(57)【要約】【課題】自己診断時に錘部に加わる静電気力のため、錘部が上蓋に衝突し、錘部のチッピング、梁部の破損、錘部の上蓋への貼り付きが発生する課題があった。【解決手段】記錘部に設けられる第１の電極と、前記第１の電極に対向して設けられる第２の電極と、前記第１、第２の電極と電気的に接続される回路部と、を有する加速度センサにおいて、前記回路部は前記第１の電極又は第２の電極に前記錘部を変位させる電圧信号を印加し、前記回路部と第１の電極又は前記回路部と前記第２の電極の間のいずれかにコンデンサを並列に設けた加速度センサとする。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持部と、
梁部を介して前記支持部に接続される錘部と、
前記錘部に設けられる第１の電極と、
前記第１の電極に対向して設けられる第２の電極と、
前記第１、第２の電極と電気的に接続される回路部と、を有する加速度センサにおいて、
前記回路部は前記第１の電極又は第２の電極に前記錘部を変位させる電圧信号を印加し、
前記回路部と前記第１の電極、又は前記回路部と前記第２の電極の間のいずれかに、前記回路部と並列にコンデンサを設けた加速度センサ。
【請求項２】
前記回路部はローパスフィルタを更に備え、
前記電圧信号は、その立ち上がり時間が前記ローパスフィルタの応答時間よりも長くなるよう前記錘部を変位させる電圧である請求項１に記載の加速度センサ。
【請求項３】
前記立ち上がり時間は、定常状態における自己診断出力を電圧Ｖ０としたとき、自己診断出力が前記電圧Ｖ０の１０％から前記電圧Ｖ０の９０％へ到達するまでにかかる時間である請求項２に記載の加速度センサ。
【請求項４】
前記立ち上がり時間は２０ｎｓｅｃ以上である請求項２又は３の加速度センサ。
【請求項５】
前記支持部は、
第１のシリコン層と、第２のシリコン層と、前記第１のシリコン層と前記第２のシリコン層との間に設けられる第１の絶縁層と、前記第１のシリコン層上に設けられる第２の絶縁層と、を有し、
前記第１の電極は前記第２の絶縁層の上に設けられ、
前記第１のシリコン層はＧＮＤに接地され、
前記第１の電極と前記第２の絶縁層と、前記第１のシリコン層とで前記コンデンサが形成される請求項１に記載の加速度センサ。
【請求項６】
前記回路部は、前記変位に基づいて自己診断を行う請求項１の加速度センサ。
【請求項７】
前記支持部に接続する第１の基板と、
前記第１の基板と対向し、前記支持部に接続する第２の基板と、を更に有する請求項１の加速度センサ。
【請求項８】
前記第１の基板と前記錘部との間の静電容量の変化に基づいて加速度を検出する請求項７の加速度センサ。
【請求項９】
前記梁部に設けた検出部を更に有し、
加速度による前記梁部の撓みを検出することで加速度を検出する請求項１に記載の加速度センサ。
【請求項１０】
前記検出部はピエゾ抵抗、または金属酸化膜である請求項９に記載の加速度センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、車両等に用いられる加速度センサに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の加速度センサでは、錘の上に設けた自己診断電極と、この自己診断電極に対向する対向電極との間に自己診断電圧を印加することで、あたかも加速度がかかったかのように錘を動作させ、この動作に基づいて加速度センサが正常に機能しているか否かを診断していた。
【０００３】
なお、この出願の発明に関連する先行技術文献としては、例えば、特許文献１が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特許第３０９３０５８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
従来の加速度センサは、自己診断電圧の印加により、錘には瞬時に静電気力が加わる。そのため、錘は自己診断電圧による静電気力と錘を支持する梁との力の釣り合いの位置よりも大きく変位し、錘あるいは自己診断電極が対向電極などに衝突する課題があった。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
そこで、本発明の加速度センサは、自己診断用の電極と並列にコンデンサを挿入し、自己診断電圧の立ち上がりを抑制したことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００７】
本発明のセンサは、自己診断用の電極と並列にコンデンサを挿入し、自己診断電圧の立ち上がり時間を抑制することで錘の急激な変位を抑制している。これにより、錘あるいは自己診断電極が対向電極へ衝突することを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】実施の形態１の加速度センサの分解斜視図
【図２】同加速度センサが備える検出素子の上面図
【図３】（ａ）同加速度センサの断面図、（ｂ）同加速度センサが備える検出素子の断面図
【図４】同加速度センサが備える検出回路を示す回路図
【図５】自己診断電圧Ｖｉｎと自己診断出力電圧Ｖｏｕｔの関係を示す特性図
【図６】実施の形態１の加速度センサが備える別の検出素子の上面図
【図７】同加速度センサの断面図
【図８】実施の形態２の加速度センサが備える検出素子の上面図
【図９】（ａ）同加速度センサの断面図、（ｂ）同加速度センサが備える検出素子の断面図
【図１０】コンタクト部の断面図
【図１１】コンタクト部の別の断面図
【図１２】コンタクト部の更に別の断面図
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、図面に基づいて本発明に係る加速度センサを説明する。
【００１０】
（実施の形態１）
図１は実施の形態１に係る加速度センサ１０の分解斜視図、図２は検出素子２０を示す上面図、図３（ａ）は図２のＡ−Ａ´線における断面図、図３（ｂ）は（ａ）の検出素子２０を拡大した図である。
【００１１】
図１、図２、図３に示すように、加速度センサ１０は、加速度を検出する検出素子２０と、検出素子２０の上面に接続される上蓋３０と、検出素子２０の下面に接続される下蓋４０と、を備えている。即ち、検出素子２０は、上蓋３０と下蓋４０との間に狭持される。
【００１２】
検出素子２０は、支持部１２と、錘部１３と、支持部１２に一端が接続され、錘部１３に他端が接続された第１の梁部１４ａおよび第２の梁部１４ｂと、錘部１３の上面に形成された第１の電極１６と、支持部１２に形成されたグランド電極１８と、を備える。
【００１３】
錘部１３は、第１の梁部１４ａおよび第２の梁部１４ｂの先端に繋がっている。錘部１３は、第１の梁部１４ａおよび第２の梁部１４ｂによって、図２中のＺ軸方向に変位可能に支持されている。
【００１４】
検出素子２０は、図３（ｂ）に示すように、第１のシリコン層２０ｃと、第２のシリコン層２０ａと、第１のシリコン層２０ｃと第２のシリコン層２０ａとの間に設けられる第１の絶縁層２０ｂと、第１のシリコン層２０ｃの上に設けられる第２の絶縁層２０ｄと、第２の絶縁層２０ｄの上に設けられる第１の電極１６と、を有している。
【００１５】
上蓋３０は、図３（ａ）に示すように、第１の電極１６と対向する位置に形成された第２の電極１７を備えている。更に、図２に示すように、第１の梁部１４ａの上に検出部１４ｃが形成され、第２の梁部１４ｂの上に検出部１４ｄが形成されている。
【００１６】
第１の電極１６は、図２に示すように、配線１５を経由して支持部１２の上の電極パッド１９に接続されている。簡単のため、図３では配線を図示しない。
【００１７】
次に、図４を用いて加速度センサ１０の動作を説明する。図４は加速度センサ１０の検出回路を示す回路図である。ピエゾ抵抗Ｒ１は検出部１４ｃに対応するピエゾ抵抗、ピエゾ抵抗Ｒ４は検出部１４ｄに対応するピエゾ抵抗、ピエゾ抵抗Ｒ２およびピエゾ抵抗Ｒ３は支持部１２に設けられた基準となるピエゾ抵抗（図示せず）である。ピエゾ抵抗Ｒ１、ピエゾ抵抗Ｒ２、ピエゾ抵抗Ｒ３、ピエゾ抵抗Ｒ４は図４に示すように、ブリッジ型に接続する。そして、ピエゾ抵抗Ｒ１とピエゾ抵抗Ｒ２の接続点には電圧Ｖｄｄを印加し、ピエゾ抵抗Ｒ３とピエゾ抵抗Ｒ４の接続点はＧＮＤに接地する。
【００１８】
以上ように構成された加速度センサ１０にＺ軸方向の加速度が作用すると、錘部１３が変位し、これに起因して第１の梁部１４ａおよび第２の梁部１４ｂにたわみが発生する。その結果、検出部１４ｃ、１４ｄにひずみが加わり、この発生したひずみを検出部１４ｃ（ピエゾ抵抗Ｒ１）、検出部１４ｄ（ピエゾ抵抗Ｒ４）により抵抗変化として検出を行い、図４に示すＶｏｕｔ１とＶｏｕｔ２の電位差の変化として、加速度センサ１０に印加された加速度を検出することができる。
【００１９】
次に、図３および図４を用いて自己診断機能について説明する。なお以下の説明では、診断回路から第１の電極１６に自己診断電圧Ｖｉｎを印加し、第２の電極１７はＧＮＤに接地した例について説明を行う。第１の電極１６に自己診断電圧Ｖｉｎを印加すると、第１の電極１６と第２の電極１７との間に電位差が生じて静電気力が発生する。この静電気力により錘部１３が上蓋３０側に引き寄せられる。錘部１３が変位することで第１の梁部１４ａおよび第２の梁部１４ｂにたわみが生じ、検出部１４ｃと検出部１４ｄにひずみが発生する。その結果、ピエゾ抵抗Ｒ１およびピエゾ抵抗Ｒ４が変化して、ブリッジ回路から出力電圧Ｖｏｕｔ（図３におけるＶｏｕｔ１とＶｏｕｔ２の電位差）が出力され、診断回路にて錘部１３が正常に動作しているか否かが確認できる。
【００２０】
上記に示す自己診断機能において、図５は自己診断電圧Ｖｉｎと加速度センサの出力電圧Ｖｏｕｔ（以降、「自己診断出力Ｖｏｕｔ」と記載）との関係を示す特性図である。図３に示すように、加速度センサ１０は、診断回路と第１の電極１６との間にコンデンサを並列に設けている。
【００２１】
コンデンサＣの一方の端子が第１の電極１６と診断回路部の間に、他方の端子がＧＮＤに接地されている。このため、診断回路部から第１の電極１６に自己診断電圧Ｖｉｎを印加すると、周波数の高い成分はコンデンサＣを通過し、印加電圧は徐々に上昇する。このときの立ち上がりに要する時間（立ち上がり時間）は、コンデンサＣの容量値と診断回路部の出力インピーダンスによって決まり、容量値の大きいコンデンサを挿入すると立ち上がり時間も遅くなる。自己診断電圧Ｖｉｎの立ち上がり時間を遅くすることで、第１の電極１６と第２の電極１７との間の静電気力は徐々に大きくなり、この静電気力に従って錘部１３は変位を行う。
【００２２】
このようにコンデンサＣを配置することで、自己診断電圧Ｖｉｎの立ち上がり時間を遅くすることができ、静電気力が急激に増加することを防ぐことができる。その結果、静電気力が瞬間的に大きくなることで錘部１３が上蓋３０へ衝突することを防止することができ、錘部１３のチッピング、各梁部の破損、錘部１３の上蓋３０への貼り付きを防止することができる。
【００２３】
ここで、挿入するコンデンサＣの容量値は、加速度センサ１０における錘部１３の立ち上がり時間、及び診断回路の出力インピーダンスＲにより決定する。最良の形態としては、コンデンサＣと出力インピーダンスＲの時定数により決定される立ち上がり時間が、錘部１３の立ち上がり時間よりも長く、かつ、診断回路内のローパスフィルタの時定数よりも長くなるように決定することが望ましい。このローパスフィルタは、ブリッジ回路からの出力電圧Ｖｏｕｔに含まれるノイズを除去するためのフィルタである。ここで、立ち上がり時間とは、定常状態における自己診断出力Ｖｏｕｔを電圧Ｖ０としたとき、自己診断出力Ｖｏｕｔが電圧Ｖ０の１０％から電圧Ｖ０の９０％に到達するまでにかかる時間として定義するものとする。特に、実験の結果、コンデンサＣの容量値としては、数１０ｐＦ程度として自己診断電圧Ｖｉｎの立ち上がり時間を２０ｎｓｅｃ以上とすることで、立ち上がり時の錘部１３と上蓋３０の衝突を効果的に抑制することができることが分かった。
【００２４】
図６は本実施の形態の別の一例にかかる加速度センサ１００が備える検出素子１１０の上面図を、図７は図６のＡ−Ａ´線における加速度センサ１００の断面図を示す。図６において、検出素子１１０は４つの錘部１１１ａ、錘部１１１ｂ、錘部１１１ｃ、錘部１１１ｄを有し、各錘部は各々２つの梁部１１２ａ１、梁部１１２ａ２、梁部１１２ｂ１、梁部１１２ｂ２、梁部１１２ｃ１、梁部１１２ｃ２、梁部１１２ｄ１、梁部１１２ｄ２を介し、支持部１１３に接続される。例えば、錘部１１１ａは一対となる２つの梁部１１２ａ１、１１２ａ２を介し、支持部１１３に接続される。錘部１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃ、１１１ｄの表面には、第１の電極１１４ａ、第１の電極１１４ｂ、第１の電極１１４ｃ、第１の電極１１４ｄが形成され、支持部１１３に形成されたパッド１２３に、配線１２２を介して接続されている。
【００２５】
図７に示すように、加速度センサ１００は、加速度を検出する検出素子１１０と、検出素子１１０の上面に接続される上部基板１２０と、検出素子１１０の下面に接続される下部基板１３０と、を備えている。ここで、検出素子１１０は上部基板１２０と下部基板１３０との間に狭持される。検出素子１１０は、シリコンからなる第２のシリコン層１１８ｂ、第２のシリコン層１１８ｄを有する。第２のシリコン層１１８ｂ、１１８ｄの上には、シリコン酸化膜からなる第１の絶縁層１１７ｂ、１１７ｄが設けられる。第１の絶縁層１１７ｂ、第１の絶縁層１１７ｄの上には、シリコンからなる第１のシリコン層１１６ｂ、第１のシリコン層１１６ｄが設けられる。第１のシリコン層１１６ｂ、１１６ｄの上には、第２の絶縁層１１５ｂ、第２の絶縁層１１５ｄが設けられる。第２の絶縁層１１５ｂ、１１５ｄの上には、所望の形状に形成された第１の電極１１４ｂ、１１４ｄが設けられる。上部基板１２０は、第１の電極１１４ｂ、１１４ｄと対向する位置に形成された第２の電極１２１ｂ、第２の電極１２１ｄを備えている。検出素子１１０を備える加速度センサ１００は、３軸方向の加速度を検出することができる。このような、３軸の加速度を検出する加速度センサを開示する文献としては例えば、特願２０１１−００９６３２号公報などが知られている。
【００２６】
また、加速度による静電容量変化を検出する静電容量方式の加速度センサでも同様に、診断回路と検出部（可変容量）との間に並列にコンデンサを挿入することでも同様の効果を得られることは言うまでもない。この場合においても、追加で挿入、形成する容量の値は第１の電極へ印加する電圧（自己診断電圧Ｖｉｎ）の立ち上がり時間が、自己診断時の容量変化による出力の立ち上がり時間よりも長く、診断回路部が有するローパスフィルタの応答時間よりも長い時間に設定される。ここで、立ち上がり時間とは、定常状態における自己診断出力を電圧Ｖ０としたとき、自己診断出力が前記電圧Ｖ０の１０％から前記電圧Ｖ０の９０％に到達するまでにかかる時間として定義するものとする。
【００２７】
また、本実施の形態では、コンデンサＣの一方の端子が第１の電極１６と診断回路部の間に、他方の端子がＧＮＤに接地されているとしたがこれに限らない。すなわち、コンデンサＣの一方の端子が第２の電極１７と診断回路部の間に、他方の端子がＧＮＤに接地されているとしてもよい。この場合、自己診断電圧は第２の電極１７に印加すればよい。すなわち、診断回路部と第１の電極１６又は診断回路部と第２の電極１７の間、のいずれかにコンデンサを並列に設ければよい。
【００２８】
また、診断回路部に設けるのはインダクタＬであってもよい。インダクタの場合には、診断回路と第１の電極１６との間に直列に配置することで、周波数の高い成分を遮断し、自己診断電圧の立ち上がりを抑制することができる。このとき、インダクタの値は１０ｕＨ以上となる。
【００２９】
また、支持部１２、錘部１３、第１の梁部１４ａ、第２の梁部１４ｂ、上蓋３０、下蓋４０は、シリコン、溶融石英、アルミナ等を用いることができる。好ましくは、シリコンを用いて形成することにより、微細加工技術を用いて小型の加速度センサとすることができる。
【００３０】
また、本実施の形態では、支持部１２は、検出素子２０の外周側に位置し、錘部１３を囲うような形状であれば、支持部１２は方形の形状に限らず、例えば、円形でも良く、方形に限定されない。
【００３１】
また、第１の梁部１４ａおよび第２の梁部１４ｂに関しては、一端が支持部１２に繋がり、他端が錘部１３に繋がった２本の梁部を有する構造を示したが、これに限らない。例えば、錘部１３の片側に１本あるいは３本の梁部で支持する構造であってもよい。その他、対向する２方向の梁部で錘部１３を支持する両持ち梁構造や、錘部１３を４方向からの梁部で支持する構造、或いは、ダイアフラム等の膜状の構造体で錘部１３を支持する構造でもよい。梁部の構造は、加速度に応じて錘部１３が変位可能な様に錘部１３を支持する構造であればよい。
【００３２】
また、支持部１２と上蓋３０とを接着する方法として、接着材による接着や金属接合、常温接合、陽極接合等を用いることができる。このうち、接着材としてはエポキシ系樹脂やシリコン系樹脂等の接着剤が用いられる。接着剤として、シリコン系樹脂を用いることにより、接着剤自身の硬化による応力を小さくすることができる。
【００３３】
また、検出部１４ｃ、１４ｄのピエゾ抵抗の材料としては、酸化クロム等の酸化膜歪み抵抗材料を用いることができる。
【００３４】
（実施の形態２）
実施の形態２に係る加速度センサ１０は、第１のシリコン層２０ｃと、第２のシリコン層２０ａと、第１のシリコン層２０ｃと第２のシリコン層２０ａとの間に設けられる第１の絶縁層２０ｂと、第１のシリコン層２０ｃの上に設けられる第２の絶縁層２０ｄと、第２の絶縁層２０ｄの上に設けられた第１の電極１６と、を有する検出素子を備える。第１のシリコン層２０ｃがＧＮＤに接地されており、第２の絶縁層２０ｄを介して第１のシリコン層２０ｃと第１の電極１６との間でコンデンサを形成することで、自己診断電圧の立ち上がりを抑制することを特徴としている。
【００３５】
図８は実施の形態２に係る加速度センサ１０の検出素子２０を示す上面図、図９（ａ）は図８のＡ−Ａ´線における断面図、図９（ｂ）は（ａ）の検出素子２０を拡大した図である。
【００３６】
図９において、検出素子２０は、第１のシリコン層２０ｃと、第２のシリコン層２０ａと、第１のシリコン層２０ｃと第２のシリコン層２０ａとの間に設けられる第１の絶縁層２０ｂと、第１のシリコン層２０ｃの上に設けられる第２の絶縁層２０ｄと、コンタクト部１１ａとを有する。その他の構成は実施の形態１の図３と同様である。
【００３７】
図１０は、コンタクト部１１ａの断面図である。コンタクト部１１ａは、第２の絶縁層２０ｄに設けた開口部に、例えば金などの金属層２００ａを堆積させることで形成し、金属層２００ａは配線を経由して、検出素子２０のグランド電極１８と電気的に接続されている。従って、第１のシリコン層２０ｃがＧＮＤに接地された構造となるため、第１の電極１６と診断回路部との間に、第１のシリコン層２０ｃを介してＧＮＤに接地されたコンデンサＣが形成された構造となる。この構成により、コンデンサＣを検出素子２０上に構成することができ、部品点数の削減、配線を簡略化することができ、実施の形態１の効果に加えて、小型化できるという効果を有する。
【００３８】
本実施の形態における検出素子２０の自己診断の動作に関しては、実施の形態１と同様であり、自己診断電圧の立ち上がり時間を緩やかにすることで、静電気力が瞬間的に大きくなることで錘部１３が上蓋３０へ衝突することを防止することができ、錘部１３のチッピング、梁部の破損、錘部１３の上蓋３０への貼り付きを防止することができる。
【００３９】
さらに、コンデンサＣを検出素子２０と一体構造で形成することにより、センサの小型化が可能となり、小型化が可能である。
【００４０】
また、第１のシリコン層２０ｃがＧＮＤに接地されているため、外部の電界、および第１の電極１６へ電圧が印加された際に錘部１３、第１のシリコン層２０ｃが帯電することを抑制することができ、自己診断出力が安定するという効果を有している。
【００４１】
また、図１１に示すようなコンタクト部を形成してもよい。図１１は、コンタクト部の別の断面図である。コンタクト部１１ｂは、第１のシリコン層２０ｃが金属層２００ａに相互拡散しないために密着層として金属層２００ｂ、例えばクロム、あるいはクロムを含む合金などを挿入する方が好ましい。またこの場合では、金属層２００ｂを他の層と絶縁するために新たに第３の絶縁層２０ｅを設ける。このように、金属層２００ｂを設けた場合のコンタクト部１１ｂでは、第２の絶縁層２０ｄに設けたコンタクトホールと第３の絶縁層２０ｅに設けたコンタクトホールは同じ位置に設けられ、コンタクトホールは第２の絶縁層２０ｄに設ける開口部よりも第３の絶縁層２０ｅに設ける開口部の方が大きいことが好ましい。すなわち、Ｄ１＞Ｄ２とすることが好ましい。あるいは別の表現では、第２の絶縁層２０ｄに設ける開口部よりも第３の絶縁層２０ｅに設ける開口部の方が、垂直方向断面において、幅において大きい。この構成により、金属層２００ａと金属層２００ｂとのコンタクト抵抗を低減でき、より効率よく第１のシリコン層２０ｃがＧＮＤに接地された構造となるため、第１の電極１６と診断回路部の間に、第１のシリコン層２０ｃを介してＧＮＤに接地されたコンデンサＣが形成された構造となる。
【００４２】
また、図１２に示すようなコンタクト部を形成してもよい。図１２は、コンタクト部の更に別の断面図である。コンタクト部１１ｃは、第１のシリコン層２０ｃが金属層２００ａに相互拡散しないために密着層として金属層２００ｂと、金属層２００ｂを他の層と絶縁するために新たに第３の絶縁層２０ｅを設けている。ここで、コンタクト部１１ｃでは、第２の絶縁層２０ｄに設けたコンタクトホールと第３の絶縁層２０ｅに設けたコンタクトホールは異なる位置（上面視で重ならない位置に）に設けられ、互いにオフセットした位置に設けられている。すなわち、第２の絶縁層２０ｄに設けたコンタクトホールの淵を通る垂線Ｌ１と第３の絶縁層２０ｅに設けたコンタクトホールの淵を通る垂線Ｌ２とをずらしている。この構成により、第３の絶縁層２０ｅにコンタクトホールを設ける際のエッチングで第１のシリコン層２０ｃ直上の金属層２００ｂが貫通し、第１のシリコン層２０ｃと金属層２００ａとが直接接合されないようにすることができる。これにより、第１のシリコン層２０ｃが金属層２００ａに相互拡散することを効果的に抑制することができ、第１のシリコン層２０ｃがＧＮＤに接地された構造となるため、第１の電極１６と診断回路部の間に、第１のシリコン層２０ｃを介してＧＮＤに接地されたコンデンサＣが形成された構造となる。
【００４３】
なお、本実施の形態では、検出素子２０上に形成したコンデンサＣを用いた例を示したが、検出素子２０上に形成したコンデンサＣと、検出素子２０とは別に設けたコンデンサＣとを用い、その両方で自己診断電圧の立ち上がり時間を長くすることでも同様の効果が得られる。
【産業上の利用可能性】
【００４４】
本発明のセンサは、診断回路部にコンデンサを挿入し自己診断電圧の立ち上がりを滑らかにすることで錘部の変位を抑制し、錘部のチッピング、梁部の破損、錘部の上部基板への貼り付きを防止することができ、安定した自己診断を行うことができるので車両等に用いられる加速度センサとして有用である。
【符号の説明】
【００４５】
１０  加速度センサ
１１ａ  コンタクト部
１１ｂ  コンタクト部
１１ｃ  コンタクト部
１２  支持部
１３  錘部
１４ａ  梁部
１４ｂ  梁部
１４ｃ  検出部
１４ｄ  検出部
１５  配線
１６  第１の電極
１７  第２の電極
１８  グランド電極
２０  検出素子
２０ａ  第２のシリコン層
２０ｂ  第１の絶縁層
２０ｃ  第１のシリコン層
２０ｄ  第２の絶縁層
２０ｅ  第３の絶縁層
３０  上蓋
４０  下蓋
１００  加速度センサ
１１０  検出素子
１１１ａ  錘部
１１１ｂ  錘部
１１１ｃ  錘部
１１１ｄ  錘部
１１２ａ１  梁部
１１２ａ２  梁部
１１２ｂ１  梁部
１１２ｂ２  梁部
１１２ｃ１  梁部
１１２ｃ２  梁部
１１２ｄ１  梁部
１１２ｄ２  梁部
１１３  支持部
１１４ａ  第１の電極
１１４ｂ  第１の電極
１１４ｃ  第１の電極
１１４ｄ  第１の電極
１１５ｂ  第２の絶縁層
１１５ｄ  第２の絶縁層
１１６ｂ  第１のシリコン層
１１６ｄ  第１のシリコン層
１１７ｂ  第１の絶縁層
１１７ｄ  第１の絶縁層
１１８ｂ  第２のシリコン層
１１８ｄ  第２のシリコン層
１２０  上部基板
１２１ｂ  第２の電極
１２１ｄ  第２の電極
１２２  配線
１２３  パッド
１３０  下部基板
２００ａ  金属層
２００ｂ  金属層
Ｒ１  ピエゾ抵抗
Ｒ２  ピエゾ抵抗
Ｒ３  ピエゾ抵抗
Ｒ４  ピエゾ抵抗
【図１】
2016095177.tif 000003
【図２】
2016095177.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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