(57)【要約】  【課題】  内蔵した電子部品の信頼性が向上した電子部品内蔵型配線基板を提供する。  【解決手段】  電子部品内蔵型配線基板であって、熱硬化性樹脂を含む、少なくとも一方の表面に形成された配線回路パターンと配線回路パターンと電気的に接続されためっき層からなるビアホール導体３とを有する絶縁基材と、絶縁基材内に埋設された、セラミック本体５とセラミック本体５の一部に設けられた外部電極６とを有しており、外部電極６がビアホール導体３と接続された電子部品４とを備えており、外部電極６は、下地電極６ａと下地電極６ａを覆っているニッケルめっき層６ｂ１およびニッケルめっき層６ｂ１を覆っている銅めっき層６ｂ２とを含んでおり、銅めっき層６ｂ２が表面の一部にエッチング処理された領域７を有しており、エッチング処理された領域７でビアホール３と接続されている。【選択図】  図３
2016152310.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱硬化性樹脂を含む、少なくとも一方の表面に形成された配線回路パターンと該配線回路パターンと電気的に接続されためっき層からなるビアホール導体とを有する絶縁基材と、
該絶縁基材内に埋設された、セラミック本体と該セラミック本体の一部に設けられた外部電極とを有しており、該外部電極が前記ビアホール導体と接続された電子部品とを備えており、
前記外部電極は、下地電極と該下地電極を覆っているニッケルめっき層および該ニッケルめっき層を覆っている銅めっき層と含んでおり、該銅めっき層の表面の一部にエッチング処理された領域を有しており、前記エッチング処理された領域で前記ビアホールと接続されていることを特徴とする電子部品内蔵型配線基板。
【請求項２】
前記外部電極は、前記エッチング処理された領域の表面粗さが前記熱硬化性樹脂と接する領域の表面粗さよりも小さいことを特徴とする請求項１に記載の電子部品内蔵型配線基板。
【請求項３】
前記ビアホール導体は、前記絶縁基材の厚み方向に直交する方向の断面形状が楕円形状であり、該楕円形状の長径が前記外部電極の長手方向に略平行であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の電子部品内蔵型配線基板。
【請求項４】
未硬化の熱硬化性樹脂を含む第１乃至第３の絶縁シートを準備し、該第１の絶縁シートに空隙を形成する工程と、
セラミック本体と該セラミック本体の一部に設けられた、表面に凹凸部を有するとともに、下地電極と該下地電極を覆っているニッケルめっき層および該ニッケルめっき層を覆っている銅めっき層とを含んでいる外部電極とを備えた電子部品を前記第１の絶縁シートの空隙に配置し、前記第１の絶縁シートの上下に前記第２および第３の絶縁シートを積層することにより、仮積層体を形成する工程と、
前記仮積層体を前記熱硬化性樹脂が硬化する温度で加熱しつつ圧力を印加し、前記熱硬化性樹脂を硬化させて前記電子部品が埋設された絶縁基材を形成する工程と、
前記絶縁基材の少なくとも一方の表面に配線回路パターンを形成する工程と、
前記絶縁基材の前記配線回路パターンが形成されている表面側に前記外部電極が露出するようにビアホールを形成する工程と、
前記ビアホール内に露出している前記外部電極の前記凹凸部をエッチングする工程と、
エッチングされた前記外部電極を覆い、前記外部電極と前記配線回路パターンとが電気的に接続するように前記ビアホールをめっき処理することにより、前記絶縁基材にビアホール導体を形成する工程と
を備えていることを特徴とする電子部品内蔵型配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板の内部に積層型コンデンサ等の電子部品を内蔵した電子部品内蔵型配線基板とその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の小型化が進み、電子部品の高密度化、高集積化に対応した配線基板が要求されており、配線基板の内部に電子部品を内蔵する、特に、積層型コンデンサを配線基板の内部に内蔵する電子部品内蔵型配線基板が用いられている。
【０００３】
このような電子部品内蔵型配線基板は、例えば、絶縁基材から構成されており、絶縁基材の内部に積層型コンデンサを埋設した後、絶縁基材の表面の配線回路パターンと絶縁基材の内部に埋設された積層型コンデンサの外部電極とを電気的に接続するために、絶縁基材の内部にビアホール導体が設けられている。このような電子部品内蔵型配線基板は、例えば、特許文献１に開示されたものがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１４−１３０９８７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
電子部品内蔵型配線基板は、レーザ加工法を用いて絶縁基材にビアホールを形成して、例えば、ビアホールにめっき処理を行ない、ビアホールの内部にめっき層からなるビアホール導体を形成している。しかしながら、内蔵される積層型コンデンサは、外部電極が下地電極と該下地電極を覆っている単一のめっき層とからなり、絶縁基材との密着性を高めるために表面のめっき層が凹凸部を有しており、表面粗さ（Ｒａ）が大きくなるように凹凸部が形成されている。無電解めっき法を用いてビアホールにめっき処理を行なってビアホール導体を形成する場合には、めっき処理の前にめっき層の凹凸部にエッチング処理を行ない、凹凸部を平坦にした後にめっき処理をしてめっき層を形成している。
【０００６】
しかしながら、凹凸部の表面粗さ（Ｒａ）が大きい場合には、エッチング処理をして凹凸部を平坦にするには、大きなエッチング量でエッチング処理を行なわなければならず、エッチング量を大きくすることによってエッチング液が下地電極に浸み込みやすくなり、電子部品の信頼性が低下しやすくなるという問題点があった。
【０００７】
本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、電子部品の信頼性を向上させることができる電子部品内蔵型配線基板およびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一態様に係る電子部品内蔵型配線基板は、熱硬化性樹脂を含む、少なくとも一方の表面に形成された配線回路パターンと該配線回路パターンと電気的に接続されためっき層からなるビアホール導体とを有する絶縁基材と、該絶縁基材内に埋設された、セラミック本体と該セラミック本体の一部に設けられた外部電極とを有しており、該外部電極が前記ビアホール導体と接続された電子部品とを備えており、前記外部電極は、下地電極と該下地電極を覆っているニッケルめっき層および該ニッケルめっき層を覆っている銅めっき層と含んでおり、該銅めっき層が表面の一部にエッチング処理された領域を有しており
、前記エッチング処理された領域で前記ビアホールと接続されていることを特徴とするものである。
【０００９】
また、本発明の一態様に係る電子部品内蔵型配線基板の製造方法は、未硬化の熱硬化性樹脂を含む第１乃至第３の絶縁シートを準備し、該第１の絶縁シートに空隙を形成する工程と、セラミック本体と該セラミック本体の一部に設けられた、表面に凹凸部を有するとともに、下地電極と該下地電極を覆っているニッケルめっき層および該ニッケルめっき層を覆っている銅めっき層とを含んでいる外部電極とを備えた電子部品を前記第１の絶縁シートの空隙に配置し、前記第１の絶縁シートの上下に前記第２および第３の絶縁シートを積層することにより、仮積層体を形成する工程と、前記仮積層体を前記熱硬化性樹脂が硬化する温度で加熱しつつ圧力を印加し、前記熱硬化性樹脂を硬化させて前記電子部品が埋設された絶縁基材を形成する工程と、前記絶縁基材の少なくとも一方の表面に配線回路パターンを形成する工程と、前記絶縁基材の前記配線回路パターンが形成されている表面側に前記外部電極が露出するようにビアホールを形成する工程と、前記ビアホール内に露出している前記外部電極の前記凹凸部をエッチングする工程と、エッチングされた前記外部電極を覆い、前記外部電極と前記配線回路パターンとが電気的に接続するように前記ビアホールをめっき処理することにより、前記絶縁基材にビアホール導体を形成する工程とを備えていることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の電子部品内蔵型配線基板およびその製造方法によれば、下地電極を覆うようにニッケルめっき層および銅めっき層を設けることによって、配線基板に内蔵される電子部品の信頼性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】（ａ）は、実施の形態に係る電子部品内蔵型配線基板を示す概略の断面図であり、（ｂ）は、（ａ）に示す電子部品内蔵型配線基板に内蔵された積層型コンデンサを示す概略の斜視図である。
【図２】（ａ）は、図１（ｂ）に示す積層型コンデンサの上面図であり、（ｂ）は、図１（ｂ）に示す積層型コンデンサのＡ−Ａ線で切断した断面図であり、（ｃ）は、図１（ｂ）に示す積層型コンデンサのＢ−Ｂ線で切断した断面図である。
【図３】（ａ）〜（ｂ）は、図１（ｂ）に示す積層型コンデンサの外部電極を説明するための模式図である。
【図４】（ａ）は、図１に示す電子部品内蔵型配線基板に用いられるビアホール導体を説明するための模式図であり、（ｂ）および（ｃ）は、図１に示す電子部品内蔵型配線基板に用いられるビアホール導体の他の例を説明するための模式図である。
【図５】（ａ）〜（ｃ）は、実施の形態に係る電子部品内蔵型配線基板の製造方法を説明するための工程図である。
【図６】（ａ）〜（ｃ）は、実施の形態に係る電子部品内蔵型配線基板の製造方法を説明するための工程図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
＜実施の形態＞
以下、本発明の実施の形態に係る電子部品内蔵型配線基板１０について図面を参照しながら説明する。また、電子部品内蔵型配線基板１０は、便宜的に、直交座標系ＸＹＺを定義するとともに、Ｚ方向の正側を上方として、上面もしくは下面の用語を適宜用いるものとする。
【００１３】
図１は、本発明の実施の形態に係る電子部品内蔵型配線基板１０を示す概略の断面図であり、電子部品内蔵型配線基板１０は、絶縁基材１と絶縁基材１に埋設された電子部品４
とを備えており、絶縁基材１内に空隙が形成され、電子部品４が空隙の内部に収容され埋設されている。このように、電子部品内蔵型配線基板１０は、絶縁基材１内に電子部品４が内蔵されており、絶縁基材１が表面に配線回路パターン２と内部にビアホール導体３とを有している。
【００１４】
絶縁基材１は、少なくとも一方の表面に配線回路パターン２が形成されており、配線回路パターン２がビアホール導体３と電気的に接続されている。また、電子部品４は、セラミック本体５と外部電極６とを有しており、外部電極６がセラミック本体５の一部に設けられ、ビアホール導体３と接続されている。電子部品４は、外部電極６がセラミック本体５の端面にそれぞれ設けられている。
【００１５】
絶縁基材１は、熱硬化性樹脂を含んでおり、熱膨張係数または弾性率を容易に調整する上で、無機質の粒状フィラーと有機樹脂とからなる絶縁材料を用いることができる。また、絶縁基材１は、機械的強度を高める上で、例えば、ガラス繊維またはアラミド繊維等の繊維状フィラーと有機樹脂とからなる絶縁材料を用いることができる。
【００１６】
また、無機フィラーは、例えば、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3およびＢａＴｉＯ3の群から選ばれる少なくとも１種を好適に用いることができる。無機フィラーとして、ＳｉＯ2を用いた
場合には絶縁層の比誘電率を小さくすることができる。また、無機フィラーとして、Ａｌ2Ｏ3を用いた場合には配線基板の熱伝導率を高めることができる。無機フィラーとして、ＢａＴｉＯ3を用いた場合には絶縁層の比誘電率を高めることができる。特に、電子機器
の小型化または高性能化を目的として、高速伝送を行うためには、無機フィラーとして低誘電率のＳｉＯ2を用いることが望ましい。
【００１７】
絶縁基材１は熱硬化性樹脂を含んでおり、熱硬化性樹脂としては、ポリフェニレンエーテル（ＡＰＰＥ）系樹脂、エポキシ系樹脂およびシアネート系樹脂の群から選ばれる少なくとも１種が好ましい。ＡＰＰＥ系樹脂は比誘電率が低く、誘電損失が低く、吸水率が低く、さらに、ガラス転移点が高いために、高耐熱性であることから、特に好ましい。さらに、絶縁基材１の混合物はフィラーとのぬれ性を改善するために、分散剤またはカップリング剤等を含んでもよい。
【００１８】
ビアホール導体３は、めっき層からなり、図１に示すように、絶縁基材１の表面の配線回路パターン２と絶縁基材１内の電子部品４とを電気的に接続している。また、ビアホール導体３は、図４（ａ）に示すように、絶縁基材１の厚み方向に直交する方向の断面形状が略円形状となるように設けられており、絶縁基材１の表面方向に向かって漸次拡径する略逆円錐台形状で形成されている。また、ビアホール導体３は、例えば、銅（Ｃｕ）めっき層である。
【００１９】
また、ビアホール導体３は、絶縁基材１にビアホールを形成してビアホール内の外部電極６を覆うようにめっき処理を行なうことによって形成される。具体的には、ビアホール導体３は、外部電極６が露出するように絶縁基材１内ビアホールを形成して、外部電極６を覆うとともに、外部電極６と配線回路パターン２とが電気的に接続するようにビアホール内に形成される。
【００２０】
電子部品内蔵型配線基板１０は、図１（ａ）に示すように、電子部品４が絶縁基材１の熱硬化性樹脂内に内蔵されている。図１（ｂ）および図２は、電子部品内蔵型配線１０に内蔵されている電子部品４を取り出して電子部品４の単体を示したものである。電子部品４は、例えば、積層型コンデンサであり、積層型コンデンサが絶縁基材１に埋設され、積層型コンデンサの外部電極６がビアホール導体３と接続されている。
【００２１】
電子部品内蔵型配線基板１０は、電子部品４として積層型コンデンサが内蔵されているが、内蔵する電子部品４は、積層型コンデンサに限らない。電子部品４は、例えば、低抗部品またはインダクタ部品等の外部電極を有するものであってもよい。以下では、電子部品４として積層型コンデンサが電子部品内蔵型配線基板１０に用いられる場合について説明する。
【００２２】
積層型コンデンサは、図１および図２に示すように、セラミック本体５とセラミック本体５のそれぞれの端面に設けられた外部電極６とを有しており、セラミック材料の誘電体層と内部電極（第１の内部電極５ａと第２の内部電極５ｂ）とが交互に積層されている。一対の外部電極６は、セラミック単体５のそれぞれの端面に引き出された内部電極（第１の内部電極５ａと第２の内部電極５ｂ）に電気的に接続されている。
【００２３】
積層型コンデンサは、セラミック本体５が複数の誘電体層が積層されて略直方体状に形成されており、互いに対向する主面と互いに対向する端面と互いに対向する側面とを有し、互いに対向する端面に外部電極６が形成されている。なお、略直方体状とは、立方体形状または直方体形状のみならず、例えば、直方体の稜線部分に面取りが施されて稜線部分がＲ形状となっているものを含んでいる。誘電体層となるセラミックグリーンシートを複数枚積層して焼成することで得られる焼結体である。
【００２４】
積層型コンデンサは、長手方向（Ｙ方向）の長さが、例えば、０．６（ｍｍ）〜２．２（ｍｍ）、短手方向（Ｘ方向）の長さが、例えば、０．３（ｍｍ）〜１．５（ｍｍ）、高さ方向（Ｚ方向）の長さが、例えば、０．３（ｍｍ）〜１．２（ｍｍ）である。
【００２５】
誘電体層は、積層方向からの平面視において長方形状であり、１層当たりの厚みが、例えば、０．５（μｍ）〜３（μｍ）である。セラミック本体５は、例えば、１０（層）〜１０００（層）からなる複数の誘電体層がＺ方向に積層されている。また、セラミック本体５内の内部電極（第１の内部電極５ａおよび第２の内部電極５ｂ）の積層数は、積層型コンデンサの特性等に応じて適宜に設計される。
【００２６】
誘電体層は、例えば、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）、チタン酸カルシウム（ＣａＴｉＯ３）、チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ３）またはジルコン酸カルシウム（ＣａＺｒＯ３）等が用いられる。また、誘電体層は、高い誘電率の点から、特に、誘電率の高い強誘電体材料としてチタン酸バリウムを用いることが好ましい。
【００２７】
内部電極は、図２に示すように、第１の内部電極５ａが誘電体層間に配置されて、一方の端部が一方の端面に引き出されており、また、第２の内部電極５ｂが誘電体層間に配置されて、一方の端部が一方の端面に対向する他方の端面に引き出されている。
【００２８】
第１の内部電極５ａおよび第２の内部電極５ｂの導電材料は、例えば、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、パラジウム（Ｐｄ）または金（Ａｕ）等の金属材料、あるいは、これらの金属材料の一種以上を含む、例えば、Ａｇ−Ｐｄ合金等の合金材料である。また、第１の内部電極５ａおよび第２の内部電極５ｂは、電極の厚みが、例えば、０．５（μｍ）〜２（μｍ）であり、用途に応じて厚みを適宜に設定すればよい。また、第１の内部電極５ａおよび第２の内部電極５ｂは、同一の金属材料または合金材料によって形成することが好ましい。
【００２９】
一対の外部電極６は、図１および図２に示すように、セラミック本体５の表面（端面、主面および側面）に形成されており、下地電極６ａと下地電極６ａを覆っているめっき層６ｂとを有しており、めっき層６ｂは、ニッケル（Ｎｉ）めっき層６ｂ１とニッケル（Ｎｉ）めっき層６ｂ１を覆っている銅（Ｃｕ）めっき層６ｂ２とで構成されている。
【００３０】
積層型コンデンサは、図１に示すように、セラミック本体５の表面の外部電極６の一部がビアホール導体３と接続されている。具体的には、電子部品内蔵型配線基板１０は、ビアホール導体３が、図１乃至図３に示すように、セラミック本体５の表面の外部電極６のエッチング処理された領域７で外部電極６と直接的に接続されている。
【００３１】
したがって、積層型コンデンサは、絶縁基材１内で外部電極６とビアホール導体３とが直接的に接続されており、図１に示すように、外部電極６が絶縁基材１内でビアホール導体３と接する領域と熱硬化性樹脂と接する領域とを有することになる。積層型コンデンサは、エッチング処理された領域７がビアホール導体３と接する領域であり、ビアホール導体３と接する領域（エッチング処理された領域７）の表面粗さ（Ｒａ）が熱硬化性樹脂と接する領域の表面粗さ（Ｒａ）よりも小さい。なお、絶縁基材１内でのビアホール導体３と外部電極６との接続については後述する。
【００３２】
外部電極６の下地電極６ａは、端面に引き出された第１の内部電極５ａまたは第２の内部電極５ｂに電気的に接続されている。また、下地電極６ａの導電材料は、例えば、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、銀（Ａｇ）、パラジウム（Ｐｄ）または金（Ａｕ）等の金属材料、あるいは、これらの金属材料の一種以上を含む、例えば、Ｃｕ−Ｎｉ合金等の合金材料である。また、下地電極６ａは、例えば、上述の金属材料または合金材料にガラス成分を混合して調製した導電性ペーストが用いられる。一対の下地電極６ａは、セラミック本体５の表面に同一の金属材料または同一の合金材料によって形成することが好ましい。
【００３３】
下地電極６ａは、主面における厚みが、例えば、４（μｍ）〜１０（μｍ）であり、端面における厚みが、例えば、１０（μｍ）〜２５（μｍ）であり、側面における厚みが、例えば、４（μｍ）〜１０（μｍ）である。
【００３４】
下地電極６ａは、セラミック本体５の表面に形成されており、めっき層６ｂは、下地電極６ａの全体を覆うように下地電極６ａに形成されている。また、めっき層６ｂは、図２に示すように、ニッケル（Ｎｉ）めっき層６ｂ１と銅（Ｃｕ）めっき層６ｂ２とを含んでおり、ニッケル（Ｎｉ）めっき層６ｂ１は下地電極６ａを覆うように形成されており、また、銅（Ｃｕ）めっき層６ｂ２はニッケル（Ｎｉ）めっき層６ｂ１を覆うように形成されている。銅（Ｃｕ）めっき層６ｂ２は、表面に凹凸部６ｃを有しており、凹凸部６ｃは絶縁基材１の熱硬化性樹脂との密着性を向上させる。
【００３５】
このように、ニッケル（Ｎｉ）めっき層６ｂ１は、下地電極６ａと銅（Ｃｕ）めっき層６ｂ２との間に形成されており、内側の下地電極６ａを保護することができる。具体的には、ビアホール導体３はめっき層で形成されており、絶縁基材１内にめっき処理を行なってビアホール導体３を形成する場合には、このめっき処理の前にビアホールの内部に対してエッチング処理が行なわれる。このエッチング処理は、ビアホール内の銅（Ｃｕ）めっき層６ｂ２の酸化膜を除去するとともに銅（Ｃｕ）めっき層６ｂ２の表面を平坦にするために行なうものである。また、このエッチング処理は、ビアホール形成時のレーザ加工でビアホールの側面が凹凸となっており、この凹凸を平坦にするために行なうものである。
【００３６】
このエッチング処理では、特に、めっき層６ｂの表面の銅（Ｃｕ）めっき層６ｂ２がエッチング処理される。かりに、エッチング液が銅（Ｃｕ）めっき層６ｂ２から下地電極６ａに侵入しようとしても、ニッケル（Ｎｉ）めっき層６ｂ１が下地電極６ａと銅（Ｃｕ）めっき層６ｂ２との間に形成されており、緻密なめっき層であり、また、酸化しやすく酸化被膜を有しているのでエッチングされにくく、エッチング処理の際にエッチング液の下地電極６ａへの侵入を抑制するので、下地電極６ａを保護することができる。
【００３７】
具体的には、例えば、銅（Ｃｕ）めっき層６ｂ２をエッチング処理する場合には、一般的に酸系のエッチング液が用いられており、一方、ガラス成分を含有する下地電極６ａは間隙を有しているので、下地電極６ａの間隙をエッチング液が通過してセラミック本体５に到達すると、酸系のエッチング液で誘電体層または内部電極（第１の内部電極５ａおよび第２の内部電極５ｂ）が腐食して絶縁性の低下が生じやすくなる。しかしながら、電子部品内蔵型配線基板１０は、ニッケル（Ｎｉ）めっき層６ｂ１が形成されているので、エッチング液が下地電極６ａに侵入するのを抑制することができる。
【００３８】
また、かりに、銅（Ｃｕ）めっき層６ｂ２がオーバーエッチングされたとしても、ニッケル（Ｎｉ）めっき層６ｂ１が下地電極６ａと銅（Ｃｕ）めっき層６ｂ２との間に形成されているので、下地電極６ａを保護することができる。すなわち、エッチング処理においてエッチング量が大きくなったとしても、下地電極６ａへのエッチング液の侵入が銅（Ｃｕ）めっき層６ｂ２によって抑制されるので、積層型コンデンサは、外部電極６に対するエッチング処理の自由度を高めることができる。
【００３９】
ニッケル（Ｎｉ）めっき層６ｂ１は、図２に示すように、下地電極６ａを覆うように下地電極６ａの表面上に形成されている。ニッケル（Ｎｉ）めっき層６ｂ１は、ニッケル（Ｎｉ）を含むものであり、厚みが、例えば、２（μｍ）〜１０（μｍ）である。
【００４０】
銅（ｃｕ）めっき層６ｂ２は、図２に示すように、ニッケル（Ｎｉ）めっき層６ｂ１の外側に形成されている。銅（ｃｕ）めっき層６ｂ２は、銅（Ｃｕ）を含むものであり、厚みが、例えば、５（μｍ）〜１２（μｍ）である。めっき層６ｂは、例えば、電解めっき法等を用いてニッケル（Ｎｉ）めっき層６ｂ１と銅（Ｃｕ）めっき層６ｂ２とが連続して形成される。
【００４１】
また、銅（Ｃｕ）めっき層６ｂ２は、ビアホール導体３が銅（Ｃｕ）めっき層を含んで形成されており、ビアホール導体３と外部電極６との接続信頼性を向上させることができる。このように、銅（Ｃｕ）めっき層６ｂ２は、ビアホール導体３との電気的な接続を良好にするために、ビアホール導体３の材質である銅（Ｃｕ）を含むことが好ましい。
【００４２】
積層型コンデンサは、図２に示すように、外部電極６の表面（領域７以外の表面）に凹凸部６ｃが形成されており、表面の凹凸部６ｃは表面粗さ（Ｒａ）が２（μｍ）以下となるように設けられている。また、エッチング処理された領域７は、銅（Ｃｕ）めっき層６ｂ２の凹凸部６ｃをエッチング処理することによって形成されており、他の領域（領域７以外の領域）と比べて表面がより平坦となっている。
【００４３】
外部電極６の表面の凹凸部６ｃに対してエッチング処理を行なう場合には、均一なエッチング処理が行われてエッチング処理された領域７が平坦となるように、表面の凹凸部６ｃは表面粗さ（Ｒａ）が２（μｍ）以下となるように設けられている。一方、表面粗さ（Ｒａ）が２（μｍ）より大きくなると、均一なエッチング処理が行われにくくなり、エッチング処理された領域が平坦になりにくく、後述するように、ビアホール導体３が均一なめっき層として形成されにくくなる。
【００４４】
また、凹凸部６ｃは、銅（Ｃｕ）めっき層６ｂ２の形成において添加剤として金属光沢剤を添加しためっき液を用いることによって、表面粗さ（Ｒａ）が２（μｍ）以下となるように表面形状が調整される。なお、表面粗さ（Ｒａ）は、中心線平均粗さ（Ｒａ）であり、例えば、表面粗さ測定器を用いて測定することができる。
【００４５】
また、銅（Ｃｕ）めっき層６ｂ２は、凹凸部６ｃの表面粗さ（Ｒａ）を小さくすると、少ないエッチング量で表面が平坦になりやすくなり、表面を平坦にするためにオーバーエ
ッチングしなくてもよいので、めっき層の厚みを薄くすることができる。このように、積層型コンデンサは、凹凸部６ｃの表面粗さ（Ｒａ）を小さくして、好ましくは、外部電極６の表面粗さ（Ｒａ）を１（μｍ）以下にして、銅（Ｃｕ）めっき層６ｂ２の全体の厚みを薄くすることによって、厚み方向（Ｚ方向）の寸法を小さくすることができる。
【００４６】
ここで、絶縁基材１内でのビアホール導体３と外部電極６との接続について以下に説明する。
【００４７】
図３（ａ）は、図１に示す電子部品内蔵型配線基板１０においてビアホール導体３と外部電極６との接続部を示すＡ領域の拡大図である。また、図３（ｂ）は、図３（ａ）の拡大図からビアホール導体３を除いた外部電極６の表面のエッチングされた領域７の状態を示す拡大図である。また、図３（ｃ）は、外部電極６の表面にエッチング処理された領域７が形成される前の外部電極６の状態を示す拡大図であり、破線で示すようにエッチング処理された領域７に対応する領域には凹凸部６ｃが形成されている。
【００４８】
電子部品内蔵型配線基板１０は、図１および図３に示すように、ビアホール導体３が外部電極６の表面のエッチング処理された領域７で外部電極６と直接的に接続されており、外部電極６のエッチング処理された領域７がビアホール導体３との接続部となっている。
【００４９】
外部電極６は、図３（ｂ）に示すように、エッチング処理された領域７が他の領域（領域７以外の領域）と比べて表面粗さ（Ｒａ）が小さく表面がより平坦となっており、表面粗さ（Ｒａ）がエッチング処理された領域７と他の領域（領域７以外の領域）とでは異なっている。外部電極６は、図３（ｃ）に示すように、エッチング処理された領域７となる領域においてエッチング処理前には凹凸部６ｃを有しており、この凹凸部６ｃにエッチング処理を行なってエッチング処理された領域７を平坦にしている。
【００５０】
したがって、外部電極６は、エッチング処理を行なうことによってエッチング処理された領域７と他の領域（領域７以外の領域）とで表面粗さ（Ｒａ）が異なっており、エッチング処理された領域７の表面粗さ（Ｒａ）が熱硬化性樹脂と接する領域の表面粗さ（Ｒａ）よりも小さくなっている。このように、電子部品内蔵型配線基板１０は、積層型コンデンサが絶縁基材１内に埋設されており、積層型コンデンサは、エッチング処理された領域７と絶縁基材１の熱硬化性樹脂に接する領域とにおいて外部電極６の表面粗さ（Ｒａ）が異なっている。
【００５１】
具体的には、ビアホールは絶縁基材１内に外部電極６の表面が露出するように形成される。そして、エッチング処理された領域７は、ビアホール内に露出する外部電極６の凹凸部６ｃに対して凹凸部６ｃの高低差が小さくなるようにエッチング処理を行なうことによって形成される。ビアホール内をめっき処理することによって、ビアホール導体３は、エッチング処理された外部電極６の表面を覆うとともに、外部電極６と配線回路パターン２とを電気的に接続するように絶縁基材１のビアホール内にめっき層として形成される。
【００５２】
エッチング処理された領域７は、図２（ｂ）および図３（ｂ）では、平坦な状態として示されているが、表面粗さ（Ｒａ）が１（μｍ）以下となるような凹凸部を有していてもよい。すなわち、エッチング処理された領域７は、他の領域よりも凹凸部の高低差が小さくなるように形成されており、平坦とは、エッチング処理された領域７が平坦な場合だけを含むものでなく、表面粗さ（Ｒａ）が１（μｍ）以下となるような凹凸部を有している場合も含んでいる。
【００５３】
このように、外部電極６は、図２および図３に示すように、表面に凹凸部６ｃを有しており、外部電極６のうちビアホール導体３との接続部のエッチング処理された領域７の表
面のみが平坦となっている。したがって、積層型コンデンサは、外部電極６のエッチング処理された領域７の表面が平坦となり、外部電極６のエッチング処理された領域７以外の領域の表面に凹凸部６ｃを有することになり、エッチング処理された領域７で外部電極６とビアホール導体３とが直接的に接続される。すなわち、外部電極６は、エッチング処理された領域７の表面が平坦な領域となり、めっき層からなるビアホール導体３は、エッチング処理された領域７で外部電極６と直接的に接続されることになる。
【００５４】
ビアホール導体３は、めっき層で形成されており、銅（Ｃｕ）めっき層６ｂ２の表面のエッチング処理された領域７にめっき処理を行なうことによって、外部電極６の銅（Ｃｕ）めっき層６ｂ２上に形成される。したがって、エッチング処理された領域７において銅（Ｃｕ）めっき層６ｂ２上にめっき処理を行なうことによって、ビアホール導体３は、銅（Ｃｕ）めっき層６ｂ２上に均一なめっき層として形成されるので、外部電極６との接続信頼性を向上させることができる。
【００５５】
また、ビアホール導体３は、ビアホール内の平坦な銅（Ｃｕ）めっき層６ｂ２上およびビアホール内の側面において均一なめっき層として成長するので、絶縁基材１の表面の回路配線パターン２との電気的な接続信頼性も良好なものとなる。したがって、ビアホール導体３は、外部電極６との接続信頼性を向上させるとともに配線回路パターン２との接続信頼性も良好なものとすることができる。
【００５６】
また、積層型コンデンサは、絶縁基材１の熱硬化性樹脂に接する領域においては外部電極６が凹凸部６ｃを有しており、熱硬化性樹脂が凹凸部６ｃに侵入することによってアンカー効果が高まるので、外部電極６と絶縁基材１との密着性を向上させることができる。
【００５７】
ここで、図１に示す電子部品内蔵型配線基板１０に用いられるビアホール導体３の他の例のビアホール導体３Ａについて以下に説明する。図４（ｂ）は、エッチング処理された領域７Ａを示しており、エッチング処理された領域７Ａがビアホール導体３Ａに対して用いられる。
【００５８】
また、図４（ｃ）は、ビアホール導体３ＡをＸ方向およびＹ方向から視た模式的な断面図であり、ビアホール導体３Ａの形状を説明するためのものである。ビアホール導体３Ａは、図４（ｂ）および図４（ｃ）に示すように、絶縁基材１の厚み方向に直交する方向の断面形状が略楕円形状となるように設けられており、絶縁基材１の表面方向に向かって漸次拡径する略逆楕円錐台形状で形成されている。すなわち、ビアホール導体３Ａは、絶縁基材１の厚み方向に直交する方向の断面形状が楕円形状であり、楕円形状の長径が外部電極６の長手方向（Ｘ方向）と略平行となるような略逆楕円錐台形状で形成されている。
【００５９】
このように、ビアホール導体３Ａは、略逆楕円錐台形状で形成することによって、略逆円錐台形状と比べて外部電極６との接続面積が大きくなり、外部電極６との接続を確実に確保することができるので、外部電極６との接続信頼性をさらに向上させることができる。
【００６０】
また、ビアホール導体３Ａは、かりに、ビアホール導体３Ａの形成位置がＸ方向（外部電極６の長手方向）にずれたとしても、略逆楕円錐台形状で形成されているので、外部電極６との接続信頼性を確保することができる。
【００６１】
ここで、電子部品内蔵型配線基板１０の製造方法についての一例を以下に説明する。
【００６２】
まず、図５（ａ）に示すように、未硬化の熱硬化性樹脂を含む第１乃至第３の絶縁シート１ａ、１ｂ、１ｃをそれぞれ準備する。第１乃至第３の絶縁シートは、ポリフェニレン
エーテル系樹脂またはエポキシ系樹脂等の熱硬化性樹脂と、ＳｉＯ2またはＡｌ2Ｏ3等の
不定形の無機室フィラーとの混合材料からなる。未硬化状態の第１乃至第３の絶縁シート１ａ、１ｂ、１ｃは、８０（μｍ）〜１５０（μｍ）の厚みでドクターブレードを用いて作製される。
【００６３】
また、図５（ａ）に示すように、第２および第３の絶縁シート１ｂ、１ｃは、回路配線パターン２を形成するための金属層が表面に設けられており、金属層は、例えば、銅箔またはアルミニウム箔等の金属箔である。
【００６４】
次に、第１の絶縁シート１ａに電子部品４を収容して埋設するための空隙１ａａを形成する。また、電子部品４は、上述したように、例えば、積層型コンデンサであり、セラミック本体５とセラミック本体５の端面に設けられた外部電極６を有しており、外部電極６が、表面に凹凸部６ｃを有するとともに、下地電極６ａとニッケルめっき層および銅めっき層とを含んでいる。なお、以下では、内蔵する電子部品４として積層型コンデンサを用いる場合について説明する。
【００６５】
図５（ｂ）に示すように、積層型コンデンサを第１の絶縁シート１ａの空隙１ａａに配置し、積層型コンデンサを配置した第１の絶縁シート１ａの上下に第２および第３の絶縁シート１ｂ、１ｃを積層して仮積層体１Ａを形成する。
【００６６】
この仮積層体１Ａを絶縁シート中の熱硬化性樹脂が溶融する温度範囲よりも低い、例えば、１００（℃）〜１２０（℃）の温度において、例えば、１（ＭＰａ）〜４（ＭＰａ）の圧力でもって一旦加熱加圧を行ない、積層型コンデンサの外部電極６の表面に形成された凹凸部６ｃに熱硬化性樹脂を十分に含浸させる。
【００６７】
その後、熱硬化性樹脂が硬化する温度であり、熱硬化性樹脂の溶融温度よりも高い、例えば、１４０（℃）〜１６０（℃）の温度において、例えば、４（ＭＰａ）〜８（ＭＰａ）の圧力でもって加熱加圧を行ない、熱硬化性樹脂を硬化させて、埋設した積層型コンデンサと第１乃至第３の絶縁シート１ａ、１ｂ、１ｃの界面を強固に接着するとともに、第１乃至第３の絶縁シート１ａ、１ｂ、１ｃ同士を積層密着して、内部に積層型コンデンサが埋設された絶縁基材１となる積層体１ＡＡを作製する。
【００６８】
図５（ｃ）に示すように、積層体１ＡＡの少なくとも一方の表面に配線回路パターン２を形成する。配線回路パターン２は、例えば、周知のフォトリソグラフィー法を用いて、レジスト塗布、露光、現像、エッチング、レジスト除去等の工程を経ることによって形成される。
【００６９】
図６（ａ）に示すように、積層体１ＡＡの配線回路パターン２が形成されている表面側にレーザ加工法を用いて外部電極６が露出するようにビアホールを形成する。そして、ビアホール内に露出している外部電極６の凹凸部６ｃに対してエッチング処理を行なう。このエッチング処理の際には、ビアホール内の外部電極６の凹凸部６ｃがエッチング処理されるとともにビアホール内の側面の凹凸もエッチング処理される。
【００７０】
図６（ｂ）に示すように、エッチング処理された外部電極６を覆うように、また、外部電極６と配線回路パターン２とが電気的に接続するようにビアホール内をめっき処理して、積層体１ＡＡにめっき層からなるビアホール導体３を形成して、絶縁基材１を作製する。このようにして、積層型コンデンサが内蔵された電子部品内蔵型配線基板１０を製造することができる。
【００７１】
また、電子部品内蔵型配線基板１０は、図６（ｃ）に示すように、絶縁基材１の両面に
、少なくとも１層の周知のプリプレグシートを用いてさらに絶縁層を設けて、絶縁層上に配線回路パターンを形成することができる。この場合にも、上述の製造方法と同様な製造方法を用いて作製することができる。
【００７２】
本発明は、上述した実施の形態に特に限定されるものではなく、本発明の範囲内で種々の変更および改良が可能である。
【符号の説明】
【００７３】
１  絶縁基材
１ａ  第１の絶縁シート
１ｂ  第２の絶縁シート
１ｃ  第３の絶縁シート
２  配線回路パターン
３、３Ａ  ビアホール導体
４  電子部品
５  セラミック本体
５ａ  第１の内部電極
５ｂ  第２の内部電極
６  外部電極
６ａ  下地電極
６ｂ  めっき層
６ｂ１  ニッケル（Ｎｉ）めっき層
６ｂ２  銅（Ｃｕ）めっき層
６ｃ  凹凸部
７、７Ａ  エッチングされた領域
１０  電子部品内蔵型配線基板
【図１】
2016152310.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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