(57)【要約】【課題】従来通りの製造方法により、従来通りのスペーサを用いつつ、その消費電力を低減することができる有機ＥＬデバイスを提供すること。【解決手段】互いに対向する陽極および陰極と、前記陽極と前記陰極の間に配置され、所定の温度で液晶または液体となり発光する有機発光層と、を含む有機エレクトロルミネッセンス素子と、前記有機エレクトロルミネッセンス素子を挟み込むように配置され、互いに対向する二つの基板と、前記二つの基板の間に配置され、互いの基板を支持するスペーサと、を有する有機エレクトロルミネッセンスデバイスにおいて、前記陰極の厚さを、前記有機発光層の厚さよりも厚くする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに対向する陽極および陰極と、
前記陽極と前記陰極の間に配置され、所定の温度で液晶または液体となり発光する有機発光層と、
を含む有機エレクトロルミネッセンス素子と、
前記有機エレクトロルミネッセンス素子を挟み込むように配置され、互いに対向する二つの基板と、
前記二つの基板の間に配置され、互いの基板を支持するスペーサと、
を有し、
前記陰極の厚さが、前記有機発光層の厚さよりも厚いことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンスデバイス。
【請求項２】
前記有機発光層の厚さが１００ｎｍ未満であることを特徴とする請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンスデバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンスデバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
有機物を用いた有機デバイスの一種に有機エレクトロルミネッセンスデバイス（以下、「有機ＥＬデバイス」とする場合がある。）があり、広範な用途への展開が期待されている。
【０００３】
有機ＥＬデバイスにあっては、例えば特許文献１や２に開示されているように、ガラスやプラスチックからなる基板上に、透明な陽極、有機発光層、陰極を順次積層し、さらにその上に封止用の基板を積層した構成を有している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】国際公開第２０１１／０１０６５６号
【特許文献２】国際公開第２０１２／０１４９７６号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ここで、有機発光層として所定の温度で液晶または液体となり発光するタイプの有機発光層を用いる場合には、前記の構成に加えて、基板を支持するためのスペーサが用いられる。
【０００６】
図６は、従来のスペーサを用いた有機ＥＬデバイスの概略断面図である。
【０００７】
図６に示すような有機ＥＬデバイス５０を製造するにあっては、陽極５１が設けられた下側の基板５２と、陰極５３が設けられた上側の基板５４とをそれぞれ準備し、これらを陽極５１と陰極５２とが対向するようにしてスペーサ５５を用いて支持し、陽極５１と陰極５２との間にできた空間に有機発光層５６を流し込むことによって製造されるのが一般的である。
【０００８】
このような製造方法を採用した場合、有機ＥＬデバイス５０全体の厚さはスペーサ５５の高さに起因するところが大きくなる。現在、スペーサ５５自体の生産精度や有機ＥＬデバイス５０の加工技術などを総合的に考慮すると、スペーサ５５の高さは４μｍ程度が一般的である。すなわち、ある高さのスペーサを用いた場合、上側の基板と下側の基板との間の距離、いわゆるセルギャップは、使用したスペーサの高さと等しくなるが、このセルギャップを安定して作製できるのは２μｍ〜４μｍ程度が業界の標準であり、どんなに小さくしようとしても１μｍ程度が限界であり、これよりも小さいスペーサ５５を用いて、セルギャップを歩留まり良く作製することは困難な状況である。
【０００９】
このような現状において、例えば高さ１μｍのスペーサを用いた場合、下側の基板５２と上側の基板５４との間隔は当然に１μｍとなり、当該１μｍの間隔を、陽極５１、陰極５３および有機発光層５６とで埋めることとなるが、陽極５１および陰極５３の厚さは、それぞれ１００ｎｍ〜２００ｎｍとすることが一般的であり、そうすると、有機発光層５６の厚さは必然的に６００ｎｍ〜８００ｎｍとなる。
【００１０】
本願発明者らは、このような至極当然とみえる現状に問題点を見出した。つまり、有機発光層５６の厚さが６００ｎｍ〜８００ｎｍといった厚さを有していると、当該有機発光層５６を発光させるための電圧はその厚さに比例して増加してしまい、その分だけ消費電力が必要となるという問題である。当該問題は、スペーサ５５の高さが高くなればなるだけ顕著化する。
【００１１】
本発明は、このような着想に基づきなされた発明であり、従来通りの製造方法により、従来通りのスペーサを用いつつ、その消費電力を低減することができる有機ＥＬデバイスを提供することを主たる課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記課題を解決するための有機エレクトロルミネッセンスデバイスは、互いに対向する陽極および陰極と、前記陽極と前記陰極の間に配置され、所定の温度で液晶または液体となり発光する有機発光層と、を含む有機エレクトロルミネッセンス素子と、前記有機エレクトロルミネッセンス素子を挟み込むように配置され、互いに対向する二つの基板と、前記二つの基板の間に配置され、互いの基板を支持するスペーサと、を有し、前記陰極の厚さが、前記有機発光層の厚さよりも厚いことを特徴とする。
【００１３】
この発明にあっては、前記有機発光層の厚さが１００ｎｍ未満であってもよい。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の有機エレクトロルミネッセンスデバイスによれば、従来通りの製造方法により、従来通りのスペーサを用いつつ、その消費電力を低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の実施形態にかかる有機デバイスの概略断面図である。
【図２】図１に示す有機デバイスの概略正面図である。
【図３】本発明の別の実施形態にかかる有機デバイスの概略正面図である。
【図４】本発明の別の実施形態にかかる有機デバイスの概略断面図である。
【図５】本発明の別の実施形態にかかる有機デバイスの概略断面図である。
【図６】従来のスペーサを用いた有機ＥＬデバイスの概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下に、本発明の実施形態にかかる有機ＥＬデバイスについて、図面を用いて詳細に説明する。
【００１７】
・有機ＥＬデバイス
図１は、本発明の実施形態にかかる有機ＥＬデバイスの概略断面図である。
【００１８】
図１に示すように、本実施形態にかかる有機ＥＬデバイス１０は、互いに対向する陽極１１および陰極１２と、前記陽極１１と前記陰極１２の間に配置され、所定の温度で液晶または液体となり発光する有機発光層１３と、を含む有機エレクトロルミネッセンス素子１４と、前記有機エレクトロルミネッセンス素子１４を挟み込むように配置され、互いに対向する二つの基板１５、１６と、前記二つの基板１５、１６の間に配置され、互いの基板１５，１６を支持するスペーサ１７と、を有しており、前記陰極１２の厚さが、前記有機発光層１３の厚さよりも厚いことを特徴としている。
【００１９】
本実施形態にかかる有機ＥＬデバイス１０は、有機発光層１３の厚さよりも陰極１２の厚さを厚く設計しているので、上側の基板１５と下側の基板１６との間の距離、いわゆるセルギャップが大きい場合であっても、当該セルギャップを陰極で埋めることができるので、有機発光層１３の厚さをその分だけ薄くすることができ、消費電極を低減することができる。つまり、従来の有機ＥＬデバイスの設計思想は、スペーサの高さを低くすることによりセルギャップを小さくし、有機ＥＬ素子全体の厚さを薄くすることにより消費電力の低減を図ろうとしていたところ、本実施形態にかかる有機ＥＬデバイス１０は、発想を転換し、スペーサ１７によって生じたセルギャップにおいて、陰極１２と有機発光層１３それぞれの占める割合に着目し、薄くすることが容易な陰極１２をあえて厚く設計することで、セルギャップを陰極１２で埋めてしまい、その分だけ有機発光層１３を薄くすることで消費電極の低減を実現しているのである。
【００２０】
以下、本実施形態にかかる有機ＥＬデバイス１０の各構成について説明する。
【００２１】
・有機ＥＬデバイス素子
有機ＥＬデバイス素子１４は、陽極１１、陰極１２およびこれら二つの電極１１、１２間に配置された有機発光層１３とを含む。
【００２２】
・陽極
有機ＥＬデバイス素子１４を構成する陽極１１にあっては、特に限定されることはなく、従来から用いられている陽極１１を適宜選択して用いることができる。
【００２３】
陽極１１の材料としては、例えば、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）やＩＺＯ（酸化インジウム亜鉛）など、従来公知の透明電極材料を用いればよい。また、陽極１１の厚さも後述するスペーサ１７の高さとの関係で適宜設計することができ、例えば、スペーサ１７の高さが１μｍ程度の場合には、陽極１１の厚さは３０ｎｍ〜５００ｎｍ程度としてもよい。特に、透過率の影響を考慮して５０ｎｍ〜２００ｎｍが好ましい。
【００２４】
陽極１１の作製方法についても特に限定されることはなく、後述する下側の基板１５上に、例えばスパッタリング法、真空蒸着法などのドライプロセスを用いて作製してもよく、塗布法などのウェットプロセスを用いて作製してもよい。
【００２５】
・陰極
有機ＥＬデバイス素子１４を構成する陰極１２は、本実施形態にかかる有機ＥＬデバイス１０の特徴部分の一つであり、後述する有機発光層１３よりも厚く設けられている。したがって、陰極１２を作製するための材料にあっても、従来公知の材料から適宜選択可能であるが、有機発光層１３の厚さなどを考慮し、厚くできる材料を選択する必要がある。例えば、金、白金、銀、銅、アルミニウムなどの金属電極材料や、各種合金材料を用いてもよく、コスト面を考慮するとアルミニウムが好ましい。また、上側の基板１６よりも融点の低い金属材料を用いることが好ましい。このような材料を用いることにより、陰極１２を蒸着法によらず作製することができるので、厚さを厚くすることができるからである。
【００２６】
上側の基板１６よりも融点の低い金属材料としては、例えば融点以上の温度でペースト状態となるＧａ系合金であって、常温で液体のＧａ系液体金属と、アルカリ金属又はアルカリ土類金属とを少なくとも含んでなり、電子注入機能を有するものを挙げることができる。
【００２７】
一般的に、「金属ペースト」は、にバインダーとして樹脂を使用して、この樹脂中に金属粉を分散させてペースト（糊）化したものを意味するが、本願明細書における「ペースト状態」とは、樹脂を含有せず、金属のみでペースト状態にあるものを意味する。このように、このペースト状の金属から構成した陰極は、樹脂等を含有しないため、優れた電子注入機能を有する。なお、本願明細書中の「電子注入機能」とは、電界印加時に陰極又は電子注入層より電子を注入することができる機能を意味する。
【００２８】
Ｇａ系液体金属は、常温（目安としては５〜４５℃）において液体状態であり、常温又は加熱するとしても金属温度５０℃程度までの比較的低温で十分な流動性を示すものを意味する。その融点は５０℃以下であることが好ましい。Ｇａ系液体金属は、Ｇａ、又は、ＧａとＩｎ、Ｓｎ及びＺｎから選ばれる１種又は二種以上の金属との合金が好適に使用できる。
【００２９】
Ｇａ系合金は常温での流動性及び毒性が少ない点から好ましく用いられる。本実施形態において合金とは、二種類以上の金属からなる外見上均一な金属であり、必ずしも異種金属間に金属結合が形成されていることを要しない。また、本実施形態においてＧａ系合金はＧａを主成分とし、好ましくはＧａ系合金を構成する金属の４０質量％、更に好ましくは５０質量％をＧａが占める。
【００３０】
Ｇａ単体は融点が３０℃、沸点が２４００℃と室温から高温にわたり広い温度範囲で液体である。より低温で液体状態を維持し得る金属として、Ｇａと共に、Ｉｎ，Ｓｎ，Ｚｎのうちの少なくとも１種類の他金属を必須成分として含むＧａ系液体金属を使用することができる。本実施形態において使用可能なＧａ及びＧａ系液体金属の一例の組成比と融点を表１に例示する。
【００３１】
【表１】
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【００３２】
なお、Ｇａ系合金を構成する各成分の組成は、予め秤量した各金属成分の仕込み質量か、又はＸ線回折法、ＸＰＳ法もしくはその他の適切な方法により測定された組成を意味する。
【００３３】
Ｇａ系合金を構成するアルカリ金属又はアルカリ土類金属は、Ｃａ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｍｇ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｂａ、Ｂｅ、及びＳｒから選ばれる１種以上の金属であることが好ましい。
【００３４】
アルカリ金属やアルカリ土類金属は、その融点によって、低融点であるＬｉ（１８０℃），Ｎａ（９８℃），Ｋ（６４℃），Ｒｂ（３９℃），Ｃｓ（２９℃）と、高融点であるＣａ（８３９℃），Ｍｇ（６５０℃），Ｂａ（７２５℃），Ｂｅ（１２８４℃），Ｓｒ（７７０℃）に大別される。アルカリ金属あるいはアルカリ土類金属は大気中での酸化燃焼性が強く危険であるため、通常は不活性気体に置換したグローブボックス内で取り扱うことが好ましい。
【００３５】
上記の低融点グループは、比較的安全にグローブボックス内で加熱溶融することができるため、Ｇａ系液体金属に秤量混合する事ができる。一方、高融点グループは、グローブボックス内であっても加熱溶融して直接Ｇａ系液体金属に混合することは熱量が大きいため非常に危険である。このため、予め他の金属との合金を、燃焼を防ぐことができる真空溶融炉内で作製しておき、安定な状態にしてから取り扱う事が好ましい。
【００３６】
アルカリ金属又はアルカリ土類金属は、いずれも仕事関数が低く高い電子注入機能を発現させることができるので好ましく、Ｃa（仕事関数２．８７ｅＶ）、Ｌｉ（仕事関数２．４ｅＶ）、Ｎａ（仕事関数２．３６ｅＶ）、Ｋ（仕事関数２．２８ｅＶ）、Ｍｇ（仕事関数３．６６ｅＶ）、Ｒｂ（仕事関数２．１６ｅＶ）、Ｃｓ（仕事関数２．１４ｅＶ）、Ｂａ（仕事関数２．５２ｅＶ）、Ｂｅ（仕事関数２．４５ｅＶ）、及び、Ｓｒ（仕事関数２．５９ｅＶ）を好適に使用できる。なお、本実施形態において各元素の「仕事関数」の値は『Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．第４８巻』（１９７７年）の第４７２９頁に記載されているデータ、及びイオン化ポテンシャル測定装置の実測データに基づくものである。
【００３７】
これらの中でも、ＣａはＧａ系液体金属に容易に大量混合することができることから特に好ましい。Ｃａは他の金属よりもモル体積が非常に大きく、Ｇａ系液体金属に多量に溶け込むことができると考えられる。また、電力変換効率が高く、素子寿命も長い陰極を容易に得ることができる。なお、各金属のモル体積の一例を以下に示す。
Ｃａ  ２６．２×１０3（ｍ3／ｍｏｌ）
Ｌｉ  １３．０×１０-6（ｍ3／ｍｏｌ）
Ｎａ  ２３．８×１０-3（ｍ3／ｍｏｌ）
Ｋ    ４５．９×１０-3（ｍ3／ｍｏｌ）
Ｍｇ  １４．０×１０-3（ｍ3／ｍｏｌ）
Ｒｂ  ５５．８×１０-6（ｍ3／ｍｏｌ）
Ｃｓ  ７０．９×１０-3（ｍ3／ｍｏｌ）
Ｂａ  ３８．２×１０-3（ｍ3／ｍｏｌ）
Ｂｅ  ４．９×１０-3（ｍ3／ｍｏｌ）
Ｓｒ  ３３．９×１０-3（ｍ3／ｍｏｌ）
【００３８】
Ｃａを５〜３０質量％含有することにより、下記に説明するように適当なペースト性が得られるとともに、電子注入機能を発現させることができる。また、少量の他のアルカリ金属あるいはアルカリ土類金属を混合することで更に高い電子注入機能を付与することができる。
【００３９】
アルカリ金属やアルカリ土類金属と合金を形成する他の金属としては、Ｉｎ又はＳｎが好ましい。アルカリ金属又はアルカリ土類金属とＩｎ又はＳｎとの合金は、大気中、室温でＧａ系液体金属に溶融するので容易に秤量混合することができる。また、Ｉｎ又はＳｎはＧａに溶融しやすいため、上記の合金がＧａ系液体金属に溶解しても、Ｉｎ又はＳｎが固相として分離するとこはなく、均一なペースト状態のＧａ系合金を製造できる。
【００４０】
高融点グループのアルカリ金属やアルカリ土類金属であっても、直接、真空溶融炉でＧａ系液体金属と合金化することもできることはいうまでもないが、予め、アルカリ金属又はアルカリ土類金属とＩｎ又はＳｎとの合金を準備しておいて、Ｇａ系液体金属にこの合金を混合する方が、濃度調整など条件変更が容易である。
【００４１】
このような方法により得られたＧａ系合金は、Ｇａ単体よりも低温で液体状態となる（融点が低下する）ため、取り扱いが容易となる。
【００４２】
Ｇａ系液体金属を粘性の強いペースト状にするためには、特に、Ｃａを５〜３０質量％含有することが好ましい。Ｃａ濃度をこの範囲とすることで、各種印刷法に適した５〜１００Ｐａ・ｓの粘度とすることができるとともに、電極として有機ＥＬ素子に必要な十分な電子注入機能を発現させることができる。粘度はＣａ濃度とともにＧａ系液体合金の種類によっても多少変動する。
【００４３】
Ｇａ系合金は、融点が３００℃以下の金属を更に含んでなり、常温では固体であり、融点以上の温度でペースト状態となるものであることが好ましい。このように、上記のＧａ系合金に、融点が３００℃以下の金属を更に含有することにより、常温では固体であり、融点以上の温度でペースト状態となるＧａ系合金を得られる。このようなＧａ系合金を電極形成に使用することにより、接着剤層を形成しなくてもよくなる。
【００４４】
上記の好ましい態様のＧａ系合金は、常温において固体である。加熱するとある温度で軟化し始め、更に加熱すると粘性を有するペースト状態を経て、液体状態に転移する。本願明細書中で「融点」とは、金属が液体状態に転移する温度ではなく、軟化し始める温度（軟化温度）を意味するものとする。
【００４５】
融点が３００℃以下の金属を添加するには、アルカリ金属又はアルカリ土類金属と、Ｉｎ又はＳｎとの合金を、常温で液体のＧａ系液体金属に溶解させてペースト状のＧａ系合金を形成した後、融点が３００℃以下の金属が溶融する温度まで加熱し、そのペースト合金中に、前記融点が３００℃以下の金属を混合させる。
【００４６】
融点が３００℃以下の金属としては、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｂｉ、又はこれらを主成分とする合金が挙げられるが、これらの中でもＩｎＳｎを好適に使用できる。なお、「合金」とは、二種類以上の金属からなる外見上均一な金属であり、必ずしも異種金属間に金属結合が形成されていることを要しない。
【００４７】
Ｇａ系合金に使用できる、融点が３００℃以下の金属の一例を表２に示す。
【００４８】
【表２】
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【００４９】
Ｇａ系合金は、その融点を更に超えるような高温においては完全な液体状態となる。従って、「ペースト状態」とは、液体状態と固体状態との中間の粘性領域にある状態と考えられる。本実施形態においては、ペースト状態にある温度範囲が５℃以上であることが好ましい。この程度の温度幅を有することにより、有機ＥＬデバイス素子の製造を安定的に行う
ことができる。
【００５０】
また、Ｇａ系合金は、融点５０℃以上を有することが好ましい。融点が５０℃よりも低温にあると、製造した有機デバイス素子の電極が、環境変化等により溶融剥離する場合がある。常温では固体であり融点以上の温度でペースト状態となり、上記のような温度特性を有するためには、Ｇａ系合金にＣａが５〜３０質量％含有していることが好ましい。なお、ペーストの粘度は、Ｃａの含有量だけでなく、融点３００℃以下の金属の種類によっても変化する。
【００５１】
Ｇａ系合金は、上記表１に示すようなＧａ系液体金属と、上記表２に示すような融点３００℃以下の金属と、Ｃａ等のアルカリ金属又はアルカリ土類金属とを溶融混合することにより得られるが、Ｃａを用いた場合には、Ｃａの燃焼・爆発を防ぐために、真空溶融炉や不活性気体溶融炉内で溶融混合することが好ましい。
【００５２】
具体的には、Ｇａ金属に溶融し易い金属であるＩｎやＳｎとＣａとの合金を予め真空溶融炉内で作製し、これらのＣａＩｎ又はＣａＳｎ合金をＧａ系液体金属に溶融させることが、安全面、取り扱い性の観点から好ましい。
【００５３】
Ｇａ系液体金属に、ＣａＩｎやＣａＳｎ合金を浸漬すると、溶解して常温でペースト状態にあるＧａ系合金を得ることができる。このＧａ系合金は良好な電子注入機能を有するので、有機ＥＬ素子の陰極として用いることにより良好な発光特性を示す。すなわち、有機ＥＬ素子においては、より大きな電流を制御し得るようにするために、電荷注入効率（陽極では正孔注入効率、陰極では電子注入効率）が良好な電極であることが好ましく、陰極には電子を放出し易いという観点から仕事関数の低い金属が使用される。従来の陰極では代表的な金属として仕事関数４．２ｅＶのＡｌが好適に使用されているが、Ｇａ系合金にあっては、Ｇａの仕事関数が４．３ｅＶとＡｌに近いため、ペースト金属としての利点とともに、陰極としてＧａ系合金を用いると、陰極から有機発光層への電子注入が良好となる利点もある。
【００５４】
また、Ｇａ系合金を構成する、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｂｉ、Ｇａ等の各金属の仕事関数は、それぞれ４．１ｅＶ、４．４ｅＶ、４．３ｅＶ、４．３ｅＶとＡｌの仕事関数に近いため、本実施形態におけるＧａ系合金は、上記のような電極形成の製造面の有利さだけでなく、電子注入機能の面から有利である。
【００５５】
Ｇａ系合金にあっては、必要に応じて他の金属が含まれていても良く、例えば、陰極の電子注入効率を向上させるために、仕事関数が低い物質として、Ｃａ以外のアルカリ金属及びアルカリ土類金属から選ばれる少なくとも１種類を陰極に混合することができる。これらの中でも、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｍｇ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｂａ、Ｂｅ、及びＳｒから選ばれる１種以上の金属が好ましい。また、添加量は、１質量％以下が好ましく、０．０５〜２質量％がより好ましい。この範囲の添加量であれば、Ｇａ系合金のペースト性に影響を与えない。これら金属を添加する方法は、上記した通りである。
【００５６】
また一方で、上側の基板１６よりも融点の低い金属材料としては、例えばＢｉとＩｎおよびＳｎの少なくともいずれか１種とからなるＢｉ合金中に、Ａｌが分散されたＢｉ合金を挙げることができる。
【００５７】
当該合金は、Ｂｉ合金中にＡｌが分散されているので、Ｂｉ合金のみを用いた場合と比較して仕事関数を低くすることができる。したがって、このようなＢｉ合金を陰極として用いた本実施形態にかかる有機ＥＬデバイスでは、Ｂｉ合金電極とＢｉ合金電極に接する層との界面にて電子注入障壁を低減することができ、電子注入特性を向上させることが可能である。また、Ｂｉ合金はＢｉとＩｎおよびＳｎの少なくともいずれか１種とからなるので、ＰｂやＣｄを含まず、環境に配慮した有機デバイスとすることが可能である。さらにＢｉ合金はＢｉとＩｎおよびＳｎの少なくともいずれか１種とからなり、通常はＢｉ合金の融点が所定の範囲内となるので、電極をウェットプロセスで形成可能であり、有機デバイスの大型化および製造コストの低減を実現し、電極形成時の有機層へのダメージを防ぐことができる。また、環境変化に対する信頼性を高めることができる。
【００５８】
本Ｂｉ合金は、ＢｉとＩｎおよびＳｎの少なくともいずれか１種とからなるものであれば特に限定されるものではなく、ＢｉとＩｎとＳｎとからなるものであってもよく、ＢｉとＩｎとからなるものであってもよく、ＢｉとＳｎとからなるものであってもよい。なお、本願明細書において、「Ｂｉ合金」とはＢｉを含む合金をいい、Ｂｉ含有量が最も多いＢｉ含有合金だけでなく、Ｉｎ含有量やＳｎ含有量が最も多いＢｉ含有合金も含まれる。
【００５９】
Ｂｉ合金の融点としては、有機発光層１３にダメージを与えることなくウェットプロセスによりＢｉ合金の陰極を形成可能な温度であればよく、６０℃〜１８０℃の範囲内であることが好ましく、より好ましくは７０℃〜１６０℃の範囲内、さらに好ましくは７２℃〜１３８℃の範囲内である。Ｂｉ合金の融点が高すぎると、陰極形成時に有機発光層１３に大きなダメージを与えてしまうおそれがあるからである。また、有機ＥＬデバイスを高温環境下でも安定して使用するためには、実用的にはＢｉ合金の融点は上記範囲内であることが好ましく、Ｂｉ合金の融点が低すぎると、有機ＥＬデバイスの使用時にＢｉ合金の陰極が融解してしまうおそれがあるからである。特に、有機ＥＬ素子は駆動時に発熱することから、Ｂｉ合金の融点が上記範囲より低いと、熱によりＢｉ合金の陰極が融解してしまうおそれがある。なお、Ｂｉ合金にＡｌを添加しても、Ｂｉ合金の融点は変化しない。
【００６０】
Ｂｉ合金の組成および融点について表３に例示する。
【００６１】
【表３】
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【００６２】
なお、本願明細書において、Ｂｉ合金を構成するＢｉ、Ｉｎ、Ｓｎの組成は、予め秤量した各成分の仕込質量であるか、あるいはＸ線回折法（ＸＲＤ）、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）もしくはその他の適切な方法により測定された組成を意味する。
【００６３】
Ｂｉ合金電極中のＡｌの含有量は、電子注入特性を改善することができれば特に限定されるものではなく、０．０００１質量％以上１００質量％未満の範囲内とすることができ、好ましくは０．０００１質量％〜５０質量％の範囲内、より好ましくは０．０００６質量％〜１０質量％の範囲内である。Ａｌ含有量が少なすぎると電子注入特性の改善効果が十分に得られない可能性があり、またＡｌ含有量を多くしても電子注入特性の改善効果に変化がないからである。
【００６４】
Ｂｉ合金電極中のＡｌの濃度が、有機層側の反対側から有機層側に向かって増加していることが好ましい。このような構成であれば、Ｂｉ合金の陰極において有機発光層側の反対側から有機発光層側に向かって仕事関数を低くすることができ、Ｂｉ合金の陰極とこれに接する層との界面にて電子注入障壁をより一層低減することができるからである。Ｂｉ合金においてＡｌは不純物の溶質元素である。溶質元素の溶解度は、液体中に比べ固相中の方が低い。したがって、凝固の進行にともない液体中に、溶質元素が偏析され濃化する。つまり、凝固過程におけるＡｌの移動は、合金凝固時に不純物であるＡｌが偏析されるために生じる。この原理を用いて、有機発光層の反対側から凝固させることによって、有機発光層の反対側から有機発光層側に向かってＡｌの濃度を増加させることが可能となる。なお、Ｂｉ合金の陰極中のＡｌの濃度が有機発光層側の反対側から有機発光層側に向かって増加していることは、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）にて、試料をＸ線源と分析器に対して傾斜させる角度分解による深さ方向測定、またはイオンビームスパッタリングを用いた深さ方向測定により確認することができる。
【００６５】
Ｂｉ合金の陰極の仕事関数としては、Ｂｉ合金のみの仕事関数よりも低ければ特に限定されるものではない。また、Ｂｉ合金電極の仕事関数の下限は、Ａｌの仕事関数と同程度であればよい。具体的に、Ｂｉ合金電極の仕事関数は、３．９ｅＶ〜４．６ｅＶの範囲内であることが好ましく、より好ましくは３．９ｅＶ〜４．３ｅＶの範囲内、さらに好ましくは３．９ｅＶ〜４．１ｅＶの範囲内である。なお、仕事関数は、理研計器（株）製の光電子分光装置ＡＣ−３を用いて測定した仕事関数の値を適用した。測定は、基板上に、測定しようとする材料で形成した層を単層として形成し、上記の光電子分光装置ＡＣ−３で光電子が放出されるエネルギー値で決定した。測定条件としては、５０ｎＷの光量で０．０５ｅＶ刻みで行った。
【００６６】
Ｂｉ合金にＡｌを添加する方法としては、溶融した状態のＢｉ合金にＡｌを混合する方法を用いることができる。具体的には、溶融状態のＢｉ合金に、ワイヤ、棒、シート、塊等の任意の形状のＡｌを浸漬させることで、Ｂｉ合金にＡｌを添加することができる。溶融状態のＢｉ合金にＡｌを混合しても、Ｂｉ合金の融点程度であればＡｌは溶融しないので、合金にはならず、Ｂｉ合金に分散した状態となる。
【００６７】
Ｂｉ合金の陰極の形成方法としては、Ｂｉ合金中にＡｌが分散された電極を形成可能な方法であれば特に限定されるものではないが、溶融状態のＢｉ合金とＡｌとからなる電極材料を塗布する方法が好ましく用いられる。塗布法等のウェットプロセスであれば、Ｂｉ合金電極形成時の有機発光層へのダメージを防ぐことができる。また、蒸着法等のドライプロセスを用いることなく有機ＥＬデバイスの全ての層を塗布法等のウェットプロセスにより形成することができるようになり、有機ＥＬデバイスの大型化、製造コストの低減を実現することができる。さらに、溶融状態のＢｉ合金とＡｌとからなる電極材料を塗布する方法は、Ｂｉ合金電極の厚みを制御し易いという利点を有する。
【００６８】
溶融状態のＢｉ合金とＡｌとかららなる電極材料を塗布する方法としては、ノズル等の吐出部に加熱機構を有する塗布装置を用いる方法であれば特に限定されるものではなく、一般的な塗布方法が使用でき、例えば、ディスペンサを用いる方法、スプレーコート法、ブレードコート法、キャスト法、バーコート法、ダイコート法、インクジェット法等が挙げられる。塗布装置において、ノズル等の吐出部が有する加熱機構はＳＵＳ等の安定性に優れる合金で加工されていることが好ましい。さらに、溶融状態の金属浴に基板を浸漬することで塗布することも可能である。溶融状態のＢｉ合金とＡｌとからなる電極材料を塗布した後は、冷却され、Ｂｉ合金の陰極が形成される。
【００６９】
Ｂｉ合金の陰極形成時の雰囲気としては、例えば、窒素、アルゴン等の不活性ガスが挙げられる。
【００７０】
また、後述するスペーサ１７で下側の基板１５および上側の基板１６が支持された状態において、毛細管現象を用いて、当該融状態のＢｉ合金とＡｌとからなる電極材料を注入し、その後冷却することによりＢｉ合金の陰極を形成してもよい。
【００７１】
なお、本実施形態の有機ＥＬデバイス１０にあっては、有機ＥＬデバイス素子１４を挟み込むように設置される下側の基板１５および上側の基板１６がスペーサ１７によって支持されているため、有機デバイス素子１０を形成するための空間を自由に設計することができる。したがって、特に陰極１２を形成するにあたり、その形成方法を自由に選択することができる。
【００７２】
また、上述の通り、本実施形態の有機ＥＬデバイス１０にあっては、有機ＥＬデバイス素子１４を構成する陰極１２の厚さに特徴を有しているが、当該陰極１２の具体的な厚さについては特に限定されることはなく、後述する有機発光層１３よりも厚く設計すればよい。つまり、下側の基板１５と上側の基板１６との間の距離、いわゆるセルギャップの大きさ、前述の陽極１１の厚さ、さらには有機発光層１３の厚さなどを考慮して設計すればよく、例えば、セルギャップの大きさの半分以上の厚さの陰極１２とすることにより、必然的に有機発光層１３の厚さよりも陰極１２の厚さを厚くすることができ、本実施形態の作用効果を発揮することができる。
【００７３】
また、有機発光層１３の厚さが１００ｎｍ未満となるように陰極１２の厚さを厚く設計することが好ましい。有機発光層１３の厚さを１００ｎｍ未満とすることにより、消費電力を充分に低減することができる。例えば、下側の基板１５と上側の基板１６との間の距離、いわゆるセルギャップが１μｍであり、陽極１１の厚さが１５０ｎｍだった場合、陰極の厚さを７５０ｎｍよりも厚くすることで、結果的に有機発光層１３の厚さを１００ｎｍ未満とすることができる。
【００７４】
このような観点からすると、本実施形態にかかる有機ＥＬデバイス１０における陰極１２は、有機発光層の厚さを所望の厚さに設計するための厚さ調整機能を有していると言える。したがって、陰極１２にあっては、必ずしも単一の層として存在している必要はなく、複数の層を積層した積層構造であってもよい。
【００７５】
・有機発光層
有機ＥＬデバイス素子１４を構成する有機発光層１３は、所定の温度で液晶または液体となり発光する有機発光層であり、この条件を満たす有機発光層であれば特に限定されない。
【００７６】
このような有機発光層１３の材料としては、所定の温度で液晶や液体を発現する材料をそのまま用いてもよく、具体的には、例えば、特開平０９−３１６４４２号公報の表１〜表５２に開示されている材料や、特開平１０−２３１２６０号公報の一般式（Ｉ）〜（Ｉ
Ｉ）および表１に開示されている材料や、特開２００６−２４８９４８号公報の（化１）〜（化９）および表１〜２に開示されている材料などから適宜選択して用いてもよい。
【００７７】
また、これら液晶または液体を発現する材料に、別途、発光効率の向上や発光波長を変化させる等の目的でドーパントを添加してもよい。高分子系材料の場合は、これらを分子構造の中に発光基として含んでいてもよい。このようなドーパントとしては、例えば特開２００９−２９０２０４号公報に開示されているのものを用いることができ、具体的にはペリレン誘導体、クマリン誘導体、ルブレン誘導体、カルバゾール誘導体およびフルオレン誘導体を挙げることができる。またこれらにスピロ基を導入した化合物も用いることができる。これらの材料は単独で用いてもよく２種以上を併用してもよい。
【００７８】
また、有機発光層１３は、単層であってもよく、複数の層を積層した積層構造体であってもよい。積層構造体としての有機発光層１３としては、正孔注入輸送層、有機液晶層、および電子注入輸送層を順次積層した積層構造体などが挙げられる。
【００７９】
なお、前述の有機発光層１３を構成する各層の詳細、つまりその材料や層の厚さ、さらにはその製造方法などについては、本発明は特に限定することはなく、従来公知の各層を適宜選択することができる。したがって、有機層１３は分子量が１０００以上の高分子化合物から構成されていてもよく、分子量が１０００未満の低分子化合物から構成されていてもよい。さらに、有機層１３を製造するにあっては、蒸着によってもよく、塗布によってもよい。
【００８０】
また、本実施形態における有機発光層１３が複数の層を積層した積層構造体である場合にあっては、当該複数の層の中に無機物や金属錯体からなる層が含まれていてもよい。つまり、例えば、有機発光層１３が、正孔注入輸送層、有機液晶層、および電子注入輸送層を順次積層した積層構造体である場合、正孔注入輸送層や電子注入輸送層が無機物や金属錯体からなる層であってもよい。またさらに、必要に応じて電荷発生層が追加されてもよい。
【００８１】
・基板
本実施形態にかかる有機ＥＬデバイス１０は、対向する二つの基板、つまり下側の基板１５と上側の基板１６を有している。これらの基板１５、１６は、前述の有機ＥＬデバイス素子１４を支持し、または封止する役割を果たしている。
【００８２】
このような基板１５、１６は、フレキシブルな基板であってもよく、リジッドな基板であってもよい。
【００８３】
基板１５、１６は、光透過性を有していてもよく有していなくてもよく、本実施形態にかかる有機ＥＬデバイス１０用途等に応じて適宜選択される。
【００８４】
基板１５、１６の材料としては、有機ＥＬデバイス１０の用途等に応じて適宜選択されるものであり、例えば、石英、アルカリガラス、無アルカリガラス等のガラスやこれらの薄ガラス、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリメタクリレート、ポリメチルメタクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリフッ化ビニル、ポリオレフィン、フッ素系樹脂等の樹脂、さらにはＳＵＳ基板を挙げることができる。また、基板１５、１６は、単層のみならず、前述の材料を複数積層した積層構造体であってもよい。特に、材料として樹脂を用いる場合にあっては、水や酸素の侵入を防ぐためのバリア層が積層された構造であることが好ましい。
【００８５】
基板１５、１６の厚さは特に限定されないが、通常０．５ｍｍ〜２．０ｍｍ程度である。
【００８６】
・スペーサ
本実施形態にかかる有機ＥＬデバイス１０は、前述の二つの基板１５、１６間に配置され、これらを支持するためのスペーサ１７を有している。
【００８７】
このようなスペーサ１７の形状は特に限定されることはなく、上記の作用効果、つまり二つの基板１５、１６を支持することができる形状であればよく、適宜設計可能である。具体的には、例えば、図１に示すような柱状に加え、球状、壁状、さらには粒子を積み重ねた形状、などを採用することができる。また、柱状の場合であっても、図１に示すような矩形状の他、台形状や円柱状としてもよい。
【００８８】
また、スペーサ１７の高さについても特に限定されることはなく、二枚の基板１５、１６の間隔、いわゆるセルギャップをどの程度にするかや、有機発光層１３の厚さをどの程度に設計して消費電力の低減を図るか、など考慮して自由に設計可能である。具体的には、例えば１μｍ〜３０００μｍ程度としてもよい。
【００８９】
このようなスペーサ３０の材質についても特に限定されることはない。例えば、前記基板１５、１６において用いることができる各種樹脂、つまり、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリメタクリレート、ポリメチルメタクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリフッ化ビニル、ポリオレフィン、フッ素系樹脂等の樹脂を用いてもよく、一方で、シリカ、無アルカリガラス、石英ガラス、ソーダ石灰ガラス、ホウケイ酸ガラス、チタンバリウム系ガラスなどの無機材料を用いてもよい。
【００９０】
また、スペーサ１７の形成方法にあっても特に限定されることはなく、従来公知の形成方法から適宜選択することができる。例えば、スペーサ１７を個別の製造しておき、これを基板１５、１６に接着剤を用いて設置してよく、基板１５、１６を形成するのと同時に、スペーサ１７を形成してもよい。さらには、厚手の基板材料を用意しておき、エッチングなどによってスペーサ１７を形成してもよい。なお、接着剤を用いる場合にあっては、当該接着剤は熱硬化性の接着剤であっても、光硬化性の接着剤であってもよい。
【００９１】
スペーサ１７を形成するタイミングについても特に限定されることはない。例えば、下側の基板１５に有機ＥＬデバイス素子１４を形成し、次いで下側の基板１５にスペーサ１７を形成し、最後に上側の基板１６を載置して、当該上側の基板１６とスペーサ１７とを接着してもよく、有機ＥＬデバイス素子１４の形成とスペーサ１７の形成との順序を入れ替えてもよい。さらには、上側の基板１６にスペーサ１７を設けておき、最後に下側の基板１５と接着するようにしてもよい。
【００９２】
次に、スペーサが設けられる位置について説明する。
【００９３】
図２は、図１に示す有機デバイスの概略正面図である。
【００９４】
スペーサ１７は、有機ＥＬデバイス素子１４の周囲を完全に包囲するように形成する必要はなく、図２に示すように四隅にのみ設けてもよい。スペーサ１７は、有機ＥＬデバイス素子１４を挟み込むように設けられる基板１５、１６を支持することにより、有機ＥＬデバイス素子１４が設置される空間を形成するものであり、したがって、当該作用効果を奏することができれば、設置箇所については特に限定されることはない。
【００９５】
このように、所定の間隔を空けてスペーサ１７を設けることにより、スペーサ１７同士の間（図２中の矢印参照）を利用して、有機ＥＬデバイス素子１４を構成する種々の層を形成したり、基板１５、１６との間に存在する空間を利用して乾燥材を設置したりすることができる。
【００９６】
一方で、図示はしないが、例えば、有機ＥＬデバイス素子１４の周囲を取り囲むように壁状にスペーサを設けることもできる。このように壁状にスペーサを設けることにより、有機ＥＬデバイス素子１４の気密性を向上することができ、有機ＥＬデバイス素子１４に水分等が侵入することを防止することができる。
【００９７】
図３は、本発明の別の実施形態にかかる有機ＥＬデバイスの概略正面図である。なお、図１と同じ構成については同じ符号を用いている。
【００９８】
図３に示すように、本実施形態にかかる有機ＥＬデバイスは、いわゆる「多面付け」、つまり、基板１５、１６の間に複数の有機ＥＬデバイス素子１４、１４・・・が配置される場合もある。この場合において、スペーサ１７は、有機ＥＬデバイス素子１４同士の間に、適当に設置することができる。
【００９９】
図４は、本発明の別の実施形態にかかる有機デバイスの概略断面図である。なお、図１と同じ構成については同じ符号を用いている。
【０１００】
図４に示すように、本実施形態にかかる有機ＥＬデバイス１０にあっては、スペーサ１７に支持されている二つの基板１５、１６間に存在する空間に乾燥材４０が配置されている。
【０１０１】
このように、本実施形態にかかる有機ＥＬデバイス１０にあっては、前述の通り、スペーサの設置位置を適宜設計することにより、基板１５、１６間に適当な空間を作ることができ、当該空間を有効利用することができる。当該空間に乾燥材４０を配置することにより、有機ＥＬデバイス素子１４が水分に侵されることを防止することができ、有機デバイス素子１０の長寿命化を図ることができる。
【０１０２】
乾燥材４０については、特に限定されることはなく、有機ＥＬデバイスの分野において既に用いられている各種乾燥材の中から適宜選択して用いることができる。
【０１０３】
また、乾燥材４０の配置方法についても特に限定されることはなく、図４に示すように上側の基板１６に乾燥材４０を接着することで配置してもよい。なお、図示はしないが、下側の基板１５に乾燥材を設置してもよく、両方の基板１５、１６に設置してもよい。
【０１０４】
図５は、本発明の別の実施形態にかかる有機デバイスの概略断面図である。なお、図１と同じ構成については同じ符号を用いている。
【０１０５】
図５に示すように、本実施形態にかかる有機ＥＬデバイス１０にあっては、これを構成する上側の基板１６にざぐり部２２が設けられており、当該座繰り部２２に乾燥材４０が配置されている。このように、基板１６の一部にざぐり部２２を設け、当該部分に乾燥材４０を配置してもよい。ざぐり部２２を設け、当該部分に乾燥材４０を配置することにより、有機ＥＬデバイス素子１４と乾燥材とが接触し難くなり、製造時の歩留まりを向上することができる。
【０１０６】
この場合であっても、図示はしないが、下側の基板１５にざぐり部を設け、当該ざぐり部に乾燥材を設置してもよく、両方の基板１５、１６にざぐり部を設け、当該ざぐり部に乾燥材を設置してもよい。
【実施例】
【０１０７】
本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【０１０８】
以下、本発明について実施例および比較例を用いて具体的に説明する。
【０１０９】
なお、有機ＥＬデバイスの作製は、特に断りの記述がない限り、水分濃度１ｐｐｍ以下、酸素濃度１ｐｐｍ以下の窒素置換グローブボックス内で作業を行った。
【０１１０】
（実施例１）
・基板Ａの作製
陽極として厚さ１５０ｎｍのＩＴＯの薄膜付きのガラス基板を用いた。このガラス基板を２５ｍｍ×２５ｍｍのサイズに裁断した後、ガラス基板上のＩＴＯ膜をストライプ状にパターン形成した。このようにして得られたガラス基板を、中性洗剤、超純水の順に超音波洗浄し、ＵＶオゾン処理を施した。
【０１１１】
次いで、上記のガラス基板に正孔注入材料であるＰＥＤＯＴ（ＡＩ４０８３）をスピンコートにて大気中で塗布し、大気中で２００℃３０分乾燥して、厚さ２０ｎｍの膜を形成した。
【０１１２】
次に、正孔輸送材料として、高分子材料であるポリ［（９，９−ジオクチルフルオレニル−２，７−ジイル）−ｃｏ−（４，４'−（Ｎ−（４−ｓｅｃ−ブチルフェニル））ジフェニルアミン）］（ＴＦＢ）を用いた。キシレンに前記ＴＦＢを０．４重量％の濃度で溶解させた溶液を、スピンコート法により塗布して成膜した。ＴＦＢ溶液の塗布後、溶剤を蒸発させるためにホットプレートを用いて２００℃で３０分乾燥させて、厚さ２０ｎｍの膜を形成した。このような工程を経て基板Ａを得た。
【０１１３】
・基板Ｂの作製
サイズが２５ｍｍ×２５ｍｍのガラス基板を、中性洗剤、超純水の順に超音波洗浄し、ＵＶオゾン処理を施した。次いで、このガラス基板上に、陰極としてＡｌ（厚み：３７３０ｎｍ）を成膜した。なお、この成膜は、真空中（圧力：１×１０-4Ｐａ）で、抵抗加熱蒸着法により行った。
【０１１４】
次いで、前記陰極上に電子注入輸送層として３ＴＰＹＭＢ（トリス［3−（3−ピリジル）メシチル］ボラン）：Ｌｉｑ（８−ヒドロキシキノリノラト-リチウム）＝１:１（固形分濃度１質量％、１−ブタノール溶液）をスピンコート法により塗布し、ホットプレートを用いて１５０℃、３０分で加熱した。加熱後の厚みは３０ｎｍであった。このような工程を経て基板Ｂを得た。なお、電子注入輸送層の形成にあって、塗布膜が形成しづらい場合には、蒸着法を用いてもよい。
【０１１５】
前記基板Ａと基板Ｂを大きさ４μｍのスペーサと接着剤を用いて、貼りあわせた。この時、基板Ａの正孔輸送層と基板Ｂと電子注入輸送層との間のギャップは５０ｎｍであった。
【０１１６】
有機発光層に用いる液晶材料は、PHYSICAL REVIEW B 79, 033201（2009）に記載の2-4-octyloxyphenyl-6-butoxybenzothiazole(相転移温度：Cryst 68.3℃ SmC 100.8℃ Nematic 123.9℃ Iso、以下、8O-PBT-O4と略す)を用いた。8O-PBT-O4：C545T(10-(2-Benzothiazolyl)-2,3,6,7-tetrahydro-1,1,7,7,-tetramethyl l- 1H,5H,11H-[1]benzopyrano [6,7,8-ij]quinolizin-11-one)=95：5（重量比）を、毛細管現象を利用してホットプレート上で１３０℃で注入した。注入後、室温に戻した。
【０１１７】
なお、毛細管現象を利用して注入しにくい場合は、基板Ａ上に8O-PBT-O4：C545T=95：5（重量比）の粉末を設けてから、基板Ｂを大きさ４μｍのスペーサと接着剤を用いて、貼りあわせてから、加熱しても良い。
【０１１８】
以上により、実施例１にかかる有機ＥＬデバイスを得た。
【０１１９】
（比較例１）
陰極であるＡｌの厚さを１００ｎｍとすることにより、有機発光層の厚みを３６８０ｎｍとした以外は、上記実施例１と同じ条件にて比較例１にかかる有機ＥＬデバイスを得た。
【０１２０】
（デバイス特性評価）
上記実施例１及び比較例１の有機ＥＬデバイスは、いずれもＣ５４５Ｔ由来の緑色に発光した。これらについて、（株）トプコン製の分光放射計ＳＲ−２を用いて、発光輝度とスペクトルを測定した。測定結果を以下の表４に示す。なお、電流効率は駆動電流と輝度から算出して求めた。
【０１２１】
【表４】
2016096097.tif 000006
【０１２２】
実施例１及び比較例１の有機ＥＬデバイスを発光させた結果、Ｃ５４５Ｔ由来の発光ＣＩＥ（ｘ，ｙ）＝（０．３２、０．５８）が確認できた。発光開始電圧、最大輝度共に実施例１が比較例１と比べて特性が良いことが分かった。比較例１は、有機発光層が厚すぎるために高電圧化、有機発光層内での再結合のキャリアバランスの低下が生じているためと考えられる。
【符号の説明】
【０１２３】
１０…有機ＥＬデバイス
１１…陽極
１２…陰極
１３…有機発光層
１４…有機ＥＬデバイス素子
１５、１６…基板
１７…スペーサ
【図１】
2016096097.tif 000007
【図２】
2016096097.tif 000008
【図３】
2016096097.tif 000009
【図４】
2016096097.tif 000010
【図５】
2016096097.tif 000011
【図６】
2016096097.tif 000012