(57)【要約】【課題】露光量のバラつきの少ない露光方法および露光装置を提供する。【解決手段】露光装置１００は、法線方向が互いに異なる表面２０１および傾斜面２０２ｂを有する基板２１０上のレジスト膜Ｒに露光光であるレーザー光ＬＬを入射する工程を含み、この工程では、表面２０１と傾斜面２０２ｂのなす角をθ（°）としたとき、レーザー光ＬＬを表面２０１および傾斜面２０２ｂの各面の法線に対して（θ／２）±１５°の範囲内で傾斜させて入射する。また、レーザー光ＬＬは、走査されて、表面２０１および傾斜面２０２ｂの各面に入射する。【選択図】図４
2016024436.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
法線方向が互いに交わる第１面および第２面を有する被露光物に露光光を入射する工程を含み、
前記工程では、前記第１面の法線方向と前記第２面の法線方向とがなす角をθ（°）としたとき、前記第１面および前記第２面に前記露光光を、各面の法線に対してθ／２±１５°の範囲内で傾斜させて入射することを特徴とする露光方法。
【請求項２】
前記工程では、前記露光光を走査して前記被露光物に入射する請求項１に記載の露光方法。
【請求項３】
前記露光光の走査方向と交わる方向に前記被露光物を移動させながら、前記露光光の走査を行う請求項２に記載の露光方法。
【請求項４】
前記被露光物は、法線方向が、前記第１面および前記第２面の各法線方向と交わる第３面を有し、
前記工程では、前記露光光を前記第３面に対してθ／２±１５°の範囲内で傾斜させて入射する請求項１ないし３のいずれか１項に記載の露光方法。
【請求項５】
前記第２面と前記第３面とが向かい合っており、
前記工程は、前記第２面への前記露光光の入射を行う第１工程と、前記第３面への前記露光光の入射を行う第２工程と、を含んでいる請求項４に記載の露光方法。
【請求項６】
前記被露光物は、前記第２面と前記第３面との間に、法線方向が前記第１面の法線方向に沿っている第４面を有し、
前記第１工程および前記第２工程の少なくとも一方の工程にて前記第４面に前記露光光を入射する請求項４または５に記載の露光方法。
【請求項７】
法線方向が互いに交わる第１面および第２面を有する被露光物に露光光を入射する露光光入射部を有し、
前記露光光入射部は、前記第１面の法線方向と前記第２面の法線方向とがなす角をθ（°）としたとき、前記第１面および前記第２面に前記露光光を、各面の法線に対してθ／２±１５°の範囲内で傾斜させて入射することを特徴とする露光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、露光方法および露光装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
サンプルの加工方法としてフォトリソグラフィー加工とエッチング加工を用いた方法が知られている。そして、特許文献１には、フォトリソグラフィー加工に含まれる露光工程を行うための露光装置が開示されている。特許文献１の露光装置は、傾斜面を有するサンプルの露光を行う際に、露光光をサンプルの表面の法線方向に対して１０°〜６０°の範囲内で傾斜させて入射させている。このような構成とすることで、サンプルの傾斜面で反射した露光光がサンプルの他の領域に入射し難くなり、意図しない領域の露光が低減される。しかしながら、特許文献１の露光装置では、サンプルの表面に対する露光光の入射角と傾斜面に対する露光光の入射角とが異なっているため、表面と傾斜面とで露光エネルギーに差が生じ、表面と傾斜面とで露光量が異なってしまう。そのため、特許文献１の露光装置では、サンプルに対して均一な露光を行うことができない。すなわち、例えば、表面および傾斜面の一方の面では露光され過ぎてしまい、他方の面では露光不足となってしまう。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００８−９１７９３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の目的は、露光量のバラつきの少ない露光方法および露光装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の適用例として実現することが可能である。
【０００６】
［適用例１］
本適用例の露光方法は、法線方向が互いに交わる第１面および第２面を有する被露光物に露光光を入射する工程を含み、
前記工程では、前記第１面の法線方向と前記第２面の法線方向とがなす角をθ（°）としたとき、前記第１面および前記第２面に前記露光光を、各面の法線に対してθ／２±１５°の範囲内で傾斜させて入射することを特徴とする。
これにより、第１面での露光量と第２面での露光量の差を小さくすることができる。そのため、第１面および第２面をより均質に露光することができる。
【０００７】
［適用例２］
本適用例の露光方法では、前記工程では、前記露光光を走査して前記被露光物に入射することが好ましい。
これにより、第１面や第２面に選択的に露光光を入射することができ、露光マスクが不要となり、効率的に露光を行うことができる。
【０００８】
［適用例３］
本適用例の露光方法では、前記露光光の走査方向と交わる方向に前記被露光物を移動させながら、前記露光光の走査を行うことが好ましい。
これにより、露光光を１次元的に走査させるだけで、被露光物の表面を２次元的に露光することができる。
【０００９】
［適用例４］
本適用例の露光方法では、前記被露光物は、法線方向が、前記第１面および前記第２面の各法線方向と交わる第３面を有し、
前記工程では、前記露光光を前記第３面に対してθ／２±１５°の範囲内で傾斜させて入射することが好ましい。
これにより、第１面での露光量と第３面での露光量の差を小さくすることができる。そのため、第１面および第３面をより均質に露光することができる。
【００１０】
［適用例５］
本適用例の露光方法では、前記第２面と前記第３面とが向かい合っており、
前記工程は、前記第２面への前記露光光の入射を行う第１工程と、前記第３面への前記露光光の入射を行う第２工程と、を含んでいることが好ましい。
このように、第２面と第３面とを別の工程で露光することで、第２面への露光光の入射角と第３面への露光光の入射角とを等しくすることができ、第２面および第３面をより均質に露光することができる。
【００１１】
［適用例６］
本適用例の露光方法では、前記被露光物は、前記第２面と前記第３面との間に、法線方向が前記第１面の法線方向に沿っている第４面を有し、
前記第１工程および前記第２工程の少なくとも一方の工程にて前記第４面に前記露光光を入射することが好ましい。
これにより、被露光物の露光をより少ない工程で行うことができる。
【００１２】
［適用例７］
本適用例の露光装置は、法線方向が互いに交わる第１面および第２面を有する被露光物に露光光を入射する露光光入射部を有し、
前記露光光入射部は、前記第１面の法線方向と前記第２面の法線方向とがなす角をθ（°）としたとき、前記第１面および前記第２面に前記露光光を、各面の法線に対してθ／２±１５°の範囲内で傾斜させて入射することを特徴とする。
これにより、第１面での露光量と第２面での露光量の差を小さくすることができる。そのため、第１面および第２面をより均質に露光することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の第１実施形態に係る露光装置の構成図である。
【図２】図１に示す露光装置の保持ユニットを示す側面図である。
【図３】図１に示す露光装置により露光される被露光基板の一例を示す平面図および断面図である。
【図４】図３に示す被露光基板の露光方法を説明する断面図である。
【図５】レーザー光のビームウェストの位置を示す断面図である。
【図６】図３に示す被露光基板の露光方法を説明する断面図である。
【図７】図３に示す被露光基板の変形例を示す平面図である。
【図８】本発明の第２実施形態に係る露光装置の構成図である。
【図９】図８に示す露光装置の部分拡大図である。
【図１０】製造物の一例としての振動素子を示し、（ａ）が平面図、（ｂ）が同図（ａ）中のＡ−Ａ線断面図である。
【図１１】図１０に示す振動素子が有する励振電極のパターニング方法を説明する断面図である。
【図１２】製造物の一例としての波長可変フィルターを示す断面図である。
【図１３】製造物の一例としての発光素子を示す断面図である。
【図１４】図１３中のＢ−Ｂ線断面図である。
【図１５】製造物の一例としてのインクジェットヘッドを示す断面図である。
【図１６】製造物の一例としてのメタルマスクを有する基材を示す断面図である。
【図１７】図１６に示すメタルマスクの製造方法を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明の露光方法および露光装置を添付図面に示す実施形態に基づいて詳細に説明する。
【００１５】
＜第１実施形態＞
まず、本発明の露光方法および露光装置の第１実施形態について説明する。
【００１６】
図１は、本発明の第１実施形態に係る露光装置の構成図である。図２は、図１に示す露光装置の保持ユニットを示す側面図である。図３は、図１に示す露光装置により露光される被露光基板の一例を示す平面図および断面図である。図４は、図３に示す被露光基板の露光方法を説明する断面図である。図５は、レーザー光のビームウェストの位置を示す断面図である。図６は、図３に示す被露光基板の露光方法を説明する断面図である。図７は、図３に示す被露光基板の変形例を示す平面図である。なお、図１および図２では、説明の便宜上、互いに直交する３軸として、ｘ軸、ｙ軸およびｚ軸を図示している。また、以下では、ｘ軸に平行な方向を「ｘ軸方向」とも言い、ｙ軸に平行な方向を「ｙ軸方向」とも言い、ｚ軸に平行な方向を「ｚ軸方向」とも言う。
【００１７】
１．露光装置
図１に示す露光装置１００は、被露光基板（被露光物）２００を露光するのに用いられる露光装置である。このような露光装置１００は、保持した被露光基板２００を移動させる保持ユニット１１０と、被露光基板２００に対してレーザー光（露光光）ＬＬを走査する露光光入射ユニット（露光光入射部）１２０と、を有している。
【００１８】
≪露光光入射ユニット≫
露光光入射ユニット１２０は、レーザー光ＬＬを出射するレーザー光源１３０と、レーザー光源１３０の駆動を制御するレーザー光源制御部１４０と、レーザー光ＬＬを光学補正する光学レンズ系１５０と、レーザー光ＬＬを走査するポリゴンミラー１６０と、を有している。
【００１９】
レーザー光源１３０は、レーザー光源制御部１４０によって制御され、被露光基板２００を決められたパターンで露光できるように所定タイミングでレーザー光ＬＬを出射する。レーザー光源１３０から出射されたレーザー光ＬＬは、ミラー１７０で反射した後、ポリゴンミラー１６０の反射面１６１に入射する。ポリゴンミラー１６０は、モーター等の図示しない駆動源によって軸Ｊまわりに回転駆動しており、入射したレーザー光ＬＬを一次元的に走査（主走査）する。
【００２０】
光学レンズ系１５０は、図１に示すように、レーザー光源１３０とミラー１７０との間に配置されているコリメーターレンズ１５１、第１ズームレンズ１５２、第２ズームレンズ１５３および第１シリンドリカルレンズ１５４と、ポリゴンミラー１６０と保持ユニット１１０との間に配置されているｆθレンズ（テレセントリックｆθレンズ）１５５および第２シリンドリカルレンズ１５６と、を有している。
【００２１】
コリメーターレンズ１５１は、レーザー光ＬＬを平行光とするためのレンズである。また、第１ズームレンズ１５２は、レーザー光ＬＬをｚ軸方向に拡大するレンズであり、第２ズームレンズ１５３は、レーザー光ＬＬをｙ軸方向に拡大するレンズである。レーザー光源１３０から出射されるレーザー光ＬＬの断面形状は、一般的に真円でない（楕円である）ため、第１、第２ズームレンズ１５２、１５３によってレーザー光ＬＬの断面形状（縦横比）を補正し、その断面形状をほぼ真円とする。また、第１シリンドリカルレンズ１５４および第２シリンドリカルレンズ１５６は、ポリゴンミラー１６０の反射面１６１の所謂「面倒れ」によるレーザー光ＬＬの走査位置のずれを補正し、面倒れの有無に関わらず、同じ位置にレーザー光ＬＬを結像させるためのレンズである。また、ｆθレンズ１５５は、レーザー光ＬＬを被露光基板２００に等速で走査するためのレンズである。このような光学レンズ系１５０を設けることで、被露光基板２００に対して精度よくレーザー光ＬＬを入射することができる。
【００２２】
≪保持ユニット≫
保持ユニット１１０は、被露光基板２００を保持した状態で、レーザー光ＬＬの走査方向（主走査方向）に交差（直交）する方向（副走査方向）に移動することができる。したがって、保持ユニット１１０を副走査方向に移動させつつ、レーザー光ＬＬを主走査方向に走査することで、保持ユニット１１０に保持された被露光基板２００に対して２次元的にレーザー光ＬＬが入射し、これにより、被露光基板２００を所定パターンで露光することができる。
【００２３】
また、保持ユニット１１０は、図２に示すように、その法線方向に沿う軸Ｊ１まわりに回転することもできる。これにより、保持した被露光基板２００を所望の向きとすることができる。また、保持ユニット１１０は、ｘ軸に沿い、かつ、レーザー光ＬＬの走査面内に位置する軸Ｊ２まわりに回動することができる。これにより、レーザー光ＬＬの走査面に対する被露光基板２００の傾きを変化させることができ、被露光基板２００に対するレーザー光ＬＬの入射角を調節することができる。
【００２４】
ここで、保持ユニット１１０の移動方向（副走査方向）は、保持ユニット１１０の傾きに応じて変化し、保持ユニット１１０は、その傾きに沿って移動する。保持ユニット１１０がこのように移動することで、保持ユニット１１０の移動中、被露光基板２００に対してほぼ一定の径のレーザー光ＬＬを入射することができる。そのため、露光パターニングにムラ（粗密）が生じ難く、被露光基板２００を均質に露光することができる。
【００２５】
なお、保持ユニット１１０の移動方向（副走査方向）は、特に限定されないが、鉛直方向に近い程好ましい。これにより、保持ユニット１１０に保持された被露光基板２００が水平面に対して立った状態となるため、例えば、被露光基板２００が水平面に沿った状態と比較して、被露光基板２００の撓みを低減することができる。したがって、被露光基板２００に対して精度よくレーザー光ＬＬを入射することができ、被露光基板２００を精度よく露光することができる。なお、前述したように保持ユニット１１０の移動方向は、保持ユニット１１０の傾斜によっても異なるため、例えば、ｚ軸を鉛直方向と一致させてもよいし、また、頻繁に用いる保持ユニット１１０の傾斜角がある場合には、その傾斜角での保持ユニット１１０の移動方向を鉛直方向に一致させてもよい。
【００２６】
このような保持ユニット１１０の形状としては、特に限定されないが、本実施形態では、被露光基板２００の縁部を保持する構成となっている。これにより、被露光基板２００の両主面（表面および裏面）を共に露出させることができる。そのため、例えば、保持ユニット１１０をひっくり返すだけで、被露光基板２００の裏面を露光光入射ユニット１２０側に向けることができ、表面側の露光を終えた後、速やかに、裏面側の露光を行うことができる。また、別の効果として、後述する第２実施形態のように、被露光基板２００の表面側および裏面側を同時（同じ工程中）に露光することができるようになるため、両面露光が必要な場合には被露光基板２００をより少ない工程で露光することができる。
【００２７】
以上、露光装置１００の構成について簡単に説明した。このような露光装置１００によれば、保持ユニット１１０の移動とレーザー光ＬＬの出射タイミングとを同期させることにより、被露光基板２００を所定パターンで露光することができる。そのため、従来から知られているような露光装置（例えば、特開２００６−２１０４２６に記載の装置）で用いられるような露光マスクが不要となり、露光マスクの製造期間および製造コスト等を省くことができる。よって、露光装置１００は、前記従来の露光装置に対して、安価にかつ迅速に露光を行うことができる。特に、定められた露光パターン（理想パターン）に対して実際の露光パターン（現実パターン）がずれてしまう場合、そのずれを補正するために、前記従来の露光装置では露光マスクを作り直す必要があるのに対して、露光装置１００ではレーザー光源１３０からのレーザー光ＬＬの出射タイミングを補正すればよい。この点から言っても、露光装置１００は、前記従来の露光装置に対して、安価にかつ迅速に露光を行うことができる。
【００２８】
なお、露光装置１００の構成は、光を走査して被露光基板２００を露光することができれば、上記の構成に限定されない。例えば、光学レンズ系１５０は、上記の各種レンズの内の少なくとも１つのレンズが省略されていてもよいし、上記各種レンズ以外の機能を有するレンズが含まれていてもよい。また、レーザー光ＬＬを走査する手段として、ポリゴンミラー１６０に替えて、ミラー面を軸Ｊまわりに回動させて光走査を行うＳｉＭＥＭＳデバイスを用いてもよい。また、上記の構成では、露光光入射ユニット１２０に対して保持ユニット１１０が傾斜・回転可能になっているが、保持ユニット１１０が傾斜・回転できず、その姿勢が一定に定められていてもよい。また、反対に、保持ユニット１１０に対して露光光入射ユニット１２０が傾斜・回転する構成となっていてもよい。これによれば、保持ユニット１１０の移動方向を鉛直方向に固定することができるため、前述したような被露光基板２００の撓みをより効果的に低減することができる。また、上記の構成では、露光光入射ユニット１２０に対して保持ユニット１１０が副走査方向に移動する構成となっているが、反対に、保持ユニット１１０に対して露光光入射ユニット１２０が副走査方向に移動する構成となっていてもよい。
【００２９】
２．露光方法
次に、露光装置１００を用いた被露光基板２００の露光方法について説明する。
【００３０】
露光装置１００は、主面に傾斜面を有する被露光基板２００を露光するのに特に適している装置であるため、まず、図３に基づいて、主面に傾斜面を有する被露光基板２００の一例について説明する。被露光基板２００は、シリコン基板である基板２１０と、基板２１０上に成膜されている金属膜Ｍと、金属膜Ｍ上に成膜されているレジスト膜Ｒと、を有している。また、被露光基板２００は、表面２０１に開口する凹部（凹条）２０２を有し、凹部２０２は、表面（第１面）２０１に平行な底面（第４面）２０２ａと、表面２０１と底面２０２ａを接続し、互いに向かい合っている傾斜面（第２面）２０２ｂおよび傾斜面（第３面）２０２ｃと、を有している。このような凹部２０２は、結晶異方性エッチング（例えばウェットエッチング）によって形成されたものであり、よって、各傾斜面２０２ｂ、２０２ｃの傾斜角θは、それぞれ、約５４°となっている。なお、傾斜面２０２ｂの傾斜角θとは、表面２０１の法線方向Ｌ２０１と傾斜面２０２ｂの法線方向Ｌ２０２ｂのなす角とも言え、傾斜面２０２ｃの傾斜角θとは、表面２０１の法線方向Ｌ２０１と傾斜面２０２ｃの法線方向Ｌ２０２ｃのなす角とも言える。
【００３１】
このような被露光基板２００が有するレジスト膜Ｒを露光装置１００で露光することにより、レジスト膜Ｒから金属膜ＭをパターニングするためのレジストマスクＲＭが形成される。なお、レジスト膜Ｒは、露光された部分（レーザー光ＬＬが照射された部分）が除去されるポジ型であってもよいし、露光された部分が残るネガ型であってもよい。
【００３２】
このような被露光基板２００は、次のようにして露光される。被露光基板２００の露光方法は、被露光基板２００の表面２０１、傾斜面２０２ｃおよび底面２０２ａを露光する第１露光工程と、被露光基板２００の傾斜面２０２ｂを露光する第２露光工程と、を有している。
【００３３】
［第１露光工程］
まず、被露光基板２００を用意し、用意した被露光基板２００を保持ユニット１１０で保持する。次に、必要に応じて、保持ユニット１１０を軸Ｊ１まわりに回転させ、傾斜面２０２ｂ、２０２ｃの向き合う方向（離間方向）を副走査方向と一致させる。また、必要に応じて、保持ユニット１１０を軸Ｊ２まわりに傾斜させ、表面２０１、底面２０２ａおよび傾斜面２０２ｃに対するレーザー光ＬＬの入射角θｉｎ（°）がそれぞれθ／２±１５°の範囲内となるように被露光基板２００の姿勢を調整する。なお、入射角θｉｎとは入射する面（被露光面）の法線と入射方向とのなす角である。
【００３４】
そして、被露光基板２００の向きおよび傾きを調整し終えたら、保持ユニット１１０の移動とレーザー光ＬＬの出射タイミングの同期を取りながら、レーザー光ＬＬを走査しつつ、保持ユニット１１０を副走査方向へ移動させる。これにより、被露光基板２００の表面２０１、傾斜面２０２ｃおよび底面２０２ａにレーザー光ＬＬが入射し、当該部分が露光される。
【００３５】
ここで、図４に基づいて、表面２０１、傾斜面２０２ｃおよび底面２０２ａに対するレーザー光ＬＬの入射角θｉｎについて詳細に説明する。前述したように、表面２０１、傾斜面２０２ｃおよび底面２０２ａの各面に対するレーザー光ＬＬの入射角θｉｎは、それぞれ、θ／２±１５°の範囲内となっている（なお、入射角θｉｎは、図４に示す断面視における角度、すなわち、各面の法線とレーザー光ＬＬの走査面とがなす角を言う）。
【００３６】
これにより、表面２０１、傾斜面２０２ｃおよび底面２０２ａの各面間での入射角θｉｎの差が小さく抑えられ、各面でのレーザー光ＬＬのスポット面積の差が小さくなる。このことについて簡単に説明すると、レーザー光ＬＬのスポット形状は、入射角θｉｎが９０°のときに円形となり、入射角θｉｎが０°に近づくに連れて傾斜方向に広がった楕円形となる。このように、入射角θｉｎが小さくなるに連れてレーザー光ＬＬのスポット面積が大きくなるため、前述のように、各面における入射角θｉｎの差をなるべく小さくすることで、各面でのレーザー光ＬＬのスポット面積の差を十分に小さくすることができる。
【００３７】
なお、図４（図６も同様）中に示す「〇で囲った数字」は、入射角θｉｎ＝０°のときのレーザー光ＬＬのスポット面積を「１」としたとき、各面に対して入射角θｉｎ＝２７°（＝θ／２）で入射したレーザー光ＬＬのスポット面積を示したものであり、各面でレーザー光ＬＬのスポット面積がほぼ等しくなっている。
【００３８】
このように、表面２０１、傾斜面２０２ｃおよび底面２０２ａの各面での入射角θｉｎの差を小さく抑えることで、各面に対して粗密の少ないより均質な露光を行うことができる。加えて、各面間での露光量（単位面積当たりのエネルギー量）の差が小さくなり、露光不足の部分や露光過多の部分の発生が低減され、各面に対してより均質な露光を行うことができる。なお、表面２０１、傾斜面２０２ｃおよび底面２０２ａの各面に対するレーザー光ＬＬの入射角θｉｎは、それぞれ、θ／２±１５°の範囲内であれば良いが、当該範囲内でも、特に、θ／２±１０°の範囲内であるのが好ましく、θ／２±５°の範囲内であるのがより好ましく、θ／２であるのがさらに好ましい。これにより、上述した効果がより向上する。
【００３９】
ここで、上述の説明では、例えば、表面２０１と底面２０２ａとのレーザー光ＬＬの光路長の違いからくるスポット面積のずれについては考慮していない。そこで、このような光路長の違いに起因したスポット面積のずれを低減するために、図５に示すように、表面２０１と底面２０２ａの間、具体的には凹部２０２の深さ方向の中間部２０２’付近にレーザー光ＬＬのビームウェスト（径が最も小さくなる部分（焦点））ＢＷが位置するようにすることが好ましい。これにより、表面２０１、傾斜面２０２ｃおよび底面２０２ａ間のレーザー光ＬＬの光路長の違いに起因したスポット面積のずれが低減され、より均質な露光を行うことができる。
【００４０】
［第２露光工程］
まず、例えば、保持ユニット１１０の軸Ｊ２まわりの傾斜角度を変更することで、傾斜面２０２ｂに対するレーザー光ＬＬの入射角θｉｎがθ／２±１５°の範囲内となるように被露光基板２００の姿勢を調整する。
【００４１】
そして、被露光基板２００の姿勢を調整し終えたら、保持ユニット１１０の移動とレーザー光ＬＬの出射タイミングの同期を取りながら、レーザー光ＬＬを走査しつつ、保持ユニット１１０を副走査方向へ移動させる。これにより、図６に示すように、傾斜面２０２ｂにレーザー光ＬＬが入射し、当該部分が露光される。このように、θ／２±１５°の範囲内の入射角θｉｎで傾斜面２０２ｂにレーザー光ＬＬを入射することで、第１露光工程で露光した面（表面２０１、傾斜面２０２ｃおよび底面２０２ａ）との間での入射角θｉｎの差が小さく抑えられる。したがって、傾斜面２０２ｂを第１露光工程とほぼ等しい条件（レーザー光ＬＬのスポット面積、露光量等）で露光することができる。
【００４２】
傾斜面２０２ｂに対するレーザー光ＬＬの入射角θｉｎは、前述したように、θ／２±１５°の範囲内であれば良いが、当該範囲内でも、特に、θ／２±１０°の範囲内であるのが好ましく、θ／２±５°の範囲内であるのがより好ましく、θ／２であるのがさらに好ましい。これにより、上述した効果がより向上する。また、特に好ましい形態は、第１露光工程にける各面に対する入射角θｉｎをθ／２とすると共に、第２露光工程における各面に対する入射角θｉｎをθ／２とするものである。これにより、表面２０１、底面２０２ａおよび傾斜面２０２ｂ、２０２ｃの各面に対する入射角θｉｎを互いにほぼ等しくすることができる。
【００４３】
以上のような露光方法によれば、傾きの異なる面間での露光量のバラつきを抑えることができるため、露光ムラが低減され、表面２０１および凹部２０２上のレジスト膜Ｒをより均質に露光することができる。
【００４４】
なお、本実施形態では底面２０２ａを第１露光工程で露光しているが、当該箇所は、第２露光工程で露光してもよいし、第２露光工程後の第３露光工程で露光してもよい。ただし、当該箇所は、第１露光工程および第２露光工程のいずれか一方の工程で行うか、第１露光工程で一部を露光し第２露光工程で残りを露光することが好ましい（すなわち、第２露光工程終了時に露光を終えていることが好ましい）。これにより、露光工程の回数を減らすことができるため、被露光基板２００のより迅速な露光が可能となる。
【００４５】
同様に、本実施形態では表面２０１を第１露光工程で露光しているが、当該箇所は、第２露光工程で露光してもよいし、第２露光工程後の第３露光工程で露光してもよい。ただし、当該箇所は、第１露光工程および第２露光工程のいずれか一方の工程で行うか、第１露光工程で一部を露光し第２露光工程で残りを露光することが好ましい。これにより、露光工程の回数を減らすことができるため、被露光基板２００のより迅速な露光が可能となる。
【００４６】
また、本実施形態では、被露光基板２００の側面や裏面については触れていないが、仮に、側面や裏面上にもレジスト膜Ｒが成膜され、当該部分のパターニングが必要な場合には、これら面に対しても、レーザー光ＬＬの入射角θｉｎがθ／２±１５°の範囲内となるようにして、露光を行えばよい。
【００４７】
また、本実施形態では、２つの傾斜面２０２ｂ、２０２ｃを有する凹部２０２が設けられた被露光基板２００の露光方法について説明したが、例えば、図７に示すように、４つの傾斜面２０２ｂ、２０２ｃ、２０２ｄ、２０２ｅを有する凹部２０２が設けられた被露光基板２００’の場合には、例えば、本実施形態と同様にして表面２０１、底面２０２ａおよび傾斜面２０２ｂ、２０２ｃ上のレジスト膜の露光を行った後、保持ユニット１１０を軸Ｊ１まわりに９０°回転させ、傾斜面２０２ｄの露光を行い、次いで、傾斜面２０２ｅの露光を行えばよい。
【００４８】
＜第２実施形態＞
次に、本発明の露光方法および露光装置の第２実施形態について説明する。
【００４９】
図８は、本発明の第２実施形態に係る露光装置の構成図である。図９は、図８に示す露光装置の部分拡大図である。
【００５０】
本実施形態にかかる露光装置では、露光光入射ユニットが２組設けられており、被露光基板２００表裏面上のレジスト膜を同時に露光できること以外は、前述した第１実施形態にかかる露光装置と同様である。
【００５１】
なお、以下の説明では、第２実施形態の露光装置に関し、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項に関してはその説明を省略する。また、図８および図９では前述した実施形態と同様の構成について、同一符号を付している。
【００５２】
本実施形態の露光装置１００は、図８に示すように、被露光基板２００の表面２０１側にレーザー光ＬＬ１を入射する第１露光光入射ユニット１２０Ａと、被露光基板２００の裏面２０３側にレーザー光ＬＬ２を入射する第２露光光入射ユニット１２０Ｂと、を有し、これら第１、第２露光光入射ユニット１２０Ａ、１２０Ｂは、保持ユニット１１０を介して反対側に配置されている。このように、第１、第２露光光入射ユニット１２０Ａ、１２０Ｂを有することで、被露光基板２００の表面２０１側および裏面２０３側を同時に（同じ工程中で）露光することができるため、露光工程の回数を削減することができる。そのため、被露光基板２００をより迅速に露光することができる。
【００５３】
なお、被露光基板２００に対するレーザー光ＬＬ１の入射位置Ｓ１と、被露光基板２００に対するレーザー光ＬＬ２の入射位置Ｓ２と、の関係としては特に限定されないが、図９に示すように、入射位置Ｓ１、Ｓ２が被露光基板２００の厚さ方向に対向（一致）していることが好ましい。これにより、レーザー光ＬＬ１の走査と、レーザー光ＬＬ２の走査を同じタイミングで開始することができるため、これらの制御が容易となる。
【００５４】
以上、本発明の露光方法および露光装置を図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、各部の構成は、同様の機能を有する任意の構成のものに置換することができる。また、本発明に、他の任意の構成物が付加されていてもよい。また、本発明は、前記各実施形態のうちの、任意の２以上の構成（特徴）を組み合わせたものであってもよい。
【００５５】
以下に、本発明の露光方法や露光装置を用いて製造することのできる製造物（被露光基板を含む物）の具体的な例を幾つか例示する。ただし、製造物としては、下記に挙げる例に限定されるものではない。
【００５６】
≪振動素子≫
図１０は、製造物の一例としての振動素子を示し、（ａ）が平面図、（ｂ）が同図（ａ）中のＡ−Ａ線断面図である。図１１は、図１０に示す振動素子が有する励振電極のパターニング方法を説明する断面図である。
【００５７】
図１０（ａ）に示す振動素子５００は、基部５１０と、基部５１０から延出する一対の振動腕５２０、５３０と、を有する音叉型の水晶振動素子である。また、各振動腕５２０、５３０にはその延在方向に沿って複数の貫通孔５２１、５３１が形成されている。また、振動素子５００は、図１０（ｂ）に示すように、振動腕５２０、５３０の側面（外側面および内側面）に配置された励振電極５４１、５４２を有しており、励振電極５４１、５４２間に交番電圧を印加することで、振動腕５２０、５３０が面内逆相モードで屈曲振動するようになっている。
【００５８】
以上のような振動素子５００においては、励振電極５４１、５４２を上述した露光方法を用いて形成することができる。例えば、まず、振動腕５２０、５３０の全面に金属膜Ｍおよびポジ型のレジスト膜Ｒを順に成膜したものを用意する。次に、図１１（ａ）に示すように、表面側から、表面と側面とのなす角のほぼ半分である約４５°の入射角θｉｎでレーザー光ＬＬを入射し、表面および側面（左側の側面）上のレジスト膜Ｒを露光する。次に、振動腕５２０、５３０の姿勢を調整し直して、図１１（ｂ）に示すように、表面側から約４５°の入射角θｉｎでレーザー光ＬＬを入射し、側面（右側の側面）上のレジスト膜Ｒを露光する。次に、振動腕５２０、５３０をひっくり返して、図１１（ｃ）に示すように、裏面側から約４５°の入射角θｉｎでレーザー光ＬＬを入射し、裏面上のレジスト膜Ｒを露光する。
【００５９】
これにより、励振電極５４１、５４２の形状に対応したレジストマスクＲＭが形成され、このレジストマスクＲＭを介して金属膜Ｍをエッチングした後、レジストマスクＲＭを除去することで、励振電極５４１、５４２を形成することができる。
【００６０】
なお、図１０では、音叉型の振動子について説明したが、振動子の構成はこれに限定されず、例えば、双音叉型の振動子であってもよいし、メサ型、逆メサ型等のＡＴカット水晶振動子であってもよしい、基部と、基部から一方側へ延出する一対の駆動腕と、基部から他方側へ延出する一対の検出腕と、を有するＨ型の振動型ジャイロセンサー素子であってもよいし、基部と、基部から両側へ延出する一対の検出腕と、基部から一対の検出腕と直交する方向の両側へ延出する一対の接続腕と、一方の接続腕の先端部から両側へ延出する一対の駆動腕と、他方の接続腕の先端部から両側へ延出する一対の振動腕と、を有するＷＴ型の振動型ジャイロセンサー素子であってもよい。
【００６１】
≪波長可変フィルター≫
図１２は、製造物の一例としての波長可変フィルターを示す断面図である。
【００６２】
図１２に示す波長可変フィルター６００は、共にガラス板から形成されている固定基板６１０および可動基板６２０を備え、これらが対向して接合されている。また、固定基板６１０は、周囲から突出した凸状の反射膜設置部６１１を有し、反射膜設置部６１１の上面には固定反射膜６３０が設けられている。一方、可動基板６２０は、周囲よりも薄肉な環状の保持部６２１と、この保持部６２１の内側に位置し、保持部６２１を弾性変形させつつ固定基板６１０に対して変位可能な可動部６２２とを有し、可動部６２２の下面には可動反射膜６４０が設けられている。固定反射膜６３０および可動反射膜６４０は、ギャップＧ１を介して対向配置されており、このギャップＧ１は、静電アクチュエーター６５０で調整することができる。
【００６３】
静電アクチュエーター６５０は、固定基板６１０の上面に反射膜設置部６１１の周囲を囲むように配置された環状の固定電極６５１と、可動基板６２０の下面に固定電極６５１と対向するように配置された環状の可動電極６５２とを有し、固定電極６５１は、引出配線６５３によって引き出され、可動電極６５２は、引出配線６５４によって引き出されている。このような静電アクチュエーター６５０では、固定電極６５１および可動電極６５２の間に電圧を印加することにより発生する静電力を利用してギャップＧ１を調整することができる。このように、ギャップＧ１を調整することで、波長可変フィルター６００に入射した検査対象光から所定の目的波長の光を取り出すことができる。
【００６４】
以上のような波長可変フィルター６００においては、例えば、固定電極６５１および引出配線６５３を上述した露光方法を用いて形成することができる。また、同様に、可動電極６５２および引出配線６５４を上述した露光方法を用いて形成することができる。なお、具体的な露光方法については前述した振動素子５００とほぼ同様の手順であるため、その説明を省略する。
【００６５】
≪発光素子≫
図１３は、製造物の一例としての発光素子を示す断面図である。図１４は、図１３中のＢ−Ｂ線断面図である。
【００６６】
図１３および図１４に示す発光素子７００は、ＳＬＤ（スーパールミネッセントダイオード）であって、基板７０２と、第１クラッド層７０４と、活性層７０６と、第２クラッド層７０８と、コンタクト層７０９と、第１電極７１２と、第２電極７１４と、絶縁部７２０とが積層した構成となっている。
【００６７】
基板７０２は、例えばｎ型のＧａＡｓ基板である。また、第１クラッド層７０４は、例えばｎ型のＩｎＧａＡｌＰ層である。また、第２クラッド層７０８は、例えばｐ型のＩｎＧａＡｌＰ層である。また、活性層７０６は、例えばＩｎＧａＰウェル層とＩｎＧａＡｌＰバリア層とから構成される量子井戸構造を３つ重ねた多重量子井戸（ＭＱＷ）構造である。
【００６８】
活性層７０６は、光出射部７３０が形成される第１側面７３１と、第１側面７３１に対して傾斜した第２側面７３２および第３側面７３３を有している。なお、第２、第３側面７３２、７３３は、それぞれ、発光素子７００を貫通する貫通孔７４１、７４２の内周面で構成されている。このような活性層７０６の一部は、第１利得領域７５１、第２利得領域７５２および第３利得領域７５３からなる利得領域群７５０を構成し、この利得領域群が複数設けられている。
【００６９】
このような構成の発光素子７００では、第１電極７１２と第２電極７１４との間に、第１クラッド層７０４、活性層７０６および第２クラッド層７０８からなるｐｉｎダイオードの順バイアス電圧を印加すると、活性層７０６に利得領域７５１、７５２、７５３を生じ、利得領域７５１、７５２、７５３において電子と正孔との再結合が起こって発光が生じる。この生じた光を起点として、連鎖的に誘導放出が起こり、利得領域７５１、７５２、７５３内で光の強度が増幅される。そして、強度が増幅された光は、光出射部７３０から光Ｌとして出射される。
【００７０】
コンタクト層７０９と第２クラッド層７０８の一部とは、柱状部７２２を構成する。柱状部７２２の平面形状は、利得領域群７５０の平面形状と同じである。言い換えれば、柱状部７２２の平面形状によって、第１、第２電極７１２、７１４間の電流経路が決定され、その結果、利得領域群７５０の平面形状が決定される。
【００７１】
第１電極７１２は、基板７０２の下の全面に形成されており、第２電極７１４は、コンタクト層７０９上に形成されている。第２電極７１４の平面形状は、例えば、利得領域群７５０の平面形状と同じである。これら第１、第２電極７１２、７１４は、例えば、Ｃｒ層、ＡｕＺｎ層、Ａｕ層の順で積層した金属積層体である。
【００７２】
以上のような発光素子７００においては、例えば、第２電極７１４を上述した露光方法を用いて形成することができる。また、例えば、貫通孔７４１、７４２を上述した露光方法を用いて形成することができる。なお、具体的な露光方法については、前述した振動素子５００とほぼ同様の手順であるため、その説明を省略する。
【００７３】
≪インクジェットヘッド≫
図１５は、製造物の一例としてのインクジェットヘッドを示す断面図である。
【００７４】
図１５に示すインクジェットヘッド８００は、ノズル基板８１１、流路形成基板８１２、振動板８１３、リザーバー形成基板８１４およびコンプライアンス基板８１５が順に積層された積層基板８１０と、振動板８１３上に配置された複数の圧電素子８２０と、圧電素子８２０を覆うように振動板８１３上に設けられた配線形成部８３０と、配線形成部８３０上に配置されたＩＣパッケージ８４０とを有している。このようなインクジェットヘッド８００は、圧電素子８２０が振動板８１３を振動させることで、圧力発生室８９０内の圧力を変化させ、ノズル基板８１１に形成された吐出口８９１からインクＩを液滴として吐出するように構成されている。
【００７５】
配線形成部８３０は、例えば、シリコン基板をウエットエッチング（異方性エッチング）することで、リザーバー形成基板８１４と一括形成されている。このような配線形成部８３０は、一対の傾斜面８３１、８３２と、傾斜面８３１、８３２の上端同士を連結する上面８３３とを有し、傾斜面８３１、８３２の傾斜角が約５４°となっている。また、配線形成部８３０は、下面に開口する凹部を有し、この凹部と振動板８１３とで画成された空間に圧電素子８２０が配置されている。また、配線形成部８３０の上面８３３および傾斜面８３１、８３２には配線８３９が配置されており、この配線８３９が圧電素子８２０に電気的に接続されている。
【００７６】
ＩＣパッケージ８４０は、各圧電素子８２０の駆動を独立して制御することができる回路を含み、半田や金バンプ等の導電性固定部材を介して配線形成部８３０の上面に固定されると共に、配線８３９と電気的に接続されている。
【００７７】
以上のようなインクジェットヘッド８００においては、例えば、配線８３９を上述した露光方法を用いて形成することができる。簡単に説明すると、配線形成部８３０が一体形成されたリザーバー形成基板８１４を用意し、当該基板上（配線形成部８３０の上面８３３および傾斜面８３１、８３２）に金属膜およびレジスト膜を順に成膜する。次に、レジスト膜に対して、上面８３３と傾斜面８３１のなす角の半分の傾斜角でレーザー光を入射し、レジスト膜を露光することで配線８３９に対応したレジストマスクを形成する。そして、このレジストマスクを介して金属膜をエッチングした後、レジストマスクを除去することで、配線形成部８３０上に配線８３９が形成される。
【００７８】
≪メタルマスク≫
図１６は、製造物の一例としてのメタルマスクを有する基材を示す断面図である。図１７は、図１６に示すメタルマスクの製造方法を示す断面図である。
【００７９】
図１６に示すメタルマスク９１０は、例えば、水晶基板やシリコン基板等の基材９００をドライエッチングによりパターニングする際のマスクである。このようなメタルマスク９１０も上述した露光装置１００および露光方法を用いて形成することができる。簡単に説明すると、まず、基材９００を用意し、図１７（ａ）に示すように、スパッタ、蒸着等によって基材９００の表面にめっき成長用のシード層９２０を形成する。次に、シード層９２０上にレジスト膜Ｒを成膜し、このレジスト膜Ｒを上述した露光方法で露光することで、図１７（ｂ）に示すように、メタルマスク９１０の形状に対応した開口を有するレジストマスクＲＭを得る。次に、電解めっき、無電解めっき等によって、レジストマスクＲＭの開口内にめっき層９３０を成膜し、レジストマスクＲＭおよびめっき層９３０からはみ出ているシード層９２０を除去することで、図１７（ｃ）に示すように、メタルマスク９１０が得られる。
【符号の説明】
【００８０】
１００……露光装置
１１０……保持ユニット
１２０……露光光入射ユニット
１２０Ａ……第１露光光入射ユニット
１２０Ｂ……第２露光光入射ユニット
１３０……レーザー光源
１４０……レーザー光源制御部
１５０……光学レンズ系
１５１……コリメーターレンズ
１５２……第１ズームレンズ
１５３……第２ズームレンズ
１５４……第１シリンドリカルレンズ
１５５……ｆθレンズ
１５６……第２シリンドリカルレンズ
１６０……ポリゴンミラー
１６１……反射面
１７０……ミラー
２００、２００’……被露光基板
２０１……表面
２０２……凹部
２０２’……中間部
２０２ａ……底面
２０２ｂ、２０２ｃ、２０２ｄ、２０２ｅ……傾斜面
２０３……裏面
２１０……基板
５００……振動素子
５１０……基部
５２０、５３０……振動腕
５２１、５３１……貫通孔
５４１、５４２……励振電極
６００……波長可変フィルター
６１０……固定基板
６１１……反射膜設置部
６２０……可動基板
６２１……保持部
６２２……可動部
６３０……固定反射膜
６４０……可動反射膜
６５０……静電アクチュエーター
６５１……固定電極
６５２……可動電極
６５３……引出配線
６５４……引出配線
７００……発光素子
７０２……基板
７０４……第１クラッド層
７０６……活性層
７０８……第２クラッド層
７０９……コンタクト層
７１２……第１電極
７１４……第２電極
７２０……絶縁部
７２２……柱状部
７３０……光出射部
７３１……第１側面
７３２……第２側面
７３３……第３側面
７４１、７４２……貫通孔
７５０……利得領域群
７５１……第１利得領域
７５２……第２利得領域
７５３……第３利得領域
８００……インクジェットヘッド
８１０……積層基板
８１１……ノズル基板
８１２……流路形成基板
８１３……振動板
８１４……リザーバー形成基板
８１５……コンプライアンス基板
８２０……圧電素子
８３０……配線形成部
８３１、８３２……傾斜面
８３３……上面
８３９……配線
８４０……ＩＣパッケージ
８９０……圧力発生室
８９１……吐出口
９００……基材
９１０……メタルマスク
９２０……シード層
９３０……めっき層
ＢＷ……ビームウェスト
Ｇ１……ギャップ
Ｉ……インク
Ｊ、Ｊ１、Ｊ２……軸
Ｌ２０１、Ｌ２０２ｂ、Ｌ２０２ｃ……法線方向
ＬＬ、ＬＬ１、ＬＬ２……レーザー光
Ｌ……光
Ｍ……金属膜
Ｒ……レジスト膜
ＲＭ……レジストマスク
Ｓ１、Ｓ２……入射位置
θ……傾斜角
θｉｎ……入射角
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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