(57)【要約】【課題】形状の安定したビアホールの形成が簡便に行え、電気特性に優れたビアを持つ多層プリント配線板の形成方法を提供する。【解決手段】ビアランドパターンを含む配線層が設けられた回路配線面のビアランド上にビアランド保護パターンを形成する工程と、前記ビアランド保護パターンを含んだ回路配線基板を粗化処理する工程と、前記ビアランド保護パターンを前記回路配線基板から剥離する工程と、前記回路配線基板上に絶縁層を積層形成する工程と、前記ビアランド上の絶縁層にレーザを照射する工程と、を含むことを特徴とする多層プリント配線板の形成方法。【選択図】  図２
2016063120.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ビアランドパターンを含む配線層が設けられた回路配線面のビアランド上にビアランド保護パターンを形成する工程と、前記ビアランド保護パターンを含んだ回路配線基板を粗化処理する工程と、前記ビアランド保護パターンを前記回路配線基板から剥離する工程と、前記回路配線基板上に絶縁層を積層形成する工程と、前記ビアランド上の絶縁層にレーザを照射する工程と、を含むことを特徴とする多層プリント配線板の形成方法。
【請求項２】
前記ビアランド保護パターンは、容易に溶解するプリント配線板の回路形成に用いられる感光性樹脂であることを特徴とする、請求項１に記載の多層プリント配線板の形成方法。
【請求項３】
前記ビアランド保護パターンは、円形状であることを特徴とする、請求項１または２に記載の多層プリント配線板の形成方法。
【請求項４】
前記ビアランド保護パターンの大きさは、直径５０〜１００μｍであることを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載の多層プリント配線板の形成方法。
【請求項５】
前記ビアランド保護パターンの厚さは、５〜４０μｍであることを特徴とする、請求項１〜４のいずれかに記載の多層プリント配線板の形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ビルドアップ基板などの多層プリント配線基板の形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の半導体素子は、更なる高集積化、高密度化の傾向にあり、それに伴い、半導体素子に設けられる入出力用のピンについては、更なる多ピン化、ファインピッチ化の傾向にある。例えば、半導体素子を搭載するための多層プリント配線板ないし多層配線基板については、このようなピンの多ピン化およびファインピッチ化に対応すべく、かつ、半導体素子の電気的特性の向上を図るべく、配線の更なる高密度化、微細化および多層化が強く求められている。
【０００３】
半導体素子を搭載するための多層プリント配線板ないし多層配線基板の積層構造は、主として、パターン化された複数の配線層と、各配線層を電気的に隔絶するための複数の絶縁層と、所定の配線層を電気的に接続するための絶縁層を貫通する複数のビアとによって構成されている。
【０００４】
これらのビアは、近年における半導体パッケージの高性能化に応じるため、安定した穴形状となるよう形成することが求められる。このようなことから、紫外線レーザ(例えば、UV-YAGレーザ)、炭酸ガスレーザなどを照射してビアホールを形成する方法(特開平１１−３４２４８５号公報)、または紫外線吸収剤を含有する硬化性組成物からなる絶縁層を形成するなどレーザ加工しやすい材料を設ける方法(特開２００２−１１１２２９号公報)が良好なビア形成方法として提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平１１−３４２４８５号公報
【特許文献２】特開２００２−１１１２２９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１において高スループットにビアを形成しようとすると、加工時のレーザショット数を減らすか、ビームを駆動させるミラーを高速で動かす必要がある。ショット数を減らすにはビームの出力を上げる必要があり、ビアの形成性が悪化する問題がある。またミラーを高速で動かすと加工位置精度が悪化する問題がある。特許文献２において開示されている技術は、レーザで加工しやすい材料を積層する必要があるため、工程が煩雑になる問題があった。
【０００７】
本発明は、このような事情のもとで考え出されたものであって、形状が安定しているビアホールが簡便に作製可能であり、優れた電気特性を持つ多層プリント配線板の形成方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の多層プリント配線板の形成方法は、ビアランドパターンを含む配線層が設けられた回路配線面のビアランド上にビアランド保護パターンを形成する工程と、前記ビアランド保護パターンを含んだ回路配線基板を粗化処理する工程と、前記ビアランド保護パターンを前記回路配線基板から剥離する工程と、前記回路配線基板上に絶縁層を積層形成する工程と、前記ビアランド上の絶縁層にレーザを照射する工程と、を含むことを特徴としている。
【０００９】
このような構成にすると、レーザビームが照射する場所のみ絶縁層の下にある配線層が粗化されないため、配線層表面の粗さによるレーザビームの反射でビアホールの形状が悪化することを防げる。また、配線層表面の粗さによりビアホールの形状が乱れやすい高出力のレーザビームもビア形成に用いることができるため、高スループット化にビア形成の安定化につながり、伝送特性に優れたパターンの形成が可能となる。
【００１０】
本発明に用いる導体層はプリント配線板基材上の絶縁樹脂にセミアディティブ法により形成されることが好ましい。
【００１１】
本発明に用いるビアランド保護パターンとしては、炭酸ナトリウム水溶液等で容易に溶解され、プリント配線板の回路形成に用いられる感光性樹脂が好ましい。そのほかに、ポリエチレンテレフタレートフィルム(PETフィルム)、ポリエステルフィルムなどが材料として挙げられる。好ましくは、ビアランド保護パターンはアルカリ溶解性のポリマーおよび光重合性モノマーで構成され、弱アルカリ水溶液で容易に溶解・除去されるものである。
【００１２】
一般的に、配線基板における配線層を形成する際、無電解めっき層上にドライフィルムレジストのパターンが形成される。そのため、本発明のビアランド保護パターンをドライフィルムレジストにすれば、配線層形成時においてドライフィルムレジスト層を形成する際に使用される装置や薬液などを本発明のビアランド保護パターンの形成に適用することができる。
【００１３】
配線層表面を粗くする導体処理工程に硫酸、蟻酸、塩酸などの酸性溶液によるウエット処理液を用いることが好ましい。ウエット処理にすれば、一般的な導体処理工程で使用される装置や薬液などを本発明に適用することができる。
【００１４】
ビアランド保護パターンは、円形状であることが好ましい。円形状であれば、同じく円形状となるビアランドを効率よく保護できる。
【００１５】
ビアランド保護パターンの大きさについて、好ましくは、直径５０〜１００μｍである。ビアランド保護パターンの径が５０μｍ未満では絶縁層積層前の配線層の粗化工程でビアランドを保護する領域が小さくなり、レーザビームの反射を抑えることが難しくなる。径が１００μmを超えるとレーザビームが照射されない箇所の配線層と絶縁層の密着性が悪くなる。
【００１６】
ビアランド保護パターンの厚さについて、好ましくは、５〜４０μｍである。ビアランド保護パターンの厚さが５μｍ未満、もしくは４０μmを超えるとパターン形成が困難となる。
【００１７】
本発明の用いる絶縁層としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイソシアネート樹脂、ポリエステル樹脂、ポリフェニルエーテル樹脂などが挙げられる。
【００１８】
絶縁層の厚さについて、好ましくは、５〜４０μｍである。絶縁層の厚さが５μｍ未満では配線間の絶縁を確保することが困難となる可能性がある。また、絶縁層の厚さが４０μｍを超えると、レーザ照射により絶縁層に作製されるビアホールの形成が困難となる。
【００１９】
本発明に用いるレーザによる加工は、絶縁層を容易に除去可能なプリント配線の工程で
使用されるレーザ加工機によって照射されることが好ましい。配線形成に用いるレーザとしては、エネルギーの大きい炭酸ガスレーザ、熱影響の少ないＵＶ−ＹＡＧレーザ、エキシマレーザなどが挙げられる。中でも微細加工性や生産性、経済性などの観点からＵＶ−ＹＡＧレーザを用いることが、特に好ましい。
【００２０】
本発明におけるレーザのビーム径は、１０〜１００μｍであることが好ましい。レーザのビーム径が１０μｍ未満では、一般的なプリント配線板形成用のレーザ加工機で照射することが困難となる可能性がある。また、ビーム径が１００μｍを超えると、一般的なプリント配線板に作製されるビアホールを形成することが困難となる。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によると、レーザ加工機のビーム形状を変えることなく、またレーザ加工に適した材料を積層することなく容易に適切な形状のビアホールが作製可能となる。
また、ビームの反射による形状悪化を防ぐことができるため、レーザの出力を高く設定し、高スループットでビアを形成できる。
さらに、ビア底の表面が平滑であるため、レーザ加工後のビア底にある樹脂残渣をデスミア処理で除去しやすく、伝送特性に優れた配線パターンを形成することが可能となる。これによりプリント配線板の電気伝導性向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明に係る多層プリント配線板形成方法における一連の工程の初期工程を表す要部断面図である。
【図２】図１に続く工程を示す要部断面図である。
【図３】図２に続く工程を示す要部断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、本発明の好ましい実施の形態について、図面を参照しつつ具体的に説明する。
【００２４】
まず、図１（ａ）（ｂ）に示すように、プリント配線板基材１と、プリント配線板の電気接続のためパターン化されたビアランドパターン２、配線パターン３を形成する。なお、図中において、ビアランドパターン２、配線パターン３の形成された様子は発明の特徴ではないので示していない。また、本実施形態では、配線基板の片側のみにビアを形成する方法について説明する。
【００２５】
次に図１（ｃ）に示すように、ビアランドパターン２を覆うようにビアランド保護パターン４を形成する。
【００２６】
ビアランド保護パターン４は、フィルム状の感光材料をラミネートし、露光・現像することにより形成してもよいし、液状の感光材料をスピンコート法などで塗布した後、露光・現像により形成してもよい。ビアランド保護パターン４の材料は、プリント配線板の回路形成で用いられるものが望ましく、例えば、酸発生剤とノボラック樹脂やポリヒドロキシスチレンなどのアルカリ可溶性樹脂とメラミン樹脂や尿素樹脂などのアミノ樹脂との組合せを含む化学増幅型のネガ型レジスト組成物などがある。一般的に、配線基板における配線層を形成する際、無電解めっき層上にドライフィルムレジストのパターンが形成されるため、ビアランド保護パターン４をドライフィルムレジストにすれば、配線層形成時においてドライフィルムレジスト層を形成する際に使用される装置や薬液などを本発明のビアランド保護パターン４の形成に適用することができる。
【００２７】
ビアランド保護パターン４は円形であることが好ましく、大きさは、直径５０〜１００μｍであることが好ましい。ビアランド保護パターン４の径が５０μｍ未満では、絶縁層積層前の配線層の粗化工程でビアランドを保護する領域が小さくなり、レーザビームの反射を抑えることが難しくなる。ビアランド保護パターン４の径が１００μｍを超えると、レーザビームが照射されない箇所の配線層と絶縁層の密着性が悪くなる。ビアランド保護パターン４の厚さは、５〜４０μｍであることが好ましい。ビアランド保護パターン４の厚さが５μｍ未満、もしくは４０μｍを超えるとパターン形成が困難となるためである。
【００２８】
次に図１（ｄ）に示すように、絶縁樹脂との密着を得るため、導体処理液５に基板を浸し、配線パターン３表面を粗化する。このときビアランドパターン２はビアランド保護パターン４により粗化されずに図２（ｅ）のようにビアランド保護パターン４以外の配線パターン表面が粗化され、導体粗化面６が形成される。導体処理液は、硫酸、蟻酸、塩酸などの酸性水溶液を用いることが好ましい。硫酸、蟻酸、塩酸などの酸性水溶液にすれば、一般的な導体処理工程で使用される装置や薬液などを本発明に適用することができる。
【００２９】
次に図２（ｆ）に示すように、ビアランド保護パターン４を除去する。ビアランド保護パターン４は剥離液７に基板を浸すことで除去される。剥離液７は、１％の炭酸ソーダ水溶液などの弱アルカリ水溶液、有機アミンを主成分とする有機アルカリ溶液を用いることが好ましい。ビアランド保護パターン４が除去されると図２（ｇ）のように平滑な表面を保ったビアランドパターン２が現れる。
【００３０】
次に図２（ｈ）に示すように、ビアランドパターン２、配線パターン３を覆うように絶縁層８を形成する。絶縁層８は、フィルム状の絶縁材料を貼り付けることにより形成してもよいし、液状の絶縁材料をスピンコート法などで塗布した後、加熱硬化させることにより形成してもよい。絶縁層８を構成する絶縁材料としては、エポキシ樹脂などが挙げられる。絶縁層８の厚さは、５〜４０μｍが好ましい。絶縁層の厚さが５μｍ未満では配線間の絶縁を確保することが困難となる可能性がある。また、絶縁層の厚さが４０μｍを超えると、レーザ照射により絶縁層に作製されるビアホールの形成が困難となるためである。
【００３１】
次に、図３（ｉ）（ｊ）に示すように、平滑な表面をもつビアランドパターン２上の絶縁層８にレーザビーム９を照射することにより、絶縁層８に開口部１０を形成する。レーザビーム９の径としては、１０〜１００μｍであることが好ましい。レーザのビーム径が１０μｍ未満では、一般的なプリント配線板形成用のレーザ加工機で照射することが困難となる可能性がある。また、ビーム径が１００μｍを超えると、一般的な半導体パッケージ基板のビア径を超えてしまう可能性がある。レーザビーム９としては、炭酸ガスレーザやＵＶ−ＹＡＧレーザ、エキシマレーザなどが挙げられるが、中でも微細加工性や生産性、経済性などの観点からＵＶ−ＹＡＧレーザが望ましい。このように平滑なビアランドパターン上の絶縁樹脂をレーザビームで除去加工するため、レーザビームの反射によるビアホール形状の悪化を防ぐことができ、形状の安定したビアホールを形成できる。
【実施例】
【００３２】
次に、本発明の実施例について説明する。
【００３３】
厚さ０．８ｍｍであってサイズ３４０×５１０ｍｍのＦＲ−４材の両面に厚さ１８μｍの銅箔が貼着されている両面銅張積層板（商品名：ＭＣＬ−Ｅ−６７、日立化成株式会社製）の銅表面に、絶縁層としての半硬化状態の熱硬化性エポキシ樹脂フィルム（膜厚：４０μｍ、商品名：ＡＢＦ−ＧＸ１３、味の素ファインテクノ株式会社製）を積層した後、大気圧下にて１８０℃で３０分加熱し、絶縁層を硬化させた。
【００３４】
次に、絶縁層上に形成する無電解めっき層との密着を向上させるため、絶縁層に粗化処理を施した。絶縁層粗化処理は、デスミア処理システム（商品名：サーキュポジット２００ＭＬＢ、ローム・アンド・ハース電子材料株式会社製）を用いて行った。具体的には、まず残渣の膨潤処理としてサーキュポジットＭＬＢコンディショナー２１１およびサーキュポジットＺの混合水溶液（水：７０ｖｏｌ％、コンディショナー２１１：２０ｖｏｌ％、サーキュポジットＺ：１０ｖｏｌ％）により７０℃で３分間浸漬処理した。次に、除去処理としてサーキュポジットＭＬＢプロモータ２１３ＡおよびサーキュポジットＭＬＢプロモータ２１３Ｂの混合水溶液（水：７５ｖｏｌ％、プロモータ２１３Ａ：１０ｖｏｌ％、プロモータ２１３Ｂ：１５ｖｏｌ％）により７０℃で７分間浸漬処理した。次に、中和処理としてサーキュポジットＭＬＢニュートラライザ２１６−４（水：８０ｖｏｌ％、ニュートラライザ２１６−４：２０ｖｏｌ％）により４０℃で５分間浸漬処理した。以上のようにして、絶縁層を粗化した。
【００３５】
次に、絶縁層上に無電解銅めっきを施すことにより、厚さ０．５μｍの無電解銅めっき層を形成した。無電解銅めっき層の形成には、以下の各処理液にめっき対象物を順次浸漬するサーキュポジットプロセス（ローム・アンド・ハース電子材料株式会社製）を採用した。具体的には、まず絶縁層表面の予洗処理としてサーキュポジットコンディショナ３３２０水溶液（水：９０ｖｏｌ％、コンディショナー３３２０：１０ｖｏｌ％）により５０℃で５分間浸漬処理した。次に、プレディップ処理としてキャタプレップ４０４プレディップを２７０ｇ／ｄｍ３の濃度で含む水溶液により室温で９０秒間浸漬処理した。次に、触媒化処理としてキャタプレップ４０４プレディップおよびキャタポジット４４キャタリストコンセントレートの混合水溶液（水：８５ｖｏｌ％、キャタプレップ４０４：２７０ｇ／ｄｍ３、キャタポジット４４：３ｖｏｌ％）により５５℃で３分間浸漬処理した。活性化処理としてキューポジットアクセラレータ１９水溶液（水：８３ｖｏｌ％、アクセラレータ１９：１７ｖｏｌ％）により室温で６分間浸漬処理した。次に、無電解めっき処理としてキューポジット３２８Ａカッパーミックスコンセントレートおよびキューポジット３２８ＬＡカッパーミックスコンセントレートの混合水溶液（水：７５ｖｏｌ％、キューポジット３２８Ａ：１２．５ｖｏｌ％、キューポジット３２８Ｌ：１２．５ｖｏｌ％）により室温で２５分間浸漬処理した。以上のようにして、無電解銅めっき層を形成した。
【００３６】
次に無電解めっき層上にＤＦＲ（ドライフィルムレジスト）をラミネートし、露光・現像によりＤＦＲパターンを形成した。ＤＦＲは感光層の厚さ２５μｍのＤＦＲ（ＲＹ−３５２５、日立化成社製）を１０５℃でラミネートした。露光は微細配線露光用のステッパーを用い、露光量を１１０ｍＪとした。現像は薬液に弱アルカリ水溶液の炭酸ナトリウム水溶液（１ｗｔ％）を用い、１ｍｉｎ浸漬処理してＤＦＲパターンを形成した。
【００３７】
次にＤＦＲパターンを形成した基板を電解銅めっき液に浸漬し、ＤＦＲパターン間部分に銅めっき層を形成した。電解銅めっき液には硫酸と硫酸銅からなる硫酸銅めっき液（硫酸銅５水和物１４０ｇ／ｌ）を用いた。
【００３８】
次に、基板をＤＦＲ剥離液につけてＤＦＲパターンを剥離した。ＤＦＲ剥離液には水酸化ナトリウム水溶液（５ｖｏｌ％）を用い、１ｍｉｎ浸漬処理してＤＦＲパターンを剥離した。その後、硫酸-過酸化水素水からなる銅箔エッチング液に１ｍｉｎ浸漬処理し、不要な銅をエッチングした。そのようにしてビアランドパターンを含む銅配線パターンを形成した。形成したビアランドは直径９８．８μｍ、厚さ１４．５μｍとなった。ビアランドの形状寸法は基板の面内５点の平均とした。
【００３９】
次に、ビアランドパターン上にビアランド保護パターンを形成した。ビアランド保護パターン形成はＤＦＲパターン形成と同様の方法で行った。
【００４０】
次に、絶縁層との密着を得るため銅パターンを荒らす導体処理を施した。導体処理は、ＣＺ処理（商品名：ＣＺ−８１００、メック株式会社製）で行った。具体的には、まず前処理としてＣＡ−５３３０Ａに基板を浸漬処理し、ＣＺの粗化能力を阻害する物質を非常に軽微なエッチングによって効率よく除去し、次に有機酸系マイクロエッチング剤ＣＺ−８１００を用いて銅パターン表面を粗化処理した。
【００４１】
次に、基板をＤＦＲ剥離液に浸し、ビアランド保護パターンを剥離した。ＤＦＲ剥離液は前述のものを使用した。
【００４２】
次に、ビアランドパターン、銅配線パターンを覆うように絶縁層を形成した。絶縁層形成は前述の熱硬化性エポキシ樹脂フィルム（膜厚：４０μｍ、商品名：ＡＢＦ−ＧＸ１３、味の素ファインテクノ株式会社製）を使用し、真空プレスした後、大気圧下にて１８０℃で３０分加熱し、絶縁層を硬化させた。
【００４３】
次に、レーザ加工装置を用いて、ビアランド位置にＵＶ−ＹＡＧレーザ（平均出力２．０Ｗ）を照射し、ビアホール（直径：６０μｍ）を形成した。
【００４４】
以上のようにして形成されたビアホールにおいて形状が乱れていないこと、レーザビームの反射によるビアホール側面が抉れていないことを確認した。
【００４５】
＜比較例＞
次に、従来の多層プリント配線板の形成方法について説明する。
【００４６】
厚さ０．８ｍｍであってサイズ３４０×５１０ｍｍのＦＲ−４材の両面に厚さ１８μｍの銅箔が貼着されている両面銅張積層板（商品名：ＭＣＬ−Ｅ−６７、日立化成株式会社製）の銅表面に、絶縁層としての半硬化状態の熱硬化性エポキシ樹脂フィルム（膜厚：４０μｍ、商品名：ＡＢＦ−ＧＸ１３、味の素ファインテクノ株式会社製）を積層した後、大気圧下にて１８０℃で３０分加熱し、絶縁層を硬化させた。
【００４７】
次に、絶縁層上に形成する無電解めっき層との密着を向上させるため、絶縁層に粗化処理を施した。絶縁層粗化処理は、デスミア処理システム（商品名：サーキュポジット２００ＭＬＢ、ローム・アンド・ハース電子材料株式会社製）を用いて行った。具体的には、まず残渣の膨潤処理としてサーキュポジットＭＬＢコンディショナー２１１およびサーキュポジットＺの混合水溶液（水：７０ｖｏｌ％、コンディショナー２１１：２０ｖｏｌ％、サーキュポジットＺ：１０ｖｏｌ％）により７０℃で３分間浸漬処理した。次に、除去処理としてサーキュポジットＭＬＢプロモータ２１３ＡおよびサーキュポジットＭＬＢプロモータ２１３Ｂの混合水溶液（水：７５ｖｏｌ％、プロモータ２１３Ａ：１０ｖｏｌ％、プロモータ２１３Ｂ：１５ｖｏｌ％）により７０℃で７分間浸漬処理した。次に、中和処理としてサーキュポジットＭＬＢニュートラライザ２１６−４（水：８０ｖｏｌ％、ニュートラライザ２１６−４：２０ｖｏｌ％）により４０℃で５分間浸漬処理した。以上のようにして、絶縁層を粗化した。
【００４８】
次に、絶縁層上に無電解銅めっきを施すことにより、厚さ０．５μｍの無電解銅めっき層を形成した。無電解銅めっき層の形成には、以下の各処理液にめっき対象物を順次浸漬するサーキュポジットプロセス（ローム・アンド・ハース電子材料株式会社製）を採用した。具体的には、まず絶縁層表面の予洗処理としてサーキュポジットコンディショナ３３２０水溶液（水：９０ｖｏｌ％、コンディショナー３３２０：１０ｖｏｌ％）により５０℃で５分間浸漬処理した。次に、プレディップ処理としてキャタプレップ４０４プレディップを２７０ｇ／ｄｍ３の濃度で含む水溶液により室温で９０秒間浸漬処理した。次に、触媒化処理としてキャタプレップ４０４プレディップおよびキャタポジット４４キャタリストコンセントレートの混合水溶液（水：８５ｖｏｌ％、キャタプレップ４０４：２７０ｇ／ｄｍ３、キャタポジット４４：３ｖｏｌ％）により５５℃で３分間浸漬処理した。活性化処理としてキューポジットアクセラレータ１９水溶液（水：８３ｖｏｌ％、アクセラレータ１９：１７ｖｏｌ％）により室温で６分間浸漬処理した。次に、無電解めっき処理としてキューポジット３２８Ａカッパーミックスコンセントレートおよびキューポジット３２８ＬＡカッパーミックスコンセントレートの混合水溶液（水：７５ｖｏｌ％、キューポジット３２８Ａ：１２．５ｖｏｌ％、キューポジット３２８Ｌ：１２．５ｖｏｌ％）により室温で２５分間浸漬処理した。以上のようにして、無電解銅めっき層を形成した。
【００４９】
次に無電解めっき層上にＤＦＲ（ドライフィルムレジスト）をラミネートし、露光・現像によりＤＦＲパターンを形成した。ＤＦＲは感光層の厚さ２５μｍのＤＦＲ（ＲＹ−３５２５、日立化成社製）を１０５℃でラミネートした。露光は微細配線露光用のステッパーを用い、露光量を１１０ｍＪとした。現像は薬液に弱アルカリ水溶液の炭酸ナトリウム水溶液（１ｗｔ％）を用い、１ｍｉｎ浸漬処理してＤＦＲパターンを形成した。
【００５０】
次にＤＦＲパターンを形成した基板を電解銅めっき液に浸漬し、ＤＦＲパターン間部分に銅めっき層を形成した。電解銅めっき液には硫酸と硫酸銅からなる硫酸銅めっき液（硫酸銅５水和物１４０ｇ／ｌ）を用いた。
【００５１】
次に、基板をＤＦＲ剥離液につけてＤＦＲパターンを剥離した。ＤＦＲ剥離液には水酸化ナトリウム水溶液（５ｖｏｌ％）を用い、１ｍｉｎ浸漬処理してＤＦＲパターンを剥離した。その後、硫酸-過酸化水素水からなる銅箔エッチング液に１ｍｉｎ浸漬処理し、不要な銅をエッチングした。そのようにしてビアランドパターンを含む銅配線パターンを形成した。
【００５２】
次に、絶縁層との密着を得るためビアランドパターン、銅配線パターンを荒らす導体処理を施した。導体処理は、ＣＺ処理（商品名：ＣＺ−８１００、メック株式会社製）で行った。具体的には、まず前処理としてＣＡ−５３３０Ａに基板を浸漬処理し、ＣＺの粗化能力を阻害する物質を非常に軽微なエッチングによって効率よく除去し、次に有機酸系マイクロエッチング剤ＣＺ−８１００を用いて銅パターン表面を粗化処理した。
【００５３】
次に、ビアランドパターン、銅配線パターンを覆うように絶縁層を形成した。絶縁層は熱硬化性エポキシ樹脂フィルム（膜厚：４０μｍ、商品名：ＡＢＦ−ＧＸ１３、味の素ファインテクノ株式会社製）を使用し、真空プレスした後、大気圧下にて１８０℃で３０分加熱し、絶縁層を硬化させた。
【００５４】
次に、レーザ加工装置を用いて、ビアランド位置にＵＶ−ＹＡＧレーザ（平均出力２．０Ｗ）を照射し、ビアホール（直径：６０μｍ）を形成した。
【００５５】
以上のようにして形成されたビアホールを観察した結果、側面が凹む穴がいくつか確認された。ビアランド保護パターンが形成されないとビアホールの形状が乱れる可能性があることがわかった。
【産業上の利用可能性】
【００５６】
本発明によると、形状の安定したビア形成が簡便に行える。またビームの反射によるビア形状の悪化を抑えられるため、レーザの出力を上げることができ、配線形成の高スループット化を図ることができる。さらにビア底を平滑にできるため、樹脂残渣の除去性も向上し、伝送特性に有利な配線パターンを形成できる。これにより多層プリント配線板の高性能化、電気特性の向上を図ることができる。
【符号の説明】
【００５７】
１  プリント配線板基材
２  ビアランドパターン
３  配線パターン
４  ビアランド保護パターン
５  導体処理液
６  導体粗化面
７  剥離液
８  絶縁層
９  レーザビーム
１０  ビアホール
【図１】
2016063120.tif 000003
【図２】
2016063120.tif 000004
【図３】
2016063120.tif 000005