(57)【要約】【課題】表面弾性波（ＳＡＷ）素子の低域遮断特性を改善する表面弾性波（ＳＡＷ）フィルタ用キャパシタと、表面弾性波（ＳＡＷ）フィルタ及びその製造方法を提供すること。【解決手段】本発明による表面弾性波（ＳＡＷ）フィルタ用キャパシタは、基板の上に形成される第１の金属層と、前記第１の金属層の上部に形成される絶縁層と、前記絶縁層の上部に前記第１の金属層と一部又は全部が重なり合うように形成される第２の金属層と、を有し、前記絶縁層は、前記基板の上に形成される櫛形電極（ＩＤＴ）の上部まで延設される。【選択図】  図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の上に形成される第１の金属層と、
前記第１の金属層の上部に形成される絶縁層と、
前記絶縁層の上部に前記第１の金属層と一部又は全部が重なり合うように形成される第２の金属層と、
を有し、
前記絶縁層は、前記基板の上に形成される櫛形電極（ＩＤＴ）の上部まで延設されることを特徴とする表面弾性波（ＳＡＷ）フィルタ用キャパシタ。
【請求項２】
前記第１の金属層は、前記櫛形電極（ＩＤＴ）と同じ物質により形成されることを特徴とする請求項１に記載の表面弾性波（ＳＡＷ）フィルタ用キャパシタ。
【請求項３】
前記第１の金属層は、銅（Ｃｕ）により形成されることを特徴とする請求項１に記載の表面弾性波（ＳＡＷ）フィルタ用キャパシタ。
【請求項４】
前記第２の金属層は、前記第１の金属層とは異なる金属物質により形成されることを特徴とする請求項１に記載の表面弾性波（ＳＡＷ）フィルタ用キャパシタ。
【請求項５】
前記第２の金属層は、アルミニウム（Ａｌ）又は金（Ａｕ）により形成されることを特徴とする請求項４に記載の表面弾性波（ＳＡＷ）フィルタ用キャパシタ。
【請求項６】
基板の上に形成される櫛形電極（ＩＤＴ）と、
前記基板の上に形成される第１の金属層と、
前記櫛形電極（ＩＤＴ）及び前記第１の金属層の上部に形成される絶縁層と、
前記絶縁層の上部に形成され、前記第１の金属層と全部又は一部が重なり合う第２の金属層と、
を有することを特徴とする表面弾性波（ＳＡＷ）フィルタ。
【請求項７】
前記櫛形電極（ＩＤＴ）を外部と接続するためのパッドをさらに有し、
前記パッドは、前記絶縁層の上部に前記第２の金属層と重なり合わないように形成されることを特徴とする請求項６に記載の表面弾性波（ＳＡＷ）フィルタ。
【請求項８】
前記第２の金属層は、前記パッドと同じ物質により形成されることを特徴とする請求項７に記載の表面弾性波（ＳＡＷ）フィルタ。
【請求項９】
基板の上部に櫛形電極（ＩＤＴ）及びキャパシタの第１の金属層を形成するステップと、
前記櫛形電極（ＩＤＴ）及び前記第１の金属層の上部に絶縁層を形成するステップと、
前記絶縁層の上部にパッド及び第２の金属層を形成するステップと、
を含み、
前記第２の金属層は、前記第１の金属層と一部又は全部が重なり合うように形成されることを特徴とする表面弾性波（ＳＡＷ）フィルタの製造方法。
【請求項１０】
前記櫛形電極（ＩＤＴ）及び前記第１の金属層は、同じ金属物質により形成されることを特徴とする請求項９に記載の表面弾性波（ＳＡＷ）フィルタの製造方法。
【請求項１１】
前記櫛形電極（ＩＤＴ）及び前記第１の金属層は、銅（Ｃｕ）により形成されることを特徴とする請求項１０に記載の表面弾性波（ＳＡＷ）フィルタの製造方法。
【請求項１２】
前記パッド及び前記第２の金属層は、同じ金属物質により形成されることを特徴とする請求項９に記載の表面弾性波（ＳＡＷ）フィルタの製造方法。
【請求項１３】
前記パッド及び前記第２の金属層を形成する金属物質は、前記櫛形電極（ＩＤＴ）及び前記第１の金属層を形成する金属物質とは異なることを特徴とする請求項１２に記載の表面弾性波（ＳＡＷ）フィルタの製造方法。
【請求項１４】
前記パッド及び前記第２の金属層は、アルミニウム（Ａｌ）又は金（Ａｕ）により形成されることを特徴とする請求項１２に記載の表面弾性波（ＳＡＷ）フィルタの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表面弾性波（ＳＡＷ：Ｓｕｒｆａｃｅ  Ａｃｏｕｓｔｉｃ  Ｗａｖｅ）フィルタに取り付けられるキャパシタと、これを備える表面弾性波（ＳＡＷ）フィルタ及びこれを製造するための方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
表面弾性波（ＳＡＷ）フィルタは、電磁波ではなく、物理的な特性を有する表面弾性波（ＳＡＷ）を用いて信号を送信し、信号の送信中に不要な信号を除去する役割を果たすデバイスである。表面弾性波（ＳＡＷ）フィルタは、テレビ（ＴＶ）、ビデオテープレコーダ（ＶＴＲ）などの映像信号処理、音声信号処理などに用いられるが、最近、移動通信の発達に伴い、移動通信端末に幅広く用いられている。表面弾性波（ＳＡＷ）フィルタは、移動通信端末の小型軽量化に伴い、誘電体デュプレクサの表面弾性波（ＳＡＷ）デュプレクサ化が進んでおり、フリップチップ工法を用いた小型化が進んでいる。
【０００３】
一方、キャパシタ（Ｃａｐａｃｉｔｏｒ）は、メモリ素子であるＤＲＡＭメモリ（ＤＲＡＭ：Ｄｙｎａｍｉｃ  Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）や埋め込み型ＤＲＡＭメモリ（ＤＲＡＭ）又は論理素子であるＲＦＩＤ（ＲＦＩＤ：Ｒａｄｉｏ  Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ  Ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ）素子などにおいて情報保存の役割を果たす重要な装置である。メモリ素子において、キャパシタは、その内部に所定量以上の電荷を蓄積して０又は１を区別させて素子に所望の動作を行わせる。半導体産業において、チップのコスト節減及び低電力化、小型化が同時に実現可能な５０ナノサイズ以下に超高度に集積化された素子を製造する技術の開発が非常に重要であるが、このために、データを保存する役割を果たすキャパシタに素子を動作させるのに十分な静電容量を持たせる技術が何よりも重要である。
【０００４】
図１（ａ）は、従来の表面弾性波（ＳＡＷ）フィルタに適用される櫛形電極（ＩＤＴ：Ｉｎｔｅｒｄｉｇｉｔａｌ  Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）及びキャパシタを概略的に示す回路図であり、図１（ｂ）は、従来の表面弾性波（ＳＡＷ）フィルタに適用されるキャパシタを概略的に示す断面図である。図１（ａ）及び図１（ｂ）を参照すると、一般に、表面弾性波（ＳＡＷ）フィルタには、上部電極２３及び下部電極２１が多結晶シリコン（Ｐｏｌｙ−Ｓｉ）により形成され、上部電極２３と下部電極２１との間に誘電体２２が形成されるキャパシタ２０が適用される。しかしながら、セルの面積が狭くなるにつれて、所望のセルキャパシタンスが得られ難い。そこで、上部電極２３と誘電体２２との間に形成される低誘電層の形成を防止すべく、上部電極２３の代わりにＴｉＮなどの金属電極を使用し、誘電体２２に高い誘電率を持たせるためにＡｌ３Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５などの誘電体薄膜を適用したキャパシタ２０が商用化されている。
【０００５】
図２（ａ）は、従来の表面弾性波（ＳＡＷ）フィルタに適用される櫛形電極（ＩＤＴ）及び他のキャパシタを概略的に示す回路図であり、図２（ｂ）は、従来の表面弾性波（ＳＡＷ）フィルタに適用される他のキャパシタを概略的に示す断面図である。図２（ａ）及び図２（ｂ）を参照すると、櫛形電極（ＩＤＴ）１０が形成される表面弾性波（ＳＡＷ）フィルタに櫛形電極（ＩＤＴ）キャパシタ３０が適用されることもある。櫛形電極（ＩＤＴ）キャパシタ３０は、基板３１の上部に櫛形電極（ＩＤＴ）１０と同じ金属により形成される第１の金属層３２が積層されてなる。
【０００６】
しかしながら、このような従来のキャパシタ（２０、３０）が適用されたデュプレクサ表面弾性波（ＳＡＷ）フィルタは、理想的な低域遮断特性を有さないという問題がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】韓国公開特許第１０−２０１０−０１３１９６４号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は上記従来の表面弾性波（ＳＡＷ）フィルタにおける問題点に鑑みてなされたものであって、本発明の目的は、表面弾性波（ＳＡＷ）素子の低域遮断特性を改善するところにある。
【０００９】
また、本発明の他の目的は、従来の工程に他の工程を追加しなくても表面弾性波（ＳＡＷ）素子の低域遮断特性が改善可能なキャパシタを実現するところにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記の目的を達成するためになされた本発明の一実施形態による表面弾性波（ＳＡＷ）フィルタ用キャパシタは、基板の上に形成される第１の金属層と、前記第１の金属層の上部に形成される絶縁層と、前記絶縁層の上部に前記第１の金属層と一部又は全部が重なり合うように形成される第２の金属層と、を有し、前記絶縁層は、前記基板の上に形成される櫛形電極（ＩＤＴ）の上部まで延設されることを特徴とする。
【００１１】
好ましくは、前記第１の金属層は、前記櫛形電極（ＩＤＴ）と同じ物質により形成され、例えば、前記第１の金属層は、銅（Ｃｕ）により形成される。一方、前記第２の金属層は、前記第１の金属層とは異なる金属物質により形成され、例えば、前記第２の金属層は、アルミニウム（Ａｌ）又は金（Ａｕ）により形成される。
【００１２】
上記の目的を達成するためになされた本発明の一実施形態による表面弾性波（ＳＡＷ）フィルタは、基板の上に形成される櫛形電極（ＩＤＴ）と、前記基板の上に形成される第１の金属層と、前記櫛形電極（ＩＤＴ）及び前記第１の金属層の上部に形成される絶縁層と、前記絶縁層の上部に形成され、前記第１の金属層と全部又は一部が重なり合う第２の金属層と、を有することを特徴とする。
【００１３】
好ましくは、前記表面弾性波（ＳＡＷ）フィルタは、前記櫛形電極（ＩＤＴ）を外部と接続するためのパッドをさらに有し、前記パッドは、前記絶縁層の上部に前記第２の金属層と重なり合わないように形成される。また、好ましくは、前記第２の金属層は、前記パッドと同じ物質により形成される。
【００１４】
上記の目的を達成するためになされた本発明の一実施形態による表面弾性波（ＳＡＷ）フィルタの製造方法は、基板の上部に櫛形電極（ＩＤＴ）及びキャパシタの第１の金属層を形成するステップと、前記櫛形電極（ＩＤＴ）及び前記第１の金属層の上部に絶縁層を形成するステップと、前記絶縁層の上部にパッド及び第２の金属層を形成するステップと、を含み、前記第２の金属層は、前記第１の金属層と一部又は全部が重なり合うように形成されることを特徴とする。
【００１５】
好ましくは、前記櫛形電極（ＩＤＴ）及び前記第１の金属層は、同じ金属物質により形成され、例えば、前記櫛形電極（ＩＤＴ）及び前記第１の金属層は、銅（Ｃｕ）により形成される。
【００１６】
また、好ましくは、前記パッド及び前記第２の金属層は、同じ金属物質により形成され、前記パッド及び前記第２の金属層を形成する金属物質は、前記櫛形電極（ＩＤＴ）及び前記第１の金属層を形成する金属物質とは異なる。例えば、前記パッド及び前記第２の金属層は、アルミニウム（Ａｌ）又は金（Ａｕ）により形成される。
【発明の効果】
【００１７】
本発明に係る表面弾性波（ＳＡＷ）フィルタ用キャパシタと、表面弾性波（ＳＡＷ）フィルタ及びその製造方法によれば、表面弾性波（ＳＡＷ）素子の低域遮断特性を改善することができるという効果がある。
【００１８】
また、本発明は、従来の工程に他の工程を追加しなくても表面弾性波（ＳＡＷ）素子の低域遮断特性が改善可能なキャパシタを実現することができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】（ａ）は、従来の表面弾性波（ＳＡＷ）フィルタに適用される櫛形電極（ＩＤＴ）及びキャパシタを概略的に示す回路図であり、（ｂ）は、従来の表面弾性波（ＳＡＷ）フィルタに適用されるキャパシタを概略的に示す断面図である。
【図２】（ａ）は、従来の表面弾性波（ＳＡＷ）フィルタに適用される櫛形電極（ＩＤＴ）及び他のキャパシタを概略的に示す回路図であり、（ｂ）は、従来の表面弾性波（ＳＡＷ）フィルタに適用される他のキャパシタを概略的に示す断面図である。
【図３】（ａ）は、本発明の一実施形態による表面弾性波（ＳＡＷ）フィルタに適用される櫛形電極（ＩＤＴ）及びキャパシタを概略的に示す回路図であり、（ｂ）は、本発明の一実施形態による表面弾性波（ＳＡＷ）フィルタに適用されるキャパシタを概略的に示す断面図である。
【図４】本発明の一実施形態による表面弾性波（ＳＡＷ）フィルタに適用されるキャパシタを概略的に示す断面図である。
【図５】本発明の一実施形態による表面弾性波（ＳＡＷ）フィルタに適用される櫛形電極（ＩＤＴ）及び他のキャパシタを概略的に示す断面図である。
【図６】本発明の一実施形態による表面弾性波（ＳＡＷ）フィルタの製造工程を概略的に説明するためのフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
本発明の上述した目的と技術的構成及びそれによる作用効果に関する詳細な事項は、以下の詳細な説明により一層明らかになる。
【００２１】
本発明の実施形態について説明するに当たって、各層（膜）、領域、パターン又は構造物が基板、各層（膜）、領域、パッド又はパターンの「上／上部」に又は「下／下部」に形成されるという記載は、直接的に又は他の層を介して形成される場合をいずれも含む。各層の「上／上部」又は「下／下部」は、図面を基準として設定する。
【００２２】
図３（ａ）は、本発明の一実施形態による表面弾性波（ＳＡＷ）フィルタに適用される櫛形電極（ＩＤＴ）及びキャパシタを概略的に示す回路図であり、図３（ｂ）は、本発明の一実施形態による表面弾性波（ＳＡＷ）フィルタに適用されるキャパシタを概略的に示す断面図である。
【００２３】
図３（ａ）及び図３（ｂ）を参照すると、本発明の一実施形態による表面弾性波（ＳＡＷ）フィルタ１００に適用されるキャパシタ１２０は、大きく、第１の金属層１２１と、絶縁層１２２及び第２の金属層１２３を備え、第１の金属層１２１が下部電極となり、且つ、第２の金属層１２３が上部電極となって、第１の金属層１２１と第２の金属層１２３との間に形成される絶縁層１２２に電荷を蓄積する。本発明のキャパシタ１２０は、キャパシタ１２０の酸化膜の厚さを減少するために、下部電極の界面に低誘電層が形成されることを防止すべく、下部電極も金属物質により形成される金属−絶縁体−金属（ＭＩＭ：Ｍｅｔａｌ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ  Ｍｅｔａｌ）タイプのキャパシタである。従来は、上部電極及び下部電極が多結晶シリコン（Ｐｏｌｙ−Ｓｉ）により形成されるか、あるいは、上部電極又は下部電極のうちのいずれか一方が金属層により形成されたが、本発明においては、上部電極及び下部電極が両方とも金属層により形成される。
【００２４】
図４は、本発明の一実施形態による表面弾性波（ＳＡＷ）フィルタに適用されるキャパシタを概略的に示す断面図である。図４に示すように、本発明の一実施形態によるキャパシタ１２０は、基板１０１に形成されて一方の電極をなす第１の金属層１２１と、第１の金属層１２１の上部に形成される絶縁層１２２及び絶縁層１２２の上部に形成されて他方の電極をなす第２の金属層１２３を備える。このとき、第１の金属層１２１は、表面弾性波（ＳＡＷ）フィルタ１００の櫛形電極（ＩＤＴ）１１０と同じ金属により形成され、第２の金属層１２３は、表面弾性波（ＳＡＷ）フィルタ１００のパッド１３０と同じ金属により形成される。
【００２５】
図５は、本発明の一実施形態による表面弾性波（ＳＡＷ）フィルタに適用される櫛形電極（ＩＤＴ）及び他のキャパシタを概略的に示す断面図である。本発明のキャパシタ１２０は、表面弾性波（ＳＡＷ）フィルタ１００の櫛形電極（ＩＤＴ）１１０及びパッド１３０が形成されるときに同時に形成される。基板１０１に表面弾性波（ＳＡＷ）フィルタ１００の櫛形電極（ＩＤＴ）１１０が形成されるときに同時にキャパシタ１２０の第１の金属層１２１が形成されるので、工程を追加しなくてもキャパシタ１２０の第１の金属層１２１を形成することができる。
【００２６】
櫛形電極（ＩＤＴ）１１０及び第１の金属層１２１の上部には絶縁層１２２が形成されるが、このときの絶縁層１２２は、表面弾性波（ＳＡＷ）フィルタ１００において櫛形電極（ＩＤＴ）１１０の熱膨張による周波数の変化を防止する役割を果たし、キャパシタ１２０に電荷を蓄積する役割も果たす。
【００２７】
このような絶縁層１２２の上部には、第２の金属層１２３が形成される。第２の金属層１２３は、表面弾性波（ＳＡＷ）フィルタ１００のパッド１３０が形成されるときに同時に形成される。第２の金属層１２３は表面弾性波（ＳＡＷ）フィルタ１００のパッド１３０が形成されるときに同時に形成されるので、工程を追加しなくてもキャパシタ１２０の第２の金属層１２３を形成することができる。
【００２８】
第１の金属層１２１は、櫛形電極（ＩＤＴ）１１０と同じ物質により形成される。このとき、櫛形電極（ＩＤＴ）１１０及び第１の金属層１２１は、銅（Ｃｕ）により形成されることが好ましい。第２の金属層１２３は、パッド１３０と同じ物質により形成される。このとき、第２の金属層１２３及びパッド１３０は、アルミニウム（Ａｌ）又は金（Ａｕ）により形成されることが好ましい。また、絶縁層１２２は、ＳｉＯ２、ＳｉＮｘ、Ａｌ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５などの誘電体により形成されるが、ＳｉＯ２により形成されることが好ましい。
【００２９】
本発明のキャパシタ１２０は、基板１０１の上部に形成される櫛形電極（ＩＤＴ）１１０と、櫛形電極（ＩＤＴ）１１０の上部に形成される絶縁層１２２及び絶縁層１２２の上部に形成されるパッド１３０を備える表面弾性波（ＳＡＷ）フィルタに形成されることが好ましい。表面弾性波（ＳＡＷ）フィルタのうち櫛形電極（ＩＤＴ）１１０の上部に絶縁層１２２が形成される表面弾性波（ＳＡＷ）フィルタを温度補償式（ＴＣ：Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ）の表面弾性波（ＳＡＷ）フィルタと称するが、このような温度補償式（ＴＣ）の表面弾性波（ＳＡＷ）フィルタに形成される絶縁層１２２がキャパシタ１２０の電荷を蓄積する誘電体の役割を果たす。
【００３０】
図６は、本発明の一実施形態による表面弾性波（ＳＡＷ）フィルタの製造工程を概略的に説明するためのフローチャートである。図６に示すように、本発明の一実施形態による両方の電極が金属層により形成される表面弾性波（ＳＡＷ）フィルタのキャパシタの製造方法は、基板１０１の上部に櫛形電極（ＩＤＴ）１１０及びキャパシタ１２０の第１の金属層１２１を形成するステップ（Ｓ２１０）と、櫛形電極（ＩＤＴ）１１０及び第１の金属層１２１の上部に絶縁層１２２を形成するステップ（Ｓ２２０）及び絶縁層１２２の上部にパッド１３０及び第２の金属層１２３を形成するステップ（Ｓ２３０）を含む。このとき、櫛形電極（ＩＤＴ）１１０及び第１の金属層１２１は、銅（Ｃｕ）により形成されることが好ましく、パッド１３０及び第２の金属層１２３は、アルミニウム（Ａｌ）又は金（Ａｕ）のうちのいずれか一方により形成されることが好ましい。
【００３１】
このように、本発明が属する技術分野における当業者であれば、本発明がその技術的思想や必須的特徴を変更することなく他の具体的な形態にて実施可能であるということが理解できる筈である。よって、上述した実施形態はあらゆる面において例示的なものであり、限定的なものではないと理解すべきである。
【符号の説明】
【００３２】
１０、１１０    櫛形電極（ＩＤＴ）
２０、３０、１２０    キャパシタ
２１    下部電極
２２    誘電体
２３    上部電極
３１、１０１    基板
３２、１２１    第１の金属層
１００    表面弾性波（ＳＡＷ）フィルタ
１２２    絶縁層
１２３    第２の金属層
１３０    パッド
【図１】
2016096529.tif 000003
【図２】
2016096529.tif 000004
【図３】
2016096529.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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