(57)【要約】      （修正有）【課題】放熱機能が向上されたプリント回路基板の製造方法及びこれを用いた半導体パッケージを提供する。【解決手段】プリント回路基板１００は、一面にキャビティ１６０が形成された絶縁層１１０、１４０と、絶縁層の一面及び内部に形成された回路層１２０、１９０、１９５と、キャビティの内壁及び他面に形成された放熱層１８０と、を含む放熱層は、回路層の少なくとも一部に電気的に接続される。【選択図】図１
2016225620.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一面にキャビティが形成された絶縁層と、
前記絶縁層の一面及び内部に形成された回路層と、
前記キャビティの内壁及び他面に形成された放熱層と、を含み、
前記放熱層は、前記回路層の少なくとも一部に電気的に接続されるプリント回路基板。
【請求項２】
前記放熱層は、伝導性金属である請求項１に記載のプリント回路基板。
【請求項３】
キャリア基板の一面に第１絶縁層及び第１回路層を形成するステップと、
前記第１絶縁層及び第１回路層の下部にキャビティを有する第２絶縁層と、前記第２絶縁層の下部に形成される金属層と、を形成するステップと、
前記キャリア基板を除去するステップと、
前記キャビティの内壁及び他面に放熱層を形成するステップと、
前記金属層をパターニングして第２回路層を形成するステップと、
を含むプリント回路基板の製造方法。
【請求項４】
前記放熱層を形成するステップにおいて、
前記放熱層は、電解メッキ方式により形成される請求項３に記載のプリント回路基板の製造方法。
【請求項５】
前記放熱層は、伝導性金属で形成される請求項３または請求項４に記載のプリント回路基板の製造方法。
【請求項６】
前記放熱層を形成するステップにおいて、
前記放熱層は、前記キャビティにより外部に露出された第１回路層の一面に接触する請求項３から請求項５のいずれか1項に記載のプリント回路基板の製造方法。
【請求項７】
前記放熱層を形成するステップにおいて、
前記放熱層は、前記金属層の一面にさらに形成される請求項３から請求項６のいずれか1項に記載のプリント回路基板の製造方法。
【請求項８】
前記第２回路層を形成するステップにおいて、
前記金属層と、前記金属層の一面に形成された放熱層とがパターニングされて第２回路層が形成される請求項７に記載のプリント回路基板の製造方法。
【請求項９】
前記キャリア基板は、キャリアコアと、前記キャリアコアの一面及び他面に形成されたキャリア金属層と、を含む請求項３から請求項８のいずれか1項に記載のプリント回路基板の製造方法。
【請求項１０】
前記キャリア基板を除去するステップにおいて、
前記キャリアコアとキャリア金属層とが分離される請求項９に記載のプリント回路基板の製造方法。
【請求項１１】
前記放熱層を形成するステップにおいて、
前記キャリア金属層の他面にも放熱層がさらに形成される請求項１０に記載のプリント回路基板の製造方法。
【請求項１２】
前記第２回路層を形成するステップにおいて、
前記キャリア金属層と放熱層とがパターニングされて第３回路層がさらに形成される請求項１１に記載のプリント回路基板の製造方法。
【請求項１３】
前記第１絶縁層及び第１回路層を形成するステップにおいて、
前記第１絶縁層及び第１回路層は、前記キャリア基板の他面にさらに形成される請求項３から請求項１２のいずれか1項に記載のプリント回路基板の製造方法。
【請求項１４】
第１プリント回路基板及び前記第１プリント回路基板の上部に配置された第１素子を含む下部パッケージと、
前記下部パッケージの上部に配置され、一面にキャビティが形成された絶縁層、前記絶縁層の一面及び内部に形成された回路層、及び前記キャビティの内壁及び他面に形成され、前記回路層の少なくとも一部に電気的に接続される放熱層を含む第２プリント回路基板と、
前記第２プリント回路基板の上部に配置され、第３プリント回路基板及び前記第３プリント回路基板の上部に配置された第２素子を含む上部パッケージと、を含み、
前記第１素子の少なくとも一部が前記キャビティに挿入される半導体パッケージ。
【請求項１５】
前記放熱層は、伝導性金属である請求項１４に記載の半導体パッケージ。
【請求項１６】
前記第１素子と放熱層との間に介在される放熱部材をさらに含む請求項１４または請求項１５に記載の半導体パッケージ。
【請求項１７】
前記第１素子の他面及び側面のうちの少なくとも１箇所は、前記放熱部材に接触される請求項１６に記載の半導体パッケージ。
【請求項１８】
前記放熱部材は、伝導性ペーストで形成される請求項１６または請求項１７に記載の半導体パッケージ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プリント回路基板、プリント回路基板の製造方法及びこれを含む半導体パッケージに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子産業分野においては、電子機器の小型化、薄型化のために部品を実装する際に、高密度化、高集積化が可能な多層プリント回路基板（Ｍｕｌｔｉ−Ｌａｙｅｒ  Ｐｒｉｎｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ  Ｂｏａｒｄ）を用いた実装技術を採用している。この多層プリント回路基板における高密度化、高集積度の実現は、基板の微細回路及びバンプなどの要素技術の発展により行われつつある。近年、電子部品をプリント回路基板に予め実装してパッケージに構成するＳＩＰ（Ｓｙｓｔｅｍ  Ｉｎ  Ｐａｃｋａｇｅ）、ＣＳＰ（Ｃｈｉｐ  Ｓｉｚｅｄ  Ｐａｃｋａｇｅ）、ＦＣＰ（Ｆｌｉｐ  Ｃｈｉｐ  Ｐａｃｋａｇｅ）などの半導体パッケージに関する開発が活発に行われている。また、高性能のスマートフォンの小型化及び性能向上のために、制御素子とメモリー素子とを一つのパッケージの形態に実現した積層型パッケージ（Ｐａｃｋａｇｅ  Ｏｎ  Ｐａｃｋａｇｅ；ＰＯＰ）がある。この積層型パッケージは、制御素子とメモリー素子とをそれぞれ個別にパッケージングし、その後、これを積層して接続することにより実現することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】米国特許第５９８６２０９号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、放熱機能が向上されたプリント回路基板、プリント回路基板の製造方法及びこれを用いた半導体パッケージを提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一実施例によれば、一面にキャビティが形成された絶縁層と、絶縁層の一面及び内部に形成された回路層と、キャビティの内壁及び他面に形成された放熱層と、を含み、放熱層は、回路層の少なくとも一部と電気的に接続するプリント回路基板が提供される。
放熱層は、伝導性金属である。
【０００６】
本発明の他の実施例によれば、キャリア基板の一面に第１絶縁層及び第１回路層を形成するステップと、第１絶縁層及び第１回路層の下部にキャビティを有する第２絶縁層、及び第２絶縁層の下部に形成される金属層を形成するステップと、キャリア基板を除去するステップと、キャビティの内壁及び他面に放熱層を形成するステップと、金属層をパターニングして第２回路層を形成するステップと、を含むプリント回路基板の製造方法が提供される。
【０００７】
本発明のまた他の実施例によれば、第１プリント回路基板及び第１プリント回路基板の上部に配置された第１素子を含む下部パッケージ；下部パッケージの上部に配置され、一面にキャビティが形成された絶縁層と、絶縁層の一面及び内部に形成された回路層と、キャビティの内壁及び他面に形成され、回路層の少なくとも一部と電気的に接続する放熱層とを含む第２プリント回路基板；第２プリント回路基板の上部に配置される第３プリント回路基板及び第３プリント回路基板の上部に配置された第２素子を含む上部パッケージ；を含み、第１素子の少なくとも一部がキャビティに挿入される半導体パッケージが提供される。
【０００８】
第１素子と放熱層との間に介在される放熱部材をさらに含む。
【０００９】
本発明の特徴及び利点は、添付図面に基づいて後述する詳細な説明により、より明らかになるであろう。
【００１０】
これに先だち、本明細書及び特許請求の範囲に用いられる用語や単語は通常の意味や辞書的な意味に限定して解釈してはならず、発明者は自らの発明を最善の方法で説明するために用語の概念を適切に定義することができるという原則を根拠にして本発明の技術的思想に適合する意味と概念として解釈すべきである。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の実施例に係るプリント回路基板を示す例示図である。
【図２】本発明の実施例に係るプリント回路基板の製造方法を示すフローチャートである。
【図３】プリント回路基板の製造方法の一工程を示す例示図である。
【図４】図３に示された工程の次の工程を示す図である。
【図５】図４に示された工程の次の工程を示す図である。
【図６】図５に示された工程の次の工程を示す図である。
【図７】図６に示された工程の次の工程を示す図である。
【図８】図７に示された工程の次の工程を示す図である。
【図９】図８に示された工程の次の工程を示す図である。
【図１０】図９に示された工程の次の工程を示す図である。
【図１１】図１０に示された工程の次の工程を示す図である。
【図１２】図１１に示された工程の次の工程を示す図である。
【図１３】本発明の実施例に係る半導体パッケージを示す例示図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
本発明の目的、特定の利点及び新規な特徴は、添付された図面及び連関する以下の詳細な説明及び好ましい実施例により、より明らかになるであろう。本明細書において、各図面の構成要素に参照番号を付するにあたり、同一の構成要素に限っては、たとえ他の図面上に表示されていても、できるだけ同一の番号を有するようにしている事に留意しなければならない。また、「第１」、「第２」、「一面」、「他面」などの用語は、一つの構成要素を他の構成要素から区別するために用いられ、構成要素が上記用語によって限定されるものではない。以下、本発明を説明するにあたり、本発明の要旨を不明にすると判断される公知技術についての詳細な説明は省略する。
【００１３】
以下、添付された図面を参照して本発明の好ましい実施形態を詳細に説明する。
【００１４】
図１は、本発明の実施例に係るプリント回路基板を示す例示図である。
【００１５】
図１を参照すると、本発明の実施例に係るプリント回路基板１００は、絶縁層と、回路層と、放熱層１８０と、を含む。
【００１６】
本発明の実施例によれば、絶縁層には、一面に凹状に凹んだキャビティ１６０が形成される。また、本発明の実施例によれば、絶縁層は、第１絶縁層１１０と第２絶縁層１４０とに分けられる。
【００１７】
本発明の実施例に係る第１絶縁層１１０及び第２絶縁層１４０は、通常的に層間絶縁素材として用いられる複合高分子樹脂で形成される。例えば、第１絶縁層１１０及び第２絶縁層１４０は、プリプレグ、ＡＢＦ（Ａｊｉｎｏｍｏｔｏ  Ｂｕｉｌｄ  ｕｐ  Ｆｉｌｍ）及びＦＲ−４、ＢＴ（Ｂｉｓｍａｌｅｉｍｉｄｅ  Ｔｒｉａｚｉｎｅ）などのエポキシ樹脂で形成することができる。しかし、本発明の実施例において第１絶縁層１１０及び第２絶縁層１４０を形成する物質がこれに限定されることはない。本発明の実施例に係る第１絶縁層１１０及び第２絶縁層１４０は、回路基板分野で公知の絶縁材から選択可能である。
【００１８】
本発明の実施例によれば、回路層は、絶縁層の一面及び内部に形成される。また、本発明の実施例によれば、回路層は、第１回路層１２０から第３回路層１９５に分けられる。
【００１９】
本発明の実施例によれば、第１回路層１２０は、第１絶縁層１１０の一面に形成される。図１では、一面は下面に相当し、他面は上面に相当する。
【００２０】
本発明の実施例によれば、第１回路層１２０は、接地パターン１２１と信号パターン１２２とを含む。ここで、接地パターン１２１は、キャビティ１６０が形成されている領域に位置することになる。本発明の実施例では、キャビティ１６０が形成された領域に接地パターン１２１が形成されることを示しているが、これに限定されない。当業者の選択により、キャビティ１６０が形成される領域に信号パターン１２２を形成することも可能である。
【００２１】
本発明の実施例によれば、第２回路層１９０は、第２絶縁層１４０の一面に形成される。図１に示すように、第２回路層１９０の一部は、放熱層１８０と接触することが可能である。
【００２２】
本発明の実施例によれば、第３回路層１９５は、第１絶縁層１１０の他面に形成される。
【００２３】
本発明の実施例によれば、第１回路層１２０から第３回路層１９５は、回路基板分野で公知の伝導性物質で形成される。例えば、第１回路層１２０から第３回路層１９５は銅で形成される。
【００２４】
本発明の実施例によれば、放熱層１８０は、キャビティ１６０の内部に形成される。放熱層１８０は、キャビティ１６０の内壁及び上面に形成される。キャビティ１６０の上面に形成された放熱層１８０は、キャビティ１６０により露出された第１回路層１２０と接触することになる。このとき、放熱層１８０は、接地パターン１２１と接触して電気的に接続される。このような構造により放熱層１８０は、伝導された熱を接地パターン１２１に伝達して、プリント回路基板１００の放熱性能を向上させる。
【００２５】
本発明の実施例によれば、プリント回路基板１００は、貫通ビア１７０、接着層１３０及び保護層１９７を含むことも可能である。
【００２６】
本発明の実施例によれば、プリント回路基板１００は、貫通ビア１７０を含む。貫通ビア１７０は、第１絶縁層１１０と第２絶縁層１４０とを貫通し、第１回路層１２０から第３回路層１９５を電気的に接続させる。貫通ビア１７０に電気的に接続される回路層は、当業者の選択により変更可能である。
【００２７】
本発明の実施例によれば、貫通ビア１７０は、銅のように回路基板分野で公知の伝導性物質で形成される。
【００２８】
本発明の実施例によれば、接着層１３０は、第１回路層１２０及び第１絶縁層１１０と第２絶縁層１４０との間に形成される。接着層１３０は、第２絶縁層１４０と第１回路層１２０及び第１絶縁層１１０との間の接着力を向上させるために形成される。本発明の実施例によれば、接着層１３０は、回路基板分野で公知の非伝導性接着物質であればいずれを用いて形成してもよい。
【００２９】
本発明の実施例によれば、保護層１９７は、第２絶縁層１４０の一面に形成され、第２回路層１９０を覆って保護することになる。このとき、保護層１９７は、第２回路層１９０のうち外部部品に電気的に接続される部分が外部に露出するように形成される。
【００３０】
また、本発明の実施例によれば、保護層１９７は、第１絶縁層１１０の他面に形成され、第３回路層１９５を覆って保護することになる。このとき、保護層１９７は、第３回路層１９５のうち外部部品に電気的に接続される部分が外部に露出するように形成される。
【００３１】
本発明の実施例によれば、保護層１９７は、耐熱性被覆材料で形成される。例えば、保護層１９７は、ソルダーレジストで形成される。
【００３２】
図１には示されていないが、保護層１９７により外部に露出した回路層に表面処理層を形成してもよい。
【００３３】
図２は、本発明の実施例に係るプリント回路基板の製造方法を示すフローチャートである。
【００３４】
図３から図１２は、プリント回路基板の製造方法を示す例示図である。
【００３５】
図２に示すように、本発明の実施例に係るプリント回路基板の製造方法のフローチャートについては、図３から図１２の例示図を参考して説明する。
【００３６】
本発明の実施例に係るプリント回路基板の製造方法を説明するに当たっては、キャリア基板２００の一面を基準にして説明する。しかし、図面に示すように、キャリア基板２００の他面にも同様の製造方法が行われ、プリント回路基板を形成することが可能である。
【００３７】
図３及び図４を参照すると、キャリア基板２００に第１絶縁層１１０及び第１回路層１２０が形成される（図２のＳ１１０）。
【００３８】
図３を参照すると、キャリア基板２００が提供される。
【００３９】
本発明の実施例によれば、キャリア基板２００は、プリント回路基板の絶縁層及び回路層を形成する際に、これらを支持するための構成である。
【００４０】
本発明の実施例によれば、キャリア基板２００は、キャリアコア２１０にキャリア金属層２２０が積層された構造である。
【００４１】
例えば、キャリアコア２１０は、絶縁材質で形成される。しかし、キャリアコア２１０の材質は、絶縁材質に限定されず、金属材質または絶縁層と金属層とが一層以上積層された構造であってもよい。
【００４２】
例えば、キャリア金属層２２０は、銅（Ｃｕ）で形成される。しかし、キャリア金属層２２０の材質は銅に限定されず、回路基板分野で使用される伝導性物質であれば、制限されずに適用することができる。
【００４３】
本発明の実施例においてキャリア基板２００は、キャリアコア２１０の両面に１層のキャリア金属層２２０が積層された構造を説明したが、キャリア基板２００の構造は、これに限定されない。すなわち、本発明の実施例においてのキャリア基板２００は、説明と理解の便宜のために簡略に示したものである。例えば、キャリア基板２００は、キャリアコアに多層の金属層が積層され、多層の金属層間に離型層が形成されているものであることも可能である。したがって、以後に離型層が分離しながら最外層に形成された金属層を除いたキャリア基板がプリント回路基板から分離及び除去されることができる。このように、キャリア基板２００の構造は、本発明の実施例に限定されることはない。すなわち、当該技術分野で使用されるいずれの構造のキャリア基板も、本実施例に適用できる。
【００４４】
図４を参照すると、キャリア基板２００の一面に第１絶縁層１１０及び第１回路層１２０が形成される。
【００４５】
本発明の実施例によれば、第１絶縁層１１０は、キャリア基板２００のキャリア金属層２２０の一面に形成される。
【００４６】
本発明の実施例によれば、第１絶縁層１１０は、液状形態でキャリア金属層２２０に塗布される方法により形成される。または、第１絶縁層１１０は、フィルム形態でキャリア金属層２２０に積層及び加圧する方法により形成される。本発明の実施例に係る第１絶縁層１１０は、上述した方法だけでなく、回路基板分野で絶縁層を形成する方法であればいずれの方法を用いて形成してもよい。
【００４７】
本発明の実施例に係る第１絶縁層１１０は、通常、層間絶縁素材として用いられる複合高分子樹脂で形成される。例えば、第１絶縁層１１０は、プリプレグ、ＡＢＦ（Ａｊｉｎｏｍｏｔｏ  Ｂｕｉｌｄ  ｕｐ  Ｆｉｌｍ）及びＦＲ−４、ＢＴ（Ｂｉｓｍａｌｅｉｍｉｄｅ  Ｔｒｉａｚｉｎｅ）などのエポキシ系樹脂で形成可能である。しかし、本発明の実施例において第１絶縁層１１０を形成する物質がこれに限定されることはない。本発明の実施例に係る第１絶縁層１１０は、回路基板分野で公知の絶縁材から選択可能である。
【００４８】
本発明の実施例によれば、第１絶縁層１１０の一面に第１回路層１２０が形成される。
【００４９】
本発明の実施例によれば、第１回路層１２０は、無電解メッキ及び電解メッキ方式により形成される。または、第１回路層１２０は、金属箔を第１絶縁層１１０に積層して形成することも可能である。
【００５０】
本発明の実施例によれば、第１回路層１２０は、回路基板分野で公知の伝導性物質で形成される。例えば、第１回路層１２０は、銅で形成される。
【００５１】
本発明の実施例によれば、第１回路層１２０は、接地パターン１２１と信号パターン１２２とを含む。ここで、接地パターン１２１は、以後キャビティ（図示せず）が形成される領域に形成される。
【００５２】
図５及び図６を参照すると、第１絶縁層１１０及び第１回路層１２０の一面に第２絶縁層１４０及び金属層１５０が形成される（図２のＳ１２０）。
【００５３】
図５を参照すると、第１回路層１２０の上部に接着層１３０が形成される。
【００５４】
本発明の実施例によれば、接着層１３０は、以後第２絶縁層（図示せず）が形成される部分に形成される。
【００５５】
本発明の実施例によれば、接着層１３０は、回路基板分野で公知の非伝導性接着物質であればいずれを用いて形成してもよい。
【００５６】
図６を参照すると、接着層１３０に第２絶縁層１４０及び金属層１５０が形成される。
【００５７】
本発明の実施例によれば、第２絶縁層１４０の一面に金属層１５０が積層される。このとき、第２絶縁層１４０及び金属層１５０は、一部が打ち抜かれてキャビティ１６０が形成された状態で接着層１３０の一面に積層されて形成される。
【００５８】
本発明の実施例によれば、キャビティ１６０により第１回路層１２０の一部が外部に露出され、他の一部は第２絶縁層１４０に埋め込まれる。ここで、キャビティ１６０により外部に露出された第１回路層１２０は、接地パターン１２１である。本発明の実施例では、キャビティ１６０が形成される領域に接地パターン１２１が形成されることを図示及び説明しているが、これに限定されない。当業者の選択により、キャビティ１６０が形成される領域に信号パターン１２２が形成されることも可能である。
【００５９】
本発明の実施例によれば、第２絶縁層１４０は、通常、層間絶縁素材として用いられる複合高分子樹脂で形成される。例えば、第１絶縁層１１０は、プリプレグ、ＡＢＦ（Ａｊｉｎｏｍｏｔｏ  Ｂｕｉｌｄ  ｕｐ  Ｆｉｌｍ）及び  ＦＲ−４、ＢＴ（Ｂｉｓｍａｌｅｉｍｉｄｅ  Ｔｒｉａｚｉｎｅ）などのエポキシ系樹脂で形成されることが可能である。しかし、本発明の実施例において第１絶縁層１１０を形成する物質がこれに限定されることはない。本発明の実施例に係る第１絶縁層１１０は、回路基板分野で公知の絶縁材から選択できる。
【００６０】
本発明の実施例によれば、金属層１５０は、回路基板分野で公知の伝導性物質で形成される。例えば、金属層１５０は、銅で形成される。
【００６１】
本発明の実施例によれば、第２絶縁層１４０と金属層１５０とは互いに付着された状態で接着層１３０に積層される。しかし、これは実施例にすぎず、第２絶縁層１４０と金属層１５０とが形成される方法は、これに限定されない。例えば、接着層１３０の一面に第２絶縁層１４０を形成した後に、金属層１５０を形成することも可能である。
【００６２】
本発明において接着層１３０を形成するステップは、当業者の選択により省略可能である。
【００６３】
図７を参照すると、キャリア基板（図６の２００）が除去される（図２のＳ１３０）。
【００６４】
本発明の実施例によれば、キャリアコア（図６の２１０）とキャリア金属層２２０とが分離される。このとき、キャリアコア（図６の２１０）は除去され、キャリア金属層２２０は第１絶縁層１１０の他面に付着された状態となる。
【００６５】
図８を参照すると、貫通孔１７１が形成される。
【００６６】
本発明の実施例によれば、貫通孔１７１は、キャリア金属層２２０から金属層１５０まで貫通するように形成される。このとき、貫通孔１７１は、第１回路層１２０のうちの信号パターン１２２を貫通するように形成される。
【００６７】
本発明の実施例によれば、貫通孔１７１を形成する方法は、レーザドリルまたはＣＮＣドリルを用いて形成可能である。また、貫通孔１７１は、レーザドリルとＣＮＣドリルだけではなく、回路基板分野で公知の他の方法により形成されることも可能である。
【００６８】
図９を参照すると、貫通ビア１７０が形成される。
【００６９】
本発明の実施例によれば、貫通ビア１７０は、貫通孔１７１に伝導性物質を充填して形成する。このとき、貫通ビア１７０は、第１回路層１２０のうちの信号パターン１２２に電気的に接続される。
【００７０】
本発明の実施例によれば、貫通ビア１７０は、電解メッキまたはスクリーン印刷方法により形成される。または、貫通ビア１７０は、回路基板分野で公知の伝導性物質を形成する方法であればいずれを用いてもよい。
【００７１】
本発明の実施例によれば、貫通ビア１７０は、回路基板分野で公知の伝導性物質で形成される。例えば、貫通ビア１７０は、銅で形成される。
【００７２】
本発明の実施例によれば、伝導性物質が貫通孔１７１に形成されて貫通ビア１７０が形成される。このとき、図示されていないが、伝導性物質は、貫通孔１７１だけでなく、金属層１５０の一面及びキャリア金属層２２０の他面にも形成可能である。
【００７３】
図１０を参照すると、キャビティ１６０に放熱層１８０が形成される（図２のＳ１４０）。
【００７４】
本発明の実施例によれば、放熱層１８０は、電解メッキ方式により金属層１５０の一面、キャビティ１６０の内壁及び上面に形成される。また、放熱層１８０は、キャビティ金属層１５０の他面に形成される。ここで、キャビティ金属層１５０の他面は、外部に露出された面である。
【００７５】
本発明の実施例によれば、キャビティ１６０の上面に形成される放熱層１８０は、キャビティ１６０により外部に露出された第１回路層１２０の一面に接触する。すなわち、放熱層１８０は、接地パターン１２１に電気的に接続される。このような構造により、放熱層１８０は、伝導された熱を接地パターン１２１に直接伝導することにより、放熱機能が向上する。
【００７６】
本発明の実施例によれば、放熱層１８０は、回路基板分野で公知の伝導性物質で形成される。例えば、放熱層１８０は、銅で形成される。
【００７７】
図１１を参照すると、第２絶縁層の一面に第２回路層１９０が形成される（図２のＳ１５０）。
【００７８】
本発明の実施例によれば、第２回路層１９０は、第２絶縁層１４０の一面に形成された金属層１５０と放熱層１８０とをパターニングして形成される。このとき、図１０に示すように、キャビティ１６０の内壁に形成された放熱層１８０は、第２絶縁層１４０の一面に形成された金属層１５０に接触するようにパターニングされることも可能である。
【００７９】
また、第２回路層１９０が形成される際に、第１絶縁層１１０の他面に形成されたキャリア金属層２２０及び放熱層１８０もパターニングされて第３回路層１９５を形成することも可能である。
【００８０】
本発明の実施例に係る第２回路層１９０及び第３回路層１９５のパターニング方法は、回路基板分野で公知の回路層をパターニングする方法であればいずれを用いてもよい。
【００８１】
図１２を参照すると、保護層１９７が形成される。
【００８２】
本発明の実施例によれば、保護層１９７は、第２絶縁層１４０の一面に形成され、第２回路層１９０を覆って保護することになる。このとき、保護層１９７は、第２回路層１９０のうち外部部品に電気的に接続される部分を外部に露出するように形成される。
【００８３】
また、本発明の実施例によれば、保護層１９７は、第１絶縁層１１０の他面に形成され、第３回路層１９５を覆って保護することになる。このとき、保護層１９７は、第３回路層１９５のうち外部部品に電気的に接続される部分を外部に露出するように形成される。
【００８４】
本発明の実施例によれば、保護層１９７は、耐熱性被覆材料で形成される。例えば、保護層１９７は、ソルダーレジストで形成される。
【００８５】
図１２には示されていないが、保護層１９７により外部に露出された回路層に表面処理層を形成することも可能である。
【００８６】
図１３は、本発明の実施例に係る半導体パッケージを示す例示図である。
【００８７】
本発明の実施例によれば、半導体パッケージ３００は、下部パッケージ３１０と、上部パッケージ３２０と、第２プリント回路基板３３０と、を含む積層型半導体パッケージである。
【００８８】
本発明の実施例によれば、下部パッケージ３１０は、第１プリント回路基板３１１及び第１素子３１２を含む。ここで、第１プリント回路基板３１１は、一層以上の絶縁層と回路層とを含む。第１素子３１２は、第１プリント回路基板３１１の上面に配置され、第１プリント回路基板３１１に電気的に接続される。
【００８９】
本発明の実施例によれば、第１素子３１２の種類は、特に限定されない。すなわち、第１素子３１２は、公知のプリント回路基板に配置可能な素子であればいずれも適用可能である。
【００９０】
本発明の実施例によれば、上部パッケージ３２０は、第２プリント回路基板３３０の上部に配置される。本発明の実施例によれば、上部パッケージ３２０は、第３プリント回路基板３２１及び第２素子３２２を含む。ここで、第２プリント回路基板３３０は、一層以上の絶縁層と回路層とを含む。第２素子３２２は、第３プリント回路基板３２１の上面に配置され、第３プリント回路基板３２１に電気的に接続される。本発明の実施例によれば、第２素子３２２の種類は、特に限定されない。すなわち、第２素子３２２は公知のプリント回路基板に配置可能な素子であればいずれも適用可能である。
【００９１】
また、上部パッケージ３２０は、第２素子３２２を外部から保護するために、第２素子３２２を覆うように形成されたモールディング材３２３を含む。
【００９２】
本発明の実施例によれば、第２プリント回路基板３３０は、図１のプリント回路基板（図１の１００）である。よって、第２プリント回路基板３３０と図１のプリント回路基板（図１の１００）との構成部についての重複説明は省略する。詳細な説明は、図１を参照して説明する。
【００９３】
本発明の実施例によれば、第２プリント回路基板３３０は、上部パッケージ３２０と下部パッケージ３１０との間に形成される。また、第２プリント回路基板３３０は、外部接続端子３５０を介して上部パッケージ３２０及び下部パッケージ３１０に電気的に接続される。すなわち、第２プリント回路基板３３０は、半導体パッケージ３００においてインタポーザ（Ｉｎｔｅｒｐｏｓｅｒ）の役割を担うことができる。
【００９４】
本発明の実施例によれば、第２プリント回路基板３３０は、上部パッケージ３２０の上部に形成される。このとき、第２プリント回路基板３３０は、第１プリント回路基板３１１の上部に配置され、第１素子３１２の少なくとも一部がキャビティ１６０に挿入される。
【００９５】
本発明の実施例によれば、第１素子３１２とキャビティ１６０の上面に形成された放熱層１８０との間に放熱部材３４０が形成されることも可能である。このとき、放熱部材３４０の一面（下面）は、第１素子３１２に接触し、他面（上面）は、放熱層１８０に接触する。よって、放熱部材３４０は、第１素子３１２の熱を直接放熱層１８０に伝達する。空気ではなく熱伝導率の高い放熱部材３４０を介して第１素子３１２の熱が放熱層１８０に伝達されるので、半導体パッケージ３００の放熱性能がさらに向上される。
【００９６】
本発明の実施例によれば、放熱部材３４０は、伝導性ペーストで形成される。しかし、放熱部材３４０の材質は、伝導性ペーストに限定されず、回路基板分野において熱伝導度が高くて放熱に用いられる材質であればいずれも適用可能である。
【００９７】
以上本発明を具体的な実施例を参照して詳細に説明したが、これは本発明を具体的に説明するためのものであって、本発明は、これに限定されず、本発明の技術的思想内で当分野の通常の知識を有する者により、その変形や改良が可能であることは明らかである。
【００９８】
本発明の単純な変形または変更は、すべて本発明の範囲に属するものであり、本発明の具体的な保護範囲は、添付された特許請求の範囲により明確になるであろう。
【符号の説明】
【００９９】
１００      プリント回路基板
１１０      第１絶縁層
１２０    第１回路層
１２１      接地パターン
１２２      信号パターン
１３０      接着層
１４０      第２絶縁層
１５０      金属層
１６０      キャビティ
１７０      貫通ビア
１７１      貫通孔
１８０      放熱層
１９０      第２回路層
１９５      第３回路層
１９７      保護層
２００      キャリア基板
２１０      キャリアコア
２２０      キャリア金属層
３００      半導体パッケージ
３１０      下部パッケージ
３１１      第１プリント回路基板
３１２      第１素子
３２０      上部パッケージ
３２１      第３プリント回路基板
３２２      第２素子
３２３      モールディング材
３３０      第２プリント回路基板
３４０      放熱部材
３５０      外部接続端子
【図１】
2016225620.tif 000003
【図２】
2016225620.tif 000004
【図３】
2016225620.tif 000005
【図４】
2016225620.tif 000006
【図５】
2016225620.tif 000007
【図６】
2016225620.tif 000008
【図７】
2016225620.tif 000009
【図８】
2016225620.tif 000010
【図９】
2016225620.tif 000011
【図１０】
2016225620.tif 000012
【図１１】
2016225620.tif 000013
【図１２】
2016225620.tif 000014
【図１３】
2016225620.tif 000015