(57)【要約】【課題】高周波回路基板配線用途で使用することができ、しかも電子機器の小型化に貢献することが可能な絶縁電線及びその製造方法を提供する。【解決手段】導体１０１と、導体１０１の周囲に形成されている低誘電率磁気遮蔽層１０２と、を備えており、低誘電率磁気遮蔽層１０２は、磁性体粉層１０３が内側低誘電率樹脂層１０４と外側低誘電率樹脂層１０５とで挟み込まれて形成されている絶縁電線１００である。磁性体粉層１０３は、ファインメット（登録商標）で形成されており、外側低誘電率樹脂層１０５は、ポリエチレン樹脂、テトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレン共重合体樹脂、テトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体樹脂、又はエチレン−テトラフルオロエチレン共重合体樹脂で形成されていることが好ましい。【選択図】図１
2016192366.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導体と、
前記導体の周囲に形成されている低誘電率磁気遮蔽層と、
を備えており、
前記低誘電率磁気遮蔽層は、磁性体粉層が低誘電率樹脂層で挟み込まれて形成されていることを特徴とする絶縁電線。
【請求項２】
前記磁性体粉層は、ファインメット（登録商標）で形成されており、
前記低誘電率樹脂層は、ポリエチレン樹脂、テトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレン共重合体樹脂、テトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体樹脂、又はエチレン−テトラフルオロエチレン共重合体樹脂で形成されている請求項１に記載の絶縁電線。
【請求項３】
前記磁性体粉層は、磁性体粉層が低誘電率樹脂層で繰り返し挟み込まれて形成されている請求項１又は２に記載の絶縁電線。
【請求項４】
請求項１から３の何れか一項に記載の絶縁電線の製造方法であって、
前記導体の周囲に低誘電率樹脂を被覆して未硬化低誘電率樹脂層を形成する第一の工程と、
前記未硬化低誘電率樹脂層の周囲に磁性体粉を付着させて前記磁性体粉層を形成する第二の工程と、
前記磁性体粉層の周囲に低誘電率樹脂を被覆して更に未硬化低誘電率樹脂層を形成する第三の工程と、
前記未硬化低誘電率樹脂層を全て硬化させて前記低誘電率樹脂層を形成する第四の工程と、
を備えていることを特徴とする絶縁電線の製造方法。
【請求項５】
前記第二の工程と前記第三の工程とを繰り返す請求項４に記載の絶縁電線の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高周波回路基板配線用途で使用される絶縁電線及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子機器の高周波回路基板配線用途で使用される電線又はケーブルとしては、導体の周囲にエナメル塗料からなる絶縁被膜が形成されている絶縁電線（例えば、特許文献１を参照）や内部導体の周囲に外部導体が同心配置されている同軸ケーブル（例えば、特許文献２を参照）を採用することが考えられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１５−０２８１０６号公報
【特許文献２】特開２００６−０９３０１８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、絶縁電線においては、絶縁被膜の膜厚が５μｍ程度と非常に薄く、磁気遮蔽性能を付与することは行われていないため、絶縁電線を高周波回路基板配線用途で使用する場合は、別途、フェライトコア等を配置する必要がある。また、絶縁被膜は誘電率が高いポリウレタン樹脂（ＰＵ）やポリイミド樹脂（ＰＩ）で形成されているため、絶縁電線による高周波信号伝送は困難である。
【０００５】
これに対して、同軸ケーブルは外部導体が高い電磁遮蔽性能を発揮するため、同軸ケーブルを高周波回路基板配線用途で使用する場合は、別途、フェライトコア等を配置する必要が無く、また同軸ケーブルによる高周波信号伝送は容易であるが、同軸ケーブルは絶縁電線と比較して外径が大きいため、省スペース配線が困難であり、電子機器の小型化に関して不利な面がある。
【０００６】
そこで、本発明の目的は、高周波回路基板配線用途で使用することができ、しかも電子機器の小型化に貢献することが可能な絶縁電線及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
この目的を達成するために創案された本発明は、導体と、前記導体の周囲に形成されている低誘電率磁気遮蔽層と、を備えており、前記低誘電率磁気遮蔽層は、磁性体粉層が低誘電率樹脂層で挟み込まれて形成されている絶縁電線である。
【０００８】
前記磁性体粉層は、ファインメット（登録商標）で形成されており、前記低誘電率樹脂層は、ポリエチレン樹脂、テトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレン共重合体樹脂、テトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体樹脂、又はエチレン−テトラフルオロエチレン共重合体樹脂で形成されていることが好ましい。
【０００９】
前記磁性体粉層は、磁性体粉層が低誘電率樹脂層で繰り返し挟み込まれて形成されていることが好ましい。
【００１０】
また、本発明は、前記導体の周囲に低誘電率樹脂を被覆して未硬化低誘電率樹脂層を形成する第一の工程と、前記未硬化低誘電率樹脂層の周囲に磁性体粉を付着させて前記磁性体粉層を形成する第二の工程と、前記磁性体粉層の周囲に低誘電率樹脂を被覆して更に未硬化低誘電率樹脂層を形成する第三の工程と、前記未硬化低誘電率樹脂層を全て硬化させて前記低誘電率樹脂層を形成する第四の工程と、を備えている絶縁電線の製造方法である。
【００１１】
前記第二の工程と前記第三の工程とを繰り返すことが好ましい。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、高周波回路基板配線用途で使用することができ、しかも電子機器の小型化に貢献することが可能な絶縁電線及びその製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の第一の実施の形態に係る絶縁電線を示す断面図である。
【図２】本発明の第二の実施の形態に係る絶縁電線を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明の好適な実施の形態を添付図面に順って説明する。
【００１５】
先ず、本発明の第一の実施の形態に係る絶縁電線に関して説明する。
【００１６】
図１に示す通り、本発明の第一の実施の形態に係る絶縁電線１００は、導体１０１と、導体１０１の周囲に形成されている低誘電率磁気遮蔽層１０２と、を備えている。
【００１７】
導体１０１は、導電性が高い銀鍍金銅線等で構成されている。これにより、導体１０１の表面における交流抵抗を低下させることができるため、高周波信号伝送に伴う表皮効果の悪影響を最小限に抑制することが可能となる。
【００１８】
低誘電率磁気遮蔽層１０２は、一層の磁性体粉層１０３が二層の低誘電率樹脂層（内側低誘電率樹脂層１０４と外側低誘電率樹脂層１０５）で挟み込まれて形成されており、外来雑音の発生原因となる外部磁界の影響を軽減する磁気遮蔽層としての役割と絶縁被膜としての役割とを果たす。
【００１９】
この絶縁電線１００は、導体１０１の周囲に低誘電率樹脂を被覆（例えば、充実押出被覆）して未硬化低誘電率樹脂層（内側未硬化低誘電率樹脂層）を形成する第一の工程と、内側未硬化低誘電率樹脂層の周囲に磁性体粉を付着させて磁性体粉層１０３を形成する第二の工程と、磁性体粉層１０３の周囲に低誘電率樹脂を被覆（例えば、充実押出被覆）して更に未硬化低誘電率樹脂層（外側未硬化低誘電率樹脂層）を形成する第三の工程と、内側未硬化低誘電率樹脂層を硬化させて内側低誘電率樹脂層１０４を形成すると共に外側未硬化低誘電率樹脂層を硬化させて外側低誘電率樹脂層１０５を形成する第四の工程と、を経て製造されている。
【００２０】
即ち、絶縁電線１００を製造する際は、所定の送出速度で導体１０１を連続して送り出しながら、導体１０１の周囲に内側未硬化低誘電率樹脂層と磁性体粉層１０３と外側未硬化低誘電率樹脂層とを順番に形成し、しかる後、内側未硬化低誘電率樹脂層と外側未硬化低誘電率樹脂層とを同時に硬化させて内側低誘電率樹脂層１０４と外側低誘電率樹脂層１０５とを形成することにより、低誘電率磁気遮蔽層１０２を容易に形成することができる。
【００２１】
磁性体粉層１０３は、層厚が５μｍ以上１０μｍ以下程度であり、日立金属株式会社製のファインメット（登録商標）等の磁気遮蔽性能が高い材料で形成されていることが好ましい。これにより、絶縁電線１００の細径化を図りながら絶縁電線１００に高い磁気遮蔽性能を付与することができる。
【００２２】
なお、ファインメット（登録商標）等の磁性体粉は、微小円筒形状の外形を呈しており、その配向を揃えて磁束が通過する磁路を最適化することにより、磁気遮蔽性能を最大限に発揮することができるが、前述の通り、絶縁電線１００を製造する際は、導体１０１を連続して送り出しながら低誘電率磁気遮蔽層１０２を形成するため、その時の慣性力で磁性体粉の配向を揃えることができる。
【００２３】
内側低誘電率樹脂層１０４と外側低誘電率樹脂層１０５は、層厚が５μｍ以上１０μｍ以下程度であり、ポリエチレン樹脂（ＰＥ）、テトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレン共重合体樹脂（ＦＥＰ）、テトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体樹脂（ＰＦＡ）、又はエチレン−テトラフルオロエチレン共重合体樹脂（ＥＴＦＥ）等の誘電率が低い熱可塑性樹脂又は紫外線硬化型樹脂で形成されていることが好ましい。これにより、絶縁電線１００の細径化を図りながら絶縁電線１００による高周波信号伝送を実現することができる。
【００２４】
なお、誘電率は少し低下するものの、内側低誘電率樹脂層１０４又は外側低誘電率樹脂層１０５を柔軟性が高いポリウレタン樹脂で形成することにより、絶縁電線１００に高い可撓性を付与することができる。
【００２５】
ここで、内側低誘電率樹脂層１０４は、未硬化時において磁性体粉に対する付着性が高い材料で形成されている必要があるが、外側低誘電率樹脂層１０５は、必ずしも未硬化時において磁性体粉に対する付着性が高い材料で形成されている必要はない。
【００２６】
内側低誘電率樹脂層１０４が未硬化時において磁性体粉に対する付着性が高い材料で形成されていない場合は、内側未硬化低誘電率樹脂層に付着する磁性体粉の量が少なくなり、低誘電率磁気遮蔽層１０２における磁気遮蔽性能が低下する虞があるが、外側低誘電率樹脂層１０５が未硬化時において磁性体粉に対する付着性が高い材料で形成されていない場合であっても、内側未硬化低誘電率樹脂層に付着する磁性体粉の量は変わらないため、低誘電率磁気遮蔽層１０２における磁気遮蔽性能が低下する虞はないからである。
【００２７】
更に、外側低誘電率樹脂層１０５は、硬化時において内側低誘電率樹脂層１０４に対する密着性が高く、また内側低誘電率樹脂層１０４と同時に硬化させることができる材料で形成されていることが好ましい。
【００２８】
外側低誘電率樹脂層１０５が硬化時において内側低誘電率樹脂層１０４に対する密着性が高い材料で形成されていない場合は、内側低誘電率樹脂層１０４と外側低誘電率樹脂層１０５との間に空間が形成されることがあり、その空間内で磁性体粉が移動して低誘電率磁気遮蔽層１０２における磁性体粉の分布が偏る虞があるからである。
【００２９】
また、外側低誘電率樹脂層１０５が内側低誘電率樹脂層１０４と同時に硬化させることができる材料で形成されていない場合は、内側低誘電率樹脂層１０４と外側低誘電率樹脂層１０５とを別々に硬化させる必要があるため、低誘電率磁気遮蔽層１０２の形成に時間が掛かり絶縁電線１００の製造歩留が低下するからである。
【００３０】
なお、外側低誘電率樹脂層１０５が硬化時において内側低誘電率樹脂層１０４に対する密着性が高い材料で形成されている場合は、内側低誘電率樹脂層１０４と外側低誘電率樹脂層１０５とが密着してその間に磁性体粉が埋設されるため、低誘電率磁気遮蔽層１０２における磁性体粉の分布を固定することができ、絶縁電線１００の屈曲に伴って低誘電率磁気遮蔽層１０２における磁性体粉の分布が偏ることを防止することができる。
【００３１】
以上の通り、絶縁電線１００は、磁性体粉層１０３が内側低誘電率樹脂層１０４と外側低誘電率樹脂層１０５とで挟み込まれて形成されていると共に最大でも層厚が３０μｍ程度である低誘電率磁気遮蔽層１０２を備えているため、高周波回路基板配線用途で使用することができ、しかも電子機器の小型化に貢献することが可能である。
【００３２】
先ず、本発明の第二の実施の形態に係る絶縁電線に関して説明する。
【００３３】
図２に示す通り、本発明の第二の実施の形態に係る絶縁電線２００は、導体１０１と、導体１０１の周囲に形成されている低誘電率磁気遮蔽層２０１と、を備えている。
【００３４】
低誘電率磁気遮蔽層２０１は、二層の磁性体粉層（内側磁性体粉層２０２と外側磁性体粉層２０３）が三層の低誘電率樹脂層（内側低誘電率樹脂層１０４と中間低誘電率樹脂層２０４と外側低誘電率樹脂層１０５）で繰り返し挟み込まれて形成されている。
【００３５】
この絶縁電線２００は、導体１０１の周囲に低誘電率樹脂を被覆（例えば、充実押出被覆）して内側未硬化低誘電率樹脂層を形成する第一の工程と、内側未硬化低誘電率樹脂層の周囲に磁性体粉を付着させて内側磁性体粉層２０２を形成する第二の工程と、内側磁性体粉層２０２の周囲に低誘電率樹脂を被覆（例えば、充実押出被覆）して未硬化低誘電率樹脂層（中間未硬化低誘電率樹脂層）を形成する第三の工程と、中間未硬化低誘電率樹脂層の周囲に磁性体粉を付着させて外側磁性体粉層２０３を形成する第四の工程と、外側磁性体粉層２０３の周囲に低誘電率樹脂を被覆（例えば、充実押出被覆）して外側未硬化低誘電率樹脂層を形成する第五の工程と、内側未硬化低誘電率樹脂層を硬化させて内側低誘電率樹脂層１０４を形成し、中間未硬化低誘電率樹脂層を硬化させて中間低誘電率樹脂層２０４を形成し、且つ、外側未硬化低誘電率樹脂層を硬化させて外側低誘電率樹脂層１０５を形成する第六の工程と、を経て製造されている。
【００３６】
即ち、絶縁電線２００は、絶縁電線１００を製造する際の第二の工程と第三の工程とを繰り返すことにより、内側磁性体粉層２０２と外側磁性体粉層２０３とが内側低誘電率樹脂層１０４と中間低誘電率樹脂層２０４と外側低誘電率樹脂層１０５とで繰り返し挟み込まれて形成されている低誘電率磁気遮蔽層２０１を備えており、絶縁電線１００と比較して、低誘電率磁気遮蔽層１０２の代替として低誘電率磁気遮蔽層２０１を備えている点のみで相違している。
【００３７】
中間低誘電率樹脂層２０４は、内側低誘電率樹脂層１０４と同様の理由により、層厚が５μｍ以上１０μｍ以下程度であり、未硬化時において磁性体粉に対する付着性が高い材料で形成されていることが好ましい。
【００３８】
また、中間低誘電率樹脂層２０４は、外側低誘電率樹脂層１０５と同様の理由により、硬化時において内側低誘電率樹脂層１０４と外側低誘電率樹脂層１０５に対する密着性が高く、また内側低誘電率樹脂層１０４と外側低誘電率樹脂層１０５と同時に硬化させることができる材料で形成されていることが好ましい。
【００３９】
以上の通り、絶縁電線２００は、内側磁性体粉層２０２と外側磁性体粉層２０３とが内側低誘電率樹脂層１０４と中間低誘電率樹脂層２０４と外側低誘電率樹脂層１０５とで繰り返し挟み込まれて形成されていると共に最大でも層厚が５０μｍ程度である低誘電率磁気遮蔽層２０１を備えているため、高周波回路基板配線用途で使用することができ、しかも電子機器の小型化に貢献することが可能である。
【００４０】
なお、本発明は、前述の実施の形態に限定されず、本発明の主旨を逸脱しない範囲で種々の変更を加えることができる。
【００４１】
例えば、顧客等から要求される特性に応じて、三層以上の磁性体粉層が四層以上の低誘電率樹脂層で挟み込まれて形成されている低誘電率磁気遮蔽層を備えている絶縁電線としても構わない。
【００４２】
また、顧客等から要求される特性に応じて、低誘電率磁気遮蔽層の周囲に低誘電率磁気遮蔽層を保護するための被覆層が形成されていても構わない。
【００４３】
更に、導体１０１の直上に、ポリイミド樹脂やポリアミドイミド樹脂等のエナメル塗料からなる絶縁被膜を設け、その上に内側低誘電率樹脂層１０４を設けても良い。
【符号の説明】
【００４４】
１００  絶縁電線
１０１  導体
１０２  低誘電率磁気遮蔽層
１０３  磁性体粉層
１０４  内側低誘電率樹脂層
１０５  外側低誘電率樹脂層
【図１】
2016192366.tif 000003
【図２】
2016192366.tif 000004