詰まりが発生しやすくなるからである。
【００２６】
ここで、金属繊維の直径および長さ、ならびにアスペクト比は、例えば透過型電子顕微鏡を用いて測定することができる。
【００２７】
金属繊維の製造方法としては、公知の方法であればよく特に限定されるものではない。
【００２８】
透明導電層における金属繊維の含有量としては、透明導電層が所望の導電性を発揮することができる量であればよく、金属繊維の種類や透明導電層の形態、透明導電基材の用途等に応じて適宜決定することができ、特に限定されない。具体的には、透明導電層中の金属繊維の含有量が５０質量％〜９５質量％の範囲内、中でも６０質量％〜９０質量％の範囲内、特に７０質量％〜８５質量％の範囲内であることが好ましい。透明導電層における金属繊維の含有量を上述した範囲内とすることにより、透明導電層の透明性および導電性を良好なものとすることができるからである。
【００２９】
（２）任意の材料
本態様における透明導電層は、金属繊維の他に必要に応じて任意の材料を含んでいてもよい。以下、任意の材料について説明する。
【００３０】
（ａ）樹脂
上記透明導電層は樹脂を含んでいても良い。樹脂としては、絶縁性を有し、金属繊維同士を結着させるバインダとして機能するものであれば特に限定されるものではなく、例えば熱硬化性樹脂、紫外線硬化性樹脂、電子線硬化性樹脂等の硬化性樹脂や、熱可塑性樹脂等を挙げることができる。具体的には、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂、フッ素樹脂、エポキシ樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリビニルアルコール樹脂、アクリルウレタン系樹脂、ポリエステルアクリレート系樹脂、エポキシアクリレート系樹脂、ポリオールアクリレート系樹脂、セルロース系樹脂、ポリエステル−メラミン樹脂、エポキシ−メラミン樹脂、メラミン樹脂、フェノール樹脂等が挙げられる。
【００３１】
透明導電層中の樹脂の含有量としては、特に限定されないが、金属繊維１００質量部に対して、樹脂の含有量が１００質量部以下であることが好ましく、中でも５０質量部以下特に３０重量部以下であることが好ましい。金属繊維に対する樹脂の含有量が上記範囲よりも大きいと、上記樹脂は絶縁性を示すことから電気抵抗が高くなり、本態様の透明導電基材の導電性を低下させる場合がある。
【００３２】
（ｂ）その他の任意材料
上記透明導電層は、例えば、界面活性剤、分散剤、増粘剤、導電剤、安定剤、酸化防止剤、粘度調整剤等の公知の添加剤を含んでいてもよい。
【００３３】
（３）その他
透明導電層は、透明樹脂基材の凹凸構造部に追従して密着形成されており、その膜厚は、凹凸構造部の突起部上または溝部上に因らず均一となることが好ましい。
透明導電層の厚さとしては、所望の導電性を発揮することが可能な大きさであればよく、例えば１０ｎｍ〜３００ｎｍの範囲内、中でも３０ｎｍ〜１５０ｎｍの範囲内、特に５０ｎｍ〜１００ｎｍの範囲内であることが好ましい。透明導電層の厚さが上記範囲よりも小さいと、導通が取り難く、製造も困難になる場合があり、一方、透明導電層の厚さが上記範囲よりも大きいと、凹凸構造部による反射防止機能が低下する場合があるからである。
なお、透明導電層の厚さとは、凹凸構造部と透明導電層との界面から透明導電層の表面までの長さの平均値をいう。
【００３４】
また、透明導電層は透明樹脂基材の凹凸構造部に追従して密着形成されていることから、透明導電層の表面は、多数の突起部が反射防止を図る光の波長領域の最短波長以下の周期で形成されている。透明導電層の表面に有する突起部の周期については、後述する凹凸構造部の突起部の周期と同様であるためここでの説明は省略する。
【００３５】
透明導電層の表面抵抗率としては、透明導電基材に求められる導電性に応じて設定することができるが、１０Ω／□〜５００Ω/□の範囲内が好ましく、中でも２５Ω／□〜４００Ω／□の範囲内、特に５０Ω／□〜３００Ω／□の範囲内が好ましい。なお、表面抵抗率は、例えば（株）三菱化学アナリテック社製の抵抗率計ロレスタ「ＡＸ ＭＣＰ−Ｔ３７０型」を用いて測定することができる。
【００３６】
透明導電層は、凹凸構造部に追従して密着されていればよく、凹凸構造部の表面全体に形成されていてもよく、凹凸構造部の表面上にパターン状に形成されていてもよい。また、透明導電層は、図２（ａ）で例示するように、金属繊維１１の表面が露出した状態で接点を形成して成る層であってもよく、図２（ｂ）で例示するように、任意の材料である樹脂からなる層１２内に金属繊維１１同士が接点を形成して存在する層であってもよい。なお、図２は本発明における透明導電層の態様を説明する説明図であり、図２において説明しない符号については図１と同様とする。
【００３７】
２．透明樹脂基材
本態様における透明樹脂基材は、一方の表面上に凹凸構造部を備える。また、上記凹凸構造部は、多数の突起部が反射防止を図る光の波長領域の最短波長以下の周期で形成されている。
本態様における透明樹脂基材は、フレキシブル性を有していてもよく、有していなくてもよいが、フレキシブル性を有していることが好ましい。透明導電層がフレキシブル性を有することから、透明導電基材全体にフレキシブル性を付与することができるからである。
また、凹凸構造部は透明樹脂基材の一の表面上の全域に形成されていることが好ましい。
【００３８】
本態様における透明樹脂基材は、透明樹脂基材の一方の表面上に凹凸構造部を備えることから、図１で示すように透明樹脂基材１の表面が凹凸構造部３に成形された態様（第１態様）であってもよく、図３で示すように透明樹脂基材１が、支持層４上に別層として凹凸構造部３を有する凹凸構造層５が積層された積層構造から成る態様（第２態様）であってもよい。
中でも透明樹脂基材が第１態様であることが好ましい。透明樹脂基材と凹凸構造部とが一体となっているため界面が生じないため、上記界面における反射の発生を防止することができる。
以下、透明樹脂基材の各態様について説明する。
【００３９】
（１）第１態様の透明樹脂基材
本態様は、透明樹脂基材の表面が凹凸構造部に成形された態様である。
【００４０】
（ａ）凹凸構造部
本態様における凹凸構造部は、多数の突起部が反射防止を図る光の波長領域の最短波長以下の周期で形成されているものである。
【００４１】
本態様における凹凸構造部について、図を参照して説明する。図４は本態様における凹凸構造部の拡大図である。図４で示すように、凹凸構造部３は、多数の微細な突起部３ａが反射防止を図る光の波長領域の最短波長以下の周期で形成され、隣接する突起部３ａ間に溝部３ｂが形成された構造を有する。このような構造は、一般に「モスアイ構造」と呼ばれるのであり、凹凸構造部により厚み方向に徐々に屈折率を変化させることで、モスアイ構造の原理により広い波長領域で光の反射が低減する。
【００４２】
突起部は、図４で示すように、突起部の底部から頂部に向かうに従って、水平断面の断面積が徐々に小さくなる形状を有し、いわゆるテーパー形状を有するものである。
ここで、突起部の底部から頂部に向かうに従って、水平断面の断面積が徐々に小さくなるとは、突起部の高さ方向と直交する水平面で切断したと仮定したときの水平断面内における突起部の断面積占有率が、突起部の底部から頂部に近づくに従い連続的に漸次減少することをいい、すなわち突起部が先細りとなることをいう。
突起部がこのような形状を有することで、凹凸構造部と外界（例えば空気層）との間で生じる急激で不連続な屈折率変化を、連続的で漸次変化する屈折率変化に変えることが可能となる。光の反射は、物質界面の急激で不連続な屈折率変化によって生じる現象であるから、凹凸構造部表面における屈折率変化を、空間的に連続的に変化させることにより、本発明の透明導電基材の表面における光反射を低減することができる。
【００４３】
突起部の形状の具体例としては、半円状、半楕円状、三角形状、放物状、釣鐘状等の垂直断面形状を有するものが挙げられる。複数の突起部は、同一の形状を有していてもよく異なる形状を有していてもよい。
また、突起部の一部は、頂部を複数有する形状（以下、「多峰形状」と称する場合がある。）であってもよい。多峰形状の突起部を含むことにより、凹凸構造部における突起部に高低差が生じるため、反射防止機能が広帯域化され、白色光のような多波長の混在する光や、広帯域スペクトルを持つ光に対して、全スペクトル帯域で低反射化を図ることが可能となるからである。
【００４４】
突起部は、反射防止を図る光の波長領域の最短波長以下の周期で形成されていればよいことから、凹凸構造部の平面視上において規則的に配置されていてもよく、不規則に配置されていてもよい。
【００４５】
凹凸構造部における突起部は、図４で示すように隣接する突起部３ａの間隔ｄ（以下、隣接突起部間距離ｄとする。）が、反射防止を図る光の波長領域の最短波長Λｍｉｎ以下（ｄ≦Λｍｉｎ）以下となるように密接して配置される。ここで、「反射防止を図る光」とは、本態様の透明導電基材の用途に応じて選択することができ、例えは本態様の透明導電基材を表示装置に用いる場合は、可視光領域３８０ｎｍ〜７８０ｎｍの光が「反射防止を図る光」となる。
すなわち、凹凸構造部において高さが同じ突起部が一定周期で規則正しく配置されている場合、可視光領域の光の反射を防止するには、最短波長Λｍｉｎが可視光領域の最短波長である３８０ｎｍに設定されることから、隣接突起部間距離ｄが３８０ｎｍ以下、ばらつきを考慮して１００ｎｍ〜３００ｎｍの範囲内であることが好ましい。なお、隣接突起部間距離ｄとは、図４に示すように、隣接する突起部３ａの頂部から頂部までの距離をいう。このとき、隣接突起部間距離の平均値ｄＡＶＧについても、上記範囲内となることが好ましい。
【００４６】
この隣接突起部間距離ｄに係る隣接する突起部３ａとは、突起部３ａの付け部分が接している、いわゆる隣り合う突起部３ａである。突起部３ａが密接して配置されることにより、隣接する突起部３ａ間の溝部を順次辿るようにして線分を作成すると、平面視において各突起部３ａを囲む多角形状領域を多数連結してなる網目状の模様が作製されることになる。隣接突起部間距離ｄに係る隣接する突起部３ａは、この網目状の模様を構成する一部の線分を共有するものである。
【００４７】
なお、突起部３ａに関して、より詳細に以下のように定義される。モスアイ構造による反射防止機能は、凹凸構造部表面とこれに隣接する媒質との界面における有効屈折率を、厚み方向に連続的に変化させて反射防止を図るものであることから、突起部３ａに関しては一定の条件を満足することが必要である。この条件のうちの１つである隣接突起部間距離ｄに関して、例えば特開昭５０−７００４０号公報、特許第４６３２５８９号公報等に開示されるように、突起部３ａが一定周期で規則正しく配置されている場合、隣接する突起部３ａの隣接突起部間距離ｄは突起部の配列周期Ｐ（ｄ＝Ｐ）となる。
これにより可視光領域の最長波長をλｍａｘ、最短波長をλｍｉｎとした場合に、最低限、最長波長光に対して反射防止機能を発揮するための必要最小限の条件としては、Λｍｉｎ＝λｍａｘであるため、Ｐ≦λｍａｘとなる。また、可視光領域の全波長光に対して反射防止機能を発揮するための必要最小限の条件としては、Λｍｉｎ＝λｍｉｎであるためＰ≦λｍｉｎとなる。
可視光領域において、光の最長波長λｍａｘおよび最短波長λｍｉｎは、λｍａｘ＝７８０ｎｍおよびλｍｉｎ＝３８０ｎｍとされる。したがって、可視光領域の全波長光に対して反射防止機能をより確実に奏し得る好ましい条件としては、ｄ≦３００ｎｍとすることが好ましく、ｄ≦２００ｎｍとすることがより好ましい。
なお反射防止機能の発現および反射率の等方性（低角度依存性）の確保等の理由から、隣接突起部間距離ｄの下限値はｄ≧５０ｎｍが好ましく、中でもｄ≧１００ｎｍが好ましい。
【００４８】
また、凹凸構造部において高さが同じ突起部が一定周期で規則正しく配置されている場合、突起部３ａの高さＨは、本態様の透明導電基材に所望の反射防止機能を付与できる範囲内で適宜調整することができる。具体的には、本態様の透明導電基材を表示装置に用いる場合、可視光領域の全波長光に対して反射防止機能を発揮できるという観点から、Ｈ≧０．２×λｍａｘ＝１５６ｎｍ（λｍａｘ＝７８０ｎｍ）であることが好ましい。なお、反射防止効果の点から、突起部の高さの上限としては３５０ｎｍ以下が好ましい。また、突起部の高さの分布としては、５０ｎｍ〜３５０ｎｍの範囲内であることが好ましい。このとき、突起部の高さの平均値ＨＡＶＧについても、上記範囲内となることが好ましい。
このとき、突起部の高さの標準偏差としては、１０ｎｍ〜５０ｎｍの範囲内が好ましく、中でも２０ｎｍ〜４０ｎｍの範囲内が好ましい。突起部の高さの標準偏差を上記範囲内とすることで、凹凸構造部による低散乱化、低反射率化を図ることができるからである。なお、突起部の高さの標準偏差は、後述する方法により算出される。
【００４９】
ここで、隣接突起部間距離ｄおよびその平均値ｄＡＶＧ、ならびに突起部の高さＨおよびその平均値ＨＡＶＧは、以下の方法により測定される。
（１）まず、原子間力顕微鏡（Atomic Force Microscope:AFM）または走査型電子顕微鏡（Scanning Electron Microscope:SEM）を用いて突起部の面内配列（突起部配列の平面視形状）を検出する。
（２）続いて、この求められた面内配列から各突起部の高さの極大点（以下、単に極大点と称する。）を検出する。極大点を求める方法としては、平面視形状と対応する断面形状の拡大写真とを逐次対比して極大点を求める方法、平面視拡大写真の画像処理によって極大点を求める方法等、種々の手法を適用することができる。
（３）次に、検出した極大点を母点とするドロネー図（Delaunary Diagram）を作成する。ここで、ドロネー図とは、各極大点を母点としてボロノイ分割を行った場合に、ボロノイ領域が隣接する母点同士を隣接母点と定義し、各隣接母点同士を線分で結んで得られる３角形の集合体からなる網状図形である。各３角形は、ドロネー３角形と呼ばれ、各３角形の辺（隣接母点同士を結ぶ線分）は、ドロネー線と呼ばれる。
（４）次に、各ドロネー線の線分長の度数分布、すなわち隣接する極大点間の距離（隣接突起部間距離）の度数分布を求める。なお、突起部の頂部に溝状等の凹部が存在する場合や頂部が複数の峰に分裂している場合は、求めた度数分布から、このような突起部の頂部に凹部が存在する構造、頂部が複数の峰に分裂している構造に起因するデータを除去し、突起部本体自体のデータのみを選別して度数分布を作成する。
具体的には、特開２０１４−１１９５３７号公報に開示される方法により、突起部本体自体のデータのみを選別することができる。
（５）このようにして求めた隣接突起部間距離ｄの度数分布から平均値ｄＡＶＧおよび標準偏差σを求める。隣接突起部間距離ｄの最大値ｄｍａｘは、ｄｍａｘ＝ｄＡＶＧ＋２σとなる。
【００５０】
同様の手法を適用して突起部の高さＨの平均値ＨＡＶＧを求める。まず、上述の（２）により求められる極大点から、特定の基準位置からの各極大点位置の相対的な高さの差を取得してヒストグラム化する。突起部の高さを測る際の基準位置は、突起部の付け根位置、すなわち隣接する突起部間の溝部（高さの極小点）とし、上記基準位置の高さを０とする。このヒストグラムによる度数分布から突起部の高さの平均値ＨＡＶＧ、標準偏差σを求める。
突起部の高さの標準偏差は、以下の方法により算出される。すなわち、観測範囲にｎ個の突起部がある場合、それぞれの突起部の高さ（Ｈ１、Ｈ２、…Ｈ（ｎ−１）、Ｈｎ）とし、ｎ個の突起部の高さＨの平均値ＨＡＶＧを下記式（１）により算出し、ｎ個の突起部の高さの標準偏差σ（ｎｍ）を下記式（２）により算出する。
【００５１】
【数１】
2016095422.tif 000003
【００５２】
なお、突起部が多峰形状を有する場合は、頂点を複数有していることにより、１つの突起部に対して複数のデータが混在することになる。そこでこの場合は、麓部が同一の突起部に属するそれぞれ複数の頂点の中から、高さの最も高い頂点を、突起部の高さとして採用して度数分布を求める。
突起部の高さを測る際の基準位置は、上述したように、突起部の付け根位置、すなわち隣接する突起部間の溝部（高さの極小点）を高さ０の基準とする。ただし、溝部の高さ自体が場所によって異なる場合、例えば、各突起部間の溝部を連ねた包絡面が、突起部の隣接突起部間距離に比べて大きな周期でうねった凹凸形状を有する場合等は、（１）まず、透明樹脂基材の凹凸構造部が形成されていない面側から測った各溝部の高さの平均値を、該平均値が収束するに足る面積の中で算出する。（２）次いで、該平均値の高さを有し、かつ透明樹脂基材の凹凸構造部が形成されていない面と平行な面を基準面として考える。（３）その後、該基準面を改めて高さ０として、該基準面からの各突起部の高さを算出する。
なお、後述する第２態様の透明樹脂基材においては、上述の（１）および（２）の「透明樹脂基材の凹凸構造部が形成されていない面」は「支持層の表面または裏面」に換えてもよい。
【００５３】
突起部が不規則に配置されている場合には、隣接突起部間距離ｄは、ばらつきを有することになる。より具体的には、透明樹脂基材の凹凸構造部を有する面または裏面の法線方向から見て平面視した場合に、突起部３ａが一定周期で規則正しく配列されていない場合、突起部３ａの配列周期Ｐによっては隣接突起部間距離ｄを規定することができない。
このような場合、先に説明した隣接突起部間距離の最大値ｄｍａｘは、ｄｍａｘ≦Λｍｉｎであることが好ましい。可視光領域において最長波長光の反射を防止するための必要最小条件は、Λｍｉｎ＝λｍａｘであることからｄｍａｘ≦λｍａｘとなり、また、可視光領域の全域において光の反射を防止するための必要最小条件は、Λｍｉｎ＝λｍｉｎであることから、ｄｍａｘ≦λｍｉｎとなる。そして、可視光領域の全波長光に対して反射防止機能をより確実に発揮するためには、ｄｍａｘ≦３００ｎｍであることが好ましく、中でもｄｍａｘ≦２００ｎｍであることが好ましい。
なお反射防止機能の発現および反射率の等方性（低角度依存性）の確保等の理由から、隣接突起部間距離の最大値ｄｍａｘの下限値としてはｄｍａｘ≧５０ｎｍが好ましく、中でもｄｍａｘ≧１００ｎｍが好ましい。
【００５４】
また、突起部が不規則に配置されている場合における突起部の高さの平均値ＨＡＶＧとしては、本態様の透明導電基材が所望の反射防止機能を発揮できる範囲内で適宜調整することができる。具体的には、本態様の透明導電基材を表示装置に用いる場合、可視光領域の全波長光に対して反射防止機能を発現させる観点から、ＨＡＶＧ≧０．２×λｍａｘ＝１５６ｎｍ（λｍａｘ＝７８０ｎｍ）であることが好ましい。なお、突起部の高さの上限としては、反射防止効果の点から、通常３５０ｎｍ以下とされる。また、突起部の高さの分布は、通常５０ｎｍ〜３５０ｎｍの範囲内である。
【００５５】
突起部のアスペクト比（突起部の高さの平均値ＨＡＶＧ／隣接突起部間距離の平均値ｄＡＶＧ）は、所望の反射防止機能を発現できれば特に限定されないが、０．８〜３．０であることが好ましく、０．８〜２．１であることがより好ましい。
【００５６】
突起部の３６０ｎｍ〜７６０ｎｍの波長領域における入射角５°での正反射率は、０．５％以下であることが好ましく、０．００５％〜０．３％の範囲内であることがより好ましく、０．００５％〜０．１％の範囲内であることがさらに好ましい。
また、上記突起部の３６０ｎｍ〜７６０ｎｍの波長領域におけるヘイズ値は０．１％〜１０％の範囲内であることが好ましい。
突起部の正反射率およびヘイズ値を上記範囲内とすることで、反射防止を図る光の波長領域に対して反射を防止することができ、高い光透過性を維持することが出来る。
なお、本明細書内において、正反射率は、分光光度計(日立ハイテクノロジーズ製  Ｕ−４１００)により測定される値である。また、ヘイズ値は、ヘイズメーター(村上色彩技術研究所：ＨＭ−１５０)を用いてＪＩＳ Ｋ７１３６に準拠した方法により測定される値である。
【００５７】
突起部の単位面積当たりの個数としては、特に限定されず、本態様の透明導電基材が所望の反射防止機能を発揮できる範囲内で適宜調整することができる。上記個数としては、例えば１５個／μｍ２以上、中でも３０個／μｍ２以上で、特に７０個／μｍ２以上であることが好ましい。上記突起部の単位面積当たりの個数が上記範囲に満たないと、ギラツキが発生して反射防止機能が低下する場合があり、また、凹凸構造部の機械強度が低下し、損傷を受けやすくなるからである。
【００５８】
（ｂ）その他
本態様の透明樹脂基材を構成する樹脂としては、所望の光透過性を有し、表面に凹凸構造部を賦型することが可能な樹脂が好ましく、例えば、トリアセチルセルロース等のアセチルセルロース系樹脂、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル系樹脂、ポリエチレンやポリメチルペンテン等のオレフィン系樹脂、アクリル系樹脂、ポリウレタン系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリシロキサン系樹脂、ポリエーテルサルホンやポリカーボネート、ポリスルホン、ポリエーテル、ポリエーテルケトン、アクロニトリル、メタクリロニトリル、シクロオレフィンポリマー、シクロオレフィンコポリマー等を挙げることができる。
【００５９】
本態様の透明樹脂基材は、必要に応じて、重合開始剤、離型剤、光増感剤、酸化防止剤、重合禁止剤、架橋剤、赤外線吸収剤、帯電防止剤、粘度調整剤、密着性向上剤等の添加剤を含有していてもよい。
【００６０】
本態様の透明樹脂基材の厚みとしては、所望の光透過性を有し、表面に凹凸構造部を賦型するに十分な厚さであればよく、本態様の透明導電基材の用途に応じて適宜選択される。具体的には、透明樹脂基材の厚みは２０μｍ〜５３００μｍ程度で設定することができる。
本態様の透明樹脂基材の厚みとは、凹凸構造部のもっとも高い頂部から、凹凸構造部を有する面と対向する面である透明樹脂基材側表面までの透明樹脂基材平面に対する垂線方向の距離を意味する。
【００６１】
（２）第２態様の透明樹脂基材
本態様は、支持層上に別層として凹凸構造部を有する凹凸構造層が積層された積層態様である。
【００６２】
（ａ）凹凸構造層
凹凸構造層における凹凸構造部の形状等については、「（１）第１態様の透明樹脂基材  （ａ）凹凸構造部」の項で説明した内容と同様であるため、ここでの説明は省略する。
【００６３】
凹凸構造層を構成する樹脂としては、所望の凹凸構造部を形成することが可能な樹脂であればよく、電離放射線硬化性樹脂、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂等を使用することができる。中でも凹凸構造部の成形性および機械的強度に優れる点から電離放射線硬化性樹脂が好ましい。なお、電離放射線とは、分子を重合させて硬化させ得るエネルギーを有する電磁波または荷電粒子を意味し、例えば、すべての紫外線（ＵＶ−Ａ、ＵＶ−Ｂ、ＵＶ−Ｃ）、可視光線、ガンマー線、Ｘ線、電子線等が挙げられる。
具体的には、アクリレート系、エポキシ系、ポリエステル系等の電離放射線硬化性樹脂、アクリレート系、ウレタン系、エポキシ系、ポリシロキサン系等の熱硬化性樹脂、アクリレート系、ポリエステル系、ポリカーボネート系、ポリエチレン系、ポリプロピレン系等の熱可塑性樹脂等の各種材料および各種硬化形態の賦型用樹脂を使用することができる。
【００６４】
凹凸構造層は、必要に応じて添加剤を含有していてもよい。具体的には「（１）第１態様の透明樹脂基材」の項で説明した添加剤を含有することができる。
【００６５】
凹凸構造層の厚さとしては、所望の凹凸形状を賦型することが可能な厚さであればよく、例えば、５０ｎｍ〜３００μｍ程度で設定することができる。なお、凹凸構造層の厚さとは、凹凸構造層と支持層との界面から、突起部の最も高い頂部の高さまでの凹凸構造層平面に対する垂線方向の距離の平均を意味する。
【００６６】
（ｂ）支持層
支持層を構成する樹脂としては、上述した「（１）第１態様の透明樹脂基材」の項で説明した透明樹脂基材の樹脂が挙げられる。
【００６７】
支持層は、必要に応じて添加剤を含有していてもよい。具体的には「（１）第１態様の透明樹脂基材」の項で説明した添加剤を含有することができる。
【００６８】
支持層の厚みとしては、所望の光透過性を有し、凹凸構造部を支持することが可能な大きさであれば特に限定されないが、例えば、通常２０μｍ〜５０００μｍの範囲内とすることが好ましい。
【００６９】
（３）その他
透明樹脂基材は、透明導電層との密着性を向上させるために、透明樹脂基材の凹凸構造部上に表面処理が施されていてもよい。表面処理法としては、ＵＶ処理、ＶＵＶ処理、コロナ処理等の一般的な方法を挙げることができる。
【００７０】
透明樹脂基材は透明性を有するものである。ここで、「透明」または「透明性」とは、特段の断りがない限り、本態様の透明導電基材が用いられた製品の使用者が、画面または操作面からの視認を妨げない程度の透明性をいう。したがって、透明は、無色透明および視認性を妨げない程度の有色透明を含み、また厳密な透過率で規定されず、本態様の透明導電基材の用途等に応じて適宜決定することができる。
【００７１】
３．その他
本態様の透明導電基材は、透明樹脂基材および透明導電層の他に、任意の部材を有していてもよい。任意の部材としては、例えば、透明導電層を保護する保護層、透明導電層と透明樹脂基材との密着性を向上させるためのプライマー層等が挙げられる。保護層としては、例えば特表２００９―５０５３５８号公報で開示されるマトリクス材等が挙げられる。なお、透明導電層上に保護層が形成される場合、透明導電層の金属繊維が保護層内に包含されていてもよく、さらに金属繊維の一部が保護層の表面から突出していてもよい。
【００７２】
本態様の透明導電基材は、透明導電基材の少なくとも一方の表面の一部に屈曲用溝部を有していてもよい。例えば、図５で示すように、透明導電層２が形成された表面の一部に屈曲用溝部６が形成されることで、屈曲用溝部において透明導電基材の厚さが小さくなるため、上記屈曲用溝部を起点として透明導電基材を容易に屈曲させることが可能となる。中でも、透明樹脂基材上に凹凸構造部を賦型する際に、金型の一部に屈曲用溝部の反転形状を備えることで凹凸構造部と屈曲用溝部とを同時に賦型することが可能であるという製造上の観点から、透明導電基材の透明導電層が形成された表面の一部に屈曲用溝部を有することが好ましい。
【００７３】
屈曲用溝部の大きさとしては、特に限定されないが、平面視上における溝開口の最大幅が０．５μｍ〜２０００μｍ程度、深さが５μｍ〜２００μｍ程度であることが好ましい。
【００７４】
屈曲用溝部の形状としては、屈曲性を付与することが可能な形状であれば特に限定されない。屈曲用溝部の断面形状としては、例えば半円、三角形、四角形、楔形等が挙げられる。また、屈曲用溝部の開口の平面視形状としては、例えば、円、長方形、正方形等の四角形、多角形、三角形等が挙げられる。
【００７５】
本態様の透明導電基材は、３６０ｎｍ〜７６０ｎｍの波長領域における入射角５°での正反射率が、０．００５％〜０．５％の範囲内であることが好ましく、中でも０．０１％〜０．３％の範囲内、特に０．０１５％〜０．２５％の範囲内であることが好ましい。
また、本態様の透明導電基材の３６０ｎｍ〜７６０ｎｍの波長領域におけるヘイズ値は０．１％〜１０％の範囲内であることが好ましい。
本態様の透明導電基材の正反射率およびヘイズ値を上記範囲内とすることで、反射防止を図る光の波長領域に対して反射を防止することができ、且つ、高い光透過性を維持することができる。
【００７６】
本態様の透明導電基材の製造方法としては、透明樹脂基材の表面上に所望の凹凸構造部を付すことができ、かつ上記凹凸構造部上に透明導電層を追従させて密着形成することが可能であれば、特に限定されない。
【００７７】
透明樹脂基材の表面上に凹凸構造部を付す方法としては、透明樹脂基材の態様に応じて適宜選択することができる。例えば第１態様の透明樹脂基材を形成する方法としては、所望の凹凸構造部を賦型することが可能な凹凸転写面を有する金型を用い、透明樹脂基材上に上記金型の凹凸転写面を押圧して賦型する方法、上記金型に透明樹脂基材の樹脂材料を含有する透明樹脂基材形成用組成物を充填し、光や熱により硬化させる方法、透明樹脂基材の表面をエッチングし、所望の凹凸構造部を形成する方法等が挙げられる。
一方、第２態様の透明樹脂基材を形成する方法としては、支持層上に凹凸構造層の樹脂材料を含有する凹凸構造層形成用組成物を塗布し、塗布面に上記金型の凹凸転写面を押圧し、光や熱により塗布層を硬化させる方法等が挙げられる。
【００７８】
透明樹脂基材の凹凸構造部を備える表面上に透明導電層を形成する方法としては、例えば、透明導電層の材料を含む透明導電層形成用組成物を凹凸構造部の表面に塗布し乾燥させる方法、透明樹脂基材上に透明導電層形成用組成物を塗布した状態で賦型し、乾燥させて一括でモスアイ形状を形成する方法等を用いることができる。
透明導電層形成用組成物を塗布する方法は特に限定されず、公知の方法を用いることができる。
【００７９】
透明導電層形成用組成物は、凹凸構造部の表面全体に塗布してもよく、凹凸構造部の表面上にパターン状に塗布してもよい。
また、凹凸構造部の表面全体に透明導電層形成用組成物を塗布し乾燥させた後、得られた透明導電層上にレジストパターンを形成してエッチングする、透明導電層を部分的に引き剥がす、透明導電層をレーザー照射によりパターニングする等の方法により、パターン状の透明導電層としてもよい。
なお、透明導電層のパターン形状およびパターン幅については特に限定されず、一般に透明導電基材上に有する透明電極のパターン形状およびパターン幅と同様とすることができる。
【００８０】
さらに、透明導電層形成用組成物を塗布および乾燥後に、加熱焼成することで、金属材料同士の結着を強固にすることができ、透明導電層の導電性を向上させることができる。
【００８１】
本態様の透明導電基材は、例えばタッチパネルセンサ、液晶表示装置やＥＬ表示装置等の表示装置、電子ペーパー、太陽電池等の各種デバイスに用いることができる。
中でも、凹凸構造部の表面上に直接、透明導電層が追従して密着形成されており、センサー感度を向上させることができるという観点から、タッチパネルセンサに好適に用いることができる。
【００８２】
Ｂ．第２態様の透明導電基材
本態様の透明導電基材は、フレキシブル性を有し、一方の表面上に凹凸構造部を備える透明樹脂基材と、上記透明樹脂基材の上記凹凸構造部を備える表面と対向する表面上に形成され、少なくとも金属繊維を含む透明導電層とを有し、上記凹凸構造部は、多数の突起部が反射防止を図る光の波長領域の最短波長以下の周期で形成されていることを特徴とするものである。
【００８３】
本態様の透明導電基材について、図面を参照しながら説明する。図６は本態様の透明導電基材の一例を示す概略断面図である。
図６に示すように、本態様の透明導電基材１０は、フレキシブル性を有し、一方の表面上に凹凸構造部３を備える透明樹脂基材１と、透明樹脂基材１の凹凸構造部３を備える表面と対向する表面上に形成され、金属繊維を含む透明導電層２とを有する。凹凸構造部３は、多数の突起部３ａが反射防止を図る光の波長領域の最短波長以下の周期で形成されており、隣接する突起部３ａ間には溝部を有する。
【００８４】
図７は本態様の透明導電基材の他の例を示す概略断面図であり、「１．第１態様の透明導電基材」の項で説明した透明樹脂基材が第２態様である場合、すなわち透明樹脂基材１と凹凸構造部３とが一体化されていない透明導電基材の例を示す。なお、図７中の符号は、図３で説明した符号と同様である。
【００８５】
本態様によれば、フレキシブル性を有する透明樹脂基材の一方の表面上には、多数の突起部が反射防止を図る光の波長領域の最短波長以下の周期で形成された凹凸構造部を備えており、上記凹凸構造部を備える表面の対向面上には金属繊維を含む透明導電層が形成されていることから、本態様の透明導電基材は、透明導電層による高い導電率および凹凸構造部による高い反射防止機能を発揮することができる。また、金属繊維を含む透明導電層は屈曲性を有することから、本態様の透明導電基材をフレキシブルなものとすることが可能となる。
【００８６】
本態様の透明導電基材は、透明樹脂基材がフレキシブル性を有し、透明導電層の形成位置が上記透明樹脂基材の上記凹凸構造部を備える表面と対向する表面上であること以外は、第１態様の透明導電基材と同様である。
なお、本態様における透明導電層の厚さとしては、第１態様の透明導電層よりも厚膜にすることができ、例えば１０ｎｍ〜１０．０μｍの範囲内、中でも２０ｎｍ〜５．０μｍの範囲内、特に３０ｎｍ〜１.０μｍの範囲内であることが好ましい。
【００８７】
本態様における透明導電層は、透明樹脂基材の凹凸構造部を備える表面と対向する表面全面に形成されていてもよく、パターン状に形成されていてもよい。透明導電層のパターン形状およびパターン幅については特に限定されず、一般に透明導電基材上に有する透明電極のパターン形状およびパターン幅と同様とすることができる。
本態様における透明導電層の形成方法については、「Ａ．第１態様の透明導電基材」の項で説明した方法と同様とすることができる。
【００８８】
本態様の透明導電基材の各構成およびその他の詳細については「Ａ．第１態様の透明導電基材」の項で説明した内容と同様とすることができる。
【００８９】
本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【実施例】
【００９０】
以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明する。
【００９１】
［実施例］
以下の方法で透明導電基材を得た。
【００９２】
（凹凸構造部転写用原版の作製）
純度９９．５０％の圧延されたアルミニウム板を研磨後、０．０２Ｍシュウ酸水溶液の電解液中で、化成電圧６０Ｖ、２０℃の条件にて１２０秒間、陽極酸化を実施した。次に、第一エッチング処理として、陽極酸化後の電解液で６０秒間エッチング処理を行った。続いて、第二エッチング処理として、１．０Ｍリン酸水溶液で１５０秒間孔径処理を行った。さらに、上記処理を繰り返し、これらを合計５回追加実施した。これにより、アルミニウム基板上に微細な凹凸形状が形成された陽極酸化アルミニウム層が形成された。最後に、フッ素系離型剤を塗布し、余分な離型剤を洗浄することで、凹凸構造部転写用原版を得た。なお、アルミニウム層に形成された微細な凹凸形状は、平均隣接微細孔間距離が２００ｎｍ、平均深さが３００ｎｍで、深さ方向に徐々に孔径が小さくなる多数の微細孔が密に形成された形状であった。
【００９３】
（凹凸構造部を表面に備える透明樹脂基材の作成）
成型材料であるポリカーボネートの材料ペレットを１２０℃にて１０時間、真空乾燥させた後、型の中にて、上述の凹凸構造部転写用原版を押し当てた状態で当材料を１０秒程度２７０℃加熱、１０５０ｋｇｆ／ｃｍ２加圧した後、３０秒程度かけて冷却し硬化させ、凹凸構造部を片面に備える透明樹脂基材を作成した。凹凸構造部の突起部は、平均隣接突起部間距離が２００ｎｍ、平均高さが３００ｎｍであった。
【００９４】
（透明導電層の形成）
得られた透明樹脂基材の凹凸構造部を備える面に、ダイコート法（条件：シムギャップ７５μｍ、ダイヘッド／フィルム間距離１００μｍ、流量１００ｃｃ／ｍｉｎ、搬送速度１０ｍ／ｍｉｎ、テンション１００Ｎ）により、下記組成から成る透明導電層形成用塗工液を塗工した。塗布層を１３０℃で１分間、乾燥炉にて加熱することで、５０ｎｍ〜１００ｎｍ程度の厚みの透明導電層を透明樹脂基材の凹凸構造部上に追従させて密着形成し、透明導電基材のフィルム切片を得た。
＜透明導電層形成用塗工液＞
・金属繊維：銀ナノワイヤ（平均直径３５±１５μｍ、平均長１５μｍ、Ｂｌｕｅｎａｎｏ社製  ＳＬＶ−ＮＷ−３５）  …  ０．３質量部
・樹脂：エチルセルロース（沸点８５℃）  …  ０．０６質量部
・溶媒（下記３種混合溶媒）  …  １００質量部
・１−ブタノール  …  ３０質量部
・シクロヘキサノン  …  ３０質量部
・イソプロピルアルコール（沸点８２℃）  …  ４０質量部
【００９５】
［比較例］
透明樹脂基材の表面に凹凸構造部を設けずに透明導電層を形成したこと以外は実施例１と同様にして透明導電基材のフィルム切片を得た。
【００９６】
［参考例］
凹凸構造部を表面に備える透明樹脂基材を作成後、透明導電層を形成しなかった。
【００９７】
［評価］
実施例および比較例、ならびに参考例で得たフィルム切片について、下記の特性を評価した。
（１）全光線透過率およびヘイズ値
各フィルム切片の全光線透過率およびヘイズ値は、ヘイズメーター(村上色彩技術研究所製  ＨＭ−１５０)を用いて、ＪＩＳ Ｋ７３６１およびＪＩＳ Ｋ７１３６に準拠する方法により測定した。
（２）正反射率
各フィルム切片の測定波長域３６０ｎｍ〜７６０ｎｍ、入射角度５°での正反射成分を、分光光度計(日立ハイテクノロジーズ製  Ｕ−４１００)で測定し、正反射率とした。
結果を表１に示す。
【００９８】
【表１】
2016095422.tif 000004
【００９９】
凹凸構造部上に透明導電層を付与した実施例の透明導電基材では、凹凸構造部上に透明導電層が無い比較例の透明導電基材に比べて、全光線透過率、正反射率、ならびにヘイズ値がそれぞれ大幅に改善し、正反射率は０．３％以下、ヘイズ値は０．３％以下となった。なお、実施例の透明導電基材は、凹凸構造部上に透明導電層を形成していない参考例の透明導電基材と比較して全光線透過率が低く、正反射率が高くなったが、この差分は透明導電層由来による影響であると考えられる。
【符号の説明】
【０１００】
１  …  透明樹脂基材
２  …  透明導電層
３  …  凹凸構造部
３ａ  …  突起部
１０  …  透明導電基材
【図１】
2016095422.tif 000005
【図２】
2016095422.tif 000006
【図３】
2016095422.tif 000007
【図４】
2016095422.tif 000008
【図５】
2016095422.tif 000009
【図６】
2016095422.tif 000010
【図７】
2016095422.tif 000011