(57)【要約】【課題】  本発明は、一部の反射層パターンが所望の幅寸法よりも大きな幅寸法で形成された場合であっても、ＥＵＶ露光によって形成されるウェハ上のレジストパターンを所望の幅寸法に形成することが可能な反射型マスクを提供することを主目的とする。【解決手段】  所望の幅寸法よりも大きな幅寸法に形成された反射層パターンの厚みを、所望の幅寸法に形成された反射層パターンの厚みよりも小さくなるように加工して、加工後の前記反射層パターンのＥＵＶ光の反射強度プロファイルの所定の反射強度における幅が、所望の幅寸法に形成された前記反射層パターンのＥＵＶ光の反射強度プロファイルの前記所定の反射強度における幅の±１０％の範囲内になるように修正することにより、上記課題を解決する。【選択図】      図１
2016152356.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多層膜から構成される反射層をパターン状に加工して反射層パターンを形成したＥＵＶ露光用の反射型マスクであって、
前記反射層パターンとして、第１の反射層パターンと第２の反射層パターンを有し、
前記第２の反射層パターンの幅が、前記第１の反射層パターンの幅よりも大きく、かつ、前記第２の反射層パターンの厚みが、前記第１の反射層パターンの厚みよりも小さく、
前記第２の反射層パターンのＥＵＶ光の反射強度プロファイルの所定の反射強度における幅が、前記第１の反射層パターンのＥＵＶ光の反射強度プロファイルの前記所定の反射強度における幅の±１０％の範囲内にあることを特徴とする反射型マスク。
【請求項２】
ＥＵＶ露光用の反射型マスクの製造方法であって、
多層膜から構成される反射層をパターン状に加工して反射層パターンを形成する反射層パターン形成工程と、
前記反射層パターンの幅寸法を検査する寸法検査工程と、
前記反射層パターンの厚みを小さく加工する反射層パターン修正工程と、
を備えることを特徴とする反射型マスクの製造方法。
【請求項３】
前記寸法検査工程が、所望の幅寸法よりも大きな幅寸法に形成された前記反射層パターンを検知する工程を含むことを特徴とする請求項２に記載の反射型マスクの製造方法。
【請求項４】
前記反射層パターン修正工程が、所望の幅寸法よりも大きな寸法に形成された前記反射層パターンの厚みを、所望の幅寸法に形成された前記反射層パターンの厚みよりも小さくなるように加工して、加工後の前記反射層パターンのＥＵＶ光の反射強度プロファイルの所定の反射強度における幅が、所望の幅寸法に形成された前記反射層パターンのＥＵＶ光の反射強度プロファイルの前記所定の反射強度における幅の±１０％の範囲内になるように修正する工程を含むことを特徴とする請求項２または請求項３に記載の反射型マスクの製造方法。
【請求項５】
多層膜から構成される反射層をパターン状に加工して反射層パターンを形成したＥＵＶ露光用の反射型マスクの修正方法であって、
所望の幅寸法よりも大きな幅寸法に形成された前記反射層パターンの厚みを、所望の幅寸法に形成された前記反射層パターンの厚みよりも小さくなるように加工して、加工後の前記反射層パターンのＥＵＶ光の反射強度プロファイルの所定の反射強度における幅が、所望の幅寸法に形成された前記反射層パターンのＥＵＶ光の反射強度プロファイルの前記所定の反射強度における幅の±１０％の範囲内になるように修正することを特徴とする反射型マスクの修正方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、極端紫外光（Extreme Ultra Violet：以後、ＥＵＶと記す）を用いてマスクパターンをウェハ上のレジストに転写するためのＥＵＶ露光用の反射型マスクに関し、より詳しくは、多層膜から構成される反射層をパターン状に加工して反射層パターンを形成した反射型マスク、この反射型マスクの製造方法、および、この反射型マスクの修正方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
現在、半導体デバイス用のリソグラフィ技術としては、波長１９３ｎｍのＡｒＦエキシマレーザを用いた光学式の投影露光方法が主に用いられているが、いずれ解像限界に達するため、エキシマレーザを用いた露光方法に代わる新しいリソグラフィ技術が検討されている。
【０００３】
この新しいリソグラフィ技術として、エキシマレーザよりもさらに短波長である波長１３．５ｎｍのＥＵＶ光を用いて、マスクパターンを１／４程度に縮小露光するＥＵＶリソグラフィ技術が注目されている。このＥＵＶ露光においては、露光に用いるＥＵＶ光が極めて短波長のために、屈折光学系を使用できないことから反射光学系が用いられ、マスクも反射型のマスクが提案されている（特許文献１）。
【０００４】
ＥＵＶ露光用の反射型マスクの構成としては、例えば図７に示すように、基板１１１の上に、ＥＵＶ光を反射する反射層１１２と、マスクパターンとしてＥＵＶ光を吸収する吸収体パターン１１３とを、備えるものがある。
反射層１１２は、典型的には、約２．８ｎｍ厚のモリブデン膜と約４．２ｎｍ厚のシリコン膜の２層を１組（約７ｎｍ厚）として、これを４０層積層した多層膜構造を有しており、その厚みは、典型的には約２８０ｎｍ（約７ｎｍ厚×４０層）である。
【０００５】
なお、図７においては省いているが、反射層１１２の上には、反射層１１２を保護するためのキャッピング層や、吸収体パターン１１３形成時の反射層１１２へのエッチングダメージを防止するためのバッファ層が設けられていてもよい。
【０００６】
上記のようにＥＵＶ露光においては反射光学系が用いられることから、ＥＵＶ光は反射型マスクの主面に対し垂直な方向から数度（例えば、６±５度）傾いた方向から入射される。
したがって、図７に示すような構成の反射型マスク１０１においては、吸収体パターン１１３の膜厚が厚いと、入射するＥＵＶ光２０１Ａや反射するＥＵＶ光２０１Ｂが、吸収体パターン１１３によって遮られ、吸収体パターン１１３自身の影が生じ、ウェハ上のレジストに形成される縮小転写パターンのエッジ部分がぼける現象（シャドーイング効果と呼ばれる）により、鮮明な転写パターンが得られなくなるという問題がある。
【０００７】
さらに、従来のＥＵＶ露光の光学系においては、ＮＡ（Numerical Aperture、開口数）の値は０．３３程度となるように設計されていたが、これをより高ＮＡ化、例えば０．５５程度とするためには、ＥＵＶ光の入射角は反射型マスクの主面に対して、例えば８±５度まで大きくなることになる。
そして、ＥＵＶ光の入射角が大きくなれば、吸収体パターン１１３によって影となる領域も大きくなり、上記のシャドーイング効果によってコントラストが低下してしまうことになる。
【０００８】
上記のような問題に対し、例えば図８に示すように、影を生み出す吸収体パターンを廃して、多層膜から構成される反射層をパターン状に加工して得られる反射層パターン１１２Ａをマスクパターンとして用いる構成の反射型マスク１０２が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開昭６３−２０１６５６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、反射層パターンをマスクパターンとして用いる構成の反射型マスクにおいて、一部の反射層パターンが所望の幅寸法より大きな状態で形成されてしまった場合、上記のように、反射層パターンは多層膜構造であることや厚みが大きいことから、この反射層パターンを細らせること、すなわち幅方向の修正を行うことは、非常に困難である。
【００１１】
より具体的には、例えば図９に示す反射型マスク１０３ように、所望の幅寸法（Ｗ1）に形成された反射層パターン１１２Ａに混じって、所望の幅寸法（Ｗ1）より大きな幅寸法（Ｗ2）を有する反射層パターン１１２Ｂが形成されてしまった場合、反射層パターン１１２Ｂの幅寸法（Ｗ2）を、所望の幅寸法（Ｗ1）となるように加工することは、非常に困難である。
【００１２】
そして、このように所望の幅寸法（Ｗ1）より大きな幅寸法（Ｗ2）を有する反射層パターン１１２Ｂが形成されてしまった場合、ＥＵＶ露光において、反射層パターン１１２Ｂにより形成されるウェハ上のレジストパターンの幅寸法も、所望のものとは異なるものになってしまうという問題がある。
【００１３】
本発明は、上記実情に鑑みてなされたものであり、一部の反射層パターンが所望の幅寸法よりも大きな幅寸法で形成された場合であっても、ＥＵＶ露光によって形成されるウェハ上のレジストパターンを所望の幅寸法に形成することが可能な反射型マスクを提供することを主目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
すなわち、本発明の請求項１に係る発明は、多層膜から構成される反射層をパターン状に加工して反射層パターンを形成したＥＵＶ露光用の反射型マスクであって、前記反射層パターンとして、第１の反射層パターンと第２の反射層パターンを有し、前記第２の反射層パターンの幅が、前記第１の反射層パターンの幅よりも大きく、かつ、前記第２の反射層パターンの厚みが、前記第１の反射層パターンの厚みよりも小さく、前記第２の反射層パターンのＥＵＶ光の反射強度プロファイルの所定の反射強度における幅が、前記第１の反射層パターンのＥＵＶ光の反射強度プロファイルの前記所定の反射強度における幅の±１０％の範囲内にあることを特徴とする反射型マスクである。
【００１５】
また、本発明の請求項２に係る発明は、ＥＵＶ露光用の反射型マスクの製造方法であって、多層膜から構成される反射層をパターン状に加工して反射層パターンを形成する反射層パターン形成工程と、前記反射層パターンの幅寸法を検査する寸法検査工程と、前記反射層パターンの厚みを小さく加工する反射層パターン修正工程と、を備えることを特徴とする反射型マスクの製造方法である。
【００１６】
また、本発明の請求項３に係る発明は、前記寸法検査工程が、所望の幅寸法よりも大きな幅寸法に形成された前記反射層パターンを検知する工程を含むことを特徴とする請求項２に記載の反射型マスクの製造方法である。
【００１７】
また、本発明の請求項４に係る発明は、前記反射層パターン修正工程が、所望の幅寸法よりも大きな寸法に形成された前記反射層パターンの厚みを、所望の幅寸法に形成された前記反射層パターンの厚みよりも小さくなるように加工して、加工後の前記反射層パターンのＥＵＶ光の反射強度プロファイルの所定の反射強度における幅が、所望の幅寸法に形成された前記反射層パターンのＥＵＶ光の反射強度プロファイルの前記所定の反射強度における幅の±１０％の範囲内になるように修正する工程を含むことを特徴とする請求項２または請求項３に記載の反射型マスクの製造方法である。
【００１８】
また、本発明の請求項５に係る発明は、多層膜から構成される反射層をパターン状に加工して反射層パターンを形成したＥＵＶ露光用の反射型マスクの修正方法であって、所望の幅寸法よりも大きな幅寸法に形成された前記反射層パターンの厚みを、所望の幅寸法に形成された前記反射層パターンの厚みよりも小さくなるように加工して、加工後の前記反射層パターンのＥＵＶ光の反射強度プロファイルの所定の反射強度における幅が、所望の幅寸法に形成された前記反射層パターンのＥＵＶ光の反射強度プロファイルの前記所定の反射強度における幅の±１０％の範囲内になるように修正することを特徴とする反射型マスクの修正方法である。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、反射型マスクの一部の反射層パターンが、所望の幅寸法よりも大きな幅寸法で形成された場合であっても、ＥＵＶ露光によって形成されるウェハ上のレジストパターンを所望の幅寸法に形成することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明に係る反射型マスクの一例について示す図
【図２】反射強度プロファイルの所定の反射強度における幅について示す図
【図３】反射型マスクの反射強度プロファイルについて示す図
【図４】反射型マスクの焦点深度について示す図
【図５】本発明に係る反射型マスクの製造方法の一例について示すフローチャート
【図６】本発明に係る反射型マスクの製造方法の一例について示す概略工程図
【図７】従来の反射型マスクの一例について示す図
【図８】従来の反射型マスクの他の例について示す図
【図９】従来の反射型マスクの問題点について示す図
【発明を実施するための形態】
【００２１】
（反射型マスク）
まず、本発明に係る反射型マスクの製造方法について説明する。
図１は、本発明に係る反射型マスクの一例について示す図である。図１に示すように、反射型マスク１は、多層膜から構成される反射層をパターン状に加工して反射層パターンを形成したＥＵＶ露光用の反射型マスクであって、基板１１の上に、ＥＵＶ光を反射する反射層パターンとして、第１の反射層パターン１２Ａと第２の反射層パターン１２Ｃを有している。
ここで、第２の反射層パターン１２Ｃの幅寸法（Ｗ2）は、第１の反射層パターン１２Ａの幅寸法（Ｗ1）よりも大きく、かつ、第２の反射層パターン１２Ｃの厚み（Ｔ2）は、第１の反射層パターン１２Ａの厚み（Ｔ1）よりも小さい。
そして、第２の反射層パターン１２ＣのＥＵＶ光の反射強度プロファイルの所定の反射強度における幅は、第１の反射層パターン１２ＡのＥＵＶ光の反射強度プロファイルの前記所定の反射強度における幅と実質的に同じになるように調整されている。
【００２２】
すなわち、本発明においては、反射型マスク１の製造工程において、一部の反射層パターンが所望の幅寸法（Ｗ1）よりも大きな幅寸法（Ｗ2）で形成された場合であっても、この大きな幅寸法（Ｗ2）で形成された反射層パターンの厚み（Ｔ2）を、所望の幅寸法（Ｗ1）に形成された反射層パターン（図１に示す第１の反射層パターン１２Ａ）の厚み（Ｔ1）よりも小さくなるように加工して、この加工後の反射層パターン（図１に示す第２の反射層パターン１２Ｃ）のＥＵＶ光の反射強度プロファイルの所定の反射強度における幅を、所望の幅寸法（Ｗ1）に形成された反射層パターン（図１に示す第１の反射層パターン１２Ａ）のＥＵＶ光の反射強度プロファイルの前記所定の反射強度における幅と実質的に同じになるように修正する。これにより、ＥＵＶ露光によって形成されるウェハ上のレジストパターンを所望の幅寸法に形成することが可能となる。
【００２３】
上記のように、本発明においては、所望の幅寸法よりも大きな幅寸法で形成された反射層パターンに対し、幅方向の修正を行うのではなく、厚み方向の修正を行う。これにより、反射層パターンが多層膜構造であることや厚みが大きいという特徴のため幅方向の修正は困難である、という課題を解決する。
【００２４】
厚み方向の修正には、フォトマスクの修正技術を適用することができる。例えば、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）の機能を応用した修正装置を用いて探針で所望の部分のみを削り取る修正方法や、エッチングガス（アシストガスとも呼ぶ）を流しながら所望の部分のみに電子線等を照射して、該所望の部分のみをエッチングする修正方法を挙げることができる。
【００２５】
また、リソグラフィによる修正を施しても良い。例えば、反射層パターン形成後、その上にレジスト膜を形成し、厚み方向の修正を行う箇所を開口するようにレジストパターンを形成し、エッチングにより、該開口箇所の反射層パターンの厚みを小さくする方法を用いても良い。
【００２６】
ここで、ＥＵＶ光の反射強度プロファイルとは、反射型マスクが有する各反射層パターンによって反射され、ウェハ上のレジストに照射されるＥＵＶ光の強度分布を示すものであり、この反射強度プロファイルは、ウェハ上に形成されるレジストパターン寸法と相関がある。より具体的には、レジストパターン形成のプロセス条件を調整することで、ウェハ上のレジストパターンの幅寸法を、反射強度プロファイルの所定の反射強度における幅に一致させることができる。
【００２７】
それゆえ、反射型マスク１が有する第１の反射層パターン１２Ａと第２の反射層パターン１２Ｃにおいて、所定の反射強度における、それぞれの反射強度プロファイルの幅が、実質的に同じであれば、反射型マスク１を用いたＥＵＶ露光によって形成されるウェハ上のレジストパターンにおいても、第１の反射層パターン１２Ａにより形成されるウェハ上のレジストパターンの幅寸法と、第２の反射層パターン１２Ｃにより形成されるウェハ上のレジストパターンの幅寸法は、実質的に同じものになる。
【００２８】
なお、上記の「反射強度プロファイルの所定の反射強度における幅」とは、例えば、図２に示す例において、所定の反射強度をＦ1とした場合に、反射強度がＦ1となる最小のＸ値（Ｘ1）と最大のＸ値（Ｘ2）の差（Ｘ2−Ｘ1）で表される幅である。
なお、上記の反射強度Ｆ1として、反射強度の最大値Ｆ2の１／２（半値）が用いられる場合には、上記幅（Ｘ2−Ｘ1）は、半値幅（full width at half maximum、FWHM）と呼ばれる。
【００２９】
また、本発明において、上記の幅が「実質的に同じ」であるとは、上記の幅が同一である場合のほかに、第１の反射層パターン１２Ａにより形成されるウェハ上のレジストパターンの幅寸法と、第２の反射層パターン１２Ｃにより形成されるウェハ上のレジストパターンの幅寸法の差が、求められる仕様の許容範囲となる場合を含むものである。
ここで、一般的に、半導体デバイス製造においては、性能を左右するパターンの寸法（ＣＤ値）の許容範囲は±１０％の範囲である。それゆえ、本発明においても、上記の「実質的に同じ」の範囲としては、±１０％の範囲であることが好ましい。
【００３０】
次に、反射層パターンの幅方向では無く、厚み方向の修正を行うことで、ＥＵＶ光の反射強度プロファイルを調整すること、より詳しくは、所望の幅寸法（Ｗ1）よりも大きな幅寸法（Ｗ2）で形成された反射層パターンのＥＵＶ光の反射強度プロファイルの所定の反射強度における幅を、所望の幅寸法（Ｗ1）に形成された反射層パターンのＥＵＶ光の反射強度プロファイルの前記所定の反射強度における幅と実質的に同じになるように調整することができることについて説明する。
【００３１】
図３は、反射型マスクの反射強度プロファイルについて示す図である。より詳しくは、図３は、基板の上に反射層パターンを有する構成の反射型マスクを用いたＥＵＶ露光において、各反射層パターンに対応するウェハ上のＥＵＶ光の反射強度プロファイルを、有限差分時間領域法を用いたシミュレーションにより求めたものであり、図中３つの凸状曲線のうち中央の、△点で結ぶ線及び□点で結ぶ線で表されるものが、所望の幅寸法（Ｗ1）よりも大きな幅寸法（Ｗ2）で形成された反射層パターンによる反射強度プロファイルを示し、●点で結ぶ線で表される凸状曲線が、所望の幅寸法（Ｗ1）に形成された反射層パターンによる反射強度プロファイルを示す。
なお、このシミュレーションにおいては、Ｗ1を６４ｎｍ（ウェハ上で１６ｎｍ）、Ｗ2を８０ｎｍ（ウェハ上で２０ｎｍ）とし、所望の幅寸法（Ｗ1）に形成された反射層パターンの厚み（Ｔ1）を２７７．６ｎｍ（２層１組厚６．９４ｎｍ×４０層）とし、所望の幅寸法（Ｗ1）よりも大きな幅寸法（Ｗ2）で形成された反射層パターンの修正後の厚み（Ｔ2）を６２．４６ｎｍ（２層１組厚６．９４ｎｍ×９層）としている。
また、シミュレーションに使用したソフト、及び照明条件は、以下の通りである。
使用ソフト：EM-Suite v6.00（Panoramic Technology）
NA ：０．５５
sigma type： Conventional（普通の丸孔）
outer sigma：０．５
polarization：none
【００３２】
図３に示す△点で結ぶ線のように、修正無しの状態、すなわち、図９に示すように、所望の幅寸法（Ｗ1）よりも大きな幅寸法（Ｗ2）で形成された反射層パターン（図９に示す反射層パターン１１２Ｂ）の厚みが、所望の幅寸法（Ｗ1）に形成された反射層パターン（図９に示す反射層パターン１１２Ａ）の厚み（Ｔ1）と同じである状態においては、その反射強度プロファイル（図３に示す△点で結ぶ線の中央の凸状曲線）の形状は、所望の幅寸法（Ｗ1）に形成された反射層パターンの反射強度プロファイル（図３に示す●点で結ぶ線の凸状曲線）よりもピーク値（最大値）が大きくなる。
例えば、図３に示す●点で結ぶ線のｘ＝１００における反射強度（ピーク値に相当）は約０．５２であり、△点で結ぶ線のｘ＝１００における反射強度は約０．６９である。
そして、△点で結ぶ線の中央の凸状曲線の反射強度０．２６（●点で結ぶ線の凸状曲線の最大反射強度の半値に相当）における幅は、●点で結ぶ線の凸状曲線の反射強度０．２６における幅（半値幅に相当）よりも大きい。
より具体的には、●点で結ぶ線の凸状曲線の反射強度０．２６における幅（半値幅に相当）は、ウェハ上で１６．０ｎｍであるのに対し、△点で結ぶ線の中央の凸状曲線の反射強度０．２６における幅は、ウェハ上で約１９．１ｎｍである。
【００３３】
一方、図３に示す□点で結ぶ線のように、本発明に係る修正を施した状態、すなわち、所望の幅寸法（Ｗ1）よりも大きな幅寸法（Ｗ2）で形成された反射層パターンの厚みを、本発明に係る所定の要件を満たすように加工した状態においては、その反射強度プロファイル（図３に示す□点で結ぶ線の中央の凸状曲線）の形状は、所望の幅寸法（Ｗ1）に形成された反射層パターンの反射強度プロファイル（図３に示す●点で結ぶ線の凸状曲線）よりもピーク値（ｘ＝１００における反射強度約０．３５）は小さくなるが、反射強度０．２６における幅は、●点で結ぶ線の凸状曲線の反射強度０．２６における幅（半値幅に相当）と実質的に同じになる。
より具体的には、□点で結ぶ線の中央の凸状曲線の反射強度０．２６における幅は、ウェハ上で約１６．３ｎｍであり、この値は、●点で結ぶ線の凸状曲線の反射強度０．２６における幅（半値幅に相当、１６．０ｎｍ）の±１０％の範囲内にある。
【００３４】
つまり、例え、一部の反射層パターン（図１に示す第２の反射層パターン１２Ｃ）が所望の幅寸法（Ｗ1）よりも大きな幅寸法（Ｗ2）で形成された場合であっても、この反射層パターンの厚みを適切に加工することで、この加工後の反射層パターンのＥＵＶ光の反射強度プロファイルの所定の反射強度（例えば図３に示す反射強度０．２６）における幅を、所望の幅寸法を有する反射層パターンのＥＵＶ光の反射強度プロファイルの前記所定の反射強度（例えば図３に示す反射強度０．２６）における幅（半値幅に相当）と実質的に同じにすることができる。
それゆえ、反射型マスク１を用いたＥＵＶ露光によって形成されるウェハ上のレジストパターンにおいても、第１の反射層パターン１２Ａにより形成されるウェハ上のレジストパターンの幅寸法と、第２の反射層パターン１２Ｃにより形成されるウェハ上のレジストパターンの幅寸法を、実質的に同じにすることができることになる。
なお、上述のように、一般的に、半導体デバイス製造においては、性能を左右するパターンの寸法（ＣＤ値）の許容範囲は±１０％の範囲であることから、図３に示す例おいては、□点で結ぶ線の中央の凸状曲線の反射強度０．２６における幅は、●点で結ぶ線の凸状曲線の反射強度０．２６における幅に対し、±１０％の範囲であれば、実質的に同じとして用いることができる。
【００３５】
さらに、本発明においては、加工後の第２の反射層パターン１２ＣのＥＵＶ露光における焦点深度が、所望の幅寸法を有する第１の反射層パターン１２Ａの焦点深度と同レベルになることも確認された。
【００３６】
図４は、反射型マスクの焦点深度について示す図である。より詳しくは、図４は、図３に示すシミュレーションモデルにおいて、中央の凸状曲線を形成する各反射層パターンのＥＵＶ露光における焦点深度を、シミュレーションにより求めたものであり、△点で結ぶ線が図３における修正無しの状態、□点で結ぶ線が図３における修正を施した状態、●点で結ぶ線が図３における理想的な状態、をそれぞれ示す。
また、図４に示す各プロットの数値を表１に示す。
【００３７】
【表１】
2016152356.tif 000003
【００３８】
図４に示すように、修正無しの状態（△点で結ぶ線）においては、フォーカス値が０ｎｍの状態（ジャストフォーカス）、及び、フォーカス値を０ｎｍの前後に変化させた状態のいずれにおいても、ＥＵＶ露光によって形成されるウェハ上のレジストパターンのＣＤ値（幅寸法に相当）が、理想的な状態（●点で結ぶ線）と一致する領域は得られない。
一方、本発明の修正を施した状態（□点で結ぶ線）においては、フォーカス値が概ね−１０ｎｍ〜＋５０ｎｍの広い範囲で理想的な状態（●点で結ぶ線）と同様のＣＤ値が得られている。
より詳しく述べると、表１に示すように、修正無しの状態（△点で結ぶ線）においては、いずれのフォーカス値においても、ＣＤ値が１６．０±１．６ｎｍとなることは無い。
一方、本発明の修正を施した状態（□点で結ぶ線）においては、フォーカス値が−２５から＋５０の範囲において、ＣＤ値が１６．０±１．６ｎｍとなる。
なお、理想的な状態（●点で結ぶ線）においては、フォーカス値が−４０から＋４５の範囲において、ＣＤ値が１６．０±１．６ｎｍとなっている。
【００３９】
すなわち、例え、一部の反射層パターン（図１に示す第２の反射層パターン１２Ｃ）が所望の幅寸法（Ｗ1）よりも大きな幅寸法（Ｗ2）で形成された場合であっても、この反射層パターンの厚みを適切に加工することで、この加工後の反射層パターンのＥＵＶ露光における焦点深度を、所望の幅寸法を有する反射層パターンの焦点深度と同レベルにすることができることを、図４及び表１は示している。
【００４０】
（反射型マスクの製造方法）
次に、本発明に係る反射型マスクの製造方法について説明する。
図５は、本発明に係る反射型マスクの製造方法の一例について示すフローチャートである。また、図６は、本発明に係る反射型マスクの製造方法の一例について示す概略工程図である。
【００４１】
例えば、図１に示すような反射型マスク１を得るには、図６（ａ）に示すように、まず、基板１１の上に、多層膜から構成される反射層１２が形成された反射型マスクブランクス１０を準備する（図５のＳ１１）。
【００４２】
次に、図６（ｂ）に示すように、反射層１２の上に、所望の反射層パターンを形成するためのレジストパターン２１を形成し、次いで、図６（ｃ）に示すように、レジストパターン２１をエッチングマスクに用いて反射層１２をエッチング加工し、その後、図６（ｄ）に示すように、レジストパターン２１を削除して、複数の反射層パターンを一括形成する（図５のＳ１２）。
【００４３】
ここで、例えば、レジストパターン２１の一部が、所望の幅寸法よりも大きな幅寸法で形成されていた場合、このレジストパターン２１をエッチングマスクに用いて形成された反射層パターンも、所望の幅寸法よりも大きな幅寸法で形成されることになる。
例えば、図６に示す例においては、図６（ｄ）に示すように、中央の反射層パターン１２Ｂの幅寸法が、左右の反射層パターン１２Ａの幅寸法よりも大きく形成されている。
【００４４】
そこで、寸法検査を施し、この所望の幅寸法よりも大きな幅寸法に形成された反射層パターン１２Ｂを検知し（図５のＳ１３）、図６（ｅ）に示すように、上記の寸法検査において検知された反射層パターン１２Ｂに対して、その厚みを所望の幅寸法に形成された反射層パターン１２Ａの厚みよりも小さくなるように加工して、加工後の反射層パターン１２ＣのＥＵＶ光の反射強度プロファイルの所定の反射強度における幅が、所望の幅寸法に形成された反射層パターン１２ＡのＥＵＶ光の反射強度プロファイルの前記所定の反射強度における幅と実質的に同じになるように修正する（図５のＳ１４）。
一般的に、半導体デバイス製造においては、性能を左右するパターンの寸法（ＣＤ値）の許容範囲は±１０％の範囲であることから、本発明においても、加工後の反射層パターン１２ＣのＥＵＶ光の反射強度プロファイルの所定の反射強度における幅が、所望の幅寸法に形成された反射層パターン１２ＡのＥＵＶ光の反射強度プロファイルの前記所定の反射強度における幅に対し、±１０％の範囲となるように修正することが好ましい。
上記のような一連の工程を経て、反射型マスク１が得られる。
【００４５】
ここで、一部の反射層パターン（すなわち、反射層パターン１２Ｂ）の厚みを小さくなるように加工する方法には、フォトマスクの修正技術を適用することができる。
例えば、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）の機能を応用した修正装置を用いて探針で所望の部分のみを削り取る方法や、エッチングガス（アシストガスとも呼ぶ）を流しながら所望の部分のみに電子線等を照射して、該所望の部分のみをエッチングする方法を挙げることができる。
【００４６】
また、リソグラフィによる修正を施しても良い。例えば、図６（ｄ）に示す状態で、レジストを塗布し、厚みを小さくする反射層パターン（反射層パターン１２Ｂ）の上のレジストが開口するようにパターニングを行い、その後、反射層パターン１２Ｂをエッチングし、レジストを除去することによって、図６（ｅ）に示すように所望の厚みの反射層パターン１２Ｃを形成してもよい。
【００４７】
なお、図６に示す例においては省いているが、本発明においては、図６（ａ）に示す反射型マスクブランクス１０の反射層１２の上にハードマスク層を設けておき、図６（ｂ）に示すレジストパターン２１を用いて、まず、このハードマスク層をエッチングしてハードマスクパターンを形成し、このハードマスクパターンをエッチングマスクに用いて、反射層１２をエッチングして反射層パターンを形成しても良い。
【００４８】
また、図６（ａ）に示す反射型マスクブランクス１０の基板１１と反射層１２の間には、反射層パターンをエッチング形成する際のエッチング停止層が設けられていても良い。
この場合、得られる反射型マスク１においても、基板１１と反射層パターン１２Ａ、１２Ｃの間に、このエッチング停止層が残る形態であっても良く、さらに、反射層パターン１２Ａ、１２Ｃが除去された箇所の基板１１の上にも、このエッチング停止層が残る形態であっても良い。
【００４９】
反射型マスク１を構成する基板１１には、パターン位置精度を高精度に保持するために低熱膨張係数を有し、さらに、高反射率や転写精度を得るために、平滑性、平坦度が高く、マスク製造工程の洗浄などに用いる洗浄液への耐性に優れた基板が求められ、例えば、石英ガラス、ＳｉＯ2−ＴｉＯ2系の低熱膨張ガラス、β石英固溶体を析出した結晶化ガラスなどのガラス基板などを用いることが好ましい。
【００５０】
反射型マスク１の反射層パターン１２Ａ、１２Ｃを構成する反射層１２には、ＥＵＶ露光に用いられるＥＵＶ光を高い反射率で反射する材料が用いられ、典型的には、Ｍｏ（モリブデン）層とＳｉ（シリコン）層からなる多層膜が用いられている。
Ｍｏ層とＳｉ層からなる多層膜の場合、イオンビームスパッタ法により、まずＳｉターゲットを用いてＳｉ層を成膜し、その後、Ｍｏターゲットを用いてＭｏ層を成膜し、これを１周期として、３０〜６０周期、好ましくは４０周期積層されて、多層膜の反射層が得られる。
【００５１】
以上、本発明に係る反射型マスク、反射型マスクの製造方法、および反射型マスクの修正方法について、それぞれの実施形態を説明したが、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一の構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなる場合であっても本発明の技術的範囲に包含される。
【符号の説明】
【００５２】
１  反射型マスク
１０  反射型マスクブランクス
１１  基板
１２  反射層
１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃ  反射層パターン
２１  レジストパターン
１０１、１０２、１０３  反射型マスク
１１１  基板
１１２  反射層
１１２Ａ、１１２Ｂ  反射層パターン
１１３  吸収体パターン
２０１Ａ、２０１Ｂ  ＥＵＶ光
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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