(57)【要約】【課題】基材に傷があっても、保護フィルムや湿式ハードコート層を用いることなく、サブトラクティブ法で配線回路形成をしても基材傷による断線を生じにくい積層体を提供することができる。また、基材がプラスチックフィルム等の可撓性の基板の場合、金属層成膜時に発生する金属層内部応力に起因する積層体のカールが発生し、例えば搬送が安定しない等の加工工程での問題が発生しがちであるが、本発明によれば積層体のカールを抑制し、加工性の良好な積層体を提供することができる。【解決手段】  基材の少なくとも片面に金属層を有し、該金属層断面におけるクラックから他のクラックまでの距離が５０μｍ以下であることを特徴とする積層体である。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材の少なくとも片面に金属層を有し、該金属層断面におけるクラックから他のクラックまでの距離が５０μｍ以下であることを特徴とする積層体。
【請求項２】
前記金属層断面におけるクラックの総数を１００％としたとき、金属層表面から基材まで達しているクラックの割合が５０％以下であることを特徴とする請求項１に記載の積層体。
【請求項３】
前記金属層の厚みが０．１μｍ以上、１０μｍ以下であることを特徴とする請求項１または２に記載の積層体。
【請求項４】
前記基材と金属層との間に導電性の密着層を有することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の積層体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はサブトラクティブ方式で作製する回路基板の材料として好適に用いることができる積層体に関する。特に可撓性の基板上に線幅３０μｍ以下の回路を形成する際の材料となる積層体に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
配線回路基板の製造において、絶縁基板上に導電層が形成された積層体が材料として用いられる。
【０００３】
該積層体の作製方法としては、金属箔などの導電体と絶縁基板を接着剤で貼り合わせる３層タイプと、接着剤を介さずに絶縁基板上にスパッタリング法など良好な密着強度が得られやすい方法で直接導電層を形成しその後必要に応じて電解めっきで導電層を増膜する２層タイプが知られている（特許文献１）。３層タイプは導電箔の厚みが限定される（例えば該導電体が銅の場合、キャリア付の特殊品を除くと容易に入手できるのは９〜３５μｍ）ことがあるのに対し、２層タイプではより広い範囲の導電膜厚みから選択できるので導電層厚みが０．５〜１０μｍというような薄めの需要に対して好適である。
【０００４】
導電層厚みが薄いと、サブトラクティブ法で回路形成をする際の加工速度が速くできたり、線幅１０μｍ以下のような高精度加工ができたり、耐屈曲性に優れたりする利点がある。また、エッチングされた部分とエッチングされていない部分の段差が小さいために配線回路形成後、粘着材を介して他の基材と貼り合わせるときに気泡を噛み込みにくい利点もある。
【０００５】
２層タイプの配線回路基板用の積層体を得る別の方法として、スパッタリング法で密着強度の得られやすい金属を成膜した後に真空蒸着法で導電性の優れる金属を成膜する方法がある（特許文献２）。真空蒸着法は、電解めっきのようなウェットコート法ではなくドライコート法であるため、同じくドライコート法であるスパッタリング法と加工速度や圧力条件が近く、一度の巻き出しで連続加工するいわゆる「ワンパス」化して生産性を高めることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１０−１６３６５４号公報
【特許文献２】特開２００７−２４５６４６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特許文献１や２に記載の積層体は、基材の傷が原因となり、後に形成する配線回路が断線することがある。すなわち、搬送や異物噛み込み等で発生する基材の傷は、引っ張り方向の内部応力を有する導電層を成膜すると、その傷に応力が集中することで拡張されてしまい、導電層で傷を埋めることができず、導電層に不連続な部分を生じることがある。これを跨ぐようにサブトラクティブ法で配線回路を形成すると当然ながら回路断線の不具合になりやすい。
【０００８】
本課題を解決する方法として、導電層成膜直前まで基材上に保護フィルムを配し基材に傷が生じないようにすることが考えられるが、保護フィルムのコストがかかり、導電層成膜装置内での保護フィルムの巻き取り機構が必要となるため好ましくない。
【０００９】
また、基材に傷が生じた後に湿式塗布にてシリカ成分等から成るハードコート層を設け、傷を埋め、かつその後の搬送では傷つかないようにすることもできるが、湿式塗布の分だけコストが上がり好ましくない。
【００１０】
また、配線回路を形成する方法がサブトラクティブ法ではなく、セミアディティブ法であれば湿式めっきで傷の両側の導電膜が成長して傷をなくすことができるが、サブトラクティブ法のときよりも工程が煩雑になり、めっき設備も必要になってしまう。
【００１１】
本発明は上記事情を鑑みてなされたものであり、基材に傷があっても、高コストな保護フィルムや湿式ハードコート層を用いることなく、サブトラクティブ法で配線回路形成をしても基材傷による断線を生じにくい積層体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記課題を解決するため、本発明の積層体は以下の構成をとる。
（１）  基材の少なくとも片面に金属層を有し、該金属層断面におけるクラックから他のクラックまでの距離が５０μｍ以下であることを特徴とする積層体。
（２）  前記金属層断面におけるクラックの総数を１００％としたとき、金属層表面から基材まで達しているクラックの割合が５０％以下であることを特徴とする（１）に記載の積層体。
（３）  前記金属層の厚みが０．１μｍ以上、１０μｍ以下であることを特徴とする（１）または（２）に記載の積層体。
（４）  前記基材と金属層との間に導電性の密着層を有することを特徴とする（１）〜（３）のいずれかに記載の積層体。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、以下に説明するとおり、基材に傷があっても、保護フィルムや湿式ハードコート層を用いることなく、サブトラクティブ法で配線回路形成をしても基材傷による断線を生じにくい積層体を提供することができる。また、基材がプラスチックフィルム等の可撓性の基板の場合、金属層成膜時に発生する金属層内部応力に起因する積層体のカールが発生し、例えば搬送が安定しない等の加工工程での問題が発生しがちであるが、本発明によれば積層体のカールを抑制し、加工性の良好な積層体を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の積層体における亀裂の一例を示す断面模式図である。
【図２】本発明の積層体におけるクラックから他のクラックまでの距離を示す断面模式図である。
【図３】本発明の積層体における基材まで達していないクラックの一例を示す断面模式図である。
【図４】本発明の積層体における基材まで達しているクラックの一例を示す断面模式図である。
【図５】断線率測定用パターンの模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
本発明の積層体は、基材と金属層とを有する。本発明により得られる積層体は、基材と金属層とをこの順に有しさえすれば、層間に他の層が介在してもよい。例えば、後述するように、基材、密着層、金属層をこの順に有する構成とすることも可能である。
【００１６】
本発明の積層体を構成する基材は、プラスチックフィルム、セラミックス板など、種々の基材を用いることができる。基材は、自身の製造時や加工途中の搬送中に、その表面に深さサブミクロンから数ミクロンの傷が生じることがある。傷の発生のメカニズムは様々であるが、例えば搬送ロール上に突起が存在して擦れたり、数ミクロンの大きさの塵が基材上に乗りその上から搬送ロールで押さえつけたりすることで生じる。
【００１７】
基材の傷の発生は搬送機構の精密化やクリーニング強化によって軽減できるものの完全に除去することは困難であり、また軽減するための搬送機構の精密化やクリーニング強化によってコストが上昇してしまう問題がある。しかしながら本発明をもってすれば、上記の傷が基材に存在しても、サブトラクティブ法で配線回路を形成するときに断線を生じる可能性が低い積層体を提供することができる。詳細を以下に説明する。
【００１８】
本発明の積層体は、基材の少なくとも片面に金属層を有し、該金属層断面におけるクラックから他のクラックまでの距離が５０μｍ以下である。本発明で言うところのクラックとは亀裂の最大幅が１０ｎｍ以上でかつ亀裂の最大深さが金属層厚みの１／２以上の金属層の亀裂のことを意味する。概念図を図１に示す。ここで、最大幅とは図１に示すとおり、亀裂を断面から見たとき、１つの亀裂において幅が最大となる長さをいい、最大深さとは同様に、亀裂を断面から見たとき、１つの亀裂において金属層表面からの深さが最大となる長さをいう。
【００１９】
ここで、クラックから他のクラックまでの距離が５０μｍ以下であるとは、実施例の項で詳細を説明するが、無作為に選択した２０本のクラックについて、それぞれのクラックから最も近い距離にある他のクラックまでの距離を測定したとき、２０本すべてのクラックについて５０μｍ以下であることをいう。
【００２０】
従来は金属層のクラックは導電性の観点からも機械的特性の観点からも個数が少ないことが好ましいとされてきた。しかしながら、例えば真空蒸着法で金属層を形成した場合、金属層内部に引張り応力が発生するため、基材に微小な傷があった場合に引張り応力がその傷に集中して結果として基材まで達したクラック、つまり配線回路を形成するときに断線を生じるクラックが発生することがあった。そこで、本発明は金属層断面におけるクラックから他のクラックまでの距離が５０μｍ以下のクラックを積極的に形成すること、つまり軽微で配線回路を形成するときに断線を生じないクラックを多数かつ均一に形成することで、金属層形成時の引張り応力集中を緩和し基材まで到達するような致命的なクラックを大幅に抑制できることを発見した。
【００２１】
すなわち、金属層の引張り応力は、金属層が基材に対して、より縮もうとして生じるものであり、構成する原子が多いほどその応力は伝播し、金属層の端に集中する。本発明では、クラック越しには引張り応力が伝播しないことを積極的に利用し、クラックを多数かつ均一に形成することで金属層を島状に区切り、島状一つ一つを構成する原子数を限定することによって島状金属層の端にかかる応力を分散させるものである。
【００２２】
上記は引張り応力が生じやすい真空蒸着法を例に説明したが、圧縮応力が生じやすいスパッタリング法でもクラックにより金属層中の応力伝播を抑制し、応力集中を緩和するという本発明は有効である。
【００２３】
クラックから他のクラックまでの距離は短いほど好ましく、３０μｍ以下が好ましく、１５μｍ以下がより好ましい。配線回路を形成するときに断線を生じないクラックの概念図を図２に、断線を生じるクラックの概念図を図３に示す。本発明で言うところの基材まで達しているクラックとは図４に示す通り、クラックの先端が金属層と基材との界面あるいは基材内部まで到達しているクラックのことを意味する。
【００２４】
また、基材まで達しているクラックは配線回路を形成するときに断線を生じる可能性が高いため、少ないほど好ましい。どの程度少ないのが好ましいかと言えば、前記金属層断面におけるクラックの総数を１００％としたとき、金属層表面から基材まで達しているクラックの割合が５０％以下であることが好ましく、２０％以下であることが電気特性上さらに好ましい。また、基材まで達しているクラックの確認方法は、実施例の項で詳細を説明するが、積層体の断面をまず倍率１０，０００倍で観察し亀裂を見つけ、当該亀裂がクラックに該当するか否か（すわなち、亀裂の最大幅が１０ｎｍ以上でかつ亀裂の最大深さが金属層厚みの１／２以上であるか否か）を判断した。クラックに該当すると判断した場合、当該クラックの先端付近をさらに倍率１００，０００倍で観察し、クラックの先端が基材まで達しているか否か観察した。
【００２５】
本発明の積層体の金属層には、金、銀、銅、アルミニウム、マグネシウム、タングステン、コバルト、亜鉛、チタン、ニッケル、クロム及び鉄からなる群より選択される少なくとも一つを含むものであれば、１種または２種以上を組み合わせた合金あるいは多層のものも使用できる。コストと導電性のバランスから銀、銅、アルミニウムが好ましく、中でも銅がより好ましい。また銅は、銀と比べてマイグレーションを起こしにくい利点がある。
【００２６】
本発明の金属層は、厚みが０．１μｍ以上１０μｍ以下であることが好ましい。導電層の厚みが０．１μｍ未満では、基材の傷の側面や底面に成膜する金属層の膜厚が薄くて、多数のクラックを跨いだ配線の導電性が不足する場合がある。金属層の厚みが１０μｍより厚くなると、配線の耐屈曲性が弱くなることがあり、その後の工程で粘着剤を介してカバー基材と貼りあわせる際に気泡が生じやすくなる場合がある。
【００２７】
本発明の積層体は、基材と金属層との間に導電性の密着層を設けてもよい。ここで、導電性とは体積抵抗率が１．０×１０−６μΩ・ｍ以下であることを意味する、また密着層が導電性であることで、金属層がクラックにより断裂した場合も密着層で導電性を確保できるため好ましい。密着層を配することで金属層と基材との密着性が向上し、後工程で細線（線幅５μｍ以下）をサブトラクティブ法で形成する場合の金属層剥がれによる断線を低減することができるため好ましい。導電性の密着層はチタン、ニッケル、及びクロムからなる群より選ばれる少なくとも１つの材料が主成分であることが好ましい。ここで主成分とは、密着層全体を１００質量％としたとき、６０質量％以上を占めることをいう。
【００２８】
なお、密着層の厚みは、特に限定されるものでは無いが０．５ｎｍ以上３０ｎｍ未満が好適であり、１ｎｍ以上２０ｎｍ以下がより好適であり、１ｎｍ以上１０ｎｍ以下が更に好適である。密着層の厚みが０．５ｎｍより小さいと、十分な密着効果が得られない場合がある。また、密着層の厚みが３０ｎｍ以上でも、得られる密着性が更に増すわけではないので、コストの観点から、密着層は３０ｎｍ未満であることが好ましい。
【００２９】
そして積層体が密着層を有する場合には、金属層の主成分が、チタン、ニッケル、及びクロム以外の金属であることが好ましい（金属層が、密着層には該当しえない元素であることが好ましい）。
【００３０】
本発明の積層体は金属層がパターン状に形成されていてもよい。パターニングすることで回路として機能する。パターニングの方法の一つとしては基材の全面に金属層を成膜した後にフォトリソ法によりパターンを形成、エッチングによって不要部を除去する方法（すなわちサブトラクティブ法）を挙げることができる。積層体が密着層を有する場合には、密着層と金属層がともにパターン状に形成されていた方が好ましい。密着層と金属層は必ずしも同形にパターニングされている必要はないが、密着層はチタン、ニッケル、およびクロムが主成分であり、導電性を有するため、密着層と金属層のいずれか一方でもパターニングされずに基材の全面に配される（いわゆるベタ膜状）と短絡の懸念がある。
【００３１】
各層の形成方法は特に限定されず、選択される素材に応じて生産性を考慮して適宜形成方法を選ぶことができる。例えば、金属層の場合には、真空蒸着法やスパッタリング法、湿式めっき法によって形成することができる。ここで、０．１μｍ以上、１０．０μｍ以下の膜厚を生産性良く得るためには真空蒸着法が好ましい。
【００３２】
また、クラックを本願の好ましい形態に制御するには低真空蒸着法が好ましい。低真空蒸着法では、一般に真空蒸着法では真空度は高いほうが好ましいとされているところを敢えて真空度を上げない。そうすると蒸着される粒子が雰囲気中のガスと衝突する確率が高まる。つまり平均自由行程が短くなり、基材に到達する際の蒸着粒子がもつエネルギーが通常の真空蒸着法よりも低くなる。蒸着粒子がもつエネルギーが低いと基材表面での蒸着粒子の拡散距離が短くなり、準安定な位置でエネルギーを失い固定される確率が上昇し、結果として疎な膜質になる。疎な膜質の金属層は基材の傷上のみならず傷のない場所にもクラックを生じ易い。基材の傷は、例えば搬送ロール上の異物を転写したときなど発生位置に偏りを持つことがあり、通常の真空蒸着法で基材の傷を起点としてクラックを発生させると面内で均一に配することが困難な場合があるが、低真空蒸着法を用いると基材の傷がない場所にもクラックを生じさせることができるためクラックを均一に発生させることができる。
【００３３】
低真空にする方法は特に限定されないが、真空蒸着源近傍にガスを導入する方法が制御しやすさの観点から好ましい。導入するガス種としては酸素、窒素、ネオン、アルゴン、クリプトンおよびキセノンからなる群より選択される少なくとも一つを含むものが好ましく、これらを１種または２種以上を組み合わせた混合ガスも使用してもよい。コストの観点から窒素またはアルゴンガスがより好ましい。
【００３４】
密着層の形成方法は特に限定されず、選択される密着層の素材に応じて適宜形成方法を選ぶことができるが、生産性の観点からスパッタリング法が好ましい。
【００３５】
基材は、プラスチックフィルム、セラミックス板などを用いることができる。プラスチックフィルムはロール状での入手が容易であるためロールトゥロールでの加工ができ、生産性に優れる。セラミックス板はプラスチックフィルムに比べて熱膨張が小さいため複数の基板を積層して使用するときなど位置精度が要求される用途に好適である。
【００３６】
基材としてプラスチックフィルムを用いる場合、プラスチックフィルムを構成する樹脂として、例えばＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）やＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ポリアラミド、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリエチレン、ポリプロピレンなどが挙げられる。
【００３７】
また基材としてセラミックス板を用いる場合、例えばアルミナ、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、炭化ケイ素、炭化アルミニウム、ジルコニア、石英、ホウケイ酸ガラス、青板ガラス、白板ガラスなどが挙げられる。
【００３８】
形成した回路の短絡を防止するため、基材の表面は絶縁性を有することが好ましく、もし基材の素材が絶縁性でない場合は、例えば表面酸化処理等で表面絶縁性を付与することが好ましい。基材の厚みは特に限定されるものではないが、好ましくは１μｍ以上５，０００μｍ以下であり、より好ましくは１０μｍ以上５００μｍ以下、更に好ましくは２０μｍ以上２５０μｍ以下である。基材が薄すぎるとハンドリングが困難となる場合があり、厚すぎると電子機器内で回路基板の占める体積が大きくなり機器の小型化が難しくなる場合がある。
【００３９】
基材が透明性を有していると電磁波シールドフィルムやタッチパネル用透明導電性フィルム、透明ヒーターなどに適用できるため好ましい。本発明で基材が透明性を有するとは、基材の全光線透過率が２０％以上であることを意味し、好ましくは５０％以上である。
【００４０】
本発明の積層体は回路の断線が発生しにくいことから、高精細なパターン形状が要求される電子部材として好ましく使用することができる。例えば、電磁波シールドフィルムやタッチパネル用透明導電性フィルム、透明ヒーター等に用いることができる。
【００４１】
また、本発明の積層体は、基材の傷を埋めるためにハードコート処理や保護フィルムを用いたフィルムの搬送等を行う必要がなく、大掛かりなめっき設備等も不要であるため、製造コストの低減を図ることができる。したがって、より低コスト化が求められる汎用電子回路にも好ましく用いることができる。
【００４２】
さらに、本発明の積層体は配線パターンを形成したときに断線が生じにくいため、大幅な製品歩留まりの向上が期待できる。特に液晶パネルの引き回し配線や大画面のフラットパネルディスプレイ、電子ペーパー等のディスプレイ用途に好ましく用いることができる。
【実施例】
【００４３】
（測定方法）
（１）クラックから他のクラックまでの距離
イオンミリング法により積層体を切断し、その断面をＦＥ−ＳＥＭ（電界放出型走査型電子顕微鏡）により１０，０００倍で断面観察し、最大幅が１０ｎｍ以上でかつ最大深さが金属層厚みの１／２以上の亀裂をクラックとしてカウントした。ここで、最大幅とは亀裂を断面から見たとき、１つの亀裂において幅が最大となる長さをいう（図１における符号５の長さをいう）。また、最大深さとは亀裂を断面から見たとき、１つの亀裂において金属層表面からの深さが最大となる長さをいう（図１における符号６の長さをいう）。
【００４４】
上記方法でカウントされたクラックについて、図２に示すように、１つのクラックの端部と他のクラックの端部において、金属層断面方向に垂線を引き、当該垂線間の距離を他のクラックまでの距離とした。この測定を２０本の異なるクラックそれぞれについて行った（１本のクラックに対してペアとなる1本の他のクラックがあるため、ペアとなる２本のクラックに対して１つの距離が算出される。すなわち、２０本の異なるクラックについて測定を行うとは、ペアとなる２本のクラックに対する距離の測定を２０ペアについて行うということである）。２０ペアについて他のクラックまでの距離を測定し、その中で最も長いものをその積層体におけるクラックから他のクラックまでの距離として表２に記載した。
【００４５】
なお、１０，０００倍で観察した画像中にクラックが１つしかない場合は視野を基材に対して平行方向に最大２００μｍだけスライドさせペアとなるクラックを探した。２００μｍ視野をスライドさせてもペアが見つからない場合は、クラックから他のクラックまでの距離は２００μｍ以上とした。
【００４６】
また、１０，０００倍で観察した画像中に観察されるクラックの数が２０ペアに満たない場合は、まず得られた画像におけるすべてのペアとなるクラック（ａペアとする）について測定を行い、さらに無作為に選択した別の断面箇所において１０，０００倍にて画像を撮影し、先に観察したａペアのクラックとの合計が２０ペアとなるように無作為に選択したｂペアのクラックについて同様に測定を行い（すなわち、ａ＋ｂ＝２０）、合計２０ペアについて他のクラックまでの距離を測定し、その中で最も長いものをその積層体におけるクラックから他のクラックまでの距離とした。
【００４７】
（２）基材まで達しているクラックの割合
（１）の方法でクラックを観察し、基材まで達している可能性のあるクラックについてクラック先端付近を１００，０００倍で断面観察することで、基材まで達しているクラックかどうか判定した。（１）の方法により１０，０００倍で観察した画像中における無作為に選択した５０本のクラックについて観察を行い、以下の式により基材まで達しているクラックの割合を算出した。
（基材まで達しているクラックの本数／５０）×１００（％）。
【００４８】
ＳＥＭ画像のコントラストでは基材と金属層の界面、もしくは基材と密着層の界面が特定できない場合にはＥＤＸ（エネルギー分散型Ｘ線分光法）で元素分析を行い、それらを特定した。
【００４９】
なお、１０，０００倍で観察した画像中に５０本のクラックが観察されなかった場合は、まず得られた画像のすべてのクラック（ｃ本とする）について観察を行い、さらに無作為に選択した別の断面箇所において１０，０００倍にて画像を撮影し、先に観察したｃ本のクラックとの合計が５０本となるように無作為に選択したｄ本のクラックについて同様に観察を行い（すなわち、ｃ＋ｄ＝５０）、合計５０本のクラックを観察し、基材まで達しているクラックの割合を算出した。基材まで達していないクラックの概念図を図３に示す。また、基材まで達しているクラックの概念図を図４に示す。
【００５０】
（３）金属層厚み
イオンミリング法により積層体を切断し、その断面をＦＥ−ＳＥＭ（電界放出型走査型電子顕微鏡）により金属層の厚みが画像の縦方向の５０％以上９０％以下に入る倍率で断面観察し測定した。密着層が存在し、ＳＥＭ画像のコントラストでは密着層と金属層の界面が特定できない場合には、ＥＤＸ（エネルギー分散型Ｘ線分光法）で元素分析を行い特定した。
【００５１】
（４）カール量
積層体から、１００ｍｍ×１００ｍｍの試験片を切り出した。次いで、基材側（図１では下側）が盤と接するように盤上に静置し、４端部について、盤から試験片までの高さを測定し、４端部の算術平均値をカール量とした。
【００５２】
（５）体積抵抗率
体積抵抗率は、８０ｍｍ×５０ｍｍサイズの試料の金属層側（図１の上側）中央をＪＩＳ Ｋ７１９４（１９９４年）準拠の三菱化学株式会社製ＭＣＰ−Ｔ３６０を用いて四探針法で測定した表面抵抗率と（３）の方法で測定した膜厚から算出した。なお、プローブには三菱化学株式会社製のＥＳＰプローブ（電極間隔５ｍｍ、電極直径２ｍｍ）を用い、抵抗率補正係数（ＲＣＦ）は４．５３２とした。
【００５３】
この四探針法では、プローブが接する表面の層（表面抵抗率を求めたい層）のすぐ下に別の導電性の層が存在する場合、それらの層を複合した層としての表面抵抗率が得られる。表面の層（表面抵抗率を求めたい層）だけの表面抵抗率を求めたい場合は、密着層を形成した後の表面抵抗率（すなわち、密着層のみの表面抵抗率）および金属層を形成した後の表面抵抗率（すなわち、密着層と金属層の積層状態での表面抵抗率）を測定し、抵抗を並列接続した場合の式に従い計算した。
【００５４】
後述の実施例１では、密着層と金属層それぞれの表面抵抗率をＲＸ、ＲＣとし、密着層と金属層の積層状態での表面抵抗率をＲＸＣとしたとき、方程式（式１）が成り立つものとし、金属層の表面抵抗率を求めた。
【００５５】
１／ＲＸＣ  ＝  １／ＲＸ  ＋  １／ＲＣ                    （式１）。
【００５６】
（６）断線率
断線率は、積層体の金属層側に旭化成イーマテリアルズ製のドライフィルムレジスト（商品名：“サンフォート”（登録商標）ＡＤＨ−１５１）を貼合し、フォトマスク越しに露光、現像した。次に塩化第二鉄水溶液で密着層、金属層を部分的に除去し、図５の断線率評価パターン回路を得た（図５で、密着層、金属層のいずれかがが除去されずに基材表面に残っている部分を線部とし、それらの層の全てが除去された部分をスペース部とする）。配線回路のパターンは線部の幅を２０μｍとし、スペース部の幅を５０μｍとし、長さ４０ｍｍの線を１２．５往復折り返した九十九折状であり、両端に電極パッドを配置した。
【００５７】
このパターンを２００個作製し、パッド間の抵抗を測定することで断線率を求めた。パッド間抵抗が１０ｋΩを超える場合を断線とし、以下の式で断線率を求めた。
（断線した個数／２００）×１００  ＝  断線率（％）。
【００５８】
（７）密着強度
金属層の基材に対する密着強度はＪＩＳ  Ｋ５６００−５−６（１９９９年制定）に従いクロスカット法で評価した。ただし感圧付着テープはこの方法で指定のもの（例えば、ニチバン株式会社製Ｎｏ．４０５）ではなく、より粘着力が強い日東電工株式会社製Ｎｏ．７５６を用いた。判定は分類０乃至分類５の６段階で行った（分類０が最も密着強度が強く、分類５が最も密着強度が弱い。
【００５９】
（実施例１）
基材として東レ株式会社製ＰＥＴフィルム（商品名：“ルミラー”（登録商標）Ｕ４８）を用いた。基材の厚みは１００μｍであった。
【００６０】
基材の一方の面側（これを上面側とする）に、ロールトゥロールにて密着層（ニッケル）を、厚みが１０ｎｍとなるようにＤＣマグネトロンスパッタリング法で成膜した。この際、ターゲットに印加した電圧は３２５Ｖであり、ターゲットに対する電力密度は６６．７ｋＷ／ｍ２であった。また、スパッタリングガスとしてはアルゴンを用いた。
【００６１】
得られた密着層の表面抵抗率は６６Ω／ｓｑ．であった。
【００６２】
次に密着層の上面側に、ロールトゥロールにて金属層（銅）を厚みがおおよそ２μｍとなるように電子ビーム方式の真空蒸着法で成膜した。電子銃の出力は成膜幅に対して５３．５ｋＷ／ｍとし積層体を得た。この際、真空蒸着室にアルゴンガスを１．０Ｌ／ｍｉｎ投入しながら蒸着した、蒸着室の圧力は８．０×１０−２Ｐａであった。
【００６３】
得られた積層体のクラックから他のクラックまでの距離を測定したところ４２．１μｍであった。また、基材まで達しているクラックの割合は２６％であった。
得られた積層体の体積抵抗率を測定したところ２．２０×１０−８Ω・ｍであった。
得られた積層体の断線率を測定したところ２．５％であった。
得られた積層体のカール量を測定したところ１２．９ｍｍであった。
得られた積層体の密着強度を測定したところ、クロスカット試験の分類０であった。
【００６４】
（実施例２）
真空蒸着室にアルゴンガスを２．０Ｌ／ｍｉｎ投入しながら蒸着し、蒸着室の圧力が１．４×１０−１Ｐａであったこと以外は実施例１と同様の方法で積層体を得た。
【００６５】
得られた積層体のクラックから他のクラックまでの距離、体積抵抗率、断線率、カール量、密着強度の測定結果は以下の実施例および比較例の結果と併せて表２に記載する。
【００６６】
（実施例３）
真空蒸着室にアルゴンガスを４．０Ｌ／ｍｉｎ投入しながら蒸着し、蒸着室の圧力が２．５×１０−１Ｐａであったこと以外は実施例１と同様の方法で積層体を得た。
【００６７】
（実施例４）
金属層（銅）の厚みをおおよそ１μｍとしたこと以外は実施例１と同様の方法で積層体を得た。
【００６８】
（実施例５）
金属層（銅）の厚みをおおよそ０．５μｍとしたこと以外は実施例１と同様の方法で積層体を得た。
【００６９】
（実施例６）
密着層を成膜しなかったこと以外は実施例１と同様の方法で積層体を得た。
【００７０】
得られた積層体の密着強度を測定したところ、クロスカット試験の分類１であった。
【００７１】
（実施例７）
真空蒸着室に窒素ガスを１．０Ｌ／ｍｉｎ投入しながら蒸着し、蒸着室の圧力が７．９×１０−２Ｐａであったこと以外は実施例１と同様の方法で積層体を得た。
【００７２】
（実施例８）
真空蒸着室に窒素ガスを４．０Ｌ／ｍｉｎ投入しながら蒸着し、蒸着室の圧力が２．２×１０−１Ｐａであったこと以外は実施例１と同様の方法で積層体を得た。
【００７３】
（比較例１）
真空蒸着室にアルゴンガスを０．５Ｌ／ｍｉｎ投入しながら蒸着し、蒸着室の圧力が４．１×１０−１Ｐａであったこと以外は実施例１と同様の方法で積層体を得た。
【００７４】
（比較例２）
密着層を成膜しなかったことと、真空蒸着室に窒素ガスを０．５Ｌ／ｍｉｎ投入しながら蒸着し、蒸着室の圧力が４．０×１０−１Ｐａであったこと以外は実施例１と同様の方法で積層体を得た。
【００７５】
（比較例３）
真空蒸着室にガス投入せず、蒸着室の圧力が２．１×１０−２Ｐａであったこと以外は実施例１と同様の方法で積層体を得た。
【００７６】
実施例１と、比較例１および４を比べることで、本発明がサブトラクティブ法で配線回路を形成する際のクラックによる断線とカールに対して有効であることが分かる。
【００７７】
【表１】
2016049717.tif 000003
【００７８】
【表２】
2016049717.tif 000004
【産業上の利用可能性】
【００７９】
本発明は、セミアディティブ法と比べて安価なサブトラクティブ法で配線回路を形成する際に好適である。
【符号の説明】
【００８０】
１：  積層体
２：  基材
３：  金属層
４：  亀裂
５：  亀裂の最大幅
６：  亀裂の最大深さ
７：  垂線
８：  他のクラックまでの距離
９：  線部
１０：スペース部
１１：電極パッド
【図１】
2016049717.tif 000005
【図２】
2016049717.tif 000006
【図３】
2016049717.tif 000007
【図４】
2016049717.tif 000008
【図５】
2016049717.tif 000009