(57)【要約】      （修正有）【課題】１つの入力信号の変化を用いて、２系統の出力信号を切り換える信号生成回路を提供する。【解決手段】電源端子３００は第１スイッチング素子Ｓ１と第２スイッチング素子Ｓ２と第３スイッチング素子Ｓ３の第１端子に接続され、第２スイッチング素子と第３スイッチング素子の第２端子は第１接続点ａ１において接続される。第１接続点はグランドと第１入力端子１０１に接続され、第３スイッチング素子の導通制御端子は電源端子と第１スイッチング素子の第１端子に接続され、第１スイッチング素子の第２端子は第１接続点に接続され、第２入力端子１０２は第１スイッチング素子と第２スイッチング素子の導通制御端子に接続され、第１出力端子２０１は第２接続点ａ２に接続され、第２出力端子２０２は第３接続点ａ３に接続され、第１高周波遮断素子Ｌ１は電源端子と第２接続点に接続され、第２高周波遮断素子Ｌ２は電源端子と第３接続点に接続される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１入力信号が入力される第１入力端子と、第２入力信号が入力される第２入力端子と、
電源端子と、
第１スイッチング素子と、第２スイッチング素子と、第３スイッチング素子と、
第１高周波遮断素子と、第２高周波遮断素子と、
第１出力信号が出力される第１出力端子と、第２出力信号が出力される第２出力端子と、
を備え、
前記電源端子は、前記第１スイッチング素子の第１端子と前記第２スイッチング素子の第１端子と前記第３スイッチング素子の第１端子とに、接続され、
前記第２スイッチング素子の第２端子と前記第３スイッチング素子の第２端子とは、第１接続点において、接続され、
前記第１接続点は、グランドに接続され、
前記第３スイッチング素子の導通制御端子は、前記電源端子と前記第１スイッチング素子の第１端子とをつなぐ経路に、接続され、
前記第１スイッチング素子の第２端子は、前記第１接続点に、接続され、
前記第１入力端子は、前記第１接続点に、接続され、
前記第２入力端子は、前記第１スイッチング素子の導通制御端子と前記第２スイッチング素子の導通制御端子とに、接続され、
前記第１出力端子は、前記電源端子と前記第２スイッチング素子の第１端子とをつなぐ経路上の第２接続点に、接続され、
前記第２出力端子は、前記電源端子と前記第３スイッチング素子の第１端子とをつなぐ経路上の第３接続点に、接続され、
前記第１高周波遮断素子は、前記電源端子と前記第２接続点とをつなぐ経路に、設けられ、
前記第２高周波遮断素子は、前記電源端子と前記第３接続点とをつなぐ経路に、設けられる、
信号生成回路。
【請求項２】
前記第１入力信号は、高周波信号であり、
前記第２入力信号は、第１電圧値を有する第１信号と、第２電圧値を有する第２信号と、を含み、
前記第１電圧値は、前記第２電圧値よりも、大きい、
請求項１に記載の信号生成回路。
【請求項３】
前記第１スイッチング素子と前記第２スイッチング素子と前記第３スイッチング素子とは、ノーマリオン型トランジスタである、
請求項１または２に記載の信号生成回路。
【請求項４】
第１抵抗素子を備え、
前記第１抵抗素子は、前記第１スイッチング素子の第２端子と前記第１接続点とをつなぐ経路に、設けられる、
請求項１〜３のいずれかに記載の信号生成回路。
【請求項５】
第２抵抗素子を備え、
前記第２抵抗素子は、前記電源端子と前記第１スイッチング素子の第１端子とをつなぐ経路に、設けられ、
前記第１抵抗素子の抵抗値は、前記第２抵抗素子の抵抗値よりも、大きい、
請求項４に記載の信号生成回路。
【請求項６】
第３抵抗素子を備え、
前記第３抵抗素子は、前記第１接続点と前記グランドとをつなぐ経路に、設けられる、
請求項１〜５のいずれかに記載の信号生成回路。
【請求項７】
第４スイッチング素子を備え、
前記第４スイッチング素子の第１端は、前記第１接続点に、接続され、
前記第４スイッチング素子の第２端は、前記グランドに、接続され、
前記第４スイッチング素子の導通制御端子は、前記第１入力端子に、接続される、
請求項１〜６のいずれかに記載の信号生成回路。
【請求項８】
第１コンデンサと、第２コンデンサと、を備え、
前記第１高周波遮断素子は、第１インダクタであり、
前記第２高周波遮断素子は、第２インダクタであり、
前記第１コンデンサは、前記第１インダクタと、並列に、接続され、
前記第２コンデンサは、前記第２インダクタと、並列に、接続される、
請求項１〜７のいずれかに記載の信号生成回路。
【請求項９】
第３インダクタを備え、
前記第３インダクタは、前記第１スイッチング素子の第２端子と前記第１接続点とをつなぐ経路に、設けられる、
請求項１〜８のいずれかに記載の信号生成回路。
【請求項１０】
第３コンデンサを備え、
前記第３コンデンサは、前記第３インダクタと、並列に、接続される、
請求項９に記載の信号生成回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、所定の出力信号を生成する信号生成回路に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、制御信号で発振信号を変調することで変調信号を生成する変調部を備える回路が、開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】国際公開第２０１３／０６５２５４号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従来技術においては、１つの入力信号の変化を用いて、２系統の出力信号を切り換えることが望まれる。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本開示の一様態における信号生成回路は、第１入力信号が入力される第１入力端子と、第２入力信号が入力される第２入力端子と、電源端子と、第１スイッチング素子と、第２スイッチング素子と、第３スイッチング素子と、第１高周波遮断素子と、第２高周波遮断素子と、第１出力信号が出力される第１出力端子と、第２出力信号が出力される第２出力端子と、を備え、前記電源端子は、前記第１スイッチング素子の第１端子と前記第２スイッチング素子の第１端子と前記第３スイッチング素子の第１端子とに、接続され、前記第２スイッチング素子の第２端子と前記第３スイッチング素子の第２端子とは、第１接続点において、接続され、前記第１接続点は、グランドに接続され、前記第３スイッチング素子の導通制御端子は、前記電源端子と前記第１スイッチング素子の第１端子とをつなぐ経路に、接続され、前記第１スイッチング素子の第２端子は、前記第１接続点に、接続され、前記第１入力端子は、前記第１接続点に、接続され、前記第２入力端子は、前記第１スイッチング素子の導通制御端子と前記第２スイッチング素子の導通制御端子とに、接続され、前記第１出力端子は、前記電源端子と前記第２スイッチング素子の第１端子とをつなぐ経路上の第２接続点に、接続され、前記第２出力端子は、前記電源端子と前記第３スイッチング素子の第１端子とをつなぐ経路上の第３接続点に、接続され、前記第１高周波遮断素子は、前記電源端子と前記第２接続点とをつなぐ経路に、設けられ、前記第２高周波遮断素子は、前記電源端子と前記第３接続点とをつなぐ経路に、設けられる。
【発明の効果】
【０００６】
本開示によれば、１つの入力信号の変化を用いて、２系統の出力信号を切り換えることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】図１は、実施の形態１における信号生成回路１０００の概略構成を示す回路図である。
【図２】図２は、第１入力信号および第２入力信号および第１出力信号および第２出力信号の一例を示す図である。
【図３】図３は、実施の形態２における信号生成回路２０００の概略構成を示す回路図である。
【図４】図４は、図２の期間Ｔ１における動作例を示す図である。
【図５】図５は、図２の期間Ｔ２における動作例を示す図である。
【図６】図６は、実施の形態２における信号生成回路２０００の出力強度の測定結果を示す図である。
【図７】図７は、実施の形態３における信号生成回路３０００の概略構成を示す回路図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、本開示の実施の形態が、図面を参照しながら、説明される。
【０００９】
なお、以下で説明する実施の形態は、いずれも包括的または具体的な例を示すものである。以下の実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置位置及び接続形態、ステップ、ステップの順序などは、一例であり、本開示を限定する主旨ではない。また、以下の実施の形態における構成要素のうち、最上位概念を示す独立請求項に記載されていない構成要素については、任意の構成要素として説明される。
【００１０】
（実施の形態１）
図１は、実施の形態１における信号生成回路１０００の概略構成を示す回路図である。
【００１１】
実施の形態１における信号生成回路１０００は、第１入力端子１０１と、第２入力端子１０２と、電源端子３００と、第１スイッチング素子Ｓ１と、第２スイッチング素子Ｓ２と、第３スイッチング素子Ｓ３と、第１高周波遮断素子Ｌ１と、第２高周波遮断素子Ｌ２と、第１出力端子２０１と、第２出力端子２０２と、を備える。
【００１２】
第１入力端子１０１は、第１入力信号が入力される端子である。
【００１３】
第２入力端子１０２は、第２入力信号が入力される端子である。
【００１４】
第１出力端子２０１は、第１出力信号が出力される端子である。
【００１５】
第２出力端子２０２は、第２出力信号が出力される端子である。
【００１６】
電源端子３００は、第１スイッチング素子Ｓ１の第１端子（例えば、ドレイン端子）と第２スイッチング素子Ｓ２の第１端子（例えば、ドレイン端子）と第３スイッチング素子Ｓ３の第１端子（例えば、ドレイン端子）とに、接続される。
【００１７】
第２スイッチング素子Ｓ２の第２端子（例えば、ソース端子）と第３スイッチング素子Ｓ３の第２端子（例えば、ソース端子）とは、第１接続点ａ１において、接続される。
【００１８】
第１接続点ａ１は、グランド（ＧＮＤ）に接続される。
【００１９】
第３スイッチング素子Ｓ３の導通制御端子（例えば、ゲート端子）は、電源端子３００と第１スイッチング素子Ｓ１の第１端子とをつなぐ経路に、接続される。
【００２０】
第１スイッチング素子Ｓ１の第２端子（例えば、ソース端子）は、第１接続点ａ１に、接続される。
【００２１】
第１入力端子１０１は、第１接続点ａ１に、接続される。
【００２２】
第２入力端子１０２は、第１スイッチング素子Ｓ１の導通制御端子（例えば、ゲート端子）と第２スイッチング素子Ｓ２の導通制御端子（例えば、ゲート端子）とに、接続される。
【００２３】
第１出力端子２０１は、電源端子３００と第２スイッチング素子Ｓ２の第１端子とをつなぐ経路上の第２接続点ａ２に、接続される。
【００２４】
第２出力端子２０２は、電源端子３００と第３スイッチング素子Ｓ３の第１端子とをつなぐ経路上の第３接続点ａ３に、接続される。
【００２５】
第１高周波遮断素子Ｌ１は、電源端子３００と第２接続点ａ２とをつなぐ経路に、設けられる。
【００２６】
第２高周波遮断素子Ｌ２は、電源端子３００と第３接続点ａ３とをつなぐ経路に、設けられる。
【００２７】
以上の構成によれば、１つの入力信号（第２入力信号）の変化を用いて、２系統の出力信号（第１出力信号および第２出力信号）を生成することができる。例えば、高周波信号を第１入力信号として用いれば、第２入力信号の変化に応じた、２系統の出力高周波信号を生成できる。例えば、第２出力信号として、第１出力信号と反転の関係となる信号を、生成することができる。
【００２８】
また、以上の構成によれば、スイッチング素子として、ノーマリオフ型のトランジスタを利用せずに、ノーマリオン型のトランジスタ（ディプレッション型トランジスタ）のみを用いて、信号生成回路（例えば、信号反転の機能を有する混合回路）を実現することができる。これにより、例えば、Ｎ型かつノーマリオン型の窒化物半導体の電界効果型トランジスタを用いて、当該信号生成回路を構成することができる。したがって、高周波電力を利用する電力伝送装置と当該信号生成回路とを、容易に集積化することができる。また、例えば、シリコン半導体を利用した場合と比較して、より高出力の高周波を出力する電力伝送装置などを、実現することができる。また、信号生成のための消費電力を低減することができる。
【００２９】
電源端子３００は、例えば、電圧源に接続される。電源端子３００には、例えば、所定の電圧値の直流電圧が入力される。
【００３０】
第１高周波遮断素子Ｌ１は、第２スイッチング素子Ｓ２に、電源端子３００からの電源電圧を供給しながら、一方で、高周波を遮断する、バイアス回路部である。
【００３１】
第２高周波遮断素子Ｌ２は、第３スイッチング素子Ｓ３に、電源端子３００からの電源電圧を供給しながら、一方で、高周波を遮断する、バイアス回路部である。
【００３２】
第１高周波遮断素子Ｌ１または第２高周波遮断素子Ｌ２は、例えば、インダクタにより、構成されてもよい。もしくは、第１高周波遮断素子Ｌ１または第２高周波遮断素子Ｌ２は、その他のバイアス回路（例えば、高周波を遮断する配線）であってもよい。
【００３３】
実施の形態１における信号生成回路１０００は、第２スイッチング素子Ｓ２と第３スイッチング素子Ｓ３とのうちのいずれが動作するかにより、出力信号を切り換えることができる。
【００３４】
図２は、第１入力信号および第２入力信号および第１出力信号および第２出力信号の一例を示す図である。
【００３５】
図２に示されるように、実施の形態１においては、第１入力信号は、高周波信号であってもよい。
【００３６】
また、図２に示されるように、実施の形態１においては、第２入力信号は、第１信号と第２信号とを含む信号であってもよい。
【００３７】
第１信号は、第１電圧値を有する信号である（例えば、図２における期間Ｔ１または期間Ｔ３）。
【００３８】
第２信号は、第２電圧値を有する信号である（例えば、図２における期間Ｔ２または期間Ｔ４）。
【００３９】
このとき、第１電圧値は、第２電圧値よりも、大きい。
【００４０】
以上の構成によれば、１つの入力信号（第２入力信号）の変化を用いて、例えば、２系統の出力高周波信号を生成できる。例えば、図２に示されるように、第２出力信号として、第１出力信号と反転の関係となる高周波信号を、生成することができる。
【００４１】
第１入力信号として入力される高周波は、例えば、第２入力信号よりも、高い周波数であってもよい。第１入力信号として入力される高周波は、１００ＭＨｚ程度以上の周波数であってもよい。第１入力信号として入力される高周波は、一定の周波数、かつ、一定の振幅の信号であってもよい。もしくは、第１入力信号として入力される高周波は、周波数または振幅が変調された信号であってもよい。第１入力信号は、高周波発振部により、生成および出力されてもよい。高周波発振部は、具体的には、コルピッツ発振器、もしくは、ハートレー発振器、または、マイクロ波を発生させるその他の発振器であってもよい。実施の形態１における信号生成回路１０００は、当該高周波発振部を備えていてもよい。
【００４２】
第２入力信号は、２値のパルス波形の信号であってもよい。もしくは、第２入力信号は、その他の波形（例えば、正弦波など）であってもよい。もしくは、第２入力信号は、２値以外の値を有する信号であってもよい。もしくは、第２入力信号は、位相変調された信号であってもよい。第２入力信号は、制御部により、生成および出力されてもよい。制御部は、例えば、プロセッサ（例えば、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｕｎｉｔ）、ＭＰＵ（Ｍｉｃｒｏ−Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｕｎｉｔ）、など）により、構成されてもよい。制御部は、さらに、メモリを備えていてもよい。制御部は、プロセッサによりメモリに記憶されているプログラムを読み出して実行することで、第２入力信号を生成および出力してもよい。実施の形態１における信号生成回路１０００は、当該制御部を備えていてもよい。
【００４３】
実施の形態１における信号生成回路１０００においては、第１スイッチング素子Ｓ１と第２スイッチング素子Ｓ２と第３スイッチング素子Ｓ３とは、トランジスタであってもよい。
【００４４】
例えば、第１スイッチング素子Ｓ１と第２スイッチング素子Ｓ２と第３スイッチング素子Ｓ３とは、ノーマリオン型トランジスタであってもよい。
【００４５】
以上の構成によれば、負の電圧の電源を用いずに、正の電源電圧のみを用いて、実施の形態１の信号生成回路１０００を実現することができる。これにより、実施の形態１の信号生成回路１０００を、例えば、集積回路に容易に組み込むことができる。
【００４６】
例えば、第１スイッチング素子と第２スイッチング素子と第３スイッチング素子とは、窒化物半導体のノーマリオン型かつＮ型の電界効果型トランジスタであってもよい。
【００４７】
これによれば、高周波特性に優れる。また、高出力を実現できる。
【００４８】
なお、実施の形態１における信号生成回路１０００においては、４つ以上のスイッチング素子（トランジスタ）が使用されてもよい。
【００４９】
また、実施の形態１における信号生成回路１０００においては、３つ以上の出力端子を備えていてもよい。
【００５０】
また、実施の形態１における信号生成回路１０００においては、第２入力端子１０２と第２スイッチング素子Ｓ２の導通制御端子との間に、抵抗素子が挿入されていてもよい。
【００５１】
また、実施の形態１における信号生成回路１０００においては、第２入力端子１０２と第３スイッチング素子Ｓ３の導通制御端子との間に、抵抗素子が挿入されていてもよい。
【００５２】
実施の形態１における信号生成回路１０００を用いれば、例えば、高周波の搬送波に信号を重畳させる（または、振幅変調させる）高周波混合器を構成することができる。
【００５３】
実施の形態１における信号生成回路１０００は、他の混合回路（例えば、ギルバートセルミキサなど）にも応用できる。
【００５４】
実施の形態１における信号生成回路１０００は、混合回路とは異なる回路（例えば、出力の切り替えまたは強度の切り替えのための増幅回路など）にも応用できる。
【００５５】
（実施の形態２）
以下、実施の形態１の具体的な構成例として、実施の形態２が説明される。上述の実施の形態１と重複する説明は、適宜、省略される。
【００５６】
図３は、実施の形態２における信号生成回路２０００の概略構成を示す回路図である。
【００５７】
実施の形態２における信号生成回路２０００は、上述の実施の形態１における信号生成回路１０００の構成を備える。これに加えて、実施の形態２における信号生成回路２０００は、さらに、下記の構成を備える。
【００５８】
すなわち、実施の形態２における信号生成回路２０００は、第１抵抗素子Ｒ１を備える。
【００５９】
このとき、第１抵抗素子Ｒ１は、第１スイッチング素子Ｓ１の第２端子と第１接続点ａ１とをつなぐ経路に、設けられる。
【００６０】
以上の構成によれば、第１抵抗素子Ｒ１の抵抗値を調整することで、第３スイッチング素子Ｓ３の導通制御端子に印加される電圧の大きさを、精度良く、調整することができる。
【００６１】
また、実施の形態２における信号生成回路２０００は、第２抵抗素子Ｒ２を備える。
【００６２】
このとき、第２抵抗素子Ｒ２は、電源端子３００と第１スイッチング素子Ｓ１の第１端子とをつなぐ経路に、設けられる。
【００６３】
以上の構成によれば、第２抵抗素子Ｒ２の抵抗値を調整することで、第３スイッチング素子Ｓ３の導通制御端子に印加される電圧の大きさを、精度良く、調整することができる。
【００６４】
このとき、第１抵抗素子Ｒ１の抵抗値は、第２抵抗素子Ｒ２の抵抗値よりも、大きくてもよい。
【００６５】
以上の構成によれば、第１スイッチング素子Ｓ１の導通制御端子に印加される電圧の変化に応じた、第３スイッチング素子Ｓ３の導通制御端子に印加される電圧の変化を、より大きくすることができる。
【００６６】
また、実施の形態２における信号生成回路２０００は、第３抵抗素子Ｒ３を備える。
【００６７】
このとき、第３抵抗素子Ｒ３は、第１接続点ａ１とグランドとをつなぐ経路に、設けられる。
【００６８】
以上の構成によれば、第３抵抗素子Ｒ３の抵抗値を調整することで、第１接続点ａ１における電圧（すなわち、第２スイッチング素子Ｓ２および第３スイッチング素子Ｓ３にとっての基準電圧）の大きさを、精度良く、調整することができる。
【００６９】
また、実施の形態２における信号生成回路２０００は、第４スイッチング素子Ｓ４を備える。
【００７０】
このとき、第４スイッチング素子Ｓ４の第１端（例えば、ドレイン端子）は、第１接続点ａ１に、接続される。
【００７１】
第４スイッチング素子Ｓ４の第２端（例えば、ソース端子）は、グランドに、接続される。
【００７２】
第４スイッチング素子Ｓ４の導通制御端子（例えば、ゲート端子）は、第１入力端子１０１に、接続される。
【００７３】
以上の構成によれば、第１入力端子１０１に入力される高周波信号を、増幅することができる。
【００７４】
なお、第４スイッチング素子Ｓ４は、トランジスタであってもよい。例えば、第４スイッチング素子Ｓ４は、ノーマリオン型トランジスタであってもよい。例えば、第４スイッチング素子Ｓ４は、窒化物半導体のノーマリオン型かつＮ型の電界効果型トランジスタであってもよい。これによれば、高周波特性に優れる。また、高出力を実現できる。
【００７５】
また、実施の形態２における信号生成回路２０００は、第４コンデンサＣ４を備えてもよい。
【００７６】
このとき、第４コンデンサＣ４は、第１入力端子１０１と第４スイッチング素子Ｓ４の導通制御端子との間に、設けられる。
【００７７】
また、実施の形態２における信号生成回路２０００は、第１コンデンサＣ１と、第２コンデンサＣ２と、を備える。
【００７８】
このとき、第１高周波遮断素子Ｌ１は、第１インダクタである。
【００７９】
また、第２高周波遮断素子Ｌ２は、第２インダクタである。
【００８０】
このとき、第１コンデンサＣ１は、第１インダクタと、並列に、接続される。
【００８１】
また、第２コンデンサＣ２は、第２インダクタと、並列に、接続される。
【００８２】
以上の構成によれば、高周波を遮断するための構成を、より小型化できる。
【００８３】
以上の信号生成回路２０００を具体例として、信号生成回路の動作の一例が、以下に、説明される。
【００８４】
以下の動作例においては、電源端子３００に印加される電源電圧は、１２Ｖである。
【００８５】
また、以下の動作例においては、第１スイッチング素子Ｓ１と第２スイッチング素子Ｓ２と第３スイッチング素子Ｓ３と第４スイッチング素子Ｓ４とのそれぞれのゲートの閾値電圧は、いずれも、−２．５Ｖである。
【００８６】
第１抵抗素子Ｒ１の抵抗値は、１．５ｋΩである。
【００８７】
第２抵抗素子Ｒ２の抵抗値は、３００Ωである。
【００８８】
第３抵抗素子Ｒ３の抵抗値は、１００Ωである。
【００８９】
なお、第３抵抗素子Ｒ３としては、例えば、３０Ωから１５０Ωの抵抗値の抵抗素子が、用いられうる。
【００９０】
また、以下の動作例においては、第１入力信号および第２入力信号は、図２に示される信号である。
【００９１】
第１入力信号は、周波数が２．４ＧＨｚの高周波である。
【００９２】
第２入力信号は、第１電圧値として５Ｖを有する第１信号（オン信号）と、第２電圧値として０Ｖを有する第２信号（オフ信号）と、を含む信号である。このとき、第２入力信号は、３００ＭＢＰＳである。
【００９３】
以下に、図２の期間Ｔ１および期間Ｔ２のそれぞれにおける動作例が、説明される。
【００９４】
＜期間Ｔ１＞
図４は、図２の期間Ｔ１における動作例を示す図である。
【００９５】
第２入力端子１０２に、５Ｖの電圧が印加される。
【００９６】
これにより、第２スイッチング素子Ｓ２のゲート電圧は、５Ｖとなる。
【００９７】
第４スイッチング素子Ｓ４のドレイン電圧（基準電圧）は、６．５Ｖとなるようにしている。
【００９８】
このため、第２スイッチング素子Ｓ２のゲート・ソース電圧は、−１．５Ｖとなる。
【００９９】
このため、第２スイッチング素子Ｓ２は、オン状態となる。
【０１００】
言い換えれば、第２スイッチング素子Ｓ２がオン状態となることで、電源端子３００から電流が流れて、第４スイッチング素子Ｓ４のドレイン電圧（基準電圧）が６．５Ｖとなる。
【０１０１】
第２スイッチング素子Ｓ２がオン状態であるので、第１入力端子１０１から入力された高周波が、第２スイッチング素子Ｓ２を介して、第１出力端子２０１から、出力される。
【０１０２】
ここで、第１スイッチング素子Ｓ１のゲートにも、５Ｖの電圧が印加される。
【０１０３】
このため、第１スイッチング素子Ｓ１はオン状態となる。
【０１０４】
これにより、大きな電流が、第１抵抗素子Ｒ１に流れる。
【０１０５】
このため、第１スイッチング素子Ｓ１のドレイン電圧は、大きく下がる。
【０１０６】
このため、第１スイッチング素子Ｓ１のドレイン電圧（すなわち、第３スイッチング素子Ｓ３のゲート電圧）は、２．８Ｖとなる。
【０１０７】
ここで、第３スイッチング素子Ｓ３のゲート・ソース電圧は、−３．７Ｖとなる。
【０１０８】
このため、第３スイッチング素子Ｓ３は、オフ状態となる。
【０１０９】
第３スイッチング素子Ｓ３がオフ状態であるので、第１入力端子１０１から入力された高周波が、第２出力端子２０２から出力されることはない。
【０１１０】
以上のように、第２スイッチング素子Ｓ２と第３スイッチング素子Ｓ３とのうち、ゲート電圧が高い方が、オン状態となる。片方は、基準電圧が発生するため、オフ状態となる。
【０１１１】
＜期間Ｔ２＞
図５は、図２の期間Ｔ２における動作例を示す図である。
【０１１２】
第２入力端子１０２に印加される電圧は、０Ｖである。
【０１１３】
これにより、第２スイッチング素子Ｓ２のゲート電圧は、０Ｖとなる。
【０１１４】
また、第１スイッチング素子Ｓ１のゲート電圧も、０Ｖとなる。
【０１１５】
このため、第１スイッチング素子Ｓ１が流す電流は、上述の期間Ｔ１の場合と比較して、小さくなる。
【０１１６】
このため、第１スイッチング素子Ｓ１のドレイン電圧は、あまり、下がらない。
【０１１７】
これにより、第１スイッチング素子Ｓ１のドレイン電圧は、高い電圧（３．５Ｖ）となる。
【０１１８】
このため、第３スイッチング素子Ｓ３のゲート電圧も、３．５Ｖとなる。
【０１１９】
一方で、第２スイッチング素子Ｓ２のゲート電圧は、０Ｖである。
【０１２０】
このため、第３スイッチング素子Ｓ３は、オン状態となる。
【０１２１】
これにより、第３スイッチング素子Ｓ３を介して、電源端子３００から電流が流れて、第４スイッチング素子Ｓ４のドレイン電圧（基準電圧）が５Ｖとなる。
【０１２２】
このとき、第３スイッチング素子Ｓ３のゲート・ソース電圧は、−１．５Ｖとなる。
【０１２３】
このため、第３スイッチング素子Ｓ３は、オン状態となる。
【０１２４】
第３スイッチング素子Ｓ３がオン状態であるので、第１入力端子１０１から入力された高周波が、第３スイッチング素子Ｓ３を介して、第２出力端子２０２から、出力される。
【０１２５】
一方で、第２スイッチング素子Ｓ２のゲート・ソース電圧は、−５Ｖとなる。
【０１２６】
このため、第２スイッチング素子Ｓ２は、オフ状態となる。
【０１２７】
第２スイッチング素子Ｓ２がオフ状態であるので、第１入力端子１０１から入力された高周波が、第１出力端子２０１から出力されることはない。
【０１２８】
図６は、実施の形態２における信号生成回路２０００の出力強度の測定結果を示す図である。
【０１２９】
第１入力端子１０１から２．４ＧＨｚの高周波を入力し、かつ、第２入力端子１０２に入力する第２入力信号の電圧を変化させた場合の出力強度を測定した。
【０１３０】
まず、図６に示されるように、第２入力信号の電圧が０Ｖである場合、第２出力端子２０２から高周波が出力される。一方で、第１出力端子２０１からは、高周波は出力されない。
【０１３１】
また、図６に示されるように、第２入力信号の電圧が５Ｖである場合、第１出力端子２０１から高周波が出力される。一方で、第２出力端子２０２からは、高周波は出力されない。
【０１３２】
以上のように、本開示の信号生成回路２０００によれば、第２入力信号の電圧の変化だけで、出力端子を切り換えることができる。
【０１３３】
本開示の信号生成回路２０００により、１つの入力信号の変化のみで、高周波出力を切り換える混合回路を実現することができる。
【０１３４】
さらに、本開示の信号生成回路２０００により、Ｎ型トランジスタのみで、反転機能を有する高周波混合回路を形成することができる。
【０１３５】
このため、本開示の信号生成回路２０００であれば、負の電源を不要にできる。すなわち、単一の電源電圧のみで、動作させることができる。
【０１３６】
さらに、本開示の信号生成回路２０００であれば、反転機能のための消費電力は、第１抵抗素子Ｒ１と第２抵抗素子Ｒ２とに流れる電流と、印加される電圧とで、決定される。このため、反転機能のための消費電力を、小さくすることができる。
【０１３７】
（実施の形態３）
以下、実施の形態１の具体的な構成例として、実施の形態３が説明される。上述の実施の形態１または実施の形態２と重複する説明は、適宜、省略される。
【０１３８】
図７は、実施の形態３における信号生成回路３０００の概略構成を示す回路図である。
【０１３９】
実施の形態３における信号生成回路３０００は、上述の実施の形態１における信号生成回路１０００の構成を備える。これに加えて、実施の形態３における信号生成回路３０００は、さらに、下記の構成を備える。
【０１４０】
すなわち、実施の形態３における信号生成回路３０００は、第３インダクタＬ３を備える。
【０１４１】
このとき、第３インダクタＬ３は、第１スイッチング素子Ｓ１の第２端子と第１接続点ａ１とをつなぐ経路に、設けられる。
【０１４２】
以上の構成によれば、第１入力端子１０１から入力された高周波が、第１スイッチング素子Ｓ１に到達することを抑制できる。
【０１４３】
また、実施の形態３における信号生成回路３０００は、第３コンデンサＣ３を備えてもよい。
【０１４４】
このとき、第３コンデンサＣ３は、第３インダクタＬ３と、並列に、接続される。
【０１４５】
以上の構成によれば、高周波を遮断するための構成を、より小型化できる。
【０１４６】
なお、本開示の信号生成回路３０００においては、第３インダクタＬ３に替えて、第１入力信号を遮断するその他の回路が用いられてもよい。
【０１４７】
なお、上述の実施の形態２において示された構成の一部が、適宜、選択的に、実施の形態３における信号生成回路３０００の構成として、用いられてもよい。
なお、上述の実施の形態１〜３においては、「２つの素子間の接続」（例えば、ある素子が別の素子に接続する）とは、直接的な接続だけでなく、電気的な接続、および、それら２つの素子間に他の素子（例えば、実施の形態の機能を損なわない、配線、抵抗素子、など）が介在する接続を、意味してもよい。
【０１４８】
なお、本開示は、これらの実施の形態またはその変形例に限定されるものではない。本開示の趣旨を逸脱しない限り、当業者が思いつく各種変形を本実施の形態またはその変形例に施したもの、あるいは異なる実施の形態またはその変形例における構成要素を組み合わせて構築される形態も、本開示の範囲内に含まれる。
【産業上の利用可能性】
【０１４９】
本開示は、例えば、非接触で電力信号を伝送する伝送装置、または、高周波信号を伝送する伝送装置、など、に利用されうる。
【符号の説明】
【０１５０】
１０１    第１入力端子
１０２    第２入力端子
２０１    第１出力端子
２０２    第２出力端子
３００    電源端子
Ｓ１    第１スイッチング素子
Ｓ２    第２スイッチング素子
Ｓ３    第３スイッチング素子
Ｓ４    第４スイッチング素子
Ｌ１    第１高周波遮断素子
Ｌ２    第２高周波遮断素子
Ｌ３    第３インダクタ
Ｒ１    第１抵抗素子
Ｒ２    第２抵抗素子
Ｒ３    第３抵抗素子
Ｃ１    第１コンデンサ
Ｃ２    第２コンデンサ
Ｃ３    第３コンデンサ
Ｃ４    第４コンデンサ
１０００    信号生成回路
２０００    信号生成回路
３０００    信号生成回路
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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