(57)【要約】【課題】信号処理部に経年劣化または温度特性による特性変化が生じても、精度の高い異常検出を行える異常検出装置を提供すること。【解決手段】この異常検出装置は、検査信号を出力する信号出力部、および、出力された検査信号を入力する信号入力部を有する信号処理部と、負荷および電池を有する高電圧系回路と信号処理部とを接続するカップリングコンデンサと、信号処理部と高電圧系回路との接続を開閉する遮断スイッチと、異常検出の制御を行う制御部と、を備え、制御部は、遮断スイッチが閉のときに信号処理部に検査信号の出力と入力とを行わせ、入力された検査信号の大きさと絶縁抵抗異常を示す閾値との比較に基づいて高電圧系回路の絶縁抵抗異常を検査し、遮断スイッチが開のときに信号処理部に検査信号の出力と入力とを行わせ、入力された検査信号の大きさに基づいて閾値を修正する。【選択図】図９
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
検査信号を出力する信号出力部、および、出力された前記検査信号を入力する信号入力部を有する信号処理部と、
負荷および電池を有する高電圧系回路と前記信号処理部とを接続するカップリングコンデンサと、
前記信号処理部と前記高電圧系回路との接続を開閉する遮断スイッチと、
異常検出の制御を行う制御部と、
を備え、
前記制御部は、
前記遮断スイッチが閉のときに前記信号処理部に前記検査信号の出力と入力とを行わせ、入力された前記検査信号の大きさと絶縁抵抗異常を示す閾値との比較に基づいて前記高電圧系回路の絶縁抵抗異常を検査し、
前記遮断スイッチが開のときに前記信号処理部に前記検査信号の出力と入力とを行わせ、入力された前記検査信号の大きさに基づいて前記閾値を修正する、
異常検出装置。
【請求項２】
前記信号処理部には、開閉して、開のときに、前記信号出力部と前記信号入力部との間から抵抗に信号を流す第１の自己診断スイッチを備え、
前記制御部は、
前記遮断スイッチを開、前記第１の自己診断スイッチを閉として、前記信号処理部に前記検査信号の出力と入力とを行わせ、入力された前記検査信号の大きさに基づいて、前記閾値を初期設定する、
請求項１記載の異常検出装置。
【請求項３】
前記制御部は、
前記遮断スイッチを開、前記第１の自己診断スイッチを開として、前記信号処理部に前記検査信号の出力と入力とを行わせ、入力された前記検査信号の大きさを基準値とし、
前記基準値が変化した場合に、変化に応じて前記閾値を修正する、
請求項２記載の異常検出装置。
【請求項４】
前記制御部は、前記基準値と前記検査信号の振幅値に基づいて絶縁抵抗値を算出する
請求項３記載の異常検出装置。
【請求項５】
前記電池の電圧を測定する測定部と前記電池との接続を開閉するスイッチを備え、
前記遮断スイッチは前記スイッチと兼用されている、
請求項１記載の異常検出装置。
【請求項６】
前記電池の電圧を保持するフライングキャパシタをさらに備え、前記スイッチは、前記フライングキャパシタに前記電池の電圧を伝える、
請求項５記載の異常検出装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、負荷および電池を有する高電圧系回路へ接続されて異常を検出する異常検出装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、負荷および電池を有する高電圧系回路へ接続されて絶縁抵抗の劣化を検出する絶縁異常検出装置がある。高電圧系回路としては、例えば、電気自動車またはハイブリッド自動車において電池の電力で走行を行う回路が適用される。
【０００３】
絶縁異常検出装置としては、検査信号の出力と入力とを行う信号処理部を、カップリングコンデンサとハーネスとを介して高電圧系回路へ接続する構成が採用される。高電圧系回路の絶縁抵抗が低下すると、信号処理部で出力された検査信号が高電圧系回路から絶縁抵抗を介してグラウンドへ流れるため、信号処理部で入力される検査信号の大きさ（例えば振幅）が小さくなる。これにより、高電圧系回路の絶縁抵抗の低下を検出することができる。
【０００４】
従来の絶縁異常検出装置では、信号処理部の故障を自己診断する回路を備えるものがある（特許文献１、２を参照）。自己診断の回路は、例えば、低下した擬似的な絶縁抵抗と、信号処理部に擬似的な絶縁抵抗を接続または切断できるスイッチとを有する。低下した擬似的な絶縁抵抗を接続し、信号処理部を作動させた場合に、信号処理部が絶縁抵抗の低下を検出できないと、信号処理部の故障と自己診断できる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１３−６１２１５号公報
【特許文献２】特開２０１３−１１３７１０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、検査信号の出力と入力とを行う信号処理部に経年劣化、或いは、温度特性による特性変化が生じることが考えられる。しかしながら、上記従来の絶縁異常検出装置では、これらの経年劣化又は温度特性による変化によって、検出できる絶縁抵抗異常の精度が低下するという課題があった。
【０００７】
本発明の目的は、信号処理部に経年劣化または温度特性による特性変化が生じても、精度の高い異常検出を行える異常検出装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一態様に係る異常検出装置は、
検査信号を出力する信号出力部、および、出力された前記検査信号を入力する信号入力部を有する信号処理部と、
負荷および電池を有する高電圧系回路と前記信号処理部とを接続するカップリングコンデンサと、
前記信号処理部と前記高電圧系回路との接続を開閉する遮断スイッチと、
異常検出の制御を行う制御部と、
を備え、
前記制御部は、
前記遮断スイッチが閉のときに前記信号処理部に前記検査信号の出力と入力とを行わせ、入力された前記検査信号の大きさと絶縁抵抗異常を示す閾値との比較に基づいて前記高電圧系回路の絶縁抵抗異常を検査し、
前記遮断スイッチが開のときに前記信号処理部に前記検査信号の出力と入力とを行わせ、入力された前記検査信号の大きさに基づいて前記閾値を修正する、
構成を採る。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、信号処理部に経年劣化または温度特性による変化が生じた場合でも、精度の高い異常検出を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】高電圧系回路と実施形態１の異常検出装置とを示す回路図
【図２】異常検出処理の一例を示すフローチャート
【図３】第１自己診断＆初期設定処理の一例を示すフローチャート
【図４】通常検査処理の一例を説明するフローチャート
【図５】ΔＶ更新処理の一例を説明するフローチャート
【図６】第２自己診断処理の一例を示すフローチャート
【図７】絶縁抵抗異常閾値の初期設定を説明する波形図
【図８】振幅基準値Ｖｒｅｆの測定を説明する波形図
【図９】絶縁抵抗異常閾値の修正と異常検査処理とを説明する波形図
【図１０】第２自己診断処理を説明する波形図
【図１１】高電圧系回路と実施形態２の異常検出装置とを示す回路図
【図１２】フライングキャパシタ方式の電圧測定部を有する高電圧系回路に適用した実施形態３の異常検出装置を示す回路図
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明の各実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。
【００１２】
（実施の形態１）
図１は、高電圧系回路と実施形態１の異常検出装置とを示す回路図である。
【００１３】
高電圧系回路１００は、負荷１２０と、電池１３０とを備えている。負荷１２０は、例えば、電気自動車またはハイブリッド自動車における走行用のモータである。電池１３０は走行用の高電圧を供給する。高電圧系回路１００は、接地点との間に絶縁性が確保される。高電圧系回路１００の絶縁抵抗１４０は、例えば数ＭΩ以上など高い値に設定されている。
【００１４】
実施形態１の異常検出装置は、異常検出回路１０と、制御部５０とから構成される。異常検出回路１０は、検査信号の出力および入力を行う信号処理部２０と、第１自己診断回路３０と、第１カップリングコンデンサＣ１と、遮断スイッチＳＷＢと、第２自己診断回路４０とを備えている。
【００１５】
信号処理部２０は、検査信号の出力と入力とを行う。信号処理部２０は、信号出力部２１と、検出抵抗２２と、フィルタ部２４と、信号入力部２３とを有する。信号出力部２１は、所定の周波数の検査信号を生成し出力する。検出抵抗２２は、絶縁抵抗１４０との分圧により、検査信号の振幅の変動に寄与する。フィルタ部２４は、ノイズの除去および信号の波形整形を行って検査信号を信号入力部２３へ送る。信号入力部２３は、検出信号の振幅値を計測して振幅値の情報を制御部５０へ送る。
【００１６】
カップリングコンデンサＣ１は、信号処理部２０と、高電圧系回路１００とを交流的に結合する。具体的には、信号処理部２０のノードｎ１（検出抵抗２２とフィルタ部２４との接合ノード）と、高電圧系回路１００の陰極とが、ハーネス（第１の電線に相当）ｈ１とカップリングコンデンサＣ１とを介して接続されている。図１の例では、カップリングコンデンサＣ１は、信号処理部２０に近い側に設けられているが、ハーネスｈ１の高電圧系回路１００に近い側に設けられていてもよい。
【００１７】
第１自己診断回路３０は、信号処理部２０のノードｎ１と接地点との間に、抵抗３１と、第１自己診断スイッチＳＷ１とを直列に接続して構成される。抵抗３１は、例えば、絶縁抵抗１４０の異常閾値と同一の抵抗値に設定される。第１自己診断スイッチＳＷ１は、開閉して、閉のときに、信号処理部２０の検査信号の一部を、抵抗３１を介して接地点へ流す。
【００１８】
遮断スイッチＳＷＢは、信号処理部２０と高電圧系回路１００とを接続するハーネスｈ１の経路を開閉する。図１の例では、遮断スイッチＳＷＢは、信号処理部２０に近い側に設けられているが、ハーネスｈ１の高電圧系回路１００に近い側に設けられていてもよい。遮断スイッチＳＷＢとカップリングコンデンサＣ１との位置を入れ替えてもよい。
【００１９】
第２自己診断回路４０は、電池１３０の陽極と接地点との間に、カップリングコンデンサＣ２、抵抗４１、および、第２自己診断スイッチＳＷ２を直列に接続して構成される。カップリングコンデンサＣ２は、高電圧系回路１００と第２自己診断回路４０とを交流的に接続し、且つ、直流的に切り離す。第２自己診断スイッチＳＷ２は、開閉して、閉のときに、高電圧系回路１００と抵抗４１とを介して検査信号の一部を接地点へ流す。
【００２０】
第２自己診断回路４０は、ハーネスｈ２（第２の電線に相当）を介して高電圧系回路１００と接続される。ハーネスｈ２は、信号処理部２０と高電圧系回路１００とを接続するハーネスｈ１と別に設けられる。
【００２１】
制御部５０は、信号入力部２３から検査信号の振幅の情報を得て、主に、高電圧系回路１００の絶縁抵抗１４０の劣化を検出する。制御部５０は、第１自己診断スイッチＳＷ１、第２自己診断スイッチＳＷ２、および、遮断スイッチＳＷＢの開閉制御、ならびに、信号出力部２１に検査信号の出力指令を出力して、異常検出処理を実行する。
【００２２】
［異常検出処理］
図２は、異常検出処理の一例を示すフローチャートである。図３は、第１自己診断＆初期設定処理（Ｓ１）のフローチャートである。図４は、通常検査処理（Ｓ３）のフローチャートである。図５は、ΔＶ更新処理（Ｓ５）のフローチャートである。図６は、第２自己診断処理（Ｓ７）のフローチャートである。
【００２３】
図７は、絶縁抵抗異常閾値の初期設定を説明する波形図である。図８は、振幅基準値Ｖｒｅｆの測定を説明する波形図である。図９は、絶縁抵抗異常閾値の修正と異常検査処理とを説明する波形図である。図１０は、第２自己診断処理を説明する波形図である。
【００２４】
異常検出処理は、異常検出装置の電源投入時に制御部５０により開始される。異常検出処理は、例えば車両などの電源投入時、または、その他の任意の条件で開始するようにしてもよい。異常検出装置は、車両以外のその他の装置で用いられてもよい。
【００２５】
図２のステップＳ１では、第１自己診断＆初期設定処理が、実行される。図３に示すように、制御部５０は、先ず、遮断スイッチＳＷＢを開（ステップＳ１０）、第１自己診断スイッチＳＷ１を閉（ステップＳ１１）とし、第１の自己診断として、信号処理部２０から検査信号の出力および入力を行う（ステップＳ１２）。次に、制御部５０は、信号入力部２３で入力した検査信号の振幅が規定範囲であるか判別する（ステップＳ１３）。
【００２６】
ステップＳ１２において、検査信号は、一部が検出抵抗２２と抵抗３１とを通って接地点に流れ、残りが信号入力部２３に入力される。よって、図７に示すように、信号入力部２３に入力された検査信号Ｓｉｇ１の振幅は、検出抵抗２２と抵抗３１とによって決定される大きさとなる。制御部５０は、振幅が許容誤差を含めた規定範囲Ｒ１にあれば、第１の自己診断が正常であると見なす。振幅が規定範囲Ｒ１になければ、第１の自己診断が異常として、異常の報知を行い（ステップＳ１４）、異常検出処理を終了する。
【００２７】
図７に示すように、検査信号Ｓｉｇ１の振幅が正常であれば、制御部５０は、この振幅Ｖ１を、絶縁抵抗異常の閾値Ｖｔｈ０として初期設定する（ステップＳ１５）。これは、抵抗３１の抵抗値が、絶縁抵抗１４０の異常を示す閾抵抗値に設定されているためにできる。抵抗３１の抵抗値が、絶縁抵抗１４０の異常を示す閾抵抗値と異なる場合には、検査信号Ｓｉｇ１の振幅Ｖ１と、抵抗３１の抵抗値とから、演算により、絶縁抵抗異常の振幅を表わす閾値Ｖｔｈ０を求めてもよい。
【００２８】
次いで、制御部５０は、遮断スイッチＳＷＢは開のまま、第１自己診断スイッチＳＷ１を開とし（ステップＳ１６）、信号処理部２０に検査信号の出力と入力とを行わせて、検査信号の振幅基準値Ｖｒｅｆを測定する（ステップＳ１７）。
【００２９】
ステップＳ１７において、検査信号は、高電圧系回路１００、第１自己診断回路３０、および、第２自己診断回路４０に出力されることがなく、最大の振幅で信号入力部２３に入力される。よって、図８に示すように、信号入力部２３に入力された検査信号Ｓｉｇ２の振幅は大きくなる。このときの振幅値を振幅基準値Ｖｒｅｆと呼ぶ。制御部５０は、振幅基準値Ｖｒｅｆが信号処理部２０の許容誤差を含めた規定範囲Ｒ２であるか判別する（ステップＳ１８）。その結果、規定範囲Ｒ２から逸脱していれば、何らかの回路異常があると判定し、異常を報知して（ステップＳ１４）、処理を終了する。
【００３０】
一方、図８に示すよう、振幅基準値Ｖｒｅｆが規定範囲Ｒ２にあれば、制御部５０は、ステップＳ１５で初期設定された絶縁抵抗異常閾値Ｖｔｈ０と、ステップＳ１７の振幅基準値Ｖｒｅｆとの差を、振幅差ΔＶとして設定する（ステップＳ１９）。
【００３１】
図２のステップＳ２では、制御部５０は、通常検査タイミングになったかを判別し、通常検査タイミングであれば、ステップＳ３で通常検査処理を実行する。通常検査タイミングは、例えば、例えば車両などの動作中も含めて比較的に高い頻度で設定される。
【００３２】
通常検査処理では、図４に示すように、制御部５０は、遮断スイッチＳＷＢを開とし（ステップＳ２０）、信号処理部２０に検査信号の出力と入力とを行わせて、振幅基準値Ｖｒｅｆを測定する（ステップＳ２１）。ここで、自己診断スイッチＳＷ１，ＳＷ２は開のままである。
【００３３】
図９の検査信号Ｓｉｇ３、Ｓｉｇ５に示すように、複数回の通常検査処理で、複数回の検査信号の振幅基準値Ｖｒｅｆを測定すると、振幅基準値Ｖｒｅｆは変化する。これは、信号処理部２０の経年劣化又は温度特性による特性変化に起因する。
【００３４】
制御部５０は、ステップＳ２１で得た振幅基準値Ｖｒｅｆから、図３のステップＳ１９で設定した振幅差ΔＶを減算して、修正された絶縁抵抗異常閾値Ｖｔｈを算出する（ステップＳ２２）。
【００３５】
図９に示すように、複数回の通常検査処理で振幅基準値Ｖｒｅｆが変化すると、振幅差ΔＶは一定なので、絶縁抵抗異常閾値Ｖｔｈも変化する。例えば、信号処理部２０の温度特性による特性変化があって、信号出力部２１が出力する検査信号の出力振幅が小さくなれば、これに応じて絶縁抵抗異常閾値Ｖｔｈも低く修正される。
【００３６】
次いで、制御部５０は、遮断スイッチＳＷＢを閉とし（ステップＳ２３）、信号処理部２０に検査信号の出力と入力とを行わせ（ステップＳ２４）、入力された検査信号の振幅と絶縁抵抗異常閾値Ｖｔｈとを比較する（ステップＳ２５）。その結果、閾値Ｖｔｈより振幅が小さければ、絶縁抵抗１４０が劣化したと判断して、異常の報知を行って（ステップＳ２６）、処理を終了する。絶縁抵抗異常閾値Ｖｔｈより振幅が大きければ、正常と判断する。
【００３７】
図９の検査信号Ｓｉｇ４，Ｓｉｇ６に示すように、複数回の通常検査処理で絶縁抵抗異常閾値Ｖｔｈが変化すると、変化した閾値Ｖｔｈに基づき比較が行われて、絶縁抵抗１４０の劣化が判断される。絶縁抵抗１４０の大きさが変わらなくても、信号処理部２０の経年劣化または温度特性による特性変化があれば、入力された検査信号Ｓｉｇ４，Ｓｉｇ６の振幅が変化する場合がある。しかし、信号処理部２０の変化に応じて、絶縁抵抗異常閾値Ｖｔｈが変化するので、絶縁抵抗１４０の劣化を正確に判定できる。
【００３８】
ステップＳ２５で正常と判断された場合には、制御部５０は、振幅値から絶縁抵抗１４０の抵抗値を算出する（ステップＳ２７）。抵抗値は、ステップＳ２１（遮断スイッチＳＷＢが開）で測定した振幅基準値Ｖｒｅｆと、ステップＳ２４（遮断スイッチＳＷＢが閉）で測定した検査信号の振幅値とを用いて補正される。これにより、信号処理部２０の経年変化または温度特性による変化があっても、正確な絶縁抵抗１４０の抵抗値を算出することができる。なお、本実施形態では、制御部５０は、正常と判断された場合に振幅値から絶縁抵抗１４０の抵抗値を算出したが、ステップＳ２５で異常と判断された場合にも算出するようにしてもよい。
【００３９】
図２のステップＳ４では、振幅差ΔＶの更新タイミングになったか判別され、このタイミングであれば、ステップＳ５の振幅差ΔＶの更新処理が実行される。更新タイミングは、通常検査タイミングと比較して非常に低い頻度に設定される。
【００４０】
振幅差ΔＶの更新処理では、図５に示すように、制御部５０は、遮断スイッチＳＷＢを開、第１自己診断スイッチＳＷ１を閉とし（ステップＳ３０）、信号処理部２０に検査信号の出力と入力とを行わせる（ステップＳ３１）。そして、このときの検査信号の振幅値を絶縁抵抗異常の閾値Ｖｔｈ０として設定する（ステップＳ３２）。
【００４１】
次に、制御部５０は、遮断スイッチＳＷＢを開、第１自己診断スイッチＳＷ１を開とし（ステップＳ３３）、信号処理部２０に検査信号の出力と入力とを行わせる（ステップＳ３４）。そして、このときの検査信号の振幅値を振幅基準値Ｖｒｅｆとして設定する（ステップＳ３５）。
【００４２】
続いて、制御部５０は、ステップＳ３５の振幅基準値Ｖｒｅｆから絶縁抵抗異常閾値Ｖｔｈ０を減算して、振幅差ΔＶとして更新する（ステップＳ３６）。
【００４３】
この振幅差ΔＶの更新処理により、第１自己診断回路３０（例えば抵抗３１又は第１自己診断スイッチＳＷ１のオン抵抗など）に、僅かな変化が生じたときに、この補正を行うことができる。
【００４４】
図２のステップＳ６では、第２自己診断タイミングになったか判別され、このタイミングであれば、ステップＳ７の第２自己診断の処理が実行される。第２自己診断タイミングは、通常検査タイミングと比較して非常に低い頻度に設定される。第２自己診断タイミングは、車両に搭乗者がいないときに設定されるとよい。
【００４５】
第２自己診断タイミングでは、図６に示すように、制御部５０は、遮断スイッチＳＷＢを閉（ステップＳ４０）、第２自己診断スイッチＳＷ２を閉とし（ステップＳ４１）、信号処理部２０に検査信号の出力と入力とを行わせる（ステップＳ４２）。ここで、第１自己診断スイッチＳＷ１は開のままである。
【００４６】
ここで、検査信号は、一部が検出抵抗２２、ハーネスｈ１、カップリングコンデンサＣ１、遮断スイッチＳＷＢ、高電圧系回路、ハーネスｈ２、カップリングコンデンサＣ２、抵抗４１、および、第１自己診断スイッチＳＷ１を通って接地点に流れる。また、検査信号の残りが信号入力部２３に入力される。よって、図１０に示すように、信号入力部２３に入力された検査信号Ｓｉｇ７の振幅は、主に検出抵抗２２と抵抗４１とによって決定される大きさとなる。よって、検査信号Ｓｉｇ７の振幅が、許容誤差を含めた規定範囲Ｒ３にあれば、第２の自己診断が正常であると判断できる。
【００４７】
制御部５０は、検査信号の振幅が規定範囲にあるか判別し（ステップＳ４３）、振幅が規定範囲にあれば正常とみなし、振幅が規定範囲になければ、第２の自己診断が異常とみなす。第２の自己診断が異常となる場合は、ハーネスｈ１の断線、遮断スイッチＳＷＢのオープン故障、カップリングコンデンサＣ１，Ｃ２の容量劣化などが原因として含まれる。異常と判定された場合には、異常の報知を行い（ステップＳ４４）、処理を終了する。
【００４８】
以上のように、実施形態の異常検査装置によれば、信号処理部２０の経年劣化または温度特性による変化があっても、この変化に応じて絶縁抵抗異常閾値Ｖｔｈを修正して、正確な絶縁抵抗１４０の劣化判断を行うことができる。
【００４９】
また、第２自己診断回路４０により、ハーネスｈ１、遮断スイッチＳＷＢ、カップリングコンデンサＣ１の異常が生じていないか自己診断を行うことができる。
【００５０】
（実施形態２）
図１１は、高電圧系回路と実施形態２の異常検出装置とを示す回路図である。
【００５１】
実施形態２の異常検出装置は、第２自己診断回路４０の接続先を異ならせた例である。実施形態１と同様の構成は、同一符号を振って、詳細な説明を省略する。
【００５２】
第２自己診断回路４０は、ハーネスｈ２ａを介して、高電圧系回路１００の陰極に接続されている。ハーネスｈ２ａと、信号処理回路２０を高電圧系回路１００と接続するハーネスｈ１とは、別のハーネスを用いている。
【００５３】
このような接続としても、第２の自己診断処理により、ハーネスｈ１、遮断スイッチＳＷＢ、カップリングコンデンサＣ１の異常を検出することができる。
【００５４】
（実施形態３）
図１２は、フライングキャパシタ方式の電圧測定部を有する高電圧系回路に適用した実施形態３の異常検出装置を示す回路図である。
【００５５】
図１２の高電圧系回路１００Ａは、電池１３０の電圧を測定する測定部として、電池電圧を保持するフライングキャパシタであるキャパシタＣ１０と、キャパシタＣ１０の電圧を測定部に伝えるためのスイッチＳＷ１２ａ，ＳＷ１２ｂと、キャパシタＣ１０の電圧を測定するためのアンプ１５０および信号入力部１５２とを有している。また、高電圧系回路１００Ａは、電池１３０の各ブロック１３０ａ，１３０ｂの電圧をキャパシタＣ１０に個別に伝えるためのスイッチＳＷ１０ａ，ＳＷ１０ｂ、ＳＷ１１ａ，ＳＷ１１ｂを有している。
【００５６】
実施形態３の異常検出装置は、実施形態１の遮断スイッチＳＷＢとして、スイッチＳＷ１０ｂを流用している。その他の構成は、実施形態１と同様である。
【００５７】
このような構成によれば、新たに遮断スイッチＳＷＢを追加せずに、実施形態１の作用効果を得ることができる。
【００５８】
以上、本発明の各実施の形態について説明した。
【００５９】
なお、上記実施の形態では、検査信号の大きさとして、振幅を適用した例を説明したが、電力値または電流値などを用いて信号の大きさを表してもよい。また、検査信号の波形は矩形波、正弦波、その他の種々な波形など、適宜選定可能である。また、高電圧系回路の負荷および電池の種類は適宜変更可能である。
【００６０】
また、上記実施の形態では、第１自己診断回路３０を用いて絶縁抵抗異常閾値Ｖｔｈ０の初期設定と、振幅差ΔＶの算出とを行っているが、絶縁抵抗異常閾値の初期値および振幅差の一方または両方を固定としたり、或いは、別の方法で算出したりしてもよい。
【００６１】
また、上記実施の形態では、ステップＳ２４，Ｓ２５の絶縁抵抗異常の検出処理の際に、ステップＳ２２の絶縁抵抗異常閾値Ｖｔｈの補正を毎回行う構成を示したが、補正の頻度は少なくしてもよい。
【００６２】
また、上記実施の形態では、第２自己診断回路４０、および、第２自己診断処理（図２のＳ７）を含んだ構成としているが、これらは省いてもよい。
【産業上の利用可能性】
【００６３】
本発明は、高電圧系回路の絶縁抵抗異常を検出する異常検出装置に適用できる。
【符号の説明】
【００６４】
１０  異常検出回路
２０  信号処理部
２１  信号出力部
２２  検出抵抗
２３  信号入力部
２４  フィルタ部
３０  第１自己診断回路
３１  抵抗
ＳＷ１  第１自己診断スイッチ
４０  第２自己診断回路
４１  抵抗
ＳＷ２  第２自己診断スイッチ
ＳＷＢ  遮断スイッチ
Ｃ１，Ｃ２  カップリングコンデンサ
５０  制御部
ｈ１，ｈ２，ｈ２ａ  ハーネス（第１の電線、第２の電線）
１００，１００Ａ  高電圧系回路
１２０  負荷
１３０  電池
１４０  絶縁抵抗
Ｓｉｇ１〜Ｓｉｇ７  検査信号
Ｖｒｅｆ  振幅基準値
ΔＶ  振幅差
Ｖｔｈ０，Ｖｔｈ  絶縁抵抗異常閾値
【図１】
2016024155.tif 000003
【図２】
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【図３】
2016024155.tif 000005
【図４】
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【図５】
2016024155.tif 000007
【図６】
2016024155.tif 000008
【図７】
2016024155.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
2016024155.tif 000012
【図１１】
2016024155.tif 000013
【図１２】
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