(57)【要約】【課題】ストリーキングの原因となるカラム間での電流変動を低減する。【解決手段】信号活性化処理部３９は、ＡＤ変換部２３から出力された画素信号の飽和度が低減するように画素信号を処理することにより、画素信号の飽和領域においてロジック部３８を活性化させ、飽和領域ＰＳにおけるロジック部３８の消費電流と、非飽和領域ＮＳにおけるロジック部３８の消費電流との差分を減らす。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光電変換した電荷を蓄積する画素が配置された画素部と、
前記画素から出力された画素信号をＡＤ変換するＡＤＣ回路と、
前記ＡＤ変換された画素信号を信号処理するロジック部と、
前記ＡＤ変換された画素信号の飽和度が低減するように前記画素信号を処理する信号活性化処理部とを備える固体撮像装置。
【請求項２】
前記信号活性化処理部は、前記画素信号の飽和領域において前記ロジック部が活性化するように前記画素信号を処理する請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項３】
前記信号活性化処理部は、前記画素信号の飽和領域において前記画素信号に非定常信号を重畳させる請求項１また２に記載の固体撮像装置。
【請求項４】
前記非正常信号は、ランプ波または繰り返し波である請求項３に記載の固体撮像装置。
【請求項５】
前記信号活性化処理部は、前記画素信号の飽和領域を検出する飽和領域判定部を備え、
複数の画素が飽和しているラインについてのみ前記画素信号を処理する請求項１から４のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、固体撮像装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＣＭＯＳセンサでは、通常１ラインごとにデータが読み出される。このため、夜景など比較的暗時な撮影時において、ライトなどの強烈なスポット光が被写体にある場合、スポット光が当たる部分のラインと、スポット光が当たらない部分のラインとでは、カラム間での電流変動の違いから、スポット光が当たる部分から水平方向に尾を引くストリーキングが生じていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１１−５００４６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の一つの実施形態は、ストリーキングの原因となるカラム間での電流変動を低減することが可能な固体撮像装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一つの実施形態によれば、画素部と、ＡＤＣ回路と、ロジック部と、信号活性化処理部とを備える。画素部は、光電変換した電荷を蓄積する画素が配置されている。ＡＤＣ回路は、前記画素から出力された画素信号をＡＤ変換する。ロジック部は、前記ＡＤ変換された画素信号を信号処理する。信号活性化処理部は、前記ＡＤ変換された画素信号の飽和度が低減するように前記画素信号を処理する。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】図１は、第１実施形態に係る固体撮像装置の概略構成を示すブロック図である。
【図２】図２は、図１のセンサ部のストリーキングの発生例を示す平面図である。
【図３】図３は、図１のセンサ部およびＡＤ変換部の構成例を示すブロック図である。
【図４】図４は、図３の固体撮像装置の画素の構成例を示す回路図である。
【図５】図５は、図３の画素の読み出し動作時の各部の電圧波形を示すタイミングチャートである。
【図６】図６は、図１の信号活性化処理部の構成例を示すブロック図である。
【図７】図７は、図６のオフセット付加部の出力例を示す図である。
【図８】図８は、図６の減算器の出力例を示す図である。
【図９】図９は、第２実施形態に係る固体撮像装置のオフセット付加に用いられるランプ波の一例を示す図である。
【図１０】図１０は、第３実施形態に係る固体撮像装置の信号活性化処理に用いられるパルス波の一例を示す図である。
【図１１】図１１は、第４実施形態に係る固体撮像装置に適用される信号活性化処理部の構成例を示すブロック図である。
【図１２】図１２は、第５実施形態に係る固体撮像装置に適用される信号活性化処理部の構成例を示すブロック図である。
【図１３】図１３は、第６の実施形態に係る固体撮像装置が適用されたデジタルカメラの概略構成を示すブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下に添付図面を参照して、実施形態に係る固体撮像装置を詳細に説明する。なお、これらの実施形態により本発明が限定されるものではない。
【０００８】
（第１実施形態）
図１は、第１実施形態に係る固体撮像装置の概略構成を示すブロック図である。
図１において、固体撮像装置には、センサ部２２、ＡＤ変換部２３およびロジック部３８が設けられている。ロジック部３８には、ラインメモリ２４、２９、３６、傷補正部２５、ノイズキャンセル部２６、レンズシェーディング補正部２７、デジタルアンプ２８、画素補間部３０、カラーマトリクス部３１、ホワイトバランス／ゲイン調整部３２、バンドパスフィルタ３３、ガンマ補正部３４、ＹＵＶ変換部３５および輪郭強調部３７が設けられている。センサ部２２の前段にはレンズ２１が設けられている。ＡＤ変換部２３とロジック部３８との間には信号活性化処理部３９が設けられている。ロジック部３８は、ＡＤ変換部２３から出力された画素信号を信号処理する。信号活性化処理部３９は、ＡＤ変換部２３から出力された画素信号の飽和度が低減するように画素信号を処理する。この時、信号活性化処理部３９は、画素信号の飽和領域においてロジック部３８が活性化するように画素信号を処理することができる。センサ部２２は被写体を画素ごとに光電変換し、画素信号を生成する。ＡＤ変換部２３はセンサ部２２から出力された画素信号をデジタル値に変換する。ラインメモリ２４は、画素から読み出された画素信号をラインごとに保持する。傷補正部２５は、画素の傷が修復されるように画素から読み出された画素信号を補正する。ノイズキャンセル部２６は、画素から読み出された画素信号のフィルタリングを行う。レンズシェーディング補正部２７は、レンズ２１のケラレによる周辺部の光量の減衰を補償する。デジタルアンプ２８は、画素から読み出された画素信号を増幅する。ラインメモリ２９は、デジタルアンプ２８で増幅された画素信号をラインごとに保持する。画素補間部３０は、周辺画素の画素信号に基づいて画素信号を補間する。カラーマトリクス部３１は、画素信号の色調整を行う。ホワイトバランス／ゲイン調整部３２は、画素から読み出された画素信号のホワイトバランスおよびゲインを調整する。バンドパスフィルタ３３は、デジタルアンプ２８で増幅された画素信号から所定の周波数帯を抽出する。ガンマ補正部３４は、画素信号のガンマ補正を行う。ＹＵＶ変換部３５は、ＲＧＢ信号をＹＵＶ信号に変換する。輪郭強調部３７は画素信号の輪郭強調を行う。
【０００９】
そして、レンズ２１を介してセンサ部２２に光が入射することにより撮像が行われる。そして、画素から読み出された画素信号はＡＤ変換部２３にてデジタル値に変換される。そして、信号活性化処理部３９において、ＡＤ変換部２３から出力された画素信号の飽和度が低減するように画素信号が処理された後、ラインメモリ２４に保持される。そして、傷補正部２５およびノイズキャンセル部２６において、ラインメモリ２４に保持された画素信号に基づいて、画素から読み出された画素信号の傷補正およびノイズキャンセルが行なわれる。そして、デジタルアンプ２８において、画素信号が増幅された後、ラインメモリ２９に保持される。そして、画素補間部３０において、ラインメモリ２９に保持された画素信号に基づいて、画素信号が補間された後、カラーマトリクス部３１において、画素信号の色調整が行われる。さらに、ガンマ補正部３４において、画素信号のガンマ補正が行われた後、ＹＵＶ変換部３５において、ＲＧＢ信号がＹＵＶ信号に変換され、ラインメモリ３６に保持される。そして、ＵＶ信号はラインメモリ３６を介して出力される。Ｙ信号については、バンドパスフィルタ３３において、ラインメモリ２９に保持された画素信号から所定の周波数帯が抽出される。そして、輪郭強調部３７において、バンドパスフィルタ３３にて抽出された信号に基づいて輪郭強調が行われ、Ｙ信号として出力される。また、ホワイトバランス／ゲイン調整部３２において、カラーマトリクス部３１にて色調整された画素信号のホワイトバランスおよびゲインが調整され、その調整結果が画素信号に反映されるようにデジタルアンプ２８に指示される。
【００１０】
図２は、図１のセンサ部２２のストリーキングの発生例を示す平面図である。
図２において、夜景など比較的暗時な撮影時に強烈なスポット光ＳＰがセンサ部２２に入射すると、スポット光ＳＰが当たる部分では画素信号が飽和し、ロジック部３８が活性化されない。一方、スポット光ＳＰが当たらない部分では画素信号が飽和しないため、ロジック部３８が活性化される。このため、１ラインごとにデータが読み出される場合、カラム間での電流変動の違いから、スポット光ＳＰが当たる部分から水平方向に尾を引くストリーキンＳＴグが生じる。この時、ＡＤ変換部２３から出力された画素信号の飽和度が低減するように画素信号を処理することにより、画素信号の飽和領域においても、画素信号の非飽和領域と同様にロジック部３８を活性化させることができる。このため、スポット光ＳＰがセンサ部２２に入射した場合においても、カラム間での電流変動の違いを低減することができ、ストリーキングＳＴを低減させることができる。
【００１１】
図３は、図１のセンサ部およびＡＤ変換部の構成例を示すブロック図である。
図３において、固体撮像装置には、画素アレイ部１が設けられている。画素アレイ部１には、光電変換した電荷を蓄積する画素ＰＣがロウ方向ＲＤおよびカラム方向ＣＤにｍ（ｍは正の整数）行×ｎ（ｎは正の整数）列分だけマトリックス状に配置されている。また、この画素アレイ部１において、ロウ方向ＲＤには画素ＰＣの読み出し制御を行う水平制御線Ｈｌｉｎが設けられ、カラム方向ＣＤには画素ＰＣから読み出された信号を伝送する垂直信号線Ｖｌｉｎが設けられている。
【００１２】
また、固体撮像装置には、読み出し対象となる画素ＰＣを垂直方向に走査する垂直走査回路２、画素ＰＣとの間でソースフォロア動作を行うことにより、画素ＰＣから垂直信号線Ｖｌｉｎにカラムごとに画素信号を読み出す負荷回路３、各画素ＰＣの信号成分をＣＤＳにてカラムごとに検出するカラムＡＤＣ回路４、読み出し対象となる画素ＰＣを水平方向に走査する水平走査回路５、カラムＡＤＣ回路４に基準電圧ＶＲＥＦを出力する基準電圧発生回路６、各画素ＰＣの読み出しや蓄積のタイミングを制御するタイミング制御回路７および画素ＰＣを駆動する駆動電圧ＤＶを発生する駆動電圧発生回路８が設けられている。なお、基準電圧ＶＲＥＦはランプ波を用いることができる。
【００１３】
そして、垂直走査回路２にて画素ＰＣが垂直方向に走査されることで、ロウ方向ＲＤに画素ＰＣが選択され、駆動電圧発生回路８にて発生された駆動電圧ＤＶが画素ＰＣに供給される。そして、負荷回路３において、その画素ＰＣとの間でソースフォロア動作が行われることにより、画素ＰＣから読み出された画素信号が垂直信号線Ｖｌｉｎを介して伝送され、カラムＡＤＣ回路４に送られる。また、基準電圧発生回路６において、基準電圧ＶＲＥＦとしてランプ波が設定され、カラムＡＤＣ回路４に送られる。そして、カラムＡＤＣ回路４において、画素ＰＣから読み出された信号レベルとリセットレベルがランプ波のレベルに一致するまでクロックのカウント動作が行われ、その時の信号レベルとリセットレベルとの差分がとられることで各画素ＰＣの信号成分がＣＤＳにて検出され、出力信号Ｓ１として出力される。
【００１４】
図４は、図３の固体撮像装置の画素の構成例を示す回路図である。
図４において、各画素ＰＣには、フォトダイオードＰＤ、行選択トランジスタＴａ、増幅トランジスタＴｂ、リセットトランジスタＴｒおよび読み出しトランジスタＴｄが設けられている。また、増幅トランジスタＴｂとリセットトランジスタＴｒと読み出しトランジスタＴｄとの接続点には検出ノードとしてフローティングディフュージョンＦＤが形成されている。
【００１５】
そして、画素ＰＣにおいて、読み出しトランジスタＴｄのソースは、フォトダイオードＰＤに接続され、読み出しトランジスタＴｄのゲートには、読み出し信号ΦＤが入力される。また、リセットトランジスタＴｒのソースは、読み出しトランジスタＴｄのドレインに接続され、リセットトランジスタＴｒのゲートには、リセット信号ΦＲが入力され、リセットトランジスタＴｒのドレインは、電源電位ＶＤＤに接続されている。また、行選択トランジスタＴａのゲートには、行選択信号ΦＡが入力され、行選択トランジスタＴａのドレインは、電源電位ＶＤＤに接続されている。また、増幅トランジスタＴｂのソースは、垂直信号線Ｖｌｉｎに接続され、増幅トランジスタＴｂのゲートは、読み出しトランジスタＴｄのドレインに接続され、増幅トランジスタＴｂのドレインは、行選択トランジスタＴａのソースに接続されている。なお、図３の水平制御線Ｈｌｉｎは、読み出し信号ΦＤ、リセット信号ΦＲおよび行選択信号ΦＡをロウごとに画素ＰＣに伝送することができる。図３の負荷回路３には定電流源ＧＡ１がカラムごとに設けられ、定電流源ＧＡ１は垂直信号線Ｖｌｉｎに接続されている。なお、駆動電圧ＤＶは、行選択信号ΦＡ、読み出し信号ΦＤおよびリセット信号ΦＲのパルス電圧として用いることができる。
【００１６】
図５は、図３の画素の読み出し動作時の各部の電圧波形を示すタイミングチャートである。
図５において、行選択信号ΦＡがロウレベルの場合、行選択トランジスタＴａがオフ状態となりソースフォロワ動作しないため、垂直信号線Ｖｌｉｎに信号は出力されない。この時、読み出し信号ΦＤとリセット信号ΦＲがハイレベルになると、読み出しトランジスタＴｄがオンし、フォトダイオードＰＤに蓄積されていた電荷がフローティングディフュージョンＦＤに排出される。そして、リセットトランジスタＴｒを介して電源電位ＶＤＤに排出される。
【００１７】
フォトダイオードＰＤに蓄積されていた電荷が電源電位ＶＤＤに排出された後、読み出し信号ΦＤがロウレベルになると、フォトダイオードＰＤでは、有効な信号電荷の蓄積が開始される。
【００１８】
次に、リセット信号ΦＲが立ち上がると、リセットトランジスタＴｒがオンし、フローティングディフュージョンＦＤにリーク電流などで発生した余分な電荷がリセットされる。
【００１９】
そして、行選択信号ΦＡがハイレベルになると、画素ＰＣの行選択トランジスタＴａがオンし、増幅トランジスタＴｂのドレインに電源電位ＶＤＤが印加されることで、増幅トランジスタＴｂと定電流源ＧＡ１とでソースフォロアが構成される。そして、フローティングディフュージョンＦＤのリセットレベルＲＬに応じた電圧が増幅トランジスタＴｂのゲートにかかる。ここで、増幅トランジスタＴｂと定電流源ＧＡ１とでソースフォロアが構成されているので、増幅トランジスタＴｂのゲートに印加された電圧に垂直信号線Ｖｌｉｎの電圧が追従し、リセットレベルＲＬの画素信号Ｖｓｉｇが垂直信号線Ｖｌｉｎを介してカラムＡＤＣ回路４に出力される。
【００２０】
この時、基準電圧ＶＲＥＦとしてランプ波ＷＲが与えられ、リセットレベルＲＬの画素信号Ｖｓｉｇと基準電圧ＶＲＥＦとが比較される。そして、リセットレベルＲＬの画素信号Ｖｓｉｇが基準電圧ＶＲＥＦのレベルと一致するまでダウンカウントされることで、リセットレベルＲＬの画素信号Ｖｓｉｇがデジタル値ＤＲに変換され保持される。
【００２１】
次に、読み出し信号ΦＤが立ち上がると、読み出しトランジスタＴｄがオンし、フォトダイオードＰＤに蓄積されていた電荷がフローティングディフュージョンＦＤに転送され、フローティングディフュージョンＦＤの信号レベルＳＬに応じた電圧が増幅トランジスタＴｂのゲートにかかる。ここで、増幅トランジスタＴｂと定電流源ＧＡ１とでソースフォロアが構成されているので、増幅トランジスタＴｂのゲートに印加された電圧に垂直信号線Ｖｌｉｎの電圧が追従し、信号レベルＳＬの画素信号Ｖｓｉｇが垂直信号線Ｖｌｉｎを介してカラムＡＤＣ回路４に出力される。
この時、基準電圧ＶＲＥＦとしてランプ波ＷＳが与えられ、信号レベルＳＬの画素信号Ｖｓｉｇと基準電圧ＶＲＥＦとが比較される。そして、信号レベルＳＬの画素信号Ｖｓｉｇが基準電圧ＶＲＥＦのレベルと一致するまで今度はアップカウントされることで、信号レベルＳＬの画素信号Ｖｓｉｇがデジタル値ＤＳに変換される。そして、リセットレベルＲＬの画素信号Ｖｓｉｇと信号レベルＳＬの画素信号Ｖｓｉｇとの差分ＤＲ−ＤＳが保持され、出力信号Ｓ１として出力される。
【００２２】
図６は、図１の信号活性化処理部の構成例を示すブロック図である。
図６において、信号活性化処理部３９には、オフセット付加部４１、ランプ波発生器４２、減算器４３および加算器４４が設けられている。なお、減算器４３は、ロジック部３８の前段に設けることができる。加算器４４は、例えば、Ｒａｗデータを処理できるようにするために、図１のラインメモリ２９と画素補間部３０との間に挿入することができる。
そして、オフセット付加部４１において、ＡＤ変換部２３から出力された出力信号Ｓ１にオフセットＦＳが付加されることで、図７に示すように、出力信号Ｓ２が生成され、減算器４３に出力される。また、ランプ波発生器４２において、ランプ波ＲＰが生成され、減算器４３に出力される。そして、減算器４３において、出力信号Ｓ２からランプ波ＲＰが減算されることで、図８に示すように、出力信号Ｓ３が生成され、ロジック部３８に出力される。ここで、出力信号Ｓ２からランプ波ＲＰを減算することで、図８に示すように、出力信号Ｓ２の飽和領域ＰＳに傾斜を持たせることができ、出力信号Ｓ２の飽和領域ＰＳを非飽和化することができる。
そして、出力信号Ｓ３がロジック部３８に出力されると、出力信号Ｓ２の飽和領域ＰＳにおいても、ロジック部３８を活性化させることができる。このため、出力信号Ｓ２の飽和領域ＰＳにおけるロジック部３８の消費電流と、出力信号Ｓ２の非飽和領域ＮＳにおけるロジック部３８の消費電流との差分を減らすことができ、カラム間での電流変動の違いを低減することができる。この結果、カラム間での電流変動の違いに起因するストリーキングＳＴを低減させることができる。次に、加算器４４において、ロジック部３８の出力にランプ波ＲＰが加算されることにより、減算器４３でのランプ波ＲＰの減算分が補償される。
【００２３】
（第２実施形態）
図９は、第２実施形態に係る固体撮像装置のオフセット付加に用いられるランプ波の一例を示す図である。
図９において、黒レベルＢＬを生成するＯＢ（オプティカルブラック）画素にはノイズが乗っているため、信号領域ＲＳの基準値に対して負のノイズが発生する。この負のノイズを見かけ上、正のノイズとして扱えるようにするため、基準電圧ＶＲＥＦには黒レベルＢＬにオフセットＦＳが付加されている。このため、図６のオフセット付加部４１で付加されるオフセットＦＳとして、黒レベルＢＬに付加されているオフセットＦＳを用いることができる。
【００２４】
（第３実施形態）
図１０は、第３実施形態に係る固体撮像装置の信号活性化処理に用いられるパルス波の一例を示す図である。
図６では、出力信号Ｓ２の飽和領域ＰＳを非飽和化するために、出力信号Ｓ２からランプ波ＲＰを減算する構成について示した。出力信号Ｓ２の飽和領域ＰＳを非飽和化するために、図１０のパルス波を出力信号Ｓ２に重畳させるようにしてもよい。ランプ波またはパルス波を重畳させる方法以外にも、正弦波や三角波などの繰り返し波を出力信号Ｓ２に重畳させるようにしてもよい。出力信号Ｓ２に重畳させる波形は固定値以外の非定常信号ならば何でもよい。
【００２５】
（第４実施形態）
図１１は、第４実施形態に係る固体撮像装置に適用される信号活性化処理部の構成例を示すブロック図である。
図１１において、この構成では、図６の構成に飽和ライン判定部４５および１Ｈラインメモリ４６が追加されている。そして、ＡＤ変換部２３から出力された出力信号Ｓ１はラインごとに飽和ライン判定部４５に送られるとともに、１Ｈラインメモリ４６に保持される。そして、飽和ライン判定部４５において、複数画素が飽和しているラインがあるかどうかが判定される。そして、飽和ライン判定部４５は、複数画素が飽和しているラインがあると、ランプ波発生器４２にランプ波ＲＰを出力させ、複数画素が飽和しているラインについてのみランプ波ＲＰを減算させる。
なお、図１１の構成では、ラインごとに飽和状態を判定する方法について説明したが、複数ライン分のラインメモリを設け、複数ラインの画素の飽和状態に基づいて飽和領域の非飽和化を行うかどうかを判定してもよい。
【００２６】
（第５実施形態）
図１２は、第５実施形態に係る固体撮像装置に適用される信号活性化処理部の構成例を示すブロック図である。
図１２において、この構成では、図１１の構成にＡＥ回路４７が追加されている。このＡＥ回路４７は自動露出調整を行うことができる。この自動露出調整では、暗いシーンではデジタルゲインを上昇させ、明るいシーンではデジタルゲインを下降させることができる。そして、飽和ライン判定部４５は、このデジタルゲインからストリーキングの発生しやすいシーンかどうか判定することができる。そして、飽和ライン判定部４５は、ストリーキングの発生しやすいシーンでは、ランプ波発生器４２にランプ波ＲＰを出力させることができる。
【００２７】
（第６実施形態）
図１３は、第６の実施形態に係る固体撮像装置が適用されたデジタルカメラの概略構成を示すブロック図である。
図１３において、デジタルカメラ５１は、カメラモジュール５２および後段処理部５３を有する。カメラモジュール５２は、撮像光学系５４および固体撮像装置５５を有する。後段処理部５３は、イメージシグナルプロセッサ（ＩＳＰ）５６、記憶部５７及び表示部５８を有する。なお、信号活性化処理部３９は固体撮像装置５５に設けるようにしてもよいし、イメージシグナルプロセッサ５６に設けるようにしてもよい。また、ＩＳＰ５６の少なくとも一部の構成は固体撮像装置５５とともに１チップ化するようにしてもよい。
【００２８】
撮像光学系５４は、被写体からの光を取り込み、被写体像を結像させる。固体撮像装置５５は、被写体像を撮像する。ＩＳＰ５６は、固体撮像装置５５での撮像により得られた画像信号を信号処理する。記憶部５７は、ＩＳＰ５６での信号処理を経た画像を格納する。記憶部５７は、ユーザの操作等に応じて、表示部５８へ画像信号を出力する。表示部５８は、ＩＳＰ５６あるいは記憶部５７から入力される画像信号に応じて、画像を表示する。表示部５８は、例えば、液晶ディスプレイである。なお、カメラモジュール５２は、デジタルカメラ５１以外にも、例えばカメラ付き携帯端末またはスマートフォン等の電子機器に適用するようにしてもよい。
【００２９】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００３０】
２１  レンズ、２２  センサ部、２３  ＡＤ変換部、２４、２９、３６  ラインメモリ、２５  傷補正部、２６  ノイズキャンセル部、２７  レンズシェーディング補正部、２８  デジタルアンプ、３０  画素補間部、３１  カラーマトリクス部、３２  ホワイトバランス／ゲイン調整部、３３  バンドパスフィルタ、  ３４  ガンマ補正部、３５  ＹＵＶ変換部、３７  輪郭強調部、３８  ロジック部、３９  信号活性化処理部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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