(57)【要約】【課題】良質な薄膜を形成することができる原子層堆積装置などを提供する。【解決手段】原子層堆積法を用いて基板２の上方に薄膜を形成する原子層堆積装置１であって、基板２が配置される反応室１０と、反応室１０に接続された第１ガス供給管１０１を有し、第１ガス供給管１０１を介して、ＴＭＡ及びＡｒを反応室１０内に供給する第１ガス供給部１００と、反応室１０に接続された第２ガス供給管１１１を有し、第２ガス供給管１１１を介して、Ｏ２及びＡｒを反応室１０内に供給する第２ガス供給部１１０と、ＴＭＡとＡｒとが反応室１０内に交互に供給されるように、第１ガス供給部１００及び第２ガス供給部１１０を制御する制御部４０とを備え、制御部４０は、さらに、ＴＭＡを供給している期間にＡｒが供給され、又は、Ｏ２を供給している期間にＡｒが供給されるように、第１ガス供給部１００又は第２ガス供給部１１０を制御する。【選択図】図２
2016094653.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
原子層堆積法を用いて基板の上方に薄膜を形成する原子層堆積装置であって、
前記基板が配置される反応室と、
前記反応室に接続された第１ガス供給管を有し、当該第１ガス供給管を介して、第１ガス及び第１不活性ガスを前記反応室内に供給する第１ガス供給部と、
前記反応室に接続された第２ガス供給管を有し、当該第２ガス供給管を介して、前記第１ガスと反応して前記薄膜を形成する第２ガス、及び、第２不活性ガスを前記反応室内に供給する第２ガス供給部と、
前記第１ガスと前記第２ガスとが前記反応室内に交互に供給されるように、前記第１ガス供給部及び前記第２ガス供給部を制御する制御部とを備え、
前記制御部は、さらに、
（ｉ）前記第１ガスを供給している第１期間に前記第２不活性ガスが供給されるように前記第２ガス供給部を制御することと、（ｉｉ）前記第２ガスを供給している第２期間に前記第１不活性ガスが供給されるように前記第１ガス供給部を制御することとの少なくとも一方を行う
原子層堆積装置。
【請求項２】
前記原子層堆積装置は、さらに、前記反応室に接続された第３ガス供給管を有し、当該第３ガス供給管を介して、第３不活性ガスを前記反応室内に供給する第３ガス供給部を備え、
前記制御部は、さらに、前記第１期間と前記第２期間との間の第３期間に前記第３不活性ガスが供給されるように、前記第３ガス供給部を制御する
請求項１に記載の原子層堆積装置。
【請求項３】
前記制御部は、さらに、前記第１期間及び前記第２期間に前記第３不活性ガスが供給されるように、前記第３ガス供給部を制御する
請求項２に記載の原子層堆積装置。
【請求項４】
前記制御部は、前記第１期間及び前記第２期間において、前記第３期間よりも小さいガス流量で前記第３不活性ガスが供給されるように、前記第３ガス供給部を制御する
請求項３に記載の原子層堆積装置。
【請求項５】
前記原子層堆積装置は、さらに、前記第１ガス供給管と前記基板との間の第１位置と、前記第２ガス供給管と前記基板との間の第２位置との少なくとも一方に移動可能な可動式仕切り板を備え、
前記可動式仕切り板は、前記第２期間に前記第１位置に位置する、又は、前記第１期間に前記第２位置に位置する
請求項１〜４のいずれか１項に記載の原子層堆積装置。
【請求項６】
原子層堆積法を用いて基板の上方に薄膜を形成する原子層堆積装置であって、
前記基板が配置される反応室と、
前記反応室に接続された第１ガス供給管を有し、当該第１ガス供給管を介して、第１ガスを前記反応室内に供給する第１ガス供給部と、
前記反応室に接続された第２ガス供給管を有し、当該第２ガス供給管を介して、前記第１ガスと反応して前記薄膜を形成する第２ガスを前記反応室内に供給する第２ガス供給部とを備え、
前記第１ガス供給管及び前記第２ガス供給管の少なくとも一方の管軸の延長線は、前記基板の上方を通らない
原子層堆積装置。
【請求項７】
前記原子層堆積装置は、さらに、前記第１ガス供給管及び前記第２ガス供給管の各々の前記反応室内への流出口と前記基板との間に設けられて、前記第１ガス供給管及び前記第２ガス供給管の各々の管軸の延長線が前記基板の上方を通らないように遮断する仕切り板を備える
請求項６に記載の原子層堆積装置。
【請求項８】
原子層堆積装置を用いて、基板の上方に薄膜を形成する原子層堆積方法であって、
前記原子層堆積装置は、
前記基板が配置される反応室と、
前記反応室に接続された第１ガス供給管及び第２ガス供給管とを備え、
前記原子層堆積方法は、
前記第１ガス供給管を介して、第１ガスを前記反応室に供給する第１供給工程と、
前記第２ガス供給管を介して、前記第１ガスと反応して前記薄膜を形成する第２ガスを前記反応室に供給する第２供給工程と、
前記第１供給工程と前記第２供給工程とを交互に繰り返す工程とを含み、
（ｉ）前記第２供給工程において、さらに、前記第２ガスを供給している期間に前記第１ガス供給管を介して第１不活性ガスを前記反応室に供給することと、（ｉｉ）前記第１供給工程において、さらに、前記第１ガスを供給している期間に前記第２ガス供給管を介して第２不活性ガスを前記反応室に供給することとの少なくとも一方を行う
原子層堆積方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、原子層堆積装置及び原子層堆積方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、良質な薄膜を形成する技術として、原子層堆積（ＡＬＤ：Ａｔｏｍｉｃ  Ｌａｙｅｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法が知られている（例えば、特許文献１参照）。特許文献１に記載の原子層成長装置では、基板が配置される成膜室内に、アルミニウムの原料ガスと酸化ガスとを交互に供給し、プラズマを生成することで、基板上にアルミナ膜を成膜する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１０−２２５７５１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、ＡＬＤ法による薄膜の成膜を行う際には、パーティクル（異物）が発生し、良質な薄膜を形成することができないという問題がある。
【０００５】
例えば、アルミニウムの原料ガスと、プラズマ化した酸化ガスとの反応性が高いため、成膜室内で基板以外の場所にガスが回り込んだ場合、回り込んだ場所にも薄膜が成膜される。成膜された薄膜が厚膜化して剥がれ落ち、基板に付着した場合には、良質な薄膜を形成することができなくなる。
【０００６】
そこで、本開示は、良質な薄膜を形成することができる原子層堆積装置及び原子層堆積方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するため、本開示に係る原子層堆積装置は、原子層堆積法を用いて基板の上方に薄膜を形成する原子層堆積装置であって、前記基板が配置される反応室と、前記反応室に接続された第１ガス供給管を有し、当該第１ガス供給管を介して、第１ガス及び第１不活性ガスを前記反応室内に供給する第１ガス供給部と、前記反応室に接続された第２ガス供給管を有し、当該第２ガス供給管を介して、前記第１ガスと反応して前記薄膜を形成する第２ガス、及び、第２不活性ガスを前記反応室内に供給する第２ガス供給部と、前記第１ガスと前記第２ガスとが前記反応室内に交互に供給されるように、前記第１ガス供給部及び前記第２ガス供給部を制御する制御部とを備え、前記制御部は、さらに、（ｉ）前記第１ガスを供給している第１期間に前記第２不活性ガスが供給されるように前記第２ガス供給部を制御することと、（ｉｉ）前記第２ガスを供給している第２期間に前記第１不活性ガスが供給されるように前記第１ガス供給部を制御することとの少なくとも一方を行う。
【発明の効果】
【０００８】
本開示によれば、良質な薄膜を形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】実施の形態１に係る原子層堆積装置の構成を示す断面図である。
【図２】実施の形態１に係る原子層堆積装置のガス供給部の構成を示す断面図である。
【図３】実施の形態１に係る原子層堆積装置の動作（原子層堆積方法）を示すフローチャートである。
【図４】実施の形態１に係る原子層堆積装置による薄膜の成膜メカニズムを説明するための図である。
【図５Ａ】実施の形態１に係る原子層堆積装置によるＴＭＡ供給時の他のガスの供給状態を示す図である。
【図５Ｂ】実施の形態１に係る原子層堆積装置によるＡｒ供給時の他のガスの供給状態を示す図である。
【図５Ｃ】実施の形態１に係る原子層堆積装置によるＯ２供給時の他のガスの供給状態を示す図である。
【図６】実施の形態１に係る原子層堆積装置によって成膜される薄膜を備える表示パネル基板の断面図である。
【図７】実施の形態１の変形例１に係る原子層堆積装置の構成を示す断面図である。
【図８Ａ】実施の形態１の変形例１に係る原子層堆積装置によるＴＭＡ供給時の他のガスの供給状態を示す図である。
【図８Ｂ】実施の形態１の変形例１に係る原子層堆積装置によるＡｒ供給時の他のガスの供給状態を示す図である。
【図８Ｃ】実施の形態１の変形例１に係る原子層堆積装置によるＯ２供給時の他のガスの供給状態を示す図である。
【図９】実施の形態１の変形例２に係る原子層堆積装置の構成を示す断面図である。
【図１０】実施の形態２に係る原子層堆積装置の構成を示す断面図である。
【図１１】実施の形態２に係る原子層堆積装置の構成を示す別の断面図である。
【図１２】実施の形態２に係る原子層堆積装置による効果を説明するための図である。
【図１３】実施の形態３に係る原子層堆積装置の構成を示す断面図である。
【図１４】実施の形態３に係る原子層堆積装置による効果を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、適宜図面を参照しながら、実施の形態を詳細に説明する。ただし、必要以上に詳細な説明は省略する場合がある。例えば、すでによく知られた事項の詳細説明、及び、実質的に同一の構成に対する重複説明などを省略する場合がある。これは、以下の説明が不必要に冗長になるのを避け、当業者の理解を容易にするためである。
【００１１】
なお、発明者らは、当業者が本開示を十分に理解するために添付図面及び以下の説明を提供するのであって、これらによって特許請求の範囲に記載の主題を限定することを意図するものではない。
【００１２】
また、各図は、模式図であり、必ずしも厳密に図示されたものではない。また、各図において、同じ構成部材については同じ符号を付している。
【００１３】
（実施の形態１）
［１．原子層堆積装置の構成］
まず、実施の形態１に係る原子層堆積装置の構成について、図１及び図２を用いて説明する。図１は、本実施の形態に係る原子層堆積装置１の構成を示す断面図である。図２は、実施の形態１に係る原子層堆積装置１のガス供給部の構成を示す断面図である。
【００１４】
なお、図１及び図２に示すように、基板２の主面に直交する方向をＺ軸方向とし、基板２の主面に平行で、かつ、互いに直交する２つの方向をそれぞれ、Ｘ軸方向及びＹ軸方向とする。例えば、ＸＹ平面は水平面に相当し、Ｚ軸方向は鉛直方向に相当する。
【００１５】
本実施の形態に係る原子層堆積装置１は、ＡＬＤ法を用いて基板２の上方に薄膜を形成する薄膜形成装置の一例である。
【００１６】
ここで、基板２は、薄膜の成膜に用いられる基板であり、例えば、Ｇ８などの大面積のガラス基板である。本実施の形態では、基板２には、複数の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）及び有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ：Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ  Ｄｉｏｄｅ）が形成されている。
【００１７】
なお、基板２のサイズ、形状及び材質などは、いかなるものでもよい。例えば、基板２は、シリコンなどの半導体材料、ポリイミドなどの樹脂材料、絶縁層をコーティングしたステンレスなどの金属材料から構成されてもよい。また、基板２は、リジッド基板ではなく、フレキシブル基板でもよい。
【００１８】
以下では、基板２の上方に、具体的には、基板２に設けられた有機ＥＬ素子上に、有機ＥＬ素子を水分などから保護するための封止層として、アルミナ（酸化アルミニウム：ＡｌＯ）膜を形成する場合について説明する。
【００１９】
図１及び図２に示すように、原子層堆積装置１は、反応室１０と、プラズマ発生源２０と、加熱装置３０と、制御部４０と、第１ガス供給部１００と、第２ガス供給部１１０と、第３ガス供給部１２０とを備える。
【００２０】
反応室１０は、基板２が配置されるチャンバーである。反応室１０内には、プラズマ発生源２０と、加熱装置３０とが配置されている。反応室１０には、図２に示すように、第１ガス供給管１０１、第２ガス供給管１１１及び第３ガス供給管１２１が接続されている。また、反応室１０には、図１に示すように、排気口１１及び１２が設けられている。
【００２１】
本実施の形態では、図１に示すように、第１ガス供給管１０１、第２ガス供給管１１１及び第３ガス供給管１２１並びに排気口１１は、基板２の側方に設けられ、排気口１２は、基板２の下方に設けられている。具体的には、第１ガス供給管１０１、第２ガス供給管１１１及び第３ガス供給管１２１の各々の管軸の延長線は、基板２の上方を通るように配置されている。第１ガス供給管１０１、第２ガス供給管１１１及び第３ガス供給管１２１の各々から供給されるガスは、基板２の主面（薄膜を形成する面）に沿って水平方向（Ｘ軸方向）に供給されて、排気口１１から排出される。
【００２２】
また、排気口１２からも気体を排出することができる。例えば、反応室１０内のガスをパージする場合などは、排気口１２を利用することで、パージに要する時間を短くすることができる。排気口１１及び排気口１２にはそれぞれ、図示しないドライポンプなどの排気装置が設けられている。なお、反応室１０には、排気口１１及び排気口１２のいずれか一方のみが設けられてもよい。
【００２３】
プラズマ発生源（リアクタ）２０は、図示しない電源装置に接続され、所定の電力が印加された場合にプラズマを発生する。本実施の形態では、プラズマ発生源２０は、モノポールアンテナ方式を採用する。具体的には、２本のアンテナが対向配置され、各々に所定の高周波電力が供給される。
【００２４】
プラズマ発生源２０は、第１ガス供給管１０１、第２ガス供給管１１１及び第３ガス供給管１２１の各々の流出口の近傍に設けられている。流出口の近傍で発生したプラズマは、ガスの流れに沿って基板２の主面に沿ってＸ軸方向に流れる。
【００２５】
加熱装置３０は、基板２を加熱するためのヒータである。加熱装置３０は、戴置面を有し、当該戴置面に戴置された基板２を所定の温度に加熱する。
【００２６】
制御部４０は、例えば、プログラムを内蔵するマイコンなどであり、原子層堆積装置１の動作を制御する処理部である。本実施の形態では、制御部４０は、第１ガス供給部１００、第２ガス供給部１１０及び第３ガス供給部１２０を制御する。例えば、制御部４０は、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）と酸素ガス（Ｏ２）とが反応室１０内に交互に供給されるように、第１ガス供給部１００及び第２ガス供給部１１０を制御する。
【００２７】
制御部４０の詳細な動作については、後で説明する。
【００２８】
［２．ガス供給部］
以下では、第１ガス供給部１００、第２ガス供給部１１０及び第３ガス供給部１２０の詳細について、図２を用いて説明する。
【００２９】
図２に示すように、第１ガス供給部１００は、反応室１０に接続された第１ガス供給管１０１を有し、第１ガス供給管１０１を介して、ＴＭＡ及びアルゴンガス（Ａｒ）を反応室１０内に供給する。本実施の形態では、第１ガス供給部１００は、さらに、バルブ１０２及びバルブ１０３を有する。
【００３０】
第１ガス供給管１０１は、ＴＭＡ及びＡｒを供給するための配管である。第１ガス供給管１０１は、例えば、２つの流入口と１つの流出口とを有する二叉の配管である。２つの流入口には、ＴＭＡ供給源５０及びＡｒ供給源５２が接続され、流出口は、反応室１０に接続されている。なお、当該流出口は、基板２の側方に設けられている。
【００３１】
バルブ１０２は、ＴＭＡ供給源５０と第１ガス供給管１０１の分岐部との間に設けられている。バルブ１０２は、制御部４０によって開閉が制御されて、反応室１０内へのＴＭＡの供給が制御される。具体的には、制御部４０は、バルブ１０２の開閉量を制御することで、第１ガス供給管１０１を介したＴＭＡの供給の開始及び停止、並びに、その供給量を制御する。
【００３２】
ここで、ＴＭＡ供給源５０は、ＴＭＡのガス源である。また、ＴＭＡは、基板２の上方に形成する薄膜（ここでは、アルミナ膜）の材料となる第１ガスの一例である。
【００３３】
バルブ１０３は、Ａｒ供給源５２と第１ガス供給管１０１の分岐部との間に設けられている。バルブ１０３は、制御部４０によって開閉が制御されて、反応室１０内へのＡｒの供給が制御される。具体的には、制御部４０は、バルブ１０３の開閉量を制御することで、第１ガス供給管１０１を介したＡｒの供給の開始及び停止、並びに、その供給量を制御する。
【００３４】
ここで、Ａｒ供給源５２は、Ａｒのガス源である。また、Ａｒ供給源５２が供給するＡｒは、Ｏ２などの他のガスの回り込みを抑制するための第１不活性ガスの一例であり、ＴＭＡ及びＯ２とはほとんど反応しないガスである。
【００３５】
なお、バルブ１０２は、ＴＭＡ供給源５０と第１ガス供給管１０１との接続部に設けられてもよく、バルブ１０３は、Ａｒ供給源５２と第１ガス供給管１０１との接続部に設けられてもよい。
【００３６】
第２ガス供給部１１０は、反応室１０に接続された第２ガス供給管１１１を有し、第２ガス供給管１１１を介して、酸素ガス（Ｏ２）及びアルゴンガス（Ａｒ）を反応室１０内に供給する。本実施の形態では、第２ガス供給部１１０は、さらに、バルブ１１２及びバルブ１１３を有する。
【００３７】
第２ガス供給管１１１は、Ｏ２及びＡｒを供給するための配管である。第２ガス供給管１１１は、例えば、２つの流入口と１つの流出口とを有する二叉の配管である。２つの流入口には、Ｏ２供給源５１及びＡｒ供給源５３が接続され、流出口は、反応室１０に接続されている。なお、当該流出口は、基板２の側方に設けられている。
【００３８】
バルブ１１２は、Ｏ２供給源５１と第２ガス供給管１１１の分岐部との間に設けられている。バルブ１１２は、制御部４０によって開閉が制御されて、反応室１０内へのＯ２の供給が制御される。具体的には、制御部４０は、バルブ１１２の開閉量を制御することで、第２ガス供給管１１１を介したＯ２の供給の開始及び停止、並びに、その供給量を制御する。
【００３９】
ここで、Ｏ２供給源５１は、Ｏ２のガス源である。また、Ｏ２は、基板２の上方に形成する薄膜（ここでは、アルミナ膜）の材料となる第２ガスの一例である。具体的には、Ｏ２は、ＴＭＡと反応してアルミナ膜を形成する。
【００４０】
バルブ１１３は、Ａｒ供給源５３と第２ガス供給管１１１の分岐部との間に設けられている。バルブ１１３は、制御部４０によって開閉が制御されて、反応室１０内へのＡｒの供給が制御される。具体的には、制御部４０は、バルブ１１３の開閉量を制御することで、第２ガス供給管１１１を介したＡｒの供給の開始及び停止、並びに、その供給量を制御する。
【００４１】
ここで、Ａｒ供給源５３は、Ａｒのガス源である。また、Ａｒ供給源５３が供給するＡｒは、ＴＭＡなどの他のガスの回り込みを抑制するための第２不活性ガスの一例であり、ＴＭＡ及びＯ２とはほとんど反応しないガスである。
【００４２】
なお、バルブ１１２は、Ｏ２供給源５１と第２ガス供給管１１１との接続部に設けられてもよく、バルブ１１３は、Ａｒ供給源５２と第２ガス供給管１１１との接続部に設けられてもよい。
【００４３】
第３ガス供給部１２０は、反応室１０に接続された第３ガス供給管１２１を有し、第３ガス供給管１２１を介して、アルゴンガス（Ａｒ）を反応室１０内に供給する。本実施の形態では、第３ガス供給部１２０は、さらに、バルブ１２２を有する。
【００４４】
第３ガス供給管１２１は、Ａｒを供給するための配管である。第３ガス供給管１２１は、例えば、１つの流入口と１つの流出口とを有する分岐しない配管である。１つの流入口には、Ａｒ供給源５４が接続され、流出口は、反応室１０に接続されている。なお、当該流出口は、基板２の側方に設けられている。
【００４５】
バルブ１２２は、第３ガス供給管１２１に設けられている。なお、バルブ１２２は、Ａｒ供給源５４と第３ガス供給管１２１との接続部に設けられてもよい。バルブ１２２は、制御部４０によって開閉が制御されて、反応室１０内へのＡｒの供給が制御される。具体的には、制御部４０は、バルブ１２２の開閉量を制御することで、第３ガス供給管１２１を介したＡｒの供給の開始及び停止、並びに、その供給量を制御する。
【００４６】
ここで、Ａｒ供給源５４は、Ａｒのガス源である。また、Ａｒ供給源５４が供給するＡｒは、パージ用の第３不活性ガスの一例であり、ＴＭＡ及びＯ２とはほとんど反応しないガスである。
【００４７】
なお、本実施の形態では、３つのＡｒ供給源５２、Ａｒ供給源５３及びＡｒ供給源５４が接続されている例を示したが、これに限らない。第１ガス供給管１０１、第２ガス供給管１１１及び第３ガス供給管１２１のいずれも、１つのＡｒ供給源に接続されていてもよい。つまり、本実施の形態では、第１不活性ガス、第２不活性ガス及び第３不活性ガスは全て同じガスでもよく、少なくとも１つが異なるガスでもよい。
【００４８】
また、本実施の形態では、第１ガス供給管１０１、第２ガス供給管１１１及び第３ガス供給管１２１を基板２の側方にも受けたが、第１ガス供給管１０１、第２ガス供給管１１１及び第３ガス供給管１２１の直上方向に設けてもよい。このとき、各々の流出口を覆うようにシャワーヘッドを設けることで、ガスを基板２の全体に行き渡らせることもできる。
【００４９】
［３．動作］
［３−１．原子層堆積方法］
続いて、本実施の形態に係る原子層堆積装置１の動作（原子層堆積方法）について、図３及び図４を用いて説明する。
【００５０】
図３は、本実施の形態に係る原子層堆積装置１の動作を示すフローチャートである。図４は、本実施の形態に係る原子層堆積装置１による薄膜の成膜メカニズムを説明するための図である。
【００５１】
図３に示すように、まず、制御部４０は、第１ガス供給部１００を制御することで、第１ガス供給管１０１を介して反応室１０内にＴＭＡを供給する（Ｓ１０）。具体的には、制御部４０は、バルブ１０２を開けて、バルブ１０３を閉じることで、第１ガス供給管１０１を介してＴＭＡ供給源５０と反応室１０とを連通する。
【００５２】
これにより、反応室１０内には、第１ガス供給管１０１を介してＴＭＡが供給されて、図４の（ａ）に示すように、基板２は、ＴＭＡに暴露される。なお、ＴＭＡを供給している期間を第１期間（ＴＭＡ暴露期間）とする。ＴＭＡ暴露期間は、例えば、０．１秒である。
【００５３】
基板２がＴＭＡに暴露されることで、基板２の表面にＴＭＡ分子が化学吸着する。これにより、図４の（ｂ）に示すように、基板２の表面に、１原子層分（又は、数原子層分）の厚さのＴＭＡの層が形成される。
【００５４】
次に、制御部４０は、反応室１０内のガス（具体的には、ＴＭＡ）を、Ａｒガスを用いてパージする（Ｓ２０）。具体的には、制御部４０は、第３ガス供給部１２０を制御することで、第３ガス供給管１２１を介して反応室１０内にＡｒを供給する。反応室１０内に供給されたＡｒに押し出されるようにして、排気口１１及び排気口１２からＴＭＡが排出される。
【００５５】
ここで、反応室１０内のガスをパージする期間を第３期間（パージ期間）とする。パージ期間は、ＴＭＡ暴露期間と、後述するＯ２暴露期間との間の期間である。
【００５６】
次に、制御部４０は、第２ガス供給部１１０を制御することで、第２ガス供給管１１１を介して反応室１０内にＯ２を供給する（Ｓ３０）。具体的には、制御部４０は、バルブ１１２を開けて、バルブ１１３を閉じることで、第２ガス供給管１１１を介してＯ２供給源５１と反応室１０とを連通する。
【００５７】
これにより、反応室１０内には、第２ガス供給管１１１を介してＯ２が供給されて、図４の（ｃ）に示すように、基板２は、Ｏ２に暴露される。なお、Ｏ２を供給している期間を第２期間（Ｏ２暴露期間）とする。Ｏ２暴露期間は、例えば、０．１秒である。
【００５８】
次に、制御部４０は、反応室１０内で酸素プラズマを生成する（Ｓ４０）。本実施の形態では、制御部４０は、Ｏ２暴露期間において、プラズマ発生源２０に所定の電力を印加することで、酸素プラズマを生成する。酸素プラズマの生成期間（すなわち、電力の印加期間）は、例えば、０．５秒であり、Ｏ２暴露期間に含まれる。
【００５９】
酸素プラズマにより活性化された酸素は、基板２の表面に吸着したＴＭＡと反応する。具体的には、酸素（Ｏ）は、ＴＭＡを酸化することで、メチル基（ＣＨ３）とアルミニウム（Ａｌ）原子との結合を切断し、Ａｌ原子と結合する。
【００６０】
これにより、図４の（ｃ）に示すように、基板２上に吸着されたＴＭＡのＣＨ３基がＯ原子に置き換わる。そして、図４の（ｄ）に示すように、基板２上に１原子層分の厚さのアルミナ（ＡｌＯ）膜が形成される。
【００６１】
次に、制御部４０は、反応室１０内のガス（具体的には、Ｏ２）を、Ａｒガスを用いてパージする（Ｓ５０）。具体的には、制御部４０は、第３ガス供給部１２０を制御することで、第３ガス供給管１２１を介して反応室１０内にＡｒを供給する。反応室１０内に供給されたＡｒに押し出されるようにして、排気口１１及び排気口１２からＯ２が排出される。
【００６２】
次に、制御部４０は、ＡＬＤ法による成膜を終了するか否かを判定する（Ｓ６０）。成膜を終了しない場合は（Ｓ６０でＮｏ）、上述したステップＳ１０〜ステップＳ６０を繰り返す。つまり、本実施の形態では、制御部４０は、ＴＭＡとＯ２とが反応室１０内に交互に供給されるように、第１ガス供給部１００及び第２ガス供給部１１０を制御する。
【００６３】
また、制御部４０は、ＴＭＡとＯ２との一方が供給された後は、他方が供給される前に、反応室１０内のガスをパージする。つまり、ＴＭＡ暴露期間（Ｓ１０）とＯ２暴露期間（Ｓ３０）との間、及び、Ｏ２暴露期間（Ｓ３０）とＴＭＡ暴露期間（Ｓ１０）との間には、パージ期間（Ｓ２０及びＳ５０）が設けられている。
【００６４】
所望の膜厚の薄膜が形成された場合には、成膜を終了する（Ｓ６０でＹｅｓ）。
【００６５】
以上のようにして、ＴＭＡ及びＯ２を順に供給することで、アルミナ膜を１原子層又は数原子層分の厚さずつ堆積させる。ガスの供給を繰り返すことにより、精度の良い薄膜を形成することができる。
【００６６】
［３−２．制御部及びガス供給部の詳細な動作］
以下では、制御部４０、並びに、第１ガス供給部１００、第２ガス供給部１１０及び第３ガス供給部１２０の詳細な動作について、図５Ａ〜図５Ｃを用いて説明する。
【００６７】
図５Ａは、本実施の形態に係る原子層堆積装置１によるＴＭＡ供給時（ＴＭＡ暴露期間）の他のガスの供給状態を示す図である。図５Ｂは、本実施の形態に係る原子層堆積装置１によるＡｒ供給時（パージ期間）の他のガスの供給状態を示す図である。図５Ｃは、本実施の形態に係る原子層堆積装置１によるＯ２供給時（Ｏ２暴露期間）の他のガスの供給状態を示す図である。
【００６８】
ＴＭＡ暴露期間（図３のステップＳ１０）では、図５Ａに示すように、第２ガス供給管１１１及び第３ガス供給管１２１を介して、Ａｒが反応室１０内に供給される。具体的には、制御部４０は、ＴＭＡ暴露期間に、第２ガス供給管１１１を介してＡｒが供給されるように、第２ガス供給部１１０を制御する。より具体的には、制御部４０は、バルブ１１２を閉じて、バルブ１１３を開けることで、第２ガス供給管１１１を介してＡｒ供給源５３と反応室１０とを連通する。これにより、反応室１０内には、第２ガス供給管１１１を介してＡｒが供給される。
【００６９】
また、制御部４０は、ＴＭＡ暴露期間に、第３ガス供給管１２１を介してＡｒが供給されるように、第３ガス供給部１２０を制御する。具体的には、制御部４０は、バルブ１２２を開けることで、第３ガス供給管１２１を介してＡｒ供給源５４と反応室１０とを連通する。これにより、反応室１０内には、第３ガス供給管１２１を介してＡｒが供給される。
【００７０】
このように、ＴＭＡ暴露期間では、第２ガス供給管１１１及び第３ガス供給管１２１の各々には、Ａｒによって気流が形成されている。したがって、第１ガス供給管１０１を介して反応室１０内へ供給されたＴＭＡが、第２ガス供給管１１１及び第３ガス供給管１２１に進入するのを抑制することができる（図５Ａに示す破線の矢印）。したがって、第２ガス供給管１１１及び第３ガス供給管１２１内でＯ２と反応して薄膜（異物）が形成されるのを抑制することができる。
【００７１】
なお、制御部４０は、ＴＭＡ暴露期間において、パージ期間よりも小さいガス流量でＡｒが供給されるように、第３ガス供給部１２０を制御する。つまり、ＴＭＡ暴露期間では、第３ガス供給管１２１内にＴＭＡが進入するのを抑制するのが目的であって、反応室１０内のガスをパージすることが目的ではない。
【００７２】
このため、ＴＭＡ暴露期間では、パージに必要なガス流量よりも小さいガス流量でも十分にＴＭＡの進入を抑制することができる。また、必要以上に多いＡｒを反応室１０内に供給すると、ＴＭＡが基板２に吸着しにくくなる。
【００７３】
したがって、ＴＭＡ暴露期間において、パージ期間よりも小さいガス流量でＡｒを供給することで、Ａｒの使用量を抑制することができ、薄膜の製造コストを削減することができる。
【００７４】
パージ期間（図３のステップＳ２０及びＳ５０）では、図５Ｂに示すように、第１ガス供給管１０１及び第２ガス供給管１１１を介して、Ａｒが反応室１０内に供給される。具体的には、制御部４０は、パージ期間に、第１ガス供給管１０１を介してＡｒが供給されるように、第１ガス供給部１００を制御する。より具体的には、制御部４０は、バルブ１０２を閉じて、バルブ１０３を開けることで、第１ガス供給管１０１を介してＡｒ供給源５２と反応室１０とを連通する。これにより、反応室１０内には、第１ガス供給管１０１を介してＡｒが供給される。
【００７５】
また、制御部４０は、パージ期間に、第２ガス供給管１１１を介してＡｒが供給されるように、第２ガス供給部１１０を制御する。具体的には、制御部４０は、バルブ１１２を閉じて、バルブ１１３を開けることで、第２ガス供給管１１１を介してＡｒ供給源５３と反応室１０とを連通する。これにより、反応室１０内には、第２ガス供給管１１１を介してＡｒが供給される。
【００７６】
このように、パージ期間では、第１ガス供給管１０１及び第２ガス供給管１１１の各々には、Ａｒによって気流が形成されている。したがって、ＴＭＡ暴露期間又はＯ２暴露期間に反応室１０内に供給されていたＴＭＡ又はＯ２が、第１ガス供給管１０１及び第２ガス供給管１１１に進入するのを抑制することができる（図５Ｂに示す破線の矢印）。したがって、第１ガス供給管１０１及び第２ガス供給管１１１内でＴＭＡとＯ２とが反応して薄膜（異物）が形成されるのを抑制することができる。
【００７７】
また、第１ガス供給管１０１及び第２ガス供給管１１１の各々から供給するＡｒをパージ用ガスとして用いることもできる。これにより、ガス交換をよりスムーズに行うことができる。
【００７８】
Ｏ２暴露期間（図３のステップＳ３０）では、図５Ｃに示すように、第１ガス供給管１０１及び第３ガス供給管１２１を介して、Ａｒが反応室１０内に供給される。具体的には、制御部４０は、Ｏ２暴露期間に、第１ガス供給管１０１を介してＡｒが供給されるように、第１ガス供給部１００を制御する。より具体的には、制御部４０は、バルブ１０２を閉じて、バルブ１０３を開けることで、第１ガス供給管１０１を介してＡｒ供給源５２と反応室１０とを連通する。これにより、反応室１０内には、第１ガス供給管１０１を介してＡｒが供給される。
【００７９】
また、制御部４０は、Ｏ２暴露期間に、第３ガス供給管１２１を介してＡｒが供給されるように、第３ガス供給部１２０を制御する。具体的には、制御部４０は、バルブ１２２を開けることで、第３ガス供給管１２１を介してＡｒ供給源５４と反応室１０とを連通する。これにより、反応室１０内には、第３ガス供給管１２１を介してＡｒが供給される。
【００８０】
このように、Ｏ２暴露期間では、第１ガス供給管１０１及び第３ガス供給管１２１の各々には、Ａｒによって気流が形成されている。したがって、第２ガス供給管１１１を介して反応室１０内へ供給されたＯ２が、第１ガス供給管１０１及び第３ガス供給管１２１に進入するのを抑制することができる（図５Ｃに示す破線の矢印）。したがって、第１ガス供給管１０１及び第３ガス供給管１２１内でＴＭＡと反応して薄膜（異物）が形成されるのを抑制することができる。
【００８１】
なお、制御部４０は、Ｏ２暴露期間において、パージ期間よりも小さいガス流量でＡｒが供給されるように、第３ガス供給部１２０を制御する。これにより、Ａｒの使用量を抑制することができ、薄膜の製造コストを削減することができる。
【００８２】
［４．表示パネル基板］
以上のようにして、本実施の形態に係る原子層堆積装置１は、ＡＬＤ法により良質なアルミナ膜を成膜することができる。したがって、例えば、原子層堆積装置１は、有機ＥＬ素子を保護するためのアルミナ膜の成膜に利用することができる。
【００８３】
ここでは、表示パネル基板２００の構成について、図６を用いて説明する。図６は、本実施の形態に係る原子層堆積装置１によって成膜される薄膜（アルミナ膜２３０）を備える表示パネル基板２００の断面図である。
【００８４】
表示パネル基板２００は、例えば、液晶表示装置又は有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｌｉｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）表示装置などのアクティブマトリクス方式の表示装置に利用される。図６に示すように、表示パネル基板２００は、ＴＦＴ基板２１０と、有機ＥＬ素子２２０と、アルミナ膜２３０と、シリコン窒化膜２４０と、樹脂封止膜２５０とを備える。
【００８５】
ＴＦＴ基板２１０は、スイッチングトランジスタ及び駆動トランジスタなどの複数のＴＦＴを備える画素が行列状に設けられたＴＦＴアレイ基板である。ＴＦＴは、例えば、酸化物半導体をチャネル層として備える。
【００８６】
有機ＥＬ素子２２０は、ＴＦＴ基板２１０の上方に、ポリイミドなどの平坦化層（図示せず）を介して設けられた発光部である。有機ＥＬ素子２２０は、陽極と、有機ＥＬ材料から構成される発光層と、陰極とを備える。陽極、発光層及び陰極は、例えば、この順で平坦化層上に形成される。
【００８７】
アルミナ膜２３０は、大気中の酸素及び水分などから、有機ＥＬ素子２２０（具体的には、発光層）を保護するための封止膜である。アルミナ膜２３０は、例えば、上述した原子層堆積装置１によって成膜される。アルミナ膜２３０の膜厚は、例えば、１０ｎｍである。
【００８８】
シリコン窒化膜２４０は、大気中の酸素及び水分などから、有機ＥＬ素子２２０（具体的には、発光層）を保護するための封止膜である。シリコン窒化膜２４０は、例えば、プラズマＣＶＤ（ＰＥＣＶＤ：Ｐｌａｓｍａ  Ｅｎｈａｎｃｅｄ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）によって成膜される。シリコン窒化膜２４０の膜厚は、例えば、５００ｎｍである。
【００８９】
樹脂封止膜２５０は、大気中の酸素及び水分などから、有機ＥＬ素子２２０（具体的には、発光層）を保護するための封止膜である。樹脂封止膜２５０は、例えば、エポキシ系樹脂などの熱硬化性樹脂材料を塗布法によって塗布されて形成される。樹脂封止膜２５０は、酸化カルシウムなどの乾燥剤を含んでもよい。
【００９０】
［５．効果など］
以上のように、本実施の形態に係る原子層堆積装置１は、ＡＬＤを用いて基板２の上方に薄膜を形成する原子層堆積装置１であって、基板２が配置される反応室１０と、反応室１０に接続された第１ガス供給管１０１を有し、第１ガス供給管１０１を介して、ＴＭＡ及びＡｒを反応室１０内に供給する第１ガス供給部１００と、反応室１０に接続された第２ガス供給管１１１を有し、第２ガス供給管１１１を介して、ＴＭＡと反応して薄膜を形成するＯ２、及び、Ａｒを反応室１０内に供給する第２ガス供給部１１０と、ＴＭＡとＯ２とが反応室１０内に交互に供給されるように、第１ガス供給部１００及び第２ガス供給部１１０を制御する制御部４０とを備え、制御部４０は、さらに、ＴＭＡを供給しているＴＭＡ暴露期間にＡｒが供給され、かつ、Ｏ２を供給しているＯ２暴露期間にＡｒが供給されるように、第１ガス供給部１００及び第２ガス供給部１１０を制御する。
【００９１】
このように、ＴＭＡ暴露期間では、第２ガス供給管１１１を介してＡｒが供給されるので、第１ガス供給管１０１を介して反応室１０内に供給されたＴＭＡが第２ガス供給管１１１に回り込むのを抑制することができる。同様に、Ｏ２暴露期間では、第１ガス供給管１０１を介してＡｒが供給されるので、第２ガス供給管１１１を介して反応室１０内に供給されたＯ２が第１ガス供給管１０１に回り込むのを抑制することができる。
【００９２】
これにより、第１ガス供給管１０１及び第２ガス供給管１１１内で、ＴＭＡとＯ２とが反応して異物が形成されにくくなり、当該異物が基板２に付着するのを抑制することができる。よって、良質な薄膜を形成することができる。
【００９３】
特に、本実施の形態に係る原子層堆積装置１のように、管軸の延長線が基板２の上方を通過するようにガス供給管が設けられている場合には、ガス供給管内に堆積した異物は、ガスの流れに沿って基板２に向かって放出されやすい。つまり、ガス供給管内に異物が堆積された場合は、基板２に向かって異物が放出されて、基板２に異物が付着する可能性が高い。
【００９４】
これに対して、本実施の形態では、ガス供給管内での異物の形成を抑制することができるので、良質な薄膜を形成することができる。
【００９５】
なお、制御部４０は、（ｉ）ＴＭＡを供給しているＴＭＡ暴露期間にＡｒが供給されるように第２ガス供給部１１０を制御することと、（ｉｉ）Ｏ２を供給しているＯ２暴露期間にＡｒが供給されるように第１ガス供給部１００を制御することとの少なくとも一方を行えばよい。この場合でも、第１ガス供給管１０１及び第２ガス供給管１１１の少なくとも一方へのガスの回り込みを抑制することができるので、従来に比べて異物の形成を抑制することができる。
【００９６】
また、例えば、本実施の形態では、原子層堆積装置１は、さらに、反応室１０に接続された第３ガス供給管１２１を有し、第３ガス供給管１２１を介して、Ａｒを反応室１０内に供給する第３ガス供給部１２０を備え、制御部４０は、さらに、ＴＭＡ暴露期間とＯ２暴露期間との間のパージ期間にＡｒが供給されるように、第３ガス供給部１２０を制御する。
【００９７】
これにより、第３不活性ガスを用いて、反応室１０内のガスをパージすることができる。つまり、反応室１０内のガス交換を効率良く行うことができ、薄膜の成膜に要する時間を短くすることができる。したがって、表示パネル基板２００などの生産効率を高めることができる。
【００９８】
また、例えば、本実施の形態では、制御部４０は、さらに、ＴＭＡ暴露期間及びＯ２暴露期間にＡｒが供給されるように、第３ガス供給部１２０を制御する。
【００９９】
このように、ＴＭＡ暴露期間及びＯ２暴露期間では、第３ガス供給管１２１を介してＡｒが供給されるので、ＴＭＡ及びＯ２が第３ガス供給管１２１に回り込むのを抑制することができる。これにより、第３ガス供給管１２１内で、ＴＭＡとＯ２とが反応して異物が形成されて、当該異物が基板２に付着するのを抑制することができ、良質な薄膜を形成することができる。
【０１００】
また、例えば、本実施の形態では、制御部４０は、ＴＭＡ暴露期間及びＯ２暴露期間において、パージ期間よりも小さいガス流量でＡｒが供給されるように、第３ガス供給部１２０を制御してもよい。
【０１０１】
これにより、Ａｒの使用量を抑制することができ、薄膜の製造コストを削減することができる。また、ＴＭＡ暴露期間及びＯ２暴露期間において必要以上に多いＡｒを反応室１０内に供給すると、ＴＭＡが基板２に吸着しにくくなり、また、Ｏ２とＴＭＡとが反応しにくくなる。Ａｒの流量を小さくすることで、薄膜の成膜を効率良く行うことができる。
【０１０２】
また、本実施の形態に係る原子層堆積方法は、原子層堆積装置１を用いて、基板２の上方に薄膜を形成する原子層堆積方法であって、第１ガス供給管１０１を介して、ＴＭＡを反応室１０に供給する第１供給工程と、第２ガス供給管１１１を介して、Ｏ２を反応室１０に供給する第２供給工程と、第１供給工程と第２供給工程とを交互に繰り返す工程とを含み、（ｉ）第２供給工程において、さらに、Ｏ２を供給している期間に第１ガス供給管１０１を介してＡｒを反応室１０に供給することと、（ｉｉ）第１供給工程において、さらに、ＴＭＡを供給している期間に第２ガス供給管１１１を介してＡｒを反応室１０に供給することとの少なくとも一方を行う。
【０１０３】
これにより、上述した原子層堆積装置１と同様に、異物が基板２に付着するのを抑制することができ、良質な薄膜を形成することができる。
【０１０４】
（変形例１）
続いて、実施の形態１の変形例について、図７を用いて説明する。図７は、本変形例に係る原子層堆積装置１ａの構成を示す断面図である。
【０１０５】
図７に示すように、本変形例に係る原子層堆積装置１ａは、実施の形態１に係る原子層堆積装置１と比較して、制御部４０の代わりに制御部４０ａを備える点と、新たに可動式仕切り板６０及び可動式仕切り板６１を備える点とが異なっている。以下では、実施の形態１と異なる点を中心に説明する。
【０１０６】
可動式仕切り板６０は、第１ガス供給管１０１と基板２との間の第１位置と、第３ガス供給管１２１と基板２との間の第３位置とに移動可能な仕切り板である。第１位置は、具体的には、第１ガス供給管１０１の管軸の延長線上の位置であって、第１ガス供給管１０１の流出口と基板２との間の位置である。第３位置は、具体的には、第３ガス供給管１２１の管軸の延長線上の位置であって、第３ガス供給管１２１の流出口と基板２との間の位置である。
【０１０７】
可動式仕切り板６０は、第１位置に位置するときは、第１ガス供給管１０１の流出口を覆い、第３位置に位置するときは、第３ガス供給管１２１の流出口を覆うように設けられている。可動式仕切り板６０は、例えば、第１ガス供給管１０１及び第３ガス供給管１２１の流出口の面積よりも大きい面積を有する。
【０１０８】
可動式仕切り板６１は、第２ガス供給管１１１と基板２との間の第２位置と、第３ガス供給管１２１と基板２との間の第３位置とに移動可能な仕切り板である。第２位置は、具体的には、第２ガス供給管１１１の管軸の延長線上の位置であって、第２ガス供給管１１１の流出口と基板２との間の位置である。
【０１０９】
可動式仕切り板６１は、第２位置に位置するときは、第２ガス供給管１１１の流出口を覆い、第３位置に位置するときは、第３ガス供給管１２１の流出口を覆うように設けられている。可動式仕切り板６１は、例えば、第２ガス供給管１１１及び第３ガス供給管１２１の流出口の面積よりも大きい面積を有する。
【０１１０】
制御部４０ａは、制御部４０の動作に加えて、可動式仕切り板６０及び可動式仕切り板６１の動作を制御する。以下では、制御部４０ａの動作について、図８Ａ〜図８Ｃを用いて説明する。
【０１１１】
図８Ａは、本変形例に係る原子層堆積装置１ａによるＴＭＡ供給時（ＴＭＡ暴露期間）の他のガスの供給状態を示す図である。図８Ｂは、本変形例に係る原子層堆積装置１ａによるＡｒ供給時（パージ期間）の他のガスの供給状態を示す図である。図８Ｃは、本変形例に係る原子層堆積装置１ａによるＯ２供給時（Ｏ２暴露期間）の他のガスの供給状態を示す図である。
【０１１２】
ＴＭＡ暴露期間では、図８Ａに示すように、可動式仕切り板６０は、第３位置に位置し、可動式仕切り板６１は、第２位置に位置する。具体的には、制御部４０ａは、バルブ１０２などの開閉を切り替えるのと同時に、可動式仕切り板６０及び可動式仕切り板６１を移動させる。
【０１１３】
これにより、ＴＭＡ暴露期間において、可動式仕切り板６０は、第３ガス供給管１２１を介して供給されるＡｒが基板２に向かって流れにくくすることができる。また、可動式仕切り板６１は、第２ガス供給管１１１を介して供給されるＡｒが基板２に向かって流れにくくすることができる。
【０１１４】
パージ期間では、図８Ｂに示すように、可動式仕切り板６０は、第１位置に位置し、可動式仕切り板６１は、第２位置に位置する。具体的には、制御部４０ａは、バルブ１０２などの開閉を切り替えるのと同時に、可動式仕切り板６０及び可動式仕切り板６１を移動させる。
【０１１５】
これにより、パージ期間において、可動式仕切り板６０及び可動式仕切り板６１は、第３ガス供給管１２１から供給されるＡｒが、排気口１１に向かうのを妨げにくくすることができる。つまり、パージ用のガス（Ａｒ）が、基板２の上方のガス（ＴＭＡ及びＯ２）をスムーズに排出することを妨げにくくすることができる。
【０１１６】
なお、パージ期間では、可動式仕切り板６０及び可動式仕切り板６１は、第１位置、第２位置及び第３位置のいずれにも位置しなくてもよい。言い換えると、可動式仕切り板６０及び可動式仕切り板６１は、第１ガス供給管１０１、第２ガス供給管１１１及び第３ガス供給管１２１のいずれの流出口も覆っていなくてもよい。
【０１１７】
Ｏ２暴露期間では、図８Ｃに示すように、可動式仕切り板６０は、第１位置に位置し、可動式仕切り板６１は、第３位置に位置する。具体的には、制御部４０ａは、バルブ１０２などの開閉を切り替えるのと同時に、可動式仕切り板６０及び可動式仕切り板６１を移動させる。
【０１１８】
これにより、Ｏ２暴露期間において、可動式仕切り板６０は、第１ガス供給管１０１を介して供給されるＡｒが基板２に向かって流れにくくすることができる。また、可動式仕切り板６１は、第３ガス供給管１２１を介して供給されるＡｒが基板２に向かって流れにくくすることができる。
【０１１９】
以上のように、Ａｒが基板２に向かって流れにくくなるので、ＴＭＡの基板２への吸着、及び、吸着したＴＭＡとＯ２との反応をＡｒが妨げにくくなる。したがって、薄膜（アルミナ膜）の成膜を効率良く行うことができる。
【０１２０】
なお、本変形例では、原子層堆積装置１ａが２枚の可動式仕切り板を備える例について示したが、原子層堆積装置１ａは、１枚の可動式仕切り板を備えてもよい。例えば、１枚の可動式仕切り板は、ＴＭＡ暴露期間において第２位置に位置し、Ｏ２暴露期間において第１位置に位置すればよい。つまり、本変形例に係る原子層堆積装置１ａは、例えば、さらに、第１ガス供給管１０１と基板２との間の第１位置と、第２ガス供給管１１１と基板２との間の第２位置との少なくとも一方に移動可能な可動式仕切り板を備え、可動式仕切り板は、Ｏ２暴露期間に第１位置に位置する、又は、ＴＭＡ暴露期間に第２位置に位置してもよい。
【０１２１】
これにより、ＴＭＡ暴露期間において、第２ガス供給管１１１を介して反応室１０内に供給されるＡｒは、可動式仕切り板によって基板２に向かって流れにくくなる。したがって、ＴＭＡ暴露期間において、Ａｒは、基板２へのＴＭＡの吸着を妨げにくくなる。
【０１２２】
また、Ｏ２暴露期間において、第１ガス供給管１０１を介して反応室１０内に供給されるＡｒは、可動式仕切り板によって基板２に向かって流れにくくなる。したがって、Ｏ２暴露期間において、Ａｒは、基板２に吸着したＴＭＡとＯ２との反応を妨げにくくなる。
【０１２３】
よって、薄膜（アルミナ膜）の成膜を効率良く行うことができる。
【０１２４】
あるいは、本変形例に係る原子層堆積装置１ａでは、３枚の可動式仕切り板を備えてもよい。３枚の可動式仕切り板は、第１ガス供給管１０１、第２ガス供給管１１１及び第３ガス供給管１２１の各々に対応する。つまり、３枚の可動式仕切り板は、第１位置、第２位置及び第３位置の各々に移動可能であり、第１ガス供給管１０１、第２ガス供給管１１１及び第３ガス供給管１２１の各々の流出口を覆うことができる。
【０１２５】
（変形例２）
続いて、実施の形態１の変形例２について、図９を用いて説明する。図９は、本変形例に係る原子層堆積装置１ｂの構成を示す断面図である。
【０１２６】
図９に示すように、本変形例に係る原子層堆積装置１ｂは、実施の形態１に係る原子層堆積装置１と比較して、制御部４０及び第３ガス供給部１２０の代わりに、制御部４０ｂ及び第３ガス供給部１２０ｂを備える点が異なっている。以下では、実施の形態１と異なる点を中心に説明する。
【０１２７】
上記の実施の形態１では、パージ用ガスとしてＡｒを利用したが、パージ用ガスは、窒素ガス（Ｎ２）でもよい。本変形例では、ガスの回り込み用のガスは、実施の形態１と同様に、Ａｒを利用し、パージ用ガスとしては、Ｎ２を利用する。
【０１２８】
第３ガス供給部１２０ｂは、反応室１０に接続された第３ガス供給管１２１ｂを有し、第３ガス供給管１２１ｂを介して、アルゴンガス（Ａｒ）及び窒素ガス（Ｎ２）を反応室１０内に供給する。本実施の形態では、第３ガス供給部１２０ｂは、さらに、バルブ１２２ｂ及びバルブ１２３ｂを有する。
【０１２９】
第３ガス供給管１２１ｂは、Ａｒ及びＮ２を供給するための配管である。第３ガス供給管１２１ｂは、例えば、２つの流入口と１つの流出口とを有する二叉の配管である。２つの流入口には、Ｎ２供給源５４ｂ及びＡｒ供給源５５ｂが接続され、流出口は、反応室１０に接続されている。
【０１３０】
バルブ１２２ｂは、Ｎ２供給源５４ｂと第３ガス供給管１２１ｂの分岐部との間に設けられている。バルブ１２２ｂは、制御部４０ｂによって開閉が制御されて、反応室１０内へのＮ２の供給が制御される。具体的には、制御部４０ｂは、バルブ１２２ｂの開閉量を制御することで、Ｎ２の供給の開始及び停止、並びに、その供給量を制御する。
【０１３１】
ここで、Ｎ２供給源５４ｂは、Ｎ２のガス源である。また、Ｎ２は、パージ用の第３不活性ガスの一例であり、ＴＭＡ及びＯ２との反応性が低いガスである。
【０１３２】
バルブ１２３ｂは、Ａｒ供給源５５ｂと第３ガス供給管１２１ｂの分岐部との間に設けられている。バルブ１２３ｂは、制御部４０ｂによって開閉が制御されて、反応室１０内へのＡｒの供給が制御される。具体的には、制御部４０ｂは、バルブ１２３ｂの開閉量を制御することで、Ａｒの供給の開始及び停止、並びに、その供給量を制御する。
【０１３３】
ここで、Ａｒ供給源５５ｂは、Ａｒのガス源である。また、Ａｒ供給源５５ｂが供給するＡｒは、ＴＭＡなどの他のガスの回り込みを抑制するための不活性ガスの一例であり、ＴＭＡ及びＯ２とはほとんど反応しないガスである。
【０１３４】
なお、バルブ１２２ｂは、Ｎ２供給源５４ｂと第３ガス供給管１２１ｂとの接続部に設けられてもよく、バルブ１２３ｂは、Ａｒ供給源５５ｂと第３ガス供給管１２１ｂとの接続部に設けられてもよい。
【０１３５】
ここで、Ｎ２は、Ａｒに比べて、アルミニウム（Ａｌ）と反応しやすい。したがって、特に、ＴＭＡ暴露期間及びＯ２暴露期間に流す回り込み抑制用のガスとしては、Ａｒの方がＮ２よりも好ましい。一方で、パージ用のガスとして、安価なＮ２を利用することで、製造コストを削減することができる。
【０１３６】
（実施の形態２）
続いて、実施の形態２に係る原子層堆積装置について、図１０〜図１２を用いて説明する。
【０１３７】
［１．原子層堆積装置の構成］
図１０及び図１１は、本実施の形態に係る原子層堆積装置３の構成を示す断面図である。
【０１３８】
図１０に示すように、原子層堆積装置３は、図１に示す実施の形態１に係る原子層堆積装置１と比較して、ガス供給管が設けられている位置が異なっている。具体的には、図１０及び図１１に示すように、原子層堆積装置３は、第１ガス供給部３００と、第２ガス供給部３１０と、第３ガス供給部３２０と、制御部３４０とを備える。
【０１３９】
第１ガス供給部３００は、反応室１０に接続された第１ガス供給管３０１を有し、第１ガス供給管３０１を介して、ＴＭＡを反応室１０に供給する。本実施の形態では、第１ガス供給部３００は、さらに、バルブ３０２を有する。
【０１４０】
第１ガス供給管３０１は、ＴＭＡを供給するための配管である。第１ガス供給管３０１は、例えば、１つの流入口と１つの流出口とを有する分岐しない配管である。１つの流入口には、ＴＭＡ供給源５０が接続され、流出口は、反応室１０に接続されている。
【０１４１】
第１ガス供給管３０１の管軸の延長線は、基板２の上方を通らない。具体的には、第１ガス供給管３０１の管軸は、基板２の法線方向（Ｚ軸方向）に平行であり、基板２の側方を通過する。
【０１４２】
バルブ３０２は、第１ガス供給管３０１に設けられている。なお、バルブ３０２は、ＴＭＡ供給源５０と第１ガス供給管３０１との接続部に設けられてもよい。バルブ３０２は、制御部３４０によって開閉が制御されて、反応室１０内へのＴＭＡの供給が制御される。具体的には、制御部３４０は、バルブ３０２の開閉量を制御することで、第１ガス供給管３０１を介したＴＭＡの供給の開始及び停止、並びに、その供給量を制御する。
【０１４３】
第２ガス供給部３１０は、反応室１０に接続された第２ガス供給管３１１を有し、第２ガス供給管３１１を介して、Ｏ２を反応室１０に供給する。本実施の形態では、第２ガス供給部３１０は、さらに、バルブ３１２を有する。
【０１４４】
第２ガス供給管３１１は、Ｏ２を供給するための配管である。第２ガス供給管３１１は、例えば、１つの流入口と１つの流出口とを有する分岐しない配管である。１つの流入口には、Ｏ２供給源５１が接続され、流出口は、反応室１０に接続されている。
【０１４５】
第２ガス供給管３１１の管軸の延長線は、基板２の上方を通らない。具体的には、第２ガス供給管３１１の管軸は、基板２の法線方向（Ｚ軸方向）に平行であり、基板２の側方を通過する。
【０１４６】
バルブ３１２は、第２ガス供給管３１１に設けられている。なお、バルブ３１２は、Ｏ２供給源５１と第２ガス供給管３１１との接続部に設けられてもよい。バルブ３１２は、制御部３４０によって開閉が制御されて、反応室１０内へのＯ２の供給が制御される。具体的には、制御部３４０は、バルブ３１２の開閉量を制御することで、第２ガス供給管３１１を介したＯ２の供給の開始及び停止、並びに、その供給量を制御する。
【０１４７】
第３ガス供給管３２１は、Ａｒを供給するための配管である。第３ガス供給管３２１は、例えば、１つの流入口と１つの流出口とを有する分岐しない配管である。１つの流入口には、Ａｒ供給源５４が接続され、流出口は、反応室１０に接続されている。
【０１４８】
第３ガス供給管３２１の管軸の延長線は、基板２の上方を通らない。具体的には、第３ガス供給管３２１の管軸は、基板２の法線方向（Ｚ軸方向）に平行であり、基板２の側方を通過する。
【０１４９】
バルブ３２２は、第３ガス供給管３２１に設けられている。なお、バルブ３２２は、Ａｒ供給源５４と第３ガス供給管３２１との接続部に設けられてもよい。バルブ３２２は、制御部３４０によって開閉が制御されて、反応室１０内へのＡｒの供給が制御される。具体的には、制御部３４０は、バルブ３２２の開閉量を制御することで、第３ガス供給管３２１を介したＡｒの供給の開始及び停止、並びに、その供給量を制御する。
【０１５０】
制御部３４０は、例えば、プログラムを内蔵するマイコンなどであり、原子層堆積装置３の動作を制御する処理部である。本実施の形態では、制御部３４０は、第１ガス供給部３００、第２ガス供給部３１０及び第３ガス供給部３２０を制御する。例えば、制御部３４０は、ＴＭＡとＯ２とが反応室１０内に交互に供給されるように、第１ガス供給部３００及び第２ガス供給部３１０を制御する。
【０１５１】
具体的には、制御部３４０は、第１期間（ＴＭＡ暴露期間）には、バルブ３０２を開けて、バルブ３１２及びバルブ３２２を閉じることで、反応室１０内に、第１ガス供給管３０１を介してＴＭＡのみを供給する。また、制御部３４０は、第２期間（Ｏ２暴露期間）には、バルブ３１２を開けて、バルブ３０２及びバルブ３２２を閉じることで、反応室１０内に、第２ガス供給管３１１を介してＯ２のみを供給する。このとき、制御部３４０は、プラズマ発生源２０を制御することで、反応室１０内に酸素プラズマを発生する。
【０１５２】
また、制御部３４０は、第１期間と第２期間との間の第３期間（パージ期間）に、バルブ３２２を開けて、バルブ３０２及びバルブ３１２を閉じることで、反応室１０内に、第３ガス供給管３２１を介してＡｒのみを供給する。反応室１０内に供給されたＡｒに押し出されるようにして、ＴＭＡ期間に反応室１０内に供給されたＴＭＡを、排気口１１及び排気口１２から廃棄する。
【０１５３】
なお、本実施の形態では、ＴＭＡとＯ２とを交互に供給するので、パージ期間は、ＴＭＡを供給した後で、かつ、Ｏ２を供給する前の期間と、Ｏ２を供給した後で、かつ、ＴＭＡを供給する前の期間とを含む。つまり、図３に示すステップＳ２０及びステップＳ５０に相当する。
【０１５４】
［２．効果など］
続いて、本実施の形態に係る原子層堆積装置３による効果について、図１２を用いて説明する。図１２は、本実施の形態に係る原子層堆積装置３による効果を説明するための図である。具体的には、図１２は、ガス供給管の流出口の近傍を示している。
【０１５５】
本実施の形態では、例えば、ＴＭＡ暴露期間に、他のガス供給管（具体的には、第２ガス供給管３１１及び第３ガス供給管３２１）を介して気体を供給していない。つまり、他のガス供給管には気流が形成されないので、反応室１０内に供給されたＴＭＡは、他のガス供給管に回り込む恐れがある。同様に、Ｏ２暴露期間においても、反応室１０内に供給されたＯ２は、他のガス供給管に回り込む恐れがある。
【０１５６】
したがって、第１ガス供給管３０１、第２ガス供給管３１１及び第３ガス供給管３２１の各々には、図１２に示すように、流出口の近傍に生成物３３０が形成される場合がある。形成された生成物３３０（アルミナ膜）は、徐々に厚膜化し、ガスの圧力などによって反応室１０内に異物３３１として放出される。
【０１５７】
このとき、本実施の形態では、第１ガス供給管３０１、第２ガス供給管３１１及び第３ガス供給管３２１の各々の管軸の延長線は、基板２の上方を通らない。具体的には、図１２に示すように、当該管軸の延長線は、Ｚ軸方向に平行で、かつ、基板２の側方を通過する。
【０１５８】
したがって、図１２に示すように、第１ガス供給管３０１、第２ガス供給管３１１及び第３ガス供給管３２１のいずれかから放出された異物３３１は、基板２の主面に付着することなく、図１２の破線の矢印で示すように、基板２の側方を通過して、排気口１２から放出される。
【０１５９】
このように、本実施の形態に係る原子層堆積装置３は、ＡＬＤを用いて基板２の上方に薄膜を形成する原子層堆積装置３であって、基板２が配置される反応室１０と、反応室１０に接続された第１ガス供給管３０１を有し、第１ガス供給管３０１を介して、ＴＭＡを反応室１０内に供給する第１ガス供給部３００と、反応室１０に接続された第２ガス供給管３１１を有し、第２ガス供給管３１１を介して、ＴＭＡと反応して薄膜を形成するＯ２を反応室１０内に供給する第２ガス供給部３１０とを備え、第１ガス供給管３０１及び第２ガス供給管３１１の各々の管軸の延長線は、基板２の上方を通らない。
【０１６０】
これにより、ガス供給管内に生成物３３０が形成されて、異物３３１として反応室１０内に放出されたとしても、ガス供給管の管軸の延長線が基板２の上方を通過しないので、異物３３１は、基板２に向けて放出されない。したがって、異物３３１は、基板２に付着しにくい。よって、本実施の形態によれば、基板２の上方に良質な薄膜を形成することができる。
【０１６１】
なお、本実施の形態では、第１ガス供給管３０１及び第２ガス供給管３１１の少なくとも一方の管軸の延長線が基板２の上方を通らなければよい。この場合でも、第１ガス供給管３０１及び第２ガス供給管３１１の両方の管軸の延長線が基板２の上方を通る場合に比べて、異物３３１の基板２への付着を低減することができる。
【０１６２】
なお、本実施の形態では、第１ガス供給管３０１、第２ガス供給管３１１及び第３ガス供給管３２１の各々の流出口は、図１０及び図１１に示すように、基板２の斜め上方に設けられているが、これに限らない。例えば、第１ガス供給管３０１、第２ガス供給管３１１及び第３ガス供給管３２１の各々の流出口は、基板２の下方に設けられていてもよい。この場合、基板２の主面（薄膜を形成する面）へのガスの供給効率は低下する恐れはあるものの、各ガス供給管内に生成される生成物３３０が基板２に付着する可能性をより低減することができる。
【０１６３】
（実施の形態３）
続いて、実施の形態３に係る原子層堆積装置について、図１３及び図１４を用いて説明する。
【０１６４】
［１．原子層堆積装置の構成］
図１３は、本実施の形態に係る原子層堆積装置４の構成を示す断面図である。
【０１６５】
図１３に示すように、原子層堆積装置４は、図１０及び図１１に示す実施の形態２に係る原子層堆積装置３と比較して、ガス供給管が設けられている位置が異なっている。具体的には、図１３に示すように、第１ガス供給管４０１、第２ガス供給管４１１及び第３ガス供給管１２１は、実施の形態１と同様に、基板２の側方に設けられている。
【０１６６】
本実施の形態では、原子層堆積装置４は、第１ガス供給部４００、第２ガス供給部４１０及び第３ガス供給部１２０を備える。また、本実施の形態に係る原子層堆積装置４は、仕切り板４６０及び仕切り板４６１を備える。
【０１６７】
第１ガス供給部４００は、反応室１０に接続された第１ガス供給管４０１を有し、第１ガス供給管４０１を介して、ＴＭＡを反応室１０に供給する。本実施の形態では、第１ガス供給部４００は、さらに、バルブ３０２を有する。
【０１６８】
第１ガス供給管４０１は、ＴＭＡを供給するための配管である。第１ガス供給管４０１は、例えば、実施の形態２に係る第１ガス供給管３０１と同じ形状である。第１ガス供給管４０１の管軸の延長線は、基板２の上方に向かって延伸されて、仕切り板４６０によって遮断される。つまり、第１ガス供給管４０１の管軸の延長線は、基板２の上方を通過するように延伸しているものの、仕切り板４６０によって遮断されることにより、基板２の上方を通過しない。
【０１６９】
第２ガス供給部４１０は、反応室１０に接続された第２ガス供給管４１１を有し、第２ガス供給管４１１を介して、Ｏ２を反応室１０に供給する。本実施の形態では、第２ガス供給部４１０は、さらに、バルブ３０２を有する。
【０１７０】
第２ガス供給管４１１は、Ｏ２を供給するための配管である。第２ガス供給管４１１は、例えば、実施の形態２に係る第２ガス供給管３１１と同じ形状である。第２ガス供給管４１１の管軸の延長線は、基板２の上方に向かって延伸されて、仕切り板４６１によって遮断される。つまり、第２ガス供給管４１１の管軸の延長線は、基板２の上方を通過するように延伸しているものの、仕切り板４６１によって遮断されることにより、基板２の上方を通過しない。
【０１７１】
仕切り板４６０は、第１ガス供給管４０１の反応室１０への流出口と基板２との間に設けられて、第１ガス供給管４０１の管軸の延長線が基板２の上方を通らないように遮断する。仕切り板４６０は、例えば、第１ガス供給管４０１の流出口の面積よりも大きい面積を有する。
【０１７２】
仕切り板４６１は、第２ガス供給管４１１の反応室１０への流出口と基板２との間に設けられて、第２ガス供給管４１１の管軸の延長線が基板２の上方を通らないように遮断する。仕切り板４６１は、例えば、第２ガス供給管４１１の流出口の面積よりも大きい面積を有する。
【０１７３】
なお、本実施の形態では、原子層堆積装置４が２枚の仕切り板４６０及び４６１を備える例について示したが、仕切り板４６０及び４６１は、１枚の仕切り板から構成されてもよい。また、原子層堆積装置４は、さらに、第３ガス供給部１２０に対応する仕切り板を備えてもよい。
【０１７４】
［２．効果など］
続いて、本実施の形態に係る原子層堆積装置４による効果について、図１４を用いて説明する。図１４は、本実施の形態に係る原子層堆積装置４による効果を説明するための図である。具体的には、図１４は、ガス供給管の流出口の近傍を示している。
【０１７５】
本実施の形態では、例えば、ＴＭＡ暴露期間に、他のガス供給管（具体的には、第２ガス供給管４１１及び第３ガス供給管１２１）を介して気体を供給していない。つまり、他のガス供給管には気流が形成されないので、反応室１０内に供給されたＴＭＡは、他のガス供給管に回り込む恐れがある。同様に、Ｏ２暴露期間においても、反応室１０内に供給されたＯ２は、他のガス供給管に回り込む恐れがある。
【０１７６】
したがって、第１ガス供給管４０１及び第２ガス供給管４１１の各々には、図１４に示すように、流出口の近傍に生成物４３０（アルミナ膜）が形成される場合がある。形成された生成物４３０は、徐々に厚膜化し、ガスの圧力などによって反応室１０に異物４３１として放出される。
【０１７７】
このとき、本実施の形態では、第１ガス供給管４０１及び第２ガス供給管４１１の各々の管軸の延長線は、基板２の上方を通らない。具体的には、図１４に示すように、当該管軸の延長線上には、仕切り板４６０及び４６１が設けられている。
【０１７８】
したがって、図１４に示すように、第１ガス供給管４０１及び第２ガス供給管４１１のいずれかから放出された異物４３１は、仕切り板４６０又は４６１にぶつかり、基板２の主面に付着することなく、図１４の破線の矢印で示すように、基板２の側方を通過して下方に落下する。
【０１７９】
このように、本実施の形態では、原子層堆積装置４は、さらに、第１ガス供給管４０１及び第２ガス供給管４１１の各々の反応室１０内への流出口と基板２との間に設けられて、第１ガス供給管４０１及び第２ガス供給管４１１の各々の管軸の延長線が基板２の上方を通らないように遮断する仕切り板４６０又は４６１を備える。
【０１８０】
これにより、ガス供給管内に生成物４３０が形成されて、異物４３１として反応室１０内に放出されたとしても、ガス供給管の管軸の延長線上に仕切り板４６０及び４６１が設けられているので、異物４３１は、基板２に向けて放出されない。したがって、異物４３１は、基板２に付着しにくい。よって、本実施の形態によれば、基板２の上方に良質な薄膜を形成することができる。
【０１８１】
（他の実施の形態）
以上のように、本出願において開示する技術の例示として、実施の形態を説明した。しかしながら、本開示における技術は、これに限定されず、適宜、変更、置き換え、付加、省略などを行った実施の形態にも適用可能である。また、上記実施の形態で説明した各構成要素を組み合わせて、新たな実施の形態とすることも可能である。
【０１８２】
そこで、以下では、他の実施の形態を例示する。
【０１８３】
例えば、上記実施の形態では、パージ用の第３不活性ガスを供給するための第３ガス供給管１２１を有する第３ガス供給部１２０を備える例について示したが、これに限らない。例えば、第１ガス供給管１０１及び第２ガス供給管１１１の少なくとも一方を介して、第１不活性ガス及び第２不活性ガスの少なくとも一方をパージ用のガスとして、反応室１０内に供給してもよい。また、第１ガス供給管１０１及び第２ガス供給管１１１の少なくとも一方は、３つの流入口を有する三叉の配管でもよい。３つの流入口にはそれぞれ、薄膜を形成するための第１ガス又は第２ガスの供給源と、反応性ガスの回り込みを抑制するための第１不活性ガス又は第２不活性ガスの供給源と、パージ用の第３不活性ガスの供給源とが接続されていてもよい。
【０１８４】
また、例えば、上記実施の形態では、第１ガス及び第２ガスの一例として、それぞれＴＭＡ及びＯ２を示したが、これに限らない。例えば、第１ガスは、トリスジメチルアミノアルミニウム（ＴＤＭＡＡ）でもよく、第２ガスは、水蒸気（Ｈ２Ｏ）又はアンモニア（ＮＨ３）でもよい。
【０１８５】
また、例えば、上記実施の形態では、基板２の上方に形成する薄膜として、アルミナを示したが、これに限らない。例えば、薄膜は、シリコン酸化膜（ＳｉＯ）、チタン酸化膜（ＴｉＯ）などの酸化膜でもよい。あるいは、薄膜は、酸化膜に限らず、シリコン窒化膜などの窒化膜などの化合物からなる薄膜でもよい。例えば、シリコン窒化膜を成膜する場合、第１ガスとして、オクタデシルトリクロロシラン（ＯＴＳ）、第２ガスとしてＮＨ３を利用することができる。その他、第１ガス及び第２ガスは、成膜する薄膜に応じて適切なガスを利用することができる。
【０１８６】
また、例えば、上記実施の形態では、不活性ガスの一例として、Ａｒを示したが、これに限らない。例えば、不活性ガスは、ヘリウム（Ｈｅ）、ネオン（Ｎｅ）などの他の希ガスでもよい。
【０１８７】
以上のように、本開示における技術の例示として、実施の形態を説明した。そのために、添付図面及び詳細な説明を提供した。
【０１８８】
したがって、添付図面及び詳細な説明に記載された構成要素の中には、課題解決のために必須な構成要素だけでなく、上記技術を例示するために、課題解決のためには必須でない構成要素も含まれ得る。そのため、それらの必須ではない構成要素が添付図面や詳細な説明に記載されていることをもって、直ちに、それらの必須ではない構成要素が必須であるとの認定をするべきではない。
【０１８９】
また、上述の実施の形態は、本開示における技術を例示するためのものであるから、特許請求の範囲又はその均等の範囲において種々の変更、置き換え、付加、省略などを行うことができる。
【産業上の利用可能性】
【０１９０】
本開示に係る原子層堆積装置及び原子層堆積方法は、例えば、薄膜を有するＴＦＴなどの半導体装置の製造装置及び製造方法などに利用することができる。
【符号の説明】
【０１９１】
１、１ａ、１ｂ、３、４  原子層堆積装置
２  基板
１０  反応室
１１、１２  排気口
２０  プラズマ発生源
３０  加熱装置
４０、４０ａ、４０ｂ、３４０  制御部
５０  ＴＭＡ供給源
５１  Ｏ２供給源
５２、５３、５４、５５ｂ  Ａｒ供給源
５４ｂ  Ｎ２供給源
６０、６１  可動式仕切り板
１００、３００、４００  第１ガス供給部
１０１、３０１、４０１  第１ガス供給管
１０２、１０３、１１２、１１３、１２２、１２２ｂ、１２３ｂ、３０２、３１２、３２２  バルブ
１１０、３１０、４１０  第２ガス供給部
１１１、３１１、４１１  第２ガス供給管
１２０、１２０ｂ、３２０  第３ガス供給部
１２１、１２１ｂ、３２１  第３ガス供給管
２００  表示パネル基板
２１０  ＴＦＴ基板
２２０  有機ＥＬ素子
２３０  アルミナ膜
２４０  シリコン窒化膜
２５０  樹脂封止膜
３３０、４３０  生成物
３３１、４３１  異物
４６０、４６１  仕切り板
【図１】
2016094653.tif 000003
【図２】
2016094653.tif 000004
【図３】
2016094653.tif 000005
【図４】
2016094653.tif 000006
【図５Ａ】
2016094653.tif 000007
【図５Ｂ】
2016094653.tif 000008
【図５Ｃ】
2016094653.tif 000009
【図６】
2016094653.tif 000010
【図７】
2016094653.tif 000011
【図８Ａ】
2016094653.tif 000012
【図８Ｂ】
2016094653.tif 000013
【図８Ｃ】
2016094653.tif 000014
【図９】
2016094653.tif 000015
【図１０】
2016094653.tif 000016
【図１１】
2016094653.tif 000017
【図１２】
2016094653.tif 000018
【図１３】
2016094653.tif 000019
【図１４】
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