(57)【要約】      （修正有）【課題】芯材からの触媒の脱落の抑制を図るめっき処理装置及びめっき処理方法を提供する。【解決手段】被処理面ＯＦ４に触媒Ｃが吸着した光ファイバＯＦを搬送しながら、光ファイバＯＦを無電解めっき液ＰＢに浸漬して光ファイバＯＦ上に無電解めっき層を形成するものであり、被めっき物を上流側から下流側へ連続的に搬送する搬送装置と、無電解めっき液ＰＢを収容するめっき槽６２と、無電解めっき液ＰＢを流動させるガス配管６２３と、を備え、ガス配管６２３は、上流側における光ファイバＯＦ廻りの無電解めっき液ＰＢの流速が、下流側における光ファイバＯＦ廻りの無電解めっき液ＰＢの流速に対して相対的に小さくなるように、無電解めっき液ＰＢを流動させる無電解めっき形成部６１を有するめっき処理装置。【選択図】図３
2016108572.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
芯材及び前記芯材に吸着した触媒を有する被めっき物を搬送しながら、前記被めっき物をめっき液に浸漬して前記被めっき物上にめっき層を形成するめっき処理装置であって、
前記被めっき物を上流側から下流側へ搬送する搬送手段と、
前記めっき液を収容するめっき槽と、
前記めっき液を流動させる撹拌手段と、を備え、
前記撹拌手段は、上流側における前記被めっき物の廻りの前記めっき液の流速が、下流側における前記被めっき物の廻りの前記めっき液の流速に対して相対的に小さくなるように、前記めっき液を流動させることを特徴とするめっき処理装置。
【請求項２】
芯材及び前記芯材に吸着した触媒を有する被めっき物を搬送しながら、前記被めっき物をめっき液に浸漬して前記被めっき物上にめっき層を形成するめっき処理装置であって、
前記被めっき物を上流側から下流側へ搬送する搬送手段と、
前記めっき液を収容するめっき槽と、
上流側から下流側に亘って複数配置され、前記めっき液内に気体を吹き出す気体吹出口と、を備え、
正面断面視において、上流側での前記被めっき物と前記気体吹出口との距離が、下流側での前記被めっき物と前記気体吹出口との距離に対して相対的に大きいことを特徴とするめっき処理装置。
【請求項３】
芯材及び前記芯材に吸着した触媒を有する被めっき物を搬送しながら、前記被めっき物をめっき液に浸漬して前記被めっき物上にめっき層を形成するめっき処理装置であって、
前記被めっき物を上流側から下流側へ搬送する搬送手段と、
前記めっき液を収容するめっき槽と、
上流側から下流側に亘って複数配置され、前記めっき液内に気体を吹き出す気体吹出口と、を備え、
上流側における前記被めっき物に対する前記気体吹出口の開口角度は、下流側における前記被めっき物に対する前記気体吹出口の開口角度に対して相対的に大きいことを特徴とするめっき処理装置。
【請求項４】
請求項２又は３に記載のめっき処理装置であって、
前記めっき処理装置は、上流側から下流側に亘って前記めっき液に浸漬するように前記めっき槽内に設けられた配管をさらに備え、
前記気体吹出口は、前記配管に形成されていることを特徴とするめっき処理装置。
【請求項５】
請求項４に記載のめっき処理装置であって、
正面断面視において、上流側での前記被めっき物と前記配管との距離が、下側での前記被めっき物と前記配管との距離よりも大きいことを特徴とするめっき処理装置。
【請求項６】
請求項５に記載のめっき処理装置であって、
前記配管は、一部が湾曲する湾曲部を有し、
前記湾曲部よりも上流側での前記被めっき物と前記配管との距離が、前記湾曲部よりも下流側での前記被めっき物と前記配管との距離に対して相対的に大きいことを特徴とするめっき処理装置。
【請求項７】
請求項２〜６の何れか１項に記載のめっき処理装置であって、
前記気体が非酸化性ガスを含むことを特徴とするめっき処理装置。
【請求項８】
芯材及び前記芯材に吸着した触媒を有する被めっき物を搬送しながら、前記被めっき物をめっき液に浸漬して前記被めっき物上にめっき層を形成するめっき処理方法であって、
前記被めっき物の廻りの前記めっき液を流動させ撹拌する際に、上流側における前記被めっき物の廻りを流動する前記めっき液の流速が、下流側における前記被めっき物の廻りを流動する前記めっき液の流速に対して相対的に小さいことを特徴とするめっき処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、めっき処理装置及びめっき処理方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
被めっき物を搬送させながら、めっき液中に非酸化性ガスをバブリングさせて被めっき物のめっきを行うめっき処理装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００５−８２８４７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
芯材及び当該芯材に吸着した触媒を有する被めっき物を上記めっき処理装置によりめっき処理すると、ガスのバブリングにより大きい流速で流動するめっき液に触媒が曝されるため、めっき層が析出する前に当該触媒が脱落するおそれがある、という問題がある。
【０００５】
本発明が解決しようとする課題は、芯材からの触媒の脱落の抑制を図るめっき処理装置及びめっき処理方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
［１］本発明に係るめっき処理装置は、芯材及び前記芯材に吸着した触媒を有する被めっき物を搬送しながら、前記被めっき物をめっき液に浸漬して前記被めっき物上にめっき層を形成するものであり、前記被めっき物を上流側から下流側へ搬送する搬送手段と、前記めっき液を収容するめっき槽と、前記めっき液を流動させる撹拌手段と、を備え、前記撹拌手段は、上流側における前記被めっき物の廻りの前記めっき液の流速が、下流側における前記被めっき物の廻りの前記めっき液の流速に対して相対的に小さくなるように、前記めっき液を流動させることを特徴とする。
【０００７】
［２］本発明に係るめっき処理装置は、芯材及び前記芯材に吸着した触媒を有する被めっき物を搬送しながら、前記被めっき物をめっき液に浸漬して前記被めっき物上にめっき層を形成するものであり、前記被めっき物を上流側から下流側へ搬送する搬送手段と、前記めっき液を収容するめっき槽と、上流側から下流側に亘って複数配置され、前記めっき液内に気体を吹き出す気体吹出口と、を備え、正面断面視において、上流側での前記被めっき物と前記気体吹出口との距離が、下流側での前記被めっき物と前記気体吹出口との距離に対して相対的に大きいことを特徴とする。
【０００８】
［３］本発明に係るめっき処理装置は、芯材及び前記芯材に吸着した触媒を有する被めっき物を搬送しながら、前記被めっき物をめっき液に浸漬して前記被めっき物上にめっき層を形成するものであり、前記被めっき物を上流側から下流側へ搬送する搬送手段と、前記めっき液を収容するめっき槽と、上流側から下流側に亘って複数配置され、前記めっき液内に気体を吹き出す気体吹出口と、を備え、上流側における前記被めっき物に対する前記気体吹出口の開口角度は、下流側における前記被めっき物に対する前記気体吹出口の開口角度に対して相対的に大きいことを特徴とする。
【０００９】
［４］上記発明において、上流側から下流側に亘って前記めっき液に浸漬するよう前記めっき槽内に設けられた配管をさらに備え、前記気体吹出口は、前記配管に形成されていてもよい。
【００１０】
［５］上記発明において、正面断面視において、上流側での前記被めっき物と前記配管との距離が、下流側での前記被めっき物と前記配管との距離よりも大きくてもよい。
【００１１】
［６］上記発明において、前記配管は、一部が湾曲する湾曲部を有し、前記湾曲部よりも上流側での前記被めっき物と前記配管との距離が、前記湾曲部よりも下流側での前記被めっき物と前記配管との距離に対して相対的に大きくてもよい。
【００１２】
［７］上記発明において、前記気体が非酸化性ガスを含んでいてもよい。
【００１３】
［８］本発明に係るめっき処理方法は、芯材及び前記芯材に吸着した触媒を有する被めっき物を搬送しながら、前記被めっき物をめっき液に浸漬して前記被めっき物上にめっき層を形成するめっき処理方法であって、前記被めっき物の廻りの前記めっき液を流動させ撹拌する際に、上流側における前記被めっき物の廻りを流動する前記めっき液の流速が、下流側における前記被めっき物の廻りを流動する前記めっき液の流速に対して相対的に小さいことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、めっき槽の上流側において、被めっき物廻りのめっき液の流速を小さくすることで、芯材からの触媒の脱落の抑制が図られる。さらに、これに加えて、めっき槽の下流側において、被めっき物廻りのめっき液の流速を大きくすることで、めっき層の析出レートの向上が図られる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】図１は、本発明の第１実施形態におけるめっき処理装置の全体構成を示す概略側面図である。
【図２】図２は、本発明の第１実施形態における光ファイバを示す図であり、図２（ａ）は、図１のIIa−IIa線に沿った断面図であり、図２（ｂ）は、図１のIIb−IIb線に沿った断面図であり、図２（ｃ）は、図１のIIc−IIc線に沿った断面図である。
【図３】図３は、本発明の第１実施形態におけるめっき形成部の構成を示す概略断面図である。
【図４】図４は、本発明の第１実施形態におけるめっき槽の構成を示す概略平面図である。
【図５】図５は、本発明の第１実施形態におけるめっき槽の構成を示す正面断面図であり、図５（ａ）は、図４のVa−Va線に沿った図であり、図５（ｂ）は、図４のVb−Vb線に沿った図である。
【図６】図６は、本発明の第１実施形態におけるめっき槽の変形例を示す図であり、図６（ａ）は、めっき槽の第１変形例を示す側面断面図であり、図６（ｂ）は、めっき槽の第２変形例を示す概略平面図であり、図６（ｃ）は、めっき槽の第３変形例を示す側面断面図である。
【図７】図７は、本発明の第２実施形態におけるめっき槽の構成を示す概略平面図である。
【図８】図８（ａ）及び図８（ｂ）は、本発明の第２実施形態におけるガス配管の周壁部展開図である。
【図９】図９は、本発明の第２実施形態におけるめっき槽の構成を示す正面断面図であり、図９（ａ）は、図７のIXa−IXa線に沿った図であり、図９（ｂ）は、図７のIXb−IXb線に沿った図であり、図９（ｃ）は、図７のIXc−IXc線に沿った図である。
【図１０】図１０は、本発明の第３実施形態におけるめっき槽の構成を示す概略平面図である。
【図１１】図１１は、本発明の第３実施形態におけるガス配管の周壁部展開図である。
【図１２】図１２は、本発明の第３実施形態におけるめっき槽の構成を示す正面断面図であり、図１２（ａ）は、図１０のXIIa−XIIa線に沿った図であり、図１２（ｂ）は、図１０のXIIb−XIIb線に沿った図であり、図１２（ｃ）は、図１０のXIIc−XIIc線に沿った図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
【００１７】
≪第１実施形態≫
図１は本発明の第１実施形態におけるめっき処理装置の全体構成を示す概略側面図である。
【００１８】
本実施形態のめっき処理装置１は、図１に示すように、搬送される光ファイバＯＦに対して連続的に無電解めっき層ＰＬを形成する装置である。以下の説明では、まず、光ファイバＯＦについて、図２（ａ）〜図２（ｃ）を参照しながら詳細に説明する。次いで、めっき処理装置１について詳細に説明する。
【００１９】
図２は本発明の第１実施形態における光ファイバを示す図であり、図２（ａ）は図１のIIa−IIa線に沿った断面図、図２（ｂ）は図１のIIb−IIb線に沿った断面図、図２（ｃ）は図１のIIc−IIc線に沿った断面図である。
【００２０】
光ファイバＯＦは、断面が略真円形とされ、図２（ａ）に示すように、コアＯＦ１と、クラッド層ＯＦ２と、被覆層ＯＦ３と、を備えている。本実施形態のめっき処理装置１は、上述のような１層のクラッド層ＯＦ２を備えるシングルクラッド構造を有する光ファイバに対して表面処理を行っているが、２層のクラッド層を有するダブルクラッド構造を有する光ファイバにも適用するこができる。また、本実施形態の光ファイバＯＦは、シングルモード型光ファイバであってもよいし、シングルモード型光ファイバに比べてコア径の大きいマルチモード型光ファイバであってもよい。本実施形態における「光ファイバＯＦ」が本発明における「芯材」の一例に相当する。
【００２１】
コアＯＦ１は、光ファイバＯＦの延在方向に垂直な断面において、当該光ファイバＯＦの略中心に位置している。このコアＯＦ１を構成する材料としては、高い透過率を有する材料とされ、特に限定しないが、たとえば、石英系ガラスに屈折率を高くするゲルマニウム（Ｇｅ）や励起光により励起状態とされる活性元素等が添加されたものを例示することができる。活性元素としては、希土類元素を例示することができ、希土類元素の具体例としては、エルビウム（Ｅｒ）、ツリウム（Ｔｍ）、イットリウム（Ｙ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、ホルミウム（Ｈｏ）、サマリウム（Ｓｍ）、プラセオジム（Ｐｒ）、ネオジム（Ｎｄ）等を例示することができる。
【００２２】
クラッド層ＯＦ２は、コアＯＦ１に積層されており、当該コアＯＦ１の外周を隙間なく包囲している。このクラッド層ＯＦ２を構成する材料のとしては、コアＯＦ１と同様、高い透過率を有している。また、クラッド層ＯＦ２を構成する材料の屈折率（ｎ２）は、コアＯＦ１を構成する材料の屈折率（ｎ１）に対して相対的に小さい値となっており（ｎ１＞ｎ２）、これにより、コアＯＦ１内を伝搬する光がクラッド層ＯＦ２で全反射するようになっている。このようなクラッド層ＯＦ２を構成する材料としては、特に限定しないが、たとえば、上述のコアＯＦ１を構成する材料と同様の材料や、何らドーパンドが添加されていない純粋石英等を例示することができる。
【００２３】
被覆層ＯＦ３は、クラッド層ＯＦ２に積層されており、当該クラッド層ＯＦ２の外周を包囲している。この被覆層ＯＦ３を構成する材料としては、耐熱性や化学的安定性に優れた材料が好ましく、特に限定しないが、たとえば、ポリイミド、シリコーン樹脂、及び、紫外線硬化樹脂等を例示することができる。なお、本実施形態の光ファイバＯＦは、１層の被覆層ＯＦ３を有しているが、２層以上の被覆層を複層させてもよい。なお、本実施形態では、この被覆層ＯＦ３の外面を光ファイバＯＦの被処理面ＯＦ４と称する。
【００２４】
そして、本実施形態では、図２（ｂ）及び図２（ｃ）に示すように、この光ファイバＯＦの被処理面ＯＦ４に触媒Ｃと、無電解めっき層ＰＬと、が順に形成されている。本実施形態では、被処理面ＯＦ４に触媒Ｃが吸着した状態となっており、この触媒Ｃは、後述する無電解めっき層ＰＬが析出する際の被膜結晶の核となるものである。この触媒Ｃが被処理面ＯＦ４に部分的に点在していることで、めっき処理を行うに当たり、反応起点数を増加させ、めっき処理を加速させる。このような触媒Ｃを構成する材料としては、特に限定しないが、たとえば、パラジウム（Ｐｄ）、パラジウム及び錫（Ｓｎ）からなる触媒金属を例示することができる。なお、触媒Ｃを被覆層ＯＦ３上に吸着させる方法については、後に詳細に説明する。本実施形態における「触媒Ｃ」が本発明における「触媒」の一例に相当し、本実施形態における「被処理面ＯＦ４に触媒Ｃが吸着した状態となった光ファイバＯＦ」が本発明における「被めっき物」の一例に相当する。
【００２５】
無電解めっき層ＰＬは、被処理面ＯＦ４に点在する触媒Ｃを反応起点として、当該光ファイバＯＦの外周に積層するように形成されている。光ファイバＯＦの最外層に無電解めっき層ＰＬが形成されていることで、光ファイバＯＦの耐摩耗性及び耐熱性の向上が図られる。無電解めっき層ＰＬを構成する材料としては、特に限定しないが、たとえば、銅（Ｃｕ）やニッケル（Ｎｉ）等を主成分として金属材料を例示することができる。なお、無電解めっき層ＰＬを形成する方法については、後に詳細に説明する。本実施形態における「無電解めっき層ＰＬ」が本発明における「めっき層」の一例に相当する。
【００２６】
次に、本実施形態におけるめっき処理装置１について、図１を参照しながら詳細に説明する。
【００２７】
本実施形態におけるめっき処理装置１は、搬送装置１０と、表面処理部２０と、を備えている。搬送装置１０は、送出キャプスタン１１と、複数のガイドロール１２と、ダンサーロール１３と、巻取キャプスタン１４と、を有している。本実施形態における「搬送装置１０」が本発明における「搬送手段」の一例に相当する。
【００２８】
送出キャプスタン１１は、めっき処理装置１の上流側に設けられており、表面処理前の光ファイバＯＦがロール状に捲回された供給ドラム１１１を有している。この供給ドラム１１１を図中時計廻りに回転させることで、表面処理前の光ファイバＯＦが送出キャプスタン１１から表面処理部２０に連続的（無端状）に供給される。
【００２９】
ガイドロール１２は、その位置が固定されたものであり、光ファイバＯＦの搬送ライン上に複数設けられている。このガイドロール１２の外周に光ファイバＯＦを沿わせることで、当該光ファイバＯＦの搬送方向が変更される。なお、このガイドロール１２の半径は、光ファイバＯＦの曲率半径よりも大きい値を有している。これにより、曲げ等により光ファイバＯＦにクラック等が生じるのを抑制している。
【００３０】
ダンサーロール１３は、搬送される光ファイバＯＦの張力の調整及び当該光ファイバＯＦの張力の安定化を図るためのものであり、表面処理部２０の上流側に設けられている。このダンサーロール１３には、軸１３ａを中心として図中反時計回りに回転しようとする回転トルクが印加されており、この回転トルクと搬送される光ファイバＯＦの張力とが釣り合っている。つまり、送出キャプスタン１１から送出される際の摩擦抵抗値や光ファイバＯＦの直径の大小等に起因して当該光ファイバＯＦに印加される張力が変動するが、この張力の変動に対応してダンサーロール１３に印加される回転トルクを制御することで、当該光ファイバＯＦの張力の調整及び光ファイバＯＦの張力の安定化が図られる。なお、本実施形態では、ダンサーロール１３を表面処理部２０の上流側に配置しているが、特に上述に限定されず、表面処理部２０の下流側に配置してもよい。
【００３１】
巻取キャプスタン１４は、表面処理部２０の下流側に設けられており、表面処理後の光ファイバＯＦがロール状に巻き取る回収ドラム１４１を有している。この回収ドラム１４１を図中時計廻りに回転させることで、表面処理後の光ファイバＯＦが巻取キャプスタン１４に連続的（無端状）に回収される。なお、この巻取キャプスタン１４の回転速度と上述の送出キャプスタン１１の回転速度とは、実質的に一致しており、搬送中に光ファイバＯＦが伸線されるのを抑制している。因みに、本明細書中において、「上流側」と「下流側」とは、光ファイバＯＦの搬送方向を基準とする。
【００３２】
表面処理部２０は、脱脂洗浄部３０と、表面調整部４０と、触媒部５０と、無電解めっき部６０と、乾燥部７０と、を備えている。
【００３３】
脱脂洗浄部３０では、光ファイバＯＦの被処理面に不純物（たとえば、汚染物、油脂分、指紋など）が付着しているので、これを洗浄する。この脱脂洗浄部３０は、脱脂槽３１と、第１の水洗槽３２と、を有している。脱脂槽３１は、たとえば、長方形状とされた槽であり、アルカリ性の脱脂水溶液が収容されている。また、脱脂槽３１には、光ファイバＯＦの搬送方向に沿って上流側及び下流側のそれぞれに搬送口（不図示）が設けられている。この搬送口を通じて脱脂槽３１内に搬送された光ファイバＯＦが脱脂水溶液に浸漬され、当該光ファイバＯＦに付着した不純物が化学的に除去される。第１の水洗槽３２は、たとえば、長方形状とされた槽であり、脱脂槽３１と同様、光ファイバＯＦの搬送方向に沿って上流側及び下流側のそれぞれに搬送口（不図示）が設けられている。この第１の水洗槽３２の内部には、水が収容されているか、又は水洗用のシャワーが配置されている。この第１の水洗槽３２内を光ファイバＯＦが通過することで、脱脂槽３１において光ファイバＯＦに付着した脱脂水溶液の余剰分を水によって洗い流す。
【００３４】
表面調整部４０は、界面活性化槽４１と、第２の水洗槽４２と、を有している。界面活性化槽４１は、たとえば、長方形状とされた槽であり、水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）、水酸化リチウム（ＬｉＯＨ）、水酸化カリウム（ＫＯＨ）等の界面活性剤を含むアルカリ性水溶液が収容されている。また、界面活性化槽４１には、脱脂槽３１と同様、光ファイバＯＦの搬送方向に沿って上流側及び下流側のそれぞれに搬送口（不図示）が設けられており、この搬送口を通じて界面活性化槽４１内に搬送された光ファイバＯＦがアルカリ性水溶液に浸漬され、被処理面ＯＦ４が親水性を有するように改質される。具体的には、界面活性剤によって、光ファイバＯＦの被処理面ＯＦ４において、親水性が付与された部分の電荷状態が調整される。無電解めっき処理用の触媒Ｃとして用いられるパラジウムは、水溶液中において正イオン（カチオン）として存在するため、界面活性剤によって被処理面ＯＦ４をマイナスに帯電させておく。これにより、被処理面ＯＦ４への触媒Ｃの吸着を促進させることができる。第２の水洗槽４２では、界面活性化槽４１において光ファイバに付着したアルカリ性水溶液の余剰分を水によって洗い流す。なお、第２の水洗槽４２は、第１の水洗槽３２と同様の構成を有しているため、説明は省略する。
【００３５】
触媒部５０は、触媒吸着槽５１と、第３の水洗槽５２と、触媒活性化槽５３と、第４の水洗槽５４と、を有している。触媒吸着槽５１は、たとえば、長方形状とされた槽であり、上述の脱脂槽３１と同様、光ファイバＯＦの搬送方向に沿って上流側及び下流側のそれぞれに搬送口（不図示）が設けられている。この触媒吸着槽５１には、触媒Ｃを含む触媒付与溶液が収容されている。搬送口を通じて触媒吸着槽５１内に搬送された光ファイバＯＦが触媒付与溶液に浸漬されることで、被処理面ＯＦ４に触媒付与溶液が付着する。この触媒付与溶液の具体例としては、塩化パラジウム（ＰｄＣｌ２）、塩化錫（ＳｎＣｌ４）、及び、塩酸（ＨＣｌ）を混合して得られるパラジウム／錫の混合コロイド触媒付与溶液を例示することができる。第３の水洗槽５２では、光ファイバＯＦに付着した触媒付与溶液の余剰分を水によって洗い流す。なお、第３の水洗槽５２は、第１の水洗槽３２と同様の構成を有しているため、説明は省略する。
【００３６】
触媒活性化槽５３は、たとえば、長方形状とされた槽であり、上述の脱脂槽３１と同様、光ファイバＯＦの搬送方向に沿って上流側及び下流側のそれぞれに搬送口（不図示）が設けられている。この触媒活性化槽５３には、還元剤を含む還元剤水溶液が収容されている。搬送口を通じて触媒活性化槽５３内に触媒付与溶液が被処理面に付着した状態の光ファイバＯＦを搬送して、還元剤水溶液に浸漬することで、被処理面ＯＦ４に吸着していたパラジウムを還元し、パラジウム金属として析出させる。具体的には、光ファイバＯＦを還元剤水溶液に浸漬することで、被処理面ＯＦ４に吸着したパラジウム／錫混合コロイド触媒粒子の表面に存在する錫が溶出して、パラジウム金属が当該光ファイバＯＦに吸着した状態となる。なお、還元剤の具体例としては、希硫酸（Ｈ２ＳＯ４）水溶液や次亜リン酸（Ｈ３ＰＯ３）水溶液等を例示することができる。第４の水洗槽５４では、光ファイバＯＦに付着した還元溶液の余剰分を水によって洗い流す。なお、第４の水洗槽５４は、第１の水洗槽３２と同様の構成を有しているため、説明は省略する。
【００３７】
このように、触媒部５０では、パラジウムリッチとなった触媒金属を光ファイバＯＦに吸着させることで、被処理面ＯＦ４の活性を向上させており、これにより、後述する無電解めっき部６０において、不導体材料で構成される光ファイバＯＦの被処理面ＯＦ４に無電解めっき処理が可能となる。
【００３８】
そして、被処理面ＯＦ４に触媒Ｃが吸着した光ファイバＯＦを本実施形態の無電解めっき部６０に通過させることで、無電解めっき処理により当該光ファイバＯＦに無電解めっき層ＰＬを形成する。無電解めっき部６０は、無電解めっき形成部６１と、第５の水洗槽６７と、を有している。なお、無電解めっき形成部６１については、後に詳細に説明する。第５の水洗槽６７では、無電解めっき形成部６１において光ファイバＯＦに付着した無電解めっき溶液ＰＢ（後述）の余剰分を洗い流す。なお、第５の水洗槽６７は、第１の水洗槽３２と同様の構成を有しているため、説明は省略する。乾燥部７０では、第５の水洗槽６７において光ファイバＯＦに付着した水分を乾燥させるため、たとえば、エアナイフ等により乾燥空気を光ファイバＯＦに吹き付ける。なお、乾燥部７０を通過した光ファイバＯＦは、図１に示すように、ガイドロール１２を介して上述した回収ドラム１４１に巻き取られる。
【００３９】
次に、本実施形態の無電解めっき形成部６１について、図３及び図４を参照しながら詳細に説明する。
【００４０】
図３は本発明の第１実施形態におけるめっき形成部の構成を示す概略図断面図、図４は本発明の第１実施形態におけるめっき槽の構成を示す概略平面図である。
【００４１】
本実施形態の無電解めっき形成部６１では、無電解めっき処理によって光ファイバＯＦに無電解めっき層ＰＬを形成する。この無電解めっき形成部６１は、図３に示すように、めっき槽６２と、バッファ槽６３、管理槽６４と、排出ポンプ６５と、供給ポンプ６６と、を備えている。めっき槽６２は、入口６２１と、出口６２２と、ガス配管６２３と、ガス供給口６２４と、めっき液供給口６２６と、を有している。本実施形態における「めっき槽６２」が本発明における「めっき槽」の一例に相当する。
【００４２】
めっき槽６２は、図３に示すように、長方形状とされ、上方が開放しており、内部に無電解めっき液ＰＢが収容可能となっている。このめっき槽６２の上流壁面には、入口６２１が形成されている。この入口６２１は、略真円形状とされ、めっき槽６２の壁面をＸ方向に沿って貫通している。また、めっき槽６２の下流壁面には、出口６２２が形成されている。この出口６２２は、略真円形状とされ、めっき槽６２の壁面をＸ方向に沿って貫通している。本実施形態では、めっき槽６２の長手方向（光ファイバＯＦの搬送方向）の中心軸に沿って光ファイバＯＦが搬送されており、入口６２１及び出口６２２は、当該光ファイバＯＦがこれらの中心を通る位置に設けられている。
【００４３】
本実施形態では、光ファイバＯＦを常に無電解めっき液ＰＢに浸漬した状態とするため、入口６２１及び出口６２２の上端部よりも高い位置に無電解めっき液ＰＢの液面が位置するようになっている。入口６２１及び出口６２２からは無電解めっき液ＰＢが流出するようになっており、バッファ槽６３が流れ出る無電解めっき液ＰＢを受け止めている。なお、この無電解めっき液ＰＢの具体例としては、硫酸銅（ＣｕＳＯ４）めっき液、硫酸ニッケル（ＮｉＳＯ４）めっき液、或いは、これらの混合液等に錯化剤、還元剤、ｐＨ調整剤、及び、安定剤等を添加したものを例示することができる。本実施形態における「無電解めっき液ＰＢ」が本発明における「めっき液」の一例に相当する。
【００４４】
上述のめっき槽６２では、無電解めっき液ＰＢ内にバブリングガスＧを気泡（バブル）Ｂとして噴出して、当該無電解めっき液ＰＢを流動させ撹拌できるようになっている（バブリング）。本実施形態では、めっき槽６２の内部の、たとえば、底面側に沿って、ガス配管６２３ａ，６２３ｂが設けられている。このガス配管６２３ａ，６２３ｂは、管状の部材とされ、図３及び図４に示すように、めっき槽６２の上流側から下流側に亘って設けられ、一方の端部でガス供給口６２４ａ，６２４ｂを介してガス供給源ＧＳに接続されている。このガス供給源ＧＳよりガス配管６２３ａ，６２３ｂにバブリングガスＧが供給される。本実施形態では、平面視において、ガス配管６２３ａとガス配管６２３ｂとの間の間隔が、上流側から下流側に向かうに従い、漸減するように設けられている。なお、以下の説明において、ガス配管６２３は、ガス配管６２３ａ，６２３ｂの総称であり、ガス供給口６２４は、ガス供給口６２４ａ，６２４ｂの総称である。
【００４５】
バブリングガスＧとしては、特に限定しないが、たとえば、窒素（Ｎ２）等の非酸化性ガスや非酸化性ガスと空気の混合ガス等を例示することができる。本実施形態における「ガス配管６２３」が本発明における「撹拌手段」及び「配管」の一例に相当し、本実施形態における「バブリングガスＧ」が本発明における「気体」の一例に相当する。
【００４６】
このガス配管６２３ａ，６２３ｂのそれぞれには、図３及び図４に示すように、当該ガス配管６２３ａ，６２３ｂの延在方向に沿って、上方に向かって開口する複数のガス吹出口６２５が形成されている。このガス吹出口６２５は、それぞれのガス配管６２３ａ，６２３ｂ毎に１５箇所（合計して３０箇所）形成されている。また、隣り合うガス吹出口６２５同士の間隔（中心間距離）は、実質的に等間隔となっている。
【００４７】
それぞれのガス吹出口６２５は、実質的に同一の形状を有しており、このガス吹出口６２５からは、上述のように、バブリングガスＧが気泡Ｂとして噴出される。このようなガス吹出口６２５の１箇所当たりの面積（開口面積）は、吹き出すバブリングガスＧの気泡Ｂの大きさに応じて設定される。めっき液供給口６２６は、めっき槽６２の底面に設けられており、管理槽６４と接続されている。本実施形態における「ガス吹出口６２５」が本発明における「気体吹出口」の一例に相当する。
【００４８】
バッファ槽６３は、図３に示すように、めっき槽６２の下側に設けられており、当該めっき槽６２（具体的には、入口６２１及び出口６２２）から流れ出る無電解めっき液ＰＢを受け止めて、管理槽６４に誘導している。このバッファ槽６３は、めっき液排出口６３１と、めっき液供給口６３２と、を有している。めっき液排出口６３１は、排出ポンプ６５を介して管理槽６４と接続されており、めっき槽６２から流れ出た無電解めっき液ＰＢを当該管理槽６４に送り出している。めっき液供給口６３２は、上述のめっき液供給口６２６に対応して形成されており、供給ポンプ６６を介して管理槽６４と接続されている。
【００４９】
管理槽６４は、図３に示すように、収容する無電解めっき液ＰＢの温度、溶存酸素濃度（以下、単に「ＤＯ濃度」とも称する）、及び金属イオン濃度を制御するための槽であり、加熱ユニット６４１と、温度計６４２（以下、単に「ＴＧ６４２」とも称する）と、溶存酸素濃度計６４３（以下、単に「ＤＯＧ６４３」とも称する）と、を備えている。
【００５０】
この管理槽６４では、ＴＧ６４２から出力される無電解めっき液ＰＢの液温に基づいて、加熱ユニット６４１により無電解めっき液ＰＢの温度調整が行われる。また、この管理槽６４では、ＴＧ６４２から出力される無電解めっき液ＰＢの液温及びＤＯＧ６４３から出力される無電解めっき液ＰＢのＤＯ濃度に基づいて、めっき液供給源ＰＢＳから新た無電解めっき液ＰＢが供給され、無電解めっき液ＰＢの温度やＤＯ濃度の調整が行われる。また、めっき槽６２において無電解めっき処理が進行することで、無電解めっき液ＰＢ中の金属イオン濃度が低下するが、この場合は、管理槽６４に新たに無電解めっき液ＰＢが供給されることで、当該無電解めっき液ＰＢ中の金属イオン濃度の調整が行われる。
【００５１】
加熱ユニット６４１は、加熱回路６４１ａと、ヒータ６４１ｂと、を有している。加熱回路６４１ａは、ヒータ６４１ｂに電流を供給するための回路である。ヒータ６４１ｂは、管理槽６４内に収容されており、加熱回路６４１ａから電流が供給されることで発熱し、無電解めっき液ＰＢを所定温度に加熱することができる。なお、このヒータ６４１ｂは、管理槽６４の外側に配置されていてもよい。ＴＧ６４２は、管理槽６４に収容された無電解めっき液ＰＢの温度を測定している。ＤＯＧ６４３は、管理槽６４に収容された無電解めっき液ＰＢのＤＯ濃度を測定している。
【００５２】
排出ポンプ６５は、一次側ではバッファ槽６３と接続され、二次側では管理槽６４と接続されている。この排出ポンプ６５は、バッファ槽６３で受け止めた無電解めっき液ＰＢを管理槽６４に送り出している。供給ポンプ６６は、一次側では管理槽６４と接続され、二次側ではめっき槽６２と接続されている。この供給ポンプ６６は、管理槽６４において、水温及びＤＯ濃度の調整が行われた無電解めっき液ＰＢをめっき槽６２に送り出している。この供給ポンプ６６は、入口６２１及び出口６２２の上端部（少なくとも光ファイバＯＦの上端）よりも高い位置に無電解めっき液ＰＢの液面を維持できる吐出圧により無電解めっき液ＰＢを吐出している。
【００５３】
次に、本実施形態におけるめっき処理装置１によるめっき処理方法について、図５（ａ）及び図５（ｂ）を参照しながら説明する。
【００５４】
図５は本発明の第１実施形態におけるめっき槽の構成を示す正面断面図であり、図５（ａ）は図４のVa−Va線に沿った図、図５（ｂ）は図４のVb−Vb線に沿った図である。
【００５５】
本実施形態では、触媒部５０において、光ファイバＯＦの被処理面ＯＦ４に触媒Ｃを吸着させた後、当該光ファイバＯＦを無電解めっき部６０の無電解めっき形成部６１に搬送する。無電解めっき形成部６１では、無電解めっき液ＰＢに光ファイバＯＦを浸漬して、無電解めっき処理を行う。
【００５６】
ここで、本実施形態では、無電解めっき処理を行うに当たり、バブリングガスＧを無電解めっき液ＰＢ中に噴出することで、当該無電解めっき液ＰＢ中のＤＯ濃度を低下させている。無電解めっき液ＰＢ中の溶存酸素は、当該無電解めっき液ＰＢに浸漬された触媒Ｃや遊離電子と優先的に反応する。このため、たとえば、溶存酸素の還元反応により触媒Ｃが酸化し消費され、無電解めっき層ＰＬの析出レートが低下するおそれがある。特に、本実施形態の光ファイバＯＦは、被めっき面積が小さいことから、無電解めっき液ＰＢ中の溶存酸素の影響が顕著となり易い。このような場合に、バブリングガスＧを気泡Ｂとして無電解めっき液ＰＢ内に吹き付け、当該無電解めっき液ＰＢを流動させ撹拌することで、無電解めっき液ＰＢ中のＤＯ濃度を低下させ、無電解めっき層ＰＬの析出レートが低下するのを抑制している。
【００５７】
しかしながら、従来では、めっき槽の上流側において、光ファイバが大きい流速で流動する無電解めっき液に曝されるため、光ファイバの被処理面に点在する触媒が脱落するおそれがあった。触媒が脱落した部分では、無電解めっき処理が開始されにくく、光ファイバの被処理面上に無めっき部が形成され、当該光ファイバの品質を低下させるおそれがある。
【００５８】
これに対し、本実施形態では、平面視において、めっき槽６２の底面に沿って設けられたガス配管６２３ａ，６２３ｂ間の間隔が、上流側から下流側に向かうに従い、漸減している。この場合、正面断面視においては、めっき槽６２の上流側での光ファイバＯＦとガス吹出口６２５との距離が、めっき槽６２の下流側での光ファイバＯＦとガス吹出口６２５との距離に対して相対的に大きくなっている。つまり、めっき槽６２の上流側においては、ガス吹出口６２５から吹き出す気泡Ｂにより付勢された無電解めっき液ＰＢは、図５（ａ）に示すように、搬送方向に対して交差する方向（本実施形態では、直交する方向）に流動している。この際、無電解めっき液ＰＢの流速は、光ファイバＯＦに至る前に、めっき槽６２内を流動する間に減速される。このため、光ファイバＯＦ廻りでは、比較的無電解めっき液ＰＢの流速が小さく、光ファイバＯＦの被処理面ＯＦ４に吸着した触媒Ｃの脱落が抑制される。
【００５９】
めっき槽６２の上流側では、触媒Ｃを反応起点として、光ファイバＯＦ上に無電解めっき層ＰＬを構成するめっき金属が析出する。そして、さらに無電解めっき処理が促進し、光ファイバＯＦを包囲するように無電解めっき層ＰＬが層状に形成される。これにより、無電解めっき層ＰＬが被処理面ＯＦ４に点在する触媒Ｃを覆うように形成されるため、触媒Ｃがより強固に当該被処理面ＯＦ４に担持される。このため、めっき槽６２の下流側では、光ファイバＯＦの被処理面ＯＦ４から触媒Ｃが脱落するおそれは低くなる。
【００６０】
従って、めっき槽６２の下流側では、ガス吹出口６２５と光ファイバＯＦとの距離を近づけ、当該光ファイバＯＦ廻りの無電解めっき液ＰＢを大きい流速で流動させ撹拌する。本実施形態では、平面視において、ガス配管６２３ａ，６２３ｂ間の間隔が上流側から下流側に向かうに従い漸減しており、正面断面視においては、図５（ｂ）に示すように、ガス配管６２３（ガス吹出口６２５）と光ファイバＯＦとの距離が小さくなる。これにより、光ファイバＯＦ廻りにおいて、無電解めっき液ＰＢが大きい流速で流動し撹拌される。この結果、無電解めっき液ＰＢ中のＤＯ濃度が低下し、無電解めっき層ＰＬの析出レートの向上が図られる。
【００６１】
また、光ファイバＯＦ廻りでは、触媒Ｃ近傍で還元剤が酸化し、無電解めっき液ＰＢ中の金属イオンが還元されることで、めっき金属が析出するが、これにより、光ファイバＯＦ周りにおいて、無電解めっき液ＰＢ中の金属イオンが消費され、当該金属イオンの濃度が低下した領域（以下、単に「拡散層」とも称する）が形成される。このような拡散層では、金属イオンが欠乏しており、無電解めっき層ＰＬの析出レートが低下するおそれがある。
【００６２】
これに対して、本実施形態では、正面断面視において、めっき槽６２の下流側でのガス吹出口６２５と光ファイバＯＦとの距離を近づけることで、光ファイバＯＦ廻りにおいて無電解めっき液ＰＢを大きい流速で流動させ撹拌する。これにより、金属イオン濃度の低い領域と金属イオン濃度の高い領域とが混合され、拡散層を薄膜化し、さらに、光ファイバＯＦ廻りに高い金属イオン濃度を有する無電解めっき液ＰＢが供給される。この結果、無電解めっき層ＰＬの析出レートの向上がさらに図られる。
【００６３】
本実施形態のめっき処理装置１及びめっき処理方法は、以下の効果を奏する。
【００６４】
本実施形態では、めっき槽６２の上流側において、光ファイバＯＦ廻りの無電解めっき液ＰＢの流速を小さくする。これにより、当該光ファイバＯＦからの触媒Ｃの脱落の抑制が図られる。
【００６５】
また、本実施形態では、めっき槽６２の下流側において、光ファイバＯＦ廻りのめっき液の流速を大きくする。これにより、無電解めっき層ＰＬの析出レートの向上が図られる。
【００６６】
なお、本実施形態におけるガス配管６２３は、めっき槽６２の底面に沿って設けられていたが、特に上述に限定されない。図６は本発明の第１実施形態におけるめっき槽の変形例を示す図であり、図６（ａ）はめっき槽の第１変形例を示す側面断面図、図６（ｂ）はめっき槽の第２変形例を示す概略平面図、図６（ｃ）はめっき槽の第３変形例を示す側面断面図である。
【００６７】
例えば、図６（ａ）に示すように、側面断面視において、２本のガス配管６２３Ｂが設けられており、当該ガス配管６２３Ｂと光ファイバＯＦと間の距離は、上流側から下流側に向かうに従い漸減するようになっている。この場合においても、めっき槽６２の上流側での光ファイバＯＦからの触媒Ｃの脱落が抑制されると共に、めっき槽６２の下流側での無電解めっき層ＰＬの析出レートの向上が図られる。なお、本実施形態では、２本のガス配管６２３Ｂは、相互に平行となるように配列されていてもよい。或いは、２本のガス配管６２３Ｂは、これらのガス配管６２３Ｂの間の間隔が、上流側から下流側に向かうに従い漸減するように配列されていてもよい。
【００６８】
また、図６（ｂ）及び図６（ｃ）に示すように、ガス配管６２３Ｃ、６２３Ｄは、その一部が湾曲する湾曲部ＢＤを有していてもよい。図６（ｂ）に示すガス配管６２３Ｃは、平面視において、その一部が湾曲する湾曲部ＢＤを有している。図６（ｃ）に示すガス配管６２３Ｄは、側面断面視において、その一部が湾曲する湾曲部ＢＤを有している。この湾曲部ＢＤよりも上流側では、光ファイバＯＦとガス配管６２３Ｃ、６２３Ｄとの距離が相対的に大きくなっており、湾曲部ＢＤよりも下流側では、光ファイバＯＦとガス配管６２３Ｃ，６２３Ｄとの距離が相対的に小さくなっている。
【００６９】
このような湾曲部ＢＤは、たとえば、めっき槽６２の上流側の端部から当該湾曲部ＢＤまでの距離（Ｌ１）と、湾曲部ＢＤからめっき槽６２の下流側の端部までの距離（Ｌ２）との比が、０．３：１４．７〜１：１４となる位置に形成されることが好ましい。或いは、湾曲部ＢＤは、光ファイバＯＦが無電解めっき液ＰＢへの浸漬開始から２０秒〜１分に亘り浸漬される条件に相当する位置に形成されることが好ましい。湾曲部ＢＤの位置を上述の範囲とすることで、めっき槽６２の上流側では光ファイバＯＦの被処理面ＯＦ４に吸着する触媒Ｃの脱落を抑制すると共に、めっき槽６２の下流側では当該光ファイバＯＦに形成する無電解めっき層ＰＬの析出レートの向上が図られる。本実施形態における「湾曲部ＢＤ」が本発明における「湾曲部」の一例に相当する。
【００７０】
≪第２実施形態≫
図７は本発明の第２実施形態におけるめっき槽の構成を示す概略平面図、図８（ａ）及び図８（ｂ）は本発明の第２実施形態におけるガス配管の周壁部展開図、図９は本発明の第２実施形態におけるめっき槽の構成を示す正面断面図であり、図９（ａ）は図７のIXa−IXa線に沿った図、図９（ｂ）は図７のIXb−IXb線に沿った図、図９（ｃ）は図７のIXc−IXc線に沿った図である。
【００７１】
本実施形態のめっき処理装置１Ｂでは、めっき槽６２に設けられたガス配管６２３Ｅが第１実施形態のガス配管６２３と相違しており、その他の構成は、第１実施形態と同様であるので、同一符号を付してその説明を省略する。
【００７２】
ガス配管６２３Ｅは、図７に示すように、２本のガス配管６２３Ｅａ、６２３Ｅｂから構成されている。このガス配管６２３Ｅａ、６２３Ｅｂは、めっき槽６２Ｂ内に底面側に沿って、相互に略平行となるように設けられている。このガス配管６２３Ｅａ、６２３Ｅｂは、めっき槽６２の上流側から下流側に亘って延在しており、一方の端部でガス供給口６２４ａ，６２４ｂを介してガス供給源ＧＳに接続されている。
【００７３】
このガス配管６２３Ｅａ，６２３Ｅｂのそれぞれには、当該ガス配管６２３Ｅａ，６２３Ｅｂの延在方向に沿って複数のガス吹出口６２５Ｂａ，６２５Ｂｂが形成されている。このガス吹出口６２５Ｂａ，６２５Ｂｂは、それぞれのガス配管６２３Ｅａ、６２３Ｅｂ毎に１５箇所（合計して３０箇所）形成されている。ガス吹出口６２５Ｂａ，６２５Ｂｂのそれぞれは、実質的に同一の形状（開口面積）を有している。また、最も上流側に配置されたガス吹出口６２５Ｂａ，６２５Ｂｂは、それぞれめっき槽６２の側面側に指向しており、最も下流側に配置されたガス吹出口６２５Ｂａ，６２５Ｂｂは、光ファイバＯＦ側に指向している。
【００７４】
これらのガス吹出口６２５Ｂａ、６２５Ｂｂは、それぞれのガス配管６２３Ｅａ，６２３Ｅｂの円周を所定数だけ等分割した角度分だけ位置をずらしながら、搬送方向に沿って実質的に等間隔に配置されている。具体的には、図８（ａ）及び図８（ｂ）に示すように、ガス配管６２３Ｅａでは、当該ガス配管６２３Ｅａの周壁部展開面において、軸芯ＣＬ１方向に対して右下がり傾斜線Ｌ１上にそれぞれのガス吹出口６２５Ｂａの中心が配置されている。また、ガス配管６２３Ｅｂでは、当該ガス配管６２３Ｅｂの周壁部展開面において、軸芯ＣＬ２方向に対して右上がり傾斜線Ｌ２上にそれぞれのガス吹出口６２５Ｂｂが配置されている。なお、以下の説明において、ガス配管６２３Ｅは、ガス配管６２３Ｅａ，６２３Ｅｂの総称である。また、ガス吹出口６２５Ｂは、ガス吹出口６２５Ｂａ、６２５Ｂｂの総称である。
【００７５】
本実施形態では、第１実施形態とは異なり、めっき槽６２内において、上流側から下流側に亘ってガス配管６２３Ｅと光ファイバとの間の距離は一定となっている。一方、ガス吹出口６２５Ｂａ，６２５Ｂｂ間の間隔は、上流側から下流側に向かうに従い漸減しており、これらのガス吹出口６２５Ｂａ，６２５Ｂｂは、徐々に光ファイバＯＦに指向する方向に偏向している。このように、図９（ａ）に示す位置におけるガス吹出口６２５Ｂａの指向する方向Ｄ１１と、ガス吹出口６２５Ｂａと光ファイバＯＦとを通る仮想直線ＩＬ１１と、の間の角度Ａ１１（以下、単に「開口角度Ａ１１」とも称する）は、図９（ｂ）に示す位置（図９（ａ）に示す位置よりも下流側の位置）におけるガス吹出口６２５Ｂａの指向する方向Ｄ１２と、ガス吹出口６２５Ｂａと光ファイバＯＦとを通る仮想直線ＩＬ１２と、の間の角度Ａ１２（以下、単に「開口角度Ａ１２」とも称する）に対して相対的に大きくなっている（Ａ１１＞Ａ１２）。また、開口角度Ａ１２は、図９（ｃ）に示す位置（図９（ｂ）に示す位置よりも下流側の位置）におけるガス吹出口６２５Ｂａの指向する方向Ｄ１３と、ガス吹出口６２５Ｂａと光ファイバＯＦとを通る仮想直線ＩＬ１３と、の間の角度Ａ１３（以下、単に「開口角度Ａ１３」とも称する）に対して相対的に大きくなっている（Ａ１２＞Ａ１３）。
【００７６】
なお、本実施形態では、図９（ａ）に示す開口角度Ａ２１は、開口角度Ａ１１と実質的に同一の角度となっており、図９（ｂ）に示す開口角度Ａ２２は、開口角度Ａ１２と実質的に同一の角度となっており、図９（ｃ）に示す開口角度Ａ２３は、開口角度Ａ１３と実質的に同一の角度となっている。
【００７７】
開口角度Ａが小さくなるに従い、ガス吹出口６２５Ｂは光ファイバＯＦに指向する方向に偏向するので、光ファイバＯＦ廻りでの無電解めっき液ＰＢの流速が大きくなる。つまり、めっき槽６２の上流側では、開口角度Ａを大きくし、光ファイバＯＦ廻りでの無電解めっき液ＰＢの流速を比較的小さくすることで、当該光ファイバＯＦの被処理面ＯＦ４から触媒Ｃが脱落するのを抑制している。また、めっき槽６２Ｂの下流側では、開口角度Ａを小さくし、光ファイバＯＦ廻りでの無電解めっき液ＰＢの流速を比較的大きくすることで、無電解めっき層ＰＬの析出レートの向上を図っている。なお、開口角度Ａは、開口角度Ａ１１〜開口角度Ａ１３、及び、開口角度Ａ２１〜開口角度Ａ２３の総称である。
【００７８】
本実施形態のめっき処理装置１及びめっき処理方法は、以下の効果を奏する。
【００７９】
本実施形態におけるめっき処理装置１Ｂについても、第１実施形態におけるめっき処理装置１と同様の作用効果を奏することができる。
【００８０】
また、従来では、未だ無電解めっき層が形成されておらず、光ファイバの被処理面に触媒が比較的弱い吸着力により担持されている状態で気泡を直接光ファイバに吹き付けることで、当該気泡が触媒と衝突して破裂し、衝撃により触媒が脱落するおそれがある。このように触媒が脱落した部分では、無電解めっき層が形成されにくく、光ファイバの被処理面上に無めっき部が形成され、当該光ファイバの品質を低下させるおそれがある。
【００８１】
これに対し、本実施形態では、めっき槽６２の上流側においては、ガス吹出口６２５Ｂを当該めっき槽６２の側面側に指向させており、当該ガス吹出口６２５Ｂから噴出する気泡Ｂが光ファイバＯＦと接触しないようになっている。これにより、上流側において、ガス吹出口６２５Ｂから噴出する気泡Ｂが光ファイバＯＦと衝突するのを抑制している。この結果、光ファイバＯＦから触媒Ｃが脱落するのをさらに抑制している。
【００８２】
≪第３実施形態≫
図１０は本発明の第３実施形態におけるめっき槽の構成を示す概略平面図、図１１は本発明の第３実施形態におけるガス配管の周壁部展開図、図１２は本発明の第３実施形態におけるめっき槽の構成を示す正面断面図であり、図１２（ａ）は図１０のXIIa−XIIa線に沿った図、図１２（ｂ）は図１０のXIIb−XIIb線に沿った図、図１２（ｃ）は図１０のXIIc−XIIc線に沿った図である。
【００８３】
本実施形態のめっき処理装置１Ｃでは、めっき槽６２に設けられたガス配管６２３Ｆ及びガス供給口６２４Ｂが第１実施形態のガス配管６２３及びガス供給口６２４と相違しており、その他の構成は、第１実施形態と同様であるので、同一符号を付してその説明を省略する。
【００８４】
ガス配管６２３Ｆは、図１０に示すように、めっき槽６２内に底面側に沿って、光ファイバＯＦの下方に設けられている。このガス配管６２３Ｆは、めっき槽６２の上流側から下流側に亘って延在しており、一方の端部でガス供給口６２４Ｂを介してガス供給源ＧＳに接続されている。
【００８５】
このガス配管６２３Ｆには、複数のガス吹出口６２５Ｃａ、６２５Ｃｂが形成されている。本実施形態では、一対のガス吹出口６２５Ｃａ、６２５Ｃｂがめっき槽６２の短手方向（搬送方向に対して垂直な方向）に沿って並んで形成され、この一対のガス吹出口６２５Ｃａ，６２５Ｃｂが当該ガス配管６２３Ｆの延在方向に沿って１５組（ガス吹出口６２５Ｃは、合計して３０箇所）設けられている。ガス吹出口６２５Ｃａ，６２５Ｃｂのそれぞれは、実質的に同一の形状（開口面積）を有している。
【００８６】
最も上流側に配置された一対のガス吹出口６２５Ｃａ、６２５Ｃｂは、それぞれめっき槽６２の側面側に指向している。また、最も下流側に配置された一対のガス吹出口６２５Ｃａ，６２５Ｃｂは、それぞれ光ファイバＯＦ側に指向している。また、一対のガス吹出口６２５Ｃａ、６２５Ｃｂのそれぞれは、ガス配管６２３Ｆの円周を所定数だけ等分割した角度分だけ位置をずらしながら、搬送方向に沿って実質的に等間隔に配置されている。具体的には、図１１に示すように、ガス吹出口６２５Ｃａは、ガス配管６２３Ｆの周壁部展開面において、軸芯ＣＬ３方向に対して右下がり傾斜線Ｌ３上にそれぞれの中心が配置されている。また、ガス吹出口６２５Ｃｂは、ガス配管６２３Ｆの周壁部展開面において、軸芯ＣＬ３方向に対して右上がり傾斜線Ｌ４上にそれぞれの中心が配置されている。なお、本明細書において、ガス吹出口６２５Ｃは、ガス吹出口６２５Ｃａ、６２５Ｃｂの総称である。
【００８７】
このように、本実施形態では、図１０（ａ）に示す位置におけるガス吹出口６２５Ｃａの指向する方向Ｄ１４と、ガス吹出口６２５Ｃａと光ファイバＯＦとを通る仮想直線ＩＬ１４と、の間の角度Ａ１４（以下、単に「開口角度Ａ１４」とも称する）は、図１０（ｂ）に示す位置（図１０（ａ）に示す位置よりも下流側の位置）におけるガス吹出口６２５Ｃａの指向する方向Ｄ１５と、ガス吹出口６２５Ｃａと光ファイバＯＦとを通る仮想直線ＩＬ１５と、の間の角度Ａ１５（以下、単に「開口角度Ａ１５」とも称する）に対して相対的に大きくなる（Ａ１４＞Ａ１５）。また、開口角度Ａ１５は、図１０（ｃ）に示す位置（図１０（ｂ）に示す位置よりも下流側の位置）におけるガス吹出口６２５Ｃａの指向する方向Ｄ１６と、ガス吹出口６２５Ｃａと光ファイバＯＦとを通る仮想直線ＩＬ１６と、の間の角度Ａ１６（以下、単に「開口角度Ａ１６」とも称する）に対して相対的に大きくなる（Ａ１５＞Ａ１６）。
【００８８】
なお、本実施形態では、図１０（ａ）に示す開口角度Ａ２４は、開口角度Ａ１４と実質的に同一の角度となっており、図１０（ｂ）に示す開口角度Ａ２５は、開口角度Ａ１５と実質的に同一の角度となっており、図１０（ｃ）に示す開口角度Ａ２６は、開口角度Ａ１６と実質的に同一の角度となっている。
【００８９】
開口角度Ａが小さくなるに従い、ガス吹出口６２５Ｃは、光ファイバＯＦに指向する方向に偏向するので、光ファイバＯＦ廻りでの無電解めっき液ＰＢの流速が大きくなる。つまり、めっき槽６２の上流側では、開口角度Ａを大きくし、光ファイバＯＦ廻りでの無電解めっき液ＰＢの流速を比較的小さくすることで、当該光ファイバＯＦの被処理面ＯＦ４から触媒Ｃが脱落するのを抑制している。また、めっき槽６２Ｂの下流側では、開口角度Ａを小さくし、光ファイバＯＦ廻りでの無電解めっき液ＰＢの流速を比較的大きくすることで、無電解めっき層ＰＬの析出レートの向上を図っている。
【００９０】
本実施形態のめっき処理装置１及びめっき処理方法は、以下の効果を奏する。
【００９１】
本実施形態におけるめっき処理装置１Ｃについても、第１実施形態におけるめっき処理装置１と同様の作用効果を奏することができる。
【００９２】
また、まだ無電解めっき層が形成されておらず、光ファイバの被処理面に触媒が比較的弱い吸着力により担持されている状態で、気泡を直接光ファイバに吹き付けると、当該気泡が触媒と衝突して破裂し、衝撃により触媒が脱落するおそれがある。このように触媒が脱落した部分では、無電解めっき層が形成されにくく、光ファイバの被処理面上に無めっき部が形成され、当該光ファイバの品質を低下させるおそれがある。
【００９３】
これに対し、本実施形態では、めっき槽６２の上流側においては、ガス吹出口６２５Ｃを当該めっき槽６２の側面側に指向させており、当該ガス吹出口６２５Ｃから噴出する気泡Ｂが光ファイバＯＦと接触しないようになっている。これにより、上流側において、ガス吹出口６２５Ｃから噴出する気泡Ｂが光ファイバＯＦと衝突するのを抑制している。この結果、光ファイバＯＦから触媒Ｃが脱落するのを抑制している。
【００９４】
なお、以上説明した実施形態は、本発明の理解を容易にするために記載されたものであって、本発明を限定するために記載されたものではない。したがって、上記の実施形態に開示された各要素は、本発明の技術的範囲に属するすべての設計変更や均等物をも含む趣旨である。
【符号の説明】
【００９５】
１・・・めっき処理装置
１０・・・搬送装置
１１・・・送出キャプスタン
１１１・・・供給ドラム
１２・・・ガイドロール
１３・・・ダンサーロール
１３ａ・・・軸
１４・・・巻取キャプスタン
１４１・・・回収ドラム
２０・・・表面処理部
３０・・・脱脂洗浄部
３１・・・脱脂槽
３２・・・第１の水洗槽
４０・・・表面調整部
４１・・・界面活性化槽
４２・・・第２の水洗槽
５０・・・触媒部
５１・・・触媒吸着槽
５２・・・第３の水洗槽
５３・・・触媒活性化槽
５４・・・第４の水洗槽
６０・・・無電解めっき部
６１・・・無電解めっき形成部
６２・・・無電解めっき槽
６２１・・・入口
６２２・・・出口
６２３，６２３Ｂ〜６２３Ｆ・・・ガス配管
ＢＤ・・・湾曲部
６２４，６２４Ｂ・・・ガス供給口
６２５，６２５Ｂ，６２５Ｃ・・・ガス吹出口
６２６・・・めっき液供給口
６３・・・バッファ槽
６３１・・・めっき液排出口
６３２・・・めっき液供給口
６４・・・管理槽
６４１・・・加熱ユニット
６４１ａ・・・加熱回路
６４１ｂ・・・ヒータ
６４２・・・温度計（ＴＧ）
６４３・・・溶存酸素濃度計（ＤＯＧ）
６５・・・排出ポンプ
６６・・・供給ポンプ
６７・・・第５の水洗槽
７０・・・乾燥部
ＯＦ・・・光ファイバ
ＯＦ１・・・コア
ＯＦ２・・・クラッド層
ＯＦ３・・・被覆層
ＯＦ４・・・被処理面
Ｃ・・・触媒
ＰＬ・・・無電解めっき層
ＰＢ・・・めっき液
ＰＢＳ・・・めっき液供給源
Ｇ・・・非酸化性ガス
Ｂ・・・気泡
ＧＳ・・・ガス供給源
ＩＬ１１〜ＩＬ１６，ＩＬ２１〜ＩＬ２６・・・仮想線
Ｄ１１〜Ｄ１６，Ｄ２１〜Ｄ２６・・・ガス吹出方向
Ａ１１〜Ａ１６，Ａ２１〜Ａ２６・・・開口角度
ＣＬ１〜ＣＬ３・・・軸芯
Ｌ１〜Ｌ４・・・傾斜線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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