(57)【要約】【課題】既存の瓦磁気記録システムの綿密度能力を達成するまたは向上させつつ記憶装置性能を上げるためのよりよい設計を提供する。【解決手段】記憶装置は、異なるサイズの書込磁極を有する複数の書込素子を有するトランスデューサヘッドを含む。たとえば、トランスデューサヘッドは、記憶媒体の同一表面に書込むように構成された異なる幅の２つの書込磁極を含み得る。記憶装置のコントローラは、記憶媒体にデータを書込むために複数の書込素子の一方を選択的に係合させるように構成されている。【選択図】図１
2016100042.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記憶媒体の同一表面に書込むように構成された異なる書込磁極幅を有する２つの書込素子を含むトランスデューサヘッドを備える記憶装置。
【請求項２】
前記書込素子の各々は、共通のリード線を共有する２つの書込コイルの一方に結合された書込磁極を含む、請求項１に記載の記憶装置。
【請求項３】
前記トランスデューサヘッドはさらに、共通のリード線を共有する２つの加熱素子を含み、前記加熱素子の各々は、前記２つの書込素子の一方に熱を加える、請求項１に記載の記憶装置。
【請求項４】
前記２つの書込素子は、各々が、記憶媒体の空気軸受面（ＡＢＳ）から見ると、中心軸について対称である、請求項３に記載の記憶装置。
【請求項５】
前記書込素子は、互いから独立して動作する、請求項１に記載の記憶装置。
【請求項６】
前記トランスデューサヘッドはさらに、前記書込素子の両方を同時に加熱するように構成された単一の加熱素子を含む、請求項１に記載の記憶装置。
【請求項７】
前記２つの書込素子の第１の書込素子により交互のデータトラックの第１のセットにデータを書込むよう構成され、かつ、前記２つの書込素子の第２の書込素子により交互のデータトラックの第２のセットにデータを書込むように構成されたコントローラをさらに含む、請求項１に記載の記憶装置。
【請求項８】
前記２つの書込素子は、約５０ミクロンより小さく、約１０ミクロンより大きい間隔によって分離されている、請求項１に記載の記憶装置。
【請求項９】
磁気媒体にデータを書込むためにトランスデューサヘッド上の２つの書込素子の一方を選択するステップを含み、前記２つの書込素子は、異なる書込磁極幅を有する、方法。
【請求項１０】
前記２つの書込素子の各々の書込コイルは、共通のリード線を共有する、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記トランスデューサヘッドはさらに、共通のリード線を共有する２つの加熱素子を含み、前記加熱素子は、各々が、前記２つの書込素子の異なる一方を加熱するように構成されている、請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
前記加熱素子は、直列接続されている、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記書込素子は、互いから独立して動作する、請求項９に記載の方法。
【請求項１４】
前記トランスデューサヘッドはさらに、前記２つの書込素子の各々を同時に加熱するように構成された単一の加熱素子を含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１５】
前記２つの書込素子の第１の書込素子により交互のデータトラックの第１のセットにデータを書込み、かつ、前記２つの書込素子の第２の書込素子により交互のデータトラックの第２のセットにデータを書込むステップをさらに含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１６】
前記２つの書込磁極は、約５０ミクロンより小さく、約１０ミクロンより大きい間隔によって分離されている、請求項９に記載の方法。
【請求項１７】
異なる書込磁極幅を有する２つの書込素子を含むトランスデューサヘッドと、
書込動作のデータを記録するために前記２つの書込素子の一方を選択的に係合させるコントローラとを備える、記憶装置。
【請求項１８】
前記２つの書込素子の各々の書込コイルは、共通のリード線を共有する、請求項１７に記載の記憶装置。
【請求項１９】
前記２つの書込磁極の各々を空気軸受面（ＡＢＳ）に向けて同時に加熱し、熱膨張させるように構成された加熱素子をさらに含む、請求項１７に記載の記憶装置。
【請求項２０】
前記加熱素子はさらに、直列接続された少なくとも２つのレジスタを含む、請求項１９に記載の記憶装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
発明の詳細な説明
関連出願の相互参照
本発明は、２０１４年１１月２４日に出願された「ＨＡＭＲ装置のインターレース磁気記録」と題された、米国仮出願第６２／０８３，６９６号、２０１４年１１月２４日に出願された「インターレース磁気記録」と題された、米国仮特許出願第６２／０８３７３２号、および、２０１５年１月２８日に出願された「デュアルライタヘッド設計」と題された、米国仮特許出願第６２／１０８，８９７号の優先権の利益を主張する。これらの出願の各々は、該出願が開示または教示する内容のすべてについて引用により特定的に援用される。
【背景技術】
【０００２】
背景
磁気媒体に対する面記憶密度についての要求が増加するにつれて、セルサイズが減少する。書込素子のサイズを同等に減少することは困難であるが、なぜなら、多くのシステムにおいては、磁化媒体上のセルの極性をシフトさせるためには強い書込磁場が必要となるためである。この結果、比較的より大きい書込磁極を用いて磁化媒体上のより小さいセルにデータを書込むと、隣接するセルの分極に影響を及ぼすおそれがある（たとえば、隣接するセルを上書きしてしまうなど）。書込動作中に隣接するデータが上書きされることを防止しつつより小さいセルを利用するように磁気媒体を適合させるための１つの技術として、瓦磁気記録（ＳＭＲ：ｓｈｉｎｇｌｅｄ  ｍａｇｎｅｔｉｃ  ｒｅｃｏｒｄｉｎｇ）がある。
【０００３】
従来の磁気記録（ＣＭＲ：ｃｏｎｖｅｎｔｉｏｎａｌ  ｍａｇｎｅｔｉｃ  ｒｅｃｏｒｄｉｎｇ）と比較して、ＳＭＲは、綿密度能力（ＡＤＣ：ａｒｅａｌ  ｄｅｎｓｉｔｙ  ｃａｐａｂｉｌｉｔｙ）の増加を可能にするものの、多少の性能能力を犠牲にしてしまう。本明細書において、ＣＭＲは、記憶媒体上のどこであれ利用可能なセルへのランダムなデータの書込を可能にするシステムを指す。ＣＭＲシステムと異なり、ＳＭＲシステムは、規定のトラックピッチより大きい書込幅を有する書込素子を利用するように設計されている。この結果、データトラック内の単一のデータセルを変更するには、瓦式（たとえば、順次増加するまたは減少する）データトラックの対応する群を書換えることが必要となる。この作用は、システムの性能に不利益を生じてしまう。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
したがって、既存のＳＭＲシステムのＡＤＣを達成するまたは向上させつつ記憶装置性能を上げるためのよりよい設計が要求されている。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
概要
本明細書に開示される実現例は、記憶媒体の同一表面に書込むように構成された異なる書込磁極幅を有する２つの書込素子を含むトランスデューサヘッドを設ける。
【０００６】
本概要は、以下の詳細な説明にさらに記載される概念の選出を簡略して紹介するために設けられる。本概要は、クレームされる主題の重要な特徴または不可欠な特徴を特定することを意図するものではなく、また、クレームされる主題の範囲を限定するために使用されることを意図するものでもない。これらおよびさまざまな他の特徴および利点は、以下の詳細な説明を読まれると明らかになるであろう。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】磁気記憶媒体上にデータを書込むためのトランスデューサヘッドアセンブリを含むデータ記憶装置を示す図である。
【図２】空気軸受面から見た、デュアル書込素子を有する例示的なトランスデューサヘッドの平面図である。
【図３】２つの書込素子を含み、かつ異なる書込磁極幅を有する別の例示的なトランスデューサヘッドの断面図である。
【図４】同一トランスデューサヘッド上に２つの書込素子を含む例示的な概略図である。
【図５】同一のトランスデューサヘッド上に２つの書込素子を含む別の例示的な概略図である。
【図６】トランスデューサヘッド上の２つ以上の書込素子の一方により記憶媒体の表面に選択的にデータを書込むための例示的な動作を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
詳細な説明
図１は、磁気記憶媒体１０８上にデータを書込むためのトランスデューサヘッドアセンブリ１２０を含むデータ記憶装置１００を示す。他の実現例も企図されるが、磁気記憶媒体１０８は、図１においては、磁気書込磁極（たとえば、書込磁極１３０）を用いてデータビットを記録可能であり、かつ、磁気抵抗素子（図示せず）を用いてデータビットを読取可能な磁気記憶ディスクである。図Ａに示されるように、記憶媒体１０８は、回転中、スピンドル中心またはディスク回転軸１１２を中心として回転し、内径１０４および外径１０２を含み、これらの間に多数の同心データトラック１１０が存在している。記憶媒体１０８上のデータトラック内のデータビット箇所に対して情報が書込まれ、読取られる。
【０００９】
トランスデューサヘッドアセンブリ１２０は、アクチュエータ回転軸１１４の遠位端においてアクチュエータアセンブリ１０９上に取付けられている。トランスデューサヘッドアセンブリ１２０は、ディスク回転中に記憶媒体１０８の表面上方に近接して浮上する。アクチュエータアセンブリ１０９は、シーク動作中、アクチュエータの回転軸１１２を中心として回転する。シーク動作は、読取および書込動作の対象のデータトラック上にトランスデューサヘッドアセンブリ１２０を位置決めする。
【００１０】
図Ｂを参照して、トランスデューサヘッドアセンブリ１２０は、２つの異なる書込素子１２６および１２８を含む。書込素子１２６および１２８は、クロストラック方向に並んで示されているが、他の書込素子の構成も企図される。書込素子１２６および１２８の各々は、コントローラ１０６から送られる一連の電気パルスを同等の大きさおよび長さの一連の磁気パルスに変換する書込磁極（図示せず）を含む。磁気パルスは、パルス印加している書込素子１２６または１２８の下方を通る際に、回転している磁気媒体１０８の磁性粒を選択的に磁化する。
【００１１】
図Ｃは、記憶装置１００の異なる書込方法論および設定に係る記憶媒体１０８の同一表面部分の拡大図１５０および１５２を示す。具体的には、拡大図１５０および１５２は、記憶媒体１０８のデータトラックに沿った、本明細書では「データビット」とも呼ぶ、多数の磁気分極領域を含む。データビット（たとえば、データビット１２７）の各々は、同一の状態の１つ以上の個々のデータビット（たとえば、１または０）を示す。たとえば、データビット１２９は、第１の状態の複数のビット（たとえば、「０００」）を示す磁気分極領域であり、隣接するデータビット１２７は、第２の状態の１つ以上のビット（たとえば、１つの「１」）を示す逆方向分極領域である。拡大図１５０、１５２の各々におけるデータビットは、必ずしも個々のシステム構成内のビットの実際の形状または分離を示すものではない。
【００１２】
拡大図１５０は、従来の磁気記録（ＣＭＲ）の技術を使用して記録された磁気転移を示す。ＣＭＲシステムにおいては、すべての書込データトラックは、ランダムに書込可能であり、実質的に同等の書込幅を有している。データトラックは、１つ以上の隣接するデータトラック上のデータの大きな劣化を生じずに、個別に複数回書換えられることができれば、ランダムに書込可能である。データトラックは、該データトラックの読取が、記憶装置のエラー訂正コード（ＥＣＣ）によって訂正可能な最大エラー数を超える多数の読取エラーを生じると「大きく劣化される」。
【００１３】
拡大図１５２は、インターレース磁気記録（ＩＭＲ）の技術を使用して記録された磁気転移を示す。インターレース磁気記録は、すぐ隣同士のトラック間の中心と中心との間隔（たとえばトラックピッチ）が記憶媒体１０８の表面にわたって均一となるように、若干重なり合った縁を有して配列された、異なる書込トラック幅の交互のデータトラックを利用する。
【００１４】
たとえば、拡大図１１６は、２つの異なる書込トラック幅の交互のデータトラックを示す。一連の交互のトラック（たとえば、トラック１５８、１６０、および１６２）は、一連のインターレースデータトラック（たとえば、１６４および１６６）より幅広い書込トラック幅を有している。一実現例では、該一連の交互のトラックは、一方の書込素子（たとえば、書込素子１２６または１２８）により書込まれ、該一連のインターレースデータトラックは、別の書込素子により書込まれる。幅広い書込幅の交互のデータトラックの各々は、一連のインターレースデータトラックの狭いすぐ隣同士のデータトラック（たとえば、すぐ隣同士のデータトラック１６４および１６６）の前に書込まれる。たとえば、データトラック１６６は、データトラック１６２および１６０の前に書込まれる。データトラック１６６の外縁部分は、データトラック１６２および１６０によって上書きされるが、データトラック１６６は未だ読取可能である。
【００１５】
一実現例では、上位トラック（たとえば、１６４、１６６）は、下位トラック（たとえば、１５８、１６０、および１６２）より低い線密度（たとえば、ダウントラック方法において測定されると、１インチあたりキロバイト）を有する。他のＩＭＲ実現例は、２つを超える異なる線密度および／または書込トラック幅を有するインターレースデータトラックを利用する。いくつかの実現例では、ＩＭＲは、従来の磁気記録システムより低い観察可能なビットエラー率（ＢＥＲ）を有するより高い全ＡＤＣを設ける。
【００１６】
図２は、空気軸受面（ＡＢＳ）から見た例示的なトランスデューサヘッド２００の平面図である。トランスデューサヘッド２００は、書込磁極先端２０６を有する主磁極を含む第１の書込素子２０２と、書込磁極先端２０８を有する主磁極を含む第２の書込素子２０４とを含む。書込素子２０２および２０４の各々は、示されるように、ＡＢＳから見ると中心軸（たとえば、ｙ−軸）について対称である。さらに、書込素子２０２および２０４の各々は、コントローラから一連の電気パルスを受けて、入力電気パルスを一連の出力磁気パルスに変換し得る書込コイル（図示せず）を含む。磁気パルスは、概ね、ＡＢＳから離れて（たとえば、紙面外）隣接する回転している磁気媒体に向かう方向に伝搬する。第１の書込素子２０２は、第１の書込磁極幅を有し、第２の書込素子２０４は、第２の異なる対応する書込磁極幅を有する。
【００１７】
トランスデューサヘッド２００はさらに、第１の戻り磁極２１２、第２の戻り磁極（または前部シールド）２１０、シールド２１４、側部シールド２１６、およびリーダアセンブリ２１８を含む。リーダアセンブリ２１８は、１対のリーダシールド２３０間に位置決めされた読取センサ素子２２０を含む。図示する実現例では、リーダシールド２３０の一方は、第１の戻り磁極２１０に隣接して、実質的に平行に位置決めされ、読取センサ素子２２０は、書込磁極先端２０６および２０８を有する第１および第２のライタ間に、シールド２１４と実質的に並べられている。
【００１８】
書込磁極先端２０６の全周は、前縁２２２、後縁２２４、ならびに２つの側壁２２６および２２８によって規定されている。書込磁極先端２０８の全周は、書込磁極先端２０６より若干大きい。書込磁極先端２０６と同様に、書込磁極先端２０８は、前縁２２２、後縁２２４、ならびに２つの側壁２２６および２２８によって規定された全周を有する。他の形状も企図されるが、書込磁極先端２０６および２０８は、形状が台形である。
【００１９】
一実現例では、書込磁極先端２０６および２０８の少なくとも一方は、形状が三角形である。たとえば、書込磁極先端２０６は台形であり、書込磁極先端２０８は三角形である。トランスデューサヘッド２００の特定の特徴は、縮尺どおりに描かれていないことが理解されるべきである。
【００２０】
第１の戻り磁極２１０および第２の戻り磁極２１２は、書込磁極先端２０６および２０８のそれぞれの前縁および後縁に隣接して位置決めされ、かつ、書込磁極先端２０６および２０８の各々を囲む電気絶縁材料によって分離されている。第１の戻り磁極２１２は、書込素子２０２および２０４の各々のヨーク（図示せず）に結合されることができ、書込素子２０２および２０４の主磁極とヨークを介して電気接続されることができる。第２の戻り磁極２１０もまた、書込素子２０２および２０４の各々のヨークに結合されることができ、書込素子２０２および２０４の主磁極と電気接続されることができる。図示する構成では、第１および第２の戻り磁極２０６および２０８は、互いから独立して非同時に動作する第１の書込素子２０２および第２の書込素子２０４の両方によって共有される。
【００２１】
シールド２１４は、書込磁極先端２０６と書込磁極先端２０８との間に位置決めされ、第１の戻り磁極２１０と第２の戻り磁極２１２との間に接続されている。シールド２１４は、書込素子２０２および２０４の一方の主磁極に電気接続され得て、第１の書込磁極先端２０６を第２の書込磁極先端２０８から磁気的に分離するよう機能する。動作中、シールド２１４ならびに第１および第２の書込磁極先端２０６および２０８は、書込コイル（図示せず）に流れて一連の磁気パルスを生成する書込電流から電気的に隔離されている。
【００２２】
図３は、２つの書込素子３０２および３０４を含む別のトランスデューサヘッド２００の断面図を示す。示した断面は、回転している磁気媒体３０９を向くトランスデューサヘッド３００のＡＢＳ３２２に実質的に垂直である。トランスデューサヘッド３００は、２つの書込素子３０２および３０４を含む。書込素子３０２および３０４の各々は、ヨーク（図示せず）に結合された主磁極素子を含む主磁極部分３０６および３０８を含む。書込コイル３１０および３１２は、各々が、対応する主磁極部分３０６または３０８を囲んでいる。
【００２３】
書込素子３０２および３０４の各々は、異なる書込磁極幅を有している。本明細書において、「書込磁極幅」という用語は、書込磁極先端の幅を指す。たとえば、書込素子３０２は、第１の書込磁極幅（たとえば、ｘ−方向幅）を有する書込磁極先端３２０を有し、書込素子３０４は、第２の異なる（たとえば、より小さい）書込磁極幅の書込磁極先端３３６を有する。第１の書込素子３０２のヨーク幅ＹＷ１は、第２の書込素子３０４の対応するヨーク幅（ＹＷ２）より大きい。
【００２４】
書込素子３０２および３０４の異なる寸法の結果、書込素子３０２は、書込素子３０４より大きい大きさの磁気書込パルスを生成する。言い換えれば、書込素子３０２は、書込素子３０４より大きい書込幅を有する。本明細書において、「書込幅」という用語は、磁気媒体３０９が静止しているときに静止している書込素子（たとえば３０２または３０４）によって極性が反転され得る磁気媒体３０９上の領域のサイズを指す。たとえば、書込素子３０２は、第１の書込幅を有する書込パルスを生成し、書込素子３０４は、第２のより小さい書込幅の書込パルスを有する書込パルスを生成する。
【００２５】
書込コイル３１０および３１２は、関連づけられる書込磁極３０６または３０８のまわりに３回の巻をそれぞれ含むように示されている。別の実現例では、書込コイル３１０および３１２は、３より大きいまたは少ない巻数を含み得る。いくつかの実現例では、書込コイル３１０および３１２は、同等でない巻数を含む。
【００２６】
図示する実現例では、トランスデューサヘッド３００は、書込磁極３０６および３０８に隣接し、かつ書込磁極先端３２０および３３６と反対の書込磁極３０６および３０８の側に位置決めされた加熱素子３２８を含む。加熱素子３２８は、２つの減少された直径部分３１７および３１８を含む。書込素子３０２または３０４の一方によりデータを書込む準備をする際に、トランスデューサヘッド３００のコントローラは、加熱素子３２８に電流を印加する（たとえば、図３に示される矢印の方向）。電流の流れに応答して、減少された直径部分３１７および３１８は、加熱素子３２８の残りの部分より大きい抵抗を有するため、加熱素子３２８の残りの部分より熱くなる。この局部加熱は、書込磁極３０６および３０８をトランスデューサヘッド３００のＡＢＳ３２２から離れて回転している磁気媒体３０９に向かう方向に熱膨張させ突出させる。
【００２７】
動作中、書込電流は、２つの書込コイル３１４または３１６の一方に印加される。書込電流はさらに、対応する書込磁極３０６または３０８を励磁することにより、対応する書込磁極部分３０６または３０８の回転している磁気媒体３０９に向かう熱突出を向上させる。これにより、選択された書込磁極部分３０６または３０８は、加熱素子３２８から生じる熱と対応する書込コイル３１４または３１６に流れる電流によって供給される熱エネルギとの組合せによって、トランスデューサヘッド３００から熱突出される。一実現例では、加熱素子３２８は、約２０ミクロン未満の間隔によってトランスデューサヘッド３００のＡＢＳから分離される。これはたとえば、書込磁極先端３２０および３３６がそれぞれ約１０ミクロン以上のｘ−方向幅を有するときに当てはまり得る。
【００２８】
内側シールド３３０および３３２は、書込磁極先端２０および３２６を磁気干渉から分離するよう機能し、外側シールド３３４および３３８は、外部磁場が書込素子３０６および３０８のいずれかによって生成される書込磁場に影響を及ぼすことを阻止するよう機能する。空隙３４０は、内側シールド３３０を内側シールド３３２から磁気的に隔離するよう機能する。一実現例では、空隙３４０は、約１０から１００ミクロンの間であり、トランスデューサヘッド３００上の書込素子３０６と３０８との間の分離は、約２０ミクロンから１５０ミクロンの間である。
【００２９】
別の実現例では、トランスデューサヘッド３００は、空隙３４０を含んでおらず、内側シールド３３０および３３２は、単一のユニットとして相互接続されている。たとえば、書込素子３０２および３０４は、第１の書込素子３０２と第２の書込素子３０４との間に磁気干渉が存在しないように特定的に設計されていてもよい。この場合、書込磁極部分３０６および３０８の近接を限定してしまう懸念が一切ない。第１の書込磁極３０６と第２の書込磁極３０８との間の分離は、およそ２０から１５０ミクロンのオーダであり得る。
【００３０】
一実現例では、書込コイル３１０および３１２は、共通の電気リード線（図示せず）を共有する。他の実現例では、書込コイル３１０および３１２は、別個の電気回路に一体化される。
【００３１】
図４は、同一のトランスデューサヘッド上の２つの独立して動作可能な書込素子４０２および４０４の概略図４００を示す。書込素子４０２、４０４は、各々が、それぞれ対応する書込コイル４１４または４１６の巻によって取り巻かれた主磁極部分４１０、４１２を含む。書込素子４０２の寸法は、書込素子４０４が書込素子４０２の書込幅より大きい書込幅を有するように書込素子４０４の対応する寸法と異なっている。
【００３２】
具体的には、主磁極部分４１０は、主磁極部分４１２のＹＷ２を有する対応するヨークより大きいヨーク幅ＹＷ１を有している。さらに、書込素子４０２は、書込素子４０４の書込磁極幅（たとえば、磁極先端４３６のｘ−方向幅）より大きい書込磁極幅（たとえば、磁極先端４２０のｘ−方向幅）を有している。
【００３３】
書込コイル４１４および４１６は、各々が、共通の接地４２２に電気接続されている。これにより、記憶装置のコントローラは、他方の書込コイルから独立して書込コイル４１４または４１６のいずれか一方に電流を選択的に流すことができる。
【００３４】
さらに、トランスデューサヘッドは、一連の抵抗ヒータ４２２および４２４ならびにヒータドライバ４２６を含む加熱素子４１８を含んでいる。抵抗ヒータ４２２および４２４の各々は、書込素子４０２または４０４の一方に隣接して位置決めされている。電流が熱抵抗性加熱素子４２２および４２４を流れると、局部加熱が、書込素子４０２および４０４の対応する突起をトランスデューサヘッドのＡＢＳから離れる方向に生じさせる。
【００３５】
書込電流が書込コイル４１４または４１６の一方に流れると、該電流は、ＡＢＳにおいて関連づけられる書込素子４０２または４０４の熱突起を向上させる。これにより、選択された書込素子４０２または４０４は、加熱素子４１４から生じる熱と対応する書込コイル４１４または４１６に流れる電流によって供給される熱エネルギとの組合せによって、トランスデューサヘッドから熱突出される。
【００３６】
図５は、同一のトランスデューサヘッド上に２つの書込素子５０４および５０６を含む概略図５００である。書込素子５０２、５０４は、各々が、それぞれ対応する書込コイル５１４および５１６の巻によって取巻かれた主磁極部分５１０、５１２を含んでいる。書込素子５０２の寸法は、書込素子５０４が書込素子５０２の書込幅より大きい書込幅を有するように書込素子５０４の対応する寸法と異なっている。具体的には、主磁極部分５１０は、主磁極部分５１２に対応するヨーク幅ＹＷ２より大きいヨーク幅ＹＷ１を有している。さらに、書込素子５０２は、書込素子５０４の書込磁極幅（たとえば、磁極先端５３６のｘ−方向幅）より大きい書込磁極幅（たとえば、磁極先端５２０のｘ−方向幅）を有している。
【００３７】
書込コイルは、各々が、共通の接地５３６に接続されている。これにより、記憶装置のコントローラは、他方の書込コイルから独立して書込コイル（５１４または５１６）のいずれかに選択的に電流を流すことができる。たとえば、コントローラは、双方向スイッチ（図示せず）を介して２つの電流経路の一方に選択的に電流を印加し得る。別の実現例では、書込コイル５１４および５１６は、異なる電気回路に一体化されているため、電気リード線を共有しない。
【００３８】
さらに、概略図５００は、独立して制御可能な第１および第２の抵抗ヒータ５２２および５２４を含む加熱素子５１８を含んでいる。第１の抵抗ヒータ５２２は、第１の書込素子５０６に隣接して位置決めされており、双方向スイッチ５２８の第１の磁極と共通の接地５３０との間に電気接続されている。抵抗ヒータ５２４は、第２の書込素子５０８に隣接して位置決めされており、双方向スイッチ５２８の第２の磁極と共通の接地５３０との間に電気接続されている。
【００３９】
電流が熱抵抗性加熱素子５２２および５２４に流れると、局部加熱が、トランスデューサヘッドのＡＢＳから離れて回転している磁気媒体（図示せず）に向かって、対応する書込素子５０６または５０８の熱突起を生じさせる。書込電流が書込コイル５１４または５１６の一方に流れると、該電流は、回転している媒体に向かう対応する書込素子５０６または６０８の熱突起を向上させる。
【００４０】
図６は、トランスデューサヘッド上の２つ以上の書込素子の一方により記憶媒体の表面にデータを選択的に書込むための例示的な動作６００を図示する。選択する動作６０５は、書込指令の受取に応答して、データを書込むために複数の書込素子の１つを選択する。該複数の書込素子間の選択は、たとえば、記憶装置コントローラまたはホストコンピュータによって与えられる入力データの対象アドレスに基づいていてもよい。
【００４１】
印加動作６１０は、書込電流を選択された書込素子の書込コイルに印加する。一実現例では、トランスデューサヘッド上の２つ以上の書込素子は、共通のリード線を共有する。たとえば、２つの書込素子は、同一の接地に電気接続されていてもよい。
【００４２】
加熱動作６１５は、加熱素子に、ＡＢＳにおいて選択された書込素子を隣接する回転している磁気媒体に向けて熱膨張させる。加熱動作６１５は、実現例によって、複数の書込素子の１つ以上を加熱してもよい。たとえば、加熱動作６１５は、共通の接地によって分離された２つのレジスタなど、複数の局部加熱素子の１つのみに電流を流してもよい。代替的に、加熱動作６１５は、複数の局部加熱素子に同時に電流を流し、複数の書込素子の２つ以上の実質的に同等かつ同時の加熱を引起してもよい。
【００４３】
上記の明細書、例、およびデータは、開示される技術の例示的な実施形態の構造および使用の完全な説明を設けるものである。開示される技術の多くの実施形態が、開示される技術の精神および範囲から逸脱することなくなされることができるため、開示される技術は、以下に添付される請求項に存在する。さらに、異なる実施形態の構造特徴は、記載の請求項から逸脱することなく、さらに別の実施形態において組合され得る。
【符号の説明】
【００４４】
１００  データ記憶装置、１０２  外径、１０４  内径、１０８  磁気記憶媒体、１０９  アクチュエータアセンブリ、１１０  データトラック、１１２  ディスク回転軸、１１４  アクチュエータ回転軸、１２０  トランスデューサヘッドアセンブリ、１０６  コントローラ、１２６  書込素子、１２７  データビット、１２８  書込素子、１２９  データビット、１３０  書込磁極、１５０  拡大図、１５８  トラック、１６０  トラック、１６２  トラック、１６４  インターレースデータトラック、１６６  インターレースデータトラック。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【外国語明細書】
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