(57)【要約】      （修正有）【課題】差し込み導波路集積光回路においてコヒーレント後方散乱を低減するシステムおよび方法を提供する。【解決手段】集積光回路は、第１屈折率を有する第１材料の第１導波路区間２０１と、第１材料とは異なる第２材料が拡散された第２導波路区間２０３であって、第２屈折率を有する、第２導波路区間と、第１材料の第３導波路区間２０９とを含む。第１界面２７１における第１導波路区間の部分が第１角度で傾けられ、第２導波路区間の部分が第１角度で傾けられる。第２界面２７３における第１導波路区間の部分が第２角度で傾けられ、第３導波路区間の部分が第２角度で傾けられる。第１角度および第２角度は、第１および第２界面における光の入射角がブルースターの角度よりも大きくなるように選択される。【選択図】図２
2016057626.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
干渉計用集積光回路（１１５）であって、
第１屈折率を有する第１材料の第１導波路区間（２０１）であって、第１材料が第１導波路区間（２０１）内を進行する光を偏光するように構成される、第１導波路区間と、
第１材料とは異なる第２材料が拡散された第２導波路区間（２０３）であって、第１界面（２７１）において前記第１導波路区間（２０１）に結合され、第２屈折率を有する、第２導波路区間（２０３）と、
第２界面（２７３）において前記第２導波路区間（２０３）に結合される、第１材料の第３導波路区間（２０９）とを含み、
前記第１界面（２７１）における前記第１導波路区間（２０１）の部分が第１角度で傾けられ、前記第１界面（２７１）における前記第２導波路区間（２０３）の部分が前記第１角度で傾けられ、
前記第２界面（２７３）における前記第１導波路区間（２０１）の部分が、第２角度で傾けられ、前記第２界面（２７３）における前記第３導波路区間（２０９）の部分が、前記第２角度で傾けられ、
前記第１角度が、前記第１導波路区間（２０１）から出射する光の入射角が前記第１界面（２７１）においてブルースターの角度よりも大きくなるように選択され、
前記第２角度が、前記第２導波路区間（２０３）から出射する光の入射角度が前記第２界面（２７３）においてブルースターの角度よりも大きくなるように選択される、集積光回路（１１５）。
【請求項２】
請求項１記載の集積光回路（１１５）であって、更に、前記第２導波路区間（２０３）に結合された少なくとも１つの変調器（２９０）を含み、前記少なくとも１つの変調器（２９０）が、電界を生成する変調電圧を供給し、
前記第１界面（２７１）および前記第２界面（２７３）が、前記少なくとも１つの変調器（２９０）から、前記少なくとも１つの変調器（２９０）によって生成される前記電界が無視できる距離に位置付けられる、集積光回路（１１５）。
【請求項３】
干渉計用集積光回路（１１５）の生産方法（５００）であって、
ウェハの第１領域を露出するための第１マスクを形成するステップ（５０２）であって、前記第１マスクが、前記第１領域の各端部においてそれぞれの角度を形成するように構成される、ステップと、
前記露出した第１領域に第１ドーパント材料を付着するステップ（５０４）と、
前記第１マスクを除去するステップ（５０６）と、
前記露出した第１領域に付着された前記第１ドーパント材料を拡散させるステップ（５０８）と、
前記ウェハの第２領域を露出するための第２マスクを形成するステップ（５１０）であって、前記第２マスクが、前記第２領域がそれぞれの区間を含み、各区間がそれぞれの角度を有し、前記第１領域の斜め端部の１つと境界線を共有する(abut)ように形成され、前記第２領域のそれぞれの区間の各角度が、前記第１領域のそれぞれの端部のそれぞれの角度と対応するように形成され、前記第１領域と前記第２領域との間にある界面における光の入射角度が、ブルースターの角度よりも大きくなるように選択される、ステップと、
前記露出した第２領域に第２ドーパント材料を付着するステップ（５１２）と、
前記第２マスクを除去するステップ（５１４）と、
前記第１領域の近くに１つ以上の電極を形成するステップ（５１６）と、
を含み、前記第１領域を露出するための第１マスクを形成するステップが、互いに接合するとｙ−接合を形成する２つの平行区間を有する前記第１領域を形成するために前記第１マスクを形成するステップを含み、
前記平行区間の各々が、第１端部においてそれぞれの角度を有するように形成され、前記第１領域の平行区間のそれぞれの第１端部に形成される前記それぞれの角度が補角となり、
前記１つ以上の電極が、前記第１領域の一部分において電界を生成するように構成された少なくとも１つの変調器を形成し、前記第１領域および前記第２領域が接する前記斜め端部が、前記電極から、前記少なくとも１つの変調器によって生成される電界が無視できる距離に形成される、方法（５００）。
【発明の詳細な説明】
【背景技術】
【０００１】
[0001]  光ファイバ・ジャイロスコープ（ＦＯＧ）は、光の干渉を使用して角速度を測定する。ＦＯＧでは、サニャック干渉計を形成する光ファイバの大きなコイルによって、回転を検知する。回転を測定するために、集積光回路（ＩＯＣ）のような光電変調デバイスによって、２つの光ビームがこのコイル内に対向する両方向から導入される。コイルが回転を受けている場合、回転方向に進行するビームは、回転に反して進行するビームよりも、ファイバの他端までの経路が長くなる。これは、サニャック効果として知られている。これらのビームがファイバから出射する際に、ＩＯＣにおいて組み合わされ、逆に回転するビーム間におけるサニャック効果による位相シフト、およびＩＯＣにおける変調が、これらのビームを干渉させ、その結果複合ビーム(combined beam)が発生する。その強度および位相は、コイルの角速度に依存する。
【発明の概要】
【０００２】
[0002]  一実施形態では、干渉計用集積光回路を提供する。この集積光回路は、第１屈折率を有する第１材料の第１導波路区間であって、第１材料が第１導波路区間内を進行する光を偏光するように構成される、第１導波路区間と、第１材料とは異なる第２材料が拡散され、第１界面において第１導波路区間と結合された第２導波路区間であって、第２屈折率を有する、第２導波路区間と、第２界面において第２導波路区間に結合された、第１材料の第３導波路区間とを含む。第１界面における第１導波路区間の部分が第１角度で傾けられ、第１界面における第２導波路区間の部分が第１角度で傾けられる。第２界面における第１導波路区間の部分が、第２角度で傾けられ、第２界面にける第３導波路区間の部分が、第２角度で傾けられる。第１角度は、第１導波路区間から出射する光の入射角が第１界面においてブルースターの角度よりも大きくなるように選択される。第２角度は、第２導波路区間から出射する光の入射角度が、第２界面においてブルースターの角度よりも大きくなるように選択される。
【図面の簡単な説明】
【０００３】
[0003]  図面は実施形態例を示すに過ぎず、したがって範囲を限定するように解釈してはならないことを理解した上で、添付図面を使用することによって、更に特定的にそして詳細に、実施形態例について説明する。
【図１】図１は、干渉計光ファイバ・ジャイロスコープ（ＩＦＯＧ）システムの一例の一実施形態を示す。
【図２】図２は、集積光回路（ＩＯＣ）の一例の一実施形態を示す。
【図３】図３は、ＩＯＣの一例の他の実施形態を示す。
【図４】図４は、ＩＯＣにおける界面の一例の一実施形態を示す。
【図５】図５は、干渉計用集積光回路を生産する方法例の一実施形態を示すフロー・チャートである。
【０００４】
[0009]  慣習にしたがって、説明する種々の特徴は、同じ拡縮率で描かれるのではなく、実施形態例に関連する具体的な特徴を強調するように描かれることとする。
【発明を実施するための形態】
【０００５】
[0010]  以下の詳細な説明では、その一部を形成する添付図面を参照する。図面には、本発明を実施することができる特定の例示的実施形態が一例として示されている。しかしながら、他の実施形態を利用してもよいこと、および論理的、機械的、および電気的変更が行われてもよいことは、理解されてしかるべきである。更に、図面および明細書において紹介する方法は、個々のステップが実行されてもよい順序を限定するように解釈してはならない。したがって、以下の詳細な説明は、限定的な意味で捕らえてはならない。
【０００６】
[0011]  真空環境において陽子交換ＩＯＣを使用してＦＯＧを検査するとき、光電変調の変転(corruption)が発生し、時間と共に悪化して、最終的にＦＯＧが動作不能になることが発見されている。ＦＯＧ出力において変調を変転させる正確な現象は、部分的にしか解明されておらず、ＩＯＣの電極付近における電界に沿ったイオンの移動が関与すると思われる。しかしながら、１つの極性の光だけがＩＯＣを透過するように、陽子交換プロセスをＬｉＮｂＯ３に対して使用して導波路を作成することが望ましい。これは、最も過酷なナビゲーション要件に必要なレベルまで、光ファイバ・ジャイロの回転数測定の正確度を高め、ジャイロ回路における外部偏光板の必要性を排除することができる。
【０００７】
[0012]  図１は、干渉計光ファイバ・ジャイロスコープ（ＩＦＯＧ）システムの一例１００の一実施形態を示す。ＩＦＯＧ１００は、光源１０５、検知ループ・アセンブリ１２５、および検出器アセンブリ１２０を含む。光源１０５は、光信号またはビームを光カプラ１１０に供給する。カプラ１１０は、ビームの一部を検出器１２０に向けて方向転換するように機能することができる。検出器アセンブリ１２０は、ジャイロスコープ用変調／復調電子回路を含み、これによって位相変調が行われ、その結果得られる信号が回転数に復調される。また、検出器アセンブリ１２０は、光検出を行うフォトダイオード１２１および１２２も含む。検知ループ・アセンブリ１２５は、集積光回路（ＩＯＣ）１１５に結合されたファイバ・コイル１２６を含む。具体的には、図２に示すように、ＩＯＣ１１５は、導波路区間２０１、２０３、２０７、２０９、および２１１を含み、これらは、ＩＯＣ１１５がファイバ・コイル１２６の両端に結合されるように、ｙ−接合を形成するように設計されている。加えて、この実施形態では、ＩＯＣ１１５は、複数のニオブ化リチウム（ＬｉＮＢＯ３）導波路区間も含む。
【０００８】
[0013]  以上で述べたように、一実施形態では、光カプラ１１０は、光源１０５からの光の一部を検出器１２０に向けて方向転換する。このビームの残りは、円形エレメント１３０を通じてＩＯＣ１１５に供給することができ、一方円形回路１３０は検出器１２０に結合されている。一実施形態では、検知ループ・アセンブリ１２５は、サニャック・ジャイロスコープを含む。他の実施形態では、光カプラ１１０、および円形エレメント１３０の内１つ以上も結晶ＬｉＮｂＯ３導波路を含む。
【０００９】
[0014]  動作において、一実施形態では、光源１０５からの光ビームは、集積光回路１１５に供給される。光源１０５からの光は、集積光回路１１５の第１干渉計導波路区間２０１に入射し、第１干渉計導波路区間２０１は、この光ビームを濾波して、導波路の結晶構造によって規定される軸に沿って直線偏光された光のビームを得る。この偏光光ビームは、ｙ−接合２５４に入射する。ｙ−接合２５４から、導波路区間２０１の第１分岐区間２５５および第２分岐区間２５７が形成される。ｙ−接合２５４において、光は２つのビームに分割され、ファイバ・コイル１２６によって設けられた逆経路に入射する。図２に示す実施形態では、ｙ−接合２５４は、第１干渉計導波路区間２０１から形成される。しかしながら、ｙ−接合を形成するためには、他の実施形態では、他の導波路区間も使用できることは理解されよう。例えば、図３では、ｙ−接合は、第２干渉計導波路区間３０３によって形成される。
【００１０】
[0015]  ファイバ・コイル１２６に入射する前に、２つのビームは、各々、２つのビームが再度組み合わせられたときに生ずる干渉パターンにおいて位相シフトを検出するときに役立つ波形を使用して変調される。この変調は、１組の変調器２９０および２９２によって行われる。変調器２９０および２９２は、それぞれ、導波路区間２０３、２０７を横切る電極を含む。変調器２９０および２９２は、導波路区間２０３、２０７の周囲に電界を生成することによって光ビームを変調するので、これらの導波路区間は、陽子交換導波路が使用される場合、非大気圧条件の下ではイオン移動の影響を受け易い。したがって、陽子交換導波路を使用する代わりに、非大気圧条件において導波路のこれらの区間がイオン移動の影響を受け難くすることに基づいて、チタン拡散導波路がこれらの領域に選択される。チタン拡散導波路区間は、陽子交換導波路区間のいずれかの側に結合される。このように、陽子交換導波路を利用する利点を得つつ、変調器２９０および２９２によって生成される電界を受ける領域においてチタン拡散導波路を利用することによって、電界の効果を制限する。
【００１１】
[0016]  例えば、チタン拡散区間２０３は、界面２７１において陽子交換導波路区間２０１に結合され、そして界面２７３において陽子交換導波路区間２０９に結合される。同様に、チタン拡散区間２０７は、界面２７５において陽子交換導波路区間２０１に結合され、そして界面２７７において陽子交換導波路区間２１１に結合される。具体的には、各導波路区間の一部が、それぞれの界面において角度が付けられている。例えば、界面２７１において、導波路区間２０１の一部、および導波路区間２０３の一部は、図示のように、例えば、図４における界面例４７１の上面図に示されるように、角度が付けられている。図２に示すように、導波路区間２０１のこの部分の角度は、導波路区間２０３のこの部分の角度とほぼ同じである。このように、２つの角度をなす導波路部分は、互いに差し込まれる(stitch)または結合されるように整列される。
【００１２】
[0017]  界面２７１におけるこれらの部分の各々に対する角度は、導波路区間２０１から出射し導波路区間２０３に入射する光の入射角度が、界面２７１において、ブルースターの角度(Brewster's angle)よりも大きくなるように選択される。界面におけるブルースターの角度（偏光角とも呼ぶ）は、Ｐ偏光光が反射せずに界面を透過する入射角である。ブルースターの角度は、界面における導波路区間の各々のそれぞれの屈折率に依存する。具体的には、ブルースターの角度（θＢ）は、式１によって定義することができる。ここで、ｎ１は光が出射する導波路区間の屈折率であり、ｎ２は光が入射する導波路区間の屈折率である。
【００１３】
【数１】
2016057626.tif 000003
【００１４】
[0018]  界面２７３、２７５、および２７７の各々における導波路区間のそれぞれの部分は、入射角がそれぞれの界面における偏光角よりも大きくなるように、同様に角度が付けられる。角度をブルースターの角度または偏光角よりも大きくなるように選択することによって、光は導波路区間において捕らえられなくなる。加えて、界面において斜めになった部分を使用することによって、光のコヒーレント後方反射が回避される。ある実施形態では、図３に示すように、界面２７３における導波路区間３０３の角度、および界面２７７における導波路区間３０３の角度は、補角になる。即ち、界面２７３および２７７における導波路区間３０３のそれぞれの角度を足し合わせると１８０°になる。界面２７３および２７７において補角を使用することの利点は、１つの分岐区間から他方の分岐区間に光が再結合するのを回避することである。
【００１５】
[0019]  コヒーレント後方反射光とは、ファイバ・コイル１２６から検出器１２０に進行する光とコヒーレントな光である。具体的には、ファイバ・コイル１２６から出射する光の２つのビームは、ＩＯＣ１１５において再度組み合わせられ、ジャイロスコープの回転数を示す干渉図を生成する。この複合ビームは、戻りビームからこれらの回転数を解読するフォトダイオード１２２を介して、検出器アセンブリ１２０に供給される。コヒーレント後方反射光は、再複合信号(recombined signal)と干渉し、これによって検出された回転数に誤差を生ずることができる。このように、それぞれの界面において斜めになった導波路の部分は、導波路区間の間にある界面においてコヒーレント後方反射光を減少させるかまたは排除する。加えて、導波路区間の間にある界面は、変調器２９０および２９２によって生成される電界がほぼゼロになる地点に位置する。したがって、陽子交換−チタン拡散導波路の差し込みは、変調器２９０および２９２から十分遠くにあるので、陽子交換導波路区間２０１、２０９、および２１１は、変調に付随する電界によるイオン移動による影響を受けない。
【００１６】
[0020]  陽子交換導波路のチタン拡散導波路に対する整列は、これらの領域の差し込みが、基板２５０の領域において、ＬｉＮｂＯ３の結晶面が導波路の方向に対して平行であるところで行われると、やりやすくなる。これは、陽子交換領域によって行われる偏光を保存する役割を果たし、干渉図の変転による回転数判定における関連誤差の混入を回避する。したがって、一実施形態では、この差し込みは、予想される電界が無視できるところに位置付けることに加えて、屈曲領域（２７０および２７２におけるような）において発生するおそれがあるモード移行効果を回避するのに十分な距離だけ屈曲領域から離れて位置付けられる。一実施形態では、それぞれの界面２７１および２７５は、変調器２９０および２９２と屈曲領域２７０および２７２との間のほぼ真ん中となる。
【００１７】
[0021]  図４は、図２または図３におけるＩＯＣ１１５のようなＩＯＣにおいて使用される斜め界面(angled interface)の一例４７１の拡大部分の上面図を示す。図４は、斜め界面の一例４７１に関して論じられるが、図４に示す構造は、図２および図３に示した斜め界面のいずれにも適用できることは理解されよう。図４において見られるように、導波路区間４０１の一部が、角度４８１で斜めになっている。具体的には、導波路区間４０１の幅がこの例では徐々に狭まり、斜め部分を形成する。角度４８１は、導波路区間４８１から出射する光の入射角４８５が、先に論じたように、ブルースターの角度よりも大きくなるように選択される。また、導波路区間４０３の一部も、界面４７１において斜めになっている。導波路区間４０３の斜め部分の角度４８３は、この実施形態では、角度４８１とほぼ同じであり、導波路区間４０３および導波路区間４０１が、界面４７１において整列するようになっている。この上面図では、導波路区間４０１および４０３が、導波路区間が形成された基板２５０のような基板に関して、互いに重なり合うのではなく、互いに隣り合わせになるように位置付けされる。
【００１８】
[0022]  図５は、干渉計用集積光回路を生成する方法５００を示すフロー・チャートである。ブロック５０２において、当業者には周知の技法を使用して、第１領域を露出するための第１マスクを形成する。ある実施形態では、第１領域は、２つの別個の平行区間を含む。他の実施形態では、第１領域は、先に論じたように、一緒に接合するとｙ−接合を形成する２つの平行区間を含む。加えて、第１マスクは、第１領域の各端部において角度を形成するように構成される。つまり、２つの別個の平行区間を有する実施形態では、各区間の各端部において角度が形成される。接合してｙ−接合を形成する２つの平行区間を有する実施形態では、ｙ−接合の後ろの地点、および各平行区間の各端部において角度が形成される。更に、ある実施形態では、平行区間の対応する端部において形成される角度は、先に論じたように、補角となる。
【００１９】
[0023]  ブロック５０４において、露出した第１領域にチタン（Ｔｉ）を付着させる。ブロック５０６において、当業者には周知の技法を使用して、第１マスクを除去する。ブロック５０８において、当業者には周知の高温（例えば、約１０２０℃）プロセスによってというようにして、チタンを拡散してＴｉ拡散導波路を形成する。ブロック５１０において、第２領域を露出するために第２マスクを形成する。第２マスクは、第２領域が、第１領域の区間の端部と境界線を共有する(abut)それぞれの区間を含むように形成される。具体的には、第２領域のそれぞれのセクションの端部が、第１領域のそれぞれの端部と対応する角度を含む。第１領域および第２領域の角度は、Ｔｉ拡散導波路と陽子交換導波路との間の界面における光の入射角度がブルースターの角度よりも大きくなるように選択される。
【００２０】
[0024]  ブロック５１２において、当業者には周知の技法を使用して、アニール陽子交換を行い、第２領域から陽子交換導波路を形成する。例えば、アニール陽子交換を行うために、マスクされたウェハを約３００〜４００℃で酸中に浸漬することができる。陽子交換材料は、陽子交換導波路内を進行する光を偏光するように構成される。ブロック５１４において、当業者には周知の技法を使用して、第２マスクを除去する。ブロック５１６において、１つ以上の電極を形成する。これらの電極は、当業者には周知の多数の異なるプロセスの内１つを使用して形成することができる。例えば、金属堆積、電気めっき等を使用して電極を形成することができる。電極は、先に論じた、少なくとも１つの変調器を形成する。この少なくとも１つの変調器は、チタン拡散導波路の一部において電界を生成するように構成される。ある実施形態では、Ｔｉ拡散導波路と陽子交換導波路との間の界面は、電極から、少なくとも１つの変調器によって生成される電界が無視できる距離に形成される。
【００２１】
[0025]  以上、具体的な実施形態をここでは例示し説明したが、同じ目的を達成するために算出される任意の構成が、図示した具体的な実施形態と置き換えられてもよいことは、当業者には認められよう。例えば、以上の実施形態では、基板材料としてニオブ酸リチウムを使用すると説明したが、他の実施形態では、限定ではなく、タンタル酸リチウムのような他の材料を使用できることは理解されよう。同様に、導波路を形成するために以上ではチタンおよび陽子について論じたが、他の実施形態では、限定ではなく、タングステン、モリブデン、マンガン等のような他のドーパントを使用して導波路をパターニングできることも理解されよう。したがって、本発明は特許請求の範囲およびその均等物によってのみ限定されることを、明白に意図している
実施形態例
[0026]  例１は、干渉計用集積光回路を含む。この集積光回路は、第１屈折率を有する第１材料の第１導波路区間であって、第１材料が第１導波路区間内を進行する光を偏光するように構成される、第１導波路区間と、第１材料とは異なる第２材料が拡散され、第１界面において第１導波路区間と結合された第２導波路区間であって、第２屈折率を有する、第２導波路区間と、第２界面において第２導波路区間に結合される、第１材料の第３導波路区間とを含み、第１界面における第１導波路区間の部分が第１角度で傾けられ、第１界面における第２導波路区間の部分が第１角度で傾けられる。第２界面における第１導波路区間の部分が、第２角度で傾けられ、第２界面にける第３導波路区間の部分が、第２角度で傾けられる。第１角度は、第１導波路区間から出射する光の入射角が第１界面においてブルースターの角度よりも大きくなるように選択され、第２角度は、第２導波路区間から出射する光の入射角度が、第２界面においてブルースターの角度よりも大きくなるように選択される。
【００２２】
[0027]  例２は、例１の集積光回路を含み、第２導波路区間がチタン拡散導波路であり、第２導波路区間が電界に露出され、第１および第３導波路区間の各々が、アニール陽子交換導波路であり、第１および第３導波路区間が電界に露出されない。
【００２３】
[0028]  例３は、例１〜２のいずれかの集積光回路を含み、第１導波路区間の幅および第２導波路区間の幅が、第１および第２導波路区間のそれぞれの斜め部分を形成するために、第１界面において減少する。
【００２４】
[0029]  例４は、例１〜３のいずれかの集積光回路を含み、第１導波路区間が接合を含み、この接合から、第１導波路区間の第１および第２分岐区間が形成され、第２導波路区間が第１界面において第１分岐区間に結合される。この集積光回路は、更に、第２材料が拡散され、第３界面において第２分岐区間に結合された第４導波路区間と、第４界面において第４導波路区間に結合された、第１材料の第５導波路区間とを含み、第３界面における第４導波路の部分が、第３角度で傾けられ、第３界面における第２分岐区間の部分が第３角度で傾けられ、第４界面における第４導波路区間の部分が、第４角度で傾けられ、第４界面における第５導波路区間の部分が、第４角度で傾けられ、第３角度が、第２分岐区間から出射する光の入射角度が第３界面においてブルースターの角度よりも大きくなるように選択され、第４角度が、第４導波路区間から出射する光の入射角度が第４界面においてブルースターの角度よりも大きくなるように選択される。
【００２５】
[0030]  例５は、例１〜例３のいずれかの集積光回路を含み、第２導波路区間が接合を含み、この接合から、第２導波路区間の第１および第２分岐区間が形成され、第３導波路区間が第２界面において第１分岐区間に結合される。この集積光回路は、更に、第３界面において第２分岐区間に結合された、第１材料の第４導波路区間を含み、第３界面における第２分岐区間の部分、および第３界面における第４導波路区間の部分が、第３角度で傾けられ、第３角度が、第２分岐区間から出射する光の入射角度が第３界面においてブルースターの角度よりも大きくなるように選択される。
【００２６】
[0031]  例６は、例５の集積光回路を含み、第２角度および第３角度が、補角となる。
[0032]  例７は、例１〜例６のいずれかの集積光回路を含み、更に、第２導波路区間に結合された少なくとも１つの変調器を含む。この少なくとも１つの変調器は、電界を生成する変調電圧を供給する。第１界面および第２界面は、少なくとも１つの変調器から、少なくとも１つの変調器によって生成される電界が無視できる距離に位置付けられる。
【００２７】
[0033]  例８は、干渉計用集積光回路の生産方法を含む。この方法は、ウェハの第１領域を露出するための第１マスクを形成するステップであって、第１マスクが、第１領域の各端部においてそれぞれの角度を形成するように構成される、ステップと、露出した第１領域に第１ドーパント材料を付着するステップと、第１マスクを除去するステップと、露出した第１領域に付着された第１ドーパント材料を拡散させるステップと、ウェハの第２領域を露出するための第２マスクを形成するステップであって、第２領域がそれぞれのセクションを含み、各セクションがそれぞれの角度を有し、第１領域の斜め端部の１つと境界線を共有するように、第２マスクが形成され、第２領域のそれぞれのセクションの各角度が、第１領域のそれぞれの端部のそれぞれの角度と対応するように形成され、第１領域と第２領域との間にある界面における光の入射角度が、ブルースターの角度よりも大きくなるように選択される、ステップと、露出した第２領域に第２ドーパント材料を付着するステップと、第２マスクを除去するステップと、第１領域の近くに１つ以上の電極を形成するステップとを含む。
【００２８】
[0034]  例９。例８の方法において、第１領域を露出するための第１マスクを形成するステップが、２つの別個の平行セクションを有する第１領域を形成するために第１マスクを形成するステップを含む。
【００２９】
[0035]  例１０は、例８の方法を含み、第１領域を露出するための第１マスクを形成するステップが、互いに接合するとｙ−接合を形成する２つの平行セクションを有する第１領域を形成するために第１マスクを形成するステップを含む。
【００３０】
[0036]  例１１は、例１０の方法を含み、平行セクションの各々が、第１端部においてそれぞれの角度を有するように形成され、第１領域の平行セクションのそれぞれの第１端部に形成されるそれぞれの角度が補角となる。
【００３１】
[0037]  例１２は、例８〜例１１のいずれかの方法を含み、１つ以上の電極が、第１領域の一部分において電界を生成するように構成された少なくとも１つの変調器を形成し、第１領域および第２領域が一致する斜め端部が、電極から、少なくとも１つの変調器によって生成される電界が無視できる距離に形成される。
【００３２】
[0038]  例１３は、干渉計光ファイバ・ジャイロスコープを含む。この干渉計光ファイバ・ジャイロスコープは、光源と、この光源に結合された検出器と、この検出器に結合された回転数検知光ファイバ・コイルと、このコイルに結合された集積光回路とを含む。この回路は、第１屈折率を有する第１材料の第１導波路区間であって、第１材料が第１導波路区間内を進行する光を偏光するように構成される、第１導波路区間と、第１材料とは異なる第２材料が拡散され、第１界面において第１導波路区間に結合された第２導波路区間であって、第２屈折率を有する、第２導波路区間と、第２導波路区間に結合された少なくとも１つの変調器であって、電界を生成する変調電圧を供給する、少なくとも１つの変調器と、第２界面において第２導波路区間に結合される、第１材料の第３導波路区間とを含み、第１界面における第１導波路区間の部分が第１角度で傾けられ、第１界面における第２導波路区間の部分が第１角度で傾けられ、第２界面における第１導波路区間の部分が第２角度で傾けられ、第２界面における第３導波路区間の部分が、第２角度で傾けられ、第１角度は、第１導波路区間から出射する光の入射角が第１界面においてブルースターの角度よりも大きくなるように選択され、第２角度は、第２導波路区間から出射する光の入射角度が、第２界面においてブルースターの角度よりも大きくなるように選択される。
【００３３】
[0039]  例１４は、例１３の干渉計光ファイバ・ジャイロスコープを含み、第２導波路区間がチタン拡散導波路であり、第１および第３導波路区間の各々がアニール陽子交換導波路である。
【００３４】
[0040]  例１５は、例１４の干渉計光ファイバ・ジャイロスコープを含み、第２導波路区間が電界に露出され、第１および第３導波路区間は電界に露出されない。
[0041]  例１６は、例１３〜例１５のいずれかの干渉計光ファイバ・ジャイロスコープを含み、第１導波路区間の幅および第２導波路区間の幅が、第１および第２導波路区間のそれぞれの斜め部分を形成するために、第１界面において減少する。
【００３５】
[0042]  例１７は、例１３〜例１６のいずれかの干渉計光ファイバ・ジャイロスコープを含み、第１導波路区間が接合を含み、この接合から、第１導波路区間の第１および第２ブランチ・区間が形成され、第２導波路区間が第１界面において第１分岐区間に結合される。この集積光回路は、更に、第２材料が拡散され、第３界面において第２分岐区間に結合された第４導波路区間と、第４界面において第４導波路区間に結合された、第１材料の第５導波路区間とを含み、第３界面における第４導波路区間の部分が、第３角度で傾けられ、第３界面における第２分岐区間の部分が第３角度で傾けられ、第４界面における第４導波路区間の部分が、第４角度で傾けられ、第４界面における第５導波路区間の部分が、第４角度で傾けられ、第３角度が、第２分岐区間から出射する光の入射角度が第３界面においてブルースターの角度よりも大きくなるように選択され、第４角度が、第４導波路区間から出射する光の入射角度が第４界面においてブルースターの角度よりも大きくなるように選択される。
【００３６】
[0043]  例１８は、例１３〜例１６のいずれかの干渉計光ファイバ・ジャイロスコープを含み、第２導波路区間が接合を含み、この接合から、第２導波路区間の第１および第２分岐区間が形成され、第３導波路区間が第２界面において第１分岐区間に結合される。この集積光回路は、更に、第３界面において第２分岐区間に結合された、第１材料の第４導波路区間を含み、第３界面における第２分岐区間の部分、および第３界面における第４導波路区間の部分が第３角度で傾けられ、第３角度が、第２分岐区間から出射する光の入射角度が第３界面においてブルースターの角度よりも大きくなるように選択される。
【００３７】
[0044]  例１９は、例１８の干渉計光ファイバ・ジャイロスコープを含み、第２角度および第３角度が補角となる。
[0045]  例２０は、例１３〜例１９のいずれかの干渉計光ファイバ・ジャイロスコープを含み、更に、第２導波路区間に結合された少なくとも１つの変調器を含む。この少なくとも１つの変調器は、電界を生成する変調電圧を供給する。第１界面および第２界面は、少なくとも１つの変調器から、少なくとも１つの変調器によって生成される電界が無視できる距離に位置付けられる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【外国語明細書】
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