(57)【要約】      （修正有）【課題】高い反射率を有するとともに、傷つきにくく、長期信頼性を有するミラーを提供すること。【解決手段】反射面を有する支持材２と、前記支持材上に備えられた非晶質のＳｉＣ層３とを有することを特徴とするミラー。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
反射面を有する支持材と、前記支持材上に備えられた非晶質のＳｉＣ層とを有することを特徴とするミラー。
【請求項２】
前記ＳｉＣ層が、物理気相成長法により形成されたＳｉＣ層であることを特徴とする請求項１に記載のミラー。
【請求項３】
前記支持材の前記反射面が、金属面であることを特徴とする請求項１または２に記載のミラー。
【請求項４】
前記金属面を構成する金属が、タングステン、モリブデン、アルミニウム、金、銀、銅、クロム及びニッケルから選ばれる１又は２以上の金属を主成分とする純金属または合金であることを特徴とする請求項３に記載のミラー。
【請求項５】
前記ＳｉＣ層は、厚さが１０ｎｍ〜１０μｍであることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載のミラー。
【請求項６】
前記支持材の前記反射面と前記ＳｉＣ層との間に、前記ＳｉＣ層よりも屈折率の低い中間層をさらに有することを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載のミラー。
【請求項７】
前記中間層は、ＳｉＯ２よりなることを特徴とする請求項６に記載のミラー。
【請求項８】
前記中間層は、物理気相成長法により形成されたものであることを特徴とする請求項６または７に記載のミラー。
【請求項９】
前記中間層は、厚さが１ｎｍ〜１００μｍであることを特徴とする請求項６〜８のいずれか１項に記載のミラー。
【請求項１０】
前記支持材は、前記反射面を与える金属層と、基材とからなることを特徴とする請求項３〜９のいずれか１項に記載のミラー。
【請求項１１】
太陽光集光用ミラーであることを特徴とする請求項１〜１０のいずれか１項に記載のミラー。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ミラーおよびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近時、化石燃料の枯渇や二酸化炭素排出による諸問題に鑑み、二酸化炭素や窒素酸化物などの有害物質の排出が少ない自然エネルギー、資源を再利用するリサイクルエネルギーなどのクリーンエネルギーを利用した発電が注目されている。
【０００３】
新たなエネルギー源の１つとして、太陽光を集光してエネルギーとして使用する太陽熱発電がある。太陽熱の利用は半導体を用いないため、太陽電池に比べて単位面積当たりのコストを低くすることができ、大面積で利用したい場合の初期投資が低く抑えられるため、近年注目を再び集めている。
【０００４】
太陽熱を利用して発電を行なう太陽熱発電装置は、エネルギー利用の効率化、更には石油代替エネルギー源の開発の点からもその重要性、実用化が注目されるに至っている。この発電装置は、太陽光を集光して水、フロン等を加熱し、過熱蒸気により、タービンを回して発電するものである。
【０００５】
ここで、太陽熱発電装置には、一般的に、ガラスにＡｇなどの反射膜を成膜した太陽熱発電用ミラーが用いられてきた。
【０００６】
一方、特許文献１には、樹脂基材上に構成層として少なくとも銀反射層及び該銀反射層の光入射側に設けられたＣ−Ｈ結合を有する樹脂層を有するフィルムミラーであって、該Ｃ−Ｈ結合を有する樹脂層の表面に、該Ｃ−Ｈ結合がＣ−Ｆ結合に置換（改質）されたフッ素含有樹脂層を有するフィルムミラーが記載されている。また、このようなフィルムミラーは、製造コストを抑え大面積化・大量生産することのできる耐光性及び耐候性に優れていることが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２０１１−１５８７５１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ここで、大規模な太陽熱発電には、地価が安く、日照時間の長い地域が設置場所として適している。このような地域の一つとして、砂漠が挙げられる。砂漠は、降雨が極端に少なく、砂や岩石の多い土地である。また、塩類を含む水が土壌から外部へ流出することなく蒸散するので、砂の塩類の含有量が高く緑化が困難であり、利用価値が小さく地価が安いうえに、日照時間が長く、大規模な太陽熱発電の候補地として注目されている。
【０００９】
砂漠は、地域によって異なり、砂の成分、粒の大きさは多種多様である。詳細には、砂漠の砂は、様々な鉱石の混合物であり、かんらん石、輝石、角閃石、長石、石英（ＳｉＯ２）などがその成分として知られているが、コランダム（Ａｌ２Ｏ３）などの研磨剤として使用される鉱物も一部含まれており、風で飛散して、ミラーの表面を傷つける原因となる。
【００１０】
したがって、このような過酷な環境下で長期間用いられた場合であっても、ミラーの反射率が劣化せず、長期的な信頼性を保障することが課題となっている。ここで、ガラスにＡｇなどの反射膜を成膜した従来のミラーでは、長期間使用すると砂によって表面が傷つけられ、反射率が低下したり、割れの起点となる。また、特許文献１に記載されたフィルムミラーは、有機物の被膜を有しているので、砂漠での使用に耐えうるものではない。
【００１１】
本発明は、このような事情を考慮してなされたものであり、その目的は、高い反射率を有するとともに、傷つきにくく、長期信頼性を有するミラーを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明者らは、前記課題を鑑みて鋭意研究を重ねた結果、下記の構成を有するミラーによって前記課題を解決できることを見出し、本発明を完成するに至った。
【００１３】
すなわち、本発明のミラーは、反射面を有する支持材と、前記支持材上に備えられた非晶質のＳｉＣ層とを有することを特徴とする。
【００１４】
本発明のミラーの好ましい一態様において、前記ＳｉＣ層は、物理気相成長法により形成されたＳｉＣ層である。
【００１５】
ここで、以下においては、物理気相成長法（ＰＶＤ）により形成されたＳｉＣ層を、「ＰＶＤ−ＳｉＣ層」ということがある。
【００１６】
本発明のミラーの好ましい一態様において、前記支持材の前記反射面は、金属面である。
【００１７】
また、本発明のミラーの好ましい一態様において、前記金属面を構成する金属は、タングステン、モリブデン、アルミニウム、金、銀、銅、クロム及びニッケルから選ばれる１又は２以上の金属を主成分とする純金属または合金である。
【００１８】
また、本発明のミラーの別の好ましい一態様において、前記ＳｉＣ層は、厚さが１０ｎｍ〜１０μｍである。
【００１９】
また、本発明のミラーの別の好ましい一態様において、前記ミラーは、前記支持材の前記反射面と前記ＳｉＣ層との間に、前記ＳｉＣ層よりも屈折率の低い中間層をさらに有する。
【００２０】
また、本発明のミラーの別の好ましい一態様において、前記中間層は、ＳｉＯ２よりなる。
【００２１】
また、本発明のミラーの別の好ましい一態様において、前記中間層は、物理気相成長法により形成されたものである。
【００２２】
また、本発明のミラーの別の好ましい一態様において、前記中間層は、厚さが１ｎｍ〜１００μｍである。
【００２３】
また、本発明のミラーの別の好ましい一態様において、前記支持材は、前記反射面を与える金属層と、基材とからなる。
【００２４】
また、本発明のミラーの別の好ましい一態様において、前記ミラーは、太陽光集光用ミラーである。
【発明の効果】
【００２５】
本発明のミラーは、支持体上に、天然に広く存在する多くの鉱石より硬い非晶質のＳｉＣ層を備えている。また、当該ＳｉＣ層は非晶質（アモルファス状）のＳｉＣ層であり、粒界が存在せず、強度上の弱点が無いため、粒界を基点とするような劣化が起こらない。したがって、本発明のミラーは、傷つきにくく、長期信頼性を有するものである。
【００２６】
また、本発明によれば、ＰＶＤ−ＳｉＣ層等の非晶質のＳｉＣ層は、可視光〜赤外線の領域に透過率の高い領域を有しているので、支持体の反射面と組み合わせることにより高い反射率を有するミラーとして好適に利用することができる。
【００２７】
さらに、当該ＳｉＣ層は、高い強度と硬度を有しているので、傷つきにくく、薄くしても割れにくいものである。このため、これを用いたミラーを軽量化することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】図１は、本発明のミラーの一実施形態を示す断面図である。
【図２】図２は、本発明のミラーの別の一実施形態を示す断面図である。
【図３】図３は、本発明のミラーの別の一実施形態を示す断面図である。
【図４】図４は、本発明のミラーの別の一実施形態を示す断面図である。
【図５】図５は、各実施例及び比較例のミラーの正反射率の測定結果を示すグラフである。
【図６】図６は、実施例１〜４と同条件で作製したＰＶＤ−ＳｉＣ層のＸ線回折スペクトルの測定結果である。
【図７】図７は、比較例１で用いたものと同じＣＶＤ−ＳｉＣ層のＸ線回折スペクトルの測定結果である。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
以下において、本発明のミラーの実施形態について詳細に説明する。なお、図面中における各層の層厚及び長さ等の寸法や形状、積層状態等は、実際のものとは異なりうる。
【００３０】
本発明のミラーは、反射面を有する支持材と、支持材上に備えられた非晶質のＳｉＣ層とを有する。
【００３１】
ここで、非晶質のＳｉＣ層は支持材の反射面上に設けられてもよく、あるいは、たとえば、支持材が後述する基材と反射面を与える金属層あるいは誘電体被膜（誘電体多層膜）とからなる組み合わせ部材の場合には、支持材の、金属層あるいは誘電体被膜側とは反対側の面上に設けられてもよい。
【００３２】
（支持材）
本発明のミラーにおける支持材は、反射面を有する。なお、以下において、反射面を有する支持材を、反射部材ともいうことがある。
【００３３】
ここで、支持材の反射面とは、光を反射するための面であり、平面であっても曲面であっても良い。反射面が複数ある場合、平面状の反射面を、少しずつ角度を変え、曲面に近い構成となるように並べてもよい。
【００３４】
支持材の反射面は、金属面であることが好ましい。支持材の反射面が金属面であると、波長依存性が小さいため、光エネルギーを効率良く集めることができる。
【００３５】
前記金属面を構成する金属は、タングステン、モリブデン、アルミニウム、金、銀、銅、クロム及びニッケルから選ばれる１又は２以上の金属を主成分とする純金属または合金であることが好ましい。これらの金属は、非晶質のＳｉＣ層を形成する際に変質しにくく、反射率が低下しにくい。また、熱エネルギーに変換されやすい可視光〜赤外域において高い反射率を有している。このため、非晶質のＳｉＣ層を有していても高い反射率を維持することができる。なお、「タングステン、モリブデン、アルミニウム、金、銀、銅、クロム及びニッケルから選ばれる１又は２以上の金属を主成分とする」とは、これら１又は２以上の金属を、たとえば９０重量％以上、好ましくは９５重量％以上含有することを表す。
【００３６】
本発明において、反射部材としては、反射面を有するものであれば特に限定されないが、たとえば、以下の二つの形態が利用できる。すなわち、単一の金属で構成されている単一部材の形態、及び、金属、セラミックスあるいはガラス等からなる基材と、反射面を与える金属層あるいは誘電体被膜（誘電体多層膜）とからなる組み合わせ部材の形態、の二つの形態である。
【００３７】
以下において、これらについて順に説明する。
【００３８】
＜単一部材の場合＞
反射部材としては、たとえば、反射部材全体が金属で構成されている単一部材を用いることができる。反射部材は、金属からなる板状、ブロック状などの形状であり、光を反射するための反射面を有している。光を反射するための反射面を有していれば、その形状は特に限定されない。反射部材の反射面は、光を反射しやすいように滑らかな面である。また、反射部材の反射面は、平面であっても曲面であってもよい。
この場合において、反射面は、光を反射しやすいように研磨されていることが好ましい。また、反射部材を構成する金属と同一の金属を被覆しても良い。被覆の方法は特に限定されず、スパッタリング、蒸着、熔射、めっきなどが利用できる。同一の金属を被覆することによって表面が滑らかになり、光が散乱しにくくなる。
【００３９】
また、反射部材を構成する金属としては、純金属、合金を問わず利用することができる。たとえば、前記した、タングステン、モリブデン、アルミニウム、金、銀、銅、クロム及びニッケルから選ばれる１又は２以上の金属を主成分とする純金属または合金を好適に用いることができる。
【００４０】
単一部材からなる反射部材を用いた場合の本発明のミラーの一実施形態を図１に示す。本実施形態において、ミラー１は、反射面を有する支持材２と、支持材２上に設けられた非晶質のＳｉＣ層３とを備えている。
【００４１】
＜組み合わせ部材の場合＞
また、反射部材としては、金属、セラミックスあるいはガラス等からなる基材と、反射面を与える金属層または誘電体被膜とからなる組み合わせ部材とすることもできる。基材と、反射面を与える金属層または誘電体被膜とが別々に存在することにより、基材に必要な性能と、反射面に必要な性能とを、それぞれ実現することができる。
【００４２】
基材には、ミラーの変形を防止するため、軽量であり、弾性率が高く、非晶質のＳｉＣ層との熱膨張係数が近いことや、非晶質のＳｉＣ層の形成時の熱に耐えられる程度の耐熱性を有していることが要求される。このような材料としては、たとえば、金属、セラミックス、ガラスなどが利用できる。
【００４３】
基材の材料としては、金属であれば、たとえば、鉄、アルミ、ステンレスなどが利用できる。セラミックスであれば、たとえば、黒鉛、アルミナ、Ｓｉ３Ｎ４などが利用できる。ガラスであれば、たとえば、石英ガラス、高透過ガラス、テンパックスガラスなどが利用できる。これらの材料は、耐熱性を有している上に、非晶質のＳｉＣ層との熱膨張係数が近く、ミラーを薄くしても熱膨張差により発生する反りを小さくすることができる。
【００４４】
反射面を与える金属層または誘電体被膜には、可視光〜赤外域での反射率が高く、非晶質のＳｉＣ層との熱膨張係数が近いことや、非晶質のＳｉＣ層の形成時の熱に耐えられる程度の耐熱性を有していることが要求される。
【００４５】
金属層の材料としては、純金属、合金を問わず利用することができる。たとえば、前記した、タングステン、モリブデン、アルミニウム、金、銀、銅、クロム及びニッケルから選ばれる１又は２以上の金属を主成分とする純金属または合金を好適に用いることができる。
【００４６】
なお、金属層の形成方法としては、特に限定されないが、たとえば、スパッタリング、蒸着、熔射、めっきなどが利用できる。
【００４７】
また、誘電体被膜（誘電体多層膜）の材料としては、たとえば、酸化チタン（ＴｉＯ２）、酸化シリコン（ＳｉＯ２）、ニオブ（Ｎｂ２Ｏ５）、タンタル（Ｔａ２Ｏ５）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）等が挙げられる。中でも、屈折率の高い酸化チタン、酸化亜鉛等が好ましく用いられる。
【００４８】
反射部材として組み合わせ部材を用いた場合の本発明のミラーの一実施形態を図２に示す。本実施形態において、ミラー１は、基材４及び反射面を与える金属層５とからなる支持材２と、金属層５上に設けられた非晶質のＳｉＣ層３とを備えている。
【００４９】
また、反射部材として組み合わせ部材を用いた場合の本発明のミラーの別の一実施形態を図３に示す。本実施形態において、ミラー１は、基材４及び反射面を与える金属層５とからなる支持材２と、支持材２の金属層５が設けられた面とは反対側の面上に設けられた非晶質のＳｉＣ層３とを備えている。
【００５０】
反射部材の厚みは、特に限定されないが、単一の金属で構成されている単一部材の形態の場合、処理中の基材温度を必要以上に変化させず、均質な膜厚を得るためには、たとえば１０ｎｍ〜１μｍである。また、金属、セラミックスあるいはガラス等からなる基材と、表面が反射面となる金属層または誘電体被膜とからなる組み合わせ部材の形態の場合、使用される環境における構造物としての質量を考慮すると、基材の厚みは、たとえば１００μｍ〜５ｍｍであり、金属層または誘電体被膜の厚みは、たとえば１０ｎｍ〜１μｍである。
【００５１】
（非晶質のＳｉＣ層）
本発明のミラーにおいては、支持材上に、非晶質のＳｉＣ層が設けられている。非晶質のＳｉＣ層としては、たとえば、物理気相成長法（ＰＶＤ）により形成されたＳｉＣ層（ＰＶＤ−ＳｉＣ層）が挙げられる。
【００５２】
本発明において、非晶質のＳｉＣ層の形成に用いられる物理気相成長法（ＰＶＤ）としては、スパッタリング、真空蒸着、イオンプレーティング等が挙げられる。なお、物理気相成長法（ＰＶＤ）によれば、均質な膜形成が可能である。
【００５３】
非晶質のＳｉＣ層を形成する際の物理気相成長法（ＰＶＤ）の条件については、非晶質のＳｉＣ層を形成できる条件であれば、特に限定されず、形成する非晶質のＳｉＣ層の厚みや光学特性等を考慮して、適切な条件を選択すればよい。
【００５４】
本発明において、非晶質のＳｉＣ層の厚みは特に限定されるものではないが、当該ＳｉＣ層は非晶質（アモルファス状）であるため、粒界がなく、強度上の弱点が無いことになり、薄くても粒界を基点とした層の破壊が起こりにくい。そのような非晶質のＳｉＣ層の効果をより有効に発揮するためには、厚みが１０ｎｍ〜１０μｍであることが好ましい。非晶質のＳｉＣ層の厚みが１０ｎｍ以上であると、基材表面の面の粗さに左右される事なく膜の形成が出来る。また、１０μｍ以下であると、光の吸収量が少なく、光の反射を充分に維持することができる。非晶質のＳｉＣ層の厚みは、より好ましくは１０ｎｍ〜１μｍ、さらに好ましくは１０ｎｍ〜１００ｎｍである。
【００５５】
非晶質のＳｉＣ層は、波長６００ｎｍの光に対して８０％以上の透過率を有していることが望ましい。８０％以上の透過率を有していると、光を効率良く反射することができる。波長６００ｎｍの光に対する透過率は、より好ましくは、９０％以上である。９０％以上であると、さらに効率良く光を反射することができる。非晶質のＳｉＣ層の光透過率は、その厚さを適宜調整すること等によって調整することができる。
【００５６】
非晶質のＳｉＣ層は、面粗さＲａが２０ｎｍ以下であることが好ましい。面粗さＲａが２０ｎｍ以下であると、熱エネルギー源となる可視光や赤外線の波長より面粗さが十分に小さいので、光が散乱されにくく、効率良く光を反射するミラーを提供することができる。なお、当該面粗さは、ＪＩＳ  Ｂ０６０１に基づいて測定することができる。
【００５７】
（中間層）
本発明のミラーにおいては、必要に応じて、支持材の反射面と非晶質のＳｉＣ層との間に、非晶質のＳｉＣ層よりも屈折率の低い中間層を有していてもよい。非晶質のＳｉＣ層よりも屈折率の低い中間層を備えることにより、ミラーの反射率をより高めることができる。また、中間層の存在により、反射面とミラー外表面との距離を遠ざけることができるので、反射面をより損傷しにくくすることができる。
【００５８】
中間層の屈折率は、非晶質のＳｉＣ層の屈折率よりも低ければ特に限定されず、たとえば、２以下であり、好ましくは１〜１．５である。
【００５９】
中間層を構成する材料としては、非晶質のＳｉＣ層よりも屈折率の低いものであれば、特に限定されるものではないが、たとえば、ＳｉＯ２、ＭｇＦ２、Ａｌ２Ｏ３等のセラミックス等が挙げられ、ＳｉＯ２が、特に好ましい。ＳｉＯ２は、透明度が高く、反射面を構成する金属よりも硬いので、反射面を保護する効果が強い。
【００６０】
中間層を形成する方法は特に限定されないが、物理気相成長法（ＰＶＤ）により形成することが好ましい。中間層の形成に用いられる物理気相成長法（ＰＶＤ）としては、スパッタリング、真空蒸着、イオンプレーティング等が挙げられる。これらの方法は、電荷による加速作用が働くので、中間層を、反射面により強固に被覆することができる。金属反射膜へのダメージ（エッチング）の防止の観点からは、真空蒸着が特に好ましい。
【００６１】
中間層としては、ＰＶＤにより形成されるＳｉＯ２層（ＰＶＤ−ＳｉＯ２層ともいう）が、特に好ましい。
【００６２】
中間層の厚みは、特に限定されないが、好ましくは１ｎｍ〜１００μｍであり、より好ましくは１０ｎｍ〜１μｍである。ここで、膜厚と波長には，ｎｄ＝λ／４の関係があり（ｎ：屈折率、ｄ：厚み、λ：波長）があり、材料の屈折率に応じて任意の膜厚を形成させる。
【００６３】
中間層を備えた本発明のミラーの一実施形態を図４に示す。本実施形態において、ミラー１は、基材４及び反射面を与える金属層５とからなる支持材２と、金属層５上に設けられた中間層６と、中間層６上に設けられた非晶質のＳｉＣ層３とを備えている。
【００６４】
つづいて、本発明のミラーの製造方法の一実施形態について説明する。
【００６５】
本発明のミラーは、たとえば、反射面を有する支持材上に、ＰＶＤ等により非晶質のＳｉＣ層を形成することにより製造することができる。
【００６６】
また、中間層を有するミラーの場合は、たとえば、反射面を有する支持材上に、ＰＶＤ等により中間層を形成した後、当該中間層上にＰＶＤ等により非晶質のＳｉＣ層を形成することにより製造することができる。
【００６７】
本発明のミラーは、前記した構成を有することにより、高い反射率を有するとともに、傷つきにくく、長期信頼性を有するものである。したがって、特に、太陽光集光用ミラーとして好適に使用できる。
【実施例】
【００６８】
以下、本発明の実施例について説明する。ただし、本発明は、これら実施例により限定されるものではない。
【００６９】
（実施例１）
まず、支持材としてのガラス板（厚み：１ｍｍ）の面上に、ＤＣスパッタリングにより厚み１００ｎｍのＡｇ層を成膜することにより、反射面を有する支持材を作製した。当該ＤＣスパッタリングは、徳田製作所製のＤＣスパッタリング装置（ＣＦＳ−４ＥＳ）を用いて、以下の条件で行った。
Ａｇターゲット：田中貴金属工業製
初期真空度：１．０×１０−３Ｐａ
スパッタガス：Ａｒ
スパッタガス圧力：０．６Ｐａ
ＤＣ出力：２００Ｗ
成膜時間：１５０秒
成膜温度：常温
【００７０】
つづいて、支持材のＡｇ層を形成した面とは反対側の面上に、ＲＦスパッタリングにより厚み２０ｎｍのＰＶＤ−ＳｉＣ層を成膜することにより、実施例１のミラーを作製した。当該ＲＦスパッタリングは、ＲＦスパッタリング装置を用いて、以下の条件で行った。
初期真空度：１．０×１０−３Ｐａ
スパッタガス：Ａｒ
スパッタガス圧力：０．６Ｐａ
ＲＦ出力：５００Ｗ
成膜時間：１４０秒
成膜温度：常温
【００７１】
（実施例２）
ＰＶＤ−ＳｉＣ層を成膜する際の成膜温度を３００℃とした以外は実施例１と同様にして、実施例２のミラーを作製した。
【００７２】
（実施例３）
まず、実施例１と同様の手法によりガラス板上に厚み１００ｎｍのＡｇ層を成膜し、反射面を有する支持材を作製した。
【００７３】
つづいて、支持材のＡｇ層を形成した側の面上に、真空蒸着により、厚み１１６ｎｍのＳｉＯ２層を成膜した。当該真空蒸着は、真空蒸着装置を用いて、以下の条件で行った。
圧力：０．６Ｐａ
成膜時間：１２０秒
【００７４】
その後、実施例１と同様の手法により、ＳｉＯ２層上に２０ｎｍのＰＶＤ−ＳｉＣ層を成膜し、実施例３のミラーを作製した。
【００７５】
（実施例４）
ＰＶＤ−ＳｉＣ層を成膜する際の成膜温度を３００℃とした以外は実施例３と同様にして、実施例４のミラーを作製した。
【００７６】
（比較例１）
まず、実施例３と同様の手法によりガラス板上に厚み１００ｎｍのＡｇ層を成膜し、反射面を有する支持材を作製した。その後、実施例３と同様の手法により、支持材のＡｇ層を形成した側の面上に厚み１１６ｎｍのＳｉＯ２層を成膜した。
【００７７】
つづいて、ＳｉＯ２層上に厚み５０μｍのＣＶＤ−ＳｉＣ層を貼り合わせることにより、比較例１のミラーを作製した。なお、ＣＶＤ−ＳｉＣ層とは、化学気相成長法（ＣＶＤ）により形成されたＳｉＣ層を表す。ここで、ＣＶＤ−ＳｉＣ層としては、研磨により両面の面粗さＲａを１．５ｎｍとしたものを用いた。
【００７８】
（比較例２）
ＰＶＤ−ＳｉＣ層を設けなかった以外は実施例１と同様にして、比較例２のミラー（ガラスミラー）を作製した。
【００７９】
（分光反射率の測定）
各実施例及び比較例のミラーについて、φ６０積分球を用いた島津製作所製Ｓｏｌｉｄｓｐｅｃ３７００を用いて、正反射率を測定した。測定は、測定波長２５０−１０００ｎｍ、入射角８°、スリット幅５ｎｍの条件で行った。
【００８０】
なお、実施例１〜４のミラーについては、ＰＶＤ−ＳｉＣ層側から光を入射させた。また、比較例１のミラーについては、ＣＶＤ−ＳｉＣ層側から光を入射させた。比較例２のミラーについては、支持材のＡｇ層を形成した面とは反対側の面側から光を入射させた。
【００８１】
図５に、各実施例及び比較例のミラーの正反射率の測定結果を示す。
【００８２】
ＰＶＤ−ＳｉＣ層を有する実施例１〜４のミラーは、ＣＶＤ−ＳｉＣ層を有する比較例１のミラーと比較して、可視光線領域から赤外線領域にかけてより高い反射率を有するものであった。
【００８３】
特に、中間層としてのＳｉＯ２層を有する実施例３〜４のミラーは、可視光線領域から赤外線領域にかけて特に高い反射率を有するものであり、その可視光線領域から赤外線領域における反射率は、比較例２のガラスミラーと同等であった。
【００８４】
なお、実施例３〜４のミラーは、波長４００ｎｍ付近の反射率が局所的に低かったが、これは光干渉の影響によるものと推察される。
【００８５】
（Ｘ線回折測定及び面粗さＲａの測定）
各実施例で用いたのと同じガラス板上に、各実施例と同様の手法により厚み２０ｎｍのＰＶＤ−ＳｉＣ層を成膜し、リガク製Ｘ線回折装置：ＵｌｔｉｍａＩＶを用いて、新入深さ：５ｎｍの条件で、Ｘ線回折スペクトルを測定した。その測定結果を図６に示す。図６に示されるように、形成されたＰＶＤ−ＳｉＣ層は非晶質であることが確認された。
【００８６】
また、Ｘ線回折測定で用いた試料と同様にして作製した試料について、ＰＶＤ−ＳｉＣ層側の面粗さＲａを、ＪＩＳ  Ｂ０６０１に準拠して測定したところ、１．０ｎｍであった。
【００８７】
また、比較例１で用いたＣＶＤ−ＳｉＣ層について、上記と同様にＸ線回折スペクトルを測定した。その測定結果を図７に示す。図７に示されるように、ＣＶＤ−ＳｉＣ層のＸ線回折スペクトルにおいては（１１１）に強いピークが確認され、結晶性が高いことが確認された。
【００８８】
なお、上記したように、比較例１で用いたＣＶＤ−ＳｉＣ層は、両面の面粗さＲａが１．５ｎｍであった。
【符号の説明】
【００８９】
１  ミラー
２  支持材
３  非晶質のＳｉＣ層
４  基材
５  金属層
６  中間層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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