(57)【要約】【課題】石英からなる支持基板と単数または複数の遮光膜から構成されるフォトマスクブランクにおいて、パターン形成前も含むフォトマスク作製工程で、遮光膜にて生じる静電破壊を回避し、さらにはパターン位置精度の改善が可能なフォトマスクブランク及びその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】フォトマスクブランク１１の側面部に導電膜１３が形成され、遮光膜１２のうち導電性を有する遮光膜と前記導電膜１３とが接して導通１４が確保されていることを特徴とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
石英からなる支持基板と単数または複数の遮光膜から構成されるフォトマスクブランクにおいて、前記フォトマスクブランクの側面部に導電膜が形成され、且つ前記遮光膜のうち導電性を有する遮光膜と前記導電膜とが接して導通が確保されていることを特徴とするフォトマスクブランク。
【請求項２】
導電膜が、遮光膜エッチングによってエッチングされることが可能であることを特徴とする請求項１に記載のフォトマスクブランク。
【請求項３】
導電膜が、フォトマスクブランク側面と、遮光膜面のパターン形成に影響の無い範囲とに、形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載のフォトマスクブランク。
【請求項４】
導電膜が、フォトマスクブランク側面のうち少なくとも一辺に形成されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載のフォトマスクブランク。
【請求項５】
導電膜が、フォトマスクブランク側面すべての面に形成されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載のフォトマスクブランク。
【請求項６】
導電膜の抵抗率が、１×１０−６Ω・ｃｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載のフォトマスクブランク。
【請求項７】
石英からなる支持基板に単数または複数の遮光膜を形成する工程と、
遮光膜を形成した支持基板を傾けて保持し、側面に導電膜を形成する工程と、
を有することを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載のフォトマスクブランクの製造方法。
【請求項８】
被スパッタ基板を設置したステージを傾けて保持する機能を有するスパッタ装置を用い、側面に導電膜を形成することを特徴とする請求項７に記載のフォトマスクブランクの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フォトマスクの作製時に遮光膜において発生する帯電を防ぐことで、遮光膜の静電破壊もしくは描画によるパターンズレを防ぐことを目的としたフォトマスクブランクとその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
フォトリソ技術に利用されるフォトマスクは、支持基板に遮光膜、あるいは半遮光膜を形成したフォトマスクブランクに対してパターン形成し、作製される。そして、フォトマスクの作製工程では洗浄などの液体を用いる工程が多く存在するが、液体により遮光膜表面が摩擦されることで遮光膜に帯電が生じ、遮光膜の静電破壊が引き起こされる恐れがある。
【０００３】
またフォトマスクの作製工程には、フォトマスクブランクに塗布されたレジストをパターニングする電子描画工程がある。
【０００４】
上記工程において、遮光膜のアース取りがなされるが、これが十分になされずに遮光膜が帯電してしまった場合、電子描画工程におけるパターンズレに起因した位置精度の悪化が懸念される。
【０００５】
パターン形成後における静電破壊の対策として、パターン間に絶縁材料を配置し、パターンを電気的に分離することで、パターンの静電破壊を防ぐ方法がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００９−０８６３８５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら上記方法では、パターン形成前におけるフォトマスクブランク遮光膜の静電破壊に対する有効な対処法とはなり得ない。
【０００８】
また上記方法ではパターン形成後の帯電防止対策であるため、レジストをパターニングする電子描画工程での帯電防止に対しても効果は見込めない。
【０００９】
そこで本発明では、パターン形成前も含むフォトマスク作製工程において、遮光膜にて生じる静電破壊を回避し、さらにはパターン位置精度の改善が可能なフォトマスクブランク及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
請求項１記載の発明は、石英からなる支持基板と単数または複数の遮光膜から構成されるフォトマスクブランクにおいて、前記フォトマスクブランクの側面部に導電膜が形成され、且つ前記遮光膜のうち導電性を有する遮光膜と前記導電膜とが接して導通が確保されていることを特徴とするフォトマスクブランクである。
【００１１】
請求項２記載の発明は、導電膜が、遮光膜エッチングによってエッチングされることが可能であることを特徴とする請求項１に記載のフォトマスクブランクである。
【００１２】
請求項３記載の発明は、導電膜が、フォトマスクブランク側面と、遮光膜面のパターン形成に影響の無い範囲とに、形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載のフォトマスクブランクである。
【００１３】
請求項４記載の発明は、導電膜が、フォトマスクブランク側面のうち少なくとも一辺に形成されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載のフォトマスクブランクである。
【００１４】
請求項５記載の発明は、導電膜が、フォトマスクブランク側面すべての面に形成されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載のフォトマスクブランクである。
【００１５】
請求項６記載の発明は、導電膜の抵抗率が、１×１０−６Ω・ｃｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載のフォトマスクブランクである。
【００１６】
請求項７記載の発明は、石英からなる支持基板に単数または複数の遮光膜を形成する工程と、遮光膜を形成した支持基板を傾けて保持し、側面に導電膜を形成する工程と、を有することを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載のフォトマスクブランクの製造方法である。
【００１７】
請求項８記載の発明は、被スパッタ基板を設置したステージを傾けて保持する機能を有するスパッタ装置を用い、側面に導電膜を形成することを特徴とする請求項７に記載のフォトマスクブランクの製造方法である。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、フォトマスクの作製工程において遮光膜に発生する帯電を防ぐことで、遮光膜の静電破壊および描画によるパターンズレを防ぐことが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】（ａ）および（ｃ）は本発明請求項１記載のフォトマスクブランクであって、異なる遮光膜構成の一例を示した鳥瞰図、（ｂ）および（ｄ）は断面図である。
【図２】（ａ）は本発明請求項３記載のフォトマスクブランクの一例を示した鳥瞰図、（ｂ）は断面図である。
【図３】（ａ）は本発明請求項５記載のフォトマスクブランクの一例を示した鳥瞰図、（ｂ）は断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
請求項１の発明によれば、図１（ａ）から（ｄ）に示すように、石英からなる支持基板（１１）と単数または複数の遮光膜（１２）から構成されるフォトマスクブランク（１０）において、フォトマスクブランク（１０）の側面部に導電膜（１３）が形成され、且つ前記遮光膜のうち導電性を有する遮光膜と前記導電膜とが接して導通部（１４）が形成され、導通が確保されていることで、洗浄などの液体（特に比抵抗の高い純水）を用いる工程によって、遮光膜（１２）表面が摩擦され生じる帯電を緩和することが可能となる。これにより、帯電による遮光膜（１２）の静電破壊を防ぐことができる。なお上記工程の際に、導電膜が形成されているフォトマスクブランク（１０）側面の一部においてアースを取る必要がある。
【００２１】
また電子描画工程において、フォトマスクブランク（１０）側面において確実にアースを取ることが可能となる。
【００２２】
請求項２の発明によれば、導電膜（１３）が遮光膜（１２）のエッチングによってエッ
チングすることが可能であることで、遮光膜（１２）表面もしくは側面に形成されている導電膜（１２）を除去することが可能となる。
【００２３】
請求項３の発明によれば、請求項１乃至２記載の導電膜（１３）が、図２（ａ）および（ｂ）に示すように、フォトマスクブランク側面と前記フォトマスクブランク遮光膜面のパターン形成に影響のない範囲に形成されていることで、電子描画工程でのアース取りが容易となり、且つより効率的に遮光膜（１２）に帯電した電荷の除去が可能となる。
【００２４】
請求項４および５記載の発明によれば、導電膜（１３）はフォトマスクブランク（１０）の少なくとも一辺（図１）、もしくはすべての面（図３）に形成されていても、静電破壊の防止は可能である。
【００２５】
請求項６の発明によれば、請求項１乃至５記載の導電膜（１３）の抵抗率が１×１０−６Ω・ｃｍ以下である材料を用いて形成されていることで、より効果的な除電効果を得ることが可能となる。
【００２６】
請求項７の発明によれば、石英からなる支持基板（１１）に単数または複数の遮光膜を形成する工程と、遮光膜を形成した支持基板を傾けて保持し、側面に導電膜（１３）を形成する工程と、を有する、請求項１乃至６のフォトマスクブランクの製造方法を提供する。
【００２７】
請求項８の発明によれば、フォトマスクブランク（１０）の側面に導電膜（１３）を形成するために、フォトマスクブランク（１０）を傾けて保持可能なステージを具備したスパッタ装置を用いる工程を有する、請求項７に記載のフォトマスクの製造方法を提供する。
【００２８】
また、請求項１乃至８記載の発明は、遮光膜（１２）最表面に抵抗率の高い膜が配置されているフォトマスクブランク（例えばＳｉＯＮをハードマスクとして用いるブランク）に対して、より有効に機能する。
【実施例】
【００２９】
＜実施例１＞
本発明の実施形態の一例を下記に示す。
〈フォトマスクブランク〉
遮光膜が支持基板側からＭｏＳｉ、Ｃｒ、ＳｉＯＮが積層された、縦６ｉｎｃｈ（１５２．４ｍｍ）×横６ｉｎｃｈ（１５２．４ｍｍ）×厚さ２．３ｍｍのフォトマスクブランク。
〈導電膜〉
成膜箇所：フォトマスクブランク側面一辺
組成：Ｃｒ
膜厚：５０Å
〈実施条件〉
使用液体 ：純水
実施方法：フォトマスクを回転させながらフォトマスク中央に純水を散布
回転数：５０ｒｐｍ
処理時間 ：１０分
〈欠陥検査方法〉
使用装置：Ｍ２３５０（レーザーテック社製）
図１（ａ）は本発明のフォトマスクブランクの一例を示した鳥瞰図、および（ｂ）は断面図である。請求項１記載のフォトマスクブランクを用い、上記実施条件にて純水処理を行った後に、欠陥検査を実施した。
【００３０】
従来フォトマスクブランクでは上記処理後に、静電破壊欠陥が１５０個ほど検出したのに対し、請求項１記載のフォトマスクブランクでは該当欠陥は発生しなかった。
【００３１】
＜実施例２＞
本発明の実施形態の一例を下記に示す。
〈フォトマスクブランク〉
遮光膜が支持基板側からＭｏＳｉ、Ｃｒ、ＳｉＯＮが積層された、縦６ｉｎｃｈ（１５２．４ｍｍ）×横６ｉｎｃｈ（１５２．４ｍｍ）×厚さ２．３ｍｍのフォトマスクブランク。
〈導電膜〉
成膜箇所：フォトマスクブランク側面すべての面
組成：Ｃｒ
膜厚：５０Å
〈実施条件〉
使用液体 ：純水
実施方法：フォトマスクを回転させながらフォトマスク中央に純水を散布
回転数：５０ｒｐｍ
処理時間 ：１０分
〈欠陥検査方法〉
使用装置：Ｍ２３５０（レーザーテック社製）
図３（ａ）は本発明のフォトマスクブランクの一例を示した鳥瞰図、および（ｂ）は断面図である。請求項５記載のフォトマスクブランクを用い、上記実施条件にて純水処理を行った後に、欠陥検査を実施した。
【００３２】
従来フォトマスクブランクでは上記処理後に、静電破壊欠陥が１５０個ほど検出したのに対し、請求項５記載のフォトマスクブランクでは該当欠陥は発生しなかった。
【００３３】
純水処理後にレジストコートを行い、電子描画機にて描画を実施してフォトマスクの作製を行った。上記描画の際に、フォトマスクブランク側面すべての面においてアース取りを行った上で描画を実施した。
【００３４】
従来フォトマスクブランクを用いたフォトマスクパターンでの位置精度を測定した結果、位置精度測定値の標準偏差をｓｉｇｍａとして、最大３ｓｉｇｍａ＝６．７ｎｍであったのに対し、請求項５記載のフォトマスクブランクを用いたフォトマスクでは最大３ｓｉｇｍａ＝５．２ｎｍと値が小さくなり、位置精度の改善が確認された。
【符号の説明】
【００３５】
１０…フォトマスクブランク
１１…支持基板
１２…遮光膜
１３…導電膜
１４…導通部
【図１】
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【図２】
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【図３】
2016151695.tif 000005