(57)【要約】【課題】コンクリート体において、その表面から所定の方向に関して、測定される赤外スペクトルとその測定の位置とを関連付けることが可能な、コンクリート検査装置を提供する。【解決手段】コンクリート検査装置１１１は、近赤外波長領域の波長成分を含む光を提供できる光源１１３と、近赤外波長領域の光に感応する半導体受光素子１１７と、光源１１３からの光を外部に照射する照明端１２１と、外部からの光を受ける受光端１２３と、光源１１３を照明端１２１に光学的に結合させるための第１光ファイバ１２５と、受光端１２３を半導体受光素子１１７に光学的に結合させるための第２光ファイバ１２７とを含む光学部品１１９とを備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
コンクリート検査装置であって、
近赤外波長領域の波長成分を含む光を提供できる光源と、
近赤外波長領域の光に感応する半導体受光素子と、
前記光源からの光を外部に照射する照明端と、外部からの光を受ける受光端と、前記光源を前記照明端に光学的に結合させるための第１光ファイバと、前記受光端を前記半導体受光素子に光学的に結合させるための第２光ファイバとを含む光学部品と、
を備えるコンクリート検査装置。
【請求項２】
前記光源は、２．２μｍから２．３μｍまでの波長範囲の光を発生可能であり、前記半導体受光素子のカットオフ波長は２．３μｍ以上である、請求項１に記載されたコンクリート検査装置。
【請求項３】
前記半導体受光素子は、一次元に配列された複数のフォトダイオード列を備える、請求項１又は請求項２に記載されたコンクリート検査装置。
【請求項４】
前記半導体受光素子は、（ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓＳｂ）の多重量子井戸構造を含む受光層を備える、請求項１〜請求項３のいずれか一項に記載されたコンクリート検査装置。
【請求項５】
前記半導体受光素子は、（ＧａＩｎＮＡｓ（Ｐ，Ｓｂ）／ＧａＡｓＳｂ）の多重量子井戸構造を含む受光層を備える、請求項１〜請求項３のいずれか一項に記載されたコンクリート検査装置。
【請求項６】
前記光源は、スーパーコンティニューム光を生成可能である、請求項１〜請求項５のいずれか一項に記載されたコンクリート検査装置。
【請求項７】
前記光源と前記光学部品の前記第１光ファイバとの間に設けられた第１分光器を更に備える、請求項１〜請求項６のいずれか一項に記載されたコンクリート検査装置。
【請求項８】
前記半導体受光素子と前記光学部品の前記第２光ファイバとの間に設けられた第２分光器を更に備える、請求項１〜請求項７のいずれか一項に記載されたコンクリート検査装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、コンクリート検査装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１は、コンクリートの評価方法を開示する。非特許文献１は、フッ化物を含む光ファイバを開示する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００３−１７７１２２号公報
【非特許文献】
【０００４】
【非特許文献１】ＪＪＡＰ、Ｖｏ．２５、Ｎｏ．６、Ｊｕｎｅ、１９８６、ｐｐ．Ｌ４６８−Ｌ４７０
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１のコンクリート評価方法では、削り出したコンクリート粉を評価に用いる。塩害によるコンクリート劣化では、コンクリート体に埋設された鉄筋が錆びる。この劣化用の評価では、コンクリート体の表面から離れた鉄筋の位置の深さまでの領域において、塩化物イオン濃度の見積もりを、表面からの距離（深さ）と関連付けて行う。
【０００６】
例えば、特許文献１の方法では、削り出したコンクリート粉は、十分な注意を払っても、所望の測定位置のコンクリート粉だけでなくそれより表面に近い部分のコンクリート粉も含む。位置を正確に特定してコンクリート粉を採取することに限界がある。
【０００７】
本発明の一側面は、このような事情を鑑みてなされたものであり、コンクリート体において、その表面から所定の方向に関して、測定される赤外スペクトルをその測定の位置と関連付けて測定可能なコンクリート検査装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一側面によれば、コンクリート検査装置は、近赤外波長領域の波長成分を含む光を提供できる光源と、近赤外波長領域の光に感応する半導体受光素子、前記光源からの光を外部に照射する照明端、外部からの光を受ける受光端、前記光源を前記照明端に光学的に結合させるための第１光ファイバ、及び前記受光端を前記半導体受光素子に光学的に結合させるための第２光ファイバを含む光学部品と、を備える。
【０００９】
本発明の上記の目的および他の目的、特徴、並びに利点は、添付図面を参照して進められる本発明の好適な実施の形態の以下の詳細な記述から、より容易に明らかになる。
【発明の効果】
【００１０】
以上説明したように、本発明の一側面によれば、コンクリート体において、その表面から所定の方向に関して、測定される赤外スペクトルをその測定の位置と関連付けて測定可能なコンクリート検査装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本実施の形態に係るコンクリート検査装置を模式的に示す図面である。
【図２】本実施の形態に係る光ファイバカテーテルを模式的に示す図面である。
【図３】本実施の形態に係る別の光ファイバカテーテルを模式的に示す図面である。
【図４】波長２１００ｎｍ〜２４００ｎｍの波長範囲におけるコンクリートの吸光スペクトルを示す図面である。
【図５】近赤外反射スペクトル強度（近赤外反射スペクトルにおける波長２．２６マイクロメートルにおけるスペクトル強度）法による塩化物イオン濃度、及び電位差滴定法による塩化物イオン濃度を示す図面である。
【図６】本実施の形態に係るコンクリート検査装置内の半導体受光素子の一例の断面を示す図面である。
【図７】本実施の形態に係る半導体受光素子のためのフォトダイオードのアレイの断面を示す図面である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下の本発明に係る具体例を説明する。
【００１３】
一形態に係るコンクリート検査装置は、（ａ）近赤外波長領域の波長成分を含む光を提供できる光源と、（ｂ）近赤外波長領域の光に感応する半導体受光素子、（ｃ）前記光源からの光を外部に照射する照明端、外部からの光を受ける受光端、前記光源を前記照明端に光学的に結合させるための第１光ファイバ、及び前記受光端を前記半導体受光素子に光学的に結合させるための第２光ファイバを含む光学部品と、を備える。
【００１４】
このコンクリート検査装置によれば、光源からの光を外部に照射する照明端、光源を照明端に光学的に結合させるための第１光ファイバ、外部からの光を受ける受光端、及び受光端を半導体受光素子に光学的に結合させるための第２光ファイバを含む光学部品を用いるので、照明端から対象物に参照光を提供でき、また対象物からの反射光を受光端で取得できる。参照光及び反射光は、それぞれ、第１光ファイバ及び第２光ファイバを介して光学部品内を伝搬する。これら光成分ｂの伝搬に第１光ファイバ及び第２光ファイバを用いるので、参照光を外乱から隔離して所望の距離で離れたコンクリート体の検査対象部分に導くと共に、外乱から隔離してコンクリート体内の所望の位置における検査対象部分からの反射光を取り出すことができる。
【００１５】
一形態に係るコンクリート検査装置では、前記光源は、２．２μｍから２．３μｍまでの波長範囲の光を発生可能であり、前記半導体受光素子のカットオフ波長は２．３μｍ以上である。このコンクリート検査装置によれば、コンクリート体内の塩化物イオンに係る赤外スペクトルを取得できる。
【００１６】
一形態に係るコンクリート検査装置では、前記半導体受光素子は、一次元に配列された複数のフォトダイオード列を備える。
【００１７】
一形態に係るコンクリート検査装置では、前記半導体受光素子は、（ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓＳｂ）の多重量子井戸構造を含む受光層を備える。このコンクリート検査装置によれば、良好な赤外スペクトルを取得できる。一形態に係るコンクリート検査装置では、前記半導体受光素子は、（ＧａＩｎＮＡｓ（Ｐ，Ｓｂ）／ＧａＡｓＳｂ）の多重量子井戸構造を含む受光層を備える。このコンクリート検査装置によれば、良好な赤外スペクトルを取得できる。
【００１８】
一形態に係るコンクリート検査装置では、前記光源は、スーパーコンティニューム光を生成可能である。このコンクリート検査装置によれば、強度の強い光をコンクリート体の検査対象部分に照射することができるため、良好な赤外スペクトルを取得することができる。
【００１９】
一形態に係るコンクリート検査装置では、前記光源と前記光学部品の前記第１光ファイバとの間に設けられた第１分光器を更に備える。このコンクリート検査装置によれば、第１分光器は光源から発せられる光を波長毎の成分に分解するために利用される。一形態に係るコンクリート検査装置では、前記半導体受光素子と前記光学部品の前記第２光ファイバとの間に設けられた第２分光器を備える。このコンクリート検査装置によれば、第２分光器はコンクリート体の検査対象部分から反射した光を波長毎の成分に分解するために利用される。
【００２０】
本発明の知見は、例示として示された添付図面を参照して以下の詳細な記述を考慮することによって容易に理解できる。引き続いて、添付図面を参照しながら、コンクリート検査装置、コンクリート検査のための光ファイバカテーテル、コンクリート検査方法、コンクリート劣化評価装置、コンクリート劣化評価方法、コンクリート内の塩化物の測定装置、コンクリート内の塩化物の測定方法に係る実施の形態を説明する。可能な場合には、同一の部分には同一の符号を付する。
【００２１】
図１は、本実施の形態に係るコンクリート検査装置を模式的に示す図面である。図１の（ａ）部を参照すると、コンクリート検査装置１１１は、赤外線用の光源１１３と、赤外線用の検知装置１１５と、光源１１３と検知装置１１５内の半導体受光素子１１７とを互いに光学的に結合する光学部品１１９とを備える。光源１１３は、近赤外波長領域の波長成分を含む光を提供する。検知装置１１５内の半導体受光素子１１７は、近赤外波長領域の光に感応する。光学部品１１９は、照明端１２１と、受光端１２３と、第１光ファイバ１２５と、第２光ファイバ１２７とを含む。第１光ファイバ１２５及び第２光ファイバ１２７は、近赤外波長領域、例えば（１．０〜２．５マイクロマートル）の光を伝搬可能である。第１光ファイバ１２５は、光源１１３を照明端１２１に光学的に結合するために設けられる。照明端１２１は、光源１１３からの光をコンクリート検査装置１１１の外部に照射する。受光端１２３は、コンクリート検査装置１１１の外部からの光を受ける。第２光ファイバ１２７は、受光端１２３を半導体受光素子１１７に光学的に結合するために設けられる。
【００２２】
光学部品１１９は、第１光ファイバ１２５を光源１１３に光学的に接続するための光コネクタ１２９ａを含み、第２光ファイバ１２７を半導体受光素子１１７に光学的に接続するための光コネクタ１２９ｂを含む。光学部品１１９は、ハウジング１３１を備え、ハウジング１３１は、第１光ファイバ１２５及び第２光ファイバ１２７を検査対象のコンクリート体１００に設けられた検査孔１０２において案内可能な側壁１３１ａと、照明端１２１及び受光端１２３を内包する検知端１３１ｂを含む。検知端１３１ｂは、照明端１２１からの光をコンクリート体１００の表面に照射すると共にコンクリート体１００の表面からの反射光を受光端１２３に受けるための一又は複数の開口１３１ｃを備える。このような光学部品１１９は、例えば光ファイバカテーテルを含むことができる。検査孔１０２は、コンクリート体１００の表面からその内部への方向に延在し、検査孔の延在軸の方向に延びる側面と延在軸に交差する底面を備える。検査孔１０２は、例えば、直径５ｍｍ及び深さ３０ｃｍを有する。
【００２３】
このコンクリート検査装置１１１によれば、光源１１３からの光を外部に照射する照明端１２１、光源１１３を照明端１２１に光学的に結合する第１光ファイバ１２５、外部（検査対象コンクリート）からの光を受ける受光端１２３、及び受光端１２３を半導体受光素子１１７に光学的に結合する第２光ファイバ１２７を含む光学部品１１９を用いるので、照明端１２１から対象物に参照光を提供でき、また受光端１２３により対象物からの反射光を取得できる。参照光及び反射光は、それぞれ、第１光ファイバ１２５及び第２光ファイバ１２７を介して光学部品１１９内を伝搬する。これら光成分の伝搬に第１光ファイバ１２５及び第２光ファイバ１２７を用いるので、参照光を外乱から隔離して所望の距離で離れたコンクリート体の検査対象部分に導くと共に、外乱から隔離してコンクリート体の検査対象部分からの反射光を取り出すことができる。
【００２４】
光源１１３は、例えば２．２μｍから２．３μｍまでの波長範囲の光を発生可能であり、例えばハロゲンランプであっても良いが、スーパーコンティニューム光源であれば更に良い。このスーパーコンティニューム光は、例えば高強度の光パルスを光ファイバに入射させて光ファイバの非線形光学効果により生成可能である。半導体受光素子１１７のカットオフ波長は２．３μｍ以上であることが好ましい。このコンクリート検査装置１１１によれば、コンクリート体内の塩化物イオンに係る赤外スペクトルを良好な感度で取得できる。
【００２５】
コンクリート検査装置１１１では、半導体受光素子１１７は、（ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓＳｂ）の多重量子井戸構造を含む受光層を備えることができる。この多重量子井戸構造は、タイプＩＩ遷移を含む光遷移により光を検知し、良好な赤外スペクトルを取得することを可能にする。コンクリート検査装置１１１では、半導体受光素子１１７は、一次元に配列された複数のフォトダイオード列を備えることが好ましい。一次元のフォトダイオード列を用いた一度のサンプリングにより、検査対象領域の位置において例えば２．２μｍ〜２．３μｍの範囲を含む波長範囲の光を検知できる。このために、コンクリート検査装置１１１は、半導体受光素子１１７と光学部品１１９の第２光ファイバ１２７との間に設けられた分光器を更に備えることができる。この分光器は、受光端１２３からの反射光を分光してフォトダイオード列に提供する。また、コンクリート検査装置１１１は、光源１３と光学部品１９の第１光ファイバ２５との間に分光器を設けてもよい。この分光器はコンクリート体の検査対象部分に、波長毎の成分に分解した光を照射するために利用される。
【００２６】
図２は、本実施の形態に係る光ファイバカテーテルを模式的に示す図面である。光学部品１１９のための光ファイバカテーテルでは、ハウジング１３１の側壁１３１ａは、第１光ファイバ１２５及び第２光ファイバ１２７の特性を低下させない程度に屈曲可能な可撓性を有する材料からなることができ、第１光ファイバ１２５及び第２光ファイバ１２７に沿って延在する。図２においては、光ファイバカテーテルは、検査対象のコンクリート体１００の検査孔１０２内に延在している。光ファイバカテーテルの検知端１３１ｂには照明端１２１及び受光端１２３に加えて、反射器１３３が位置しており、反射器１３３は、照明端１２１及び受光端１２３を検査対象のコンクリート表面に光学的に結合させる。反射器１３３は、照明端１２１からの照射光ＬＩを対象エリアに向ける。また、反射器１３３は、照射光ＬＩが対象エリアで反射された反射光ＬＲを受光端１２３に向ける。照射光ＬＩ及び反射光ＬＲは、それぞれ、開口１３１ｃ及び反射器１３３を介して、照明端１２１及び受光端１２３に光学的に結合している。開口１３１ｃは、光ファイバカテーテルのハウジング１３１の側壁１３１ａに位置している。これ故に、検知端１３１ｂは、照明端１２１からの光をコンクリート体１００の検査孔１０２の側面に照射すると共に検査孔１０２の側面からの反射光を受ける。
【００２７】
このような光ファイバカテーテルの先端は、光源からの光を壁面に照射できると共に照射エリアにおける反射光を受ける。光ファイバカテーテルは、コンクリート体１００の検査孔１０２の深さ方向に関して、ある深さにおける孔の壁面の全周囲にわたる測定、及び／又は、孔の深さの範囲にわたる孔の壁面の測定を可能にする。光ファイバカテーテルの検知端の位置（例えば検査孔１０２内における深さ項）は、例えばハウジング１３１に物差しの寸法を刻印して、それを読み取ることにより提供される。
【００２８】
コンクリート体１００が潮風に晒されると、年月が経つにつれて大気内の塩分がコンクリート体１００の内部に浸透する。コンクリート体１００の検査孔１０２として形成された深い窪みは、検査の際に或いは検査に先立って形成されることができる。図１の（ｂ）部に示されるように、このような深い窪みは、検査が行われていない期間にわたって外気に触れ続けることを避けるために、検査が終了した後に栓をしておく。検査の時に栓を外す。この方法によれば、検査毎に新たに穴をあける必要はない。コンクリート体１００の検査孔１０２のサイズは、光ファイバカテーテルを挿入可能な程度の小径である。これ故に、この装置を用いる検査は、構造物に大きな負担を課さない。光ファイバカテーテルの先端が検査位置であるので、検査孔１０２の深さ方向の位置精度を高められる。また、光源１１３からの強い光を光ファイバを介して対象エリアに照射するので、検査において高いＳ／Ｎを得ることができる。
【００２９】
図３は、本実施の形態に係る別形態の光ファイバカテーテルを模式的に示す図面である。光学部品１１９のための別の光ファイバカテーテルは、第１光ファイバ１２５及び第２光ファイバ１２７とは別個に第３光ファイバ１２６及び第４光ファイバ１２８を更に備える。
【００３０】
ハウジング１３２の側壁１３２ａは、第３光ファイバ１２６及び第４光ファイバ１２８の特性を低下させない程度に屈曲可能な可撓性を有する材料からなることができ、第３光ファイバ１２６及び第４光ファイバ１２８に沿って延在する。図３においては、別の光ファイバカテーテルは、検査対象のコンクリート体１００の検査孔１０２内に延在している。光ファイバカテーテルの検知端１３２ｂには照明端１２２及び受光端１２４が設けられ、照明端１２２及び受光端１２４は、検知端１３２ｂの一又は複数の開口１３２ｃを介して検査対象のコンクリート表面に光学的に結合させる。コンクリート表面は、検査対象の参照用コンクリート体の深部に位置することが好ましい。コンクリート体の深部の検査を可能にするために、検知端１３２ｂの開口１３２ｃは、第１光ファイバ１２５、第２光ファイバ１２７、第３光ファイバ１２６及び第４光ファイバ１２８の延在方向に沿って延在するファイバ軸に交差する検知端１３２ｂに設けられている。開口１３２ｃは、ファイバ軸に交差する軸方向に向く開口１３１ｃと異なる向きに向いている。開口１３２ｃは、照明端１２２からの照射光ＲＬＩを対象エリアに提供される。また、開口１３２ｃは、照射光ＲＬＩが対象エリアで反射された反射光ＲＬＲを受光端１２４に提供される。照射光ＲＬＩ及び反射光ＲＬＲは、それぞれ、開口１３２ｃを介して、照明端１２２及び受光端１２４に光学的に結合している。開口１３２ｃは、光ファイバカテーテルのハウジング１３２の先端に位置している。これ故に、検知端１３２ｂは、照明端１２２からの光をコンクリート体１００の検査孔１０２の底面に照射すると共にコンクリート体１００の検査孔１０２の底面からの反射光を受ける。
【００３１】
このような光ファイバカテーテルは、光源からの光をコンクリート壁面に照射できると共に照射エリアにおける反射光を受ける。これに加えて、光ファイバカテーテルは、光源からの光をコンクリート底面に照射できると共に照射エリアにおける反射光を受ける。別の光ファイバカテーテルは、コンクリート体１００に形成された検査孔１０２の深さ方向に関して、ある深さにおける孔の壁面の全周囲にわたる測定、及び／又は、孔の深さの範囲にわたる孔の壁面の測定に加えて、実質的に劣化していない深部コンクリート、例えば検査孔１０２の底面の測定も可能にする。
【００３２】
図４は、波長２１００ｎｍ〜２４００ｎｍの波長範囲におけるコンクリートの吸光スペクトルを示す。図４を参照すると、コンクリート表面における吸光スペクトルＳＰ００、コンクリート表面から１ｃｍの深さにおける吸光スペクトルＳＰ０１、及びコンクリート表面から１０ｃｍの深さにおける吸光スペクトルＳＰ１０を示す。これらの吸光スペクトルを、本実施の形態に係るコンクリート検査装置を用いて測定することができる。
【００３３】
これらの吸光スペクトルにおいて、波長２．２６マイクロメートル付近には、コンクリート中の塩化物イオンの吸収波長帯がある。図５は、近赤外反射スペクトル強度（近赤外反射スペクトルにおける波長２．２６マイクロメートルにおけるスペクトル強度）法による塩化物イオン濃度、及び電位差滴定法による塩化物イオン濃度を示す。図５によれば、単位体積当たりの塩化物イオン濃度（ｋｇ／ｍ３）と波長２．２６マイクロメートルにおけるスペクトル強度とは正の相関を示す。近赤外反射スペクトル強度法による評価では、測定場所で測定した吸光スペクトル（側面からの吸光データ）及び参照データ測定位置で測定したスペクトル（例えば、底面からの吸光データ）から求めた残余スペクトルを用いて、単位体積当たりの塩化物イオン濃度（ｋｇ／ｍ３）が見積もられる。
【００３４】
図６は、本実施の形態に係るコンクリート検査装置内の半導体受光素子の一例を示す図面である。半導体受光素子１１７のためのフォトダイオード１０は、ＩｎＰ基板１上に設けられたＩＩＩ−Ｖ族半導体積層構造（エピタキシャルウエハ）を有する。ＩＩＩ−Ｖ族半導体積層構造は、ＩｎＰ基板１、ＩｎＰバッファ層２、ＩｎＧａＡｓまたはＧａＩｎＮＡｓとＧａＡｓＳｂとの多重量子井戸構造の受光層３、ＩｎＧａＡｓ拡散濃度分布調整層４、及びＩｎＰ窓層５を備える。ｐ型領域６は、ＩｎＰ窓層５から多重量子井戸構造の受光層３にまで届くように設けられ、このｐ型領域６としてＺｎ選択拡散領域がｐ型不純物Ｚｎの選択拡散により形成される。ＩＩＩ−Ｖ族半導体積層構造の表面は、保護膜３６で覆われている。
【００３５】
保護膜３６の開口にはｐ側電極１１が位置する。このｐ側電極１１はＡｕＺｎからなり、ｐ型領域６上に形成される。また、ＩｎＰ基板１の裏面にはｎ側電極１２が位置する。このｎ側電極１２はＡｕＧｅＮｉからなる。ＩｎＰ基板１の裏面には、またＳｉＯＮの反射防止膜３５を設け、反射防止膜３５は、ＩｎＰ基板の裏面側から光を入射する裏面入射を可能にしている。
【００３６】
多重量子井戸構造の受光層３には、上記のｐ型領域６の境界に対応する位置にｐｎ接合が形成され、上記のｐ側電極１１及びｎ側電極１２間に逆バイアス電圧を印加することにより、ｎ型不純物濃度が低い側（ｎ型不純物バックグラウンド）により広く空乏層を生じる。多重量子井戸構造の受光層３におけるバックグラウンドは、ｎ型不純物濃度（キャリア濃度）で５×１０１５／ｃｍ３程度である。ｐｎ接合の位置１５は、多重量子井戸の受光層３のバックグラウンド（ｎ型キャリア濃度）とｐ型不純物のＺｎの濃度プロファイルとの交点で決まる。
【００３７】
拡散濃度分布調整層４内では、ＩｎＰ窓層５の表面５ａから選択拡散されたｐ型不純物の濃度が、ＩｎＰ窓層側における高濃度領域から受光層側にかけて急峻に低下している。
【００３８】
図７は、フォトダイオード１０のアレイを示す断面図である。フォトダイオード１０のアレイは、共通のＩｎＰ基板を含むエピタキシャルウエハに形成される。このアレイは、素子分離溝なしに配列されている。各フォトダイオード１０の内側にｐ型領域６が規定されて、隣接する受光素子間を区分けできる。フォトダイオード１０の一次元または二次元配列は、隣り合う受光素子から互いに、ｐ型不純物の選択拡散によって分離される。ｐ型領域６が１つのフォトダイオード１０のために設けられており、フォトダイオード１０のｐ型領域６が１つの画素を形成する一方で、ｐ型領域６の外側の領域（ｐ型不純物の拡散していない領域）が、各画素を分離する。保護膜３６の開口にはｐ側電極１１が位置する。このｐ側電極１１はｐ型領域６上に形成される。また、ＩＩＩ−Ｖ族半導体積層構造の縁に位置するＩｎＰバッファ層２上にはｎ側電極１２が位置する。
【００３９】
フォトダイオード１０は、ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓＳｂの多重量子井戸構造の受光層に限定されることなく、（ＧａＩｎＮＡｓ（Ｐ，Ｓｂ）／ＧａＡｓＳｂ）の多重量子井戸構造を含むことができる。このコンクリート検査装置１１１によれば、良好な赤外スペクトルを取得できる。
【００４０】
好適な実施の形態において本発明の原理を図示し説明してきたが、本発明は、そのような原理から逸脱することなく配置および詳細において変更され得ることは、当業者によって認識される。本発明は、本実施の形態に開示された特定の構成に限定されるものではない。したがって、特許請求の範囲およびその精神の範囲から来る全ての修正および変更に権利を請求する。
【産業上の利用可能性】
【００４１】
以上説明したように、本実施の形態によれば、コンクリート体において、その表面から所定の方向に関して、測定される赤外スペクトルをその測定の位置と関連付けて測定可能な、コンクリート検査装置が提供される。
【符号の説明】
【００４２】
１００…コンクリート体、１０２…検査孔、１１１…コンクリート検査装置、１１３…光源、１１５…検知装置、１１７…半導体受光素子、１１９…光学部品、１２１…照明端、１２３…受光端、１２５…第１光ファイバ、１２７…第２光ファイバ、１２９ａ…光コネクタ、１２９ｂ…光コネクタ、１３１…ハウジング、１３１ａ…側壁、１３１ｂ…検知端、１３２…ハウジング、１３２ａ…側壁、１３２ｂ…検知端。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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