(57)【要約】【課題】発光層から出た光の利用効率を向上できる表示装置の提供。【解決手段】複数の画素を有する表示装置であって、複数の画素のそれぞれに配置されている画素電極と、少なくとも隣り合う画素の間に形成されるバンクと、複数の画素に亘って配置され、画素電極とバンクとを覆っている共通電極と、画素電極と共通電極との間に形成されている発光部を複数の画素のそれぞれに有している発光層と、を備え、複数の画素のうちの少なくとも一の画素は、発光部が形成されている領域である発光領域と、発光領域に隣接している非発光領域とを有し、バンクは非発光領域に位置している部分を有し、一の画素の非発光領域に位置しているバンクの部分と、一の画素と隣り合う他の画素のうちの少なくとも一つの画素との間には、一の画素の発光部からの光を、一の画素の非発光領域に向けて反射する反射壁部が形成されている表示装置。【選択図】図３
2016152155.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素を有する表示装置であって、
前記複数の画素のそれぞれに配置されている画素電極と、
少なくとも隣り合う画素の間に形成されるバンクと、
前記複数の画素に亘って配置され、前記画素電極と前記バンクとを覆っている共通電極と、
前記画素電極と前記共通電極との間に形成されている発光部を前記複数の画素のそれぞれに有している発光層と、を備え、
前記複数の画素のうちの少なくとも一の画素は、前記発光部が形成されている領域である発光領域と、前記発光領域に隣接している非発光領域とを有し、
前記バンクは前記非発光領域に位置している部分を有し、
前記一の画素の前記非発光領域に位置している前記バンクの前記部分と、前記一の画素と隣り合う他の画素のうちの少なくとも一つの画素との間には、前記一の画素の前記発光部からの光を、前記一の画素の前記非発光領域に向けて反射する反射壁部が形成されている、
ことを特徴とする表示装置。
【請求項２】
隣り合う画素の間に形成された光遮蔽部を更に備え、
前記発光領域と前記非発光領域とは、平面視において前記光遮蔽部配置された領域と重なっていない領域である、
ことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記非発光領域には、前記バンクの前記部分によって覆われ且つ光を反射する膜が形成されている、
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記画素電極は、前記光を反射する膜として、前記非発光領域と前記発光領域とに形成されている、
ことを特徴とする請求項３に記載の表示装置。
【請求項５】
前記一の画素は、前記発光領域に配置される第１のカラーフィルタと、前記非発光領域に配置され且つ前記第１のカラーフィルタの光の透過率と異なる光の透過率を有する第２のカラーフィルタとを備える、
ことを特徴とする請求項１乃至４いずれか一項に記載の表示装置。
【請求項６】
前記画素電極は前記発光部からの光を反射する材料を含み、
前記反射壁部の少なくとも表面は前記画素電極と同じ材料で形成されている、
ことを特徴とする請求項１乃至５いずれか一項に記載の表示装置。
【請求項７】
前記画素電極は前記発光部からの光を反射する材料を含み、
前記反射壁部の少なくとも表面は前記発光部からの光を反射する材料を含む、
ことを特徴とする請求項１乃至５いずれか一項に記載の表示装置。
【請求項８】
複数の画素を有する表示装置であって、
絶縁表面上に、前記複数の画素を区画するように設けられた隔壁と、
前記隔壁の内壁と前記絶縁表面とで形成された凹部に、光を反射する材料を用いて形成された画素電極と、
前記隔壁、及び前記画素電極上に形成され、前記絶縁表面上に位置する前記画素電極を一部露出する開口を有するバンクと、
前記開口を覆うように設けられ、発光部を形成する発光層と、
前記発光層と前記バンクとを覆う共通電極と、を備える
ことを特徴とする表示装置。
【請求項９】
前記発光層は、前記表示装置の断面において、前記バンクの下面の延長線以上、前記バンクの上面の延長線以下の領域に形成されている、
ことを特徴とする請求項１乃至８いずれか一項に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記バンクは、前記発光部からの光を散乱する樹脂材料を含んで形成されている、
ことを特徴とする請求項１乃至９いずれか一項に記載の表示装置。
【請求項１１】
前記バンクは、前記発光部からの光を散乱する、屈折率の異なる少なくとも２種類の材料を含んで形成されている、
ことを特徴とする請求項１乃至１０いずれか一項に記載の表示装置。
【請求項１２】
前記バンクは、第１の屈折率を有する材料によって形成された粒子と、該第１の屈折率とは異なる第２の屈折率を有する材料によって形成された該粒子同士の間隔を埋める母材とを含んで構成される、
ことを特徴とする請求項１乃至１０いずれか一項に記載の表示装置。
【請求項１３】
前記バンクは、内部にボイドを備える、
ことを特徴とする請求項１乃至１２いずれか一項に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ表示装置は、各画素に形成されている画素電極、複数の画素に亘って形成されている共通電極、及び画素電極と共通電極との間に形成されている有機層を含んでいる。ここで、有機層は、発光層、電荷輸送層、及び電荷注入層などを有している。
【０００３】
下記特許文献１〜４には有機ＥＬ表示装置あるいは有機ＥＬ素子が開示されている。特許文献１には、有機層の発光効率を向上するために、粗面を有している光散乱層を電極と基板との間に形成することが開示されている。
【０００４】
特許文献２には、発光層の界面で全反射してしまう光を低減するために、金属粒子を含む光散乱層を発光層と電極との間に形成することが開示されている。
【０００５】
特許文献３には、各画素に形成されているバンク（文献３においてバンク１１２ａ）の上面（文献３において上面１１２ｃ）を粗面化し、発光層から水平方向に進む光を粗面化されたバンクの上面で視認方向に反射することが開示されている。
【０００６】
特許文献４には、光取り出し効率を向上するために、透明粒子を含む光散乱層（文献４において散乱層ＬＳ）の上側に電極及び有機層からなる発光素子（文献４においてＯＬＥＤ）を形成することが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００７−２９４４３８号公報
【特許文献２】特開２００７−１６５２８４号公報
【特許文献３】特開２００５−３１０５９０号公報
【特許文献４】特開２００７−１８８７７８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
発光層から出る光は、基板に対して鉛直方向に進み表示装置から出る光と、基板に沿った水平方向に進み隣接する画素に向かう光とを含んでいる。基板に沿った水平方向の光はユーザに視認されず無駄なものとなっているため、発光層から出た光の利用効率が低下する要因となる。
【０００９】
本発明の目的の１つは、発光層から出た光の利用効率を向上できる表示装置を提供することにある。
【００１０】
また、本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面によって明らかにする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の実施形態に係る表示装置は、複数の画素を有する表示装置であって、前記複数の画素のそれぞれに配置されている画素電極と、少なくとも隣り合う画素の間に形成されるバンクと、前記複数の画素に亘って配置され、前記画素電極と前記バンクとを覆っている共通電極と、前記画素電極と前記共通電極との間に形成されている発光部を前記複数の画素のそれぞれに有している発光層と、を備え、前記複数の画素のうちの少なくとも一の画素は、前記発光部が形成されている領域である発光領域と、前記発光領域に隣接している非発光領域とを有し、前記バンクは前記非発光領域に位置している部分を有し、前記一の画素の前記非発光領域に位置している前記バンクの前記部分と、前記一の画素と隣り合う他の画素のうちの少なくとも一つの画素との間には、前記一の画素の前記発光部からの光を、前記一の画素の前記非発光領域に向けて反射する反射壁部が形成されている、ことを特徴とする。
【００１２】
また、本発明の他の実施形態に係る表示装置は、複数の画素を有する表示装置であって、絶縁表面上に、前記複数の画素を区画するように設けられた隔壁と、前記隔壁の内壁と前記絶縁表面とで形成された凹部に、光を反射する材料を用いて形成された画素電極と、前記隔壁、及び前記画素電極上に形成され、前記絶縁表面上に位置する前記画素電極を一部露出する開口を有するバンクと、前記開口を覆うように設けられ、発光部を形成する発光層と、前記発光層と前記バンクとを覆う共通電極と、を備えることを特徴とする。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】第１実施形態に係る表示装置を模式的に示す斜視図である。
【図２】図１の破線ＩＩで囲まれる領域を拡大して示す図である。
【図３】図２の切断線ＩＩＩ‐ＩＩＩにおける断面を示す図であり、第１実施形態に係る表示装置の構成を示す図である。
【図４】図２の切断線ＩＶ‐ＩＶにおける断面を示す図であり、第１実施形態に係る表示装置の構成を示す図である。
【図５】本発明の実施形態に係る表示装置の表示領域の一部を拡大して示す図であり、発光領域と非発光領域との配置関係を示す図である。
【図６Ａ】図５の切断線ＶＩ‐ＶＩにおける断面を示す図であり、第２実施形態に係る表示装置の構成を示す図である。
【図６Ｂ】図５の切断線ＶＩ‐ＶＩにおける断面を示す図であり、第３実施形態に係る表示装置の構成を示す図である。
【図６Ｃ】図５の切断線ＶＩ‐ＶＩにおける断面を示す図であり、第４実施形態に係る表示装置の構成を示す図である。
【図６Ｄ】図５の切断線ＶＩ‐ＶＩにおける断面を示す図であり、第５実施形態に係る表示装置の構成を示す図である。
【図６Ｅ】図５の切断線ＶＩ‐ＶＩにおける断面を示す図であり、第６実施形態に係る表示装置の構成を示す図である。
【図６Ｆ】図５の切断線ＶＩ‐ＶＩにおける断面を示す図であり、第７実施形態に係る表示装置の構成を示す図である。
【図６Ｇ】図５の切断線ＶＩ‐ＶＩにおける断面を示す図であり、第８実施形態に係る表示装置の構成を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
［第１実施形態］
はじめに、本発明の第１実施形態に係る表示装置の概略について、図１〜４を参照して説明する。
【００１５】
図１は、第１実施形態に係る表示装置を模式的に示す斜視図である。また、図２は、図１の破線ＩＩで囲まれる領域を拡大して示す図である。また、図３は、図２の切断線ＩＩＩ‐ＩＩＩにおける断面を示す図であり、第１実施形態に係る表示装置の構成を示す図である。また、図４は、図２の切断線ＩＶ‐ＩＶにおける断面を示す図であり、第１実施形態に係る表示装置の構成を示す図である。
【００１６】
図１に示されるように、第１実施形態に係る表示装置１０は、例えば、回路層１０６や素子層１０７を含む第一基板１００を有する。第一基板１００には、画像を表示するための素子を駆動するための集積回路チップ１０３が搭載されている。
【００１７】
また、第１実施形態に係る表示装置１０は、第一基板１００と対向する対向基板２００を備える。対向基板２００は、例えばＲＧＢ（Ｒ：Red，Ｇ：Green、Ｂ：Blue）のカラーフィルタ２０１を含む、カラーフィルタ基板であることとしてもよい。対向基板２００については後に詳細に説明する。
【００１８】
また、図１に示すように第一基板１００には、外部との電気的接続のために、フレキシブル配線基板１０４が接続されていることとしてもよい。
【００１９】
また、図２に示されるように、第１実施形態に係る表示装置１０は、マトリクス状に設けられた複数の画素Ｐｘを有する。ここで、本発明における画素とは、表示装置によって表示される画像における、Ｒ（Red），Ｇ（Green）、Ｂ（Blue）若しくはＷ（White）いずれかの色情報を持つ最小単位をいうこととする。
【００２０】
なお、表示装置よって表示される画像において、Ｒ、Ｇ、Ｂのそれぞれ一つずつをまとめ、一単位として画素とよび、Ｒ，Ｇ，Ｂ各々を副画素とよぶこともある。この場合において、本発明における画素は、副画素に相当するものである。
【００２１】
図３、４に示すように、第一基板１００は、例えば基材１０５上に回路層１０６や素子層１０７を形成して構成されている。
【００２２】
そして、図２に示されるように、第１実施形態に係る表示装置における各画素Ｐｘは、発光領域ＥＲと、該発光領域ＥＲと隣接している非発光領域ＮＥＲとを有している。また、図２に示されるように、第１実施形態に係る表示装置１０は、平面視において各画素Ｐｘの発光領域ＥＲが、各々の画素における略中央に位置するように配置されていることとしてもよい。
【００２３】
発光領域ＥＲより発光される光は、基板に対して鉛直方向に進み表示装置から出る光Ｌ１のみならず、基板に沿った水平方向に進み隣接する画素に向かう光Ｌ２を含んでいる。第１実施形態に係る表示装置は、この基板に沿った水平方向に進み隣接する画素に向かう光Ｌ２が、非発光領域において散乱し、ユーザに視認される光として表示装置の外部に照射され、結果、発光層から出た光の利用効率の向上が図れるものである。
【００２４】
次に、図３、４を参照して第１実施形態に係る表示装置１０の構成について詳細に説明する。第１実施形態に係る表示装置１０は、その上に回路層１０６等が積層される基材１０５を含んで構成されている。この回路層１０６等が積層される基材１０５は、例えばポリイミド等の有機樹脂で形成されることとしてもよいし、ガラスで形成されることとしてもよい。
【００２５】
図３、４に示されるように第１実施形態に係る表示装置は、基材１０５上に下地層１０８を形成したのち、回路層１０６を積層することとしてもよい。回路層１０６は、配線や、電極及び絶縁膜などで構成される薄膜トランジスタ１０６１（thin film transistor : ＴＦＴ）を含む。なお、下地層１０８は、酸化ケイ素や、窒化ケイ素で形成されることとしてもよい。
【００２６】
また、回路層１０６は、図３、４に示されるように基材１０５と対向する側とは反対側に形成される有機平坦化膜１０９を含むこととしてもよい。有機平坦化膜１０９は、回路層１０６を構成する配線１０６２や、電極（図示なし）等に起因する凹凸を平坦化し、回路層１０６の上面における他の層の形成を容易なものとする。なお、有機平坦化膜１０９は絶縁体で形成される。
【００２７】
有機平坦化膜１０９の形成は、有機樹脂のワニス（有機樹脂を溶媒に溶かした液状物）を凹凸表面に塗布し、該ワニスに含まれる溶媒を揮散させることによって形成することとしてもよい。このように形成することによって回路層の表面の凹部に優先的にワニスが流れ込むこととなり、回路層１０６の表面の凹凸を効果的に平坦化することとなる。
【００２８】
なお、有機平坦化膜１０９をポリイミド樹脂で構成する場合、ポリイミドの前駆体であるポリアミック酸を、溶媒にとかした液状物を凹凸表面に塗布し、その後イミド化の処理を行うこととしてもよい。
【００２９】
また、熱硬化性の有機樹脂で有機平坦化膜１０９を構成する場合、凹凸面に有機樹脂のワニスを塗布後、加熱処理を行い、熱硬化を促進させることとしてもよい。また、光硬化性の有機樹脂で有機平坦化膜１０９を構成する場合、凹凸面に有機樹脂のワニスを塗布後、光照射処理を行い、光硬化を促進させることとしてもよい。
【００３０】
なお、有機平坦化膜１０９の材料、及び形成方法は、上記のものに限られるものではない。
【００３１】
また、第一基板に備えられる素子層１０７は、複数の画素のそれぞれに配置されている画素電極１０７１と、少なくとも隣り合う画素の間に形成されるバンク１０７２と、複数の画素に亘って配置され、前記画素電極１０７１と前記バンク１０７２とを覆っている共通電極１０７３と、画素電極１０７１と共通電極１０７３との間に形成されている発光部ＬＥＰ（light-emitting part）を複数の画素のそれぞれに有している発光層と、を含んで構成されている。
【００３２】
また、第一基板１００に備えられる素子層１０７は、有機層１０７４（有機エレクトロルミネッセンス層ともいう）を含む。有機層１０７４は、少なくとも前述の発光層を含むものであり、さらに、電子輸送層、正孔輸送層、電子注入層、及び正孔注入層のうち少なくとも一層を含むこととしてもよい。
【００３３】
ここで、発光層は、一色（例えば白色）の光のみを発することとしてもよい。この場合、表示装置は、発光層から発せされた光が、有機層１０７４の回路層１０６と対向する側とは反対側に備えられる対向基板２００に設置されたＲＧＢいずれかの色の着色層（カラーフィルタともいう）を介して外部に様々な色を視認させることとなる。
【００３４】
また、発光層は複数色の光を発するように構成してもよい。この場合、図１、２に示される対向基板の着色層は不要である。
【００３５】
発光層の画素電極１０７１と共通電極１０７３との間に形成されている発光部ＬＥＰが存在する場所は、平面視における発光領域ＥＲに相当する。そして、発光領域ＥＲを取り囲む非発光領域ＮＥＲは、平面視において発光領域ＥＲを挟んで互いに反対側に位置する２つの部分を、一つの画素内に含んでいることとしてもよい。
【００３６】
また、発光部ＬＥＰから発光され第一基板１００に対して鉛直方向に進む光は、発光部ＬＥＰから対向基板２００に向かう光Ｌ１（すなわち、共通電極１０７３に向かう光）と、発光部ＬＥＰから対向基板２００に向かう側とは反対側に向かう光Ｌ３（すなわち、画素電極１０７１に向かう光）とを含むものである。
【００３７】
ここで、素子層を構成する画素電極１０７１は、発光部ＬＥＰから発せられた光Ｌ３を反射する材料を含むこととしてもよい。このように、素子層１０７を構成する画素電極１０７１が、発光部ＬＥＰから発せられた光Ｌ３を反射する材料を含むことによって、発光部ＬＥＰから対向基板２００に向かう側とは反対側に向かう光Ｌ３を、発光部ＬＥＰから対向基板２００に向かう光Ｌ１に変換することとなり、発光層から出た光の利用効率が向上し、本願発明の効果を更に高めることとなる。
【００３８】
画素電極１０７１は、例えば可視光を反射させるものであればよく、より具体的にはＡｌ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｒ等の金属、ＩＴＯ／Ａｇ／ＩＴＯ、又はＴｉ／Ａｌ／Ｔｉの三層構造のものによって形成されることとしてもよい。
【００３９】
また、第１実施形態に係る表示装置１０を構成する、少なくとも隣り合う画素の間に形成されるバンク１０７２は、非発光領域ＮＥＲに位置している部分Ｐ１を有し、バンク１０７２の少なくとも該部分Ｐ１の内部は、発光部からの光を散乱するように形成されている。
【００４０】
上記のような光を散乱するバンクを備えることによって、発光層から基板に沿った水平方向に進み隣接する画素に向かう光Ｌ２の少なくとも一部は、基板に対して鉛直方向に進み表示装置から出る光Ｌ１に変換されることとなるため、発光層から出た光の利用効率が向上することとなる。
【００４１】
また、第１実施形態に係る表示装置１０の非発光領域ＮＥＲには、バンク１０７２の少なくとも一部によって覆われ且つ光を反射する膜が形成されていることとしてもよい。図３、４においては、上述の画素電極１０７１が、光を反射する膜として、非発光領域ＮＥＲと発光領域ＥＲとに形成されている。
【００４２】
このように、第１実施形態に係る表示装置１０においては、画素電極１０７１の延伸した部分Ｐ２が、バンク１０７２の少なくとも一部によって覆われ且つ光を反射する膜として用いられているが、画素電極１０７１と別体のものが備えられることとしてもよい。この場合、非発光領域ＮＥＲには、画素電極１０７１は形成されないこととなる。
【００４３】
また、バンク１０７２の非発光領域ＮＥＲに位置している部分Ｐ１は、発光部からの光を散乱する樹脂材料を含んで形成されていることとしてもよい。また、バンク１０７２は例えば絶縁材料によって形成される、絶縁体であることとしてもよい。より具体的には、バンク１０７２はアクリル樹脂を含んで形成されていることとしてもよい。
【００４４】
また、バンク１０７２は、発光部ＬＥＰからの光を散乱する、屈折率の異なる少なくとも２種類の材料を含んで形成されていることとしてもよい。より具体的には、バンク１０７２は、第１の屈折率を有する材料によって形成された粒子と、該第１の屈折率とは異なる第２の屈折率を有する材料によって形成された該粒子同士の間隔を埋める母材とで構成されることとしてもよい。このように、バンク１０７２の内部に該バンクの母材と屈折率の異なる領域を設けることによって、バンク１０７２はバンク内部を伝播する光を散乱する構造を有することとなる。
【００４５】
より具体的には、例えばバンク１０７２を形成する母材の内部に分散される粒子は、酸化チタンによって形成された粒子であることとしてもよい。また、バンク１０７２を形成する母材の内部に分散される粒子は、平均粒子径が２００ｎｍ以上、５００ｎｍ以下の酸化チタンであることとしてもよい。なお平均粒子径は、レーザ回折・散乱法によって算出された数値である。
【００４６】
あるいは、バンク１０７２の母材内部に分散される粒子は、数ｎｍ〜数１００ｎｍの粒径を有することとしてもよく、また、屈折率が１．７以上の無機微粒子が固定化されたコア・シェルマイクロ粒子であることとしてもよい。
【００４７】
あるいは、バンク１０７２の母材内部に分散される粒子は、アクリル樹脂ビーズであることとしてもよい。また、バンク１０７２の母材内部に分散される粒子は、平均粒子径が１００ｎｍ以上、５００ｎｍ以下のアクリル樹脂ビーズであることとしてもよい。
【００４８】
また、バンク１０７２は、発光層からの光を反射する粒子(particle)と、該粒子同士の間隔を埋める母材（base material）とで構成されることとしてもよい。このように、バンク１０７２の母材内部に光を反射する粒子を設けることによって、バンク１０７２はバンク内部を伝播する光を散乱する構造を有することとなる。
【００４９】
また、バンク１０７２の母材内部に設けられる粒子は、ボイド(void)であることとしてもよい。この場合、バンク１０７２の内部には気泡が存在することとなる。このように、バンク１０７２の母材内部に空隙部を設けることによって、バンク１０７２はバンク内部を伝播する光を散乱する構造を有することとなる。
【００５０】
また、図３、４に示されるように、第１実施形態に係る表示装置は、画素（図３、４における画素Ｐｘ１）の非発光領域に位置している部分と、隣り合う他の画素（図３、４における画素Ｐｘ２、Ｐｘ３、Ｐｘ４、Ｐｘ５）のうちの少なくとも一つの画素との間に、画素（図３、４における画素Ｐｘ１）の発光部ＬＥＰからの光を、画素（図３、４における画素Ｐｘ１）の非発光領域ＮＥＲに向けて反射する反射壁部Ｗを更に備えることとしてもよい。
【００５１】
図３において、反射壁部Ｗは、有機平坦化膜１０９上に形成された隔壁１０７６の側壁部分に画素電極１０７１を延在させることで形成している。すなわち、第１実施形態に係る表示装置１０においては、隔壁１０７６の内壁と、有機平坦化膜１０９すなわち絶縁表面とで形成された凹部に、光を反射する材料を用いて形成された画素電極が備えられている。なお、隔壁１０７６は、有機平坦化膜１０９上すなわち絶縁表面上に、複数の画素を区画するように設けられたものである。
【００５２】
反射壁部Ｗ若しくは隔壁１０７６は、特に上述の態様に限定するものではなく、同様に発光領域よりも外側に配置され、発光部ＬＥＰからの光を非発光領域ＮＥＲに向けて反射できる面が形成されていれば、画素電極１０７１とは別層で形成されても良い。
【００５３】
また、図３を参照すると、バンク１０７２は、隔壁１０７６、及び画素電極１０７１上に形成され、有機平坦化膜１０９上である絶縁表面上に位置する画素電極１０７１を一部露出する開口を有する。そして、発光部ＬＥＰを形成する発光層は、該開口を覆うように設けられ、共通電極１０７３は発光層とバンク１０７２とを覆っている。
【００５４】
このように、反射壁部Ｗを備えることによって、発光層から基板に沿った水平方向に進み隣接する画素に向かう光Ｌ２のうち、散乱せずにバンク１０７２を通過してしまった光を、再度バンク１０７２側に反射することとなる。そして、反射した光の少なくとも一部は、基板に対して鉛直方向に進み表示装置から出る光Ｌ１に変換されることとなり、結果、発光層から出た光の利用効率を更に向上することとなる。
【００５５】
また、反射壁部Ｗは、図３に示されるように、一の画素の非発光領域ＮＥＲに位置しているバンク１０７２の部分と、該一の画素と隣り合い、該一の画素とは発光色が異なる他の画素との間に、該一の画素の発光部ＬＥＰからの光を、該一の画素の非発光領域ＮＥＲに向けて反射するように備えられることとしてもよい。
【００５６】
ここで、第１実施形態に係る表示装置１０は、発光部ＬＥＰからの光を散乱するバンク１０７２と、発光部ＬＥＰからの光を、画素の非発光領域ＮＥＲに向けて反射する反射壁部Ｗとの両方を備えるものであるが、仮にバンク１０７２が発光部ＬＥＰからの光を散乱するものでなかったとし、表示装置１０が画素の非発光領域ＮＥＲに向けて反射する反射壁部Ｗのみを備えるものであっても、該表示装置１０の発光層から出た光の利用効率は向上することとなる。
【００５７】
また、反射壁部Ｗの少なくとも表面は、例えば可視光を反射させるものであればよく、より具体的にはＡｌ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｒ等の金属、ＩＴＯ／Ａｇ／ＩＴＯ、又はＴｉ／Ａｌ／Ｔｉの三層構造のものによって形成されることとしてもよい。
【００５８】
また、反射壁部Ｗの少なくとも表面と上述の画素電極１０７１とは、同じ材料で形成されていることとしてもよい。すなわち、反射壁部Ｗの少なくとも表面は画素電極１０７１と同じ材料で形成され、それぞれＡｌ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｒ等の金属、ＩＴＯ／Ａｇ／ＩＴＯ、又はＴｉ／Ａｌ／Ｔｉの三層構造のものによって形成されることとしてもよい。
【００５９】
また、反射壁部Ｗの対向基板２００と対向する側の面は、有機層１０７４の対向基板２００と対向する側の面よりも対向基板２００に近い位置に備えられることとしてもよい。また、反射壁部Ｗの対向基板２００と対向する側とは反対側の面は、有機層１０７４の対向基板２００と対向する側とは反対側の面よりも対向基板２００に遠い位置に備えられることとしてもよい。
【００６０】
また平面視において、反射壁部Ｗは、後述する隣り合う画素の間に形成された光遮蔽部ＬＳＰと少なくとも一部が重なるように備えられることとしてもよいし、反射壁部Ｗの全部が該光遮蔽部ＬＳＰと重なるように備えられることとしてもよい。
【００６１】
また、第１実施形態に係る表示装置１０は、有機層１０７４を覆う、バリア層１０７５を含んで構成されていることとしてもよい。バリア層１０７５は外部からの水分を遮断する機能を有し、防湿性に優れた層である。すなわち、バリア層１０７５は水分透過性が低い性質を有する材料によって形成される。
【００６２】
具体的にはバリア層１０７５は、例えば無機材料によって形成されることとしてもよい。また、バリア層１０７５は、ＣＶＤ（化学蒸着法：Chemical Vapor Deposition）、ＡＬＤ（原子層堆積法：Atomic Layer Deposition）によって形成されることとしてもよい。
【００６３】
また、バリア層１０７５を形成する無機材料とは、例えば、窒化ケイ素、酸化ケイ素によって形成されることとしてもよい。
【００６４】
また、第1実施形態に係る表示装置１０に備えられる対向基板２００は、図３、４に示されるようにＲＧＢ（Ｒ：Red，Ｇ：Green、Ｂ：Blue）のカラーフィルタ２０１の他に、隣り合う画素の間に形成された光遮蔽部ＬＳＰを更に備えることとしてもよい。また、第1実施形態に係る表示装置の光遮蔽部ＬＳＰは、平面視において発光領域ＥＲと非発光領域ＮＥＲと重なっていない領域に配置されていることとしてもよい。光遮蔽部ＬＳＰは、所謂ブラックマトリックスによって実現されることとしてもよい。
【００６５】
また、第1実施形態に係る表示装置に備えられる対向基板２００は、ＲＧＢ（Ｒ：Red，Ｇ：Green、Ｂ：Blue）のカラーフィルタ２０１を備え、隣り合う画素の間で隣接する異なる色のカラーフィルタ同士を重ねることによって形成された光遮蔽部ＬＳＰを備えることとしてもよい。また、隣接する異なる色のカラーフィルタを重ね、光の透過を低下させることによって実現された光遮蔽部ＬＳＰは、平面視において発光領域ＥＲと非発光領域ＮＥＲと重なっていない領域に配置されていることとしてもよい。
【００６６】
また、図３、図４に示されるように、第1実施形態に係る表示装置１０の第一基板１００と対向基板２００との間には、充填材３００が備えられていることとしてもよい。
【００６７】
［第２実施形態］
次に、本発明の第２実施形態に係る表示装置の概略について、図５、６Ａを参照して説明する。
【００６８】
図５は、本発明の実施形態に係る表示装置の表示領域の一部を拡大して示す図であり、発光領域と非発光領域との配置関係を示す図である。
【００６９】
図６Ａは、図５の切断線ＶＩ‐ＶＩにおける断面を示す図であり、第２実施形態に係る表示装置の構成を示す図である。
【００７０】
第２実施形態に係る表示装置２０は、平面視における発光領域ＥＲと非発光領域ＮＥＲとの配置が異なる以外は、前述の第１実施形態に係る表示装置１０と同様のものである。
【００７１】
第１実施形態に係る表示装置１０は、発光領域ＥＲが画素Ｐｘの略中央に配置され、中央に配置された発光領域ＥＲの周囲を囲むように非発光領域ＮＥＲが配置されるものである。これに対し、第２実施形態に係る表示装置２０は、発光領域ＥＲと非発光領域ＮＥＲとが画素の一方に偏って配置されている。
【００７２】
そして図５に示されるように、第２実施形態に係る表示装置２０の一の画素Ｐｘの発光領域ＥＲは、該一の画素Ｐｘと隣り合う他の画素Ｐｘの非発光領域ＮＥＲと隣り合うように配置されている。また、第２実施形態に係る表示装置２０の一の画素Ｐｘの発光領域ＥＲは、該一の画素Ｐｘとは異なる色を発光する隣り合う他の画素Ｐｘの非発光領域ＮＥＲと隣り合うように配置されていることとしてもよい。
【００７３】
このように、発光領域ＥＲと非発光領域ＮＥＲとが配置されることによって、第２実施形態に係る表示装置２０は、第１実施形態に係る表示装置１０と比較して、発光時各色の混色が低減できるという効果を奏することとなる。
【００７４】
なお、本発明の第２実施形態に係る表示装置２０の平面視における発光領域ＥＲと非発光領域ＮＥＲとの配置関係は、後に説明する第３〜第８実施形態に係る表示装置の平面視における発光領域ＥＲと非発光領域ＮＥＲとの配置関係と共通するものである。したがって、図５で示される図は、本発明の第２〜第８実施形態に係る表示装置の表示領域の一部を拡大して示す図であり、発光領域ＥＲと非発光領域ＮＥＲとの配置関係を示す図として、以後説明に用いることとする。
【００７５】
また、図５においては、光遮光部ＬＳＰは図示を省略している。図５に示される表示装置における光遮光部ＬＳＰは、上述の第１実施形態の光遮光部ＬＳＰと同様のものが備えられることとしてもよいし、隣り合う画素の間で隣接する異なる色のカラーフィルタ同士を重ねることによって形成されることとしてもよい。また、各実施形態に係る表示装置に備えられる光遮光部ＬＳＰに特徴がある場合、その実施形態に係る表示装置の説明においてその都度説明することとする。
【００７６】
［第３実施形態］
次に、本発明の第３実施形態に係る表示装置の概略について、図５、６Ｂを参照して説明する。図６Ｂは、図５の切断線ＶＩ‐ＶＩにおける断面を示す図であり、第３実施形態に係る表示装置の構成を示す図である。
【００７７】
第３実施形態に係る表示装置は、一の画素Ｐｘにおいて、発光領域ＥＲに配置される第１のカラーフィルタ２０１Ａと、非発光領域ＮＥＲに配置され且つ第１のカラーフィルタ２０１Ａの光の透過率と異なる光の透過率を有する第２のカラーフィルタ２０１Ｂとを備える点で、第２実施形態に係る表示装置と異なる。第３実施形態に係る表示装置の他の構成は、第２実施形態に係る表示装置のそれと同様のものである。
【００７８】
前述の第２実施形態に係る表示装置において、一の画素から視認される光は、発光領域ＥＲからの光と、非発光領域ＮＥＲからの光が混在することとなる。ところで非発光領域ＮＥＲから発せられる光は、発光部ＬＥＰからの光の一部を散乱させた後、外部に照射される光であるため、発光部ＬＥＰからの光を直接外部に照射される光である発光領域ＥＲからの光と比較して、色純度が自ずと小さいものとなりやすくなる。
【００７９】
すなわち、第２実施形態に係る表示装置において、一の画素から照射される光は、画素内において色純度にムラが生じる虞がある。
【００８０】
これに対し、第３実施形態に係る表示装置２０は、発光領域ＥＲに配置される第１のカラーフィルタ２０１Ａの光の透過率と、非発光領域ＮＥＲに配置される第２のカラーフィルタ２０１Ｂの光の透過率を調整することにより、一の画素Ｐｘから照射される光の画素内における色純度のムラを低減することが可能となる。
【００８１】
［第４実施形態］
次に、本発明の第４実施形態に係る表示装置の概略について、図５、６Ｃを参照して説明する。図６Ｃは、図５の切断線ＶＩ‐ＶＩにおける断面を示す図であり、第４実施形態に係る表示装置の構成を示す図である。
【００８２】
第４実施形態に係る表示装置２０は、各画素Ｐｘに対応した色を発光する発光層を含む有機層１０７４が、それぞれの画素に備えられている。すなわち、第４実施形態に係る表示装置２０には、カラーフィルタを備える必要がなく、カラーフィルタの有無と、有機層１０７４（有機層に含まれる発光層）の構成とにおいて前述の第１実施形態に係る表示装置１０と異なっている。
【００８３】
第４実施形態に係る表示装置２０の他の構成は、第１実施形態に係る表示装置１０のそれと同様のものである。
【００８４】
第４実施形態の表示装置２０は、発光層から出た光の利用効率を向上できるとともに、カラーフィルタを省略できることから薄型化、軽量化を実現することが可能となる。
【００８５】
［第５実施形態］
次に、本発明の第５実施形態に係る表示装置の概略について、図５、６Ｄを参照して説明する。図６Ｄは、図５の切断線ＶＩ‐ＶＩにおける断面を示す図であり、第５実施形態に係る表示装置の構成を示す図である。
【００８６】
第５実施形態に係る表示装置は、第４実施形態同様、各画素Ｐｘに対応した色を発光する発光層を含む有機層１０７４が、それぞれの画素に備えられている。
【００８７】
そして、第５実施形態に係る表示装置は、一の画素の非発光領域ＮＥＲに位置しているバンク１０７２の部分Ｐ１と、該一の画素と隣り合う他の画素のうちの少なくとも一つの画素との間に、該一の画素の発光部ＬＥＰからの光を、該一の画素の非発光領域に向けて反射する反射壁部を設けない点において、第４実施形態に係る表示装置と異なっている。
【００８８】
これは、各色別発光を採る第４、第５実施形態に係る表示装置２０は、画素間で異なる光同士が混ざっても問題がないからである。
【００８９】
このように、反射壁部を設けないことによって、第５実施形態に係る表示装置は、第４実施形態に係る表示装置と比較して製造工程が短縮できるという利点を有する。
【００９０】
［第６実施形態］
次に、本発明の第６実施形態に係る表示装置の概略について、図５、６Ｅを参照して説明する。図６Ｅは、図５の切断線ＶＩ‐ＶＩにおける断面を示す図であり、第６実施形態に係る表示装置の構成を示す図である。
【００９１】
第６実施形態に係る表示装置は、第４実施形態同様、各画素Ｐｘに対応した色を発光する発光層を含む有機層１０７４が、それぞれの画素に備えられている。
【００９２】
そして、第６実施形態に係る表示装置の発光部ＬＥＰの位置は、図６Ｅに示されるように表示装置２０の断面において、バンク１０７２の上面よりも低く、バンク１０７２の下面よりも高い。すなわち、発光層は、表示装置の断面において、バンク１０７２の下面の延長線以上、バンク１０７２の上面の延長線以下の領域に形成されている。
【００９３】
図６Ｅに示されるような断面形状のバンク１０７２を設けることによって、よりバンク１０７２の容積が増えることとなる。バンク１０７２の容積が増えることは、発光部ＬＥＰからの光を散乱する部分の容積が増えることとなるため、結果、発光層から出た光の利用効率が更に高まることとなる。
【００９４】
［第７実施形態］
次に、本発明の第７実施形態に係る表示装置の概略について、図５、６Ｆを参照して説明する。図６Ｆは、図５の切断線ＶＩ‐ＶＩにおける断面を示す図であり、第７実施形態に係る表示装置の構成を示す図である。
【００９５】
第７実施形態に係る表示装置は、第４実施形態同様、各画素Ｐｘに対応した色を発光する発光層を含む有機層１０７４が、それぞれの画素に備えられている。
【００９６】
また、第７実施形態に係る表示装置の発光部の位置は、第６実施形態同様、図６Ｆに示されるように表示装置の断面において、バンク１０７２の上面よりも低く、バンク１０７２の下面よりも高い。すなわち、発光層は、表示装置の断面において、バンク１０７２の下面の延長線以上、バンク１０７２の上面の延長線以下の領域に形成されている。
【００９７】
そして、画素電極１０７１は有機平坦化膜１０９上に形成され、有機平坦化膜１０９は非発光領域ＮＥＲに凹部を有し、バンク１０７２が有機平坦化膜１０９の凹部に形成されている。
【００９８】
第７実施形態に係る表示装置は、一の画素の非発光領域ＮＥＲに位置しているバンク１０７２の部分と、該一の画素と隣り合う他の画素のうちの少なくとも一つの画素との間に、該一の画素の発光部ＬＥＰからの光を、該一の画素の非発光領域ＮＥＲに向けて反射する反射壁部Ｗが、有機平坦化膜１０９を形成する材料と同じ材料で形成されている点において、第６実施形態に係る表示装置と異なっている。
【００９９】
このように、反射壁部を、有機平坦化膜１０９を形成する材料と同じ材料で形成することによって、反射壁部Ｗの形成を有機平坦化膜１０９の形成と同じタイミングで行うことができ、第７実施形態に係る表示装置は、第６実施形態に係る表示装置と比較して製造工程が短縮できるという利点を有する。
【０１００】
［第８実施形態］
次に、本発明の第８実施形態に係る表示装置の概略について、図５、６Ｇを参照して説明する。図６Ｇは、図５の切断線ＶＩ‐ＶＩにおける断面を示す図であり、第８実施形態に係る表示装置の構成を示す図である。
【０１０１】
第８実施形態に係る表示装置は、第４実施形態同様、各画素Ｐｘに対応した色を発光する発光層を含む有機層１０７４が、それぞれの画素に備えられている。また、第８実施形態に係る表示装置の発光部ＬＥＰの位置は、第６実施形態同様、図６Ｇに示されるように表示装置の断面において、バンク１０７２の上面よりも低く、バンク１０７２の下面よりも高い。すなわち、発光層は、表示装置の断面において、バンク１０７２の下面の延長線以上、バンク１０７２の上面の延長線以下の領域に形成されている。
【０１０２】
そして、第８実施形態に係る表示装置は、一の画素の非発光領域ＮＥＲに位置しているバンク１０７２の部分と、該一の画素と隣り合う他の画素のうちの少なくとも一つの画素との間に、該一の画素の発光部ＬＥＰからの光を、該一の画素の非発光領域ＮＥＲに向けて反射する反射壁部を設けない点において、第６及び第７実施形態に係る表示装置と異なっている。
【０１０３】
このように、反射壁部を設けないことによって、第８実施形態に係る表示装置は、第６及び第７実施形態に係る表示装置と比較して製造工程が短縮できるという利点を有する。
【符号の説明】
【０１０４】
１０，２０  表示装置、１００  第一基板、１０１  回路層、１０２  素子層、１０３  集積回路チップ、１０４  フレキシブル配線基板、１０５  基材、１０６  回路層、１０７  素子層、１０８  下地層、１０９  有機平坦化膜、１０６２  配線、１０７１  画素電極、１０７２  バンク、１０７３  共通電極、１０７４  有機層、１０７５  バリア層、１０７６  隔壁、２００  対向基板、２０１  カラーフィルタ、３００  充填材、Ｐｘ  画素、ＥＲ  発光領域、ＮＥＲ  非発光領域、ＬＥＰ  発光部、Ｗ  反射壁部、ＬＳＰ  光遮蔽部。
【図１】
2016152155.tif 000003
【図２】
2016152155.tif 000004
【図３】
2016152155.tif 000005
【図４】
2016152155.tif 000006
【図５】
2016152155.tif 000007
【図６Ａ】
2016152155.tif 000008
【図６Ｂ】
2016152155.tif 000009
【図６Ｃ】
2016152155.tif 000010
【図６Ｄ】
2016152155.tif 000011
【図６Ｅ】
2016152155.tif 000012
【図６Ｆ】
2016152155.tif 000013
【図６Ｇ】
2016152155.tif 000014