(57)【要約】【課題】帯電ローラ等として使用した際に、感光体の汚染を生じずにその表面を均一に帯電させて、形成画像に濃度ムラ等を生じにくくできる上、シリカ等の親水性の外添剤を含む微小粒子の付着および蓄積を良好に抑制できるため、より長期に亘って良好な画像を形成し続けることができる半導電性ローラを提供する。【解決手段】エピクロルヒドリンゴムとジエン系ゴムを、エピクロルヒドリンゴムの割合が５０〜８０質量％となるように併用したゴム分に、チオウレア系架橋剤および／またはトリアジン系架橋剤、ならびに硫黄系架橋成分を配合したゴム組成物からなり、外周面４に、非酸化性雰囲気中で電子線が照射された半導電性ローラ１である。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
エピクロルヒドリンゴムおよびジエン系ゴムからなり、前記エピクロルヒドリンゴムの割合が、前記両ゴムの総量の５０質量％以上、８０質量％以下であるゴム分、
チオウレア系架橋剤およびトリアジン系架橋剤からなる群より選ばれた少なくとも１種の架橋剤、ならびに
硫黄系架橋成分
を含むゴム組成物の架橋物からなり、外周面に、非酸化性雰囲気中で電子線が照射されてなる半導電性ローラ。
【請求項２】
前記エピクロルヒドリンゴムの割合は、前記両ゴムの総量の６０質量％以下である請求項１に記載の半導電性ローラ。
【請求項３】
前記ゴム組成物は、さらに導電剤として、分子中にフルオロ基およびスルホニル基を有する陰イオンのカリウム塩、またはリチウム塩を含んでいる請求項１または２に記載の半導電性ローラ。
【請求項４】
電子写真法を利用した画像形成装置に組み込んで、感光体の表面を帯電させる帯電ローラとして用いる請求項１ないし３のいずれか１項に記載の半導電性ローラ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えばレーザープリンタ、静電式複写機、普通紙ファクシミリ装置、またはこれらの複合機等の、電子写真法を利用した画像形成装置において、特に帯電ローラ等として使用される半導電性ローラに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
上記画像形成装置において、感光体の表面を一様に帯電させる帯電ローラ、帯電させた感光体の表面を露光して形成した静電潜像をトナー像に現像する現像ローラ、形成したトナー像を紙等に転写させる転写ローラ、トナー像を紙等に転写後の感光体の表面に残留するトナーを除去するクリーニングローラ等としては、通常、半導電性を付与したゴム組成物をローラの形状に成形して架橋させた半導電性ローラが用いられる。
【０００３】
上記半導電性ローラは、中心の通孔に金属等からなるシャフトが挿通されて固定された状態で、画像形成装置に組み込まれて、上記帯電ローラ等として使用される。
上記半導電性ローラのもとになるゴム組成物には、例えばエピクロルヒドリンゴム等のイオン導電性ゴムをゴム分として配合して、イオン導電性を付与するのが一般的である。
また上記ゴム組成物には、上記イオン導電性ゴムとともにジエン系ゴムをゴム分として併用して、半導電性ローラの機械的強度や耐久性等を向上したり、半導電性ローラにゴムとしての特性、すなわち柔軟で、しかも圧縮永久ひずみが小さくヘタリを生じにくい特性を付与したりするのも一般的である。
【０００４】
さらに半導電性ローラの、感光体の表面等と接する外周面には、例えばウレタン系樹脂等からなるコーティング膜を形成するのが一般的である。
半導電性ローラの外周面をコーティング膜で被覆するのは、当該半導電性ローラを例えば帯電ローラ等として、感光体の表面と直接に接触させた状態で使用した際に、当該半導電性ローラ中から外周面にブリードしてくる成分や外周面にブルームする成分によって感光体が汚染されて、形成画像に影響がでるのを防ぐためである。
【０００５】
また、例えばトナーの流動性や帯電性等を改善するべく当該トナーに外添されるシリカや酸化チタン等の外添剤の微小粒子、あるいは画像形成を繰り返すことでトナー粒子が微粉砕されて生じた微小粒子などが、半導電性ローラの外周面に付着し、徐徐に蓄積されて形成画像に影響がでるのを防止するためでもある。
しかしコーティング膜は、そのもとになる液状のコーティング剤をスプレー法、ディッピング法等の塗布方法によって半導電性ローラの外周面に塗布したのち、乾燥させて形成されるのが一般的であり、かかる形成過程において埃等の異物の混入、厚みムラの発生等の様々な不良を生じやすい。
【０００６】
そして、上記のような不良を生じた場合には、特に帯電ローラとして使用した際に、感光体の表面を均一に帯電させることができず、形成画像に濃度ムラ等の画像不良を生じやすいという問題がある。
しかも、コーティング膜の形成は既に確立された技術であって、更なる改良の余地は少ないため、これらの不良が発生する率（不良率）を現状より大幅に低下させるのは難しく、このことが半導電性ローラの歩留まりおよび生産性を低下させ、製造コストを上昇させる一因ともなっている。
【０００７】
そこでコーティング膜に代えて、半導電性ローラの外周面に、薄い酸化膜を形成する場合がある。
酸化膜は、例えばゴム分としてジエン系ゴムを含む半導電性のゴム組成物によって半導電性ローラを形成（成形および架橋）したのち、その外周面に、酸化性雰囲気中で紫外線を照射したり、上記外周面をオゾン雰囲気に曝露したりして、当該外周面に露出した主にジエン系ゴムを酸化反応させることによって形成される（例えば特許文献１等参照）。
【０００８】
そのため酸化膜には、その形成過程で異物が混入したりしない上、酸化反応は半導電性ローラの外周面で一様に進行するため、上記酸化膜には厚みのムラも生じにくい。
よって、かかる酸化膜を有する半導電性ローラを、特に帯電ローラとして使用した際には、感光体の表面を均一に帯電でき、形成画像に濃度ムラ等の画像不良を生じにくくすることが可能となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００４−１７６０５６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
ところが発明者の検討によると、紫外線照射やオゾン曝露によって形成される酸化膜、あるいは従来のウレタン系樹脂等からなるコーティング膜等の表面には、微小粒子うち特にシリカ等の、親水性の外添剤が付着しやすい傾向がある。
そのため、半導電性ローラの外周面を酸化膜やコーティング膜で被覆した場合には、トナー粒子が微粉砕されて生じた微小粒子などの付着および蓄積をある程度は抑制できるものの、上記シリカ等の親水性の外添剤の付着および蓄積は防止できないため、画像形成を繰り返すと、やがては微小粒子の付着および蓄積によって形成画像に影響がでるおそれがある。
【００１１】
本発明の目的は、例えば帯電ローラとして使用した際に、感光体の汚染を生じずにその表面をできるだけ均一に帯電させて、形成画像に濃度ムラ等を生じにくくできる上、シリカ等の親水性の外添剤を含む各種微小粒子の付着およびその蓄積を現状よりも良好に抑制できるため、より長期に亘って良好な画像を形成し続けることができる半導電性ローラを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明は、エピクロルヒドリンゴムおよびジエン系ゴムからなり、前記エピクロルヒドリンゴムの割合が、前記両ゴムの総量の５０質量％以上、８０質量％以下であるゴム分、
チオウレア系架橋剤およびトリアジン系架橋剤からなる群より選ばれた少なくとも１種の架橋剤、ならびに
硫黄系架橋成分
を含むゴム組成物の架橋物からなり、外周面に、非酸化性雰囲気中で電子線が照射されてなる半導電性ローラである。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、例えば帯電ローラとして使用した際に、感光体の汚染を生じずにその表面をできるだけ均一に帯電させて、形成画像に濃度ムラ等を生じにくくできる上、シリカ等の親水性の外添剤を含む各種微小粒子の付着およびその蓄積を現状よりも良好に抑制できるため、より長期に亘って良好な画像を形成し続けることができる半導電性ローラを提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の半導電性ローラの、実施の形態の一例を示す斜視図である。
【図２】半導電性ローラのローラ抵抗値を測定する方法を説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
本発明は、エピクロルヒドリンゴムおよびジエン系ゴムからなり、前記エピクロルヒドリンゴムの割合が、前記両ゴムの総量の５０質量％以上、８０質量％以下であるゴム分、
チオウレア系架橋剤およびトリアジン系架橋剤からなる群より選ばれた少なくとも１種の架橋剤、ならびに
硫黄系架橋成分
を含むゴム組成物の架橋物からなり、外周面に、非酸化性雰囲気中で電子線が照射されてなる半導電性ローラである。
【００１６】
本発明によれば、上記各成分を含むゴム組成物を成形し、架橋させて半導電性ローラを形成することによって、当該半導電性ローラのゴムとしての特性、すなわち柔軟で、しかも圧縮永久ひずみが小さくヘタリを生じにくい特性を向上できる。
また本発明によれば、上記半導電性ローラの外周面に、非酸化性雰囲気中で電子線を照射することにより、当該外周面に露出した主にジエン系ゴムを改質して、上記外周面を、酸化膜等を形成した場合と同様に、半導電性ローラ中からブリードしてくる成分やブルームする成分によって感光体が汚染されるのを抑制できる状態に改質できる。
【００１７】
しかも、上記のように電子線の照射を非酸化性雰囲気中で実施することにより、ジエン系ゴムを酸化させて酸化膜を生じさせることなしに、半導電性ローラの外周面を上記の状態に改質できるため、上記外周面への、親水性の外添剤を含む各種微小粒子の付着および蓄積を、現状よりも良好に抑制できる。
その上、電子線の照射による改質は、半導電性ローラの外周面で一様に進行するため、当該外周面には、改質状態や厚みなどのムラが生じるおそれがない上、埃等の異物が混入する余地もない。
【００１８】
しがって本発明によれば、例えば帯電ローラとして使用した際に、感光体の汚染を生じずにその表面をできるだけ均一に帯電させて、形成画像に濃度ムラ等を生じにくくできる上、シリカ等の親水性の外添剤を含む各種微小粒子の付着およびその蓄積を現状よりも良好に抑制できるため、より長期に亘って良好な画像を形成し続けることができる半導電性ローラを提供できる。
【００１９】
《ゴム組成物》
〈ゴム分〉
ゴム分は、上述したようにエピクロルヒドリンゴムおよびジエン系ゴムからなり、そのうちエピクロルヒドリンゴムの割合が、両ゴムの総量の５０質量％以上、８０質量％以下に限定される。
【００２０】
エピクロルヒドリンゴムの割合がこの範囲未満では、半導電性ローラに、特に帯電ローラとしての良好な半導電性を付与することができない。
一方、エピクロルヒドリンゴムの割合が上記の範囲を超える場合には、相対的に、電子線の照射によって主に改質されるジエン系ゴムの割合が少なくなるため、半導電性ローラの外周面を十分に改質することができず、感光体の汚染や外周面への微小粒子の付着、蓄積等を生じやすくなる。また、半導電性ローラにゴムとしての特性を付与するジエン系ゴムの割合が少なくなるため、当該半導電性ローラの圧縮永久ひずみが大きくなってヘタリを生じやすくなる。
【００２１】
これに対し、エピクロルヒドリンゴムの割合を５０質量％以上、８０質量％以下とすることにより、半導電性ローラの半導電性やゴムとしての特性を良好に維持しながら、その外周面を良好に改質して、感光体の汚染や外周面への微小粒子の付着、蓄積等を抑制できる。
なお、かかる効果をより一層向上することを考慮すると、エピクロルヒドリンゴムの割合は、上記の範囲でも６０質量％以下であるのが好ましい。
【００２２】
（エピクロルヒドリンゴム）
エピクロルヒドリンゴムとしては、繰り返し単位としてエピクロルヒドリンを含み、イオン導電性を有する種々の重合体が使用可能である。
かかるエピクロルヒドリンゴムとしては、例えばエピクロルヒドリン単独重合体、エピクロルヒドリン−エチレンオキサイド二元共重合体（ＥＣＯ）、エピクロルヒドリン−プロピレンオキサイド二元共重合体、エピクロルヒドリン−アリルグリシジルエーテル二元共重合体、エピクロルヒドリン−エチレンオキサイド−アリルグリシジルエーテル三元共重合体（ＧＥＣＯ）、エピクロルヒドリン−プロピレンオキサイド−アリルグリシジルエーテル三元共重合体、エピクロルヒドリン−エチレンオキサイド−プロピレンオキサイド−アリルグリシジルエーテル四元共重合体等の１種または２種以上が挙げられる。
【００２３】
中でもエチレンオキサイドを含む共重合体、特にＥＣＯおよび／またはＧＥＣＯが好ましい。
上記両共重合体におけるエチレンオキサイド含量は、いずれも３０モル％以上、特に５０モル％以上であるのが好ましく、８０モル％以下であるのが好ましい。
エチレンオキサイドは、半導電性ローラのローラ抵抗値を下げる働きをする。しかしエチレンオキサイド含量がこの範囲未満では、かかる働きが十分に得られないため、ローラ抵抗値を十分に低下できないおそれがある。
【００２４】
一方、エチレンオキサイド含量が上記の範囲を超える場合には、エチレンオキサイドの結晶化が起こり、分子鎖のセグメント運動が妨げられるため、逆にローラ抵抗値が上昇する傾向がある。また架橋後の半導電性ローラが硬くなりすぎたり、架橋前のゴム組成物の、加熱溶融時の粘度が上昇して加工性が低下したりするおそれもある。
ＥＣＯにおけるエピクロルヒドリン含量は、エチレンオキサイド含量の残量である。すなわちエピクロルヒドリン含量は２０モル％以上であるのが好ましく、７０モル％以下、特に５０モル％以下であるのが好ましい。
【００２５】
またＧＥＣＯにおけるアリルグリシジルエーテル含量は０．５モル％以上、特に２モル％以上であるのが好ましく、１０モル％以下、特に５モル％以下であるのが好ましい。
アリルグリシジルエーテルは、それ自体が側鎖として自由体積を確保するために機能することにより、エチレンオキサイドの結晶化を抑制して、半導電性ローラのローラ抵抗値を低下させる働きをする。しかし、アリルグリシジルエーテル含量がこの範囲未満では、かかる働きが十分に得られないため、ローラ抵抗値を十分に低下できないおそれがある。
【００２６】
一方、アリルグリシジルエーテルはＧＥＣＯの架橋時に架橋点として機能するため、アリルグリシジルエーテル含量が上記の範囲を超える場合には、ＧＥＣＯの架橋密度が高くなりすぎることによって分子鎖のセグメント運動が妨げられて、却ってローラ抵抗値が上昇する傾向がある。
ＧＥＣＯにおけるエピクロルヒドリン含量は、エチレンオキサイド含量、およびアリルグリシジルエーテル含量の残量である。すなわちエピクロルヒドリン含量は１０モル％以上、特に１９．５モル％以上であるのが好ましく、６９．５モル％以下、特に６０モル％以下であるのが好ましい。
【００２７】
なおＧＥＣＯとしては、先に説明した３種の単量体を共重合させた狭義の意味での共重合体の他に、エピクロルヒドリン−エチレンオキサイド共重合体（ＥＣＯ）をアリルグリシジルエーテルで変性した変性物も知られており、本発明ではこのいずれのＧＥＣＯも使用可能である。
（ジエン系ゴム）
ジエン系ゴムとしては、例えば天然ゴム、イソプレンゴム（ＩＲ）、ブタジエンゴム（ＢＲ）、スチレンブタジエンゴム（ＳＢＲ）、クロロプレンゴム（ＣＲ）、アクリロニトリルブタジエンゴム（ＮＢＲ）等の１種または２種以上が挙げられる。
【００２８】
特にＮＢＲが好ましい。ＮＢＲはジエン系ゴムとしての効果、すなわち非酸化性雰囲気中での電子線照射によって良好に改質されて、ブリードまたはブルームによる感光体の汚染等を防止する効果や、半導電性ゴムにゴムとしての良好な特性を付与する効果に特に優れている。
（ＮＢＲ）
ＮＢＲとしては、アクリロニトリル含量によって分類される低ニトリルＮＢＲ、中ニトリルＮＢＲ、中高ニトリルＮＢＲ、高ニトリルＮＢＲ、および極高ニトリルＮＢＲがいずれも使用可能である。
【００２９】
またＮＢＲとしては、伸展油を加えて柔軟性を調整した油展タイプのものと加えない非油展タイプのものとがあるが、本発明の半導電性ローラを現像ローラ等として使用する場合には、感光体の汚染を防止するために非油展タイプのＮＢＲを用いるのが好ましい。
これらＮＢＲの１種または２種以上を使用できる。
〈架橋成分〉
ゴム分を架橋させるための架橋成分としては、チオウレア系架橋剤およびトリアジン系架橋剤からなる群より選ばれた少なくとも１種の架橋剤、ならびに硫黄系架橋成分を併用する。
【００３０】
このうちチオウレア系架橋剤および／またはトリアジン系架橋剤は、主にエピクロルヒドリンゴムを架橋させるためのものであり、硫黄系架橋成分は、主にジエン系ゴムを架橋させるためのものである。そしてこれらの架橋剤、架橋成分を併用することで、半導電性ローラの全体にゴムとしての特性、すなわち柔軟で、しかも圧縮永久ひずみが小さくヘタリを生じにくい特性を付与できる。
【００３１】
（チオウレア系架橋剤）
チオウレア系架橋剤としては、分子中にチオウレア構造を有し、エピクロルヒドリンゴムの架橋剤として機能しうる種々のチオウレア化合物が使用可能である。
チオウレア系架橋剤としては、例えばエチレンチオウレア（別名：２−メルカプトイミダゾリン）、ジエチルチオウレア、ジブチルチオウレア等の１種または２種以上が挙げられる。特にエチレンチオウレアが好ましい。
【００３２】
チオウレア系架橋剤の配合割合は、ゴム分の総量、つまりエピクロルヒドリンゴムとジエン系ゴムの合計１００質量部あたり０．３質量部以上であるのが好ましく、１質量部以下であるのが好ましい。
チオウレア系架橋剤の配合割合がこの範囲未満では、エピクロルヒドリンゴムの架橋が不十分になり、半導電性ローラの圧縮永久ひずみが大きくなってヘタリを生じやすくなるおそれがある。
【００３３】
一方、チオウレア系架橋剤の配合割合が上記の範囲を超える場合には、半導電性ローラが硬くなりすぎて感光体への追従性が低下してしまい、例えば半導電性ローラのピッチで形成画像に濃淡を生じたりするおそれがある。また、過剰のチオウレア系架橋剤が半導電性ローラの外周面にブルームして、電子線の照射による当該外周面の改質を妨げたり、感光体を汚染したりするおそれがある。
【００３４】
（促進剤）
チオウレア系架橋剤には、当該チオウレア系架橋剤によるエピクロルヒドリンゴムの架橋反応を促進する種々の促進剤を併用してもよい。
かかる促進剤としては、例えば１,３−ジフェニルグアニジン（Ｄ）、１，３−ジ−ｏ−トリルグアニジン（ＤＴ）、１-ｏ-トリルビグアニド（ＢＧ）等のグアニジン系促進剤などの１種または２種以上が挙げられる。
【００３５】
促進剤の配合割合は、エピクロルヒドリンゴムの架橋を促進する効果を十分に発現させることを考慮すると、ゴム分の総量１００質量部あたり０．３質量部以上であるのが好ましく、１質量部以下であるのが好ましい。
（トリアジン系架橋剤）
トリアジン系架橋剤としては、分子中にトリアジン構造を有し、エピクロルヒドリンゴムの架橋剤として機能しうる種々のトリアジン化合物が使用可能である。
【００３６】
トリアジン系架橋剤としては、例えば２，４，６−トリメルカプト−ｓ−トリアジン、２−アニリノ−４，６−ジメルカプト−ｓ−トリアジン、２−ジブチルアミノ−４，６−ジメルカプト−ｓ−トリアジン等の１種または２種以上が挙げられる。
トリアジン系架橋剤の配合割合は、ゴム分の総量１００質量部あたり０．５質量部以上であるのが好ましく、３．０質量部以下であるのが好ましい。
【００３７】
トリアジン系架橋剤の配合割合がこの範囲未満では、エピクロルヒドリンゴムの架橋が不十分になり、半導電性ローラの圧縮永久ひずみが大きくなってヘタリを生じやすくなるおそれがある。
一方、トリアジン系架橋剤の配合割合が上記の範囲を超える場合には、半導電性ローラが硬くなりすぎて感光体への追従性が低下してしまい、例えば半導電性ローラのピッチで形成画像に濃淡を生じたりするおそれがある。また、過剰のトリアジン系架橋剤が半導電性ローラの外周面にブルームして、電子線の照射による当該外周面の改質を妨げたり、感光体を汚染したりするおそれがある。
【００３８】
（硫黄系架橋成分）
硫黄系架橋成分としては、硫黄、および含硫黄系架橋剤からなる群より選ばれた少なくとも１種の架橋剤と、含硫黄系促進剤とを併用するのが好ましい。
このうち含硫黄系架橋剤としては、分子中に硫黄を含み、ジエン系ゴムの架橋剤として機能しうる種々の有機化合物が使用可能である。かかる含硫黄系架橋剤としては、例えば４，４′−ジチオジモルホリン（Ｒ）等が挙げられる。
【００３９】
ただし、架橋剤としては硫黄が好ましい。
硫黄の配合割合は、ゴム分の総量１００質量部あたり１質量部以上であるのが好ましく、２質量部以下であるのが好ましい。
硫黄の配合割合がこの範囲未満では、ジエン系ゴムを良好に架橋させて、半導電性ローラにゴムとしての良好な特性、すなわち柔軟で、しかも圧縮永久ひずみが小さくヘタリを生じにくい特性等を付与することができないおそれがある。
【００４０】
一方、硫黄の配合割合が上記の範囲を超える場合には、過剰の硫黄が半導電性ローラの外周面にブルームして、電子線の照射による当該外周面の改質を妨げたり、感光体を汚染したりするおそれがある。
また架橋剤として含硫黄系架橋剤を使用する場合、その配合割合は、分子中に含まれる硫黄の、ゴム分の総量１００質量部あたりの割合が上記の範囲となるように調整するのが好ましい。
【００４１】
含硫黄系促進剤としては、例えばチアゾール系促進剤、チウラム系促進剤、スルフェンアミド系促進剤、ジチオカルバミン酸塩系促進剤等の１種または２種以上が挙げられる。このうちチアゾール系促進剤とチウラム系促進剤とを併用するのが好ましい。
チアゾール系促進剤としては、例えば２−メルカプトベンゾチアゾール（Ｍ）、ジ−２−ベンゾチアゾリルジスルフィド（ＤＭ）、２−メルカプトベンゾチアゾールの亜鉛塩（ＭＺ）、２-メルカプトベンゾチアゾールのシクロヘキシルアミン塩（ＨＭ、Ｍ６０−ＯＴ）、２−（Ｎ,Ｎ−ジエチルチオカルバモイルチオ）ベンゾチアゾール（６４）、２−（４′−モルホリノジチオ）ベンゾチアゾール（ＤＳ、ＭＤＢ）等の１種または２種以上が挙げられる。特にジ−２−ベンゾチアゾリルジスルフィド（ＤＭ）が好ましい。
【００４２】
またチウラム系促進剤としては、例えばテトラメチルチウラムモノスルフィド（ＴＳ）、テトラメチルチウラムジスルフィド（ＴＴ、ＴＭＴ）、テトラエチルチウラムジスルフィド（ＴＥＴ）、テトラブチルチウラムジスルフィド（ＴＢＴ）、テトラキス（２-エチルヘキシル）チウラムジスルフィド（ＴＯＴ−Ｎ）、ジペンタメチレンチウラムテトラスルフィド（ＴＲＡ）等の１種または２種以上が挙げられる。特にテトラメチルチウラムモノスルフィド（ＴＳ）が好ましい。
【００４３】
かかる２種の含硫黄系促進剤の併用系において、ジエン系ゴムの架橋を促進する効果を十分に発現させることを考慮すると、チアゾール系促進剤の配合割合は、ゴム分の総量１００質量部あたり１質量部以上、２質量部以下であるのが好ましい。またチウラム系促進剤の配合割合は、ゴム分の総量１００質量部あたり０．３質量部以上、０．９質量部以下であるのが好ましい。
【００４４】
〈導電剤〉
ゴム組成物は、さらに導電剤としての、分子中にフルオロ基およびスルホニル基を有する陰イオンと、陽イオンとの塩（イオン塩）をも含んでいるのが好ましい。
かかるイオン塩を導電剤として含むことで、半導電性ローラにさらに良好な半導電性を付与できる。
【００４５】
イオン塩を構成する、分子中にフルオロ基およびスルホニル基を有する陰イオンとしては、例えばフルオロアルキルスルホン酸イオン、ビス（フルオロアルキルスルホニル）イミドイオン、トリス（フルオロアルキルスルホニル）メチドイオン等の１種または２種以上が挙げられる。
このうちフルオロアルキルスルホン酸イオンとしては、例えばＣＦ３ＳＯ３−、Ｃ４Ｆ９ＳＯ３−等の１種または２種以上が挙げられる。
【００４６】
またビス（フルオロアルキルスルホニル）イミドイオンとしては、例えば(ＣＦ３ＳＯ２)２Ｎ−、(Ｃ２Ｆ５ＳＯ２)２Ｎ−、(Ｃ４Ｆ９ＳＯ２)(ＣＦ３ＳＯ２)Ｎ−、(ＦＳＯ２Ｃ６Ｆ４)(ＣＦ３ＳＯ２)Ｎ−、(Ｃ８Ｆ１７ＳＯ２)(ＣＦ３ＳＯ２)Ｎ−、(ＣＦ３ＣＨ２ＯＳＯ２)２Ｎ−、(ＣＦ３ＣＦ２ＣＨ２ＯＳＯ２)２Ｎ−、(ＨＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２ＯＳＯ２)２Ｎ−、[(ＣＦ３)２ＣＨＯＳＯ２]２Ｎ−等の１種または２種以上が挙げられる。
【００４７】
さらにトリス（フルオロアルキルスルホニル）メチドイオンとしては、例えば(ＣＦ３ＳＯ２)３Ｃ−、(ＣＦ３ＣＨ２ＯＳＯ２)３Ｃ−等の１種または２種以上が挙げられる。
また陽イオンとしては、例えばナトリウム、リチウム、カリウム等のアルカリ金属のイオン、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム等の第２族元素のイオン、遷移元素のイオン、両性元素の陽イオン、第４級アンモニウムイオン、イミダゾリウム陽イオン等の１種または２種以上が挙げられる。
【００４８】
イオン塩としては、特に陽イオンとしてリチウムイオンを用いたリチウム塩、および陽イオンとしてカリウムイオンを用いたカリウム塩が好ましい。
中でも、ゴム組成物のイオン導電性を向上して半導電性ローラのローラ抵抗値を低下させる効果の点で、(ＣＦ３ＳＯ２)２ＮＬｉ〔リチウム・ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド〕、および／または(ＣＦ３ＳＯ２)２ＮＫ〔カリウム・ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド〕が好ましい。
【００４９】
イオン塩の配合割合は、ゴム分の総量１００質量部あたり０．５質量部以上、特に０．８質量部以上であるのが好ましく、５質量部以下、特に４質量部以下であるのが好ましい。
イオン塩の配合割合がこの範囲未満では、半導電性ローラのイオン導電性を向上して、ローラ抵抗値を低下させる効果が十分に得られないおそれがある。
【００５０】
一方、範囲を超えてもそれ以上の効果が得られないだけでなく、過剰のイオン塩が半導電性ローラの外周面にブルームして、電子線の照射による当該外周面の改質を妨げたり、感光体を汚染したりするおそれがある。
〈その他の成分〉
ゴム組成物には、さらに必要に応じて、各種の添加剤を配合してもよい。
【００５１】
添加剤としては、例えば架橋助剤、受酸剤、可塑剤、加工助剤、劣化防止剤、充填剤、スコーチ防止剤、滑剤、顔料、帯電防止剤、難燃剤、中和剤、造核剤、共架橋剤等が挙げられる。
これらの添加剤は、特に半導電性ローラの抵抗値と、微小粒子が外周面に付着および蓄積するのを抑制する効果等とのバランスに注意して種類と配合割合を設定すればよい。
【００５２】
架橋助剤としては、亜鉛華等の金属化合物；ステアリン酸、オレイン酸、綿実脂肪酸等の脂肪酸、その他従来公知の架橋助剤の１種または２種以上が挙げられる。
架橋助剤の配合割合は、個別に、ゴム分の総量１００質量部あたり０．１質量部以上、特に０．５質量部以上であるのが好ましく、７質量部以下、特に５質量部以下であるのが好ましい。
【００５３】
受酸剤は、ゴム分の架橋時にエピクロルヒドリンゴムやＣＲから発生する塩素系ガスが半導電性ローラ内に残留したり、それによって架橋阻害や感光体の汚染等を生じたりするのを防止するために機能する。
受酸剤としては、酸受容体として作用する種々の物質を用いることができるが、中でも分散性に優れたハイドロタルサイト類またはマグサラットが好ましく、特にハイドロタルサイト類が好ましい。
【００５４】
また、ハイドロタルサイト類等を酸化マグネシウムや酸化カリウムと併用するとより高い受酸効果を得ることができ、感光体の汚染等をより一層確実に防止できる。
受酸剤の配合割合は、ゴム分の総量１００質量部あたり０．５質量部以上、特に１質量部以上であるのが好ましく、６質量部以下、特に５質量部以下であるのが好ましい。
可塑剤としては、例えばジブチルフタレート（ＤＢＰ）、ジオクチルフタレート（ＤＯＰ）、トリクレジルホスフェート等の各種可塑剤や、極性ワックス等の各種ワックス等が挙げられる。また加工助剤としてはステアリン酸等の脂肪酸などが挙げられる。
【００５５】
可塑剤および／または加工助剤の配合割合は、ゴム分の総量１００質量部あたり５質量部以下であるのが好ましい。例えば画像形成装置への装着時や運転時に感光体の汚染を生じたりするのを防止するためである。かかる目的に鑑みると、可塑剤のうち極性ワックスを使用するのが好ましい。
劣化防止剤としては、各種の老化防止剤や酸化防止剤等が挙げられる。
【００５６】
このうち酸化防止剤は、半導電性ローラのローラ抵抗値の環境依存性を低減するとともに、連続通電時のローラ抵抗値の上昇を抑制する働きをする。酸化防止剤としては、例えばジエチルジチオカルバミン酸ニッケル、ジブチルジチオカルバミン酸ニッケル等が挙げられる。
充填剤としては、例えば酸化チタン、酸化亜鉛、シリカ、カーボン、カーボンブラック、クレー、タルク、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、水酸化アルミニウム等の１種または２種以上が挙げられる。
【００５７】
充填剤を配合することにより、半導電性ローラの機械的強度等を向上できる。
充填剤の配合割合は、ゴム分の総量１００質量部あたり５質量部以上であるのが好ましく、２５質量部以下、特に２０質量部以下であるのが好ましい。
また、充填剤として導電性カーボンブラック等の導電性充填剤を配合して、半導電性ローラに電子導電性を付与してもよい。
【００５８】
導電性カーボンブラックとしてはＨＡＦが好ましい。ＨＡＦはゴム組成物中に均一に分散できるため、半導電性ローラにできるだけ均一な電子導電性を付与できる。
導電性カーボンブラックの配合割合は、ゴム分の総量１００質量部あたり１質量部以上、特に３質量部以上であるのが好ましく、８質量部以下、特に６質量部以下であるのが好ましい。
【００５９】
スコーチ防止剤としては、例えばＮ−シクロへキシルチオフタルイミド、無水フタル酸、Ｎ−ニトロソジフエニルアミン、２，４−ジフエニル−４−メチル−１−ペンテン等の１種または２種以上が挙げられる。特にＮ−シクロへキシルチオフタルイミドが好ましい。
スコーチ防止剤の配合割合は、ゴム分の総量１００質量部あたり０．１質量部以上であるのが好ましく、５質量部以下、特に１質量部以下であるのが好ましい。
【００６０】
共架橋剤とは、それ自体が架橋するとともにゴム分とも架橋反応して全体を高分子化する働きを有する成分を指す。
共架橋剤としては、例えばメタクリル酸エステルや、あるいはメタクリル酸またはアクリル酸の金属塩等に代表されるエチレン性不飽和単量体、１，２−ポリブタジエンの官能基を利用した多官能ポリマ類、あるいはジオキシム等の１種または２種以上が挙げられる。
【００６１】
このうちエチレン性不飽和単量体としては、例えば
(a)  アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸などのモノカルボン酸類、
(b)  マレイン酸、フマル酸、イタコン酸などのジカルボン酸類、
(c)  (a)(b)の不飽和カルボン酸類のエステルまたは無水物、
(d)  (a)〜(c)の金属塩、
(e)  １，３−ブタジエン、イソプレン、２−クロル−１，３−ブタジエンなどの脂肪族共役ジエン、
(f)  スチレン、α−メチルスチレン、ビニルトルエン、エチルビニルベンゼン、ジビニルベンゼンなどの芳香族ビニル化合物、
(g)  トリアリルイソシアヌレート、トリアリルシアヌレート、ビニルピリジンなどの、複素環を有するビニル化合物、
(h)  その他、（メタ）アクリロニトリルもしくはα−クロルアクリロニトリルなどのシアン化ビニル化合物、アクロレイン、ホルミルステロール、ビニルメチルケトン、ビニルエチルケトン、ビニルブチルケトン
等の１種または２種以上が挙げられる。
【００６２】
また(c)の不飽和カルボン酸類のエステルとしては、モノカルボン酸類のエステルが好ましい。
モノカルボン酸類のエステルとしては、例えば
メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、ｎ−プロピル（メタ）アクリレート、ｉ−プロピル（メタ）アクリレート、ｎ−ブチル（メタ）アクリレート、ｉ−ブチル（メタ）アクリレート、ｎ−ぺンチル（メタ）アクリレート、ｉ−ぺンチル（メタ）アクリレート、ｎ−へキシル（メタ）アクリレート、シクロへキシル（メタ）アクリレート、２−エチルへキシル（メタ）アクリレート、オクチル（メタ）アクリレート、ｉ−ノニル（メタ）アクリレート、ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキシル（メタ）アクリレート、デシル（メタ）アクリレート、ドデシル（メタ）アクリレート、ヒドロキシメチル（メタ）アクリレート、ヒドロキシエチル（メタ）アクリレートなどの、（メタ）アクリル酸のアルキルエステル；
アミノエチル（メタ）アクリレート、ジメチルアミノエチル（メタ）アクリレート、ブチルアミノエチル（メタ）アクリレートなどの、（メタ）アクリル酸のアミノアルキルエステル；
べンジル（メタ）アクリレート、ベンゾイル（メタ）アクリレート、アリル（メタ）アクリレートなどの、芳香族環を有する（メタ）アクリレート；
グリシジル（メタ）アクリレート、メタグリシジル（メタ）アクリレート、エポキシシクロヘキシル（メタ）アクリレートなどの、エポキシ基を有する（メタ）アクリレート；
Ｎ−メチロール（メタ）アクリルアミド、γ−（メタ）アクリルオキシプロピルトリメトキシシラン、テトラハイドロフルフリルメタクリレートなどの、各種官能基を有する（メタ）アクリレート；
エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、エチレンジメタクリレート（ＥＤＭＡ）、ポリエチレングリコールジメタクリレート、イソブチレンエチレンジメタクリレートなどの多官能（メタ）アクリレート；
等の１種または２種以上が挙げられる。
【００６３】
以上で説明した各成分を含むゴム組成物は、従来同様に調製できる。
すなわち、まずゴム分を所定の割合で配合して素練りし、次いで架橋成分以外の各種添加剤を加えて混練した後、最後に架橋成分を加えて混練することで、ゴム組成物が得られる。
混練には、例えばインターミックス、バンバリミキサ、ニーダ、押出機等の密閉式の混練機や、或はオープンロール等を用いることができる。
【００６４】
《半導電性ローラ》
図１は、本発明の半導電性ローラの、実施の形態の一例を示す斜視図である。
図１を参照して、この例の半導電性ローラ１は、先に説明した各成分を含むゴム組成物によって筒状に成形されるとともに架橋され、さらに中心の通孔２にシャフト３が挿通されて固定されるとともに、その外周面４が、非酸化性雰囲気中での電子線の照射によって改質されたものである。
【００６５】
シャフト３は、例えばアルミニウム、アルミニウム合金、ステンレス鋼等の金属によって形成されている。
上記シャフト３は、例えば導電性を有する接着剤を介して、半導電性ローラ１と電気的に接合されるとともに機械的に固定されるか、あるいは通孔２の内径よりも外径の大きいものを通孔２に圧入することで、半導電性ローラ１と電気的に接合されるとともに機械的に固定されて一体に回転される。
【００６６】
かかる半導電性ローラ１は、先に説明した各成分を含むゴム組成物の架橋物からなるため、ゴムとしての特性、すなわち柔軟で、しかも圧縮永久ひずみが小さくヘタリを生じにくい特性に優れている。
またその外周面４に、非酸化性雰囲気中で電子線を照射することにより、当該外周面４に露出した主にジエン系ゴムを改質して、上記外周面４を、酸化膜等を形成した場合と同様に、半導電性ローラ１中からブリードしてくる成分やブルームする成分によって感光体が汚染されるのを抑制できる状態に改質できる。
【００６７】
しかも、上記のように電子線の照射を非酸化性雰囲気中で実施することにより、ジエン系ゴムを酸化させて酸化膜を生じさせることなしに、半導電性ローラ１の外周面４を上記の状態に改質できるため、上記外周面４への、親水性の外添剤を含む各種微小粒子の付着および蓄積を、現状よりも良好に抑制できる。
その上、電子線の照射による改質は、半導電性ローラ１の外周面４で一様に進行するため、当該外周面４には、改質状態や厚みなどのムラが生じるおそれがない上、埃等の異物が混入する余地もない。
【００６８】
したがって上記半導電性ローラ１は、例えばレーザープリンタ等の、電子写真法を利用した画像形成装置に組み込んで、感光体の表面を一様に帯電させる帯電ローラ等として好適に使用できる。
上記半導電性ローラ１を製造するには、まず先に調製したゴム組成物を、押出機を用いて筒状に押出成形し、次いで所定の長さにカットして加硫缶内で加熱してゴム分を架橋させる。
【００６９】
次いで架橋させた筒状体を、オーブン等を用いて加熱して二次架橋させ、冷却したのち所定の外径、および表面粗さとなるように研磨する。
研磨方法としては、例えば乾式トラバース研削等の種々の研磨方法が採用可能である。
そして研磨後の半導電性ローラ１を、例えば図示しない電子線照射装置の処理室内に供給し、当該処理室内を窒素パージする等して非酸化性雰囲気とした状態で、上記外周面４に電子線を照射すると、図１に示す半導電性ローラ１が製造される。
【００７０】
シャフト３は、筒状体のカット後から研磨後までの任意の時点で、通孔２に挿通して固定できる。
ただしカット後、まず通孔２にシャフト３を挿通した状態で二次架橋、および研磨をするのが好ましい。これにより、二次架橋時の膨張収縮による筒状体→半導電性ローラ１の反りや変形を防止できる。また、シャフト３を中心として回転させながら研磨することで、当該研磨の作業性を向上し、なおかつ外周面４のフレを抑制できる。
【００７１】
シャフト３は、先に説明したように導電性を有する接着剤、特に熱硬化性接着剤を介して、二次架橋前の筒状体の通孔２に挿通したのち二次架橋させるか、あるいは通孔２の内径よりも外径の大きいものを直接に通孔２に圧入すればよい。
前者の場合は、オーブン中での加熱によって筒状体が二次架橋されるのと同時に熱硬化性接着剤が硬化して、当該シャフト３が筒状体→半導電性ローラ１に電気的に接合されるとともに機械的に固定される。
【００７２】
また後者の場合は、圧入と同時に電気的な接合と機械的な固定が完了する。
また半導電性ローラ１は、上記ゴム組成物を、当該半導電性ローラ１の立体形状に対応する金型を用いたプレス成形によって筒状に成形するとともに架橋させたのち、その外周面４にさらに、非酸化性雰囲気中で電子線を照射して製造することもできる。
シャフト３は、例えば導電性を有する熱硬化性接着剤を外周に塗布した状態で、上記プレス成形用の金型の所定の位置にセットしてプレス成形することにより、ゴム組成物の成形および架橋と同時に、半導電性ローラ１と電気的に接合するとともに機械的に固定できる。
【００７３】
また先の例と同様に、筒状にプレス成形した半導電性ローラ１の通孔２にあとからシャフト３を挿通して、例えば導電性を有する接着剤を介して半導電性ローラ１と電気的に接合するとともに機械的に固定してもよいし、通孔２の内径よりも外径の大きいものを通孔２に圧入することで、半導電性ローラ１と電気的に接合するとともに機械的に固定してもよい。
【００７４】
半導電性ローラ１は、例えば外周面４側の外層とシャフト３側の内層の２層構造に形成してもよい。その場合は少なくとも外層を、本発明の構成とすればよい。また半導電性ローラ１は、多孔質構造としてもよい。
ただし、その構造を簡略化してできるだけ生産性良く低コストで製造するとともに、それ自体の耐久性や圧縮永久ひずみ特性等を向上することを考慮すると、半導電性ローラ１は非多孔質でかつ単層構造に形成するのが好ましい。
【００７５】
本発明の半導電性ローラ１は、温度２３±２℃、相対湿度５５±２％の常温常湿環境下で測定される、印加電圧２００Ｖにおけるローラ抵抗値が１０４Ω以上、１０６Ω以下であるのが好ましい。ローラ抵抗値は、非酸化性雰囲気中で外周面４に電子線を照射した後の測定値である。
《ローラ抵抗値の測定方法》
図２は、半導電性ローラ１のローラ抵抗値を測定する方法を説明する図である。
【００７６】
図１、図２を参照して、本発明ではローラ抵抗値を、下記の方法で測定した値でもって表すこととする。
すなわち一定の回転速度で回転させることができるアルミニウムドラム５を用意し、かかるアルミニウムドラム５の外周面６に、その上方から、ローラ抵抗値を測定する半導電性ローラ１の外周面４を接触させる。
【００７７】
また半導電性ローラ１のシャフト３と、アルミニウムドラム５との間に直流電源７および抵抗８を直列に接続して計測回路９を構成する。直流電源７は、(−)側をシャフト３、（＋）側を抵抗８と接続する。抵抗８の抵抗値ｒは１００Ωとする。
次いで、シャフト３の両端部にそれぞれ４５０ｇの荷重Ｆをかけて半導電性ローラ１をアルミニウムドラム５に圧接させた状態で、アルミニウムドラム５を回転数：４０ｒｐｍで回転させながら、両者間に、直流電源７から直流２００Ｖの印加電圧Ｅを印加した際に、抵抗８にかかる検出電圧Ｖを計測する。
【００７８】
検出電圧Ｖと印加電圧Ｅ（＝２００Ｖ）とから、半導電性ローラ１のローラ抵抗値Ｒは、基本的に式(i′)：
Ｒ＝ｒ×Ｅ／（Ｖ−ｒ）      (i′)
によって求められる。ただし式(i′)中の分母中の−ｒの項は微小とみなすことができるため、本発明では式(i)：
Ｒ＝ｒ×Ｅ／Ｖ      (i)
によって求めた値でもって、半導電性ローラ１のローラ抵抗値とすることとする。測定の条件は、先に説明したように温度２３±２℃、相対湿度５５±２％である。
【００７９】
また半導電性ローラ１は、その用途等に応じて任意の硬さ、圧縮永久ひずみを有するように調整できる。かかる硬さ、圧縮永久ひずみ、並びにローラ抵抗値等を調整するためには、例えばゴム分の総量に占めるエピクロルヒドリンゴムの割合を先に説明した範囲内で調整したり、架橋成分としてのチオウレア系架橋剤、トリアジン系架橋剤、および硫黄系架橋成分の種類と量を調整したりすればよい。
【００８０】
本発明の半導電性ローラは、帯電ローラのほか、例えば現像ローラ、転写ローラ、クリーニングローラ等としてレーザープリンタ、静電式複写機、普通紙ファクシミリ装置、あるいはこれらの複合機等の、電子写真法を利用した画像形成装置に用いることができる。
【実施例】
【００８１】
〈実施例１〉
（ゴム組成物の調製）
ゴム分としては、エピクロルヒドリンゴムとしてのＥＣＯ〔ダイソー(株)製のエピクロマー（登録商標）Ｄ、エチレンオキサイド含量：６１モル％〕６０質量部、およびジエン系ゴムとしてのＮＢＲ〔ＪＳＲ(株)製のＪＳＲ  Ｎ２５０  ＳＬ、低ニトリルＮＢＲ、アクリロニトリル含量：２０％〕４０質量部を併用した。
【００８２】
上記ゴム分計１００質量部を、９Ｌニーダを用いて素練りしながらまず導電剤としてのカリウム・ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド〔三菱マテリアル電子化成(株)製のＥＦ−Ｎ１１２〕１質量部、受酸剤としてのハイドロタルサイト類〔協和化学工業(株)製のＤＨＴ−４Ａ（登録商標）−２〕５質量部、および架橋助剤としての酸化亜鉛２種〔三井金属鉱業(株)製〕５質量部を配合して混練した。
【００８３】
次いで混練を続けながら、下記の架橋成分を配合してさらに混練してゴム組成物を調製した。ＥＣＯの配合割合は、ゴム分の総量の６０質量％であった。
【００８４】
【表１】
2016206457.tif 000003
【００８５】
表１中の各成分は下記のとおり。なお表中の質量部は、ゴム分の総量１００質量部あたりの質量部である。
チオウレア系架橋剤：エチレンチオウレア〔２−メルカプトイミダゾリン、川口化学工業(株)製のアクセル（登録商標）２２−Ｓ〕
促進剤ＤＴ：１，３−ジ−ｏ−トリルグアニジン〔グアニジン系促進剤、大内新興化学工業(株)製のノクセラー（登録商標）ＤＴ〕
粉末硫黄：架橋剤〔鶴見化学工業(株)製〕
促進剤ＤＭ：ジ−２−ベンゾチアゾリルジスルフィド〔チアゾール系促進剤、大内新興化学工業(株)製のノクセラーＤＭ〕
促進剤ＴＳ：テトラメチルチウラムモノスルフィド〔チウラム系促進剤、大内新興化学工業(株)製のノクセラーＴＳ〕
（半導電性ローラの製造）
調製したゴム組成物をφ６０の押出成形機に供給して、外径φ１１．０ｍｍ、内径φ５．０ｍｍの筒状に押出成形し、架橋用の仮のシャフトに装着して加硫缶内で１６０℃×３０分間架橋させた。
【００８６】
次いで架橋させた筒状体を、外周面に導電性の熱硬化性接着剤（ポリアミド系）を塗布した外径φ６ｍｍの金属シャフトに装着し直して、オーブン中で１５０℃×６０分間加熱して、当該金属シャフトに接着させて両端をカットし、次いでその外周面を、広幅研磨機を用いて外径がφ９．５ｍｍになるまで乾式研磨したのち、湿式ペーパー研磨機を用いて＃４００のペーパーで湿式研磨した。
【００８７】
そして研磨後の外周面をアルコール拭きしたのち、上記筒状体を、電子線照射装置〔岩崎電気(株)製のＣＢ２５０〕の処理室内にセットし、当該処理室内を窒素パージして非酸化性雰囲気とした状態で、シャフトを中心として９０°ずつ回転させながら、外周面の各９０°ずつの範囲に、加速電圧１５０ｋＶの条件で電子線を３３０ｋＧｙずつ照射して半導電性ローラを製造した。
【００８８】
〈実施例２、３、比較例１、２〉
ＥＣＯとＮＢＲの量を調整して、ＥＣＯの配合割合を、ゴム分の総量の４５質量％（比較例１）、５０質量％（実施例２）、８０質量％（実施例３）、および９０質量％（比較例２）としたこと以外は実施例１と同様にしてゴム組成物を調製し、半導電性ローラを製造した。
【００８９】
〈実施例４〉
導電剤として、リチウム・ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド〔三菱マテリアル電子化成(株)製のＥＦ−Ｎ１１５〕を同量配合したこと以外は実施例１と同様にしてゴム組成物を調製し、半導電性ローラを製造した。
〈実施例５〉
チオウレア系架橋剤および促進剤ＤＴに代えて、ゴム分の総量１００質量部あたり２．０質量部の、トリアジン系架橋剤としての２，４，６−トリメルカプト−ｓ−トリアジン〔川口化学工業(株)製のアクター（登録商標）ＴＳＨ〕を配合したこと以外は実施例１と同様にしてゴム組成物を調製し、半導電性ローラを製造した。
【００９０】
〈比較例３〉
実施例１で作製したのと同じ、電子線照射前の筒状体の外周面をアルコール拭きしたのち、ＵＶ光源から外周面までの距離を５０ｍｍに設定して紫外線照射装機〔セン特殊光源(株)製のＰＬ２１−２００〕にセットし、シャフトを中心として９０°ずつ回転させながら、外周面の各９０°ずつの範囲に波長１８４．９ｎｍと２５３．７ｎｍの紫外線を５分間ずつ照射する操作を、それぞれの範囲で４回ずつ繰り返すことで外周面に酸化膜を形成して、半導電性ローラを完成させた。
【００９１】
〈ローラ抵抗値測定〉
実施例、比較例で製造した半導電性ローラのローラ抵抗値を、温度２３±２℃、相対湿度５５±２％の常温常湿環境下で、先に説明した測定方法によって測定した。なお表２、表３では、ローラ抵抗値をｌｏｇＲ値で表している。
〈実機試験〉
感光体と、当該感光体の表面に常時接触させて配設された帯電ローラとを備え、レーザープリンタ本体に着脱自在とされたフォトコンダクタユニット〔レックスマーク  インターナショナル社製〕の、純正の帯電ローラに代えて、実施例、比較例で製造した半導電性ローラを帯電ローラとして組み込んだ。
【００９２】
そして組み立てたフォトコンダクタユニットを、直後にカラーレーザープリンタ〔レックスマーク  インターナショナル社製のカラーレーザープリンタＣＳ５１０ｄｎ〕に装填し、直ちにハーフトーン画像、ベタ画像を印刷して、初期画像として評価した。
評価は、何らかの画像不良が見られたものを「×」、見られなかったものを「○」とした。
【００９３】
また装填して２０００枚／日の通紙を５日間実施した後にハーフトーン画像、ベタ画像を各５枚ずつ連続印刷した後に、半導電性ローラの外周面を観察して、微小粒子の付着、蓄積の有無を評価した。
評価は、半導電性ローラの外周面の全面が微小粒子の付着によって白化したものを「×」、外周面の一部が僅かでも白化したものを「△」、全く白化していなかったものを「○」とした。
【００９４】
また別に用意した、組み立てた直後のフォトコンダクタユニットを、温度５０℃、相対湿度９０％の高温、高湿環境下で１４日間静置したのち同じカラーレーザープリンタに装填してハーフトーン画像、ベタ画像を各５枚ずつ枚連続印刷する保管試験を実施した。
評価は、連続印刷中に１枚でも白スジの画像不良が見られたものを「×」、連続印刷の全枚数を通して白スジの画像不良が全く見られなかったものを「○」とした。
【００９５】
以上の結果を表２、表３に示す。
【００９６】
【表２】
2016206457.tif 000004
【００９７】
【表３】
2016206457.tif 000005
【００９８】
表２、表３の実施例１〜５、比較例３の結果より、半導電性ローラの外周面を、非酸化性雰囲気中で電子線を照射して改質することにより、従来の、酸化性雰囲気中で紫外線を照射して酸化膜を形成する場合に比べて微小粒子の付着を良好に抑制できることが判った。
ただし、特に実施例１〜３、比較例２の結果より、微小粒子の付着をより一層良好に抑制するとともに、半導電性ローラにゴムとしての良好な特性を付与してヘタリ等を防止するためには、半導電性ローラを形成するゴム組成物中に配合するエピクロルヒドリンゴムの割合を、ゴム分の総量の８０質量％以下とする必要があること、その中でも特に６０質量％以下とするのが好ましいことが判った。
【００９９】
また実施例１〜３、比較例１の結果より、半導電性ローラに良好な半導電性を付与するためには、上記エピクロルヒドリンゴムの割合を、ゴム分の総量の５０質量％以上とする必要があることが判った。
また実施例１、４の結果より、半導電性ゴム組成物にはイオン塩を配合するのが好ましいこと、イオン塩としては、カリウム塩、リチウム塩が好ましいことが判った。
【０１００】
さらに実施例１、５の結果より、エピクロルヒドリンゴムの架橋剤としてはチオウレア系架橋剤＋促進剤に代えてトリアジン系架橋剤を使用しても、同等の効果が得られることが判った。
【符号の説明】
【０１０１】
１     半導電性ローラ
２     通孔
３     シャフト
４     外周面
５     アルミニウムドラム
６     外周面
７     直流電源
８     抵抗
９     計測回路
Ｆ     荷重
Ｖ     検出電圧
【図１】
2016206457.tif 000006
【図２】
2016206457.tif 000007