(57)【要約】      （修正有）【課題】輝点となって表示される画素の表示不良を軽減し得る表示装置を提供する。【解決手段】第１開口領域とシャッター部とを有する第１基板と、第１開口領域に対応する第２開口領域を有する第２基板とを備える。シャッター部は、第１基板に対して移動可能に支持されたシャッター体１４１と、印加される電圧に応じてシャッター体１４１を駆動する第１駆動ビームアンカー１４２１、第２駆動ビームアンカー１４３１とを備える。また、シャッター体１４１は、第１駆動ビームアンカー１４２１及び第２駆動ビームアンカー１４３１は、互いに極性が異なる電圧が供給される１駆動用配線と第２駆動用配線にそれぞれ接続される。不良画素におけるシャッター配線と第１駆動用配線とを接続することにより、シャッター体１４１と第２駆動ビームアンカー１４３１との間に電位差を生じさせ、シャッター体１４１を第１開口領域と第２開口領域とを覆う位置に配置させる。【選択図】図９
2016080725.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素を有する表示装置であって、
前記画素ごとに、光が透過可能な第１開口領域とシャッター部とを有する第１基板と、
前記画素ごとに、前記第１基板に対向して設けられ、前記第１開口領域と対応する第２開口領域を有する第２基板と、を備え、
前記シャッター部は、
印加される電圧に応じて移動可能なシャッター体と、
前記シャッター体と電気的に接続され、印加される電圧に応じて弾性変形し、当該シャッター体を移動可能にする第１のシャッタービームと、
前記シャッター体と電気的に接続され、印加される電圧に応じて弾性変形し、当該シャッター体を移動可能にする第２のシャッタービームと、
前記第１のシャッタービームと電気的に接続され、前記第１のシャッタービームを支持する第１のシャッタービームアンカーと、
前記第２のシャッタービームと電気的に接続され、前記第２のシャッタービームを支持する第２のシャッタービームアンカーと、
前記第１のシャッタービームと対向する第１の駆動ビームと、
前記第２のシャッタービームと対向する第２の駆動ビームと、
前記第１の駆動ビームと電気的に接続され、前記第１の駆動ビームを支持する第１の駆動ビームアンカーと、
前記第２の駆動ビームと電気的に接続され、前記第２の駆動ビームを支持する第２の駆動ビームアンカーと、
前記第１のシャッタービームアンカー、前記第２のシャッタービームアンカー、前記第１の駆動ビームアンカー、及び前記第２の駆動ビームアンカーのそれぞれに電圧信号を供給する信号線群とを備え、
少なくとも一の画素において、前記シャッター体と、前記第２の駆動ビームアンカーとの間に電位差を生じさせるように前記信号線群が配線されることにより、前記第１開口領域と前記第２開口領域とを覆う位置に前記シャッター体が固定配置されるように構成される、表示装置。
【請求項２】
前記信号線群は、
前記第１のシャッタービームアンカー及び前記第２のシャッタービームアンカーに電圧信号を供給するためのシャッター配線と、
前記シャッター配線の少なくとも一部と重なるように配置され、前記第１の駆動ビームアンカーに電圧信号を供給するための第１駆動用配線と、を含み、
前記シャッター配線と前記第１駆動用配線とが重なる領域において、前記シャッター配線と前記第１駆動用配線との間が導通されることにより、前記シャッター体と前記第２の駆動ビームアンカーとの間に電位差を生じさせる、請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記第１基板は、さらに、前記画素ごとに、当該画素における前記シャッター配線と、当該画素とは異なる他の画素における前記シャッター配線とを接続するための修正用配線を備える、請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記信号線群は、さらに、前記第２の駆動ビームアンカーに電圧を供給するための第２駆動用配線を含み、
前記第１基板は、さらに、前記画素ごとに、当該画素における前記第２駆動用配線と、当該画素とは異なる他の画素における当該第２駆動用配線とをそれぞれ接続するための修正用配線を備える、請求項２に記載の表示装置。
【請求項５】
前記一の画素における前記第２駆動用配線の一方の駆動用配線と、前記他の画素における前記第２駆動用配線と、当該第２駆動用配線に接続される前記修正用配線とは導通されている、請求項４に記載の表示装置。
【請求項６】
前記他の画素は、前記修正用配線が設けられた画素に隣接する画素である、請求項３から５のいずれか一項に記載の表示装置。
【請求項７】
前記第１基板において、前記シャッター配線は、絶縁膜を介して、前記第１駆動用配線の上に形成されている、請求項２から６のいずれか一項に記載の表示装置。
【請求項８】
前記シャッター配線と前記第１駆動用配線との間が導通されている位置は、前記シャッター体と重なる位置である、請求項２から７のいずれか一項に記載の表示装置。
【請求項９】
前記第１駆動用配線は、直線形状を有する第１領域と当該領域から当該領域に交差する方向に突出した第２領域とを有する、請求項２から８のいずれか一項に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記シャッター配線と前記第１駆動用配線とが重なる領域の幅は略１０μｍである、請求項２から９のいずれか一項に記載の表示装置。
【請求項１１】
表示装置における画素の修正方法であって、
前記表示装置は、
前記画素ごとに、光が透過可能な第１開口領域とシャッター部とを有する第１基板と、
前記画素ごとに、前記第１基板に対向して設けられ、前記第１開口領域と対応する第２開口領域を有する第２基板と、を備え、
前記シャッター部は、
印加される電圧に応じて移動可能なシャッター体と、
前記シャッター体と電気的に接続され、印加される電圧に応じて弾性変形し、当該シャッター体を移動可能にする第１のシャッタービームと、
前記シャッター体と電気的に接続され、印加される電圧に応じて弾性変形し、当該シャッター体を移動可能にする第２のシャッタービームと、
前記第１のシャッタービームと電気的に接続され、前記第１のシャッタービームを支持する第１のシャッタービームアンカーと、
前記第２のシャッタービームと電気的に接続され、前記第２のシャッタービームを支持する第２のシャッタービームアンカーと、
前記第１のシャッタービームと対向する第１の駆動ビームと、
前記第２のシャッタービームと対向する第２の駆動ビームと、
前記第１の駆動ビームと電気的に接続され、前記第１の駆動ビームを支持する第１の駆動ビームアンカーと、
前記第２の駆動ビームと電気的に接続され、前記第２の駆動ビームを支持する第２の駆動ビームアンカーと、
前記第１のシャッタービームアンカー及び前記第２のシャッタービームアンカーに電圧を供給するシャッター配線と、
前記シャッター配線の少なくとも一部と重なるように配置され、前記第１の駆動ビームアンカーに電圧を供給する第１駆動用配線と、を含み、
輝点となって表示される不良画素を検出する検出ステップと、
前記不良画素における前記シャッター配線と前記第１駆動用配線とが重なる領域の一部に前記第１基板の裏面から所定波長域の光を照射し、当該シャッター配線と当該第１駆動用配線との間を導通させ、前記第１開口領域と前記第２開口領域とを覆う位置に前記シャッター体を固定配置させるための修正ステップを備える、修正方法。
【請求項１２】
前記第１基板において、前記第１駆動用配線の上に、絶縁膜を介して前記シャッター配線が配置され、前記第１駆動用配線の下において、前記第１開口領域が形成される部分を除いた領域に当該第１駆動用配線と重なるように遮光膜が配置されており、
前記修正ステップは、前記不良画素における前記シャッター配線と前記第１駆動用配線とが重なる領域の一部に前記光を照射して前記遮光膜を貫通させる第１修正ステップと、
前記第１修正ステップの後、前記遮光膜が貫通した位置に前記光を照射し、前記不良画素における前記シャッター配線と前記第１駆動用配線との間を導通させるための第２修正ステップとを含む、請求項１１に記載の修正方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置に関し、特に、メカニカルシャッターを用いた表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍｓ）を用いた表示装置（以下、ＭＥＭＳディスプレイ）が注目され、これに関する様々な技術が開発されている。ＭＥＭＳディスプレイは、光源からの光を透過させる開口部を画素ごとに有する対向基板と、開口部と、トランジスタ等によって移動可能に構成されたＭＥＭＳシャッターとを画素ごとに有するアクティブマトリクス基板とを備える。光源から照射される光は対向基板における開口部を透過する。各画素に設けられたＭＥＭＳシャッターの位置によって、対向基板を透過した光は、アクティブマトリクス基板における開口部を透過する。つまり、ＭＥＭＳシャッターの位置を制御することにより、アクティブマトリクス基板の開口部を透過する光量が制御され、各画素における輝度が調整される（下記特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１３−５０７２０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
例えば、黒色を表示する場合には、アクティブマトリクス基板の開口部から光が透過しないようにＭＥＭＳシャッターの位置が制御される必要がある。しかしながら、トランジスタの動作不良等によって、ＭＥＭＳシャッターを移動させるタイミングが遅れる場合がある。ＭＥＭＳシャッターの移動が遅れると開口部から光が透過し、その画素は輝点となって表示され、表示不良が発生する。
【０００５】
本発明は、輝点となって表示される画素の表示不良を軽減し得る表示装置及びその修正方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、複数の画素を有する表示装置であって、前記画素ごとに、光が透過可能な第１開口領域とシャッター部とを有する第１基板と、前記画素ごとに、前記第１基板に対向して設けられ、前記第１開口領域と対応する第２開口領域を有する第２基板と、を備え、前記シャッター部は、印加される電圧に応じて移動可能なシャッター体と、前記シャッター体と電気的に接続され、印加される電圧に応じて弾性変形し、当該シャッター体を移動可能にする第１のシャッタービームと、前記シャッター体と電気的に接続され、印加される電圧に応じて弾性変形し、当該シャッター体を移動可能にする第２のシャッタービームと、前記第１のシャッタービームと電気的に接続され、前記第１のシャッタービームを支持する第１のシャッタービームアンカーと、前記第２のシャッタービームと電気的に接続され、前記第２のシャッタービームを支持する第２のシャッタービームアンカーと、前記第１のシャッタービームと対向する第１の駆動ビームと、前記第２のシャッタービームと対向する第２の駆動ビームと、前記第１の駆動ビームと電気的に接続され、前記第１の駆動ビームを支持する第１の駆動ビームアンカーと、前記第２の駆動ビームと電気的に接続され、前記第２の駆動ビームを支持する第２の駆動ビームアンカーと、前記第１のシャッタービームアンカー、前記第２のシャッタービームアンカー、前記第１の駆動ビームアンカー、及び前記第２の駆動ビームアンカーのそれぞれに電圧信号を供給する信号線群とを備え、少なくとも一の画素において、前記シャッター体と、前記第２の駆動ビームアンカーとの間に電位差を生じさせるように前記信号線群が配線されることにより、前記第１開口領域と前記第２開口領域とを覆う位置に前記シャッター体が固定配置されるように構成される、表示装置。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、輝点となって表示される画素の表示不良を軽減することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】図１は、第１実施形態に係る表示装置の概略構成を示す模式図である。
【図２】図２は、図１に示す表示装置の回路ブロック図である。
【図３】図３は、図１に示すアクティブマトリクス基板の１つの画素におけるシャッター部を示す斜視図である。
【図４】図４の（ａ）は、図３に示すシャッター部を上から見た模式図であり、図４の（ｂ）は、図４の（ａ）に示すシャッター部をＩ−Ｉ線で切断した断面図である。
【図５Ａ】図５Ａは、図３に示すシャッター体の位置を説明する模式図とその断面図である。
【図５Ｂ】図５Ｂは、図３に示すシャッター体の位置を説明する模式図とその断面図である。
【図６】図６は、図３に示すシャッター部の駆動回路の等価回路を例示した図である。
【図７Ａ】図７Ａは、隣接する画素における駆動回路の配置レイアウトを例示した模式図である。
【図７Ｂ】図７Ｂは、図７Ａに示す駆動回路においてシャッター配線を除いた模式図である。
【図８】図８は、図７Ａに示す駆動回路の配置レイアウトにおいてシャッター配線と第１駆動用配線とを導通させる位置を説明する図である。
【図９】図９は、図６に示す等価回路におけるシャッター配線と第１駆動用配線とを導通させる位置を説明する図である。
【図１０】図１０は、図８に示すＡ−Ａ断面を示す断面図である。
【図１１】図１１は、図６に示す駆動回路の各端子に入力される信号電圧の具体例を示す図である。
【図１２】図１２は、第２実施形態における駆動回路の配置レイアウトの一部を拡大した模式図である。
【図１３】図１３は、図６に示した各画素の駆動回路の等価回路における修正用配線を示した図である。
【図１４】図１４の（ａ）は、図１２に示すＢ−Ｂ断面を示す断面図である。図１４の（ｂ）は、図１２に示すＣ−Ｃ断面を示す断面図である。
【図１５】図１５は、図１２に示す駆動回路の配置レイアウトにおける配線の切断位置を説明する図である。
【図１６】図１６は、図１３に示す等価回路における切断位置を示す図である。
【図１７】図１７の（ａ）は、図１２に示すＢ−Ｂ断面を示す断面図である。図１７の（ｂ）は、図１２に示すＤ−Ｄ断面を示す断面図である。図１７の（ｃ）は、図１７の（ａ）におけるＳ１及びＳ２にレーザー光を照射した後の状態を示す断面図である。図１７の（ｄ）は、図１７の（ｂ）におけるＳ３及びＳ４にレーザー光を照射した後の状態を示す断面図である。
【図１８】図１８は、図１５に示す切断位置で切断し、修正用配線が電気的に接続された状態を示す図である。
【図１９Ａ】図１９Ａは、変形例（１）における修正用配線を説明する図である。
【図１９Ｂ】図１９Ｂは、変形例（２）における修正用配線を説明する図である。
【図２０】図２０は、変形例（４）におけるアクティブマトリクス基板における画素の修正方法を説明する断面図である。
【図２１】図２１は、変形例（５）における駆動回路の等価回路図である。
【図２２】図２２は、図２１に示す駆動回路を用いる場合の修正用配線を説明する図である。
【図２３】図２３は、変形例（６）における黒点化の修正方法を説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
本発明の一実施形態に係る表示装置は、複数の画素を有する表示装置であって、前記画素ごとに、光が透過可能な第１開口領域とシャッター部とを有する第１基板と、前記画素ごとに、前記第１基板に対向して設けられ、前記第１開口領域と対応する第２開口領域を有する第２基板と、を備え、前記シャッター部は、印加される電圧に応じて移動可能なシャッター体と、前記シャッター体と電気的に接続され、印加される電圧に応じて弾性変形し、当該シャッター体を移動可能にする第１のシャッタービームと、前記シャッター体と電気的に接続され、印加される電圧に応じて弾性変形し、当該シャッター体を移動可能にする第２のシャッタービームと、前記第１のシャッタービームと電気的に接続され、前記第１のシャッタービームを支持する第１のシャッタービームアンカーと、前記第２のシャッタービームと電気的に接続され、前記第２のシャッタービームを支持する第２のシャッタービームアンカーと、前記第１のシャッタービームと対向する第１の駆動ビームと、前記第２のシャッタービームと対向する第２の駆動ビームと、前記第１の駆動ビームと電気的に接続され、前記第１の駆動ビームを支持する第１の駆動ビームアンカーと、前記第２の駆動ビームと電気的に接続され、前記第２の駆動ビームを支持する第２の駆動ビームアンカーと、前記第１のシャッタービームアンカー、前記第２のシャッタービームアンカー、前記第１の駆動ビームアンカー、及び前記第２の駆動ビームアンカーのそれぞれに電圧信号を供給する信号線群とを備え、少なくとも一の画素において、前記シャッター体と、前記第２の駆動ビームアンカーとの間に電位差を生じさせるように前記信号線群が配線されることにより、前記第１開口領域と前記第２開口領域とを覆う位置に前記シャッター体が固定配置されるように構成される（第１の構成）。
【００１０】
第１の構成によれば、表示装置において輝点となって表示される少なくとも一の画素は、シャッター体と第２の駆動ビームアンカーとの間に電位差が生じるように信号線群が配線され、第１基板の第１開口領域と第２基板の第２開口領域とを覆う位置にシャッター体が固定配置される。そのため、輝点が生じている画素におけるシャッター体を、第１開口領域と第２開口領域を覆う位置に固定配置することができるため、当該画素は黒点化される。よって、黒色を表示した際に輝点となって表示される表示不良を軽減することができる。
【００１１】
第２の構成は、第１の構成において、前記信号線群は、前記第１のシャッタービームアンカー及び前記第２のシャッタービームアンカーに電圧信号を供給するためのシャッター配線と、前記シャッター配線の少なくとも一部と重なるように配置され、前記第１の駆動ビームアンカーに電圧信号を供給するための第１駆動用配線と、を含み、前記シャッター配線と前記第１駆動用配線とが重なる領域において、前記シャッター配線と前記第１駆動用配線との間が導通されることにより、前記シャッター体と前記第２駆動ビームアンカーとの間に電位差を生じさせることとしてもよい。
【００１２】
第２の構成によれば、輝点となって表示される画素において、シャッター配線と第１駆動用配線とが重なる領域の一部を導通されることによって、当該画素を黒点化するようにシャッター体を配置することができる。
【００１３】
第３の構成は、第２の構成において、前記第１基板は、さらに、前記画素ごとに、当該画素における前記シャッター配線と、当該画素とは異なる他の画素における前記シャッター配線とを接続するための修正用配線を備えることとしてもよい。
【００１４】
第３の構成によれば、各画素のシャッター配線と、他の画素のシャッター配線とを接続するための修正用配線が設けられているため、一の画素においてシャッター配線に正常に電圧信号が供給されない場合、修正用配線を用いて他の画素のシャッター配線の電圧信号を供給することができる。
【００１５】
第４の構成は、第１又は第２の構成において、前記信号線群は、さらに、前記第２の駆動ビームアンカーに電圧を供給するための第２駆動用配線を含み、前記第１基板は、さらに、前記画素ごとに、当該画素における前記第２駆動用配線と、当画素とは異なる他の画素における当該第２駆動用配線とをそれぞれ接続するための修正用配線を備える。
【００１６】
第４の構成によれば、各画素の第２駆動用配線と、他の画素の第２駆動用配線とをそれぞれ接続するための修正用配線が設けられているため、一の画素において第２駆動用配線に正常に電圧信号が供給されない場合、修正用配線を用いて他の画素の第２駆動用配線の電圧信号をそれぞれ供給することができる。
【００１７】
第５の構成は、第４の構成において、前記一の画素における前記第２駆動用配線と、前記他の画素における前記第２駆動用配線と、当該第２駆動用配線に接続される前記修正用配線とは導通されていることとしてもよい。
【００１８】
第５の構成によれば、輝点となって表示される画素における第２駆動用配線に他の画素の第２駆動用配線の電圧信号を供給できるので、一の画素におけるシャッター体を駆動させることができる。
【００１９】
第６の構成は、第３から５のいずれかの構成において、前記他の画素は、前記修正用配線が設けられた画素に隣接する画素であることとしてもよい。
【００２０】
第６の構成によれば、輝点となって表示される画素に電圧信号が正常に供給されない場合、修正用配線を介して、隣接する画素から一の画素に電圧信号を供給することができるので、一の画素のシャッター体を第１開口領域と第２開口領域とを覆う位置に移動させることができる。
【００２１】
第７の構成は、第２から第６のいずれかの構成において、前記第１基板において、前記シャッター配線は、絶縁膜を介して、前記第１駆動用配線の上に形成されていることとしてもよい。
【００２２】
第８の構成は、第２から第７のいずれかの構成において、前記シャッター配線と前記第１駆動用配線との間が導通されている位置は、前記シャッター体と重なる位置であることとしてもよい。
【００２３】
第８の構成によれば、シャッター体が配置される領域において、シャッター配線と第１駆動用配線との間を導通させる領域を確保することができる。
【００２４】
第９の構成は、第２から第８のいずれかの構成において、前記第１駆動用配線は、直線形状を有する第１領域と当該領域から当該領域に交差する方向に突出した第２領域とを有することとしてもよい。
【００２５】
第９の構成によれば、第１駆動用配線は、直線状の第１領域と第１領域から突出した第２領域とを有するため、シャッター配線と重なりやすくなり、シャッター配線と第１駆動用配線とを導通可能な領域をより広く確保することができる。
【００２６】
第１０の構成は、第２から第９のいずれかの構成において、前記シャッター配線と前記第１駆動用配線とが重なる領域の幅は略１０μｍであることとしてもよい。
【００２７】
本発明の一実施形態に係る表示装置の画素の修正方法は、前記表示装置において、前記画素ごとに、光が透過可能な第１開口領域とシャッター部とを有する第１基板と、前記画素ごとに、前記第１基板に対向して設けられ、前記第１開口領域と対応する第２開口領域を有する第２基板と、を備え、前記シャッター部は、印加される電圧に応じて移動可能なシャッター体と、前記シャッター体と電気的に接続され、印加される電圧に応じて弾性変形し、当該シャッター体を移動可能にする第１のシャッタービームと、前記シャッター体と電気的に接続され、印加される電圧に応じて弾性変形し、当該シャッター体を移動可能にする第２のシャッタービームと、前記第１のシャッタービームと電気的に接続され、前記第１のシャッタービームを支持する第１のシャッタービームアンカーと、前記第２のシャッタービームと電気的に接続され、前記第２のシャッタービームを支持する第２のシャッタービームアンカーと、前記第１のシャッタービームと対向する第１の駆動ビームと、前記第２のシャッタービームと対向する第２の駆動ビームと、前記第１の駆動ビームと電気的に接続され、前記第１の駆動ビームを支持する第１の駆動ビームアンカーと、前記第２の駆動ビームと電気的に接続され、前記第２の駆動ビームを支持する第２の駆動ビームアンカーと、前記第１のシャッタービームアンカー及び前記第２のシャッタービームアンカーに電圧を供給するシャッター配線と、前記シャッター配線の少なくとも一部と重なるように配置され、前記第１の駆動ビームアンカーに電圧を供給する第１駆動用配線と、を含み、輝点となって表示される不良画素を検出する不良画素を検出する検出ステップと、前記不良画素における前記シャッター配線と前記第１駆動用配線とが重なる領域の一部に前記第１基板の裏面から所定波長域の光を照射し、当該シャッター配線と当該第１駆動用配線との間を導通させ、前記第１開口領域と前記第２開口領域とを覆う位置に前記シャッター体を固定配置させるための修正ステップを備える（第１１の構成）。
【００２８】
第１１の構成によれば、輝点となって表示される不良画素が検出された場合、不良画素におけるシャッター配線と第１駆動用配線とが重なる領域の一部に所定波長域の光を照射することにより、シャッター配線と第１駆動用配線を導通させ、シャッター体を第１開口領域と第２開口領域とを覆う位置に固定配置させる。そのため、輝点となって表示される不良画素を黒点化することができるので、黒色を表示した際の表示不良を軽減することができる。
【００２９】
第１２の構成は、第１１の構成の前記第１基板において、前記第１駆動用配線の上に、絶縁膜を介して前記シャッター配線が配置され、前記第１駆動用配線の下において、前記第１開口領域が形成される部分を除いた領域に当該第１駆動用配線と重なるように遮光膜が配置されており、前記修正ステップは、前記不良画素における前記シャッター配線と前記第１駆動用配線とが重なる領域の一部に前記光を照射して前記遮光膜を貫通させる第１修正ステップと、前記第１修正ステップの後、前記遮光膜が貫通した位置に前記光を照射し、前記不良画素における前記シャッター配線と前記第１駆動用配線との間を導通させるための第２修正ステップとを含むこととしてもよい。
【００３０】
第１２の構成によれば、第１開口領域と、シャッター配線と第１駆動用配線とを導通させる領域以外に遮光膜が設けられているため、外光等の光の反射を防止することができる。
【００３１】
以下、図面を参照し、本発明の実施の形態を詳しく説明する。図中同一又は相当部分には同一符号を付してその説明は繰り返さない。
【００３２】
図１は、本実施形態に係る表示装置の概略構成を示す模式図である。また、図２は、図１に示す表示装置の等価回路図である。図１に示す表示装置１は、透過型のＭＥＭＳディスプレイである。表示装置１は、アクティブマトリクス基板（第１基板）１０、対向基板(第２基板)２０、及びバックライト３０が順に積層された構成を有する。図１におけるＺ軸正方向側から表示装置１は視認される。
【００３３】
アクティブマトリクス基板１０は、画像を表示するための画素ＰＩＸが配置される表示領域１００と、各画素ＰＩＸの光の透過を制御する信号を供給するソースドライバ１１０及びゲートドライバ１２０とを有する。対向基板２０は、バックライト３０のバックライト面を覆うように設置されている。
【００３４】
バックライト３０は、各画素ＰＩＸにバックライト光を照射するために、例えば、赤色（Ｒ）光源、緑色（Ｇ）光源、および、青色（Ｂ）光源を有している。バックライト３０は、入力されるバックライト用制御信号に基づいて、所定の光源を発光させる。
【００３５】
図２に示すように、アクティブマトリクス基板１０には、複数のゲート線１１と、ゲート線１１と交差して延びる複数のソース線１２とが設けられ、ゲート線１１とソース線１２とによって画素ＰＩＸが形成されている。
【００３６】
各ソース線１２はソースドライバ１１０に接続され、各ゲート線１１はゲートドライバ１２０に接続されている。ゲートドライバ１２０は、各ゲート線１１に、ゲート線１１を選択状態に切り替えるゲート信号を順次入力することにより、ゲート線１１を走査する。ソースドライバ１１０は、ゲート線１１の走査に同期して、各ソース線１２にデータ信号を入力する。これにより、選択されたゲート線１１に接続された各画素ＰＩＸのシャッター機構Ｓを含むシャッター部１０３に所望の信号電圧を印加する。
【００３７】
なお、シャッター機構Ｓは、例えば、特表２００８−５３３５１０号公報や特表２００８−５３２０６８号公報に開示されているように、ＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍｓ）技術により実現されるシャッター（光の透過及び非透過を制御する素子）である。
【００３８】
次に、シャッター部１０３について説明する。シャッター部１０３は、シャッター機構Ｓと、シャッター機構Ｓを駆動するための駆動回路とを有する。以下、各構成について具体的に説明する。
【００３９】
図３は、アクティブマトリクス基板１０の１つの画素におけるシャッター機構Ｓを示す斜視図である。また、図４の（ａ）は、図３に示すシャッター機構Ｓを上から見た模式図であり、図４の（ｂ）は、図４の（ａ）に示すシャッター機構ＳをＩ−Ｉ線で切断した断面を表す図である。
【００４０】
図４の（ｂ）に示すように、対向基板２０は、例えば、ガラス等の光の透過性の高い透明な基板２００上に、バックライト３０からの光を透過させる開口部２０００（２００１，２００２）（第２開口領域）と、光を遮蔽する遮光領域とが形成されるように、所定の間隔で第２遮光膜２０１が設けられている。第２遮光膜２０１は、例えば、カーボンブラックを含む樹脂材料、Ｔｉ、クロム等の金属膜で構成されている。
【００４１】
図３及び図４の（ａ）に示すように、シャッター機構Ｓは、例えば、シャッター体１４１と、シャッター体１４１を挟んで対向するように、駆動ビームアンカー１４２１、シャッタービームアンカー１４２２，１４２３、駆動ビーム１４２４，１４２５、及びシャッタービーム１４２６，１４２７と、駆動ビームアンカー１４３１、シャッタービームアンカー１４３２，１４３３、駆動ビーム１４３４，１４３５、及びシャッタービーム１４３６，１４３７とを備える。なお、便宜上、本実施形態において、駆動ビームアンカー１４２１を第１駆動ビームアンカー、シャッタービームアンカー１４２２，１４２３を第１シャッタービームアンカー、駆動ビーム１４２４，１４２５を第１駆動ビーム、及びシャッタービーム１４２６，１４２７を第１シャッタービームと称する。また、駆動ビームアンカー１４３１を第２駆動ビームアンカー、シャッタービームアンカー１４３２，１４３３を第２シャッタービームアンカー、駆動ビーム１４３４，１４３５を第２駆動ビーム、及びシャッタービーム１４３６，１４３７を第２シャッタービームと称する。
【００４２】
第１駆動ビーム１４２４，１４２５、第１シャッタービーム１４２６，１４２７、第２駆動ビーム１４３４，１４３５、第２シャッタービーム１４３６，１４３７は、例えば、リン、ヒ素等がドープされたアモルファスシリコン等、導電性及び弾性を有する材料で構成される。
【００４３】
第１駆動ビームアンカー１４２１と第１駆動ビーム１４２４，１４２５とは電気的に接続されている。第１シャッタービームアンカー１４２２，１４２３と、第１シャッタービーム１４２６，１４２７とはそれぞれ電気的に接続されている。第１シャッタービーム１４２６，１４２７は、シャッター体１４１と電気的に接続され、シャッター体１４１を移動可能に支持する。また、第２駆動ビームアンカー１４３１と第２駆動ビーム１４３４，１４３５とは電気的に接続されている。第２シャッタービームアンカー１４３２，１４３３と、第２シャッタービーム１４３６，１４３７とはそれぞれ電気的に接続されている。第２シャッタービーム１４３６，１４３７は、シャッター体１４１と電気的に接続され、シャッター体１４１を移動可能に支持する。
【００４４】
シャッター体１４１は、第１シャッタービームアンカー１４２２，１４２３、第２シャッタービームアンカー１４３２，１４３３、第１シャッタービーム１４２６，１４２７、及び第２シャッタービーム１４３６，１４３７を介して、アクティブマトリクス基板１０上に形成された配線と電気的に接続されている。シャッター体１４１は、略中央部に矩形状の開口部１４１０を有する。
【００４５】
図３及び図４の（ｂ）に示すように、アクティブマトリクス基板１０は、ガラス等の透過性を有する基板１０００の上に、２つの開口部１３０２、１３０３（第１開口領域）が形成されるように、第１遮光膜１１００が設けられている。第１遮光膜１１００の上には、パッシベーション層１２００が設けられ、パッシベーション層１２００の上に、導電膜からなる第１配線層Ｍ１が形成されている。第１配線層Ｍ１の上には第１絶縁膜１３００が設けられ、第１絶縁膜１３００の上に、導電膜からなる第２配線層Ｍ２が形成されている。第２配線層Ｍ２の上には、第２第２絶縁膜１４００が設けられ、第２絶縁膜１４００の上に平坦化膜１５００が形成されている。第１配線層Ｍ１及び第２配線層Ｍ２には、第１シャッタービームアンカー１４２２，１４２３及び第２シャッタービームアンカー１４３２，１４３３、第１駆動ビームアンカー１４２１及び第２駆動ビームアンカー１４３１に接続される配線が形成される。
【００４６】
図４の（ａ）（ｂ）に示す例では、第１シャッタービーム１４２６，１４２７と第１駆動ビーム１４２４，１４２５の間、及び、第２シャッタービーム１４３６，１４３７と第２駆動ビーム１４３４，１４３５の間に電気的な力が働いていない。この場合、シャッター体１４１は、図３及び図４の（ａ）（ｂ）に示すように、シャッター体１４１の開口部１４１０が開口部１３０２と１３０３の略中間の位置に配置される。
【００４７】
本実施形態では、各画素ＰＩＸに設けられたシャッター部１０３の駆動回路によって、第１シャッタービームアンカー１４２２、１４２３と、第２シャッタービームアンカー１４３２、１４３３に対し、例えば周波数６０Ｈｚで、Ｈ（Ｈｉｇｈ）レベルまたはＬ（Ｌｏｗ）レベルの固定電位が供給される。また、第１駆動ビームアンカー１４２１と第２駆動ビームアンカー１４３１には、一定時間ごとに互いに極性が異なる電位が供給される。
【００４８】
例えば、第１シャッタービームアンカー１４２２、１４２３、及び第２シャッタービームアンカー１４３２、１４３３の電位がＨ（Ｈｉｇｈ）レベル、第１駆動ビームアンカー１４２１の電位がＨレベル、第２駆動ビームアンカー１４３１の電位がＬ（Ｌｏｗ）レベルの場合、第１シャッタービーム１４２６、１４２７、第２シャッタービーム１４３６、１４３７の電位はＨレベルである。また、このとき、第１駆動ビーム１４２４，１４２５の電位はＨレベル、第２駆動ビーム１４３４，１４３５の電位はＬレベルとなる。その結果、図５Ａの（ａ）に示すように、第２シャッタービーム１４３６，１４３７と第２駆動ビーム１４３４、１４３５とが静電気力により接触する。この場合、図５Ａの（ｂ）に示すように、シャッター体１４１は、アクティブマトリクス基板１０における開口部１３０２，１３０３を覆う位置に配置される。よって、この場合には、開口部１３０２，１３０３から光が透過しない状態（以下、閉状態）となる。
【００４９】
また、例えば、第１シャッタービームアンカー１４２２、１４２３、及び第２シャッタービームアンカー１４３２、１４３３の電位がＨレベル、第１駆動ビームアンカー１４２１の電位がＬレベル、第２駆動ビームアンカー１４３１の電位がＨレベルの場合、第１シャッタービーム１４２６、１４２７、第２シャッタービーム１４３６、１４３７の電位はＨレベルである。また、このとき、第１駆動ビーム１４２４，１４２５の電位はＬレベル、第２駆動ビーム１４３４，１４３５の電位はＨレベルとなる。その結果、図５Ｂの（ａ）に示すように、第１シャッタービーム１４２６，１４２７と第１駆動ビーム１４２４、１４２５とが静電気力により接触する。この場合、図５Ｂの（ｂ）に示すように、シャッター体１４１は、その開口部１４１０と、アクティブマトリクス基板１０における開口部１３０２とが重なり、アクティブマトリクス基板１０における開口部１３０２，１３０３が覆われない位置に配置される。よって、この場合には、開口部１３０２，１３０３から光が透過する状態（以下、開状態）となる。
【００５０】
ここで、シャッター機構Ｓに電圧を供給する駆動回路について具体例を挙げて説明する。図６は、１つのシャッター部１０３における駆動回路の等価回路図である。図６に示す例では、１つの画素について、スイッチング素子１０１、５０１〜５０４が設けられる。スイッチング素子１０１、５０１〜５０４は、例えば、薄膜トランジスタで構成される。薄膜トランジスタは、例えば、アモルファスシリコンや、低温ポリシリコン、酸化物半導体を用いることができる。また、酸化物半導体の構成としては、例えば、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、亜鉛（Ｚｎ）、及び酸素（Ｏ）から構成される化合物（Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ）、インジウム（Ｉｎ）、錫（Ｔｉｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、及び酸素（Ｏ）から構成される化合物（Ｉｎ−Ｔｉｎ−Ｚｎ−Ｏ）、又は、インジウム（Ｉｎ）、アルミニウム（Ａｌ）、亜鉛（Ｚｎ）、及び酸素（Ｏ）から構成される化合物（Ｉｎ−Ａｌ−Ｚｎ−Ｏ）等であってもよい。
【００５１】
スイッチング素子１０１は、ゲート線１１及びソース線１２に接続され、シャッターの開閉状態（オン／オフ）を決めるデータ信号（ＳＤ）の入力を制御する。スイッチング素子５０４は、スイッチング素子１０１と第１駆動ビームアンカー１４２１との間に接続され、アップデート信号（ＳＵ）に基づくタイミングで第１駆動ビームアンカー１４２１の電位をデータ信号に応じた電位に更新する。スイッチング素子５０３は、スイッチング素子５０４と第２駆動ビームアンカー１４３１との間に接続され、イネーブル信号（ＳＥ）に基づくタイミングで第２駆動ビームアンカー１４３１の電位をデータ信号に応じた電位に更新する。スイッチング素子５０１、５０２は、第１及び第２駆動ビームアンカー１４２１、１４３１と、アクチュエイト信号（ＳＡ）を供給する第１及び第２駆動用配線との間にそれぞれ接続され、プリチャージ（pre-charge）制御信号（ＳＰ）に基づいてアクチュエイト信号（ＳＡ）の第１駆動ビームアンカー１４２１及び第２駆動ビームアンカー１４３１への供給を制御する。シャッター体１４１は、第１シャッタービームアンカー１４２２，１４２３及び第２シャッタービームアンカー１４３２，１４３３（図３参照）を介して、シャッター信号（ＳＳ）を供給するシャッター配線に接続される。
【００５２】
スイッチング素子１０１のゲート端子はゲート線１１に、ドレイン端子はソース線１２に、ソース端子は、スイッチング素子５０４のゲート端子に接続される。スイッチング素子５０４のドレイン端子は、第１駆動ビームアンカー１４２１、スイッチング素子５０１のソース端子、及びスイッチング素子５０３のゲート端子に接続される。スイッチング素子５０４のソース端子は、アップデート信号（ＳＵ）を供給する端子Ａ６に接続される。スイッチング素子５０３のソース端子は、イネーブル信号（ＳＥ）を供給する端子Ａ７に接続される。スイッチング素子５０３のドレイン端子は、スイッチング素子５０２のソース端子及び第２駆動ビームアンカー１４３１に接続される。スイッチング素子５０１、５０２のゲート端子は、プリチャージ制御信号（ＳＰ）を供給する端子Ａ１に接続され、ドレイン端子は、アクチュエイト信号（ＳＡ）を供給する端子Ａ５に接続される。
【００５３】
スイッチング素子１０１とスイッチング素子５０４との間のノード（以下、ストレージノードと称する）と、端子Ａ４からシャッター信号（ＳＳ）を供給するシャッター配線との間には容量Ｃ１が形成される。容量Ｃ１は、シャッターの開閉状態を示すデータ信号の信号電圧を保持する。第１駆動ビームアンカー１４２１とスイッチング素子５０４、５０１、５０３が接続されるノードＮ１（以下、マスターノードと称する）とシャッター配線との間には容量Ｃ２が形成される。容量Ｃ２は、マスターノードＮ１に印加されたマスター駆動電圧を安定化させる。第２駆動ビームアンカー１４３１とスイッチング素子５０２、５０３が接続されるノードＮ２（以下、スレーブノードと称する）とシャッター配線との間には容量Ｃ３が形成される。容量Ｃ３は、スレーブノードＮ２に印加されたスレーブ駆動電圧を安定化させる。
【００５４】
ゲート線１１に選択状態を示すゲート信号が入力されスイッチング素子１０１がオンになったタイミングで、ソース線１２からデータ信号（ＳＤ）が入力される。シャッターの開閉を決めるデータ信号（ＳＤ）に応じたデータ電圧が容量Ｃ１に蓄えられる。この時、アップデート信号（ＳＵ）がＨレベルであり、スイッチング素子５０４は、データ電圧によらずオフとなっている。スイッチング素子５０１、５０２がプリジャージ制御信号（ＳＰ）に基づいてオンになったタイミングで、アクチュエイト信号（ＳＡ）が第１駆動ビームアンカー１４２１及び第２駆動ビームアンカー１４３１に印加される。これにより、マスターノードＮ１及びスレーブノードＮ２に駆動電圧（Ｈレベル）が蓄えられる。
【００５５】
アップデート信号（ＳＵ）が、例えば、ＨレベルからＬレベルに変化すると、ストレージノードのデータ電圧に応じてスイッチング素子５０４のオン／オフが制御される。本例では、データ電圧がＨレベルの場合に、スイッチング素子５０４はオンになりマスターノードＮ１はＬレベルとなり、データ電圧がＬレベルの場合、スイッチング素子５０４がオフのままとなりマスターノードＮ１はＨレベル（駆動電圧）のままとなる。イネーブル信号（ＳＥ）が、例えば、ＨレベルからＬレベルに変化すると、マスターノードＮ１の電圧に応じてスイッチング素子５０３のオン／オフが制御される。本例では、マスターノードＮ１がＨレベルの場合に、スイッチング素子５０３はオンになりスレーブノードＮ２はＬレベルとなり、マスターノードＮ１がＬレベルの場合、スイッチング素子５０３がオフのままとなりスレーブノードＮ２はＨレベル（駆動電圧）のままとなる。
【００５６】
このように、画素へのデータ書き込み時は、常に、マスターノードＮ１とスレーブノードＮ２の電圧の極性（Ｈ／Ｌ）が逆になる。そのため、シャッター体１４１の極性（Ｈ／Ｌ）と逆の極性のノードの駆動ビームに、電気的な力によってシャッター体１４１が引き寄せられる。なお、シャッター体１４１の極性を所定周期で入れ替えることによりシャッター体１４１の帯電を防止することができる。つまり、以下の表１に示すように、データ信号がＬレベル、マスターノードＮ１がＨレベル、スレーブノードＮ２がＬレベル、シャッター体１４１がＨレベルの場合、シャッター体１４１は閉状態の位置に配置される。また、データ信号がＨレベル、マスターノードＮ１がＬレベル、スレーブノードＮ２がＨレベル、シャッター体１４１がＨレベルの場合、シャッター体１４１は開状態の位置に配置される。また、データ信号がＬレベル、マスターノードＮ１がＨレベル、スレーブノードＮ２がＬレベル、シャッター体１４１がＬレベルの場合、シャッター体１４１は開状態の位置に配置される。また、データ信号がＨレベル、マスターノードＮ１がＬレベル、スレーブノードＮ２がＨレベル、シャッター体１４１がＬレベルの場合、シャッター体１４１は閉状態の位置に配置される。
【００５７】
【表１】
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【００５８】
次に、駆動回路１４５の各素子の配置レイアウトについて説明する。図７Ａは、例えば、ソース線１２に沿って隣接する２つの画素ＰＩＸ（１）（２）における駆動回路１４５の各素子の配置レイアウトを例示した模式図である。なお、図７Ａでは、便宜上、第１配線層Ｍ１及び第２配線層Ｍ２のみを図示し、第１配線層Ｍ１及び第２配線層Ｍ２以外の図示は省略する。
【００５９】
図７Ａにおいて、第１配線層Ｍ１は、例えば、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）等の金属又はその合金等からなる金属膜で構成されている。
【００６０】
第１絶縁膜１３００を介して第１配線層Ｍ１の上に形成された第２配線層Ｍ２は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）等の金属又はその合金等からなる金属膜で構成されている。
【００６１】
図７Ａにおいて、コンタクト１４２Ｃと１４３Ｃは、第２配線層Ｍ２の上に形成された第２絶縁膜１４００と平坦化膜１５００（図４の（ｂ）参照）に設けられたコンタクトホールである。コンタクト１４２Ｃを介して、第１駆動ビームアンカー１４２１（図３参照）と、第１駆動ビームアンカー１４２１に駆動電圧を供給する駆動用配線とが接続される。また、コンタクト１４３Ｃを介して、第２駆動ビームアンカー１４３１（図３参照）と、第２駆動ビームアンカー１４３１に駆動電圧を供給する駆動用配線とが接続される。なお、各駆動用配線の構成については後述する。
【００６２】
また、図７Ａにおいて、櫛歯状の配線７２０（Ｍ２）は、シャッター体１４１（図６参照）にシャッター信号（ＳＳ）を供給するシャッター配線である。シャッター配線７２０は、第２配線層Ｍ２に形成されている。シャッター配線７２０は、コンタクト１４１Ｃを介して、シャッター配線７２０の上に配置されているシャッター体１４１と接続されている。シャッター配線７２０は、コンタクトＡ４からシャッター信号（ＳＳ）が供給される。
【００６３】
ここで、図７Ａにおいてシャッター配線７２０を除いた駆動回路１４５の構成を図７Ｂに示す。図７Ｂに示すように、シャッター配線７２０の下には、第１絶縁膜１３００を介して、第１配線層Ｍ１に形成された駆動用配線６２０（６２１，６２２）と、電極６３１（Ｍ１）、６３２（Ｍ１）が配置されている。以下、本実施形態において、駆動用配線６２０（６２１，６２２）を第１駆動用配線と称する。
【００６４】
第１駆動用配線６２０は、直線状の第１配線部（第１領域）６２１と、第１配線部６２１から第１配線部６２１に略直交する方向に突出した第２配線部（第２領域）６２２とで構成されている。第１駆動用配線６２０は、シャッター配線７２０と少なくとも一部が重なるように、第１絶縁膜１３００を介してシャッター配線７２０の下に形成されている。図７Ａの例において、シャッター配線７２０と第２配線部６２２とが重なる領域の幅ｗは、略１０μｍである。第１駆動用配線６２０には、図６に示す駆動回路１４５のマスターノードＮ１の電位が供給される。
【００６５】
図７Ｂにおいて、第１配線層Ｍ１に形成された電極６３１（Ｍ１）、６３２（Ｍ１）は、図６に示すキャパシタＣ２、Ｃ３を構成する一方の電極である。図７Ａに示すように、電極６３１（Ｍ１）、６３２（Ｍ１）のそれぞれに対向する位置に設けられたシャッター配線７２０の領域部分が、キャパシタＣ２、Ｃ３を構成する他方の電極として機能する。
【００６６】
また、図７Ａ及び図７Ｂにおいて、コンタクト１４３Ｃには、第２配線層Ｍ２に形成された駆動用配線７２１が接続されている。第２駆動用配線７２１は、コンタクト１４３Ｃを介して、図６に示す駆動回路１４５のスレーブノードＮ２の電位を第２駆動ビームアンカー１４３１に供給する。以下、本実施形態において、駆動用配線７２１を第２駆動用配線と称する。
【００６７】
例えば、表示領域全体に黒色を表示する際、ある画素ＰＩＸにおいて、スイッチング素子の動作不良によって、適切なタイミングで閉状態となるようにシャッター体１４１が移動しない場合、開口部１３０２，１３０３から光が透過し、画素ＰＩＸは輝点となって表示される。
【００６８】
本実施形態では、このようにシャッター体１４１の移動が遅れることにより輝点となって表示される表示不良を軽減するため、シャッター体１４１と第２駆動ビームアンカー１４３１との間に電位差を生じさせ、表示不良が生じている画素ＰＩＸにおけるシャッター体１４１を閉状態の位置に固定配置し、不良画素を黒点化する修正を行う。
【００６９】
本実施形態において黒点化の修正方法は、まず、例えば、表示装置１の製造時における検査の際、表示領域に黒色を表示させて輝点となって表示される不良画素を検出する。そして、不良画素における第１駆動用配線６２０とシャッター配線７２０とが重なる領域の一部に、基板１０００の裏面からレーザー光を照射し、第１駆動用配線６２０（Ｍ１）とシャッター配線７２０（Ｍ２）とを導通させる。具体的には、図８に示すように、画素における第１駆動用配線６２０の第２配線部６２２とシャッター配線７２０とが重なる領域において、破線枠Ｒで示す位置にレーザー光を照射する。なお、レーザー光が照射される位置は、シャッター配線７２０の上に移動可能に配置されるシャッター体１４１と重なる位置である。
【００７０】
つまり、図９に示すように、第１駆動ビームアンカー１４２１及びマスターノードＮ１に接続された第１駆動用配線６２０上の位置Ｒ２と、シャッター体１４１に接続されたシャッター配線７２０（図７参照）上のＲ１との間を接続する。これにより、シャッター体１４１と第１駆動ビームアンカー１４２１とが同電位となり、第２駆動ビームアンカー１４３１との間に電位差が生じる。
【００７１】
図１０は、図８に示す破線枠Ｒの部分をＡ−Ａ線で切断した断面を示す模式図である。図１０の（ａ）に示すように、基板１０００の上に形成された第１駆動用配線６２０の第２配線部６２２上には、第１絶縁膜１３００が形成されている。第１絶縁膜１３００の上には、第１駆動用配線６２０と重なるようにシャッター配線７２０が形成されている。第１駆動用配線６２０とシャッター配線７２０が重なる領域の一部の領域は、第１遮光膜１１００が形成されていない。図１０の（ａ）において、基板１０００の裏面から、第１遮光膜１１００が形成されていない部分に、例えば５３２μｍの短波長域のレーザー光を照射する。これにより、図１０の（ｂ）に示すように、レーザー光の熱によって、シャッター配線７２０と第１駆動用配線６２０とが接続される。
【００７２】
このように、シャッター配線７２０と第１駆動用配線６２０とが重なる領域の一部を導通させることにより、シャッター体１４１と第１駆動ビームアンカー１４２１とが同電位となり、第２駆動ビームアンカー１４３１との間に電位差が生じ、不良画素におけるシャッター体１４１を閉状態の位置に固定配置することができる。つまり、輝点となっている画素を黒点化して表示させることができ、黒色を表示する際に輝点となって表示される表示不良を軽減することができる。
【００７３】
なお、上記した黒点化の修正において、第１駆動用配線６２０に接続されたスイッチング素子（５０１，５０４）と第１駆動ビームアンカー１４２１との間を切断し、スレーブノードＮ２を第１駆動ビームアンカー１４２１と切り離してもよい。このようにすることで、より安定してシャッター体１４１を閉状態の位置に配置させることができる。
【００７４】
また、上述の第１実施形態では、不良画素における第１駆動用配線６２０とシャッター配線７２０とが重なる領域の一部にレーザー光を照射して導通させる。レーザー光を照射可能な領域は大きいほど好ましい。第１駆動用配線６２０を第１配線部６２１と第１配線部６２１から突出した第２配線部６２２とで構成し、第２配線部６２２とシャッター配線７２０とが重なるように配置されている。そのため、第１配線部６２１だけで構成されている場合よりもレーザー光を照射可能な領域が大きいため、第１駆動用配線６２０とシャッター配線７２０とを導通させる位置にレーザー光をより確実に照射することができる。
【００７５】
＜第２実施形態＞
第１実施形態において、第２駆動ビームアンカー１４３１に接続されたスイッチング素子の動作不良によって、第２駆動ビームアンカー１４３１に正常に駆動電圧が入力されず、シャッター体１４１を閉状態の位置に配置させておくことができない場合がある。本実施形態では、アクティブマトリクス基板１０において、各画素に他の画素の駆動電圧を供給するための修正用配線が設けられ、不良画素に対し、他の画素の駆動電圧を、修正用配線を介して供給する例について説明する。
【００７６】
図１２は、図７Ａに示した画素ＰＩＸ（１）（２）におけるコンタクト１４２Ｃ及びコンタクト１４３Ｃが形成されている領域部分を拡大した模式図である。図１２に示すように、画素ＰＩＸ（１）（２）には、各画素における第２駆動用配線７２１を互いに接続するための修正用配線８１０が設けられている。修正用配線８１０は、第２配線層Ｍ２に形成されている。
【００７７】
つまり、修正用配線８１０は、図１３に示す駆動回路１４５において、画素ＰＩＸ（１）（２）の各スレーブノードＮ２の間を接続するための配線である。
【００７８】
図１４の（ａ）は、図１２に示す修正用配線８１０の部分をＢ−Ｂ線で切断した断面図であり、図１４の（ｂ）は、図１２に示す第２駆動用配線７２１の一部をＣ−Ｃ線で切断した断面図である。
【００７９】
図１２及び図１４の（ａ）に示すように、修正用配線８１０は、画素ＰＩＸ（１）（２）において、第２駆動用配線７２１（Ｍ２）の下側のゲート配線６１１（Ｍ１）の上に、第１絶縁膜１３００を介して形成されている。図１４の（ｂ）に示すように、コンタクト１４３Ｃにおいて、第２駆動用配線７２１は、ゲート配線６１１と接続されている。図１４の（ａ）（ｂ）に示すように、この状態は、修正用配線８１０が、ゲート配線６１１と接続されておらず、画素ＰＩＸ（１）（２）のコンタクト１４３Ｃにおいて、各第２駆動ビームアンカー１４３１が修正用配線７１０と接続されていない。
【００８０】
例えば、画素ＰＩＸ（１）が不良画素であり、第２駆動ビームアンカー１４３１に正常に電圧が供給されない場合、図１５に示すように、第２駆動用配線７２１上のＲ４の位置を、レーザー光（以下、切断用レーザー）によって切断する。つまり、図１６に示すように、第２駆動ビームアンカー１４３１とスレーブノードＮ２との間を切断する。
【００８１】
そして、図１７の（ａ）に示すように、基板１０００の裏面側から、図１２に示す修正用配線８１０の両端Ｓ１，Ｓ２の部分に、所定波長域のレーザー光（以下、接続用レーザー）を照射する。つまり、画素ＰＩＸ（１）と画素ＰＩＸ（２）における第２駆動用配線７２１と修正用配線８１０とを導通させる。なお、切断用レーザーには、例えば、１０６４μｍの長波長域のレーザー光を用い、接続用レーザーには、例えば、５３２μｍの短波長域のレーザー光を用いてもよい。これにより、レーザー光の熱によって、図１７の（ｂ）に示すように、Ｓ１、Ｓ２の各部において第１配線層Ｍ１と第２配線層Ｍ２とが接続される。
【００８２】
その結果、図１８に示すように、画素ＰＩＸ（１）における第１駆動用配線６２０と第２駆動用配線７２１が断線され、修正用配線８１０（Ｍ２）の両端Ｓ１，Ｓ２とゲート配線６１１（Ｍ１）とが電気的に接続される。
【００８３】
これにより、画素ＰＩＸ（１）の第２駆動ビームアンカー１４３１には、修正用配線８１０を介して画素ＰＩＸ（２）における第２駆動配線７２１の電位が供給される。より具体的には、例えば、画素ＰＩＸ（１）が不良画素の場合、不良画素における第２駆動用配線７２１と、隣接の画素ＰＩＸ（２）の第２駆動用配線７２１とを修正用配線８１０で導通させる。この場合、不良画素のスレーブノードＮ２の電位は、隣接画素のスレーブノードＮ２と同電位となる。つまり、不良画素の側のスレーブノードＮ２は、隣接画素のスレーブノードＮ２の電位がＬレベルのときにＬレベルとなり、ＨレベルのときにＨレベルとなる。このとき、隣接する２つの画素のシャッター配線７２０の電位を同じ極性（Ｈ又はＬ）にしておくか、共通の配線としておく。つまり、全てのシャッター配線７２０の電位が同じ極性になっているか、又は、１つおきの画素のシャッター配線７２０の電位が同じ極性になっているように構成される。これにより、隣接画素のシャッター体１４１が閉状態の位置に配置されるとき（例えば、シャッター配線７２０の電位がＨレベル、隣接画素のデータ信号の電位がＬレベルの場合）、不良画素のスレーブノードＮ２の電位もＬレベルとなり、第２駆動ビームアンカー１４３１とシャッター体１４１に電位差が生じてシャッター体１４１が閉状態の位置に配置される。つまり、不良画素が黒点化される。また、隣接画素のシャッター体１４１が開状態の位置に配置されるとき（例えば、シャッター配線７２０の電位がＨレベル、隣接画素のデータ信号の電位がＨレベルの場合）、不良画素のスレーブノードＮ２の電位はＨレベルとなる。その結果、シャッター体１４１、マスターノードＮ１、スレーブノードＮ２の電位が全てＨレベルとなり、シャッター体１４１は動作しない。しかしながら、開閉状態に関わらず、隣接画素のシャッター体１４１が開状態の位置に配置されるので、不良画素の表示不良を目立たなくなる。
【００８４】
上述した第２実施形態では、各画素ＰＩＸは、当該画素ＰＩＸにおける第２駆動用配線７２１と、隣接する画素ＰＩＸにおける第２駆動用配線７２１とをそれぞれ接続するための修正用配線８１０を備える。そのため、例えば、第１実施形態のように輝点となって表示される不良画素を黒点化する修正を行った場合に、不良画素における第２駆動用配線７２１に適切に駆動電圧が供給されない場合には、修正用配線８１０と、第２駆動用配線７２１とをそれぞれ導通させることにより、不良画素を黒点化することができる。なお、上記した黒点化の修正において、第２駆動用配線７２１に接続されたスイッチング素子（５０２、５０３）と第２駆動ビームアンカー１４３１との間を切断し、スレーブノードＮ２を第２駆動ビームアンカー１４３１と切り離してもよい。このようにすることで、より安定してシャッター体１４１を閉状態の位置に配置させることができる。
【００８５】
＜第３実施形態＞
第１実施形態では、第１駆動用配線６２０に接続されたスイッチング素子の動作不良によって第１駆動ビームアンカー１４２１に正常な駆動電圧が供給されない場合を例に説明したが、例えば、第１駆動用配線６２０と第２駆動用配線７２１に正常に駆動電圧が供給されているが、シャッター配線７２０とシャッター体１４１との間に障害が発生し、シャッター体１４１に対して正常にシャッター信号が供給されない場合がある。この場合、シャッター配線７２０と第１駆動用配線６２０とを導通させ、さらに、シャッター体１４１とシャッター配線７２０との間を切断してもよい。このように構成することにより、シャッター配線７２０にシャッター信号が供給されなくなり、シャッター体１４１と第１駆動用配線６２０とが同電位になるため、より安定してシャッター体１４１を閉状態の位置に配置させておくことができる。
【００８６】
以上、本発明の実施の形態を説明したが、上述した実施の形態は本発明を実施するための例示に過ぎない。よって、本発明は上述した実施の形態に限定されることなく、その趣旨を逸脱しない範囲内で上述した実施の形態を適宜変形して実施することが可能である。以下、本発明の変形例について説明する。
【００８７】
（１）上述した第１実施形態では、駆動ビームアンカー１４２１とシャッター体１４１とが同電位の場合に、シャッター体１４１が閉状態の位置に配置され、駆動ビームアンカー１４３１とシャッター体１４１とが同電位の場合に、シャッター体１４１が開状態の位置に配置される例を説明したが、以下のように構成してもよい。
【００８８】
例えば、シャッター体１４１の開口領域１４１０と、第１遮光膜１１００の開口領域１３０２，１３０３の位置関係によっては、シャッター体１４１と駆動ビームアンカー１４２１の電位差によって、シャッター体１４１が開状態の位置に配置され、シャッター体１４１と駆動ビームアンカー１４３１の電位差によって、シャッター体１４１が閉状態の位置に配置される構成が考えられる。
【００８９】
この構成において、駆動用配線７２１に接続されたスイッチング素子の動作不良によって駆動ビームアンカー１４３１に正常に駆動電圧が供給されない場合、黒点化の修正を行う際、駆動ビームアンカー１４３１とシャッター体１４１とを導通させ、駆動用配線７２１と駆動ビームアンカー１４３１との間を切断するように構成する。
【００９０】
また、この構成において、駆動用配線６２０に接続されたスイッチング素子の動作不良によって、駆動ビームアンカー１４２１に正常に駆動電圧が供給されない場合がある。その場合には、図１９Ａに示すように、画素ＰＩＸ（１）と画素ＰＩＸ（２）における第１駆動用配線６２０同士を接続するための修正用配線８２０を設ける。修正用配線８２０は、修正用配線８１０と同様、例えば、第２配線層Ｍ２に形成される。そして、第２実施形態と同様、レーザー光の照射によって、不良画素とその隣接画素の駆動用配線６２０と修正用配線８２０とをそれぞれ導通させる。これにより、不良画素の駆動用配線６２０に、隣接画素の駆動用配線６２０の電位が供給される。
【００９１】
（２）上述した第１実施形態では、シャッター体１４１の電位がＨレベル、駆動ビームアンカー１４２１と駆動ビームアンカー１４３１の電位をＨレベル又はＬレベルに制御する例を説明したが、以下のように構成してもよい。例えば、駆動ビームアンカー１４２１と駆動ビームアンカー１４３１に対してＨレベル又はＬレベルの固定電位を供給し、シャッタービームアンカー１４２２，１４２３と、シャッタービームアンカー１４３２，１４３３に、ＨレベルとＬレベルの電位を一定時間ごとに交互に供給してもよい。
【００９２】
例えば、駆動用配線６２０にＨレベルの固定電位が供給され、駆動用配線７２１にＬレベルの固定電位が供給されている場合、不良画素におけるシャッター配線７２０と駆動用配線６２０とを導通させることにより、シャッター体１４１は常にＨレベルの電位となり、閉状態の位置に配置される。
【００９３】
また、この構成において、シャッター配線７２０に正常にシャッター信号が供給されず、不良画素におけるシャッター体１４１を閉状態の位置に配置させることができない場合がある。そのため、図１９Ｂに示すように、隣接する各画素ＰＩＸ（１）（２）において、シャッター信号を供給するシャッター配線７２０同士を接続するための修正用配線８３０が設けられていてもよい。
【００９４】
（３）上述した第２実施形態及び変形例（２）では、修正用配線８１０〜８３０によって、ソース線１２（図２参照）に沿って隣接する画素の駆動用配線６２０、駆動用配線７２１、シャッター配線７２０の少なくとも１つの配線同士を接続する例を説明したが、例えば、ゲート線１１に沿って隣接する画素の配線同士を接続してもよい。また、例えば、シャッター体１４１の駆動方法が、奇数列の画素と、偶数列の画素とで異なる場合、シャッター体１４１の駆動方法が同じ各画素の配線同士を接続してもよい。要は、アクティブマトリクス基板１０において、各画素における駆動用配線６２０、駆動用配線７２１、シャッター配線７２０の少なくとも１つの配線と、当該画素とは異なる他の画素における当該配線とを接続するための修正用配線が設けられていればよい。
【００９５】
（４）また、上述した第１実施形態では、レーザー光を照射する位置に第１遮光膜１１００が設けられていない例を説明したが、レーザー光を照射する位置にも第１遮光膜１１００が設けられていてもよい。図２０は、図８に示した破線枠Ｒの部分をＡ−Ａ線で切断した断面を示す模式図である。図２０の（ａ）に示すように、基板１０００の上に第１遮光膜１１００が形成され、第１遮光膜１１００の上に、駆動用配線６２０の第２配線部６２２（Ｍ１）が形成されている。第２配線部６２２（Ｍ１）の上には、絶縁膜を介して、シャッター配線７２０（Ｍ２）が形成されている。
【００９６】
本変形例のように第１配線層Ｍ１の下に第１遮光膜１１００が形成されている場合において、不良画素を黒点化する修正方法は以下のようにして行ってもよい。まず、不良画素における基板１０００の裏面からレーザー光を複数回照射し、図２０の（ｂ）に示すように、第１遮光膜１１００を貫通する孔１１００ａを形成する。続いて、図２０の（ｃ）に示すように、第１遮光膜１１００に形成された孔１１００ａにレーザー光を照射し、第２配線部６２２とシャッター配線７２０とを接続する。
【００９７】
（５）上述した第１実施形態では、図６に示す駆動回路１４５によってシャッター部１０３を駆動する例を説明したが、図２１に示す駆動回路を用いてもよい。図２１は、１つの画素における回路構成の他の例を示す等価回路図である。図２１において図６に示す要素に対応する要素には同じ符号を付している。図２１に示す例では、１つの画素につき２本のデータ線１６１、１６２が設けられる。これら２本のデータ線のうち一方のデータ線１６１は、駆動ビームアンカー１４２１の信号電圧を示す第１データ信号ＳＤ−１を供給し、他のデータ線１６２は、駆動ビームアンカー１４３１の信号電圧を示す第２データ信号ＳＤ−２を供給する。そのため、１回の書き込みにおいて、第１データ信号ＳＤ−１の極性と第２データ信号ＳＤ−２の極性は逆となる。
【００９８】
図２１に示す例では、駆動ビームアンカー１４２１の電圧を制御する構成として、ゲート線１１のゲート信号ＳＧに基づいて、データ線１６２の第１データ信号ＳＤ−１の入力を制御するスイッチング素子１０１、第１データ信号ＳＤ−１に基づくデータ信号電圧を蓄積する容量Ｃ１１、データ信号電圧に応じて第１駆動ビームアンカー１４２１に接続されるマスターノードの電圧を制御するスイッチング素子５０４１、マスターノードへのアクチュエイト信号ＳＡの供給を制御するスイッチング素子５０１が設けられる。同様に、駆動ビームアンカー１４３１の電圧を制御する構成として、スイッチング素子５０５、容量Ｃ１２、スイッチング素子５０３１、及び、スイッチング素子５０２が設けられる。図２１に示す回路においても、第１及び第２のデータ信号１６１、１６２に応じてシャッター体１４１の駆動が制御される。
【００９９】
この場合には、例えば、画素ＰＩＸ（１）が不良画素の場合、図２２に示すように、第１実施形態と同様、シャッター体１４１に接続されたシャッター配線７２０と、駆動ビームアンカー１４２１に接続された駆動用配線６２０とが重なる領域の一部Ｒを導通すればよい。
【０１００】
また、この場合には、予め、画素ＰＩＸ（１）と画素ＰＩＸ（２）において修正用配線８４０が配置されていてもよい。修正用配線８４０は、画素ＰＩＸ（１）と画素ＰＩＸ（２）における駆動用配線７２１同士を接続するための修正用配線である。例えば、不良画素における駆動用配線７２１に対し、正常に駆動電圧が供給されない場合には、画素ＰＩＸ（１）と画素ＰＩＸ（２）における各駆動用配線７２１と修正用配線８４０とを導通すればよい。
【０１０１】
（６）また、上述した第１実施形態では、シャッター配線７２０と駆動用配線６２０とが重なる領域の一部を導通させることにより、シャッター体１４１が閉状態の位置に配置されるように、シャッター体１４１と駆動ビームアンカー１４３１との間に電位差を生じさせる例を説明したが、以下のように構成してもよい。例えば、図２３に示すように、画素ごとに、駆動用配線７２１と接続するための電位制御配線９００を予め設けておく。電位制御配線９００は、駆動用配線７２１と異なる層（例えば、第１配線層Ｍ１）に設けられ、黒点化の修正を行う前は、駆動用配線７２１と導通されていない。電位制御配線９００は、端子Ａ８を介して、シャッター配線７２０と逆極性の電圧信号ＳＲが供給される。
【０１０２】
不良画素の黒点化の修正を行う場合、電位制御配線９００と駆動用配線７２１との間を、レーザー光を照射して導通させる。また、図２３において、マスターノードＮ１と駆動ビームアンカー１４２１との間の駆動用配線６２０上の位置Ｒ５と、スレーブノードＮ２と駆動ビームアンカー１４３１との間の駆動用配線７２１上の位置Ｒ６を切断する。これにより、駆動ビームアンカー１４２１と駆動ビームアンカー１４３１がマスターノードＮ１及びスレーブノードＮ２とそれぞれ切り離される。そして、電位制御配線９００に、シャッター配線７２０と逆極性の電圧信号ＳＲを供給する。つまり、シャッター配線７２０にＨレベルの電位のシャッター信号が供給される場合には、電位制御配線９００にＬレベルの電圧信号を供給する。このように構成することで、シャッター体１４１と駆動ビームアンカー１４３１との間に電位差が生じ、シャッター体１４１を閉状態の位置に配置させることができる。
【符号の説明】
【０１０３】
１…表示装置、１０…アクティブマトリクス基板、２０…対向基板、３０…バックライト、１０１，５０１〜５０４…スイッチング素子、１０３…シャッター部、１４１…シャッター体、１４５…駆動回路、６２０…駆動用配線、６２１…第１配線部、６２２…第２配線部、７２１…駆動用配線、８００，８１０，８２０，８３０，８４０…修正用配線、９００…電位制御配線、１１００…第１遮光膜、１３０２，１３０３，２００１，２００２…開口部、１４２１…駆動ビームアンカー、１４２２，１４２３…シャッタービームアンカー、１４３１…駆動ビームアンカー、１４３２，１４３３…シャッタービームアンカー、１４２４，１４２５…駆動ビーム、１４２６，１４２７…シャッタービーム、１４３４，１４３５…駆動ビーム、１４３６，１４３７…シャッタービーム
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図６】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９Ａ】
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【図１９Ｂ】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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