(57)【要約】【課題】ポリマー成分を含むことなくフィルム化を実現することができるとともに、接着強度の低下を抑制でき、接合信頼性に優れた半導体接合用フィルム状接着剤を提供する。【解決手段】重量平均分子量が９００〜５５００のエポキシ（メタ）アクリレートオリゴマーと硬化剤とフィラーとを含有し、ポリマー成分を含まない接着剤層を有する半導体接合用フィルム状接着剤。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
重量平均分子量が９００〜５５００のエポキシ（メタ）アクリレートオリゴマーと硬化剤とフィラーとを含有し、ポリマー成分を含まない接着剤層を有することを特徴とする半導体接合用フィルム状接着剤。
【請求項２】
接着剤層は、更に、（メタ）アクリロイル基を有するモノマーを含有することを特徴とする請求項１記載の半導体接合用フィルム状接着剤。
【請求項３】
エポキシ（メタ）アクリレートオリゴマーに対する（メタ）アクリロイル基を有するモノマーの配合比が４．５以下であることを特徴とする請求項２記載の半導体接合用フィルム状接着剤。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ポリマー成分を含むことなくフィルム化を実現することができるとともに、接着強度の低下を抑制することができ、接合信頼性に優れた半導体接合用フィルム状接着剤に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の小型化及び高密度化に伴い、半導体チップを回路基板に実装する方法として半田等からなる突起電極（バンプ）が形成された半導体チップを用いたフリップチップ実装が注目され、急速に広まってきている。
【０００３】
フリップチップ実装においては、接合部分の接続信頼性を確保するための方法として、半導体チップ上に形成されたバンプ電極と回路基板のパッド電極とを接合した後に、半導体チップと回路基板との隙間に液状封止接着剤（アンダーフィル）を注入し硬化させることが一般的な方法として採られている。しかしながら、アンダーフィルを用いたフリップチップ実装は、製造コストが高い、アンダーフィル充填に時間がかかる、バンプ電極間の距離及び半導体チップと回路基板との距離を狭めるのに限界がある等の問題を抱えている。
【０００４】
そこで、近年、回路基板上にペースト状接着剤を塗布した後、半導体チップを搭載する方法、半導体ウエハ又は半導体チップ表面或いは回路基板上にフィルム状接着剤を貼り合わせた後、半導体チップを回路基板上に搭載する方法等のいわゆる先塗布型のフリップチップ実装が提案されている（例えば、特許文献１）。特にフィルム状接着剤を用いる場合、ウエハレベルで接着剤を一括供給し、ダイシングによって半導体チップに個片化することにより、ペースト状接着剤に比べて大幅なプロセス短縮が期待される。
【０００５】
しかしながら、このようなフィルム状接着剤を用いた場合、半導体チップを搭載して得られた半導体装置の信頼性試験後に接着強度が低下する等、接合信頼性が不充分であるという問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１１−２９３９２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
従来の半導体接合用フィルム状接着剤は、フィルム化を実現するために重量平均分子量が数万程度のポリマー成分を配合する必要があった。しかしながら、このようなポリマー成分が半導体接合用フィルム状接着剤の接着強度の低下を引き起こし、接合信頼性を低下させる原因となっていた。
【０００８】
本発明は、ポリマー成分を含むことなくフィルム化を実現することができるとともに、接着強度の低下を抑制することができ、接合信頼性に優れた半導体接合用フィルム状接着剤を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、重量平均分子量が９００〜５５００のエポキシ（メタ）アクリレートオリゴマーと硬化剤とフィラーとを含有し、ポリマー成分を含まない接着剤層を有する半導体接合用フィルム状接着剤である。
以下、本発明を詳述する。
【００１０】
本発明者は、ポリマー成分を除いたとしても、重量平均分子量が９００〜５５００のエポキシ（メタ）アクリレートオリゴマーとフィラーとを組み合わせて用いることによりフィルム化が可能であることを見出した。更に、重量平均分子量が９００〜５５００のエポキシ（メタ）アクリレートオリゴマーを用いることにより接着強度の低下を抑制し、接合信頼性を向上させることができることを見出し、本発明を完成させるに至った。接着強度の低下を抑制できる理由は、重量平均分子量が９００〜５５００のエポキシ（メタ）アクリレートオリゴマーは吸湿しにくいため、信頼性試験後にも接着強度の低下を抑制できるためであると考えられる。
【００１１】
本発明の半導体接合用フィルム状接着剤は接着剤層を有する。
上記接着剤層は、重量平均分子量が９００〜５５００のエポキシ（メタ）アクリレートオリゴマー（以下、単にエポキシ（メタ）アクリレートオリゴマーともいう）を含有する。
上記エポキシ（メタ）アクリレートオリゴマーとは、１分子中に（メタ）アクリル基とエポキシ基とをそれぞれ１つ以上含有するオリゴマーを意味する。
上記エポキシ（メタ）アクリレートオリゴマーとフィラーとを組み合わせて用いることにより、ポリマー成分を含むことなく、接着剤をフィルム化することができる。また、エポキシ（メタ）アクリレートオリゴマーを含有することにより、本発明の半導体接合用フィルム状接着剤は、接着強度の低下を抑制することができ、接合信頼性に優れたものとなる。
なお、エポキシ（メタ）アクリレートオリゴマーの代わりにエポキシ基を有さない（メタ）アクリレートオリゴマーを用いた場合には、接着強度の低下を充分に抑制することができなくなる。
本明細書中、（メタ）アクリルはアクリル及びメタクリルを表し、（メタ）アクリレートはアクリレート及びメタクリレートを表し、（メタ）アクリロイルはアクリロイル及びメタクリロイルを表す。
【００１２】
上記エポキシ（メタ）アクリレートオリゴマーの重量平均分子量は９００〜５５００である。
上記重量平均分子量が９００未満であるとフィルム化することができなくなる。上記重量平均分子量が５５００を超えると、接着強度の低下を充分に抑制することができず、接合信頼性が低下する。
上記重量平均分子量は、好ましい下限が２５００、好ましい上限が５０００である。
上記重量平均分子量は例えば、ゲル浸透クロマトグラフィー（ＧＰＣ）により測定することができる。
【００１３】
上記エポキシ（メタ）アクリレートオリゴマーは、１分子中に（メタ）アクリル基とエポキシ基とをそれぞれ１つ以上含有していれば特に限定されず、例えば、一般的に使用されるエポキシ樹脂のエポキシ基を、部分的に（メタ）アクリル基に変換又は変性した化合物等が挙げられる。上記一般的に使用されるエポキシ樹脂は特に限定されず、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂等が挙げられる。これらのエポキシ（メタ）アクリレートオリゴマーは、単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。なかでも、下記一般式（１）で表される構造を有する化合物が好ましく、クレゾールノボラック型骨格を有するものが更に好ましい。
【００１４】
【化１】
2016108419.tif 000002
一般式（１）中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は水素原子又はメチル基を表し、ｍ及びｎは０又は正の整数を表す。
【００１５】
ｍ及びｎは、０又は正の整数であればよいが、ｍ＋ｎが１〜１５の範囲となることが好ましい。ｍ＋ｎが１未満であると、エポキシ（メタ）アクリレートオリゴマーの重量平均分子量が小さくなりすぎて、接着剤が液状となりフィルム化できないことがある。ｍ＋ｎが１５を超えると、エポキシ（メタ）アクリレートオリゴマーの重量平均分子量が大きくなりすぎて、接着強度が低下したり、増粘のため半導体接合用接着剤の流動性が低下したりすることがある。
【００１６】
上記一般式（１）で表される構造を有する化合物又はその混合物として、例えば、ＮＫオリゴシリーズのＥＡ−１０１０（ビスフェノールＡ型エポキシアクリレート、Ｒ１及びＲ２は水素原子、Ｒ３及びＲ４はメチル基、ｍ＋ｎ＝０）、ＥＡ−６２１０（フェノールノボラック型エポキシアクリレート、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は水素原子、ｍ＋ｎ≒１．４）、ＥＡ−６３１０（フェノールノボラック型エポキシアクリレート、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は水素原子、ｍ＋ｎ≒２）、ＥＡ−７３１０（クレゾールノボラック型エポキシアクリレート、Ｒ１はメチル基、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は水素原子、ｍ＋ｎ≒６）、ＥＡ−７４１０（クレゾールノボラック型エポキシアクリレート、Ｒ１はメチル基、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は水素原子、ｍ＋ｎ≒１１）（以上、新中村化学工業社製）等が挙げられる。
【００１７】
上記接着剤層は、硬化剤を含有する。
上記硬化剤としては、（メタ）アクリル基による熱ラジカル硬化系に一般的に使用される硬化剤であれば特に限定されず、例えば、ケトンパーオキサイド、パーオキシケタール、ハイドロパーオキサイド、ジアルキルパーオキサイド、ジアシルパーオキサイド、パーオキシエステル、パーオキシジカーボネート等が挙げられる。これらの硬化剤は、単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
【００１８】
上記硬化剤は、１０時間半減期温度が６０℃以上２００℃以下であることが好ましい。
１０時間半減期温度が６０℃未満であると、充分な貯蔵安定性又は可使時間が得られなかったり、半導体接合用フィルム状接着剤の乾燥工程等において反応が進行してしまったりすることがある。また、電極が接合する前に半導体接合用フィルム状接着剤が硬化してしまい、接合不良を引き起こすことがある。１０時間半減期温度が２００℃を超えると、ボンディング時のボイドを充分に抑制できないことがある。
【００１９】
上記硬化剤のうち、市販品として、例えば、パーロイル３５５（１０時間半減期温度：５９．４℃）、パーロイルＬ（１０時間半減期温度：６１．６℃）、パーオクタＯ（１０時間半減期温度：６５．３℃）、パーロイルＳＡ（１０時間半減期温度：６５．９℃）、パーヘキサ２５Ｏ（１０時間半減期温度：６６．２℃）、パーヘキシルＯ（１０時間半減期温度：６９．９℃）、ナイパーＰＭＢ（１０時間半減期温度：７０．６℃）、パーブチルＯ（１０時間半減期温度：７２．１℃）、ナイパーＢＭＴ（１０時間半減期温度：７３．１℃）、ナイパーＢＷ（１０時間半減期温度：７３．６℃）、パーヘキサＭＣ（１０時間半減期温度：８３．２℃）、パーヘキサＴＭＨ（１０時間半減期温度：８６．７℃）、パーヘキサＨＣ（１０時間半減期温度：８７．１℃）、パーヘキサＣ（１０時間半減期温度：９０．７℃）、パーテトラＡ（１０時間半減期温度：９４．７℃）、パーヘキシルＩ（１０時間半減期温度：９５．０℃）、パーブチルＭＡ（１０時間半減期温度：９６．１℃）、パーブチル３５５（１０時間半減期温度：９７．１℃）、パーブチルＬ（１０時間半減期温度：９８．３℃）、パーブチルＩ（１０時間半減期温度：９８．７℃）、パーブチルＥ（１０時間半減期温度：９９．０℃）、パーヘキシルＺ（１０時間半減期温度：９９．４℃）、パーヘキサ２５Ｚ（１０時間半減期温度：９９．７℃）、パーブチルＡ（１０時間半減期温度：１０１．９℃）、パーヘキサ２２（１０時間半減期温度：１０３．１℃）、パーブチルＺ（１０時間半減期温度：１０４．３℃）、パーヘキサＶ（１０時間半減期温度：１０４．５℃）、パークミルＤ（１０時間半減期温度：１１６．４℃）、パーブチルＤ（１０時間半減期温度：１２３．７℃）（以上、日油社製）等が挙げられる。
【００２０】
上記硬化剤の配合量は特に限定されないが、上記エポキシ（メタ）アクリレートオリゴマー１００重量部に対する好ましい下限が０．５重量部、好ましい上限が１５重量部である。
上記配合量が０．５重量部未満であると、半導体接合用フィルム状接着剤を充分に硬化させることができないことがある。上記配合量が１５重量部を超えても、特に半導体接合用フィルム状接着剤の硬化性に寄与しない。
上記配合量のより好ましい下限は１重量部、より好ましい上限は１０重量部である。
【００２１】
上記接着剤層は、フィラーを含有する。
上記エポキシ（メタ）アクリレートオリゴマーとフィラーとを組み合わせて用いることにより、ポリマー成分を用いずに、接着剤のフィルム化を実現することができる。また、フィラーを含有することにより、硬化物の機械的強度及び耐熱性を高めることができ、また、硬化物の線膨張係数を低下させて、接合信頼性を高めることができる。
【００２２】
上記フィラーは特に限定されず、例えば、シリカ、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化珪素、炭化珪素、酸化マグネシウム、酸化亜鉛等が挙げられる。なかでも、流動性に優れることから、球状シリカが好ましく、メチルシランカップリング剤、フェニルシランカップリング剤、ビニルシランカップリング剤、メタクリルシランカップリング剤等で表面処理された球状シリカがより好ましい。表面処理された球状シリカを用いることで、接着剤の成膜性を高めることができる。
【００２３】
上記フィラーの配合量は、上記エポキシ（メタ）アクリレートオリゴマー１００重量部に対する好ましい下限が５０重量部、好ましい上限が３５０重量部である。
上記配合量が５０重量部未満であると、接着剤の成膜性が不充分となり、フィルム化が実現できない場合がある。また、半導体接合用フィルム状接着剤の硬化物の強度又は接合信頼性が低下することがある。上記配合量が３５０重量部を超えても、成膜性が不充分となり、フィルム化が実現できない場合がある。
【００２４】
上記接着剤層は、更に、（メタ）アクリロイル基を有するモノマーを含有することが好ましい。
上記（メタ）アクリロイル基を有するモノマーを含有することにより、半導体接合用フィルム状接着剤の接合信頼性をより向上させることができる。
【００２５】
上記（メタ）アクリロイル基を有するモノマーとしては、例えば、アルキル（メタ）アクリレート、アルコキシアルキル（メタ）アクリレート、ヒドロキシアルキル（メタ）アクリレート、アルコキシアルキレングリコール（メタ）アクリレート、ジアルキルアミノアルキル（メタ）アクリレート、イソボルニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンタジエン（メタ）アクリレート、グリセロール（メタ）アクリレート、アミド基含有（メタ）アクリレート、リン酸基含有（メタ）アクリレート、ウレタン（メタ）アクリレート、イソシアネート基含有（メタ）アクリレート、アミノ基含有（メタ）アクリレート、アダマンタン（メタ）アクリレート、ビスフェノール型（メタ）アクリレート、フタル酸変性（メタ）アクリレート、イソシアヌル（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトール（メタ）アクリレート、レゾルシノール型（メタ）アクリレート等が挙げられる。
これらの（メタ）アクリロイル基を有するモノマーは、単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
【００２６】
上記（メタ）アクリロイル基を有するモノマーの市販品としては、例えば、ＨＡＤＤＭ、ＡＤＤＡ、ＨＡＤＭ（以上、三菱瓦斯化学社製）、Ｍ−９３００（新中村化学社製）、ＥＰ−００１Ｆ、ＥＰ−Ａ００２Ｆ（以上、ＡＤＥＫＡ社製）、ＰＥ−３Ａ、ＨＩＣ、ＵＦ−Ｃ０１、３０００Ａ、７０ＰＡ、Ｐ−２Ｍ、ＲＧＤＡ、Ｇ−１０１Ｐ、ＩＢ−ＸＡ、ＨＯＡ−ＨＨ（以上、共栄社製）、ＣＤ９０５３、ＳＲ４４４ＮＳ、ＳＲ８３３Ｓ、ＳＲ４８０ＮＳ、ＳＲ９００３ＮＳ、ＳＲ２３８ＮＳ、ＣＤ５９５、ＣＮ９０１４ＮＳ、ＣＮ９９６ＮＳ、ＣＮ９８０（以上、ＳＡＲＴＯＭＥＲ社製）等が挙げられる。
【００２７】
上記接着剤層において、上記エポキシ（メタ）アクリレートオリゴマーに対する上記（メタ）アクリロイル基を有するモノマーの配合比（重量比）は４．５以下であることが好ましい。
上記配合比が上記好ましい範囲内であると接合信頼性をより向上させることができる。
上記配合比は、０．２以上４．５以下であることがより好ましい。
【００２８】
また、上記接着剤層は、必要に応じて、シランカップリング剤、チタンカップリング剤、増粘剤、消泡剤、ゴム粒子、フラックス剤等の添加剤を含有してもよい。
【００２９】
本発明の半導体接合用フィルム状接着剤において、上記接着剤層の厚みは特に限定されず、バンプ電極の高さに対して５０〜１５０％であることが好ましいが、好ましい下限は５μｍ、好ましい上限は１００μｍである。厚みが５μｍ未満であると、硬化物の接着力が不足することがある。厚みが１００μｍを超えると、半導体接合用フィルム状接着剤を介して半導体チップを基板又は他の半導体チップに実装する際、過剰な接着剤がはみ出して周囲を汚染することがある。
【００３０】
本発明の半導体接合用フィルム状接着剤は、上記接着剤層を有していれば、基材を有するサポートタイプのフィルム状接着剤であってもよいし、基材を有さないノンサポートタイプのフィルム状接着剤であってもよい。
【００３１】
上記基材は特に限定されず、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリカーボネート、ポリメタクリル酸メチル、ポリエチレンナフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレン、ポリプロピレン等からなるフィルム等が挙げられる。なかでも、ＰＥＴからなるフィルムが好ましい。
上記基材の厚みは特に限定されないが、好ましい下限は５μｍ、好ましい上限は２００μｍであり、より好ましい下限は１０μｍ、より好ましい上限は５０μｍである。
【００３２】
また、本発明の半導体接合用フィルム状接着剤は、上記接着剤層と上記基材との間に、粘着性又は非粘着性のバンプ電極保護層を有していてもよい。
バンプ電極保護層を設けることにより、上記接着剤層の厚みがバンプ電極の高さに対して薄い場合であっても、表面にバンプ電極を有するウエハに半導体接合用フィルム状接着剤を貼り合わせるラミネート工程、ウエハを裏面から研削するバックグラインド工程等における、バンプ電極の変形、損傷等を抑制することができる。
【００３３】
上記バンプ電極保護層として、例えば、ポリエチレン（ＰＥ）及びポリプロピレン（ＰＰ）等のポリオレフィン系樹脂、エチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）、ポリアルキル（メタ）アクリレート、ポリビニルブチラール（ＰＶＢ）、ポリビニルアルコール、ポリビニルアセタール、ポリウレタン（ＰＵ）、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）及びこれらの共重合体等を含有する透明な層、網目状構造を有する層、孔が開けられた層等が挙げられる。なかでも、ポリエチレン（ＰＥ）、エチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）又はポリアルキル（メタ）アクリレートを含有する層が好ましい。
【００３４】
上記バンプ電極保護層が上記ポリアルキル（メタ）アクリレートを含有する場合、上記バンプ電極保護層は、架橋剤を含有することが好ましい。上記バンプ電極保護層に架橋剤を配合することにより、ポリアルキル（メタ）アクリレートの主鎖間に架橋構造を形成することができる。また、このような架橋構造の度合いを調整することにより、バンプ電極保護層の弾性率、粘着力等を制御することができる。
上記架橋剤は特に限定されず、例えば、イソシアネート系架橋剤、アジリジン系架橋剤、エポキシ系架橋剤、金属キレート型架橋剤等が挙げられる。
【００３５】
上記バンプ電極保護層の厚みは特に限定されないが、好ましい下限は５μｍ、好ましい上限は１００μｍであり、より好ましい下限は１０μｍ、より好ましい上限は５０μｍである。
【００３６】
本発明の半導体接合用フィルム状接着剤を製造する方法は特に限定されず、例えば、エポキシ（メタ）アクリレートオリゴマー、硬化剤、フィラー、（メタ）アクリロイル基を有するモノマー、及び、必要に応じて配合される各材料を、ホモディスパーを用いて撹拌混合して混合溶液を調製し、混合溶液を基材上に塗工し、乾燥させて接着剤層を形成する方法、混合溶液を離型剤付きフィルム状に塗工し、乾燥させて接着剤層を形成した後、接着剤層と基材とを貼り合わせる方法等が挙げられる。
【００３７】
本発明の半導体接合用フィルム状接着剤は、例えば、半導体チップを回路基板に実装する際に使用され、なかでも、フリップチップ実装、特に先塗布型のフリップチップ実装に好適に使用される。
【００３８】
具体的には例えば、基板上に本発明の半導体接合用フィルム状接着剤を有する半導体接合用フィルムを供給した後、半導体チップを基板に熱圧着により実装することができる。
また、表面にバンプ電極を有するウエハに本発明の半導体接合用フィルム状接着剤を供給することもできる。
【発明の効果】
【００３９】
本発明によれば、ポリマー成分を含むことなくフィルム化を実現することができるとともに、接着強度の低下を抑制することができ、接合信頼性に優れた半導体接合用フィルム状接着剤を提供することができる。
【発明を実施するための形態】
【００４０】
以下に実施例を掲げて本発明の態様を更に詳しく説明するが、本発明はこれら実施例のみに限定されない。
【００４１】
（実施例１〜９、比較例１〜３）
表１に示した組成に従って、以下に示す各材料をメチルエチルケトン（ＭＥＫ）と混合し、ホモディスパーを用いて攪拌混合して混合溶液を調製した。この混合溶液を、乾燥後の厚さが３０μｍとなるように基材としてのポリエチレンテレフタレートフィルム（Ａ３１、帝人デュポン社製、厚み５０μｍ）に塗工し、１００℃で５分間乾燥させて基材上に接着剤層を形成して、半導体接合用フィルム状接着剤を得た。使用時まで、得られた接着剤層の表面を離型剤付ＰＥＴフィルムで保護した。
【００４２】
（１）エポキシ（メタ）アクリレートオリゴマー
ＮＫオリゴ  ＥＡ−６２１０（フェノールノボラック型エポキシアクリレート、一般式（１）中ｍ＋ｎ≒１．４、新中村化学工業社製）
ＮＫオリゴ  ＥＡ−７３１０（クレゾールノボラック型エポキシアクリレート、一般式（１）中ｍ＋ｎ≒６、新中村化学工業社製）
ＮＫオリゴ  ＥＡ−７４１０（クレゾールノボラック型エポキシアクリレート、一般式（１）中ｍ＋ｎ≒１１、新中村化学工業社製）
（２）硬化剤
パークミルＤ（１０時間半減期温度：１１６．４℃、日油社製）
（３）フィラー
ＹＡ０５０Ｃ−ＳＰ５（シリカフィラー、平均粒子径：５０ｎｍ、アドマテックス社製）
（４）（メタ）アクリロイル基を有するモノマー
ＥＰ−Ａ００２Ｆ（ジシクロペンタジエンジアクリレート、ＡＤＥＫＡ社製）
ＨＡＤＤＭ（３−ヒドロキシ−１−アダマンチルメタクリレート、三菱瓦斯化学社製）
Ｍ−９３００（エトキシ化イソシアヌル酸トリメタクリレート、新中村化学社製）
（５）その他
ＴＳ−１４６（イソボルニル基含有アクリルポリマー、新中村化学社製）
ＥＡ−７３２０（エポキシ基を有さない（メタ）アクリレートオリゴマー、新中村化学社製）
【００４３】
＜評価＞
実施例及び比較例で得られた半導体接合用フィルム状接着剤について、以下の評価を行った。結果を表１に示した。
【００４４】
（１）フィルム化
半導体接合用フィルム状接着剤について、以下の基準で評価した。
なお、比較例２では、フィルム化できず、半導体接合用フィルム状接着剤が得られなかったため、（２）の評価は行わなかった。
◎：厚さが均一なフィルムが得られた。
○：得られたフィルムの厚さにばらつきがあった。
×：混合溶液をフィルム化できず、半導体接合用フィルム状接着剤を得ることができなかた。
【００４５】
（２）接合信頼性
得られた半導体接合用フィルム状接着剤を用いて、３ｍｍ×３ｍｍのシリコンチップを２０ｍｍ×２０ｍｍのシリコンチップに接着し、１９０℃、３０分で硬化させた。硬化後、即座に、ボンドテスター（Ｄａｇｅ社製Ｄａｇｅシリーズ４０００）を用いて２６０℃におけるダイシェア強度を測定した。
また、同様に硬化させたサンプルを、８５℃、８５％ＲＨで２４時間吸湿させた後、２６０℃におけるダイシェア強度を測定した。
測定結果を基に、以下の基準で接合信頼性を評価した。
◎：８５℃、８５％、２４時間後のダイシェア強度が５０Ｎ以上であった。
○：８５℃、８５％、２４時間後のダイシェア強度が４０Ｎより大きく５０Ｎ未満であった。
×：８５℃、８５％、２４時間後のダイシェア強度が４０Ｎ以下であった。
【００４６】
【表１】
2016108419.tif 000003
【産業上の利用可能性】
【００４７】
本発明によれば、ポリマー成分を含むことなくフィルム化を実現することができるとともに、接着強度の低下を抑制することができ、接合信頼性に優れた半導体接合用フィルム状接着剤を提供することができる。