(57)【要約】      （修正有）【課題】被測定対象の局所的な電気抵抗分布を定量的に高い再現性で取得し、容易且つ正確に局所的な電気的評価方法を提供する。【解決手段】試料に対して非接触状態で吸収電流を発生させる評価方法であって、試料の熱容量の２次元分布を取得するステップ１１と、相異なる複数の温度において、試料の吸収電流値の２次元分布を取得するステップ１２と、試料の各座標における温度変化の過渡応答を測定するステップ１４と、試料の各座標における熱抵抗値を算出し、試料の熱抵抗値の２次元分布を取得するステップ１５と、算出された各座標における熱抵抗値を用いて各座標における電気抵抗値を算出し、試料の電気抵抗値の２次元分布を取得するステップ１７とを実行する。【選択図】図２
2016042037.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被測定対象に対して非接触状態で前記被測定対象に吸収電流を発生させる評価方法であって、
前記被測定対象の熱容量の２次元分布を取得するステップと、
相異なる複数の温度において、前記被測定対象の吸収電流値の２次元分布を取得するステップと、
前記被測定対象の各座標における温度変化を測定するステップと、
前記被測定対象の各座標における熱抵抗値を算出し、前記被測定対象の熱抵抗値の２次元分布を取得するステップと、
算出された前記各座標における熱抵抗値を用いて前記各座標における電気抵抗値を算出し、前記被測定対象の電気抵抗値の２次元分布を取得するステップと
を含むことを特徴とする評価方法。
【請求項２】
前記被測定対象の電気抵抗値の２次元分布を用いて、前記被測定対象の電気抵抗率の２次元分布を取得するステップを更に含むことを特徴とする請求項１に記載の評価方法。
【請求項３】
前記被測定対象の電気抵抗率の２次元分布を取得するステップは、
前記被測定対象の各構成材料から予測される電気抵抗値の２次元分布の予測値と、前記被測定対象の電気抵抗値の２次元分布の算出値とを比較し、両者が一致するまで前記各構成材料の電気抵抗率を変化させながら収束計算を繰り返し行うことを特徴とする請求項２に記載の評価方法。
【請求項４】
前記被測定対象の各構成材料から電気抵抗値の２次元分布を予測するに際して、前記被測定対象の元素分析を行って前記各構成材料をコンポネント化することを特徴とする請求項３に記載の評価方法。
【請求項５】
前記被測定対象の各座標における温度変化を測定するステップは、前記各座標における温度変化の過渡応答を時間分解計測することを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の評価方法。
【請求項６】
前記被測定対象の温度と吸収電流値との関係を取得するステップを更に含むことを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の評価方法。
【請求項７】
前記被測定対象の温度と吸収電流値の２次元像の輝度との関係を取得するステップを更に含むことを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の評価方法。
【請求項８】
被測定対象に対して非接触状態で前記被測定対象に吸収電流を発生させる評価装置であって、
前記測定対象の温度を調節する温度調節部と、
前記測定対象の温度を２次元分布として検出する温度測定部と、
前記被測定対象の熱容量の２次元分布を取得する熱容量取得部と、
相異なる複数の温度において、前記被測定対象の吸収電流値の２次元分布を取得する吸収電流分布取得部と、
前記被測定対象の各座標における温度変化を測定する温度変化測定部と、
前記被測定対象の各座標における熱抵抗値を算出し、前記被測定対象の熱抵抗値の２次元分布を取得する熱抵抗分布取得部と、
算出された前記各座標における熱抵抗値を用いて前記各座標における電気抵抗値を算出し、前記被測定対象の電気抵抗値の２次元分布を取得する電気抵抗分布取得部と
を含むことを特徴とする評価装置。
【請求項９】
前記被測定対象の電気抵抗値の２次元分布を用いて、前記被測定対象の電気抵抗率の２次元分布を取得する電気抵抗率分布取得部を更に含むことを特徴とする請求項８に記載の評価装置。
【請求項１０】
被測定対象に対して非接触状態で前記被測定対象に吸収電流を発生させる評価方法をコンピュータに実行させるプログラムであって、
前記被測定対象の熱容量の２次元分布を取得するステップと、
相異なる複数の温度において、前記被測定対象の吸収電流値の２次元分布を取得するステップと、
前記被測定対象の各座標における温度変化を測定するステップと、
前記被測定対象の各座標における熱抵抗値を算出し、前記被測定対象の熱抵抗値の２次元分布を取得するステップと、
算出された前記各座標における熱抵抗値を用いて前記各座標における電気抵抗値を算出し、前記被測定対象の電気抵抗値の２次元分布を取得するステップと
を実行させることを特徴とするプログラム。
【請求項１１】
前記被測定対象の電気抵抗値の２次元分布を用いて、前記被測定対象の電気抵抗率の２次元分布を取得するステップを更に実行させることを特徴とする請求項１０に記載のプログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、被測定対象である電子部品等の評価方法及び装置、並びにプログラムに関する。
【背景技術】
【０００２】
ＬＳＩ実装技術の開発及び信頼性評価において、実装品の電気抵抗モニタリングは日常的に行われているところ、概ねマクロ的な評価に限られている。マクロ的評価とは、半導体パッケージ全体の通電チェック、例えば接合領域が多数含まれる配線チェーン等の評価である。本来、発生した故障がマクロ的に検知できたとしても、その原因はミクロ的な材料変化（変形や化合物形成）に起因する。そのため、故障対策を採るうえではミクロ的評価が必要となる。
【０００３】
しかしながら、半導体パッケージにおけるビアやバンプ等の単一の接合領域を評価する有効な局所的電気的手法は未だ確立されていない。これは、配線や接合部等の低抵抗金属領域の電気抵抗を局所的に計測することが困難であることに起因する。オームの法則（Ｒ＝Ｖ／Ｉ）から判るように、低抵抗材料を測定するには、Ｉ−Ｖ測定により微小電圧を計測するか、或いは大電流を入力する必要がある。ところが実際には、適した計測装置が不在であったり、大電流により局所的な発熱が発生したりするために測定は困難である。そのため、接合領域が多数含まれる配線チェーンによりＩ−Ｖ測定し、接合領域の数で除算して平均値を取得する方法が用いられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００２−３５０３７９号公報
【特許文献２】特開平４−７６４４６号公報
【特許文献３】特開平４−２７３１４４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ＬＳＩ実装品の局所領域における導通状態を可視化する手法としては、吸収電流法がある。この手法は走査型電子顕微鏡（Scanning electron microscope：ＳＥＭ）を用いて、電子ビームを被測定対象（試料）に入射し、吸収電流として配線中に流れる電子を可視化する手法である。断線箇所を含む配線チェーンの一端に導電性プローブを接触させると、断線箇所を境に、電流アンプに接続される側は電流が増幅され、そうでない側の電流はグラウンドに流れてコントラストを形成した画像が得られる。このようにして、配線等低抵抗材料の断線領域は容易に特定することはできる。しかしながらこの手法は、導通又は断線を判断するだけに留まる。プローブ間のＩ−Ｖ測定により、マクロ的材料の電気抵抗は測定することができる。ところが、プローブが固定されているために、プローブ間に位置する任意領域の局所的な電気抵抗や電気抵抗率を測定することはできない。
【０００６】
これに対して、プローブが移動可能であれば、試料の電気抵抗分布を可視化することができる。例えば、マイクロメートル以下の導電性プローブを用いた走査プローブ顕微鏡法（Scanning Probe Microscopy：ＳＰＭ）では、プローブに流れる電流を走査しながら可視化することができる。しかしながらこの手法は、プローブを試料に接触させながら走査するため、接触抵抗の変動が無視できず、測定誤差が大きい。また、本質的な問題として、接触抵抗を減少させるためにプローブの接触圧力を大きくせざるを得ず、試料へのダメージが大きい。即ちＳＰＭ法は、定量性、再現性ともに乏しい手法であると言える。
【０００７】
本発明は、上記の課題に鑑みてなされたものであり、被測定対象の局所的な電気抵抗分布を定量的に高い再現性で取得し、容易且つ正確に局所的な電気的評価を実現することができる評価方法及び装置、並びにプログラムを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
評価方法の一態様は、被測定対象に対して非接触状態で前記被測定対象に吸収電流を発生させる評価方法であって、前記被測定対象の熱容量の２次元分布を取得するステップと、相異なる複数の温度において、前記被測定対象の吸収電流値の２次元分布を取得するステップと、前記被測定対象の各座標における温度変化を測定するステップと、前記被測定対象の各座標における熱抵抗値を算出し、前記被測定対象の熱抵抗値の２次元分布を取得するステップと、算出された前記各座標における熱抵抗値を用いて前記各座標における電気抵抗値を算出し、前記被測定対象の電気抵抗値の２次元分布を取得するステップとを含む。
【０００９】
評価装置の一態様は、被測定対象に対して非接触状態で前記被測定対象に吸収電流を発生させる評価装置であって、前記測定対象の温度を調節する温度調節部と、前記測定対象の温度を２次元分布として検出する温度測定部と、前記被測定対象の熱容量の２次元分布を取得する熱容量取得部と、相異なる複数の温度において、前記被測定対象の吸収電流値の２次元分布を取得する吸収電流分布取得部と、前記被測定対象の各座標における温度変化を測定する温度変化測定部と、前記被測定対象の各座標における熱抵抗値を算出し、前記被測定対象の熱抵抗値の２次元分布を取得する熱抵抗分布取得部と、算出された前記各座標における熱抵抗値を用いて前記各座標における電気抵抗値を算出し、前記被測定対象の電気抵抗値の２次元分布を取得する電気抵抗分布取得部とを含む。
【００１０】
プログラムの一態様は、被測定対象に対して非接触状態で前記被測定対象に吸収電流を発生させる評価方法をコンピュータに実行させるプログラムであって、前記被測定対象の熱容量の２次元分布を取得するステップと、相異なる複数の温度において、前記被測定対象の吸収電流値の２次元分布を取得するステップと、前記被測定対象の各座標における温度変化を測定するステップと、前記被測定対象の各座標における熱抵抗値を算出し、前記被測定対象の熱抵抗値の２次元分布を取得するステップと、算出された前記各座標における熱抵抗値を用いて前記各座標における電気抵抗値を算出し、前記被測定対象の電気抵抗値の２次元分布を取得するステップとを実行させるものである。
【発明の効果】
【００１１】
上記の諸態様によれば、被測定対象の局所的な電気抵抗分布を定量的に高い再現性で取得し、容易且つ正確に局所的な電気的評価を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本実施形態による評価装置の概略構成を示す模式図である。
【図２】統括制御部の有する各機能を示すブロック図である。
【図３】本実施形態による評価方法をステップ順に示すフロー図である。
【図４】得られた吸収電流値の２次元分布の一例を示す特性図である。
【図５】得られたステージ温度と吸収電流との関係の一例を示す特性図である。
【図６】得られた過渡応答の一例を示す特性図である。
【図７】得られた熱抵抗値の２次元分布像の一例を示す画像図である。
【図８】得られた電気抵抗値の２次元分布像の一例を示す画像図である。
【図９】得られた電気抵抗率の２次元分布像の一例を示す画像図である。
【図１０】パーソナルユーザ端末装置の内部構成を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、被測定対象である電子部品等の評価装置及び評価方法について、図面を参照しながら詳細に説明する。
【００１４】
（評価装置の構成）
図１は、本実施形態による評価装置の概略構成を示す模式図である。
この評価装置は、ＳＥＭ１を有して構成される。ＳＥＭ１は、被測定対象（試料）１０に対して非接触状態で試料１０に吸収電流を発生させるものであり、ＳＥＭ制御部２、スキャンコイル３、試料ステージ４、プローブ５、電流アンプ６ａ、電流計６ｂ、サーモグラフィ７、統括制御部８、表示部９を備えている。
【００１５】
制御部２は、スキャンコイル３の制御や電子線の照射量、照射時間等を制御する。
スキャンコイル３は、試料１０に照射する電子線の照射位置を制御するものである。
試料ステージ４は、試料１０が載置固定されるものであり、試料１０の温度を調節する温度調節部であるヒータ４ａと、その熱スイッチ４ｂとを有している。
プローブ５は、試料１０に発生した吸収電流を測定するための導電性のものである。
電流アンプ６ａは、プローブ５で検知した吸収電流を増幅する。電流計６ｂは、電流アンプ６ａで増幅された吸収電流を測定するためのものである。
サーモグラフィ７は、試料１０の熱（赤外線）の温度を時間分解計測し、２次元分布として検出する温度測定部である。サーモグラフィ７に例えば赤外線専用のズームレンズのような拡大機構を付加しても良い。
統括制御部８は、中央処理装置（ＣＰＵ）等で構成されており、ＳＥＭ制御部２、試料ステージ４のヒータ４ａ及び熱スイッチ４ｂ、サーモグラフィ７等を統括的に制御するものである。
表示部９は、試料１０の熱抵抗値の２次元分布像、電気抵抗値の２次元分布像、電気抵抗率の２次元分布像等を画像表示する。
【００１６】
図２は、統括制御部８の有する各機能を示すブロック図である。
統括制御部８は、図２に示すように、熱容量取得部１１、吸収電流分布取得部１２、関係取得部１３、過渡応答測定部１４、熱抵抗分布取得部１５、電気抵抗分布取得部１６、電気抵抗率分布取得部１７を備えている。
【００１７】
熱容量取得部１１は、サーモグラフィ７で検出された温度の２次元分布に基づいて、試料１０の熱容量の２次元分布を取得する。
吸収電流分布取得部１２は、相異なる複数の温度において、プローブ５で検知した試料１０の吸収電流値の２次元分布を取得する。
関係取得部１３は、サーモグラフィ７で検出された試料１０の温度と、プローブ５で検知した試料１０の吸収電流との関係を取得する。関係取得部１３としては、試料１０の温度と吸収電流値の２次元分布の輝度との関係を取得するものでも良い。
過渡応答測定部１４は、温度変化測定部であり、サーモグラフィ７で検出された試料１０の温度の２次元分布を時間分解的に記録して、試料１０の各座標における温度変化の過渡応答を測定する。
熱抵抗分布取得部１５は、過渡応答測定部１４で測定された試料１０の各座標における温度変化の過渡応答と、熱容量取得部１１で得られた試料１０の各座標における熱容量とを用いて熱抵抗値を算出し、試料１０の熱抵抗値の２次元分布を取得する。
電気抵抗分布取得部１６は、プローブ５で検知した試料１０の吸収電流値、試料１０の温度変化量、及び熱抵抗分布取得部１５で得られた試料１０の熱抵抗値を用いて、試料１０の各座標における電気抵抗値を算出し、試料１０の電気抵抗値の２次元分布を取得する。
【００１８】
電気抵抗率分布取得部１７は、試料１０の電気抵抗値の２次元分布を用いて、試料１０の電気抵抗率の２次元分布を取得する。具体的には、試料１０の各構成材料から予測される電気抵抗値の２次元分布の予測値と、電気抵抗分布取得部１６で得られた電気抵抗値の２次元分布の算出値とを比較し、両者が一致するまで各構成材料の電気抵抗率を変化させながら収束計算を繰り返し行う。これにより、試料１０の電気抵抗率の２次元分布が得られる。
【００１９】
（評価方法）
図３は、本実施形態による評価方法をステップ順に示すフロー図である。
先ず、サーモグラフィ７により試料１０の温度の２次元分布を取得する。熱容量取得部１１は、この２次元分布に基づいて、試料１０の熱容量の２次元分布を取得する（ステップＳ１）。
熱容量Ｃは、既知の熱量ΔＱと熱量印加時の温度変化量ΔＴとから、以下のように表される。
【００２０】
【数１】
2016042037.tif 000003
【００２１】
（１）式において、熱量（ΔＱ）はヒータ４ａで規定され、温度上昇（ΔＴ）の測定はサーモグラフィ７を用いて熱を２次元分布として検出する。
【００２２】
続いて、吸収電流分布取得部１２は、相異なる複数の温度（試料ステージ４の温度（以下、ステージ温度という。））において、プローブ５で検知した試料１０の吸収電流値の２次元分布を取得する（ステップＳ２）。
得られた吸収電流値の２次元分布の一例を図４に示す。図４では、（ａ）がステージ温度を５０℃とした２次元分布像、（ｂ）がステージ温度を１００℃とした２次元分布像、（ｃ）がステージ温度を１５０℃とした２次元分布像である。
【００２３】
続いて、関係取得部１３は、サーモグラフィ７で検出された試料１０のステージ温度と、プローブ５で検知した試料１０の吸収電流との関係を取得する（ステップＳ３）。
得られたステージ温度と吸収電流との関係の一例を図５に示す。図５では、（ａ）に示す試料１０の座標Ａを例に採った特性図を（ｂ）に示している。試料１０の全ての座標について、当該関係を取得する。横軸の温度上昇に伴い、縦軸の吸収電流値は増加する関係が得られる。この関係式は以下の（２）式で表される。
【００２４】
【数２】
2016042037.tif 000004
【００２５】
（２）式においてＩAbは吸収電流、θは熱抵抗、Ｒ0は室温での電気抵抗、αは温度係数、ΔＴは温度変化量である。ここでは、特性図の縦軸を吸収電流値としたが、代わりに、吸収電流像の表示上の輝度としても良い。
【００２６】
続いて、過渡応答測定部１４は、サーモグラフィ７で検出された試料１０の温度の２次元分布を時間分解的に記録して、試料１０の各座標における温度変化の過渡応答を測定する（ステップＳ４）。
試料１０の各座標における温度Ｔの時間変化は、熱時定数τを用いて、以下のように表される。熱時定数τは、熱抵抗θ及び熱容量Ｃを用いて、以下のように表される。
【００２７】
【数３】
2016042037.tif 000005
【００２８】
【数４】
2016042037.tif 000006
【００２９】
ここで、tは時間、Ｔ0は各座標での到達温度である。
得られた過渡応答の一例を図６に示す。図６では、（ａ）に示す試料１０の座標Ａを例に採り、直流印加した場合の特性図を（ｂ）に、パルス印加した場合の特性図を（ｃ）にそれぞれ示している。試料１０の全ての座標について過渡応答を測定する。パルス印加の場合では、パルスのオン時に温度増加、オフ時に温度減少が起こるが、共通の熱時定数で表現することができる。
【００３０】
続いて、熱抵抗分布取得部１５は、過渡応答測定部１４で得られた過渡応答と、熱容量取得部１１で得られた試料１０の各座標における熱容量とを用いて熱抵抗値を算出し、試料１０の熱抵抗値の２次元分布を取得する（ステップＳ５）。
具体的には、（ｂ）又は（ｃ）の特性図から熱時定数τを求め、（１)式で求めた熱容量Ｃを代入して熱抵抗θを決定する。表示部９は、算出された熱抵抗値を２次元表示する。図７に、得られた熱抵抗値の２次元分布像の一例を示す。
【００３１】
続いて、電気抵抗分布取得部１６は、試料１０の吸収電流値、試料１０の温度変化量、及び熱抵抗分布取得部１５で得られた試料１０の熱抵抗値を用いて、試料１０の各座標における電気抵抗値を算出する（ステップＳ６，Ｓ７）。
電気抵抗は熱抵抗と電力の定義式より、以下のように表される。
【００３２】
【数５】
2016042037.tif 000007
【００３３】
（５）式に、測定された温度変化量ΔＴ、熱抵抗θ、吸収電流ＩAbを代入し、試料１０の電気抵抗値を決定する。表示部９は、算出された電気抵抗値を２次元表示する。図８に、得られた電気抵抗値の２次元分布像の一例を示す。電気抵抗率分布の取得が不要であれば、このステップＳ６で評価を終了する。
【００３４】
引き続き、電気抵抗率分布を得るには、先ず試料１０の材料構造を反映した計算モデルを構築する（ステップＳ８）。
計算モデルとしては、ＣＡＤ図等の設計図を用いても良く、またＸ線透過像や３Ｄ−ＳＥＭ像（ＦＩＢ加工とＳＥＭによる観察とを交互に繰り返して像構築する技術）を利用しても良い。
【００３５】
続いて、電気抵抗率を各座標で設定し、例えば有用要素法（Finite Element Method：ＦＥＭ）を用いて、計算モデル内で電流を印加して電気抵抗値の２次元分布又は発熱（温度）の２次元分布を予測計算する（ステップＳ９）。
この際、同じ材料であれば電気抵抗率は略同じ値となることが予想されるので、予めＥＤＸ(Energy dispersive X-ray spectroscopy)等を用いて元素分析を行い、試料１０の材料構造のコンポネント化をしておくと良い。
【００３６】
続いて、電気抵抗率分布取得部１７は、試料１０の電気抵抗値の２次元分布を用いて、試料１０の電気抵抗率の２次元分布を取得する（ステップＳ１０，Ｓ１１）。
具体的には、ステップＳ９で予測された電気抵抗値の２次元分布の予測値と、ステップＳ７で得られた電気抵抗値の２次元分布の算出値とを（又は発熱の２次元分布の予測値と算出値とを）比較する。その差分がユーザ指定の閾値を下回れば（例えばΔ＜０．０１）収束計算を終了し、下回らなければステップＳ９に戻る。当該差分が最小となるまで収束計算を続けることにより、最終的に電気抵抗率の２次元分布が得られる。表示部９は、取得された電気抵抗率を２次元表示する。図９に、得られた電気抵抗率の２次元分布像の一例を示す。
【００３７】
以上説明したように、本実施形態によれば、以下の諸効果を得ることができる。
第一に、試料の局所的な電気抵抗分布を定量的に高い再現性で取得し、容易且つ正確に局所的な電気的評価を実現することができる。例えば、電流パスや合金形成時の組成ムラ、或いは欠陥の検出に有用である。第二に、熱抵抗分布と電気抵抗率分布とから、合金形成で重要な発熱に関する情報を局所的に予測できるようになる。複数の金属が溶け合い、新たな合金を形成する温度は材料学的に決定されているため、局所的な発熱予測ができるようになると、設計、プロセス、品質保証の各分野において合金の局所的な変化を熱的な観点から予想し易くなる。第三に、時間分解評価により時々刻々の温度変化を捉えられるようになるので、in-situの状態変化や故障予測の時間的な評価が可能になる。第四に、本実施形態では、非接触且つ真空中での測定を可能にするＳＥＭを用いるので、従来のＳＰＭを用いた測定で問題視されている接触抵抗や外気の影響を考慮せずに済み、測定の定量性や再現性が向上する。
【００３８】
（その他の実施形態）
上述した本実施形態による評価装置の各構成要素の機能は、コンピュータのＲＡＭやＲＯＭ等に記憶されたプログラムが動作することによって実現することができる。プログラムの動作で実現される各構成要素としては、図２の統括制御部８における熱容量取得部１１、吸収電流分布取得部１２、関係取得部１３、過渡応答測定部１４、熱抵抗分布取得部１５、電気抵抗分布取得部１６、電気抵抗率分布取得部１７等がある。同様に、評価方法の各ステップ（図４のステップＳ１〜Ｓ７，Ｓ９〜Ｓ１１等）のプログラム及び当該プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体は本実施形態に含まれる。
【００３９】
具体的に、上記のプログラムは、例えばＣＤ−ＲＯＭのような記録媒体に記録し、或いは各種伝送媒体を介し、コンピュータに提供される。上記のプログラムを記録する記録媒体としては、ＣＤ−ＲＯＭ以外に、フレキシブルディスク、ハードディスク、磁気テープ、光磁気ディスク、不揮発性メモリカード等を用いることができる。他方、上記のプログラムの伝送媒体としては、プログラム情報を搬送波として伝搬させて供給するためのコンピュータネットワークシステムにおける通信媒体を用いることができる。ここで、コンピュータネットワークとは、ＬＡＮ、インターネットの等のＷＡＮ、無線通信ネットワーク等であり、通信媒体とは、光ファイバ等の有線回線や無線回線等である。
【００４０】
また、本実施形態に含まれるプログラムとしては、供給されたプログラムをコンピュータが実行することにより本実施形態の機能が実現されるようなもののみではない。例えば、そのプログラムがコンピュータにおいて稼働しているＯＳ（オペレーティングシステム）或いは他のアプリケーションソフト等と共同して本実施形態の機能が実現される場合にも、かかるプログラムは本実施形態に含まれる。また、供給されたプログラムの処理の全て或いは一部がコンピュータの機能拡張ボードや機能拡張ユニットにより行われて本実施形態の機能が実現される場合にも、かかるプログラムは本実施形態に含まれる。
【００４１】
例えば、図１０は、パーソナルユーザ端末装置の内部構成を示す模式図である。この図１０において、１００はＣＰＵ１０１を備えたパーソナルコンピュータ（ＰＣ）である。ＰＣ１００は、ＲＯＭ１０２若しくはハードディスク（ＨＤ）１１１に記憶された、又はフレキシブルディスクドライブ（ＦＤ）１１２より供給されるデバイス制御ソフトウェアを実行する。このＰＣ２００は、システムバス１０４に接続される各デバイスを総括的に制御する。
【００４２】
ＰＣ１００のＣＰＵ１０１、ＲＯＭ１０２またはハードディスク（ＨＤ）１１１に記憶されたプログラムにより、本実施形態の図１０におけるステップＳ１〜Ｓ７，Ｓ９〜Ｓ１１等が実現される。
【００４３】
１０３はＲＡＭであり、ＣＰＵ１０１の主メモリ、ワークエリア等として機能する。１０５はキーボードコントローラ（ＫＢＣ）であり、キーボード（ＫＢ）１０９や不図示のデバイス等からの指示入力を制御する。
【００４４】
１０６はＣＲＴコントローラ（ＣＲＴＣ）であり、ＣＲＴディスプレイ（ＣＲＴ）１１０の表示を制御する。１０７はディスクコントローラ（ＤＫＣ）である。ＤＫＣ１０７は、ブートプログラム、複数のアプリケーション、編集ファイル、ユーザファイルそしてネットワーク管理プログラム等を記憶するハードディスク（ＨＤ）１１１、及びフレキシブルディスク（ＦＤ）１１２とのアクセスを制御する。ここで、ブートプログラムとは、起動プログラム：パソコンのハードやソフトの実行（動作）を開始するプログラムである。
【００４５】
１０８はネットワーク・インターフェースカード（ＮＩＣ）で、ＬＡＮ１２０を介して、ネットワークプリンタ、他のネットワーク機器、或いは他のＰＣと双方向のデータのやり取りを行う。
なお、パーソナルユーザ端末装置を用いる代わりに、評価装置に特化された所定の計算機等を用いても良い。
【００４６】
以下、評価方法及び装置、並びにプログラムの諸態様を付記としてまとめて記載する。
【００４７】
（付記１）被測定対象に対して非接触状態で前記被測定対象に吸収電流を発生させる評価方法であって、
前記被測定対象の熱容量の２次元分布を取得するステップと、
相異なる複数の温度において、前記被測定対象の吸収電流値の２次元分布を取得するステップと、
前記被測定対象の各座標における温度変化を測定するステップと、
前記被測定対象の各座標における熱抵抗値を算出し、前記被測定対象の熱抵抗値の２次元分布を取得するステップと、
算出された前記各座標における熱抵抗値を用いて前記各座標における電気抵抗値を算出し、前記被測定対象の電気抵抗値の２次元分布を取得するステップと
を含むことを特徴とする評価方法。
【００４８】
（付記２）前記被測定対象の電気抵抗値の２次元分布を用いて、前記被測定対象の電気抵抗率の２次元分布を取得するステップを更に含むことを特徴とする付記１に記載の評価方法。
【００４９】
（付記３）前記被測定対象の電気抵抗率の２次元分布を取得するステップは、
前記被測定対象の各構成材料から予測される電気抵抗値の２次元分布の予測値と、前記被測定対象の電気抵抗値の２次元分布の算出値とを比較し、両者が一致するまで前記各構成材料の電気抵抗率を変化させながら収束計算を繰り返し行うことを特徴とする付記２に記載の評価方法。
【００５０】
（付記４）前記被測定対象の各構成材料から電気抵抗値の２次元分布を予測するに際して、前記被測定対象の元素分析を行って前記各構成材料をコンポネント化することを特徴とする付記３に記載の評価方法。
【００５１】
（付記５）前記被測定対象の各座標における温度変化を測定するステップは、前記各座標における温度変化の過渡応答を時間分解計測することを特徴とする付記１〜４のいずれか１項に記載の評価方法。
【００５２】
（付記６）前記被測定対象の温度と吸収電流値との関係を取得するステップを更に含むことを特徴とする付記１〜５のいずれか１項に記載の評価方法。
【００５３】
（付記７）前記被測定対象の温度と吸収電流値の２次元像の輝度との関係を取得するステップを更に含むことを特徴とする付記１〜５のいずれか１項に記載の評価方法。
【００５４】
（付記８）被測定対象に対して非接触状態で前記被測定対象に吸収電流を発生させる評価装置であって、
前記測定対象の温度を調節する温度調節部と、
前記測定対象の温度を２次元分布として検出する温度測定部と、
前記被測定対象の熱容量の２次元分布を取得する熱容量取得部と、
相異なる複数の温度において、前記被測定対象の吸収電流値の２次元分布を取得する吸収電流分布取得部と、
前記被測定対象の各座標における温度変化を測定する温度変化測定部と、
前記被測定対象の各座標における熱抵抗値を算出し、前記被測定対象の熱抵抗値の２次元分布を取得する熱抵抗分布取得部と、
算出された前記各座標における熱抵抗値を用いて前記各座標における電気抵抗値を算出し、前記被測定対象の電気抵抗値の２次元分布を取得する電気抵抗分布取得部と
を含むことを特徴とする評価装置。
【００５５】
（付記９）前記被測定対象の電気抵抗値の２次元分布を用いて、前記被測定対象の電気抵抗率の２次元分布を取得する電気抵抗率分布取得部を更に含むことを特徴とする付記８に記載の評価装置。
【００５６】
（付記１０）前記電気抵抗率分布取得部は、前記被測定対象の各構成材料から予測される電気抵抗値の２次元分布の予測値と、前記被測定対象の電気抵抗値の２次元分布の算出値とを比較し、両者が一致するまで前記各構成材料の電気抵抗率を変化させながら収束計算を繰り返し行うことを特徴とする付記９に記載の評価装置。
【００５７】
（付記１１）前記温度変化測定部は、前記各座標における温度変化の過渡応答を時間分解計測することを特徴とする付記８〜１０のいずれか１項に記載の評価装置。
【００５８】
（付記１２）前記被測定対象の温度と吸収電流値との関係を取得する関係取得部を更に含むことを特徴とする付記８〜１１のいずれか１項に記載の評価装置。
【００５９】
（付記１３）前記被測定対象の温度と吸収電流値の２次元像の輝度との関係を取得する関係取得部を更に含むことを特徴とする付記８〜１１のいずれか１項に記載の評価装置。
【００６０】
（付記１４）被測定対象に対して非接触状態で前記被測定対象に吸収電流を発生させる評価方法をコンピュータに実行させるプログラムであって、
前記被測定対象の熱容量の２次元分布を取得するステップと、
相異なる複数の温度において、前記被測定対象の吸収電流値の２次元分布を取得するステップと、
前記被測定対象の各座標における温度変化を測定するステップと、
前記被測定対象の各座標における熱抵抗値を算出し、前記被測定対象の熱抵抗値の２次元分布を取得するステップと、
算出された前記各座標における熱抵抗値を用いて前記各座標における電気抵抗値を算出し、前記被測定対象の電気抵抗値の２次元分布を取得するステップと
を実行させることを特徴とするプログラム。
【００６１】
（付記１５）前記被測定対象の電気抵抗値の２次元分布を用いて、前記被測定対象の電気抵抗率の２次元分布を取得するステップを更に実行させることを特徴とする付記１４に記載のプログラム。
【００６２】
（付記１６）前記測定対象の電気抵抗率の２次元分布を取得するステップは、
前記被測定対象の各構成材料から予測される電気抵抗値の２次元分布の予測値と、前記被測定対象の電気抵抗値の２次元分布の算出値とを比較し、両者が一致するまで前記各構成材料の電気抵抗率を変化させながら収束計算を繰り返し行うことを特徴とする付記１５に記載のプログラム。
【００６３】
（付記１７）前記被測定対象の各座標における温度変化を測定するステップは、前記各座標における温度変化の過渡応答を時間分解計測することを特徴とする付記１４〜１６のいずれか１項に記載のプログラム。
【００６４】
（付記１８）前記被測定対象の温度と吸収電流値との関係を取得するステップを更に実行させることを特徴とする付記１４〜１７のいずれか１項に記載のプログラム。
【００６５】
（付記１９）前記被測定対象の温度と吸収電流値の２次元像の輝度との関係を取得するステップを更に実行させることを特徴とする付記１４〜１７のいずれか１項に記載のプログラム。
【符号の説明】
【００６６】
１  ＳＥＭ
２  ＳＥＭ制御部
３  スキャンコイル
４  試料ステージ
５  プローブ
６ａ  電流アンプ
６ｂ  電流計
７  サーモグラフィ
８  統括制御部
９  表示部
１０  試料
１１  熱容量取得部
１２  吸収電流分布取得部
１３  関係取得部
１４  過渡応答測定部
１５  熱抵抗分布取得部
１６  電気抵抗分布取得部
１７  電気抵抗率分布取得部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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