(57)【要約】【課題】簡単に良好に支持材の剥離を行うことができる有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法を提供する。【解決手段】有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法は、第１ベース体１０を準備することと、第２ベース体２０を準備することと、有機発光体３０を形成することと、封止壁４０の材料を配置することと、第１ベース体１０と第２ベース体２０とを接着することと、第２支持材２２を第２基板２１から剥離することと、第１支持材１２を第１基板１１から剥離することとを含む。第１ベース体１０及び第２ベース体２０の少なくとも一方は、剥離界面の封止壁４０に対応する位置に剥離補助構造７０を有する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１支持材と、前記第１支持材の上に配置された可撓性を有する第１基板とを備える第１ベース体を準備することと、
第２支持材と、前記第２支持材の上に配置された可撓性を有する第２基板とを備える第２ベース体を準備することと、
前記第１基板の上に、第１電極、前記第１電極と対をなす第２電極、及び、前記第１電極と前記第２電極との間にある有機発光層を備える有機発光体を形成することと、
前記第１基板の上における前記有機発光体の外周に、封止壁の材料を配置することと、
前記第１基板と前記第２基板とが対向する配置で、前記第１ベース体と前記第２ベース体とを接着することと、
前記第２支持材を前記第２基板から剥離することと、
前記第１支持材を前記第１基板から剥離することと、
を含み、
前記第１ベース体及び前記第２ベース体の少なくとも一方は、剥離界面の前記封止壁に対応する位置に剥離補助構造を有する、
有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項２】
前記剥離補助構造は、空間である、
請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項３】
前記剥離補助構造は、剥離層である、
請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項４】
前記剥離補助構造は、凹凸である、
請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項５】
可撓性を有する第１基板と、
前記第１基板に対向し、可撓性を有する第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に配置され、第１電極、前記第１電極と対をなす第２電極、及び、前記第１電極と前記第２電極との間にある有機発光層を備える有機発光体と、
前記第１基板と前記第２基板との間に配置され、前記有機発光体の外周にあり、前記有機発光体を封止する封止壁と、
を備え、
前記第１基板及び前記第２基板の少なくとも一方は、外面における前記封止壁に対応する位置に、低接着構造が設けられている、
有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項６】
前記低接着構造は、凹部である、
請求項５に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項７】
前記低接着構造は、低接着層である、
請求項５に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項８】
前記低接着構造は、表面凹凸である、
請求項５に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、及び有機エレクトロルミネッセンス素子が開示される。より詳細には、可撓性を有する基板を備えた有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法が開示される。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネッセンス素子（以下「有機ＥＬ素子」ともいう）は、面状の発光体として有用である。有機ＥＬ素子は、通常、基板と、一対の電極と、発光材料含有層とを含む。一対の電極のうちの一方が陽極となり、他方が陰極となる。陽極と陰極との間に電気が流れることで発光材料含有層において光が発生する。光は外部に出射する。
【０００３】
可撓性を有する有機ＥＬ素子が開発されている。可撓性は、有機ＥＬ素子の適用場面を増やす。例えば、可撓性を有する有機ＥＬ素子は、曲面の発光を生じることができる。
【０００４】
しかしながら、可撓性を有する有機ＥＬ素子は、製造が容易ではない。可撓性を有する有機ＥＬ素子の製造方法として、硬い支持材を使用して有機ＥＬ素子を含む前駆体を製造しておき、その後、支持材を剥離する方法が知られている。このとき、支持材と有機ＥＬ素子とを良好に剥離することが求められる。
【０００５】
特許文献１（特開２０１３−１４５８０８号公報）は、光熱交換膜を設け、光を照射して光熱交換膜の作用で支持材の剥離を行うことを開示する。しかしながら、この文献の方法では、光熱交換膜の形成が必要であるとともに、光熱交換膜の作用を得るために適切な強度及び量の光の照射が必要となる。有機ＥＬ素子の製造では、簡単に良好に支持材の剥離を行うことが重要である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１３−１４５８０８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本開示の目的は、簡単に良好に支持材の剥離を行うことができる有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法を提供することにある。本開示の目的は、簡単に良好に製造できる有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法は、第１ベース体を準備することと、第２ベース体を準備することと、有機発光体を形成することと、封止壁の材料を配置することと、前記第１ベース体と前記第２ベース体とを接着することとを含む。第１ベース体は、第１支持材と、前記第１支持材の上に配置された可撓性を有する第１基板とを備える。第２ベース体は、第２支持材と、前記第２支持材の上に配置された可撓性を有する第２基板とを備える。前記有機発光体は、第１電極、前記第１電極と対をなす第２電極、及び、前記第１電極と前記第２電極との間にある有機発光層を備える。前記有機発光体は、前記第１基板の上に形成される。前記第１基板の上における前記有機発光体の外周に、前記封止壁の材料が配置される。前記第１基板と前記第２基板とが対向する配置で、前記第１ベース体と前記第２ベース体とが接着される。有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法は、前記第２支持材を前記第２基板から剥離することと、前記第１支持材を前記第１基板から剥離することとを含む。前記第１ベース体及び前記第２ベース体の少なくとも一方は、剥離界面の前記封止壁に対応する位置に剥離補助構造を有する。
【０００９】
有機エレクトロルミネッセンス素子は、第１基板と、第２基板と、有機発光体と、封止壁とを備える。前記第１基板は、可撓性を有する。前記第２基板は、前記第１基板に対向し、可撓性を有する。前記有機発光層は、前記第１基板と前記第２基板との間に配置される。前記有機発光層は、第１電極、前記第１電極と対をなす第２電極、及び、前記第１電極と前記第２電極との間にある有機発光層を備える。前記封止壁は、前記第１基板と前記第２基板との間に配置され、前記有機発光体の外周にあり、前記有機発光体を封止する。前記第１基板及び前記第２基板の少なくとも一方は、外面における前記封止壁に対応する位置に、低接着構造が設けられている。
【発明の効果】
【００１０】
本開示の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法によれば、支持材の剥離が簡単で良好になり、ダメージのない有機エレクトロルミネッセンス素子が容易に得られる。本開示の有機エレクトロルミネッセンス素子によれば、ダメージのない有機エレクトロルミネッセンス素子が容易に得られる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法の一例を示す模式的な断面図である。図１は、図１Ａ〜図１Ｇからなる。図１Ａ〜図１Ｆは、途中状態を示す。図１Ｇは、有機エレクトロルミネッセンス素子の一例を示す。
【図２】有機エレクトロルミネッセンス素子の一例を示す平面図である。ただし、その一部が取り除かれている。
【図３】比較となる有機エレクトロルミネッセンス素子の製造の一例を示す概略図である。図３は、図３Ａ〜図３Ｃからなる。図３Ａは、比較となる有機エレクトロルミネッセンス素子前駆体（ただしその一部が取り除かれている）の平面図である。図３Ｂは断面図である。図３Ｃは一部の拡大図である。
【図４】有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法の一例を示す模式的な断面図である。図４は、図４Ａ〜図４Ｃからなる。図４Ａ〜図４Ｃは、互いに別の例であり、製造途中の状態を示す。
【図５】有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法の一例を示す模式的な断面図である。図５は、図５Ａ〜図５Ｃからなる。図５Ａ〜図５Ｃは、互いに別の例であり、製造途中の状態を示す。
【図６】有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法の一例を示す模式的な断面図である。図６は、図６Ａ〜図６Ｃからなる。図６Ａ〜図６Ｃは、互いに別の例であり、製造途中の状態を示す。
【図７】有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法の一例を示す模式的な断面図である。図７は、図７Ａ〜図７Ｃからなる。図７Ａ〜図７Ｃは、互いに別の例であり、製造途中の状態を示す。
【図８】有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法の一例を示す模式的な断面図である。図８は、図８Ａ〜図８Ｃからなる。図８Ａ〜図８Ｃは、互いに別の例であり、製造途中の状態を示す。
【図９】有機エレクトロルミネッセンス素子の一例を示す模式的な断面図である。図９は、図９Ａ〜図９Ｄからなる。図９Ａ〜図９Ｄは、互いに別の例である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
図１は、有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）の製造方法の一例を示す模式的な断面図である。図１は、図１Ａ〜図１Ｇからなる。図１Ａ〜図１Ｆは、途中状態を示す。図１Ｇは、有機ＥＬ素子の一例を示す。図２は、有機ＥＬ素子の一例を示す平面図である。ただし、図２では、その一部（第２基板２１及び充填材５０）が取り除かれている。図２は、図１Ｇの状態に対応する。有機ＥＬ素子は、面状の発光体である。図２では、有機ＥＬ素子は、四角形（特に長方形）である。有機ＥＬ素子は、正方形であってもよいし、四角形以外のその他の形状であってもよい。図２では、封止壁４０は斜線で示されている。
【００１３】
有機ＥＬ素子の製造方法は、ベース体を準備すること（ベース体準備工程）を含む。ベース体準備工程は、第１ベース体１０を準備することと、第２ベース体２０を準備することとを含む。図１Ａは、第１ベース体１０の準備の一例である。第１ベース体１０は、第１支持材１２と、第１支持材１２の上に配置された可撓性を有する第１基板１１とを備える。図１Ｅに第２ベース体２０が示されている。第２ベース体２０は、第２支持材２２と、第２支持材２２の上に配置された可撓性を有する第２基板２１とを備える。
【００１４】
有機ＥＬ素子の製造方法は、有機発光体３０を形成すること（有機発光体形成工程）と、封止壁４０の材料を配置すること（封止壁材料配置工程）とを含む。図１Ｂは、有機発光体形成工程の一例である。有機発光体形成工程では、第１基板１１の上に、第１電極３１、第１電極３１と対をなす第２電極３２、及び、第１電極３１と第２電極３２との間にある有機発光層３３を備える有機発光体３０が形成される。図１Ｃは、封止壁材料配置工程の一例である。封止壁材料配置工程では、第１基板１１の上における有機発光体３０の外周に、封止壁４０の材料が配置される。
【００１５】
有機ＥＬ素子の製造方法は、充填材５０の材料を配置すること（充填材材料配置工程）を含んでもよい。図１Ｄは、充填材材料配置工程の一例である。充填材材料配置工程では、封止壁４０の材料で囲まれ、有機発光体３０が存在する第１基板１１の上の空間に、充填材５０の材料が配置される。
【００１６】
有機ＥＬ素子の製造方法は、第１ベース体１０と第２ベース体２０とを接着すること（ベース体接着工程）を含む。図１Ｅは、ベース体接着工程の一例である。ベース体接着工程では、第１基板１１と第２基板２１とが対向する配置で、第１ベース体１０と第２ベース体２０とが接着される。有機ＥＬ素子の製造方法は、第２支持材２２を第２基板２１から剥離すること（第２支持材剥離工程）と、第１支持材１２を第１基板１１から剥離すること（第１支持材剥離工程）とを含む。図１Ｆは、第２支持材剥離工程の一例である。図１Ｇは、第１支持材剥離工程の一例である。なお、図１の例では、第２支持材２２の剥離の後に、第１支持材１２の剥離が行われるが、これらの剥離の順序は入れ替わってもよい。すなわち、第１支持材１２の剥離の後に、第２支持材２２の剥離が行われてもよい。２つの支持材の剥離により、有機ＥＬ素子１が得られる。
【００１７】
有機ＥＬ素子の製造方法では、第１ベース体１０及び第２ベース体２０の少なくとも一方は、剥離界面の封止壁４０に対応する位置に剥離補助構造７０を有する。剥離界面は、第１支持材１２と第１基板１１との間の界面を含む。剥離界面は、第２支持材２２と第２基板２１との間の界面を含む。第１ベース体１０の剥離界面は、第１支持材１２と第１基板１１との間にある。第２ベース体２０の剥離界面は、第２支持材２２と第２基板２１との間にある。
【００１８】
図１の有機ＥＬ素子の製造方法では、支持材（第１支持材１２及び第２支持材２２）の剥離が簡単で良好になる。支持材の剥離の際に有機ＥＬ素子が破壊されることが抑制される。剥離補助構造７０が、剥離の際の応力を分散させるからである。そのため、ダメージのない有機ＥＬ素子が容易に得られる。有機ＥＬ素子は、可撓性を有し得る。可撓性を有する有機ＥＬ素子は、フレキシブル有機ＥＬ素子とも呼ばれる。ここで、可撓性とは、湾曲可能なことを意味する。有機ＥＬ素子はＵ字状に曲がることが可能であってよい。可撓性を有する有機ＥＬ素子は適用範囲が広がる。例えば、発光面が曲面の照明が提供され得る。本開示により、フレキシブルな照明装置が提供され得る。
【００１９】
第１ベース体１０は、第１支持材１２と第１基板１１とを備える。第１支持材１２は、例えば、ガラス、樹脂により形成される。第１基板１１は、例えば、ガラス基板、樹脂基板である。第１基板１１は、可撓性を有する。第１基板１１は、可撓性を有する程度の厚みである。第１基板１１の厚みは、例えば、１〜１０００μｍであるが、これに限定されない。第１基板１１は、ガラスから形成される場合、その厚みは１００μｍ以下であることが好ましい。薄型ガラスは可撓性を付与する。第１支持材１２の厚みは、特に限定されるものではないが、例えば、０．５〜５ｍｍの範囲内である。第１支持材１２の厚みの一例は０．７ｍｍである。第１基板１１の厚みの一例は５０μｍである。
【００２０】
第１支持材１２は、第１基板１１を支持する。第１支持材１２があることによって、第１基板１１がダメージを受けにくくなり、第１ベース体１０の取り扱い性が高まる。また、第１基板１１が第１支持材１２に支持されることにより、第１基板１１の洗浄や搬送、及び第１基板１１への層の形成が容易になる。第１基板１１は光透過性を有することが好ましい。
【００２１】
第１基板１１は第１支持材１２に接着している。第１基板１１と第１支持材１２との接着は、適宜の接着作用で行われる。第１基板１１と第１支持材１２との接着は、例えば、接着剤、静電作用、化学作用、物理作用により行われ得る。ただし、第１基板１１と第１支持材１２との接着は、両者を剥離できる程度で行われている。第１基板１１と第１支持材１２とは、接着剤なしに接着されていることが好ましい。その場合、第１基板１１と第１支持材１２との剥離が容易になる。第１基板１１及び第１支持材１２の両方がガラスである場合、ガラス表面の作用により、両者は接着され得る。この接着は、水素結合が関与すると考えられる。例えば、２つのガラスを水で洗浄した後に貼り合わせると、これらはＳｉに結合したＯＨ基の相互作用で接着され得る。また、ガラス表面の作用での接着は、剥離が容易になる。
【００２２】
第２ベース体２０は、第１ベース体１０と同じ構成を有し得る（図１Ｅ参照）。
【００２３】
第２ベース体２０は、第２支持材２２と第２基板２１とを備える。第２支持材２２は、例えば、ガラス、樹脂により形成される。第２基板２１は、例えば、ガラス基板、樹脂基板である。第２基板２１は、可撓性を有する。第２基板２１は、可撓性を有する程度の厚みである。第２基板２１の厚みは、例えば、１〜１０００μｍであるが、これに限定されない。第２基板２１は、ガラスから形成される場合、その厚みは１００μｍ以下であることが好ましい。薄型ガラスは可撓性を付与する。第２支持材２２の厚みは、特に限定されるものではないが、例えば、０．５〜５ｍｍの範囲内である。第２支持材２２の厚みの一例は０．７ｍｍである。第２基板２１の厚みの一例は５０μｍである。
【００２４】
第２支持材２２は、第２基板２１を支持する。第２支持材２２があることによって、第２基板２１がダメージを受けにくくなり、第２ベース体２０の取り扱い性が高まる。また、第２基板２１が第２支持材２２に支持されることにより、第２基板２１の洗浄や搬送、及び第２基板２１への層の形成が容易になる。第２基板２１は光透過性を有することが好ましい。
【００２５】
第２基板２１は第２支持材２２に接着している。第２基板２１と第２支持材２２との接着は、適宜の接着作用で行われる。第２基板２１と第２支持材２２との接着は、例えば、接着剤、静電作用、化学作用、物理作用により行われ得る。ただし、第２基板２１と第２支持材２２との接着は、両者を剥離できる程度で行われている。第２基板２１と第２支持材２２とは、接着剤なしに接着されていることが好ましい。その場合、第２基板２１と第２支持材２２との剥離が容易になる。第２基板２１及び第２支持材２２の両方がガラスである場合、ガラス表面の作用により、両者は接着され得る。この接着は、水素結合が関与すると考えられる。例えば、２つのガラスを水で洗浄した後に貼り合わせると、これらはＳｉに結合したＯＨ基の相互作用で接着され得る。また、ガラス表面の作用での接着は、剥離が容易になる。
【００２６】
なお、以下では、第１ベース体１０及び第２ベース体２０を総称してベース体と呼ぶことがある。第１基板１１及び第２基板２１を総称して基板と呼ぶことがある。第１支持材１２及び第２支持材２２を総称して支持材と呼ぶことがある。
【００２７】
図１Ａで示すように、ベース体準備工程では、第１ベース体１０が準備される。第１ベース体１０の準備は、第１支持材１２と第１基板１１とを接着する工程を含んでいてもよい。同様に、ベース体準備工程では、第２ベース体２０が準備される。第２ベース体２０の準備は、第２支持材２２と第２基板２１とを接着する工程を含んでいてもよい。
【００２８】
第１ベース体１０は、第１支持材１２と第１基板１１との間に剥離補助構造７０を有する。剥離補助構造７０は、第１支持材１２と第１基板１１との界面に部分的に設けられる。剥離補助構造７０の場所では、第１支持材１２と第１基板１１とは接着していないか、あるいは弱い接着力で接着している。第２ベース体２０は、第２支持材２２と第２基板２１との間に剥離補助構造７０を有する。剥離補助構造７０は、第２支持材２２と第２基板２１との界面に部分的に設けられる。剥離補助構造７０の場所では、第２支持材２２と第２基板２１とは接着していないか、あるいは弱い接着力で接着している。なお、剥離補助構造７０は、第１支持材１２と第１基板１１との界面、及び、第２支持材２２と第２基板２１との界面のいずれか一方に設けられていてもよい。
【００２９】
有機発光体３０は、第１電極３１と有機発光層３３と第２電極３２とを含む積層体である。第１電極３１と第２電極３２とは、電気的に対となる。第１電極３１及び第２電極３２の一方は陽極として機能し、他方は陰極として機能する。例えば、第１電極３１が陽極で、第２電極３２が陰極である。第１電極３１及び第２電極３２のうちの少なくとも一方は、光透過性を有する。光透過性を有する電極を通して、光は取り出される。例えば、第１電極３１が光透過性を有する。この場合、有機発光層３３で生じた光は、第１電極３１及び第１基板１１を通して外部に出射する。第１電極３１及び第２電極３２の両方が光透過性を有してもよい。その場合、両面から光が外部に出射し得る。光透過性を有する電極と対になる電極は、光反射性を有していてもよい。その場合、反射光が外部に出射する。例えば、第１電極３１が光透過性を有し、第２電極３２が光反射性を有する。光透過性の電極の材料として、例えば、透明金属酸化物（ＩＴＯなど）が挙げられる。光反射性の電極の材料として、例えば、金属（Ａｌ、Ａｇなど）が挙げられる。
【００３０】
有機発光層３３は、少なくとも発光材料を含む層（発光材料含有層）を含む。有機発光層３３は、好ましくは２以上の層を含む。有機発光層３３は複層構造を有していてよい。有機発光層３３は、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層から選ばれる１つ以上の層を含んでよい。有機発光層３３は、例えば、陽極から陰極に向けて、正孔輸送層、発光材料含有層、電子輸送層の順番で層が配置され得る。有機発光層３３は、発光材料含有層を２つ以上含んでいてもよい。また、有機発光層３３は、発光ユニットを２以上備えていてもよい。発光ユニットとは、陽極と陰極との間に挟んで電気を流したときに発光が生じる構造を意味する。
【００３１】
図１Ｂで示すように、有機発光体形成工程では、第１基板１１上に、第１電極３１、有機発光層３３及び第２電極３２が、これらの順に形成される。これらの層は、積層プロセスとして使用可能な適宜の方法により形成される。積層プロセスは、例えば、蒸着、スパッタリング、塗布である。有機発光層３３が複数の層を含む場合、それらの層は適宜の積層プロセスが選択されて形成され得る。第１基板１１の上に第１電極３１が直接形成されると、第１基板１１と第１電極３１とは接触する。なお、第１基板１１と第１電極３１との間に、光取り出し層が配置されてもよい。この場合、第１基板１１と第１電極３１とは接触していなくてもよい。
【００３２】
封止壁４０の材料は、例えば、樹脂である。封止壁４０の材料から封止壁４０が形成される。例えば、封止壁４０の材料の硬化により、封止壁４０が得られる。封止壁４０の材料は、硬化する前の状態である。封止壁４０の材料は、例えば、紫外線硬化性樹脂、熱硬化性樹脂を含む。封止壁４０の材料は、紫外線硬化性樹脂を含むことが好ましい。紫外線硬化性樹脂は、熱を加えなくても硬化が可能なため、熱硬化性樹脂よりも有機発光層３３にダメージを与えにくい。
【００３３】
封止壁４０の材料は、流動性を有することが好ましい。それにより、封止壁４０の材料の塗布が容易になる。封止壁４０の材料は、形状保持性（塗布されたときに広がりにくく形状を保持する性状）を有することが好ましい。それにより、封止壁４０の材料は、充填材５０の材料を堰き止めるダム材としての機能を発揮できる。封止壁４０の材料は、接着性を有することが好ましい。それにより、封止壁４０の材料によって、第１基板１１と第２基板２１とが強く接着する。
【００３４】
封止壁４０は、防湿性を有することが好ましい。それにより、封止壁４０は、封止された内部に水分が入るのを抑制することができる。封止壁４０は、可撓性を有することが好ましい。それにより、有機ＥＬ素子が湾曲されたときに、封止壁４０が破壊されにくくなる。
【００３５】
封止壁４０の高さは、第１基板１１と第２基板２１との間の距離を規定する。封止壁４０の高さは、有機発光体３０の積層方向での封止壁４０の長さといってもよい。封止壁４０の高さは、特に限定されるものではないが、例えば、１〜１０００μｍの範囲内であってよい。
【００３６】
図１Ｃで示すように、封止壁材料配置工程では、封止壁４０の材料が有機発光体３０の側方に配置される。封止壁４０の材料は、塗布により配置され得る。封止壁４０と有機発光体３０とは接触していなくてよい。図２で示すように、封止壁４０は、有機発光体３０の外周に配置される。有機発光体３０の外周は、有機発光体３０の側方の第１基板１１の上である。封止壁４０の形状に合わせて、封止壁４０の材料が配置される。封止壁４０の材料は、有機発光体３０の外周に配置される。封止壁４０は枠となる。封止壁４０は、封止の内部と外部とを隔てる。
【００３７】
充填材５０の材料は、例えば、樹脂である。充填材５０の材料から充填材５０が形成される。例えば、充填材５０の材料の硬化により、充填材５０が得られる。充填材５０の材料は、硬化する前の状態である。充填材５０の材料は、例えば、紫外線硬化性樹脂、熱硬化性樹脂を含む。充填材５０の材料は、紫外線硬化性樹脂を含むことが好ましい。紫外線硬化性樹脂は、熱を加えなくても硬化が可能なため、熱硬化性樹脂よりも有機発光層３３にダメージを与えにくい。
【００３８】
充填材５０の材料は、流動性を有することが好ましい。それにより、充填材５０の材料の塗布が容易になる。充填材５０の材料は、接着性を有することが好ましい。それにより、充填材５０の材料によって、第１基板１１と第２基板２１とが強く接着する。
【００３９】
充填材５０は、防湿性を有していることが好ましい。それにより、充填材５０は、有機発光体３０に水分が入るのを抑制することができる。充填材５０は、可撓性を有することが好ましい。それにより、有機ＥＬ素子が湾曲されたときに、充填材５０が破壊されにくくなる。
【００４０】
図１Ｄで示すように、充填材材料配置工程では、封止壁４０の材料で囲まれた空間に、充填材５０の材料が配置される。充填材５０の材料は、塗布により配置され得る。封止壁４０の材料で囲まれた空間には、有機発光体３０が存在する。充填材５０の材料は、有機発光体３０を覆う。充填材５０と有機発光体３０とは接触していてよい。充填材５０は、封止壁４０と接触していてよい。図２では、充填材５０及び第２基板２１が除去されて、有機ＥＬ素子が描かれている。実際は、封止壁４０の枠内には充填材５０が満たされる。充填材５０は、封止壁４０の内側に配置される。充填材５０は、第１基板１１と第２基板２１と封止壁４０とに囲まれ、有機発光体３０が存在する空間を満たす。
【００４１】
なお、有機ＥＬ素子は、第１基板１１と第２基板２１と封止壁４０とに囲まれ、有機発光体３０が存在する空間が、空洞になっていてもよい。この場合、充填材５０が空洞に置換される。有機ＥＬ素子は中空構造を有し得る。空洞は不活性ガス（窒素など）が充填され得る。ただし、可撓性を有する有機ＥＬ素子は、充填材５０を有する構造（充填構造）が、中空構造よりも好ましい。充填構造は、支持材と基板との剥離を容易にさせる。充填構造は、有機ＥＬ素子に良好な可撓性を付与する。
【００４２】
図１Ｄの状態では、封止壁４０の材料、及び、充填材５０の材料は、硬化していなくてよい。これらは、同時に硬化されることが好ましい。ただし、封止壁４０の材料、及び、充填材５０の材料は、別々に硬化されてもよい。
【００４３】
図１Ｅに示すように、ベース体接着工程では、第１ベース体１０と第２ベース体２０とが接着される。好ましくは、第１ベース体１０と第２ベース体２０とが重なった後、封止壁４０の材料、及び、充填材５０の材料が硬化される。これらの材料が紫外線硬化性樹脂である場合には、紫外線の照射によって材料の硬化が行われる。これらの材料の硬化によって、２つのベース体が接着される。ベース体接着工程によって、第１基板１１と第２基板２１とが接着される。封止壁４０は、第１基板１１と第２基板２１との間に配置される。封止壁４０は、枠体となる。封止壁４０は、第１基板１１及び第２基板２１との両方に接していてよい。充填材５０は、第１基板１１と第２基板２１との間に配置される。
【００４４】
図１Ｅでは、有機ＥＬ素子が形成される。ただし、有機ＥＬ素子は、２つの支持材に挟まれた状態で存在する。有機ＥＬ素子は、最終の使用状態とはなっていない。図１Ｅのように、有機ＥＬ素子と支持材とを備えた中間体は、有機ＥＬ素子前駆体２と定義される。図１Ｆ及び図１Ｇで示すように、有機ＥＬ素子前駆体２から２つの支持材が取り除かれることで、有機ＥＬ素子１が得られる。支持材は、例えば、刃を基板と支持材との間に入れてこれらの間に隙間をあけ、この隙間の部分から両者を引き剥がすことで剥離される。図１Ｇは、有機ＥＬ素子１を示している。なお、有機ＥＬ素子前駆体２から有機ＥＬ素子１を形成する工程は、有機ＥＬ素子１が使用される場所で行われてもよい。
【００４５】
有機ＥＬ素子は、剥離界面に剥離補助構造７０を備えるため、ダメージを受けにくく製造され得る。ダメージのない有機ＥＬ素子は、長寿命になり得る。
【００４６】
図３は、有機ＥＬ素子前駆体の比較例を示す。図３の比較例は、図１の有機ＥＬ素子の製造方法の利点を明らかにする。図３は図３Ａ〜図３Ｃからなる。図３の有機ＥＬ素子前駆体は剥離補助構造７０を備えていない。図３Ａ及び図３Ｂは、有機ＥＬ素子前駆体の全体を示している。ただし、図３Ａでは、第２ベース体２０と充填材５０が取り除かれて描かれている。図１及び図２の構成と同じ構成については同じ符号を付し、説明を省略する。
【００４７】
図３Ｃは、有機ＥＬ素子前駆体から第２支持材２２を剥離する際の様子を示している。第２支持材２２が離れる方向は白抜き矢印で示されている。第２支持材２２を第２基板２１から剥離するとき、第２基板２１が第２支持材２２にくっついていようとする力が働く（図３Ｃの複数の矢印）。この力は、第２基板２１と封止壁４０との接着部分の近傍Ｐ１において強く働く。接着部分の近傍Ｐ１は、２つの基板の間において、空隙の領域から封止壁４０及び充填材５０が詰まった密な領域へと変化する部分であるため、応力が集中し得る。そのため、第２支持材２２の剥離に伴って、第２基板２１と封止壁４０との間が裂けたりする現象が生じ得る。特に、第２基板２１と第２支持材２２との接着力が、第２基板２１と封止壁４０との接着力よりも大きいと、封止壁４０の剥がれが生じやすい。また、第２基板２１が薄い場合、第２基板２１が破れたりする現象が生じ得る。このように、第２支持材２２の剥離の際には、有機ＥＬ素子はダメージを受けやすい。図３Ｃでは、第２支持材２２の剥離の場合を示しているが、第１支持材１２の剥離の場合も同様に、有機ＥＬ素子はダメージを受けやすい。
【００４８】
一方、図１のように、剥離補助構造７０が存在する場合、第２支持材２２の剥離のときに、剥離補助構造７０は、第２支持材２２と第２基板２１とを剥がれやすくして封止壁４０の位置での剥離を補助する。引き剥がす際の応力が、剥離補助構造７０によって逃がされるため、封止壁４０と第２基板２１との界面に応力が集中することが抑制される。そのため、封止壁４０と第２基板２１とが剥がれずに、第２支持材２２が良好に剥離される。これにより、封止壁４０と第２基板２１との接着部分において有機ＥＬ素子がダメージを受けることが抑制される。第１支持材１２の剥離の場合も同様に、剥離補助構造７０の存在により、有機ＥＬ素子はダメージを受けることが抑制される。このため、図１の有機ＥＬ素子の製造方法は、ダメージを受けることを抑制して有機ＥＬ素子を製造することができる。
【００４９】
なお、図１では、剥離補助構造７０は、封止壁４０の高さ方向の両側に配置されている。封止壁４０の高さ方向は、有機ＥＬ素子の厚み方向と等しい。剥離補助構造７０は、第１基板１１と第１支持材１２との間、及び、第２基板２１と第２支持材２２との間の両方に配置されている。剥離補助構造７０は、第１基板１１と第１支持材１２との間、及び、第２基板２１と第２支持材２２との間のうちのいずれか一方に配置されていてもよい。その場合も、剥離が良好になる。ただし、剥離補助構造７０が上記両方に配置されると、剥離がさらに良好になる。
【００５０】
剥離補助構造７０は、剥離を補助する構造であれば、特に制限されない。剥離補助構造７０の具体例を以下で説明する。
【００５１】
図４は、有機ＥＬ素子の製造方法の一例を示す模式的な断面図である。図４は、図４Ａ〜図４Ｃからなる。図４Ａ〜図４Ｃは、互いに別の例であり、途中状態を示す。図４では、図１Ｅに対応する有機ＥＬ素子前駆体が示されている。
【００５２】
図４では、剥離補助構造７０は、空間７１である。空間７１により、基板と支持材とは封止壁４０の位置において接触しなくなる。空間７１は基板と支持材とを離間させる。空間７１があると、基板と支持材との剥離の際に、封止壁４０の位置において基板が支持材にくっつきにくい。そのため、空間７１は基板と支持材との剥離を補助できる。図４では、空間７１は、支持材に設けられた凹みで形成されている。
【００５３】
図４Ａは、第２支持材２２に凹みが設けられた例である。この凹みが空間７１となる。第２基板２１と第２支持材２２との間に空間７１が存在する。そのため、空間７１は、第２基板２１と第２支持材２２との剥離を補助する。
【００５４】
図４Ｂは、第１支持材１２に凹みが設けられた例である。この凹みが空間７１となる。第１基板１１と第１支持材１２との間に空間７１が存在する。そのため、空間７１は、第１基板１１と第１支持材１２との剥離を補助する。
【００５５】
図４Ｃは、第１支持材１２と第２支持材２２との両方に凹みが設けられた例である。これらの凹みが空間７１となる。第１基板１１と第１支持材１２との間、及び第２基板２１と第２支持材２２との間に、空間７１が存在する。そのため、空間７１は、第１基板１１と第１支持材１２との剥離、及び第２基板２１と第２支持材２２との剥離を補助する。図４Ｃでは、封止壁４０の高さ方向の両側に空間７１が配置されている。そのため、図４Ｃは、図４Ａ及び図４Ｂよりも良好に有機ＥＬ素子を製造できる。
【００５６】
図４では、支持材が凹みを有し得る。凹みは、レーザ加工、化学エッチングなどによって形成され得る。凹みの深さは、特に限定されないが、例えば、１〜１０μｍの範囲内であってよい。
【００５７】
図５は、有機ＥＬ素子の製造方法の一例を示す模式的な断面図である。図５は、図５Ａ〜図５Ｃからなる。図５Ａ〜図５Ｃは、互いに別の例であり、途中状態を示す。図５では、図１Ｅに対応する有機ＥＬ素子前駆体が示されている。
【００５８】
図５では、剥離補助構造７０は、空間７１である。空間７１により、基板と支持材とは封止壁４０の位置において接触しなくなる。空間７１は基板と支持材とを離間させる。空間７１があると、基板と支持材との剥離の際に、封止壁４０の位置において基板が支持材にくっつきにくい。そのため、空間７１は基板と支持材との剥離を補助できる。図５では、空間７１は、基板に設けられた凹みで形成されている。
【００５９】
図５Ａは、第２基板２１に凹みが設けられた例である。この凹みが空間７１となる。第２基板２１と第２支持材２２との間に空間７１が存在する。そのため、空間７１は、第２基板２１と第２支持材２２との剥離を補助する。
【００６０】
図５Ｂは、第１基板１１に凹みが設けられた例である。この凹みが空間７１となる。第１基板１１と第１支持材１２との間に空間７１が存在する。そのため、空間７１は、第１基板１１と第１支持材１２との剥離を補助する。
【００６１】
図５Ｃは、第１基板１１と第２基板２１との両方に凹みが設けられた例である。これらの凹みが空間７１となる。第１基板１１と第１支持材１２との間、及び第２基板２１と第２支持材２２との間に、空間７１が存在する。そのため、空間７１は、第１基板１１と第１支持材１２との剥離、及び第２基板２１と第２支持材２２との剥離を補助する。図５Ｃでは、封止壁４０の高さ方向の両側に空間７１が配置されている。そのため、図５Ｃは、図５Ａ及び図５Ｂよりも良好に有機ＥＬ素子を製造できる。
【００６２】
図５では、基板が凹みを有し得る。凹みは、レーザ加工、化学エッチングなどによって形成され得る。凹みの深さは、特に限定されないが、例えば、１〜１０μｍの範囲内であってよい。
【００６３】
図６は、有機ＥＬ素子の製造方法の一例を示す模式的な断面図である。図６は、図６Ａ〜図６Ｃからなる。図６Ａ〜図６Ｃは、互いに別の例であり、途中状態を示す。図６では、図１Ｅに対応する有機ＥＬ素子前駆体が示されている。
【００６４】
図６では、剥離補助構造７０は、空間７１である。空間７１により、基板と支持材とは封止壁４０の位置において接触しなくなる。空間７１は基板と支持材とを離間させる。空間７１があると、基板と支持材との剥離の際に、封止壁４０の位置において基板が支持材にくっつきにくい。そのため、空間７１は基板と支持材との剥離を補助できる。図６では、空間７１は、支持材と基板との間に設けられた空間形成層９０で形成されている。
【００６５】
図６Ａは、第２基板２１と第２支持材２２との間に空間形成層９０が設けられた例である。空間形成層９０は、一部が空洞となっている。この空洞が空間７１となる。第２基板２１と第２支持材２２との間に空間７１が存在する。そのため、空間７１は、第２基板２１と第２支持材２２との剥離を補助する。
【００６６】
図６Ｂは、第１基板１１と第１支持材１２との間に空間形成層９０が設けられた例である。空間形成層９０は、一部が空洞となっている。この空洞が空間７１となる。第１基板１１と第１支持材１２との間に空間７１が存在する。そのため、空間７１は、第１基板１１と第１支持材１２との剥離を補助する。
【００６７】
図６Ｃは、第１基板１１と第１支持材１２との間、及び、第２基板２１と第２支持材２２との間の両方に、空間形成層９０が設けられた例である。それぞれの空間形成層９０は、一部が空洞となっている。この空洞が空間７１となる。第１基板１１と第１支持材１２との間、及び第２基板２１と第２支持材２２との間に、空間７１が存在する。そのため、空間７１は、第１基板１１と第１支持材１２との剥離、及び第２基板２１と第２支持材２２との剥離を補助する。図６Ｃでは、封止壁４０の高さ方向の両側に空間７１が配置されている。そのため、図６Ｃは、図６Ａ及び図６Ｂよりも良好に有機ＥＬ素子を製造できる。
【００６８】
空間形成層９０は、基板と支持材とを剥離可能に接着する適宜の材料で形成され得る。空間形成層９０は、例えば、無機層で形成される。無機層の例は、透明金属酸化物（ＩＴＯなど）である。支持材と基板との剥離は、空間形成層９０の２つの面のいずれかの面で行われ得る。空間形成層９０と支持材との界面で剥離が行われてもよいし、空間形成層９０と基板との界面で剥離が行われてもよい。支持材と基板とが剥離された後、空間形成層９０は、支持材に残ってもよいし、基板に残ってもよい。空間形成層９０が基板に残った場合、有機ＥＬ素子は、空間形成層９０を有し得る。空間形成層９０は、基板よりも支持材に残る方が好ましい。それにより、空間形成層９０が基板に残らないため、表面のきれいな有機ＥＬ素子が得られる。
【００６９】
空間形成層９０を有する第１ベース体１０は、例えば、第１支持材１２の上に空間形成層９０が空洞を有するパターン状に形成され、さらに、その上に第１基板１１が重ねられることで形成され得る。空間形成層９０は、蒸着、スパッタリング、塗布などの積層プロセスで形成され得る。空間形成層９０は、表面の作用によって、基板を接着させることができる。空間形成層９０の厚みは、特に限定されないが、例えば、１〜１０μｍの範囲内であってよい。空間形成層９０を有する第２ベース体２０も、同様の方法で形成され得る。
【００７０】
図７は、有機ＥＬ素子の製造方法の一例を示す模式的な断面図である。図７は、図７Ａ〜図７Ｃからなる。図７Ａ〜図７Ｃは、互いに別の例であり、途中状態を示す。図７では、図１Ｅに対応する有機ＥＬ素子前駆体が示されている。
【００７１】
図７では、剥離補助構造７０は、剥離層７２である。剥離層７２により、基板と支持材とは封止壁４０の位置において直接接触しなくなる。剥離層７２は基板と支持材とを接着しないことが好ましい。剥離層７２があると、基板と支持材との剥離の際に、封止壁４０の位置において基板が支持材にくっつきにくい。そのため、剥離層７２は基板と支持材との剥離を補助できる。剥離層７２は、支持材と基板との間に設けられる。剥離層７２は、封止壁４０の位置に対応して設けられる。
【００７２】
図７Ａは、第２基板２１と第２支持材２２との間に剥離層７２が設けられた例である。第２基板２１と第２支持材２２との間に剥離層７２が存在する。そのため、剥離層７２は、第２基板２１と第２支持材２２との剥離を補助する。
【００７３】
図７Ｂは、第１基板１１と第１支持材１２との間に剥離層７２が設けられた例である。第１基板１１と第１支持材１２との間に剥離層７２が存在する。そのため、剥離層７２は、第１基板１１と第１支持材１２との剥離を補助する。
【００７４】
図７Ｃは、第１基板１１と第１支持材１２との間、及び、第２基板２１と第２支持材２２との間の両方に、剥離層７２が設けられた例である。第１基板１１と第１支持材１２との間、及び第２基板２１と第２支持材２２との間に、剥離層７２が存在する。そのため、剥離層７２は、第１基板１１と第１支持材１２との剥離、及び第２基板２１と第２支持材２２との剥離を補助する。図７Ｃでは、封止壁４０の高さ方向の両側に剥離層７２が配置されている。そのため、図７Ｃは、図７Ａ及び図７Ｂよりも良好に有機ＥＬ素子を製造できる。
【００７５】
剥離層７２は、基板と支持材とを剥離させやすくする適宜の材料で形成され得る。剥離層７２は、例えば、無機層で形成される。剥離層７２は、有機層で形成されてもよい。剥離層７２の例は、シリコーン層、ＩＴＯ膜、ＩＺＯ膜、ポリイミド膜などである。剥離層７２がある部分では、支持材と基板との剥離は、剥離層７２の２つの面のいずれかの面で行われ得る。剥離層７２と支持材との界面で剥離が行われてもよいし、剥離層７２と基板との界面で剥離が行われてもよい。支持材と基板とが剥離された後、剥離層７２は、支持材に残ってもよいし、基板に残ってもよい。剥離層７２が基板に残った場合、有機ＥＬ素子は、剥離層７２を有し得る。剥離層７２は、基板よりも支持材に残る方が好ましい。それにより、剥離層７２が基板に残らないため、表面のきれいな有機ＥＬ素子が得られる。
【００７６】
剥離層７２を有する第１ベース体１０は、例えば、第１支持材１２の上に剥離層７２が封止壁４０の位置に対応するパターン状に形成され、さらに、その上に第１基板１１が重ねられることで形成され得る。剥離層７２は、蒸着、スパッタリング、塗布などの積層プロセスで形成され得る。剥離層７２は、支持材と基板とを接着しないように、あるいは、これらを弱い接着力で接着するようにすることができる。剥離層７２を有する第２ベース体２０も、同様の方法で形成され得る。
【００７７】
図８は、有機ＥＬ素子の製造方法の一例を示す模式的な断面図である。図８は、図８Ａ〜図８Ｃからなる。図８Ａ〜図８Ｃは、互いに別の例であり、途中状態を示す。図８では、図１Ｅに対応する有機ＥＬ素子前駆体が示されている。
【００７８】
図８では、剥離補助構造７０は、凹凸７３である。凹凸７３により、基板と支持材とは封止壁４０の位置において接着が弱くなる。凹凸７３は基板と支持材とのうちの一方に存在することが好ましい。凹凸７３があると、基板と支持材との剥離の際に、封止壁４０の位置において基板が支持材にくっつきにくい。そのため、凹凸７３は基板と支持材との剥離を補助できる。凹凸７３は、支持材と基板との間に設けられる。凹凸７３は、封止壁４０の位置に対応して設けられる。
【００７９】
図８Ａは、第２基板２１と第２支持材２２との間に凹凸７３が設けられた例である。第２基板２１と第２支持材２２との間に凹凸７３が存在する。そのため、凹凸７３は、第２基板２１と第２支持材２２との剥離を補助する。
【００８０】
図８Ｂは、第１基板１１と第１支持材１２との間に凹凸７３が設けられた例である。第１基板１１と第１支持材１２との間に凹凸７３が存在する。そのため、凹凸７３は、第１基板１１と第１支持材１２との剥離を補助する。
【００８１】
図８Ｃは、第１基板１１と第１支持材１２との間、及び、第２基板２１と第２支持材２２との間の両方に、凹凸７３が設けられた例である。第１基板１１と第１支持材１２との間、及び第２基板２１と第２支持材２２との間に、凹凸７３が存在する。そのため、凹凸７３は、第１基板１１と第１支持材１２との剥離、及び第２基板２１と第２支持材２２との剥離を補助する。図８Ｃでは、封止壁４０の高さ方向の両側に凹凸７３が配置されている。そのため、図８Ｃは、図８Ａ及び図８Ｂよりも良好に有機ＥＬ素子を製造できる。
【００８２】
凹凸７３は、基板と支持材とを剥離させやすくする程度で形成され得る。凹凸７３は、例えば、表面の粗化で形成される。粗化の例は、ブラストである。凹凸７３は、支持材と基板との両方に形成されてもよいが、支持材と基板との少なくとも一方に形成され得る。支持材と基板との少なくとも一方が凹凸７３を有し得る。基板が凹凸７３を有する場合、有機ＥＬ素子は、凹凸７３を有し得る。凹凸７３は、基板よりも支持材にある方が好ましい。それにより、凹凸７３が基板に残らないため、表面のきれいな有機ＥＬ素子が得られる。
【００８３】
凹凸７３を有する第１ベース体１０は、例えば、第１支持材１２の表面の粗化によって第１支持材１２の表面に凹凸７３が形成され、さらに、その上に第１基板１１が重ねられることで形成され得る。表面粗化は、第１支持材１２の一部（封止壁４０に対応する場所）になされ得る。凹凸７３は、支持材と基板とを接着しないように、あるいは、これらを弱い接着力で接着するようにすることができる。凹凸７３を有する第２ベース体２０も、同様の方法で形成され得る。
【００８４】
図４〜図８では、有機ＥＬ素子前駆体の具体例を示した。各具体例においても、有機ＥＬ素子は、有機ＥＬ素子前駆体から２つの支持材を取り除くことで得られる（図１Ｆ及び図１Ｇ参照）。
【００８５】
以上で述べたように、本開示の有機ＥＬ素子は、第１基板１１と、第２基板２１と、有機発光体３０と、封止壁４０とを備えている（図１Ｇ及び図２参照）。第１基板１１は可撓性を有する。第２基板２１は、第１基板１１に対向し、可撓性を有する。有機発光体３０は、第１基板１１と第２基板２１との間に配置される。有機発光体３０は、第１電極３１、第１電極３１と対をなす第２電極３２、及び、第１電極３１と第２電極３２との間にある有機発光層３３を備える。封止壁４０は、第１基板１１と第２基板２１との間に配置され、有機発光体３０の外周にあり、有機発光体３０を封止する。有機ＥＬ素子は、好ましくは、充填材５０をさらに備える。充填材５０は、第１基板１１と第２基板２１と封止壁４０とにより形成される内部空間を充填する。この内部空間には、有機発光体３０が存在する。剥離補助構造７０の存在により、有機ＥＬ素子は、ダメージを受けにくい。
【００８６】
図１Ｇ及び図２は、剥離補助構造７０を有さない有機ＥＬ素子１の例を示している。支持材と一緒に剥離補助構造７０が除去されると、有機ＥＬ素子は剥離補助構造７０を有さなくなる。有機ＥＬ素子に剥離補助構造７０は残らない。
【００８７】
一方、上述したように、剥離補助構造７０が基板に残ると、有機ＥＬ素子は剥離補助構造７０を有することになる。剥離補助構造７０は、接着性が基板の他の部分よりも低い。剥離補助構造７０は、低接着構造と定義される。有機ＥＬ素子の製造によって、剥離補助構造７０は低接着構造に名称が変化する。低接着構造は、基板の表面に設けられる。低接着構造は、基板表面の他の部分とは異なる構造を有し得る。低接着構造の部分は、それ以外の部分よりも支持材に対する接着性が弱い。
【００８８】
図９は、有機ＥＬ素子の一例を示す模式的な断面図である。図９は、図９Ａ〜図９Ｄからなる。図９Ａ〜図９Ｄは、互いに別の例である。有機ＥＬ素子では、第１基板１１及び第２基板２１の少なくとも一方は、外面における封止壁４０に対応する位置に、低接着構造８０が設けられている態様となり得る。図９では、第１基板１１及び第２基板２１の両方に低接着構造８０が設けられている。低接着構造８０は、第１基板１１の外側の表面にある。低接着構造８０は、第２基板２１の外側の表面にある。
【００８９】
図９Ａは、図５Ｃの有機ＥＬ素子前駆体から得られる有機ＥＬ素子１の例を示している。図９Ａの有機ＥＬ素子１は、第１基板１１及び第２基板２１の表面に凹部８１を有する。これらの凹部８１が低接着構造８０である。凹部８１は、封止壁４０に対応する位置に存在する。凹部８１により、有機ＥＬ素子１はダメージ少なく製造され得る。
【００９０】
図９Ｂは、図６Ｃの有機ＥＬ素子前駆体から得られ、基板に空間形成層９０が残る場合の有機ＥＬ素子１の例を示している。図９Ｂの有機ＥＬ素子１は、第１基板１１及び第２基板２１の表面に空間形成層９０を有し、空間形成層９０は一部で貫通孔９１があいている。貫通孔９１が低接着構造８０である。貫通孔９１は、封止壁４０に対応する位置に存在する。貫通孔９１により、有機ＥＬ素子１はダメージ少なく製造され得る。なお、図９Ｂでは、空間形成層９０と基板とを合わせたものを基板（複合基板）と考えることもできる。すると、基板（複合基板）は凹部を有することになる。この凹部が低接着構造８０となる。
【００９１】
図９Ｃは、図７Ｃの有機ＥＬ素子前駆体から得られ、基板に剥離層７２が残る場合の有機ＥＬ素子１の例を示している。図９Ｃの有機ＥＬ素子１は、第１基板１１及び第２基板２１の表面に低接着層８２を有している。剥離層７２は、低接着層８２と定義される。有機ＥＬ素子の製造によって、剥離層７２は低接着層８２に名称が変化する。低接着層８２が低接着構造８０である。低接着層８２は、封止壁４０に対応する位置に存在する。低接着層８２により、有機ＥＬ素子１はダメージ少なく製造され得る。
【００９２】
図９Ｄは、図８Ｃの有機ＥＬ素子前駆体から得られ、基板が凹凸７３を有する場合の有機ＥＬ素子１の例を示している。図９Ｄの有機ＥＬ素子は、第１基板１１及び第２基板２１は、表面凹凸８３を有している。凹凸７３は、表面凹凸８３と定義される。有機ＥＬ素子の製造によって、凹凸７３は表面凹凸８３に名称が変化する。表面凹凸８３が低接着構造８０である。表面凹凸８３は、封止壁４０に対応する位置に存在する。表面凹凸８３により、有機ＥＬ素子１はダメージ少なく製造され得る。
【００９３】
ところで、有機ＥＬ素子は、第１電極３１及び第２電極３２に電圧が印加されるように、これら２つの電極と外部の電源とを繋ぐ構造（電気接続構造）を有し得る。図１及び図２では、電気接続構造が省略されているが、電気接続構造は、適宜の構造が採用され得る。電気接続構造は、例えば、電極を構成する導電層を引き延ばした構造、基板に貫通孔を設けてこの貫通孔に導電材料を充填した構造であってよい。
【００９４】
本開示の有機ＥＬ素子の製造方法は、変形例を含む。変形例は、剥離補助構造７０の具体的構成が第１ベース体１０と第２ベース体２０とで異なる構造の例を含む。例えば、第１ベース体１０の剥離補助構造７０が剥離層７２であり、第２ベース体２０の剥離補助構造７０が空間７１である変形例が挙げられる。剥離補助構造７０の具体的構成がベース体ごとに異なるその他の変形例も理解され得る。例えば、空間７１と剥離層７２の組み合わせや、空間７１と凹凸７３との組み合わせが、剥離補助構造７０に適用され得る。また、基板の凹みと支持材の凹みとの組み合わせが、剥離補助構造７０に適用されてもよい。ただし、第１ベース体１０と第２ベース体２０とは、剥離補助構造７０が同じであることがより好ましい。その場合、剥離補助構造７０の形成が容易になる。
【符号の説明】
【００９５】
１０    第１ベース体
１１    第１基板
１２    第１支持材
２０    第２ベース体
２１    第２基板
２２    第２支持材
３０    有機発光体
３１    第１電極
３２    第２電極
３３    有機発光層
４０    封止壁
５０    充填材
７０    剥離補助構造
７１    空間
７２    剥離層
７３    凹凸
８０    低接着構造
８１    凹部
８２    低接着層
８３    表面凹凸
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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