(57)【要約】【課題】複数の半導体チップが１つのパッケージ内に封止された半導体装置において、各半導体チップを適切に冷却できる半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置２０は、第１の半導体チップ２１ａ及び第２の半導体チップ２１ｂと、第１の半導体チップ２１ａ及び前記第２の半導体チップ２１ｂを被覆するモールド樹脂２２と、第１の半導体チップ２１ａと第２の半導体チップ２１ｂとを電気的に接続する再配線層２５とを有する。モールド樹脂２２の表面上には、第１の半導体チップ２１ａに接続された第１の放熱板２３が配置されている。また、モールド樹脂２２内には、第２の半導体チップ２１ｂに接続された第２の放熱板２４が配置されている。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の半導体チップ及び第２の半導体チップと、
前記第１の半導体チップ及び前記第２の半導体チップを被覆するモールド樹脂と、
前記第１の半導体チップと前記第２の半導体チップとを電気的に接続する再配線を有する再配線層と、
前記第１の半導体チップに接続され、前記モールド樹脂の表面上に配置された第１の放熱板と、
前記第２の半導体チップに接続され、前記モールド樹脂内に埋設された第２の放熱板と
を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記第１の半導体チップの発熱量が、前記第２の半導体チップの発熱量よりも多いことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第１の半導体チップの厚さが、前記第２の半導体チップの厚さよりも厚いことを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置。
【請求項４】
更に、前記モールド樹脂内に埋設されて前記第２の放熱板と前記再配線層との間を熱的に接続する熱ビアを有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項５】
表面が平坦な支持板の上に、第１の半導体チップと、回路形成面と反対側の面に第２の放熱板が接続された第２の半導体チップとを、それらの回路形成面を下にして配置する工程と、
前記第１の半導体チップ及び前記第２の半導体チップをモールド樹脂で被覆する工程と、
前記第１の半導体チップ及び前記第２の半導体チップの前記回路形成面側に、前記第１の半導体チップと前記第２の半導体チップとを電気的に接続する再配線を有する再配線層を形成する工程と、
前記モールド樹脂の前記再配線層を形成した面と反対側の面を研削して、前記第１の半導体チップの前記回路形成面と反対側の面を露出させる工程と、
前記第１の半導体チップの前記回路形成面と反対側の面上に第１の放熱板を接続する工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、サーバ等の電子機器のより一層の高性能化が促進されており、それに伴って半導体チップ間を伝送する信号のより一層の高速化が要求されている。このため、半導体チップ間に高速で信号を伝送できる技術として、ＦＯ−ＷＬＰ（Fan-Out Wafer Level Package）が注目されている。
【０００３】
ＦＯ−ＷＬＰでは、複数の半導体チップを近接配置し、それらの半導体チップをモールド樹脂で被覆して一体化し、疑似ウェハを形成する。その後、半導体デバイス製造プロセスを使用して疑似ウェハ上に配線（再配線）を形成した後、疑似ウェハをパッケージ毎に個片化する。
【０００４】
ＦＯ−ＷＬＰは、半導体チップ間の配線長を極めて短くすることができる点で有用な技術であるが、半導体チップがモールド樹脂で被覆されており、放熱性に課題がある。
【０００５】
つまり、モールド樹脂は、フィラーを多く含んでいるため一般的なエポキシ樹脂等よりも熱伝導率は大きい。しかし、モールド樹脂の熱伝導率は１Ｗ／ｍ・Ｋ程度であり、銅又はアルミニウム等の放熱板（ヒートシンク）に用いられている金属と比較すると極めて小さい。そのため、発熱量が大きい半導体チップの上をモールド樹脂で被覆してしまうと、半導体チップで発生した熱を放散できなくなり、半導体チップの温度が許容上限温度を超えてしまう。
【０００６】
そこで、発熱量が大きい半導体チップには放熱板を取り付け、その放熱板をパッケージの表面に露出させて、半導体チップで発生した熱を放熱板を介して大気中に放散する技術が開発されている（例えば、特許文献１〜３等参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００６−２７００３６号公報
【特許文献２】特開２０１２−２１６８７８号公報
【特許文献３】特開２００４−７１５９７号公報
【特許文献４】特表２００８−５０２１５８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
１つのパッケージ内に複数の半導体チップが封止された半導体装置では、それらの半導体チップを同一の伝熱板に接続すると、一方の半導体チップで発生した熱が伝熱板を介して他方の半導体チップに伝達される。それにより、他方の半導体チップの温度が過度に上昇して、誤動作や故障の原因となるおそれがある。
【０００９】
モールド樹脂の上に複数の放熱板を配置し、各半導体チップをそれぞれ別の放熱板に接続することも考えられる。しかし、ＦＯ−ＷＬＰでは半導体チップを近接配置することで半導体チップ間の配線長を短縮し、高速伝送を実現している。そのため、モールド樹脂の上に、各半導体チップの発熱量に応じた大きさの複数の放熱板を配置することは難しい。
【００１０】
開示の技術は、発熱量が大きい半導体チップ及び発熱量が小さい半導体チップのそれぞれに発熱量に応じた大きさの放熱板を設けることができ、更に放熱板を介して一方の半導体チップから他方の半導体チップへの熱の移動を回避することで各半導体チップを適切に冷却できる半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
開示の技術の一観点によれば、第１の半導体チップ及び第２の半導体チップと、前記第１の半導体チップ及び前記第２の半導体チップを被覆するモールド樹脂と、前記第１の半導体チップと前記第２の半導体チップとを電気的に接続する再配線を有する再配線層と、前記第１の半導体チップに接続され、前記モールド樹脂の表面上に配置された第１の放熱板と、前記第２の半導体チップに接続され、前記モールド樹脂内に埋設された第２の放熱板とを有する半導体装置が提供される。
【００１２】
また、開示の技術の他の一観点によれば、表面が平坦な支持板の上に、第１の半導体チップと、回路形成面と反対側の面に第２の放熱板が接続された第２の半導体チップとを、それらの回路形成面を下にして配置する工程と、前記第１の半導体チップ及び前記第２の半導体チップをモールド樹脂で被覆する工程と、前記第１の半導体チップ及び前記第２の半導体チップの前記回路形成面側に、前記第１の半導体チップと前記第２の半導体チップとを電気的に接続する再配線を有する再配線層を形成する工程と、前記モールド樹脂の前記再配線層を形成した面と反対側の面を研削して、前記第１の半導体チップの前記回路形成面と反対側の面を露出させる工程と、前記第１の半導体チップの前記回路形成面と反対側の面上に第１の放熱板を接続する工程とを有する半導体装置の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００１３】
上記一観点に係る半導体装置によれば、第２の放熱板がモールド樹脂内に埋設されているため、第１の半導体チップの発熱量に応じた大きさの第１の放熱板をモールド樹脂の表面上に配置することができる。これにより、第１の半導体チップを十分に冷却できる。
【００１４】
また、第２の放熱板と第１の放熱板との間にはモールド樹脂が介在する。このため、第１の放熱板と第２の放熱板とは熱的に分離され、第１の半導体チップで発生した熱により第２の半導体チップが加熱されることが回避される。これにより、第２の半導体チップも適切に冷却できる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】図１は、複数の半導体チップをモールド樹脂で被覆した構造の半導体装置の一例を示す模式断面図である。
【図２】図２は、第１の実施形態に係る半導体装置を示す模式断面図である。
【図３】図３は、第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す模式断面図（その１）である。
【図４】図４は、第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す模式断面図（その２）である。
【図５】図５は、第１の実施形態の変形例１を示す上面図である。
【図６】図６（ａ），（ｂ）は、第１の実施形態の変形例２を示す模式断面図である。
【図７】図７は、第２の実施形態に係る半導体装置を示す模式断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、実施形態について説明する前に、実施形態の理解を容易にするための予備的事項について説明する。
【００１７】
前述したように、複数の半導体チップを１つのパッケージ内に封止する場合、発熱量の大きい半導体チップには放熱板を取り付けている。
【００１８】
図１は、複数の半導体チップをモールド樹脂で被覆した構造の半導体装置の一例を示す模式断面図である。この図１に示す半導体装置１０では、モールド樹脂１２により２個の半導体チップ１１ａ，１１ｂを被覆しており、モールド樹脂１２の上に放熱板１３を配置している。
【００１９】
半導体チップ１１ａは半導体チップ１１ｂよりも厚さが厚く、半導体チップ１１ａの上面は放熱板１３に直接接続されている。また、半導体チップ１１ｂと放熱板１３との間には伝熱板１４が配置されている。
【００２０】
半導体チップ１１ａ，１１ｂ及びモールド樹脂１２の下側には再配線層１５が設けられている。半導体チップ１１ａの電極と半導体チップ１１ｂの電極とは、再配線層１５内に設けられた再配線（図示せず）を介して電気的に接続されている。また、再配線層１５の下には、プリント基板に接続するための端子（図示せず）が設けられている。
【００２１】
このような半導体装置１０において、半導体チップ１１ａ，１１ｂで発生した熱は放熱板１３に伝達され、放熱板１３から大気中に放散される。
【００２２】
しかし、例えば半導体チップ１１ａの発熱量が大きく、半導体チップ１１ｂの発熱量が小さい場合、半導体チップ１１ａで発生した熱が放熱板１３及び伝熱板１４を介して半導体チップ１１ｂに伝達されてしまう。その結果、半導体チップ１１ｂの温度が半導体チップ１１ｂ単独の場合に比べて上昇し、誤動作や故障の原因となることがある。
【００２３】
このような不都合を回避するために、モールド樹脂１２の上に半導体チップ１１ａ，１１ｂの発熱量に応じた大きさの２つの放熱板を配置し、半導体チップ１１ａ，１１ｂをそれぞれ別の放熱板に接続することが考えられる。しかし、ＦＯ−ＷＬＰでは半導体チップを近接配置することで半導体チップ間の配線長を短縮し、高速伝送を実現している。そのため、モールド樹脂１２の上に、半導体チップ１１ａ，１１ｂのそれぞれの発熱量に応じた大きさの放熱板を個別に配置することは難しい。
【００２４】
以下の実施形態では、複数の半導体チップが１つのパッケージ内に封止された半導体装置において、各半導体チップを適切に冷却できる半導体装置について説明する。
【００２５】
（第１の実施形態）
図２は、第１の実施形態に係る半導体装置を示す模式断面図である。図２では、半導体装置２０をプリント基板２９上に実装した状態を示している。
【００２６】
図２に示すように、本実施形態に係る半導体装置２０では、複数（図２では２個）の半導体チップ２１ａ，２１ｂが、モールド樹脂２２により被覆されている。
【００２７】
ここで、図２に示すように、半導体チップ２１ｂは、半導体チップ２１ａよりも厚さが薄いものとする。また、半導体チップ２１ａ，２１ｂはいずれも稼働状態に応じて発熱量が変化するが、半導体チップ２１ａは発熱量が比較的大きく、半導体チップ２１ｂは発熱量が比較的小さいものとする。
【００２８】
半導体チップ２１ａ，２１ｂは近接配置されている。そして、モールド樹脂２２の上には放熱板２３が配置されており、この放熱板２３は半導体チップ２１ａの上面に接続されている。
【００２９】
一方、半導体チップ２１ｂの上にも放熱板２４が接続されている。但し、放熱板２４はモールド樹脂２２内に埋め込まれており、放熱板２４と放熱板２３及び半導体チップ２１ａとの間にはモールド樹脂２２が介在している。
【００３０】
放熱板２３，２４は、いずれも銅又はアルミニウム等のように熱伝導率が高い材料により形成されている。放熱板２３，２４は金属でなくてもよく、例えば窒化アルミニウム及びシリコンカーバイド等のセラミックスやグラファイト等により形成されていてもよい。また、放熱板２３，２４は同一材料により形成されていてもよく、異なる材料により形成されていてもよい。
【００３１】
半導体チップ２１ａ，２１ｂ及びモールド樹脂２２の下には、再配線２６を有する再配線層２５が設けられている。また、再配線層２５の下には複数の端子２７が設けられている。半導体装置２０は、これらの端子２７を介してプリント基板２９上に実装されており、プリント基板２９に設けられた配線（図示せず）と電気的に接続されている。
【００３２】
半導体チップ２１ａの所定の端子と半導体チップ２１ｂの所定の端子との間は、再配線層２５内に設けられた所定の再配線２６を介して電気的に接続されている。
【００３３】
なお、チップ抵抗、チップコンデンサ又はチップインダクタンス等の受動部品を、半導体チップ２１ａ，２１ｂとともにモールド樹脂２２で封止してもよい。
【００３４】
以下、本実施形態に係る半導体装置２０の効果について説明する。
【００３５】
前述したように、半導体チップ２１ａは稼働状態に応じた熱を発生するが、半導体チップ２１ａの稼働率が高いときには大量の熱が発生する。半導体チップ２１ａで発生した熱の大部分は放熱板２３に伝達され、放熱板２３から大気中に放散される。
【００３６】
本実施形態に係る半導体装置２０では、モールド樹脂２２の上には半導体チップ２１ａと接続された放熱板２３しかないため、モールド樹脂２２の上に半導体チップ２１ａの発熱量に応じた大きさの放熱板２３を配置することができる。そして、そのような放熱板２３を使用することにより、半導体チップ２１ａがその許容上限温度に達することを回避できる。
【００３７】
また、本実施形態では、放熱板２３と、放熱板２４及び半導体チップ２１ａとの間に熱伝導率が小さいモールド樹脂２２が介在しているので、半導体チップ２１ａ及び放熱板２３から放熱板２４への熱の移動が抑制される。
【００３８】
なお、半導体チップ２１ａで発生した熱の一部は、再配線層２５及び端子２７を介してプリント基板２９に伝達され、プリント基板２９から大気中に放散される。
【００３９】
半導体チップ２１ｂも、稼働状態に応じた熱を発生する。但し、半導体チップ２１ｂは、稼働率が高いときでも発熱量は比較的少ない。
【００４０】
半導体チップ２１ｂで発生した熱は、主に再配線層２５を介してプリント基板２９に移動し、プリント基板２９から大気中に放散される。但し、半導体チップ２１ｂからプリント基板２９に移動可能な単位時間当たりの熱量はそれほど多くはない。そのため、半導体チップ２１ｂの発熱量が増加すると、プリント基板２９に移動できない熱が放熱板２４に移動し、放熱板２４に蓄積されて放熱板２４の温度が上昇する。この場合、放熱板２４に蓄積される熱量は、放熱板２４の比熱と質量とに関係する。
【００４１】
その後、半導体チップ２１ｂの稼働率が低下して発熱量が小さくなると、放熱板２４に蓄積された熱は、半導体チップ２１ｂ、再配線層２６及び端子２７を介してプリント基板２９に移動し、プリント基板２９から大気中に放散される。その結果、放熱板２４の温度が低下する。
【００４２】
本実施形態に係る半導体装置２０では、上述したように、半導体チップ２１ａで発生した熱が半導体チップ２１ｂに殆ど伝達されないので、半導体チップ２１ａで発生した熱により半導体チップ２１ｂが加熱されることが回避される。また、半導体チップ２１ｂの発熱量が一時的に増加しても、半導体チップ２１ｂで発生した熱が放熱板２４に蓄積されるため、半導体チップ２１ｂの温度上昇が抑制される。
【００４３】
このように、本実施形態に係る半導体装置２０では、半導体チップ２１ａ，２１ｂが熱的に分離されており、各半導体チップ２１ａ，２１ｂをそれぞれ適切に冷却することができる。これにより、半導体装置２０の誤動作及び故障の発生が回避される。
【００４４】
以下、本実施形態に係る半導体装置２０の製造方法について、図３〜図４に示す模式断面図を参照して説明する。
【００４５】
まず、図３（ａ）に示すように、支持板３１の上に粘着フィルム３２を配置し、粘着フィルム３２の上に半導体チップ２１ａ，２１ｂを配置する。このとき、半導体チップ２１ａ，２１ｂは、トランジスタ等の素子や配線等が形成された側の面（以下、「回路形成面」という）を粘着フィルム３２側にして配置する。また、半導体チップ２１ｂの上（回路形成面と反対側の面）には、予め放熱板２４を接合しておく。
【００４６】
なお、図３（ａ）には１組の半導体チップ２１ａ，２１ｂしか図示していないが、実際には粘着フィルム３２上に複数組の半導体チップ２１ａ，２１ｂを配置して、複数の半導体装置（パッケージ）を同時に形成する。
【００４７】
ここでは、半導体チップ２１ａの厚さが４００μｍ、半導体チップ２１ｂの厚さが１５０μｍであるとする。また、放熱板２４は厚さが１００μｍの銅板により形成されており、銀ペーストにより半導体チップ２１ｂに接合されているものとする。
【００４８】
支持板３１は表面が平坦なものであればよく、シリコン（Ｓｉ）基板、ガラス板、アルミニウム若しくはその他の金属板、ポリイミドフィルム又はプリント基板等を用いることができる。
【００４９】
粘着フィルム３２も、表面に適度の粘着性を有する粘着層が設けられたものであればよい。粘着フィルム３２の基材として、例えばポリイミド樹脂、シリコーン樹脂、及びフッ素樹脂等の耐熱性が高いフィルムを使用することができる。また、粘着層は基材の片面のみに設けられていてもよく、両面に設けられていてもよい。粘着層として、例えばエポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、シリコーン樹脂、又はウレタン樹脂等を用いることができる。
【００５０】
ここでは、２層構造の粘着フィルム３２を使用するものとする。粘着フィルム３２の下層は膜厚が５０μｍのシリコーン樹脂フィルムであり、上層は膜厚が５０μｍのポリイミドフィルムである。シリコン樹脂フィルムの下側の面には、ナノインプリント法により形成された直径が２μｍ、高さが０．３μｍのクレータ状の突起が設けられている。また、ポリイミドフィルムの上側の面には、シリコーン系の粘着剤が付着している。
【００５１】
なお、支持板３１の表面に粘着層が設けられている場合は、粘着フィルム３２を使用しなくてもよい。
【００５２】
粘着フィルム３２上に半導体チップ２１ａ，２１ｂを配置する場合、フリップチップボンダ又はマウンターを使用することで、半導体チップ２１ａ，２１ｂを粘着フィルム３２上の所定の位置に精度よく配置することができる。
【００５３】
次に、図３（ｂ）に示すように、粘着フィルム３２の上に金型（図示せず）を配置し、金型内にモールド樹脂２２を注入して、半導体チップ２１ａ，２１ｂをモールド樹脂２２で被覆する。モールド樹脂２２には、例えばアルミナ、シリカ、水酸化アルミニウム、又は窒化アルミニウム等の無機フィラーを含む樹脂を使用する。
【００５４】
ここで、金型としてウェハ形状のものを使用した場合は、半導体デバイス製造プロセスを使用して後述の再配線層２５を形成することができる。また、金型として矩形の形状のものを使用した場合は、プリント基板製造プロセスを使用して後述の再配線層２５を形成することができる。
【００５５】
以下、半導体チップ２１ａ，２１ｂとモールド樹脂２２とが一体化した構造物を、疑似ウェハ３０と呼ぶ。
【００５６】
次に、金型から擬似ウェハ３０を取り出し、疑似ウェハ３０から粘着フィルム３２を剥離する。そして、例えば温度が１５０℃の条件で１時間の熱処理を行い、モールド樹脂２２を完全硬化させる。図３（ｃ）は、熱処理後の疑似ウェハ３０を示している。図３（ｃ）では、半導体チップ２１ａ，２１ｂの回路形成面を上にした状態を示している。
【００５７】
次に、図４（ａ）に示すように、疑似ウェハ３０上に、再配線２６を有する再配線層２５を形成する。再配線層２５は例えば公知のビルドアップ法により形成することができるので、ここでは再配線層２５の製造方法については省略する。再配線層２５の上には、端子２７として例えばはんだバンプを形成する。
【００５８】
次に、図４（ｂ）に示すように、疑似ウェハ３０の裏面側を砥石等により研削（バックグラインド）して、半導体チップ２１ａの裏面を露出させる。
【００５９】
次いで、ダイシング装置を使用して、疑似ウェハ３０をパッケージ毎に個片化する。その後、図４（ｃ）に示すように、例えば銀ペーストを使用して、半導体チップ２１ａの上に銅製の放熱板２３を取り付ける。このようにして、本実施形態に係る半導体装置２０が完成する。
【００６０】
（変形例１）
図５は、第１の実施形態の変形例１を示す上面図である。図５において、図２と同一物には同一符号を付している。
【００６１】
図５に示す半導体装置２０ａは、図２に例示した半導体装置２０よりも放熱板２４のサイズが大きく、上面視で放熱板２４が放熱板２３の外側まで延び出している。
【００６２】
このように、放熱板２４のサイズを大きくすることにより、放熱板２４に蓄積できる熱量が増大し、半導体チップ２１ｂの発熱量の増大に対応することができる。
【００６３】
（変形例２）
図６（ａ），（ｂ）は、第１の実施形態の変形例２を示す模式断面図である。
【００６４】
図２に例示した半導体装置２０では、発熱量が大きい半導体チップ２１ａの厚さが、発熱量が少ない半導体チップ２１ｂの厚さよりも厚くなっている。これに対し、図６（ａ）に示す半導体装置２０ｂ及び図６（ｂ）に示す半導体装置２０ｃでは、発熱量が大きい半導体チップ２１ａの厚さが、発熱量が少ない半導体チップ２１ｂの厚さよりも薄くなっている。
【００６５】
この場合、図６（ａ）に示すように、放熱板２３（平坦部）と半導体チップ２１ａとの間に伝熱板（伝熱部）２３ａを配置することで、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。放熱板２３と伝熱板２３ａとを使用する替わりに、図６（ｂ）に示すように、放熱板２３と伝熱板２３ａとが一体化した形状の放熱板２３ｂを使用してもよい。
【００６６】
（第２の実施形態）
図７は、第２の実施形態に係る半導体装置を示す模式断面図である。図７において、図２と同一物には同一符号を付している。
【００６７】
本実施形態に係る半導体装置２０ｄでは、放熱板２４と再配線層２５との間に熱ビア４１を設けている。熱ビア４１は、例えば図３（ｃ）に示す状態まで擬似ウェハ３０を形成した後、レーザ等によりモールド樹脂２２に孔を形成し、その後めっき法等により孔内に銅等の金属を充填して形成することができる。
【００６８】
半導体チップ２１ｂから放熱板２４に伝達された熱は、熱ビア４１、再配線層２５（再配線２６）及び端子２７を介してプリント基板２９に移動し、プリント基板２９から大気中に放散される。
【００６９】
本実施形態に係る半導体装置２０ｄでは、半導体チップ２１ｂから放熱板２４に移動した熱が、更に熱ビア４１、再配線層２５及び端子２７を介してプリント基板２９に移動し、プリント基板２９から大気中に放散される。このため、本実施形態に係る半導体装置２０ｄは、第１の実施形態に係る半導体装置２０（図２参照）に比べて半導体チップ２１ｂの温度上昇が抑制され、半導体チップ２１ａ，２１ｂの誤動作及び故障の発生がより一層確実に回避される。
【００７０】
以上の諸実施形態に関し、更に以下の付記を開示する。
【００７１】
（付記１）第１の半導体チップ及び第２の半導体チップと、
前記第１の半導体チップ及び前記第２の半導体チップを被覆するモールド樹脂と、
前記第１の半導体チップと前記第２の半導体チップとを電気的に接続する再配線を有する再配線層と、
前記第１の半導体チップに接続され、前記モールド樹脂の表面上に配置された第１の放熱板と、
前記第２の半導体チップに接続され、前記モールド樹脂内に埋設された第２の放熱板と
を有することを特徴とする半導体装置。
【００７２】
（付記２）前記第１の半導体チップの発熱量が、前記第２の半導体チップの発熱量よりも多いことを特徴とする付記１に記載の半導体装置。
【００７３】
（付記３）前記第１の半導体チップの厚さが、前記第２の半導体チップの厚さよりも厚いことを特徴とする付記１又は２に記載の半導体装置。
【００７４】
（付記４）前記第１の半導体チップの厚さが前記第２の半導体チップの厚さよりも薄く、前記第１の放熱板は前記モールド樹脂上に配置された平坦部と、前記平坦部と前記第１の半導体チップとの間を熱的に連絡する伝熱部とを有することを特徴とする付記１又は２に記載の半導体装置。
【００７５】
（付記５）更に、前記モールド樹脂内に埋設されて前記第２の放熱板と前記再配線層との間を熱的に接続する熱ビアを有することを特徴とする付記１乃至４のいずれか１項に記載の半導体装置。
【００７６】
（付記６）前記第１の放熱板と前記第２の放熱板とが異なる材料により形成されていることを特徴とする付記１乃至５のいずれか１項に記載の半導体装置。
【００７７】
（付記７）表面が平坦な支持板の上に、第１の半導体チップと、回路形成面と反対側の面に第２の放熱板が接続された第２の半導体チップとを、それらの回路形成面を下にして配置する工程と、
前記第１の半導体チップ及び前記第２の半導体チップをモールド樹脂で被覆する工程と、
前記第１の半導体チップ及び前記第２の半導体チップの前記回路形成面側に、前記第１の半導体チップと前記第２の半導体チップとを電気的に接続する再配線を有する再配線層を形成する工程と、
前記モールド樹脂の前記再配線層を形成した面と反対側の面を研削して、前記第１の半導体チップの前記回路形成面と反対側の面を露出させる工程と、
前記第１の半導体チップの前記回路形成面と反対側の面上に第１の放熱板を接続する工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【００７８】
（付記８）前記第１の半導体チップ及び前記第２の半導体チップを前記モールド樹脂で被覆する工程と前記再配線層を形成する工程との間に、
前記モールド樹脂に前記第１の放熱板に到達する孔を形成し、当該孔内に金属を充填して、前記第２の放熱板と前記再配線層とを熱的に接続する熱ビアを形成する工程を有することを特徴とする付記７に記載の半導体装置の製造方法。
【符号の説明】
【００７９】
１０，２０，２０ａ〜２０ｄ…半導体装置、１１ａ，１１ｂ，２１ａ，２１ｂ…半導体チップ、１２，２２…モールド樹脂、１３，２３，２４…放熱板、１４，２３ａ…伝熱板、１５，２５…再配線層、２６…再配線、２７…端子、２９…プリント基板、３０…疑似ウェハ、３１…支持板、３２…粘着フィルム、４１…熱ビア。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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