(57)【要約】【課題】小型のプレスによっても、寸法の精確性に優れる封止層を備える封止層被覆光半導体素子を製造する方法を提供すること。【解決手段】キャビティ９を有する下金型２と、下金型２に対向配置するための上金型３とを備えるプレスを準備する工程、第１剥離層１２とその表面に配置されるＢステージの封止層１３とを備え、封止層１３の体積割合がキャビティ９の体積から光半導体素子１６の総体積を差し引いた封止層収容体積１９に対して、１００％以上、１２０％以下である封止層１３を配置する工程、第２剥離層１７と、光半導体素子１６とを備える素子部材素５を、下金型２および上金型３の間であって、封止部材１１に対する上金型３側に、光半導体素子が下金型２に向かうように、配置する工程、および、下金型２および上金型３を近接させて、封止層１３をキャビティ９に配置して、光半導体素子１６を封止層１３により被覆する工程を備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光半導体素子と、前記光半導体素子を被覆する封止層とを備える封止層被覆光半導体素子の製造方法であって、
キャビティを有する第１金型と、前記第１金型に対向配置するための第２金型とを備えるプレスを準備する工程、
剥離層と前記剥離層の表面に配置されるＢステージの前記封止層とを備え、前記封止層の体積割合が前記キャビティの体積から前記光半導体素子の体積を差し引いた封止層収容体積に対して、１００％以上、１２０％以下である封止部材を、前記第１金型および前記第２金型の間に、前記封止層が前記第２金型に向かうように、配置する工程、
基材と、前記基材の表面に配置される前記光半導体素子とを備える素子部材を、前記第１金型および前記第２金型の間であって、前記封止部材に対する前記第２金型側に、前記光半導体素子が前記第１金型に向かうように、配置する工程、および、
前記第１金型および前記第２金型を近接させて、前記封止層を前記キャビティに配置して、前記光半導体素子を前記封止層により被覆する工程
を備えることを特徴とする、封止層被覆光半導体素子の製造方法。
【請求項２】
前記封止層の面積が、前記キャビティの、前記第１金型および前記第２金型が近接するプレス方向に対する直交方向に沿う開口断面積に比べて、小さいことを特徴とする、請求項１に記載の封止層被覆光半導体素子の製造方法。
【請求項３】
前記光半導体素子が前記基材に単数配置される場合には、前記封止層の面積が、前記基材において前記単数の光半導体素子が配置される領域の面積に比べて大きく、
前記光半導体素子が前記基材に複数設けられる場合には、前記封止層の面積が、前記基材において前記複数の光半導体素子のうち最外側に配置される前記光半導体素子の外側端縁を結ぶ線分で囲まれる領域の面積に比べて、大きいことを特徴とする、請求項１または２に記載の封止層被覆光半導体素子の製造方法。
【請求項４】
前記剥離層の面積が、前記キャビティの、前記第１金型および前記第２金型が近接するプレス方向に対する直交方向に沿う開口断面積に比べて、大きいことを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一項に記載の封止層被覆光半導体素子の製造方法。
【請求項５】
前記第１金型は、
第１平板と、
前記第１平板の表面に配置され、キャビティを形成する開口部を有する枠部材と
を備えることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一項に記載の封止層被覆光半導体素子の製造方法。
【請求項６】
前記プレスは、熱源を備え、
前記Ｂステージの封止層は、熱可塑性および熱硬化性を併有し、
前記光半導体素子を前記封止層により被覆する工程では、前記封止層を加熱して可塑化し、続いて、可塑化した前記封止層を熱硬化させることを特徴とする、請求項１〜５のいずれか一項に記載の封止層被覆光半導体素子の製造方法。
【請求項７】
前記封止層は、
分子内に２個以上のアルケニル基および／またはシクロアルケニル基を含有するアルケニル基含有ポリシロキサンと、分子内に２個以上のヒドロシリル基を含有するヒドロシリル基含有ポリシロキサンと、ヒドロシリル化触媒とを含有するフェニル系シリコーン樹脂組成物を含有する封止組成物からシート状に形成され、
前記アルケニル基含有ポリシロキサンは、下記平均組成式（１）で示され、
平均組成式（１）：
Ｒ１ａＲ２ｂＳｉＯ（４−ａ−ｂ）／２
（式中、Ｒ１は、炭素数２〜１０のアルケニル基および／または炭素数３〜１０のシクロアルケニル基を示す。Ｒ２は、非置換または置換の炭素数１〜１０の１価の炭化水素基（ただし、アルケニル基およびシクロアルケニル基を除く。）を示す。ａは、０．０５以上、０．５０以下であり、ｂは、０．８０以上、１．８０以下である。）
前記ヒドロシリル基含有ポリシロキサンは、下記平均組成式（２）で示され、
平均組成式（２）：
ＨｃＲ３ｄＳｉＯ（４−ｃ−ｄ）／２
（式中、Ｒ３は、非置換または置換の炭素数１〜１０の１価の炭化水素基（ただし、アルケニル基および／またはシクロアルケニル基を除く。）を示す。ｃは、０．３０以上、１．０以下であり、ｄは、０．９０以上、２．０以下である。）
前記平均組成式（１）および前記平均組成式（２）中、Ｒ２およびＲ３の少なくともいずれか一方は、フェニル基を含み、
前記フェニル系シリコーン樹脂組成物を反応させることにより得られる生成物は、下記平均組成式（３）で示され、
平均組成式（３）：
Ｒ５ｅＳｉＯ（４−ｅ）／２
（式中、Ｒ５は、フェニル基を含む、非置換または置換の炭素数１〜１０の１価の炭化水素基（ただし、アルケニル基およびシクロアルケニル基を除く。）を示す。ｅは、０．５以上２．０以下である。）
前記平均組成式（３）のＲ５におけるフェニル基の含有割合が、３０モル％以上、５５モル％以下であることを特徴とする、請求項１〜６のいずれか一項に記載の封止層被覆光半導体素子の製造方法。
【請求項８】
前記封止層は、蛍光体を含有していることを特徴とする、請求項１〜７のいずれか一項に記載の封止層被覆光半導体素子の製造方法。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか一項に記載の封止層被覆光半導体素子の製造方法により、基材の表面に配置された封止層被覆光半導体素子を用意する工程を備え、
前記基材は、第２剥離層であり、
前記封止層被覆光半導体素子を用意する工程の後に、前記封止層被覆光半導体素子を前記第２剥離層から剥離する工程、および、
剥離した前記封止層被覆光半導体素子の前記光半導体素子を基板に実装する工程
をさらに備えていることを特徴とする、光半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項１〜８のいずれか一項に記載の封止層被覆光半導体素子の製造方法により、基材の表面に配置された封止層被覆光半導体素子を用意する工程を備え、
前記基材は、前記光半導体素子が実装された基板であることを特徴とする、光半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、封止層被覆光半導体素子の製造方法および光半導体装置の製造方法、詳しくは、封止層被覆光半導体素子の製造方法、および、それを用いる光半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、光半導体素子と、光半導体素子により封止される封止層とを備える光半導体装置が知られている。
【０００３】
そのような光半導体装置の製造方法として、例えば、下型と、上型と、上型の下面より下端面が下方に位置し、上型の周囲に配置されるクランパと、クランパおよび下型のそれぞれの側方に配置される上クランプストッパおよび下クランプストッパとを備える圧縮成形機を用いる方法が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００４】
すなわち、特許文献１に記載の方法では、下型に、光半導体素子と、それが実装される回路基板とを備える封止前の光半導体装置を載置し、次いで、上型と光半導体装置との間に、封止樹脂を塗布した後、上型およびクランパを下降させて、封止樹脂および光半導体装置を挟持（型締め）して、クランパの内側面と上型の下面によって包囲された封止領域において封止樹脂を圧縮成形する方法が提案されている。
【０００５】
さらに、特許文献１に記載の圧縮成形機を用いる方法では、上クランプストッパおよび下クランプストッパが互いに当接する型締め位置にあるときに、封止領域が所定の厚さとなり、そのため、封止樹脂から形成される封止層は、封止領域に対応する厚さを有する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００６−９３３５４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特許文献１に記載の方法では、圧縮成形機が、クランパ、上クランプストッパおよび下クランプストッパを備えるので、大型化するという不具合がある。
【０００８】
また、封止領域における封止層には、その厚みを所望の厚みに設定できる寸法の精確性が要求されるところ、特許文献１に記載の方法では、上記した要求を満足できないという不具合がある。
【０００９】
本発明の目的は、小型のプレスによっても、寸法の精確性に優れる封止層を備える封止層被覆光半導体素子を製造する方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するために、本発明の封止層被覆光半導体素子の製造方法は、光半導体素子と、前記光半導体素子により被覆する封止層とを備える封止層被覆光半導体素子の製造方法であって、キャビティを有する第１金型と、前記第１金型に対向配置するための第２金型とを備えるプレスを準備する工程、剥離層と前記剥離層の表面に配置されるＢステージの前記封止層とを備え、前記封止層の体積割合が前記キャビティの体積から前記光半導体素子の体積を差し引いた封止層収容体積に対して、１００％以上、１２０％以下である封止部材を、前記第１金型および前記第２金型の間に、前記封止層が前記第２金型に向かうように、配置する工程、基材と、前記基材の表面に配置される前記光半導体素子とを備える素子部材を、前記第１金型および前記第２金型の間であって、前記封止部材に対する前記第２金型側に、前記光半導体素子が前記第１金型に向かうように、配置する工程、および、前記第１金型および前記第２金型を近接させて、前記封止層を前記キャビティに配置して、前記光半導体素子を前記封止層により被覆する工程を備えることを特徴としている。
【００１１】
この方法によれば、キャビティを有する第１金型と、第１金型に対向配置するための第２金型とを備えるプレスを準備するので、プレスの構成を簡単にすることができながら、封止層をキャビティに配置して、光半導体素子を封止層により確実に被覆することができる。そのため、小型のプレスによって、光半導体装置を封止層により被覆することができる。
【００１２】
また、この方法によれば、Ｂステージの封止層の体積割合が、キャビティの体積から光半導体素子の体積を差し引いた封止層収容体積に対して特定範囲にあり、かつ、かかる封止層をキャビティに配置しつつ、光半導体素子を封止層により被覆するので、寸法の精確性に優れる封止層を得ることができる。
【００１３】
また、本発明の封止層被覆光半導体素子の製造方法では、前記封止層の面積が、前記キャビティの、前記第１金型および前記第２金型が近接するプレス方向に対する直交方向に沿う開口断面積に比べて、小さいことが好適である。
【００１４】
この方法によれば、キャビティの開口断面積に比べて小さい面積を有する封止層を、キャビティに確実に充填することができる。そのため、寸法の精確性により一層優れる封止層を作製することができる。
【００１５】
また、本発明の封止層被覆光半導体素子の製造方法では、前記光半導体素子が前記基材に単数配置される場合には、前記封止層の面積が、前記基材において前記単数の光半導体素子が配置される領域の面積に比べて大きく、前記光半導体素子が前記基材に複数設けられる場合には、前記封止層の面積が、前記基材において前記複数の光半導体素子のうち最外側に配置される前記光半導体素子の外側端縁を結ぶ線分で囲まれる領域の面積に比べて、大きいことが好適である。
【００１６】
この方法によれば、上記した領域の面積に比べて大きい面積を有する封止層により確実に光半導体素子を被覆しつつ、封止層の寸法の精確性を向上させることができる。
【００１７】
また、本発明の封止層被覆光半導体素子の製造方法では、前記剥離層の面積が、前記キャビティの、前記第１金型および前記第２金型が近接するプレス方向に対する直交方向に沿う開口断面積に比べて、大きいことが好適である。
【００１８】
この方法によれば、キャビティの開口断面積に比べて大きい面積を有する剥離層によって、キャビティから溢れる封止層が第１金型に付着することを防止することができる。
【００１９】
また、本発明の封止層被覆光半導体素子の製造方法では、前記第１金型は、第１平板と、前記第１平板の表面に配置され、キャビティを形成する開口部を有する枠部材とを備えることが好適である。
【００２０】
この方法によれば、第１金型は、枠部材が有する開口部によって、キャビティを形成する。そのため、第１金型を簡単に用意することができる。また、第１金型を簡便に清掃することができ、その結果、プレスを簡易にメンテナンスすることができる。
【００２１】
また、封止層被覆光半導体素子の製造方法では、前記プレスは、熱源を備え、前記Ｂステージの封止層は、熱可塑性および熱硬化性を併有し、前記光半導体素子を前記封止層により被覆する工程では、前記封止層を加熱して可塑化し、続いて、可塑化した前記封止層を熱硬化させることが好適である。
【００２２】
この方法によれば、Ｂステージの封止層が、熱可塑性および熱硬化性を併有するので、光半導体素子を封止層により被覆する工程において、封止層を加熱して可塑化して、封止層によって光半導体素子を確実に被覆しつつ、その後、可塑化した封止層を熱硬化させて、光半導体素子の信頼性を向上させることができる。
【００２３】
また、本発明の封止層被覆光半導体素子の製造方法では、前記封止層は、分子内に２個以上のアルケニル基および／またはシクロアルケニル基を含有するアルケニル基含有ポリシロキサンと、分子内に２個以上のヒドロシリル基を含有するヒドロシリル基含有ポリシロキサンと、ヒドロシリル化触媒とを含有するフェニル系シリコーン樹脂組成物を含有する封止組成物からシート状に形成され、前記アルケニル基含有ポリシロキサンは、下記平均組成式（１）で示され、
平均組成式（１）：
Ｒ１ａＲ２ｂＳｉＯ（４−ａ−ｂ）／２
（式中、Ｒ１は、炭素数２〜１０のアルケニル基および／または炭素数３〜１０のシクロアルケニル基を示す。Ｒ２は、非置換または置換の炭素数１〜１０の１価の炭化水素基（ただし、アルケニル基およびシクロアルケニル基を除く。）を示す。ａは、０．０５以上、０．５０以下であり、ｂは、０．８０以上、１．８０以下である。）
前記ヒドロシリル基含有ポリシロキサンは、下記平均組成式（２）で示され、
平均組成式（２）：
ＨｃＲ３ｄＳｉＯ（４−ｃ−ｄ）／２
（式中、Ｒ３は、非置換または置換の炭素数１〜１０の１価の炭化水素基（ただし、アルケニル基および／またはシクロアルケニル基を除く。）を示す。ｃは、０．３０以上、１．０以下であり、ｄは、０．９０以上、２．０以下である。）
前記平均組成式（１）および前記平均組成式（２）中、Ｒ２およびＲ３の少なくともいずれか一方は、フェニル基を含み、前記フェニル系シリコーン樹脂組成物を反応させることにより得られる生成物は、下記平均組成式（３）で示され、
平均組成式（３）：
Ｒ５ｅＳｉＯ（４−ｅ）／２
（式中、Ｒ５は、フェニル基を含む、非置換または置換の炭素数１〜１０の１価の炭化水素基（ただし、アルケニル基およびシクロアルケニル基を除く。）を示す。ｅは、０．５以上、２．０以下である。）
前記平均組成式（３）のＲ５におけるフェニル基の含有割合が、３０モル％以上、５５モル％以下であることが好適である。
【００２４】
この方法によれば、封止層において、シリコーン樹脂組成物を反応させることにより得られる生成物の平均組成式（３）のＲ５におけるフェニル基の含有割合が特定の範囲にあるので、光半導体素子を確実に埋設して被覆することができる。
【００２５】
また、本発明の封止層被覆光半導体素子の製造方法では、前記封止層は、蛍光体を含有していることが好適である。
【００２６】
この方法によれば、光半導体素子から発光された光を、寸法の精確性に優れ、蛍光体を含有する封止層によって波長変換することができるので、色均一性に優れる封止層被覆光半導体素子を得ることができる。
【００２７】
本発明の光半導体装置の製造方法は、上記した封止層被覆光半導体素子の製造方法により、基材の表面に配置された封止層被覆光半導体素子を用意する工程を備え、前記基材は、第２剥離層であり、前記封止層被覆光半導体素子を用意する工程の後に、前記封止層被覆光半導体素子を前記第２剥離層から剥離する工程、および、剥離した前記封止層被覆光半導体素子の前記光半導体素子を基板に実装する工程をさらに備えていることを特徴としている。
【００２８】
この方法によれば、寸法の精確性に優れる封止層を備える封止層被覆光半導体素子を用意するので、発光特性および耐久性に優れる光半導体装置を得ることができる。
【００２９】
また、本発明の光半導体装置の製造方法は、上記した封止層被覆光半導体素子の製造方法により、基材の表面に配置された封止層被覆光半導体素子を用意する工程を備え、前記基材は、前記光半導体素子が実装された基板であることを特徴としている。
【００３０】
この方法によれば、寸法の精確性に優れる封止層を備える封止層被覆光半導体素子を用意するので、発光特性および耐久性に優れる光半導体装置を得ることができる。
【発明の効果】
【００３１】
本発明の封止層被覆光半導体素子の製造方法によれば、小型のプレスによって、光半導体装置を封止により被覆することができる。また、寸法の精確性に優れる封止層を得ることができる。
【００３２】
本発明の光半導体装置の製造方法によれば、発光特性および耐久性に優れる光半導体装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】図１Ａ〜図１Ｅは、本発明の光半導体装置の製造方法を説明する工程図であり、図１Ａは、準備工程、封止部材配置工程および素子部材配置工程、図１Ｂは、被覆工程、図１Ｃは、剥離層付封止層被覆光半導体素子を取り出す工程、図１Ｄは、剥離工程、図１Ｅは、実装工程を示す。
【図２】図２は、図１Ａに示すプレスの拡大断面図を示す。
【図３】図３は、図１Ａに示すプレスの分解斜視図を示す。
【図４】図４は、素子部材の拡大底面図を示す。
【図５】図５は、本発明の光半導体装置の製造方法の変形例の準備工程、封止部材配置工程および素子部材配置工程を示す。
【図６】図６は、本発明の光半導体装置の製造方法の変形例の準備工程、封止部材配置工程および素子部材配置工程を示す。
【図７】図７は、本発明の光半導体装置の製造方法の変形例の準備工程、封止部材配置工程および素子部材配置工程を示す。
【図８】図８は、本発明の光半導体装置の製造方法の変形例の剥離層付封止層被覆光半導体素子を取り出す工程を示す。
【図９】図９は、光半導体装置の製造方法の変形例を説明する工程図であり、図９Ａは、準備工程、封止部材配置工程および素子部材配置工程、図９Ｂは、被覆工程、図９Ｃは、剥離層付光半導体装置を取り出す工程、図９Ｄは、光半導体素子を個片化する工程を示す。
【発明を実施するための形態】
【００３４】
図１において、紙面上下方向は、上下方向（後述するプレス方向および厚み方向の一例、第１方向）であり、紙面上側は、上側（プレス方向上流側、第１方向一方側）、紙面下側は、下側（プレス方向下流側、第１方向他方側）である。図１において、紙面左右方向は、左右方向（プレス方向に直交する第２方向）であり、紙面左側は、左側（第２方向一方側）、紙面右側は、右側（第２方向他方側）である。図１において、紙面紙厚方向は、前後方向（プレス方向および第２方向に直交する第３方向）であり、紙面左側は、左側（第３方向一方側）、紙面右側は、右側（第３方向他方側）である。具体的には、各図の方向矢印に準拠する。
【００３５】
本発明の封止層被覆光半導体素子の製造方法の一例は、図１Ｄに示され、光半導体素子１６と、光半導体素子１６を被覆する封止層１３とを備える封止層被覆光半導体素子１０の製造方法であって、準備工程、封止部材配置工程、素子部材配置工程および被覆工程を備える。以下、各工程を図１Ａ〜図１Ｄを主に参照して詳述する。
【００３６】
＜準備工程＞
準備工程では、プレス１を準備する。
【００３７】
図１Ａ、図２および図３に示すように、プレス１は、第１金型としての下金型２と、第２金型としての上金型３と、熱源としてのヒータ７と、複数（２つ）のピン２１と、複数（８つ）のバネ２２とを備える。
【００３８】
下金型２は、プレス１の下部に配置されており、左右方向および前後方向に延びる略矩形平板状に形成されている。詳しくは、下金型２は、上側に向かって開口されるキャビティ９を中央部に有しており、上下方向および左右方向に切断したときの断面形状、および、上下方向および前後方向に切断したときの断面形状が有底凹形状に形成されている。下金型２は、図３に示すように、下平板４と、下平板４の上面に配置される枠部材５とを備える。
【００３９】
下平板４は、左右方向および前後方向に延びる略矩形平板状に形成されている。下平板４には、複数（８つ）の第１凹部２３が、設けられている。複数（８つ）の第１凹部２３は、下平板４の上面が下側に向かって凹むように形成されている。第１凹部２３は、下平板４の各隅部において、２つ、下平板４の中心部から外側部に向かう方向（放射方向）に、間隔を隔てて配置される。つまり、第１凹部２３は、下平板４の中心部から放射状に延びる複数（４つ）の直線上（対角線上）のそれぞれに、２つ設けられている。つまり、８つの第１凹部２３は、４つの内側第１凹部２３Ａと、それらの放射方向外側に間隔を隔てて配置される４つの外側第１凹部２３Ｂとを備えている。
【００４０】
枠部材５は、図２に示すように、その外形形状が下平板４の外形形状よりも小さく形成されており、下平板４の上面の周端部を露出するように、下平板４の上面に載置されている。詳しくは、図３に示すように、枠部材５は、下平板４における内側第１凹部２３Ａに重なる一方、外側の第１凹部２３を露出するように、配置されている。枠部材５は、平面視略矩形枠状に形成されている。つまり、枠部材５の中央部には、枠部材５を上下方向（枠部材５の厚み方向）に貫通する開口部８が形成されている。
【００４１】
開口部８は、平面視略矩形状に形成されている。また、開口部８は、下平板４の中央部の上面を露出している。枠部材５は、上下方向に投影したときに、その外周縁部が、下平板４の外周縁部より内側に位置するように、配置されている。これによって、枠部材５は、下平板４の外端部を露出している。
【００４２】
さらに、枠部材５には、複数（４つ）の第１挿入孔２４が設けられている。複数（４つ）の第１挿入孔２４のそれぞれは、枠部材５を上下方向に貫通するように形成されている。複数（４つ）の第１挿入孔２４のそれぞれは、上下方向に投影したときに、複数（４つ）の内側第１凹部２３Ａのそれぞれと同一位置に位置している。
【００４３】
下金型２では、図２に示すように、キャビティ９の左右方向および前後方向に沿う開口断面積Ｓ２は、例えば、４００ｍｍ２以上、好ましくは、１６００ｍｍ２以上であり、また、例えば、１４４００ｍｍ２以下、好ましくは、６４００ｍｍ２以下である。また、キャビティ９の深さＴ２は、開口部８の上下方向長さＴ２、つまり、枠部材５の厚みＴ２であって、例えば、１００μｍ以上、好ましくは、３５０μｍ以上であり、また、例えば、１０００μｍ以下、好ましくは、６００μｍ以下である。
【００４４】
上金型３は、プレス１において下金型２の上側に対向配置できるように構成されている。図３に示すように、上金型３は、下金型２の下平板４の外形形状と同一形状に形成されている。上金型３は、左右方向および前後方向に延びる略矩形平板状に形成されている。
【００４５】
上金型３には、複数（８つ）の第２凹部２５と、複数（２つ）の第２挿入孔２６とが設けられている。
【００４６】
複数（８つ）の第２凹部２５は、上金型３の下面において、下平板４に設けられる複数（８つ）の第１凹部２３に対応するように、配置されている。つまり、複数（８つ）の第２凹部２５は、複数（４つ）の内側第２凹部２５Ａと、それらの放射方向外側に間隔を隔てて配置される複数（４つ）の外側第２凹部２５Ｂとを備えている。複数（８つ）の第２凹部２５のそれぞれは、上金型３の下面が上側に向かって凹むように形成されている。
【００４７】
複数（２つ）の第２挿入孔２６のそれぞれは、上金型３を上下方向に貫通している。第２挿入孔２６は、上金型３の左右方向両端部における前後方向中央部に配置されている。つまり、複数（２つ）の第２挿入孔２６は、左右方向に間隔を隔てて配置されている。また、第２挿入孔２６は、上金型３の左端部において、前後方向に間隔を隔てて配置される第２凹部２５の間に配置され、また、上金型３の右端部において、前後方向に間隔を隔てて配置される第２凹部２５の間に配置されている。
【００４８】
また、上金型３は、下金型２に対してプレス可能に構成されている。具体的には、上金型３には、下金型２に対する圧力を付与できる駆動部（図示せず）が接続される。
【００４９】
ヒータ７は、図１Ａに示すように、下平板４の下面、および、上金型３の上面のそれぞれに配置されている。ヒータ７は、下金型２および上金型３を加熱可能に構成されている。
【００５０】
ピン２１は、下平板４に複数（２つ）設けられており、図３に示すように、複数（２つ）のピン２１のそれぞれは、上下方向に延びる略円柱状に、形成されている。具体的には、複数（２つ）のピン２１のそれぞれは、下平板４の上面に立設されている。つまり、複数（２つ）のピン２１の下端部は、下平板４の左右方向両端部における前後方向中央部の上面に固定されている。複数（２つ）のピン２１は、左右方向に間隔を隔てて配置されている。また、ピン２１は、下平板４の左端部において、前後方向に間隔を隔てて配置される第１凹部２３の間に配置され、また、下平板４の右端部において、前後方向に間隔を隔てて配置される第１凹部２３の間に配置されている。
【００５１】
ピン２１は、後述する第１剥離層１２の第３挿入孔２７、および、上金型３の第２挿入孔２６に挿入されて摺動されるように、直径が調整されている。ピン２１の上下方向長さは、第２挿入孔２６を挿入可能な長さに、調整されている。
【００５２】
バネ２２は、図１Ａ、図２および図３において全て図示していないが、図１Ａが参照されるように、複数（８つ）設けられている。複数（８つ）のバネ２２のそれぞれは、上下方向に延び、上下方向に収縮可能に構成されており、上下方向に押圧力を有する押しバネである。図３が参照されるように、バネ２２の下端部は、第１凹部２３に収容されて固定される一方、バネ２２の上端部は、第２凹部２５に収容されて固定され、そして、バネ２２の上下方向途中部は、枠部材５の第１挿入孔２４、および、後述するキャリア３２の第４挿入孔２８に挿入される。
【００５３】
そして、プレス１を準備するには、図１Ａに示すように、ヒータ７が設けられた下金型２と、ヒータ７が設けられた上金型３とをそれぞれ用意する。
【００５４】
次いで、ピン２１の下端部を、下金型２の下平板４の上面に固定する。また、複数（８つ）のバネ２２のうち、一部（４つ）のバネ２２の下端部を、第１挿入孔２４に挿入し、続いて、内側第１凹部２３Ａに差し込むとともに、別途、残部（４つ）のバネ２２の下端部を、外側第１凹部２３Ｂに差し込む。
【００５５】
なお、この時点において、上金型３は、下金型２の上側にまだ対向配置されず、後述するが、被覆工程において、下金型２の上側に対向配置される。
【００５６】
＜封止部材配置工程＞
封止部材配置工程では、まず、封止部材１１を用意する。
【００５７】
（封止部材）
図３に示すように、封止部材１１は、前後方向および左右方向に延びる略矩形平板状に形成されている。封止部材１１は、剥離層としての第１剥離層１２と、第１剥離層１３の上面（表面）に配置されるＢステージの封止層１３とを備える。好ましくは、封止部材１１は、第１剥離層１２と、封止層１３とのみからなる。
【００５８】
第１剥離層１２は、封止層１３によって光半導体素子１６（後述）を封止するまでの間、封止層１３を保護するために、封止層１３の裏面（図１Ａにおける下面）に剥離可能に貼着されている。つまり、第１剥離層１２は、封止部材１１の出荷・搬送・保管時において、封止層１３の裏面（図１Ａにおける下面）を被覆するように、封止層１３の裏面に積層され、封止層１３の使用直前において、図１Ｃに示すように、封止層１３の下面から略Ｕ字状に湾曲するように引き剥がすことができる可撓性フィルムである。つまり、第１剥離層１２は、可撓性フィルムのみからなる。また、第１剥離層１２の貼着面、つまり、封止層１３に対する接触面は、必要によりフッ素処理などの剥離処理されている。
【００５９】
図３に示すように、第１剥離層１２は、左右方向および前後方向に沿う平板状をなし、具体的には、左右方向に長い平面視略矩形状に形成されている。図２に示すように、第１剥離層１２は、封止部材配置工程において、第１剥離層１２がキャビティ９を被覆（閉鎖）する。そして、第１剥離層１２は、第１剥離層１２および封止層１３の重力によって、第１剥離層１２の中央部および封止層１３がキャビティ９内に落ち込むことを防止できるような剛性（強度）を有する。一方、第１剥離層１２は、被覆工程の熱プレス（図１Ｂ参照）によって、第１剥離層１２の中央部および封止層１３がキャビティ９内に落ち込むことができるような可撓性（熱可塑性）を有する。
【００６０】
第１剥離層１２を形成する材料として、例えば、熱可塑性樹脂が挙げられる。熱可塑性樹脂としては、例えば、ポリスチレンなどのスチレン系樹脂、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレンなどのオレフィン系樹脂、例えば、ＰＥＴなどのポリエステル系樹脂、例えば、アクリル樹脂などのアクリル系樹脂、例えば、フッ素系樹脂、例えば、熱可塑性シリコーン樹脂などが挙げられる。好ましくは、ポリエステル系樹脂が挙げられる。第１剥離層１２の軟化温度は、例えば、４０℃以上、好ましくは、６０℃以上であり、また、例えば、１５０℃以下、好ましくは、１００℃以下である。
【００６１】
図３に示すように、第１剥離層１２の左右方向両端部には、第３挿入孔２７が設けられている。
【００６２】
第３挿入孔２７は、上記した上金型３の第２挿入孔２６に対応して２つ設けられており、２つの第３挿入孔２７のぞれぞれは、第１剥離層１２の前後方向中央部に配置されている。２つの第３挿入孔２７間の間隔は、２つの第２挿入孔２６間の間隔と同一である。
【００６３】
第１剥離層１２の寸法は、プレス１および封止層１３の寸法に応じて適宜調整される。具体的には、図２に示すように、第１剥離層１２の左右方向長さは、下平板４の左右方向長さに比べて短く、かつ、枠部材５の左右方向長さに比べて長く、調整されている。図３に示すように、第１剥離層１２の前後方向長さは、枠部材５の前後方向長さに比べて短く、かつ、開口部８の前後方向長さに比べて長く、調整されている。従って、図２に示すように、第１剥離層１２の面積Ｓ４は、開口部８の開口断面積Ｓ２、つまり、下金型２のキャビティ９の前後方向および左右方向に沿う開口断面積Ｓ２に比べて、大きく調整されている。
【００６４】
図２に示すように、第１剥離層１２の厚みＴ４は、剛性、可撓性、ハンドリング性および低コスト化の観点から、例えば、２０μｍ以上、好ましくは、３０μｍ以上であり、また、例えば、２００μｍ以下、好ましくは、１００μｍ以下である。第１剥離層１２の厚みＴ４が上記下限以上であれば、封止部材配置工程において、第１剥離層１２が撓んで、封止層１３がキャビティ９内に落ち込むことを防止することができる。第１剥離層１２の厚みＴ４が上記上限以下であれば、ハンドリング性を向上させて、低コスト化を図ることができる。
【００６５】
図３に示すように、封止層１３は、平板状を有し、具体的には、所定の厚みを有し、前後方向および左右方向に延び、平坦な上面および平坦な下面を有している。また、封止層１３は、後述する封止層被覆光半導体素子１０（図１Ｄ参照）および光半導体装置３０（図１Ｅ参照）ではなく、封止層被覆光半導体素子１０および光半導体装置３０の一部品、すなわち、封止層被覆光半導体素子１０および光半導体装置３０を作製するための部品であり、光半導体素子１６および光半導体素子１６を搭載する基板２０を含むことなく、構成されている。
【００６６】
そのため、第１剥離層１２および封止層１３を備える封止部材１１は、部品単独で流通し、産業上利用可能なデバイスである。
【００６７】
封止層１３は、Ｂステージの封止組成物からシート状に形成されている。封止組成物は、例えば、封止樹脂を必須成分として含有している。封止樹脂は、透明樹脂であって、具体的には、熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂などの硬化性樹脂が挙げられ、好ましくは、熱硬化性樹脂が挙げられる。
【００６８】
熱硬化性樹脂としては、例えば、２段反応硬化性樹脂、１段反応硬化性樹脂が挙げられる。
【００６９】
２段反応硬化性樹脂は、２つの反応機構を有しており、第１段の反応で、Ａステージ状態からＢステージ化（半硬化）し、次いで、第２段の反応で、Ｂステージ状態からＣステージ化（完全硬化）することができる。つまり、２段反応硬化性樹脂は、適度の加熱条件によりＢステージ状態となることができる熱硬化性樹脂である。なお、Ｂステージ状態は、熱硬化性樹脂が、液状であるＡステージ状態と、完全硬化したＣステージ状態との間の状態であって、硬化およびゲル化がわずかに進行し、圧縮弾性率がＣステージ状態の弾性率よりも小さい半固体または固体状態である。
【００７０】
１段反応硬化性樹脂は、１つの反応機構を有しており、第１段の反応で、Ａステージ状態からＣステージ化（完全硬化）することができる。ただし、１段反応硬化性樹脂は、第１段の反応の途中で、その反応が停止して、Ａステージ状態からＢステージ状態となることができ、その後のさらなる加熱によって、第１段の反応が再開されて、Ｂステージ状態からＣステージ化（完全硬化）することができる熱硬化性樹脂を含む。つまり、かかる熱硬化性樹脂は、Ｂステージ状態となることができる熱硬化性樹脂である。
【００７１】
封止樹脂としては、例えば、シリコーン樹脂、ウレタン樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂などが挙げられる。好ましくは、シリコーン樹脂が挙げられる。
【００７２】
シリコーン樹脂としては、例えば、付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物、縮合反応・付加反応硬化型シリコーン樹脂などが挙げられる。シリコーン樹脂は、単独で使用してもよく、あるいは、併用することもできる。
【００７３】
付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物は、１段反応硬化性樹脂であって、例えば、アルケニル基含有ポリシロキサンと、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンと、ヒドロシリル化触媒とを含有する。
【００７４】
アルケニル基含有ポリシロキサンは、分子内に２個以上のアルケニル基および／またはシクロアルケニル基を含有する。アルケニル基含有ポリシロキサンは、具体的には、下記平均組成式（１）で示される。
【００７５】
平均組成式（１）：
Ｒ１ａＲ２ｂＳｉＯ（４−ａ−ｂ）／２
（式中、Ｒ１は、炭素数２〜１０のアルケニル基および／または炭素数３〜１０のシクロアルケニル基を示す。Ｒ２は、非置換または置換の炭素数１〜１０の１価の炭化水素基（ただし、アルケニル基およびシクロアルケニル基を除く。）を示す。ａは、０．０５以上、０．５０以下であり、ｂは、０．８０以上、１．８０以下である。）
式（１）中、Ｒ１で示されるアルケニル基としては、例えば、ビニル基、アリル基、プロペニル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基、ヘプテニル基、オクテニル基などの炭素数２〜１０のアルケニル基が挙げられる。Ｒ１で示されるシクロアルケニル基としては、例えば、シクロヘキセニル基、ノルボルネニル基などの炭素数３〜１０のシクロアルケニル基が挙げられる。
【００７６】
Ｒ１として、好ましくは、アルケニル基、より好ましくは、炭素数２〜４のアルケニル基、さらに好ましくは、ビニル基が挙げられる。
【００７７】
Ｒ１で示されるアルケニル基は、同一種類または複数種類のいずれでもよい。
【００７８】
Ｒ２で示される１価の炭化水素基は、アルケニル基およびシクロアルケニル基以外の非置換または置換の炭素原子数１〜１０の１価の炭化水素基である。
【００７９】
非置換の１価の炭化水素基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ペンチル基、ヘプチル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基、ノニル基、デシル基などの炭素数１〜１０のアルキル基、例えば、シクロプロピル、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などの炭素数３〜６のシクロアルキル基、例えば、フェニル基、トリル基、ナフチル基などの炭素数６〜１０のアリール基、例えば、ベンジル基、ベンジルエチル基などの炭素数７〜８のアラルキル基が挙げられる。好ましくは、炭素数１〜３のアルキル基、炭素数６〜１０のアリール基が挙げられ、より好ましくは、メチル基および／またはフェニル基が挙げられる。
【００８０】
一方、置換の１価の炭化水素基は、上記した非置換の１価の炭化水素基における水素原子を置換基で置換したものが挙げられる。
【００８１】
置換基としては、例えば、塩素原子などのハロゲン原子、例えば、グリシジルエーテル基などが挙げられる。
【００８２】
置換の１価の炭化水素基としては、具体的には、３−クロロプロピル基、グリシドキシプロピル基などが挙げられる。
【００８３】
１価の炭化水素基は、非置換および置換のいずれであってもよく、好ましくは、非置換である。
【００８４】
Ｒ２で示される１価の炭化水素基は、同一種類または複数種類であってもよい。好ましくは、メチル基および／またはフェニル基が挙げられ、より好ましくは、メチル基およびフェニル基の併用が挙げられる。
【００８５】
ａは、好ましくは、０．１０以上、０．４０以下である。
【００８６】
ｂは、好ましくは、１．５以上、１．７５以下である。
【００８７】
アルケニル基含有ポリシロキサンの重量平均分子量は、例えば、１００以上、好ましくは、５００以上であり、また、例えば、１００００以下、好ましくは、５０００以下である。アルケニル基含有ポリシロキサンの重量平均分子量は、ゲル透過クロマトグラフィーによって測定される標準ポリスチレンによる換算値である。
【００８８】
アルケニル基含有ポリシロキサンは、適宜の方法によって調製され、また、市販品を用いることもできる。
【００８９】
また、アルケニル基含有ポリシロキサンは、同一種類または複数種類であってもよい。
【００９０】
ヒドロシリル基含有ポリシロキサンは、例えば、分子内に２個以上のヒドロシリル基（ＳｉＨ基）を含有する。ヒドロシリル基含有ポリシロキサンは、具体的には、下記平均組成式（２）で示される。
【００９１】
平均組成式（２）：
ＨｃＲ３ｄＳｉＯ（４−ｃ−ｄ）／２
（式中、Ｒ３は、非置換または置換の炭素数１〜１０の１価の炭化水素基（ただし、アルケニル基および／またはシクロアルケニル基を除く。）を示す。ｃは、０．３０以上、１．０以下であり、ｄは、０．９０以上、２．０以下である。）
式（２）中、Ｒ３で示される非置換または置換の炭素数１〜１０の１価の炭化水素基は、式（１）のＲ２で示される非置換または置換の炭素数１〜１０の１価の炭化水素基と同一のものが例示される。好ましくは、非置換の炭素数１〜１０の１価の炭化水素基、より好ましくは、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数６〜１０のアリール基が挙げられ、さらに好ましくは、メチル基および／またはフェニル基が挙げられる。
【００９２】
ｃは、好ましくは、０．５以下である。
【００９３】
ｄは、好ましくは、１．３以上、１．７以下である。
【００９４】
ヒドロシリル基含有ポリシロキサンの重量平均分子量は、例えば、１００以上、好ましくは、５００以上であり、また、例えば、１００００以下、好ましくは、５０００以下である。ヒドロシリル基含有ポリシロキサンの重量平均分子量は、ゲル透過クロマトグラフィーによって測定される標準ポリスチレンによる換算値である。
【００９５】
ヒドロシリル基含有ポリシロキサンは、適宜の方法によって調製され、また、市販品を用いることもできる。
【００９６】
また、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンは、同一種類または複数種類であってもよい。
【００９７】
上記した平均組成式（１）および平均組成式（２）中、Ｒ２およびＲ３の少なくともいずれか一方の炭化水素基は、フェニル基を含み、好ましくは、Ｒ２およびＲ３の両方の炭化水素が、フェニル基を含む。なお、Ｒ２およびＲ３の少なくともいずれか一方の炭化水素基がフェニル基を含むので、付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物は、フェニル系シリコーン樹脂組成物とされる。
【００９８】
ヒドロシリル基含有ポリシロキサンの配合割合は、アルケニル基含有ポリシロキサンのアルケニル基およびシクロアルケニル基のモル数の、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンのヒドロシリル基のモル数に対する割合（アルケニル基およびシクロアルケニル基のモル数／ヒドロシリル基のモル数）が、例えば、１／３０以上、好ましくは、１／３以上、また、例えば、３０／１以下、好ましくは、３／１以下となるように、調整される。
【００９９】
ヒドロシリル化触媒は、アルケニル基含有ポリシロキサンのアルケニル基および／またはシクロアルケニル基と、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンのヒドロシリル基とのヒドロシリル化反応（ヒドロシリル付加）の反応速度を向上させる物質（付加触媒）であれば、特に限定されず、例えば、金属触媒が挙げられる。金属触媒としては、例えば、白金黒、塩化白金、塩化白金酸、白金−オレフィン錯体、白金−カルボニル錯体、白金−アセチルアセテートなどの白金触媒、例えば、パラジウム触媒、例えば、ロジウム触媒などが挙げられる。
【０１００】
ヒドロシリル化触媒の配合割合は、金属触媒の金属量（具体的には、金属原子）として、アルケニル基含有ポリシロキサンおよびヒドロシリル基含有ポリシロキサンに対して、質量基準で、例えば、１．０ｐｐｍ以上であり、また、例えば、１００００ｐｐｍ以下、好ましくは、１０００ｐｐｍ以下、より好ましくは、５００ｐｐｍ以下である。
【０１０１】
付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物は、アルケニル基含有ポリシロキサン、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンおよびヒドロシリル化触媒を、上記した割合で配合することにより、調製される。
【０１０２】
上記した付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物は、アルケニル基含有ポリシロキサン、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンおよびヒドロシリル化触媒を配合することによって、Ａステージ（液体）状態として調製され、その後、反応が途中で停止することにより、Ｂステージ（液体）状態として調製される。
【０１０３】
つまり、上記したように、付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物は、所望条件の加熱により、アルケニル基含有ポリシロキサンのアルケニル基および／またはシクロアルケニル基と、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンのヒドロシリル基とのヒドロシリル化付加反応を生じ、その後、ヒドロシリル化付加反応が、一旦、停止する。これによって、Ａステージ状態からＢステージ（半硬化）状態となることができる。その後、さらなる所望条件の加熱により、上記したヒドロシリル化付加反応が再開されて、完結する。これによって、Ｂステージ状態からＣステージ（完全硬化）状態となることができる。
【０１０４】
なお、付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物がＢステージ（半硬化）状態にあるときには、固体状である。そして、このＢステージ状態の付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物は、熱可塑性および熱硬化性を併有することができる。つまり、Ｂステージの付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物は、加熱により、一旦、可塑化した後、完全硬化する。
【０１０５】
縮合・付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物は、２段反応硬化性樹脂であって、具体的には、例えば、特開２０１０−２６５４３６号公報、特開２０１３−１８７２２７号公報などに記載される第１〜第８の縮合・付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物、例えば、特開２０１３−０９１７０５号公報、特開２０１３−００１８１５号公報、特開２０１３−００１８１４号公報、特開２０１３−００１８１３号公報、特開２０１２−１０２１６７号公報などに記載されるかご型オクタシルセスキオキサン含有シリコーン樹脂組成物などが挙げられる。なお、縮合・付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物は、固体状であって、熱可塑性および熱硬化性を併有する。
【０１０６】
縮合・付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物としては、好ましくは、ケイ素原子に直接結合するアルキル基がすべてメチル基であるメチル系シリコーン樹脂組成物（２段反応硬化性のメチル系シリコーン樹脂組成物、具体的には、両末端シラノール型ポリジメチルシロキサンと、ジメチルポリシロキサン−ＣＯ−メチルハイドロジェンシロキサンと、アルケニル基含有ケイ素化合物とから調製されるメチル系シリコーン樹脂組成物などが挙げられる。
【０１０７】
縮合・付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物は、加熱により、縮合反応を生じて、Ａステージ状態からＢステージ（半硬化）状態として調製される。Ｂステージ状態の縮合・付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物は、その後、さらなる加熱により、付加反応を生じて、Ｃステージ（完全硬化）状態となることができる。
【０１０８】
熱硬化性樹脂としては、耐久性および光学特性の観点から、１段反応硬化性樹脂、具体的には、付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物が挙げられ、より好ましくは、フェニル系シリコーン樹脂組成物が挙げられる。
【０１０９】
封止樹脂の屈折率は、例えば、１．５０以上であり、また、例えば、１．６０以下である。封止樹脂の屈折率は、アッベ屈折率計によって算出される。なお、封止樹脂の屈折率は、封止樹脂がＢステージの硬化性樹脂である場合には、Ｂステージの硬化性樹脂とＣステージの硬化性樹脂（後述する生成物に相当）との屈折率が実質的に同一であることから、Ｃステージの硬化性樹脂の屈折率として算出される。
【０１１０】
封止樹脂の配合割合は、封止組成物に対して、例えば、２０質量％以上、好ましくは、２５質量％以上であり、また、例えば、７０質量％以下、好ましくは、５０質量％以下、より好ましくは、５０質量％未満、さらに好ましくは、４０質量％以下、とりわけ好ましくは、３０質量％以下である。封止樹脂の配合割合が上記範囲内であれば、封止層１３の成形性を確保することができる。
【０１１１】
（無機フィラー、蛍光体）
封止組成物は、上記した封止樹脂の他に、例えば、無機フィラーおよび／または蛍光体を含有することもできる。
【０１１２】
無機フィラーは、封止層１３（図１Ａ参照）の成形性を向上させるために、封止組成物に必要により配合される。具体的には、無機フィラーは、反応前（具体的には、Ａステージ）の封止樹脂に配合される。無機フィラーとしては、例えば、シリカ（ＳｉＯ２）、タルク（Ｍｇ３（Ｓｉ４Ｏ１０）（ＨＯ）２）、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、酸化ホウ素（Ｂ２Ｏ３）、酸化カルシウム（ＣａＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）、酸化バリウム（ＢａＯ）、酸化アンチモン（Ｓｂ２Ｏ３）などの酸化物、例えば、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）などの窒化物などの無機物粒子（無機物）が挙げられる。また、無機フィラーとして、例えば、上記例示の無機物から調製される複合無機物粒子が挙げられ、好ましくは、酸化物から調製される複合無機酸化物粒子（具体的には、ガラス粒子など）が挙げられる。
【０１１３】
複合無機酸化物粒子としては、例えば、シリカ、あるいは、シリカおよび酸化ホウ素を主成分として含有し、また、アルミナ、酸化カルシウム、酸化亜鉛、酸化ストロンチウム、酸化マグネシウム、酸化ジルコニウム、酸化バリウム、酸化アンチモンなどを副成分として含有する。複合無機酸化物粒子における主成分の含有割合は、複合無機酸化物粒子に対して、例えば、４０質量％を超え、好ましくは、５０質量％以上であり、また、例えば、９０質量％以下、好ましくは、８０質量％以下である。副成分の含有割合は、上記した主成分の含有割合の残部である。
【０１１４】
複合酸化物粒子は、上記した主成分および副成分を配合して、加熱して溶融させて、それらの溶融物を急冷し、その後、例えば、ボールミルなどによって粉砕し、その後、必要により、適宜の表面加工（具体的には、球体化など）を施して、得られる。
【０１１５】
無機フィラーの形状は、特に限定されず、例えば、球状、板状、針状などが挙げられる。好ましくは、流動性の観点から、球状が挙げられる。無機フィラーの平均粒子径は、例えば、１０μｍ以上、好ましくは、１５μｍ以上であり、また、例えば、５０μｍ以下、好ましくは、４０μｍ以下、より好ましくは、３０μｍ以下、さらに好ましくは、２５μｍ以下である。無機フィラーの平均粒子径が上記上限を超える場合には、封止組成物（後述するワニス）において無機フィラーが沈降する傾向がある。一方、無機フィラーの平均粒子径が上記下限に満たない場合には、封止組成物のシート成形性が低下したり、あるいは、封止層１３（図１Ａ参照）の透明性が低下する傾向がある。無機フィラーの平均粒子径は、Ｄ５０値として算出される。具体的には、レーザー回折式粒度分布計により測定される。
【０１１６】
無機フィラーの屈折率は、例えば、１．５０以上、好ましくは、１．５２以上であり、また、例えば、１．６０以下、好ましくは、１．５８以下である。無機フィラーの屈折率が上記範囲内にあれば、上記した封止樹脂の屈折率との差を所望範囲内にすることができる。つまり、封止樹脂および無機フィラーの屈折率の差の絶対値を小さくすることができ、そのため、封止層１３の透明性を向上させることができる。無機フィラーの屈折率は、アッベ屈折率計によって算出される。
【０１１７】
封止樹脂および無機フィラーの屈折率の差の絶対値は、例えば、０．１０以下、好ましくは、０．０５以下であり、通常、例えば、０以上である。上記した屈折率の差の絶対値が上記上限以下であれば、封止層１３の透明性が優れる。
【０１１８】
無機フィラーの配合割合は、封止組成物に対して、例えば、３０質量％以上、好ましくは、５０質量％以上、より好ましくは、５０質量％超過、さらに好ましくは、６０質量％以上、とりわけ好ましくは、７０質量％以上であり、また、例えば、８０質量％以下、好ましくは、７５質量％以下である。また、無機フィラーの配合割合は、封止樹脂１００質量部に対して、例えば、５０質量部以上、好ましくは、１００質量部以上、より好ましくは、２００質量部以上であり、また、例えば、４００質量部以下、好ましくは、３００質量部以下である。
【０１１９】
無機フィラーの配合割合が上記範囲内であれば、無機フィラーによる封止層１３の優れた成形性を確保することができる。
【０１２０】
蛍光体は、波長変換機能を有しており、例えば、青色光を黄色光に変換することのできる黄色蛍光体、青色光を赤色光に変換することのできる赤色蛍光体などが挙げられる。
【０１２１】
黄色蛍光体としては、例えば、（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ）２ＳｉＯ４：Ｅｕ、（Ｓｒ，Ｂａ）２ＳｉＯ４：Ｅｕ（バリウムオルソシリケート（ＢＯＳ））などのシリケート蛍光体、例えば、Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ（ＹＡＧ（イットリウム・アルミニウム・ガーネット）：Ｃｅ）、Ｔｂ３Ａｌ３Ｏ１２：Ｃｅ（ＴＡＧ（テルビウム・アルミニウム・ガーネット）：Ｃｅ）などのガーネット型結晶構造を有するガーネット型蛍光体、例えば、Ｃａ−α−ＳｉＡｌＯＮなどの酸窒化物蛍光体などが挙げられる。
【０１２２】
赤色蛍光体としては、例えば、ＣａＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ、ＣａＳｉＮ２：Ｅｕなどの窒化物蛍光体などが挙げられる。
【０１２３】
蛍光体の形状としては、例えば、球状、板状、針状などが挙げられる。好ましくは、流動性の観点から、球状が挙げられる。
【０１２４】
蛍光体の最大長さの平均値（球状である場合には、平均粒子径）は、例えば、０．１μｍ以上、好ましくは、１μｍ以上であり、また、例えば、２００μｍ以下、好ましくは、１００μｍ以下でもある。
【０１２５】
蛍光体の比重は、例えば、２．０以上であり、また、例えば、９．０以下である。
【０１２６】
蛍光体は、単独使用または併用することができる。
【０１２７】
蛍光体の配合割合は、封止樹脂１００質量部に対して、例えば、０．１質量部以上、好ましくは、０．５質量部以上であり、例えば、８０質量部以下、好ましくは、５０質量部以下である。
【０１２８】
（封止層の製造）
封止層１３を製造するには、まず、上記した封止樹脂と、必要により無機フィラーおよび／または蛍光体とを含有する封止組成物を調製する。具体的には、Ａステージの封止樹脂と、必要により無機フィラーおよび／または蛍光体とを含有する封止組成物を調製する。
【０１２９】
例えば、封止樹脂と、必要により無機フィラーおよび／または蛍光体とを上記した配合割合で混合する。
【０１３０】
これによって、無機フィラーが封止樹脂中に分散された封止組成物を、ワニスとして調製する。
【０１３１】
ワニスの２５℃における粘度は、例えば、１，０００ｍＰａ・ｓ以上、好ましくは、４，０００ｍＰａ・ｓ以上であり、また、例えば、１，０００，０００ｍＰａ・ｓ以下、好ましくは、２００，０００ｍＰａ・ｓ以下である。なお、粘度は、ワニスを２５℃に温度調節し、Ｅ型コーンを用いて測定される。
【０１３２】
次いで、調製したワニスを塗布する。具体的には、図１Ａに示すように、ワニスを、第１剥離層１２の表面（上面）に塗布する。
【０１３３】
ワニスを第１剥離層１２の表面に塗布するには、例えば、ディスペンサ、アプリケータ、スリットダイコータなどの塗布装置が用いられる。
【０１３４】
ワニスの第１剥離層１２への塗布によって、塗膜が形成される。
【０１３５】
その後、封止樹脂が硬化性樹脂である場合には、塗膜を半硬化させる。つまり、Ａステージの塗膜をＢステージ化させる。具体的には、硬化性樹脂がＢステージ状態となることができる熱硬化性樹脂であれば、塗膜を加熱する。加熱条件として、加熱温度が、７０℃以上、好ましくは、８０℃以上であり、また、１２０℃以下、好ましくは、１００℃以下である。加熱温度が上記範囲であれば、硬化性樹脂を確実にＢステージにすることができる。また、加熱時間が、例えば、５分以上、好ましくは、８分以上であり、また、例えば、３０分以下、好ましくは、２０分以下である。
【０１３６】
あるいは、封止樹脂が光硬化性樹脂であれば、塗膜に紫外線を照射する。具体的には、ＵＶランプなどを用いて、塗膜に紫外線を照射する。
【０１３７】
これによって、塗膜におけるＡステージの硬化性樹脂をＢステージにする。
【０１３８】
硬化性樹脂が付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物を含有する場合には、アルケニル基および／またはシクロアルケニル基と、ヒドロシリル基とのヒドロシリル化反応が途中まで進行して、一旦、停止する。
【０１３９】
一方、硬化性樹脂が縮合反応・付加反応硬化型シリコーン樹脂を含有する場合には、縮合反応が完結する。
【０１４０】
封止樹脂がＢステージとなる際には、封止層１３（あるいは塗膜）は、第１剥離層１２からはじかれ、そのため、封止層１３は、平面視において凝集して、平面視における面積が小さくなる。その結果、封止層１３は、厚みが厚くなる傾向となる。一方、封止層１３は、加熱によりＢステージとなる場合には、加熱に伴い収縮する傾向、とりわけ、厚み方向に薄くなる傾向にある。そのため、封止層１３の第１剥離層１２からはじかれることによる厚みの増加分と、加熱収縮に伴う厚みの減少分とが、相殺して、封止層１３は厚みが実質的に変化しない。
【０１４１】
これによって、図１Ａに示すように、第１剥離層１２と、第１剥離層１２に積層された封止層１３とを備える封止部材１１を得る。
【０１４２】
封止層１３では、必要により配合される無機フィラーおよび／または蛍光体が、マトリクスとしてのシリコーン樹脂組成物中に均一に分散されている。
【０１４３】
半硬化（Ｂステージ）状態の封止層１３は、可撓性を有しており、半硬化（Ｂステージ）状態となった後、後述する完全硬化（Ｃステージ）状態となること（つまり、Ｃステージの生成物を生成すること）が可能な状態である。
【０１４４】
また、Ｂステージの封止層１３は、好ましくは、可塑性および硬化性を併有し、具体的には、封止樹脂が、上記したフェニル系シリコーン樹脂組成物および／またはかご型オクタシルセスキオキサン含有シリコーン樹脂組成物である場合には、可塑性および硬化性を併有する。Ｂステージの封止層１３は、より好ましくは、熱可塑性および熱硬化性を併有する。つまり、Ｂステージの封止層１３は、加熱により、一旦、可塑化した後、硬化することができる。
【０１４５】
封止層１３の熱可塑温度は、例えば、４０℃以上、好ましくは、６０℃以上であり、また、例えば、１２０℃以下、好ましくは、１００℃以下である。なお、熱可塑温度は、封止層１３が熱可塑性を示す温度であり、具体的には、Ｂステージの封止樹脂が加熱によって軟化する温度であって、軟化温度と実質的に同一である。
【０１４６】
封止層１３の熱硬化温度は、例えば、１００℃以上、好ましくは、１２０℃以上であり、また、例えば、１５０℃以下である。熱硬化温度は、Ｂステージの封止層１３が熱硬化性を示す温度であり、具体的には、可塑化した封止層１３が加熱によって完全に硬化して、固体状となる温度である。
【０１４７】
封止層１３の寸法は、次に説明する封止層１３のキャビティ９に対する体積割合が所望の範囲となるように、調整される。封止層１３の体積割合は、キャビティ９の体積から複数の光半導体素子１６の体積を差し引いた封止層収容体積１９（図２の破線参照）に対して、１００％以上であり、また、１２０％以下、好ましくは、１１０％以下である。封止層１３の体積割合が、上記下限に満たない場合、または、上記上限を超える場合には、封止層被覆光半導体素子１０における封止層１３の厚みを所望の厚みに精確に設定することができない。
【０１４８】
なお、封止層収容体積１９は、図２の１点鎖線で示すように、後述する被覆工程（図１Ｂ参照）において、プレス１のプレス時において、キャビティ９内において封止層１３が占める体積である。そのため、詳しくは、封止層収容体積１９は、キャビティ９の体積から、複数の光半導体素子１６の体積およびキャビティ９に落ち込む第１剥離層１２の体積を差し引いた体積であるところ、キャビティ９に落ち込む第１剥離層１２の体積が、キャビティ９に比べて過小であるので、封止層収容体積１９を計算する上で、実質的に考慮されず、第１剥離層１２の体積を計算に含めなくてもよい。
【０１４９】
図２に示すように、封止層１３の面積Ｓ１、詳しくは、封止層１３の左右方向および前後方向に沿う断面積Ｓ１は、キャビティ９の開口断面積Ｓ２、詳しくは、キャビティ９の左右方向および前後方向に沿う断面積に比べて、小さい。封止層１３の面積Ｓ１は、詳しくは、キャビティ９の開口断面積Ｓ２に対して、例えば、１００％未満、好ましくは、９５％以下、より好ましくは、９０％以下であり、例えば、８０％以上である。
【０１５０】
一方、封止層１３の厚みＴ１は、光半導体素子１６の寸法に応じて適宜設定され、キャビティ９の厚み（上下方向長さ、深さ）Ｔ２に対して、例えば、７０％超過、好ましくは、１００％以上であり、また、例えば、１８０％以下、好ましくは、１３０％以下である。具体的には、封止層１３の厚みＴ１は、例えば、１００μｍ以上であり、また、例えば、１０００μｍ以下である。
【０１５１】
封止層１３の寸法が、上記範囲内であれば、封止層被覆光半導体素子１０における封止層１３の厚みＴ５（封止前の封止層１３の厚みＴ５、図１Ｃ参照）を所望の厚みに精確に設定することができる。
【０１５２】
（封止層の物性）
Ｂステージの封止層１３（Ｂステージの硬化性樹脂を含有する封止組成物から形成される封止層１３）は、８０℃の剪断貯蔵弾性率Ｇ’が、例えば、３Ｐａ以上、好ましくは、１２Ｐａ以上であり、また、例えば、１４０Ｐａ以下、好ましくは、７０Ｐａ以下である。封止層１３の８０℃の剪断貯蔵弾性率Ｇ’が上記上限以下であれば、次に説明する光半導体素子１６の封止時に、光半導体素子１６が損傷することを有効に防止することができる。一方、封止層１３の８０℃の剪断貯蔵弾性率Ｇ’が上記下限以上であれば、光半導体素子１６を封止する際の封止層１３の良好な保形性を確保して、封止層１３の取扱性を向上させることができる。また、封止層１３の８０℃の剪断貯蔵弾性率Ｇ’が上記下限以上であれば、封止層１３の厚みの均一性を確保でき、また、所望の厚みにする調節することができる。
【０１５３】
封止層１３の８０℃の剪断貯蔵弾性率Ｇ’は、周波数１Ｈｚ、昇温速度２０℃／分、温度範囲２０〜１５０℃の条件における動的粘弾性測定で得られる。
【０１５４】
また、厚み６００μｍのときにおける、波長４６０ｎｍの光に対する封止層１３の透過率が、例えば、７０％以上、好ましくは、８０％以上、より好ましくは、９０％以上、さらに好ましくは、９５％以上であり、また、例えば、１００％以下である。透過率が上記下限以上であれば、光半導体素子１６を封止した後、光半導体素子１６から発光される光を十分に透過させることができる。封止層１３の透過率は、例えば、積分球を用いて測定される。
【０１５５】
（封止部材の配置）
次いで、図２に示すように、用意した封止部材１１を、下金型２の上面に、封止層１３が上側に向かうように、配置する。
【０１５６】
具体的には、第１剥離層１２がキャビティ９を被覆（閉鎖）し、封止層１３が、上下方向に投影したときに、キャビティ９に含まれるように、第１剥離層１２の下面を、枠部材５の上面に載置する。
【０１５７】
同時に、第３挿入孔２７に、ピン２１を挿入する。これによって、第１剥離層１２は、左右方向および前後方向の移動および変形が規制されて、ピン２１に係止される。そのため、第１剥離層１２の中央部、および、封止層１３がキャビティ９内に落ち込むことが防止される。これによって、第１剥離層１２の中央部は、キャビティ９から露出する下平板４の上面に対して、キャビティ９の厚み分の間隔を隔てて、対向配置される。
【０１５８】
＜素子部材配置工程＞
素子部材配置工程では、図１Ａに示すように、まず、素子部材１５を用意する。
【０１５９】
素子部材１５は、基材としての第２剥離層１７と、第２剥離層１７の表面（下面）に配置される光半導体素子１６とを備える。
【０１６０】
第２剥離層１７は、封止層１３によって光半導体素子１６を被覆して封止して、封止層被覆光半導体素子１０を得た後、封止層被覆光半導体素子１０を剥離するまでの間、封止層被覆光半導体素子１０の光半導体素子１６を保護するために、封止層被覆光半導体素子１０における光半導体素子１６の露出面（図１Ｃにおける上面）に剥離可能に貼着されている。つまり、第２剥離層１７は、封止層被覆光半導体素子１０の出荷・搬送・保管時において、光半導体素子１６を支持し、光半導体素子１６の露出面（図２Ａにおける上面）を被覆するように、光半導体素子１６の露出面に積層され、光半導体素子１６の基板２０に対する実装直前において、図１Ｄの仮想線で示すように、封止層被覆光半導体素子１０を引き剥がすことができる可撓性フィルムである。つまり、第２剥離層１７は、可撓性フィルムのみからなる。
【０１６１】
第２剥離層１７は、上記した第１剥離層１２と同様の材料から形成されている。また、第２剥離層１７を、加熱により封止層被覆光半導体素子１０が容易に剥離できる熱剥離シートから形成することもできる。
【０１６２】
第２剥離層１７は、平面視略矩形板状をなし、第２剥離層１７の面積は、キャビティ９の開口断面積に比べて大きく、かつ、上金型３より小さく、形成されている。第２剥離層１７の厚みは、例えば、１０μｍ以上、好ましくは、５０μｍ以上であり、また、例えば、１０００μｍ以下、好ましくは、１００μｍ以下である。
【０１６３】
図３に示すように、光半導体素子１６は、第２剥離層１７の表面（下面）に複数（９つ）載置されている。複数の光半導体素子１６は、左右方向におよび前後方向間隔を隔てて整列配置されている。複数の光半導体素子１６のそれぞれは、前後方向および左右方向に沿う略平板状に形成されている。また、複数の光半導体素子１６のそれぞれは、平面視略矩状をなし、上下方向および前後方向に沿う断面形状、および、上下方向および左右方向に沿う断面形状が、略矩形状に形成されている。
【０１６４】
光半導体素子１６の前後方向長さおよび左右方向長さは、例えば、５０μｍ以上、好ましくは、５００μｍ以上であり、また、例えば、２０００μｍ以下、好ましくは、１０００μｍ以下である。
【０１６５】
各光半導体素子１６の厚み（上下方向長さ）は、例えば、０．１μｍ以上、好ましくは、０．２μｍ以上であり、また、例えば、５００μｍ以下、好ましくは、２００μｍ以下である。
【０１６６】
複数の光半導体素子１６の体積（総体積）は、例えば、１０ｍｍ３以上、好ましくは、５０ｍｍ３以上であり、また、例えば、６５０ｍｍ３以下、好ましくは、３００ｍｍ３以下である。
【０１６７】
そして、図４に示すように、第２剥離層１７において光半導体素子１６が配置される領域が、素子配置領域１８（仮想線参照）として区画される。詳しくは、素子配置領域１８は、複数の光半導体素子１６のうち、最外側に配置される光半導体素子１６の外側端縁を結ぶ線分で囲まれる領域である。具体的には、素子配置領域１８は、最前側に配置される光半導体素子１６Ａの複数の前端縁（具体的には、前左端縁および前右端縁）を結ぶ線分Ａと、最後側に配置される光半導体素子１６Ｂの複数の後端縁（具体的には、後左端縁および後右端縁）を結ぶ線分Ｂと、最左側に配置される光半導体素子１６Ｃの複数の左端縁（具体的には、前左端縁および後左端縁）を結ぶ線分Ｃと、最右側に配置される光半導体素子１６Ｄの複数の右端縁（具体的には、前右端縁および後右端縁）を結ぶ線分Ｄとによって囲まれる底面視矩形状の領域である。
【０１６８】
上記した素子配置領域１８の面積Ｓ３は、光半導体素子１６の個数、寸法、配置などによっても適宜設定されるが、例えば、図２に示すように、封止層１３の面積Ｓ１に比べて、小さい。換言すれば、封止層１３の面積Ｓ１は、素子配置領域１８の面積Ｓ３に比べて、大きく、素子配置領域１８の面積Ｓ３に対して、例えば、１００％超過、好ましくは、１１０％以上、より好ましくは、１２０％以上であり、また、例えば、１５０％以下である。
【０１６９】
具体的には、素子配置領域１８の面積Ｓ３は、例えば、２００ｍｍ２以上、好ましくは、１０００ｍｍ２以上であり、また、例えば、１２０００ｍｍ２以下、好ましくは、６０００ｍｍ２以下である。
【０１７０】
次いで、図２および図３に示すように、用意した素子部材１５を、封止部材１１の上側に配置する。
【０１７１】
具体的には、素子部材１５の第２剥離層１７をキャリア３２の下面に配置する。
【０１７２】
キャリア３２は、第２剥離層１７を支持しつつ、素子部材１５を上金型３の下側に位置させるための支持板である。キャリア３２は、前後方向および左右方向に延びる略平板状に形成されている。キャリア３２は、上下方向に投影したときに、上金型３に含まれる大きさに形成されている。キャリア３２の厚みは、例えば、１００μｍ以上、好ましくは、３５０μｍ以上であり、また、例えば、１０００μｍ以下、好ましくは、６００μｍ以下である。キャリア３２は、例えば、ガラス、セラミック、ステンレスなどから形成されている。
【０１７３】
図３に示すように、キャリア３２の隅部には、上下方向に投影したときに枠部材５の第１挿入孔２４と同一位置に位置する第４挿入孔２８が設けられている。第４挿入孔２８は、キャリア３２を厚み方向に貫通するように形成されている。
【０１７４】
その後、素子部材１５が配置されたキャリア３２の第４挿入孔２８にバネ２２を挿入する。
【０１７５】
＜被覆工程＞
被覆工程を、封止部材配置工程および素子部材配置工程の後に、実施する。
【０１７６】
被覆工程では、図１Ａ、図２および図３に示すように、まず、上金型３を、下金型２の上側に対向配置する。
【０１７７】
上金型３を配置するには、まず、第２挿入孔２６にピン２１を挿入して、続いて、上金型３を下方にスライドさせて、上金型３の下面と、キャリア３２の上面とを接触させる。これとともに、第２凹部２５にバネ２２の上端部を収容する。
【０１７８】
これによって、上金型３を下金型２の上側に対向配置する。封止部材１１は、下金型２および上金型３の間に配置される。また、素子部材１５は、下金型２および上金型３の間であって、封止部材１１に対する上金型３側に配置される。
【０１７９】
続いて、図１Ａに示すように、ヒータ７によって下金型２および上金型３を加熱する。下金型２および上金型３の温度は、封止層１３が、熱可塑性および熱硬化性を有する熱硬化性樹脂を含有する場合には、熱硬化性樹脂の熱可塑温度またはそれ以上であって、好ましくは、熱硬化性樹脂の熱可塑および熱硬化を一度に実施する観点から、熱硬化温度またはそれ以上であって、具体的には、例えば、６０℃以上、好ましくは、８０℃以上であり、また、例えば、１５０℃以下、好ましくは、１２０℃以下である。
【０１８０】
続いて、下金型２および上金型３を近接させる。具体的には、上金型３を下金型２に向けてプレスする（押し下げる）。
【０１８１】
プレス圧は、例えば、０．１ＭＰａ以上、好ましくは、１ＭＰａ以上であり、また、例えば、１０ＭＰａ以下、好ましくは、５ＭＰａ以下である。
【０１８２】
上金型３の下金型２に対するプレスによって、封止層１３が、熱可塑性および熱硬化性を有する熱硬化性樹脂を含有する場合には、下金型２および上金型３の熱が封止層１３に伝導して可塑化する。引き続き、光半導体素子１６が、可塑化した封止層１３に埋設される。さらに、第１剥離層１２が可塑化あるいは軟化して、続いて、上金型３の下金型２に対するプレスによって、第２剥離層１７の中央部が下方に撓み、引き続いて、第２剥離層１７が封止層１３を下方にプレスするので、封止層１３がキャビティ９内に充填される。なお、キャビティ９の内面、つまり、開口部８から露出する下平板４の露出面と、枠部材５の開口部８における内周面とには、第１剥離層１２が直接接触しており、つまり、下平板４の露出面およびキャビティ９の内周面には、封止層１３が第１剥離層１２を介して配置（充填）される。
【０１８３】
また、図１Ｂに示すように、枠部材５の上面に配置される第１剥離層１２に対して、第２剥離層１７が接触するように、第２剥離層１７が押圧する。
【０１８４】
なお、封止層１３の、封止層収容体積１９に対する体積割合が１００％を超過する場合には、封止層収容体積１９に収容されず、キャビティ９から前後方向外側および左右方向外側に溢れる封止組成物が、枠部材５の上面に配置される第１剥離層１２と、第２剥離層１７の周端部との間に膨出（突出）する。つまり、キャビティ９の外側において、封止組成物から形成される膨出部１４が形成される。
【０１８５】
一方、図１Ｂに示さないが、封止層１３の、封止層収容体積１９に対する体積割合が１００％である場合には、例えば、封止層収容体積１９に完全に収容され、上記した膨出部１４が形成されない。
【０１８６】
その後、引き続き、プレス１による熱プレスを継続する。
【０１８７】
加熱温度は、例えば、上記した温度と同一範囲であり、また、プレス時間は、例えば、１分間以上、好ましくは、５分間以上であり、また、例えば、６０分間以下、好ましくは、２０分間以下である。
【０１８８】
これによって、封止層１３が可塑性および熱硬化性を有する熱硬化性樹脂を含有する場合には、熱硬化する（Ｃステージ化する）。
【０１８９】
（生成物）
封止樹脂がフェニル系シリコーン樹脂組成物を含む場合において、フェニル系シリコーン樹脂組成物の反応（Ｃステージ化反応）では、アルケニル基含有ポリシロキサンのアルケニル基および／またはシクロアルケニル基と、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンのヒドロシリル基とのヒドロシリル付加反応がさらに促進される。その後、アルケニル基および／またはシクロアルケニル基、あるいは、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンのヒドロシリル基が消失して、ヒドロシリル付加反応が完結することによって、Ｃステージのフェニル系シリコーン樹脂組成物の生成物、つまり、硬化物が得られる。つまり、ヒドロシリル付加反応の完結により、フェニル系シリコーン樹脂組成物において、硬化性（具体的には、熱硬化性）が発現する。
【０１９０】
上記した生成物は、下記平均組成式（３）で示される。
【０１９１】
平均組成式（３）：
Ｒ５ｅＳｉＯ（４−ｅ）／２
（式中、Ｒ５は、フェニル基を含む、非置換または置換の炭素数１〜１０の１価の炭化水素基（ただし、アルケニル基およびシクロアルケニル基を除く。）を示す。ｅは、０．５以上２．０以下である。）
Ｒ５で示される非置換または置換の炭素数１〜１０の１価の炭化水素基としては、式（１）のＲ２で示される非置換または置換の炭素数１〜１０の１価の炭化水素基、および、式（２）のＲ３で示される非置換または置換の炭素数１〜１０の１価の炭化水素基と同一のものが例示される。好ましくは、非置換の１価の炭化水素基、より好ましくは、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数６〜１０のアリール基が挙げられ、さらに好ましくは、フェニル基およびメチル基の併用が挙げられる。
【０１９２】
ｅは、好ましくは、０．７以上、１．０以下である。
【０１９３】
そして、生成物の平均組成式（３）のＲ５におけるフェニル基の含有割合は、例えば、３０モル％以上、好ましくは、３５モル％以上であり、また、例えば、５５モル％以下、好ましくは、５０モル％以下である。
【０１９４】
生成物の平均組成式（３）のＲ５におけるフェニル基の含有割合が上記した下限に満たない場合には、Ｂステージの封止層１３（図１Ａ参照）の熱可塑性を確保することができず、つまり、後述する封止層１３の８０℃の剪断貯蔵弾性率Ｇ’が所望範囲を超えるため、光半導体素子１６を確実に埋設して封止することができない場合がある。
【０１９５】
一方、生成物の平均組成式（３）のＲ５におけるフェニル基の含有割合が上記した上限以下であれば、Ｃステージの封止層１３（図１Ａ参照）の可撓性の低下を防止することができる。
【０１９６】
生成物の平均組成式（３）のＲ５におけるフェニル基の含有割合は、生成物のケイ素原子に直接結合する１価の炭化水素基（平均組成式（３）においてＲ５で示される）におけるフェニル基濃度である。
【０１９７】
生成物の平均組成式（３）のＲ５におけるフェニル基の含有割合は、１Ｈ−ＮＭＲおよび２９Ｓｉ−ＮＭＲにより算出される。Ｒ５におけるフェニル基の含有割合の算出方法の詳細は、後述する実施例において記載され、また、例えば、ＷＯ２０１１／１２５４６３などの記載に基づいて、１Ｈ−ＮＭＲおよび２９Ｓｉ−ＮＭＲにより算出される。
【０１９８】
その後、必要により、封止層１３を、加熱して、ポストキュアを実施する。加熱温度は、例えば、１００℃以上、好ましくは、１２０℃以上であり、また、例えば、１７０℃以下、好ましくは、１６０℃以下である。加熱時間は、例えば、１時間以上であり、また、例えば、４時間以下である。
【０１９９】
その後、上金型３の下金型２に対するプレスを解除する。つまり、図８の矢印が参照されるように、上金型３およびキャリア３２を下金型２に対して離間する方向に移動させる。すなわち、上金型３を上側に移動させる。この際、図３に示すように、上金型３の第２凹部２５をバネ２２の上端部から離脱させるとともに、ピン２１が第２挿入孔２６から引き抜かれるように、上金型３を押し上げる。
【０２００】
続いて、これとともに、バネ２２がキャリア３２の第４挿入孔２８から引き抜かれるように、キャリア３２を押し上げる。
【０２０１】
続いて、ピン２１が第３挿入孔２７から引き抜かれるように、図１Ｃに示すように、複数の光半導体素子１６と、それらを被覆して埋設する封止層１３と、光半導体素子１６の上面および封止層１３の上面を被覆する第２剥離層１７と、封止層１３の下面および側面（膨出部１４の側面を除く）を被覆する第１剥離層１２とを備える剥離層付封止層被覆光半導体素子４０を押し上げる。つまり、第１剥離層１２を上昇させる。これによって、剥離層付封止層被覆光半導体素子４０をプレス１から取り出す。
【０２０２】
また、剥離層付封止層被覆光半導体素子４０は、光半導体素子１６およびそれを埋設して被覆する封止層１３を備える封止層被覆光半導体素子１０を含む。
【０２０３】
封止層被覆光半導体素子１０における封止層１３の厚みＴ５は、封止層１３の下面と、光半導体素子１６の側方に位置する封止層１３の上面との間の上下方向長さであって、キャビティ９の深さＴ２と実質的に同一の範囲である。そして、剥離層付封止層被覆光半導体素子４０における封止層１３の厚みＴ５は、光半導体素子１６を被覆する前の封止層１３の厚みＴ１（図２参照）に比べて、薄くあるいは同一である。剥離層付封止層被覆光半導体素子４０における封止層１３の厚みＴ５は、具体的には、光半導体素子１６を被覆する前の封止層１３の厚みＴ１に対して、例えば、１００％以下、好ましくは、９５％以下、より好ましくは、９０％以下であり、また、例えば、好ましくは、８０％以上である。具体的には、封止層１３の厚みＴ５は、例えば、１００μｍ以上、好ましくは、３５０μｍ以上であり、また、例えば、１０００μｍ以下、好ましくは、６００μｍ以下である。
【０２０４】
剥離層付封止層被覆光半導体素子４０において、封止層１３は、光半導体素子１６の近傍に配置され、光半導体素子１６の封止（被覆）に役する封止部３３と、封止部３３の外側において、封止部３３より薄膜で形成され、光半導体素子１６の封止（被覆）に役しない膨出部１４とを一体的に備えている。なお、膨出部１４は、その後の切断工程において除去され、封止層被覆光半導体素子１０に含まれないが、封止部３３は、封止層被覆光半導体素子１０に含まれる。
【０２０５】
その後、図１Ｃの仮想線で示すように、第１剥離層１２を封止層１３から略Ｕ字状に湾曲するように引き剥がす。
【０２０６】
続いて、図１Ｄの太１点鎖線で示すように、各光半導体素子１６に対応する封止層１３を前後方向および左右方向に沿って切断する。つまり、複数の光半導体素子１６を個片化する。また、膨出部１４が除去されるように、封止層１３を切断する。これによって、１つの光半導体素子１６と、光半導体素子１６を埋設して被覆する封止層１３とを備える封止層被覆光半導体素子１０を、第２剥離層１７に支持される状態で得る。なお、封止層被覆光半導体素子１０は、好ましくは、第２剥離層１７および基板２０を含まず、光半導体素子１６と、封止層１３とのみからなる。
【０２０７】
＜光半導体装置の製造方法＞
次に、上記した封止層被覆光半導体素子１０によって、光半導体装置３０を製造する方法について説明する。
【０２０８】
この方法は、上記した封止層被覆光半導体素子１０を用意する工程（図１Ｄ参照）、封止層被覆光半導体素子１０を第２剥離層１７から剥離する剥離工程（図１Ｄ矢印参照）、および、剥離した封止層被覆光半導体素子１０の光半導体素子１６を基板２０に実装する実装工程（図１Ｅ参照）を備える。
【０２０９】
＜剥離工程＞
剥離工程では、上記した製造方法により得られた封止層被覆光半導体素子１０を第２剥離層１７から剥離する。具体的には、封止層被覆光半導体素子１０を下方に引っ張る。
【０２１０】
これにより、封止層被覆光半導体素子１０を複数得る。
【０２１１】
続いて、複数の封止層被覆光半導体素子１０を発光波長や発光効率に応じて選別する。
【０２１２】
＜実装工程＞
実装工程では、まず、上面に端子（図示せず）が設けられた基板２０を用意する。
【０２１３】
基板２０は、前後方向および左右方向に延びる略矩形平板状をなし、例えば、絶縁基板である。また、基板２０は、上面に配置される端子（図示せず）を備えている。
【０２１４】
次いで、実装工程では、図１Ｅに示すように、選別された封止層被覆光半導体素子１０を基板２０に実装する。
【０２１５】
封止層被覆光半導体素子１０を基板２０に実装するには、図１Ｄに示す封止層被覆光半導体素子１０を上下反転し、そして、封止層被覆光半導体素子１０における光半導体素子１６の端子（図示せず）を、基板２０の端子（図示せず）と接触させて、電気的に接続させる。つまり、封止層被覆光半導体素子１０の光半導体素子１６を基板２０にフリップチップ実装する。
【０２１６】
これにより、基板２０と、基板２０に実装される封止層被覆光半導体素子１０とを備える光半導体装置３０を得る。好ましくは、光半導体装置３０は、基板２０と、封止層被覆光半導体素子１０とのみからなる。つまり、光半導体装置３０は、好ましくは、基板２０と、光半導体素子１６と、封止層１３とのみからなる。
【０２１７】
（作用効果）
そして、この封止層被覆光半導体素子１０の製造方法によれば、図１Ａに示すように、キャビティ９を有する下金型２と、下金型２に対向配置するための上金型３とを備えるプレス１を準備するので、プレス１の構成を簡単にすることができながら、図１Ｂに示すように、封止層１３をキャビティ９に配置して、複数の光半導体素子１６を封止層１３により確実に被覆することができる。そのため、小型のプレス１によって、複数の光半導体素子１６を封止層１３により被覆して封止することができる。
【０２１８】
また、この封止層被覆光半導体素子１０の製造方法によれば、Ｂステージの封止部材１１の体積割合が、キャビティ９の体積から複数の光半導体素子１６の体積を差し引いた封止層収容体積１９に対して特定範囲にあり、かつ、かかる封止層１３をキャビティ９に配置しつつ、複数の光半導体素子１６を封止層１３により被覆するので、寸法、具体的には、厚み（上下方向長さ）Ｔ５の精確性に優れる封止層１３を得ることができる。つまり、封止層１３の厚みＴ５を、キャビティ９の深さＴ２に対して、例えば、９５％以上、１０５％以下の精度（公差）で調整することができる。
【０２１９】
さらに、封止層１３は、図１Ｂに示すように、膨出部１４を形成することができるので、上記した公差を大きく許容しても、封止層１３の体積割合が封止層収容体積１９に対して、上記した上限（具体的には、１２０％）以下である限りにおいて、厚みＴ５の精確性に優れる封止層１３を得ることができる。
【０２２０】
また、この封止層被覆光半導体素子１０の製造方法によれば、Ｂステージの封止層１３が、熱可塑性および熱硬化性を併有すれば、図１Ｂに示すように、複数の光半導体素子１６を封止層１３により被覆する被覆工程において、封止層１３を加熱して可塑化して、封止層１３によって複数の光半導体素子１６を確実に被覆して封止しつつ、その後、可塑化した封止層１３を熱硬化させて、複数の光半導体素子１６の信頼性を向上させることができる。
【０２２１】
また、この封止層被覆光半導体素子１０の製造方法によれば、封止層１３において、シリコーン樹脂組成物を反応させることにより得られる生成物の平均組成式（３）のＲ５におけるフェニル基の含有割合が特定の範囲にあれば、複数の光半導体素子１６を確実に埋設して被覆して封止することができる。
【０２２２】
また、この封止層被覆光半導体素子１０の製造方法において、封止層１３が蛍光体を含有すれば、複数の光半導体素子１６から発光された光を、寸法の精確性に優れ、蛍光体を含有する封止層１３によって波長変換することができるので、色均一性に優れる封止層被覆光半導体素子１０を得ることができる。
【０２２３】
また、上記の光半導体装置３０の製造方法によれば、図１Ｄに示すように、寸法の精確性に優れる封止層１３を備える光半導体装置３０を用意するので、図１Ｅに示すように、発光特性および耐久性に優れる光半導体装置３０を得ることができる。
【０２２４】
（変形例）
変形例において、上記した一実施形態と同様の部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
【０２２５】
上記した一実施形態では、図２に示すように、被覆部材配置工程において、封止前の封止層１３の面積Ｓ１を、キャビティ９の開口断面積Ｓ２に比べて、小さく形成しているが、例えば、図５に示すように、キャビティ９の開口断面積Ｓ２に比べて、大きくあるいは同じ大きさに形成することができる。
【０２２６】
図５に示すように、封止層１３は、好ましくは、上下方向に投影したときに、キャビティ９を含むように、キャビティ９より大きく形成されている。
【０２２７】
好ましくは、図２に示すように、封止層１３の面積Ｓ１を、キャビティ９の開口断面積Ｓ２に比べて、小さく形成する。そうすれば、キャビティ９の開口断面積Ｓ２に比べて小さい断面積を有する封止層１３を、キャビティ９に確実に充填することができる。そのため、厚みＴ５の精確性により一層優れる封止層１３を作製して、そして、かかる封止層１３を備え、色均一性に優れる封止層被覆光半導体素子１０を得ることができる。
【０２２８】
上記した一実施形態では、図２に示すように、封止層１３の面積Ｓ１を、素子配置領域１８の面積Ｓ３に比べて、大きく形成しているが、例えば、図６に示すように、封止層１３の面積Ｓ１を、素子配置領域１８の面積Ｓ３に比べて、小さくあるいは同じ大きさに形成することができる。
【０２２９】
好ましくは、図２に示すように、封止層１３の面積Ｓ１を、素子配置領域１８の面積Ｓ３に比べて、大きく形成する。そうすれば、素子配置領域１８の面積Ｓ３に比べて大きい面積Ｓ１を有する封止層１３により、迅速かつ確実に複数の光半導体素子１６を被覆することができる。そのため、プロセス性（生産性）よく、封止層被覆光半導体素子１０を製造することができる。
【０２３０】
上記した一実施形態では、図２に示すように、第１剥離層１２の面積Ｓ４を、キャビティ９の開口断面積Ｓ２に比べて、大きく形成しているが、例えば、図７に示すように、キャビティ９の開口断面積Ｓ２に比べて、小さくあるいは同じ大きさに形成することができる。
【０２３１】
図７に示すように、第１剥離層１２は、例えば、上下方向に投影したときに、互いに重なるように形成され、具体的には、封止層１３と同一形状に形成されている。
【０２３２】
好ましくは、図２に示すように、第１剥離層１２の面積Ｓ４を、キャビティ９の開口断面積Ｓ２に比べて、大きく形成する。そうすれば、キャビティ９の開口断面積Ｓ２に比べて大きい面積Ｓ４を有する第１剥離層１２によって、キャビティ９から溢れる封止組成物が下金型２に付着することを防止することができる。
【０２３３】
上記した一実施形態では、図３に示すように、下金型２は、下平板４と、開口部８を有する枠部材５とを備え、これによって、キャビティ９を形成している。つまり、下金型２を２部材から構成しているが、例えば、図示しないが、１部材から構成することもできる。
【０２３４】
その場合には、例えば、厚肉の平板部材をまず用意し、その後、平板部材の中央部の上面を切削してキャビティ９を形成する。
【０２３５】
好ましくは、図３に示すように、下金型２を、下平板４および枠部材５の２部材から構成する。そうすれば、下金型２を簡単に用意することができる。また、下金型２を分解して簡便に清掃することができ、その結果、プレス１を簡易にメンテナンスすることができる。
【０２３６】
また、上記した一実施形態では、図２に示すように、ピン２１を、略円柱状に形成しているが、その形状は限定されない。例えば、図８に示すように、上方に向かって尖る略円錐状に形成することもできる。
【０２３７】
図８に示すように、ピン２１は、上方に向かうに従って左右方向および前後方向に沿う断面が小さくなるように形成されている。つまり、ピン２１は、先細状に形成されている。
【０２３８】
この構成によれば、第２挿入孔２６および第３挿入孔２７からピン２１が容易に引き抜かれる。とりわけ、剥離層付封止層被覆光半導体素子４０の第１剥離層１２が有する第３挿入孔２７からピン２１が容易に引き抜かれるので、剥離層付封止層被覆光半導体素子４０の取扱性を向上させることができる。
【０２３９】
上記した一実施形態では、図１Ａ〜図１Ｅに示すように、本発明の光半導体装置の製造方法における基材の一例として、第２剥離層１７を挙げて説明しているが、例えば、図９Ａ〜図９Ｄに示すように、第２剥離層１７を基板２０とし、そして、第２剥離層１７を用いる剥離工程（図１Ｄ参照）を実施することなく、光半導体装置３０を製造することもできる。
【０２４０】
この実施形態の光半導体装置３０の製造方法では、図９Ａに示すように、素子部材配置工程において、まず、光半導体素子１６と、光半導体素子１６が実装された基板２０とを備える実装基板２９を用意する。光半導体素子１６は、基板２０に対してフリップチップ実装され、あるいは、ワイヤボンディング接続されている。図３の括弧書きされた符号が参照されるように、基板２０には、第４挿入孔２８が形成されている。
【０２４１】
その後、図９Ａに示すように、実装基板２９を、封止部材１１の上側に対向配置する。具体的には、実装基板２９を、光半導体素子１６が下側に向かうように、配置する。
【０２４２】
続いて、図９Ｂに示すように、被覆工程を実施し、その後、上金型３およびキャリア３２を引き上げ、続いて、図９Ｃに示すように、光半導体素子１６と、光半導体素子１６が実装された基板２０と、光半導体素子１６を封止する封止層１３と、封止層１３の表面（下面および側面）に配置される第１剥離層１２とを備える剥離層付光半導体装置５０を得る。
【０２４３】
その後、剥離層付光半導体装置５０をプレス１から取り出し、続いて、図９Ｃの仮想線で示すように、剥離層付光半導体装置５０において、第１剥離層１２を封止層１３から剥離する。
【０２４４】
続いて、図９Ｄの１点鎖線で示すように、各光半導体素子１６に対応する封止層１３および基板２０を前後方向および左右方向に沿って切断して、複数の光半導体素子１６を個片化する。これによって、膨出部１４およびそれに対応する基板２０を除去する。
【０２４５】
これによって、１つの光半導体素子１６と、光半導体素子１６が実装される基板２０と、光半導体素子１６を封止する封止層１３（封止部３３）とを備える光半導体装置３０が得られる。好ましくは、光半導体装置３０は、光半導体素子１６と、基板２０と、封止層１３とのみからなる。
【０２４６】
図９Ａ〜図９Ｄに示される方法によっても、上記した一実施形態と同様の作用効果を奏することができる。さらに、第２剥離層１７を用いないので、その分、簡便に、光半導体装置３０を得ることができる。
【０２４７】
上記した一実施形態では、図１Ｄに示すように、封止層被覆光半導体素子１０における封止層１３を切断して、光半導体素子１６を個片化した後、図１Ｅに示すように、封止層被覆光半導体素子１０を基板２０に実装している。しかし、図示しないが、封止層１３を切断せず、つまり、光半導体素子１６を個片化することなく、複数の光半導体素子１６を備える封止層被覆光半導体素子１０を、基板２０に実装することもできる。その場合には、まず、第２剥離層１７が設けられた封止層被覆光半導体素子１０を基板２０に実装し、その後、第２剥離層１７を封止層１３から剥離する。あるいは、まず、第２剥離層１７を封止層１３から剥離した後、第２剥離層１７が剥離された封止層１３を備える封止層被覆光半導体素子１０を基板２０に実装することもできる。
【０２４８】
また、上記した一実施形態では、図１Ａに示すように、複数の光半導体素子１６を第２剥離層１７に配置し、その後、図１Ｂに示すように、これを、単数の封止層１３によって封止している。しかし、これに限定されず、例えば、図示しないが、単数の光半導体素子１６を第２剥離層１７に配置し、その後、単数の光半導体素子１６を単数の封止層１３によって封止することもできる。
【０２４９】
その場合には、素子配置領域１８は、第２剥離層１７において単数の光半導体素子１６が配置される領域であって、より具体的には、光半導体素子１６が平面視略矩形状であれば、前端縁、後端縁、右端縁および左端縁によって囲まれる略矩形状の領域である。
【０２５０】
この変形例によっても、上記した一実施形態と同様の作用効果を奏することができる。
【実施例】
【０２５１】
以下の記載において用いられる配合割合（含有割合）、物性値、パラメータなどの具体的数値は、上記の「発明を実施するための形態」において記載されている、それらに対応する配合割合（含有割合）、物性値、パラメータなど該当記載の上限値（「以下」、「未満」として定義されている数値）または下限値（「以上」、「超過」として定義されている数値）に代替することができる。
【０２５２】
実施例１  （図１Ａ〜図３に対応）
＜準備工程＞
図１Ａ、図２および図３に示すように、下金型２および上金型３を用意した。下金型２の枠部材５の寸法を表１に示す。
【０２５３】
＜封止部材配置工程＞
第１剥離層１２と、Ｂステージの封止層１３とを備える封止部材１１を用意した。第１剥離層１２および封止層１３の寸法を表１に記載する。封止部材１１を用意する方法を以下の各合成例、調製例および作製例に記載する。その後、封止部材１１を、下金型２の上面に配置した。
【０２５４】
（合成例１）
撹拌機、還流冷却管、投入口および温度計が装備された四ツ口フラスコに、１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン９３．２ｇ、水１４０ｇ、トリフルオロメタンスルホン酸０．３８ｇおよびトルエン５００ｇを投入して混合し、撹拌しつつメチルフェニルジメトキシシラン７２９．２ｇとフェニルトリメトキシシラン３３０．５ｇの混合物１時間かけて滴下し、その後、１時間加熱還流した。その後、冷却し、下層（水層）を分離して除去し、上層（トルエン溶液）を３回水洗した。水洗したトルエン溶液に水酸化カリウム０．４０ｇを加え、水分離管から水を除去しながら還流した。水の除去完了後、さらに５時間還流し、冷却した。その後、酢酸０．６ｇを投入して中和した後、ろ過して得られたトルエン溶液を３回水洗した。その後、減圧濃縮することにより、液体状のアルケニル基含有ポリシロキサンＡを得た。アルケニル基含有ポリシロキサンＡの平均単位式および平均組成式は、以下の通りである。
【０２５５】
平均単位式：
（（ＣＨ２＝ＣＨ）（ＣＨ３）２ＳｉＯ１／２）０．１５（ＣＨ３Ｃ６Ｈ５ＳｉＯ２／２）０．６０（Ｃ６Ｈ５ＳｉＯ３／２）０．２５
平均組成式：
（ＣＨ２＝ＣＨ）０．１５（ＣＨ３）０．９０（Ｃ６Ｈ５）０．８５ＳｉＯ１．０５
つまり、アルケニル基含有ポリシロキサンＡは、Ｒ１がビニル基、Ｒ２がメチル基およびフェニル基であり、ａ＝０．１５、ｂ＝１．７５である上記平均組成式（１）で示される。
【０２５６】
また、ゲル透過クロマトグラフィーによって、アルケニル基含有ポリシロキサンＡのポリスチレン換算の重量平均分子量を測定したところ、２３００であった。
【０２５７】
（合成例２）
撹拌機、還流冷却管、投入口および温度計が装備された四ツ口フラスコに、１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン９３．２ｇ、水１４０ｇ、トリフルオロメタンスルホン酸０．３８ｇおよびトルエン５００ｇを投入して混合し、撹拌しつつジフェニルジメトキシシラン１７３．４ｇとフェニルトリメトキシシラン３００．６ｇの混合物１時間かけて滴下し、滴下終了後、１時間加熱還流した。その後、冷却し、下層（水層）を分離して除去し、上層（トルエン溶液）を３回水洗した。水洗したトルエン溶液に水酸化カリウム０．４０ｇを加え、水分離管から水を除去しながら還流した。水の除去完了後、さらに５時間還流し、冷却した。酢酸０．６ｇを投入して中和した後、ろ過して得られたトルエン溶液を３回水洗した。その後、減圧濃縮することにより、液体状のアルケニル基含有ポリシロキサンＢを得た。アルケニル基含有ポリシロキサンＢの平均単位式および平均組成式は、以下の通りである。
【０２５８】
平均単位式：
（ＣＨ２＝ＣＨ（ＣＨ３）２ＳｉＯ１／２）０．３１（（Ｃ６Ｈ５）２ＳｉＯ２／２）０．２２（Ｃ６Ｈ５ＳｉＯ３／２）０．４７
平均組成式：
（ＣＨ２＝ＣＨ）０．３１（ＣＨ３）０．６２（Ｃ６Ｈ５）０．９１ＳｉＯ１．０８
つまり、アルケニル基含有ポリシロキサンＢは、Ｒ１がビニル基、Ｒ２がメチル基およびフェニル基であり、ａ＝０．３１、ｂ＝１．５３である上記平均組成式（１）で示される。
【０２５９】
また、ゲル透過クロマトグラフィーによって、アルケニル基含有ポリシロキサンＢのポリスチレン換算の重量平均分子量を測定したところ、１０００であった。
【０２６０】
（合成例３）
撹拌機、還流冷却管、投入口および温度計が装備された四ツ口フラスコに、ジフェニルジメトキシシラン３２５．９ｇ、フェニルトリメトキシシラン５６４．９ｇ、およびトリフルオロメタンスルホン酸２．３６ｇを投入して混合し、１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン１３４．３ｇを加え、撹拌しつつ酢酸４３２ｇを３０分かけて滴下した。滴下終了後、混合物を撹拌しつつ５０℃に昇温して３時間反応させた。室温まで冷却した後、トルエンと水を加え、良く混合して静置し、下層（水層）を分離して除去した。その後、上層（トルエン溶液）を３回水洗した後、減圧濃縮することにより、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンＣ（架橋剤Ｃ）を得た。
【０２６１】
ヒドロシリル基含有ポリシロキサンＣの平均単位式および平均組成式は、以下の通りである。
【０２６２】
平均単位式：
（Ｈ（ＣＨ３）２ＳｉＯ１／２）０．３３（（Ｃ６Ｈ５）２ＳｉＯ２／２）０．２２（Ｃ６Ｈ５ＰｈＳｉＯ３／２）０．４５
平均組成式：
Ｈ０．３３（ＣＨ３）０．６６（Ｃ６Ｈ５）０．８９ＳｉＯ１．０６
つまり、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンＣは、Ｒ３がメチル基およびフェニル基であり、ｃ＝０．３３、ｄ＝１．５５である上記平均組成式（２）で示される。
【０２６３】
また、ゲル透過クロマトグラフィーによって、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンＣのポリスチレン換算の重量平均分子量を測定したところ、１０００であった。
【０２６４】
（調製例１）
アルケニル基含有ポリシロキサンＡ（合成例１）２０ｇ、アルケニル基含有ポリシロキサンＢ（合成例２）２５ｇ、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンＣ（合成例３、架橋剤Ｃ）２５ｇ、および、白金カルボニル錯体（商品名「ＳＩＰ６８２９．２」、Ｇｅｌｅｓｔ社製、白金濃度２．０質量％）５ｍｇを混合して、フェニル系シリコーン樹脂組成物Ａを調製した。
【０２６５】
（作製例１）
調製例１のフェニル系シリコーン樹脂組成物Ａに対して、無機フィラー（屈折率１．５５、組成および組成比率（質量％）：ＳｉＯ２／Ａｌ２Ｏ３／ＣａＯ／ＭｇＯ＝６０／２０／１５／５、平均粒子径：１５μｍ（分級品））を、それらの総量に対して、５０質量％となるように、混合して、封止組成物のワニスを調製した。つまり、封止組成物において、フェニル系シリコーン樹脂組成物Ａの配合割合が５０質量％、無機フィラーＡの配合割合が５０質量％である。
【０２６６】
次いで、調製したワニスを、アプリケータにて、厚み５０μｍの第１剥離層１２（ＰＴＥシート、商品名「ＳＳ４Ｃ」、軟化温度８０℃、ニッパ社製）の表面に、加熱後の厚みが５９５μｍ（Ｔ１）となるように塗布し、その後、９０℃で９．５分、加熱することにより、ワニスにおけるフェニル系シリコーン樹脂組成物をＢステージ化（半硬化）させた。これにより、封止層を製造した。
【０２６７】
＜素子部材配置工程＞
別途、第２剥離層１７（熱剥離シート）と、第２剥離層１７の下面に配置される９つの光半導体素子１６とを備える素子部材１５を用意した。光半導体素子１６および第２剥離層１７の寸法などを表１に記載する。続いて、素子部材１５を、キャリア３２（ガラス板）の下面に貼着した。その後、素子部材１５およびキャリア３２を、封止部材１１の上側に対向配置した。
【０２６８】
＜被覆工程＞
上金型３の下面をキャリア３２の上面と接触させることにより、上金型３の下金型２の上側に対向配置した。
【０２６９】
続いて、図１Ｂに示すように、上金型３を下金型２に対して、１ＭＰａでプレスしながら、ヒータ７により下金型２および上金型３を９０℃で１０分加熱した。
【０２７０】
その後、図１Ｃに示すように、上金型３およびキャリア３２をプレス１から順次引き上げ、続いて、図１Ｃに示すように、第１剥離層１２、第２剥離層１７、光半導体素子１６および封止層１３を備える剥離層付封止層被覆光半導体素子４０を得た。その後、剥離層付封止層被覆光半導体素子４０を１５０℃で２時間オーブン中で加熱して、ポストキュアした（後硬化させた）。なお、剥離層付封止層被覆光半導体素子４０における封止層１３の厚みＴ５は、５５０μｍ（封止前の封止層１３の厚みＴ１  ５９５μｍに対して９２％）であった。
【０２７１】
＜剥離工程＞
その後、図１Ｃの仮想線で示すように、第１剥離層１２を封止層１３から引き剥がした。
【０２７２】
続いて、図１Ｄの１点鎖線で示すように、各光半導体素子１６に対応する封止層１３を切断して、複数の光半導体素子１６を個片化した。
【０２７３】
図１Ｄの矢印で示すように、剥離工程では、光半導体素子１６および封止層１３からなる封止層被覆光半導体素子１０を得た。
【０２７４】
＜実装工程＞
その後、図１Ｅに示すように、光半導体素子１６を基板２０に実装した。これにより、光半導体装置３０を得た。
【０２７５】
封止層１３の体積の、封止層収容体積１９に対する百分率を表２に示す。また、封止層１３の面積Ｓ１と、キャビティ９の開口断面積Ｓ２と、素子配置領域１８の面積Ｓ３との大小関係を、表２に示す。
【０２７６】
実施例２、３および比較例１、２  （図１Ａ〜図３に対応）
厚みＴ１の寸法を表１に従って変更した以外は、実施例１と同様に処理した。
【０２７７】
実施例４  （図５に対応）
厚みＴ１と面積Ｓ１との寸法を表１に従って変更した以外は、実施例１と同様に処理した。
【０２７８】
つまり、封止前の封止層１３の面積Ｓ１を、キャビティ９の開口断面積Ｓ２に比べて、大きく形成した。
【０２７９】
実施例５  （図６に対応）
厚みＴ１と面積Ｓ１との寸法を表１に従って変更した以外は、実施例１と同様に処理した。
【０２８０】
つまり、封止前の封止層１３の面積Ｓ１を、素子配置領域１８の面積Ｓ３に比べて、小さく形成した。
【０２８１】
比較例３  （図１Ａ〜図３に対応）
フェニル系シリコーン樹脂組成物に代えて、メチル系シリコーン樹脂組成物（商品名「ＥＬＡＳＴＯＳＩＬ  ＬＲ７６６５」、１段反応硬化性の付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物、Ｂステージ状態となることができない熱硬化性樹脂、旭化成ワッカーシリコーン社製）を用い、さらに、塗布後の加熱を実施しなかった以外は、実施例１と同様に処理した。つまり、封止層１３を、液状のワニスの状態で調製した。
【０２８２】
（評価）
以下の各項目を評価した。その結果を表２に記載する。
【０２８３】
［プロセス性］
素子部材１５をプレス１にセットしてから、加熱を開始した後、プレスを開始できるまでに要した時間が、１分間以内のものを「○」と評価し、１分間超過し２分以内のものを「△」とし、２分間超過のものを「×」と評価した。
【０２８４】
［厚み精度］
剥離層付封止層被覆光半導体素子４０における封止層１３の厚みＴ５からキャビティ９の深さＴ２を差し引いた値の、キャビティ９の深さＴ２に対する比（＝（Ｔ５−Ｔ２）／Ｔ２×１００）が±１％以下のものを「◎」と評価し、±１％超過、±３％以下のものを「○」と評価し、３％超過、±５％以下のものを「△」と評価し、±５％超過のものを「×」と評価した。
【０２８５】
［色均一性］
光半導体装置３０における光半導体素子１６のＣＩＥ−ｙ測定によるばらつき６σが、０．０２以下のものを「◎」と評価し、０．０２超過、０．０３以下のものを「○」と評価し、０．０３超過、０．０５以下のものを「△」と評価し、０．０５超過のものを「×」と評価した。
【０２８６】
［フェニル系シリコーン樹脂組成物Ａの反応により得られる生成物の炭化水素基（Ｒ５）におけるフェニル基の含有割合の測定］
フェニル系シリコーン樹脂組成物Ａ（つまり、無機フィラーが含まれていないフェニル系シリコーン樹脂組成物Ａ）の反応により得られる生成物中、ケイ素原子に直接結合する炭化水素基（平均組成式（３）のＲ５）におけるフェニル基の含有割合（モル％）を、１Ｈ−ＮＭＲおよび２９Ｓｉ−ＮＭＲにより算出した。
【０２８７】
具体的には、Ａステージのフェニル系シリコーン樹脂組成物Ａを、無機フィラーを添加せずに、１００℃１時間で、反応（完全硬化、Ｃステージ化）させて、生成物を得た。
【０２８８】
次いで、得られた生成物の１Ｈ−ＮＭＲおよび２９Ｓｉ−ＮＭＲを測定することで、ケイ素原子に直接結合している炭化水素基（Ｒ５）におけるフェニル基が占める割合（モル％）を算出した。
【０２８９】
その結果、４８％であった。
【０２９０】
【表１】
2016063228.tif 000003
【０２９１】
【表２】
2016063228.tif 000004
【符号の説明】
【０２９２】
１     プレス
２     下金型
３     上金型
４     下平板
５     枠部材
７     ヒータ
８     開口部
９     キャビティ
１０   封止層被覆光半導体素子
１１   封止部材
１２   第１剥離層
１３   封止層
１５   素子部材
１６   光半導体素子
１７   第２剥離層
１８   素子配置領域
１９   封止層収容体積
２０   基板
３０   光半導体装置
Ｓ１   封止層の面積
Ｓ２   キャビティの開口断面積
Ｓ３   素子配置領域の面積
Ｓ４   第１剥離層の面積
【図１】
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【図２】
2016063228.tif 000006
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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