(57)【要約】【課題】電子部品本体と金属端子との接合強度の向上を図り、且つ電子部品本体にクラックが生じることを抑制することができる、セラミック電子部品を提供する。【解決手段】セラミック素体５２、並びに第１および第２の外部電極６０，６２を有する電子部品本体５０と、第１および第２の外部電極６０，６２に電気的に接続された一対の金属端子１０Ａとを備えるセラミック電子部品１Ａであって、一対の金属端子１０Ａそれぞれは、第１または第２の側面５２ｅ，５２ｆと対向するように、第１の端面５２ｃと第２の端面５２ｄとを結ぶ方向に延びるリブ部１４，１６とを含み、電子部品本体５０と、一対の金属端子１０Ａそれぞれのリブ部１４，１６との間に形成される間隙に接合材７０が介在し、且つ接合材７０の線膨張係数がセラミック素体５２のセラミック成分の線膨張係数よりも小さい、セラミック電子部品１Ａである。【選択図】図１
2016225380.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに対向する第１の主面および第２の主面、互いに対向する第１の側面および第２の側面、並びに互いに対向する第１の端面および第２の端面を有するセラミック素体と、前記第１の端面を覆うように形成された第１の外部電極、および前記第２の端面を覆うように形成された第２の外部電極と、を有する電子部品本体と、
前記第１の外部電極および前記第２の外部電極に電気的に接続された一対の金属端子と、を備えるセラミック電子部品であって、
前記一対の金属端子それぞれは、
前記第１の外部電極または前記第２の外部電極にはんだによって接合された端子接合部と、
前記セラミック素体の第１の端面と第２の端面とを結ぶ方向に延び、前記セラミック電子部品が実装される基板にはんだによって接合される実装部と、
前記端子接合部と前記実装部とを結ぶ方向に延び、前記端子接合部と前記実装部とを一体的に接続する延長部と、
前記セラミック素体の第１の側面と第２の側面とを結ぶ方向における、前記端子接合部の両端縁それぞれから、前記セラミック素体の第１の側面または第２の側面と対向するように、前記セラミック素体の第１の端面と第２の端面とを結ぶ方向に延びるリブ部と、を含み、
前記電子部品本体と、前記一対の金属端子それぞれのリブ部との間に形成される間隙に接合材が介在し、且つ前記接合材の線膨張係数が前記セラミック素体のセラミック成分の線膨張係数よりも小さいことを特徴とする、セラミック電子部品。
【請求項２】
前記接合材は、はんだ、または接着剤であることを特徴とする、請求項１に記載のセラミック電子部品。
【請求項３】
前記接合材は、前記電子部品本体と、前記一対の金属端子それぞれのリブ部との間に形成される間隙全体に介在している、請求項１または２に記載のセラミック電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、セラミック電子部品に関し、特に例えば、セラミック素体に形成された外部電極と、外部電極に電気的に接続された金属端子とを備える、セラミック電子部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、セラミック製のチップ型電子部品であるセラミック電子部品（例えば、積層セラミックコンデンサ）が一般に使用されるようになった。セラミック電子部品は、例えば、エポキシ樹脂などからなる基板に実装して用いられる。基板は、外力が加わった際や周囲の急激な温度変化による熱衝撃が加わった際などに、撓んで変形してしまうことがある。このような基板の変形に伴い、基板に実装されたセラミック電子部品に機械的応力が加わり、セラミック電子部品にクラックが生じてしまうという問題があった。
【０００３】
このような問題を解消するためのセラミック電子部品として、例えば、特許文献１に記載された電子部品がある。特許文献１の電子部品は、コンデンサ素子の両端に設けられた一対の金属端子を備える。一対の金属端子それぞれは、その一部に端子電極に当接される電極対向部を有する平板状の部分と、平板状の部分の下端からコンデンサに向かって直角に屈曲する外部接続部とを有する。引用文献１には、このような形状を有する金属端子の弾性変形を利用し、コンデンサ素子に生じる機械的応力や熱応力を吸収することが開示されている。
【０００４】
特許文献２には、セラミック電子部品として、チップ型電子部品が開示されている。特許文献２に記載のチップ型電子部品が備える一対の金属端子それぞれは、チップ型電子部品素子の外部電極に接続される平板状の外部電極接合部と、外部電極接合部の側縁からチップ型電子部品素子側に延ばされ、外側に湾曲した形状を有する端子把持部と、基板上の電極ランドに接続される端子先端部と、外部電極接合部と端子先端部との間に設けられた屈曲部とを有する。そして、特許文献２には、端子把持部および屈曲部のばね性をもってチップ型電子部品素子を保持する旨が記載されている。
【０００５】
特許文献３には、セラミック電子部品が開示されている。特許文献３に記載のセラミック電子部品が備える一対の金属端子は、電子部品本体の外部電極に接合される矩形状の基部を有する。基部には切欠き部が形成される。また、金属端子は、基部の左右両側部から電子部品本体側に直角に折り曲げられたリブ部を有する。リブ部と電子部品本体とは接していない。そして、特許文献３には、基部に形成された切欠き部が、金属端子がセラミック電子部品本体から外れる原因となる外部からの応力を吸収し、接合強度を向上させる旨が記載されている。また、リブ部によっても、剛性が向上することにより、金属端子の変形を抑制し、接合強度を向上させる旨が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００５−６４３７７号公報
【特許文献２】特開平７−２２２７４号公報
【特許文献３】特開２０１３−３０７４６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
特許文献２に記載のチップ型電子部品は、金属端子の把持部が外側に湾曲した形状を有するため、チップ型電子部品素子と把持部との間にｆ間隙が形成される。同様に、特許文献３に記載のセラミック電子部品は、金属端子のリブ部が電子部品と接していないため、電子部品本体とリブ部との間に間隙が形成される。このような特許文献２に記載のチップ型電子部品や、特許文献３に記載のセラミック電子部品は、基板に実装する際に用いるはんだ、および電子部品本体の外部電極と金属端子とを接合する際に用いるはんだが、電子部品本体と、金属端子に形成された把持部またはリブ部との間の間隙に入り込み、電子部品本体に濡れ上がることが考えられる。このように電子部品本体にはんだが濡れ上がった場合、はんだに収縮応力が加わると、その応力が電子部品本体に直接伝わるため、電子部品本体にクラックが生じてしまうという問題が懸念される。
【０００８】
それゆえに、この発明の主たる目的は、電子部品本体と金属端子との接合強度の向上を図り、且つ電子部品本体にクラックが生じることを抑制することができる、セラミック電子部品を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
この発明に係るセラミック電子部品は、互いに対向する第１の主面および第２の主面、互いに対向する第１の側面および第２の側面、並びに互いに対向する第１の端面および第２の端面を有するセラミック素体と、第１の端面を覆うように形成された第１の外部電極、および第２の端面を覆うように形成された第２の外部電極と、を有する電子部品本体と、第１の外部電極および第２の外部電極に電気的に接続された一対の金属端子と、を備えるセラミック電子部品であって、一対の金属端子それぞれは、第１の外部電極または第２の外部電極にはんだによって接合された端子接合部と、セラミック素体の第１の端面と第２の端面とを結ぶ方向に延び、セラミック電子部品が実装される基板にはんだによって接合される実装部と、端子接合部と実装部とを結ぶ方向に延び、端子接合部と実装部とを一体的に接続する延長部と、セラミック素体の第１の側面と第２の側面とを結ぶ方向における、端子接合部の両端縁それぞれから、セラミック素体の第１の側面または第２の側面と対向するように、セラミック素体の第１の端面と第２の端面とを結ぶ方向に延びるリブ部と、を含み、電子部品本体と、一対の金属端子それぞれのリブ部との間に形成される間隙に接合材が介在し、且つ接合材の線膨張係数がセラミック素体のセラミック成分の線膨張係数よりも小さいことを特徴とする、セラミック電子部品である。
好ましくは、この発明に係るセラミック電子部品が備える接合材は、はんだ、または接着剤であることを特徴とする、セラミック電子部品である。
好ましくは、この発明に係るセラミック電子部品が備える接合材は、電子部品本体と、一対の金属端子それぞれのリブ部との間に形成される間隙全体に介在していることを特徴とする、セラミック電子部品である。
【００１０】
従来は、電子部品本体と金属端子との間に間隙が形成されていた場合、その間隙が形成された状態のまま、はんだを用いて、電子部品本体と金属端子とを接合したり、セラミック電子部品を実装基板に実装したりしていた。発明者は、このような場合に、はんだが電子部品本体に濡れ上がることに着目した。そして、電子部品本体に濡れ上がったはんだに収縮応力が加わると、その応力が電子部品本体に直接伝わるため、電子部品本体にクラックが生じることが懸念されるという課題を見出した。そして、発明者は、鋭意検討した結果、この間隙を埋めるように接合材を充填し、且つ接合材の線膨張係数を電子部品本体が備えるセラミック素体のセラミック成分の線膨張係数よりも小さくすることに想到した。  電子部品本体と、一対の金属端子それぞれのリブ部との間に形成される間隙に接合材が介在することにより、間隙にはんだが入り込むことを抑制することができるため、電子部品本体にクラックが生じることを抑制することができる。さらに、接合材の線膨張係数が電子部品本体のセラミック成分の線膨張係数よりも小さいことにより、接合材の収縮応力が伝わることにより電子部品本体にクラックが生じることも抑制できる。
また、接合材として、はんだ、または接着剤を用いることにより、電子部品本体と金属端子との接合強度の向上を図ることができ、且つ電子部品本体にクラックが生じることを抑制することができる。
さらに、接合材が、電子部品本体と、一対の金属端子それぞれのリブ部との間に形成される間隙全体に介在していることにより、より効果的に間隙にはんだが入り込むことを抑制することができ、電子部品本体にクラックが生じることをさらに抑制することができると共に、電子部品本体と金属端子との接合強度の向上を図ることができる。
【発明の効果】
【００１１】
この発明によれば、電子部品本体と金属端子との接合強度の向上を図り、且つ電子部品本体にクラックが生じることを抑制することができる、セラミック電子部品を提供し得る。
【００１２】
この発明の上述の目的、その他の目的、特徴および利点は、図面を参照して行う以下の発明を実施するための形態の説明から一層明らかとなろう。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】この発明の第１の実施の形態に係るセラミック電子部品を示す外観斜視図である。
【図２】この発明の第１の実施の形態に係るセラミック電子部品を示す図１のＩＩ−ＩＩ断面図である。
【図３】この発明の第１の実施の形態に係るセラミック電子部品が備える金属端子を示す外観斜視図である。
【図４】この発明の第１の実施の形態に係るセラミック電子部品を示す図１のＩＶ−ＩＶ断面図である。
【図５】この発明の第１の実施の形態に係るセラミック電子部品の変形例を示す外観斜視図である。
【図６】この発明の第１の実施の形態に係るセラミック電子部品の変形例が備える金属端子を示す外観斜視図である。
【図７】この発明の第１の実施の形態に係るセラミック電子部品の変形例が備える金属端子を電子部品本体の接合される側から見た図である。
【図８】この発明の第１の実施の形態に係るセラミック電子部品の変形例の外力が加えられたときの作用効果を説明するための図である。
【図９】この発明の第２の実施の形態に係るセラミック電子部品を示す外観斜視図である。
【図１０】この発明の第２の実施の形態に係るセラミック電子部品が備える金属端子を示す外観斜視図である。
【図１１】この発明の第２の実施の形態に係るセラミック電子部品の第１の変形例を示す外観斜視図である。
【図１２】この発明の第２の実施の形態に係るセラミック電子部品の第１の変形例が備える金属端子を示す外観斜視図である。
【図１３】この発明の第２の実施の形態に係るセラミック電子部品の第２の変形例が備える金属端子を示す外観斜視図である。
【図１４】この発明の第２の実施の形態に係るセラミック電子部品の第３の変形例が備える金属端子を示す外観斜視図である。
【図１５】この発明の第２の実施の形態に係るセラミック電子部品の第４の変形例が備える金属端子を示す外観斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
１．セラミック電子部品
（第１の実施の形態）
この発明の第１の実施の形態に係るセラミック電子部品について、図１〜４を参照して説明する。図１は、この発明の第１の実施の形態に係るセラミック電子部品を示す外観斜視図である。また、図２は、この発明の第１の実施の形態に係るセラミック電子部品を示す図１のＩＩ−ＩＩ断面図である。また、図３は、この発明の第１の実施の形態に係るセラミック電子部品が備える金属端子を示す外観斜視図である。また、図４は、この発明の第１の実施の形態に係るセラミック電子部品を示す図１のＩＶ−ＩＶ断面図である。
【００１５】
この実施の形態に係るセラミック電子部品１Ａは、電子部品本体５０と、一対の金属端子１０Ａと、４つの接合材７０ａ〜７０ｄとを備える。電子部品本体５０と、一対の金属端子１０Ａそれぞれとが、はんだ８０を介して電気的に接続される。
【００１６】
（電子部品本体５０）
電子部品本体５０は、セラミック素体５２と、第１および第２の外部電極６０，６２とを含む。セラミック素体５２は、複数の積層されたセラミック層５４から構成される。そして、セラミック素体５２は、直方体状に形成され、互いに対向する第１の主面５２ａおよび第２の主面５２ｂ、互いに対向する第１の端面５２ｃおよび第２の端面５２ｄ、並びに互いに対向する第１の側面５２ｅおよび第２の側面５２ｆを有する。第１の主面５２ａおよび第２の主面５２ｂは、セラミック電子部品１Ａが実装される実装基板の面と平行な面をさす。なお、セラミック素体５２は、角部および稜部に丸みが形成されることが好ましい。
【００１７】
セラミック層５４としては、例えば、ＢａＴｉＯ3，ＣａＴｉＯ3，ＳｒＴｉＯ3，ＣａＺｒＯ3などの主成分からなる誘電体セラミックを用いることができる。また、これらの主成分にＭｎ化合物、Ｆｅ化合物、Ｃｒ化合物、Ｃｏ化合物、Ｎｉ化合物などの副成分を添加したものを用いてもよい。そのほか、セラミック素体５２としては、ＰＺＴ系セラミックなどの圧電体セラミック、スピネル系セラミックなどの半導体セラミック、あるいはフェライトなどの磁性体セラミックなどを用いることができる。電子部品本体５０は、圧電体セラミックを用いた場合には圧電部品として機能し、半導体セラミックを用いた場合にはサーミスタとして機能し、磁性体セラミックを用いた場合にはインダクタとして機能する。ただし、インダクタの場合は、第１および第２の内部電極５６，５８はコイル状の導体となる。なお、セラミック層５４の厚みは、０．５μｍ以上１０μｍ以下であることが好ましい。
【００１８】
なお、この実施の形態にかかるセラミック素体５２については、誘電体セラミックを用いるので、コンデンサとして機能する。
【００１９】
セラミック素体５２は、複数のセラミック層５４に挟まれるように、複数の第１および第２の内部電極５６，５８を有する。第１および第２の内部電極５６，５８は、セラミック層５４を挟んで対向しており、対向部分により電気特性（例えば、静電容量など）が発生する。なお、複数のセラミック層５４並びに第１および第２の内部電極５６，５８は、実装面に対して平行になるように配置されてもよいし、垂直になるように配置されてもよい。第１および第２の内部電極５６，５８の材料としては、例えば、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｄ合金、Ａｕなどを用いることができる。第１および第２の内部電極５６，５８の厚みは、０．３μｍ以上２．０μｍ以下であることが好ましい。なお、電子部品本体５０が積層タイプでない場合には、第１および第２の内部電極５６，５８は形成されない。
【００２０】
第１の外部電極６０は、セラミック素体５２の第１の端面５２ｃから、第１の主面５２ａおよび第２の主面５２ｂそれぞれの一部、並びに第１の側面５２ｅおよび第２の側面５２ｆそれぞれの一部に至るように形成される。そして、第１の外部電極６０は、セラミック素体５２の第１の端面５２ｃにおいて、第１の内部電極５６と電気的に接続される。また、第２の外部電極６２は、セラミック素体５２の第２の端面５２ｄから、第１の主面５２ａおよび第２の主面５２ｂそれぞれの一部、並びに第１の側面５２ｅおよび第２の側面５２ｆそれぞれの一部に至るように形成される。そして、第２の外部電極６２は、セラミック素体５２の第２の端面５２ｄにおいて、第２の内部電極５８と電気的に接続される。
【００２１】
第１および第２の外部電極６０，６２は、下地層と、下地層の表面に形成されためっき層とで構成されることが好ましい。下地層としては、例えば、Ｃｕ，Ｎｉ，Ａｇ，Ｐｄ，Ａｇ−Ｐｄ合金，Ａｕなどを用いることができる。この中でも、Ｃｕを用いることが好ましい。また、下地層は、第１および第２の内部電極５６，５８と同時焼成して形成されたものでもよく、セラミック素体を焼成した後に導電性ペーストを塗布して焼き付けて形成されたものでもよい。また、下地層は、直接めっきにより形成されてもよく、熱硬化性樹脂を含む導電性樹脂を硬化させることにより形成されてもよい。なお、下地層の厚み（最も厚い部分の厚み）は、１０μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましい。
【００２２】
一方、めっき層としては、例えば、Ｃｕ，Ｎｉ，Ａｇ，Ｐｄ，Ａｇ−Ｐｄ合金、Ａｕなどを用いることができる。めっき層は、複数層の構造であってもよい。好ましくは、めっき層は、Ｎｉめっき、Ｓｎめっきからなる２層構造である。なお、めっき膜一層あたりの厚みは、１μｍ以上１０μｍ以下であることが好ましい。また、下地層とめっき層との間に、応力緩和用の導電性樹脂層が形成されてもよい。
【００２３】
（はんだ８０）
はんだ８０は、電子部品本体５０と、一対の金属端子１０Ａの端子接合部２２とを接合するために用いられる。はんだ８０は、例えば、Ｓｎ−Ｓｂ系はんだ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系はんだ、Ｓｎ−Ｃｕ系はんだおよびＳｎ−Ｂｉ系はんだなどのＬＦはんだを用いることができる。中でも、Ｓｎ−Ｓｂ系はんだの場合には、Ｓｂの含有率が約５％以上１５％以下であることが好ましい。
【００２４】
（金属端子１０Ａ）
この実施の形態に係る一対の金属端子１０Ａは、セラミック素体５２の第１の端面５２ｃと第２の端面５２ｄとを結ぶ方向において、２個一組で、電子部品本体５０を挟持する。金属端子１０Ａは、矩形状に形成され、セラミック素体５２の第１の主面５２ａと第２の主面５２ｂとを結ぶ方向に延びる基部１２と、基部１２の下方端辺（すなわち、第２の主面５２ｂ側の端辺）から、第１の端面５２ｃと第２の端面５２ｄとを結ぶ方向に延び、実装基板にはんだによって接合される実装部１８と、第１の側面５２ｅと第２の側面５２ｆとを結ぶ方向における、基部１２の両端辺それぞれから、第１の端面５２ｃと第２の端面５２ｄとを結ぶ方向に延び、第１の側面５２ｅまたは第２の側面５２ｆと対向するリブ部１４，１６とを備える。
【００２５】
金属端子１０Ａの基部１２は、電子部品本体５０の第１または第２の外部電極６０ａ，６０ｂにはんだ８０によって接合される端子接合部２２と、端子接合部２２と実装部１８とを結ぶ方向に延び、端子接合部２２と実装部１８との間に設けられ、端子接合部２２と実装部１８とを一体的に接続する延長部４０とを含む。
【００２６】
金属端子１０Ａの端子接合部２２は、略矩形の平板状に形成され、セラミック素体５２の第１の側面５２ｅと第２の側面５２ｆとを結ぶ方向において、その寸法が、第１および第２の外部電極６０，６２それぞれの寸法とほぼ同じである。
【００２７】
端子接合部２２は、電子部品本体５０の上面（すなわち、第１の主面５２ａ側の面）が金属端子１０Ａの上端部からやや飛び出すように、はんだ８０を用いて、第１および第２の外部電極６０，６２に接合されてもよい。これにより、金属端子１０Ａの角部が電子部品本体５０の上面から後退し、電子部品本体５０の丸みで、引っ掛かりによるトラブルを防止することができる。
【００２８】
金属端子１０Ａの延長部４０は、例えば、略矩形の平板状に形成される。また、延長部４０は、端子接合部２２と実装部１８とを結ぶ方向（すなわち、セラミック素体５２の第１の主面５２ａと第２の主面５２ｂとを結ぶ方向）に延び、端子接合部２２と一体的に平板状に形成される。延長部４０を設けることにより、セラミック電子部品１Ａの底面（すなわち、セラミック素体５２の第２の主面５２ｂ）と実装部１８との間に間隙が形成される。すなわち、延長部４０により、電子部品本体５０を離間した状態で実装基板に実装することができる。このような延長部４０は、交流電圧が加わることでセラミック層５４に生じる機械的歪みを、弾性変形することにより、吸収することができる。これにより、延長部４０は、このとき生じる振動が第１および第２の外部電極６０，６２を介して実装基板に伝達することを抑制することができる。したがって、金属端子１０Ａは、その延長部４０により、例えば、アコースティックノイズ（鳴き）の発生を減少することができる。
【００２９】
金属端子１０Ａの実装部１８は、延長部４０の下方端辺から電子部品本体５０側に直角に（すなわち、第１の端面５２ｃと第２の端面５２ｄとを結ぶ方向に）折り曲げられるように形成されることが好ましい。すなわち、金属端子１０Ａは、その（端子接合部２２および延長部４０からなる）基部１２と、実装部１８とが、側面視略Ｌ字形状であることが好ましい。実装部１８は、はんだを用いて実装基板に設けられたランドに接合される。これにより、セラミック電子部品１Ａは、実装基板に実装される。実装部１８の実装面（すなわち、第２の主面５２ｂ側に位置する面）は、平板状に形成される。また、セラミック素体５２の第１の端面５２ｃと第２の端面５２ｄとを結ぶ方向において、実装部１８の寸法は、第１または第２の外部電極６０，６２の寸法よりも大きく形成されることが好ましい。すなわち、セラミック電子部品１Ａを実装面側から見たとき、金属端子１０Ａに阻まれて、第１および第２の外部電極６０，６２が見えないことが好ましい。これにより、セラミック電子部品１Ａをマウントする際において、セラミック電子部品１Ａを実装面側からカメラで画像認識して部品の位置を検出するような場合、第１および第２の外部電極６０，６２を金属端子１０Ａとして誤って認識してしまうことを防止でき、検出ミスを防止することができる。なお、実装部１８は、電子部品本体５０側とは反対の方向に直角に折り曲げられていてもよい。また、実装部１８と延長部４０により形成された角部には、丸みが付けられてもよい。
【００３０】
金属端子１０Ａのリブ部１４，１６は、基部１２の端子接合部２２における幅方向の両端辺の上端部から実装部１８まで至らない部分に設けられ、セラミック素体５２の第１の端面５２ｃと第２の端面５２ｄとを結ぶ方向に延びる。すなわち、リブ部１４，１６は、基部１２の端子接合部２２における幅方向の両端辺から、電子部品本体５０側に直角に折り曲げられる態様で形成される。なお、リブ部１４，１６それぞれと電子部品本体５０との間には、セラミック素体５２の第１の側面５２ｅと第２の側面５２ｆを結ぶ方向において、間隙が設けられる。
【００３１】
リブ部１４，１６を設けることにより、金属端子１０Ａの剛性が向上する。これにより、例えば、セラミック素体５２の第１の端面５２ｃと第２の端面５２ｄとを結ぶ方向の荷重が加わった際に、端子接合部２２の変形を抑制することができる。さらに、リブ部１４，１６を設けることにより、第１および第２の外部電極６０，６２と、金属端子１０Ａ（すなわち、端子接合部２２）との接合面積を増やすことができるため、第１および第２の外部電極６０，６２と、金属端子１０Ａとの接合はずれを抑制することができる。これは、特に、はんだ８０として、Ｓｎ−Ｂｉ系の高温はんだを用いて第１および第２の外部電極６０，６２と、金属端子１０Ａ（すなわち、端子接合部２２）とを接合する場合、効果的である。なぜなら、Ｓｎ−Ｂｉ系の高温はんだは、通常のＳｎ−Ｓｂ系はんだ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系はんだに比べて接合力が弱いためである。しかしながら、通常のＳｎ−Ｓｂ系はんだ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系はんだを用いた場合にも同様の効果を得ることができる。さらに、リブ部１４，１６を設けることにより、金属端子１０Ａのねじれ方向のズレを抑制することができるため、接合姿勢を良好にすることができる。
【００３２】
なお、一対の金属端子５０Ａのリブ部１４，１６により、セラミック素体５２の第１の側面５２ｅに形成される第１および第２の外部電極６０，６２ならびにセラミック素体５２の第２の側面５２ｆに形成される第１および第２の外部電極６０，６２の総面積の８０％以上が覆われていることが好ましい。
【００３３】
金属端子１０Ａは、端子本体と、端子本体の表面に形成されためっき膜とからなる。金属端子１０Ａの端子本体は、Ｎｉ，Ｆｅ，Ｃｕ，Ａｇ，Ｃｒまたはこれらの金属のうちの一種以上の金属を主成分として含む合金からなることが好ましい。さらに好ましくは、端子本体は、Ｎｉ，Ｆｅ，Ｃｒまたはこれらの金属のうちの一種以上の金属を主成分として含む合金からなる。具体的には、端子本体は、例えば、その母材をＦｅ−４２Ｎｉ合金やＦｅ−１８Ｃｒ合金とすることができる。金属端子１０Ａの端子本体の厚みは、０．０５ｍｍ以上０．５ｍｍ以下程度であることが好ましい。
【００３４】
めっき膜は、金属端子１０Ａの表面全体に形成されてもよい。なお、めっき膜は、金属端子１０Ａの実装部１８および延長部４０の周囲面において形成されなくてもよい。これにより、セラミック電子部品１Ａを実装基板にはんだを用いて実装する際に、はんだの金属端子１０Ａへの濡れ上がりを抑制することができる。すなわち、電子部品本体５０と金属端子１０Ａとの間（浮き部分）にはんだが濡れ上がることを抑制することができるため、浮き部分にはんだが充填されることを防止することができる。よって、浮き部分の空間を十分に確保することができる。したがって、延長部４０が弾性変形し易くなるため、交流電圧が加わることでセラミック層５４に生じる機械的歪みを、より吸収することができる。これにより、このとき生じる振動が第１および第２の外部電極６０，６２を介して実装基板に伝達することを抑制することができる。したがって、金属端子１０Ａは、より安定してアコースティックノイズ（鳴き）の発生を抑制することができる。
【００３５】
金属端子１０Ａの表面に形成されためっき膜、または金属端子１０Ａの実装部１８および延長部４０の表面に形成されためっき膜を除去する場合、その除去の方法は、機械による除去（例えば、切削、研磨）、レーザートリミングによる除去、めっき剥離剤（例えば、水酸化ナトリウム）などが考えられる。また、例えば、金属端子１０Ａの実装部１８および延長部４０の表面にめっき膜を形成しない場合、予め実装部１８および延長部４０のめっき膜を形成しない部分をレジストで覆ったうえで、金属端子１０Ａの他の部分にめっき膜を形成し、その後レジストを除去するようにしてもよい。なお、金属端子１０Ａの全周囲面には、めっき膜が形成されなくてもよい。
【００３６】
めっき膜は、端子本体の表面に形成された下層めっき膜と、下層めっき膜の表面に形成された上層めっき膜とを有する。
【００３７】
下層めっき膜は、Ｎｉ，Ｆｅ，Ｃｕ，Ａｇ，Ｃｒまたはこれらの金属のうちの一種以上の金属を主成分として含む合金からなることが好ましい。さらに好ましくは、下層めっき膜は、Ｎｉ，Ｆｅ，Ｃｒまたはこれらの金属のうちの一種以上の金属を主成分として含む合金からなる。端子本体および下層めっき膜それぞれを、高融点のＮｉ，Ｆｅ，Ｃｒまたはこれらの金属のうちの一種以上の金属を主成分として含む合金で形成することにより、第１および第２の外部電極６０，６２の耐熱性を向上させることができる。なお、下層めっき膜の厚みは、０．２μｍ以上５．０μｍ以下程度であることが好ましい。また、下層めっき膜は、複数層の構造であってもよい。
【００３８】
一方、上層めっき膜は、Ｓｎ，Ａｇ，Ａｕまたはこれらの金属のうちの一種以上の金属を主成分として含む合金からなることが好ましい。さらに好ましくは、上層めっき膜は、ＳｎまたはＳｎを主成分として含む合金からなる。上層めっき膜を、ＳｎまたはＳｎを主成分として含む合金で形成することにより、金属端子１０Ａと第１および第２の外部電極６０，６２とのはんだ付き性を向上させることができる。なお、上層めっき膜の厚みは、１．０μｍ以上５．０μｍ以下程度であることが好ましい。また、上層めっき膜は、複数の層により構成されてもよい。
【００３９】
（接合材７０ａ〜７０ｄ）
続いて、この実施の形態に係る接合材７０ａ〜７０ｄの詳細について説明する。上記したように、リブ部１４，１６それぞれと電子部品本体５０との間には、セラミック素体５２の第１の側面５２ｅと第２の側面５２ｆを結ぶ方向において、４箇所の間隙が形成される。
【００４０】
図４に示すように、第２の外部電極６２に接合された金属端子１０Ａのリブ１６側に配置された接合材７０ｃは、金属端子１０Ａのリブ部１６と、セラミック素体５２の第２の端面５２ｄから第１の側面５２ｅにわたって形成される第２の外部電極６２との間隙に形成される。また、この金属端子１０Ａのリブ１４側に配置された接合材７０ｄは、金属端子１０Ａのリブ部１４と、セラミック素体５２の第２の端面５２ｄから第２の側面５２ｆにわたって形成される第２の外部電極６２との間隙に形成される。
【００４１】
同様に、第１の外部電極６０に接合された金属端子１０Ａのリブ１４側に配置された接合材７０ａは、金属端子１０Ａのリブ部１４と、セラミック素体５２の第１の端面５２ｃから第１の側面５２ｅにわたって形成される第１の外部電極６０との間隙に形成される。また、この金属端子１０Ａのリブ１６側に配置された接合材７０ｂは、金属端子１０Ａのリブ部１６と、セラミック素体５２の第１の端面５２ｃから第２の側面５２ｆにわたって形成される第１の外部電極６０との間隙に形成される。
【００４２】
なお、接合材７０ａ〜７０ｄは、リブ部１４，１６の間隙側の表面全体に形成されることが好ましい。これにより、より効果的に間隙にはんだが入り込むことを抑制することができ、電子部品本体５０にクラックが生じることをさらに抑制することができると共に、電子部品本体５０と金属端子１０Ａとの接合強度の向上を図ることができる。そして、上記したように、リブ部１４，１６により、セラミック素体５２の第１の側面５２ｅに形成される第１および第２の外部電極６０，６２ならびにセラミック素体５２の第２の側面５２ｆに形成される第１および第２の外部電極６０，６２の総面積の８０％以上が覆われていることが好ましい。その結果、接合材７０ａ〜７０ｄにより、セラミック素体５２の第１の側面５２ｅに形成される第１および第２の外部電極６０，６２ならびにセラミック素体５２の第２の側面５２ｆに形成される第１および第２の外部電極６０，６２の総面積の８０％以上を覆うことができる。これにより、電子部品本体５０と金属端子１０Ａとの接合強度のさらなる向上を図ることができる。
【００４３】
接合材７０ａ〜７０ｄは、その線膨張係数が、セラミック素体５２のセラミック成分の線膨張係数よりも小さい。なお、接合材７０ａ〜７０ｄの種類としては、例えば、はんだや接着剤が挙げられる。このときのはんだの種類としては、例えば、低線膨張係数はんだが挙げられる。また、このときの接着剤の種類としては、例えば、一液性エポキシ樹脂接着剤が挙げられる。
【００４４】
図１に示すセラミック電子部品１Ａは、電子部品本体５０と金属端子１０Ａのリブ部１４，１６との間に設けられる間隙に、接合材７０ａ〜７０ｄが配置されることにより、その間隙に電子部品本体５０と一対の金属端子１０Ａとを接合するためのはんだ８０が入り込むことを抑制することができる。したがって、はんだ８０の収縮応力に基づく電子部品本体５０に対するクラックが生じることを抑制することができる。さらに、接合材７０ａ〜７０ｄの線膨張係数がセラミック素体５２のセラミック成分の線膨張係数よりも小さいことにより、接合材７０ａ〜７０ｄの収縮応力が伝わることにより電子部品本体５０にクラックが生じることも抑制できる。
【００４５】
さらに、この実施の形態に係るセラミック電子部品１Ａが備える接合材７０ａ〜７０ｄとして、はんだ、または接着剤を用いることにより、電子部品本体５０と金属端子１０Ａとの接合強度の向上を図ることができ、且つ電子部品本体５０にクラックが生じることを抑制することができる。
【００４６】
（第１の実施の形態の変形例）
この発明の第１の実施の形態に係るセラミック電子部品の変形例について、図５〜８を参照して説明する。なお、この変形例のセラミック電子部品１Ｂは、金属端子の基部に切欠き部が形成されることを除いて、図１〜４を用いて説明したセラミック電子部品１Ａと同様の構成を有する。したがって、同一部分には同じ参照番号を付し、同様となる説明は繰り返さない。図５は、この発明の第１の実施の形態に係るセラミック電子部品の変形例を示す外観斜視図である。また、図６は、この発明の第１の実施の形態に係るセラミック電子部品の変形例が備える金属端子を示す外観斜視図である。
【００４７】
この変形例の金属端子１０Ｂの基部１２には、端子接合部２２を囲むように切欠き部２６が形成される。切欠き部２６は、閉形状であり、端子接合部２２の下方端縁、左方端縁および右方端縁を囲むように略Ｕ字形状に形成される。このような形状の切欠き部２６を形成することにより、セラミック電子部品１Ｂに加えられた外力が、切欠き部２６およびその周辺部分に分散されて緩和される。したがって、電子部品本体５０と金属端子１０Ｂとの接合強度を向上させることができる。
【００４８】
図７および図８を参照して、切欠き部２６の効果について詳細に説明する。図７は、この発明の第１の実施の形態に係るセラミック電子部品の変形例が備える金属端子を電子部品本体の接合される側から見た図である。また、図８は、この発明の第１の実施の形態に係るセラミック電子部品の変形例に外力が加えられたときの作用効果を説明するための図である。
【００４９】
図７に示すように、切欠き部２６は、略Ｕ字形状であり、図７中左右方向に延びる水平方向部分２６ｃと、水平方向部分２６ｃの図７中左端部から上方に延びる垂直方向部分２６ａと、水平方向部分２６ｃの図７中右端部から上方に延びる垂直方向部分２６ｂとを有する。切欠き部２６の水平方向部分２６ｃおよび垂直方向部分２６ａの左方端縁と、基部１２の左方端縁との間の部分（すなわち、図７中破線で示した略矩形状部分Ｔ１１）が、セラミック電子部品１Ｂに加えられた外力を吸収する。さらに、切欠き部２６の水平方向部分２６ｃおよび垂直方向部分２６ａの右方端縁と、基部１２の右方端縁との間の部分（すなわち、図７中破線で示した略矩形状部分Ｔ１２）が、セラミック電子部品１Ｂに加えられた外力を吸収する。したがって、金属端子１０Ｂは、その基部１２に形成された切欠き部２６により、略矩形状部分Ｔ１１，Ｔ１２の広い面積で、セラミック電子部品１Ｂに加えられた外力を吸収することができる。
【００５０】
図８（Ａ）は、セラミック電子部品１Ｂに外力Ｆが加えられる前の状態を示す図であり、図８（Ｂ）は、セラミック電子部品１Ｂに外力Ｆが加えられた後の状態を示す図である。図８（Ａ）に示すように、図中白抜き矢印で示す外力Ｆ（すなわち、セラミック素体５２の第１の端面５２ｃから第２の端面５２ｄに向かう方向の外力Ｆ）が、金属端子１０Ｂの端子接合部２２の外側から加えられると、図８（および図７）に斜線で示した可変部分３０（すなわち、切欠き部２６の水平方向部分２６ｃの図７中左方端縁と、基部１２の左方端縁との間の部分、および切欠き部２６の水平方向部分２６ｃの図７中右方端縁と、基部１２の右方端縁との間の部分）が、図８（Ｂ）に示すように、その下端部から図８中右斜め上方に延びるように変形する。この変形により、金属端子１０Ｂの端子接合部２２に加わる外力Ｆを緩和することができるため、金属端子１０Ｂと、第１および第２の外部電極６０，６２との接合外れを防止することができる。なお、切欠き部２６の可変部分３０は、リブ部１４，１６の下方に形成されていることが好ましい。これにより、切欠き部２６の可変部分３０が変形し易くなり、金属端子１０Ｂの端子接合部２２と、第１および第２の外部電極６０，６２との接合外れを防止する効果をより顕著にすることができる。
【００５１】
図５に示すセラミック電子部品１Ｂは、図１に示すセラミック電子部品１Ａと同様の効果を奏するとともに次の効果を奏する。すなわち、セラミック電子部品１Ｂは、金属端子１０Ｂが、基部１２に形成された切欠き部２６により、より一層、電子部品本体５０と金属端子１０Ｂとの接合強度の向上を図ることができる。さらに、金属端子１０Ｂは、外力を吸収する略矩形状部分Ｔ１１，Ｔ１２が高さ方向に延びる形状であるため、セラミック電子部品１Ｂの低背化を図ることもできる。
【００５２】
（第２の実施の形態）
この発明の第２の実施の形態に係るセラミック電子部品について、図９および図１０を参照して説明する。なお、この実施の形態に係るセラミック電子部品１Ｃは、一対の金属端子１０Ｃが、上下方向に積み重ねられた２つの電子部品本体５０を挟持するタイプであることを除いて、図１〜４を用いて説明したセラミック電子部品１Ａと同様の構成を有する。したがって、同一部分には同じ参照番号を付し、同様となる説明は繰り返さない。
【００５３】
図９は、この発明の第２の実施の形態に係るセラミック電子部品を示す外観斜視図である。また、図１０は、この発明の第２の実施の形態に係るセラミック電子部品が備える金属端子を示す外観斜視図である。この実施の形態に係るセラミック電子部品１Ｃが備える一対の金属端子１０Ｃは、上下方向に積み重ねられた２つの電子部品本体５０を挟持するタイプである。したがって、金属端子１０Ｃは、その基部１２が、上段の電子部品本体５０に接合される端子接合部２０と、下段の電子部品本体５０に接合される端子接合部２２とを有する。また、金属端子１０Ｃのリブ部１４，１６は、基部１２の上端部から端子接合部２２の下端部あたりまでの部分に設けられ、セラミック素体５２の第１の端面５２ｃと第２の端面５２ｄとを結ぶ方向に延びる。また、リブ部１４，１６それぞれと、電子部品本体５０との間には、セラミック素体５２の第１の側面５２ｅと第２の側面５２ｆとを結ぶ方向において間隙が形成される。そして、この間隙に、接合材７０ａ〜７０ｄがそれぞれ充填される。なお、接合材７０ａ〜７０ｄは、リブ部１４，１６の上記した間隙側の表面全体を覆い、且つリブ部１４，１６は、セラミック素体５２の第１の側面５２ｅに形成される第１および第２の外部電極６０，６２ならびにセラミック素体５２の第２の側面５２ｆに形成される第１および第２の外部電極６０，６２の総面積の８０％以上を覆うことが好ましい。なお、リブ部１４，１６および接合材７０ａ〜７０ｄによる作用効果は、図１〜４を用いて説明したセラミック電子部品１Ａと同様であるため、ここでは説明を繰り返さない。
【００５４】
図９に示すセラミック電子部品１Ｃは、電子部品本体５０，５０と金属端子１０Ｃのリブ部１４，１６との間に設けられる間隙に、接合材７０ａ〜７０ｄが配置されることにより、その間隙に電子部品本体５０，５０と一対の金属端子１０Ｃとを接合するためのはんだ８０が入り込むことを抑制することができる。したがって、上下方向に積み重ねられた２つの電子部品本体５０と、一対の金属端子１０Ｃとの接合強度の向上を図り、且つ２つの電子部品本体５０にはんだ８０の収縮応力に基づくクラックが生じることを抑制することができる。
【００５５】
（第２の実施の形態の第１の変形例）
この発明の第２の実施の形態に係るセラミック電子部品の第１の変形例について、図１１および図１２を参照して説明する。なお、この変形例のセラミック電子部品１Ｄは、金属端子１０Ｄの基部に２つの切欠き部が形成されることを除いて、図９および図１０を用いて説明したセラミック電子部品１Ｃと同様の構成を有する。したがって、同一部分には同じ参照番号を付し、同様となる説明は繰り返さない。
【００５６】
図１１は、この発明の第２の実施の形態に係るセラミック電子部品の第１の変形例を示す外観斜視図である。また、図１２は、この発明の第２の実施の形態に係るセラミック電子部品の第１の変形例が備える金属端子を示す外観斜視図である。
【００５７】
この変形例の金属端子１０Ｄの基部１２には、端子接合部２０を囲むように切欠き部２４が形成され、端子接合部２２を囲むように切欠き部２６が形成される。切欠き部２６の形状は、図５〜８を用いて説明した金属端子１０Ａの切欠き部２６と同様であるため、ここでは説明を繰り返さない。
【００５８】
切欠き部２４は、閉形状であり、２つの電子部品本体５０の境界の近傍に、端子接合部２０の下方端縁、左方端縁および右方端縁を囲むような略Ｕ字形状に形成される。このような形状の切欠き部２４を形成することにより、セラミック電子部品１Ｄに加えられた外力が、切欠き部２４およびその周辺部分に分散されて緩和される。したがって、上段の電子部品本体５０と金属端子１０Ｄとの接合強度を向上させることができる。なお、切欠き部２４は、端子接合部２０の下方端縁に沿って延びる部分の上下方向の寸法が、切欠き部２６における端子接合部２２の下方端縁に沿って延びる部分のそれよりも大きく形成される。こうすることにより、図７および図８を参照して説明した可変部分３０に相当する部分の面積が大きくなるため、この部分がより変形し易くなる。これにより、金属端子１０Ｄの端子接合部２０と、第１および第２の外部電極６０，６２との接合外れを防止する効果をより顕著にすることができる。
【００５９】
図１１に示すセラミック電子部品１Ｄは、図９に示すセラミック電子部品１Ｃと同様の効果を奏するとともに次の効果を奏する。
すなわち、セラミック電子部品１Ｄは、金属端子１０Ｄが、基部１２に形成された切欠き部２４，２６により、より一層、電子部品本体５０，５０と金属端子１０Ｃとの接合強度の向上を図ることができる。
【００６０】
（第２の実施の形態の第２〜４の変形例）
この発明の第２の実施の形態に係るセラミック電子部品の第２〜４の変形例について、図１３〜１５を参照して説明する。なお、これら第２〜４の変形例のセラミック電子部品は、金属端子の基部に形成される切欠き部の形状を除いて、図１１および図１２を用いて説明したセラミック電子部品１Ｄと同様の構成を有する。したがって、同一部分には同じ参照番号を付し、同様となる説明は繰り返さない。また、金属端子１０Ｅ〜１０Ｇの外観斜視図のみを示し、セラミック電子部品の図示は省略する。
【００６１】
図１３は、この発明の第２の実施の形態に係るセラミック電子部品の第２の変形例が備える金属端子を示す外観斜視図である。この変形例の金属端子１０Ｅは、上下方向において、切欠き部２６における端子接合部２２の下方端縁に沿って延びる部分の寸法が、切欠き部２４における端子接合部２０の下方端縁に沿って延びる部分のそれとほぼ同じであるように形成される。こうすることにより、図７および図８を参照して説明した可変部分３０に相当する部分の面積が大きくなるため、金属端子１０Ｅがより変形し易くなる。これにより、金属端子１０Ｅの端子接合部２２と、第１および第２の外部電極６０，６２との接合外れを防止する効果をより顕著にすることができる。
【００６２】
図１４は、この発明の第２の実施の形態に係るセラミック電子部品の第３の変形例が備える金属端子を示す外観斜視図である。この変形例の金属端子１０Ｆの基部１２には、２つの端子接合部２０，２２を囲むように、一つの大きな略Ｕ字形状の切欠き部２６が形成される。このような切欠き部２６を形成することにより、図７を参照して説明した略矩形状部分Ｔ１１，Ｔ１２の面積が大きくなる。したがって、金属端子１０Ｆが、外力をより吸収することができる。これにより、金属端子１０Ｆの端子接合部２０，２２と、第１および第２の外部電極６０，６２との接合外れを防止する効果をより顕著にすることができる。
【００６３】
図１５は、この発明の第２の実施の形態に係るセラミック電子部品の第４の変形例が備える金属端子を示す外観斜視図である。この変形例の金属端子１０Ｇは、その端子接合部２０，２２それぞれの中央に、金属端子１０Ｇの高さ方向に延びるスリット３２，３３が形成される。スリット３２は、その下端が切欠き部２４に達している。スリット３３は、その上端が切欠き部２４に達し、下端が切欠き部２６に達している。金属端子１０Ｇは、このようなスリット３２，３３を有することにより、より変形し易くなるため、外力をより吸収することができる。これにより、金属端子１０Ｇの端子接合部２０，２２と、第１および第２の外部電極６０，６２との接合外れを防止する効果をより顕著にすることができる。
【００６４】
以上より、金属端子１０Ｅ〜１０Ｇを含むセラミック電子部品は、図１１に示すセラミック電子部品１Ｄと同様の作用効果を奏する。
【００６５】
なお、一対の金属端子１０Ａ，１０Ｂは、１つの電子部品本体５０を挟持するタイプのものであり、一対の金属端子１０Ｃ〜１０Ｇは、２つの電子部品本体５０を挟持するタイプのものであった。しかしながら、この場合に限られず、一対の金属端子は、３つ以上の電子部品本体５０を挟持するタイプのものであってもよい。
【００６６】
２．セラミック電子部品の製造方法
セラミック電子部品の製造方法について、セラミック電子部品１Ａを例にして説明する。はじめに、電子部品本体の製造方法について説明する。ここでは、電子部品本体として積層セラミックコンデンサを製造する場合について説明する。
【００６７】
まず、セラミック層５４となるセラミックグリーンシート、第１および第２の内部電極５６，５８となる内部電極用導電性ペースト、第１および第２の外部電極６０，６２となる外部電極用導電性ペーストを準備する。セラミックグリーンシートや内部電極用および外部電極用導電性ペーストそれぞれには、バインダおよび溶剤が含まれるが、公知の有機バインダや有機溶剤を用いることができる。
【００６８】
次に、セラミックグリーンシートの表面に、例えば、スクリーン印刷などにより所定のパターンで導電性ペーストを印刷し、内部電極５６，５８のパターンを形成する。
【００６９】
次に、内部電極５６，５８のパターンが印刷されていない外層用セラミックグリーンシートを所定枚数積層し、その表面に内部電極５６，５８のパターンが印刷されたセラミックグリーンシートを順次積層し、その表面に外層用セラミックグリーンシートを所定枚数積層し、マザー積層体を作製する。
【００７０】
次に、マザー積層体を静水圧プレスなどの手段により積層方向にプレスする。
【００７１】
次に、マザー積層体を所定のサイズにカットし、生のセラミック積層体を切り出す。このとき、バレル研磨などにより積層体のコーナー部や稜部に丸みをつけてもよい。
【００７２】
次に、生のセラミック積層体を焼成する。焼成温度は、セラミックや内部電極の材料にもよるが、９００℃以上１３００℃以下であることが好ましい。
【００７３】
次に、焼成後のセラミック積層体の両端面に導電性ペーストを塗布し、焼き付け、外部電極の下地層を形成する。このときの焼き付け温度は、７００℃以上９００℃以下であることが好ましい。なお、外部電極形成用導電性ペーストおよび生のセラミック積層体の焼成は、例えば、大気中、Ｎ2雰囲気中、水蒸気＋Ｎ2雰囲気中などにおいて行われる。
【００７４】
そして、下地層の表面にめっき膜を形成する。
【００７５】
以上のようにして、電子部品本体５０である積層セラミックコンデンサを得る。
【００７６】
続いて、上記のように製造した電子部品本体５０である積層セラミックコンデンサに金属端子１０Ａを取り付けることにより、この発明に係るセラミック電子部品１Ａを製造する方法について説明する。
【００７７】
まず、金属端子１０Ａを準備する。
【００７８】
次に、はんだ８０を用いて、金属端子１０Ａを上記のように作製した電子部品本体５０である積層セラミックコンデンサの外部電極６０，６２に接合して取り付ける。具体的には、リフロー炉にて、はんだ付け温度は２７０℃以上２９０℃以下とし、その熱を３０秒以上与える。
【００７９】
最後に、電子部品本体５０である積層セラミックコンデンサの外部電極６０，６２と、金属端子１０Ａのリブ部１４，１６との間に形成される間隙に、接合材７０ａ〜７０ｄとしてはんだ、または接着剤を充填し、適した熱を与えて硬化させる。
【００８０】
以上のようにして、この発明に係るセラミック電子部品１Ａを得る。
【００８１】
なお、この発明は、前記実施形態に限定されるものではなく、その要旨の範囲内で種々に変形される。
【符号の説明】
【００８２】
１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄ  セラミック電子部品
１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ，１０Ｄ，１０Ｅ，１０Ｆ，１０Ｇ  金属端子
１２  基部
１４，１６  リブ部
１８  実装部
２０，２２  端子接合部
２４，２６  切欠き部
２４ａ，２４ｂ，２６ａ，２６ｂ  垂直方向部分
２４ｃ，２６ｃ  水平方向部分
３０  可変部分
３２，３３  スリット
４０  延長部
５０  電子部品本体
５２  セラミック素体
５２ａ  第１の主面
５２ｂ  第２の主面
５２ｃ  第１の端面
５２ｄ  第２の端面
５２ｅ  第１の側面
５２ｆ  第２の側面
５４  セラミック層
５６  第１の内部電極
５８  第２の内部電極
６０  第１の外部電極
６２  第２の外部電極
７０ａ〜７０ｄ  接合材
８０  はんだ
【図１】
2016225380.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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