(57)【要約】【課題】半導体装置の製造を容易にする。【解決手段】本実施形態の半導体装置の製造方法は、半導体ウェハ及び前記半導体ウェハの外側に配置された保持部の下部に設けられた第一のテープにおいて、前記半導体ウェハの下部に設けられた第一領域と、前記保持部の下部に設けられた第二領域とを、前記第一のテープと複数の切断部とを相対的に回転させることで切断する工程と、前記半導体ウェハの上方に第二のテープを張り付ける工程と、前記第一のテープを剥離する工程と、を備える。【選択図】図８
2016192446.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウェハ及び前記半導体ウェハの外側に配置された保持部の下部に設けられた第一のテープにおいて、前記半導体ウェハの下部に設けられた第一領域と、前記保持部の下部に設けられた第二領域とを、前記第一のテープと複数の切断部とを相対的に回転させることで切断する工程と、
前記半導体ウェハの上方に第二のテープを張り付ける工程と、
前記第一のテープを剥離する工程と、
を備える半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記半導体ウェハと前記保持部の下部に前記第一のテープを張り付ける工程を、
さらに備える請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記第二のテープは、前記第一のテープより粘着力が小さい、
請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記半導体ウェハは個片化された半導体チップの集合体である請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記第一のテープを剥離する工程の後、
前記半導体ウェハから、半導体チップをピックアップする工程を備える
請求項４記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記第一のテープを剥離する工程の後、前記半導体ウェハを半導体チップに個片化する工程と、
前記半導体チップをピックアップする工程を備える
請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記切断部は、ナイフ又はブレードであって、
前記切断する工程は、前記切断部と前記第一のテープを近づけて、前記切断部が前記第一のテープを切断する工程を含む
請求項２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記切断する工程は、前記第一のテープを保持台の上に固定する工程を含み、
前記保持台は、第一保持部と第二保持部を有し、
前記第一保持部と前記第二保持部の間の第一領域は、前記半導体ウェハと前記保持部の間の第二領域と、前記半導体ウェハの上方から見て一部が重なる領域に設けられ、
前記切断部は、前記重なる領域に設けられた前記第一のテープを切断する、
請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記複数の切断部は、前記回転の回転軸に対して、対向して設けられる
請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記複数の切断部は、前記回転の回転軸に対して略点対称に設けられる
請求項１項記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記複数の切断部は、前記回転の回転軸に対して、略均等な角度で設けられる請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記切断部は、ｎ本の切断部を含み、
前記ｎ本の切断部のうち、隣り合う２つの切断部は、回転軸に対して、0.95×360/n〜1.05×360/nの角度で設けられる請求項１１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
モーターと
前記モーターが駆動することにより回転軸を中心として回転する軸部と、
前記軸部に設けられ、前記回転軸を通る直線状に延伸した複数のアーム部と、
前記複数のアーム部に、それぞれ設けられ、切断部を配置可能な複数のホルダー部と、
を備える半導体装置の製造装置。
【請求項１４】
前記切断部は、ナイフ又はブレードである、
請求項１３記載の半導体装置の製造装置。
【請求項１５】
前記複数のアーム部は、一体として一つのアーム部を構成する
請求項１３記載の半導体装置の製造装置。
【請求項１６】
前記アーム部は、複数のアーム部であって、
前記複数のアーム部は、前記回転軸に対して対向して設けられる
請求項１３記載の半導体装置の製造装置。
【請求項１７】
前記複数のアーム部は、前記回転軸に対して略点対称に設けられる
請求項１３項記載の半導体装置の製造装置。
【請求項１８】
前記複数のアーム部は、前記回転軸に対して、略均等な角度で設けられる請求項１３記載の半導体装置の製造装置。
【請求項１９】
前記複数のアーム部は、ｎ本のアーム部を含み、隣り合うアーム部は、前記回転軸に対して、0.95×360/n〜1.05×360/nの角度で設けられる請求項１８記載の半導体装置の製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本実施形態は、半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ウェハは半導体チップに個片化される前に、テープに接着されて取り扱われる場合がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１０−１２３６０３号公報
【特許文献２】特開２００６−９３３３３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
半導体装置の製造を容易にする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本実施形態の半導体装置の製造方法は、半導体ウェハ及び前記半導体ウェハの外側に配置された保持部の下部に設けられた第一のテープにおいて、前記半導体ウェハの下部に設けられた第一領域と、前記保持部の下部に設けられた第二領域とを、前記第一のテープと複数の切断部とを相対的に回転させることで切断する工程と、前記半導体ウェハの上方に第二のテープを張り付ける工程と、前記第一のテープを剥離する工程と、を備える。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】第一の実施形態に係る半導体装置の製造装置及び半導体製造方法を説明する模式的な断面図。
【図２】第一の実施形態に係る半導体装置の製造装置及び半導体製造方法を説明する模式的な断面図。
【図３】第一の実施形態に係る半導体装置の製造装置及び半導体製造方法を説明する模式的な断面図。
【図４】第一の実施形態に係る半導体装置の製造装置及び半導体製造方法を説明する模式的な平面図。
【図５】第一の実施形態に係る半導体装置の製造装置及び半導体製造方法を説明する模式的な断面図であって、図４のＡ−Ａ‘線に沿った断面図。
【図６】第一の実施形態に係る半導体装置の製造装置及び半導体製造方法を説明する模式的な断面図。
【図７】第一の実施形態に係る半導体装置の製造装置及び半導体製造方法を説明する模式的な断面図。
【図８】第一の実施形態に係る半導体装置の製造装置及び半導体製造方法を説明する模式的な平面図。
【図９】第一の実施形態に係る半導体装置の製造装置及び半導体製造方法を説明する模式的な断面図であって、図８のＡ−Ａ‘線に沿った断面図。
【図１０】第一の実施形態に係る半導体装置の製造装置及び半導体製造方法を説明する模式的な平面図。
【図１１】第一の実施形態に係る半導体装置の製造装置及び半導体製造方法を説明する模式的な断面図であって、図１０のＡ−Ａ‘線に沿った断面図。
【図１２】第一の実施形態に係る半導体装置の製造装置及び半導体製造方法を説明する模式的な断面図。
【図１３】第一の実施形態に係る半導体装置の製造装置及び半導体製造方法を説明する模式的な断面図。
【図１４】第一の実施形態に係る半導体装置の製造装置及び半導体製造方法を説明する模式的な断面図。
【図１５】第一の実施形態に係る半導体装置の製造装置及び半導体製造方法を説明する模式的な断面図。
【図１６】第一の実施形態に係る半導体装置の製造装置及び半導体製造方法を説明する模式的な断面図。
【図１７】第一の実施形態に係る半導体装置の製造装置及び半導体製造方法を説明する模式的な断面図。
【図１８】第一の実施形態に係る半導体装置の製造装置及び半導体製造方法の効果を説明するための平面図。
【図１９】第一の実施形態に係る半導体装置の製造装置及び半導体製造方法の効果を説明するための平面図であって、図１８から製造装置５の記載を省略した図。
【図２０】第二の実施形態に係る半導体装置の製造装置及び半導体製造方法を説明するための平面図。
【図２１】第二の実施形態に係る半導体装置の製造装置及び半導体製造方法を説明するための平面図であって、図２０から製造装置５の記載を省略した図。
【図２２】第二の実施形態の変形例に係る半導体装置の製造装置及び半導体製造方法を説明するための平面図。
【図２３】第二の実施形態の変形例に係る半導体装置の製造装置及び半導体製造方法を説明するための平面図。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下、図面を参照して実施形態について説明する。以下の説明において、略同一の機能及び構成要素については、同一符号を付し、重複説明は必要な場合にのみ行う。
【０００８】
なお、以下の説明では、半導体ウェハ１０に平行な面に、Ｘ軸とＹ軸を規定し、Ｘ軸とＹ軸は互いに直交するものとする。
【０００９】
（第１実施形態）
図１〜図１７は、第一の実施形態の半導体装置の製造装置及び、半導体製造の方法を説明する図である。
【００１０】
図１は、半導体ウェハ１０を示す模式的な断面図である。半導体ウェハ１０は第一の面１０ａと第二の面１０ｂを有する。第一の面１０ａは、ＮＡＮＤ素子、トランジスタ、配線等（図示せず）が形成された素子面である。第二の面１０ｂは、第一の面１０ａに対向した面である。
【００１１】
図２に示すように、支持体２０は、半導体ウェハ１０の第一の面１０ａに張り合わされる。粘着剤層が、第一の面１０ａと支持体２０との間に設けられても良い。支持体２０は、例えば、シリコンなどを用いる。粘着剤層はＤＡＦ（Die Attach Film）等を用いる。
【００１２】
図３に示すように、半導体ウェハ１０及び支持体２０は、上下反転される。上下反転の前後に、半導体ウェハ１０は研磨等により薄膜化される。
【００１３】
図３のように反転した後、半導体ウェハ１０は、必要に応じて、リソグラフィ、ＲＩＥ（Reactive Ion Etching）、金属スパッタ、等の各種のプロセスが処理される。例えば、半導体ウェハ１０は、第二の面１０ｂから第一の面１０ａに形成された素子に導通するコンタクト等（図示しない）が形成されてもよい。
【００１４】
また、いわゆるダイシングにより、半導体ウェハ１０を半導体チップ（半導体装置）毎に個片化してもよい。半導体チップに個片化しても、半導体ウェハ１０は支持体２０や粘着材層で固定化されており、半導体ウェハ１０は離散しない。なお、仮に個片化していたとしてもこの明細書中では、便宜的に半導体ウェハ１０として扱う。
【００１５】
図４及び図５に示すように、半導体ウェハ１０及び支持体２０は、反転される。第一のサポートテープ３０は、第二の面１０ｂに接着される。そして、第一のサポートリング４０は、第一のサポートテープ３０上に、半導体ウェハ１０及び支持体２０の外側に離れて配置される。別の言い方をすれば、略円状の第一領域２５が、半導体ウェハ１０及び支持体２０と、第一のサポートリング４０との間に設けられる。
【００１６】
図６に示すように、支持体２０が剥離される。半導体ウェハ１０が第一のサポートテープ３０に固定化されており、半導体ウェハ１０が第一のサポートテープ３０を介して、第一のサポートリング４０と繋がっているため、支持体２０を半導体ウェハ１０から剥離可能である。
【００１７】
図７に示すように、半導体ウェハ１０、第一のサポートテープ３０、第一のサポートリング４０は、第一のサポートテープ３０を下として、第一の保持台５０上に配置される。
【００１８】
第一の保持台５０は、その上部にある部材を吸着することが可能である。第一の保持台５０は、例えば、その上側部に真空ポンプに接続された無数の穴を備える。第一の保持台は、第一保持領域５０ａ及び第二保持領域５０ｂを有する。
【００１９】
第一保持領域５０ａは、第一のサポートリング４０及び第一のサポートテープ３０を保持する。第一保持領域５０ａは、上方から見て、第一のサポートリング４０と少なくとも一部が重なる領域に設けられる。第二保持領域５０ｂは、半導体ウェハ１０及び第一のサポートテープ３０を保持する。第二保持領域５０ｂは、上方から見て、半導体ウェハ１０と重なる領域を含む。
【００２０】
第一保持領域５０ａと第二保持領域５０ｂは、その間に第二領域５５を有し、離れて配置される。この第二領域５５の少なくとも一部は、上方から見て、第一領域２５と重なって配置される。
【００２１】
後述するように、この第一領域２５と第二領域５５が重なる領域に、切断部６０が刺突された後、回転されることで、第一のサポートテープ３０は切断される。
【００２２】
図８及び図９に示すように、第一のサポートテープ３０は、製造装置５により切断される。なお、図８において、切断部６０は破線で記載する。
【００２３】
製造装置５は、モーター１００、軸部材９０、アーム部８０、ホルダー７０、切断部６０を備える。
【００２４】
モーター１００は、軸部材９０を回転させる。
【００２５】
軸部材９０は、モーター１００の回転に基づいて、回転軸９５を中心として回転する部材である。
【００２６】
アーム部８０は、軸部材９０に固定化されている所定の長さを持つ部材である。モーター１００が軸部材９０を回転させると、アーム部８０は、軸部材９０を中心として回転させられる。アーム部８０は、軸部材９０を中心として、対向して二つ設けられる。別の言い方をすると、アーム部８０は、略１８０度おきに二つ配置されている。
【００２７】
ホルダー７０は、アーム部８０に設けられており、切断部６０を保持する部材である。ホルダー７０は、２つのアーム部８０にそれぞれ一つずつ設けられる。ホルダー７０は、軸部材９０の回転軸９５の中心から略同一な距離に設けられる。モーター１００が軸部材９０を回転させると、ホルダー７０は、アーム部８０とともに、回転軸９５を中心として回転させられる。
【００２８】
切断部６０は、ホルダー７０に設けられる。切断部６０は、第一のサポートテープ３０を切断する部材である。切断部６０は、例えば、ナイフ、ブレード、レーザー等である。切断部６０がナイフ、ブレードの場合は、第一のサポートテープ３０は切られることで切断される。切断部６０がレーザーの場合は、第一のサポートテープ３０は溶融されることで切断される。なお、切断部６０は取り外し可能であってもよい。以降の図では、切断部６０がナイフの例を示す。
【００２９】
切断部６０は、２つのホルダー７０にそれぞれ一つずつ設けられる。モーター１００が軸部材９０を回転させると、切断部６０は、アーム部８０、ホルダー７０とともに、回転軸９５を中心として回転させられる。
【００３０】
なお、図８及び図９には、２つのアーム部８０がほぼ同じ長さで、２つのホルダー７０がほぼ同じ形状である例が図示されている。しかし、２つの切断部６０は、回転軸９５からの距離が略同一で、かつ、その二つの切断部６０と回転軸９５が織りなす角度がおよそ１８０°であれば、アーム部８０及びホルダー７０の形状は任意の形状でよい。すなわち、２つの切断部６０は、回転軸９５を基準に点対称に配置されていればよい。例えば、２つのアーム部８０は一体として設けられても良い。アーム部８０は、軸部材９０を貫通するように設けられても良いし、軸部材９０の下側部に設けられても良い。
【００３１】
さらに、別の言い方をすれば、２つの切断部６０は、回転軸９５を中心として、点対称に設けられる。
【００３２】
切断方法について説明する。まず、製造装置５が半導体ウェハ１０、第一のサポートテープ３０、第一のサポートリング４０等の上方に配置される。その際に、上方から見て、回転軸９５は半導体ウェハ１０の中心にほぼ重なるように配置され、切断部６０が、前述の第一領域２５と第二領域５５上の重なる領域の直上に配置される。
【００３３】
製造装置５と第一の保持台５０は接近させられる。そして、切断部６０が第一のサポートテープ３０を貫通する。
【００３４】
モーター１００が回転し、軸部材９０、アーム部８０、ホルダー７０とともに、切断部６０が回転する。切断部６０の回転に伴い、第一のサポートテープ３０は略円状に切断される。図８は、第一のサポートテープ３０が略９０度切断された状態を示している。
【００３５】
図１０、図１１に示すように、図８及び図９に示した切断方法により、第一のサポートテープ３０が切断される。すなわち、半導体ウェハ１０と第一のサポートリング４０は分離される。また、同時に第一のサポートテープ３０は、第一部分３０ａと、第二部分３０ｂに分断される。なお、第一部分３０ａは、元の第一のサポートテープ３０において、第二部分３０ｂの内側の領域に該当する。
【００３６】
図１２に示すように、第一のサポートリング４０は取り除かれる。第一のサポートリング４０を取り除く際に、第一のサポートテープ３０のうち、第一部分３０ａも同時に取り除かれる。
【００３７】
図１３に示すように、第二のサポートリング１１０が配置される。その後、第二のサポートリング１１０及び、半導体ウェハ１０の上方に、第二のサポートテープ１２０が、例えばローラー等を用いて貼り付けられる。
【００３８】
第二のサポートテープ１２０は、第一のサポートテープ３０よりも粘着力が弱いテープである。または、第二のサポートテープ１２０は、紫外線が照射されると、第一のサポートテープ３０よりも粘着力が弱くなるテープであってもよい。第二のサポートテープ１２０の粘着力が弱いことで、半導体ウェハを個片化し、ピックアップすることが容易となる。
【００３９】
図１４に示すように、半導体ウェハ１０、第一のサポートテープ３０、第二のサポートリング１１０、第二のサポートテープ１２０は反転され、第二の保持台１２５上に配置される。すなわち、第二の保持台１２５上に、第二のサポートテープ１２０が配置される。第二のサポートテープ１２０上に、第二のサポートリング１１０、半導体ウェハ１０、第一のサポートテープ３０が配置される。
【００４０】
図１５に示すように、剥離用シール１３０が第一のサポートテープ３０の端部付近であって、半導体ウェハ１０の直上に配置され、圧着される。剥離用シール１３０は、例えば、圧着パッド１４０が剥離用シール１３０を加熱し、荷重を加えることで、接着される。剥離用シール１３０は、第一のサポートテープ３０に接着される。
【００４１】
図１６に示すように、剥離用シール１３０と半導体ウェハ１０との距離を離すことにより、第一のサポートテープ３０を剥離する。なお、第一のサポートテープ３０剥離後に紫外線を照射し、第二のサポートテープ１２０の粘着力をさらに低下させてもよい。
【００４２】
図１７は、第一のサポートテープ３０が剥離され、ピックアップしている状態を示した図である。半導体チップ１５０は、例えば、吸着コレット１７０を備えたピックアップ機構１６０により、ピックアップされて、基板、あるいは他の半導体チップへの実装工程などの、半導体装置の所定の製造工程に搬送される。
【００４３】
ピックアップにおいて、第二のサポートテープ１２０は、第一のサポートテープ３０よりも粘着力が弱いため、第二のサポートテープ１２０から半導体装置のピックアップを容易に行うことが可能である。なぜならば、第一のサポートテープ３０は、支持体２０を剥離するため、相対的に粘着力が強いテープだからである。
【００４４】
（第一実施形態の効果）
図８〜図１０に説明した第一のサポートテープ３０の切断について、第一のサポートテープ３０が切断される直前の状態を検討する。具体的には、半導体ウェハ１０に対する第一のサポートテープ３０の張力について検討する。
【００４５】
図１８は、第一のサポートテープ３０が切断される直前の製造装置５、半導体ウェハ１０、第一のサポートテープ３０等を示した平面図である。図１９は、図１８の製造装置５の記載を省略した図である。
【００４６】
図１９において、第一のサポートテープ３０は、第一部分３０ａ及び第二部分３０ｂに分断されようとしている。第一部分３０ａ及び第二部分３０ｂは、第一領域Ａ１及び第二領域Ａ２で接続されている。
【００４７】
第一領域Ａ１及び第二領域Ａ２は、半導体ウェハ１０の中心を中心として、点対称にほぼ同じ長さで設けられる。なぜなら、２つの切断部６０は、回転軸９５からみてほぼ点対称に配置され、ほぼ同じ角度回転するためである。
【００４８】
第一のサポートテープ３０の第一領域Ａ１及び第二領域Ａ２の半導体ウェハ１０に対する張力を、それぞれ第一張力Ｆ１、第二張力Ｆ２とする。
【００４９】
第一張力Ｆ１及び第二張力Ｆ２の大きさは、第一領域Ａ１及び第二領域Ａ２の長さに依存する。第一領域Ａ１及び第二領域Ａ２の長さはほぼ等しいため、第一張力Ｆ１及び第二張力Ｆ２の大きさはほぼ等しくなる。
【００５０】
第一張力Ｆ１及び第二張力Ｆ２の方向は、第一領域Ａ１及び第二領域Ａ２の回転軸９５からの位置に依存する。そして、第一領域Ａ１と第二領域Ａ２は、回転軸９５に対して点対称に、すなわち、回転軸９５に対して反対の位置に設けられる。また、回転軸９５は、半導体ウェハ１０とほぼ同じ位置に設けられる。よって、第一張力Ｆ１及び第二張力Ｆ２は半導体ウェハ１０を中心として、ほぼ正反対の方向となる。
【００５１】
以上から、第一張力Ｆ１及び第二張力Ｆ２は、正反対の方向でほぼ同じ大きさである。つまり、第一張力Ｆ１及び第二張力Ｆ２は総和として打ち消しあう。
【００５２】
第一張力Ｆ１及び第二張力Ｆ２の力が打ち消しあうことで、第一のサポートテープ３０切断時の半導体ウェハ１０の位置ズレを低減させることが可能である。すなわち、半導体ウェハ１０と切断部６０の接触、干渉等を抑制することができる。
【００５３】
第一のサポートテープ３０の第一部分３０ａ又は第二部分３０ｂが一か所のみでつながっている場合は、そのつながっている部分の張力が半導体ウェハ１０に及ぶ。第一のサポートテープ３０は、強い粘着力を有すると同時に弾性率が高いため、その張力により半導体ウェハ１０の位置ズレが起きる可能性がある。
【００５４】
（第一の実施形態の変形例）
上述の説明において、切断部６０が回転軸９５を中心として回転するとして説明した。変形例として、第一の保持台５０にモーターを設けて、切断部６０を固定、第一の保持台５０、第一のサポートテープ３０、第一のサポートリング４０、半導体ウェハ１０が回転するとしても良い。すなわち、切断部６０と、第一のサポートテープ３０は何れが回転しても構わない。
【００５５】
（第二の実施形態）
図２０及び図２１は、第二の実施形態を説明する模式的な図である。
【００５６】
図２０は、第一のサポートテープ３０が切断される直前の製造装置５、半導体ウェハ１０、第一のサポートテープ３０等を示した平面図である。図２１は、図２０の製造装置５の記載を省略した図である。
【００５７】
第二の実施形態は、製造装置５が、アーム部８０、ホルダー７０、切断部６０を３つずつ有する点以外は第一の実施形態と同じである。アーム部８０は軸部材９０に対して、ほぼ等角度に設けられている。別の言い方をすれば、アーム部８０は、軸部材９０に対して、１２０度おきに設けられている。
【００５８】
図２１において、第一のサポートテープ３０は、第一部分３０ａ及び第二部分３０ｂに分断されようとしている。第一部分３０ａ及び第二部分３０ｂは、第一領域Ｂ１、第二領域Ｂ２、第三領域Ｂ３で接続されている。第一のサポートテープ３０の第一領域Ｂ１、第二領域Ｂ２、第三領域Ｂ３の半導体ウェハ１０に対する張力を、それぞれ第一張力Ｇ１、第二張力Ｇ２、第三張力Ｇ３とする。
【００５９】
第一実施形態と同様に、第一領域Ｂ１、第二領域Ｂ２、第三領域Ｂ３の長さは等しい。したがって、第一張力Ｇ１，第二張力Ｇ２、第三張力Ｇ３の力は等しい。
【００６０】
第一張力Ｇ１、第二張力Ｇ２、第三張力Ｇ３の力の総和について、Ｘ軸とＹ軸の方向それぞれの方向に分けて検討する。まず、第一張力Ｇ１、第二張力Ｇ２、第三張力Ｇ３のＸ方向の成分を、第一張力Ｇ１x、第二張力Ｇ２x、第三張力Ｇ３xとし、第一張力Ｇ１、第二張力Ｇ２、第三張力Ｇ３のＹ方向の成分を、第一張力Ｇ１y、第二張力Ｇ２y、第三張力Ｇ３yとする。
【００６１】
このとき、Ｘ軸方向の成分の和は、
【数１】
2016192446.tif 000003
【００６２】
また、Ｙ軸方向の成分の和は、
【数２】
2016192446.tif 000004
【００６３】
となり、第一張力Ｇ１、第二張力Ｇ２、第三張力Ｇ３は互いに打ち消しあう方向である。すなわち、第一の実施形態と同様に、半導体ウェハ１０に対する張力を低減することができる。第一のサポートテープ３０を切断する際の張力が低減されるため、第一のサポートテープ３０切断時の半導体ウェハ１０の位置ズレを防ぐことが可能である。
【００６４】
また、本実施形態では、第一実施形態に比べて、切断部６０が一つ多い。第一実施形態は切断部６０が二つのため、一つの切断部６０が１８０°回転する必要があるのに対し、第二実施形態は１２０°で良い。すなわち、高速化が容易である。
【００６５】
さらに、切断部６０の摩耗が少なく、メンテナンスの回数を減らすことが可能である。
【００６６】
（第二の実施形態の変形例）
図２２及び図２３は、第二の実施形態の変形例を示す模式的な平面図である。
【００６７】
図２２は、製造装置５のアーム部８０、ホルダー７０、切断部６０がそれぞれ４つずつ設けられている場合である。
【００６８】
図２２において、第一部分３０ａ及び第二部分３０ｂは、第一領域Ｃ１、第二領域Ｃ２、第三領域Ｃ３、第四領域Ｃ４で接続されている。それぞれの領域の半導体ウェハ１０に対する張力は、それぞれ第一張力Ｈ１、第二張力Ｈ２、第三張力Ｈ３、第四張力Ｈ４とする。そして、その第一張力Ｈ１〜第四張力Ｈ４の総和を検討すると、
このとき、Ｘ軸方向の成分の和は、
【数３】
2016192446.tif 000005
【００６９】
また、Ｙ軸方向の成分の和は、
【数４】
2016192446.tif 000006
【００７０】
となり、第一張力Ｈ１〜第四張力Ｈ４は互いに打ち消しあう。すなわち、第二の実施形態と同様に、半導体ウェハ１０に対する張力を低減することができる。
【００７１】
さらに、図２３は、製造装置５のアーム部８０、ホルダー７０、切断部６０がそれぞれ５つずつ設けられている場合である。
【００７２】
図２３において、第一部分３０ａ及び第二部分３０ｂは、第一領域Ｄ１、第二領域Ｄ２、第三領域Ｄ３、第四領域Ｄ４、第五領域Ｄ５で接続されている。それぞれの領域の半導体ウェハ１０に対する張力は、それぞれ第一張力Ｊ１、第二張力Ｊ２、第三張力Ｊ３、第四張力Ｊ４、第五張力Ｊ５とする。そして、その第一張力Ｊ１〜第四張力Ｊ５の総和を検討すると、
このとき、Ｘ軸方向の成分の和は、
【数５】
2016192446.tif 000007
【００７３】
また、Ｙ軸方向の成分の和は、
【数６】
2016192446.tif 000008
【００７４】
となり、第一張力Ｊ１〜第五張力Ｊ５は互いに打ち消しあう。すなわち、第二の実施形態と同様に、半導体ウェハ１０に対する張力を低減することができる。
【００７５】
以上に示した通り、製造装置５のアーム部８０、ホルダー７０、切断部６０がそれぞれ１より多い任意の数ずつ設けられている場合に、各領域の拡張力の総和は打ち消される。たとえば、半導体装置５がｎ本の切断部６０を含む場合、隣り合う切断部は、回転軸に対して、およそ360/nの角度で設けられる。
【００７６】
また、切断部６０が回転軸９５に対して均等に配置されている例を説明したが、完全に均等に配置されていなくても構わない。例えば、切断部６０が２つ設けられている場合、切断部６０は、回転軸９５に対して、１８０°±９°の間隔で配置されていれば良い。また、切断部６０が３つ設けられている場合は、切断部６０は、回転軸９５に対して、１２０°±６°の間隔で配置されていればよい。同様に、切断部６０が４つ設けられている場合は、切断部６０は、回転軸９５に対して、９０°±４．５°の間隔で配置されていればよい。すなわち、一つの切断部とその横の切断部の間の回転軸９５に対する角度は±５％程度ずれていても構わない。たとえば、半導体装置５がｎ本の切断部６０を含む場合、隣り合う切断部は、回転軸に対して、およそ0.95×360/n〜1.05×360/nの角度で設けられていれば構わない。
【００７７】
本発明の実施形態を説明したが、本実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。この新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の趣旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。本実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００７８】
５…製造装置
１０…半導体ウェハ
１０ａ…第一の面
１０ｂ…第二の面
２０…支持体
２５…第一領域
３０…第一のサポートテープ
３０ａ…第一部分
３０ｂ…第二部分
３５ａ…第一切断領域
３５ｂ…第二切断領域
４０…第一のサポートリング
５０…第一の保持台
５０ａ…第一保持領域
５０ｂ…第二保持領域
５５…第二領域
６０…切断部
７０…ホルダー
８０…アーム部
９０…軸部材
９５…回転軸
１００…モーター
１１０…第二のサポートリング
１２０…第二のサポートテープ
１２５…第二の保持台
１３０…剥離用シール
１４０…圧着パッド
１５０…半導体チップ
１６０…ピックアップ機構
１７０…吸着コレット
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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