(57)【要約】【課題】検出抵抗の温度特性により電流検出回路の出力電圧が変化しても、電流検出回路の出力電圧をデジタル信号に変換したときに検出抵抗の温度特性を低減できるＡ／Ｄ変換装置。【解決手段】電圧源から負荷に流れる電流を電圧に変換して検出し且つ温度特性を有する電流検出回路１３と、温度特性を有しない他の検出回路１２と、電流検出回路の出力電圧と他の検出回路の出力電圧との一方を選択する選択装置１４と、温度特性を有する基準電圧を生成する基準電圧源１６と、選択装置で選択された検出回路の出力電圧と基準電圧とを比較することによりアナログ信号をデジタル信号に変換するＡ／Ｄ変換器１５とを備え、基準電圧源は、電流検出回路の出力電圧をアナログ／デジタル変換するとき、基準電圧の温度特性を電流検出回路の出力電圧の温度特性に合うように変化させる。【選択図】図１
2016063335.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電圧源から負荷に流れる電流を電圧に変換して検出し且つ温度特性を有する電流検出回路と、
温度特性を有しない他の検出回路と、
前記電流検出回路の出力電圧と前記他の検出回路の出力電圧との一方を選択する第１選択装置と、
温度特性を有する基準電圧を生成する基準電圧源と、
前記第１選択装置で選択された検出回路の出力電圧と基準電圧とを比較することによりアナログ信号をデジタル信号に変換するＡ／Ｄ変換器とを備え、
前記基準電圧源は、前記電流検出回路の出力電圧をアナログ／デジタル変換するとき、前記基準電圧の温度特性を前記電流検出回路の出力電圧の温度特性に合うように変化させることを特徴とするＡ／Ｄ変換装置。
【請求項２】
前記基準電圧源は、温度特性を持つ基準電圧の絶対値を調整する絶対値調整部を備え、
前記電流検出回路の出力電圧をアナログ／デジタル変換するとき、前記基準電圧の温度特性を前記電流検出回路の出力電圧の温度特性に合うように、前記絶対値調整部は、基準電圧の絶対値を調整することを特徴とする請求項１記載のＡ／Ｄ変換装置。
【請求項３】
前記他の検出回路は、温度を検出する温度検出回路からなり、
前記温度検出回路の検出温度情報を記憶する検出温度記憶部と、
前記電流検出回路の出力電圧をアナログ／デジタル変換するとき、前記検出温度記憶部に記憶された検出温度情報に基づいて前記絶対値調整部の基準電圧の絶対値を設定する基準電圧設定部と、
を備えることを特徴とする請求項２記載のＡ／Ｄ変換装置。
【請求項４】
前記基準電圧源は、温度特性を有しない第１基準電圧を生成する第１基準電圧源と、前記電流検出回路の温度特性をキャンセルするための温度特性を有する第２基準電圧を生成する第２基準電圧源とを有し、
前記電流検出回路の出力電圧をアナログ／デジタル変換するときには、前記第２基準電圧源を選択して第２基準電圧を前記Ａ／Ｄ変換器に出力し、前記温度検出回路の出力電圧をアナログ／デジタル変換するときには、前記第１基準電圧源を選択して第１基準電圧を前記Ａ／Ｄ変換器に出力する第２選択装置を備えることを特徴とする請求項１記載のＡ／Ｄ変換装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数のアナログ信号をマルチプレクサとＡ／Ｄ変換器とを用いてデジタル信号に変換するＡ／Ｄ変換装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
複数のアナログ信号を一つのアナログ・デジタル変換器（ＡＤＣ）でデジタル信号に変換する技術として、例えば、特許文献１に記載されたＡ／Ｄ変換装置が知られている。図１０は従来のこの種のＡ／Ｄ変換装置の回路構成図である。
【０００３】
図１０に示すＡ／Ｄ変換装置は、ＭＩＣ（モノリシック集積回路）１０−１、電圧源２０、電圧源２０に接続され且つＭＩＣ１０−１からの制御信号によりオン／オフする半導体スイッチ２１、負荷２４、半導体スイッチ２１と負荷２４との間に接続される検出抵抗２３を備える。
【０００４】
ＭＩＣ１０−１には、電圧源２０の電圧を検出する電圧検出回路１１、ＭＩＣ１０−１の温度を検出する温度検出回路１２、電圧源２０から半導体スイッチ２１を介して負荷２４に流れる電流を検出抵抗２３により検出する電流検出回路１３、第１選択装置１４、ＡＤＣ１５、基準電圧源１６−１、制御回路１７−１が設けられている。ＭＩＣ１０−１を縮小するために、第１選択装置１４は、制御回路１７−１からの信号により各スイッチ１４ａ〜１４ｃを切り替え、電圧検出回路１１、温度検出回路１２、電流検出回路１３の内のいずれかのアナログ電圧を一つのＡＤＣ１５に出力する。
【０００５】
ＡＤＣ１５は、第１選択装置１４からのアナログ電圧と基準電圧源１６−１の電圧とを比較し、第１選択装置１４からのアナログ電圧を２値のデジタル信号に変換する。基準電圧源１６−１に温度特性が有る場合には、検出した電圧源などの特性が温度によってあたかも変化したように検出されるため、基準電圧源１６−１には温度特性が無い方が良い。電圧検出回路１１から第１選択装置１４に送られる電圧には、温度特性はない。温度検出回路１２から第１選択装置１４に送られる電圧には、温度特性がある。即ち、故意に電圧に温度特性を設けることにより検出電圧から温度を検出している。
【０００６】
これに対して、電流検出回路１３は、検出抵抗２３に流れる電流を検出するが、検出抵抗２３には温度特性がある。このため、図１１に示すように、温度によっては電流検出回路１３の出力電圧値と基準電圧源１６−１の電圧値とが異なってしまう。その結果、温度によっては、負荷２４に流れる電流とＡＤＣ１５が検出する電流とが異なるという問題が発生する。一般的には抵抗の温度係数は、ＭＩＣの外に設けたチップ抵抗の場合には、１００ｐｐｍ／℃、ＭＩＣ内の半導体で作製された抵抗の場合には、２００〜２０００ｐｐｍ／℃になる。
【０００７】
また、従来のこの種の技術として、例えば、特許文献２に記載された電流検出回路が知られている。この電流検出回路は、マルチソースＭＯＳを用い、広い電流レンジの負荷電流を精度よく検出することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開平１０−３４１１５８号公報
【特許文献２】特開２００３−２８９０１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、マルチソースＭＯＳを用いた電流検出回路でも、検出抵抗を用いているため、検出抵抗の温度特性によって電流検出回路の出力電圧は変わってしまう。このため、図１０に示すＡ／Ｄ変換装置の電流検出回路の問題と同じ問題が発生する。
【００１０】
本発明の課題は、検出抵抗の温度特性により電流検出回路の出力電圧が変化しても、電流検出回路の出力電圧をデジタル信号に変換したときに検出抵抗の温度特性を低減することができるＡ／Ｄ変換装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明に係るＡ／Ｄ変換装置は、電圧源から負荷に流れる電流を電圧に変換して検出し且つ温度特性を有する電流検出回路と、温度特性を有しない他の検出回路と、前記電流検出回路の出力電圧と前記他の検出回路の出力電圧との一方を選択する選択装置と、温度特性を有する基準電圧を生成する基準電圧源と、前記選択装置で選択された検出回路の出力電圧と基準電圧とを比較することによりアナログ信号をデジタル信号に変換するＡ／Ｄ変換器とを備え、前記基準電圧源は、前記電流検出回路の出力電圧をアナログ／デジタル変換するとき、前記基準電圧の温度特性を前記電流検出回路の出力電圧の温度特性に合うように変化させることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、基準電圧源は、電流検出回路の出力電圧をアナログ／デジタル変換するとき、基準電圧の温度特性を電流検出回路の出力電圧の温度特性に合うように温度特性を変化させるので、検出抵抗の温度特性により電流検出回路の出力電圧が変化しても、電流検出回路の出力電圧をデジタル信号に変換したときに検出抵抗の温度特性を低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の実施例１に係るＡ／Ｄ変換装置の回路構成図である。
【図２】本発明の実施例１に係るＡ／Ｄ変換装置の基準電圧源のバンドギャップレファレンスの具体的な回路構成図である。
【図３】図２に示す基準電圧源の各部と電流検出回路との出力電圧の温度特性を示す図である。
【図４】本発明の実施例２に係るＡ／Ｄ変換装置の回路構成図である。
【図５】本発明の実施例２に係るＡ／Ｄ変換装置の具体的な回路構成図である。
【図６】本発明の実施例２に係るＡ／Ｄ変換装置の変形例の回路構成図である。
【図７】本発明の実施例３に係るＡ／Ｄ変換装置の回路構成図である。
【図８】本発明の実施例３に係るＡ／Ｄ変換装置の第２基準電圧源と電流検出回路の出力電圧の温度特性を示す図である。
【図９】本発明の実施例３に係るＡ／Ｄ変換装置の第２基準電圧源と電流検出回路の出力電圧との温度特性を示す図である。
【図１０】従来のＡ／Ｄ変換装置の回路構成図である。
【図１１】図１０に示す従来のＡ／Ｄ変換装置の基準電圧源と電流検出回路の出力電圧との温度特性を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明の実施の形態に係るＡ／Ｄ変換装置について、図面を参照しながら詳細に説明する。
【実施例１】
【００１５】
図１は本発明の実施例１に係るＡ／Ｄ変換装置の回路構成図である。図１に示すＡ／Ｄ変換装置は、図１０に示すＡ／Ｄ変換装置の構成に対して、基準電圧源１６が異なることを特徴とする。
【００１６】
なお、図１において、図１０に示す従来のＡ／Ｄ変換装置と同一構成には、従来技術で使用した符号と同じ符号を付しその説明は省略する。
【００１７】
基準電圧源１６は、基準電圧を生成する電圧生成部１６１と絶対値調整部１６３とを備える。電圧生成部１６１は、温度調整部１６２を備える。制御回路１７は、電流検出回路１３の出力電圧をＡＤＣ１５でＡＤ変換するときに、スイッチ１４ｃにオンするための切換信号を送るとともに、温度調整部１６２と絶対値調整部１６３とに調整信号を送る。
【００１８】
温度調整部１６２は、制御回路１７からの調整信号により、温度係数を調整することにより温度特性が変化する基準電圧を生成する。温度調整部１６２は、制御回路１７から調整信号が来ない場合には、即ち、電圧検出回路１１、温度検出回路１２のアナログ電圧をＡＤ変換する場合には、温度特性を有しない一定値の基準電圧を生成する。
【００１９】
絶対値調整部１６３は、制御回路１７からの調整信号により、温度調整部１６２により生成された温度特性を持つ基準電圧である基準電圧源１６の出力電圧の絶対値を増減するように調整する。絶対値調整部１６は、制御回路１７から調整信号が来ない場合には、即ち、電圧検出回路１１、温度検出回路１２のアナログ電圧をＡＤ変換する場合には、基準電圧源の出力電圧の絶対値を増減するように調整しない。
【００２０】
このような構成によれば、温度特性を有する電流検出回路１３の出力電圧をＡＤ変換するときには、基準電圧源１６の温度特性を、電流検出回路１３の出力電圧の温度特性に合うように、温度調整部１６２の温度係数と絶対値調整部１６３の絶対値とを調整するので、検出抵抗２３の温度特性により電流検出回路１３の出力電圧が変化しても、電流検出回路１３の出力電圧をデジタル信号に変換したときに検出抵抗２３の温度特性を低減することができる。
【００２１】
従って、電流検出回路１３の出力電圧も他の検出回路１１，１２の出力電圧も一つのＡＤＣ１５で精度よくデジタル信号に変換することができる。
【００２２】
（基準電圧源の具体例）
図２は、本発明の実施例１に係るＡ／Ｄ変換装置の基準電圧源のバンドギャップレファレンスの具体的な回路構成図である。図２に示す基準電圧源１６において、電源Ｖｃｃには抵抗Ｒ１の一端と抵抗Ｒ２の一端とが接続される。抵抗Ｒ１の他端はオペアンプＡＰの非反転入力端子（＋）とトランジスタＱ１のコレクタに接続される。抵抗Ｒ２の他端はオペアンプＡＰの反転入力端子（−）とトランジスタＱ２のコレクタに接続される。
【００２３】
トランジスタＱ１のエミッタには抵抗Ｒ１１の一端が接続され、トランジスタＱ２のエミッタには抵抗Ｒ１０の一端が接続される。抵抗Ｒ１０の他端は、抵抗Ｒ１１の一端に接続され、抵抗Ｒ１１の他端は接地される。抵抗Ｒ１１は、制御回路１７からの調整信号により抵抗値が可変される可変抵抗であり、温度調整部１６２を構成する。
【００２４】
なお、トランジスタＱ２のエミッタとトランジスタＱ１のエミッタとにおいて図示されるＮ：１は、エミッタの面積比を示している。
【００２５】
オペアンプＡＰは、トランジスタＱ１のベース−エミッタ間電圧ＶBEとトランジスタＱ２を介する抵抗Ｒ１０の電圧との差電圧を増幅して基準電圧源１６の出力電圧Ｖｒ３として出力する。オペアンプＡＰの出力端子には、抵抗Ｒ１３の一端が接続され、抵抗Ｒ１３の他端はトランジスタＱ１のベースとトランジスタＱ２のベースと抵抗Ｒ１２の一端に接続される。抵抗Ｒ１２の他端は接地される。抵抗Ｒ１２は、制御回路１７からの調整信号により抵抗値が可変される可変抵抗であり、絶対値調整部１６３を構成する。
【００２６】
出力電圧Ｖｒ３は、以下の式（１）で表される。
【００２７】
Ｖｒ３＝（ＶBE1＋（Ｒ１１／Ｒ１０）×ＶT×ｌｎ（Ｎ））×（１＋Ｒ１３／Ｒ１２）          
ＶT＝ｋＴ／ｑ        …（１）
ここで、ＮはトランジスタＱ１とトランジスタＱ２とのエミッタ面積比であり、ＶBE1はトランジスタＱ１のベース−エミッタ間電圧、即ち、順方向電圧ＶFである。ｋはボルツマン定数、Ｔは絶対温度、ｑは電荷量である。
【００２８】
式（１）の第１項に示すトランジスタＱ１のＶBE1は、−２ｍＶ／℃であり、図３の直線Ａに示すように、負の温度特性を有している。
【００２９】
式（１）の第２項に示す（Ｒ１１／Ｒ１０）×ＶT×ｌｎ（Ｎ）は、図３の直線Ｂに示すように、正の温度特性を有している。
【００３０】
電圧検出回路１１又は温度検出回路１２からのアナログ信号をＡＤ変換する場合には、制御回路１７から温度調整部１６２、絶対値調整部１６３に調整信号には出力されず、オペアンプＡＰの出力電圧Ｖｒ３（基準電圧）は、温度特性を有しない一定値となる。
【００３１】
一方、電流検出回路１３からのアナログ信号をＡＤ変換する場合には、制御回路１７から温度調整部１６２、絶対値調整部１６３に調整信号が出力される。このため、温度調整部１６２は、抵抗Ｒ１１を変化させるので、（Ｒ１１／Ｒ１０）×ＶT×ｌｎ（Ｎ）の傾きが大きくなる。即ち、正の温度係数が点線で示す直線Ｂ´に変化する。
【００３２】
このため、抵抗Ｒ１１を変化させたことで、図３に示すように、基準電圧の出力電圧Ｖｒ３ａは、温度特性を有する点線で示す直線となり、一定値を持つ出力電圧Ｖｒ３よりも上昇する。即ち、抵抗Ｒ１１を変化させると、室温における出力電圧も変化してしまう。
【００３３】
従って、絶対値調整部１６３により抵抗Ｒ１２の抵抗値を変化させることで、図３に示すように出力電圧Ｖｒ３ａを下方向に平行移動させて、室温において出力電圧Ｖｒ３ａが出力電圧Ｖｒ３になるように出力電圧Ｖｒ３ｂの絶対値を減少させるように調整する。
【００３４】
基準電圧源１６の出力電圧Ｖｒ３ｂは、図３に示すように、正の温度特性で可変させることができる。また、電流検出回路１３の出力電圧Ｖｏｕｔ（Ｔｒ）も、図３に示すように、正の温度特性で可変している。
【００３５】
即ち、温度特性を有する電流検出回路１３の出力電圧Ｖｏｕｔ（Ｔｒ）をＡＤ変換するときには、基準電圧源１６の出力電圧Ｖｒ３ｂの温度特性を、電流検出回路１３の出力電圧Ｖｏｕｔ（Ｔｒ）の温度特性に合うように、温度調整部１６２の抵抗Ｒ１１の抵抗値を調整し絶対値調整部１６３の抵抗Ｒ１２の抵抗値を調整したので、検出抵抗２３の温度特性により電流検出回路１３の出力電圧が変化しても、電流検出回路１３の出力電圧をデジタル信号に変換したときに検出抵抗２３の温度特性を低減することができる。
【００３６】
従って、電流検出回路１３の出力電圧も他の検出回路１１，１２の出力電圧も一つのＡＤＣ１５で精度よくデジタル信号に変換することができる。
【実施例２】
【００３７】
図４は、本発明の実施例２に係るＡ／Ｄ変換装置の回路構成図である。図４に示す実施例２に係るＡ／Ｄ変換装置は、図１に示す実施例１に係るＡ／Ｄ変換装置に対して、ＭＩＣ１０ａ内の基準電圧源１６ａと制御回路１７ａが異なる。また、電圧検出回路１１と、第１選択装置１４内のスイッチ１４ａとを削除している。ここでは、これらの異なる部分のみを説明する。
【００３８】
基準電圧源１６ａは、電圧生成部１６１ａと、絶対値調整部１６３ａとを備える。
【００３９】
制御回路１７ａは、第２選択装置１７１と、検出温度記憶部１７２と、検出電流記憶部１７３と基準電圧設定部と１７４とを備える。第２選択装置１７１は、ＡＤＣ１５から送られてくる温度検出回路１２の検出温度情報と電流検出回路１３の検出電流情報との一方を選択する。
【００４０】
検出温度記憶部１７２は、第２選択装置１７１で選択された温度検出回路１２の検出温度情報を記憶する。検出電流記憶部１７３は、第２選択装置１７１で選択された電流検出回路１３の検出電流情報を記憶する。
【００４１】
基準電圧設定部１７４は、電流検出回路１３の出力電圧をＡＤＣ１５によりＡＤ変換する場合には、検出温度記憶部１７２に記憶された検出温度情報に基づいて、絶対値調整部１６３ａの出力電圧の絶対値を切り替えることにより基準電圧を設定する。
【００４２】
図５は、本発明の実施例２に係るＡ／Ｄ変換装置の具体的な回路構成図である。図５に示す基準電圧源１６ａは、図２に示す基準電圧源１６に対して絶対値調整部１６３ａの構成が異なる。
【００４３】
絶対値調整部１６３ａにおいて、抵抗Ｒ１２ａと抵抗Ｒ１２ｂと抵抗Ｒ１２ｃとが直列に接続され、抵抗Ｒ１２ｃの一端は、抵抗Ｒ１３の他端に接続される。抵抗Ｒ１２ａの一端は接地される。
【００４４】
抵抗Ｒ１２ａの両端にはＭＯＳＦＥＴＭ１ａのドレインとソースとが接続される。抵抗Ｒ１２ｂの両端にはＭＯＳＦＥＴＭ１ｂのドレインとソースとが接続される。ＭＯＳＦＥＴＭ１ａのゲートとＭＯＳＦＥＴＭ１ｂのゲートには基準電圧設定部１７４から基準電圧設定信号が印加される。
【００４５】
以上の構成において、例えば、温度検出回路１２が検出した温度が５０℃である場合には、その温度に相当する温度データが検出温度記憶部１７２に記憶されている。電流検出回路１３の出力電圧をＡＤ変換する場合には、基準電圧設定部１７４は、検出温度記憶部１７２に記憶されている温度データを読み込み、その温度データに基づいてＭＯＳＦＥＴＭ１ａとＭＯＳＦＥＴＭ２ａとをオンさせる。
【００４６】
また、温度検出回路１２が検出した温度が１００℃である場合には、その温度に相当する温度データが検出温度記憶部１７２に記憶されている。電流検出回路１３の出力電圧をＡＤ変換する場合には、基準電圧設定部１７４は、検出温度記憶部１７２に記憶されている温度データを読み込み、その温度データに基づいてＭＯＳＦＥＴＭ１ｂをオンさせる。
【００４７】
このように、実施例２に係るＡ／Ｄ変換装置によれば、温度検出回路１２により温度を検出し、検出された温度データに基づいて基準電圧源１６ａの基準電圧の温度係数を調整し、基準電圧の絶対値を調整するので、精度よく基準電圧を調整することができる。従って、実施例２に係るＡ／Ｄ変換装置においても、実施例１に係るＡ／Ｄ変換装置の効果と同様な効果が得られる。
【００４８】
（実施例２の変形例）
図６は、本発明の実施例２に係るＡ／Ｄ変換装置の変形例の回路構成図である。図６に示す変形例のＡ／Ｄ変換装置は、図５に示す実施例２のＡ／Ｄ変換装置の構成に対して、基準電圧設定部１７４ａ内にメモリー装置１７５を設けたことを特徴とする。
【００４９】
電流検出回路１３の出荷検査時に複数の検査温度で電流検出回路１３のデジタル値が所望の値になるような、温度調整部１６２ａ及び絶対値調整部１６３ａのＭＯＳＦＥＴＭ１ａ〜Ｍ１ｂを探し、そのＭＯＳＦＥＴの最適な番号をメモリー装置１７５に記憶しておく。
【００５０】
そして、電流検出時には、検出温度記憶部１７２の温度データに該当するＭＯＳＦＥＴの番号をメモリー装置１７５から読み込み、読み込んだ値に該当するＭＯＳＦＥＴに切り替えてもよい。
【００５１】
例えば、出荷検査時に５０℃で電流検出回路１３の試験を行い、最適なＭＯＳＦＥＴがＭ１ａであることを調査し、その値をメモリー装置１７５に記憶しておく。
【００５２】
次に、１００℃で電流検出回路１３の試験を行い、そのときの最適なＭＯＳＦＥＴがＭ１ｂであることを調査し、その値もメモリー装置１７５に記憶しておく。
【００５３】
次に、実際のＭＩＣ１０の動作時に、検出温度記憶部１７２に記憶された温度が５０℃であれば、基準電圧設定部１７４は、メモリー装置１７５から５０℃のときのＭＯＳＦＥＴの切替番号を読み出して、ＭＯＳＦＥＴＭ１ａを切り替える。
【実施例３】
【００５４】
図７は、本発明の実施例３に係るＡ／Ｄ変換装置の回路構成図である。図１に示す実施例１に係るＡ／Ｄ変換装置に対して、基準電圧源１６の代わりに、第１基準電圧源１６Ａと第２基準電圧源１６Ｂとを設けるとともに、スイッチ１８ａ，１８ｂとを設けたことを特徴とする。
【００５５】
第１基準電圧源１６Ａは、温度特性を有しない第１基準電圧を生成する。第２基準電圧源１６Ｂは、検出抵抗２３の温度特性をキャンセルするための温度特性を有する第２基準電圧を生成する。
【００５６】
スイッチ１８ａは、電圧検出回路１１又は温度検出回路１２の出力電圧をアナログ／デジタル変換するときには、第１基準電圧源１６Ａを選択して第１基準電圧をＡＤＣ１５に出力する。
【００５７】
スイッチ１８ｂは、電流検出回路１４ｃの出力電圧をアナログ／デジタル変換するときには、第２基準電圧源１６Ｂを選択して第２基準電圧をＡＤＣ１５に出力する。
【００５８】
このように、ＡＤＣ１５により出力電圧をデジタル信号に変換する対象によって、最適な温度特性を持った基準電圧源をスイッチ１８ａ，１８ｂにより選択することにより、電圧検出回路１１又は温度検出回路１２でも電流検出回路１３でも一つのＡＤＣ１５により出力電圧を精度よくデジタル信号に変換することができる。
【００５９】
次に、図８を参照しながら、実施例３に係るＡ／Ｄ変換装置の第２基準電圧源１６Ｂと電流検出回路１３の出力電圧の温度特性を説明する。ＡＤＣ１５では、基準電圧源１６Ｂの電圧に基づいてアナログ信号をデジタル信号に変換する。
【００６０】
基準電圧源１６ＢをVref2とし、ＡＤＣ１５のビット数を１０ビットとすると、ＡＤＣ１５の最小ビット当たりのアナログ電圧値（VLSB）は、
Vref2／210= Vref2/1024
となる。
Vref2= Vref2(Tr)×(1+TC1(T-Tr))/1024
とすると、
VLSB= (Vref2(TR)×(1+TC1(T-Tr)))/1024
となる。ここで、Trは室温、TC1は基準電圧の温度係数、Tは温度、Vref2(Tr)は室温時の基準電圧源１６Ｂの出力電圧である。
【００６１】
一方、電流検出回路１３の出力電圧Vout_isは、検出抵抗２３の温度係数をTC2とすると、
Vout_is= Vout_is(Tr)×(1+TC2(T-Tr))
となる。ここで、Vout_is(Tr)は室温時の電流検出回路１３の出力電圧である。ＡＤＣ１５は、電流検出回路１３の出力電圧Vout_isを探索する。即ち、Vout_isに最も近いVLSB×Dcodeとなる整数のDcodeを探す。
【００６２】
実際のＡＤＣ１５の出力のデジタル信号は、２進数であるが、ここでは、便宜上、１０進数でDcodeを表している。
Vout_is= Vout_is(Tr)×(1+TC2(T-Tr))
VLSB= (Vref2(TR)×(1+TC1(T-Tr)))/1024×Dcode
である。このため、基準電圧源１６Ｂの出力電圧Vref2の温度係数TC1は、電流検出回路１３の出力電圧Vout_isの温度係数TC2と同じである方が良い。
【００６３】
図９は、本発明の実施例に係るＡ／Ｄ変換装置の第２基準電圧源１６Ｂの出力電圧Vref2と電流検出回路１３の出力電圧Vout_isとの温度特性を示す図である。図９に示すように、基準電圧源１６Ｂの出力電圧Vref2の温度係数TC1は、電流検出回路１３の出力電圧Vout_isの温度係数TC2と略同じであるので、ＡＤＣ１５は、電流検出回路１３の出力電圧Vout_isをデジタル信号に変換するときに温度依存性をより低減することができる。
【符号の説明】
【００６４】
１０，１０ａ，１０ｂ  ＭＩＣ
１１  電圧検出回路
１２  温度検出回路
１３  電流検出回路
１４  第１選択装置
１４ａ〜１４ｃ，１８ａ，１８ｂ  スイッチ
１５  ＡＤＣ
１６，１６ａ，１６ｂ  基準電圧源
１６Ａ  第１基準電圧源
１６Ｂ  第２基準電圧源
１７，１７ａ，１７ｂ，１７ｃ  制御回路
１８，１７１  第２選択装置
２０  電圧源
２１  半導体スイッチ
２２  温度検知器
２３  検出抵抗
２４  負荷
１６１，１６１ａ  電圧生成部
１６２  温度調整部
１６３，１６３ａ  絶対値調整部
１７２  検出温度記憶部
１７３  検出電流記憶部
１７４，１７４ａ  基準電圧設定部
１７５  メモリー装置
Ｒ１，Ｒ２，Ｒ１０〜Ｒ１３，Ｒ１１，Ｒ１２ａ〜Ｒ１２ｃ，  抵抗
Ｑ１，Ｑ２  トランジスタ
ＡＰ  オペアンプ
Ｍ１ａ，Ｍ１ｂ  ＭＯＳＦＥＴ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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