(57)【要約】【課題】信頼性を向上させることができる有機ＥＬ装置、及び電子機器を提供する。【解決手段】有機ＥＬ素子が設けられた素子基板１０と、素子基板１０と対向するように配置された対向基板４１と、有機ＥＬ素子と対向基板４１との間に配置された、無機材料からなる第１封止層３４ａ、平坦化された第２封止層３４ｂ、無機材料からなる第３封止層３４ｃを少なくとも有する封止層３４と、封止層３４と対向基板４１との間に配置された充填剤４２と、を備え、対向基板４１は、素子基板１０の端部のいずれかから所定の間隙をあけた領域内に配置され、充填剤４２は、素子基板１０と対向基板４１との間から間隙にはみ出すように配置され、第２封止層３４ｂの端部は、充填剤４２により覆われている。【選択図】図５
2016143606.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機ＥＬ素子が設けられた第１基板と、
前記第１基板と対向するように配置された第２基板と、
前記有機ＥＬ素子と前記第２基板との間に配置された、無機材料からなる第１封止層、平坦化された第２封止層、無機材料からなる第３封止層を少なくとも有する封止層と、
前記封止層と前記第２基板との間に配置された充填剤と、を備え、
前記第２基板は、前記第１基板の端部のいずれかから所定の間隙をあけた領域内に配置され、
前記充填剤は、前記第１基板と前記第２基板との間から前記間隙にはみ出すように配置され、
前記第２封止層の端部は、前記充填剤により覆われていることを特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項２】
請求項１に記載の有機ＥＬ装置であって、
前記第２封止層の端部は、平面視で前記第２基板の端部より内側に配置されていることを特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の有機ＥＬ装置であって、
前記充填剤の端部から前記第２封止層の端部までの距離は、前記第２封止層と前記第２基板との間の前記充填剤の厚みと比して長いことを特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置であって、
前記第２基板は、前記充填剤が配置される側の外縁にテーパが形成されていることを特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項５】
請求項４に記載の有機ＥＬ装置であって、
前記テーパは、平面視で前記第２封止層と重ならない位置に形成されていることを特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置であって、
平面視で前記有機ＥＬ素子を含む領域に表示領域を有し、
前記表示領域の縁から前記第２封止層の端部までの距離は、前記第２封止層の端部から前記第２基板の端部までの距離よりも長いことを特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置であって、
前記第３封止層の上、かつ、平面視で前記第２封止層の端部より外側に、突起部が設けられていることを特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項８】
請求項７に記載の有機ＥＬ装置であって、
前記突起部は、カラーフィルター、前記カラーフィルター間に配置される隔壁層、オーバーコート層のいずれかの材料で形成されていることを特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置を備えていることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ装置、及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
上記有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）装置は、陽極（画素電極）と陰極（対向電極）との間に発光材料からなる発光層が挟持された構造を有している。更に、有機ＥＬ装置は、これらをシール材及び充填剤を介して素子基板と対向基板とが貼り合わされている。また、素子基板には、有機ＥＬ装置と外部機器とを電気的に接続する接続端子が設けられている。
【０００３】
例えば、特許文献１には、接続端子が配置された領域を除いて、素子基板の端部と対向基板の端部とが平面視でほぼ同じ位置に配置された構造の有機ＥＬ装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１４−８９８０３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、大型基板（マザー基板）に複数の有機ＥＬ装置を同時に形成する場合、素子基板の端部と対向基板の端部とがほぼ同じ位置になるように形成すると、充填剤が隣りの有機ＥＬ装置側にはみ出すという課題がある。
【０００６】
一方、素子基板の端部より対向基板の端部が平面視で内側になるように（小さくなるように）形成すると、保護するべき有機ＥＬ装置の部分（例えば、封止膜）がはみ出るという課題がある。また、保護するべき部分を対向基板により保護しようとすると、非表示領域が大きくなるという課題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の態様は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。
【０００８】
［適用例１］本適用例に係る有機ＥＬ装置は、有機ＥＬ素子が設けられた第１基板と、前記第１基板と対向するように配置された第２基板と、前記有機ＥＬ素子と前記第２基板との間に配置された、無機材料からなる第１封止層、平坦化された第２封止層、無機材料からなる第３封止層を少なくとも有する封止層と、前記封止層と前記第２基板との間に配置された充填剤と、を備え、前記第２基板は、前記第１基板の端部のいずれかから所定の間隙をあけた領域内に配置され、前記充填剤は、前記第１基板と前記第２基板との間から前記間隙にはみ出すように配置され、前記第２封止層の端部は、前記充填剤により覆われていることを特徴とする。
【０００９】
本適用例によれば、平面視で第２封止層を充填剤や第２基板によって覆うので、封止層を外的な衝撃から保護することが可能となり、第２封止層が破壊されることを抑えることができる。よって、水分などが封止層を介して有機ＥＬ素子に侵入することを抑えることができる。また、第１基板の端部より第２基板の端部が内側になるように（小さくなるように）配置されているので、充填剤が基板の端部側にはみ出る量を抑えることが可能となり、非表示領域が過剰に大きくなることを抑えることができる。よって、大型基板（マザー基板）で形成した場合のように、充填剤が隣りの有機ＥＬ装置側にはみ出すことを抑えることができる。
【００１０】
［適用例２］上記適用例に係る有機ＥＬ装置において、前記第２封止層の端部は、平面視で前記第２基板の端部より内側に配置されていることが好ましい。
【００１１】
本適用例によれば、第２封止層の端部が第２基板の端部より内側になるように配置されているので、第２封止層を覆う充填剤が第２基板の端部から外側にはみ出す量を抑えることができる。よって、大型基板（マザー基板）で形成した場合のように、充填剤が隣りの有機ＥＬ装置の領域にはみ出すことを抑えることができる。
【００１２】
［適用例３］上記適用例に係る有機ＥＬ装置において、前記充填剤の端部から前記第２封止層の端部までの距離は、前記第２封止層と前記第２基板との間の前記充填剤の厚みと比して長いことが好ましい。
【００１３】
本適用例によれば、第２封止層を覆う充填剤において、第２封止層の端部から充填剤の端部までの距離より、前記第２封止層と前記第２基板との間の前記充填剤の厚みと比して長いので、充填剤により外的な衝撃から封止層を保護することができる。
【００１４】
［適用例４］上記適用例に係る有機ＥＬ装置において、前記第２基板は、前記充填剤が配置される側の外縁にテーパが形成されていることが好ましい。
【００１５】
本適用例によれば、充填剤側の第２基板の外縁にテーパが形成されているので、第２基板と充填剤との接触する部分を第２基板の端部側より内側にすることができる。よって、充填剤が第２基板の端部から外側にはみ出す量を抑えることが可能となり、大型基板（マザー基板）で形成した場合のように、充填剤が隣りの有機ＥＬ装置の領域にはみ出すことを抑えることができる。
【００１６】
［適用例５］上記適用例に係る有機ＥＬ装置において、前記テーパは、平面視で前記第２封止層と重ならない位置に形成されていることが好ましい。
【００１７】
本適用例によれば、第２封止層と重ならない領域にテーパが形成されているので、第２封止層を充填剤で覆うことができると共に、充填剤の端部を、第２封止層の端部から第２基板の端部との間になるように留めておくことができる。よって、充填剤が第２封止層の端部から外側に過剰に広がらないようにすることが可能となり、隣りの有機ＥＬ装置の領域にはみ出すことを防ぐことができる。
【００１８】
［適用例６］上記適用例に係る有機ＥＬ装置において、平面視で前記有機ＥＬ素子を含む領域に表示領域を有し、前記表示領域の縁から前記第２封止層の端部までの距離は、前記第２封止層の端部から前記第２基板の端部までの距離よりも長いことが好ましい。
【００１９】
本適用例によれば、第２封止層の端部から第２基板の端部までの距離の方が短い（薄い）ので、第２封止層の端部を過剰に充填剤で覆うことを抑えることができる。よって、隣りの有機ＥＬ装置の領域に充填剤がはみ出すことを防ぐことができる。
【００２０】
［適用例７］上記適用例に係る有機ＥＬ装置において、前記第３封止層の上、かつ、平面視で前記第２封止層の端部より外側に、突起部が設けられていることが好ましい。
【００２１】
本適用例によれば、突起部を設けることにより、第２封止層の端部を充填剤で覆った際に、過剰な充填剤が隣りの領域にはみ出る（流れる）ことを抑えることができる。
【００２２】
［適用例８］上記適用例に係る有機ＥＬ装置において、前記突起部は、カラーフィルター、前記カラーフィルター間に配置される隔壁層、オーバーコート層のいずれかの材料で形成されていることが好ましい。
【００２３】
本適用例によれば、上記の材料を用いて突起部を形成することにより、新たな製造工程を追加することなく形成することができる。
【００２４】
［適用例９］本適用例に係る電子機器は、上記有機ＥＬ装置を備えることを特徴とする。
【００２５】
本適用例によれば、上記有機ＥＬ装置を備えているので、信頼性の高い電子機器を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】第１実施形態の有機ＥＬ装置の電気的な構成を示す等価回路図。
【図２】有機ＥＬ装置の構成を示す概略平面図。
【図３】画素の配置を示す概略平面図。
【図４】図３に示す有機ＥＬ装置のＡ−Ａ’線に沿う概略断面図。
【図５】図２に示す有機ＥＬ装置のＢ−Ｂ’線に沿う概略断面図。
【図６】有機ＥＬ装置の製造方法を示すフローチャート。
【図７】有機ＥＬ装置の製造方法のうち一部の製造工程を示す概略図。
【図８】電子機器としてのヘッドマウントディスプレイの構成を示す概略図。
【図９】第２実施形態の有機ＥＬ装置の構造を示す概略断面図。
【図１０】第３実施形態の有機ＥＬ装置の構造を示す概略断面図。
【図１１】変形例の有機ＥＬ装置の構造を示す概略断面図。
【図１２】変形例の有機ＥＬ装置の構造を示す概略断面図。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している。
【００２８】
なお、以下の形態において、例えば「基板上に」と記載された場合、基板の上に接するように配置される場合、または基板の上に他の構成物を介して配置される場合、または基板の上に一部が接するように配置され、一部が他の構成物を介して配置される場合を表すものとする。
【００２９】
（第１実施形態）
＜有機ＥＬ装置＞
まず、本実施形態の有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）装置について、図１〜図３を参照して説明する。図１は第１実施形態の有機ＥＬ装置の電気的な構成を示す等価回路図、図２は第１実施形態の有機ＥＬ装置の構成を示す概略平面図、図３は第１実施形態における画素の配置を示す概略平面図である。
【００３０】
図１に示すように、本実施形態の有機ＥＬ装置１００は、互いに交差する複数の走査線１２及び複数のデータ線１３と、複数のデータ線１３のそれぞれに対して並列する複数の電源線１４とを有している。複数の走査線１２が接続される走査線駆動回路１６と、複数のデータ線１３が接続されるデータ線駆動回路１５とを有している。また、複数の走査線１２と複数のデータ線１３との各交差部に対応してマトリックス状に配置された複数のサブ画素１８を有している。
【００３１】
サブ画素１８は、発光素子である有機ＥＬ素子３０と、有機ＥＬ素子３０の駆動を制御する画素回路２０とを有している。
【００３２】
有機ＥＬ素子３０は、陽極として機能する画素電極３１と、陰極として機能する対向電極３３と、画素電極３１と対向電極３３との間に設けられた有機発光層を含む機能層３２とを有している。このような有機ＥＬ素子３０は電気的にダイオードとして表記することができる。
【００３３】
画素回路２０は、スイッチング用トランジスター２１と、蓄積容量２２と、駆動用トランジスター２３とを含んでいる。２つのトランジスター２１，２３は、例えばｎチャネル型もしくはｐチャネル型の薄膜トランジスター（ＴＦＴ；Thin Film transistor）やＭＯＳトランジスターを用いて構成することができる。
【００３４】
スイッチング用トランジスター２１のゲートは走査線１２に接続され、ソースまたはドレインのうち一方がデータ線１３に接続され、ソースまたはドレインのうち他方が駆動用トランジスター２３のゲートに接続されている。
【００３５】
駆動用トランジスター２３のソースまたはドレインのうち一方が有機ＥＬ素子３０の画素電極３１に接続され、ソースまたはドレインのうち他方が電源線１４に接続されている。駆動用トランジスター２３のゲートと電源線１４との間に蓄積容量２２が接続されている。
【００３６】
走査線１２が駆動されてスイッチング用トランジスター２１がオン状態になると、そのときにデータ線１３から供給される画像信号に基づく電位がスイッチング用トランジスター２１を介して蓄積容量２２に保持される。
【００３７】
該蓄積容量２２の電位すなわち駆動用トランジスター２３のゲート電位に応じて、駆動用トランジスター２３のオン／オフ状態が決まる。そして、駆動用トランジスター２３がオン状態になると、電源線１４から駆動用トランジスター２３を介して画素電極３１と対向電極３３とに挟まれた機能層３２にゲート電位に応じた量の電流が流れる。有機ＥＬ素子３０は、機能層３２を流れる電流量に応じて発光する。
【００３８】
なお、画素回路２０の構成は、これに限定されない。例えば、画素電極３１と駆動用トランジスター２３との間に設けられ、画素電極３１と駆動用トランジスター２３との間の導通を制御する発光制御用トランジスターを備えていてもよい。
【００３９】
図２に示すように、有機ＥＬ装置１００は、第１基板としての素子基板１０と、素子基板１０に対向するように配置された第２基板としての対向基板４１とを有している。素子基板１０には、表示領域Ｅ１（図中、破線で表示）と、表示領域Ｅ１の外側にダミー領域Ｅ２（図中、二点鎖線で表示）とが設けられている。ダミー領域Ｅ２の外側は非表示領域である。
【００４０】
表示領域Ｅ１には、サブ画素１８がマトリックス状に配置されている。サブ画素１８は、前述したように発光素子である有機ＥＬ素子３０を備えており、スイッチング用トランジスター２１及び駆動用トランジスター２３の動作に伴って、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のうちいずれかの色の発光が得られる構成となっている。
【００４１】
本実施形態では、同色の発光が得られるサブ画素１８が第１の方向に配列し、異なる色の発光が得られるサブ画素１８が第１の方向に対して交差（直交）する第２の方向に配列した、所謂ストライプ方式のサブ画素１８の配置となっている。以降、上記第１の方向をＹ方向とし、上記第２の方向をＸ方向として説明する。なお、素子基板１０におけるサブ画素１８の配置はストライプ方式に限定されず、モザイク方式、デルタ方式であってもよい。
【００４２】
ダミー領域Ｅ２には、主として各サブ画素１８の有機ＥＬ素子３０を発光させるための周辺回路が設けられている。例えば、図２に示すように、Ｘ方向において表示領域Ｅ１を挟んだ位置にＹ方向に延在して一対の走査線駆動回路１６が設けられている。一対の走査線駆動回路１６の間で表示領域Ｅ１に沿った位置に検査回路１７が設けられている。
【００４３】
素子基板１０には、一対の走査線駆動回路１６に沿ったＹ方向と検査回路１７に沿ったＸ方向とに延在して、ダミー領域Ｅ２を囲むように配置された配線層２９を有している。有機ＥＬ素子３０の対向電極３３は、複数の有機ＥＬ素子３０すなわち複数のサブ画素１８に亘って共通陰極として形成されている。また、対向電極３３は、表示領域Ｅ１から非表示領域に至るように形成され、非表示領域において上記配線層２９と電気的に接続されている。
【００４４】
素子基板１０は、対向基板４１よりも大きく、対向基板４１からＹ方向にはみ出た一辺部（図中の下方の基板１０の端部とダミー領域Ｅ２との間の辺部；以降、端子部１１ｔと呼ぶ）に、外部駆動回路との電気的な接続を図るための複数の接続用端子１０１がＸ方向に配列している。
【００４５】
複数の接続用端子１０１には、フレキシブル回路基板（ＦＰＣ）１０５が接続されている。ＦＰＣ１０５には、駆動用ＩＣ１１０が実装されている。駆動用ＩＣ１１０は前述したデータ線駆動回路１５を含むものである。
【００４６】
ＦＰＣ１０５は、駆動用ＩＣ１１０の入力側に配線を介して接続される入力端子１０２と、駆動用ＩＣ１１０の出力側に配線を介して接続される出力端子（図示省略）とを有している。
【００４７】
素子基板１０側のデータ線１３や電源線１４は、接続用端子１０１及びＦＰＣ１０５を介して駆動用ＩＣ１１０に電気的に接続されている。走査線駆動回路１６や検査回路１７に接続された配線は、接続用端子１０１とＦＰＣ１０５を介して駆動用ＩＣ１１０に電気的に接続されている。
【００４８】
共通陰極としての対向電極３３もまた配線層２９及び接続用端子１０１、並びにＦＰＣ１０５を介して駆動用ＩＣ１１０に電気的に接続されている。したがって、端子部１１ｔに配列した複数の接続用端子１０１のいずれかに、駆動用ＩＣ１１０からの制御信号や駆動用電位（ＶＤＤ）などが供給される。
【００４９】
素子基板１０側の複数の接続用端子１０１とＦＰＣ１０５側の出力端子とを電気的に接続する方法は、公知の方法を用いることができ、例えば熱可塑性の異方性導電フィルムを用いる方法や熱硬化型の異方性接着剤を用いる方法が挙げられる。
【００５０】
次に、図３を参照してサブ画素１８の構成とその平面的な配置について説明する。本実施形態における有機ＥＬ装置１００は、白色発光が得られる有機ＥＬ素子３０と、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の着色層を含むカラーフィルター３６とを組み合わせて構成されている。
【００５１】
図３に示すように、赤（Ｒ）の発光が得られるサブ画素１８Ｒ、緑（Ｇ）の発光が得られるサブ画素１８Ｇ、青（Ｂ）の発光が得られるサブ画素１８ＢがＸ方向に順に配列している。同色の発光が得られるサブ画素１８はＹ方向に配列している。Ｘ方向に配列した３つのサブ画素１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂを１つの画素１９として表示がなされる構成になっている。
【００５２】
本実施形態において、Ｘ方向におけるサブ画素１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂの配置ピッチは５μｍ未満である。Ｘ方向に０．５μｍ〜１．０μｍの間隔を置いてサブ画素１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂが配置されている。Ｙ方向におけるサブ画素１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂの配置ピッチはおよそ１０μｍ未満である。
【００５３】
サブ画素１８における画素電極３１は略矩形状であって、長手方向がＹ方向に沿って配置されている。画素電極３１を発光色に対応させて画素電極３１Ｒ，３１Ｇ，３１Ｂと呼ぶこともある。
【００５４】
各画素電極３１Ｒ，３１Ｇ，３１Ｂの外縁を覆って絶縁性の隔壁２８が形成されている。これによって、各画素電極３１Ｒ，３１Ｇ，３１Ｂ上に開口部２８ａが形成され、隔壁２８に設けられた開口部２８ａ内において画素電極３１Ｒ，３１Ｇ，３１Ｂのそれぞれが機能層３２と接することとなる。開口部２８ａの平面形状もまた略矩形状となっている。
【００５５】
なお、略矩形状とは、長方形、長方形の角部が丸くなった形状、長方形の短辺側が円弧になった形状などを含むものである。
【００５６】
カラーフィルター３６の赤（Ｒ）の着色層３６Ｒは、Ｙ方向に配列する複数の画素電極３１Ｒと重なるように形成されている。緑（Ｇ）の着色層３６Ｇは、Ｙ方向に配列する複数の画素電極３１Ｇと重なるように形成されている。青（Ｂ）の着色層３６Ｂは、Ｙ方向に配列する複数の画素電極３１Ｂと重なるように形成されている。つまり、異なる色の着色層３６Ｒ，３６Ｇ，３６Ｂは、Ｙ方向に延在してストライプ状に形成され、且つＸ方向に互いに接して形成されている。
【００５７】
次に、有機ＥＬ装置１００のサブ画素の構造について、図４を参照して説明する。図４は、図３のＡ−Ａ’線に沿った有機ＥＬ装置の構造を示す概略断面図である。なお、図４は、表示領域Ｅ１におけるサブ画素１８の構造を示す。
【００５８】
図４に示すように、有機ＥＬ装置１００は、基材１１と、基材１１上に順に形成された、画素回路２０と、有機ＥＬ素子３０と、複数の有機ＥＬ素子３０を封止する封止層３４と、カラーフィルター３６とを含む素子基板１０を備えている。また、素子基板１０に対して対向配置された第２基板としての対向基板４１を備えている。
【００５９】
対向基板４１は、例えばガラスなどの透明基板からなり、素子基板１０において封止層３４上に形成されたカラーフィルター３６を保護すべく、充填剤４２を介して素子基板１０に対向配置されている。
【００６０】
サブ画素１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂの機能層３２からの発光は、後述する反射層２５で反射されると共に、カラーフィルター３６を透過して対向基板４１側から取り出される。すなわち、有機ＥＬ装置１００はトップエミッション型の発光装置である。
【００６１】
基材１１は、有機ＥＬ装置１００がトップエミッション型のため、ガラスなどの透明基板や、シリコンやセラミックスなどの不透明な基板を用いることができる。以降、画素回路２０に薄膜トランジスターを用いた場合を例に説明する。
【００６２】
基材１１の表面を覆って第１絶縁膜２７ａが形成される。画素回路２０における例えば駆動用トランジスター２３の半導体層２３ａが第１絶縁膜２７ａ上に形成される。半導体層２３ａを覆ってゲート絶縁膜として機能する第２絶縁膜２７ｂが形成される。第２絶縁膜２７ｂを介して半導体層２３ａのチャネル領域と対向する位置にゲート電極２３ｇが形成される。ゲート電極２３ｇを覆って第１層間絶縁膜２４が３００ｎｍ〜２μｍの膜厚で形成される。
【００６３】
第１層間絶縁膜２４は、画素回路２０の駆動用トランジスター２３などを覆うことによって生じた表面の凹凸を無くすように平坦化処理が施される。半導体層２３ａのソース領域２３ｓとドレイン領域２３ｄとにそれぞれ対応して、第２絶縁膜２７ｂと第１層間絶縁膜２４とを貫通するコンタクトホールが形成される。
【００６４】
これらのコンタクトホールを埋めるようにして導電膜が形成され、パターニングされて駆動用トランジスター２３に接続される電極や配線が形成される。また、上記導電膜は、光反射性の例えばアルミニウム、あるいはアルミニムとＡｇ（銀）やＣｕ（銅）との合金などを用いて形成され、これをパターニングすることによって、サブ画素１８ごとに独立した反射層２５が形成される。
【００６５】
図４では図示を省略したが、画素回路２０におけるスイッチング用トランジスター２１や蓄積容量２２も基材１１上に形成される。
【００６６】
反射層２５と第１層間絶縁膜２４とを覆って１０ｎｍ〜２μｍの膜厚で第２層間絶縁膜２６が形成される。また、後に画素電極３１と駆動用トランジスター２３とを電気的に接続させるためのコンタクトホールが第２層間絶縁膜２６を貫通して形成される。
【００６７】
第１絶縁膜２７ａ、第２絶縁膜２７ｂ、第１層間絶縁膜２４、第２層間絶縁膜２６を構成する材料としては、例えばシリコンの酸化物や窒化物、あるいはシリコンの酸窒化物を用いることができる。
【００６８】
第２層間絶縁膜２６に形成されたコンタクトホールを埋めるように、第２層間絶縁膜２６を覆って導電膜が成膜され、この導電膜をパターニングすることによって画素電極３１（３１Ｒ，３１Ｇ，３１Ｂ）が形成される。画素電極３１（３１Ｒ，３１Ｇ，３１Ｂ）は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明導電膜を用いて形成される。なお、サブ画素１８ごとに反射層２５を設けない場合は、画素電極３１（３１Ｒ，３１Ｇ，３１Ｂ）として光反射性を有するアルミニムやその合金を用いて形成してもよい。
【００６９】
各画素電極３１Ｒ，３１Ｇ，３１Ｂの外縁部を覆って隔壁２８が形成される。これによって画素電極３１Ｒ，３１Ｇ，３１Ｂ上に開口部２８ａが形成される。隔壁２８は例えばアクリル系の感光性樹脂を用いて、１μｍ程度の高さで各画素電極３１Ｒ，３１Ｇ，３１Ｂをそれぞれ区画するように形成される。
【００７０】
なお、本実施形態では、各画素電極３１Ｒ，３１Ｇ，３１Ｂを互いに絶縁状態とするために感光性樹脂からなる隔壁２８を形成したが、酸化シリコンなどの無機絶縁材料を用いて各画素電極３１Ｒ，３１Ｇ，３１Ｂを区画してもよい。
【００７１】
機能層３２は、各画素電極３１Ｒ，３１Ｇ，３１Ｂに接するように、真空蒸着法やイオンプレーティング法などの気相プロセスを用いて形成され、隔壁２８の表面も機能層３２で覆われる。なお、機能層３２は隔壁２８のすべての表面を覆う必要はなく、隔壁２８で区画された領域に機能層３２が形成されればよいので、隔壁２８の頭頂部は機能層３２で覆われる必要はない。
【００７２】
機能層３２は、例えば、正孔注入層、正孔輸送層、有機発光層、電子輸送層を有する。本実施形態では、画素電極３１に対して、正孔注入層、正孔輸送層、有機発光層、電子輸送層をそれぞれ気相プロセスを用いて成膜し、順に積層することによって機能層３２が形成されている。なお、機能層３２の層構成は、これに限定されず、キャリアである正孔や電子の移動を制御する中間層を含んでいてもよい。
【００７３】
有機発光層は、白色発光が得られる構成であればよく、例えば、赤色の発光が得られる有機発光層と、緑色の発光が得られる有機発光層と、青色の発光が得られる有機発光層とを組み合わせた構成を採用することができる。
【００７４】
機能層３２を覆って共通陰極としての対向電極３３が形成される。対向電極３３は、例えばＭｇとＡｇとの合金を光透過性と光反射性とが得られる程度の膜厚（例えば１０ｎｍ〜３０ｎｍ）で成膜することによって形成される。これによって、複数の有機ＥＬ素子３０ができあがる。
【００７５】
なお、対向電極３３を光透過性と光反射性とを有する状態に形成することによって、サブ画素１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂごとの反射層２５と対向電極３３との間で光共振器を構成してもよい。
【００７６】
次に、水や酸素などが浸入しないように複数の有機ＥＬ素子３０を覆う封止層３４が形成される。本実施形態の封止層３４は、対向電極３３側から順に、第１封止層３４ａ、第２封止層３４ｂ、第３封止層３４ｃが積層されたものである。
【００７７】
第１封止層３４ａ及び第３封止層３４ｃとしては、光透過性を有すると共に優れたガスバリア性を有する無機材料である例えば酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などを用いることが好ましい。
【００７８】
第１封止層３４ａ及び第３封止層３４ｃの形成方法としては、真空蒸着法やスパッタ法を挙げることができる。第１封止層３４ａや第３封止層３４ｃの膜厚を厚くすることで高いガスバリア性を実現できるが、その一方で膨張や収縮によってクラックが生じ易い。したがって、２００ｎｍ〜４００ｎｍ程度の膜厚に制御することが好ましく、本実施形態では第２封止層３４ｂを挟んで第１封止層３４ａと第３封止層３４ｃとを重ねることで高いガスバリア性を実現している。
【００７９】
第２封止層３４ｂは、熱安定性に優れた例えばエポキシ系樹脂や塗布型の無機材料（酸化シリコンなど）を用いて形成することができる。また、第２封止層３４ｂをスクリーンなどの印刷法や定量吐出法などにより塗布形成すれば、第２封止層３４ｂの表面を平坦化することができる。つまり、第２封止層３４ｂは第１封止層３４ａの表面の凹凸を緩和する平坦化層としても機能させることができる。第２封止層３４ｂの厚みは、１μｍ〜５μｍである。
【００８０】
封止層３４上には、各色のサブ画素１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂに対応した着色層３６Ｒ，３６Ｇ，３６Ｂが形成される。着色層３６Ｒ，３６Ｇ，３６Ｂを含むカラーフィルター３６の形成方法としては、色材を含む感光性樹脂材料を塗布して感光性樹脂層を形成し、これをフォトリソグラフィー法で露光・現像して形成する方法が挙げられる。着色層３６Ｒ，３６Ｇ，３６Ｂの膜厚は、どの色も同じでもよいし、少なくとも１色を他の色と異ならせてもよい。
【００８１】
素子基板１０と対向基板４１とは、透明樹脂材料などからなる充填剤４２を介して、対向するように配置されている。透明樹脂材料としては、例えばウレタン系、アクリル系、エポキシ系、ポリオレフィン系などの樹脂材料を挙げることができる。
【００８２】
＜第１実施形態の有機ＥＬ装置の全体構造＞
次に、第１実施形態の有機ＥＬ装置の全体構造について、図５を参照して説明する。図５は、図２に示す有機ＥＬ装置のＢ−Ｂ’線に沿う概略断面図である。なお、有機ＥＬ装置における外周部を主に説明するため、画素回路２０や有機ＥＬ素子３０などの詳細な図示は省略する。
【００８３】
図５に示すように、第１実施形態の有機ＥＬ装置１００は、上記したように、素子基板１０を構成する基材１１上に駆動用トランジスター２３などが形成された画素回路層２０ａが設けられている。画素回路層２０ａ上には、有機発光層などを有する機能層３２が設けられている。機能層３２は、陰極として機能する対向電極３３によって覆われている。
【００８４】
対向電極３３上には、対向電極３３上及び基材１１上の全体に亘って、封止層３４を構成する第１封止層３４ａが形成されている。第１封止層３４ａの上には、第２封止層３４ｂが形成されている。なお、第２封止層３４ｂの端部３４ｂ１は、平面視で対向基板４１の端部４１ａより内側になるように（小さくなるように）配置されている。言い換えれば、第２封止層３４ｂは、平面視で対向基板４１によって覆われるように形成されている。
【００８５】
第２封止層３４ｂの上には、第２封止層３４ｂ上及び基材１１上の全体に亘って第３封止層３４ｃが形成されている。第３封止層３４ｃの上には、平面視で機能層３２の領域を含むようにカラーフィルター３６が形成されている。カラーフィルター３６の上には、充填剤４２が設けられている。なお、充填剤４２の端部４２ａは、第２封止層３４ｂの端部３４ｂ１と基材１１の端部１１ａとの間になるように配置されている。
【００８６】
充填剤４２の厚みは、例えば、１０μｍである。好ましい範囲としては、２μｍ〜３０μｍ程度である。充填剤４２が薄いと、異物が封止層３４に当接して破損する恐れがある。一方、充填剤４２が厚いと、有機ＥＬ装置１００が大きくなってしまう。更に、充填剤４２の厚みが厚いと光学的なロスが発生する恐れがある。
【００８７】
充填剤４２の上には、対向基板４１が配置されている。なお、対向基板４１の端部４１ａは、平面視で充填剤４２が基材１１の端部１１ａからはみ出ない様にするべく、平面視で基材１１の端部１１ａより内側に配置されることが好ましい。
【００８８】
充填剤４２の端部４２ａから第２封止層３４ｂの端部３４ｂ１までの距離は、０．１ｍｍ〜０．５ｍｍ程度であれば、第２封止層３４ｂを確実に保護することができる。なお、上記した充填剤４２の端部４２ａから第２封止層３４ｂの端部３４ｂ１までの距離（厚みともいう）は、充填剤４２の厚みよりも長い。そして、充填剤４２の端部４２ａから第２封止層３４ｂの端部３４ｂ１までの距離は、充填剤４２の厚みよりも１桁以上異なることが好ましい。
【００８９】
また、対向基板４１から充填剤４２がはみ出す幅は、１０μｍ〜３００μｍ程度である。この幅は、充填剤４２の塗布量や押圧力の厚みによって調整が可能となっている。
【００９０】
表示領域から第２封止層３４ｂの端部３４ｂ１までの距離は、例えば、０．５ｍｍ〜１．０ｍｍである。第２封止層３４ｂの端部３４ｂ１から対向基板４１の端部４１ａまでの距離は、０．３ｍｍ〜０．８ｍｍ程度である。
【００９１】
つまり、第２封止層３４ｂの端部３４ｂ１は、表示領域側に配置される。これにより、第２封止層３４ｂの端部３４ｂ１が対向基板４１の端部４１ａの側に配置される場合と比較して、確実に充填剤４２や対向基板４１によって第２封止層を保護することができる。
【００９２】
このようにすることにより、封止層３４を構成する平坦化層としての機能を果たす第２封止層３４ｂが、平面視で対向基板４１によって覆われるので、第２封止層３４ｂが外部からの接触により破損することを防ぐことができる。これにより、封止層３４から水分が侵入して有機ＥＬ素子３０にダメージを与えることを抑えることができる。
【００９３】
加えて、基材１１の端部１１ａより対向基板４１の端部４１ａが内側になるように配置されているので、非表示領域を過剰に広くすることなく、大型基板１１Ｗ（図７（ａ）参照）で複数の有機ＥＬ装置１００を同時に形成する場合のように、充填剤４２が隣りの有機ＥＬ装置１００側にはみ出すことを抑えることができる。また、小型な有機ＥＬ装置１００を提供することができる。
【００９４】
＜有機ＥＬ装置の製造方法＞
次に、第１実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法について、図６及び図７を参照して説明する。図６は、有機ＥＬ装置の製造方法を示すフローチャートである。図７は、有機ＥＬ装置の製造方法のうち一部の製造工程を示す概略図である。
【００９５】
なお、本実施形態では、大型基板１１Ｗ（マザー基板）に、複数の有機ＥＬ装置１００を同時に形成する場合を例に説明する。図７（ａ）は、複数の有機ＥＬ装置１００が面付けされた大型基板１１Ｗを示す概略平面図である。図７（ｂ）は、図７（ａ）に示す大型基板のＣ−Ｃ’線に沿う概略断面図である。
【００９６】
まず、基材１１上に、画素回路２０などを含む要素回路層２０ａ、有機ＥＬ素子３０などを含む機能層３２、対向電極３３などを形成する。これらを形成する方法は、公知の方法を用いて製造することができる。
【００９７】
次に、図６に示すように、ステップＳ１１では、封止層３４を形成する。具体的には、図７（ｂ）に示すように、対向電極３３及び基材１１上の全体を覆うように、第１封止層３４ａを形成する。第１封止層３４ａを形成する方法としては、例えばシリコンの酸窒化物（ＳｉＯＮ）を真空蒸着する方法が挙げられる。
【００９８】
次に、第１封止層３４ａを覆う第２封止層３４ｂを形成する。第２封止層３４ｂの形成方法としては、例えば、透明性を有するエポキシ樹脂と、エポキシ樹脂の溶媒とを含む溶液を用い、印刷法や定量吐出法で該溶液を塗布して乾燥することにより、エポキシ樹脂からなる第２封止層３４ｂを形成する。
【００９９】
なお、第２封止層３４ｂは、エポキシ樹脂などの有機材料を用いて形成することに限定されず、前述したように、塗布型の無機材料を印刷法により塗布し、これを乾燥・焼成することによって、第２封止層３４ｂとしての酸化シリコン膜を形成してもよい。
【０１００】
続いて、第２封止層３４ｂを覆う第３封止層３４ｃを形成する。第３封止層３４ｃの形成方法は、第１封止層３４ａと同じであって、例えばシリコンの酸窒化物（ＳｉＯＮ）を真空蒸着する方法が挙げられる。
【０１０１】
次に、ステップＳ１２では、カラーフィルター３６（３６Ｒ，３６Ｇ，３６Ｂ）を形成する。具体的には、公知の製造方法、例えば、各色材を含む感光性樹脂をスピンコート法で塗布して乾燥することにより感光性樹脂層を形成し、感光性樹脂を露光・現像することにより各着色層を形成する。
【０１０２】
次に、ステップＳ１３では、充填剤４２を塗布する。具体的には、まず、カラーフィルター３６を覆うように、接着性を有する透明樹脂材料を塗布する。透明樹脂材料は、例えば、熱硬化性のエポキシ樹脂である。
【０１０３】
次に、ステップＳ１４では、対向基板４１を貼り合わせる。具体的には、充填剤４２が塗布された基材１１に対して対向基板４１を所定の位置に対向配置して、例えば、対向基板４１を基材１１側に押圧する。これにより、素子基板１０と対向基板４１とが貼り合わされる。
【０１０４】
次に、ステップＳ１５では、図７（ａ）に示すように、素子基板１０間の仮想のスクライブラインＳＬに沿って大型基板１１Ｗを切断することにより、個々の有機ＥＬ装置１００を取り出す。切断方法としては、超硬チップやダイヤモンドチップを使ったスジ入れスクライブ法やダイヤモンドブレードを使ったダイシング法が挙げられる。
【０１０５】
このように製造することにより、図７（ｂ）に示すように、充填剤４２が隣りの有機ＥＬ装置１００側にはみ出すことを抑えることができる。
【０１０６】
＜電子機器＞
次に、本実施形態の電子機器について、図８を参照して説明する。図８は、電子機器としてのヘッドマウントディスプレイ（ＨＭＤ）の構成を示す概略図である。
【０１０７】
図８に示すように、ヘッドマウントディスプレイ１０００は、上記有機ＥＬ装置１００を備えたものであり、眼鏡のような形状を有する本体部１１５と、使用者の手で持つことが可能な程度の大きさを有する制御部２００と、を備える。
【０１０８】
本体部１１５と制御部２００とは、有線または無線で、通信可能に接続される。本実施形態では、本体部１１５と制御部２００とがケーブル３００で通信可能に接続されている。そして、本体部１１５と制御部２００とは、このケーブル３００を介して、画像信号や制御信号を通信する。
【０１０９】
本体部１１５は、右目用表示部１１５Ａと、左目用表示部１１５Ｂとを備えている。右目用表示部１１５Ａは、右目用画像の画像光を形成する画像形成部１２０Ａを備える。左目用表示部１１５Ｂは、左目用画像の画像光を形成する画像形成部１２０Ｂを備える。
【０１１０】
画像形成部１２０Ａは、眼鏡型の本体部１１５において眼鏡のつる部分（右側）に収容されている。一方、画像形成部１２０Ｂは、眼鏡型の本体部１１５において眼鏡のつる部分（左側）に収容されている。
【０１１１】
本体部１１５には、光透過性を有する視認部１３１Ａが設けられている。視認部１３１Ａは、右目用画像の画像光を使用者の右目に向けて射出する。また、ヘッドマウントディスプレイ１０００においては、視認部１３１Ａが光透過性を有し、視認部１３１Ａを介して周囲を視認可能となっている。
【０１１２】
また、本体部１１５には、光透過性を有する視認部１３１Ｂが設けられている。視認部１３１Ｂは、左目用画像の画像光を使用者の左目に向けて射出する。また、ヘッドマウントディスプレイ１０００においては、視認部１３１Ｂが光透過性を有し、視認部１３１Ｂを介して周囲を視認可能となっている。
【０１１３】
制御部２００は、操作部２１０と、操作ボタン部２２０、を備える。使用者は、制御部２００の操作部２１０や操作ボタン部２２０に対して操作入力を行い、本体部１１５に対する指示を行う。
【０１１４】
なお、上記有機ＥＬ装置１００が搭載される電子機器としては、ヘッドマウントディスプレイ１０００の他、例えば、ヘッドアップディスプレイ（ＨＵＤ）、プロジェクター、スマートフォン、ＥＶＦ（Electrical View Finder）、携帯電話、モバイルコンピューター、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、車載機器、照明機器など各種電子機器に用いることができる。
【０１１５】
以上詳述したように、第１実施形態の有機ＥＬ装置１００、及び電子機器によれば、以下に示す効果が得られる。
【０１１６】
（１）第１実施形態の有機ＥＬ装置１００によれば、平面視で第２封止層３４ｂを充填剤４２や対向基板４１によって覆うので、封止層３４（第２封止層３４ｂ）を外的な衝撃から保護することが可能となり、第２封止層３４ｂが破壊されることを抑えることができる。よって、水分などが封止層３４を介して有機ＥＬ素子３０に侵入することを抑えることができる。また、素子基板１０を構成する基材１１の端部１１ａより対向基板４１の端部４１ａが内側になるように（小さくなるように）配置されているので、充填剤４２が対向基板４１の端部４１ａ側にはみ出す量を抑えることが可能となり、非表示領域が過剰に大きくなることを抑えることができる。よって、大型基板（マザー基板）１１Ｗで形成した場合のように、充填剤４２が隣りの有機ＥＬ装置１００側にはみ出すことを抑えることができる。
【０１１７】
（２）第１実施形態の有機ＥＬ装置１００によれば、第２封止層３４ｂを覆う充填剤４２において、第２封止層３４ｂの端部３４ｂ１から充填剤４２の端部４２ａまでの厚みより、第２封止層３４ｂから対向基板４１までの厚みの方が薄いので、光学的なロスを少なくすることができる。
【０１１８】
（３）第１実施形態の有機ＥＬ装置１００によれば、表示領域の縁から第２封止層３４ｂの端部３４ｂ１までの距離と比較して、第２封止層３４ｂの端部３４ｂ１から対向基板４１の端部４１ａまでの距離の方が短いので、第２封止層３４ｂの端部３４ｂ１を過剰に充填剤４２で覆うことを抑えることができる。よって、隣りの有機ＥＬ装置１００の領域に充填剤４２がはみ出すことを防ぐことができる。
【０１１９】
（４）第１実施形態の電子機器によれば、上記有機ＥＬ装置１００を備えているので、信頼性の高い電子機器を提供することができる。
【０１２０】
（第２実施形態）
＜有機ＥＬ装置＞
次に、第２実施形態の有機ＥＬ装置について、図９を参照して説明する。図９は第２実施形態の有機ＥＬ装置の構造を示す概略断面図である。
【０１２１】
第２実施形態の有機ＥＬ装置１１１は、上述の第１実施形態の有機ＥＬ装置１００と比べて、対向基板１４１の形状が異なり、その他の部分については概ね同様である。このため第２実施形態では、第１実施形態と異なる部分について詳細に説明し、その他の重複する部分については適宜説明を省略する。
【０１２２】
図９に示すように、第２実施形態の有機ＥＬ装置１１１は、対向基板１４１における充填剤４２側の外周縁にテーパ１４１ａが形成されている。具体的には、テーパ１４１ａが形成されている領域は、平面視で封止層３４を構成する第２封止層３４ｂと重ならない位置（平面視で第２封止層３４ｂより外側）に形成されていることが好ましい。
【０１２３】
このようにテーパ１４１ａを形成することにより、充填剤４２の端部４２ａを、対向基板４１の端部４１ａと第２封止層３４ｂの端部３４ｂ１との間に留めておくことが可能となる。言い換えれば、充填剤４２の塗布状態を制御しやすい。よって、充填剤４２が過剰に広がらないようにすることができ、隣りの有機ＥＬ装置１１１の領域にはみ出さないようにすることができる。
【０１２４】
また、テーパ１４１ａを設けることにより、対向基板１４１の外周縁が角の場合（テーパの前の状態）のように角が欠けて異物が発生することを抑えることができる。また、テーパ１４１ａを第２封止層３４ｂと平面視で重ならない位置に形成するので、テーパ１４１ａのエッジによって第２封止層３４ｂにダメージを与えることを抑えることができる。
【０１２５】
また、対向基板４１の平面的な大きさを第１実施形態と比較して大きく形成した場合でも、テーパ１４１ａが形成されているので、充填剤４２が対向基板４１の端部４１ａより外側にはみ出すことを抑えることができる。
【０１２６】
充填剤４２の厚みは、第１実施形態と同様に、例えば、１０μｍである。好ましい範囲としては、２μｍ〜３０μｍ程度である。表示領域から第２封止層３４ｂの端部３４ｂ１までの距離は、例えば、０．５ｍｍ〜１．０ｍｍである。また、第２封止層３４ｂの端部３４ｂ１から対向基板４１の端部４１ａまでの距離は、例えば、０．３ｍｍ〜０．８ｍｍ程度である。
【０１２７】
以上詳述したように、第２実施形態の有機ＥＬ装置１１１によれば、以下に示す効果が得られる。
【０１２８】
（５）第２実施形態の有機ＥＬ装置１１１によれば、充填剤４２側の対向基板４１の外縁にテーパ１４１ａが形成されているので、対向基板４１と充填剤４２との接触する部分を対向基板４１の端部４１ａより内側にすることができる。よって、充填剤４２が対向基板４１の端部４１ａから外側にはみ出す量を抑えることが可能となり、大型基板（マザー基板）１１Ｗで形成した場合のように、充填剤４２が隣りの有機ＥＬ装置１１１の領域にはみ出すことを抑えることができる。また、充填剤４２の位置をテーパ１４１ａによって制御することができる。
【０１２９】
（６）第２実施形態の有機ＥＬ装置１１１によれば、第２封止層３４ｂと重ならない領域にテーパ１４１ａが形成されているので、第２封止層３４ｂを充填剤４２で覆うことができると共に、充填剤４２の端部４２ａを、第２封止層３４ｂの端部３４ｂ１と対向基板４１の端部４１ａとの間になるように留めておくことができる。よって、充填剤４２が第２封止層３４ｂの端部３４ｂ１から外側に過剰に広がらないようにすることが可能となり、隣りの有機ＥＬ装置１１１の領域にはみ出すことを防ぐことができる。
【０１３０】
（７）第２実施形態の有機ＥＬ装置１１１によれば、テーパ１４１ａを設けることにより、対向基板１４１の外周縁が角の場合（テーパの前の状態）のように角が欠けて異物が発生することを抑えることができる。加えて、テーパ１４１ａを第２封止層３４ｂと平面視で重ならない位置に形成するので、テーパ１４１ａのエッジによって第２封止層３４ｂにダメージを与えることを抑えることができる。
【０１３１】
（第３実施形態）
＜有機ＥＬ装置＞
次に、第３実施形態の有機ＥＬ装置について、図１０を参照して説明する。図１０は第３実施形態の有機ＥＬ装置の構造を示す概略断面図である。
【０１３２】
第３実施形態の有機ＥＬ装置１１２は、上述の第１実施形態の有機ＥＬ装置１００と比べて、平面視で、基材１１の端部１１ａと充填剤４２の端部４２ａとの間に突起部３６ａを有する部分が異なり、その他の部分については概ね同様である。このため第３実施形態では、第１実施形態と異なる部分について詳細に説明し、その他の重複する部分については適宜説明を省略する。
【０１３３】
図１０に示すように、第３実施形態の有機ＥＬ装置１１２は、上記したように、平面視で第２封止層３４ｂを覆うように対向基板４１が配置されている。更に、第３封止層３４ｃ上における外縁部に、第３実施形態の特徴部分である突起部３６ａが形成されている。
【０１３４】
突起部３６ａは、例えば、カラーフィルター３６のいずれかの材料と同じ材料で形成されている。同じ材料で形成することにより、カラーフィルター３６を製造する工程と同時に突起部３６ａを形成することができる。よって、新たに製造工程を追加することなく突起部３６ａを製造することができる。
【０１３５】
このように、突起部３６ａを形成することにより、カラーフィルター３６の上に充填剤４２を塗布した際、及び対向基板４１を貼り合せた際、充填剤４２が隣りの有機ＥＬ装置１１２の領域にはみ出ることを抑えることができる。この結果、封止層３４を覆うように形成された充填剤４２を、平面視で、基材１１の端部１１ａと封止層３４を構成する第２封止層３４ｂの端部３４ｂ１との間に留めることが可能となる。
【０１３６】
以上詳述したように、第３実施形態の有機ＥＬ装置１１２によれば、以下に示す効果が得られる。
【０１３７】
（８）第３実施形態の有機ＥＬ装置１１２によれば、第３封止層３４ｃの上、かつ、平面視で第２封止層３４ｂの端部３４ｂ１より外側に、突起部３６ａを設けることにより、第２封止層３４ｂの端部３４ｂ１を充填剤４２で覆った際に、過剰な充填剤４２が隣りの領域にはみ出る（流れる）ことを抑えることができる。言い換えれば、充填剤４２をせき止めることができる。よって、小型化された有機ＥＬ装置１１２を提供することができる。
【０１３８】
なお、本発明の態様は、上記した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、本発明の態様の技術範囲に含まれるものである。また、以下のような形態で実施することもできる。
【０１３９】
（変形例１）
上記した第３実施形態のように、突起部３６ａの材料は、カラーフィルター３６と同じ材料で形成することに限定されず、以下の材料を用いるようにしてもよい。図１１は、変形例の有機ＥＬ装置１１３の構造を示す概略断面図である。なお、図１１に示す有機ＥＬ装置１１３は、画素領域の断面構造を示している。
【０１４０】
図１１に示すように、変形例の有機ＥＬ装置１１３は、カラーフィルター３６を構成する各着色層３６Ｒ，３６Ｇ，３６Ｂの間に、隔壁層としての絶縁層３５が形成されている。具体的には、ストライプ状に絶縁層３５が形成されている。絶縁層３５の断面形状は、例えば、封止層３４に接する底面が頭頂部よりも大きい台形状である。
【０１４１】
絶縁層３５は、色材を含まない感光性樹脂材料からなる。つまり、絶縁層３５の形成方法は、色材を含まない感光性樹脂材料をスピンコート法などを用いて基材１１の全面に亘って塗布して感光性樹脂層を形成し、この感光性樹脂層を露光・現像することで絶縁層３５を形成する。
【０１４２】
カラーフィルター３６の形成工程では、絶縁層３５を覆って色材を含む感光性樹脂材料をスピンコート法などを用いて基材１１の全面に亘って塗布して感光性樹脂層を形成し、この感光性樹脂層を露光・現像することで、絶縁層３５間に各着色層３６Ｒ，３６Ｇ，３６Ｂを形成する。したがって、封止層３４上における絶縁層３５の高さは、各着色層３６Ｒ，３６Ｇ，３６Ｂの膜厚よりも小さい（低い）。
【０１４３】
このように、異なる色のサブ画素１８の着色層間に絶縁層３５を形成すれば、異なる色のサブ画素１８の有機ＥＬ素子３０からの発光が本来透過すべき着色層と異なる色の着色層を透過する割合が減少するので、視角特性における赤色光と緑色光、緑色光と青色光、青色光と赤色光の混色や色バランスの変化を低減することができる。
【０１４４】
このように、絶縁層３５を形成する形態の場合、突起部に絶縁層３５の材料を用いることができる。また、絶縁層３５の製造工程と同じ工程で突起部を製造することができるので、製造工程を新たに追加することなく、突起部を製造することができる。
【０１４５】
また、図１１に示すように、カラーフィルター３６を覆うようにオーバーコート層３７が形成されている。オーバーコート層３７は、封止層３４上に形成された着色層３６Ｒ，３６Ｇ，３６Ｂの表面の凹凸を緩和すると共に、カラーフィルター３６を保護する目的で形成される。オーバーコート層３７は、例えばアクリル系やポリイミド系の感光性樹脂材料を用いて、カラーフィルター３６を覆うように形成される。オーバーコート層３７の厚みはおよそ０．５μｍ〜１μｍである。
【０１４６】
このように、オーバーコート層３７を形成する形態の場合、突起部にオーバーコート層３７の材料を用いることができる。また、オーバーコート層３７の製造工程と同じ工程で突起部を製造することができるので、製造工程を新たに追加することなく、突起部を製造することができる。
【０１４７】
以上のように、突起部は、カラーフィルター３６の材料で形成することに限定されず、絶縁層３５と同じ材料でもよいし、オーバーコート層３７と同じ材料で形成するようにしてもよい。
【０１４８】
（変形例２）
上記したように、第２封止層３４ｂの端部３４ｂ１は、対向基板４１の端部４１ａより内側に配置されることに限定されず、図１２に示すようにしてもよい。図１２は、変形例の有機ＥＬ装置１１４の構造を示す概略断面図である。
【０１４９】
図１２に示すように、変形例２の有機ＥＬ装置１１４は、平面視で、第２封止層３４ｂの端部３４ｂ１に対して、対向基板４１の端部４１ａの方が内側になるように構成されている。つまり、平面的な対向基板４１の大きさを、第２封止層３４ｂの大きさより小さくしている。
【０１５０】
これによれば、対向基板４１が上記の実施形態と比較して小さいので、素子基板１０との位置合わせ精度を確保するためのマージンを減らせることができる。また、充填剤４２が隣りの有機ＥＬ装置１１４の側にはみ出すことを抑えることができる。一方、第２封止層３４ｂは対向基板４１により保護されない部分があるものの、充填剤４２によって保護することができる。
【０１５１】
（変形例３）
上記した第１実施形態のように、有機ＥＬ装置１００にカラーフィルター３６を配置したが、このような構成に限定されず、カラーフィルター３６がない形態であってもよい。
【符号の説明】
【０１５２】
１０…第１基板としての素子基板、１１…基材、１１Ｗ…大型基板、１１ａ…端部、１１ｔ…端子部、１２…走査線、１３…データ線、１４…電源線、１５…データ線駆動回路、１６…走査線駆動回路、１７…検査回路、１８…サブ画素、１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒ…サブ画素、１９…画素、２０…画素回路、２０ａ…画素回路層、２１…スイッチング用トランジスター、２２…蓄積容量、２３…駆動用トランジスター、２３ａ…半導体層、２３ｄ…ドレイン領域、２３ｇ…ゲート電極、２３ｓ…ソース領域、２４…第１層間絶縁膜、２５…反射層、２６…第２層間絶縁膜、２７ａ…第１絶縁膜、２７ｂ…第２絶縁膜、２８…隔壁、２８ａ…開口部、２９…配線層、３０…有機ＥＬ素子、３０ａ…有機ＥＬ素子層、３１…画素電極、３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒ…画素電極、３２…機能層、３３…対向電極、３４…封止層、３４ａ…第１封止層、３４ｂ…第２封止層、３４ｃ…第３封止層、３５…絶縁層、３６…カラーフィルター、３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒ…着色層、３６ａ…突起部、３７…オーバーコート層、４１…第２基板としての対向基板、４１ａ…端部、４２…充填剤、４２ａ…端部、１００，１１１，１１２，１１３…有機ＥＬ装置、１０１…接続用端子、１０２…入力端子、１０５…ＦＰＣ、１１０…駆動用ＩＣ、１１５…本体部、１１５Ａ…右目用表示部、１１５Ｂ…左目用表示部、１２０Ａ，１２０Ｂ…画像形成部、１３１Ａ，１３１Ｂ…視認部、１４１…対向基板、１４１ａ…テーパ、２００…制御部、２１０…操作部、２２０…操作ボタン部、３００…ケーブル、１０００…ヘッドマウントディスプレイ。
【図１】
2016143606.tif 000003
【図２】
2016143606.tif 000004
【図３】
2016143606.tif 000005
【図４】
2016143606.tif 000006
【図５】
2016143606.tif 000007
【図６】
2016143606.tif 000008
【図７】
2016143606.tif 000009
【図８】
2016143606.tif 000010
【図９】
2016143606.tif 000011
【図１０】
2016143606.tif 000012
【図１１】
2016143606.tif 000013
【図１２】
2016143606.tif 000014