(57)【要約】      （修正有）【課題】封止部に進入する水分をさらに抑制して封止部の幅を短くし、開口率を大きくした電気光学装置を提供する。【解決手段】液晶表示装置１は、素子基板２と、素子基板２と対向して設置された対向基板３と、素子基板２と対向基板３との間に位置する液晶層４と、液晶層４を囲む封止部５と、封止部５の側面を覆うアラミド膜２６と、を備える。【選択図】図２
2016080955.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板と、
前記第１基板と対向して設置された第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に位置する液晶層と、
前記液晶層を囲む封止部と、
前記封止部の側面を覆うアラミド膜と、を備えることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
第１基板と、
前記第１基板と対向して設置された第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に位置する液晶層と、
前記液晶層を囲む封止部と、
前記封止部の側面を覆うポリビニルアルコール膜と、を備えることを特徴とする電気光
学装置。
【請求項３】
電気光学装置と、前記電気光学装置を駆動する駆動装置を備え、
前記電気光学装置が請求項１または請求項２に記載の電気光学装置であることを特徴と
する電子機器。
【請求項４】
第１基板と第２基板との間に所定の隙間をあけて前記第１基板と前記第２基板とを封止
部にて接着し、
アラミドをＮＭＰに溶解させた溶液を調合し、
前記第１基板と前記第２基板のうちの一方に前記溶液を滴下し、毛管現象により前記封
止部を覆うように前記溶液を設置し、
前記溶液を乾燥して前記ＮＭＰを蒸発させることを特徴とする電気光学装置の製造方法
。
【請求項５】
第１基板と第２基板との間に所定の隙間をあけて前記第１基板と前記第２基板とを封止
部にて接着し、
ポリビニルアルコールを水に溶解させた溶液を調合し、
前記第１基板と前記第２基板のうちの一方に前記溶液を滴下し、毛管現象により前記封
止部を覆うように前記溶液を設置し、
前記溶液を乾燥して前記水を蒸発させることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項６】
請求項４または請求項５に記載の電気光学装置の製造方法であって、
前記第１基板の平面視にて前記第１基板は前記第２基板より広く、前記第１基板に前記
溶液を滴下して前記隙間に前記溶液を進入させることを特徴とする電気光学装置の製造方
法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置、電子機器および電気光学装置の製造方法に関するものである
。
【背景技術】
【０００２】
プロジェクターに用いられる液晶表示装置は、高輝度の光により配向膜が劣化しないよ
うに耐光性や耐熱性に優れた無機配向膜が用いられている。
【０００３】
無機配向膜には斜方蒸着法、指向性スパッタ法、シロキサン骨格を持つ塗布型無機材料
等が用いられている。その中でもプロジェクター用途の液晶表示装置には、斜方蒸着法が
一般的に用いられている。
【０００４】
ＳｉＯ2等の高極性な材料を用いた無機配向膜では、その表面に多数の−ＯＨ基が存在
するために吸湿し易い。そして、無機配向膜に水分が吸着するとき、液晶の配向が乱れる
ため画質が低下する。そこで、耐湿性を向上させた液晶表示装置が特許文献１に開示され
ている。それによると、液晶表示装置は第１基板と第２基板とで液晶層を挟み、封止部が
液晶層を囲んで封止した配置になっている。そして、封止部の側面をケチミン化合物を含
むエポキシ樹脂で覆っている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１２−２２０５２４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
封止部の幅を長くする程、確実に液晶層に水分が侵入することを防止できる。一方、封
止部の幅が長いときには基板の面積に対する表示領域の面積の比を示す開口率が小さくな
る。そこで、エポキシ樹脂でモールドするときより封止部に進入する水分をさらに抑制し
て封止部の幅を短くし、開口率を大きくした電気光学装置が望まれていた。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、上述の課題を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例
として実現することが可能である。
【０００８】
［適用例１］
本適用例にかかる電気光学装置であって、第１基板と、前記第１基板と対向して設置さ
れた第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に位置する液晶層と、前記液晶層を
囲む封止部と、前記封止部の側面を覆うアラミド膜と、を備えることを特徴とする。
【０００９】
本適用例によれば、第１基板と第２基板との間に液晶層が配置され、液晶層を囲んで封
止部が配置されている。そして、封止部の側面を覆ってアラミド膜が設置されている。ア
ラミド膜はエポキシ樹脂の膜に比べて透湿性が低い。従って、封止部を覆ってエポキシ樹
脂の膜を設置するときに比べて、水分が封止部に進入することを抑制することができる。
【００１０】
液晶層の配向は水分の進入により劣化するので、液晶層に水分が進入することを封止部
が防止している。封止部の幅が長い方が短いときに比べて、液晶層に水分が侵入すること
を防止できる。一方、封止部の幅が長いときには基板の面積に対する表示領域の面積の比
を示す開口率が小さくなる。本適用例ではアラミド膜が水分の進入を抑制する為、封止部
の幅を短くすることができる。その結果、電気光学装置の開口率を大きくすることができ
る。
【００１１】
［適用例２］
本適用例にかかる電気光学装置であって、第１基板と、前記第１基板と対向して設置さ
れた第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に位置する液晶層と、前記液晶層を
囲む封止部と、前記封止部の側面を覆うポリビニルアルコール膜と、を備えることを特徴
とする。
【００１２】
本適用例によれば、第１基板と第２基板との間に液晶層が配置され、液晶層を囲んで封
止部が配置されている。そして、封止部の側面を覆ってポリビニルアルコール膜が設置さ
れている。ポリビニルアルコール膜はエポキシ樹脂の膜に比べて透湿性が低い。従って、
封止部を覆ってエポキシ樹脂の膜を設置するときに比べて、水分が封止部に進入すること
を抑制することができる。
【００１３】
液晶層の配向は水分の進入により劣化するので、液晶層に水分が進入することを封止部
が防止している。封止部の幅が長い方が短いときに比べて、液晶層に水分が進入すること
を防止できる。一方、封止部の幅が長いときには開口率が小さくなる。本適用例ではポリ
ビニルアルコール膜が水分の進入を抑制する為、封止部の幅を短くすることができる。そ
の結果、電気光学装置の開口率を大きくすることができる。
【００１４】
［適用例３］
本適用例にかかる電子機器であって、電気光学装置と、前記電気光学装置を駆動する駆
動装置を備え、前記電気光学装置が上記に記載の電気光学装置であることを特徴とする。
【００１５】
本適用例によれば、電子機器では駆動装置が電気光学装置を駆動する。そして、電気光
学装置は開口率の大きな装置になっている。従って、電子機器は開口率の大きな電気光学
装置を備えた装置とすることができる。
【００１６】
［適用例４］
本適用例にかかる電気光学装置の製造方法であって、第１基板と第２基板との間に所定
の隙間をあけて前記第１基板と前記第２基板とを封止部にて接着し、アラミドをＮＭＰに
溶解させた溶液を調合し、前記第１基板と前記第２基板のうちの一方に前記溶液を滴下し
、毛管現象により前記封止部を覆うように前記溶液を設置し、前記溶液を乾燥して前記Ｎ
ＭＰを蒸発させることを特徴とする。
【００１７】
本適用例によれば、第１基板と第２基板とが封止部にて接着される。このとき、第１基
板と第２基板との間には隙間が設置される。そして、アラミドをＮＭＰに溶解させた溶液
を調合する。ＮＭＰはＮ−メチルピロリドンであり、アラミドを溶解する溶媒である。溶
液は粘性の低い液体である。次に、第１基板と第２基板との間の隙間に進入するように溶
液を滴下する。溶液には毛管現象が作用し、溶液は隙間に進入する。そして、溶液は封止
部を覆って設置される。次に、溶液が乾燥されて、溶液からＮＭＰが除去される。従って
、封止部を覆ってアラミド膜が容易に設置される。そして、アラミド膜は透湿性が低いの
で封止部の幅を小さくできる為、電気光学装置の開口率を大きくすることができる。その
結果、開口率の大きな電気光学装置を容易に製造することができる。
【００１８】
［適用例５］
本適用例にかかる電気光学装置の製造方法であって、第１基板と第２基板との間に所定
の隙間をあけて前記第１基板と前記第２基板とを封止部にて接着し、ポリビニルアルコー
ルを水に溶解させた溶液を調合し、前記第１基板と前記第２基板のうちの一方に前記溶液
を滴下し、毛管現象により前記封止部を覆うように前記溶液を設置し、前記溶液を乾燥し
て前記水を蒸発させることを特徴とする。
【００１９】
本適用例によれば、第１基板と第２基板とが封止部にて接着される。このとき、第１基
板と第２基板との間には隙間が設置される。そして、ポリビニルアルコールを水に溶解さ
せた溶液を調合する。水はポリビニルアルコールを溶解する溶媒である。溶液は粘性の低
い液体である。次に、第１基板と第２基板との間の隙間に進入するように溶液を滴下する
。溶液には毛管現象が作用し、溶液は隙間に進入する。そして、溶液は封止部を覆って設
置される。次に、溶液が乾燥されて、溶液から水分が除去される。従って、封止部を覆っ
てポリビニルアルコール膜が容易に設置される。そして、ポリビニルアルコール膜は透湿
性が低いので封止部の幅を小さくできる為、電気光学装置の開口率を大きくすることがで
きる。その結果、開口率の大きな電気光学装置を容易に製造することができる。
【００２０】
［適用例６］
上記適用例にかかる電気光学装置の製造方法において、前記第１基板の平面視にて前記
第１基板は前記第２基板より広く、前記第１基板に前記溶液を滴下して前記隙間に前記溶
液を進入させることを特徴とする。
【００２１】
本適用例によれば、第１基板の平面視にて第１基板は第２基板より広くなっている。そ
して、第１基板に溶液を滴下して隙間に溶液を進入させている。この方法は、第１基板及
び第２基板の側面から隙間に溶液を滴下するときに比べて滴下した位置が変動しても確実
に隙間に溶液を進入させることができる。従って、容易に溶液を隙間に設置することがで
きる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】第１の実施形態にかかわる液晶表示装置の構造を示す模式平面図。
【図２】（ａ）及び（ｂ）は、液晶表示装置の構造を示す模式側断面図。
【図３】液晶表示装置の製造方法のフローチャート。
【図４】液晶表示装置の製造方法を説明するための模式図。
【図５】液晶表示装置の製造方法を説明するための模式図。
【図６】第２の実施形態にかかわり、（ａ）及び（ｂ）は、液晶表示装置の構造を示す模式側断面図。
【図７】液晶表示装置の製造方法を説明するための模式図。
【図８】第３の実施形態にかかわるプロジェクターの構成を示す模式図。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
本実施形態では、液晶表示装置と、この液晶表示装置を製造する製造方法との特徴的な
例について、図に従って説明する。尚、各図面における各部材は、各図面上で認識可能な
程度の大きさとするため、各部材毎に縮尺を異ならせて図示している。
【００２４】
なお、以下の形態において、「基板上に」と記載された場合、基板の上に接するように
配置される場合、または基板の上に他の構成物を介して配置される場合、または基板の上
に一部が接するように配置され、一部が他の構成物を介して配置される場合を表すものと
する。
【００２５】
（第１の実施形態）
本実施形態では電気光学装置の例としてアクティブマトリックス型の液晶表示装置につ
いて説明する。アクティブマトリックス型の液晶表示装置は画素をスイッチングする素子
に薄膜トランジスター（ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を備えて
いる。この液晶表示装置は、例えば、投写射型表示装置（液晶プロジェクター）の光変調
素子（液晶ライトバルブ）として好適に用いることができるものである。
【００２６】
第１の実施形態にかかわる液晶表示装置について図１〜図５に従って説明する。図１は
、液晶表示装置の構造を示す模式平面図である。図２は、液晶表示装置の構造を示す模式
側断面図である。図２（ａ）は、図１のＡ−Ａ線に沿う模式断面図であり、図２（ｂ）は
、図１のＢ−Ｂ線に沿う模式断面図である。
【００２７】
図１及び図２に示すように、電気光学装置としての液晶表示装置１は、対向するように
配置された第１基板としての素子基板２及び第２基板としての対向基板３を備えている。
そして、素子基板２と対向基板３との間には平面視が四角形の液晶層４が位置している。
液晶層４を囲んで封止部５が設置され、封止部５は素子基板２と対向基板３とを接着して
固定している。素子基板２、液晶層４、対向基板３が重なった方向をＺ方向とする。素子
基板２の隣り合う２辺が延在する方向をＸ方向及びＹ方向とする。
【００２８】
素子基板２は第１基材６を備えている。第１基材６には、例えば、ガラス基板、石英基
板等の透明基板、あるいはシリコン基板が用いられる。Ｚ方向から見て素子基板２は対向
基板３よりも広い板である。第１基材６のＺ方向側の表面には、透光性の画素電極７及び
スイッチング素子である薄膜トランジスター８（ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎ
ｓｉｓｔｏｒ）がマトリックス状に設置されている。薄膜トランジスター８には図示しな
い信号配線が接続されている。薄膜トランジスター８及び信号配線は無機配向膜９に覆わ
れている。
【００２９】
封止部５の内縁より内側には、複数の画素１０がマトリックス状に配列した表示領域１
１が設けられている。１つの画素１０には薄膜トランジスター８が１つ設置されている。
【００３０】
素子基板２の−Ｙ方向側の辺と−Ｙ方向側の封止部５との間にはデータ線駆動回路１２
が設けられている。また、表示領域１１のＹ方向側とＹ方向側の封止部５との間には検査
回路１３が設置されている。さらに、表示領域１１のＸ方向側とＸ方向側の封止部５との
間には第１走査線駆動回路１４が設置されている。さらに、表示領域１１の−Ｘ方向側と
−Ｘ方向側の封止部５との間には第２走査線駆動回路１５が設置されている。検査回路１
３とＹ方向側の封止部５との間には第１走査線駆動回路１４と第２走査線駆動回路１５と
を接続する配線１６が設置されている。
【００３１】
素子基板２の−Ｙ方向側の辺とデータ線駆動回路１２との間には辺に沿って外部接続用
端子１７が配列されている。データ線駆動回路１２、第１走査線駆動回路１４及び第２走
査線駆動回路１５は外部接続用端子１７と配線１６により接続されている。
【００３２】
対向基板３は平面視で四角形の第２基材１８を備えている。第２基材１８には、例えば
、ガラス基板、石英基板等の透明基板が用いられる。対向基板３の−Ｚ方向側の表面には
枠状の遮光膜２１が設置されている。遮光膜２１は表示領域１１を取り囲んでいる。そし
て、Ｚ方向から見た平面視で検査回路１３、第１走査線駆動回路１４、第２走査線駆動回
路１５及び配線１６と重なる位置に設けられている。これにより対向基板３側からこれら
の回路に入射する光を遮蔽して、回路が光によって誤動作することを防止している。また
、不必要な迷光が表示領域１１に入射しないように遮蔽して、表示領域１１のコントラス
トを高くしている。
【００３３】
第２基材１８の−Ｚ方向側の面と遮光膜２１とを覆うように絶縁膜２２が設置されてい
る。絶縁膜２２は光透過性を有し、絶縁膜２２の材質には、例えば酸化シリコン等の無機
材料を用いることができる。絶縁膜２２の形成方法には、例えばプラズマＣＶＤ（Ｃｈｅ
ｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等を用いることができる。
【００３４】
さらに、絶縁膜２２を覆って対向電極２３が設置されている。対向電極２３には、ＩＴ
Ｏ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）等の透明導電膜を用いることができる。対向電
極２３の四隅には上下導通部２４が設置され、上下導通部２４は対向電極２３と素子基板
２側の配線とを電気的に接続している。
【００３５】
さらに、対向電極２３を覆って無機配向膜２５が設置されている。無機配向膜９及び無
機配向膜２５はＳｉＯｘ（酸化シリコン）等の無機材料を気相成長法を用いて成膜されて
いる。無機配向膜９及び無機配向膜２５の表面は所定の形状にパターニングされ、負の誘
電異方性を有する液晶層４の液晶分子に対して略垂直配向させる無機配向膜になっている
。画素電極７と対向電極２３との間で電界が生じていない状態のとき液晶分子は素子基板
２に対して垂直に配向し、電界が生じるときに傾くようになっている。対向基板３は第２
基材１８、遮光膜２１、絶縁膜２２、対向電極２３、上下導通部２４及び無機配向膜２５
等から構成されている。
【００３６】
液晶層４は無機配向膜９と無機配向膜２５との間に位置し、無機配向膜９及び無機配向
膜２５によって所定の配向状態をとる。表示領域１１及び封止部５には素子基板２と対向
基板３との距離を所定値とするためのグラスファイバー或いはガラスビーズ等のスペーサ
ーが混入されている。
【００３７】
封止部５は素子基板２及び対向基板３を貼り合わせるための、例えば光硬化性樹脂や熱
硬化性樹脂からなる接着剤である。封止部５の材質には例えば、例えば、エポキシ樹脂、
ポリエステル、ポリエーテル、フェノール樹脂、アクリル樹脂等を用いることができる。
【００３８】
封止部５の側面を覆ってアラミド膜２６が設置されている。アラミド膜２６はエポキシ
樹脂の膜に比べて透湿性が低い。従って、封止部５を覆ってエポキシ樹脂の膜を設置する
ときに比べて、水分が封止部に進入することを抑制することができる。
【００３９】
膜厚が０．１ｍｍ、面積が１平方メートルのシートを温度４０℃、湿度９０％の環境に
２４時間設置する。このとき、アラミド膜２６のシートを透過する水分の重量が０．１ｇ
であり、エポキシ樹脂膜のシートを透過する水分の重量が４０ｇである。従って、アラミ
ド膜２６の透湿性はエポキシ樹脂膜の４００分の１程度になっている。
【００４０】
液晶層４に水分が侵入するとき配向膜が水分と結合して配向が乱れる。配向の乱れを防
止するため、液晶層４に水分が侵入することを封止部５が防止している。封止部５の幅が
長い方が短いときに比べて、液晶層４に水分が侵入することを防止できる。一方、封止部
５の幅が長いときには素子基板２の面積に対する表示領域１１の面積の比を示す開口率が
小さくなる。本実施形態ではアラミド膜２６が水分の進入を抑制する為、封止部５の幅を
短くすることができる。その結果、液晶表示装置１の開口率を大きくすることができる。
【００４１】
封止部５は、素子基板２及び対向基板３の側面から１μｍ〜１０００μｍの位置に設置
されている。望ましくは、アラミド膜２６を形成することが可能な、１００μｍ〜７００
μｍである。更に望ましくは、２００μｍ〜５００μｍの位置に配置されている。素子基
板２と対向基板３との間隔の長さを示すセルギャップは、１μｍ〜５μｍである。望まし
くは、高品質なアラミド膜２６が形成される２μｍ〜３μｍである。セルギャップをこの
範囲に設定することによりアラミドを含む溶液に毛管現象を作用させて容易に溶液を封止
部５に塗布することが可能となる。
【００４２】
次に上述した液晶表示装置１の製造方法について図３〜図５にて説明する。図３は、液
晶表示装置の製造方法のフローチャートであり、図４及び図５は液晶表示装置の製造方法
を説明するための模式図である。図３のフローチャートにおいて、ステップＳ１は組立工
程に相当し、素子基板２と対向基板３とを接着して組み立てる工程である。次にステップ
Ｓ２に移行する。ステップＳ２はマスク設置工程である。この工程は、素子基板２及び対
向基板３にマスクとなる膜を設置する工程である。次にステップＳ３に移行する。ステッ
プＳ３は溶液塗布工程である。この工程は、アラミドを溶解した溶液を塗布する工程であ
る。ステップＳ４は乾燥工程である。この工程は、溶液を乾燥してアラミド膜２６を形成
する工程である。ステップＳ５はマスク除去工程である。この工程は、マスクを除去する
工程である。以上の工程により液晶表示装置１が完成する。
【００４３】
次に、図４及び図５を用いて、図３に示したステップと対応させて、製造方法を詳細に
説明する。図４（ａ）はステップＳ１の組立工程に対応する図である。図４（ａ）に示す
ように、素子基板２及び対向基板３を用意する。素子基板２及び対向基板３の製造方法は
公知であり、製造方法の説明を省略する。
【００４４】
素子基板２上に封止部５の材料を枠形状に塗布する。封止部５の材料を塗布する方法は
、封止部５を所望の形状に塗布できれば良く、例えば、本実施形態においては、スクリー
ン印刷法を採用している。封止部５の材料は、固化時に接着力が得られ、液晶層４に接触
して劣化しない材料であれば良く、例えば、本実施形態においては、熱硬化性のエポキシ
樹脂を採用している。
【００４５】
枠形状に封止部５の材料を塗布した後、封止部５の材料の内側にディスペンサーを用い
て液晶を塗布する。図示しない真空チャンバに素子基板２を設置して、真空チャンバ内を
脱気して真空にする。次に、真空中にて素子基板２と対向基板３との相対位置を合わせて
押圧する。押圧した後で真空チャンバ内に空気を流入させる。大気圧により素子基板２に
対向基板３が加圧される。
【００４６】
素子基板２と対向基板３との相対位置を保持した状態で加熱し、封止部５の材料を固化
して封止部５を形成する。その結果、素子基板２と対向基板３とが封止部５を介して接着
され、ステップＳ１が終了する。
【００４７】
図４（ｂ）はステップＳ２のマスク設置工程に対応する図である。図４（ｂ）に示すよ
うに、ステップＳ２において、第１基材６及び第２基材１８にマスク２７を設置する。マ
スク２７は耐薬品性のある樹脂を塗布して乾燥させて成膜しても良く、樹脂シートを貼り
付けても良い。例えば、ポリ塩化ビニル、ポリオレフィン、ポリエチレンテレフタラート
を紫外線硬化性の粘着剤にて接着しても良い。粘着剤を紫外線硬化性にすることにより紫
外線を照射したとき樹脂シートを容易に剥がすことができる。マスク２７を設置する場所
は、第１基材６の−Ｚ方向側の面、第２基材１８の＋Ｚ方向側の面、第１基材６の外部接
続用端子１７を覆う面である。接着した後加熱して密着性を上げるのが好ましい。
【００４８】
図４（ｃ）〜図５（ｂ）はステップＳ３の溶液塗布工程に対応する図である。ステップ
Ｓ３において、溶液を作成する。まず、ＮＭＰ（Ｎ−メチルピロリドン）を１００ｇ用意
する。次に、ＮＭＰを加熱し温度を８０℃にする。次に、ＮＭＰに０．５ｇのアラミドを
入れて溶解し溶液を作成した。
【００４９】
図４（ｃ）及び図４（ｄ）に示すように、素子基板２において配列した外部接続用端子
１７と封止部５との間にアラミドが溶解した溶液２８を滴下する。素子基板２の平面視に
て素子基板２は対向基板３より広くなっている。そして、素子基板２に溶液２８を滴下し
て隙間２９に溶液２８を進入させる。溶液２８は粘性が低く流動性があるので第１基材６
上を広がる。そして、図５（ａ）及び図５（ｂ）に示すように、溶液２８には第１基材６
と第２基材１８との間の隙間２９で毛管現象が作用する。そして、溶液２８は封止部５の
−Ｙ方向側から封止部５の＋Ｘ方向側及び−Ｘ方向側に広がる。さらに、溶液２８は封止
部５の＋Ｙ方向側に移動し、封止部５の全周に渡って溶液２８が塗布される。換言すれば
封止部５を覆って溶液２８が設置される。
【００５０】
溶液２８は素子基板２及び対向基板３の側面に付着しても良く、マスク２７上に付着し
ても良い。従って、容易に溶液２８を塗布することができる。
【００５１】
図５（ｃ）及び図５（ｄ）はステップＳ４の乾燥工程に対応する図である。図５（ｃ）
及び図５（ｄ）に示すように、ステップＳ４において、溶液２８を乾燥することにより、
ＮＭＰを蒸発させて除去する。乾燥条件は特に限定されないが、本実施形態では例えば、
８０℃の雰囲気内に１時間放置してＮＭＰを乾燥させた。その結果、溶液２８を塗布した
場所にアラミド膜２６が設置される。封止部５の全周に渡って溶液２８が塗布されたので
、封止部５の側面の全周に渡ってアラミド膜２６が設置される。
【００５２】
図５（ｅ）はステップＳ５のマスク除去工程に対応する図である。図５（ｅ）に示すよ
うに、ステップＳ５において、マスク２７を除去する。マスク２７に紫外線を照射してマ
スク２７を剥がれ易くする。次に、所定の溶剤を用いてマスク２７を剥す。マスク２７が
除去された場所ではアラミド膜２６が除去されている。以上の工程により液晶表示装置１
が完成する。
【００５３】
上述したように、本実施形態によれば、以下の効果を有する。
（１）本実施形態によれば、素子基板２と対向基板３との間に液晶層４が配置され、液
晶層４を囲んで封止部５が配置されている。そして、封止部５の側面を覆ってアラミド膜
２６が設置されている。アラミド膜２６はエポキシ樹脂の膜に比べて透湿性が低い。従っ
て、封止部５を覆ってエポキシ樹脂の膜を設置するときに比べて、水分が封止部５に進入
することを抑制することができる。
【００５４】
（２）本実施形態によれば、液晶層４に水分が進入するとき配向が乱れるので、液晶層
４に水分が進入することを封止部５が防止している。封止部５の幅が長い方が短いときに
比べて、液晶層４に水分が侵入することを防止できる。一方、封止部５の幅が長いときに
は開口率が小さくなる。本実施形態ではアラミド膜２６が水分の進入を抑制する為、封止
部５の幅を短くすることができる。その結果、液晶表示装置１の開口率を大きくすること
ができる。
【００５５】
（３）本実施形態によれば、素子基板２と対向基板３とが封止部５にて接着される。こ
のとき、素子基板２と対向基板３との間には隙間２９が設置される。そして、アラミドを
ＮＭＰに溶解させた溶液２８を調合する。溶液２８は粘性の低い液体である。次に、素子
基板２と対向基板３との間の隙間２９に進入するように溶液２８を滴下する。溶液２８に
は毛管現象が作用し、溶液２８は隙間２９に進入する。そして、溶液２８は封止部５を覆
って設置される。次に、溶液２８が乾燥されて、溶液２８からＮＭＰが除去される。従っ
て、封止部５を覆ってアラミド膜２６が容易に設置される。そして、アラミド膜２６は透
湿性が低いので封止部５の幅を小さくできる為、液晶表示装置１の開口率を大きくするこ
とができる。その結果、開口率の大きな液晶表示装置１を容易に製造することができる。
【００５６】
（４）本実施形態によれば、素子基板２の平面視にて素子基板２は対向基板３より広く
なっている。そして、素子基板２に溶液２８を滴下して隙間２９に溶液２８を進入させて
いる。この方法は、素子基板２及び対向基板３の側面から隙間２９に溶液２８を滴下する
ときに比べて滴下した位置が変動しても確実に隙間２９に溶液２８を進入させることがで
きる。従って、容易に溶液２８を設置することができる。
【００５７】
（第２の実施形態）
次に、液晶表示装置の一実施形態について図６及び図７を用いて説明する。図６（ａ）
及び図６（ｂ）は、液晶表示装置の構造を示す模式側断面図である。図６（ａ）はＸ方向
から見た図であり、図６（ｂ）は−Ｙ方向から見た図である。図７は液晶表示装置の製造
方法を説明するための模式図である。本実施形態が第１の実施形態と異なるところは、ア
ラミド膜２６をポリビニルアルコール膜に替えた点にある。尚、第１の実施形態と同じ点
については説明を省略する。
【００５８】
すなわち、本実施形態では、図６に示すように、電気光学装置としての液晶表示装置３
１には封止部５の側面を覆ってポリビニルアルコール膜３２が設置されている。ポリビニ
ルアルコール膜３２はエポキシ樹脂の膜に比べて透湿性が低い。従って、封止部５を覆っ
てエポキシ樹脂の膜を設置するときに比べて、水分が封止部に進入することを抑制するこ
とができる。
【００５９】
膜厚が０．１ｍｍ、面積が１平方メートルのシートを温度４０℃、湿度９０％の環境に
２４時間設置する。このとき、ポリビニルアルコール膜３２のシートを透過する水分の重
量が０．５ｇであり、エポキシ樹脂膜のシートを透過する水分の重量が４０ｇである。従
って、ポリビニルアルコール膜３２の透湿性はエポキシ樹脂膜の８０分の１程度となって
いる。従って、ポリビニルアルコール膜３２が水分の進入を抑制する為、封止部５の幅を
短くすることができる。その結果、液晶表示装置３１の開口率を大きくすることができる
。
【００６０】
液晶表示装置３１の製造方法は液晶表示装置１の製造方法と略同じ工程である。異なる
点は溶液２８の成分が異なる点にある。ステップＳ１及びステップＳ２は第１の実施形態
と同じであり説明を省略する。ステップＳ３において、溶液を作成する。まず、純水を１
００ｇ用意する。次に、純水を加熱し温度を８０℃にする。次に、純水に０．５ｇのポリ
ビニルアルコールを入れて溶解し溶液を作成した。
【００６１】
図７（ａ）に示すように、配列した外部接続用端子１７と封止部５との間にポリビニル
アルコールが溶解した溶液３３を滴下する。素子基板２の平面視にて素子基板２は対向基
板３より広くなっている。そして、素子基板２に溶液３３を滴下して隙間２９に溶液３３
を進入させる。溶液３３は粘性が低く流動性があるので第１基材６上を広がる。そして、
図７（ｂ）及び図７（ｃ）に示すように、溶液３３には第１基材６と第２基材１８との間
の隙間２９で毛管現象が作用する。そして、溶液３３は封止部５の−Ｙ方向側から封止部
５の＋Ｘ方向側及び−Ｘ方向側に広がる。さらに、溶液３３は封止部５の＋Ｙ方向側に達
し、封止部５の全周に渡って溶液３３が塗布される。換言すれば封止部５を覆って溶液３
３が設置される。
【００６２】
図７（ｄ）及び図７（ｅ）はステップＳ４の乾燥工程に対応する図である。図７（ｄ）
及び図７（ｅ）に示すように、ステップＳ４において、溶液３３を乾燥することにより、
純水を蒸発させて除去する。乾燥条件は特に限定されないが、本実施形態では例えば、８
０℃の雰囲気内に１時間放置して純水を乾燥させた。その結果、溶液３３を塗布した場所
にポリビニルアルコール膜３２が設置される。封止部５は全周に渡って溶液３３を塗布さ
れたので、封止部５は全周に渡ってポリビニルアルコール膜３２が設置される。
【００６３】
上述したように、本実施形態によれば、以下の効果を有する。
（１）本実施形態によれば、液晶層４を囲んで封止部５が配置されている。そして、封
止部５の側面を覆ってポリビニルアルコール膜３２が設置されている。ポリビニルアルコ
ール膜３２はエポキシ樹脂の膜に比べて透湿性が低い。従って、封止部５を覆ってエポキ
シ樹脂の膜を設置するときに比べて、水分が封止部５に進入することを抑制することがで
きる。
【００６４】
（２）本実施形態によれば、ポリビニルアルコール膜３２が水分の進入を抑制する為、
封止部５の幅を短くすることができる。その結果、液晶表示装置３１の開口率を大きくす
ることができる。
【００６５】
（３）本実施形態によれば、素子基板２と対向基板３とが封止部５にて接着される。こ
のとき、素子基板２と対向基板３との間には隙間２９が設置される。そして、ポリビニル
アルコールを純水に溶解させた溶液３３を調合する。溶液３３は粘性の低い液体である。
次に、素子基板２と対向基板３との間の隙間２９に進入するように溶液３３を滴下する。
溶液３３には毛管現象が作用し、溶液３３は隙間２９に進入する。そして、溶液３３は封
止部５を覆って設置される。次に、溶液３３が乾燥されて、溶液３３から純水が除去され
る。従って、封止部５を覆ってポリビニルアルコール膜３２が容易に設置される。そして
、ポリビニルアルコール膜３２は透湿性が低いので封止部５の幅を小さくできる為、液晶
表示装置３１の開口率を大きくすることができる。その結果、開口率の大きな液晶表示装
置３１を容易に製造することができる。
【００６６】
（４）本実施形態によれば、素子基板２の平面視にて素子基板２は対向基板３より広く
なっている。そして、素子基板２に溶液３３を滴下して隙間２９に溶液３３を進入させて
いる。この方法は、素子基板２及び対向基板３の側面から隙間２９に溶液３３を滴下する
ときに比べて滴下した位置が変動しても確実に隙間２９に溶液３３を進入させることがで
きる。従って、容易に溶液３３を設置することができる。
【００６７】
（第３の実施形態）
次に、液晶表示装置１または液晶表示装置３１を搭載した電子機器の例であるプロジェ
クターの一実施形態について説明する。
【００６８】
図８は、プロジェクターの構成を示す模式図である。なお、図８に示すように、電子機
器としてのプロジェクター３６は光源装置３７及び投写レンズ３８を備えている。図はＸ
ＹＺ直交座標系で記載されている。ＸＹＺ直交座標系は、光源装置３７の光軸である照明
光軸４１に沿う光束の進行方向を＋Ｘ方向とし、Ｘ方向に直交し、投写レンズ３８から画
像光が射出される方向とは逆側の方向を＋Ｙ方向とする。Ｘ方向及びＹ方向は水平方向で
あり、重力方向に逆らう方向＋Ｚ方向とする。
【００６９】
本実施形態のプロジェクター３６は、光源装置３７から射出される光束を画像信号に応
じて変調してスクリーン４３等の投写面に拡大投写する電子機器である。プロジェクター
３６は、光学ユニット４４、駆動装置としての制御部４５、光源装置３７及び制御部４５
等に電力を供給する電源ユニット４６及びプロジェクター３６内部を冷却する冷却ユニッ
ト４７等を備え、これらの各装置が外装筺体４８内部に収容されている。
【００７０】
光学ユニット４４は、制御部４５による制御に基づき、光源装置３７から射出された光
束を光学的に処理して画像信号に応じた画像光を形成して投写するユニットである。光学
ユニット４４は、光源装置３７、照明光学装置４９、色分離光学装置５０、リレー光学装
置５１、電気変調装置５２、及びこれらの光学装置を内部に収容する。さらに、光学ユニ
ット４４は、投写レンズ３８を所定位置で支持固定する光学部品用筺体５３を備えた構成
になっている。
【００７１】
光源装置３７は光源５４及びリフレクター５５を備える。光源装置３７では光源５４が
光を放射する。そして、リフレクター５５が光の射出方向を揃えて光束を形成する。光源
装置３７は照明光学装置４９に向けて光束を射出する。Ｘ方向を向く照明光軸４１は光源
装置３７から被照明領域側に射出される光束の中心軸である。光源装置３７には超高圧水
銀ランプを採用している。
【００７２】
照明光学装置４９は、第１レンズアレイ５６、調光装置５７、第２レンズアレイ５８、
偏光変換素子６１、重畳レンズ６２を備えている。さらに、色分離光学装置５０と電気変
調装置５２との間に位置する平行化レンズ６３も照明光学装置４９に含まれている。第１
レンズアレイ５６は、照明光軸４１方向から見て略矩形状の輪郭を有する小レンズがマト
リックス状に配列された構成を有している。各小レンズは光源装置３７から射出された光
束を部分光束に分割し照明光軸４１に沿った方向に射出する。
【００７３】
調光装置５７は第１レンズアレイ５６を通過した光束の一部を遮光して通過させる光量
を調整する。詳しくは、調光装置５７は一対の遮光板を備えている。制御部４５による制
御により一対の遮光板が照明光軸４１を通る水平面（ＸＹ平面）に対して略対称となる位
置関係で回動する。これにより、光束の一部が遮光される。調光装置５７を通過した光束
は第２レンズアレイ５８に入射する。第２レンズアレイ５８では第１レンズアレイ５６の
小レンズから射出された部分光束に対応した小レンズがマトリックス状に配列されている
。第２レンズアレイ５８は、第１レンズアレイ５６から射出された部分光束をそれぞれ重
畳レンズ６２に向けて射出する。
【００７４】
偏光変換素子６１は、第２レンズアレイ５８から射出されたランダム偏光である各部分
光束を略１種類の偏光に揃える。そして、偏光変換素子６１によって略１種類の偏光に変
換された各部分光束は、重畳レンズ６２によって略重畳される。重畳レンズ６２から射出
された光束は、色分離光学装置５０に入力される。
【００７５】
色分離光学装置５０は第１ダイクロイックミラー６４、第２ダイクロイックミラー６５
及び反射ミラー６６を備えている。色分離光学装置５０は、照明光学装置４９から射出さ
れた光束を、赤色光、緑色光、青色光の３色の色光に分離する。分離された赤色光は第２
ダイクロイックミラー６５を通過して＋Ｘ方向に進行しリレー光学装置５１に入力される
。緑色光は第２ダイクロイックミラー６５にて反射し−Ｙ方向に進行する。青色光は第１
ダイクロイックミラー６４にて反射し−Ｙ方向に進行する。さらに、青色光は反射ミラー
６６にて反射しＸ方向に進行する。
【００７６】
リレー光学装置５１は入射側レンズ６７、反射ミラー６８、リレーレンズ６９及び反射
ミラー７０を備えている。リレー光学装置５１は色分離光学装置５０で分離された赤色光
の進行方向を変更し、赤色光を電気変調装置５２へ導く。
【００７７】
色分離光学装置５０を通過した緑色光及び青色光は平行化レンズ６３により平行化され
る。そして、平行化レンズ６３を通過した緑色光及び青色光は電気変調装置５２に入力さ
れる。リレー光学装置５１を通過した赤色光も平行化レンズ６３により平行化される。そ
して、平行化レンズ６３を通過した赤色光も電気変調装置５２に入力される。
【００７８】
電気変調装置５２は、入射側偏光板７１、電気光学装置としての液晶パネル７２、射出
側偏光板７３及びクロスダイクロイックプリズム７４を備えている。液晶パネル７２は赤
色光用の液晶パネル７２ｒ、緑色光用の液晶パネル７２ｇ、青色光用の液晶パネル７２ｂ
を備えている。入射側偏光板７１及び射出側偏光板７３は、各色光の液晶パネル７２毎に
設けられている。平行化レンズ６３を通過した平行光は重畳レンズ６２により各色光用の
液晶パネル７２に重畳されている。
【００７９】
液晶パネル７２は制御部４５により制御され駆動される。液晶パネル７２は色分離光学
装置５０で色光毎に分離された光束を画像信号に応じて変調する。クロスダイクロイック
プリズム７４は４つの直角プリズムを貼り合わせた平面視略正方形状を有している。直角
プリズム同士を貼り合わせた界面には２つの誘電体多層膜が形成されている。クロスダイ
クロイックプリズム７４は、液晶パネル７２ｒ，液晶パネル７２ｇ，液晶パネル７２ｂで
変調された各色光を合成し、投写レンズ３８に射出する。
【００８０】
投写レンズ３８は複数のレンズを組み合わせた組レンズであり、電気変調装置５２で変
調され合成された光束を投写レンズ３８がスクリーン４３等の投写面上に拡大投写する。
【００８１】
液晶パネル７２には上記実施形態に記載の液晶表示装置１または液晶表示装置３１が用
いられている。液晶表示装置１または液晶表示装置３１は開口率の高く湿度が高い環境で
も品質良く変調することができる液晶パネルである。従って、プロジェクター３６は開口
率の大きな液晶パネル７２を備えた装置とすることができる。
【００８２】
なお、上記実施形態に記載の液晶表示装置１及び液晶表示装置３１が搭載される電子機
器としてはプロジェクター３６以外にも適用することができる。例えば、ヘッドアップデ
ィスプレイ、ヘッドマウントディスプレイ、スマートフォン、ＥＶＦ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃ
ａｌ  Ｖｉｅｗ  Ｆｉｎｄｅｒ）、モバイルミニプロジェクター等の電子機器に液晶表示
装置１及び液晶表示装置３１を搭載することができる。他にも、電子ブック、携帯電話、
モバイルコンピューター、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、ディスプレイ、車載
機器、オーディオ機器、露光装置や照明機器等の電子機器にも液晶表示装置１及び液晶表
示装置３１を搭載することができる。
【００８３】
尚、本実施形態は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想内
で当分野において通常の知識を有する者により種々の変更や改良を加えることも可能であ
る。変形例を以下に述べる。
（変形例１）
前記第１の実施形態では、第１基材６の−Ｚ方向側の面及び第２基材１８の＋Ｚ方向側
の面にマスク２７を設置した。マスク２７を設置しなくてもアラミド膜２６やポリビニル
アルコール膜３２の影響がないときにはマスク２７を設置しなくても良い。
【００８４】
（変形例２）
前記第１の実施形態では、素子基板２に溶液２８を滴下した。対向基板３に溶液２８を
滴下し易いときには対向基板３に溶液２８を滴下しても良い。作業性の良い方法を選択し
ても良い。生産性良く溶液２８を滴下することができる。同様に、前記第２の実施形態で
は、素子基板２に溶液３３を滴下した。対向基板３に溶液３３を滴下し易いときには対向
基板３に溶液３３を滴下しても良い。作業性の良い方法を選択しても良い。生産性良く溶
液３３を滴下することができる。
【符号の説明】
【００８５】
１，３１…電気光学装置としての液晶表示装置、２…第１基板としての素子基板、３…
第２基板としての対向基板、４…液晶層、５…封止部、２６…アラミド膜、２８，３３…
溶液、２９…隙間、３２…ポリビニルアルコール膜、３６…電子機器としてのプロジェク
ター、４５…駆動装置としての制御部、７２…電気光学装置としての液晶パネル。
【図１】
2016080955.tif 000003
【図２】
2016080955.tif 000004
【図３】
2016080955.tif 000005
【図４】
2016080955.tif 000006
【図５】
2016080955.tif 000007
【図６】
2016080955.tif 000008
【図７】
2016080955.tif 000009
【図８】
2016080955.tif 000010