(57)【要約】【課題】従来技術とは逆のパッケージ流れにより製造し、従来のワイヤボンディングを必要としない発光ダイオードのパッケージ方法及びそのパッケージ構造を提供する。【解決手段】パッケージ方法は、（Ａ）高透明度を有する透明基板を提供する工程と、（Ｂ）光出射面と、少なくとも２つの電極とを有する光電子半導体チップを前記透明基板の一表面に設け、前記光電子半導体チップが放射する光線は、前記透明基板から出射される工程と、（Ｃ）前記少なくとも２つの電極と、前記光電子半導体チップと、前記透明基板とを部分的に覆うように、絶縁層を前記透明基板に形成する工程と、（Ｄ）少なくとも２つの金属配線部を前記少なくとも２つの電極の上に別々に形成し、かつ前記少なくとも２つの金属配線部をそれぞれ前記少なくとも２つの電極と電気的に接続する工程と、を含む。【選択図】図２
2016143881.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基板と、光電子半導体チップと、絶縁層と、少なくとも２つの金属配線部とを含む発光ダイオードのパッケージ構造であって、
前記光電子半導体チップは、光出射面と、少なくとも２つの電極とを有し、前記少なくとも２つの電極は、前記光電子半導体チップが前記透明基板と隣接する表面と対向する表面に形成され、前記光出射面は、光電子半導体チップが透明基板と隣接する前記表面に配置され、
前記絶縁層は、前記少なくとも２つの電極と、前記光電子半導体チップと、前記透明基板とを部分的に覆うように、前記透明基板上に形成され、
前記少なくとも２つの金属配線部は、別々に前記少なくとも２つの電極の上に形成され、それぞれ前記少なくとも２つの電極と電気的に接続され、
前記光電子半導体チップが放射する光線は、前記透明基板から出射されることを特徴とする発光ダイオードのパッケージ構造。
【請求項２】
前記透明基板は、ガラスにより製造されることを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオードのパッケージ構造。
【請求項３】
前記透明基板は、長立方体であり、前記光電子半導体チップから出射する光線の放射角を修正することを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオードのパッケージ構造。 
【請求項４】
前記透明基板は、台形立方体であり、前記光電子半導体チップから出射する光線の放射角を修正することを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオードのパッケージ構造。 
【請求項５】
前記透明基板は、曲面立方体であり、前記光電子半導体チップから出射する光線の放射角を修正することを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオードのパッケージ構造。
【請求項６】
さらに、隔離体構造を有し、
前記隔離体構造は、前記光電子半導体チップを囲むように、前記絶縁層の外に形成されることを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオードのパッケージ構造。
【請求項７】
前記透明基板は、長立方体であり、前記光電子半導体チップから出射する光線の放射角を修正することを特徴とする請求項６に記載の発光ダイオードのパッケージ構造。 
【請求項８】
前記透明基板は、台形立方体であり、前記光電子半導体チップから出射する光線の放射角を修正することを特徴とする請求項６に記載の発光ダイオードのパッケージ構造。 
【請求項９】
前記透明基板は、曲面立方体であり、前記光電子半導体チップから出射する光線の放射角を修正することを特徴とする請求項６に記載の発光ダイオードのパッケージ構造。
【請求項１０】
前記隔離体構造は、印刷、ディスペンス、またはリソグラフィにより、前記透明基板に配置されることを特徴とする請求項６に記載の発光ダイオードのパッケージ構造。
【請求項１１】
（Ａ）高透明度を有する透明基板を提供する工程と、 
（Ｂ）光電子半導体チップを前記透明基板の一表面に設け、前記光電子半導体チップは、光出射面と、少なくとも２つの電極とを有し、前記少なくとも２つの電極は、前記光電子半導体チップが前記透明基板と隣接する表面と対向する表面に形成され、前記光出射面は、光電子半導体チップが透明基板と隣接する前記表面に配置され、前記光電子半導体チップが放射する光線は、前記透明基板から出射される工程と、
（Ｃ）前記少なくとも２つの電極と、前記光電子半導体チップと、前記透明基板とを部分的に覆うように、絶縁層を前記透明基板に形成する工程と、
（Ｄ）少なくとも２つの金属配線部を前記少なくとも２つの電極の上に別々に形成し、かつ前記少なくとも２つの金属配線部をそれぞれ前記少なくとも２つの電極と電気的に接続する工程と、を含む発光ダイオードのパッケージ方法。 
【請求項１２】
前記透明基板は、ガラスにより製造されることを特徴とする請求項１１に記載の発光ダイオードのパッケージ方法。 
【請求項１３】
工程（Ｂ）の後に、さらに、前記光電子半導体チップを囲むように、前記透明基板上に隔離体構造を形成する工程を含むことを特徴とする請求項１１に記載の発光ダイオードのパッケージ方法。 
【請求項１４】
前記隔離体構造を、印刷、ディスペンス、またはリソグラフィにより、前記透明基板に配置することを特徴とする請求項１３に記載の発光ダイオードのパッケージ方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光ダイオードのパッケージ構造及びパッケージ方法に関し、特に従来技術とは逆のパッケージ流れにより製造し、従来のワイヤボンディングを必要としないパッケージ方法及びそのパッケージ構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
発光ダイオード（ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅ, ＬＥＤ）は、発光できる半導体装置であり、省エネルギー、節電、高効率、高速応答性、長寿命、水銀フリー、環境にやさしい等の利点を有する。そのため、ＬＥＤは、近年、照明に広く応用されている。一般的に、ＬＥＤのパッケージは、ＬＥＤチップを保護するだけでなく、高透明度の材料によるパッケージ構造及び方法が必要となるなどの条件を満たさなければならない。
【０００３】
従来のパッケージ技術では、ＬＥＤチップ及び電極をパターン化された不透明基材に載せ、金属ワイヤによりＬＥＤチップと電極とを電気的に接続した後、透明材料でチップ全体と、金属ワイヤと、不透明基材とを覆い、固化させることにより、パッケージを完成させる。パッケージとしては、光線が出射できると共にレンズとして機能するように、透明材料を使用しなければならない。どのため、高い放熱効果を持つ不透明の金属材料を使用することができない。従って、ＬＥＤチップの放熱は、パターン化された不透明基材により行わなければならない。しかし、従来技術では、パターン化された不透明基材として、一般的にエポキシ樹脂成形材料（ｅｐｏｘｙ ｍｏｌｄｉｎｇ ｃｏｍｐｏｕｎｄ）又は酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）等の非金属材料を使用するため、基材とパッケージ材料層とで覆われるＬＥＤチップは、効率的に放熱することができない。また、金属ワイヤがパッケージ材料内に配置されるため、パッケージ材料の熱膨張、収縮により、金属ワイヤが断線又は変位し、接触不良等の問題を起こしてしまう可能性がある。
【０００４】
図６Ａ及び６Ｂは、従来のパッケージ方法により製造される２種の構造を示す概略図である。図６Ａ及び６Ｂに示す両者は、隔離体構造の有無と透明材料が固化後に形成されるパッケージ材料層の形状のみに違いがある。
【０００５】
図６Ａに示すように、パターン化された不透明基材１１１は、電極１１２と、ＬＥＤダイ１１３と、金属ワイヤ１１４とを有する。パターン化された不透明基材１１１の上にある、電極１１２と、ＬＥＤダイ１１３と、金属ワイヤ１１４とを含む空間に、透明パッケージ層の材料を充填するため、ＬＥＤダイ１１３を囲むように支持体１１５をパターン化された不透明基材１１１の上に形成する。次に、形成された空間に透明パッケージ層の材料を充填し、固化させることにより、透明パッケージ層１１６を有するパッケージを完成する。しかし、上記構造は、上述した問題の他に、下記のように、パッケージの寸法が制限されるという問題もある。すなわち、支持体１１５は、ＬＥＤダイ１１３よりも高くなければ透明パッケージ層材料でＬＥＤダイ１１３を覆い、レンズとして、また保護機能を持たせることができない。また、支持体１１５は、金属ワイヤ１１４よりも高くなければ、金属ワイヤ１１４を保護することができない。
【０００６】
また、図６Ｂに示すように、パターン化された不透明基材１２１には、電極１２２と、ＬＥＤチップ１２３と、金属ワイヤ１２４とが設けられ、かつ円弧状の透明パッケージ層１２６が成形（ｍｏｌｄｉｎｇ）される。この構造は、支持体を形成する構造と比べ、コストを下げることができるだけでなく、透明パッケージ層１２６の円弧状構造により光線の出射角度を調整することができる。しかし、この構造でも、上述同様のＬＥＤチップの放熱効果が悪い、金属ワイヤの断裂、変位、又は接触不良等の問題を避けることができない。さらに、透明パッケージ層１２６によりＬＥＤチップ１２３及び金属ワイヤ１２３を完全に覆う必要があると共に、必要な光線出射角度に基づいて十分な弧度を形成しなければならないため、パッケージ寸法がさらに制限されることを回避しがたい。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、技術の進歩に伴い、製品の品質及び安定性以外にも、軽薄短小というトレンドに対応し、上記問題を解決することにより、製品の品質及び安定性を向上させると共に、パッケージ寸法を縮小させることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、発光ダイオードのパッケージ方法を提供する。本発明に係るパッケージ方法は、従来技術と逆のパッケージ流れにより製造し、かつ従来のワイヤボンディング工程（Ｇｏｌｄ Ｗｉｒｅ Ｂｏｎｄｉｎｇ Ｐｒｏｃｅｓｓｅｓ）を必要としない。これにより、従来技術での金属ワイヤの断裂、変位、接触不良、又はパッケージの体積が大きい、ワイヤのコストが掛かる、製造工程が複雑であるという問題を避けることができる。
【０００９】
また、本発明は、発光ダイオードのパッケージ構造を提供する。本発明に係るパッケージ構造は、従来技術の基材を必要とせず、代わりに、透明基板を用いる。前記透明基板は、直接に担体として機能し、かつ透明であるため、パッケージ完成後にはレンズとしても機能する。また、ガラスを光の伝送媒体とするため、従来の固化されたシリカゲル又はエポキシ樹脂よりも透過率が高い。さらに、本発明に係るパッケージ構造は、従来技術の金属ワイヤを有せず、金属ワイヤの断裂等の問題を有さないため、品質が安定する。 
【００１０】
本発明に係る発光ダイオードのパッケージ構造は、透明基板と、光電子半導体チップと、絶縁層と、少なくとも２つの金属配線部とを含む発光ダイオードのパッケージ構造であって、前記光電子半導体チップは、光出射面と、少なくとも２つの電極とを有し、前記少なくとも２つの電極は、前記光電子半導体チップが前記透明基板と隣接する表面と対向する表面に形成され、前記光出射面は、光電子半導体チップが透明基板と隣接する前記表面に配置され、前記絶縁層は、前記少なくとも２つの電極と、前記光電子半導体チップと、前記透明基板とを部分的に覆うように、前記透明基板上に形成され、前記少なくとも２つの金属配線部は、別々に前記少なくとも２つの電極の上に形成され、それぞれ前記少なくとも２つの電極と電気的に接続され、前記光電子半導体チップが放射する光線は、前記透明基板から出射される。
【００１１】
本発明に係る発光ダイオードのパッケージ方法は、（Ａ）高透明度を有する透明基板を提供する工程と、（Ｂ）光電子半導体チップを前記透明基板の一表面に設け、前記光電子半導体チップは、光出射面と、少なくとも２つの電極とを有し、前記少なくとも２つの電極は、前記光電子半導体チップが前記透明基板と隣接する表面と対向する表面に形成され、前記光出射面は、光電子半導体チップが透明基板と隣接する前記表面に配置され、前記光電子半導体チップが放射する光線は、前記透明基板から出射される工程と、（Ｃ）前記少なくとも２つの電極と、前記光電子半導体チップと、前記透明基板とを部分的に覆うように、絶縁層を前記透明基板に形成する工程と、（Ｄ）少なくとも２つの金属配線部を前記少なくとも２つの電極の上に別々に形成し、かつ前記少なくとも２つの金属配線部をそれぞれ前記少なくとも２つの電極と電気的に接続する工程と、を含む。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】図１は、本発明に係る発光ダイオードのパッケージ方法を示すフローチャートである。
【図２】図２は、本発明に係る発光ダイオードのパッケージの構造を示す図である。
【図３Ａ】図３Ａは、本発明に係る発光ダイオードのパッケージ方法のそれぞれの工程に対応する構造を示す概略図である。
【図３Ｂ】図３Ｂは、本発明に係る発光ダイオードのパッケージ方法のそれぞれの工程に対応する構造を示す概略図である。
【図３Ｃ−１】図３Ｃ−１は、本発明に係る発光ダイオードのパッケージ方法のそれぞれの工程に対応する構造を示す概略図である。
【図３Ｃ−２】図３Ｃ−２は、本発明に係る発光ダイオードのパッケージ方法のそれぞれの工程に対応する構造を示す概略図である。
【図３Ｄ】図３Ｄは、本発明に係る発光ダイオードのパッケージ方法のそれぞれの工程に対応する構造を示す概略図である。
【図３Ｄ（ａ）】図３Ｄ（ａ）は、本発明に係る発光ダイオードのパッケージ方法のそれぞれの工程に対応する構造を示す概略図である。
【図３Ｅ】図３Ｅは、本発明に係る発光ダイオードのパッケージ方法のそれぞれの工程に対応する構造を示す概略図である。
【図３Ｆ】図３Ｆは、本発明に係る発光ダイオードのパッケージ方法のそれぞれの工程に対応する構造を示す概略図である。
【図３Ｆ（ａ）】図３Ｆ（ａ）は、本発明に係る発光ダイオードのパッケージ方法のそれぞれの工程に対応する構造を示す概略図である。
【図３Ｇ】図３Ｇは、本発明に係る発光ダイオードのパッケージ方法のそれぞれの工程に対応する構造を示す概略図である。
【図４】図４Ａ-Ｃは、それぞれ本発明に係る発光ダイオードのパッケージ構造の実施例を示す概略図である。
【図５】図５Ａ-Ｃは、それぞれ本発明に係る発光ダイオードのパッケージ構造の他の実施例を示す概略図である。
【図６】図６Ａ-Ｂは、それぞれ従来技術の発光ダイオードのパッケージ構造を示す概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
本発明は、体積を縮小し、製造速度及び生産量を向上させ、製品の品質を安定させた発光ダイオードのパッケージ方法及びパッケージ構造を提供する。以下の実施例を参照しながら、本発明をより詳細に説明する。留意すべきことは、以下の本発明に係る好適な実施例は、解説及び説明のためのものであって、本発明を限定するものではない。
【００１４】
図１及び図２は、それぞれ本発明に係る発光ダイオードのパッケージ方法のフローチャート及び発光ダイオードのパッケージ構造を示す図である。図１及び図２に示すように、発光ダイオードのパッケージ方法は、工程（Ｓ１）−工程（Ｓ５）を含む。工程（Ｓ１）において、高透明度を有する透明基板２１を提供する。前記透明基板２１は、例えばガラスにより製造され、前記光電子半導体チップ２２が出射する光線の放射角を修正するため、長立方体、台形立方体、又は曲面立方体であってよい。工程（Ｓ２）において、光電子半導体チップ２２を前記透明基板２１の一表面に設ける。前記光電子半導体チップ２２は、発光ダイオードチップであり、光出射面２２ｂと、２つの電極２２１, ２２２とを有する。前記２つの電極２２１, ２２２は、前記光電子半導体チップ２２が前記透明基板２１と隣接する表面と対向する表面に形成され、前記光出射面２２ｂは、光電子半導体チップ２２が透明基板２１と隣接する前記表面に配置される。前記光電子半導体チップ２２が放射する光線は、前記透明基板２１から出射される。工程（Ｓ３）において、前記光電子半導体チップ２２を囲むように、前記透明基板２１の上に隔離体構造２３を形成する。印刷（Ｐｒｉｎｔｉｎｇ）、ディスペンス（Ｄｉｓｐｅｎｓｉｎｇ）、又はリソグラフィ（Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）により、前記隔離体構造２３を前記透明基板２１に配置することができる。工程（Ｓ４）において、前記２つの電極２２１, ２２２と、前記光電子半導体チップ２２と、前記透明基板２１とを部分的に覆うように、絶縁層２４を前記透明基板２１の上に形成する。工程（Ｓ５）において、少なくとも２つの金属配線部２６ａを前記２つの電極２２１, ２２２の上に別々に形成し、前記少なくとも２つの金属配線部２６ａを、それぞれ前記２つの電極２２１, ２２２と電気的に接続する。
【００１５】
以上は、本発明に係るパッケージ方法の１つの実施例及びそれにより製造されるパッケージ構造の実施例（第１の構造実施例）である。しかし、工程（Ｓ３）は省略してもよい。その方法は、本発明のもう１つのパッケージ方法の実施例であり、隔離体構造２３を有さない発光ダイオードのパッケージ構造、すなわち、本発明のもう１つのパッケージ構造の実施例（第２の構造実施例）に係るパッケージ構造を製造することができる。
【００１６】
以下、図３Ａ-３Ｇにより、本発明をより詳しく説明する。図３Ａ-３Ｇは、本発明に係る発光ダイオードのパッケージ方法のそれぞれの工程に対応する構造を示す概略図である。先ず、図３Ａに示すように、高透明度を有する透明基板２１を提供する。透明基板２１の材料は、透明ガラス、透明シリカゲル、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド、石英材料、又は他の適切な透明材料であってよい。図３Ａは断面形状が長方形であるものを示すが、光線の出射角度に基づいて調整することができる。例えば、断面は、多数の台形や、多数のドーム形、多数の弧形等が組み合わさったものであってよい。また、全体の形状も必要に応じて調整したり組み合わせたりすることができる。次いで、図３Ｂに示すように、透明基板２１の表面２１ｔの上に、少なくとも２つの発光可能な光電子半導体チップ２２を、光電子半導体チップ２２の光出射面２２ｂが透明基板２１の表面２１ｔと隣接するように置く。光電子半導体チップ２２は、それぞれ、正負電極２２１及び２２２を有する。図３Ｂに示すように、電極２２１及び２２２は、光電子半導体チップ２２が透明基板２１と隣接する表面と対向する表面２２ｔ上に配置される。光電子半導体チップ２２は、一般的に発光ダイオードダイ（ＬＥＤ  Ｄｉｅ）である。
【００１７】
その後、図３Ｃ-１に示すように、透明基板２１の表面２１ｔ上に選択的に隔離体構造２３を形成する。この実施例では、光電子半導体チップ２２の周りを囲むように前記隔離体構造２３を形成する。続いて、隔離体構造２３と光電子半導体チップ２２との間を充填するように、透明基板２１の表面２１ｔ上に絶縁層２４を形成する。隔離体構造２３及び絶縁層２４が透明基板２１の表面２１ｔ上にある高さは、光電子半導体チップ２２（電極２２１及び２２２を含む）が透明基板２１の表面２１ｔ上にある高さとほぼ同じであるか、又は光電子半導体チップ２２（電極２２１及び２２２を含む）が透明基板２１の表面２１ｔ上にある高さより少し高い。すなわち、絶縁層２４は、少なくとも透明基板２１の表面２１ｔと、光電子半導体チップ２２の表面２１ｔと垂直な側面とを覆う。隔離体構造２３は、光電子半導体チップ２２の保護効果を奏する以外、状況によっては反射層として用いることもできる。反射層として用いる場合、ダイの側面及び界面から放射される光を集光し、希望する方向角へ反射又は屈折させることができる。図３Ｃ-１は、隔離体構造２３の断面が長方形である例を示すが、必要に応じて他の形状、例えば台形等にすることができる。また、隔離体構造２３の材料は、透明基板２１の材料と異なってもよく、透明又は不透明な材料、例えば、ガラス材料、シリカゲル、ポリエステル系材料、酸化物、又は窒化物等であっよい。さらに、隔離体構造２３は、例えば、スピンコーティング、リソグラフィ、印刷、又は化学気相蒸着法（ＣＶＤ）により製造される。絶縁層２４の材料は、フォトレジスト材料、ポリエステル系材料、酸化物、金属酸化物、窒化物等であってよい。絶縁層２４の形成方法としては、ラミネート加工（ｌａｍｉｎａｔｉｏｎ）、ディスペンス、吹き付け（ｓｐｒａｙｉｎｇ）、又はコーティング（ｃｏａｔｉｎｇ）を用いてよい。図３Ｃ-２は、本発明のパッケージ構造の第２の構造実施例を示す図である。図３Ｃ-２に示すように、隔離体構造２３を形成せずに、絶縁層２４を直接に形成する。前記絶縁層２４は、光電子半導体チップ２２と隣接し、かつ透明基板２１の表面２１ｔを覆う。説明の便宜のため、図３Ｃ-２に示す実施例、すなわち、絶縁層２４が電極２２１、２２２と、光電子半導体チップ２２と、透明基板２１とを覆う例で後続の製造工程を説明する。
【００１８】
隔離体構造２３の形成は、上記説明した方法以外、透明基板２１の一部にすることもできる。例えば、隔離体構造２３を、透明基板２１と一体成形することができる。これにより、製造工程における構造の断面図は、図３Ｃ-１に示すようになる。また、隔離体構造２３の材料も、透明基板２１と同じであるため、別に隔離体構造２３を形成しなくてよい。
【００１９】
図３Ｄに示すように、絶縁層２４に対し、リソグラフィ工程２５を行うことにより、パターン化された絶縁層２４ａを生成する。電極２２１及び２２２は、パターン化された絶縁層２４ａから露出する。図３Ｄ（ａ）は、図３Ｄに示す構造に対応する上面図である。図３Ｄ（ａ）は、例として、透明基板２１上の２つの光電子半導体チップ２２のみを示す。次に、図３Ｅに示すように、光電子半導体チップ２２と、パターン化された絶縁層２４ａと、透明基板２１の表面２１ｔとを覆うように、金属層２６を形成する。金属層２６を、光電子半導体チップ２２の正負電極２２１及び２２２と電気的に接続する。次いで、金属層２６をパターン化することにより、別々になる少なくとも２つの金属パターン（未図示）を形成し、各金属パターンは、１つの電極とのみ電気的に接続し、後続の配線工程の種晶層とする。次に、図３Ｆに示すように、めっき（ｐｌａｔｉｎｇ）を行うことにより、パターン化された金属層２６を厚くし、金属配線部２６ａを形成する。図３Ｆ（ａ）は、図３Ｆに示す構造に対応する上面図である。図３Ｆ（ａ）に示すように、金属配線部２６ａを、異なる電極２２１及び２２２の上に別々に配置し、分離区２６１を形成する。同時に、隣接する光電子半導体チップ２２の間に、分離区２６２を形成する。
【００２０】
最後に、図３Ｇに示すように、分離区２６２に沿って切断を行い、異なる光電子半導体チップ２２を分割することにより、パッケージを完成させる。
【００２１】
本発明に係る上記パッケージ方法により製造されたパッケージ構造は、少なくとも透明基板２１と、光電子半導体チップ２４と、絶縁層２４ａと、２つの金属配線部２６ａとを含む。光電子半導体チップ２４は、透明基板２１の表面２１ｔ上に配置され、かつ正負電極２２１及び２２２を有する。パターン化された絶縁層２４ａは、光電子半導体チップ２４の周りを囲むように、透明基板２１の表面２１ｔ上に配置される。互いに分離する２つの金属配線部２６ａは、正負電極２２１及び２２２の上に配置され、正負電極２１１及び２２２の透明基板２１から離れた方の表面に形成される。
【００２２】
また、本発明に係る上記パッケージ方法によれば、透明基板２１を予めパターン化処理を行うことは必須ではない。従来技術が必要とするパターン化基材１１１又は１２１と比べ、製造時間及びコストを下げることができる。本発明は、当然、希望する出射方向角に基づいて、透明基板２１に対しパッケージ製造前にパターン化処理を行うことができる。例えば、透明基板２１をパターン化することにより、切断した後の断面を台形、弧形、半円形等にすることができる。その場合は、実際の需要に基づいて、パッケージの形状を台形立方体、曲面立方体、半球体等にすることができ、従来の方法で製造される２種のパターンに制限されない。図４Ａ-４Ｃ及び図５Ａ-５Ｃは、本発明に係るパッケージ方法により、実際の需要、例えば、希望する光線の放射角及び視野角、隔離体構造の有無、及び／又は形状に基づいて、製造した発光ダイオードのパッケージ構造の実施例を示す概略図である。図４Ａ-４Ｃに示す実施形態は、隔離体構造を含まず、即ち、第２の構造実施例に対応する実施形態である。一方、図５Ａ-５Ｃに示す実施形態は、断面が長方形である隔離体構造２３を有し、即ち、第１の構造実施例に対応する実施形態である。そのうち、図４Ａ及び５Ａに示す実施形態において、上記透明基板２１は、パターン化されていないため、切断した後に形成されるパッケージ構造は、透明長方体２１１を有する。また、図４Ｂ及び５Ｂに示す実施形態において、透明基板２１がパターン化され、切断した後に形成されるパッケージ構造は透明の台形立方体２１２を有する。さらに、図４Ｃ及び５Ｃに示す実施形態において、透明基板２１がパターン化され、切断した後に形成されるパッケージ構造は透明の曲面立方体２１３を有する。上述した形状はいずれも前記光電子半導体チップから出射する光線の放射角の視野角を修正することができる。上記実施形態及び図面は、説明するために挙げたものであり、本発明を制限するものではない。透明基板２１の形状、隔離体構造の有無及び／又は形状は、実際の需要に基づいて最適化することができる。
【００２３】
本発明に係るパッケージ方法及びパッケージ構造によれば、透明基板２１は、光電子半導体チップ２２を載せるだけでなく、同時にレンズとしての機能を有する。また、従来技術は、基材とレンズとを別々に形成する必要があったのに対し、本発明は、光電子半導体チップ２２から出射する光線の方向を調整すると共に、製品の厚さ及び寸法を増加させる必要がなく、コスト及び製造時間を下げることができる。さらに、従来技術と比べ、パッケージ構造の寸法を縮小させることができる。パッケージされたチップの動作時に発生する熱エネルギーは、光電子半導体チップ２２の金属配線部２６ａにより放熱が行われるため、従来技術における放熱効果が悪いという問題を解決することができる。また、本発明は、金属配線部２６ａを直接に電極２２１、２２２と電気的に接続するため、金属ワイヤを必要としない。これにより、材料のコストを下げるだけでなく、金属ワイヤの断裂又は変位による接触不良が起こり、製品の品質が安定しないという問題を避けることができる。また、製品の生産量及び製造速度が向上する。
【００２４】
以上、好適な実施例を挙げて本発明を説明したが、本発明は前記の実施例に限定されない。本発明は、添付の特許請求の範囲の趣旨と範囲内に含まれる様々な変形や類似した配置を含むことを意図するものである。そして、特許請求の範囲は、そのような変形や類似した配置を全て網羅するために最も広い解釈が認められるべきである。
【符号の説明】
【００２５】
２１  透明基板
２１ｔ  表面
２２  光電子半導体チップ
２２ｂ  光出射面
２３  隔離体構造
２４  絶縁層
２５  リソグラフィ工程
２６  金属層
２６ａ  金属配線部
１１１、１２１  パターン化された不透明基材
１１２、１２２  電極
１１３、１２３  ダイ
１１４、１２４  金属ワイヤ
１１５  支持体
１１６、１２６  透明パッケージ層
２１１  透明の長立方体
２１２  透明の台形立方体
２１３  透明の曲面立方体
２２１、２２２  電極
２６１、２６２  分離区
【図１】
2016143881.tif 000003
【図２】
2016143881.tif 000004
【図３Ａ】
2016143881.tif 000005
【図３Ｂ】
2016143881.tif 000006
【図３Ｃ−１】
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【図３Ｃ−２】
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【図３Ｄ】
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【図３Ｄ（ａ）】
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【図３Ｅ】
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【図３Ｆ】
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【図３Ｆ（ａ）】
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【図３Ｇ】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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