(57)【要約】【課題】単結晶基板から層を移動させるための新規な方法を提供する。【解決手段】本発明は、ドナー基板（１）と呼ばれる単結晶基板からレシーバ基板（２）へと層（１１）を移動させるための方法であって、ドナー基板（１）を調達する工程であり、ドナー基板が結晶の第１の方向に配向されたノッチ及び層（１１）を結合している脆弱領域（１０）を有している、工程と、ドナー基板（１）をレシーバ基板（２）上へとボンディングする工程であり、層（１１）に関して脆弱領域（１０）とは反対のドナー基板の主表面（１２）が、ボンディング界面のところにある、工程と、脆弱領域（１０）に沿ってドナー基板（１）を切り離す工程とを含む方法において、ドナー基板（１）が、レシーバ基板（２）にボンディングされる主表面（１２）上に、第２の方向に延びる原子ステップのアレイを有することを特徴とする、方法に関する。【選択図】  図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ドナー基板（１）と呼ばれる単結晶基板からレシーバ基板（２）へと層（１１）を移動させるための方法であって、
前記単結晶ドナー基板（１）を調達する工程であり、前記ドナー基板が結晶の第１の方向に配向されたノッチ及び移動すべき前記層（１１）を結合している脆弱領域（１０）を有している、工程と、
前記単結晶ドナー基板（１）を前記レシーバ基板（２）上へとボンディングする工程であり、前記移動すべき層（１１）に関して前記脆弱領域（１０）とは反対の前記ドナー基板の主表面（１２）が、ボンディング界面のところにある、工程と、
前記脆弱領域（１０）に沿って前記ドナー基板（１）を切り離す工程と、
を含む方法において、
前記ドナー基板（１）が、前記レシーバ基板（２）にボンディングされる前記主表面（１２）上に、前記第１の方向とは異なる前記結晶の第２の方向に本質的に延びる原子ステップのアレイを有していることを特徴とする、方法。
【請求項２】
前記第２の方向の原子の密度が、前記第１の方向よりも大きいことを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ステップが、前記結晶の前記第２の方向において、前記第２の方向に垂直な別の方向と比較して少なくとも２倍の長さを有していることを特徴とする、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
前記移動した層（１１）の厚さが、１５０ｎｍ以上であることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記ドナー基板（１）が、体心立方、面心立方、又はダイアモンド構造を有する結晶格子を有していることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記ドナー基板（１）が、単結晶インゴットのブロックをスライスすることによって得られ、前記スライスが、前記結晶の前記第２の方向だけへの傾斜で行われていることを特徴とする、請求項１〜５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記ブロックの主表面が、＜１００＞の垂直方向を有する面内にあり、前記ノッチが、＜１１０＞方向に対して４５°の角度で配向され、前記スライスは、前記原子ステップが前記＜１１０＞方向に本質的に延びるように＜１１０＞方向だけへの傾斜で行われていることを特徴とする、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記ドナー基板（１）が、シリコンから作られることを特徴とする、請求項１〜７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
基板（２）上に単結晶層（１１）を備える構造であって、前記単結晶層（１１）が前記結晶の第１の方向に配向されたノッチを有している、構造において、前記基板（２）とは反対の前記単結晶層の主表面（１４）が、前記第１の方向とは異なる前記結晶の第２の方向に本質的に延びる原子ステップのアレイを有していることを特徴とする、構造。
【請求項１０】
前記ステップが、前記結晶の前記第２の方向において、前記第２の方向に垂直な別の方向と比較して少なくとも２倍の長さを有していることを特徴とする、請求項９に記載の構造。
【請求項１１】
前記単結晶層（１１）が、体心立方、面心立方、又はダイアモンド構造を有する結晶格子を有していることを特徴とする、請求項９又は１０に記載の構造。
【請求項１２】
前記単結晶層（１１）が、シリコンから作られていることを特徴とする、請求項９〜１１のいずれか一項に記載の構造。
【請求項１３】
前記ノッチが、前記結晶の＜１１０＞方向に対して４５°の角度で配向され、前記原子ステップが、前記＜１１０＞方向に本質的に延びていることを特徴とする、請求項１１又は１２に記載の構造。
【請求項１４】
前記単結晶層（１１）の厚さが、１５０ｎｍ以上であることを特徴とする、請求項９〜１３のいずれか一項に記載の構造。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ドナー基板と呼ばれる単結晶基板からレシーバ基板と呼ばれるもう１つの基板へと層を移動させるための方法、及び上記の方法によって得られた構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
シリコンなどの半導体材料から特に作られた単結晶基板が、マイクロエレクトロニクスの分野では一般に使用されている。
【０００３】
通常、そのような基板は、インゴットから得られている。
【０００４】
より詳しくは、それらの基板の製造は、
結晶のシードから始まるインゴットの成長（シードの方位がインゴットの結晶方位を決定する、例えば、チョクラルスキー（Ｃｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ）法による）、
複数のブロックへのインゴットのスライシング（上記スライシングはインゴットの軸に実質的に垂直な面に沿って行われる）、
各ブロックの周縁部に対するノッチの形成（上記ノッチはブロックの軸方向に延びる）、
複数のウェハへの各ブロックのスライシング（上記スライシングはブロックの軸に実質的に垂直な面に沿って実行される）、
ウェハの仕上げ処理の実施（それぞれの基板を形成するために、ポリシング、クリーニング、及び／又は外周面取り部の形成を特に含む）、
を含む。
【０００５】
そのような単結晶基板の用途は、この基板（そのときには「ドナー基板」と呼ばれる）、から「レシーバ基板」と呼ばれるもう１つの基板への層の移動である。そのような移動のための知られている技術は、スマートカット（Ｓｍａｒｔ  Ｃｕｔ）（商標）法であり、この方法では、ドナー基板への注入によって、移動すべき層を結び付けている脆弱領域が作られ、ドナー基板が、レシーバ基板上へとボンディングされ、レシーバ基板へと上記層を移動させるように、基板が脆弱領域に沿って切り離される。
【０００６】
この移動の後では、レシーバ基板にボンディングされているドナー基板の表面とは反対の移動した層の自由表面は、仕上げ処理工程を必要とする大きな粗さを示している。
【０００７】
実際に、この粗さは、移動した層中に又は上に形成される電子デバイスの性能特性に強い影響を与える。例えば、大きな粗さは、移動した層中に又は上に製造されるトランジスタのしきい値電圧の著しい変動をもたらす。
【０００８】
表面を修復するために、知られている解決策は、様々な仕上げ処理、特に、表面の平滑化を目的とした熱アニーリングを適用することである。
【０００９】
しかしながら、移動した層の粗さは、最適ではなく、移動した層中に又は層上に製造しようとするデバイスの性能特性を向上させるためには小さくする必要がある。
【発明の概要】
【００１０】
本発明の１つの目的は、移動した層の自由表面の粗さを顕著に小さくすることが可能な層移動方法を設計することである。
【００１１】
本発明は、したがって、ドナー基板と呼ばれる単結晶基板からレシーバ基板へと層を移動させるための方法であって、
上記単結晶ドナー基板を調達する工程であり、上記ドナー基板が結晶の第１の方向に配向されたノッチ及び移動すべき層を結合している脆弱領域を有している、工程と、
単結晶ドナー基板をレシーバ基板上へとボンディングする工程であり、移動すべき層に関して脆弱領域とは反対のドナー基板の主表面が、ボンディング界面のところにある、工程と、
脆弱領域に沿ってドナー基板を切り離す工程と
を含む方法を提供する。
【００１２】
本発明によれば、レシーバ基板上へとボンディングされる主表面上に、ドナー基板は、上記第１の方向とは異なる結晶の第２の方向に本質的に延びる原子ステップのアレイを有している。
【００１３】
「原子ステップが結晶の単一方向に本質的に延びる」という句は、言い換えると、原子ステップが、実質的に一次元であり、上記方向におけるステップの長さが直交する方向における上記ステップの長さに対して長い、言い換えると、上記２つの長さ間の比が、２以上であることを意味するように理解すべきである。例えば、シリコン基板のケースでは、一方向に０．６μｍよりも大きい長さ、且つ他方向に０．３μｍよりも小さい長さを有するステップは、実質的に一次元であると考えられる。
【００１４】
この方法によって、ドナー基板がある方向に延びるノッチを有し、その結果上記方向における単結晶ブロックのスライシングの傾斜が基板の表面において二次元ステップを生じる場合に、ドナー基板の表面におけるステップが二次元であるときには、良い結果が、実質的に一次元ステップを有するドナー基板に由来する移動した層の自由表面の修復に関して得られている。
【００１５】
上記第２の方向における原子の密度は、第１の方向よりも大きいことが有利である。
【００１６】
通常、ステップは、結晶の上記第２の方向において、上記第２の方向に垂直な別の方向と比較して少なくとも２倍の長さを有している。
【００１７】
一実施形態によれば、移動した層の厚さは、１５０ｎｍ以上である。
【００１８】
ドナー基板は、体心立方、面心立方、又はダイアモンド構造を有する結晶格子を有していることが好ましい。
【００１９】
一実施形態によれば、ドナー基板は、単結晶インゴットのブロックをスライスすることによって得られ、スライスは、結晶の第２の方向だけへの傾斜で行われている。
【００２０】
例えば、上記ブロックの主表面は、＜１００＞の垂直方向を有する面内にあり、ノッチは、＜１１０＞方向に対して４５°の角度で配向され、スライスは、原子ステップが上記＜１１０＞方向に本質的に延びるように＜１１０＞方向だけへの傾斜で行われている。
【００２１】
好ましい一実施形態によれば、ドナー基板は、シリコンから作られている。
【００２２】
もう１つの主題は、基板上に単結晶層を備える構造であって、単結晶層が結晶の第１の方向に配向されたノッチを有する構造において、基板とは反対の上記単結晶層の主表面が、上記第１の方向とは異なる結晶の第２の方向に本質的に延びる原子ステップのアレイを有していることを特徴とする、構造に関する。
【００２３】
通常、上記ステップは、結晶の上記第２の方向において、上記第２の方向に垂直な別の方向と比較して少なくとも２倍の長さを有している。
【００２４】
一実施形態によれば、単結晶層は、体心立方、面心立方、又はダイアモンド構造の結晶格子を有している。
【００２５】
特定の一実施形態によれば、単結晶層は、シリコンから作られている。
【００２６】
例えば、ノッチは、結晶の＜１１０＞方向に対して４５°の角度で配向され、原子ステップは、上記＜１１０＞方向に本質的に延びている。
【００２７】
一実施形態によれば、単結晶層の厚さは、１５０ｎｍ以上である。
【００２８】
本発明の他の特徴及び利点は、添付した図面を参照して下記の詳細な説明から明らかになるであろう。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】（Ａ）は、結晶の＜１１０＞方向に配向されたノッチを有する（１００）単結晶シリコンのブロックの上面図であり、（Ｂ）は、上記＜１１０＞方向に対して４５°で配向されたノッチを有する（１００）単結晶シリコンのブロックの上面図である。
【図２】（Ａ）は、シリコン基板の表面における一次元ステップの鳥瞰図であり、（Ｂ）は、図２の（Ａ）のステップの断面図である。
【図３】シリコン基板の表面における二次元ステップの鳥瞰図である。
【図４】単結晶ドナー基板からレシーバ基板へと層を移動させるための方法の連続した工程の図である。
【図５】（Ａ）は、２Ｄ（二次元）ステップを示すドナー基板について、平滑化アニールの適用後の移動した層の自由表面の最大凹凸の大きさを示す図であり、（Ｂ）は、１Ｄ（一次元）ステップを示すドナー基板について、平滑化アニールの適用後の移動した層の自由表面の最大凹凸の大きさを示す図である。
【図６】（Ａ）は、２Ｄステップを示すドナー基板について、平滑化アニールの適用後の移動した層の自由表面の粗さの標準偏差を示す図であり、（Ｂ）は、１Ｄステップを示すドナー基板について、平滑化アニールの適用後の移動した層の自由表面の粗さの標準偏差を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
本発明は、単結晶基板の表面における結晶格子のモフォロジ（一次元又は二次元ステップ）と移動した単結晶層の自由表面の修復の品質との間に本発明者らによって確立された関連性を利用している。本明細書において下記に説明するように、単結晶基板の表面上と同じモフォロジが、移動した層の自由表面上で見出されている。しかしながら、本発明者らは、ドナー基板からレシーバ基板への層の移動の後に適用された熱処理プロセス中の単結晶材料の再構成が、移動した層の自由表面のモフォロジに応じて異なる品質を示したことを発見している。これらの熱処理プロセスは、１１００〜１２５０℃付近の温度を含む特に平滑化アニールプロセスである。
【００３１】
インゴットの結晶格子に対するノッチの位置は、移動した層を含む基板のエンドユーザ、言い換えると、一般に移動した層中に又は上に形成されるであろう電子部品の製造業者によって強制的に決められる。
【００３２】
場合によっては、ノッチは、結晶の所与の方向（例えば、（１００）シリコンのケースでは、＜１１０＞方向に）、又は代わりに上記所与の方向に対して４５°だけ向けた方向に配向されてもよい。
【００３３】
ノッチは、二等辺三角形断面を有することができ、ノッチの方位は、上記三角形の中線により規定される。ノッチの方位は、荷電キャリア移動度についての必要条件によって（ここでは、上記移動度は、問題とする方向に応じて変わることがある）及び／又は後に実施されるプロセスに関係する制約によって（例えば、エッチ工程が実行される基板の結晶方位に依存して、エッチ工程は異なる結果を与えることがある）指示されてもよい。
【００３４】
本発明によって同様に保護される他のケースでは、ノッチは、ドナー基板の円形の周囲に形成された平坦部で構成される。
【００３５】
実際問題として、ブロックのスライシングは、基板の結晶面に厳密に対応する面に従って実行されるのではなく、上記結晶面の１つ又は２つの直交方向にわずかな傾斜で実行される。このスライシング法は、基板の表面のモフォロジを制御することを目的としている。
【００３６】
図１は、元素の周期律表の第ＩＶ族（例えば、シリコン又はゲルマニウム）からの単結晶材料、これはダイアモンド構造を示す、のブロックの＜１００＞の垂直方向を有する面の上面図である。
【００３７】
図１の（Ａ）のケースでは、ブロックは、＜１１０＞結晶方向、言い換えると結晶の共有結合が配向する方向に配向されたノッチＮを有する。
【００３８】
図１の（Ｂ）のケースでは、ブロックは、直交するＸ軸及びＹ軸によって表されている＜１１０＞結晶方向に対して４５°で（言い換えると＜１００＞方向に）配向されたノッチを有する。
【００３９】
ノッチは、図の読みやすさの理由で正確な縮尺では示されていない。
【００４０】
基板の製造中には、結晶面の垂線に対するスライスの傾斜は、Ｘ軸及びＹ軸のそれぞれに対して特定される。
【００４１】
傾斜がＸ軸に存在するだけである（したがって、傾斜がＹ軸ではゼロである）ときには、基板の表面Ｓは、連続したステップ（その高さｈが基板の材料の格子パラメータに一般に対応する）を示し、このステップは図２の（Ａ）（鳥瞰で）及び図２の（Ｂ）（断面で）に示したように、方向ＸにおいてＹ軸に平行に走る。これらのステップは、一次元（省略形１Ｄによって記す）ステップと呼ばれ、傾斜の角度αが大きいほど、方向Ｘにおけるステップの長さｌは短い。
【００４２】
２つの軸Ｘ及びＹに傾斜が存在するときには、基板の表面Ｓは、二次元（２Ｄ）ステップのアレイを示し、ステップは、図３に示したように２つの軸Ｘ及びＹに平行に走る。本明細書において上に示したように、１つの軸に沿った傾斜の角度が大きいほど、その方向におけるステップの長さは短い。
【００４３】
基板がエピタキシャル層を受け取るものであるときには、１Ｄステップを示している表面が望ましい［１］。これは、２Ｄステップの直角な端部間の交点において、上記ステップがエピタキシャル層に欠陥を発生させることがある特異点を示すためである。
【００４４】
結果として、スライシングは、単一の軸に沿った傾斜で一般に実行され、他の軸に沿った傾斜は、実質的にゼロである。
【００４５】
しかしながら、ブロックのスライシングは、ノッチに対して割り出される、言い換えると、基板の製造業者は、結晶方向をＸ軸、Ｙ軸として考えているのではなく、ノッチの軸及び上記ノッチに直交する軸をＸ軸、Ｙ軸と考えていることが分かる。
【００４６】
スライシングが１Ｄステップを生成する結晶方向に沿って、ノッチが配向されるときには（図１の（Ａ）のケース）、スライスの傾斜は、上記方向に生じる。１Ｄステップのアレイは、したがって、図２の（Ａ）に模式的に示したように得られる。
【００４７】
対照的に、スライシングが１Ｄステップを生成する結晶方向に対して４５°のところに、ノッチが配向されるときには（図１の（Ｂ）のケース）、スライシング後に得られる基板の表面は、図３に模式的に示したような２Ｄステップのアレイを示す。
【００４８】
本発明者らは、驚くことに、ドナー基板がノッチの方位に対応する単一方向の傾斜の状態でスライスされているとき（ことのきには２Ｄステップを生成する）よりも、ドナー基板が１Ｄステップを生成する結晶の方向の傾斜の状態でスライスされているときには、移動した層の表面を修復することが容易であることを観察している。
【００４９】
この現象は、レシーバ基板上への単結晶層の移動の後で、単結晶層の自由表面が、自由表面とは反対の表面に対応するドナー基板の表面のステップのアレイと同様のステップのアレイを示すという事実によって説明されるように思われる。言い換えると、移動した層の自由表面は、単結晶ブロックのスライシングに由来する反対の表面と同じ傾斜を有し、単結晶の全体がスライシングの傾斜のためにずれた方位を向いている。
【００５０】
更にその上、単結晶層の自由表面のモフォロジは、平滑化アニールによって得られる表面の修復の品質に影響を及ぼす。実際に、平滑化アニールによりもたらされる粗さは、上記表面が２Ｄステップのアレイを示すときには上記表面が１Ｄステップのアレイを示すときよりも実質的に大きい。
【００５１】
へき開後の移動した層の自由表面の高周波数粗さが、ドナー基板の主表面のモフォロジ（後者は、低周波数粗さに等しい）とは無関係に非常に大きいことが与えられると、修復の品質へのモフォロジのそのような影響は、予想外であった。
【００５２】
移動は、下記の工程を実施する。
【００５３】
図４の（Ａ）を参照して、移動すべき層１１を結合している脆弱領域１０を有するドナー基板１が、調達される。ドナー基板１は、単結晶であり、スライスの傾斜が２Ｄステップを生成する方向に配向され、スライスの傾斜が１Ｄステップを生成する結晶の方向に対して通常４５°のところに配向されたノッチ（図示せず）を有する。ドナー基板１は、バルク基板である必要はなく、ドナー基板は、多層の様々な単結晶（又は別の）基板を含むことができ、そのうちの少なくとも１層が、移動すべき単結晶層を含み、多層基板が上記ノッチを有する。
【００５４】
例えば、＜１００＞の垂直方向を有し、ダイアモンド構造を有する元素の周期律表の第ＩＶ族（例えば、シリコン又はゲルマニウム）からの単結晶材料の基板のケースでは、ノッチは、＜１１０＞方向に対して４５°のところに配向される、言い換えると、ノッチは、＜１００＞方向に配向され、スライシングが、＜１１０＞方向に実行される。
【００５５】
移動すべき層に関して脆弱領域とは反対のドナー基板の主表面１２上では、ドナー基板は、実質的に一次元原子ステップのアレイを示す、言い換えると、結晶の単一方向に本質的に延びている。
【００５６】
この目的で、ドナー基板は、１Ｄステップを生成するように選択された結晶の単一方向の傾斜の状態で実行される単結晶インゴットのブロックのスライシングにより得られる。この対策は、したがって、ノッチに対してスライスを傾斜させ、２Ｄステップを生成する通常の実行形態とは対照的である。
【００５７】
脆弱領域は、スマートカット（商標）法を実施するために、ドナー基板の所与の深さのところに原子種の注入によって都合よく形成される。この問題について、米国特許第５，３７４，５６４号を参照することができる。しかしながら、ドナー基板の脆弱部についての他の技術、特に、米国特許出願第２００３／００８７５０３号に記載されているようなエルトラン（ＥＬＴＲＡＮ）（商標）が、実施されてもよい。
【００５８】
図４の（Ｂ）を参照して、ドナー基板１は、レシーバ基板２上へとボンディングされ、ドナー基板の主表面１２は、移動すべき層に関して脆弱領域とは反対であり、ボンディング界面のところである実質的に一次元ステップを有する。ドナー基板及び／又はレシーバ基板は、ボンディング界面の側に、誘電体の層を用いて可能性としてコーティングされてもよい。
【００５９】
ドナー基板及びレシーバ基板が接触した後で、接着を強化するために熱処理が続く場合がある。
【００６０】
図４の（Ｃ）を参照して、ドナー基板は、脆弱領域に沿って切り離される。この工程の後で、層１１は、レシーバ基板２へとボンディングされたまま残り、ドナー基板の残りの部分１３は分離され、可能性として再使用される。切り離しは、脆弱領域の平面でドナー基板をへき開することによって実行されてもよく、上記へき開は、例えば、機械的又は熱的に引き起こされてもよい。
【００６１】
レシーバ基板２へと移動した層１１の自由表面１４は、ドナー基板の主表面１２上で観察される原子ステップに類似の一次元原子ステップを示す。
【００６２】
移動した層の厚さは、通常１５０ｎｍ以上である。
【００６３】
引き続いて、熱アニーリングが、移動した層の自由表面を平滑化する目的で実施される（工程は図示せず）。このアニーリングは、１１００と１２５０℃との間の範囲内の温度で数分の期間にわたって実施される。
【００６４】
適切であれば、移動した層の自由表面を仕上げるために、ポリシング工程、クリーニング工程、等、などの他の工程が実施されてもよい。
【００６５】
図５及び図６に見られるように、平滑化アニールは、本発明で得られた一次元ステップのアレイを示す自由表面上では自由表面が二次元ステップのアレイを示すケースよりもはるかに効果的である。
【００６６】
図５の（Ａ）及び図５の（Ｂ）は、それぞれ、２Ｄステップ（インゴットのブロックが１Ｄステップを生成させる方向に対して４５°に配向されたノッチの方向にスライスされている）及び１Ｄステップ（インゴットのブロックが、本発明に従って、１Ｄステップを生成させる結晶の単一方向に、これゆえノッチの方位に対して４５°でスライスされている）を示す＜１００＞の垂直方向を有するドナーシリコン基板について、本明細書において上に記述したような平滑化アニールの適用後の移動した層の自由表面の粗さの最大凹凸の大きさを示す。粗さの測定は、８８×６６μｍ２の視野でＤＲＭ（微分反射率計測顕微法（Ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ  Ｒｅｆｌｅｃｔｏｍｅｔｒｙ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ）の省略形）技術によって実行されている。
【００６７】
この平均最大凹凸は、２Ｄステップのケースでは９．２７Åであり、１Ｄステップのケースでは７．４９Åであり、本発明のおかげで２０％の減少を意味する。
【００６８】
図６の（Ａ）及び図６の（Ｂ）は、それぞれ、２Ｄステップ及び１Ｄステップを示すドナー基板について、平滑化アニールの適用後の移動した層の自由表面の粗さの標準偏差を示す。
【００６９】
平均標準偏差は、２Ｄステップのケースでは１．１９Åであり、１Ｄステップのケースでは０．９９Åであり、すなわち、本発明のおかげでほぼ１７％の減少である。
【００７０】
参考文献
[1] US 2009/0304994
US 5,374,564
US 2003/0087503.
【符号の説明】
【００７１】
１  ドナー基板
２  レシーバ基板
１０  脆弱領域
１１  層
１２  主表面
１３  残りの部分
１４  自由表面
Ｎ  ノッチ
Ｓ  表面
Ｘ  軸
Ｙ  軸
ｌ  ステップの長さ
α  傾斜の角度
【図１】
2016222525.tif 000003
【図２】
2016222525.tif 000004
【図３】
2016222525.tif 000005
【図４】
2016222525.tif 000006
【図５】
2016222525.tif 000007
【図６】
2016222525.tif 000008
【外国語明細書】
2016222525000001.pdf