(57)【要約】【課題】画素の意図しない発光を防止した表示装置を提供する。【解決手段】表示装置は、絶縁表面上に、互いに分離して設けられた複数の画素電極と、前記複数の画素電極上それぞれに互いに分離して設けられ、複数の第１のキャリア輸送層又は複数の第１のキャリア注入層のうち少なくとも一方である複数の第１の層と、前記第１の層上に設けられた発光層と、前記発光層上に設けられ、第２のキャリア輸送層又は第２のキャリア注入層のうち少なくとも一方である第２の層と、前記第２の層上に設けられた対向電極と、を有することを特徴とする。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面上に、互いに分離して設けられた複数の画素電極と、
前記複数の画素電極上それぞれに互いに分離して設けられ、複数の第１のキャリア輸送層又は複数の第１のキャリア注入層のうち少なくとも一方である複数の第１の層と、
前記第１の層上に設けられた発光層と、
前記発光層上に設けられ、第２のキャリア輸送層又は第２のキャリア注入層のうち少なくとも一方である第２の層と、
前記第２の層上に設けられた対向電極と、
を有することを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記第１の層の端部を覆うように設けられた画素分離膜をさらに有する
ことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記第１の層の端部のキャリア移動度は、前記複数の第１の層の端部以外の部分のキャリア移動度よりも低い
ことを特徴とする請求項１又は２のいずれか一項に記載の表示装置。
【請求項４】
前記第１の層は、前記画素電極上から前記絶縁表面上にわたって設けられる
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の表示装置。
【請求項５】
前記第１の層の端部は、前記画素電極上に設けられる
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の表示装置。
【請求項６】
前記第１の層は、エッチングにより形成される
ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の表示装置。
【請求項７】
絶縁表面上に、互いに分離して設けられた複数の画素電極と、
前記複数の画素電極上にわたって設けられ、第１のキャリア輸送層又は第１のキャリア注入層のうち少なくとも一方である第１の層と、
前記第１の層上に設けられた発光層と、
前記発光層上に設けられ、第２のキャリア輸送層又は第２のキャリア注入層のうち少なくとも一方である第２の層と、
前記第２の層上に設けられた対向電極と、を有し、
前記第１の層は、隣接する２つの前記画素電極間に設けられる中間部分を有し、前記中間部分よりもキャリア移動度が高い部分を、前記第１の層のうち前記画素電極上に設けられる部分に有する
ことを特徴とする表示装置。
【請求項８】
前記第１の層のうち前記絶縁表面を覆う部分を覆うように設けられた画素分離膜をさらに有する
ことを特徴とする請求項７に記載の表示装置。
【請求項９】
絶縁表面上に、画素電極層を形成し、
前記画素電極層上に、第１のキャリア輸送層又は第１のキャリア注入層のうち少なくとも一方である共通層を形成し、
前記画素電極層及び前記共通層をパターニングし、互いに分離して設けられた複数の画素電極と、前記複数の画素電極上それぞれに互いに分離して設けられ、複数の前記第１のキャリア輸送層又は複数の前記第１のキャリア注入層のうち少なくとも一方である複数の第１の層を形成し、
前記第１の層上に発光層を形成し、
前記発光層上に、第２のキャリア輸送層又は第２のキャリア注入層のうち少なくとも一方である第２の層を形成し、
前記第２の層上に対向電極層を形成する、表示装置の製造方法。
【請求項１０】
絶縁表面上に、画素電極層を形成し、
前記画素電極層をパターニングし、互いに分離して設けられた複数の画素電極を形成し、
前記複数の画素電極上にわたって、第１のキャリア輸送層又は第１のキャリア注入層のうち少なくとも一方である第１の層を形成し、
前記第１の層のうち前記複数の画素電極を覆う部分、又は前記第１の層のうち前記絶縁表面を覆う部分、に対して粒子線又は光線を照射し、
前記第１の層上に発光層を形成し、
前記発光層上に、第２のキャリア輸送層又は第２のキャリア注入層のうち少なくとも一方である第２の層を形成し、
前記第２の層上に対向電極層を形成する、表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置、及び表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ（Electro Luminescence）表示装置等の表示装置では、有機発光ダイオード（Organic Light Emitting Diode、ＯＬＥＤ）等の自発光素子を含む画素を制御し、画像を表示する場合がある。従来、有機発光ダイオードを形成する有機層のうちホール輸送層（Hole Transport Layer、ＨＴＬ）又はホール注入層（Hole Injection Layer、ＨＩＬ）は、複数画素について共通に設けられる。
【０００３】
下記特許文献１には、アノード電極の周囲を囲み、かつ、有機層に対して電気的に接続された金属配線を有し、金属配線の電位は、アノード電極の電位よりも低いＥＬ表示装置が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１２−１５５９５３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ホール輸送層又はホール注入層は複数画素について共通に設けられていたので、特定画素を発光させる意図で電流を流したとしても、ホール輸送層又はホール注入層等に沿って漏れ電流が発生する場合がある。漏れ電流は隣接画素に到達し、隣接画素の意図しない発光を招く場合があった。
【０００６】
そこで、本発明は、画素の意図しない発光を防止した表示装置の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の表示装置は、絶縁表面上に、互いに分離して設けられた複数の画素電極と、前記複数の画素電極上それぞれに互いに分離して設けられ、複数の第１のキャリア輸送層又は複数の第１のキャリア注入層のうち少なくとも一方である複数の第１の層と、前記第１の層上に設けられた発光層と、前記発光層上に設けられ、第２のキャリア輸送層又は第２のキャリア注入層のうち少なくとも一方である第２の層と、前記第２の層上に設けられた対向電極と、を有することを特徴とする。
【０００８】
本発明の表示装置は、絶縁表面上に、互いに分離して設けられた複数の画素電極と、前記複数の画素電極上にわたって設けられ、第１のキャリア輸送層又は第１のキャリア注入層のうち少なくとも一方である第１の層と、前記第１の層上に設けられた発光層と、前記発光層上に設けられ、第２のキャリア輸送層又は第２のキャリア注入層のうち少なくとも一方である第２の層と、前記第２の層上に設けられた対向電極と、を有し、前記第１の層は、隣接する２つの前記画素電極間に設けられる中間部分を有し、前記中間部分よりもキャリア移動度が高い部分を、前記第１の層のうち前記画素電極上に設けられる部分に有することを特徴とする。
【０００９】
本発明の表示装置の製造方法は、絶縁表面上に、画素電極層を形成し、前記画素電極層上に、第１のキャリア輸送層又は第１のキャリア注入層のうち少なくとも一方である共通層を形成し、前記画素電極層及び前記共通層をパターニングし、互いに分離して設けられた複数の画素電極と、前記複数の画素電極上それぞれに互いに分離して設けられ、複数の前記第１のキャリア輸送層又は複数の前記第１のキャリア注入層のうち少なくとも一方である複数の第１の層を形成し、前記第１の層上に発光層を形成し、前記発光層上に、第２のキャリア輸送層又は第２のキャリア注入層のうち少なくとも一方である第２の層を形成し、前記第２の層上に対向電極層を形成する。
【００１０】
本発明の表示装置の製造方法は、絶縁表面上に、画素電極層を形成し、前記画素電極層をパターニングし、互いに分離して設けられた複数の画素電極を形成し、前記複数の画素電極上にわたって、第１のキャリア輸送層又は第１のキャリア注入層のうち少なくとも一方である第１の層を形成し、前記第１の層のうち前記複数の画素電極を覆う部分、又は前記第１の層のうち前記絶縁表面を覆う部分、に対して粒子線又は光線を照射し、前記第１の層上に発光層を形成し、前記発光層上に、第２のキャリア輸送層又は第２のキャリア注入層のうち少なくとも一方である第２の層を形成し、前記第２の層上に対向電極層を形成する。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の斜視図である。
【図２】本発明の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の配線図である。
【図３】第１の実施形態に係る有機ＥＬパネルの画素の断面図である。
【図４】第１の変形例に係る有機ＥＬパネルの画素の断面図である。
【図５】第２の変形例に係る有機ＥＬパネルの画素の断面図である。
【図６】第３の変形例に係る有機ＥＬパネルの画素の断面図である。
【図７】第２の実施形態に係る有機ＥＬパネルの画素の断面図である。
【図８】第３の実施形態に係る有機ＥＬパネルの画素の断面図である。
【図９】第４の実施形態に係る有機ＥＬパネルの画素の断面図である。
【図１０】本実施形態に係る有機ＥＬパネル作成工程のフロー図である。
【図１１】下部構造形成工程の第１の例における、画素電極層及び共通層を示す図である。
【図１２】下部構造形成工程の第１の例における、画素電極及びホール輸送層を示す図である。
【図１３】下部構造形成工程の第２の例における、画素電極及び共通層を示す図である。
【図１４】下部構造形成工程の第２の例における、画素電極及びホール輸送層を示す図である。
【図１５】下部構造形成工程の第３の例における、粒子線の照射を示す図である。
【図１６】下部構造形成工程の第４の例における、粒子線の照射を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下に、本発明の各実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。
【００１３】
図１は、本発明の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１を示す斜視図である。有機ＥＬ表示装置１は、上フレーム２と下フレーム３とで挟まれるように固定された有機ＥＬパネル１０から構成されている。
【００１４】
図２は、本発明の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１の配線図である。有機ＥＬパネル１０は、表示領域１１にマトリクス状に設けられた各画素を、映像信号駆動回路１２及び走査信号駆動回路１３によって制御し、画像を表示する。ここで、映像信号駆動回路１２は、各画素に送る映像信号を生成し、発信するＩＣ（Integrated Circuit）である。また、走査信号駆動回路１３は、画素に設けられたＴＦＴ（Thin Film Transistor、薄膜トランジスタ）への走査信号を生成し、発信するＩＣである。なお、図面において、映像信号駆動回路１２及び走査信号駆動回路１３は、２箇所に形成されるものとして図示されているが、一つのＩＣに組み込まれていてもよいし、３箇所以上に分かれて形成されてもよい。
【００１５】
走査信号駆動回路１３からの信号を伝える走査線１５は、各画素領域に形成された画素トランジスタのゲートに電気的に接続される。走査線１５は、１つの行に並ぶ画素トランジスタについて共通である。画素トランジスタは、そのソース又はドレインが駆動トランジスタのゲートに電気的に接続されるトランジスタである。駆動トランジスタは、ソースが有機発光ダイオードの陽極に電気的に接続されるトランジスタである。有機発光ダイオードの陰極は、接地電位に固定される。また、映像信号駆動回路１２からの信号を伝える映像信号線１４は、画素トランジスタのソース又はドレインに電気的に接続される。映像信号線１４は、１つの列に並ぶ画素トランジスタについて共通である。走査線１５に走査信号が印加されると画素トランジスタがオン状態となる。その状態で映像信号線１４に映像信号が印加されると駆動トランジスタのゲートに映像信号が印加され、駆動トランジスタがオン状態となる。駆動トランジスタのドレインには、電源線１６が電気的に接続される。電源線１６には、有機発光ダイオードを発光させるための電源電圧が印加される。駆動トランジスタがオン状態となると、映像信号の大きさに応じた電流が有機発光ダイオードに流れて、有機発光ダイオードが発光する。
【００１６】
［第１の実施形態］
図３は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬパネル１０の画素の断面図である。図３は、図２のＩＩＩ−ＩＩＩ断面を示す図である。有機ＥＬパネル１０の最下層には、基板２０が配置される。基板２０は、ガラス又は人工樹脂等により形成される。
【００１７】
基板２０の上には、ＳｉＮ、ＳｉＯ２等により下地膜２１が形成される。下地膜２１の上には、駆動トランジスタのドレイン電極３０とソース電極３３とを電気的に接続するチャネル層３２が形成される。チャネル層３２は、多結晶シリコンで形成される。なお、チャネル層３２は非晶質シリコン等で形成されてもよい。下地膜２１及びチャネル層３２の上には、ＳｉＮ、ＳｉＯ２等により第１絶縁膜２２が形成される。第１絶縁膜２２の上には、金属材料により駆動トランジスタのゲート電極３１が形成される。第１絶縁膜２２及びゲート電極３１の上には、ＳｉＮ、ＳｉＯ２等により第２絶縁膜２３が形成される。第２絶縁膜２３及び第１絶縁膜２２には、チャネル層３２に達するスルーホールが設けられ、金属材料により駆動トランジスタのドレイン電極３０及びソース電極３３が形成される。ドレイン電極３０、ソース電極３３、及び第２絶縁膜２３の上には、ＳｉＮ、ＳｉＯ２等により層間絶縁膜２４が形成される。層間絶縁膜２４の上には、金属材料により配線３４が形成される。配線３４は、電源線１６又は映像信号線１４等である。配線３４及び層間絶縁膜２４の上には、ＳｉＮ、ＳｉＯ２等により平坦化膜２５が形成される。なお、図３に示す例において、チャネル層３２はｎチャネルであり、ドレイン電極３０側からソース電極３３側へ電流が流れることとする。
【００１８】
平坦化膜２５の表面は絶縁表面である。絶縁表面である平坦化膜２５上には、金属材料により画素電極２６が形成される。画素電極２６は、有機発光ダイオードの陽極となる。画素電極２６は、平坦化膜２５及び層間絶縁膜２４に設けられたスルーホールを通じて、駆動トランジスタのソース電極３３に電気的に接続される。画素電極２６は、画素ごとに互いに分離して形成される。有機ＥＬ表示装置１では、特定の画素電極２６に電圧を印加することで対応する画素を発光させ、画像を表示する。しかし、前述のように、画素電極２６の上に積層される有機層が複数の画素にわたって形成される場合、有機層に沿って漏れ電流が発生し、隣接画素が発光する場合がある。ここで、漏れ電流は、有機層の中でも画素電極２６側に形成される層を通じて発生する場合が多い。
【００１９】
第１の実施形態に係る有機ＥＬパネル１０では、複数の画素電極２６上それぞれに、複数のキャリア輸送層又は複数のキャリア注入層のうち少なくとも一方（第１の層）が形成される。ここで、キャリアとは電子又はホールを意味する。本実施形態では、キャリア輸送層は、ホール輸送層２７ａである。複数のホール輸送層２７ａは互いに分離して設けられる。なお、画素電極２６上に設けられる層はホール注入層であってもよい。また、画素電極２６上に設けられる層は、画素電極２６側から順に、ホール注入層とホール輸送層が積層された層であってもよい。ホール輸送層２７ａは、例えば、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）−ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＥＤＯＤ−ＰＳＳ）で形成されるが、その他の導電性有機材料で形成されてもよい。本実施形態のように、ホール輸送層２７ａを複数の画素電極２６ごとに分離して形成することで、ホール輸送層２７ａを通じた漏れ電流が発生しなくなる。そのため、画素の意図しない発光が防止される。
【００２０】
なお、画素電極２６及びホール輸送層２７ａは、エッチングにより形成されてもよい。従来、ホール輸送層２７ａは、蒸着マスクを用いた蒸着工程によりパターニングされて形成される場合があった。本実施形態のように画素分離膜２８を形成する前に、エッチングによりホール輸送層２７ａをパターニングすることで、ホール輸送層２７ａのパターニングをより簡単化することができる。また、蒸着工程では微細加工が困難である他、前工程において蒸着マスクに付着した物質により蒸着層が汚染されるおそれがある。その点、本実施形態におけるホール輸送層２７ａは、フォトリソグラフィ及びエッチングにより、汚染を防止しつつ高精度でパターニングすることが可能である。なお、画素電極２６及びホール輸送層２７ａをエッチングにより形成する場合、ウェットエッチングを用いることができる。また、ドライエッチングを用いてもよい。
【００２１】
平坦化膜２５、画素電極２６、及びホール輸送層２７ａの上には、アクリル、ポリイミド等の感光性樹脂、又はＳｉＮ、ＳｉＯ２等の無機材料により画素分離膜２８が形成される。画素分離膜２８は、画素電極２６及びホール輸送層２７ａの端部を覆い、電極間の短絡を防止する。また、画素分離膜２８は、以下に記載するように発光領域を規定する。
【００２２】
複数の画素分離膜２８及び複数のホール輸送層２７ａの上には、有機層４０が形成される。有機層４０は、ホール輸送層２７ａ側から順に、発光層と電子輸送層（Electron Transport Layer、ＥＴＬ）とが積層された層である。ここで、発光層の上には、電子注入層（Electron Injection Layer、ＥＩＬ）が形成されてもよいし、電子輸送層と電子注入層とが順に形成されてもよい。発光層の発光領域は、発光層のうちホール輸送層２７ａの上に形成される部分（発光層のうち画素分離膜２８の上に形成されない部分）である。発光層の発光領域には、ホール輸送層２７ａからホールが流入し、電子輸送層から電子が流入する。そして、発光層において電子とホールの再結合が起こり、発光層を形成する有機材料が励起され、高エネルギー準位から低エネルギー準位に遷移する際に光を発する。
【００２３】
ホール輸送層２７ａ及び有機層４０により形成される有機発光ダイオードは、いわゆるタンデム型であってもよい。すなわち、ホール輸送層２７ａ、第１の発光層、電子輸送層が順に積層されることで第１の有機発光ダイオードが形成され、電子輸送層の上に電荷発生層が形成されてもよい。電荷発生層の上には、ホール輸送層、第２の発光層、及び電子輸送層が順に積層されることで第２の有機発光ダイオードが形成されてもよい。さらに電荷発生層が積層され、ホール輸送層、第３の発光層、及び電子輸送層が順に積層されることで第３の有機発光ダイオードが形成されてもよい。積層される複数の有機発光ダイオードの発光色を調整することで、タンデム型の有機発光ダイオード全体としては白色の発光色とすることができる。その場合、後述するカラーフィルタを設けることでフルカラーの画像表示を行う。有機発光ダイオードの発光色を白色とし、カラーフィルタによりフルカラー表示を行う場合、有機層４０を蒸着等により表示領域１１全面に形成すればよく、画素ごとに分離して形成する必要がない。有機層４０を表示領域１１全面に形成する場合、蒸着マスク等を用いて有機層４０をパターニングする必要がなく、有機層４０の形成を安価に行うことができる。
【００２４】
有機層４０の上には、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明導電材料により対向電極４１が形成される。対向電極４１は、有機発光ダイオードの陰極となる。対向電極４１の上には、有機層の劣化を防ぐために、封止膜４２が形成される。さらに、充填剤４３が充填され、対向基板４４が貼り合わされて密封される。対向基板４４の表面又は裏面には、ブラックマトリクス、カラーフィルタ、及び偏光板が形成されてもよい。また、対向基板４４の表面には、タッチパネルが設けられてもよい。
【００２５】
図４は、第１の変形例に係る有機ＥＬパネル１０の画素の断面図である。第１の変形例に係る有機ＥＬパネル１０と、第１の実施形態に係る有機ＥＬパネル１０との相違点は、複数のホール輸送層２７ｂが、画素電極２６上から絶縁表面を有する平坦化膜２５上にわたって設けられる点である。すなわち、ホール輸送層２７ｂは、画素電極２６よりも広く形成され、画素電極２６の端部を覆うように形成される。その他の構成について、第１の実施形態に係る有機ＥＬパネル１０と、第１の変形例に係る有機ＥＬパネル１０とは同様の構成を有する。
【００２６】
ホール輸送層２７ｂが、画素電極２６上から平坦化膜２５上にわたって設けられる場合、画素電極２６とホール輸送層２７ｂとを異なるエッチング工程により形成することができる。そのため、画素電極２６を形成するエッチング条件と、ホール輸送層２７ｂを形成するエッチング条件とを変えることができ、それぞれの材料により適したエッチング条件を設定することができる。
【００２７】
図５は、第２の変形例に係る有機ＥＬパネル１０の画素の断面図である。第２の変形例に係る有機ＥＬパネル１０と、第１の実施形態に係る有機ＥＬパネル１０との相違点は、複数のホール輸送層２７ｃそれぞれの端部が、画素電極２６上に設けられる点である。すなわち、ホール輸送層２７ｃは、画素電極２６よりも狭く形成され、画素電極２６の端部はホール輸送層２７ｃにより覆われない。その他の構成について、第１の実施形態に係る有機ＥＬパネル１０と、第２の変形例に係る有機ＥＬパネル１０とは同様の構成を有する。
【００２８】
ホール輸送層２７ｃの端部が画素電極２６上に設けられる場合、画素電極２６とホール輸送層２７ｃとを異なるエッチング工程により形成することができる。そのため、画素電極２６を形成するエッチング条件と、ホール輸送層２７ｃを形成するエッチング条件とを変えることができ、それぞれの材料により適したエッチング条件を設定することができる。なお、画素電極２６及びホール輸送層２７を一度のエッチング工程により同時にパターニングすることもできる。その場合、画素電極２６よりもホール輸送層２７に対してエッチングレートが高いエッチング液を用いることで、本例の構成が実現される。
【００２９】
図６は、第３の変形例に係る有機ＥＬパネル１０の画素の断面図である。第３の変形例に係る有機ＥＬパネル１０と、第１の実施形態に係る有機ＥＬパネル１０との相違点は、複数のホール輸送層の端部２７ｄのキャリア移動度が、ホール輸送層の端部以外の部分２７ｃのキャリア移動度よりも低い点である。本例において、キャリア移動度とは、ホール移動度である。第３の変形例において、ホール輸送層２７のうち画素分離膜２８に覆われる部分のホール移動度は、ホール輸送層２７のうち画素分離膜２８に覆われない部分のホール移動度よりも低い。その他の構成について、第１の実施形態に係る有機ＥＬパネル１０と、第３の変形例に係る有機ＥＬパネル１０とは同様の構成を有する。
【００３０】
ホール輸送層の端部２７ｄと、ホール輸送層の端部以外の部分２７ｃとのホール移動度の違いは、ホール輸送層の端部以外の部分２７ｃに窒素イオン又は水素イオン等を注入することで生じさせることができる。適切な濃度の窒素イオン等が注入されたホール輸送層の端部以外の部分２７ｃは、ホール注入特性が向上し、ホール移動度が高くなる。そのため、電流がホール輸送層の端部以外の部分２７ｃに狭窄され、より効率良く発光層に電流を供給することができる。イオン注入工程は、画素分離膜２８を形成した後に行うことで、画素分離膜２８をマスクとして用いることができ、マスク形成工程等を省いて簡単に行うことができる。なお、ホール輸送層の端部２７ｄと、ホール輸送層の端部以外の部分２７ｃとのホール移動度の違いは、イオン注入の他、電子線照射、赤外線照射、紫外線照射等によって生じさせてもよい。
【００３１】
［第２の実施形態］
図７は、第２の実施形態に係る有機ＥＬパネル１０の画素の断面図である。第２の実施形態に係る有機ＥＬパネル１０と、第１の実施形態に係る有機ＥＬパネル１０との相違点は、ホール輸送層２７が複数の画素電極２６上にわたって設けられ、ホール輸送層２７は隣接する２つの画素電極２６間に設けられる中間部分２７ｆ（以下、中間部分２７ｆと呼ぶ。）を有し、中間部分２７ｆよりもキャリア移動度が高い部分を、ホール輸送層２７のうち画素電極２６上に設けられる部分２７ｅ（以下、ホール輸送層の中心部２７ｅと呼ぶ。）に有する点である。ここで、ホール輸送層２７が複数の画素電極２６上にわたって設けられるとは、ホール輸送層２７が連続して、一体となって複数の画素電極２６上に設けられることをいう。本実施形態において、ホール輸送層の中間部２７ｆを覆うように、画素分離膜２８が設けられる。ホール輸送層２７のうち画素分離膜２８に覆われない部分のホール移動度は、ホール輸送層２７のうち画素分離膜２８に覆われる部分のホール移動度よりも高い。その他の構成について、第１の実施形態に係る有機ＥＬパネル１０と、第２の実施形態に係る有機ＥＬパネル１０とは同様の構成を有する。
【００３２】
ホール輸送層の中央部２７ｅと、ホール輸送層の中間部２７ｆとのホール移動度の違いは、ホール輸送層の中央部２７ｅに窒素イオン又は水素イオン等を注入することで生じさせることができる。イオン注入工程は、画素分離膜２８を形成した後に行うことで、画素分離膜２８をマスクとして用いることができ、マスク形成工程等を省いて簡単に行うことができる。なお、ホール輸送層の中央部２７ｅと、ホール輸送層の中間部２７ｆとのホール移動度の違いは、イオン注入の他、電子線照射、赤外線照射、紫外線照射等によって生じさせてもよい。
【００３３】
本実施形態において、ホール輸送層２７は複数の画素にわたって形成される。しかし、ホール輸送層の中間部２７ｆのホール移動度が比較的低いために、隣接画素への漏れ電流の発生は抑制される。このような構成を採用する場合であっても、画素の意図しない発光を防止することができる。
【００３４】
［第３の実施形態］
図８は、第３の実施形態に係る有機ＥＬパネル１０の画素の断面図である。第３の実施形態において、ホール輸送層２７ａ、画素電極２６、及び平坦化膜２５よりも下層の構成は、第１の実施形態の構成と同様である。複数の画素電極２６は互いに分離して設けられ、ホール輸送層２７ａは、複数の画素電極２６上それぞれに互いに分離して設けられる。そのため、本実施形態に係る有機ＥＬパネル１０によれば、ホール輸送層２７ａを通じた漏れ電流が発生しなくなり、画素の意図しない発光が防止される。本実施形態に係る有機ＥＬパネル１０は、画素分離膜２８を有さず、複数のホール輸送層２７ａ及び平坦化膜２５の上に有機層４０が平坦に形成される。本実施形態において、有機層４０の発光領域は、有機層４０のうちホール輸送層２７ａを覆う部分となる。
【００３５】
本実施形態では、封止膜４２の上にカラーフィルタ４５が形成される。カラーフィルタ４５の上には対向基板４４が形成され、密閉される。カラーフィルタ４５は、赤色カラーフィルタ４５ａ、緑色カラーフィルタ４５ｂ、青色カラーフィルタ４５ｃより構成される。各色のカラーフィルタは、それぞれ特定の画素電極２６の上方に位置するように設けられる。すなわち、各色のカラーフィルタは、有機層４０が含む複数の発光領域のうち、いずれかの上方に位置するように設けられる。有機層の発光領域で発生した光は、例えば緑色カラーフィルタ４５ｂを通過することで、緑色の光として視認される。なお、図示していないが、それぞれのカラーフィルタの境界部分には、非発光領域を覆うように配置した、遮光のためのブラックマトリクス構造を設けてもよい。
【００３６】
本実施形態に係る有機ＥＬパネル１０は、画素分離膜２８を有さないため、画素分離膜２８を有する有機ＥＬパネルに比較してより薄型となると共に、画素分離膜を形成するための工程が無くなるため、低コストで作製できる。また、本実施形態に係る有機ＥＬパネル１０は、有機層４０の発光領域とカラーフィルタとの距離がより近付くため、画素分離膜２８を有する有機ＥＬパネルに比較して隣接画素への漏れ光が減少する。そのため、漏れ光に起因する隣接画素との混色をより抑制することができる。
【００３７】
［第４の実施形態］
図９は、第４の実施形態に係る有機ＥＬパネル１０の画素の断面図である。第４の実施形態において、ホール輸送層２７、画素電極２６、及び平坦化膜２５よりも下層の構成は、第３の変形例の構成と同様である。複数の画素電極２６は互いに分離して設けられる。ホール輸送層２７は、複数の画素電極２６上にわたって設けられ、ホール輸送層の中央部２７ｅのホール移動度は、ホール輸送層の中間部２７ｆのホール移動度よりも高い。言い換えると、ホール輸送層２７は、連続して、一体となって複数の画素電極２６上に設けられ、ホール輸送層の中央部２７ｅのホール移動度は、ホール輸送層の中間部２７ｆのホール移動度よりも高い。そのため、本実施形態に係る有機ＥＬパネル１０によれば、ホール輸送層２７を通じた漏れ電流が発生しなくなり、画素の意図しない発光が防止される。本実施形態に係る有機ＥＬパネル１０は、画素分離膜２８を有さず、ホール輸送層２７の上に有機層４０が平坦に形成される。本実施形態において、有機層４０の発光領域は、有機層４０のうちホール輸送層の中央部２７ｅを覆う部分となる。
【００３８】
本実施形態に係る有機ＥＬパネル１０は、画素分離膜２８を有さないため、画素分離膜２８を有する有機ＥＬパネルに比較してより薄型となる。また、本実施形態に係る有機ＥＬパネル１０は、有機層４０の発光領域とカラーフィルタとの距離がより近付くため、画素分離膜２８を有する有機ＥＬパネルに比較して隣接画素への漏れ光が減少する。そのため、漏れ光に起因する隣接画素との混色をより抑制することができる。
【００３９】
図１０は、本実施形態に係る有機ＥＬパネル１０作成工程のフロー図である。有機ＥＬパネル１０作成工程は、ＴＦＴ層の形成からはじまる（Ｓ１）。ここで、ＴＦＴ層は、基板２０、層間絶縁膜２４、及びそれらの間に設けられるＴＦＴ等を含む層である。ＴＦＴ層の形成は、層間絶縁膜２４の上に配線３４を形成することにより終了する。
【００４０】
次に、層間絶縁膜２４及び配線３４の上に平坦化膜２５が形成される（Ｓ２）。その後、画素電極２６の形成（Ｓ３１）とホール輸送層２７（ホール注入層、又はホール輸送層及びホール注入層）の形成（Ｓ３２）とを含む下部構造の形成が行われる（Ｓ３）。下部構造の形成（Ｓ３）については、図１１−１６を用いて詳しく説明する。
【００４１】
その後、画素分離膜２８の形成が行われる（Ｓ４）。なお、第３及び第４の実施形態のように、画素分離膜２８を有さない有機ＥＬパネル１０の作成工程においては、画素分離膜２８の形成（Ｓ４）は行われない。
【００４２】
本明細書では、以上の工程をＴＦＴ工程と呼ぶ。すなわち、有機ＥＬパネル１０の作成工程のうち、ＴＦＴ層形成（Ｓ１）から画素分離膜２８形成（Ｓ４）までの工程をＴＦＴ工程と呼ぶ。また、本明細書では、有機ＥＬパネル１０の作成工程のうち、ＴＦＴ工程の後に行われる残りの工程をＯＬＥＤ工程と呼ぶ。ＴＦＴ工程は、雰囲気温度を数百℃程度まで上昇させて行われることがある。一方、ＯＬＥＤ工程は、発光層の劣化を防ぐため、雰囲気温度を数十℃程度に抑えて行う場合がある。そのため、ＯＬＥＤ工程は、ＴＦＴ工程に比べてより確実に制御された環境下で実行する必要がある。この点、本実施形態に係る有機ＥＬパネル１０作成工程では、ホール輸送層２７をＴＦＴ工程で形成するため、ＯＬＥＤ工程における有機層４０の形成工程を短縮し、ＯＬＥＤ工程全体を短縮することができる。そのため、より高度な制御を求められる工程が短縮され、有機ＥＬパネル１０の作成工程をより安価かつ短時間で行うことができる。
【００４３】
ＴＦＴ工程が行われた後、有機層４０、すなわち発光層及び電子輸送層（電子注入層、又は電子輸送層及び電子注入層）が形成される（Ｓ５）。その後、対向電極４１が形成され（Ｓ６）、封止膜４２が形成される（Ｓ７）。さらに、カラーフィルタ５１及び対向基板４４が貼り合せまたは積層形成され（Ｓ８）、有機ＥＬパネル１０作成工程は終了する。作成された有機ＥＬパネル１０は、上フレーム２と下フレーム３とに挟まれるように固定され、有機ＥＬ表示装置１となる。
【００４４】
図１１は、下部構造形成工程（Ｓ３）の第１の例における、画素電極層５０及び共通層５１ａを示す図である。第１の例では、下部構造形成工程（Ｓ３）において、はじめに画素電極層５０が形成される。画素電極層５０は、平坦化膜２５の全面にわたって設けられてよい。次に、画素電極層５０の上にホール輸送層である共通層５１ａが形成される。なお、共通層５１ａは、ホール注入層であってもよいし、ホール注入層及びホール輸送層であってもよい。
【００４５】
図１２は、下部構造形成工程（Ｓ３）の第１の例における、画素電極２６及びホール輸送層２７ａを示す図である。第１の例では、画素電極層５０及び共通層５１ａを形成した後、フォトリソグラフィ及びエッチングにより、画素電極２６及びホール輸送層２７ａを同時にパターニングする。これにより、一度のエッチング工程により、互いに分離して設けられた複数の画素電極２６と、複数の画素電極２６上それぞれに互いに分離して設けられた複数のホール輸送層２７ａとを形成する。第１の例では、一度のエッチング工程で画素電極２６及びホール輸送層２７ａを形成するため、下部構造形成工程（Ｓ３）が比較的短時間かつ廉価に行える。
【００４６】
図１３は、下部構造形成工程（Ｓ３）の第２の例における、画素電極２６及び共通層５１ｂを示す図である。第２の例では、下部構造形成工程（Ｓ３）において、はじめに互いに分離した複数の画素電極２６が形成される。ここで、複数の画素電極２６は、平坦化膜２５の全面に形成された画素電極層５０をフォトリソグラフィ及びエッチングによりパターニングすることで形成される。次に、複数の画素電極２６上にわたって、ホール輸送層である共通層５１ｂが形成される。共通層５１ｂは、複数の画素電極２６上の他、平坦化膜２５上にも形成される。なお、共通層５１ｂは、ホール注入層であってもよいし、ホール注入層及びホール輸送層であってもよい。
【００４７】
図１４は、下部構造形成工程（Ｓ３）の第２の例における、画素電極２６及びホール輸送層２７ｂを示す図である。第２の例では、画素電極２６及び共通層５１ｂを形成した後、フォトリソグラフィ及びエッチングにより、複数のホール輸送層２７ｂをパターニングする。第２の例では、画素電極２６を形成するエッチング工程と、ホール輸送層２７ｂを形成するエッチング工程とは、別の工程となる。そのため、画素電極２６を形成するエッチング条件と、ホール輸送層２７ｂを形成するエッチング条件とを変えることができ、それぞれの材料により適したエッチング条件を設定することができる。
【００４８】
第２の例において作成されるホール輸送層２７ｂは、図４に示す第１の変形例に対応した構成を有する。すなわち、ホール輸送層２７ｂは、画素電極２６上から平坦化膜２５にわたって設けられる。当然ながら、下部構造形成工程（Ｓ３）の第２の例における複数のホール輸送層２７ｂを形成する工程において、フォトレジストの形状を変更することで、図５に示す第２の変形例に対応した構成を作成することもできる。
【００４９】
図１５は、下部構造形成工程（Ｓ３）の第３の例における、粒子線６１の照射を示す図である。第３の例では、複数の画素電極２６及び共通層５１ｂを形成した後、フォトレジスト６０ａを形成する。フォトレジスト６０ａは、ホール輸送層の中間部２７ｆと、ホール輸送層のうち画素電極を覆う部分の端部とを覆うように形成される。すなわち、フォトレジスト６０ａは、ホール輸送層の中央部２７ｅを露出させるように形成される。第３の例では、フォトレジスト６０ａが形成された状態で、窒素イオン、又は水素イオン等の粒子線６１を照射する。適切な粒子濃度で粒子線６１の照射を受けたホール輸送層の部分は、ホール移動度が向上する。そのため、ホール輸送層の中央部２７ｅのホール移動度は、ホール輸送層の中間部２７ｆのホール移動度より高くなる。なお、粒子線６１は、イオンの他、電子等であってもよい。また、粒子線６１の照射に代えて、赤外線又は紫外線等の光線を照射してもよい。
【００５０】
第３の例において作成されるホール輸送層２７は、図７に示す第２の実施形態、及び図９に示す第４の実施形態に対応した構成を有する。すなわち、ホール輸送層２７は、複数の画素電極２６上にわたって設けられ、ホール輸送層の中央部２７ｅのホール移動度は、ホール輸送層の中間部２７ｆのホール移動度より高い。
【００５１】
図１６は、下部構造形成工程（Ｓ３）の第４の例における、粒子線６１の照射を示す図である。第４の例では、画素電極２６及び共通層５１ｂを形成した後、フォトレジスト６０ｂを形成する。フォトレジスト６０ｂは、ホール輸送層の中央部２７ｅを覆うように形成される。すなわち、フォトレジスト６０ｂは、ホール輸送層の中間部２７ｆと、ホール輸送層のうち画素電極２６を覆う部分の端部とを露出させるように形成される。第４の例では、フォトレジスト６０ｂが形成された状態で、窒素イオン、又は水素イオン等の粒子線６１を照射する。ここで、第４の例で照射される粒子線は、第３の例で照射される粒子線よりも粒子濃度が高く、照射された部分にダメージを与えてホール移動度を低下させる。そのため、ホール輸送層の中央部２７ｅのホール移動度は、ホール輸送層の中間部２７ｆのホール移動度より高くなる。なお、粒子線６１は、イオンの他、電子等であってもよく、粒子線６１の照射に代えて赤外線又は紫外線等の光線を照射してもよい。
【００５２】
第４の例において作成されるホール輸送層２７は、第３の例において作成されるホール輸送層２７と同様に、図７に示す第２の実施形態、及び図９に示す第４の実施形態に対応した構成を有する。すなわち、ホール輸送層２７は、複数の画素電極２６上にわたって設けられ、ホール輸送層の中央部２７ｅのホール移動度は、ホール輸送層の中間部２７ｆのホール移動度より高い。
【００５３】
以上の説明において、画素電極２６は有機発光ダイオードの陽極であり、対向電極４１は有機発光ダイオードの陰極であるとした。しかし、画素電極２６を有機発光ダイオードの陰極とし、対向電極４１を有機発光ダイオードの陽極としてもよい。その場合、画素電極２６の上には、電子輸送層（電子注入層、又は電子注入層及び電子輸送層）を形成することとなる。そして、電子輸送層の上には発光層を形成し、発光層の上にホール輸送層を形成する。ホール輸送層の上には対向電極４１が形成されることとなる。そのような構成の場合、複数の画素電極２６上それぞれに互いに分離して電子輸送層を形成する。隣接画素への漏れ電流は、有機層のうち、画素電極２６側に形成される層を通じて発生する場合が多いから、複数の画素電極２６上それぞれに互いに分離して電子輸送層を形成する場合であっても、漏れ電流の発生は防止される。そのため、画素の意図しない発光が防止される。
【００５４】
本発明の実施形態として上述した有機ＥＬ表示装置１を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての有機ＥＬ表示装置も、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。また、有機ＥＬ表示装置以外の表示装置、例えば発光層として量子ドット素子を採用した量子ドット表示装置等も本発明の範囲に属する。
【００５５】
本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。例えば、前述の各実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除若しくは設計変更を行ったもの、又は、工程の追加、省略若しくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。
【００５６】
また、本実施形態において述べた態様によりもたらされる他の作用効果について本明細書記載から明らかなもの、又は当業者において適宜想到し得るものついては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。
【符号の説明】
【００５７】
１  有機ＥＬ表示装置、２  上フレーム、３  下フレーム、１０  有機ＥＬパネル、１１  表示領域、１２  映像信号駆動回路、１３  走査信号駆動回路、１４  映像信号線、１５  走査線、１６  電源線、２０  基板、２１  下地膜、２２  第１絶縁膜、２３  第２絶縁膜、２４  層間絶縁膜、２５  平坦化膜、２６  画素電極、２７ａ,２７ｂ  ホール輸送層、２７ｃ  ホール輸送層の端部以外の部分、２７ｄ  ホール輸送層の端部、２７ｅ  ホール輸送層のうち画素電極上に設けられる部分、２７ｆ  ホール輸送層のうち隣接する２つの画素電極間に設けられる中間部分、２８  画素分離膜、３０  ドレイン電極、３１  ゲート電極、３２  チャネル層、３３  ソース電極、３４  配線、４０  有機層、４１  対向電極、４２  封止膜、４３  充填剤、４４  対向基板、４５ａ  赤色カラーフィルタ、４５ｂ  緑色カラーフィルタ、４５ｃ  青色カラーフィルタ、５０  画素電極層、５１ａ,５１ｂ  共通層、６０ａ,６０ｂ  フォトレジスト、６１  粒子線。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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