(57)【要約】【課題】  アルカリ金属が基板へ到達することを抑制でき、耐久性等をはじめとする各種特性の低下を回避できる圧電素子を提供する。【解決手段】  基板１０上に形成される酸化ジルコニウム層５２と、酸化ジルコニウム層５２上に形成された第１電極６０と、第１電極６０上に形成され、カリウム（Ｋ）、ナトリウム（Ｎａ）及びニオブ（Ｎｂ）を含むＡＢＯ３型ペロブスカイト構造の複合酸化物からなる圧電体層７０と、圧電体層７０上に形成された第２電極８０と、を具備する圧電素子３００であって、酸化ジルコニウム層５２の第１電極６０側の界面ｆを跨ぐ領域Ｒｆにおいて、カリウム及びナトリウムの量の変化をみたとき、該界面ｆの第１電極６０側よりも該界面ｆの基板１０側の方が小さくなる。【選択図】  図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成される酸化ジルコニウム層と、
前記酸化ジルコニウム層上に形成された第１電極と、
前記第１電極上に形成され、カリウム（Ｋ）、ナトリウム（Ｎａ）及びニオブ（Ｎｂ）を含むＡＢＯ３型ペロブスカイト構造の複合酸化物からなる圧電体層と、
前記圧電体層上に形成された第２電極と、を具備する圧電素子であって、
前記酸化ジルコニウム層の前記第１電極側の界面を跨ぐ領域において、前記カリウム及び前記ナトリウムの量の変化をみたとき、前記界面の前記第１電極側よりも前記界面の前記基板側の方が小さくなること
を特徴とする圧電素子。
【請求項２】
前記ＡＢＯ３型ペロブスカイト構造の複合酸化物は、下記式（１）で表される組成であることを特徴とする請求項１に記載の圧電素子。
（ＫＸ，Ｎａ１−Ｘ）ＮｂＯ３  （０．１≦ｘ≦０．９）  ・・・  （１）
【請求項３】
前記カリウムの含有量が、前記ＡＢＯ３型ペロブスカイト構造のＡサイトを構成する金属元素の総量に対して３０モル％以上７０モル％以下であること
を特徴とする請求項１又は２に記載の圧電素子。
【請求項４】
前記界面を跨ぐ領域を二次イオン質量分析により測定したとき、
前記界面前記第１電極側の前記カリウム及び前記ナトリウムの検出強度よりも、前記基板側の前記カリウム及び前記ナトリウムの検出強度が小さくなること
を特徴とする請求項１〜３の何れか一項に記載の圧電素子。
【請求項５】
前記基板と前記第１電極との間に、密着層を具備すること
を特徴とする請求項１〜４の何れか一項に記載の圧電素子。
【請求項６】
前記密着層は、酸化チタン（ＴｉＯＸ）層、チタン（Ｔｉ）層、又は窒化シリコン（ＳｉＮ）層の何れかであること
を特徴とする請求項１〜５の何れか一項に記載の圧電素子。
【請求項７】
請求項１〜６の何れか一項に記載の圧電素子を具備すること
を特徴とする圧電素子応用デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、圧電素子及び圧電素子応用デバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
圧電素子は、一般に、電気機械変換特性を有する圧電体層と、圧電体層を挟持する２つの電極と、を有している。このような圧電素子を駆動源として用いたデバイス（圧電素子応用デバイス）の開発が、近年、盛んに行われている。圧電素子応用デバイスとしては、インクジェット式記録ヘッドに代表される液体噴射ヘッド、圧電ＭＥＭＳ素子に代表されるＭＥＭＳ要素、超音波センサー等に代表される超音波測定装置、更には、圧電アクチュエーター装置等がある。
【０００３】
例えば、液体噴射ヘッドに用いられる圧電素子の圧電体層の材料（圧電材料）として、ニオブ酸カリウムナトリウム（ＫＮＮ；（Ｋ，Ｎａ）ＮｂＯ３）が提案されている（特許文献１及び２参照）。特許文献１では、基板上に、Ｔｉからなる下部密着層と、下部電極と、ＫＮＮ圧電体層と、上部電極等を積層して圧電素子を構成している。特許文献２では、基板上に、弾性膜と、Ｔｉ等からなる密着層と、第１電極と、ＫＮＮ圧電体層と、第２電極と、等を積層して圧電素子を構成している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１４−６０２６７号公報（請求項１，［００２９］等）
【特許文献２】特開２０１４−６５３１７号公報（請求項１，［００１９］等）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１及び２のように、ＫやＮａを含む圧電材料を用いた場合、圧電体層の作製過程において、ＫやＮａが第１電極（下部電極）中に拡散することがある。仮に、アルカリ金属が第１電極及び密着層を通り越して基板に達すると、基板と反応を起こしてしまい、耐久性等の各種特性に悪影響が生じ得る。このような問題は、特許文献１及び２に限られず、アルカリ金属を含む圧電材料を用いた場合にも同様に存在する。また、このような問題は、液体噴射ヘッドに用いられる圧電素子に限られず、他の圧電素子応用デバイスに用いられる圧電素子にも同様に存在する。  
【０００６】
本発明は、このような事情に鑑み、アルカリ金属が基板に到達することを抑制でき、耐久性等の各種特性の低下を回避できる圧電素子及び圧電素子応用デバイスを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決する本発明の態様は、基板上に形成される酸化ジルコニウム層と、前記酸化ジルコニウム層上に形成された第１電極と、前記第１電極上に形成され、カリウム（Ｋ）、ナトリウム（Ｎａ）及びニオブ（Ｎｂ）を含むＡＢＯ３型ペロブスカイト構造の複合酸化物からなる圧電体層と、前記圧電体層上に形成された第２電極と、を具備する圧電素子であって、前記酸化ジルコニウム層の前記第１電極側の界面を跨ぐ領域において、前記カリウム及び前記ナトリウムの量の変化をみたとき、前記界面の前記第１電極側よりも前記界面の前記基板側の方が小さくなることを特徴とする圧電素子にある。
かかる態様において、酸化ジルコニウム層は、ＫやＮａのストッパー機能を果たしている。すなわち、圧電体層の作製過程でＫやＮａが第１電極中に拡散するとしても、基板に至る手前のジルコニウム層によってＫやＮａの拡散が抑制される。このため、アルカリ金属が基板に到達することを抑制できる。その結果、耐久性等の各種特性の低下を回避できる。
【０００８】
ここで、前記ＡＢＯ３型ペロブスカイト構造の複合酸化物は、下記式（１）で表される組成であることが好ましい。
（ＫＸ，Ｎａ１−Ｘ）ＮｂＯ３  （０．１≦ｘ≦０．９）  ・・・  （１）
上記式（１）で表される複合酸化物は、いわゆるＫＮＮ系の複合酸化物である。ＫＮＮ系の複合酸化物では、ＡＢＯ３型ペロブスカイト構造のＡサイトが、アルカリ金属の多くで占められている。本態様によれば、このようなＫＮＮ系の複合酸化物を用いた場合にも、アルカリ金属が基板に到達することを抑制できる。
【０００９】
また、前記カリウムの含有量が、前記ＡＢＯ３型ペロブスカイト構造のＡサイトを構成する金属元素の総量に対して３０モル％以上７０モル％以下であることが好ましい。尚、前記カリウムの含有量が、前記ＡＢＯ３型ペロブスカイト構造のＡサイトを構成する金属元素の総量に対して３５モル％以上５５モル％以下であることがより好ましい。これによれば、圧電特性に有利な組成を有する複合酸化物となる。この複合酸化物からなる圧電体層を具備することで、アルカリ金属が基板に到達することを抑制でき、しかも変位特性に有利な圧電素子となる。
【００１０】
また、前記界面を跨ぐ領域を二次イオン質量分析により測定したとき、前記第１電極側の前記カリウム及び前記ナトリウムの検出強度よりも、前記基板側の前記カリウム及び前記ナトリウムの検出強度が小さくなることが好ましい。これによれば、上記の測定の結果に基づき、本発明の要件を具備することを容易に判定できる。よって、アルカリ金属が基板に到達することを抑制できる圧電素子を容易に提供できる。  
【００１１】
また、前記基板と前記第１電極との間に、密着層を具備することが好ましい。これによれば、基板と第１電極との密着性が向上した圧電素子となる。また、圧電体層の作製過程でＫやＮａが第１電極を通り越し、密着層中に拡散するとしても、基板に至る手前のジルコニウム層によってＫやＮａの拡散が抑制される。このため、アルカリ金属が基板に到達することを抑制できる。
【００１２】
また、前記密着層は、酸化チタン（ＴｉＯＸ）層、チタン（Ｔｉ）層、又は窒化シリコン（ＳｉＮ）層の何れかであることが好ましい。酸化チタン（ＴｉＯＸ）層、チタン（Ｔｉ）層、又は窒化シリコン（ＳｉＮ）層は、何れも密着層として構成しやすい。ただ、何れの場合も、第１電極を通り越したＫやＮａが密着層中に拡散し得る。一方、これらのアルカリ金属の拡散は、基板に至る手前のジルコニウム層によって抑制される。よって、本態様によれば、これらの密着層を用いた場合にも、アルカリ金属が基板に到達することを抑制できる。
【００１３】
上記課題を解決する本発明の他の態様は、上記の何れか一つに記載の圧電素子を具備することを特徴とする圧電素子応用デバイスにある。かかる態様によれば、上記の圧電素子を具備するため、アルカリ金属が基板に到達することを抑制できる。その結果、第１電極と振動板との密着性が低下することを防止でき、また形状不良の発生も防止できる。従って、耐久性等の各種特性の低下を回避できる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】記録装置の概略構成を示す図。
【図２】記録ヘッドの概略構成を示す分解斜視図。
【図３】記録ヘッドの概略構成の平面図及び断面図。
【図４】記録ヘッドの概略構成の断面図及び拡大図。
【図５】記録ヘッドの製造例を説明する図。
【図６】記録ヘッドの製造例を説明する図。
【図７】実施例１及び比較例１でのＳＩＭＳ測定結果を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、図面を参照して本発明の実施形態を説明する。以下の説明は、本発明の一態様を示すものであって、本発明の範囲内で任意に変更可能である。各図において同じ符号を付したものは、同一の部材を示しており、適宜説明が省略されている。また、図２〜６において、Ｘ，Ｙ，Ｚは、互いに直交する３つの空間軸を表している。本明細書では、これらの軸に沿った方向をそれぞれＸ方向，Ｙ方向及びＺ方向として説明する。Ｚ方向は、板、層、及び膜の厚み方向あるいは積層方向を表す。Ｘ方向及びＹ方向は、板、層及び膜の面内方向を表す。
【００１６】
（実施形態１）
図１は、本発明の実施形態１に係る液体噴射装置の一例である、インクジェット式記録装置（記録装置）の概略構成を示している。  
【００１７】
インクジェット式記録装置Ｉにおいて、インクジェット式記録ヘッドユニット（ヘッドユニットＩＩ）が、カートリッジ２Ａ及び２Ｂに着脱可能に設けられている。カートリッジ２Ａ及び２Ｂは、インク供給手段を構成している。ヘッドユニットＩＩは、複数のインクジェット式記録ヘッド（記録ヘッド）を有しており、キャリッジ３に搭載されている。キャリッジ３は、装置本体４に取り付けられたキャリッジ軸５に、軸方向移動自在に設けられている。これらのヘッドユニットＩＩやキャリッジ３は、例えば、それぞれブラックインク組成物及びカラーインク組成物を吐出可能に構成されている。
【００１８】
駆動モーター６の駆動力は、図示しない複数の歯車及びタイミングベルト７を介し、キャリッジ３に伝達される。これにより、キャリッジ３が、キャリッジ軸５に沿って移動される。一方、装置本体４には、搬送手段としての搬送ローラー８が設けられている。搬送ローラー８により、紙等の記録媒体である記録シートＳが搬送される。尚、搬送手段は、搬送ローラーに限られず、ベルトやドラム等であってもよい。
【００１９】
上記のインクジェット式記録ヘッドには、アクチュエーターとして、圧電素子が用いられている。後に詳しく述べる圧電素子を用いることによって、インクジェット式記録装置Ｉの各種特性（耐久性やインク噴射特性等）の低下を回避できる。
【００２０】
次に、液体噴射ヘッドの一例である、インクジェット式記録ヘッドについて説明する。図２は、インクジェット式記録ヘッドの概略構成を示す分解斜視図である。図３（ａ）は、インクジェット式記録ヘッドの概略構成を示す平面図（圧電素子側から流路形成基板を見た平面図）である。図３（ｂ）は、図３（ａ）をＡ−Ａ′線に沿って切断したときの断面図である。
【００２１】
流路形成基板１０（以下、「基板１０」と称する）には、複数の隔壁１１が形成されている。隔壁１１によって、複数の圧力発生室１２が区画されている。すなわち、基板１０には、Ｘ方向（同じ色のインクを吐出するノズル開口２１が並設される方向）に沿って圧力発生室１２が並設されている。このような基板１０としては、例えば、シリコン単結晶基板を用いることができる。
【００２２】
基板１０のうち、圧力発生室１２のＹ方向の一端部側には、インク供給路１３と連通路１４とが形成されている。インク供給路１３は、圧力発生室１２の片側をＸ方向から絞ることで、その開口面積が小さくなるように構成されている。また、連通路１４は、Ｘ方向において圧力発生室１２と略同じ幅を有している。連通路１４の外側（＋Ｙ方向側）には、連通部１５が形成されている。連通部１５は、マニホールド１００の一部を構成する。マニホールド１００は、各圧力発生室１２の共通のインク室となる。このように、基板１０には、圧力発生室１２、インク供給路１３、連通路１４及び連通部１５からなる液体流路が形成されている。
【００２３】
基板１０の一方の面（−Ｚ方向側の面）上には、例えばＳＵＳ製のノズルプレート２０が接合されている。ノズルプレート２０には、Ｘ方向に沿ってノズル開口２１が並設されている。ノズル開口２１は、各圧力発生室１２に連通している。ノズルプレート２０は、接着剤や熱溶着フィルム等によって基板１０に接合することができる。
【００２４】
基板１０の他方の面（＋Ｚ方向側の面）上には、振動板５０が形成されている。振動板５０は、例えば、基板１０上に形成された弾性膜５１と、弾性膜５１上に形成された酸化ジルコニウム層５２と、により構成されている。弾性膜５１は、例えば二酸化シリコン（ＳｉＯ２）からなり、酸化ジルコニウム層５２は、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）からなる。弾性膜５１は、基板１０とは別部材でなくてもよい。基板１０の一部を薄く加工し、これを弾性膜として使用してもよい。
【００２５】
酸化ジルコニウム層５２上には、密着層５６を介して、第１電極６０と、圧電体層７０と、第２電極８０と、を含む圧電素子３００が形成されている。密着層５６は、例えば、酸化チタン（ＴｉＯＸ）層、チタン（Ｔｉ）層、又は窒化シリコン（ＳｉＮ）層等からなり、圧電体層７０と振動板５０との密着性を向上させる機能を有する。密着層５６は省略可能である。
【００２６】
本実施形態では、電気機械変換特性を有する圧電体層７０の変位によって、振動板５０及び第１電極６０が変位する。すなわち、本実施形態では、振動板５０及び第１電極６０が、実質的に振動板としての機能を有している。弾性膜５１及び酸化ジルコニウム層５２を省略して、第１電極６０のみが振動板として機能するようにしてもよい。基板１０上に第１電極６０を直接設ける場合には、第１電極６０にインクが接触しないように、第１電極６０を絶縁性の保護膜等で保護することが好ましい。
【００２７】
第１電極６０は、圧力発生室１２毎に切り分けられている、つまり、第１電極６０は、圧力発生室１２毎に独立する個別電極として構成されている。第１電極６０は、Ｘ方向において、圧力発生室１２の幅よりも狭い幅で形成されている。また、第１電極６０は、Ｙ方向において、圧力発生室１２よりも広い幅で形成されている。すなわち、Ｙ方向において、第１電極６０の両端部は、圧力発生室１２に対向する領域より外側まで形成されている。Ｙ方向において、第１電極６０の一端部側（連通路１４とは反対側）には、リード電極９０が接続されている。
【００２８】
圧電体層７０は、第１電極６０と第２電極８０との間に設けられている。圧電体層７０は、Ｘ方向において、第１電極６０の幅よりも広い幅で形成されている。また、圧電体層７０は、Ｙ方向において、圧力発生室１２のＹ方向の長さよりも広い幅で形成されている。Ｙ方向において、圧電体層７０のインク供給路１３側の端部（＋Ｙ方向側の端部）は、第１電極６０の端部よりも外側まで形成されている。つまり、第１電極６０の他方の端部（＋Ｙ方向側の端部）は、圧電体層７０によって覆われている。一方、圧電体層７０の一方の端部（−Ｙ方向側の端部）は、第１電極６０の一方の端部（−Ｙ方向側の端部）よりも内側にある。つまり、第１電極６０の一方の端部（−Ｙ方向側の端部）は、圧電体層７０によって覆われていない。
【００２９】
第２電極８０は、Ｘ方向に亘って、圧電体層７０、第１電極６０及び振動板５０上に連続して設けられている。つまり、第２電極８０は、複数の圧電体層７０に共通する共通電極として構成されている。第２電極８０ではなく、第１電極６０を共通電極としてもよい。
【００３０】
圧電素子３００が形成された基板１０上には、保護基板３０が接着剤３５により接合されている。保護基板３０は、マニホールド部３２を有している。マニホールド部３２により、マニホールド１００の少なくとも一部が構成されている。本実施形態に係るマニホールド部３２は、保護基板３０を厚さ方向（Ｚ方向）に貫通しており、更に圧力発生室１２の幅方向（Ｘ方向）に亘って形成されている。そして、マニホールド部３２は、上記のように、基板１０の連通部１５と連通している。これらの構成により、各圧力発生室１２の共通のインク室となるマニホールド１００が構成されている。
【００３１】
保護基板３０には、圧電素子３００を含む領域に、圧電素子保持部３１が形成されている。圧電素子保持部３１は、圧電素子３００の運動を阻害しない程度の空間を有している。この空間は、密封されていても密封されていなくてもよい。保護基板３０には、保護基板３０を厚さ方向（Ｚ方向）に貫通する貫通孔３３が設けられている。貫通孔３３内には、リード電極９０の端部が露出している。
【００３２】
保護基板３０上には、信号処理部として機能する駆動回路１２０が固定されている。駆動回路１２０は、例えば回路基板や半導体集積回路（ＩＣ）を用いることができる。駆動回路１２０及びリード電極９０は、接続配線１２１を介して電気的に接続されている。駆動回路１２０は、プリンターコントローラー２００に電気的に接続可能である。
【００３３】
保護基板３０上には、封止膜４１及び固定板４２からなるコンプライアンス基板４０が接合されている。固定板４２のマニホールド１００に対向する領域は、厚さ方向（Ｚ方向）に完全に除去された開口部４３となっている。マニホールド１００の一方の面（＋Ｚ方向側の面）は、可撓性を有する封止膜４１で封止されている。マニホールド１００の他方の面（−Ｚ方向側の面）には、上記のノズルプレート２０が位置している。
【００３４】
次に、圧電素子３００の詳細について、図４（ａ）〜（ｂ）を用いて説明する。図４（ａ）は、図３（ｂ）をＢ−Ｂ′線に沿って切断したときの圧電素子近傍の断面図であり、図４（ｂ）は、図４（ａ）の拡大図である。図４（ｂ）には、圧電体層７０由来のＫやＮａの挙動も模式的に示してある。
【００３５】
圧電素子３００は、酸化ジルコニウム層５２と、密着層５６と、第１電極６０と、圧電体層７０と、第２電極８０とを含む。酸化ジルコニウム層５２の厚さは、約２０ｎｍである。密着層５６の厚さは、約１０ｎｍである。第１電極の厚さは約０．２μｍである。圧電体層７０は、厚さが約３．０μｍ以下、好ましくは０．３μｍ以上２．０μｍ以下、より好ましくは０．５μｍ以上１．５μｍ以下の、いわゆる薄膜の圧電体である。第２電極８０の厚さは約０．０５μｍである。ここに挙げた各要素の厚さは何れも一例であり、本発明の要旨を変更しない範囲内で変更可能である。密着層５６は省略しても構わない。
【００３６】
第１電極６０及び第２電極８０の材料は、白金（Ｐｔ）やイリジウム（Ｉｒ）等の貴金属が好適である。第１電極６０の材料や第２電極８０の材料は、導電性を有する材料であればよい。第１電極６０の材料と第２電極８０の材料は、同一であってもよく、異なっていてもよい。
【００３７】
本実施形態では、圧電体層７０の作製過程において、圧電材料に含まれるＫやＮａが、上記の第１電極６０中に拡散することがある。しかし、後述のように、第１電極６０と基板１０との間に設けられる酸化ジルコニウム層５２が、ＫやＮａのストッパー機能を果たす。このため、アルカリ金属が基板１０に到達することを抑制できる。
【００３８】
このような圧電素子３００では、一般的に、何れか一方の電極が共通電極として構成され、他方の電極が個別電極として構成される。上記のように、本実施形態では、第１電極６０が個別電極として構成され、第２電極８０が共通電極として構成されている。ただし、駆動回路や配線の都合で、第１電極を共通電極として構成し、第２電極を個別電極として構成しても支障はない。
【００３９】
圧電体層７０は、一般式ＡＢＯ３で示されるペロブスカイト構造の複合酸化物からなる圧電材料を用いて構成されている。本実施形態では、圧電材料として、Ｋ、Ｎａ及びＮｂを含むＡＢＯ３型ペロブスカイト構造の複合酸化物を用いた。かかる複合酸化物としては、例えば、下記式（２）で表されるＫＮＮ系の複合酸化物が挙げられる。
（ＫＸ，Ｎａ１−Ｘ）ＮｂＯ３  ・・・  （２）
（０．１≦ｘ≦０．９）
【００４０】
一般式ＡＢＯ３で示されるペロブスカイト構造の複合酸化物では、Ａサイトには酸素が１２配位しており、Ｂサイトには酸素が６配位して８面体（オクタヘドロン）をつくっている。ＫＮＮ系の複合酸化物では、ＡサイトにＫ及びＮａが位置し、ＢサイトにＮｂが位置している。
【００４１】
上記式（２）で表される複合酸化物は、いわゆるＫＮＮ系の複合酸化物である。ＫＮＮ系の複合酸化物は、鉛（Ｐｂ）を含有しない非鉛系圧電材料であるため、生体適合性に優れ、また環境負荷も少ない。しかも、ＫＮＮ系の複合酸化物は、非鉛系圧電材料の中でも圧電特性に優れているため、各種の特性向上に有利である。その上、ＫＮＮ系の複合酸化物は、他の非鉛系圧電材料（例えば、ＢＮＴ−ＢＫＴ−ＢＴ；［（Ｂｉ，Ｎａ）ＴｉＯ３］−［（Ｂｉ，Ｋ）ＴｉＯ３］−［ＢａＴｉＯ３］）に比べてキュリー温度が比較的高く、また温度上昇による脱分極も生じ難い。ゆえに、ＫＮＮ系の複合酸化物は、高温での使用が可能である。
【００４２】
上記式（２）において、Ｋの含有量は、Ａサイトを構成する金属元素の総量に対して３０モル％以上７０モル％以下である（言い換えると、Ｎａの含有量が、Ａサイトを構成する金属元素の総量に対して３０モル％以上７０モル％以下である）ことが好ましい。すなわち、上記式（２）において、０．３≦ｘ≦０．７であることが好ましい。これによれば、圧電特性に有利な組成を有する複合酸化物となる。また、Ｋの含有量は、Ａサイトを構成する金属元素の総量に対して３５モル％以上５５モル％以下である（言い換えると、Ｎａの含有量が、Ａサイトを構成する金属元素の総量に対して４５モル％以上６５モル％以下である）ことが、より好ましい。すなわち、上記式（２）において、０．３５≦ｘ≦０．５５であることが、より好ましい。これによれば、より圧電特性に有利な組成を有する複合酸化物となる。
【００４３】
ただし、ＫＮＮ系の複合酸化物は、上記式（２）で表される組成に限定されない。例えば、ＡサイトやＢサイトに他の元素（添加物）が含まれていてもよい。添加物の例としては、マンガン（Ｍｎ）、リチウム（Ｌｉ）、バリウム（Ｂａ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、チタン（Ｔｉ）、ビスマス（Ｂｉ）、タンタル（Ｔａ）、アンチモン（Ｓｂ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、銀（Ａｇ）、マグネシウム（Ｍｇ）、亜鉛（Ｚｎ）及び銅（Ｃｕ）等が挙げられる。
【００４４】
この種の添加物は、１つ以上含んでいてもよい。一般的に、添加物の量は、主成分となる元素の総量に対して２０％以下、好ましくは１５％以下、より好ましくは１０％以下である。添加物を利用することにより、各種特性を向上させて構成や機能の多様化を図りやすくなる。これら他の元素を含む複合酸化物である場合も、ＡＢＯ３型ペロブスカイト構造を有するように構成されることが好ましい。
【００４５】
Ａサイトのアルカリ金属は化学量論の組成に対して過剰に加えられてもよい。また、Ａサイトのアルカリ金属は、化学量論の組成に対して不足していても良い。従って、本実施形態の複合酸化物は、下記式（３）でも表すことができる。下記式（３）において、Ａは、過剰に加えられてもよいＫ及びＮａの量、又は不足していてもよいＫ及びＮａの量を表している。Ｋ及びＮａの量が過剰である場合は１．０＜Ａである。Ｋ及びＮａの量が不足している場合は、Ａ＜１．０である。例えば、Ａ＝１．１であれば、化学量論の組成におけるＫ及びＮａの量を１００モル％としたときに、１１０モル％のＫ及びＮａが含まれていることを表す。Ａ＝０．９であれば、化学量論の組成におけるＫ及びＮａの量を１００モル％としたときに、９０モル％のＫ及びＮａが含まれていることを表す。尚、Ａサイトのアルカリ金属が化学量論の組成に対して過剰でなく不足もしていない場合は、Ａ＝１である。特性向上の観点から、０．８５≦Ａ≦１．１５、好ましくは０．９０≦１．１０、より好ましくは０．９５≦Ａ≦１．０５である。
（ＫＡＸ，ＮａＡ（１−Ｘ））ＮｂＯ３  ・・・  （３）
（０．１≦ｘ≦０．９，好ましくは０．３≦ｘ≦０．７，より好ましくは０．３５≦ｘ≦０．５５）
【００４６】
圧電材料には、元素の一部欠損した組成を有する材料、元素の一部が過剰である組成を有する材料、及び元素の一部が他の元素に置換された組成を有する材料も含まれる。圧電体層７０の基本的な特性が変わらない限り、欠損・過剰により化学量論の組成からずれた材料や、元素の一部が他の元素に置換された材料も、本実施形態に係る圧電材料に含まれる。
【００４７】
また、本明細書において「Ｋ、Ｎａ及びＮｂを含むＡＢＯ３型ペロブスカイト構造の複合酸化物」は、Ｋ、Ｎａ及びＮｂを含むＡＢＯ３型ペロブスカイト構造の複合酸化物のみに限定されない。すなわち、本明細書において「Ｋ、Ｎａ及びＮｂを含むＡＢＯ３型ペロブスカイト構造の複合酸化物」は、Ｋ、Ｎａ及びＮｂを含むＡＢＯ３型ペロブスカイト構造の複合酸化物（例えば、上記に例示したＫＮＮ系の複合酸化物）と、ＡＢＯ３型ペロブスカイト構造を有する他の複合酸化物と、を含む混晶として表される圧電材料を含む。
【００４８】
他の複合酸化物は、本発明の範囲で限定されないが、鉛（Ｐｂ）を含有しない非鉛系圧電材料であることが好ましい。また、他の複合酸化物は、鉛（Ｐｂ）及びビスマス（Ｂｉ）を含有しない非鉛系圧電材料であることがより好ましい。これらによれば、生体適合性に優れ、また環境負荷も少ない圧電素子３００となる。
【００４９】
以上のような複合酸化物からなる圧電体層７０は、本実施形態では、所定の結晶面に対して優先配向している。例えば、ＫＮＮ系の複合酸化物からなる圧電体層７０は、（１００）面に自然配向しやすい。この他、必要に応じて設けられる所定の配向制御層によっては、圧電体層７０は、（１１０）面や（１１１）面に優先配向する場合もある。所定の結晶面に優先配向した圧電体層７０は、ランダム配向した圧電体層に比べて、各種の特性の向上を図りやすい。尚、本明細書において、優先配向とは、５０％以上、好ましくは８０％以上の結晶が、所定の結晶面に配向していることを示すものとする。例えば「（１００）面に優先配向している」とは、圧電体層７０の全ての結晶が（１００）面に配向している場合と、半分以上の結晶（５０％以上、好ましくは８０％以上）が（１００）面に配向している場合を含む。
【００５０】
圧電材料にＮａやＫが含まれている場合、それらが、圧電体層７０の作製過程で第１電極６０中に拡散することがある。そして、第１電極６０を通り越し、第１電極６０と基板１０との間に配される密着層５６、更には基板１０に至ることもある。
【００５１】
密着層５６は、酸化チタン（ＴｉＯＸ）層、チタン（Ｔｉ）層、又は窒化シリコン（ＳｉＮ）層によって構成されることが一般的である。しかし、これらの層は、何れも第１電極６０を通り越したＫやＮａをその内部に拡散させ、更には基板１０側に至らしめてしまう可能性がある。仮に、アルカリ金属が第１電極６０及び密着層５６を通り越して基板１０に達すると、基板１０と反応を起こしてしまい、耐久性等の各種特性に悪影響が生じ得る。
【００５２】
これに対し、本実施形態では、圧電体層７０と基板１０との間に酸化ジルコニウム層５２を具備している。酸化ジルコニウム層５２は、ＫやＮａのストッパーとして機能する。すなわち、圧電体層７０の作製過程でＫやＮａが第１電極６０中や密着層５６中に拡散し、基板１０側に向かったとしても、基板１０に至る手前の酸化ジルコニウム層５２によって、ＫやＮａの拡散が抑制される。従って、ＫやＮａが基板１０に到達することを抑制することができる。酸化ジルコニウム層５２によってＫやＮａの拡散が抑制される場合、酸化ジルコニウム層５２の第１電極６０側の界面ｆを跨ぐ領域Ｒｆ（界面ｆを挟んで±Ｚ方向の所定範囲を含む領域）において、Ｋ及びＮａの量の変化をみたとき、Ｋ及びＮａの量は、界面ｆの第１電極６０側（＋Ｚ方向側）よりも界面ｆの基板１０側（−Ｚ方向側）の方が小さくなる。
【００５３】
すなわち、酸化ジルコニウム層５２がアルカリ金属のストッパー機能を果たすことで、界面ｆの第１電極６０側（＋Ｚ方向側）のＫ及びＮａの量よりも、界面ｆの基板１０側（−Ｚ方向側）のＫ及びＮａの量の方が小さくなる。このことは、例えば二次イオン質量分析による測定結果に基づいて判断が可能である。界面ｆを跨ぐ領域Ｒｆを二次イオン質量分析により測定したとき、第１電極６０側のＫ及びＮａの検出強度よりも、基板１０側のＫ及びＮａの検出強度が小さくなっていれば、酸化ジルコニウム層５２がＫやＮａのストッパーとして機能していると判断できる。
【００５４】
「界面ｆ」は、第１電極６０と酸化ジルコニウム層５２との界面に限定されない。第１電極６０と酸化ジルコニウム層５２との間に密着層５６が配される場合は、「界面ｆ」は、密着層５６と酸化ジルコニウム層５２との界面となる。第１電極６０と酸化ジルコニウム層５２との間に密着層５６が配されない場合は、「界面ｆ」は、第１電極６０と、酸化ジルコニウム層５２との界面となる。第１電極６０と酸化ジルコニウム層５２との間に他の層が配される場合は、酸化ジルコニウム層５２と、第１電極６０側で酸化ジルコニウム層５２に接している他の層と、の界面が、「界面ｆ」となる。すなわち、「界面ｆ」は、酸化ジルコニウム層５２の第１電極側（＋Ｚ方向側）の面と同義である。尚、図４（ｂ）で図示された領域Ｒｆ，領域Ｒｆａ及び領域Ｒｆｂの大きさは、あくまで一例である。
【００５５】
また、本実施形態において「界面ｆを跨ぐ領域」は、界面ｆを中心として、第１電極６０側（＋Ｚ方向側）へ約５０μｍの領域Ｒｆａ、及び基板１０側（−Ｚ方向側）へ約５０μｍの領域Ｒｆｂの合計をいう。勿論、これらの領域Ｒｆａ及び領域Ｒｆｂの大きさは、圧電素子のサイズや圧電素子応用デバイスの用途によって異なる場合がある。
【００５６】
本実施形態に係る圧電素子３００は、上記のように、ＫＮＮ系の複合酸化物からなる。ＫＮＮ系の複合酸化物は、鉛（Ｐｂ）を含まない非鉛系圧電材料であるため、生体適合性に優れ、また環境負荷も少ない。しかも、ＫＮＮ系の複合酸化物は、非鉛系圧電材料の中でも圧電特性に優れているため、各種の特性向上に有利である。その上、ＫＮＮ系の複合酸化物は、他の非鉛系圧電材料に比べてキュリー温度が比較的高く、また温度上昇による脱分極が生じ難いため、高温での使用が可能である。
【００５７】
本態様によれば、このようなＫＮＮ系の複合酸化物を用いた場合にも、アルカリ金属が基板１０に到達することを抑制できる。そして、酸化チタン（ＴｉＯＸ）層、チタン（Ｔｉ）層、又は窒化シリコン（ＳｉＮ）層を密着層として用いた場合にも、アルカリ金属が基板１０に到達することを抑制できる。
【００５８】
次に、圧電素子３００の製造方法の一例について、インクジェット式記録ヘッド１の製造方法とあわせて説明する。
【００５９】
まず、シリコン基板１１０を準備する。次に、シリコン基板１１０を熱酸化することによって、その表面に、二酸化シリコンからなる弾性膜５１を形成する。更に、弾性膜５１上にスパッタリング法でジルコニウム膜を形成し、これを熱酸化することによって酸化ジルコニウム層５２を形成する。このようにして、弾性膜５１と酸化ジルコニウム層５２とからなる、振動板５０を得る。次いで、酸化ジルコニウム層５２上に、酸化チタンからなる密着層５６を、スパッタリング法やチタン膜の熱酸化等により形成する。そして、図５（ａ）に示すように、密着層５６上に、第１電極６０をスパッタリング法や蒸着法等により形成する。
【００６０】
次いで、図５（ｂ）に示すように、第１電極６０上に所定形状のレジスト（図示なし）をマスクとして形成し、密着層５６及び第１電極６０を同時にパターニングする。次に、図５（ｃ）に示すように、密着層５６、第１電極６０及び振動板５０に重なるように圧電体膜７４を複数層形成する。圧電体層７０は、これら複数層の圧電体膜７４によって構成される。圧電体層７０は、例えばＭＯＤ法やゾル−ゲル法等の化学溶液法により形成することができる。その他、レーザーアブレーション法、スパッタリング法、パルス・レーザー・デポジション法（ＰＬＤ法）、ＣＶＤ法、エアロゾル・デポジション法等によっても形成することができる。
【００６１】
化学溶液法によって形成された圧電体層７０は、前駆体溶液を塗布する工程（塗布工程）から前駆体膜を焼成する工程（焼成工程）までの一連の工程を複数回繰り返すことによって形成される。圧電体層７０を化学溶液法で形成する場合の具体的な手順は、例えば次のとおりである。まず、所定の金属錯体を含む前駆体溶液を調整する。前駆体溶液は、焼成によりＫ、Ｎａ及びＮｂを含む複合酸化物を形成しうる金属錯体を、有機溶媒に溶解又は分散させたものである。このとき、Ｍｎ等の添加物を含む金属錯体を更に混合してもよい。
【００６２】
Ｋを含む金属錯体としては、２−エチルヘキサン酸カリウム、炭酸カリウム、酢酸カリウム等が挙げられる。Ｎａを含む金属錯体としては、２−エチルヘキサン酸ナトリウム、炭酸ナトリウム、酢酸ナトリウム等が挙げられる。Ｎｂを含む金属錯体としては、２−エチルヘキサン酸ニオブ、ペンタエトキシニオブ等が挙げられる。添加物としてＭｎを加える場合、Ｍｎを含む金属錯体としては、２−エチルヘキサン酸マンガン等が挙げられる。このとき、２種以上の金属錯体を併用してもよい。例えば、Ｋを含む金属錯体として、炭酸カリウムと酢酸カリウムとを併用してもよい。溶媒としては、２−ｎブトキシエタノール若しくはｎ−オクタン又はこれらの混合溶媒等が挙げられる。前駆体溶液は、Ｋ、Ｎａ、Ｎｂを含む金属錯体の分散を安定化する添加剤を含んでもよい。このような添加剤としては、２−エチルヘキサン酸等が挙げられる。
【００６３】
そして、振動板５０、密着層５６、及び第１電極６０が形成されたシリコン基板１１０上に、上記の前駆体溶液を塗布して、前駆体膜を形成する（塗布工程）。次いで、この前駆体膜を所定温度、例えば１３０℃〜２５０℃程度に加熱して一定時間乾燥させる（乾燥工程）。次に、乾燥させた前駆体膜を所定温度、例えば３００℃〜４５０℃に加熱し、この温度で一定時間保持することによって脱脂する（脱脂工程）。最後に、脱脂した前駆体膜をより高い温度、例えば６５０〜８００℃程度に加熱し、この温度で一定時間保持することによって結晶化させると、圧電体膜７４が完成する（焼成工程）。
【００６４】
乾燥工程、脱脂工程及び焼成工程で用いられる加熱装置としては、例えば、赤外線ランプの照射により加熱するＲＴＡ（Ｒａｐｉｄ  Ｔｈｅｒｍａｌ  Ａｎｎｅａｌｉｎｇ）装置やホットプレート等が挙げられる。上記の工程を複数回繰り返して、複数層の圧電体膜７４からなる圧電体層７０を形成する。尚、塗布工程から焼成工程までの一連の工程において、塗布工程から脱脂工程までを複数回繰り返した後に、焼成工程を実施してもよい。
【００６５】
本実施形態では、圧電材料にアルカリ金属（ＫやＮａ）が含まれる。アルカリ金属は、上記の焼成工程で第１電極６０中や密着層５６中に拡散しやすい。仮に、アルカリ金属が第１電極６０及び密着層５６を通り越して基板１０に達すると、そのシリコン基板１１０と反応を起こしてしまう。しかし、本実施形態では、上記の酸化ジルコニウム層５２が、ＫやＮａのストッパー機能を果たしている。従って、アルカリ金属がシリコン基板１１０（基板１０）に到達することを抑制できる。
【００６６】
その後、複数の圧電体膜７４からなる圧電体層７０をパターニングして、図５（ｄ）に示すような形状にする。パターニングは、反応性イオンエッチングやイオンミリング等のドライエッチングや、エッチング液を用いたウェットエッチングによって行うことができる。その後、圧電体層７０上に第２電極８０を形成する。第２電極８０は、第１電極６０と同様の方法により形成できる。以上の工程により、第１電極６０と圧電体層７０と第２電極８０とを備えた圧電素子３００が完成する。言い換えると、第１電極６０と圧電体層７０と第２電極８０とが重なり合う部分が圧電素子３００となる。
【００６７】
次に、図６（ａ）に示すように、シリコン基板１１０の圧電素子３００側の面に、接着剤３５（図３（ｂ）参照）を介して保護基板用ウェハー１３０を接合する。その後、保護基板用ウェハー１３０の表面を削って薄くする。また、保護基板用ウェハー１３０に、マニホールド部３２や貫通孔３３（図３（ｂ）参照）を形成する。次いで、図６（ｂ）に示すように、シリコン基板１１０の圧電素子３００とは反対側の面に、マスク膜５３を形成し、これを所定形状にパターニングする。そして、図６（ｃ）に示すように、マスク膜５３を介して、シリコン基板１１０に対してＫＯＨ等のアルカリ溶液を用いた異方性エッチング（ウェットエッチング）を実施する。これにより、個々の圧電素子３００に対応する圧力発生室１２の他、インク供給路１３、連通路１４、及び連通部１５（図３（ｂ）参照）を形成する。
【００６８】
次に、シリコン基板１１０及び保護基板用ウェハー１３０の外周縁部の不要部分をダイシング等により切断・除去する。更に、シリコン基板１１０の圧電素子３００とは反対側の面に、ノズルプレート２０を接合する（図３（ｂ）参照）。また、保護基板用ウェハー１３０にコンプライアンス基板４０を接合する（図３（ｂ）参照）。ここまでの工程によって、インクジェット式記録ヘッド１のチップの集合体が完成する。この集合体を個々のチップに分割することにより、インクジェット式記録ヘッド１が得られる。
【実施例】
【００６９】
以下、本発明の実施例を説明する。
【００７０】
（実施例１）
６ｉｎｃｈシリコン基板の表面を熱酸化することで、基板１０上に二酸化シリコン膜からなる弾性膜５１を形成した。次に、弾性膜５１上にジルコニウム膜をスパッタし、このジルコニウム膜を熱酸化することで４００ｎｍの酸化ジルコニウム層５２を形成した。更に、酸化ジルコニウム層５２上にチタン膜をスパッタして、厚さ４０ｎｍの密着層５６を作製した。そして、密着層５６上に白金をスパッタした後、所定形状にパターニングすることで厚さ５０ｎｍの第１電極６０を形成した。
【００７１】
次いで、以下の手順で圧電体層７０を形成した。まず、酢酸カリウムのｎ−オクタン溶液、酢酸ナトリウムのｎ−オクタン溶液、及びペンタエトキシニオブのｎ−オクタン溶液を混合し、下記式（４）の組成となるように前駆体溶液を調製した。
（Ｋ０．４Ｎａ０．６）（Ｎｂ０．９９５Ｍｎ０．００５）Ｏ３  ・・・  （４）
【００７２】
次いで、調製した前駆体溶液を、スピンコート法により、第１電極６０が形成された上記の基板１０上に塗布した（塗布工程）。次に、ホットプレート上に基板１０を載せ、１８０℃で２分間乾燥させた（乾燥工程）。次いで、ホットプレート上に基板１０に対して３５０℃で２分間の脱脂を行った（脱脂工程）。そして、ＲＴＡ装置により、７００℃で５分間焼成を行った（焼成工程）。上記の塗布工程〜焼成工程を７回繰り返すことで、７層の圧電体膜７４からなる圧電体層７０を形成した。
【００７３】
作製した圧電体層７０上に白金をスパッタすることで、第２電極８０を作製した。以上の手順により、実施例１の圧電素子を作製した。
【００７４】
（比較例１）
酸化ジルコニウム層５２を設けない以外は、実施例１と同様の手順により、比較例１の圧電素子を作製した。
【００７５】
＜二次イオン質量分析＞
実施例１及び比較例１について、アルバック−ファイ社製「ＡＤＥＰＴ−１０１０」を使用し、圧電体層７０から厚さ方向に亘って二次イオン質量分析（ＳＩＭＳ；Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ  Ｉｏｎ  Ｍａｓｓ  Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）を行い、Ｋ及びＮａの分布状態を測定した。測定結果を図７（ａ）〜（ｂ）に示す。図７（ａ）は、実施例１の測定結果であり、図７（ｂ）は、比較例１の測定結果である。
【００７６】
図７（ａ）〜（ｂ）において、縦軸は９３Ｎｂ+１６Ｏで規格化した検出強度であり、横軸はスパッター時間である。スパッター時間の経過は、積層体の最表面からの深さ、すなわち−Ｚ方向の距離に対応する。つまり、図７（ａ）〜（ｂ）では、横軸が右に進むにつれて、圧電体層７０から基板１０方向（−Ｚ方向）に深い地点でのＫ及びＮａの状態が評価されている。図中、ＫＮＮＭは圧電体層の領域を表し、Ｐｔは第１電極の領域を表し、ＴｉＯｘは密着層の領域を表している。図７（ａ）に示す実施例１では、ＴｉＯｘの右側はＺｒＯｘとされている。ＺｒＯｘは、酸化ジルコニウム層を表している。図７（ｂ）に示す比較例１では、酸化ジルコニウム層を設けていないので、ＴｉＯｘの右側はＳｉＯｘ／Ｓｉとされている。ＳｉＯｘ／Ｓｉは、弾性膜及び基板を表している。
【００７７】
図７（ａ）に示す実施例１について、界面ｆを跨ぐ領域ＲｆにおけるＫ及びＮａの強度を、圧電体層７０側（図中左側）から酸化ジルコニウム層５２（図中右側）に向かって観察すると、次のとおりである。Ｋ及びＮａの強度は、第１電極６０における圧電体層７０側の領域でいったん小さくなる。その後、Ｋ及びＮａの強度は、密着層５６に近づくにつれて大きくなり、更に、密着層５６の領域で大きくなる。一方、Ｋ及びＮａの強度は、酸化ジルコニウム層５２の領域に入ると小さくなる。つまり、界面ｆの第１電極６０側（＋Ｚ方向側）におけるＫ及びＮａの検出強度よりも、基板１０側（−Ｚ方向側）におけるＫ及びＮａの検出強度が小さくなっている。このことから、圧電体層７０の作製工程において、Ｋ及びＮａが第１電極６０を通り越し、密着層５６中を拡散するが、基板１０に至る手前の酸化ジルコニウム層５２によって、Ｋ及びＮａの拡散が抑制されることが分かる。尚、図７（ａ）で図示された領域Ｒｆの大きさは、あくまで一例である。  
【００７８】
これに対し、図７（ｂ）に示す比較例１について、基板１０（厳密には弾性膜５１）と密着層５６との界面をｆ’として、当該界面ｆ’を跨ぐ領域Ｒｆ’におけるＫ及びＮａの強度を、圧電体層７０側（図中左側）から基板１０（図中右側）に向かって観察すると、次のとおりである。Ｋ及びＮａの強度は、第１電極６０における圧電体層７０側の領域でいったん小さくなる。その後、Ｋ及びＮａの強度は、密着層５６に近づくにつれて小さくなり、一方、密着層５６の領域で大きくなる。Ｋ及びＮａの強度は、基板１０の領域に入っても大きいままである。つまり、第１電極６０と基板１０との間に酸化ジルコニウム層が形成されていない比較例１において、界面ｆ’の第１電極６０側（＋Ｚ方向側）のＫ及びＮａの検出強度と、基板１０側（−Ｚ方向側）のＫ及びＮａの検出強度と、を比べると、両者はほぼ同じであるか、後者の方が大きくなっている。このことから、圧電体層７０の作製工程において、Ｋ及びＮａが第１電極６０及び密着層５６を通り越し、Ｋ及びＮａが、基板１０中にまで拡散していることが分かる。
【００７９】
（他の実施形態）
以上、本発明の一実施形態を説明した。しかし、本発明の基本的構成は上記の態様に限定されない。上記の実施形態では、流路形成基板としてＳｉ単結晶基板を例示した。しかし、流路形成基板は、ＳＯＩ基板やガラス等の材料であってもよい。何れの基板であっても、圧電体層由来のアルカリ金属との反応によって劣化が予想されるため、ＫやＮａのストッパー機能を果たす酸化ジルコニウム層を設ける意義がある。
【００８０】
また、上記の実施形態では、圧電素子応用デバイスの一例として、インクジェット式記録ヘッドを挙げて説明した。上記の実施形態に係る圧電素子を具備するインクジェット式記録ヘッドは、アルカリ金属が流路形成基板に到達することを抑制できる。その結果、第１電極と振動板との密着性が低下することを防止でき、また形状不良の発生も防止できる。つまり、第１電極又は密着層と、基板と、の良好な界面を形成できる。従って、耐久性の低下、インク噴射特性の低下、絶縁性の低下、破壊電圧の低下等の各種特性の低下を回避できる。
【００８１】
一方、本発明は、広く液体噴射ヘッド全般を対象としており、インク以外の液体を噴射する液体噴射ヘッドにも適用できる。その他の液体噴射ヘッドとしては、例えば、プリンター等の画像記録装置に用いられる各種の記録ヘッド、液晶ディスプレイ等のカラーフィルターの製造に用いられる色材噴射ヘッド、有機ＥＬディスプレイ、ＦＥＤ（電界放出ディスプレイ）等の電極形成に用いられる電極材料噴射ヘッド、バイオｃｈｉｐ製造に用いられる生体有機物噴射ヘッド等が挙げられる。
【００８２】
また、本発明は、液体噴射ヘッドに搭載される圧電素子に限られず、他の圧電素子応用デバイスに搭載される圧電素子にも適用することができる。圧電素子応用デバイスの一例としては、圧電ＭＥＭＳ素子に代表されるＭＥＭＳ要素が挙げられる。ＭＥＭＳ要素の作製には、フォトリソグラフィー法によるＳｉウェハーの形状加工が使用されることが多い。Ｓｉはアルカリ金属と反応により、形状不良の原因となるシリケートを形成する場合がある。これに対し、上記の実施形態に係る圧電素子を具備するＭＥＭＳ要素は、アルカリ金属が基板に到達することを抑制できる。その結果、各種特性の低下を回避できる。
【００８３】
また、圧電素子応用デバイスの一例としては、超音波センサー等に代表される超音波デバイス等がある。上記の実施形態に係る圧電素子を具備する超音波デバイスでも、アルカリ金属が基板に到達することを抑制できる。その結果、超音波の送信・受信特性等の各種特性の低下を回避できる。
【００８４】
圧電素子応用デバイスの例は、前記の例に限定されない。例えば、圧電アクチュエーター装置、超音波モーター、圧力センサー、ＩＲセンサー等の焦電素子、強誘電体メモリー等の強誘電体素子等も、圧電素子応用デバイスに含まれる。つまり、圧電素子応用デバイスには、上記のような各種の圧電デバイスを利用した完成体も含まれる。上記の液体噴射ヘッドを利用した液体噴射装置、上記の超音波デバイスを利用した超音波センサー、上記のモーターを駆動源として利用したロボット等も、圧電素子応用デバイスに含まれる。勿論、これらもあくまで一例である。
【００８５】
図面において示す構成要素、すなわち層等の厚さ、幅、相対的な位置関係等は、本発明を説明する上で、誇張して示されている場合がある。また、本明細書の「上」という用語は、構成要素の位置関係が「直上」であることを限定するものではない。例えば、「基板上の酸化ジルコニウム層」や「酸化ジルコニウム層上の第１電極」という表現は、基板と酸化ジルコニウム層との間や、酸化ジルコニウム層と第１電極との間に、他の構成要素を含むものを除外しない。
【符号の説明】
【００８６】
Ｉ  インクジェット式記録装置（液体噴射装置）、  １  インクジェット式記録ヘッド（液体噴射ヘッド）、  １０  流路形成基板、  １２  圧力発生室、  １３  インク供給路、  １４  連通路、  １５  連通部、  ２０  ノズルプレート、  ２１  ノズル開口、  ３０  保護基板、  ３１  圧電素子保持部、  ３２  マニホールド部、  ３３  貫通孔、  ３５  接着剤、  ４０  コンプライアンス基板、  ４１  封止膜、  ４２  固定板、  ４３  開口部、  ５０  振動板、  ５１  弾性膜、  ５２  酸化ジルコニウム層、  ５３  マスク膜、  ５６  密着層、  ６０  第１電極、  ７０  圧電体層、  ７１  凹部、  ７４  圧電体膜、  ８０  第２電極、  ９０  リード電極、  １００  マニホールド、  １２０  駆動回路、  １２１  接続配線、  ２００  プリンターコントローラー
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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