(57)【要約】    【課題】  プリント配線板の反り    【解決手段】  実施形態のプリント配線板は第１面と第２面とを有するコア材を含む。そして、コア材の第１面上の導体層の数と第２面上の導体層の数が異なり、第２面上の第２導体層の厚みは第１面上の第１導体層の厚みより厚い。【選択図】  図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１面と前記第１面と反対側の第２面を有する絶縁基板と、
前記絶縁基板の前記第１面上に形成されている第１導体層と、
前記第１面と前記第１導体層上に積層されているＮ層の上側の樹脂絶縁層と、
隣接する前記上側の樹脂絶縁層間に形成されている（Ｎ−１）層の上側の導体層と、
前記絶縁基板の前記第２面上に形成されている第２導体層と、
前記第２面と前記第２導体層上に積層されているＫ層の下側の樹脂絶縁層と、
隣接する前記下側の樹脂絶縁層間に形成されている（Ｋ−１）層の下側の導体層と、からなるプリント配線板であって、
前記Ｎは２以上の整数であり、前記Ｋは１以上の整数であって、前記Ｎの数字は前記Ｋの数字より大きく、前記第２導体層の厚みは全ての前記上側の導体層の厚みと前記第１導体層の厚みより厚い。
【請求項２】
請求項１のプリント配線板であって、前記プリント配線板は製品エリアと前記製品エリアを囲む枠部で形成されていて、前記第１導体層は前記製品エリアに形成されている製品エリア内第１導体層と前記枠部に形成されている枠部内第１導体層で形成され、前記第２導体層は前記製品エリアに形成されている製品エリア内第２導体層と前記枠部に形成されている枠部内第２導体層で形成され、各前記上側の導体層は前記製品エリアに形成されている製品エリア内の上側の導体層と前記枠部に形成されている枠部内の上側の導体層で形成され、各前記下側の導体層は前記製品エリアに形成されている製品エリア内の下側の導体層と前記枠部に形成されている枠部内の下側の導体層で形成され、前記枠部内第２導体層の面積は前記枠部内第１導体層の面積より大きく、前記枠部内第２導体層の面積は、各前記枠部内の上側の導体層の面積より大きい。
【請求項３】
請求項１のプリント配線板であって、全ての前記下側の導体層の厚みは全ての前記上側の導体層の厚みより厚い。
【請求項４】
請求項１のプリント配線板であって、さらに、前記絶縁基板を貫通する電子部品内蔵用の開口と前記電子部品内蔵用の開口に収容されている前記電子部品を有する。
【請求項５】
請求項２のプリント配線板であって、前記枠部内第２導体層の面積を前記第２面内の枠部の面積で割ること得られる値は０．８５以上であって、前記枠部内第１導体層の面積を前記第１面内の枠部の面積で割ること得られる値は０．１５以下である。
【請求項６】
請求項５のプリント配線板であって、前記枠部内第１導体層はアライメントマークのみで形成されている。
【請求項７】
請求項１のプリント配線板であって、前記Ｎは３であり、前記Ｋは１であって、前記下側の導体層は存在しない。
【請求項８】
請求項２のプリント配線板であって、前記Ｎは３であり、前記Ｋは１であって、前記下側の導体層は存在しない。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、絶縁基板と上側の樹脂絶縁層と第１導体層と下側の樹脂絶縁層と第２導体層とを有するプリント配線板に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１は電子部品を内蔵する配線基板を開示している。特許文献１の図１に示される配線基板は、表面と裏面を有すると共に裏面側に形成されている凹部を有するコア基板とコア基板の凹部に内蔵されている電子部品とコア基板の表面上に形成されている絶縁層とコア基板の裏面上に形成されている絶縁層（ソルダーレジスト層）とを有する。そして、特許文献の図１によれば、コア基板の表面上に形成されている絶縁層の数は３層であり、コア基板の裏面上に形成されている絶縁層の数は１層である。そして、コア基板の裏面上に形成されている絶縁層はコア基板の凹部や電子部品上に形成されていない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００３−０４６２５５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１の図１に示される配線基板では、コア基板の表面上に形成されている絶縁層の数とコア基板の裏面上に形成されている絶縁層の数が異なる。そのため、配線基板の反りが大きくなると考えられる。
【０００５】
本発明の目的は、プリント配線板の反りを小さくすることである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係るプリント配線板は、第１面と前記第１面と反対側の第２面を有する絶縁基板と、前記絶縁基板の前記第１面上に形成されている第１導体層と、前記第１面と前記第１導体層上に積層されているＮ層の上側の樹脂絶縁層と、隣接する前記上側の樹脂絶縁層間に形成されている（Ｎ−１）層の上側の導体層と、前記絶縁基板の前記第２面上に形成されている第２導体層と、
前記第２面と前記第２導体層上に積層されているＫ層の下側の樹脂絶縁層と、隣接する前記下側の樹脂絶縁層間に形成されている（Ｋ−１）層の下側の導体層と、を有する。そして、前記Ｎは２以上の整数であり、前記Ｋは１以上の整数であって、前記Ｎの数字は前記Ｋの数字より大きく、前記第２導体層の厚みは全ての前記上側の導体層の厚みと前記第１導体層の厚みより厚い。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本発明の実施形態に係るプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図２】実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図３】実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図４】図４（Ａ）は実施形態のプリント配線板の一部の断面を示し、図４（Ｂ）は実施形態の配線基板の一部の断面を示し、図４（Ｃ）は半田バンプを有する配線基板の断面を示す。
【図５】図５（Ａ）は実施形態のプリント配線板の断面の略図を示し、図５（Ｂ）は実施形態の配線基板の応用例の断面を示す図である。
【図６】図６（Ａ）は実施形態のプリント配線板のコア基板の第１面の平面図であり、図６（Ｂ）はコア基板の第２面の平面図である。
【図７】図７（Ａ）は実施形態のプリント配線板の平面図であり、図７（Ｂ）は配線基板の平面図である。図７（Ｃ）は実施形態の改変例に係る配線基板の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
図７（Ａ）は、実施形態のプリント配線板１００の平面図であり、プリント配線板１００は製品エリア１０Ｇと枠部９８で形成されている。枠部９８は製品エリア１０Ｇを囲んでいる。図７（Ａ）に示されるように、製品エリア１０Ｇ内に複数の製品（配線基板）１０が形成されている。製品１０はマトリクス状に配列されている。１つの製品１０が図７（Ｂ）に示されている。図７（Ｂ）は１つの製品（配線基板）１０の平面図である。
【０００９】
図５（Ａ）は、実施形態のプリント配線板１００の断面の略図である。図５（Ａ）に示されるように実施形態の配線基板１０やプリント配線板１００は、コア基板３０を有する。コア基板３０は第１面Ｆと第１面Ｆと反対側の第２面Ｓを有する絶縁基板（コア材）２０ｚと絶縁基板２０ｚの第１面Ｆ上に形成されている第１導体層３４Ｆと絶縁基板２０ｚの第２面Ｓ上に形成されている第２導体層３４Ｓを有する。
【００１０】
コア基板３０はさらに第１導体層３４Ｆと第２導体層３４Ｓとを接続しているスルーホール導体３６を有する。スルーホール導体３６は絶縁基板２０ｚを貫通している貫通孔２８に形成されている。図１（Ｂ）に示されるように、貫通孔２８は、第１面側に形成されている第１開口部２８Ｆと第２面側に形成されている第２開口部２８Ｓで形成されている。貫通孔の形状は、砂時計形状である。貫通孔２８やスルーホール導体３６は、例えば、ＵＳ７７８６３９０に開示されている方法で製造される。ＵＳ７７８６３９０の内容は本明細書に取り込まれる。第１導体層や第２導体層は図示されていない複数の導体回路とスルーホール導体３６直上の導体とスルーホール導体３６の周りに形成されている導体で形成されているスルーホール導体のランドと枠部内回路９８Ｆ、９８Ｓを含む。図４（Ｂ）に示されるように、第１導体層は厚みｔ１を有し、第２導体層は厚みｔ２を有する。厚みｔ２は厚みｔ１より厚い。コア基板３０の第１面と絶縁基板２０ｚの第１面は同じ面であり、コア基板３０の第２面と絶縁基板２０ｚの第２面は同じ面である。コア基板は図５（Ａ）に示されるように、電子部品を内蔵するための開口２６を有する。開口２６は絶縁基板を貫通している。開口２６内に電子部品８０が内蔵される。
【００１１】
絶縁基板２０zの第１面Ｆと第１導体層３４Ｆ上に上側の樹脂絶縁層５０Ｆ、１５０Ｆ、２５０Ｆ、３５０Ｆが積層されている。上側の樹脂絶縁層の層数はＮである。Ｎは２以上の整数である。Ｎ番目の上側の樹脂絶縁層は最上の樹脂絶縁層である。最上の樹脂絶縁層は上側のソルダーレジスト層３５０Ｆとして機能する。
隣接する上側の樹脂絶縁層間に上側の導体層５８Ｆ、１５８Ｆ、２５８Ｆが形成されている。Ｎ番目の上側の樹脂絶縁層と（Ｎ−１）番目の上側の樹脂絶縁層に挟まれる上側の導体層は最上の導体層２５８Ｆである。最上の導体層は、図５（Ｂ）に示される電子部品９０や第２のパッケージ基板１３０を搭載するための上側のパッド７３Ｆ（７３ＦＩ、７３ＦＯ）を有する。
【００１２】
各上側の樹脂絶縁層は開口を有する。各上側の樹脂絶縁層に形成されている開口はそれぞれの上側の樹脂絶縁層を貫通している。
上側のソルダーレジスト層３５０Ｆは開口７１Ｆ（７１ＦＩ、７１ＦＯ）を有し、開口により露出される最上の導体層２５８Ｆは上側のパッド７３Ｆとして機能する。図５などに示されるように、開口７１ＦＩにより露出される上側のパッドは上側の第１パッド７３ＦＩである。上側の第１パッド７３ＦＩは配線基板の実装面の略中央に形成されていて、複数の上側の第１パッド７３ＦＩでＣ４パッド群が形成される。開口７１ＦＯにより露出される上側のパッドは、上側の第２パッド７３ＦＯである。上側の第２パッド７３ＦＯはＣ４パッド群の外に形成されている。図５（Ｂ）に示されるように、上側の第１パッド７３ＦＩ上にＩＣチップ等の電子部品９０が搭載される。上側の第２パッド７３ＦＯを介して配線基板上に第２のパッケージ基板１３０が搭載される。
【００１３】
１番目の上側の樹脂絶縁層から（Ｎ−１）番目の上側の樹脂絶縁層はビア導体用の開口を有する。ビア導体用の開口にビア導体６０Ｆ、１６０Ｆ、２６０Ｆが形成され、ビア導体により隣接する導体層が接続される。
各上側の樹脂絶縁層５０Ｆ、１５０Ｆ、２５０Ｆ、３５０Ｆはコア基板３０と電子部品８０を内蔵する開口２６上に形成されていて、１番目の上側の樹脂絶縁層５０Ｆはコア基板と電子部品を内蔵する開口２６を覆っている。
図５（Ａ）では、上側の樹脂絶縁層５０Ｆ、１５０Ｆ、２５０Ｆ、３５０Ｆは４層である。４番目の上側の樹脂絶縁層３５０Ｆは上側のソルダーレジスト層である。そして、ソルダーレジスト層３５０Ｆは上側のパッド７３Ｆを露出する開口７１Ｆを有する。
【００１４】
実施形態の配線基板１０やプリント配線板１００では、上側の導体層５８Ｆ、１５８Ｆ、２５８Ｆは３層である。１番目の上側の樹脂絶縁層５０Ｆと２番目の上側の樹脂絶縁層１５０Ｆに挟まれている上側の導体層５８Ｆが第１の上側の導体層である。２番目の上側の樹脂絶縁層１５０Ｆと３番目の上側の樹脂絶縁層２５０Ｆに挟まれている上側の導体層１５８Ｆが第２の上側の導体層である。３番目の上側の樹脂絶縁層２５０Ｆと４番目の上側の樹脂絶縁層３５０Ｆに挟まれている上側の導体層２５８Ｆが第３の上側の導体層である。第３の上側の導体層２５８Ｆが最上の導体層であり、最上の導体層はＩＣチップ等の電子部品９０や第２のパッケージ基板１３０を搭載するための上側のパッド７３Ｆを有する。上側のパッドは、上側の第２パッド７３ＦＯを有さず、上側の第１パッド７３ＦＩのみで形成されてもよい。上側のパッドは上側のソルダーレジスト層３５０Ｆの開口７１Ｆにより露出される。
【００１５】
実施形態の配線基板１０では、１番目の上側の樹脂絶縁層５０Ｆと２番目の上側の樹脂絶縁層１５０Ｆと３番目の上側の樹脂絶縁層２５０Ｆは、それぞれ、ビア導体用の開口を有する。
実施形態の配線基板１０では、上側の樹脂絶縁層５０Ｆのビア導体用の開口に第１の上側のビア導体６０Ｆが形成されている。ビア導体６０Ｆで第１導体層３４Ｆと導体層５８Ｆが接続されている。ビア導体６０Ｆで電極８２と導体層５８Ｆが接続されている。上側の樹脂絶縁層１５０Ｆのビア導体用の開口に第２の上側のビア導体１６０Ｆが形成されている。ビア導体１６０Ｆで導体層５８Ｆと導体層１５８Ｆが接続されている。上側の樹脂絶縁層２５０Ｆのビア導体用の開口に第３の上側のビア導体２６０Ｆが形成されている。ビア導体２６０Ｆで導体層１５８Ｆと導体層２５８Ｆが接続されている。
【００１６】
図５（Ａ）に示されるように、絶縁基板２０ｚの第２面Ｓと第２導体層３４Ｓ上に下側の樹脂絶縁層５０Ｓが積層されている。下側の樹脂絶縁層の層数はＫである。Ｋは１以上の整数である。Ｋの数字はＮの数字より小さい。ＮとＫの差は、２以下であることが好ましい。プリント配線板の反りが小さくなる。上側の樹脂絶縁層の数は下側の樹脂絶縁層の数より多い。Ｋ番目の下側の樹脂絶縁層は最下の下側の樹脂絶縁層である。最下の下側の樹脂絶縁層は下側のソルダーレジスト層（下側の保護層）として機能する。
各下側の樹脂絶縁層はコア基板と電子部品を内蔵する開口上に形成されていて、１番目の下側の樹脂絶縁層５０Ｓはコア基板３０と電子部品８０を内蔵する開口２６を覆っている。
【００１７】
Ｋが１の時、下側の樹脂絶縁層は１番目の下側の樹脂絶縁層（最下の下側の樹脂絶縁層）のみである。また、下側の導体層は存在しない。Ｋが１の時、最下の下側の樹脂絶縁層は下側のソルダーレジスト層として機能する。下側のソルダーレジスト層は開口５１Ｓを有する。下側のソルダーレジスト層５０Ｓの開口５１Ｓにより第２導体層３４Ｓが露出される。下側のソルダーレジスト層５０Ｓの開口５１Ｓにより露出される第２導体層３４Ｓは下側のパッド５３Ｓとして機能する。図４（Ｃ）に示されるように、下側のソルダーレジスト層５０Ｓは電子部品の電極８２を露出する開口５１Ｓを有しても良い。下側のパッド５３Ｓや電極８２を介して配線基板はマザーボードに搭載される。
全ての下側の導体層３４Ｓの厚みは全ての上側の導体層５８Ｆ、１５８Ｆ、２５８Ｆの厚みより厚い。
【００１８】
Ｋが２以上であると、隣接する下側の樹脂絶縁層間に下側の導体層が形成される。Ｋ番目の下側の樹脂絶縁層と（Ｋ−１）番目の下側の樹脂絶縁層に挟まれる下側の導体層は最下の下側の導体層である。最下の下側の導体層はマザーボードと接続するための下側のパッド５３Ｓを有する。
【００１９】
各下側の樹脂絶縁層は開口を有する。各下側の樹脂絶縁層に形成されている開口はそれぞれの下側の樹脂絶縁層を貫通している。
下側のソルダーレジスト層は開口を有し、開口により露出される最下の下側の導体層は下側のパッドとして機能する。下側のパッドを介して配線基板はマザーボードに接続される。
１番目の下側の樹脂絶縁層から（Ｋ−１）番目の下側の樹脂絶縁層はビア導体用の開口を有する。ビア導体用の開口に下側のビア導体が形成され、ビア導体により隣接する導体層が接続される。
図５（Ａ）では、下側の樹脂絶縁層の数は１である。図５（Ａ）に示される１番目の下側の樹脂絶縁層５０Ｓは下側のソルダーレジスト層５０Ｓである。そして、ソルダーレジスト層５０Ｓは開口５１Ｓを有する。開口５１Ｓにより第２導体層に含まれる下側のパッド５３Ｓや電極８２が露出される。
【００２０】
図５（Ａ）に示されるように、上側のソルダーレジスト層３５０Ｆの開口７１Ｆから露出している上側のパッド７３Ｆに半田バンプ７６Ｆを形成することができる。
図４（Ｃ）に示されるように、下側のソルダーレジスト層５０Ｓの開口５１Ｓから露出するパッド５３Ｓや電子部品の電極８２に半田バンプ７６Ｓを形成することができる。
【００２１】
図５（Ｂ）は、実施形態の配線基板１０の応用例１０００を示す。応用例１０００は、ＰＯＰ（Package on Package）基板である。
実施形態の配線基板１０にＣ４パッド上の半田バンプ７６ＦＩを介してＩＣチップ（ロジックチップ）等の電子部品９０が実装される。配線基板１０と電子部品９０とからなる第１のパッケージ基板が完成する。そして、応用例では、第１のパッケージ基板１２０に第２パッド（上側の第２パッド）７３ＦＯ上の半田バンプ７６ＦＯを介して第２のパッケージ基板１３０が搭載されている。第２のパッケージ基板１３０は上基板１１０と上基板上に実装されているメモリ等の電子部品１９０有する。
第１のパッケージ基板１２０と第２のパッケージ基板１３０との間にモールド樹脂１０２が形成されている。
上基板１１０上に電子部品１９０を封止するモールド樹脂２０２が形成されている。
図５（Ｂ）では、第１のパッケージ基板と第２のパッケージ基板を接続する接続体７６ＦＯは半田バンプ７６ＦＯである。半田バンプ以外に、接続体として、めっきポストやピンなどの金属ポストを例示することができる。めっきポストやピンの形状は円柱である。直円柱が好ましい。
また、配線基板１０は下側のパッドにマザーボードと接続するための半田バンプ７６Ｓを有しても良い。
【００２２】
図１（Ｄ）や図２（Ａ）等に示されるように、絶縁基板２０ｚは、電子部品収容用の開口２６を有する。開口２６は絶縁基板を貫通している。実施形態の配線基板の絶縁基板（コア材）２０ｚは開口２６を有するので、配線基板の強度が低下する。実施形態のプリント配線板では、コア基板の第１面上に積層されている樹脂絶縁層の数とコア基板の第２面上に積層されている樹脂絶縁層の数が異なる。そのため、実施形態の配線基板は反りやすい。そのため、プリント配線板１００も反りやすい。
【００２３】
図５（Ａ）は、プリント配線板１００の断面の略図である。図５（Ａ）は図７（Ａ）中のＸ１−Ｘ１間に存在するプリント配線板の断面の略図である。図７（Ａ）はソルダーレジスト層より上の位置からプリント配線板１００を見ることで得られる図である。図７（Ａ）は、上側のソルダーレジスト層３５０Ｆと上側のソルダーレジスト層の開口から露出する上側のパッド７３Ｆとアライメントマーク２５８ＦＡが示されている。図６（Ａ）は、コア基板３０の第１面Ｆの平面図である。図６（Ａ）に第１導体層３４Ｆと第１導体層３４Ｆから露出するコア材の第１面が示されている。図６（Ａ）に示されるように、第１導体層は製品エリア１０Ｇ内に形成されている製品エリア内第１導体層３４ＦＰと枠部９８（９８Ｆ）内に形成されている枠部内第１導体層３４ＦＷで形成されている。枠部内第１導体層の面積を枠部内の絶縁基板の第１面の面積で割ることで得られる値は０．１５以下である。図６（Ａ）の例では、枠部内第１導体層はアライメントマーク３４ＦＡのみで形成されている。
【００２４】
図６（Ｂ）は、コア基板３０の第２面の平面図である。図６（Ｂ）に第２導体層３４Ｓと第２導体層３４Ｓから露出するコア材の第２面が示されている。図６（Ｂ）に示されるように、第２導体層は製品エリア１０Ｇ内に形成されている製品エリア内第２導体層３４ＳＰと枠部９８（９８Ｓ）内に形成されている枠部内第２導体層３４ＳＷで形成されている。枠部内第２導体層３４ＳＷは枠部のほぼ全面を覆っている。枠部内第２導体層３４ＳＷはベタパターン（solid pattern）である。枠部内第２導体層の面積を枠部内の絶縁基板の第２面の面積で割ることで得られる値は０．８５以上である。コア基板は、第２面Ｓの枠部９８にアライメントマーク３４ＳＡを有する。アライメントマーク３４ＳＡは、枠部内第２導体層３４ＳＷから露出する第２面Ｓで形成されている。図４（Ａ）は、図７（Ａ）中のＸ３−Ｘ３間の断面図である。図４（Ａ）に示されるように、コア基板３０の第２面Ｓの枠部にベタパターン３４ＳＷ（枠部内第２導体層）が形成されている。そして、ベタパターン３４ＳＷは、開口を有する。開口から露出する絶縁基板の第２面がアライメントマーク３４ＳＡとして機能する。
【００２５】
図４（Ａ）に示されるように、１番目の上側の樹脂絶縁層５０Ｆと２番目の上側の樹脂絶縁層１５０Ｆと３番目の上側の樹脂絶縁層２５０Ｆは枠部９８を有する。そして、１番目の上側の樹脂絶縁層５０Ｆの枠部上に枠部内の第１の上側の導体層５８ＦＷが形成されている。２番目の上側の樹脂絶縁層１５０Ｆの枠部上に枠部内の第２の上側の導体層１５８ＦＷが形成されている。３番目の上側の樹脂絶縁層２５０Ｆの枠部上に枠部内の第３の上側の導体層２５８ＦＷが形成されている。
枠部内の第１の上側の導体層５８ＦＷの面積を枠部内の１番目の上側の樹脂絶縁層５０Ｆの面積で割ることで得られる値は０より大きく０．１５以下である。
枠部内の第２の上側の導体層１５８ＦＷの面積を枠部内の２番目の上側の樹脂絶縁層１５０Ｆの面積で割ることで得られる値は０より大きく０．１５以下である。
枠部内の第３の上側の導体層２５８ＦＷの面積を枠部内の３番目の上側の樹脂絶縁層２５０Ｆの面積で割ることで得られる値は０より大きく０．１５以下である。
枠部内の第１の上側の導体層と枠部内の第２の上側の導体層と枠部内の第３の上側の導体層はアライメントマークのみで形成されることが好ましい。
【００２６】
実施形態のプリント配線板１００では、絶縁基板２０ｚの第１面Ｆ上の上側の樹脂絶縁層５０Ｆ、１５０Ｆ、２５０Ｆ、３５０Ｆの数は４であって、絶縁基板２０ｚの第２面Ｓ上の下側の樹脂絶縁層５０Ｓの数は１である。Ｎの数はＫの数より大きい。両者の差は３である。また、プリント配線板１００では、絶縁基板２０ｚの第１面上の導体層３４Ｆ、５８Ｆ、１５８Ｆ、２５８Ｆの数が、絶縁基板２０ｚの第２面上の導体層３４Ｓの数より多い。プリント配線板１００では、コア材の表裏で樹脂の体積や導体の体積が異なる。プリント配線板１００は非対称な構造である。ここで、表は第１面であり、裏は第２面である。プリント配線板１００では、Ｎの値がＫの値より大きいので、第１面Ｆ上の導体の体積は第２面Ｓ上の導体の体積より大きくなりやすい。しかしながら、プリント配線板１００では、第２導体層３４Ｓの厚みが第１導体層３４Ｆの厚みや全ての上側の導体層の厚みより厚い。図４（Ａ）では、第１の上側の導体層５８Ｆと第２の上側の導体層１５８Ｆと第３の上側の導体層２５８Ｆが上側の導体層に属する。第２導体層３４Ｓの厚みが第１面Ｆ上の導体層３４Ｆ、５８Ｆ、１５８Ｆ、２５８Ｆの厚みより厚いので、第１面Ｆ上に存在する導体の体積と第２面Ｓ上に存在する導体の体積の差が小さくなる。そのため、実施形態のプリント配線板１００によれば、反りが小さくなる。さらに、上側の導体層５８Ｆ、１５８Ｆ、２５８Ｆの内、最上の導体層２５８Ｆの厚みが最も厚い。厚い厚みを有する導体層３４Ｓ、２５８Ｆが上側の樹脂絶縁層５０Ｆ、１５０Ｆ、２５０Ｆと絶縁基板２０ｚを挟むので、プリント配線板１００の強度が高くなる。そのため、プリント配線板１００は非対称に起因する応力に対抗することができる。反りが小さくなる。
図４（Ｂ）中に各導体層の厚みｔ１、ｔ２、ｔ３、ｔ４、ｔ５が示される。例えば、第１導体層３４Ｆの厚みｔ１は１４μｍである。第２導体層３４Ｓの厚みｔ２は１６μｍである。第１の上側の導体層５８Ｆの厚みｔ３は７．５μｍであり、第２の上側の導体層１５８Ｆの厚みｔ４は７．５μｍであり、第３の上側の導体層２５８Ｆの厚みｔ５は１０μｍである。即ち、第２導体層３４Ｓの厚みｔ２が、第１導体層３４Ｆの厚みｔ１、及び、導体層５８Ｆ、１５８Ｆ、２５８Ｆの厚みｔ３、ｔ４、ｔ５より厚い。また、上側の導体層５８Ｆ、１５８Ｆ、２５８Ｆの中で第３の上側の導体層（最上の上側の導体層）の厚みが最も厚い。絶縁基板の表裏で導体の体積の均衡が図られ、反りが小さくなる。
【００２７】
プリント配線板１００では、枠部の面積に占める枠部内第２導体層３４ＳＷの面積の比率Ｒ２が枠部の面積に占める枠部内第１導体層３４ＦＷの面積の比率Ｒ１より大きい。枠部はプリント配線板の外周に形成されているので、枠部の強度を高くすることでプリント配線板の反りを小さくすることがでる。プリント配線板１００は非対称な構造なので、絶縁基板２０ｚの第１面Ｆ上の枠部の強度と第２面Ｓ上の枠部の強度が同じであると、非対称に起因する応力を小さくすることができない。しかしながら、プリント配線板１００では、枠部内第２導体層３４ＳＷの面積が枠部内第１導体層３４ＦＷの面積より大きいので、枠部内第２導体層３４ＳＷによる第２面Ｓの強化は枠部内第１導体層３４ＦＷによる第１面Ｆの強化より強い。そのため、プリント配線板１００は非対称な構造であっても、反りが小さい。また、枠部の面積に占める枠部内の第１の上側の導体層５８ＦＷの面積の比率は比率Ｒ３である。枠部の面積に占める枠部内の第２の上側の導体層１５８ＦＷの面積の比率は比率Ｒ４である。枠部の面積に占める枠部内の第３の上側の導体層２５８ＦＷの面積の比率は比率Ｒ５である。そして、比率Ｒ２は、比率Ｒ３より大きい。比率Ｒ２は、比率Ｒ４より大きい。比率Ｒ２は、比率Ｒ５より大きい。その場合、絶縁基板２０ｚの第２面上の枠部の強度は、絶縁基板２０ｚの第１面上に存在する各枠部の強度より強い。非対称に起因する応力を効果的に小さくすることができる。プリント配線板１００では、比率Ｒ２が０．８５以上であって、比率Ｒ１、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５が０．１５以下である。両者の差が大きいので、プリント配線板１００の反りが小さくなる。例えば、Ｒ２は０．８９であり、Ｒ１は０．１であり、Ｒ３は０．０６であり、Ｒ４は０．１２であり、Ｒ５は０．１５である。絶縁基板の第１面の枠部上に存在している枠部内の導体層の内、枠部内の最上の上側の導体層２５８Ｆの面積の比率が最も大きい。絶縁基板２０ｚの第１面上に形成されている枠部内の導体層の面積は小さいが、枠部内の最上の上側の導体層の面積を大きくすることで効果的にプリント配線板の強度を高くすることができる。反りが小さくなる。
【００２８】
実施形態の製品エリア１０Ｇの面積に占める各導体層の面積の比率の例が以下に示される。製品エリア内第１導体層の面積の比率は比率ｒ１である。製品エリア内第２導体層の面積の比率は比率ｒ２である。製品エリア内の第１の上側の導体層の面積の比率は比率ｒ３である。製品エリア内の第２の上側の導体層の面積の比率は比率ｒ４である。製品エリア内の第３の上側の導体層の面積の比率は比率ｒ５である。比率ｒ１、ｒ３、ｒ４、ｒ５は、０．５４〜０．５８である。比率ｒ１、ｒ３、ｒ４、ｒ５の中で最も比率ｒ５が最も大きい。比率ｒ２が比率ｒ１、ｒ２、ｒ３、ｒ４、ｒ５の中で最も大きく、０．６０〜０．９である。比率Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５は各枠部内の導体層の面積を枠部の面積で割ることで得られる。比率ｒ１、ｒ２、ｒ３、ｒ４、ｒ５は各製品エリア内の導体層の面積を製品エリアの面積で割ることで得られる。
【００２９】
実施形態のプリント配線板では、上側のソルダーレジスト層３５０Ｆと下側のソルダーレジスト層５０Ｓの材質が異なる。上側のソルダーレジスト層は光硬化タイプの樹脂絶縁層であり、下側のソルダーレジスト層は熱硬化タイプの樹脂絶縁層である。そのため、樹脂絶縁層の数が異なっても、実施形態のプリント配線板の反りが小さくなる。上側のソルダーレジスト層は樹脂と無機粒子で形成され、下側のソルダーレジスト層は樹脂と無機粒子で形成される。下側のソルダーレジスト層はガラスクロスやアラミド繊維等の補強材を有することができる。上側のソルダーレジスト層は補強材を有していない。
【００３０】
[実施形態のプリント配線板の製造方法]
実施形態のプリント配線板１００の製造方法が図１〜図３に示される。
ガラスクロスと樹脂と無機粒子を含む絶縁基板（コア材）２０ｚが準備される。絶縁基板２０ｚは図１（Ａ）に示されるように、製品エリア１０Ｇと製品エリアを囲む枠部９８を有する。出発基板は、絶縁基板２０ｚと絶縁基板２０ｚの両面に積層されている銅箔２２Ｆ、２２Ｓで形成されている（図１（Ａ））。絶縁基板の第１面Ｆ上の銅箔は第１銅箔２２Ｆであり、絶縁基板の第２面Ｓ上の銅箔は第２銅箔２２Ｓである。
【００３１】
第１銅箔２２ＦにＣＯ２レーザが照射される。絶縁基板２０ｚの第１面Ｆ側にスルーホール導体用の貫通孔を形成するための第１開口部２８Ｆが絶縁基板２０ｚに形成される。第２銅箔２２ＳにＣＯ２レーザが照射される。第１開口部２８Ｆに繋がる第２開口部２８Ｓが形成される。スルーホール導体用の貫通孔２８が形成される（図１（Ｂ））。第１開口部２８Ｆは第１面Ｆから第２面Ｓに向かってテーパーしている。第２開口部２８Ｓは第２面Ｓから第１面Ｆに向かってテーパーしている。
【００３２】
第１銅箔と第２銅箔、貫通孔２８の側壁上に無電解めっき膜が形成される。その後、無電解めっき膜上に電解めっき膜２５Ｆ、２５Ｓが形成される。電解めっき膜２５Ｆは第１面Ｆ上に形成されている電解めっき膜であり、電解めっき膜２５Ｓは第２面Ｓ上に形成されている電解めっき膜である。第２面上の電解銅めっき膜２５Ｓを形成するための電流密度は第１面上の電解銅めっき膜２５Ｆを形成するための電流密度より大きい。そのため、電解めっき膜２５Ｓの厚みは電解めっき膜２５Ｆの厚みより厚い。貫通孔内に無電解めっき膜と無電解めっき膜上の電解めっき膜とからなるめっき膜２４が形成される。同時に、絶縁基板の第１面と第２面上にめっき膜２４が形成される。電解めっき膜で貫通孔２８が充填される。めっき膜２４上にエッチングレジストが形成される。エッチングレジストから露出するめっき膜２４と銅箔２２Ｆ、２２Ｓが除去される。エッチングレジストが除去される。絶縁基板の第１面に第１導体層３４Ｆが形成される。絶縁基板の第２面に第２導体層３４Ｓが形成される。図１（Ｃ）に示されるように、第１導体層３４Ｆは製品エリア内第１導体層３４ＦＰと枠部内第１導体層３４ＦＷを有し、第２導体層３４Ｓは製品エリア内第２導体層３４ＳＰと枠部内第２導体層３４ＳＷを有する。製品エリア内導体層や枠部内導体層の面積はエッチングレジストのパターンで調整される。貫通孔２８に第１導体層と第２導体層を接続するスルーホール導体３６が形成される。第１導体層３４Ｆの厚みｔ１は１４μｍである。第２導体層３４Ｓの厚みｔ２は１６μｍである。貫通孔２８を有する絶縁基板２０ｚと貫通孔２８に形成されているスルーホール導体３６と絶縁基板の第１面上に形成されている第１導体層３４Ｆと絶縁基板の第２面上に形成されている第２導体層３４Ｓとを有する回路基板３０００が得られる（図１（Ｃ））。回路基板３０００はＵＳ７７８６３９０に開示されている方法で製造される。
【００３３】
回路基板３０００にＣＯ２ガスレーザにより電子部品収容用の開口２６が形成される（図１（Ｄ））。図６（Ａ）は、プリント配線板１００のコア基板３０の第１面Ｆの平面図である。図１（Ｄ）は、図６（Ａ）中のＸ２−Ｘ２間の断面図である。但し、製品エリア内の製品は簡略化されている。略１つの製品が描かれている。枠部内第１導体層３４ＦＷはアライメントマーク３４ＦＡのみで形成されている。図６（Ｂ）は、プリント配線板１００のコア基板３０の第２面Ｓの平面図である。枠部内第２導体層３４ＳＷはベタパターンで形成されている。開口２６は第１導体層３４Ｆに含まれるアライメントマーク３４ＦＡまたは第２導体層３４Ｓに含まれるアライメントマーク３４ＳＡを用い形成される。尚、アライメントマーク３４ＳＡは枠部内第２導体層３４ＳＷに形成されている開口である。図１（Ｃ）にアライメントマーク３４ＳＡは描かれていない。
回路基板３０００に電子部品収容用の開口２６を形成することでコア基板３０が完成する。コア基板３０の第１面Ｆと絶縁基板２０ｚの第１面は同じ面であり、コア基板３０の第２面Ｓと絶縁基板２０ｚの第２面は同じ面である。
【００３４】
コア基板が反転され、コア基板３０の第１面にＰＥＴフィルム９４が貼られる（図１（Ｅ））。ＰＥＴフィルム９４で開口２６が塞がれる。
【００３５】
電子部品収容用の開口２６により露出するＰＥＴフィルム上に積層セラミックコンデンサ等の電子部品８０が置かれる。電子部品８０が開口２６内に収容される（図２（Ａ））。電子部品８０は図４（Ａ）に示されるアライメントマーク３４ＳＡを用いて置かれる。電子部品８０は、ＰＥＴフィルム９４の粘着力により、ＰＥＴフィルム９４上に保持される。コア基板３０の第１導体層３４Ｆの上面と電子部品８０の電極８２の上面は略同一平面上に位置する。
【００３６】
コア基板３０の第２面と電子部品上に下側の樹脂絶縁層５０Ｓ用の樹脂フィルムが積層される。下側の樹脂絶縁層用の樹脂フィルム（下側の樹脂フィルム）はエポキシ等の樹脂とシリカ等無機粒子を含む。下側の樹脂フィルムは、さらに、ガラスクロス等の補強材を有しても良い。実施形態の下側の樹脂フィルムは、ガラスクロスとシリカ粒子とエポキシ樹脂を含む。
下側の樹脂フィルム上に銅箔等の金属箔４８Ｓが積層される。金属箔４８Ｓの厚みは３μｍ〜５μｍである。
加熱プレスを行うことで、下側の樹脂フィルムから下側の樹脂絶縁層（最下の下側の樹脂絶縁層）５０Ｓがコア基板３０の第２面Ｓと電子部品８０上に形成される。同時に、下側の樹脂絶縁層５０Ｓ上に銅箔４８Ｓが接着される。この際、下側の樹脂フィルムに含まれる樹脂と無機粒子が開口２６の側壁と電子部品８０との間の隙間に流れ込む。隙間中の樹脂を硬化することで隙間を充填する充填剤５０ＳＳが形成される。充填剤により電子部品はコア基板に内蔵される（図２（Ｂ））。充填剤５０ＳＳにより電子部品８０はコア基板３０に固定される。充填剤５０ＳＳと下側の樹脂絶縁層５０Ｓは同時に形成される。下側の樹脂絶縁層は樹脂と無機粒子と補強材を含む。充填剤は樹脂と無機粒子を含む。充填剤に含まれる樹脂と下側の樹脂絶縁層に含まれる樹脂は同じである。充填剤に含まれる無機粒子と下側の樹脂絶縁層に含まれる無機粒子は同じである。
下側の樹脂絶縁層５０Ｓは熱硬化タイプの樹脂絶縁層である。
【００３７】
コア基板３０からＰＥＴフィルム９４が除去される（図２（Ｃ））。中間基板３００が得られる（図２（Ｃ））。中間基板３００は、コア基板３０とコア基板３０に内蔵されている電子部品８０と電子部品とコア基板間の隙間を充填している充填剤５０ＳＳとコア基板の第２面と電子部品上に形成されている下側の樹脂絶縁層５０Ｓと下側の樹脂絶縁層５０Ｓ上の銅箔４８Ｓとを有する。
【００３８】
中間基板３００のコア基板の第１面と電子部品上に１番目の上側の樹脂絶縁層用の樹脂フィルムが積層される。上側の樹脂絶縁層用の樹脂フィルム（上側の樹脂フィルム）はエポキシ等の樹脂とシリカ等の無機粒子を含む。上側の樹脂フィルムは、さらに、ガラスクロス等の補強材を有しても良い。実施形態の上側の樹脂フィルムは、シリカ粒子とエポキシ樹脂を含む。加熱プレスにより、上側の樹脂フィルムから１番目の上側の樹脂絶縁層５０Ｆが形成される（図２（Ｄ））。１番目の上側の樹脂絶縁層５０Ｆは熱硬化タイプの樹脂絶縁層である。
【００３９】
次に、ＣＯ２ガスレーザにて樹脂絶縁層５０Ｆにビア導体用の開口５１Ｆが形成される。開口５１Ｆは電極８２と第１導体層３４Ｆに至る。
樹脂絶縁層５０Ｆ上と開口５１Ｆの内壁に無電解銅めっき層５２が形成される。
無電解銅めっき層５２上にめっきレジストが形成される。
めっきレジストから露出する無電解銅めっき層５２上に、電解銅めっき層５６が形成される。
めっきレジストが除去される。電解銅めっき層５６間の無電解銅めっき層５２がエッチングで除去される。１番目の上側の樹脂絶縁層５０Ｆ上に第１の上側の導体層５８Ｆが形成される。上側の第１導体層は製品エリア内の第１の上側の導体層５８ＦＰと枠部内の第１の上側の導体層５８ＦＷを有する。枠部内の第１の上側の導体層５８ＦＷはアライメントマークのみで形成されることが好ましい。同時に、１番目の上側の樹脂絶縁層を貫通し、第１導体層３４Ｆや電極８２に至る上側の第１のビア導体６０Ｆが形成される（図３（Ａ））。導体層５８ＦＰ、５８ＦＷの面積はめっきレジストのパターンで調整される。
【００４０】
１番目の上側の樹脂絶縁層５０Ｆと第１の上側の導体層５８Ｆ上に２番目の上側の樹脂絶縁層１５０Ｆが形成される。２番目の上側の樹脂絶縁層に第２の上側のビア導体用の開口が形成される。２番目の上側の樹脂絶縁層の形成方法は、１番目の上側の樹脂絶縁層の形成方法と同様である。上側の樹脂絶縁層１５０Ｆは第２の上側のビア導体用の開口を有する。２番目の上側の樹脂絶縁層１５０Ｆは熱硬化タイプの樹脂絶縁層である。
２番目の上側の樹脂絶縁層上に第２の上側の導体層１５８Ｆが形成される。第２の上側の導体層１５８Ｆは製品エリア内の第２の上側の導体層１５８ＦＰと枠部内の第２の上側の導体層１５８ＦＷを有する。枠部内の第２の上側の導体層１５８ＦＷはアライメントマークのみで形成されることが好ましい。第２の上側の導体層の形成方法は、第１の上側の導体層の形成方法と同様である。導体層１５８ＦＰ、１５８ＦＷの面積はめっきレジストのパターンで調整される。
第２の上側の導体層１５８Ｆの厚みｔ３は７．５μｍである。
第２の上側のビア導体用の開口に第２の上側のビア導体１６０Ｆが形成される。第２の上側のビア導体の形成方法は、第２の上側のビア導体の形成方法と同様である。
【００４１】
前の段落に示されている方法と同様な方法で３番目の上側の樹脂絶縁層２５０Ｆと第３の上側の導体層２５８Ｆと第３の上側のビア導体２６０Ｆが形成される。第３の上側の導体層２５８Ｆは製品エリア内の第３の上側の導体層２５８ＦＰと枠部内の第３の上側の導体層２５８ＦＷを有する。枠部内の第３の上側の導体層２５８ＦＷはアライメントマークとダミーパターンで形成されることが好ましい。アライメントマーク以外にダミーパターンを形成することで、枠部内の第３の上側の導体層（最上の導体層）１５８ＦＷの面積が増える（図３（Ｂ））。第３の上側の導体層の厚みｔ５は１０μｍである。導体層２５８ＦＰ、２５８ＦＷの面積はめっきレジストのパターンで調整される。
【００４２】
３番目の上側の樹脂絶縁層２５０Ｆと第３の上側の導体層２５８Ｆ上に４番目の上側の樹脂絶縁層３５０Ｆが形成される。４番目の上側の樹脂絶縁層は光硬化タイプの樹脂絶縁層である。４番目の上側の樹脂絶縁層に露光処理と現像処理により開口７１Ｆ（７１ＦＩ、７１ＦＯ）が形成される（図３（Ｂ））。開口７１Ｆにより第３の上側の導体層が露出される。開口７１Ｆにより露出される導体部分は上側のパッド７３Ｆ（７３ＦＩ、７３ＦＯ）として機能する。また、４番目の上側の樹脂絶縁層は上側のソルダーレジスト層３５０Ｆとして機能する。
【００４３】
下側の樹脂絶縁層５０Ｓ上の金属箔４８Ｓがエッチングにより除去される。下側の樹脂絶縁層５０Ｓは下側のソルダーレジスト層として機能する。この時、上側のパッドがエッチングで溶解されないように、上側のソルダーレジスト層上に保護フィルムが貼られている。上側のパッドが露出しない。保護フィルムは図に示されていない。また、金属箔４８Ｓの除去により、金属箔の粗面が下側のソルダーレジスト層５０Ｓに転写される。下側のソルダーレジスト層は粗面を有する。
【００４４】
下側の樹脂絶縁層５０Ｓにレーザで開口５１Ｓが形成される（図３（Ｃ））。金属箔４８Ｓにレーザを照射することで、開口５１Ｓが形成されてもよい。開口５１Ｓにより、下側のパッド５３Ｓが露出される。下側のパッドは第２導体層３４Ｓに含まれる。電子部品の電極８２を露出する開口５１Ｓを下側のソルダーレジスト層に形成することができる（図３（Ｃ））。
【００４５】
上側のパッド７３Ｆ（７３ＦＩ、７３ＦＯ）と下側のパッド５３Ｓ上に保護膜を形成することができる。開口５１Ｓから露出している電子部品の電極８２上に保護膜を形成することができる。保護膜は、パッドや電極の酸化を防止するための膜である。保護膜は、例えば、Ｎｉ／Ａｕ、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ、Ｐｄ／ＡｕやＯＳＰ（Organic Ｓolderability Preservative）膜で形成される。
【００４６】
上側のパッド７３ＦＩ、７３ＦＯ上に半田バンプ７６ＦＩ、７６ＦＯが形成される。半田バンプ７６ＦＩはＣ４パッド（上側の第１パッド）７３ＦＩ上に形成されていて、半田バンプ７６ＦＯは上側の第２パッド７３ＦＯ上に形成されている。プリント配線板の下側のパッド５３Ｓに半田バンプ７６Ｓを形成することができる。図４（Ｃ）に示される半田バンプ７６ＦＩ，７６ＦＯ、７６Ｓを有する配線基板が完成する。
【００４７】
プリント配線板の各製品１０に半田バンプ７６ＦＩを介して電子部品９０が実装される。第１のパッケージ基板１２０が完成する。この際、リフローの熱が加えられるが、プリント配線板１００では第２導体層の厚みが第１導体層の厚みより厚い。枠部内第２導体層の面積が枠部内第１導体層の面積より大きい。そのため、第１面Ｆの導体の体積と第２面の導体の体積の差が小さくなる。リフロー前後の配線基板や第１のパッケージ基板の反りが小さい。半田バンプ７６ＦＯを介して第２のパッケージ基板１３０が第１のパッケージ基板１２０に搭載される。パッケージ基板１０と第２のパッケージ基板１３０との間にモールド樹脂１０２が形成される（図５（Ｂ））。ＰＯＰ基板１０００が完成する。その後、個々のＰＯＰ基板に分割される。
【００４８】
[実施形態の改変例]
図７（Ｃ）は実施形態の改変例に係る配線基板を示す。
実施形態の改変例に係る配線基板では、コア基板３０に形成されている電子部品８０を収容するための開口２６は、テーパーを有する。それ以外、改変例の配線基板と実施形態の配線基板は同様である。枠部に関わる構成は実施形態と改変例で同様である。従って、開口２６の形状以外、改変例のプリント配線板と実施形態のプリント配線板は同様である。
開口２６は、第２面Ｓから第１面Ｆに向けてテーパーしている。第１面上の開口２６のサイズは第２面上の開口２６のサイズより小さい。開口の側壁は図７（Ｃ）に示されるように、第２面Ｓから第１面Ｆに向かってテーパーしている。開口２６のサイズは第２面から第１面に向かって小さくなっている。
絶縁基板２０ｚは補強材を有するので、絶縁基板２０ｚの剛性は高い。そのため、絶縁基板２０ｚは、絶縁基板２０ｚ上に形成されている樹脂絶縁層の変形を抑えることができる。
改変例によれば、１番目の上側の樹脂絶縁層５０Ｆとコア基板３０の第１面との接触面積は、下側の樹脂絶縁層５０Ｓとコア基板３０の第２面Ｓとの接触面積より大きい。
改変例では、コア基板の第１面上の上側の樹脂絶縁層の数はコア基板の第２面上の下側の樹脂絶縁層の数より多い。そのため、上側の樹脂絶縁層がコア基板に与える力は、下側の樹脂絶縁層がコア基板に与える力より大きい。
コア基板の第１面の面積は大きく、コア基板の第１面に働く力は大きい。それに対し、コア基板の第２面の面積は小さく、コア基板の第２面に働く力は小さい。そのため、コア基板の第１面と第２面で単位面積当たりの力が比較されると、両者の差は小さくなる。もしくは、両者は略同等である。従って、コア基板に形成されている電子部品収容用の開口が、第２面から第１面に向かうテーパーを有し、さらに、コア基板の表裏で樹脂絶縁層の数が異なっても、反りの小さなプリント配線板やＰＯＰ基板を提供することができる。電子部品を内蔵する配線基板の接続信頼性が高くなる。
【００４９】
[実施形態の改変例のプリント配線板の製造方法]
実施形態の改変例では、絶縁基板の第２面側から絶縁基板にレーザを照射することで電子部品収容用の開口２６が形成される。それ以外、図７（Ｃ）の改変例の製法は実施形態の製法と同様である。
レーザで開口２６が形成されるため、開口の側壁は図７（Ｃ）に示されるように第２面から第１面に向かってテーパーしている。レーザの例はＵＶレーザやＣＯ２レーザである。
【００５０】
実施形態と各改変例のプリント配線板で、Ｎの数字が２であって、Ｋの数字が１であることが好ましい。もしくは、Ｎの数字が３であって、Ｋの数字が１であることが望ましい。反りが小さくなる。
【符号の説明】
【００５１】
１００  プリント配線板
１０  製品
２０ｚ  絶縁基板
２８  貫通孔
３０  コア基板
３４Ｆ  第１導体層
３４Ｓ  第２導体層
３４ＳＷ  枠部内第２導体層
５０Ｆ、５０Ｓ  樹脂絶縁層
５８Ｆ、５８Ｓ  導体層
６０Ｆ、６０Ｓ  ビア導体
８０  電子部品
９８  枠部
１０Ｇ  製品エリア
【図１】
2016086004.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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