(57)【要約】      （修正有）【課題】マイクロ電子デバイスからの熱の除去、より具体的には、光素子が搭載される基板を通じた光素子からの熱の除去。【解決手段】マイクロ電子基板１１０は、高熱導電性の誘電材料を備える。マイクロ電子基板は、マイクロ電子基板内に導電性インサート１６２を備え、光素子１２０がマイクロ電子基板の一面１６４に近接する導電性インサートと熱的に接触し、放熱デバイス１４０がマイクロ電子基板の対向する面に近接する導電性インサートと熱的に接触する。または、基部及び台座部を有する段付きヒートスプレッダが、マイクロ電子基板を通じて挿入される台座部を有し、光素子を、マイクロ電子基板の一面に近接する台座部と熱的に接触させ、放熱デバイスを、基部と熱的に接触させてもよい。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１面及び対向する第２面を有するマイクロ電子基板と、
前記マイクロ電子基板の第１面に近接する光素子と、
基部及び前記基部から延びる台座部を有する段付きヒートスプレッダと
を備え、
前記光素子は、アクティブ表面及び対向する裏面を含み、
前記台座部は、前記マイクロ電子基板を通って延び、
前記段付きヒートスプレッダの基部は、マイクロ電子基板の第２面に近接しており、前記段付きヒートスプレッダの台座部は、前記マイクロ電子基板の第１面に対して実質的に平坦である第１面を含み、
前記光素子の裏面は、前記段付きヒートスプレッダの台座部の第１面と熱的に接触する、フォトニックパッケージ。
【請求項２】
前記光素子の裏面は、熱伝導性のアタッチメント材で前記段付きヒートスプレッダの台座部の第１面に熱的に取り付けられる、請求項１に記載のフォトニックパッケージ。
【請求項３】
前記段付きヒートスプレッダの基部は、前記段付きヒートスプレッダの台座部に隣接する第１面及び前記第１面に対向する第２面を含む、請求項１又は２に記載のフォトニックパッケージ。
【請求項４】
前記段付きヒートスプレッダの基部の第２面に熱的に取り付けられる放熱デバイスをさらに備える、請求項３に記載のフォトニックパッケージ。
【請求項５】
前記段付きヒートスプレッダの基部の第１面は、前記マイクロ電子基板の第２面に取り付けられる、請求項３に記載のフォトニックパッケージ。
【請求項６】
前記光素子は、前記マイクロ電子基板に電気的に接続される、請求項１に記載のフォトニックパッケージ。
【請求項７】
前記光素子は、前記光素子のアクティブ表面から前記マイクロ電子基板の第１面へ延びる少なくとも１つのボンドワイヤにより、前記マイクロ電子基板の第１面に電気的に接続される、請求項６に記載のフォトニックパッケージ。
【請求項８】
前記光素子に結合される光伝送線路をさらに備える、請求項１、２、６及び７のうちのいずれか一項に記載のフォトニックパッケージ。
【請求項９】
第１面及び対向する第２面を有するマイクロ電子基板と、
前記マイクロ電子基板内に位置する導電性インサートと、
前記マイクロ電子基板の第１面に近接する光素子と、
前記マイクロ電子基板の第２面に近接する放熱デバイスと
を備え、
前記導電性インサートは、前記マイクロ電子基板の第１面に対して実質的に平坦である第１面及び前記マイクロ電子基板の第２面に対して実質的に平坦である第２面を含み、
前記光素子は、アクティブ表面及び対向する裏面を含み、
前記光素子の裏面は、前記導電性インサートの第１面と熱的に接触し、前記放熱デバイスは、前記導電性インサートの第２面に熱的に接触する、フォトニックパッケージ。
【請求項１０】
前記光素子の裏面は、熱伝導性のアタッチメント材で前記導電性インサートの第１面に熱的に取り付けられる、請求項９に記載のフォトニックパッケージ。
【請求項１１】
前記放熱デバイスと前記導電性インサートの第２面との間に熱インタフェース材料をさらに備える、請求項９又は１０に記載のフォトニックパッケージ。
【請求項１２】
前記光素子は、前記マイクロ電子基板に電気的に接続される、請求項９に記載のフォトニックパッケージ。
【請求項１３】
前記光素子は、前記光素子のアクティブ表面から前記マイクロ電子基板の第１面へ延びる少なくとも１つのボンドワイヤにより、前記マイクロ電子基板の第１面に電気的に接続される、請求項１２に記載のフォトニックパッケージ。
【請求項１４】
前記光素子に結合される光伝送線路をさらに備える、請求項９に記載のフォトニックパッケージ。
【請求項１５】
第１面及び対向する第２面を有するマイクロ電子基板と、
アクティブ表面及び対向する裏面を含む光素子と、
前記マイクロ電子基板の第２面に熱的に取り付けられる放熱デバイスと
備え、
前記マイクロ電子基板は、複数の導電性経路及び約１８Ｗ/ｍＫ又はそれよりも大きい熱伝導性を有する誘電材料を有し、
前記光素子の裏面は、前記マイクロ電子基板の第１面に熱的に取り付けられる、フォトニックパッケージ。
【請求項１６】
前記マイクロ電子基板は、セラミック材料を有する、請求項１５に記載のフォトニックパッケージ。
【請求項１７】
前記マイクロ電子基板は、酸化アルミニウムを有する、請求項１６に記載のフォトニックパッケージ。
【請求項１８】
前記光素子の裏面は、熱伝導性のアタッチメント材で前記マイクロ電子基板の第１面に熱的に取り付けられる、請求項１５から１７のいずれか一項に記載のフォトニックパッケージ。
【請求項１９】
前記放熱デバイスと前記マイクロ電子基板の第２面との間に熱インタフェース材料をさらに備える、請求項１５から１７のいずれか一項に記載のフォトニックパッケージ。
【請求項２０】
前記光素子は、前記マイクロ電子基板に電気的に接続される、請求項１５から１７のいずれか一項に記載のフォトニックパッケージ。
【請求項２１】
前記光素子は、前記光素子のアクティブ表面から前記マイクロ電子基板の第１面へ延びる少なくとも１つのボンドワイヤにより、前記マイクロ電子基板の第１面に電気的に接続される、請求項２０に記載のフォトニックパッケージ。
【請求項２２】
前記光素子に結合される光伝送線路をさらに備える、請求項１５から１７のいずれか一項に記載のフォトニックパッケージ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本明細書の実施形態は、概して、マイクロ電子デバイスからの熱の除去、より具体的には、光素子が搭載される基板を通じた光素子からの熱の除去に関する。
【背景技術】
【０００２】
高性能、低コスト、進展した集積回路コンポーネントの小型化、及び集積回路のより高い実装密度は、マイクロエレクトロニクス産業の継続的な目標である。これらの目標が達成されるように、マイクロ電子デバイスは、より小さくなる。結果的に、マイクロ電子デバイスにおける集積回路コンポーネントの電力消費の密度は、増大し、逐次、マイクロ電子デバイスの平均ジャンクション温度を増大させる。マイクロ電子デバイスの温度が高くなり過ぎる場合、マイクロ電子デバイスの集積回路は、損傷され、又は破損され得る。光素子のジャンクション温度の上限は、典型的な電子デバイスのジャンクション温度の上限である約１０８℃より大幅に低い、約８５℃なので、この問題は、光素子に関してさらにいっそう重要となる。これは、電子、すなわち、信号を送受信するための電気的な伝送よりもむしろ、光子、すなわち、レーザ光を用いる光素子に起因しており、レーザ伝送は、高い温度（例えば、約８５℃より高い温度）で不安定になり得る。したがって、光素子について、今までよりも効果的な熱除去の解決策が必要である。
【図面の簡単な説明】
【０００３】
本開示の主題は、本明細書の最終部分において特に指摘され、かつ明確に主張されている。本開示の前述した特徴及び他の特徴は、添付の図面と共に以下の説明及び添付の特許請求の範囲からより完全に明らかとなろう。添付の図面は、本開示に従ういくつかの実施形態のみを示し、したがって、本開示の範囲を限定するものとみなされるべきではないことが理解される。本開示の利点をより容易に確認することができるように、本開示を、添付の図面の利用を通じてさらに特定し詳細に説明する。
【図１】図１は、当該技術分野で周知の光素子の側断面図である。
【図２】図２は、本明細書の実施形態に従う、高熱伝導性の基板を有する光素子の側断面図である。
【図３】図３は、本明細書の別の実施形態に従う、基板に埋め込まれる熱伝導インサートを有する光素子の側断面図である。
【図４】図４は、本明細書のさらに別の実施形態に従う、基板に組み込まれる段付きヒートスプレッダを有する光素子の側断面図である。
【図５】図５は、本明細書の実施形態に従う、電子デバイス／システムである。
【発明を実施するための形態】
【０００４】
以下の詳細な説明において、特許請求の範囲に記載された主題を実施することができる具体的な実施形態を例示として示す添付の図面を参照する。これらの実施形態は、当業者が本主題を実施するのを可能にするのに十分に詳細に説明されている。様々な実施形態は、異なっているが、必ずしも相互に排他的ではないことが理解されるべきであろう。例えば、一実施形態に関連して本明細書で説明される特定の機能、構造又は特性は、特許請求の範囲に記載された主題の趣旨及び範囲から逸脱することなく、他の複数の実施形態内で実施され得る。「一実施形態」又は「実施形態」に対する本明細書内の言及は、実施形態に関連して説明される特定の機能、構造又は特性が本発明内に包含される少なくとも１つの実装に含まれることを意味する。したがって、「一実施形態」又は「実施形態において」という文言の使用は、同一の実施形態を必ずしも参照していない。さらに、各開示された実施形態内の個々の要素の位置又は配置を、特許請求の範囲に記載された主題の趣旨及び範囲から逸脱することなく変更し得ることが理解されるべきである。したがって、以下の詳細な説明は、限定する意味で解釈されるべきではなく、主題の範囲は、適切に解釈される添付の特許請求の範囲と、添付の特許請求の範囲に権利が与えられる均等物の全範囲とによってのみ定義される。図面において、いくつかの図の全体を通して、同様の参照番号は同じか若しくは同様の要素又は機能を指し、図面に描かれる要素は、必ずしも互いに正確な縮尺であるとは限らず、むしろ、個々の要素は、本説明の文脈においてそれらの要素をより容易に理解するために、拡大又は縮小されている場合がある。
【０００５】
本明細書において用いられる「の上方に（ｏｖｅｒ）」、「〜に（ｔｏ）」、「〜の間（ｂｅｔｗｅｅｎ）」、及び「〜上に（ｏｎ）」という用語は、１つの層の、他の層に対する相対位置を指す場合がある。別の層「の上方に（ｏｖｅｒ）」又は「上に（ｏｎ）」ある、あるいは別の層「に（ｔｏ）」接着された１つの層は、他の層に直接的に接触している状態であり得、または、１または複数の介在層を有し得る。複数の層の「間に」存在する１つの層は、直接的に、複数の層に接触し、あるいは１または複数の介在層を有し得る。
【０００６】
図１は、当該技術分野で周知のような、フォトニックパッケージ１００を示す。フォトニックパッケージ１００は、マイクロ電子基板１１０に搭載される、シリコン光素子のような、少なくとも１つの光素子１２０を備えてよい。マイクロ電子基板１１０は、第１面１１２及び対向する第２面１１４を有する、インターポーザ、マザーボード、ドータボード等のような、任意の適当な基板であってよい。マイクロ電子基板１１０は、少なくとも１つの光素子取り付けボンドパッド１１６を備える、複数のボンドパッドを有してよい。マイクロ電子基板１１０は、誘電材料を貫通して形成される複数の導電性経路１１８（破線として図示される）を有する誘電材料１１７を備えてよく、導電性経路１１８は、光素子取り付けボンドパッド１１６と、マイクロ電子基板１１０及び／又は外部デバイス（不図示）に取り付けられる他のマイクロ電子デバイス（不図示）との間の接続を形成してよい。本明細書の一実施形態において、誘電材料１１７は、複数の層（不図示）であってよい。
【０００７】
マイクロ電子基板の誘電材料１１７は、液晶ポリマー、エポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、ＦＲ４、ポリイミド材料等を含むが、これらに限定されない、任意の適当な誘電材料を備えてよい。導電性経路１１８は、銅、銀、金、ニッケル及びそれらの合金を含むが、これらに限定されない、任意の適当な導電性材料で形成されてよい。マイクロ電子基板１１０は、任意の数の誘電体層から形成されてよく、固いコア（不図示）を含んでよく、その中に形成されるアクティブ及び／又はパッシブなマイクロ電子デバイス（不図示）を含み得ることを理解されたい。さらに、複数の導電性経路１１８は、マイクロ電子基板１１０内に、及び／又は追加の複数の外部コンポーネント（不図示）と共に任意の所望の電気経路を形成し得ることを理解されたい。マイクロ電子基板１１０を形成するために用いられる処理は、当業者に周知であり、簡潔かつ簡略の目的で、本明細書において説明又は図示されない。
【０００８】
図１にさらに示されるように、光素子１２０の裏面１２４は、導電性充填エポキシのような、熱伝導性のアタッチメント材１３４でマイクロ電子基板の第１面１１２に取り付けられてよい。光素子１２０のアクティブ表面１２２内、又は、その上に形成される少なくとも１つのボンドパッド１２６と、マイクロ電子基板１１０の少なくとも１つの光素子取り付けボンドパッド１１６との間で延びる少なくとも１つのボンドワイヤ１３２で、光素子１２０は、マイクロ電子基板１１０に電気的に接続されてよい。光素子のボンドパッド１２６は、光素子１２０内の集積回路（不図示）と電気的に通信し得ることを理解されたい。
【０００９】
本説明の目的のため、光素子１２０は、電気信号をフォトニック信号に変換するデバイス（すなわち、送信デバイス）及び／又はフォトニック信号を電気信号に変換するデバイス（すなわち、受信デバイス）として定義されてよい。したがって、光伝送線路（線路１２８として一般的に示される）は、光素子１２０にも結合される。
【００１０】
放熱デバイス１４０は、マイクロ電子基板の第２面１１４と熱的に接触してよい。放熱デバイス１４０は、当業者には理解されるように、マイクロ電子基板の第２面１１４と熱的に接触する面１４６と、放熱デバイス１４０の放熱特性を向上させるべく基部１４２から延びる、フィン又はピラーのような、複数の高表面積突起部１４４とを含む基部１４２とを有してよい。放熱デバイス１４０は、銅、アルミニウム等を含むが、これらに限定されない、金属及び合金のような、任意の適当な熱伝導性の材料で作製されてよい。熱伝導性の油脂又はポリマーのような熱インタフェース材料１３６は、放熱デバイスのベース面１４６及びマイクロ電子基板の第２面１１４の間に配置されてよい。
【００１１】
図１にさらに示されるように、複数の熱導電性ビア１３８は、光素子１２０から放熱デバイス１４０へ熱を伝導するべく、マイクロ電子基板の第１面１１２からマイクロ電子基板の第２面１１４へ延びる、マイクロ電子基板１１０を通じて形成されてよい。熱導電性ビア１３８は、銅、アルミニウム、導電性ポリマー等を含むが、これらに限定されない、任意の適当な材料から形成されてよい。熱導電性ビア１３８を形成するために用いられる処理は、当業者に周知であり、簡潔かつ簡略の目的で本明細書に説明又は図示されない。
【００１２】
熱導電性ビア１３８は、マイクロ電子基板１１０の熱抵抗を減らし得るが、マイクロ電子基板１１０は、総熱抵抗の約３０％又はそれより大きい割合を今もなお占め得る。さらに、熱導電性ビア１３８の製造は、銅めっきが用いられるとき、マイクロ電子基板の第１面１１２及びマイクロ電子基板の第２面１１４にて、最大約２０μｍまでの高さの変動を引き起こす可能性があり、充填エポキシ材料が用いられるとき、バンプ及びディンプルのような不均一な面が、エポキシボイドの潜在的なリスクを有し得るマイクロ電子基板の第１面１１２及びマイクロ電子基板の第２面１１４に発生し得る。
【００１３】
サーバのようなアプリケーションにおいて、複合フォトニックパッケージ１００は、隣り合わせで及び／又は背中合わせで配列されてよい。そのようなアプリケーションは、放熱デバイス１４０の高さＨを制限し、したがって、放熱デバイスの高さＨは、低くされる必要がある。したがって、放熱デバイスの高さＨを低くすべく、シリコン光素子１２０及び放熱デバイス１４０の間の熱伝導性を向上させた状態で、フォトニックパッケージ１００の熱管理を向上させることが重要である。
【００１４】
本明細書の実施形態は、シリコン光素子から放熱デバイスへマイクロ電子基板を通じて熱を伝達するためのより効率的な機構に関する。一実施形態において、図２に示されるように、図１に示される熱導電性ビア１３８は、高導電性マイクロ電子基板１５２の構造で除外されてよい。マイクロ電子基板１１０は、当該産業で現在用いられる相対的に低熱伝導性の材料と比較して、高熱伝導性の誘電材料１５４から形成されてよい。実施形態において、マイクロ電子基板の誘電材料１５４は、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化ベリリウム等を含むが、これらに限定されない、セラミック材料であってよい。例えば、アルミナ９４（純度９４％）のような酸化アルミニウムは、約１８Ｗ/ｍＫ又はそれよりも大きい熱伝導性を有してよい。０．３Ｗ/ｍＫ又はそれより少ない熱伝導性を有し得るＦＲ４のような、マイクロ電子基板の製造において現在用いられる材料と比較した場合、マイクロ電子基板１５２が、図１に示される熱導電性ビア１３８を必要とすることなく、光素子１２０及び放熱デバイス１４０の間の熱を効果的に伝達できることが分かる。
【００１５】
別の実施形態において、図３に示されるように、導電性インサート１６２は、フォトニックパッケージ１６０の構造におけるマイクロ電子基板１１０内に位置され得る。導電性インサート１６２は、第１面１６４と、対向する第２面１６６と、導電性インサートの第１面１６４及び導電性インサートの第２面１６６の間で延びる少なくとも１つの側壁１６８とを有してよい。導電性インサートの第１面１６４は、マイクロ電子基板の第１面１１２に対して実質的に平坦であってよく、導電性インサートの第２面１６６は、マイクロ電子基板の第２面１１４に対して実質的に平坦であってよく、導電性インサートの側壁１６８は、マイクロ電子基板１１０に隣接してよい。導電性インサート１６２は、（銅、アルミニウム、それらの合金等のような）金属及び（窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、酸化ベリリウム等のような）セラミックを含むが、これらに限定されない、任意の適当な導電性材料から作製されてよい。導電性インサート１６２は、当業者に理解されるように、ベイパーチャンバ（不図示）のような構造も含んでよい。導電性インサート１６２は、当業者に理解されるように、マイクロ電子基板１１０に開口を切削すること、及び、導電性インサート１６２をその中に挿入すること、又は、導電性インサート１６２の周りにマイクロ電子基板１１０を形成することを含むが、これらに限定されない、当該技術分野における任意の既知の手段によって、マイクロ電子基板１１０に組み込まれてよい。
【００１６】
さらに別の実施形態において、図４に示されるように、段付きヒートスプレッダ１７２はフォトニックパッケージ１７０の構造においてマイクロ電子基板１１０とともに利用されてよい。段付きヒートスプレッダ１７２は、基部１７４、及び、段付きヒートスプレッダの基部１７４から延びる台座部１７６を含んでよい。段付きヒートスプレッダの基部１７４は、第１面１８４、隣接する段付きヒートスプレッダの台座部１７６及び対向する第２面１８６を含んでよい。段付きヒートスプレッダの台座部１７６は、第１面１８２と、段付きヒートスプレッダの基部の第１面１８４及び段付きヒートスプレッダの台座部の第１面１８２の間で延びる少なくとも１つの側壁１７８とを有してよい。段付きヒートスプレッダの台座部の第１面１８２は、マイクロ電子基板の第１面１１２に対して実質的に平坦であってよく、段付きヒートスプレッダの台座部の側壁１７８は、マイクロ電子基板１１０に隣接してよい。段付きヒートスプレッダの基部の第１面１８４は、マイクロ電子基板の第２面１１４に対して実質的に平坦であってよく、熱インタフェースアタッチメント材１９０は、段付きヒートスプレッダの基部の第１面１８４及びマイクロ電子基板の第２面１１４の間に配置されてよい。一実施形態において、熱インタフェースアタッチメント材１９０は、粘着性の高いタックを有し得る相変化熱インタフェース材料であってよい。段付きヒートスプレッダ１７２は、（銅、アルミニウム、それらの合金等のような）金属及び（窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、酸化ベリリウム等のような）セラミックを含むが、これらに限定されない、任意の適当な導電性材料で作製されてよい。段付きヒートスプレッダ１７２は、当業者に理解されるように、ベイパーチャンバ（不図示）のような構造を含んでもよい。段付きヒートスプレッダ１７２は、当業者に理解されるように、マイクロ電子基板１１０内に開口を切削すること、段付きヒートスプレッダの台座部１７６をその中に挿入することを含むが、これらに限定されない、当該技術分野における任意の既知の手段で、マイクロ電子基板１１０に組み込まれてよい。
【００１７】
図４にさらに示されるように、放熱デバイスのベース面１４６は、段付きヒートスプレッダの基部の第２面１８６に、それらの間に配置される熱インタフェース材料１９２を用いて、熱的に接触してよい。
【００１８】
図１に示される周知の設計を用いて、ジャンクション−ケース温度差は、約１１．４℃であってよく、ジャンクション温度は、光素子１２０内のレーザの温度であると定義され、ケース温度は、放熱デバイスのベース面１４６の中央部分における温度である。図２、３及び４の実施形態のそれぞれは、約３０％の低減である約８℃のジャンクション−ケース温度差を示す。したがって、当業者に理解されるように、同一のジャンクション温度を維持しながら、放熱デバイス１４０の高さを低くし得る。さらに、図２、３及び４の実施形態において、図１の導電性ビア１３８の除外は、図１の導電性ビア１３８により引き起こされる高さの変動を取り除き、全体的な光素子１５０、１６０及び１７０の高さを低くするのに役立ち得る。
【００１９】
図５は、本説明の一つの実装に従う、サーバアセンブリコンポーネントのような、電子システム２００を示す。電子システム２００は、マザーボード２０２を含んでよい。マザーボード２０２は、複数の光素子（光素子２０４Ａ、２０４Ｂ、２０４Ｃ及び２０４Ｄとして一般的に示される）を含んでよい。マザーボード２０２は、通信装置、制御装置、ストレージ装置及び処理装置（通信／制御／ストレージ／処理装置２０８Ａ、２０８Ｂ及び２０８Ｃとして一般的に示される）、及び、マザーボード２０２に電気的に結合されるオンボード電源２１０を含むが、これらに限定されない、複数のコンポーネントをさらに含んでよい。本説明のいくつか実装において、通信／制御／ストレージ／処理装置２０８Ａ、２０８Ｂ及び２０８Ｃのうちの少なくとも１つは、マザーボード２０２を通じて、通信／制御／ストレージ／処理装置２０８Ａ、２０８Ｂ及び２０８Ｃのうちの少なくとも他の１つ及び／又は複数の光素子２０４Ａ、２０４Ｂ、２０４Ｃ、２０４Ｄのうちの少なくとも１つに電気的に結合されてよい。図５にさらに示されるように、光ケーブル２０６は、外部デバイス（不図示）と通信するために、光素子２０４Ａ、２０４Ｂ、２０４Ｃ、２０４Ｄと光通信してよい。複数の光素子２０４Ａ、２０４Ｂ、２０４Ｃ、２０４Ｄのうちの少なくとも１つは、図２、３及び４に関して説明される熱的な解決策に組み込まれてよい。
【００２０】
本説明の主題は、図１から図５で示される具体的な複数の適用例に必ずしも限定されないことが理解される。主題は、当業者に理解されるように、他のマイクロ電子デバイス及びアセンブリアプリケーション、同様に、任意の適当な熱除去アプリケーションに適用されてよい。
【００２１】
以下の実施例は更なる実施形態に関するものであり、実施例１は、フォトニックパッケージであり、フォトニックパッケージは、第１面及び対向する第２面を有するマイクロ電子基板と、マイクロ電子基板の第１面に近接する光素子と、基部及び基部から延びる台座部を有する段付きヒートスプレッダとを備え、光素子は、アクティブ表面及び対向する裏面を含み、台座部は、マイクロ電子基板を通じて延びており、段付きヒートスプレッダの基部は、マイクロ電子基板の第２面に近接し、段付きヒートスプレッダの台座部は、マイクロ電子基板の第１面に対して実質的に平坦である第１面を含み、光素子の裏面は、段付きヒートスプレッダの台座部の第１面と熱的に接触する。
【００２２】
実施例２において、実施例１の主題は、熱伝導性のアタッチメント材で段付きヒートスプレッダの台座部の第１面に熱的に取り付けられる光素子の裏面を任意に含むことができる。
【００２３】
実施例３において、実施例１または２のいずれかの主題は、段付きヒートスプレッダの台座部に隣接する第１面及び第１面に対向する第２面を含む段付きヒートスプレッダの基部を任意に含むことができる。
【００２４】
実施例４において、実施例３の主題は、段付きヒートスプレッダの基部の第２面に熱的に取り付けられる放熱デバイスを任意に含むことができる。
【００２５】
実施例５において、実施例３または４のいずれかの主題は、マイクロ電子基板の第２面に取り付けられる段付きヒートスプレッダの基部の第１面を任意に含むことができる。
【００２６】
実施例６において、実施例１から５のいずれかの主題は、マイクロ電子基板に電気的に接続される光素子を任意に含むことができる。
【００２７】
実施例７において、実施例６の主題は、光素子のアクティブ表面からマイクロ電子基板の第１面へ延びる少なくとも１つのボンドワイヤによりマイクロ電子基板の第１面に電気的に接続される光素子を任意に含むことができる。
【００２８】
実施例８において、実施例１から７のいずれかの主題は、光素子に結合される光伝送線路を任意に含むことができる。
【００２９】
以下の実施例は、更なる実施形態に関するものであり、実施例９は、フォトニックパッケージであり、フォトニックパッケージは、第１面及び対向する第２面を有するマイクロ電子基板と、マイクロ電子基板内に位置される導電性インサートと、マイクロ電子基板の第１面に近接する光素子と、マイクロ電子基板の第２面に近接する放熱デバイスとを備え、導電性インサートは、マイクロ電子基板の第１面に対して実質的に平坦である第１面と、マイクロ電子基板の第２面に対して実質的に平坦である第２面とを含み、光素子は、アクティブ表面及び対向する裏面を含み、光素子の裏面は、導電性インサートの第１面と熱的に接触し、放熱デバイスは、導電性インサートの第２面と熱的に接触する。
【００３０】
実施例１０において、実施例９の主題は、熱伝導性のアタッチメント材で導電性インサートの第１面に熱的に取り付けられる光素子の裏面を任意に含むことができる。
【００３１】
実施例１１において、実施例９または１０のいずれかの主題は、放熱デバイス及び導電性インサートの第２面の間に熱インタフェース材料を任意に含むことができる。
【００３２】
実施例１２において、実施例９から１１のいずれかの主題は、マイクロ電子基板に電気的に接続される光素子を任意に含むことができる。
【００３３】
実施例１３において、実施例１２の主題は、光素子のアクティブ表面からマイクロ電子基板の第１面へ延びる少なくとも１つのボンドワイヤによりマイクロ電子基板の第１面に電気的に接続される光素子を任意に含むことができる。
【００３４】
実施例１４において、実施例９から１３のいずれかの主題は、光素子に結合される光伝送線路を任意に含むことができる。
【００３５】
以下の実施例は、更なる実施形態に関するものであり、実施例１５は、フォトニックパッケージであり、フォトニックパッケージは、第１面及び対向する第２面を有するマイクロ電子基板と、アクティブ表面及び対向する裏面を含む光素子と、マイクロ電子基板の第２面に熱的に取り付けられる放熱デバイスとを備え、マイクロ電子基板は、複数の導電性経路及び約１８Ｗ／ｍＫ又はそれよりも大きい熱伝導性を含む誘電材料を有し、光素子の裏面は、マイクロ電子基板の第１面に熱的に取り付けられる。
【００３６】
実施例１６において、実施例１５の主題は、セラミック材料を有するマイクロ電子基板を任意に含むことができる。
【００３７】
実施例１７において、実施例１６の主題は、酸化アルミニウムを有するマイクロ電子基板を任意に含むことができる。
【００３８】
実施例１８において、実施例１５から１７のいずれかの主題は、熱伝導性のアタッチメント材でマイクロ電子基板の第１面に熱的に取り付けられる光素子の裏面を任意に含むことができる。
【００３９】
実施例１９において、実施例１５から１８のいずれかの主題は、放熱デバイス及びマイクロ電子基板の第２面の間に熱インタフェース材料を任意に含むことができる。
【００４０】
実施例２０において、実施例１５から１９のいずれかの主題は、マイクロ電子基板に電気的に接続される光素子を任意に含むことができる。
【００４１】
実施例２１において、実施例２０の主題は、光素子のアクティブ表面からマイクロ電子基板の第１面へ延びる少なくとも１つのボンドワイヤによりマイクロ電子基板の第１面に電気的に接続される光素子を任意に含むことができる。
【００４２】
実施例２２において、実施例１５から２２のいずれかの主題は、光素子に結合される光伝送線路を任意に含むことができる。
【００４３】
このように本発明の実施形態を詳細に説明してきたが、添付の特許請求の範囲によって定義される発明は、上記説明に示された特定の詳細によって限定されるべきではなく、その理由は、本発明の多くの変形形態が、本発明の趣旨又は範囲から逸脱することなく可能であることが理解される。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【外国語明細書】
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