(57)【要約】      （修正有）【課題】シリコンウエーハに対して１３００〜１４００ｎｍの範囲に設定された波長のパルスレーザービームを照射して内部に改質層を形成する際に、透過光が表面のデバイスを損傷させることを抑制可能な加工方法を提供する。【解決手段】１３００〜１４００ｎｍの範囲の波長と第１の繰り返し周波数を有する第１のパルスレーザーの集光点をウエーハの内部に位置づけて、ウエーハ１１の裏面１１ｂから分割予定ラインに照射して第１改質層を形成するステップと、１０６４ｎｍの波長と第１の繰り返し周波数の２倍以上の整数倍の第２の繰り返し周波数を有する第２のパルスレーザーの集光点をウエーハの内部に位置づけて、ウエーハの裏面から分割予定ラインに照射して第２改質層を形成するステップと、第１及び第２改質層形成ステップ実施後、ウエーハに外力を付与して第１及び第２改質層を分割予定ラインに沿って分割する分割ステップとを含む。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被加工物を保持する保持手段と、該保持手段に保持された被加工物に対して透過性を有する波長のパルスレーザービームを照射して被加工物の内部に改質層を形成するレーザービーム照射手段と、該保持手段と該レーザービーム照射手段とを相対的に加工送りする加工送り手段と、を備えたレーザー加工装置によって表面に複数のデバイスが複数の分割予定ラインによって区画されて形成されたシリコンからなるウエーハを加工するウエーハの加工方法であって、
１３００ｎｍ〜１４００ｎｍの範囲内に設定された波長と第１の繰り返し周波数を有する第１のパルスレーザービームの集光点をウエーハの内部に位置づけて、ウエーハの裏面から該分割予定ラインに対応する領域に該第１のパルスレーザービームを照射するとともに該保持手段と該レーザービーム照射手段とを相対的に加工送りしてウエーハの内部に第１改質層を形成する第１改質層形成ステップと、
１０６４ｎｍの波長と該第１の繰り返し周波数の２倍以上の整数倍の第２の繰り返し周波数を有する第２のパルスレーザービームの集光点をウエーハ内部に位置づけて、ウエーハの裏面から該分割予定ラインに対応する領域に該第２のパルスレーザービームを照射するとともに該保持手段と該レーザービーム照射手段とを相対的に加工送りしてウエーハの内部に第２改質層を形成する第２改質層形成ステップと、
該第１及び第２改質層形成ステップ実施後、ウエーハに外力を付与して該第１及び第２改質層を分割起点にウエーハを該分割予定ラインに沿って分割する分割ステップと、を備え、
該第１の繰り返し周波数は、該第１改質層形成ステップにおいて、先に形成された第１改質層から伝播したクラックの影響を受けない間隔を持って隣接して該第１のパルスレーザービームが照射される繰り返し周波数であり、
該第２の繰り返し周波数は、該第２改質層形成ステップにおいて、隣接する該第１改質層と該第１改質層との間に該第２のパルスレーザービームが照射され該第２改質層が形成される繰り返し周波数であることを特徴とするウエーハの加工方法。
【請求項２】
該第１改質層形成ステップにおいて、該第１改質層から伝播したクラックの影響を受けない間隔とは６μｍ以上である請求項１記載のウエーハの加工方法。
【請求項３】
該第１改質層形成ステップと該第２改質層形成ステップは同期して同時に遂行される請求項１又は２記載のウエーハの加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウエーハに対して透過性を有する波長のパルスレーザービームを照射してウエーハ内部に改質層を形成した後、ウエーハに外力を付与して改質層を起点にウエーハを複数のデバイスチップに分割するウエーハの加工方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣ、ＬＳＩ等の複数のデバイスが分割予定ラインによって区画され表面に形成されたシリコンウエーハ（以下、単にウエーハと称することがある）は、加工装置によって個々のデバイスチップに分割され、分割されたデバイスチップは携帯電話、パソコン等の各種電気機器に広く利用されている。
【０００３】
ウエーハの分割には、ダイシングソーと呼ばれる切削装置を用いたダイシング方法が広く採用されている。ダイシング方法では、ダイアモンド等の砥粒を金属や樹脂で固めて厚さ３０μｍ程度とした切削ブレードを、３００００ｒｐｍ程度の高速で回転させつつウエーハへと切り込ませることでウエーハを切削し、個々のデバイスチップへと分割する。
【０００４】
一方、近年では、ウエーハに対して透過性を有する波長のパルスレーザービームの集光点を分割予定ラインに対応するウエーハの内部に位置づけて、パルスレーザービームを分割予定ラインに沿って照射してウエーハ内部に改質層を形成し、その後外力を付与してウエーハを個々のデバイスチップに分割する方法が提案されている（例えば、特許第４４０２７０８号公報参照）。
【０００５】
改質層とは密度、屈折率、機械的強度やその他の物理的特性が周囲とは異なる状態になった領域のことであり、溶融再硬化領域、屈折率変化領域、絶縁破壊領域の他、クラック領域やこれらが混在した領域も含まれる。
【０００６】
シリコンの光学吸収端は、シリコンのバンドギャップ（１．１ｅＶ）に相当する光の波長１０５０ｎｍ付近にあり、バルクのシリコンでは、これより短い波長の光は吸収されてしまう。
【０００７】
従来の改質層形成方法では、光学吸収端に近い波長１０６４ｎｍのレーザーを発振するネオジム（Ｎｄ）をドープしたＮｄ：ＹＡＧパルスレーザーが一般的に使用される（例えば、特開２００５−９５９５２号公報参照）。
【０００８】
しかし、Ｎｄ：ＹＡＧパルスレーザーの波長１０６４ｎｍがシリコンの光学吸収端に近いことから、集光点を挟む領域においてレーザービームの一部が吸収されて十分な改質層が形成されず、ウエーハを個々のデバイスチップに分割できない場合がある。
【０００９】
そこで、本出願人は、波長１３００〜１４００ｎｍの範囲に設定された、例えば波長１３４２ｎｍのＹＡＧパルスレーザーを用いてウエーハの内部に改質層を形成すると、集光点を挟む領域においてレーザービームの吸収が低減されて良好な改質層を形成できるとともに、円滑にウエーハを個々のデバイスチップに分割できることを見出した（特開２００６−１０８４５９号公報参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開第４４０２７０８号公報
【特許文献２】特開２００５−９５９５２号公報
【特許文献３】特開２００６−１０８４５９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
ところが、分割予定ラインに沿って直前に形成された改質層に隣接してパルスレーザービームの集光点をウエーハの内部に位置づけて照射し、ウエーハ内部に改質層を形成すると、パルスレーザービームを照射した面と反対側の面、即ちウエーハの表面にレーザービームが散乱して表面に形成されたデバイスをアタックし損傷させるという新たな問題を生じることが判明した。
【００１２】
この問題を検証したところ、直前に形成された改質層から微細なクラックがウエーハの表面側に伝播し、そのクラックが次に照射されるパルスレーザービームの透過光を屈折又は反射させてデバイスをアタックするのではないかと推察される。
【００１３】
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、シリコンウエーハに対して１３００〜１４００ｎｍの範囲に設定された波長のパルスレーザービームを照射してウエーハ内部に改質層を形成する際に、透過光がウエーハ表面のデバイスを損傷させることを抑制可能なウエーハの加工方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明によると、被加工物を保持する保持手段と、該保持手段に保持された被加工物に対して透過性を有する波長のパルスレーザービームを照射して被加工物の内部に改質層を形成するレーザービーム照射手段と、該保持手段と該レーザービーム照射手段とを相対的に加工送りする加工送り手段と、を備えたレーザー加工装置によって表面に複数のデバイスが複数の分割予定ラインによって区画されて形成されたシリコンからなるウエーハを加工するウエーハの加工方法であって、１３００ｎｍ〜１４００ｎｍの範囲内に設定された波長と第１の繰り返し周波数を有する第１のパルスレーザービームの集光点をウエーハの内部に位置づけて、ウエーハの裏面から該分割予定ラインに対応する領域に該第１のパルスレーザービームを照射するとともに該保持手段と該レーザービーム照射手段とを相対的に加工送りしてウエーハの内部に第１改質層を形成する第１改質層形成ステップと、１０６４ｎｍの波長と該第１の繰り返し周波数の２倍以上の整数倍の第２の繰り返し周波数を有する第２のパルスレーザービームの集光点をウエーハ内部に位置づけて、ウエーハの裏面から該分割予定ラインに対応する領域に該第２のパルスレーザービームを照射するとともに該保持手段と該レーザービーム照射手段とを相対的に加工送りしてウエーハの内部に第２改質層を形成する第２改質層形成ステップと、該第１及び第２改質層形成ステップ実施後、ウエーハに外力を付与して該第１及び第２改質層を分割起点にウエーハを該分割予定ラインに沿って分割する分割ステップと、を備え、該第１の繰り返し周波数は、該第１改質層形成ステップにおいて、先に形成された第１改質層から伝播したクラックの影響を受けない間隔を持って隣接して該第１のパルスレーザービームが照射される繰り返し周波数であり、該第２の繰り返し周波数は、該第２改質層形成ステップにおいて、隣接する該第１改質層と該第１改質層との間に該第２のパルスレーザービームが照射され該第２改質層が形成される繰り返し周波数であることを特徴とするウエーハの加工方法が提供される。
【００１５】
好ましくは、第１改質層形成ステップにおいて、第１改質層から伝播したクラックの影響を受けない間隔とは６μｍ以上である。好ましくは、第１改質層形成ステップと第２改質層形成ステップは同期して同時に遂行される。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によると、第１改質層形成ステップでは、比較的低い第１の繰り返し周波数で先に形成された第１改質層から伝播したクラックの影響を受けない間隔を持ってパルスレーザービームが照射され、第２改質層形成ステップでは、隣接する第１改質層と第１改質層との間に第２のパルスレーザービームが照射されて第２改質層が形成されるため、第１及び第２改質層を分割起点にウエーハをデバイスチップに効果的に分割できる。
【００１７】
更に、第１改質層形成ステップでは、第１のパルスレーザービームで形成される第１改質層を形成した後の透過光は直前に形成されたクラックの影響を受けることがないので散乱することが防止され、ウエーハの表面に形成されたデバイスを損傷させるという問題を解消することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明のウエーハの加工方法を実施するのに適したレーザー加工装置の斜視図である。
【図２】レーザービーム発生ユニットのブロック図及び集光器の構成を示す図である。
【図３】シリコンウエーハの表面側斜視図である。
【図４】シリコンウエーハの表面側を外周部が環状フレームに貼着されたダイシングテープに貼着する様子を示す斜視図である。
【図５】ダイシングテープを介して環状フレームに支持されたシリコンウエーハの裏面側斜視図である。
【図６】第１改質層形成ステップと第２改質層形成ステップを示す斜視図である。
【図７】第１改質層と第２改質層との関係を示す断面図である。
【図８】分割装置の斜視図である。
【図９】分割ステップを示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図１を参照すると、本発明のウエーハの加工方法を実施するのに適したレーザー加工装置２の概略斜視図が示されている。
【００２０】
レーザー加工装置２は、静止基台４上にＸ軸方向に移動可能に搭載された第１スライドブロック６を含んでいる。第１スライドブロック６は、ボールねじ８及びパルスモータ１０から構成される加工送り手段１２により一対のガイドレール１４に沿って加工送り方向、すなわちＸ軸方向に移動される。
【００２１】
第１スライドブロック６上には第２スライドブロック１６がＹ軸方向に移動可能に搭載されている。すなわち、第２スライドブロック１６はボールねじ１８及びパルスモータ２０から構成される割り出し送り手段２２により一対のガイドレール２４に沿って割り出し送り方向、すなわちＹ軸方向に移動される。
【００２２】
第２スライドブロック１６上には円筒支持部材２６を介してチャックテーブル２８が搭載されており、チャックテーブル２８は回転可能であるとともに加工送り手段１２及び割り出し送り手段２２によりＸ軸方向及びＹ軸方向に移動可能である。チャックテーブル２８には、チャックテーブル２８に吸引保持されたウエーハを支持する環状フレームをクランプするクランプ３０が設けられている。
【００２３】
静止基台４にはコラム３２が立設されており、このコラム３２にはレーザービーム照射ユニット３４が取り付けられている。レーザービーム照射ユニット３４は、ケーシング３３内に収容された図２に示すレーザービーム発生ユニット３５と、ケーシング３３の先端に取り付けられた集光器３７とから構成される。
【００２４】
レーザービーム発生ユニット３５は、図２に示すように、１３００ｎｍ〜１４００ｎｍの範囲で設定された波長を有する第１のパルスレーザービームを発振する第１ＹＡＧレーザー発振器６２と、波長１０６４ｎｍの第２のパルスレーザービームを発振する第２ＹＡＧレーザー発振器６４と、第１及び第２ＹＡＧレーザー発振器６２，６４を制御する制御手段６６とから構成される。本実施形態では、第１ＹＡＧレーザー発振器６２は、波長１３４２ｎｍのパルスレーザービームを発振する構成を採用した。
【００２５】
制御手段６６は、第１ＹＡＧレーザー発振器６２が発振する第１パルスレーザービームの繰り返し周波数を比較的低い第１の繰り返し周波数に制御し、第２ＹＡＧレーザー発振器６４が発振する第２パルスレーザービームの繰り返し周波数を第１の繰り返し周波数の２倍以上の整数倍となるように制御する。
【００２６】
第１ＹＡＧレーザー発振器６２から発振された第１のパルスレーザービームは、集光器３７の全反射ミラー６８で反射され、ダイクロイックミラー７０を透過して集光用対物レンズ７２で集光されてウエーハ１１の裏面１１ｂに照射される。
【００２７】
一方、第２ＹＡＧレーザー発振器６４から発振された第２のパルスレーザービームは、音響光学素子（ＡＯＤ）７４を透過してからダイクロイックミラー７０で反射され、集光用対物レンズ７２で集光されてウエーハ１１の裏面１１ｂに照射される。
【００２８】
第１及び第２ＹＡＧレーザー発振器６２，６４は制御手段６６により同期して駆動され、第２ＹＡＧレーザー発振器６４が発振する第２のパルスレーザービームの繰り返し周波数は第１の繰り返し周波数の２倍以上の整数倍であるため、第１ＹＡＧレーザー発振器６２が駆動されるタイミングに一致した第２ＹＡＧレーザー発振器６４から発振される第２のパルスレーザービームはＡＯＤ７４に電圧を印加することにより屈折され、バッファー７６に吸収される。
【００２９】
再び図１を参照すると、ケーシング３５の先端部には、集光器３７とＸ軸方向に整列してレーザー加工すべき加工領域を検出する撮像ユニット３９が配設されている。撮像ユニット３９は、可視光によって半導体ウエーハ１１の加工領域を撮像する通常のＣＣＤ等の撮像素子を含んでいる。
【００３０】
撮像ユニット３９は更に、被加工物に赤外線を照射する赤外線照射手段と、赤外線照射手段によって照射された赤外線を捕らえる光学系と、この光学系によって捕らえられた赤外線に対応した電気信号を出力する赤外線ＣＣＤ等の赤外線撮像素子から構成される赤外線撮像手段を含んでおり、撮像した画像信号はコントローラ（制御手段）４０に送信される。
【００３１】
コントローラ４０はコンピュータによって構成されており、制御プログラムに従って演算処理する中央処理装置（ＣＰＵ）４２と、制御プログラム等を格納するリードオンリーメモリ（ＲＯＭ）４４と、演算結果等を格納する読み書き可能なランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）４６と、カウンタ４８と、入力インターフェイス５０と、出力インターフェイス５２とを備えている。
【００３２】
５６は案内レール１４に沿って配設されたリニアスケール５４と、第１スライドブロック６に配設された図示しない読み取りヘッドとから構成される加工送り量検出ユニットであり、加工送り量検出ユニット５６の検出信号はコントローラ４０の入力インターフェイス５０に入力される。
【００３３】
６０はガイドレール２４に沿って配設されたリニアスケール５８と第２スライドブロック１６に配設された図示しない読み取りヘッドとから構成される割り出し送り量検出ユニットであり、割り出し送り量検出ユニット６０の検出信号はコントローラ４０の入力インターフェイス５０に入力される。
【００３４】
撮像ユニット３９で撮像した画像信号もコントローラ４０の入力インターフェイス５０に入力される。一方、コントローラ４０の出力インターフェイス５２からはパルスモータ１０、パルスモータ２０、レーザービーム発生ユニット３５等に制御信号が出力される。
【００３５】
図３を参照すると、本発明の加工方法の加工対象となる半導体ウエーハ１１の表面側斜視図が示されている。図３に示す半導体ウエーハ１１は、例えば厚さが１００μｍのシリコンウエーハから構成されている。
【００３６】
半導体ウエーハ１１は、表面１１ａに第１の方向に伸長する複数の第１の分割予定ライン（ストリート）１３ａと、第１の方向と直交する第２の方向に伸長する複数の第２の分割予定ライン１３ｂが形成されているとともに、第１の分割予定ライン１３ａと第２の分割予定ライン１３ｂとによって区画された各領域にＩＣ、ＬＳＩ等のデバイス１５が形成されている。
【００３７】
本発明実施形態のウエーハの加工方法では、半導体ウエーハ（以下ウエーハと略称する）１１は、図４に示すように、外周が環状フレームＦに貼着されたダイシングテープＴにその表面１１ａ側が貼着され、図５に示すように、ウエーハ１１の裏面１１ｂが露出した形態として加工が遂行される。
【００３８】
次いで、レーザー加工装置２のチャックテーブル２８でウエーハ１１をダイシングテープＴを介して吸引保持し、ウエーハ１１の裏面１１ｂを露出させる。そして、撮像ユニット３９の赤外線撮像素子でウエーハ１１をその裏面１１ｂ側から撮像し、第１の分割予定ライン１３ａに対応する領域を集光器３７とＸ軸方向に整列させるアライメントを実施する。このアライメントには、よく知られたパターンマッチング等の画像処理を利用する。
【００３９】
第１の分割予定ライン１３ａのアライメントを実施後、チャックテーブル２８を９０度回転してから、第１の分割予定ライン１３ａに直交する方向に伸長する第２の分割予定ライン１３ｂについても同様なアライメントを実施する。
【００４０】
アライメントステップ実施後、第１ＹＡＧレーザー発振器６２から発振される１３００ｎｍ〜１４００ｎｍの範囲内で設定された波長、例えば１３４２ｎｍの波長の第１のパルスレーザービームの繰り返し周波数（第１繰り返し周波数）を制御手段６６で比較的低い値（例えば５０ｋＨｚ）に制御する。この第１繰り返し周波数は、先に形成された改質層から伝播したクラックの影響を受けない間隔を持って第１のパルスレーザービームが照射される繰り返し周波数である。第１改質層形成ステップにおいて、第１改質層１９ａから伝播したクラックの影響を受けない間隔とは６μｍ以上である。
【００４１】
一方、制御手段６６は第２ＹＡＧレーザー発振器６４から発振される第２のパルスレーザービームの繰り返し周波数を第１繰り返し周波数の２倍以上の整数倍となるように制御する。本実施形態では、第２ＹＡＧレーザー発振器６４から発振される第２のパルスレーザービームの繰り返し周波数を第１ＹＡＧレーザー発振器６２から発振される第１のパルスレーザービームの繰り返し周波数の３倍となるように制御した。
【００４２】
第１ＹＡＧレーザー発振器６２から発振された第１のパルスレーザービームは、集光器３７の全反射ミラー６８で反射されてダイクロイックミラー７０を透過し、集光用対物レンズ７２で第１の分割予定ライン１３に対応するウエーハ内部に位置づけられて、第１のパルスレーザービームをウエーハ１１の裏面１１ｂ側から照射して、チャックテーブル２８を図６で矢印Ｘ１方向に加工送りすることにより、ウエーハ１１の内部に第１改質層１９ａを形成する（第１改質層形成ステップ）。
【００４３】
第１のパルスレーザービームの照射と同時に、第２ＹＡＧレーザー発振器６４から発振された第２のパルスレーザービームは集光器３７のダイクロイックミラー７０で反射されて、集光用対物レンズ７２で第１の分割予定ライン１３ａに対応するウエーハ内部に位置づけられて、第２のパルスレーザービームをウエーハ１１の裏面１１ｂ側から照射して、チャックテーブル２８を図６で矢印Ｘ１方向に加工送りすることにより、ウエーハ１１の内部に第２改質層１９ｂを形成する（第２改質層形成ステップ）。
【００４４】
第１ＹＡＧレーザー発振器６２と第２ＹＡＧレーザー発振器６４は同期して駆動され、且つ第２ＹＡＧレーザー発振器６４の繰り返し周波数は第１ＹＡＧレーザー発振器の繰り返し周波数の３倍であるため、図７に示すように、ウエーハ１１の内部に形成された隣接する第１改質層１９ａの間に二つの第２改質層１９ｂが形成される。
【００４５】
第１ＹＡＧレーザー発振器６２の駆動と一致した時点の第２ＹＡＧレーザー発振器６４からの第２のパルスレーザービームは、ＡＯＤ７４に電圧を印加することにより屈折されてバッファー７６に吸収される。
【００４６】
本実施形態では、１３４２ｎｍの波長を有する第１のパルスレーザービームの繰り返し周波数を、先に形成された第１改質層１９ａから伝播したクラックの影響を受けない間隔を持って第１のパルスレーザービームが照射されるように設定したので、第１改質層１９ａを形成した後の第１のパルスレーザービームの透過光はウエーハ１１の表面１１ａ側に散乱されずに真っ直ぐに出射するため、ウエーハ１１の表面１１ａに形成されているデバイス１５を損傷させることが防止される。
【００４７】
チャックテーブル２８をＹ軸方向に割り出し送りしながら、全ての第１の分割予定ライン１３ａに対して第１改質層形成ステップ及び第２改質層形成ステップを実施して、ウエーハ１１の内部に改質層１９ａ，１９ｂを形成する。
【００４８】
次いで、チャックテーブル２８を９０°回転してから、第１の分割予定ライン１３ａに直交する全ての第２の分割予定ライン１３ｂに沿って第１改質層形成ステップ及び第２改質層形成ステップを実施して、ウエーハ１１の内部に改質層１９ａ，１９ｂを形成する。
【００４９】
改質層１９ａ，１９ｂは、密度、屈折率、機械的強度やその他の物理的特性が周囲とは異なる状態になった領域をいう。例えば、溶融再硬化領域、クラック領域、絶縁破壊領域、屈折率変化領域等を含み、これらの領域が混在した領域も含むものである。
【００５０】
第１改質層形成ステップの加工条件は、例えば次のように設定されている。
【００５１】
光源                    ：ＹＡＧパルスレーザー
波長                    ：１３４２ｎｍ
繰り返し周波数          ：５０ｋＨｚ
スポット径              ：φ２５μｍ
平均出力                ：０．５Ｗ
送り速度                ：３００ｍｍ／ｓ
【００５２】
第２改質層形成ステップの加工条件は、例えば次のように設定されている。
【００５３】
光源                    ：ＹＡＧパルスレーザー
波長                    ：１０６４ｎｍ
繰り返し周波数          ：１５０ｋＨｚ
スポット径              ：φ２μｍ
平均出力                ：０．４Ｗ
送り速度                ：３００ｍｍ／ｓ
【００５４】
第１改質層形成ステップ及び第２改質層形成ステップ実施後、図８に示す分割装置８０を使用してウエーハ１１に外力を付与し、ウエーハ１１を個々のデバイスチップ２１へと分割する分割ステップを実施する。
【００５５】
図８に示す分割装置８０は、環状フレームＦを保持するフレーム保持手段８２と、フレーム保持手段８２に保持された環状フレームＦに装着されたダイシングテープＴを拡張するテープ拡張手段８４を具備している。
【００５６】
フレーム保持手段８２は、環状のフレーム保持部材８６と、フレーム保持部材８６の外周に配設された固定手段としての複数のクランプ８８から構成される。フレーム保持部材８６の上面は環状フレームＦを載置する載置面８６ａを形成しており、この載置面８６ａ上に環状フレームＦが載置される。
【００５７】
そして、載置面８６ａ上に載置された環状フレームＦは、クランプ８８によってフレーム保持手段８６に固定される。このように構成されたフレーム保持手段８２はテープ拡張手段８４によって上下方向に移動可能に支持されている。
【００５８】
テープ拡張手段８４は、環状のフレーム保持手段８６の内側に配設された拡張ドラム９０を具備している。拡張ドラム９０の上端は蓋９２で閉鎖されている。この拡張ドラム９０は、環状フレームＦの内径より小さく、環状フレームＦに装着されたダイシングテープＴに貼着されたウエーハ１１の外径より大きい内径を有している。
【００５９】
拡張ドラム９０はその下端に一体的に形成された支持フランジ９４を有している。テープ拡張手段８４は更に、環状のフレーム保持部材８６を上下方向に移動する駆動手段９６を具備している。この駆動手段９６は支持フランジ９４上に配設された複数のエアシリンダ９８から構成されており、そのピストンロッド１００はフレーム保持部材８６の下面に連結されている。
【００６０】
複数のエアシリンダ９８から構成される駆動手段９６は、環状のフレーム保持部材８６を、その載置面８６ａが拡張ドラム９０の上端である蓋９２の表面と略同一高さとなる基準位置と、拡張ドラム９０の上端より所定量下方の拡張位置との間で上下方向に移動する。
【００６１】
以上のように構成された分割装置８０を用いて実施するウエーハ１１の分割ステップについて図９を参照して説明する。図９（Ａ）に示すように、ウエーハ１１をダイシングテープＴを介して支持された環状フレームＦを、フレーム保持部材８６の載置面８６ａ上に載置し、クランプ８８によってフレーム保持部材８６を固定する。この時、フレーム保持部材８６はその載置面８６ａが拡張ドラム９０の上端と略同一高さとなる基準位置に位置づけられる。
【００６２】
次いで、エアシリンダ９８を駆動してフレーム保持部材８６を図９（Ｂ）に示す拡張位置に下降する。これにより、フレーム保持部材８６の載置面８６ａ上に固定されている環状フレームＦも下降するため、環状フレームＦに装着されたダイシングテープＴは拡張ドラム９０の上端縁に当接して主に半径方向に拡張される。
【００６３】
その結果、ダイシングテープＴに貼着されているウエーハ１１には、放射状に引っ張り力が作用する。このようにウエーハ１１に放射状に引っ張り力が作用すると、第１、第２の分割予定ライン１３ａ，１３ｂに沿って形成された改質層１９ａ，１９ｂが分割起点となってウエーハ１１が第１、第２の分割予定ライン１３ａ，１３ｂに沿って割断され、個々のデバイスチップ２１に分割される。
【符号の説明】
【００６４】
２    レーザー加工装置
１１    シリコンウエーハ
１３ａ    第１の分割予定ライン
１３ｂ    第２の分割予定ライン
１５    デバイス
１７    加熱領域
１９    改質層
２１    デバイスチップ
２８    チャックテーブル
３４    レーザービーム照射ユニット
３５    レーザービーム発生ユニット
３７    集光器
３９    撮像ユニット
６２    第１ＹＡＧレーザー発振器
６４    第２ＹＡＧレーザー発振器
６８    全反射ミラー
７０    ダイクロイックミラー
７２    集光用対物レンズ
７４    ＡＯＤ
８０    分割装置
Ｔ    ダイシングテープ
Ｆ    環状フレーム
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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