(57)【要約】【課題】光学的特性の低下を抑制することが可能な透明導電膜を提供する。【解決手段】第１屈折率調整層１２と、金属層１３と、第２屈折率調整層１４とからなる多層膜１０を備え、第１屈折率調整層１２、及び、第２屈折率調整層１３の少なくともいずれか一方がＺｎＳを含み、多層膜１０が積層方向に順テーパ状の断面を有する透明導電膜を構成する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１屈折率調整層と、金属層と、第２屈折率調整層とからなる多層膜を備え、
前記第１屈折率調整層、及び、前記第２屈折率調整層の少なくともいずれか一方がＺｎＳを含み、
前記多層膜が、積層方向に順テーパ状の断面を有する
透明導電膜。
【請求項２】
前記多層膜のテーパ角が０．５°以上４５°以下である請求項１に記載の透明導電膜。
【請求項３】
前記ＺｎＳを含む層と前記金属層との間に、硫化防止層を有する請求項１に記載の透明導電膜。
【請求項４】
前記金属層が、銀を主成分として含む請求項１に記載の透明導電膜。
【請求項５】
基材上にレジスト層を形成する工程と、
前記レジスト層を逆テーパ状の断面にパターニングする工程と、
基材上に、第１屈折率調整層、金属層、及び、第２屈折率調整層からなる多層膜を形成する工程と、
前記レジスト層を前記レジスト層上に形成された前記多層膜と共に剥離し、積層方向に順テーパ状の断面を有する前記多層膜のパターンを形成する工程と、を有し、
前記第１屈折率調整層、及び、前記第２屈折率調整層の少なくともいずれか一方を、ＺｎＳを含む材料で形成する
透明導電膜の製造方法。
【請求項６】
前記金属層を蒸着法で形成する請求項５に記載の透明導電膜の製造方法。
【請求項７】
基材上に、第１屈折率調整層、金属層、及び、第２屈折率調整層からなる多層膜を形成する工程と、
前記多層膜上に、レジスト層を形成する工程と、
前記レジスト層をパターニングする工程と、
前記多層膜を、硝酸、リン酸、及び、シュウ酸から選ばれる少なくとも１種を含むエッチング液を用いてウェットエッチングし、積層方向に順テーパ状の断面を有する前記多層膜のパターンを形成する工程と、を有し、
前記第１屈折率調整層、及び、前記第２屈折率調整層の少なくともいずれか一方を、ＺｎＳを含む材料で形成する
透明導電膜の製造方法。
【請求項８】
前記エッチング液は、硝酸の濃度が０．３質量％以上５質量％以下、リン酸の濃度が４０質量％以上８５質量％以下、シュウ酸の濃度が０．１質量％以上５質量％以下である請求項７に記載の透明導電膜の製造方法。
【請求項９】
上記請求項１に記載の透明導電膜を備える電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、金属層と屈折率調整層とを有する透明導電膜、この透明導電膜の製造方法、及び、透明導電膜を含む電子機器に係わる。
【背景技術】
【０００２】
近年、タッチパネル材料、液晶ディスプレイやプラズマディスプレイ、無機及び有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）ディスプレイ等の表示装置、太陽電池等の各種装置に、低抵抗な透明導電膜が求められている。このような透明導電膜を構成する材料として、例えば、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｌ、Ｃｒ等の金属や、Ｉｎ２Ｏ３、ＣｄＯ、ＣｄＩｎ２Ｏ４、Ｃｄ２ＳｎＯ４、ＴｉＯ２、ＳｎＯ２、ＺｎＯ、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）等の酸化物半導体が知られている。
【０００３】
また、タッチパネル型の表示装置等では、表示素子の画像表示面上に、透明導電膜等からなる配線が配置される。このため、透明導電膜には、光の透過性が高いことが求められている。従来、このような各種表示装置には、光透過性の高いＩＴＯからなる透明導電膜が多用されている。
【０００４】
近年、静電容量方式のタッチパネル表示装置が開発され、透明導電膜の表面電気抵抗をさらに低く、具体的には、５０Ω／ｓｑ．以下の抵抗値とすることが強く求められている。しかし、従来、広く用いられているＩＴＯ膜では、抵抗値としては１５０Ω／ｓｑ．程度にとどまっており、上記の要望に対しては不十分な特性であった。
【０００５】
このような背景から、近年、ＩＴＯに代わる次世代の透明導電膜の開発が盛んに行なわれている。例えば、金属層として銀蒸着層（以下、Ａｇ層ともいう。）を適用した方法の検討が盛んになされている。例えば、透明導電性のＺｎＳ・ＳｉＯ２／銀／ＺｎＳ・ＳｉＯ２多層膜を、マグネトロンスパッタリングによりガラス基材上に形成する方法が提案されている（非特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００６】
【非特許文献１】Guoyun Long,et al.,Applied Surface Science(Impact Factor:2.54),12/2012,Vol.263,p.546-552,DOI:10.1016/j.apsusc.2012.09.104
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、ＺｎＳとＡｇとが積層された構成の透明導電膜では、好適なパターニングが難しい。例えば、レーザエッチングでは、ＺｎＳにレーザの吸収帯が無いため、ＺｎＳを含む層のパターニングが困難となる。このため、レーザエッチングでは、透明導電膜の端面の形状が不良となる。
また、一般的なウェットエッチングでは、Ａｇを含む層とＺｎＳを含む層とのエッチングレートに差が大きく、透明導電膜の端面のサイドエッチングの制御が難しい。このため、ウェットエッチングにおいても、透明導電膜の端面の形状が不良となる。さらに、ウェットエッチングの際に、ＺｎＳとＡｇとが電池効果によって化学変化を起こすため、エッチング残渣が残りやすい。これも、パターニング不良の原因となる。
パターニングに不良があると、透明導電膜をタッチパネル等の電子機器等に適用した際に、液晶等のディスプレイとの間でモアレが発生して視覚的な不良が発生する等、透明導電膜の光学的な特性が低下する。
【０００８】
上述した問題の解決のため、本発明においては、光学的特性の低下を抑制することが可能な透明導電膜、透明導電膜の製造方法、及び、透明導電膜を含む電子機器を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の透明導電膜は、第１屈折率調整層と、金属層と、第２屈折率調整層とからなる多層膜を備え、第１屈折率調整層、及び、第２屈折率調整層の少なくともいずれか一方がＺｎＳを含み、多層膜が積層方向に順テーパ状の断面を有する。
また、本発明の電子機器は、上記透明導電膜を備える。
【００１０】
また、本発明の透明導電膜の製造方法は、基材上にレジスト層を形成する工程と、レジスト層を逆テーパ状の断面にパターニングする工程と、基材上に、第１屈折率調整層、金属層、及び、第２屈折率調整層からなる多層膜を形成する工程と、レジスト層をレジスト層上に形成された多層膜と共に剥離し、積層方向に順テーパ状の断面を有する多層膜のパターンを形成する工程とを有し、第１屈折率調整層、及び、第２屈折率調整層の少なくともいずれか一方を、ＺｎＳを含む材料で形成する。
或いは、基材上に、第１屈折率調整層、金属層、及び、第２屈折率調整層からなる多層膜を形成する工程と、多層膜上にレジスト層を形成する工程と、レジスト層をパターニングする工程と、多層膜を、硝酸、リン酸、及び、シュウ酸から選ばれる少なくとも１種を含むエッチング液を用いてウェットエッチングし、積層方向に順テーパ状の断面を有する多層膜のパターンを形成する工程とを有し、第１屈折率調整層、及び、第２屈折率調整層の少なくともいずれか一方を、ＺｎＳを含む材料で形成する。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、光学的特性の低下を抑制することが可能な透明導電膜、透明導電膜の製造方法、及び、透明導電膜を含む電子機器を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】第１実施形態の透明導電膜の概略構成（断面）を示す図である。
【図２】第１実施形態の透明導電膜の概略構成（断面）を示す図である。
【図３】第１実施形態の透明導電膜の概略構成（断面）を示す図である。
【図４】第１実施形態の透明導電膜の概略構成（断面）を示す図である。
【図５】第１実施形態の透明導電膜の概略構成（断面）を示す図である。
【図６】第２実施形態の透明導電膜の概略構成（断面）を示す図である。
【図７】透明導電膜の製造方法を説明するための図である。
【図８】透明導電膜の製造方法を説明するための図である。
【図９】透明導電膜を製造するための蒸着装置の概略構成を示す図である。
【図１０】透明導電膜を製造するための蒸着装置の概略構成を示す図である。
【図１１】透明導電膜の製造方法を説明するための図である。
【図１２】透明導電膜の製造方法を説明するための図である。
【図１３】透明導電膜の製造方法を説明するための図である。
【図１４】透明導電膜の製造方法を説明するための図である。
【図１５】透明導電膜の製造方法を説明するための図である。
【図１６】透明導電膜を適用したタッチパネルの構成の一例を示す斜視図である。
【図１７】実施例の試料１１７のテーパ部を写した画像である。
【図１８】実施例の試料２１７のテーパ部を写した画像である。
【図１９】実施例の試料３０１のテーパ部を写した画像である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明を実施するための形態の例を説明するが、本発明は以下の例に限定されるものではない。
なお、説明は以下の順序で行う。
１．透明導電膜（第１実施形態）
２．透明導電膜（第２実施形態）
３．透明導電膜の製造方法（第３実施形態：リフトオフ）
４．透明導電膜の製造方法（第４実施形態：ウェトエッチング）
５．電子機器
【００１４】
〈１．透明導電膜（第１実施形態）〉
以下、本発明の透明導電膜の具体的な実施の形態について説明する。図１に、第１実施形態の透明導電膜の概略構成（断面図）を示す。
【００１５】
［透明導電膜の基本構成］
図１に示す構成の透明導電膜は、第１屈折率調整層１２と、金属層１３と、第２屈折率調整層１４とをこの順で積層した多層膜１０を有している。そして、この多層膜１０が基材１１上に設けられている。
【００１６】
図１に示す透明導電膜は、基材１１上に設けられた第１屈折率調整層１２、金属層１３、及び、第２屈折率調整層１４による多層膜１０がパターン形成されている。このパターン形成により、第１屈折率調整層１２、金属層１３、及び、第２屈折率調整層１４が除去されて、第２屈折率調整層１４の表面側から基材１１の表面が露出する開口部が設けられている。このように開口部を設けることにより、金属層１３が連続形成された導通領域１６と、金属層１３が形成されてない非導通領域１７とを有し、所望の導電層のパターンを有する透明導電膜を形成することができる。
【００１７】
また、多層膜１０のパターン形成において、後述するウェットエッチング、又は、リフトオフ法を用いることにより、多層膜１０の積層方向に、最下端面となる平坦面１０Ｂから最上層の平坦面１０Ｃへ向かって徐々に多層膜１０の幅が狭くなる、所謂順テーパ状の断面が形成される。図１において、多層膜１０の積層方向の順テーパ状の部分を、テーパ部１８として示している。多層膜１０の端部にテーパ部１８を有することにより、多層膜１０のパターン端面による光学的な特性の低下を抑制することができる。例えば、透明導電膜をタッチパネル等の電子機器等に適用した際に、多層膜１０のパターンの端面の形状不良により発生する、液晶等のディスプレイのモアレ等の視覚的な不良の発生を抑制することができる。
【００１８】
多層膜１０において、テーパ部１８を構成する側壁面１０Ａと下層の平坦面１０Ｂとのテーパ角θは、０．５°以上４５°以下であることが好ましい。
テーパ角θが０．５°よりも小さいと、多層膜１０のパターンが広がりすぎて高精細化に不利となる。また、テーパ角θが４５°を超えると、多層膜１０の側壁面１０Ａの角度が垂直に近くなり、多層膜１０のパターンを形成する際のパターンの端面の形状不良が発生しやすくなる。
【００１９】
多層膜１０のテーパ部１８における断面のテーパ角θは、以下のように規定される。
ここで、側壁面１０Ａは、金属層１３、第１屈折率調整層１２、及び、第２屈折率調整層１４を含む複数の層からなる面である。この複数の層からなる側壁面１０Ａの断面が、図１に示すように直線状の平坦面である場合には、この側壁面１０Ａによりテーパ角が規定される。
また、複数の層からなる側壁面１０Ａが、例えば図２に示したように内側に弯曲している等、直線状の面（平坦面）でない場合、テーパ部１８を構成する多層膜１０の最下層の平坦面１０Ｂの端部１０Ｄと、テーパ部１８を構成する多層膜１０の最上層の平坦面１０Ｃの端部１０Ｅとを結ぶ線（面）により形成される仮想面によりテーパ角が規定される。
【００２０】
また、多層膜１０の側壁面１０Ａは、図３に示したように第１屈折率調整層１２、金属層１３、及び、第２屈折率調整層１４の各界面が、エッチングの際に浸食されて段々状になっていてもよい。更に、図４に示したように第１屈折率調整層１２、金属層１３、及び、第２屈折率調整層１４の各々の側面の傾斜がそれぞれ異なる折れ線状などとなっていてもよい。これらの形状の場合においても、多層膜１０の最下層の平坦面１０Ｂの端部１０Ｄと、最上層の平坦面１０Ｃの端部１０Ｅとを結ぶ線（面）により形成される仮想面によりテーパ角が規定される。さらに、側壁面１０Ａの形状は、図１〜４に示した以外の形状においても、多層膜１０のテーパ角が規定する仮想面を、同様に定義することができる。
なお、多層膜においてテーパ部を構成しない層、例えば、基材１１上の全面に形成される多層膜の下地となる層が存在する場合には、この層はテーパ部１８を構成しない層であるため、上述のテーパ角を定義するための構成に含めなくてよい。
【００２１】
また、テーパ角θを上記範囲内とすることにより、図５に示すような、多層膜１０のパターンの端面に発生する突起部１５の発生を抑制することができる。このような突起部は、多層膜１０のパターニングの際、エッチング残渣や多層膜の形状変化等により発生しやすい。突起部１５は、多層膜１０の形状不良の原因となり、透明導電膜の光学的特性を低下させる要因となる。
透明導電膜の光学的特性を低下させないためには、この突起部１５の高さを５０ｎｍ以下とすることが好ましい。突起部１５の高さは、多層膜１０の最上層の平坦面１０Ｃからの高さで定義される。
また、このような突起部１５が形成されている場合においても、多層膜１０の側壁面１０Ａは、上述の図１〜４に示す方法と同様に定義することができる。この場合に、平坦面１０Ｃの端部１０Ｅは、多層膜１０の形成面からの高さが、最上層の平坦面１０Ｃと同じ高さにおける端部により定義される。
【００２２】
以下、透明導電膜の各構成の詳細について説明する。
なお、「透明」とは、ＪＩＳ  Ｋ  ７３６１−１：１９９７（プラスチック−透明材料の全光線透過率の試験方法）に準拠した方法で測定した可視光波長領域における全光線透過率が、７０％以上であることをいう。
また。主成分とは、その構成の中で占める割合が最も高い成分をいう。
【００２３】
［金属層］
金属層１３は、透明導電膜において電気を導通させるための金属を含む層である。金属層１３に含まれる金属は、導電性の高い金属であれば特に制限されず、例えば銀、銅、金、白金族、チタン、及び、クロム等を挙げることができる。金属層１３には、これらの金属が１種のみ含まれてもよく、２種以上含まれてもよい。
導電性が高いという観点から、金属層１３に含まれる金属としては銀、又は、銀を主成分とする合金が好ましい。銀を主成分とする合金としては、銀の含有比率が６０ａｔ％（原子％）以上であることをいう。銀の含有比率は、導電性の観点から、好ましくは９０ａｔ％以上であることが好ましく、より好ましくは９５ａｔ％以上である。さらに、金属層１３は、銀単体で構成されていることが好ましい。
【００２４】
銀と組み合わされる金属としては、亜鉛、金、銅、パラジウム、アルミニウム、マンガン、ビスマス、ネオジム、及び、モリブデン等が挙げられる。例えば、銀と亜鉛とが組み合わされると、金属層１３の耐硫化性が高まるため好ましい。また、銀と金とが組み合わされると、耐塩（ＮａＣｌ）性が高まるため好ましい。さらに、銀と銅とが組み合わされると、耐酸化性が高まるため好ましい。
【００２５】
金属層１３のプラズモン吸収率は、波長４００〜８００ｎｍにわたって（全範囲で）１０％以下であることが好ましく、７％以下であることがより好ましく、５％以下であることがさらに好ましい。波長４００〜８００ｎｍの一部にプラズモン吸収率が大きい領域があると、透明導電膜の導通領域１６の透過光が着色しやすくなる。
金属層１３の波長４００〜８００ｎｍにおけるプラズモン吸収率は、以下（ｉ）〜（ｉｉｉ）の手順で測定される。
【００２６】
（ｉ）ガラス基材上に、白金パラジウムをシンクロン社製のＢＭＣ−８００Ｔ蒸着装置にて０．１ｎｍの厚さで形成する。白金パラジウムの平均厚さは、蒸着装置のメーカー公称値の形成速度等から算出する。その後、白金パラジウムが付着した基材上に、真空蒸着法にて金属層を２０ｎｍの厚さで形成する。
【００２７】
（ｉｉ）得られた金属層の表面の法線に対して、５°傾けた角度から測定光を入射させ、金属層の透過率及び反射率を測定する。そして各波長における透過率及び反射率から、［吸収率＝１００−（透過率＋反射率）］を算出し、これをリファレンスデータとする。透過率及び反射率は、分光光度計で測定する。
【００２８】
（ｉｉｉ）続いて、測定対象の金属層を同様のガラス基材上に形成する。そして、当該金属層について、同様に透過率及び反射率を測定する。得られた吸収率から上記リファレンスデータを差し引き、算出された値を、金属層のプラズモン吸収率とする。
【００２９】
金属層１３の厚さは１０ｎｍ以下であることが好ましく、より好ましくは３〜９ｎｍの範囲内であり、さらに好ましくは５〜８ｎｍの範囲内である。透明導電膜では、金属層１３の厚さを１０ｎｍ以下とすることにより、金属層１３に金属本来の反射が生じ難くなる。さらに、金属層１３の厚さが１０ｎｍ以下であると、第１屈折率調整層１２及び第２屈折率調整層１４による、透明導電膜の光学アドミッタンスが調整しやすく、導通領域１６表面での光の反射の抑制が容易となる。金属層１３の厚さは、エリプソメーターを用いた測定で求めることができる。
【００３０】
（金属層の形成方法）
金属層１３は、いずれの方法で形成された層でもよいが、真空蒸着法で形成された層であることが好ましい。真空蒸着法であれば、高温環境に基材１１をさらすことがなく、平面性の高い金属層１３を、極めて早く形成することができる。
【００３１】
適用可能な蒸着法としては、抵抗加熱蒸着法、電子線蒸着法、イオンプレーティング法、イオンビーム蒸着法等が含まれる。蒸着装置としては、例えば、シンクロン社製のＢＭＣ−８００Ｔ蒸着機等を用いることができる。
【００３２】
スパッタ法には、２極スパッタ法、マグネトロンスパッタ法、ＤＣスパッタ法、ＤＣパルススパッタ法、ＲＦ（高周波）スパッタ法、デュアルマグネトロンスパッタ法、反応性スパッタ法、イオンビームスパッタ法、バイアススパッタ法、及び対向ターゲットスパッタ法などの、公知のスパッタ法を適宜用いることができる。具体的な市販のスパッタ装置としては、大阪真空社製のマグネトロンスパッタ装置、ウルバック社の各種スパッタ装置（例えば、マルチチャンバ型スパッタリング装置ＥＮＴＲＯＮＴＭ−ＥＸ  Ｗ３００）やアネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置等を用いることができる。
【００３３】
真空蒸着法又はスパッタ法であれば、平面性の高い金属層を極めて速い形成速度で形成することができる。また、屈折率調整層１２上に金属層１３を成膜する際、層の形成速度が速ければ金属、例えば、銀の硫化物が生成しにくいため、銀を主成分として含有する金属層１３の形成速度は０．３ｎｍ／秒以上であることが好ましい。金属層１３の形成速度は、０．５〜３０ｎｍ／秒の範囲内であることがより好ましく、特に好ましくは１．０〜１５ｎｍ／秒の範囲内である。また、成膜時の温度は、−２５〜２５℃の範囲内であることが好ましい。成膜開始前の到達真空度は、３×１０−３Ｐａ以下が好ましく、７×１０−４Ｐａ以下がより好ましい。
【００３４】
［屈折率調整層（第１屈折率調整層、第２屈折率調整層）］
第１屈折率調整層１２、及び、第２屈折率調整層１４は、透明導電膜の導通領域１６、つまり金属層１３が形成されている領域の光透過性（光学アドミッタンス）を調整する層であり、少なくとも透明導電膜の導通領域１６に形成される。第１屈折率調整層１２、及び、第２屈折率調整層１４は、透明導電膜の非導通領域１７にも形成されていてもよいが、導通領域１６及び非導通領域１７からなるパターンを視認され難くする観点から、導通領域１６のみに形成され、図１に示すように非導通領域１７からは除去されていることが好ましい。
【００３５】
（屈折率  光学アドミッタンス）
第１屈折率調整層１２、及び、第２屈折率調整層１４は、波長５７０ｎｍの光に対し、基材１１の屈折率よりも高い等価屈折率を有する。第１屈折率調整層１２、及び、第２屈折率調整層１４の等価屈折率は、基材１１の屈折率より、数値として０．１〜１．１の範囲で高いことが好ましく、０．４〜１．０の範囲で高いことがより好ましい。このような屈折率の関係を多層膜１０が有することにより、金属層１３による反射を相殺することができ、透明導電膜の透明性を向上させることができる。
【００３６】
具体的には、基材１１と比較して、第１屈折率調整層１２及び後述する第２屈折率調整層１４の等価屈折率が高いほど、第１屈折率調整層１２の両界面、及び第２屈折率調整層１４の両界面での反射が高まるため、金属層１３に含有される金属元素、例えば、銀から発生する反射を打ち消しやすくなる。
【００３７】
等価屈折率とは、基材１１に対して垂直方向に積層している第１屈折率調整層１２や、第２屈折率調整層１４の導電性多層膜の実効的な屈折率を、等価屈折率法により求めた値である。
複数の層からなる積層体の全体を１つの層と見なした時、最表面のアドミッタンスを等価アドミッタンスという。このように規定することにより、この積層体は、あたかもそのアドミッタンスを有する１つの層で構成されているとみますことができる。基材の上に、第１屈折率調整層もしくは第２屈折率調整層を積層した時の最表層の等価アドミッタンスの実部を、等価屈折率と定義する。
【００３８】
ここで、等価アドミッタンスについて説明する。
誘電性材料又は酸化物半導体材料の積層体が構成されている場合、１層目からｘ層目までの積層体の光学アドミッタンスＹｘ（Ｅｘ  Ｈｘ）は、１層目から（ｘ−１）層目までの積層体の光学アドミッタンスＹｘ−１（Ｅｘ−１  Ｈｘ−１）と、特定のマトリクスとの積で表される。具体的には、以下の式（１）にて光学アドミッタンスＹｘ（Ｅｘ  Ｈｘ）が求められる。式（１）は、ｘ層目が誘電性材料又は酸化物半導体材料からなる層である場合の光学アドミッタンスＹｘ（Ｅｘ  Ｈｘ）を求める式である。
【００３９】
【数１】
2016152182.tif 000003
【００４０】
上記式（１）において、δ＝２πｎｄ／λであり、ｙ＝ｎ（ｘ層目の膜のアドミッタンス）、ｄはｘ層目の膜の厚さである。
そして、ｘ層目が最表層であるときの、光学アドミッタンスＹｘ（Ｅｘ  Ｈｘ）が、積層体の等価アドミッタンスＹＥとなる。
【００４１】
積層体を構成する各層の屈折率、及び、厚さを、Ｅｓｓｅｎｔｉａｌ  Ｍａｃｌｅｏｄという薄膜設計ソフトに入力することで、等価アドミッタンスＹＥを簡単に求めることができる。各層の屈折率、及び、厚さは、Ｊ．Ａ．Ｗｏｏｌｌａｍ  Ｃｏ．Ｉｎｃ．製のＶＢ−２５０型ＶＡＳＥエリプソメーターで測定することができる。
【００４２】
なお、等価アドミッタンス及び等価屈折率法の詳細については、例えば、「光学薄膜と成膜技術」（李  正中著、アグネ技術センター発行）の「第３章  光学薄膜設計の図解法の３．２  アドミッタンス軌道法」の記載を参照することができる。
【００４３】
（組成）
第１屈折率調整層１２、及び、第２屈折率調整層１４は、少なくともいずれか一方の層がＺｎＳ（硫化亜鉛）を主成分として含む。好ましくは、第１屈折率調整層１２が、ＺｎＳを主成分として含むことが好ましい。また、第１屈折率調整層１２、及び、第２屈折率調整層１４の両方の層が、主成分としてＺｎＳを含むことが好ましい。第１屈折率調整層１２、及び、第２屈折率調整層１４は、ＺｎＳ単独で構成されていてもよく、ＺｎＳとともに他の成分を含んでいてもよい。或いは、第１屈折率調整層１２、及び、第２屈折率調整層１４のいずれか一方が、ＺｎＳを含まず、ＺｎＳ以外の他の成分により構成されていてもよい。
【００４４】
第１屈折率調整層１２、及び、第２屈折率調整層１４がＺｎＳを主成分として構成されることにより、金属層１３の構成材料である金属元素、特に銀を用いた場合の金属層１３との連続成膜性が向上し、プラズモン吸収を低減させることができる。また、基材１１側から水分が透過しにくくなり、金属層１３の腐食を抑制することができる。
【００４５】
第１屈折率調整層１２、及び、第２屈折率調整層１４に用いられるＺｎＳ以外の他の成分としては、例えば、誘電性材料又は酸化物半導体材料が挙げられる。誘電性材料又は酸化物半導体材料としては、以下の金属酸化物、無機酸化物が挙げられる。例えば、ＴｉＯ２、ＩＴＯ（インジウム・スズ酸化物）、ＺｎＯ、Ｎｂ２Ｏ５、ＺｒＯ２、ＣｅＯ２、Ｔａ２Ｏ５、Ｔｉ３Ｏ５、Ｔｉ４Ｏ７、Ｔｉ２Ｏ３、ＴｉＯ、ＳｎＯ２、Ｌａ２Ｔｉ２Ｏ７、（インジウム・亜鉛酸化物）、ＡＺＯ（アルミニウム・亜鉛酸化物）、ＧＺＯ（ガリウム・亜鉛酸化物）、ＡＴＯ（アンチモン・スズ酸化物）、ＩＣＯ（インジウム・セリウム酸化物）、Ｂｉ２Ｏ３、ａ−ＧＩＯ、Ｇａ２Ｏ３、ＧｅＯ２、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＨｆＯ２、ＳｉＯ、ＭｇＯ、Ｙ２Ｏ３、ＷＯ３、ａ−ＧＩＯ（ガリウム・インジウム酸化物）等が挙げられる。上記の中でも、特に、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）が好ましい。
【００４６】
また、第１屈折率調整層１２、及び、第２屈折率調整層１４に用いられるＺｎＳと他の成分との混合物としては、例えば、ＺｎＳと上記誘電性材料又は酸化物半導体材料との混合物が挙げられる。例えば、ＺｎＳ・ＳｉＯ２、ＺｎＳ・ＳｎＯ、ＺｎＳ・ＺｎＯ・Ｇａ２Ｏ３、ＺｎＳ・Ｉｎ２Ｏ３・ＺｎＯ・Ｇａ２Ｏ３等を挙げることができる。
【００４７】
第１屈折率調整層１２、及び、第２屈折率調整層１４において、ＺｎＳの平均含有量は、この層を構成する材料の総モル数に対して、０．５〜９９質量％の範囲内であることが好ましく、５０〜９５質量％の範囲内であることがより好ましく、さらに６０〜８５質量％の範囲内であることが好ましい。ＺｎＳの比率が高いと共蒸着速度が速くなり、第１屈折率調整層１２、及び、第２屈折率調整層１４の形成速度が速くなる。また、ＺｎＳの比率が高いと屈折率が高くなり、金属層１３での光の吸収を抑制することができる。一方、ＺｎＳ以外の成分が多く含まれると、第１屈折率調整層１２、及び、第２屈折率調整層１４の非晶質性が高まり、第１屈折率調整層１２、及び、第２屈折率調整層１４の割れ（クラック）の発生が抑制される。
【００４８】
第１屈折率調整層１２、及び、第２屈折率調整層１４の厚さは、１０〜１５０ｎｍの範囲内であることが好ましく、より好ましくは１０〜８０ｎｍの範囲内である。第１屈折率調整層１２、及び、第２屈折率調整層１４の厚さが１０ｎｍ以上であると、透明導電膜の導通領域１６の光学アドミッタンスを十分に調整することができる。一方、第１屈折率調整層１２、及び、第２屈折率調整層１４の厚さが１５０ｎｍ以下であれば、第１屈折率調整層１２、及び、第２屈折率調整層１４が含まれる領域の光透過性が低下しにくくなる。第１屈折率調整層１２、及び、第２屈折率調整層１４の厚さは、エリプソメーターで測定される。
【００４９】
第１屈折率調整層１２、及び、第２屈折率調整層１４に含まれるＺｎＳ、誘電性材料又は酸化物半導体材料の波長５７０ｎｍの光に対する等価屈折率は、１．５より高いことが好ましく、１．７〜２．５の範囲内であることがより好ましく、更に好ましくは１．８〜２．５の範囲内である。ＺｎＳ、誘電性材料又は酸化物半導体材料の等価屈折率が１．５より高いと、第１屈折率調整層１２、及び、第２屈折率調整層１４によって、金属層１３の光学アドミッタンスが十分に調整される。
【００５０】
なお、第１屈折率調整層１２、及び、第２屈折率調整層１４の等価屈折率は、第１屈折率調整層１２、及び、第２屈折率調整層１４を構成する各材料の屈折率、各層の厚さ、第１屈折率調整層１２、及び、第２屈折率調整層１４を構成する各層に含まれる材料の密度で調整することができる。第１屈折率調整層１２、及び、第２屈折率調整層１４の屈折率は、上述の方法に従って求めることができる。
【００５１】
（屈折率調整層の形成方法）
第１屈折率調整層１２、及び、第２屈折率調整層１４は、蒸着法又はスパッタ法により形成することが好ましい。また、第１屈折率調整層１２、及び、第２屈折率調整層１４は、共蒸着法により形成することが好ましい。さらに、第１屈折率調整層１２、及び、第２屈折率調整層１４を成膜する際には、硫化炭素等の硫化ガスを導入しながら成膜することが好ましい。
【００５２】
蒸着法としては、抵抗加熱蒸着法、電子線蒸着法、イオンプレーティング法、イオンビーム蒸着法等が含まれる。蒸着装置としては、例えば、シンクロン社製のＢＭＣ−８００Ｔ蒸着機等を用いることができる。
特に、イオンプレーティング等を利用したプラズマアシスト蒸着機やイオンアシスト蒸着機も好適に用いられる。イオンプレーティング効果により、高反応性成膜の実現と表面拡散効果による膜質の緻密性・平滑性を向上させることができる。
【００５３】
スパッタ法は、真空チャンバー内に薄膜として形成したい金属をターゲットとして設置し、高電圧をかけてイオン化させた希ガス元素（通常はアルゴン）や窒素（通常は空気由来）を衝突させ、ターゲット表面の原子をはじき飛ばして、基板に高密度に金属を成膜する方法である。また、上記希ガスとともに、反応性ガス（Ｏ２やＮ２）を導入することで、金属酸化物や金属窒化物を成膜することもできる。
【００５４】
スパッタ法には、２極スパッタ法、マグネトロンスパッタ法、ＤＣスパッタ法、ＤＣパルススパッタ法、ＲＦ（高周波）スパッタ法、デュアルマグネトロンスパッタ法、反応性スパッタ法、イオンビームスパッタ法、バイアススパッタ法、及び対向ターゲットスパッタ法などの、公知のスパッタ法を適宜用いることができる。具体的な市販のスパッタ装置としては、大阪真空社製のマグネトロンスパッタ装置、ウルバック社の各種スパッタ装置（例えば、マルチチャンバ型スパッタリング装置ＥＮＴＲＯＮＴＭ−ＥＸ  Ｗ３００）やアネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置等を用いることができる。
【００５５】
［基材］
基材１１には、各種表示デバイスの基材に適用されている材料を用いることができる。基材１１は、ガラス基板や、セルロースエステル樹脂（例えば、トリアセチルセルロース（略称：ＴＡＣ）、ジアセチルセルロース、アセチルプロピオニルセルロース等）、ポリカーボネート樹脂（例えば、パンライト、マルチロン（以上、帝人社製））、シクロオレフィン樹脂（例えば、ゼオノア（日本ゼオン社製）、アートン（ＪＳＲ社製）、アペル（三井化学社製））、アクリル樹脂（例えば、ポリメチルメタクリレート、アクリライト（三菱レイヨン社製）、スミペックス（住友化学社製））、ポリイミド、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリフェニレンエーテル（略称：ＰＰＥ）樹脂、ポリエステル樹脂（例えば、ポリエチレンテレフタレート（略称：ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（略称：ＰＥＮ））、ポリエーテルスルホン樹脂、アクリロニトリル・ブタジエン・スチレン樹脂（略称：ＡＢＳ樹脂）／アクリロニトリル・スチレン樹脂（略称：ＡＳ樹脂）、メチルメタクリレート・ブタジエン・スチレン樹脂（略称：ＭＢＳ樹脂）、ポリスチレン、メタクリル樹脂、ポリビニルアルコール／エチレンビニルアルコール樹脂（略称：ＥＶＯＨ）、スチレン系ブロックコポリマー樹脂、等からなる透明樹脂フィルムを用いることができ、ガラスを用いることもできる。基材１１が透明樹脂フィルムである場合、当該フィルムには２種以上の樹脂が含まれてもよい。
【００５６】
高い透明性を達成することができる観点から、適用する基材１１としては、ガラス基板や、セルロースエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂（特にポリエチレンテレフタレート）、トリアセチルセルロース、シクロオレフィン樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリフェニレンエーテル（ＰＰＥ）樹脂、ポリエーテルスルホン、ＡＢＳ／ＡＳ樹脂、ＭＢＳ樹脂、ポリスチレン、メタクリル樹脂、ポリビニルアルコール／ＥＶＯＨ（エチレンビニルアルコール樹脂）、スチレン系ブロックコポリマー樹脂等の樹脂成分から構成されるフィルムであることが好ましい。
【００５７】
基材１１は、可視光に対する透明性が高いことが好ましく、波長４５０〜８００ｎｍの光の平均透過率が７０％以上であることが好ましく、８０％以上であることがより好ましく、８５％以上であることがさらに好ましい。基材１１の光の平均透過率が７０％以上であると、透明導電膜の光透過性が高まりやすい。また、基材１１の波長４５０〜８００ｎｍの光の平均吸収率は１０％以下であることが好ましく、より好ましくは５％以下、さらに好ましくは３％以下である。
【００５８】
上記平均透過率は、基材１１の表面の法線に対して、５°傾けた角度から光を入射させて測定する。一方、平均吸収率は、平均透過率と同様の角度から光を入射させて、基材１１の平均反射率を測定し、［平均吸収率＝１００−（平均透過率＋平均反射率）］として算出する。平均透過率及び平均反射率は、分光光度計（例えば、Ｕ４１００：日立ハイテクノロジーズ社製）を用いて測定することができる。
【００５９】
基材１１の波長５７０ｎｍの光の屈折率は１．３０〜１．９５の範囲内であることが好ましく、より好ましくは１．３５〜１．７５の範囲内であり、さらに好ましくは１．３５〜１．７０の範囲内である。基材１１の屈折率は、通常、基材１１の材質によって定まる。基材１１の屈折率は、エリプソメーターを用い、２５℃の環境下で測定することにより求めることができる。
【００６０】
基材１１のヘイズ値は、０．０１〜２．５の範囲内であることが好ましく、より好ましくは０．１〜１．２の範囲内である。基材のヘイズ値が２．５以下であると、透明導電膜としてのヘイズ値を抑制することができ、好ましい。ヘイズ値は、ヘイズメーターを用いて測定することができる。
【００６１】
基材１１の厚さは、１μｍ〜２０ｍｍの範囲内であることが好ましく、より好ましくは１０μｍ〜２ｍｍの範囲内である。基材１１の厚さが１μｍ以上であれば、基材１１の強度が高まり、第１屈折率調整層１２の作製時に割れたり、裂けたりすることを防止することができる。一方、基材１１の厚さが２０ｍｍ以下であれば、透明導電膜の十分なフレキシブル性を得ることができる。さらに、透明導電膜を具備した電子デバイス機器等の厚さを薄くできる。また、透明導電膜を用いた電子デバイス機器等を軽量化することもできる。
【００６２】
基材１１は、各構成層を形成する前に、基板中に含まれている水分や残留している溶媒を、クライオポンプ等を用いてあらかじめ除いたのち、形成工程で使用することが好ましい。
【００６３】
（ＣＨＣ）
基材１１上には、後に形成する第１屈折率調整層１２の硬度、平滑性、オリゴマー活性防止の観点から、公知のクリアハードコート（ＣＨＣ）層を設けてもよい。また、基材１１の裏面の機能の観点から、基材１１の裏面にＣＨＣ層を設けてもよい。
ＣＨＣ層として、熱硬化シリコン系、エポキシ系、アクリル系、ポリシラザンを用いることができるが、硬度、平滑性、ヘイズ、上層との密着性が得られれば、どのようなＣＨＣ層を用いてもよいが、生産性、安全性の観点から紫外線硬化性アクリル樹脂を用いることが好ましい。
ＣＨＣ層の厚さは、カール、硬度、割れのバランスを考慮して、０．１μｍ以上１０μｍ以下が好ましい。
【００６４】
[透明導電膜の物性]
透明導電膜の波長４５０〜８００ｎｍの光の平均透過率は、導通領域１６及び非導通領域１７のいずれにおいても８３％以上であることが好ましく、より好ましくは８５％以上であり、さらに好ましくは８８％以上である。上記波長範囲における平均透過率が８３％以上であると、透明導電膜を可視光に対して高い透明性が要求される用途に適用することができる。
【００６５】
一方、透明導電膜の波長４００〜１０００ｎｍの光の平均透過率は、導通領域１６及び非導通領域１７のいずれにおいても８０％以上であることが好ましく、より好ましくは８３％以上、さらに好ましくは８５％以上である。波長４００〜１０００ｎｍの光の平均透過率が８０％以上であると、広い波長範囲の光に対して透明性が要求される用途、例えば、太陽電池用の透明導電膜等にも透明導電膜を適用することができる。
【００６６】
透明導電膜の波長４００〜８００ｎｍの光の平均吸収率は、導通領域１６及び非導通領域１７のいずれにおいても１０％以下であることが好ましく、より好ましくは８％以下であり、さらに好ましくは７％以下である。また、透明導電膜の波長４５０〜８００ｎｍの光の吸収率の最大値は、導通領域１６及び非導通領域１７のいずれにおいても１５％以下であることが好ましく、より好ましくは１０％以下であり、さらに好ましくは９％以下である。
また、透明導電膜の波長５００〜７００ｎｍの光の平均反射率は、導通領域１６及び非導通領域１７のいずれにおいても、２０％以下であることが好ましく、より好ましくは１５％以下であり、さらに好ましくは１０％以下である。
透明導電膜の平均吸収率及び平均反射率が低いほど、上述の平均透過率が高まる。
【００６７】
上記平均透過率、平均吸収率、及び、平均反射率は、透明導電膜の使用環境下で測定した平均透過率、平均吸収率、及び、平均反射率であることが好ましい。具体的には、透明導電膜が有機樹脂と貼り合わせて使用される場合には、透明導電膜上に有機樹脂からなる層を配置して平均透過率及び平均反射率を測定することが好ましい。一方、透明導電膜が大気中で使用される場合には、大気中での平均透過率及び平均反射率を測定することが好ましい。透過率及び反射率は、透明導電膜の表面の法線に対して５°傾けた角度から測定光を入射させて分光光度計で測定する。吸収率は、［１００−（透過率＋反射率）］の計算式により算出される。
【００６８】
また、透明導電膜は、導通領域１６の反射率及び非導通領域１７の反射率がそれぞれ近似することが好ましい。具体的には、導通領域１６の視感反射率と、非導通領域１７の視感反射率との差ΔＲが５％以下であることが好ましく、３％以下であることがより好ましく、さらに好ましくは１％以下であり、特に好ましくは０．３％以下である。一方、導通領域１６及び非導通領域１７の視感反射率は、それぞれ５％以下であることが好ましく、より好ましくは３％以下であり、さらに好ましくは１％以下である。視感反射率は、分光光度計（Ｕ４１００；日立ハイテクノロジーズ社製）で測定されるＹ値である。
【００６９】
また、透明導電膜において、導通領域１６及び非導通領域１７は、いずれの領域においても、Ｌ＊ａ＊ｂ＊表色系におけるａ＊値及びｂ＊値は±３０以内であることが好ましく、より好ましくは±５以内であり、さらに好ましくは±３．０以内であり、特に好ましくは±２．０以内である。Ｌ＊ａ＊ｂ＊表色系におけるａ＊値及びｂ＊値が±３０以内であれば、導通領域１６及び非導通領域１７のいずれの領域も無色透明に観察される。Ｌ＊ａ＊ｂ＊表色系におけるａ＊値及びｂ＊値は、分光光度計で測定される。
【００７０】
透明導電膜の導通領域１６の表面電気抵抗は、５０Ω／ｓｑ．以下であることが好ましく、さらに好ましくは３０Ω／ｓｑ．以下である。導通領域１６の表面電気抵抗値が５０Ω／ｓｑ．以下である透明導電膜は、静電容量方式のタッチパネル用の透明導電パネル等に適用できる。導通領域１６の表面電気抵抗値は、金属層１３の厚さ等によって調整される。導通領域１６の表面電気抵抗値は、例えばＪＩＳ  Ｋ７１９４、ＡＳＴＭ  Ｄ２５７等に準拠して測定される。また、市販の表面電気抵抗率計によっても測定される。
【００７１】
〈２．透明導電膜（第２実施形態）〉
次に、第２実施形態の透明導電膜について説明する。図６に第２実施形態の透明導電膜の構成を示す。図６に示す第２実施形態の透明導電膜においても、多層膜２０の基本構成は、上述の第１実施形態の多層膜と同様である。図６に示す透明導電膜では、上述の図１に示す構成の透明導電膜において、第１屈折率調整層１２、金属層１３、及び、第２屈折率調整層１４の各層の上下、又は、各層間に、種々の層を有する構成である。このため、基材１１、第１屈折率調整層１２、金属層１３、及び、第２屈折率調整層１４の各構成は、上述の第１実施形態と同様の構成を適用することができる。
【００７２】
［透明導電膜の基本構成］
図６に示すように、透明導電膜は、第１屈折率調整層１２と、金属層１３と、第２屈折率調整層１４とをこの順で積層した多層膜２０を有し、この多層膜２０が基材１１上に設けられている。また、多層膜２０は、基材１１上に密着層２１が設けられ、この密着層２１上に第１屈折率調整層１２が形成されている。そして、第１屈折率調整層１２と金属層１３との層間に、第１硫化防止層２２が設けられている。さらに、金属層１３と第２屈折率調整層１４との層間に、バッファ層２３と第２硫化防止層２４とが、金属層１３側からこの順に積層形成されている。
【００７３】
透明導電膜は、所望のパターン形成により、密着層２１から第２屈折率調整層１４まで金属層１３が連続形成された導通領域１６と、多層膜２０が除去されて金属層１３が形成されてない非導通領域１７とが形成されている。
また、多層膜２０のパターン形成において、後述するウェットエッチング、又は、リフトオフ法を用いることにより、多層膜２０に、最下端面となる平坦面から最上端面へ向かって徐々に幅が狭くなる、所謂順テーパ状の断面が形成される。図６において、多層膜２０の積層方向の順テーパ状の部分を、テーパ部１８として示している。
【００７４】
多層膜２０において、テーパ部１８のテーパ角θは、上述の第１実施形態と同様に定義することができる。これは、多層膜２０の積層構成を、変更及び増減した場合においても同様とすることができる。なお、多層膜２０においてテーパ部を構成しない層がある場合、例えば、密着層２１が基材１１上の全面に形成され、パターンエッチングされていない構成である場合には、この層（例えば、密着層２１）はテーパ部１８を構成しない層であるため、上述のテーパ角を定義するための構成に含めなくてよい。
【００７５】
多層膜２０において、テーパ角θは、０．５°以上４５°以下であることが好ましい。テーパ角θが０．５°よりも小さいと、多層膜２０のパターンが広がりすぎて高精細化に不利となる。また、テーパ角θが４５°を超えると、多層膜２０の側壁面の角度が垂直に近くなり、多層膜２０のパターンを形成する際のパターンの端面の形状不良が発生しやすくなる。また、テーパ角θを上記範囲内とすることにより、多層膜２０のパターンの端面に発生する突起部１５の発生を抑制することができる。
【００７６】
以下、透明導電膜の各構成の詳細について説明する。なお、基材１１、第１屈折率調整層１２、金属層１３、及び、第２屈折率調整層１４の各構成は、上述の第１実施形態と同様の構成を適用できるため説明を省略する。
また、「透明」とは、ＪＩＳ  Ｋ  ７３６１−１：１９９７（プラスチック−透明材料の全光線透過率の試験方法）に準拠した方法で測定した可視光波長領域における全光線透過率が、７０％以上であることをいう。
主成分とは、その構成の中で占める割合が最も高い成分をいう。
【００７７】
［密着層］
透明導電膜には、基材１１と、この基材１１上に設けられる構成、例えば、第１屈折率調整層１２との密着改善性を向上させるために、密着層２１を形成することが好ましい。密着層２１は、密着層２１上に形成される層の密着性を向上させる特性を有するものであればよい。
【００７８】
図６に示す構成のように、密着層２１上に第１屈折率調整層１２が形成されている場合には、密着層２１は、上述の屈折率調整層や後述する硫化防止層で例示する誘電性材料、酸化物半導体材料、絶縁性又は導電性の材料を含有していることが好ましい。誘電性材料又は酸化物半導体材料は、無機酸化物、金属酸化物、金属硫化物又は金属窒化物であることが好ましい。中でも、密着層２１は、ＳｉＯ２、ＳｉＯ、亜鉛化合物を含有することがより好ましい。
【００７９】
特に、密着層２１上に設けられる層が蒸着法で形成される場合には、密着層２１を設けることが好ましい。これは、明確な作用機構は明らかになっていないが、蒸着法を用いると、スパッタ法を用いる場合に比べて成膜にかかるエネルギーが小さいため、密着性が各層の材質、例えば、基材１１を構成する材料と第１屈折率調整層１２を構成する材料との相性により強く影響を受けるためと考えられる。
【００８０】
密着層２１としては、具体的には、ＳｉＯ２膜や、スパッタ法で成膜したＺｎＯ膜、ＺｎＳ−ＳｉＯ２膜、ＧＺＯ膜等が挙げられる。
密着層２１の厚さは特に制限されず、好ましくは０．０１〜１５ｎｍの範囲内であり、より好ましくは０．１〜３ｎｍの範囲内である。
【００８１】
［硫化防止層（第１硫化防止層、第２硫化防止層）］
透明導電膜において、第１屈折率調整層１２又は第２屈折率調整層１４は、硫化亜鉛を含有することが好ましい。このため、例えば、第１屈折率調整層１２が硫化亜鉛を含有する層である場合、第１屈折率調整層１２と金属層１３との間に第１硫化防止層２２を形成することが好ましい。第１硫化防止層２２は、透明導電膜の非導通領域１７にも形成されていてもよいが、導通領域１６及び非導通領域１７からなるパターンを視認され難くするとの観点から、導通領域１６のみに形成されていることが好ましい。
【００８２】
また、第２屈折率調整層１４が、硫化亜鉛を含有する層である場合には、金属層１３と第２屈折率調整層１４との間に第２硫化防止層２４が形成された構成であることが好ましい。第２硫化防止層２４は、透明導電膜の非導通領域１７にも形成されていてもよいが、導通領域１６及び非導通領域１７からなるパターンを視認され難くするとの観点から、導通領域１６のみに形成されていることが好ましい。
【００８３】
第１硫化防止層２２、及び、第２硫化防止層２４は、第１屈折率調整層１２又は第２屈折率調整層１４を構成するＺｎＳの硫黄成分と、金属層１３の構成成分、具体的には銀との反応（硫化）を防止する。そして、金属層を構成する金属が硫化物（例えば、硫化銀）となることによる変色を防止し、高い透明性と、高温高湿環境下での耐湿性をより向上させることができる。さらに、第１硫化防止層２２、及び、第２硫化防止層２４を設け、金属層１３の硫化を防止することにより、吸収の増大を防ぐことができる。このため、第１硫化防止層２２、及び、第２硫化防止層２４を設けることにより、安定した色調を有する透明導電膜を得ることができる。
【００８４】
第１硫化防止層２２、及び、第２硫化防止層２４は、無機酸化物、金属酸化物、金属窒化物、金属フッ化物等、又は、Ｚｎを含む層として構成することができる。第１硫化防止層２２、及び、第２硫化防止層２４は、これらが１種のみ含まれてもよく、２種以上含まれてもよいが、亜鉛金属元素を含む化合物を含有することが好ましい。ただし、第１屈折率調整層１２と、第１硫化防止層２２と、金属層１３とが連続的に形成される場合には、硫黄と反応可能、又は、硫黄を吸着可能な化合物により第１硫化防止層２２が形成されていることが好ましい。金属酸化物が、硫黄と反応する化合物である場合、金属酸化物と硫黄との反応物は、可視光の透過性が高いことが好ましい。
【００８５】
第１硫化防止層２２、及び、第２硫化防止層２４に適用可能な無機酸化物、金属酸化物、金属窒化物、金属フッ化物としては、上記第１屈折率調整層１２、及び、第２屈折率調整層１４の説明において記載した、無機酸化物、金属酸化物、金属窒化物、及び、金属フッ化物と同様の化合物を挙げることができる。第１硫化防止層２２、及び、第２硫化防止層２４としては、特に、Ｚｎ、ＺｎＯ、ＩＺＯ（酸化インジウム・酸化亜鉛）、ＧＺＯ（ガリウムドープの酸化亜鉛）であることが好ましい。
【００８６】
ここで、第１硫化防止層２２の厚さは、金属層１３の形成時の衝撃から、第１屈折率調整層１２の表面を保護可能な厚さであることが好ましい。一方で、第１屈折率調整層１２に含まれ得る硫化亜鉛は、金属層１３に含まれる金属との親和性が高い。このため、第１硫化防止層２２の厚さが非常に薄く、第１屈折率調整層１２の一部が僅かでも露出していると、当該露出部分を中心に金属層１３が成長し、金属層１３が緻密になりやすい。好ましくは、第１硫化防止層２２を３ｎｍ以下にまで薄くすると、第１屈折率調整層１２が完全に覆われないため、第１屈折率調整層１２のＺｎＳと、金属層１３の層との相互作用が維持され、効果的に、銀の耐湿性を発現させることができる。つまり、第１硫化防止層２２は比較的薄いことが好ましく、０．１〜１５ｎｍの範囲内であることが好ましく、より好ましくは０．５〜１０ｎｍの範囲内であり、さらに好ましくは１〜５ｎｍの範囲内である。第１硫化防止層２２の厚さは、エリプソメーターを用いて測定することができる。
【００８７】
第２硫化防止層２４の厚さは、第２屈折率調整層１４の形成時の衝撃から、金属層１３の表面を保護可能な厚さであることが好ましい。一方で、金属層１３に含まれる金属と、第２屈折率調整層１４に含まれる硫化亜鉛は親和性が高いため、第２硫化防止層２４の厚さが非常に薄く、金属層１３の一部が僅かでも露出していると、金属層１３や第２硫化防止層２４と第２屈折率調整層１４との密着性が高まりやすい。従って、第２硫化防止層２４の具体的な厚さは０．１〜１０ｎｍであることが好ましく、より好ましくは０．５〜５ｎｍであり、さらに好ましくは１〜３ｎｍである。第２硫化防止層２４の厚さは、エリプソメーターで測定される。
【００８８】
第１硫化防止層２２、及び、第２硫化防止層２４は、真空蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法、プラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法等、一般的な気相形成法で形成することができるが、特に真空蒸着法を適用することが好ましい。
【００８９】
［バッファ層］
透明導電膜においては、金属層１３と第２屈折率調整層１４との間に、バッファ層２３を設けることが好ましい。金属層１３と第２屈折率調整層１４との間に、バッファ層２３を設けることにより、金属層１３への第２屈折率調整層１４の影響を低減でき、プラズモン吸収が起きにくくなり、より高い光透過性を得ることができる。
【００９０】
バッファ層２３を形成する材料としては、原子番号４０以下の金属からなる金属化合物を主成分としていることが好ましい。原子番号４０が超える重たい金属からなる化合物は、成膜時のエネルギーが高すぎ、金属層１３（例えば、銀層）にダメージを与える。この結果、金属層１３の連続膜性が壊れてプラズモン吸収が大きくなる。バッファ層２３を形成する主成分の材料が、原子番号４０以下の元素からなる金属化合物でできていれば、金属層１３へのダメージはない。中でも、バッファ層２３が、亜鉛成分を主成分として含有することが好ましい。
【００９１】
バッファ層２３の構成材料としては、例えば、Ｔｉ、Ｉｎ、Ｚｎ、Ｃｅ、Ｗ、Ｇａ、Ｓｎ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ａｌ、Ｂｉ、Ｇｅからなる群から選ばれる少なくとも１種の元素を含有する金属酸化物を挙げることができる。
【００９２】
金属酸化物の例には、ＴｉＯ２、ＩＴＯ（インジウム・スズ酸化物）、ＺｎＯ、Ｎｂ２Ｏ５、ＺｒＯ２、ＣｅＯ２、Ｔａ２Ｏ５、Ｔｉ３Ｏ５、Ｔｉ４Ｏ７、Ｔｉ２Ｏ３、ＴｉＯ、ＳｎＯ２、Ｌａ２Ｔｉ２Ｏ７、ＩＺＯ（インジウム・亜鉛酸化物）、ＡＺＯ（アルミニウム・亜鉛酸化物）、ＧＺＯ（ガリウム・亜鉛酸化物）、ＡＴＯ（アンチモン・スズ酸化物）、ＩＣＯ（インジウム・セリウム酸化物）、ＩＧＺＯ（インジウム・ガリウム・亜鉛酸化物）、Ｂｉ２Ｏ３、Ｇａ２Ｏ３、ＧｅＯ２、ＷＯ３、ＨｆＯ２、Ｉｎ２Ｏ３、ａ−ＧＩＯ（ガリウム・インジウム酸化物）等が挙げられる。これらの金属酸化物の中でも、原子番号４０以下の金属からなる金属化合物を含有することが好ましく、特に、亜鉛成分を含有することが好ましい。亜鉛成分としては、酸化亜鉛（ＺｎＯ）を主成分として含有することが好ましく、上記金属酸化物の中では、ＩＺＯ（インジウム・亜鉛酸化物）、ＡＺＯ（アルミニウム・亜鉛酸化物）、ＧＺＯ（ガリウム・亜鉛酸化物）、ＩＧＺＯ（インジウム・ガリウム・亜鉛酸化物）等がより好ましく、特に好ましくは、ＧＺＯ（ガリウム・亜鉛酸化物）とＩＧＺＯ（インジウム・ガリウム・亜鉛酸化物）である。また、ＺｎＯ・Ｉｎ２Ｏ３・Ｇａ２Ｏ３・ＧｅＯ２（例えば、Ｏ：Ｚｎ：Ｉｎ：Ｇａ：Ｇｅ＝４８：３４：３：１２：３（原子数比））から構成される金属化合物群も用いることができる。
【００９３】
バッファ層２３の厚さは、２〜１０ｎｍの範囲内であることが好ましい。２ｎｍ以上であれば、バッファ層２３上に形成する層（硫化防止層、屈折率調整層）の高パワー成膜時のボンバードから、金属層１３を保護することができる。また、バッファ層２３の厚さを１０ｎｍ以下にすれば、バッファ層２３を低パワーで形成しても透明導電膜の生産性を阻害しない。
【００９４】
バッファ層２３は、蒸着法又はスパッタ法により形成することが好ましい。バッファ層２３の形成に適用可能な蒸着法又はスパッタ法としては、上述の屈折率調整層の形成方法として記載した蒸着法及びスパッタ法を適用することができる。
【００９５】
バッファ層２３は、比較的低パワーの条件で形成することが好ましい。通常、屈折率調整層等を形成する際の電力密度（Ｗ／ｃｍ２）は９．０〜３０．０Ｗ／ｃｍ２であるが、バッファ層２３を形成する際の電力密度（Ｗ／ｃｍ２）は、１．０〜８．０Ｗ／ｃｍ２であることが好ましく、特に３．０Ｗ／ｃｍ２以下であることが好ましい。
【００９６】
バッファ層２３を高パワーの条件で形成すると、銀を主成分とする金属層１３の直上に成膜される場合に、バッファ層２３の形成の際に発生するプラズマによる金属層１３へのアタックや、成膜材料そのものの金属層１３へのボンバード（攻撃）や、酸素原子による金属層１３へのボンバードが発生し、金属層１３の表面を荒らしてしまう。この結果、荒らされた金属層１３の表面でプラズモン吸収が発生し、透過率を低下させてしまう。
【００９７】
しかし、バッファ層２３を形成する際の電力密度（Ｗ／ｃｍ２）を、３．０Ｗ／ｃｍ２以下とすることにより、ターゲット材（スパッタ源）からのＯ２の微量排出を抑制する観点や成膜材料の銀へのボンバードを抑制する観点から好ましい。また、バッファ層２３を形成する際の酸素導入を０とすることが好ましい。
【００９８】
このバッファ層２３は、透明導電膜の非導通領域１７も形成されていてもよいが、導通領域１６及び非導通領域１７からなるパターンの視認性向上の観点から、図６に例示するように、導通領域１６のみに形成されていることが好ましい。
【００９９】
[その他の構成層]
（腐食防止層）
第１屈折率調整層１２が硫黄を含まない構成の場合には、上述の第１硫化防止層２２に替えて、第１屈折率調整層１２と金属層１３との間に、腐食防止層（保護層）を設けることもできる。同様に、第２屈折率調整層１４が硫黄を含まない構成の場合には、上述の第２硫化防止層２４に替えて、第２屈折率調整層１４と金属層１３との間に、腐食防止層（保護層）を設けることもできる。
【０１００】
腐食防止層は、少なくとも硫黄原子を含有する腐食防止層を有することが、金属層１３、特に、銀又は銀を主成分とする合金よりなる銀薄膜層の腐食等を防止することができる点から好ましい。さらに、腐食防止層が硫黄原子を含有することにより、金属層１３の構成材料である銀と硫黄原子との親和性が強くなり、かつ、水の透過性を妨げるため、金属層１３を構成する銀の腐食が防止され、透明導電膜の耐湿性を向上させることができる。
【０１０１】
腐食防止層は、硫黄成分を０．１〜１０ａｔ％含むことが好ましく、さらに０．１〜５ａｔ％含むことが好ましい。腐食防止層が、当該範囲内で硫黄を含有することで、金属層１３の湿気による劣化を防ぐことができ、高い導電性と耐湿性とを両立させることが可能となる。更に、この層を設けることにより、銀と硫黄原子の親和性が強くなり、かつ水の透過性を妨げるため銀の腐食が防止され、透明導電体の耐湿性を向上させることができる。腐食防止層に含有される硫黄を１０ａｔ％以下とすることで、外部回路と銀との電気的な接続不良を抑制することができる。また、０．１ａｔ％以上とすることで、銀のマイグレーションを抑制することができる。
【０１０２】
腐食防止層に含有される硫黄原子としては、硫化亜鉛及び単体の硫黄に由来するものを用いることができるが、硫化亜鉛に由来するものであることが特に好ましい。硫化亜鉛に由来する硫黄が、腐食防止層中で安定して存在することができるため、硫黄の望まない場所への拡散反応を防ぎやすい。
【０１０３】
腐食防止層は、基材１１の屈折率より高い屈折率を有することが好ましい。腐食防止層には、基材１１の屈折率より高い屈折率を有する誘電性材料又は酸化物半導体材料が含まれることが好ましい。
【０１０４】
腐食防止層は、誘電性材料又は酸化物半導体材料を含有し、波長５７０ｎｍの光に対して、腐食防止層の屈折率が基材１１の屈折率よりも高いことが好ましい。
腐食防止層に含まれる材料の波長５７０ｎｍの光に対する屈折率は１．５より大きいことが好ましく、１．７〜２．５であることがより好ましく、更に好ましくは１．８〜２．５である。材料の屈折率が１．５より大きいと、腐食防止層によって、透明導電膜の導通領域１６の光学アドミッタンスが十分に調整される。なお、腐食防止層の屈折率は、腐食防止層に含まれる材料の屈折率や、腐食防止層に含まれる材料の密度で調整される。
【０１０５】
このような屈折率を透明導電膜が有することにより、金属層１３による反射を相殺することができる。具体的には、腐食防止層の屈折率が高いほど、腐食防止層の表面で発生する反射が高まり、金属層１３の反射光を相殺させることが可能になる。したがって、腐食防止層の屈折率は基材１１の屈折率より高いほど望ましい。
【０１０６】
腐食防止層は、更に、電気接続性を確保するために導電性を有する層であることが好ましい。良好な電気接続性を確保するためには、比抵抗が１０００Ω・ｃｍ以下の材料であることが好ましい。さらに好ましくは０．１Ω・ｃｍ以下であることが望ましい。このような構成とすることで、この腐食防止層を通して外側に設けられた端子と、金属層１３との電気接続性が得られ、金属層１３を通して通電できるので、透明導電体の導電性が格段に向上する。
【０１０７】
腐食防止層には、酸化物半導体材料が含まれることが好ましい。中でも金属酸化物が好ましい。金属酸化物としては、チタン（Ｔｉ）、インジウム（Ｉｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、セリウム（Ｃｅ）、タングステン（Ｗ）、ガリウム（Ｇａ）、スズ（Ｓｎ）、ハフニウム（Ｈｆ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、アルミニウム（Ａｌ）、ビスマス（Ｂｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）からなる群から選ばれる少なくとも１種の元素を含有する酸化物が好ましい。
【０１０８】
腐食防止層を構成する金属酸化物としては、ＴｉＯ２、ＩＴＯ（インジウム・スズ酸化物）、ＺｎＯ、Ｎｂ２Ｏ５、ＺｒＯ２、ＣｅＯ２、Ｔａ２Ｏ５、Ｔｉ３Ｏ５、Ｔｉ４Ｏ７、Ｔｉ２Ｏ３、ＴｉＯ、ＳｎＯ２、Ｌａ２Ｔｉ２Ｏ７、ＩＺＯ（インジウム・亜鉛酸化物）、ＡＺＯ（アルミニウム・亜鉛酸化物）、ＧＺＯ（ガリウム・亜鉛酸化物）、ＡＴＯ（アンチモン・スズ酸化物）、ＩＣＯ（インジウム・セリウム酸化物）、ＩＧＺＯ（インジウム・ガリウム・亜鉛酸化物）、Ｂｉ２Ｏ３、Ｇａ２Ｏ３、ＧｅＯ２、ＷＯ３、ＨｆＯ２、Ｉｎ２Ｏ３、ａ−ＧＩＯ（ガリウム・インジウム酸化物）等が挙げられる。腐食防止層は、当該金属酸化物が１種のみ含まれる層であってもよく、２種以上が含まれる層であってもよい。
【０１０９】
腐食防止層の厚さは、０．１〜４０ｎｍの範囲内であることが好ましく、より好ましくは０．５〜１０ｎｍの範囲内である。腐食防止層の厚さが０．１ｎｍ以上であると、腐食防止層によって、耐湿性が向上する。一方、腐食防止層の厚さが４０ｎｍ以下であれば、腐食防止層が含まれる領域の光透過性が低下しにくい。腐食防止層の厚さは、エリプソメーターで測定される。
【０１１０】
腐食防止層は、蒸着法又はスパッタ法により形成することが好ましい。腐食防止層の形成に適用可能な蒸着法としては、抵抗加熱蒸着法、電子線蒸着法、イオンプレーティング法、イオンビーム蒸着法等が含まれる。蒸着装置としては、例えば、シンクロン社製のＢＭＣ−８００Ｔ蒸着機等を用いることができる。スパッタ法としてはマグネトロンスパッタや対向スパッタが含まれる。
【０１１１】
〈３．透明導電膜の製造方法（第３実施形態：リフトオフ）〉
次に、上述の各実施形態において説明した、テーパ部を有する透明導電膜の製造方法について説明する。なお、以下の製造方法の説明では、上述の第２実施形態において説明した構成の透明導電膜の製造方法について説明するが、多層膜にテーパ状の断面を有する透明導電膜であれば、上述の第１実施形態の構成やその他の構成にも適用可能である。
【０１１２】
本実施形態の透明導電膜の製造方法では、フォトリソグラフィ法を用いて金属層を含む多層膜をパターン形成することにより、導通領域と非導通領域とを形成する。さらに、この多層膜のパターンを形成する際、多層膜に、最下端面となる平坦面から最上端面へ向かって徐々に多層膜の幅が狭くなる、所謂順テーパ状の断面（テーパ部）を形成する。このようなテーパ状の断面を多層膜に形成することが可能な製造方法としては、リフトオフ法と、後述するウェットエッチングによる方法とが挙げられる。
【０１１３】
以下、透明導電膜の製造方法の第１の方法として、リフトオフ法を用いる透明導電膜の製造方法について説明する。図７〜１１に、リフトオフ法を用いる透明導電膜の製造方法を説明するための図を示す。図７、図８及び図１１は、透明導電膜を製造するための工程図であり、図９及び図１０は、透明導電膜の製造する際に用いる蒸着装置の概略構成を示す図である。
【０１１４】
［リフトオフ］
（レジストパターン形成）
まず、図７に示すように、基材１１上に、逆テーパ状の断面を有するレジストパターン３１を形成する。レジストパターン３１は、例えば、基材１１上に、フォトレジストを塗工した後、所定のパターンのフォトマスクを用いてパターン露光し、露光部又は非露光部を現像することにより作製する。
【０１１５】
フォトレジストの塗工は、フォトレジストに溶媒を加えた塗工溶液を用いて、スプレーコート法、スピンコート法、ブレードコート法、デイップコート法、キャスト法、ロールコート法、バーコート法、ダイコート法等により行なう。さらに、フォトレジストの塗工膜を形成した後、塗工膜から溶媒を除去するために乾燥させる。
【０１１６】
フォトレジストの塗工膜の厚さは特に制限がないが、パターン形成後のレジストパターン３１の厚さが少なくとも多層膜よりも厚くなるように、フォトレジストの塗工膜を形成する必要がある。フォトレジストの塗工厚さは、レジストパターン３１の厚さが１０ｎｍ以上３０μｍ以下となるように形成することが好ましい。特に、１５ｎｍ以上１０μｍ以下となるように形成することが好ましい。スピンコート法を用いる場合には、１００ｎｍ以上となるように形成することが好ましく、５００ｎｍ以上となるように形成することがさらに好ましい。また、３μｍ以下となるように形成することが好ましく、１μｍ以下となるように形成することがさらに好ましい。
【０１１７】
塗工に用いるフォトレジストとしては、ポジ型フォトレジスト又はネガ型フォトレジストを用いる。ポジ型フォトレジスト、ネガ型フォトレジストとしては、公知の材料を用いることができる。例えば、ネガ型フォトレジストとしては、日本ゼオン社製のＺＰＮ−１１５０−９０を用いることができる。また、ポジ型フォトレジストとしては、東京応化工業社製のＯＦＰＲ−８００ＬＢを用いることができる。
また、基材１１上にフォトレジストを形成する別の方法としては、別途、フォトレジストを転写用基材表面に形成したフォトレジスト形成用積層体を準備しておき、この積層体のフォトレジスト層を、基材１１に転写する方法が挙げられる。このような積層体としては、市販のドライフィルムレジストを使用することができる。
【０１１８】
フォトレジストの塗工溶液を形成する溶媒としては、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、メチルセロソルブ、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブ、エチルセロソルブアセテート、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、ジオキサン、アセトン、シクロヘキサノン、トリクロロエチレン、メチルエチルケトン等が挙げられる。これら溶媒は、単独であるいは２種以上混合して使用する。
【０１１９】
特に、レジスト層の形成には、アルカリ可溶性のポジ型フォトレジストを用いることが好ましい。アルカリ可溶性のポジ型フォトレジストとしては従来公知の材料を用いることができる。
例えば、アルカリ可溶性のポジ型フォトレジストとしては、クレゾールノボラック樹脂のようなフェノール性水酸基を有する芳香族化合物とホルムアルデヒドとの縮合物、分子（好ましくは、アクリル系共重合体を主鎖とする分子）中に少なくとも１つのアルカリ可溶性を促進する基（例えば、カルボキシル基、リン酸基、スルホン酸基など）を有するアルカリ可溶性の有機高分子重合体を含む構成が挙げられる。なかでも、側鎖にカルボン酸を有する有機高分子重合体を含むことが好ましい。
【０１２０】
また、アルカリ可溶性の有機高分子重合体としては、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート／ポリスチレンマクロモノマー／ベンジルメタクリレート／メタクリル酸共重合体、２−ヒドロキシ−３−フェノキシプロピルアクリレート／ポリメチルメタクリレートマクロモノマー／ベンジルメタクリレート／メタクリル酸共重合体、２−ヒドロキシエチルメタクリレート／ポリスチレンマクロモノマー／メチルメタクリレート／メタクリル酸共重合体、２−ヒドロキシエチルメタクリレート／ポリスチレンマクロモノマー／ベンジルメタクレート／メタクリル酸共重合体や、特開平７−１４０６５４号公報に記載のメタクリル酸の共重合体が挙げられる。
【０１２１】
パターン露光は、所望のパターンを有するマスクを通して行う面露光が、パターン露光に要する時間が短いため好ましい。この場合、レンズを用いた屈折式露光でも反射鏡を用いた反射式露光でもよく、コンタクト露光、プロキシミティー露光、縮小投影露光、反射投影露光などの露光方式を用いることができる。更に、例えばレーザ光を走査して、所望の領域のみレーザ光を照射する方法であってもよい。
パターン露光に使用される光源としては、フォトレジストに含まれる感光性樹脂組成物が有する分光感度特性に合わせて適切な波長を有するものが選択される。一般的にはｇ線、ｈ線、ｉ線、ｊ線等の紫外線を含むものが好ましく用いられる。また、青色ＬＥＤを用いてもよい。
また、パターンの大きさとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、ナノサイズからミリサイズのいずれの大きさであっても構わない。
【０１２２】
パターン露光されたフォトレジストの塗工膜は、現像され、パターン露光時の露光領域（フォトレジストがポジ型の場合）、又は、非露光領域（フォトレジストがネガ型の場合）に相当するフォトレジスト塗工膜が除去され、パターン露光時のパターンに応じたレジストパターン３１が基材１１上に形成される。
現像は、一般的には現像液に浸漬するか、または、現像液をシャワーして行われる。現像液は、フォトレジストに含まれる感光性樹脂組成物の種類に応じて使用する。
【０１２３】
現像液としては、水系アルカリ現像液が好適である。水系アルカリ現像液としては、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、メタケイ酸ナトリウム、メタケイ酸カリウム、第二リン酸ナトリウム、第三リン酸ナトリウム等のアルカリ金属塩の水溶液や、アンモニア、エチルアミン、ｎ−プロピルアミン、ジエチルアミン、ジ−ｎ−プロピルアミン、トリエチルアミン、メチルジエチルアミン、ジメチルエタノールアミン、トリエタノールアミン、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、コリン、ピロール、ピペリジン、１，８−ジアザビシクロ−［５，４，０］−７−ウンデセン、１，５−ジアザビシクロ−［４，３，０］−５−ノナン等のアルカリ性化合物を溶解した水溶液を挙げることができる。アルカリ性化合物のアルカリ現像液中における濃度は、通常１質量％〜１０質量％、好ましくは２質量％〜５質量％である。
また、現像液として、アニオン性界面活性剤、両性界面活性剤やアルコール等の有機溶剤を加えることができる。有機溶剤としては、プロピレングリコール、エチレングリコールモノフェニルエーテル、ベンジルアルコール、ｎ−プロピルアルコール等を用いることができる。
【０１２４】
形成するレジストパターン３１は、図７に示すように、基材１１に接する面（底面）の面積が基材１１と反対側の面（上面）よりも小さい逆テーパ状の断面を有する形状に形成する。レジストパターン３１は、基材１１に接する面（底面）に対する側壁の角度（図７におけるθ）が１００°以上であることが好ましい。また、レジストパターン３１は、基材１１に接する面（底面）に対する側壁の角度（図７におけるθ）が１３５°以下であることが好ましい。
【０１２５】
図７に示すように、基材１１に接する面（底面）面積が基材１１の反対側の面（上面）よりも小さいテーパ状のレジストパターン３１を容易に形成するためには、フォトレジストとしてポジ型フォトレジストを用いることが好ましい。
通常、遮光マスクを用いて露光する場合には、露光マスクの開口部を通過した光が、フォトレジストの塗工膜で拡散しながら透過していく。このため、塗工膜の上面側（遮光マスク側）よりも、底面側（基板側）で露光される面積が大きくなる。
このため、ポジ型フォトレジストを用いた場合には、露光されて現像時に除去される部分が、フォトレジストの塗工膜の上面側よりも底面側で大きくなり、図７に示すように、底面側の面積が小さく上面側の面積が大きい逆テーパ状の断面を有する形状にレジストパターン３１を容易に形成することができる。
【０１２６】
一方、ネガ型フォトレジストを用いた場合には、フォトレジストの塗工膜に吸収され、減衰しながら透過させることにより、基材１１側ほど露光光の強度を低下させ、図７に示すように、底面側の面積が小さく上面側の面積が大きいテーパ状のレジストパターン３１を容易に形成することができる。ネガ型フォトレジストを用いた場合は、フォトレジストの塗工膜での光の吸収や拡散等を利用して、逆テーパ状のレジストパターン３１となるようにフォトレジストの材料、塗工条件、及び、露光条件等を調整することが好ましい。
【０１２７】
（多層膜形成）
次に、図８に示すように、レジストパターン３１上、及び、レジストパターン３１間に露出する基材１１上に、多層膜２０を形成する。
多層膜２０の形成では、レジストパターン３１の段差によって面方向の連続性が妨げられる。このため、多層膜２０がレジストパターン３１のパターンに沿って分離される。また、このとき、レジストパターン３１の側壁の角度が１００°以上であり、且つ、異方性の高い成膜を行なうことにより、基材１１上に形成する多層膜２０に、下端面から上端面へ向かって徐々に幅が狭くなる、順テーパ状の断面を形成することができる。
【０１２８】
多層膜２０は、上述の透明導電膜の実施形態において説明した各構成の形成方法を適用することにより作製することができる。特に、リフトオフ法を用いて多層膜２０を作製する場合には、異方性の高い成膜が可能な気相成膜法、及び、異方性の高い成膜条件を用いて形成することが好ましい。リフトオフ法に好適な異方性の高い成膜方法としては公知の気相成膜法を用いることができ、例えば、真空蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法、プラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法等を用いることができる。
【０１２９】
順テーパ状の断面が容易に形成することができることから、図９に示すような、成膜時に斜め入射成分を有する蒸着装置が好ましい。図９は、ロールツーロール方式の蒸着装置において、蒸着する材料による蒸着源３３と基材１１のみを示している。また、基材１１上に蒸着範囲３４を示し、基材１１の搬送方向を矢印で示している。
【０１３０】
また、図９に示す蒸着装置において、蒸着範囲３４の基材１１の搬入方向（上流側）の拡大図を図１０に示す。図１０には、蒸着源３３、蒸着源３３、基材１１、及び、基材１１上に形成されたレジストパターン３１と多層膜２０のみを示している。
【０１３１】
図１０に示すように、ロールツーロール方式の蒸着装置では、基材１１の搬入方向（上流側）において、蒸着源３３から基材１１に対して、斜め入射成分を有する。特に、基材１１の表面に対する入射角度が１０°〜６０°の斜め入射成分を有することが好ましい。また、図示していないが、基材１１の搬出方向（下流側）においても同様に、蒸着源３３から基材１１に対して、斜め入射成分を有する。
【０１３２】
このように、基材１１に対して斜め入射成分を有する成膜方法では、この斜め入射成分が、レジストパターン３１の迫り出したテーパ部の下方の領域にも侵入する。このため、異方性の高い成膜方法を用いた場合にも、レジストパターン３１のテーパ部の下方に多層膜２０を成膜することができる。
【０１３３】
また、異方性の高い成膜方法では、入射方向に沿って膜が積み上げられるため、斜め入射成分による成膜では、順テーパ状の断面を有する形状が形成しやすい。さらに、基材１１に対して垂直方向に入射する成分は、レジストパターン３１の迫り出したテーパ部に阻まれ、レジストパターン３１のテーパ部の下方には侵入しにくい。このため、斜め入射成分によって形成された順テーパ状の断面形状が、垂直入射成分による影響を受けず、そのままの順テーパ状の断面形状が維持される。
【０１３４】
（レジストパターン剥離）
次に、図１１に示すように、レジストパターン３１を剥離する。このとき、レジストパターン３１上に形成された多層膜２０も同時に除去する。レジストパターン３１の除去には、レジストパターン３１の組成に対応したレジスト剥離液、例えば、有機アルカリ又はアルカリ金属炭酸塩を含む水溶液等を用いる。
【０１３５】
レジスト剥離液として、有機アルカリ又はアルカリ金属炭酸塩を含む水溶液を使用することにより、レジストパターン３１の除去が効果的に行われる。上記の有機アルカリとしては、水酸化第４級アンモニウム化合物が好ましく、具体的にはテトラメチルアンモニウムヒドロキシド、トリメチル（２−ヒドロキシエチル）アンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、テトラプロピルアンモニウムヒドロキシド、メチルトリプロピルアンモニウムヒドロキシド、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド、メチルトリブチルアンモニウムヒドロキシド、セチルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、ヘキサン−１，６−ビストリブチルアンモニウムヒドロキシド等が挙げられる。レジスト剥離液における有機アルカリの濃度は、好ましくは０．０１Ｎ以上１０Ｎ以下、特に好ましくは０．０５Ｎ以上５Ｎ以下である。
【０１３６】
上記のアルカリ金属炭酸塩の具体例としては、炭酸ナトリウムまたは炭酸カリウムが挙げられ、緩衝剤として炭酸水素ナトリウム、または炭酸水素カリウムを併用することも好ましい。レジスト剥離液におけるアルカリ金属炭酸塩の濃度は、好ましくは０．０１Ｎ以上１０Ｎ以下、特に好ましくは０．０５Ｎ以上５Ｎ以下である。
【０１３７】
レジスト剥離液には、レジストパターン３１への浸透性、濡れ性を向上させるため、湿潤剤又は界面活性剤を含有させておくことが好ましい。このような湿潤剤又は界面活性剤には、ポリエチレングリコール、グリセリンのような多価アルコール、アニオン性界面活性剤、両性界面活性剤が含まれる。湿潤剤又は界面活性剤は、レジスト剥離液中に０．０１質量％以上３０質量％以下の範囲で含有させておくことが上記のような効果が明確に現れるので好ましい。
【０１３８】
レジスト剥離液によるレジストパターン３１の除去は、レジスト剥離液への浸漬、又は、レジスト剥離液のシャワーにより行なうことが好ましく、シャワーにより行うことがより好ましい。その際、レジストパターン３１を、例えばブラシ、綿又は布で擦って、剥離を促進させることも場合によっては有効である。
【０１３９】
レジスト剥離液の温度は、１５℃以上５０℃以下の範囲が好ましく、２０℃以上、４０℃以内がより好ましい。更に、レジスト剥離液をレジストパターン３１に作用させる時間は、１０秒間以上５分間以下の範囲が好ましく、２０秒以上、２分間以内がより好ましい。このようにしてレジストパターン３１を剥離した後、必要に応じて水洗し、残存するレジスト剥離液を洗浄、除去する。
【０１４０】
なお、レジストパターン３１としてポジ型のフォトレジストを用いる場合には、レジストパターン３１の剥離工程に先立って、レジストパターン３１に露光処理を行なうことが好ましい。これにより、レジストパターン３１のレジスト剥離液への溶解性が高くなり、剥離が容易となる。
【０１４１】
以上の工程により、図６に示す構成の透明導電膜を製造することができる。上記リフトオフ法を用いた透明導電膜の製造方法では、レーザの吸収帯を有さず、レーザエッチングに不向きなＺｎＳを含む多層膜のパターン形成を、容易に行なうことができる。さらに、多層膜の端面を、容易に順テーパ状の断面に形成することができる。従って、多層膜のパターン端面による光学的な特性の低下を抑制し、透明導電膜の光学的な特性の向上、電子機器に適用した際の視覚的な不良の発生を抑制することができる。
【０１４２】
〈４．透明導電膜の製造方法（第４実施形態：ウェトエッチング）〉
次に、上述の各実施形態において説明した、テーパ部を有する透明導電膜の製造方法の第２の方法として、ウェットエッチングを用いる透明導電膜の製造方法について説明する。図１２〜１５に、ウェットエッチングを用いる透明導電膜の製造方法を説明するための工程図を示す。なお、以下の製造方法の説明では、上述の第２実施形態において説明した構成の透明導電膜から、一部の構成を変更した透明導電膜の製造方法について説明するが、多層膜にテーパ状の断面を有する透明導電膜であれば、上述の第１実施形態の構成やその他の構成にも適用可能である。
【０１４３】
［ウェットエッチング］
（多層膜形成）
まず、図１２に示すように、基材１１上に多層膜２０を形成する。ウェットエッチングを用いた透明導電膜の製造方法では、多層膜２０は基材１１上の全面に形成する。また、ウェットエッチングを用いた透明導電膜の製造方法では、多層膜２０の形成方法は特に問わず、上述の透明導電膜の実施形態において説明した各構成の形成方法を適用することにより作製することができる。好ましくは、ウェットエッチングにおいて剥離が容易、且つ、エッチング量の調整が容易となるように、多層膜を蒸着法で形成することが好ましい。スパッタ法で形成した膜は密度が高く、ウェットエッチングによる除去が難しく、また、エッチング量の調整が難しい。これに対し、蒸着法で形成した膜は、スパッタ法で形成した膜は密度が高くないため、ウェットエッチングによる剥離が容易であり、また、エッチング量の調整が容易となる。
【０１４４】
（レジストパターン形成）
次に、図１３に示すように、多層膜２０上にレジストパターン３２を形成する。レジストパターン３２の形成は、上述のリフトオフ法を用いた透明導電膜の製造方法におけるレジストパターンの形成と同様に行なうことができる。また、レジストパターン３２は、リフトオフ法を用いた透明導電膜の製造方法と同様に、逆テーパ状の断面を有する形状でもよく、また、図１３に示すようにテーパ状の断面を有さない形状であってもよい。
【０１４５】
（ウェットエッチング）
次に、多層膜２０のウェットエッチングを行なうことにより、図１４に示すように、基材１１上の多層膜１０に、下端面から上端面へ向かって徐々に幅が狭くなる、順テーパ状の断面を形成することができる。
ウェットエッチングにおいて、順テーパ状の断面を有する多層膜２０のテーパ角を、所定の角度に調整するためには、硝酸、リン酸、及び、シュウ酸から選ばれる少なくとも１種を含むエッチング液を用いて、エッチング量を調整する必要がある。また、好ましくは、硝酸、リン酸、及び、シュウ酸を含み、それぞれ所定の濃度に調整された組成のエッチング液を用いることが好ましい。エッチング液は、硝酸の濃度が、０．３質量％以上５質量％以下、リン酸の濃度が、７５質量％以上８５質量％以下、シュウ酸の濃度が、０．１質量％以上５質量％以下で構成されることが好ましい。
また、エッチング液は、硝酸、リン酸、シュウ酸以外にも、必要に応じて各種の添加物を含んでいてもよい。
【０１４６】
ウェットエッチングを用いることにより、多層膜２０にサイドエッチングが発生する。特に、レジストパターン３２の直下側でサイドエッチング量が大きく、基材１１側でサイドエッチング量が小さい。このため、多層膜２０を、下端面から上端面へ向かって徐々に幅が狭くなる、順テーパ状の断面を有する形状に形成することができる。
【０１４７】
多層膜２０のサイドエッチング量は、エッチング液の組成、エッチング時間、温度等の条件により調整することができる。また、多層膜２０の各層の組成によってもサイドエッチング量は影響を受けるため、多層膜２０の構成に応じてエッチング液の組成、エッチング条件等を調整する必要がある。
多層膜２０の構成、及び、エッチング液の組成、エッチング条件を適宜調整することにより、所望のテーパ角を有する多層膜２０を形成することができる。
【０１４８】
なお、多層膜２０が、上記ウェットエッチングに用いるエッチング液に耐性を有する層を有する場合、例えば、密着層２１がＳｉＯ２等からなる場合には、図１４に示すように、基材１１上にエッチング液に耐性を有する層（例えば、密着層２１）が残存する。この様に、ウェットエッチング後に基材１１上に残存する層を有する場合においても、この残存する層よりも上層の多層膜２０が良好なテーパ状の断面形状を有していれば、透明導電膜を形成することができる。多層膜２０においてテーパ部を構成しない層、例えば、図１４に示す密着層２１が存在する場合には、この層はテーパ部１８を構成しない層であるため、多層膜２０のテーパ角を定義するための構成に含めなくてよい。
【０１４９】
（レジストパターン剥離）
次に、図１５に示すように、レジストパターン３２を剥離する。レジストパターン３２の剥離は、上述のリフトオフ法を用いた透明導電膜の製造方法におけるレジストパターンの剥離と同様に行なうことができる。
【０１５０】
以上の工程により、透明導電膜を製造することができる。上記ウェットエッチングを用いた透明導電膜の製造方法では、レーザの吸収帯を有さず、レーザエッチングに不向きなＺｎＳを含む多層膜のパターン形成を、容易に行なうことができる。さらに、エッチング条件の変更により、多層膜の端面を所望の順テーパ状の断面に容易に形成することができる。従って、多層膜のパターン端面による光学的な特性の低下を抑制し、透明導電膜の光学的な特性の向上、電子機器に適用した際の視覚的な不良の発生を抑制することができる。
【０１５１】
〈５．電子機器〉
［透明導電膜の適用分野］
上記構成からなる透明導電膜は、液晶方式、プラズマ方式、有機エレクトロルミネッセンス方式、フィールドエミッション方式など各種ディスプレイをはじめ、タッチパネルや携帯電話、電子ペーパー、各種太陽電池、各種エレクトロルミネッセンス調光素子など様々な電子デバイス、オプトエレクトロニクスデバイスの基板等に好ましく適用することができる。
【０１５２】
透明導電膜を各種電子デバイスに適用する場合、透明導電膜の表面、例えば、透明導電膜が透明基板上に設けられている場合には、この透明基板の裏面側（透明導電膜が形成されていない側）の面、或いは、透明基板を備えていない場合には、第１屈折率調整層の露出面が、接着層等を介して他の部材と貼り合わせられてもよい。
この場合には、上述のように、接着層のアドミッタンス座標と、接着層により貼り合わされる透明導電膜側の表面の等価アドミッタンス座標とが、それぞれ近似することが好ましい。これにより、透明導電膜と接着層との界面での反射が抑制される。
一方、透明導電膜の表面が空気と接するような構成で使用される場合には、空気のアドミッタンス座標と、透明導電膜の表面のアドミッタンス座標とが、それぞれ近似することが好ましい。これにより、透明導電膜と空気との界面での光の反射が抑制される。
【０１５３】
以下、上述の各実施形態の透明導電膜が適用される電子デバイスの一例として、透明導電膜をタッチパネルに適用した例について説明する。図１６に、電極パターンを有する透明導電膜を具備したタッチパネルの構成の一例を示す。
【０１５４】
図１６に示すタッチパネル４０は、投影型静電容量式のタッチパネルである。このタッチパネル４０は、第１透明基板４１の一主面上に、パターン形成された第１透明導電膜４３、及び、第２透明基板４２の一主面上に、パターン形成された第２透明導電膜４４がこの順に配置されている。そして、第２透明基板４２及び第２透明導電膜４４の上部が前面板４５で覆われている。
第１透明導電膜４３、及び、第２透明導電膜４４には、上述の第１実施形態及び第２実施形態に示す、導通領域と非導通領域とにより所望の金属層のパターンを有する各透明導電膜を適用することができる。
このように、透明基板を介して所望のパターンに形成された透明導電膜を積層することにより、タッチパネルを構成することができる。
【実施例】
【０１５５】
以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、実施例において「％」の表示を用いるが、特に断りがない限り「質量％」を表す。
【０１５６】
〈透明導電膜の作製〉
試料１０１〜１２６、試料２０１〜２２６、及び、試料３０１〜３０３の各透明導電膜を作製した。以下に、試料１０１〜１２６、試料２０１〜２２６、及び、試料３０１〜３０３の各透明導電膜体の構成、及び、作製手順を示す。
また、各試料の透明導電膜の作製に使用した構成材料の詳細を以下に示す。
各層の厚さは、スパッタ時間又は蒸着時間を調整することで調節した。各層の厚さは、Ｊ．Ａ．Ｗｏｏｌｌａｍ  Ｃｏ．Ｉｎｃ．製のＶＢ−２５０型ＶＡＳＥエリプソメーターで測定した。
【０１５７】
［基材］
・ＰＥＴ／ＣＨＣ；  株式会社きもと製クリアハードコート付きポリエチレンテレフタレートフィルム（Ｇ１ＳＢＦ  「ＰＥＴ／ＣＨＣ」）、厚さ：１２５μｍ、屈折率：１．５９
【０１５８】
［屈折率調整層］
・ＺｎＳ；  ＺｎＳ−ＤＣ６（ＪＸ日鉱日石金属社製）、Ｏ：Ｓ：Ｚｎ：Ｇａ＝２８．５：１６：５０．８：４．１（ａｔ％）
・ＺｎＳ：Ｍｎ；  Ｍｎ：Ｏ：Ｓ：Ｚｎ＝０．５：３．４：４０．０：５３．１（ａｔ％）
・ＺｎＳＳｉＯ２；  ＺｎＳ：ＳｉＯ２＝８０：２０（質量％比）
・ＧＺＯ；  ＺｎＯにＧａ２Ｏ３が５．７質量％混ざったもの
・ＩＴＯ；Ｉｎ２Ｏ３：ＳｎＯ２＝９０：１０（質量％比）
・ＮＳ−１Ｐ；  Ｏ：Ｚｎ：Ｉｎ：Ｓｎ＝４８：３２：１６：４（ａｔ％）
・ＩＧＺＯ；  Ｉｎ２Ｏ３・Ｇａ２Ｏ３・ＺｎＯ、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ：Ｏ＝１：１：１：４（ａｔ％比）
・ＳＧＺＯ；  Ｏ：Ｓ：Ｚｎ：Ｇａ＝４８．４：０．８：４５．２：５．６
・ＺｎＳ化合物１、ＺｎＳ化合物２の構成及び原子数比率（ａｔ％）は下記表１に示す。
【０１５９】
【表１】
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【０１６０】
［試料１０１の透明導電膜の作製］
基材として、株式会社きもと製クリアハードコート付きポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ／ＣＨＣ）フィルム（Ｇ１ＳＢＦ、厚さ１２５μｍ、屈折率１．５９）上に、下記の方法によりリフトオフ法を用いて多層膜のパターンを形成し、［密着層（ＳｉＯ２）／第１屈折率調整層（ＺｎＳ）／第１硫化防止層（ＺｎＯ）／金属層（Ａｇ）／第２硫化防止層（ＺｎＯ）／第２屈折率調整層（ＺｎＳ）］の構造の試料１０１の透明導電膜を作製した。
【０１６１】
（レジストパターン）
まず、基材表面に超音波洗浄処理を施した。超音波洗浄処理は、花王ケミカル社製の洗剤クリンスルー  ＫＳ−３０３０を用いて超音波洗浄と純水による水洗いを数回行った後、スピンコーターで水を飛ばし、オーブンで乾燥させた。
次に、基材上に、感光性樹脂組成物から構成されるレジストの塗工溶液を均一に塗設した。感光性樹脂組成物としては、東京応化工業社製のポジ型フォトレジストＯＦＰＲ−８００ＬＢを用いた。レジストの塗設は、上記レジストの塗工溶液をディップコーティング法によって基材上に塗布した。そして、ホットプレートを用いて、１１０℃の温度で１０分間プリベークを行い、レジスト層を形成した。
【０１６２】
次に、露光工程で、所定のパターンに作製したマスクを介して、ステッパーを用いて、１０００Ｊ／ｍ２程度（波長３６５ｎｍ露光量換算）の光を、レジスト層に照射した。そして、露光済みのレジスト層を、現像液に浸漬して、光照射した領域のレジスト層を溶解し、レジストパターンを形成した。現像処理は、現像液としてトクヤマ社製のポジ型フォトレジスト用現像液「トクソーＳＤ」を用い、現像液に５秒〜１０分間浸漬して行なった。さらに、現像処理後、水でリンスし、１５０℃で乾燥ベークを行った。
【０１６３】
（密着層；ＳｉＯ２）
次に、形成したレジストパターン上から密着層を形成した。
真空蒸着装置として、シンクロン社製のＢＭＣ−８００Ｔ蒸着装置を用い、真空槽を１×１０−４Ｐａまで減圧した後、酸素ガスを導入しガス圧を１×１０−３Ｐａに調整した。モリブデン製抵抗加熱ボートにＳｉＯを入れ、抵抗加熱ボートの通電加熱条件を調整して、形成速度０．２ｎｍ／秒の条件で蒸着して、厚さ１ｎｍのＳｉＯ２からなる密着層を形成した。
【０１６４】
（第１屈折率調整層；ＺｎＳ）
真空蒸着装置として、シンクロン社製のＢＭＣ−８００Ｔ蒸着装置を用い、モリブデン製抵抗加熱ボートにＺｎＳを装填した。そして、真空槽を１×１０−４Ｐａまで減圧した後、抵抗加熱ボートに通電加熱し、抵抗加熱ボートの通電加熱条件を調整して、形成速度２．０ｎｍ／秒の条件で蒸着して、厚さ３８ｎｍの第１高屈折率層を形成した。
【０１６５】
（第１硫化防止層；ＺｎＯ）
真空蒸着装置として、シンクロン社製のＢＭＣ−８００Ｔ蒸着装置を用い、モリブデン製抵抗加熱ボートにＺｎＯを装填した。そして、真空槽を１×１０−４Ｐａまで減圧した後、抵抗加熱ボートに通電加熱し、抵抗加熱ボートの通電加熱条件を調整して、形成速度２．０ｎｍ／秒の条件で蒸着して、厚さ１ｎｍの第１硫化防止層を形成した。
【０１６６】
（金属層；Ａｇ）
真空蒸着装置として、シンクロン社製のＢＭＣ−８００Ｔ蒸着装置を用い、モリブデン製抵抗加熱ボートにＡｇを装填した。そして、真空槽を１×１０−４Ｐａまで減圧した後、抵抗加熱ボートに通電加熱し、抵抗加熱ボートの通電加熱条件を調整して、形成速度２．０ｎｍ／秒の条件で蒸着して、厚さ８．０ｎｍの金属層を形成した。
【０１６７】
（第２硫化防止層；ＺｎＯ）
真空蒸着装置として、シンクロン社製のＢＭＣ−８００Ｔ蒸着装置を用い、モリブデン製抵抗加熱ボートにＺｎＯを装填した。そして、真空槽を１×１０−４Ｐａまで減圧した後、抵抗加熱ボートに通電加熱し、抵抗加熱ボートの通電加熱条件を調整して、形成速度２．０ｎｍ／秒の条件で蒸着して、厚さ１ｎｍの第２硫化防止層を形成した。
【０１６８】
（第２屈折率調整層；ＺｎＳ）
真空蒸着装置として、シンクロン社製のＢＭＣ−８００Ｔ蒸着装置を用い、モリブデン製抵抗加熱ボートにＺｎＳを装填した。そして、真空槽を１×１０−４Ｐａまで減圧した後、抵抗加熱ボートに通電加熱し、抵抗加熱ボートの通電加熱条件を調整して、形成速度２．０ｎｍ／秒の条件で蒸着して、厚さ３６ｎｍの第２高屈折率層を形成した。
【０１６９】
（レジスト層剥離）
第２屈折率調整層まで形成した後、レジストパターンを剥離して透明導電膜を作製した。
レジスト膜剥離液としてナガセケムテックス社製のＮ−３００等を用いて、第２屈折率調整層まで形成した透明導電膜をレジスト膜剥離液に浸漬し、レジストパターンと、レジスト層上に形成された多層膜とを共に除去した。
以上の工程により、電極パターンを有する試料１０１の透明導電膜を作製した。
【０１７０】
［試料１０２の透明導電膜の作製］
第１硫化防止層を作製しなかったことを除き、上記試料１０１と同様の方法で試料１０２の透明導電膜を作製した。
【０１７１】
［試料１０３の透明導電膜の作製］
上記試料１０２の透明導電膜の作製において、第２硫化防止層をＧＺＯで作製した以外は、上記試料１０２と同様の方法で試料１０３の透明導電膜を作製した。
（第２硫化防止層；ＧＺＯ）
真空蒸着装置として、シンクロン社製のＢＭＣ−８００Ｔ蒸着装置を用い、モリブデン製抵抗加熱ボートにＧＺＯを装填した。そして、真空槽を１×１０−４Ｐａまで減圧した後、抵抗加熱ボートに通電加熱し、抵抗加熱ボートの通電加熱条件を調整して、形成速度２．０ｎｍ／秒の条件で蒸着して、厚さ１ｎｍの第２硫化防止層を形成した。
【０１７２】
［試料１０４の透明導電膜の作製］
上記試料１０２の透明導電膜の作製において、第２硫化防止層を厚さ０．５ｎｍのＺｎで作製した以外は、上記試料１０２と同様の方法で試料１０４の透明導電膜を作製した。
（第２硫化防止層；Ｚｎ）
真空蒸着装置として、シンクロン社製のＢＭＣ−８００Ｔ蒸着装置を用い、モリブデン製抵抗加熱ボートにＺｎを装填した。そして、真空槽を１×１０−４Ｐａまで減圧した後、抵抗加熱ボートに通電加熱し、抵抗加熱ボートの通電加熱条件を調整して、形成速度２．０ｎｍ／秒の条件で蒸着して、厚さ０．５ｎｍの第２硫化防止層を形成した。
【０１７３】
［試料１０５の透明導電膜の作製］
上記試料１０２の透明導電膜の作製において、第２硫化防止層に替えて、厚さ０．５ｎｍのＧａ２Ｏ５からなる腐食防止層（保護層）を作製した以外は、上記試料１０２と同様の方法で試料１０５の透明導電膜を作製した。
（腐食防止層；Ｇａ２Ｏ５）
真空蒸着装置として、シンクロン社製のＢＭＣ−８００Ｔ蒸着装置を用い、モリブデン製抵抗加熱ボートにＧａ２Ｏ５を装填した。そして、真空槽を１×１０−４Ｐａまで減圧した後、抵抗加熱ボートに通電加熱し、抵抗加熱ボートの通電加熱条件を調整して、形成速度２．０ｎｍ／秒の条件で蒸着して、厚さ０．５ｎｍの腐食防止層を形成した。
【０１７４】
［試料１０６の透明導電膜の作製］
上記試料１０２の透明導電膜の作製において、第２屈折率調整層上に厚さ５ｎｍのＩＴＯからなる第３屈折率調整層を作製した以外は、上記試料１０２と同様の方法で試料１０６の透明導電膜を作製した。
（第３屈折率調整層；ＩＴＯ）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．１５ｎｍ／ｓで、厚さ５ｎｍとなるようＩＴＯをＤＣパルススパッタした。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
【０１７５】
［試料１０７の透明導電膜の作製］
上記試料１０３の透明導電膜の作製において、第２屈折率調整層上に厚さ５ｎｍのＮＳ−１Ｐからなる第３屈折率調整層を作製した以外は、上記試料１０３と同様の方法で試料１０７の透明導電膜を作製した。
（第３屈折率調整層；ＮＳ−１Ｐ）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．１５ｎｍ／ｓで、厚さ５ｎｍとなるようＮＳ−１ＰをＤＣパルススパッタした。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
【０１７６】
［試料１０８の透明導電膜の作製］
上記試料１０７の透明導電膜の作製において、第３屈折率調整層を厚さ５ｎｍのＩＧＺＯで作製した以外は、上記試料１０７と同様の方法で試料１０８の透明導電膜を作製した。
（第３屈折率調整層；ＩＧＺＯ）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．１５ｎｍ／ｓで、厚さ５ｎｍとなるようＩＧＺＯをＤＣパルススパッタした。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
【０１７７】
［試料１０９の透明導電膜の作製］
上記試料１０７の透明導電膜の作製において、第３屈折率調整層を厚さ５ｎｍのＩＴＯで作製した以外は、上記試料１０７と同様の方法で試料１０９の透明導電膜を作製した。ＩＴＯからなる第３屈折率調整層は、上記試料１０６と同様の方法で作製した。
【０１７８】
［試料１１０の透明導電膜の作製］
上記試料１０３の透明導電膜の作製において、第２屈折率調整層を厚さ４３ｎｍのＩＴＯで作製した以外は、上記試料１０３と同様の方法で試料１１０の透明導電膜を作製した。ＩＴＯからなる第２屈折率調整層は、上記試料１０６のＩＴＯからなる第３屈折率調整層と同様の方法で作製した。
【０１７９】
［試料１１１の透明導電膜の作製］
上記試料１０３の透明導電膜の作製において、第２屈折率調整層を厚さ４０ｎｍのＮＳ−１Ｐで作製した以外は、上記試料１０３と同様の方法で試料１１１の透明導電膜を作製した。ＮＳ−１Ｐからなる第２屈折率調整層は、上記試料１０７のＮＳ−１Ｐからなる第３屈折率調整層と同様の方法で作製した。
【０１８０】
［試料１１２の透明導電膜の作製］
上記試料１０３の透明導電膜の作製において、第２屈折率調整層を厚さ４３ｎｍのＩＧＺＯで作製した以外は、上記試料１０３と同様の方法で試料１１２の透明導電膜を作製した。ＩＧＺＯからなる第２屈折率調整層は、上記試料１０８のＩＧＺＯからなる第３屈折率調整層と同様の方法で作製した。
【０１８１】
［試料１１３の透明導電膜の作製］
上記試料１０５の透明導電膜の作製において、第２屈折率調整層を厚さ１０ｎｍのＳＧＺＯで作製し、第２屈折率調整層上に厚さ３０ｎｍのＩＴＯからなる第３屈折率調整層を作製した以外は、上記試料１０５と同様の方法で試料１１３の透明導電膜を作製した。ＩＴＯからなる第３屈折率調整層は、上記試料１０６のＩＴＯからなる第３屈折率調整層と同様の方法で作製した。
（第２屈折率調整層；ＳＧＺＯ）
真空蒸着装置として、シンクロン社製のＢＭＣ−８００Ｔ蒸着装置を用い、モリブデン製抵抗加熱ボートにＳＧＺＯを装填した。そして、真空槽を１×１０−４Ｐａまで減圧した後、抵抗加熱ボートに通電加熱し、抵抗加熱ボートの通電加熱条件を調整して、形成速度２．０ｎｍ／秒の条件で蒸着して、厚さ１０ｎｍの第２屈折率調整層を形成した。
【０１８２】
［試料１１４の透明導電膜の作製］
上記試料１１３の透明導電膜の作製において、密着層を形成せず、第２硫化防止層をＧＺＯで作製した以外は、上記試料１１３と同様の方法で試料１１４の透明導電膜を作製した。ＧＺＯからなる第２硫化防止層は、上記試料１０３と同様の方法で作製した。
【０１８３】
［試料１１５の透明導電膜の作製］
上記試料１１３の透明導電膜の作製において、第１屈折率調整層と金属層との間に厚さ１ｎｍのＧＺＯからなる第１硫化防止層を作製し、Ａｇからなる金属層をスパッタ法により形成し、第２硫化防止層をＧＺＯで形成した以外は、上記試料１１３と同様の方法で試料１１５の透明導電膜を作製した。
（第１硫化防止層、第２硫化防止層；ＧＺＯ）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．１５ｎｍ／ｓで、厚さ１ｎｍとなるようＧＺＯをＤＣパルススパッタした。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
（金属層；Ａｇ）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．１５ｎｍ／ｓで、厚さ８．０ｎｍとなるようＡｇをＤＣパルススパッタした。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
【０１８４】
［試料１１６の透明導電膜の作製］
上記試料１１３の透明導電膜の作製において、第２硫化防止層を厚さ２ｎｍのＧＺＯで作製した以外は、上記試料１１３と同様の方法で試料１１６の透明導電膜を作製した。ＧＺＯからなる第２硫化防止層は、上記試料１０３と同様の方法を用いて、厚さを２ｎｍとして作製した。
【０１８５】
［試料１１７の透明導電膜の作製］
上記試料１１５の透明導電膜の作製において、密着層を作製せず、第１屈折率調整層をＺｎＳ化合物２で作製し、第２硫化防止層を厚さ３ｎｍのＧＺＯで作製した以外は、上記試料１１５と同様の方法で試料１１７の透明導電膜を作製した。ＧＺＯからなる第２硫化防止層は、上記試料１０３と同様の方法を用いて、厚さを３ｎｍとして作製した。
（第１屈折率調整層；ＺｎＳ化合物２）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．１５ｎｍ／ｓで、厚さ３８ｎｍとなるようにＺｎＳ化合物２をＤＣパルススパッタした。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
【０１８６】
［試料１１８の透明導電膜の作製］
上記試料１１７の透明導電膜の作製において、第１屈折率調整層をＺｎＳ化合物１で作製した以外は、上記試料１１７と同様の方法で試料１１８の透明導電膜を作製した。
（第１屈折率調整層；ＺｎＳ化合物１）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．１５ｎｍ／ｓで、厚さ３８ｎｍとなるようにＺｎＳ化合物１をＤＣパルススパッタした。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
【０１８７】
［試料１１９の透明導電膜の作製］
上記試料１１７の透明導電膜の作製において、第２硫化防止層を厚さ１ｎｍのＧＺＯで作製し、第１屈折率調整層及び第２屈折率調整層を厚さ３８ｎｍのＺｎＳ：Ｍｎで作製した以外は、上記試料１１７と同様の方法で試料１１９の透明導電膜を作製した。ＧＺＯからなる第２硫化防止層は、上記試料１０３と同様の方法を用いて作製した。
（第１屈折率調整層、第２屈折率調整層；ＺｎＳ：Ｍｎ）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ  ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２  ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．１５ｎｍ／ｓで、厚さ３８ｎｍとなるようにＺｎＳ：ＭｎをＤＣパルススパッタした。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
【０１８８】
［試料１２０の透明導電膜の作製］
上記試料１１９の透明導電膜の作製において、第２屈折率調整層上に厚さ５ｎｍのＩＴＯからなる第３屈折率調整層を作製した以外は、上記試料１１９と同様の方法で試料１２０の透明導電膜を作製した。ＩＴＯからなる第３屈折率調整層は、上記試料１０６の第３屈折率調整層と同様の方法を用いて作製した。
【０１８９】
［試料１２１の透明導電膜の作製］
上記試料１１９の透明導電膜の作製において、第１屈折率調整層及び第２屈折率調整層を蒸着法により形成した以外は、上記試料１１９と同様の方法で試料１２１の透明導電膜を作製した。
（第１屈折率調整層、第２屈折率調整層；ＺｎＳ：Ｍｎ）
真空蒸着装置として、シンクロン社製のＢＭＣ−８００Ｔ蒸着装置を用い、モリブデン製抵抗加熱ボートにＺｎＳ：Ｍｎを装填した。そして、真空槽を１×１０−４Ｐａまで減圧した後、抵抗加熱ボートに通電加熱し、抵抗加熱ボートの通電加熱条件を調整して、形成速度２．０ｎｍ／秒の条件で蒸着して、厚さ３８ｎｍの第１屈折率調整層、又は、第２屈折率調整層を形成した。
【０１９０】
［試料１２２の透明導電膜の作製］
上記試料１２１の透明導電膜の作製において、第２屈折率調整層上に厚さ５ｎｍのＩＴＯからなる第３屈折率調整層を作製した以外は、上記試料１２１と同様の方法で試料１２２の透明導電膜を作製した。ＩＴＯからなる第３屈折率調整層は、上記試料１０６の第３屈折率調整層と同様の方法を用いて作製した。
【０１９１】
［試料１２３の透明導電膜の作製］
上記試料１１９の透明導電膜の作製において、第１屈折率調整層及び第２屈折率調整層をＺｎＳ化合物１で作製した以外は、上記試料１１９と同様の方法で試料１２３の透明導電膜を作製した。ＺｎＳ化合物１からなる第１屈折率調整層及び第２屈折率調整層は、上記試料１１８と同様の方法で作製した。
【０１９２】
［試料１２４の透明導電膜の作製］
上記試料１１９の透明導電膜の作製において、第１屈折率調整層及び第２屈折率調整層をＺｎＳ化合物２で作製した以外は、上記試料１１９と同様の方法で試料１２４の透明導電膜を作製した。ＺｎＳ化合物２からなる第１屈折率調整層及び第２屈折率調整層は、上記試料１１７と同様の方法で作製した。
【０１９３】
［試料１２５の透明導電膜の作製］
上記試料１０３の透明導電膜の作製において、第１屈折率調整層及び第２屈折率調整層を厚さ４０ｎｍのＺｎＳＳｉＯ２で作製した以外は、上記試料１０３と同様の方法で試料１２５の透明導電膜を作製した。
（第１屈折率調整層、第２屈折率調整層；ＺｎＳＳｉＯ２）
真空蒸着装置として、シンクロン社製のＢＭＣ−８００Ｔ蒸着装置を用い、モリブデン製抵抗加熱ボートにＺｎＳＳｉＯ２を装填した。そして、真空槽を１×１０−４Ｐａまで減圧した後、抵抗加熱ボートに通電加熱し、抵抗加熱ボートの通電加熱条件を調整して、形成速度２．０ｎｍ／秒の条件で蒸着して、厚さ４０ｎｍの第１屈折率調整層、又は、第２屈折率調整層を形成した。
【０１９４】
［試料１２６の透明導電膜の作製］
上記試料１２５の透明導電膜の作製において、第２屈折率調整層上に厚さ５ｎｍのＩＴＯからなる第３屈折率調整層を作製した以外は、上記試料１２５と同様の方法で試料１２６の透明導電膜を作製した。ＩＴＯからなる第３屈折率調整層は、上記試料１０６の第３屈折率調整層と同様の方法を用いて作製した。
【０１９５】
［試料２０１〜２２６の透明導電膜の作製］ 
まず、基材上に多層膜を作製した。作製した多層膜の構成、及び、多層膜作製方法は、上記試料１０１〜１２６と同様とし、下２桁が同じ番号の試料の構成がそれぞれ対応する。
【０１９６】
次に、多層膜上に、上述の試料１０１と同様の方法でレジストパターンを形成した。そして、多層膜に対し、エッチング液を用いたウェットエッチング処理を行った。
ウェットエッチング処理は、下記の組成のエッチング液をそれぞれ作製し、各組成のエッチング液に、各試料のレジストパターンを形成した多層膜を浸漬し、レジストで保護されていない部分の多層膜を溶解し、レジストで保護している部分の多層膜から所定の電極パターンを形成した。エッチング時間は９０秒とした。
最後に、レジスト膜剥離液として、透明導電膜からレジストパターンを除去して、電極パターンを有する試料２０１〜２２６の透明導電膜を作製した。
【０１９７】
（試料２０１〜２１８のエッチング液）
昭和化学のリン酸８５質量％、関東化学の硝酸６１質量％、林純薬のＰｕｒｅ  Ｅｔｃｈ  ＤＥ１００（シュウ酸）を混合し、リン酸７９．４１質量％、硝酸２．３３質量％、シュウ酸０．１４質量％、その他１８．１２質量％のエッチング液を調整して使用した。
【０１９８】
（試料２１９〜２２２のエッチング液）
昭和化学のリン酸８５質量％、関東化学の硝酸６１質量％、林純薬のＰｕｒｅ  Ｅｔｃｈ  ＤＥ１００（シュウ酸）を混合し、リン酸６０．１質量％、硝酸１．２質量％、シュウ酸０．１質量％、その他３８．６質量％のエッチング液を調整して使用した。
【０１９９】
（試料２２３〜２２６のエッチング液）
昭和化学のリン酸８５質量％、関東化学の硝酸６１質量％、林純薬のＰｕｒｅ  Ｅｔｃｈ  ＤＥ１００（シュウ酸）を混合し、リン酸４０．４質量％、硝酸０．３質量％、シュウ酸０．０６質量％、その他５９．２４質量％のエッチング液を調整して使用した。
【０２００】
［試料３０１の透明導電膜の作製］
上記試料２１７の透明導電膜の作製において、昭和化学のリン酸８５質量％、関東化学の硝酸６１質量％、林純薬のＰｕｒｅ  Ｅｔｃｈ  ＤＥ１００（シュウ酸）を混合し、リン酸８２．５６質量％、硝酸０質量％、シュウ酸０．１４質量％、その他１７．３質量％のエッチング液を調整し、ウェットエッチング処理に使用した以外は、上記試料２１７と同様の方法で試料３０１の透明導電膜を作製した。
【０２０１】
［試料３０２の透明導電膜の作製］
上記試料２１７の透明導電膜の作製において、ウェットエッチング処理の替わりに、武井電機レーザエッチング装置を用いて、波長１０６４ｎｍのレーザでレーザエッチングを行った以外は、上記試料２１７と同様の方法で試料３０２の透明導電膜を作製した。
【０２０２】
［試料３０３の透明導電膜の作製］
上記試料２１７の透明導電膜の作製において、昭和化学のリン酸８５質量％、関東化学の硝酸６１質量％、林純薬のＰｕｒｅ  Ｅｔｃｈ  ＤＥ１００（シュウ酸）を混合し、リン酸５９．１質量％、硝酸１７．３質量％、シュウ酸０．１質量％、その他２３．５質量％のエッチング液を調整し、ウェットエッチング処理に使用した以外は、上記試料２１７と同様の方法で試料３０３の透明導電膜を作製した。
【０２０３】
下記表２、及び、表３に、試料１０１〜１２６、試料２０１〜２２６、及び、試料３０１〜３０３の透明導電膜の構成を示す。
【０２０４】
【表２】
2016152182.tif 000005
【０２０５】
【表３】
2016152182.tif 000006
【０２０６】
〈透明導電膜の評価〉
［画像評価］
試料１１７、試料２１７、及び、試料３０１の透明導電膜について、多層膜のテーパ部の画像を撮影し、多層膜の形状、及び、テーパ部の形状を評価した。図１７に試料１１７、図１８に試料２１７、図１９に試料３０１の画像を示す。
【０２０７】
［テーパ部］
（長さＬ・テーパ角）
図１に示すテーパ部１８の長さ［Ｌ］とテーパ角θを測定した。長さ［Ｌ］は、基材１１の面方向と平行な方向における、テーパ部１８の長さである。長さ［Ｌ］の測定は、ＳＥＭ画像のコントラストの変化点をテーパの始点、終点としてＳＥＭ画像スケールから目視で測定した。同様に、ＳＥＭ画像のコントラストの変化点をテーパの始点、終点としてテーパ角θを測定した。
【０２０８】
［突起部高さ］
図５に示す多層膜１０上の突起部１５の高さを測定した。突起部の高さの測定は、ＳＥＩＫＯ社製の原子間力顕微鏡（Atomic Force Microscope：ＡＦＭ）にて行なった。
【０２０９】
［モアレ］
（測定方法確認）
ディスプレイを目視で観察し、以下のように評価した。ｉＰｈｏｎｅ（登録商標）４ｓを白色画面にし、その上に各試料の透明導電膜を配置して、モアレ強度を比較した。
３：縞模様が現れない
２：縞模様が確認
１：縞模様がはっきり確認
【０２１０】
下記表４、及び、表５に、試料１０１〜１２６、試料２０１〜２２６、及び、試料３０１〜３０３の透明導電膜の評価結果を示す。
【０２１１】
【表４】
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【０２１２】
【表５】
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【０２１３】
表４、及び、表５に記載の結果より明らかなように、試料１０１〜１２６、及び、試料２０１〜２２６の透明導電膜は、多層膜の端部に良好な順テーパ状の形状が形成されている。これに対し、試料３０１〜３０３の透明導電膜では、突起部の高さが大きい、又は、テーパ角が大きいため、順テーパ状の形状が良好に形成されていない。
【０２１４】
また、図１７及び図１８に示すように、試料１１７及び試料２１７では、多層膜２０と基材１１との間に良好なテーパ部１８が形成され、多層膜２０に乱れのない端部が形成されている。これに対し、図１９に示すように、試料３０１では、多層膜２０の端部が乱れた形状となり、多層膜２０と基材１１との間に突起部や、多層膜２０が浸食された部分等が多く形成され、テーパ部１８が崩壊している。
【０２１５】
多層膜に順テーパ状の断面が良好に形成された試料１０１〜１２６、及び、試料２０１〜２２６の透明導電膜は、試料３０１〜３０３の透明導電膜と比較して、モアレの発生が抑制されている。これは、多層膜の端部に良好なテーパ部が形成されることにより、多層膜のパターン端面による光学的な特性の低下を抑制できることを表している。一方、試料３０１〜３０３の透明導電膜では、多層膜の端部の形状不良により光学的な特性の低下し、モアレの発生が大きい。従って、表示装置等の電子機器に、多層膜に順テーパ状の断面が良好に形成された透明導電膜を適用することにより、モアレ等の視覚的な不良の発生を抑制することができる。
【０２１６】
なお、本発明は上述の実施形態例において説明した構成に限定されるものではなく、その他本発明構成を逸脱しない範囲において種々の変形、変更が可能である。
【符号の説明】
【０２１７】
１０，２０  多層膜、１０Ａ  側壁面、１０Ｂ，１０Ｃ  平坦面、１０Ｄ，１０Ｅ  端部、１１  基材、１２  第１屈折率調整層、１３  金属層、１４  第２屈折率調整層、１５  突起部、１６  導通領域、１７  非導通領域、１８  テーパ部、２１  密着層、２２  第１硫化防止層、２３  バッファ層、２４  第２硫化防止層、３１，３２  レジストパターン、３３  蒸着源、３４  蒸着範囲、４０  タッチパネル、４１  第１透明基板、４２  第２透明基板、４３  第１透明導電膜、４４  第２透明導電膜、４５  前面板
【図１】
2016152182.tif 000009
【図２】
2016152182.tif 000010
【図３】
2016152182.tif 000011
【図４】
2016152182.tif 000012
【図５】
2016152182.tif 000013
【図６】
2016152182.tif 000014
【図７】
2016152182.tif 000015
【図８】
2016152182.tif 000016
【図９】
2016152182.tif 000017
【図１０】
2016152182.tif 000018
【図１１】
2016152182.tif 000019
【図１２】
2016152182.tif 000020
【図１３】
2016152182.tif 000021
【図１４】
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【図１５】
2016152182.tif 000023
【図１６】
2016152182.tif 000024
【図１７】
2016152182.tif 000025
【図１８】
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【図１９】
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