(57)【要約】 【課題】補助パターンの配置が難しいレイアウトのリソグラフィマージンを維持する。【解決手段】マスクデータ作成装置は、基板上に形成するメインパターンに、補助パターンを付加する補助パターン配置部と、前記補助パターンが、基板上に転写されないことを検証する転写判定部と、前記補助パターンのうち、基板上に転写される可能性がある矩形状の補助パターンの短辺の寸法が所定の基準を下回っている場合、前記矩形状の補助パターンの長辺方向の所定の位置から前記矩形状の補助パターンの短辺を横断するようカットし、前記矩形状の補助パターンを分割するパターン補正部と、を備える。【選択図】図１
2016024259.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成するメインパターンに、補助パターンを付加する第１の工程と、
前記補助パターンが、基板上に転写されないことを検証する第２の工程と、
前記補助パターンのうち、基板上に転写される可能性がある矩形状の補助パターンの短辺の寸法が所定の基準を下回っている場合、前記矩形状の補助パターンの長辺方向の所定の位置から前記矩形状の補助パターンの短辺を横断するようカットし、前記矩形状の補助パターンを分割する第３の工程と、を含むマスクデータの作成方法。
【請求項２】
前記第３の工程により分割した補助パターンが基板上に転写される可能性がある場合、前記補助パターンのカット幅の増大、及び、前記補助パターンの分割数の増大のいずれか又は双方を実施する請求項１のマスクデータの作成方法。
【請求項３】
さらに、前記第３の工程に優先して、基板上に転写される可能性がある補助パターンのうち、寸法を縮小可能な補助パターンの寸法を縮小する第４の工程を含み、
すべての補助パターンが基板上に転写されないことが確認されるまで、前記第２〜４の工程を繰り返す請求項１又は２のマスクデータの作成方法。
【請求項４】
さらに、前記分割後の補助パターンの面積が所定の基準に満たない場合、当該面積が所定の基準に満たない補助パターンを削除する第５の工程と、を含む請求項１から３いずれか一のマスクデータの作成方法。
【請求項５】
前記補助パターンは、前記メインパターンの解像度を向上させるためのラインパターン又は前記メインパターンのフォーカス特性を改善するためのスリット状のパターンである請求項１から４いずれか一のマスクデータの作成方法。
【請求項６】
基板上に形成するメインパターンに、補助パターンを付加する第１の工程と、
前記補助パターンが、基板上に転写されないことを検証する第２の工程と、
前記補助パターンのうち、基板上に転写される可能性がある実線状の補助パターンの短辺の寸法が所定の基準を下回っている場合、前記実線状の補助パターンを破線状の補助パターンに変換する第３の工程と、を含むマスクデータの作成方法。
【請求項７】
請求項１から５いずれか一のマスクデータの作成方法を用いて作成されたマスクデータを用いて作成したフォトマスク。
【請求項８】
基板上に形成するメインパターンに、補助パターンを付加する補助パターン配置部と、
前記補助パターンが、基板上に転写されないことを検証する転写判定部と、
前記補助パターンのうち、基板上に転写される可能性がある矩形状の補助パターンの短辺の寸法が所定の基準を下回っている場合、前記矩形状の補助パターンの長辺方向の所定の位置から前記矩形状の補助パターンの短辺を横断するようカットし、前記矩形状の補助パターンを分割するパターン補正部と、を備えるマスクデータ作成装置。
【請求項９】
基板上に形成するメインパターンと、
前記メインパターンに付加された補助パターンと、が配置されたフォトマスクであって、
前記補助パターンのうち、基板上に転写される可能性がある矩形状の補助パターンの短辺の寸法が所定の基準を下回っている場合、前記矩形状の補助パターンの長辺方向の所定の位置から前記矩形状の補助パターンの短辺を横断するようカットし、前記矩形状の補助パターンを分割することで、前記補助パターンが、基板上に転写されないように構成されているフォトマスク。
【請求項１０】
請求項７又は請求項９のフォトマスクを用いたフォトリソグラフィ技術により、基板上に前記メインレジストパターンを形成する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マスクデータの作成方法、マスクデータ作成装置、フォトマスク及び半導体データの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体製造工程で用いられるフォトマスクのリソグラフィマージンの拡大のため補助パターン（ＳＲＡＦ：Ｓｕｂ−Ｒｅｓｏｌｕｔｉｏｎ  Ａｓｓｉｓｔ  Ｆｅａｔｕｒｅ）と呼ばれる、未解像ダミーパターンを付加する方法が知られている（非特許文献１参照）。特許文献１では、最小スペースを有するパターンよりスペースの大きいパターン（同文献の図５の１１＋１２＋１３）に対し、スペースの内側にパターン形成ができない小さな大ささの多数個の補助パターンを備えて同様な大きさのスペース幅を有するようにした斜入射用露光マスクが開示されている。
【０００３】
この種の補助パターンの作成方法としては、大きく分けて２種類の方法がある。１つ目は、ルールベースと呼ばれ、設計ルールの幾何学的情報に基づき、予め定められたテーブル（ルールテーブルと呼ぶ）に従い補助パターンを発生させる方法である。前記ルールテービルとしては、補助パターン発生対象のパターンの幅とその隣のパターンとの間隔により、配置する補助パターンの幅、本数、間隔等を定めたテーブルが用いられる。２つ目は、モデルベースと呼ばれ、シミュレーションで求める補助パターン発生マップ（干渉マップとも言う）より図形を抽出して補助パターンを発生させる方法である。前者は処理時間において優位があり、後者はルールベースではリソグラフィマージンを改善しにくいレイアウトにも適用できるという利点がある。特許文献２には、上記ルールベースと、モデルベースとを併用して補助パターンを配置する方法が開示されている。
【０００４】
特許文献２の図４に示されるように、上記補助パターンの配置が完了すると、補助パターンを含んだ設計パターンを用いてリソグラフィターゲットが作成される。このリソグラフィターゲットに対して、光近接効果補正（ＯＰＣ：Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ  Ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ）と呼ばれる光の解析や工程の影響による転写イメージの補正を行うことで、マスクパターンが作成される。さらに、このマスクパターンに対して、リソグラフィマージン検証、ＭＲＣ（Ｍａｓｋ  Ｒｕｌｅ  Ｃｈｅｃｋ）検証、転写検証が行われる。ここで、転写検証に不合格であった場合、補助データの補正処理が行われる（特許文献２の図４のＳ１８０〜Ｓ１９０参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平９−４３８３２号公報
【特許文献２】特開２０１１−２４８２２３号公報
【非特許文献】
【０００６】
【非特許文献１】Ｊｉａｎｌｉａｎｇ  Ｌｉ  ｅｔ  ａｌ．、“Ｂｉｎａｒｙ  Ｍｏｄｅｌｉｎｇ  Ｍｅｔｈｏｄ  ｔｏ  Ｃｈｅｃｋ  ｔｈｅ  Ｓｕｂ−ｒｅｓｏｌｕｔｉｏｎ  Ａｓｓｉｓｔ  Ｆｅａｔｕｒｅｓ（ＳＲＡＦｓ）  Ｐｒｉｎｔａｂｉｌｉｔｙ”、Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｍｉｃｒｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ  ＸＸＶ，  Ｐｒｏｃ．  ｏｆ  ＳＰＩＥ  Ｖｏｌ．  ８３２６，  ８３２６１Ｄ（２０１２）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
以下の分析は、本発明によって与えられたものである。上記転写検証において、補助パターンが転写されてしまうことが判明した場合、補助パターンの寸法を小さくすることが行われる（例えば、特許文献２の段落００５０参照）。しかしながら、寸法を縮小していくと、ＭＲＣ検証で、最小寸法基準や最小面積基準を満たしていないと判断され、最終的には、補助パターンを削除せざるを得ないという状況が起こりうる。この結果、本来補助パターンでリソグラフィマージンを上げるはずであった箇所のリソグラフィマージンが劣化してしまうという問題点がある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
第１の視点によれば、基板上に形成するメインパターンに、補助パターンを付加する第１の工程と、前記補助パターンが、基板上に転写されないことを検証する第２の工程と、前記補助パターンのうち、基板上に転写される可能性がある矩形状の補助パターンの短辺の寸法が所定の基準を下回っている場合、前記矩形状の補助パターンの長辺方向の所定の位置から前記矩形状の補助パターンの短辺を横断するようカットし、前記矩形状の補助パターンを分割する第３の工程と、を含むマスクデータの作成方法が提供される。本方法は、補助パターンが付加されたマスクデータを作成するマスクデータ作成装置という特定の機械に結びつけられている。
【０００９】
第２の視点によれば、基板上に形成するメインパターンに、補助パターンを付加する補助パターン配置部と、前記補助パターンが、基板上に転写されないことを検証する転写判定部と、前記補助パターンのうち、基板上に転写される可能性がある矩形状の補助パターンの短辺の寸法が所定の基準を下回っている場合、前記矩形状の補助パターンの長辺方向の所定の位置から前記矩形状の補助パターンの短辺を横断するようカットし、前記矩形状の補助パターンを分割するパターン補正部と、を備えるマスクデータ作成装置が提供される。
【００１０】
第３の視点によれば、基板上に形成するメインパターンと、前記メインパターンに付加された補助パターンと、が配置されたフォトマスクであって、前記補助パターンのうち、基板上に転写される可能性がある矩形状の補助パターンの短辺の寸法が所定の基準を下回っている場合、前記矩形状の補助パターンの長辺方向の所定の位置から前記矩形状の補助パターンの短辺を横断するようカットし、前記矩形状の補助パターンを分割することで、前記補助パターンが、基板上に転写されないように構成されているフォトマスクが提供される。
【００１１】
第４の視点によれば、上記したフォトマスクを用いたフォトリソグラフィ技術により、基板上に前記メインレジストパターンを形成する工程を含む半導体装置の製造方法が提供される。本方法は、フォトマスクを用いて半導体デバイス等を製造する半導体製造装置という特定の機械に結びつけられている。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、補助パターンの配置が難しいレイアウトにおいても、所定のリソグラフィマージンを確保することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の一実施形態の構成を示す図である。
【図２】本発明の第１の実施形態のマスクデータ作成装置の構成を示すブロック図である。
【図３】本発明の第１の実施形態のマスクデータ作成装置の動作を表した流れ図である。
【図４】本発明の第１の実施形態の動作を説明するためのメインパターンを示す図である。
【図５】図４のレイアウトに補助パターンを配置した例を示す図である。
【図６】図５のマスクパターンによるレジスト形状シミュレーション結果を示す図である。
【図７】図４のマスクパターン中の補助パターンを分割した例を示す図である。
【図８】図７のマスクパターンによるレジスト形状シミュレーション結果を示す図である。
【図９】本発明の第２の実施形態の動作を説明するためのマスクパターンを示す図である。
【図１０】図９のマスクパターンによるレジスト形状シミュレーション結果を示す図である。
【図１１】図９のマスクパターン中の補助パターン（スリット）を分割した例を示す図である。
【図１２】図１１のマスクパターンによるレジスト形状シミュレーション結果を示す図である。
【図１３】本発明の第３の実施形態の動作を説明するためのマスクパターンを示す図である。
【図１４】図１３のマスクパターン中の補助パターンを分割した例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
はじめに本発明の一実施形態の概要について図面を参照して説明する。なお、この概要に付記した図面参照符号は、理解を助けるための一例として各要素に便宜上付記したものであり、本発明を図示の態様に限定することを意図するものではない。
【００１５】
本発明は、その一実施形態において、図１に示すように、入力部１０１と、基板上に形成するメインパターン（基板に転写されるべきマスクパターン）に、ルールテーブル又は干渉マップに基づいてルールベース又はモデルベースの補助パターンを付加する補助パターン配置部１０２と、前記補助パターンが、基板上に転写されないことを検証する転写判定部１０６と、パターン補正部１０８ａと、を備えるマスクデータ作成装置１００ａにて実現できる。
【００１６】
より具体的には、前記パターン補正部１０８ａは、補助パターンのうち、基板上に転写される可能性がある矩形状の補助パターンの短辺の寸法が所定の基準を下回っている場合（つまりＭＲＣ上これ以上寸法を小さくすることができない場合）、前記矩形状の補助パターンの長辺方向の所定の位置から前記矩形状の補助パターンの短辺を横断するようカットし、前記矩形状の補助パターンを分割する処理を行う（図５〜図８の符号３参照）。その後、必要に応じて、転写判定部１０６にて転写判定を行う。
【００１７】
以上のようにすることで、補助パターンの配置が難しいレイアウトにおいても補助パターンを配置し、リソグラフィマージンを確保することが可能となる。
【００１８】
［第１の実施形態］
続いて、本発明の第１の実施形態について図面を参照して詳細に説明する。図２は、本発明の第１の実施形態のマスクデータ作成装置の構成を示すブロック図である。図２を参照すると、入力部１０１と、補助パターン配置部１０２と、ルールテーブル／干渉マップ記憶部１０３と、ＯＰＣ処理部１０４と、ＬＲＣ部１０５と、転写判定部１０６と、第１補正部１０７と、第２補正部１０８と、ＭＲＣ部１０９とを備えた構成が示されている。
【００１９】
補助パターン配置部１０２は、ルールテーブル／干渉マップ記憶部１０３に記憶されたルールテーブル又は干渉マップに基づいて、ルールベース又はモデルベースの補助パターンの付加を行う。ルールテーブルとしては、補助パターン発生対象のパターンの幅とその隣のパターンとの間隔により、配置する補助パターンの幅および本数と間隔等が定められる。なお、本実施形態では、ルールテーブル／干渉マップ記憶部１０３にルールテーブルが格納されており、ルールベースを用いるものとするが、モデルベースを用いることも可能であるし、特許文献２のように両者を併用しても構わない。
【００２０】
ＯＰＣ処理部１０４は、補助パターン配置部１０２にて、補助パターンが付加されたマスクパターンに対しＯＰＣ処理を行う。
【００２１】
ＬＲＣ部１０５は、ＯＰＣ処理後のマスクパターンに対して、リソグラフィ・ルール・チェック（ＬＲＣ）を実施し、意図したパターンが正しく転写されるかどうかや、リソグラフィマージンが確保されているか否かを確認する。このリソグラフィ・ルール・チェックでは、プロセスウインドウ（フォーカス、露光量及びマスク寸法変化）の確認が行われる。
【００２２】
転写判定部１０６は、リソグラフィ・ルール・チェック後のマスクパターンに対して、転写判定を行う。転写判定の結果、補助パターンに転写可能性があることが判明した場合、第１補正部１０７にて、補正処理が行われる。
【００２３】
第１補正部１０７は、転写可能性がある補助パターンの幅（矩形の補助パターンの短辺方向寸法）を狭める余地があるかどうかを確認し、狭める余地があれば、補助パターンの幅を狭くする補正処理を行う。補正後のマスクパターンは再度ＯＰＣ処理部１０４に入力される。一方、補助パターンの幅がＭＲＣ上定められた最小寸法に達しているなど、狭める余地が無い場合、第１補正部１０７では処理は行われず、マスクパターンは第２処理部１０８に送られる。
【００２４】
第２補正部１０８は、第１補正部１０７にて、補助パターンの幅を狭める余地無し（所定閾値以下）と判定された場合に、補助パターンをドット状に分割する処理を行う。より具体的には、第２補正部１０８は、補助パターンの転写危険範囲（例えば、図５の補助パターン３参照）を予測し、その中央から所定のルールに従い、部分的に補助パターンを削除することでドット状の分割が実現される（図７参照）。このパターン分割は、実線状の補助パターンの破線状の補助パターンへの変更とも把握できる。また、第２補正部１０８は、前記分割後の補助データの転写判定の結果、再度、転写可能性ありと判断された場合、該当する補助パターンのカット幅の増大、カット間隔（ピッチ）の縮小（即ち、分割数の増大）のいずれか、又は、これらの双方を実施する。即ち、第２補正部１０８は、補助パターンの転写可能性が無くなるまで、補助パターンを短辺方向にカットしていき、面積を減らしていく処理を行うことになる。なお、上述したパターン補正部は、第２補正部１０８に相当する。
【００２５】
また、本実施形態の第２補正部１０８は、前記補助パターンの分割の過程で、分割後の補助パターンに所定の面積未満のパターンが生じた場合、当該パターンを削除する処理を行う。
【００２６】
ＭＲＣ部１０９は、ＭＲＣ（Ｍａｓｋ  Ｒｕｌｅ  Ｃｈｅｃｋ）と呼ばれるマスクデータがマスク製造・検査の点で問題が無いかの確認を行う。より具体的には、マスクパターンに、所定の寸法以下や所定の面積以下となる部分が無いかの検査が行われる。この検査は、細すぎるパターンや小さすぎるパターンはマスク製造の工程で、レジストパターンが砕ける可能性があり、マスク検査も難しくなるという観点で行われる。
【００２７】
なお、ＭＲＣはＯＰＣ処理部１０４におけるＯＰＣ処理においても行われ、違反がないように処理されているが、ここでは最終データでの確認が行われる。その理由は、ＯＰＣ処理ではテンプレートと呼ばれる小編域に分割されて処理され、テンプレート内ではＭＲＣが問題なくても、テンプレートを合成した最終データでは、テンプレート境界で微少図形が発生する可能性があるためである。そのため、上述したＬＲＣ及びＭＲＣでは最終データで検査を行っている。
【００２８】
また、上述のＬＲＣやＭＲＣで問題が検出された場合、マスクデータ作成装置１００は、違反箇所やその内容を表示する。オペレータは、この内容を見て、違反箇所をどのように修正するかといった判断を行うことになる。
【００２９】
なお、図１、図２に示したマスクデータ作成装置１００、１００ａの各部（処理手段）は、マスクデータ作成装置を構成するコンピュータに、そのハードウェアを用いて、上記した各処理を実行させるコンピュータプログラムにより実現することもできる。
【００３０】
続いて、本実施形態の動作について図面を参照して詳細に説明する。図３は、本発明の第１の実施形態のマスクデータ作成装置の動作を表した流れ図である。図３を参照すると、まず、ＯＰＣ処理前のマスクデータが入力される（ステップＳ００１）。
【００３１】
以下の説明では、図４に示す４０ｎｍ（Ｌ１／Ｓ１）のライン・アンド・スペース（Ｌ／Ｓ）パターンの中に、３７０ｎｍ（Ｌ２）の島があるレイアウトを用いて説明する。照明条件は、ＡｒＦ液浸露光装置（波長λ＝１９３ｎｍ）、ＮＡ＝１．３５、ダイポール照明（開口角３５度、σｉｎ＝０．７５，σｏｕｔ＝０．９）、Ｙ偏光適用とする。
【００３２】
次に、マスクデータ作成装置１００は、ルールテーブルに基づいて、入力されたマスクパターンに補助パターンを配置する（ステップＳ００２）。ここでは、図５に示すように、３７０ｎｍの島パターン２とその最寄りの４０ｎｍラインパターン１との間に幅１５ｎｍの補助パターン３を配置したものとする。なお、以下の説明では、補助パターンのＭＲＣは、幅１５ｎｍ未満をＮＧとする。
【００３３】
次に、マスクデータ作成装置１００は、ＯＰＣ処理（ステップＳ００３）と、ＬＲＣを実施する（ステップＳ００４）。さらに、マスクデータ作成装置１００は、ＬＲＣ後のマスクパターンの転写判定を行う（ステップＳ００５）。
【００３４】
図６は、図５のマスクパターンのベストフォーカスでのレジスト形状シミュレーション結果を示す図である。ダイポール照明は、補助パターンが転写し易い条件であり、かつ、太いパターンに隣接した補助パターンも転写し易い。このため、図６の例では、補助パターンの幅が最小値１５ｎｍとなっているにも拘わらず、図５の補助パターン３が転写されてしまっている。
【００３５】
この場合、マスクデータ作成装置１００は、図５の補助パターン３の短辺（幅）を縮小可能か否かを確認する（ステップＳ００６）。ここでは、補助パターン３の幅は１５ｎｍであるので、これ以上の縮小はできないと判定し（ステップＳ００６のＮｏ）、次の補助パターン分割処理を行う。なお、補助パターン３の幅に余裕があり、縮小可能と判定した場合は、ステップＳ００７にて補助パターンの細幅化が行われる（ステップＳ００７）。
【００３６】
補助パターンの細幅化ができない場合、マスクデータ作成装置１００は、補助パターン３をドット状に分割する処理を実施する（ステップＳ００８）。例えば、マスクデータ作成装置１００は、前述のＭＲＣ下限まで細くした補助パターン３の転写危険範囲を予測し、その中央から所定のルールに従い、補助パターンの短辺（幅）を横断するように部分的に補助パターン３を削除する。
【００３７】
図７は、分割処理後の補助パターン３の一例を示す図である。図７の例では、転写予測範囲の中央から、５０ｍｍ幅（ｐ−ｌ）、かつ、ピッチｐ＝１００ｎｍで端部まで繰り返してカットを行っている。このようにドット状に分割した結果、端部では５０ｎｍ以下の長さの補助パターンが形成されることがある。そこで、本実施形態のマスクデータ作成装置１００は、上述のような狭小パターンが発生しているか否かを確認し、狭小パターンが発生している場合、該当するパターンの削除処理を行う（ステップＳ００９）。例えば、該当パターンの面積が、ＭＲＣの面積基準と同様に、６００ｎｍ２以下であれば削除することができる。このような処理を行うことで、一定以上の面積が無いマスク基板からの補助パターンの剥がれが発生する可能性を抑えることが可能となる。
【００３８】
その後、マスクデータ作成装置１００は、再度、ＯＰＣ処理（ステップＳ００３）、ＬＲＣ（ステップＳ００４）、転写判定（ステップＳ００５）を実施する。
【００３９】
図８は、図７のマスクパターンのベストフォーカスでのレジスト形状シミュレーション結果を示す図である。図７に示すように、補助パターンを分割しているため、補助パターンの転写が抑止されている。
【００４０】
この場合、マスクデータ作成装置１００は、ＭＲＣを行う（ステップＳ０１０）。ＭＲＣで問題が無ければ、マスクデータの完成となる（ステップＳ０１１）。
【００４１】
なお、図７のマスクパターンにおいても転写が発生している場合、第２補正部１０８にて再度の補正処理を行うことができる。再度の補正処理としては、例えば、前記のカットパターンのピッチｐ＝１００ｎｍを狭めたり、カット幅５０ｎｍを大きくする処理等が考えられる。このようにすることで、段階的に、リソグラフィマージンを落としながら、転写を抑えることのできるカットパターンを得ることができる。
【００４２】
以上説明したように、本実施形態によれば、補助パターンの効果を維持し、マージン劣化を抑えつつ、転写を防止できるという顕著な効果が奏出される。その理由は、転写可能性ありと判定された補助パターンを全部削除してしまうのではなく、まず、補助パターンの幅を狭め、その次に、補助パターンを段階的にドット状に分割するよう構成したことにある。
【００４３】
［第２の実施形態］
続いて、本発明の第２の実施形態について図面を参照して詳細に説明する。本発明の第２の実施形態は、対象とするマスクパターンが異なるのみで、構成及び動作は第１の実施形態と同様であるので、以下、その相違点を中心に説明する。
【００４４】
図９は、本発明の第２の実施形態の動作を説明するためのマスクパターンを示す図である。図９を参照すると、１２０ｎｍライン１１と４０ｎｍのスペースの繰り返しパターンを含むレイアウトが示されている。また、図９の１２０ｎｍライン１１内のスリット状のパターンは、スペースパターンのフォーカス特性を改善するために配置された補助パターン１３ｂである。このような補助パターンは、ラインの中央に、２０ｎｍの幅のスリット状の補助パターンを配置するルール等に基づいて配置される。
【００４５】
図１０は、図９のマスクパターンのベストフォーカスでのレジスト形状シミュレーション結果を示す図である。図１０の例では、図９の補助パターン１３ｂが転写されてしまっている。そこで、このような場合、まず、第１補正部１０７にて補助パターン１３ｂの幅（短辺）を縮小する処理が行われる。
【００４６】
その後、再度の転写判定が行われて、なお、転写が発生してしまう場合、補助パターンは１５ｎｍ幅まで細く修正される。
【００４７】
前記補助パターン１３ｂの幅（短辺）の縮小が限界に達した場合、マスクデータ作成装置１００は、周辺が明るく最も転写の発生しやすい最外周ラインの補助パターンを、第２補正部１０８にて、分割する処理を行う。
【００４８】
図１１は、最外周ラインの補助パターン１３ｂを分割したドット状の補助パターン１３ａとしたマスクパターンを示す図である。図１１の例では、補助パターン１３ａは、１５ｎｍ幅、５０ｎｍ長さ、１００ｎｍピッチとなっている。
【００４９】
図１２は、図１１のマスクパターンのベストフォーカスでのレジスト形状シミュレーション結果を示す図である。図１２の例では、最外周ラインの補助パターンを、図１１のようにドット状の補助パターン１３ａに分割したため、転写が抑止されている。
【００５０】
以上説明したように、本発明は、スペースパターンのフォーカス特性を改善するためのスリット状の補助パターンにも適用することが可能である。また、上記の例においても説明したように、第１、第２補正部による補正は、転写判定された補助パターンを対象とすればよい。転写の発生しない補助パターンについては、それ以上の補正は不要であるからである。
【００５１】
［第３の実施形態］
続いて、本発明の第３の実施形態について図面を参照して詳細に説明する。本発明の第３の実施形態は、対象とするマスクパターンが異なるのみで、構成及び動作は第１の実施形態と同様であるので、以下、その相違点を中心に説明する。
【００５２】
図１３は、本発明の第３の実施形態の動作を説明するためのマスクパターンを示す図である。図１３を参照すると、２つの島パターンの間に、３本のライン状の補助パターン２３ｂが配置された状態が示されている。
【００５３】
図１３のようなマスクパターンにおいて、太いパターンに隣接した両端の補助パターン１３ｂに転写が発生し易くなる。この場合、まず、マスクデータ作成装置１００は、両端の補助パターン１３ｂの細幅化を実施する（図３のステップＳ００７参照）。その後、両端の補助パターン１３ｂの幅がＭＲＣ下限に到っても、転写が発生してしまう場合、マスクデータ作成装置１００は、両端の補助パターン１３ｂを分割し、ドット状の補助パターン１３ａ、１３ｃに変換する処理を行う（図３のステップＳ００８参照）。
【００５４】
以上説明したように、本発明は、図１３に示すようなレイアウトにも適用することが可能である。また、上記の例においても説明したように、第１、第２補正部による補正は、転写判定された補助パターンを対象とすればよい。転写の発生しない補助パターン（図１３の中央の補助パターン２３ｂ）については、それ以上の補正は不要であるからである。
【００５５】
以上、本発明の各実施形態を説明したが、本発明は、上記した実施形態に限定されるものではなく、本発明の基本的技術的思想を逸脱しない範囲で、更なる変形・置換・調整を加えることができる。例えば、各図面に例示したマスクパターンは、本発明の理解を助けるための一例であり、これらの図面に示した構成に限定されるものではない。
【００５６】
なお、上記の特許文献および非特許文献の各開示を、本書に引用をもって繰り込むものとする。本発明の全開示（請求の範囲を含む）の枠内において、さらにその基本的技術思想に基づいて、実施形態ないし実施例の変更・調整が可能である。また、本発明の開示の枠内において種々の開示要素（各請求項の各要素、各実施形態ないし実施例の各要素、各図面の各要素等を含む）の多様な組み合わせ、ないし選択が可能である。すなわち、本発明は、請求の範囲を含む全開示、技術的思想にしたがって当業者であればなし得るであろう各種変形、修正を含むことは勿論である。特に、本書に記載した数値範囲については、当該範囲内に含まれる任意の数値ないし小範囲が、別段の記載のない場合でも具体的に記載されているものと解釈されるべきである。
【符号の説明】
【００５７】
１、１１  ラインパターン
２、２ａ、２ｂ  島パターン
３、１３ａ、１３ｂ、２３ａ、２３ｂ、２３ｃ  補助パターン
１００、１００ａ  マスクデータ作成装置
１０１  入力部
１０２  補助パターン配置部
１０３  ルールテーブル／干渉マップ記憶部
１０４  ＯＰＣ処理部
１０５  ＬＲＣ部
１０６  転写判定部
１０７  第１補正部
１０８  第２補正部
１０８ａ  パターン補正部
１０９  ＭＲＣ部
【図１】
2016024259.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図７】
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【図９】
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【図１１】
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【図１３】
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【図１４】
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【図６】
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【図８】
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【図１０】
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【図１２】
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