(57)【要約】【課題】排気ラインに液体が流入するのを抑制できる気液分離器を提供する。【解決手段】気液分離器は、気液２相流を本体に導入する導入口と、分離された液相を排出する液相排出口と、分離された気相を排出する気相排出口とを備える。また、気液分離器は、気液２相流が接触する部位であって親水化処理が施された親水部を備える。【選択図】図３
2016087568.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
気液２相流を気相と液相に分離するための気液分離器であって、
気液２相流を導入するための導入口と、
分離した液相を排出するための液相排出口と、
分離した気相を排出するための気相排出口と、
気液２相流が接触する親水化処理が施された親水部と、
を備える気液分離器。
【請求項２】
請求項１に記載の気液分離器であって、
前記親水部は、気液２相流の流路を画定する本体の内面に親水化処理が施されて形成される、
気液分離器。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の気液分離器であって、
前記気液２相流が通過するための複数の孔が形成された網状部を有し、
前記親水部は、前記網状部に親水化処理が施されて形成される、
気液分離器。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか１項に記載の気液分離器であって、
気液２相流を案内する案内部を有し、
前記親水部は、前記案内部に親水化処理が施されて形成される、
気液分離器。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか１項に記載の気液分離器であって、
気液２相流を導入するために前記導入口に接続される導入部を更に備え、
前記親水部は、前記導入部の内面に親水化処理が施されて形成される、
気液分離装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか１項に記載の気液分離器であって、
前記親水部は、水に対する接触角が１０度以下である、
気液分離器。
【請求項７】
気液２相流を気相と液相に分離するための気液分離器であって、
気液２相流が内部に導入される本体を備え、
前記本体内部の気液２相流が接触する部位の少なくとも一部は、当該本体の外面よりも親水性が高い、
気液分離器。
【請求項８】
基板を研磨するための研磨パッドが貼り付けられた研磨テーブルと、
前記研磨テーブルを回転駆動する駆動部と、
前記研磨テーブルから流出する気液２相流を回収する回収部と、
前記回収部から搬送される気液２相流を気相と液相に分離する、請求項１乃至７のいずれか１項に記載の気液分離器と、
を備える基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、気液分離器、及び、研磨処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体ウェハなどの基板に対して各種処理を行うために基板処理装置が用いられている。基板処理装置の一例としては、基板の研磨処理を行うためのＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）装置が挙げられる。
【０００３】
ＣＭＰ装置は、基板の研磨処理を行うための研磨ユニット、基板の洗浄処理及び乾燥処理を行うための洗浄ユニット、研磨ユニットへ基板を受け渡すとともに洗浄ユニットによって洗浄処理及び乾燥処理された基板を受け取るロード／アンロードユニットなどを備える。
【０００４】
ところで、研磨ユニットは、研磨テーブルに貼り付けられた研磨パッドに研磨砥液を供給しながら基板を研磨する。また、研磨ユニットにおいては、研磨パッドに堆積又は目詰まりした研磨粒子などを洗浄するために、液体（例えば純水）と気体（例えば窒素）の混合流体を研磨パッドにスプレー噴射（アトマイザ洗浄）することもある。このため、研磨ユニットにおいては、研磨砥液又は純水などの液体と窒素などの気体との気液２相流が発生する。このため、ＣＭＰ装置は、研磨ユニットなどで発生した気液２相流を気相と液相に分離して排出するための気液分離器を備える場合がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１３−１８８６８６号公報
【特許文献２】特開２０１４−１２１６８２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
気液分離器では、比較的多量の気液２相流を処理する場合などに、本体内部に多量のミストが発生することがある。また、特に研磨ユニットにおいて分散剤などの発泡性の添加剤を含む研磨砥液が使用される場合には、本体内部に多量の泡が発生するおそれがある。気液分離器の本体内部に多量のミスト又は泡が発生すると、気体を排出するための排気ラインに液体が流入して詰まり等の原因となるおそれがある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、例えば、以下の形態として実現することが可能である。
【０００８】
本発明の第１の観点に係る気液分離器は、気液２相流を気相と液相に分離するための気液分離器であって、気液２相流を導入するための導入口と、分離した液相を排出するための液相排出口と、分離した気相を排出するための気相排出口と、気液２相流が接触する親水化処理が施された親水部と、を備える。
この気液分離器によれば、親水部との接触によって本体内部に生じる泡およびミストを消失させることができ、気相排出部に液相が到達するのを抑制することができる。
【０００９】
また、親水部は、気液２相流の流路を画定する本体の内面に親水化処理が施されて形成されてもよい。また、気液２相流が通過するための複数の孔が形成された網状部を有し、
親水部は、網状部に親水化処理が施されて形成されてもよい。また、気液２相流を案内する案内部を有し、親水部は、案内部に親水化処理が施されて形成されてもよい。また、気液２相流を導入するために導入口に接続される導入部を更に備え、親水部は、導入部の内面に親水化処理が施されて形成されてもよい。また、親水部は、水に対する接触角が１０度以下であることが好ましい。
【００１０】
本発明の第２の観点に係る気液分離器は、気液２相流を気相と液相に分離するための気液分離器であって、気液２相流が内部に導入される本体を備え、本体内部の気液２相流が接触する部位の少なくとも一部は、本体の外面よりも親水性が高い。
この気液分離器によれば、第１の観点に係る気液分離器と同様の効果を奏することができる。
【００１１】
本発明の第３の観点に係る基板処理装置は、基板を研磨するための研磨パッドが貼り付けられた研磨テーブルと、研磨テーブルを回転駆動する駆動部と、研磨テーブルから流出する気液２相流を回収する回収部と、回収部から搬送される気液２相流を気相と液相に分離する、本発明の第１または第２の観点に係る気液分離器と、を備える。
この基板処理装置によれば、第１または第２の観点に係る気液分離器と同様の効果を奏することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の一実施形態に係る研磨ユニットの全体構成を模式的に示す斜視図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る基板処理装置の気液分離器周辺を示す概略側面図である。
【図３】図２の気液分離器を拡大して示す図である。
【図４】親水性被膜の厚さと形成状態との関係を示す図である。
【図５】気液分離器の変形例１を示す図である。
【図６】気液分離器の変形例２を示す図である。
【図７】気液分離器の変形例３を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本願発明の一実施形態に係る基板処理装置を図面に基づいて説明する。以下の実施形態は、一例として、ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）研磨ユニットを備える基板処理装置を説明するが、これには限られない。
【００１４】
まず、研磨ユニットについて説明する。図１は、研磨ユニットの全体構成を模式的に示す斜視図である。図１に示すように、研磨ユニット１００は、半導体ウェハなどの基板１０２を研磨するための研磨パッド１０８を上面に取付け可能な研磨テーブル１１０と、研磨テーブル１１０を回転駆動する第１の電動モータ（駆動部）１１２とを備える。また、研磨ユニット１００は、基板１０２の研磨時に基板１０２を加圧して研磨パッド１０８に押圧するとともに、基板１０２の引き上げ時に基板１０２を吸着して引き上げるトップリング（基板保持部）１１６と、内部にトップリング１１６を昇降・回転する駆動機構を備えるトップリングユニット１１８と、を備える。
【００１５】
また、研磨ユニット１００は、研磨パッド１０８の上面に研磨材を含む研磨砥液を供給可能なスラリーライン（砥液供給部）１２０と、研磨パッド１０８のコンディショニング（目立て）を行うドレッサーディスク１２２を備えるドレッサーユニット１２４と、を備える。また、研磨ユニット１００は、研磨後のスプレー洗浄（アトマイザ洗浄）を行うために洗浄液を噴射するＤＩＷ（Ｄｅ−Ｉｏｎｉｚｅｄ  Ｗａｔｅｒ）ライン（洗浄液供給
部）１２５を備える。ＤＩＷライン１２５は、液体（例えば純水）と気体（例えば窒素ガス）の混合流体または液体（例えば純水）を霧状にして研磨面（研磨パッド１０８の上面）に噴射する。
【００１６】
基板１０２を研磨するときは、研磨材を含む研磨砥液をスラリーライン１２０から研磨パッド１０８の上面に供給し、第１の電動モータ１１２によって研磨テーブル１１０を回転駆動する。続いて、トップリング１１６を、研磨テーブル１１０の回転軸とは偏心した位置で、回転させた状態で、トップリング１１６に保持された基板１０２を研磨パッド１０８に押圧する。これにより、基板１０２は研磨パッド１０８によって研磨され、平坦化される。
【００１７】
次に、本実施形態に係る気液分離器について説明する。気液分離器は、研磨ユニット１００において発生した気液２相流を気体と液体に分離するために、研磨ユニット１００に取り付けられている。図２は、基板処理装置１０の気液分離器周辺を示す概略側面図であり、図３は、図２中の気液分離器を拡大して示す図である。なお、図２では、装置の断面にハッチングを付しており、図３では、後述する親水部２４０にハッチングを付している。
【００１８】
図２及び図３に示すように、気液分離器２００は、研磨ユニット１００の研磨テーブル１１０の周囲に設けられたドレンレシーバ３７（研磨テーブルから流出する気液２相流を回収する回収部）に接続される。気液分離器２００は、気液２相流が通るための流路が内部に形成された矩形状の本体２１０を備える。本体２１０は、内部に導入された気液２相流を気相と液相とに分離してそれぞれに排出するよう構成されている。本体２１０には、導入口２１１と、液相排出口２１４と、気相排出口２１８とが形成されている。また、本体２１０は、遮蔽板２２０と、網状部２３０を内部に備える。
【００１９】
導入口２１１は、本体２１０の天面に形成され、ドレンレシーバ３７から搬送される気液２相流を本体２１０へ導入する。導入口２１１は、導入配管３１２に接続され、この導入配管３１２及びダクト３８を介してドレンレシーバ３７に接続される。研磨テーブル１１０の回転遠心力によってドレンレシーバ３７へ流れた気液２相流は、ドレンレシーバ３７からダクト３８及び導入口２１１を介して本体２１０内へ流れ込む。
【００２０】
液相排出口２１４は、本体２１０内部で気液２相流から分離した液相を排出するため、本体２１０の底面及び側面の一部に跨って形成される。液相排出口２１４には、基板１０２の一部など固形物質が液相排出口２１４に流れてしまうのを防ぐため、ストレーナ２１５が設けられている。ストレーナ２１５は、例えば複数の孔が形成された網状のものを用いることができる。液相排出口２１４には、液相排出配管３１０が接続される。なお、本体２１０の底面は、液相排出口２１４に向かって低くなるように傾斜して形成されることが好ましい。
【００２１】
気相排出口２１８は、本体２１０内部で気液２相流から分離した気相を排出するため、本体２１０の側面に形成される。気相排出口２１８には、気相排出配管３２０が接続される。気相排出配管３２０は、気相排出口２１８から上方に傾斜して接続されることが好ましい。こうすれば、もし気相排出口２１８に液体が入った場合に、気相排出配管３２０を伝って液体を本体２１０内に戻すことができる。気相排出配管３２０は、図示していない吸引器に接続される。気相排出配管３２０には、気相排出配管３２０内の液体を検出する水滴センサを設けることができる。また、本体２１０内には、本体２１０内部の気液２相流又は液相が本体２１０内部の所定の高さまで到達したことを検出する水位検出器を設けることができる。また、本体２１０には、本体２１０内部に不活性ガスを注入するためパージ開口を形成することもできる。
【００２２】
遮蔽板２２０は、本体２１０内部に設けられる。遮蔽板２２０は、気相排出口２１８に対向する対向面を有する板状に形成され、本体２１０の天面から底面へ向かって延在する。つまり、遮蔽板２２０は、導入口２１１から気相排出口２１８までの流路が遮蔽板２２０の下側を通るように形成される。遮蔽板２２０を設けることによって、導入口２１１から本体２１０内へ導入された気液２相流が分離される前に気相排出口２１８から排出されることを抑制することができる。
【００２３】
網状部２３０は、板状の部材に複数の孔が形成された網状に構成され、本体２１０内部に設けられる。網状部２３０は、複数の孔が形成されており、本体２１０内部に導入された気液２相流が網状部２３０の複数の孔を通過するように、導入口２１１の下方に配設される。なお、網状部２３０は、格子状に複数の孔が形成されたものを用いてもよいし、多孔質材料などで複数の孔が形成されているものを用いてもよい。また、網状部２３０は、本体２１０内に１段だけ設けてもよいし、複数段設けてもよい。
【００２４】
気液分離器２００は、本体２１０内部に親水処理が施された親水部２４０を有する。この実施形態では、本体２１０の内面、ストレーナ２１５、遮蔽板２２０、網状部２３０のそれぞれが親水処理を施されており、これらが親水部２４０に相当する。図３では、一点鎖線で囲むとともにハッチングを付して親水部２４０を示している。この実施形態では、図３に示すように、本体２１０の内面は、網状部２３０よりも低い部位に親水処理が施されており、網状部２３０よりも高い側壁面および天面には親水処理が施されていない。ただし、これに限らず、本体２１０の内面について、網状部２３０よりも高い部位にも親水処理が施されてもよく、また、網状部２３０にかかわらず特定の部位にだけ親水処理が施されてもよい。親水部２４０は、水との接触角度が好ましくは６０度以下となるように形成され、更に好ましくは３０度以下、２０度以下、または１０度以下となるように形成される。
【００２５】
この実施形態では、本体２１０、ストレーナ２１５、遮蔽板２２０、網状部２３０のそれぞれは、ＰＶＣ（ポリ塩化ビニル）を素材として形成されている。なお、これらの素材は、ＰＶＣに限られるものではなく、ＰＭＭＡ（ポリメチルメタクリレート）、ＰＡ（ポリアミド）、ＰＰ（ポリプロピレン）またはＰＥ（ポリエチレン）等の合成樹脂を使用しても良く、また、アルミニウム等の金属を使用してもよい。
【００２６】
本体２１０の内面、ストレーナ２１５、遮蔽板２２０、網状部２３０（以下、「処理部」という）に施す親水処理は、粗面化処理と親水被膜形成処理を含む。粗面化処理は、例えばＪＩＳ  Ｒ６０１０：２０００（研磨布紙用研磨材の粒度）で規定するＰ１００程度のＳｉＣ（炭化珪素）細粒を使用したサンドブラスト処理である。この粗面化処理により、処理部の中心線平均粗さが、例えば０．５〜５μｍ（マイクロメートル）の範囲に入るようにする。これにより、親水部２４０の親水性が向上するとともに、親水被膜形成処理によって形成する親水性被膜との密着性を向上させることができる。ただし、処理部の中心線平均粗さは、０．５〜５μｍに限定されるものではなく、ブラスト処理時間とＳｉＣ細粒の粒径を調整することにより、処理部を所望範囲の粗度とすればよい。粗面化処理を行った後は、サンドブラストで使用したＳｉＣ細粒等が残留しないように、ドライアイスブラスト等の方法によって処理部を清浄化することが望ましい。
【００２７】
そして、粗面化処理を行った後の処理部には、親水性被膜処理によって、例えば膜厚が０．５〜２．０μｍ、または純水との接触角が６０度以下の親水性皮膜が形成される。親水性皮膜は、例えば親水性樹脂組成物、ＳｉＯ２または半導体層間絶縁膜材料から構成されることが好ましい。親水性樹脂組成物としては、水酸基含有樹脂、アミノ基含有樹脂など親水性を示す官能基を分子中に含んだ樹脂を用いることができる。半導体層間絶縁膜材料としては、ＳＯＧ（塗布ガラス：Spin  on  Glass）等が挙げられる。具体的な親水性
被膜処理としては、パーヒドロポリシラザン（ＰＨＰＳ）系コーティング剤のスプレーコーティングを行って乾燥させることで、処理部に親水性皮膜が形成される。ＰＨＰＳ系コーティング剤としては、例えばＮＡＸ１２０−２０（AZ  Electronic  Materials社製）が好適に使用される。パーヒドロポリシラザン（ＰＨＰＳ）系コーティング剤は、大気中の水分と反応してＳｉＯ２への転化が進むので、吹き付けガスとして、窒素ガス等の不活性ガスが好適に使用される。またこのコーティング液は、過度に濃いと塗布むらを生じやすいので、適当な溶剤で希釈して（例えば１：１の比率で）使用することが好ましい。親水性皮膜の膜厚は、スプレーコーティング回数などを調整することによって調整することができる。
【００２８】
図４は、親水性被膜の厚さと形成状態との関係を示す図であり、（ａ）は親水性被膜が厚いとき、（ｂ）は親水性被膜の厚さが適切であるとき、（ｃ）は親水性被膜が薄いときを示す。一例として、処理部の中心線平均粗さを０．５〜５μｍとした場合について説明する。この場合、図４（ａ）に示すように、処理部に形成される親水性皮膜２４０ａの膜厚が２μｍ以上であると、親水性皮膜２４０ａにクラックＣが発生する。また、図４（ｃ）に示すように、処理部に形成される親水性皮膜２４０ａの膜厚が０．５μｍ以下であると、処理部の特に凸部が親水性皮膜２４０ａに覆われることなく、露出してしまう。これに対して、親水性皮膜５３の膜厚が０．５〜２μｍの範囲にあれば、このような弊害がなく、好ましい親水性が得られる。
【００２９】
以上説明した研磨処理装置では、研磨ユニット１００で発生した気液２相流は、研磨テーブル１１０の周りのドレンレシーバ３７、ダクト３８、及び導入口２１１を介して気液分離器２００の本体２１０内へ流れ込む。本体２１０内へ流れ込んだ気液２相流は、本体２１０の内面、遮蔽板２２０及び網状部２３０に形成された親水部２４０に接触しながら本体２１０底部へ流れる。
【００３０】
これに対して、気相排出配管３２０には図示していない吸引器が接続されており、本体２１０内部の空間が吸引される。これによって、本体２１０内へ流れ込んだ気液２相流は、気相と液相へ分離される。分離された気相は、気相排出口２１８および気相排出配管３２０を介して本体２１０の外部へ排出される。一方、分離された液相は、液相排出口２１４および液相排出配管３１０を介して本体２１０の外部へ排出される。
【００３１】
そして、気液２相流が接触する親水部２４０に親水処理が施されているので、本体２１０内に生じる泡およびミストが親水部２４０に吸着されて又は引っ張られて消失される。これにより、本体２１０内部で多量の泡またはミストが生じて気相排出口２１８および気相排出配管３２０に液体が侵入してしまうのを抑制することができる。
【００３２】
以上、本実施形態の気液分離器２００によれば、気液２相流が接触する本体２１０の内面、ストレーナ２１５、遮蔽板２２０及び網状部２３０に親水処理が施されている。これにより、本体２１０内部で生じる泡またはミストを消失させることができ、気相排出口２１８および気相排出管３２０に液体が侵入してしまうのを抑制することができる。また、本実施形態の気液分離器２００では、消泡剤または本体２１０内部での散水などを用いることなく、泡またはミストを消失させることができるので、ランニングコストを少なくすることもできる。ただし、気液分離器２００は、消泡剤または散水を用いないものに限定されるものではなく、これらを用いれば、より効果的に泡またはミストを消失させることができる。
【００３３】
図５は、気液分離器２００の変形例１を示す図である。なお、図５以下では、図３と同様に親水処理を施している部分を一点鎖線で囲むとともにハッチングを付して示している。図５に示すように、気液分離器１２００は、網状部２３０に代えて、本体２１０内部に
気液２相流を案内する案内板１２３０が設けられ、この案内板１２３０が親水処理を施されて親水部１２４０を形成する。案内板１２３０は、本体２１０の内壁面または遮蔽板２２０に一端が接続され、この一端から下方に傾斜するように本体２１０内部に延在する。この変形例では、案内板１２３０は４つ設けられている。なお、案内板１２３０は、この例に限定されず、例えば本体２１０の底面と略水平となるように設けられてもよい。また、案内板１２３０は、気液２相流に旋回運動を起こさせるように構成されてもよく、例えばらせん状に構成されてもよい。また、案内板１２３０は、４つを設けるものに限らず、１〜３つ、又は５つ以上を設けてもよい。
【００３４】
変形例１の気液分離器１２００では、導入口２１１から本体２１０内部に導入された気液２相流は、直接に本体２１０の底面に落下することなく、案内板１２３０に案内されて滑らかに本体２１０の底面に達する。これにより、気液２相流が直接に本体２１０の底面に落下するものに比して、本体２１０内部で泡およびミストが生じるのを抑制することができる。しかも、変形例の気液分離器１２００では、案内板１２３０に親水処理が施されているので、案内板１２３０に接触する気液２相流の泡およびミストを消失させることができ、気相排出口２１８に液体が侵入してしまうのをより効果的に抑制することができる。なお、案内板１２３０は、図５に示すように上面のみに親水化処理が施されてもよいし、上面に限らず全体に親水化処理が施されてもよい。
【００３５】
図６は、気液分離器２００の変形例２を示す図である。図６に示すように、気液分離器２２００では、遮蔽板２２２０の下端が気相排出口２１８から離れる方向に傾斜して形成されている。また、遮蔽板２２２０は、手動または自動で伸縮自在になっている。この遮蔽板２２２０が親水処理を施されて親水部２２４０を形成する。この変形例２の気液分離器２２００においても、導入口２１１から本体２１０内部に導入された気液２相流は、直接に本体２１０の底面に落下することなく、遮蔽板２２２０に案内されて滑らかに本体２１０の底面に達する。これにより、変形例１と同様に、本体２１０内部で泡およびミストが生じるのを抑制することができるとともに、遮蔽板２２２０に接触する気液２相流の泡およびミストを消失させることができる。
【００３６】
図７は、気液分離器２００の変形例３を示す図である。図７に示すように、気液分離器３２００は、ドレンレシーバ３７から水平方向に離れて設けられている。そして、ドレンレシーバ３７から本体２１０内部へ気液２相流を導くダクト３０３８および導入配管３３１２に親水処理が施されている（図７中、ハッチングを付した部分参照）。このように、ダクト３０３８及び導入配管３３１２に親水処理を施すことにより、ダクト３０３８及び導入配管３３１２を通過する気液２相流の泡およびミストを低減することができる。特に図７に示すようにドレンレシーバ３７と気液分離器３２００とが離れているときには、効果的に気液２相流の泡およびミストを低減して、気相排出口２１８に液体が流入してしまうのを抑制することができる。
【００３７】
上記の実施形態では、気液分離器２００の本体２１０の内面、ストレーナ２１５、遮蔽板２２０、網状部２３０に親水処理が施されて親水部２４０が構成されるものとした。しかし、親水部２４０は、気液２相流が通過する部位の少なくとも一部に親水処理を施して形成されればよく、上記の例に限定されるものではない。例えば、本体２１０の内面、ストレーナ２１５、遮蔽板２２０、網状部２３０の一部のみに親水処理が施されてもよい。また、本体２１０の内面の一部、ストレーナ２１５の一部、遮蔽板２２０の一部、網状部２３０の一部に親水処理が施されてもよい。
【００３８】
また、上記の実施形態では、親水部２４０は、処理部に粗面化処理と親水被膜処理を施して形成されるものとしたが、粗面化処理と親水被膜処理の一方だけが施されてもよい。
【００３９】
また、上記の実施形態では、本体２１０の天面に導入口２１１が形成され、本体２１０の底面と側面に跨る位置に液相排出口２１４が形成され、本体２１０の側面に気相排出口２１８が形成されるものとしたが、導入口２１１、液相排出口２１４、及び気相排出口２１８は任意の位置に形成されればよい。例えば、液相排出口２１４と気相排出口２１８が本体２１０の対向する側面に形成されてもよい。なお、気相排出口２１８が液相排出口２１４よりも高い位置に形成されることが好ましい。また、導入口２１１、液相排出口２１４、及び気相排出口２１８のそれぞれには、導入配管３１２、液相排出配管３１０、気相排出配管３２０が接続されるものとしたが、導入配管３１２、液相排出配管３１０、気相排出配管３２０のそれぞれは、本体２１０と一体に形成されてもよい。
【００４０】
以上、本発明の実施の形態について説明してきたが、上記した発明の実施の形態は、本発明の理解を容易にするためのものであり、本発明を限定するものではない。本発明は、その趣旨を逸脱することなく、変更、改良され得るとともに、本発明にはその均等物が含まれることはもちろんである。また、上述した課題の少なくとも一部を解決できる範囲、または、効果の少なくとも一部を奏する範囲において、実施形態および変形例の任意の組み合わせが可能であり、特許請求の範囲および明細書に記載された各構成要素の任意の組み合わせ、または、省略が可能である。
【符号の説明】
【００４１】
１０  基板処理装置
３７  ドレンレシーバ
３８  ダクト
１００  研磨ユニット
１０２  基板
１０８  研磨パッド
１１０  研磨テーブル
１１２  第１の電動モータ
１１６  トップリング
１１８  トップリングユニット
１２０  スラリーライン
１２２  ドレッサーディスク
１２４  ドレッサーユニット
１２５  ＤＩＷライン
２００、１２００、２２００、３２００  気液分離器
２１０  本体
２１１  導入口
２１４  液相排出口
２１８  気相排出口
２２０、２２２０  遮蔽板
２３０  網状部
２４０、１２４０、２２４０  親水部
３１２、３３１２  導入配管
３８、３０３８  ダクト
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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