(57)【要約】【課題】    エレクトロンデポジションを用いる新たな構成の光学素子を提供する。【解決手段】    光学素子は、一対の対向基板と、一対の対向基板の対向表面上に形成された透明電極と、一対の対向基板に挟持され、金属イオンを含むエレクトロデポジション剤とアニオンとしてビス（フルオロスルフォニル）イミド、又はビス（トリフルオロメチルスルフォニル）イミドを含むイオン液体とを含む電解液と、を有する。【選択図】  図１
2016080784.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の対向基板と、
前記一対の対向基板の対向表面上に形成された透明電極と、
前記一対の対向基板に挟持され、金属イオンを含むエレクトロデポジション剤とアニオンとしてビス（フルオロスルフォニル）イミド、又はビス（トリフルオロメチルスルフォニル）イミドを含むイオン液体とを含む電解液と、
を有する光学素子。
【請求項２】
前記電解液が、前記金属の酸化、還元反応を促進する添加剤、前記金属よりも電気化学的に低いエネルギで酸化、還元を行うメディエータの少なくとも一方も含む、請求項１に記載の光学素子。
【請求項３】
前記一対の対向電極間に選択的に電圧を印加できる駆動回路をさらに含む請求項１又は２に記載の光学素子。
【請求項４】
前記イオン液体が、１−エチル−３−メチルイミダゾリウム・ビス（フルオロスルフォニル）イミド、又は１−エチル−３−メチルイミダゾリウム・ビス（トリフルオロメチルスルフォニル）イミド、又は１−ブチル−３−メチルイミダゾリウム・ビス（フルオロスルフォニル）イミド、又は１−ヘキシル−３−メチルイミダゾリウム・ビス（フルオロスルフォニル）イミド、又は１−ヘキシルピリジニウム・ビス（フルオロスルフォニル）イミドを含む、請求項１〜３のいずれか１項に記載の光学素子。
【請求項５】
前記金属イオンが銀イオンである、請求項１〜４のいずれか１項に記載の光学素子。
【請求項６】
アニオンとしてビス（フルオロスルフォニル）イミド、又はビス（トリフルオロメチルスルフォニル）イミドを含むイオン液体を溶媒として、金属イオンを含むエレクトロデポジション剤を溶解して電解液を調合し、
透明電極を備えた一対の基板を用意し、前記基板の一方の透明電極側表面にギャップコントロール剤を配置し、
前記一対の基板間にシールパターンを配置し、前記電解液を封入する、
光学素子の製造方法。
【請求項７】
前記電解液を調合する際、前記金属の酸化、還元反応を促進する添加剤、前記金属よりも電気化学的に低いエネルギで酸化、還元を行うメディエータの少なくとも一方も溶媒に溶解させる、請求項６に記載の光学素子の製造方法。
【請求項８】
前記電解液の調合、前記電解液の封入を、ドライエリア又は真空中で行う、請求項６又は７に記載の光学素子の製造方法。
【請求項９】
前記イオン液体が、１−エチル−３−メチルイミダゾリウム・ビス（フルオロスルフォニル）イミド、又は１−エチル−３−メチルイミダゾリウム・ビス（トリフルオロメチルスルフォニル）イミド、又は１−ブチル−３−メチルイミダゾリウム・ビス（フルオロスルフォニル）イミド、又は１−ヘキシル−３−メチルイミダゾリウム・ビス（フルオロスルフォニル）イミド、又は１−ヘキシルピリジニウム・ビス（フルオロスルフォニル）イミドを含む、請求項６〜８のいずれか１項に記載の光学素子の製造方法。
【請求項１０】
前記金属イオンが銀イオンである、請求項６〜９のいずれか１項に記載の光学素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、エレクトロデポジションを用いる光学素子およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、発光型表示装置が広く用いられている。エレクトロケミカルルミネッセンス材料は、電圧の印加により、電極近傍で、酸化によるカチオンラジカル（酸化種）、還元によるアニオンラジカル（還元種）が生じ、両者が会合すると励起状態が生じ、その失活過程において発光が生じる（例えば特許文献１）。一方、軽量、低消費電力、携帯可能性等の点から発色／消色型(反射型)の表示装置が注目されている。エレクトロクロミック材料は、電気化学反応等により、分子構造が変化して、発色／消色等の変色が生じる材料である（例えば特許文献２）。
【０００３】
また、銀等の金属を含むエレクトロデポジション剤が知られている。エレクトロデポジション剤を含む電解質を対向電極を有するセルに収容し、電極間に電圧を印加すると、電気化学反応により、電極上に金属が析出、堆積し、鏡面を形成し、電圧不印加で放置すれば鏡面は消失する（例えば特許文献３）。鏡面の存否を制御できる光学素子が提供される。金属を含むエレクトロデポジション剤は、水分を嫌う傾向を有する。寿命向上にとっては、空気等、水分を混入しないことが重要であると言われる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−１３４１４３号公報
【特許文献２】特開２００４−１７０６１３号公報
【特許文献３】特開２０１２−１８１３８９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
エレクトロンデポジションを用いる新たな構成の光学素子を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
溶媒として、蒸気圧の低いイオン液体であって、電解液の状態変化を妨げない、ビス（フルオロスルフォニル）イミド、またはビス（トリフルオロメチルスルフォニル）イミドをアニオンとするイオン液体を含有する溶媒を用いてエレクトロデポジション剤の電解液を形成し、特性の優れた光学素子を製造する。
【発明の効果】
【０００７】
エレクトロデポジション剤を含む、優れた特性の光学素子が得られた。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】図１Ａは金属イオンを含むエレクトロデポジション光学素子の基本的構成を示す断面図、図１Ｂは電解液の構成要素を示す概略図、図１Ｃ，１Ｄは溶媒として用いるイオン液体の２種類のアニオンの構造図、図１Ｅはエレクトロデポジション光学素子の製造プロセスのフローチャートである。
【図２】図２は実施例１を示し、図２Ａは溶媒を示す図、図２Ｂ，２Ｃはエレクトロデポジション光学素子の透明状態とミラー状態を示す写真、図２Ｄは電圧印加時間に対するエレクトロデポジション光学素子の光透過率変化を示すグラフ、図２Ｅは添加物、メディエータを含まない変形例のミラー状態を示す写真、図２Ｆは電圧印加時間に対する変形例のエレクトロデポジション光学素子の光透過率変化を示すグラフである。
【図３】図３は実施例２を示し、図３Ａは溶媒を示す図、図３Ｂはエレクトロデポジション光学素子のミラー状態を示す写真、図３Ｃは電圧印加時間に対するエレクトロデポジション光学素子の光透過率変化を示すグラフ、図３Ｄは添加物、メディエータを含まない変形例のエレクトロデポジション光学素子のミラー状態を示す写真である。
【図４−１】と
【図４−２】図４Ａ，図４Ｂ，図４Ｃは、他の実施例を示し、図４Ａ１，図４Ｂ１，図４Ｃ１は溶媒を示す図、図４Ａ２，図４Ｂ２，図４Ｃ２はエレクトロデポジション光学素子の透明状態の写真、図４Ａ３，図４Ｂ３，図４Ｃ３はエレクトロデポジション光学素子のミラー状態の写真、図４Ａ４，図４Ｂ４，図４Ｃ４は電圧印加時間に対するエレクトロデポジション光学素子の光透過率の変化を示すグラフである。
【図５】図５は比較例１を示し、図５Ａは溶媒を示す図、図５Ｂはエレクトロデポジション光学素子の電圧印加時（ミラー状態）を示す写真、図５Ｃは電圧印加時間に対するエレクトロデポジション光学素子の光透過率変化を示すグラフ、図５Ｄは添加物、メディエータを含まない変形例のエレクトロデポジション光学素子の電圧印加時を示す写真である。
【図６】図６は他の比較例を示し、図６Ａ，６Ｂはアニオンの構造図、図６Ｃは溶媒を示す図、図６Ｄ，６Ｅは添加剤、メディエータを含む、及び含まないエレクトロデポジション光学素子の電圧印加時を示す写真、図６Ｆは溶媒を示す図、図６Ｇ，６Ｈは添加剤、メディエータを含む、及び含まないエレクトロデポジション光学素子の電圧印加時を示す写真である。
【符号の説明】
【０００９】
１、２    透明ガラス基板、
１１，１２    透明電極、
４    シールパターン、
６    電解液、
８    ギャップコントローラ、
１４    スイッチ、
１５    電源、
１６    制御回路。 
【発明を実施するための形態】
【００１０】
従来、銀等の金属イオンを含むエレクトロデポジション光学素子の製造において、例えばジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）等の有機溶媒を用いていた。電解液を調合し、封止するまで、電解液に水分が混入しないようにするため、工程を真空中で行うことが考えられる。真空中においては、高い蒸気圧を有する溶媒が蒸発しやすく、組成を一定に保つことが容易でなく、安定した性能を有する光学素子を効率的に製造することが容易でなかった。
【００１１】
イオン液体は、アニオンとカチオンからなる塩であり、融点が低く、（常温を含む）幅広い温度範囲で液体として存在する。イオン液体は、蒸気圧が低い、熱安定性、電気化学安定性が高い、電気伝導性が高い、ある種の物質をよく溶かす、等の特徴を有している。本発明者は、イオン液体が溶質との組み合わせによっては溶媒としての機能を有し、蒸気圧が低い特徴に着目した。
【００１２】
図１Ａに示すように、エレクトロデポジション光学素子のセル１０は、透明電極１１，１２を備えた透明基板１，２間にエレクトロデポジション剤を含有する電解液６が挟まれた構造を有する。シールパターン４が両基板１，２間に、電解液収容空間を画定する。ギャップコントロール剤８が両基板１，２間の間隔を規定する。対向する透明電極１１，１２への印加電圧は、スイッチ１４、電源１５を含む制御回路で制御される。電極１１，１２は、スイッチ１４を介して、電源１５に接続され、駆動電圧を印加される。
【００１３】
図１Ｂに示すように、電解液は、溶媒中に、Ａｇ，Ｓｎ，Ａｌ，Ａｕ，Ｎｉ，Ｐｔ，Ｃｕ等の金属イオンを含むエレクトロデポジション剤、該金属イオンの酸化還元を促進する添加剤、該金属イオンと比較して電気化学的に低いエネルギーで酸化還元を行うメディエータを融解した組成を有する。金属イオンを含むエレクトロデポジション剤として、各金属の硝酸塩、ハロゲン化物、過酸化水素塩、酸化物、ビス（フルオロスルフォニル）イミド（ｂｉｓ（ｆｌｕｏｒｏｓｕｌｆｏｎｙｌ）ｉｍｉｄｅ）の塩を例示できる。例えば、金属イオンがＡｇイオンの場合、ＡｇＮＯ３、ＡｇＦ、ＡｇＣｌ、ＡｇＢｒ、ＡｇＩ、ＡｇＣｌＯ４、Ａｇ２Ｏ等のいずれかを用いることができる。添加剤は、エレクトロデポジション剤の金属イオンの酸化還元反応等を促進するものである。特に限定されず、例えば、ＬｉＣｌ、ＬｉＢｒ、ＬｉＩ、ＬｉＢＦ４、ＬｉＣｌＯ４等のリチウム塩、ＫＣｌ、ＫＢｒ、ＫＩ等のカリウム塩、ＮａＣｌ、ＮａＢｒ、ＮａＩ等のナトリウム塩、臭化テトラブチルアンモニウム（ＴＢＡＢｒ）等が好ましく用いられる。添加剤の濃度はたとえば７００ｍＭといった濃いものが好ましいが、これに限定されるものではない。
【００１４】
メディエータはエレクトロデポジション剤の金属イオンよりも電気化学的に低いエネルギーで酸化還元を行う材料である。メディエータの酸化体がエレクトロデポジション剤の金属イオンから随時電子を授受することによって酸化による反応を補助する。メディエータの材料はこのような機能を発揮する材料であれば限定されないが、銅（Ｃｕ）イオンの塩が好ましい。例えば、ＣｕＣｌ２，ＣｕＳＯ４，ＣｕＢｒ２等を用いる。メディエータの濃度はたとえば５ｍＭ以上２０ｍＭ以下であることが好ましいが、これに限定されるものではない。金属イオンがＡｇイオンの場合、ＣｕイオンとＡｇイオンとの濃度比は０．１〜０．３が好ましいが、これに限定されるものではない。溶媒は、イオン液体であり、特定のアニオンを含む。
【００１５】
図１Ｃ，１Ｄは、イオン液体の特定のアニオンである、ビス（フルオロスルフォニル）イミド（ｂｉｓ（ｆｌｕｏｒｏｓｕｌｆｏｎｙｌ）ｉｍｉｄｅ）と、ビス（トリフルオロメチルスルフォニル）イミド（ｂｉｓ（ｔｒｉｆｌｕｏｒｏｍｅｔｈｙｌｓｕｌｆｏｎｙｌ）ｉｍｉｄｅ）の構造を示す。図１Ｃの構造のＦの部分が、図１Ｄの構造ではＣＦ３となっている。
【００１６】
イオン液体のカチオンは、限定的でなく、１−エチル−３―メチルイミダゾリウム（１−ｅｔｈｙｌ−３−ｍｅｔｈｙｌｉｍｉｄａｚｏｌｉｕｍ）、１−ブチル−３−メチルイミダゾリウム（１−ｂｕｔｙｌ−３−ｍｅｔｈｙｌｉｍｉｄａｚｏｌｉｕｍ）、１−ヘキシル−３−メチルイミダゾリウム（１− ｈｅｘｙｌ−３−ｍｅｔｈｙｌｉｍｉｄａｚｏｌｉｕｍ）、１−アリル−３−ブチルイミダゾリウム（１−ａｌｌｙｌ−３−ｂｕｔｈｙｌｉｍｉｄａｚｏｌｉｕｍ）、１−ヘキシルピリジニウム（１−ｈｅｘｙｌｐｙｒｉｄｉｎｉｕｍ）、トリエチルメトキシメチルホスホニウム（ｔｒｉｅｔｈｙｌｍｅｔｈｏｘｙｍｅｔｈｙｌｐｈｏｓｐｈｏｎｉｕｍ）、トリエチル−（２−メトキシエチル）ホスホニウム（ｔｒｉｅｔｈｙｌ−（２−ｍｅｔｈｏｘｙｅｔｈｙｌ）ｐｈｏｓｐｈｏｎｉｕｍ）等が例示される。なお、溶媒として有機溶剤を金属イオンの析出を妨げない程度に入れても良い。
【００１７】
溶媒中に金属イオンを含むエレクトロデポジション剤、添加剤、メディエータを添加して電解液を形成する。なお、変形例として、添加剤、メディエータを添加せず、エレクトロデポジション剤と溶媒とで電解液を形成したサンプルも作成した。
【００１８】
図１Ｅは、エレクトロデポジション光学素子の基本的製造プロセスを示すフローチャートである。ステップＳ１で、溶媒中に金属イオンを含むエレクトロデポジション剤、例えば金属が銀の場合、３５０ｍＭのＡｇＮＯ３，銀の酸化還元を促進する添加剤、例えば７００ｍＭのＬｉＢｒ，メディエータ、例えば５ｍＭのＣｕＣｌ２、を溶解して、電解液を調合する。ステップＳ２で、それぞれ、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）等の透明電極パターンを備えた長信性透明ガラス基板対を準備する。透明電極は平坦な表面を有する。ステップＳ３で、一方の基板の透明電極側表面にギャップコントロール剤、例えばユニチカ製の径５０μｍのガラスビーズを例えば１平方ｍｍ当たり数個程度、散布する。
【００１９】
ステップＳ４で、片方の基板（どちらでもよい）の透明電極側表面に、紫外線且つ熱硬化型シール材でメインシールパターンを形成する。なお、熱硬化型、紫外線硬化型シール材を用いてもよい。電解液に腐食されないシール材を用いるのが好ましい。ステップＳ５で、電解液を両基板間に封入する。例えば、ワンドロップフィリング（ＯＤＦ）により、片方の基板上に適量の電解液を滴下し、真空中（もしくは窒素雰囲気中、若しくは大気中）で両基板の重ね合わせを行う。溶媒の蒸気圧が低いので、溶媒の蒸発量は問題とならない。紫外線をシール部に照射し、シール材を硬化する。なお、シール部のみに光が当たるようＳＵＳマスク等を用いた。以下、溶媒として特定のイオン液体を用い、金属イオンとして銀イオンを用いた場合の実施例を説明する。調合、セル化はドライエリアで行った。
【００２０】
（実施例１）
図２Ａに示すように、溶媒として１−エチル−３−メチルイミダゾリウム・ビス（フルオロスルフォニル）イミド（１−ｅｔｈｙｌ−３−ｍｅｔｈｙｌｉｍｉｄａｚｏｌｉｕｍ  ｂｉｓ（ｆｌｕｏｒｏｓｕｌｆｏｎｙｌ）ｉｍｉｄｅ）を用いた。図１Ｃに示すアニオン、ビス（フルオロスルフォニル）イミド、を含むイオン液体である。この溶媒を用いて、図１Ｅ、ステップＳ１に示す電解液重合、図１Ｅ、ステップＳ２−Ｓ５に示すセル形成工程を行った。金属イオンを含むエレクトロデポジション剤としてＡｇＮＯ３を用い、添加剤としてＬｉＢｒを用い、メディエータとしてＣｕＣｌ２を用いた。電解液に添加剤、メディエータを添加しない変形例のセルも作成した。
【００２１】
図２Ｂは、形成されたセル１０の電圧不印加状態の写真を示す。電圧不印加状態では、セルは透明である。図１Ａに示す、スイッチ１４を介して、電源１５から選択された直流電圧をセル１０に印加することができる。
【００２２】
図２Ｃは、電圧印加時のセル１０の写真を示す。セルのＩＴＯ電極１１，１２間（上下基板間）にＤＣ電位を印加すると、負電位側の電極表面に還元によりＡｇ膜が形成され、鏡状態に変化する。
【００２３】
１．５Ｖ〜８Ｖ程度の直流電圧（画素の面積や使用材料により変化する）を、オン／オフ制御することにより、電気的に鏡状態を形成／消滅させることができた。透明⇔鏡状態を電気的に切り替え可能なセルである。
【００２４】
図２Ｄは、ＩＴＯ電極１１，１２間に、直流電圧２．５Ｖを印加し、所定時間後、直流電圧を開放した時の、時間経過に対する透過率の変化を示すグラフである。横軸は時間経過を、単位（ｍｓｅｃ）で示し、縦軸は光透過率を任意単位（リニアスケール）で示す。時間軸上２０００ｍｓｅｃの位置から２２０００ｍｓｅｃの位置まで直流電圧が印加されている。２００００ｍｓｅｃ（２０秒）で、光透過率は約１．７％まで低下した。その後、印加電圧を開放すると、光透過率は徐々に増加した。
【００２５】
図２Ｅ，２Ｆは、電解液に添加剤、メディエータを添加しない変形例のセルを示す。図２Ｅに示すように、直流電圧を印加すると、負電位側のＩＴＯ電極表面に銀が析出し、鏡面が形成された。図２Ｆは、セルに直流電圧を印加、開放した時の、時間経過に対する光透過率の変化を示すグラフである。図２Ｄと比べると、銀の析出、消滅は観察されるが、変化の速度が遅いことが観測される。
【００２６】
（実施例２）
図３Ａに示すように、溶媒として１−エチル−３−メチルイミダゾリウム・ビス（トリフルオロメチルスルフォニル）イミド（１−ｅｔｈｙｌ−３−ｍｅｔｈｙｌｉｍｉｄａｚｏｌｉｕｍ  ｂｉｓ（ｔｒｉｆｌｕｏｒｏｍｅｔｈｙｌｓｕｌｆｏｎｙｌ）ｉｍｉｄｅ）を用いた。図１Ｄに示すアニオン、ビス（トリフルオロメチルスルフォニル）イミド、を含むイオン液体である。この溶媒を用いて、図１Ｅ、ステップＳ１に示す電解液重合、図１Ｅ，ステップＳ２−Ｓ５に示すセル形成工程を行った。電解液に添加剤、メディエータを添加しない変形例のセルも作成した。
【００２７】
図３Ｂは、形成したセルに電圧を印加した状態を示す写真である。銀が析出し、ミラー状態が形成されている。
【００２８】
図３Ｃは、実施例２のセルのＩＴＯ電極１１，１２間に、直流電圧２．５Ｖを印加し、２０秒後、直流電圧を開放した時の、時間経過に対する光透過率の変化を示すグラフである。横軸は時間経過を、単位（ｍｓｅｃ）で示し、縦軸は光透過率を任意単位（リニアスケール）で示す。時間軸上２０００ｍｓｅｃ（２秒）の位置から２２０００ｍｓｅｃ（２２秒）の位置まで、直流電圧を印加し、光透過率を低下させた。その後、印加電圧を開放すると、光透過率は徐々に増加した。図２Ｄに示す、第１の実施例のセルの光透過率変化と比べると変化速度が遅いが、光透過率の変化が観測された。
【００２９】
図３Ｄは、電解液に添加剤、メディエータを添加しない変形例のセルの状態変化を示す写真である。直流電圧を印加すると、負電位側のＩＴＯ電極表面に銀が析出し、鏡面が形成された。
【００３０】
（他の実施例）
実施例１と同じアニオン、ビス（フルオロスルフォニル）イミドを用いた他の３種類のイオン液体を用いた。これらの実施例を、それぞれを、図４Ａ、図４Ｂ、図４Ｃに示す。図４Ａ１，図４Ｂ１，図４Ｃ１が溶媒を示す図であり、図４Ａ２、図４Ｂ２、図４Ｃ２が電圧不印加の透明状態の写真であり、図４Ａ３、図４Ｂ３、図４Ｃ３が電圧印加時のミラー状態の写真であり、図４Ａ４、図４Ｂ４、図４Ｃ４が電圧印加時間に対する光透過率の変化を示すグラフである。
【００３１】
図４Ａ１に示すように、１−ブチル−３−メチルイミダゾリウム・ビス（フルオロスルフォニル）イミド（1-butyl-3methylimidazolium bis(fluorosulfonyl)imide）を１つの溶媒として用いた。溶媒以外の光学素子の構成要素は、実施例１と同様である。
【００３２】
図４Ａ２，図４Ａ３は、電圧印加前後のセルの写真を示す。電圧印加により負極性側のＩＴＯ電極上にミラーが形成された。電解液から銀が析出したものと認められる。２．２Ｖの電圧を５０秒間印加し、その後印加電圧を開放した。
【００３３】
図４Ａ４は、電圧印加時間に対するセルの光透過率の変化を示す。電圧印加により急激に光透過率が減少し、約４０秒後には、光透過率はほとんどゼロとなった。電圧開放により光透過率は徐々に増加した。
【００３４】
図４Ｂ１に示すように、１−ヘキシル−３−メチルイミダゾリウム・ビス（フルオロスルフォニル）イミド（1-hexyl-3-methylimidazolium bis(fluorosulfonyl)imide）を他の１つの溶媒として用いた。溶媒以外の光学素子の構成要素は、実施例１と同様である。
【００３５】
図４Ｂ２，図４Ｂ３は、電圧印加前後のセルの写真を示す。電圧印加により負極性側のＩＴＯ電極上にミラーが形成された。電解液から銀が析出したものと認められる。
【００３６】
図４Ｂ４は、電圧印加時間に対するセルの光透過率の変化を示す。２．２Ｖの電圧を５０秒間印加し、その後印加電圧を開放した。電圧印加により光透過率が減少し、約４０秒後には、光透過率はほとんどゼロとなった。電圧開放により光透過率は徐々に増加した。
【００３７】
図４Ｃ１に示すように、１−ヘキシルピリジニウム・ビス（フルオロスルフォニル）イミド（1-hexylpyridinium bis(fluorosulfonyl)imide）を更に他の１つの溶媒として用いた。溶媒以外の光学素子の構成要素は、実施例１と同様である。
【００３８】
図４Ｃ２，図４Ｃ３は、電圧印加前後のセルの写真を示す。電圧印加により負極性側のＩＴＯ電極上にミラーが形成された。電解液から銀が析出したものと認められる。
【００３９】
図４Ｃ４は、電圧印加時間に対するセルの光透過率の変化を示す。２．２Ｖの電圧を５０秒間印加し、その後印加電圧を開放した。電圧印加により光透過率が減少し、約４０秒後には、光透過率はほぼゼロとなった。電圧開放により光透過率は徐々に増加した。図４Ｂ，図４Ｃの実施例における変化速度は、図４Ａの実施例と比べると幾分遅いが、可変ミラー素子として実用可能な範囲であろう。
【００４０】
（比較例１）
図５Ａに示すように、溶媒として１−エチル−３−メチルイミダゾリウム・テトラフルオロボレート（１−ｅｔｈｙｌ−３−ｍｅｔｈｙｌｉｍｉｄａｚｏｌｉｕｍ  ｔｅｔｒａｆｌｕｏｒｏｂｏｒａｔｅ）のイオン液体を用いた。銀イオンを含むエレクトロデポジション剤、銀の酸化還元を促進する添加剤、メディエータを溶媒に溶解し、電解液を調合した。イオン液体の溶媒に、添加剤、メディエータを含ませず、エレクトロデポジション剤ＡｇＮＯ３のみを添加した電解液も調合した。セル化は実施例１と同様に行った。２．５Ｖの電圧を２０秒間印加し、その後印加電圧を開放した。
【００４１】
図５Ｂの写真に示すように、セルに電圧を印加しても、殆ど析出が起こらなかった。
【００４２】
図５Ｃの光透過率−電圧印加時間のグラフに示すように、殆ど透過率変化も起こらなかった。図５Ｂ，５Ｃ共に、銀の析出が殆ど生じないことを示している。
【００４３】
図５Ｄに示すように、電解液に添加剤、メディエータ無添加の変形例のセルでは観察できる析出は起こらなかった。
（他の比較例）
図６Ａに示すように、イオン液体のアニオンとして、フッ素を含む、トリ（ペンタフルオロエチル）・トリフルオロフォスフェート（ｔｒｉｓ（ｐｅｎｔａｆｌｕｏｒｏｅｔｈｙｌ）ｔｒｉｆｌｕｏｒｏｐｈｏｓｐｈａｔｅ）を１つの例にとる。
【００４４】
図６Ｂに示すように、イオン液体のアニオンとして、シアン基を含むテトラシアノボレート（ｔｅｔｒａｃｙａｎоｂоｒａｔｅ）を他の１つの例にとる。
【００４５】
図６Ｃに示すように、図６Ａに示すアニオンを含むイオン液体である、１−エチル−３メチルイミダゾリウム・トリ（ペンタフルオロエチル）トリフルオロフォスフェートを用いて、銀イオンを含むエレクトロデポジション剤であるＡｇＮＯ３、銀の酸化、還元を促進する添加剤であるＬｉＢｒ、メディエータであるＣｕＣｌ２を溶解した電解液を用いた比較例２、および添加剤、メディエータを添加せずＡｇＮＯ３のみを溶解した変形例のセルを形成した。
【００４６】
図６Ｄ，６Ｅは，比較例２、変形例の対向電極間に電圧を印加した時の状態を示す写真である。いずれも、電極表面に観察できる変化は生じなかった。
【００４７】
図６Ｆに示すように、図６Ｂに示すアニオンを含むイオン液体である、１−エチル−３メチルイミダゾリウム・テトラシアノボレートを用いて、銀イオンを含むエレクトロデポジション剤であるＡｇＮＯ３、銀の酸化、還元を促進する添加剤であるＬｉＢｒ、メディエータであるＣｕＣｌ２を溶解した電解液を用いた比較例３、および添加剤、メディエータを添加せずＡｇＮＯ３のみを溶解した変形例のセルを形成した。
【００４８】
図６Ｇ，６Ｈは，比較例３、変形例の対向電極間に電圧を印加した時の状態を示す写真である。いずれも、電極表面に観察できる変化は殆ど生じなかった。
【００４９】
実施例においては、イオン液体を溶媒とし、金属イオンを含むエレクトロデポジション剤を含む電解液を用いた時に、極めて効率的な光学素子が実現できた。比較例においては、イオン液体を溶媒としたが、金属イオンの析出が生ぜず、又は殆ど生ぜず、可変ミラーとしての機能を示す光学素子は形成できなかった。
【００５０】
以上、実施例、比較例の実験結果を考察すると、溶媒として、アニオンとしてビス（フルオロスルフォニル）イミド、又はビス（トリフルオロメチルスルフォニル）イミドを含むイオン液体を用いて、銀イオンを含む電解液を作成することにより、銀の析出、消滅を効率的に制御できる素子を形成できることが判明した。
【００５１】
実施例の説明は、特に断らない限り、制限的なものではない。例えば、透過型光学素子でない場合、一方の基板は透明でなくともよい。電解液に、ゲル化剤、増粘剤等他の成分を添加することも可能である。その他、種々の変更、置換、組み合わせ、改良などが可能であることは当業者に自明であろう。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４−１】
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【図４−２】
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【図５】
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【図６】
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