(57)【要約】【課題】電極パターンの厚みが大きく、ライン＆スペースが狭い場合でも、電極パターンの断線部分を安定して修正することが可能な、基板の欠陥修正方法を提供する。【解決手段】基板の欠陥修正方法は、断線部分の両側に断線部分に沿ってガイド剤を塗布するステップと、ガイド剤の間に、焼成により導電性を発現するペーストを塗布するステップとを含む。【選択図】図２
2016086020.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された電極パターンの断線部分を修復する、基板の欠陥修正方法であって、
前記断線部分の両側に前記断線部分に沿ってガイド剤を塗布するステップと、
前記ガイド剤の間に、焼成により導電性を発現するペーストを塗布するステップとを含む、基板の欠陥修正方法。
【請求項２】
前記ガイド剤は、前記ペーストに含まれる溶剤からなる、請求項１に記載の基板の欠陥修正方法。
【請求項３】
前記ペーストを焼成するステップをさらに含み、
前記ガイド剤は、前記焼成するステップにおいて昇華する材料からなる、請求項１に記載の基板の欠陥修正方法。
【請求項４】
前記ガイド剤は、前記ペーストからなる、請求項１に記載の基板の欠陥修正方法。
【請求項５】
前記ガイド剤を塗布するステップは、前記ガイド剤が前記電極パターンと重なるように前記ガイド剤を塗布する、請求項４に記載の基板の欠陥修正方法。
【請求項６】
基板上に形成された電極パターンの断線部分を修復する、基板の欠陥修正方法であって、
前記断線部分の電極幅内の両側に予め、焼成により導電性を発現するペーストからなるガイド剤を塗布してから、前記ガイド剤の間に前記ペーストを塗布する、基板の欠陥修正方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、基板の欠陥修正方法に関し、特に、プリント基板等に形成された電極パターンの断線部分を修復する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子部品等が実装されるプリント基板等には、配線パターンが形成される。配線パターンは、たとえば、基板に導電性膜を形成することによって実現される。以後、そのような配線パターンを、「電極パターン」という場合もある。
【０００３】
電極パターンの厚み（導電性膜の膜厚）を大きくすることで、大きな電流容量を確保することができる。たとえば、電極パターンの幅を５０μｍ程度に抑える一方で、厚みを２５μｍ程度まで厚くしたプリント基板もある。
【０００４】
近年、多くの電極パターンが高密度に形成されている基板や部品内蔵型基板のような、付加価値の高いプリント基板が実用に供されている。そのようなプリント基板の生産において電極パターンに断線部分がある（オープン欠陥がある）からといって従来のように欠陥品を廃却していたのでは歩留まりが改善せず、コストの増大といった問題を招来する。これを防ぐために、断線部分を修復（基板のオープン欠陥を修正）する技術への要求が高まっている。
【０００５】
たとえば特許文献１（特許第２９８３８７９号）は、塗布針を用いてペーストを塗布することによって断線部分を修復する方法を開示する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特許第２９８３８７９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
特許文献１の方法は、ガラス基板上に形成された透明電極（ＩＴＯ（Indium  Tin  Oxide）膜）の断線部分を修復するものである。ＩＴＯ膜は膜厚がたとえば１μｍ以下と非常に薄い。一方で、先に述べたように、プリント基板上に形成される電極パターンの厚み（導電性膜の膜厚）はたとえば２５μｍ程度になることもあり、ＩＴＯ膜の膜厚よりもかなり厚い。
【０００８】
そのような厚い電極パターンの断線部分を修復する場合、特許文献１に記載されているような従来の技術を適用した場合に発生する課題について、図８を参照して説明する。
【０００９】
図８は、基板上に形成された電極パターンの断面の一例を示す。図８（ａ）では、厚みが比較的小さい電極パターン３Ｅ１が基板２Ｅ１上に形成されている。電極パターン３Ｅ１は、断線部分４Ｅ１において断線している。また、電極パターン３Ｅ１の欠陥を修正するために、導電材料が形成されている。図８（ｂ）では、厚みが比較的大きい電極パターン３Ｅ２が基板２Ｅ２上に形成されている。電極パターン３Ｅ２は、断線部分４Ｅ２において断線している。電極パターン３Ｅ２の欠陥を修復するために、導電材料が形成されている。
【００１０】
図８（ａ）を参照して、電極パターン３Ｅ１は比較的薄いので、電極パターン３Ｅ１のパターン面と、断線部分４Ｅ１での基板２Ｅ１の基板面との段差は比較的小さい。そのため、電極パターン３Ｅ１と断線部分４Ｅ１との境界にある段差部分（Ｆ部）においても、ある程度の量の導電材料が保持される。これにより、断線部分４Ｅ１において、導電材料は途切れることなく、かつ、ある程度の厚みを有することとなる。したがって、導電材料は全体として良好な（抵抗値の低い）導電性を示し、電極パターン３Ｅ１の断線部分４Ｅ１は正常に修復されることとなる。つまり、基板２Ｅ１の欠陥を安定して修正することができる。
【００１１】
これに対し、図８（ｂ）では、電極パターン３Ｅ２は比較的厚いので、電極パターン３Ｅ２のパターン面と、断線部分４Ｅ２における基板２Ｅ２の基板面との段差は比較的大きい。そのため、電極パターン３Ｅ２と断線部分４Ｅ２との境界にある段差部分（Ｇ部）において保持される導電材料が少なくなる。その結果、断線部分４Ｅ２において導電材料が途切れてしまい、電極パターン３Ｅ２の断線部分４Ｅ２を修復できなくなるおそれがある。仮に導電材料の導通が確保されたとしても、段差部分（Ｇ部）における導電材料の厚みが薄いため、導電材料は全体として良好でない（抵抗値の高い）導電性を示し、電極パターン３Ｅ２の断線部分４Ｅ２が正常に修正されない可能性が高まる。つまり、基板２Ｅ２の欠陥を安定して修正することができない。
【００１２】
さらに特許文献１は、塗布されたペーストの一部をレーザで除去する方法を開示する（特許文献１の図５参照）。この方法を利用して、たとえば、断線部分に塗布されるペーストの厚みを大きくするためにペーストを多めに塗布し（ただしペーストは広がってしまう）、その後、広がりすぎたペーストの一部をレーザで除去するといった手法が考えられる。ペーストの厚みが大きければ、電極パターンが厚い場合（たとえば図８（ｂ））でも、その断線部分を正常に修正することができる。しかし、レーザによる除去加工は時間を要する。
【００１３】
また、プリント基板がたとえばガラスエポキシ材料などでできている場合には、レーザでの除去加工時に基板がダメージを受けてしまう可能性がある。さらに、最近の電極は、非常に狭いパターン幅およびパターン間隔（ライン＆スペース）で形成されており、ペーストを広く塗布すると、隣接する正常な（修正不要な）パターンにまでペーストが塗布されてしまう。このとき、レーザによる除去が十分でないと、ショート欠陥が発生するおそれがある。このため、特許文献１に開示される、塗布されたペーストの一部をレーザで除去するような方法も、プリント基板における電極パターンの断線部分を修復するのには適さない。
【００１４】
すなわち、ガラス基板上に形成された透明電極の断線部分を修復するような従来の方法を、プリント基板上に形成された電極パターンの断線部分の修復に用いる場合には、次のような課題がある。
【００１５】
プリント基板上の電極パターンの厚みが大きいため、電極パターンと断線部分との段差が大きくなり、修復のために形成された導電材料の厚みが不足し、導通が確保できなくなる、あるいは、導通が確保できたとしても抵抗値が大きくなる。
【００１６】
ペーストを広く塗布する場合には、塗布した後でレーザ除去加工を行なう必要があり、修正時間が長くなる。
【００１７】
レーザ除去加工によって基板がダメージを受ける場合がある。
隣接する電極パターンにもペーストが塗布されてしまい、ショート欠陥が生じる場合がある。
【００１８】
それゆえに、この発明の主たる目的は、電極パターンの厚みが大きく、ライン＆スペースが狭い場合でも、電極パターンの断線部分を安定して修復することが可能な、基板の欠陥修正方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
この発明に係る、基板の欠陥修正方法は、基板上に形成された電極パターンの断線部分を修復する方法であって、断線部分の両側に断線部分に沿ってガイド剤を塗布するステップと、ガイド剤の間に、焼成により導電性を発現するペーストを塗布するステップとを含む。
【００２０】
上記の基板の欠陥修正方法では、断線部分の両側に断線部分に沿ってガイド剤が塗布され、塗布されたガイド剤の間にペーストが塗布される。ガイド剤は、ペーストが広がることを防ぐ（堰き止める）ように作用する。これにより、塗布されたペーストの厚みを大きくすることができる。ペーストを厚く塗布することによって、電極パターンの断線部分を安定して（つまり、小さな導通抵抗で）修復することができる。
【００２１】
また、ガイド剤の堰き止め効果によってペーストが広がらないため、たとえば特許文献１に記載されたようなレーザ除去加工を行なう必要がない。その分、基板の修正時間を短縮できる。
【００２２】
さらに、ガイド剤の堰き止め効果によって、ペーストが隣接する電極パターンにまで塗布されることがない。したがって、電極パターンのライン＆スペースが狭い場合などに電極パターン間でショート欠陥が生じることを防ぐことができる。
【発明の効果】
【００２３】
この発明によれば、電極パターンの厚みが大きく、ライン＆スペースが狭い場合でも、電極パターンの断線部分を安定して修復することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】各実施の形態に共通する、基板の欠陥修正方法が適用される基板の一例を説明するための図である。
【図２】実施の形態１に係る修正方法を説明するための図である。
【図３】実施の形態１に係る修正方法によって修正された基板を説明するための図である。
【図４】実施の形態２に係る修正方法によって修正された基板を説明するための図である。
【図５】重複部分を設けることによる導通抵抗の低減の効果の評価結果を示す図である。
【図６】実施の形態３に係る修正方法を説明するための図である。
【図７】修正装置の外観図である。
【図８】従来技術による課題を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下、この発明の実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、特に記載がある場合を除き、図中同一または相当部分には同一符号を付してその説明は繰り返さない。
【００２６】
［修正対象となる基板］
図１は、各実施の形態に共通する、基板の欠陥修正方法（以下、単に「修正方法」という場合もある）が適用される基板（基板２）の一例を説明するための図である。図１（ａ）は基板２の平面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）のＩＢ−ＩＢ断面図である。
【００２７】
図１を参照して、基板２はたとえばプリント基板である。種々の電子部品等を実装できるように、基板２上には電極パターン（たとえば導電性膜）が高密度に（すなわち、ライン＆スペースが狭い状態で）形成される。図１に示す例では、電極パターンとして、電極パターン３Ａおよび３Ｂと、隣接する電極パターン３Ｎ１および３Ｎ２とが図示される。電極パターン３Ａおよび３Ｂは、一つの電極パターンとして設計されたが、断線部分４において断線している。図１（ａ）においては、断線部分の輪郭のうち断線部分の両側が破線で示される。断線部分４は、電極パターン３Ａおよび３Ｂの方向に沿って発生している。断線部分４があるので、図１に示す基板２は欠陥を有することとなる。
【００２８】
各実施の形態に係る修正方法は、図１に示すような断線部分４（つまり基板２の欠陥）を修復するための方法である。この修正方法は、とくに、電極パターン３Ａおよび３Ｂの配線幅に対する電極パターンの厚みが比較的大きい場合に好適に用いられる。
【００２９】
なお、図１に示す例では断線部分４において、電極パターン３Ａおよび３Ｂが完全に断線しているが、断線部分４の形状はこれに限定されるものではない。たとえば、断線部分４において、電極パターン３Ａおよび３Ｂを接続する細いパターン（電極パターン３Ａおよび３Ｂの幅よりも小さい幅を有するパターン）が存在していてもよい。
【００３０】
基板２は、多層基板であってもよい。その場合、基板２は、抵抗素子、インダクタ素子、およびキャパシタ素子などが内層に設けられた、いわゆる部品内蔵型基板とすることができる。
【００３１】
なお、各実施の形態に係る修正方法は、たとえば所定の装置を用いることによって実現できる。これについては後に図７を参照して説明する。
【００３２】
［実施の形態１］
図２は、実施の形態１に係る修正方法を説明するための図である。図２（ａ）〜（ｄ）は、各工程（ステップ）における断線部分４およびその周辺を示す平面図である。
【００３３】
図２（ａ）を参照して、はじめに、断線部分４の両側に、断線部分４に沿ってガイド剤５が塗布される。たとえば、先端部にガイド剤５を付着させた針（塗布針）を断線部分４の両側に接触させることによって、ガイド剤５を塗布することができる。ガイド剤５を付着させた針は、後にペーストを塗布する際に用いる針とは異なっていてもよい。たとえば、ガイド剤５を塗布するための針の先端の径は、ペーストを塗布するための針の先端の径よりも小さいものとすることができる。
【００３４】
図２（ａ）に示す例では、ガイド剤５は、断線部分４の外側に、断線部分４に沿って塗布される。より具体的に説明すると、ガイド剤５は、電極パターン３Ａおよび３Ｂに沿った方向を長手方向とする略長方形状に塗布されており、ガイド剤５の長手方向の一辺が断線部分４の外側に存在し、対向する辺が断線部分４の両側（図１（ａ）の破線で示される部分）と一致するように、ガイド剤５が塗布されている。さらに、基板２の面方向において、ガイド剤５は、塗布されたガイド剤５の一部が電極パターン３Ａおよび３Ｂと重なるように塗布される。
【００３５】
ガイド剤５は、後に断線部分４に塗布されるペーストの幅を規制する、幅規制剤として用いることができる。
【００３６】
ガイド剤５には、種々の材料を用いることができる。図２（ａ）に示すようにガイド剤５を断線部分４の外側に塗布する場合、実施の形態１では、ガイド剤５として、ペーストの焼成時（後述）において昇華する材料からなるものを採用する。焼成時に昇華する材料は、加熱分解性を有するものであればよい。そのような材料のいくつかの具体例については、後に説明する。なお、後述の実施の形態２および３においては、ガイド剤５として、ペーストと同様の材料が用いられる。
【００３７】
図２（ｂ）を参照して、ガイド剤５の間に、ペーストが塗布される。図２（ｂ）に示す例では、点Ｐ１〜Ｐ６として図示される複数回の打点によって、ペーストが断線部分４に塗布される。たとえば、先端部にペーストを付着させた針（塗布針）を点Ｐ１〜Ｐ６に接触させることによって、ペーストを塗布することができる。
【００３８】
ここで、ガイド剤５がないと、塗布されたペーストが断線部分４の幅方向に広がり、ペーストの厚みが失われていく。これに対し、ガイド剤５があることで、塗布されたペーストは断線部分４の幅方向には広がらず（堰き止められ）、ペーストの厚みは失われない。これにより、断線部分４におけるペーストの厚みを確保することができる。ペーストを厚く塗布することで、先に図８（ｂ）を参照して説明したような、段差部分（Ｇ部）において導電材料の導通が確保できなくなることや、抵抗値が高くなることを防ぐことができる。また、ガイド剤５の堰き止め効果によってペーストが断線部分４の幅方向に広がらないので、たとえば隣接する電極パターン（図１の電極パターン３Ｎ１および３Ｎ２）にまでペーストが塗布されることもない。したがって、ショート欠陥を引き起こすこともない。
【００３９】
図２（ｃ）を参照して、ペーストが焼成される。焼成後のペーストは導電性を発現し、導電材料が形成される。図２（ｃ）に示す例では、レーザ光をスポット的に照射することによって焼成が行なわれる。レーザ光としては、たとえばＣＯ２レーザや半導体レーザを用いることができるが、レーザ光の種類は特に限定されるものではない。また、焼成の手法は、レーザ照射に限定されるものでなく、たとえば電気炉を利用するものであってもよい。
【００４０】
ペーストが焼成される際に、ガイド剤５も加熱される。その結果、ガイド剤５は昇華して無くなる。ガイド剤５がそのまま残っていると、後の工程（たとえば基板２の検査等のための工程）に影響を及ぼす可能性があるが、実施の形態１ではガイド剤５が昇華して無くなるので、そのような問題は生じない。
【００４１】
図２（ｄ）を参照して、ペーストが焼成されることによって、電極パターン３Ｃが新たに形成された状態となる。電極パターン３Ｃによって電極パターン３Ａおよび３Ｂが電気的に接続される。電極パターン３Ａ，３Ｂおよび３Ｃは全体として一つの電極パターンとして機能する。このようにして、断線部分４（図２（ａ）参照）を修復することができる。
【００４２】
［焼成時に昇華するガイド剤の材料の具体例］
ペーストの焼成時に昇華するガイド剤の材料は、特に限定されるものではないが、たとえば次に示す材料が好ましい。
【００４３】
アクリル系のものでは、分子量５０００〜１０００のポリメチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、ｎ−ブチル（メタ）アクリレート、ｉ−ブチル（メタ）アクリレート等のモノ（メタ）アクリレートが挙げられる。これらは１種または２種以上を有機溶剤中に混合して使用することが出来る。
【００４４】
ポリカ-ボネート系では、平均分子量５０００〜１０００のポリプロピレンカーボネート、ポリエチレンカーボネート、１，２−ポリブチレンカーボネート、１，３−ポリブチレンカーボネート、１，４−ポリブチレンカーボネート、ｃｉｓ−２，３−ポリブチレンカーボネート、ｔｒａｎｓ−２，３−ポリブチレンカーボネート、α，β−ポリイソブチレンカーボネート、α，γ−ポリイソブチレンカーボネート、ｃｉｓ−１，２−ポリシクロブチレンカーボネート、ｔｒａｎｓ−１，２−ポリシクロブチレンカーボネート、ｃｉｓ−１，３−ポリシクロブチレンカーボネート、ｔｒａｎｓ−１，３−ポリシクロブチレンカーボネート、ポリヘキセンカーボネート、ポリシクロプロペンカーボネート、ポリシクロヘキセンカーボネート、ポリ（メチルシクロヘキセンカーボネート）、ポリ（ビニルシクロヘキセンカーボネート）、ポリジヒドロナフタレンカーボネート、ポリヘキサヒドロスチレンカーボネート、ポリシクロヘキサンプロピレンカーボネート、ポリスチレンカーボネート、ポリ（３−フェニルプロピレンカーボネート）、ポリ（３−トリメチルシリロキシプロピレンカーボネート）、ポリ（３−メタクリロイロキシプロピレンカーボネート）、ポリパーフルオロプロピレンカーボネート、ポリノルボルネンカーボネートから選ばれる１種または２種以上の組み合わせを有機溶剤中に混合して使用することができる。また、更に、アクリル系樹脂とポリカーボネート系樹脂を混ぜて、有機溶媒中に混合したものを使用することも可能である。
【００４５】
［ガイド剤の分解温度の具体例］
市販のＧＰＣ（Gel  Permeation  Chromatography）装置を用いてポリスチレン換算で求めて、分子量４２００であるメチル（メタ）アクリレートおよび、分子量３８００であるポリエチレンカーボネートをテトラヒドロフランに３０重量％溶解し、２種類のガイド剤を得た。それぞれを大気雰囲気下でＴＧ／ＤＴＡ（示差熱熱重量同時測定装置）による分解温度を測定したところ、２３０℃、および２２０℃であった。そのようなガイド剤は、たとえば２２０℃〜２３０℃程度の温度よりも高い温度でペーストの焼成が行なわれる場合に好適に用いることができる。
【００４６】
図３は、実施の形態１に係る修正方法によって修正された基板２を説明するための図である。図３（ａ）は、基板２の平面図であり、図３（ｂ）は図３（ａ）のＩＩＩＢ−ＩＩＩＢ断面図である。
【００４７】
図３に示すように、電極パターン３Ａおよび３Ｂの間にあった断線部分４（図１参照）が修復されて無くなり、電極パターン３Ａ，３Ｂおよび３Ｃが全体として一つの電極パターンとなっている。また、ガイド剤の幅規制剤としての機能によって、電極パターン３Ｃの幅は、電極パターン３Ａおよび３Ｂと等しくなるように規制されている。つまり、電極パターン３Ａ，３Ｂおよび３Ｃによって設計通りのパターンが実現され、基板２の欠陥が修正されることとなる。
【００４８】
また、塗布されたペーストの幅がガイド剤によって規制され、それによってペーストが広がることが防止されたので、たとえば、電極パターン３Ｃと、隣接する電極パターン３Ｎ１および３Ｎ２とが電気的に接続され、ショート欠陥となることもない。
【００４９】
［実施の形態２］
実施の形態１では、ガイド剤５に、ペーストの焼成時に昇華してなくなる材料を採用した。実施の形態２では、ガイド剤５にペーストと同様の材料を採用して焼成後もガイド剤を残すことによって、修復部分の導通抵抗を小さくする手法について説明する。
【００５０】
再び図２を参照して、実施の形態２においては、ガイド剤５としてペーストが用いられる点において、実施の形態１とは異なる。このため、実施の形態２においては、ガイド剤５は、焼成時（図２（ｃ））においても昇華せず、そのまま残ることとなる。先に図２（ａ）を参照して先に説明したように、ガイド剤５は、断線部分４の外側に塗布され、かつ、電極パターン３Ａおよび３Ｂと重なるように塗布される。したがって、実施の形態２に係る修正方法では、ガイド剤５が昇華せずに残るので、修正後の電極パターンは、塗布されたガイド剤５の形状（パターン）を含む形状となる。
【００５１】
図４は、実施の形態２に係る修正方法によって修正された基板２を説明するための図である。
【００５２】
図４を参照して、ペースト（ここではガイド剤を含む）の焼成によって電極パターン３Ｄが新たに形成され、この電極パターン３Ｄによって、断線部分４が修正された状態となっている。ここで、電極パターン３Ｄのうち、断線部分（図１（ａ）の破線部分）の外側にある部分は、電極パターン３Ａおよび３Ｂに向かって延在している。これにより、電極パターン３Ｄは、電極パターン３Ａおよび３Ｂと重複する部分（Ｌ１およびＬ２）を有することとなる。重複部分Ｌ１およびＬ２と、電極パターン３Ａおよび３Ｂとが接触しているので、重複部分Ｌ１およびＬ２だけ、電極パターン３Ｄと電極パターン３Ａおよび３Ｂとの接続部分が大きくなる。その結果、接続部分における導通抵抗が小さくなり、結果として電極パターン全体の導通抵抗が小さくなる。
【００５３】
ここで、説明の便宜上、図４において、基板２の修正前にあった断線部分の長さを「ＬＧ」として図示する。基板２の、電極パターン３Ａおよび３Ｄの重複部分Ｌ１の長さを「ＬＯ１」として図示する。電極パターン３Ｂおよび３Ｄの重複部分Ｌ２の長さを「ＬＯ２」として図示する。電極パターン（ここでは電極パターン３Ａ，３Ｂおよび３Ｄ）の長さを「ＬＥ」として図示する。電極パターンの幅を「ＬＷ」として図示する。なお、図示しないが、電極パターンの厚みをＬｔとする。
【００５４】
図４に示すような重複部分Ｌ１およびＬ２を設けることによる導通抵抗の低減の効果について評価を行なったので、これについて説明する。具体的に、図４を参照して、電極パターンの長さＬＥ＝２０ｍｍ、電極パターンの幅ＬＷ＝５０μｍ、電極パターンの厚みＬｔ＝３０μｍ、断線部分の長さＬＧ＝１００μｍとしたテストパターンを作成した。作成したテストパターンについてペーストを塗布して断線部分の修復を行ない、ＬＯ１（およびＬＯ２）が異なる値である３通りのサンプル基板（サンプル１〜３）を作成した。そして、サンプル１〜３の電極パターンの抵抗値（両端の抵抗値）を測定し、断線部分の長さＬＧ＝０のリファレンスサンプル（すなわち断線部分の無い電極パターン）との抵抗値と比較した。
【００５５】
図５は、重複部分を設けることによる導通抵抗の低減の効果の評価結果を示す図である。
【００５６】
図５において、「抵抗比」は、リファレンスサンプルの抵抗値を基準としたときの抵抗の大きさ（＝抵抗値／リファレンスサンプルの抵抗値）を示す。
【００５７】
図５を参照して、「比較例」は、ＬＯ１およびＬＯ２がいずれもゼロの場合を示す。「サンプル１」は、ＬＯ１およびＬＯ２がいずれも１０μｍの場合を示す。「サンプル２」は、ＬＯ１およびＬＯ２がいずれも５０μｍの場合を示す。「サンプル３」は、ＬＯ１およびＬＯ２がいずれも１２０μｍの場合を示す。
【００５８】
図５に示すように、ＬＯ１およびＬＯ２が大きくなるにつれて、抵抗比は小さくなることが分かる。具体的に、サンプル１では抵抗比が２００であるのに対し、サンプル２では抵抗比が２０まで小さくなっている。さらに、サンプル３では抵抗比が３．２まで小さくなっている。なお、比較例では抵抗比が２００以上である。
【００５９】
このように、ガイド剤を利用して重複部分Ｌ１およびＬ２（図４）を設けることによって、修復後の電極パターンの抵抗値を小さくすることができる。したがって、基板２の欠陥をさらに安定して修正することが可能になる。
【００６０】
［サンプルの作成方法］
サンプル１〜３を作成する際に、ペーストとしては、金属粒子を含み、加熱して硬化・導体化したときに体積が減少する収縮性のペーストを用いた。そのため、断線部分を起点として（つまり電極パターン３Ａおよび３Ｂの開放端を起点として）、１０μｍ〜最大で１２０μｍを超える程度まで、ガイド剤が電極パターン３Ａおよび３Ｂに向かって延在するように、ガイド剤を塗布した。こうすることで、焼成によりペーストが収縮して、サンプル１〜３のようなＬＯ１およびＬＯ２を有する導電材料を得ることができる。なお、ガイド剤の幅は、１０μｍとした。
【００６１】
［実施の形態３］
実施の形態１および実施の形態２では、ガイド剤を断線部分の外側に塗布する場合について説明した。実施の形態３では、ガイド剤を断線部分の内側に塗布する手法について説明する。
【００６２】
実施の形態３においても、実施の形態２と同様に、ガイド剤として、ペーストと同様の材料が採用される。
【００６３】
図６は、実施の形態３に係る修正方法を説明するための図である。図６（ａ）〜（ｄ）は、各工程（ステップ）における断線部分４およびその周辺を示す平面図である。
【００６４】
図６（ａ）を参照して、はじめに、断線部分４に沿って断線部分４の両側にガイド剤５が塗布される。ここで、ガイド剤５は、断線部分４からはみ出ないように、断線部分４の内側に塗布されている。具体的に、ガイド剤５の長手方向の一辺が断線部分４の両側（図１（ａ）の破線で示される部分）と一致するように、対向する辺が断線部分４の内側に存在するように、ガイド剤５が塗布されている。
【００６５】
図６（ｂ）を参照して、複数回の打点（点Ｐ１〜Ｐ６）によってペーストがガイド剤５の間に塗布される。
【００６６】
図６（ｃ）を参照して、ペーストが焼成される。ガイド剤も同様に焼成される。
図６（ｄ）を参照して、ペースト（ガイド剤を含む）が焼成されることによって、電極パターン３Ｃが新たに形成された状態となる。電極パターン３Ａ，３Ｂおよび３Ｃは全体として電極パターンとして機能する。このようにして、断線部分４（図４（ａ））を修復することができる。
【００６７】
図６に示す各工程によれば、ガイド剤を焼成時に昇華させる必要がないので、ガイド剤としてペーストをそのまま使用することができるといったメリットがある。
【００６８】
［基板の欠陥修正装置］
これまで説明した各実施の形態に係る修正方法は、たとえば次に説明するような装置を用いて実現することができる。
【００６９】
図７は、各実施例に係る修正方法を用いて基板の欠陥を修正することができる、基板の欠陥修正装置（以下、単に「修正装置」という）の外観図である。図７を参照して、修正装置１０は、ワーク１７（たとえば図１の基板２）の欠陥を修正するために用いられる。
【００７０】
図７を参照して、修正装置１０は、ＸＹテーブル１１と、真空チャックテーブル１２と、ＣＯ２レーザ１３と、ＣＣＤカメラ１４と、Ｚテーブル１５と、針１６と、紫外線照射装置１８とを含む。修正装置１０は、制御装置１９によって制御可能に構成されてもよい。修正装置１０が先に説明した各実施の形態を実行するように、制御装置１９は修正装置１０を制御することができる。なお、制御装置１９の機能は、修正装置１０に組込まれて実現されてもよい。
【００７１】
ＸＹテーブル１１はＸ−Ｙ面の水平方向に移動自在に設けられており、その上には真空チャックテーブル１２が設けられる。真空チャックテーブル１２は欠陥修正対象物としてのワーク１７をＸＹテーブル１１上に固定する働きをする。さらに、Ｚ軸方向に上下するＺテーブル１５が設けられ、このＺテーブル１５にはＣＯ２レーザ１３とＣＣＤカメラ１４とペースト塗布用の針１６が取付けられている。針１６は、ガイド剤を塗布するために用いることもできる。針１６は、種々の大きさや形状のものに付け替えられるようになっていてもよい。ＣＯ２レーザ１３はワーク１７に塗布したペーストを乾燥もしくは焼成するためのレーザ光を出射する。このレーザ光の出射によって、ガイド剤を昇華させたり、乾燥もしくは焼成させたりすることができる。ＣＣＤカメラ１４はワーク１７の画像を取込み、針１６は欠陥箇所修正用のペーストを塗布する。なお、Ｚテーブル１５は欠陥箇所を修正する際に利用され、ペーストが塗布された微小部分へ選択的に照射するために行なわれるＣＯ２レーザ光の焦点位置を調整し、および針１６の上下移動を実行する。
【００７２】
また、ペーストに紫外線硬化樹脂を用いた場合には、装置に紫外線照射装置１８（ＵＶランプなど）を用い、欠陥部へのペースト塗布後に出射してペーストを硬化させる。
【００７３】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【符号の説明】
【００７４】
２，２Ｅ１，２Ｅ２  基板、３Ａ〜３Ｄ，３Ｅ１，３Ｅ２，３Ｎ１，３Ｎ２  電極パターン、４，４Ｅ１，４Ｅ２  断線部分、５  ガイド剤、１０  修正装置、１１  ＸＹテーブル、１２  真空チャックテーブル、１３  ＣＯ２レーザ、１４  ＣＣＤカメラ、１５  Ｚテーブル、１６  針、１７  ワーク、１８  紫外線照射装置、１９  制御装置。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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