(57)【要約】      （修正有）【課題】サイズが小型化しても磁気特性の向上を図ることができるコイル装置を提供する。【解決手段】金属磁性体粒子２０が分散してある合成樹脂２２から成る複合磁性体で構成してあるコア素体と、コア素体の内部に埋設してある内部導体と、コア素体の外表面に形成され、内部導体に接続する端子電極と、を有するコイル装置である。コア素体の切断面１０ｃでは、金属磁性体粒子２０が切断されており、当該金属磁性体粒子２０には、縞状の切断跡２０ａが形成してある。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属磁性体粒子が分散してある合成樹脂から成る複合磁性体で構成してあるコア素体と、
前記コア素体の内部に埋設してあり、印刷工法または薄膜工法で形成された内部導体と、
前記コア素体の外表面に形成され、前記内部導体に接続する端子電極と、を有するコイル装置であって、
前記コア素体の切断面では、前記金属磁性体粒子が切断されており、当該金属磁性体粒子には、縞状の切断跡が形成してあることを特徴とするコイル装置。
【請求項２】
前記コア素体の切断面の表面粗さＲｙが、３０μｍ以下である請求項１に記載のコイル装置。
【請求項３】
前記コア素体の切断面が、前記コア素体の対向する側面に対応する請求項１または２に記載のコイル装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、金属磁性体粒子が合成樹脂の内部に分散してある複合磁性体で構成してあるコア素体を有するコイル装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
比較的に小さなコイル装置を多量に製造する場合には、たとえば特許文献１に示すように、個々のチップ状に細かくするための切断工程を必要とする。しかしながら、金属磁性体粒子が合成樹脂の内部に分散してある複合磁性体を個々のチップ状に切断する際に、従来では、切断面において、金属粒子の脱落や金属粒子の脱落などが生じていた。その原因としては、合成樹脂と金属粒子との切断のし易さが異なることを考慮していなかったためであると考えられる。
【０００３】
特に、コイル装置のサイズの小型化と共に、切断面における金属粒子の脱落や金属粒子の脱落などが問題になってきている。本発明者等の新たな知見によれば、切断面において、金属粒子の脱落が生じると、コイル装置としての磁気特性（特にＬ値）が劣化する。また、切断面において、金属粒子の延びが生じると、端子電極をメッキにより形成する際に、メッキの延びが生じて耐電圧特性が劣化するおそれがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１４−１１４６７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、このような実状に鑑みてなされ、その目的は、サイズが小型化しても磁気特性の向上を図ることができるコイル装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するために、本発明に係るコイル装置は、
金属磁性体粒子が分散してある合成樹脂から成る複合磁性体で構成してあるコア素体と、
前記コア素体の内部に埋設してあり、印刷工法または薄膜工法で形成された内部導体と、
前記コア素体の外表面に形成され、前記内部導体に接続する端子電極と、を有するコイル装置であって、
前記コア素体の切断面では、前記金属磁性体粒子が切断されており、当該金属磁性体粒子には、縞状の切断跡が形成してあることを特徴とする。
【０００７】
本発明に係るコイル装置のコア素体の切断面では、金属磁性体粒子が切断されており、当該金属磁性体粒子には、縞状の切断跡が形成してある。このことは、コア素体の切断面では、金属磁性体粒子を脱落させることなく切断されていることを示している。また、金属磁性体粒子に縞状の切断跡が形成してあることは、金属磁性体粒子が、ほとんど延びることなく切断されていることを示している。すなわち、本発明に係るコイル装置は、切断面において、金属磁性体粒子の脱落がなく、金属磁性体粒子の延びも少なく、磁気特性（特にＬ値）の劣化が少なく、耐電圧特性にも優れている。
【０００８】
好ましくは、前記コア素体の切断面の表面粗さＲｙが、３０μｍ以下である。コア素体の切断面の表面粗さＲｙが所定値以下であることで、磁気特性（特にＬ値）の劣化が少なく、耐電圧特性にも優れているコイル装置を実現することができる。
【０００９】
前記コア素体の切断面は、たとえば前記コア素体の対向する側面に対応している。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】図１は本発明の一実施形態に係るコイル装置の斜視図である。
【図２】図２は図１に示すコイル装置の分解斜視図である。
【図３】図３は図１に示すIII−III線に沿う断面図である。
【図４】図４は図１に示すIV−IV線に沿う断面図である。
【図５】図５（Ａ）は図１に示すコイル装置の切断表面を拡大して示す概略図、図５（Ｂ）は従来例に係るコイル装置の切断表面を拡大して示す概略図である。
【図６】図６（Ａ）は図５（Ａ）に示すコイル装置の切断表面の横断面図、図６（Ｂ）は図５（Ｂ）に示すコイル装置の切断表面の横断面図である。
【図７】図７（１）〜図７（３）はコア素体の集合体を切断する工程を示す概略断面図である。
【図８】図８は図７に示すコア素体を切断する際にワイヤーソーに作用する加圧力の時間変化とワーク対象としてのコア素体の移動速度の時間変化を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明を、図面に示す実施形態に基づき説明する。
図１に示すコイル装置２は、矩形平板形状のコア素体１０と、コア素体１０のＸ軸方向の両端にそれぞれ装着してある一対の端子電極４，４とを有する。コア素体１０は、４つの側面１０ａ〜１０ｄと、Ｘ軸方向に対向する二つの端面１０ｅおよび１０ｆを有する。端子電極４，４は、コア素体１０のＸ軸方向端面１０ｅ，１０ｆを覆うと共に、Ｘ軸方向端面１０ｅ，１０ｆの近くで、コア素体１０のＺ軸方向の上面１０ａと下面１０ｂとを一部覆っている。
【００１２】
コア素体１０の縦（Ｘ軸）、横（Ｙ軸）および高さ（Ｚ軸）の寸法は、特に限定されないが、本実施形態では、これらの寸法が小さい場合に特に効果が大きい。
【００１３】
図２に示すように、コア素体１０は、上部コア１５と下部コア１６とからなり、そのＺ軸方向の中央部に、絶縁基板１１を有する。絶縁基板１１は、後述するスパイラル状の内部導体通路１２，１３を形成するための下地面となる。
【００１４】
上部コア１５は、矩形平板状のコア本体の中央部に、Ｚ軸方向の下方に向けて突出する円柱状の中脚部１５ａを有する。また、上部コア１５は、矩形平板状のコア本体のＹ軸方向の両端部に、Ｘ軸方向の下方に向けて突出する板状の側脚部１５ｂを有する。
【００１５】
下部コア１６は、上部コア１５のコア本体と同様な矩形平板状の形状を有し、上部コア１５の中脚部１５ａと側脚部１５ｂとが、それぞれ下部コア１６の中央部およびＹ軸方向の端部に連結されて一体化される。なお、図２では、コア素体１０が、上部コア１５と下部コア１６とに分離されて描かれているが、これらは、金属磁性粉含有樹脂により一体化されて形成されても良い。また、上部コア１５に形成してある中脚部１５ａおよび／または側脚部１５ｂは、下部コア１６に形成されていても良い。いずれにしても、コア素体１０は、完全な閉磁路を構成してあり、閉磁路内にギャップは存在しない。
【００１６】
本実施形態では、コア素体１０は、金属磁性粉含有樹脂で構成してある。金属磁性粉含有樹脂とは、樹脂に金属磁性粉が混入されてなる磁性材料である。金属磁性粉としては、特に限定されず、たとえばＦｅ−Ｎｉ合金粉、Ｆｅ−Ｓｉ合金粉、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｃｒ合金粉、アモルファスＦｅ粉などが例示されるが、パーマアロイ系材料を用いることが好ましい。具体的には、第１の金属磁性粉として平均粒径が好ましくは１０〜５０μｍであるＰｂ−Ｎｉ−Ｃｏ合金を用い、第２の金属磁性粉として平均粒径が好ましくは１〜１０μｍμｍであるカルボニル鉄を用い、これらを所定の比率、例えば７０：３０〜８０：２０、好ましくは７５：２５の重量比で含む金属磁性粉を用いることが好ましい。
【００１７】
金属磁性粉の含有率は９０〜９８重量％であることが好ましい。樹脂に対して金属磁性粉の量を少なくすれば飽和磁束密度は小さくなり、逆に金属磁性粉の量を多めにすれば飽和磁束密度は大きくなるので、金属磁性粉の量だけで飽和磁束密度を調整することができる。
【００１８】
本実施形態では、粒径が異なる２種類の金属磁性粉を用いることが好ましく、その場合には、低加圧又は非加圧成形下において高密度な磁性コアを成形することができ、高透磁率且つ低損失な磁性コアを実現することができる。
【００１９】
金属磁性粉含有樹脂に含まれる樹脂は絶縁結着材として機能する。樹脂の材料としては液状エポキシ樹脂又は粉体エポキシ樹脂を用いることが好ましい。また、樹脂の含有率は２〜１０重量％であることが好ましい。
【００２０】
上部コア１５および下部コア１６の厚さは同一であることが好ましく、合計厚さＴ（図３参照）は０．３〜１．２ｍｍ程度に薄くすることができる。ただし、上部コア１５および下部コア１６の合計厚さＴが薄すぎると、部品の機械的強度のみならずコイルのインダクタンスが低下するおそれがある。
【００２１】
図において、Ｘ軸、Ｙ軸およびＺ軸は、相互に垂直であり、本実施形態では、Ｘ軸が、一対の端子電極４，４が相互に向かい合う方向であり、Ｙ軸が、端子電極４，４の長手方向であり、Ｚ軸が、コア素体１０の上面１０ａおよび下面１０ｂに垂直な方向である。
【００２２】
図２に示すように、絶縁基板１１のＺ軸方向の上面（一方の主面）には、円形スパイラル状の内部導体通路１２とダミー内部導体１２ｃとから成る内部電極パターンが形成してある。内部導体通路１２とダミー内部導体１２ｃとは、絶縁基板１１の上面で絶縁されている。
【００２３】
スパイラル状の内部導体通路１２の内周端には、接続端１２ａが形成してある。また、スパイラル状の内部導体通路１２の外周端には、コア素体１０の一方のＸ軸方向端部に沿って露出するようにリード用コンタクト１２ｂが形成してある。ダミー内部導体１２ｃは、内部導体通路１２とは絶縁されているが、リード用コンタクト１２ｂの形状に類似する形状で、コア素体１０の他方のＸ軸方向端部に沿って露出するように形成してある。
【００２４】
絶縁基板１１のＺ軸方向の下面（他方の主面）には、スパイラル状の内部導体通路１３とダミー内部導体１３ｃとから成る内部電極パターンが形成してある。内部導体通路１３とダミー内部導体１３ｃとは、絶縁基板１１の下面で絶縁されている。
【００２５】
スパイラル状の内部導体通路１３の内周端には、接続端１３ａが形成してある。また、スパイラル状の内部導体通路１３の外周端には、コア素体１０の一方のＸ軸方向端部に沿って露出するようにリード用コンタクト１３ｂが形成してある。ダミー内部導体１３ｃは、内部導体通路１３とは絶縁されているが、リード用コンタクト１３ｂの形状に類似する形状で、コア素体１０の他方のＸ軸方向端部に沿って露出するように形成してある。
【００２６】
本実施形態では、ダミー内部導体１３ｃは、ダミー内部導体１２ｃに対してＸ軸方向の反対側に形成してあり、リード用コンタクト１３ｂがリード用コンタクト１２ｂとＸ軸方向の反対側に形成してある。接続端１２ａと接続端１３ａとは、絶縁基板１１を挟んで、同じ位置に形成してあり、図３に示すように、絶縁基板１１に形成してあるスルーホール１１ｉに埋め込まれているスルーホール電極１８を通して電気的に接続してある。すなわち、スパイラル状の内部導体通路１２と、同じくスパイラル状の内部導体通路１３とは、スルーホール電極１８を通して電気的に接続してある。
【００２７】
スパイラル状の内部導体通路１２，１３は、Ｚ軸方向から見て概略的に重なり合っているが、完全には一致していなくてよい。すなわち、絶縁基板１１の上面１１ａ側から見たスパイラル状の内部導体通路１２は、外周端のリード用コンタクト１２ｂから内周端の接続端１２ａに向かって反時計回りのスパイラルを構成している。
【００２８】
これに対して、絶縁基板１１の上面１１ａ側から見たスパイラル状の内部導体通路１３は、内周端である接続端１３ａから外周端であるリード用コンタクト１３ｂに向かって反時計回りのスパイラルを構成している。これにより、スパイラル状の内部導体通路１２，１３に電流が流れることによって生じる磁束の方向が一致し、スパイラル状の内部導体通路１２，１３で発生する磁束は重畳して強め合い、大きなインダクタンスを得ることができる。
【００２９】
図２に示すように、上部コア１５と内部導体通路１２（ダミー内部導体１２ｃも同じ）との間には、矩形シート状の保護絶縁層１４が介在してあり、これらは絶縁されている。また、下部コア１６と内部導体通路１３（ダミー内部導体１３ｃも同じ）との間には、矩形シート状の保護絶縁層１４が介在してあり、これらは絶縁されている。保護絶縁層１４の中央部には、円形の貫通孔１４ａが形成してある。また、絶縁基板１１の中央部にも、円形の貫通孔１１ｈが形成してある。これらの貫通孔１４ａおよび１１ｈを通して、上部コア１５の中脚部１５ａが下部コア１６の方向に延びて下部コア１６の中央と連結してある。
【００３０】
なお、スパイラル状のスパイラル状の内部導体通路１２と、同じくスパイラル状の内部導体通路１３とは、その中央部に、貫通孔１４ａおよび１１ｈよりも大きな空間を有している。
【００３１】
本実施形態では、端子電極４は、単層で構成しても良いが、たとえばコア素体１０のＸ軸方向端面に接触する内層と、内層の表面に形成される外層とを有してもよい。内層は、コア素体１０のＸ軸方向の端面近くで、コア素体１０の上面１０ａおよび下面１０ｂの一部も覆っており、その外表面を外層が覆っている。
【００３２】
図４では、リードコンタクト１３ｂの他に、ダミー内部導体１２ｃも端子電極４の内層４ａに電気的に接続されるが、ダミー内部導体１２ｃは、スパイラル状の内部導体通路１２とは接続されていないため、一方の端子電極４は、下側の内部導体通路１３に対してのみ接続される。
【００３３】
また、図４に示すように、Ｘ軸方向の反対側に位置する端子電極４では、リード用コンタクト１２ｂが端子電極４に接続するように形成してある。ダミー内部導体１３ｃも端子電極４に電気的に接続されるが、ダミー内部導体１３ｃは、スパイラル状の内部導体通路１３とは接続されていないため、他方の端子電極４は、上側の内部導体通路１２に対してのみ接続される。そのため一方の端子電極４と他方の端子電極４との間には、２つのスパイラル状の内部導体通路１２および１３が直列に接続される。
【００３４】
本実施形態では、絶縁基板１１は、ガラスクロスにエポキシ樹脂を含浸させた一般的なプリント基板材料であることが好ましく、例えばＢＴ基材、ＦＲ４基材、ＦＲ５基材等を用いることができるが、これに限定されず、ＣＥＭ３基材、ＸＰＣ基材などの樹脂基板でもよい。
【００３５】
絶縁基板１１として、プリント基板材料を用いた場合には、スパイラル状の内部導体通路１２，１３を、いわゆる薄膜工法におけるスパッタリングではなく、めっきにより形成できる。このため、内部導体通路１２，１３を構成する導体の厚さを十分に厚くすることができる。
【００３６】
本実施形態では、コア素体１０のＹ軸方向に対向する一対の側面１０ｃ，１０ｄが切断面で構成してあり、コイル装置２の外面に露出してある。図５（Ａ）および図６（Ａ）に示すように、切断面である側面１０ｃ（側面１０ｄも同様、以下同じ）では、樹脂２２中の金属磁性体粒子２０が切断されており、当該金属磁性体粒子２０には、縞状の切断跡２０ａが形成してある。縞状の切断跡２０ａにおける縞の間隔は、特に限定されないが、たとえば１〜１０μｍ程度であり、粒子２０の粒径に比較して十分に小さい。
【００３７】
そして、コア素体１０の切断面である側面１０ｃの表面粗さＲｙは、３０μｍ以下、さらに好ましくは１０μｍ以下である。コア素体１０の切断面の表面粗さＲｙが所定値以下であることで、磁気特性（特にＬ値）の劣化が少なく、耐電圧特性にも優れているコイル装置を実現することができる。
【００３８】
次に、本実施形態のコイル装置２の製造方法について説明する。
【００３９】
まず、図２〜図４に示す絶縁基板１１を準備する。絶縁基板１１としては、浮遊容量の増大を回避するため、絶縁基板１１の誘電率は、７以下（ε≦７）であることが好ましいが、特に限定されるものではない。また、本実施形態では、樹脂基板１１の形状が、コイル装置の外形に合わせて矩形であるが、その他の形状であっても良い。樹脂基板１１の厚みは、内部導体通路１２および１３間での絶縁が確保される程度に薄いことが好ましく、特に限定されないが、好ましくは４０〜１００μｍである。樹脂基板１１は、たとえば射出成形、圧縮成形、直圧成形、コンプレッション成形などにより形成される。
【００４０】
絶縁基板１１の上面１１ａおよび下面１１ｂにそれぞれ形成される内部導体通路１２（ダミー内部導体１２ｃも同じ）および内部導体通路１３（ダミー内部導体１３ｃも同じ）は、たとえば次のようにしてめっき法により形成される。めっきにより形成することで、そのアスペクト比を高くすることができ、断面積が比較的大きく直流抵抗が小さなコイル装置を実現することができる。
【００４１】
まず、金属箔（たとえば導電率が高く加工も容易な銅箔）が上面１１ａおよび下面１１ｂに形成してある絶縁基板１１を準備し、その金属箔を所定厚み（たとえば３〜５μｍ）までエッチングして金属箔の厚みを薄くする。この金属箔は、次工程でのめっき種膜となる。
【００４２】
その前後に、図３に示すスルーホール１１ｉを絶縁基板１１にドリル加工などで形成する。金属箔およびスルーホール１１ｉが形成してある絶縁基板１１の両面にレジスト膜をラミネートし、回路パターンのスペースとなる部分を露光により感光させる。現像液（たとえば炭酸ナトリウム１％溶液）により未感光部分を溶解（現像）させ、回路パターンのスペース部分のみを残したレジストパターンを金属箔の表面に形成する。
【００４３】
次に、レジストパターンが形成された絶縁基板１１を電気めっきにて、レジストパターンが形成されていない部位にめっきを析出させることで、回路の導体配線となる部分（内部導体通路１２，１３やダミー内部導体１２ｃ，１３ｃとなる部分）が形成される。めっきの膜厚は、次工程でエッチングされる量を予め想定し、めっき種膜のエッチング後に、たとえば所定厚みとなるように調整した膜厚で形成する。
【００４４】
次に、レジストが形成してある絶縁基板１１を、レジスト剥離液に浸し、残っているレジストを剥離する。さらに、絶縁基板１１を、めっき種膜のエッチング液にてエッチングし、めっきされていない部分のめっき種膜を除去する。
【００４５】
次に、めっき膜が形成してある絶縁基板１１を電気めっきにてめっき膜を厚くする（ＨＡＰめっき法）。その状態で、図２に示す絶縁基板１１の上面１１ａおよび下面１１ｂに、所定膜厚の内部導体通路１２，１３およびダミー内部導体１２ｃ，１３ｃが形成される。同時に、図３に示すスルーホール電極１８も形成される。
【００４６】
次に、これらの内部導体通路１２，１３およびダミー内部導体１２ｃ，１３ｃが形成された絶縁基板の両面に、保護絶縁層１４を形成するために、絶縁基板１１を、たとえば所定濃度で高沸点溶剤にて希釈した樹脂溶解液に浸漬させ乾燥させる。このようにして所定厚みの保護絶縁層１４が形成される。
【００４７】
次に、図２に示す上部コア１５および下部コア１６の組合せからなるコア素体１０を形成するために、保護絶縁層１４が形成してある絶縁基板１１の表面に、磁性材料を印刷にて塗布する。磁性材料としては、たとえば主金属磁性材量と微粉末金属磁性材料を所定割合で混練したペースト材を、樹脂溶液と混練したペーストを使用する。金属磁性材料の粒径は大きくなることで実行透磁率が向上するが、形成されたコア素体１０の表面粗さも大きくなってしまう。
【００４８】
なお、印刷により形成された磁性材料は、溶剤分を揮発させ、たとえば水圧プレス処理（ＷＩＰ処理）にてコア素体１０の密度を向上させる。また、コア素体１０の上面１１ａおよび下面１１ｂを、たとえば固定砥石にて研削し、コア素体１０を所定の厚みにそろえる。その後、熱硬化させて樹脂を架橋させて、コア素体１０が得られる。
【００４９】
その後に、コア素体１０が形成された絶縁基板１１を、たとえばダイシングなどにより個片状に切断すれば、図１で示される端子電極４が形成される前のコア素体１０が得られる。なお、切断前の状態では、コア素体１０は、Ｘ軸方向およびＹ軸方向に一体的に連結されているコア素体１０の集合体である。
【００５０】
本実施形態では、図１に示すコア素体１０において、Ｘ軸方向に対向する一対の端面１０ｅ，１０ｆと、Ｙ軸方向に対向する一対の側面１０ｃ，１０ｄとが、コア素体１０の製造過程における切断面となる。コア素体１０におけるＺ軸方向に対向する一対の側面１０ａ，１０ｂは、切断面ではない自然な成形面となる。
【００５１】
本実施形態では、図７に示すように、コア素体の集合体４０を切断してコア素体１０を得る際には、線速が５００〜２０００ｍ／ｍｉｎのダイヤモンド電着ワイヤ３０を用いて行う。しかも、電着ワイヤ３０による切断に際しては、図８に示すように、電着ワイヤ３０に作用する加工圧力Ｐが、切断時間軸ｔに沿って略一定になるように切断する。
【００５２】
そのため、図７に示す切断対象のワークであるコア素体の集合体４０を保持して電着ワイヤ３０に向けて移動させる支持台３２の移動速度Ｓは、図８に示すように切断時間軸ｔに沿って変化する。すなわち、ワイヤ３０が柔らかい部分を切断しているときには、移動速度Ｓが早くなり、硬い部分を切断する際には、切断速度が遅くなり、加工圧力Ｐが、切断時間軸ｔに沿って略一定になるように切断する。
【００５３】
本実施形態では、そのような切断の結果として、図５（Ａ）および図６（Ａ）に示すように、切断面である側面１０ｃでは、金属磁性体粒子２０が切断されており、当該金属磁性体粒子２０には、縞状の切断跡２０ａが形成してある。
【００５４】
そして、コア素体１０の切断面である側面１０ｃの表面粗さＲｙは、３０μｍ以下である。コア素体の切断面の表面粗さＲｙが所定値以下であることで、磁気特性（特にＬ値）の劣化が少なく、耐電圧特性にも優れているコイル装置を実現することができる。
【００５５】
これに対して、従来の切断方法では、図８に示す加工圧力Ｐを一定ではなく、切断速度Ｓを略一定にしていたため、図５（Ｂ）および図６（Ｂ）に示すような切断面になっていた。なお、切断速度Ｓを略一定で切断とは、図７（１）において、集合体１００をワイヤ３０に向けて矢印方向に一定速度で移動させて切断することである。
【００５６】
図５（Ｂ）および図６（Ｂ）に示すように、従来のコイル装置における切断面１０ｃ’では、たとえば金属磁性体粒子２０が脱落してしまい凹み２４が形成されたり、粒子２０が切断されずに残っていたりするために、切断面１０ｃ’における表面粗さＲｙは、１０μｍより大きくなっていた。そのため、磁気特性（特にＬ値）の劣化が大きかった。また、図示省略するが、切断面において、金属粒子の延びが生じる場合があり、そのために、耐電圧特性が劣化するおそれがあった。
【００５７】
本実施形態に係るコイル装置２のコア素体１０の切断面である側面１０ｃおよび１０ｄでは、金属磁性体粒子２０が切断されており、当該金属磁性体粒子２０には、縞状の切断跡２０ａが形成してある。このことは、コア素体１０の切断面では、金属磁性体粒子２０を脱落させることなく切断されていることを示している。また、金属磁性体粒子２０に縞状の切断跡が形成してあることは、金属磁性体粒子２０が、ほとんど延びることなく切断されていることを示している。すなわち、本発明に係るコイル装置は、切断面において、金属磁性体粒子２０の脱落がなく、金属磁性体粒子２０の延びも少なく、磁気特性（特にＬ値）の劣化が少なく、耐電圧特性にも優れている。
【００５８】
図７に示すコア素体の集合体を切断した後には、個片化されたコア素体１０に、必要に応じてエッチング処理を行う。エッチング処理の条件としては、特に限定されない。
【００５９】
次に、エッチング処理されたコア素体１０のＸ軸方向の両端に、浸漬法（ＤＩＰ）にて電極材を塗布して内層を形成する。電極材としては、磁性材料を固着している成分と同様に、たとえばエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂にＡｇ粉などの導体粉を所定の含有量で混練したペースト材である。
【００６０】
内層を構成する導体粉含有樹脂に含まれる導体粉（たとえばＡｇ粉）は、球状粉と扁平状粉とを有し、導体粉含有樹脂に含まれる球状粉の含有量をαとし、導体粉含有樹脂に含まれる前記扁平状粉の含有量をβとした場合に、α/βが、好ましくは２〜３の範囲内である。このような構成にすることで、端子電極４とコア素体１０との固着強度が向上すると共に、端子電極４の抵抗を低減することが可能になる。
【００６１】
次に、内層となる電極ペーストが塗布された製品に端子めっきをバレルめっきにて外層を形成する。外層を形成するための端子めっきとしては、単一めっき膜でも多層めっき膜でも良く、たとえばＮｉ膜とＳｎ膜を形成する。このようにして端子電極４が形成されて、図１に示すコイル装置２が得られる。
【００６２】
なお、本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲内で種々に改変することができる。
【００６３】
たとえば、絶縁基板１１の片側表面にのみスパイラル状の内部導体通路１２または１３を形成しても良い。また上述した実施形態では、スパイラル状の内部導体通路１２および１３を直列に接続したが、並列に接続するように内部導体パターンを形成しても良い。また、コア素体１０の外面に形成する端子電極４は、３つ以上であっても良い。さらに、内部導体通路１２（ダミー内部導体１２ｃも同じ）および内部導体通路１３（ダミー内部導体１３ｃも同じ）は、薄膜法ではなく、印刷法により形成することも可能である。
【００６４】
さらに、上述した実施形態では、切断面を電着ワイヤ３０により形成したが、本発明では、電着ワイヤ３０に限らず、電鋳ワイヤ、ダイヤモンドコーティングワイヤ、分散めっきワイヤなどを用いて、加工圧力を略一定にして切断しても良い。
【符号の説明】
【００６５】
２…  コイル装置
４…  端子電極
１０…  コア素体
１１…  絶縁基板
１２，１３…  内部導体通路
１２ａ，１３ａ…  接続端
１２ｂ，１３ｂ…  リード用コンタクト
１２ｃ，１３ｃ…  ダミー内部導体
１４…  保護絶縁層
１５…  上部コア
１５ａ…  中脚部
１５ｂ…  側脚部
１６…  下部コア
１８…  スルーホール導体
２０…  金属磁性体粒子
２０ａ…  切断痕
２２…  樹脂
３０…  電着ワイヤ
４０…  集合体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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