(57)【要約】【課題】半導体基板の表面親水化に際して濃硝酸を使用することを要しない不純物拡散層の形成方法を提供する。【解決手段】本発明に係る不純物拡散層の形成方法は、半導体基板の少なくとも一方の主表面にテクスチャ構造を形成するテクスチャ構造形成工程と、上記テクスチャ構造が形成された上記主表面を、界面活性剤を含有する溶液で処理する主表面処理工程と、上記溶液で処理した上記主表面に、不純物拡散成分と溶剤とを含有する拡散剤組成物を塗布する塗布工程と、上記主表面に塗布した上記拡散剤組成物中の上記不純物拡散成分を上記半導体基板に拡散させる拡散工程と、を含む。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の少なくとも一方の主表面にテクスチャ構造を形成するテクスチャ構造形成工程と、
前記テクスチャ構造が形成された前記主表面を、界面活性剤を含有する溶液で処理する主表面処理工程と、
前記溶液で処理した前記主表面に、不純物拡散成分と溶剤とを含有する拡散剤組成物を塗布する塗布工程と、
前記主表面に塗布した前記拡散剤組成物中の前記不純物拡散成分を前記半導体基板に拡散させる拡散工程と、を含む、不純物拡散層の形成方法。
【請求項２】
前記半導体基板が太陽電池に用いられる、請求項１に記載の不純物拡散層の形成方法。
【請求項３】
前記不純物拡散成分がリン含有化合物である請求項１又は２に記載の不純物拡散層の形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、不純物拡散層の形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、太陽電池の製造において、半導体基板中に、例えばｎ型の不純物拡散層を形成する場合には、ｎ型の不純物拡散成分を含む拡散剤を半導体基板表面に塗布された拡散剤からｎ型の不純物拡散成分を拡散させて、ｎ型不純物拡散層を形成していた。具体的には、まず、半導体基板表面に熱酸化膜を形成し、続いてフォトリソグラフィ法により所定のパターンを有するレジストを熱酸化膜上に積層し、当該レジストをマスクとして酸又はアルカリによりレジストでマスクされていない熱酸化膜部分をエッチングし、レジストを剥離して熱酸化膜のマスクを形成する。そしてｎ型の不純物拡散成分を含む拡散剤組成物を塗布して、マスクが開口している部分に拡散剤組成物の膜が形成される。その部分を高温に加熱することで不純物拡散成分を拡散させて、ｎ型不純物拡散層を形成している（特許文献１〜３）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００１−０７１４８９号公報
【特許文献２】特開２００２−０７５８９２号公報
【特許文献３】特表２００８−５４３０９７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１〜３等に記載の従来の不純物拡散層の形成方法には、以下のような問題がある。半導体基板上に拡散剤組成物を塗布する前には、上記半導体基板の表面親水化が行われる。従来、上記表面親水化は、濃硝酸（例えば、市販の６７質量％硝酸原液）に半導体基板を浸漬することにより行われている。よって、従来の不純物拡散層形成方法では、濃硝酸を使用していることから、コスト削減や省資源化が図りにくく、安全性を確保しにくい。
【０００５】
本発明は上記の課題に鑑みてなされたものであり、半導体基板の表面親水化に際して濃硝酸を使用することを要しない不純物拡散層の形成方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者らは、濃硝酸に代えて、界面活性剤を含有する溶液を用いることにより上記の課題を解決できることを見出し、本発明を完成するに至った。
【０００７】
本発明の態様は、半導体基板の少なくとも一方の主表面にテクスチャ構造を形成するテクスチャ構造形成工程と、上記テクスチャ構造が形成された上記主表面を、界面活性剤を含有する溶液で処理する主表面処理工程と、上記溶液で処理した上記主表面に、不純物拡散成分と溶剤とを含有する拡散剤組成物を塗布する塗布工程と、上記主表面に塗布した上記拡散剤組成物中の上記不純物拡散成分を上記半導体基板に拡散させる拡散工程と、を含む、不純物拡散層の形成方法である。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、半導体基板の表面親水化に際して濃硝酸を使用することを要しない不純物拡散層の形成方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】図１（ａ）〜（ｅ）は、不純物拡散層の形成方法を含む太陽電池の製造方法に関する各工程での基板の断面を示す図である。
【図２】図２（ａ）〜（ｄ）は、不純物拡散層の形成方法を含む太陽電池の製造方法に関する各工程での基板の断面を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
≪不純物拡散層の形成方法、及び太陽電池の製造方法≫
本発明に係る不純物拡散層の形成方法は、半導体基板の少なくとも一方の主表面にテクスチャ構造を形成するテクスチャ構造形成工程と、上記テクスチャ構造が形成された上記主表面を、界面活性剤を含有する溶液で処理する主表面処理工程と、上記溶液で処理した上記主表面に、不純物拡散成分と溶剤とを含有する拡散剤組成物を塗布する塗布工程と、上記主表面に塗布した上記拡散剤組成物中の上記不純物拡散成分を上記半導体基板に拡散させる拡散工程と、を含む。本発明に係る不純物拡散層の形成方法では、テクスチャ構造が形成された、半導体基板の少なくとも一方の主表面を、濃硝酸を用いずに親水化することができる。また、本発明に係る不純物拡散層の形成方法では、主表面処理工程において濃硝酸を用いる従来の方法と同等又はそれ以上に、基板内に均一に不純物拡散成分を拡散させることができる。
【００１１】
以下、図１（ａ）〜図１（ｄ）、及び図２（ａ）〜図２（ｄ）を参照して、本発明に係る不純物拡散層の形成方法と、これにより不純物拡散層が形成された半導体基板を備えた太陽電池の製造方法について説明する。
【００１２】
図１（ａ）〜図１（ｄ）、及び図２（ａ）〜図２（ｄ）は、不純物拡散層の形成方法を含む太陽電池の製造方法における各工程での、半導体基板の断面を示す図である。
【００１３】
まず、図１（ａ）に示すように、ｐ型のシリコン基板等の半導体基板１を用意する。そして、図１（ｂ）に示すように、周知のウェットエッチング法を用いて、半導体基板１の一方の主表面に、微細な凹凸を有するテクスチャ構造１ａを形成する（テクスチャ構造形成工程）。このテクスチャ構造１ａによって、半導体基板１表面の光の反射が防止される。なお、図１（ｂ）は半導体基板１の一方の主表面にテクスチャ構造１ａを形成する場合を示すが、半導体基板１の両方の主表面にテクスチャ構造１ａを形成してもよい。
【００１４】
続いて、図１（ｃ）に示すように、半導体基板１のテクスチャ構造１ａ側の主表面を、界面活性剤を含有する溶液１０で処理する（主表面処理工程）。これにより、濃硝酸を用いなくても、半導体基板１のテクスチャ構造１ａ側の主表面は親水化され、次工程で塗布される拡散剤組成物２が半導体基板１のテクスチャ構造１ａ側の主表面上で弾かれることが抑止されやすくなる。また、濃硝酸を用いなくても、濃硝酸を用いる従来の方法と同等又はそれ以上に、拡散工程において、基板内に均一に不純物拡散成分を拡散させることができる。
【００１５】
半導体基板１のテクスチャ構造１ａ側の主表面を、界面活性剤を含有する溶液１０で処理する方法としては、特に限定されず、例えば、界面活性剤を含有する溶液１０に半導体基板１を浸漬する方法が挙げられる。
【００１６】
界面活性剤としては、基板を親水化する効果を示すものならば、特に限定されることなく、公知のものを使用することができる。例えば、シリコーン系界面活性剤、アニオン界面活性剤、カチオン界面活性剤、両性界面活性剤、ノニオン界面活性剤、フッ素系界面活性剤等が挙げられるが、これらに限定されない。中でも、シリコーン系界面活性剤が好ましい。
【００１７】
界面活性剤を含有する溶液１０中の界面活性剤の含有量としては、特に限定されず、界面活性剤を含有する溶液１０の全質量に対して、０．１〜５質量％であることが好ましく、０．３〜２質量％であることがより好ましい。界面活性剤の含有量が上記の範囲内であると、半導体基板１のテクスチャ構造１ａ側の主表面がより親水化されやすく、また、上記主平面上に残存する界面活性剤の量をより効果的に低減することができる。
【００１８】
界面活性剤を含有する溶液１０中の溶剤としては、有機溶剤、水、及びこれらの組み合わせが挙げられ、水が好ましい。有機溶剤としては、拡散剤組成物２に含まれる溶剤に関する後述の説明中で例示したものが挙げられる。
【００１９】
主表面処理工程後には、半導体基板１を水洗してもよく、更に、エアブロー等の公知の方法で半導体基板１を乾燥させてもよい。
【００２０】
続いて、図１（ｄ）に示すように、界面活性剤を含有する溶液１０で処理した上記主表面に、不純物拡散成分（Ａ）と溶剤（Ｓ）とを含有する拡散剤組成物２を塗布する（塗布工程）。このようにして不純物拡散剤層を形成した後、オーブン等の周知の手段を用いて塗布した拡散剤組成物２を乾燥させる。上記主表面に拡散剤組成物２を塗布する方法としては、特に限定されず、例えば、スプレー塗布法；スピン塗布法；インクジェット印刷法、ロールコート印刷法、スクリーン印刷法、凸版印刷法、凹版印刷法、オフセット印刷法等の印刷法等が挙げられ、コストを抑えられる点、コーター等の装置を導入する必要がない点、大面積への塗布がしやすい点等から、スプレー塗布法が好ましい。以下、スプレー塗布法により上記主表面に拡散剤組成物２を塗布する方法について、詳細に説明する。
【００２１】
拡散剤組成物２のスプレー塗布は、例えば、半導体基板１の上方に設置した噴霧器（図示せず）から拡散剤組成物２を液滴状にして噴霧することによって行なうことができる。拡散剤組成物２の噴霧は、室温で行っても加熱下で行ってもよい。拡散剤組成物２の噴霧を加熱下で行う場合、加熱温度としては、例えば、６０〜１２０℃が挙げられる。
【００２２】
噴霧時における拡散剤組成物２の液滴サイズは５μｍ以下であることが好ましい。この場合には、噴霧された拡散剤組成物２が半導体基板１の表面上で弾かれるのを更に有効に抑止することができる傾向にある。ここで、噴霧時における拡散剤組成物２の液滴サイズは、噴霧直後の拡散剤組成物２の液滴サイズを意味しており、拡散剤組成物２の液滴の外表面に存在する任意の２点を結ぶ直線のうち最も長い直線の長さを液滴サイズと定義する。
【００２３】
噴霧された拡散剤組成物２が半導体基板１の表面上で弾かれるのを有効に抑止するためには、上記の液滴サイズが５μｍ以下の拡散剤組成物２の液滴の個数は、噴霧される拡散剤組成物２の全液滴の個数の５０％以上を占めることが好ましい。
【００２４】
上記噴霧器と半導体基板１の表面との最短距離は、拡散剤組成物２を構成する溶剤の蒸発効果をもたらし、拡散剤組成物２の噴霧を効果的に行なう観点から、１８０ｍｍ程度とすることが好ましい。
【００２５】
＜不純物拡散成分（Ａ）＞
不純物拡散成分（Ａ）としては、不純物拡散成分としての所望の性質を備えるものであれば特に限定されず、ｎ型不純物拡散成分及びｐ型不純物拡散成分のいずれであってもよく、低分子化合物であっても高分子化合物であってもよい。不純物拡散成分（Ａ）は単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。ｎ型不純物拡散成分としては、例えば、リン含有化合物、ヒ素含有化合物、アンチモン含有化合物等が挙げられる。ｐ型不純物拡散成分としては、例えば、ホウ素含有化合物、アルミニウム含有化合物、ガリウム含有化合物、インジウム含有化合物等が挙げられる。本発明において、不純物拡散成分（Ａ）は、界面活性剤を含有する溶液による処理で親水化された半導体基板主平面に塗布される。そのため、不純物拡散成分（Ａ）は、親水性に優れることが望まれる。リン含有化合物は水に溶けやすく、親水性に優れる傾向にあることから、不純物拡散成分（Ａ）は、リン含有化合物であることが好ましい。以下、リン含有化合物について詳述する。
【００２６】
リン含有化合物の好適な例としては、リン酸、Ｐ２Ｏ５、リン酸エステル等が挙げられる。リン酸エステルの好適な具体例としては、リン酸モノメチル、リン酸ジメチル、リン酸モノエチル、リン酸ジエチル、リン酸トリエチル、リン酸モノプロピル、リン酸ジプロピル、リン酸モノブチル、リン酸ジブチル、リン酸トリブチル等が挙げられる。
【００２７】
また、リン含有化合物としては、炭素原子数５〜２０のアルキル基を含むリン酸モノアルキルエステル及びリン酸ジアルキルエステルも好ましい。炭素原子数５〜２０のアルキル基を含むリン酸エステル類を用いることにより、拡散剤組成物２を塗布した半導体基板１を乾燥炉で乾燥したときに、炉内にリン化合物を大量に含む堆積物が生じにくい。
【００２８】
炭素原子数５〜２０のアルキル基を含むリン酸モノアルキルエステル及びリン酸ジアルキルエステルの具体例としては、リン酸モノペンチル、リン酸ジペンチル、リン酸モノヘキシル、リン酸ジヘキシル、リン酸モノヘキシル、リン酸ジヘキシル、リン酸モノオクチル、リン酸ジオクチル、リン酸モノエチルヘキシル、リン酸ジエチルヘキシル、リン酸トリデシル、及びリン酸イソトリデシル等が挙げられる。
【００２９】
拡散剤組成物２中の不純物拡散成分（Ａ）の含有量は、拡散剤組成物２の塗布方法に応じて適宜変更すればよく、拡散剤組成物２の全質量に対して、０．５〜５０質量％であることが好ましく、１〜３０質量％であることがより好ましい。
【００３０】
＜溶剤（Ｓ）＞
拡散剤組成物２は、溶剤（Ｓ）を含む。溶剤（Ｓ）としては、有機溶剤、水、及びこれらの組み合わせが挙げられる。有機溶剤としては、極性有機溶剤が好ましい。極性有機溶剤としては、化学分野の当業者に、一般的に、極性有機溶剤として認識されているものであれば特に限定されない。溶剤（Ｓ）としては、極性有機溶剤と水との組み合わせが好ましい。
【００３１】
有機溶剤の具体例としては、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールジプロピルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールモノプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノフェニルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、及びトリプロピレングリコールモノメチルエーテル等のモノ又はジアルキルエーテル系グリコール類；エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、２−メトキシブチルアセテート、３−メトキシブチルアセテート、４−メトキシブチルアセテート、２−メチル−３−メトキシブチルアセテート、２−エトキシブチルアセテート、４−エトキシブチルアセテート、及び４−プロポキシブチルアセテート等のエーテル系エステル類；ジエチルケトン、メチルイソブチルケトン、エチルイソブチルケトン、及びシクロヘキサノン等のケトン類；プロピオン酸プロピル、プロピオン酸イソプロピル、メチル−３−メトキシプロピオネート、エチル−３−メトキシプロピオネート、エチル−３−エトキシプロピオネート、エチル−３−プロポキシプロピオネート、プロピル−３−メトキシプロピオネート、及びイソプロピル−３−メトキシプロピオネート等のプロピオン酸エステル類；酢酸ブチル、酢酸イソアミル、アセト酢酸メチル、乳酸メチル、及び乳酸エチル等のエステル類；ベンジルメチルエーテル、ベンジルエチルエーテル、ベンゼン、トルエン、キシレン、ベンジルアルコール、及び２−フェノキシエタノール等の芳香族類；メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、ブタノール、イソブタノール、２−メトキシエタノール、２−エトキシエタノール、３−メチル−３−メトキシブタノール、ヘキサノール、及びシクロヘキサノール等のアルコール類；ガンマブチロラクトン等の環状エステル類；エチレングリコール、プロピレングリコール、ジエチレングリコール、及びジプロピレングリコール等のグリコール類等の極性有機溶剤が挙げられる。中でも、有機溶剤は、アルコール類であることが好ましく、エタノールであることがより好ましい。有機溶剤は単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００３２】
拡散剤組成物２中の溶剤（Ｓ）の含有量は、拡散剤組成物２の塗布方法に応じて適宜変更すればよく、拡散剤組成物２の全質量に対して、５０〜９９．５質量％であることが好ましく、７０〜９９質量％がより好ましい。また、溶剤（Ｓ）が有機溶剤と水との組み合わせである場合、有機溶剤と水との混合比（質量比）は、９９．９：０．１〜５０：５０であることが好ましく、９９．７：０．３〜７０：３０であることがより好ましい。
【００３３】
＜その他の成分＞
拡散剤組成物２は、前述の成分以外のその他の成分として、界面活性剤；有機バインダー樹脂；ＳｉＯ２微粒子；チタン化合物、ジルコニウム化合物等の金属化合物；シロキサンポリマー等を更に含んでよい。界面活性剤成分としては、従来公知のものを用いることができ、シリコーン系界面活性剤が好ましい。拡散剤組成物２に界面活性剤を配合することで、拡散剤組成物２の塗布性、平坦化性、及び展開性を向上させやすく、塗布後に形成される拡散剤組成物層の塗りムラを発生しにくくすることができる。ただし、拡散剤組成物２中のシリコーン系界面活性剤は、特に、拡散剤組成物２中の不純物拡散成分がリン含有化合物である場合、当該不純物拡散成分により劣化しやすく、シリコーン系界面活性剤を用いることによる効果は、経時で悪くなりやすい。また、拡散剤組成物２中の、シリコーン系界面活性剤以外の界面活性剤は、残渣として半導体基板１上に残りやすい。
【００３４】
次に、図１（ｅ）に示すように、拡散剤組成物２が塗布された半導体基板１を電気炉内に載置して焼成する。焼成の後、電気炉内で拡散剤組成物２中の上記不純物拡散成分を半導体基板１の表面から半導体基板１内に拡散（熱拡散）させる（拡散工程）。拡散工程における拡散温度は、例えば、８００〜１０００℃の範囲内である。なお、電気炉に代えて、レーザー照射のような慣用される方法により半導体基板１を加熱してもよい。このようにして、上記不純物拡散成分が半導体基板１内に拡散して不純物拡散層３が形成される。例えば、不純物拡散成分がｎ型不純物拡散成分である場合、不純物拡散層３はｎ型不純物拡散層である。
【００３５】
次に、図２（ａ）に示すように、周知のエッチング法により、不要な酸化膜を除去する。そして、図２（ｂ）に示すように、周知の化学気相成長法（ＣＶＤ法）、例えばプラズマＣＶＤ法を用いて、半導体基板１のテクスチャ構造１ａ側の主表面に、シリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）からなるパッシベーション膜４を形成する。このパッシベーション膜４は、反射防止膜としても機能する。
【００３６】
次に、図２（ｃ）に示すように、例えば銀（Ａｇ）ペーストをスクリーン印刷することにより、半導体基板１のパッシベーション膜４側の主表面に表面電極５をパターニングする。表面電極５は、太陽電池の効率が高まるようにパターン形成される。また、例えばアルミニウム（Ａｌ）ペーストをスクリーン印刷することにより、半導体基板１の他方の主表面に裏面電極６を形成する。
【００３７】
次に、図２（ｄ）に示すように、裏面電極６が形成された半導体基板１を電気炉内に載置して焼成した後、裏面電極６を形成しているアルミニウムを半導体基板１内に拡散させる。これにより、裏面電極６側の電気抵抗を低減することができる。以上の工程により、太陽電池１０を製造することができる。
【００３８】
本発明は、以上説明した実施形態に限定されるものではなく、当業者の知識に基づいて各種の設計変更等の変形を加えることも可能であり、そのような変形が加えられた実施形態も本発明の範囲に含まれるものである。上述の実施の形態と以下の変形例との組み合わせによって生じる新たな実施の形態は、組み合わされる実施の形態及び変形例それぞれの効果をあわせもつ。
【実施例】
【００３９】
以下、実施例により本発明を更に具体的に説明するが、本発明は、以下の実施例に限定されるものではない。
【００４０】
〔実施例１〕
（Ｓｉ基板の表面処理）
シリコーン系界面活性剤（商品名：ポリフローＫＬ−４０１、共栄社化学（株）製）の０．５質量％水溶液にｐ型Ｓｉ基板を３０秒間浸漬し、次いで、１分間水洗した後、エアブローにより乾燥させた。
【００４１】
（拡散剤組成物の調製）
リン酸とエタノールと水とを混合して、リン酸３．０質量％とエタノール９６．５質量％と水０．５質量％とを含有する拡散剤組成物を得た。
【００４２】
（シート抵抗値の測定方法）
スピンコーター（Ｏｐｔｉｃｏａｔ  ＭＳ−Ａ１５０、ミカサ（株）製）を用いて、回転数１０００ｒｐｍ及び回転時間２０秒の条件で、上記ｐ型Ｓｉ基板上に上記拡散剤組成物をスピン塗布した後、２００℃で３分間、上記拡散剤組成物を乾燥させた。
次いで、酸素雰囲気下において、６００℃で３０分、有機成分を除去する焼成処理を行った。焼成処理と、窒素／酸素の混合ガス雰囲気下（体積比：窒素／酸素＝８／２）において、９００℃で３０分、不純物拡散成分の拡散処理を行った。
拡散処理後、ｐ型Ｓｉ基板を、濃度５質量％のフッ化水素酸水溶液中に室温で１５分間浸漬して、基板表面に形成された拡散剤組成物に由来する膜を剥離させた。
膜の剥離処理後、シート抵抗測定器（ＶＲ−７０：国際電気株式会社製）を用いて四探針法によりｐ型Ｓｉ基板の不純物拡散成分の拡散処理が施された面のシート抵抗値（最小値、最大値、平均値）と、下記式で定義されるシート抵抗値の均一性とを求めた。シート抵抗値の平均値とシート抵抗値の均一性とを表１に記す。
【００４３】
シート抵抗値の均一性（％）＝（シート抵抗値の最大値−シート抵抗値の最小値）／（シート抵抗値の最大値＋シート抵抗値の最小値）×１００
【００４４】
〔比較例１〕
（Ｓｉ基板の表面処理）
６７質量％の濃硝酸にｐ型Ｓｉ基板を１分間浸漬し、次いで、１分間水洗した後、エアブローにより乾燥させた。
【００４５】
（拡散剤組成物の調製）
リン酸とエタノールと水とを混合して、リン酸３．０質量％とエタノール４８．５質量％と水４８．５質量％とを含有する拡散剤組成物を得た。
【００４６】
（シート抵抗値の測定方法）
実施例１と同様にして、上記ｐ型Ｓｉ基板上に上記拡散剤組成物をスピン塗布した。
次いで、実施例１と同様にして、不純物拡散成分の拡散処理と、基板表面に形成された拡散剤組成物に由来する膜の剥離とを行い、シート抵抗値の平均値とシート抵抗値の均一性とを求めた。シート抵抗値の平均値とシート抵抗値の均一性とを表１に記す。
【００４７】
【表１】
2016086092.tif 000003
【００４８】
実施例１では、シリコーン系界面活性剤の水溶液でＳｉ基板を表面処理したのに対し、比較例１では、濃硝酸でＳｉ基板を表面処理した。表１に示す通り、シート抵抗値の平均値及びシート抵抗値の均一性は、実施例１と比較例１との間で、同等であった。つまり、本発明に係る不純物拡散層の形成方法では、主表面処理工程において濃硝酸を用いる従来の方法と同等に、基板内に均一に不純物拡散成分を拡散させることができることが確認された。
【符号の説明】
【００４９】
１    半導体基板
１ａ  テクスチャ構造
２    拡散剤組成物
３    不純物拡散層
４    パッシベーション膜
５    表面電極
６    裏面電極
１０    界面活性剤を含有する溶液
１００    太陽電池
【図１】
2016086092.tif 000004
【図２】
2016086092.tif 000005