(57)【要約】【課題】キャビティが形成された多層配線基板において、キャビティの加工面からの発塵を防止して、キャビティ内に配設する電気／電子部品の動作を良好に行うことができるようにするとともに、特にキャビティの底面の平坦性を担保し、さらには接着剤のブリードアウトを抑制して、電気／電子部品の接着剤によるキャビティ内での固定を十分に担保する。【解決方法】少なくとも相対向する一対の配線層と、前記一対の配線層間に介在し、当該一対の配線層間を電気的に絶縁する絶縁層と、前記絶縁層を厚さ方向に貫通し、前記一対の配線層間を電気的に接続する層間接続体とを具え、前記絶縁層には、その厚さ方向においてキャビティが形成されており、前記キャビティの内壁面の全体に亘って樹脂層が形成されているようにして、キャビティ構造の多層配線基板を構成する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも相対向する一対の配線層と、
前記一対の配線層間に介在し、当該一対の配線層間を電気的に絶縁する絶縁層と、
前記絶縁層を厚さ方向に貫通し、前記一対の配線層間を電気的に接続する層間接続体とを具え、
前記絶縁層には、その厚さ方向においてキャビティが形成されており、
前記キャビティの内壁面の全体に亘って樹脂層が形成されていることを特徴とする、キャビティ構造の多層配線基板。
【請求項２】
前記キャビティ内の前記樹脂層上に、電気／電子部品が配設されていることを特徴とする、請求項１に記載のキャビティ構造の多層配線基板。
【請求項３】
前記樹脂層は、ソルダーレジストを含むことを特徴とする、請求項１又は２に記載のキャビティ構造の多層配線基板。
【請求項４】
少なくとも相対向する一対の配線層と、前記一対の配線層間に介在し、当該一対の配線層間を電気的に絶縁する絶縁層と、前記絶縁層を厚さ方向に貫通し、前記一対の配線層間を電気的に接続する層間接続体とを具え、前記絶縁層において、その厚さ方向にキャビティが形成され、当該キャビティ内に電気／電子部品が配設されたキャビティ構造の多層配線基板の製造方法であって、
前記キャビティの形成後であって、前記電気／電子部品の配設前において、前記キャビティの内壁面の全体に亘って樹脂層を形成する工程を具え、
前記電気／電子部品は、前記キャビティ内の前記樹脂層上に配設することを特徴とする、キャビティ構造の多層配線基板の製造方法。
【請求項５】
前記樹脂層は、ソルダーレジストを含むことを特徴とする、請求項４に記載のキャビティ構造の多層配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、キャビティ構造の多層配線基板、及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
最近、モバイル商品としてパソコン、デジタルカメラ、携帯電話などが普及し、特にその小型、薄型、軽量、高精細、多機能化等の要望が強く、それに対応するため半導体の実装形態も、パッケージの小型・低背化、三次元実装化が進んでいる。このような半導体パッケージの低背化、三次元実装化を容易に実現する方法の一つとして、キャビティが形成された多層配線基板を用いる方法が知られている。
【０００３】
従来、多層配線基板にキャビティを形成するには、ルーター加工やレーザ加工などの機械加工が用いられ、さらにはエッチング加工を併用することにより行なわれていた。
【０００４】
しかしながら、上述した機械加工でキャビティを形成する場合、その加工面からの発塵によって生じた塵が、キャビティ内に配設した例えばＣＭＯＳセンサなどの電気／電子部品上に堆積してしまい、当該塵が影となって検出されてしまう、すなわちノイズとして検出されてしまう等の問題が生じていた。
【０００５】
また、機械加工でキャビティを形成する場合、特にキャビティ底面の平滑性が劣るため、当該底面に塗布する接着剤とキャビティ内に配設する電気／電子部品との接触面積が少なくなってしまうために、当該電気／電子部品のキャビティ内での接着剤による固定を十分に行うことができないという問題があった。機械加工に加えてエッチング加工を併用する場合、平滑性の問題は幾分が改善はされるものの、十分ではない。
【０００６】
さらに、機械加工でキャビティを形成する場合、多層配線基板を構成する絶縁部材中にガラスクロス等が含まれていると、機械加工の際に当該ガラスクロスが表面、特に底面に露出してしまい、接着剤を塗布した際に当該接着剤がブリードアウトしてしまい、接着剤が十分に硬化せずに、電気／電子部品のキャビティ内での接着剤による固定を十分に行うことができないという問題があった。
【０００７】
特許文献１には、下側にプリプレグが形成された上側プリント配線基板と下側プリント配線基板とを接続して一体化して多層配線基板を製造する際に、当該プリプレグ中の含浸樹脂が流動性を得て、キャビティの内側壁面をコーティングすることが開示されている。
【０００８】
しかしながら、特許文献１の技術では、キャビティ内側壁面の樹脂によるコーティングを均一かつ十分に行うことはできず、キャビティを機械加工で形成した場合の加工面からの発塵を十分に抑制することはできない。また、キャビティ底面の平滑性等の問題は何ら解決するものではない。
【０００９】
さらに、付言すれば、特許文献１には、単に下側にプリプレグが形成された上側プリント配線基板と下側プリント配線基板とを接続して一体化して多層配線基板を製造する際に、当該プリプレグ中の含浸樹脂が流動性を得て、キャビティの内側壁面をコーティングすることが開示されているのみであって、上述した問題については何ら言及していない。
【００１０】
また、特許文献２には、上側基板と、下側基板と、これらの基板の間を接続する厚みが３０〜３００μｍの接続層とからなり、上側基板と下側基板とを積層することにより形成される凹部の上面の領域、すなわちキャビティの底面にソルダーレジストが形成された多層配線基板が開示されている。
【００１１】
しかしながら、特許文献２におけるソルダーレジストは、キャビティの底面のみに形成されているため、加工面からの発塵による上述した問題を解決するものではない。また、上記ソルダーレジストは、配線層間の隙間を埋設するようにして配設されており、実際には、配線層の高さとソルダーレジストの高さとが異なるため、キャビティの底面には段差が生じていることから、平滑性を担保できていない。よって、キャビティ底面の平滑性に関する上記問題も何ら解決するものではない。
【００１２】
さらに、付言すれば、特許文献２では、ソルダーレジストは、上側基板と下側基板との積層工程後に離型シートを基板上に残留することなく剥離するために形成しているものであって、上述した機械加工でキャビティを形成する場合の加工面からの削りかすが底面に残留することによって、キャビティ内に配設する能動部品や受動部品などの平坦性が十分でなく、多層配線基板を構成する配線層との電気的接続が不良化するという問題や、機械加工でキャビティを形成する場合、特にキャビティ底面の平滑性が劣るため、キャビティ内に配設する能動部品や受動部品などの平坦性が十分でなく、多層配線基板を構成する配線層との電気的接続が不良化するという問題については何ら言及していない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１３】
【特許文献１】特開２００８−３４５８９号
【特許文献２】特開２００９−１２３８６７号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
本発明は、キャビティが形成された多層配線基板において、キャビティの加工面からの発塵を防止して、キャビティ内に配設する電気／電子部品の動作を良好に行うことができるようにするとともに、特にキャビティの底面の平坦性を担保し、さらには接着剤のブリードアウトを抑制して、電気／電子部品の接着剤によるキャビティ内での固定を十分に担保することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上記目的を達成すべく、本発明は、
少なくとも相対向する一対の配線層と、
前記一対の配線層間に介在し、当該一対の配線層間を電気的に絶縁する絶縁層と、
前記絶縁層を厚さ方向に貫通し、前記一対の配線層間を電気的に接続する層間接続体とを具え、
前記絶縁層には、その厚さ方向においてキャビティが形成されており、
前記キャビティの内壁面の全体に亘って樹脂層が形成されていることを特徴とする、キャビティ構造の多層配線基板に関する。
【００１６】
また、本発明は、
少なくとも相対向する一対の配線層と、前記一対の配線層間に介在し、当該一対の配線層間を電気的に絶縁する絶縁層と、前記絶縁層を厚さ方向に貫通し、前記一対の配線層間を電気的に接続する層間接続体とを具え、前記絶縁層において、その厚さ方向にキャビティが形成され、当該キャビティ内に電気／電子部品が配設されたキャビティ構造の多層配線基板の製造方法であって、
前記キャビティの形成後であって、前記電気／電子部品の配設前において、前記キャビティの内壁面の全体に亘って樹脂層を形成する工程を具え、
前記電気／電子部品は、前記キャビティ内の前記樹脂層上に配設することを特徴とする、キャビティ構造の多層配線基板の製造方法に関する。
【００１７】
本発明によれば、少なくとも相対向する一対の配線層と、一対の配線層間に介在する絶縁層と、絶縁層を厚さ方向に貫通し、一対の配線層間を電気的に接続する層間接続体とを具え、絶縁層に、その厚さ方向においてキャビティが形成された多層配線基板において、キャビティの内壁面の全体、すなわちキャビティの内側面及び底面に亘って樹脂層が形成されている。
【００１８】
したがって、機械加工でキャビティを形成する場合において、その加工面からの発塵が樹脂層によって阻止されるようになるので、発塵に伴う塵が、例えばＣＭＯＳセンサ等の電気／電子部品上に堆積し、当該塵が影となって検出されてしまう、すなわちノイズとして検出されてしまう等の問題を回避することができるようになる。
【００１９】
また、機械加工でキャビティを形成した場合においても、上記樹脂層によって特にキャビティ底面の平滑性を担保することができるようになるため、当該底面に塗布する接着剤とキャビティ内に配設する電気／電子部品との接触面積を十分に確保することができ、当該電気／電子部品のキャビティ内での接着剤による固定を十分に行うことができるようになる。
【００２０】
さらに、機械加工でキャビティを形成する場合、多層配線基板を構成する絶縁部材中にガラスクロス等が含まれていても、樹脂層によって当該ガラスクロスが表面、特に底面に露出してしまうことがないので、接着剤を塗布した際の当該接着剤のブリードアウトを抑制することができる。したがって、接着剤を十分に硬化させることができ、電気／電子部品のキャビティ内での当該接着剤による固定を十分に行うことができる。
【００２１】
本発明における“キャビティの内壁面の全体”とは、キャビティを画定する内側面及び底面等の全体を意味するものであり、例えばキャビティの内側面が凸凹に形成されているような場合は、その上面及び底面などの全ての面をも含む概念である。
【００２２】
また、本発明の一例において、上記樹脂層は、ソルダーレジストから構成することができる。ソルダーレジストは安価であるとともに、多層配線基板あるいは当該多層配線基板を用いて所定の製品等を製造する際にも用いるものであるので、上記樹脂層をこれらの製造工程と類似あるいは同一の工程で形成することができる。したがって、樹脂層の形成、しいては多層配線基板を安価に製造することができる。
【発明の効果】
【００２３】
以上、本発明によれば、キャビティが形成された多層配線基板において、キャビティの加工面からの発塵を防止して、キャビティ内に配設する電気／電子部品の動作を良好に行うことができるようにするとともに、特にキャビティの底面の平坦性を担保し、さらには接着剤のブリードアウトを抑制して、電気／電子部品の接着剤によるキャビティ内での固定を十分に担保することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】第１の実施形態のキャビティ構造の多層配線基板の概略構成を示す断面図ある。
【図２】第１の実施形態のキャビティ構造の多層配線基板の概略構成を示す断面図ある。
【図３】第１の実施形態のキャビティ構造の多層配線基板の概略構成を示す断面図ある。
【図４】第２の実施形態におけるキャビティ構造の多層配線基板の製造方法を示す断面図である。
【図５】第２の実施形態におけるキャビティ構造の多層配線基板の製造方法を示す断面図である。
【図６】第２の実施形態におけるキャビティ構造の多層配線基板の製造方法を示す断面図である。
【図７】第２の実施形態におけるキャビティ構造の多層配線基板の製造方法を示す断面図である。
【図８】第２の実施形態におけるキャビティ構造の多層配線基板の製造方法を示す断面図である。
【図９】第２の実施形態におけるキャビティ構造の多層配線基板の製造方法を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下、本発明の具体的特徴について、発明を実施するための形態に基づいて説明する。
【００２６】
（第１の実施形態）
図１〜図３は、本実施形態のキャビティ構造の多層配線基板の概略構成を示す断面図であり、図１は、多層配線基板に形成されたキャビティ内に電気／電子部品が配設されていない状態のキャビティ構造の多層配線基板を示す断面図であり、図２及び図３は、多層配線基板に形成されたキャビティ内で電気／電子部品が配設された状態のキャビティ構造の多層配線基板を示す断面図である。
【００２７】
なお、図２は、多層配線基板のキャビティ内に電気／電子部品として半導体部品等の能動部品を配設した例を示すものであり、図３は、多層配線基板のキャビティ内に電気／電子部品としてコンデンサ等の受動部品を配設する場合を示している。
【００２８】
図１に示すように、本実施形態のキャビティ構造の多層配線基板１０は、コア基板１１の主面１１Ａ上に、第１の配線層１０１、第２の配線層１０２、第３の配線層１０３及び第４の配線層１０４が形成されている。また、第１の配線層１０１及び第２の配線層１０２間には、これら配線層間を電気的に絶縁するための第１の絶縁層１１１が配設されており、第２の配線層１０２及び第３の配線層１０３間には、これら配線層間を電気的に絶縁するための第２の絶縁層１１２が配設されており、第３の配線層１０３及び第４の配線層１０４間には、これら配線層間を電気的に絶縁するための第３の絶縁層１１３が配設されている。
【００２９】
また、コア基板１１の裏面１１Ｂ上には、第５の配線層１０５、第６の配線層１０６、第７の配線層１０７及び第８の配線層１０８が形成されている。また、第５の配線層１０５及び第６の配線層１０６間には、これら配線層間を電気的に絶縁するための第４の絶縁層１１４が配設されており、第６の配線層１０６及び第７の配線層１０７間には、これら配線層間を電気的に絶縁するための第５の絶縁層１１５が配設されており、第７の配線層１０７及び第８の配線層１０８間には、これら配線層間を電気的に絶縁するための第６の絶縁層１１６が配設されている。
【００３０】
第１の配線層１０１及び第２の配線層１０２は、第１の絶縁層１１１を厚さ方向に貫通する第１の層間接続体１２１で電気的に接続されており、第２の配線層１０２及び第３の配線層１０３は、第２の絶縁層１１２を厚さ方向に貫通する第２の層間接続体１２２で電気的に接続されており、第３の配線層１０３及び第４の配線層１０４は、第３の絶縁層１１３を厚さ方向に貫通する第３の層間接続体１２３で電気的に接続されている。
【００３１】
また、第５の配線層１０５及び第６の配線層１０６は、第４の絶縁層１１４を厚さ方向に貫通する第４の層間接続体１２４で電気的に接続されており、第６の配線層１０６及び第７の配線層１０７は、第５の絶縁層１１５を厚さ方向に貫通する第５の層間接続体１２５で電気的に接続されており、第７の配線層１０７及び第８の配線層１０８は、第６の絶縁層１１６を厚さ方向に貫通する第６の層間接続体１２６で電気的に接続されている。
【００３２】
さらに、第１の配線層１０１及び第５の配線層１０５は、コア基板１１の厚さ方向に貫通するように形成されたスルーホール導体１２によって電気的に接続されている。
【００３３】
第１の配線層１０１〜第８の配線層１０８は、銅（Ｃｕ），ニッケル（Ｎｉ），金（Ａｕ）などの電気的良導体から構成する。
【００３４】
また、コア基板１１を構成する絶縁部材、第１の絶縁層１１１〜第６の絶縁層１１６は、それぞれ、例えばエポキシ樹脂，ビスマレイミドトリアジン樹脂，ポリイミド樹脂，フェノール樹脂，ポリエステル樹脂，メラミン樹脂，あるいはブタジェンゴム，ブチルゴム，天然ゴム，ネオプレンゴム，シリコーンゴムなどの生ゴム等の熱硬化性樹脂のシート類から構成することができる。これら合成樹脂は、単独でもよいが絶縁性無機物や有機物系の充填物を含有してもよい。また、ガラスクロスやマット、有機合成繊維布やマット、あるいは紙などの補強材と組み合わせてもよい。
【００３５】
さらに、第１の層間接続体１２１〜１２６は、銀，金，銅，半田粉などの導電性粉末、これらの合金粉末若しくは複合（混合）金属粉末と、例えばポリカーボネート樹脂，ポリスルホン樹脂，ポリエステル樹脂，フェノキシ樹脂，フェノール樹脂，ポリイミド樹脂などのバインダー成分とを混合して調製された導電性組成物などから構成する。また、ＣＯ２に代表されるレーザの加工後、銅めっき加工により導通を得ることもできる。
【００３６】
本実施形態では、多層配線基板１０において、キャビティ１０Ｈが、その厚さ方向において、コア基板１１を貫通して第４の絶縁層１１４にまで達するようにして形成されており、キャビティ１０Ｈの内壁面、すなわち内側面１０ＨＡ及び底面１０ＨＢにおいて樹脂層１３が形成されている。
【００３７】
そして、図２では、キャビティ１０Ｈ内に、ＣＭＯＳセンサ等の能動部品１４が配設され、第４の配線層１０４とワイヤ１５で電気的に接続されている。また、図３では、キャビティ１０Ｈ内にコンデンサ等の受動部品２４が配設され、第４の配線層１０４とはんだ２５で電気的に接続されている。
【００３８】
本実施形態では、機械加工でキャビティ１０Ｈを形成する場合において、その加工面からの発塵が樹脂層１３によって阻止されるようになるので、例えば発塵に伴う塵がＣＭＯＳセンサ等の能動部品１４上に堆積するのを防止することができるようになる。このため、当該塵が影となって検出されてしまう、すなわちノイズとして検出されてしまう等の問題を回避することができるようになる。
【００３９】
また、機械加工でキャビティ１０Ｈを形成した場合においても、キャビティ底面には樹脂層１３が存在しているので当該底面の平滑性を担保できるようになる。したがって、当該底面に塗布する接着剤とキャビティ１０Ｈ内に配設する能動部品１４及び受動部品２４との接触面積を十分に確保することができ、これら部品のキャビティ１０Ｈ内での接着剤による固定を十分に行うことができるようになる。
【００４０】
さらに、機械加工でキャビティ１０Ｈを形成する場合、キャビティ１０Ｈの底面を構成する第４の絶縁層１１４中にガラスクロス等が含まれていても、樹脂層１３によって当該ガラスクロスが表面、特に底面に露出してしまうことがないので、接着剤を塗布した際の当該接着剤のブリードアウトを抑制することができる。したがって、接着剤を十分に硬化させることができ、能動部品１４及び受動部品１５のキャビティ１０Ｈ内での当該接着剤による固定を十分に行うことができる。
【００４１】
樹脂層１３は、例えばソルダーレジスト、感光性樹脂等から構成することができる。
ソルダーレジストとしては、アクリレート系樹脂、有機系顔料及び硫酸バリウムなどを例示することができる。
【００４２】
感光性樹脂としては、２，３，４−トリヒドロキシベンゾフェノン、４−｛４−［１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エチル］−α、α−ジメチルベンジル｝フェノール、６−ジアゾー５，６−ジヒドロ−５−オキソ−１−ナフタレンスルホン酸等のポジ型感光性材料の他、ビスジアド化合物等のネガ型感光性材料等、汎用のものを用いることができる。
【００４３】
なお、ソルダーレジストは安価であるとともに、多層配線基板１０あるいは当該多層配線基板１０を用いて所定の製品等を製造する際にも用いるものであるので、樹脂層１３をソルダーレジストから構成することにより、これらの製造工程と類似あるいは同一の工程で形成することができる。したがって、樹脂層１３の形成、しいては多層配線基板１０を安価に製造することができる。
【００４４】
また、樹脂層１３の厚さは１μｍ〜１０μｍとすることが好ましい。これによって、上述した樹脂層１３による平坦性及び均一性を十分に担保することができ、本実施形態の作用効果を十分に奏することができるようになる。
【００４５】
（第２の実施形態）
次に、第１の実施形態で説明したキャビティ構造の多層配線基板の製造方法について説明する。
【００４６】
図４〜図７は、本実施形態におけるキャビティ構造の多層配線基板１０の製造方法の工程図である。
【００４７】
最初に、図４に示すように、スルーホール導体１２が形成されたコア基板１１の主面１１Ａ及び裏面１１Ｂ上に常用の方法、例えばＢ２ｉｔ（ビースクエアイット）などの方法によって、第１の絶縁層１１１、第２の配線層１０２、第１の層間接続体１２１、第４の絶縁層１１４、第４の層間接続体１２４及び第６の配線層１０６を形成した後、銅箔をエッチングする。次に銅箔と第２の絶縁層１１２及び第５の絶縁層１１５を積層してレーザ加工して第２の層間接続体１２２及び第５の層間接続体１２５を形成し、第３の配線層１０３及び第７の配線層１０７をパターン形成する。
【００４８】
さらに、第３の絶縁層１１３及び第６の絶縁層１１６と銅箔を積層し、レーザ加工、めっき加工して、第３の層間接続体１２３及び第６の層間接続体１２６を形成し、第４の配線層１０４及び第８の配線層１０８をパターン形成する。
【００４９】
なお、上述した積層構造体１０Ｘは、テンティング法、アディティブ法などの任意の方法でパターン形成が可能となる。
【００５０】
次いで、図５に示すように、図４に示す積層構造体１０Ｘの所定の箇所に、ルータ加工等の機械加工によってキャビティ１０Ｈを形成する。このとき、キャビティ１０Ｈの加工精度を向上させること、及びキャビティ１０Ｈ内の樹脂残渣を除去するために、機械加工の後に、適宜レーザ加工を行うことができる。
【００５１】
次いで、図６に示すように、キャビティ１０Ｈを含む所定の箇所にソルダーレジストを塗布する。
【００５２】
次いで、図７に示すように、形成したソルダーレジストの層に対して、キャビティ１０Ｈに相当する部分が開口したマスキング３１を行い、ＵＶ照射及び現像処理を行うことによって、ソルダーレジスト層をキャビティ１０Ｈの内壁面、すなわち内側面１０ＨＡ及び底面１０ＨＢのみに残存させ、樹脂層１３を形成する。これによって、図１に示すようなキャビティ構造の多層配線基板１０を得る。
【００５３】
その後は、多層配線基板１０のキャビティ１０Ｈ内に能動部品１４及び受動部品２４を配設し、接着剤で固定するとともに、第４の配線層１０４とワイヤーボンディングやはんだ付けなどで電気的に接続することによって、図２及び図３に示すようなキャビティ構造の多層配線基板１０を得ることができる。
【００５４】
なお、上記においては樹脂層１３をソルダーレジストから構成する場合について説明したが、樹脂層１３を感光性材料等の樹脂から構成する場合は、以下のようにして行う。
【００５５】
最初に、図４に示すようにして多層配線基板の積層構造体１０Ｘを形成し、その後、図５に示すようにして、積層構造体１０Ｘの所定箇所にキャビティ１０Ｈを形成する。
【００５６】
その後、図８に示すように、積層構造体１０Ｘのキャビティ１０Ｈを除く近傍の領域にマスキング３２を行い、次いで、図９に示すように、キャビティ１０Ｈを含む所定の箇所に樹脂を塗布する。次いで、マスキング３２を取り除くことにより、キャビティ１０Ｈの内壁面、すなわち内側面１０ＨＡ及び底面１０ＨＢのみに残存させ、樹脂層１３を形成する。これによって、図１に示すようなキャビティ構造の多層配線基板１０を得る。
【００５７】
その後は、表裏にソルダーレジスト処理を行い（図示せず）、多層配線基板１０のキャビティ１０Ｈ内に能動部品１４及び受動部品２４を配設し、接着剤で固定するとともに、第４の配線層１０４と電気的に接続することによって、図２及び図３に示すようなキャビティ構造の多層配線基板１０を得ることができる。なお、ソルダーレジスト加工は、キャビティ加工前におこなってもよい。
【００５８】
以上、本発明を上記具体例に基づいて詳細に説明したが、本発明は上記具体例に限定されるものではなく、本発明の範疇を逸脱しない限りにおいて、あらゆる変形や変更が可能である。
【００５９】
例えば、上記実施形態では、キャビティ１０Ｈを、コア基板１１を貫通し、第４の絶縁層１１４にまで達するようにして形成したが、キャビティ１１Ｈの大きさ（深さ）は、必要に応じて任意に形成することができ、例えば、コア基板１１の主面１１Ａの上方の第１の絶縁層１１１〜第３の絶縁層１１３のいずれかにまで達するような深さとすることもできるし、コア基板１１の裏面１１Ｂの下方の第５の絶縁層１１５〜第６の絶縁層１１６のいずれかにまで達するような深さとすることもできる。
【００６０】
また、上記実施形態では、コア基板１１を有するキャビティ構造の多層配線基板１０について説明したが、コア基板１１を有しない、いわゆるコアレスのキャビティ構造の多層配線基板とすることもできる。
【符号の説明】
【００６１】
１０  キャビティ構造の多層配線基板
１０Ｈ  キャビティ
１１  コア基板
１２  スルーホール導体
１３  樹脂層
１４  能動部品
１５  ワイヤ
２４  受動部品
２５  はんだ
１０１〜１０８  第１の配線層〜第８の配線層
１１１〜１１６  第１の絶縁層〜第６の絶縁層
１２１〜１２６  第１の層間接続体〜第６の層間接続体
【図１】
2016225390.tif 000003
【図２】
2016225390.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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