(57)【要約】【課題】磁電変換素子近傍への水分の侵入及びパッド間でのマイグレーションを抑制できる磁気センサを提供することを目的とする。【解決手段】本発明の磁気センサ１０１は、基板１と、基板１上に形成され複数の磁電変換素子３と、基板１上に形成され複数の磁電変換素子３のそれぞれと電気的に接続された複数のパッド５と、複数の磁電変換素子３を保護する保護層７と、を備え、保護層７が、基板１側に設けられた第１保護層１７と、第１保護層１７の上層に設けられた第２保護層２７と、を有し、第１保護層１７には、基板１の外縁部に沿って第１溝部１７ｖが環状に形成されるとともに、パッド５の周囲に環状に第２溝部１７ｗが形成されており、第１溝部１７ｖ及び第２溝部１７ｗには、第２保護層２７が埋め込まれていることを特徴としている。【選択図】図２
2016024005.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、該基板上に形成され複数の磁電変換素子と、前記基板上に形成され前記複数の磁電変換素子のそれぞれと電気的に接続された複数のパッドと、前記複数の磁電変換素子を保護する保護層と、を備えた磁気センサにおいて、
前記保護層は、前記基板側に設けられた第１保護層と、該第１保護層の上層に設けられた第２保護層と、を有し、
前記第１保護層には、前記基板の外縁部に沿って第１溝部が環状に形成されるとともに、前記パッドの周囲に環状に第２溝部が形成されており、
前記第１溝部及び第２溝部には、前記第２保護層が埋め込まれていることを特徴とする磁気センサ。
【請求項２】
前記複数のパッドが前記基板の外縁近傍に配設され、
前記第１溝部は、前記第２溝部と隣り合う部分の溝幅が他の部分よりも狭くなっており、
前記第２溝部は、前記第２溝部と隣り合う前記第１溝部の溝幅と同等以下の溝幅となっていることを特徴とする請求項１に記載の磁気センサ。
【請求項３】
前記第１溝部は、前記パッドと隣り合う部分の溝幅より前記パッドと隣り合う部分以外の部分の溝幅の方が広くなっていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の磁気センサ。
【請求項４】
前記第１溝部及び前記第２溝部は、下方側の溝幅より上方側の溝幅の方が広くなるように形成されており、
前記第１溝部及び前記第２溝部の側面壁が粗面となっていることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の磁気センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、各種電子機器に利用される磁気センサに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、外部磁界を検出する磁気抵抗効果素子を用いた磁気センサは、電流情報、位置情報、角度情報等を得ることに用いられ、各種電子機器に搭載されるようになってきた。特に、角度情報を得るための磁気センサは、非接触で測定を行える利点から、回転センサや角度センサに好適に用いられている。そして、様々な用途に用いられることに伴い、磁気センサが使用される環境も年々厳しいものとなってきた。
【０００３】
例えば、高温・高湿の悪条件での使用機会が増えると予想して、特許文献１（従来例）では、水分による悪影響を低減した磁気抵抗効果型磁気センサ９０２が提案されている。図５は、従来例の磁気抵抗効果型磁気センサ９０２を説明する図であって、図５（ａ）は、磁気抵抗効果型磁気センサ９０２の検出部９０４とリード部９０５の分解斜視図であり、図５（ｂ）は、検出部９０４の平面図である。
【０００４】
従来例の磁気抵抗効果型磁気センサ９０２は、リニアエンコーダに用いられており、図５（ａ）に示すように、磁気抵抗効果を有する薄膜層の複数の素子９１５が設けられた検出部９０４と、この検出部９０４を図外の制御部に接続するためのリード部９０５と、から構成されている。また、磁気抵抗効果型磁気センサ９０２の検出部９０４には、図５（ｂ）に示すように、複数の素子９１５（９１５Ａ、９１５Ｂ、９１５Ｃ）に対応した端子部９１６（９１６ａ、９１６ｂ、９１６ｃ）と、素子９１５と端子部９１６とを接続するリード路９１７（９１７ａ、９１７ｂ、９１７ｃ）と、素子９１５及びリード路９１７の周囲に十分な面積を持ったグランド９１８と、が形成されている。
【０００５】
更に、検出部９０４には、図５（ｂ）に示すように、グランド９１８の三方の周囲に連続した細い除去溝９２１が形成され、この除去溝９２１内に保護層が入り込むように構成されている。これにより、素子９１５の薄膜層の端面が保護層により確実に被覆され、薄膜層への水分の侵入をより確実に防止することができるとしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】実開平４−９４５７７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、従来例の構成では、端子部（パッド）９１６が形成された残りの一方側には、除去溝９２１が形成されておらず、この一方側から水分が侵入してしまうようになっている。このため、素子９１５の薄膜層が僅かな水分に起因して腐食する等の悪影響を受ける虞があった。また、電圧がかかる端子部９１６間に水分が存在すると、端子部９１６間でのマイグレーションが発生する虞もあった。このような課題は、近年の電子機器の高度化に伴う電子部品の小型化に対応した高密度配線化により、益々顕著となってきた。
【０００８】
本発明は、上述した課題を解決するもので、磁電変換素子近傍への水分の侵入及びパッド間でのマイグレーションを抑制できる磁気センサを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
この課題を解決するために、本発明の磁気センサは、基板と、該基板上に形成され複数の磁電変換素子と、前記基板上に形成され前記複数の磁電変換素子のそれぞれと電気的に接続された複数のパッドと、前記複数の磁電変換素子を保護する保護層と、を備えた磁気センサにおいて、前記保護層が、前記基板側に設けられた第１保護層と、該第１保護層の上層に設けられた第２保護層と、を有し、前記第１保護層には、前記基板の外縁部に沿って第１溝部が環状に形成されるとともに、前記パッドの周囲に環状に第２溝部が形成されており、前記第１溝部及び第２溝部には、前記第２保護層が埋め込まれていることを特徴としている。
【００１０】
これによれば、本発明の磁気センサは、第１溝部により基板の外周から侵入してくる水分を少なくすることができるとともに、第２溝部によりパッド間に侵入してきた水分がパッド間で悪影響を及ぼさないようにパッド間を隔てることができる。これらのことにより、磁電変換素子近傍への水分の侵入を抑制できるとともに、パッド間でのマイグレーションを抑制することができる。
【００１１】
また、本発明の磁気センサは、前記複数のパッドが前記基板の外縁近傍に配設され、前記第１溝部が前記第２溝部と隣り合う部分の溝幅が他の部分よりも狭くなっており、前記第２溝部が前記第２溝部と隣り合う前記第１溝部の溝幅と同等以下の溝幅となっていることを特徴としている。
【００１２】
これによれば、複数のパッドが基板の外縁近傍に配設されているので、基板の外周とパッドとの間に、第１溝部と第２溝部とが隣り合って存在することとなる。このため、パッドに近いところから侵入してくる水分をより少なくすることができる。このことにより、パッド間でのマイグレーションをより抑制することができる。また、第２溝部と隣り合う部分の第１溝部の溝幅が狭くなっているとともに、その部分の第２溝部の溝幅が第１溝部の溝幅と同等以下の溝幅となっているので、複数のパッドをより基板の外周側に寄せて配設することができる。このため、複数の磁電変換素子や複数のパッドを基板に効率良く配設することができる。このことにより、複数の磁電変換素子や複数のパッドが形成された基板サイズを小さくすることができる。
【００１３】
また、本発明の磁気センサは、前記第１溝部が前記パッドと隣り合う部分の溝幅より前記パッドと隣り合う部分以外の部分の溝幅の方が広くなっていることを特徴としている。
【００１４】
これによれば、基板の外周から水分が侵入してきた際に、侵入してきた水分が、溝幅の狭いパッド近傍の第１溝部から、パッドから離れた溝幅の広い第１溝部へと、誘導されるようになる。このことにより、パッドへの水分による悪影響を低減することができる。
【００１５】
また、本発明の磁気センサは、前記第１溝部及び前記第２溝部が下方側の溝幅より上方側の溝幅の方が広くなるように形成されており、前記第１溝部及び前記第２溝部の側面壁が粗面となっていることを特徴としている。
【００１６】
これによれば、第１溝部及び第２溝部は、下方側の幅より上方側の幅の方が広くなるように形成されているので、第２保護層を積層する際に、第２保護層を第１溝部及び第２溝部に充填し易くなっている。また、第１溝部及び第２溝部の側面壁が粗面となっているので、充填された第２保護層が第１保護層の第１溝部及び第２溝部に密着し易くなっている。これらのことにより、第１溝部及び第２溝部と第２保護層との間の隙間が低減されて、侵入してきた水分がパッド部分側へ更に侵入することを低減できる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明の磁気センサは、第１溝部により基板の外周から侵入してくる水分を少なくすることができるとともに、第２溝部によりパッド間に侵入してきた水分がパッド間で悪影響を及ぼさないようにパッド間を隔てることができる。これらのことにより、磁電変換素子近傍への水分の侵入を抑制できるとともに、パッド間でのマイグレーションを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の第１実施形態の磁気センサを説明する図であって、磁気センサがパッケージングされて使用されている一例を示した斜視図である。
【図２】本発明の第１実施形態の磁気センサを説明する平面図である。
【図３】本発明の第１実施形態の磁気センサを説明する図であって、図３（ａ）は、図１において第２保護層を省略した平面図であり、図３（ｂ）は、図３（ａ）において第１保護層を省略した平面図である。
【図４】本発明の第１実施形態の磁気センサを説明する説明図であって、図４（ａ）は、図２に示すＩＩ−ＩＩ線における断面構成図であり、図４（ｂ）は、図２に示すＩＩＩ−ＩＩＩ線における断面構成図であり、図４（ｃ）は、図２に示すＩＶ−ＩＶ線における断面構成図であり、図４（ｄ）は、図２に示すＶ−Ｖ線における断面構成図である。
【図５】従来例の磁気抵抗効果型磁気センサを説明する図であって、図５（ａ）は、磁気抵抗効果型磁気センサの検出部とリード部の分解斜視図であり、図５（ｂ）は、検出部の平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
【００２０】
［第１実施形態］
図１は、本発明の第１実施形態の磁気センサ１０１を説明する図であって、磁気センサ１０１がパッケージングされて使用されている一例を示した斜視図である。
【００２１】
先ず、本発明の第１実施形態の磁気センサ１０１は、図１に示すように、熱硬化性の合成樹脂でパッケージングされて、リード端子ＲＤＴを介して、回路基板Ｐ３００に他の電子部品Ｅ２９９とともに実装されている。そして、この回路基板Ｐ３００が外部磁界の変化する環境にセットされると、磁気センサ１０１は、磁界の変化を検出して、その変化を電気信号に変換して、この電気信号を他の機器に送信している。なお、図示はしていないが、回路基板Ｐ３００には配線パターンが施されている。
【００２２】
次に、パッケージング内の磁気センサ１０１の構成について説明する。図２は、本発明の第１実施形態の磁気センサ１０１を説明する平面図である。図３（ａ）は、図１において第２保護層２７を省略した平面図である。図３（ｂ）は、図３（ａ）において更に第１保護層１７を省略した平面図である。図４は、本発明の第１実施形態の磁気センサ１０１を説明する説明図であって、図４（ａ）は、図２に示すＩＩ−ＩＩ線における断面構成図であり、図４（ｂ）は、図２に示すＩＩＩ−ＩＩＩ線における断面構成図であり、図４（ｃ）は、図２に示すＩＶ−ＩＶ線における断面構成図であり、図４（ｄ）は、図２に示すＶ−Ｖ線における断面構成図である。なお、図４は、説明を分かり易くするため、実際の寸法とは大きく異なり、模式化した図である。
【００２３】
本発明の第１実施形態の磁気センサ１０１は、図２に示すように、矩形状の基板１と、基板１上に形成され４つの磁電変換素子３（３Ａ、３Ｂ、３Ｃ、３Ｄ）と、４つの磁電変換素子３のそれぞれと電気的に接続された４つのパッド５（５Ａ、５Ｂ、５Ｃ、５Ｄ）と、４つの磁電変換素子３を保護する保護層７と、を備えて構成されている。他に、磁気センサ１０１は、磁電変換素子３とパッド５とを電気的に接続する配線部４を有している。
【００２４】
先ず、磁気センサ１０１の基板１は、熱酸化膜（図４に示すシリカ層１ａ）付きのシリコンウェハを用いて形成されており、１枚のシリコンウェハから数百個から数千個を切り出して、図２及び図３に示す矩形のチップサイズにしたものである。
【００２５】
次に、磁気センサ１０１の磁電変換素子３は、磁界の変化により自身の皮膜の抵抗が変化する磁気抵抗効果素子を用いており、図４（ａ）、図４（ｂ）及び図４（ｄ）に示すように、シリコンの基板１上に形成されている。具体的には、詳細な図示はしないが、シリコンの基板１上に、Ｎｉ（ニッケル）Ｆｅ（鉄）Ｃｒ（クロム）合金或いはＣｒ等で形成されたシード層を介して、磁化方向がある方向にピン止めされた固定磁性層、Ｃｕ（銅）等の非磁性材料層、磁化方向が外部磁界の方向に回転するフリー磁性層、Ｔａ（タンタル）等のカバー層の順に積層して形成している。また、各層の成膜には、例えばスパッタリング成膜法が用いられている。
【００２６】
また、磁電変換素子３は、図２及び図３に示すように、ミアンダ形状のパターンになっており、磁電変換素子３Ａ及び磁電変換素子３ＤがＸ方向に帯状に長く延びるパターンがＹ方向に間隔をあけて形成されているとともに、磁電変換素子３Ｂ及び磁電変換素子３ＣがＹ方向に帯状に長く延びるパターンがＸ方向に間隔をあけて形成されている。そして、磁電変換素子３Ａと磁電変換素子３Ｂが連続して接続されているとともに、磁電変換素子３Ｃと磁電変換素子３Ｂが連続して接続されている。
【００２７】
次に、磁気センサ１０１のパッド５は、図２及び図３に示すように、矩形の４つのパッド５Ａ、パッド５Ｂ、パッド５Ｃ及びパッド５Ｄを備えており、基板１の外縁近傍に配設されている。一般に、基板１におけるパッド５の占有領域が広いため、このように基板１の外縁近傍に配設される場合が多い。また、パッド５は、図３（ｂ）に示すように、磁電変換素子３Ａとパッド５Ａとが配線部４ａ（４）により接続されているとともに、磁電変換素子３Ｂとパッド５Ｂとが配線部４ｂ（４）により接続されている。同様にして、磁電変換素子３Ｃとパッド５Ｃとが配線部４ｃ（４）により接続されているとともに、磁電変換素子３Ｄとパッド５Ｄとが配線部４ｄ（４）により接続されている。これにより、パッド５と磁電変換素子３とが電気的に接続されるようになる。なお、配線部４は非磁性、磁性の別を問わないが、電気抵抗の低いことが好適である。
【００２８】
また、パッド５の形成は、先ず、前工程で形成された保護層７（後述する第１保護層１７）に接続用の穴（窓）を空けて配線部４（４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄ）を露出させ、次に、Ｃｕ（銅）の皮膜とＡｕ（金）の皮膜を成膜し、最後に、図３（ｂ）に示すような矩形状にパターニングすることにより、行われる。
【００２９】
次に、磁気センサ１０１の保護層７は、図４に示すように、基板１側に設けられた第１保護層１７と、第１保護層１７の上層に設けられた第２保護層２７と、を備えて構成され、図２に示すように、基板１の全面を覆うようにして形成され、複数の磁電変換素子３及び配線部４を保護する機能を有している。
【００３０】
先ず、保護層７の第１保護層１７は、無機材料を用いた無機膜層であって、図４（ｂ）及び図４（ｄ）に示すように、複数の磁電変換素子３及び配線部４を覆う第１無機層１７Ａと、第１無機層１７Ａの上層に設けられた第２無機層１７Ｂと、を備えて構成されている。
【００３１】
第１保護層１７の第１無機層１７Ａは、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）を用いており、このアルミナは、磁電変換素子３に対して悪影響を与えないので好適である。また、第１保護層１７の第２無機層１７Ｂは、シリカ（ＳｉＯ2）を用いており、このシリカは、防湿効果に優れているので好適である。また、これら各層の成膜には、例えばスパッタリング成膜法が用いられている。
【００３２】
第１保護層１７には、図３（ａ）に示すように、基板１の外縁部に沿って第１溝部１７ｖが環状に形成されるとともに、パッド５の周囲に環状に第２溝部１７ｗが形成されている。また、この第１溝部１７ｖ及び第２溝部１７ｗは、図４に示すように、下方側（図４（ａ）に示すＺ１方向側）の溝幅より上方側の溝幅の方が広くなるようなテーパー形状で形成されている。また、詳細な図示はしていないが、第１溝部１７ｖ及び第２溝部１７ｗの側面壁１７ｐが粗面となっている。
【００３３】
第１保護層１７の第１溝部１７ｖは、パッド５と隣り合う部分の溝幅よりパッド５と隣り合う部分以外の部分の溝幅の方が広くなるように構成している。具体的には、図３（ａ）、図４（ａ）及び図４（ｂ）に示すように、第１溝部１７ｖａの溝幅が第１溝部１７ｖｂの溝幅より広くなっている。特に、パッド５が基板１の外縁近傍に配設されている場合は、基板１の外周とパッド５との間に、第１溝部１７ｖと第２溝部１７ｗとが隣り合って存在することとなる。このような場合、第１溝部１７ｖは、第２溝部１７ｗと隣り合わない他の部分の溝幅より第２溝部１７ｗと隣り合う部分の溝幅が狭くなっている。
【００３４】
第１保護層１７の第２溝部１７ｗは、図３（ａ）及び図４（ａ）に示すように、本発明の第１実施形態では、第１溝部１７ｖｂ（１７ｖ）と隣り合う第２溝部１７ｗの溝幅が隣り合う第１溝部１７ｖｂ（１７ｖ）の溝幅と同等の溝幅となっている。これにより、４つのパッド５（５Ａ、５Ｂ、５Ｃ、５Ｄ）をより基板１の外周側に寄せて配設することができる。このため、複数の磁電変換素子３や複数のパッド５を基板１に効率良く配設することができる。このことにより、複数の磁電変換素子３や複数のパッド５が形成された基板１のサイズを小さくすることができる。なお、第２溝部１７ｗの溝幅は、隣り合う第１溝部１７ｖｂ（１７ｖ）の溝幅と同等でなくても良く、より小さい溝幅でも良い。
【００３５】
また、第１溝部１７ｖ及び第２溝部１７ｗの形成は、パッド５の接続用の穴（窓）を空ける工程と同時に行い、例えばフッ化炭素系のガスを用いたドライエッチングで容易に行うことができる。また、ドライエッチングのエッチング条件を適切に選択することで、下方側の溝幅より上方側の溝幅の方が広くなるようなテーパー形状を容易に形成することができる。このように、第１溝部１７ｖ及び第２溝部１７ｗをドライエッチングで形成しているため、その表面が粗面となっている。
【００３６】
最後に、保護層７の第２保護層２７は、有機材料を用いた有機膜層であって、図４に示すように、第１溝部１７ｖ及び第２溝部１７ｗが形成された後の第１保護層１７（第２無機層１７Ｂ）の上層に設けられている。そして、第１保護層１７の第１溝部１７ｖ及び第２溝部１７ｗが埋め込まれるように構成されている。
【００３７】
また、第２保護層２７の形成は、エポキシ樹脂等の合成樹脂を塗布し、硬化することで、容易に行うことができる。この合成樹脂を塗布する際に、前述したように、第１溝部１７ｖ及び第２溝部１７ｗが下方側の幅より上方側の幅の方が広くなるように形成されているので、合成樹脂が第１溝部１７ｖ及び第２溝部１７ｗに流動し易くなり、充填し易くなっている。また、第１溝部１７ｖ及び第２溝部１７ｗの側面壁１７ｐが粗面となっているので、充填された合成樹脂が第１溝部１７ｖ及び第２溝部１７ｗに密着し易くなっている。これらのことにより、第１溝部１７ｖ及び第２溝部１７ｗと第２保護層２７との間の隙間が低減される。
【００３８】
以上のように、基板１の外縁部分に位置する第１保護層１７に第１溝部１７ｖが形成され、この第１溝部１７ｖに第２保護層２７が埋め込まれているので、従来例と比較して、基板１の外周から侵入してくる水分を少なくすることができる。
【００３９】
更に、パッド５の周囲に第２溝部１７ｗも形成され、この第２溝部１７ｗにも第２保護層２７が埋め込まれているので、電圧がかかるパッド５間に僅かに侵入してきた水分がパッド５間で悪影響を及ぼさないようにパッド５間を隔てることができる。
【００４０】
以上のように構成された本発明の第１実施形態の磁気センサ１０１における、効果について、以下に纏めて説明する。
【００４１】
本発明の磁気センサ１０１は、基板１の外縁部分に位置する第１保護層１７に第１溝部１７ｖが形成されこの第１溝部１７ｖに第２保護層２７が埋め込まれているので、この第１溝部１７ｖにより、基板１の外周から侵入してくる水分を少なくすることができる。更に、パッド５の周囲に第２溝部１７ｗが形成されこの第２溝部１７ｗに第２保護層２７が埋め込まれているので、この第２溝部１７ｗにより、パッド５間に侵入してきた水分がパッド５間で悪影響を及ぼさないように、パッド５間を隔てることができる。これらのことにより、磁電変換素子３近傍への水分の侵入を抑制できるとともに、パッド５間でのマイグレーションを抑制することができる。
【００４２】
また、複数のパッド５が基板１の外縁近傍に配設されているので、基板１の外周とパッド５との間に、第１溝部１７ｖ（１７ｖｂ）と第２溝部１７ｗとが隣り合って存在することとなる。このため、パッド５に近いところから侵入してくる水分をより少なくすることができる。このことにより、パッド５間でのマイグレーションをより抑制することができる。また、第２溝部１７ｗと隣り合う部分の第１溝部１７ｖの溝幅が狭くなっているとともに、その部分の第２溝部１７ｗの溝幅が第１溝部１７ｖの溝幅と同等以下の溝幅となっているので、複数のパッド５をより基板１の外周側に寄せて配設することができる。このため、複数の磁電変換素子３や複数のパッド５を基板１に効率良く配設することができる。このことにより、複数の磁電変換素子３や複数のパッド５が形成された基板１のサイズを小さくすることができる。
【００４３】
第１溝部１７ｖがパッド５と隣り合う部分以外の溝幅の方が広くなっているので、基板１の外周から水分が侵入してきた際に、侵入してきた水分が、溝幅の狭いパッド５近傍の第１溝部１７ｖｂ（１７ｖ）からパッド５から離れた溝幅の広い第１溝部１７ｖａ（１７ｖ）へと誘導されるようになる。このことにより、パッド５への水分による悪影響を低減することができる。
【００４４】
第１溝部１７ｖ及び第２溝部１７ｗは、下方側の幅より上方側の幅の方が広くなるように形成されているので、第２保護層２７を積層する際に、第２保護層２７を第１溝部１７ｖ及び第２溝部１７ｗに充填し易くなっている。また、第１溝部１７ｖ及び第２溝部１７ｗの側面壁１７ｐが粗面となっているので、充填された第２保護層２７が第１保護層１７の第１溝部１７ｖ及び第２溝部１７ｗに密着し易くなっている。これらのことにより、第１溝部１７ｖ及び第２溝部１７ｗと第２保護層２７との間の隙間が低減されて、侵入してきた水分がパッド５部分側へ更に侵入することを低減できる。
【００４５】
なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、例えば次のように変形して実施することができ、これらの実施形態も本発明の技術的範囲に属する。
【００４６】
＜変形例１＞
上記第１実施形態では、第１溝部１７ｖ及び第２溝部１７ｗが１個形成されているが、１個に限らず、複数個有して構成されていても良い。
【００４７】
＜変形例２＞
上記第１実施形態では、第１溝部１７ｖ及び第２溝部１７ｗが連続した環状の溝になって構成されているが、これに限るものではなく、一部が埋められた環状の溝であっても良い。その際には、一部が埋められた部分（溝が存在しない部分）がパッド５から離れた位置にあるのが好ましい。
【００４８】
＜変形例３＞
上記第１実施形態では、第１溝部１７ｖａ（１７ｖ）において、基板１の辺に沿った方向の溝幅が同じ幅で形成されているが、この形状に限るものではなく、例えば、磁電変換素子３に対向する部分の溝幅を狭く、磁電変換素子３から離れた部分（配線部４ｂと対向する部分）の溝幅を広くするような、溝幅を変える構成でも良い。これにより、侵入してきた水分が、溝幅の狭い磁電変換素子３の近傍の第１溝部１７ｖａ（１７ｖ）から磁電変換素子３から離れた溝幅の広い第１溝部１７ｖａ（１７ｖ）へと誘導されるようになり、磁電変換素子３への影響を低減できる。
【００４９】
＜変形例４＞
上記第１実施形態では、４つの磁電変換素子３及び４つのパッド５で構成されているが、これに限るものではなく、磁電変換素子３を用いた回路構成により任意に変えることができる。
【００５０】
＜変形例５＞
上記第１実施形態では、磁電変換素子３がミアンダ形状で形成され、パッド５が矩形状で形成されて構成されているが、この形状に限るものではない。
【００５１】
＜変形例６＞
上記第１実施形態では、磁電変換素子３として、磁気抵抗効果素子を好適としたが、磁気抵抗効果素子には、ＧＭＲ（Giant Magneto Resistive）素子、ＡＭＲ(Anisotropic Magneto Resistive)素子、ＴＭＲ(Tunnel Magneto Resistive)素子等があり、他の素子として、ホール素子等があり、これらの素子であっても良い。
【００５２】
本発明は上記実施の形態に限定されず、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更することが可能である。
【符号の説明】
【００５３】
１      基板
３、３Ａ、３Ｂ、３Ｃ、３Ｄ  磁電変換素子
５、５Ａ、５Ｂ、５Ｃ、５Ｄ  パッド
７      保護層
１７    第１保護層
１７ｖ、１７ｖａ、１７ｖｂ  第１溝部
１７ｐ  側面壁
１７ｗ  第２溝部
２７    第２保護層
１０１  磁気センサ
【図１】
2016024005.tif 000003
【図２】
2016024005.tif 000004
【図３】
2016024005.tif 000005
【図４】
2016024005.tif 000006
【図５】
2016024005.tif 000007