(57)【要約】【課題】ダイシング工程を行うことなくモールド樹脂が形成されたベース基板を分割できる電子装置の製造方法を提供すること。【解決手段】本製造方法は、ベース基板１０の一面に電子部品２０が実装された第１構造体を準備する準備工程と、第１構造体の反対面を上型２００に固定し一面における分割予定線上に仕切部材３０を配置する配置工程と、仕切部材３０が配置された一面に対してモールド樹脂４０を成型するモールド工程と、モールド工程後に、仕切部材３０によってモールド樹脂４０が形成されていない分割予定線に沿ってベース基板１０を分割する分割工程とを行う。そして、仕切部材３０は、モールド樹脂４０との接合力がベース基板１０よりも弱く、モールド工程時に成型圧によって変形して一面に沿う方向に広がると共に一面に垂直な方向に縮み、モールド樹脂４０の厚みと高さが同じ高さとなる。【選択図】図９
2016100524.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベース基板（１０，１０ａ）の一面（Ｓ１）に電子部品（２０）を実装し、前記一面と前記電子部品をモールド樹脂（４０）で封止した後、前記ベース基板を分割される予定の分割予定線（Ｌ１〜Ｌ３）で分割して複数の電子装置（１００）に個片化する電子装置の製造方法であって、
前記ベース基板における各電子装置の回路基板（１）となる領域の前記一面に前記電子部品が実装された構造体（１１０）を準備する準備工程と、
前記一面における前記分割予定線上に前記領域を区画する仕切部材（３０，３０ａ，３０ｂ）を配置する配置工程と、
前記仕切部材が配置された前記一面に対して、前記モールド樹脂の構成材料を所定の成型圧で圧縮することで、前記モールド樹脂によって前記一面及び前記電子部品と共に前記仕切部材を封止するモールド工程と、
前記モールド工程後に、前記仕切部材によって前記モールド樹脂が形成されていない前記分割予定線に沿って前記ベース基板を分割する分割工程と、を備えており、
前記仕切部材は、前記モールド樹脂との接合力が前記ベース基板よりも弱く、前記モールド工程時に前記成型圧によって変形して前記一面に垂直な方向に縮むと共に前記一面に沿う方向に広がり、前記モールド樹脂の厚みと高さが同じ高さとなることを特徴とする電子装置の製造方法。
【請求項２】
前記仕切部材は、弾性材料によって形成されており、前記成型圧が印加されていない状態で前記モールド樹脂の厚みよりも高さが高いものであって、前記モールド工程時に前記成型圧によって変形して前記一面に垂直な方向に縮むと共に前記一面に沿う方向に広がり、且つ、前記成型圧が解除されると元の形状に戻り、前記モールド工程後に前記モールド樹脂との間に隙間が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の電子装置の製造方法。
【請求項３】
前記仕切部材は、シリコーンを主成分として形成されていることを特徴とする請求項２に記載の電子装置の製造方法。
【請求項４】
前記ベース基板は、自身の厚み方向に貫通した貫通穴（１１）が、前記分割予定線上の複数個所に形成されていることを特徴とする請求項２又は３に記載の電子装置の製造方法。
【請求項５】
前記モールド工程では、モールド成型用金型の一部であり真空吸着用の吸着穴（２０１）が形成された上型（２００）に対して前記ベース基板が固定された状態で行われるものであり、前記貫通穴と前記吸着穴とが対向した状態で前記上型に対して前記ベース基板が固定され、且つ、前記吸着穴及び前記貫通穴を介して前記仕切部材が前記一面に吸着保持されており、
前記モールド工程後に、前記仕切部材の吸着保持を解除する保持解除工程を含むことを特徴とする請求項４に記載の電子装置の製造方法。
【請求項６】
前記分割工程では、前記モールド樹脂が形成された前記ベース基板における前記分割予定線の周辺に荷重を印加して前記分割予定線に沿って前記ベース基板を割ることで、前記ベース基板を分割することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の電子装置の製造方法。
【請求項７】
前記分割工程では、ルータによって、前記分割予定線に沿って前記ベース基板を分割することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の電子装置の製造方法。
【請求項８】
前記仕切部材（３０ａ）は、前記一面に接する側から遠ざかるに連れに自身の幅が広くなっているテーパ部（３１ａ）が形成されていることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載の電子装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ベース基板の一面に電子部品を実装し、一面と電子部品をモールド樹脂で封止した後、複数の電子装置に個片化する電子装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、上記の製造方法の一例として、特許文献１に開示された製造方法がある。この製造方法では、１個の電子装置の基板が複数個一体に連結された多連状態の基板（以下、ベース基板）を用い、これに各部品を実装し、モールド樹脂の成型を行った後、モールド樹脂と共にベース基板をダイシングして複数の電子装置に個片化する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１４−１１６４０９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記製造方法では、複数の電子装置に個片化するためにベース基板を分割する際、ダイシングを行う。しかしながら、ダイシング工程では、ダイシングブレードを回転させて、ダイシングブレードとモールド樹脂及びベース基板との接触部に純水などを供給して、冷却及び切屑の洗い流しを行いながら切断する。このようにして個片化された各電子装置は、ウェットな状態であるため乾燥させる必要がある。従って、上記製造方法では、ダイシング工程に加えて、乾燥工程が必要になるため工数が増えるという問題がある。
【０００５】
本発明は、上記問題点に鑑みなされたものであり、ダイシング工程を行うことなくモールド樹脂が形成されたベース基板を分割できる電子装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するために本発明は、
ベース基板（１０，１０ａ）の一面（Ｓ１）に電子部品（２０）を実装し、一面と電子部品をモールド樹脂（４０）で封止した後、ベース基板を分割して複数の電子装置（１００）に個片化する電子装置の製造方法であって、
ベース基板における各電子装置の回路基板（１）となる領域の一面に電子部品が実装された構造体（１１０）を準備する準備工程と、
構造体における一面の反対面（Ｓ２）を上型に固定し、一面における分割予定線上に領域を区画する仕切部材（３０，３０ａ，３０ｂ）を配置する配置工程と、
仕切部材が配置された一面に対して、モールド樹脂の構成材料を所定の成型圧で圧縮することで、モールド樹脂によって一面及び電子部品と共に仕切部材を封止するモールド工程と、
モールド工程後に、仕切部材によってモールド樹脂が形成されていない分割予定線に沿ってベース基板を分割する分割工程と、を備えており、
仕切部材は、モールド樹脂との接合力がベース基板よりも弱く、モールド工程時に成型圧によって変形して一面に垂直な方向に縮むと共に一面に沿う方向に広がり、モールド樹脂の厚みと高さが同じ高さとなることを特徴とする。
【０００７】
このように、本発明は、分割予定線上に仕切部材が保持されたベース基板の一面に対して、モールド樹脂の構成材料を所定の成型圧で圧縮することでモールド樹脂を成型する。また、仕切部材は、モールド工程時に成型圧によって変形して一面に垂直な方向に縮むと共に一面に沿う方向に広がりモールド樹脂の厚みと高さが同じ高さとなる。よって、本発明は、電子部品などと共に仕切部材を封止でき、且つ、モールド工程後に、ベース基板における分割予定線上にモールド樹脂が形成されないようにできる。つまり、本発明は、モールド工程後に、モールド樹脂が分割された状態とすることができる。
【０００８】
このため、分割工程では、モールド樹脂を分割する必要はなく、モールド樹脂が形成されていない分割予定線に沿ってベース基板を分割すればよい。つまり、本発明は、ベース基板の一面にモールド樹脂が形成されたものであっても、モールド樹脂を分割することなくベース基板を分割できる。通常、モールド樹脂が設けられていないベース基板であれば、ダイシングを行うことなく分割できる。従って、本発明は、モールド樹脂が形成されたベース基板を、ダイシングを行うことなく分割できる。
【０００９】
また、本発明のさらなる特徴は、仕切部材は、弾性材料によって形成されており、成型圧が印加されていない状態でモールド樹脂の厚みよりも高さが高いものであって、モールド工程時に成型圧によって変形して一面に垂直な方向に縮むと共に一面に沿う方向に広がり、且つ、成型圧が解除されると元の形状に戻り、モールド工程後にモールド樹脂との間に隙間が形成される点にある。
【００１０】
これによって、本発明は、モールド工程後に、仕切部材とモールド樹脂とを分離させることができる。つまり、本発明は、モールド工程後に、モールド樹脂から仕切部材を分離させる工程を行うことなく、仕切部材とモールド樹脂とを分離させることができる。
【００１１】
また、本発明のさらなる特徴は、ベース基板は、自身の厚み方向に貫通した貫通穴が、分割予定線上の複数個所に形成されている点にある。
【００１２】
このベース基板は、分割予定線上の複数個所に貫通穴が形成されているため、分割予定線に沿って分割しやすい状態となっている。従って、分割工程では、貫通穴に沿ってベース基板を分割することで、効率的にベース基板を分割できる。
【００１３】
また、本発明のさらなる特徴は、モールド工程では、モールド成型用金型の一部であり真空吸着用の吸着穴２０１が形成された上型２００に対してベース基板が固定された状態で行われるものであり、貫通穴と吸着穴とが対向した状態で上型に対してベース基板が固定され、且つ、吸着穴及び貫通穴を介して仕切部材が一面に吸着保持されており、モールド工程後に、仕切部材の吸着保持を解除する保持解除工程を含む点にある。
【００１４】
このように、本発明は、保持解除工程を行うことで、モールド樹脂から分離した仕切部材をベース基板から外すことができる。つまり、本発明は、分割工程を行う際に、仕切部材が外れた状態のベース基板を分割できる。よって、本発明は、ベース基板を分割することで、複数の電子装置に個片化できる。このため、本発明は、ダイシングを行うことなく、ベース基板に電子部品が実装され且つモールド樹脂が形成されたものを複数の電子装置に個片化できる。
【００１５】
なお、特許請求の範囲、及びこの項に記載した括弧内の符号は、ひとつの態様として後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものであって、発明の技術的範囲を限定するものではない。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】実施形態における電子装置の概略構成を示す平面図である。
【図２】図１のII−II線に沿う断面図である。
【図３】実施形態における第１構造体の概略構成を示す平面図である。
【図４】図２のIV−IV線に沿う断面図である。
【図５】実施形態における保持工程時の第２構造体と金型を示す断面図である。
【図６】実施形態における第２構造体の概略構成を示す平面図である。
【図７】図５のVII−VII線に沿う断面図である。
【図８】実施形態における仕切部材の概略構成を示す斜視図である。
【図９】実施形態におけるモールド工程時の第２構造体と金型を示す断面図である。
【図１０】実施形態におけるモールド工程後の第３構造体と金型を示す断面図である。
【図１１】実施形態におけるモールド工程時の仕切部材を示す拡大断面図である。
【図１２】実施形態におけるモールド工程後の仕切部材を示す拡大断面図である。
【図１３】実施形態における第３構造体の概略構成を示す平面図である。
【図１４】図１２のXIV−XIV線に沿う断面図である。
【図１５】実施形態における分割工程時の第３構造体を示す断面図である。
【図１６】仕切部材上に樹脂ばりが形成された場合の拡大断面図である。
【図１７】変形例１における仕切部材の概略構成を示す側面図である。
【図１８】変形例２における第３構造体の概略構成を示す断面図である。
【図１９】変形例３におけるモールド工程時の第２構造体と金型を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下において、図面を参照しながら、発明を実施するための複数の形態を説明する。各形態において、先行する形態で説明した事項に対応する部分には同一の参照符号を付して重複する説明を省略する場合がある。各形態において、構成の一部のみを説明している場合は、構成の他の部分については先行して説明した他の形態を参照し適用することができる。
【００１８】
本実施形態は、電子装置１００の製造方法に関するものである。詳述すると、本製造方法は、ベース基板１０の一面Ｓ１に電子部品２０を実装し、一面Ｓ１と電子部品２０をモールド樹脂４０で封止した後、複数の電子装置１００に個片化するものである。つまり、本製造方法は、図１に示すように、複数個の電子装置１００を製造するものである。また、電子装置１００は、図２に示すように、回路基板１と、回路基板１の一面Ｓ１に実装された電子部品２０と、一面Ｓ１及び電子部品２０とを封止しているモールド樹脂４０とを備えている。なお、ベース基板１０に関しては、後程詳しく説明する。
【００１９】
回路基板１は、ベース基板１０から分割されたものであり、絶縁性の樹脂に配線やランドなどが形成されたものである。よって、回路基板１は、プリント基板と言うこともできる。なお、図２における符号Ｓ２は、回路基板１における一面Ｓ１の反対面である。また、回路基板１の一面Ｓ１は、ベース基板１０の一面Ｓ１と同じ面である。同様に、回路基板１の反対面Ｓ２は、ベース基板１０の反対面Ｓ２と同じ面である。
【００２０】
電子部品２０は、ベアチップ状態の半導体素子や、チップコンデンサなどの受動素子などを含むものである。よって、電子部品２０は、回路素子と言うこともできる。
【００２１】
モールド樹脂４０は、エポキシ樹脂などによって構成されている。モールド樹脂４０は、回路基板１の一面Ｓ１と電子部品２０に加えて、回路基板１と電子部品２０との接続部を一体的に封止している。モールド樹脂４０は、コンプレッション成型によって形成することができる。つまり、モールド樹脂４０は、例えば顆粒形状の構成材料を溶融させた後に、硬化させたものである。なお、以下では、モールド樹脂４０の構成材料に関しても符号４０を付与することもある。
【００２２】
このように、電子装置１００は、回路基板１の一面Ｓ１側だけがモールド樹脂４０で封止されている。よって、電子装置１００は、ハーフモールドパッケージと言うこともできる。
【００２３】
図３〜図１５を用いて、電子装置１００の製造方法に関して説明する。本製造方法は、準備工程、保持工程、モールド工程、保持解除工程、分割工程を行うことで、電子装置１００を製造する。また、本製造方法は、モールド成型用金型を用いる。
【００２４】
まず、金型に関して説明する。上記のように、モールド樹脂４０は、コンプレッション成型によって形成する。よって、金型は、コンプレッションモールド用の金型である。
【００２５】
金型は、図５などに示すように、上型２００、クランプ型２１０、可動型２２０を含むものである。上型２００は、ベース基板１０が固定される平坦面を有している。上型２００は、例えば、地面に対して平行に配置されている。そして、上型２００は、地面側に平坦面が形成されている。ベース基板１０は、反対面Ｓ２が上型２００の平坦面に対向した状態で、平坦面に固定される。つまり、ベース基板１０は、反対面Ｓ２が上型２００の平坦面に接触した状態で、上型２００に固定される。また、ベース基板１０は、例えば、真空クランプや、メカクランプなどによって上型２００に固定される。しかしながら、ベース基板１０を上型２００に固定する方法は、特に限定されない。なお、以下では、重力方向を下、重力方向の反対方向を上とする。
【００２６】
更に、上型２００は、後程説明する仕切部材３０をベース基板１０に吸着保持（以下、単に保持と記載）するため、すなわち、真空吸着用の吸着穴２０１が形成されている。吸着穴２０１は、仕切部材３０を真空吸着するための穴である。よって、吸着穴２０１は、図示しない真空ポンプなどに繋がっている。上型２００は、自身にベース基板１０が固定された状態で、ベース基板１０の貫通穴１１に対応する位置に吸着穴２０１が形成されている。言い換えると、本製造方法では、ベース基板１０の貫通穴１１が吸着穴２０１と対向するように、ベース基板１０を上型２００に固定する。なお、真空クランプによってベース基板１０を上型２００に固定する場合は、この真空クランプ用の吸気穴を吸着穴２０１として用いることもできる。
【００２７】
クランプ型２１０及び可動型２２０は、上型２００に対する下型である。以下、クランプ型２１０と可動型２２０を纏めて下型と記載することもある。この下型と上型２００とは、コンプレッション成型機の一部である一対の金型である。また、下型と上型２００とは、例えば下型が上昇したり下降したりすることで、相対的に近づいたり遠ざかったりすることができる。下型は、上型２００と対向した状態で上型２００の下側に配置される。
【００２８】
クランプ型２１０は、環状の壁面で囲まれた穴が設けられている。クランプ型２１０は、モールド樹脂４０を成型する際に、先端面がベース基板１０の一面Ｓ１に密着することになる。また、クランプ型２１０の穴内には、穴に沿って上方向及び下方向に可動できるように可動型２２０が配置されている。つまり、可動型２２０は、最下位置と最上位置との範囲内で上方向及び下方向に可動できるように構成されている。
【００２９】
下型は、クランプ型２１０の壁面と、可動型２２０の上面とによって、構成材料４０が配置される凹状のキャビティ２３０が形成されている。つまり、可動型２２０の上面は、キャビティの底面となる。
【００３０】
ここで、図３，図４を用いて準備工程に関して説明する。図３などにおける符号Ａ１は、モールド樹脂４０が形成されるモールド形成領域を示している。準備工程では、ベース基板１０における各電子装置１００の回路基板１となる領域の一面Ｓ１に電子部品２０が実装された第１構造体１１０を準備する。第１構造体１１０は、特許請求の範囲における構造体に相当する。ベース基板１０は、絶縁性の樹脂に配線やランドなどが形成されたものであり、複数の回路基板１が一体化されたものである。言い換えると、ベース基板１０は、複数の回路基板１が一体化されたプリント基板である。つまり、第１構造体１１０は、複数の電子装置１００における回路基板１及び電子部品２０が一体的に形成されたものである。
【００３１】
また、ベース基板１０は、自身の厚み方向に貫通した貫通穴１１が複数個所に形成されている。つまり、ベース基板１０は、一面Ｓ１から反対面Ｓ２に達する貫通穴１１が複数個所に形成されている。また、貫通穴１１は、ベース基板１０が分割される予定の分割予定線Ｌ１〜Ｌ３上の複数個所に形成されている。言い換えると、貫通穴１１は、分割予定線Ｌ１〜Ｌ３に沿って設けられている。また、複数の貫通穴１１は、所定の間隔をあけて連続的に設けられている。この第１構造体１１０は、ベース基板１０に電子部品２０を実装することで製造できる。
【００３２】
なお、分割予定線Ｌ１〜Ｌ３の夫々は、ベース基板１０が分割工程において分割される分割部分を示す仮想的な直線である。また、分割予定線Ｌ２と分割予定線Ｌ３は、互いに平行しており、且つ分割予定線Ｌ１と直交している。また、図３などでは、ベース基板１０におけるモールド形成領域Ａ１に対向する範囲だけに貫通穴１１が形成されている例を示している。しかしながら、本発明はこれに限定されない。ベース基板１０は、モールド形成領域Ａ１に対向する範囲に加えて、モールド形成領域Ａ１に対向する範囲外にも貫通穴１１が設けられていてもよい。
【００３３】
次に、図５〜図８を用いて、保持工程に関して説明する。本製造方法では、準備工程の後に保持工程を行う。保持工程は、図６，図７に示すように、分割予定線Ｌ１〜Ｌ３上に仕切部材３０を配置すると共に保持する工程である。言い換えると、保持工程は、貫通穴１１を覆うように、ベース基板１０の一面Ｓ１上に仕切部材３０を保持する工程である。なお、図５〜図７における符号１２０は、第１構造体１１０に仕切部材３０が設けられた第２構造体を示している。
【００３４】
保持工程では、図５に示すように、第１構造体１１０を上型２００に固定する。このとき、本製造方法では、貫通穴１１が吸着穴２０１に対向するように第１構造体１１０を上型２００に配置して、第１構造体１１０を上型２００に固定する。
【００３５】
また、保持工程では、一面Ｓ１における分割予定線Ｌ１〜Ｌ３上に、各領域を区画する仕切部材３０を配置する。ここでの領域とは、ベース基板１０における各電子装置１００の回路基板１となる領域である。そして、保持工程では、真空引きして吸着穴２０１及び貫通穴１１を介して仕切部材３０を吸着することで、分割予定線Ｌ１〜Ｌ３上に仕切部材３０を保持する。このように、仕切部材３０は、保持工程で分割予定線Ｌ１〜Ｌ３上に配置される。よって、保持工程は、配置工程も含んでいるものとみなすことができる。
【００３６】
なお、図５に示すように、上型２００の下側には、下型が配置されている。また、キャビティ２３０には、構成材料４０が溶融した状態で配置されている。顆粒形状の構成材料４０は、下型が加熱されているため、キャビティ２３０に供給されると溶融する。後程説明するモールド工程では、この下型を白抜きの矢印方向に上昇させる。
【００３７】
仕切部材３０は、弾性材料によって形成されており、各領域を区画すると共に、分割予定線Ｌ１〜Ｌ３上にモールド樹脂４０が形成されないようにするための部材である。つまり、仕切部材３０は、モールド樹脂４０が電子部品２０などを封止しつつ、分割予定線Ｌ１〜Ｌ３上に形成されないようにするための部材である。よって、仕切部材３０は、図８に示すように、分割予定線Ｌ１〜Ｌ３に対応した形状を有している。言い換えると、仕切部材３０は、連続して形成された複数の貫通穴１１からなる貫通穴群に対応した形状を有している。また、仕切部材３０は、複数の貫通穴１１との間に隙間ができないように、複数の貫通穴１１を覆うことができるものである。従って、仕切部材３０は、貫通穴１１の直径よりも幅が広い部材である。
【００３８】
また、後程説明するが、本製造方法では、ベース基板１０に仕切部材３０が保持された状態でモールド工程を行う。仕切部材３０は、モールド樹脂４０との接合力がベース基板１０よりも弱く、モールド工程時に成型圧によって変形して一面Ｓ１に沿う方向に広がりモールド樹脂４０の厚みと高さが同じ高さとなるものである。
【００３９】
仕切部材３０は、弾性特性、モールド樹脂４０との離型力、高温安定性の観点から適切な材料を選択して、その材料で製造されている。例えば、シリコーンは、弾性特性を有しており、モールド樹脂４０としてのエポキシとの離型力が強く、モールド成型時の温度であっても溶けたりすることなく安定している。よって、仕切部材３０は、シリコーンを主成分としたものを採用すると好ましい。なお、離型力とは、モールド樹脂４０との接合力に相当する。そして、仕切部材３０は、離型力が大きければ大きいほど、モールド樹脂４０との接合力が弱く、モールド樹脂４０に接合しにくい。しかしながら、本発明はこれに限定されない。仕切部材３０は、ポリテトラフルオロエチレン（言い換えると、フッ素樹脂）、あるいはそれらをコーティングした耐熱ゴム等などを用いることもできる。
【００４０】
更に、仕切部材３０は、図７に示すように、成型圧が印加されていない状態でモールド樹脂の厚みよりも高さが高い部材である。つまり、第２構造体１２０は、モールド形成領域Ａ１の高さよりも高い仕切部材３０が設けられている。そして、仕切部材３０は、モールド工程時に成型圧によって変形して一面Ｓ１に沿う方向に広がると共に一面Ｓ１に垂直な方向に縮み、且つ、成型圧が解除されると元の形状に戻るものである。つまり、仕切部材３０は、モールド工程時の成型圧によって押し潰され、一面Ｓ１に垂直な方向に縮みつつ、一面Ｓ１に沿う方向に広がるものである。しかしながら、弾性部材である仕切部材３０は、成型圧から解放されると元の形状に戻ることができる。
【００４１】
なお、仕切部材３０は、モールド工程時、一方の先端面が一面Ｓ１に接しており、他方の先端面が可動型２２０に接している。そして、仕切部材３０は、例えば、両先端面が平坦に形成されている。
【００４２】
次に、図９〜図１４を用いて、モールド工程に関して説明する。本製造方法では、保持工程の後にモールド工程を行う。モールド工程は、仕切部材３０が保持された一面Ｓ１に対して、構成材料４０を所定の成型圧で圧縮することで、モールド樹脂４０によって一面Ｓ１及び電子部品２０を封止する工程である。また、ベース基板１０の一面Ｓ１には、仕切部材３０が保持されている。このため、モールド工程では、モールド樹脂によって一面Ｓ１及び電子部品２０と共に仕切部材３０を封止する。
【００４３】
モールド工程では、図９に示すように、上型２００とクランプ型２１０とでベース基板１０を挟み込みつつ、可動型２２０を上昇させてキャビティ２３０内の構成材料４０を所定の成型圧で圧縮する。このとき、上型２００に固定されたベース基板１０の縁部は、ベース基板１０とクランプ型２１０との間から構成材料４０が漏れ出さないように、クランプ型２１０が密着されている。また、モールド工程では、構成材料４０が硬化すると、図１０に示すように、可動型２２０を下降させる。
【００４４】
モールド工程では、仕切部材３０も成型圧を受けることになる。また、仕切部材３０の可動型２２０側の先端は、モールド工程時に可動型２２０と接触してる。よって、仕切部材３０は、図９，図１１に示すように、モールド工程時に成型圧によって変形して一面Ｓ１に垂直な方向に縮むと共に一面Ｓ１に沿う方向に広がる。このため、モールド工程では、仕切部材３０と一面Ｓ１との接触面積がモールド工程前よりも広くなり、仕切部材３０によって貫通穴１１を確実に塞ぐことができる。
【００４５】
そして、仕切部材３０は、成型圧が解除されると、図１０，図１２に示すように元の形状に戻る。よって、モールド工程後は、モールド樹脂４０と仕切部材３０との間に隙間が形成される。特に、仕切部材３０は、シリコーンを主成分として形成されており、モールド樹脂４０に対する離型力が比較的大きい。このため、仕切部材３０は、成型圧から解放されると、元の形状に戻ろうとして、モールド樹脂４０から外れることになる。つまり、仕切部材３０は、成型圧が解除されると元の形状に戻り、モールド工程後にモールド樹脂４０との間に隙間が形成される。
【００４６】
このように、本製造方法は、モールド工程後に、仕切部材３０とモールド樹脂４０とを分離させることができる。詳述すると、本製造方法は、モールド工程後に、モールド樹脂４０から仕切部材３０を分離させる工程を行うことなく、仕切部材３０とモールド樹脂４０とを分離させることができる。なお、仕切部材３０が成型圧で変形することは、図１１に示す仕切部材３０と図１２に示す仕切部材３０とを比べると明らかである。
【００４７】
このモールド工程によって、図１３，図１４に示す第３構造体１３０が形成される。第３構造体１３０は、第１構造体１１０の一面Ｓ１にモールド樹脂４０が形成されたものである。よって、第３構造体１３０は、ハーフモールド構造をなしている。つまり、第３構造体１３０は、複数の電子装置１００が一体的に形成されたものであり、所謂ＭＡＰである。なお、ＭＡＰは、Mold Array Packageの略称である。
【００４８】
また、第３構造体１３０は、ベース基板１０に仕切部材３０が保持された状態でモールド成型されているため、モールド樹脂４０間に溝部４１が形成されている。つまり、第３構造体１３０は、貫通穴１１上に溝部４１が形成されている。また、溝部４１は、仕切部材３０によってモールド樹脂４０が形成されていない部位と言うことができる。更に、第３構造体１３０は、分割工程前に、既にモールド樹脂４０が分割された状態であると言うことができる。なお、第３構造体１３０における各モールド樹脂４０は、図１に示す各電子装置１００におけるモールド樹脂４０に相当する。
【００４９】
このように、本製造方法は、分割予定線Ｌ１〜Ｌ３がモールド樹脂４０から露出している第３構造体１３０を製造できる。詳述すると、本製造方法は、ベース基板１０における分割される部分を含む所定範囲がモールド樹脂４０から露出している。なお、溝部４１の幅、すなわち、各モールド樹脂４０の間隔は、成型圧で変形した状態の仕切部材３０の幅と同等である。
【００５０】
なお、仕切部材３０は、真空吸着によってベース基板１０に保持されている。このため、本製造方法では、モールド工程後に、仕切部材３０を真空吸着している真空引きを停止することで、仕切部材３０をベース基板１０から外すことができる。つまり、本製造方法は、モールド工程後に仕切部材３０の保持を解除する保持解除工程を備えていると言うことができる。よって、本製造方法は、例えば、仕切部材３０をキャビティ２３０に落下させることができる。下型に落下した仕切部材３０は、例えば下型のクリーニング時に回収できる。
【００５１】
ところで、モールド工程では、仕切部材３０の先端部と可動型２２０との間に構成材料４０が回り込んだ状態で、構成材料４０が硬化することもありうる。この場合、第３構造体１３０は、図１６に示すように、仕切部材３０上に樹脂ばり４２が形成される。しかしながら、上記のように、本製造方法では、仕切部材３０が成型圧から解放されて元の形状に戻る。仕切部材３０は、このように元の形状に戻る際に、樹脂ばり４２を突き破ることができる。よって、本製造方法では、樹脂ばり４２が形成されたとしても、真空引きを停止することで、仕切部材３０をベース基板１０から落下させることができる。
【００５２】
次に、図１５を用いて、分割工程に関して説明する。本製造方法では、保持解除工程の後に分割工程を行う。分割工程では、仕切部材３０によってモールド樹脂４０が形成されていない分割予定線Ｌ１〜Ｌ３に沿ってベース基板１０を分割する工程である。この分割工程では、第３構造体１３０におけるベース基板１０を分割する。また、ベース基板１０は、分割予定線Ｌ１〜Ｌ３上の複数個所に貫通穴１１が形成されている。このため、分割工程では、モールド樹脂４０が形成されていない貫通穴１１に沿ってベース基板１０を分割すると言うこともできる。
【００５３】
上記のように、第３構造体１３０は、分割予定線Ｌ１〜Ｌ３上にモールド樹脂４０が形成されていない。また、第３構造体１３０は、モールド樹脂４０が分割されており、且つ仕切部材３０がベース基板１０から外れている。よって、分割工程では、モールド樹脂４０を分割する必要がなく、仕切部材３０が外れた状態のベース基板１０だけを分割すればよい。
【００５４】
また、ベース基板１０は、分割予定線Ｌ１〜Ｌ３上に複数の貫通穴１１が設けられている。よって、ベース基板１０は、分割予定線Ｌ１〜Ｌ３に沿って分割しやすい状態となっている。従って、分割工程では、貫通穴１１に沿ってベース基板１０を分割することで、効率的にベース基板を分割できる。
【００５５】
この分割工程では、例えば荷重印加やルータによってベース基板１０を分割する。荷重印加を採用した場合の分割工程では、図１５に示すように、モールド樹脂４０が形成されたベース基板１０における分割予定線Ｌ１〜Ｌ３の周辺に、白抜き矢印方向に荷重を印加する。ここでは、モールド樹脂４０上に荷重を印加する例を採用している。この分割工程では、このように荷重を印加することで、貫通穴１１に沿ってベース基板１０を割ってベース基板１０を分割する。なお、この分割工程では、ベース基板１０における反対面Ｓ２に荷重を印加してもよい。
【００５６】
詳述すると、荷重を印加してベース基板１０を分割する場合は、例えば分割予定線Ｌ３よりも左側、つまり分割予定線Ｌ２側を固定した状態で、白抜き矢印方向に荷重を印加することで、分割予定線Ｌ３を境にベース基板１０を分割できる。この分割工程では、このように、一部を固定した状態で荷重を印加することで繰り返すことでベース基板１０を分割する。
【００５７】
また、ルータを用いた場合の分割工程では、ルータによって、貫通穴に沿ってベース基板１０を分割する。なお、ルータによるプリント基板の分割に関しては、周知技術であるため詳しい説明を省略する。
【００５８】
その他、基板の材質や樹脂を削除する目的で、レーザーを用いた切断、ウォータージェット、ダイシングを用いてもよい。
【００５９】
本製造方法は、この分割工程を行うことで、図１に示すように、第３構造体１３０を複数の電子装置１００に個片化することができる。また、本製造方法では、ベース基板１０における仕切部材３０で覆われていた部位がモールド樹脂４０から露出している複数の電子装置１００を製造できる。更に、各電子装置１００は、モールド工程時にクランプ型２１０が密着している部位もモールド樹脂４０から露出することになる。よって、各電子装置１００は、回路基板１の一面Ｓ１におけるモールド樹脂４０の周囲が露出している。
【００６０】
以上のように、本製造方法は、分割予定線Ｌ１〜Ｌ３上に仕切部材３０が保持されたベース基板１０の一面Ｓ１に対して、構成材料４０を所定の成型圧で圧縮することでモールド樹脂４０を成型する。また、仕切部材３０は、モールド工程時に成型圧によって変形して一面Ｓ１に沿う方向に広がりモールド樹脂４０の厚みと高さが同じ高さとなる。よって、本製造方法は、電子部品２０などと共に仕切部材３０を封止でき、且つ、モールド工程後に、ベース基板１０における分割予定線Ｌ１〜Ｌ３上にモールド樹脂４０が形成されないようにできる。つまり、本製造方法は、モールド工程後に、モールド樹脂４０が分割された状態とすることができる。
【００６１】
このため、分割工程では、モールド樹脂４０を分割する必要はなく、モールド樹脂４０が形成されていない分割予定線Ｌ１〜Ｌ３に沿ってベース基板１０を分割すればよい。つまり、本製造方法は、ベース基板１０の一面Ｓ１にモールド樹脂４０が形成されたものであっても、モールド樹脂４０を分割する必要はなくベース基板１０を分割できる。通常、モールド樹脂が設けられていないプリント基板であれば、ダイシングを行う必要がなく、荷重印加やルータなどによって分割できる。従って、本製造方法は、モールド樹脂４０が形成されたベース基板１０を、ダイシングを行うことなく分割できる。
【００６２】
また、本製造方法は、保持解除工程を行うことで、モールド樹脂４０から分離した仕切部材３０をベース基板１０から外すことができる。つまり、本製造方法は、分割工程を行う際に、仕切部材３０が外れた状態のベース基板１０を分割できる。よって、本製造方法は、ベース基板１０を分割することで、複数の電子装置１００に個片化できる。このため、本製造方法は、ハーフモールド構造の第３構造体１３０であっても、ダイシングを行うことなく、複数の電子装置１００に分割できる。更に、本製造方法は、ダイシング工程を含んでいないため、乾燥工程が必要ない。このため、本製造方法は、ダイシング工程を含む製造方法よりも工数を減らすことができる。
【００６３】
また、一般的に、ダイシング工程を行うためのダイシング装置は高価である。このため、ダイシング工程を含む製造方法で製造された電子装置は、高価になることが考えられる。また、複数の電子装置が一体化されたダイシング対象であるモールド構造体は、電子装置の取り数を増やすために大型化することも考えられる。ダイシング装置は、モールド構造体が大型になるに連れて、自身の体格も大型化する。これによって、ダイシング工程を含む製造方法では、設備費用が高くなる。これに対して、本製造方法は、ダイシング工程を含んでいないため、ダイシング工程のコストが必要なく、電子装置１００が高価になることを抑制できる。
【００６４】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明した。しかしながら、本発明は、上述した実施形態に何ら制限されることはなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、種々の変形が可能である。以下に、本発明の変形例１，２に関して説明する。上述の実施形態及び変形例１，２は、夫々単独で実施することも可能であるが、適宜組み合わせて実施することも可能である。本発明は、実施形態において示された組み合わせに限定されることなく、種々の組み合わせによって実施可能である。
【００６５】
（変形例１）
図１７を用いて、変形例１の製造方法に関して説明する。なお、図１７では、ベース基板１０における貫通穴１１や、ベース基板１０に実装されている電子部品２０などを省略している。
【００６６】
変形例１の製造方法は、仕切部材３０ａを用いて行われる。仕切部材３０ａは、仕切部材３０と同様の材料によって形成されている。仕切部材３０ａは、一面Ｓ１に接する側から遠ざかるに連れに自身の幅が広くなっているテーパ部３１ａが形成されている。詳述すると、仕切部材３０ａは、可動型２２０に対向する側の先端から所定範囲にテーパ部３１ａが形成されている。
【００６７】
変形例１の製造方法は、上記製造方法と同様の効果を奏することができる。更に、変形例１の製造方法は、仕切部材３０ａを用いることで、モールド工程時に、可動型２２０と仕切部材３０ａとの間に構成材料４０が入り込むことを抑制できる。仕切部材３０ａは、可動型２２０との接触面積が仕切部材３０よりも広い。また、構成材料４０は、成型圧が印加されると、テーパ部３１ａに沿ってベース基板１０側に移動する。このため、構成材料４０は、仕切部材３０ａと可動型２２０との間に入り込みにくい。従って、変形例１の製造方法は、仕切部材３０ａを用いることで、樹脂ばり４２が形成されることを抑制できる。
【００６８】
（変形例２）
図１８を用いて、変形例２の製造方法に関して説明する。なお、図１８は、変形例２における第３構造体１３０ａの概略構成を示す断面図である。
【００６９】
変形例２の製造方法は、仕切部材３０ｂを用いて行われる。仕切部材３０ｂは、仕切部材３０と異なり、金属（アルミ、真鍮、スズ、銅その他の合金など）によって形成されており、必要に応じて表面に離型材を塗布してもよい。また、第３構造体１３０ａは、仕切部材３０ｂが残っている点が第３構造体１３０と異なる。
【００７０】
仕切部材３０ｂは、モールド樹脂４０との接合力がベース基板１０よりも弱く、モールド工程時に成型圧によって変形して一面Ｓ１に沿う方向に広がると共に一面Ｓ１に垂直な方向に縮み、モールド樹脂４０の厚みと高さが同じ高さとなる。しかしながら、仕切部材３０ｂは、モールド工程後に、成型圧から解放されても元の形状に戻らない。よって、仕切部材３０ｂは、図１８に示すように、保持解除工程後であっても、モールド樹脂４０に埋設された状態となることがありうる。
【００７１】
この変形例２の製造方法は、モールド工程後に、モールド樹脂４０が分割された状態とすることができる。このため、分割工程では、モールド樹脂４０を分割する必要はなく、モールド樹脂４０が形成されていない分割予定線Ｌ１〜Ｌ３に沿ってベース基板１０を分割すればよい。よって、変形例２の製造方法は、上記製造方法と同様に、モールド樹脂４０が形成されたベース基板１０を、ダイシングを行うことなく分割できる。
【００７２】
なお、変形例２の製造方法は、モールド工程後に、仕切部材３０ｂとモールド樹脂４０とが分離していないこともありうる。しかしながら、仕切部材３０ｂは、モールド樹脂４０との接合力がベース基板１０よりも弱い。このため、仕切部材３０ｂは、比較的容易にモールド樹脂４０から分離できる。更に、変形例２の製造方法では、仕切部材３０ｂとモールド樹脂４０との接合力が比較的弱いので、第３構造体１３０ａの状態で荷重印加しても、仕切部材３０ｂとモールド樹脂４０とを分離でき、複数の電子装置１００に個片化できる。
【００７３】
（変形例３）
図１９を用いて、変形例３の製造方法に関して説明する。変形例３の製造方法は、主に、仕切部材３０がベース基板１０ａに保持されていない点が上記製造方法と異なる。ベース基板１０ａは、ベース基板１０と異なり、貫通穴１１が設けられていない。よって、第１構造体１１０ａは、ベース基板１０ａの構成が第１構造体１１０と異なる。また、上型２００ａは、上型２００と異なり、吸着穴２０１が設けられていない。更に、変形例３のモールド工程では、仕切部材３０が配置された状態の可動型２２０を上昇させる。そして、仕切部材３０は、可動型２２０が上昇することで、分割予定線Ｌ１〜Ｌ３上に配置される。
【００７４】
この変形例３の製造方法は、仕切部材３０がベース基板１０ａの一面Ｓ１に配置された状態でモールド工程を行うため、モールド工程後に、モールド樹脂４０が分割された状態とすることができる。このため、分割工程では、モールド樹脂４０を分割する必要はなく、モールド樹脂４０が形成されていない分割予定線Ｌ１〜Ｌ３に沿ってベース基板１０ａを分割すればよい。よって、変形例３の製造方法は、上記製造方法と同様に、モールド樹脂４０が形成されたベース基板１０ａを、ダイシングを行うことなく分割できる。また、変形例３の本製造方法は、上記製造方法と同様に、モールド樹脂４０から仕切部材３０を分離させる工程を行うことなく、仕切部材３０とモールド樹脂４０とを分離させることができる。
【符号の説明】
【００７５】
１  回路基板、１０，１０ａ  ベース基板、１１  貫通穴、２０  電子部品、３０，３０ａ，３０ｂ  仕切部材、３１ａ  テーパ部、４０  モールド樹脂、４１  溝部、４２  樹脂ばり、Ａ１  モールド形成領域、Ｌ１〜Ｌ３  分割予定領域、Ｓ１  一面、Ｓ２  反対面、１００  電子装置、１１０，１１０ａ  第１構造体、１２０  第２構造体、１３０，１３０ａ  第３構造体、２００，２００ａ  上型、２０１  吸着穴、２１０  クランプ型、２２０  可動型、２３０  キャビティ
【図１】
2016100524.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2016100524.tif 000009
【図８】
2016100524.tif 000010
【図９】
2016100524.tif 000011
【図１０】
2016100524.tif 000012
【図１１】
2016100524.tif 000013
【図１２】
2016100524.tif 000014
【図１３】
2016100524.tif 000015
【図１４】
2016100524.tif 000016
【図１５】
2016100524.tif 000017
【図１６】
2016100524.tif 000018
【図１７】
2016100524.tif 000019
【図１８】
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【図１９】
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