(57)【要約】【課題】キャビティ内への電子部品の搭載精度の向上を図ることが可能なキャビティ付き配線板及びその製造方法の提供を目的とする。【解決手段】本発明に係る電子部品内蔵用キャビティ付き配線板１０は、厚さ方向で外側に配置される外側絶縁層３４と、外側絶縁層３４の外側を向く面であるＦ面１０Ｆで開口する電子部品内蔵用のキャビティ３０と、を備えるキャビティ付き配線板１０であって、外側絶縁層３４には、キャビティ３０の開口とは別に、外側絶縁層３４の下に形成される外側導体回路層３５の一部をアライメントマーク３５Ｍとして露出させる位置決め開口３４Ａが形成されている。【選択図】図２
2016096281.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
厚さ方向で外側に配置される外側絶縁層と、
前記外側絶縁層の外側を向く面で開口する電子部品内蔵用のキャビティと、を備えるキャビティ付き配線板であって、
前記外側絶縁層には、前記キャビティの開口とは別に、前記外側絶縁層の下に形成される導体層の一部をアライメントマークとして露出させる位置決め開口が形成されている。
【請求項２】
請求項１に記載のキャビティ付き配線板において、
前記位置決め開口は、レーザ加工により形成され、
前記位置決め開口と前記キャビティの外縁部との間の距離が１０μｍ以上である。
【請求項３】
請求項１又は２に記載のキャビティ付き配線板において
前記位置決め開口と前記キャビティの外縁部との間の距離が１５００μｍ以下である。
【請求項４】
請求項１乃至３のうち何れか１の請求項に記載のキャビティ付き配線板において、
前記導体層の下に形成される内側絶縁層と、
前記内側絶縁層の下に形成されるプレーン層と、をさらに有し、
前記キャビティは、前記外側絶縁層と前記内側絶縁層とを貫通して、前記プレーン層を底面として露出させる。
【請求項５】
請求項４に記載のキャビティ付き配線板において、
前記外側絶縁層は、前記内側絶縁層と同じ材質で構成されている。
【請求項６】
請求項４又は５に記載のキャビティ付き配線板において、
前記外側絶縁層は、前記内側絶縁層より薄くなっている。
【請求項７】
厚さ方向で内側に配置される内側絶縁層を形成することと、
前記内側絶縁層上に導体層を形成することと、
前記内側絶縁層及び前記導体層上の外側に配置される外側絶縁層を形成することと、
前記外側絶縁層及び前記内側絶縁層を貫通して前記外側絶縁層の外側を向く面で開口する電子部品内蔵用のキャビティを形成することと、を有するキャビティ付き配線板の製造方法であって、
前記外側絶縁層に、前記キャビティの開口とは別に、前記導体層の一部をアライメントマークとして露出させる位置決め開口を形成する。
【請求項８】
請求項８に記載のキャビティ付き配線板において、
前記キャビティの形成と前記位置決め開口の形成とを共にレーザ加工により行い、
前記キャビティの形成に使用されるレーザで前記位置決め開口を形成する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品内蔵用のキャビティを有するキャビティ付き配線板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、電子部品を内蔵する電子部品内蔵配線板が知られている（例えば、特許文献１参照）。また、このような電子部品内蔵配線板の製造にあたり、表裏の一方側の面で開口するキャビティを有するキャビティ付き配線板を準備し、そのキャビティ内に電子部品を搭載することが提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１１−２１１１９４号公報（［００１２］、図９）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上述した従来のキャビティ付き配線板では、キャビティ内に電子部品を搭載する際に、電子部品がキャビティに対してずれるという問題が考えられる。
【０００５】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、キャビティ内への電子部品の搭載精度の向上を図ることが可能なキャビティ付き配線板及びその製造方法の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するためになされた本発明に係るキャビティ付き配線板は、厚さ方向で外側に配置される外側絶縁層と、外側絶縁層の外側を向く面で開口する電子部品内蔵用のキャビティと、を備えるキャビティ付き配線板であって、外側絶縁層には、キャビティの開口とは別に、外側絶縁層の下に形成される導体層の一部をアライメントマークとして露出させる位置決め開口が形成されている。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本発明の一実施形態に係るキャビティ付き配線板の断面図
【図２】キャビティ付き配線板のキャビティ周辺の拡大断面図
【図３】アライメントマークの平面図
【図４】電子部品内蔵用キャビティ付き配線板の製造工程を示す図
【図５】電子部品内蔵用キャビティ付き配線板の製造工程を示す図
【図６】電子部品内蔵用キャビティ付き配線板の製造工程を示す図
【図７】電子部品内蔵用キャビティ付き配線板の製造工程を示す図
【図８】電子部品内蔵配線板の断面図
【図９】電子部品内蔵配線板の電子部品周辺の拡大断面図
【図１０】電子部品内蔵配線板の製造工程を示す図
【図１１】電子部品内蔵配線板の製造工程を示す図
【図１２】電子部品内蔵配線板の製造工程を示す図
【図１３】変形例に係るアライメントマークの平面図
【図１４】変形例に係るキャビティ付き配線板の断面図
【図１５】変形例に係るキャビティ付き配線板の製造工程を示す図
【図１６】変形例に係るキャビティ付き配線板の製造工程を示す図
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、本発明の一実施形態を図１〜図１２に基づいて説明する。図１に示すように、本実施形態に係るキャビティ付き配線板１０は、コア基板１１の表側面であるＦ面１１Ｆと裏側面であるＢ面１１Ｂとにビルドアップ絶縁層１５とビルドアップ導体層１６とが交互に積層されている多層構造になっている。そして、ビルドアップ導体層１６のうち最も外側に配置される第１ビルドアップ導体層１６Ａ上に、キャビティ付き配線板１０の表側面であるＦ面１０Ｆと裏側面であるＢ面１０Ｂを構成する外側絶縁層３４が形成されている。なお、外側絶縁層３４は、Ｂ面１０Ｂ側に形成されない構成であってもよい。
【０００９】
詳細には、コア基板１１の表裏の両面１１Ｆ，１１Ｂには、コア導体層１２が形成され、上述のビルドアップ絶縁層１５は、コア導体層１２上に形成されている。表側のコア導体層１２と裏側のコア導体層１２とは、コア基板１１を貫通するスルーホール導体１３によって接続されている。スルーホール導体１３は、コア基板１１を貫通するスルーホール１３Ａの壁面に、例えば、銅のめっきが形成されることにより形成されている。なお、コア基板１１の厚さは、約７００μｍになっていて、コア導体層１２の厚さは、約３５μｍになっている。
【００１０】
ビルドアップ絶縁層１５は、絶縁性材料で構成され、ビルドアップ導体層１６は、金属（例えば、銅）で構成されている。また、外側絶縁層３４は、ビルドアップ絶縁層１５と同じ材質で構成されている。なお、ビルドアップ絶縁層１５の厚さは、約１０〜３０μｍになっていて、ビルドアップ導体層１６の厚さは、約７〜１５μｍになっている。また、外側絶縁層３４は、ビルドアップ絶縁層１５より薄くなっていて、その厚さは、約７〜１５μｍになっている。ここで、ビルドアップ絶縁層１５の厚さは、上下導体層間の距離で定義され、外側絶縁層３４の厚さは、第１ビルドアップ導体層１６の上表面から外側絶縁層３４の上表面までの距離で定義される。
【００１１】
コア基板１１に最も近い最内のビルドアップ導体層１６とコア導体層１２とは、最内のビルドアップ絶縁層１５を貫通するビア導体１６によって接続されている。また、積層方向で隣り合うビルドアップ導体層１６，１６同士は、それらビルドアップ導体層１６，１６の間に位置するビルドアップ絶縁層１５を貫通するビア導体１８によって接続されている。
【００１２】
複数のビルドアップ導体層１６のうち外側から２番目に配置されるビルドアップ導体層１６、即ち、上述した第１ビルドアップ導体層１６Ａの１つ内側のビルドアップ導体層１６を第２ビルドアップ導体層１６Ｂと呼ぶことにすると、Ｆ面１０Ｆ側の第２ビルドアップ導体層１６Ｂには、導体回路層３１Ｂと、プレーン層３１Ａとが形成されている。プレーン層３１Ａは、例えば、グランド接続されるグランド層になっている。また、プレーン層３１Ａは、キャビティ付き配線板１０の中央寄り部分に配置され、導体回路層３１Ｂは、プレーン層３１Ａを両側から挟むように配置されている。
【００１３】
また、Ｆ面１０Ｆ側の第１ビルドアップ導体層１６Ａには、ビア導体１８を介して導体回路層３１Ｂに接続される外側導体回路層３５（本発明の「導体層」に相当する。）が形成されている。
【００１４】
図２に示すように、キャビティ付き配線板１０には、Ｆ面１０Ｆで開口するキャビティ３０が形成されている。キャビティ３０は、ビルドアップ絶縁層１５のうち最も外側に配置される第１ビルドアップ絶縁層１５Ａ（本発明の「内側絶縁層」に相当する。）と外側絶縁層３４とを貫通し、プレーン層３１Ａを底面として露出させる。
【００１５】
また、Ｆ面１０Ｆ側の外側絶縁層３４には、外側導体回路層３５の一部をアライメントマーク３５Ｍとして露出させる位置決め開口３４Ａが形成されている。図３に示すように、位置決め開口３４Ａは、キャビティ３０に対して予め定めた位置に配置され、位置決め開口３４とキャビティ３０の外縁部との間の距離Ｌ１は、１０μｍ以上、１５００μｍ以下となっている。なお、図３の例では、開口３４Ａ及びアライメントマーク３５Ｍは、円形になっている。
【００１６】
キャビティ付き配線板１０の構造に関する説明は以上である。次に、図４〜図７に基づいて、キャビティ付き配線板１０の製造方法について説明する。
【００１７】
キャビティ付き配線板１０は、以下のようにして製造される。
（１）図４（Ａ）に示すように、コア基板１１に、例えば、ドリル加工等によってスルーホール１３Ａが形成される。なお、コア基板１１は、エポキシ樹脂又はＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂とガラスクロスなどの補強材からなる絶縁性基材１１Ｋの表裏の両面に図示しない銅箔がラミネートされている。
【００１８】
（２）無電解めっき処理、めっきレジスト処理、電解めっき処理が行われ、コア基板１１のＦ面１１ＦとＢ面１１Ｂとに、コア導体層１２が形成されると共に、スルーホール１３Ａの内面にスルーホール導体１３が形成される（図４（Ｂ）参照。）。なお、コア基板１１の製造方法は、特開２０１２−６９９２６号公報の図１〜図２に示すような製造方法であってもよい。
【００１９】
（３）図５（Ａ）に示すように、コア導体層１２上にビルドアップ絶縁層１５が積層され、そのビルドアップ絶縁層１５上にビルドアップ導体層１６が積層される。具体的には、コア基板１１のＦ面１１Ｆ側とＢ面１１Ｂ側とからコア導体層１２上にビルドアップ絶縁層１５としてのプリプレグ（心材を樹脂含浸してなるＢステージの樹脂シート）と銅箔（図示せず）が積層されてから、加熱プレスされる。そして、銅箔にＣＯ２レーザが照射されて、銅箔及びビルドアップ絶縁層１５を貫通するビア形成孔が形成される。そして、無電解めっき処理、めっきレジスト処理、電解めっき処理が行われ、電解めっきがビア形成孔内に充填されてビア導体１６が形成されると共に、ビルドアップ絶縁層１５上に所定パターンのビルドアップ導体層１６が形成される。なお、ビルドアップ絶縁層１５としてプリプレグの代わりに心材を含まない樹脂フィルムを用いてもよい。その場合は、銅箔を積層することなく、樹脂フィルムの表面に、直接、セミアディティブ法で導体層を形成することができる。
【００２０】
（４）上記（３）の工程と同様にして、コア基板１１のＦ面１１Ｆ側とＢ面１１Ｂ側とにビルドアップ絶縁層１５及びビルドアップ導体層１６が交互に積層される（図５（Ｂ）参照。なお、同図では、Ｆ面１１Ｆ側のみが示されている。以下、図６〜図７についても同様とする。）。その際、ビルドアップ絶縁層１５を貫通するビア導体１８が形成され、そのビア１８導体によって積層方向で隣り合うビルドアップ導体層１６，１６同士が接続される。
【００２１】
（５）上記（３）の工程と同様にして、ビルドアップ絶縁層１５が積層されると共に、そのビルドアップ絶縁層１５上にビルドアップ導体層１６が積層されて、第２ビルドアップ導体層１６Ｂが形成される（図６（Ａ）参照）。その際、Ｆ面１１Ｆ側の第２ビルドアップ導体層１６Ｂには、第２ビルドアップ導体層１６Ｂより１つ内側のビルドアップ導体層１６にビア導体１８を介して接続される導体回路層３１Ｂと、ベタ状のプレーン層３１Ａとが形成される。
【００２２】
（６）上記（３）の工程と同様にして、第２ビルドアップ導体層１６Ｂ上に、ビルドアップ絶縁層１５とビルドアップ導体層１６が積層されて、第１ビルドアップ絶縁層１５Ａと第１ビルドアップ導体層１６Ａが形成される（図６（Ｂ）参照）。その際、プレーン層３１Ａの上には、第１ビルドアップ絶縁層１５Ａのみが積層される。また、第１ビルドアップ導体層１６Ａには、第１ビルドアップ絶縁層１５Ａを貫通するビア１８を介して導体回路層３１Ｂに接続される外側導体回路層３５が形成される。
【００２３】
（７）図７（Ａ）に示すように、第１ビルドアップ導体層１６Ａ上に、ビルドアップ絶縁層１５と同じ材質の外側絶縁層３４が積層される。このとき、プレーン層３１Ａの上には、第１ビルドアップ層１５Ａと外側絶縁層３４とが積層されている。但し、外側絶縁層３４の材料は、特に限定されず、例えば、弾性率１〜１０ＧＰａのアクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミドなどの接着材でもよい。
【００２４】
（８）図７（Ｂ）に示すように、コア基板１１のＦ面１１Ｆ側から、例えば、ＣＯ２レーザが照射されて、外側絶縁層３４と第１ビルドアップ絶縁層１５Ａとを貫通してプレーン層３１Ａを底面として露出させるキャビティ３０が形成されると共に、そのキャビティ３０に対して予め定められた相対位置に、外側絶縁層３４を貫通して外側導体回路層３５の一部をアライメントマーク３５Ｍとして露出させる位置決め開口３４Ａが形成される。ここで、位置決め開口３４Ａとキャビティ３０の外縁部との間の距離Ｌ１は、９０μｍ以上となっているので、キャビティ３０の形成部分にレーザが当たってキャビティ３０が損傷することが抑制される。なお、キャビティ３０の形成にあたってレーザが照射される範囲の面積は、プレーン層３１Ａの面積よりも小さくなっていて、キャビティ３０の底面全体がプレーン層３１Ａのみで形成される。
【００２５】
（９）キャビティ３０の底面として露出するプレーン層３１Ａにデスミア処理、粗化処理が施されて、キャビティ付き配線板１０が完成する。なお、デスミア処理の際、外側導体回路層３５は、外側絶縁層３４によって保護される。ここで、外側絶縁層３４はビルドアップ絶縁層１５より薄くなっているので、外側絶縁層３４を外側導体回路層３５の保護に必要な最低限の厚みにして、キャビティ付き配線板１０の薄型化を図ることが可能となる。また、上記（８）の工程で、位置決め開口３４Ａの形成にかかる時間の短縮化を図ることが可能となる。
【００２６】
キャビティ付き配線板１０の製造方法に関する説明は以上である。キャビティ付き配線板１０は、図８に示す電子部品内蔵配線板１００の製造に用いられる。
【００２７】
図８及び図９に示すように、電子部品内蔵配線板１００は、キャビティ３０に電子部品８０を収容するキャビティ付き配線板１０の表裏の両面に外側ビルドアップ絶縁層２１と外側ビルドアップ導体層２２が積層された構造になっている。外側ビルドアップ絶縁層２１は上述のビルドアップ絶縁層１５と同じ材質で構成されている。外側ビルドアップ導体層２２は、ビルドアップ導体層１６と同じ金属（例えば、銅）で構成されている。そして、外側ビルドアップ導体層２２は、外側ビルドアップ絶縁層２１を貫通するビア導体２５によってキャビティ付き配線板１０の第１ビルドアップ導体層１６Ａに接続されている。なお、外側ビルドアップ絶縁層２１の厚さは約１５μｍになっていて、外側ビルドアップ導体層２２の厚さは約１５μｍになっている。ここで、外側ビルドアップ絶縁層２１の厚さは、ビルドアップ絶縁層１５と同様に、上下導体層間の距離で定義される。また、電子部品８０は、例えば、半導体素子、受動部品、配線層を有するインターポーザ、再配線層を有する半導体素子、ＷＬＰ（Ｗａｆｅｒ  Ｌｅｖｅｌ  Ｐａｃｋａｇｅ）等である。
【００２８】
外側ビルドアップ導体層２２上には、ソルダーレジスト層２９が形成されている。ソルダーレジスト層２９は、電子部品内蔵配線板１００の表側面であるＦ面１００Ｆと、裏側面であるＢ面１００Ｂとを構成する。そして、ソルダーレジスト層２９に、外側ビルドアップ導体層２２の一部を導体パッド２３として露出させる開口２７が複数形成されている。ソルダーレジスト層２９の厚さは、約７〜２５μｍになっている。ここで、ソルダーレジスト層２９の厚みは、外側ビルドアップ導体層２２の上表面からソルダーレジスト層２９の上表面までの距離で定義される。
【００２９】
導体パッド２３上には、めっき層４１が形成されている。なお、電子部品内蔵配線板１００のＦ面１００Ｆ側のめっき層４１は、ソルダーレジスト層２９から突出するバンプ状に形成されている（図９参照）。
【００３０】
電子部品内蔵配線板１００の構造に関する説明は以上である。次に、電子部品内蔵配線板１００の製造方法について説明する。
【００３１】
電子部品内蔵配線板１００は、以下のようにして製造される。
（１）まず、図１０（Ａ）に示すように、配線板１０のキャビティ３０の底面として露出するプレーン層３１Ａ上に、底面に接着層３３が塗布されている電子部品８０が搭載され、熱硬化処理、ＣＺ処理が行われる。このとき、電子部品８０は、アライメントマーク３５Ｍを基準にして位置決めされるので、電子部品８０をキャビティ３０内へ精度よく搭載することが可能となる。ここで、アライメントマーク３５Ｍとキャビティ３０の外縁部との間の距離Ｌ１が１５００μｍ以下となっているので、アライメントマーク３５を基準とした電子部品８０の搭載精度の向上が図られる。
【００３２】
（２）キャビティ配線板１０のＦ面１０ＦとＢ面１０Ｂとに、ビルドアップ絶縁層１５と同じ材質の外側ビルドアップ絶縁層２１が積層され、プレスされる（図１０（Ｂ）参照。なお、同図では、Ｆ面１０Ｆ側のみが示されている。図１１についても同様とする。）。このとき、アライメントマーク３５Ｍを露出させる開口３４Ａの内部には、外側ビルドアップ絶縁層２１が充填される。
【００３３】
（３）図１１（Ａ）に示すように、キャビティ付き配線板１０のＦ面１０Ｆ側とＢ面１０Ｂ側とからレーザが照射されて、外側ビルドアップ絶縁層２１にビア形成孔４５が形成される。
【００３４】
（４）無電解めっき処理、めっきレジスト処理、電解めっき処理が行われ、ビア形成孔４５内にビア導体２５が形成される（図１１（Ｂ）参照）。また、外側ビルドアップ絶縁層２１上に、外側ビルドアップ導体層２２が形成される。
【００３５】
（５）図１２に示すように、キャビティ付き配線板１０のＦ面１０Ｆ側とＢ面１０Ｂ側の両方から、外側ビルドアップ導体層２２上にソルダーレジスト層２９が積層されると共に、ソルダーレジスト層２９に、外側ビルドアップ導体層２２の一部を導体パッド２３として露出させる開口２７がレーザ加工により形成される。
【００３６】
（６）キャビティ付き基材１０のＦ面１０Ｆ側とＢ面１０Ｂ側とに無電解めっき処理が行われて、導体パッド２３上にめっき層４１が形成され、図８に示した電子部品内蔵配線板１００が完成する。
【００３７】
以上が、キャビティ付き配線板１０を用いた電部品内蔵配線板１００の製造方法に関する説明である。次に、本実施形態のキャビティ付き配線板１０の作用効果について説明する。
【００３８】
本実施形態のキャビティ付き配線板１０によれば、位置決め開口３４Ａによって露出するアライメントマーク３５Ｍを基準にして、電子部品８０をキャビティ３０内に受容させることが可能となり、キャビティ３０内への電子部品８０の搭載精度の向上を図ることが可能となる。また、位置決め開口３４Ａは、レーザ加工により形成されるので、キャビティ３０に対する位置決め開口３４Ａの位置精度の向上を図ることが可能となる。ここで、位置決め開口３４Ａとキャビティ３０との間の距離Ｌ１（図３参照）は、１０μｍ以上、１５００μｍ以下となっているので、電子部品８０の搭載精度の向上を図りつつ、位置決め開口３４Ａを形成する際のキャビティ３０の損傷を抑制することが可能となる。
【００３９】
また、本実施形態のキャビティ付き配線板１０の製造方法によれば、キャビティ３０の形成に使用されるレーザを用いて位置決め開口３４Ａが形成されるので、キャビティ３０を形成するついでに、位置決め開口３４Ａを形成することが可能となる。
【００４０】
［他の実施形態］
本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、例えば、以下に説明するような実施形態も本発明の技術的範囲に含まれ、さらに、下記以外にも要旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施することができる。
【００４１】
（１）上記実施形態では、アライメントマーク３５Ｍが円形状であったが、例えば、図１３に示すような形状であってもよい。具体的には、アライメントマーク３５Ｍは、リング状であってもよいし（図１３（Ａ）参照）、多角形状であってよいし（図１３（Ｂ）及び図１３（Ｃ）参照）、十字状であってもよい（図１３（Ｄ）参照）。
【００４２】
（２）上記実施形態の配線板１０では、キャビティ３０の底面を構成するプレーン層３１Ａが、外側から２番目に位置する第２ビルドアップ導体層１６Ｂに形成される構成であったが、図１４（Ａ）に示すように、最外の第１ビルドアップ導体層１６Ａに形成されてもよいし、図１４（Ｂ）に示すように、外側から３番目の第３ビルドアップ導体層１６Ｃに形成されてもよい。
【００４３】
（３）上記実施形態では、プレーン層３１Ａがキャビティ３０の底面として露出する構成であったが、ビルドアップ絶縁層１５がキャビティ３０の底面として露出する構成であってもよい。なお、この場合において、キャビティ３０は、外側絶縁層３４のみを貫通してもよいし、１又は複数のビルドアップ絶縁層１５を貫通してもよい。
【００４４】
（４）上記実施形態では、キャビティ付き配線板１０がコア基板１１を有する構成であったが、図１６（Ｂ）に示すキャビティ付き配線板１０Ｖのように、コア基板１１を有さない構成であってもよい。このようなキャビティ付き配線板１０Ｖは、例えば、以下［１］〜［５］に示す方法により製造される。
【００４５】
［１］図１５（Ａ）に示すように、キャリア５１Ｋの上面に銅箔５１Ｃが積層されたキャリア付き銅箔５１が、支持基板５０上に積層される。なお、キャリア５１Ｋと銅箔５１Ｃとの間、及び、キャリア５１Ｋと支持基板５０との間には、図示しない接着層が形成され、キャリア５１Ｋと銅箔５１Ｃとの間の接着力は、キャリア５１Ｋと支持基板５０との間の接着力よりも弱くなっている。
【００４６】
［２］銅箔５１Ｃ上に所定パターンのめっきレジストが形成される。そして、電解めっき処理により、めっきレジストの非形成部に電解めっき膜が形成されて、銅箔５１Ｃ上に、プレーン層３１Ａと導体回路層３１Ｂとを有する内側導体層５２が形成される（図１５（Ｂ）参照）。
【００４７】
［３］内側導体層５２上に、ビルドアップ絶縁層１５が積層されると共に、そのビルドアップ絶縁層１５上に、ビルドアップ導体層１６が積層される。このとき、ビルドアップ導体層１６には、導体回路層３１Ｂにビア１８を介して接続される外側導体回路層３５が形成される（図１５（Ｃ）参照）。
【００４８】
［４］ビルドアップ導体層１６上に外側絶縁層３４が積層され、レーザ加工によって、外側絶縁層３４とビルドアップ絶縁層１５とを貫通してプレーン層３１Ａを底面として露出させるキャビティ３０が形成されると共に、外側導体回路層３５の一部をアライメントマーク３５Ｍとして露出させる位置決め開口３４Ａが形成される（図１６（Ａ）参照）。
【００４９】
［５］キャリア付き銅箔５１のうちのキャリア５１Ｋと、支持基板５０とが剥離され、その後、銅箔５１Ｃがエッチング処理により除去されて、キャビティ付き配線板１０Ｖが完成する（図１６（Ｂ）参照）。なお、その後、このキャビティ付き配線板１０Ｖに、上記実施形態の図９〜図１２に示したような工程を施してもよい。
【符号の説明】
【００５０】
１０，１０Ｖ    キャビティ付き配線板
１５Ａ    第１ビルドアップ絶縁層（内側絶縁層）
３０    キャビティ
３１Ａ    プレーン層
３４    外側絶縁層
３５    外側導体回路層（導体層）
３５Ｍ    アライメントマーク
【図１】
2016096281.tif 000003
【図２】
2016096281.tif 000004
【図３】
2016096281.tif 000005
【図４】
2016096281.tif 000006
【図５】
2016096281.tif 000007
【図６】
2016096281.tif 000008
【図７】
2016096281.tif 000009
【図８】
2016096281.tif 000010
【図９】
2016096281.tif 000011
【図１０】
2016096281.tif 000012
【図１１】
2016096281.tif 000013
【図１２】
2016096281.tif 000014
【図１３】
2016096281.tif 000015
【図１４】
2016096281.tif 000016
【図１５】
2016096281.tif 000017
【図１６】
2016096281.tif 000018