(57)【要約】【課題】  電子素子の機能をより適切に発揮させることが可能な電子装置を提供すること。【解決手段】  厚さ方向において互いに反対側を向く主面１１１および裏面１１２を有し、半導体材料よりなる基板１と、基板１に配置された電子素子７１１と、電子素子７１１に導通する導電層３と、を備えた電子装置Ａ１であって、基板１には、主面１１１から凹む素子配置用凹部１４が形成されており、素子配置用凹部１４には、電子素子７１１が配置されており、電子素子７１１の少なくとも一部を覆う封止樹脂部６を備え、電子素子７１１は、主面１１１が向く側に位置する電極７１１を有しており、導電層３は、電子素子７１１の電極７１１に導通し、且つ封止樹脂部６に支持された封止樹脂部連絡部３６を有しており、主面１１１が向く側に位置し、且つ導電層３に導通するシールチップ電極パッド３４１を備える。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
厚さ方向において互いに反対側を向く主面および裏面を有し、半導体材料よりなる基板と、
前記基板に配置された電子素子と、
前記電子素子に導通する導電層と、を備えた電子装置であって、
前記基板には、前記主面から凹む素子配置用凹部が形成されており、
前記素子配置用凹部には、前記電子素子が配置されており、
前記電子素子の少なくとも一部を覆う封止樹脂部を備え、
前記電子素子は、前記主面が向く側に位置する電極を有しており、
前記導電層は、前記電子素子の前記電極に導通し、且つ前記封止樹脂部に支持された封止樹脂部連絡部を有しており、
前記主面が向く側に位置し、且つ前記導電層に導通する電極パッドを備えることを特徴とする、電子装置。
【請求項２】
前記素子配置用凹部は、前記厚さ方向を向く素子配置用凹部底面を有しており、
前記電子素子は、前記素子配置用凹部底面に配置されている、請求項１に記載の電子装置。
【請求項３】
前記素子配置用凹部は、前記素子配置用凹部底面から起立する素子配置用凹部側面を有する、請求項２に記載の電子装置。
【請求項４】
前記素子配置用凹部底面は、前記厚さ方向に直交する面である、請求項３に記載の電子装置。
【請求項５】
前記素子配置用凹部側面は、前記厚さ方向に対し傾斜している、請求項４に記載の電子装置。
【請求項６】
前記素子配置用凹部底面に対する前記素子配置用凹部側面の角度は、５５度である、請求項５に記載の電子装置。
【請求項７】
前記基板は、半導体材料の単結晶よりなる、請求項６に記載の電子装置。
【請求項８】
前記半導体材料は、Ｓｉである、請求項７に記載の電子装置。
【請求項９】
前記主面および前記裏面は、前記基板の厚さ方向に直交し、且つ、平坦である、請求項８に記載の電子装置。
【請求項１０】
前記主面は、（１００）面である、請求項９に記載の電子装置。
【請求項１１】
前記素子配置用凹部側面は、前記主面に繋がっている、請求項３ないし１０のいずれかに記載の電子装置。
【請求項１２】
前記電子素子は、受光部を有し、且つ受けた光に応じた電気信号を出力する光電変換機能を果たす受光素子である、請求項３ないし１１のいずれかに記載の電子装置。
【請求項１３】
前記封止樹脂部は、前記素子配置用凹部底面および前記電子素子の少なくとも一部ずつを覆う第１封止樹脂部と、前記受光部を覆い且つ前記光電変換機能の対象である波長の光を透過させる第２封止樹脂部と、を有する、請求項１２に記載の電子装置。
【請求項１４】
前記第１封止樹脂部は、前記素子配置用凹部側面の少なくとも一部を覆っている、請求項１３に記載の電子装置。
【請求項１５】
前記導電層の前記封止樹脂部連絡部は、前記第１封止樹脂部と前記第２封止樹脂部との間に挟まれている、請求項１３または１４に記載の電子装置。
【請求項１６】
前記第２封止樹脂部は、前記厚さ方向視において前記素子配置用凹部から前記主面にわたる領域に形成されている、請求項１５に記載の電子装置。
【請求項１７】
前記第２封止樹脂部の前記主面と同じ側を向く面は、平坦である、請求項１６に記載の電子装置。
【請求項１８】
前記厚さ方向において前記素子配置用凹部とは反対側を向くシールチップ主面と、該シールチップ主面とは反対側を向くシールチップ裏面とを有するとともに、前記主面側において前記素子配置用凹部の少なくとも一部を覆うシールチップを備える、請求項１２ないし１７のいずれかに記載の電子装置。
【請求項１９】
前記シールチップは、Ｓｉからなる、請求項１８に記載の電子装置。
【請求項２０】
前記電極パッドは、前記シールチップに設けられたシールチップ電極パッドである、請求項１８または１９に記載の電子装置。
【請求項２１】
前記シールチップ電極パッドは、前記シールチップ主面に設けられている、請求項２０に記載の電子装置。
【請求項２２】
前記シールチップは、厚さ方向視において前記電子素子の前記受光部を内包する開口を有する、請求項２１に記載の電子装置。
【請求項２３】
前記シールチップは、前記封止樹脂部に接合されている、請求項１８ないし２２のいずれかに記載の電子装置。
【請求項２４】
前記シールチップは、前記シールチップ裏面から前記シールチップ主面に向かうほど前記厚さ方向視において内方に位置するように傾いたシールチップ側面を有しており、
前記導電層は、前記シールチップ側面に形成されたシールチップ側面連絡部を含む、請求項１８ないし２３のいずれかに記載の電子装置。
【請求項２５】
前記シールチップ側面連絡部は、前記主面の端縁に到達している、請求項２４に記載の電子装置。
【請求項２６】
前記導電層は、前記基板の前記主面に形成された主面側連絡部を含む、請求項２４または２５に記載の電子装置。
【請求項２７】
前記電極パッドは、前記主面に設けられた主面電極パッドである、請求項１２ないし１７のいずれかに記載の電子装置。
【請求項２８】
前記導電層は、前記基板の前記主面に形成された主面側連絡部を含む、請求項２７に記載の電子装置。
【請求項２９】
前記主面電極パッドは、前記主面側連絡部上に形成されている、請求項２８に記載の電子装置。
【請求項３０】
前記基板は、前記受光素子としての前記電子素子が配置された前記素子配置用凹部とは別の、前記主面から凹む発光素子配置用凹部を有しており、
前記発光素子配置用凹部に、発光素子が配置されている、請求項１２ないし２９のいずれかに記載の電子装置。
【請求項３１】
前記発光素子は、前記光電変換機能の対象である波長の光を発する、請求項３０に記載の電子装置。
【請求項３２】
前記発光素子配置用凹部は、前記厚さ方向を向く発光素子配置用凹部底面を有しており、
前記発光は、前記発光素子配置用凹部底面に配置されている、請求項３１に記載の電子装置。
【請求項３３】
前記発光素子配置用凹部は、前記発光素子配置用凹部底面から起立する発光素子配置用凹部側面を有する、請求項３２に記載の電子装置。
【請求項３４】
前記発光素子配置用凹部底面は、前記厚さ方向に直交する面である、請求項３３に記載の電子装置。
【請求項３５】
前記発光素子配置用凹部側面は、前記厚さ方向に対し傾斜している、請求項３４に記載の電子装置。
【請求項３６】
前記発光素子配置用凹部底面に対する前記発光素子配置用凹部側面の角度は、５５度である、請求項３５に記載の電子装置。
【請求項３７】
前記導電層は、前記発光素子配置用凹部側面に形成された発光素子配置用凹部側面連絡部を有する、請求項３３ないし３６のいずれかに記載の電子装置。
【請求項３８】
前記発光素子配置用凹部に充填され且つ前記発光素子を覆うとともに、前記発光素子からの光を透過させる、発光素子封止樹脂部を備える、請求項３０ないし３７のいずれかに記載の電子装置。
【請求項３９】
前記発光素子封止樹脂部は、前記発光素子を直接覆う第１発光素子封止樹脂部と、該第１発光素子封止樹脂部に対して前記主面が向く側に設けられた第２発光素子封止樹脂部と、を有する、請求項３８に記載の電子装置。
【請求項４０】
前記第２発光素子封止樹脂部の前記主面と同じ側を向く面は、平坦である、請求項３９に記載の電子装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
外部からの電流の入出力に対して特定の機能を果たす電子装置は、様々な形態のものが提案されている。一般的には、この電子装置の機能を果たすために、各々が電気回路の一部を構成する複数の電子素子が内蔵されている。これらの電子素子を支持し、かつ互いに導通させることを目的として、金属製のリードが用いられる。このリードは、上記複数の電子素子の機能や形状および大きさに応じて、その個数や形状および大きさが決定される。このリードに搭載された上記複数の電子素子は、封止樹脂によって覆われる。封止樹脂は、これらの電子素子や上記リードの一部を保護するためのものである。このような電子装置は、たとえば電子機器の回路基板などに実装されて用いられる。当該電子装置においては、前記電子素子の機能を十分に発揮させることが重要である。なお、電子装置に関する文献としては、特許文献１が挙げられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１２−９９６７３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、電子素子の機能をより適切に発揮させることが可能な電子装置を提供することをその課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明によって提供される電子装置は、厚さ方向において互いに反対側を向く主面および裏面を有し、半導体材料よりなる基板と、前記基板に配置された電子素子と、前記電子素子に導通する導電層と、を備えた電子装置であって、前記基板には、前記主面から凹む素子配置用凹部が形成されており、前記素子配置用凹部には、前記電子素子が配置されており、前記電子素子の少なくとも一部を覆う封止樹脂部を備え、前記電子素子は、前記主面が向く側に位置する電極を有しており、前記導電層は、前記電子素子の前記電極に導通し、且つ前記封止樹脂部に支持された封止樹脂部連絡部を有しており、前記主面が向く側に位置し、且つ前記導電層に導通する電極パッドを備えることを特徴としている。
【０００６】
本発明の好ましい実施の形態においては、前記素子配置用凹部は、前記厚さ方向を向く素子配置用凹部底面を有しており、前記電子素子は、前記素子配置用凹部底面に配置されている。
【０００７】
本発明の好ましい実施の形態においては、前記素子配置用凹部は、前記素子配置用凹部底面から起立する素子配置用凹部側面を有する。
【０００８】
本発明の好ましい実施の形態においては、前記素子配置用凹部底面は、前記厚さ方向に直交する面である。
【０００９】
本発明の好ましい実施の形態においては、前記素子配置用凹部側面は、前記厚さ方向に対し傾斜している。
【００１０】
本発明の好ましい実施の形態においては、前記素子配置用凹部底面に対する前記素子配置用凹部側面の角度は、５５度である。
【００１１】
本発明の好ましい実施の形態においては、前記基板は、半導体材料の単結晶よりなる。
【００１２】
本発明の好ましい実施の形態においては、前記半導体材料は、Ｓｉである。
【００１３】
本発明の好ましい実施の形態においては、前記主面および前記裏面は、前記基板の厚さ方向に直交し、且つ、平坦である。
【００１４】
本発明の好ましい実施の形態においては、前記主面は、（１００）面である。
【００１５】
本発明の好ましい実施の形態においては、前記素子配置用凹部側面は、前記主面に繋がっている。
【００１６】
本発明の好ましい実施の形態においては、前記電子素子は、受光部を有し、且つ受けた光に応じた電気信号を出力する光電変換機能を果たす受光素子である。
【００１７】
本発明の好ましい実施の形態においては、前記封止樹脂部は、前記素子配置用凹部底面および前記電子素子の少なくとも一部ずつを覆う第１封止樹脂部と、前記受光部を覆い且つ前記光電変換機能の対象である波長の光を透過させる第２封止樹脂部と、を有する。
【００１８】
本発明の好ましい実施の形態においては、前記第１封止樹脂部は、前記素子配置用凹部側面の少なくとも一部を覆っている。
【００１９】
本発明の好ましい実施の形態においては、前記導電層の前記封止樹脂部連絡部は、前記第１封止樹脂部と前記第２封止樹脂部との間に挟まれている。
【００２０】
本発明の好ましい実施の形態においては、前記第２封止樹脂部は、前記厚さ方向視において前記素子配置用凹部から前記主面にわたる領域に形成されている。
【００２１】
本発明の好ましい実施の形態においては、前記第２封止樹脂部の前記主面と同じ側を向く面は、平坦である。
【００２２】
本発明の好ましい実施の形態においては、前記厚さ方向において前記素子配置用凹部とは反対側を向くシールチップ主面と、該シールチップ主面とは反対側を向くシールチップ裏面とを有するとともに、前記主面側において前記素子配置用凹部の少なくとも一部を覆うシールチップを備える。
【００２３】
本発明の好ましい実施の形態においては、前記シールチップは、Ｓｉからなる。
【００２４】
本発明の好ましい実施の形態においては、前記電極パッドは、前記シールチップに設けられたシールチップ電極パッドである。
【００２５】
本発明の好ましい実施の形態においては、前記シールチップ電極パッドは、前記シールチップ主面に設けられている。
【００２６】
本発明の好ましい実施の形態においては、前記シールチップは、厚さ方向視において前記電子素子の前記受光部を内包する開口を有する。
【００２７】
本発明の好ましい実施の形態においては、前記シールチップは、前記第２封止樹脂部に接合されている。
【００２８】
本発明の好ましい実施の形態においては、前記シールチップは、前記シールチップ裏面から前記シールチップ主面に向かうほど前記厚さ方向視において内方に位置するように傾いたシールチップ側面を有しており、前記導電層は、前記シールチップ側面に形成されたシールチップ側面連絡部を含む。
【００２９】
本発明の好ましい実施の形態においては、前記シールチップ側面連絡部は、前記主面の端縁に到達している。
【００３０】
本発明の好ましい実施の形態においては、前記導電層は、前記基板の前記主面に形成された主面側連絡部を含む。
【００３１】
本発明の好ましい実施の形態においては、前記電極パッドは、前記主面に設けられた主面電極パッドである。
【００３２】
本発明の好ましい実施の形態においては、前記導電層は、前記基板の前記主面に形成された主面側連絡部を含む。
【００３３】
本発明の好ましい実施の形態においては、前記主面電極パッドは、前記主面側連絡部上に形成されている。
【００３４】
本発明の好ましい実施の形態においては、前記基板は、前記受光素子としての前記電子素子が配置された前記素子配置用凹部とは別の、前記主面から凹む発光素子配置用凹部を有しており、前記発光素子配置用凹部に、発光素子が配置されている。
【００３５】
本発明の好ましい実施の形態においては、前記発光素子は、前記光電変換機能の対象である波長の光を発する。
【００３６】
本発明の好ましい実施の形態においては、前記発光素子配置用凹部は、前記厚さ方向を向く発光素子配置用凹部底面を有しており、前記発光は、前記発光素子配置用凹部底面に配置されている。
【００３７】
本発明の好ましい実施の形態においては、前記発光素子配置用凹部は、前記発光素子配置用凹部底面から起立する発光素子配置用凹部側面を有する。
【００３８】
本発明の好ましい実施の形態においては、  前記発光素子配置用凹部底面は、前記厚さ方向に直交する面である。
【００３９】
本発明の好ましい実施の形態においては、前記発光素子配置用凹部側面は、前記厚さ方向に対し傾斜している。
【００４０】
本発明の好ましい実施の形態においては、前記発光素子配置用凹部底面に対する前記発光素子配置用凹部側面の角度は、５５度である。
【００４１】
本発明の好ましい実施の形態においては、前記導電層は、前記発光素子配置用凹部側面に形成された発光素子配置用凹部側面連絡部を有する。
【００４２】
本発明の好ましい実施の形態においては、前記発光素子配置用凹部に充填され且つ前記発光素子を覆うとともに、前記発光素子からの光を透過させる、発光素子封止樹脂部を備える。
【００４３】
本発明の好ましい実施の形態においては、前記発光素子封止樹脂部は、前記発光素子を直接覆う第１発光素子封止樹脂部と、該第１発光素子封止樹脂部に対して前記主面が向く側に設けられた第２発光素子封止樹脂部と、を有する。
【００４４】
本発明の好ましい実施の形態においては、前記第２発光素子封止樹脂部の前記主面と同じ側を向く面は、平坦である。
【発明の効果】
【００４５】
本発明によれば、本実施形態によれば、前記素子配置用凹部に前記電子素子を配置することにより、前記電子素子をより確実に保護することができる。前記主面が向く側に配置された前記電子素子の前記電極は、前記封止樹脂部連絡部を介して、適切に前記電極パッドへと導通される。したがって、前記電子素子の機能をより適切に発揮させることができる。
【００４６】
本発明のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】本発明の第１実施形態に基づく電子装置を示す平面図である。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ線に沿う断面図である。
【図３】図１の電子装置を示す要部拡大断面図である。
【図４】図１の電子装置を示す要部断面図である。
【図５】図１の電子装置の製造方法の一例を示す断面図である。
【図６】図１の電子装置の製造方法の一例を示す断面図である。
【図７】図１の電子装置の製造方法の一例を示す断面図である。
【図８】図１の電子装置の製造方法の一例を示す断面図である。
【図９】図１の電子装置の製造方法の一例を示す断面図である。
【図１０】図１の電子装置の製造方法の一例を示す断面図である。
【図１１】図１の電子装置の製造方法の一例を示す断面図である。
【図１２】図１の電子装置の製造方法の一例を示す断面図である。
【図１３】図１の電子装置の製造方法の一例を示す断面図である。
【図１４】図１の電子装置の製造方法の一例を示す断面図である。
【図１５】本発明の第２実施形態に基づく電子装置を示す平面図である。
【図１６】図１５のＸＶＩ−ＸＶＩ線に沿う断面図である。
【図１７】図１５のＸＶＩＩ−ＸＶＩＩ線に沿う断面図である。
【図１８】本発明の第３実施形態に基づく電子装置を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００４８】
以下、本発明の好ましい実施の形態につき、図面を参照して具体的に説明する。
【００４９】
図１〜図４は、本発明の第１実施形態に基づく電子装置を示している。本実施形態の電子装置Ａ１は、基板１、絶縁層２、導電層３、シールチップ４、シールチップ電極パッド３４１、封止樹脂部６および電子素子７１を備えている。図１は、電子装置Ａ１を示す平面図である。図２は、図１のＩＩ−ＩＩ線に沿う断面図である。図３は、電子装置Ａ１を示す要部拡大断面図である。図４は、電子装置Ａ１を示す要部断面図である。
【００５０】
基板１は、半導体材料の単結晶よりなる。本実施形態においては、基板１は、Ｓｉ単結晶からなる。基板１の材質は、Ｓｉに限定されず、たとえば、ＳｉＣであってもよい。基板１の厚さは、たとえば、２００〜５５０μｍである。基板１には、電子素子７１が配置されている。
【００５１】
基板１は、主面１１１と、裏面１１２と、を有する。
【００５２】
主面１１１は、厚さ方向の一方を向く。主面１１１は平坦である。主面１１１は厚さ方向に直交する。主面１１１は、（１００）面、あるいは、（１１０）面である。本実施形態では、主面１１１は、（１００）面である。
【００５３】
裏面１１２は、厚さ方向の他方を向く。すなわち、裏面１１２および主面１１１は互いに反対側を向く。裏面１１２は平坦である。裏面１１２は厚さ方向に直交する。
【００５４】
基板１には、素子配置用凹部１４が形成されている。
【００５５】
素子配置用凹部１４は、主面１１１から凹んでいる。素子配置用凹部１４には、電子素子７１が配置されている。素子配置用凹部１４の深さ（主面１１１と後述の素子配置用凹部底面１４２との、厚さ方向における離間寸法）は、たとえば、１００〜３００μｍである。素子配置用凹部１４は、厚さ方向視において矩形状である。素子配置用凹部１４の形状は、主面１１１として（１００）面を採用したことに依存している。
【００５６】
素子配置用凹部１４は、素子配置用凹部側面１４１および素子配置用凹部底面１４２を有している。
【００５７】
素子配置用凹部底面１４２は、基板１の厚さ方向において主面１１１と同じ側を向く。素子配置用凹部底面１４２は、厚さ方向視において矩形状である。素子配置用凹部底面１４２には、電子素子７１が配置されている。素子配置用凹部底面１４２は、厚さ方向に直交する面である。
【００５８】
素子配置用凹部側面１４１は、素子配置用凹部底面１４２から起立する。素子配置用凹部側面１４１は、素子配置用凹部底面１４２につながっている。素子配置用凹部側面１４１は、厚さ方向に対し傾斜している。厚さ方向に直交する平面に対する素子配置用凹部側面１４１の角度は、５５度である。これは、主面１１１として（１００）面を採用したことに由来している。素子配置用凹部側面１４１は、４つの平坦面を有している。
【００５９】
絶縁層２は、導電層３と基板１との間に介在している。絶縁層２の厚さは、たとえば０．１〜１．０μｍ程度である。絶縁層２は、たとえば、ＳｉＯ2あるいはＳｉＮよりなる。
【００６０】
絶縁層２は、凹部内面絶縁部２１、主面絶縁部２６および裏面側絶縁部２４を有する。
【００６１】
凹部内面絶縁部２１は、基板１の素子配置用凹部１４に形成されている。本実施形態では、凹部内面絶縁部２１は、素子配置用凹部側面１４１および素子配置用凹部底面１４２のすべてに形成されている。凹部内面絶縁部２１は、たとえば熱酸化によって形成されている。凹部内面絶縁部２１は、たとえば、ＳｉＯ2よりなる。
【００６２】
主面絶縁部２６の少なくとも一部は、基板１の主面１１１に形成されている。本実施形態においては、主面絶縁部２６は、主面１１１のすべてを覆っている。主面絶縁部２６は、熱酸化によって形成されている。主面絶縁部２６は、たとえば、ＳｉＯ2よりなる。本実施形態においては、主面絶縁部２６は、主面１１１のすべてを覆っている。
【００６３】
裏面側絶縁部２４の少なくとも一部は、基板１の裏面１１２に形成されている。本実施形態においては、は、主面１１１のすべてを覆っている。裏面側絶縁部２４は、熱酸化によって形成されている。裏面側絶縁部２４は、たとえば、ＳｉＯ2よりなる。本実施形態においては、裏面側絶縁部２４は、裏面１１２のすべてを覆っている。
【００６４】
シールチップ４は、厚さ方向において主面１１１と同じ側を向くシールチップ主面４１およびシールチップ主面４１とは反対側を向くシールチップ裏面４２を有している。シールチップ４は、主面１１１側において素子配置用凹部１４の少なくとも一部を覆っている。本実施形態においては、シールチップ４は、素子配置用凹部１４の外縁のすべてを覆っている。シールチップ４は、たとえばＳｉからなる。また、シールチップ４には、電子装置Ａ１の機能の一部を果たす集積回路が作りこまれていてもよい。
【００６５】
シールチップ４は、シールチップ側面４３を有する。シールチップ側面４３は、シールチップ裏面４２からシールチップ主面４１に向かうほど厚さ方向視において内方に位置するように傾いている。シールチップ主面４１およびシールチップ裏面４２が（１００）面である場合シールチップ側面４３がシールチップ主面４１またはシールチップ裏面４２となす角度は、５５度である。シールチップ４は、主面１１１に接合層４５によって接合されている。接合層４５は、導電性材料でも絶縁性材料であってもよい。
【００６６】
シールチップ４は、開口４６を有している。開口４６は、シールチップ４を貫通している。図１に示すように、開口４６は、厚さ方向視において後述する電子素子７１の受光部７１２を内包している。本実施形態においては、開口４６は、厚さ方向視矩形状である。
【００６７】
シールチップ４の厚さは、電子素子７１を適切に保護しうる厚さであればよい。また、シールチップ４の厚さは、基板１の厚さが固定されている場合に、電子装置Ａ１全体の厚さを調整することを目的として設定されてもよい。
【００６８】
導電層３は、電子素子７１に導通する。導電層３は、電子素子７１に入出力する電流経路を構成するためのものである。導電層３は、基板１、封止樹脂部６およびシールチップ４に形成されている。
【００６９】
導電層３は、シード層３１およびメッキ層３２を含む。
【００７０】
シード層３１は、所望のメッキ層３２を形成するためのいわゆる下地層である。シード層３１は、基板１とメッキ層３２との間に介在している。シード層３１は、たとえばＣｕよりなる。シード層３１は、たとえばスパッタリングによって形成される。シード層３１の厚さは、たとえば、１μｍ以下である。
【００７１】
メッキ層３２は、シード層３１を利用した電解めっきによって形成される。メッキ層３２は、たとえばＣｕあるいはＴｉ、Ｎｉ、Ｃｕなどが積層された層よりなる。メッキ層３２の厚さは、たとえば３〜１０μｍ程度である。メッキ層３２の厚さは、シード層３１の厚さよりも厚い。
【００７２】
導電層３は、封止樹脂部連絡部３６、シールチップ側面連絡部３７および主面側連絡部３８を含む。
【００７３】
封止樹脂部連絡部３６は、封止樹脂部６に支持されている。封止樹脂部連絡部３６は、後述する電子素子７１の電極７１１に導通しており、本実施形態においては、電極７１１に繋がっている。封止樹脂部連絡部３６は、厚さ方向視において電子素子７１から素子配置用凹部１４の端縁にわたる領域に形成されている。封止樹脂部連絡部３６は、後述する封止樹脂部６の第１封止樹脂部６１と第２封止樹脂部６２とに挟まれている。
【００７４】
シールチップ側面連絡部３７は、シールチップ４のシールチップ側面４３に形成されており、導電層３のうちシールチップ４のシールチップ主面４１に形成された部分と主面側連絡部３８とを連絡している。また、本実施形態においては、シールチップ側面連絡部３７は、主面１１１の端縁に到達している。シールチップ側面連絡部３７は、シード層３１およびメッキ層３２によって構成されているが、これ以外の層構造であってもよい。
【００７５】
主面側連絡部３８は、主面１１１に形成されており、封止樹脂部連絡部３６とシールチップ側面連絡部３７とを連絡している。また、本実施形態においては、主面側連絡部３８の大部分が、シールチップ４によって覆われている。主面側連絡部３８とシールチップ４との導通が好ましくない場合、接合層４５は、絶縁材料が選択される。
【００７６】
シールチップ電極パッド３４１は、シールチップ４のシールチップ主面４１に形成されている。シールチップ電極パッド３４１は、導電層３に接しており、且つ、電子素子７１に導通している。シールチップ電極パッド３４１は、たとえばシールチップ４のシールチップ主面４１に近い順に、Ｎｉ層、Ｐｄ層、およびＡｕ層が積層された構造となっている。本実施形態では、シールチップ電極パッド３４１は矩形状である。
【００７７】
電子素子７１は、素子配置用凹部底面１４２に搭載されている。本実施形態においては、電子素子７１は、受光素子として構成されており、複数の電極７１１および受光部７１２を有する。複数の電極７１１および受光部７１２は、電子素子７１のうち主面１１１が向く側の部位に設けられている。複数の電極７１１は、たとえば電子素子７１からの電気信号を外部に出力するためのものである。受光部７１２は、光電変換機能において光を受ける部位である。
【００７８】
封止樹脂部６は、電子素子７１の少なくとも一部を覆う。本実施形態においては、封止樹脂部６は、第１封止樹脂部６１および第２封止樹脂部６２を有する。第１封止樹脂部６１は、素子配置用凹部底面１４２および電子素子７１の少なくとも一部ずつを覆う。また、第１封止樹脂部６１は、素子配置用凹部側面１４１の少なくとも一部を覆っている。本実施形態においては、第１封止樹脂部６１は、素子配置用凹部底面１４２のほぼすべて、素子配置用凹部側面１４１のほぼすべて、および電子素子７１のうち複数の電極７１１および受光部７１２以外のほぼすべてを覆っている。一方、第１封止樹脂部６１には、開口６１１が形成されている。開口６１１は、複数の電極７１１および受光部７１２を第１封止樹脂部６１から露出させている。第１封止樹脂部６１の材質としては、たとえばエポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリベンゾオキサゾール（ＰＢＯ）樹脂、および、シリコーン樹脂が挙げられる。第１封止樹脂部６１は、透光性樹脂または非透光性樹脂のいずれであってもよいが、本実施形態においては、非透光性樹脂とされている。
【００７９】
第２封止樹脂部６２は、受光部７１２を覆い且つ電子素子７１の光電変換機能の対象である波長の光を透過させる。第２封止樹脂部６２は、電子素子７１に対して主面１１１が向く側に位置しており、第１封止樹脂部６１に積層されている。また、第２封止樹脂部６２は、厚さ方向視において素子配置用凹部１４から主面１１１にわたる領域に形成されている。図２に示すように、第１封止樹脂部６１の図中上面と主面１１１との間には、若干の段差が存在する。一方、第２封止樹脂部６２の図中上面、すなわち主面１１１と同じ側を向く面は、平坦である。第２封止樹脂部６２の材質としては、透明なエポキシ樹脂あるいはシリコーン樹脂などが好ましい。
【００８０】
次に、電子装置Ａ１の製造方法の一例について、図５〜図１４を参照しつつ、以下に説明する。
【００８１】
まず、図５に示すように基板１を用意する。基板１は、半導体材料の単結晶からなり、本実施形態においては、Ｓｉ単結晶からなる。基板１の厚さは、たとえば２００〜５５０μｍ程度である。基板１は、上述した電子装置Ａ１の基板１を複数個得ることのできるサイズである。すなわち、以降の製造工程においては、複数の電子装置Ａ１を一括して製造する手法を前提としている。１つの電子装置Ａ１を製造する方法であっても構わないが、工業上の効率を考慮すると、複数の電子装置Ａ１を一括して製造する手法が現実的である。なお、図５に示す基板１は、電子装置Ａ１における基板１とは厳密には異なるが、理解の便宜上、いずれの基板についても、基板１として表すものとする。
【００８２】
基板１は、互いに反対側を向く主面１１１および裏面１１２を有している。本実施形態においては、主面１１１として結晶方位が（１００）である面、すなわち（１００）面を採用する。
【００８３】
次いで、主面１１１をたとえば酸化させることによりＳｉＯ2からなるマスク層を形成する。このマスク層の厚さは、たとえば０．７〜１．０μｍ程度である。
【００８４】
次いで、前記マスク層に対してたとえばエッチングによるパターニングを行う。これにより、前記マスク層にたとえば矩形状の開口を形成する。この開口の形状および大きさは、最終的に得ようとする素子配置用凹部１４の形状および大きさに応じて設定する。
【００８５】
次いで、基板１に対して、たとえばＫＯＨを用いた異方性エッチングによって行う。ＫＯＨは、Ｓｉ単結晶に対して良好な異方性エッチングを実現しうるアルカリエッチング溶液の一例である。これにより、基板１には、図６に示すように素子配置用凹部１４が形成される。素子配置用凹部１４は、素子配置用凹部側面１４１および素子配置用凹部底面１４２を有しており、主面１１１から凹んでいる。素子配置用凹部１４は、厚さ方向視矩形状である。
【００８６】
次いで、図７に示すように、熱酸化させることにより、主面１１１、素子配置用凹部側面１４１および素子配置用凹部底面１４２と裏面１１２とに、絶縁層２を形成する。この絶縁層２は、上述した凹部内面絶縁部２１、裏面絶縁部２４および主面絶縁部２６となる部分を含む。
【００８７】
次いで、図８に示すように、素子配置用凹部１４に電子素子７１を配置する。具体的には、素子配置用凹部１４の素子配置用凹部底面１４２に、電子素子７１のうち複数の電極７１１および受光部７１２が形成された面とは反対側の面を、接合する。電子素子７１の接合は、導電性接合材あるいは絶縁性接合材のいずれであってもよい。
【００８８】
次いで、図９に示すように第１封止樹脂部６１を形成する。たとえば、第１封止樹脂部６１の材料となる液体樹脂材料を素子配置用凹部１４に注入する。この際、前記液体樹脂材料の上面が電子素子７１の上面を若干覆う程度とする。この液体樹脂材料を経時変化、加熱あるいは紫外線照射などの手法によって硬化させる。これにより、第１封止樹脂部６１が得られる。
【００８９】
次いで、図１０に示すように第１封止樹脂部６１に開口６１１を形成する。開口６１１の形成は、たとえば第１封止樹脂部６１にエッチングを施すことによって行う。これにより、第１封止樹脂部６１には、複数の電極７１１および受光部７１２を露出させる開口６１１が設けられる。
【００９０】
次いで、図１１に示すように、導電層３を形成する。導電層３の形成は、シード層３１およびメッキ層３２の形成を含む。シード層３１は、たとえばＣｕを用いたスパッタリングを行った後にパターニングを施すことにより、形成される。メッキ層３２の形成は、たとえばシード層３１を利用した電解メッキによって行う。この結果、たとえばＣｕあるいはＴｉ、Ｎｉ、Ｃｕなどが積層された層からなるメッキ層３２が得られる。シード層３１およびメッキ層３２は、積層されることにより導電層３をなす。この際、導電層３は、上述した封止樹脂部連絡部３６および主面側連絡部３８含む形状とされている。
【００９１】
次いで、図１２に示すように、第２封止樹脂部６２を形成する。第２封止樹脂部６２の形成は、たとえば液体透明樹脂材料を第１封止樹脂部６１上に塗布し、これを硬化させることによって行う。これにより、第１封止樹脂部６１および電子素子７１の複数の電極７１１および受光部７１２と、導電層３の封止樹脂部連絡部３６とを覆う第２封止樹脂部６２が得られる。また、これにより、封止樹脂部６が完成する。
【００９２】
次いで、図１３に示すようにシールチップ４を接合する。シールチップ４の接合は、接合層４５を構成する導電性または絶縁性のペーストをシールチップ４と第２封止樹脂部６２のうち主面１１１上に位置する部位との接合箇所に塗布し、これを硬化させることによっておこなう。この差異、厚さ方向視において受光部７１２が開口４６に内包されるように位置決めをしておく。
【００９３】
次いで、図１４に示すようにシールチップ側面連絡部３７を形成する。シールチップ側面連絡部３７の形成は、たとえば、シールチップ側面連絡部３７を形成すべき領域にシード層３１を形成し、このシード層３１を利用してメッキ層３２を積層する。また、同図に示した例においては、シールチップ４のシールチップ主面４１にシールチップ側面連絡部３７に繋がる導電層３の部分が形成される。これにより、シールチップ側面連絡部３７は、主面側連絡部３８と接する。また、本実施形態においては、シールチップ側面連絡部３７を主面１１１の端縁に到達させる。これは、以降の工程を終えた後に、シールチップ側面連絡部３７と基板１とを一括して切断することによって実現してもよい。
【００９４】
次いで、シールチップ電極パッド３４１を形成する。シールチップ電極パッド３４１は、たとえばＮｉ，Ｐｄ，Ａｕなどの金属を無電解めっきすることにより形成される。
【００９５】
そして、基板１をたとえばダイサーによって切断するこれにより、図１〜図４に示した電子装置Ａ１が得られる。
【００９６】
次に、電子装置Ａ１の作用について説明する。
【００９７】
本実施形態によれば、素子配置用凹部１４に電子素子７１を配置することにより、素子配置用凹部１４をより確実に保護することができる。主面１１１が向く側に配置された電子素子７１の電極７１１は、封止樹脂部連絡部３６を介して、適切にシールチップ電極パッド３４１へと導通される。したがって、電子素子７１の機能をより適切に発揮させることができる。
【００９８】
主面１１１として（１００）面を選択することにより、ＫＯＨを用いたエッチングなどを経て、素子配置用凹部底面１４２および素子配置用凹部側面１４１を、所定の相対角度をなす平滑な面に仕上げることができる。
【００９９】
電子素子７１として受光素子を採用した場合、電極７１１と受光部７１２とは同じ側に設けられることが一般的である。電極７１１が主面１１１が向く側に配置されると、受光部７１２も同様に主面１１１が向く側に配置される。これにより、受光部７１２は、素子配置用凹部１４が開口する側に望む。したがって、光電変換機能の対象となる光を受光するのに都合がよい。
【０１００】
シールチップ４に開口４６を設けることにより、電子素子７１の受光部７１２へと受光すべき光を適切に到達させることができる。
【０１０１】
受光部７１２が受光すべき光を透過させる材料によって第２封止樹脂部６２を形成することにより、第２封止樹脂部６２を透して受光部７１２へと光を適切に到達させることができる。
【０１０２】
第１封止樹脂部６１に開口６１１を設けることにより、第１封止樹脂部６１が光を透過させない材質によって形成されていても、受光部７１２へと光を到達させることができる。
【０１０３】
図２に示すように、第１封止樹脂部６１が電子素子７１のうち複数の電極７１１および受光部７１２以外の部分を覆うものであることにより、第１封止樹脂部６１の図中上面は、電子素子７１の図中上面および基板１の主面１１１と比較的近い高さにある。これにより、封止樹脂部連絡部３６がより平坦に近い形状となる。これは、封止樹脂部連絡部３６をより容易に形成することや、封止樹脂部連絡部３６が誤って断線することを回避するのに適している。
【０１０４】
封止樹脂部連絡部３６が第１封止樹脂部６１と第２封止樹脂部６２とに挟まれていることにより、封止樹脂部連絡部３６の断線などをより確実に防止することができる。
【０１０５】
第２封止樹脂部６２の図２における図中上面が平坦であることにより、シールチップ４をより確実に第２封止樹脂部６２に接合することができる。
【０１０６】
本実施形態によれば、素子配置用凹部１４は、シールチップ４によって覆われている。これにより、素子配置用凹部１４に収容された電子素子７１をシールチップ４によってより適切に保護することができる。
【０１０７】
シールチップ４には、シールチップ側面４３が設けられている。シールチップ側面４３は、シールチップ裏面４２からシールチップ主面４１に向かうほど厚さ方向視において内方に位置するように傾いている。このため、めっきなどの手法によってシールチップ側面連絡部３７を容易に形成することが可能である。これにより、シールチップ４のシールチップ主面４１に設けたシールチップ電極パッド３４１と電子素子７１とを適切にどうつうさせることができる。
【０１０８】
シールチップ電極パッド３４１は、平面視において主面１１１や素子配置用凹部１４と重なる位置に設けることができる。これにより、電子装置Ａ１の平面視寸法を小型化することができる。
【０１０９】
図４は、電子装置Ａ１を回路基板８に実装した状態を示している。シールチップ電極パッド３４１は、回路基板８の実装パターン８１に対してハンダ８２によって接合されている。シールチップ４のシールチップ側面４３には、シールチップ側面連絡部３７が形成されている。このシールチップ側面連絡部３７は、主面１１１の端縁に到達している。これにより、ハンダ８２は、シールチップ側面連絡部３７の端縁、すなわち主面１１１の端縁から外方に広がる、いわゆるフィレット形状となる。このような形態においては、ハンダ８２の広がり具合を目視によって確認することにより、電子装置Ａ１が回路基板８に適切に実装されているか否かを容易に判断することができる。
【０１１０】
図１５〜図１８は、本発明の他の実施形態を示している。なお、これらの図において、上記実施形態と同一または類似の要素には、上記実施形態と同一の符号を付している。
【０１１１】
図１５〜図１７は、本発明の第２実施形態に基づく電子装置を示している。本実施形態の電子装置Ａ２は、基板１の構成および発光素子７２を備える点が、上述した実施形態と異なっている。図１５は、電子装置Ａ２示す平面図である。図１６は、図１５のＸＶＩ−ＸＶＩ線に沿う断面図である。図１７は、図１５のＸＶＩＩ−ＸＶＩＩ線に沿う断面図である。
【０１１２】
図１５に示すように、本実施形態においては、基板１に素子配置用凹部１４および発光素子配置用凹部１５が形成されている。素子配置用凹部１４と発光素子配置用凹部１５とは、互いに離間して並べられている。
【０１１３】
図１６に示すように、素子配置用凹部１４および電子素子７１に関する構成は、上述した電子装置Ａ１と同様である。ただし、本実施形態においては、発光素子配置用凹部１５を形成する便宜上、電子装置Ａ１の基板１よりも基板１が厚い。
【０１１４】
図１７に示すように、発光素子配置用凹部１５は、主面１１１から凹んでいる。発光素子配置用凹部１５には、発光素子７２が配置されている。発光素子配置用凹部１５の深さ（主面１１１と後述の素子配置用凹部底面１４２との、厚さ方向における離間寸法）は、たとえば、３００〜５００μｍである。発光素子配置用凹部１５は、厚さ方向視において矩形状である。発光素子配置用凹部１５の形状は、主面１１１として（１００）面を採用したことに依存している。
【０１１５】
発光素子配置用凹部１５は、発光素子配置用凹部側面１５１および発光素子配置用凹部底面１５２を有している。
【０１１６】
発光素子配置用凹部底面１５２は、基板１の厚さ方向において主面１１１と同じ側を向く。発光素子配置用凹部底面１５２は、厚さ方向視において矩形状である。発光素子配置用凹部底面１５２には、発光素子７２が配置されている。発光素子配置用凹部底面１５２は、厚さ方向に直交する面である。
【０１１７】
発光素子配置用凹部側面１５１は、発光素子配置用凹部底面１５２から起立する。発光素子配置用凹部側面１５１は、発光素子配置用凹部底面１５２につながっている。発光素子配置用凹部側面１５１は、厚さ方向に対し傾斜している。厚さ方向に直交する平面に対する発光素子配置用凹部側面１５１の角度は、５５度である。これは、主面１１１として（１００）面を採用したことに由来している。発光素子配置用凹部側面１５１は、４つの平坦面を有している。
【０１１８】
導電層３は、素子配置用凹部パッド３３および発光素子配置用凹部側面連絡部３９を有している。
【０１１９】
素子配置用凹部パッド３３は、発光素子配置用凹部１５に形成されており、特に発光素子配置用凹部底面１５２に形成されたものを含む。発光素子配置用凹部底面１５２に形成された素子配置用凹部パッド３３は、発光素子７２を発光素子配置用凹部底面１５２に搭載するために用いられる。
【０１２０】
発光素子配置用凹部側面連絡部３９は、発光素子配置用凹部１５の発光素子配置用凹部側面１５１に形成されている。発光素子配置用凹部側面連絡部３９は、素子配置用凹部パッド３３と主面側連絡部３８とを繋いでいる。
【０１２１】
発光素子７２は、受光素子としての電子素子７１の光電変換機能の対象となる波長の光を発する。このような発光素子７２としては、たとえばＬＥＤチップが挙げられる。図示された例の発光素子７２は、素子配置用凹部パッド３３に直接実装されており、いわゆるフリップチップタイプである。これとはことなり、発光素子７２は、ワイヤを用いて導電層３に導通されるタイプであってもよい。
【０１２２】
電子装置Ａ２は、発光素子封止樹脂部６３を備える。発光素子封止樹脂部６３は、発光素子配置用凹部１５に充填されており、発光素子７２を覆っている。
【０１２３】
発光素子封止樹脂部６３は、第１発光素子封止樹脂部６４および第２発光素子封止樹脂部６５を有している。第１発光素子封止樹脂部６４は、発光素子７２のすべてを覆っている。第１発光素子封止樹脂部６４は、発光素子７２からの光を透過させる材質からなり、たとえば透明なエポキシ樹脂またはシリコーン樹脂などである。第２発光素子封止樹脂部６５は、第１発光素子封止樹脂部６４上に積層されており、上述した第２封止樹脂部６２と同様の構成である。
【０１２４】
発光素子７２は、導電層３の素子配置用凹部パッド３３、発光素子配置用凹部側面連絡部３９、主面側連絡部３８およびシールチップ側面連絡部３７を介して、シールチップ４のシールチップ主面４１に形成されたシールチップ電極パッド３４１に導通している。
【０１２５】
図１５に示すように、本実施形態においては、シールチップ４に２つの開口４６が形成されている。一方の開口４６は、厚さ方向視において電子素子７１の受光部７１２を内包している。他方の開口４６は、厚さ方向視において発光素子７２を内包している。
【０１２６】
このような実施形態によっても、電子素子７１および発光素子７２の機能をより適切に発揮させることができる。また、受光素子としての電子素子７１と発光素子７２とを備えることにより、発光素子７２から発せられた光が物体によって反射されたことを電子素子７１によって検出することができる。これにより、電子装置Ａ２は、いわゆる反射型近接センサとして用いることができる。
【０１２７】
発光素子配置用凹部１５に発光素子配置用凹部側面１５１が形成されていることにより、発光素子７２から側方に進行した光を、発光素子配置用凹部１５が開口する側へと反射することが可能である。これにより、発光素子７２からの光をより多く出射することができる。
【０１２８】
素子配置用凹部１４よりも発光素子配置用凹部１５が深い構成であることにより、上述した発光素子配置用凹部側面１５１による反射の作用を高めることができる。
【０１２９】
図１８は、本発明の第３実施形態に基づく電子装置を示している。本実施形態の電子装置Ａ３は、基板１、絶縁層２、導電層３、主面電極パッド３４３、封止樹脂部６および電子素子７１を備えている。図１８は、電子装置Ａ１を示す断面図である。
【０１３０】
基板１は、半導体材料の単結晶よりなる。本実施形態においては、基板１は、Ｓｉ単結晶からなる。基板１の材質は、Ｓｉに限定されず、たとえば、ＳｉＣであってもよい。基板１の厚さは、たとえば、２００〜５５０μｍである。基板１には、電子素子７１が配置されている。
【０１３１】
基板１は、主面１１１と、裏面１１２と、を有する。
【０１３２】
主面１１１は、厚さ方向の一方を向く。主面１１１は平坦である。主面１１１は厚さ方向に直交する。主面１１１は、（１００）面、あるいは、（１１０）面である。本実施形態では、主面１１１は、（１００）面である。
【０１３３】
裏面１１２は、厚さ方向の他方を向く。すなわち、裏面１１２および主面１１１は互いに反対側を向く。裏面１１２は平坦である。裏面１１２は厚さ方向に直交する。
【０１３４】
基板１には、素子配置用凹部１４が形成されている。
【０１３５】
素子配置用凹部１４は、主面１１１から凹んでいる。素子配置用凹部１４には、電子素子７１が配置されている。素子配置用凹部１４の深さ（主面１１１と後述の素子配置用凹部底面１４２との、厚さ方向における離間寸法）は、たとえば、１００〜３００μｍである。素子配置用凹部１４は、厚さ方向視において矩形状である。素子配置用凹部１４の形状は、主面１１１として（１００）面を採用したことに依存している。
【０１３６】
素子配置用凹部１４は、素子配置用凹部側面１４１および素子配置用凹部底面１４２を有している。
【０１３７】
素子配置用凹部底面１４２は、基板１の厚さ方向において主面１１１と同じ側を向く。素子配置用凹部底面１４２は、厚さ方向視において矩形状である。素子配置用凹部底面１４２には、電子素子７１が配置されている。素子配置用凹部底面１４２は、厚さ方向に直交する面である。
【０１３８】
素子配置用凹部側面１４１は、素子配置用凹部底面１４２から起立する。素子配置用凹部側面１４１は、素子配置用凹部底面１４２につながっている。素子配置用凹部側面１４１は、厚さ方向に対し傾斜している。厚さ方向に直交する平面に対する素子配置用凹部側面１４１の角度は、５５度である。これは、主面１１１として（１００）面を採用したことに由来している。素子配置用凹部側面１４１は、４つの平坦面を有している。
【０１３９】
絶縁層２は、導電層３と基板１との間に介在している。絶縁層２の厚さは、たとえば０．１〜１．０μｍ程度である。絶縁層２は、たとえば、ＳｉＯ2あるいはＳｉＮよりなる。
【０１４０】
絶縁層２は、凹部内面絶縁部２１、主面絶縁部２６および裏面側絶縁部２４を有する。
【０１４１】
凹部内面絶縁部２１は、基板１の素子配置用凹部１４に形成されている。本実施形態では、凹部内面絶縁部２１は、素子配置用凹部側面１４１および素子配置用凹部底面１４２のすべてに形成されている。凹部内面絶縁部２１は、たとえば熱酸化によって形成されている。凹部内面絶縁部２１は、たとえば、ＳｉＯ2よりなる。
【０１４２】
主面絶縁部２６の少なくとも一部は、基板１の主面１１１に形成されている。本実施形態においては、主面絶縁部２６は、主面１１１のすべてを覆っている。主面絶縁部２６は、熱酸化によって形成されている。主面絶縁部２６は、たとえば、ＳｉＯ2よりなる。本実施形態においては、主面絶縁部２６は、主面１１１のすべてを覆っている。
【０１４３】
裏面側絶縁部２４の少なくとも一部は、基板１の裏面１１２に形成されている。本実施形態においては、は、主面１１１のすべてを覆っている。裏面側絶縁部２４は、熱酸化によって形成されている。裏面側絶縁部２４は、たとえば、ＳｉＯ2よりなる。本実施形態においては、裏面側絶縁部２４は、裏面１１２のすべてを覆っている。
【０１４４】
導電層３は、電子素子７１に導通する。導電層３は、電子素子７１に入出力する電流経路を構成するためのものである。導電層３は、基板１および封止樹脂部６に形成されている。
【０１４５】
導電層３は、シード層３１およびメッキ層３２を含む。
【０１４６】
シード層３１は、所望のメッキ層３２を形成するためのいわゆる下地層である。シード層３１は、基板１とメッキ層３２との間に介在している。シード層３１は、たとえばＣｕよりなる。シード層３１は、たとえばスパッタリングによって形成される。シード層３１の厚さは、たとえば、１μｍ以下である。
【０１４７】
メッキ層３２は、シード層３１を利用した電解めっきによって形成される。メッキ層３２は、たとえばＣｕあるいはＴｉ、Ｎｉ、Ｃｕなどが積層された層よりなる。メッキ層３２の厚さは、たとえば３〜１０μｍ程度である。メッキ層３２の厚さは、シード層３１の厚さよりも厚い。
【０１４８】
導電層３は、封止樹脂部連絡部３６および主面側連絡部３８を含む。
【０１４９】
封止樹脂部連絡部３６は、封止樹脂部６に支持されている。封止樹脂部連絡部３６は、電子素子７１の電極７１１に導通しており、本実施形態においては、電極７１１に繋がっている。封止樹脂部連絡部３６は、厚さ方向視において電子素子７１から素子配置用凹部１４の端縁にわたる領域に形成されている。封止樹脂部連絡部３６は、封止樹脂部６の第１封止樹脂部６１と第２封止樹脂部６２とに挟まれている。
【０１５０】
主面側連絡部３８は、主面１１１に形成されており、封止樹脂部連絡部３６と主面電極パッド３４３とを連絡している。
【０１５１】
主面電極パッド３４３は、主面１１１に形成されている。主面電極パッド３４３は、導電層３に接しており、且つ、電子素子７１に導通している。主面電極パッド３４３は、たとえば主面１１１に近い順に、Ｎｉ層、Ｐｄ層、およびＡｕ層が積層された構造となっている。本実施形態では、主面電極パッド３４３は矩形状である。主面電極パッド３４３は、主面側連絡部３８上に形成されている。
【０１５２】
電子素子７１は、素子配置用凹部底面１４２に搭載されている。本実施形態においては、電子素子７１は、受光素子として構成されており、複数の電極７１１および受光部７１２を有する。複数の電極７１１および受光部７１２は、電子素子７１のうち主面１１１が向く側の部位に設けられている。複数の電極７１１は、たとえば電子素子７１からの電気信号を外部に出力するためのものである。受光部７１２は、光電変換機能において光を受ける部位である。
【０１５３】
封止樹脂部６は、電子素子７１の少なくとも一部を覆う。本実施形態においては、封止樹脂部６は、第１封止樹脂部６１および第２封止樹脂部６２を有する。第１封止樹脂部６１は、素子配置用凹部底面１４２および電子素子７１の少なくとも一部ずつを覆う。また、第１封止樹脂部６１は、素子配置用凹部側面１４１の少なくとも一部を覆っている。本実施形態においては、第１封止樹脂部６１は、素子配置用凹部底面１４２のほぼすべて、素子配置用凹部側面１４１のほぼすべて、および電子素子７１のうち複数の電極７１１および受光部７１２以外のほぼすべてを覆っている。一方、第１封止樹脂部６１には、開口６１１が形成されている。開口６１１は、複数の電極７１１および受光部７１２を第１封止樹脂部６１から露出させている。第１封止樹脂部６１の材質としては、たとえばエポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリベンゾオキサゾール（ＰＢＯ）樹脂、および、シリコーン樹脂が挙げられる。第１封止樹脂部６１は、透光性樹脂または非透光性樹脂のいずれであってもよいが、本実施形態においては、非透光性樹脂とされている。
【０１５４】
第２封止樹脂部６２は、受光部７１２を覆い且つ電子素子７１の光電変換機能の対象である波長の光を透過させる。第２封止樹脂部６２は、電子素子７１に対して主面１１１が向く側に位置しており、第１封止樹脂部６１に積層されている。また、第２封止樹脂部６２は、厚さ方向視において素子配置用凹部１４から主面１１１にわたる領域に形成されている。図２に示すように、第１封止樹脂部６１の図中上面と主面１１１との間には、若干の段差が存在する。一方、第２封止樹脂部６２の図中上面、すなわち主面１１１と同じ側を向く面は、平坦である。第２封止樹脂部６２の材質としては、透明なエポキシ樹脂あるいはシリコーン樹脂などが好ましい。
【０１５５】
このような実施形態によっても、電子素子７１および発光素子７２の機能をより適切に発揮させることができる。また、シールチップ４を備えないことにより、電子装置Ａ３の薄型化を図ることができる。
【０１５６】
主面１１１として（１００）面を選択することにより、ＫＯＨを用いたエッチングなどを経て、素子配置用凹部底面１４２および素子配置用凹部側面１４１を、所定の相対角度をなす平滑な面に仕上げることができる。
【０１５７】
電子素子７１として受光素子を採用した場合、電極７１１と受光部７１２とは同じ側に設けられることが一般的である。電極７１１が主面１１１が向く側に配置されると、受光部７１２も同様に主面１１１が向く側に配置される。これにより、受光部７１２は、素子配置用凹部１４が開口する側に望む。したがって、光電変換機能の対象となる光を受光するのに都合がよい。
【０１５８】
受光部７１２が受光すべき光を透過させる材料によって第２封止樹脂部６２を形成することにより、第２封止樹脂部６２を透して受光部７１２へと光を適切に到達させることができる。
【０１５９】
第１封止樹脂部６１に開口６１１を設けることにより、第１封止樹脂部６１が光を透過させない材質によって形成されていても、受光部７１２へと光を到達させることができる。
【０１６０】
図２に示すように、第１封止樹脂部６１が電子素子７１のうち複数の電極７１１および受光部７１２以外の部分を覆うものであることにより、第１封止樹脂部６１の図中上面は、電子素子７１の図中上面および基板１の主面１１１と比較的近い高さにある。これにより、封止樹脂部連絡部３６がより平坦に近い形状となる。これは、封止樹脂部連絡部３６をより容易に形成することや、封止樹脂部連絡部３６が誤って断線することを回避するのに適している。
【０１６１】
封止樹脂部連絡部３６が第１封止樹脂部６１と第２封止樹脂部６２とに挟まれていることにより、封止樹脂部連絡部３６の断線などをより確実に防止することができる。
【０１６２】
本発明に係る電子装置は、上述した実施形態に限定されるものではない。本発明に係る電子装置の各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。
【符号の説明】
【０１６３】
Ａ１〜Ａ３      電子装置
１      基板
１１１      主面
１１２      裏面
１４      素子配置用凹部
１４２      素子配置用凹部底面
１４１      素子配置用凹部側面
１５      発光素子配置用凹部
１５２      発光素子配置用凹部底面
１５１      発光素子配置用凹部側面
２      絶縁層
２１      凹部内面絶縁部
２４      裏面絶縁部
２６      主面絶縁部
３      導電層
３１      シード層
３２      メッキ層
３３      素子配置用凹部パッド
３６      封止樹脂部連絡部
３７      シールチップ側面連絡部
３８      主面側連絡部
３９      発光素子配置用凹部側面連絡部
３４１      シールチップ電極パッド
３４３      主面電極パッド
４      シールチップ
４１      シールチップ主面
４２      シールシップ裏面
４３      シールチップ側面
４４      シールチップシールド層
４５      接合層
４６      開口
６      封止樹脂部
６１      第１封止樹脂部
６１１      開口
６２      第２封止樹脂部
６２１      開口
６３      発光素子封止樹脂部
６４      第１発光素子封止樹脂部
６５      第２発光素子封止樹脂部
７１      電子素子
７１１      電極
７１２      受光部
７１９      接合層
７２      発光素子
７２１      電極
８      回路基板
８１      実装パターン
８２      ハンダ
８３      開口
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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