(57)【要約】      （修正有）【課題】磁気ディスクの表面に磁気ヘッドとの接触・摺動による摩耗抑制や表面保護のため炭素保護膜等の保護層とその上に潤滑膜を形成する潤滑剤に用いる供合物の提供。【解決手段】式（ＩＩ）で表されるグリシジル基を有するグリコールウリル化合物と式（ＩＩＩ）で表されるフルオロポリエーテル基とを反応して得られるフルオロポリエーテル基を有するグリコールウリル化合物。2016222580.tif 0000122016222580.tif 000013【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
フルオロポリエーテル基を有する化学式（Ｉ）で示されるグリコールウリル化合物。
【化１】
2016222580.tif 000011
【請求項２】
請求項１に記載のグリコールウリル化合物を成分とすることを特徴とする潤滑剤。
【請求項３】
支持体上に記録層および保護層をこの順に形成し、該保護層の表面に請求項２記載の潤滑剤を含有する潤滑層を形成したことを特徴とする磁気ディスク。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フルオロポリエーテル基を有するグリコールウリル化合物、潤滑剤および磁気ディスクに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、記録媒体である磁気ディスクと、情報の記録・再生を行う磁気ヘッドとの距離（ヘッド／ディスク間のスペーシング）は、磁気ディスクの記録密度の増加に伴い、短くなってきている。そのため、磁気ヘッドと磁気ディスクの接触頻度が増加している。
この磁気ディスクの表面には、磁気ヘッドとの接触・摺動による摩耗抑制や、該表面の汚染防止の為、炭素保護膜等の保護層と、続いてその上に潤滑剤を含有する潤滑層が形成されている。
【０００３】
前記の潤滑剤としては、一般にフルオロポリエーテル化合物が使用されているが、例えば、商品名「Ｆｏｍｂｌｉｎ  Ｚｔｅｔｒａｏｌ」（Ｓｏｌｖａｙ  Ｓｏｌｅｘｉｓ社製）や商品名「ＰＨＯＳＦＡＲＯＬ  Ａ−２０Ｈ」（ＭＯＲＥＳＣＯ社製）等を挙げることができる。これらの潤滑剤は、高い極性を有するヒドロキシ基が分子両末端に結合したフルオロポリエーテル化合物を成分としている為に、磁気ディスクの表面に対し強く吸着する。その結果、この潤滑剤の皮膜（潤滑層）は、磁気ディスクが高速回転しても飛散せず、長期間に渡って保持される。
また、特許文献１には、分子両末端に加え、分子鎖中にもヒドロキシ基を有するフルオロポリエーテル化合物を成分とした潤滑剤が開示されている。この潤滑剤は、分子両末端にあるヒドロキシ基と共に、分子鎖中にあるヒドロキシ基が、磁気ディスクの表面に対して強く吸着する為に、分子がより平面的に層を形成し、潤滑剤の皮膜の厚みを薄くできる。その結果、ヘッド／ディスク間の隙間を狭くできる。
【０００４】
しかしながら、このようなフルオロポリエーテル化合物は、ヘッド部材中のＡｌ２Ｏ３等のルイス酸に対する安定性に乏しい為に、ヘッドとの接触により分解反応を受けてしまう（例えば、非特許文献１参照）。その結果、潤滑剤の皮膜が磁気ディスク上から揮発・消失してしまい、皮膜を保持できなくなるという問題がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００６−７０１７３号公報
【非特許文献】
【０００６】
【非特許文献１】Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅｓ、１９９２年、２５巻、ｐ６７９１−６７９９
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、このような事情に鑑みて成されたものであり、フルオロポリエーテル基を有するグリコールウリル化合物、該化合物を成分とする潤滑剤および該潤滑剤を含有する潤滑層が形成された磁気ディスクを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者は、前記の課題を解決するために鋭意研究を重ねた結果、フルオロポリエーテル基とヒドロキシ基を有するグルコールウリル化合物が、潤滑剤の成分として好適であることを見出し、本発明を完遂するに至ったものである。
【０００９】
即ち、第１の発明は、フルオロポリエーテル基を有する化学式（Ｉ）で示されるグリコールウリル化合物である。
【００１０】
【化１】
2016222580.tif 000002
【００１１】
第２の発明は、第１の発明のグリコールウリル化合物を成分とすることを特徴とする潤滑剤である。
【００１２】
第３の発明は、支持体上に記録層および保護層をこの順に形成し、該保護層の表面に第２の発明の潤滑剤を含有する潤滑層を形成したことを特徴とする磁気ディスクである。
【発明の効果】
【００１３】
本発明のグリコールウリル化合物を成分とする潤滑剤は、潤滑剤の皮膜（潤滑層）の厚みを薄くでき、且つ耐薬品性に優れている為に、ルイス酸等に対して安定である。また、本発明の潤滑剤を含有する潤滑層が形成された磁気ディスクは、これを磁気ディスク装置に使用した場合において、ヘッド／ディスク間の隙間を狭くでき、且つヘッドとディスクが接触・摺動しても潤滑剤の皮膜を保持できる。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明を詳細に説明する。
前記化学式（Ｉ）で示される本発明のグリコールウリル化合物は、例えば、一方の末端にヒドロキシ基を有し、他方の末端にエステル基、シリル基またはアルコキシ基を有する直鎖フルオロポリエーテル（以下、「前駆体のフルオロポリエーテル化合物」と云うことがある）と、化学式（II）で示されるグリシジル基を有するグリコールウリル化合物（以下、「前駆体のグリコールウリル化合物」と云うことがある）とを、反応させることにより得られる。
【００１５】
【化２】
2016222580.tif 000003
（式中、Ｒ１およびＲ２は、同一または異なって、水素原子、低級アルキル基またはフェニル基を表す。Ｒ７、Ｒ８およびＲ９は、同一または異なって、アリル基またはグリシジル基を表す。）
【００１６】
前駆体のフルオロポリエーテル化合物について説明する。
このフルオロポリエーテル化合物は、両末端にヒドロキシ基を有する直鎖フルオロポリエーテル（以下、「化合物（１）」と云うことがある）と、ヒドロキシ基と反応してエステル基、シリル基もしくはアルコキシ基を形成または付与する化合物（以下、「化合物（２）」と云うことがある）とを、反応させることにより得られる。
この反応において、反応温度は、１０〜６０℃であることが好ましく、２０〜４０℃であることがより好ましい。反応時間は、２〜２０時間であることが好ましく、１０〜１５時間であることがより好ましい。化合物（２）の使用量は、化合物（１）に対して、０.５〜１.５当量であることが好ましい。
この反応は、溶剤中で行ってもよく、また、反応促進剤を使用してもよい。溶剤として、１,４−ジオキサン、ジメチルホルムアルデヒド、ジメチルスルホキシド、ジメチルアセトアミド等を挙げることができる。反応促進剤として、ピリジン、イミダゾール、水素化ナトリウム等を挙げることができる。
反応終了後、例えば、カラムクロマトグラフィーにより精製して、前駆体のフルオロポリエーテル化合物を得ることができる。
【００１７】
化合物（１）として、例えば、化学式（III）で示される化合物を挙げることができる。
【００１８】
【化３】
2016222580.tif 000004
（式中、ｍは、０〜２０の整数を表すが、０〜１０であることが好ましく、０〜４であることがより好ましく、１〜３であることが更に好ましく、１〜２であることが特に好ましい。）
【００１９】
化学式（III）で示される化合物の数平均分子量は、３００〜２０００であることが好ましく、４００〜１２００であることがより好ましく、５００〜８００であることが更に好ましい。
数平均分子量は、１９Ｆ−ＮＭＲにより求めることができる。
【００２０】
化合物（２）として、例えば、酸無水物、シリルハライド、アルキルハライド等を挙げることができる。
酸無水物として、無水コハク酸、無水マレイン酸、無水フタル酸または化学式ＲａＯＲｂ（式中、ＲａおよびＲｂは、同一または異なって、ＣＨ３ＣＯ、ＰｈＣＯ、ＣＦ３ＣＨ２ＣＯ、ＣＨ３ＳＯ２、ＰｈＳＯ２、ＣＨ３Ｃ６Ｈ４ＳＯ２もしくはＣＦ３ＳＯ２を表す。）で示される化合物を挙げることができる。
化学式ＲａＯＲｂで示される化合物として、例えば、無水酢酸、無水安息香酸、酢酸安息香酸無水物、無水トリフルオロメチル酢酸、メタンスルホン酸無水物、ベンゼンスルホン酸無水物、ｐ−トルエンスルホン酸無水物、トリフルオロメタンスルホン酸無水物等を挙げることができる。
【００２１】
シリルハライドとして、化学式（Ｒｃ）３ＳｉＸ、Ｒｄ（Ｒｅ）２ＳｉＸまたはＲｄＲｅＲｆＳｉＸ（式中、Ｒｃは、炭素数１〜４のアルキル基またはフェニル基を表す。Ｒｄは、炭素数１〜１８のアルキル基、炭素数１〜４のアルコキシ基、フェニル基、ベンジル基、ペンタフルオロフェニル基、シアノプロピル基またはビニル基を表す。Ｒｅは、炭素数１〜２のアルキル基またはフェニル基を表す。Ｒｆは、フェニル基を有する炭素数１〜４のアルキル基を表す。Ｘは、塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲン原子を表す。）で示される化合物を挙げることができる。
このようなシリルハライドとして、例えば、トリメチルシリルクロリド、トリエチルシリルクロリド、トリイソプロピルシリルクロリド、ｔ−ブチルジメチルシリルクロリド、ｔ−ブチルジフェニルシリルクロリド、ｔ−ブトキシジフェニルクロロシラン、（３−シアノプロピル）ジメチルクロロシラン、ベンジルクロロジメチルシラン、ブチルジメチルクロロシラン、クロロ（デシル）ジメチルシラン、クロロ（ドデシル）ジメチルシラン、クロロジメチル（３−フェニルプロピル）シラン、クロロジメチルフェニルシラン、クロロジメチルプロピルシラン、クロロジメチルビニルシラン、ジエチルイソプロピルシリルクロリド、ジメチル−ｎ−オクチルクロロシラン、ジメチルエチルシリルクロリド、ジメチルイソプロピルクロロシラン、ジメチルオクタデシルクロロシラン、ジフェニルメチルクロロシラン、メチルオクタデシル（３−フェニルプロピル）クロロシラン、ペンタフルオロフェニルジメチルクロロシラン、トリフェニルクロロシラン等を挙げることができる。
【００２２】
アルキルハライドとして、化学式ＲｇＸ（式中、Ｒｇは、炭素数１〜５のアルキル基を表す。Ｘは塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲン原子を表す。）で示される化合物を挙げることができる。
このようなアルキルハライドとして、例えば、クロロメタン、ブロモメタン、ヨードメタン、クロロエタン、ブロモエタン、ヨードエタン、１−ブロモプロパン、２−ブロモプロパン、１−ヨードプロパン、２−ヨードプロパン、１−ブロモ−２−メチルプロパン、２−ブロモ−２−メチルプロパン、１−ヨード−２−メチルプロパン、２−ヨード−２−メチルプロパン、１−ブロモブタン、２−ブロモブタン、１−ヨードブタン、２−ヨードブタン、１−ブロモ−３−メチルブタン、２−ブロモ−２−メチルブタン、１−ヨード−２−メチルブタン、１−ヨード−３−メチルブタン、1−ブロモペンタン、３−ブロモペンタン等を挙げることができる。
【００２３】
前駆体のフルオロポリエーテル化合物の合成パターンの例を、スキーム（Ａ）と（Ｂ）に示す。なお、スキーム（Ａ）は化合物（２）として無水酢酸を使用した例であり、スキーム（Ｂ）は同化合物としてトリメチルシリルクロリドを使用した例である。
【００２４】
【化４】
2016222580.tif 000005
（式中、ｍは、０〜２０の整数を表す。）
【００２５】
次に、前駆体のグリコールウリル化合物について説明する。
前駆体のグリコールウリル化合物としては、例えば、
１，３，４，６−テトラグリシジルグリコールウリル、
１，３，４，６−テトラグリシジル−３ａ−メチルグリコールウリル、
１，３，４，６−テトラグリシジル−３ａ，６ａ−ジメチルグリコールウリル、
１，３，４，６−テトラグリシジル−３ａ，６ａ−ジフェニルグリコールウリル、
１−アリル−３，４，６−トリグリシジルグリコールウリル、
１−アリル−３，４，６−トリグリシジル−３ａ−メチルグリコールウリル、
１−アリル−３，４，６−トリグリシジル−３ａ，６ａ−ジメチルグリコールウリル、
１−アリル−３，４，６−トリグリシジル−３ａ，６ａ−ジフェニルグリコールウリル、
１，３−ジアリル−４，６−ジグリシジルグリコールウリル、
１，３−ジアリル−４，６−ジグリシジル−３ａ−メチルグリコールウリル、
１，３−ジアリル−４，６−ジグリシジル−３ａ，６ａ−ジメチルグリコールウリル、
１，３−ジアリル−４，６−ジグリシジル−３ａ，６ａ−ジフェニルグリコールウリル、
１，４−ジアリル−３，６−ジグリシジルグリコールウリル、
１，４−ジアリル−３，６−ジグリシジル−３ａ−メチルグリコールウリル、
１，４−ジアリル−３，６−ジグリシジル−３ａ，６ａ−ジメチルグリコールウリル、
１，４−ジアリル−３，６−ジグリシジル−３ａ，６ａ−ジフェニルグリコールウリル、
１，３，４−トリアリル−６−グリシジルグリコールウリル、
１，３，４−トリアリル−６−グリシジル−３ａ−メチルグリコールウリル、
１，３，４−トリアリル−６−グリシジル−３ａ，６ａ−ジメチルグリコールウリルまたは
１，３，４−トリアリル−６−グリシジル−３ａ，６ａ−ジフェニルグリコールウリル等が挙げられる。
【００２６】
前駆体のグリコールウリル化合物の内、前記化学式（II）のＲ７、Ｒ８およびＲ９がグリシジル基であるグリコールウリル化合物は、特開２０１５−５４８５６号公報に記載された方法に従って合成することができる。これ以外の、同Ｒ７、Ｒ８およびＲ９から選択される少なくとも１つがアリル基であるグリコールウリル化合物は、特開平１０−３１６６６５号公報に記載された方法に準拠して合成することができる。
【００２７】
本発明のグリコールウリル化合物は、前述のとおり、前駆体のフルオロポリエーテル化合物と、前駆体のグリコールウリル化合物とを、反応させることにより得られるが、この反応は、触媒またはアルカリ金属の存在下にて行われる。
触媒として、ｔ−ブトキシナトリウム、ｔ−ブトキシカリウム、水素化ナトリウム等のアルカリ化合物を挙げることができる。アルカリ金属として、ナトリウム、カリウム等を挙げることができる。
この反応において、反応温度は、０〜１００℃であることが好ましく、５０〜９０℃であることがより好ましい。反応時間は、３〜１００時間であることが好ましく、６〜２４時間であることがより好ましい。
前駆体のグリコールウリル化合物の使用量は、前駆体のフルオロポリエーテル化合物に対して、０.２〜１０.０当量であることが好ましい。触媒の使用量は、前駆体のフルオロポリエーテル化合物に対して、０.０５〜１．０当量であることが好ましい。アルカリ金属の使用量は、前駆体のフルオロポリエーテル化合物に対して、１．０〜８．０当量であることが好ましい。
この反応は溶剤中で行ってもよい。溶剤として、ｔ−ブチルアルコール、トルエン、キシレン等を挙げることができる。
【００２８】
反応終了後、例えば、水洗、脱水した後、反応物のフルオロポリエーテル鎖の末端に結合しているエステル基、シリル基またはアルコキシ基等の保護基を加水分解等により脱保護する。その際、テトラブチルアンモニウムフルオリド、フッ化カリウム、フッ化ナトリウム等の脱保護促進剤を使用してもよい。
これにより、前記化学式（Ｉ）のＹが−ＯＨ（注：化学式（ａ））であるグリコールウリル化合物（以下、「グリコールウリル化合物（I-a）」と云うことがある）を得ることができる。このグリコールウリル化合物（I-a）は、本発明のグリコールウリル化合物に包含される。
【００２９】
前記化学式（Ｉ）において、Ｙが各々化学式（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）または（ｅ）で示される基である場合のグリコールウリル化合物は、グリコールウリル化合物（I-a）を出発物質として得ることができる。
【００３０】
【化５】
2016222580.tif 000006
（式中、ｎは、１〜６の整数を表すが、１〜４であることが好ましく、２〜４であることがより好ましい。）
【００３１】
【化６】
2016222580.tif 000007
【００３２】
【化７】
2016222580.tif 000008
【００３３】
【化８】
2016222580.tif 000009
【００３４】
グリコールウリル化合物（I-a）と、化学式（IV）で示されるハロアルコールとを、アルカリ金属の存在下にて反応させることにより、前記化学式（Ｉ）のＹが前記化学式（ｂ）で示される基であるグリコールウリル化合物（以下、「グリコールウリル化合物（I-b）」と云うことがある）を得ることができる。
【００３５】
【化９】
2016222580.tif 000010
（式中、Ｘは、塩素、臭素、ヨウ素などのハロゲン原子を表す。ｎは、１〜６の整数を表すが、１〜４であることが好ましく、２〜４であることがより好ましい。）
【００３６】
グリコールウリル化合物（I-a）と、グリシドールとを、触媒の存在下にて反応させることにより、前記化学式（Ｉ）のＹが前記化学式（ｃ）で示される基であるグリコールウリル化合物（以下、「グリコールウリル化合物（I-c）」と云うことがある）を得ることができる。
【００３７】
グリコールウリル化合物（I-a）と、グリシジルフェニルエーテルとを、触媒の存在下にて反応させることにより、前記化学式（Ｉ）のＹが前記化学式（ｄ）で示される基であるグリコールウリル化合物（以下、「グリコールウリル化合物（I-d）」と云うことがある）を得ることができる。
【００３８】
グリコールウリル化合物（I-a）と、グリシジル４−メトキシフェニルエーテルとを、触媒の存在下にて反応させることにより、前記化学式（Ｉ）のＹが前記化学式（ｅ）で示される基であるグリコールウリル化合物（以下、「グリコールウリル化合物（I-e）」と云うことがある）を得ることができる。
これらのグリコールウリル化合物（I-b）〜（I-e）も、グリコールウリル化合物（I-a）と同様に、本発明のグリコールウリル化合物に包含される。
【００３９】
グリコールウリル化合物（I-b）〜（I-e）を得るこれらの反応において、反応温度は、５０〜１００℃であることが好ましく、７０〜９０℃であることがより好ましい。反応時間は、２０〜１００時間であることが好ましく、５０〜８０時間であることがより好ましい。
化学式（IV）で示されるハロアルコール、グリシドール、グリシジルフェニルエーテルまたはグリシジル４−メトキシフェニルエーテルの使用量は、グリコールウリル化合物（I-a）のヒドロキシ基を基準にして、１.０〜２.０当量であることが好ましい。アルカリ金属の使用量は、グリコールウリル化合物（I-a）のヒドロキシ基を基準にして、１.０〜２.０当量であることが好ましい。触媒の使用量は、グリコールウリル化合物（I-a）のヒドロキシ基を基準にして、０.０５〜０.１当量であることが好ましい。
アルカリ金属として、ナトリウム、カリウム等を挙げることができる。触媒として、ｔ−ブトキシナトリウム、ｔ−ブトキシカリウム、水素化ナトリウム等のアルカリ化合物を挙げることができる。
これらの反応は溶剤中で行ってもよい。溶剤として、ｔ−ブチルアルコール、トルエン、キシレン等を挙げることができる。
反応終了後、例えば、水洗、脱水した後、カラムクロマトグラフィーにより精製して、目的とするグリコールウリル化合物を得ることができる。
【００４０】
本発明のグリコールウリル化合物は、磁気ディスクの潤滑剤の成分として使用することにより、磁気ディスク装置内のヘッド／ディスク間の隙間を狭くでき、且つヘッドとディスクが接触・摺動しても潤滑剤の皮膜を保持できる。
また、本発明のグリコールウリル化合物は、分子中のヒドロキシ基により炭素保護膜に存在する極性部位と弱い化学結合を形成することができる。従って、磁気ディスク以外にも炭素保護膜を有する磁気ヘッド、光磁気記録用部材、磁気テープ等や、プラスチックなどの有機材料の表面保護膜の形成剤の成分、更にはガラス、金属などの無機材料の表面保護膜の形成剤の成分としても好適である。
【００４１】
本発明の潤滑剤は、本発明のグリコールウリル化合物以外の成分として、溶剤や他の潤滑剤を含んでいてもよい。
溶剤として、例えば、商品名「ＰＦ−５０６０」、商品名「ＰＦ−５０８０」、商品名「ＨＦＥ−７１００」、商品名「ＨＦＥ−７２００」（以上、３Ｍ社製）、商品名「Ｖｅｒｔｒｅｌ  ＸＦ」（ＤｕＰｏｎｔ社製）等を挙げることができる。溶剤を使用した場合、本発明のグリコールウリル化合物の濃度は、１重量％以下であることが好ましく、０.００１〜０.１重量％であることがより好ましい。
他の潤滑剤として、例えば、商品名「Ｆｏｍｂｌｉｎ  Ｚｄｏｌ」、商品名「Ｆｏｍｂｌｉｎ  Ｚｔｅｔｒａｏｌ」、商品名「Ｆｏｍｂｌｉｎ  Ｚｄｏｌ  ＴＸ」、商品名「Ｆｏｍｂｌｉｎ  ＡＭ」（以上、Ｓｏｌｖａｙ  Ｓｏｌｅｘｉｓ社製）、商品名「Ｄｅｍｎｕｍ」（ダイキン工業社製）、商品名「Ｋｒｙｔｏｘ」（ＤｕＰｏｎｔ社製）等を挙げることができる。これらの潤滑剤は、本発明のグリコールウリルと適宜の割合で併用することができる。
【００４２】
本発明の磁気ディスクは、支持体上に１層以上の記録層、その上に保護層を形成し、更にその上に本発明の潤滑剤を含有する潤滑層を最外層として有する。
【００４３】
支持体の材質として、アルミニウム合金、ガラス等のセラミックス、ポリカーボネート等を挙げることができる。
記録層（磁性層）の材質として、鉄、コバルト、ニッケル等の強磁性体を形成可能な元素を主成分とし、これにクロム、白金、タンタル等を加えた合金、またはこれらの合金の酸化物を挙げることができる。記録層は、メッキ法またはスパッタ法等により形成することができる。
保護層の材質として、カーボン、ＳｉＣ、ＳｉＯ２等を挙げることができる。保護層は、スパッタ法またはＣＶＤ法により形成することができる。
【００４４】
一般的な磁気ディスクにおいて、潤滑剤の皮膜の厚みは３０Å以下である。そのため、粘性が２０℃で１００ｍＰａ・ｓ程度以上の潤滑剤をそのまま塗布すると、皮膜の厚みが大きくなりすぎる虞がある。そこで、潤滑剤を塗布する際は、溶剤で希釈することが好ましい。本発明の潤滑剤として、本発明のグリコールウリル化合物のみを成分とする場合や、他の潤滑剤を併用する場合も、溶剤を含有させることにより皮膜の厚みを制御しやすい。この場合、本発明のグリコールウリルの濃度は、塗布方法・条件、割合等により適宜設定される。本発明の潤滑剤において、皮膜の厚みは、５〜１５Åであることが好ましい。
【００４５】
潤滑剤の保護層への吸着を促進させる為、潤滑層を形成した後に、熱処理や紫外線処理を行うことができる。
熱処理の場合、処理温度は、６０〜１５０℃が好ましく、８０〜１５０℃がより好ましい。
紫外線処理の場合、１８５ｎｍと２５４ｎｍの波長を主波長とする紫外線を照射に使用することが好ましい。
【００４６】
本発明の磁気ディスクは、磁気ディスク装置に使用することができる。この磁気ディスク装置は、磁気ディスクと、情報の記録・再生・消去を行うためのヘッドと、ディスクを回転するためのモーター等を備えるディスクドライブと、そのドライブを制御するための制御系から構成される。
本発明の磁気ディスクを備える磁気ディスク装置の用途として、電子計算機、ワードプロセッサー等の外部メモリーを挙げることができる。その他の用途として、ナビゲーションシステム、ゲーム、携帯電話、ＰＨＳ等の各種機器およびビルの防犯、発電所等の管理・制御システムの内部・外部記録装置等を挙げることができる。