(57)【要約】【課題】光散乱性能を有したまま、従来に比べて透明電極層と光電変換層との間で生じる欠陥を低減できる光電変換装置を提供する。【解決手段】透明電極層３の光電変換層５側の表面には、複数の被覆側凸部１７を備えており、被覆側凸部１７は、山なり状であって、丸みを帯びた頂点１１を備えており、被覆側凸部１７の縁端部は、第１規定範囲２０に収まっており、第１規定範囲２０は、被覆側凸部１７の頂点を中心として、直径が０．１μｍ以上１．５μｍ以下の範囲であり、被覆側凸部１７の表面には、複数の被覆側突出部１８が形成されており、被覆側突出部１８の縁端部は、第２規定範囲２１に収まっており、第２規定範囲２１は、被覆側突出部１８の頂点を中心として直径が１０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下の範囲である構成とする。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明電極層と、裏面電極層と、前記透明電極層と裏面電極層の間に光電変換層が挟まれた光電変換装置であって、
前記透明電極層の光電変換層側の表面が酸化亜鉛を主成分とする光電変換装置において、
前記透明電極層の光電変換層側の表面には、複数の凸部を備えており、
前記凸部は、山なり状であって、丸みを帯びた頂点を備えており、
前記凸部の縁端部は、第１規定範囲に収まっており、
前記第１規定範囲は、前記凸部の頂点を中心として、直径が０．１μｍ以上１．５μｍ以下の範囲であり、
前記凸部の表面には、複数の突出部が形成されており、
前記突出部の縁端部は、第２規定範囲に収まっており、
前記第２規定範囲は、前記突出部の頂点を中心として直径が１０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下の範囲であることを特徴とする光電変換装置。
【請求項２】
前記突出部は、その突出方向の先端部分が丸みを帯びていることを特徴とする請求項１に記載の光電変換装置。
【請求項３】
前記透明電極層の光電変換層側の表面の１μｍ2当たりの頂点の個数が３５以上であることを特徴とする請求項１又は２に記載の光電変換装置。
【請求項４】
透明絶縁基板上に、前記透明電極層、前記光電変換層、及び前記裏面電極層が積層されたものであり、
前記透明電極層と前記光電変換層との界面の展開面積比が３５％以下であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の光電変換装置。
【請求項５】
透明絶縁基板上に、透明電極層、光電変換層、及び裏面電極層が積層された光電変換装置であって、
前記透明電極層の光電変換層側の表面が酸化亜鉛を主成分とする光電変換装置において、
前記透明電極層の光電変換層側の表面には、複数の凸部を備えており、
前記凸部は、山なり状であって、丸みを帯びた頂点を備えており、
前記凸部の縁端部は、第１規定範囲に収まっており、
前記第１規定範囲は、前記凸部の頂点を中心として、直径が０．１μｍ以上１．５μｍ以下の範囲であり、
前記凸部の表面には、複数の突出部が形成されており、
前記突出部の縁端部は、第２規定範囲に収まっており、
前記第２規定範囲は、前記突出部の頂点を中心として直径が１０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下の範囲であり、
前記透明電極層の光電変換層側の表面は、１μｍ2当たりの頂点の個数が３５以上であり、
さらに、前記透明電極層と前記光電変換層との界面の展開面積比は、３５％以下であることを特徴とする光電変換装置。
【請求項６】
透明絶縁基板上に透明電極層が積層した透明電極層付き基板であって、
前記透明電極層上に光電変換層及び裏面電極層を積層して光電変換装置を形成するための透明電極層付き基板において、
前記透明電極層は、光電変換装置を形成したときに、光電変換層側の表面が酸化亜鉛を主成分とし、かつ、複数の凸部を備えており、
前記凸部は、山なり状であって、丸みを帯びた頂点を備えており、
前記凸部の縁端部は、第１規定範囲に収まっており、
前記第１規定範囲は、前記凸部の頂点を中心として、直径が０．１μｍ以上１．５μｍ以下の範囲であり、
前記凸部の表面には、複数の突出部が形成されており、
前記突出部の縁端部は、第２規定範囲に収まっており、
前記第２規定範囲は、前記突出部の頂点を中心として直径が１０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下の範囲であることを特徴とする透明電極層付き基板。
【請求項７】
請求項１〜５のいずれかに記載の光電変換装置の製造方法であって、
ＣＶＤ装置を使用して透明電極層を製膜する光電変換装置の製造方法であって、
前記透明電極層を形成する透明電極層形成工程を有し、
前記透明電極層形成工程は、第１次製膜工程と、第２次製膜工程を含み、
第１次製膜工程と第２次製膜工程の間に製膜を停止する停止工程を含むことを特徴とする光電変換装置の製造方法。
【請求項８】
前記透明電極層形成工程は、ジエチル亜鉛ガスを有効成分として含む反応ガスを使用して透明電極層を製膜するものであり、
前記第２次製膜工程で使用する反応ガス中のジエチル亜鉛ガスの成分量は、前記第１次製膜工程で使用する反応ガス中のジエチル亜鉛ガスの成分量よりも大きいことを特徴とする請求項７に記載の光電変換装置の製造方法。
【請求項９】
前記停止工程は、５０秒〜１５０秒間製膜を停止することを特徴とする請求項７又は８に記載の光電変換装置の製造方法。
【請求項１０】
前記停止工程において、前記製膜室内の気体の９０％以上を排気することを特徴とする請求項７又は８に記載の光電変換装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、太陽電池等の光電変換装置及びその製造方法に関するものである。また、本発明は、当該光電変換装置に用いられる透明電極層付き基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、光エネルギーと電気エネルギーとの間で光電変換する光電変換装置が知られている。この光電変換装置の具体例としては、光エネルギーを電気エネルギーに変換する太陽電池がある。
この太陽電池は、透明電極層、光電変換層、及び裏面電極層がこの順に積層されて形成されており、透明電極層側から光を光電変換層に取り込んで電荷キャリアに変換し、透明電極層及び裏面電極層から取り出す構造となっている。
【０００３】
ところで、従来から太陽電池の光電変換効率を高めるべく、透明電極層に微細な凹凸を形成し、光電変換層や裏面電極層からの反射光を散乱させて、透明電極層から取り込んだ光を光電変換層側にできる限り、閉じ込める取り組みがなされている。
例えば、特許文献１に記載の太陽電池では、透明電極層の光電変換層側の表面にピラミッド型の凹凸構造を形成することによって、光散乱効果を得ている。なお、上記の他、本発明に関連する先行技術を記載した文献として、特許文献２，３がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】国際公開２０１０／０９０１４２号
【特許文献２】国際公開２００３／０３６６５７号
【特許文献３】特開平０３−１２５４８１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
一般的に、透明電極層の表面凹凸を大きくすることで、光散乱性能が強くなることが知られている。
しかしながら、特許文献１に記載のピラミッド構造は、その表面凹凸を形成する凸部の先端が尖った構造をしている。そのため、表面凹凸を大きくしすぎると、その表面凹凸上に被覆する光電変換層に亀裂が入ってしまう。その結果、透明電極層と光電変換層の接合界面で欠陥が生じてしまう場合がある。そして、当該欠陥が生じると、界面抵抗が増大してしまうため、結果的に光電変換効率が低下してしまうという問題がある。
【０００６】
そこで、本発明では、光散乱性能を有したまま、従来に比べて透明電極層と光電変換層との間で生じる欠陥の発生を低減できる光電変換装置を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記した課題を解決するための請求項１に記載の発明は、透明電極層と、裏面電極層と、前記透明電極層と裏面電極層の間に光電変換層が挟まれた光電変換装置であって、前記透明電極層の光電変換層側の表面が酸化亜鉛を主成分とする光電変換装置において、前記透明電極層の光電変換層側の表面には、複数の凸部を備えており、前記凸部は、山なり状であって、丸みを帯びた頂点を備えており、前記凸部の縁端部は、第１規定範囲に収まっており、前記第１規定範囲は、前記凸部の頂点を中心として、直径が０．１μｍ以上１．５μｍ以下の範囲であり、前記凸部の表面には、複数の突出部が形成されており、前記突出部の縁端部は、第２規定範囲に収まっており、前記第２規定範囲は、前記突出部の頂点を中心として直径が１０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下の範囲であることを特徴とする光電変換装置である。
【０００８】
ここでいう「凸部の縁端部」とは、凸部を平面視したときに輪郭を形成する部分をいい、凸部の面方向の端部であって、断面視したときに角度が１０度以上変化する部位をいう。
同様に、ここでいう「突出部の縁端部」とは、突出部を平面視したときに輪郭を形成する部分をいい、突出部の面方向の端部であって、断面視したときに角度が１０度以上変化する部位をいう。
ここでいう「主成分」とは、全成分の８０％以上占める成分をいう。
【０００９】
本発明の構成によれば、凸部の先端部分が丸みを帯びているので、その上を被覆する光電変換層が凸部と当接することによって、局所的に傷つくことを防止できる。
また、本発明の構成によれば、複数の凸部に加えて、凸部の表面に微細な突出部が形成されているので、光電変換層や裏面電極層からの反射光を適度に散乱させることができる。そのため、光電変換層や裏面電極層からの反射光を再度光電変換層側に反射させることができ、光電変換層側に光を留めておくことができる。
このように、本発明の構成によれば、表面凹凸による光散乱効果を維持しつつ、透明電極層の表面凹凸に起因する光電変換層の欠陥の発生を抑制できる。それ故に、例えば、光電変換装置が太陽電池である場合には、開放電圧及び曲線因子を向上させることができ、光電変換効率も向上させることができる。また、例えば、光電変換装置が有機ＥＬ装置の場合には、良好な光散乱効果を得られるので、色むらを減らしつつ、照度を向上させることができる。
【００１０】
請求項２に記載の発明は、前記突出部は、その突出方向の先端部分が丸みを帯びていることを特徴とする請求項１に記載の光電変換装置である。
【００１１】
本発明の構成によれば、突出部の先端部分についても丸みを帯びているので、その上に被覆する光電変換層に亀裂が生じにくく、欠陥が生じにくい。
【００１２】
請求項１又は２に記載の光電変換装置において、好ましくは、前記透明電極層の光電変換層側の表面の１μｍ2当たりの頂点の個数が３５以上であることである（請求項３）。
【００１３】
すなわち、透明電極層であって、透明電極層の光電変換層との界面の頂点の個数密度が３５〔１／μｍ2〕以上であることが好ましい。
【００１４】
請求項１〜３のいずれかに記載の光電変換装置において、好ましくは、透明絶縁基板上に、前記透明電極層、前記光電変換層、及び前記裏面電極層が積層されたものであり、前記透明電極層と前記光電変換層との界面の展開面積比が３５％以下であることを特徴とするである（請求項４）。
【００１５】
ここでいう「界面の展開面積比」とは、定義領域の展開面積（表面積）が、定義領域の面積に対してどれだけ増大しているかをいう。すなわち、「前記透明電極層と前記光電変換層との界面の展開面積比」とは、透明電極層の光電変換層側の表面と同一の面積を持つ均一平面に対して、透明電極層の光電変換層側の表面を均一平面状に展開したときに、前記均一平面に対してどれだけ面積が増加するかを表す。
【００１６】
請求項５に記載の発明は、透明絶縁基板上に、透明電極層、光電変換層、及び裏面電極層が積層された光電変換装置であって、前記透明電極層の光電変換層側の表面が酸化亜鉛を主成分とする光電変換装置において、前記透明電極層の光電変換層側の表面には、複数の凸部を備えており、前記凸部は、山なり状であって、丸みを帯びた頂点を備えており、前記凸部の縁端部は、第１規定範囲に収まっており、前記第１規定範囲は、前記凸部の頂点を中心として、直径が０．１μｍ以上１．５μｍ以下の範囲であり、前記凸部の表面には、複数の突出部が形成されており、前記突出部の縁端部は、第２規定範囲に収まっており、前記第２規定範囲は、前記突出部の頂点を中心として直径が１０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下の範囲であり、前記透明電極層の光電変換層側の表面は、１μｍ2当たりの頂点の個数が３５以上であり、さらに、前記透明電極層と前記光電変換層との界面の展開面積比は、３５％以下であることを特徴とする光電変換装置である。
【００１７】
本発明の構成によれば、表面凹凸による光散乱効果を維持しつつ、透明電極層の表面形状に起因する光電変換層の欠陥の発生を抑制できる。そのため、例えば、光電変換装置が太陽電池である場合には、開放電圧及び曲線因子を向上させることができ、光電変換効率も向上させることができる。
【００１８】
請求項６に記載の発明は、透明絶縁基板上に透明電極層が積層した透明電極層付き基板であって、前記透明電極層上に光電変換層及び裏面電極層を積層して光電変換装置を形成するための透明電極層付き基板において、前記透明電極層は、光電変換装置を形成したときに、光電変換層側の表面が酸化亜鉛を主成分とし、かつ、複数の凸部を備えており、前記凸部は、山なり状であって、丸みを帯びた頂点を備えており、前記凸部の縁端部は、第１規定範囲に収まっており、前記第１規定範囲は、前記凸部の頂点を中心として、直径が０．１μｍ以上１．５μｍ以下の範囲であり、前記凸部の表面には、複数の突出部が形成されており、前記突出部の縁端部は、第２規定範囲に収まっており、前記第２規定範囲は、前記突出部の頂点を中心として直径が１０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下の範囲であることを特徴とする透明電極層付き基板である。
【００１９】
本発明の構成によれば、凸部の先端部分が丸まっているので、光電変換装置を形成したときに、その上を被覆する光電変換層が凸部と当接することにより、局所的に傷つくことを防止できる。
また、本発明の構成によれば、複数の凸部に加えて、凸部の表面に微細な突出部が形成されているため、適度に光を散乱させ、光を光電変換層側に閉じ込めることができる。
このように、本発明の透明電極層付き基板を用いて、光電変換装置を形成すれば、表面凹凸による光散乱効果を維持しつつ、透明電極層の表面凹凸に起因する光電変換層の欠陥の発生が抑制された光電変換装置を形成できる。それ故に、例えば、光電変換装置が太陽電池である場合には、開放電圧及び曲線因子を向上させることができ、光電変換効率も向上させることができる。
【００２０】
請求項７に記載の発明は、請求項１〜５のいずれかに記載の光電変換装置の製造方法であって、ＣＶＤ装置を使用して透明電極層を製膜する光電変換装置の製造方法であって、前記透明電極層を形成する透明電極層形成工程を有し、前記透明電極層形成工程は、第１次製膜工程と、第２次製膜工程を含み、第１次製膜工程と第２次製膜工程の間に製膜を停止する停止工程を含むことを特徴とする光電変換装置の製造方法である。
【００２１】
本発明の方法によれば、ＣＶＤ装置を使用して透明電極層を製膜する。すなわち、透明電極層は、核成長等の化学反応を利用して製膜される。
本発明の方法によれば、透明電極層の形成に際し、第１次製膜工程と第２次製膜工程の少なくとも２回の製膜工程を行い、これら第１次製膜工程と第２次製膜工程の間に停止工程を実施する。こうすることによって、第１次製膜工程における透明電極層の核成長等の反応が停止工程によって止まるので、第２次製膜工程において第１次製膜工程における透明電極層の核とは別の部位で核が生成され、当該核での核成長が起こりやすくなる。そのため、第１次製膜工程で形成された凹凸をならすようにまんべんなく反応が起こりやすく、凸部の先端に丸みを帯びさせることができる。それ故に、透明電極層と光電変換層との界面での表面凹凸に起因する欠陥の発生を抑制でき、高変換効率な光電変換装置を製造できる。
【００２２】
請求項７に記載の光電変換装置の製造方法において、好ましくは、前記透明電極層形成工程は、ジエチル亜鉛ガスを有効成分として含む反応ガスを使用して透明電極層を製膜するものであり、前記第２次製膜工程で使用する反応ガス中のジエチル亜鉛ガスの成分量は、前記第１次製膜工程で使用する反応ガス中のジエチル亜鉛ガスの成分量よりも大きいことである（請求項８）。
【００２３】
上記した発明において、前記第２次製膜工程で使用する反応ガス中のジエチル亜鉛ガスの成分量は、前記第１次製膜工程で使用する反応ガス中のジエチル亜鉛ガスの成分量の１．３倍以上であることが好ましい。
【００２４】
請求項９に記載の発明は、前記停止工程は、５０秒〜１５０秒間製膜を停止することを特徴とする請求項７又は８に記載の光電変換装置の製造方法である。
【００２５】
本発明の方法によれば、第１次製膜工程における透明電極層の核成長反応を停止又は終了するのに十分な時間を確保できるとともに、あまり透明電極層形成工程が長くなりすぎない。
【００２６】
請求項１０に記載の発明は、前記停止工程において、前記製膜室内の気体の９０％以上を排気することを特徴とする請求項７又は８に記載の光電変換装置の製造方法である。
【００２７】
ここでいう「排気」とは、製膜室の外部に製膜室内部の気体を排出することをいい、真空引き等によって製膜室内部の気体を吸引することだけではなく、製膜室内部の気体を別の不活性気体で置換することも含む。
【００２８】
本発明の方法によれば、停止工程によって、第１次製膜工程における反応ガスを排気するので、強制的に第１次工程における透明電極層の核成長を停止又は終了させることができる。
【００２９】
上記した発明において、前記停止工程において、亜鉛を含まない不活性気体で前記製膜室内の気体の９０％以上を置換することとしてもよい。
【発明の効果】
【００３０】
本発明の光電変換装置によれば、光散乱性能を有したまま、従来に比べて透明電極層と光電変換層との間で生じる欠陥を低減できる。そのため、従来に比べて光電変換効率を向上させることができる。
本発明の透明電極層付き基板によれば、従来に比べて、光電変換効率が向上した光電変換装置を形成できる。
本発明の光電変換装置の製造方法によれば、透明電極層の表面形状を制御しやすい。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】本発明の第１実施形態の光電変換装置を模式的に表した断面図であり、理解を容易にするためにハッチングを省略している。
【図２】図１の透明電極層の表面形状を模式的に示した斜視図である。
【図３】図１の透明電極層の表面の要部の断面図であり、理解を容易にするためにハッチングを省略している。
【図４】図２の透明電極層の表面の要部を抜き取った斜視図である。
【図５】図１の透明電極層の表面の要部の平面図である。
【図６】図１の光電変換装置の光電変換層の周りをさらに詳細に示した断面図であり、理解を容易にするためにハッチングを省略している。
【図７】図１の光電変換装置の透明電極層形成工程の説明図であり、（ａ）は第１次製膜工程の状態を示す模式図であり、（ｂ）は停止工程の状態を示す模式図であり、（ｃ）は第２次製膜工程の状態を示す模式図である。
【図８】透明電極層付き基板の観察結果であり、（ａ）は実施例１の原子間力顕微鏡像であり、（ｂ）は比較例１の原子間力顕微鏡像である。
【図９】実施例１の透明電極層付き基板の観察結果であり、（ａ）は原子間力顕微鏡像であり、（ｂ）は（ａ）をトレースした模式図である。
【図１０】比較例１の透明電極層付き基板の観察結果であり、（ａ）は原子間力顕微鏡像であり、（ｂ）は（ａ）をトレースした模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００３２】
以下、本発明の実施形態について詳細に説明する。なお、以下の説明において、特に断りのない限り、物性は標準状態（２５℃、１気圧）を基準とする。また、粗さ等の表面構造については、特に断りのない限り、ＩＳＯ  ２５１７８（面粗さ測定）に準じた値とする。
【００３３】
本発明の第１実施形態の光電変換装置１は、太陽光等の光エネルギーを電気エネルギーに変換する光電変換装置である。具体的には、光電変換装置１は、光エネルギーを電気エネルギーに変換し、外部に電気を取り出す太陽電池である。
【００３４】
第１実施形態の光電変換装置１は、図１に示されるように、透明絶縁基板２上に、透明電極層３、光電変換層５、裏面電極層６が積層した光電変換素子を備えたものである。
【００３５】
第１実施形態の光電変換装置１は、透明電極層３の表面構造を特徴の一つとしている。
そこで、光電変換装置１の各構成部位の説明に先立って、主な特徴部位である透明電極層３について説明する。
【００３６】
透明電極層３は、酸化亜鉛を主成分とする電極層であり、透明性及び導電性を備えた導電層である。
透明電極層３中の酸化亜鉛の含有率は、８０％以上であり、９０％以上１００％以下であることが好ましく、９５％以上１００％以下であることがより好ましい。
なお、透明電極層３は、アルミニウム等の他の異なるドーパントがドープされていてもよい。
【００３７】
透明電極層３は、図３に示されるように、透明絶縁基板２側から下地電極層１０と被覆電極層１１がこの順に積層されて構成されている。
下地電極層１０は、透明絶縁基板２上に積層され、主に被覆電極層１１の下地となる層である。
下地電極層１０は、透明絶縁基板２と反対側の表面（光電変換層５側の表面）に凹凸が形成されており、複数の下地側凸部１５を備えている。
下地側凸部１５は、透明絶縁基板２の透明電極層３側の主面に対して交差する方向に突出した凸部である。下地側凸部１５は、透明絶縁基板２の主面（光電変換層５側の面）上にほぼまんべんなく分布して形成されている。
【００３８】
被覆電極層１１は、透明電極層３の最表面を構成する層であり、下地電極層１０の表面凹凸上に被さって形成されたキャップ層である。被覆電極層１１は、下地電極層１０の下地側凸部１５の先端部分を均して丸みを持たせる被覆層である。
被覆電極層１１は、下地電極層１０の表面凹凸に沿って形成されており、その表面は下地電極層１０の表面凹凸の起伏が概ね反映されている。すなわち、被覆電極層１１は下地側凸部１５の形状に沿って形成されている。
また、被覆電極層１１の表面は、下地電極層１０の表面凹凸の起伏が反映された凹凸だけではなく、さらに当該表面凹凸から微細な凹凸が形成されている。
すなわち、被覆電極層１１は、下地電極層１０の表面凹凸が反映された大きな凹凸と、当該大きな凹凸の表面に形成された小さな凹凸を備えている。そして、被覆電極層１１の凹凸形状は、小さな凹凸と、小さな凹凸から露出している大きな凹凸の円弧状の稜線から形成されている。
【００３９】
また、被覆電極層１１を別の観点からみると、被覆電極層１１は、下地側凸部１５が反映された被覆側凸部１７と、被覆側凸部１７の表面から突出した被覆側突出部１８を備えている。
【００４０】
被覆側凸部１７は、下地電極層１０の下地側凸部１５と概ね同様の形状をした凸部である。つまり、被覆側凸部１７は、図２に示されるように透明絶縁基板２の透明電極層３側の主面に対して交差する方向に突出しており、面状に分布されている。
また、被覆側凸部１７は、断面視したときに山なり状であって、丸みを帯びた頂点２２を備えている。すなわち、被覆側凸部１７は、光電変換層５側に向かって突出しており、その突出方向の先端部分が丸みを帯びている。また被覆側凸部１７は、その頂点２２から裾に向かって徐々に広がっている。
【００４１】
被覆側凸部１７を頂点２２側から平面視したときに、被覆側凸部１７の縁端部は、図５に示されるように、第１規定範囲２０内に収まっている。つまり、被覆側凸部１７の基端部が形成する輪郭は、第１規定範囲２０内に収まっている。言い換えると、被覆側凸部１７の他の被覆側凸部１７との境界は、第１規定範囲２０内に収まっている。
第１規定範囲２０は、被覆側凸部１７の頂点２２を中心として、直径が０．１μｍ以上１．５μｍ以下の範囲であり、直径が０．２μｍ以上１．２μｍ以下の範囲であることが好ましく、直径が０．３μｍ以上１μｍ以下の範囲であることがより好ましい。
【００４２】
被覆側突出部１８は、図４に示されるように被覆側凸部１７に対して交差する方向に突出した突出部である。被覆側突出部１８は、被覆電極層１１の表面上に点在している。
被覆側突出部１８は、円弧状の微細な凸部であり、丸みを帯びた頂点２３を備えている。すなわち、被覆側突出部１８は、被覆側凸部１７の表面から突出し、その突出方向の先端部分が円弧状に丸みを帯びており、裾に向かって徐々に広がっている。
被覆側突出部１８を頂点２３側から平面視したときに、被覆側突出部１８の縁端部は、図５に示されるように、第２規定範囲２１内に収まっている。つまり、被覆側突出部１８の基端部が形成する輪郭は、第２規定範囲２１内に収まっている。言い換えると、被覆側突出部１８の境界は、第２規定範囲２１内に収まっている。
第２規定範囲２１は、被覆側突出部１８の頂点２３を中心として、直径が１０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下の範囲であり、直径が２５ｎｍ以上１２０ｎｍ以下の範囲であることが好ましく、直径が４０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の範囲であることがより好ましい。
【００４３】
透明電極層３の物性について注目すると、透明電極層３の平均膜厚は、電極としての十分な導電率を確保する観点から、１５００ｎｍ以上であることが好ましく、１７００ｎｍ以上であることがより好ましい。
透明電極層３の平均膜厚は、光を十分に光電変換層５に取り入れる観点から、２５００ｎｍ以下であることが好ましく、２０００ｎｍ以下であることがより好ましい。
【００４４】
下地電極層１０の平均膜厚は、被覆電極層１１の平均膜厚の７倍以上２０倍以下であることが好ましい。
被覆電極層１１の平均膜厚は、２００ｎｍ以上５００ｎｍ以下であることが好ましい。この範囲であれば、下地電極層１０の表面凹凸を十分に均すことができる。
【００４５】
透明電極層３のシート抵抗は、２０Ω／□以下であることが好ましく、１８Ω／□以下であることがより好ましい。
透明電極層３のＪＩＳ  Ｋ７１３６に準ずるヘイズは、２５％以下であることが好ましく、２０％以下であることがより好ましい。
【００４６】
透明電極層３の算術平均粗さ（Ｓａ）は、２０ｎｍ以上４０ｎｍ以下であることが好ましい。透明電極層３の二乗平均平方根高さ（Ｓｑ）は、３５ｎｍ以上５０ｎｍ以下であることがより好ましい。
表面凹凸による光電変換層５との間での欠陥の発生を抑制しつつ、十分な光散乱効果を確保する観点から、２０ｎｍ以上３２ｎｍ以下である場合には、二乗平均平方根高さ（Ｓｑ）は、２５ｎｍ以上４０ｎｍ以下であることがより好ましい。
透明電極層３の算術平均粗さ（Ｓａ）は、表面凹凸による光電変換層５との間での欠陥の発生を抑制する観点から、３６ｎｍ以上３８ｎｍ以下である場合には、二乗平均平方根高さ（Ｓｑ）は、４５ｎｍ以上４８ｎｍ以下であることがより好ましい。
【００４７】
透明電極層３の頂点の個数密度（Ｓｄｓ）は、十分な光散乱効果を確保する観点から、３５〔１／μｍ2〕以上であることが好ましく、４０〔１／μｍ2〕以上であることがより好ましく、４５〔１／μｍ2〕以上であることがさらに好ましく、４８〔１／μｍ2〕以上であることが特に好ましい。
一方、透明電極層３の頂点の個数密度（Ｓｄｓ）は、光の透過率を確保する観点から、１１０〔１／μｍ2〕以下であることが好ましく、１００〔１／μｍ2〕以上であることがより好ましく、９５〔１／μｍ2〕以下であることがさらに好ましい。
【００４８】
透明電極層３と光電変換層５との界面の展開面積比（Ｓｄｒ）は、表面凹凸による光電変換層５との間での欠陥の発生を抑制する観点から、３５％以下であることが好ましく、３３％以下であることがより好ましく、３１％以下であることがさらに好ましい。
透明電極層３と光電変換層５との界面の展開面積比（Ｓｄｒ）は、十分な光散乱効果を確保する観点から、１０％以上であることが好ましく、１５％以上であることがより好ましく、１８％以上であることがさらに好ましい。
【００４９】
続いて、光電変換装置１の各構成部位について説明する。
【００５０】
透明絶縁基板２は、透明性及び絶縁性を有した基板であって、各層を支持する支持基板である。
透明絶縁基板２としては、透明性及び絶縁性を有していれば、特に限定されるものではなく、例えば、ガラス基板や、透明性樹脂基板などが使用できる。
なお、透明絶縁基板２は可撓性を有した可撓性基板であってもよい。
【００５１】
光電変換層５は、図６に示されるように、透明電極層３側（光入射側）から、非晶質シリコン光電変換ユニット２５と、非晶質シリコンゲルマニウム光電変換ユニット２６と、結晶質シリコン光電変換ユニット２７とが積層されて構成されている。すなわち、光電変換装置１は、３つの光電変換ユニット２５，２６，２７が接合された３接合型の太陽電池である。
【００５２】
非晶質シリコン光電変換ユニット２５は、光電変換層５のトップセルとして機能するものであり、ｐ型非晶質半導体層３０、ｉ型非晶質半導体層３１、及びｎ型結晶質半導体層３２から構成されている。
【００５３】
ｐ型非晶質半導体層３０は、ｐ型半導体として機能する層であり、例えば、ｐ型非晶質シリコンカーバイド層である。
ｉ型非晶質半導体層３１は、ｉ型半導体（実質的に真性である真性半導体）として機能する層であり、例えば、ｉ型非晶質シリコン層である。
ｎ型結晶質半導体層３２は、ｎ型半導体として機能する層であり、例えば、ｎ型結晶質シリコン層である。
【００５４】
非晶質シリコンゲルマニウム光電変換ユニット２６は、光電変換層５のミドルセルとして機能するものであり、ｉ型非晶質シリコンゲルマニウム半導体層３６を含む光電変換ユニットである。
非晶質シリコンゲルマニウム光電変換ユニット２６は、ｐ型非晶質半導体層３５、ｉ型非晶質シリコンゲルマニウム半導体層３６、及びｎ型結晶質半導体層３７から構成されている。
ｐ型非晶質半導体層３５は、ｐ型半導体として機能する層であり、例えば、ｐ型非晶質シリコン層である。
ｉ型非晶質シリコンゲルマニウム半導体層３６は、ｉ型半導体として機能する層であり、例えば、ｉ型非晶質シリコンゲルマニウム層である。
ｎ型結晶質半導体層３７は、ｎ型半導体として機能する層であり、例えば、ｎ型結晶質シリコン層である。
【００５５】
結晶質シリコン光電変換ユニット２７は、光電変換層５のボトムセルとして機能するものであり、ｐ型結晶質半導体層４０、ｉ型結晶質半導体層４１、ｎ型結晶質半導体層４２から構成されている。
【００５６】
ｐ型結晶質半導体層４０は、ｐ型半導体として機能する層であり、例えば、ｐ型結晶質シリコン層である。
ｉ型結晶質半導体層４１は、ｉ型半導体として機能する層であり、例えば、ｉ型結晶質シリコン層である。
ｎ型結晶質半導体層４２は、ｎ型半導体として機能する層であり、例えば、ｎ型結晶質シリコン層である。
【００５７】
裏面電極層６は、透明電極層３と対をなし、電極として機能する電極層である。
裏面電極層６は、導電性を有していれば特に限定されるものではなく、例えば、アルミニウム、銀、金、銅、白金、クロムなどの金属、金属合金、金属複合体などが使用できる。
なお、裏面電極層６は、多層構造であってもよい。裏面電極層６は、例えば透明導電酸化物層と金属層との多層構造であってもよい。
例えば、裏面電極層６は、アルミニウムがドープされた酸化亜鉛（ＡＺＯ）と、銀が積層された多層構造であってもよい。
【００５８】
続いて、光電変換装置１の製造方法について説明する。特に、本実施形態の特徴の一つである透明電極層の製膜方法に注目して説明し、残りの層については簡単に説明する。
【００５９】
まず、透明絶縁基板２をＣＶＤ装置に導入し、透明電極層３を製膜する（透明電極層形成工程）。
この透明電極層形成工程は、複数回に亘って透明電極層３を製膜するものである。
本実施形態の透明電極層形成工程では、第１次製膜工程の後に停止工程を挟んで第２次製膜工程が実施される。
【００６０】
具体的には、まず、図７（ａ）に示されるように、減圧ＣＶＤ法によって、透明絶縁基板２上に下地電極層１０を製膜する（第１次製膜工程）。
【００６１】
このときの反応ガス４８は、ジエチル亜鉛（ＤＥＺｎ）、水蒸気（Ｈ2Ｏ）、ジボラン（Ｂ2Ｈ6）、水素（Ｈ2）の混合ガスであることが好ましい。
また、このときの製膜温度は、１４０℃以上１８０℃以下であることが好ましい。本実施形態では、１６０℃程度となっている。
このときの圧力は、大気圧以下となっており、１０Ｐａ以上１００Ｐａ以下であることが好ましく、１５Ｐａ以上５０Ｐａ以下であることがより好ましく、２０Ｐａ以上３０Ｐａ以下であることがさらに好ましい。
【００６２】
下地電極層１０が所定の厚みまで製膜されると、製膜を停止し、図７（ｂ）に示されるように、製膜室内に充填されている反応ガス４８を排気しつつ、所定時間放置する（停止工程）。すなわち、停止工程は、下地電極層１０の表面近傍の反応ガス４８を取り除いて下地電極層１０の表面の雰囲気を不活性雰囲気にする工程である。
【００６３】
このときの排気時間は、ＣＶＤ装置の排気機能や製膜室の大きさに合わせて適宜設定されるが、５０秒〜１５０秒間であることが好ましい。この範囲であれば、十分に製膜室内の気体を排気できる。
また、製膜室内の気体を９０％以上排気することが好ましく、９５％以上排気することがより好ましく、９９％以上排気することが特に好ましい。
【００６４】
そして、停止工程を開始してから所定時間経過すると、図７（ｃ）に示されるように、減圧ＣＶＤ法によって、下地電極層１０上に被覆電極層１１を製膜する（第２次製膜工程）。
【００６５】
この第２次製膜工程では、第１次製膜工程の時よりもジエチル亜鉛及びジボランの成分が濃い濃度の反応ガス４９を使用することが好ましい。すなわち、この第２次製膜工程では、反応ガス４９中のジエチル亜鉛ガス及びジボランガスの成分量は、第１次製膜工程で使用する反応ガス４８中のジエチル亜鉛ガス及びジボランガスの成分量よりも大きい。
具体的には、第２次製膜工程の際のジエチル亜鉛の流量は、第１次製膜工程の際のジエチル亜鉛の流量の１．３倍から２．５倍であることが好ましく、１．４倍から２倍であることがより好ましい。第２次製膜工程の際のジボランの流量は、第１次製膜工程の際のジボランの流量の１．３倍から２．５倍であることが好ましく、１．４倍から２倍であることがより好ましい。
また、第２次製膜工程の際の反応ガス４９中のジエチル亜鉛の濃度は、第１次製膜工程の際の反応ガス４８中のジエチル亜鉛ガスの濃度の１．３倍から２．５倍であることが好ましく、１．４倍から２倍であることがより好ましい。第２次製膜工程の際の反応ガス４９中のジボランガスの濃度は、第１次製膜工程の際の反応ガス４８中のジボランの濃度の１．３倍から２．５倍であることが好ましく、１．４倍から２倍であることがより好ましい。
また、このときの製膜温度は、１４０℃以上１８０℃以下であることが好ましい。本実施形態では、下地電極層１０の製膜温度と同様、１６０℃程度となっている。なお、下地電極層１０の製膜温度と被覆電極層１１の製膜温度は異なっていてもよいが、同程度の温度であることが好ましい。
このときの圧力は、大気圧以下となっており、１０Ｐａ以上１００Ｐａ以下であることが好ましく、１５Ｐａ以上５０Ｐａ以下であることがより好ましく、２０Ｐａ以上３０Ｐａ以下であることがさらに好ましい。なお、下地電極層１０の製膜時の圧力と被覆電極層１１の製膜時の圧力は異なっていてもよいが、同程度の圧力であることが好ましい。
【００６６】
透明電極層形成工程が終了すると、各光電変換ユニット２５，２６，２７をＣＶＤ装置によって製膜し、光電変換層５を形成する（光電変換層形成工程）。
【００６７】
光電変換層形成工程が終了すると、光電変換層５が形成された基板に対して、スパッタ法や真空蒸着法等によって裏面電極層６を形成する（裏面電極層形成工程）。
【００６８】
そして、必要に応じてタブ線等の配線部材を接続し、光電変換装置１が製造される。
【００６９】
本実施形態の光電変換装置１によれば、透明電極層３の光電変換層５側の表面に凹凸が形成されており、その凹凸の先端部分が丸まっているので、光電変換層５に欠陥が生じることを抑制できる。
【００７０】
また、本実施形態の光電変換装置１によれば、透明電極層３の光電変換層５側の表面に被覆側凸部１７及び被覆側突出部１８が形成されているので、光散乱効果により、入射光を光電変換層５内に留めておくことができる。
【００７１】
また、本実施形態の光電変換装置１の製造方法によれば、第１次製膜工程と第２次製膜工程の間に停止工程を実施するので、第２次製膜工程では、第１次製膜工程で核成長した核と異なる核によって核成長しやすくなる。そのため、被覆側凸部１７の先端部分に丸みを持たせることができる。
【００７２】
上記した実施形態では、３つの光電変換ユニット２５，２６，２７が接合された３接合型の光電変換層５であったが、本発明はこれに限定されるものではなく、１つの光電変換ユニットだけでもよいし、２つの光電変換ユニットが接合されていてもよい。４つ以上の光電変換ユニットが接合されていてもよい。
【００７３】
上記した実施形態では、光電変換装置１の一例として、太陽電池の場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、光電変換装置１は、光電変換層として有機発光層を備えた有機ＥＬ装置であってもよい。
【００７４】
上記した実施形態では、停止工程において、製膜室内に充填されている反応ガス４８を排気しつつ所定時間放置することで、反応ガス４８を製膜室から排出したが、本発明はこれに限定されるものではなく、アルゴンや窒素等の不活性ガスや、亜鉛を含まない気体（例えば、水素ガスや水蒸気等）を製膜室内に導入することで製膜室から反応ガス４８を製膜室から排出してもよい。
【００７５】
以下に、実施例をもって本発明をさらに具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【実施例】
【００７６】
本発明の具体的な実施例及び比較例の光電変換装置の作製手順と、これらの評価結果を説明する。
【００７７】
（実施例１）
実施例１の光電変換装置１は、透明絶縁基板２として、厚さ１．８ｍｍのガラス基板を用いた。透明絶縁基板２上に透明電極層３を形成し、透明電極層付き基板を作製した。
具体的には、まず、第１次製膜工程を実施し、透明絶縁基板２上に下地電極層１０を製膜した。
この第１次製膜工程では、１６０℃の２５Ｐａの条件で酸化亜鉛（ＺｎＯ2）を主成分とする下地電極層１０を製膜した。
このときの反応ガス４８として、ジエチル亜鉛（ＤＥＺｎ）、水蒸気（Ｈ2Ｏ）、ジボラン（Ｂ2Ｈ6）、及び、水素（Ｈ2）を用いた。水蒸気の流量を１としたときのジエチル亜鉛、ジボラン、水素のそれぞれの流量比は、０．４４、０．２２、０．８８であった。
このときの下地電極層１０の製膜時間は、７６０秒とした。
【００７８】
第１次製膜工程での下地電極層１０の製膜が終了すると、続けて停止工程を行った。
この停止工程では、１００秒間放置して、製膜室内の反応ガス４８の排気を行った。
【００７９】
停止工程が終了すると、続けて第２次製膜工程を実施し、下地電極層１０上に被覆電極層１１を製膜した。
この第２次製膜工程では、１６０℃の２５Ｐａの条件でＺｎＯ2を主成分とする被覆電極層１１を製膜した。
このときの反応ガス４９として、ジエチル亜鉛（ＤＥＺｎ）、水蒸気（Ｈ2Ｏ）、ジボラン（Ｂ2Ｈ6）、及び、水素（Ｈ2）を用いた。水蒸気の流量を１としたときのジエチル亜鉛、ジボラン、水素のそれぞれの流量比は、０．８７、０．４４、０．２２であった。すなわち、第２次製膜工程では、第１次製膜工程の際に比べて、ジエチル亜鉛及びジボランの流量を約２倍にし、水素の流量を約１／４にした。
このときの被覆電極層１１の製膜時間は、１００秒とした。
【００８０】
このようにして得られた透明電極層付き基板について、平均膜厚、シート抵抗、並びにＪＩＳ  Ｋ７１３６に準ずるヘイズを測定したところ、それぞれ、１８８４ｎｍ、１６．２Ω／□、１９．０％であった。
【００８１】
上記の透明電極層付き基板上に、プラズマＣＶＤ装置を用いて、非晶質シリコン光電変換ユニット２５を作製した。
反応ガスとしてシラン（ＳｉＨ4）、水素（Ｈ2）、メタン（ＣＨ4）、及びジボラン（Ｂ2Ｈ6）を導入し、ｐ型非晶質半導体層３０としてｐ型非晶質シリコンカーバイド層を膜厚が１５ｎｍとなるように形成した。
その後、反応ガスとしてシランを導入し、ｉ型非晶質半導体層３１としてｉ型非晶質シリコン層を膜厚が８０ｎｍとなるように形成した。
その後、反応ガスとしてシラン、水素及びホスフィン（ＰＨ3）を導入し、ｎ型結晶質半導体層３２としてｎ型結晶質シリコン層を膜厚が１０ｎｍとなるように形成した。このようにすることで、非晶質シリコン光電変換ユニット２５を形成した。
【００８２】
非晶質シリコン光電変換ユニット２５を形成した後、非晶質シリコンゲルマニウム光電変換ユニット２６を作製した。
具体的には、反応ガスとしてシラン、水素及びジボランを導入し、ｐ型非晶質半導体層３５としてｐ型非晶質シリコン層を膜厚が１０ｎｍとなるように形成した。
その後、反応ガスとしてシラン、ゲルマン（ＧｅＨ4）、及び水素を導入して、ｉ型結晶質半導体層４１としてｉ型非晶質シリコンゲルマニウム層を１５０ｎｍ形成した。
その後、反応ガスとして、シラン、水素、及びホスフィンを導入し、ｎ型結晶質半導体層３７として、ｎ型結晶質シリコン層を膜厚が１０ｎｍとなるように形成した。
このようにすることで、非晶質シリコンゲルマニウム光電変換ユニット２６を形成した。
【００８３】
非晶質シリコンゲルマニウム光電変換ユニット２６を形成した後、反応ガスとしてシラン、水素及びジボランを導入し、ｐ型結晶質半導体層４０としてｐ型結晶質シリコン層を膜厚が１０ｎｍとなるように形成した。
その後、反応ガスとしてシランと水素を導入し、ｉ型非晶質半導体層４１としてｉ型結晶質シリコン層を膜厚が１．５μｍとなるように形成した。
その後、反応ガスとしてシラン、水素及びホスフィンを導入し、ｎ型結晶質半導体層４２としてｎ型結晶質シリコン層を膜厚が１５ｎｍとなるように形成した。このようにすることで、結晶質シリコン光電変換ユニット２７を形成した。
【００８４】
その後、厚さ３０ｎｍのＡｌドープされたＺｎＯ（ＡＺＯ）と厚さ３００ｎｍの銀（Ａｇ）をスパッタ法にて順次形成し、これを裏面電極層６とした。
【００８５】
裏面電極層６を形成した後、レーザースクライブ法により透明電極層３の上に形成された各層を部分的に除去して、１ｃｍ2のサイズに分離した。こうして得られた光電変換装置１を実施例１とした。
【００８６】
（比較例１）
比較例１として、実施例１において、停止工程を行わずに、連続的に透明電極層の製膜を行って、透明電極層付き基板を作製した。またそれ以外の工程は実施例１と同様として、光電変換装置を作製し、これを比較例１とした。
【００８７】
（実施例２）
実施例２では、第２次製膜工程の被覆電極層１１の処方以外は実施例１と同様にして光電変換装置を作製し、これを実施例２とした。
この実施例２の第２次製膜工程では、第１次製膜工程の際に比べて、ジエチル亜鉛及びジボランの流量を約１．４倍にし、水素の流量を約０．７倍にした。
【００８８】
（比較例２）
比較例２として、実施例２において、停止工程を行わずに、連続的に透明電極層の製膜を行って、透明電極層付き基板を作製した。またそれ以外の工程は実施例２と同様として、光電変換装置を作製し、これを比較例２とした。
【００８９】
〔原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）による評価〕
実施例１と比較例１、実施例２と比較例２のそれぞれについて原子間力顕微鏡（パシフィックナノテクノロジー社製）により、透明電極層付き基板の表面観察を行った。その結果を表１に示す。また実施例１と比較例１の典型的なＡＦＭ像を図８，図９，図１０に示す。
【００９０】
【表１】
2016192426.tif 000003
【００９１】
図８，図９，図１０及び表１に示されるように、実施例１の光電変換装置と比較例１の光電変換装置との間で大きな表面構造の差異が観られた。
図８から読み取れるように、実施例１と比較例１では、粒子形状が異なっており、実施例１では、略俵状の粒子形状であったのに対して、比較例１では、略撒菱状の粒子形状であった。図１０に示されるように、比較例１では、凸部の先端が鋭利に尖っているのに対して、図９に示されるように実施例１では、凸部の先端が丸まっていた。
【００９２】
また、凸部の縁端部は、図９から読み取れるように、凸部の頂点を中心として、直径が０．１μｍ以上１．５μｍ以下の範囲にあった。凸部の表面には、複数の突出部が形成されており、突出部の縁端部は、突出部の頂点を中心として直径が１０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下の範囲にあった。突出部の先端は丸まっていた。
【００９３】
表１に示されるように、実施例１の算術平均粗さ（Ｓａ）は、比較例１の算術平均粗さよりも小さな値をとり、実施例１の二乗平均平方根高さ（Ｓｑ）は、比較例１の二乗平均平方根高さよりも小さな値をとった。また実施例２の算術平均粗さ（Ｓａ）は、比較例２の算術平均粗さよりも小さな値をとり、実施例２の二乗平均平方根高さ（Ｓｑ）は、比較例２の二乗平均平方根高さよりも小さな値をとった。
これらの結果は、停止工程を行った実施例１，２では、下地電極層１０の下地側凸部１５に被覆電極層１１が被さることによって、下地電極層１０の表面凹凸が均されたことに基づくと考えられる。
【００９４】
また、表１に示されるように、実施例１の頂点の個数密度（Ｓｄｓ）は、比較例１の頂点の個数密度よりも大きな値をとった。また実施例２の頂点の個数密度（Ｓｄｓ）は、比較例２の頂点の個数密度よりも大きな値をとった。
これらの結果は、実施例１，２において、被覆電極層１１の被覆側凸部１７の表面に形成された被覆側突出部１８の存在により、頂点数が増えたことに基づくと考えられる。
別の観点からこれらの結果をみると、実施例１と比較例１、実施例２と比較例２では、それぞれ突起を形成する核の個数が異なることがわかった。これらのことから、実施例１，２において、第２次製膜工程では、第１次製膜工程における成長する核と異なる核でも成長していることが考えられる。
【００９５】
さらに、表１に示されるように、実施例１の界面の展開面積比（Ｓｄｒ）は、比較例１の界面の展開面積比よりも小さな値をとった。また実施例２の界面の展開面積比（Ｓｄｒ）は、比較例２の界面の展開面積比よりも小さな値をとった。
これは、実施例１，２において、おそらく被覆電極層１１によって均されて凹凸の高さが低くなっている分、表面積が減少したためと考えられる。
【００９６】
〔光電変換特性評価〕
実施例１と比較例１、及び実施例２と比較例２の光電変換装置のそれぞれについて、ＡＭ１．５のスペクトル分布を有するソーラーシミュレーターを用いて、２５℃の下で擬似太陽光を１００ｍＷ／ｃｍ2のエネルギー密度で照射して光電変換特性の測定を行った。実施例１と比較例１の結果を表２に示し、実施例２と比較例２の結果を表３に示す。なお、表２の値は比較例１の値で規格化したものであり、表３の値は比較例２の値で規格化したものである。
【００９７】
【表２】
2016192426.tif 000004
【００９８】
【表３】
2016192426.tif 000005
【００９９】
表２に示されるように、実施例１は、比較例１に比べて、短絡電流密度の低下がみられたものの、それを補って開放電圧及び曲線因子が上昇し、光電変換効率が向上した。
同様に、表３に示されるように、実施例２は、比較例２に比べて、短絡電流密度の低下がみられたものの、それを補って開放電圧及び曲線因子が上昇し、光電変換効率が向上した。
これら実施例１，２の短絡電流密度の低下は、凸部の表面での微細な凹凸の存在により、凸部が丸くなった分、拡散光が減少したため、生じたものと考えられる。
【０１００】
以上の結果から、第１次製膜工程と第２次製膜工程の間の停止工程の有無によって、明らかな表面構造の変化が観察され、停止工程を実施することによって、光電変換効率が上昇することが確認された。
【符号の説明】
【０１０１】
１  光電変換装置
２  透明絶縁基板
３  透明電極層
５  光電変換層
６  裏面電極層
１０  下地電極層
１１  被覆電極層
１７  被覆側凸部（凸部）
１８  被覆側突出部（突出部）
２０  第１規定領域
２１  第２規定領域
２２  頂点
２３  頂点
４８  反応ガス
４９  反応ガス
【図１】
2016192426.tif 000006
【図２】
2016192426.tif 000007
【図３】
2016192426.tif 000008
【図４】
2016192426.tif 000009
【図５】
2016192426.tif 000010
【図６】
2016192426.tif 000011
【図７】
2016192426.tif 000012
【図８】
2016192426.tif 000013
【図９】
2016192426.tif 000014
【図１０】
2016192426.tif 000015