(57)【要約】【課題】  実施形態は、低抵抗なグラフェンを用いた配線及びその製造方法を提供する。【解決手段】  実施形態にかかるグラフェン配線は、グラフェンシートを積層させた多層グラフェンと多層グラフェンの層間に層間物質とを有するグラフェン層間化合物と、層グラフェンの側面と接続した層間架橋層とを有し、層間架橋層は、多層グラフェンのグラフェンシートを架橋する結合した複数の分子からなる架橋分子構造を有することを特徴とする。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
グラフェンシートを積層させた多層グラフェンと前記多層グラフェンの層間に層間物質とを有するグラフェン層間化合物と、
前記多層グラフェンの側面と接続した層間架橋層とを有し、
前記層間架橋層は、前記多層グラフェンのグラフェンシートを架橋する結合した複数の分子からなる架橋分子構造を有することを特徴とするグラフェン配線。
【請求項２】
前記架橋分子構造は、アルカン、アルケンとベンゼンのいずれかの構造を少なくとも有することを特徴とする請求項１に記載のグラフェン配線。
【請求項３】
前記架橋分子構造は、３層以上のグラフェンシートを架橋することを特徴とする請求項１又は２に記載のグラフェン配線。
【請求項４】
前記層間物質は、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、Ｏ、Ｓ、Ｎ、Ｐ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｙ、Ｓｃ、Ｂａ、Ｅｕ、Ｓｍ、Ｙｂ、ＨｇとＴｌのうちのいずれか１種以上の元素を含むことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のグラフェン配線。
【請求項５】
前記多層グラフェンの幅は、３ｎｍ以上１００ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のグラフェン配線。
【請求項６】
前記多層グラフェンの幅は、３ｎｍ以上３０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載のグラフェン配線。
【請求項７】
基板上に配線パターン形状に加工されたグラフェンシートを積層した多層グラフェンを形成する工程と、
前記グラフェンシートの長手方向の側面に第１の有機基を結合させる工程と、
前記第１の有機基が結合した多層グラフェンの層間に層間物質を挿入させる工程と、
前記第１の有機基を第２の有機基を連結させて、グラフェンシートを架橋する工程と、を有することを特徴とするグラフェン配線の製造方法。
【請求項８】
前記第１の有機基と前記第２の有機基を連結させる工程は、前記第１の有機基を有する化合物と前記第２の有機基を有する化合物をエステル交換反応又は脱水反応させることを含むことを特徴とする請求項７に記載のグラフェン配線の製造方法。
【請求項９】
前記層間物質は、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、Ｏ、Ｓ、Ｎ、Ｐ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｙ、Ｓｃ、Ｂａ、Ｅｕ、Ｓｍ、Ｙｂ、ＨｇとＴｌのうちのいずれか１種以上の元素を含むことを特徴とする請求項７又は８に記載のグラフェン配線の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
実施形態は、グラフェン配線とその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＬＳＩや３Ｄメモリの微細化および多層化に伴い、金属配線において配線遅延の増大が大きな問題となっている。配線遅延の低減には、配線抵抗や配線間容量の低減が重要である。配線の低抵抗化には、例えばＣｕなどの低抵抗材料の適用が実用化されている。しかし、Ｃｕ配線においても、ストレスマイグレーションやエレクトロマイグレーションによる信頼性劣化、サイズ効果に起因する電気抵抗率の上昇、微細ビアホールへの埋め込みなどが問題となっており、低抵抗かつ電流密度耐性に優れた配線材料が求められている。
【０００３】
低抵抗・高信頼性が期待できる次世代配線材料として、高い電流密度耐性、電気伝導特性、熱伝導率、機械的強度など優れた物性を有するカーボンナノチューブやグラフェン等の炭素系材料の応用が注目されている。特に、横方向層間配線にグラフェンを用いる配線構造が検討されている。グラフェン配線を形成するためには、基板上に一様に成膜したグラフェンを配線形状に加工、または、配線形状に形成した触媒層上へのグラフェンの成長を行う。しかし、グラフェン配線を１０ｎｍ程度まで細くした場合は、電子の量子閉じ込め効果による半導体化、もしくは、端部による散乱効果によって、抵抗が増大する懸念がある。
【０００４】
抵抗を低減させる方法としての有望な手段が、グラフェンシート間に層間物質を挿入し、グラフェン層間化合物に変化させるインターカレーション法である。挿入された層間物質は、グラフェンに電子または正孔を供与し、抵抗を低下させる。しかしながら、インターカレーション処理後の層間物質が漏出してしまう懸念がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１２−０８００１４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
実施形態は、低抵抗なグラフェンを用いた配線及びその製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
実施形態にかかるグラフェン配線は、グラフェンシートを積層させた多層グラフェンと多層グラフェンの層間に層間物質とを有するグラフェン層間化合物と、層グラフェンの側面と接続した層間架橋層とを有し、層間架橋層は、多層グラフェンのグラフェンシートを架橋する結合した複数の分子からなる架橋分子構造を有することを特徴とする。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】図１は、実施形態のグラフェン配線の斜視概念図である。
【図２】図２は、実施形態のグラフェン配線の概念図である。
【図３】図３は、実施形態のグラフェン配線の概念図である。
【図４】図４は、実施形態のグラフェン配線の概念図である。
【図５】図５は、実施形態のグラフェン配線の概念図である。
【図６】図６は、実施形態のグラフェン配線の製造方法にかかる工程概念図である。
【図７】図７は、実施形態のグラフェン配線の製造方法にかかる工程概念図である。
【図８】図８は、実施形態のグラフェン配線の製造方法にかかる工程概念図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、必要に応じて図面を参照して、実施形態にかかる配線及びその製造方法について説明する。なお、図中の各構成要素の大きさ等は、実際の配線と必ずしも一致するものではない。
図１は、第１の実施形態に係るグラフェン配線１００の斜視図である。
図１のグラフェン配線１００は、多層グラフェン１と多層グラフェンの層間に層間物質２とを有するグラフェン層間化合物１０と、多層グラフェン１の側面と接続した層間架橋層２０とを有する。
【００１０】
多層グラフェン１は、平面状のグラフェンシートが積層した層状物質である。多層グラフェン１のグラフェンシートは、配線形状にパターン加工されたグラフェンナノリボンであることが好ましい。多層グラフェン１の幅、つまり、配線幅は、３ｎｍ以上１００ｎｍ以下が好ましく、３ｎｍ以上３０ｎｍ以下がより好ましい。多層グラフェン１の長手方向の長さ、つまり、配線長は目的に応じて任意の値となる。多層グラフェン１の層数は、典型的には、２層以上１００層以下である。多層グラフェン１の層数は、好ましくは、３層以上１００層以下である。グラフェンの配線幅、配線長や層数は、例えば、ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）で確認することができる。
【００１１】
実施形態のグラフェン配線１００は、半導体装置中の配線や電子回路中の配線に用いられる。具体的には、ＬＳＩ（集積回路）、ＣＰＵ（中央処理装置）、ＰＬＤ（プログラマブルロジックデバイス）やメモリチップなどの半導体装置内の配線に採用される。配線の端部は、例えば、トランジスタやダイオードの電極と接続したり、コンタクトプラグを介して、縦方向配線のカーボンナノチューブ等と接続したりする。実施形態の配線は、導電体として用いられるのであれば、使用形態は上記に説明したものに限定されるものではない。
【００１２】
多層グラフェン１は、配線形状用にパターン加工されたものであれば特に限定されるものではない。具体的には、多層グラフェン１は、基板上の触媒膜から成長した多層グラフェンシートを配線形状にパターン加工したものや、基板上の配線形状にパターン加工された触媒膜から成長したものや、多層グラフェンシートを配線形状にパターン加工したものを半導体装置等の基板上に転写したものや、多層グラフェンシートを半導体装置等の基板上に転写してから配線形状にパターン加工したものや、多層グラフェンシートを配線形状にパターン加工した転写用のもの等が挙げられる。
【００１３】
多層グラフェン１の層間には、層間物質２が含まれる。グラフェン層間化合物１０は、多層グラフェン１と層間物質２を含む。層間物質２は、グラフェンシートにキャリア（電子又は正孔）を供給する原子または分子である。層間物質２としては、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、Ｏ、Ｓ、Ｎ、Ｐ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｙ、Ｓｃ、Ｂａ、Ｅｕ、Ｓｍ、Ｙｂ、ＨｇとＴｌのうちのいずれか１種以上の原子またはこれらの原子を１種以上含む分子である。層間物質２の具体例としては、Ｆ２、Ｃｌ２、Ｂｒ２、Ｉ２等のハロゲン、または、ＩＢｒ、ＩＣｌ等のハロゲン化合物、または、ＦｅＣｌ３、ＣｕＣｌ２、ＢＦ４、ＡｓＦ５等の金属ハロゲン化物、または、硫酸、硝酸、リン酸等の酸、または、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｍｇ、Ｃａ等のアルカリ金属またはアルカリ希土類等の中から選ばれる１種以上用いることができる。層間物質２の確認は、ＳＥＭ−ＥＤＸ（エネルギー分散型Ｘ線分光分析装置付き走査型電子顕微鏡）分析によって行うことができる。
【００１４】
多層グラフェンそのものの層間距離は、０．３３５ｎｍであるが、層間物質２がグラフェンシートの層間に配置されることによって、多層グラフェン１の層間距離は、０．３３５ｎｍより広がる。層間物質２を層間に含む多層グラフェン１の層間距離（平均値）は、層間物質２の物質の種類と層間存在比率によって変化するが、典型的には、０．７ｎｍから１．０ｎｍである。
【００１５】
多層グラフェン１の側面は層間架橋層２０と接続する。層間架橋層２０と接続する側面は、多層グラフェン層１の長手方向の側面、つまり、端部で構成される面である。対向する長手方向の側面と層間架橋層２０が接続することが好ましい。層間架橋層２０は、積層面の少なくとも一部に設けられる。層間架橋層２０が設けられていない積層面には、金属膜や化合物膜などが形成されていてもよい。積層面の一部は、他の配線と接続してもよい。層間架橋層２０は、多層グラフェン１の側面の片面又は両面に設けられる。
【００１６】
層間架橋層２０は、多層グラフェンを構成する複数のグラフェンシート間を架橋する結合した２以上の複数の分子からなる架橋分子構造を含む。架橋分子構造は、有機化合物構造を少なくとも有する。層間架橋層２０は、有機分子の反応による反応生成物である。層間物質２の挿入後に架橋分子構造を形成するが、有機反応であるため、層間物質２が漏出しにくい穏やかな条件で架橋分子構造を形成することができるという利点を有する。層間架橋層２０の架橋分子構造は、図２の模式図に示すように、第１の有機基Ａと第２の有機基Ｂとで構成される。グラフェンと接続した第１の有機基Ａに含まれる官能基と、第２の有機基Ｂが連結した架橋分子構造によってグラフェンシートは架橋されている。
【００１７】
層間架橋層２０は、多層グラフェン中のグラフェンシートとこのグラフェンシートの直上又は直下のグラフェンシートを架橋してもよいし、１層以上のグラフェンシートを跨ぐようにグラフェンシートを架橋してもよい。架橋分子構造が架橋するグラフェンシートの層数は、上述の通り２層又は３層以上であるが、これは、架橋分子構造の分子の長さを調節することで架橋する層数を設計が可能である。
【００１８】
まず、官能基を有しグラフェンと接続した第１の有機基Ａついて説明する。第１の有機基Ａは、多層グラフェン１の側面のグラフェン端部の官能基と接続している。グラフェン端部の官能基としては、水酸基などグラフェンの端部への導入が容易で反応性に富むものが好ましい。第１の有機基Ａは、第２の有機基Ｂと架橋分子構造を形成するために、第２の有機基Ｂと連結するための官能基として、例えば、水酸基やエステル基を有していることが好ましい。第１の有機基Ａに含まれる第２の有機基Ｂと連結するための官能基は１以上であって、２以上有していることが好ましい。図２の概念図では、第１の有機基Ａに２つの第２の有機基Ｂと連結するための官能基を複数有している。そして、少なくとも一部の第１の有機基Ａは、２つの第２の有機基Ｂと接続しているため、架橋分子構造は、３層以上のグラフェンシートを架橋することができる。図２の概念図では、３つの第１の有機基Ａと２つの第２の有機基Ｂが連結しているが、連結数は図示したものに限られず、図２の概念図よりも連結数が多くても少なくても良い。
【００１９】
第２の有機基Ｂは、第１の有機基Ａと連結し、グラフェンシートの層間を架橋している。第１の有機基Ａと第２の有機基Ｂは、化学的に結合して連結している。第１の有機基Ａと第２の有機基Ｂとを選択的に連結させるため、連結構造は、例えば、脱水縮合反応やエステル交換反応による結合構造を有する。結合構造は、例えば、エステル等が挙げられる。
【００２０】
図３の概念図に実施形態のグラフェン配線１００の架橋分子構造を示す。図３において、グラフェンシートは、第１の有機基Ａ及び第２の有機基Ｂによって架橋されている。なお、図３中において、有機基の符号は、元素記号と区別するために下線を施している。第１の有機基Ａは、グラフェンシート、Ｑと第２の有機基Ｂと接続している。図３の架橋分子構造は、グラフェンシート−Ｏ−Ｘ−Ｏ−ＣＯ−（Ｙ）ｎ−ＣＯ−Ｏ−Ｘ−Ｏ−グラフェンシート（Ｏは酸素、ＣＯはカルボニル）で表すことができる。
【００２１】
Ｑは、水素原子、水酸基、炭素数が１以上５以下のアルキル鎖と第２の有機基の中から選ばれるいずれかを有することが好ましい。
【００２２】
第１の有機基Ａ中のＸは、炭素数が１以上５以下のアルキル鎖を含むことが好ましい。ＱやＯ（酸素）は、アルキル鎖中の任意の炭素原子と結合している。
【００２３】
第２の有機基Ｂ中のＹは、アルカン、アルケンとベンゼンのいずれかの構造を含むことが好ましい。Ｙには、炭素数３以下の側鎖が含まれていてもよい。Ｙの繰り返し単位数ｎは１以上２０以下が好ましく、層間物質２の挿入後のグラフェンシートの層間距離に応じて適宜好適な値が選択される。
【００２４】
図４の概念図に図３とは別の実施形態のグラフェン配線１００の架橋分子構造を示す。図４において、グラフェンシートは、第１の有機基Ａ及び第２の有機基Ｂによって架橋されている。なお、図４中において、有機基の符号は、元素記号と区別するために下線を施している。第１の有機基Ａは、グラフェンシート、Ｑと第２の有機基Ｂと接続している。図４に示す架橋分子構造は、第２の有機基Ｂが図３の架橋分子構造に示す第２の有機基Ｂと異なること以外は、同様である。図４に示す架橋分子構造のうち、図３の架橋分子構造と共通することについては、その説明を省略する。図３の架橋分子構造は、グラフェンシート−Ｏ−Ｘ−Ｏ−ＣＯ−（Ｚ）ｎ−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−Ｘ−Ｏ−グラフェンシート（Ｏは酸素、ＣＯはカルボニル）で表すことができる。
【００２５】
第２の有機基Ｂ中のＺは、（ＯＳｉＲ１Ｒ２）で表されるシロキサン構造を有することが好ましい。Ｒ１とＲ２は、水素又は炭素数が３以下のアルキル基を含むことが好ましい。Ｚの繰り返し単位数ｍは、１以上２０以下であることが好ましい。
【００２６】
図５の概念図に図３とは別の実施形態のグラフェン配線１００の架橋分子構造を示す。図５において、グラフェンシートは、酸素原子ではなく、窒素原子を介して第１の有機基Ａと結合している。図５に示す架橋分子構造は、第１の有機基Ａが図３の架橋分子構造に示す第１の有機基Ａと異なること以外は、同様である。図５に示す架橋分子構造のうち、図３の架橋分子構造と共通することについては、その説明を省略する。図３の架橋分子構造は、グラフェンシート−Ｎ−Ｘ−Ｏ−ＣＯ−（Ｙ）ｎ−ＣＯ−Ｏ−Ｘ−Ｎ−グラフェンシート（Ｏは酸素、Ｎは窒素、ＣＯはカルボニル）で表すことができる。なお、グラフェンシートと第１の有機基Ａとの結合の例として、酸素（図３）と窒素（図５）を示したが、カルボニル等の構造を除外するものではない。グラフェンシートと第１の有機基の結合は、付加反応、置換反応、縮合反応などで形成される構造であれば、特に限定されるものではない。
【００２７】
次に実施形態のグラフェン配線１００の製造方法について説明する。
実施形態のグラフェン配線１００の製造方法は、基板上に配線パターン形状に加工されたグラフェンシートを積層した多層グラフェンを形成する工程（第１の工程）と、グラフェンシートの長手方向の側面に第１の有機基を結合させる工程（第２の工程）と、第１の有機基が結合した多層グラフェンの層間に層間物質を挿入させる工程（第３の工程）と、第１の有機基を第２の有機基を連結させて、グラフェンシートを架橋する工程（第４の工程）と、を有する。以下必要に応じて、図６から８に示す、実施形態の配線の製造方法の工程概念図を参照して、製造方法について説明する。なお、以下に説明する製造方法は、図３の架橋分子構造を得る場合の製造方法であって、第１の有機基と第２の有機基はエステル交換反応によって連結される。他の架橋分子構造を得る場合は、用いる有機基や前処理などを適宜選択して行えばよい。第１の有機基Ａと第２の有機基Ｂを連結する反応は、エステル交換反応又は脱水縮合反応が好ましい。脱水縮合反応の場合は、第２の有機基Ｂを有するエステルの代わりに、第２の有機基Ｂを有するアルコールを用いて反応を行うことが好ましい。
【００２８】
まず、基板上に配線パターン形状に加工された多層グラフェン１を形成する第１の工程について説明する。基板上に配線パターン形状に加工された多層グラフェン１を形成する場合、例えば、基板上に多層グラフェンを形成した後に、多層グラフェンを配線状パターン加工して、配線状パターン加工された多層グラフェン１を形成する方法と、配線状パターン加工された多層グラフェン１を基板上に転写する方法が挙げられる。基板上に多層グラフェンを形成する方法としては、予め転写用に作製した多層グラフェンを基板に転写する方法や、基板上にニッケルなどの触媒膜を形成し、炭化水素ガスを供給して、化学気相成長法によって作製することができる。なお、予め、触媒膜を配線パターンに合わせて成膜して、その触媒膜上で多層グラフェンを作製することで、配線パターン形状に加工された多層グラフェン１を形成することもできる。なお、配線パターン形状に多層グラフェンを加工する方法としては、公知のリソグラフィー技術等を採用することができる。多層グラフェン１の層数や配線形状は、本工程によって、調整される。なお、多層グラフェン１の長手方向の側面に、金属膜や化合物膜を一部形成する場合は、第１の工程と第２の工程の間に金属膜や化合物膜を形成する処理を行うことが好ましい。
【００２９】
次に、多層グラフェンの長手方向の側面に第１の有機基を結合させる第２の工程について説明する。図６に、多層グラフェン１を構成するグラフェンシートの端部（側面）に第１の有機基Ａを導入する工程の概念図を示す。
【００３０】
ここで、グラフェンシートの長手方向の側面に第１の有機基を結合させる工程の前に多層グラフェン１を構成するグラフェンシートのエッジの炭素に酸素原子を導入する工程をさらにおこなってもよい。グラフェンは、欠陥を除いて安定な炭素骨格構造からなるため、有機基を導入するために官能基をエッジの炭素に導入することが好ましい。図５では、水酸基を導入しているが、水酸基に限定されるものではなくカルボキシル基等をエッジの炭素に導入してもよい。水酸基やカルボキシル基等は、導入する有機基の官能基に応じて適宜任意の１種以上の官能基が選択される。なお、本工程では有機基の導入に関して、シランカップリング剤を例にとり説明するため、水酸基をエッジの炭素に導入している。なお、多層グラフェン１の配線パターン形成時のエッチングによって、エッジの炭素に水酸基等を導入してもよく、本工程は省略しても構わない。
【００３１】
エッジの炭素に水酸基やカルボキシル基を導入する方法としては、塩素酸カリウムと発煙硝酸で多層グラフェン１を処理する方法、硫酸と硝酸ナトリウムと過マンガン酸カリウムで多層グラフェン１を処理する方法、濃硫酸で多層グラフェン１を処理する方法、ピラニア溶液で多層グラフェン１を処理する方法や多層グラフェン１に酸素プラズマ処理する方法等を採用することができる。何れの処理も、グラフェンシートの内側よりも外側（端部）の方が骨格構造に欠陥が多いため、端部の炭素が酸化されやすい。なお、これらの処理において、積層したグラフェンシートの表面、金属膜や半導体装置などにダメージが生じる場合は、これらを酸処理から保護するために、細線（配線）パターニング用のマスクを用いて、多層グラフェン１の長手方向の側面以外を保護してもよい。
【００３２】
図６に示す工程では、第１の有機基Ａを有する化合物がグラフェンシートの端部の炭素と反応する工程である。この反応は、例えば求核反応や縮合反応等が挙げられる。なお、グラフェンシートの端部の水酸基やカルボキシル基の一部は、第１の有機基Ａを有する化合物と反応せずに残る場合がある。
【００３３】
次に、層間架橋層２０が形成された多層グラフェン１の層間に層間物質２を挿入させる第３の工程について説明する。図７に、多層グラフェン１の層間に層間物質２を挿入する工程の概念図を示す。Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、Ｏ、Ｓ、Ｎ、Ｐ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｙ、Ｓｃ、Ｂａ、Ｅｕ、Ｓｍ、Ｙｂ、ＨｇとＴｌのうちのいずれか１種以上の原子またはこれらの原子を１種以上含む分子を含むガス雰囲気で層間物質２を多層グラフェン１の層間に挿入する。第１の有機基Ａに立体障害によって、層間物質２が多層グラフェン１の層間に挿入されにくい場合があるため、本処理を加熱処理とすることが好ましい。
【００３４】
次に、第１の有機基と第２の有機基を連結させて多層グラフェンを架橋する第４の工程について説明する。図８に第１の有機基Ａと第２の有機基Ｂを連結する工程の概念図を示す。図８では、第２の有機基Ｂを有する化合物（エステル）が第１の有機基Ａとエステル交換反応をする際の概念図である。第１の有機基Ａの水酸基と第２の有機基Ｂを有するエステルが接近し、アルコール生成を伴って、エステル交換反応が生じて、図３の概念図に示す架橋分子構造を有するグラフェン配線が得られる。本反応は平衡反応であるため、生成するアルコールを除去しながら反応をさせることが好ましい。
【００３５】
上記に、配線にかかる実施形態を説明したが、この実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００３６】
１：多層グラフェン
２：層間物質
１０：グラフェン層間化合物
２０：層間架橋層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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