(57)【要約】      （修正有）【課題】ヒートビーム加熱装置の加熱温度より低い温度に保持された基体表面に高温環境でしか成膜できないとされていた材料薄膜を成膜するヒートビーム成膜装置の提供。【解決手段】触媒機能のある元素を含む金属材料に高温加熱した原料ガス２０５が繰り返し高速衝突する流路構造を有した原料ガス２０５の瞬間加熱機構２０７と、前記原料ガス２０５の瞬間加熱機構２０７の温度より低い温度で支持された基体２１２と、を備え、原料ガス２０５の瞬間加熱機構２０７を通じて発生させた生成ガス２０９を基体２１２に吹き付け接触させて成膜するヒートビーム成膜装置及び成膜方法。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
触媒機能のある元素を含む金属材料に高温加熱した原料ガスが繰り返し高速衝突する流路構造を有した原料ガスの瞬間加熱機構と、
前記原料ガスの瞬間加熱機構の温度より低い温度で支持された基体と、
を備え、前記原料ガスの瞬間加熱機構を通じて発生させた生成ガスを前記基体に吹き付け接触させて成膜するヒートビーム成膜装置。
【請求項２】
前記原料ガスの瞬間加熱機構の流路の表面が、ルテニュームやニッケル、白金、鉄、クロム、アルミニューム、タンタルの元素の一つ以上を含む金属で形成されていることを特徴とする請求項１に記載のヒートビーム成膜装置。
【請求項３】
前記原料ガスの瞬間加熱機構が、複数設けられていることを特徴とする請求項１または２に記載のヒートビーム成膜装置。
【請求項４】
前記原料ガスが水、またはメタンなどの炭化水素、またはアルミニュームやハフニューム・ガリューム・亜鉛・チタン・シリコン・マグネシューム・インジュームのいずれかの金属元素を含む有機金属ガス、または窒素やアルゴンを含む不活性ガス、または水素やアンモニアなどの還元ガス、またはこれらの混合ガスであることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれかに記載のヒートビーム成膜装置。
【請求項５】
前記原料ガスの瞬間加熱機構の加熱温度が１００℃から９００℃であることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれかに記載のヒートビーム成膜装置。
【請求項６】
前記基体がガラス、シリコンウエハ、プラスチック、カーボンであることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれかに記載のヒートビーム成膜装置。
【請求項７】
前記基体が移動することを特徴とする請求項１から請求項６のいずれかに記載のヒートビーム成膜装置。
【請求項８】
前記基体が有機ＥＬデバイス、または液晶デバイス、または太陽電池、またはフォトレジストパターンが形成された基体であることを特徴とする請求項１から請求項７のいずれかに記載のヒートビーム成膜装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基体の温度より高温に瞬間加熱する部品を通して、原料ガスを変化させて生成したガスを基体表面に導き、成膜を行なうヒートビーム成膜装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、ガスの分子の化学結合エネルギーは３ｅＶ以上あるものが多く、ガスを高温加熱しただけでは分子は分解しない。しかし、高温に加熱したガスを触媒効果のある元素を含む金属に垂直に衝突させると、ガス分子は反応しやすくなる。触媒上に化学反応可能なガス種を加熱して衝突させると、反応してもとのガスとは異なる分子種または形態のガスを生成できる（以後、これを触媒衝突反応と呼ぶことにする）。例えば、ルテニューム触媒を入れた容器内で、メタンと水蒸気とを瞬間的に加熱したガスをルテニューム触媒上に衝突させると反応が進み、水素Ｈ２と二酸化炭素ＣＯ２、一酸化炭素ＣＯが生成する。この反応が、触媒衝突反応の一例である（例えば、特許文献１を参照）。このとき、水は加熱され蒸気になるが、温度が単純に高くなるだけでなく、分子が重合した多量体（水のクラスタ）から単量体にその構造も変化すると考えられる。生成した単量体ガスは化学的な性質が変化し、通常の水とは違う活性な化学的性質を持つと推量される。
【０００３】
この触媒衝突反応を産業的に利用するためには、ガスを瞬間的に加熱する装置とガスを触媒に衝突させる安価で小型の加熱装置が必要となる。
【０００４】
その要求を満たすガス加熱装置が特許文献２，３，４，５，６に記載されてある装置である。以後、これら特許文献に示された瞬間加熱装置を、ここでは、ヒートビーム加熱装置という。この原理は、ガスを高速で高温の壁に衝突させて、壁とガスの熱交換を効率よく行わせるものである。
【０００５】
この原理の説明を明瞭にするために、特許文献６に掲載された瞬間加熱装置の熱交換器の主要構造図を引用して図４に示した。この特許発明によれば、熱交換基体材料の表面に形成された、狭いガス流路においてガスを高速化し、これを流路壁に垂直衝突させる。当該流路壁は、電気的に加熱されているため、この衝突により熱交換が行われる。また、特許文献６に示されるヒートビーム加熱装置は、上記の構造が、多段に構成されているため、効率よくガスを瞬間的に加熱することができる。
【０００６】
特許文献６は、さらに複数ガスを前記ヒートビーム加熱装置で加熱し、その加熱温度より低い温度に保持されたガラスやプラスチック基体上に、以前では基体を高温にしなければ成長できないとされていた材料を成長させる成膜装置の発明を開示している。
【０００７】
特許文献６の発明は、さらにヒートビーム加熱装置で作り出したキャリアーガスと堆積性のある原料ガスと、を低温に保持したままの基体表面に導き吹き付けて、成膜する発明を開示している。
【０００８】
特許文献６の発明は、さらに複数の同装置を基体表面に配列して異なるガス種が吹き付ける成膜装置の発明を開示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特願２０１４-２１１７５０号公報
【特許文献２】特願２０１２-１０７１２８号公報
【特許文献３】特願２０１２-２０３１１９号公報
【特許文献４】特願２０１３-２３７２１１号公報
【特許文献５】特願２０１３-１９７５９４号公報
【特許文献６】特許第５１０５６２０号
【特許文献７】特開２０１４−５３４７７号公報
【特許文献８】特願２０１５−００６７１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、特許文献６の発明には、基体とカーボン製の高温熱交換部品との距離が近いために、輻射熱がプラスチックやガラスを変形させるという課題がある。そのため、プラスチックの基体を扱うには、もっと低い温度で原料ガスから化学的に活性な反応ガスを作りそれを基体に導く必要があった。
【００１１】
そこで、本発明は、上述の課題に鑑みてなされたものであり、触媒機能を期待できる金属で前記ヒートビーム加熱装置を製作し、その金属表面に化学的に活性な分子種に変化できる原料ガスを衝突入射させ、発生させた所望のガスを成膜装置に適用して、ヒートビーム加熱装置の加熱温度より低い温度に保持された基体表面に高温環境でしか成膜できないとされていた材料薄膜を成膜することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明は、上記の課題を解決するために、以下の事項を提案している。
【００１３】
（１）本発明は、触媒機能のある元素を含む金属材料に高温加熱した原料ガスが繰り返し高速衝突する流路構造を有した原料ガスの瞬間加熱機構と、前記原料ガスの瞬間加熱機構の温度より低い温度で支持された基体と、を備え、前記原料ガスの瞬間加熱機構を通じて発生させた生成ガスを前記基体に吹き付け接触させて成膜するヒートビーム成膜装置を提案している。
【００１４】
（２）本発明は、（１）のヒートビーム成膜装置について、前記原料ガスの瞬間加熱機構の流路の表面が、ルテニュームやニッケル、白金、鉄、クロム、アルミニューム、タンタルの元素の一つ以上を含む金属で形成されていることを特徴とするヒートビーム成膜装置を提案している。
【００１５】
（３）本発明は、（１）または（２）のヒートビーム成膜装置について、前記原料ガスの瞬間加熱機構が、複数設けられていることを特徴とするヒートビーム成膜装置を提案している。
【００１６】
（４）本発明は、（１）から（３）のヒートビーム成膜装置について、前記原料ガスが水、またはメタンなどの炭化水素、またはアルミニュームやハフニューム・ガリューム・亜鉛・チタン・シリコン・マグネシューム・インジュームのいずれかの金属元素を含む有機金属ガス、または窒素やアルゴンを含む不活性ガス、または水素やアンモニアなどの還元ガス、またはこれらの混合ガスであることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれかに記載のヒートビーム成膜装置を提案している。
【００１７】
（５）本発明は、（１）から（４）のヒートビーム成膜装置について、前記原料ガスの瞬間加熱機構の加熱温度が１００℃から９００℃であることを特徴とするヒートビーム成膜装置を提案している。
【００１８】
（６）本発明は、（１）から（５）のヒートビーム成膜装置について、前記基体がガラス、シリコンウエハ、プラスチック、カーボンであることを特徴とするヒートビーム成膜装置を提案している。
【００１９】
（７）本発明は、（１）から（６）のヒートビーム成膜装置について、前記基体が移動することを特徴とするヒートビーム成膜装置を提案している。
【００２０】
（８）本発明は、（１）から（７）のヒートビーム成膜装置について、前記基体が有機ＥＬデバイス、または液晶デバイス、または太陽電池、またはフォトレジストパターンが形成された基体であることを特徴とするヒートビーム成膜装置を提案している。
【発明の効果】
【００２１】
請求項１、請求項２に係る発明によれば、高温に加熱した原料ガスが変化して化学的に活性な分子種が発生し、そのビームが基体表面に吹き付けられ、接触することにより、原料ガスの瞬間加熱機構の温度より低い温度に保持された基体の表面に薄膜を成長させることが可能になる。
【００２２】
また、原料ガスの瞬間加熱機構の温度は任意に設定できるため、基体の温度に依存せず、薄膜の成長が可能になる。また、原料ガスの種類とその流路の触媒金属元素を選択することにより、原料ガスの瞬間加熱機構の温度を所望する生成分子種に応じて設計できる。例えば、所望する分子種が分解種でなければ、高くない温度で設計することができる。具体的には、水は１００℃を超えるとクラスタ状態でなく、単量体の分子種に変化していると考えられるため、活性な酸化分子種を成膜反応に関与させることが可能になる。
【００２３】
請求項３、請求項４に係る発明によれば、複数の活性な生成分子種を組み合わせて成膜反応に寄与させることが可能である。化合物の成膜であるのならば、例えば、金属元素を含む原料の生成分子種と酸化剤の元素を含む生成分子種とを基体表面に吹き付けると、反応が容易になり成膜をより低温で実現することができる。
【００２４】
例えば、シリコン元素やアルミニューム、ジルコニューム、マグネシウムなどの元素を含む原料は酸化されたときの生成エネルギーが大きく、酸素元素を含む水の原料と激しく反応することが知られている。酸化と還元に係る原料ガスには、典型的には水、または炭化水素、またはアルミニュームやハフニューム、ガリューム、亜鉛、チタン、シリコン、マグネシウム、インジュームのいずれかの金属元素を含む有機金属ガス、または水素やアンモニアなどの還元ガス、またはこれらの混合ガスがある。これら原料ガスの組み合わせは、自由に設計できる。原料ガスから生成された活性種を基体表面雰囲気において希釈したいときは、窒素やアルゴンなどの不活性ガスの加熱生成ガスを３番目の吹き付けガスに用いることもできる。また、原料ガスを高温加熱した不活性ガスのキャリアーガスで輸送し吹き付けることもできる。
【００２５】
請求項５に係る発明によれば、加熱温度を１００℃から９００℃の間で選ぶことが可能である。水は１００℃で気化するので、酸化剤としての水は原料ガスの瞬間加熱機構の温度が１００℃以上で単量体になっていると考えられる。一方、ニッケルや鉄の触媒の元素を含む金属材料のステンレスは５００℃以上ではハロゲン化合物のガスや水の酸化剤で酸化され、または、水素やアンモニアなどのガスによる還元反応で脆弱になる。このために、触媒機能を期待する金属材料に対する原料ガスの瞬間加熱機構では、比較的低温の加熱に制限される。しかし、石英やシリコンカーバイド、アルミナのセラミックス材料を原料ガスの瞬間加熱機構の製作に用いることにより、９００℃程度の温度にまで加熱できるヒートビーム加熱装置を製作することが可能である。
【００２６】
請求項６に係る発明によれば、ガラスやシリコンウエハ、プラスチック、カーボンから基体を選ぶことができる。つまり、基体が耐えられる温度に基体を保持して成膜可能とするため、基体を自由に選ぶことができる。例えば、ガラスの場合は、６００℃以下に保持することができる。プラスチックの場合は、例えば、ポリカーボネイトを例にとると、２００℃、ＰＥＴを例にとると、８０℃以下に保持することができる。また、シリコンやカーボンは耐熱材料であるが、反りの問題や汚染の問題が成膜装置のコストを高くする懸念があるため、実際には、室温付近の温度に保持されることが望ましい。
【００２７】
請求項７に係る発明によれば、基体が生成ガスの吹き付けに対して相対的に移動することを可能にする。原料ガスＡの生成ガスを吹き付ける場所がａ、原料ガスＢの生成ガスを吹き付ける場所がｂとすれば、ａｂのセットがａｂ、ａｂ、・・・ａｂとｎ段並べられ、その吹き出し場所を基体が移動すれば、基体表面には原料ガスＡと原料ガスＢの生成ガスの化合物ＡＢが連続的に成膜される。なお、基体が連続したフィルム状であれば、このフィルム上に化合物ＡＢを連続的に成膜することが可能になる。
【００２８】
請求項８に係る発明によれば、有機ＥＬデバイス、または液晶デバイス、または太陽電池、またはフォトレジストパターンが形成された基体の上に成膜することができる。つまり、有機ＥＬを代表とする表示デバイスは、酸化や吸湿により劣化する。これが、寿命を保証した実用化の妨げになっている。そのため、大面積の基板を低温に維持したまま、耐湿性のある材料の薄膜をデバイスが形成された基体の表面に成膜できないという課題があった。そのため、現在では、シリコン酸化膜の真空スパッタリングが唯一の方法であるが、製造原価が高く、それが大型有機ＥＬディスプレイの実用化を阻害している。また、太陽電池も長期信頼性の確保は製造原価を押し上げる。しかしながら、請求項８に係る発明によれば、これが可能となる。
【００２９】
また、フォトレジストパターンの上にドライエッチング耐性のあるマスク材料のシリコン酸化膜などを成長させることが行われているが、これには、プラズマＣＶＤという方法を用いるために高価な工程となる。しかしながら、本発明では、プラズマを用いない成膜方法であるため、この安価な工程が実現できる。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】ヒートビーム成膜装置の基本構造の模式図である。
【図２】多段にヒートビーム成膜装置が配列された成膜装置の模式図である。
【図３】連続フィルムを基体としたヒートビーム成膜装置の模式図である。
【図４】特許文献６の中の図５の引用図。熱交換機構の原理を示す主要部の模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００３１】
＜実施形態＞
以下、本発明の実施形態について、図１から図４を用いて説明する。なお、本発明のヒートビーム成膜装置は、基体を室温乃至１００℃程度の低温に支持したときでも成膜を可能にさせる装置である。
【００３２】
当該発明のヒートビーム成膜装置の基本構造の模式図を図１に示す。窒素のキャリアーガス２０１が触媒機能を有するニッケルと鉄、クロムを主成分とするステンレス鋼を流路材料としたヒートビーム加熱装置１（２０３）で加熱される。加熱された生成ガスが、生成ガス輸送管２０４を通じてガイド２１０に到達する。
【００３３】
同様に原料ガス２０５がヒートビーム加熱装置２（２０７）で加熱されて、加熱された生成ガスが輸送管２０８を通してガイド２１０に導かれる。ガイド２１０を出た生成ガス２０９は成膜室２１１に設けられたヒートビーム加熱装置の温度より低い温度に保持された基体２１２に接触して排気口２１３より排気される。基体２１２には、生成ガスに依存した膜が成膜する。原料ガスは複数の種類のガスを時間プログラムに従い導入するなど、自由にプログラミングできる。ヒートビーム加熱装置の温度も自由にプログラム設計できる。
【００３４】
図２を用いて、ヒートビーム成膜装置の構造について説明する。
本実施形態に係るヒートビーム成膜装置は多段にヒートビーム成膜装置が配列された成膜装置である。
原料ガスＡ，Ｂ，Ｃ（３０１，３０２，３０３）をヒートビーム加熱装置３０４，３０５，３０６が加熱し生成ガスａ、ｂ、ｃ（３０７，３０８，３０９）を生成する。生成ガスａ、ｂ、ｃのセットは複数の生成ガスのセットＳに分配されて配置される。この図の場合、５つのセットＳが配置されている。この数は基体の大きさに依存して自由に設計できる。生成ガス３１１はガイド３１０を通して成膜室３１２に支持して置かれた基体３１３に吹き付けられ、排気口３１４から排気される。原料ガスＡ，Ｂ，Ｃと加熱温度、流量は自由に設計でき、時間プログラミングに従い導入できる。また、基体の形や数に合わせてガイド３１０の形とセットＳの配置についても自由に設計できる。ガイドの形はスリット状でもパイプ状でも、リング状でもよい。またセットの配置もインライン状でもリング状でも、離散的でもよい。
【００３５】
本実施形態に係るヒートビーム成膜装置は、成膜の種類に応じて、ガスの選択は自由に設計できる。加熱するだけで変化するガスはその温度に合わせて加熱温度を設計すればよい。多量体を形成する液体原料は加熱温度により単量体に変化するものがある。酸化、還元ガスをキャリアーガスに混合したガスを用いると化学反応しやすい場合もある。
【００３６】
図３に、連続フィルムを基体としたヒートビーム成膜装置の模式図を示した。この図によれば、フィルム供給ドラム４０２からフィルム４０１が供給される。フィルム支持台４０４の上をフィルム４０１が通過しフィルム巻き取りドラム４０３で回収される。フィルム４０１の上には生成ガスａｂｃのセットＳが多段に供給され接触して、膜が形成される。セットＳの数は、所望膜厚に応じて自由に設計できる。
＜実施例１＞
【００３７】
最初に、用いたヒートビームシリンダーの能力を確認する実施例を示す。
１３０℃以上に予備加熱したスチームと原料メタンガスとをヒートビームシリンダー内に導入し、さらに、加熱する。このときのヒートビームシリンダー内のガスの温度は、５４０℃に設定されている。本ヒートビームシリンダーは最大１５００Ｗまで電力投入可能で、最高１０００℃まで昇温可能である。シリンダー出口の３／８インチパイプの中にルテニュームを担持させたアルミナの柱状粒を入れアルゴンガスをキャリアーガスとして用いた。
【００３８】
生成したガスの温度を冷却するために、生成ガス出口には冷却機構と水の回収機構を接続した。冷却した生成ガスの成分分析をしたところ、約３０％のメタンが変化し水素を発生させたことを確認した。他の成分は二酸化炭素、一酸化炭素であり、生成ガス全体量からアルゴンを除いたガスの中で、一酸化炭素濃度は０．１％以下であった。本実施例からヒートビームシリンダーに入れた水の加熱生成ガスが活性であり、原料ガスであるメタンと効率よく反応して水素を生成したと考えられる。以上はヒートビームシリンダーのガス生成の基本性能を確認する実験であった。なお、ヒートビームシリンダーについては、インターネット＜ＵＲＬ：http://www.philtech.co.jp/＞を参照。
【００３９】
実施例１では、ルテニューム触媒を用いて反応促進を行ったが、他の金属であるニッケルや白金、鉄、クロム、アルミニュームなども差こそあれ、一定の触媒効果を期待できる。ステンレスは、ニッケルなどを含む金属であるので、ステンレス鋼で作製した市販のヒートビームシリンダーは、加熱だけでなく触媒効果も期待できるため、以下の実施例では特別な触媒を入れずにそれを用いた。なお、本実施例によれば、水を予備加熱してクラスタ状態から単量体に変化させることにより、反応性を非常に向上させることができる。
＜実施例２＞
【００４０】
図１の基本模式図に示す構成で成膜した。シリコンを元素に含む原料ガスとしてオルトケイ酸テトラエチル（Si(OC2H5)4：略式名称ＴＥＯＳ）を用いた。酸化剤の原料ガスとしてクラスタ状態の水を選んだ。これらは液体原料であり、アルゴンガスでバブリングして気化させて用いる。液体であるために、輸送路の途中で液化が起きることを防ぐために１５０℃に前記ヒートビームシリンダーで予備加熱した窒素のキャリアーガスで輸送し、これを原料ガスとした。これらのガスを減圧反応室に取り付けた再加熱用の前記ヒートビームシリンダーで３００℃に加熱し、当該減圧反応室中に置かれた室温のシリコンウエハ基板上に導き、交互に会合させた。
【００４１】
当該ヒートビームシリンダーの原料ガスの瞬間加熱機構部は、ＳＵＳで製作したため、触媒効果の期待できるニッケルと鉄、クロムを含んでおり、この温度で加熱された原料ガスＴＥＯＳの一部は変化し、励起状態にあると考えられる。原料の水は１００℃以上で気化する。１００℃乃至５００℃では、その状態はクラスタ状でなく単量体の分子になっていると推定できる。
【００４２】
本実施例では、原料ガスを３００℃で加熱したが、当該ヒートビームシリンダーから基体であるウエハまでの距離は、ＳＵＳ配管、ガイドの長さおよびガイドと基体への距離を考えると十分に長いため、ウエハ上では、生成ガスが放熱して室温に近い状態となる。また、ウエハ上に成膜した膜を分析したところ酸化膜が成長したことを確認できた。従って、本実施例では、基体を加熱する事なく、室温でシリコン酸化膜を成長できることを確認できた。
【００４３】
本実施例と同じ原料であるＴＥＯＳと水をウエハ上で時間間隔を設定して交互に会合させてシリコン酸化膜をウエハ上に成長させた論文がすでにある（M.Hatanaka, Y.Furumura 等「Plasma-CVD realizing dielectrics having a smooth surface」 VMIC proceedings(1991)）。この例では、基体ウエハの温度として、２００〜３００℃の温度が必要であったが、本実施例では室温でこれを実現した。
【００４４】
成膜のために加熱生成させるガスの組み合わせはこのほかにも考えられる。水との組み合わせでは、ＴＥＯＳのほかに成膜が期待できる堆積性の原料ガスとして、金属（例えば、シリコンやチタン、ガリューム、亜鉛、インジューム、アルミニューム、ハフニューム）の有機化合物（有機金属）とハロゲン化物がその候補となる。温度領域が高くなるが、応用として、ガリュームは有機化合物の他に、塩化物のガスが利用できる。塩化ガリュームと加熱したアンモニアを会合させてＧａＮの結晶成長をさせることが可能である。キャリアーのガスとしては、不活性ガスの窒素のほかにアルゴンがある。有機金属ガスと反応できる原料ガスとしては、水のほかに還元性のあるアンモニアや水素がある。
＜実施例３＞
【００４５】
本発明は、基体の基板ウエハを低温に保持し、その表面に高温の原料ガスを輸送して接触させ結晶膜を成長させる応用に好適である。応用例として、特許文献７並びに特許文献８では、ガリュームの固体と塩素を反応させガリュームの塩化物を生成し、それを高温で輸送して基板上でアンモニアと反応させてガリュームのナイトライドＧａＮ膜を成長させる技術が開示されている。これらは、ガリューム元素を含むガスである塩化ガリュームの高温ガスを固体のガリュームから生成している点に特徴がある。
【００４６】
本実施例では、有機金属ガス（ＴＭＳ：トリメチルガリューム）をバブリングして気化させ、それを９５０℃になるようヒートビームシリンダーで予備加熱したキャリアーガスで加熱し、高温の原料ガスを生成し輸送した。気化させたＴＭＳとは別に、アンモニアも原料ガスとして、高温のキャリアーガスである水素で加熱し、ガイドまで輸送した。ガイドの下には２度オフのＣ面サファイア基板を基体として置き、５００℃に加熱した。ＴＭＧとアンモニアは同時ではなく、交互に供給して基体表面に接触させた。その結果、基板の加熱温度が５００℃でも膜が成長した。それを分析したところ、Ｘ線回折にて膜が結晶であり、格子定数の値からガリュームナイトライドＧａＮの結晶膜であることを確認した。したがって、本実施例を応用すると、高い温度に基体を加熱しなくても、ＧａＮ結晶膜を成長させることができる。
【００４７】
また、基体を加熱しないまま、例えば、金属酸化膜の成膜が可能になると、その技術は、有機ＥＬの基板の保護膜や、液晶デバイスの保護膜、太陽電池の保護膜へと応用する事ができる。また、耐熱性の無いフォトレジストパターンのついたシリコンウエハ基板を基体としてエッチングマスク膜の成膜ができる。また、硬度の高いセラミックス保護膜の成膜が可能になると、ガラスやプラスチックの表面を傷から守る保護膜としても利用範囲が広がる。さらに、セラミックスでもある酸化チタン膜を有機チタンと水とを原料ガスとして建設用の大型窓ガラスに付加すれば、高層ビルの窓にゴミがつくのを防止できる。
【００４８】
以上、この発明の実施形態につき、図面を参照して詳述してきたが、具体的な構成は、この実施形態に限られたものではなく、この発明の要旨を逸脱しない範囲の設計等も含まれる。
【符号の説明】
【００４９】
２０１；キャリアーガス
２０２；電力
２０３；ヒートビーム加熱装置１
２０４；輸送管 
２０５；原料ガス
２０６；電力
２０７；ヒートビーム加熱装置２ 
２０８；輸送管
２０９；生成ガス
２１０；ガイド
２１１；成膜室
２１２；基体
２１３；排気口
３０１；原料ガスＡ
３０２；原料ガスＢ
３０３；原料ガスＣ
３０４；ヒートビーム加熱装置
３０５；ヒートビーム加熱装置
３０６；ヒートビーム加熱装置
３０７；原料ガスＡの生成ガスａ
３０８；原料ガスＡの生成ガスｂ
３０９；原料ガスＡの生成ガスｃ
Ｓ    ；生成ガスのセット
３１０；ガイド
３１１；生成ガス
３１２；成膜室
３１３；基体
３１４；排気口
４０１；フィルム
４０２；フィルム供給ドラム
４０３；フィルム巻き取りドラム
４０４；フィルム支持台
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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