(57)【要約】【課題】可撓性基板を有する電子デバイスを効率よく製造する。【解決手段】電子デバイスの製造方法であって、支持基板上及び／又は可撓性基板上に加熱及び／又は活性エネルギー線の照射により硬化する樹脂材料を含む粘着層を形成する粘着層形成工程、該粘着層の特定領域に、加熱及び／又は活性エネルギー線を照射する特定領域形成工程、該粘着層を介して該可撓性基板を該支持基板に固定し、該支持基板と該可撓性基板を一体化した積層基板を形成する積層基板形成工程、及び、該積層基板の該可撓性基板側表面上に電子デバイス素子を形成する電子デバイス素子形成工程、を含むことを特徴とする電子デバイスの製造方法。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子デバイスの製造用の積層基板の製造方法であって、
該積層基板は、支持基板、可撓性基板及び粘着層を含み、
該支持基板上及び／又は該可撓性基板上に粘着層を形成する粘着層形成工程、
該粘着層を介して該可撓性基板を該支持基板に固定し、該支持基板と該可撓性基板を一体化する積層基板形成工程、及び、
該可撓性基板の側面の少なくとも一部に剥離抑制層を形成する剥離抑制層形成工程、を含むことを特徴とする積層基板の製造方法。
【請求項２】
電子デバイスの製造用の積層基板の製造方法であって、
該積層基板は、支持基板、可撓性基板及び粘着層を含み、
該支持基板上及び／又は該可撓性基板上に加熱及び／又は活性エネルギー線の照射により硬化する樹脂材料を含む粘着層を形成する粘着層形成工程、
該粘着層の特定領域に、加熱及び／又は活性エネルギー線を照射する特定領域形成工程、及び、
該粘着層を介して該可撓性基板を該支持基板に固定し、該支持基板と該可撓性基板を一体化する積層基板形成工程、を含むことを特徴とする積層基板の製造方法。
【請求項３】
前記積層基板形成工程後に、前記粘着層の少なくとも前記特定領域以外の領域に、加熱及び／又は活性エネルギー線を照射する積層基板加工工程を含む、請求項２に記載の積層基板の製造方法。
【請求項４】
前記積層基板形成工程において、前記可撓性基板の端部の少なくとも一部を加圧し、前記粘着層に該端部を埋め込むことを特徴とする請求項２又は３に記載の積層基板の製造方法。
【請求項５】
前記特定領域形成工程における前記活性エネルギー線が赤外線又は紫外線であることを特徴とする請求項２乃至４のいずれか１項に記載の積層基板の製造方法。
【請求項６】
電子デバイスの製造方法であって、
支持基板上及び／又は可撓性基板上に粘着層を形成する粘着層形成工程、
該粘着層を介して該可撓性基板を該支持基板に固定し、該支持基板と該可撓性基板を一体化した積層基板を形成する積層基板形成工程、
該可撓性基板の側面の少なくとも一部に剥離抑制層を形成する剥離抑制層形成工程、及び、
該積層基板の該可撓性基板側表面上に電子デバイス素子を形成する電子デバイス素子形成工程、を含むことを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【請求項７】
前記電子デバイス素子形成工程後に、
該積層基板から、少なくとも該剥離抑制層を含む該積層基板の一部領域を除去するために該積層基板の一部を切断する積層基板切断工程、及び、
少なくとも該支持基板を該積層基板から剥離する支持基板剥離工程、を含むことを特徴とする、請求項６に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項８】
電子デバイスの製造方法であって、
支持基板上及び／又は可撓性基板上に加熱及び／又は活性エネルギー線の照射により硬化する樹脂材料を含む粘着層を形成する粘着層形成工程、
該粘着層の特定領域に、加熱及び／又は活性エネルギー線を照射する特定領域形成工程、
該粘着層を介して該可撓性基板を該支持基板に固定し、該支持基板と該可撓性基板を一体化した積層基板を形成する積層基板形成工程、及び、
該積層基板の該可撓性基板側表面上に電子デバイス素子を形成する電子デバイス素子形成工程、を含むことを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【請求項９】
前記電子デバイス素子形成工程後に、
該積層基板から、少なくとも該特定領域以外の領域を除去するために該積層基板の一部を切断する積層基板切断工程、及び、
少なくとも該支持基板を該積層基板から剥離する支持基板剥離工程、を含むことを特徴とする、請求項８に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項１０】
前記積層基板形成工程後であって前記電子デバイス素子形成工程前に、前記粘着層の少なくとも前記特定領域以外の領域に、加熱及び／又は活性エネルギー線を照射する積層基板加工工程を含む、請求項８又は９に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項１１】
前記積層基板形成工程において、前記可撓性基板の端部の少なくとも一部を加圧し、前記粘着層に該端部を埋め込むことを特徴とする請求項８乃至１０のいずれか１項に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項１２】
前記特定領域形成工程における前記活性エネルギー線が赤外線又は紫外線であることを特徴とする請求項８乃至１１のいずれか１項に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項１３】
請求項６乃至１２のいずれか１項に記載の電子デバイスの製造方法を用いて製造された電子デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子デバイスの製造用の積層基板及び電子デバイスの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、照明用機器として白熱電球や蛍光灯が広く用いられている。これに対し、近年においては、面発光照明機器がそのソフトな印象の光や省エネルギー性能などの理由から次世代照明として注目を浴びており、有機エレクトロルミネッセンス（有機ＥＬ（Electro  Luminescence）、ＯＥＬ：Organic  Electro  Luminescence）、無機エレクトロルミネッセンス、又は発光ダイオードと導光板とを組合せたものが開発されている。中でも有機ＥＬは非常に薄く、機器の小型軽量化が可能であり、発熱も小さいといった点で注目されている。
【０００３】
有機ＥＬとは、有機物質からなる発光材料に電圧を印加してエネルギーを付与し、励起された当該発光材料が元の状態に戻る際に、光としてエネルギーを放出する現象のことをいう。有機ＥＬ技術を用いた有機ＥＬ素子には、有機物質からなる発光材料を含む有機層と、当該有機層を挟むように対向した２つの電極（陰極及び陽極）と、を基板上に順次積層した構造が一般的に用いられている。
【０００４】
有機ＥＬ素子に用いられる基板は、平滑性、ガスバリア性や透光性といった観点から、ある程度の厚みがあり適度な剛性を有するガラス基板が好適に用いられている。適度な剛性を有することから、このようなガラス基板は有機ＥＬ素子を製造する場合においても、基板の搬送を正確かつ容易に行える等の利点を有する。
【０００５】
一方で、最近、可撓性を有する基板（以下、可撓性基板と称す）を用いて有機ＥＬ素子を作製することで、曲げることが可能なフレキシブル照明としての期待が高まっている。該基板としては、樹脂等からなるプラスチック基板や、厚みが２００μｍ以下の極薄ガラス等が検討されている。
【０００６】
しかし、可撓性基板は剛性がないため、製造時における搬送等が正確に行えないという問題があった。この問題に対応するため、ある程度剛性を有する平板を支持基板として用い、この支持基板上に可撓性基板を仮止めした後、有機ＥＬの発光表示パネルの製造工程に供給し、製造工程後に、支持基板と可撓性基板を脱着することで、従来の製造工程を改造することなく利用可能とする検討がなされている（特許文献１参照）。
特許文献１は有機ＥＬ表示パネルの製造法に関するものであるが、この方法は有機ＥＬ素子に限られず、太陽電池や有機半導体といった電子デバイス一般に適用可能である。すなわち、従来の電子デバイスの製造設備において、可撓性基板を有するフレキシブルな電子デバイスを製造しようとする場合、特許文献１と同様に支持基板を使用して製造することが考えられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００４−１１１１５９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
特許文献１のように、支持基板を用いて発光表示パネルの製造を行った場合、発光表示パネルの製造工程後に支持基板と可撓性基板を脱着する必要がある。そのため可撓性基板と支持基板はあくまで仮止めされている状態であり、それらの密着性は比較的弱い。
一方で、発光表示パネルを含む電子デバイスの製造工程には、通常、水や有機溶媒等で基板表面を洗浄する洗浄工程や、エアー等のガスの吹き付けや加熱による乾燥工程も含まれる。後に脱着可能なように可撓性基板と支持基板を仮止めした状態では、このような洗浄工程や乾燥工程において、仮止めした領域が部分的に剥離してしまい、製造歩留まりが低下するという問題がある。
【０００９】
本発明はこのような課題に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、可撓性基板を有する電子デバイスの製造方法において、効率よく電子デバイスを製造するための方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意検討した結果、可撓性基板を支持基板に固定する方法を工夫することによって、効率よく電子デバイスを製造できることを見出し、本発明に到達した。
本発明は以下を要旨とするものである。
【００１１】
［１］  電子デバイスの製造用の積層基板の製造方法であって、該積層基板は、支持基板、可撓性基板及び粘着層を含み、該支持基板上及び／又は該可撓性基板上に粘着層を形成する粘着層形成工程、該粘着層を介して該可撓性基板を該支持基板に固定し、該支持基板と該可撓性基板を一体化する積層基板形成工程、及び、該可撓性基板の側面の少なくとも一部に剥離抑制層を形成する剥離抑制層形成工程、を含むことを特徴とする積層基板の製造方法。
【００１２】
［２］  電子デバイスの製造用の積層基板の製造方法であって、該積層基板は、支持基板、可撓性基板及び粘着層を含み、該支持基板上及び／又は該可撓性基板上に加熱及び／又は活性エネルギー線の照射により硬化する樹脂材料を含む粘着層を形成する粘着層形成工程、該粘着層の特定領域に、加熱及び／又は活性エネルギー線を照射する特定領域形成工程、及び、該粘着層を介して該可撓性基板を該支持基板に固定し、該支持基板と該可撓性基板を一体化する積層基板形成工程、を含むことを特徴とする積層基板の製造方法。
【００１３】
［３］  前記積層基板形成工程後に、前記粘着層の少なくとも前記特定領域以外の領域に、加熱及び／又は活性エネルギー線を照射する積層基板加工工程を含む、［２］に記載の積層基板の製造方法。
【００１４】
［４］  前記積層基板形成工程において、前記可撓性基板の端部の少なくとも一部を加圧し、前記粘着層に該端部を埋め込むことを特徴とする［２］又は［３］に記載の積層基板の製造方法。
【００１５】
［５］  前記特定領域形成工程における前記活性エネルギー線が赤外線又は紫外線であることを特徴とする［２］乃至［４］のいずれかに記載の積層基板の製造方法。
【００１６】
［６］  電子デバイスの製造方法であって、支持基板上及び／又は可撓性基板上に粘着層を形成する粘着層形成工程、該粘着層を介して該可撓性基板を該支持基板に固定し、該支持基板と該可撓性基板を一体化した積層基板を形成する積層基板形成工程、該可撓性基板の側面の少なくとも一部に剥離抑制層を形成する剥離抑制層形成工程、及び、該積層基板の該可撓性基板側表面上に電子デバイス素子を形成する電子デバイス素子形成工程、を含むことを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【００１７】
［７］  前記電子デバイス素子形成工程後に、該積層基板から、少なくとも該剥離抑制層を含む該積層基板の一部領域を除去するために該積層基板の一部を切断する積層基板切断工程、及び、少なくとも該支持基板を該積層基板から剥離する支持基板剥離工程、を含むことを特徴とする、［６］に記載の電子デバイスの製造方法。
【００１８】
［８］  電子デバイスの製造方法であって、支持基板上及び／又は可撓性基板上に加熱及び／又は活性エネルギー線の照射により硬化する樹脂材料を含む粘着層を形成する粘着層形成工程、該粘着層の特定領域に、加熱及び／又は活性エネルギー線を照射する特定領域形成工程、該粘着層を介して該可撓性基板を該支持基板に固定し、該支持基板と該可撓性基板を一体化した積層基板を形成する積層基板形成工程、及び、該積層基板の該可撓性基板側表面上に電子デバイス素子を形成する電子デバイス素子形成工程、を含むことを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【００１９】
［９］  前記電子デバイス素子形成工程後に、該積層基板から、少なくとも該特定領域以外の領域を除去するために該積層基板の一部を切断する積層基板切断工程、及び、少なくとも該支持基板を該積層基板から剥離する支持基板剥離工程、を含むことを特徴とする、［８］に記載の電子デバイスの製造方法。
【００２０】
［１０］  前記積層基板形成工程後であって前記電子デバイス素子形成工程前に、前記粘着層の少なくとも前記特定領域以外の領域に、加熱及び／又は活性エネルギー線を照射する積層基板加工工程を含む、［８］又は［９］に記載の電子デバイスの製造方法。
【００２１】
［１１］  前記積層基板形成工程において、前記可撓性基板の端部の少なくとも一部を加圧し、前記粘着層に該端部を埋め込むことを特徴とする［８］乃至［１０］のいずれかに記載の電子デバイスの製造方法。
【００２２】
［１２］  前記特定領域形成工程における前記活性エネルギー線が赤外線又は紫外線であることを特徴とする［８］乃至［１１］のいずれかに記載の電子デバイスの製造方法。
【００２３】
［１３］  ［６］乃至［１２］のいずれかに記載の電子デバイスの製造方法を用いて製造された電子デバイス。
【発明の効果】
【００２４】
本発明に係る電子デバイスの製造方法によれば、可撓性基板を有する電子デバイスを効率よく製造することが可能となる。
即ち、本発明によれば、支持基板で可撓性基板を支持して電子デバイスを製造するに当たり、電子デバイス素子形成工程においては、可撓性基板が支持基板から剥離しないように可撓性基板を支持基板に安定かつ確実に固定することができ、その後の支持基板剥離工程においては、支持基板を容易に剥離除去して、可撓性基板上に電子デバイス素子が形成された電子デバイスを歩留りよく製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】実施の形態に係る積層基板の構成例を示す模式的な断面図である。
【図２】剥離抑制層を形成した積層基板の一例を示す模式的な断面図である。
【図３】積層基板切断工程における切断位置を示す模式的な断面図である。
【図４】支持基板剥離工程を示す模式的な断面図である。
【図５】本発明に係る粘着層の特定領域を説明する粘着層形成後の支持基板の平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
以下、図面を参照し、本発明による積層基板の製造方法、及び電子デバイスの製造方法の実施の形態について詳細に説明する。なお、本発明は以下に説明する内容に限定されるものではなく、その要旨を変更しない範囲において任意に変更して実施することが可能である。また、本実施の形態の説明に用いる図面は、いずれも本発明による電子デバイス又はこれらの構成部材を模式的に示すものであって、理解を深めるべく部分的な強調、拡大、縮小、又は省略等を行っており、各構成部材の縮尺や形状等を正確に表すものとはなっていない場合がある。更に、本実施の形態で用いる様々な数値は、いずれも一例を示すものであり、必要に応じて様々に変更することが可能である。
【００２７】
本発明における「電子デバイス」とは、半導体を含有しかつ２つ以上の電極を有し、その電極間に流れる電流や生じる電圧を、電気、光、磁気、化学物質などにより制御するデバイス、あるいは、印加した電圧や電流により、光や電場、磁場などを発生させるデバイスである。例としては、有機光電変換素子、有機電界効果トランジスタ、有機ＥＬ素子、ガスセンサ、有機整流素子、有機インバータ、情報記録素子などが挙げられる。有機光電変換素子は光センサ用途、エネルギー変換用途（太陽電池）のいずれにも用いることができる。これらの中で、本発明が好ましく用いられるのは、有機電界効果トランジスタ、有機光電変換素子、有機ＥＬ発光デバイスであり、より好ましくは有機ＥＬ発光デバイスである。
また、本発明における「電子デバイス素子」とは、上記電子デバイスの機能を発現させるために必要な層構成すべてを指すものとする。
また、以下において、「側面」とは、積層基板や可撓性基板、支持基板、粘着層の厚み方向の面をさす。
【００２８】
まず、本発明の製造方法によって製造される積層基板（以下、「本発明の積層基板」と称す場合がある。）について説明する。
図１は、実施の形態に係る本発明の積層基板の構成例を示す断面図である。
図１に示すように、積層基板１０は、支持基板１の一方の板面と可撓性基板３の一方の板面が、粘着層２を介して向き合う状態で固定されたものを指す。図１の積層基板１０を形成した後に、積層基板１０の可撓性基板３側の表面上に、電子デバイス素子を形成する電子デバイス素子形成工程を経ることで、電子デバイスが製造される。
【００２９】
以下、積層基板１０の各構成要素について説明する。
【００３０】
＜積層基板１０の構成要素＞
（支持基板１）
支持基板１は、電子デバイス素子形成工程において搬送等に不具合を生じない程度の剛性を有していればよく、素材としては、ガラス、金属又は樹脂等の材料が挙げられる。また、支持基板１は、可撓性基板３と粘着層２を介して固定されることから、可撓性基板３と同等以上の表面平滑性を有することが好ましい。支持基板１の厚みとしては、電子デバイス素子形成工程において不具合が生じない範囲であればよく、素材にもよるが、通常、０．５〜５ｍｍ程度のものが用いられる。このような特徴が求められることから、支持基板１として用いられる素材は、ガラスが好ましい。ガラスの種類としては、ソーダガラス、ホウ酸ガラス、アルミノ珪酸ガラス、石英ガラスなどが挙げられる。上記ガラスの平均熱膨張係数は、好ましくは１５ｐｐｍ／℃以下、より好ましくは１０ｐｐｍ／℃以下である。本発明においては、支持基板１を構成するガラスの種類は特に限定されないが、比較的コストが低いことから、ソーダガラスが好ましい。
【００３１】
（粘着層２）
本発明の第１の実施態様（以下、適宜「実施態様１」と称す。）における粘着層２は、可撓性基板３を支持基板１に固定可能な粘着材料を含む層である。粘着材料とは、可撓性基板３を支持基板１に保持するための接着剤の役割を果たす材料で、具体的には、シリカ系接着剤、シリコーン系樹脂、シリコーン系エラストマー、天然ゴム系樹脂、天然ゴムラテックス系エラストマー、合成ゴム、でんぷん系樹脂、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、膠、オレフィン系樹脂、ウレタン系樹脂、エチレン−酢酸ビニル系樹脂、塩化ビニル系樹脂、クロロプレンゴム系樹脂、シアノアクリレート系樹脂、スチレン−ブタジエンゴム系樹脂、ニトリルゴム系樹脂、ニトロセルロース系樹脂、フェノール系樹脂、変性シリコーン系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリウレタン系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、ポリ酢酸ビニル系樹脂、ポリスチレン系樹脂、ポリビニルアルコール系樹脂、ポリビニルピロリドン系樹脂、ポリビニルブチラール系樹脂、ポリベンズイミダゾール系樹脂、ポリメタクリレート系樹脂、ユリア系樹脂、レゾルシノール系樹脂や、これら樹脂を２種以上混合させた樹脂が挙げられる。中でも、撥液性が良く可撓性基板３と粘着層２との界面に浸透する溶液をはじきやすい観点から、シリコーン系樹脂、シリコーン系エラストマーが好ましい。
【００３２】
これらの粘着材料は、加熱時にアウトガスの発生が少ないことが好ましく、これらの粘着材料を加熱した際の１％重量減少が起きる温度が、通常１５０℃以上、好ましくは２００℃以上、より好ましくは２３０℃以上、さらに好ましくは２５０℃以上である。
【００３３】
また、粘着層２の粘着力は、電子デバイス素子形成工程後に、積層基板１０から支持基板１及び粘着層２を剥離する場合には、可撓性基板３を支持基板１に固定できる程度において、可撓性基板３と粘着層２との間で剥離が可能な程度の粘着力である必要がある。粘着層２と可撓性基板３の間における固定の度合いを示す粘着力は、後述の支持基板剥離工程と、粘着層２の材質によって適宜決定すればよいが、好ましくは０．００５Ｎ／２５ｍｍ以上、より好ましくは０．０１Ｎ／２５ｍｍ以上、さらに好ましくは０．０２Ｎ／２５ｍｍ以上であり、好ましくは４．０Ｎ／２５ｍｍ以下、より好ましくは１．０Ｎ／２５ｍｍ以下、さらに好ましくは０．１５Ｎ／２５ｍｍ以下である。この範囲の粘着力であれば、可撓性基板３を支持基板１に固定することができ、かつ可撓性基板３上に形成した電子デバイス素子６を破壊することなく可撓性基板３を剥離することが可能である。ここでいう粘着力とは、ＪＩＳＺ０２３７に記載の測定方法により得られる値で、上記に記載の値は粘着層の厚みが３０μｍ、基材にポリイミドフィルムを、被着体にステンレスを用いたときの値である。
【００３４】
また、粘着層２のボールタックは、可撓性基板３上に形成した電子デバイス素子６を破壊することなく可撓性基板３を支持基板１から剥離できる観点から、好ましくはボールナンバーが１０以下、より好ましくは５以下、さらに好ましくは３以下である。
【００３５】
粘着層２の厚みは、所定の粘着力を確保するのに必要な厚みであればよく、好ましくは１μｍ以上、より好ましくは５μｍ以上、さらに好ましくは１０μｍ以上であり、粘着層２の形成を容易にするために、好ましくは２００μｍ以下、より好ましくは１００μｍ以下、さらに好ましくは５０μｍ以下である。
【００３６】
本発明の第２の実施態様（以下、適宜「実施態様２」と称す。）における粘着層２は、可撓性基板３を支持基板１に固定可能な樹脂材料を含む層である。この樹脂材料は、粘着層成膜後に加熱及び／又は活性エネルギー線の照射により硬化する性質を有する。このような樹脂材料としては、加熱及び／又は活性エネルギー線の照射により化学反応する官能基を有する樹脂材料が好ましく、具体的には、シリコーン系樹脂、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、オレフィン系樹脂、ウレタン系樹脂、シアノアクリレート系樹脂、フェノール系樹脂、変性シリコーン系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリビニルブチラール系樹脂、ポリベンズイミダゾール系樹脂、ユリア系樹脂、レゾルシノール系樹脂や、これら樹脂を２種以上混合させた樹脂が挙げられる。中でも、シリコーン系樹脂、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、ウレタン系樹脂が好ましく、撥液性が良く可撓性基板３と粘着層２との界面に浸透する溶液をはじきやすい観点から、シリコーン系樹脂が好ましい。
【００３７】
このような加熱及び／又は活性エネルギー線の照射により化学反応する官能基を有する樹脂材料は、加熱や活性エネルギー線の照射により、付加反応や架橋反応、開環反応などの反応が起こり、樹脂が網目構造を形成することで硬化する。
これらの材料の加熱時のアウトガス発生量、粘着力、ボールタック、厚みの好適条件については、実施態様１における粘着層２と同様である。
【００３８】
（可撓性基板３）
可撓性基板３には、上記粘着層２とは反対側の表面上に電子デバイス素子が形成される。可撓性基板３は、電子デバイス素子とともに電子デバイスを構成する。可撓性基板３は、フレキシブルな電子デバイスとして要求される可撓性により、適宜好ましい材料を選択すればよいが、厚さ２００μｍ以下のガラス板（以下、薄膜ガラスと記載）や、フィルム状の樹脂製基材等が好ましく用いられる。また、可撓性基板３は、電子デバイスの種類によって、要求される強度、ガスバリア性、透明性等が異なるため、これらの要求に応じて適宜材料や設計を選択すればよい。たとえば、フィルム状の樹脂製基材にガスバリア性を付与するために、フィルム状の樹脂製基材上に無機薄膜層を積層形成する方法が挙げられる。
【００３９】
可撓性基板３を構成する樹脂材料としては、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリイソブチレン、ポリイソプレン、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）等のポリエステル、ポリスチレン、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート、ポリカーボネート、ポリウレタン、アクリル樹脂、ポリアクリロニトリル、ポリビニルアセタール、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリイミド、ジアクリルフタレート樹脂、セルロース系樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリ酢酸ビニル、エポキシ樹脂、その他の熱可塑性樹脂や、これらの樹脂を構成する単量体の２種以上の共重合体が挙げられる。
また、薄膜ガラスや、前記薄膜ガラスに上述の樹脂を積層及び／又は被覆させた樹脂積層薄膜ガラス基板、さらに、樹脂積層薄膜ガラスを多重に積層させた基板も可撓性基板３として使用することができる。
【００４０】
上記薄膜ガラスの成形方法は、任意の適切な方法がとられるが、たとえばスロットダウンドロー法、フュージョン法、フロート法等が挙げられる。また、上記薄膜ガラスは、市販のものをそのまま用いてもよく、あるいは、市販のガラスを所望の厚みになるように研磨して用いることも可能である。市販のガラスとしては、たとえば、コーニング社製「ＥＡＧＬＥ２０００」、旭硝子社製「ＡＮ１００」、日本電気硝子社製「ＯＡ−１０Ｇ」、ショット社製「Ｄ２６３」などが挙げられる。
【００４１】
これらの可撓性基板３の厚さは、可撓性基板３の構成材料によっても異なるが、可撓性確保の観点から、通常２００μｍ以下、好ましくは１００μｍ以下、より好ましくは７５μｍ以下であり、機械的強度の観点から通常１μｍ以上、好ましくは１０μｍ以上、より好ましくは３０μｍ以上である。
【００４２】
可撓性基板３と支持基板１の板面のサイズは通常略同等であるが、電子デバイス素子形成工程の搬送機構によっては、支持基板１のサイズを可撓性基板３よりも大きくしてもよい。
【００４３】
＜本発明の実施態様１＞
次に、本発明の積層基板及び電子デバイスの製造方法の第１の実施態様について、適宜概念図を用いて説明する。
【００４４】
（粘着層形成工程）
粘着層形成工程では、支持基板１上及び／又は可撓性基板３の板面上に粘着層２を形成する。粘着層２は、支持基板１上、可撓性基板３上のいずれに形成してもよいし、支持基板１と可撓性基板３の両方の基板（以下、単に「両基板」と記載する。）上に形成し、形成した面同士を貼り合せてもよい。以下では支持基板１上に粘着層２を形成する態様について説明する。
【００４５】
支持基板１及び粘着層２の詳細については前述の通りである。粘着層２を支持基板１上に形成する方法については、粘着層２の粘着材料や樹脂材料により適宜選択可能である。例えば、フィルム状の粘着シートを支持基板１に貼付してもよいし、粘着層２の粘着材料や樹脂材料を含む粘着層形成用樹脂組成物を調製し、支持基板１上に該粘着層形成用樹脂組成物を湿式塗布し、乾燥することによって形成してもよい。湿式塗布の方法は、スピンコート、ダイコート、スクリーン印刷等、公知の方法から適宜選択すればよい。粘着層形成用樹脂組成物には、粘着層２に含まれる粘着材料や樹脂材料の他に、有機溶媒や触媒、密着性向上剤等の添加物を適宜添加してもよい。
【００４６】
粘着層２を形成する両基板面内における領域は、両基板の板面部分のサイズが略同等の場合は両基板の板面の全面に形成されることが好ましく、可撓性基板３の板面部分のサイズが支持基板１のそれより小さい場合は、可撓性基板３の板面に相当する全領域に形成されることが好ましい。
【００４７】
支持基板１上に粘着層２を形成する場合、支持基板１と粘着層２の界面は強固に固定されていることが好ましい。強固に固定させる方法として、たとえば、少なくとも支持基板１上に粘着層２を塗布して形成する方法、シランカップリング剤等の密着性向上剤を添加した樹脂を用いて粘着層２を形成する方法、支持基板１上にプライマー樹脂等の密着性を向上させる層を形成後に前述の粘着材料からなる層を形成し、複数層構造の粘着層２を形成する方法、支持基板１表面上に、ＵＶ−Ｏ３洗浄やプラズマ洗浄等の表面処理を行ってから粘着層２を形成する方法、粘着層２を形成後に加熱等を施すことにより密着性を向上させる方法等が挙げられる。このような処理を行うことにより、支持基板１と粘着層２の間の密着性を、可撓性基板３と粘着層２の間の密着性よりも強くすることで、後述の支持基板剥離工程において、支持基板１と粘着層２の間ではなく、可撓性基板３と粘着層２の間において容易に剥離することが可能となる。
【００４８】
（積層基板形成工程）
積層基板形成工程は、粘着層２が形成された支持基板１の粘着層２側の表面に、可撓性基板３を貼り合せて固定することで、粘着層２を介して支持基板１と可撓性基板３を一体化し、積層基板１０を形成する工程である。可撓性基板３の詳細については前述の通りである。この場合、両基板を重ね合せるのみでもよいし、両基板を重ね合せた後にローラーやプレス機等を用いて通常０．０５ＭＰａ以上、好ましくは０．２ＭＰａ以上、より好ましくは０．３ＭＰａ以上、さらに好ましくは０．４５ＭＰａ以上の圧力で加圧してもよい。このような加圧を行うことで、より確実にかつ粘着層２と可撓性基板３の間において剥離しやすい程度に両基板同士を固定することが可能である。この加圧力の上限は、可撓性基板を変形させない観点から５．０ＭＰａ以下であることが好ましい。
また、両基板を通常１０００Ｐａ以下、好ましくは１００Ｐａ以下、より好ましくは５０Ｐａ以下の真空中で貼りあわせてもよい。このようにすることで、両基板間に気泡が生じにくくなり、より確実に両基板同士を固定することが可能である。
【００４９】
また、粘着層２が加熱及び／又は活性エネルギー線の照射により硬化する性質を有する樹脂材料からなる場合は、加熱又は活性エネルギー線照射により両基板同士の固定を行ってもよい。更には、これらの手法を２種以上組み合わせて実施してもよい。
ただし、後述の電子デバイス素子形成工程後に、積層基板１０から支持基板１及び粘着層２を剥離する場合には、後で剥離が可能な程度に固定する必要がある。
【００５０】
なお、電子デバイス素子形成工程等の以降の工程において、積層基板１０を加熱処理した場合、粘着層２に含まれている水分や低分子成分等の微少含有成分が揮発することで可撓性基板３と粘着層２との間に気泡が発生する恐れがある。この現象を抑制するために、可撓性基板３を支持基板１に貼り合せる直前に、粘着層２が形成された支持基板１を加熱処理することが好ましい。上述の微少含有成分を粘着層２からあらかじめ排除できるからである。この時の加熱温度は、通常５０℃以上、好ましくは１００℃以上、より好ましくは１３０℃以上、さらに好ましくは１５０℃以上である。また、加熱温度が高温になりすぎると、粘着層２が劣化するため、通常３００℃以下、好ましくは２５０℃以下、より好ましくは２００℃以下が好ましい。この加熱処理を行う環境として、微少含有成分が再付着しにくい環境であれば特段指定はないが、窒素等の不活性ガス雰囲気中、乾燥空気雰囲気中、クリーン雰囲気中が好ましい。乾燥空気の露点は、通常６℃以下、好ましくは０℃以下、より好ましくは−１０℃以下、さらに好ましくは−２０℃以下である。クリーン雰囲気は、通常クラス１００００以下、より好ましくはクラス１０００以下、さらに好ましくはクラス１００以下である。
【００５１】
（剥離抑制層形成工程）
上記積層基板形成工程を経て積層基板１０が得られるが、この状態で積層基板１０の可撓性基板３側の板面に、電子デバイス素子形成工程により電子デバイス素子を形成した場合、前述の通り、例えば、積層基板１０の表面の洗浄乾燥処理時に、両基板が部分的に剥離してしまう等の不具合が生じ、電子デバイスを効率よく製造できない可能性がある。このような現象の発生を抑えるため、可撓性基板３の側面の少なくとも一部に剥離抑制層４を設けるのが、本剥離抑制層形成工程である。
【００５２】
図２に剥離抑制層４を形成した積層基板１０の模式的な断面図を示す。図２（ａ）は支持基板１と可撓性基板３のサイズが略同一である場合を示し、図２（ｂ）は可撓性基板３が支持基板１よりもサイズが小さい場合を示す。図２（ａ）において、剥離抑制層４は、積層基板１０の側面において、可撓性基板３の側面３Ａの粘着層２側の一部と、粘着層の側面２Ａと、支持基板１の側面１Ａの粘着層２側の一部を覆うように、可撓性基板３から支持基板１にまたがって設けられている。ここで、支持基板１と粘着層２の間の密着性が十分強い場合は、剥離抑制層４は、可撓性基板３の側面３Ａの粘着層２側の一部と、粘着層２の側面２Ａの可撓性基板３側の一部にまたがっているのみでもよい。
図２（ｂ）においては、剥離抑制層４は、可撓性基板３の側面３Ａの粘着層２側の一部と、粘着層２の露出している表面を覆うように設けられている。
このような剥離抑制層４を設けることで、電子デバイス素子形成工程において、両基板が部分的に剥離することを抑制することが可能である。そのメカニズムは以下の通りである。
【００５３】
積層基板１０を用いて電子デバイスを作製する場合、電子デバイス素子を形成後に支持基板１及び粘着層２を積層基板１０から剥離することを必要とする場合、可撓性基板３を支持基板１に強く固定することが出来ない。このため、剥離抑制層４を形成していない積層基板１０では、電子デバイス素子形成工程において、例えば、可撓性基板３の表面の洗浄工程において、水や溶媒等が、外部に露出されている積層基板１０の側面部分から、可撓性基板３と粘着層２の界面に浸み込んでしまうことや、乾燥用のブロアーからの風が当たることで、外部に露出されている積層基板１０の側面近傍において、可撓性基板３が部分的に積層基板１０から剥離してしまう可能性が高くなる。一方、剥離抑制層４を形成した積層基板１０では、積層基板１０の側面における可撓性基板３と粘着層２の界面部分が、上記のような外部要因から保護されるため、可撓性基板３が部分的に積層基板１０から剥離してしまう可能性を低く抑えることが可能になる。ここでは、洗浄工程を例に挙げて説明したが、可撓性基板３の部分的な剥離を引き起こす工程は洗浄工程に限定されるものではない。
このようなことから、剥離抑制層４は、積層基板１０の側面において、少なくとも可撓性基板３と粘着層２との界面を覆うように形成される必要があるが、剥離抑制層４は、可撓性基板３と粘着層２との界面と支持基板１と粘着層２との界面を覆うように、可撓性基板３、粘着層２及び支持基板１にまたがって形成されることが好ましい。
【００５４】
また、上記のように、少なくとも可撓性基板３と粘着層２との界面を覆うように好ましくは可撓性基板３、粘着層２及び支持基板１にまたがって形成される剥離抑制層４は、積層基板１０の側面の少なくとも一部に形成されていればよいが、積層基板１０の全側周面に形成されることが好ましい。このように剥離抑制層４を積層基板１０の全側周面に形成することにより、より可撓性基板３と粘着層２の界面部分の保護効果を高めることができる。
【００５５】
なお、剥離抑制層４は、積層基板１０の側面から、支持基板１の板面の端部及び可撓性基板３の板面の端部にまで回り込むように断面コ字形に設けられてもよく、また、積層基板１０の側面から支持基板１又は可撓性基板３の板面の端部に回り込むように断面Ｌ字形に設けられていてもよい。
ただし、可撓性基板３の板面には、後述の通り、電子デバイス素子を形成する領域を確保する必要があり、また、後述の通り、剥離抑制層４の除去のために積層基板切断工程で切断して廃棄される材料を少なくする観点からも、上記のように支持基板１や可撓性基板３の板面の端部に回り込んで剥離抑制層４を形成する場合、この回り込み幅は小さい方が好ましく、１０ｍｍ以下とすることが好ましい。
【００５６】
剥離抑制層４は、電子デバイス形成工程終了後に、積層基板１０から剥離する必要は無い。なぜなら、後述する積層基板切断工程において、積層基板１０から切断により除去されるからである。積層基板切断工程を有する前提においては、剥離抑制層４と積層基板１０の固定の強さは、なるべく強くすることが好ましい。このようにすることで、より可撓性基板３と粘着層２の界面部分の保護効果を高めることができる。
【００５７】
剥離抑制層４を形成する材料は、可撓性基板３と粘着層２の界面に水や溶媒等が浸漬しにくい材料であれば特に指定されないが、粘着層２に用いられる前述の粘着材料が好ましい。粘着層２との密着性の観点から、粘着層２と同一の材料を使用することが好ましい。また、剥離抑制層４を位置精度よく形成できる観点から、紫外線硬化型樹脂、たとえばポリイミド系樹脂やアクリル系樹脂、エポキシ系樹脂を用いることも好ましい。
【００５８】
剥離抑制層４を形成する方法は、適宜選択すればよいが、以下に樹脂材料を用いて形成する場合を例示する。
剥離抑制層４を構成する樹脂材料を適当な溶媒に溶解させた液体（溶解樹脂）、もしくは該樹脂材料そのものの温度を上げて融解した液体（融解樹脂）に積層基板１０を浸し込むディッピング法によって、積層基板１０の側面に樹脂材料を被着せしめることができる。該液体は、適当な助剤（たとえば界面張力を制御する界面活性剤、酸化防止剤、反応抑制安定剤等）を含んでいてもよい。
【００５９】
積層基板１０が例えば略矩形であれば、積層基板１０の端辺の１つを前記ディッピング法によって被覆し、乾燥もしくは硬化させた後、順次残り３つの端辺も同様の工程を経て剥離抑制層４を形成することができる。積層基板１０が矩形以外の形状であっても、積層基板１０の板面の法線方向を軸とする回転及び該回転とリンクする上下動を伴うディッピング法によって積層基板１０の側面にのみ樹脂材料を被着させることができる。
この際、樹脂の乾燥もしくは硬化速度に見合う回転速度や回転パターン、雰囲気、温度等を適宜選択して、剥離抑制層４の厚みを制御し、回り込みや液だれを最小に抑えることが可能である。
【００６０】
他の方法として、回転するロール等を前記溶解樹脂もしくは融解樹脂に浸して、積層基板１０の端面を回転する該ロール等の表面に押し当ててコーティングする方法（いわゆるロールコーティング法）を採用することも可能である。この際、ロール等の表面形状や材質、硬度等を適宜選択することにより、剥離抑制層４の厚みを制御し、回り込みや液だれを最小に抑えることが可能である。
さらに他の方法として、積層基板１０の両面に塗布法によって樹脂をコーティングするか、または、予め別のフィルム等に樹脂を塗布あるいはラミネートしたものから転写するなどの方法によって、積層基板１０の側面を含む全面に樹脂を被着させておき、その後、剥離抑制層４に当たる部分以外の余分な樹脂を剥離するという方法によっても剥離抑制層４を形成することが可能である。
該余分な樹脂を剥離する方法としては、機械的に削り落とす方法や、化学的エッチング法（液相エッチング法、ＵＶ−Ｏ３法、等）及び物理的エッチング法（サンドブラスト法、イオンミリング法、反応性プラズマエッチング法、等）、該樹脂に感光剤を加えてフォトリソグラフィックに剥離領域を形成する方法などが採用可能である。剥離領域を決定するためには、前記エッチング法においてフォトリソグラフィーを利用してもよい。
【００６１】
また、その他の方法としては、パターン印刷法や、該樹脂に感光剤を加えてフォトリソグラフィックに樹脂不在領域を形成する方法、転写法において積層基板１０に樹脂が転写されないような領域を転写前のフィルム上の樹脂に予め形成しておく方法、ディスペンスロボットを用いて粘着層２と可撓性基板３の側面を覆うように剥離抑制層４を形成する方法、シリンジなどの容器を用いて積層基板１０の側周部にのみ溶解樹脂を塗布して剥離抑制層４を形成する方法等によって、一部に樹脂が存在しない領域を設けて剥離抑制層４としてもよい。
剥離領域の決定工程やそれに代わる工程においては、例えば、後工程で位置合わせが必要になるときのアライメントマークも同時に形成できる等の利点も生じる。
【００６２】
このようにして形成される剥離抑制層４の厚みは、電子デバイス形成工程において、積層基板１０からの可撓性基板３の剥離を抑制することができる程度である必要があり、剥離抑制層４の材料によっても異なるが、好ましくは１μｍ以上、より好ましくは５μｍ以上、さらに好ましくは１０μｍ以上であり、剥離抑制層４の形成を容易にするために、好ましくは６００μｍ以下、より好ましくは４００μｍ以下、さらに好ましくは１００μｍ以下である。
【００６３】
上記の剥離抑制層形成工程までを行うことで、本発明の実施態様１の電子デバイスの製造方法に好適な積層基板１０を製造することができる。この後、後述の電子デバイス素子形成工程等を経ることで、好ましくは更に、支持基板切断工程及び支持基板剥離工程を経ることで、本発明の実施態様１の電子デバイスの製造方法が完了する。
【００６４】
（電子デバイス素子形成工程）
電子デバイス素子形成工程は、積層基板１０の可撓性基板３側の表面（板面）に、電子デバイス素子６を形成する工程である。電子デバイス素子６については、所望の電子デバイスに必要な層構成を公知の方法で適宜形成すればよい。この際、本発明の実施態様１においては、支持基板１を含む積層基板１０として本工程を実施するため、可撓性基板３のみで実施するよりも搬送不良等の少ない、効率的な電子デバイスの製造が可能になる。また、剥離抑制層４が形成されていることにより、前述の通り、本工程の途中において可撓性基板３が積層基板１０から剥離するような不具合が発生するおそれがなく、効率的に電子デバイスを製造できる。
【００６５】
ここで、本発明の電子デバイス素子形成工程においては、電子デバイス素子６を可撓性基板３の表面の剥離抑制層のない領域に形成することにより、電子デバイス素子６を形成しない領域を、可撓性基板３の側面近傍の端部に設けることが必要である。これは、この後の積層基板切断工程において、剥離抑制層４を含む積層基板１０の端部を切断により除去するためである。好適な電子デバイス素子形成領域については、後述の通りである。
【００６６】
本発明の電子デバイスの製造方法では、本工程までを行うことで、積層基板を有する電子デバイスを製造することができる。更に、以下に詳述する積層基板切断工程及び支持基板剥離工程を実施することで、支持基板１を剥離した電子デバイスを製造することができ好ましい。
【００６７】
（積層基板切断工程）
積層基板切断工程は、電子デバイス素子形成工程を経た積層基板１０に対し、積層基板１０から、少なくとも剥離抑制層４を含む積層基板１０の一部領域を除去するために積層基板１０の一部を切断する工程である。ここで、積層基板１０から切断により除去される領域は、前述の通り、可撓性基板３の表面において、電子デバイス素子が形成されていない、可撓性基板３の側面近傍の端部である。また、本工程では、可撓性基板３のみを切断してもよいし、可撓性基板３と粘着層２を切断してもよいし、可撓性基板３と粘着層２と支持基板１を切断してもよいし、積層基板１０に支持基板１、粘着層２及び可撓性基板３以外の層が形成されている場合にはその層も含めて切断してもよい。
【００６８】
剥離抑制層４は、前述の通り、積層基板１０の側面に強固に固定されるため、積層基板１０から剥離することが困難であるから、少なくとも可撓性基板３の端部を除去することで、残りの積層基板１０から支持基板１及び粘着層２を剥離しやすくすることが可能である。
【００６９】
図３に、積層基板切断工程における、積層基板１０の模式的な断面図を示す。図３中、切断位置は一点鎖線Ｌで示す位置である。切断位置は、電子デバイス素子６にかからない範囲で任意に設定可能であるが、コスト面からは、切断されて廃棄される部分をなるべく小さくするのが好ましく、切断作業性の面からは、切断位置は、積層基板１０の端部よりもある程度内側であることが好ましい。この観点からは、切断位置は、積層基板１０の端部から０．１〜３０ｍｍ程度内側の位置、即ち、図３において、ｘ１＝０．１〜３０ｍｍ程度であることが好ましい。また、可撓性基板３上に形成された電子デバイス素子６に切断作業の影響を及ばないようにするという観点から、切断位置と電子デバイス素子６の形成領域の端部との距離、即ち、図３における距離ｘ２は０．１ｍｍより大きい値であることが好ましい。
【００７０】
積層基板切断工程における積層基板１０の切断方法は、積層基板１０の構成材料に合わせて、公知の切断技術を適宜適用すればよい。例えば、カッター、グラインダー、スラーサー等の工具を用いて切断する方法、レーザー光や加熱により溶解させて切断する方法、レーザー光等の照射により温度差を生じさせ熱膨張歪により切断する方法、水圧により切断する方法などが挙げられる。
【００７１】
（支持基板剥離工程）
支持基板剥離工程は、積層基板切断工程を経た積層基板１０に対し、積層基板１０から支持基板１及び粘着層２を剥離することにより（ただし、後述の通り、支持基板１のみを剥離してもよい）、可撓性基板３上に電子デバイス素子６が形成された電子デバイス２０を得る工程である。
【００７２】
図４に、支持基板剥離工程の模式図を示す。図４に示すように、積層基板１０において、可撓性基板３と粘着層２の間から剥離することにより、可撓性基板３上に電子デバイス素子６が形成された電子デバイス２０が得られる。
【００７３】
剥離方法は従来公知の技術を適宜用いればよいが、例えば、真空吸着や静電吸着、粘着層２より強い粘着力を有するテープの使用、ピンセット等でつまむ等の方法で切断端部を保持したのち、可撓性基板３を引きはがす方法、同様の方法で端部を保持したのち、ロールに巻き取って剥離する方法、粘着層２と可撓性基板３の間にエアーや薄い刃等を導入することで剥離する方法、水やアルコール等の液体に接触、または浸漬させて液体を粘着層２と可撓性基板３の界面に導入することで剥離する方法、レーザーやパルス光、電流印加等の熱源を利用し可撓性基板３と粘着層２の熱膨張差を利用して剥離する方法等が挙げられる。
【００７４】
＜実施態様１の変形例＞
上記においては、可撓性基板３と粘着層２の間において剥離することを前提とした実施態様について説明したが、以下に示すように、支持基板１と粘着層２の間において剥離し、粘着層２が形成された可撓性基板３を有する電子デバイス２０を作製することも可能である。このような電子デバイス２０は、可撓性基板３を粘着層２で補強することが可能となるため、フレキシブル性を維持したまま、機械的強度を改善することができる。
【００７５】
粘着層２が形成された可撓性基板３を有する電子デバイス２０を作製するためには、可撓性基板３と粘着層２の間の密着性を、支持基板１と粘着層２の間の密着性よりも強くすることが必要である。このようにすることで、前述の支持基板剥離工程において、可撓性基板３と粘着層２の間ではなく、支持基板１と粘着層２の間において剥離することが可能となる。可撓性基板３と粘着層２の間の密着性を、支持基板１と粘着層２の間の密着性よりも強くした積層基板１０は、具体的には、上述の実施態様１の粘着層形成工程において、粘着層２を、支持基板１上ではなく可撓性基板３上に形成し、積層基板形成工程において支持基板１を貼り合せることにより実現可能である。
【００７６】
なお、実施態様１及びその変形例のいずれの場合であっても、粘着層形成工程においては、支持基板１上及び可撓性基板３上の両方に粘着層２を形成し、積層基板形成工程において粘着層２側の面を合わせて貼り合せてもよい。この場合、粘着層２を電子デバイス２０側に残すか否かにより、それぞれの間における密着性の強弱関係を制御しておけばよい。
【００７７】
＜本発明の実施態様２＞
次に、本発明の積層基板及び電子デバイスの製造方法の第２の実施態様について、適宜概念図を用いて説明する。
なお、以下において、粘着層２を支持基板１上に形成した場合を例示して各工程を説明するが、本発明の実施態様２においても、本発明の実施態様１と同様、粘着層２は、支持基板１上に形成してもよく、可撓性基板３上に形成してもよく、両基板上に形成してもよい。
【００７８】
（粘着層形成工程）
粘着層形成工程では、支持基板１上に加熱及び／又は活性エネルギー線の照射により硬化する樹脂材料を含む粘着層２を形成する。支持基板１、粘着層２の詳細については前述の通りである。粘着層２を支持基板１上に形成する方法についても、第１の実施態様と同様である。
【００７９】
（特定領域形成工程）
特定領域形成工程では、粘着層２の一部の領域に、加熱及び／又は活性エネルギー線照射を行い、特定領域を形成する。
【００８０】
図５を用いてこの特定領域について説明する。図５は、粘着層形成後の支持基板１を、粘着層２側表面から見た平面図である。詳細は後述するが、実施態様２においても、実施態様１と同様に、この後、粘着層２上に可撓性基板３が固定され、この可撓性基板３上に電子デバイス素子６が形成される。また、電子デバイス素子６は可撓性基板３の表面全域に形成せず、電子デバイス素子６を形成しない領域を、可撓性基板３の側面近傍の端部に設けることになる。例えば、図５において点線Ｑ１で囲まれた領域を電子デバイス素子形成領域６０とすると、この場合、特定領域３０は、少なくとも電子デバイス素子形成領域６０を完全に包含し、かつ、可撓性基板３の板面面積よりも狭い領域であり、図５において一点鎖線Ｑ２で囲まれた領域である。特定領域３０以外の領域（以下、非特定領域と記載）４０は、少なくとも積層基板１０の側面すべての近傍領域を含み、特定領域３０の周囲を取り囲むように形成されることになる。
【００８１】
本工程では、粘着層２形成後、粘着層２の特定領域３０のみに、加熱及び／又は活性エネルギー線の照射を行い、特定領域３０における粘着層２の樹脂材料を硬化させる。つまり、特定領域３０とは、粘着層２を構成する樹脂材料を硬化させた領域を指す。
【００８２】
このように、粘着層２に、樹脂材料を硬化させて粘着性が低減された特定領域３０を形成することにより、次の積層基板形成工程において、この粘着層２上に可撓性基板３を貼り合せて固定した後、その後の積層基板加工工程で、好ましくは、更に、粘着層２の非特定領域に加熱及び／又は活性エネルギー線照射を行って粘着層２を可撓性基板３と密着した状態で硬化させることにより、可撓性基板３は、主として粘着層２の樹脂材料が硬化されていない非特定領域４０で粘着層２を介して支持基板１に固定されるようになる。
一方で、支持基板１は、特定領域３０及び非特定領域４０の全面において、粘着層２に強固に固着される。
このため、電子デバイス素子形成工程においては、積層基板１０からの可撓性基板３の剥離を防止した上で、支持基板剥離工程では、後述の通り、この非特定領域４０を切断して除去した後の積層基板１０から、電子デバイス素子６が形成された可撓性基板３を粘着層２及び支持基板１から容易に分離することができるようになる。
【００８３】
樹脂材料を加熱する方法は、粘着層２の一部である特定領域３０を加熱できる方法であれば何でもよいが、たとえば、ホットプレートやオーブン、熱風炉を用いて加熱する方法がある。この中でも、特定領域３０のみを加熱することが比較的容易な、ホットプレートを用いることが好ましい。具体的には、特定領域３０に該当する支持基板１の一部分のみに伝熱材を接触させ、伝熱材のみをホットプレートに接触させて加熱する方法、特定領域３０以外の領域に放熱材を設置し、積層基板１０全体を加熱する方法、または、上記２つの方法を組み合わせる方法がある。ここで、伝熱材としては、例えば、銅や鉄などの金属、ステンレスやジュラルミンなどの合金がある。放熱材としては、例えば、銅や鉄などの金属、ステンレスやジュラルミンなどの合金、放熱塗料、放熱フィン、ピエゾ素子やペルティエ素子などを用いた冷却装置などがある。
【００８４】
活性エネルギー線は、樹脂材料における化学反応性の官能基の反応を促進するためのエネルギーを供給できるものであれば何でもよいが、具体的には遠赤外線、赤外線、紫外線、電子線、可視光線、レーザー光線、Ｘ線などが挙げられる。この中でも、樹脂材料の硬化反応に対して汎用的に用いられる、紫外線、遠赤外線、赤外線を用いることが好ましい。
【００８５】
活性エネルギー線の樹脂材料への照射は、メタルマスクやフォトマスク等のマスクを用いて特定領域３０のみに照射できるようにすることが好ましい。また、活性エネルギー線の照射により発生する熱の影響を抑制するために、放熱材を特定領域３０以外の領域に設置して、活性エネルギー線を照射することも好ましい。
【００８６】
（積層基板形成工程）
積層基板形成工程は、上記特定領域形成工程後に、粘着層２が形成された支持基板１の粘着層２側の表面に、可撓性基板３を貼り合せて固定することで、粘着層２を介して支持基板１と可撓性基板３を一体化し、積層基板１０を形成する工程である。可撓性基板３の詳細については前述の通りである。
【００８７】
本工程の好ましい態様については、本発明の実施態様１における積層基板形成工程と同様に行うことができるが、粘着層２に比較的厚みがあり、例えば粘着層２の厚みが５０〜２００μｍであって、粘着層２の非特定領域４０に柔軟性がある場合は、積層基板１０を形成後、可撓性基板３の端部の少なくとも一部、好ましくは全部を支持基板１方向に加圧して、可撓性基板３の端部を非特定領域４０の粘着層２に押し込むことによって、粘着層２の樹脂材料を積層基板１０の外周部にはみ出させ、積層基板１０の側面の粘着層２周辺がはみ出した樹脂材料で覆われるような状態としてもよい。このようにすることで、可撓性基板３と粘着層２の界面部分の側面を保護することができる。
【００８８】
（積層基板加工工程）
本工程は、積層基板形成工程後に、粘着層２の少なくとも特定領域以外の領域に、加熱及び／又は活性エネルギー線を照射する工程である。特定領域以外の領域に、加熱及び／又は活性エネルギー線を照射することで、粘着層２が可撓性基板３と密着した状態で硬化することにより、可撓性基板３がより強固に支持基板１に固定されることとなり、後述の電子デバイス素子形成工程において可撓性基板３が積層基板１０から剥離してしまうような不具合が発生しにくくなるという効果が生じる。この際、特定領域３０は既に硬化されているため、加熱及び／又は活性エネルギー線の照射は積層基板１０全体に対して行ってもよい。この積層基板加工工程において、活性エネルギー線を照射する場合、活性エネルギー線は、積層基板１０の可撓性基板３側から照射してもよく、支持基板１側から照射してもよく、活性エネルギー線透過性を有する方から照射すればよい。
【００８９】
積層基板形成工程、あるいは積層基板加工工程までを行うことで、本発明の実施態様２の電子デバイスの製造方法に好適な積層基板を製造することができる。即ち、この時点で、積層基板１０の外周側に位置する非特定領域は、比較的強固に両基板同士を固定しているため、電子デバイス素子形成工程において可撓性基板３が積層基板１０から剥離してしまうような不具合が発生しにくい状態となる。一方、特定領域３０については、支持基板１上の粘着層２を硬化させた後に両基板同士が貼り合されているため、可撓性基板３と粘着層２とは比較的弱く固定されていることになる。このため、後の支持基板剥離工程において、粘着層２と可撓性基板３の間から、可撓性基板３を容易に剥離することが可能となる。
この後、後述の電子デバイス素子形成工程等を経ることで、好ましくは更に、支持基板切断工程及び支持基板剥離工程を経ることで、本発明の実施態様２の電子デバイスの製造方法が完了する。
【００９０】
（電子デバイス素子形成工程）
電子デバイス素子形成工程については、前述の本発明の実施態様１における電子デバイス素子形成工程と同様に行うことができる。実施態様１の剥離抑制層形成工程の代わりに、特定領域形成工程（更には積層基板加工工程）を行うことで、前述の通り、電子デバイス素子形成工程の途中において可撓性基板３が積層基板１０から剥離してしまうような不具合が発生しにくくなり、効率的に電子デバイスを製造することが可能となる。
【００９１】
本発明の電子デバイスの製造方法では、実施態様１の場合と同様、本工程までを行うことで、積層基板を有する電子デバイスを製造することができる。更に、以下に詳述する積層基板切断工程及び支持基板剥離工程を実施することで、支持基板１を剥離した電子デバイスを製造することができ好ましい。
本発明の実施態様２の電子デバイス形成工程においても、実施態様１の場合と同様、電子デバイス素子を可撓性基板３の表面全域に形成せずに、可撓性基板３の側面近傍の端部において、電子デバイス素子を形成しない領域を設けることが必要である。これは、この後の積層基板切断工程において、非特定領域４０を含む積層基板１０の端部を切断するためである。好適な電子デバイス素子形成領域については、後述の通りである。
【００９２】
（積層基板切断工程）
積層基板切断工程は、電子デバイス素子形成工程を経た積層基板１０に対し、積層基板１０から、少なくとも特定領域３０以外の領域、すなわち非特定領域４０を除去するために積層基板１０の一部を切断する工程である。ここで、積層基板１０から切断により除去される領域は、前述の通り、可撓性基板３の表面において、電子デバイス素子６が形成されていない、可撓性基板３の側面近傍の端部であり、非特定領域４０を完全に包含する領域である。また、本工程では、可撓性基板３のみを切断してもよいし、可撓性基板３と粘着層２を切断してもよいし、可撓性基板３と粘着層２と支持基板１を切断してもよいし、それ以外の層が形成されていた場合にはその層も含めて切断してもよい。
【００９３】
非特定領域４０では、前述の通り、可撓性基板３と支持基板１とが粘着層２を介して比較的強固に固定されているため互いに剥離することが困難であるから、非特定領域４０を含む可撓性基板３の端部を切断により除去することで、残りの積層基板１０から支持基板１及び粘着層２を剥離しやすくすることが可能となる。
積層基板切断工程における積層基板１０の切断方法は、本発明の実施態様１の場合と同様である。
【００９４】
本発明の実施態様１の場合と同様に、コスト面からは、切断されて廃棄される部分をなるべく小さくするのが好ましく、切断作業性の面からは、切断位置は、積層基板１０の端部よりもある程度内側であることが好ましい。図５に、積層基板とした後の切断位置を破線Ｑ３で示すが、上記観点からは、切断位置は、積層基板１０の端部から０．１〜３０ｍｍ程度内側の位置、即ち、図５において、ｘ１＝０．１〜３０ｍｍ程度であることが好ましい。また、可撓性基板３上に形成された電子デバイス素子６に切断作業の影響を及ばないようにする観点から、切断位置と電子デバイス素子形成領域６０の端部との距離、即ち、図５における距離ｘ２は０．１ｍｍより大きな値であることが好ましい。
また、上記の切断位置で非特定領域４０を完全に除去すると共に、非特定領域４０をある程度の面積以上として、非特定領域４０を設けることによる剥離抑制効果を確実に得る観点から、粘着層２に形成される特定領域３０と非特定領域４０との境界位置、即ち、図５における一点鎖線Ｑ２で示される位置は、支持基板１（又は可撓性基板３）の端部から０．０５〜２９ｍｍ程度の位置、即ち、図５におけるｘ３＝０．０５〜２９ｍｍ程度であって、ｘ１とｘ３との差は０．０５ｍｍより大きな値であることが好ましい。
【００９５】
（支持基板剥離工程）
上記の積層基板切断工程後の支持基板剥離工程については、前述の本発明の実施態様１における支持基板剥離工程と同様に行うことができる。
【００９６】
＜実施態様２の変形例＞
上記においては、可撓性基板３と粘着層２の間において剥離することを前提とした実施態様について説明したが、実施態様１の変形例において示したように、実施態様２においても、支持基板１と粘着層２の間において剥離し、粘着層２が形成された可撓性基板３を有する電子デバイス２０を作製することも可能である。
【００９７】
粘着層２が形成された可撓性基板３を有する電子デバイス２０を作製する場合には、粘着層形成工程において、粘着層２を支持基板１上ではなく、可撓性基板３上に形成し、特定領域形成工程においては、この可撓性基板３上の粘着層２の特定領域に加熱及び／又は活性エネルギー線照射を行って、この特定領域３０の粘着層２の樹脂材料を硬化させ、その後、積層基板形成工程において、この粘着層２を介して可撓性基板３と支持基板１とを固定、一体化する。好ましくは、その後、積層基板加工工程において、粘着層２の非特定領域に加熱及び／又は活性エネルギー線照射を行った後、電子デバイス素子を形成する。このようにすることで、可撓性基板３は粘着層２の特定領域３０及び非特定領域４０の全面で粘着層２と固着し、一方で、支持基板１は主として非特定領域４０のみで粘着層２と固着するようになるため、積層基板切断工程で非特定領域４０を切断して除去することにより、粘着層２と支持基板１との間で両基板を容易に剥離して、粘着層２が形成された可撓性基板３を有する電子デバイス２０を得ることができる。
【実施例】
【００９８】
（実施例１）
以下の手順で積層基板の製造と評価を行った。
実施例１は、本発明の実施態様２に相当する。
【００９９】
（１）粘着層形成用樹脂組成物の調製
樹脂材料として、信越化学工業製シリコーン粘着剤Ｘ４０−３２２９を２０ｇと触媒ＣＡＴ−ＰＬ−５０Ｔ０．５ｇを混合し、さらにトルエン２０ｇを加え、完全に溶解させて粘着層形成用樹脂組成物を調液した。Ｘ４０−３２２９の粘着力とボールタックナンバーのメーカー公称値は、厚さ３０μｍでそれぞれ０．０６Ｎ／２５ｍｍ、Ｎｏ．２、である。
【０１００】
（２）粘着層形成工程
厚みが０．７ｍｍで１００ｍｍ×１００ｍｍの正方形のソーダガラスを支持基板１として準備した。該ソーダガラス上に上記粘着層形成用樹脂組成物を滴下して、スピンコート塗布した（スピンコート回転数：８００ｒｐｍで２秒間、後に１０００ｒｐｍで６０秒間）。その後、８０℃のホットプレート上で１分間乾燥し、粘着層２を形成した支持基板１を得た。
【０１０１】
（３）特定領域形成工程
次に、１３０℃のホットプレート上に厚さ３０ｍｍ、７０ｍｍ×７０ｍｍの正方形のジュラルミン金属板を設置し、その上に、ジュラルミン金属板の中心と、粘着層２を形成した支持基板１の中心とが一致するように、粘着層２がジュラルミン金属板に接触するように上記の乾燥後の支持基板１を載置し、５分間焼成することで、粘着層２の一部（ジュラルミン金属が存在する領域）を加熱により硬化させた粘着層２を形成した支持基板１を得た。すなわち、１００ｍｍ×１００ｍｍの支持基板１上の全面に形成された粘着層２において、中央のおおよそ７０ｍｍ×７０ｍｍの領域が特定領域に相当し、各辺からおおよそ１５ｍｍの幅の外周部分が非特定領域に相当する状態とした。この状態における粘着層２の厚みは２８μｍであった。
【０１０２】
（４）積層基板形成工程
上記で得られた粘着層２を形成した支持基板１の粘着層２側の表面に、可撓性基板３として、厚さ７５μｍで１００ｍｍ×１００ｍｍの正方形のＰＥＴフィルム（テイジンデュポン社製テイジンメリネックス）を、ウレタンローラーで加圧しながら貼り合わせ、積層基板１０を得た。
【０１０３】
（５）積層基板加工工程
上記で得られた積層基板１０を１３０℃のホットプレート上に載置し、非特定領域の粘着層２を硬化させた。
【０１０４】
（６）積層基板１０の洗浄乾燥工程実施後の剥離評価
積層基板１０の状態で、電子デバイス素子形成工程を想定した以下の洗浄乾燥工程を施した。
洗浄乾燥工程として、超純水による超音波洗浄と、ブロアーによる乾燥を実施した。超音波洗浄は、超純水を貯めたガラス製容器に積層基板１０を浸漬し、アズワン製超音波装置を用いて１０分間超音波洗浄を行った。このときの波長は２８ｋＨｚであった。その後、ブロアーを用いてエアーを吹きつけて基板表面に付着した水分を除去した。このとき使用したブロアーはエアガンタイプで、噴射出口径は２ｍｍφ、圧力は０．４３ＭＰａの圧縮空気を使用した。
積層基板１０に上記洗浄工程を施した後の、可撓性基板３と粘着層２の間における剥離の発生状況を目視により評価した。剥離がない場合は「〇」、少しでも剥離があった場合は「×」とした。実施例１の積層基板１０では「○」であった。
【０１０５】
（７）積層基板切断工程及び支持基板剥離工程
ブロアー乾燥後の積層基板１０の、中心部５０ｍｍ角の部分を残すように、積層基板１０の外周部分の幅２５ｍｍをカッターを用いて切断した。切断後、５０ｍｍ角の積層基板の端部をピンセットでつまみ、支持基板１であるソーダガラスと粘着層２を、積層基板１０から剥離して、可撓性基板３のＰＥＴフィルムを得た。
剥離後のＰＥＴフィルムを目視で観察し、ＰＥＴフィルムに変形や破損が発生せずに剥離できた場合を「〇」、剥離時に変形や破損した場合、粘着剤の糊残りがあった場合、もしくは剥離そのものが不可能だった場合を「×」とした。実施例１のＰＥＴフィルムでは「○」であった。
【０１０６】
（実施例２）
以下の手順で積層基板の製造と評価を行った。
実施例２は、本発明の実施態様１に相当する。粘着層形成用樹脂組成物は実施例１と同じものを使用した。
【０１０７】
（１）粘着層形成工程
厚みが０．７ｍｍで１００ｍｍ×１００ｍｍの正方形のソーダガラスを支持基板１として準備した。該ソーダガラス上に上記粘着層形成用樹脂組成物を滴下して、スピンコート塗布した（スピンコート回転数：８００ｒｐｍで２秒間、後に１０００ｒｐｍで６０秒間）。その後、８０℃のホットプレート上で１分間乾燥し、更に、１３０℃のホットプレート上で５分間加熱し、粘着層２を形成した支持基板１を得た。
【０１０８】
（２）積層基板形成工程
上記で得られた粘着層２を形成した支持基板１の粘着層２側の表面に、可撓性基板３として、厚さ７５μｍで１００ｍｍ×１００ｍｍの正方形のＰＥＴフィルム（テイジンデュポン社製テイジンメリネックス）を、ウレタンローラーで加圧しながら貼り合わせ、積層基板１０を得た。
【０１０９】
（３）剥離抑制層形成工程
更に、積層基板１０の側面のうち、少なくとも可撓性基板３であるＰＥＴフィルムと粘着層２との界面部を側面全周にわたって覆うように、粘着層２に用いた粘着層形成用組成物をシリンジに充填して適量を射出して塗布形成し、８０℃のホットプレート上で１分間乾燥し、更に、１３０℃のホットプレート上で５分間加熱し、図２に示すような剥離抑制層４を形成した積層基板１０を得た。この剥離抑制層の厚みは約４００μｍである。
【０１１０】
（４）積層基板１０の洗浄乾燥工程実施後の剥離評価
積層基板１０の洗浄乾燥工程実施後の剥離評価については、実施例１と同様に行った。
【０１１１】
（５）積層基板切断工程及び支持基板剥離工程
積層基板切断工程及び支持基板剥離工程については、実施例１と同様に行った。剥離後の評価についても実施例１と同様に行った。
【０１１２】
（実施例３）
粘着層形成用樹脂組成物として以下のものを使用したこと以外は、実施例１と同様に積層基板１０の作製及び評価を行った。実施例３は、本発明の実施態様２に相当する。
樹脂材料として、信越化学工業製シリコーン粘着剤Ｘ４０−３３０６を６０ｇと触媒ＣＡＴ−ＰＬ−５０Ｔ０．３ｇを混合し、さらにトルエン３０ｇを加え、完全に溶解させて粘着層形成用樹脂組成物を調液した。Ｘ４０−３３０６の粘着力のメーカー公称値は、厚さ３０μｍで０．０２Ｎ／２５ｍｍである。
【０１１３】
（実施例４）
粘着層形成用樹脂組成物として実施例３と同じものを用いたこと以外は、実施例２と同様に積層基板１０の作製及び評価を行った。このときの剥離抑制層の厚みは約１００μｍであった。実施例４は、本発明の実施態様１に相当する。
【０１１４】
（比較例１）
特定領域形成工程を行わなかったこと以外は、実施例１と同様にして積層基板１０の作製及び評価を行った。
【０１１５】
（比較例２）
剥離抑制層形成工程を行わなかったこと以外は、実施例２と同様にして積層基板１０の作製及び評価を行った。
【０１１６】
（比較例３）
特定領域形成工程を行わなかったこと以外は、実施例３と同様にして積層基板１０の作製及び評価を行った。
【０１１７】
（比較例４）
剥離抑制層形成工程を行わなかったこと以外は、実施例４と同様にして積層基板１０の作製及び評価を行った。
【０１１８】
（まとめ）
実施例１〜４及び比較例１〜４の評価結果を表１に示す。
【０１１９】
【表１】
2016096218.tif 000003
【０１２０】
表１より明らかなように、実施例１〜４では、洗浄乾燥工程後において、可撓性基板３の剥離は見られなかった。また、支持基板剥離工程において、積層基板１０から支持基板１及び粘着層２を問題なく剥離して可撓性基板３を得ることが可能であった。
一方、比較例１及び３では、洗浄乾燥工程後には剥離が認められなかったものの、支持基板剥離工程において、剥離後の可撓性基板３が変形してしまい、さらに粘着剤の糊が残っていた。また、比較例２及び４では、支持基板剥離工程において、支持基板１及び粘着層２の剥離は問題なく行えたものの、洗浄乾燥工程後に可撓性基板３と粘着層２の間に一部剥離が発生した。
【０１２１】
以上のことから、本発明の積層基板の製造方法によって、電子デバイス素子形成工程における剥離等の不具合を抑制すると共に、支持基板剥離工程においては剥離不良を抑制して、電子デバイスを効率的に製造することが可能であることが確認された。
【符号の説明】
【０１２２】
１  支持基板
２  粘着層
３  可撓性基板
４  剥離抑制層
６  電子デバイス素子
１０  積層基板
２０  電子デバイス
３０  特定領域
４０  非特定領域
６０  電子デバイス素子形成領域
【図１】
2016096218.tif 000004
【図２】
2016096218.tif 000005
【図３】
2016096218.tif 000006
【図４】
2016096218.tif 000007
【図５】
2016096218.tif 000008