(57)【要約】【課題】疑似輪郭の発生を抑制し、かつ、画素ごとの発光素子の劣化量に応じて、当該発光素子の発光量を補正する。【解決手段】マトリックス状に配置された画素回路を含む表示装置であって、前記画素回路は、電流量に応じた輝度で発光する発光素子と、前記発光素子から出射される光の輝度を検出する光センサと、前記発光素子の発光期間中における、当該発光素子を輝度制御のための第１の電圧に応じた輝度で常時発光させる所定の長さの第１の期間とは異なる第２の期間において、印可された第２の電圧と、前記光センサの検出結果とに基づいて、当該発光素子に供給される電流量を制御する、補償制御回路と、を備えることを特徴とする、表示装置。【選択図】図２
2016109913.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マトリックス状に配置された画素回路を含む表示装置であって、
前記画素回路は、
電流量に応じた輝度で発光する発光素子と、
前記発光素子から出射される光の輝度を検出する光センサと、
前記発光素子の輝度を制御するための第１の電圧の印加を受けて、前記発光素子を発光させるための第１の電流量を制御する第１の制御回路と、
前記第１の電圧に応じて決定された第２の電圧の印加を受けて、前記第１の電流量を基準として、前記第２の電圧と、前記光センサの検出結果とに基づき、前記発光素子に供給される第２の電流量を制御する第２の制御回路と、
を備えることを特徴とする、表示装置。
【請求項２】
前記第２の制御回路は、前記第２の電圧に応じて、１フレーム中における前記発光素子の発光期間を制御する、請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記第１の電圧に応じた前記第２の電圧は、基準となる所定の輝度劣化率に基づき、あらかじめ設定されることを特徴とする、請求項１または２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記第１の電圧に応じた前記第２の電圧は、前記発光素子の輝度劣化率が、前記所定の輝度劣化率である場合に、１フレーム中における当該発光素子の発光期間が、所定の期間となるようにあらかじめ設定されることを特徴とする、請求項３に記載の表示装置。
【請求項５】
前記第２の電圧は、前記発光素子の輝度劣化率が、前記所定の輝度劣化率である場合に、当該発光素子が所定のデューティー比で発光するようにあらかじめ設定されることを特徴とする、請求項３または４に記載の表示装置。
【請求項６】
前記第２の制御回路は、
印可された前記第２の電圧を保持する容量と、
前記光センサの検出結果と、前記容量に保持された前記第２の電圧とに応じて決定されるゲート電圧に基づき、ソース−ドレイン間を流れる電流量を制御する発光制御トランジスタと、
を備えることを特徴とする、請求項１〜５のいずれかに記載の表示装置。
【請求項７】
前記容量に保持された前記第２の電圧の放電期間は、前記光センサの検出結果に応じて制御され、
前記放電期間に基づき、１フレーム中における前記発光素子の発光期間の長さが制御される、請求項６に記載の表示装置。
【請求項８】
前記第１の制御回路は、
ゲート端子に印可される前記前記第１の電圧に基づき、ソース−ドレイン間を流れる電流量を制御する駆動トランジスタを備え、
前記発光素子に供給される電流量は、前記駆動トランジスタと、前記第２の制御回路とに基づき制御される、請求項１〜７のいずれか一項に記載の表示装置。
【請求項９】
前記駆動トランジスタは、前記第２の制御回路の前段に設けられ、
前記第２の制御回路は、前記駆動トランジスタを介して供給される前記第１の電流量を基準として、前記発光素子に供給される前記第２の電流量を制御する、請求項８に記載の表示装置。
【請求項１０】
電流量に応じた輝度で発光する発光素子と、前記発光素子から出射される光の輝度を検出する光センサとを備えた画素回路が、マトリックス状に配置された表示装置に、画像を表示させるための表示方法であって、
前記発光素子の輝度を制御するための第１の電圧に基づき、前記発光素子を発光させるための第１の電流量を制御することと、
前記第１の電流量を基準として、前記第１の電圧に応じて決定された第２の電圧と、前記光センサの検出結果とに基づき、前記発光素子に供給される第２の電流量を制御することと、
を含むことを特徴とする、表示方法。
【請求項１１】
電流量に応じた輝度で発光する発光素子と、前記発光素子から出射される光の輝度を検出する光センサとを備えた画素回路が、マトリックス状に配置された表示装置に、画像を表示させるためのプログラムであって、
前記発光素子の輝度を制御するための第１の電圧に基づき、前記発光素子を発光させるための第１の電流量を制御することと、
前記第１の電流量を基準として、前記第１の電圧に応じて決定された第２の電圧と、前記光センサの検出結果とに基づき、前記発光素子に供給される第２の電流量を制御することと、
を実行させることを特徴とする、プログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置、表示方法、及びプログラムに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年においては、表示装置として、有機ＥＬ（Organic  Electro-Luminescence）素子などの自発光素子を含む画素が行列状(マトリクス状)に配置されて成る平面型(フラットパネル型)の表示装置が提供されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００１−５２４０９０号公報
【特許文献２】特開２００６−５０６３０７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
一方で、有機ＥＬ素子のような自発光素子（以降では、単に「発光素子」と記載する場合がある）は、その発光輝度と発光時間とに比例して劣化する特性があることが知られている。表示装置に表示させる画像の内容は一様ではなく、そのため、発光素子（有機ＥＬ素子）の劣化にもばらつきがある。例えば、白色等の輝度の高い色を表示している発光素子は、黒色等の輝度の低い色を表示している発光素子に比べて、劣化が進行しやすい傾向にある。
【０００５】
発光素子の劣化が進行すると、当該発光素子の輝度は、劣化の進行が遅い他の発光素子に比べて相対的に低下する傾向にある。その結果、例えば、ある一定のパターンを長時間表示した後に均一な表示を行った場合に、パターンが残存して視認されるという現象が発生する場合がある。このような現象は、一般的に「イメージ・スティッキング（焼き付き）」として知られている。
【０００６】
このような発光素子の劣化に伴う画素間の輝度のばらつきを低減する技術の一例が、特許文献１に開示されている。即ち、特許文献１に開示された技術では、画素回路内に設けられたフォトダイオードにより発光素子からの光の一部を受光し、受光結果に基づき発光素子に供給される電流量を制御することで、当該発光素子の輝度劣化を補償している。しかしながら、特許文献１に係る技術では、発光素子に供給される電流量を制御するためのトランジスタを飽和領域で動作させることになるため、当該トランジスタの特性変動の影響を受け、動作が不安定となる場合がある。
【０００７】
また、他の一例として、特許文献２には、画素回路内に設けられたフォトダイオードにより発光素子からの光の一部を受光し、受光結果に基づき発光素子の発光時間（デューティー比）を制御することで、当該発光素子の輝度劣化を補償する技術が開示されている。しかしながら、特許文献２に係る技術は、発光時のデューティー比を制御することで発光素子の発光量を制御する駆動方式のため、動画像を表示する場合において、本来表示されていない輪郭が観測される、所謂疑似輪郭が発生する場合がある。
【０００８】
そこで、本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、本発明の目的とするところは、疑似輪郭の発生を抑制し、かつ、画素ごとの発光素子の劣化量に応じて、当該発光素子の発光量をより好適な態様で補正することが可能な、表示装置、表示方法、及びプログラムを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するために、本発明のある観点によれば、マトリックス状に配置された画素回路を含む表示装置であって、前記画素回路は、電流量に応じた輝度で発光する発光素子と、前記発光素子から出射される光の輝度を検出する光センサと、前記発光素子の輝度を制御するための第１の電圧の印加を受けて、前記発光素子を発光させるための第１の電流量を制御する第１の制御回路と、前記第１の電圧に応じて決定された第２の電圧の印加を受けて、前記第１の電流量を基準として、前記第２の電圧と、前記光センサの検出結果とに基づき、前記発光素子に供給される第２の電流量を制御する第２の制御回路と、を備えることを特徴とする、表示装置が提供される。
【００１０】
前記第２の制御回路は、前記第２の電圧に応じて、１フレーム中における前記発光素子の発光期間を制御してもよい。
【００１１】
前記第１の電圧に応じた前記第２の電圧は、基準となる所定の輝度劣化率に基づき、あらかじめ設定されてもよい。
【００１２】
前記第１の電圧に応じた前記第２の電圧は、前記発光素子の輝度劣化率が、前記所定の輝度劣化率である場合に、１フレーム中における当該発光素子の発光期間が、所定の期間となるようにあらかじめ設定されてもよい。
【００１３】
前記第２の電圧は、前記発光素子の輝度劣化率が、前記所定の輝度劣化率である場合に、当該発光素子が所定のデューティー比で発光するようにあらかじめ設定されてもよい。
【００１４】
前記第２の制御回路は、印可された前記第２の電圧を保持する容量と、前記第２の期間において、前記光センサの検出結果と、前記容量に保持された前記第２の電圧とに応じて決定されるゲート電圧に基づき、ソース−ドレイン間を流れる電流量を制御する発光制御トランジスタと、を備えてもよい。
【００１５】
前記容量に保持された前記第２の電圧の放電期間は、前記光センサの検出結果に応じて制御され、前記放電期間に基づき、１フレーム中における前記発光素子の発光期間の長さが制御されてもよい。
【００１６】
前記第１の制御回路は、ゲート端子に印可される前記前記第１の電圧に基づき、ソース−ドレイン間を流れる電流量を制御する駆動トランジスタを備え、前記発光素子に供給される電流量は、前記駆動トランジスタと、前記第２の制御回路とに基づき制御されてもよい。
【００１７】
前記駆動トランジスタは、前記第２の制御回路の前段に設けられ、前記第２の制御回路は、前記駆動トランジスタを介して供給される前記第１の電流量を基準として、前記発光素子に供給される前記第２の電流量を制御してもよい。
【００１８】
また、上記課題を解決するために、本発明の別の観点によれば、電流量に応じた輝度で発光する発光素子と、前記発光素子から出射される光の輝度を検出する光センサとを備えた画素回路が、マトリックス状に配置された表示装置に、画像を表示させるための表示方法であって、前記発光素子の輝度を制御するための第１の電圧に基づき、前記発光素子を発光させるための第１の電流量を制御することと、前記第１の電流量を基準として、前記第１の電圧に応じて決定された第２の電圧と、前記光センサの検出結果とに基づき、前記発光素子に供給される第２の電流量を制御することと、を含むことを特徴とする、表示方法が提供される。
【００１９】
また、上記課題を解決するために、本発明の別の観点によれば、電流量に応じた輝度で発光する発光素子と、前記発光素子から出射される光の輝度を検出する光センサとを備えた画素回路が、マトリックス状に配置された表示装置に、画像を表示させるためのプログラムであって、前記発光素子の輝度を制御するための第１の電圧に基づき、前記発光素子を発光させるための第１の電流量を制御することと、前記第１の電流量を基準として、前記第１の電圧に応じて決定された第２の電圧と、前記光センサの検出結果とに基づき、前記発光素子に供給される第２の電流量を制御することと、を実行させることを特徴とする、プログラムが提供される。
【発明の効果】
【００２０】
以上説明したように本発明によれば、疑似輪郭の発生を抑制し、かつ、画素ごとの発光素子の劣化量に応じて、当該発光素子の発光量をより好適な態様で補正することが可能な、表示装置、表示方法、及びプログラムを提供される。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明の一実施形態に係る表示装置の構成の一例について説明するための説明図である。
【図２】同実施形態に係る画素回路の構成の一例について説明するための説明図である。
【図３】同実施形態に係る画素回路の駆動タイミングの一例について説明するための概略的なタイミングチャートである。
【図４】同実施形態に係る表示装置における、相対輝度と、当該相対輝度に応じたセンサ初期電圧との間の関係の一例を示したグラフである。
【図５】図４に示すように、相対輝度に応じたセンサ初期電圧を制御した場合における、相対輝度と、輝度劣化を補償した後の輝度劣化率との間の関係の一例を示したグラフである。
【図６】第１のモデルにおける、発光制御トランジスタのゲート電圧の、フレーム時間内における時間変化の一例を示している。
【図７】第２のモデルにおける、発光制御トランジスタのゲート電圧の、フレーム時間内における時間変化の一例を示している。
【図８】同実施形態に係る画素回路の駆動タイミングの一例について説明するための概略的なタイミングチャートである。
【図９】同実施形態に係る表示装置における、輝度劣化率とデューティー比との間の関係の一例を示したグラフである。
【図１０】同実施形態に係る表示装置における、輝度劣化率と、輝度劣化を補償した後の輝度劣化率との間の関係の一例を示したグラフである。
【図１１】同実施形態に係る表示装置における、相対輝度ごとのセンサ初期電圧の設定方法の一例について説明するための説明図である。
【図１２】同実施形態に係る表示装置における、相対輝度ごとのセンサ初期電圧の設定方法の一例について説明するための説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下に添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【００２３】
＜１．表示装置の構成＞
まず、図１を参照して、本発明の一実施形態に係る表示装置の概略構成の一例について説明する。図１は、本実施形態に係る表示装置の構成の一例について説明するための説明図である。なお、図１において、図面の横方向を行方向（Ｘ方向）、縦方向を列方向（Ｙ方向）と称する場合がある。図１に示すように、本実施形態に係る表示装置１０は、表示部１００と、スキャンドライバ１２０と、データドライバ１３０とを有する。
【００２４】
表示部１００は、複数の画素回路１１０を有し、データ信号に対応する画像を、当該複数の画素回路１１０により形成される表示画素に表示させる。表示部１００には、複数行の走査線１１２及び補償制御信号線１１３のそれぞれが、行方向（Ｘ方向）に向けて延伸するように設けられている。また、表示部１００には、複数列のデータ線１１４及び補償用電圧信号線１１５のそれぞれが、列方向（Ｙ方向）に向けて延伸するように設けられている。なお、本説明では、図１に示すように、表示部１００には、Ｍ（Ｍは２以上の整数）行の走査線１１２及び補償制御信号線１１３と、Ｎ（Ｎは２以上の整数）列のデータ線１１４及び補償用電圧信号線１１５とが設けられているものとして説明する。
【００２５】
複数の画素回路１１０のそれぞれは、行方向（Ｘ方向）に延伸する複数の走査線１１２と、列方向（Ｙ方向）に延伸する複数のデータ線１１４との交差箇所それぞれに対応して配置されている。なお、画素回路１１０の詳細な構成については別途後述する。
【００２６】
また、表示部１００には、図示しない上位の制御回路から、電源電圧Ｖｄｄと電源電圧Ｖｓｓと基準電圧ＧＮＤとがそれぞれ供給される。電源電圧Ｖｄｄと電源電圧Ｖｓｓとは、例えば、画素回路１１０が有する発光素子を発光させるための電流を供給する信号である。
【００２７】
スキャンドライバ１２０には、Ｙ方向に複数配された走査線１１２及び補償制御信号線１１３が接続されている。スキャンドライバ１２０は、行ごとに配された走査線１１２を介して、当該行に対応する各画素回路１１０にＳｃａｎ信号を供給する。また、スキャンドライバ１２０は、行ごとに配された補償制御信号線１１３を介して、当該行に対応する各画素回路１１０にＳＷ信号を供給する。なお、Ｓｃａｎ信号及びＳＷ信号の詳細については別途後述する。
【００２８】
データドライバ１３０には、Ｘ方向に複数配されたデータ線１１４及び補償用電圧信号線１１５が接続されている。データドライバ１３０は、列ごとに配されたデータ線１１４を介して、当該列に対応する各画素回路１１０に発光輝度（換言すると、階調）に応じたＤＴ信号を供給する。また、データドライバ１３０は、列ごとに配された補償用電圧信号線１１５を介して、当該列に対応する各画素回路１１０に、発光輝度（階調）に応じたセンサ初期電圧Ｖｓｏを印可する。なお、ＤＴ信号及びセンサ初期電圧Ｖｓｏの詳細については別途後述する。
【００２９】
＜２．画素回路の構成＞
次に、図２を参照して、本実施形態に係る画素回路の構成の一例について説明する。図２は、本実施形態に係る画素回路の構成の一例について説明するための説明図である。
【００３０】
図２では、図１に示す表示部１００を構成する複数の画素回路１１０のうち、ｉ行ｊ列の交差箇所に対応して配置される画素回路１１０の一例を示している。また、表示部１００を構成する他の画素回路１１０については、図２に示す画素回路１１０の構成と同様の構成をとることが可能であるため、詳細な説明を省略する。
【００３１】
図２に示すように、画素回路１１０は、有機ＥＬ素子ＯＬと、保持容量Ｃ１と、スイッチングトランジスタＭ１と、駆動トランジスタＭ２と、光センサＰｓと、センサ容量Ｃｓと、発光制御トランジスタＭ３と、スイッチングトランジスタＭ４とを有する。
【００３２】
駆動トランジスタＭ２及び発光制御トランジスタＭ３は、例えば、Ｐチャネル型のＭＯＳＦＥＴ（metal−oxide−semiconductor  field−effect  transistor）により構成され得る。
【００３３】
図２に示すように、駆動トランジスタＭ２は、ドレイン端子に発光制御トランジスタＭ３のソース端子が接続され、ソース端子には電源電圧Ｖｄｄを供給する信号線が接続される。また、発光制御トランジスタＭ３のドレイン端子には、有機ＥＬ素子ＯＬのアノード側が接続される。また、有機ＥＬ素子ＯＬのカソード側には、電源電圧Ｖｓｓが接続されている。
【００３４】
スイッチングトランジスタＭ１は、ソース端子がデータ線１１４に接続され、ドレイン端子が駆動トランジスタＭ２のゲート端子に接続されており、走査線１１２を介してゲート端子に伝達されるＳｃａｎ信号に応じて、オンまたはオフする。
【００３５】
保持容量Ｃ１は、一方の端子が、駆動トランジスタＭ２のゲート端子に接続され、他方の端子が、基準電圧ＧＮＤに接続されており、駆動トランジスタＭ２のゲート端子の電位を保持する。
【００３６】
即ち、スイッチングトランジスタＭ１がオン状態となることで、データドライバ１３０から、データ線１１４を介して駆動トランジスタＭ２のゲート端子に、発光輝度（換言すると、階調）に応じたＤＴ信号が伝達される。次いで、スイッチングトランジスタＭ１がオフ状態となることで、データ線１１４を介して伝達されたＤＴ信号が保持容量Ｃ１に保持される。
【００３７】
スイッチングトランジスタＭ４は、ソース端子が補償用電圧信号線１１５に接続され、ドレイン端子が発光制御トランジスタＭ３のゲート端子に接続されており、補償制御信号線１１３を介してゲート端子に伝達されるＳＷ信号に応じて、オンまたはオフする。
【００３８】
光センサＰｓは、例えば、フォトダイオードやフォトランジスタ等により構成され得る。また、光センサＰｓの材料としては、例えば、ポリシリコン、アモルファスシリコン等が挙げられる。光センサＰｓは、一方の端子が、発光制御トランジスタＭ３のゲート端子に接続され、他方の端子が、基準電圧ＧＮＤに接続されている。光センサＰｓは、有機ＥＬ素子ＯＬからの光の一部が照射されるように設けられている。
【００３９】
また、センサ容量Ｃｓの一方の端子は、発光制御トランジスタＭ３のゲート端子に接続され、他方の端子は、基準電圧ＧＮＤに接続されている。このような構成に基づき、センサ容量Ｃｓは、発光制御トランジスタＭ３のゲート端子の電位Ｖｇ３を保持する。
【００４０】
スイッチングトランジスタＭ４がオン状態になると、データドライバ１３０から、補償用電圧信号線１１５を介して発光制御トランジスタＭ３のゲート端子に、センサ初期電圧Ｖｓｏ（Ｖｓｏ＜０）が印可される。なお、センサ初期電圧Ｖｓｏが、「第２の電圧」の一例に相当する。
【００４１】
これにより、発光制御トランジスタＭ３がオン状態となり、データ線１１４から伝達されて保持容量Ｃ１に保持されたＤＴ信号に応じて駆動トランジスタＭ２が選択的にオン状態となる。そして、保持容量Ｃ１に保持されたＤＴ信号に応じた駆動電流Ｉｃが、発光制御トランジスタＭ３を介して、有機ＥＬ素子ＯＬに供給され、当該有機ＥＬ素子ＯＬの発光状態が制御される。なお、以降では、発光制御トランジスタＭ３のドレイン−ソース間を流れる電流を、電流Ｉｃと明示的に区別する場合には、「電流ＩＬ」と記載する場合がある。
【００４２】
次いで、スイッチングトランジスタＭ４がオフ状態になると、発光制御トランジスタＭ３のゲート端子がフローティングの状態となる。これにより、補償用電圧信号線１１５を介して印可されたセンサ初期電圧Ｖｓｏが、センサ容量Ｃｓに保持される。なお、この時点では、発光制御トランジスタＭ３はオン状態であり、当該発光制御トランジスタＭ３のドレイン−ソース間を流れる電流ＩＬ＝Ｉｃである。
【００４３】
その後、センサ容量Ｃｓに保持されたセンサ初期電圧Ｖｓｏは、光センサＰｓの検出結果に基づくセンシング電流Ｉｓによって放電され、当該放電に伴い、発光制御トランジスタＭ３のゲート電圧Ｖｇ３は、電位Ｖｓｏから上昇する。そして、当該ゲート電圧Ｖｇ３が、発光制御トランジスタＭ３の閾値電圧Ｖｔｈ３に到達すると、当該発光制御トランジスタＭ３はオフ状態となり、電流ＩＬ＝０となる（即ち、有機ＥＬ素子ＯＬは消灯する）。
【００４４】
なお、スイッチングトランジスタＭ４がオフ状態に制御されてから、発光制御トランジスタＭ３がオフ状態となるまでの時間は、センシング電流Ｉｓとセンサ容量Ｃｓとの関係に応じて決定される。具体的には、有機ＥＬ素子ＯＬの輝度が高いほど、センシング電流Ｉｓの電流量は増大し、センサ容量Ｃｓの放電時間は短くなる。換言すると、有機ＥＬ素子ＯＬの輝度が低いほど、センシング電流Ｉｓの電流量は減少し、センサ容量Ｃｓの放電時間は長くなる。
【００４５】
そのため、例えば、有機ＥＬ素子ＯＬが劣化して輝度が低下した場合には、劣化前に比べて、センシング電流Ｉｓの電流量は減少し、センサ容量Ｃｓの放電時間はより長くなる。これにより、有機ＥＬ素子ＯＬの劣化後は、劣化前に比べて、発光制御トランジスタＭ３がオン状態となる期間が長くなるため、有機ＥＬ素子ＯＬの実効輝度が上昇し、結果として、当該有機ＥＬ素子ＯＬの輝度劣化が補償される。
【００４６】
以上、図２を参照して、本実施形態に係る画素回路の構成の一例について説明した。
【００４７】
＜３．駆動タイミングの一例＞
次に、図３を参照して、図２に示した、本実施形態に係る画素回路１１０を構成する各素子の駆動タイミングの一例について説明する。図３は、本実施形態に係る画素回路１１０の駆動タイミングの一例について説明するための概略的なタイミングチャートである。なお、本説明では、ｉ行ｊ列に位置する画素回路１１０の場合を例に説明し、他の画素回路１１０については、同様のため詳細な説明は省略する。
【００４８】
図３において、参照符号Ｔ０は、１フレーム期間中における有機ＥＬ素子ＯＬの発光させることで画像を表示させるための発光期間を模式的に示している。なお、図３に示すタイミングチャートでは、説明をわかりやすくするために、有機ＥＬ素子ＯＬの発光期間Ｔ０を１フレーム期間として示しており、その他の制御のための期間については図示を省略している。そのため、１フレーム期間中に、発光期間Ｔ０とは別に、例えば、駆動トランジスタの閾値のばらつきを補償するための制御期間等を別途設けてもよいことは言うまでもない。
【００４９】
図３に示すように、本実施形態に係る画素回路１１０は、発光期間Ｔ０を、常時発光期間Ｔ１と、輝度劣化補償発光期間Ｔ２とに分けて制御可能に構成されている。常時発光期間Ｔ１は、有機ＥＬ素子ＯＬを、発光輝度（階調）に応じたＤＴ信号に応じて決定される定電流Ｉｃに基づき常時発光させる期間を示している。また、輝度劣化補償発光期間Ｔ２は、光センサＰｓの検出結果に応じて、有機ＥＬ素子ＯＬに供給される電流ＩＬの電流量と、当該電流ＩＬが供給される期間とを制御することで、有機ＥＬ素子ＯＬの輝度劣化を補償するための期間である。
【００５０】
ここで、図３に示した各タイミングについて、図２に示した画素回路１１０の回路構成をあわせて参照しながら説明する。
【００５１】
図３に示すように、ｉ行目の走査線１１２を介して供給されるＬレベルのＳｃａｎ信号（即ち、Ｓｃａｎｉ）により、画素回路１１０内のスイッチングトランジスタＭ１がオン状態となる。これにより、当該画素回路１１０内の駆動トランジスタＭ２のゲート端子に、ｊ列目のデータ線１１４を介して、発光輝度（換言すると、階調）に応じたＤＴ信号が伝達される。そして、当該Ｓｃａｎ信号がＨレベルになると、スイッチングトランジスタＭ１がオフ状態となり、データ線１１４を介して伝達されたＤＴ信号（即ち、ＤＴｊ）が保持容量Ｃ１に保持される。なお、保持容量Ｃ１に保持されるＤＴ信号が、「第１の電圧」の一例に相当する。
【００５２】
このように、Ｓｃａｎ信号に同期して、画素回路１１０内の保持容量Ｃ１に、発光輝度に応じたＤＴ信号が保持される。なお、Ｓｃａｎ信号がＬレベルとなり、保持容量Ｃ１にＤＴ信号が保持される（即ち、画素回路１１０にデータの書き込みを行う）期間は、表示部１００を構成する画素回路１１０の数（即ち、画素数）にもよるが、例えば、数１０μｓとなる。
【００５３】
また、ＬレベルのＳｃａｎ信号の供給が開始されるタイミングに同期して、ｉ行目の補償制御信号線１１３を介してＬレベルのＳＷ信号（即ち、ＳＷｉ）の供給が開始され、画素回路１１０内のスイッチングトランジスタＭ４がオン状態となる。これにより、当該画素回路１１０内の発光制御トランジスタＭ３のゲート端子に、ｊ列目の補償用電圧信号線１１５を介して、発光輝度（階調）に応じたセンサ初期電圧Ｖｓｏ（Ｖｓｏ＜０）が、ゲート電圧Ｖｇ３として印可される。なお、センサ初期電圧Ｖｓｏの電位の設定については、詳細を別途後述する。
【００５４】
これにより、発光制御トランジスタＭ３がオン状態となり、データ線１１４から伝達されて保持容量Ｃ１に保持されたＤＴ信号（即ち、ＤＴｊ）に応じて駆動トランジスタＭ２が選択的にオン状態となる。そして、保持容量Ｃ１に保持されたＤＴ信号に応じた駆動電流Ｉｃが、発光制御トランジスタＭ３を介して有機ＥＬ素子ＯＬに供給される。これにより、有機ＥＬ素子ＯＬは、駆動電流Ｉｃに応じた輝度で発光する。
【００５５】
なお、有機ＥＬ素子ＯＬが駆動電流Ｉｃに応じた輝度で発光する期間、即ち、ＬレベルのＳＷ信号の供給によりスイッチングトランジスタＭ４がオン状態となり、センサ初期電圧Ｖｓｏに基づき発光制御トランジスタＭ３が駆動する期間が、常時発光期間Ｔ１に相当する。
【００５６】
次いで、ＳＷ信号がＨレベルになると、スイッチングトランジスタＭ４がオフ状態となり、補償用電圧信号線１１５を介して印可されたセンサ初期電圧Ｖｓｏがセンサ容量Ｃｓに保持される。
【００５７】
その後、センサ容量Ｃｓに保持されたセンサ初期電圧Ｖｓｏは、光センサＰｓの検出結果に基づくセンシング電流Ｉｓによって放電され、当該放電に伴い、発光制御トランジスタＭ３のゲート電圧Ｖｇ３は、電位Ｖｓｏから上昇する。そして、当該ゲート電圧Ｖｇ３が、発光制御トランジスタＭ３の閾値電圧Ｖｔｈ３に到達すると、当該発光制御トランジスタＭ３はオフ状態となり、電流ＩＬ＝０となる（即ち、有機ＥＬ素子ＯＬは消灯する）。
【００５８】
なお、センサ容量Ｃｓに保持されたセンサ初期電圧Ｖｓｏが、光センサＰｓの検出結果に基づくセンシング電流Ｉｓによって放電されることで、発光制御トランジスタＭ３のゲート電圧Ｖｇ３が制御される期間が、輝度劣化補償発光期間Ｔ２に相当する。なお、前述したように、輝度劣化補償発光期間Ｔ２の長さは、センサ容量Ｃｓの放電時間に相当し、センシング電流Ｉｓとセンサ容量Ｃｓとの関係に応じて決定される。
【００５９】
このように、図３に示す例では、画素回路１１０は、（Ｔ１＋Ｔ２）／Ｔ０のデューティー比で駆動することとなる。
【００６０】
なお、上述した一連の動作は、表示装置１０の各構成を動作させる装置のＣＰＵを機能させるためのプログラムによって構成することができる。このプログラムは、その装置にインストールされたＯＳ（Ｏｐｅｒａｔｉｎｇ  Ｓｙｓｔｅｍ）を介して実行されるように構成してもよい。また、このプログラムは、上述した処理を実行する構成が含まれる装置が読み出し可能であれば、記憶される位置は限定されない。例えば、装置の外部から接続される記録媒体にプログラムが格納されていてもよい。この場合には、プログラムが格納された記録媒体を装置に接続することによって、その装置のＣＰＵに当該プログラムを実行させるように構成するとよい。
【００６１】
以上、図３を参照して、図２に示した、本実施形態に係る画素回路１１０を構成する各素子の駆動タイミングの一例について説明した。
【００６２】
＜４．輝度劣化の補償の原理＞
次に、上記に説明した本実施形態に係る表示装置１０における、有機ＥＬ素子ＯＬの輝度劣化の補償に係る動作の原理について、図２に示した画素回路１１０の回路構成をあわせて参照しながら、簡単なモデル式に基づき説明する。
【００６３】
まず、画素回路１１０中の光センサＰｓの抵抗をＲｓとした場合に、当該抵抗Ｒｓが、有機ＥＬ素子ＯＬの輝度に反比例する特性に着目した第１のモデルについて説明する。有機ＥＬ素子ＯＬの輝度は、発光制御トランジスタＭ３のドレイン−ソース間電流ＩＬ＝Ｉｃの場合は、当該電流Ｉｃに比例し、電流ＩＬ＝０の場合には０となる。また、劣化前の輝度に対する劣化後の輝度の割合を示す輝度劣化率をａとすると、有機ＥＬ素子ＯＬが発光している状態における、光センサＰｓの抵抗Ｒｓは、ａ・Ｉｃに反比例するため、以下に示す（式１）で表される。なお、以下に示す（式１）におけるＫｒｓは、抵抗Ｒｓと、ａ・Ｉｃとの間の関係を決める定数である。
【００６４】
【数１】
2016109913.tif 000003
【００６５】
また、発光制御トランジスタＭ３のゲート電圧Ｖｇ３と、光センサＰｓの抵抗Ｒｓとの間には、以下に（式２）として示す関係式が成り立つ。
【００６６】
【数２】
2016109913.tif 000004
【００６７】
上記に示した（式２）を、ｔを０〜ｔ、Ｖｇ３をＶｓｏ〜Ｖｇ３の各範囲で積分すると、以下に（式３）で示す関係式が導かれる。
【数３】
2016109913.tif 000005
【００６８】
ここで、上記に示した（式３）に対して、前述した（式１）を代入し、ｔ＝Ｔ２において、Ｖｇ３＝Ｖｔｈ３とすると、以下に（式４）として示す関係式が導かれる。なお、以下に示す（式４）におけるＫ２は、ａ・Ｉｃ及びセンサ容量Ｃｓと、時間Ｔ２との間の関係を決める定数である。
【００６９】
【数４】
2016109913.tif 000006
【００７０】
次に、光センサＰｓを流れるセンシング電流Ｉｓの電流値（以下、単に「電流値Ｉｓ」と記載する場合がある）が、有機ＥＬ素子ＯＬの輝度に比例する特性に着目した第２のモデルについて説明する。有機ＥＬ素子ＯＬの輝度は、発光制御トランジスタＭ３のドレイン−ソース間電流ＩＬ＝Ｉｃの場合は、当該電流Ｉｃに比例し、電流ＩＬ＝０の場合には０となる。また、輝度劣化率をａとした場合には、有機ＥＬ素子ＯＬが発光している状態における、光センサＰｓの電流値Ｉｓは、ａ・Ｉｃに比例するため、比例係数Ｋｉｓを用いて、以下に示す（式５）で表される。
【００７１】
【数５】
2016109913.tif 000007
【００７２】
また、発光制御トランジスタＭ３のゲート電圧Ｖｇ３と、光センサＰｓの電流値Ｉｓとの間には、以下に（式６）として示す関係式が成り立つ。
【００７３】
【数６】
2016109913.tif 000008
【００７４】
上記に示した（式６）を、ｔを０〜ｔ、Ｖｇ３をＶｓｏ〜Ｖｇ３の各範囲で積分すると、以下に（式７）で示す関係式が導かれる。
【００７５】
【数７】
2016109913.tif 000009
【００７６】
ここで、上記に示した（式７）に対して、前述した（式５）を代入し、ｔ＝Ｔ２において、Ｖｇ３＝Ｖｔｈ３とすると、以下に（式８）として示す関係式が導かれる。
【００７７】
【数８】
2016109913.tif 000010
【００７８】
以上、（式４）及び（式８）として示したように、第１のモデルと第２のモデルとの双方において、定数Ｋ２の定義は異なるものの、時間Ｔ２が同様の式で表される。その結果、輝度Ｌは、当該輝度Ｌと電流Ｉｃとの間の比例関係を示す比例係数Ｋ１を用いることで、以下に示す（式９）で表される。
【００７９】
【数９】
2016109913.tif 000011
【００８０】
ここで、図３に示すタイミングチャートに基づき説明したデューティー比（Ｔ１＋Ｔ２）／Ｔ０は、１００％を超えることはないため、以下に（式１０）として示す条件式を設けている。
【００８１】
【数１０】
2016109913.tif 000012
【００８２】
上記に（式９）として示した輝度Ｌを示す式と、（式１０）として示した条件式とに基づき、劣化前の有機ＥＬ素子ＯＬの輝度Ｌｉ（以降では、「初期輝度Ｌｉ」と称する場合がある）は、輝度劣化率を１（即ち、劣化なし）として、以下に示す（式１１）で表される。
【００８３】
【数１１】
2016109913.tif 000013
【００８４】
また、劣化後の有機ＥＬ素子ＯＬの輝度Ｌｄについては、輝度劣化率をａ（ａ＜１）として、以下に示す（式１２）で表される。
【００８５】
【数１２】
2016109913.tif 000014
【００８６】
ここで、上記に示した（式１１）及び（式１２）に基づき、輝度劣化を補償した後の輝度劣化率Ｌｄ／Ｌｉは、以下に示す（式１３）で表される。
【００８７】
【数１３】
2016109913.tif 000015
【００８８】
ここで、（式１１）において、Ｔ１／Ｔ０＝０とした場合には（即ち、常時発光期間Ｔ１の長さを０に設定した場合）、初期輝度Ｌｉは、以下に示す（式１４）で表される。
【数１４】
2016109913.tif 000016
【００８９】
同様に、（式１２）において、Ｔ１／Ｔ０＝０とした場合には、劣化後の有機ＥＬ素子ＯＬの輝度Ｌｄは、以下に示す（式１５）で表される。
【数１５】
2016109913.tif 000017
【００９０】
ここで、図３に示すタイミングチャートに基づき説明したデューティー比（Ｔ１＋Ｔ２）／Ｔ０は、１００％を超えることはないため、以下に（式１６ａ）及び（式１６ｂ）として示す条件式を設けている。
【００９１】
【数１６】
2016109913.tif 000018
【００９２】
これにより、（式１６ｂ）の左側の式を満足しない条件においては、輝度劣化を補償した後の輝度劣化率Ｌｄ／Ｌｉ＝１となり、１００％の補償が可能となる。ただし、電流Ｉｃの増加に伴い、初期輝度Ｌｉ及び劣化後の輝度Ｌｄの双方について、デューティー比が小さくなる傾向にある。そのため、このような状況を鑑みて、輝度劣化を補償した後の輝度劣化率Ｌｄ／Ｌｉ＝１を維持し、かつ、比較的高いデューティー比を実現するために、輝度劣化後において、デューティー比が１００％となるように定数Ｋ２を調整するとよい。なお、輝度劣化後において、デューティー比が１００％となるための、定数Ｋ２の条件は、以下に示す（式１７）で表される。
【００９３】
【数１７】
2016109913.tif 000019
【００９４】
従って、ある輝度劣化率ａにおいて電流Ｉｃが変化した場合に、上記に（式１７）として示した関係式を常に満たすことが可能であれば、より広い輝度領域において、１００％の輝度劣化補償を実現することが可能となる。そこで、本実施形態に係る表示装置１０では、電流Ｉｃの変化に応じてセンサ初期電圧Ｖｓｏを制御することで、電流Ｉｃが変化した場合においても、上記に（式１７）で示した関係式が満たされるような定数Ｋ２の調整を実現する。以下に、当該制御の詳細について、具体的に例を挙げて説明する
【００９５】
例えば、画素回路１１０中の光センサＰｓの抵抗をＲｓが、有機ＥＬ素子ＯＬの輝度に反比例する特性に着目した第１のモデルにおいては、（式４ａ）として前述した定数Ｋ２の関係式を（式１７）に代入することで、以下に（式１８）として示す条件式が導かれる。
【００９６】
【数１８】
2016109913.tif 000020
【００９７】
ここで、相対輝度が１００％の場合に、センサ初期電圧Ｖｓｏ＝−７［Ｖ］、発光制御トランジスタＭ３の閾値電圧Ｖｔｈ３＝−２［Ｖ］とし、電流Ｉｃ＝Ｉｃｏとすると、上記に示した（式１８）は、以下に示す（式１９）で表される。なお、本説明において、相対輝度とは、全白輝度（即ち、輝度の最大値）が１００％となるように規格化された輝度を示すものとする。
【００９８】
【数１９】
2016109913.tif 000021
【００９９】
また、相対輝度がＬの場合における電流Ｉｃ及びセンサ初期電圧Ｖｓｏのそれぞれを、Ｉｃ（Ｌ）及びＶｓｏ（Ｌ）とすると、上記に（式１８）として示した関係式を満足する条件として、以下に示す（式２０）が導かれる。
【０１００】
【数２０】
2016109913.tif 000022
【０１０１】
上記に示した（式１９）を、（式２０）に代入すると、以下に（式２１）として示す関係式が導かれる。
【０１０２】
【数２１】
2016109913.tif 000023
【０１０３】
また、光センサＰｓの電流値Ｉｓが、有機ＥＬ素子ＯＬの輝度に比例する特性に着目した第２のモデルにおいては、（式８ａ）として前述した定数Ｋ２の関係式を（式１７）に代入することで、以下に（式２２）として示す条件式が導かれる。
【０１０４】
【数２２】
2016109913.tif 000024
【０１０５】
ここで、相対輝度が１００％の場合に、センサ初期電圧Ｖｓｏ＝−７［Ｖ］、発光制御トランジスタＭ３の閾値電圧Ｖｔｈ３＝−２［Ｖ］とし、電流Ｉｃ＝Ｉｃｏとすると、上記に示した（式２２）は、以下に示す（式２３）で表される。
【０１０６】
【数２３】
2016109913.tif 000025
【０１０７】
また、相対輝度がＬの場合における電流Ｉｃ及びセンサ初期電圧Ｖｓｏのそれぞれを、Ｉｃ（Ｌ）及びＶｓｏ（Ｌ）とすると、上記に（式２２）として示した関係式を満足する条件として、以下に示す（式２４）が導かれる。
【０１０８】
【数２４】
2016109913.tif 000026
【０１０９】
上記に示した（式２３）を、（式２４）に代入すると、以下に（式２５）として示す関係式が導かれる。
【０１１０】
【数２５】
2016109913.tif 000027
【０１１１】
ここで、電流Ｉｃと輝度とは比例関係にあるため、Ｉｃ（Ｌ）／Ｉｃｏは、相対輝度に相当することとなる。例えば、図４は、相対輝度と、当該相対輝度に応じたセンサ初期電圧Ｖｓｏ（Ｌ）との間の関係の一例を示したグラフである。図４において、横軸は、相対輝度を示している。また、縦軸は、相対輝度に応じたセンサ初期電圧Ｖｓｏ（Ｌ）［Ｖ］を示している。なお、図４に示す例は、上記に説明した、センサ初期電圧Ｖｓｏ＝−７［Ｖ］、発光制御トランジスタＭ３の閾値電圧Ｖｔｈ３＝−２［Ｖ］とした場合の一例を示している。なお、図４において、モデル１及びモデル２は、それぞれ上記した（式２１）及び（式２５）に対応している。
【０１１２】
また、図５は、図４に示すように、相対輝度に応じたセンサ初期電圧Ｖｓｏ（Ｌ）を制御した場合における、相対輝度と、輝度劣化を補償した後の輝度劣化率Ｌｄ／Ｌｉとの間の関係の一例を示している。図５において、横軸は、相対輝度を示している。また、縦軸は、輝度劣化を補償した後の輝度劣化率Ｌｄ／Ｌｉを示している。
【０１１３】
即ち、図４に示すように、相対輝度に応じたセンサ初期電圧Ｖｓｏ（Ｌ）を制御することで、理論上は、図５に示すように、広い範囲において、輝度劣化を補償した後の輝度劣化率Ｌｄ／Ｌｉ＝１００％（即ち、１００％の輝度劣化補償）を実現することが可能となる。
【０１１４】
ここで、センサ初期電圧Ｖｓｏ＝−７［Ｖ］、発光制御トランジスタＭ３の閾値電圧Ｖｔｈ３＝−２［Ｖ］とした場合における、発光制御トランジスタＭ３のゲート電圧Ｖｇ３の、フレーム時間内における時間変化に着目する。なお、１フレーム中の発光期間Ｔ０は、必ずしもフレーム時間（即ち、１フレームの期間）に一致するとは限らない。しかしながら、本説明では、本実施形態に係る表示装置１０の制御をよりわかりやすくするために、フレーム時間と発光期間Ｔ０とが略一致する（即ち、フレーム時間＝発光期間Ｔ０とする）ものとして説明する。
【０１１５】
例えば、図６は、画素回路１１０中の光センサＰｓの抵抗Ｒｓが、有機ＥＬ素子ＯＬの輝度に反比例する特性に着目した第１のモデルにおける、発光制御トランジスタＭ３のゲート電圧Ｖｇ３の、フレーム時間内における時間変化の一例を示している。図６において、横軸は時間ｔ［ｍｓ］を示している。また、縦軸は、発光制御トランジスタＭ３のゲート電圧Ｖｇ３［Ｖ］を示している。図６に示す例では、相対輝度が１０％、５０％、及び１００％のそれぞれについて、閾値電圧Ｖｔｈ３の、フレーム時間内における時間変化を示している。なお、フレーム時間Ｔ０については、Ｔ０＝１６．７［ｍｓ］とする。
【０１１６】
また、図７は、光センサＰｓの電流値Ｉｓが、有機ＥＬ素子ＯＬの輝度に比例する特性に着目した第２のモデルにおける、発光制御トランジスタＭ３のゲート電圧Ｖｇ３の、フレーム時間内における時間変化の一例を示している。なお、図７における横軸及び縦軸は、図６の場合と同様である。また、図７に示す例では、図６に示す例と同様に、相対輝度が１０％、５０％、及び１００％のそれぞれについて、閾値電圧Ｖｔｈ３の、フレーム時間内における時間変化を示している。
【０１１７】
図６及び図７に示すように、相対輝度の減少に応じて、センサ初期電圧Ｖｓｏ（Ｌ）を増大させることで、理論上は全ての相対輝度の条件について、フレーム時間Ｔ０＝１６．７［ｍｓ］において、ゲート電圧Ｖｇ３＝−２［Ｖ］となるように調整することが可能である。
【０１１８】
ここで、図８を参照して、図４〜図７を参照して説明した制御を実現するための、画素回路１１０の駆動タイミングの一例について説明する。図８は、本実施形態に係る画素回路１１０の駆動タイミングの一例について説明するための概略的なタイミングチャートである。なお、本説明では、ｉ行ｊ列に位置する画素回路１１０の場合を例に説明し、他の画素回路１１０については、同様のため詳細な説明は省略する。
【０１１９】
図８に示す例では、ＬレベルのＳｃａｎ信号の供給に伴う画素回路１１０へのデータ（即ち、ＤＴ信号）の書き込みに同期して、ＬレベルのＳＷ信号の供給により、当該画素回路１１０に対して、センサ初期電圧Ｖｓｏが書き込まれる。なお、図８に示す例では、画素回路１１０へのデータ及びセンサ初期電圧Ｖｓｏの書き込みに係る時間は数１０［μｓ］となる。そして、図８に示す例では、Ｓｃａｎ信号及びＳＷ信号がＨレベルとなることで、画素回路１１０内の光センサＰｓの検出結果に基づくセンシング電流Ｉｓと、センサ初期電圧Ｖｓｏとに基づき、発光制御トランジスタＭ３のゲート電圧Ｖｇ３は、電位Ｖｓｏから時系列に沿って上昇する。そして、当該ゲート電圧Ｖｇ３が、発光制御トランジスタＭ３の閾値電圧Ｖｔｈ３に到達すると、当該発光制御トランジスタＭ３はオフ状態となり、有機ＥＬ素子ＯＬに供給される電流ＩＬ＝０となる（即ち、有機ＥＬ素子ＯＬは消灯する）。
【０１２０】
なお、図８に示す例では、画素回路１１０へのデータ及びセンサ初期電圧Ｖｓｏの書き込みが行われる期間を除いて、１フレーム中の発光期間Ｔ０のほぼ全体が輝度劣化補償発光期間Ｔ２となる。即ち、図８に示す例では、ほぼ１００％のデューティー比を実現していることがわかる。
【０１２１】
以上、所定の輝度劣化率ａにおいて、輝度劣化を補償した後の輝度劣化率Ｌｄ／Ｌｉ（換言すると、輝度劣化補償率Ｌｄ／Ｌｉ）が最大となるように設定した場合における、有機ＥＬ素子ＯＬの発光に係る各種特性について説明した。
【０１２２】
なお、実運用においては、目標値となる輝度劣化率ａ０と、光センサＰｓの設計パラメタ（例えば、センサの大きさ、センサへの照射光量、センサ容量Ｃｓの値等）と、センサ初期電圧Ｖｓｏとの各設定に応じて、有機ＥＬ素子ＯＬの輝度劣化率ａが順次変化することとなる。ここで、当該実運用における輝度劣化を補償した後の輝度劣化率Ｌｄ／Ｌｉの変化について、具体的に説明する。なお、目標値となる輝度劣化率ａ０が、「基準となる所定の輝度劣化率」の一例に相当する。
【０１２３】
まず、前述した（式１７）において、輝度劣化率ａ＝ａ０とし、当該（式１７）を、前述した（式１４）、（式１５）、及び（式１６ｂ）に代入すると、以下に（式２６）、（式２７）、及び（式２８）として示す関係式が導かれる。
【０１２４】
【数２６】
2016109913.tif 000028
【０１２５】
この場合における、輝度劣化率ａの変化に伴う、デューティー比の変化の一例を、図９に示す。図９は、本実施形態に係る表示装置１０における、輝度劣化率ａとデューティー比との間の関係の一例を示したグラフである。図９において、横軸は、有機ＥＬ素子ＯＬの輝度劣化率ａを示している。また、縦軸は、デューティー比を示している。なお、図９に示す例では、輝度劣化の補償を行わない場合と、目標値として設定された輝度劣化率ａ０が、ａ０＝０．９５の場合、及び、ａ０＝０．９の場合とについて、輝度劣化率ａとデューティー比との関係について示している。
【０１２６】
図９に示した、ａ０＝０．９５の場合、及び、ａ０＝０．９の場合のグラフを参照するとわかるように、本実施形態に係る表示装置１０では、初期状態（即ち、輝度劣化率ａ＝１）において、デューティー比が、目標値として設定された輝度劣化率ａ０と略等しくなる。そして、輝度劣化率ａの低下に伴いデューティー比は増加し、輝度劣化率ａ≦ａ０において最大値の１となる。なお、前述した（式２６）、（式２７）、及び（式２８）に基づき、輝度劣化を補償した後の輝度劣化率Ｌｄ／Ｌｉ（即ち、輝度劣化補償率Ｌｄ／Ｌｉ）は、以下に示す（式２９）及び（式３０）で表される。
【０１２７】
【数２７】
2016109913.tif 000029
【０１２８】
この場合における、輝度劣化率ａと、輝度劣化を補償した後の輝度劣化率Ｌｄ／Ｌｉ（との関係の一例を、図１０に示す。図１０は、本実施形態に係る表示装置１０における、輝度劣化率ａと、輝度劣化を補償した後の輝度劣化率Ｌｄ／Ｌｉとの間の関係の一例を示したグラフである。図１０において、横軸は、有機ＥＬ素子ＯＬの輝度劣化率ａを示している。また、縦軸は、輝度劣化を補償した後の輝度劣化率Ｌｄ／Ｌｉを示している。なお、図１０に示す例では、輝度劣化の補償を行わない場合と、目標値として設定された輝度劣化率ａ０が、ａ０＝０．９５の場合、及び、ａ０＝０．９の場合とについて、輝度劣化率ａとデューティー比との関係について示している。なお、輝度劣化の補償を行わない場合には、Ｌｄ／Ｌｉは、有機ＥＬ素子ＯＬの輝度劣化率ａを示すことは言うまでもない。
【０１２９】
図９に示した、ａ０＝０．９５の場合、及び、ａ０＝０．９の場合のグラフを参照するとわかるように、本実施形態に係る表示装置１０では、有機ＥＬ素子ＯＬの輝度劣化率ａが、１からａ０に変化するまでの期間は、１００％の輝度劣化補償が可能となる。
【０１３０】
一方で、有機ＥＬ素子ＯＬの輝度劣化率ａがａ０未満（即ち、ａ＜ａ０）となる期間においては、当該輝度劣化率ａの低下に伴い、輝度劣化を補償した後の輝度劣化率Ｌｄ／Ｌｉも低下することとなる。しかしながら、輝度劣化率ａがａ０未満となる期間においても、本実施形態に係る表示装置１０に依れば、輝度劣化の補償を行わない場合に比べて、有機ＥＬ素子ＯＬの劣化に伴う輝度の低下が抑制されていることがわかる。
【０１３１】
即ち、図１０に示すように、目標値となる輝度劣化率ａ０をより低く設定することで、初期状態（即ち、輝度劣化率ａ＝１）において、デューティー比が低くなるものの、広い範囲にわたって、輝度劣化を補償した後の輝度劣化率Ｌｄ／Ｌｉを１とすることが可能となる（即ち、１００％の輝度劣化補償が可能となる）。
【０１３２】
なお、前述したように、光センサＰｓは、例えば、フォトダイオードやフォトランジスタ等により構成され得る。一般的に、フォトダイオードは、前述した第２のモデルに近い特性を示す傾向にある。また、フォトランジスタは、前述した第１のモデルと第２のモデルとの中間の特性を示す傾向にある。
【０１３３】
また、上記の説明では、図２に示す画素回路１１０の各トランジスタとして、Ｐチャネル型のトランジスタを適用した場合を例に説明したが、必ずしも同構成に限定するものではない。具体的な一例として、図２に示す画素回路１１０の各トランジスタを、Ｎチャネル型のトランジスタとして構成してもよい。なお、その場合には、各信号の電位の関係を、各トランジスタの特性にあわせて適宜変更すればよいことは言うまでもない。
【０１３４】
以上、本実施形態に係る表示装置１０における、有機ＥＬ素子ＯＬの輝度劣化の補償に係る動作の原理について、図２及び図４〜図１０を参照しながら、簡単なモデル式に基づき説明した。
【０１３５】
＜５．センサ初期電圧Ｖｓｏの設定方法＞
次に、センサ初期電圧Ｖｓｏの設定方法の一例について説明する。本項では、有機ＥＬ素子ＯＬの発光特性に応じて、相対輝度ごとのセンサ初期電圧Ｖｓｏを設定する方法の一例について、図１１及び図１２を参照して説明する。図１１及び図１２は、本実施形態に係る表示装置１０における、相対輝度ごとのセンサ初期電圧Ｖｓｏの設定方法の一例について説明するための説明図である。
【０１３６】
本項で説明する相対輝度ごとのセンサ初期電圧Ｖｓｏの設定方法では、各相対輝度において、有機ＥＬ素子ＯＬの輝度を測定しながら、センサ初期電圧Ｖｓｏを調整する。
【０１３７】
具体的には、まず図１１に示すように、各階調（即ち、各相対輝度）で１フレーム中の発光期間Ｔ０を常時発光状態（即ち、Ｔ０＝Ｔ１）に制御し、このときの有機ＥＬ素子ＯＬの輝度Ｌを測定する。なお、このとき測定される輝度Ｌが、デューティー比が１００％の場合の輝度となることは図１１に示すとおりである。
【０１３８】
次いで、同様の階調において、図１２に示すように常時発光期間Ｔ１＝０として、センサ初期電圧Ｖｓｏを変化させながら、有機ＥＬ素子ＯＬの輝度Ｌが、従前に測定した、デューティー比が１００％の場合の輝度のａ０倍となるように調整する。即ち、目標値として設定された輝度劣化率ａ０を、ａ０＝０．９５とする場合には、デューティー比が１００％の場合の輝度の０．９５倍となるようにセンサ初期電圧Ｖｓｏを調整する。この場合には、図１２に示すように、輝度劣化補償期間Ｔ２と、１フレーム中の発光期間Ｔ０とは、Ｔ２＝ａ０・Ｔ０の関係を満たすこととなり、デューティー比は９５％となる。
【０１３９】
なお、図９を参照して前述したとおり、本実施形態に係る表示装置１０では、初期状態（即ち、有機ＥＬ素子ＯＬの輝度劣化率ａ＝１）におけるデューティー比は、目標値として設定された輝度劣化率ａ０と略等しくなる。即ち、常時発光期間Ｔ１＝０として、有機ＥＬ素子ＯＬの輝度Ｌが、従前に測定した、デューティー比が１００％の場合の輝度のａ０倍となるようにセンサ初期電圧Ｖｓｏを調整することで、目標値となる輝度劣化率ａ０が設定されたこととなる。以上の通り説明した調整を、各階調について適宜実施することで、階調ごとのセンサ初期電圧Ｖｓｏを特定すればよい。
【０１４０】
なお、上記に説明した調整は、必ずしも全ての階調について実施する必要はない。具体的な一例として、上記に説明した調整を一部の階調について実施し、その他の階調については、補間によりセンサ初期電圧Ｖｓｏを導出する構成としてもよい。もちろん、有機ＥＬ素子ＯＬの輝度劣化をより正確に補正するためには、全階調（全相対輝度）について、上記に説明した調整を実施することが望ましいことは言うまでもない。
【０１４１】
以上、図１１及び図１２を参照して、センサ初期電圧Ｖｓｏの設定方法の一例について説明した。
【０１４２】
＜６．まとめ＞
以上説明したように、本実施形態に係る表示装置１０は、発光輝度（階調）に応じたＤＴ信号の印加を受けて有機ＥＬ素子ＯＬの輝度制御を行うための制御回路と、センサ初期電圧Ｖｓｏの印加を受けて有機ＥＬ素子ＯＬの発光量を補正するための制御回路とを備える。このような構成をもとに、本実施形態に係る表示装置１０は、１フレーム中の発光期間Ｔ０を、常時発光期間Ｔ１と、輝度劣化補償発光期間Ｔ２とに分けて制御する。即ち、本実施形態に係る表示装置１０は、常時発光期間Ｔ１において、発光輝度（階調）に応じた有機ＥＬ素子ＯＬの輝度制御を行う。また、表示装置１０は、当該常時発光期間Ｔ１に次いで設けられた輝度劣化補償発光期間Ｔ２の長さを制御することで、有機ＥＬ素子ＯＬの輝度劣化量に応じて、当該有機ＥＬ素子ＯＬの発光量を補正する（即ち、輝度劣化を補償する）。
【０１４３】
このような構成により、本実施形態に係る表示装置１０は、発光輝度（階調）に応じた有機ＥＬ素子ＯＬの輝度制御と、有機ＥＬ素子ＯＬの輝度劣化の補償とを独立して制御することが可能となる。即ち、本実施形態に係る表示装置１０に依れば、より好適な態様で、有機ＥＬ素子ＯＬの輝度設定と、当該有機ＥＬ素子ＯＬの輝度劣化量に応じた発光量の補正とを実現することが可能となる。
【０１４４】
また、本実施形態に係る表示装置１０では、有機ＥＬ素子ＯＬの発光輝度（換言すると、電流Ｉｃ）の変化に応じてセンサ初期電圧Ｖｓｏを制御する。このような構成により、本実施形態に係る表示装置１０では、有機ＥＬ素子ＯＬの輝度劣化率ａが、目標値として設定された輝度劣化率ａ０以下の期間においては、輝度劣化を補償した後の輝度劣化率Ｌｄ／Ｌｉを１に制御することが可能となる（即ち、１００％の輝度劣化補償が可能となる）。
【０１４５】
なお、本実施形態に係る表示装置１０では、有機ＥＬ素子ＯＬの輝度劣化率ａがａ０未満（即ち、ａ＜ａ０）となる期間においては、当該輝度劣化率ａの低下に伴い、輝度劣化を補償した後の輝度劣化率Ｌｄ／Ｌｉも低下することとなる。しかしながら、本実施形態に係る表示装置１０に依れば、輝度劣化率ａがａ０未満となる期間においても、輝度劣化の補償を行わない場合に比べて、有機ＥＬ素子ＯＬの劣化に伴う輝度の低下を抑制することが可能となる。
【０１４６】
また、本実施形態に係る表示装置１０では、目標値となる輝度劣化率ａ０の設定に応じて、初期状態（即ち、有機ＥＬ素子ＯＬの輝度劣化率ａ＝１の状態）におけるデューティー比を適宜調整することが可能である。また、本実施形態に係る表示装置１０では、有機ＥＬ素子ＯＬの劣化に応じてデューティー比が増加し、輝度劣化率ａ＜ａ０となると、デューティー比が１となる。即ち、本実施形態に係る表示装置１０に依れば、デューティー比は、常に、目標値となる輝度劣化率ａ０に基づき決定される値以上となるように制御される。そのため、本実施形態に係る表示装置１０に依れば、目標値となる輝度劣化率ａ０を、当該表示装置１０の運用形態にあわせて適宜設定することで、所謂疑似輪郭の発生を抑制することが可能となる。
【０１４７】
また、本実施形態に係る表示装置１０では、「５．センサ初期電圧Ｖｓｏの設定方法」として説明した簡単な手順により、目標値となる輝度劣化率ａ０を適宜調整することが可能である。即ち、本実施形態に係る表示装置１０に依れば、目標値となる輝度劣化率ａ０に応じた輝度劣化補償のための制御を、当該表示装置１０の運用形態にあわせて適宜設定することが可能である。
【０１４８】
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明はかかる例に限定されない。本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、これらについても、当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【符号の説明】
【０１４９】
１０    表示装置
１００  表示部
１１０  画素回路
１１２  走査線
１１３  補償制御信号線
１１４  データ線
１１５  補償用電圧信号線
１２０  スキャンドライバ
１３０  データドライバ
【図１】
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【図２】
2016109913.tif 000031
【図３】
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【図４】
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【図５】
2016109913.tif 000034
【図６】
2016109913.tif 000035
【図７】
2016109913.tif 000036
【図８】
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【図９】
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【図１０】
2016109913.tif 000039
【図１１】
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【図１２】
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