(57)【要約】【課題】第一電極と第二電極との間に、短絡が生じることを抑制することができる有機エレクトロルミネッセンス素子を提供する。【解決手段】本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子１００では、透明電極２は、第一電極２１、第二電極２２、及び第一電極２１と第二電極２２との間の間隙５を備え、間隙５の底部では、透明基板１が露出していると共に、レーザーの照射で形成される線状痕６が複数本並んで形成されていて、間隙５は、第一線状領域５１、第一線状領域５１の端部に接続している接続領域５０、及び接続領域５０から、第二線状領域５２を備え、第一線状領域５１の線状痕６、及び接続領域５０の線状痕６は、辺７１に沿っていると共に、互いに連続している。【選択図】図３
2016031860.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基板上に透明電極を備える透明電極板の上に、有機層、及び対向電極が、この順に積層され、
前記透明電極は、前記有機層と電気的に接続される第一電極、前記対向電極と電気的に接続される第二電極、及び前記第一電極と前記第二電極との間の間隙を備え、
前記第一電極は、前記有機層と重複していると共に、前記対向電極とも重複している発光領域を備え、
前記間隙の底部では、前記透明基板が露出していると共に、レーザーの照射で形成される線状痕が複数本並んで形成されていて、
前記間隙は、前記発光領域の外縁の一辺に沿う第一線状領域、前記第一線状領域の端部に接続している接続領域、及び前記接続領域から、前記発光領域から離れる方向に伸びる第二線状領域を備え、
前記線状痕のうち、前記第一線状領域の線状痕、及び前記接続領域の線状痕は、前記辺に沿っていると共に、互いに連続している有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項２】
透明基板上に透明電極を備える透明電極板の上に、有機層、及び対向電極が、この順に積層され、
前記透明電極は、前記有機層と電気的に接続される第一電極、前記対向電極と電気的に接続される第二電極、及び前記第一電極と前記第二電極との間の間隙を備え、
前記第一電極は、前記有機層と重複していると共に、前記対向電極とも重複している発光領域を備え、
前記間隙の底部では、前記透明基板が露出していると共に、レーザーの照射で形成される線状痕が複数本並んで形成されていて、
前記間隙は、前記発光領域の外縁の一辺に沿う第一線状領域、前記第一線状領域の端部に接続している接続領域、及び前記接続領域から、前記発光領域から離れる方向に伸びる第二線状領域を備え、
前記線状痕のうち、前記接続領域の線状痕は、前記第一線状領域及び前記第二線状領域のいずれの線状痕とも連続していない有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項３】
前記第二線状領域は、前記接続領域と接続する受け領域を備え、
前記間隙の底部の前記線状痕のうち、前記受け領域の線状痕は、前記辺に沿っている請求項１又は２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項４】
前記間隙の底部の前記線状痕は、複数の短パルス加工痕から構成され、
前記複数の短パルス加工痕のうち、前記第一線状領域の線状痕を構成する短パルス加工痕の加工径は、前記第二線状領域の線状痕を構成する短パルス加工痕の加工径と異なっている請求項１又は２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項５】
前記間隙の底部の前記線状痕は、複数の短パルス加工痕から構成され、
前記複数の短パルス加工痕のうち、前記第一線状領域の線状痕を構成する短パルス加工痕の加工径は、前記第二線状領域の線状痕を構成する短パルス加工痕の加工径よりも小さい請求項１又は２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項６】
前記線状痕は、複数の短パルス加工痕から構成され、
前記複数の短パルス加工痕のうち、前記接続領域の線状痕を構成する短パルス加工痕の加工径は、前記第一線状領域及び前記第二線状領域の線状痕を構成する短パルス加工痕の加工径と異なる請求項２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項７】
透明基板上に透明導電層を備える板の前記透明導電層の表面に、光電変換領域を規定し、
前記透明導電層にレーザー加工を施すことで、前記光電変換領域の外縁の一辺に沿う第一線状領域、前記第一線状領域の端部に接続している接続領域、及び前記接続領域から、前記光電変換領域から離れる方向に伸びる第二線状領域を備える間隙を形成し、
前記間隙の形成にあたっては、前記透明導電層上でレーザーの照射する位置を前記辺に沿って移動させることで、前記第一線状領域及び前記接続領域を形成した後、前記第二線状領域を形成する透明電極板の製造方法。
【請求項８】
透明基板上に透明導電層を備える板の前記透明導電層の表面に、光電変換領域を規定し、
前記透明導電層にレーザー加工を施すことで、前記光電変換領域の外縁の一辺に沿う第一線状領域、前記第一線状領域の端部に接続している接続領域、及び前記接続領域から、前記光電変換領域から離れる方向に伸びる第二線状領域を備える間隙を形成し、
前記間隙の形成にあたっては、前記接続領域を形成した後、
前記透明導電層上でレーザーの照射する位置を前記辺に沿って移動させることで、前記第一線状領域を形成してから、前記第二線状領域を形成する、
或いは、
前記第二線状領域を形成してから、前記透明導電層上でレーザーの照射する位置を前記辺に沿って移動させることで、前記第一線状領域を形成する透明電極板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レーザーの照射によってパターニングされた透明電極板の製造方法と、この透明電極板を備える有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、有機ＥＬ素子ともいう）、太陽電池等の光電変換素子における、透明電極の材料として、酸化インジウムスズ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｅｄｅ：ＩＴＯ）、酸化亜鉛等の透明導電酸化物が使用される。
【０００３】
透明電極は透明基板上に設けられると共に、透明電極の上には有機層及び対向電極が積層される。また、透明電極は、有機層と電気的に接続される第一電極と、対向電極と電気的に接続される第二電極とを備える。第一電極と第二電極との間には間隙が存在し、この間隙によって第一電極と第二電極とが絶縁されている。第一電極と対向電極との間に電圧を印加することで、有機層から光が発せられる。
【０００４】
第一電極と第二電極との間の間隙は、透明導電酸化物製の透明導電層にパターニングを施すことで形成される。
【０００５】
パターニングの方法として、例えば、透明導電層に、ウェットエッチングを施す方法が挙げられる。しかし、ウェットエッチングは、酸廃液を処理するためのコストが大きいという問題があった。
【０００６】
ウェットエッチング以外の方法として、例えば、特許文献１には、透明フィルム表面に形成された透明導電膜に対し、ＵＶレーザーを走査してパターニングする方法が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００７−２４３０５９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかし、特許文献１に記載の方法の場合、レーザー加工で形成された間隙の底部の電気抵抗値が部分的に低くなることがあった。電気抵抗値が低い部分では、第一電極と第二電極との間が十分に電気的に絶縁されないため、第一電極と第二電極との間に短絡が生じることがあった。
【０００９】
本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、透明導電層を備える透明電極板における、レーザー加工によるパターニングによって形成された第一電極と第二電極との間に短絡が生じることを抑制することができる有機エレクトロルミネッセンス素子、及び透明電極板の製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子は、透明基板上に透明電極を備える透明電極板の上に、有機層、及び対向電極が、この順に積層され、
前記透明電極は、前記有機層と電気的に接続される第一電極、前記対向電極と電気的に接続される第二電極、及び前記第一電極と前記第二電極との間の間隙を備え、
前記第一電極は、前記有機層と重複していると共に、前記対向電極とも重複している発光領域を備え、
前記間隙の底部では、前記透明基板が露出していると共に、レーザーの照射で形成される線状痕が複数本並んで形成されていて、
前記間隙は、前記発光領域の外縁の一辺に沿う第一線状領域、前記第一線状領域の端部に接続している接続領域、及び前記接続領域から、前記発光領域から離れる方向に伸びる第二線状領域を備え、
前記線状痕のうち、前記第一線状領域の線状痕、及び前記接続領域の線状痕は、前記辺に沿っていると共に、互いに連続している。
【００１１】
また、本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子は、透明基板上に透明電極を備える透明電極板の上に、有機層、及び対向電極が、この順に積層され、
前記透明電極は、前記有機層と電気的に接続される第一電極、前記対向電極と電気的に接続される第二電極、及び前記第一電極と前記第二電極との間の間隙を備え、
前記第一電極は、前記有機層と重複していると共に、前記対向電極とも重複している発光領域を備え、
前記間隙の底部では、前記透明基板が露出していると共に、レーザーの照射で形成される線状痕が複数本並んで形成されていて、
前記間隙は、前記発光領域の外縁の一辺に沿う第一線状領域、前記第一線状領域の端部に接続している接続領域、及び前記接続領域から、前記発光領域から離れる方向に伸びる第二線状領域を備え、
前記線状痕のうち、前記接続領域の線状痕は、前記第一線状領域及び前記第二線状領域のいずれの線状痕とも連続していない。
【００１２】
本発明に係る透明電極板の製造方法は、透明基板上に透明導電層を備える板の前記透明導電層の表面に、光電変換領域を規定し、
前記透明導電層にレーザー加工を施すことで、前記光電変換領域の外縁の一辺に沿う第一線状領域、前記第一線状領域の端部に接続している接続領域、及び前記接続領域から、前記光電変換領域から離れる方向に伸びる第二線状領域を備える間隙を形成し、
前記間隙の形成にあたっては、前記透明導電層上でレーザーの照射する位置を前記辺に沿って移動させることで、前記第一線状領域及び前記接続領域を形成した後、前記第二線状領域を形成する。
【００１３】
本発明に係る透明電極板の製造方法は、透明基板上に透明導電層を備える板の前記透明導電層の表面に、光電変換領域を規定し、
前記透明導電層にレーザー加工を施すことで、前記光電変換領域の外縁の一辺に沿う第一線状領域、前記第一線状領域の端部に接続している接続領域、及び前記接続領域から、前記光電変換領域から離れる方向に伸びる第二線状領域を備える間隙を形成し、
前記間隙の形成にあたっては、前記接続領域を形成した後、
前記透明導電層上でレーザーの照射する位置を前記辺に沿って移動させることで、前記第一線状領域を形成してから、前記第二線状領域を形成する、
或いは、
前記第二線状領域を形成してから、前記透明導電層上でレーザーの照射する位置を前記辺に沿って移動させることで、前記第一線状領域を形成する。
【発明の効果】
【００１４】
本発明では、透明導電層を備える透明電極板における、レーザー加工によるパターニングによって形成された第一電極と第二電極との間に短絡が生じることを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】第一の実施形態に係る有機ＥＬ素子の概略の断面図である。
【図２】第一の実施形態に係る有機ＥＬ素子の概略の平面図である。
【図３】第一の実施形態の透明電極板の概略の平面図である。
【図４】第一の実施形態の透明電極の間隙の底部に形成された線状痕の概略の拡大図である。
【図５】図５Ａ、図５Ｂは、縦横に交差する複数の線状痕を示す平面図である。図５Ａは横方向の線状痕を先に形成した平面図であり、図５Ｂは縦方向の線状痕を先に形成した平面図である。
【図６】図６Ａ、図６Ｂはレーザーの照射位置の移動速度を変化させて形成した線状痕を示す。図６Ａは、各移動速度の線状痕の拡大図であり、図６Ｂは各移動速度の線状痕の形状を接触式段差計で測定した結果を示している。
【図７】図７Ａ、図７Ｂは、第一の実施形態に係る透明電極板の製造方法を示す平面図である。
【図８】第二の実施形態の透明電極板の概略の平面図である。
【図９】図９Ａ、図９Ｂ、及び図９Ｃは、第二の実施形態に係る透明電極板の製造方法を示す平面図である。
【図１０】第三の実施形態の透明電極板の概略の平面図である。
【図１１】図１１Ａ、図１１Ｂ、及び図１１Ｃは、第三の実施形態に係る透明電極板の製造方法を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明を実施するための形態を説明する。
【００１７】
第一の実施形態に係る有機ＥＬ素子１００を図１、２に示し、第一の実施形態に係る透明電極板１０を図３に示す。
【００１８】
第一の実施形態に係る有機ＥＬ素子１００では、透明基板１上に透明電極２を備える透明電極板１０の上に、有機層３、及び対向電極４が、この順に積層されている。透明電極２は、有機層３と電気的に接続される第一電極２１、対向電極４と電気的に接続される第二電極２２、及び第一電極２１と第二電極２２との間の間隙５を備える。第一電極２１は、有機層３と重複していると共に、対向電極４とも重複している発光領域７を備える。間隙５の底部では、透明基板１が露出していると共に、レーザーの照射で形成される線状痕６が複数本並んで形成されている。間隙５は、発光領域７の外縁の一辺７１に沿う第一線状領域５１、第一線状領域５１の端部に接続している接続領域５０、及び接続領域５０から、発光領域７から離れる方向に伸びる第二線状領域５２を備える。線状痕６のうち、第一線状領域５１の線状痕６、及び接続領域５０の線状痕６は、辺７１に沿っていると共に、互いに連続している。
【００１９】
第一の実施形態に係る透明電極板１０の製造方法では、まず、透明基板１上に透明導電層２０を備える板の透明導電層２の表面に、光電変換領域７０を規定する。尚、第一の実施形態では、光電変換領域７０が発光領域７と一致する。続いて、透明導電層２０にレーザー加工を施すことで、光電変換領域７０の外縁の一辺７１に沿う第一線状領域５１、第一線状領域５１の端部に接続している接続領域５０、及び接続領域５０から、光電変換領域７０から離れる方向に伸びる第二線状領域５２を備える間隙５を形成する。間隙５の形成にあたっては、透明導電層２０上でレーザーの照射する位置を辺７１に沿って移動させることで、第一線状領域５１及び接続領域５０を形成した後、第二線状領域５２を形成する。
【００２０】
第一の実施形態に係る有機ＥＬ素子１００、及び透明電極板１０の製造方法では、第一線状領域５１の線状痕６と、接続領域５０の線状痕６とが、辺７１に沿っていると共に互いに連続している。このため、間隙５の底部における、特に辺７１の付近の部分の電気抵抗値の低下が抑制される。このため、第一電極２１と第二電極２２との間を十分に電気的に絶縁することができる。これにより、第一電極２１と第二電極２２との間に、短絡が生じることを防ぐことができる。
【００２１】
以下、第一の実施形態に係る有機ＥＬ素子１００、及び透明電極板１０の製造方法について更に詳しく説明する。
【００２２】
まず、第一の実施形態に係る有機ＥＬ素子１００の構成について説明する。
【００２３】
有機ＥＬ素子１００は、図１に示すように、透明電極板１０、有機層３、及び対向電極４を備える。
【００２４】
透明電極板１０は、透明基板１と、透明電極２とを備える。
【００２５】
透明基板１は、光透過性を有する。透明基板１は、例えば、ソーダライムガラス、無アルカリガラスなどのガラス、並びにポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド樹脂、エポキシ樹脂、フッ素系樹脂などのプラスチックからなる群から選択される一種以上の材料製である。
【００２６】
透明電極２は、透明基板１の上に設けられている。透明電極２の材料として、仕事関数の大きい金属、合金、電気伝導性化合物、あるいはこれらの混合物からなる電極材料が挙げられる。このような材料としては、例えば、ＣｕＩ、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）、ＺｎＯなどが挙げられる。透明電極２は、特にＩＴＯ製であることが好ましい。透明電極２は、第一電極２１、と第二電極２２とを備える。
【００２７】
有機層３は、透明電極板１０の上に設けられている。有機層３は、第一電極２１と重複しているが、第二電極２２とは重複していない（図１参照）。有機層３は、電圧が印加されると光を発する発光層を備える。発光層は、有機ＥＬ素子用の材料として公知の材料から形成され得る。発光層は、例えば、アントラセン、ナフタレン、ピレン、テトラセン、コロネン、ペリレン、フタロペリレン、ナフタロペリレン、ジフェニルブタジエン、テトラフェニルブタジエン、クマリン、オキサジアゾール、ビスベンゾキサゾリン、ビススチリル、シクロペンタジエン、キノリン金属錯体、トリス（８−ヒドロキシキノリナート）アルミニウム錯体、トリス（４−メチル−８−キノリナート）アルミニウム錯体、トリス（５−フェニル−８−キノリナート）アルミニウム錯体、アミノキノリン金属錯体、ベンゾキノリン金属錯体、トリ−（ｐ−ターフェニル−４−イル）アミン、１−アリール−２，５−ジ（２−チエニル）ピロール誘導体、ピラン、キナクリドン、ルブレン、ジスチリルベンゼン誘導体、ジスチリルアリーレン誘導体、ジスチリルアミン誘導体、及び各種の蛍光色素等からなる群から選択される一種以上の材料から形成される。また、蛍光発光を生じる材料のみならず、燐光発光等のスピン多重項発光を生じる材料、スピン多重項発光を生じる部位を分子内の一部に有する化合物などが用いられてもよい。発光層は、蒸着法、転写法などの乾式プロセスによって形成されても、塗布法などの湿式プロセスによって形成されてもよい。
【００２８】
有機層３は、更に、ホール注入層、ホール輸送層、電子輸送層及び電子注入層から選択される一種以上の層を備えてもよい。これらの層は、公知の有機ＥＬ素子に適用されている適宜の材料から、公知の方法により形成され得る。
【００２９】
対向電極４は、有機層３の上に設けられている。対向電極４は、有機層３及び第一電極２１と重複している（図１参照）。対向電極４は引き出し電極４１によって第二電極２２と接続されている（図１、２参照）。対向電極４は、光反射性を有することが好ましい。この場合、有機層３から第一電極２１及び透明基板１を介して、光が外部へ取り出される。対向電極４及び引き出し電極４１の材料としては、仕事関数の小さい金属、合金、電気伝導性化合物、及びこれらの混合物からなる電極材料が挙げられる。このような材料としては、例えば、ナトリウム、リチウム、マグネシウム、アルミニウムなどが挙げられる。
【００３０】
また、有機ＥＬ素子１００は、封止されていてもよい。例えば、有機層３及び対向電極４を囲む枠、及び透明電極板１０と対向する基板によって、有機ＥＬ素子１００が封止されていてもよい。
【００３１】
次に、第一の実施形態に係る透明電極板１０について、更に詳しく説明する。
【００３２】
透明電極板１０は、透明基板１と透明電極２とを備える。この透明電極２は、図３に示すように、第一電極２１、第二電極２２、及び第一電極２１と第二電極２２との間の間隙５を備える。図３に示すように、間隙５によって第一電極２１と第二電極２２とが隔てられている。第一電極２１の表面には矩形の発光領域７がある。発光領域７は、第一電極２１における、有機層３、及び対向電極４と重複する部分である。発光領域７の外周は、透明電極２の外周よりも内側にある。
【００３３】
間隙５の底部では、透明基板１の表面が露出している。透明基板１の露出している部分には、線状痕６が複数並んで形成されている。
【００３４】
線状痕６は、図４に示すように、複数の短パルス加工痕６０から構成される。短パルス加工痕６０とは、短パルスレーザーの照射により形成される円形の痕のことである。線状痕６を構成する短パルス加工痕６０は、重なりあいながら、直線状に並んでいる。また、線状痕６と直交する方向に隣り合う短パルス加工痕６０は、一部重なっている。
【００３５】
第一の実施形態の間隙５は、第一線状領域５１、二つの接続領域５０、及び二つの第二線状領域５２を備える（図３参照）。
【００３６】
第一線状領域５１は、有機層３が配置される発光領域７の外縁の一辺である辺７１に沿っている。尚、本明細書において、辺７１に沿う方向を方向Ｄ１という。すなわち、第一線状領域５１は、辺７１の近傍にあり、第一線状領域５１の長手方向が辺７１に沿っている。辺７１と第一線状領域５１との間の寸法Ｌ１は３０〜２０００μｍの範囲内であることが好ましい。
【００３７】
第一線状領域５１の方向Ｄ１と直交する方向の寸法Ｒ１が小さいと、発光領域７を広くすることができる。このため、寸法Ｒ１は小さいことが好ましい。具体的には、寸法Ｒ１は、５０〜３００μｍの範囲内であることが好ましい。第一の実施形態では、第一線状領域５１の底部に形成されている複数の線状痕６は、辺７１に沿っている。
【００３８】
第一の実施形態では、第一線状領域５１の方向Ｄ１の一端と他端の各々に、接続領域５０が接続している。接続領域５０の方向Ｄ１と直交する方向の寸法Ｒ２は、第一線状領域５１の寸法Ｒ１と同じである。第一の実施形態では、接続領域５０の底部に形成されている複数の線状痕６は、辺７１に沿っていると共に、第一線状領域５１の線状痕６と連続している。第一の実施形態では、一方の接続領域５０から、第一線状領域５１を通って、他方の接続領域５０まで、線状痕６が連続している。
【００３９】
第二線状領域５２は、第一線状領域５１の両端にそれぞれ接続している二つの接続領域５０から透明電極２の外縁まで、それぞれ、発光領域７から離れる方向に伸びている。このため、接続領域５０は、第一線状領域５１を延長した部分と、第二線状領域５２を延長した部分とが交わる角部である。第一の実施形態では、第二線状領域５２の方向Ｄ１と直交する方向の寸法Ｒ３は、第一線状領域５１の寸法Ｒ１よりも大きい。第二線状領域５２の方向Ｄ１の寸法Ｒ３は、１０００〜３０００μｍの範囲内であることが好ましい。第一の実施形態では、第二線状領域５２の底部に形成されている線状痕６が、辺７１と交差する方向に沿っていると共に、接続領域５０の線状痕６と連続していない。
【００４０】
次に、第一の実施形態に係る透明電極板１０の製造方法について説明する。
【００４１】
まず、透明基板１上に透明導電層２０を備える板を用意する。この透明導電層２０は、第一電極２１及び第二電極２２と同じ材料から作製される。
【００４２】
続いて、透明導電層２０の表面に、光電変換領域７０を規定する。光電変換領域７０は、有機ＥＬ素子１００の発光領域７に相当する領域である。
【００４３】
次に、透明導電層２０の表面にレーザー加工を施す。具体的には、透明導電層２０に対してレーザーを照射して、透明導電層２０におけるレーザーが照射された部分を除去する。
【００４４】
第一の実施形態では、透明基板１上に透明導電層２０が積層されているが、この透明導電層２０にレーザーを照射しても、透明基板１は除去されない。これは、透明導電層２０及び透明基板１の材料に応じたレーザーの種類、及び周波数を有するレーザーを照射するためである。このため、第一の実施形態では、例えば、透明基板１の材料が無アルカリガラスであって、透明導電層２０の材料が酸化インジウム錫である場合に、透明導電層２０に照射するレーザーの波長は、５００〜２０００μｍであることが好ましい。また、レーザーの周波数は１〜１０００ｋＨｚの範囲内であることが好ましい。
【００４５】
透明導電層２０に照射するレーザーの照射位置を移動させることによって、透明導電層２０が線状に取り除かれると共に、線状に透明基板１が露出する。
【００４６】
透明導電層２０にレーザーを照射して透明導電層２０を取り除く際、熱が発生する。この熱影響により、露出した透明基板１の表面に痕が形成される。透明導電層２０に照射したレーザーが短パルスレーザーである場合、露出した透明基板１の表面に、円形状の短パルス加工痕６０が形成される。
【００４７】
レーザーの照射位置を移動させて透明導電層２０を線状に取り除き、線状に透明基板１を露出させると、この透明基板１の表面には、重なり合いながら線状に並んだ複数の短パルス加工痕６０が形成される。複数の短パルス加工痕６０が重なり合いながら線状に並んだものが、線状痕６である。例えば、図４に示す黒矢印に沿ってレーザーの照射位置を移動させながら、透明導電層２０にレーザーを照射することにより、図４に示す線状痕６が形成される。
【００４８】
レーザー加工の性質として、先に照射されたレーザーによる加工は、後に照射されたレーザーによる影響を受けないことが挙げられる。これは、先に照射されたレーザーによって透明導電層２０が取り除かれると、その後レーザーを照射しても透明導電層２０が既に取り除かれているため、透明導電層２０を取り除く際の熱が発生せず、透明基板１に痕が形成されないためである。
【００４９】
このため、図４に示すように、先に照射されたレーザーの短パルス加工痕６０１は、レーザーの照射を受けた部分全てに加工痕が形成されている。それに対して、後に照射されたレーザーの短パルス加工痕６０２は、レーザーの照射を受けた部分における、先に照射されたレーザーの短パルス加工痕６０１と重なる部分には形成されていない。
【００５０】
このため、線状痕６を構成する短パルス加工痕６０を観察することで、レーザーの照射位置の移動方向、及びレーザーを照射した順番を知ることができる。例えば、交差している線状痕６を観察して、図５Ａのような線状痕６が観察された場合、線状痕６１が先に形成され、線状痕６２が後に形成されたことがわかる。また、交差する線状痕６を観察して、図５Ｂのような線状痕６が観察された場合、線状痕６２にが先に形成され、線状痕６１が後に形成されたことがわかる。
【００５１】
また、透明導電層２０に短パルスレーザーを照射して、線状痕６を形成した試験結果を以下に示す。
【００５２】
（試験）
異なるビームパワーを有する短パルスレーザーを使用し、それぞれのレーザーについて、レーザーの照射位置の移動速度を変化させ、透明導電層にレーザーを照射することで形成される間隙の底部の電気抵抗値を測定した。
【００５３】
具体的には、４０ｍｍ×４０ｍｍの無アルカリガラス基板上のＩＴＯ層（厚９０ｎｍ）に対して、レーザーを照射した。レーザーの照射には、レーザーマーカー（ＬＰ−Ｆ１３Ｒ−ＨＺ  Ｙｂ：ファイバーレーザー、ＳＵＮＸ社製）を使用した。レーザーの照射位置が描く軌跡の端部は、基板の外縁の外にある。
【００５４】
そして、汎用ソースメータ（Ｋｅｉｔｈｌｅｙ２４００、ケースレーインスツルメンツ製）を用いて、形成された間隙の両端に２１Ｖの電圧を印加し、間隙の底部の電気抵抗値を測定した。その結果を表１に示す。
【００５５】
【表１】
2016031860.tif 000003
【００５６】
表１より、ビームパワーの異なるレーザーにおいて、レーザーの照射位置の移動速度を遅くすることで、電気抵抗値が小さくなる傾向がある。
【００５７】
また、表１における、ビームパワーが１．３５Ｗである場合に形成された間隙について、光学顕微鏡で観察した結果を図６Ａに示し、各線状痕の深さを接触式段差系で測定した結果を図６Ｂに示す。
【００５８】
図６Ａによると、レーザーの照射位置の移動速度が速い場合、鮮明な短パルス加工痕が形成されている。一方、レーザーの照射位置の移動速度が遅い場合、不鮮明な短パルス加工痕が形成されている。
【００５９】
図６Ｂによると、レーザーの照射位置の移動速度が速い場合、明確な間隙が形成されると共に、間隙の深さはＩＴＯ層の厚みと略一致する。一方、レーザーの照射位置の移動速度が遅い場合、間隙は明確でなく、ＩＴＯ層が十分に除去されていない。
【００６０】
この試験結果から、線状痕６を形成する際にレーザーの照射位置の移動速度を遅くすると、透明電極板１０における、透明導電層２０の除去された部分の電気抵抗値が低くなる、といえる。これは、レーザーの照射位置の移動速度が遅い部分では、レーザーの照射によって生じる熱量が大きくなり、その結果、透明導電層２０を構成する物質と、透明基板１を構成する物質との反応生成物が生成して、残留してしまうためであると考えられる。このような、電気抵抗値が低い部分が形成されると、第一電極２１と第二電極２２との間に短絡が生じてしまう。
【００６１】
また、レーザーの照射位置が描く軌跡の端部では、レーザーの照射位置の移動速度が０となる。このため、レーザーの照射位置が描く軌跡の端部では、電気抵抗値が低くなりやすい。
【００６２】
これらのことから、本発明では、レーザー加工で間隙５を形成するにあたり、電気抵抗値が低い部分によって第一電極２１と第二電極２２との間に短絡が生じることを抑制することを目的とする。
【００６３】
第一の実施形態では、まず、レーザー加工によって、第一線状領域５１、及び二つの接続領域５０を形成する（図７Ａ参照）。
【００６４】
具体的には、方向Ｄ１に沿って、レーザーの照射位置を移動させながら、透明導電層２０の表面にレーザーを照射して、辺７１に沿った線状痕６を形成する。続いて、レーザーの照射位置を方向Ｄ１と直交する方向にずらす。続いて、方向Ｄ１に沿って、レーザーの照射位置を移動させながら、透明導電層２０の表面にレーザーを照射して、辺７１に沿った線状痕６を形成する。この手順を複数回繰り返すことで、線状痕６が複数並んで形成され、これにより、第一線状領域５１、及び第一線状領域５１の方向Ｄ１の両端に接続した二つの接続領域５０が形成される。
【００６５】
レーザーの照射位置をずらす距離は、短パルス加工痕６０の加工径の１／３〜１／２の範囲内であることが好ましい。レーザーの照射位置をずらす際には、レーザーの照射を停止することが好ましい。
【００６６】
次に、二つの第二線状領域５２を形成する（図７Ｂ参照）。第一の実施形態では、二つの接続領域５０が存在し、二つの接続領域５０に、それぞれ接続する二つの第二線状領域５２を形成するが、どちらの第二線状領域５２を先に形成してもよい。
【００６７】
第一の実施形態では、第二線状領域５２の形成に使用するレーザーの短パルス加工痕６０の加工径は、第一線状領域５１及び接続領域５０を形成したレーザーの短パルス加工痕６０の加工径と同じである。
【００６８】
第二線状領域５２の形成にあたり、まず、方向Ｄ１と直交する方向、すなわち、第二線状領域５２の長手方向に沿って、レーザーの照射位置を移動させながら、透明導電層２０の表面にレーザーを照射して、光電変換領域７０から離れる方向に伸びる線状痕６を形成する。続いて、レーザーの照射位置を方向Ｄ１に沿ってずらす。続いて、方向Ｄ１と直交する方向に沿って、レーザーの照射位置を移動させながら、透明導電層２０にレーザーを照射して、光電変換領域７０に近づく方向に伸びる線状痕６を形成する。この手順を繰り返すことで、線状痕６が複数並んで形成され、これにより、第二線状領域５２が形成される。
【００６９】
方向Ｄ１と直交する方向にレーザーの照射位置を移動させる際、レーザーの照射位置が描く軌跡の、一方の端部が接続領域５０内にあり、他方の端部が透明導電層２０の外縁の外にあることが好ましい。
【００７０】
上記のレーザー加工によって、図３に示す、第一線状領域５１、二つの接続領域５０、及び二つの第二線状領域５２が形成される。これにより、第一電極２１、第二電極２２、及び間隙５を備える透明電極板１０が形成される。
【００７１】
第一の実施形態に係る有機ＥＬ素子１００及び透明電極板１０が上記の構成を備えることにより、以下の効果を奏する。
【００７２】
第一の実施形態では、第一線状領域５１と接続領域５０とを第二線状領域５２よりも先に形成していると共に、第一線状領域５１と接続領域５０とを、透明導電層２０に対する連続したレーザーの照射によって形成している。このため、第一線状領域５１の線状痕６、及び接続領域５０の線状痕６は、辺７１に沿っていると共に、連続している。第一線状領域５１及び接続領域５０における辺７１の近傍に、レーザーの照射位置が描く軌跡の端部が存在すると、辺７１の近傍の電気抵抗値が低くなり、第一電極２１と第二電極２２との間に短絡が生じやすくなる。しかしながら、第一の実施形態では、第一線状領域５１及び接続領域５０における辺７１の近傍に、レーザーの照射位置が描く軌跡の端部が存在していない。このため、第一線状領域５１及び接続領域５０における辺７１の近傍の電気抵抗値が高い。これにより、第一電極２１と第二電極２２との間の短絡を抑制することができる。特に、発光領域７の面積を広くするために寸法Ｒ１を小さくしている場合であっても、短絡を抑制することができる。
【００７３】
第一の実施形態では、第二線状領域５２の長手方向に沿ってレーザーの照射位置を移動させるため、効率よく第二線状領域５２を形成することができる。特に、レーザーの照射位置が描く軌跡の発光領域７側の端部が、接続領域５０内にあれば、接続領域５０には既にレーザー加工が施されているため、この端部でレーザーの照射位置の移動速度が０になっても、電気抵抗値の低下は生じない。また、レーザーの照射位置が描く軌跡の発光領域７側とは反対側の端部が、透明導電層２０の外縁の外にあれば、透明導電層２０が存在しない位置でレーザーの照射位置の移動速度が０になるので、電気抵抗値の低下は生じない。このため、第一電極２１と第二電極２２との短絡を更に抑制することができる。
【００７４】
尚、第一の実施形態では、第一線状領域５１及び接続領域５０の線状痕６を形成するレーザーの短パルス加工痕６０の加工径と、第二線状領域５２の線状痕６を形成するレーザーの短パルス加工痕６０の加工径が同じであるが、これに限られない。
【００７５】
例えば、第一線状領域５１及び接続領域５０の線状痕６を構成するレーザーの短パルス加工痕６０の加工径と、第二線状領域５２の線状痕６を構成するレーザーの短パルス加工痕６０の加工径とが異なっていてもよい。例えば、レーザーパワーを強くする、レーザーの焦点をぼかす、レーザーの光源を変更する、或いは、適宜の光学系を用いることにより、短パルス加工痕６０の加工径の大きさを調整することができる。このため、第一線状領域５１、及び第二線状領域５２を形成するにあたり、第一線状領域５１の寸法Ｒ１、及び第二線状領域５２の寸法Ｒ３に応じて、レーザーパワーの調整等を行い、短パルス加工痕６０の加工径を異ならせることにより、第一線状領域５１、接続領域５０、及び第二線状領域５２を効率よく形成することができる。
【００７６】
短パルス加工痕６０の加工径を調整する場合、例えば、複数の短パルス加工痕６０のうち、第一線状領域５１の線状痕６を構成する短パルス加工痕６の加工径が、第二線状領域５２の線状痕６を構成する短パルス加工痕６０の加工径よりも小さいことが好ましい。すなわち、第二線状領域５２の線状痕６を構成するレーザーの短パルス加工痕６０の加工径が、第一線状領域５１及び接続領域５０の線状痕６を構成するレーザーの短パルス加工痕６０の加工径よりも大きいことが好ましい。短パルス加工痕６０の加工径を大きくすることで、線状痕６の幅寸法を大きくすることができる。第一の実施形態では、第二線状領域５２の寸法Ｒ３は、第一線状領域５１の寸法Ｒ１よりも大きいため、第二線状領域５２の線状痕６の幅寸法を大きくすることにより、第二線状領域５２を形成するのに必要なレーザーの照射回数を少なくすることができる。これにより、第二線状領域５２を効率よく形成することができる。
【００７７】
また、短パルス加工痕６０の加工径が大きい場合、レーザーの照射による発熱量が大きいため、レーザーの照射位置が描く軌跡の端部では、電気抵抗値が特に低下しやすい。しかしながら、第二線状領域５２を形成する際の、レーザーの照射位置が描く軌跡の両端部が、それぞれ接続領域５０内と透明導電層２０の外縁の外にあれば、電気抵抗値の低下を抑制することができる。
【００７８】
以下、第二の実施形態に係る有機ＥＬ素子１００、及び透明電極板１０の製造方法について更に詳しく説明する。
【００７９】
第二実施形態に係る有機ＥＬ素子１００の、透明電極板１０以外の構成は、第一の実施形態の有機ＥＬ素子１００の構成と同じである。
【００８０】
続いて、第二の実施形態に係る透明電極板１０について、図８を参照しながら、更に詳しく説明する。
【００８１】
第二の実施形態の間隙５は、第一線状領域５１、二つの接続領域５０、及び二つの第二線状領域５２を備える。
【００８２】
第一線状領域５１及び接続領域５０は、第一の実施形態に係る透明電極板１０の第一線状領域５１及び接続領域５０と同じである。すなわち、第一線状領域５１は、辺７１の近傍にあり、第一線状領域５１の長手方向が辺７１に沿っている。また、第一線状領域５１の方向Ｄ１の両端に二つの接続領域５０がそれぞれ接続されている。更に、接続領域５０の底部に形成されている複数の線状痕６は、辺７１に沿っていると共に、第一線状領域５１の線状痕６と連続している。
【００８３】
第二線状領域５２は、第一線状領域５１の方向Ｄ１の両端に接続している二つの接続領域５０から、それぞれ発光領域７から離れる方向に伸びている。第二の実施形態では、第二線状領域５２が、接続領域５０と接続する受け領域５３を備える。
【００８４】
受け領域５３の方向Ｄ１と直交する方向の寸法Ｒ４は、３０〜１０００μｍの範囲内であることが好ましい。受け領域５３の底部に形成されている複数の線状痕６は、辺７１に沿っている。このため、第二の実施形態では、受け領域５３の線状痕６は、第一線状領域５１及び接続領域５０の線状痕６に沿っている。
【００８５】
第二の実施形態では、受け領域５３以外の第二線状領域５２における複数の線状痕６が、辺７１と交差する方向に沿っている。このため、第二線状領域５２では、受け領域５３とそれ以外の領域とで、線状痕６が連続していない。
【００８６】
以下、第二の実施形態に係る透明電極板１０の製造方法について、図９Ａ、図９Ｂ、及び図９Ｃを参照しながら、説明する。
【００８７】
まず、透明基板１上に透明導電層２０を備える板を用意して、この透明導電層２０の表面に、光電変換領域７０を規定する。
【００８８】
次に、透明導電層２０の表面にレーザー加工を施す。
【００８９】
第二の実施形態では、まず、第一線状領域５１及び二つの接続領域５０を形成する（図９Ａ参照）。第一線状領域５１及び接続領域５０を形成する方法は、第一の実施形態に係る透明電極板１０の製造方法と同じである。
【００９０】
次に、二つの第二線状領域５２を形成する（図９Ｂ参照）。第二の実施形態では、第一線状領域５１の方向Ｄ１の両端に、二つの接続領域５０が接続し、この二つの接続領域５０に、それぞれ接続する二つの第二線状領域５２を形成するが、どちらの第二線状領域５２を先に形成してもよい。
【００９１】
第二線状領域５２の形成にあたり、まず、受け領域５３を形成する。
【００９２】
受け領域５３の形成にあたり、方向Ｄ１に沿って、レーザーの照射位置を移動させながら、透明導電層２０の表面にレーザーを照射して、接続領域５０に隣接し、且つ辺７１に沿う線状痕６を形成した後、レーザーの照射位置を方向Ｄ１と直交する方向にずらし、再び、方向Ｄ１に沿って、レーザーの照射位置を移動させながら、透明導電層２０の表面にレーザーを照射する。この手順を複数回繰り返すことで、辺７１に沿う線状痕６が複数並んで形成され、これにより、受け領域５３が形成される。
【００９３】
レーザーの照射位置をずらす距離は、短パルス加工痕６０の加工径の１／３〜１／２の範囲内であることが好ましい。レーザーの照射位置をずらす際には、レーザーの照射を停止することが好ましい。
【００９４】
次に、第二線状領域５２における受け領域５３以外の領域を形成する（図９Ｃ参照）。
【００９５】
まず、方向Ｄ１と直交する方向に沿って、レーザーの照射位置を移動させながら、透明導電層２０の表面にレーザーを照射して、光電変換領域７０から離れる方向に伸びる線状痕６を形成する。続いて、レーザーの照射位置を方向Ｄ１に沿ってずらす。続いて、方向Ｄ１と直交する方向に沿って、レーザーの照射位置を移動させながら、透明導電層２０にレーザーを照射して、光電変換領域７０に近づく方向に伸びる線状痕６を形成する。この手順を繰り返すことで、線状痕６が複数並んで形成され、これにより、第二線状領域５２における受け領域５３以外の領域が形成される。
【００９６】
方向Ｄ１と直交する方向にレーザーの照射位置を移動させる際、レーザーの照射位置が描く軌跡の、一方の端部が受け領域５３内又は接続領域５０内にあり、他方の端部が透明導電層２０の外縁の外にあることが好ましい。
【００９７】
上記のレーザー加工によって、図８に示す、第一線状領域５１、二つの接続領域５０、及び二つの第二線状領域５２が形成される。これにより、第一電極２１、第二電極２２、及び間隙５を備える透明電極板１０が形成される。
【００９８】
第二の実施形態に係る有機ＥＬ素子１００及び透明電極板１０が上記の構成を備えることにより、以下の効果を奏する。
【００９９】
第二の実施形態では、第二線状領域５２における受け領域５３以外の領域を形成する際、その長手方向に沿ってレーザーの照射位置を移動させるため、第二線状領域５２における受け領域５３以外の領域を効率よく形成することができる。特に、レーザーの照射位置の軌跡の発光領域７側の端部が、受け領域５３又は接続領域５０内にあれば、受け領域５３及び接続領域５０には、既にレーザー加工が施されているため、この端部でレーザーの照射位置の移動速度が０になっても、電気抵抗値の低下は生じない。また、レーザーの照射位置の軌跡の発光領域７側とは反対側の端部が、透明導電層２０の外縁の外にあれば、透明導電層２０が存在しない位置でレーザーの照射位置の移動速度が０になるので、電気抵抗値の低下が生じない。このため、第一電極２１と第二電極２２との間の短絡を更に抑制することができる。
【０１００】
また、受け領域５３以外の第二線状領域５２のレーザー加工を施す場合、寸法Ｒ１及びＲ２が小さくても、レーザーの照射位置を、接続領域５０の発光領域７の外縁に達する前に、受け領域５３内又は接続領域５０内で停止させることが容易になる。このため、レーザー加工の精度が高くなる。
【０１０１】
更に、レーザー加工で受け領域５３を形成する際には、レーザーの照射位置の軌跡の端部で電気抵抗値の低下が生じることがあるが、寸法Ｒ３は寸法Ｒ１及びＲ２より大きく形成することができるため、第一電極２１と第二電極２２との短絡を抑制することができる。
【０１０２】
尚、第二の実施形態においても、第一の実施形態と同様に、第一線状領域５１及び接続領域５０の線状痕６を形成するのに使用するレーザーの短パルス加工痕６０の加工径と、第二線状領域５２の線状痕６を形成するのに使用するレーザーの短パルス加工痕６０の加工径とは、同じであってもよく、異なっていてもよい。
【０１０３】
第二の実施形態では、受け領域５３の線状痕６を形成するのに使用するレーザーの短パルス加工痕６０の加工径と、第一線状領域５１及び接続領域５０を形成するのに使用するレーザーの短パルス加工痕６０の加工径とは、同じであってもよく、異なっていてもよい。
【０１０４】
また、受け領域５３の線状痕６を形成するのに使用するレーザーの短パルス加工痕６０の加工径と、受け領域５３以外の第二線状領域５２の線状痕６を形成するのに使用するレーザーの短パルス加工痕６０の加工径とは、同じであってもよく、異なっていてもよい。
【０１０５】
例えば、受け領域５３以外の第二線状領域５２を形成するのに使用するレーザーの短パルス加工痕６０の加工径が、受け領域５３の線状痕６を形成するのに使用するレーザーの短パルス加工痕６０の加工径よりも、大きくてもよい。
【０１０６】
以下、第三の実施形態に係る有機ＥＬ素子１００、及び透明電極板１０の製造方法について説明する。
【０１０７】
第三の実施形態に係る有機ＥＬ素子１００は、透明基板１上に透明電極２を備える透明電極板１０の上に、有機層３、及び対向電極４が、この順に積層されている。透明電極２は、有機層３と電気的に接続される第一電極２１、対向電極４と電気的に接続される第二電極２２、及び第一電極２１と第二電極２２との間の間隙５を備える。第一電極２１は、有機層３と重複していると共に、対向電極４とも重複している発光領域７を備える。間隙５の底部では、透明基板１が露出していると共に、レーザーの照射で形成される線状痕６が複数本並んで形成されている。間隙５は、発光領域７の外縁の一辺７１に沿う第一線状領域５１、第一線状領域５１の端部に接続している接続領域５０、及び接続領域５０から、発光領域７から離れる方向に伸びる第二線状領域５２を備える。線状痕６のうち、接続領域５０の線状痕６は、第一線状領域５１及び第二線状領域５２のいずれの線状痕６とも連続していない。
【０１０８】
第三の実施形態に係る透明電極板１０の製造方法では、まず、透明基板１上に透明導電層２０を備える板の透明導電層２０の表面に、光電変換領域７０を規定する。続いて、透明導電層２０にレーザー加工を施すことで、光電変換領域７０の外縁の一辺７１に沿う第一線状領域５１、第一線状領域５１の端部に接続している接続領域５０、及び接続領域５０から、光電変換領域７０から離れる方向に伸びる第二線状領域５２を備える間隙５を形成する。
【０１０９】
間隙５の形成にあたっては、接続領域５０を形成した後、透明導電層２０上でレーザーの照射する位置を辺７１に沿って移動させることで、第一線状領域５１を形成してから、第二線状領域５２を形成する。或いは、第二線状領域５２を形成してから、透明導電層２０上でレーザーの照射する位置を辺７１に沿って移動させることで、第一線状領域５１を形成する。
【０１１０】
以下、第三の実施形態に係る有機ＥＬ素子１００、及び透明電極板１０の製造方法について更に詳しく説明する。
【０１１１】
第三の実施形態に係る有機ＥＬ素子１００の、透明電極板１０以外の構成は、第一の実施形態の有機ＥＬ素子１００の構成と同じである。
【０１１２】
続いて、第三のの実施形態に係る透明電極板１０について、図１０を参照しながら、更に詳しく説明する。
【０１１３】
第三の実施形態の間隙５は、第一線状領域５１、二つの接続領域５０、及び二つの第二線状領域５２を備える。
【０１１４】
第一線状領域５１は、有機層３が配置される発光領域７の外縁の一辺である辺７１に沿っている。すなわち、第一線状領域５１は、辺７１の近傍にあり、第一線状領域５１の長手方向が辺７１に沿っている。第三の実施形態では、第一線状領域５１の底部に形成されている複数の線状痕６は、辺７１に沿っている。
【０１１５】
第三の実施形態では、第一線状領域５１の方向Ｄ１の一端と他端の各々に、接続領域５０が接続している。第三の実施形態では、接続領域５０における複数の線状痕６は、第一線状領域５１の線状痕６と連続していない。接続領域５０の底部に形成されている線状痕６の方向は、特に限定されない。第三の実施形態では、接続領域５０における複数の線状痕６は、例えば、辺７１に沿っている。
【０１１６】
第二線状領域５２は、第一線状領域５１の両端にそれぞれ接続している二つの接続領域５０から透明電極２の外縁まで、それぞれ、発光領域７から離れる方向に伸びている。第三の実施形態では、第二線状領域５２の底部に形成されている線状痕６が、辺７１と交差する方向に沿っていると共に、接続領域５０の線状痕６と連続していない。
【０１１７】
すなわち、第三の実施形態では、接続領域５０の線状痕６は、第一線状領域５１及び第二線状領域５２のいずれの線状痕６とも連続していない。
【０１１８】
以下、第三の実施形態に係る透明電極板１０の製造方法について説明する。
【０１１９】
まず、透明基板１上に透明導電層２０を備える板を用意して、この透明導電層２０の表面に、光電変換領域７０を規定する。
【０１２０】
次に、透明導電層２０の表面にレーザー加工を施す。
【０１２１】
第三の実施形態では、まず、二つの接続領域５０を形成する（図１１Ａ参照）。二つの接続領域５０のうち、どちらを先に形成してもよい。
【０１２２】
第三の実施形態では、接続領域５０を形成する際、第一線状領域５１を形成する際のレーザー加工時と比べて発熱量の少ない条件で、レーザー加工を施すことが好ましい。例えば、第一線状領域５１の形成時と比べて、ビームパワーが弱いレーザー、又は短パルス加工痕６０の加工径が小さいレーザーを使用して、レーザー加工を施すことが好ましい。この場合、レーザーの照射位置の移動する方向は特に限定されない。第三の実施形態では、例えば、方向Ｄ１に沿って、レーザーの照射位置を移動させる。
【０１２３】
接続領域５０の形成にあたり、方向Ｄ１に沿って、レーザーの照射位置を移動させながら、透明導電層２０の表面にレーザーを照射して、辺７１に沿った線状痕６を形成する。続いて、レーザーの照射位置を方向Ｄ１と直交する方向にずらす。続いて、方向Ｄ１に沿って、レーザーの照射位置を移動させながら、透明導電層２０の表面にレーザーを照射すして、辺７１に沿った線状痕６を形成する。この手順を複数回繰り返すことで、線状痕６が複数並んで形成され、これにより、接続領域５０が形成される。
【０１２４】
レーザーの照射位置をずらす距離は、短パルス加工痕６０の加工径の１／３〜１／２の範囲内であることが好ましい。レーザーの照射位置をずらす際には、レーザーの照射を停止することが好ましい。
【０１２５】
次に、第一線状領域５１及び第二線状領域５２を形成する。第一線状領域５１を形成した後、第二線状領域５２を形成してもよく、第二線状領域５２を形成した後、第一線状領域５１を形成してもよい。第三の実施形態では、第一線状領域５１を先に形成する（図１１Ｂ参照）。
【０１２６】
第一線状領域５１の形成にあたり、まず、方向Ｄ１に沿って、レーザーの照射位置を移動させながら、透明導電層２０の表面にレーザーを照射して、辺７１に沿った線状痕６を形成する。続いて、レーザーの照射位置を方向Ｄ１と直交する方向にずらす。続いて、方向Ｄ１に沿って、レーザーの照射位置を移動させながら、透明導電層２０の表面にレーザーを照射して、辺７１に沿う線状痕６を形成する。この手順を複数回繰り返すことで、線状痕６が複数並んで形成され、これにより、第一線状領域５１が形成される。
【０１２７】
方向Ｄ１に沿ってレーザーの照射位置を移動させる際、レーザーの照射位置が描く軌跡の両端は、それぞれ接続領域５０内にあることが好ましい。
【０１２８】
次に、二つの第二線状領域５２を形成する（図１１Ｃ参照）。第三の実施形態では、二つの接続領域５０が存在し、二つの接続領域５０に、それぞれ接続する二つの第二線状領域５２を形成するが、どちらの第二線状領域５２を先に形成してもよい。
【０１２９】
第二線状領域５２の形成にあたり、まず、方向Ｄ１と直交する方向に沿って、レーザーの照射位置を移動させながら、透明導電層２０の表面にレーザーを照射して、光電変換領域７０から離れる方向に伸びる線状痕６を形成する。続いて、レーザーの照射位置を方向Ｄ１に沿ってずらす。続いて、方向Ｄ１と直交する方向に沿って、レーザーの照射位置を移動させながら、透明導電層２０にレーザーを照射して、光電変換領域７０に近づく方向に伸びる線状痕６を形成する。この手順を繰り返すことで、線状痕６が複数並んで形成され、これにより、第二線状領域５２が形成される。
【０１３０】
方向Ｄ１と直交する方向にレーザーの照射位置を移動させる際、レーザーの照射位置が描く軌跡の、一方の端部が接続領域５０内にあり、他方の端部が透明導電層２０の外縁の外にあることが好ましい。
【０１３１】
上記のレーザー加工によって、図１０に示す、第一線状領域５１、二つの接続領域５０、及び二つの第二線状領域５２が形成される。これにより、第一電極２１、第二電極２２、及び間隙５を備える透明電極板１０が形成される。
【０１３２】
第三の実施形態に係る有機ＥＬ素子１００及び透明電極板１０が上記の構成を備えることにより、以下の効果を奏する。
【０１３３】
第三の実施形態では、接続領域５０の形成時に、第一線状領域５１を形成する際のレーザー加工と比べて発熱量の少ない条件でレーザー加工すると、レーザーの照射位置の移動速度が０となっても、電気抵抗値の低下を抑制することができる。このため、第一電極２１と第二電極２２との間の短絡を更に抑制することができる。
【０１３４】
また、接続領域５０を第一線状領域５１よりも先に形成していると共に、第一線状領域５１の線状痕６が辺７１に沿っている。もしも、第一線状領域５１における辺７１の近傍に、レーザーの照射位置が描く軌跡の端部が存在すると、辺７１の近傍の電気抵抗値が低くなり、第一電極２１と第二電極２２との間に短絡が生じやすくなる。しかしながら、第三の実施形態では、第一線状領域５１における辺７１の近傍に、レーザーの照射位置が描く軌跡の端部が存在していない。このため、第一線状領域５１における辺７１の近傍の電気抵抗値が高い。これにより、第一電極２１と第二電極２２との間の短絡を抑制することができる。特に、発光領域７の面積を広くするために寸法Ｒ１を小さくしている場合であっても、短絡を抑制することができる。
【０１３５】
第三の実施形態では、第二線状領域５２の長手方向に沿ってレーザーの照射位置を移動させるため、効率よく第二線状領域５２を形成することができる。特に、レーザーの照射位置が描く軌跡の発光領域７側の端部が、接続領域５０内にあれば、接続領域５０には既にレーザー加工が施されているため、この端部でレーザーの照射位置の移動速度が０になっても、電気抵抗値の低下は生じない。また、レーザーの照射位置が描く軌跡の発光領域７側とは反対側の端部が、透明導電層２０の外縁の外にあれば、透明導電層２０が存在しない位置でレーザーの照射位置の移動速度が０になるので、電気抵抗値の低下は生じない。このため、第一電極２１と第二電極２２との短絡を更に抑制することができる。
【０１３６】
第三の実施形態では、第一線状領域５１の長手方向に沿ってレーザーの照射位置を移動させるため、効率よく第一線状領域５１を形成することができる。特に、レーザーの照射位置が描く軌跡の両端部が、接続領域５０内にあれば、接続領域５０には既にレーザー加工が施されているため、両端部でレーザーの照射位置の移動速度が０になっても、電気抵抗値の低下は生じない。このため、第一電極２１と第二電極２２との短絡を更に抑制することができる。
【０１３７】
尚、第三の実施形態では、第一線状領域５１の線状痕６を形成するのに使用するレーザーの短パルス加工痕６０の加工径と、第二線状領域５２の線状痕６を形成するのに使用するレーザーの短パルス加工痕６０の加工径とが、同じであってもよく、異なっていてもよい。
【０１３８】
例えば、レーザーパワーを強くする、レーザーの焦点をぼかす、レーザーの光源を変更する、或いは、適宜の光学系を用いることにより、短パルス加工痕６０の加工径の大きさを調整することができる。このため、第一線状領域５１、及び第二線状領域５２を形成するにあたり、第一線状領域５１の寸法Ｒ１、及び第二線状領域５２の寸法Ｒ３に応じて、レーザーパワーの調整等を行い、短パルス加工痕６０の加工径を異ならせることにより、第一線状領域５１、接続領域５０、及び第二線状領域５２を効率よく形成することができる。
【０１３９】
短パルス加工痕６０の加工径を調整する場合、例えば、第二線状領域５２の線状痕６を構成するレーザーの短パルス加工痕６０の加工径が、第一線状領域５１の線状痕６を構成するレーザーの短パルス加工痕６０の加工径よりも大きいことが好ましい。第二線状領域５２の寸法Ｒ３は、第一線状領域５１の寸法Ｒ１よりも大きいため、第二線状領域５２の線状痕６の幅寸法を大きくすることにより、第二線状領域５２を形成するのに必要なレーザーの照射回数を少なくすることができる。これにより、第二線状領域５２を効率よく形成することができる。
【０１４０】
また、短パルス加工痕６０の加工径が大きい場合、レーザーの照射による発熱量が大きいため、レーザーの照射位置が描く軌跡の端部では、電気抵抗値が特に低下しやすい。しかしながら、第二線状領域５２を形成する際の、レーザーの照射位置が描く軌跡の両端部が、それぞれ接続領域５０内と透明導電層２０の外縁の外にあれば、電気抵抗値の低下を抑制することができる。
【０１４１】
更に、第三の実施形態では、接続領域５０の線状痕６を構成するレーザーの短パルス加工痕６０の加工径が、第一線状領域５１及び第二線状領域５２の線状痕６を構成するレーザーの短パルス加工痕６０の加工径と異なっていてもよい。接続領域５０を形成するにあたり、接続領域５０の寸法に応じて、短パルス加工痕６０の加工径を異ならせることにより、接続領域５０を効率よく形成することができる。
【０１４２】
接続領域５０の線状痕６を構成する短パルス加工痕６０の加工径を調整する場合、例えば、接続領域５０の線状痕６を構成する短パルス加工痕６０の加工径を、第一線状領域５１、及び第二線状領域５２の線状痕６を構成する短パルス加工痕６０の加工径よりも、小さくすることが好ましい。短パルス加工痕６０の加工径が小さいと、レーザーの照射による発熱量が少ない。これにより、接続領域５０の形成に伴う、電気抵抗値の低下を抑制することができ、第一電極２１と第二電極２２との間の短絡を更に防ぐことができる。
【０１４３】
更に、第三の実施形態においても、第二の実施形態と同様に、第二線状領域５２が、接続領域５０と接続する受け領域５３を備えていてもよい。この受け領域５３を、接続領域５０を形成した後に形成してもよく、第一線状領域５１を形成した後に形成してもよい。
【０１４４】
第二線状領域５２が受け領域５３を備える場合、第二線状領域５２を形成する際のレーザーの照射位置の軌跡の発光領域7側の端部が、受け領域５３内又は接続領域５０内にあれば、受け領域５３及び接続領域５０には、既にレーザー加工が施されているため、この端部でレーザーの照射位置の移動速度が０になっても、電気抵抗値の低下は生じない。
【０１４５】
また、受け領域５３以外の第二線状領域５２のレーザー加工を施す場合、寸法Ｒ１及びＲ２が小さくても、レーザーの照射位置を、接続領域５０の発光領域７の外縁に達する前に、受け領域５３内又は接続領域５０内で停止させることが容易になる。このため、レーザー加工の精度が高くなる。
【０１４６】
更に、第一乃至第三の実施形態に係る透明電極板１０の製造方法によって製造された透明電極板１０は、有機ＥＬ素子だけでなく、光を電気に、或いは電気を光に変換する適宜の光電変換素子に適用することができる。例えば、透明電極板１０を太陽電池に適用することができる。
【符号の説明】
【０１４７】
１    透明基板
２    透明電極
２０  透明導電層
２１  第一電極
２２  第二電極
３    有機層
４    対向電極
５    間隙
５０  接続領域
５１  第一線状領域
５２  第二線状領域
５３  受け領域
６    線状痕
６０  短パルス加工痕
７    発光領域
７０  光電変換領域
７１  辺
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図５】
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【図６】
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