(57)【要約】      （修正有）【課題】ケイ素材料と、異なる材質のである１層の材料をボンディング材でラミネートしたウェハをダイシングする際に、マイクロクラックやチッピングの発生を防止し生産原価削減及び歩留まり向上、ダイシングの品質を高める方法を提供する。【解決手段】テープ３０上に１層の材料２０とボンディング層４０で貼り付けられたウェハ１０を、ブレードでボンディング層までフルカットし、カット箇所にレーザビームを照射することで１層の材料に凹溝２２を形成する。次にテープ裏面３１側よりブレーキングカッタ７０により劈開を開始し熱分解による分離でダイシングを完了する。１層の材料はガラスまたはセラミックである。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
テープ(Tape)に1層の材料を接着し、更に材料にボンディング層(Bonding Layer) を設けることで、ボンディング層(Bonding Layer)を介して材料にラミネートされたウェハのダイシングプロセスであって、
(a)        硬度がウェハ(Wafer)より高いダイシングソーを使ってウェハ(Wafer)表面からダイシングを始め、ウェハ(Wafer)とボンディング層(Bonding Layer) のフルカットを行い、
(b)        ウェハ(Wafer)とボンディング層(Bonding Layer) をフルカットした箇所にレーザビームを照射することで、ダイシングされていない材料にレーザビームが直接照射できるようにし、
(c)        ダイシングされていない材料の表面にレーザビーム照射により凹溝を作り出し、
(d)        ブレーキングカッタを使ってテープ(Tape)表面にある、材料の表面の凹溝と対応する箇所から劈開を始め、
(e)        材料がテープ(Tape)表面から材料の表面の凹溝箇所にかけて熱分解により分離を始めることで、ウェハ(Wafer)のダイシングが完了する、ステップを有するウェハのダイシングプロセス。
【請求項２】
(a)         テープ(Tape)に1層の材料を接着し、更に材料にボンディング層(Bonding Layer) を設けることで、ボンディング層(Bonding Layer)を介して材料にラミネートされたウェハのダイシングプロセスであって、硬度がウェハ(Wafer)より高いダイシングソーを使ってウェハ(Wafer)表面からダイシングを始め、ウェハ(Wafer)のフルカットを行い、
(b)         ウェハ(Wafer) をフルカットした箇所にレーザビームを照射することで、レーザビームがボンディング層(Bonding Layer) を溶け落ちた状態にしてから、更にダイシングされていない材料に照射し、
(c)         ダイシングされていない材料の表面にレーザビーム照射により凹溝を作り出し、
(d)         ブレーキングカッタを使ってテープ(Tape)表面にある、材料の表面の凹溝と対応する箇所から劈開を始め、
(e)         材料がテープ(Tape)表面から材料の表面の凹溝箇所まで熱分解により分離を始めることで、ウェハ(Wafer)のダイシングが完了する、ステップを有するウェハのダイシングプロセス
【請求項３】
前記(c)ステップ後に、更に、照射により凹溝が作り出された材料とテープ(Tape)を反転させ、テープ(Tape)を上方箇所に配置し、その下から順に、照射により凹溝が作り出された材料とボンディング層(Bonding Layer) を配置し、最下方にフルカットされたウェハ(Wafer)を配置する、請求項1又は2に記載のウェハのダイシングプロセス。
【請求項４】
前記材料がガラス又はセラミックのうちのいずれか1種である、請求項1又は2に記載のウェハのダイシングプロセス。
【請求項５】
前記 (c)ステップで、ダイシングされていない材料の表面に照射で作り出された凹溝がV字状である、請求項1又は2に記載のウェハのダイシングプロセス。
【請求項６】
前記 (a)ステップで使うダイシングソーは硬度がダイヤモンドレベルの材質である、請求項1又は2に記載のウェハのダイシングプロセス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はウェハのダイシングプロセスに関し、特にレーザビームとブレーキングカッタによりウェハ(Wafer)のダイシングを助けることで、ダイシング作業時に、ウェハ(Wafer)と材料に、マイクロクラック又はチッピングなどが生じることを防止し、ウェハ(Wafer）のダイシングプロセス又は類似のプロセスに適用する。
【背景技術】
【０００２】
現在、ウェハ(Wafer)の精度は一層高まり、チップも一層小さくなっている。そのため、ウェハ(Wafer)のダイシング作業ではウェハ(Wafer) が切断により損傷しないよう注意する必要がある。現在の業界ではウェハ(Wafer）のダイシング作業は大半が下記の2種類のダイシングモデルに分かれる。
【０００３】
第1種のウェハ(Wafer)のダイシング作業方法は、まずダイシングするウェハ(Wafer) に適合するダイシングソーで初回のダイシングを行って、更にダイシングする材料に適合するダイシングソーで2回目のダイシングを行う。2回目は初回のウェハ(Wafer)のダイシング済箇所で引き続き材料のダイシングを行う。そのため、 2回目の材料のダイシング時には、材料にマイクロクラック又はチッピングなどが生じやすく、それにより歩留まりが下がり、なおかつそれに応じてウェハ(Wafer)のダイシング品質も低下する。
【０００４】
第2種ウェハ(Wafer)のダイシング作業方法は、まず材料とウェハ(Wafer)を交換して、材料を上層に載せてウェハ(Wafer)を下層に置き、ダイシングする材料に適合するダイシングソーで初回のダイシングを行うことにより、材料をダイシングして分離させる。初回のダイシングが終わったらウェハ(Wafer)を下層位置から上層位置に反転させる。本来上層に位置していた材料は下層位置に反転する。更にダイシングしたウェハ(Wafer) に適合するダイシングソーで2回目のダイシングを行う。そのため、2回目にウェハ(Wafer) をダイシングする時には、同じようにウェハ(Wafer)にマイクロクラック又はチッピングなどが生じやすい。そして、歩留まりもあまり高くはない。更に反転作業の工程を加えるため、ウェハ(Wafer)が落下して亀裂ができるリスクが生じやすくなり、なおかつ相対的に生産製造原価も比較的高めになる。
【０００５】
そのため、本発明者は上記の課題を考慮して、マイクロクラック又はチッピングなどを生じないウェハのダイシングプロセスを提供して、使用者が簡単に組立操作、及び研究、設計組立製作が行えるようになることで、使用者に利便性がもたらせることを望む。それが、本発明の動機である。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の主な目的は、ウェハのダイシングプロセスを提供し、レーザビームとブレーキングカッタによりウェハ(Wafer)のダイシングを助けることにより、ダイシング作業時に、ウェハ(Wafer)と材料にマイクロクラック又はチッピングなどが生じることを防止し、ダイシング品質を向上し、なおかつ生産原価削減と歩留まり向上に寄与し、更には全体的な実用性及び利便性を増すことにある。
【０００７】
本発明の別の目的は、ウェハのダイシングプロセスを提供することで、ウェハ(Wafer) をフルカットしてから、更にレーザビームでボンディング層(Bonding Layer) を溶け落ちた状態にしてから、ダイシングされていない材料に照射する、又はウェハ(Wafer)とボンディング層(Bonding Layer) をフルカットしてから、これによりダイシングされていない材料にレーザビームを直接照射し、ダイシングされていない材料の表面にレーザビーム照射により凹溝を作り出すことにより、これに続くダイシング作業でマイクロクラック又はチッピングなどのリスクを減らし、更には全体的な実用性及び利便性を高めることにある。
【０００８】
本発明の更に別の目的は、ウェハのダイシングプロセスを提供し、ブレーキングカッタを使ってテープ(Tape)表面にある、材料の表面の凹溝と対応する箇所から劈開を始め、それにより材料がテープ(Tape)表面から材料の表面の凹溝箇所にかけて熱分解により分離を始めることで、ウェハ(Wafer)のダイシングが完了する。これにより、本発明では、時間当たりの生産量(UPH) が向上し、更には全体的な実用性及び迅速性を高めることができる。
【０００９】
上記の目的を達成するために、本発明のウェハのダイシングプロセスの第1の方法は、テープ(Tape)に1層の材料を接着し、更に材料にボンディング層(Bonding Layer) を設けることで、ボンディング層(Bonding Layer)を介して材料にラミネートされたウェハ(Wafer)に適用される。その主なステップは次の通りである：(a)まず、硬度がウェハ(Wafer)より高いダイシングソーを使ってウェハ(Wafer)表面からダイシングを始め、ウェハ(Wafer)とボンディング層(Bonding Layer) のフルカットを行う。(b)次に、ウェハ(Wafer)とボンディング層(Bonding Layer) のフルカットした箇所にレーザビームを照射することで、ダイシングされていない材料にレーザビームが直接照射できるようにする。(c)そして、ダイシングされていない材料の表面にレーザビーム照射により凹溝を作り出す。(d)更に、ブレーキングカッタを使ってテープ(Tape)表面にある、材料の表面の凹溝と対応する箇所から劈開を始める。 (e)これにより材料がテープ(Tape)表面から材料の表面の凹溝箇所にかけて熱分解により分離を始めることで、ウェハ(Wafer)のダイシングが完了する。
【００１０】
本発明のウェハのダイシングプロセスの第2の方法は、テープ(Tape)に1層の材料を接着し、更に材料にボンディング層(Bonding Layer) を設けることで、ボンディング層(Bonding Layer)を介して材料にラミネートされたウェハ(Wafer)に適用され、その主なステップは次の通りである：(a)まず、硬度がウェハ(Wafer)より高いダイシングソーを使ってウェハ(Wafer)表面からダイシングを始め、ウェハ(Wafer) のフルカットを行う。 (b)次に、ウェハ(Wafer) をフルカットした箇所にレーザビームを照射することで、レーザビームによりボンディング層(Bonding Layer) を溶け落ちた状態にしてから、ダイシングされていない材料に照射する。(c) そして、ダイシングされていない材料の表面にレーザビーム照射により凹溝を作り出す。(d)更に、ブレーキングカッタを使ってテープ(Tape)表面にある、材料の表面の凹溝と対応する箇所から劈開を始める。(e)これにより材料がテープ(Tape)表面から材料の表面の凹溝箇所まで熱分解により分離を始めることで、ウェハ(Wafer)のダイシングが完了する。
【００１１】
本発明の特徴、特性及び技術内容の更に詳しい理解のために、本発明に関する以下の詳細な説明と添付図面を参照されたい。ただし、添付した図面は参考と説明用としてのみ提供するものであり、本発明を限定するためのものではない。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】図1は、本発明の第1の実施例の主なプロセス手順のフロー表示図である。
【図２】図2は、本発明の第1の実施例のダイシングプロセスが未実施の状態の構造表示図である。
【図３】図3は、本発明の第1の実施例のステップ(a)における、ダイシングソーを用いたダイシング作動を示す図である。
【図４】図4は、本発明の第1の実施例のステップ(b)及びステップ(c)における、レーザビームの照射作動を示す図である。
【図５】図5は、本発明の第1の実施例のステップ(d)及びステップ(e)における、ブレーキングカッタを用いた劈開作動を示す図である。
【図６】図6は、本発明の第2の実施例の主なプロセス手順のフロー表示図である。
【図７】図7は、本発明の第2の実施例のダイシングプロセス未実施の状態の構造表示図である。
【図８】図8は、本発明の第2の実施例のステップ(a)における、ダイシングソーを用いたダイシング作動を示す図である。
【図９】図9は、本発明の第2の実施例のステップ(b)及びステップ(c)における、レーザビーム照射による作動を示す図である。
【図１０】図10は、本発明の第2の実施例のステップ(d)及びステップ(e)における、ブレーキングカッタを用いた劈開作動を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
図1〜10を参照されたい。これらは、本発明の第1の実施例と第2の実施例の表示図である。本発明のウェハのダイシングプロセスの最適な実施例はウェハ(Wafer)のダイシングプロセス又は類似のプロセスに活用され、特に本発明によりダイシング作業時に、ウェハ(Wafer)10と材料20に、マイクロクラック又はチッピングなどが生じることを防止することにより、ダイシング品質を高め、なおかつ生産原価削減及び歩留まり向上に寄与するものである。
【００１４】
本発明のウェハのダイシングプロセスの第1の方法と第2の方法は、図2と図7に示す通り、テープ(Tape)30に1層の材料20を接着し、更に材料20にボンディング層(Bonding Layer)40を設けることで、ウェハ(Wafer)10がボンディング層(Bonding Layer)40を介して材料20にラミネートされるものである。上記の材料20がガラス又はセラミックのうちのいずれか1種であることで、ウェハ(Wafer)10がガラス又はセラミックにラミネートされ、ダイシング作業に役立てる。また、上記テープ(Tape)30の粘着力が強ければ、ダイシングプロセスでテープ(Tape)30に接着した材料20が脱落しにくくなる。なお、紫外線(UV)光源照射器による照射後には、そのテープ(Tape)30の粘着力は低下する。そのためテープ(Tape)30に接着した材料20が簡単に分離できるようになり、かつ剥がし残りが生じない。
【００１５】
また、上記ウェハのダイシングプロセスの第1の方法で最初に行うステップS100は、(a)硬度がウェハ(Wafer)より高いダイシングソーを使ってウェハ(Wafer)表面からダイシングを行い、ウェハ(Wafer)とボンディング層(Bonding Layer) のフルカットを行う。本発明に記載のウェハ(Wafer)10はケイ素(Si)材料であり、ケイ素(S i)の硬度はダイヤモンドの硬度より低い。そのため、硬度がダイヤモンドレベルの材質であるダイシングソー50を導入するダイシングは実現可能であり、なおかつウェハ(Wafer)10本体の破損を減らせることになる。図3に示す通り、本発明では、ダイヤモンドレベルのダイシングソー50によりウェハ(Wafer)10表面11からダイシングを始めることで、ウェハ(Wafer)10本体をフルカットし、かつ更に、ウェハ(Wafer)10下方に位置するボンディング層(Bonding Layer)40から材料20表面21までのフルカットを行うことで、第1ステップのウェハ(Wafer)10とボンディング層(Bonding Layer)40のダイシング作業が完了する。上記のステップS100が完了したら、すぐに次のステップS110を行う。
【００１６】
また、次のステップS110では、(b)ウェハ(Wafer)とボンディング層(Bonding Layer) をフルカットした箇所にレーザビームを照射することで、ダイシングされていない材料にレーザビームを直接照射できるようにする。図4に示す通り、ダイヤモンドレベルのダイシングソー50でウェハ(Wafer)10とボンディング層(Bonding Layer)40のフルカットを行ってから、すぐにレーザビーム60によりウェハ(Wafer)10とボンディング層(Bonding Layer)40をフルカットした箇所に照射する。当該レーザビーム60は紫外線の光源又は青色光、青紫色光などのうちの1種のように他の色を持つ光の光源を導入することで、レーザビーム60を非常に小さい点に収束させてその部分を変形させることができる。そのため、当該レーザビーム60はダイシングされていない材料20に直接照射できる。当該材料20はガラス又はセラミックであってもよい。これによりガラス又はセラミックなどの表面の一点に、レーザビーム60を照射させ、収束させてその部分を変形させることができる。上記ステップS110が完了したら、すぐに次のステップS120を行う。
【００１７】
また、次のステップS120では、(c)ダイシングされていない材料の表面にレーザビーム照射により凹溝を作り出す。図4に示す通り、レーザビーム60をウェハ(Wafer)10とボンディング層(Bonding Layer)40をフルカットした箇所からダイシングされていない材料20（ガラス又はセラミックなどのうちのいずれか1種）の表面21まで照射してから、レーザビーム60の収束特性を利用してダイシングされていない材料20（ガラス又はセラミックなどのうちのいずれか1種）の表面21に凹溝22を照射で作り出す。当該凹溝22はV字状であることでダイシングされていない材料20（ガラス又はセラミックなどのうちのいずれか1種）の表面21に亀裂が生じ、これに続く劈開作業に役立てることもできる。上記ステップS120が完了したら、すぐに次のステップS130を行う。
【００１８】
上記ステップS120(c)が終わってから、レーザビーム60照射により凹溝22が作り出された材料20とテープ(Tape)30が反転できる。図5に示す通り、テープ(Tape)30が上方箇所に位置し、その下から順に、照射により凹溝22が作り出された材料20とフルカットされたボンディング層(Bonding Layer)40が位置する。最下方に位置するのはフルカットされたウェハ(Wafer)10となる。これによりダイシングされていない材料20（ガラス又はセラミックなどのうちのいずれか1種）とテープ(Tape)30に次のダイシング作業を行いやすくなる。
【００１９】
次のステップS130では、(d)ブレーキングカッタ70を使ってテープ(Tape)表面にある、材料表面の凹溝と対応する箇所から劈開を始める。ダイシングされていない材料20（ガラス又はセラミックなどのうちのいずれか1種）表面に凹溝22を照射で作り出すのが完了したら、すぐにダイシングされていない材料20（ガラス又はセラミックなどのうちのいずれか1種）にダイシングを行って分離させる。本発明はブレーキングカッタ70の方式を使ってダイシングされていない材料20（ガラス又はセラミックなどのうちのいずれか1種）に劈開を行うものである。ブレーキングカッタ70によりウェハ(Wafer)10とボンディング層(Bonding Layer)40をフルカットした箇所から直接切り込んだ場合には、ダイシングされていない材料20（ガラス又はセラミックなどのうちのいずれか1種）に容易にマイクロクラック又はチッピングなどが発生するため、その生産品質は理想からほど遠くなる。
【００２０】
そのため、本発明では、図5に示す通り、テープ(Tape)30表面31にある材料20表面21の凹溝22に対応する箇所に場所を換えて劈開を行う。材料20はテープ(Tape)30に貼りついているため、テープ(Tape)30が材料20（ガラス又はセラミックなどのうちのいずれか1種）を保護する作用を備える。そのためブレーキングカッタ70がまずテープ(Tape)30に触れた時に衝撃力を緩和でき、これによりダイシングされていない材料20（ガラス又はセラミックなどのうちのいずれか1種）が直接衝撃を受けずマイクロクラック又はチッピングなどの発生を避けられる。上記ステップS130が完了したら、すぐに次のステップS140を行う。
【００２１】
次のステップS140では、(e)材料がテープ(Tape)表面から材料表面の凹溝箇所にかけて熱分解により分離を始めることで、ウェハ(Wafer)のダイシングが完了する。ブレーキングカッタ70がテープ(Tape)30表面31箇所から劈開を始め材料20（ガラス又はセラミックなどのうちのいずれか1種）本体に切り込んでから、材料20（ガラス又はセラミックなどのうちのいずれか1種）表面21にレーザビーム60によって凹溝22を照射で作り出す。これにより材料20（ガラス又はセラミックなどのうちのいずれか1種）本体に変形が起こる。そのため、図5に示す通り、簡単にテープ(Tape)30表面31から材料20（ガラス又はセラミックなどのうちのいずれか1種）表面21の凹溝22箇所にかけて熱分解により分離が始まる。このため、背景技術のようにダイシング作業中に材料20（ガラス又はセラミックなどのうちのいずれか1種）又はウェハ(Wafer)10にマイクロクラック又はチッピングなどが発生することはなくなる。
【００２２】
上記ウェハのダイシングプロセスの第2の方法で最初に行うステップS200は、(a)硬度がウェハ(Wafer)より高いダイシングソーを使ってウェハ(Wafer)表面からダイシングを始め、ウェハ(Wafer)のフルカットを行う。本発明に記載のウェハ(Wafer)10はケイ素(Si)材料であり、ケイ素(Si)の硬度はダイヤモンドの硬度より低い。そのため、硬度がダイヤモンドレベルの材質のダイシングソー50を導入してダイシングを行うのは実現可能であり、なおかつウェハ(Wafer)10本体の破損を減らすことができる。本発明では、図8に示す通り、ダイヤモンドレベルのダイシングソー50によりウェハ(Wafer)10表面11からダイシングを始め、更にウェハ(Wafer)10本体のフルカットを行うことで、第1ステップのウェハ(Wafer)10のダイシング作業が完了する。上記のステップS200が完了したら、すぐに次のステップS210を行う。
【００２３】
次のステップS210では、(b)ウェハ(Wafer) をフルカットした箇所にレーザビームを照射して、レーザビームにより、ボンディング層(Bonding Layer) を溶け落ちた状態にしてから、更にダイシングされていない材料に照射する。すなわち、図9に示す通り、ダイヤモンドレベルのダイシングソー50でウェハ(Wafer)10をフルカットしてから、更にレーザビーム60をウェハ(Wafer)10のフルカットした箇所から照射することにより、レーザビーム60が、ボンディング層(Bonding Layer)40を溶け落ちた状態にし、これによりレーザビーム60をダイシングされていない材料20に照射できるようになる。当該レーザビーム60は紫外線の光源又は青色光、青紫色光などのうちの1種のように他の色を持つ光の光源を導入することで、レーザビーム60を非常に小さい点に収束させてその部分を変形させることができる。そのため、当該レーザビーム60はまず、ボンディング層(Bonding Layer)40を溶け落ちた状態にしてから、ダイシングされていない材料20に照射できる。当該材料20はガラス又はセラミックであってもよい。これによりガラス又はセラミックなどの表面の一点にレーザビーム60を照射することにより収束して変形が生じる。上記ステップS210が完了したら、すぐに次のステップS220を行う。
【００２４】
次のステップS220では、(c)ダイシングされていない材料の表面にレーザビーム照射により凹溝を作り出す。図9に示す通り、レーザビーム60をウェハ(Wafer)10をフルカットした箇所から照射して、まず、ボンディング層(Bonding Layer)40を溶け落ちた状態にし、レーザビーム60をダイシングされていない材料20（ガラス又はセラミックなどのうちのいずれか1種）の表面21に照射してから、レーザビーム60の収束特性を利用してダイシングされていない材料20（ガラス又はセラミックなどのうちのいずれか1種）の表面21に凹溝22を照射で作り出す。当該凹溝22はV字状であってもよい。これによりダイシングされていない材料20（ガラス又はセラミックなどのうちのいずれか1種）の表面21に亀裂が生じ、これに続く劈開作業に役立つ。上記ステップS220が完了したら、すぐに次のステップS230を行う。
【００２５】
上記のステップS220(c)が終わってから、レーザビーム60照射により凹溝22が作り出された材料20とテープ(Tape)30を反転させることができる。これにより、図10に示す通り、テープ(Tape)30が上方箇所に位置し、その下から順に、照射により凹溝22が作り出された材料20と照射で貫かれたボンディング層(Bonding Layer)40となり、最下方に位置するのはフルカットされたウェハ(Wafer)10となる。これによりダイシングされていない材料20（ガラス又はセラミックなどのうちのいずれか1種）とテープ(Tape)30に、次のダイシング作業を行いやすくなる。
【００２６】
次のステップS230では、(d)ブレーキングカッタを使ってテープ(Tape)表面31にある材料の表面の凹溝と対応する箇所から劈開を始める。ダイシングされていない材料20（ガラス又はセラミックなどのうちのいずれか1種）表面に凹溝22を照射で作り終えてから、すぐにダイシングされていない材料20（ガラス又はセラミックなどのうちのいずれか1種）にダイシングを行って分離させる。そのため、本発明ではブレーキングカッタ70の方式を使ってダイシングされていない材料20（ガラス又はセラミックなどのうちのいずれか1種）に劈開を行う。ブレーキングカッタ70によりウェハ(Wafer)10とボンディング層(Bonding Layer)40をフルカットした箇所から直接切り込んだ場合には、ダイシングされていない材料20（ガラス又はセラミックなどのうちのいずれか1種）にマイクロクラック又はチッピングなどが容易に生じるため、生産品質は理想からほど遠くなる。
【００２７】
そのため、本発明では、図10に示す通り、テープ(Tape)30表面31にある材料20表面21の凹溝22に対応する箇所から劈開を行う。材料20はテープ(Tape)30に貼りついているため、テープ(Tape)30が材料20（ガラス又はセラミックなどのうちのいずれか1種）を保護する作用を備える。そのためブレーキングカッタ70が先にテープ(Tape)30に触れる時に衝撃力を緩和でき、これによりダイシングされていない材料20（ガラス又はセラミックなどのうちのいずれか1種）が直接衝撃を受けず、マイクロクラック又はチッピングなどの発生を避ける。上記ステップS230が完了したら、すぐに次のステップS240を行う。
【００２８】
次のステップS240では、(e)材料がテープ(Tape)表面から材料の表面の凹溝箇所まで熱分解により分離を始めることで、ウェハ(Wafer)のダイシングが完了する。ブレーキングカッタ70により、テープ(Tape)30表面31箇所から劈開をして材料20（ガラス又はセラミックなどのうちのいずれか1種）本体への切り込みを始めてから、材料20（ガラス又はセラミックなどのうちのいずれか1種）表面21において凹溝22箇所をレーザビーム60照射で作り出すことで、材料20（ガラス又はセラミックなどのうちのいずれか1種）本体に変形が生じる。そのため、図10に示す通り、簡単にテープ(Tape)30表面31から材料20（ガラス又はセラミックなどのうちのいずれか1種）表面21の凹溝22箇所まで熱分解により分離が始まる。これにより背景技術のようにダイシング作業中に材料20（ガラス又はセラミックなどのうちのいずれか1種）又はウェハ(Wafer)10にマイクロクラック又はチッピングなどが発生することはなくなる。
【００２９】
本発明のウェハのダイシングプロセスの第1の方法と第2の方法は共にレーザビーム60とブレーキングカッタ70によりウェハ(Wafer)10と材料20のダイシングを補助することができる。これにより、ダイシング作業時に、ウェハ(Wafer)10と材料20にマイクロクラック又はチッピングなどが生じるのを防止することにより、ダイシング品質を高め、なおかつ生産原価削減と歩留まり向上の効果を有する。
【００３０】
以上の詳細な説明により、この当業者が本発明の目的を達成できることを明瞭に理解し、実質的にすでに特許法の規定に合致するため、特許の出願を行う。
【００３１】
ただし、上記の内容は、本発明の好適な実施例に過ぎず、当然これにより本発明の実施範囲を限定することはできない。本発明による特許請求の範囲及び特許明細書の内容により行う簡単で同等の効果を有する変化と修飾加工は全て、本発明の技術的範囲に含まれる。
【符合の説明】
【００３２】
10、ウェハ(Wafer)
11、表面
20、材料
21、表面
22、凹溝
30、テープ(Tape)
31、表面
40、ボンディング層(Bonding Layer)
50ダイシングソー
60、レーザビーム
70、ブレーキングカッタ
S100、(a)硬度がウェハ(Wafer)より高いダイシングソーを使ってウェハ(Wafer)表面からダイシングを始め、ウェハ(Wafer)とボンディング層(Bonding Layer) のフルカットを行う
S110、(b)ウェハ(Wafer)とボンディング層(Bonding Layer) をフルカットした箇所にレーザビームを照射することで、ダイシングされていない材料にレーザビームを直接照射できるようにする
S120、(c)ダイシングされていない材料の表面にレーザビーム照射により凹溝を作り出す
S130、(d)ブレーキングカッタを使ってテープ(Tape)表面にある、材料の表面の凹溝と対応する箇所から劈開を始める
S140、(e)材料がテープ(Tape)表面から材料の表面の凹溝箇所にかけて熱分解により分離を始めることで、ウェハ(Wafer)のダイシングが完了する
S200、(a)硬度がウェハ(Wafer)より高いダイシングソーを使ってウェハ(Wafer)表面からダイシングを始め、ウェハ(Wafer)のフルカットを行う
S210、(b)ウェハ(Wafer) をフルカットした箇所にレーザビームを照射することで、レーザビームがボンディング層(Bonding Layer) を溶け落ちた状態にしてから、更にダイシングされていない材料に照射する
S220、(c)ダイシングされていない材料の表面にレーザビーム照射により凹溝を作り出す
S230、(d)ブレーキングカッタを使ってテープ(Tape)表面にある、材料の表面の凹溝と対応する箇所から劈開を始める
S240、(e)材料がテープ(Tape)表面から材料の表面の凹溝箇所まで熱分解により分離を始めることで、ウェハ(Wafer)のダイシングが完了する
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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