(57)【要約】【課題】プリント配線基板における配線の微細化を図る。【解決手段】絶縁材料からなる絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層上にシード層を形成する工程と、前記シード層上に、狭ピッチで配列された複数の導体配線パターンからなる第１のレジストパターンを形成する工程と、前記シード層上に、狭ピッチで配列された複数の導体配線パターンからなる第２のレジストパターンを形成する工程と、前記第１及び第２のレジストパターンから露出した前記シード層上に配線材料を選択的に電気めっきすることで配線を形成する工程とを有するプリント配線基板の製造方法であって、前記第２のレジストパターンを形成する工程は、前記第１のレジストパターンを残した状態でレジスト材料を塗布し、パターン形成位置を前記第１のレジストパターンを形成した位置から前記第１のレジストパターンの配列方向にシフトさせて第２のレジストパターンを形成する。【選択図】図９
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁材料からなる絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層上にシード層を形成する工程と、
前記シード層上に、狭ピッチで配列された複数の導体配線パターンからなる第１のレジストパターンを形成する工程と、
前記シード層上に、狭ピッチで配列された複数の導体配線パターンからなる第２のレジストパターンを形成する工程と、
前記第１及び第２のレジストパターンから露出した前記シード層上に配線材料を選択的に電気めっきすることで配線を形成する工程と
を有するプリント配線基板の製造方法であって、
前記第２のレジストパターンを形成する工程は、前記第１のレジストパターンを残した状態でレジスト材料を塗布し、パターン形成位置を前記第１のレジストパターンを形成した位置から前記第１のレジストパターンの配列方向にシフトさせて第２のレジストパターンを形成する。
【請求項２】
請求項１に記載のプリント配線基板の製造方法において、
前記第１のレジストパターンを形成する工程は、
前記第１のレジストパターン形成用の第１のレジスト材料を前記シード層上に塗布又はラミネートする工程と、
前記第１のレジストパターンの領域又はそれ以外の領域のいずれかを選択的に露光する工程と、
現像液を用いて前記第１のレジストパターンの領域の第１のレジスト材料を残す工程と、を有する。
【請求項３】
請求項２に記載のプリント配線基板の製造方法において、
前記第１のレジストパターンを形成する工程は、
露光時又はその直後に前記第１のレジストパターンを硬化させる工程を有する。
【請求項４】
請求項３に記載のプリント配線基板の製造方法において、
前記第１のレジストパターンを硬化させる工程は、
前記第１のレジストパターンを加熱することより硬化を促進させる工程である。
【請求項５】
請求項２に記載のプリント配線基板の製造方法において、
前記第１のレジストパターンを形成する工程は、
ネガレジストを形成する工程と、
露光時に前記第１のレジストパターンの領域を選択的に露光することで、前記ネガレジストを架橋する工程と、を有する。
【請求項６】
請求項２に記載のプリント配線基板の製造方法において、
前記第２のレジストパターンを形成する工程は、
前記第２のレジストパターン形成用のネガレジスト材料を前記第１のレジストパターンを含む全面に塗布する工程と、
前記シフトにより前記第１のレジストパターンを避けた前記第２のレジストパターンの領域を選択的に露光する工程と、
前記第２のレジストパターンの現像を行うことで、前記第２のレジストパターンを形成するとともに、前記第１のレジストパターンを露出させる工程と
を有する。
【請求項７】
請求項１に記載のプリント配線基板の製造方法において、
前記第２のレジストパターンを形成する工程は、
前記第１のレジストパターンと前記第２のレジストパターンとが交互に位置するように、前記シフトにより、狭ピッチで配列した前記第１のレジストパターンのピッチ間に前記第２のレジストパターンを形成する。
【請求項８】
請求項７に記載のプリント配線基板の製造方法において、
前記第１のレジストパターン及び前記第２のレジストパターンのピッチを、レジスト露光機の解像度に依存する最小ピッチとする。
【請求項９】
請求項１に記載のプリント配線基板の製造方法において、
前記第１及び第２のレジストパターンのレジスト材料として同じレジスト材料を用いる。
【請求項１０】
請求項１に記載のプリント配線基板の製造方法において、
前記第２のレジストパターンを形成する工程において、導体パッドを形成するための開口パターンを形成し、
前記シード層上に配線材料を電解めっきする工程において、前記開口パターン内に導体パッドを形成する。
【請求項１１】
請求項１０に記載のプリント配線基板の製造方法において、
前記配線と前記導体パッドとを同一工程で形成する。
【請求項１２】
請求項１に記載のプリント配線基板の製造方法において、
さらに、基板実装部品に対する接続パッドを備える最外導電回路層を形成するための開口を前記絶縁層に形成する工程を含み、
前記シード層上に配線材料を電解めっきする工程において、前記最外導電回路層を形成する。
【請求項１３】
請求項１２に記載のプリント配線基板の製造方法において、
前記第２のレジストパターンを形成する工程において、前記最外導電回路層を形成するための開口パターンも形成する。
【請求項１４】
絶縁材料からなる絶縁層と、前記絶縁層の上に形成される複数の配線と、を備えるプリント配線基板であって、
前記複数の配線の幅が、狭ピッチで配列された前記複数の配線の配列方向において第１配線と第２配線とが交互に配列されており、
前記第１配線と前記第２配線とは、異なる幅を有する。
【請求項１５】
請求項１４に記載のプリント配線基板において、
前記第１配線と前記第２配線との間の間隔が、前記複数の配線の配列方向に交互に異なる。
【請求項１６】
絶縁材料からなる絶縁層と、
前記絶縁層の上に形成され、かつ、基板実装部品に接続される複数の導体パッドと、
前記導体パッドの間の前記絶縁層の上に形成された第１導体パターン及び第２導体パターンを有した導体配線パターンと、
を備えるプリント配線基板であって、
前記第１導体パターンは複数の第１配線を有し、前記第２導体パターンは複数の第２配線を有し、
前記第１配線と前記第２配線とは、前記絶縁層の上で交互に配列されており、
前記第１配線と第２配線とは、異なる幅を有する。
【請求項１７】
請求項１６に記載のプリント配線基板において、
前記導体パッドと前記第２配線との配列方向の端部の位置は等間隔で配置されており、前記導体パッドと前記第１配線の配列方向の端部の位置とは等間隔で配置されていない。
【請求項１８】
請求項１７に記載のプリント配線基板において、
前記導体パッドの開口径のサイズは、前記第１配線及び前記第２配線の幅の２倍以上である。
【請求項１９】
請求項１６から１８までのいずれか１項に記載のプリント配線基板において、
前記第１配線と前記第２配線と前記導体パッドは同一工程で形成されている。
【請求項２０】
請求項１６から１９までのいずれか１項に記載のプリント配線基板と、第１及び第２の半導体チップとからなる半導体装置の実装構造であって、
前記絶縁層上に、前記第１及び第２の半導体チップが近接して配置され、
前記第１配線と前記第２配線を介して、前記第１の半導体チップと前記第２の半導体チップとが電気的に接続されている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プリント配線基板及びその製造方法に関し、特に、プリント基板に微細な配線構造を形成する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣチップ（半導体素子）等を実装するための多層プリント配線基板として、スルーホール導体を有する樹脂性のコア基板上に層間絶縁層と導体層とを交互に積層し、導体層間をビア導体で接続するプリント配線基板などが知られている。
【０００３】
近年のＩＣチップの微細化、高集積化に伴い、例えば、プリント配線基板の最上層に形成される導体パッド数が増大し、導体パッド数の増大によって導体パッドの狭ピッチ化が進行している。このようなパッドの狭ピッチ化に伴い、プリント配線基板の配線ピッチも急速に細線化している（例えば、特許文献１を参照）。
【０００４】
また、特許文献２では、ガラスなどを支持板として絶縁樹脂層上に高密度で配線パターンが形成される副配線基板と、この副配線基板が貼り付けられる主配線基板とを有する多層配線基板が開示されている。この多層配線基板では、２種類のＩＣチップ（ＭＰＵやＤＲＡＭ）が接続される部分、および、これらのＩＣチップの電極間を接続する部分に、高密度配線の形成が可能な副配線基板が設けられている。このような構造とすることにより、実装パッドや配線パターンの狭ピッチ化への対応が図られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】国際公開第２００７／１２９５４５号公報
【特許文献２】特開２０１３−２１４５７８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、一般的な露光機において、パターンの解像度と焦点深度との関係について考察すると、解像度を高くする、例えばパターンのＬ／Ｓ（ラインアンドスペース）を細かくすると、焦点深度は小さくなる傾向にある。また、解像度の高い露光機は高価である。
そこで、解像度をより高くする必要があるＩＣチップの製造工程では、解像度の高い露光機を用い、焦点深度を大きくする必要があるプリント基板の製造工程では、安価で比較的解像度の低い露光機を用いるのが一般的である。
【０００７】
しかしながら、例えば、図１１（ａ）、（ｂ）に示すような実装構造１００では、隣接して配置される２つのＩＣチップ（ＣＰＵ１０３、メモリ１０５など）間を、プリント基板１０１上において高密度で配線（符号１０７）する場合等においては、従来のプリント基板よりも高い解像度が要求されるケースが増えてきている。ＩＣ用の露光機を利用すると、焦点深度が小さいこと、コストが高いことが問題となる。
本発明は、プリント配線基板における配線の微細化を、比較的解像度が低い露光機を用いても可能とする技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するためになされた請求項１に係る発明は、絶縁材料からなる絶縁層 を形成する工程と、前記絶縁層上にシード層を形成する工程と、前記シード層上に、狭ピッチで配列された複数の導体配線パターンからなる第１のレジストパターンを形成する工程と、前記シード層上に、狭ピッチで配列された複数の導体配線パターンからなる第２のレジストパターンを形成する工程と、前記第１及び第２のレジストパターンから露出した前記シード層上に配線材料を選択的に電気めっきすることで配線を形成する工程とを有するプリント配線基板の製造方法であって、前記第２のレジストパターンを形成する工程は、前記第１のレジストパターンを残した状態でレジスト材料を塗布し、パターン形成位置を前記第１のレジストパターンを形成した位置から前記第１のレジストパターンの配列方向にシフトさせて第２のレジストパターンを形成する。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、比較的解像度が低い露光機を用いても、プリント配線基板における微細配線を可能とすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の一実施形態に係るプリント配線基板の製造方法の一例を示すプロセスフロー図
【図２】微細配線の形成工程の詳細を示す断面図
【図３】微細配線の形成工程の詳細を示す断面図
【図４】微細配線の形成工程の要部における断面図と平面図との関係を示す図
【図５】微細配線の形成工程の要部における断面図と平面図との関係を示す図
【図６】微細配線の形成工程の要部における断面図と平面図との関係を示す図
【図７】微細配線の形成工程の要部における断面図と平面図との関係を示す図
【図８】微細配線の形成工程の要部における断面図と平面図との関係を示す図
【図９】微細配線の形成工程の要部における断面図と平面図との関係を示す図
【図１０】微細配線の形成工程の要部における断面図と平面図との関係を示す図
【図１１】微細配線構造を用いたプリント配線基板の実装例を示す断面図であり、（ａ）は内蔵タイプ、（ｂ）は貼り付けタイプを示す図
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明の一実施形態を図１〜図１１に基づいて説明する。
本明細書において、プリント基板とは、例えば、多数の電子部品を表面に固定し、その部品間を配線で接続することで電子回路を構成する板状またはフィルム状の部品を指す。主に、基材に対して絶縁性のある樹脂を含浸した基板上に、銅箔など導電体で回路（パターン）配線を構成するものである。プリント基板は、プリント回路、プリント配線、プリント回路板、プリント配線基板などとも呼ばれているが、狭義に解釈されるものではない。また、その製造方法として、コアレス工法やコア有りの工法を用いることができるが、いずれを用いた場合にも適用できるのは言うまでもない。
【００１２】
セミアディティブ法とは、例えば、銅箔のない接着剤を塗布した絶縁基板を用い、穴あけ後、全面に無電解銅めっきを析出させ（シード層形成）、めっきレジストで回路パターンを形成し、導体回路としての電解銅めっきを行い、不要部分の無電解めっきをエッチング除去する方法であり、サブトラクティブのパターンめっき法と同じプロセスで作られる。電解銅めっきを用いるため、通常のめっきレジストが使用できるという利点がある。
【００１３】
以下において、本発明の実施の形態によるプリント配線基板及びその製造方法について図面を参照しながら詳細に説明する。図１は、本発明の第１の実施の形態によるプリント配線基板の製造方法の一例を示すプロセスフロー図であり、一例として、コアレス工法によりプリント基板の配線構造（以下、「プリント配線基板」と称する。）を作成する例を示す図である。図２及び図３は、微細配線の形成工程の詳細を示す断面図である。図４から図１０までは、微細配線の形成工程の要部における断面図（図２及び図３の要部）と平面図との関係を示す図である。
以下においては、図１１に示すような微細配線構造を製造する場合を例にして説明するが、本実施の形態による微細配線形成技術は、このような構造に限定されるものではない。レジスト形成工程としては、セミアディティブ法以外でも適用可能である。例えば、プリント配線板工法を例にすると、サブトラクティブ法、フルアディティブ法などにも適用できる。以下では、セミアディティブ法を用いた工程例を示す。
【００１４】
図１に示す工程例では、まず、例えば厚さ１８μｍ程度のＣｕ箔からなるキャリア３付きの銅箔５（厚さ３μｍから５μｍ）をプリベーク材などの基材１の両面に形成した構造において（図１（ａ））、図１（ｂ）、図４に示すように、銅箔５上に導体パターン７を形成する。尚、図４〜図１０では、裏面側の銅箔５等を省略している。この導体パターン７は、例えば、プリント基板製造用の解像度を有する露光機で十分に解像できる程度の大きなサイズのパターンである。
次いで、図１（ｃ）に示すように、その表面を絶縁層１１で被覆し、次いで、図１（ｄ）、図５に示すように、絶縁層１１の所定領域を開口して導体パターン７の表面を露出させることで、ビア（コンタクトホール）１５を形成する。絶縁層１１は、例えば、無機フィラー(SiO2)を含有する絶縁性樹脂層や感光特性を持つ絶縁性樹脂層などからなる。主材は、主にエポキシ、ポリイミド、フェノール系の樹脂材料が挙げられるがこれらはあくまで例示であり限定はされるものではない。またフィラー材料は無機系材料に限定されず、有機系材料でもよい。含有物はガラスクロスのような繊維状態でもよい。また含有物を必ずしも含有しなくてもよい。絶縁層はフィルムでもワニスでもよい。
【００１５】
次いで、微細配線の形成を行う。この微細配線の形成工程の詳細については後述する。この段階で、例えば、その微細配線構造の外側に、絶縁層１１を貫通するビア１５を形成し、銅などのより基板実装部品等に接続する導電性の材料からなる導体パッドなども形成される（図１（ｆ））。
次いで、図１（ｇ）に示すように、キャリア３から下の構造を剥離工程により分離し、図１（ｈ）に示すように、微細な配線構造１７を有するプリント配線基板２１を得ることができる。
上記では、コアレス工法を例にして説明したが、コアあり工法を用いても良い。コアあり工法は、例えば、従来技術である特開２０１３−２１４５７８号公報に開示された図７Ａ〜図７Ｉのようなコアあり工法である。プリント配線基板２１は、その最表層に図１（ｈ）に示すよう微細な配線構造１７を有するプリント配線基板２１でもよい。
【００１６】
以下、微細配線の形成工程の詳細について、説明する。
まず、図１（ｃ）、（ｄ）に対応する図２（ｃ）、（ｄ）の工程を経て、図２（ｅ−１）に示すように、図２（ｄ）に示す構造上に、例えば、無電解銅めっきのシード層３１を形成する。シード層３１は、スパッタリング法により形成したＴｉ／Ｃｕ層などでも良い。シード層３１の厚さとしては、例えば、５０〜１５０ｎｍ程度が好ましい。なお、下記工程に塗布されるレジスト層との密着性を確保するため、上記シード層に粗化処理工程を行ってもよい。
次いで、図２（ｅ−２）に示すように、シード層３１上に第１のレジストパターンを形成するための、例えば、厚さ７μｍ程度のｉ線ネガ型ドライフィルム（例えばアクリル系）を用いた第１のレジスト層３３を塗布又はラミネートにより形成する。耐薬品性の高いネガ型ドライフィルムは、厚さ７から１０μｍ程度であり、塗布又はラミネート後の加熱は行っていない。
【００１７】
次いで、第１のレジスト層３３に、ｉ線投影露光装置を用いて、所定の露光量で第１のレジストパターンの領域を形成するための露光を行う。露光後に、現像液を用いて現像を行うことで、図２（ｅ−３）に示すように、微細配線用の第１のレジストパターン３３ａが形成される。
第１のレジストパターン３３ａを硬化させるとともに架橋を促進させるために、例えば１１０℃（１００から１２０℃程度の範囲）で３分程度加熱を行い乾燥させる。これにより、次いで、図２（ｅ−４）、図６に示すように、硬化させた第１のレジストパターン３３ｂを形成することができる。この工程においては、第２のレジストパターン形成工程における加熱処理と同等或いはそれよりも高い温度、長い時間での加熱が好ましい。硬化により、以降のプロセスで第１のレジストパターン３３ｂの変形等が生じにくくなる。
【００１８】
第１のレジストパターン３３ｂは、例えば、パターン幅が２μｍ、パターン間のスペースが６μｍである。２μｍは用いる露光機の性能に依存する寸法であり、一般的には配線を微細化するために利用される露光機の解像限界に近い寸法である。
第１のレジストパターン３３ｂが延在する方向と交差する方向に、例えば６μｍ間隔で同様の配線パターンが形成される。ここでは、３本の配線用の第１のレジストパターン３３ｂが例示的に示されている。
【００１９】
次いで、図３（ｅ−５）に示すように、第２のレジストパターンを形成するために、例えば、液状（ワニス状態）のｉ線ネガ型レジストを用いた第２のレジスト層３５を５μｍの厚さで塗布し、第１のレジストパターン３３ｂを含む全領域を覆う。そして、例えば１１０℃、３分間の加熱処理を行う。加熱温度は１００から１２０℃程度であり、第２のレジスト層３５の厚さは５〜７μｍ程度である。ｉ線投影露光装置を用いて、第１のレジストパターン形成時よりも少ない所定の露光量で第２のレジストパターンの領域を露光する。第２のレジストパターンの領域は、第１のレジストパターンの領域と同じように、例えば、幅が２μｍ、スペースが６μｍ程度であるが、第１のレジストパターンのスペース間に第２のレジストパターン３５ａが形成されるように露光（ｉ線照射）位置をシフトする。
第２のレジストパターンとしては、第１のレジストパターンと同じパターンをシフトさせて用いても良いし、第１レジストパターンとは異なるパターンを用いても良い。
第１のレジストパターン３３ｂと第２のレジストパターン３５ａとで同じレジスト材料を使用するのが好ましい。その理由の１つは、後述する電気銅めっき工程における前処理工程の内容やレジストの剥離性を同じにするためである。すなわち、同じレジスト材料を用いることによりレジストの反応性を同じにするためである。
【００２０】
第１のレジストパターン用のレジスト材料としてネガレジストを使う利点は、第１のレジストパターンにおいては耐薬性の高いフィルム材を使用することができる点である。第２のレジストパターン用のレジスト材料としてネガレジストを使うことによる利点の１つは、第１レジストパターンが存在しない領域を、第２のレジストパターン形成用の領域として露光したいためである。すなわち、ネガレジストではなくポジレジストを用いると、第２のレジストパターンを形成する際の露光領域内に第１のレジストパターンが存在することになり、第１のレジストパターンの影響で第２のレジストパターンを形成する際の露光時の光が均一にレジストに当たらなくなるため、精度の良いパターン形成が難しくなるためである。
【００２１】
露光後に、現像液を用いて現像を行うことで、第２のレジストパターン３５ａが形成される。現像後の加熱処理は行わない。
併せて、第１のレジストパターン３３ｂ上の第２のレジスト層３５も除去されるため、図３（ｅ−６）、図７に示すように、狭ピッチで配列する配線パターンの配列する方向に交互に配置された第１、第２のレジストパターン３３ｂ・３５ａが形成される。尚、本実施の形態では、導体パターン７上を、ビア１５を介して露出させるための開口３７も開口用の第２のレジストパターン３５ｂとともに形成している。ここでは、Ｌ／Ｓ＝２μｍ／２μｍ程度のパターンとなる。
【００２２】
レジスト材料としてネガレジストを用いると、露光工程において光が当たった領域が架橋するため、第１のレジストパターン専用のフリージング（架橋）が必ずしも必要ないという利点もある。上記の例ではフリージングとして加熱工程を含めているが、実際には、加熱工程は、現像後の乾燥のためと、密着向上の意味合いが強く、実際の架橋は露光による工程において生じるものが支配的であると推定される。
次いで、図３（ｅ−７）、図８に示すように、第１のレジストパターン３３ｂ、第２のレジストパターン３５ａ、開口用の第２のレジストパターン３５ｂをマスクとして、露出しているシード層３１上に電解メッキ法により例えば厚さ３μｍ程度の電解銅めっき層（配線層）４１ａ・４１ｂが選択的に形成される。この際、めっき液のまわりを良くするために噴流ディップ、揺動などを行うと良い。また、この際、導体パッド４１ｃを形成するようにしても良い。
次いで、図３（ｅ−８）、図９に示すように、第１レジストパターン３３ｂ、第２レジストパターン３５ａ、開口用の第２のレジストパターン３５ｂを、例えば有機アミンと溶剤の混合液で剥離する。すると、配線層４１ａ・４１ｂを配線パターンの延在する方向と交差する方向に狭ピッチで配置することができる。
【００２３】
次いで、図３（ｅ−９）、図１０に示すように、シード層３１ａを、例えば、硫酸・過酸化水ベースの銅エッチング液で等方的にエッチング除去する。シードメタルがＣｕの場合のエッチング液は硫酸・過酸化水素水系又はリン酸・過酸化水素系の銅エッチング液であり、シードメタルがＴｉの場合のエッチング液は、過酸化水素水系、フッ酸などである。等方性のエッチングを行うため、この際、配線層４１ａ・４１ｂの幅も狭くなる。
以上の工程により、露光機における１回の露光での限界を超えたラインアンドスペース（Ｌ／Ｓ）、例えば２μｍ／２μｍのラインアンドスペースを有する微細配線パターン、第１配線４１ａ−１、第２配線４１ｂ−１を形成することができる。すなわち、露光機の解像限界を超えた微細パターンを形成することができる。
【００２４】
図１０に示す構造は、絶縁層１１と、絶縁層１１上に設けられる、第１導電パターンと第２導電パターンからなる、それぞれ第１配線４１ａ−１、第２配線４１ｂ−１と、を備えるプリント配線基板である。
複数の配線４１ａ−１、４１ｂ−１のうち交互に設けられた第１配線４１ａ−１と第２の配線４１ｂ−１とのサイズ（幅Ｗ１、Ｗ２、高さＬ１、Ｌ２、スペースＬ１１、Ｌ１２）が第１配線４１ａ−１及び第２配線４１ｂ−１同士のプロセスの１回で行う工程における寸法等のプロセスバラツキを超えてわずかに異なるようになっている。プロセスによる寸法バラツキは、例えば、１回の形成工程においても１０％程度の寸法バラツキが生じる。２回の形成工程では、二乗和平方根で概算すると１４から１５％程度の寸法バラツキが発生すると推定される。従って、Ｌ／Ｓ＝２μｍ／２μｍあれば、１回の工程でも１０％の０．２μｍ程度のバラツキがある。従って、０．２μｍ以上の寸法バラツキが交互に生じていれば、本実施の形態の形態による方法を用いたと推定できる。
【００２５】
同一の露光工程で同時に形成する導体パッド４１ｃ−１の位置Ｐ３と例えば第２配線４１ｂ−１の位置Ｐ１とが配列方向にほぼ設計寸法通りに並んでおり、異なる露光工程で形成する導体パッド４１ｃ−１の位置Ｐ３と第１配線４１ａ−１の位置Ｐ２とは設計寸法通りには並んでいない。
同様の理由により、複数の配線層のうち交互に設けられた第１配線４１ａ−１と第２配線４１ｂ−１との形成される位置、配線間の間隔、配線層の幅、配線層の厚さが、プロセスのバラツキを超えてわずかに異なっていることで本実施の形態による製造工程で製造されたことを認識することができる。但し、その寸法の相違は、実用上は全く問題ない程度である。
上記では、交互に配線を配置したが、例えば２本の第１配線間に２本の第２配線が形成されるなどの、規則性を保持したまま変形を施しても良い。
【００２６】
上記の技術を用いることで、露光機の解像度の限界寸法を超えて狭ピッチの配線パターンを、プリント配線基板上に従来と同様の工程により形成することが可能となる。
また、露光機の解像度の限界寸法よりも大きなパターンを併せて形成することができ、を、例えば、図１１（ａ）、（ｂ）に示すような隣接して配置される２つのＩＣチップ間をプリント基板上において配線する場合等において、従来のプリント基板よりも狭ピッチの配線層を形成するケースにも対応可能となる。図１１（ａ）の配線１０７をプリント基板１０１に内蔵する内蔵タイプでは、配線１０７とＩＣチップ１０３、１０５間を、ハンダバンプ１０９などで接続している。図１１（ｂ）の配線１０７をプリント基板１０１上に貼り付ける貼り付けタイプでは、配線１０７をプリント基板１０１上に貼り付けているため、プリント基板１０１上のハンダバンプ１０９ａと配線１０７上のハンダバンプ１０９ｂとを異なる高さとして高さ調整を行っている。
本実施の形態の配線形成技術を用いることで、一般的なプリント基板用の露光機程度の露光機の解像度を有していれば良いため、露光機のコストを抑えることができる。
【００２７】
また、本発明の各構成要素は、任意に取捨選択することができ、取捨選択した構成を具備する発明も本発明に含まれるものである。
（１）上記実施形態において、レジスト材料をネガレジストとしたが、ポジレジストを用いても良い。
（２）上記実施形態において、配線パターンはストレートな形状としたが、目的に応じて種々のパターンを用いることができる。
（３）上記実施形態において、第２配線と導体パッドを同じレジストパターンを用いた工程で形成したが、第１配線と導体パッドを同じレジストパターンを用いた工程で形成しても良いし、導体パッドを独立した工程で形成しても良い。
（４）上記実施形態において、レジストパターンをラインアンドスペースのパターンとしたが、種々の微細構造で適用できる。
【産業上の利用可能性】
【００２８】
本発明は、プリント配線基板に利用可能である。
【符号の説明】
【００２９】
１  基材（基板）
３  キャリア
５  銅箔
７  導体パターン
１１  絶縁層
１５  ビア（コンタクトホール）
１７  配線構造
２１  配線基板
３１、３１ａ  シード層
３３  第１のレジスト層
３３ａ  第１のレジストパターン
３３ｂ  硬化させた第１のレジストパターン
３５  第２のレジスト層
３５ａ  第２のレジストパターン
３５ｂ  開口用第２のレジストパターン
４１ａ・４１ｂ  配線層
４１ｃ  導体パッド
４１ａ−１  第１配線
４１ｂ−１  第２配線
４１ｃ−１  導体パッド
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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