(57)【要約】      （修正有）【課題】発光素子の実装位置ずれを低減し、複数の発光素子同士の間隔を十分に狭めることができる発光装置を提供する。【解決手段】第１の発光素子８１と隣接して配置される第２の発光素子８２と、第１の発光素子８１が実装される第１の素子実装部３ａと、第２の発光素子８２と接続されるワイヤ９が接続される第１のワイヤ接続部３ｂとを備える第１の導電パターン３と、第１の導電パターン３と第１の配線ギャップ２ａを挟んで離間した、第２の発光素子８２が実装される第２の素子実装部４ａを備える第２の導電パターン４と、を有し、第１の素子実装部３ａの外形は、第１の配線ギャップ２ａと、第１の配線ギャップ２ａと連続し、第１の素子実装部３ａの両側にそれぞれ設けられた第１の切欠き部２ｂによって画定され、第１のワイヤ接続部３ｂは、第１の素子実装部３ａよりも前記第２の導電パターン４側に延伸している、発光装置。【選択図】図２
2016096322.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の発光素子と、
前記第１の発光素子と隣接して配置される第２の発光素子と、
基板上に形成され、前記第１の発光素子が実装される第１の素子実装部と、前記第２の発光素子と接続されるワイヤが接続される第１のワイヤ接続部とを備える第１の導電パターンと、
前記第１の導電パターンと第１の配線ギャップを挟んで離間した、前記第２の発光素子が実装される第２の素子実装部を備える第２の導電パターンと、を有し、
前記第１の素子実装部の外形は、前記第２の導電パターンに近い側において、前記第１の配線ギャップと、前記第１の素子実装部と前記第１のワイヤ接続部との間に設けられ前記第１の配線ギャップと連続し、前記第１の素子実装部の両側にそれぞれ設けられた第１の切欠き部によって画定され、
前記第１のワイヤ接続部は、前記第１の素子実装部よりも前記第２の導電パターン側に延伸している、発光装置。
【請求項２】
前記第２の導電パターンは、さらに第２のワイヤ接続部を有し、前記第２の素子実装部は、前記第２のワイヤ接続部よりも前記第１の導電パターン側に突出している、
請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記第２の導電パターンの前記第１の配線ギャップと反対側に、第２の配線ギャップを挟んで離間し、第３の発光素子が実装される第３の導電パターンを有し、
前記第２の素子実装部の外形は、前記第３の導電パターンに近い側において、前記第２の配線ギャップと、前記第２の素子実装部と前記第２のワイヤ接続部との間に設けられ前記第２の配線ギャップと連続し、前記第１の素子実装部の両側にそれぞれ設けられた第２の切欠き部によって画定される、請求項２に記載の発光装置。
【請求項４】
前記第１の発光素子および前記第２の発光素子が、紫外領域の光を発する、請求項１から３のいずれか１項に記載の発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板に対し複数の発光ダイオード（Light Emitting Diode, LED）チップが実装される発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
発光ダイオード（以下「ＬＥＤ」と略称する。）は、高い発光効率、低い消費電力および長寿命であるという観点から、照明用装置をはじめ、光通信装置などの様々な光源として採用されている。特にプリンタやスキャナまたはこれらを含む複合機においては、複数の発光素子を基板上に一列に実装した発光装置が用いられている。
また、スキャナ、インクや樹脂硬化、パネルの貼り合わせ等多くの分野で、直線状に紫外光や可視光のような所望の光を照射する発光装置が用いられており、基板上に一列に実装された複数の発光素子が、紫外光や可視光の光源として用いられている。
【０００３】
このような発光装置に用いられる発光素子は、たとえばｐ型およびｎ型の半導体層をエピタキシャル成長させ、その後に導電体からなるｐ電極およびｎ電極をそれぞれ対応する半導体層に接合させた構造を有している。垂直構造と呼ばれる発光素子では、発光素子の光取り出し面側にはｎ電極（カソード）が設けられ、光取り出し面と反対側の裏面にｐ電極（アノード）が設けられる。発光素子の裏面のｐ電極が、半田または導電性ペーストを介して基板に形成した導電パターンに接合することでダイボンドされる。そして、光取り出し面側のｎ電極を基板のボンディング領域との間でワイヤボンディングすることにより、発光素子と基板とが電気的に接続される。
【０００４】
このような複数の発光素子を基板に列状に並べて実装したＬＥＤ発光装置として、例えば、対峙する第一辺と第二辺とが平行であるＬＥＤチップを、対峙する第１辺と第２辺とが平行である基板の上に、第一辺と第１辺とが間隔をおいて平行をなし、第二辺と第２辺とが間隔をおいて平行をなすように実装し、ＬＥＤチップの上面の対角の二隅に設けられた二つのパッド電極のうちの第一辺側のパッド電極と、基板の第１辺側の上面に設けられた導電パターンのボンディング領域との間に、ワイヤを、平面視における該パッド電極からの架設方向が、該第一辺に対する直角離間方向に対して第一辺から離れる向きに１５〜４０度傾斜した方向であるように架設し、二つのパッド電極のうちの第二辺側のパッド電極と、基板の第２辺側の上面に設けられた導電パターンのボンディング領域との間に、ワイヤを、平面視における該パッド電極からの架設方向が、該第二辺に対する直角離間方向に対して第二辺に近付く向きに１５〜４０度傾斜した方向であるように架設してなるＬＥＤ発光装置が提案されている。（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１１−２１６５１４公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
このような従来の発光装置によれば、列状の発光素子の実装位置がずれるおそれがある。それによって、発光素子を列状に整列させることが困難になる、また発光素子同士の間隔を十分に狭めることが難しくなることがある。また、発光素子同士の配置が密になるに従い、発光素子と接続されるワイヤがボンディングされるボンディング領域の配置も困難になるおそれがある。
【０００７】
本発明の実施形態は、かかる従来の課題にかんがみてなされたものであり、発光素子の位置ずれを低減しつつ、発光素子の間隔を狭くすることができる、発光装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
そこで、本発明に関わる一実施形態の発光装置は、第１の発光素子と、前記第１の発光素子と隣接して配置される第２の発光素子と、基板表面に形成され、前記第１の発光素子が実装される第１の素子実装部と、前記第２の発光素子と接続されるワイヤが接続される第１のワイヤ接続部とを備える第１の導電パターンと、前記第１の導電パターンと第１の配線ギャップを挟んで離間した、前記第２の発光素子が実装される第２の素子実装部を備える第２の導電パターンと、を有し、前記第１の素子実装部の外形は、前記第２の導電パターンに近い側において、前記第１の配線ギャップと、前記素子実装部と前記第１のワイヤ接続部との間に設けられ前記第１の配線ギャップと連続し、前記素子実装部の両側にそれぞれ設けられた第１の切欠き部によって画定され、前記第１のワイヤ接続部は、前記第１の素子実装部よりも前記第２の導電パターン側に延伸している、発光装置である。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の一実施形態にかかわる発光装置を示す概略上面図である。
【図２】図１の発光装置の拡大概略上面図である。
【図３】図１の発光装置に備えられる発光素子の断面構造を示す模式図である。
【図４】本発明の一実施形態にかかわる発光装置を示す概略上面図である。
【図５】本発明の一実施形態にかかわる発光装置を用いた光源装置である。
【図６】本発明の一実施形態にかかわる発光装置を示す概略上面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明の実施形態にかかわる発光装置について、図面を参照しながら説明する。
【００１１】
（第１の実施形態）
図１は本発明に関わる第１の実施形態の発光装置を示す上面図である。また、図２はその発光装置の拡大上面図である。
【００１２】
図１に示される発光装置は、第１の発光素子８１と、第１の発光素子８１と隣接して配置される第２の発光素子８２と、基板１上に形成され、第１の発光素子８１が実装される第１の素子実装部３ａと、第２の発光素子８２と接続されるワイヤ９が接続される第１のワイヤ接続部３ｂとを備える第１の導電パターン３と、第１の導電パターン３と第１の配線ギャップ２ａを挟んで離間した、第２の発光素子８２が実装される第２の素子実装部４ａを備える第２の導電パターン４と、を有する。そして、第１の素子実装部３ａの外形は、第２の導電パターン４に近い側において、第１の配線ギャップ２ａと、第１の素子実装部３ａと第１のワイヤ接続部３ｂとの間に設けられ第１の配線ギャップ２ａと連続し、第１の素子実装部３ａの両側にそれぞれ設けられた第１の切欠き部２ｂによって画定され、第１のワイヤ接続部３ｂは、第１の素子実装部３ａよりも第２の導電パターン４側に延伸している。
具体的には、基体１１と、第１の導電パターン３および第２の導電パターン４、第３の導電パターン５を含む複数の導電パターンを有する基板１の表面に、第１の発光素子８１および第２の発光素子８２を含む上面視形状が略四角形の１２個の発光素子が実装されて配列されている。より詳細には、第１の導電パターン３の上に第１の発光素子８１が実装され、第２の導電パターン４の上に第２の発光素子８２が実装されている。また、第２の発光素子８２、より詳細には第２の発光素子８２の２つのｎ電極８eと、第１の導電パターン３は、それぞれ導電性の２本のワイヤ９によって接続されている。
【００１３】
図１および図２に示すように、本実施形態の第１の導電パターン３は、第１の素子実装部３ａと、第１の素子実装部３ａの両側に２つ設けられた第１のワイヤ接続部３ｂを有している。また、第２の導電パターン４は、第２の素子実装部４ａと、第２の素子実装部４ａの両側に２つ設けられた第２のワイヤ接続部４ｂを有しており、第１の導電パターン３とほぼ同じ形状を有している。
【００１４】
基板１は、たとえば、ガラスエポキシ樹脂、またはアルミナからなるセラミックなどのように絶縁性を有する板状の材料の基体１１を備える。そして、基体１１の上面には、第１の導電パターン３、第２の導電パターン４、第３の導電パターン５を含む複数の導電パターン、電極パターン６、７などが、電解メッキ法およびエッチング法などの方法により、たとえば銅などの導電体を材料として設けられる。本実施形態においては、基体１１には放熱性の高い窒化アルミを、導電パターンには銅のベースの表面に金の薄膜を設けたものを用いることができる。
【００１５】
第１の導電パターン３および第２の導電パターン４は、絶縁領域１ａを介してそれぞれ互いに絶縁され、離間されている。ここで、絶縁領域とは、基板１に導電体が形成されていない領域のことであり、また後述する接合材に対し濡れ性がない、もしくは導電パターンまたは電極パターンよりも低い濡れ性を有する非濡れ性領域でもある。なお、図１および図２において、電極パターン６は発光装置１００のアノード電極（陽極）であり、電極パターン７はカソード電極（陰極）であり、これら及び第１の導電パターン３および第２の導電パターン４等も絶縁領域を介して互いに絶縁されている。なお、アノードの電極パターン上６に１つの発光素子が実装され、発光素子の上面の電極が隣接する導電パターンと２つのワイヤで接続されている。また、保護素子２０もアノードの電極パターン６に実装され、カソードの電極パターン７には保護素子２０の上面に接続されたワイヤが接続されている。なお、本実施形態の発光装置は、発光素子が実装されない、もしくはワイヤが接続されない導電パターンを有していてもよい。
【００１６】
図２に示すように、本実施形態の絶縁領域１ａは、少なくとも、第１の配線ギャップ２ａと、第１の切欠き部２ｂを含む。
【００１７】
第１の配線ギャップ２ａは、第１の導電パターン３と第２の導電パターン４との間に位置している。言い換えると、第２の導電パターン４は、第１の導電パターン３と第１の配線ギャップ２ａを挟んで離間している。
【００１８】
また、第１の導電パターン３の第１の切欠き部２ｂは、第１の導電パターン３の第２の導電パターン４に近い側において、第１の配線ギャップ２ａと連続し、第１の素子実装部３ａの両側の、２つの第１のワイヤ接続部３ｂとの間にそれぞれ設けられている。言い換えると、第１の切欠き部２ｂによって、第１の導電パターン３の一部、具体的には第１の素子実装部３ａと接続する第１のワイヤ接続部３ｂの一部が幅狭に形成されている。
そして、第１の配線ギャップ２ａと、２つの第１の切欠き部２ｂは、第１の素子実装部３ａの外形の少なくとも一部を画定している。
【００１９】
本実施形態において、第１の発光素子８１と第２の発光素子８２は隣接して配置される。具体的には、上面視において四角形の第１の発光素子８１の一辺と、同じく上面視において四角形の第２の発光素子８２の一辺が略平行になるよう、配置される。
【００２０】
第１の実施形態に関する第１の導電パターン３は、図２で参照されるように、第１の発光素子８１を実装する第１の素子実装部３ａと、その両側にそれぞれ設けられた２つの第１のワイヤ接続部３ｂを有する。第１の素子実装部３ａと２つの第１のワイヤ接続部３ｂの間には、それぞれ切欠き部２ｂを有する。２つの第１のワイヤ接続部３ｂの端部は、それぞれ第１の素子実装部３ａよりも第２の導電パターン４側に延伸している。
【００２１】
第１の素子実装部３ａは、より詳細には、第１の発光素子８１の下部電極であるたとえば四角形のｐ電極８ｆの形状に適合して、これらの四辺に対応する形状で基板１に設けられている。
また、本実施形態の第１の素子実装部３ａは、２つの突出部３ａ１を有する。具体的には、第１の素子実装部３ａは、２つの第１の切欠き部３ｂによって第１の配線ギャップ２ａの方向に突出した形状を有している。この突出部３ａ１により、第１の発光素子８１の位置決めをより精密に行うことができる。また、第２の導電パターン４と反対側にも突出部３ａ１を有している。これにより第１の発光素子８１の位置決めをより精密に行うことができる。
【００２２】
前述のとおり、第１の導電パターン３は、２つの第１のワイヤ接続部３ｂ、３ｂを備える、第１の素子実装部３ａと第１のワイヤ接続部の間３ｂには、それぞれ絶縁性の基体１１が露出した切欠き部２ｂを有する。
そして、第１のワイヤ接続部３ｂは、それぞれ第２の発光素子８２が実装される第２の導電パターン４に向かって延伸している。
第１の導電パターン３の第１のワイヤ接続部３ｂ、３ｂと、隣接する第２の導電パターン４に実装される第２の発光素子８２のｎ電極との間は、２つのワイヤ９により接続される。ワイヤ９は、図１および２に示すように、第２の導電パターン４側に延伸したワイヤ接続部３ｂ、３ｂの端部に接合される。
【００２３】
本実施形態の第２の導電パターン４は、第１の導電パターン３と同様に、第２の素子実装部４ａと、第２のワイヤ接続部４ｂを有する。第２の素子実装部４ａは、第２のワイヤ接続部４ｂよりも第１の導電パターン３側に突出した突出部４ａ１を有している。これにより、第２の発光素子８２の位置決めの精度を向上させつつ、第１の発光素子８１と第２の発光素子８２の間隔を狭めることができる。
【００２４】
本実施形態においては、第３の導電パターン５を含むその他の導電パターンも、第１の導電パターン３および第２の導電パターン４と同様の形態を有して基板１上に形成されている。また、その他の発光素子とそれらに接続されるワイヤについても同様の形態を有する。つまり、本実施形態において、複数の導電パターンおよび１２個の発光素子は、第１の導電パターン３および第２の導電パターン４の形態が繰り返された形態を有する。
【００２５】
図２に示すように、本実施形態の発光装置１００は、第２の導電パターン４の前記第１の配線ギャップ２ａと反対側に、第２の配線ギャップ２ｃを挟んで離間し、第３の発光素子８３が実装される第３の導電パターン５を有する。その場合、図２に示すように、第２の導電パターン４は、第１の導電パターン３と同様に、第３の導電パターン５に近い側において、第２の配線ギャップ２ｃと、第２の素子実装部４ａと第２のワイヤ接続部４ｂとの間に設けられ第２の配線ギャップ２ｃと連続し、第２の素子実装部４ａの両側にそれぞれ設けられた第２の切欠き部２ｄを備えることが好ましい。そして、第３の導電パターン５も、同様に第２の導電パターン４の方向に突出する突出部５ａ１を有することが好ましい。これにより、第３の発光素子８３の位置決め精度を向上させながら、第２の発光素子８２と第３の発光素子８３の間隔を狭くすることができる。なお、本実施形態においては、第３の導電パターン５は、第１の導電パターン３、第２の導電パターン４と同様に、第３の素子実装部５ａと２つのワイヤ接続部５ｂを有する。
【００２６】
本実施形態においては、切欠き部等を設けることで発光素子を素子実装部へ実装する際に、発光素子の位置決めの精度を高めることができる。
【００２７】
リフローなどによって第１の発光素子８１を第１の素子実装部３ａに実装する際、第１の素子実装部３ａの周辺に予め塗布された接合材（たとえば半田ペースト等）が第１の発光素子８１の下部電極に接触すると、溶融時にその接合材の一部が、非濡れ領域である第１の切欠き部２ｂ及び第１の配線ギャップ２ａを避けるように、濡れ性の良い第１の素子実装部３ａ上に集まる。これにより、第１の配線ギャップ２ａおよび第１の素子実装部３ａの両側の切欠き部２ｂによって、発光素子８１の第２の導電パターン４に近い側の２つの角部の位置が決定される。さらに、第１の素子実装部３ａの突出部３ａ１により、発光素子８１の残りの２つの角部の位置が決定され、結果として第１の発光素子８１の実装位置の精度を高めることができる。
以上は第１の導電パターン３と第１の発光素子８１を例に用いて説明したが、本実施形態においては、第２の導電パターン４および第２の発光素子８２、または、その他の導電パターンとその上に実装される発光素子においても同様である。
【００２８】
本実施形態に適用可能な発光素子８０の断面構造の一例を、図３に模式的に示す。発光素子８０は、たとえば窒化物系化合物半導体（一般式がＩｎxＡｌyＧａ1-x-yＮ（０≦ｘ、０≦ｙ、ｘ＋ｙ≦１））のＧａＮ系の青色ＬＥＤからなる。また、発光素子８は、他のたとえばＺｎＳｅ系、ＩｎＧａＡｓ系、ＡｌＩｎＧａＰ系などの化合物半導体からなるものであってもよい。
【００２９】
本実施形態の発光装置には、発光波長が例えば４００ｎｍ以下の紫外領域の発光素子を好ましく用いることができる。このような紫外発光素子を線状に並べた発光装置は、印刷用のインクや樹脂の硬化用途に用いられるが、このような用途においては、線状の照射部の照射強度をなるべく均一にすることが要求されることがある。本実施形態の発光装置では、発光素子の実装位置の精度を高め、また発光素子同士の間隔を狭くすることができるため、紫外発光の発光装置の照射強度の均一性を高めることができる。
【００３０】
発光素子８０は、たとえば有機金属化学気相成長（Metal Organic Chemical Vapor Deposition, MOCVD）法によって、サファイアなどの成長用基板上にｎ型半導体層８ｄ、活性層８ｃ、ｐ型半導体層８ｂを順次積層し、さらにｐ型半導体層側に支持基板８ａを貼り付けた後、サファイア基板を除去し、また活性層からみてｎ型半導体層側にｎ電極８ｅおよびｐ型半導体層側にｐ電極８ｆを形成するなどして得ることができる。
また、サファイア等の成長用基板を除去せずに支持基板として用いた、同一面にｎ電極とｐ電極とを有する発光素子を用いてもよい。
【００３１】
本実施形態において、発光素子８０の上部電極であるｎ電極８ｅは、ｎ型半導体層８ｄに電気的に接合して設けられる。図１および図２に示されるように、本実施形態のｎ電極８ｅは、発光素子８０の四角形の上面（光取り出し面）において対角の２箇所に設けられている。すなわち、２箇所のｎ電極８ｅ、８ｅは、極性が同一である。一方、下部電極としてのｐ電極８ｆは、支持基板８ａに電気的に接合して、発光素子８０の裏面（接合面）に設けられている。ｎ電極８ｅおよびｐ電極８ｆは、Ａｕなどの電気抵抗が小さく耐食性に優れた金属材料をたとえば蒸着して形成される。
上部電極であるｎ電極８ｅは、ワイヤボンディングが行われるパッド部と、パッド部と連続しパッド部より幅の狭い補助電極部を有する形状に形成することが好ましい。また、下部電極であるｐ電極８ｆは、導電パターンとの接合力を得るために発光素子８０の裏面の略全面にわたり形成されることが好ましい。
【００３２】
発光素子８０は、ｐ電極８ｆからｎ電極８ｅへ順方向の電流が供給されることにより活性層８ｃにキャリア（正孔および電子）が移動して閉じ込められ、そこでキャリアの再結合が効率良く起こり光が放出される。このため、活性層８ｃは発光層ともいわれる。
【００３３】
図１および図２に示されるように、本実施形態の発光装置は、基板１に形成され互いに電気的に絶縁された第１の導電パターン３、第２の導電パターン４、第３の導電パターン５に、それぞれ少なくとも１つの発光素子、つまり第１の発光素子８１、第２の発光素子８２、第３の発光素子８３が、発光ラインＬに対し、四角形の１つの辺が平行となるように実装される。ここで、「発光ライン」とは、複数の発光素子（複数実装される発光素子）８１、８２、８３、の中心を結ぶ仮想の線として定義される。
【００３４】
図１および図２の例では、上述したように極性を同じくする上部電極である２つのｎ電極８ｅ、８ｅが各発光素子８１、８２、８３の上面（光取り出し面）側の対角の位置に設けられている。これら２つのｎ電極８ｅ、８ｅを結ぶ線が発光ラインに対し交差する向きに、各発光素子８１、８２、８３が基板１上に配列されている。特に、２つのｎ電極８ｅ、８ｅを結ぶ線が発光ラインに対し４５度の角度で交差する向きに各発光素子８１、８２、８３が配列されている。
【００３５】
２つのｎ電極８ｅ、８ｅは、各発光素子８１、８２、８３の光取り出し面の角部に設けられることから、上述したｎ型半導体層８ｄを流れる電子の均一化が可能となる。さらに、一つの発光素子の２つのｎ電極８ｅ、８ｅのパッド電極の位置が、照射対象物が移動する方向である発光ラインと垂直な方向に対して重ならないように配置されることで、線状光源として用いる場合に発光強度の低い部分を分散させることができるため、印刷インクや樹脂硬化用途の光源として好ましく用いることができる。
【００３６】
このような第１の実施形態の発光装置によれば、導電パターン上に実装される発光素子の実装位置精度を高めることができる。また、一つの導電パターンの素子実装部を隣接する素子実装部側に突出させることにより、それらの導電パターンに実装される発光素子同士の間隔を狭くすることができる。
【００３７】
特に、隣接する第１の導電パターン３と第２の導電パターン４を隔てる絶縁領域１ａを、第１の配線ギャップ２ａとして第１の素子実装部３ａおよび第２の素子実装部４ａの外形を画定する部分とすることで、第１の導電パターン３、第２の導電パターン４、とりわけ第１の素子実装部３ａ、第２の素子実装部４ａの配列をより密にすることができ、それらの素子実装部３ａ、４ａに実装される第１の発光素子８１と第２の発光素子８２の間隔を狭くすることができる。
【００３８】
また、第１の素子実装部３ａの両側に第１のワイヤ接続部３ｂを配置し、第１のワイヤ接続部３ｂと第１の素子実装部３ａの間に第１の切欠き部２ｂを設け、前記第１の切欠き部２ｂを第１の素子実装部３ａの外形を画定する部分とすることで、発光素子８１の位置決めの精度を高めながら、発光装置１００の上面のスペースを小さくすることができるとともに、第１の発光素子８１と第２の発光素子８２同士の間隔を狭めることができる。これにより、発光装置１００を小型にすることができる。また、第１のワイヤ接続部３ｂが、第２の素子実装部４ａの方向に延伸して設けられ、さらにその端部にワイヤが接続されることにより、ワイヤ９の長さを短くすることができる。これにより、ワイヤ９の断線や溶断のおそれを低減することができ、発光装置１００の信頼性を高めることができる。
また、第１の素子実装部３ａとワイヤ９が接合されるワイヤ接続部３ｂの端部との間に切欠き部２ｂを備えることで、第１の発光素子８１を第１の素子実装部３ａに接着する接合材が、ワイヤ９が接続する部分にまで流れ出すおそれを低減できる。これにより、ワイヤ９の接合の信頼性や発光装置１００の量産性を高めることができる。
以上は第１の導電パターン３、第２の導電パターン４、第１の発光素子８１、第２の発光素子を例に用いて説明したが、本実施形態においては、第２の導電パターン４、第２の発光素子８２、第３の導電パターン５、第３の発光素子８３の関係も同様である。さらに、その他の導電パターンとその上に実装される発光素子においても同様である。
【００３９】
図４に、本発明にかかわる第２の実施形態の発光装置１１０を示す。図４に示す通り、導電パターン３、４等の構成は第１の実施形態と類似であるが、第１の発光素子８１、第２の発光素子８２を含む複数の発光素子が配列された列が複数列配置されている。発光素子を複数列に配置することで、光の出力が高く、発光面積が大きい発光装置とすることができる。
【００４０】
本発明にかかわる実施形態の発光装置は、種々の光源として用いることができる。例えば、図５に示すように、実施形態１の発光装置１００を６つ、円筒状の軸２０１の周囲に配置することで、軸２０１の周囲３６０度に発光する光源装置とすることができる。紫外発光する発光装置をこのように配置することで、従来の水銀ランプに近い発光をする光源装置２００とすることができる。なお、本実施形態の光源装置は、６つの発光装置を被覆し、発光装置１００からの光を例えば７０パーセント以上透過する円筒状の透光カバー２０２を有している。
【００４１】
図６に、本発明にかかわる第３の実施形態の発光装置１２０を示す。図６に示す通り、本実施形態の発光装置は、導電パターンおよび基板の構成は第１の実施形態と類似であるが、第１の発光素子８１、第２の発光素子８２を含む複数の発光素子の構造が第１の実施形態とは異なる。
【００４２】
本実施形態の発光素子は、絶縁性のサファイアを支持基板としてその底面に有し、ｐ電極８ｇとｎ電極８ｅとを発光面である一つの面側に備える。ｐ電極８ｇは発光素子の中央部に２つ、ｎ電極８ｅは発光素子の端部に２つ設けられている。２つのｐ電極８ｇは、発光素子が実装された導電パターンと隣接する導電パターンのワイヤ接続部とそれぞれワイヤ９で接続される。そして、２つのｎ電極８ｅは発光素子が実装された配線パターンのワイヤ接続部とそれぞれワイヤ９で接続される。
なお、サファイアを支持基板として用い、また半田を接合材として用いる場合、発光素子と接合材との濡れ性を向上させるために、サファイア表面に金属膜を設けることが好ましい。
【００４３】
以上、本発明に関わる実施形態を説明したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。本発明は、上記で説明した実施形態に限られず、種々の変更が可能である。
【００４４】
１つの導電パターンに設けられる２つのワイヤ接続部は、上記実施形態においては、同じ長さであるが、それぞれ長さが異なっていてもよく、適宜設定することができる。また、第１のワイヤ接続部を長く延伸させて、第２の発光素子の電極に近づけることで、ワイヤの長さを短くすることができ、信頼性を高めることができる。
【００４５】
一つの発光装置に設けられる発光素子は、上記実施形態においてはすべて同じ構造で、同じ大きさ及び上面形状であるが、これに限られない。適宜、構造、大きさ、形状、電極の形状、位置、発光波長等や各種特性がそれぞれ異なるものを用いることができる。
【００４６】
また、素子実装部の突出部の突出量は、適宜設定することができる。しかし、発光素子が実装される導電パターン、特に発光素子の近傍に設けられる部分は、発光素子からの光を反射し、発光装置の効率を高める役割も果たすため、突出量を多くする、つまり発光素子の周囲の導電パターンの面積を減らすと、光取り出し効率が低下する恐れがある。そのため、第１の実施形態のように、例えば、第２の素子実装部４ａの端部が第１のワイヤ接続部３ｂの端部とほぼ同じ位置となるようにすることが好ましい。
【００４７】
また、発光素子の上部電極のパッドは２つに限られず、１つでも３つ以上でもよい。また、パッドの数に対応してワイヤは１本でも３本以上設けられてもよい。
【符号の説明】
【００４８】
１  基板
１１  基体
１ａ  絶縁領域
２ａ  第１の配線ギャップ
２ｂ  第１の切欠き部
２ｃ  第２の配線ギャップ
２ｄ  第２の切欠き部
３  第１の導電パターン
３ａ  第１の素子実装部
３ａ１  第１の素子実装部の突出部
３ｂ  第１のワイヤ接続部
４  第２の導電パターン
４ａ  第２の素子実装部
４ａ１  第２の素子実装部の突出部
４ｂ  第１のワイヤ接続部
５  第３の導電パターン
５ａ  第３の素子実装部
５ａ１  第３の素子実装部の突出部
５ｂ  第３のワイヤ接続部
６  電極パターン（アノード）
７  電極パターン（カソード）
８０  発光素子
８ａ  支持基板
８ｂ  ｐ型半導体層
８ｃ  活性層
８ｄ  ｎ型半導体層
８ｅ  ｎ電極（上部電極）
８ｆ  ｐ電極（下部電極）
８ｇ  ｐ電極（上部電極）
８１  第１の発光素子
８２  第２の発光素子
８３  第３の発光素子
９  ワイヤ
２０  保護素子
１００、１１０、１２０  発光装置
２００  光源装置
２０１  軸
２０２  透光カバー
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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