(57)【要約】【課題】溶媒に対する溶解性に優れ、成膜性を向上させることができる有機電界発光素子用化合物およびそれを用いた有機電界発光素子を提供することを目的とする。【解決手段】下記一般式（１）で表される有機電界発光素子用化合物。【化１】2016108255.tif 000019（式中、Ｌは、２価の複素環基、または置換若しくは無置換のフェニレン基を示し、Ｒｎは、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、環形成炭素数６〜５０のアリール基、炭素数３〜６のシクロアルキル基であり、ｎは１〜４の整数を示す。ＣＺはカルバゾール骨格含有基、ＡＺはアジン骨格含有基を示す。ＬとＲnとは、互いに結合して縮合環が形成されていてもよい。）【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（１）で表される有機電界発光素子用化合物。
【化１】
2016108255.tif 000016
（式中、Ｌは、２価の複素環基、または置換若しくは無置換のフェニレン基を示し、Ｒｎは、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、環形成炭素数６〜５０のアリール基、炭素数３〜６のシクロアルキル基であり、ｎは１〜４の整数を示す。ＣＺはカルバゾール骨格含有基、ＡＺはアジン骨格含有基を示す。ＬとＲnとは、互いに結合して縮合環が形成されていてもよい。）
【請求項２】
下記一般式（２）で表されることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光素子用化合物。
【化２】
2016108255.tif 000017
（式中、Ｌは、２価の複素環基、または置換若しくは無置換のフェニレン基を示し、Ｒｎは、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、環形成炭素数６〜５０のアリール基、炭素数３〜６のシクロアルキル基であり、ｎは１〜４の整数を示す。ＬとＲnとは、互いに結合して縮合環が形成されていてもよい。）
【請求項３】
前記有機電界発光素子用化合物は、下記式（３）〜（５）からなる群より選ばれる１種であることを特徴とする請求項２に記載の有機電界発光素子用化合物。
【化３】
2016108255.tif 000018
【請求項４】
正孔輸送材料及び電荷輸送材料として用いられることを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の有機電界発光素子用化合物。
【請求項５】
第１電極と、
前記第１電極に対向して設けられた第２電極と、
前記第１電極と前記第２電極との間に設けられた有機層と
を備え、
前記有機層は、請求項１〜４のいずれか１項に記載された有機電界発光素子用化合物を含有することを特徴とする有機電界発光素子。
【請求項６】
前記有機層は、発光層を備えており、該発光層は、前記有機電界発光素子用化合物をホスト材料として含有することを特徴とする請求項５に記載の有機電界発光素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機電界発光素子用化合物（有機エレクトロルミネッセンス素子用化合物：以下、「有機ＥＬ素子用化合物」と記載する）および有機電界発光素子（有機エレクトロルミネッセンス素子：以下、「有機ＥＬ素子」と記載する）に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、次世代フラットパネル表示装置として有機ＥＬ表示装置が注目されている。この有機ＥＬ表示装置は、薄型が可能な自己発光型の表示装置であり、視認性及び視野角特性に優れ、低消費電力であるため、需要が高まってきている。
【０００３】
この有機ＥＬ表示装置は、一般に、複数の有機ＥＬ素子を有しており、複数の有機ＥＬ素子の各々は、基板上に形成された第１電極と、第１電極上に形成された発光層を有する有機層と、有機層上に形成された第２電極とを備えている。そして、電界を印加することにより、有機層において、第１電極より注入された正孔と第２電極より注入された電子とが再結合し、有機層を形成する発光材料が発光する構成となっている。
【０００４】
また、一般に、有機層は、正孔注入層と、正孔注入層の表面上に形成された正孔輸送層と、正孔輸送層の表面上に形成された発光層と、発光層の表面上に形成された電子輸送層と、電子輸送層の表面上に形成された電子注入層とを備えている。
【０００５】
ここで、有機層に使用される有機ＥＬ材料は、有機ＥＬ素子の発光効率や発光寿命に多大なる影響を与えるため、発光効率の向上や長寿命化を図ることが可能な有機ＥＬ材料が研究されている。
【０００６】
より具体的には、例えば、モノアミン化合物を含む材料により正孔輸送層が形成されるとともに、アジン系化合物を含む材料により電子輸送層が形成された有機ＥＬ素子が提案されている。そして、このような有機ＥＬ素子用化合物を使用することにより、有機ＥＬ素子の長寿命化を図ることができるとともに、発光効率を向上することができると記載されている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】国際公開第２０１３／１７５７４７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ここで、製造工程の簡素化を図るとともに、製造コストを低下させるとの観点から、有機層を形成する方法として、有機ＥＬ素子用化合物を塗布する塗布法が採用されている。例えば、有機ＥＬ素子用化合物を、有機溶剤（例えば、トルエン）により溶解した溶液を、スピンコート法により基板上に塗布することにより、有機層を形成する方法が採用されている。
【０００９】
しかし、上記特許文献１に記載の有機ＥＬ素子用化合物は、溶媒への溶解性に乏しいため、塗布後に成膜性が低下し、結果として、塗布法を採用することが困難であるという問題があった。
【００１０】
そこで、本発明は、上述の問題に鑑みてなされたものであり、溶媒に対する溶解性に優れ、成膜性を向上させることができる有機ＥＬ素子用化合物およびそれを用いた有機ＥＬ素子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的を達成するために、本発明の有機電界発光素子用化合物は、下記一般式（１）で表されることを特徴とする。
【００１２】
【化１】
2016108255.tif 000002
（式中、Ｌは、２価の複素環基、または置換若しくは無置換のフェニレン基を示し、Ｒｎは、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、環形成炭素数６〜５０のアリール基、炭素数３〜６のシクロアルキル基であり、ｎは１〜４の整数を示す。ＣＺはカルバゾール骨格含有基、ＡＺはアジン骨格含有基を示す。ＬとＲnとは、互いに結合して縮合環が形成されていてもよい。）
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、有機ＥＬ素子用化合物において、溶媒に対する溶解性、及び成膜性を向上させることが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の実施形態に係る有機ＥＬ素子を説明するための断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。尚、本発明は、以下の実施形態に限定されるものではない。
【００１６】
図１は、本発明の実施形態に係る有機ＥＬ素子を説明するための断面図である。
【００１７】
図１に示すように、有機ＥＬ素子１００は、基板１１０と、基板１１０上に配置された第１電極１２０と、第１電極１２０上に配置された有機層１９０と、有機層１９０上に配置された第２電極１８０とを備えている。即ち、有機ＥＬ素子１００は、第１電極１２０と、第１電極１２０に対向して設けられた第２電極１８０と、第１電極１２０と第２電極１８０との間に設けられた有機層１９０と備えている。
【００１８】
また、有機層１９０は、第１電極１２０上に配置された正孔注入層１３０と、正孔注入層１３０上に配置された正孔輸送層１４０と、正孔輸送層１４０上に配置された発光層１５０と、発光層１５０上に配置された電子輸送層１６０と、電子輸送層１６０上に配置された電子注入層１７０とを備える。なお、図１に示すように、第２電極１８０は、電子注入層１７０上に配置される。
【００１９】
基板１１０は、一般的な有機ＥＬ素子で使用される基板を使用することができる。例えば、基板１１０は、ガラス基板、半導体基板、または透明なプラスチック基板などであってもよい。
【００２０】
第１電極１２０は、例えば、陽極（アノード）であり、蒸着法、またはスパッタリング（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）法などを用いて基板１１０上に形成される。具体的には、第１電極１２０は、仕事関数が大きい金属、合金、導電性化合物などによって透過型電極として形成される。第１電極１２０は、例えば、透明であり、導電性に優れる酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）などで形成されてもよい。また、第１電極１２０は、マグネシウム（Ｍｇ）、アルミニウム（Ａｌ）などを用いて反射型電極として形成されてもよい。
【００２１】
正孔注入層１３０は、第１電極１２０からの正孔の注入を容易にする機能を備えた層であり、真空蒸着法、スピンコーティング（ｓｐｉｎ  ｃｏａｔｉｎｇ）法、インクジェット（ｉｎｋ  ｊｅｔ）法などを用いて第１電極１２０上に形成される。また、正孔注入層１３０は、具体的には、約１０ｎｍ〜約１０００ｎｍ、より具体的には、約１０ｎｍ〜約１００ｎｍの厚さにて形成されてもよい。
【００２２】
なお、正孔注入層１３０は、公知の材料を用いて形成することができるが、例えば、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス−［４−（フェニル−ｍ−トリル−アミノ）−フェニル］−ビフェニル−４，４’−ジアミン（ＤＮＴＰＤ）、銅フタロシアニンなどのフタロシアニン化合物、４，４’，４”−トリス（３−メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）、Ｎ，Ｎ’−ジ（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジン（ＮＰＢ）、４，４’，４”−トリス｛Ｎ，Ｎジフェニルアミノ｝トリフェニルアミン（ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４”−トリス（Ｎ，Ｎ−２−ナフチルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（２−ＴＮＡＴＡ）、ポリアニリン／ドデシルベンゼンスルホン酸（Ｐａｎｉ／ＤＢＳＡ）、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（４−スチレンスルホネート）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）、ポリアニリン／カンファースルホン酸（Ｐａｎｉ／ＣＳＡ）、またはポリアニリン／ポリ（４−スチレンスルホネート）（ＰＡＮＩ／ＰＳＳ）などを用いて形成することができる。
【００２３】
正孔輸送層１４０は、正孔を輸送する機能を有する正孔輸送材料を含む層であり、真空蒸着法、スピンコーティング法、インクジェット法などを用いて正孔注入層１３０上に形成される。また、正孔輸送層１４０は、具体的には、約５ｎｍ〜約２００ｎｍ、より具体的には、約１０ｎｍ〜約１５０ｎｍの厚さにて形成されてもよい。なお、正孔輸送層１４０は、公知の正孔輸送材料を用いて形成することができるが、例えば、Ｎ−フェニルカルバゾール（Ｎ−ｐｈｅｎｙｌ  ｃａｒｂａｚｏｌｅ）、ポリビニルカルバゾール（ｐｏｌｙｖｉｎｙｌ  ｃａｒｂａｚｏｌｅ）などのカルバゾール誘導体、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１，１−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ）、４，４’，４”−トリス（Ｎ−カルバゾリル）トリフェニルアミン（ＴＣＴＡ）、Ｎ，Ｎ’−ジ（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジン（ＮＰＢ）を用いて形成することができる。
【００２４】
発光層１５０は、燐光、蛍光などにより光を発する層であり、真空蒸着法、スピンコーティング法、インクジェット法などを用いて正孔輸送層１４０上に形成される。また、発光層１５０は、ホスト材料およびドーパント（ｄｏｐａｎｔ）材料を含み、特に、ホスト材料として本実施形態の有機ＥＬ素子用化合物を含む。なお、発光層１５０は、具体的には、約１０ｎｍ〜約１００ｎｍ、より具体的には、約２０ｎｍ〜約６０ｎｍの厚さに形成することができる。
【００２５】
また、発光層１５０は、本実施形態の有機ＥＬ素子用化合物以外の他のホスト材料を含んでいてもよく、例えば、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ３）、４，４’−Ｎ，Ｎ’−ジカバゾール−ビフェニル（ＣＢＰ）、ポリ（ｎ−ビニルカルバゾール）（ＰＶＫ）、９，１０−ジ（ナフタレン−２−イル）アントラセン（ＡＤＮ）、４，４’，４”−トリス（Ｎ−カルバゾリル）トリフェニルアミン（ＴＣＴＡ）、３−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（ナフト−２−イル）アントラセン（ＴＢＡＤＮ）、ジスチリルアリーレン（ＤＳＡ）、４，４’−ビス（９−カルバゾール）−２，２’−ジメチル−ビフェニル（ｄｍＣＢＰ）を含んでもよい。
【００２６】
また、発光層１５０は、特定の色の光を発する発光層として形成されてもよい。例えば、発光層１５０は、赤色発光層、緑色発光層、および青色発光層として形成されてもよい。なお、本実施形態の有機ＥＬ素子用化合物は、赤色発光層および緑色発光層のホスト材料として特に好適に用いることができる。
【００２７】
また、発光層１５０が青色発光層である場合、青色ドーパントとしては公知の材料が使用可能であり、例えば、ペリレン（ｐｅｒｙｌｅｎｅ）およびその誘導体、ビス［２−（４，６−ジフルオロフェニル）ピリジネート］ピコリネートイリジウム（ＩＩＩ）（ＦＩｒｐｉｃ）などのイリジウム（Ｉｒ）錯体などを使用することができる。
【００２８】
また、発光層１５０が赤色発光層である場合、赤色ドーパントとしては公知の材料が使用可能であり、例えば、ルブレン（ｒｕｂｒｅｎｅ）およびその誘導体、４−ジシアノメチレン−２−（ｐ−ジメチルアミノスチリル）−６−メチル−４Ｈ−ピラン（ＤＣＭ）およびその誘導体、ビス（１‐フェニルイソキノリン）（アセチルアセトネート）イリジウム（ＩＩＩ）（Ｉｒ（ｐｉｑ）２（ａｃａｃ））などのイリジウム錯体、オスミウム（Ｏｓ）錯体、白金錯体などを使用することができる。
【００２９】
また、発光層１５０が緑色発光層である場合、緑色ドーパントとしては公知の材料が使用可能であり、例えば、クマリン（ｃｏｕｍａｒｉｎ）およびその誘導体、トリス（２−フェニルピリジン）イリジウム（ＩＩＩ）（Ｉｒ（ｐｐｙ）３）などのイリジウム錯体などを使用することができる。
【００３０】
電子輸送層１６０は、電子を輸送する機能を有する電子輸送材料を含む層であり、真空蒸着法、スピンコーティング法、インクジェット法などを用いて発光層１５０上に形成される。また、電子輸送層１６０は、具体的には、約１０ｎｍ〜約１００ｎｍ、より具体的には、約１５ｎｍ〜約５０ｎｍの厚さに形成することができる。
【００３１】
なお、電子輸送層１６０は、公知の電子輸送材料を用いて形成することができるが、例えば、リチウムキノレート（ＬｉＱ）などのＬｉ錯体、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ３）などのキノリン（ｑｕｉｎｏｌｉｎｅ）誘導体、１，２，４−トリアゾール誘導体（ＴＡＺ）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）−（ｐ−フェニルフェノラート）−アルミニウム（ＢＡｌｑ）、ベリリウムビス（ベンゾキノリン−１０−オラート）（ＢｅＢｑ２）などを用いて形成することができる。
【００３２】
電子注入層１７０は、第２電極１８０からの電子の注入を容易にする機能を備えた層であり、真空蒸着法などを用いて電子輸送層１６０上に形成される。また、電子注入層１７０は、具体的には、約０．１ｎｍ〜約１０ｎｍ、より具体的には、約０．３ｎｍ〜約９ｎｍの厚さに形成することができる。なお、電子注入層１７０は、公知の材料を用いて形成することができるが、例えば、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、塩化ナトリウム（ＮａＣｌ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、酸化リチウム（Ｌｉ２Ｏ）、酸化バリウム（ＢａＯ）などを用いて形成することができる。
【００３３】
第２電極１８０は、例えば、陰極（カソード）であり、蒸着法またはスパッタリング法などを用いて電子注入層１７０上に形成される。具体的には、第２電極１８０は、仕事関数が小さい金属、合金、導電性化合物などで反射型電極として形成される。第２電極１８０は、例えば、リチウム（Ｌｉ）、マグネシウム（Ｍｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム−リチウム（Ａｌ−Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）、マグネシウム−インジウム（Ｍｇ−Ｉｎ）、マグネシウム−銀（Ｍｇ−Ａｇ）などで形成されてもよい。また、第２電極１８０は、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）などを用いて透過型電極として形成されてもよい。
【００３４】
なお、本実施形態に係る有機ＥＬ素子１００は、公知である他の様々な有機ＥＬ素子の構造により形成されてもよい。例えば、有機ＥＬ素子１００は、正孔注入層１３０、正孔輸送層１４０、電子輸送層１６０、および電子注入層１７０のうち１層以上を備えていない構成としてもよい。また、有機ＥＬ素子１００の各層は、単層で形成されてもよく、複数層で形成されてもよい。
【００３５】
さらに、有機ＥＬ素子１００は、三重項励起子または正孔が電子輸送層１６０に拡散する現象を防止するために、電子輸送層１６０と発光層１５０との間に正孔阻止層を備えていてもよい。なお、正孔阻止層は、例えば、オキサジアゾール（ｏｘａｄｉａｚｏｌｅ）誘導体、トリアゾール（ｔｒｉａｚｏｌｅ）誘導体、またはフェナントロリン（ｐｈｅｎａｎｔｈｒｏｌｉｎｅ）誘導体などによって形成することができる。
【００３６】
次に、本実施形態の有機ＥＬ素子用化合物を説明する。本実施形態の有機ＥＬ素子用化合物は、分子中にカルバゾール骨格含有基とアジン骨格含有基を有し、下記一般式（２）で表される。
【００３７】
【化２】
2016108255.tif 000003
（式中、Ｌは、２価の複素環基、または置換若しくは無置換のフェニレン基を示し、Ｒｎは、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、環形成炭素数６〜５０のアリール基、炭素数３〜６のシクロアルキル基であり、ｎは１〜４の整数を示す。ＣＺはカルバゾール骨格含有基、ＡＺはアジン骨格含有基を示す。ＬとＲnとは、互いに結合して縮合環が形成されていてもよい。）
２価の複素環基としては、ピリジレン基、ピラジレン基、ピリミジレン基、ピリダジレン基などの含窒素環基が挙げられる。このうち、２価の複素環基としては、ピリジレン基を好適に用いることができるが、これに限定されない。フェニレン基としては、１，３−フェニレン基、１，４−フェニレン基であることが好ましい。なお、「置換」とは、水素原子が置換したことを意味する。環形成炭素数６〜５０のアリール基とは、例えば、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、ナフチル基、フェナントレニル基、アントラセニル基、クリセニル基、フルオレニル基、トリフェニレニル基などが挙げられる。環形成炭素数は６〜３０であることが好ましく、６〜２０であることがより好ましい。このうちアリール基としては、フェニル基、ビフェニル基であることが好ましい。炭素数１〜１２のアルキル基としては、直鎖または分岐鎖のアルキル基、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ヘキシル基、イソヘキシル基、２−エチルヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ドデシル基などが挙げられる。炭素数１〜１２のアルコキル基としては、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、イソブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、イソペンチルオキシ基、ネオペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基、イソヘキシルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、ｎ−ヘプチルオキシ基、ｎ−オクチルオキシ基、ｎ−ノニルオキシ基、ｎ−デシルオキシ基などが挙げられる。炭素数３〜６のシクロアルキル基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などが挙げられる。
【００３８】
特に、本実施形態の有機ＥＬ素子用化合物は、カルバゾール骨格含有基としてインドロカルバゾールを有するとともに、アジン骨格含有基としてトリアジンを有する下記一般式（３）で表される化合物が、好適に使用される。
【００３９】
【化３】
2016108255.tif 000004
【００４０】
上記一般式（３）で表される化合物の具体例を以下に示すが、特にこれらに限定されるものではない。
【００４１】
【化４】
2016108255.tif 000005
【００４２】
【化５】
2016108255.tif 000006
【００４３】
【化６】
2016108255.tif 000007
【００４４】
【化７】
2016108255.tif 000008
【００４５】
【化８】
2016108255.tif 000009
【００４６】
【化９】
2016108255.tif 000010
【００４７】
そして、本実施形態においては、一般式（２）に示す有機ＥＬ素子用化合物を使用することにより、親油性が高いアルキル基などにより立体的な結合間のねじれが生じるため、溶媒に対する溶解性を向上させることができる。従って、有機ＥＬ素子用化合物を塗布する塗布法を用いて有機層１９０を形成する際に、塗布後の成膜性を向上させることが可能になる。
【００４８】
なお、本実施形態における塗布法としては、上述のスピンコーティング法やインクジェット法以外に、例えば、ディップコート法、静電スプレー法、スリットコート法、ダイコート法、スクリーン印刷法などの一般的な塗布法が含まれる。
【００４９】
また，溶媒としては、例えば、トルエン、ベンゼン、キシレン、イソプロピルアルコール、アニソールなどを使用することができる。
【００５０】
また、一般式（２）に示す有機ＥＬ素子用化合物は、上述のごとく、分子中にカルバゾール骨格含有基とアジン骨格含有基を含有しているため、正孔輸送性と電子輸送性の２つの電荷輸送性を有するバイポーラ（ｂｉｐｏｌａｒ）特性を有する。従って、一般式（２）に示す有機ＥＬ素子用化合物は、双極性の性質を有するため、正孔と電子とが結合する有機ＥＬ素子の発光層において、優れた界面特性および電荷輸送能力を発揮することができる。
【００５１】
なお、カルバゾール骨格含有基は、正孔の注入および輸送の機能（即ち、ＨＯＭＯ準位に応じた電導特性を有し、陽極で形成された正孔の発光層への注入および発光層からの移動を容易にする特性を有する機能）を果たし、アジン骨格含有基は、電子の注入および輸送の機能（ＬＵＭＯ準位に応じた電導特性を有し、陰極で形成された電子の発光層への注入および発光層からの移動を容易にする特性を有する機能）を果たす。
【００５２】
以上より、第１電極１２０および第２電極１８０との間に設けられた有機層１９０を構成するいずれかの層（即ち、正孔注入層１３０、正孔輸送層１４０、発光層１５０、電子輸送層１６０、及び電子注入層１７０）に、本発明の有機ＥＬ素子用化合物は含有されるが、特に、発光層１５０において、ホスト材料として含まれることが好ましい。
【００５３】
なお、一般に、ＨＯＭＯ（最高被占有軌道）とＬＵＭＯ（最低空軌道）のスピン状態が逆平行なものを一重項励起準位（Ｓ１）、平行なものを三重項励起準位(三重項エネルギー、Ｔ１)と言うが、燐光発光材料は、主に三重項励起準位から発光しており、発光材料の三重項励起準位がホスト材料の三重項エネルギーより大きい場合、ホスト材料へエネルギーが移動してしまうため、結果として、発光効率が低下する。
【００５４】
従って、ホスト材料の三重項励起準位は発光材料より高い必要があると言え、燐光発光材料の発光色が低波長側にシフトするに従い、発光材料の三重項励起準位は大きくなるため、ホスト材料の三重項励起準位は大きい方が好ましい。
【実施例】
【００５５】
以下に、本発明を実施例に基づいて説明する。なお、本発明は、これらの実施例に限定されるものではなく、これらの実施例を本発明の趣旨に基づいて変形、変更することが可能であり、それらを本発明の範囲から除外するものではない。
【００５６】
（実施例１）
（有機ＥＬ素子用化合物の合成）
下記反応スキーム１に従い、化学式（４）で表される化合物を合成した。
【００５７】
【化１０】
2016108255.tif 000011
【００５８】
＜反応スキーム１＞
反応溶器中に、２，６−ジブロモトルエン（１．００ｇ、４．００ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフラン２０ｍｌを加え、−７８℃において、混合物を撹拌した。その後、１．６Ｍのｎ−ブチルリチウム（ｎ−ＢｕＬｉ）ヘキサン溶液(２．５３ｍｌ、４．００ｍｍｏｌ)を滴下し、更に１時間、撹拌後、３，５−ジフェニル−１−クロロトリアジンを加え、室温で３時間、撹拌を行った。反応終了後、反応混合液に水を加え、クロロホルムを用いて抽出し、有機層を濃縮した。その後、得られた残渣にテトラヒドロフランを加え溶解させた後、メタノールを用いて、２回の再沈殿により精製を行い、化合物Ａを得た。
【００５９】
次に、反応溶器中に、インドロカルバゾール（２．００ｇ、６．０２ｍｍｏｌ）、トルエン６０ｍｌを加え、室温で１０分間、撹拌を行った。その後、上述の化合物Ａ（２．９０ｇ、７．２２ｍｍｏｌ）、tert−ナトリウムブトキシド（１．１６ｇ、１２．０３ｍｍｏｌ）、トリ-tert-ブチルホスホニウムテトラフェニルボラート（０．２５ｇ、１．２０ｍｍｏｌ）、トリス（ジベンジリデンアセトン）（クロロホルム）ジパラジウム（０） （０．１６ｇ、０．１２ｍｍｏｌ）を加え、還流下にて、５時間、撹拌を行った。
【００６０】
そして、反応終了後、室温まで放冷し、セライトを用いて不純物をろ別した。ろ液を濃縮後、カラムクロマトグラムを用いて精製し、白色固体を得た。そして、得られた固体をクロロホルムとヘキサンの混合溶媒を用いて、再結晶により精製を行い、化合物（４）を得た。
【００６１】
＜溶解性評価＞
次に、本実施例で得られた化合物（４）の溶媒に対する溶解性を評価した。より具体的には、まず、容器中に合成した化合物（４）１０ｍｇを加えた後、溶媒であるトルエンを３７３μｌ（３２３ｍｇ）加えた。
【００６２】
次に、化合物（４）とトルエンの混合物を、室温で１０分間、撹拌し、化合物（４）がトルエンに完全に溶解した（即ち、溶液中や容器の壁面に残渣が無い状態である）か否かを目視にて確認したところ、化合物（４）はトルエンに完全に溶解していた。
【００６３】
即ち、トルエン３２３ｍｇに化合物（４）１０ｍｇが完全に溶解していたため、トルエンに対する化合物（４）の溶解度は３ｗｔ％以上であり、良好であることが判った。
【００６４】
＜成膜性評価＞
次に、本実施例で得られた化合物（４）の成膜性を評価した。より具体的には、まず、ＵＶ／Ｏ３を照射し、イソプロピルアルコールとアセトンを用いて表面を洗浄したガラス基板を用意した。次に、上述の溶解性評価を行う際に作製したトルエン溶液を、ガラス基板上に５００μｌ滴下した。
【００６５】
次に、スピンコーターを用い、ガラス基板を１０００ｒｐｍの回転数で回転させ、ガラス基板上の溶液の厚みを一定にした。
【００６６】
次に、１３０℃（トルエンの沸点以上の温度）で、３０分間、ガラス基板を乾燥させた。
【００６７】
そして、乾燥後の基板の表面を目視にて観察したところ、白化(不透明化、結晶化)や、ムラ(膜厚が異なる)、凹凸、塗布されていない部分が存在するなどの不都合が発生しておらず、成膜性が良好であることが確認できた。
【００６８】
（実施例２）
（有機ＥＬ素子用化合物の合成）
下記反応スキーム２に従い、化学式（５）で表される化合物を合成した。
【００６９】
【化１１】
2016108255.tif 000012
【００７０】
＜反応スキーム２＞
反応溶器中に、１，４−ジブロモ−２，５−ジヘキシルベンゼン（０．８１ｇ、２．００ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフラン２０ｍｌを加え、−７８℃において、混合物を撹拌した。その後、１．６Ｍのｎ−ブチルリチウム（ｎ−ＢｕＬｉ）ヘキサン溶液(２．５３ｍｌ、４．００ｍｍｏｌ)を滴下し、更に１時間、撹拌後、３，５−ジフェニル−１−クロロトリアジンを加え、室温で３時間、撹拌を行った。反応終了後、反応混合液に水を加え、クロロホルムを用いて抽出し、有機層を濃縮した。その後、得られた残渣にテトラヒドロフランを加え溶解させた後、メタノールを用いて、２回の再沈殿により精製を行い、化合物Ｂを得た。
【００７１】
次に、反応溶器中に、インドロカルバゾール（２．００ｇ、６．０２ｍｍｏｌ）、トルエン６０ｍｌを加え、室温で１０分間、撹拌を行った。その後、上述の化合物Ｂ（３．３３ｇ、６．００ｍｍｏｌ）、tert−ナトリウムブトキシド（１．１６ｇ、１２．０３ｍｍｏｌ）、トリ−tert−ブチルホスホニウムテトラフェニルボラート（０．２５ｇ、１．２０ｍｍｏｌ）、トリス（ジベンジリデンアセトン）（クロロホルム）ジパラジウム（０） （０．１６ｇ、０．１２ｍｍｏｌ）を加え、還流下にて、５時間、撹拌を行った。
【００７２】
そして、反応終了後、室温まで放冷し、セライトを用いて不純物をろ別した。ろ液を濃縮後、カラムクロマトグラムを用いて精製し、白色固体を得た。そして、得られた固体をクロロホルムとヘキサンの混合溶媒を用いて、再結晶により精製を行い、化合物（５）を得た。
【００７３】
その後、上述の実施例１と同様にして、溶解性評価を行ったところ、トルエン３２３ｍｇに化合物（５）１０ｍｇが完全に溶解していたため、トルエンに対する化合物（５）の溶解度は３ｗｔ％以上であり、良好であることが判った。
【００７４】
また、実施例１と同様にして、成膜性評価を行ったところ、乾燥後の基板の表面において、白化(不透明化、結晶化)や、ムラ(膜厚が異なる)、凹凸、塗布されていない部分が存在するなどの不都合が発生しておらず、成膜性が良好であることが確認できた。
【００７５】
（実施例３）
（有機ＥＬ素子用化合物の合成）
下記反応スキーム３に従い、化学式（６）で表される化合物を合成した。
【００７６】
【化１２】
2016108255.tif 000013
【００７７】
＜反応スキーム３＞
反応溶器中に、５，８−ジブロモ−１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン（１．１６ｇ、４．００ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフラン２０ｍｌを加え、−７８℃において、混合物を撹拌した。その後、１．６Ｍのｎ−ブチルリチウム（ｎ−ＢｕＬｉ）ヘキサン溶液(２．５３ｍｌ、４．００ｍｍｏｌ)を滴下し、更に１時間、撹拌後、３，５−ジフェニル−１−クロロトリアジンを加え、室温で３時間、撹拌を行った。反応終了後、反応混合液に水を加え、クロロホルムを用いて抽出し、有機層を濃縮した。その後、得られた残渣にテトラヒドロフランを加え溶解させた後、メタノールを用いて、２回の再沈殿により精製を行い、化合物Ｃを得た。
【００７８】
次に、反応溶器中に、インドロカルバゾール（２．００ｇ、６．０２ｍｍｏｌ）、トルエン６０ｍｌを加え、室温で１０分間、撹拌を行った。その後、上述の化合物Ｃ（２．７３ｇ、６．００ｍｍｏｌ）、tert−ナトリウムブトキシド（１．１６ｇ、１２．０３ｍｍｏｌ）、トリ−tert−ブチルホスホニウムテトラフェニルボラート（０．２５ｇ、１．２０ｍｍｏｌ）、トリス（ジベンジリデンアセトン）（クロロホルム）ジパラジウム（０） （０．１６ｇ、０．１２ｍｍｏｌ）を加え、還流下にて、５時間、撹拌を行った。
【００７９】
そして、反応終了後、室温まで放冷し、セライトを用いて不純物をろ別した。ろ液を濃縮後、カラムクロマトグラムを用いて精製し、白色固体を得た。そして、得られた固体をクロロホルムとヘキサンの混合溶媒を用いて、再結晶により精製を行い、化合物（６）を得た。
【００８０】
その後、上述の実施例１と同様にして、溶解性評価を行ったところ、トルエン３２３ｍｇに化合物（６）１０ｍｇが完全に溶解していたため、トルエンに対する化合物（６）の溶解度は３ｗｔ％以上であり、良好であることが判った。
【００８１】
また、実施例１と同様にして、成膜性評価を行ったところ、乾燥後の基板の表面において、白化(不透明化、結晶化)や、ムラ(膜厚が異なる)、凹凸、塗布されていない部分が存在するなどの不都合が発生しておらず、成膜性が良好であることが確認できた。
【００８２】
（比較例１）
下記反応スキーム４に従い、化学式（７）で表される化合物を合成した。
【００８３】
【化１３】
2016108255.tif 000014
【００８４】
＜反応スキーム４＞
反応溶器中に、水素化ナトリウム（６０％流動パラフィン分散、２．８０ｇ、１１６．４８ｍｍｏｌ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド７０ｍｌを加え、室温において、混合物を撹拌した。３０分撹拌後、インドロカルバゾール（１７．０６ｇ、５２．９５ｍｍｏｌ）をＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド１００ｍｌに溶解させた溶液を滴下し、室温において、３０分、撹拌した。その後、３，５−ジフェニル−１−クロロトリアジン（９．９２ｇ、３７．０６ｍｍｏｌ）をＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド ００ｍｌに溶解させた溶液を滴下し、室温において、７時間、撹拌した。
【００８５】
反応終了後、氷浴中において、反応混合液に水６００ｍｌを加え、固体を析出させた後、ろ過により淡黄色固体を得た。得られた固体を、テトラヒドロフランに溶解させた後、メタノールを用いて、２回の再沈殿により精製を行い、化合物（７）を得た。
【００８６】
その後、上述の実施例１と同様にして、溶解性評価を行ったところ、トルエン３２３ｍｇに化合物（７）１０ｍｇが完全に溶解しなかったため、更に、３３３ｍｇのトルエンを加えたところ、化合物（７）１０ｍｇが完全に溶解した。従って、トルエンに対する化合物（７）の溶解度は１．５％であり、上述の実施例１〜３に比し、溶解度が劣ることが判った。
【００８７】
（比較例２）
下記反応スキーム５に従い、化学式（８）で表される化合物を合成した。
【００８８】
【化１４】
2016108255.tif 000015
【００８９】
＜反応スキーム５＞
反応溶器中に、２，６−ジブロモベンゼン（０．９４ｇ、４．００ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフラン２０ｍｌを加え、−７８℃において、混合物を撹拌した。その後、１．６Ｍのｎ−ブチルリチウム（ｎ−ＢｕＬｉ）ヘキサン溶液(２．５３ｍｌ、４．００ｍｍｏｌ)を滴下し、更に１時間、撹拌後、３，５−ジフェニル−１−クロロトリアジンを加え、室温で３時間、撹拌を行った。反応終了後、反応混合液に水を加え、クロロホルムを用いて抽出し、有機層を濃縮した。その後、得られた残渣にテトラヒドロフランを加え溶解させた後、メタノールを用いて、２回の再沈殿により精製を行い、化合物Ｅを得た。
【００９０】
次に、反応溶器中に、インドロカルバゾール（２．００ｇ、６．０２ｍｍｏｌ）、トルエン６０ｍｌを加え、室温で１０分間、撹拌を行った。その後、上述の化合物Ｅ（２．３３ｇ、６．００ｍｍｏｌ）、tert−ナトリウムブトキシド（１．１６ｇ、１２．０３ｍｍｏｌ）、トリ-tert-ブチルホスホニウムテトラフェニルボラート（０．２５ｇ、１．２０ｍｍｏｌ）、トリス（ジベンジリデンアセトン）（クロロホルム）ジパラジウム（０） （０．１６ｇ、０．１２ｍｍｏｌ）を加え、還流下にて、５時間、撹拌を行った。
【００９１】
そして、反応終了後、室温まで放冷し、セライトを用いて不純物をろ別した。ろ液を濃縮後、カラムクロマトグラムを用いて精製し、白色固体を得た。そして、得られた固体をクロロホルムとヘキサンの混合溶媒を用いて、再結晶により精製を行い、化合物（８）を得た。
【００９２】
その後、上述の実施例１と同様にして、溶解性評価を行ったところ、トルエン３２３ｍｇに化合物（８）１０ｍｇが完全に溶解しなかったため、更に、２００ｍｇのトルエンを加えたところ、化合物（８）１０ｍｇが完全に溶解した。従って、トルエンに対する化合物（８）の溶解度は１．９ｗｔ％であり、上述の実施例１〜３に比し、溶解度が劣ることが判った。
【産業上の利用可能性】
【００９３】
以上説明したように、本発明は、有機ＥＬ素子用化合物および有機ＥＬ素子に適している。
【符号の説明】
【００９４】
１００    有機ＥＬ素子
１１０    基板
１２０    第１電極
１３０    正孔注入層
１４０    正孔輸送層
１５０    発光層
１６０    電子輸送層
１７０    電子注入層
１８０    第２電極
１９０    有機層
【図１】
2016108255.tif 000020