(57)【要約】【課題】  基板が長方形形状である場合に発光光量に優れたIII 族窒化物半導体発光素子を提供することである。【解決手段】  発光素子１００は、第１の長辺Ｓ１と第２の長辺Ｓ２と第１の短辺Ｊ１と第２の短辺Ｊ２とを有する長方形形状の基板１１０と、基板１１０の上のｎ型コンタクト層１２０と、ｎ型コンタクト層１２０の上の複数のｎドット電極ＮＤと、第１の長辺Ｓ１に沿って複数のｎドット電極ＮＤの一部が配置された第１列Ｌ１と、第２の長辺Ｓ２に沿って複数のｎドット電極ＮＤの残部が配置された第２列Ｌ２と、を有する。複数のｎドット電極ＮＤは、第１列Ｌ１または第２列Ｌ２のいずれかに属している。また、第１列Ｌ１に属するｎドット電極ＮＤと第２列Ｌ２に属するｎドット電極ＮＤとが互い違いに配置されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
III 族窒化物半導体発光素子において、
第１の長辺と第２の長辺と第１の短辺と第２の短辺とを有する長方形形状の基板と、
前記基板の上のｎ型半導体層と、
前記ｎ型半導体層の上の複数のｎドット電極と、
前記第１の長辺に沿って前記複数のｎドット電極の一部が配置された第１列と、
前記第２の長辺に沿って前記複数のｎドット電極の残部が配置された第２列と、
を有し、
前記複数のｎドット電極は、
前記第１列または前記第２列のいずれかに属しており、
前記第１列に属するｎドット電極と前記第２列に属するｎドット電極とが互い違いに配置されていること
を特徴とするIII 族窒化物半導体発光素子。
【請求項２】
請求項１に記載のIII 族窒化物半導体発光素子において、
前記第１の短辺の長さが４００μｍ以下であること
を特徴とするIII 族窒化物半導体発光素子。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載のIII 族窒化物半導体発光素子において、
前記第１列に属するとともに互いに隣接するｎドット電極およびｎドット電極の間の距離が一定であり、
前記第２列に属するとともに互いに隣接するｎドット電極およびｎドット電極の間の距離が一定であること
を特徴とするIII 族窒化物半導体発光素子。
【請求項４】
請求項１から請求項３までのいずれか１項に記載のIII 族窒化物半導体発光素子において、
前記第１列に属するとともに互いに隣接する第１のｎドット電極および第２のｎドット電極を前記第２列に射影した場合に、射影後の前記第１のｎドット電極および射影後の前記第２のｎドット電極の中心の位置に前記第２列に属する第３のｎドット電極が配置されていること
を特徴とするIII 族窒化物半導体発光素子。
【請求項５】
請求項１から請求項４までのいずれか１項に記載のIII 族窒化物半導体発光素子において、
前記第１列に属するｎドット電極の数は奇数であり、
前記第２列に属するｎドット電極の数は偶数であること
を特徴とするIII 族窒化物半導体発光素子。
【請求項６】
請求項１から請求項５までのいずれか１項に記載のIII 族窒化物半導体発光素子において、
複数のｐドット電極を有し、
前記複数のｐドット電極の数は、前記複数のｎドット電極の数よりも多いこと
を特徴とするIII 族窒化物半導体発光素子。
【請求項７】
請求項１から請求項６までのいずれか１項に記載のIII 族窒化物半導体発光素子において、
前記第１の長辺の長さが前記第１の短辺の長さの２倍以上であること
を特徴とするIII 族窒化物半導体発光素子。
【請求項８】
請求項１から請求項７までのいずれか１項に記載のIII 族窒化物半導体発光素子において、
フリップチップであること
を特徴とするIII 族窒化物半導体発光素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本明細書の技術分野は、III 族窒化物半導体発光素子に関する。さらに詳細には、ドット電極の配置の好適化を図ったIII 族窒化物半導体発光素子に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
III 族窒化物半導体発光素子においては、複数のドット電極を配置するものがある。ここで、ドット電極とは、ドット状（点状）の接触領域で半導体層に接触している電極をいう。ドット電極は、素子内に複数個存在する。そして、ドット電極の接触領域の形状は、円形や多角形等である。もちろん、これ以外の形状であってもよい。ドット電極の具体例として、例えば、直径５０μｍ以下の円形のものが挙げられる。もちろん、これ以外の形状および径のものを用いてもよい。複数のドット電極を配置することにより、特に、ｐ型半導体層で電流を拡散させることができる。そのため、発光面内にドット電極を離散させて配置する技術が開発されてきている。
【０００３】
例えば、特許文献１には、ドット電極が離散的に配置されている発光素子が開示されている（特許文献１の図１等参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１１−６６３０４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、基板が長方形形状の発光素子では、発光面もほぼ長方形形状である。発光面が長方形形状の発光素子では、ドット電極をどのように配置することが好ましいかは明確ではない。ドット電極を多くしすぎれば、発光面積が減る。すなわち、この場合の発光光量は少ない。
【０００６】
特に、長方形の短辺が短い場合には、ドット電極の配置が難しい。発光面が細長い形状であるため、ドット電極の配置によっては発光面積が狭くなってしまう。そのため、発光面積をそれほど犠牲にすることなく、全放射束を確保することが好ましい。
【０００７】
本明細書の技術は、前述した従来の技術が有する問題点を解決するためになされたものである。すなわちその課題とするところは、基板が長方形形状である場合に発光光量に優れたIII 族窒化物半導体発光素子を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
第１の態様におけるIII 族窒化物半導体発光素子は、第１の長辺と第２の長辺と第１の短辺と第２の短辺とを有する長方形形状の基板と、基板の上のｎ型半導体層と、ｎ型半導体層の上の複数のｎドット電極と、第１の長辺に沿って複数のｎドット電極の一部が配置された第１列と、第２の長辺に沿って複数のｎドット電極の残部が配置された第２列と、を有する。複数のｎドット電極は、第１列または第２列のいずれかに属している。また、第１列に属するｎドット電極と第２列に属するｎドット電極とが互い違いに配置されている。
【０００９】
このIII 族窒化物半導体発光素子は、複数のｎドット電極を有する。そして、これらの複数のｎドット電極は、第１列もしくは第２列のいずれかに属している。そのため、発光面内において、ｎドット電極から最も離れた箇所であっても、ｎドット電極からの距離は、比較的小さい。これにより、電流が発光面に効果的に分散するとともに十分に明るい発光素子が実現されている。
【００１０】
第２の態様におけるIII 族窒化物半導体発光素子においては、第１の短辺の長さが４００μｍ以下である。
【００１１】
第３の態様におけるIII 族窒化物半導体発光素子においては、第１列に属するとともに互いに隣接するｎドット電極およびｎドット電極の間の距離が一定である。また、第２列に属するとともに互いに隣接するｎドット電極およびｎドット電極の間の距離が一定である。
【００１２】
第４の態様におけるIII 族窒化物半導体発光素子においては、第１列に属するとともに互いに隣接する第１のｎドット電極および第２のｎドット電極を第２列に射影した場合に、射影後の第１のｎドット電極および射影後の第２のｎドット電極の中心の位置に第２列に属する第３のｎドット電極が配置されている。
【００１３】
第５の態様におけるIII 族窒化物半導体発光素子においては、第１列に属するｎドット電極の数は奇数である。また、第２列に属するｎドット電極の数は偶数である。
【００１４】
第６の態様におけるIII 族窒化物半導体発光素子は、複数のｐドット電極を有する。そして、複数のｐドット電極の数は、複数のｎドット電極の数よりも多い。
【００１５】
第７の態様におけるIII 族窒化物半導体発光素子においては、第１の長辺の長さが第１の短辺の長さの２倍以上である。
【００１６】
第８の態様におけるIII 族窒化物半導体発光素子は、フリップチップである。
【発明の効果】
【００１７】
本明細書では、基板が長方形形状である場合に発光光量に優れたIII 族窒化物半導体発光素子が提供されている。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】第１の実施形態における発光素子の構造を示す平面図である。
【図２】図１のII-II 断面を示す断面図である。
【図３】ドット電極パターンＢを示す平面図である。
【図４】ドット電極パターンＣを示す平面図である。
【図５】ドット電極パターンＤを示す平面図である。
【図６】ドット電極パターンＡのｐ−ｎドット電極間距離を説明するための図である。
【図７】ドット電極パターンＢのｐ−ｎドット電極間距離を説明するための図である。
【図８】ドット電極パターンＣのｐ−ｎドット電極間距離を説明するための図である。
【図９】ドット電極パターンＤのｐ−ｎドット電極間距離を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、具体的な実施形態について、半導体発光素子を例に挙げて図を参照しつつ説明する。しかし、これらの実施形態に限定されるものではない。また、後述する半導体発光素子の各層の積層構造および電極構造は、例示である。実施形態とは異なる積層構造であってももちろん構わない。そして、それぞれの図における各層の厚みは、概念的に示したものであり、実際の厚みを示しているわけではない。
【００２０】
（第１の実施形態）
１．半導体発光素子
図１は、本実施形態の発光素子１００を示す平面図である。図２は、図１のII-II 断面を示す断面図である。発光素子１００は、フリップチップ型の半導体発光素子である。図２に示すように、発光素子１００は、基板１１０と、ｎ型コンタクト層１２０と、ｎ側クラッド層１３０と、発光層１４０と、ｐ側クラッド層１５０と、ｐ型コンタクト層１６０と、ｎドット電極ＮＤ（ＮＤ７）と、透明電極ＴＥ１と、絶縁反射層ＩＲ１と、反射層Ｒ１と、絶縁層Ｉ１、Ｉ２と、ｐ配線電極ＰＷ１と、ｎ配線電極ＮＷ１と、ｐ電極Ｐ１と、を有している。
【００２１】
基板１１０は、サファイア基板である。そして、発光層１４０で発光した光を半導体層の反対側に透過するためのものである。基板１１０は、長方形形状である。基板１１０は、第１の長辺Ｓ１と第２の長辺Ｓ２と第１の短辺Ｊ１と第２の短辺Ｊ２とを有している。もちろん、第１の長辺Ｓ１の長さは第２の長辺Ｓ２の長さと等しい。また、第１の短辺Ｊ１の長さは第２の短辺Ｊ２の長さと等しい。第１の短辺Ｊ１および第２の短辺Ｊ２の長さは、１００μｍ以上４００μｍ以下の範囲内である。また、第１の長辺Ｓ１の長さは、第１の短辺Ｊ１の長さの２倍以上５倍以下である。
【００２２】
ｎ型コンタクト層１２０は、ｎドット電極ＮＤとコンタクトをとるための半導体層である。ｎ型コンタクト層１２０は、基板１１０の上に形成されている。また、基板１１０とｎ型コンタクト層１２０との間にバッファ層（図示せず）があるとよい。ｎ側クラッド層１３０は、ｎ型コンタクト層１２０の上に形成されている。ｎ型コンタクト層１２０およびｎ側クラッド層１３０は、ｎ型半導体層である。
【００２３】
発光層１４０は、正孔と電子とを再結合させて発光させるための半導体層である。発光層１４０は、ｎ側クラッド層１３０の上に形成されている。
【００２４】
ｐ側クラッド層１５０は、発光層１４０の上に形成されている。ｐ型コンタクト層１６０は、透明電極ＴＥ１とコンタクトをとるための半導体層である。ｐ型コンタクト層１６０は、ｐ側クラッド層１５０の上に形成されている。ｐ側クラッド層１５０およびｐ型コンタクト層１６０は、ｐ型半導体層である。
【００２５】
複数のｎドット電極ＮＤ（ＮＤ７）は、ｎ型コンタクト層１２０とコンタクトをとるための電極である。なお、ｎドット電極ＮＤは、その配置された位置に応じて、ｎドット電極ＮＤ１、ＮＤ２、ＮＤ３、ＮＤ４、ＮＤ５、ＮＤ６、ＮＤ７と符号が割り振られている。しかし、これらの位置を問題にしない場合には、まとめてｎドット電極ＮＤと表記することとする。ｎドット電極ＮＤは、ｎ型コンタクト層１２０の上に形成されている。ｎドット電極ＮＤの材質は、例えば、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｃｒ等である。また、反射率を高めるために、Ａｌ、Ａｇ、Ｒｈ、もしくはこれらを含有する合金を用いてもよい。もちろん、これ以外の材料を用いてもよい。
【００２６】
透明電極ＴＥ１は、ｐ型コンタクト層１６０とコンタクトをとるための電極である。透明電極ＴＥ１は、ｐ型コンタクト層１６０の上に形成されている。透明電極ＴＥ１の材質は、ＩＴＯである。また、ＩＴＯの他に、ＩＣＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ、ＴｉＯ2 、ＮｂＴｉＯ2 、ＴａＴｉＯ2 の透明な導電性酸化物を用いることができる。
【００２７】
絶縁反射層ＩＲ１は、絶縁性の反射層である。絶縁反射層ＩＲ１は、透明電極ＴＥ１の上に形成されている。絶縁反射層ＩＲ１は、多数の貫通孔を有している。絶縁反射層ＩＲ１は、例えば、ＳｉＯ2 とＴｉＯ2 とを交互に積層したＤＢＲ膜である。または、単層のＳｉＯ2 等を用いてもよい。もちろん、これ以外の材料を用いてもよい。
【００２８】
反射層Ｒ１は、導電性の反射層である。反射層Ｒ１は、透明電極ＴＥ１および絶縁反射層ＩＲ１の上に形成されている。反射層Ｒ１は、絶縁反射層ＩＲ１の貫通孔の箇所で透明電極ＴＥ１と接触している。そのため、この貫通孔の箇所は、ｐドット電極ＰＤである。反射層Ｒ１の材質は、例えば、Ａｌ、Ａｇ、Ｒｈ、もしくはこれらを含有する合金である。もちろん、これ以外の材料を用いてもよい。
【００２９】
複数のｐドット電極ＰＤは、反射層Ｒ１の一部である。複数のｐドット電極ＰＤは、ｐ型コンタクト層１６０と導通する電極である。複数のｐドット電極ＰＤは、発光面内に分散して配置されている。また、複数のｐドット電極ＰＤの数は、複数のｎドット電極ＮＤの数よりも多い。
【００３０】
絶縁層Ｉ１、Ｉ２は、ｎ配線電極ＮＷ１とｐ配線電極ＰＷ１とを絶縁するためのものである。そのため、絶縁層Ｉ１は、ｎ配線電極ＮＷ１を覆うように形成されている。ｎ配線電極ＮＷ１は、ｎドット電極ＮＤとｎドット電極ＮＤとを導通させるための配線電極である。ｎ配線電極ＮＷ１は、ｎドット電極ＮＤと接触している。ｐ配線電極ＰＷ１は、ｐドット電極ＰＤとｐドット電極ＰＤとを導通させるための配線電極である。ｐ電極Ｐ１は、実装される際に実際に接合される箇所である。ｐ電極Ｐ１は、ｐ配線電極ＰＷ１の上に形成されている。絶縁層Ｉ１、Ｉ２の材質は、例えば、ＳｉＯ2 である。もちろん、これ以外の材料を用いてもよい。
【００３１】
２．ｎドット電極の配置
図１に示すように、発光素子１００は、７個のｎドット電極ＮＤ１、ＮＤ２、ＮＤ３、ＮＤ４、ＮＤ５、ＮＤ６、ＮＤ７を有している。発光素子１００は、ｎドット電極ＮＤの第１列Ｌ１と、ｎドット電極ＮＤの第２列Ｌ２と、を有している。
【００３２】
第１列Ｌ１は、第１の長辺Ｓ１に沿って複数のｎドット電極ＮＤの一部が配置されたものである。第１列Ｌ１は、ｎドット電極ＮＤ１、ＮＤ２、ＮＤ３を有している。つまり、第１列Ｌ１は、３個、すなわち奇数個のｎドット電極を有している。また、ｎドット電極ＮＤ１、ＮＤ２、ＮＤ３は、第１列Ｌ１に属している。
【００３３】
第２列Ｌ２は、第２の長辺Ｓ２に沿って複数のｎドット電極ＮＤの残部が配置されたものである。第２列Ｌ２は、ｎドット電極ＮＤ４、ＮＤ５、ＮＤ６、ＮＤ７を有している。つまり、第２列Ｌ２は、４個、すなわち偶数個のｎドット電極を有している。また、ｎドット電極ＮＤ４、ＮＤ５、ＮＤ６、ＮＤ７は、第２列Ｌ２に属している。
【００３４】
第１列Ｌ１に属するとともに互いに隣接するｎドット電極ＮＤおよびｎドット電極ＮＤの間の距離は一定である。また、第２列Ｌ２に属するとともに互いに隣接するｎドット電極ＮＤおよびｎドット電極ＮＤの間の距離は、一定である。
【００３５】
複数のｎドット電極ＮＤは、第１列Ｌ１または第２列Ｌ２のいずれかに属している。そして、第１列Ｌ１に属するｎドット電極ＮＤと第２列Ｌ２に属するｎドット電極ＮＤとが互い違いに配置されている。
【００３６】
例えば、第１列Ｌ１に属するｎドット電極ＮＤ１と第１列Ｌ１に属するｎドット電極ＮＤ２との中心の位置が点Ｋ１である。そして、点Ｋ１から第２列Ｌ２に向かって下した垂線Ｋ２が第２列Ｌ２と交わる位置に、ｎドット電極ＮＤ５が配置されている。
【００３７】
つまり、第１列Ｌ１に属するとともに互いに隣接する第１のｎドット電極ＮＤおよび第２のｎドット電極ＮＤを第２列Ｌ２に射影した場合を考える。この場合に、射影後の第１のｎドット電極ＮＤおよび射影後の第２のｎドット電極ＮＤの中心の位置に第２列Ｌ２に属する第３のｎドット電極ＮＤが配置されている。
【００３８】
３．本実施形態の効果
このように、発光素子１００は、長方形形状の基板１１０に対して、第１列Ｌ１および第２列Ｌ２について交互にｎドット電極ＮＤを配置する。これにより、ｎドット電極ＮＤとｐドット電極ＰＤとの間の距離を全般的に短く設計することができる。また、ｎドット電極ＮＤが発光面の端に位置しているため、ｎドット電極ＮＤが発光面積をそれほど犠牲にしない。つまり、この発光素子１００は、広い発光面積を確保することができる。そして、発光素子１００は、発光面にわたって均一に発光することができる。
【００３９】
４．実験
ここで、本実施形態の発光素子１００に関する実験について説明する。本実験では、ｎドット電極ＮＤの配置位置を変更して、全放射束Ｐｏと駆動電圧Ｖｆと発光効率とについて比較した。
【００４０】
４−１．ドット電極パターン
本実験では、ドット電極パターンＡと、ドット電極パターンＢと、ドット電極パターンＣと、ドット電極パターンＤと、を考慮した。
【００４１】
ドット電極パターンＡを図１に示す。ドット電極パターンＡは、本実施形態の電極配置である。つまり、第１列Ｌ１と第２列Ｌ２とを有するとともに、第１列Ｌ１のｎドット電極ＮＤと第２列Ｌ２のｎドット電極ＮＤとが交互に配置されている。
【００４２】
図３はドット電極パターンＢを示す図である。ドット電極パターンＢは、第１列のみを有する。そして、その第１列は、第１の長辺Ｓ１と第２の長辺Ｓ２との中心に沿っている。つまり、ｎドット電極ＮＤは、その中心線に沿って配置されている。
【００４３】
図４はドット電極パターンＣを示す図である。ドット電極パターンＣは、第１列のみを有する。そして、その第１列は、第１の長辺Ｓ１に沿っている。つまり、ｎドット電極ＮＤは、第１の長辺Ｓ１に沿って配置されている。そして、第２の長辺Ｓ２の側には、ｎドット電極ＮＤは存在しない。
【００４４】
図５はドット電極パターンＤを示す図である。ドット電極パターンＤは、第１列および第２列を有する。そして、第１列を第２列に向かって射影すると、第１列のｎドット電極ＮＤの位置と第２列のｎドット電極ＮＤの位置とは重なる。
【００４５】
４−２．ドット電極間距離
表１は、ｎドット電極ＮＤの配置とその特性を示す表である。図６に示すように、ドット電極パターンＡでは、ｎドット電極ＮＤが発光面の端部に配置されている。そのため、１つのｎドット電極ＮＤは、それほど多くの発光面積を占めない。したがって、ドット電極パターンＡの発光素子は、広い発光面積を確保できる。また、ｐ−ｎ間のドット電極間距離も小さい。ここで、ｐ−ｎ間のドット電極間距離とは、発光面内において、ｐドット電極ＰＤとｎドット電極ＮＤとの最短距離が最も遠い距離をいう。具体的には、図６から図９により説明する。図６から図９において、発光素子の短辺ａと、ドット電極間距離の半分の幅ｂと、が示されている。
【００４６】
図７に示すように、ドット電極パターンＢでは、ｎドット電極ＮＤが発光面の中心線に沿って配置されている。そのため、１つのｎドット電極ＮＤが占める面積は、ドット電極パターンＡ、Ｃに比べて大きい。したがって、ドット電極パターンＢの発光素子の発光面積は、ドット電極パターンＡ、Ｃの発光素子の発光面積に比べて小さい。また、ｐ−ｎ間のドット電極間距離は、ドット電極パターンＡに比べて小さい傾向にある。
【００４７】
図８に示すように、ドット電極パターンＣでは、ドット電極パターンＡと同様に、ｎドット電極ＮＤが発光面の端部に配置されている。そのため、１つのｎドット電極ＮＤは、それほど多くの発光面積をとらない。したがって、ドット電極パターンＣの発光素子は、広い発光面積を確保できる。しかし、ｐ−ｎ間のドット電極間距離は、ドット電極パターンＡに比べて大きい。また、ｎドット電極ＮＤが発光面に対してまんべんなく配置されているわけではない。そのため、この発光素子は、やや不均一に発光する。
【００４８】
図９に示すように、ドット電極パターンＤでは、ドット電極パターンＡと同様に、ｎドット電極ＮＤが発光面の端部に配置されている。そのため、１つのｎドット電極ＮＤは、それほど多くの発光面積をとらない。したがって、ドット電極パターンＣの発光素子は、広い発光面積を確保できる。しかし、ｐ−ｎ間のドット電極間距離は、ドット電極パターンＡに比べて大きい。したがって、ドット電極パターンＡは、ドット電極パターンＤよりも好ましい。
【００４９】
【表１】
2016143682.tif 000003
【００５０】
４−３．測定結果
表２は、測定結果を示す表である。ドット電極パターンＡでは、全放射束Ｐｏは２９．５３（ｍＷ）であった。駆動電圧Ｖｆは２．８０（Ｖ）であった。効率は５２．７％であった。ここで、効率（％）とは、発光素子１００に投入した電力（ｍＷ）に対する出力（ｍＷ）のことである。
【００５１】
ドット電極パターンＢでは、全放射束Ｐｏは２８．９６（ｍＷ）であった。駆動電圧Ｖｆは２．８０（Ｖ）であった。効率は５１．７％であった。
【００５２】
ドット電極パターンＣでは、全放射束Ｐｏは２９．５６（ｍＷ）であった。駆動電圧Ｖｆは２．８１（Ｖ）であった。効率は５２．６％であった。
【００５３】
なお、ドット電極パターンＤに対しては、測定を実施していない。
【００５４】
上記のように、ドット電極パターンＡ、Ｃでは、ドット電極パターンＢに比べて、全放射束および効率が高い。また、ドット電極パターンＡの発光素子は、ドット電極パターンＣの発光素子に比べて発光面内に均一に発光する。したがって、ドット電極パターンＡが最も好ましい。
【００５５】
【表２】
2016143682.tif 000004
【００５６】
５．変形例
５−１．列の定義
本実施形態では、第１列Ｌ１は、３個のｎドット電極を有しているとともに、第２列Ｌ２は、４個のｎドット電極を有している。しかし、第１列Ｌ１および第２列Ｌ２は、定義上の問題であり、これらは逆であっても構わない。つまり、第１列Ｌ１は、４個のｎドット電極を有しているとともに、第２列Ｌ２は、３個のｎドット電極を有するようにしてもよい。また、第１列Ｌ１および第２列Ｌ２のそれぞれは、図１と異なる数のｎドット電極を有していてもよい。
【００５７】
５−２．フェイスアップ型
本実施形態の発光素子１００は、フリップチップ型の半導体発光素子である。しかし、フェイスアップ型の発光素子に対して、本実施形態の技術を適用してもよい。
【００５８】
６．本実施形態のまとめ
以上詳細に説明したように、本実施形態の発光素子１００は、複数のｎドット電極ＮＤを有する半導体発光素子である。発光素子１００の基板１１０は、長方形形状である。そして、長方形の基板１１０の短辺の長さは４００μｍ以下である。発光素子１００は、第１の長辺Ｓ１に沿う第１列Ｌ１と、第２の長辺Ｓ２に沿う第２列Ｌ２と、を有している。そして、第１列Ｌ１に属するｎドット電極ＮＤと、第２列Ｌ２に属するｎドット電極ＮＤとは、互い違いに配置されている。したがって、発光面積を確保するとともに明るい発光素子１００が実現されている。
【００５９】
なお、以上に説明した実施形態は単なる例示にすぎない。したがって当然に、その要旨を逸脱しない範囲内で種々の改良、変形が可能である。半導体層や配線等の積層構造については、必ずしも図に示したものに限らない。積層構造や膜厚等、任意に選択してよい。また、発光素子１００の製造方法は、有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）に限らない。その他の気相エピタキシー法および液相エピタキシー法を用いてもよい。
【符号の説明】
【００６０】
１００…発光素子
１１０…基板
１２０…ｎ型コンタクト層
１３０…ｎ側クラッド層
１４０…発光層
１５０…ｐ側クラッド層
１６０…ｐ型コンタクト層
ＮＤ…ｎドット電極
ＴＥ１…透明電極
ＩＲ１…絶縁反射層
Ｒ１…反射層
Ｉ１、Ｉ２…絶縁層
ＰＷ１…ｐ配線電極
ＮＷ１…ｎ配線電極
Ｐ１…ｐ電極
【図１】
2016143682.tif 000005
【図２】
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【図３】
2016143682.tif 000007
【図４】
2016143682.tif 000008
【図５】
2016143682.tif 000009
【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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