(57)【要約】【課題】実装性の向上を図ることが可能なプリント配線板及びその製造方法の提供を目的とする。【解決手段】本発明のプリント配線板１０は、最外ビルドアップ導体層１６と、最外ビルドアップ導体層１６Ａ上に積層されるソルダーレジスト層２９と、ソルダーレジスト層２９に形成されて最外ビルドアップ導体層１６Ａの一部を導体パッド２３として露出させる複数の開口２７と、導体パッド２３上に形成され、ソルダーレジスト層２９の上表面から突出すると共に外周部がソルダーレジスト層２９上に配置される複数のめっきバンプ４１と、を備え、複数のめっきバンプ４１の少なくとも１つのめっきバンプ４１の形状は、平坦頂面４１Ｔと、ソルダーレジスト層２９から平坦頂面４１Ｔへ近づくにつれて窄まるように湾曲する湾曲外周面４１Ｓと、を有する形状である。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
導体層と、
前記導体層上に積層される絶縁層と、
前記絶縁層に形成されて前記導体層の一部を導体パッドとして露出させる複数の開口と、
前記導体パッド上に形成され、前記絶縁層の上表面から突出すると共に外周部が前記絶縁層上に配置される複数のめっきバンプと、を備えるプリント配線板であって、
前記複数のめっきバンプの少なくとも１つのめっきバンプの形状は、平坦頂面と、外周部に配置されて前記絶縁層から前記平坦頂面へ近づくにつれて窄まるように湾曲する湾曲外周面と、を有する形状である。
【請求項２】
請求項１に記載のプリント配線板において、
前記めっきバンプは、無電解めっきで形成されている。
【請求項３】
請求項２に記載のプリント配線板において、
前記めっきバンプは、無電解Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ金属層で構成され、
前記絶縁層の上表面から前記平坦頂面までの高さは、１５μｍ以下であって、
前記無電解Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ層におけるＮｉ層の厚さは１０〜３５μｍ、Ｐｄ層の厚さは０．１〜１μｍ、Ａｕ層の厚さは０．０３〜０．１μｍである。
【請求項４】
請求項１乃至３のうち何れか１の請求項に記載のプリント配線板において、
前記平坦頂面の外径が１３０μｍ未満である。
【請求項５】
請求項１乃至４のうち何れか１の請求項に記載のプリント配線板において、
前記めっきバンプと反対側の面が平坦テーブルに吸着されたときの、前記テーブルから前記めっきバンプの頂部までの高さの最大値と最小値の差が、２０μｍ以内である。
【請求項６】
請求項１乃至５のうち何れか１の請求項に記載のプリント配線板において、
前記絶縁層は、ソルダーレジスト層である。
【請求項７】
請求項１乃至６のうち何れか１の請求項に記載のプリント配線板において、
前記複数の開口には、互いに開口径が異なる第１開口と第２開口とが含まれる。
【請求項８】
請求項１乃至７のうち何れか１の請求項に記載の配線板において、
前記めっきバンプには、前記平坦頂面の中央部に凹部を備えるものが含まれる。
【請求項９】
請求項１乃至８のうち何れか１の請求項に記載のプリント配線板において、
前記導体層下に配置されて電子部品を内蔵するキャビティを、さらに有し、
前記複数のめっきバンプには、厚さ方向から見て前記キャビティに重ねて配置される複数の第１めっきバンプと、厚さ方向から見て前記キャビティの外側に配置される複数の第２めっきバンプと、が含まれ、
前記第１めっきバンプ同士の間の間隔は、３０〜８０μｍであって、
前記第２めっきバンプ同士の間の間隔は、３０〜１８０μｍである。
【請求項１０】
プリント配線板の最外導体層上に絶縁層を形成することと、
前記絶縁層に、前記最外導体層の一部を導体パッドとして露出させる複数の開口を形成することと、
前記導体パッド上に、前記絶縁層の上表面から突出すると共に外周部が前記絶縁層上に配置される前記めっきバンプを形成することと、を含むプリント配線板の製造方法であって、
研磨、研削又は切削によって前記めっきバンプの頂部に平坦頂面を形成することをさらに含む。
【請求項１１】
請求項１０に記載のプリント配線板の製造方法において、
前記めっきバンプを形成するにあたり、前記絶縁層の上表面から突出する無電解Ｎｉ層を形成してから、その無電解Ｎｉ層上に無電解Ｐｄ層と無電解Ａｕ層とを順に形成し、
前記平坦頂面を形成するにあたり、前記無電解Ｐｄ層と前記無電解Ａｕ層とが形成される前に、前記無電解Ｎｉ層の頂部を研磨、研削又は切削によって平坦にする。
【請求項１２】
請求項１０又は１１に記載のプリント配線板の製造方法において、
前記平坦頂面を形成するにあたり、前記めっきバンプと反対側の面を平坦テーブルに吸着させた状態にする。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表裏の一方側の面にめっきバンプを有するプリント配線板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、この種のプリント配線板として、導体層上のソルダーレジスト層に導体層の一部を導体パッドとして露出させる複数の開口が形成され、その導体パッド上にソルダーレジスト層の上表面から突出する半田バンプが形成されているものが知られている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１３−１７２０７３号公報（段落［００１７］、図６）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上述した従来のプリント配線板では、半田バンプと反対側の面を平坦テーブルに吸着させた状態で半田バンプ側の面に電子部品（例えば、半導体、受動部品、インターポーザ等を指す。）を実装する際、平坦テーブルから半田バンプの頂部までの高さのばらつきが大きいと、電子部品の実装性が悪いという問題が考えられる。
【０００５】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、実装性の向上を図ることが可能なプリント配線板及びその製造方法の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するためになされた本発明に係るプリント配線板は、導体層と、導体層上に積層される絶縁層と、絶縁層に形成されて導体層の一部を導体パッドとして露出させる複数の開口と、導体パッド上に形成され、絶縁層の上表面から突出すると共に外周部が絶縁層上に配置される複数のめっきバンプと、を備えるプリント配線板であって、複数のめっきバンプの少なくとも１つのめっきバンプの形状は、平坦頂面と、外周部に配置されて絶縁層から平坦頂面へ近づくにつれて窄まるように湾曲する湾曲外周面と、を有する形状である。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本発明の一実施形態に係るプリント配線板の断面図
【図２】プリント配線板における電子部品周辺の拡大断面図
【図３】めっきバンプ周辺の断面図
【図４】プリント配線板への実装基板の実装を説明するための図
【図５】プリント配線板の製造工程を示す図
【図６】プリント配線板の製造工程を示す図
【図７】プリント配線板の製造工程を示す図
【図８】プリント配線板の製造工程を示す図
【図９】プリント配線板の製造工程を示す図
【図１０】（Ａ）変形例に係るプリント配線板の断面図、（Ｂ）プリント配線板の製造に用いられるキャビティ付き基板の断面図
【図１１】（Ａ）変形例に係るめっきバンプの断面図、（Ｂ）変形例に係るめっきバンプの形成過程を説明するための断面図
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、本発明の一実施形態を図１〜図９に基づいて説明する。図１に示すように、本実施形態に係るプリント配線板１０は、コア基板１１の表側面であるＦ面１１Ｆと裏側面であるＢ面１１Ｂとにビルドアップ絶縁層１５とビルドアップ導体層１６とが交互に積層されている多層構造になっている。
【０００９】
コア基板１１の表裏の両面には、コア導体層１２が形成されている。表側のコア導体層１２と裏側のコア導体層１２とは、コア基板１１を貫通するスルーホール導体１３によって接続されている。スルーホール導体１３は、コア基板１１を貫通するスルーホール１３Ａの壁面に、例えば、銅のめっきが形成されることにより形成されている。コア基板１１の厚さは、約６０〜７００μｍになっていて、コア導体層１２の厚さは、約７〜３５μｍになっている。なお、コア基板１１は、特開２０１２−６９９２６号公報の図１〜図２に示されるような製造方法によって製造されてもよい。
【００１０】
ビルドアップ絶縁層１５は、絶縁性材料で構成され、その厚さは、約１０〜３０μｍになっている。ここで、ビルドアップ絶縁層１５の厚さは、上下導体層間の距離で定義される。ビルドアップ導体層１６は、金属（例えば、銅）で構成され、その厚さは、約５〜１５μｍになっている
【００１１】
コア基板１１に最も近い最内のビルドアップ導体層１６とコア導体層１２とは、最内のビルドアップ絶縁層１５を貫通するビア導体１７によって接続されている。また、積層方向で隣り合うビルドアップ導体層１６，１６同士は、それらビルドアップ導体層１６，１６の間に位置するビルドアップ絶縁層１５を貫通するビア導体１８によって接続されている。
【００１２】
複数のビルドアップ導体層１６のうち最も外側に配置される最外ビルドアップ導体層１６Ａ，１６Ａ上には、プリント配線板１０の表裏の両面を構成するソルダーレジスト層２９，２９が形成されている。ソルダーレジスト層２９は、絶縁性材料で構成され、本発明の「絶縁層」に相当する。また、最外ビルドアップ導体層１６Ａは本発明の「導体層」及び「最外導体層」に相当する。なお、ソルダーレジスト層２９の厚さは、約７〜２５μｍとなっている。ここで、ソルダーレジスト層２９の厚さは、最外ビルドアップ導体層１６Ａの上表面からソルダーレジスト層２９の上表面までの距離で定義される。
【００１３】
図１に示すように、本実施形態のプリント配線板１０は、電子部品８０を内蔵している。具体的には、プリント配線板１０のＦ面１０Ｆ側の最外ビルドアップ導体層１６Ａの下には、ビルドアップ絶縁層１５を貫通するキャビティ３０が形成されていて、そのキャビティ３０に電子部品８０が収容されている。詳細には、図２に示すように、Ｆ面１０Ｆ側の最外ビルドアップ導体層１６Ａよりも内側（コア基板１１側）に位置するビルドアップ導体層１６には、プレーン層３１が形成されていて、プレーン層３１がキャビティ３０の底面として露出する。電子部品８０は、接着層３３を介してプレーン層３１に固定されている。
【００１４】
図１に示すように、プリント配線板１０のＦ面１０Ｆを構成するソルダーレジスト層２９（以下、「Ｆ面ソルダーレジスト層２９Ｆ」という。）には、最外ビルドアップ導体層１６Ａの一部を導体パッド２３として露出させる開口２７が複数形成されている。導体パッド２３には、プリント配線板１０の厚さ方向から見たときにキャビティ３０に重ねて配置される複数の第１導体パッド２３Ａと、キャビティ３０の外側に配置される複数の第２導体パッド２３Ｂとが含まれている。複数の開口２７には、第１導体パッド２３Ａを露出させる複数の第１開口２７Ａと、第２導体パッド２３Ｂを露出させる複数の第２開口２７Ｂとが含まれている。なお、第１開口２７Ａの開口径は、第２開口２７Ｂの開口径より小さくなっている。
【００１５】
導体パッド２３は、ビルドアップ絶縁層１５を貫通する導体ビア２５を介してビルドアップ導体層１６と電子部品８０に接続されている。具体的には、第１導体パッド２３Ａは、第１ビア導体２５Ａを介して電子部品８０の端子（図示せず）に接続されている。第２導体パッド２３Ｂは、第２ビア導体２５Ｂを介してビルドアップ導体層１６に接続されている。
【００１６】
図２に示すように、第１導体パッド２３Ａ及び第２導体パッド２３Ｂの上には、めっきバンプ４１が形成されている。第１導体パッド２３Ａ上のめっきバンプ４１（以下、「第１めっきバンプ４１Ａ」という。）は、第１開口２７Ａ内を充填すると共に、Ｆ面ソルダーレジスト層２９Ｆの外側にバンプ状に突出し、外周部がＦ面ソルダーレジスト層２９Ｆ上に配置されている。第２導体パッド２３Ｂ上のめっきバンプ４１（以下、「第２めっきバンプ４１Ｂ」という。）は、第２開口２７Ｂ内を充填してＦ面ソルダーレジスト層２９Ｆの外側にバンプ状に突出し、外周部がＦ面ソルダーレジスト層２９Ｆ上に配置されている。
【００１７】
図３及び図４に示すように、複数のめっきバンプ４１（第１めっきバンプ４１Ａ及び第２めっきバンプ４１Ｂ）には、平坦頂面４１Ｔと、Ｆ面ソルダーレジスト層２９Ｆから平坦頂面４１Ｔに近づくにつれて窄まるように湾曲する湾曲外周面４１Ｓと、を有する形状のめっきバンプ４１が含まれている。以下では、平坦頂面４１Ｔを有するめっきバンプ４１を、適宜、平坦めっきバンプ４１Ｈと呼ぶことにする。なお、平坦めっきバンプ４１Ｈは、第１導体パッド２３Ａ上に形成される第１めっきバンプ４１Ａに含まれていてもよいし、第２導体パッド２３Ｂ上に形成される第２めっきバンプ４１Ｂに含まれていてもよいし、第１めっきバンプ４１Ａと第２めっきバンプ４１Ｂの両方に含まれていてもよい。
【００１８】
図３に示すように、めっきバンプ４１は、（第１めっきバンプ４１Ａ及び第２めっきバンプ４１Ｂ）は、無電解Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ金属層で構成されている。無電解Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ金属層におけるＮｉ層４１Ｌの厚さは、１５〜３０μｍ、Ｐｄ層４１Ｍの厚さは、０．１〜１μｍ、Ａｕ層４１Ｎの厚さは、０．０３〜０．１μｍになっている。また、面ソルダーレジスト層２９Ｆの上表面からのＮｉ層４１Ｌの突出高さは、３〜１５μｍになっている。なお、めっきバンプ４１は、例えば、無電解Ｎｉ／Ａｕ等の他の無電解めっきで構成されてもよいし、電解めっきで構成されていてもよい。
【００１９】
第１めっきバンプ４１Ａの外径は、約２５〜６０μｍになっていて、第１めっきバンプ４１Ａ，４１Ａ同士の間隔（ピッチ）は、３０〜８０μｍになっている。第２めっきバンプ４１Ｂの外径は、約２５〜１３０μｍになっていて、第２めっきバンプ４１Ｂ，４１Ｂ同士の間隔（ピッチ）は、約３０〜１８０μｍになっている。なお、各めっきバンプ４１Ａ，４１Ｂの外径は、Ｆ面ソルダーレジスト層２９Ｆの上表面から突出する部分の外径である。
【００２０】
図１に示すように、プリント配線板１０のＢ面１０Ｂ側のソルダーレジスト層２９（以下、「Ｂ面ソルダーレジスト層２９Ｂ」という。）には、Ｂ面１０Ｂ側の最外ビルドアップ導体層１６Ａの一部を第３導体パッド２４として露出させる第３開口２８が複数形成されている。
【００２１】
第３導体パッド２４の上には、Ｂ面めっき層４２が形成されている。Ｂ面めっき層４２は、第３開口２８の底部に配置されて、Ｂ面ソルダーレジスト層２９Ｂの外面に対して凹んでいる。Ｂ面めっき層４２は、上述しためっきバンプ４１と同様に、無電解Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ金属層で構成されている。Ｂ面めっき層４２におけるＮｉ層の厚さは３〜１０μｍ、Ｐｄ層の厚さは０．１〜１μｍ、Ａｕ層の厚さは０．０３〜０．１μｍになっている。なお、当該Ｂ面の表面処理については、特に限定されず、例えば、無電解Ｎｉ／Ａｕ層、ＯＳＰ膜等を形成する表面処理であってもよい。
【００２２】
図４に示すように、プリント配線板１０のＦ面１０Ｆには、電子部品９０が実装される。電子部品９０の実装にあたり、プリント配線板１０のＢ面１０Ｂ側は、平坦テーブル９１に吸着される。このとき、平坦テーブル９１からめっきバンプ４１の頂部までの高さの最大値Ｈ１と最小値Ｈ２の差は、２０μｍ以下になっている。このように、プリント配線板１０では、平坦テーブル９１からめっきバンプ４１の頂部までの高さのばらつきが小さくなっているので、電子部品９０の実装性の向上を図ることが可能となっている。
【００２３】
プリント配線板１０の構造に関する説明は以上である。次に、プリント配線板１０の製造方法を図５〜図９に基づいて説明する。
【００２４】
プリント配線板１０は、以下のようにして製造される。
（１）まず、図５に示すように、電子部品８０を内蔵する基板５０が準備される。基板５０は、以下のようにして得られる。即ち、コア基板１１に複数のビルドアップ絶縁層１５とビルドアップ導体層１６が交互に積層されると共に、その積層の途中で形成されるキャビティ３０に電子部品８０が収容される。そして、最も外側に配置される最外ビルドアップ導体層１６Ａ，１６Ａ上にソルダーレジスト層２９，２９が形成されることで基板５０が得られる。なお、基板５０の表裏の一方側のＦ面５０Ｆがプリント配線板１０のＦ面１０Ｆとなり、他方側の面５０Ｂがプリント配線板１０のＢ面１０Ｂとなる。
【００２５】
（２）図６に示すように、リソグラフィ処理によって、基板５０うち表裏の一方側の面であるのＦ面５０Ｆ側のＦ面ソルダーレジスト層２９Ｆに、Ｆ面５０Ｆ側の最外ビルドアップ導体層１６Ａの一部を第１導体パッド２３Ａ及び第２導体パッド２３Ｂとして露出させる第１開口２７Ａ及び第２開口２７Ｂが形成される。また、基板５０のうち表裏の他方側の面であるＢ面５０Ｂ側のＢ面ソルダーレジスト層２９Ｂに、Ｂ面５０Ｂ側の最外ビルドアップ導体層１６Ａの一部を第３導体パッド２４として露出させる第３開口２８が形成される。
【００２６】
（３）図７に示すように、Ｆ面ソルダーレジスト層２９Ｆが樹脂保護膜４３にて被覆される。そして、基板５０のＢ面５０Ｂ側に無電解めっき処理が行われ、第３導体パッド２４上にＢ面めっき層４２が形成される。詳細には、まず、無電解ニッケルめっき処理によって第３導体パッド上に無電解Ｎｉ層が形成される。次いで、無電解パラジウムめっき処理によって、無電解Ｎｉ層の上に無電解Ｐｄ層が形成され、無電解金めっき処理によって、無電解Ｐｄ層上に無電解Ａｕ層が形成される。なお、無電解めっき処理の際、第２導体パッド２３Ｂ及び第１導体パッド２３Ａは、樹脂保護膜４３により保護される。
【００２７】
（４）Ｆ面ソルダーレジスト層２９Ｆを被覆する樹脂保護層４３が除去されると共に、Ｂ面ソルダーレジスト層２９Ｂが樹脂保護膜４３にて被覆される（図８参照）。そして、基板５０のＦ面５０Ｆ側に無電解ニッケルめっき処理が行われる。具体的には、Ｆ面５０Ｆに無電解ニッケルめっき液が浸漬される。無電解ニッケル処理が行われると、図９（Ａ）に示すように、導体パッド２３（第１導体パッド２３Ａ及び第２導体パッド２３Ｂ）の上にＮｉ層４１Ｌが形成される。Ｎｉ層４１Ｌは、開口２７（第１開口２７Ａ及び第２開口２７Ｂ）を充填すると共に、Ｆ面ソルダーレジスト層２９Ｆの上表面から突出する。Ｎｉ層４１ＬのうちＦ面ソルダーレジスト層２９Ｆから突出する部分はドーム状になっていて、当該突出部分の外周部はＦ面ソルダーレジスト層２９Ｆ上に重ねて配置される。
【００２８】
（５）Ｎｉ層４１Ｌが形成されると、図９（Ｂ）に示すように、基板５０のＢ面５０Ｂ側が平坦テーブル９１に吸着され、Ｆ面ソルダーレジスト層２９Ｆの上表面より上方位置で、研磨工具９３を平坦テーブル９１と平行に移動させる。このとき、研磨工具９３が移動する高さより上方に突出するＮｉ層４１Ｌの頂部に、平坦テーブル９１と平行な平坦頂面４１ＬＴが形成される（図９（Ｃ））。なお、研磨工具９３の高さは、平坦テーブル９１から予め定められた高さＨ０に設定されている。なお、この際、基板５０のＢ面５０Ｂ側が樹脂保護膜４３で被覆されていることが好ましい。
【００２９】
（６）次いで、平坦テーブル９１から取り外した基板５０に、無電解パラジウムめっき処理と無電解金めっき処理が行われる。具体的には、基板５０のＦ面５０Ｆに無電解パラジウムめっき液が浸漬され、さらに、無電解金めっき液が浸漬される。無電解パラジウムめっき処理及び無電解金めっき処理が行われると、Ｎｉ層４１Ｌ上にＰｄ層４１ＭとＡｕ層４１Ｎが積層され、図３に示しためっきバンプ４１が形成される。このとき、Ｎｉ層４１Ｌの平坦頂面４１ＬＴにＰｄ層４１ＭとＡｕ層４１Ｎが積層されることで、平坦テーブル９１と平行な平坦頂面４１Ｔを有する平坦めっきバンプ４１Ｈが形成される。なお、平坦めっきバンプ４１Ｈの外周部には、Ｆ面ソルダーレジスト層２９の上表面から平坦頂面４１Ｔへ近づくにつれて窄まるように湾曲した湾曲外周面４１Ｓが形成される。
【００３０】
（７）Ｂ面ソルダーレジスト層２９Ｂを被覆する樹脂保護層４３が除去されて、図１に示したプリント配線板１０が完成する。
【００３１】
本実施形態のプリント配線板１０の構造及び製造方法に関する説明は以上である。次に、プリント配線板１０の作用効果について説明する。
【００３２】
本実施形態のプリント配線板１０では、複数のめっきバンプ４１のうち少なくとも１つのめっきバンプ４１（平坦めっきバンプ４１Ｈ）の形状が、平坦頂面４１Ｔと、Ｆ面ソルダーレジスト層２９Ｆから平坦頂面４１Ｔへ近づくにつれて窄まるように湾曲する湾曲外周面４１Ｓと、を有する形状となっている。このような形状のめっきバンプ４１は、Ｆ面ソルダーレジスト層２９Ｆの上表面からドーム状に突出する金属めっきの頂部を、研磨、研削、切削等することで形成される。本実施形態のプリント配線板１０によれば、Ｂ面１０Ｂ側の平坦テーブル９１に吸着させた状態でＦ面１０Ｆに実装基板９０を実装する際に、平坦テーブル９１からめっきバンプ４１の頂部までの高さのばらつきを小さくすることが可能となり、実装基板９０の実装性の向上を図ることが可能となる。
【００３３】
また、本実施形態のプリント配線板１０のように、第１めっきバンプ４１Ａが充填される第１開口２７Ａの開口径と、第２めっきバンプ４１Ｂが充填される第２開口Ｂの開口径とが異なっている場合、第１めっきバンプ４１Ａと第２めっきバンプ４１Ｂとの間で、平坦テーブル９１からの高さのばらつきが大きくなるという問題が考えられる。しかしながら、本実施形態のプリント配線板１０によれば、第１めっきバンプ４１Ａと第２めっきバンプ４１Ｂの一方又は両方に平坦頂面４１Ｔが形成されることで、第１めっきバンプ４１Ａ及び第２めっきバンプ４１Ｂの平坦テーブル９１からの高さのばらつきを小さくすることが可能となる。
【００３４】
また、本実施形態のプリント配線板１０の製造方法によれば、めっきバンプ４１を形成するにあたり、Ｆ面ソルダーレジスト層２９Ｆの上表面に対して平坦テーブル９１と反対側に離れる位置で平坦テーブル９１と平行に研磨工具９３を移動させてめっきバンプ４１に平坦頂面４１Ｔを形成するので、平坦テーブル９１からめっきバンプ４１の頂部までの高さのばらつきを小さくすることが可能となり、実装基板９０の実装性の向上を図ることが可能となる。しかも、研磨工具９３の移動は、Ｎｉ層４１Ｌが形成された後、Ｐｄ層４１Ｍが形成される前に行われるので、Ｎｉ層４１Ｌの露出を防ぐことが可能となる。
【００３５】
［他の実施形態］
本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、例えば、以下に説明するような実施形態も本発明の技術的範囲に含まれ、さらに、下記以外にも要旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施することができる。
【００３６】
（１）上記実施形態では、平坦頂面４１Ｔは、研磨工具９３の研磨によって形成されていたが、研削又は切削によって形成されてもよい。
【００３７】
（２）上記実施形態では、プリント配線板１０が電子部品８０を内蔵する構成であったが、電子部品８０を内蔵しない構成であってもよい。
【００３８】
（３）上記実施形態では、本発明の「配線板」の例として、コア基板１１を有するプリント配線板１０を示したが、図１０（Ａ）に示すプリント配線板１０Ｗのように、コア基板を有さないコアレス基板であってもよい。なお、プリント配線板１０Ｗは、まず、図１０（Ｂ）に示すキャビティ付き基板１００Ｗが準備され、そのキャビティ付き基板１００Ｗのキャビティ３０に電子部品８０に収容されて、ビルドアップ絶縁層１５、ビルドアップ導体層１６及びソルダーレジスト層２９が積層されることで形成される。なお、導体パッド２３，２４、めっきバンプ４１及びＢ面めっき層４２は、上記実施形態と同様にして、形成される。
【００３９】
（４）上記実施形態では、複数のめっきバンプ４１のうち一部のめっきバンプ４１が、平坦頂面４１Ｔと湾曲外周面４１Ｓを有していたが、全てのめっきバンプ４１が平坦頂面４１Ｔと湾曲外周面４１Ｓを有していてもよい。
【００４０】
（５）上記実施形態において、平坦めっきバンプ４１Ｈは、図１１（Ａ）にように、平坦頂面４１Ｔの中心部に凹部４５を有していてもよい。なお、図１１（Ａ）に示す平坦めっきバンプ４１Ｈは、図１１（Ｂ）に示される形状のＮｉ層４１Ｌ（即ち、全体がドーム状をなすと共に頂面に凹部４６を有するＮｉ層４１Ｌ）が、同図に示す２点鎖線に沿って切除され、その切除後のＮｉ層４１Ｌ上にＰｄ層４１ＭとＡｕ層４１Ｎが積層されることにより形成される。
【００４１】
（６）上記実施形態において、全てのめっきバンプ４１の外径がほぼ同じであってもよい。
【００４２】
（７）上記実施形態のプリント配線板１０の製造方法では、研磨工具９３の移動によってＮｉ層４１Ｌに平坦頂面４１ＬＴが形成される例を示したが、研磨工具９３が移動する位置よりも全てのＮｉ層４１Ｌの頂部が下方に位置する場合には、Ｎｉ層４１Ｌに平坦頂面４１ＬＴが形成されなくてもよい。
【符号の説明】
【００４３】
１０    プリント配線板
１６Ａ    最外ビルドアップ導体層（導体層）
２３    導体パッド
２７    開口
２９    ソルダーレジスト層（絶縁層）
４１    めっきバンプ
４１Ｔ    平坦頂面
４１Ｓ    湾曲外周面
８０    電子部品
９０    電子部品
９１    平坦テーブル
【図１】
2016086054.tif 000003
【図２】
2016086054.tif 000004
【図３】
2016086054.tif 000005
【図４】
2016086054.tif 000006
【図５】
2016086054.tif 000007
【図６】
2016086054.tif 000008
【図７】
2016086054.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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