(57)【要約】【課題】フォトマスクに接着剤を介して固定されたペリクルをフォトマスクから分離する際に、接着剤残渣をフォトマスク上に残すこと無く剥離する手段の提供である。【解決手段】石英基板５上に遮光膜パターンが形成されたフォトマスク１００に、ペリクル１が張設されたフレーム２を接着剤３を介して遮光膜４上に接着したペリクル付きフォトマスク２００からフレームごとペリクル１を剥離する方法であって、波長が２００ｎｍ以上のレーザ光をフォトマスク側からフレーム２裏面の遮光膜４に照射して石英基板１と遮光膜４の接合を弱めてからフレーム２とフォトマスクを引き離すことを特徴とするペリクルの剥離方法である。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
石英基板上に遮光膜パターンが形成されたフォトマスクにペリクルが張設されたフレームを接着剤を介して遮光膜上に接着したペリクル付きフォトマスクから、フレームごとペリクルを剥離する方法であって、
波長が２００ｎｍ以上のレーザ光をフォトマスク側からフレーム裏面の遮光膜に照射して石英基板と遮光膜の接合を弱めてから、フレームとフォトマスクを引き離すことを特徴とするペリクルの剥離方法。
【請求項２】
前記遮光膜は、金属、金属酸化膜、金属酸化窒化膜がこの順に積層されていることを特徴とする請求項1に記載のペリクルの剥離方法。
【請求項３】
前記レーザ光の波長は、ＹＡＧレーザの第３高調波（３５５ｎｍ）もしくは第４高調波（２６６ｎｍ）であることを特徴とする請求項1又は請求項２に記載のペリクルの剥離方法。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の剥離方法によりペリクルを取り外したフォトマスクの再生方法であって、遮光膜が剥離された部位に改めて遮光膜を成膜してから、ペリクルが張設されたフレームを接着剤を介して遮光膜上に接着することを特徴とするペリクル付きフォトマスクの再生方法。
【請求項５】
前記遮光膜は、Ｓｉ２Ｈ６ガスとＣ２Ｈ２ガスとＨ２（水素）の混合ガスにＹＡＧレーザの第三高調波（３５５ｎｍ）を照射して光ＣＶＤ作用により堆積させることを特徴とする請求項４に記載のペリクル付きフォトマスクの再生方法。
【請求項６】
前記遮光膜は、フェナントレン（Ｃ１４Ｈ１０）、クロムカルボニル（Ｃｒ（ＣＯ）６）、タングステンカルボニル（Ｗ（ＣＯ）6）、フッ化タングステン（ＷＦ6）、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）のいずれかのガスもしくは混合ガスに電子線を照射して堆積させることを特徴とする請求項４に記載のペリクル付きフォトマスクの再生方法。
【請求項７】
前記遮光膜は、フェナントレン（Ｃ１４Ｈ１０）、タングステンカルボニル（Ｗ（ＣＯ）6）、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）のいずれかのガスもしくは混合ガスに集束型イオンビームを照射して堆積させることを特徴とする請求項４に記載のペリクル付きフォトマスクの再生方法。
【請求項８】
前記遮光膜は、フェナントレン（Ｃ１４Ｈ１０）、ベンゼン（Ｃ６Ｈ６）、スチレン（Ｃ８Ｈ８）、ナフタレン（Ｃ１０Ｈ８）、ピレン（Ｃ１６Ｈ１０）から選ばれた炭化水素系のガス、タングステンカルボニル（Ｗ（ＣＯ）6）、フッ化タングステン（ＷＦ6）、クロムカルボニル（Ｃｒ（ＣＯ）6）、コバルトカルボニル（Ｃｏ2（ＣＯ）8）、鉄カルボニル（Ｆｅ（ＣＯ）5）、Ｔｒｉｍｅｔｈｙｌ（ｍｅｔｈｙｌｃｙｃｌｏｐｅｎｔａｄｉｅｎｙｌ）ｐｌａｔｉｎｕｍ（ＭｅＣｐＰｔ（Ｍｅ）3）から選ばれた金属含有ガス、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）、１，３，５，７−Ｔｅｔｒａｍｅｔｈｙｌｃｙｃｌｏｔｅｔｒａ−Ｓｉｌｏｘａｎｅから選ばれたシリコーン含有ガスのいずれかに集束型イオンビームを照射して堆積させることを特徴とする請求項４に記載のペリクル付きフォトマスクの再生方法。
【請求項９】
ペリクル付きフォトマスクを台座付きステージに搭載するためのローダー機構と、
フォトマスク環境を減圧にするための真空置換機構と、
カメラとレーザ光源を備えるペリクル剥離機構と、
機器制御機構と、を有することを特徴とするペリクル剥離装置。
【請求項１０】
ペリクル付きフォトマスクを台座付きステージに搭載するためのローダー機構と、
フォトマスク環境を減圧にするための真空置換機構と、
カメラとレーザ光源とガス供給部を備える遮光膜堆積機構と、
機器制御機構と、を有することを特徴とする遮光膜堆積装置。
【請求項１１】
ペリクル付きフォトマスクを台座付きステージに搭載するためのローダー機構と、
フォトマスク環境を減圧にするための真空置換機構と、
カメラとレーザ光源を備えるペリクル剥離機構と、
請求項１０に記載の遮光膜堆積機構と、を備えることを特徴とするペリクル剥離装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体デバイスを製造する際に使用するフォトマスクに係り、特には、マスクに付着する塵を防ぐ防塵用ぺリクルのフォトマスク本体からの剥離方法とその後のフォトマスク全体の再生技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体集積回路やディスプレイでは性能及び生産性を向上させるために回路の微細化、高集積化が進んでおり、回路パターンを形成するためのリソグラフィ技術についても、より微細なパターンを高精度に形成するための技術開発が進められている。
しかしながら回路パターンが微細化する以前は見過ごされてきた塵埃も、微細化により異物化しフォトマスクのパターン上に付着すると製造歩留まりの低下をきたす。そのため、異物の付着を防止するためのペリクルと呼ばれる防塵カバーがフォトマスク上に設けられている。
【０００３】
ペリクル自体の基本的な構成は、一般にはアルミ等の金属を黒色アルマイト処理した中央が開口したフレームの片側に光源波長に対して透明な樹脂が張設された構成である。透明樹脂にはニトロセルロース、酢酸セルロース、フッ素系ポリマーなどが用いられる。樹脂が張設されたフレーム面の反対側のフレームに接着剤が塗布されてフォトマスクに接着する。接着剤はポリブデン樹脂、ポリ酢酸ビニル樹脂、アクリル樹脂やシリコーン樹脂等からなる樹脂材料が用いられる。尚、フォトマスクに装着する前は樹脂面にライナーと呼ばれる保護膜が設けられる。
【０００４】
ペリクルは一旦フォトマスクに装着された後でも剥離することが必要となる場合がある。例えば、ペリクルをフォトマスクに装着した際、正しい位置に装着できなかったり、装着時に樹脂膜に皺や破れが生じたりする場合である。また、露光装置での使用により樹脂膜が光照射により劣化して、光源波長に対して所定の透過率が維持出来なくなるなど、寿命によりペリクルの交換が必要な場合がある。
【０００５】
上記の理由によりペリクルを交換する必要がある場合、従来は熱により接着剤を軟化させて機械的に引っ張り、フレームとフォトマスクを引き離す方法（特許文献１）や波長２００ｎｍ以下の紫外線の照射により接着剤を劣化させて引き離しやすくしてから引き剥がす技術と関連装置（特許文献２）が開発されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００８−３０４８８６号公報
【特許文献２】特開２００９−３０１０２２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上記手段でペリクルを剥がして交換しペリクル付きフォトマスクとして再利用する場合、フォトマスク面に接着剤の残渣を残さずに剥離することは困難であった。そのため残渣物質を洗浄により分解・溶解する工法が採用されてきた。
その際、分解物質や溶解物質がフォトマスク上の遮光パターンが形成された領域に残置する場合があり、本来保護すべき遮光パターン領域を汚染させるという不具合が発生するという問題があった。
【０００８】
本発明はこの点に鑑みてなされたもので、本発明の課題は、フォトマスクに接着剤を介して固定されたペリクルをフォトマスクから分離する際に、接着剤及び接着剤残渣をフォトマスク上に残すこと無く剥離する手段およびフォトマスクの再生方法の提供である。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を達成するための請求項1に記載の発明は、石英基板上に遮光膜パターンが形成されたフォトマスクにペリクルが張設されたフレームを接着剤を介して遮光膜上に接着したペリクル付きフォトマスクから、フレームごとペリクルを剥離する方法であって、
波長が２００ｎｍ以上のレーザ光をフォトマスク側からフレーム裏面の遮光膜に照射して石英基板と遮光膜の接合を弱めてから、フレームとフォトマスクを引き離すことを特徴とするペリクルの剥離方法としたものである。
【００１０】
また、請求項２に記載の発明は、前記遮光膜は、金属、金属酸化膜、金属酸化窒化膜がこの順に積層されていることを特徴とする請求項1に記載のペリクルの剥離方法としたものである。
【００１１】
また、請求項３に記載の発明は、前記レーザ光の波長は、ＹＡＧレーザの第３高調波（３５５ｎｍ）もしくは第４高調波（２６６ｎｍ）であることを特徴とする請求項1又は請求項２に記載のペリクルの剥離方法としたものである。
【００１２】
また、請求項４に記載の発明は、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の剥離方法によりペリクルを取り外したフォトマスクの再生方法であって、遮光膜が剥離された部位に改めて遮光膜を成膜してから、ペリクルが張設されたフレームを接着剤を介して遮光膜上に接着することを特徴とするペリクル付きフォトマスクの再生方法としたものである。
【００１３】
また、請求項５に記載の発明は、前記遮光膜は、Ｓｉ２Ｈ６ガスとＣ２Ｈ２ガスとＨ２（水素）の混合ガスにＹＡＧレーザの第三高調波（３５５ｎｍ）を照射して光ＣＶＤ作用により堆積させることを特徴とする請求項４に記載のペリクル付きフォトマスクの再生方法としたものである。
【００１４】
また、請求項６に記載の発明は、前記遮光膜は、フェナントレン（Ｃ１４Ｈ１０）、クロムカルボニル（Ｃｒ（ＣＯ）６）、タングステンカルボニル（Ｗ（ＣＯ）6）、フッ化タングステン（ＷＦ6）、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）のいずれかのガスもしくは混合ガスに電子線を照射して堆積させることを特徴とする請求項４に記載のペリクル付きフォトマスクの再生方法としたものである。
【００１５】
また、請求項７に記載の発明は、前記遮光膜は、フェナントレン（Ｃ１４Ｈ１０）、ベンゼン（Ｃ６Ｈ６）、スチレン（Ｃ８Ｈ８）、ナフタレン（Ｃ１０Ｈ８）、ピレン（Ｃ１６Ｈ１０）から選ばれた炭化水素系のガス、タングステンカルボニル（Ｗ（ＣＯ）6）、フッ化タングステン（ＷＦ6）、クロムカルボニル（Ｃｒ（ＣＯ）6）、コバルトカルボニル（Ｃｏ2（ＣＯ）8）、鉄カルボニル（Ｆｅ（ＣＯ）5）、Ｔｒｉｍｅｔｈｙｌ（ｍｅｔｈｙｌｃｙｃｌｏｐｅｎｔａｄｉｅｎｙｌ）ｐｌａｔｉｎｕｍ（ＭｅＣｐＰｔ（Ｍｅ）3）から選ばれた金属含有ガス、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）、１，３，５，７−Ｔｅｔｒａｍｅｔｈｙｌｃｙｃｌｏｔｅｔｒａ−Ｓｉｌｏｘａｎｅから選ばれたシリコーン含有ガスのいずれかに集束型イオンビームを照射して堆積させることを特徴とする請求項４に記載のペリクル付きフォトマスクの再生方法としたものである。
【００１６】
また、請求項９に記載の発明は、ペリクル付きフォトマスクを台座付きステージに搭載するためのローダー機構と、
フォトマスク環境を減圧にするための真空置換機構と、
カメラとレーザ光源を備えるペリクル剥離機構と、
機器制御機構と、を有することを特徴とするペリクル剥離装置としたものである。
また、請求項１０に記載の発明は、ペリクル付きフォトマスクを台座付きステージに搭載するためのローダー機構と、
フォトマスク環境を減圧にするための真空置換機構と、
カメラとレーザ光源とガス供給部を備える遮光膜堆積機構と、
機器制御機構と、を有することを特徴とする遮光膜堆積装置としたものである。
【００１７】
また、請求項１１に記載の発明は、ペリクル付きフォトマスクを台座付きステージに搭載するためのローダー機構と、
フォトマスク環境を減圧にするための真空置換機構と、
カメラとレーザ光源を備えるペリクル剥離機構と、
請求項１０に記載の遮光膜堆積機構と、を備えることを特徴とするペリクル剥離装置としたものである。
【発明の効果】
【００１８】
半導体などのリソグラフィで用いられるフォトマスクへの異物付着防止を目的として設置されたペリクルにおいて、露光による劣化や破損などが原因でペリクルを新品と交換する場合、本発明では、接着剤と石英基板間に介在する遮光膜にレーザ光を照射して遮光膜の石英基板への密着力を弱めている。したがって、ペリクル側のフレームとフォトマスクを引き離すと石英基板と遮光膜界面で分離が生じて、接着剤は下地の遮光膜ごと持ち去られる。
【００１９】
その結果、接着剤がフォトマスクの遮光膜上に残ることがなく、接着剤を溶解除去する複雑な洗浄工程の必要がなくなる。したがって、接着剤残渣もフォトマスクの回路パターン上に残留することがないという効果を有する。
【００２０】
ペリクルをフレームごと剥離するのに必要なチャンバーと、剥離された部位の遮光層を堆積再生するチャンバーは、両方ともレーザ光源他を必要とするが構造的に共通にできる。この処理チャンバーの前工程のローダー機構と真空置換機構も共通にできるので、ペリクル剥離機構と遮光膜堆積機構は同一装置内に組み込めることになる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】フォトマスクの反射スペクトルの一例を示す図である。
【図２】ペリクル付きフォトマスクの構造を説明する上面視（ａ）と断面視（ｂ）の図である。
【図３】本発明のペリクル剥離方法を説明する断面視の模式図である。（ａ）レーザ照射、（ｂ）剥離。
【図４】本発明の遮光膜剥離部の遮光膜再生（堆積）の方法を説明する断面視の図である。
【図５】本発明のペリクル剥離装置の構成を説明する断面視の図である。
【図６】本発明のペリクル剥離方法の工程フロー図である。
【図７】本発明の遮光膜堆積装置の構成を説明する断面視の図である
【図８】本発明の遮光膜堆積処理工程のフロー図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
本発明に係るペリクルの剥離方法とは、フレームの一端面にペリクル膜を張設し、他端面を接着剤を介してフォトマスクに接合固定したリソグラフィ用ペリクルをフレームごとフォトマスクから剥離する方法であって、波長が２００ｎｍより長波長の光を、接着部位
近傍に照射して遮光層と石英基板の密着力を弱めてから、ペリクル張設フレームと接着層とを遮光膜ごとフォトマスクから剥離することを特徴とする。
【００２３】
本発明に使用するフォトマスクの光学特性とペリクルを装着したフォトマスクの構成を概説した後に、ペリクルの剥離方法と遮光層の再形成について説明する。
【００２４】
図１にフォトマスクの反射スペクトルを示す。図１では２種類のクロムを主材料とするバイナリ型フォトマスクを示す。このようなフォトマスクとしては、凸版印刷（株）製のＴＬＲ−６とＨＯＹＡ社製のＡＲ８を例示することができる。これらのフォトマスクの反射率は、光源波長２６６ｎｍで１７％程度、波長３５５ｎｍでは１２％程度と低反射であり、両波長においてフォトマスクを透過もしくはクロムに吸収される割合の方が反射される割合より多いことを示している。図１においては波長３５５ｎｍの反射率が２６６ｎｍよりも低いことから、後述する本発明の光源波長の選択においては３５５ｎｍが好適である。
【００２５】
本発明に使用するペリクルを装着したフォトマスク２００の基本的構成を、図２を用いて説明する。図２は、フォトマスク１００にペリクル膜１を張設したフレーム２（以下、単にペリクル１５０と記す。）が装着された平面図と断面図である。ペリクル１５０はアルミ（Ａｌ）やアルミを主材とする合金にアルマイトと呼ばれる黒化処理を施したフレーム２に、セルロースやフッ素樹脂を主材とする高分子樹脂材料製のペリクル膜１が張設されており、フレームの他端面に接着剤３が塗布されてフォトマスクと接合している。塵埃はペリクル上に降り積もることがあるが、この位置ではレジスト中に結像しない。
【００２６】
ペリクル１５０をフォトマスク１００に固定する前は、ペリクル１５０の接着剤３部分にはライナー（不図示）と呼ばれる保護膜が出荷時には仮貼りされている。フォトマスク１００への装着にはこのライナーをとり外して接着を行う。フレーム２のサイズは回路パターン６の領域よりも大きい面積を包含する。また、接着剤３がフォトマスク１００に接着する部位は回路パターン６が形成される遮光膜４の外周部分であり遮光膜４の上である。
【００２７】
遮光膜４は基板５にスパッタリング法などの成膜法で形成される。遮光膜４はクロム（Ｃｒ）やその酸化物、酸化窒化物もしくはモリブデン（Ｍｏ）と珪素（Ｓｉ）を主成分とする合成物質やその酸化物、酸化窒化物もしくは、タンタル（Ｔａ）やその酸化物、酸化窒化物である。基板５は石英である。
【００２８】
本発明になるペリクル剥離方法を、図３を参照して説明する。
先ず、図３（ａ）に示すように、ペリクル１５０が装着されたフォトマスク１００がペリクル側を下側にした状態で台座１１に設置される。次に、台座１１の外側に設置してある昇降ステージ１３から伸在する支持ピン１２がフレームに当接してペリクル２００を支持する。
【００２９】
次に、光源７から出たレーザ光を、フォトマスク基板５を透過させてフレーム２ないし接着剤３のある領域近傍に照射する。このレーザ光は、実際には接着剤３直上に位置する遮光膜４の部分を照射し、照射部分の遮光膜４と基板５の密着力を弱めて剥離させやすくすることになる。照射光は、先述したように反射率の低いＹＡＧレーザの第３高調波である波長３５５ｎｍが好ましく、第四高調波でも構わない。光強度は遮光膜４の材質に応じて選択することができる。遮光膜４の材質は前記したクロム（Ｃｒ）やその酸化物、酸化窒化物もしくはモリブデン（Ｍｏ）と珪素（Ｓｉ）を主成分とする合成物質やその酸化物、酸化窒化物である。
【００３０】
次に、昇降ステージ１３を、ペリクル１５０を保持した状態のまま、図面下側に降下させると、ペリクル１５０が基板５から引き離される。この際、接着剤３は遮光膜４と一体化していることから、遮光膜４ごと引き離される。したがって、接着剤３はフォトマスク１００側には残留しない。一方で基板５の表面は遮光膜４が剥離されることから基板材質表面が露出して遮光膜剥離部４ａになる（図３（ｂ））。
【００３１】
接着剤３にはアクリル系やシリコーン系やフッ素系樹脂材料が多く用いられる。いずれの接着剤３も遮光膜４との界面で剥離する従来方法の場合、接着剤除去のために湿式洗浄を用いる必要がある。湿式洗浄は硫酸と過酸化水素を混合した薬品による酸化分解を利用した方法であるが、フッ素系樹脂の場合は分解せずフォトマスク上に残置する問題がある。接着剤の溶解残渣が回路パターン領域に残るおそれもある。
本発明は接着剤３を用いてはいるが、遮光膜４と基板５の界面で剥離するため、接着剤が根こそぎ持ち去られるので接着剤３の材料を選択する必要がないという利点を有する。
【００３２】
次に、図４を参照して、ぺリクル分離後の基板表面が露出した遮光膜剥離部４ａの再遮光化処理（ペリクル付きフォトマスクの再生処理）を行う方法を説明する。
遮光膜の部分堆積は、先ずフォトマスク１００の遮光膜剥離部を図面上側にして台座１１に設置する。遮光膜素材をＳｉＣとした光ＣＶＤ法の事例を示す。ＣＶＤはＣｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ法の略称であり、光をエネルギーとした光―ガス反応による堆積膜の形成法である。
【００３３】
次に、この光ＣＶＤ法によるＳｉＣ成膜を所定膜厚まで行う。一般には露光光の波長に対する光学濃度（ＯＤ：Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｄｅｎｓｉｔｙ）が３以上になる膜厚までが好ましい。本実施例ではガス供給部８からはＳｉ（シリコーン）の材料源としてＳｉ２Ｈ６ガスを、Ｃ（炭素）の材料としてＣ２Ｈ２ガスを、キャリアガスとしてＨ２（水素）の混合ガスを供給する。処理室２３内の圧力は２から８Ｔｏｒｒとした。光源７からＹＡＧレーザの第３高調波である波長３５５ｎｍを遮光膜剥離部に照射する。レーザの発振周波数は２０Ｈｚとした。
【００３４】
再遮光化処理は、上記光ＣＶＤ法の他に公知の光源７を集束型イオンビームとし、ガスと反応させる成膜法や光源７を電子線とし、ガスと反応させる成膜法でも良い。
例えば、フェナントレン（Ｃ１４Ｈ１０）、ベンゼン（Ｃ６Ｈ６）、スチレン（Ｃ８Ｈ８）、ナフタレン（Ｃ１０Ｈ８）、ピレン（Ｃ１６Ｈ１０）から選ばれた炭化水素系のガスに収束型イオンビームを照射する方法がある。混合ガスでも構わない。
【００３５】
また、タングステンカルボニル（Ｗ（ＣＯ）6）、フッ化タングステン（ＷＦ6）、クロムカルボニル（Ｃｒ（ＣＯ）6）、コバルトカルボニル（Ｃｏ2（ＣＯ）8）、鉄カルボニル（Ｆｅ（ＣＯ）5）、Ｔｒｉｍｅｔｈｙｌ（ｍｅｔｈｙｌｃｙｃｌｏｐｅｎｔａｄｉｅｎｙｌ）ｐｌａｔｉｎｕｍ（ＭｅＣｐＰｔ（Ｍｅ）3）から選ばれた金属含有ガスに、収束型イオンビームを照射する方法がある。混合ガスでも構わない。
【００３６】
更にまた、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）、１，３，５，７−Ｔｅｔｒａｍｅｔｈｙｌｃｙｃｌｏｔｅｔｒａ−Ｓｉｌｏｘａｎｅから選ばれたシリコーン含有ガスに収束型イオンビームを照射する方法がある。混合ガスでも構わない。
【００３７】
前記方法を装置化したペリクル剥離装置３００の概要を図５に、工程フローチャートを図６に示した。図５では後述する図７および後述する再遮光化処理（遮光膜堆積）との整合を示唆するために共通する部位を併せて示している。剥離装置３００は、ローダー機構２１、真空置換機構２２、ペリクル剥離機構２３、各種制御機構２４で構成され、対応するチャンバーと制御装置がある。
【００３８】
まず、ペリクル１５０が装着されたフォトマスク１００を、ペリクル側１５０を下側にしてステージ１４上の台座１１に設置する。キーボード３９から所望する処理条件を入力する。開始入力に基づき、ゲート制御部３５からの信号出力により、ゲート１７及びゲート１８が開く。次にステージ制御部３６からの信号出力によりステージ１４が駆動し、ローダー室２１から真空置換機構の真空置換室２２を経てペリクル剥離機構の備わる処理室２３に移動する。ローダー機構のあるローダー室には、フォトマスク１００の上下を入れ替える反転機構を備えるのが好ましい。
【００３９】
次に再びゲート制御部３６からの信号出力によりゲート１７及びゲート１８が閉鎖する。次に支持ピン１２と昇降ステージ１３と連動してフレーム２を保持する。次に光源制御部３２からの信号出力により光源７が所定の出力及び発振周波数で発振される。同時にＣＰＵ３７からの指示に従い、ステージ制御部３６からステージ１４がフレーム２の位置を光源がスキャンするように駆動を行う。このレーザスキャンによりフレーム２の直上領域の遮光膜４が劣化して基板５との密着力が低下する。
【００４０】
次に昇降ステージ１３が下降し、ペリクル１５０は遮光膜４（及び接着剤）の一部と共にフォトマスク１００から脱離される。次に支持ピン１２をフレーム２から引き抜く。次にスキャン部の遮光膜の剥離状態をカメラ９で観察する。ペリクル１５０は台座１１の下部の支持部に自重で積載される。剥離が正常に行われた場合、ゲート制御部３５からの信号出力によりゲート１７および１８が開く。次にステージ制御部３６からの信号出力によりステージ１４が駆動し、台座１１にペリクル１５０とフォトマスク１００が別々に支持されて処理室２３から真空置換室２２、ローダー室２１に戻る。ローダー部２１ではフォトマスク１００とペリクル１５０をそれぞれ回収する。
【００４１】
本発明になるペリクル剥離により遮光膜が持ち去られた部分４ａの再遮光化処理（遮光膜堆積）を図７，図８を参照して説明する。遮光膜堆積装置４００も、ローダー機構２１、真空置換機構２２、遮光膜堆積機構２３、各種制御機構２４で構成され、対応するチャンバーと制御装置がある。
【００４２】
まず、ペリクル１５０が取り外されたフォトマスク１００を、反転機構を用いて遮光膜４が上側になるようにステージ１４上の台座１１に設置する。キーボード３９から所望する処理条件を入力する。開始入力に基づき、ゲート制御部３５からの信号出力により、ゲート１７が開く。次にステージ制御部３６からの信号出力によりステージ１４が駆動し、ローダー室２１から真空置換室２２に台座１１が移動する。
【００４３】
次に、再びゲート制御部３６からの信号出力によりゲート１７が閉鎖する。次に、真空制御部３４からの信号出力により真空置換室２２と処理室２３が真空ポンプ１５Ａ、１５Ｂにてそれぞれ所定の圧力に減圧される。圧力は圧力計１６Ａ、１６Ｂで計測され、ＣＰＵ３７が管理する。所定の圧力に到達したらゲート制御部３７からの信号出力によりゲート１８が開く。次にステージ制御部３６からの信号出力によりステージ１４が駆動し、真空置換室２２から処理室２３に台座１１が移動する。次に再びゲート制御部３６からの信号出力によりゲート１８が閉鎖する。
【００４４】
次にガス供給部８からガス制御部３３からの信号出力により所定のガスが処理室内に供給される。次に所定の処理圧力になるようにＣＰＵ３７が圧力計１６Ｂをモニタリングしつつ真空制御部３４の排気が所定になるように制御を行う。圧力計１６Ｂが規定圧力に到達したら光源制御部３２からの信号出力により光源７が所定の出力及び発振周波数で発振される。同時にＣＰＵ３７からの指示に従い、ステージ制御部３６からステージ１４がフレーム２の位置に光源がスキャンするように駆動を行う。このスキャンにより遮光膜４が
剥離された領域に光ＣＶＤ法でＳｉＣが成膜される。
【００４５】
次に観察制御部３１からの信号出力によりカメラ９で成膜部の観察を行う。次に処理室２３の真空環境を成膜処理前の所定の圧力に真空制御部３４からの信号出力により真空ポンプ１５Ｂを作動させ、圧力計１６Ｂが規定値に到達させる。次にゲート制御部３６からの信号出力によりゲート１８を開く。次にステージ制御部３６からの信号出力によりステージ１４を処理室２３から真空置換室２２に移動させ、ゲート１８を閉じる。次に真空制御部３４からの信号出力により真空ポンプ１５Ａを停止させ、圧力計１６Ａを大気圧に到達させる。次にゲート制御部３６からの信号出力によりゲート１７を開き、ステージ１４を元のローダー部２１に移動する。
以上によりフォトマスク１００の再遮光化処理が完了する。
【００４６】
このフォトマスクに、新しいペリクルを接着剤を介して接着すればペリクル付きフォトマスクの再生が終了する。
また、本発明ではペリクル剥離装置と再遮光化処理に使用する遮光膜堆積装置を別装置のように説明したが、ローダー部２１に脱離したペリクル収機構とフォトマスクの上下を入れ替える反転機構を付与すれば一つのチャンバーでペリクル脱離と遮光膜の成膜が可能となる。
【産業上の利用可能性】
【００４７】
本発明を実施することにより、フォトマスクの回路パターン領域からの接着剤残渣を一切無くすことが出来る。従来は残渣の洗浄除去が必要としたが、本発明は不要とすることが可能である。
【符号の説明】
【００４８】
１  ペリクル膜
２  フレーム
３  接着剤
４  遮光膜
４ａ  遮光膜剥離部
５  基板
６  回路パターン
７  光源
８  ガス供給部
９  カメラ
１１  台座
１２  支持ピン
１３  昇降ステージ
１４  ステージ
１５  真空ポンプ
１６  圧力計
１７  ゲート
１８  ゲート
１９  窓
２１  ローダー部
２２  真空置換室
２３  処理室
２４  制御器
３１  観察制御部
３２  光源制御部
３３  ガス制御部
３４  真空制御部
３５  ゲート制御部
３６  ステージ制御部
３７  ＣＰＵ
３８  表示部
３９  キーボード
２００  ペリクル付きフォトマスク
１００  フォトマスク
１５０  ペリクル張設フレーム
３００  ペリクル剥離装置
４００  遮光膜堆積装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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