(57)【要約】【課題】隣接するサブ画素間での混色が抑制され高品質な画像が得られる表示装置を提供する。【解決手段】遮光金属層１３０と、ブラックマトリクス２１０と、複数のサブ画素とが配置された表示領域を有する表示装置において、複数のサブ画素は鉛直上方から見てブラックマトリクス２１０を介して互いに隣接して配置され、ブラックマトリクス２１０と遮光金属層１３０とは鉛直上方から見て互いに重なるように配置され、遮光金属層１３０は有機平坦化膜１１０の土手１１０ａの上に配置されている。【選択図】図１
2016024304.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
薄膜トランジスタ及び遮光金属層を備えた第１基板と、ブラックマトリクスを備えた第２基板と、前記第１基板と前記第２基板とが積層された基板に形成され、複数のサブ画素が配置された表示領域とを有する表示装置において、
前記複数のサブ画素は、鉛直上方から見て前記ブラックマトリクスを介して互いに隣接して配置され、
前記ブラックマトリクスと前記遮光金属層とは、鉛直上方から見て互いに重なるように配置され、
前記遮光金属層は、前記第１基板において前記遮光金属層の下側に形成された土手の上に配置されていることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
請求項１記載の表示装置において、
前記遮光金属層は、隣接する前記複数のサブ画素間の混色を抑制する機能を有することを特徴とする表示装置。
【請求項３】
請求項２記載の表示装置において、
前記表示装置はタッチパネルを内蔵し、
前記遮光金属層は前記タッチパネルの電極となる共通電極を介して前記土手の上に配置されており、前記共通電極の抵抗を下げる機能を有することを特徴とする表示装置。
【請求項４】
請求項２記載の表示装置において、
前記表示装置はタッチパネルを内蔵し、
前記遮光金属層は、前記タッチパネルの電極となる共通電極を分割するスリット部に配置されていることを特徴とする表示装置。
【請求項５】
請求項１記載の表示装置において、
前記薄膜トランジスタのソース電極に接続される映像信号線は、鉛直上方から見て前記遮光金属層と重なるように配置されていることを特徴とする表示装置。
【請求項６】
請求項１記載の表示装置において、
前記土手は、前記薄膜トランジスタの上部に配置された有機平坦化膜に形成されたものであることを特徴とする表示装置。
【請求項７】
請求項１記載の表示装置において、
前記遮光金属層の上部には配向膜が配置されており、
前記配向膜は、光配向膜であることを特徴とする表示装置。
【請求項８】
薄膜トランジスタ、遮光金属層及び前記薄膜トランジスタのドレイン電極に電気的に接続された画素電極を備えた第１基板と、ブラックマトリクスを備えた第２基板と、前記第１基板と前記第２基板とが積層された基板に形成され、複数のサブ画素が配置された表示領域とを有する表示装置において、
前記複数のサブ画素は、鉛直上方から見て前記ブラックマトリクスを介して互いに隣接して配置され、
前記ブラックマトリクスと前記遮光金属層とは、鉛直上方から見て互いに重なるように配置され、
前記遮光金属層は、前記第１基板において前記遮光金属層の下側に形成された土手の上であって、且つ前記遮光金属層の底面が前記画素電極よりも高い位置に配置されていることを特徴とする表示装置。
【請求項９】
請求項８記載の表示装置において、
前記遮光金属層は、隣接する前記複数のサブ画素間の混色を抑制する機能を有することを特徴とする表示装置。
【請求項１０】
請求項９記載の表示装置において、
前記表示装置はタッチパネルを内蔵し、
前記遮光金属層は前記タッチパネルの電極となる共通電極を介して前記土手の上に配置されており、前記共通電極の抵抗を下げる機能を有することを特徴とする表示装置。
【請求項１１】
請求項９記載の表示装置において、
前記表示装置はタッチパネルを内蔵し、
前記遮光金属層は、前記タッチパネルの電極となる共通電極を分割するスリット部に配置されていることを特徴とする表示装置。
【請求項１２】
請求項８記載の表示装置において、
前記薄膜トランジスタのソース電極に接続される映像信号線は、鉛直上方から見て前記遮光金属層と重なるように配置されていることを特徴とする表示装置。
【請求項１３】
請求項８記載の表示装置において、
前記土手は、前記薄膜トランジスタの上部に配置された有機平坦化膜に形成されたものであることを特徴とする表示装置。
【請求項１４】
請求項８記載の表示装置において、
前記遮光金属層の上部には配向膜が配置されており、
前記配向膜は、光配向膜であることを特徴とする表示装置。
【請求項１５】
薄膜トランジスタ、前記薄膜トランジスタのゲート電極と電気的に接続された走査信号線、前記薄膜トランジスタのドレイン電極に電気的に接続された画素電極、前記薄膜トランジスタのソース電極に電気的に接続された映像信号線、及び遮光金属層を備えた第１基板と、ブラックマトリクスを備えた第２基板と、前記第１基板と前記第２基板とが積層された基板に形成され、複数のサブ画素が配置された表示領域とを有する表示装置において、
前記複数のサブ画素は、鉛直上方から見て前記ブラックマトリクスを介して互いに隣接して配置され、
前記ブラックマトリクス、前記映像信号線、及び前記遮光金属層は、鉛直上方から見て互いに重なるように配置され、
前記遮光金属層は、前記第１基板において前記遮光金属層の下側に形成された土手の上であって、且つ前記遮光金属層の底面が前記画素電極よりも高い位置に配置され、隣接する前記複数のサブ画素間の混色を抑制するものであることを特徴とする表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
タッチパネルは、タッチパネルにペンや指が触れた位置を認識し、この位置情報を入力信号として駆動するように構成されている。タッチパネルを有する表示装置は、キーボードやマウスのような外付けの入力装置が不要なため普及してきており、液晶表示パネルにタッチセンサを内蔵する液晶表示装置も開発されている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００９−１５１１３８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
発明者等は、タッチセンサを内蔵した表示装置において、タッチセンサ配線として用いている透明電極（ＩＴＯ）の抵抗を低減するために、ブラックマトリクスで遮光されている領域にメタル配線（以下、補助配線、或いは遮光金属層と呼ぶ）を設けた構造の表示装置について検討した。
【０００５】
発明者等が検討した表示装置について、図１０Ａおよび図１０Ｂを用いて説明する。
図１０Ａは表示装置の表示領域における構成を説明するための平面図である。図１０Ｂは図１０ＡのＡ−Ａ’線における断面図である（但し、平面図においては、ブラックマトリクス等一部の構成は省略されている）。
【０００６】
本表示装置１００は、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）、白（Ｗ）の縦ストライプ形状のサブ画素を備え、ＲＧＢおよびＲＧＷをそれぞれ１画素とし、ＲＧＢ画素とＲＧＷ画素が交互に配置される。ＢおよびＷのそれぞれはＲまたはＧの半分の画素数である。表示装置１００は、ＴＦＴ基板（アレイ基板）１０１と、対向基板２００と、アレイ基板１０１と対向基板２００との間に配置される液晶３００とを備える。
【０００７】
アレイ基板１０１において、信号配線（映像信号線）１１５の上に有機平坦化膜（ＨＲＣ）１１０を介して共通電極１２０が配置される。共通電極１２０の上に層間絶縁膜（ＳｉＮ等の無機絶縁膜）１４０を介して画素電極１５０が配置される。共通電極１２０は映像信号線１１５と平行な方向（図１０Ａでは上下方向）に延在し、共通電極スリット部１２１により映像信号線１１５と垂直方向（図１０Ａでは左右方向）に分割されて周期的に配置されており、映像信号線１１５の上には共通電極１２０と電気的に接する形で補助配線１３０が配置されている。補助配線１３０は鉛直上方から見てブラックマトリクス２１０と重なる位置であって、異色サブ画素間に配置されている。ただし、分割された共通電極１２０同士をショートしないようにするために、共通電極１２０の分割領域（共通電極スリット部）１２１には補助配線１３０は配置されていない。共通電極１２０および画素電極１５０はＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透光導体膜で形成され、補助配線１３０および映像信号線１１５は遮光導体膜（低抵抗導体膜、金属膜）で形成されている。
【０００８】
対向基板２００は、ブラックマトリクス（ＢＭ、遮光層）２１０と、Ｒ、Ｇ、Ｂ、Ｗのカラーフィルタ（着色層）２２０と、を備える。カラーフィルタ２２０は、映像信号線１１５の延在方向と垂直方向（図１０Ａでは左右方向）にＲ、Ｇ、Ｂ、Ｒ、Ｇ、Ｗの順に繰り返し配置されている。また、カラーフィルタ２２０のＲとＧは、映像信号線１１５が延在する方向に同色が配置され、ＢとＷは交互に配置されている。
【０００９】
タッチセンサを備えていない従来の表示装置では、色の異なるサブ画素間において、アレイ基板側にはソース金属配線（信号配線、映像信号線）など、また、対向基板（ＣＦ基板）側にはブラックマトリクスなどを配置して、隣接サブ画素からの光を遮蔽して混色を防止していた。しかしながら、高精細化が進むにつれ、金属配線の幅、あるいは、ブラックマトリクスの幅を狭くする必要があり、対策として、金属配線、あるいはブラックマトリクス、あるいはその両者の厚さを厚くして隣接サブ画素からの光遮蔽効果を向上し、混色を防いでいた。
【００１０】
発明者等が検討した構造では、図７（ａ）（ｂ）に示すように隣接するサブ画素間において共通電極が分割されていない場合には、鉛直上方から見て補助配線（遮光金属層）１３０がブラックマトリクス２１０と重なる位置に配置される。そのため、本構造を有する表示装置では、補助配線（遮光金属層）を隣接サブ画素からの光遮蔽部材として利用することができる。この点について図９Ａを用いて説明する。図９Ａは、青色フィルタ２２０Ｂと赤色フィルタ２２０Ｒが隣接している場合の例を示す。青色フィルタ２２０Ｂを通過すべき光４１０が隣接する赤色フィルタ２２０Ｒへ向かう場合、混色の恐れが生じる。この際、補助配線（遮光金属層）１３０が配置されていることにより、補助配線が無い場合に混色を生じさせるはずの光が補助配線により遮光される。また、補助配線の傍を通過した光４１０はブラックマトリクスで遮光されるため混色を防止することができる。このように、発明者等が検討した構造を有する表示装置は混色防止に有効である。なお、符号４１１は透過できずに遮蔽された光を示す。
【００１１】
しかしながら、表示装置は今後更なる高精細化が求められ、例えばブラックマトリクスの幅が縮小化（幅：ｔ１＞幅：ｔ２）された場合、図９Ｂに示すように隣接するサブ画素間において混色が危惧される。この対策として、図９Ｃに示すように金属配線の厚さを厚くする、あるいはブラックマトリクスの厚さを厚くすることが考えられるが、金属配線やブラックマトリクスでは加工に時間が掛かる、サイドエッチが生じて所望の形状を得ることが困難になる等の問題が危惧される。
【００１２】
また、図８（ａ）（ｂ）に示すように、タッチセンサで用いる共通電極１２０には分割するために共通電極スリット部１２１を設ける必要があり、同電位となる補助配線１３０を配置することができず、隣接するサブ画素間での混色が危惧される。
【００１３】
本発明の目的は、隣接するサブ画素間での混色が抑制され高品質な画像が得られる表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記目的を達成するための一実施形態として、薄膜トランジスタ及び遮光金属層を備えた第１基板と、ブラックマトリクスを備えた第２基板と、前記第１基板と前記第２基板とが積層された基板に形成され、複数のサブ画素が配置された表示領域とを有する表示装置において、
前記複数のサブ画素は、鉛直上方から見て前記ブラックマトリクスを介して互いに隣接して配置され、
前記ブラックマトリクスと前記遮光金属層とは、鉛直上方から見て互いに重なるように配置され、
前記遮光金属層は、前記第１基板において前記遮光金属層の下側に形成された土手の上に配置されていることを特徴とする表示装置とする。
また、薄膜トランジスタ、遮光金属層及び前記薄膜トランジスタのドレイン電極に電気的に接続された画素電極を備えた第１基板と、ブラックマトリクスを備えた第２基板と、前記第１基板と前記第２基板とが積層された基板に形成され、複数のサブ画素が配置された表示領域とを有する表示装置において、
前記複数のサブ画素は、鉛直上方から見て前記ブラックマトリクスを介して互いに隣接して配置され、
前記ブラックマトリクスと前記遮光金属層とは、鉛直上方から見て互いに重なるように配置され、
前記遮光金属層は、前記第１基板において前記遮光金属層の下側に形成された土手の上であって、且つ前記遮光金属層の底面が前記画素電極よりも高い位置に配置されていることを特徴とする表示装置とする。
また、薄膜トランジスタ、前記薄膜トランジスタのゲート電極と電気的に接続された走査信号線、前記薄膜トランジスタのドレイン電極に電気的に接続された画素電極、前記薄膜トランジスタのソース電極に電気的に接続された映像信号線、及び遮光金属層を備えた第１基板と、ブラックマトリクスを備えた第２基板と、前記第１基板と前記第２基板とが積層された基板に形成され、複数のサブ画素が配置された表示領域とを有する表示装置において、
前記複数のサブ画素は、鉛直上方から見て前記ブラックマトリクスを介して互いに隣接して配置され、
前記ブラックマトリクス、前記映像信号線、及び前記遮光金属層は、鉛直上方から見て互いに重なるように配置され、
前記遮光金属層は、前記第１基板において前記遮光金属層の下側に形成された土手の上であって、且つ前記遮光金属層の底面が前記画素電極よりも高い位置に配置され、隣接する前記複数のサブ画素間の混色を抑制するものであることを特徴とする表示装置とする。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の第１の実施例に係る表示装置の要部概略図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図を示す。
【図２】本発明の第２の実施例に係る表示装置の要部概略図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図を示す。
【図３】本発明の第１の実施例に係る表示装置における隣接サブ画素間での混色抑制効果を説明するための要部断面図である。
【図４Ａ】本発明の第１の実施例に係る表示装置の製造工程フロー図（有機平坦化膜への凸部（土手）形成工程）である。
【図４Ｂ】本発明の第１の実施例に係る表示装置の製造工程フロー図（共通電極形成工程）である。
【図４Ｃ】本発明の第１の実施例に係る表示装置の製造工程フロー図（補助配線形成工程）である。
【図４Ｄ】本発明の第１の実施例に係る表示装置の製造工程フロー図（層間絶縁膜形成工程）である。
【図４Ｅ】本発明の第１の実施例に係る表示装置の製造工程フロー図（画素電極形成工程）である。
【図４Ｆ】本発明の第１の実施例に係る表示装置の製造工程フロー図（配向膜形成工程）である。
【図５Ａ】本発明の第２の実施例に係る表示装置の製造工程フロー図（有機平坦化膜への凸部（土手）形成工程）である。
【図５Ｂ】本発明の第２の実施例に係る表示装置の製造工程フロー図（共通電極形成工程）である。
【図５Ｃ】本発明の第２の実施例に係る表示装置の製造工程フロー図（補助配線形成工程）である。
【図５Ｄ】本発明の第２の実施例に係る表示装置の製造工程フロー図（層間絶縁膜形成工程）である。
【図５Ｅ】本発明の第２の実施例に係る表示装置の製造工程フロー図（画素電極形成工程）である。
【図５Ｆ】本発明の第２の実施例に係る表示装置の製造工程フロー図（配向膜形成工程）である。
【図６】本発明の各実施例に係る表示装置の全体概略平面図である。
【図７】発明者等が検討したタッチパネル内蔵の表示装置における要部（共通電極が分割されていない領域）概略図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。
【図８】発明者等が検討したタッチパネル内蔵の表示装置における要部（共通電極が分割されている場合）概略図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。
【図９Ａ】発明者等が検討したタッチパネル内蔵の表示装置における隣接サブ画素間の混色抑制効果を説明するための要部断面図である。
【図９Ｂ】発明者等が検討したタッチパネル内蔵の表示装置における隣接サブ画素間の混色の課題を説明するための要部断面図である。
【図９Ｃ】発明者等が検討したタッチパネル内蔵の表示装置における隣接サブ画素間の混色抑制策を説明するための要部断面図である。
【図１０Ａ】発明者等が検討したタッチパネル内蔵の表示装置の要部概略平面図である。
【図１０Ｂ】発明者等が検討したタッチパネル内蔵の表示装置の要部概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
発明者等は、隣接するサブ画素間での混色を抑制する構成について検討した結果、有機平坦化膜は比較的加工が容易であることに着目した。本発明はこの新たな知見に基づいて生まれたものであり、加工し難い金属やブラックマトリクスではなく、アレイ基板に配置される有機平坦化膜で凸部（土手）を形成し、その上に遮光性と導電性を考慮して出来るだけ薄い補助配線を配置するものである。これにより、隣接するサブ画素間での混色を容易に抑制することができる。なお、凸部を形成する膜は加工し易い膜であれば用いることができ、有機平坦化膜に限定されない。また、共通電極とは高さの異なる土手の上への補助配線の形成は、共通電極と同一面上のスリット部に補助配線を形成する場合に比べて形成のマージンが増加するため、スリット部で分割された共通電極同士の補助配線によるショートは低減・防止される。なお、光が補助配線下部の有機平坦化膜の土手部を通過することによる混色は無視し得る。
【００１７】
以下、本発明の実施例について、図面を参照しつつ説明する。
なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。
また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等につて模式的に表わされる場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。
また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。
【実施例１】
【００１８】
本発明の第１の実施例に係る表示装置について図１、図３、図４Ａ〜図４Ｆ及び図６を用いて説明する。
図６は本実施例に係る表示装置の概略平面図である。図６に示すように、本表示装置１００はＴＦＴ基板（アレイ基板）１０１と、対向基板（ＣＦ基板）２００と、ＴＦＴ基板と対向基板との間に挟持された液晶とを備える。ＴＦＴ基板１０１と対向基板２００とはシール材１０４により接着されている。表示領域１０５には走査信号線や映像信号線、マトリクス状に配置された画素が形成されている。画素はＴＦＴや画素電極、共通電極及び共通電極の抵抗を下げるための補助配線を含む。走査信号配線はＴＦＴのゲート電極と接続されており、同一工程、同一材料でアレイ基板上に形成されている。また、映像信号線はＴＦＴのソース電極と接続されており、同一工程、同一材料でアレイ基板上に形成されている。また、画素電極はＴＦＴのドレイン電極と接続されている。但し、ソース、ドレイン等の呼称は便宜的なものであり、一方をソースとした場合、他方をドレインと呼ぶことができる。ソース電極及びドレイン電極には、例えばアルミニウムシリコン合金（ＡｌＳｉ合金）やモリブデンタングステン合金（ＭｏＷ合金）を用いることができる。また、画素電極及び共通電極には、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）やＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）などの透明導電膜を用いることができる。対向基板２００は、映像信号線や走査信号線、補助配線等に対応する位置に配置されたブラックマトリクスや、画素の透過領域に対応する位置に配置されたカラーフィルタ等を有する。
【００１９】
ＴＦＴ基板１０１は対向基板２００よりも大きく、ＴＦＴ基板が１枚となっている領域を有し、当該領域にはＩＣドライバ（駆動回路）１０２やフレキシブル配線基板（図示せず）が接続されている基板端子部１０３が配置されている。用途に応じ、バックライトや外枠等を組み合わせることができる。
【００２０】
次に、本実施例に係る液晶表示装置の補助配線近傍の平面図を図１（ａ）に、断面図を図１（ｂ）に示す。但し、平面図では対向基板の構成が省略されている。表示装置は、ＴＦＴ基板（アレイ基板）と、対向基板と、アレイ基板と対向基板との間に配置される液晶３００とを備える。
【００２１】
アレイ基板において、映像信号線（信号配線）の上に有機平坦化膜（ＨＲＣ）１１０を介して共通電極１２０が配置される。共通電極１２０の上に層間絶縁膜（ＳｉＮ等の無機絶縁膜）１４０を介して画素電極１５０が配置される。図７（ａ）（ｂ）に示した構成との主な違いは、共通電極１２０の抵抗を低減するためにサブ画素間（図１（ｂ）では青色画素と赤色画素との間）に配置される補助配線（遮光金属層）１３０を、有機平坦化膜１１０に形成した有機平坦化膜の凸部（土手）１１０ａの上に配置した点にある。これにより、図９Ｃに示したように厚い補助配線を用いることなく、図３に示すように薄い補助配線を用いて隣接するサブ画素間の混色を抑制することができる。補助配線の下部である有機平坦化膜の凸部を通過した光によるサブ画素間の混色は、ブラックマトリクスや信号配線の位置を考慮し有機平坦化膜の凸部の高さを調整することにより無視し得る程度にまで低減できる。更に、補助配線を薄くできるため補助配線の加工プロセス負担が軽減され、また、補助配線の加工寸法精度が低下しない。補助配線１３０の高さを、画素電極１５０に対して高くする（対向基板に近づける）ことによって遮光効果を高めることができ、隣接するサブ画素間の混色を低減することができる。なお、符号１１１は有機平坦化膜に形成されたスルーホール、符号１４１は無機絶縁膜に形成されたスルーホールを示す。
【００２２】
対向基板側には、ブラックマトリクス２１０、カラーフィルタ２２０（青色フィルタ２２０Ｂ、赤色フィルタ２２０Ｒ等）、オーバーコート２３０、配向膜２６０等が形成されている。
【００２３】
次に、本実施例の表示装置の製造方法、特にアレイ基板側における有機平坦化膜の凸部上に配置された補助配線の形成法について図４Ａから図４Ｆを用いて説明する。
【００２４】
先ず、走査信号線や映像信号線、ＴＦＴ等の上に３μｍの厚さの有機平坦化膜が形成されたアレイ基板を準備する。本実施例では有機平坦化膜１１０としてポジ型の感光材料を用い、露光光を完全に遮蔽する遮光部５１０ａと露光光の一部が透過するハーフトーン部５１０ｂとを含むホトマスク５１０を用いて有機平坦化膜を露光し、現像等を行うことにより、高さ５００ｎｍの有機平坦化膜の凸部（土手）１１０ａを形成した。有機平坦化膜の凸部１１０ａの高さは、露光量（露光時間や露光光の強度、ハーフトーン部の透過率等で変更可能）により調整することができる。これにより、補助配線を所望の厚さに薄くすることができる。凸部（土手）の幅はブラックマトリクスの幅よりも小さいことが望ましい。なお、有機平坦化膜の凸部の形成は、アレイ基板上に形成されたＴＦＴ等の電極とのコンタクトを取るための有機平坦化膜へのスルーホール形成工程と同一工程で形成することができる。即ち、有機平坦化膜１３５に凸部を形成する工程は、従来から行われている有機平坦化膜１３５へのスルーホール形成工程の際に、遮光部と透過部だけでなくハーフトーン部を含むホトマスク（ハーフトーンマスク）５００を用いることにより同時に行うことができる。
【００２５】
次に、５０ｎｍの厚さのＩＴＯ膜を成膜・加工して共通電極１２０を形成する（図４Ｂ）。次いで、２３０ｎｍの厚さのメタルを成膜・加工して共通電極に電気的に接続された補助配線を有機平坦化膜の凸部１１０ａの上部に形成する（図４Ｃ）。補助配線の加工は、リソグラフィとエッチングにより行う。補助配線の幅は凸部（土手）の幅よりも小さいことが望ましい。
【００２６】
引き続いて、層間絶縁膜１４０を例えば窒化シリコン膜（ＳｉＮｘ膜）で１８０ｎｍの厚さとなるように成膜する（図４Ｄ）。次に、ＩＴＯ膜を成膜・加工し、ＴＦＴのドレイン電極に接続された画素電極１５０を形成する（図４Ｅ）。このとき、画素電極１５０の高さは、補助配線１３０の下面よりも低い位置に配置されている。次いで、配向膜１６０を塗布・焼成した（図４Ｆ）。配向膜は凸部を有する有機平坦化膜や補助配線（遮光金属層）等の段差形状を有する部材の上に形成されるためラビングによる配向処理では配向不良が危惧される。その場合には光配向膜を用いることができる。その後、アレイ基板と、カラーフィルタやブラックマトリクスが配置された対向基板とを積層し、基板間に液晶を封止して表示装置とする。用途に応じ、バックライトや外枠等を組み合わせることができる。なお、個々の製造工程としては、公知の工程を用いることができる。
【００２７】
図４Ａ〜図４Ｆに示す工程を含む製造方法により図１に示すように有機平坦化膜に設けた凸部の上に補助配線を形成し、図６に示すような液晶表示装置を作製したところ、隣接するサブ画素間の混色を抑制することができた。特に、補助配線の底面の高さが画素電極よりも高い位置とすることにより混色が低減される。また、補助配線を薄くすることにより、補助配線の加工寸法精度を向上することができる。これにより、細い補助配線を小さなばらつきで形成でき、隣接するサブ画素間の距離を小さくすることができるためより微細化・高精細化を図ることが可能となる。
【００２８】
なお、本実施例では、隣接するサブ画素間の混色を抑制するために、共通電極の抵抗低減のための補助配線を用いたが、他の目的のために形成された金属配線を用いることもできる。また、補助配線を形成するための凸部（土手）を、有機平坦化膜を利用して形成したが、他の膜を利用することもできる。
【００２９】
以上、本実施例によれば、隣接するサブ画素間に配置される補助配線（遮光金属層）を有機平坦化膜の凸部（下層に形成された凸部）上に配置することにより、隣接するサブ画素間の混色を抑制し高品質な画像が得られる表示装置を提供することができる。また、補助配線の底面の高さを画素電極よりも高くすることは混色を抑制する上で有効である。また、寸法精度の高い遮光金属層が得られる。これにより配線ばらつきを小さくできサブ画素間の間隔を小さくできるため、高精細化に有利となる。
【実施例２】
【００３０】
本発明の第２の実施例について図２及び図５Ａ〜図５Ｆを用いて説明する。なお、実施例１に記載され本実施例に未記載の事項は特段の事情が無い限り本実施例にも適用することができる。
【００３１】
本実施例では、共通電極のスリット部に補助配線と同一材料・同一工程で形成した遮光金属層（補助配線）を用いて隣接するサブ画素間の混色を抑制する例について説明する。
【００３２】
図２は本実施例に係る液晶表示装置の補助配線近傍の概略図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図を示す。但し、平面図では対向基板の構成が省略されている。表示装置は、ＴＦＴ基板（アレイ基板）と、対向基板と、アレイ基板と対向基板との間に挟持される液晶３００とを備える。
【００３３】
本実施例では、図面中央部分で共通電極が分割されている点で実施例１とは異なる。当初発明者等が検討した図８（ａ）（ｂ）に示した構成では、分割された共通電極１２０同士をショートしないようにするために、共通電極１２０の分割領域（共通電極スリット部）１２１には補助配線１３０は配置されていなかった。本実施例においては、有機平坦化膜に凸部を形成することにより、スリット部の幅が広がるわけではないが、同一面に共通電極と補助配線とを形成する場合に比べてショートに対する製造上のマージンが増加するため、補助配線が形成されても隣接する共通電極同士でショートすることはない。
【００３４】
次に、本実施例の表示装置の製造方法、特に有機平坦化膜の凸部上に配置された補助配線の形成法について図５Ａ〜図５Ｆに示す。基本的には共通電極形成工程以外は実施例１と同一のため、該当部分以外の説明は省略する。図５Ａに示すように有機平坦化膜１１０の凸部１１０ａを形成した後、ＩＴＯをアレイ基板全面に成膜し、リソグラフィとエッチングにより有機平坦化膜の凸部（土手）のＩＴＯを除去し、有機平坦化膜の凸部にスリットを有する共通電極を形成する（図５Ｂ）。図５Ｃ以降の工程は図４Ｃ以降の工程と同様である。なお、図５Ｃにおいて、補助電極１３０は有機平坦化膜の凸部１１０ａの上に形成されることから、有機平坦化膜１１０の上に形成された共通電極同士（図５Ｃでは左右に分離された共通電極同士）のショートに対する製造上のマージンを増加することができる。これにより、図８に示す構成では補助配線の配置が困難であった共通電極のスリット部にも補助配線の配置が可能となり、隣接するサブ画素間の混色を抑制することが可能となる。
【００３５】
図５Ａ〜図５Ｆに示す工程を含む製造方法により図２に示すように有機平坦化膜に設けた凸部に補助配線を形成し、図６に示すような液晶表示装置を作製したところ、分割された共通電極同士がショートすることなく隣接するサブ画素間の混色を抑制することができた。
【００３６】
以上、本実施例によれば実施例１と同様の効果を得ることができる。また、本実施例によれば、近接配線同士のショートに対する製造上のマージンを増加することができる。
【００３７】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。本願発明は、ブラックマトリクスが配置されるような隣接するサブ画素間において下層の凸部の上部に遮光金属層を配置するものであり、この思想より派生する新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【００３８】
本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。例えば、前述の各実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除若しくは設計変更を行ったもの、又は、工程の追加、省略若しくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。
また、本実施形態において述べた態様によりもたらされる他の作用効果について本明細書記載から明らかなもの、又は当業者において適宜想到し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。
【符号の説明】
【００３９】
１００…表示装置、１０１…ＴＦＴ基板（アレイ基板）、１０２…ＩＣドライバ（駆動回路）、１０３…フレキシブル配線基板用端子、１０４…シール材、１０５…表示領域、１１０…有機平坦化膜（ＨＲＣ）、１１０ａ…有機平坦化膜の凸部（土手）、１１１…有機平坦化膜に形成されたスルーホール、１１５…信号配線（映像信号線）、１２０…共通電極（Ｃｏｍ−ＩＴＯ）、１２１…共通電極スリット部（分割領域）、１３０…補助配線（遮光金属層）、１４０…層間絶縁膜（ＳｉＮ等の無機絶縁膜）、１４１…無機絶縁膜に形成されたスルーホール、１５０…画素電極（Ｔｏｐ−ＩＴＯ）、１６０…ＴＦＴ基板側の配向膜、２００…対向基板（ＣＦ基板）、２１０…ブラックマトリクス（ＢＭ）、２２０…色層（カラーフィルタ）、２２０Ｒ…赤色フィルタ、２２０Ｂ…青色フィルタ、２３０…オーバーコート（ＯＣ）、２６０…対向基板側の配向膜、３００…液晶、４１０…透過光、４１１…透過できず遮蔽された光、５１０…ホトマスク、５１０ａ…ホトマスク遮光部、５１０ｂ…ホトマスクハーフトーン（半透過）部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図４Ｃ】
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【図４Ｄ】
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【図４Ｅ】
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【図４Ｆ】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図５Ｃ】
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【図５Ｄ】
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【図５Ｅ】
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【図５Ｆ】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
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【図９Ｃ】
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【図１０Ａ】
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【図１０Ｂ】
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