(57)【要約】【課題】  複数の光学系で共通に使用可能なパターンデータに基づいて重複描画をする、描画装置、リソグラフィーシステム、及び描画方法を提供すること。【解決手段】  複数の光学系１００を有し、一つの光学系１００あたり一つの帯状領域ずつ、該帯状領域の一部を重複させながら基板１０上にパターンを描画する動作を繰り返す描画装置に関する。帯状領域を描画幅方向で分割した幅を有する領域に対応するサブパターンデータであって、描画指示データの連続性に関する情報及び露光量情報を含むサブパターンデータを単位データとして、複数の光学系１００で共用するパターンデータを記憶する記憶手段２２と、複数のサブパターンデータを読み出し、かつ、重複描画領域に対応するサブパターンデータ内の露光量情報を連続性に関する情報に基づいて変更して、それぞれの光学系１００に供給するデータを作成する作成手段１４とを有することを特徴とする。【選択図】  図１
2016086103.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の光学系を有し、一つの光学系あたり一つの帯状領域ずつ、該帯状領域の一部を重複させながら基板上にパターンを描画する動作を繰り返す描画装置であって、
前記帯状領域を描画幅方向で分割した幅を有する領域に対応するサブパターンデータであって、描画指示データの連続性に関する情報及び露光量情報を含むサブパターンデータを単位データとして、前記複数の光学系で共用するパターンデータを記憶する記憶手段と、
複数の前記サブパターンデータを読み出し、かつ、重複描画領域に対応する前記サブパターンデータ内の露光量情報を前記連続性に関する情報に基づいて変更して、それぞれの前記光学系に供給するデータを作成する作成手段とを有することを特徴とする描画装置。
【請求項２】
前記複数のサブパターンデータは、第１サブパターンデータと、前記第１サブパターンデータに隣接している第２サブパターンデータとを含み、
前記連続性に関する情報は、前記第１サブパターンデータ内の描画指示データと、前記第２サブパターンデータ内の描画指示データとの連続の有無を含むことを特徴とする請求項１に記載の描画装置。
【請求項３】
前記連続性に関する情報は、前記第１サブパターンデータ内の前記描画指示データが連続して帰属しているサブパターンデータの数を含むことを特徴とする請求項２に記載の描画装置。
【請求項４】
前記第１サブパターンデータは前記重複描画領域に対応するサブパターンデータであり、前記第２サブパターンデータは非重複描画領域に対応するサブパターンデータであって、
前記作成手段は、前記第１サブパターンデータが、前記第１サブパターンデータ及び前記第２サブパターンデータに連続する描画指示データを含む場合に、該描画指示データが示す露光量情報を変更することを特徴とする請求項２乃至３のいずれか１項に記載の描画装置。
【請求項５】
前記作成手段は、前記連続性に関する情報に基づいて、前記露光量情報が示す露光量が低減するように前記露光量情報を変更することを特徴とすることを特徴とする請求項２乃至４のいずれか１項に記載の描画装置。
【請求項６】
前記作成手段は、前記描画指示データを削除して該描画指示データが示す露光量情報を変更することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の描画装置。
【請求項７】
複数の光学系を備え、一つの光学系あたり帯状領域ずつ該帯状領域の一部を重複させながら、基板上にパターンを描画する動作を繰り返す、複数の描画装置と、
前記帯状領域を描画幅方向で分割した幅を有する領域に対応するサブパターンデータであって、描画指示データの連続性に関する情報を含むサブパターンデータを単位データとして、前記複数の光学系で共用するパターンデータを記憶する記憶手段とを有し、
前記描画装置は、複数の前記サブパターンデータを選択し、かつ、前記連続性に関する情報に基づいて重複描画領域となる前記サブパターンデータ内の露光量情報を変更して、それぞれの前記光学系に供給するデータを作成する作成手段を有することを特徴とするリソグラフィーシステム。
【請求項８】
複数の光学系に供給するパターンデータの作成方法であって、
描画パターンに対応するデータを分割して、一つの光学系による描画幅を分割した幅を有する領域に対応するデータを複数生成するステップと、
前記データに対して、前記データにおける描画指示データの連続性に関する情報を付与するステップと、
前記連続性に関する情報に基づいて、重複描画領域に対応する前記データ内の露光量情報を変更するステップと、を有することを特徴とするパターンデータの作成方法。
【請求項９】
複数の光学系を用いて、一つの光学系あたり帯状領域ずつ、該帯状領域の一部を重複させながら、基板上にパターンを描画する動作を繰り返す描画方法であって、
前記複数の光学系で共用するパターンデータを構成する単位データであるサブパターンデータであって、一つの前記帯状領域の幅を分割した領域に対応し、描画指示データの連続性に関する情報を含むサブパターンデータを、複数読み出すステップと、
重複描画領域に対応する前記データに付与された前記連続性に関する情報に基づいて、重複描画領域に対応するサブパターンデータ内の露光量情報を変更するステップと、
変更後のデータに基づいて前記基板にパターンを描画するステップと、を有することを特徴とする描画方法。
【請求項１０】
請求項１乃至６のいずれか１項に記載の描画装置を用いて基板に描画を行う工程と、前記工程で描画された基板を現像する工程とを有することを特徴とする物品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、描画装置、リソグラフィーシステム、パターンデータの作成方法、描画方法及び物品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
複数の電子光学系（以下、光学系と称す）で複数の電子ビームを照射して、基板上にパターンを描画する描画装置が知られている。例えば、水平面内に一列に配列された複数の光学系のそれぞれが、配列方向と直交する方向を長辺とする帯状の領域単位でパターンを描画する。
【０００３】
このような描画方式の場合は、複数の光学系が、同時に異なるショット領域に対してパターンを描画する。当然、１つのショット領域を、異なる光学系が異なるタイミングに描画することもある。しかし、熱などの影響により基板が変形すると、異なるタイミングで描画する２つの領域に連続しているパターンが分断されてしまい、半導体素子等の製造の歩留まりが低下する恐れがある。
【０００４】
特許文献１に係る描画装置は偏向精度に起因するパターンの分断の抑制を目的としている。１つの光学系による複数のビームのうち、隣り合う２本のビームのそれぞれによって描画する領域の一部を重複させて描画（重複描画）する。どちらか一方のビームでのみ描画する領域に存在するパターンは重複描画せず、両方のビームで描画する領域に存在するパターンは重複描画する旨が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００６−１９４３４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
複数の光学系を有する描画装置の場合、全ての光学系が異なるチップ上の同じ場所を描画するとは限らない。そのため、各光学系で描画する帯状領域に対応するように、回路パターン等の描画パターンに対応する設計図形データを分割して、パターンデータに変換する処理が必要となる。すなわち、それぞれの光学系に適した分割処理を施してパターンデータに変換する変換処理回路、及び変換したそれぞれのデータを記憶するメモリが必要となる。
【０００７】
データの変換処理は大量のデータを処理するため非常に時間がかかる作業である。そのため、複数光学系を有する描画装置で重複的に描画する場合に、単に特許文献１の描画方法を適用させることは、データ処理に要する時間やデータ量が光学系の数分だけ増大する可能性があり避けることが好ましい。
【０００８】
そこで、本発明は、複数の光学系で共通に使用可能なパターンデータに基づいて重複描画をする、描画装置、リソグラフィーシステム、及び描画方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の描画装置は、複数の光学系を有し、一つの光学系あたり一つの帯状領域ずつ、該帯状領域の一部を重複させながら基板上にパターンを描画する動作を繰り返す描画装置であって、前記帯状領域を描画幅方向で分割した幅を有する領域に対応するサブパターンデータであって、描画指示データの連続性に関する情報及び露光量情報を含むサブパターンデータを単位データとして、前記複数の光学系で共用するパターンデータを記憶する記憶手段と、複数の前記サブパターンデータを読み出し、かつ、重複描画領域に対応する前記サブパターンデータ内の露光量情報を前記連続性に関する情報に基づいて変更して、それぞれの前記光学系に供給するデータを作成する作成手段とを有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明に係る描画装置、リソグラフィーシステム、及び描画方法によれば、複数の光学系で共通に使用可能なパターンデータに基づいて重複描画をすることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】リソグラフィーシステムの構成図。
【図２】光学系の構成図。
【図３】描画装置の構成図。
【図４】描画領域について説明する図。
【図５】描画方法について説明する図。
【図６】データの作成方法及び描画方法に関するフローチャート。
【図７】データ分割について説明する図。
【図８】指標の設定について説明する。
【図９】データ変換について説明する図。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
図１は、第１及び第２の実施形態に係るリソグラフィーシステム１０００の構成図である。リソグラフィーシステム１０００は、４台の電子ビーム描画装置１（以下、描画装置１と称す）を有している。
【００１３】
リソグラフィーシステム１０００は、ショットパターン（描画パターン）に係る設計図形データをパターンデータに変換する変換回路２０と、変換されたパターンデータを記憶する主メモリ（記憶手段）２２を有している。主メモリ２２は、複数種類のパターンデータを記憶している。
【００１４】
さらに、サーバー２１を有している。サーバー２１は、変換後のパターンデータを主メモリ２２に記憶させ、かつ主メモリ２２内のデータから適切なショットパターンに係るパターンデータを選択して各描画装置１の中間データメモリ１８（以下、中間メモリ１８と称す）に転送する。
【００１５】
ここで、ショットパターンとは、１つあるいは複数のチップパターンに係るパターンの形成単位である。ショットパターンのサイズは、他のリソグラフィ装置や加工装置の処理単位と共通であることが好ましく、例えば短手方向の幅が約２０ｍｍ〜２５ｍｍである。
【００１６】
設計図形データとは、例えばベクター形式のデータである。また、パターンデータとは例えばビットマップ形式の画像データであり、本実施形態ではパターンデータは、後述するサブストライプデータ（サブパターンデータ）を単位データとする、サブストライプデータの集合データである。変換回路２０によるデータ変換の方法やデータの転送方法については、後で詳述する。
【００１７】
図２は１台の描画装置１の光学系１００の構成を示す図である。電子ビームを放射する電子源１０１は、ＬａＢ６又はＢａＯ／Ｗ等を電子放出材として含む熱電子型の電子源である。コリメータレンズ１０２は、電界により電子ビームを収束可能な静電型のレンズである。電子源１０１から放射された電子ビームが互いに平行になるように、電子ビームを整形する。
【００１８】
ブランキングアパーチャアレイ１０３は、コリメータレンズ１０１を通過した電子ビームを２次元に配列された開孔（不図示）で複数の電子ビームに分割する。さらに、ブランキングアパーチャアレイ１０３の静電型のブランカー（不図示）は、後述するブランキング制御回路１３からの指示に従って、開孔で分割された複数の電子ビームを個別に偏向する。偏向動作によって、光学系１００の描画領域１０８への照射又は非照射を制御する。
【００１９】
レンズ１０４は静電型の電子レンズで、レンズ１０５は磁界型の電子レンズである。レンズ１０４とレンズ１０５は、それぞれ、ブランキングアパーチャアレイ１０３の複数の開孔での中間像を形成する。
【００２０】
レンズ１０６は磁界型の電子レンズである。レンズ１０６は光学系１００の対物レンズとして作用し、レンズ１０４及びレンズ１０５での中間像を描画領域１０８に投影する。偏向器１０７は、複数の電子ビームを一括して所定の方向に偏向し、ウエハ（基板）１０（図３に図示）に対する描画領域１０８の位置を微調整する。
【００２１】
図３は、１台の描画装置１の構成を示す図である。１台の描画装置１は３つの光学系１００を有している。３つの光学系１００で整形された電子ビームが、それぞれ、ウエハ１０上にパターンを描画する。ステージ１１は、静電チャック（不図示）によりウエハ１０を吸着保持した状態で、光学系１００の光軸と直交するＸＹ平面内で移動する。ステージ１１上には検出器１２が載置されている。検出器１２は、電子ビームの位置及び電流を検出する。
【００２２】
ブランキング制御回路１３は、ブランキングアパーチャアレイ１０３の複数のブランカーの駆動を個別に制御する。データ処理回路（作成手段）１４は、それぞれの光学系１００に供給され、それぞれのブランキングアパーチャアレイ１０３の制御に必要となるストライプデータを生成する（作成する）。
【００２３】
偏向器制御回路１５は、各光学系１００の偏向器１０７をそれぞれ制御する。検出処理回路１６は、検出器１２からの信号に基づいて、複数の電子ビームの実際の配列座標と電流値とを算出する。ステージ制御回路１７は、レーザ干渉計（不図示）によるステージ１１の位置の計測結果を用いて、ステージ１１の位置決めを制御する。
【００２４】
中間メモリ１８は、主メモリ２２に格納されていた複数種類のショットパターンに係るパターンデータのうちの１つを記憶するメモリである。
【００２５】
主制御系１９は、描画装置１で描画するショットパターンに応じたパターンデータをサーバー２１に要求する。これを受けて、中間メモリ１８にパターンデータが転送される。また、ブランキング制御回路１３、データ処理回路１４、偏向器制御回路１５、検出処理回路１６、ステージ制御回路１７を統括的に制御する。
【００２６】
描画装置１の制御手段は、本実施形態ではブランキング制御回路１３、データ処理回路１４、偏向器制御回路１５、検出処理回路１６、ステージ制御回路１７、主制御系１９により構成されているが、これは一例にすぎず、適宜変更が可能である。
【００２７】
図４（ａ）（ｂ）は、描画領域について説明する図である。図４（ａ）は、ウエハ１０上に描画すべきショット領域１０９の配置例、あるいは既に形成された、ショット領域１０９の配置例である。図４（ｂ）は、Ｘ軸方向に配列された電子ビームによる描画領域１０８とウエハ１０との関係を示す図である。
【００２８】
描画装置１は、一つの光学系（一光学系）１００あたりストライプ領域（帯状領域）（Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３）ずつウエハ１０上にパターンを描画する動作を繰り返す。ウエハ１０が載置されたステージ１１が、Ｘ軸方向に直交するＹ軸方向に移動することで、３つの光学系１００のそれぞれの描画領域１０８ウエハ１０上を走査する。
【００２９】
１回のＹ軸方向への走査中に、ストライプ領域に対応するストライプデータに基づいて電子ビームの照射（ＯＮ）又は非照射（ＯＦＦ）を制御して、３つのストライプ領域に対して同時にパターンを描画する。さらに、隣り合うストライプ領域を描画する場合には、そのストライプ領域の一部を重複させながら描画する。このとき、ステージ１１がＸ軸方向に移動する際の１回の移動量が、ストライプ領域の幅よりも小さくなるようにする。
【００３０】
図５（ａ）（ｂ）（ｃ）は、階調制御を伴う描画方法を説明する図である。図５（ａ）は、描画領域１０８あたりの電子ビームの配列を示している。ブランキングアパーチャアレイ１０３で分割された電子ビームは５行２０列で構成され、列のピッチに対して行のピッチは２倍である。
【００３１】
図５（ａ）に示すように紙面に対して上から下方向にステージ１１が移動すると、ウエハ１０上の各位置に対して、対象のビーム列のｊ、ｋ、ｌ、ｍ、ｎ行の電子ビームが順に走査する。
【００３２】
図５（ｂ）は、ウエハ１０上の位置（１）〜（６）と露光量の関係を示す図である。例えば、位置（１）は、ｊ、ｋ、ｌ、ｍ、ｎ行の電子ビームを用いることで露光量５で照射されることを示している。全ての電子ビームはクロック信号に基づきウエハ１０を照射し、ステージ１１は単位クロックあたり列ピッチ分移動する速度で連続的に移動する。
【００３３】
図５（ｂ）のデータに基づいて設定した、ＯＮ／ＯＦＦ信号のタイムテーブルを図５（ｃ）に示す。ウエハ１０のステージの移動方向に並んでいる位置（１）〜位置（６）を露光する、各行（ｊ〜ｎ行）による電子ビームのＯＮ／ＯＦＦ信号を示している。単位クロック２個分で、ステージが１ピッチ分移動する様子を示している。
【００３４】
電子ビームの列の幅が光学系１００の描画幅であり、かつストライプ領域の幅に相当する。例えば、数十ｎｍのピッチで、１列あたり４０００本のビームが配置された場合は、ストライプの幅は８０〜１００μｍ程度となる。
【００３５】
つづいて、リソグラフィーシステム１０００における、パターンデータの変換プロセスと描画方法について説明する。
【００３６】
図６は、リソグラフィーシステム１０００における、光学系１００へ供給するストライプデータの作成工程及び描画方法について説明するフローチャートである。まず、変換回路２０が、ショットパターンに係る設計図形データ（描画パターンに対応するデータ）をサブストライプ領域の幅に対応するように分割する（Ｓ１０）。これにより、ストライプ領域を描画幅方向（図４のＸ軸方向）で整数分割した幅を有する領域に係るデータを、複数生成する。さらに、生成したデータに対して、図形データごとに、指標（描画指示データの連続性に関する情報）を付与する（Ｓ２０）。
【００３７】
パターンデータに対応するショット領域と、サブストライプデータに対応するサブストライプ領域、及びストライプデータに対応するストライプ領域との関係について図７を用いて説明する。
【００３８】
図７に示すように、サブストライプ領域は、ストライプデータを整数分割した領域であり、かつショット領域を整数分割した領域である。変換回路２０は、サブストライプ領域の幅（例えば、５〜１０μｍ）がストライプ領域（例えば、８０〜１００μｍ）を整数分割した幅となるように、設計図形データを分割する。変換回路２０は、偏向器１０７による偏向幅、ストライプ領域の幅（すなわち、描画領域１０８の幅）、ショット領域の幅に基づいてサブストライプ領域の幅を決定する。照射位置の微調整は偏向器１０７により行われる。
【００３９】
このようにデータを分割しておくと、選択するサブストライプデータの組み合わせを変更するだけで各々の光学系１００に合わせたストライプデータを容易に作成することができる。すなわち、最も処理時間を要する、ベクター形式の設計図形データから、露光量情報を含むビットマップ形式の画像データへの変換処理を一括で済ませられる。そして複数の光学系１００において共通のデータを使用する（データを共用する）ことが可能となる。
【００４０】
次に、図形データへの指標の付与について図８を用いて説明する。図８は上段は、設計図形データが示すパターンの配置であり、ウエハ１０上に描画すべきパターンの配置を示す図である。図８の下段は、重複描画するサブストライプ領域におけるデータの帰属を示す図である。Ｋ＿ストライプ（Ｋ番目のストライプ領域）と、（Ｋ＋１）＿ストライプ（（Ｋ＋１）番目のストライプ領域）を示している。重複描画する領域（重複描画領域）はＮ＿サブストライプ（Ｎ番目のサブストライプ）であり、Ｋ＿ストライプにも（Ｋ＋１）＿ストライプにも帰属している様子を示している。
【００４１】
Ｎ＿サブストライプには、図形データＺ１〜Ｚ４が含まれている。図形データは、電子ビームを照射すべきデータ（描画指示データ）に変換されるデータである。１つの図形データは、設計図形データに含まれる複数の描画すべき図形のうち、連続するひとかたまりの図形に相当するデータである。すなわち、描画時にはパターンが分断しないように、図形データに関する描画データを調整する必要がある。
【００４２】
Ｓ２０において、変換回路２０は、図形データＺ１〜Ｚ４のそれぞれを、帰属しているサブストライプ領域ごとの微小図形（エンティティ、あるいは図形要素ともいう）に分割する。すなわち、図形データＺ１は２つ、図形データＺ３は２つ、図形データＺ４は３つに分割される。Ｎ＿ストライプ内にある、４つの微小図形を網線領域で示している。
【００４３】
変換回路２０は下記の（ａ）〜（ｄ）の場合分けに基づいて、微小図形ごとに指標を付与する。指標とは、あるサブストライプ領域に係るデータ内の微小図形（第１サブパターンデータ内の描画指示データ）と、それに隣接しているサブストライプ領域に係るデータ内の微小図形（第２サブパターンデータ内の描画指示データ）との連続性の有無を示す情報である。さらに、指標を付与するにあたり注目している微小図形が、どのサブストライプデータに対して連続することになるのかが区別できる情報も含む（サブパターンの数を含む）。
（ａ）右側のサブストライプ領域にのみ連続する微小図形がある場合に、指標「Ｒ」を付与。
（ｂ）左側のサブストライプ領域にのみ連続する微小図形がある場合に、指標「Ｌ」を付与。
（ｃ）左右両側のサブストライプ領域に連続する微小図形がある場合に、指標「Ｃ」を付与。
（ｄ）左右両側のサブストライプ領域に連続する微小図形がない場合に、指標「Ｉ」を付与。
【００４４】
例えば、Ｎ＿ストライプ内の図形データＺ１には指標「Ｒ」、（Ｎ＋１）＿ストライプ内の図形データＺ１には指標「Ｌ」が付与される。同様にして、図形データＺ２には指標「Ｉ」が、Ｎ＿ストライプ内の図形データＺ４には指標「Ｃ」が付与される。
【００４５】
以上、変換回路２０によって、設計図形データは、サブストライプ単位に分割され、図形データもサブストライプへの帰属に応じて微小図形データに分割される。微小図形の位置、微小図形が示す形状、及び各微小図形に付された指標を有するデータに変換される。
【００４６】
図６の説明に戻る。変換回路２０は、指標を含む状態でビットマップ形式のデータに変換したサブストライプ単位のデータを圧縮して、サブストライプデータをサーバー２１に転送する。サーバー２１は、変換したパターンデータを主メモリ２２に記憶させる（Ｓ３０）。変換回路２０は、同様にして他のショットパターンに係る設計図形データをパターンデータに変換して、サーバー２１は複数種類のパターンデータを主メモリ２２に記憶させる。
【００４７】
描画装置１で描画すべきショットパターンが決定されると、描画装置１の主制御系１９はサーバー２１にそのショットパターンに係るパターンデータを要求する（Ｓ３０）。サーバー２１は、要求されたパターンデータを、主メモリ２２内に記憶されている複数種類のパターンデータから選択する。そして、要求のあった描画装置１の中間メモリ１８に転送する（Ｓ４０）。
【００４８】
データ処理回路１４は、複数のサブストライプデータから光学系１００で使用するストライプデータに逐次変換する。そのために、描画装置１の主制御系１９は、中間メモリ１９に転送されたパターンデータの一部を選択して抜き出し、各光学系１００に必要なサブストライプデータを配信するための選択条件を決定する。
【００４９】
選択条件は、各光学系１００の描画領域１０８の端の位置を始点として選択する、サブストライプデータの数を示す。描画領域１０８の端の位置は、ショット領域のレイアウト情報と光学系１００の相対的位置関係に基づいて定まる。選択するサブストライプデータの数は、描画幅方向（前述のＸ軸方向）における描画領域１０８の描画幅に基づいて定まる。描画するパターンの連続性を向上させるために、選択するサブストライプデータのうち、両端のサブストライプデータを重複描画用のサブストライプデータとしている。
【００５０】
主制御系１９は、データ処理回路１４にそのデータ処理回路１４で処理する複数のサブストライプデータを選択するように指示する。データ処理回路１４は、前述の選択条件に従って、各々のデータ処理回路１４の接続先の光学系１００で使用する、複数のサブストライプデータを選択する。さらに、選択したサブストライプデータを、付与した指標に基づいて重複描画用のサブストライプデータとなるように露光量情報を変更する（Ｓ５０）。
【００５１】
図８下段は、指標に基づいて露光量情報を変更した後の、Ｋ＿１ストライプと（Ｋ＋１）＿ストライプを示している。下記（ａ）〜（ｄ）の条件に基づいて変更した結果である。
（ａ）指標「Ｒ」が付与された微小図形は、（Ｋ＋１）＿ストライプに帰属させるため削除。（ｂ）指標「Ｉ」が付与された微小図形は、（Ｋ＋１）＿ストライプに帰属させるため削除。（ｃ）指標「Ｌ」が付与された微小図形は、Ｋ＿ストライプに帰属させる。
（ｄ）指標「Ｃ」が付与された微小図形には、露光量を半分にする情報を付加して、Ｋ＿ストライプに帰属させる。
【００５２】
指標に基づいて、所定のサブストライプデータ内の微小図形を削除したり、微小図形内の露光量を半減させるなど、露光量を低減させる操作をおこなっている。帰属先の決定は、特に、重複描画領域に対応するサブストライプデータが、非重複描画領域に対応するサブストライプデータに連続する微小図形を含む場合に重要となる。異なるタイミングで描画する２つのストライプ領域に連続しているパターンが分断されてしまうのを防ぐため、非重複描画領域に対応するサブストライプデータが供給されるストライプに微小図形を帰属させることが好ましい。
【００５３】
図９の模式図を用いてストライプデータの生成工程（Ｓ６０）について説明する。データ処理回路１４は、メモリ１４ｂ、１４ｄと、データ処理回路１４ａ、１４ｃを有している。
【００５４】
データ処理回路１４のデータ処理回路１４ａは、前述の条件選択条件に従って、サブストライプデータを複数選択して読み出し、その一部を重複描画用のサブストライプデータとして設定し、露光量情報を変更する。そして、メモリ１４ｂに一時的に記憶させる。データ処理回路１４ｃは、ストライプデータを構成する複数のサブストライプデータを展開して、光学系１００ごとに特有の収差補正などの補正処理を施す。データ処理回路１４ｃは生成したストライプデータをメモリ１４ｄに記憶させる。メモリ１４ｄは２つのストライプデータを記憶可能な、２面バッファメモリである。
【００５５】
図６の説明に戻る。生成されたストライプデータ（変更後のデータ）に基づいて、ブランキング制御回路１３は、ブランキングアレイ１０３を制御するための照射の制御データを作成する。主制御部１９はブランキング制御回路１３が作成した照射データに基づいて、ウエハ１０上にパターンを描画する（Ｓ７０）。
【００５６】
主制御部１９は、ブランキングブランキング制御回路１３にブランキングアパーチャアレイ１０３を制御させ、ステージ制御回路１７にステージ１１の移動を制御させる。各光学系１００のバッファメモリ１４ｄに記憶させたデータのうち、１つのストライプデータに基づき描画させる。
【００５７】
１つのストライプ領域の描画が終了したら、主制御系１９は２面バッファメモリ１４ｄのもう片方のメモリに記憶されている次のストライプデータを読み出す。このデータに基づいて、次のストライプ領域の描画を実行させる。２つ目のストライプ領域の描画と並行して、データ制御回路１４ａは、さらに次に描画するストライプデータを前述と同様の手法により選択する。データ処理回路１４ｃは圧縮したサブストライプデータで構成されたストライプデータを展開し、既に描画が終了したストライプデータが記憶されているバッファメモリ１４ｄの一方に上書きする。
【００５８】
データ処理回路１９は、光学系１００に必要なサブストライプデータを逐次選択し、展開して、メモリ１４ｄに記憶させる。少しずつストライプデータを生成していくことにより、１つの光学系１００あたり１ショットパターン分のパターンデータを記憶する必要が無くなる。よって、実装増大の抑制やコストの低減を図ることができる。
【００５９】
このように、本実施形態のリソグラフィーシステムにおいて、主メモリ２２はパターンデータをサブストライプデータ単位で記憶している。そして、各描画装置１で、光学系１００のそれぞれが必要とする複数のサブストライプデータを選択することにより、ストライプデータを生成する。そのため、異なる光学系においても１つのパターンデータを共通して使用することができる。
【００６０】
さらに、サブストライプデータには、図形データの連続性に関する情報を指標として付与している。指標に基づいて重複描画領域に係るパターンを描画する光学系１００を決定し、帰属先に応じて重複描画領域にある微小図形での露光量を変更する。例えば、そのパターンを描画しないこととなった場合にはパターンを削除する（すなわち、露光量をゼロにする）。あるいは、重複描画させるために露光量を低減させる。このように、指標を付与したサブストライプデータ単位のパターンデータであれば、複数の光学系で共通に使用可能なだけでなく、重複描画をすることも可能となる。
【００６１】
光学系１００の相対的位置あるいは電子ビームによる描画領域１０８の相対的位置は、設計値から求まる位置ではなく、実測値によって取得した位置であることが好ましい。機械的な加工精度や、描画装置１の組み立ての精度によって光学系１００同士の距離に機差が生じている場合であっても、機差に応じた選択条件を設定することにより、共通のパターンデータを使用して描画をすることができる。
【００６２】
さらに、光学系１００の位置あるいは電子ビームによる被描画領域の位置を実測値に基づいて選択条件を更新することが好ましい。これにより光学系１００の相対的な位置関係が描画動作時の振動によって経時的に変化する場合であっても、共通のパターンデータを使用して描画をすることができる。パターンデータのつくり直しに要する時間を必要としないことから、光学系の経時的な位置ずれに対応に伴い、基板処理のスループットが低下するのを防ぐ効果も有する。
【００６３】
指標「Ｉ」が付された図形データの帰属先は、（Ｋ＋１）＿ストライプでも、Ｋ＿ストライプでも構わない。
【００６４】
［その他の実施形態］
前述の実施形態は１つのサブストライプ領域だけを重複描画する実施形態であったが、重複描画するサブストライプ領域の数はこれに限らない。また、重複描画するサブストライプデータの数が多い場合は、指標の種類は前述の４種類に限られない。どのサブストライプデータに対して連続しているのかが区別できる情報を含む指標であれば良い。
【００６５】
前述の実施形態では、データ処理回路１４が、複数のサブストライプデータを読み出し、かつ指標に基づいて露光量情報を変更して、ストライプデータを生成する。これらの３つの工程は、それぞれが描画装置１で実施されるのであれば別々の回路で実行しても構わない。
【００６６】
描画パターンに係るデータに基づいて、複数の電子ビームごとに、照射又は非照射を制御し所定位置への露光量を制御できるデバイスであれば、ブランキングアパーチャアレイ１０３以外のデバイスで各電子ビームによる照射又は非照射を制御しても良い。
【００６７】
光学系ごとに描画幅が異なっていても共通のパターンデータを用いることが可能である。また、光学系の数、及び、１つの光学系あたりのビーム本数は、前述の実施形態に限定されるものではなく適宜変更可能である。リソグラフィーシステムが有する描画装置は何台でも良い。ただし、１台の描画装置の場合は、描画装置内で変換回路２０及び主メモリ２２の機能を有している必要がある。例えば主制御系１９に変換回路２０及び主メモリ２２の機能を搭載する。複数台の場合は、各描画装置で同じパターンを描画する場合に限らず、異なるパターンを描画する場合にも適用可能である。
【００６８】
前述の実施形態では、電子ビームを用いてパターンを描画する描画装置を例に説明したが、本発明のリソグラフィーシステムに適用できる描画装置はこれに限られない。イオンビーム等の荷電粒子線、ＫｒＦエキシマレーザ光、ＡｒＦエキシマレーザ光、ＥＵＶ光を用いて基板上にパターンを描画する描画装置にも適用しても良い。
【００６９】
［物品の製造方法］
本発明の実施形態に係る物品（半導体集積回路素子、液晶表示素子、撮像素子、磁気ヘッド、ＣＤ−ＲＷ、光学素子、フォトマスク等）の製造方法は、前述の描画装置を用いて基板（ウエハやガラス板等）上にパターンを描画する工程と、描画した基板を現像する工程とを含む。さらに、他の周知の処理工程（酸化、成膜、蒸着、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等）を含んでも良い。
【符号の説明】
【００７０】
１  描画装置
１０  ウエハ
１４  データ処理回路
２２  主メモリ
１００  光学系
１０００  リソグラフィーシステム
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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