(57)【要約】【課題】基板上に形成された電極パターンの断線部分をペースト状導電材を用いて適切に修正する。【解決手段】欠陥修正装置１００は、スキージ針１０と、Ｚステージ１２０と、ＸＹステージ１１０と、制御装置２００とを備える。スキージ針１０は、断線部分３に塗布されたペースト４を整形する。制御装置２００は、スキージ針１０と電極パターン２１，２２との間の距離Ｄが所定値ＤｔｈとなるようにＺステージ１２０を制御するとともに、距離Ｄを所定値Ｄｔｈに保持した状態において、ＸＹステージ１１０によりスキージ針１０を走査する。所定値Ｄｔｈは、ペースト４の焼成による収縮量に応じて定められる。【選択図】図８
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された電極パターンの断線部分を、焼成により導電性を発現するペーストを用いて修正する、基板の欠陥修正装置であって、
断線部分に塗布された前記ペーストを整形するための整形部材と、
前記整形部材と前記電極パターンとの間の距離を調整する調整機構と、
塗布された前記ペーストに対して前記整形部材を走査する走査機構と、
前記調整機構および前記走査機構を制御する制御装置とを備え、
前記制御装置は、前記距離が所定値となるように前記調整機構を制御するとともに、前記距離を前記所定値に保持した状態において、前記走査機構により前記整形部材を走査し、
前記所定値は、前記ペーストの焼成による収縮量に応じて定められる、基板の欠陥修正装置。
【請求項２】
前記所定値は、走査後かつ焼成前の前記ペーストの厚さと、前記電極パターンの厚さとの差であり、
走査後かつ焼成前の前記ペーストの厚さは、前記ペーストが焼成により収縮した際に、当該収縮後の前記ペーストの厚さが前記電極パターンの厚さと略同一となるように定められる、請求項１に記載の基板の欠陥修正装置。
【請求項３】
前記整形部材は、針状部材を含み、
前記針状部材は、
円筒形状の基端部と、
前記基端部の先端に設けられた楔形状の先端部とを有する、請求項１または２に記載の基板の欠陥修正装置。
【請求項４】
前記調整機構の制御により前記整形部材が前記電極パターンに接触したことを検出する検出部をさらに備え、
前記制御装置は、前記検出部による検出結果に基づいて、前記距離を調整する、請求項１〜３のいずれか１項に記載の基板の欠陥修正装置。
【請求項５】
基板上に形成された電極パターンの断線部分を修正する、基板の欠陥修正方法であって、
断線部分に、焼成により導電性を発現するペーストを塗布するステップと、
整形部材と前記電極パターンとの間の距離が所定値となるように調整するステップと、
前記距離を前記所定値に保持した状態において、断線部分に塗布された前記ペーストに対して前記整形部材を走査するステップと、
当該走査により整形された前記ペーストを焼成するステップとを備え、
前記所定値は、前記ペーストの焼成による収縮量に応じて定められる、基板の欠陥修正方法。
【請求項６】
前記所定値は、前記走査するステップの実行後かつ前記焼成するステップの実行前の前記ペーストの厚さと、前記電極パターンの厚さとの差であり、
前記走査するステップの実行後かつ前記焼成するステップの実行前の前記ペーストの厚さは、前記ペーストが前記焼成するステップにより収縮した際に、当該収縮後の前記ペーストの厚さが前記電極パターンの厚さと略同一となるように定められる、請求項５に記載の基板の欠陥修正方法。
【請求項７】
前記走査するステップに先立って、塗布された前記ペーストを乾燥させるステップをさらに備える、請求項５または６に記載の基板の欠陥修正方法。
【請求項８】
前記塗布するステップにおいて、前記ペーストが前記電極パターンの少なくとも一部と重複するように前記ペーストを塗布する、請求項５〜７のいずれか１項に記載の基板の欠陥修正方法。
【請求項９】
請求項５〜７のいずれか１項に記載の基板の欠陥修正方法を用いて焼成された前記ペーストは、前記電極パターンの少なくとも一部と重複して形成される、基板の欠陥修正部構造。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板の欠陥修正装置および欠陥修正方法、ならびに基板の欠陥修正部構造に関し、より特定的には、基板に形成された電極パターンの断線部分をペースト状導電材を用いて修正する、基板の欠陥修正装置および欠陥修正方法、ならびに上記欠陥修正方法を用いて形成された、基板の欠陥修正部構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、付加価値の高いプリント基板が実用化されている。このようなプリント基板の具体例としては、高密度に電極パターンが形成された複数の配線層を含む高密度多層基板や、抵抗、インダクタ、またはキャパシタ等が内層に配置された部品内蔵型基板が挙げられる。これらプリント基板の製造においては特に、歩留まりを改善してコストを低減することが求められる。そのため、検査工程において電極パターンの断線（オープン欠陥）が発見された場合に、単に欠陥品としてその基板を廃棄するのに代えて、断線部分を修正する技術への要求が高まっている。
【０００３】
たとえば特許第２９８３８７９号公報（特許文献１）は、ペーストが付着した針を修正箇所に接触させてペーストを塗布する基板の修正方法を開示する（たとえば特許文献１の図３参照）。
【０００４】
また、たとえば特許第３７０５６８８号公報（特許文献２）は、基板に形成されたリブに生じた欠陥部分の修正方法を開示する。この修正方法は、欠陥部分にペーストを塗布する工程と、整形部材を走査させることにより、塗布されたペーストの厚みがリブの高さと略等しくなるようにペーストを整形する工程とを備える。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特許第２９８３８７９号公報
【特許文献２】特許第３７０５６８８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
積層基板において、特許文献１に開示の修正方法を用いて断線部分を修正すると、修正箇所の厚み（断線部分に塗布されたペーストの焼成後の厚み）が適正値よりも大きくなる場合がある。この場合、修正箇所と、その箇所の上層に配置された電極パターンとの間に十分な距離を確保することができず、電気的なノイズが発生し易くなる可能性がある。しかし、修正箇所の厚みについて特許文献１では特に考慮されていない。
【０００７】
一方、特許文献２は、塗布されたペーストの厚みがリブの高さと略等しくなるようにペーストを整形することを開示するものの、この整形は塗布直後のペーストの高さに基づいて行なわれる。そのため、整形後の焼成によりペーストが収縮すると、修正箇所の厚みが適正値よりも小さくなる可能性がある。この場合、修正箇所の抵抗が相対的に大きくなるため熱損失が増大し、将来的に修正箇所において再び断線が生じる可能性が高くなってしまう。
【０００８】
本発明は上記課題を解決するためになされたものであり、その目的は、基板上に形成された電極パターンの断線部分を適切に修正することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明のある局面に従う基板の欠陥修正装置は、基板上に形成された電極パターンの断線部分を、焼成により導電性を発現するペーストを用いて修正する。基板の欠陥修正装置は、整形部材と、調整機構と、走査機構と、調整機構および走査機構を制御する制御装置とを備える。整形部材は、断線部分に塗布されたペーストを整形するために設けられる。調整機構は、整形部材と電極パターンとの間の距離を調整する。走査機構は、塗布されたペーストに対して整形部材を走査する。制御装置は、上記距離が所定値となるように調整機構を制御するとともに、上記距離を所定値に保持した状態において、整形機構により整形部材を走査する。上記所定値は、ペーストの焼成による収縮量に応じて定められる。
【００１０】
好ましくは、上記所定値は、走査後かつ焼成前のペーストの厚さと、電極パターンの厚さとの差である。上記走査後かつ焼成前のペーストの厚さは、ペーストが焼成により収縮した際に、当該収縮後のペーストの厚さが電極パターンの厚さと略同一となるように定められる。
【００１１】
好ましくは、整形部材は、針状部材を含む。針状部材は、円筒形状の基端部と、基端部の先端に設けられた楔形状の先端部とを有する。
【００１２】
好ましくは、基板の欠陥修正装置は、調整機構の制御により整形部材が電極パターンに接触したことを検出する検出部をさらに備える。制御装置は、検出部による検出結果に基づいて、距離を調整する。
【００１３】
本発明の他の局面に従う基板の欠陥修正方法は、基板上に形成された電極パターンの断線部分を修正する。基板の欠陥修正方法は、断線部分に、焼成により導電性を発現するペーストを塗布するステップと、整形部材と電極パターンとの間の距離が所定値となるように調整するステップと、上記距離を所定値に保持した状態において、断線部分に塗布されたペーストに対して整形部材を走査するステップと、当該走査により整形されたペースト状導電材を焼成するステップとを備える。上記所定値は、ペーストの焼成による収縮量に応じて定められる。
【００１４】
好ましくは、上記所定値は、上記走査するステップの実行後かつ上記焼成するステップの実行前のペーストの厚さと、電極パターンの厚さとの差である。上記走査するステップの実行後かつ上記焼成するステップの実行前のペーストの厚さは、断線部分に塗布されたペーストが上記焼成するステップにより収縮した際に、当該収縮後のペーストの厚さが電極パターンの厚さと略同一となるように定められる。
【００１５】
好ましくは、基板の欠陥修正方法は、走査するステップに先立って、塗布されたペーストを乾燥させるステップをさらに備える。
【００１６】
好ましくは、塗布するステップにおいて、ペーストが電極パターンの少なくとも一部と重複するようにペーストを塗布する。
【００１７】
本発明のさらに他の局面に従う基板の欠陥修正部構造において、上記基板の欠陥修正方法を用いて焼成されたペーストは、電極パターンの少なくとも一部と重複して形成される。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、基板上に形成された電極パターンの断線部分をペースト状導電材を用いて適切に修正することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本実施の形態に係る欠陥修正方法が適用される基板の一例を説明するための基板の平面図である。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ線に沿う基板の断面図である。
【図３】本実施の形態に係る欠陥修正装置の全体構成を示す図である。
【図４】図３に示す修正ユニットに取り付けられたスキージ針を用いて断線部分を修正する様子を説明するための図である。
【図５】図４に示すスキージ針の拡大図である。
【図６】図４に示すスキージ針の拡大図である。
【図７】図４に示すスキージ針の拡大図である。
【図８】実施の形態１における基板の欠陥修正方法を説明するためのフローチャートである。
【図９】図８に示す欠陥修正方法の各工程を模式的に表す図である。
【図１０】実施の形態２における基板の欠陥修正方法を説明するためのフローチャートである。
【図１１】図１０に示す欠陥修正方法の各工程を模式的に表す図である。
【図１２】抵抗の低減効果の評価に用いた基板を示す図である。
【図１３】図１２に示すＸＩＩＩ―ＸＩＩＩ線に沿う基板の断面図である。
【図１４】抵抗の低減効果の評価結果を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、図中同一または相当部分には同一符号を付してその説明は繰り返さない。
【００２１】
［各実施の形態で共通の構成］
＜修正対象となる基板＞
図１は、本実施の形態に係る欠陥修正方法が適用される基板の一例を説明するための基板の平面図である。図２は、図１のＩＩ−ＩＩ線に沿う基板の断面図である。
【００２２】
図１および図２を参照して、基板１は、たとえばプリント基板であって、多くの電子部品を実装できるように電極パターンが高密度に形成されている。図１および図２に示す例では、電極パターンの一部として、電極パターン２１，２２と、電極パターン２１，２２に隣接する電極パターン２３，２４とが示されている。
【００２３】
電極パターン２１，２２は元々１本の電極パターンとして設計されたものであるが、断線部分３において断線している。断線は電極パターン２１，２２が延在する方向に沿って発生している。図１では、断線部分３の輪郭のうち断線部分３の両側が破線で示されている。
【００２４】
なお、図１および図２では、断線部分３において電極パターン２１と電極パターン２２とが完全に断線しているが、断線の態様はこれに限定されるものではない。たとえば、断線部分３において、電極パターン２１，２２と電気的に接続された細いパターン（電極パターン２１，２２の幅よりも小さな幅を有するパターン）が存在していてもよい。
【００２５】
＜欠陥修正装置の構成＞
図３は、本実施の形態に係る欠陥修正装置の全体構成を示す図である。図３を参照して、欠陥修正装置１００は、ＸＹステージ１１０と、真空チャックテーブル１２０と、Ｚステージ１３０と、修正ユニット１４０と、レーザ光源１５０と、撮影装置１６０と、制御装置２００とを備える。Ｘ方向およびＹ方向は水平方向を表す。Ｚ方向は鉛直方向を表し、重力の向きはＺ方向下方である。
【００２６】
ＸＹステージ１１０（走査機構）は、制御装置２００の制御に基づいて、水平方向に移動することができるように構成されている。真空チャックテーブル１２０は、ＸＹステージ１１０上に設けられており、修正対象となるワークＷ（たとえば図１および図２に示す基板１）をＸＹステージ１１０上に固定する。
【００２７】
Ｚステージ１３０（調整機構）は、制御装置２００の制御に基づいて、鉛直方向に移動することができるように構成されている。Ｚステージ１３０には、修正ユニット１４０と、レーザ光源１５０と、撮影装置１６０とが設けられている。
【００２８】
修正ユニット１４０は、各種形状およびサイズの針を取り付け可能に構成されている。より具体的には、修正ユニット１４０には、断線箇所の修正用のペーストを塗布するための塗布針（図示せず）と、塗布されたペーストを整形するためのスキージ針１０（整形部材）とが取り付け可能である。ペーストは、焼成により導電性を発現する。本実施の形態で採用されるスキージ針１０の形状については、図４〜図７を参照して後に詳細に説明する。制御装置２００は、Ｚステージ１３０を鉛直方向に移動させることによって針（塗布針またはスキージ針１０）とワークＷとの間の距離を調整するとともに、ＸＹステージ１１０を水平方向に移動させることによってワークＷに対して針を走査する。
【００２９】
レーザ光源１５０は、塗布されたペーストを焼成または乾燥させるためのレーザ光を出射する。レーザ光源１５０の種類は特に限定されるものではないが、たとえばＣＯ２レーザまたは半導体レーザをレーザ光源１５０に用いることができる。制御装置２００は、ＸＹステージ１１０およびＺステージ１３０を移動させることによって、レーザ光の照射位置を調整する。
【００３０】
撮影装置１６０は、ワークＷを撮影し、撮影された画像のデータを制御装置２００に出力する。１つの実施例として、ＣＣＤ（Charge  Coupled  Device）カメラを撮影装置１６０に用いることができる。制御装置２００は、撮影装置１６０からの画像データに基づいて、ＸＹステージ１１０およびＺステージ１３０の移動方向および移動量を制御する。
【００３１】
制御装置２００は、上述のように、ＸＹステージ１１０、Ｚステージ１３０、レーザ光源１５０、および撮影装置１６０を制御する。制御装置２００は、たとえばマイクロコンピュータまたはパーソナルコンピュータ等によって実現される。
【００３２】
なお、ＸＹステージ１１０およびＺステージ１３０の構成は、修正ユニット１４０およびレーザ光源１５０をワークＷ（たとえば基板１）に対して相対的に移動させることが可能であれば、上記の構成に限定されるものではない。
【００３３】
図４は、図３に示す修正ユニット１４０に取り付けられたスキージ針１０を用いて断線部分３を修正する様子を説明するための図である。図３および図４を参照して、スキージ針１０は、電極パターン２１，２２の上面に沿って水平方向に走査されることにより、断線部分３に塗布されたペースト４を整形する。
【００３４】
スキージ針１０には、歪ゲージ１５（検出部）が設けられている。歪ゲージ１５は、スキージ針１０の歪みを検出し、その検出結果を制御装置２００に出力する。制御装置２００は、スキージ針１０の歪みに基づいて、スキージ針１０が電極パターン２１，２２の上面に接触したことを検出することができる。
【００３５】
図５〜図７は、図４に示すスキージ針１０の拡大図である。図５〜図７を参照して、スキージ針１０は、円筒形状の基端部１１と、基端部１１よりも先端に設けられた楔形状の先端部１２とを有する。楔形状は、たとえば円筒形状の基端部１１の中心軸Ｌに対して傾斜した平面１２１および平面１２２によって形成されている。平面１２１，１２２が交わる直線部１２３を用いてペースト４を整形することにより、整形されたペースト４の面を良好に平坦にすることができる（図４参照）。
【００３６】
［実施の形態１］
図８は、実施の形態１における基板１の欠陥修正方法を説明するためのフローチャートである。図９は、図８に示す欠陥修正方法の各工程を模式的に表す図である。
【００３７】
図８および図９を参照して、ステップ（以下、Ｓと略す）１０において、制御装置２００は、電極パターン２１，２２間の断線部分３にペースト４を塗布する（図９（ａ）参照）。なお、ペースト４の塗布方法は特に限定されず、たとえば塗布針（図示せず）の先端にペースト４を付着させて塗布する方法であっても、ノズルからペーストを押し出して塗布するディスペンサ（図示せず）を用いる方法であってもよい。
【００３８】
Ｓ２０において、制御装置２００は、Ｚステージ１３０を制御してスキージ針１０を鉛直方向下方に移動させ、スキージ針１０の先端部１２を電極パターン２１および電極パターン２２のいずれか一方の上面に接触させる。図４および図９（ｂ）に示す例では、スキージ針１０の先端部１２を電極パターン２２の上面に接触させる場合が示されている。制御装置２００は、予め定められた判定値を歪ゲージ１５の検出値が上回った場合に、先端部１２が電極パターン２２の上面に接触したと判定することができる。
【００３９】
Ｓ３０において、制御装置２００は、電極パターン２２の上面の高さを基準として、Ｚステージ１３０を制御してスキージ針１０を鉛直方向上方に移動させる（図９（ｃ）参照）。この移動量、言い換えるとスキージ針１０の先端部１２と電極パターン２１，２２との間の距離Ｄは、ペースト４の焼成による収縮量に応じて定められる。
【００４０】
より具体的には、焼成後においてもペースト４の厚みＤＡが電極パターン２１，２２の厚みＤＢとほぼ等しくなるように（両者の差が数μｍ程度となるように）、あるいはペースト４の厚みＤＡが電極パターン２１，２２の厚みＤＢよりもわずかに大きくなる（たとえば１０μｍ程度大きくなる）ように、焼成によるペースト４の収縮量を考慮して、距離Ｄは所定値Ｄｔｈに設定される（図９（ｄ），（ｆ）参照）。言い換えると、所定値Ｄｔｈは、走査後かつ焼成前のペースト４の厚さと、電極パターン２１，２２の厚さとの差であり、走査後かつ焼成前のペーストの厚さ４は、ペースト４の焼成による収縮量に応じて定められる。また、好ましくは、走査後かつ焼成前のペースト４の厚さは、ペースト４が焼成により収縮した際に、当該収縮後のペースト４の厚さＤＡが電極パターン２１，２２の厚さＤＢと略同一となるように定められる。ここで「略同一」には、たとえば数μｍ〜１０μｍ程度の誤差が含まれ得る。
【００４１】
なお、所定値Ｄｔｈは、たとえばペースト４の特性（材料、金属含有量、金属の粒度、溶剤、粘度など）、焼成条件（温度プロファイル、焼成雰囲気など）、断線部分３の形状（長さ、幅、厚みなど）に応じて実験的に決定することができる。
【００４２】
なお、スキージ針１０の先端部１２と電極パターン２１（または電極パターン２２）との間の距離Ｄが所定値Ｄｔｈに達するまでのスキージ針１０の移動量は、スキージ針１０の先端部１２と電極パターン２１の上面とが接触したか否かの判定基準を考慮して設定することが好ましい。一例として、歪ゲージ１５の検出値が０からわずかに変化しただけでも接触と判定する場合、制御装置２００は、移動量をある値ΔＺ１に設定する。一方、検出値が０よりもある程度大きな判定値を上回った場合に接触と判定する場合、制御装置２００は、移動量を別の値ΔＺ２（ΔＺ２＞ΔＺ１）に設定する。
【００４３】
Ｓ４０において、制御装置２００は、距離Ｄを所定値Ｄｔｈに保持した状態において、断線部分３に塗布されたペースト４に対して水平方向に走査させる（図９（ｄ）および図９（ｅ）参照）。これにより、ペースト４のうち電極パターン２１，２２の上面よりも上方にある部分の厚みが所定値Ｄｔｈとなるようにペースト４が整形される。
【００４４】
Ｓ５０において、制御装置２００は、レーザ光源１５０の制御によりレーザ光をペースト４に照射してペースト４を焼成する（図９（ｆ）参照）。ただし、ペースト４の焼成方法はこれに限定されず、たとえば電気炉を用いてもよい。
【００４５】
このように、実施の形態１によれば、焼成によるペーストの収縮量を考慮して、スキージ針を走査する際のスキージ針と電極パターンの上面との間の距離が設定される。これにより、修正箇所の厚み（焼成後のペーストの厚み）が電極パターンの正常な部分の厚みとほぼ等しくなるように、あるいはわずかに大きくなるように断線部分を修正することができる。
【００４６】
したがって、実施の形態１に係る欠陥修正方法を積層基板に適用すれば、積層された配線層間の電極パターンの距離が適正値よりも小さくなることを防止できる。その結果として、電気的なノイズの発生を抑制することができる。
【００４７】
［実施の形態２］
ペーストの粘度が比較的低い場合、スキージ針の走査によりペーストを整形しても、整形後のペーストは、焼成工程が開始されるまでの間、その形状を維持することができないことがあり得る。そこで、実施の形態２では、ペーストの粘度を走査工程および焼成工程（図９に示すＳ４０，Ｓ５０）に適した粘度に調整する構成について説明する。なお、実施の形態２に係る欠陥修正装置の構成は、図３〜図７にて説明した欠陥修正装置１００の構成と同等であるため、詳細な説明は繰り返さない。
【００４８】
図１０は、実施の形態２における基板１の欠陥修正方法を説明するためのフローチャートである。図１１は、図１０に示す欠陥修正方法の各工程を模式的に表す図である。図１０に示すフローチャートは、Ｓ１２，Ｓ１４の処理をさらに備える点において、図８に示す実施の形態１のフローチャートと異なる。図１０に示すフローチャートのそれ以外の処理は、図８に示すフローチャートの対応する処理と同等であるため、詳細な説明は繰り返さない。
【００４９】
図１０および図１１を参照して、Ｓ１２において、制御装置２００は、ペースト４の粘度が基準値以下であるか否かを判定する。制御装置２００の使用者は、たとえば、ペースト４の粘度の仕様値または粘度計による測定値をペースト４の粘度として、入力機器（図示せず）を用いて制御装置２００に入力することができる。制御装置２００は、その入力値を予め定められた基準値と比較して、ペースト４が低粘度であるか否かを判定する。
【００５０】
ペースト４の粘度が基準値よりも高い場合（Ｓ１２においてＮＯ）、制御装置２００は、ペースト４は走査工程および焼成工程に適した十分な粘度を有するとして、Ｓ１４をスキップして処理をＳ２０に進める。一方、ペースト４の粘度が基準値以下の場合（Ｓ１２においてＹＥＳ）、制御装置２００は、ペースト４の粘度が適正値よりも低いとして、処理をＳ１４に進める。
【００５１】
Ｓ１４において、制御装置２００は、レーザ光源１５０の制御によりレーザ光をペースト４に照射してペースト４を乾燥させる（図１１（ｂ）参照）。これにより、ペースト４の粘度が走査および焼成に適した粘度となるように調整される。レーザ光の強度および照射時間は、塗布されたペースト４の形状（長さ、幅、厚みなど）、ペースト４の特性に応じて実験的に決定することができる。その後、制御装置２００は処理をＳ２０に進める。Ｓ２０以降の処理は実施の形態１における対応する処理（図８参照）と同等であるため、詳細な説明は繰り返さない。
【００５２】
このように、実施の形態２によれば、ペーストが低粘度の場合に、スキージでの整形に先立ってペーストを乾燥させる。これにより、スキージでの整形に適した粘度となるようにペーストの粘度を増加させることができるとともに、整形後のペーストは、焼成工程が開始されるまでその形状を維持することができる。したがって、より粘度の低いペーストを使用することが可能となるため、ペーストの選択の幅を広げることができる。
【００５３】
＜抵抗の低減効果＞
本実施の形態に係る修正方法によれば、焼成後の修正箇所の厚みが適正値よりも小さくなることが防止されるため、電極パターンの正常な部分と同程度の抵抗を有するように修正箇所の抵抗を低減することができる。以下、電極パターン（テストパターン）を用いて抵抗の低減効果を評価した結果について説明する。
【００５４】
図１２は、抵抗の低減効果の評価に用いた基板を示す図である。図１３は、図１２に示すＸＩＩＩ―ＸＩＩＩ線に沿う基板の断面図である。図１２および図１３を参照して、電極パターン２１，２２の幅および厚みは、それぞれ５０μｍおよび３０μｍであった。電極パターン２１，２２間の断線部分３の長さは１００μｍであった。図示しないが、基板１に形成された電極パターン２１，２２の各々の長さは１０ｍｍであった。
【００５５】
断線部分３をペースト４を用いて修正した。ペースト４には、金属粒子を含み、加熱により体積が減少する収縮性を有するものを用いた。ペースト４を塗布する際にスキージ条件を変えて、比較例および６種類のサンプルを準備した。各サンプルではパラメータとして、ペースト４のうち電極パターン２１の上面との重複部分の厚みＤ１、断線部分３において電極パターン２１，２２の上面を基準としたペースト４の中央部分の高さＨ、ペースト４のうち電極パターン２２の上面との重複部分の厚みＤ２、電極パターン２１とペースト４との重複部分の長さＬ１、および、電極パターン２２とペースト４との重複部分の長さＬ２が用いられた。修正後の基板１について、電極パターン２１と電極パターン２２との間の抵抗を測定した。
【００５６】
図１４は、抵抗の低減効果の評価結果を示す図である。図１４において、抵抗比とは、断線が生じていない比較例を基準としたサンプルの抵抗値（＝サンプルの電極パターン抵抗値／比較例の電極パターンの抵抗値）を示す。
【００５７】
図１４を参照して、サンプル５，６の抵抗値は非常に大きく、それぞれ比較例の抵抗値の２００倍以上および２３倍であった。これは、サンプル４，５の重複部分の長さＬ１，Ｌ２が適正値（適正な範囲の下限値）よりも小さいためと考えられる。同様に、サンプル２の抵抗値も非常に大きく、比較例の抵抗値の９．２倍であった。これは、サンプル２の重複部分の厚みＤ１，Ｄ２が適正値よりも小さいためと考えられる。
【００５８】
一方、サンプル３，４の抵抗値については、比較例の抵抗値の１．６倍にまで低減することができた。これは、サンプル３，４の重複部分の長さＬ１，Ｌ２および厚みＤ１，Ｄ２の各値が、いずれも適正な範囲内になっているためと考えられる。
【００５９】
このように、サンプル５，６の評価結果から、修正箇所の抵抗が非常に大きな値となることを抑制するためには、ある程度の長さの重複部分が必要であることが分かる。そして、サンプル２の評価結果から、重複部分の厚みが適正な範囲内となるように調整することによって、修正箇所の抵抗を正常な電極パターン（比較例のように断線が生じていない電極パターン）の抵抗と同程度にまで低減可能であることが分かる。その結果、修正箇所における熱損失の増大により断線が再び生じる可能性を低減することができる。すなわち、修正後の基板の信頼性を向上させることができる。
【００６０】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【符号の説明】
【００６１】
１  基板、３  断線箇所、４  ペースト、１０  スキージ針、１１  基端部、１２  先端部、１５  歪ゲージ、２１〜２４  電極パターン、１００  欠陥修正装置、１１０  ＸＹステージ、１２０  真空チャックテーブル、１３０  Ｚステージ、１４０  修正ユニット、１５０  レーザ光源、１６０  撮影装置、２００  制御装置、Ｗ  ワーク。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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