(57)【要約】【課題】優れた耐食性と導電性とを確保すると共に、耐摩耗性及び耐環境性の向上と、低コスト化を図ることができ、更に、端子接続部に接触させる端子金具の設計自由度を向上させることができるフラット回路体を提供すること。【解決手段】導電性材料で薄板状に形成される回路パターン３ａ〜３ｅを絶縁材料で形成された絶縁体層４ａ，４ｂで挟むと共に、一部には、その片面に前記絶縁体層４ａ，４ｂを設けずに前記回路パターン３ａ〜３ｅを露出させた端子接続部５ａ，５ｂ，５ｃを形成したフラット回路体２であって、回路パターン３ａ〜３ｅを、フッ素ドープ酸化スズで形成した。【選択図】図１
2016086061.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性材料で薄板状に形成される回路パターンを絶縁材料で形成された絶縁体層で挟むと共に、片面の一部には、前記回路パターンを露出させた端子接続部を形成したフラット回路体であって、
前記回路パターンを、フッ素ドープ酸化スズで形成したことを特徴とするフラット回路体。
【請求項２】
絶縁材料で形成された第１の絶縁体層の上に、フッ素ドープ酸化スズからなる回路パターンを形成し、絶縁材料で形成された第２の絶縁体層により前記回路パターンを覆うとともに前記回路パターンの片面の一部を露出させて端子接続部を形成することを特徴とするフラット回路体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば、車載の電子機器等に組み込まれるＦＰＣ(Flexible Printed Circuit)として使用されるフラット回路体に関する。
【背景技術】
【０００２】
下記特許文献１や特許文献２には、耐食性や導電性に優れた板状の導電体を形成する技術として、複数の金属材料層を積層した構造が開示されている。
【０００３】
図４は、このような特許文献１や特許文献２の技術を利用して製造可能なフラット回路体の構造を示している。
【０００４】
図４に示したフラット回路体１００は、絶縁体層１１０の上に板状の導電体１２０を形成し、更に、導電体１２０の上に絶縁体層１３０を形成することで、導電体１２０の保護と絶縁とを確保する。
【０００５】
板状の導電体１２０は、銅箔による基礎導電層１２１の上に、ニッケルによる中間導電層１２２を積層形成し、更に、中間導電層１２２の上に金メッキや銀メッキによる表面導電層１２３を積層形成した３層構造である。
【０００６】
表面導電層１２３は、コネクタに保持された端子金具や機器の接触端子を接触させる導電層で、金メッキや銀メッキにより所定の膜厚に形成することで、耐食性や、優れた導電性を確保する。
【０００７】
このフラット回路体１００の場合、端子金具や機器の接触端子を接触させる端子接続部では、導電体１２０の表面を覆う絶縁体層１３０を設けずに、表面導電層１２３を露出させておく。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００７−２９１５１０号公報
【特許文献２】特開平７−７３７６８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
ところが、図４に示したように、板状の導電体１２０を多層構造にした構成では、製造工程数が増えて、コストアップを招くという問題があった。
【００１０】
また、板状の導電体１２０の表面導電層１２３を金メッキや銀メッキにより形成する場合は、耐食性や導電性を高めることはできるが、材料コストが高いため、更にコストアップを招くという問題が生じた。
【００１１】
また、金メッキや銀メッキにより形成した表面導電層１２３は、機械的強度が低いため、この表面導電層１２３に接触させる端子金具の構造を、表面導電層１２３への接触圧が過大にならないように工夫する必要があり、表面導電層１２３に接触させる端子金具の設計自由度が制限されて、端子金具の設計が難しくなるという問題が生じた。
【００１２】
そこで、本発明の目的は、上記課題を解消することに係り、優れた耐食性と導電性とを確保すると共に、耐摩耗性及び耐環境性の向上と、低コスト化を図ることができ、更に、端子接続部に接触させる端子金具の設計自由度を向上させることができるフラット回路体及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明の前述した目的は、下記の構成により達成される。
（１）  導電性材料で薄板状に形成される回路パターンを絶縁材料で形成された絶縁体層で挟むと共に、片面の一部には、前記回路パターンを露出させた端子接続部を形成したフラット回路体であって、
前記回路パターンを、フッ素ドープ酸化スズで形成したことを特徴とするフラット回路体。
【００１４】
（２）  絶縁材料で形成された第１の絶縁体層の上に、フッ素ドープ酸化スズからなる回路パターンを形成し、絶縁材料で形成された第２の絶縁体層により前記回路パターンを覆うとともに前記回路パターンの片面の一部を露出させて端子接続部を形成することを特徴とするフラット回路体の製造方法。
【００１５】
上記（１）、（２）の構成によれば、薄板状に形成される回路パターンは、フッ素ドープ酸化スズによる単層構造であるため、材質の異なる複数の導電体層を積層した多層構造の従来品と比較すると、製造工程数を削減することができる。
【００１６】
また、フッ素ドープ酸化スズは、金や銀と比較して材料コストが低い。また、フッ素ドープ酸化スズは、スズの純金属と比較すると体積抵抗率が一桁以内の差であり、金や銀と比較してもそれほど遜色のない優れた導電性を有している。更に、フッ素ドープ酸化スズは、導電性の温度依存度が低く、耐食性や耐摩耗性も優れている。
【００１７】
更に、フッ素ドープ酸化スズで形成した回路パターンは耐摩耗性が優れるため、回路パターンの摩耗を軽減するように回路パターンに接触させる端子金具の構造を工夫する必要がない。従って、端子金具の設計自由度が向上するため、端子金具の設計を容易にすることもできる。
【００１８】
即ち、上記（１）、（２）の構成によれば、優れた耐食性と導電性とを確保することができ、また、耐摩耗性及び耐環境性の向上と、低コスト化を図ることができ、更に、端子接続部に接触させる端子金具の設計自由度を向上させて、端子金具の設計を容易にすることができる。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によるフラット回路体及びその製造方法によれば、優れた耐食性と導電性とを確保すると共に、耐摩耗性及び耐環境性の向上と、低コスト化を図ることができ、更に、端子接続部に接触させる端子金具の設計自由度を向上させることができる。
【００２０】
以上、本発明について簡潔に説明した。さらに、以下に説明される発明を実施するための形態（以下、「実施形態」という。）を添付の図面を参照して通読することにより、本発明の詳細は更に明確化されるであろう。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】図１は本発明に係るフラット回路体の一実施形態の平面図である。
【図２】図２は図１のＡ−Ａ断面図である。
【図３】図３は本発明の一実施形態のフラット回路体の端子接続部と、該端子接続部に接続する端子金具との側面図である。
【図４】図１は従来のフラット回路体の概略構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、本発明に係るフラット回路体の好適な実施形態について、図面を参照して詳細に説明する。
【００２３】
図１〜図３は本発明に係るフラット回路体の一実施形態を示したもので、図１は本発明の一実施形態のフラット回路体の一実施形態の平面図、図２は図１のＡ−Ａ断面図、図３は本発明の一実施形態のフラット回路体の端子接続部と、該端子接続部に接続する端子金具との側面図である。
【００２４】
この一実施形態のフラット回路体２は、図１及び図２に示すように、平面状に配列される複数の回路パターン３ａ〜３ｅを２枚の絶縁体層４ａ，４ｂで挟むと共に、一部には、回路パターン３ａ〜３ｅを露出させた端子接続部５ａ，５ｂ，５ｃを形成したものである。
【００２５】
本実施形態の場合、２枚の絶縁体層４ａ，４ｂは、例えばポリイミド樹脂のような絶縁性の樹脂材料で、所定厚さのシート状に形成されている。
【００２６】
複数の回路パターン３ａ〜３ｅは、フッ素ドープ酸化スズ（ＦＴＯ）を、絶縁体層４ａ上に、所定の厚さの薄板状に形成したものである。
【００２７】
絶縁体層４ａ上にフッ素ドープ酸化スズを薄板状に設けるには、例えば、スプレー熱分解（ＳＰＤ：Spray Pyrolysis Deposition）法により設けることができる。ＳＰＤ法はよく知られているように、基材を成膜温度まで加熱し、そこに向けて霧化器等の噴霧手段を用いて膜の原料となる溶液を噴霧することにより、反応初期には、基材表面に付着した液滴中の溶媒の蒸発と、溶質の熱分解に続く加水分解反応および熱酸化反応することにより結晶を形成させ、反応が進むにつれその結晶上に、液滴が付着し、液滴中の溶媒蒸発と共に、溶質および下部の結晶間で結晶成長を進行させ、薄膜を形成する方法である。ＳＰＤ法を採用することにより、なおフッ素ドープ酸化スズは、ＳＰＤ法以外にも公知の方法を採用し、形成することができる。
【００２８】
フッ素ドープ酸化スズは、金や銀と比較して材料コストが低い。また、フッ素ドープ酸化スズの膜（ＦＴＯ膜）は、スズ（Ｓｎ）の純金属と比較すると体積抵抗率が一桁以内の差であり、金や銀と比較してもそれほど遜色のない優れた導電性を有している。また、フッ素ドープ酸化スズは、導電性の温度依存度が低く、耐食性や耐摩耗性も優れていて、優れた耐久性を示す。
【００２９】
本実施形態の場合、フラット回路体２は、シート状の絶縁体層４ａの上に回路パターン３ａ〜３ｅを形成した後、絶縁体層４ａ及び回路パターン３ａ〜３ｅの上面の上に、絶縁体層４ｂを積層形成する。
【００３０】
そして、フラット回路体２における端子接続部５ａ，５ｂ，５ｃの部分は、絶縁体層４ｂを設けずに、回路パターン３ａ〜３ｅを露出させている。
【００３１】
即ち、本実施形態のフラット回路体２は、回路パターン３ａ〜３ｅが、絶縁材料でシート状に形成された２枚の絶縁体層４ａ，４ｂによって挾持されている。また、本実施形態のフラット回路体２の一部には、その片面（上面）側に位置する絶縁体層４ｂを設けずに、回路パターン３ａ〜３ｅを露出させた端子接続部５ａ，５ｂ，５ｃが形成される。
【００３２】
端子接続部５ａ，５ｂ，５ｃに露出した回路パターン３ａ〜３ｅには、図３に示す端子金具６が、接続される。なお、図示しないが、フラット回路体２の端部にスライダを備えることで、フラット回路体２と端子金具６との接続を容易にしている。
【００３３】
端子金具６は、基板用コネクタ等に保持される金属板製の端子金具であり、フラット回路体２を図３の矢印Ｘ１方向に押し込むと、絶縁体層４ａの下面４１を摺動して、絶縁体層４ａを支える下部アーム６１と、下部アーム６１と略平行に延出して下部アーム６１との間にフラット回路体２を挾持する上部アーム６２と、を備えている。
【００３４】
上部アーム６２は、フラット回路体２を図３の矢印Ｘ１方向に端子金具６に押し込むと、回路パターン３ａ〜３ｅの表面（上面）３１に弾性接触して、回路パターン３ａ上を摺動する接触突起部６２ａを有している。
【００３５】
端子金具６は、接触突起部６２ａを回路パターン３ａ〜３ｅの表面３１に弾性接触させることで、回路パターン３ａ〜３ｅとの導通接続を果たす。
【００３６】
以上に説明した一実施形態のフラット回路体２の場合、薄板状に形成される回路パターン３ａ〜３ｅは、フッ素ドープ酸化スズによる単層構造であるため、材質の異なる複数の導電体層を積層した多層構造の従来品と比較すると、製造工程数を削減することができる。
【００３７】
また、フッ素ドープ酸化スズは、金や銀と比較して材料コストが低い。また、フッ素ドープ酸化スズは、スズの純金属と比較すると体積抵抗率が一桁以内の差であり、金や銀と比較してもそれほど遜色のない優れた導電性を有している。更に、フッ素ドープ酸化スズは、導電性の温度依存度が低く、耐食性や耐摩耗性も優れている。
【００３８】
更に、フッ素ドープ酸化スズで形成した回路パターン３ａ〜３ｅは耐摩耗性が優れるため、回路パターンの摩耗を軽減するように回路パターン３ａ〜３ｅに接触させる端子金具６の構造を工夫する必要がない。従って、端子金具の設計自由度が向上するため、端子金具の設計を容易にすることもできる。
【００３９】
即ち、上記実施形態の構成によれば、優れた耐食性と導電性とを確保することができ、また、耐摩耗性及び耐環境性の向上と、低コスト化を図ることができ、更に、端子接続部５ａ，５ｂ，５ｃに接触させる端子金具６の設計自由度を向上させて、端子金具６の設計を容易にすることができる。
【００４０】
なお、本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく、適宜、変形、改良、等が可能である。その他、上述した実施形態における各構成要素の材質、形状、寸法、数、配置箇所、等は本発明を達成できるものであれば任意であり、限定されない。
【００４１】
例えば、上記実施形態では、２枚の絶縁体層４ａ，４ｂは、同一の樹脂材料（ポリイミド樹脂）で形成されているが、ポリイミド以外の絶縁性樹脂材料を使用することも可能であり、また、２枚の絶縁体層４ａ，４ｂを互いに異なる樹脂材料で形成することも可能である。
【００４２】
また、本発明のフラット回路体の端子接続部に接続する端子金具の構造も、上記実施形態に示した構造に限らない。
【００４３】
ここで、上述した本発明に係るフラット回路体及びその製造方法の実施形態の特徴をそれぞれ以下［１］〜［２］に簡潔に纏めて列記する。
【００４４】
［１］  導電性材料で薄板状に形成される回路パターン（３ａ〜３ｅ）を絶縁材料で形成された絶縁体層（４ａ，４ｂ）で挟むと共に、片面の一部には、前記回路パターン（３ａ〜３ｅ）を露出させた端子接続部（５ａ，５ｂ，５ｃ）を形成したフラット回路体（２）であって、
前記回路パターン（３ａ〜３ｅ）を、フッ素ドープ酸化スズで形成したことを特徴とするフラット回路体（２）。
【００４５】
［２］
絶縁材料で形成された第１の絶縁体層（４ａ）の上に、フッ素ドープ酸化スズからなる回路パターン（３ａ〜３ｅ）を形成し、絶縁材料で形成された第２の絶縁体層（４ｂ）により前記回路パターン（３ａ〜３ｅ）を覆うとともに前記回路パターン（３ａ〜３ｅ）の片面の一部を露出させて端子接続部（５ａ，５ｂ，５ｃ）を形成することを特徴とするフラット回路体（２）の製造方法。
【符号の説明】
【００４６】
２  フラット回路体
３ａ〜３ｅ  回路パターン
４ａ，４ｂ  絶縁体層
５ａ，５ｂ，５ｃ  端子接続部
【図１】
2016086061.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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