(57)【要約】【課題】  放射線が斜めに入射することによる周辺部の解像度低下を軽減することができる放射線撮像システムを提供すること。【解決手段】  放射線撮像システムは、複数のシンチレータ層（１０４〜１０６）を有する積層シンチレータ１０２と、積層シンチレータからの光を検出する受光素子アレイ１０３と、受光素子アレイによる検出結果を用いて放射線画像の情報を取得する画像処理手段を有する。複数のシンチレータ層は、受光素子アレイの受光面の法線方向において積層され、複数のシンチレータ層は互いに発するシンチレーション光の波長が異なる。受光素子アレイは、積層シンチレータからのシンチレーション光を波長で弁別して検出可能に構成されている。画像処理手段は、受光素子アレイによって弁別された検出結果同士を、放射線の入射角度に応じた補正を行って重畳することで放射線画像の情報を取得する。【選択図】  図１
2016217875.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のシンチレータ層を有する積層シンチレータと、
前記積層シンチレータからの光を検出する受光素子が２方向に配列された受光素子アレイと、
前記受光素子アレイによる検出結果を用いて放射線画像の情報を取得する画像処理手段と、を有し、
前記複数のシンチレータ層は、前記受光素子アレイの受光面の法線方向において積層され、
前記複数のシンチレータ層は互いに発するシンチレーション光の波長が異なり、
前記受光素子アレイは、前記積層シンチレータからの前記シンチレーション光を波長で弁別して検出可能であり、
前記画像処理手段は、前記受光素子アレイによって弁別された検出結果同士を、放射線の入射角度に応じた補正を行って重畳することで前記放射線画像の情報を取得することを特徴とする放射線撮像システム。
【請求項２】
前記シンチレータ層のうち、
前記積層シンチレータへの放射線入射面を有するシンチレータ層を第１のシンチレータ層、
前記第１のシンチレータ層よりも放射線の下流に配置されたシンチレータ層を第２のシンチレータ層とするとき、
前記画像処理手段による前記入射角度に応じた補正は、
前記第１のシンチレータ層で発生した第１のシンチレーション光の検出結果に対して、
前記第２のシンチレータ層で発生した第２のシンチレーション光の検出結果を相対的に縮小することであることを特徴とする請求項１に記載の放射線撮像システム。
【請求項３】
前記積層シンチレータは前記シンチレータ層を３層以上有し、
前記積層シンチレータにおける放射線入射面を有するシンチレータ層を第１のシンチレータ層、
放射線が前記積層シンチレータに対して垂直に入射する位置を撮像範囲の中心とするとき、
前記画像処理手段は、
前記第１のシンチレータ層の（ｎ−１）つ受光素子側に配置された第ｎのシンチレータ層が発する第ｎのシンチレーション光の検出結果に対して、
下記式で表されるＨ１，ｎ分、シンチレータの中心に近い位置で検出されたものとして補正を行い、
前記第１のシンチレーション光の検出結果と補正をされた第ｎの検出結果とを
重畳させることを特徴とする請求項１又は２に記載の放射線撮像システム。
【数１】
2016217875.tif 000004
但し、Ｔｍは第ｍのシンチレータ層の厚み、θは前記放射線入射面に対する放射線の入射角度。
【請求項４】
前記複数のシンチレータ層のそれぞれが、前記シンチレーション光を導波することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の放射線撮像システム。
【請求項５】
前記複数のシンチレータ層のそれぞれは、複数の第１の相と、前記第１の相の側面を覆う第２の相とを有し、前記複数の第１の相を形成する第１の材料と前記第２の相を形成する第２の材料との屈折率が異なることを特徴とする請求項４項に記載の放射線撮像システム。
【請求項６】
前記シンチレータ層において、前記第１の相を形成する第１の材料と、前記第２の相を形成する第２の材料と、が共晶体を形成していることを特徴とする請求項５項に記載の放射線撮像システム。
【請求項７】
前記第１の相がＧｄを含有するペロブスカイト型酸化物材料であり、かつ該第１の相が発光中心として希土類元素を０．００１ｍｏｌ％以上含有し、該第２の相がアルミナであり、該第１の相がシンチレーション光を発することを特徴とする請求項５又は６に記載の放射線撮像システム。
【請求項８】
前記希土類元素がＴｂ３＋、Ｅｕ３＋、Ｐｒ３＋、Ｃｅ３＋のうち少なくとも一つであることを特徴とする請求項７に記載の放射線撮像システム。
【請求項９】
前記シンチレータ層のそれぞれは、複数の孔を有する多孔質シンチレータであることを特徴とする請求項５に記載の放射線撮像システム。
【請求項１０】
前記シンチレータ層のそれぞれは、複数の柱状結晶を備えることを特徴とする請求項５に記載の放射線撮像システム。
【請求項１１】
前記積層シンチレータにおいて、
異なる前記シンチレータ層には異なる発光中心が含まれていることを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の放射線撮像システム。
【請求項１２】
前記積層シンチレータが備える前記シンチレータ層のうち、
前記積層シンチレータの放射線入射面を有するシンチレータ層を第１のシンチレータ層、
前記受光素子アレイ側のシンチレータ層を受光素子側のシンチレータ層、とするとき、
前記第１のシンチレータ層の厚さは、前記受光素子側のシンチレータ層よりも薄いことを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の放射線撮像システム。
【請求項１３】
前記受光素子は、カラーフィルタと光電変換素子とを有することを特徴とする請求項１乃至１２のいずれか１項に記載の放射線撮像システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、放射線撮像システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
医療現場などで用いられている放射線検出器では、被写体を通過した放射線をシンチレータで可視光に変換し、その発光を平面状に２方向に配列した受光素子の二次元アレイで検出し、放射線画像を取得している。このような放射線検出器を放射線源と組み合せて放射線画像を取得すると、放射線源と放射線検出器との位置関係から、放射線検出器の周辺部では放射線の入射角が垂直からずれてしまう。そのため、撮像範囲の中心付近に対して周辺部の解像度が低下するという問題があった。
【０００３】
特許文献１には、シンチレータとして機能するＣｓＩ針状結晶が放射線の入射方向に向くように、ＣｓＩ針状結晶を傾斜成長することで周辺部における解像度を改善した例の記載がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００９−２３６７０４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１に記載のシンチレータのように、シンチレータを放射線の入射方向に傾けて形成する手法は、放射線源と放射線検出器との位置関係が予め設定された位置関係にある場合には周辺部の解像度が改善される。しかしながら、その位置関係を予め設定された位置関係から動かすと、解像度を改善することが難しいといった課題がある。
【０００６】
そこで本発明は、放射線源と放射線検出器との位置関係を任意の位置に設定した場合であっても、放射線が斜めに入射することによる周辺部の解像度低下を軽減することができる放射線撮像システムを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一側面によれば、放射線撮像システムは、複数のシンチレータ層を有する積層シンチレータと、前記積層シンチレータからの光を検出する受光素子が２方向に配列された受光素子アレイと、前記受光素子アレイによる検出結果を用いて放射線画像の情報を取得する画像処理手段と、を有し、前記複数のシンチレータ層は、前記受光素子アレイの受光面の法線方向において積層され、前記複数のシンチレータ層は互いに発するシンチレーション光の波長が異なり、前記受光素子アレイは、前記積層シンチレータからの前記シンチレーション光を波長で弁別して検出可能であり、前記画像処理手段は、前記受光素子アレイによって弁別された検出結果同士を、放射線の入射角度に応じた補正を行って重畳することで前記放射線画像の情報を取得することを特徴とする。
【０００８】
本発明のその他の側面に関しては発明を実施するための形態で説明をする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、放射線源と放射線検出器との位置関係を任意の位置に設定した場合であっても、放射線が斜めに入射することによる周辺部の解像度低下を軽減することができる放射線撮像システムを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】実施形態に係る放射線検出器の模式図。
【図２】実施形態に係るシンチレータ層の一例の模式図。
【図３】実施形態に係る位置ずれ補正の概要を示す図。
【図４】実施形態に係るシンチレータ層の一例のＸ線励起発光スペクトル。
【図５】放射線検出素子が斜めに入射することによる解像度の低下を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
本実施形態の放射線撮像システムは、放射線検出器と画像処理手段とを有する。放射線検出器は、シンチレーション光の波長が異なる複数のシンチレータ層が積層した積層シンチレータと、各シンチレータ層のシンチレーション光を弁別可能な受光素子の２次元アレイとを有し、放射線検出素子の強度分布を各シンチレータ層毎に検出する。画像処理手段は放射線検出器と接続され、放射線検出器による各シンチレータ層毎の検出結果を用い、放射線の入射角度に応じて各シンチレータ層の検出結果間の位置ずれを補正してから各検出結果同士を重畳する。これにより、放射線源と放射線撮像システムとの位置によらず、周辺部における解像度の低下を軽減することができる。
【００１２】
以下、図面などを用いて本発明を実施するための形態をより具体的に説明する。図１に本実施形態の放射線検出器１０１の模式図を示す。放射線検出器１０１は、積層シンチレータ１０２と受光素子アレイ１０３から構成される。積層シンチレータ１０２は、発光波長の異なる複数のシンチレータ層１０４、１０５、１０６を有し、これらのシンチレータ層は、受光素子アレイ１０３の受光面の法線方向において積層している。受光素子アレイ１０３は、基板１１２と、基板上で交差する２方向に配列された受光素子１２２（所謂エリアセンサ）を有する。受光素子１２２のそれぞれは、積層シンチレータ１０２からの光を波長で弁別して検出することができるように、カラーフィルタ層１０７及び光電変換素子１１１を有する。このように、放射線検出器１０１が構成されることで、積層シンチレータ１０２のどの層で、どの程度シンチレーション光が発生したかを検出することができる。詳細は後程詳細に説明するが、放射線が積層シンチレータ１０２に対して斜めに入射すると、放射線の下流側（受光素子側）のシンチレータ層ほど放射線が垂直に入射する位置から遠い位置に放射線が入射する。但し、放射線が垂直に入射する位置とは、放射線源と検出器との間に何も配置されていないときに放射線が垂直に入射する位置のことを指し、一般的には撮像範囲の中心である。本発明及び本明細書では、この位置のことを単にシンチレータ層の中心と呼ぶことがある。よって、放射線検出器１０１によりシンチレータ層毎にシンチレーション光を検出し、画像処理手段（不図示）が入射角度に応じた補正を行うことで、シンチレータ層が１層の放射線検出器を用いた場合よりも解像度を向上させることができる。画像処理手段による入射角度に応じた補正は、放射線の下流側のシンチレータ層による放射線画像（そのシンチレータ層で発生したシンチレーション光の検出結果）を上流側のシンチレータ層による放射線画像よりも相対的に縮小することにより行うことができる。
【００１３】
図１では、積層シンチレータ１０２が第１のシンチレータ層１０４、第２のシンチレータ層１０５、及び第３のシンチレータ層１０６の３層から成る場合を示しているが、シンチレータ層は２層以上あれば良い。各々のシンチレータ層は放射線１１３が入射すると、発光点１１４（１１４ａ〜ｆをまとめて１１４とする）で波長の異なる第１のシンチレーション光１１５、第２のシンチレーション光１１６、及び第３のシンチレーション光１１７を発生する。第１〜第３のシンチレーション光１１５、１１６、１１７は受光素子アレイ１０３に入射し、カラーフィルタ層１０７を透過したシンチレーション光が光電変換素子１１１に入射する。尚、本発明及び本明細書では、積層シンチレータの放射線入射面１２４を有するシンチレータ層、つまり、放射線に対して最も上流側のシンチレータ層を第１のシンチレータ層１０４とする。そして、第１のシンチレータ層と隣り合うシンチレータ層を第２のシンチレータ層１０５とし、以下、下流側（つまり受光素子アレイ側）のシンチレータ層を順番に第３のシンチレータ層１０６、第４のシンチレータ層・・・とする。つまり、第１のシンチレータの１つ受光素子側に配置されたシンチレータ層を第２のシンチレータ層、２つ受光素子側に配置されたシンチレータ層を第３のシンチレータ層、（ｎ−１）つ受光素子側に配置されたシンチレータ層を第ｎのシンチレータ層とする。各シンチレータ層間にシンチレータ層以外の部材（例えば基板など）が配置されていても良い。
【００１４】
積層シンチレータ１０２は、複数のシンチレータ層を有する。各シンチレータ層は、放射線が各シンチレータ層に入射するように、受光素子アレイの受光面の法線方向（図１中の縦方向）において積層されている。各シンチレータ層の側面がずれて積層されていても、法線方向において積層されており、放射線を入射させたときに各シンチレータ層に放射線が入射すればよい。
【００１５】
第１〜第３のシンチレータ層は、互いに異なるシンチレーション光を発生させるものであれば特に問わない。波長が互いに異なるシンチレーション光を発生させるためには、シンチレータ層を構成するシンチレータの母材の材料を変えても良いし、母材に添加する発光中心の種類、濃度、を変えても良い。
【００１６】
積層シンチレータ１０２が有する各々のシンチレータ層は、シンチレーション光を導波する機能を有することが好ましい。各々のシンチレータ層がシンチレーション光を導波することで、第１〜第３のシンチレーション光１１５、１１６、１１７はそれぞれ、平面状に配列された受光素子アレイ１０３に略垂直に入射する。よって、シンチレーション光の多くが、受光素子のうち、受光素子アレイの受光面の法線方向から発光点を投影した位置に配置されている受光素子に入射するため、解像度を向上させることができる。
【００１７】
カラーフィルタ層は、第１〜第３のカラーフィルタ１０８ａ、１０８ｂ、１０８ｃが配列されて構成される。第１〜第３のカラーフィルタ１０８ａ、１０８ｂ、１０８ｃのそれぞれは、第１〜第３のシンチレーション光１１５、１１６、１１７に対応する特定の波長範囲のみ（他のシンチレーション光を含まなければよい）を透過するように設けられている。これにより、受光素子アレイ１０３は、第１〜第３のシンチレーション光を弁別して検出することができる。
【００１８】
光電変換素子１１１は、カラーフィルタ層１０７を透過した光を電気信号に変換することができるものを用いれば良い。例えば、ＣＣＤ、ＣＭＯＳなどの光センサーを用いることができる。図１では、１つの光電変換素子と１つのカラーフィルタ（第１〜第３のいずれか）が１：１で対応して受光素子１１２を構成している。
【００１９】
受光素子アレイ１０３がこのような構成を有することにより、それぞれのシンチレータ層（１０４、１０５、１０６）で発生したシンチレーション光を弁別して検出することができる。しかしながら、受光素子アレイ１０３は、各シンチレータ層によるシンチレーション光を弁別して検出できれば、このような構成に限らず用いることができる。例えば、素子の厚み方向(光が入射する方向)に異なる波長の情報を分離できるような受光素子を用いることも可能である。
【００２０】
このように、放射線検出器は、波長の異なるシンチレーション光を発生する複数のシンチレータ層と、異なるシンチレータ層で発生したシンチレーション光を弁別して検出可能な受光素子アレイとを備える。これにより、放射線検出器は、シンチレータの厚み毎に放射線の検出結果を取得することができる。
【００２１】
上述のように、積層シンチレータを構成するシンチレータ層の各々は、シンチレーション光を導波する機能を有することが好ましい。図２に、シンチレーション光を導波する機能を有するシンチレータ層の具体例の模式図を示す。この模式図は、積層シンチレータ１０２を構成する一層のシンチレータ層を示す。シンチレータ層２０１は複数の第１の相２０２と、第１の相の側面を覆う第２の相２０３を有する、相分離構造をとる。第１の相２０２と第２の相２０３は異なる屈折率を有している。シンチレーション光が全反射により第１の相２０２又は第２の相２０３内を導波するように、相対的に屈折率の高い相がシンチレータとして機能することが好ましい。相対的に屈折率の低い相は、シンチレータとして機能しても良いし、機能しなくても良い。以下、第１の相２０２が相対的に屈折率が高い場合を例に挙げて説明する。第１の相の屈折率が、第２の相の屈折率に対して高い場合、光ファイバーのように、シンチレーション光は第１の相の中に閉じ込められながら導波する。第１の相２０２は、円柱の形状を有し、シンチレータとして機能する。第１の相２０２で発生したシンチレーション光のうち、第１の相２０２と第２の相２０３の境界面に臨界角度以上で入射するシンチレーション光２０６は、全反射を繰り返しながら第１の相２０２中を導波方向２０９に伝搬し、光取り出し面２０８から出射される。ここで、発光の導波方向２０９は第１の相２０２の長手方向であり、円柱の中心軸と略平行である。導波する発光の波長よりも第１の相の直径が小さい場合は、シンチレーション光が反射せずに透過してしまう成分が多くなってしまう。よって、第１の相の周期２０４と第１の相の直径２０５はシンチレーション光の波長よりも大きいことが望ましい。本実施形態では、３００ｎｍからの紫外域に発光を有するようなシンチレータを用いることもある為、第１の相の直径２０５は３００ｎｍ以上であることが望ましい。一方、第１の相の直径２０５がシンチレータ層の厚さ２０７と同等以上のサイズになると光を閉じ込める効果が低下してしまう為、第１の相の直径２０５はシンチレータ層の厚さ２０７よりも小さいことが望ましい。上述の光ファイバーのような導波機能を有するシンチレータは、その厚みが１ｍｍであっても、１０μｍ程度の解像度（空間分解能）が可能であり、受光素子のピクセルピッチもそれに合わせて１０μｍ程度のサイズに設定することができる。よって、ファイバーの直径が１０μｍより大きくなると、隣接するピクセルに光が漏れてしまう為、第１の相の直径は、１０μｍ以下であることが望ましい。
【００２２】
以上より、第１の相の直径２０５は、３００ｎｍ以上１０μｍ以下の範囲であることが好ましい。また、第１の相２０２の形状は円柱以外にも多角柱であってもよい。第１の相２０２は、直線的に連続していることが好ましいが、途中で途切れたり、枝分かれしたり、複数の結晶相が一体化したり、結晶相の直径が変化したり、直線的でなく非直線部分が含まれたりしても良い。
【００２３】
このような相分離構造を有するシンチレータ層は、発光を導波する機能を有しており、放射線の入射により発生したシンチレーション光は拡散が抑えられながらシンチレータ層内を進行し、光取り出し面２０８に到達する。第ｎ層のシンチレータ層の光取り出し面に到達したシンチレーション光は、下流側に隣接する第ｎ＋１層のシンチレータ層に入射し、その光取り出し面まで導波される。この工程を繰り返すことで、各々のシンチレータ層で発生したシンチレーション光は各々のシンチレータ層が導波性を有さない場合よりも拡散せず、即ち位置情報を失うことなく、受光素子アレイ１０３まで伝搬される。つまり、相分離構造を有するシンチレータを用いると、高い解像度を実現する放射線検出器を得ることができる。一方、Ｘ線が斜めに入射することによる解像度の低下は、高い解像度を有する放射線検出器のほうが顕著に表れる。
【００２４】
一般的な針状膜のシンチレータを用いた場合、針状結晶表面の乱れなどにより光散乱が生じ、その厚みが増すと分解能の劣化が生じる。よって、厚みが１ｍｍになると、その空間分解能の限界は１００μｍ程度である。よって、受光素子のピクセルピッチは、１００μｍ程度のサイズに設定される。この場合、前述の通り、Ｘ線が斜めに入射することによる位置ずれは、１ｍｍ厚のシンチレータでθ＝３°で入射する場合であっても５０μｍ程度であり、これは二次元受光素子のピクセルピッチよりも相対的に小さい為、解像度に与える影響は比較的小さい。一方、相分離構造を有するシンチレータは、その厚みが１ｍｍであっても、１０μｍ程度の解像度（空間分解能）が可能であり、受光素子のピクセルピッチもそれに合わせて１０μｍ程度のサイズに設定することができる。しかしながら、このようにピクセルピッチを小さく設定すると、Ｘ線が斜めに入射することによる位置ずれがピクセルピッチよりも大きくなる。よって、中心部と周辺部との解像度のムラが、位置ずれがピクセルピッチよりも小さい場合よりも大きくなる。つまり、本実施形態は、高解像度を実現できるシンチレータ層に適用したほうが効果が大きい。
【００２５】
図２に示したようなシンチレータ層として、例えば、共晶相分離構造を有するシンチレータを用いることができる。共晶相分離構造とは、図２に示したような相分離構造体の内、第１の相と第２の相とが共晶体を構成しているもののことを指す。共晶相分離構造体の材料系の一例として、Ｇｄを含有するペロブスカイト型酸化物材料（ＧｄＡｌＯ３）と、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）との共晶相分離構造体が挙げられる。この材料系の共晶相分離構造体は、第１の相（ＧｄＡｌＯ３：屈折率２．０５）の方が第２の相（Ａｌ２Ｏ３：屈折率１．７９）よりも屈折率が高く、且つ、第１の相がシンチレータとして機能する。そのため、共晶相分離構造体の中でも特に導波性が高い。第１の結晶相と、第１の結晶相の側面を覆う第２の結晶相との２相を有する共晶相分離構造を形成する上で重要になるのは、第１の結晶相を構成する材料と第２の結晶相を構成する材料との組成比である。図２に示す模式図のような良好な相分離構造を有するシンチレータ結晶体を得るためには、一般的に、第１の相の材料と第２の相の材料とが共晶組成比（ＧｄＡｌＯ３：Ａｌ２Ｏ３＝４６：５４（ｍｏｌ％））であることが必要である。ただし、第１の相の材料と第２の相の材料との組成比は共晶組成から外れてはならないものではなく、この組成比に対して共晶組成±５ｍｏｌ％の範囲は許容範囲とすることができる。また、第１の相の材料と第２の相の材料との組成比が、共晶組成±３ｍｏｌ％の範囲内であることがより好ましい。第１の相の材料と第２の相の材料とが共晶組成比近傍（±５ｍｏｌ％）で混合された融液を用いて、一方向凝固を行うことで、図２のような良質な相分離構造を有する結晶体を得ることができる。第１の相の材料と第２の相の材料との組成比が共晶組成±５ｍｏｌ％の範囲を逸脱している場合は、一方の結晶相が先に析出するため、相分離構造形成の観点から、シンチレータ結晶体の良好な相分離構造を乱す要因となる。ただし、第１の相の材料と第２の相の材料との組成比が共晶組成±５ｍｏｌ％の範囲を逸脱している場合であっても、共晶組成±１０ｍｏｌ％の範囲であれば、部分的には良好な相分離構造を有するシンチレータ結晶体が得られる場合がある。よって、第１の相と第２の相の材料の組成比が共晶組成比±５ｍｏｌ％の範囲外であっても、第１の相と第２の相とが共晶体を構成し、相分離構造体を構成していれば、その構造体は共晶相分離構造体であるとみなす。
【００２６】
また、導波性を有するシンチレータ層の別の例として、多孔質シンチレータが挙げられる。多孔質シンチレータは、複数の柱状の孔が形成されているシンチレータであり、図２に示した共晶相分離体のうち、第１の相２０２を孔で置き換えた構造を有する。このような多孔質シンチレータは、例えば、共晶相分離構造体を形成した後で第１の相を選択的に除去することにより形成することができる。その他、導波性を有するシンチレータ層として、ヨウ化セシウムの柱状結晶（針状結晶ともいう）が基板上に複数配置されているシンチレータを用いることもできる。ヨウ化セシウムの柱状結晶の場合、柱状結晶の長手方向が導波方向であり、基板上に配置されている柱状結晶の導波方向が概ね揃っていることでシンチレータ層が導波性を有する。
【００２７】
上述のように、積層シンチレータが備える各々のシンチレータ層は発光波長が異なる。発光波長は、シンチレータの母材の材料、添加する発光中心の種類、発光中心の濃度によって異なることが知られているため、これを利用して各々のシンチレータ層の発光波長を設定する。各々のシンチレータ層の発光波長は、発光波長のスペクトル同士の重なりが小さい又はなく、それぞれの波長の強度分布を独立して検出できるように選択する。
【００２８】
上述したＧｄＡｌＯ３の場合、発光中心の種類によって発光波長が変化する。具体的には、発光中心として、希土類元素であるＴｂ３＋、Ｅｕ３＋、Ｐｒ３＋、Ｃｅ３＋を用いることができる。また、シンチレータとして有効に機能するように、これらの発光中心を０．００１ｍｏｌ％以上含有している。複数種類の発光中心が添加される場合は、発光中心の総量が０．００１ｍｏｌ％以上であればよい。発光中心となる添加元素は第１の相であるＧｄＡｌＯ３のＧｄサイトを置換するように添加され、添加元素を一般式ＲＥで表わすと、Ｇｄ１−ｘＲＥｘＡｌＯ３とＡｌ２Ｏ３の組成比が４６：５４（ｍｏｌ％）となる。
【００２９】
図４に示すように、発光中心としてＴｂ３＋を用いた場合、５４５ｎｍ付近に緑色発光ピークを示す。また、Ｅｕ３＋を用いた場合６１５ｎｍ付近に赤色発光ピークを示す。また、Ｐｒ３＋を用いた場合、５００ｎｍ付近に赤色発光ピークを示す。また、Ｃｅ３＋を用いた場合、３６０ｎｍ付近にブロードな紫外発光を示す。このように、添加元素を適切に選択することで、様々な発光波長のシンチレータを得ることができる。また、添加元素として、他の希土類元素（Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ）を選択することもできる。
【００３０】
このように、各々のシンチレータ層による発光波長が異なる複合シンチレータと、発光波長ごとに弁別して強度分布を取得する受光素子とを組み合わせることにより、各シンチレータ層による発光強度分布を独立して取得することができる。
【００３１】
画像処理手段は、放射線検出器による各シンチレータ層毎の検出結果を用い、放射線の入射角度に応じて各シンチレータ層の検出結果間の位置ずれを補正してから各検出結果同士を重畳する。
【００３２】
図１、及び図３を用いて、放射線が複合シンチレータに対して斜めに入射した際に生じる解像度の低下を補正する方法について説明をする。
【００３３】
まず、放射線が複合シンチレータに対して斜めに入射することによって解像度が低下する理由について説明をする。
【００３４】
図１に示すように放射線１１３ｂが積層シンチレータの中心で、積層シンチレータに対して垂直に積層シンチレータ１０２に入射する（つまり、積層シンチレータ表面の法線方向と放射線の入射方向とが平行である）場合を考える。
【００３５】
このとき、第１のシンチレータ層１０４、第２のシンチレータ層１０５、及び第３のシンチレータ層１０６のそれぞれにおける発光点１１４ｄ〜ｆを受光素子アレイ１０３に投影すると、その投影像は空間的に同じ位置に形成される。よって、各シンチレータ層が理想的な光導波特性を有し、シンチレータ光が積層シンチレータの厚さ方向（図中の縦方向）と略平行に進行する場合には、中心部で得られる放射線画像１１８は、積層シンチレータ表面に実際に入射した放射線の像と略一致する。よって図１のように１本のビーム状の放射線１１３ｂが積層シンチレータに略垂直に入射する場合は、その放射線１１３ｂの断面（図１中だと円形）を反映した一点として放射線強度を検出することができる。
【００３６】
一方、周辺部に入射した放射線１１３ａは、積層シンチレータ１０２に入射角度θで斜めに入射する。よって、第１のシンチレータ層１０４、第２のシンチレータ層１０５、及び第３のシンチレータ層１０６における各々の発光点１１４ａ〜ｃを受光素子アレイ１０３に投影すると、その投影像は空間的にずれた位置に形成される。すなわち、より下層（受光素子アレイに近い層）のシンチレータ層ほど発光点がシンチレータ層の中心から離れた位置になる。よって、シンチレータ光が積層シンチレータの厚さ方向と略平行に進行する場合には、各々のシンチレータ層による放射線画像１１９、１２０、１２１は空間的にずれて形成される。尚、図１のカラーフィルタ１０８（１０８ａ〜ｃ）、及び光電変換素子１１１のサイズは模式的に表わしたものであり、実際は位置ずれ量に対して十分小さく、そのずれ量を定量的に識別できるサイズのものを用いる。
【００３７】
ここで、まず本実施形態の比較例を図５（ａ）、（ｂ）を用いて説明する。図５（ａ）は一層構造のシンチレータ３１１に放射線が入射する様子を説明する模式図である。図５（ｂ）は、図５（ａ）に示したようにシンチレータ３１１に放射線が入射したときに、シンチレータ３１１の下部に配置されている受光素子アレイ（不図示）で検出される強度分布を示す。厚さＴ０＝９００μｍの一層のみで構成されているようなシンチレータ３１１を考える。周辺部での位置ずれ量ｄ０は、ｄ０＝Ｔ０×ｔａｎθとなり、入射角度がθ＝１°でｄ０＝１６μｍ、θ＝３°でｄ０＝４７μｍとなる。ここでのシンチレータは、理想的な光導波特性を有するものとする。まず、図５（ａ）に示すように、放射線源３０１から、一層のシンチレータ３１１の中心部と周辺部の計９点に、ビーム状の放射線３０２が均等に入射した場合について述べる。放射線のビームのそれぞれの断面は円とする。中心部では放射線３０２がシンチレータ３１１に垂直に入射することから、各シンチレータ層による放射線画像３１２ａには位置ずれが生じない（図５（ｂ））。一方、周辺部では、放射線が斜めに入射する為、中心部からの距離が離れるに従って外側に広がった放射線画像３１２ｂとなる。このような像ボケは、放射線が垂直に入射しないことに起因して生じるものであり、シンチレータが理想的な光導波特性を有していたとしても、解消できるものではない。本実施形態では、厚さ方向に発光点を分割して取得し、画像処理手段による補正をすることで、この位置ずれを改善することができる。
【００３８】
図３（ａ）は一層構造のシンチレータ３１１に放射線が入射する様子を説明する模式図である。図３（ｂ）は、図３（ａ）に示したように積層シンチレータ１０２に放射線が入射したときに、積層シンチレータ１０２の下部に配置されている受光素子アレイ（不図示）で検出される強度分布を示す。また、図３（ｃ）は図３（ｂ）を用いて画像処理手段により補正を行うことで位置ずれを軽減した強度分布を示す。
【００３９】
ここで、積層シンチレータ１０２の第１〜第３のシンチレータ層１０４、１０５、１０６の厚さを、それぞれＴ１、Ｔ２、及びＴ３とする。そして、各層の発光点の分布（放射線の光路）を受光素子アレイ１０３に投影した空間的な拡がりを位置ずれ量として、ｄ１、ｄ２、ｄ３で表わすとすると、ｄ１＝Ｔ１×ｔａｎθ、ｄ２＝Ｔ２×ｔａｎθ、ｄ３＝Ｔ３×ｔａｎθとなる。例えば、Ｔ１＝３００μｍ、Ｔ２＝３００μｍ、Ｔ３＝３００μｍとする。この場合、各層内で生じる位置ずれ量は入射角度がθ＝１°でｄ１＝ｄ２＝ｄ３＝５μｍ、θ＝３°でｄ１＝ｄ２＝ｄ３＝１６μｍとなり、一層のみで構成されている場合に比べて１／３に改善される（図３（ｂ））。しかしながら、各層で生じた位置ずれ量の合計は、シンチレータが一層のみで構成されている場合と同じである。そこで、画像処理手段により、これらの複数の放射線画像間の位置ずれを補正して一枚の放射線画像を生成する画像処理を行う。
【００４０】
画像処理手段が行う位置ずれ補正について説明をする。ここでは、図３（ａ）に示すように、放射線源３０１から、積層シンチレータ１０２の中心部と周辺部の計９点に、点状の放射線３０２が均等に入射した場合について述べる。図３（ｂ）は、第１のシンチレータ層１０４による放射線画像１１９、第２のシンチレータ層１０５による放射線画像１２０、第３のシンチレータ層１０６による放射線画像１２１とを一枚の検出結果として出力したものである。図３（ｂ）をみると、受光素子アレイの近くに配置されたシンチレータ層ほど、放射線画像が外側に拡大されているのがわかる。よって、放射線の入射面を有するシンチレータ層の放射線画像１１９に対して、その直下に配置されたシンチレータ層の放射線画像１２０を、撮像範囲の中心（放射線が垂直に入射する位置）に対応する位置を中心として縮小してから２つの放射線画像を重畳する。シンチレータ層が２層以上ある場合は、シンチレータ層の放射線画像のそれぞれをそのシンチレータ層の位置に応じて相対的に縮小してから重畳すればよい。相対的に縮小とは、入射面を有するシンチレータ層の下に配置されているシンチレータ層の放射線画像を縮小するだけでなく、入射面を有するシンチレータ層の放射線画像を拡大してすることを含む。シンチレータ層が２層の場合、一方のシンチレータ層で検出した検出結果のみに補正を行っても良いし、両方のシンチレータ層で検出した検出結果に補正を行っても良い。つまり、画像処理手段による放射線の入射角度に応じた位置ずれ補正は、少なくとも１つの検出結果に対して行えばよい。よって、弁別された検出結果同士を、放射線の入射角度に応じた補正を行って重畳するとは、少なくとも１つの検出結果に対して補正を行ってから検出結果同士を重畳することを意味する。より具体的な補正方法について説明する。
【００４１】
各層の発光点が概ね各層の厚さの中間位置で形成されると仮定する。第２のシンチレータ層による放射線画像１２０と第１のシンチレータ層による放射線画像１１９の位置ずれを補正するための補正量をＨ１，２とする。Ｈ１，２＝［（Ｔ１＋Ｔ２）／２］×ｔａｎθだけ放射線画像１２０の各点の位置が中心に向かって移動するように、放射線画像１２０を縮小してから放射線画像１１９と重畳する必要がある。一方、第３のシンチレータ層による放射線画像１２１と第１のシンチレータ層による放射線画像３０７の位置ずれを補正するための補正量をＨ１，３とする。Ｈ１，３＝［（Ｔ１＋Ｔ３）／２＋Ｔ２］×ｔａｎθだけ放射線画像１２１の各点が中心に向かって移動するように放射線画像を縮小してから放射線画像１１９、縮小した放射線画像１２０と重畳する。積層シンチレータがシンチレータ層を３層以上有する場合、シンチレータ層の数をｎ層とすると、補正量の一般式は下記式で表される。
【００４２】
【数１】
2016217875.tif 000003
【００４３】
但し、Ｔｍは第ｍのシンチレータ層の厚み。放射線画像の画素値が、上記式で示されるＨ１，ｎ分中心に近づくように、各シンチレータ層の放射線画像を補正（縮小）してから補正後の放射線画像を重畳する。これにより、図３（ｃ）に示すように各層の放射線画像１１９、１２０、１２１の中心位置が一致し、且つ、位置ずれが補正された放射線画像３１０を得ることができる。尚、ｔａｎθは、放射線画像（１１９、１２０、１２１）のそれぞれにおける中心からの距離Ｄと、放射線源と積層シンチレータ層の放射線入射面１２４との距離をＬとしてｔａｎθ＝Ｄ／Ｌとすることもできる。
【００４４】
また、放射線入射面１２４に基準となる放射線遮蔽部材を設け、各シンチレータ層の放射線画像における放射線遮蔽部材の位置から、各層の補正量を取得しておいても良い。各放射線画像における放射線遮蔽部材の位置ずれ量Ｈｃ１，２、Ｈｃ１，３、Ｈｃ１，ｎと、放射線遮蔽部材と中心との距離Ｄ０と、を用いれば適切な縮小率を求めることができる。また、放射線画像における、中心と位置ずれを補正したい点との距離をＤとすると、Ｈ１，２＝Ｄ／Ｄｃ×Ｈｃ１，２、Ｈ１，３＝Ｄ／Ｄｃ×Ｈｃ１，３、となる。このように、放射線遮蔽部材を用いれば、Ｌもθも用いずに画像を補正することができる。放射線遮蔽部材としては、点状、線状、あるいは同心円状のパターンを有する鉛やタングステンなどから成る放射線遮蔽部材を用いることができる。
【００４５】
画像処理手段は、ＣＰＵ（中央演算処理装置）、ＲＡＭ（ランダムアクセスメモリ）、補助記憶装置などのハードウェア資源を備えた汎用のコンピュータにより構成できる。上述の画像処理方法は、補助記憶装置に格納されたプログラムをＣＰＵが読み込み実行することで実現されても良い。なお、画像処理手段の機能のうちの一部又は全部をＡＳＩＣ（Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ  Ｓｐｅｃｉｆｉｃ  Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）のような回路で構成することもできる。また、画像処理手段は放射線検出器と一体に構成されていても良い。例えば、いわゆるフラットパネルディテクタの受光素子の裏側（シンチレータが配置されている面を表とする）に配置されていても良い。このように、放射線検出器と画像処理手段とが一体になっているか否かにかかわらず、シンチレータ、受光素子アレイ、画像処理手段を備えるものを本発明及び本明細書では放射線撮像システムと呼ぶ。
【００４６】
以上、本実施形態について説明したが、Ｔ１、Ｔ２、及びＴ３は任意の値に設定することができる。相対的に上層に位置するシンチレータ層では低エネルギーの放射線が吸収され、下層では高エネルギーの放射線が吸収されることから、下層になるほど厚くなっていてもよい。ただし、厚い層ほど層内で生じるずれ量が大きくなる。また、層数についても２層以上であれば効果があり、４種類以上の異なる発光波長で発光を呈するシンチレータ層と、その発光波長に対応したカラーフィルターを用いれば、４層以上の多層にして、位置ずれ量をさらに低減することも可能である。また、図１ではシンチレータ層の下方（放射線の入射方向に対向する側）にカラーフィルタと二次元受光素子を配置して発光を弁別している。しかしながら、シンチレータ層の上方（放射線が入射する面側）にカラーフィルタと二次元受光素子を配置して発光を弁別しても良い。また、第１のシンチレーション光が第２のシンチレータ層に入射せず、第２のシンチレーション光が第１のシンチレータ層に入射しないように、第１のシンチレータ層と第２のシンチレータ層との間に反射膜層の光を分断する層を設け、第１のシンチレータ層の上方と第２のシンチレータ層の下方とに二次元受光素子を配置すると、波長を弁別することなく第１のシンチレーション光と第２のシンチレーション光を弁別することができる。このとき、第１のシンチレーション光と第２のシンチレーション光との波長が異なる必要はない。
【００４７】
以下、本実施形態の具体的な例を挙げて説明をする。
【実施例】
【００４８】
本実施例は、三層のシンチレータ層を有する積層シンチレータを用いた放射線撮像システムに関するものである。
【００４９】
各々のシンチレータ層は複数の第１の相の材料としてＧｄＡｌＯ３を、第２の相の材料としてＡｌ２Ｏ３を有する共晶相分離シンチレータであり、第１〜第３のシンチレータ層は、それぞれＴｂ３＋、Ｅｕ３＋、Ｃｅ３＋を発光中心として含有する。
【００５０】
まず、ＧｄＡｌＯ３に対してＴｂ３＋を８ｍｏｌ％添加した材料とＡｌ２Ｏ３との組成比が４６：５４（ｍｏｌ％）になるように、Ｇｄ２Ｏ３、Ｔｂ４Ｏ７、Ａｌ２Ｏ３、を評量して充分に混合した材料粉末を準備した。同様に、Ｅｕ３＋をＧｄＡｌＯ３に対して６ｍｏｌ％添加した原料粉末、及びＣｅ３＋をＧｄＡｌＯ３に対して０．１ｍｏｌ％添加した原料粉末を準備した。原料は、Ｅｕ３＋としては、Ｅｕ２Ｏ３を、Ｃｅ３＋としては、ＣｅＯ２を用いた。
【００５１】
これらの原料粉末をそれぞれＩｒるつぼに入れて、誘導加熱によりるつぼを１７００℃まで加熱し、試料全体が溶解した後３０分保持してから、５４ｍｍ／ｈの速度で一方向凝固を行うことで試料を育成した。このようにして作製した３種類の試料を５ｍｍ×５ｍｍ×厚さ３００μｍで切り出し、両面を研磨して試料とした。試料を走査型電子顕微鏡で観察したところ、Ａｌ２Ｏ３相中に直径約６８０ｎｍのＧｄＡｌＯ３柱状構造体が埋め込まれたような相分離構造体となっていることが確認された。
【００５２】
Ｘ線照射により、発光中心としてＴｂ３＋を添加した試料は、５４５ｎｍ付近に緑色発光ピークを示した。また、Ｅｕ３＋を用いた場合６１５ｎｍ付近に赤色発光ピークを、Ｃｅ３＋を用いた場合、３６０ｎｍ付近にブロードな紫外発光を示した。これらの作製した３つの試料の一面を光取り出し面として互いに接着し、５ｍｍ×５ｍｍ×厚さ９００μｍの積層シンチレータを作製した。この積層シンチレータを、５×５列に二次元状に配列して２５ｍｍ×２５ｍｍのサイズとした多層シンチレータを、それぞれの波長に対応したカラーフィルターを有する二次元の受光素子アレイに対向するように配置し、放射線検出器とした。放射線入射側から順に、第１、第２、及び第３のシンチレータ層をそれぞれＴｂ３＋、Ｅｕ３＋、Ｃｅ３＋を発光中心として含有したシンチレータ層とした。受光素子アレイは、ピクセルピッチが２μｍのものを用いた。
【００５３】
放射線源としては、タングステン管球のＸ線源を用い、Ｘ線源と放射線検出器との距離は５０ｃｍとし、６０ｋＶ、１ｍＡ、Ａｌフィルター無しの条件で得られるＸ線を撮像に用いた。そして、このＸ線を、２ｍｍ厚のタングステン板に設けた直径φ５０μｍの開口を通して撮像範囲の中心と周辺部に対しＸ線ビームを照射し、それぞれの撮像領域でＸ線スポット像を撮像した。この時、開口をＸ線が通過するように、周辺部ではタングステン板の角度を傾斜して撮像を行った。光電変換素子は、カラーフィルターを透過した光を検出し、第１〜第３のシンチレータ層の各々でＸ線画像を取得した。その結果、図３（ｂ）に示した放射線画像と同様に、中心では、各層の直径φ５０μｍのＸ線スポット像が重なっていた。一方、中心から２０ｍｍ離れた周辺部では、第１のシンチレータ層のＸ線スポット像が、長軸の長さが約６２μｍ、短軸の長さが約５０μｍであり、直径φ５０μｍのＸ線スポット像が放射状に約１２μｍ伸びた楕円形となっていた。これはＸ線が斜めに入射することによるものであるが、本実施例のように多層化して一層の厚さを薄くすることで、その影響を低減することができた。周辺部において、第２のシンチレータ層のＸ線スポット像の中心位置は、第１のシンチレータ層のＸ線スポット像に対して外側に約１２μｍずれた位置にあり、同様に約１２μｍ伸びた楕円形となっていた。第３のシンチレータ層のＸ線スポット像の中心位置は、第１のシンチレータ層のＸ線スポット像に対して外側に約２４μｍずれた位置にあり、同様に約１２μｍ伸びた楕円形となっていた。各層のＸ線スポット像の位置ずれは、第２のシンチレータ層のＸ線スポット画像を中心に約１２μｍ近づくように補正し、第３のシンチレータ層のＸ線スポット画像を中心に約２４μｍ近づくように補正することで補正できる。この撮像結果から、Ｈｃ１，２＝約１２μｍ、Ｈｃ１，３＝約２４μｍ、であることが分かり、中心から２０ｍｍ離れた位置における検出値（画素値）が各々の距離近づくように第１、第２の放射線画像を縮小して重畳すると、位置ずれが補正できる。また、中心部からの任意の距離をＤ（ｍｍ）としたとき、その位置における検出値が、第２層は補正量Ｈ１，２＝Ｄ／２０×１２（μｍ）、第３層は補正量Ｈ１，３＝Ｄ／２０×２４（μｍ）だけ中心に近づくように補正して重畳してもよい。この補正値を用いることで、どのような被写体に対しても、位置ずれが補正されたＸ線画像を得ることができる。このように、任意の配置のＸ線源と放射線検出器であっても、初めに各層のＸ線画像のずれ量を取得しておくことで、中心部からの距離Ｄ（ｍｍ）を用いれば、位置ずれが補正されたＸ線画像を取得することができる。
【００５４】
以上のＸ線画像の再構成プロセスを用いて、５０μｍ厚の鉛の１０（ラインペア／ｍｍ）のラインパターンの撮像を行った。撮像範囲の中心、周辺部共に１０（ラインペア／ｍｍ）のパターンを明瞭に解像できていた。また、ライン撮像領域の明部（Ｉｍａｘ）と暗部（Ｉｍｉｎ）としてＣｏｎｔｒａｓｔ  Ｔｒａｎｓｆｅｒ  Ｆｕｎｃｔｉｏｎ（ＣＴＦ）＝（Ｉｍａｘ−Ｉｍｉｎ）／（Ｉｍａｘ＋Ｉｍｉｎ）として定義すると、中心部でＣＴＦ＝０．６０、周辺部でＣＴＦ＝０．５５となった。このように、周辺部においても解像度の低下の少ない高コントラストのＸ線画像を得ることができた。
【００５５】
尚、このような積層シンチレータを備えた放射線検出器を用いると、上層のシンチレータ層では低エネルギーのＸ線に対応した画像が得られ、下層では高エネルギーのＸ線に対応した画像が得られる。よって、画像処理手段は、取得した各層ごとのＸ線画像間で重み付け演算を行い、その差分を算出することでエネルギー弁別画像を再構成しても良い。
【００５６】
以上から、放射線の進入厚さ方向の放射線画像を分割取得し、それらの位置ずれを補正して重畳することで、解像度が向上することを実証することができた。
【００５７】
〔比較例〕
本実施例は、従来の一層からなるシンチレータに関し、実施例に対応する比較例である。
【００５８】
シンチレータ層は一方向性を有する複数の第１の相としてＧｄを含有するペロブスカイト型酸化物材料と、第２の相としてアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）とから成り、Ｔｂ３＋を発光中心として含有したものを用いた例である。
【００５９】
まず、実施例１と同様にしてＴｂ３＋を８ｍｏｌ％添加した試料を作製し、５ｍｍ×５ｍｍ×厚さ９００μｍで切り出し、両面を研磨して試料とした。このシンチレータを、５×５列に二次元状に配列して２５ｍｍ×２５ｍｍのサイズとした積層シンチレータを二次元受光素子に対向するように配置し、放射線検出器とした。
【００６０】
実施例１と同様に、２ｍｍ厚のタングステン板にある直径φ５０μｍの開口を通して中心部と周辺部に対してＸ線スポット像を取得したところ、中心部では、直径φ５０μｍのＸ線スポット像がぼけることなく得られた。一方、中心部から２０ｍｍ離れた周辺部では、Ｘ線スポット像が、長軸の長さが約８６μｍ、短軸の長さが約５０μｍであり、中心部から直径φ５０μｍのＸ線スポット像が放射状に３６μｍ伸びた楕円形となっていた。これはＸ線が斜めに入射することによる行路長の拡がりによって生じるものである。一層のみで構成されている場合は、実施例１の三層で分割取得する場合に比べて３倍の像ボケを生じてしまう。
【００６１】
以上のＸ線画像の再構成プロセスを用いて、５０μｍ厚の鉛の１０（ラインペア／ｍｍ）のラインパターンの撮像を行った。中心部は１０（ラインペア／ｍｍ）のパターンを明瞭に解像できており、ＣＴＦ＝０．６０であった。一方、周辺部はコントラストの低下が生じ、ＣＴＦ＝０．４０であった。
【００６２】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されず、その要旨の範囲内で種々の変形および変更が可能である。
【符号の説明】
【００６３】
１０１  放射線検出器
１０２  積層シンチレータ
１０３  受光素子アレイ
１０４  第１のシンチレータ層
１０５  第２のシンチレータ層
１０６  第３のシンチレータ層
１０７  カラーフィルタ層
１０８ａ  第１のカラーフィルタ
１０８ｂ  第２のカラーフィルタ
１０８ｃ  第３のカラーフィルタ
１１１  光電変換素子
１１２  基板
１１３  放射線
１１４  発光点
１１５  第１のシンチレーション光
１１６  第２のシンチレーション光
１１７  第３のシンチレーション光
１１８  中心部で得られる放射線画像
１１９  周辺部で得られる第１のシンチレータ層による放射線画像
１２０  周辺部で得られる第２のシンチレータ層による放射線画像
１２１  周辺部で得られる第３のシンチレータ層による放射線画像
Ｈ１，２  第１のシンチレータ層と第２シンチレータ層との位置ずれ補正量
Ｈ１，３  第１のシンチレータ層と第３シンチレータ層との位置ずれ補正量
２０１  シンチレータ層
２０２  第１の相
２０３  第２の相
２０４  第１の相の周期
２０５  第１の相の直径
２０６  シンチレーション光
２０７  シンチレータ層の厚さ
２０８  光取り出し面
２０９  導波方向
３０１  放射線源
３０２  放射線
３０７  第１シンチレータ層による放射線画像
３１０  位置ずれが補正された放射線画像
３１１  シンチレータ
３１２ａ  中心部で得られる放射線画像
３１２ｂ  周辺部で得られる放射線画像
【図１】
2016217875.tif 000005
【図２】
2016217875.tif 000006
【図３】
2016217875.tif 000007
【図４】
2016217875.tif 000008
【図５】
2016217875.tif 000009