(57)【要約】【課題】ノイズ源を特定することができる、算出プログラム、算出装置および算出方法を提供する。【解決手段】算出装置１０は、基板のうち閾値以上の電流が流れる箇所の座標を検出する。算出装置１０は、検出した座標から所定の範囲内の電流値を信号層とＧＮＤ層ごとに抽出する。算出装置１０は、抽出した電流値を信号層とＧＮＤ層ごとに足し合わせて第１の合成電流を算出する。算出装置１０は、算出した信号層の第１の合成電流とＧＮＤ層の第１の合成電流とを断面方向に足し合わせて第２の合成電流を算出する。【選択図】図１
2016143082.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コンピュータに、
基板のうち閾値以上の電流が流れる箇所の座標を検出し、
検出した座標から所定の範囲内の電流値を信号層とＧＮＤ層ごとに抽出し、
抽出した電流値を前記信号層と前記ＧＮＤ層ごとに足し合わせて第１の電流を算出し、
算出した前記信号層の第１の電流と前記ＧＮＤ層の第１の電流とを断面方向に足し合わせて第２の電流を算出する
処理を実行させることを特徴とする算出プログラム。
【請求項２】
前記コンピュータに、
算出した第２の電流に基づいて前記基板から放射される輻射ノイズの強弱を示すノイズ源分布を出力する
処理をさらに実行させることを特徴とする請求項１に記載の算出プログラム。
【請求項３】
前記コンピュータに、
前記ノイズ源分布として、前記基板上の所定の区間ごとに前記第２の電流を足し合わせた電流値の分布を出力する
処理をさらに実行させることを特徴とする請求項２に記載の算出プログラム。
【請求項４】
基板のうち閾値以上の電流が流れる箇所の座標を検出する検出部と、
前記検出部によって検出された座標から所定の範囲内の電流値を信号層とＧＮＤ層ごとに抽出する抽出部と、
前記抽出部によって抽出された電流値を前記信号層と前記ＧＮＤ層ごとに足し合わせて第１の電流を算出する第１算出部と、
前記第１算出部によって算出された前記信号層の第１の電流と前記ＧＮＤ層の第１の電流とを断面方向に足し合わせて第２の電流を算出する第２算出部と
を有することを特徴とする算出装置。
【請求項５】
コンピュータが、
基板のうち閾値以上の電流が流れる箇所の座標を検出し、
検出した座標から所定の範囲内の電流値を信号層とＧＮＤ層ごとに抽出し、
抽出した電流値を前記信号層と前記ＧＮＤ層ごとに足し合わせて第１の電流を算出し、
算出した前記信号層の第１の電流と前記ＧＮＤ層の第１の電流とを断面方向に足し合わせて第２の電流を算出する
処理を実行することを特徴とする算出方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、算出プログラム、算出装置および算出方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電気製品などに用いられるプリント基板に対して、輻射ノイズを発するノイズ源を特定する方法が知られている。例えば、このような方法は、電磁界シミュレーションによって計測される近傍電磁界の電流が大きい箇所をノイズ源として推測する。これにより、上記の方法は、ノイズ源を特定することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００９−１２３０６８号公報
【特許文献２】特開２００９−３７９０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、このような方法は、ノイズ源を特定することが困難な場合がある。例えば、プリント基板には、配線に電流が流れる際に、リターン電流が発生する場合がある。一例としては、このようなリターン電流が信号配線の直近を流れる場合には、遠方の観測地点における輻射の高さを示す輻射レベルは、電波が打ち消し合うので低くなる。一方、リターン電流が信号配線から離れた地面などを流れる場合には、輻射レベルは、電波が打ち消し合わないので高くなる。このため、近傍電磁界の電流が大きい箇所は、リターン電流の影響により、対策を行う優先度が高いノイズ源ではない場合がある。したがって、上記の方法により、近傍電磁界の電流が大きい箇所をノイズ源として推測しても、ノイズ源を特定できない場合がある。
【０００５】
一側面では、ノイズ源を特定することができる算出プログラム、算出装置および算出方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一側面によれば、算出プログラムは、コンピュータに、基板のうち閾値以上の電流が流れる箇所の座標を検出する処理を実行させる。算出プログラムは、コンピュータに、検出した座標から所定の範囲内の電流値を信号層とＧＮＤ層ごとに抽出する処理を実行させる。算出プログラムは、コンピュータに、抽出した電流値を前記信号層と前記ＧＮＤ層ごとに足し合わせて第１の電流を算出する処理を実行させる。算出プログラムは、コンピュータに、算出した前記信号層の第１の電流と前記ＧＮＤ層の第１の電流とを断面方向に足し合わせて第２の電流を算出する処理を実行させる。
【発明の効果】
【０００７】
本発明の一側面によれば、ノイズ源を特定することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】図１は、算出装置の機能的な構成の一例を示す図である。
【図２】図２は、電流情報のデータ構成の一例を示す図である。
【図３】図３は、合成範囲を説明するための説明図である。
【図４】図４は、合成範囲を説明するための説明図である。
【図５】図５は、合成範囲を説明するための説明図である。
【図６】図６は、合成範囲情報のデータ構成の一例を示す図である。
【図７】図７は、検出処理を説明するための説明図である。
【図８】図８は、抽出処理を説明するための説明図である。
【図９】図９は、第１の算出処理を説明するための説明図である。
【図１０】図１０は、第２の算出処理を説明するための説明図である。
【図１１】図１１は、整合パターンの合成電流の一例を示す図である。
【図１２】図１２は、基板端の合成電流の一例を示す図である。
【図１３】図１３は、相対的に短いスリットがある場合の合成電流の一例を示す図である。
【図１４】図１４は、相対的に長いスリットがある場合の合成電流の一例を示す図である。
【図１５】図１５は、ガードパターンの場合の合成電流の一例を示す図である。
【図１６】図１６は、整合パターンの場合の電流値の分布の一例を示す図である。
【図１７】図１７は、スリットがある場合の電流値の分布の一例を示す図である。
【図１８】図１８は、コモンモード電流が流れる場合の電流値の分布の一例を示す図である。
【図１９】図１９は、ノイズ対策処理の手順の一例を示すフローチャートである。
【図２０】図２０は、算出処理の手順の一例を示すフローチャートである。
【図２１】図２１は、ベクトル表示した電流値の分布の一例を示す図である。
【図２２】図２２は、算出プログラムを実行するコンピュータを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下に、本発明に係る算出プログラム、算出装置および算出方法の実施例を図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施例によりこの発明が限定されるものではない。そして、各実施例は、処理内容を矛盾させない範囲で適宜組み合わせることが可能である。
【実施例１】
【００１０】
［算出装置の構成］
実施例１に係る算出装置１０について説明する。図１は、算出装置の機能的な構成の一例を示す図である。算出装置１０は、基板から発せられる輻射ノイズの発生源であるノイズ源を特定するシミュレーションを行う装置である。なお、以下では、算出装置１０が、シミュレーションによって、基板の信号層の電流とＧＮＤ層の電流とを断面方向に足し合わせた合成電流を算出し、算出した合成電流に基づいてノイズ源の分布を表示する場合を例に説明する。図１に示すように、算出装置１０は、通信Ｉ／Ｆ部３０と、記憶部３１と、制御部３２と、入力部３３と、表示部３４とを有する。
【００１１】
通信Ｉ／Ｆ部３０は、他の装置との間で通信制御を行うインタフェースである。通信Ｉ／Ｆ部３０は、不図示のネットワークを介して他の装置と各種情報を送受信する。例えば、通信Ｉ／Ｆ部３０は、他の装置から後述する合成範囲情報４１や閾値情報４２に関する情報を受信する。通信Ｉ／Ｆ部３０としては、ＬＡＮカードなどのネットワークインタフェースカードを採用できる。なお、算出装置１０は、メモリカードなどの記憶媒体を介して合成範囲情報４１や閾値情報４２に関する情報などの情報を取得してもよい。また、合成範囲情報４１や閾値情報４２に関する情報は、入力部３３から入力されてもよい。
【００１２】
記憶部３１は、フラッシュメモリなどの半導体メモリ素子、ハードディスク、光ディスクなどの記憶装置である。なお、記憶部３１は、ＲＡＭ（Random  Access  Memory）、フラッシュメモリ、ＮＶＳＲＡＭ（Non  Volatile  Static  Random  Access  Memory）などのデータを書き換え可能な半導体メモリであってもよい。
【００１３】
記憶部３１は、制御部３２で実行されるＯＳ（Operating  System）や受信される要求を処理する各種プログラムを記憶する。さらに、記憶部３１は、制御部３２で実行されるプログラムで用いられる各種データを記憶する。例えば、記憶部３１は、電流情報４０と、合成範囲情報４１と、閾値情報４２とを記憶する。
【００１４】
電流情報４０は、後述するシミュレーション部５１による電磁界シミュレーションによって得られる基板上の電流に関するデータである。例えば、電流情報４０には、信号層とＧＮＤ層ごとに、基板上の位置を示す座標と電流値とが対応付けられて記憶されている。この点について、図２を用いて詳細に説明する。
【００１５】
図２は、電流情報のデータ構成の一例を示す図である。電流情報４０は、座標、信号層の電流値、ＧＮＤ層の電流値などの項目が対応付けられたテーブルを採用できる。座標の項目は、基板の位置を示す座標を記憶する領域である。例えば、座標の項目には、基板上の位置を示すｘ座標およびｙ座標の組み合わせが記憶される。信号層の電流値の項目は、電磁界シミュレーションによって計測される電流のうち信号層を流れる電流の電流値を記憶する領域である。例えば、信号層の電流値の項目は、座標に対応する基板上の位置の信号層を流れる電流の電流値が記憶される。ＧＮＤ層の電流値の項目は、電磁界シミュレーションによって計測される電流のうちＧＮＤ層を流れる電流の電流値を記憶する領域である。例えば、ＧＮＤ層の電流値の項目は、座標に対応する基板上の位置のＧＮＤ層を流れる電流の電流値が記憶される。
【００１６】
図２の例では、信号層の電流値は、座標（ｘ２，ｙ５）〜（ｘ８，ｙ５）の位置で「９」であることを示す。信号層の電流値は、座標（ｘ２，ｙ５）〜（ｘ８，ｙ５）以外の位置では「０」であることを示す。このため、信号層では、座標（ｘ２，ｙ５）〜（ｘ８，ｙ５）の位置が他の座標の位置と比較して強い電流が流れることを示す。
【００１７】
ＧＮＤ層の電流値は、座標（ｘ２，ｙ４）〜（ｘ８，ｙ４）の位置で「−２」であることを示す。また、ＧＮＤ層の電流値は、座標（ｘ１，ｙ５）、（ｘ９，ｙ５）の位置で「−１」であることを示す。また、ＧＮＤ層の電流値は、座標（ｘ２，ｙ５）、（ｘ８，ｙ５）の位置で「−４」であることを示す。また、ＧＮＤ層の電流値は、座標（ｘ３，ｙ５）〜（ｘ７，ｙ５）の位置で「−５」であることを示す。また、ＧＮＤ層の電流値は、座標（ｘ２，ｙ６）〜（ｘ８，ｙ６）の位置で「−２」であることを示す。また、ＧＮＤ層の電流値は、上述の座標以外の位置では「０」であることを示す。このため、ＧＮＤ層では、座標（ｘ２，ｙ５）〜（ｘ８，ｙ５）の位置が他の座標の位置と比較して強い電流が流れることを示す。
【００１８】
なお、図２の例では、信号層の電流値およびＧＮＤ層の電流値の符号は、電流が流れる向きを意味する。このため、図２の例では、ＧＮＤ層を流れる電流は、信号層を流れる電流と反対の方向に流れることを示す。
【００１９】
合成範囲情報４１は、電流を合成する範囲を示すデータである。例えば、合成範囲情報４１には、後述する検出部５２によって検出された座標を中心として電流を合成する範囲の長さを示す値が記憶されている。図３は、合成範囲を説明するための説明図である。図３では、信号層に信号電流Ｔｒ１が流れる例を示す。また、ＧＮＤ層にリターン電流Ｒｅ１が流れる例を示す。また、信号電流Ｔｒ１は、リターン電流Ｒｅ１と流れる向きが逆である例を示す。ここで、リターン電流Ｒｅ１の幅ＷＲ１は、図３に示すように、信号電流Ｔｒ１の幅ＷＴ１と比較して広い。このため、後述する合成電流は、リターン電流が有する広がりを考慮して算出されることが望ましい。そこで、本実施例では、広がりを持つリターン電流を積算するために、電流を合成する範囲を示す合成範囲が設定される。
【００２０】
合成範囲の設定について、図４および図５を用いて説明する。図４および図５は、合成範囲を説明するための説明図である。図４の例では、信号層ＴＬ１を流れる信号電流ＴＲ１の直下にＧＮＤ層ＧＬ１がある。また、図４の例では、信号層ＴＬ１とＧＮＤ層ＧＬ１との間の距離である層厚は、「Ｈ」である。また、図４の例では、ＧＮＤ層ＧＬ１を流れるリターン電流ＲＥ１は、信号電流ＴＲ１が流れる信号層ＴＬ１の中心から幅Ｄの広がりを持つ。また、図４の例では、幅Ｄは、層厚Ｈを２０倍した値である２０Ｈ未満である。このように幅Ｄが２０Ｈ未満である場合には、一般に、輻射ノイズが増大しないと知られている。
【００２１】
図５の例では、信号層ＴＬ２を流れる信号電流ＴＲ２の直下にスリットＳＬがありＧＮＤ層ＧＬ２がない部分がある。また、図５の例では、信号層ＴＬ２とＧＮＤ層ＧＬ２との間の距離である層厚は、「Ｈ」である。また、図５の例では、ＧＮＤ層ＧＬ２を流れるリターン電流ＲＥ２は、信号電流ＴＲ２が流れる信号層ＴＬ２の中心から幅２０Ｈ以上の広がりを持つ。このようにリターン電流の幅が２０Ｈ以上である場合には、一般に、輻射ノイズが増大すると知られている。このため、合成範囲は、一例としては、層厚を２０倍した値が設定される。
【００２２】
図６は、合成範囲情報のデータ構成の一例を示す図である。合成範囲情報４１は、層厚、定数、設定値などの項目が対応付けられたテーブルを採用できる。層厚の項目は、基板の信号層とＧＮＤ層との間の層の厚さを記憶する領域である。例えば、層厚の項目には、ＣＡＤ図面等の層定義ファイルから検出された信号層とＧＮＤ層との間の層の厚さが記憶される。定数の項目は、使用者によって予め設定された数値を記憶する領域である。例えば、定数の項目には、実験などによって得られた層厚と輻射ノイズとの間の関係を示す最適な数値が記憶される。一例としては、定数の項目には、輻射ノイズが増大すると知られているリターン電流の幅が層厚を２０倍した値なので、「２０」が記憶される。設定値の項目は、電流を合成する範囲を示す合成範囲の数値を記憶する領域である。例えば、設定値の項目には、層厚に定数を乗算した数値が記憶される。
【００２３】
図６の例では、合成範囲の設定値は、層厚「１００μｍ」に定数「２０」を乗算した値である「２ｍｍ」であることを示す。
【００２４】
閾値情報４２は、基板のうちノイズ源の候補とする箇所を判定する基準となるデータである。例えば、閾値情報４２には、信号層を流れる電流の電流値の閾値が記憶される。一例としては、電流値の閾値は、後述する合成電流の演算処理により算出装置１０にかかる処理負荷に応じて任意の値が設定される。
【００２５】
図１に戻り、入力部３３は、各種の情報を入力する入力デバイスである。入力部３３としては、マウスやキーボードなどの操作の入力を受け付ける入力デバイスが挙げられる。例えば、入力部３３は、使用者によって電磁界シミュレーションを実行する実行操作が入力される。また、入力部３３は、合成範囲情報４１や閾値情報４２に関する情報が使用者によって入力される。一例としては、入力部３３は、合成範囲の算出に用いる数値や閾値となる数値が入力される。
【００２６】
表示部３４は、各種の情報を表示する液晶ディスプレイなどのデバイスである。具体的には、表示部３４は、後述する出力制御部５６の指示に従って各種の情報を表示する。例えば、表示部３４は、出力制御部５６によって生成されたノイズ源の分布を表示する。一例としては、表示部３４は、ノイズ源の分布として、後述する第２の合成電流の電流値を示す分布を表示する。
【００２７】
制御部３２は、算出装置１０を制御するデバイスである。制御部３２としては、ＣＰＵ（Central  Processing  Unit）、ＭＰＵ（Micro  Processing  Unit）等の電子回路や、ＡＳＩＣ（Application  Specific  Integrated  Circuit）、ＦＰＧＡ（Field  Programmable  Gate  Array）等の集積回路を採用できる。制御部３２は、各種の処理手順を規定したプログラムや制御データを格納するための内部メモリを有し、これらによって種々の処理を実行する。制御部３２は、各種のプログラムが動作することにより各種の処理部として機能する。例えば、制御部３２は、受付部５０と、シミュレーション部５１と、検出部５２と、抽出部５３と、第１算出部５４と、第２算出部５５と、出力制御部５６とを有する。
【００２８】
受付部５０は、各種の情報を受け付ける処理部である。具体的には、受付部５０は、シミュレーション部５１による電磁界シミュレーションを実行する実行操作を受け付ける。また、受付部５０は、入力部３３によって入力された合成範囲情報４１や閾値情報４２に関する情報を受け付ける。例えば、受付部５０は、合成範囲の算出に用いる数値を受け付け、受け付けた数値を合成範囲情報４１の定数の項目に格納する。他の例では、入力部３３は、閾値となる数値を受け付け、受け付けた数値を閾値情報４２に格納する。
【００２９】
シミュレーション部５１は、電磁界シミュレーションを実行する。具体的には、シミュレーション部５１は、受付部５０によって実行操作が受け付けられた場合に、基板の信号層を流れる電流とＧＮＤ層を流れる電流の分布を算出する。例えば、シミュレーション部５１は、基板上の座標ごとに、信号層の電流値とＧＮＤ層の電流値とを算出する。一例としては、シミュレーション部５１は、有限差分時間領域法（ＦＤＴＤ（Finite-Difference  Time-Domain  Method）法）により、信号層の電流値とＧＮＤ層の電流値とを算出する。そして、シミュレーション部５１は、算出した信号層の電流値とＧＮＤ層の電流値とを、座標と対応付けて電流情報４０に格納する。
【００３０】
検出部５２は、ノイズ源の候補に関する情報を検出する。具体的には、基板のうち閾値以上の電流が流れる箇所の座標を検出する。例えば、検出部５２は、まず、閾値情報４２に記憶された電流値の閾値を取得する。また、検出部５２は、電流情報４０に記憶された座標ごとの信号層の電流値を取得する。そして、検出部５２は、取得した閾値以上の電流が流れる信号層の座標を検出する。
【００３１】
この点について、図７を用いて説明する。図７は、検出処理を説明するための説明図である。図７では、座標（Ｘ１，Ｙ１）の位置の信号層に信号電流Ｔｒ１が流れる例を示す。また、座標（Ｘ２，Ｙ１）の位置の信号層に信号電流Ｔｒ２が流れる例を示す。また、座標（Ｘ１，Ｙ１）の位置のＧＮＤ層にリターン電流Ｒｅ１が流れる例を示す。また、座標（Ｘ２，Ｙ１）の位置のＧＮＤ層にリターン電流Ｒｅ２が流れる例を示す。ここで、リターン電流Ｒｅ１は、信号電流Ｔｒ１と反対向きに流れる。このため、座標（Ｘ１，Ｙ１）の位置では、信号電流Ｔｒ１およびリターン電流Ｒｅ１は、互いに打ち消し合うノーマルモード電流である。一方、リターン電流Ｒｅ２は、信号電流Ｔｒ２と同じ向きに流れる。このため、座標（Ｘ２，Ｙ１）の位置では、信号電流Ｔｒ２およびリターン電流Ｒｅ２は、互いに打ち消し合わず強め合うコモンモード電流である。
【００３２】
信号電流Ｔｒ１および信号電流Ｔｒ２は、図７に示すように、閾値Ｔｈ以上の電流値である。このため、図７の例では、検出部５２は、閾値Ｔｈ以上の電流が流れる箇所の座標として、座標（Ｘ１，Ｙ１）と座標（Ｘ２，Ｙ１）とを検出する。
【００３３】
図１に戻り、抽出部５３は、検出部５２によって検出された座標に基づいて信号層の電流値とＧＮＤ層の電流値とを抽出する。具体的には、抽出部５３は、検出部５２によって検出された座標から所定の範囲内の電流値を信号層とＧＮＤ層ごとに抽出する。例えば、抽出部５３は、検出部５２によって検出された座標を中心とした合成範囲内の電流値を抽出する。
【００３４】
この点について、図８を用いて説明する。図８は、抽出処理を説明するための説明図である。図８の例では、抽出部５３は、座標（Ｘ１，Ｙ１）を中心とした合成範囲Ｃｗ１内の信号電流Ｔｒ１の電流値を抽出する。また、抽出部５３は、座標（Ｘ２，Ｙ１）を中心とした合成範囲Ｃｗ２内の信号電流Ｔｒ２の電流値を抽出する。
【００３５】
第１算出部５４は、各層ごとに、合成範囲内の電流を合成した第１の合成電流を算出する。具体的には、第１算出部５４は、抽出した電流値を信号層とＧＮＤ層ごとに足し合わせて第１の合成電流を算出する。例えば、第１算出部５４は、抽出した信号層の合成範囲内の電流値を積分することで信号層の第１の合成電流の電流値を算出する。また、第１算出部５４は、抽出したＧＮＤ層の合成範囲内の電流値を積分することでＧＮＤ層の第１の合成電流の電流値を算出する。
【００３６】
この点について、図９を用いて説明する。図９は、第１の算出処理を説明するための説明図である。図９に示すように、第１算出部５４は、図８に示す信号層の合成範囲Ｃｗ１内の信号電流Ｔｒ１を積分した信号層の第１の合成電流Ｃｔｒ１を算出する。また、第１算出部５４は、図８に示す信号層の合成範囲Ｃｗ２内の信号電流Ｔｒ２を積分した信号層の第１の合成電流Ｃｔｒ２を算出する。第１算出部５４は、図８に示すＧＮＤ層の合成範囲Ｃｗ１内のリターン電流Ｒｅ１を積分したＧＮＤ層の第１の合成電流ＣＲｅ１を算出する。また、第１算出部５４は、図８に示すＧＮＤ層の合成範囲Ｃｗ２内のリターン電流Ｒｅ２を積分したＧＮＤ層の第１の合成電流ＣＲｅ２を算出する。
【００３７】
第２算出部５５は、断面方向に流れる第２の合成電流を算出する。具体的には、第２算出部５５は、第１算出部５４によって算出された信号層の第１の合成電流とＧＮＤ層の第１の合成電流とを断面方向に足し合わせて第２の合成電流を算出する。例えば、第２算出部５５は、信号層の第１の合成電流の断面方向の電流値とＧＮＤ層の第１の合成電流の断面方向の電流値とを合成範囲内で加算することで、基板の断面方向に流れる第２の合成電流の電流値を算出する。一例としては、第２算出部５５は、位置ごとに、信号層の第１の合成電流の断面方向の電流値とＧＮＤ層の第１の合成電流の断面方向の電流値とを加算することで、第２の合成電流の電流値を算出する。
【００３８】
この点について、図１０を用いて説明する。図１０は、第２の算出処理を説明するための説明図である。図１０に示すように、第２算出部５５は、図９に示す信号層の第１の合成電流Ｃｔｒ１とＧＮＤ層の第１の合成電流ＣＲｅ１とを合成範囲Ｃｗ１内で位置ごとに足し合わせることで第２の合成電流Ｃｓ１を算出する。また、第２算出部５５は、図９に示す信号層の第１の合成電流Ｃｔｒ２とＧＮＤ層の第１の合成電流ＣＲｅ２とを合成範囲Ｃｗ２内で位置ごとに足し合わせることで第２の合成電流Ｃｓ２を算出する。図１０の例では、第２の合成電流Ｃｓ１は、信号層の第１の合成電流Ｃｔｒ１とＧＮＤ層の第１の合成電流ＣＲｅ１とが逆方向に流れる電流であるため、互いに打ち消し合うので電流値が低くなる。一方、第２の合成電流Ｃｓ２は、信号層の第１の合成電流Ｃｔｒ２とＧＮＤ層の第１の合成電流ＣＲｅ２とが同じ方向に流れる電流であるため、互いに打ち消し合わず強め合うので電流値が高くなる。このため、第２の合成電流Ｃｓ２は、第２の合成電流Ｃｓ１と比較して輻射レベルが高い。したがって、信号電流Ｔｒ２が流れる箇所は、信号電流Ｔｒ１が流れる箇所と比較してノイズ源である可能性が高い。これにより、信号電流Ｔｒ２が流れる箇所に対して行うノイズを低減する対策は、単に信号電流Ｔｒ２より電流値が高い信号電流Ｔｒ１が流れる箇所に対して対策を優先的に行う場合と比較して、ノイズをより効果的に低減することができる。
【００３９】
次に、図１１〜図１５を用いて、第２算出部５５によって算出される第２の合成電流の例について説明する。図１１は、整合パターンの合成電流の一例を示す図である。図１１の例では、信号層に信号電流Ｔｒ１１〜Ｔｒ１３が流れる。また、図１１の例では、信号層の配線下のＧＮＤ層にリターン電流Ｒｅ１１〜Ｒｅ１３が流れる。ここで、リターン電流Ｒｅ１１〜Ｒｅ１３は、信号電流Ｔｒ１１〜Ｔｒ１３と逆方向に流れている。この場合、信号電流Ｔｒ１１〜Ｔｒ１３とリターン電流Ｒｅ１１〜Ｒｅ１３とは、合成範囲内で打ち消し合う。このため、基板の断面方向を流れる第２の合成電流Ｃｓ１１〜Ｃｓ１３は、図１１に示すように、相対的に低い電流値となる。したがって、整合パターンの箇所は、輻射の影響が相対的に小さく、ノイズ源とならない可能性が高い。
【００４０】
図１２は、基板端の合成電流の一例を示す図である。図１２の例では、信号層に信号電流Ｔｒ２１〜Ｔｒ２３が流れる。また、図１２の例では、信号層の配線下のＧＮＤ層にリターン電流Ｒｅ２１〜Ｒｅ２３が流れる。また、信号電流Ｔｒ２１は、基板の端の信号層を流れる。このため、リターン電流Ｒｅ２１は、基板のない箇所には電流が流れないので、リターン電流Ｒｅ２２〜Ｒｅ２３と比較して合成範囲内の電流値が小さい。この場合、信号電流Ｔｒ２１を打ち消す合成範囲内のリターン電流Ｒｅ２１は、リターン電流Ｒｅ２２〜Ｒｅ２３と比較して量が小さい。このため、基板の断面方向を流れる第２の合成電流Ｃｓ２１は、図１２に示すように、第２の合成電流Ｃｓ２２〜Ｃｓ２３と比較して高い電流値となる。したがって、基板の端は、輻射の影響が相対的に大きく、ノイズ源となる。
【００４１】
図１３は、相対的に短いスリットがある場合の合成電流の一例を示す図である。図１３の例では、信号層に信号電流Ｔｒ３１が流れる。また、図１３の例では、信号層の配線下のＧＮＤ層にリターン電流Ｒｅ３１〜Ｒｅ３２が流れる。また、信号電流Ｔｒ３１が流れる信号層の配下は、相対的に短いスリットＳＬ３１を有するＧＮＤ層である。このため、リターン電流は、ＧＮＤ層のうちスリットＳＬ３１がある箇所では電流は流れない。しかしながら、スリットＳＬ３１付近において、信号電流Ｔｒ３１と逆向きの電流Ｒｅ３１〜Ｒｅ３２が流れる。この場合、信号電流Ｔｒ３１とリターン電流Ｒｅ３１〜Ｒｅ３２とは、合成範囲内で打ち消し合う。このため、基板の断面方向を流れる第２の合成電流Ｃｓ３１は、図１３に示すように、相対的に低い電流値となる。したがって、相対的に短いスリットがある場合は、輻射の影響が相対的に小さく、ノイズ源とならない可能性が高い。
【００４２】
図１４は、相対的に長いスリットがある場合の合成電流の一例を示す図である。図１４の例では、信号層に信号電流Ｔｒ４１が流れる。また、図１４の例では、信号層の配線下のＧＮＤ層にリターン電流Ｒｅ４１〜Ｒｅ４２が流れる。また、信号電流Ｔｒ４１が流れる信号層の配下は、相対的に長いスリットＳＬ４１を有するＧＮＤ層である。このため、リターン電流は、ＧＮＤ層のうちスリットＳＬ４１がある箇所では電流は流れない。また、スリットＳＬ４１の中心から離れた位置において、信号電流Ｔｒ４１と逆向きの電流Ｒｅ４１〜４２が流れる。この場合、信号電流Ｔｒ４１とリターン電流Ｒｅ４１〜Ｒｅ４２とは、合成範囲内では打ち消し合わない。このため、基板の断面方向を流れる第２の合成電流Ｃｓ４１〜Ｃｓ４３は、図１４に示すように、高い電流値となる。したがって、相対的に長いスリットがある場合は、輻射の影響が相対的に大きく、ノイズ源となる。
【００４３】
図１５は、ガードパターンの場合の合成電流の一例を示す図である。ガードパターンとは、信号電流とリターン電流とが同じ層を流れるパターンである。図１５の例では、信号層に信号電流Ｔｒ５１が流れる。また、信号層にリターン電流Ｒｅ５１〜Ｒｅ５２が流れる。すなわち、図１５の例では、リターン電流Ｒｅ５１〜Ｒｅ５２は、信号電流Ｔｒ５１と同じ層を流れる。また、リターン電流Ｒｅ５１〜Ｒｅ５２は、信号電流Ｔｒ５１と逆方向に流れる。この場合、信号電流Ｔｒ５１とリターン電流Ｒｅ５１〜Ｒｅ５２とは、合成範囲内で打ち消し合う。このため、基板の断面方向を流れる第２の合成電流Ｃｓ５１は、図１５に示すように、相対的に低い電流値となる。したがって、ガードパターンの場合は、輻射の影響が相対的に小さく、ノイズ源とならない可能性が高い。
【００４４】
図１に戻り、出力制御部５６は、ノイズ源に関する情報を出力する。具体的には、出力制御部５６は、第２算出部５５によって算出された第２の合成電流に基づいて基板から放射される輻射ノイズの強弱を示すノイズ源分布を出力する。例えば、出力制御部５６は、ノイズ源分布として、基板上の所定の区間ごとに第２の合成電流を足し合わせた電流値の分布を出力する。ここで、図１６〜図１８を用いて、第２の合成電流の電流値の分布について説明する。
【００４５】
図１６は、整合パターンの場合の電流値の分布の一例を示す図である。図１６の（１−１）の例では、分布Ｔｔ１１は、図２に示す「座標」と「信号層の電流値」とを対応付けて表にしたものである。例えば、分布Ｔｔ１１は、基板上の座標（ｘ１，ｙ５）の位置を流れる信号層の電流値が「０」であることを示す。他の例では、分布Ｔｔ１１は、基板上の座標（ｘ２，ｙ５）の位置を流れる信号層の電流値が「９」であることを示す。
【００４６】
また、図１６の（１−１）の例では、分布Ｔｇ１１は、図２に示す「座標」と「ＧＮＤ層の電流値」とを対応付けて表にしたものである。例えば、分布Ｔｔ１１は、基板上の座標（ｘ１，ｙ５）の位置を流れるＧＮＤ層の電流値が「−１」であることを示す。他の例では、分布Ｔｇ１１は、基板上の座標（ｘ２，ｙ５）の位置を流れるＧＮＤ層の電流値が「−４」であることを示す。なお、図１６の例では、符号は、電流が流れる向きを意味する。このため、図１６の例では、ＧＮＤ層に流れる電流は、信号層に流れる電流と逆方向に流れることを示す。
【００４７】
図１６の（１−２）の例では、分布Ｔｔ１２は、基板上の所定の区間ごとに信号層の電流値を足し合わせた信号層の第１の合成電流の電流値を示す。具体的には、分布Ｔｔ１２は、分布Ｔｔ１１に示す座標を１つのマスとして３×３マスごとに信号層の電流値を足し合わせた信号層の第１の合成電流の電流値を示す。一例としては、分布Ｔｔ１２のうち枠Ｆｔ１２は、分布Ｔｔ１１の枠Ｆｔ１１に含まれる座標（ｘ１，ｙ４）〜座標（ｘ３，ｙ６）の信号層の電流値を足し合わせた信号層の第１の合成電流の電流値「１８」を示す。同様に、分布Ｔｇ１２は、分布Ｔｇ１１に示す座標を１つのマスとして３×３マスごとにＧＮＤ層の電流値を足し合わせたＧＮＤ層の第１の合成電流の電流値を示す。一例としては、分布Ｔｇ１２のうち枠Ｆｇ１２は、分布Ｔｇ１１の座標（ｘ１，ｙ４）〜座標（ｘ３，ｙ６）のＧＮＤ層の電流値を足し合わせたＧＮＤ層の第１の合成電流の電流値「−１８」を示す。
【００４８】
図１６の（１−３）の例では、分布Ｔｂ１１は、信号層の第１の合成電流の電流値とＧＮＤ層の第１の合成電流の電流値とを基板の断面方向に足し合わせた第２の合成電流の電流値を示す。一例としては、分布Ｔｂ１１のうち枠Ｆｂ１２は、分布Ｔｔ１２の枠Ｆｔ１２に示す電流値「１８」と、枠Ｆｔ１２と対応する位置である分布Ｔｇ１２の枠Ｆｇ１２に示す電流値「−１８」とを足し合わせた電流値「０」を示す。図１６に示すように、分布Ｔｂ１１は、信号層の第１の合成電流とＧＮＤ層の第１の合成電流とが各枠で全て打ち消し合うので、全ての枠の第２の合成電流が「０」であることを示す。そして、出力制御部５６は、例えば、分布Ｔｂ１１を表示部３４に表示する。これにより、使用者は、図１６に示す整合パターンでは、全ての枠の第２の合成電流が「０」なので、輻射の影響が相対的に小さくノイズ源とならない可能性が高いことを把握することができる。
【００４９】
図１７は、スリットがある場合の電流値の分布の一例を示す図である。図１７の（２−１）の例では、分布Ｔｔ２１は、基板上の「座標」と基板にスリットがある場合の「信号層の電流値」とを対応付けて表にしたものである。また、図１７の（２−１）の例では、分布Ｔｇ２１は、基板上の「座標」と基板にスリットがある場合の「ＧＮＤ層の電流値」とを対応付けて表にしたものである。具体的には、座標（ｘ４，ｙ３）〜座標（ｘ５，ｙ７）の位置のＧＮＤ層にスリットがある。このため、分布Ｔｇ２１の枠Ｆｇ１１に含まれる座標（ｘ４，ｙ３）〜座標（ｘ５，ｙ７）のＧＮＤ層の電流値は、「０」となっている。
【００５０】
図１７の（２−２）の例では、分布Ｔｔ２２は、分布Ｔｔ２１に示す座標を１つのマスとして３×３マスごとに信号層の電流値を足し合わせた信号層の第１の合成電流の電流値を示す。分布Ｔｇ２２は、分布Ｔｇ２１に示す座標を１つのマスとして３×３マスごとにＧＮＤ層の電流値を足し合わせたＧＮＤ層の第１の合成電流の電流値を示す。
【００５１】
図１７の（２−３）の例では、分布Ｔｂ２１は、分布Ｔｔ２２に示す信号層の第１の合成電流の電流値と、分布Ｔｇ２２に示すＧＮＤ層の第１の合成電流の電流値とを基板の断面方向に足し合わせた第２の合成電流の電流値を示す。図１７に示すように、分布Ｔｂ２１は、枠Ｆｂ２１に示す電流値が最も高い。このため、枠Ｆｂ２１に対応する位置が、輻射の影響が相対的に大きいことを示す。したがって、分布Ｔｂ２１は、枠Ｆｂ２１に対応する位置がノイズ源である可能性が高いので、対策を行う優先度が高いことを示す。
【００５２】
図１８は、コモンモード電流が流れる場合の電流値の分布の一例を示す図である。図１８の（３−１）の例では、分布Ｔｔ３１は、基板上の「座標」とコモンモード電流が流れる場合の「信号層の電流値」とを対応付けて表にしたものである。また、図１８の（３−１）の例では、分布Ｔｇ３１は、基板上の「座標」とコモンモード電流が流れる場合の「ＧＮＤ層の電流値」とを対応付けて表にしたものである。
【００５３】
図１８の（３−２）の例では、分布Ｔｔ３２は、分布Ｔｔ３１に示す座標を１つのマスとして３×３マスごとに信号層の電流値を足し合わせた信号層の第１の合成電流の電流値を示す。分布Ｔｇ３２は、分布Ｔｇ３１に示す座標を１つのマスとして３×３マスごとにＧＮＤ層の電流値を足し合わせたＧＮＤ層の第１の合成電流の電流値を示す。
【００５４】
図１８の（３−３）の例では、分布Ｔｂ３１は、分布Ｔｔ３２に示す信号層の第１の合成電流の電流値と、分布Ｔｇ３２に示すＧＮＤ層の第１の合成電流の電流値とを基板の断面方向に足し合わせた第２の合成電流の電流値を示す。図１８に示すように、分布Ｔｂ３１は、分布Ｔｔ３２の枠Ｆｔ３１に含まれる信号層の第１の合成電流と分布Ｔｇ３２の枠Ｆｇ３１に含まれるＧＮＤ層の第１の合成電流とが同一方向に流れて強め合うので、枠Ｆｂ３１に示す電流値が相対的に高い。このため、分布Ｔｂ３１は、枠Ｆｂ３１に対応する位置が輻射の影響が相対的に大きいことを示す。したがって、分布Ｔｂ３１は、枠Ｆｂ３１に対応する位置がノイズ源である可能性が高いので、対策を行う優先度が高いことを示す。
【００５５】
出力制御部５６は、例えば、このような輻射ノイズの強弱を示す分布Ｔｂ１１〜Ｔｂ３１を表示部３４に表示する。これにより、使用者は、分布Ｔｂ１１〜Ｔｂ３１を参照することで、基板のうち輻射の影響が大きい位置を把握することができるので、ノイズ源である可能性が高い箇所を把握することができる。このため、使用者は、ノイズ源である可能性が高い箇所に対して優先的に対策を行うことができるので、対策の効率を高めることができる。
【００５６】
［処理の流れ］
次に、本実施例に係るノイズ対策の流れについて説明する。初めに、算出装置１０を用いたノイズ対策の全体的な処理の流れについて説明する。図１９は、ノイズ対策処理の手順の一例を示すフローチャートである。この対策処理は、所定のタイミング、例えば、算出装置１０の受付部５０によって実行操作が受け付けられたタイミング等で実行される。
【００５７】
図１９に示すように、算出装置１０は、現行の基板の設計パターンについて電磁界シミュレーションを実行する。具体的には、算出装置１０は、ノイズ対策を行う対策前の設計パターンについて電磁界シミュレーションを実行する（Ｓ１００）。これにより、算出装置１０は、対策前の設計パターンについて、近傍電磁界における信号層に流れる電流値とＧＮＤ層に流れる電流値と、遠方電界における輻射ノイズ量とを取得する。そして、算出装置１０は、算出した信号層に流れる電流値とＧＮＤ層に流れる電流値とを座標と対応付けて電流情報４０に格納する。
【００５８】
その後、算出装置１０は、遠方電界における輻射ノイズ量が規格値を超えるか否かを判定する（Ｓ１０１）。遠方電界における輻射ノイズ量が規格値以内の場合（Ｓ１０１否定）、算出装置１０は、処理を終了する。一方、遠方電界における輻射ノイズ量が規格値を超える場合（Ｓ１０１肯定）、算出装置１０は、後述する算出処理を実行する（Ｓ１０２）。これにより、算出装置１０は、ノイズ源分布を取得する。
【００５９】
続いて、算出装置１０は、取得したノイズ源分布に基づいて、ノイズ対策を実行する（Ｓ１０３）。具体的には、算出装置１０は、第２の合成電流の電流値に基づいて、優先度が高い箇所の順にノイズ対策を実行する。例えば、算出装置１０は、第２の合成電流の電流値が高い箇所の順にノイズ対策を実行する。一例としては、算出装置１０は、ノイズ対策として、ＧＮＤ層の形状を変更することで設計パターンを変更する。他の例では、算出装置１０は、ノイズ対策として、信号電流の近くにリターン電流を流すために、ＧＮＤパターンのスリット部にコンデンサを設置して設計パターンを変更する。他の例では、算出装置１０は、ノイズ対策として、電流を熱に変換するために、抵抗を設置して設計パターンを変更する。
【００６０】
その後、算出装置１０は、ノイズ対策を行った対策後の設計パターンについて電磁界シミュレーションを実行する（Ｓ１０４）。これにより、算出装置１０は、対策後の設計パターンについて、近傍電磁界における信号層に流れる電流値とＧＮＤ層に流れる電流値と、遠方電界における輻射ノイズ量とを取得する。そして、算出装置１０は、算出した信号層に流れる電流値とＧＮＤ層に流れる電流値とを座標と対応付けて電流情報４０に格納する。
【００６１】
その後、算出装置１０は、遠方電界における輻射ノイズ量が規格値を超えるか否かを判定する（Ｓ１０５）。遠方電界における輻射ノイズ量が規格値以内の場合（Ｓ１０５否定）、算出装置１０は、処理を終了する。一方、遠方電界における輻射ノイズ量が規格値を超える場合（Ｓ１０５肯定）、算出装置１０は、Ｓ１０３〜Ｓ１０５の処理を繰り返し実行する。
【００６２】
続いて、算出装置１０による算出処理について詳細に説明する。図２０は、算出処理の手順の一例を示すフローチャートである。図２０に示すように、算出装置１０は、まず、電流を合成する合成範囲を設定する（Ｓ２００）。例えば、算出装置１０は、ＣＡＤ図面等の層定義ファイルから検出された「層厚」と、受付部５０によって受け付けられた「定数」とを合成範囲情報４１に格納する。そして、算出装置１０は、合成範囲情報４１に記憶された「層厚」と「定数」とを乗算した「設定値」を合成範囲として設定する。
【００６３】
また、算出装置１０は、基板のうちノイズ源の候補とする箇所を判定する基準となる信号層の電流値の閾値を設定する（Ｓ２０１）。例えば、算出装置１０は、受付部５０によって閾値として受け付けられた数値を閾値情報４２に格納することで、電流値の閾値を設定する。
【００６４】
その後、算出装置１０は、基板のうち閾値以上の電流が流れる箇所の座標を検出する（Ｓ２０２）。例えば、算出装置１０は、まず、閾値情報４２に記憶された電流値の閾値を取得する。また、算出装置１０は、電流情報４０に記憶された座標ごとの信号層の電流値を取得する。そして、算出装置１０は、取得した閾値以上の電流が流れる信号層の座標を検出する。
【００６５】
続いて、算出装置１０は、検出した座標から所定の範囲内の電流値を信号層とＧＮＤ層ごとに抽出する。例えば、算出装置１０は、まず、合成範囲として、合成範囲情報４１から「設定値」を取得する。そして、算出装置１０は、「設定値」を合成範囲として用いて、検出された座標を中心とした合成範囲内の電流値を抽出する（Ｓ２０３）。
【００６６】
その後、算出装置１０は、層ごとに第１の合成電流を算出する（Ｓ２０４）。具体的には、算出装置１０は、抽出した電流値を信号層とＧＮＤ層ごとに足し合わせて第１の合成電流を算出する。例えば、算出装置１０は、抽出した信号層の合成範囲内の電流値を積分することで信号層の第１の合成電流の電流値を算出する。また、算出装置１０は、抽出したＧＮＤ層の合成範囲内の電流値を積分することでＧＮＤ層の第１の合成電流の電流値を算出する。
【００６７】
続いて、算出装置１０は、第２の合成電流を算出する（Ｓ２０５）。具体的には、算出装置１０は、算出した信号層の第１の合成電流とＧＮＤ層の第１の合成電流とを断面方向に足し合わせて第２の合成電流を算出する。例えば、算出装置１０は、信号層の第１の合成電流の断面方向の電流値とＧＮＤ層の第１の合成電流の断面方向の電流値とを合成範囲内で加算することで、基板の断面方向に流れる第２の合成電流の電流値を算出する。
【００６８】
その後、算出装置１０は、算出した第２の合成電流に基づいてノイズ源分布を表示し（Ｓ２０６）、処理を終了する。具体的には、算出装置１０は、算出した第２の合成電流に基づいて基板から放射される輻射ノイズの強弱を示すノイズ源分布を表示する。例えば、算出装置１０は、ノイズ源分布として、基板上の所定の区間ごとに第２の合成電流を足し合わせた電流値の分布を表示する。
【００６９】
［効果］
上述してきたように、本実施例に係る算出装置１０は、基板のうち閾値以上の電流が流れる箇所の座標を検出する。算出装置１０は、検出した座標から所定の範囲内の電流値を信号層とＧＮＤ層ごとに抽出する。算出装置１０は、抽出した電流値を信号層とＧＮＤ層ごとに足し合わせて第１の合成電流を算出する。算出装置１０は、算出した信号層の第１の合成電流とＧＮＤ層の第１の合成電流とを断面方向に足し合わせて第２の合成電流を算出する。これにより、算出装置１０は、第２の合成電流に基づいて輻射ノイズの強弱を把握することができるので、ノイズ源を特定することができる。例えば、算出装置１０は、第２の合成電流を算出することでノイズ対策を行うことが望ましい箇所の優先順序を高い精度で特定することができるので、電磁界シミュレーションを繰り返し実行する回数を減らすことができる。このため、算出装置１０は、ノイズ対策を効率良く行うことができるので、使用者の手間を低減することができる。
【００７０】
また、本実施例に係る算出装置１０は、算出した第２の電流に基づいて基板から放射される輻射ノイズの強弱を示すノイズ源分布を出力する。これにより、算出装置１０は、基板のうち輻射の影響が大きい位置を使用者に把握させることができるので、ノイズ源である可能性が高い箇所を容易に把握させることができる。このため、算出装置１０は、ノイズ源である可能性が高い箇所に対して優先的に対策を行わせることができるので、対策の効率を高めることができる。
【００７１】
また、本実施例に係る算出装置１０は、ノイズ源分布として、基板上の所定の区間ごとに第２の電流を足し合わせた電流値の分布を出力する。これにより、算出装置１０は、基板のうち輻射の影響が大きい位置を数値によって把握させることができるので、ノイズ源である可能性が高い箇所をより厳密に把握させることができる。このため、算出装置１０は、ノイズ源である可能性が高い箇所に対してより局所的に対策を行わせることができるので、対策の効果をより高めることができる。
【実施例２】
【００７２】
さて、これまで開示の装置に関する実施例について説明したが、開示の技術は上述した実施例以外にも、種々の異なる形態にて実施されてよいものである。そこで、以下では、本発明に含まれる他の実施例を説明する。
【００７３】
［ノイズ源分布］
例えば、上記の実施例では、ノイズ源分布として、基板上の所定の区間ごとに第２の合成電流を足し合わせた電流値の分布を出力する場合について説明したが、開示の装置はこれに限定されない。例えば、算出装置１０は、ノイズ源分布として、ベクトル表示した電流値の分布を出力してもよい。この点について、図２１を用いて説明する。
【００７４】
図２１は、ベクトル表示した電流値の分布の一例を示す図である。図２１の（１）の例では、分布Ｄｔは、信号層を流れる信号電流Ｔｒ６１〜Ｔｒ６４の電流値をベクトル表示したものである。図２１の（２）の例では、分布Ｄｇは、ＧＮＤ層を流れるリターン電流Ｒｅ６１〜Ｒｅ６４の電流値をベクトル表示したものである。なお、図２１の例では、矢印の向きは、電流が流れる向きを意味する。ここで、信号電流Ｔｒ６１およびリターン電流Ｒｅ６１は、基板のうち整合パターンの位置Ｐ１を流れる。信号電流Ｔｒ６２およびリターン電流Ｒｅ６２は、基板のうちスリットＳＬがある位置Ｐ２を流れる。信号電流Ｔｒ６３およびリターン電流Ｒｅ６３は、基板のうちコモンモード電流が流れる位置Ｐ３を流れる。信号電流Ｔｒ６４およびリターン電流Ｒｅ６４は、基板のうち基板端の位置Ｐ４を流れる。
【００７５】
図２１の（３）の例では、分布Ｄｂは、信号電流Ｔｒ６１〜Ｔｒ６４とリターン電流Ｒｅ６１〜Ｒｅ６４とを基板の断面方向に足し合わせた第２の合成電流Ｃｓ６１〜Ｃｓ６４の電流値をベクトル表示したものである。図２１の（３）に示すように、基板のうちコモンモード電流が流れる位置Ｐ３を流れる第２の合成電流Ｃｓ６３の電流値が、第２の合成電流Ｃｓ６１、第２の合成電流Ｃｓ６２および第２の合成電流Ｃｓ６４と比較して最も大きい。このため、図２１の例では、第２の合成電流Ｃｓ６３が流れる位置Ｐ３が、対策を行うことが最も望ましいノイズ源となる。この場合、位置Ｐ３に対してノイズ対策を優先的に行うことで、ノイズを効率的に低減することができる。
【００７６】
一方、信号電流Ｔｒ６１〜Ｔｒ６４は、信号電流Ｔｒ６１、信号電流Ｔｒ６２、信号電流Ｔｒ６４、信号電流Ｔｒ６３の順に電流値が大きい。このため、第２の合成電流Ｃｓ６１〜Ｃｓ６４ではなく信号層に流れる信号電流Ｔｒ６１〜Ｔｒ６４の電流値が大きい順にノイズ対策を行う場合には、位置Ｐ１、位置Ｐ２、位置Ｐ４、位置Ｐ３の順に対策を行うことになる。この場合、ノイズ対策を行うことが最も望ましい位置Ｐ３は、４番目に対策が行われる。
【００７７】
一方、第２の合成電流の電流値に基づいて対策を行う場合は、１番目に位置Ｐ３に対してノイズ対策を行う。このため、第２の合成電流の電流値に基づいて対策を行う場合は、信号電流の電流値に基づいて対策を行う場合と比較して、より効率的にノイズ対策を行うことができる。例えば、第２の合成電流の電流値に基づいて対策を行う場合は、信号電流の電流値に基づいて対策を行う場合と比較して、位置Ｐ３に対してノイズ対策を３回少ない回数で行うことができるので、シミュレーションを行う回数を３回減らすことができる。このため、かかる場合は、使用者の手間を低減することができる。
【００７８】
また、図示した各装置の各構成要素は機能概念的なものであり、必ずしも物理的に図示の如く構成されていることを要しない。すなわち、各装置の分散・統合の具体的状態は図示のものに限られず、その全部または一部を、各種の負荷や使用状況などに応じて、任意の単位で機能的または物理的に分散・統合して構成することができる。例えば、算出装置１０の受付部５０、シミュレーション部５１、検出部５２、抽出部５３、第１算出部５４、第２算出部５５および出力制御部５６の各処理部が適宜統合されてもよい。また、各処理部の処理が適宜複数の処理部の処理に分離されてもよい。さらに、各処理部にて行なわれる各処理機能は、その全部または任意の一部が、ＣＰＵおよび当該ＣＰＵにて解析実行されるプログラムにて実現され、あるいは、ワイヤードロジックによるハードウェアとして実現され得る。
【００７９】
［算出プログラム］
また、上記の実施例で説明した各種の処理は、あらかじめ用意されたプログラムをパーソナルコンピュータやワークステーションなどのコンピュータシステムで実行することによって実現することもできる。そこで、以下では、上記の実施例と同様の機能を有するプログラムを実行するコンピュータシステムの一例を説明する。図２２は、算出プログラムを実行するコンピュータを示す図である。
【００８０】
図２２に示すように、コンピュータ１３００は、ＣＰＵ（Central  Processing  Unit）１３１０、ＨＤＤ（Hard  Disk  Drive）１３２０、ＲＡＭ（Random  Access  Memory）１３４０を有する。これら１３００〜１３４０の各部は、バス１４００を介して接続される。
【００８１】
ＨＤＤ１３２０には上記の算出装置１０の受付部５０、シミュレーション部５１、検出部５２、抽出部５３、第１算出部５４、第２算出部５５および出力制御部５６と同様の機能を発揮する算出プログラム１３２０ａが予め記憶される。なお、算出プログラム１３２０ａについては、適宜分離しても良い。
【００８２】
また、ＨＤＤ１３２０は、各種情報を記憶する。例えば、ＨＤＤ１３２０は、ＯＳや算出処理に用いる各種データを記憶する。
【００８３】
そして、ＣＰＵ１３１０が、算出プログラム１３２０ａをＨＤＤ１３２０から読み出して実行することで、実施例の各処理部と同様の動作を実行する。すなわち、算出プログラム１３２０ａは、算出装置１０の受付部５０、シミュレーション部５１、検出部５２、抽出部５３、第１算出部５４、第２算出部５５および出力制御部５６と同様の動作を実行する。
【００８４】
なお、上記した算出プログラム１３２０ａについては、必ずしも最初からＨＤＤ１３２０に記憶させることを要しない。
【００８５】
例えば、コンピュータ１３００に挿入されるフレキシブルディスク（ＦＤ）、ＣＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤディスク、光磁気ディスク、ＩＣカードなどの「可搬用の物理媒体」にプログラムを記憶させておく。そして、コンピュータ１３００がこれらからプログラムを読み出して実行するようにしてもよい。
【００８６】
さらには、公衆回線、インターネット、ＬＡＮ、ＷＡＮなどを介してコンピュータ１３００に接続される「他のコンピュータ（またはサーバ）」などにプログラムを記憶させておく。そして、コンピュータ１３００がこれらからプログラムを読み出して実行するようにしてもよい。
【符号の説明】
【００８７】
１０  算出装置
３１  記憶部
３２  制御部
３４  表示部
４０  電流情報
４１  合成範囲情報
４２  閾値情報
５０  受付部
５１  シミュレーション部
５２  検出部
５３  抽出部
５４  第１算出部
５５  第２算出部
５６  出力制御部
【図１】
2016143082.tif 000003
【図２】
2016143082.tif 000004
【図３】
2016143082.tif 000005
【図４】
2016143082.tif 000006
【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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