(57)【要約】    【課題】  コア基板の表裏で樹脂絶縁層の数が異なっていても、プリント配線板の反りが小さくなる。    【解決手段】  実施形態のプリント配線板は、第１面と第２面を有する絶縁基板と絶縁基板の第１面上の第１導体層と絶縁基板の第２面上の第２導体層とから成るコア基板と第１面上に形成されている上側のビルドアップ層と上側のビルドアップ層上の上側のソルダーレジスト層と絶縁基板の第２面上の下側のソルダーレジスト層を有する。そして、導体層の内、第２導体層の厚みや第２導体層の占有率は大きく、下側のソルダーレジスト層の厚みは上側のソルダーレジスト層より厚い。【選択図】  図５
2016152325.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１面と前記第１面と反対側の第２面を有するコア材と、前記コア材の第１面上に形成されている第１導体層と、前記コア材の第２面上に形成されている第２導体層とからなるコア基板と、
前記コア材の前記第１面と前記第１導体層の直上に形成されている最上の樹脂絶縁層と、前記最上の樹脂絶縁層の直上に形成されている最上の導体層と、からなる上側のビルドアップ層と、
前記上側のビルドアップ層の直上に形成され前記最上の導体層を露出する開口を有する上側のソルダーレジスト層と、
前記コア材の前記第２面と前記第２導体層の直上に形成され前記第２導体層を露出する開口を有する下側のソルダーレジスト層と、を有するプリント配線板であって、
前記第２導体層の厚みが、前記第１導体層の厚み、及び、前記最上の導体層の厚みより厚く、
前記第２導体層の面積の占有率が、前記第１導体層の面積の占有率、及び、前記最上の導体層の面積の占有率より大きく、
前記下側のソルダーレジスト層の厚みが、前記上側のソルダーレジスト層の厚みより厚い。
【請求項２】
請求項１のプリント配線板であって、
前記プリント配線板は、製品部と前記製品部を囲んでいる枠部とから成り、
前記第２導体層の内、前記枠部内に形成されている第２導体層の面積の占有率が、前記第１導体層の内、前記枠部内に形成されている第１導体層の面積の占有率、及び、前記最上の導体層の内、前記枠部内に形成されている最上の導体層の面積の占有率より大きい。
【請求項３】
請求項１のプリント配線板であって、前記コア基板は電子部品内蔵用の開口を有し、前記電子部品内蔵用の開口に電子部品が内蔵されている。
【請求項４】
請求項２のプリント配線板であって、前記枠部内に形成されている第２導体層のみがベタパターンを有する。
【請求項５】
請求項４のプリント配線板であって、前記枠部内に形成されている第１導体層はアライメントマークのみで形成されている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、上側のビルドアップ層を有するプリント配線板に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１は電子部品を内蔵する配線基板を開示している。特許文献１の図１に示される配線基板は、表面と裏面を有すると共に裏面側に形成されている凹部を有するコア基板とコア基板の凹部に内蔵されている電子部品とコア基板の表面上に形成されている絶縁層とコア基板の裏面上に形成されているソルダーレジスト層とを有する。そして、特許文献１の図１によれば、コア基板の表面上に形成されている絶縁層の数は３層であり、コア基板の裏面上に形成されている絶縁層の数は１層である。そして、コア基板の裏面上に形成されている絶縁層はコア基板の凹部や電子部品上に形成されていない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００３−０４６２５５号公報
【発明の概要】
【０００４】
[特許文献１の課題]
特許文献１の図１に示される配線基板では、コア基板の表面上に形成されている絶縁層の数とコア基板の裏面上に形成されている絶縁層の数が異なる。そのため、配線基板の反りが大きくなると考えられる。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明に係るプリント配線板は、第１面と前記第１面と反対側の第２面を有するコア材と、前記コア材の第１面上に形成されている第１導体層と、前記コア材の第２面上に形成されている第２導体層とからなるコア基板と、前記コア材の前記第１面と前記第１導体層の直上に形成されている最上の樹脂絶縁層と、前記最上の樹脂絶縁層の直上に形成されている最上の導体層と、からなる上側のビルドアップ層と、前記上側のビルドアップ層の直上に形成され前記最上の導体層を露出する開口を有する上側のソルダーレジスト層と、前記コア材の前記第２面と前記第２導体層の直上に形成され前記第２導体層を露出する開口を有する下側のソルダーレジスト層と、を有する。そして、前記第２導体層の厚みが、前記第１導体層の厚み、及び、前記最上の導体層の厚みより厚く、前記第２導体層の面積の占有率が、前記第１導体層の面積の占有率、及び、前記最上の導体層の面積の占有率より大きく、前記下側のソルダーレジスト層の厚みが、前記上側のソルダーレジスト層の厚みより厚い。
【０００６】
本発明の実施形態に係るプリント配線板によれば、プリント配線板の反りが小さくなる。
本発明の実施形態に係るプリント配線板によれば、コア基板が電子部品を内蔵するための開口を有しても、プリント配線板の反りが小さくなる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本発明の実施形態に係るプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図２】実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図３】実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図４】実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図５】図５（Ａ）と図５（Ｂ）は実施形態のプリント配線板の一部を示す断面図であり、図５（Ｃ）は電子部品を内蔵するプリント配線板の断面を示す。
【図６】図６（Ａ）は電子部品を内蔵するプリント配線板の断面を示し、図６（Ｂ）は実施形態のプリント配線板の第２応用例の断面を示す図である。
【図７】図７（Ａ）は実施形態のプリント配線板の第１導体層を示す平面図であり、図７（Ｂ）は第２導体層を示す平面図である。
【図８】図８（Ａ）はプリント配線板の最上の導体層を示す平面図であり、図８（Ｂ）はプリント配線板を模式的に示す平面図であり、図８（Ｃ）は実施形態のプリント配線板の別例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
図８（Ｂ）は、実施形態のプリント配線板１００を模式的に示す平面図である。プリント配線板は、製品部１０Ｇと製品部１０Ｇを囲む枠部９８とから成る。製品部１０Ｇは複数の製品１０で形成されている。製品１０は図８（Ｂ）に示されるようにマトリクスに配置されている。
【０００９】
図８（Ｂ）中のＸ１とＸ１との間の製品１０の一例の断面が図６（Ａ）に示されている。図６（Ａ）は、実施形態の回路基板等の製品１０の断面を示す。図６（Ａ）に示されるように実施形態の回路基板１０は、コア基板３０を有する。コア基板３０は第１面Ｆと第１面Ｆと反対側の第２面Ｓを有するコア材（絶縁基板）２０ｚと絶縁基板（コア材）２０ｚの第１面Ｆ上に形成されている第１導体層３４Ｆと絶縁基板２０ｚの第２面Ｓ上に形成されている第２導体層３４Ｓを有する。
【００１０】
コア基板３０はさらに第１導体層３４Ｆと第２導体層３４Ｓとを接続しているスルーホール導体３６を有する。スルーホール導体３６は絶縁基板２０ｚを貫通している貫通孔２８に形成されている。図１（Ｂ）に示されるように、貫通孔２８は、第１面側に形成されている第１開口部２８Ｆと第２面側に形成されている第２開口部２８Ｓで形成されている。貫通孔の形状は、砂時計形状である。貫通孔２８やスルーホール導体３６は、例えば、ＵＳ７７８６３９０に開示されている方法で製造される。ＵＳ７７８６３９０の内容は本明細書に取り込まれる。第１導体層や第２導体層は複数の導体回路とスルーホール導体３６の周りに形成されているスルーホール導体のランド、アライメントマーク、ベタパターン（solid pattern）を含む。コア基板３０の第１面と絶縁基板２０ｚの第１面は同じ面であり、コア基板３０の第２面と絶縁基板２０ｚの第２面は同じ面である。
図１（Ｄ）や図６（Ａ）に示されるように、コア基板３０はチップコンデンサ等の電子部品を内蔵するための開口２６を有してもよい。開口２６に電子部品８０が内蔵される。
【００１１】
絶縁基板２０ｚの第１面Ｆと第１導体層３４Ｆの直上に最上の樹脂絶縁層５０Ｆが形成されている。
最上の樹脂絶縁層５０Ｆの直上に最上の導体層５８Ｆが形成されている。最上の樹脂絶縁層５０Ｆと最上の導体層５８Ｆで上側のビルドアップ層５５Ｆが形成される。上側のビルドアップ層５５Ｆは１つの樹脂絶縁層５０Ｆと１つの導体層５８Ｆで形成されている。上側のビルドアップ層５５Ｆは複数の樹脂絶縁層と複数の導体層を有していない。
上側のビルドアップ層の直上に上側のソルダーレジスト層７０Ｆが形成されている。上側のソルダーレジスト層７０Ｆは、電子部品等を搭載するための上側のパッド７３Ｆを露出するための開口７１Ｆを有する。
【００１２】
ソルダーレジスト層７０Ｆは２種類の開口７１Ｆ（７１ＦＩ、７１ＦＯ）を有してもよい。図６などに示されるように、開口７１ＦＩにより露出される上側のパッドは上側の第１パッド７３ＦＩである。上側の第１パッド７３ＦＩは回路基板の実装面の略中央に形成されていて、複数の上側の第１パッド７３ＦＩでＣ４パッド群が形成される。開口７１ＦＯにより露出される上側のパッドは、上側の第２パッド７３ＦＯである。上側の第２パッド７３ＦＯはＣ４パッド群の外に形成されている。図６（Ｂ）に示されるように、上側の第１パッド７３ＦＩ上にＩＣチップ等の電子部品９０が搭載される。上側の第２パッド７３ＦＯを介して回路基板上に第２の回路基板１３０が搭載される。上側のパッドは、上側の第２パッド７３ＦＯを有さず、上側の第１パッド７３ＦＩのみで形成されてもよい。
【００１３】
最上の樹脂絶縁層５０Ｆはビア導体用の開口５１Ｆを有する。ビア導体用の開口５１Ｆにビア導体（最上のビア導体）６０Ｆが形成される。ビア導体６０Ｆは上側のビルドアップ層５５Ｆに含まれる。ビア導体６０Ｆで第１導体層３４Ｆと導体層５８Ｆが接続されている。開口２６に電子部品８０が内蔵されるとビア導体６０Ｆで電極８２と導体層５８Ｆを接続することができる。
コア基板が開口２６を有すると、最上の樹脂絶縁層５０Ｆはコア基板３０と電子部品８０を内蔵する開口２６上に形成されていて、最上の樹脂絶縁層５０Ｆはコア基板と電子部品を内蔵する開口を覆っている。
【００１４】
図６（Ａ）に示されるように、コア基板３０の第２面Ｓと第２導体層３４Ｓの直上に下側のソルダーレジスト層５０Ｓが形成されている。下側のソルダーレジスト層はコア基板の第２面と電子部品を内蔵する開口２６上に形成されていて、下側のソルダーレジスト層５０Ｓはコア基板３０と電子部品８０を内蔵する開口２６を覆っている。
下側のソルダーレジスト層５０Ｓは開口５１Ｓを有する。下側のソルダーレジスト層５０Ｓの開口５１Ｓにより第２導体層３４Ｓが露出される。下側のソルダーレジスト層５０Ｓの開口５１Ｓにより露出する第２導体層３４Ｓは下側のパッド５３Ｓとして機能する。下側のパッドを介してプリント配線板はマザーボードに搭載される。図５（Ｃ）に示されるように、下側のソルダーレジスト層５０Ｓは電子部品の電極８２を露出する開口５１Ｓを有しても良い。
【００１５】
ソルダーレジスト層７０Ｆ、５０Ｓと最上の樹脂絶縁層５０Ｆは樹脂からなる絶縁層である。そして、回路基板１０はコア基板の第２面Ｓと下側のソルダーレジスト層５０Ｓの間にビルドアップ層を有しない。従って、絶縁基板２０ｚの第１面Ｆ上に形成されている樹脂からなる絶縁層５０Ｆ、７０Ｆの数は２層であって、絶縁基板２０ｚの第２面Ｓ上に形成されている樹脂からなる絶縁層５０Ｓの数は１層である。第１面Ｆ上の絶縁層５０Ｆ、７０Ｆの数と第２面Ｓ上の絶縁層５０Ｓの数が異なる。
【００１６】
図６（Ａ）に示されるように、上側のソルダーレジスト層７０Ｆの開口７１Ｆから露出している上側のパッド７３Ｆに半田バンプ７６Ｆを形成することができる。
図５（Ｃ）に示されるように、下側のソルダーレジスト層５０Ｓの開口５１Ｓから露出するパッド５３Ｓや電子部品の電極８２に半田バンプ７６Ｓを形成することができる。
【００１７】
図６（Ｂ）は、実施形態の回路基板１０の第２応用例１０００を示す。第２応用例１０００は、ＰＯＰ（Package on Package）基板である。
上側の第１パッド７３ＦＩ上の上側の第１半田バンプ７６ＦＩを介して、実施形態の回路基板１０にＩＣチップ（ロジックチップ）等の電子部品９０が実装される。第１応用例１２０が完成する。上側の第２パッド７３ＦＯ上の上側の第２半田バンプ７６ＦＯを介して、第１応用例１２０に第２の回路基板１３０が搭載されている。第２応用例１０００が完成する。図６（Ｂ）では、第２の回路基板１３０上にメモリ等の電子部品１９０が実装されている。
回路基板１０と第２の回路基板１３０との間にモールド樹脂１０２が形成されている。
第２の回路基板１３０と電子部品１９０を封止するモールド樹脂２０２が形成されている。
図６（Ｂ）では、回路基板と第２の回路基板を接続する接続体は半田バンプ７６ＦＯである。半田バンプ以外に、接続体として、めっきポストやピンなどの金属ポストを例示することができる。めっきポストやピンの形状は円柱である。直円柱が好ましい。
【００１８】
図１（Ｄ）や図２（Ａ）等に示されるように、回路基板１０の絶縁基板２０ｚは、電子部品収容用の開口２６を有する。開口２６は絶縁基板を貫通している。実施形態のプリント配線板の絶縁基板（コア材）２０ｚは開口２６を有するので、プリント配線板の強度が低下する。実施形態のプリント配線板では、コア基板の第１面上に積層されている絶縁層５０Ｆ、７０Ｆの数とコア基板の第２面上に積層されている絶縁層５０Ｓの数が異なる。そのため、実施形態のプリント配線板は反りやすい。
【００１９】
枠部９８は回路基板１０と同様にコア基板３０と上側のビルドアップ層５５Ｆと上側のソルダーレジスト層７０Ｆと下側のソルダーレジスト層５０Ｓを有する。枠部９８と回路基板１０は同時に形成されるので、枠部９８の各絶縁層５０Ｆ、７０Ｆ、５０Ｓと回路基板１０の各絶縁層５０Ｆ、７０Ｆ、５０Ｓは同じ材料で同様に形成されている。枠部９８の各導体層３４Ｆ、５８Ｆ３４Ｓと回路基板１０の各導体層３４Ｆ、５８Ｆ３４Ｓは同じ材料で同様に形成されている。
【００２０】
図７（Ａ）は、コア基板の第１面Ｆを示している。図７（Ａ）は第１導体層３４Ｆと第１導体層３４Ｆから露出する絶縁基板の第１面を示している。図７（Ａ）の例では、第１導体層３４Ｆの内、枠部９８内に形成されている第１導体層はアライメントマーク３４ＦＡのみで形成されている。
【００２１】
図７（Ｂ）は、コア基板の第２面Ｓを示している。図７（Ｂ）は第２導体層３４Ｓと第２導体層３４Ｓから露出する絶縁基板の第２面を示している。図７（Ｂ）の例では、第２導体層３４Ｆの内、枠部９８内に形成されている第２導体層はベタパターン３４ＳＢで形成されている。ベタパターン３４ＳＢは開口３４ＳＡＯを有する。開口３４ＳＡＯから露出する第２面Ｓがアライメントマーク３４ＳＡとして機能する。アライメントマーク以外の枠部９８内の第２面Ｓはベタパターン３４ＳＢで覆われている。
【００２２】
図８（Ａ）は、最上の導体層５８Ｆと最上の導体層５８Ｆから露出する最上の樹脂絶縁層５０Ｆを示している。図８（Ａ）の例では、最上の導体層５８Ｆの内、枠部９８内に形成されている最上の導体層はアライメントマーク５８ＦＡのみで形成されている。
【００２３】
図８（Ａ）中のＸ３とＸ３との間のプリント配線板の断面が図５（Ａ）に示されている。図５（Ａ）には、枠部９８と回路基板１０の一部が示されている。
第１導体層３４Ｆに含まれるアライメントマーク３４ＦＡは枠部内の導体回路で形成されている。最上の導体層５８Ｆに含まれるアライメントマーク５８ＦＡは枠部内の導体回路で形成されている。第２導体層３４Ｓに含まれるアライメントマーク３４ＳＡは枠部内のベタパターン３４ＳＢの開口３４ＳＡＯから露出する第２面Ｓで形成されている。
【００２４】
実施形態のプリント配線板１００では、絶縁基板２０ｚの第１面Ｆ上に形成されている樹脂からなる絶縁層５０Ｆ、７０Ｆの数Ｎが絶縁基板２０ｚの第２面Ｓ上に形成されている樹脂からなる絶縁層５０Ｓの数Ｋより多い。数Ｎは２であり、数Ｋは１である。数Ｎが数Ｋより大きいので、絶縁基板の第１面上に形成されている樹脂の体積は絶縁基板の第２面上に形成されている樹脂の体積より大きくなりやすい。そのため、プリント配線板１００は大きな反りを有しやすい。絶縁層の数の差の影響を小さくするため、下側のソルダーレジスト層５０Ｓの厚みは、上側のソルダーレジスト層７０Ｆの厚みより厚い。下側のソルダーレジスト層５０Ｓの厚みは最上の樹脂絶縁層５０Ｆの厚みより厚くても良い。これにより、絶縁層の数の差に起因するプリント配線板の反りを小さくすることができる。尚、最上の樹脂絶縁層の厚みｔ４は第１導体層３４Ｆと最上の導体層５８Ｆとの間の距離である。ソルダーレジスト層７０Ｆ、５０Ｓの厚みｔ５、ｔ６はソルダーレジスト層で覆われている導体層５８Ｆ、３４Ｓの上面とソルダーレジスト層７０Ｆ、５０Ｓの上面との間の距離である。厚みｔ４、ｔ５、ｔ６は図５（Ｂ）に示されている。例えば、厚みｔ４は２０μｍである。厚みｔ５は１０μｍである。ｔ６は３０μｍである。厚みｔ６と厚みｔ５の比（ｔ６／ｔ５）は１．２以上であって、２以下である。厚みｔ６と厚みｔ４の比（ｔ６／ｔ４）は１．１以上であって、１．８以下である。第１面Ｆ上の樹脂の体積と第２面Ｓ上の樹脂の体積との差が小さくなる。絶縁層の数の差に起因するプリント配線板の反りを小さくすることができる。
プリント配線板１００では、絶縁基板２０ｚの第１面Ｆ上に形成されている導体層３４Ｆ、５８Ｆの数ｎが、絶縁基板２０ｚの第２面Ｓ上に形成されている導体層３４Ｓの数ｋより多い。数ｎは２であり、数ｋは１である。数ｎが数ｋより大きいので、絶縁基板の第１面上に形成されている導体の体積は絶縁基板の第２面上に形成されている導体の体積より大きくなりやすい。そのため、プリント配線板１００は大きな反りを有しやすい。導体層の数の差の影響を小さくするため、第２導体層３４Ｓの厚みｔ２は、最上の導体層５８Ｆの厚みｔ３や第１導体層３４Ｆの厚みｔ１より厚い。これにより、導体層の数の差に起因するプリント配線板の反りを小さくすることができる。厚みｔ１、ｔ２、ｔ３は図５（Ｂ）に示されている。厚みｔ２と厚みｔ３の比（ｔ２／ｔ３）は１．２以上であって、２以下である。厚みｔ２と厚みｔ１の比（ｔ２／ｔ１）は１．１以上であって、１．８以下である。例えば、厚みｔ１は１０μｍである。厚みｔ２は１２μｍである。厚みｔ３は１０μｍである。第１面Ｆ上の導体の体積と第２面Ｓ上の導体の体積との差が小さくなる。導体層の数の差に起因するプリント配線板の反りが小さくなる。
１つの製品内で、第２導体層３４Ｓの占有率Ｓ２は第１導体層３４Ｆの占有率Ｓ１や最上の導体層５８Ｆの占有率Ｓ５８より大きい。占有率Ｓ２と占有率Ｓ１との比（Ｓ２／Ｓ１）は１．１以上であって、２以下である。占有率Ｓ２と占有率Ｓ５８との比（Ｓ２／Ｓ５８）は１．２以上であって、３以下である。占有率Ｓ１、Ｓ２、Ｓ５８は１つの製品内の各導体層の面積を１つの製品内の第１面Ｆの面積で割ることで得られる。例えば、占有率Ｓ２は０．６から０．９５である。占有率Ｓ１は０．４５から０．８である。占有率Ｓ５８は０．４５から０．８である。第１面Ｆ上の導体の体積と第２面Ｓ上の導体の体積との差が小さくなる。導体層の数の差に起因するプリント配線板の反りを小さくすることができる。
枠部内で、第２導体層３４Ｓの占有率ＳＷ２は第１導体層３４Ｆの占有率ＳＷ１や最上の導体層５８Ｆの占有率ＳＷ５８より大きい。占有率ＳＷ２と占有率ＳＷ１との比（ＳＷ２／ＳＷ１）は１００以上であって、１０００以下である。占有率ＳＷ２と占有率ＳＷ５８との比（ＳＷ２／ＳＷ５８）は１００以上であって、１０００以下である。占有率ＳＷ１、ＳＷ２、ＳＷ５８は枠部内の各導体層の面積を枠部内の第１面Ｆの面積で割ることで得られる。例えば、占有率ＳＷ２は０．８５から０．９８である。占有率Ｓ１は０．０５から０．１５である。占有率Ｓ５８は０．０５から０．１５である。第１面Ｆ上の導体の体積と第２面Ｓ上の導体の体積との差が小さくなる。導体層の数の差に起因するプリント配線板の反りを小さくすることができる。
プリント配線板内で、第２導体層３４Ｓの占有率ＳＰ２は第１導体層３４Ｆの占有率ＳＰ１や最上の導体層５８Ｆの占有率ＳＰ５８より大きい。占有率ＳＰ２と占有率ＳＰ１との比（ＳＰ２／ＳＰ１）は１．２以上であって、２以下である。占有率ＳＰ２と占有率ＳＰ５８との比（ＳＰ２／ＳＰ５８）は１．５以上であって、３以下である。占有率ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ５８はプリント配線板の各導体層の面積をプリント配線板の第１面Ｆの面積で割ることで得られる。例えば、占有率ＳＰ２は０．６から０．９５である。占有率ＳＰ１は０．４５から０．８である。占有率ＳＰ５８は０．４５から０．８である。第１面Ｆ上の導体の体積と第２面Ｓ上の導体の体積との差が小さくなる。導体層の数の差に起因するプリント配線板の反りを小さくすることができる。
プリント配線板１０では、導体層３４Ｆ、５８Ｆ、３４Ｓの面積と厚みが制御されている。そのため、絶縁基板２０ｚの第１面Ｆ上の導体の体積と第２面Ｓ上の導体の体積の差が小さくなる。プリント配線板１０の反りが小さくなる。更に、プリント配線板の枠部９８にベタパターン３４ＳＢが形成されると、プリント配線板の外周部分の剛性が高くなる。ストレスに起因するプリント配線板の反りやうねりが小さくなる。
【００２５】
実施形態のプリント配線板では、上側のソルダーレジスト層７０Ｆと下側のソルダーレジスト層５０Ｓの材質が異なる。上側のソルダーレジスト層は光硬化タイプの樹脂絶縁層であり、下側のソルダーレジスト層は熱硬化タイプの樹脂絶縁層である。上側のソルダーレジスト層は樹脂と無機粒子で形成され、下側のソルダーレジスト層は樹脂と無機粒子と補強材で形成される。補強材の例はガラスクロスやガラス繊維である。上側のソルダーレジスト層は補強材を有していない。
【００２６】
[実施形態のプリント配線板の製造方法]
実施形態の回路基板１０の製造方法が図１〜図４に示される。プリント配線板１０の製造方法と回路基板の製造方法は同様である。
ガラスクロスと樹脂と無機粒子を含む絶縁基板（コア材）２０ｚが準備される。出発基板は、絶縁基板２０ｚと絶縁基板２０ｚの両面に積層されている銅箔２２Ｆ、２２Ｓで形成されている（図１（Ａ））。絶縁基板の第１面Ｆ上の銅箔は第１銅箔２２Ｆであり、絶縁基板の第２面Ｓ上の銅箔は第２銅箔２２Ｓである。
【００２７】
第１銅箔２２ＦにＣＯ２レーザが照射される。絶縁基板２０ｚの第１面Ｆ側にスルーホール導体用の貫通孔を形成するための第１開口部２８Ｆが絶縁基板２０ｚに形成される。更に、第２銅箔２２ＳにＣＯ２レーザが照射される。第１開口部２８Ｆに繋がる第２開口部２８Ｓが形成される。スルーホール導体用の貫通孔２８が形成される（図１（Ｂ））。第１開口部２８Ｆは第１面Ｆから第２面Ｓに向かってテーパーしている。第２開口部２８Ｓは第２面Ｓから第１面Ｆに向かってテーパーしている。
【００２８】
第１銅箔と第２銅箔、貫通孔２８の側壁上に無電解めっき膜が形成される。その後、無電解めっき膜上に電解めっき膜が形成される。貫通孔内に無電解めっき膜と無電解めっき膜上の電解めっき膜とからなるめっき膜２４が形成される。同時に、絶縁基板の第１面と第２面上にめっき膜２４が形成される。電解めっき膜で貫通孔２８が充填される。めっき膜２４上にエッチングレジストが形成される。エッチングレジストにより、プリント配線板や回路基板、枠部内の導体層３４Ｆ、３４Ｓの占有率ＳＰ１、ＳＰ２、Ｓ１、Ｓ２、ＳＷ１，ＳＷ２が調整される。エッチングレジストから露出するめっき膜２４と銅箔２２Ｆ、２２Ｓが除去される。エッチングレジストが除去される。絶縁基板の第１面に第１導体層３４Ｆが形成される。絶縁基板の第２面に第２導体層３４Ｓが形成される。貫通孔２８に第１導体層と第２導体層を接続するスルーホール導体３６が形成される。第１導体層３４Ｆの厚みｔ１は１０μｍである。第２導体層３４Ｓの厚みｔ２は１８μｍである。枠部内の各導体層３４Ｆ、３４Ｓの厚みと回路基板内の各導体層３４Ｆ、３４Ｓの厚みは略等しい。第２導体層３４Ｓの厚みを厚くすることは、電解めっき時、絶縁基板の第２面側の電流密度を高くすることで実現される。貫通孔２８を有する絶縁基板と貫通孔２８に形成されているスルーホール導体３６と絶縁基板の第１面上に形成されている第１導体層３４Ｆと絶縁基板の第２面上に形成されている第２導体層３４Ｓとを有する中間基板３０００が得られる（図１（Ｃ））。中間基板３０００はＵＳ７７８６３９０に開示されている方法で製造される。
【００２９】
中間基板３０００にＣＯ2ガスレーザにより電子部品収容用の開口２６が形成される（図１（Ｄ））。コア基板３０が完成する。図７（Ａ）は、プリント配線板のコア基板３０の第１面Ｆの平面図である。図１（Ｄ）は、図７（Ａ）中のＱ１とＱ１との間のコア基板の断面を示している。図７（Ａ）中のＹ１とＹ１との間のコア基板は図５（Ａ）に示されている。図５（Ａ）に示されるように、枠部９８内の第１導体層３４Ｆはアライメントマーク３４ＦＡのみで形成されている。図７（Ｂ）は、プリント配線板のコア基板３０の第２面Ｓの平面図である。図５（Ａ）に示されるように、枠部９８内の第２導体層３４Ｓは、アライメントマーク３４ＳＡ用の開口３４ＳＡＯのみを有するベタパターン３４ＳＢで形成されている。開口２６は第１導体層３４Ｆに含まれるアライメントマーク３４ＦＡまたは第２導体層３４Ｓに含まれるアライメントマーク３４ＳＡを用い形成される。
【００３０】
コア基板３０の第１面にＰＥＴフィルム９４が貼られる（図１（Ｅ））。ＰＥＴフィルム９４で開口２６が塞がれる。
【００３１】
電子部品収容用の開口２６により露出するＰＥＴフィルム上に積層セラミックコンデンサ等の電子部品８０が置かれる。電子部品８０が開口２６内に収容される（図２（Ａ））。電子部品８０は、ＰＥＴフィルム９４の粘着力により、ＰＥＴフィルム９４上に保持される。コア基板３０の第１導体層３４Ｆの上面と電子部品８０の電極８２Ｆの上面は略同一平面上に位置する。
【００３２】
コア基板３０の第２面と電子部品上に下側のソルダーレジスト層用の樹脂フィルムが積層される。下側のソルダーレジスト層用の樹脂フィルム（下側の樹脂フィルム）はエポキシ等の樹脂とシリカ等の無機粒子を含む。下側の樹脂フィルムは、さらに、ガラスクロス等の補強部材を有しても良い。実施形態の下側の樹脂フィルムは、ガラスクロスとシリカ粒子とエポキシ樹脂を含む。
下側の樹脂フィルム上に銅箔等の金属箔４８Ｓが積層される。金属箔４８Ｓの厚みは３μｍ〜５μｍである。
加熱プレスを行うことで、下側の樹脂フィルムから下側のソルダーレジスト層５０Ｓがコア基板３０の第２面Ｓと電子部品８０上に形成される。下側のソルダーレジスト層の厚みｔ６は２３μｍである。同時に、下側のソルダーレジスト層５０Ｓ上に銅箔４８Ｓが接着される（図２（Ｂ））。この際、下側の樹脂フィルムに含まれる樹脂と無機粒子が開口２６の側壁と電子部品８０との間の隙間に流れ込む。隙間中の樹脂を硬化することで隙間を充填する充填剤５０ＳＳが形成される。充填剤により電子部品はコア基板に内蔵される。充填剤５０ＳＳにより電子部品８０はコア基板３０に固定される。充填剤５０ＳＳと下側のソルダーレジスト層５０Ｓは同時に形成される。下側のソルダーレジスト層は樹脂と無機粒子と補強材を含む。充填剤は樹脂と無機粒子を含む。充填剤に含まれる樹脂と下側のソルダーレジスト層に含まれる樹脂は同じである。充填剤に含まれる無機粒子と下側のソルダーレジスト層に含まれる無機粒子は同じである。
下側のソルダーレジスト層５０Ｓは熱硬化タイプの樹脂絶縁層である。
【００３３】
コア基板３０からＰＥＴフィルム９４が除去される（図２（Ｃ））。第２の中間基板３００が得られる（図２（Ｃ））。第２の中間基板３００は、コア基板３０とコア基板３０に内蔵されている電子部品８０と電子部品とコア基板間の隙間を充填している充填剤５０ＳＳとコア基板の第２面と電子部品上に形成されている下側のソルダーレジスト層５０Ｓとソルダーレジスト層５０上の銅箔４８Ｓとを有する。
【００３４】
２つの第２の中間基板３００が準備される。１つの第２の中間基板３００の銅箔４８Ｓと別の第２の中間基板３００の銅箔４８Ｓが向かい合うように、２つの第２の中間基板が重ねられる（図３（Ａ））。この時、１つの第２の中間基板の外周と別の第２の中間基板の外周が接着剤で接着されている。２つの第２の中間基板のコア基板の第１面Ｆが外を向いている。外周の接着箇所ＡＰで２つの第２の中間基板が接着されている。接着箇所より内側に位置する第２の中間基板は接着されていない。接着剤は図に示されていない。
【００３５】
第２の中間基板のコア基板の第１面と電子部品上に最上の樹脂絶縁層用の樹脂フィルムが積層される。最上の樹脂絶縁層用の樹脂フィルム（最上の樹脂フィルム）はエポキシ等の樹脂とシリカ等の無機粒子を含む。最上の樹脂フィルムは、さらに、ガラスクロス等の補強材を有しても良い。最上の樹脂フィルムは、ガラスクロスとシリカ粒子とエポキシ樹脂を含む。なお、プリント配線板の反りを小さくするため、最上の樹脂絶縁層は補強材を有しないことが好ましい。プリント配線板内の剛性のバランスが高くなる。
加熱プレスにより、最上の樹脂フィルムから最上の樹脂絶縁層５０Ｆが形成される（図３（Ｂ））。最上の樹脂絶縁層の厚みｔ４は２０μｍである。最上の樹脂絶縁層５０Ｆは熱硬化タイプの樹脂絶縁層である。
【００３６】
次に、ＣＯ２ガスレーザにて樹脂絶縁層５０Ｆにビア導体用の開口５１Ｆが形成される。開口５１Ｆは電極８２Ｆと第１導体層３４Ｆに至る。
樹脂絶縁層５０Ｆ上と開口５１Ｆの内壁に無電解銅めっき層５２が形成される。
無電解銅めっき層５２上にめっきレジストが形成される。めっきレジストにより、プリント配線板や回路基板、枠部内の導体層５８Ｆの占有率ＳＰ５８、Ｓ５８、ＳＷ５８が調整される。
めっきレジストから露出する無電解銅めっき層５２上に、電解銅めっき層５６が形成される。
めっきレジストが除去される。電解銅めっき層５６から露出する無電解銅めっき層５２がエッチングで除去される。最上の樹脂絶縁層５０Ｆ上に最上の導体層５８Ｆが形成される。最上の導体層５８Ｆの厚みは１０μｍである。同時に、最上の樹脂絶縁層を貫通し、第１導体層３４Ｆや電極８２Ｆに至る最上のビア導体６０Ｆが形成される（図３（Ｃ））。
図５（Ａ）に枠部内の最上の導体層が示されている。図５（Ａ）に示されるように、枠部内の最上の導体層はアライメントマーク５８ＦＡのみで形成される。
【００３７】
最上の樹脂絶縁層５０Ｆと最上の導体層５８Ｆ上に上側のソルダーレジスト層７０が形成される。上側のソルダーレジスト層の厚みｔ５は最上の樹脂絶縁層厚みｔ４より薄い。厚みｔ５は１８μｍである。上側のソルダーレジスト層は光硬化タイプの樹脂絶縁層である。上側のソルダーレジスト層に露光処理と現像処理により開口７１Ｆ（７１ＦＩ、７１ＦＯ）が形成される（図４（Ａ））。開口７１Ｆにより最上の導体層が露出される。開口７１Ｆにより露出される導体部分は上側のパッド７３Ｆ（７３ＦＩ、７３ＦＯ）として機能する。以上のプロセスにより、図４（Ａ）に示される積層体ＬＢが形成される。
【００３８】
接着箇所ＡＰより内側で積層体ＬＢが切断される。積層体の切断箇所は枠部内である。切断により１つの積層体から２つの中間の回路基板ＭＣＢが得られる。中間の回路基板ＭＣＢが図４（Ｂ）に示される。中間の回路基板ＭＣＢはコア基板３０とコア基板の第１面上に形成されている最上の樹脂絶縁層５０Ｆと最上の導体層５８Ｆと最上のビア導体６０Ｆと上側のソルダーレジスト層７０Ｆと下側のソルダーレジスト層５０Ｓと金属箔４８Ｓを有する。
【００３９】
下側のソルダーレジスト層上の金属箔４８Ｓがエッチングにより除去される（図４（Ｃ））。この時、上側のパッドがエッチングで溶解されないように、上側のソルダーレジスト層上に保護フィルムが貼られている。上側のパッドが露出しない。保護フィルムは図に示されていない。また、金属箔４８Ｓの除去により、金属箔の粗面が下側のソルダーレジスト層に転写される。下側のソルダーレジスト層は粗面を有する。
【００４０】
下側のソルダーレジスト層５０Ｓにレーザで開口５１Ｓが形成される（図４（Ｃ））。金属箔４８Ｓにレーザを照射することで、開口５１Ｓが形成されてもよい。開口５１Ｓにより、下側のパッド５３Ｓが露出される。下側のパッドは第２導体層３４Ｓに含まれる。電子部品の電極８２を露出する開口５１Ｓを下側のソルダーレジスト層に形成することができる（図５（Ｃ）参照）。
上述では、２つの中間の回路基板が分離される前に上側のソルダーレジスト層に開口７１Ｆが形成されている。
２つの中間の回路基板が分離される前に上側のソルダーレジスト層に開口７１Ｆを形成することは必須でない。分離後、下側のソルダーレジスト層上の金属箔４８Ｓがエッチングにより除去される。その後、上側のソルダーレジスト層と下側のソルダーレジスト層に開口７１Ｆ、５１Ｓが形成される。金属箔４８Ｓがエッチングにより除去される時、上側のパッドを保護するための保護フィルムが不要になる。
【００４１】
上側のパッド７３Ｆ（７３ＦＩ、７３ＦＯ）と下側のパッド５３Ｓ上に保護膜７２を形成することができる。開口５１Ｓから露出している電子部品の電極８２上に保護膜を形成することができる。保護膜は、パッドや電極の酸化を防止するための膜である。保護膜は、例えば、Ｎｉ／Ａｕ、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ、Ｐｄ／ＡｕやＯＳＰ（Organic Ｓolderability Preservative）膜で形成される。
【００４２】
上側のパッド７３ＦＩ、７３ＦＯ上に半田バンプ７６ＦＩ、７６ＦＯが形成される。半田バンプを有するプリント配線板が完成する（図６（Ａ））。半田バンプ７６ＦＩはＣ４パッド（上側の第１パッド）７３ＦＩ上に形成されていて、半田バンプ７６ＦＯは上側の第２パッド７３ＦＯ上に形成されている。
【００４３】
プリント配線板の下側のパッド５３Ｓに半田バンプ７６Ｓを形成することができる。
【００４４】
回路基板１０に半田バンプ７６ＦＩを介して電子部品９０が実装される。回路基板と回路基板に実装されている電子部品とからなる応用例が完成する。実装時、プリント配線板は加熱される。実施形態のプリント配線板では、絶縁基板２０ｚの第１面上の導体の体積と樹脂の体積、及び、絶縁基板２０ｚの第２面上の導体の体積と樹脂の体積が制御されている。プリント配線板や回路基板がヒートサイクルを受けても、反りが生じ難い。ＩＣチップの実装後、複数の製品を含むプリント配線板１００から個々の回路基板１０に分けられる。複数の応用例１２０が製造される。電子部品が実装される前にプリント配線板が分割されると、プリント配線板から複数の回路基板が製造される。半田バンプ７６ＦＯを介して第２の回路基板１３０が応用例１２０に搭載される。回路基板１０と第２の回路基板１３０との間にモールド樹脂１０２が形成される（図６（Ｂ））。第２応用例（ＰＯＰ基板）が完成する。
【００４５】
プリント配線板の別例が図８（Ｃ）に示されている。図８（Ｃ）に示されるように、開口２６は、第２面Ｓから第１面Ｆに向けてテーパーしている。第１面上の開口２６のサイズは第２面上の開口２６のサイズより小さい。開口の側壁は図８（Ｃ）に示されるように、第２面Ｓから第１面Ｆに向かってテーパーしている。開口２６のサイズは第２面から第１面に向かって小さくなっている。
絶縁基板２０ｚは補強材を有するので、絶縁基板２０ｚの剛性は高い。そのため、絶縁基板２０ｚは、絶縁基板２０ｚ上に形成されている樹脂から成る絶縁層の変形を抑えることができる。
別例によれば、最上の樹脂絶縁層５０Ｆとコア基板３０の第１面との接触面積は、下側のソルダーレジスト層５０Ｓとコア基板３０の第２面Ｓとの接触面積より大きい。
別例では、コア基板の第１面上の樹脂から成る絶縁層の数はコア基板の第２面上の樹脂から成る絶縁層の数より多い。そのため、第１面上の樹脂から成る絶縁層からコア基板が受けとる力は、第２面上の樹脂から成る絶縁層からコア基板が受けとる力より大きい。
コア基板の第１面の面積は大きく、コア基板の第１面に働く力は大きい。それに対し、コア基板の第２面の面積は小さく、コア基板の第２面に働く力は小さい。そのため、コア基板の第１面と第２面で単位面積当たりの力が比較されると、両者の差は小さくなる。もしくは、両者は略同等である。従って、コア基板に形成されている電子部品収容用の開口が、第２面から第１面に向かうテーパーを有し、さらに、コア基板の表裏で樹脂から成る絶縁層の数が異なっても、反りの小さなプリント配線板やＰＯＰ基板を提供することができる。電子部品を内蔵するプリント配線板の接続信頼性が高くなる。
【００４６】
[別例のプリント配線板の製造方法]
別例では、絶縁基板の第２面側から絶縁基板２０ｚにレーザを照射することで電子部品収容用の開口２６が形成される。それ以外、別例の製法は実施形態の製法と同様である。
レーザで開口２６が形成されるため、開口の側壁は図８（Ｃ）に示されるように第２面から第１面に向かってテーパーしている。レーザの例はＵＶレーザやＣＯ２レーザである。
【符号の説明】
【００４７】
１０  プリント配線板
２０ｚ  絶縁基板
２６  開口
３０  コア基板
３４Ｆ  第１導体層
３４Ｓ  第２導体層
３４ＳＢ  ベタパターン
５０Ｆ  最上の樹脂絶縁層  
７０Ｆ、５０Ｓ  ソルダーレジスト層
５１Ｓ  開口
５８Ｆ  最上の導体層
６０Ｆ  最上のビア導体
７１Ｆ  開口
８０  電子部品
９８  枠部
１０Ｇ  製品部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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