(57)【要約】      （修正有）【課題】絶縁性膜の形成時の異常放電の発生を防止し、安定した成膜が行えるプラズマＣＶＤ装置の提供。【解決手段】第１電極１と、基材が設置される第２電極２と、第１電極１の第２電極２と対向する側の表面の一部を遮蔽する遮蔽部材３とを備え、第１電極１と遮蔽部材３とが対向する部位において、第１電極１と遮蔽部材３の少なくとも一部とは間隔を有するプラズマＣＶＤ装置１０。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材上に膜を形成するプラズマＣＶＤ装置であって、
第１電極と、
前記基材が設置される第２電極と、
前記第１電極の前記第２電極と対向する側の表面の一部を遮蔽する遮蔽部材とを備え、
前記第１電極と前記遮蔽部材とが対向する部位において、前記第１電極と前記遮蔽部材の少なくとも一部とは間隔を有することを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
【請求項２】
前記第１電極と前記遮蔽部材との間に設けられた空間が、屈曲または湾曲した部位を有するものである請求項１に記載のプラズマＣＶＤ装置。
【請求項３】
前記間隔は、その幅が成膜条件でのキャリアガスの平均自由行程λよりも小さいものである請求項１または２に記載のプラズマＣＶＤ装置。
【請求項４】
前記第１電極は、前記第１電極と前記第２電極の間に、成膜材料を導入する貫通孔が設けられたものである請求項１ないし３のいずれか１項に記載のプラズマＣＶＤ装置。
【請求項５】
前記遮蔽部材は、ねじ部を有し、前記第１電極を固定するものである請求項１ないし４のいずれか１項に記載のプラズマＣＶＤ装置。
【請求項６】
前記遮蔽部材は、導電性を有するものであり、前記第１電極に電気的に接続されたものである請求項１ないし５のいずれか１項に記載のプラズマＣＶＤ装置。
【請求項７】
前記第１電極の平面視した際の面積をＳ０［ｍｍ２］、前記遮蔽部材の存在により、成膜材料の侵入が防止された領域の導電部の表面積をＳ１［ｍｍ２］としたとき、０．０１≦Ｓ１／Ｓ０＜１．０の関係を満足する請求項１ないし６のいずれか１項に記載のプラズマＣＶＤ装置。
【請求項８】
基材上に膜を形成するプラズマＣＶＤ装置を構成する遮蔽部材であって、
前記プラズマＣＶＤ装置は、第１電極と、前記基材が設置される第２電極とを備えるものであり、
遮蔽部材は、前記第１電極の前記第２電極と対向する側の表面の一部を遮蔽するものであり、
遮蔽部材は、前記第１電極と対向する部位において、前記第１電極と遮蔽部材の少なくとも一部とが間隔を有するようにして用いられるものであることを特徴とする遮蔽部材。
【請求項９】
請求項１ないし７のいずれか１項に記載のプラズマＣＶＤ装置を用いて膜を形成することを特徴とする成膜方法。
【請求項１０】
基材と、
請求項１ないし７のいずれか１項に記載のプラズマＣＶＤ装置を用いて形成された膜とを備えることを特徴とする膜付き部材。
【請求項１１】
基材と、
請求項９に記載の成膜方法を用いて形成された膜とを備えることを特徴とする膜付き部材。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマＣＶＤ装置、遮蔽部材、成膜方法および膜付き部材に関する。
【背景技術】
【０００２】
薄膜の形成装置として、プラズマＣＶＤ装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
プラズマＣＶＤ装置は、一般に、電力を供給する電極を配置した真空室を有し、この真空室内に処理すべき基材（半導体ウェハーやガラス基板等）を設置し、真空室内を減圧した状態で当該真空室内に反応性ガスを導入し、電極に電力を供給して真空室内にプラズマを発生せしめて化学反応により基材上に物質を堆積する処理を行うことにより、基材上に膜を形成する。
【０００４】
しかしながら、従来のプラズマＣＶＤ装置では、絶縁性の膜を形成すると、異常放電が発生して、成膜が不安定となり形成される膜の膜質が低いものとなったり、電極材料がスパッタされて異物の発生を招く等の問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０００−９１２４４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は、安定的な成膜を行うことができるプラズマＣＶＤ装置を提供すること、安定的な成膜を行うことができるプラズマＣＶＤ装置に用いることができる遮蔽部材を提供すること、安定的な成膜を行うことができる成膜方法を提供すること、また、優れた膜質の膜を備えた膜付き部材を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明のプラズマＣＶＤ装置は、基材上に膜を形成するプラズマＣＶＤ装置であって、
第１電極と、
前記基材が設置される第２電極と、
前記第１電極の前記第２電極と対向する側の表面の一部を遮蔽する遮蔽部材とを備え、
前記第１電極と前記遮蔽部材とが対向する部位において、前記第１電極と前記遮蔽部材の少なくとも一部とは間隔を有することを特徴とする。
【０００８】
これにより、安定的な成膜を行うことができるプラズマＣＶＤ装置を提供することができる。
【０００９】
本発明のプラズマＣＶＤ装置では、前記第１電極と前記遮蔽部材との間に設けられた空間が、屈曲または湾曲した部位を有するものであることが好ましい。
【００１０】
これにより、間隔へのキャリアガスの侵入をさらに効果的に防止することができ、間隔におけるキャリアガスのプラズマの発生をさらに効果的に防止することができる。その結果、遮蔽部材が間隔をもって遮蔽する第１電極の表面での成膜材料の反応生成物の付着をさらに効果的に防止することができる。
【００１１】
本発明のプラズマＣＶＤ装置では、前記間隔は、その幅が成膜条件でのキャリアガスの平均自由行程λよりも小さいものであることが好ましい。
【００１２】
これにより、遮蔽部材が間隔をもって遮蔽する第１電極の表面での成膜材料の反応生成物の付着をより効果的に防止することができる。
【００１３】
本発明のプラズマＣＶＤ装置では、前記第１電極は、前記第１電極と前記第２電極の間に、成膜材料を導入する貫通孔が設けられたものであることが好ましい。
【００１４】
これにより、第２電極に設置された基材に向けて成膜材料を効率よく供給することができ、成膜に利用されない成膜材料の割合を少なくすることができ、効率のよい成膜を行うことができる。
【００１５】
本発明のプラズマＣＶＤ装置では、前記遮蔽部材は、ねじ部を有し、前記第１電極を固定するものであることが好ましい。
【００１６】
これにより、第１電極を好適に固定した状態で、成膜を行うことができるため、形成される膜の膜質の安定性、信頼性を特に優れたものとすることができる。また、別途、第１電極を固定するための固定部材を用意する必要がないため、プラズマＣＶＤ装置の構成が複雑化すること等を防止しつつ、安定的な成膜を行うことができる。
【００１７】
本発明のプラズマＣＶＤ装置では、前記遮蔽部材は、導電性を有するものであり、前記第１電極に電気的に接続されたものであることが好ましい。
【００１８】
これにより、第１電極の表面だけでなく、遮蔽部材も、プラズマＣＶＤ装置内でのプラズマ発生に直接的に寄与することができる。また、第１電極の表面の一部だけでなく遮蔽部材の表面の一部も、成膜材料の反応生成物の付着が生じにくい導電性表面として機能するため、より安定的な成膜を行うことができる。
【００１９】
本発明のプラズマＣＶＤ装置では、前記第１電極の平面視した際の面積をＳ０［ｍｍ２］、前記遮蔽部材の存在により、成膜材料の侵入が防止された領域の導電部の表面積をＳ１［ｍｍ２］としたとき、０．０１≦Ｓ１／Ｓ０＜１．０の関係を満足することが好ましい。
【００２０】
これにより、プラズマＣＶＤ装置の大型化、構造の複雑化等を防止しつつ、より安定的な成膜を行うことができる。
【００２１】
本発明の遮蔽部材は、基材上に膜を形成するプラズマＣＶＤ装置を構成する遮蔽部材であって、
前記プラズマＣＶＤ装置は、第１電極と、前記基材が設置される第２電極とを備えるものであり、
遮蔽部材は、前記第１電極の前記第２電極と対向する側の表面の一部を遮蔽するものであり、
遮蔽部材は、前記第１電極と対向する部位において、前記第１電極と遮蔽部材の少なくとも一部とが間隔を有するようにして用いられるものであることを特徴とする。
【００２２】
これにより、安定的な成膜を行うことができるプラズマＣＶＤ装置に用いることができる遮蔽部材を提供することができる。
【００２３】
本発明の成膜方法は、本発明のプラズマＣＶＤ装置を用いて膜を形成することを特徴とする。
これにより、安定的な成膜を行うことができる成膜方法を提供することができる。
【００２４】
本発明の膜付き部材は、基材と、
本発明のプラズマＣＶＤ装置を用いて形成された膜とを備えることを特徴とする。
これにより、優れた膜質の膜を備えた膜付き部材を提供することができる。
【００２５】
本発明の膜付き部材は、基材と、
本発明の成膜方法を用いて形成された膜とを備えることを特徴とする膜付き部材。
これにより、優れた膜質の膜を備えた膜付き部材を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本発明のプラズマＣＶＤ装置の好適な実施形態の概略を模式的に示す縦断面図である。
【図２】図１に示す本発明のプラズマＣＶＤ装置の第１電極および遮蔽部材の近傍を模式的に示す拡大断面図である。
【図３】図１に示す本発明のプラズマＣＶＤ装置を構成する第１電極の模式的な平面図である。
【図４】本発明が適用されたノズルプレートを備えたインクジェットヘッドの好適な実施形態を模式的に示す断面図である。
【図５】本発明の膜付き部材が適用されたインクジェット式記録装置の好適な実施形態を示す概略図である。
【図６】本発明の他の実施形態のプラズマＣＶＤ装置における、第１電極と遮蔽部材との位置関係を説明するための拡大断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下、添付する図面を参照しつつ、本発明の好適な実施形態について詳細な説明をする。
【００２８】
《プラズマＣＶＤ装置》
まず、本発明のプラズマＣＶＤ装置、遮蔽部材について説明する。
【００２９】
図１は、本発明のプラズマＣＶＤ装置の好適な実施形態の概略を模式的に示す縦断面図、図２は、図１に示す本発明のプラズマＣＶＤ装置の第１電極および遮蔽部材の近傍を模式的に示す拡大断面図、図３は、図１に示す本発明のプラズマＣＶＤ装置を構成する第１電極の模式的な平面図である。
【００３０】
プラズマＣＶＤ装置１０は、第１電極１と、膜が形成されるべき基材が設置される第２電極２と、第１電極１の第２電極２と対向する側の表面の一部を遮蔽する遮蔽部材３と、第１電極１、第２電極２および遮蔽部材３を収容する真空室（チャンバー）５と、真空室５内を排気する排気手段６と、真空室５内にガスを供給するガス供給手段７と、電源８とを備えている。
【００３１】
第１電極１は、図示しない整合回路を介して、電源（高周波電源）８に電気的に接続されている。
【００３２】
第２電極２は接地（アース）されており、第１電極１との間で電位差を生じるように構成されている。
【００３３】
真空室５は、排気手段６によって内部の空気が排気されたうえで、ガス供給手段７によりガスが供給されるように構成されている。
【００３４】
排気手段６としては、例えば、油回転ポンプ、ドライポンプ、ターボ分子ポンプ（ＴＭＰ）、メカニカルブースターポンプ（ＭＢＰ）等の各種ポンプを用いることができる。
【００３５】
ガス供給手段７としては、例えば、ガスボンベを用いることができる。
ガスは、少なくとも、成膜材料を含むものであり、さらに、不活性ガス等のキャリアガスを含むもの（成膜材料とキャリアガスとの混合ガス）であってもよい。
【００３６】
成膜材料は、形成すべき膜の組成により異なるが、例えば、窒化ケイ素で構成された膜を形成するものである場合、ＳｉＨ４等のＳｉ含有ガスとＮＨ３等のＮ含有ガスとを組み合わせて用いることができる。また、後に説明する液滴吐出装置のノズルプレート等に適用することができる絶縁性膜（ＰＰＳｉ膜）を形成する場合、成膜材料としては、ＯＭＴＳ（オクタメチルトリシロキサン）等を用いることができる。また、成膜材料としては、オルトケイ酸テトラエチル（ＴＥＯＳ）等も好適に用いることができる。
【００３７】
また、キャリアガスとしては、例えば、アルゴン、水素、窒素等を好適に用いることができる。
【００３８】
なお、図示の構成では、１つのガス供給手段７を備えているが、ガス供給手段７を複数備えていてもよい。
【００３９】
これにより、例えば、異なる組成のガスを個別に供給することができる。より具体的には、成膜材料を含むガスと、成膜材料を含まないガスとを個別に供給したり、複数種の成膜材料を用いる場合において、第１の成膜材料を含むガスと、第１の成膜材料とは異なる第２の成膜材料を含むガスとを個別に供給することができる。このように、複数種のガスを個別に供給することにより、例えば、ガスを貯蔵する容器（ガスボンベ等）の管理が容易となる。また、複数種のガスの混合比率等を容易に調整することができる。
【００４０】
遮蔽部材３は、第１電極１の第２電極２と対向する側の表面（図２中の下面）の一部を遮蔽するものである。
【００４１】
そして、第１電極１と遮蔽部材３とが対向する部位の少なくとも一部において、第１電極１と遮蔽部材３とは間隔（第１の空間）４１を有している。
【００４２】
このように、遮蔽部材３が第１電極１の表面を遮蔽するとともに、遮蔽部材３と第１電極１との間に間隔（第１の空間）４１が設けられていることにより、第１電極１の遮蔽部材３によって遮蔽された部位に、成膜材料の反応生成物が付着することを防止することができ、導電性を有する表面が露出した状態を確保することができる。このため、異常放電の発生（より具体的には、例えば、成膜材料の反応生成物の付着による第１電極１の絶縁化が生じた後に、その状態で電圧印加を行うことによって絶縁破壊が生じることによる異常放電の発生）を効果的に防止・抑制することができる。その結果、プラズマＣＶＤによる成膜を長期間にわたって安定的に行うことができ、形成される膜の膜質も良好なものとすることができる。また、電極材料がスパッタされ、形成される膜中に異物が含まれる等の弊害の発生も確実に防止することができる。また、このように遮蔽部材３を設置することにより、第１電極１の表面に、外部に露出しており、かつ、成膜材料の反応生成物が付着しにくい領域を確保することができるため、例えば、比較的厚い膜を形成した場合や、長期間にわたって成膜を行った場合等であっても、良好な成膜を安定的に行うことができる。したがって、例えば、プラズマＣＶＤ装置１０の清掃、メンテナンスの頻度を減らしたり、清掃、メンテナンスに要する時間を短くした場合等のであっても、好適な成膜を行うことができる。その結果、膜付き部材の生産性を優れたものとすることができる。また、過度の清掃等を行わなくても済むため、プラズマＣＶＤ装置１０の長寿命化を図ることができる。
【００４３】
前述した第１電極１と遮蔽部材３との間に設けられた間隔４１の幅Ｗは、その幅が成膜条件でのキャリアガスの平均自由行程λよりも小さいものであるのが好ましく、０．５λ以下であるのがより好ましく、０．４λ以下であるのがさらに好ましい。
【００４４】
これにより、間隔（第１の空間）４１へのキャリアガスの侵入をより効果的に防止することができるため、間隔（第１の空間）４１におけるキャリアガスのプラズマの発生を防止することができ、結果として、遮蔽部材３が間隔４１をもって遮蔽する第１電極１の表面での成膜材料の反応生成物の付着をより効果的に防止することができる。
【００４５】
キャリアガスの平均自由行程λは、下記式（１）で求めることができる。
λ＝ｋＴ／（２１／２πｐｄ２）      （１）
（ただし、式（１）中、ｋはボルツマン定数、Ｔは温度、ｐはプロセス圧力、ｄはキャリアガス分子の直径を表す。）
【００４６】
例えば、キャリアガス温度Ｔ：４０℃、キャリアガス（アルゴンガス）分子の直径ｄ：０．３８ｎｍ、プロセス圧力ｐ：４Ｐａとした場合、平均自由行程λは１．６７ｍｍとなる。
【００４７】
図２に示す構成では、第１電極１と遮蔽部材３との間に設けられた空間として、遮蔽部材３によって遮蔽されている第１の空間（間隔）４１に加えて、遮蔽部材３によって遮蔽されていない空間である第２の空間４２を有している。
【００４８】
このような第２の空間４２を有するものである場合、第２の空間４２の幅Ｗ’は、その幅が成膜条件でのキャリアガスの平均自由行程λよりも小さいものであるのが好ましく、０．５λ以下であるのがより好ましく、０．４λ以下であるのがさらに好ましい。
【００４９】
これにより、第２の空間４２へのキャリアガスの侵入をより効果的に防止することができるとともに、間隔（第１の空間）４１へのキャリアガスの侵入をさらに効果的に防止することができるため、間隔（第１の空間）４１におけるキャリアガスのプラズマの発生をより効果的に防止することができ、結果として、遮蔽部材３が間隔４１をもって遮蔽する第１電極１の表面での成膜材料の反応生成物の付着をさらに効果的に防止することができる。
【００５０】
第１電極１と遮蔽部材３との間に設けられた空間が、屈曲した屈曲部４３を有している。
【００５１】
これにより、間隔（第１の空間）４１へのキャリアガスの侵入をさらに効果的に防止することができ、間隔（第１の空間）４１におけるキャリアガスのプラズマの発生をさらに効果的に防止することができる。その結果、遮蔽部材３が間隔４１をもって遮蔽する第１電極１の表面での成膜材料の反応生成物の付着をさらに効果的に防止することができる。
【００５２】
遮蔽部材３は、導電性を有するものであり、第１電極１に電気的に接続されたもの（第１電極１と等電位のもの）であるのが好ましい。
【００５３】
これにより、第１電極１の表面だけでなく、遮蔽部材３も、プラズマＣＶＤ装置１０内でのプラズマ発生に直接的に寄与することができる。また、第１電極１の表面の一部だけでなく遮蔽部材３の表面の一部（例えば、間隔４１を介して第１電極の表面に対向する部位等）も、成膜材料の反応生成物の付着が生じにくい導電性表面として機能するため、前述したような異常放電の発生をより効果的に防止することができる。
【００５４】
第１電極１を第２電極２が設けられた側から平面視した際の第１電極１の面積をＳ０［ｍｍ２］、遮蔽部材３の存在により、成膜材料の侵入が防止された領域の導電部の表面積（図２では、第１電極１および遮蔽部材３の表面のうち、第１の空間４１、第２の空間４２を規定する部位の表面積。図２中の太線部で示した部位に対応する部位の表面積の総面積）をＳ１［ｍｍ２］としたとき、０．０１≦Ｓ１／Ｓ０＜１．０の関係を満足するのが好ましく、０．０２≦Ｓ１／Ｓ０≦０．３の関係を満足するのがより好ましい。
【００５５】
これにより、プラズマＣＶＤ装置１０の大型化、構造の複雑化等を防止しつつ、前述したような効果をより顕著に発揮させることができる。
【００５６】
本実施形態において、遮蔽部材３はねじ部（雄ねじ部）３１を有するものであり、第１電極１および支持部（給電部）９に設けられたねじ部（雌ねじ部）と螺合し、第１電極１を支持部９に固定するものである。
【００５７】
これにより、第１電極１を好適に固定した状態で、成膜を行うことができるため、形成される膜の膜質の安定性、信頼性を特に優れたものとすることができる。また、別途、第１電極１を固定するための固定部材を用意する必要がないため、プラズマＣＶＤ装置１０の構成が複雑化すること等を防止しつつ、前述した効果を確実に得ることができる。
【００５８】
第１電極１は、第１電極１と第２電極２の間の空間に、成膜材料を導入する貫通孔（ノズル）１１が複数設けられたものである。
【００５９】
これにより、第２電極２に設置された基材に向けて成膜材料を効率よく供給することができ、成膜に利用されない成膜材料の割合を少なくすることができ、効率のよい成膜を行うことができる。また、基材に形成される膜の膜厚の不本意なばらつきを効果的に防止することができる。
【００６０】
また、貫通孔（ノズル）１１は、第１電極１のほぼ全面にわたって均等に設けられている。
これにより、前述したような効果がより顕著に発揮される。
【００６１】
第１電極１を平面視した際の貫通孔１１の形状は、特に限定されないが、円形であるのが好ましい。
これにより、ガスの供給をより円滑に行うことができる。
【００６２】
貫通孔１１の直径は、０．１ｍｍ以上２．０ｍｍ以下であるのが好ましく、０．２ｍｍ以上１．５ｍｍ以下であるのがより好ましい。
【００６３】
これにより、ガスの噴射圧力が極端に高くなることを防止しつつ、十分な量（単位時間当たりの供給量）のガスを供給することができる。その結果、成膜の効率（膜付き部材の生産性）を特に優れたものとしつつ、不本意な膜厚のばらつきの発生等をより効果的に防止することができる。
【００６４】
隣り合う貫通孔１１のピッチ（中心間距離）は、１．０ｍｍ以上２２．５ｍｍ以下であるのが好ましく、１．５ｍｍ以上８．０ｍｍ以下であるのがより好ましい。
【００６５】
これにより、第１電極１の表面（第２電極２に対向する側の表面）のうち導電部として機能する部位の面積を十分に大きいものとしつつ、基材の各部位に供給されるガスまたは成膜材料の反応生成物の量のばらつきを抑制することができる。その結果、より優れた生産性で、不本意な膜厚のばらつきの発生等がより効果的に防止された膜を形成することができる。
【００６６】
第１電極１を第２電極２が設けられた側から平面視した際の第１電極１の面積をＳ０［ｍｍ２］、複数個の貫通孔１１の総面積をＳ２［ｍｍ２］としたとき、０．０００７≦Ｓ２／Ｓ０≦０．０２の関係を満足するのが好ましく、０．００２≦Ｓ２／Ｓ０≦０．０１２の関係を満足するのがより好ましい。
【００６７】
これにより、第１電極１の表面（第２電極２に対向する側の表面）のうち導電部として機能する部位の面積を十分に大きいものとしつつ、基材の各部位に供給されるガスまたは成膜材料の反応生成物の量のばらつきを抑制することができる。その結果、より優れた生産性で、不本意な膜厚のばらつきの発生等がより効果的に防止された膜を形成することができる。
【００６８】
第１電極１は、導電性を有するものであれば、いかなる材料で構成されたものであってもよいが、例えば、アルミニウム等の各種金属を用いることができる。
【００６９】
また、第１電極１の表面には、表面処理が施されていてもよい。
これにより、例えば、第１電極１の耐食性の向上や、スパッタ現象に対する耐性の向上等を図ることができる。
【００７０】
第１電極１が主としてアルミニウムで構成されたものである場合、前記表面処理としては、アルマイト処理を採用することができる。これにより、前述したような効果をより顕著に発揮させることができる。
【００７１】
第２電極２は、通常、膜を形成すべき基材の面積以上の面積を有するものである。
第２電極２を平面視した際の形状は、特に限定されないが、本実施形態では、円形状である。
これにより、ウェハー状の基材等に対して、より好適に成膜処理を行うことができる。
【００７２】
第２電極２は、通常、第１電極１と同様の形状、大きさを有するものである。
これにより、より安定した成膜を行うことができる。
【００７３】
本発明のプラズマＣＶＤ装置を用いて形成される膜の２５℃における体積抵抗率は、１×１０１１Ω・ｃｍ以上であるのが好ましく、１×１０１２Ω・ｃｍ以上であるのがより好ましい。
【００７４】
このように、形成される膜の絶縁性の高いものであると、安定的な成膜ができずに、形成される膜の膜質が低下するという問題がより顕著に発生していたが、本発明では、このように絶縁性の高い膜を形成する場合であっても、このような問題の発生を確実に防止することができる。すなわち、このように絶縁性の高い膜を形成する場合に、本初美による効果がより顕著に発揮される。
【００７５】
《成膜方法（膜の製造方法）》
本発明の成膜方法は、本発明のプラズマＣＶＤ装置を用いて膜を形成することを特徴とする。
これにより、安定的な成膜を行うことができる成膜方法を提供することができる。
【００７６】
以下、前述したプラズマＣＶＤ装置１０を用いて膜を形成する方法の一例について説明する。
【００７７】
本実施形態の製造方法は、排気手段６により、真空室５の内部を減圧する減圧工程（１ａ）と、ガス供給手段７から貫通孔１１を介して第１電極１と第２電極２との間に成膜材料を含むガスを供給する成膜材料供給工程（１ｂ）と、電源８により第１電極１と第２電極２との間に電圧を印加することによりプラズマを発生させるプラズマ発生工程（１ｃ）とを有する。
【００７８】
＜減圧工程＞
まず、真空室５の内部にガスを供給するのに先立ち、真空室５の内部を排気手段６により減圧する。
【００７９】
これにより、真空室５の内部を、効率よくガス供給手段７から供給されるガスに置換することができる。
【００８０】
減圧工程で減圧された状態での真空室５の内部の圧力は、特に限定されないが、０．０１Ｐａ以上１Ｐａ以下であるのが好ましく、０．１Ｐａ以上０．５Ｐａ以下であるのがより好ましい。
【００８１】
これにより、真空室５の内部を、より効率よくガス供給手段７から供給されるガスに置換することができるとともに、成膜の効率（膜付き部材の生産性）を特に優れたものとすることができる。
【００８２】
これに対し、減圧工程で減圧された状態での真空室５の内部の圧力が前記上限値を超えると、真空室５の内部のガスの置換効率が低下する。
【００８３】
また、減圧工程で減圧された状態での真空室５の内部の圧力が前記下限値未満であると、真空室５の内部のガスの置換効率のさらなる向上が困難となるだけでなく、減圧工程に要する時間が長くなるため、成膜の効率（膜付き部材の生産性）が低下する。また、過度の減圧は、排気手段６等への負荷が大きくなり、プラズマＣＶＤ装置１０の安定的な運転や長寿命化の観点等からも不利である。
【００８４】
＜成膜材料供給工程＞
その後、減圧された状態の真空室５の内部に成膜材料を含むガスを供給する。
【００８５】
これにより、真空室５の内部を、成膜材料等の各成分を所望の含有率で含むものとすることができる。その結果、後のプラズマ発生工程において、成膜を好適に進行させることができる。
【００８６】
成膜材料供給工程でガスが供給された状態での真空室５の内部の圧力は、特に限定されないが、０．１Ｐａ以上９００Ｐａ以下であるのが好ましく、１Ｐａ以上５００Ｐａ以下であるのがより好ましい。
【００８７】
これにより、後のプラズマ発生工程での成膜の効率（膜付き部材の生産性）を特に優れたものとすることができる。
【００８８】
＜プラズマ発生工程＞
その後、電源８により第１電極１と第２電極２との間に電圧を印加する。
【００８９】
これにより、ガスがプラズマ状態となり、成膜材料は励起され、化学的に活性な状態となる。そして、化学的に活性な状態となった成膜材料が化学反応し、成膜材料の反応生成物で構成された膜が基材上に形成される。
【００９０】
ここで、前述したように、プラズマＣＶＤ装置１０は、所定の条件を満足する遮蔽部材３が設置されているため、第１電極１の遮蔽部材３によって遮蔽された部位に、成膜材料の反応生成物が付着することが防止されており、本工程で基材への成膜を行った場合に、第１電極１等において、導電性を有する表面が露出した状態を確保することができる。このため、異常放電の発生を効果的に防止・抑制することができ、プラズマＣＶＤによる成膜を長期間にわたって安定的に行うことができ、形成される膜の膜質も良好なものとすることができる。また、電極材料がスパッタされ、形成される膜中に異物が含まれる等の弊害の発生も確実に防止することができる。
【００９１】
本工程では、成膜材料の反応を継続的に進行させるため、通常、ガス供給手段７からガスを供給しつつ行う。
【００９２】
これにより、例えば、成膜時間を調整することにより、形成する膜の厚さを調整することができる。
【００９３】
ところで、従来においては、成膜時間を長くしたり、厚みの大きい膜を形成しようとした際に、前述したような異常放電による不具合が特に生じ易かったが、本発明では、成膜時間を長くした場合、厚みの大きい膜を形成する場合であっても、上記のような問題の発生を確実に防止することができ、良好な成膜を安定的に行うことができる。
【００９４】
本工程で形成する膜の厚さは、特に限定されないが、０．１μｍ以上５．０μｍ以下であるのが好ましく、０．２μｍ以上１．０μｍ以下であるのがより好ましい。
【００９５】
このように、膜厚が比較的厚い場合に、前記のような問題がより顕著に発生していたが、本発明では、このように膜厚が比較的厚い場合であっても、前記のような問題の発生を確実に防止することができる。したがって、膜の厚さが前記範囲内の値である場合に、本発明による効果がより顕著に発揮される。また、膜の厚さが前記範囲内の値である場合には、膜の内部応力が高くなりすぎること等を防止することができ、膜の基材に対する密着性、膜の信頼性等を特に優れたものとすることができる。
【００９６】
ガス供給手段７からガスの供給に伴い、真空室５内部の圧力が高くなることを防止するため（真空度保持のため）に、本工程では、排気手段６による排気を行ってもよい。
【００９７】
プラズマ発生工程での真空室５の内部の圧力は、特に限定されないが、０．１Ｐａ以上９００Ｐａ以下であるのが好ましく、１Ｐａ以上５００Ｐａ以下であるのがより好ましい。
【００９８】
これにより、成膜の効率（膜付き部材の生産性）を特に優れたものとすることができる。
【００９９】
《膜付き部材》
次に、本発明の膜付き部材について、説明する。
【０１００】
本発明の膜付き部材は、基材と、前述したプラズマＣＶＤ装置を用いて形成された膜とを備えるものである。
【０１０１】
前述したように、本発明のプラズマＣＶＤ装置は、形成される膜の膜質の低下を防止し、安定的な成膜を行うことができる。したがって、優れた膜質の膜を備えた膜付き部材を提供することができる。
【０１０２】
膜付き部材が備える膜は、前述した本発明の成膜方法を用いて好適に形成することができる。
【０１０３】
なお、前述したような本発明のプラズマＣＶＤ装置、成膜方法を用いて膜が形成された基材をそのまま膜付き部材として用いてもよいし、膜が形成された基材に対して切断等の加工を施したものを本発明の膜付き部材としてもよい。
【０１０４】
また、膜付き部材が備える膜は、前述したプラズマＣＶＤ装置を用いて形成された膜をそのまま備えるものであってもよいし、成膜後に他の処理を施されたものであってもよい。
【０１０５】
本発明の膜付き部材は、いかなる用途のものであってもよく、例えば、半導体装置等に適用することができる。
【０１０６】
また、本発明の膜付き部材は、例えば、液滴吐出装置（インクジェット式記録装置）の液滴吐出ヘッド（インクジェットヘッド）を構成するノズルプレートに好適に適用することができる。液滴吐出ヘッド（インクジェットヘッド）は微細な構造を有しており、わずかな寸法のずれが、液滴吐出特性に大きな影響を与える。また、液滴吐出ヘッドでは、ノズルプレートでのインクの過度な濡れ広がりを防止するために、撥液膜を設けることが一般に行われているが、この撥液膜における組成のばらつきや厚さのばらつき等も液滴吐出特性に大きな影響を与える。したがって、本発明を液滴吐出ヘッド（インクジェットヘッド）を構成するノズルプレートに適用した場合に、本発明の効果がより顕著に発揮される。
【０１０７】
《インクジェットヘッド》
以下、本発明の膜付き部材の一例としてのノズルプレートを備えたインクジェットヘッドについて説明する。
【０１０８】
図４は、本発明が適用されたノズルプレートを備えたインクジェットヘッドの好適な実施形態を模式的に示す断面図である。
【０１０９】
図４に示すインクジェットヘッド（液滴吐出ヘッド）１００は、インク溜め８７が形成されたシリコン基板８１と、シリコン基板８１上に形成された振動板８２と、振動板８２上の所望位置に形成された下電極８３と、下電極８３上であって、インク溜め８７に対応した位置に形成された圧電体薄膜８４と、圧電体薄膜８４上に形成された上電極８５と、シリコン基板８１の下面に接合されたノズルプレート８６とを備えている。ノズルプレート８６には、インク溜め８７に連通するインク吐出ノズル（貫通孔）８６Ａが設けられている。
【０１１０】
このインクジェットヘッド１００は、図示しないインク流路を介してインク溜め８７にインクが供給される。ここで、下電極８３と上電極８５とを介して、圧電体薄膜８４に電圧を印加すると、圧電体薄膜８４が変形してインク溜め８７内を負圧にし、インクに圧力を加える。この圧力によって、インクがノズルから吐出され、インクジェット記録を行う。
【０１１１】
インクジェットヘッド１００は、例えば、Ｓｉ熱酸化膜を振動板８２とし、その上部に、下電極８３、圧電体薄膜８４、上電極８５で構成される薄膜圧電体素子を薄膜プロセスにより一体成形し、かつ、キャビティー（インク溜め）８７が形成された単結晶のシリコン基板８１からなるチップと、インクを吐出するインク吐出ノズル８６Ａを備えたノズルプレート８６とが、接合された構造のものとすることができる。
【０１１２】
ここでは、より大きな変位量が稼げるように、圧電体薄膜８４としては、例えば、圧電歪定数ｄ３１の高い材料として、第３成分としてマグネシウムニオブ酸鉛を添加した３成分系ＰＺＴで構成されたものを用いることができる。また、圧電体薄膜８４の厚みは、２μｍ程度とすることができる。
【０１１３】
そして、ノズルプレート８６は、基部８６１と、基部８６１の外表面側（シリコン基板８１に対向する面とは反対の面側）に選択的に設けられた撥液膜８６２とを有している。
【０１１４】
撥液膜８６２は、前述したような本発明のプラズマＣＶＤ装置を用いて形成された膜、または、当該膜に所定の処理を施したものである。
【０１１５】
このようなノズルプレート８６の製造方法の一例を以下に説明する。
まず、ニッケル等で構成され、インク吐出ノズル（貫通孔）８６Ａに対応する開口部が設けられた基板（基部８６１）を用意し、この基板に対し、本発明のプラズマＣＶＤ装置を用いて膜の形成を行う。このとき、成膜材料としては、オクタメチルトリシロキサンを用い、その重合物で構成された膜を形成する。その後、形成された膜に、窒素雰囲気下で加温エージング処理（アニール処理）を行うことにより、該表面上に撥液膜８６２としてのプラズマ重合膜を形成することにより、ノズルプレート８６を得ることができる。
【０１１６】
《膜付き部材を備えた装置（電子機器）》
次に、前述した膜付き部材を備えた装置について説明する。
【０１１７】
本発明の膜付き部材は、前述したようにいかなる用途のものであってもよいが、各種装置（例えば、電子機器）の構成部材として用いることができる。
【０１１８】
以下、膜付き部材を備えた装置（電子機器）の一例として、前述したインクジェットヘッドを備えたインクジェット式記録装置（液滴吐出装置）について説明する。
【０１１９】
図５は、本発明の膜付き部材が適用されたインクジェット式記録装置の好適な実施形態を示す概略図である。
【０１２０】
図５に示すように、インクジェット式記録装置（液滴吐出装置）１０００は、インクジェットヘッドユニット（記録ヘッドユニット）９１Ａおよび９１Ｂと、カートリッジ９２Ａおよび９２Ｂと、キャリッジ９３と、装置本体９４と、キャリッジ軸９５と、駆動モーター９６と、タイミングベルト９７と、プラテン９８とを備えている。
【０１２１】
前述したようなインクジェットヘッド１００（本発明の膜付き部材を備えるもの）を備える記録ヘッドユニット９１Ａおよび９１Ｂは、インク供給手段を構成するカートリッジ９２Ａおよび９２Ｂが着脱可能に設けられ、記録ヘッドユニット９１Ａおよび９１Ｂを搭載したキャリッジ９３は、装置本体９４に取り付けられたキャリッジ軸９５に軸方向移動自在に設けられている。記録ヘッドユニット９１Ａおよび９１Ｂは、例えば、それぞれブラックインク組成物およびカラーインク組成物を吐出するものとすることができる。
【０１２２】
そして、駆動モーター９６の駆動力が図示しない複数の歯車およびタイミングベルト９７を介してキャリッジ９３に伝達されることで、記録ヘッドユニット９１Ａおよび９１Ｂを搭載したキャリッジ９３はキャリッジ軸９５に沿って移動される。一方、装置本体９４にはキャリッジ軸９５に沿ってプラテン９８が設けられており、図示しない給紙ローラー等により給紙された紙等の記録媒体である記録シートＳがプラテン９８に巻き掛けられて搬送されるようになっている。
【０１２３】
以上、本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明は、これらに限定されるものではない。
【０１２４】
例えば、本発明のプラズマＣＶＤ装置では、各部の構成は、同様の機能を発揮する任意の構成のものに置換することができ、また、任意の構成を付加することもできる。例えば、プラズマＣＶＤ装置では、第２電極に設置された基材を加熱する加熱手段を備えるものであってもよい。これにより、成膜材料の化学反応をより好適に進行させることができ、膜の形成効率（膜付き部材の生産性）を特に優れたものとすることができる。
【０１２５】
また、前述した実施形態では、第１電極と遮蔽部材との間に設けられた空間が、屈曲した部位（屈曲部）を有するものである場合について説明したが、第１電極と遮蔽部材との間に設けられた空間は、屈曲部の代わりに、湾曲した部位（湾曲部）を有するものであってもよい。このような場合であっても、前記と同様な効果が得られる。
【０１２６】
なお、第１電極と遮蔽部材との間に設けられた空間は、屈曲部、湾曲部のいずれも有していないものであってもよい。
【０１２７】
また、前述した実施形態では、遮蔽部材がねじ部として雄ねじ部を有し、第１電極が雌ねじ部を有し、これらが螺合しているものとして説明したが、遮蔽部材が雌ねじ部を有し、第１電極が雄ねじ部を有していてもよい。
【０１２８】
また、前述した実施形態では、螺合により遮蔽部材が第１電極を固定するものである場合について説明したが、遮蔽部材はこれ以外の手段により第１電極を固定するものであってもよい。
【０１２９】
また、前述した実施形態では、遮蔽部材が、第１電極と接触するものある場合について代表的に説明したが、例えば、図６に示すように、遮蔽部材は、第１電極と接触していないものであってもよい。
【符号の説明】
【０１３０】
１０…プラズマＣＶＤ装置
１…第１電極
１１…貫通孔（ノズル）
２…第２電極
３…遮蔽部材
３１…ねじ部（雄ねじ部）
４１…間隔（第１の空間）
４２…第２の空間
４３…屈曲部
５…真空室（チャンバー）
６…排気手段
７…ガス供給手段
８…電源（高周波電源）
９…支持部（給電部）
Ｗ…幅
Ｗ’…幅
１０００…インクジェット式記録装置（液滴吐出装置）
１００…インクジェットヘッド（液滴吐出ヘッド）
８１…シリコン基板
８２…振動板
８３…下電極
８４…圧電体薄膜
８５…上電極
８６…ノズルプレート
８６Ａ…インク吐出ノズル（貫通孔）
８６１…基部
８６２…撥液膜
８７…インク溜め（キャビティー）
９１Ａ…インクジェットヘッドユニット（記録ヘッドユニット）
９１Ｂ…インクジェットヘッドユニット（記録ヘッドユニット）
９２Ａ…カートリッジ
９２Ｂ…カートリッジ
９３…キャリッジ
９４…装置本体
９５…キャリッジ軸
９６…駆動モーター
９７…タイミングベルト
９８…プラテン
Ｓ…記録シート
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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