(57)【要約】      （修正有）【課題】実装基板上に近接して搭載可能でありかつ搭載位置を良好に制御可能な発光素子を用いた発光装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】実装基板１１と、実装基板の表面に形成された金属からなり、互いに離間して島状に配された複数の第１の実装接合層と、複数の第１の実装接合層に各々載置された複数の発光素子と、を有し、複数の発光素子の各々は、第１の実装接合層にその底部において載置された柱状の支持体１７と、第１の導電型の第１の半導体層、発光層、及び第２の導電型の第２の半導体層がこの順に積層されている半導体層を有し、支持体の頂面に載置された発光部１９と、を有し、支持体は、複数の第１の実装接合層の各々に接合された第２の実装接合層を底面に有し、支持体は、複数の発光素子の各々の間の領域に面した側面において、頂面により近い部分に突出部２１を有する。【選択図】図１Ｂ
2016086030.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
実装基板と、
前記実装基板の表面に形成された金属からなり、互いに離間して島状に配された複数の第１の実装接合層と、
前記複数の第１の実装接合層に各々載置された複数の発光素子と、を有する発光装置であって、
前記複数の発光素子の各々は、
前記第１の実装接合層にその底部において載置された柱状の支持体と、
第１の導電型の第１の半導体層、発光層、及び第２の導電型の第２の半導体層がこの順に積層されている半導体層を有し、前記支持体の頂面に載置された発光部と、を有し、
前記支持体は、前記複数の第１の実装接合層の各々に接合された第２の実装接合層をその底面に有し、
前記支持体は、前記複数の発光素子の各々の間の領域に面した側面において、前記頂面により近い部分に突出部を有していることを特徴とする発光装置。
【請求項２】
前記発光部は前記支持体上に複数配されていることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記発光素子は、前記実装基板上にマトリクス状に配されていることを特徴とする請求項１または２に記載の発光装置。
【請求項４】
前記発光部は、上面視において前記支持体の底面よりも大きな領域に形成されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１つに記載の発光装置。
【請求項５】
実装基板上に金属からなり、互いに離間して島状に配された複数の第１の実装接合層を形成する工程と、
成長基板上に、互いに離間した複数の半導体層及び前記半導体層の上に形成された第１の金属接合層を形成する工程と、
支持基板の一方の面上の、前記複数の半導体層の前記第１の金属接合層の各々に対応する位置に、複数の第２の金属接合層を形成する工程と、
前記支持基板の前記一方の面の前記複数の第２の金属接合層の間の領域に第１の溝部を形成する工程と、
前記第１の金属接合層と前記第２の金属接合層とを接合させる工程と、
前記成長基板を除去する工程と、
前記支持基板の他方の面に金属からなる第２の実装接合層を形成する工程と、
前記一方の面の前記第１の溝部が形成されている領域の反対側にある前記支持基板の他方の面の領域において前記他方の面から前記第１の溝部の底部まで達するように前記第１の溝部より幅の大きい溝部を形成し、前記支持基板を個片化して複数の発光素子を形成する工程と、
前記複数の第１の実装接合層の各々の表面に金属ペーストを塗布して前記複数の発光素子の各々を載置し、前記第１の実装接合層と前記第２の実装接合層とを接合させる工程と、
を含むことを特徴とする発光装置の製造方法。
【請求項６】
前記第１の溝部を形成する工程において、前記複数の第２の金属接合層のうちの複数が前記第１の溝部によって囲繞されるように前記第１の溝部を形成することを特徴とする請求項５に記載の製造方法。
【請求項７】
前記複数の第１の実装接合層を前記実装基板上にマトリクス状に形成することを特徴とする請求項５または６に記載の製造方法。
【請求項８】
前記金属ペーストは、金属粉末及びフラックスからなり、前記第１の実装接合層と前記第２の実装接合層とを接合させる工程において、当該接合は溶融接合によってなされ、当該溶融接合時に隣接する支持体間の領域に溶出したフラックスが前記隣接する支持体間の領域においてボイドを形成することを特徴とする請求項５乃至７のいずれか１つに記載の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光装置、特に、発光ダイオード（ＬＥＤ：Light Emitting Diode）を用いたＬＥＤ発光素子を用いた発光装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
複数の発光素子を搭載した発光装置が、照明、バックライト、産業機器等に従来から用いられてきた。特許文献１に記載されているような発光素子は、ＧａＡｓ基板またはサファイア基板等の成長基板上にＭＯＣＶＤ（Metal-Organic Chemical Vapor Deposition）法等を用いてＡｌＧａＩｎＰまたはＧａＮ等の半導体層をエピタキシャル成長させ、成長基板上に成長した半導体層を導電性の支持基板に貼り合わせた後、成長基板を除去して製造されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１１−１００９７４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
このような発光素子を実装基板上に複数搭載して発光装置を形成する際、発光素子と実装基板とを金属接合で接合する場合がある。このような場合、例えば、発光装置点灯時に発光素子間に暗部が形成されるのを防止するために、発光素子同士を近接して配置する必要がある。しかし、発光素子同士を近接して配置すると、金属接合時に発光素子間の領域に滲出するフラックスによって発光素子間の領域が充填されることで、発光素子に応力がかかってしまう。これにより、発光素子が移動したり傾いたりするため、その搭載位置を制御できない等の問題があった。
【０００５】
本発明は、上述の点に鑑みてなされたものであり、実装基板上に近接して搭載可能でありかつ搭載位置を良好に制御可能な発光素子を用いた発光装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の発光装置は、実装基板と、当該実装基板の表面に形成された金属からなり、互いに離間して島状に配された複数の第１の実装接合層と、当該複数の第１の実装接合層に各々載置された複数の発光素子と、を有する発光装置であって、当該複数の発光素子の各々は、当該第１の実装接合層にその底部において載置された柱状の支持体と、第１の導電型の第１の半導体層、発光層、及び第２の導電型の第２の半導体層がこの順に積層されている半導体層を有し、当該支持体の頂面に載置された発光部と、を有し、当該支持体は、当該複数の第１の実装接合層の各々に接合された第２の実装接合層をその底面に有し、当該支持体は、当該複数の発光素子の各々の間の領域に面した側面において、当該頂面により近い部分に突出部を有していることを特徴とする。
【０００７】
また、本発明の発光装置の製造方法は、実装基板上に金属からなり、互いに離間して島状に配された複数の第１の実装接合層を形成する工程と、成長基板上に、互いに離間した複数の半導体層及び当該半導体層の上に形成された第１の金属接合層を形成する工程と、支持基板の一方の面上の、当該複数の半導体層の当該第１の金属接合層の各々に対応する位置に、複数の第２の金属接合層を形成する工程と、当該支持基板の当該一方の面の当該複数の第２の金属接合層の間の領域に第１の溝部を形成する工程と、当該第１の金属接合層と当該第２の金属接合層とを接合させる工程と、当該成長基板を除去する工程と、当該支持基板の他方の面に金属からなる第２の実装接合層を形成する工程と、当該一方の面の当該第１の溝部が形成されている領域の反対側にある当該支持基板の他方の面の領域において当該他方の面から当該第１の溝部の底部まで達するように当該第１の溝部より幅の大きい溝部を形成し、当該支持基板を個片化して複数の発光素子を形成する工程と、当該複数の第１の実装接合層の各々の表面に金属ペーストを塗布して当該複数の発光素子の各々を載置し、当該第１の実装接合層と当該第２の実装接合層とを接合させる工程と、を含むことを特徴とする。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１Ａ】本発明の実施例である発光装置の上面図である。
【図１Ｂ】図１Ａの１Ｂ−１Ｂ線に沿った断面図である。
【図２Ａ】図１の発光装置の製造工程を示す断面図である。
【図２Ｂ】図１の発光装置の製造工程を示す断面図である。
【図２Ｃ】図１の発光装置の製造工程を示す断面図である。
【図２Ｄ】図１の発光装置の製造工程を示す断面図である。
【図２Ｅ】図１の発光装置の製造工程を示す断面図である。
【図２Ｆ】図１の発光装置の製造工程を示す断面図である。
【図２Ｇ】図１の発光装置の製造工程を示す断面図である。
【図２Ｈ】図１の発光装置の製造工程を示す断面図である。
【図２Ｉ】図１の発光装置の製造工程を示す断面図である。
【図３】発光装置の変形例を示す断面図である。
【図４】発光装置の変形例を示す上面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下においては、本発明の好適な実施例について説明する。しかし、これらを適宜改変し、組み合わせてもよい。また、以下の説明及び添付図面において、実質的に同一又は等価な部分には同一の参照符を付して説明する。
【実施例】
【００１０】
以下に、ＬＥＤ素子を用いた発光装置を例にして、本発明の実施例に係る発光装置１０について、図１Ａ及び図１Ｂを参照しつつ説明する。実装基板１１はＳｉ等の半導体、Ｃｕ等の金属、またはＡｌＮ、ＳｉＣ等の絶縁性材料からなる基板である。第１の実装接合層としての実装基板接合層１３は、実装基板１１の上面にＴｉ、Ｐｔ、Ａｕがこの順に積層されて形成されている金属層である。なお、実装基板１１の上面に金属配線が形成されている場合、実装基板接合層１３は、当該金属配線と同一層の層として実装基板１１上に積層された後にパターニングされて形成されていてもよいし、当該金属配線を形成した後に金属配線上に形成されていてもよい。実装基板接合層１３は、矩形形状を有しており、実装基板１１上に互いに離間して３×３のマトリクス状に配されている。実装基板接合層１３上にはＡｕＳｎからなる接合補助層１４が形成されている。
【００１１】
実装基板１１の実装基板接合層１３上の各々には、発光素子１５が配されている。すなわち、発光素子１５は、実装基板１１上にマトリクス状に配されている。発光素子１５は、支持体１７及び支持体１７の頂面１７Ａに接合されている発光層（図示せず）を有する半導体層を含む発光部１９を有している。
【００１２】
支持体１７は、例えばＳｉ等の導電性基板からなっている。支持体１７は、正方形の頂面１７Ａ及び底面１７Ｂを有する略直方体の角柱状であり、支持体１７は、各側面において底面１７Ｂから切り込まれている切り欠き凹部Ｃを有しており、支持体１７の頂面１７Ａよりも底面１７Ｂの方が狭くなっている。すなわち、支持体１７は、頂部において頂面１７Ａと平行な方向かつ外方に向かって突出している庇形状の突出部２１を有している。
【００１３】
換言すれば、支持体１７は、複数の発光素子１５の各々の間の隣接領域に面した側面において、頂面１７Ａにより近い部分に突出部２１を有している。
【００１４】
従って、隣り合う発光素子１５の支持体１７の側面は、頂面１７Ａ近傍の突出部２１が形成されている部分に比べて、突出部２１が形成されていない部分において離間している。換言すれば、隣接している支持体１７間の突出部２１が形成されている部分よりも下の部分に、隣接する支持体１７の突出部２１間よりも広い間隔を有する空間が形成されている。この突出部２１及び切り欠き凹部Ｃによって形成される空間は、発光素子１５と実装基板１１とを接合する際に使用するフラックスを含む金属ペーストから溶出するフラックスの逃げとして機能する。
【００１５】
支持体１７の底面１７Ｂ上には、底面１７Ｂを覆うように第２の実装接合層としての底面接合層２５が形成されている。すなわち、底面接合層２５は、支持体１７の発光部１９が配された面と反対側の面上に形成されている。底面接合層２５は、底面１７Ｂ上にＴｉ、Ｐｔ、Ａｕがこの順に積層されて形成されている金属層である。底面接合層２５は、接合補助層１４を介して実装基板接合層１３と接合されている。
【００１６】
支持体１７の頂面１７Ａ上には、発光層（図示せず）を有する半導体層を含む発光部１９が形成されている。発光部１９は、上面電極（図示せず）を有する。上面電極はボンディングワイヤ（図示せず）によって、外部電極と接続されている。すなわち、発光素子１５には、実装基板１１上の金属配線（図示せず）及びボンディングワイヤ（図示せず）によって電力の供給がなされる。
【００１７】
なお、発光装置１０の発光時に発光素子１５間に暗部が形成されないように、発光部１９は、図１Ｂに示すように上面視において支持体１７の底面１７Ｂよりも広い領域に形成されているのが好ましい。
【００１８】
以下に、本発明の実施例に係る発光装置１０の製造方法について、図２Ａ−２Ｉを参照しつつ説明する。図２Ａ−２Ｉは、それぞれ発光装置１０の製造における各工程の断面図である。なお、図２Ａ−２Ｉにおいては、明解さのために３つの発光素子の断面を示しているが、実際の製造時は、多数の発光素子が配列されたシート状態で製造されてもよい。
【００１９】
まず、図２Ａに示すように、例えば、Ｃ面サファイア基板である成長基板２９を準備し、ＭＯＣＶＤを用いて、ＡｌxＩｎyＧａzＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）からなるｎ型半導体層３１、発光層３３及びｐ型半導体層３５がこの順に積層された半導体層３７を結晶成長させる。
【００２０】
具体的には、成長基板２９をＭＯＣＶＤ装置内に配し、水素雰囲気中で、１０００℃で１０分加熱し、サーマルクリーニングを行う。次に、約５００℃でＴＭＧ及びＮＨ3を供給して低温バッファ層であるＧａＮ層を形成する。次に、１０００℃まで昇温して３０秒間保持し、上記低温バッファ層を結晶化させる。次に、１０００℃に維持しつつ、ＴＭＧ及びＮＨ3を供給し、下地ＧａＮ層を約１μｍの厚さで形成する。さらに、ＴＭＧ、ＮＨ3及びＳｉＨ4を供給し、ｎ−ＧａＮ層を約７μｍ成長させる。このようにして、ｎ型半導体層３１を形成する。
【００２１】
次に、温度約７００℃で、ＴＭＧ及びＴＭＩを供給することによる層厚２．２ｎｍのＩｎＧａＮ井戸層の成長、及びＴＭＧ及びＮＨ3供給することによる層厚１５ｎｍのＧａＮ障壁層の成長を交互に繰り返し、ＩｎＧａＮ／ＧａＮを５周期成長させ、ｎ型半導体層３１上にＩｎＧａＮ／ＧａＮからなる多重量子井戸構造の発光層３３を形成する。
【００２２】
次に、温度を８７０℃まで上げ、ＴＭＧ、ＴＭＡ、ＮＨ3及びＣｐ2Ｍｇを供給し、ｐ−ＡｌＧａＮクラッド層を約４０ｎｍ成長させる。さらに、ＴＭＧ、ＮＨ3、Ｃｐ2Ｍｇを供給し、ｐ−ＧａＮ層を約１５０ｎｍ成長させる。このようにして、ｐ型半導体層３５を形成する。
【００２３】
次に、図２Ｂに示すように、ｐ電極である反射電極層３９及び第１の金属接合層としての半導体側接合層４１を形成する。具体的には、まず、例えば、フォトリソグラフィ、真空蒸着法、スパッタ法等で半導体層３７の発光部１９（図１Ａ及び図１Ｂ参照）となる領域の各々の上にＡｇ層を形成して反射電極層３９を形成する。反射電極層３９は、発光層３３から出射した光を反射して光取り出し効率を高めるために、光反射性の高い材料で形成するのが好ましく、例えば、ＡｇまたはＡｇ合金等で形成してもよい。
【００２４】
その後、例えば、ｐ型半導体層３５上に、反射電極層３９を覆うようにＴｉＷ層をスパッタ法で形成して拡散防止層を形成し、その上にＴｉ、Ｐｔ、ＡｕをＥＢ蒸着法にてこの順に蒸着し、半導体側接合層４１を形成する。半導体側接合層４１は、後述する支持基板との接合において、支持基板上に形成されている支持体側接合層と接合される層である。
【００２５】
次に、図２Ｃに示すように、例えばＲＩＥにてドライエッチングによって、半導体層３７の半導体側接合層４１によって覆われていない表面から成長基板２９の上面に至るまでの溝を形成し、個々の発光部１９（図１Ｂ参照）となる部分を形成する。
【００２６】
次に、図２Ｄに示すように、支持基板４３を用意する。支持基板４３は、Ｓｉ等の導電性基板である。支持基板４３の上面には、上記発光部１９を配置する位置に、第２の金属接合層としての支持体側接合層４５が形成されている。支持体側接合層４５は、ＥＢ蒸着等でＴｉ、Ｐｔ、Ａｕをこの順に積層することによって形成する。
【００２７】
次に、図２Ｅに示すように、支持基板４３の上面の支持体側接合層４５が形成されている領域の各々を区切るように、支持体側接合層４５間の領域にレジスト膜をマスクとして用いたドライエッチングによって幅がＷ１である第１の第１の溝部Ｖ１を形成する。すなわち、第１の溝部Ｖ１は、支持基板４３の表面において、支持体側接合層４５の各々を囲繞するように形成される。
【００２８】
第１の溝部Ｖ１は、レジスト膜を用いたウェットエッチング、レーザダイシングまたはブレードダイシングによって形成してもよい。第１の溝部Ｖ１は、例えば、支持基板４３の厚さの約１／５程度の深さとなるように形成する。
【００２９】
なお、図２Ｅに示す支持基板４３に支持基板側接合層４５及び第１の溝部Ｖ１を形成する工程は、上記図２Ａ乃至Ｃを参照して説明した工程よりも先に行うこととしてもよい。
【００３０】
次に、図２Ｆに示すように、支持体側接合層４５の表面と半導体側接合層４１の表面と接触させて、例えば、互いに対して押圧しつつ、温度２００℃で１時間かけて熱圧着を行うことにより接合層同士を接合することで支持基板４３を貼り付ける。その後、例えば、レーザリフトオフ（ＬＬＯ）装置にて成長基板２９の裏面側からエキシマレーザを照射することにより成長基板２９を除去する。なお、成長基板２９の除去は、レーザリフトオフ（ＬＬＯ）に限らず、ウェットエッチング、ドライエッチング、機械研磨法、もしくは化学機械研磨（ＣＭＰ）、またはこれらの方法の少なくとも１つを組み合わせた方法によって行ってもよい。
【００３１】
次に、半導体層３７の上面及び側面を覆うように絶縁性保護層（図示せず）を形成する。絶縁性保護層は、例えば、スパッタ法にて絶縁性酸化物であるＳｉＯ2層を成膜することで形成する。絶縁性保護層は、半導体層３７上の、後述する上面電極４７を形成する領域には形成しない。なお、絶縁性保護層には、Ａｌ2Ｏ3、Ｔｉ2Ｏ3、ＴｉＯ2、ＨｆＯ2、ＣｅＯ2等、ＳｉＯ2以外の酸化物絶縁体を用いてもよい。
【００３２】
なお、絶縁性保護層を形成する前に、ｎ型半導体層３１の表面を、例えばＫＯＨ溶液等のアルカリ溶液に浸すことで、ｎ型半導体層３１の表面に半導体結晶構造由来の凹凸構造を形成することとしてもよい。この凹凸構造を形成することで、半導体層３７からの光取り出し効率が向上する。
【００３３】
次に、図２Ｇに示すように、フォトリソグラフィ等により、半導体層３７上の絶縁性保護層によって覆われていない部分を露出するように開口部を有するレジストマスクを形成し、ＥＢ蒸着法等を用いて、Ｔｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ａｕをこの順で積層し、レジストマスクを除去することにより、ｎ電極である上面電極４７を形成し、発光部１９が完成する。
【００３４】
次に、図２Ｈに示すように、支持基板４３の前記発光部１９が接合されている面と反対側の面である底面上に、第２の実装接合層である底面接合層２５を形成し、支持基板４３の底面側から、第１の溝部Ｖ１の底部まで達するように第２の溝部Ｖ２を形成することで支持基板４３を切断して支持体１７を形成し、発光素子１５を個片化する。
【００３５】
具体的には、まず、研削、ウェットエッチングまたはドライエッチングによって、支持基板４３の底面接合層２５を形成する底面表面の熱酸化膜を除去する。その後、底面接合層２５を形成する部分を露出するように開口部を有するレジストマスクを形成し、パターニングして、ＥＢ蒸着法等を用いて、Ｔｉ、Ｐｔ、Ａｕをこの順に積層する。
【００３６】
次に、支持基板４３の上面の第１の溝部Ｖ１が形成されている領域の支持基板４３を挟んで反対側の領域において、支持基板４３の底面からブレードダイシングすることで第１の溝部Ｖ１よりも広い幅Ｗ２を有し、かつ第１の溝部Ｖ１の底部まで達する第２の溝部Ｖ２を形成する。
【００３７】
すなわち、上面視において、形成される第２の溝部Ｖ２の中心線が第１の溝部Ｖ１の中心線に重なるように第１の溝部Ｖ１の底部に達するまでブレードダイシングを行い、支持基板４３を切断する。なお、第２の溝部Ｖ２は、レジスト膜を用いたドライエッチングもしくはウェットエッチング、またはレーザダイシングによって形成してもよい。このように支持基板４３を切断することで、個片化された発光素子１５が完成する。
【００３８】
上述のように、第２の溝部Ｖ２の幅Ｗ２を第１の溝部Ｖ１の幅Ｗ１よりも大きくするので、個片化された後の発光素子１５の支持体１７は、頂面１７Ａよりも底面１７Ｂが小さくなっており、上述の突出部２１及び切り欠き凹部Ｃ（図１Ｂ参照）が形成されている。なお、支持基板４３の最外周の側面には、隣り合う発光素子１５に面した支持体１７の側面に形成される突出部２１と同様の構造が形成されるように、第２の溝部Ｖ２を形成する。
【００３９】
次に、図２Ｉに示すように、実装基板１１上に発光素子１５を実装する。具体的には、まず、実装基板１１上に、ＥＢ蒸着法等を用いて、Ｔｉ、Ｐｔ、Ａｕをこの順に積層して、発光素子１５の底面接合層２５の形状に対応した矩形形状を有する実装基板接合層１３を複数形成する。実装基板接合層１３は、実装基板１１上に互いに離間して３×３のマトリクス状に配置する。
【００４０】
その後、実装基板接合層１３の上面に、ＡｕＳｎ粉末及びフラックスを含むＡｕＳｎペーストを塗布し、接合補助層１４を形成する。その後、接合補助層１４上に接合補助層１４の表面と底面接合層２５の表面とが向き合うようにして発光素子１５を各々載置する。
【００４１】
次に、実装基板１１と発光素子１５とを互いに対して押圧しつつ、例えば温度２００℃で溶融接合を行うことにより接合層同士を接合することで実装基板１１上への発光素子１５の実装を完了する。この際、発光素子１５は、溶解したＡｕＳｎペーストの表面張力によって、実装基板接合層１３の各辺と底面接合層２５の対応する各辺とが平行になるようにセルフアラインメントされる。
【００４２】
なお、このセルフアラインメント効果を高めるために、底面接合層２５は、支持体１７の底面１７Ｂ全面に形成するのではなく、底面１７Ｂの端部から離間させて上面視において底面１７Ｂよりも小さく形成するのが好ましい。また、実装基板接合層１３と底面接合層２５とは同一の平面形状を有しているのが好ましい。
【００４３】
図２Ｉには、実装基板１１と発光素子１５との溶融接合中に接合補助層１４を形成するＡｕＳｎペーストから滲出（溶出）するフラックス４９が示されている。図示するように、溶融接合中には熱によって溶け出したフラックス４９が隣接する発光素子１５の支持体１７の間の領域に滲出する。
【００４４】
発光装置１０において、隣り合う発光素子１５の支持体１７の側面同士の距離は突出部２１の下部、すなわち切り欠き凹部Ｃ（図１Ｂ参照）が形成されている部分で大きくなっており、発光素子１５を近接して配置しても突出部２１の下方に大きな空間が形成される。従って、フラックスは実装基板１１の表面上から、すなわち下方から順に充填されず、表面張力によって支持体１７の側面を伝って上方に向かう。
【００４５】
従って、図示するように、フラックス４９は、溶融接合時において、溶けて滲出した後に、隣接する支持体１７の間の空間に下方から溜まって支持体１７の間の空間を完全に充填するのではなく、ボイドＶＯを内包する状態で部分的に存在し、その後蒸発して消失する。
【００４６】
なお、実装基板１１と発光素子１５との接合の後に、上面電極４７と実装基板１１上の外部電極（図示せず）とをワイヤボンディングで接続する。また、実装基板１１と発光素子１５との接合の後に、実装基板１１上に発光素子１５を蛍光体樹脂で埋設して封止することとしてもよい。
【００４７】
このように、本願発明の発光装置１０の製造においては、実装基板１１と発光素子１５との溶融接合時に、突出部２１及び切り欠き凹部Ｃによって形成された空間がフラックスの逃げとして機能し、フラックス４９が支持体１７の間の空間を完全に充填しない。従って、溶融接合時に、溶け出したフラックス４９によって支持体１７の側面にかかる応力が低減され、溶融接合時における発光素子１５の載置位置からの位置ずれ及び傾きを防止することが可能である。
【００４８】
なお、溶融接合時にフラックス４９が支持体１７の間の空間に下方から溜まってしまっても、突出部２１の下方の空間が大きくなっている故にフラックス４９が支持体１７間の空間を完全に充填してしまうことはない。従って、そのような場合でも、溶け出したフラックス４９によって支持体１７の側面にかかる応力が低減され、溶融接合時における発光素子１５の載置位置からの位置ずれ及び傾きを防止することが可能である。
【００４９】
上記実施例においては、発光素子１５の支持体１７の全ての側面に突出部２１及び切り欠き凹部Ｃが形成されている場合を例に説明した。しかし、図３に示すように、突出部２１及び切り欠き凹部Ｃは、発光装置１０に実装する際に隣接する発光素子１５間の領域に面する側面のみに形成されていてもよい。
【００５０】
すなわち、実装基板１１上の最外周に配されている発光素子１５の支持体の側面のうち、他の発光素子１５に面していない側面には突出部２１及び切り欠き凹部が形成されていなくともよい。この場合、上記図２Ｈを参照して説明した第２の第２の溝部Ｖ２を形成する際に、支持基板４１の最外周に溝部を形成する必要はない。
【００５１】
また、上記実施例においては、１つの支持体１７上に１つの発光部１９が形成されており、１つの実装基板１１上に３×３のマトリクス状に発光素子１５を配列する場合を例に説明した。しかし、発光部１９が１つの支持体１７上に複数形成されていてもよい。また、発光素子１５の配列もマトリクス状に限られない。
【００５２】
例えば、図４に示すように、支持体１７上に発光部１９が複数形成されている発光素子１５を形成し、実装基板１１上に１列に配列することとしてもよい。なお、発光部１９は、支持体１７上に複数列にまたはマトリクス状に配する等、様々に配置することが可能である。また、発光素子１５も、実装基板１１上に複数列に配置する等、配置は任意である。
【００５３】
なお、発光部１９を支持体１７上に複数形成する場合、図２Ｅで説明した第１の溝部Ｖ１を形成する工程において、複数の発光部１９を含む領域を囲繞するように第１の溝部Ｖ１を形成すればよい。
【００５４】
また、上記実施例においては、支持体１７が正方形の頂面を有する略直方体である場合を例にして説明したが、支持体１７の頂面は、図４に示すように正方形以外の長方形でもよい。また、支持体１７は、円柱状、四角柱以外の五角柱または六角柱等の多角柱状であってもよい。
【００５５】
また、上記実施例において、支持体１７は、断面図において側面の輪郭が折曲形状を有するように図示されているが、側面の輪郭がなめらかな連続した曲線形状を有していてもよい。
【００５６】
また、発光部１９を支持体１７の頂面１７Ａに複数形成する場合、上面視において発光部１９が存在する領域が、支持体１７の底面１７Ｂよりも広い領域に亘っているのが好ましい。
【００５７】
上記実施例においては、ｎ電極及びｐ電極を互いに反対側の面に形成する半導体素子構造を有する発光素子について説明したが、本発明は他の半導体素子構造を有する素子にも適用可能である。例えば、ｎ電極及びｐ電極を半導体層の一方の面に露出するように形成する半導体素子構造を有する発光素子についても適用可能である。この場合、例えばｎ電極をＶｉａ構造電極としてもよい。すなわち、ｐ型半導体層の表面からｐ型半導体層及び発光層を貫通してｎ型半導体層に至るＶｉａを形成し、当該Ｖｉａ内に露出したｎ型半導体層に接続されかつ当該Ｖｉａを介して露出するｎ電極を形成する構造としてもよい。
【００５８】
また、例えば、ｎ電極及びｐ電極を支持体１７に面して形成する場合、支持体１７を絶縁性材料で形成して支持体１７上に配線を形成するかまたは、導電性材料で形成された支持体１７上面に熱酸化膜などの絶縁層を形成し、絶縁層上に支持体側接合層４５及び配線を形成することとしてもよい。このとき、支持体１７上面に形成した絶縁層に一部開口部を形成し、支持体側接合層４５と支持体１７とを導通させることとしてもよい。
【００５９】
この場合、配線と外部電極とをボンディングワイヤで接続することによって、発光素子１５への給電を行うこととしてもよい。
【００６０】
上記実施例において、実装基板１１は絶縁性材料からなる基板からなる場合を例にして説明したが、基板の材料は適宜選択可能である。例えば、実装基板１１の材料はアルミナやセラミック素材からなる導電性材料でもよいし、Ｃｕ，Ａｇ等からなるスルーホールを有するガラスエポキシ基板等の絶縁性材料などを選択してもよい。
【００６１】
上記のように、配線と外部電極及び支持体や実装基板の材料等を適宜選択することにより、発光素子の駆動方法を個別駆動又は一括駆動などに制御可能となる。
【００６２】
また、上記実施例においては、実装基板１１上に同一の発光素子１５を搭載することとしたが、様々な発光色の異なる発光素子１５を搭載することとしてもよい。例えば、赤色光、緑色光及び青色光を出射する発光層を有する発光素子１５をそれぞれ搭載し、発光装置１０をＲＧＢ光源としてもよい。
【００６３】
また、上記実施例においては、発光素子１５がＬＥＤ素子である場合を例に説明したが、発光素子１５は有機ＥＬ素子等、発光部１９の構成が異なる他の発光素子であってもよい。
【００６４】
上述した実施例における種々の数値、寸法、材料等は、例示に過ぎず、用途及び製造される半導体素子等に応じて、適宜選択することができる。
【符号の説明】
【００６５】
１０              発光装置
１１              実装基板
１３              実装基板接合層
１４              接合補助層
１５              発光素子
１７              支持体
１９              発光部
２１              突出部
２５              底面接合層
２９              成長基板
３１              ｎ型半導体層
３３              発光層
３５              ｐ型半導体層
３７              半導体層
３９              反射電極層
４１              半導体側接合層
４３              支持基板
４５              支持体側接合層
４７              上面電極
４９              フラックス
Ｃ                切り欠き凹部
Ｖ１，Ｖ２        溝部
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図２Ｃ】
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【図２Ｄ】
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【図２Ｅ】
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【図２Ｆ】
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【図２Ｇ】
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【図２Ｈ】
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【図２Ｉ】
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【図３】
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【図４】
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