(57)【要約】【課題】基板全体に対して均等に収縮させ、全体に均等に熱を加えることのできる焼成治具および焼成方法を提供する。【解決手段】実施形態の一態様に係る焼成治具は、被焼成物が載置される載置面を有するセッターを備える。セッターの載置面を上面視した場合において、被焼成物が載置される載置領域の中心部における単位面積当たりの熱容量が、載置領域のうち中心部以外の部分における単位面積当たりの熱容量よりも小さくなっている。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被焼成物が載置される載置面を有するセッター
を備え、
前記セッターの前記載置面を上面視した場合において、前記被焼成物が載置される載置領域の中心部における単位面積当たりの熱容量が、前記載置領域のうち前記中心部以外の部分における単位面積当たりの熱容量よりも小さいこと
を特徴とする焼成治具。
【請求項２】
前記被焼成物を前記セッター側へ押圧する押圧面を有する押圧部
を備えることを特徴とする請求項１に記載の焼成治具。
【請求項３】
前記載置領域の前記中心部の厚さが、前記載置領域のうち前記中心部以外の部分の厚さよりも薄くされたことにより、前記中心部における単位面積当たりの熱容量が前記中心部以外の部分における単位面積当たりの熱容量よりも小さくなっていること
を特徴とする請求項１または２に記載の焼成治具。
【請求項４】
前記セッターは、
基材部と、
前記基材部の前記被焼成物が載置される側の面を被覆している膜部と
を備え、
前記セッターにおける前記中心部の厚さは、
前記膜部の厚さの調節によって薄くされたこと
を特徴とする請求項３に記載の焼成治具。
【請求項５】
前記セッターは、
基材部と、
前記基材部の前記被焼成物が載置される側の面を被覆している膜部と
を備え、
前記セッターにおける前記中心部の厚さは、
前記基材部の厚さの調節によって薄くされたこと
を特徴とする請求項３に記載の焼成治具。
【請求項６】
前記膜部の熱伝導率は、
前記基材部の熱伝導率よりも低いこと
を特徴とする請求項４または５に記載の焼成治具。
【請求項７】
前記膜部は、
アルミナ、ムライトおよびジルコニアのうち１種以上を含むこと
を特徴とする請求項４〜６のいずれか一つに記載の焼成治具。
【請求項８】
前記膜部の厚さは、
２ｍｍ以下であること
を特徴とする請求項４〜７のいずれか一つに記載の焼成治具。
【請求項９】
前記基材部は、
炭化珪素を含むこと
を特徴とする請求項４〜８のいずれか一つに記載の焼成治具。
【請求項１０】
前記載置領域の前記中心部の気孔率が、前記載置領域のうち前記中心部以外の部分の気孔率よりも大きくされたことにより、前記中心部における単位面積当たりの熱容量が前記中心部以外の部分における単位面積当たりの熱容量よりも小さくなっていること
を特徴とする請求項１〜９のいずれか一つに記載の焼成治具。
【請求項１１】
前記載置領域の前記中心部の熱伝導率が、前記載置領域のうち前記中心部以外の部分の熱伝導率よりも高く設定されたことにより、前記中心部における単位面積当たりの熱容量が前記中心部以外の部分における単位面積当たりの熱容量よりも小さくなっていること
を特徴とする請求項１〜１０のいずれか一つに記載の焼成治具。
【請求項１２】
前記セッターは、
基材部と、
前記基材部の前記被焼成物が載置される側の面を被覆しているとともに、少なくともアルミナを含む膜部と
を備え、
前記セッターにおける前記中心部および前記中心部以外の部分の熱伝導率が、
前記膜部のアルミナの純度を前記中心部と前記中心部以外の部分とで異ならせることによって設定されたこと
を特徴とする請求項１１に記載の焼成治具。
【請求項１３】
前記膜部は、
２層以上の膜で形成されていること
を特徴とする請求項１２に記載の焼成治具。
【請求項１４】
前記載置領域の外周側に熱を吸収する熱吸収部が設けられたことにより、前記中心部における単位面積当たりの熱容量が前記中心部以外の部分における単位面積当たりの熱容量よりも小さくなっていること
を特徴とする請求項１〜１３のいずれか一つに記載の焼成治具。
【請求項１５】
前記押圧部の前記押圧面を下面視した場合において、前記セッターの前記中心部に対応する部分における単位面積当たりの熱容量が、前記セッターの前記中心部以外の部分に対応する部分における単位面積当たりの熱容量よりも小さいこと
を特徴とする請求項２に記載の焼成治具。
【請求項１６】
前記被焼成物の反りを修正する工程に用いられる請求項１〜１５のいずれか一つに記載の焼成治具。
【請求項１７】
被焼成物が載置される載置面を上面視した場合において、前記被焼成物が載置される載置領域の中心部における単位面積当たりの熱容量が、前記載置領域のうち前記中心部以外の部分における単位面積当たりの熱容量よりも小さいセッターに、前記被焼成物を載置する工程と、
前記セッターおよび前記被焼成物を加熱する工程と
を含むことを特徴とする焼成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
開示の実施形態は、焼成治具および焼成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、たとえばコンデンサなどの電子部品が搭載される基板を製造する工程においては、基板を焼成する工程が含まれる。かかる焼成工程では、被焼成物である基板がセッターに載せられ、窯炉内で焼成される（たとえば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００９−２４２１６４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記した焼成工程での熱処理によって、基板に反りが生じることがある。この場合、反りが生じた基板を反転させてセッターに載せ、基板に対して再び熱を加えることで反りを修正する。
【０００５】
基板の反りを適切に修正するには、基板全体に対して均等または略均等（以下、均等および略均等の両方の意味を含んで単に「均等」という）に熱を加えて収縮させることが望ましい。しかしながら、反りが生じた基板をセッターに載せると、たとえば、基板の中心部は浮き上がってセッターに接触しない一方、基板の中心部以外の外周部はセッターに接触するような状態となる。
【０００６】
そのため、セッターから基板へ伝達される熱量が、基板の中心部と外周部とで異なってしまう。具体的には、たとえば、セッターを用いて反りを修正する際に、基板の外周部に伝達される熱量が中心部に伝達される熱量に比べて多くなり、基板の中心部の温度が外周部の温度より高くなって、熱が基板全体に対して均等に加わらず、結果として基板の反りが適切に修正されないことがあった。また、未焼成の基板を焼成する工程においても同様に、基板全体に対して均等に収縮させ、全体に均等に熱を加えて焼成し、反りを発生させないことが望まれていた。
【０００７】
実施形態の一態様は、上記に鑑みてなされたものであって、基板全体に対して均等に収縮させ、全体に均等に熱を加えることのできる焼成治具および焼成方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
実施形態の一態様に係る焼成治具は、被焼成物が載置される載置面を有するセッターを備える。前記セッターの前記載置面を上面視した場合において、前記被焼成物が載置される載置領域の中心部における単位面積当たりの熱容量が、前記載置領域のうち前記中心部以外の部分における単位面積当たりの熱容量よりも小さくなっている。
【発明の効果】
【０００９】
実施形態の一態様によれば、基板全体に対して均等に収縮させ、全体に均等に熱を加えることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】図１は、第１の実施形態に係る焼成治具を示す斜視図である。
【図２】図２は、図１に示す焼成治具の平面図である。
【図３】図３は、図２のIII−III線断面図である。
【図４】図４は、基板の焼成を説明するための断面図である。
【図５Ａ】図５Ａは、焼成前の基板等を示す断面図である。
【図５Ｂ】図５Ｂは、焼成後の基板等を示す断面図である。
【図６】図６は、反り修正のための熱処理が行われている状態を示す断面図である。
【図７】図７は、反り修正が終わった状態の基板等を示す断面図である。
【図８Ａ】図８Ａは、膜部が基材部に形成される過程を説明する図である。
【図８Ｂ】図８Ｂは、膜部が基材部に形成される過程を説明する図である。
【図８Ｃ】図８Ｃは、膜部が基材部に形成される過程を説明する図である。
【図９】図９は、基板の焼成工程の処理手順を示すフローチャートである。
【図１０Ａ】図１０Ａは、変形例に係る膜部の断面図である。
【図１０Ｂ】図１０Ｂは、変形例に係る膜部の断面図である。
【図１０Ｃ】図１０Ｃは、変形例に係る膜部の断面図である。
【図１１】図１１は、第２の実施形態に係る焼成治具を示す断面図である。
【図１２】図１２は、第２の実施形態に係るセッターの他の例を示す断面図である。
【図１３】図１３は、第３の実施形態に係る焼成治具を示す断面図である。
【図１４】図１４は、第４の実施形態に係る焼成治具を示す断面図である。
【図１５】図１５は、第４の実施形態に係るセッターの他の例を示す断面図である。
【図１６】図１６は、第５の実施形態に係る焼成治具を示す斜視図である。
【図１７】図１７は、第５の実施形態に係る焼成治具を示す断面図である。
【図１８】図１８は、第６の実施形態に係る焼成治具を示す分解斜視図である。
【図１９】図１９は、第６の実施形態に係る焼成治具を示す断面図である。
【図２０】図２０は、基板の焼成に用いられる焼成治具を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、添付図面を参照して、本願の開示する焼成治具および焼成方法の実施形態を詳細に説明する。なお、以下に示す実施形態によりこの発明が限定されるものではない。
【００１２】
（第１の実施形態）
図１は、第１の実施形態に係る焼成治具を示す斜視図である。また、図２は、図１に示す焼成治具を上面視した場合の平面図であり、図３は、図２のIII−III線断面図である。
【００１３】
なお、図１〜図３には、説明を分かり易くするために、互いに直交するＸ軸方向、Ｙ軸方向およびＺ軸方向を規定し、Ｚ軸正方向を鉛直上向き方向とする３次元の直交座標系を図示している。かかる直交座標系は、後述の説明に用いる他の図面でも示す場合がある。また、図１〜図３および後述する図４以降の焼成治具等を示す図は、いずれも模式図である。
【００１４】
図１〜図３に示すように、焼成治具１は、セッター１０を備える。セッター１０には、被焼成物３０が載置される。上記したセッター１０の構成については、後に詳説する。また、焼成治具１は、必要に応じて押圧部２０（図２では図示省略）を備えていてもよい。
【００１５】
押圧部２０は、セッター１０に載置された被焼成物３０の上に「重し」として載せられ、被焼成物３０をセッター１０側へ押圧する。この押圧部２０による押圧は、被焼成物３０に生じた反りを修正する際に行われるが、これについては後述する。また、押圧部２０は、たとえばアルミナなどを含む素材を用いて製作されるが、これに限定されるものではない。
【００１６】
被焼成物３０は、セラミックス基板であり、詳しくはたとえば、コンデンサや圧電素子など各種の電子部品が搭載された電子回路基板である。また、上記した焼成治具１は、未焼成の電子回路基板の焼成に用いられるだけでなく、電子回路基板の反りの修正にも用いることが可能である。すなわち、焼成治具１は、被焼成物３０の反りを修正する工程に用いられる焼成治具としても使用できるものである。
【００１７】
なお、被焼成物３０は、電子回路基板に限定されるものではなく、焼成における熱処理によって反りが生じ得るものであれば、どのようなものであってもよい。また、以下において、被焼成物３０を「基板３０」ということがある。
【００１８】
基板３０は、図２によく示すように、たとえば上面視において略矩形状である。また、基板３０としては、たとえばアルミナ基板を用いることができるが、これに限定されるものではない。
【００１９】
ここで、基板３０を製造する過程で行われる、基板３０の焼成について、図４を参照して説明する。図４は、基板３０の焼成を説明するための断面図である。
【００２０】
なお、焼成治具１のセッター１０は、上記したように基板３０の反り修正で用いられ、基板３０の焼成では別の焼成用セッター４０が用いられる。なお、上記した反り修正用のセッター１０を基板３０の焼成に流用してもよい。
【００２１】
図４に示すように、基板３０の焼成は、窯炉Ａ内で行われる。窯炉Ａとしては、たとえばプッシャー炉を用いることができる。
【００２２】
具体的にたとえば、窯炉Ａには、基板３０がそれぞれ載置された複数個の焼成用セッター４０が、台板４１の上に段積みされて配置される。詳しくは、基板３０が載置された焼成用セッター４０の適宜位置に支持柱４２が配設され、かかる焼成用セッター４０が支持柱４２を介して複数個、Ｚ軸方向に段積みされて台板４１上に配置される。台板４１は、図示しない油圧プッシャーに接続され、油圧プッシャーの動作によって、たとえばＹ軸方向に移動可能とされる。
【００２３】
そして、図示しないガス供給源から比較的高温のガスが窯炉Ａ内へ供給されて、窯炉Ａ内の温度が上昇する。これにより、焼成用セッター４０上の基板３０は、油圧プッシャーによって台板４１ごと移動させられながら、加熱されて焼成されることとなる。なお、一連の焼成工程では、基板３０の焼成後、基板３０の反り修正が行われる。この基板３０の反り修正も同様に窯炉Ａ内で行われる。
【００２４】
上記では、窯炉Ａをプッシャー炉としたが、これに限定されるものではなく、たとえば、ベルトコンベアにセッター１０や基板３０を載せて焼成等を行うベルト式の窯炉など、その他の種類の窯炉であってもよい。また、図４に示す焼成用セッター４０の個数は、例示であって限定されるものではなく、任意に設定することが可能であり、また、１個であってもよい。
【００２５】
ところで、上記した基板３０を焼成する際の熱処理によって、基板３０には反りが生じることがある。図５Ａは、焼成前の基板３０等を示す断面図であり、図５Ｂは、焼成後の基板３０等を示す断面図である。
【００２６】
図５Ａに示すように、焼成前の基板３０は焼成用セッター４０に載置される。なお、焼成用セッター４０としては、たとえばアルミナセッターなどを用いることができるが、これに限定されるものではない。
【００２７】
そして、焼成前の基板３０が上記した窯炉Ａ内で焼成されると、基板３０には、図５Ｂに示すように、外周部が浮き上がるような反りが生じる。そのため、反りが生じた基板３０を反転させてセッター１０に載せ（図３参照）、基板３０全体に対して均等に熱を加えて収縮させることで、基板３０の反りを適切に修正することが望ましい。
【００２８】
しかしながら、反りが生じた基板３０をセッター１０に載せると、基板３０の中心部がセッター１０から浮いて接触しない一方、中心部以外の外周部がセッター１０に接触した状態となる。そのため、セッター１０から基板３０へ伝達される熱量が、基板３０の中心部と外周部とで異なる。具体的にたとえば、基板３０の外周部に伝達される熱量が中心部に伝達される熱量に比べて多くなって、基板３０に加熱のむらができ、結果として基板３０の反りが適切に修正されないことがあった。
【００２９】
そこで、第１の実施形態に係る焼成治具１では、セッター１０は、基板３０が載置される載置面を有する。そして、セッター１０の載置面を上面視した場合において、基板３０が載置される載置領域の中心部における単位面積当たりの熱容量が、載置領域のうち中心部以外の部分における単位面積当たりの熱容量よりも小さくなっていることとした。
【００３０】
これにより、基板３０全体に対して均等に収縮させ、全体に均等に熱を加えることができ、熱処理によって生じた基板３０の反りを適切に修正することができる。また、後述するように、焼成治具１を未焼成の基板１３０（図２０参照）の焼成に用いた場合、基板１３０全体に均等に熱を加えて焼成し、反りを抑制することができる。以下、その焼成治具１について詳しく説明する。
【００３１】
図２および図３に示すように、焼成治具１であるセッター１０は、基材部１１（図２で見えず）と、膜部１２とを備える。なお、図３においては、理解し易くするため、膜部１２をＺ軸方向に誇張して示すとともに、基板３０の反りも誇張して示している。また、その他の図でも、同様に誇張して示すことがある。
【００３２】
基材部１１は、上面視において略矩形状であるとともに、Ｚ軸方向における厚さが比較的薄い、薄板状とされている。なお、基材部１１や基板３０の形状は、例示であって上記に限定されるものではなく、たとえば三角形などの多角形、または円形や楕円形などその他の形状であってもよい。
【００３３】
基材部１１にあっては、Ｚ軸方向における上面１１ａ側に、基板３０が載置される。かかる上面１１ａは、基材部１１の基板３０が載置される側の面の一例である。
【００３４】
基材部１１は、炭化珪素を含む素材を用いて形成されている。したがって、基材部１１においては、たとえばアルミナを含む素材を用いて形成された場合に比べて、熱伝導率を高くすることができる。これにより、たとえば、基材部１１の下面１１ｂから上面１１ａへ熱を効率良く伝達することができ、よって基板３０が十分に加熱されて、反り修正を効率良く行うことができる。
【００３５】
膜部１２は、基材部１１の上面１１ａを被覆するように形成されている。また、膜部１２の上面１２ａには、反りが生じた基板３０が載置される。このとき、基板３０は、中心部がセッター１０から離間する方向、すなわち、Ｚ軸正方向に向けて突出するように湾曲した反りの向きで載置される。膜部１２の上面１２ａは、セッター１０の上面１０ａともいえる。以下では、セッター１０において基板３０が載置される上面１０ａを「載置面１０ａ」ということがある。
【００３６】
図２では、セッター１０の載置面１０ａを上面視した場合において、基板３０が載置される載置領域（載置部位）１３を一点鎖線で囲んで示した。セッター１０の載置領域１３は、図２によく示すように、中心部１３ａと中心部１３ａ以外の部分１３ｂとに区画される。ここで、中心部１３ａとは、たとえば、基板３０をセッター１０へ平行投影した領域（具体的には載置領域１３）の外周よりも内側に位置する部分を指す。図２では、中心部１３ａと中心部１３ａ以外の部分１３ｂとの境界線を破線で示している。
【００３７】
中心部１３ａ以外の部分１３ｂは、具体的には載置領域１３において中心部１３ａの外周側に位置することから、以下では、中心部１３ａ以外の部分１３ｂを「外周部１３ｂ」ということがある。なお、図２に示す中心部１３ａと外周部１３ｂとの境界は、あくまでも例示であって限定されるものではない。
【００３８】
上記した中心部１３ａは、図３に示すように、セッター１０において反りが生じた基板３０と接触しない部分を少なくとも含み、また、外周部１３ｂは、セッター１０において反りが生じた基板３０と接触する部分を少なくとも含むように設定される。基材部１１および中心部１３ａが矩形状である場合、好ましくは中心部１３ａの領域の縦および横の長さ（Ｙ軸長さおよびＸ軸長さ）は、セッター１０よりも１％〜４０％小さく設定され、より好ましくは１％〜２０％小さく、さらに好ましくは１％〜１０％小さく設定される。
【００３９】
そして、膜部１２は、Ｚ軸方向の厚さが中心部１３ａと外周部１３ｂとで異なるように形成されている。詳しくは、膜部１２の中心部１３ａの厚さｆ１が、外周部１３ｂの厚さｆ２よりも薄くされている（ｆ１＜ｆ２）。
【００４０】
ここで、膜部１２の厚さとは、基材部１１に接する接触面と、接触面とは反対側の面（上面１２ａ）との距離である。また、中心部１３ａの厚さｆ１と外周部１３ｂの厚さｆ２との差は、任意に設定可能であるが、たとえば０．０２ｍｍ〜５．０ｍｍとすることが好ましく、０．０５ｍｍ〜２．０ｍｍとすることがさらに好ましく、０．１ｍｍ〜０．２ｍｍとすることが一層好ましい。なお、膜部１２の中心部１３ａの断面形状は、たとえば略矩形状とされる。
【００４１】
このように、第１の実施形態に係るセッター１０では、中心部１３ａの膜部１２の厚さｆ１を外周部１３ｂの厚さｆ２よりも薄くした。これにより、載置面１０ａを上面視した場合において、基板３０が載置される載置領域１３の中心部１３ａにおける単位面積当たりの熱容量が、外周部１３ｂにおける単位面積当たりの熱容量よりも小さくなっている。
【００４２】
ここで、載置面１０ａを上面視した場合の単位面積当たりの熱容量について説明する。たとえば、載置領域１３の中心部１３ａおよび外周部１３ｂにおいて、同一かつ任意の値の面積が単位面積として設定される。そして、それぞれの単位面積にセッター１０のＺ軸方向の厚さ（高さ）を乗算して得られる体積の部位における熱容量が、載置面１０ａを上面視した場合の単位面積当たりの熱容量である。なお、図２，３では、理解の便宜のため、上記した部位を二点鎖線で囲み、中心部１３ａの部位に符号１３ａ１、外周部１３ｂの部位に符号１３ｂ１を付した。
【００４３】
なお、熱容量は、物体（ここでは部位１３ａ１，１３ｂ１）を単位温度上昇させるのに必要な熱量である。ところで、熱容量は、物体に蓄積可能な熱量を示す値ともいえる。したがって、載置面１０ａを上面視した場合の単位面積当たりの熱容量は、中心部１３ａの部位１３ａ１または外周部１３ｂの部位１３ｂ１に蓄積可能な熱量ともいえる。
【００４４】
なお、図２，３に示した部位１３ａ１，１３ｂ１の位置や大きさなどは、あくまでも例示であって限定されるものではない。また、以下では、載置面１０ａを上面視した場合の単位面積当たりの熱容量を、単に「熱容量」という場合がある。
【００４５】
上記のように構成されたセッター１０には基板３０が置かれ、かかる基板３０の上に押圧部２０が載せられて、基板３０の反り修正が行われる。このように、押圧部２０を基板３０の上に載せて押圧することで、基板３０の反りの修正を効率良く行うことができる。図６は、押圧部２０がセッター１０の基板３０の上に載せられ、反り修正のための熱処理が行われている状態を示す断面図である。
【００４６】
図６に示すように、セッター１０の下面、詳しくは基材部１１の下面１１ｂには、ガスによる熱量（矢印Ｂで示す）が供給される。上記したように、セッター１０の中心部１３ａの熱容量は、外周部１３ｂの熱容量よりも小さい。そのため、セッター１０の中心部１３ａに蓄積される熱量は、外周部１３ｂに蓄積される熱量よりも少なくなる。逆にいえば、セッター１０の外周部１３ｂには、より多くの熱量が蓄積される。
【００４７】
したがって、セッター１０の中心部１３ａから基板３０へ向かう熱の熱量（矢印Ｃ１で示す）は、セッター１０内に蓄積される熱量が少ない分だけ、外周部１３ｂから基板３０へ向かう熱の熱量（矢印Ｃ２で示す）よりも多くなる。
【００４８】
セッター１０の中心部１３ａは、基板３０と接触していないため、熱が基板３０へ伝達され難いが、中心部１３ａからの熱量Ｃ１を熱量Ｃ２よりも増加させることで、基板３０に伝達されたときの熱量（基板３０に到達する熱量）を全体的に均等にすることができる。これにより、基板３０にあっては、全体的に均等に収縮させられ、図７に示すように、基板３０の反りの修正を適切に行うことができる。図７は、上記した反り修正が終わり、押圧部２０が取り除かれた状態の基板３０等を示す断面図である。
【００４９】
また、セッター１０の中心部１３ａの厚さを薄くしたことから、中心部１３ａと基板３０との間に間隙が生じて、ガスが流入し易くなる、言い換えれば、基板３０の下面側でのガスの対流が促進される。これにより、基板３０全体に加えられる熱量をより一層均等にでき、基板３０の反りの修正をより一層適切に行うことができる。
【００５０】
ここで、上記した膜部１２の形成について説明する。図８Ａ〜図８Ｃは、膜部１２が基材部１１に形成される過程を説明する図である。
【００５１】
膜部１２は、具体的にたとえば、溶射法によって成膜される溶射膜である。詳しくは、まず、図８Ａに示すように、基材部１１の上面１１ａにおいて中心部１３ａに相当する位置にマスキングテープＭが被せられる。なお、マスキングテープＭの厚さは、上記した中心部１３ａの厚さｆ１と外周部１３ｂの厚さｆ２との差に相当する値に設定されることが好ましい。そして、基材部１１の上面１１ａに対して、たとえばプラズマ溶射によって加熱した溶射材が吹き付けられる。
【００５２】
つづいて、マスキングテープＭが除去される（図８Ｂ参照）。これにより、基材部１１は、外周部１３ｂを含む中心部１３ａ以外の部分が膜部１２で被覆された状態となる。その後、基材部１１の上面１１ａに対して、溶射材が再び吹き付けられ、これにより、図８Ｃに示すように、中心部１３ａの厚さが、外周部１３ｂの厚さよりも薄いセッター１０が完成する。
【００５３】
上記したように、溶射法を用いることで、厚さが部分的に異なる膜部１２を基材部１１に容易に形成することができる。なお、上記では、膜部１２を溶射法で形成するようにしたが、これに限定されるものではなく、たとえばＣＶＤ（Chemical  Vapor  Deposition）法やＰＶＤ（Physical  Vapor  Deposition）法など、その他の成膜手法を用いてもよい。また、膜部１２の基材部１１に対する密着性を向上させるため、成膜処理の前に、基材部１１を予めブラスト処理して、基材部１１の表面を粗くしておいてもよい。
【００５４】
なお、上記では、中心部１３ａの厚さを薄くするためにマスキングテープＭを用いたが、これに限定されるものではない。たとえば、基材部１１の上に膜部１２を形成した後、中心部１３ａを、たとえばベルトサンダー、ディスクグラインダーやストレートグラインダーなどの研磨機で削って、中心部１３ａの厚さを薄くしてもよい。
【００５５】
このように、第１の実施形態では、膜部１２の厚さを調節してセッター１０の中心部１３ａの厚さを薄くしていることから、セッター１０の厚さを、たとえば基板３０の種類などに応じて容易に変更することができる。
【００５６】
図３を参照しつつ膜部１２の説明を続けると、膜部１２は、基材部１１の熱伝導率よりも低い素材を含むように構成されている。これにより、基板３０が部分的に過度に収縮することを抑制することができる。
【００５７】
具体的に説明すると、基材部１１は、上記したように、熱伝導率が比較的高い炭化珪素を含む一方、基板３０は、たとえば熱伝導率が比較的低いアルミナなどを含むように構成されている。そのため、たとえば仮に、基材部１１の上に基板３０を直接載置すると、熱伝導率の違いから、基板３０において、基材部１１に接する下面側での収縮が基材部１１と接しない上面側の収縮よりも過度に早く進んでしまうことがある。
【００５８】
そこで、基材部１１と基板３０の間に膜部１２を設け、膜部１２が、基材部１１の熱伝導率よりも低い素材を含むようにした。具体的にたとえば、膜部１２は、アルミナ、ムライトおよびジルコニアのうち１種以上を含むように構成される。これにより、セッター１０と基板３０との熱伝導率の差を緩和でき、基板３０が部分的に過度に収縮することを抑制することができる。
【００５９】
また、膜部１２の厚さｆ２は、２ｍｍ以下であることが好ましい。すなわち、たとえば膜部１２の厚さｆ２が２ｍｍよりも大きいと、セッター１０から基板３０へ伝達される熱量が減少し、反りの修正に十分な熱量が伝達され難くなる。これに対し、膜部１２の厚さｆ２を２ｍｍ以下とすることで、反りの修正に十分な熱量を基板３０へ伝達させることができる。なお、上記では、膜部１２を１層としたが、これに限定されるものではなく、２層以上であってもよい。
【００６０】
次いで、上記した基板３０の焼成工程の処理手順について説明する。図９は、基板３０の焼成工程の処理手順を示すフローチャートである。
【００６１】
まず、焼成前の基板３０を焼成用セッター４０に載置する（ステップＳ１）。次いで、焼成用セッター４０および基板３０を窯炉Ａ内で加熱し、基板３０の焼成を行う（ステップＳ２）。このとき、基板３０には上記したような反りが生じる。
【００６２】
つづいて、ステップＳ２の処理によって反りが生じた基板３０を反転させて、セッター１０に載置する（ステップＳ３）。その後、セッター１０および基板３０を窯炉Ａ内で再び加熱する（ステップＳ４）。これにより、基板３０の反りが適切に修正され、一連の焼成工程が終了する。
【００６３】
上述してきたように、第１の実施形態に係る焼成治具１は、基板３０（被焼成物の一例）が載置される載置面１０ａを有するセッター１０を備える。セッター１０の載置面１０ａを上面視した場合において、基板３０が載置される載置領域１３の中心部１３ａにおける単位面積当たりの熱容量が、外周部１３ｂにおける単位面積当たりの熱容量よりも小さくなっている。これにより、基板３０全体に対して均等に収縮させ、全体に均等に熱を加えることができ、焼成治具１が基板３０の反りを修正する工程に用いられる場合に、熱処理によって生じた基板３０の反りを適切に修正することができる。
【００６４】
図１０Ａ、図１０Ｂおよび図１０Ｃは、変形例に係る膜部１２の断面図である。上記では、膜部１２における中心部１３ａは、横断面形状が略矩形状とされるが、これに限定されるものではない。すなわち、たとえば、膜部１２の中心部１３ａの横断面形状は、中央に近づくにつれて徐々に厚さが薄くなるように、図１０Ａに示すような略半球形状、図１０Ｂに示すようなテーパ状であってもよい。
【００６５】
さらには、膜部１２の中心部１３ａの横断面形状を、図１０Ｃに示すような、中央に近づくにつれて段階的に厚さが薄くなる略階段状とするなど、その他の形状にするようにしてもよい。すなわち、膜部１２においては、セッター１０の中心部１３ａの厚さが外周部１３ｂの厚さよりも薄い形状であれば、どのような形状であってもよい。
【００６６】
（第２の実施形態）
図１１は、第２の実施形態に係る焼成治具１Ａを示す断面図である。なお、以下においては、第１の実施形態と共通の構成については、同一の符号を付して説明を省略する。
【００６７】
第１の実施形態では、セッター１０の熱容量を中心部１３ａと外周部１３ｂとで異ならせるため、膜部１２の厚さを調節したが、第２の実施形態では、図１１に示すように、セッター１１０の基材部１１１の厚さを調節するようにした。
【００６８】
具体的には、たとえば、基材部１１１の上面１１１ａにおいて、中心部１３ａの厚さｇ１が、外周部１３ｂの厚さｇ２よりも薄くされている（ｇ１＜ｇ２）。ここで、基材部１１１の厚さとは、上面１１１ａと下面１１１ｂとの距離である。また、中心部１３ａの厚さｇ１と外周部１３ｂの厚さｇ２との差は、任意に設定可能であるが、たとえば０．０２ｍｍ〜５．０ｍｍとすることが好ましく、０．０５ｍｍ〜２．０ｍｍとすることがさらに好ましく、０．１ｍｍ〜０．２ｍｍとすることが一層好ましい。なお、基材部１１１の中心部１３ａの断面形状は、たとえば略矩形状とされている。
【００６９】
そして、基材部１１１の上面１１１ａに膜部１１２が形成されている。セッター１１０を上記のように構成することにより、中心部１３ａにおける単位面積当たりの熱容量が外周部１３ｂにおける単位面積当たりの熱容量よりも小さくなっている。
【００７０】
これにより、セッター１１０の中心部１３ａから基板３０へ向かう熱の熱量Ｃ１を、外周部１３ｂから基板３０へ向かう熱の熱量Ｃ２よりも増加させることができ、第１の実施形態と同様、基板３０に伝達されたときの熱量を全体的に均等にすることができる。したがって、基板３０にあっては、全体的に均等に収縮させられ、基板３０の反りの修正を適切に行うことができる。
【００７１】
図１２は、第２の実施形態に係るセッター１１０の他の例を示す断面図である。
【００７２】
図１１に示す例では、セッター１１０の基材部１１１において、上面１１１ａ側を薄くするようにしたが、これに限定されるものではない。すなわち、図１２に示すように、基材部１１１の下面１１１ｂにおいて、中心部１３ａの厚さｈ１が、外周部１３ｂの厚さｈ２よりも薄くされるようにしてもよい（ｈ１＜ｈ２）。
【００７３】
なお、図１１および図１２に示す例では、基材部１１１の中心部１３ａは、横断面形状が略矩形状とされるが、これに限定されるものではない。すなわち、図示は省略するが、基材部１１１の中心部１３ａの横断面形状は、たとえば、図１０Ａ〜図１０Ｃで示した膜部１２と同様、略半球形状やテーパ状、略階段状とするなど、その他の形状にするようにしてもよい。
【００７４】
（第３の実施形態）
第１および第２の実施形態では、セッター１０，１１０の厚さを調節して、セッター１０，１１０の熱容量を中心部１３ａと外周部１３ｂとで異ならせるようにしたが、上記した熱容量は、セッターにおける気孔率とも相関関係がある。具体的には、気孔率と熱容量とは、たとえば気功率が大きくなると、熱容量は小さくなる関係にある。
【００７５】
そこで、第３の実施形態では、セッターの気孔率を調節して、セッターの熱容量を中心部１３ａと外周部１３ｂとで異ならせるようにした。
【００７６】
図１３は、第３の実施形態に係る焼成治具１Ｂを示す断面図である。図１３に示すように、セッター２１０の膜部２１２は、第１膜２１２ａと、第２膜２１２ｂとを備える。
【００７７】
第１膜２１２ａは、セッター２１０の中心部１３ａに形成されている。また、第２膜２１２ｂは、セッター２１０の外周部１３ｂに形成されている。そして、第１膜２１２ａの気孔率は、第２膜２１２ｂの気孔率よりも大きくなるように設定されている。
【００７８】
すなわち、セッター２１０の中心部１３ａの気孔率が、外周部１３ｂの気孔率よりも大きくされたことにより、中心部１３ａにおける単位面積当たりの熱容量が外周部１３ｂにおける単位面積当たりの熱容量よりも小さくなっている。
【００７９】
これにより、セッター２１０の中心部１３ａから基板３０へ向かう熱の熱量Ｃ１を、外周部１３ｂから基板３０へ向かう熱の熱量Ｃ２よりも増加させることができ、第１および第２の実施形態と同様、基板３０に伝達されたときの熱量を全体的に均等にすることができる。したがって、基板３０にあっては、全体的に均等に収縮させられ、基板３０の反りの修正を適切に行うことができる。
【００８０】
なお、上記では、セッター２１０の膜部２１２の気孔率を調節するようにしたが、これに限定されるものではなく、たとえば、基材部１１の気孔率を調節するようにしてもよい。すなわち、基材部１１の中心部１３ａにおける気孔率を、基材部１１の外周部１３ｂにおける気孔率よりも大きくなるようにしてもよい。
【００８１】
（第４の実施形態）
第３の実施形態では、セッター２１０における熱容量と気孔率との関係を利用した焼成治具１Ｂについて述べたが、上記した熱容量は、セッターにおける熱伝導率とも相関関係がある。具体的には、熱伝導率と熱容量とは、たとえば熱伝導率が高くなると、熱容量は小さくなる関係にある。
【００８２】
そこで、第４の実施形態では、セッターの熱伝導率を調節して、セッターの熱容量を中心部１３ａと外周部１３ｂとで異ならせるようにした。
【００８３】
図１４は、第４の実施形態に係る焼成治具１Ｃを示す断面図である。図１４に示すように、セッター３１０の膜部３１２は、２層の膜で形成されている。詳しくは、膜部３１２は、第３膜３１２ａと、第４膜３１２ｂとを備える。なお、上記では、膜部３１２が２層の膜で形成されるようにしたが、これは例示であって限定されるものではなく、３層以上の膜で形成されていてもよい。
【００８４】
上記した第３膜３１２ａおよび第４膜３１２ｂのうち、基材部１１の上には第４膜３１２ｂが形成され、第４膜３１２ｂの上には第３膜３１２ａが形成されている。そして、第３膜３１２ａの熱伝導率は、第４膜３１２ｂの熱伝導率よりも高くなるように設定されている。
【００８５】
上記した伝導率について詳しく説明すると、第３膜３１２ａおよび第４膜３１２ｂはともに、アルミナを含む素材を用いて形成されている。そして、第３膜３１２ａのアルミナの純度は、第４膜３１２ｂのアルミナの純度よりも高くなるように設定されている。これにより、第３膜３１２ａの熱伝導率は、第４膜３１２ｂの熱伝導率よりも高くなっている。
【００８６】
なお、上記では、第３膜３１２ａおよび第４膜３１２ｂがアルミナを含むようにしたが、これに限定されるものではなく、たとえばムライトやジルコニアなどを含むようにしてもよい。
【００８７】
第３膜３１２ａにおいては、中心部１３ａの厚さｉ１が、外周部１３ｂの厚さｉ２よりも厚くされている（ｉ１＞ｉ２）。ここで、第３膜３１２ａの厚さとは、第４膜３１２ｂに接する接触面と、該接触面とは反対側の面との距離である。これによって、第４膜３１２ｂにおいては、中心部１３ａの厚さが、上記した第３膜３１２ａの厚さｉ１と厚さｉ２との差の分だけ薄くなっている。
【００８８】
このように、熱伝導率の高い第３膜３１２ａの厚さを中心部１３ａにおいて厚くしたことにより、セッター３１０においては、中心部１３ａの熱伝導率が、外周部１３ｂの熱伝導率よりも高くなっている。
【００８９】
したがって、セッター３１０にあっては、中心部１３ａの熱伝導率が、外周部１３ｂの熱伝導率よりも高いことから、中心部１３ａにおける単位面積当たりの熱容量が外周部１３ｂにおける単位面積当たりの熱容量よりも小さくなっている。
【００９０】
これにより、セッター３１０の中心部１３ａから基板３０へ向かう熱の熱量Ｃ１を、外周部１３ｂから基板３０へ向かう熱の熱量Ｃ２よりも増加させることができ、従前の実施形態と同様、基板３０に伝達されたときの熱量を全体的に均等にすることができる。したがって、基板３０にあっては、全体的に均等に収縮させられ、基板３０の反りの修正を適切に行うことができる。
【００９１】
また、上記したように、中心部１３ａおよび外周部１３ｂの熱伝導率は、膜部３１２のアルミナの純度、正確には、第３膜３１２ａおよび第４膜３１２ｂのアルミナの純度、厚さを中心部１３ａと外周部１３ｂとで異ならせることによって設定されている。したがって、各膜３１２ａ，３１２ｂのアルミナの純度や厚さを変える簡易な構成だけで、セッター３１０の中心部１３ａの熱伝導率、および外周部１３ｂの熱伝導率を所望する値に容易に設定することができる。
【００９２】
さらに、基材部１１、第３膜３１２ａおよび第４膜３１２ｂは、上記したように炭化珪素やアルミナを含むことから、それぞれの熱膨張係数は、基材部１１、第４膜３１２ｂ、第３膜３１２ａの順で大きくなる。このように、基材部１１、第３膜３１２ａおよび第４膜３１２ｂは、熱膨張係数が段階的になるように配置されている。これにより、たとえば、基板３０の反り修正における熱処理の際に温度変化した場合であっても、第４膜３１２ｂの基材部１１からの剥離、または、第３膜３１２ａの第４膜３１２ｂからの剥離を抑制することができる。
【００９３】
図１５は、第４の実施形態に係るセッター３１０の他の例を示す断面図である。
【００９４】
図１４に示す例では、第３膜３１２ａと第４膜３１２ｂとを基材部１１の上に積層するようにしたが、これに限定されるものではない。すなわち、図１５に示すように、セッター３１０において、中心部１３ａに第３膜３１２ａが形成され、外周部１３ｂに第４膜３１２ｂが形成されている、１層の膜部３１２であってもよい。このようにセッター３１０を構成した場合であっても、上記で述べたと同様の効果を得ることができる。
【００９５】
（第５の実施形態）
図１６は、第５の実施形態に係る焼成治具１Ｄを示す斜視図であり、図１７は、焼成治具１Ｄを示す断面図である。
【００９６】
図１６および図１７に示すように、第５の実施形態に係るセッター４１０においては、膜部４１２が基材部１１の上に形成され、膜部４１２の上に熱吸収部４６０が設けられている。
【００９７】
熱吸収部４６０は、セッター４１０の膜部４１２からの熱などを吸収できるように構成されている。詳しくは、熱吸収部４６０は、セッター４１０の端縁付近に設けられている。より詳しくは、熱吸収部４６０は、中心部１３ａおよび外周部１３ｂによって規定される載置領域１３の外周側に複数個設けられている。
【００９８】
また、熱吸収部４６０は、たとえば、アルミナを含む素材を用いて形成されているとともに、略直方体形状である。なお、上記した熱吸収部４６０の素材および形状は、あくまでも例示であって限定されるものではなく、要は、熱を吸収可能なものであればどのようなものであってもよい。
【００９９】
また、図１６および図１７に示す熱吸収部４６０の配置場所および個数も、例示であって限定されるものではなく、任意に設定可能である。また、熱吸収部４６０は１個であってもよい。また、上記では、熱吸収部４６０は、セッター４１０に対して別体とされるが、セッター４１０と一体であってもよい。
【０１００】
上記のように、セッター４１０に熱吸収部４６０を設けることにより、セッター４１０においては、外周部１３ｂの熱容量が増加することとなる。すなわち、セッター４１０に熱吸収部４６０を設けたことにより、中心部１３ａにおける単位面積当たりの熱容量が、相対的に外周部１３ｂにおける単位面積当たりの熱容量よりも小さくなっている。
【０１０１】
したがって、図１７に示すように、セッター４１０の外周部１３ｂから基板３０へ向かう熱の熱量Ｃ３は、熱吸収部４６０にも吸収されて蓄積されることとなる。このことから、セッター４１０の中心部１３ａから基板３０へ向かう熱の熱量Ｃ１を熱量Ｃ３よりも増加させることができる。
【０１０２】
これにより、従前の実施形態と同様、基板３０に伝達されたときの熱量を全体的に均等にすることができる。また、基板３０にあっては、全体的に均等に収縮させられ、基板３０の反りの修正を適切に行うことができる。
【０１０３】
（第６の実施形態）
図１８は、第６の実施形態に係る焼成治具１Ｅを示す分解斜視図であり、図１９は、焼成治具１Ｅを示す断面図である。
【０１０４】
第６の実施形態では、押圧部５２０の熱容量を、セッター４１０の中心部１３ａに対応する部分と外周部１３ｂに対応する部分とで異ならせるようにして、基板３０の反りを適切に修正するようにした。
【０１０５】
以下、詳しく説明すると、図１８および図１９に示すように、第６の実施形態に係る焼成治具１Ｅにおいて、押圧部５２０は、外枠部５２１と、嵌合部５２２とを備える。外枠部５２１は、たとえば上面視において略矩形状であり、外枠部５２１の中心には嵌合部５２２と嵌合可能な開口５２１ａが設けられている（図１８参照）。外枠部５２１において、上記した開口５２１ａの適宜位置には、係止部５２３が中心に向けて突設されている。
【０１０６】
嵌合部５２２は、たとえば上面視において略矩形状に形成され、嵌合部５２２の側面にはフランジ部５２４が外方に向けて突設されている。そして、嵌合部５２２は、上記したように、外枠部５２１の開口５２１ａに上方から嵌合されている。
【０１０７】
このとき、嵌合部５２２のフランジ部５２４は、外枠部５２１の係止部５２３に係止され、よって嵌合部５２２のＺ軸負方向への移動が規制される。すなわち、外枠部５２１の係止部５２３が嵌合部５２２のストッパーとして機能し、嵌合部５２２が外枠部５２１から脱落することを防止することができる。
【０１０８】
また、図１９に示すように、押圧部５２０がセッター１０の基板３０上に載置された状態において、嵌合部５２２は、セッター１０の中心部１３ａに対応する位置とされている。一方、外枠部５２１は、セッター１０の外周部１３ｂに対応する位置とされている。そして、上記のように構成された押圧部５２０は、押圧面５２０ａで基板３０をセッター１０側へ押圧する。
【０１０９】
ところで、上記した嵌合部５２２の熱伝導率は、外枠部５２１の熱伝導率よりも大きくなるように構成される。具体的にたとえば、嵌合部５２２は、炭化珪素を含む素材を用いて形成されている一方、外枠部５２１は、アルミナを含む素材を用いて形成されている。なお、上記した外枠部５２１および嵌合部５２２の素材は、あくまでも例示であって限定されるものではない。
【０１１０】
これにより、押圧部５２０の押圧面５２０ａを下面視した場合において、セッター１０の中心部１３ａに対応する部分（嵌合部５２２）における単位面積当たりの熱容量が、セッター１０の外周部１３ｂに対応する部分（外枠部５２１）における単位面積当たりの熱容量よりも小さくなっている。
【０１１１】
ここで、押圧面５２０ａを下面視した場合の単位面積当たりの熱容量について説明する。たとえば、押圧部５２０にあっては、セッター１０の中心部１３ａに対応する部分および外周部１３ｂに対応する部分において、同一かつ任意の値の面積が単位面積として設定される。そして、それぞれの単位面積に押圧部５２０のＺ軸方向の厚さ（高さ）を乗算して得られる体積の部位における熱容量が、押圧面５２０ａを下面視した場合の単位面積当たりの熱容量である。なお、図１９では、理解の便宜のため、押圧部５２０における部位を二点鎖線で囲み、中心部１３ａに対応する部位に符号５２２ａ、外周部１３ｂに対応する部位に符号５２１ａを付した。
【０１１２】
また、図１９に示すように、押圧部５２０がセッター１０の基板３０上に載置された状態において、嵌合部５２２は、下面５２２ｂが基板３０に接触しない位置となるように構成されている。他方、外枠部５２１は、基板３０の外周部に接触するように構成されている。
【０１１３】
そして、基板３０の反り修正の熱処理の際は、図１９に示すように、押圧部５２０の上面には、ガスによる熱量（矢印Ｄで示す）が供給される。上記したように、押圧部５２０の嵌合部５２２における単位面積当たりの熱容量は、外枠部５２１における単位面積当たりの熱容量よりも小さい。そのため、嵌合部５２２に蓄積される熱量は、外枠部５２１に蓄積される熱量よりも少なくなる。逆にいえば、外枠部５２１には、より多くの熱量が蓄積される。
【０１１４】
したがって、嵌合部５２２から基板３０へ向かう熱の熱量（矢印Ｅ１で示す）は、押圧部５２０内に蓄積される熱量が少ない分だけ、外枠部５２１から基板３０へ向かう熱の熱量（矢印Ｅ２で示す）よりも多くなる。
【０１１５】
嵌合部５２２の下面５２２ｂは、基板３０と接触していないため、熱が基板３０へ伝達され難いが、中心部１３ａからの熱量Ｅ１を熱量Ｅ２よりも増加させることで、基板３０に伝達されたときの熱量（基板３０に到達する熱量）を全体的に均等にすることができる。これにより、基板３０にあっては、全体的に均等に収縮させられ、基板３０の反りの修正をより一層適切に行うことができる。
【０１１６】
なお、上記した第１〜第６の実施形態は、いずれの実施形態を組み合わせてもよい。すなわち、たとえば、第１の実施形態と第２の実施形態とを組み合わせて、中心部１３ａにおける膜部１２および基材部１１の両方を薄くするようにしてもよい。
【０１１７】
なお、上記した第１の実施形態では、焼成治具１のセッター１０を基板３０の反りの修正に用いる場合を例にとって説明したが、これに限定されるものではない。すなわち、たとえば、焼成治具１のセッター１０を焼成前の基板を焼成する工程で用いるようにしてもよい。
【０１１８】
図２０は、基板１３０の焼成に用いられる焼成治具１を示す断面図である。なお、図２０において、基板１３０は焼成される前の基板である。
【０１１９】
図２０に示すように、セッター１０の中心部１３ａから基板１３０へ向かう熱の熱量Ｃ１は、既に述べたように、セッター１０内に蓄積される熱量が少ない分だけ、外周部１３ｂから基板１３０へ向かう熱の熱量Ｃ２よりも多くなる。
【０１２０】
セッター１０の中心部１３ａは、基板１３０と接触していないため、熱が基板１３０へ伝達され難いが、中心部１３ａからの熱量Ｃ１を熱量Ｃ２よりも増加させることで、基板１３０に伝達されたときの熱量を全体的に均等にすることができる。
【０１２１】
これにより、基板１３０全体に対して均等に収縮させ、全体に均等に熱を加えて焼成することができ、よって基板１３０における反りの発生を抑制することができる。なお、図２０に示すように、焼成治具１を基板１３０の焼成に用いた場合、押圧部２０は不要とされる。
【０１２２】
また、図示は省略するが、第２〜第６の実施形態に係る焼成治具１Ａ〜１Ｅについても、未焼成の基板１３０の焼成に用いるように構成してもよい。このように構成した場合であっても、基板１３０全体に対して均等に収縮させ、全体に均等に熱を加えて焼成することができるなど、上記と同様な効果を得ることができる。
【０１２３】
さらなる効果や変形例は、当業者によって容易に導き出すことができる。このため、本発明のより広範な態様は、以上のように表しかつ記述した特定の詳細および代表的な実施形態に限定されるものではない。したがって、添付の特許請求の範囲およびその均等物によって定義される総括的な発明の概念の精神または範囲から逸脱することなく、様々な変更が可能である。
【符号の説明】
【０１２４】
１，１Ａ〜１Ｅ  焼成治具
１０，１１０，２１０，３１０，４１０  セッター
１１，１１１  基材部
１２，１１２，２１２，３１２，４１２  膜部
１３  載置領域
１３ａ  中心部
１３ｂ  外周部
２０，５２０  押圧部
３０，１３０  基板（被焼成物）
５２１  外枠部
５２２  嵌合部
【図１】
2016074561.tif 000003
【図２】
2016074561.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図６】
2016074561.tif 000009
【図７】
2016074561.tif 000010
【図８Ａ】
2016074561.tif 000011
【図８Ｂ】
2016074561.tif 000012
【図８Ｃ】
2016074561.tif 000013
【図９】
2016074561.tif 000014
【図１０Ａ】
2016074561.tif 000015
【図１０Ｂ】
2016074561.tif 000016
【図１０Ｃ】
2016074561.tif 000017
【図１１】
2016074561.tif 000018
【図１２】
2016074561.tif 000019
【図１３】
2016074561.tif 000020
【図１４】
2016074561.tif 000021
【図１５】
2016074561.tif 000022
【図１６】
2016074561.tif 000023
【図１７】
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【図１８】
2016074561.tif 000025
【図１９】
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【図２０】
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