(57)【要約】    【課題】  生産性の高いプリント配線板の製造方法の提供    【解決手段】  実施形態のプリント配線板の製造方法では、コア基板３０の第１面Ｆに剥離層４０が設けられ、コア基板の第１面及び剥離層上に樹脂絶縁層と導体層とを積層して成るビルドアップ層５５Ｆが形成される。コア基板の第２面側から、銅箔４８を露出させるキャビティ２６が形成される。キャビティの形成が容易で、生産性が高く、生産コストを抑えることができる。【選択図】  図１
2016225443.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プリント配線板の製造方法であって、
第１面と該第１面と反対側の第２面とを有し、芯材を備えるコア基板を準備することと、
前記コア基板の第２面に剥離層を設けることと、
前記コア基板の前記第１面を樹脂フィルムの表面に向けて仮接着することと、
前記コア基板の第２面及び前記剥離層上に樹脂絶縁層と導体層とを積層して成るビルドアップ層を形成することと、
前記コア基板を前記樹脂フィルムから分離することと、
前記コア基板の前記第１面側から、前記剥離層を露出させるキャビティを形成することと、
前記剥離層を除去すること、を含む。
【請求項２】
請求項１のプリント配線板の製造方法であって、さらに、
前記コア基板の第２面上にキャビティ形成時のストッパーとなる金属膜を前記剥離層の形成位置の外周に形成することと、
前記キャビティを形成することは、前記コア基板の前記第１面側から前記金属膜に至る切れ目をレーザで形成することと、を含む。
【請求項３】
請求項１のプリント配線板の製造方法であって、さらに、
前記キャビティを形成することは、前記コア基板を前記樹脂フィルムから分離する前に前記コア基板の第１面側から第１面と第２面との間までの切れ込みを形成することと、前記コア基板を前記樹脂フィルムから分離した後で前記切れ込みを第２面まで貫通させることと、を含む。
【請求項４】
請求項１のプリント配線板の製造方法であって、さらに、
剥離層上に金属箔を積層することと、前記剥離膜を除去した後で前記キャビティから露出した前記金属箔を除去することと、を含む。
【請求項５】
請求項４のプリント配線板の製造方法であって、さらに、
前記ビルドアップ層中の導体層と前記金属箔とを接続するビア導体を形成することと、前記ビア導体の底部を前記キャビティから露出させることで実装パッドを形成することと、を含む。
【請求項６】
請求項３のプリント配線板の製造方法であって、
前記切れ込みを第２面まで貫通させることは、パンチング加工によりおこなわれる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、実装エリアを露出するためのキャビティを有するプリント配線板に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１は、図２に電子部品内蔵基板を開示している。特許文献１の電子部品内蔵基板は、コアレス基板と樹脂層を有する。そして、樹脂層に半導体チップを収容するための貫通孔と貫通ビアが形成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−１２３５２４号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に開示されている電子部品内蔵基板は、コアレス基板と半導体チップを収容するための収容部を有する樹脂層で形成されている。そのため、電子部品内蔵基板の強度や剛性は低いと考えられる。リフロー等で電子部品内蔵基板が高温になると、反りが大きいと予想される。
【０００５】
ここで、芯材を備え剛性の高いコア基板に開口を設け、電子部品を収容することも考え得るが、ビルドアップ層形成後は開口を設ける加工が難しく、製造コストの嵩む原因となり得る。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明のプリント配線板の製造方法は、第１面と該第１面と反対側の第２面とを有し、芯材を備えるコア基板を準備することと、前記コア基板の第１面に剥離層を設けることと、前記コア基板の前記第２面を樹脂フィルムの表面に向けて仮接着することと、前記コア基板の第１面及び前記剥離層上に樹脂絶縁層と導体層とを積層して成るビルドアップ層を形成することと、前記コア基板を前記樹脂フィルムから分離することと、前記コア基板の前記第２面側から、前記剥離層を露出させるキャビティを形成することと、前記剥離層を除去すること、を含む。
【０００７】
実施形態のプリント配線板の製造方法では、芯材を備え剛性の高いコア基板を用いるため、プリント配線板の反りを小さくすることができる。また、コア基板の第１面に剥離層を設け、コア基板の第１面及び剥離層上に樹脂絶縁層と導体層とを積層して成るビルドアップ層を形成する。コア基板の第２面側から、剥離層を露出させるキャビティを形成する。予め剥離層が形成されているため、キャビティの形成が容易で、生産性が高く、生産コストを抑えることができる。
【０００８】
好適な実施形態では、コア基板の第１面上にキャビティ形成時のストッパーとなる金属膜を剥離層の形成位置の外周に形成する。金属膜に沿ってレーザを当てることで、キャビティを容易に形成できる。
【０００９】
好適な実施形態では、予めコア基板の第２面側からキャビティ形成用の切れ込みを形成する。そして、コア基板を前記樹脂フィルムから分離した後で前記切れ込みを第２面まで貫通させることで、コア基板の第２面側から剥離層を露出させるキャビティを形成する。キャビティを容易に形成できる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】図１（Ａ）は本発明の実施形態に係るプリント配線板の断面図であり、図１（Ｂ）は第１回路基板と第１回路基板の開口から露出する実装エリアを示す平面図である。
【図２】実施形態に係るプリント配線板の応用例の断面図。
【図３】第１実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図４】第１実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図５】第１実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図６】第１実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図７】第１実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図８】第２実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図９】第２実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
[第１実施形態]
図１（Ａ）は第１実施形態のプリント配線板１０を示す。第１実施形態のプリント配線板１０は、第１面Ｓと第１面と反対側の第２面Ｆとを有する第１回路基板１３０と第３面Ｖと第３面と反対側の第４面Ｗとを有する第２回路基板１５５を有する。
【００１２】
図１（Ａ）に示されている第２回路基板１５５は、交互に積層されている導体層５８Ｆ、１５８Ｆと樹脂絶縁層５０Ｆ、１５０Ｆとから成るビルドアップ層５５Ｆで形成されている。第２回路基板１５５は第１回路基板１３０の第２面Ｆ上に積層されている。第２回路基板の第３面Ｖと第１回路基板の第２面Ｆは接している。
第２回路基板の樹脂絶縁層は樹脂と無機粒子で形成されている。さらに、樹脂絶縁層５０Ｆ、１５０Ｆはガラスクロス等の補強部材を含んでも良い。樹脂絶縁層５０Ｆ、１５０Ｆが補強部材を含むことで第２回路基板のクラックが抑制される。
各樹脂絶縁層はビア導体用の開口６８Ｆ、１６８Ｆを有し、各開口は第４面Ｗ側から第３面Ｖ側に向かってテーパーしている。
各樹脂絶縁層の開口６８Ｆ、１６８Ｆにビア導体６０Ｆ、１６０Ｆが形成されている。各ビア導体の側壁は第４面Ｗ側から第３面Ｖ側に向かってテーパーしている。ビア導体により隣接する導体層が接続されている。
第２回路基板１５５は第３面Ｖの略中央部分に図１（Ｂ）に示される実装エリアＳＭＦを有する。図１（Ｂ）のＸ１−Ｘ１断面が図１（Ａ）に対応する。実装エリアは第１回路基板の開口２６により露出されている。実装エリア上にＩＣチップ等の電子部品が実装される。
【００１３】
図１（Ａ）に示されている第１回路基板１３０はコア基板３０を有する。コア基板は、樹脂と芯材（補強部材）を含む絶縁基板２０ｚと第１導体層３４Ｓと第２導体層３４Ｆとスルーホール導体３６で形成されている。絶縁基板は第１面Ｓと第１面Ｓと反対側の第２面Ｆを有する。絶縁基板の第１面とコア基板の第１面は同じ面であり、絶縁基板の第２面とコア基板の第２面は同じ面である。絶縁基板は、さらに、無機粒子を含んでも良い。第１導体層３４Ｓは第１面上に形成されていて、第２導体層３４Ｆは第２面上に形成されている。第１導体層と第２導体層はスルーホール導体で接続されている。第１回路基板は、さらに、第２回路基板の実装エリアＳＭＦを露出するための開口２６を有している。図１（Ａ）では、プリント配線板が第１導体層上に導体層を有していない。その場合、第１導体層は最上の導体層である。
【００１４】
図１（Ａ）に示されるように、第１回路基板１３０の第２面Ｆと第２導体層３４Ｆ上に第１の樹脂絶縁層５０Ｆが形成されている。第１の樹脂絶縁層５０Ｆに樹脂絶縁層５０Ｆを貫通するビア導体６０Ｆ（６０ＦＩ、６０ＦＯ）用の開口６８Ｆ（６８ＦＩ、６８ＦＯ）が形成されている。
第１の樹脂絶縁層５０Ｆ上に第２回路基板内の導体層５８Ｆが形成されている。
ビア導体６０Ｆ用の開口６８Ｆにビア導体６０Ｆが形成されている。ビア導体６０Ｆは、導体層（第２回路基板内の導体層）５８Ｆと第２導体層３４Ｆを接続している接続用ビア導体６０ＦＯと電子部品を実装するための実装用ビア導体６０ＦＩを有する。接続用ビア導体６０ＦＯは第１回路基板内のスルーホール導体のランド３６Ｌに直接接続されることが好ましい。ランド３６Ｌはスルーホール導体を覆っている導体とスルーホール導体の周りの導体で形成されていて、第２導体層３４Ｆに含まれる。
実装用ビア導体は実装エリアＳＭＦ内に形成されている。実装用ビア導体６０ＦＩは、第１の樹脂絶縁層５０Ｆのビア導体用の開口６８ＦＩ内に形成されている。実装用ビア導体６０ＦＩのボトム（Ｃ４パッド）７３ＳＩは開口６８ＦＩにより露出される。また、Ｃ４パッド７３ＳＩは、第１回路基板の開口２６により露出される。実装用ビア導体のボトム（Ｃ４パッド）は、開口２６と開口６８ＦＩにより露出される。
接続用ビア導体６０ＦＯは、第１の樹脂絶縁層５０Ｆの開口６８ＦＯ内に形成されている。接続用ビア導体６０ＦＯのボトム６０ＦＢはスルーホール導体のランド３６Ｌに直接接続している。
【００１５】
図１（Ａ）に示されるように、樹脂絶縁層（第１の樹脂絶縁層）５０Ｆを貫通する実装用ビア導体６０ＦＩのボトムは露出していて、第１パッド（Ｃ４パッド）７３ＳＩとして機能する。第１パッドは第２回路基板の実装エリアに形成されている。第１パッド７３ＳＩ上に電子部品と接続するための半田バンプ７６ＳＩ（図２（Ａ）参照）を形成することができる。
【００１６】
第１実施形態のプリント配線板では、ビア導体用の開口は樹脂絶縁層の下面から樹脂絶縁層の上面に向かってテーパーしている。そのため、パッドのサイズをさらに小さくすることができる。第１パッドのピッチをさらに小さくすることができる。プリント配線板のサイズが小さくなる。高機能な電子部品をプリント配線板に実装することができる。
【００１７】
図１（Ａ）に示されるように、第１の樹脂絶縁層５０Ｆと導体層５８Ｆ上に第２の樹脂絶縁層１５０Ｆが形成されている。第２の樹脂絶縁層１５０Ｆに樹脂絶縁層１５０Ｆを貫通する第２のビア導体１６０Ｆ用の開口１６８Ｆが形成されている。
第２の樹脂絶縁層１５０Ｆ上に第２回路基板内の第２の導体層１５８Ｆが形成されている。
第２のビア導体１６０Ｆ用の開口１６８Ｆに第２のビア導体１６０Ｆが形成されている。第２のビア導体１６０Ｆは、導体層（第２回路基板内の第２の導体層）１５８Ｆと導体層５８Ｆを接続している。
【００１８】
プリント配線板は第２回路基板の樹脂絶縁層（最下の樹脂絶縁層）１５０Ｆと導体層（最下の導体層）１５８Ｆ上にビルドアップ層上のソルダーレジスト層７０Ｆを有することができる。ビルドアップ層上のソルダーレジスト層７０Ｆに導体層（最下の導体層）１５８Ｆを露出する開口７１Ｆが形成されている。開口７１Ｆにより露出される導体層１５８Ｆはマザーボードと接続するパッド７３Ｆとして機能する。
パッド７３Ｆ上に保護膜７２を形成することができる。保護膜は、パッドの酸化を防止するための膜である。保護膜は、例えば、Ｎｉ／Ａｕ、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ、Ｐｄ／ＡｕやＯＳＰ（Organic Solderability Preservative）膜で形成される。
実装用ビア導体６０ＦＩのボトム（Ｃ４パッド）上に保護膜を形成することができる。
【００１９】
図３（Ｂ）に示されるように貫通孔２８は、絶縁基板２０zの第１面Ｓに第１開口２８ＳＯを有する第１開口部２８Ｓと第２面Ｆに第２開口２８ＦＯを有する第２開口部２８Ｆで形成されている。第１開口部２８Ｓは第１面から第２面に向かってテーパーしていることが好ましい。第２開口部２８Ｆは第２面から第１面に向かってテーパーしていることが好ましい。このような形状を有する貫通孔２８内にスルーホール導体３６が形成されている。図１（Ａ）に示されているスルーホール導体３６は例えば、ＵＳ７７８６３９０に開示されている方法で製造されてもよい。
【００２０】
絶縁基板２０ｚは補強部材と樹脂で形成されている。絶縁基板２０ｚは、さらに、無機粒子を含んでも良い。補強部材の例はガラス繊維やガラスクロスやアラミド繊維である。無機粒子の例はシリカやアルミナである。
【００２１】
プリント配線板は、第１回路基板１３０の第１面Ｓと第１導体層３４Ｓ上にソルダーレジスト層７０Ｓを有することができる。上側のソルダーレジスト層７０Ｓに第１導体層３４Ｓを露出する開口７１Ｓが形成されている。開口７１Ｓにより露出される第１導体層３４Ｓは第２のパッケージ基板２３０を搭載するためのパッド（第２パッド）７３Ｓとして機能する。第２パッド上に保護膜７２を形成することができる。第２のパッケージ基板２３０は図２（Ｂ）に示されている。
【００２２】
図２（Ａ）は、第１実施形態のプリント配線板１０の第１応用例１２０を示す。第１応用例１２０は、パッケージ基板（第１のパッケージ基板）である。
パッケージ基板１２０では、第１回路基板１３０の開口２６内にＩＣチップなどの電子部品９０が収容されている。ＩＣチップ９０は、開口２６から露出するＣ４パッド７３ＳＩに半田バンプ７６ＳＩにより実装される。
【００２３】
図２（Ｂ）は、第１実施形態のプリント配線板１０の第２応用例（ＰＯＰ基板）２００を示す。第２応用例では、第１のパッケージ基板１２０に接続体７６ＳＯを介して第２のパッケージ基板２３０が搭載されている。第２のパッケージ基板２３０は上基板２１０と上基板上に実装されているメモリ等の電子部品１９０を有する。接続体７６ＳＯは、上側のソルダーレジスト層７０Ｓの開口７１Ｓにより露出される第２導体層（第２パッド）７３Ｓ上に形成されている。図２（Ｂ）では、接続体７６ＳＯは、半田バンプ７６ＳＯである。半田バンプ以外の接続体の例はめっきポストやピンなどの金属ポスト（図示せず）である。めっきポストやピンの形状は円柱である。直円柱が好ましい。
第１のパッケージ基板１２０のキャビティ２６内にＩＣチップを封止するモールド樹脂１０２が形成されている。上基板２１０上に電子部品１９０を封止するモールド樹脂２０２が形成されている。
【００２４】
第１回路基板は、絶縁基板２０ｚの第１面と第１導体層上に交互に積層されている樹脂絶縁層と導体層を有することができる。その場合、樹脂絶縁層と導体層上に上側のソルダーレジスト層７０Ｓが形成される。その場合、上側のソルダーレジスト層７０Ｓの直下の導体層が最上の導体層である。
【００２５】
プリント配線板１０は、ビルドアップ層上のソルダーレジスト層７０Ｆの開口７１Ｆから露出されるパッド７３Ｆに、マザーボードと接続するための半田バンプ７６Ｆを有しても良い。
【００２６】
実施形態のプリント配線板では、絶縁基板２０zに電子部品収容用の開口２６が形成される。もし、第１回路基板の両面に第２回路基板が形成されると、第１回路基板を中心に対称な構造が得られる。そのため、接点ＣＭに働くストレスは小さい。しかしながら、実施形態のプリント配線板では、第２回路基板が第１回路基板の第２面上のみに形成されている。そのため、ストレスの集中を避けるため、実施形態のプリント配線板に凹部５５Ｆｆを形成することができる。凹部５５Ｆｆは第１回路基板１３０と第２回路基板１５５の間に形成されている空間であって、開口２６に繋がっている。凹部の上面は第１回路基板の第２面である。凹部の下面は第２回路基板の第３面である。凹部の側壁５５ｆｗは第１回路基板と接している第１の樹脂絶縁層５０Ｆの側面である。凹部５５Ｆｆの側壁５５ｆｗは開口２６により露出される絶縁基板２０ｚの側壁２６Ｗより後退している。凹部５５Ｆｆにより、高い剛性を有する第１回路基板１３０のコーナー部２６Ｅが、第２回路基板に接しない。熱収縮に起因する応力がコーナー部２６Ｅに集中しても、コーナー部から第２回路基板にストレスが至らない。第２回路基板にクラックが発生し難い。凹部５５Ｆｆを有するプリント配線板の信頼性が低下しない。第１実施形態のプリント配線板では、開口２６から露出する第２回路基板の第３面Ｖは第１回路基板の第２面から凹んでもよい。その場合、開口２６から露出する面（実装エリア）ＳＭＦは第１回路基板の第２面より下に位置している。凹部５５Ｆｆの下面（凹部内の第１の樹脂絶縁層５０Ｆの上面）は開口２６から露出する面（実装エリア）ＳＭＦに繋がっている。
【００２７】
第１回路基板１３０を構成する絶縁基板２０ｚは芯材に樹脂を含浸させたプリプレグを積層して成る。芯材の例は、ガラスクロスやガラス繊維やアラミド繊維である。樹脂の例は、エポキシ樹脂やＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂である。ビルドアップ層５５Ｆを構成する樹脂絶縁層５０Ｆ、１５０Ｆは、芯材を含有せず、無機フィラーを含有する樹脂から成る。樹脂の例は、エポキシ樹脂やＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂を主としてなる樹脂である。無機フィラーとしては、アルミニウム化合物、カルシウム化合物、カリウム化合物、マグネシウム化合物およびケイ素化合物からなる群より選択される少なくとも一種からなる粒子等が挙げられる。更に、シリカ、アルミナ、ドロマイト等が挙げられる。
【００２８】
第１実施形態のプリント配線板は、芯材を備え剛性の高い絶縁基板２０ｚを用いるため、プリント配線板の反りを小さくすることができる。
【００２９】
[第１実施形態のプリント配線板の製造方法]
第１実施形態のプリント配線板１０の製造方法が図３〜図７に示される。
出発基板としての両面銅張積層板が準備される。出発基板は、絶縁基板２０ｚと絶縁基板２０ｚの両面に積層されている銅箔２２Ｓ、２２Ｆで形成されている（図３（Ａ））。絶縁基板は、補強部材と樹脂と無機粒子を含む。補強部材の例は、ガラスクロスやガラス繊維やアラミド繊維である。樹脂の例は、エポキシ樹脂やＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂である。
絶縁基板は第１面Ｓと第１面と反対側の第２面Ｆを有する。絶縁基板の第１面Ｓに積層されている銅箔２２Ｓは第１銅箔であり、絶縁基板の第２面Ｆに積層されている銅箔２２Ｆは第２銅箔である。
【００３０】
出発基板の第１銅箔２２ＳにＣＯ２レーザが照射される。絶縁基板２０ｚの第１面Ｓ側に第１開口部２８Ｓが形成される。更に、第２銅箔２２ＦにＣＯ２レーザが照射される。第１開口部２８Ｓに繋がる第２開口部２８Ｆが第２面Ｆ側に形成される。第１開口部の側壁と第２開口部の側壁の交点に接続部２８Ｍが形成される。第１開口部の軸線ＬＬ１と第２開口部の軸線ＬＬ２が一致するようにレーザが照射される。スルーホール導体用の貫通孔２８が形成される（図３（Ｂ））。第１開口部は第１面Ｓから第２面Ｆに向かってテーパーしている。第２開口部は第２面Ｆから第１面Ｓに向かってテーパーしている。第１開口部は第１面に第１開口２８ＳＯを有し、第２開口部は第２面に第２開口２８ＦＯを有する。
【００３１】
第１銅箔と第２銅箔、貫通孔２８の側壁上に無電解めっき膜が形成される。無電解めっき膜上にめっきレジスト膜を形成し、その後電解めっきで貫通孔２８内にスルーホール導体３６及びパターンを形成する。めっきレジスト膜を剥離する。めっきレジスト膜下の無電解めっき膜及び銅箔２２Ｆ、２２Ｓをエッチング液で除去する。これにより、絶縁基板の第１面に第１導体層３４Ｓが形成される。絶縁基板の第２面に第２導体層３４Ｆが形成される。第２導体層３４Ｆは開口２６を形成するためのダミーパターン３４ＦＩを含む。貫通孔２８に第１導体層と第２導体層を接続するスルーホール導体３６が形成される。スルーホール導体は貫通孔の接続部２８Ｍに最も細い部分を有する。貫通孔２８を有する絶縁基板と貫通孔２８に形成されているスルーホール導体３６と絶縁基板の第１面上に形成されている第１導体層３４Ｓと絶縁基板の第２面上に形成されている第２導体層３４Ｆとを有する中間体３００が得られる（図３（Ｃ））。
【００３２】
図１（Ｃ）に中間体３００の平面図が示されている。図１（Ｃ）は、第２導体層側から中間体を観察することで得られる平面図である。図１（Ｃ）に第２導体層と第２導体層から露出する絶縁基板２０ｚの第２面Ｆが示されている。絶縁基板の第２面の略中央に本発明の金属膜の一例であるダミーパターン３４ＦＩが形成されている。ダミーパターン３４ＦＩは絶縁基板２０ｚの第２面の所定の領域を覆っている。ダミーパターン３４ＦＩは、方形枠状のベタパターンである。ダミーパターンの周りにスルーホール導体３６のランド３６Ｌが示されている。図１（Ｄ）に、開口２６とダミーパターン３４ＦＩの位置関係や両者のサイズが示されている。ダミーパターン３４ＦＩの外周は実線で示されていて、開口２６の外周は点線で示されている。点線は、ダミーパターン上に形成される開口２６の外周を示している。図１（Ｄ）に示されるように、ダミーパターン３４ＦＩの外周は開口２６より外側に位置し、ダミーパターン３４ＦＩの内周は開口２６より内側に位置している。
【００３３】
中間体３００の第２面Ｆであって、枠状のダミーパターン３４ＦＩ内に剥離層４０及び銅箔４８が設けられる。剥離層４０は、ポリイミドフィルム４２の両面に離型膜４４、４４が積層されて成る（図３（Ｄ））。
【００３４】
仮接着用樹脂フィルム８０の両面に、中間体３００の第１面Ｓ側が仮接着用樹脂フィルム８０表面へ向くよう中間体３００が仮接着される（図４（Ａ））。仮接着用樹脂フィルム８０は、ポリプロピレン層８２の両面にポリイミド層８４が積層されて成る。
【００３５】
中間体の第２面Ｆに樹脂絶縁層（第１の樹脂絶縁層）５０Ｆが形成され、第２中間体４００が完成する（図４（Ｂ））。上側のソルダーレジスト層７０Ｓと第１の樹脂絶縁層５０Ｆとは熱硬化タイプである。樹脂絶縁層５０Ｆはエポキシ等の樹脂とシリカ等の無機粒子を含む。
【００３６】
次に、第１の樹脂絶縁層５０Ｆに、第２導体層３４Ｆに至るビア導体用の開口６８Ｆ（６８ＦＩ、６８ＦＯ）が形成される（図４（Ｃ））。ビア導体用の開口６８Ｆは銅箔４８に至る開口６８ＦＩとダミーパターン以外の第２導体層に至る開口６８ＦＯを有する。開口６８ＦＩは、実装用ビア導体を形成するための開口である。開口６８ＦＯは接続用ビア導体を形成するための開口である。開口６８ＦＯは、例えば、スルーホール導体のランド３６Ｌに至る。スルーホール導体のランドはスルーホール導体の直上に形成されている導体とスルーホール導体の周りに形成されている導体で形成される。
【００３７】
セミアディティブ法で第１の樹脂絶縁層５０Ｆ上に導体層５８Ｆが形成される。同時に、開口６８Ｆにビア導体６０Ｆが形成される（図５（Ａ））。開口６８ＦＯにスルーホール導体に繋がるビア導体（接続用ビア導体）６０ＦＯが形成される。開口６８ＦＩにＣ４パッドを形成するビア導体（実装用ビア導体）６０ＦＩが形成される。ビア導体６０Ｆはボトムを有する。接続用ビア導体のボトムはスルーホール導体のランド３６Ｌに接している。
実装用ビア導体のボトムは銅箔４８上に形成される。実装用ビア導体のボトムは銅箔４８に接している。
【００３８】
開口６８ＦＩから露出する銅箔４８上に金属膜を形成することができる。金属膜がＣ４パッドとして機能する。金属膜は銅以外の金属で形成されていて、金属膜はＣ４パッド（第１パッド）の酸化を防止する。金属膜の例は金、パラジウム、錫である。金属膜とＣ４パッド間にニッケルを形成することができる。
【００３９】
第１の樹脂絶縁層５０Ｆと導体層５８Ｆ上に第２の樹脂絶縁層１５０Ｆが加熱プレスで形成される。第２の樹脂絶縁層１５０Ｆに第２ビア導体用の開口１６８Ｆが形成される。第２の樹脂絶縁層１５０Ｆは熱硬化タイプである。
第２の樹脂絶縁層１５０Ｆ上に導体層１５８Ｆが形成される。同時に、第２ビア導体用の開口に第２のビア導体１６０Ｆが形成される。導体層１５８Ｆやビア導体１６０Ｆはセミアディティブ法で形成される。
【００４０】
第２の樹脂絶縁層１５０Ｆと導体層１５８Ｆ上にビルドアップ層上のソルダーレジスト層７０Ｆが形成される（図５（Ｂ））。ビルドアップ層上のソルダーレジスト層７０Ｆは熱硬化タイプである。
【００４１】
仮接着用樹脂フィルム８０から剥離され、個別の第３中間体５００に分けられる（図６（Ａ））。絶縁基板２０ｚの第１面Ｓ側に第１面Ｓ上に絶縁基板上のソルダーレジスト層７０Ｓが形成される（図６（Ｂ））。
【００４２】
図１（Ｄ）を参照して上述された枠型のダミーパターン３４ＦＩに至るスリット８８がソルダーレジスト層７０Ｓ及び絶縁基板２０ｚを貫通するようレーザで形成される（図６（Ｃ）。
【００４３】
スリット８８で分けられたソルダーレジスト層７０Ｓ及び絶縁基板２０ｚが、剥離層４０と共に分離され、銅箔４８が露出される（図７（Ａ））。
【００４４】
開口２６から露出する銅箔４８及びダミーパターン３４ＦＩがエッチングで除去される。開口２６によりＣ４パッドを形成するビア導体６０ＦＩのボトムが露出される（図７（Ｂ））。
【００４５】
実施形態では、ダミーパターン３４ＦＩのサイズが開口２６のサイズより大きい。そして、第１回路基板１３０と第２回路基板１５５との間のダミーパターンが除去される。そのため、図７（Ｃ）に示されるように、実装エリアは第１回路基板の第２面から凹む。また、第１回路基板と第２回路基板との間に空間（凹部）５５Ｆｆが形成される。
【００４６】
レーザにより、上側のソルダーレジスト層７０Ｓに、パッド７３Ｓを露出する開口７１Ｓが形成される。
下側のビルドアップ層上のソルダーレジスト層７０Ｆに、パッド７３Ｆを露出する開口７１Ｆがレーザにより形成される（図７（Ｃ））。
【００４７】
パッド７３Ｆ、７３ＳとＣ４パッド７３ＳＩ上に保護膜７２が形成される（図１）。保護膜は、パッドの酸化を防止するための膜である。保護膜は、例えば、Ｎｉ／Ａｕ、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ、Ｐｄ／ＡｕやＯＳＰ（Organic Solderability Preservative）膜で形成される。Ｃ４パッド上の保護膜は描かれない。
【００４８】
各パッド７３Ｆ、７３ＳＩ、７３Ｓ上に半田バンプ７６Ｆ、７６ＳＩ、７６ＳＯが形成され得る。
【００４９】
各樹脂絶縁層５０Ｆ、１５０Ｆは上面と上面と反対側の下面を有する。各樹脂絶縁層の上面は第１回路基板１３０に近い面であり、各樹脂絶縁層の下面は下側のビルドアップ層上のソルダーレジスト層７０Ｆに近い面である。各樹脂絶縁層に形成されているビア導体用の開口６８Ｆ、１６８Ｆは下面から上面に向かってテーパーしている。ビア導体用の開口に形成されているビア導体６０Ｆ、１６０Ｆの側壁も下面から上面に向かってテーパーしている。
【００５０】
各導体層５８Ｆ、１５８Ｆやビア導体６０Ｆ、１６０Ｆは、無電解銅めっき膜５２と無電解銅めっき膜上の電解銅めっき膜５６で形成されている（図５（Ａ）参照）。
【００５１】
Ｃ４パッド７３ＳＩ上の半田バンプ７６ＳＩを介してプリント配線板上にＩＣチップ９０が実装される。第１のパッケージ基板（第１応用例）が完成する（図２（Ａ））。ＩＣチップは開口内に収容されている。ＩＣチップは開口２６から外にでていない。半田バンプ７６ＳＯを介して第２のパッケージ基板２３０が第１のパッケージ基板１２０に搭載される（図２（Ｂ））。ＰＯＰ基板（第２応用例）２００が完成する。
【００５２】
開口６８ＦＩから露出する銅箔４８上にシード層５２と電解銅めっき膜５６で形成される実装用ビア導体が形成される。銅箔４８とシード層間に金属膜を形成することができる。銅箔４８のみを除去することで、実装用ビア導体６０ＦＩのボトムが露出する。シード層で形成される実装用ビア導体のボトムと第１の樹脂絶縁層５０Ｆの第３面は同じ平面上に位置する。金属膜で形成される実装用ビア導体のボトムと第１の樹脂絶縁層５０Ｆの第３面が同一平面上に位置する。
【００５３】
第１実施形態では、コア基板３０の第２面Ｆに剥離層４０を設け、コア基板の第２面及び剥離層上に樹脂絶縁層と導体層とを積層して成るビルドアップ層５５Ｆが形成される。コア基板の第２面側から、銅箔４８を露出させるキャビティが形成される。予め剥離層が形成されているため、キャビティの形成が容易で、生産性が高く、生産コストを抑えることができる。
【００５４】
第１な実施形態では、コア基板の第１面上にキャビティ形成時のストッパーとなる金属膜枠（ダミーパターン）３４ＦＩを剥離層４０の形成位置の外周に形成する。金属膜に沿ってレーザを当てることで、キャビティを容易に形成できる。
【００５５】
[第２実施形態のプリント配線板の製造方法]
図８、図９に第２実施形態のプリント配線板の製造方法が示される。
第１実施形態と同様の工程を経て中間体３００が得られる（図８（Ａ））。絶縁基板２０ｚの第１面Ｓ側からレーザで矩形状のスリット８６が形成される（図８（Ｂ）。スリットは絶縁基板を貫通しないように形成される。
【００５６】
絶縁基板２０ｚの第２面Ｆ上のスリット８６の対応位置に剥離層４０及び銅箔４８が設けられ、中間体３００が完成する。剥離層４０は、ポリイミドフィルム４２の両面に離型膜４４、４４が積層されて成る（図８（Ｃ））。
【００５７】
第１実施形態と同様に、仮接着用樹脂フィルムの両面に中間体３００が仮接着され、ビルドアップ層５５Ｆが形成された後、仮接着用樹脂フィルムから剥離される（図９（Ａ））。
【００５８】
矩形形状のスリット８６に対応する形状のトリムパンチャー８５で絶縁基板２０ｚに機械的が衝撃が加えられ（図９（Ｂ））、スリット８６で分けられたソルダーレジスト層７０Ｓ及び絶縁基板２０ｚが、剥離層４０と共に分離され、銅箔４８が露出される（図９（Ｃ））。
【００５９】
開口２６から露出する銅箔４８がエッチングで除去される。開口２６によりＣ４パッドを形成するビア導体６０ＦＩのボトムが露出される（図９（Ｄ））。以降の工程は第１実施形態と同様である。
【００６０】
第２実施形態では、予めコア基板３０の第２面Ｓ側からキャビティ形成用の切れ込み（スリット）８６が形成される。切れ目から衝撃が与えられ、コア基板３０の第２面側から銅箔４８を露出させるキャビティ２６が形成される。キャビティを容易に形成できる。第２実施形態は、第１実施形態よりも製造が容易である利点がある。
【符号の説明】
【００６１】
１０  プリント配線板
２６  開口
３４ＦＩ  ダミーパターン
３６  スルーホール導体
４０  剥離層
４８  銅箔
５０Ｆ  樹脂絶縁層
５８Ｆ  導体層
６０Ｆ  ビア導体
８０  仮接着用樹脂フィルム
９０  ＩＣチップ
１３０  第１回路基板
１５５  第２回路基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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