(57)【要約】【課題】情報技術装置間での超高速並列データ伝送方式の採用を実現できる、簡単な構造と比較的廉価な材料を使用してクロストークや送受信回路で発生するバウンスノイズやスパイクノイズを抑圧する多芯損失線路ケーブルの製造技術を提供する。【解決手段】1.24mmの間隔でAWG24の導線７、８、９が配置され軟質塩化ビニール樹脂で絶縁が施されている公知のフラットケーブル１と、フラットケーブル１の表面に形成されたカーボンペーストを使用した0.2mmの厚さの半導体層４と、絶縁外皮２とから構成される加工フラットケーブルの両端にコネクターが接続されて多芯損失線路ケーブル組立が形成され、情報技術装置間の超高速並列データ伝送に使用される。導線７，９は接地導線を示し、導線８は信号導線を含むスイッチング導線を示している。【選択図】  図１
2016225252.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の多芯損失線路ケーブルが、２本以上の導線と該導線を平面上に等間隔で配置した上で前記導線の表面に一体形成される前記絶縁体層とから成り平板状に形成される公知のフラットケーブルと、該フラットケーブルの絶縁体層の表面に形成される半導体層と、少なくとも該半導体層を有する前記フラットケーブルの表面に形成される絶縁体外皮とから成ることを特徴とする、損失線路ケーブルおよび損失線路ケーブル組立
【請求項２】
請求項１記載の損失線路ケーブルおよび損失線路ケーブル組立において、第２の多芯損失線路ケーブルが、少なくとも1つの最外列の導線に前記フラットケーブルの両端部から少なくとも10mmの長さの前記絶縁体層を残して、少なくとも1mmの長さの絶縁体剥離領域が２カ所に形成される第１の加工フラットケーブルと、前記絶縁剥離領域を含む該絶縁剥離領域間の前記第１の加工フラットケーブルの一面または全面に形成される前記半導体層と、該半導体層の表面または該半導体層が存在する前記第１の加工フラットケーブルの表面に形成される絶縁体外皮とから成ることを特徴とする、損失線路ケーブルおよび損失線路ケーブル組立
【請求項３】
請求項１から請求項２記載の損失線路ケーブルおよび損失線路ケーブル組立において、第３の多芯損失線路ケーブルが、導線の表面に絶縁層を有する絶縁導線の表面に半導体層を形成して成る第１の加工導線を２本以上束ねて形成される第１の束線と、該第１の束の表面に形成される絶縁体外皮とから形成され、または、前記第１の束線を２本以上束ねて形成される第２の束線と、該第２の束線の表面に形成される絶縁体外皮とから形成されることを特徴とする、損失線路ケーブルおよび損失線路ケーブル組立
【請求項４】
請求項１から請求項３記載の損失線路ケーブルおよび損失線路ケーブル組立において、第４の多芯損失線路ケーブルが、前記絶縁導線を２本以上束ねて形成される第３の束線と、該第３の束線の表面に形成される前記半導体層と、該半導体層を有する第４の束線の表面に形成される絶縁体外皮とから形成され、または、前記第４の束線を２本以上束ねて形成される第５の束線と、該第５の束線の表面に形成される絶縁体外皮とから形成されることを特徴とする、損失線路ケーブルおよび損失線路ケーブル組立
【請求項５】
請求項１から請求項４記載の損失線路ケーブルおよび損失線路ケーブル組立において、第１の多芯損失線路ケーブル組立が、前記第２の多芯損失線路ケーブルの両端部に２個以上の端子を有するコネクターが接続され、両端部の２個以上の前記端子のそれぞれに１本の前記導線の両端が接続され、前記第２の多芯損失線路ケーブルの前記半導体層と接続されている前記導線が接地線、該接地線以外の導線が信号導線を含むスイッチング導線として使用されるべく形成されることを特徴とする、損失線路ケーブルおよび損失線路ケーブル組立
【請求項６】
請求項１から請求項５記載の損失線路ケーブルおよび損失線路ケーブル組立において、第２の多芯損失線路ケーブル組立が、前記第３の多芯損失線路ケーブルまたは前記第４の多芯損失線路ケーブルの両端部に２個以上の端子を有するコネクターが配置され、両端部の２個以上の前記端子のそれぞれに１本の前記導線の両端が接続され、前記第１の束線を構成する１以上の前記加工導線、または前記第４の束線を構成する１本以上の前記絶縁導線が接地線、該接地線以外の導線が前記スイッチング導線として使用されるべく形成されることを特徴とする、損失線路ケーブルおよび損失線路ケーブル組立
【請求項７】
請求項１から請求項６記載の損失線路ケーブルおよび損失線路ケーブル組立において、前記半導体層が、導電性ポリマー液、カーボンペースト、カーボンファイバー、カーボンペーストを染みこませたカーボンファイバー、導電性ポリマー液を染みこませたカーボンファイバー、または軟質塩化ビニール樹脂、ブチレンゴム、ポリエステル、またはウレタンにカーボンファイバーを重量比で10%以上混入させて形成されることを特徴とする、損失線路ケーブルおよび損失線路ケーブル組立
【請求項８】
請求項１から請求項７記載の損失線路ケーブルおよび損失線路ケーブル組立において、前記導電性ポリマーがチオフェンの微細粒子として形成され、前記導電性ポリマー液がチオフェンの微細粒子を主材としバインダーを含む水溶液から成ることを特徴とする、損失線路ケーブルおよび損失線路ケーブル組立
【請求項９】
請求項１から請求項８記載の損失線路ケーブルおよび損失線路ケーブル組立において、前記第１の多芯損失線路ケーブル組立または前記第２の多芯損失線路ケーブル組立が、スイッチング素子と、電源線路と、信号線路を含むスイッチング線路とから構成される２つのスイッチングモード回路組立の間に接続され、前記接地導線と前記スイッチング導線とで前記スイッチング線路を形成することを特徴とする、損失線路ケーブルおよび損失線路ケーブル組立
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ディジタル回路を含むスイッチングモード回路の信号線路を含むスイッチング線路に使用されることによって、クロストークとバウンスノイズやスパイクノイズ、さらにはＥＭＩを抑圧し、超高速スイッチング電源や超高速並列データ伝送を可能とする損失線路ケーブルおよび損失線路ケーブル組立に関する。
【背景技術】
【０００２】
スイッチングモード回路は、スイッチング素子と、直流電源線路と、信号線路を含むスイッチング線路とから構成される。近年、コンピュータを初め、ほとんどの電気・電子・動力機器にはディジタル回路を含むスイッチングモード回路が使用されている。
【０００３】
スイッチングモード回路は、従来のアナログ回路とは異なる以下のような優れた特徴を有する。
・消費電力が少なく小型軽量化が容易
・回路構成要素が少なく設計が非常に容易
・製造が容易で機能・性能・品質のばらつきが少ない
・大量の情報を高速で処理し、また蓄積することが出来る（ディジタル回路）
・機器・モジュール間のインターフェースを容易に規定できる（ディジタル回路）
・電力を多様に制御し効率よく変換できる（スイッチング電源回路、インバータ回路）  
しかし一方でスイッチングモード回路は電源線路ケーブルやスイッチング線路ケーブルから空間に電磁ノイズを放射して通信や放送を妨害するだけで無く、スイッチング線路で発生するクロストーク、バウンスノイズ、およびスパイクノイズによって電気信号による高速データ伝送が困難になっている。
【０００４】
高速信号伝送用のケーブルにおいては、電磁干渉を抑制するためにシールド層を設けている。これにより、ケーブルでの電磁干渉は低減するが、ケーブルを進行する電磁波の強度は維持されるのでケーブルのコネクター部やコネクターに接続される印刷配線基板で反射が生じ、反射した電磁波がノイズとして当該ケーブル外へと放射され、また、クロストーク、バウンスノイズ、およびスパイクノイズを引き起こす。
【０００５】
本願出願人は、電磁波物理学理論に非線形波動物理学理論を適用し半導体物理学の知見に基づいて孤立電磁波理論を世界に先駆けて開発した。この理論に基づいて開発された損失線路技術を並列データ伝送に適用すると、信号線路で発生するクロストーク、バウンスノイズ、およびスパイクノイズを、信号品質を劣化させること無く抑圧出来るので、超高速データ伝送が可能となる。例えば１２８本の多芯ケーブルで１本あたり１０Ｇｂｐｓの速度でデータを伝送すると、１．２８０Ｔｂｐｓの超高速データ伝送が可能となる。情報技術装置の送受信部のプロセッサには並列データ伝送方式が採用されているので、情報技術装置直との間で変換回路を使用することなく超高速データ伝送が実現する。孤立電磁波理論と損失線路技術は
【非特許文献１】から
【非特許文献６】にそれぞれ記載されている。その要点は必要に応じて引用される。
【０００６】
関連する従来の技術に関しては下記の特許文献にそれぞれ記載されている。その要点は後述される。
【特許文献１】再公表特許２００９−１３０８５９
【特許文献２】特許公開２００４−０３１１４１
【特許文献３】特許公開２００５−０９３１７８
【特許文献４】特許公開２００５−３３９８３３
【特許文献５】特許公開２００６−２８６３１８
【特許文献６】特許公開２０１０−０１０１０７
【特許文献７】特許公開２０１１−１１３９２８
【特許文献８】特許公開２０１１−１９８６８７
【非特許文献１】遠矢弘和, 遠矢紀尚, “スイッチングモード回路の性能向上技術”, 電気学会, 電子回路研究会資料, ECT-10-88, pp.19-24, 2010.
【非特許文献２】Hirokazu Tohya and Noritaka Toya, “Novel Design Concept and technologies of the Switching Mode Circuit based on the Electromagnetic Wave theory and the Nonlinear Undulation theory”. IEEE, TENCON2010, pp.1135-1140, 2010.
【非特許文献３】遠矢弘和, 遠矢紀尚, “新しい孤立電磁波理論に基づくディジタルシステムの性能向上技術”, 第25回エレクトロニクス実装学会春季講演大会, 9A-05, pp.79-82, 2011.
【非特許文献４】Hirokazu Tohya and Noritaka Toya, “Solitary Electromagnetic Waves Generated by the Switching Mode Circuit”, in Behavior of Electromagnetic Waves  in Different Media and Structures, pp. 249−274, InTech Open Access Publishing, Vienna, Austria 2011.
【非特許文献５】Hirokazu Tohya, “Switching Mode Circuit Analysis and Design−Innovative Methodology by Novel Solitary Electromagnetic Wave Theory”, Bentham Science Publishers, e-Book, 1st edition, 2013.
【非特許文献６】Hirokazu Tohya and Noritaka Toya, “Novel Technologies for Design and Analysis of Switching Mode Power-Supply Circuit Based on Solitary Electromagnetic Wave Theory”, Hindawi Publishing Corporation. International Scholarly Research Notices (ISRN) Power Engineering, vol. 2014, Article ID 726529, 15pages, http://www.hindawi.com/journals/isrn.power.engineering/2014/726529/
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
解決しようとする問題点の第１は、連続波を対象とする線形電磁波だけに対応し孤立した非線形波動に対応していない従来の電磁波物理学の問題である。このため、従来のディジタル回路を含むスイッチングモード回路の回路や電磁波の解析ではフーリエ変換技法によって連続波に変換して行わざるを得ない。この技法による解析は複雑であって物理現象に沿っていないため、解析に多大の時間を要するだけで無く、非周期性のディジタル信号の回路解析や電磁波の解析が不可能となっている。
【０００８】
フーリエ変換技法によって連続波に変換して解析する従来の技法によると、スイッチングモード回路の信号線路を含むスイッチング線路にロウパスフィルタを挿入すると、スイッチング電圧波形の振幅が減衰するだけでなく信号品位が劣化すると考えられている。これは、ロウパスフィルタを使用すると多数の高調波から成るスイッチング電圧波形において高次の高調波ほど振幅の減衰が大きくなるためとする物理学に反する考え方が現在まで信じられてきているためである。このため、高速データ伝送には限りなく減衰の少ない信号線路が適するとされ、クロストークを減らすには配線毎のシールドの強化が必要で、線路の端部でのバウンスノイズ、およびスパイクノイズを減らすにはインピーダンス整合回路やスナバが必要とされてきた。
【０００９】
情報技術装置においてはデータ伝送の一層の高速化が求められているが、クロストーク、バウンスノイズ、およびスパイクノイズを抑圧することが技術的に困難とされている。このため、情報技術装置の送信側で並列データ伝送から直列データ伝送に変換し、受信側で直列データ伝送から並列データ伝送に変換する方法を使用して、クロストークの恐れの無い直列データ伝送方式で情報処理装置間の高速データ伝送が行われている。しかし、情報処理装置に使用されているプロセッサの性能の限界から信号のスイッチング周波数が５ＧＨｚ程度に止まっているため、１０Ｇｂｐｓの伝送速度が限界となっている。近年、複数の信号電圧レベルを設定する多値信号伝送方式が実用化されているが、飛躍的な高速化には至っていない。
【００１０】
超高速データ伝送に光が適しているという考え方がある。光と電磁波の進行速度は同じであるが、光の振動周波数が１ペタヘルツ程度と非常に高いため周波数分割による多重信号伝送が可能であってクロストークが少ないので、遠距離間の超高速データ伝送が実用化されている。機器間や機器内のデータ伝送を電気に代えて光で行う技術の研究や開発が進められているが、光信号の発生機構、多重化のための変復調処理機構、信号伝送関係媒体のコストが電気信号に比べて高価であることが壁となって実用化が進んでいない。
【００１１】
解決しようとする問題点の第２は、特許文献１に関する。特許文献１には、導体の外周が外周絶縁体で被覆された少なくとも１つの信号線と、導体の外周が導電性樹脂で被覆された複数のグラウンド線とが平面的に連接されて構成されたフラットケーブルと、フラットケーブルの上下に密着されたシールド材と、備えている。フラットケーブルの幅方向両側にグラウンド線がそれぞれ配置され、かつ上下のシールド材と電気的に接続されている、高速シールド形フラットケーブルの形成法が開示されている。
【００１２】
特許文献１は、シースを省いて、シールド材のみでフラットケーブルが絶縁される高速シールド形フラットケーブルを提供することを目的としているとしているが、フラットケーブルの遮蔽内部で電磁波の強度は維持される。従って、このフラットケーブルにシールドの無い配線構造が接続されるとクロストークを含む電磁干渉が発生するし、端部のインピーダンスが不整合の場合は反射による波形品位の劣化が発生するという問題があった。また、フラットケーブルを構成する配線の半分程度をグランド線として使用する必要があった。
【００１３】
解決しようとする問題点の第３は、特許文献２に関する。特許文献２には、屈曲信頼性が高く、かつ、シールド材が剥がれにくいシールド材被覆フレキシブルフラットケーブルの
製造方法に関するアイデアが開示されている。
【００１４】
特許文献２において、フラットケーブルの遮蔽内部で電磁波の強度は維持される。従って、このフラットケーブルにシールドの無い配線構造が接続されるとクロストークを含む電磁干渉が発生するし、端部のインピーダンスが不整合の場合は反射による波形品位の劣化が発生するという問題があった。また、フラットケーブルを構成する配線の半分程度をグランド線として使用する必要があった。
【００１５】
解決しようとする問題点の第４は、特許文献３に関する。特許文献３には、シールド被覆材の密着が良好で、屈曲時においても、接地導体とシールド被覆材との剥離を抑制することができるシールド被覆ＦＦＣ及びその製造方法が開示されている。
【００１６】
特許文献３において、フラットケーブルの遮蔽内部で電磁波の強度は維持される。従って、このフラットケーブルにシールドの無い配線構造が接続されるとクロストークを含む電磁干渉が発生するし、端部のインピーダンスが不整合の場合は反射による信号品位の劣化が発生するという問題があった。また、フラットケーブルを構成する配線の半分程度をグランド線として使用する必要があった。
【００１７】
解決しようとする問題点の第５は、特許文献４に関する。特許文献４には、シールド効果を保ちつつ電気的特性を損なわず、また、既存のコネクターに対応可能であるとともに、既存の製造プロセスによって電気的特性の整合をとることができ、さらには、配線極数、ケーブル長、及び配線配列を任意に設定することができるフレキシブルフラットケーブル（ＦＦＣ）に関するアイデアが開示されている。
【００１８】
特許文献４において、フラットケーブルの遮蔽内部の電磁波の強度は維持される。従って、このフラットケーブルにシールドの無い配線構造が接続されるとそこではクロストークを含む電磁干渉が発生するし、端部のインピーダンスが不整合の場合は反射による波形品位の劣化が発生するという問題があった。また、フラットケーブルを構成する配線の半分程度をグランド線として使用しシールド層に接続する工程が必要であった。
【００１９】
解決しようとする問題点の第６は、特許文献５に関する。特許文献５には、電磁波シールド性に優れ、全体厚さを薄くできて柔軟でかつ屈曲性に優れ、かつ、機器へ接続する耐ハンダ性がある電磁波シールド付きフラットケーブル及びその製造方法、並びに電磁波シールド転写箔に関するアイデアが開示されている。
【００２０】
特許文献５において、フラットケーブルの遮蔽内部の電磁波の強度は維持される。従って、このフラットケーブルにシールドの無い配線構造が接続されるとそこでは電磁干渉が発生するし、端部のインピーダンスが不整合の場合は反射による波形品位の劣化が発生するという問題があった。また、フラットケーブルの信号線毎にグランド線を隣接して配置しないと本発明のフラットケーブル内でクロストークが発生するという問題があった。
【００２１】
解決しようとする問題点の第７は、特許文献６に関する。特許文献６には、グランド線とシールド層との接触が良好で十分なシールド効果が得られるシールドフラットケーブル及
びその製造方法が開示されている。
【００２２】
特許文献６において、フラットケーブルの遮蔽内部の電磁波の強度は維持される。従って、このフラットケーブルにシールドの無い配線構造が接続されるとそこでは電磁干渉が発生するし、端部のインピーダンスが不整合の場合は反射による波形品位の劣化が発生するという問題があった。また、フラットケーブルの信号線毎にグランド線を隣接して配置しないと本発明のフラットケーブル内でクロストークが発生するという問題があった。
【００２３】
解決しようとする問題点の第８は、特許文献７に関する。特許文献７には、シールドフラットケーブルにおいて、接続作業が容易で、低コスト化や小型化を図れ、良好なシールド
効果を容易に得られるようにするアイデアが開示されている。
【００２４】
特許文献７において、フラットケーブルの遮蔽内部の電磁波の強度は維持される。従って、このフラットケーブルにシールドの無い配線構造が接続されるとそこではクロストークを含む電磁干渉が発生するし、端部のインピーダンスが不整合の場合は反射による波形品位の劣化が発生するという問題があった。また、フラットケーブルを構成する全ての配線にシールドを施すため、サイズやコストが増加するという問題があった。
【００２５】
解決しようとする問題点の第９は、特許文献８に関する。特許文献８には、シールド効果を確保して、電気コネクターとのグランド接続を電気的・機械的に損なうことなく直接形成することが可能な安価なシールド手段を備えたフラットケーブルに関するアイデアが開示されている。
【００２６】
特許文献８において、フラットケーブルの遮蔽内部の電磁波の強度は維持される。従って、このフラットケーブルにシールドの無い配線構造が接続されるとそこでは電磁干渉が発生するし、端部のインピーダンスが不整合の場合は反射による波形品位の劣化が発生するという問題があった。また、フラットケーブルの信号線毎にグランド線を隣接して配置しないと本発明のフラットケーブル内でクロストークが発生するという問題があった。
【課題を解決するための手段】
【００２７】
請求項１記載の発明は、損失線路ケーブルおよび損失線路ケーブル組立に係り、第１の多芯損失線路ケーブルが、２本以上の導線と該導線を平面上に等間隔で配置した上で前記導線の表面に一体形成される前記絶縁体層とから成り平板状に形成される公知のフラットケーブルと、該フラットケーブルの絶縁体層の表面に形成される半導体層と、少なくとも該半導体層を有する前記フラットケーブルの表面に形成される絶縁体外皮とから成ることを特徴としている。
【００２８】
また、請求項２記載の発明は、損失線路ケーブルおよび損失線路ケーブル組立に係り、第２の多芯損失線路ケーブルが、少なくとも1つの最外列の導線に前記フラットケーブルの両端部から少なくとも10mmの長さの前記絶縁体層を残して、少なくとも1mmの長さの絶縁体剥離領域が２カ所に形成される第１の加工フラットケーブルと、前記絶縁剥離領域を含む該絶縁剥離領域間の前記第１の加工フラットケーブルの一面または全面に形成される前記半導体層と、該半導体層の表面または該半導体層が存在する前記第１の加工フラットケーブルの表面に形成される絶縁体外皮とから成ることを特徴としている。
【００２９】
また、請求項３記載の発明は、損失線路ケーブルおよび損失線路ケーブル組立に係り、第３の多芯損失線路ケーブルが、導線の表面に絶縁層を有する絶縁導線の表面に半導体層を形成して成る第１の加工導線を２本以上束ねて形成される第１の束線と、該第１の束の表面に形成される絶縁体外皮とから形成され、または、前記第１の束線を２本以上束ねて形成される第２の束線と、該第２の束線の表面に形成される絶縁体外皮とから形成されることを特徴としている。
【００３０】
また、請求項４記載の発明は、損失線路ケーブルおよび損失線路ケーブル組立に係り、第４の多芯損失線路ケーブルが、前記絶縁導線を２本以上束ねて形成される第３の束線と、該第３の束線の表面に形成される前記半導体層と、該半導体層を有する第４の束線の表面に形成される絶縁体外皮とから形成され、または、前記第４の束線を２本以上束ねて形成される第５の束線と、該第５の束線の表面に形成される絶縁体外皮とから形成されることを特徴としている。
【００３１】
また、請求項５記載の発明は、損失線路ケーブルおよび損失線路ケーブル組立に係り、第１の多芯損失線路ケーブル組立が、前記第２の多芯損失線路ケーブルの両端部に２個以上の端子を有するコネクターが接続され、両端部の２個以上の前記端子のそれぞれに１本の前記導線の両端が接続され、前記第２の多芯損失線路ケーブルの前記半導体層と接続されている前記導線が接地線、該接地線以外の導線が信号導線を含むスイッチング導線として使用されるべく形成されることを特徴としている。
【００３２】
また、請求項６記載の発明は、損失線路ケーブルおよび損失線路ケーブル組立に係り、第２の多芯損失線路ケーブル組立が、前記第３の多芯損失線路ケーブルまたは前記第４の多芯損失線路ケーブルの両端部に２個以上の端子を有するコネクターが配置され、両端部の２個以上の前記端子のそれぞれに１本の前記導線の両端が接続され、前記第１の束線を構成する１以上の前記加工導線、または前記第４の束線を構成する１本以上の前記絶縁導線が接地線、該接地線以外の導線が前記スイッチング導線として使用されるべく形成されることを特徴としている。
【００３３】
また、請求項７記載の発明は、損失線路ケーブルおよび損失線路ケーブル組立に係り、前記半導体層が、導電性ポリマー液、カーボンペースト、カーボンファイバー、カーボンペーストを染みこませたカーボンファイバー、導電性ポリマー液を染みこませたカーボンファイバー、または軟質塩化ビニール樹脂、ブチレンゴム、ポリエステル、またはウレタンにカーボンファイバーを重量比で10%以上混入させて形成されることを特徴としている。
【００３４】
また、請求項８記載の発明は、損失線路ケーブルおよび損失線路ケーブル組立に係り、前記導電性ポリマーがチオフェンの微細粒子として形成され、前記導電性ポリマー液がチオフェンの微細粒子を主材としバインダーを含む水溶液から成ることを特徴としている。
【００３５】
また、請求項９記載の発明は、損失線路ケーブルおよび損失線路ケーブル組立に係り、前記第１の多芯損失線路ケーブル組立または前記第２の多芯損失線路ケーブル組立が、スイッチング素子と、電源線路と、信号線路を含むスイッチング線路とから構成される２つのスイッチングモード回路組立の間に接続され、前記接地導線と前記スイッチング導線とで前記スイッチング線路を形成することを特徴としている。
【発明の効果】
【００３６】
本発明を、情報技術装置を含むスイッチングモード回路で機能する機器に使用する信号ケーブルを含むスイッチングケーブルに使用すると、クロストーク、バウンスノイズ、およびスパイクノイズが抑圧されるので、情報技術装置間の超高速並列データ伝送が可能となり、性能が大幅に向上する。
【００３７】
本発明を、情報技術装置を含むスイッチングモード回路で機能する機器に適用すると、信号線路を含むスイッチング線路での反射現象が低減されるのでバウンスノイズやスパイクノイズを抑圧するために必要な整合終端のための回路や部品が不要となり、設計効率が向上し低コスト化が可能となる。
【００３８】
本発明を、情報技術装置を含むスイッチングモード回路で機能する機器に適用すると、信号線路を含むスイッチング線路からの電磁波の侵入や、スイッチング線路からの電磁放射が減少するので、ＥＭＣ対策が容易になり、機器のコスト、サイズ、重量を低減させることが出来る。
【００３９】
本発明を、情報技術装置を含むスイッチングモード回路で機能する機器に適用すると、ケーブルの構造が簡略化されるので、ケーブルのコスト、サイズ、重量を低減させることが出来る。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４０】
以下の実施例で示される損失線路ケーブルおよび損失線路ケーブル組立の構造は、左右対称かつ上下対称であり、一つの図面に示される導線、絶縁導線および加工導線の太さは同一である。従って、以下の説明はこれを前提に行われる。
【００４１】
（実施の形態１）
図１は、第１の平面図である。図２は、第１の断面図である。図３は、第２の断面図である。図４は、第３の断面図である。図５は、第２の平面図である。図６は、第４の断面図である。図７は、第１の透過係数特性図である。図８は、第２の透過係数特性図である。
【００４２】
図１に示す第１の平面図は、図５に示す第1の多芯損失線路ケーブル設計品２１を示し、1.24mmの間隔でAWG24の導線７、８、９が配置され軟質塩化ビニール樹脂で絶縁が施されている公知のフラットケーブル１と、フラットケーブル１の表面に形成されたカーボンペーストを使用した0.2mmの厚さの半導体層４と、絶縁外皮２とから構成され、断面図の位置を示す一点鎖線３、５、６を有している。導線７，９は接地導線を示し、導線８は信号導線を含むスイッチング導線を示している。
【００４３】
図２に示す第１の断面図は、図１の一点鎖線３の位置の断面図であり、接地導線１０と、スイッチング導線１３と、カーボンペーストを使用した半導体層１２と、絶縁外皮１１とから構成されている。図３に示す第２の断面図は、図１の一点鎖線５の位置の断面図であり、接地導線１４と、スイッチング導線１７と、カーボンペーストを使用した半導体層１６と、絶縁外皮１５とから構成されている。図４に示す第３の断面図は、図１の一点鎖線６の位置の断面図であり、絶縁外皮１８と、導線１９とから構成されている。
【００４４】
図５に示す第２の平面図は、第1の多芯損失線路ケーブル組立設計品を示し、第1の多芯損失線路ケーブル設計品２１とコネクター２０とから構成され、断面図の位置を示す一点鎖線２２を有している。図６に示す第４の断面図は、図５の一点鎖線２２の位置の断面図であり、端子２４と、端子固定構造体２５と、ケーブル固定構造体２３とから構成されている。
【００４５】
図７は、第1の多芯損失線路ケーブル組立設計品を構成する任意の1本のスイッチング導線と接地導線１４とで形成される伝送線路の透過係数S21の計算値を示す。図８は、第1の多芯損失線路ケーブル組立設計品を構成する任意の1本のスイッチング導線と接地導線１４とで形成される伝送線路と、前記任意の1本のスイッチング導線に隣接する他の1本のスイッチング導線と接地導線１４とで形成される伝送線路と間の透過係数S41の計算値を示す。図７と図８において、例えば320MHzにおける透過係数S21と透過係数S41の値はいずれも、伝送線路長が0.5mのとき-18dB、1mのとき-30dB、2mのとき-70dBであった。なお、特性インピーダンスの計算値は89Ωであった。
【００４６】
（実施の形態２）
図９は、第３の平面図である。図１０は、第５の断面図である。図１１は第３の透過係数特性図である。図１２は第４の透過係数特性図である。
【００４７】
図９および第２の多芯損失線路ケーブル設計品の中央部の断面を示す図１０において、第２の多芯損失線路ケーブル設計品は、AWG24の導線３０、３４、３５と、軟質塩化ビニール樹脂を使用した外径2mmの絶縁外皮３１、３６と、絶縁外皮３１の表面に0.5mmの厚さに形成されたカーボンファイバーを50%含有する軟質塩化ビニール樹脂を使用した厚さ1mmの半導体層３３、３７とで形成される第1の加工導線と、該第1の加工導線を7本束ねてその表面に形成される絶縁外皮３８とから構成されている。導線３４は接地加工導線として形成され、これ以外の6本の導線はスイッチング加工導線として形成されている。
【００４８】
図１１は、第２の多芯損損失線路ケーブル設計品を構成する任意の1本の前記スイッチング加工導線と前記接地加工導線とで形成される伝送線路の透過係数S21の計算値を示す。図１２は、第２の多芯損失線路ケーブル設計品を構成する任意の1本の前記スイッチング加工導線と前記接地加工導線とで形成される伝送線路と、任意の1本の前記スイッチング加工導線に隣接する他の1本の前記スイッチング加工導線と前記接地加工導線とで形成される伝送線路と間の透過係数S41の計算値である。図１１と図１２において、例えば320MHzにおける透過係数S21と透過係数S41の値はいずれも、伝送線路長が0.5mのとき-10dB、1mのとき-20dB、2mのとき-40dBであった。なお、特性インピーダンスの計算値は50Ωであった。
【００４９】
（実施の形態３）
図１３は、第４の平面図である。図１４は、第６の断面図である。
【００５０】
第３の多芯損失線路ケーブル設計品における平面図である図１３と、第３の多芯損失線路ケーブル設計品の中央部における第６の断面図である図１４において、第３の多芯損失線路ケーブル設計品は、直径0.1mmの第1種ポリウレタンエナメル電線（UEW）を使用する絶縁導線４０を７本束ねてその中心部に位置する1本を接地絶縁導線４２、他の６本をスイッチング絶縁導線４３として使用する第１の束線例と、該第１の束線例をカーボンファイバーチューブ４４で被覆して形成される第２の束線例と、該第２の束線例を７本束ねて形成される第３の束線例と、該第３の束線例の表面に形成される絶縁外皮４１，４５とから構成されている。
【００５１】
（実施の形態４）
図１５は、第７の断面図である。図１６は、第１の形状写真である。図１７は、第５の透過係数特性図である。図１８は、第６の透過係数特性図である。図１９は、第１の回路図である。図２０は、第７の透過係数特性図である。図２１は、第１の電圧波形である。図２２は、第２の電圧波形である。図２３は、第３の電圧波形である。図２４は、第４の電圧波形である。図２５は、第５の電圧波形である。図２６は、第６の電圧波形である。図２７は、第７の電圧波形である。図２８は、第８の電圧波形である。図２９は、第９の電圧波形である。図３０は、第１０の電圧波形である。図３１は、第１１の電圧波形である。図３２は、第１２の電圧波形である。図３３は、第１３の電圧波形である。図３４は、第１４の電圧波形である。図３５は、第１５の電圧波形である。
【００５２】
図１５と図１６において、第１の多芯損失線路ケーブル試作品５６は、９本の絶縁導線５０と、半導体層５１と、絶縁外皮５２とで形成されている。絶縁導線５０には1.2mの長さを有する直径0.1mmの第1種ポリウレタンエナメル電線（UEW）が使用され、半導体層５１カーボン繊維で作られた1mの長さを有する6kカーボンロービング（幅約3mm）が使用され、絶縁体層５２は直径3mmの収縮チューブ３を150℃で30分加熱して形成されている。引出線５４、５５の任意の1本が接地導線として使用され、他の８本がスイッチング導線として使用される。
【００５３】
図１７は、第１の多芯損失線路ケーブル試作品５６を構成する任意の1本の前記スイッチング導線と接地導線とで形成される伝送線路の透過係数S21の実測値である。図１８は、第１の損失線路ケーブル試作品５６を構成する任意の1本の前記スイッチング導線と前記接地導線とで形成される伝送線路と、任意の1本の前記スイッチング導線に隣接する他の1本の前記スイッチング導線と前記接地導線とで形成される伝送線路と間の透過係数S41の実測値である。図１７と図１８において、例えば320MHzにおける透過係数S21と透過係数S41の値はいずれも-22dBであった。
【００５４】
図１９において、第１の回路図は、5.0V直流電源を受電する端子６０と、端子６０に一端が接続された低インピーダンス損失線路試作品６２、６３、６４と、3.7V直流電源を受電する端子６１と、端子６１に一端が接続された低インピーダンス損失線路試作品６８と、ドライバとして使用される３ステート８ビットのバストランシーバ７６と、レシーバとして使用される３ステート８ビットのバストランシーバ８９と、A1端子７４を始めとする８個のA端子を有するバストランシーバ７６の端子列７５と、B1端子７７を始めとする８個のB端子を有するバストランシーバ７６の端子列７８と、端子列７８を構成するB1端子７７を始めとする８個のB端子にそれぞれ#1端子８０を始めとする８個の#端子が接続され＃9端子が接地される端子列７９と、#1端子８２を始めとする9個の#端子を有する端子列８１と、#1端子８４を始めとする9個の#端子を有する端子列８３と、A1端子８７を始めとする８個のA端子を有するバストランシーバ８９の端子列８８と、B1端子９０を始めとする８個のB端子を有するバストランシーバ８９の端子列９１と、端子列８８を構成するA1端子８７を始めとする８個のA端子にそれぞれ#1端子８６を始めとする８個の#端子が接続され＃9端子が接地される端子列８５と、端子列７５を構成するA1端子に出力端子が接続された50MHzの水晶発振器７０と、端子列７５を構成するA4端子に出力端子が接続された13.5MHzの水晶発振器７１と、端子列７５を構成するA7端子に出力端子が接続された133.3MHzの水晶発振器７２と、端子列７５を構成するA2端子、A3端子、A5端子、A6端子、およびA8端子に接続された端子７３と、端子７３とバストランシーバ７６の電源端子と低インピーダンス損失線路試作品６２の他端に接続された端子６５と、バストランシーバ８９の電源端子と低インピーダンス損失線路試作品６３の他端に接続された端子６６と、水晶発振器７０の電源端子と低インピーダンス損失線路試作品６４の他端に接続された端子６７、水晶発振器７１、７２の電源端子と低インピーダンス損失線路試作品８８の他端に接続された端子６９とから構成されている。
【００５５】
図１９において、低インピーダンス損失線路試作品６２、６３、６４、６８、水晶発振器７０、７１、７２、およびバストランシーバ７６、７７の接地端子と接地導体との接続は省略されている。
【００５６】
図１９において、低インピーダンス損失線路試作品６２、６３、６４、６８は、例えば図２０に示す透過係数S21を有している。低インピーダンス損失線路試作品６２、６３、６４は、従来のデカップリングコンデンサの代わりに使用されて水晶発振器７０およびバストランシーバ７６、７７に良質の5V直流電源を提供している。低インピーダンス損失線路試作品７２は、水晶発振器７１、７２に良質の3.7V直流電源を提供している。
【００５７】
図１９において、端子列７９と端子列８１、および端子列８３と端子列８５にデスクトップPCのCDドライブの信号インターフェースに使用されていた50cmと40cmの長さの40ピンコネクター付40芯フラットケーブルがそれぞれ接続され、これらのケーブルの中央列付近の隣接する８本の導線が信号導線として使用され最外列の導線が接地導線として使用され、端子列８１と端子列８３の#端子に第１の多芯損失線路ケーブル試作品５６の引出線５４、５５を構成する９本の導線がそれぞれ半田付けされている。
【００５８】
図２１は、端子列７５を構成するA1端子におけるバストランシーバ７６の50MHzの入力電圧波形である。図２５は、端子列９１を構成するB1端子におけるバストランシーバ８９の50MHzの出力電圧波形である。図２１と図２５を比較すると、受信端での信号品位は、インピーダンス整合処理がなされていないにもかかわらず受信端で向上している。
【００５９】
図２２は、端子列７５を構成するA4端子におけるバストランシーバ７６の13.5MHzの入力電圧波形である。図２８は、端子列９１を構成するB4端子におけるバストランシーバ８９の13.5MHzの出力電圧波形である。図２２と図２８を比較すると、受信端での信号品位は、インピーダンス整合処理がなされていないにもかかわらず受信端で向上している。
【００６０】
図２３は、端子列７５を構成するA7端子におけるバストランシーバ７６の133.3MHzの入力電圧波形である。図３１は、端子列９１を構成するB7端子におけるバストランシーバ８９の133.3MHzの出力電圧波形である。図３５は、端子列７５を構成するB7端子におけるランシーバ７６の133.3MHzの出力電圧波形である。図２３と、図３５の波形はほぼ同じであるが、図２８の信号品位は大きく劣化している。
【００６１】
図２３に示す様にバストランシーバ７６の133.3MHzの入出力電圧にはハイレベルとロウレベルの定常状態が無い。さらに、都合により3.3V電源用の水晶発振器を使用したために５V電源用のバストランシーバ７６に対してピーク電圧値がやや低い。このため、バストランシーバ７６の出力の133.3MHzの電圧波形が、図３５に示す歪みの大きな正弦波形状となってしまって端子列８２と端子列８３の間に接続された第１の多芯損失線路ケーブル試作品５６を透過中に原型を止め無い程度に劣化したしたものと推測される。この現象によって、孤立電磁波理論に基づく本発明に掛かる損失線路ケーブルおよび損失線路ケーブル組立は、スイッチングモード回路でのみ有効であることが証明された。
【００６２】
図２４は、端子列７５を構成するA2端子、A3端子、A5端子、A6端子、およびA8端子におけるバストランシーバ７６の入力電圧波形である。図２６は、端子列９１を構成するB2端子におけるバストランシーバ８９の出力電圧波形である。図２７は、端子列９１を構成するB3端子におけるバストランシーバ８９の出力電圧波形である。図２９は、端子列９１を構成するB5端子におけるバストランシーバ８９の出力電圧波形である。図３０は、端子列９１を構成するB6端子におけるバストランシーバ８９の出力電圧波形である。図３２は、端子列９１を構成するB8端子におけるバストランシーバ８９の出力電圧波形である。
【００６３】
図２６，図２７、図２９、図３０、および図３２において、50cmと40cmの長さの2本の40ピンコネクター付40芯フラットケーブルにはシールドが無くまたスイッチング導線に隣接した８本の導線を使用しており、第１の多芯損失線路ケーブル試作品５６では8本のUEWが束ねられているにもかかわらず、クロストークの影響が全く見られない。 
【００６４】
図３３は、端子列７８を構成するB3端子におけるバストランシーバ７６の出力電圧波形である。図３４は、端子列７８を構成するB５端子におけるバストランシーバ７６の出力電圧波形である。B3端子とB5端子はゼロレベル状態にあり直流電源が供給されていないので、図３３と図７８の電圧波形は近傍のスイッチング導線からの電磁誘導によって生じたと考えることが出来るのでバストランシーバ７６が励起する孤立電磁波の波形を表していると考えることが出来る。図３３と図７８の電圧波形から、孤立電磁波の時間幅は約１nsである。
【００６５】
以上の現象のメカニズムは、孤立電磁波理論に基づいて以下の様に説明出来る。ドライバはスイッチオン時に負極性、スイッチオフ時に正極性の孤立電磁波を励起する。ドライバとして使用しているバストランシーバ７６が駆動する孤立電磁波の時間幅またはバストランシーバ７６のドライバトランジスタのスイッチング時間は、図３３と図３４から約1nsと推定される。孤立電磁波理論に従うと1nsの時間幅の孤立電磁波は320MHzの正弦波振動の電磁波とほぼ同様に作用する。
【００６６】
図１９の回路を有する検証実験セットにおいて、負極性の孤立電磁波はスイッチング線路を充電し、スイッチング線路は約1nsで直流電源電圧の定常値に達する。正極性の孤立電磁波はスイッチング線路を放電し、スイッチング線路は約1nsでグランドレベルに達する。孤立電磁波が損失線路中を進行すると、孤立電磁波の振幅は指数的に減衰するが直流レベルにあるスイッチング電圧の振幅は損失線路中で減衰しない。さらに損失線路中で孤立電磁波の時間幅は維持されるので損失線路を透過してもスイッチング電圧波形の上昇/降下時間と振幅は変わらない。このようにして損失線路中で信号品は維持され、加えて、孤立電磁波が減衰するのでこれによって生じるバウンス、スパイク、およびクロストークが抑圧され、受信端での信号品位は向上する。また、ケーブルからの不要電磁波の放射が減少し、ケーブルに進入する不要電磁波も損失線路中で減衰する。
【００６７】
本実施の形態では、第１の多芯損失線路ケーブル試作品５６の前後にシールドが無い50cmと40cmの長さの2本の40ピンコネクター付40芯フラットケーブルを使用したが、40ピンコネクター付40芯フラットケーブルだけの場合は信号品位が大幅に劣化し、Z2の出力端子で激しいクロストークが発生していることを図19の回路を有する検証実験セットで確認している。また、ペア線で構成されデスクトップPCのハードディスクドライブの信号インターフェースに使用されている50cmmの長さの40ピンコネクター付80芯フラットケーブルだけの場合もクロストークが発生することを図１９の回路を有する検証実験セットで確認している。
【００６８】
信号伝送ケーブルにシールドを施して接地線と信号線をツイステッドペア構造にする従来のクロストーク抑圧法では、クロストークがある程度抑圧されケーブルからの不要電磁波の放射も減少するが、ケーブルに進入する不要電磁波の振幅や信号伝送のための孤立電磁波の振幅が維持されるので、送受端でインピーダンス整合を施さないとバウンスやスパイクが発生し、また信号ケーブルに接続される印刷配線基板でクロストークやEMC問題が発生する。また従来のクロストーク抑圧法では、ドライバのスイッチング時間が短くなるほど厳重なシールドやペア線構造が必要となる。本発明にかかる損失線路技術を使用すると上記全ての問題が解消される。損失線路で発生する損失はスイッチング時間が短くなるほど大きくなるので、データ伝送が高速になるほど損失線路のコストパフォーマンスは向上する。
【００６９】
（実施の形態５）
図３６は、第８の断面図である。図３７は、第２の形状写真である。図３８は、第８の透過係数特性図である。図３９は、第９の透過係数特性図である。図４０は、第１６の電圧波形である。図４１は、第１７の電圧波形である。図４２は、第１８の電圧波形である。図４３は、第１９の電圧波形である。図４４は、第２０の電圧波形である。図４５は、第２１の電圧波形である。図４６は、第２２の電圧波形である。図４７は、第２３の電圧波形である。図４８は、第２４の電圧波形である。図４９は、第２５の電圧波形である。
【００７０】
図３６と図３７において、第２の多芯損失線路ケーブル試作品１０５は、３４本の絶縁導線１０３と両端に接続される２本の３４ピンコネクター１０４、１０７で構成される公知のフラットケーブル１０６と、半導体層１０１とで形成されている。フラットケーブル１０６は、デスクトップPCのFDDドライブの信号インターフェースに使用されていた。導線１００、１０２は接地線用で、他の導線はスイッチング導用とされる。
【００７１】
図３８は、第２の多芯損失線路ケーブル試作品１０５を構成する任意の1本の前記スイッチング導線と接地導線とで形成される伝送線路の透過係数S21の実測値である。図２８は、第２の多芯損失線路ケーブル試作品１０５を構成する任意の1本の前記スイッチング導線と前記接地導線とで形成される伝送線路と、任意の1本の前記スイッチング導線に隣接する他の1本の前記スイッチング導線と前記接地導線とで形成される伝送線路と間の透過係数S41の実測値である。図３８と図３９において、例えば320MHzにおける透過係数S21と透過係数S41の値はいずれも-18dBであった。
【００７２】
図１９の回路を有する検証実験セットを使用し、端子列７５を構成するA7端子と水晶発振器７２の出力端子との接続を削除し、端子列７５を構成するA6端子とA7端子を接続した上で、第２の多芯損失線路ケーブル試作品１０５の性能を検証した。図１９において、端子列７９と端子列８５に第２の多芯損失線路ケーブル試作品１０５が接続され、第２の多芯損失線路ケーブル試作品１０５の中央列付近の隣接する８本の導線が信号導線として使用され最外列の導線が接地導線として使用されている。
【００７３】
図４０は、端子列７５を構成するA1端子におけるバストランシーバ７６の50MHzの入力電圧波形であり、図４３は、端子列９１を構成するB1端子におけるバストランシーバ８９の50MHzの出力電圧波形である。図２１と図２５を比較すると、受信端での信号品位は、インピーダンス整合処理がなされていないにもかかわらず受信端で維持されている。
【００７４】
図４１は、端子列７５を構成するA4端子におけるバストランシーバ７６の13.5MHzの入力電圧波形である。図４６は、端子列９１を構成するB4端子におけるバストランシーバ８９の13.5MHzの出力電圧波形である。図２２と図２８を比較すると、受信端での信号品位は、インピーダンス整合処理がなされていないにもかかわらず受信端でほぼ維持されている。
【００７５】
図４２は、端子列７５を構成するA2端子、A3端子、A5端子、A6端子、A7端子、およびA8端子におけるバストランシーバ７６の入力電圧波形である。図４４は、端子列９１を構成するB2端子におけるバストランシーバ８９の出力電圧波形である。図４５は、端子列９１を構成するB3端子におけるバストランシーバ８９の出力電圧波形である。図４７は、端子列９１を構成するB5端子におけるバストランシーバ８９の出力電圧波形である。図４８は、端子列９１を構成するB6端子におけるバストランシーバ８９の出力電圧波形である。図４９は、端子列９１を構成するB7端子におけるバストランシーバ８９の出力電圧波形である。
【００７６】
図４２，図４４、図４５、図４７、図４８、および図４９において、第２の多芯損失線路ケーブル試作品１０５では信号導線に使用されている８本の絶縁導線が隣接して配置されているにもかかわらず、クロストークの影響が全く見られない。50MHzのスイッチング電圧波形の受信端での信号品位と、13.5MHzのスイッチング電圧波形の受信端での信号品位が、実施の形態４の場合と比べてやや劣るのは、第２の多芯損失線路ケーブル試作品１０５の320MHzにおける減衰量が、第１の多芯損失線路ケーブル試作品５６の320MHzにおける減衰量より4dBほど小さいことが原因と思われ、対策は可能である。
【００７７】
なお、本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しな
い範囲で適宜変更が可能であることはいうまでもない。
【産業上の利用可能性】
【００７８】
本発明は、従来の技術では解決が困難であった情報技術装置の高速データ伝送におけるクロストークと、バウンスノイズ、およびスパイクノイズを、ケーブルまたはケーブル組立で解消するので、情報技術装置間に超高速並列データ伝送が可能になり、テラビット超高速データ伝送が実現する。これによって情報技術装置の性能が飛躍的に向上するので、情報技術産業だけでなく情報技術（ＩＴ）産業の発展を加速できる。従来、クロストークを避けるために直列データ伝送においては、送信側で並列データ伝送から直列データ伝送への変換が必要で、受信側で直列データ伝送から並列データ伝送への変換が必要で有り、高速伝送のために多重振幅信号伝送が使用されてきたが、これらが不要となるため設計が容易になる。以上により、情報技術装置のコストダウン、性能向上、品質・信頼性向上、および安全性向上が実現される。
【００７９】
本発明を車載のワイヤーハーネスに適用すると、使用する材料が大幅に減少するので車の軽量化やコストダウンが実現する。さらにクロストーク、バウンスノイズ、およびスパイクノイズが減少しＥＭＣが改善されるので、車の性能向上、品質・信頼性向上、および安全性向上が実現される。
【００８０】
本発明を医療機器、産業機械機器、および計測分析機器のデータ伝送ケーブルに適用すると、使用する材料が大幅に減少するので医療機器、産業機械機器、および計測分析機器の軽量化やコストダウンが実現する。さらにクロストーク、バウンスノイズ、およびスパイクノイズが減少しＥＭＣが改善されるので、医療機器、産業機械機器、および計測分析機器の性能向上、品質・信頼性向上、および安全性向上が実現される。
【図面の簡単な説明】
【００８１】
【図１】図１は、第１の平面図である。
【図２】図２は、第１の断面図である。
【図３】図３は、第２の断面図である。
【図４】図４は、第３の断面図である。
【図５】図５は、第２の平面図である。
【図６】図６は、第４の断面図である。
【図７】図７は、第１の透過係数特性図である。
【図８】図８は、第２の透過係数特性図である。
【図９】図９は、第３の平面図である。
【図１０】図１０は、第５の断面図である。
【図１１】図１１は、第３の透過係数特性図である。
【図１２】図１２は、第４の透過係数特性図である。
【図１３】図１３は、第４の平面図である。
【図１４】図１４は、第６の断面図である。
【図１５】図１５は、第７の断面図である。
【図１６】図１６は、第１の形状写真である。
【図１７】図１７は、第５の透過係数特性図である。
【図１８】図１８は、第６の透過係数特性図である。
【図１９】図１９は、第１の回路図である。
【図２０】図２０は、第７の透過係数特性図である。
【図２１】図２１は、第１の電圧波形である。
【図２２】図２２は、第２の電圧波形である。
【図２３】図２３は、第３の電圧波形である。
【図２４】図２４は、第４の電圧波形である。
【図２５】図２５は、第５の電圧波形である。
【図２６】図２６は、第６の電圧波形である。
【図２７】図２７は、第７の電圧波形である。
【図２８】図２８は、第８の電圧波形である。
【図２９】図２９は、第９の電圧波形である。
【図３０】図３０は、第１０の電圧波形である。
【図３１】図３１は、第１１の電圧波形である。
【図３２】図３２は、第１２の電圧波形である。
【図３３】図３３は、第１３の電圧波形である。
【図３４】図３４は、第１４の電圧波形である。
【図３５】図３５は、第１５の電圧波形である。
【図３６】図３６は、第８の断面図である。
【図３７】図３７は、第２の形状写真である。
【図３８】図３８は、第８の透過係数特性図である。
【図３９】図３９は、第９の透過係数特性図である。
【図４０】図４０は、第１６の電圧波形である。
【図４１】図４１は、第１７の電圧波形である。
【図４２】図４２は、第１８の電圧波形である。
【図４３】図４３は、第１９の電圧波形である。
【図４４】図４４は、第２０の電圧波形である。
【図４５】図４５は、第２１の電圧波形である。
【図４６】図４６は、第２２の電圧波形である。
【図４７】図４７は、第２３の電圧波形である。
【図４８】図４８は、第２４の電圧波形である。
【図４９】図４９は、第２５の電圧波形である。
【符号の説明】
【００８２】
１、１０６  フラットケーブル
２、１１、１５、１８、３１、３６、３８、４１、４５、５２  絶縁外皮
３、５、６、２２  一点鎖線
４、１２、１６、３３、３７、５１、１０１  半導体層
７、８、９、１９、３０、３４、３５、１００、１０２  導線
１０、１４、接地導線
１３、１７、スイッチング導線
２０、  コネクター
２１、第1の多芯損失線路ケーブル設計品
２３、ケーブル固定構造体
２４、６０、６１、６５、６６、６７、６９、７３  端子
２５  端子固定構造体
４０、５０、１０３  絶縁導線
４２  接地絶縁導線
４３  スイッチング絶縁導線
４４  カーボンファイバーチューブ
５４、５５  引出線
５６  第１の多芯損失線路ケーブル試作品
６２、６３、６４、６８  低インピーダンス損失線路試作品
７６、８９  バストランシーバ
７４  A1端子
７５、７８、７９、８１、８３、８５、８８、９１  端子列
７７、９０  B1端子
８０、８２、８４、８６、８７  #1端子
７０、７１、７２  水晶発振器
１０５  第２の多芯損失線路ケーブル試作品
１０４、１０７  ３４ピンコネクター
【図１】
2016225252.tif 000003
【図２】
2016225252.tif 000004
【図３】
2016225252.tif 000005
【図４】
2016225252.tif 000006
【図５】
2016225252.tif 000007
【図６】
2016225252.tif 000008
【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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【図４２】
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【図４３】
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【図４４】
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【図４５】
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【図４６】
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【図４７】
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【図４８】
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【図４９】
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