(57)【要約】【課題】配線層の配線の断線を防止することにより、信頼性の向上を図ることが可能な配線基板を提供すること。【解決手段】本発明の配線基板１は積層部及びソルダーレジスト層を備える。積層部では、複数のコーナー部６１を有する搭載領域２３が最上層の樹脂絶縁層の表面上に設定される。ソルダーレジスト層は、最下層の樹脂絶縁層４２の裏面上に形成され、複数箇所に開口部４７を有する。また、積層部は、複数の樹脂絶縁層間に配線層４３を配置した構造を有し、少なくとも１層の樹脂絶縁層が無機繊維含有層となる。最下層の樹脂絶縁層４２と最下層の無機繊維含有層との間に配置され、かつ、コーナー部６１の直下を含む下方領域Ａ１に配置される配線層４３の配線８１のうち、開口部４７の開口縁の直上に配置される配線８１の一部分が幅広部８２となる。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の樹脂絶縁層を積層した構造を有し、半導体チップを搭載可能な搭載領域が最上層の前記樹脂絶縁層の表面上に設定された積層部と、最下層の前記樹脂絶縁層の裏面上に形成され、複数箇所に接続端子用の開口部を有するソルダーレジスト層とを備え、
前記搭載領域が、前記積層部の厚さ方向から見たときに複数のコーナー部を有する形状をなす
配線基板であって、
前記積層部は、前記複数の樹脂絶縁層間に配線層を配置した構造を有し、
前記積層部の内層において前記複数の樹脂絶縁層のうち少なくとも１層は、無機繊維層を含む無機繊維含有層であり、
最下層の前記樹脂絶縁層と最下層の前記無機繊維含有層との間に配置され、かつ、前記コーナー部の直下を含む下方領域に配置される前記配線層の配線のうち、前記開口部の開口縁の直上に配置される配線の一部分が、当該配線の一部分に連続する部分よりも幅広に形成された幅広部となっている
ことを特徴とする配線基板。
【請求項２】
最下層の前記樹脂絶縁層と最下層の前記無機繊維含有層との間に配置され、かつ、前記コーナー部の直下を含む下方領域に配置される前記配線層の配線は、前記開口部の開口縁の直上を避けるように敷設されていることを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記幅広部の線幅は、当該幅広部に連続する部分の２倍以上１０倍以下であることを特徴とする請求項１または２に記載の配線基板。
【請求項４】
最下層の前記樹脂絶縁層の裏面上に前記開口部から露出する前記接続端子が形成され、前記接続端子の厚さが前記配線層の厚さよりも大きいことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数の樹脂絶縁層を積層した構造を有する積層部と、最下層の樹脂絶縁層の裏面上に形成されたソルダーレジスト層とを備える配線基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、電気機器、電子機器の小型化に伴い、これらの機器に搭載される配線基板にも小型化や高密度化が要求されている。このような配線基板としては、例えば図９，図１０に示されるように、コア基板１０１の両面に、配線層１０２と樹脂絶縁層１０３とを交互に積層してなるビルドアップ層１０４を設けた配線基板１００が知られている（例えば、特許文献１参照）。なお、最上層の樹脂絶縁層１０３の表面上に設定された搭載領域１１０には、ＩＣチップ１１１などの電子部品が搭載され、ＩＣチップ１１１と配線基板１００との隙間にはアンダーフィル材１１２が充填されている。その結果、配線基板１００及びＩＣチップ１１１の界面が封止された状態で互いに固定される。また、最下層の樹脂絶縁層１０３の裏面上には、複数箇所に接続端子１０５用の開口部１０６を有するソルダーレジスト層１０７が形成されている。接続端子１０５の表面上には、マザーボード（図示略）との電気的な接続を図るための複数のはんだバンプ１０８が配設されている。そして、各はんだバンプ１０８により、配線基板１００はマザーボード上に実装される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特許第４２６７６６０号公報（図３等）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、ＩＣチップ１１１は、一般に熱膨張係数が２．０ｐｐｍ／℃〜５．０ｐｐｍ／℃程度の半導体材料（例えばシリコン等）を用いて形成されている。これに対して、配線基板１００は半導体材料よりもかなり熱膨張係数が大きな材料、例えば１０．０ｐｐｍ／℃以上の樹脂材料等を用いて形成されている。よって、配線基板１００にＩＣチップ１１１を実装した場合には、ＩＣチップ１１１−配線基板１００間の熱膨張係数差に起因して応力が発生しやすくなる。さらに、配線基板１００をマザーボードに実装した場合にも、配線基板１００−マザーボード間の熱膨張係数差に起因して応力が発生する可能性がある。
【０００５】
なお、これらの応力は、搭載領域１１０のコーナー部１１３の直下を含む下方領域Ａ３、特には、ソルダーレジスト層１０７の開口部１０６の開口縁に集中する。その結果、開口部１０６の開口縁を起点とするクラック１１４が発生し、発生したクラック１１４が内層側に進展するため、開口縁の直上に配置される配線層１０２の配線が電気的に断線する不具合が生じやすくなる。その結果、配線基板１００の歩留まりが低下してしまうため、配線基板１００に必要とされる所定の信頼性を付与できないという問題がある。
【０００６】
本発明は上記の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、配線層の配線の断線を防止することにより、信頼性の向上を図ることが可能な配線基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するための手段（手段１）としては、複数の樹脂絶縁層を積層した構造を有し、半導体チップを搭載可能な搭載領域が最上層の前記樹脂絶縁層の表面上に設定された積層部と、最下層の前記樹脂絶縁層の裏面上に形成され、複数箇所に接続端子用の開口部を有するソルダーレジスト層とを備え、前記搭載領域が、前記積層部の厚さ方向から見たときに複数のコーナー部を有する形状をなす配線基板であって、前記積層部は、前記複数の樹脂絶縁層間に配線層を配置した構造を有し、前記積層部の内層において前記複数の樹脂絶縁層のうち少なくとも１層は、無機繊維層を含む無機繊維含有層であり、最下層の前記樹脂絶縁層と最下層の前記無機繊維含有層との間に配置され、かつ、前記コーナー部の直下を含む下方領域に配置される前記配線層の配線のうち、前記開口部の開口縁の直上に配置される配線の一部分が、当該配線の一部分に連続する部分よりも幅広に形成された幅広部となっていることを特徴とする配線基板がある。
【０００８】
従って、手段１に記載の構成によると、最下層の樹脂絶縁層と最下層の無機繊維含有層との間に配置され、かつ、コーナー部の直下を含む下方領域に配置される配線層の配線のうち、ソルダーレジスト層の開口部の開口縁の直上に配置される配線の一部分が幅広部となっている。よって、開口部の開口縁を起点とするクラックが発生し、発生したクラックが開口縁の直上に配置される配線に到達したとしても、クラックは補強部分である幅広部に到達するため、配線が電気的に断線する不具合が生じにくくなる。その結果、配線基板の歩留まりが向上するため、配線基板の信頼性を向上させることができる。
【０００９】
なお、最下層の樹脂絶縁層と最下層の無機繊維含有層との間に配置され、かつ、コーナー部の直下を含む下方領域に配置される配線層の配線は、開口部の開口縁の直上を避けるように敷設されていてもよい。このようにすれば、開口部の開口縁を起点とするクラックが発生し、発生したクラックが開口縁の直上に配置される配線に到達するリスクが小さくなるため、配線が電気的に断線する不具合が生じにくくなる。この場合も、配線基板の歩留まりが向上するため、配線基板の信頼性を向上させることができる。
【００１０】
上記配線基板を構成する積層部は、複数の樹脂絶縁層を積層した構造を有している。樹脂絶縁層は、絶縁性、耐熱性、耐湿性等を考慮して適宜選択することができる。樹脂絶縁層の形成材料の具体例としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂などの熱硬化性樹脂、シクロオレフィン樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、ポリアセタール樹脂、ポリプロピレン樹脂などの熱可塑性樹脂等が挙げられる。また、複数の樹脂絶縁層のうち少なくとも１層は、無機繊維層を含む無機繊維含有層である。無機繊維層を構成する無機繊維の好適例としては、ガラス繊維（ガラスクロス）、セラミック繊維、金属繊維、紙などが挙げられる。
【００１１】
また、最上層の樹脂絶縁層の表面上に設定された搭載領域には、半導体チップが搭載可能となっている。なお、半導体チップ（ＩＣチップ）としては、ＤＲＡＭ（Dynamic Random Access Memory）、ＳＲＡＭ（Static Random Access Memory ）などを挙げることができる。
【００１２】
なお、積層部は、複数の樹脂絶縁層間に配線層を配置した構造を有している。ここで、配線層は、銅、銀、金、白金、ニッケル、チタン、アルミニウム、クロム等といった各種の導電性金属を用いて形成可能であるが、特には、導電性が高く安価な銅を主体として構成されることがよい。配線層を形成する手法としては、サブトラクティブ法、セミアディティブ法、フルアディティブ法といった公知の手法が採用される。具体的に言うと、例えば、銅箔のエッチング、無電解銅めっきや電解銅めっきなどの手法が適用される。なお、スパッタやＣＶＤ等の手法により薄膜を形成した後にエッチングを行うことで配線層を形成したり、導電性ペースト等の印刷により配線層を形成したりすることも可能である。
【００１３】
また、最下層の樹脂絶縁層と最下層の無機繊維含有層との間に配置され、かつ、コーナー部の直下を含む下方領域に配置される配線層の配線のうち、開口部の開口縁の直上に配置される配線の一部分は、当該配線の一部分に連続する部分よりも幅広に形成された幅広部となっている。ここで、幅広部の線幅は、当該幅広部に連続する部分の２倍以上１０倍以下であることがよい。仮に、幅広部の線幅が、当該幅広部に連続する部分の２倍未満であると、クラックが幅広部に到達した際に、幅広部（配線の一部分）が電気的に断線するおそれがある。一方、幅広部の線幅が、当該幅広部に連続する部分の１０倍よりも大きいと、配線層の配線の形成領域が大きくなり、ひいては配線基板が大型化しやすくなる。
【００１４】
上記配線基板を構成するソルダーレジスト層は、最下層の樹脂絶縁層の裏面上に形成され、複数箇所に接続端子用の開口部を有している。「ソルダーレジスト層」とは、絶縁性及び耐熱性を有する樹脂からなり、本来的には、導体を覆い隠すことで導体へのはんだの付着を防止する保護膜のことをいう。本発明においては、少なくとも感光性を有する樹脂からなるソルダーレジスト層を用いることがよく、具体的には、エポキシ樹脂やポリイミド樹脂などの使用が好適である。
【００１５】
また、最下層の樹脂絶縁層の裏面上に開口部から露出する接続端子が形成され、接続端子の厚さが配線層の厚さよりも大きいことがよい。このようにすれば、開口部の開口端から配線基板の内層側へのクラックの進展を抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】第１実施形態における配線基板を示す平面図。
【図２】配線基板とＩＣチップとの関係を示す説明図。
【図３】図１のＡ−Ａ線断面図。
【図４】下方領域における配線層の配線の配置態様を示す要部平面図。
【図５】第１主面上及び第２主面上に樹脂絶縁層を形成する工程を示す概略断面図。
【図６】第２層の樹脂絶縁層を形成する工程を示す概略断面図。
【図７】第２実施形態における配線基板を示す概略断面図。
【図８】下方領域における配線層の配線の配置態様を示す要部平面図。
【図９】従来技術における配線基板を示す平面図。
【図１０】図９のＢ−Ｂ線断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
［第１実施形態］
以下、本発明の配線基板１を具体化した第１実施形態を図面に基づき詳細に説明する。
【００１８】
図１〜図４に示されるように、本実施形態の配線基板１は、ＩＣチップ２１搭載用の配線基板である。配線基板１を構成する積層部１０は、略矩形板状のコア基板１１と、コア基板１１の第１主面１２（図２，図３では上面）上に設けられた第１ビルドアップ層３０と、コア基板１１の第２主面１３（図２，図３では下面）上に設けられた第２ビルドアップ層４０とからなる。
【００１９】
本実施形態のコア基板１１は、縦４０ｍｍ×横４０ｍｍ×厚さ０．８ｍｍ（＝８００μｍ）の平面視略矩形状である。コア基板１１は、ガラスクロス（無機繊維層）を含む熱硬化性樹脂（エポキシ樹脂）からなるガラスクロス含有層（無機繊維含有層）となる樹脂絶縁層である。また、コア基板１１は、平面方向（ＸＹ方向）における熱膨張係数が１０〜３０ｐｐｍ／℃程度（具体的には１８ｐｐｍ／℃）となっている。なお、コア基板１１の熱膨張係数は、０℃〜ガラス転移温度（Ｔｇ）間の測定値の平均値をいう。
【００２０】
図３に示されるように、コア基板１１には、スルーホール導体１４が第１主面１２及び第２主面１３を貫通するように形成されている。かかるスルーホール導体１４は、コア基板１１の第１主面１２側と第２主面１３側とを接続導通している。なお、スルーホール導体１４の内部は、例えばエポキシ樹脂などの閉塞体１５で埋められている。また、コア基板１１の第１主面１２には、厚さ１５μｍの銅からなる第１配線層１６がパターン形成され、コア基板１１の第２主面１３には、同じく厚さ１５μｍの銅からなる第２配線層１７がパターン形成されている。各配線層１６，１７の一部は、スルーホール導体１４に電気的に接続されている。
【００２１】
図２，図３に示されるように、第１ビルドアップ層３０は、厚さ３０μｍの熱硬化性樹脂（エポキシ樹脂）からなる２層の樹脂絶縁層３１，３２と、厚さ１５μｍの銅からなる配線層３３とを交互に積層した構造を有している。よって、無機繊維含有層となるコア基板１１の厚さ（８００μｍ）は、無機繊維含有層とはならない樹脂絶縁層３１，３２の厚さよりも大きくなっている。また、第１ビルドアップ層３０は、コア基板１１と樹脂絶縁層３１との間に第１配線層１６を配置し、かつ、樹脂絶縁層３１と樹脂絶縁層３２との間に配線層３３を配置した構造を有している。本実施形態において、樹脂絶縁層３１，３２の完全硬化状態での熱膨張係数は、１０〜６０ｐｐｍ／℃程度（具体的には２０ｐｐｍ／℃程度）となっている。なお、樹脂絶縁層３１，３２の熱膨張係数は、３０℃〜ガラス転移温度（Ｔｇ）間の測定値の平均値をいう。
【００２２】
また、図３に示されるように、樹脂絶縁層３１，３２内には、それぞれ銅めっきによって形成されたビア導体３４が設けられている。さらに、第２層（最上層）の樹脂絶縁層３２の表面上における複数箇所には、厚さ１５μｍの銅からなる端子パッド３５がアレイ状に形成されている。端子パッド３５は、ビア導体３４を介して配線層３３に電気的に接続されている。また、樹脂絶縁層３２の表面は、ソルダーレジスト層３６によってほぼ全体的に覆われている。ソルダーレジスト層３６には、端子パッド３５の中央部分を露出させるための開口部３７が複数箇所に形成されている。よって、端子パッド３５の外周部分は、ソルダーレジスト層３６によって覆われるようになる。そして、端子パッド３５の表面上には、複数のはんだバンプ５１が配設されている。
【００２３】
図１〜図３に示されるように、各はんだバンプ５１は、ＩＣチップ２１（半導体チップ）の面接続端子２２に電気的に接続されている。ＭＰＵとしての機能を有するＩＣチップ２１は、縦１３．０ｍｍ×横１６．０ｍｍ×厚さ０．９ｍｍの平面視矩形状をなす板状物であって、熱膨張係数が３〜４ｐｐｍ／℃程度（具体的には３．５ｐｐｍ／℃程度）のシリコンからなる。ＩＣチップ２１の裏面側表層には、図示しない回路素子が形成されている。また、ＩＣチップ２１の裏面側には、複数の面接続端子２２が格子状に設けられている。なお、各端子パッド３５及び各はんだバンプ５１からなる領域は、ＩＣチップ２１を搭載可能な搭載領域２３である。搭載領域２３は、最上層の樹脂絶縁層３２の表面上に設定されている。また、搭載領域２３は、積層部１０の厚さ方向から見たときに４つのコーナー部６１を有する縦１３．０ｍｍ×横１６．０ｍｍの矩形状の領域である。
【００２４】
そして、図３に示されるように、配線基板１とＩＣチップ２１との隙間には、エポキシ樹脂からなるアンダーフィル材７１が充填されている。その結果、配線基板１とＩＣチップ２１とが、界面が封止された状態で互いに固定される。
【００２５】
図２，図３に示されるように、第２ビルドアップ層４０は、上述した第１ビルドアップ層３０とほぼ同じ構造を有している。即ち、第２ビルドアップ層４０は、厚さ３０μｍの熱硬化性樹脂（エポキシ樹脂）からなる２層の樹脂絶縁層４１，４２と、厚さ１５μｍの銅からなる配線層４３とを交互に積層した構造を有している。よって、無機繊維含有層となるコア基板１１の厚さ（８００μｍ）は、無機繊維含有層とはならない樹脂絶縁層４１，４２の厚さよりも大きくなっている。また、第２ビルドアップ層４０は、コア基板１１と樹脂絶縁層４１との間に第２配線層１７を配置し、かつ、樹脂絶縁層４１と樹脂絶縁層４２との間に配線層４３を配置した構造を有している。本実施形態において、樹脂絶縁層４１，４２の完全硬化状態での熱膨張係数は、１０〜６０ｐｐｍ／℃程度（具体的には２０ｐｐｍ／℃程度）となっている。なお、樹脂絶縁層４１，４２の熱膨張係数は、３０℃〜ガラス転移温度（Ｔｇ）間の測定値の平均値をいう。
【００２６】
また、図３に示されるように、樹脂絶縁層４１，４２内には、それぞれ銅めっきによって形成されたビア導体４４が設けられている。さらに、第２層（最下層）の樹脂絶縁層４２の裏面上における複数箇所には、厚さ２０μｍの銅からなるＢＧＡパッド４５（接続端子）がアレイ状に形成されている。よって、ＢＧＡパッド４５の厚さは、配線層１６，１７，３３，４３の厚さ（１５μｍ）よりも大きくなっている。また、ＢＧＡパッド４５は、ビア導体４４を介して配線層４３に電気的に接続されている。さらに、樹脂絶縁層４２の裏面は、ソルダーレジスト層４６によってほぼ全体的に覆われている。ソルダーレジスト層４６には、ＢＧＡパッド４５の中央部分を露出させるための開口部４７が複数箇所に形成されている。よって、ＢＧＡパッド４５の外周部分は、ソルダーレジスト層４６によって覆われるようになる。さらに、ＢＧＡパッド４５の裏面（下面）上には、マザーボード（図示略）との電気的な接続を図るための複数のはんだバンプ５２が配設されている。そして、各はんだバンプ５２により、配線基板１はマザーボード上に実装される。
【００２７】
次に、最下層の樹脂絶縁層４２と最下層の無機繊維含有層（本実施形態ではコア基板１１）との間に配置され、かつ、コーナー部６１の直下を含む下方領域Ａ１に配置される配線層１７，４３について説明する。図３，図４に示されるように、本実施形態の下方領域Ａ１は、コーナー部６１の頂点Ｐ１（図４参照）からＢＧＡパッド４５（または、ソルダーレジスト層４６の開口部４７）の３個分だけ搭載領域２３の中央側に延びる領域と、頂点Ｐ１からＢＧＡパッド４５の４個分だけ搭載領域２３の外側に延びる領域とによって構成されている。また、本実施形態の下方領域Ａ１は、頂点Ｐ１を通過するとともに積層部１０を厚さ方向に貫通する軸線を中心とした半径５ｍｍの領域であると言うこともできる。そして、配線層１７，４３の配線８１のうち、開口部４７の開口縁の直上に配置される配線８１の一部分（換言すると、積層部１０の厚さ方向から見たときに開口部４７の開口縁と交差する部分）は、当該配線８１の一部分に連続する部分よりも幅広に形成された幅広部８２となっている。本実施形態において、配線８１において幅広部８２に連続する部分（即ち、幅広部８２ではない部分）の線幅は、２５μｍに設定されている。そして、幅広部８２の線幅は、９５μｍに設定されており、幅広部８２に連続する部分の２倍以上１０倍以下（本実施形態では３．８倍）である。また、全ての幅広部８２の長さは、４００μｍ以上１２００μｍ以下（本実施形態では８００μｍ）である。
【００２８】
次に、本実施形態の配線基板１の製造方法を説明する。
【００２９】
まず、コア基板１１の中間製品を従来周知の手法により作製し、あらかじめ準備しておく。コア基板１１の中間製品は以下のように作製される。まず、縦４００ｍｍ×横４００ｍｍ×厚さ０．８ｍｍの基材の両面に銅箔が貼付された銅張積層板（図示略）を準備する。そして、ドリルを用いてレーザ孔あけ加工を行い、銅張積層板を貫通する貫通孔を所定位置にあらかじめ形成しておく。次に、従来公知の手法に従って無電解銅めっき及び電解銅めっきを行うことでスルーホール導体１４を形成した後、そのスルーホール導体１４内に閉塞体１５を充填形成する。さらに、配線層１６，１７を例えばセミアディティブ法によってパターニングする。具体的には、無電解銅めっきの後、この無電解銅めっき層を共通電極として電解銅めっきを施す。さらに、ドライフィルムをラミネートし、同ドライフィルムに対して露光及び現像を行うことにより、ドライフィルムを所定パターンに形成する。この状態で、不要な電解銅めっき層、無電解銅めっき層及び銅箔をエッチングで除去する。その後、ドライフィルムを剥離し、コア基板１１の中間製品を得る。なお、コア基板１１の中間製品とは、コア基板１１となるべき領域を平面方向に沿って縦横に複数配列した構造の多数個取り用コア基板である。
【００３０】
次に、従来周知の手法に基づいて第１主面１２の上に第１ビルドアップ層３０を形成するとともに、第２主面１３の上に第２ビルドアップ層４０を形成する。具体的に言うと、まず、第１主面１２上に熱硬化性エポキシ樹脂を被着（貼付）することにより、樹脂絶縁層３１を形成する（図５参照）。また、第２主面１３上に熱硬化性エポキシ樹脂を被着（貼付）することにより、樹脂絶縁層４１を形成する（図５参照）。なお、熱硬化性エポキシ樹脂を被着する代わりに、感光性エポキシ樹脂や絶縁樹脂や液晶ポリマー（ＬＣＰ：Liquid Crystalline Polymer）を被着してもよい。
【００３１】
さらに、ＹＡＧレーザまたは炭酸ガスレーザを用いてレーザ孔あけ加工を行い、ビア導体３４，４４が形成されるべき位置にビア孔を形成する。具体的には、樹脂絶縁層３１を貫通するビア孔を形成して第１配線層１６の表面を露出させるとともに、樹脂絶縁層４１を貫通するビア孔を形成して第２配線層１７の表面を露出させる。次に、樹脂絶縁層３１の表面上、樹脂絶縁層４１の裏面上、及び、ビア孔の内面に対する無電解銅めっきを行った後に電解銅めっきを行う。その結果、ビア孔の内部にビア導体３４，４４が形成されるとともに、樹脂絶縁層３１上に配線層３３が形成され、樹脂絶縁層４１上に配線層４３が形成される（図５参照）。
【００３２】
次に、樹脂絶縁層３１の表面上に熱硬化性エポキシ樹脂を被着（貼付）することにより、第２層（最上層）の樹脂絶縁層３２を形成するとともに、樹脂絶縁層４１の裏面上に熱硬化性エポキシ樹脂を被着（貼付）することにより、第２層（最下層）の樹脂絶縁層４２を形成する（図６参照）。なお、熱硬化性エポキシ樹脂を被着する代わりに、感光性エポキシ樹脂や絶縁樹脂や液晶ポリマーを被着してもよい。さらに、ＹＡＧレーザまたは炭酸ガスレーザを用いてレーザ孔あけ加工を行い、ビア導体３４，４４が形成されるべき位置にビア孔を形成する。具体的には、樹脂絶縁層３２を貫通するビア孔を形成し、配線層３３の表面を露出させるとともに、樹脂絶縁層４２を貫通するビア孔を形成し、配線層４３の表面を露出させる。次に、従来公知の手法に従って無電解銅めっき及び電解銅めっきを行い、ビア孔の内部にビア導体３４，４４を形成するとともに、樹脂絶縁層３２上に端子パッド３５を形成し、樹脂絶縁層４２上にＢＧＡパッド４５を形成する（図６参照）。
【００３３】
次に、最上層の樹脂絶縁層３２の表面上に感光性エポキシ樹脂を塗布して硬化させることにより、ソルダーレジスト層３６を形成する。また、最下層の樹脂絶縁層４２の裏面上に感光性エポキシ樹脂を塗布して硬化させることにより、ソルダーレジスト層４６を形成する。次に、所定のマスクを配置した状態で露光及び現像を行い、ソルダーレジスト層３６に開口部３７を形成するとともに、ソルダーレジスト層４６に開口部４７を形成する。
【００３４】
さらに、開口部３７から露出する端子パッド３５の表面に、はんだペーストを印刷するとともに、開口部４７から露出するＢＧＡパッド４５の表面に、はんだペーストを印刷する。次に、はんだペーストが印刷された配線基板をリフロー炉内に配置して、はんだの融点より１０〜４０℃高い温度に加熱する。この時点で、はんだペーストが溶融し、半球状に盛り上がった形状のＩＣチップ２１搭載用のはんだバンプ５１が形成されるとともに、同じく半球状に盛り上がった形状のマザーボード実装用のはんだバンプ５２が形成される。なお、この状態のものは、配線基板１となるべき製品領域を平面方向に沿って縦横に複数配列した多数個取り用配線基板であると把握することができる。さらに、多数個取り用配線基板を分割すると、個々の製品である配線基板１が多数個同時に得られる。
【００３５】
その後、配線基板１の搭載領域２３にＩＣチップ２１を載置する。このとき、ＩＣチップ２１側の面接続端子２２と各はんだバンプ５１とを位置合わせする。そして、２２０℃〜２４０℃程度の温度に加熱して各はんだバンプ５１をリフローすることにより、各はんだバンプ５１と面接続端子２２とを接合し、配線基板１側とＩＣチップ２１側とを電気的に接続する。その結果、搭載領域２３にＩＣチップ２１が搭載される。さらに、配線基板１とＩＣチップ２１との隙間にアンダーフィル材７１を充填して硬化処理を行い、隙間を樹脂封止する。その結果、図３に示される配線基板１が完成する。
【００３６】
従って、本実施形態によれば以下の効果を得ることができる。
【００３７】
（１）本実施形態の配線基板１では、樹脂絶縁層４２とコア基板１１との間に配置され、かつ、コーナー部６１の直下を含む下方領域Ａ１に配置される配線層１７，４３の配線８１のうち、ソルダーレジスト層４６の開口部４７の開口縁の直上に配置される配線８１の一部分が幅広部８２となっている。よって、開口部４７の開口縁を起点とするクラック１１４（図１０参照）が発生し、発生したクラック１１４が開口縁の直上に配置される配線８１に到達したとしても、クラック１１４は補強部分である幅広部８２に到達するため、配線８１が電気的に断線する不具合が生じにくくなる。その結果、配線基板１の歩留まりが向上するため、配線基板１の信頼性を向上させることができる。
【００３８】
（２）本実施形態では、配線層１７，４３の配線８１の一部分を幅広部８２とすることで、配線８１の電気的な断線を防止している。即ち、信頼性に優れた配線基板１を得るためにアンダーフィル材７１の形状を制御したりしなくても済むため、ＩＣチップ２１の実装が容易になり、配線基板１の生産性が向上する。また、本実施形態の配線基板１は、配線８１の形状を変更しただけのものであるため、配線基板１の製造に従来から用いられている工程を変更することなく、配線８１の断線を防止することができる。
【００３９】
（３）本実施形態のＩＣチップ２１は、高剛性であって、樹脂絶縁層３１，３２，４１，４２よりも熱膨張係数が小さく、ＩＣチップ２１に熱膨張係数が近いコア基板１１によって支持される。よって、コア基板１１が変形しにくくなるため、コア基板１１を備えた配線基板１に実装されるＩＣチップ２１をより安定的に支持できる。従って、大きな熱応力に起因するＩＣチップ２１のクラックや接続不良を防止することができる。ゆえに、ＩＣチップ２１として、熱膨張係数差による応力（歪）が大きくなり熱応力の影響が大きく、かつ発熱量が大きく使用時の熱衝撃が厳しい１０ｍｍ角以上の大型のＩＣチップや、脆いとされるＬｏｗ−ｋ（低誘電率）のＩＣチップを用いることができる。
【００４０】
［第２実施形態］
以下、本発明を具体化した第２実施形態を図面に基づき詳細に説明する。ここでは、第１実施形態と相違する部分を中心に説明する。本実施形態では、下方領域の一部において、配線層の配線の配置態様が前記第１実施形態とは異なっている。
【００４１】
詳述すると、図７，図８に示される配線基板１２１は、最下層の樹脂絶縁層１６２とコア基板１３１（樹脂絶縁層、無機繊維含有層）との間に配置され、かつ、コーナー部１８１の直下を含む下方領域Ａ２に配置される配線層（第２配線層１３７及び配線層１６３）を備えている。これら配線層１３７，１６３の配線２０１は、ソルダーレジスト層１６６の開口部１６７の開口縁の直上を避けるように敷設されている（図８に示す回避部２０２参照）。なお、本実施形態の下方領域Ａ２は、コーナー部１８１の頂点Ｐ２（図８参照）から接続端子であるＢＧＡパッド１６５（または、ソルダーレジスト層１６６の開口部１６７）の３個分だけ搭載領域１４３の中央側に延びる領域と、頂点Ｐ２からＢＧＡパッド１６５の４個分だけ搭載領域１４３の外側に延びる領域とによって構成された配線回避区域である。また、本実施形態の下方領域Ａ２は、頂点Ｐ２を通過するとともに積層部１０を厚さ方向に貫通する軸線を中心とした半径５ｍｍの領域であると言うこともできる。
【００４２】
従って、本実施形態では、最下層の樹脂絶縁層１６２とコア基板１３１との間に配置され、かつ、コーナー部１８１の直下を含む下方領域Ａ２に配置される配線層１３７，１６３の配線２０１が、開口部１６７の開口縁の直上を避けるように敷設されている。よって、開口部１６７の開口縁を起点とするクラック１１４（図１０参照）が発生し、発生したクラック１１４が開口縁の直上に進展したとしても、クラック１１４が配線２０１に到達するリスクが小さくなるため、配線２０１が電気的に断線する不具合が生じにくくなる。この場合、配線基板１２１の歩留まりが向上するため、配線基板１２１の信頼性を向上させることができる。
【００４３】
なお、本実施形態の以下のように変更してもよい。
【００４４】
・上記各実施形態において、搭載領域２３，１４３が有するコーナー部６１，１８１の下方領域に配置される配線層４３，１６３の配線８１，２０１は、開口部４７の開口縁の直上に配置される部分が幅広部８２となる第１実施形態の構成と、開口部１６７の開口縁の直上を避けるように敷設される第２実施形態の構成との両方を有していてもよい。
【００４５】
・上記各実施形態の接続端子は、ＢＧＡ（ボールグリッドアレイ）用のＢＧＡパッド４５であった。しかし、接続端子は、ＢＧＡパッド４５のみに限定される訳ではなく、例えば、ＰＧＡ（ピングリッドアレイ）用のＰＧＡパッド等であってもよい。
【００４６】
・上記各実施形態の配線基板は、コア基板１１，１３１を有する配線基板１，１２１に具体化されていたが、コア基板１１，１３１を有しないコアレス配線基板に具体化されていてもよい。
【００４７】
次に、前述した実施形態によって把握される技術的思想を以下に列挙する。
【００４８】
（１）上記手段１において、前記幅広部の長さは、４００μｍ以上１２００μｍ以下であることを特徴とする配線基板。
【００４９】
（２）上記手段１において、前記無機繊維含有層となる樹脂絶縁層は、前記無機繊維含有層とはならない樹脂絶縁層よりも厚いコア基板であることを特徴とする配線基板。
【００５０】
（３）上記手段１において、前記無機繊維含有層は、前記無機繊維層であるガラスクロスを含むガラスクロス含有層であることを特徴とする配線基板。
【００５１】
（４）上記手段１において、前記接続端子は、ＢＧＡパッドまたはＰＧＡパッドであることを特徴とする配線基板。
【００５２】
（５）上記手段１において、前記ソルダーレジスト層は、前記接続端子の外周部分を覆う一方、前記接続端子の中央部分を前記開口部から露出させることを特徴とする配線基板。
【００５３】
（６）上記手段１において、前記下方領域は、前記コーナー部の頂点から前記接続端子の３個分だけ前記搭載領域の中央側に延びる領域と、前記コーナー部の頂点から前記接続端子の４個分だけ前記搭載領域の外側に延びる領域とによって構成されていることを特徴とする配線基板。
【符号の説明】
【００５４】
１，１２１…配線基板
１０…積層部
１１，１３１…樹脂絶縁層及び無機繊維含有層としてのコア基板
１６…配線層としての第１配線層
１７，１３７…配線層としての第２配線層
２１…半導体チップとしてのＩＣチップ
２３，１４３…搭載領域
３１，３２，４１，４２，１６２…樹脂絶縁層
３３，４３，１６３…配線層
４５，１６５…接続端子としてのＢＧＡパッド
４６，１６６…ソルダーレジスト層
４７，１６７…開口部
６１，１８１…コーナー部
８１，２０１…配線層の配線
８２…幅広部
Ａ１，Ａ２…下方領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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