(57)【要約】【課題】安定した高周波アシストを実現し、高記録密度化を可能とする磁気記録ヘッドおよびこれを備えたディスク装置を提供する。【解決手段】実施形態によれば、磁気記録ヘッドは、空気支持面４３と、空気支持面まで延びる先端部６０ｂを有し、記録磁界を発生する主磁極６０と、主磁極の先端部にライトギャップを置いて対向し、主磁極とともに磁気コアを構成するライトシールド６２と、ライトギャップ内で主磁極とライトシールドとの間に設けられ、主磁極およびライトシールドに接続された高周波発振子６５と、を備えている。高周波発振子は、ヘッド走行方向に積層されたスピン注入層６５ａ、中間層６５ｂ、および発振層６５ｃを有し、発振層およびスピン注入層は、空気支持面と交差する方向に延びる積層面をそれぞれ有している。空気支持面から離間した高さ位置でのスピン注入層のヘッド走行方向の膜厚は、空気支持面でのスピン注入層のヘッド走行方向の膜厚よりも厚く形成されている。【選択図】図５
2016207241.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
空気支持面と、
前記空気支持面まで延びる先端部を有し、垂直方向の記録磁界を発生する主磁極と、
前記主磁極の前記先端部にライトギャップを置いて対向し、前記主磁極とともに磁気コアを構成するライトシールドと、
前記ライトギャップ内で前記主磁極とライトシールドとの間に設けられ、前記主磁極およびライトシールドに接続された高周波発振子と、を備え、
前記高周波発振子は、ヘッド走行方向に積層されたスピン注入層、中間層、および発振層を有し、前記発振層およびスピン注入層は、前記空気支持面と交差する方向に延びる積層面をそれぞれ有し、
前記空気支持面から離間した高さ位置での前記スピン注入層の前記ヘッド走行方向の膜厚は、前記空気支持面での前記スピン注入層の前記ヘッド走行方向の膜厚よりも厚く形成されている磁気記録ヘッド。
【請求項２】
前記ライトギャップにおいて、前記空気支持面での前記ヘッド走行方向に沿った前記ライトギャップのギャップ長は、前記空気支持面から離間した上記高さ位置での前記ヘッド走行方向に沿ったギャップ長よりも短い請求項１に記載の磁気記録ヘッド。
【請求項３】
前記スピン注入層は、前記空気支持面に露出する端部を有している請求項１または２に記載の磁気記録ヘッド。
【請求項４】
前記スピン注入層は、前記空気支持面から離間した高さ位置に設けられている請求項１または２に記載の磁気記録ヘッド。
【請求項５】
前記スピン注入層、中間層、発振層は、前記主磁極側から前記ライトシールドに向かって順に積層されている請求項１ないし４のいずれか１項に記載の磁気記録ヘッド。
【請求項６】
前記主磁極は、前記ライトシールドと対向するシールド側端面を有し、前記シールド側端面の前記空気支持面側の端部は、前記主磁極から前記ライトシールド側に傾斜して前記空気支持面まで延びている請求項５に記載の磁気記録ヘッド。
【請求項７】
前記主磁極は、前記ライトシールドと対向するシールド側端面と、前記空気支持面から離間した高さ位置で前記シールド側端面に形成された凹部と、を有し、前記凹部の底面と前記ライトシールドとの間のギャップ長が前記空気支持面でのギャップ長よりも長い請求項５に記載の磁気記録ヘッド。
【請求項８】
前記空気支持面から離間した高さ位置において、前記スピン注入層の少なくとも一部は、前記凹部内に設けられている請求項７に記載の磁気記録ヘッド。
【請求項９】
前記ライトシールドは、前記主磁極に対向する主磁極側端面を有し、前記主磁極側端面は、前記空気支持面に垂直な方向に対して、前記空気支持面から前記主磁極から離間する方向に傾斜している請求項５ないし８のいずれか１項に記載の磁気記録ヘッド。
【請求項１０】
前記スピン注入層、中間層、発振層は、前記ライトシールド側から前記主磁極に向かって順に積層されている請求項１ないし４のいずれか１項に記載の磁気記録ヘッド。
【請求項１１】
前記ライトシールドは、前記主磁極と対向する主磁極側端面と、前記空気支持面から離間した高さ位置で前記主磁極側端面に形成された凹部と、を有し、前記凹部の底面と前記主磁極との間のギャップ長が前記空気支持面でのギャップ長よりも長い請求項５に記載の磁気記録ヘッド。
【請求項１２】
前記空気支持面から離間した高さ位置において、前記スピン注入層の少なくとも一部は、前記凹部内に設けられている請求項１１に記載の磁気記録ヘッド。
【請求項１３】
磁気記録層を有するディスク状の記録媒体と、
前記記録媒体に対し情報を記録する請求項１ないし１２のいずれか１項に記載の磁気記録ヘッドと、
を備えるディスク装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明の実施形態は、高周波アシスト素子を有する磁気記録ヘッド、およびこの磁気記録ヘッドを備えたディスク装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ディスク装置として、磁気ディスク装置の高記録密度化、大容量化あるいは小型化を図るため、垂直磁気記録用の磁気ヘッドが提案されている。このような磁気ヘッドにおいて、記録ヘッドは、垂直方向磁界を発生させる主磁極と、この主磁極のトレーリング側にライトギャップを挟んで配置されたライトシールド磁極と、主磁極に磁束を流すためのコイルとを有している。更に、ライトシールド磁極の媒体側端部と主磁極との間のライトギャップに高周波アシスト素子、例えば、スピントルク発振子、を設け、主磁極およびライトシールド磁極を通して高周波発振子に電流を流す高周波アシストヘッドが提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１３−１９６７４８号公報
【特許文献２】米国特許第８，３６３，３５５号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
高周波アシストヘッドでは、高周波アシスト素子のスピン注入層および発振層はライトギャップ内に配置されている。また、スピン注入層および発振層は、ヘッドの空気支持面（ＡＢＳ）側から垂直方向に離れた位置（奥側位置）まで、それぞれ一定の膜厚に形成されている。通常、ライトギャップにおいて、ＡＢＳ近傍におけるギャップ磁界のヘッド走行方向成分よりも、ＡＢＳから垂直方向に離れた位置（奥側位置）でのギャップ磁界のヘッド走行方向成分が強くなる。すなわち、ライトギャップの高さ方向に磁界むらがある。そのため、スピン注入層の磁化は、ＡＢＳから離れた奥側位置では、ヘッド走行方向に向きやすいが、ＡＢＳ側では、不安定になりやすい。スピン注入層内の磁化が一定方向に向きにくく、発振層の磁化が一様に回転しづらくなる。その結果、良好な発振が得られず、記録媒体の記録層を反転させるに十分なエネルギーを確保することが難しい。
【０００５】
この発明は以上の点に鑑みなされたもので、その課題は、安定した高周波アシストを実現し、高記録密度化を可能とする磁気記録ヘッドおよびこれを備えたディスク装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
実施形態によれば、磁気記録ヘッドは、空気支持面と、前記空気支持面まで延びる先端部を有し、記録磁界を発生する主磁極と、前記主磁極の前記先端部にライトギャップを置いて対向し、前記主磁極とともに磁気コアを構成するライトシールドと、前記ライトギャップ内で前記主磁極とライトシールドとの間に設けられ、前記主磁極およびライトシールドに接続された高周波発振子と、を備えている。前記高周波発振子は、ヘッド走行方向に積層されたスピン注入層、中間層、および発振層を有し、前記発振層およびスピン注入層は、前記空気支持面と交差する方向に延びる積層面をそれぞれ有し、前記空気支持面から離間した高さ位置での前記スピン注入層の前記ヘッド走行方向の膜厚は、前記空気支持面での前記スピン注入層の前記ヘッド走行方向の膜厚よりも厚く形成されている。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】図１は、第１の実施形態に係るハードディスクドライブ（以下、ＨＤＤ）を示す斜視図。
【図２】図２は、前記ＨＤＤにおける磁気ヘッドおよびサスペンションを示す側面図。
【図３】図３は、前記磁気ヘッドのヘッド部を拡大して示す断面図。
【図４】図４は、前記磁気ヘッドの記録ヘッドを模式的に示す斜視図。
【図５】図５は、前記記録ヘッドのＡＢＳ側端部を拡大して示すトラックセンターに沿った断面図。
【図６】図６は、第２の実施形態に係るＨＤＤの記録ヘッドのＡＢＳ側端部を拡大して示すトラックセンターに沿った断面図。
【図７Ａ】図７Ａは、トラック走行方向位置と磁界強度との関係を、３つの記録ヘッドについて比較して示す図。
【図７Ｂ】図７Ｂは、図７Ａに示す磁界分布から抽出した最大磁界強度とトレーリング端側磁界傾度との関係を、３つの記録ヘッドについて比較して示す図。
【図７Ｃ】図７Ｃは、記録ヘッドによるオーバーライト（OW）性能と磁化転移幅との関係を３つの記録ヘッドについて比較して示す図。
【図８】図８は、第３の実施形態に係るＨＤＤの記録ヘッドのＡＢＳ側端部を拡大して示すトラックセンターに沿った断面図。
【図９】図９は、第１変形例に係るＨＤＤの記録ヘッドのＡＢＳ側端部を拡大して示すトラックセンターに沿った断面図。
【図１０】図１０は、第２変形例に係るＨＤＤの記録ヘッドのＡＢＳ側端部を拡大して示すトラックセンターに沿った断面図。
【図１１】図１１は、第４の実施形態に係るＨＤＤの記録ヘッドのＡＢＳ側端部を拡大して示すトラックセンターに沿った断面図。
【図１２】図１２は、複数の実施形態に係る記録ヘッドのスピン注入効率を比較して示す図。
【図１３】図１３は、第５の実施形態に係るＨＤＤの記録ヘッドのＡＢＳ側端部を拡大して示すトラックセンターに沿った断面図。
【図１４】図１４は、第６の実施形態に係るＨＤＤの記録ヘッドのＡＢＳ側端部を拡大して示すトラックセンターに沿った断面図。
【図１５】図１５は、第７の実施形態に係るＨＤＤの記録ヘッドのＡＢＳ側端部を拡大して示すトラックセンターに沿った断面図。
【図１６】図１６は、第８の実施形態に係るＨＤＤの記録ヘッドのＡＢＳ側端部を拡大して示すトラックセンターに沿った断面図。
【図１７】図１７は、第９の実施形態に係るＨＤＤの記録ヘッドのＡＢＳ側端部を拡大して示すトラックセンターに沿った断面図。
【図１８】図１８は、第１０の実施形態に係るＨＤＤの記録ヘッドのＡＢＳ側端部を拡大して示すトラックセンターに沿った断面図。
【図１９】図１９は、第１１の実施形態に係るＨＤＤの記録ヘッドのＡＢＳ側端部を拡大して示すトラックセンターに沿った断面図。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下図面を参照しながら、種々の実施形態について説明する。  
なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更であって容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。
【０００９】
（第１の実施形態）  
図１は、ディスク装置として、第１の実施形態に係るハードディスクドライブ（ＨＤＤ）のトップカバーを取り外して内部構造を示し、図２は、浮上状態の磁気ヘッドを示している。図１に示すように、ＨＤＤは筐体１０を備えている。ＨＤＤは、筐体１０を備えている。筐体１０は、上面の開口した矩形箱状のベース１２と、複数のねじによりベース１２にねじ止めされてベース１２の上端開口を閉塞する図示しないトップカバーと、を有している。ベース１２は、矩形状の底壁１２ａと、底壁の周縁に沿って立設された側壁１２ｂとを有している。トップカバーは、複数のねじによりベースにねじ止めされ、ベースの上端開口を閉塞する。
【００１０】
筐体１０内には、記録媒体として、例えば２枚の磁気ディスク１６、および磁気ディスク１６を支持および回転させる駆動部としてのスピンドルモータ１８が設けられている。スピンドルモータ１８は、底壁１２ａ上に配設されている。各磁気ディスク１６は、例えば、直径６５ｍｍ（２．５インチ）に形成され、上面および下面に磁気記録層を有している。磁気ディスク１６は、スピンドルモータ１８の図示しないハブに互いに同軸的に嵌合されているとともにクランプばね２７によりクランプされ、ハブに固定されている。これにより、磁気ディスク１６は、ベース１２の底壁１２ａと平行に位置した状態に支持されている。そして、磁気ディスク１６は、スピンドルモータ１８により所定の速度で回転される。
【００１１】
筐体１０内に、磁気ディスク１６に対して情報の記録、再生を行なう複数の磁気ヘッド１７、これらの磁気ヘッド１７を磁気ディスク１６に対して移動自在に支持したキャリッジアッセンブリ２２が設けられている。また、筐体１０内に、キャリッジアッセンブリ２２を回動および位置決めするボイスコイルモータ（以下ＶＣＭと称する）２４、磁気ヘッド１７が磁気ディスク１６の最外周に移動した際、磁気ヘッド１７を磁気ディスク１６から離間したアンロード位置に保持するランプロード機構２５、ＨＤＤに衝撃等が作用した際、キャリッジアッセンブリ２２を退避位置に保持するラッチ機構２６、および変換コネクタ等の電子部品が実装されたフレキシブルプリント回路基板（ＦＰＣ）ユニット２１が設けられている。
【００１２】
ベース１２の外面には、図示しない制御回路基板がねじ止めされ、底壁１２ａと対向して位置している。制御回路基板は、ＦＰＣユニット２１を介してスピンドルモータ１８、ＶＣＭ２４、および磁気ヘッド１７の動作を制御する。
【００１３】
キャリッジアッセンブリ２２は、ベース１２の底壁１２ａ上に固定された軸受部２８と、軸受部２８から延出した複数のアーム３２と、弾性変形可能な細長い板状のサスペンション３４と、を備えている。サスペンション３４は、その基端がスポット溶接あるいは接着によりアーム３２の先端に固定され、アーム３２から延出している。各サスペンション３４の延出端に磁気ヘッド１７が支持されている。これらのサスペンション３４および磁気ヘッド１７は、磁気ディスク１６を間に挟んで互いに向かい合っている。
【００１４】
図２に示すように、各磁気ヘッド１７は、浮上型のヘッドとして構成され、ほぼ直方体形状のスライダ４２とこのスライダの流出端（トレーリング端）に設けられた記録再生用のヘッド部４４とを有している。磁気ヘッド１７は、サスペンション３４の先端部に設けられたジンバルばね４１に固定されている。各磁気ヘッド１７は、サスペンション３４の弾性により、磁気ディスク１６の表面に向かうヘッド荷重Ｌが印加されている。図１および図２に示すように、各磁気ヘッド１７は、サスペンション３４およびアーム３２上に固定された配線部材３５、および中継ＦＰＣ３７を介してＦＰＣユニット２１に電気的に接続されている。
【００１５】
次に、磁気ディスク１６および磁気ヘッド１７の構成について詳細に説明する。図３は、磁気ヘッド１７のヘッド部４４および磁気ディスク１６を拡大して示す断面図である。  
図１ないし図３に示すように、磁気ディスク１６は、例えば、直径約２．５インチ（６．３５ｃｍ）の円板状に形成され非磁性体からなる基板１０１を有している。基板１０１の各表面には、下地層として軟磁気特性を示す材料からなる軟磁性層１０２と、その上層部に、ディスク面に対して垂直方向に磁気異方性を有する磁気記録層１０３と、その上層部に保護膜層１０４とが順に積層されている。
【００１６】
図２および図３に示すように、磁気ヘッド１７のスライダ４２は、例えば、アルミナとチタンカーバイドの焼結体（アルチック）で形成され、ヘッド部４４は薄膜を積層することにより形成されている。スライダ４２は、磁気ディスク１６の表面に対向する矩形状のディスク対向面（空気支持面（ＡＢＳ））４３を有している。スライダ４２は、磁気ディスク１６の回転によってディスク表面とＡＢＳ４３との間に生じる空気流Ｃにより浮上する。空気流Ｃの方向は、磁気ディスク１６の回転方向Ｂと一致している。スライダ４２は、磁気ディスク１６表面に対し、ディスク対向面４３の長手方向が空気流Ｃの方向とほぼ一致するように配置されている。
【００１７】
スライダ４２は、空気流Ｃの流入側に位置するリーディング端４２ａおよび空気流Ｃの流出側に位置するトレーリング端４２ｂを有している。スライダ４２のＡＢＳ４３には、図示しないリーディングステップ、トレーリングステップ、サイドステップ、負圧キャビティ等が形成されている。
【００１８】
図３に示すように、ヘッド部４４は、スライダ４２のトレーリング端４２ｂに薄膜プロセスで形成された再生ヘッド５４および記録ヘッド（磁気記録ヘッド）５８を有し、分離型の磁気ヘッドとして形成されている。再生ヘッド５４および記録ヘッド５８は、スライダ４２のＡＢＳ４３に露出する部分を除いて、保護絶縁膜７６により覆われている。保護絶縁膜７６は、ヘッド部４４の外形を構成している。
【００１９】
再生ヘッド５４は、磁気抵抗効果を示す磁性膜５５と、この磁性膜のトレーリング側およびリーディング側に磁性膜５５を挟むように配置されたシールド膜５６、５７と、で構成されている。これら磁性膜５５、シールド膜５６、５７の下端は、スライダ４２のＡＢＳ４３に露出している。
【００２０】
記録ヘッド５８は、再生ヘッド５４に対して、スライダ４２のトレーリング端４２ｂ側に設けられている。図４は、記録ヘッド５８および磁気ディスク１６を模式的に示す斜視図、図５は、記録ヘッド５８の磁気ディスク１６側の端部を拡大して示すトラックセンターに沿った断面図である。
【００２１】
図３ないし図５に示すように、記録ヘッド５８は、磁気ディスク１６の表面に対して垂直方向の記録磁界を発生させる高飽和磁化材料からなる主磁極６０と、主磁極６０のトレーリング側に配置され、主磁極６０直下の軟磁性層１０２を介して効率的に磁路を閉じるために設けられた軟磁性材料からなるトレーリングシールド（ライトシールド）６２と、磁気ディスク１６に信号を書き込む際、主磁極６０に磁束を流すために主磁極６０およびトレーリングシールド６２を含む磁気コア（磁気回路）に巻きつくように配置された記録コイル６４と、主磁極６０のＡＢＳ４３側の先端部６０ｂとトレーリングシールド６２との間で、かつ、ＡＢＳ４３に面する部分に配置された非磁性導電体からなる高周波発振素子、例えば、スピントルク発振子（ＳＴＯ）６５と、を有している。
【００２２】
軟磁性材料で形成された主磁極６０は、磁気ディスク１６の表面およびＡＢＳ４３に対してほぼ垂直に延びている。主磁極６０のＡＢＳ４３側の下端部は、ＡＢＳ４３に向かって先細に、かつ、トラック幅方向にロート状に絞り込まれた絞込み部６０ａと、この絞込み部６０ａから磁気ディスク側に延出する所定幅の先端部６０ｂと、を有している。先端部６０ｂの先端、つまり、下端は、磁気ヘッドのＡＢＳ４３に露出している。先端部６０ｂのトラック幅方向の幅は、磁気ディスク１６におけるトラックの幅ＴＷにほぼ対応している。また、主磁極６０は、ＡＢＳ４３に対してほぼ垂直に延び、トレーリング側を向いた、シールド側端面６０ｃを有している
軟磁性材料で形成されたトレーリングシールド６２は、ほぼＬ字形状に形成され、主磁極６０の先端部６０ｂにライトギャップを置いて対向する先端部６２ａと、ＡＢＳ４３から離間しているとともに主磁極６０に接続される接続部（バックギャップ部）５０とを有している。接続部５０は非導電体５２を介して主磁極６０の上部、すなわち、ＡＢＳ４３から奥側あるいは上方に離れた上部、に接続されている。
【００２３】
トレーリングシールド６２の先端部６２ａは、細長い矩形状に形成されている。トレーリングシールド６２の下端面は、スライダ４２のＡＢＳ４３に露出している。先端部６２ａのリーディング側端面（主磁極側端面）６２ｂは、ＡＢＳ４３に対してほぼ垂直に延びているとともに、磁気ディスク１６のトラックの幅方向に沿って延びている。このリーディング側端面６２ｂは、主磁極６０の下端部（先端部６０ｂおよび絞込み部６０ａの一部）において、主磁極６０のシールド側端面６０ｃとライトギャップＷＧを置いてほぼ平行に対向している。
【００２４】
図５に示すように、ＳＴＯ６５は、ライトギャップＷＧ内において、主磁極６０の先端部６０ｂとトレーリングシールド６２との間に設けられ、その一部は、ＡＢＳ４３に露出している。ＳＴＯ６５は、スピン注入層６５ａ、中間層（非磁性導電層）６５ｂ、発振層６５ｃを有し、これらの層を主磁極６０側からトレーリングシールド６２側に順に積層して、すなわち、磁気ヘッドの走行方向Ｄに沿って順に積層して、構成されている。スピン注入層６５ａは、非磁性導電層（下地層）６７ａを介して主磁極６０のシールド側端面６０ｃに接合されている。発振層６５ｃは、非磁性導電層（キャップ層）６７ｂを介してトレーリングシールド６２のリーディング側端面６２ｂに接合されている。なお、スピン注入層６５ａ、中間層６５ｂ、発振層６５ｃの積層順は、上記と逆でもよく、すなわち、トレーリングシールド６２側から主磁極６０側に順に積層してもよい。
【００２５】
スピン注入層６５ａ、中間層６５ｂ、発振層６５ｃは、ＡＢＳ４３と交差する方向、例えば、直交する方向に延びる積層面あるいは膜面をそれぞれ有している。ＳＴＯ６５の下端面は、ＡＢＳ４３に露出し、このＡＢＳ４３と面一に形成されている。ＳＴＯ６５の幅は、トラック幅ＴＷとほぼ等しく設定されている。ＳＴＯ６５の高さ、（ＡＢＳ４３に対して垂直な方向の高さ）は、トレーリングシールド６２のリーディング側端面６２ｂの高さとほぼ等しく、あるいは、それ以下に形成されている。
【００２６】
図５に示すように、ヘッド走行方向（トラック走行方向）（ＡＢＳ４３と平行で、かつ、ＳＴＯの積層面と交差する方向）Ｄに沿った発振層６５ｃの厚さは、ＡＢＳ４３から発振層６５ｃの上端（奥側端）までほぼ一定の厚さに形成されている。同様に、走行方向Ｄに沿った中間層６５ｂの層厚およびキャップ層６７ｂの層厚は、それぞれほぼ一定の厚さに形成されている。これに対して、走行方向Ｄに沿ったスピン注入層６５ａの厚さは、ＡＢＳ４３側の端部での膜厚Ｔ１よりもＡＢＳ４３から垂直方向奥側に離れた奥側部分での膜厚Ｔ２の方が厚くなっている。膜厚Ｔ２は、膜厚Ｔ１の１．１〜５倍程度に形成されていることが望ましい。
【００２７】
本実施形態において、スピン注入層６５ａのＡＢＳ４３側の下端面は、発振層６５ｃの下端面と同一平面に位置し、ＡＢＳ４３に露出している。下地層６７ａは、スピン注入層６５ａに合わせて、ＡＢＳ４３側の下端部の厚さが奥側端部の厚さよりも大きくなっている。スピン注入層６５ａの厚さは、ＡＢＳ４３側から奥側（上端側）に向かって、連続的に厚くなっていても、あるいは、段階的に厚くなっていてもよい。また、スピン注入層６５ａの厚さは、ＡＢＳ側の端部の厚さよりも上端側部分の厚さが厚くなっていればよく、スピン注入層６５ａの高さ方向中途部から上の部分は、一定の厚さに形成してもよい。
【００２８】
図３に示すように、主磁極６０およびトレーリングシールド６２は配線６６、接続端子７０、７２を介して電源７４に接続され、この電源７４から配線６６、主磁極６０、ＳＴＯ６５、トレーリングシールド６２を通して電流Ｉｏｐを直列に通電できるように電流回路が構成されている。
【００２９】
記録コイル６４は、例えば、主磁極６０とトレーリングシールド６２との間で、接続部５０の回りに巻付けられている。記録コイル６４は配線７７を介して端子７８に接続され、この端子７８に第２電源８０が接続されている。第２電源８０から記録コイル６４に供給する記録電流Ｉｗは、ＨＤＤの制御部によって制御される。磁気ディスク１６に信号を書き込む際、第２電源８０から記録コイル６４に所定の記録電流Ｉｗが供給され、主磁極６０に磁束を流し記録磁界を発生させる。
【００３０】
以上のように構成されたＨＤＤによれば、ＶＣＭ２４を駆動することにより、キャリッジアッセンブリ２２が回動し、磁気ヘッド１７は、磁気ディスク１６の所望のトラック上に移動され、位置決めされる。また、図２に示すように、磁気ヘッド１７は、磁気ディスク１６の回転によってディスク表面とＡＢＳ４３との間に生じる空気流Ｃにより浮上する。ＨＤＤの動作時、スライダ４２のＡＢＳ４３はディスク表面に対し隙間を保って対向している。この状態で、磁気ディスク１６に対して、再生ヘッド５４により記録情報の読み出しを行うとともに、記録ヘッド５８により情報の書き込みを行う。
【００３１】
情報の書き込みにおいては、図３に示すように、電源７４から主磁極６０、ＳＴＯ６５、トレーリングシールド６２に直流電流を通電し、ＳＴＯ６５から高周波磁界を発生させ、この高周波磁界を磁気ディスク１６の磁気記録層１０３に印加する。また、電源８０から記録コイル６４に交流電流を流すことにより、記録コイル６４により主磁極６０を励磁し、この主磁極６０から直下の磁気ディスク１６の記録層１０３に垂直方向の記録磁界を印加する。これにより、磁気記録層１０３に所望のトラック幅にて情報を記録する。記録磁界に高周波磁界を重畳することにより、磁気記録層１０３の磁化反転が促進し、高磁気異方性エネルギーの磁気記録を行うことができる。また、主磁極６０からトレーリングシールド６２にかけて電流を流すことにより、主磁極６０内の磁区の乱れを解消し、効率のよい磁路を導くことができ、主磁極６０の先端から発生する磁界が強くなる。
【００３２】
ＳＴＯ６５の磁化は、通常、ＡＢＳ４３側の端部よりも奥側位置（ＡＢＳから離間した位置）の方が磁化方向が一様に揃ろった良好な磁化回転がされる。このような場合には、スピン注入層のＡＢＳの奥側でＳＴＯの磁化からの反射が生じ、スピン注入層内の磁化もゆらぎはじめてしまう。しかし、本実施形態によれば、ＳＴＯ６５において、スピン注入層６５ａは、ＡＢＳ４３側端での膜厚よりもＡＢＳから離れた奥側位置での膜厚を厚くする構成である。そのため、形状異方性の効果で、スピン注入層の磁化が安定化される。これにより、発振層６５ｃ内の磁化は一様に揃って回転し易くなり、発振層の発振が良好になる。その結果、ＳＴＯ６５による、磁気ディスク１６の記録層の磁化反転エネルギーを高くすることができる。  
以上のことから、本実施形態によれば、安定した高周波アシストを実現し、高記録密度化を可能とする磁気記録ヘッドおよびこれを備えたディスク装置を提供することがきる。
【００３３】
次に、他の実施形態に係るＨＤＤの磁気記録ヘッドについて説明する。なお、以下に説明する他の実施形態において、前述した第１の実施形態と同一の部分には、同一の参照符号を付してその詳細な説明を省略し、第１の実施形態と異なる部分を中心に詳しく説明する。
【００３４】
（第２の実施形態）  
図６は、第２の実施形態に係るＨＤＤにおける磁気記録ヘッドの先端部を拡大して示すトラックセンターに沿った断面図である。本実施形態によれば、主磁極６０の先端部６０ｂにおいて、シールド側端面６０ｃのＡＢＳ４３側の端部６０ｃ２、すなわち、ライトギャップＷＧを規定する端部は、ＡＢＳ４３に近付くに従ってトレーリングシールド６２側へ接近するように、ＡＢＳ４３に垂直な方向に対して傾斜している。これにより、主磁極６０のシールド側端面６０ｃとトレーリングシールド６２のリーディング側端面６２ｂとの間のライトギャップＷＧにおいて、ＡＢＳ４３に面している部分のギャップ長ＷＧ１（ヘッド走行方向Ｄおよびトラックと平行な方向のギャップ長）よりも、ＡＢＳ４３から垂直方向上方に離れた奥側部分のギャップ長ＷＧ２の方が長くなっている。また、ＳＴＯ６５のスピン注入層６５ａのヘッド走行方向Ｄの厚さは、ＡＢＳ４３側端部の膜厚Ｔ１よりもＡＢＳ４３から離れた奥側位置での膜厚Ｔ２の方が厚く形成されている。  
なお、ギャップ長ＷＧ２は、ギャップ長ＷＧ１の１．１〜５倍程度に形成されていることが望ましい。ギャップ長ＷＧ１は、例えば、１０〜２５ｎｍ程度に形成され、ギャップ長ＷＧ２は、例えば、３０ｎｍ程度に形成される。
【００３５】
図７Ａ、図７Ｂ、図７Ｃは、本実施形態に係る記録ヘッドと、ＳＴＯ無しの記録ヘッドと、比較例に係る記録ヘッドとについて記録品質を比較して示す図である。比較例では、ＳＲＯライトギャップのギャップ長がＡＢＳ側と奥側位置とで一定で、かつ、スピン注入層の膜厚が一定の記録ヘッドと、を用いている。  
図７Ａは、トラック走行方向位置と磁界強度との関係、すなわち、記録ヘッドによって得られる磁界強度分布を、３つの記録ヘッドについて比較している。図７Ｂは、図７Ａに示す磁界分布から抽出した最大磁界強度とトレーリング端側磁界傾度との関係について、３つの記録ヘッドについて比較して示している。
【００３６】
図７Ａおよび図７Ｂから分かるように、比較例に係る記録ヘッドは、ＳＴＯ無しの記録ヘッドに対して、磁界強度の最大値が増大しているが、ライトギャップ長ＷＧ１が大きいため、最大磁界強度を示したトラック走行方向位置と、戻り磁界が最大になるトラック走行方向位置との距離ｄ１は、ＳＴＯ無しの記録ヘッドの距離ｄ２よりも広く、磁界分布のトレーリング端側の磁界傾度が十分とれていない。本実施形態に係る記録ヘッドでは、ＡＢＳ位置でのライトギャップ長ＷＧ１が奥側位置でのライトギャップ長ＷＧ２に比べて短縮しているため、最大磁界強度を示すトラック走行方向位置と、戻り磁界が最大になるトラック走行方向位置との距離ｄ２は短くなっており、磁界分布のトレーリング端側の磁界傾度が改善している。また、本実施形態に係る記録ヘッドの最大磁界強度は、ＳＴＯ無しの記録ヘッドの最大磁界強度よりも大きい。
【００３７】
図７Ｃは、記録ヘッドによるオーバーライト（OW）性能と磁化転移幅との関係を３つの記録ヘッドについて比較している。ＳＴＯ無しの記録ヘッドに比較して、本実施形態の記録ヘッドは、ＯＷ性能が向上しており、また、磁化転移幅も改善していることが分かる。磁化転移幅が改善することにより、記録分解能が向上し、線記録密度が向上する。
【００３８】
以上のように構成された第２の実施形態に係る磁気記録ヘッドおよびＨＤＤによれば、スピン注入層の膜厚を、ＡＢＳ側端での膜厚よりもＡＢＳから離れた奥側位置での膜厚を厚くすることにより、スピン注入層内の磁化をライトギャップ内の走行方向に向き易くし、スピン注入層内の磁化が安定する。スピン注入層磁化の安定化により、高周波発振層内の磁化は一様にそろって回転し易くなり、高周波発振層の発振が良好になる。これにより、記録媒体の記録層の磁化反転エネルギーを高くし、オーバーライト性能の向上を図ることができる。  
また、ＡＢＳにおけるライトギャップ長を短くすることができ、記録ヘッドの記録分解能を向上させることができる。従って、記録分解能向上とオーバーライト性能向上との両立が可能となり、磁気ディスクの線記録密度を向上させることができる。
【００３９】
（第３の実施形態）  
図８は、第３の実施形態に係るＨＤＤにおける磁気記録ヘッドの先端部を拡大して示すトラックセンターに沿った断面図である。本実施形態によれば、主磁極６０の先端部６０ｂにおいて、シールド側端面６０ｃはＡＢＳに対して垂直に延びている。ＡＢＳ４３から垂直方向上方（奥側）に離間した位置で、シールド側端面６０ｃに、リーディング側に凹の断面矩形状の凹部６１が形成されている。凹部６１は、ライトギャップＷＧに対向している、すなわち、トレーリングシールド６２のリーディング側端面６２ｂに対向している。凹部６１の底面６１ａは、シールド側端面６０ｃよりもリーディング側に離間しているとともに、トレーリングシールド６２のリーディング側端面６２ｂとほぼ平行に対向している。これにより、ライトギャップＷＧにおいて、ＡＢＳ側端のギャップ長ＷＧ１よりもＡＢＳ４３から離間した奥側位置でのギャップ長ＷＧ２（走行方向Ｄに沿った、リーディング側端面６２ｂと凹部６１の底面６１ａとの間の距離）が大きくなっている。
【００４０】
また、ＳＴＯ６５のスピン注入層６５ａのＡＢＳ４３から離間している上端側（奥側）の部分は、一部が凹部６１内に延出している。これにより、スピン注入層６５ａのヘッド走行方向Ｄの厚さは、ＡＢＳ４３側端部の膜厚Ｔ１よりもＡＢＳ４３から離れた奥側位置での膜厚Ｔ２の方が厚く形成されている。本実施形態において、スピン注入層６５ａの膜厚は、ＡＢＳ側端から上方に向かって階段状に増加している。スピン注入層６５ａは、非磁性導電層６７ａを介して、シールド側端面６０ｃおよび凹部６１の底面６１ａに接合している。  
以上のように構成された第３の実施形態においても、前述した第２の実施形態と同様の作用効果を得ることができる。
【００４１】
（第１変形例）  
図９は、第１変形例に係るＨＤＤにおける磁気記録ヘッドの先端部を拡大して示すトラックセンターに沿った断面図である。第１変形例は、前述した第３の実施形態の変形例を示している。第１変形例によれば、スピン注入層６５ａの上端部（奥側部分）は、ＳＴＯ６５の中間層６５ｂおよび発振層６５ｃの上端よりも高い位置まで延在している。この上端部は、膜厚Ｔ２で一定であり、凹部６１内に配置されている。
【００４２】
（第２変形例）
図１０は、第２変形例に係るＨＤＤにおける磁気記録ヘッドの先端部を拡大して示すトラックセンターに沿った断面図である。第２変形例は、前述した第３の実施形態の変形例を示している。凹部６１の形状は、矩形状に限らず、第２変形例のように、台形の断面形状に形成してもよい。これにより、スピン注入層６５ａの膜厚は、ＡＢＳ４３側から奥側に向かって徐々に厚くなり、その後、一定の厚い膜厚に形成されている。  
以上のように構成された第１変形例および第２変形例においても、前述した第２の実施形態と同様の作用効果を得ることができる。
【００４３】
（第４の実施形態）  
図１１は、第４の実施形態に係るＨＤＤにおける磁気記録ヘッドの先端部を拡大して示すトラックセンターに沿った断面図である。本実施形態によれば、主磁極６０の先端部６０ｂにおいて、シールド側端面６０ｃはＡＢＳに対して垂直に延びている。ＡＢＳ４３から垂直方向上方（奥側）に離間した位置で、シールド側端面６０ｃに、リーディング側に凹の断面台形の凹部６１が形成されている。凹部６１の底面６１ａは、シールド側端面６０ｃよりもリーディング側に離間しているとともに、トレーリングシールド６２のリーディング側端面６２ｂとほぼ平行に対向している。これにより、ライトギャップＷＧにおいて、ＡＢＳ側端のギャップ長ＷＧ１よりもＡＢＳ４３から離間した奥側位置でのギャップ長ＷＧ２（走行方向Ｄに沿った、リーディング側端面６２ｂと凹部６１の底面６１ａとの間の距離）が大きくなっている。
【００４４】
ＳＴＯ６５のスピン注入層６５ａは、主磁極６０の凹部６１内に設けられている。スピン注入層６５ａの上端部は、発振層６５ｃおよび中間層６５ｂの上端よりも高い位置まで延在している。また、スピン注入層６５ａの下端は、発振層６５ｃの高さ方向中間に位置し、ＡＢＳ４３から垂直方向上方に離間している。すなわち、スピン注入層６５ａは、ＡＢＳ４３側端に存在せず、ＡＢＳ４３から離間した奥側位置のみに設けられている。これにより、スピン注入層６５ａのヘッド走行方向Ｄの厚さは、ＡＢＳ４３側端の膜厚Ｔ１がゼロで、ＡＢＳ４３から離れた奥側位置での膜厚Ｔ２が厚く形成されている。
【００４５】
本実施形態において、スピン注入層６５ａは、発振層６５ｃの一部と、ここでは、上端側の約半分とだけギャップ長方向に重なって設けられている。スピン注入層６５ａの高さ方向中心位置と発振層６５ｃの高さ方向中心位置との高さ方向距離（ｈ１）は２０ｎｍ程度、発振層６５ｃの高さ方向サイズは４０ｎｍ程度に形成されている。
【００４６】
発振層６５ｃの高さ方向長さを基準に、スピン注入層６５ａと発振層６５ｃとがギャップ長方向に重なっている領域の高さ方向距離をCoverage（重なっている領域の高さ方向距離／発振層の高さ方向長さ）として定義した場合、本実施形態に係るＳＴＯ６５は、Coverage ５０%の例を示している。
【００４７】
図１２は、ＳＴＯの発振層のスピン注入効率を示している。図１２において、横軸は、スピン注入層の高さ方向中心位置と高周波発振層の高さ方向中心位置との高さ方向距離（ｈ）を示し、縦軸は、スピン注入層から反射して発振層に流入する電子スピンの注入量を、スピン注入層と発振層の全面とが重なっている場合をスピン注入効率１（１００％）として示している。また、図１２は、前述したCoverageとスピン注入効率との関係を示している。スピン注入効率がほぼ０．５（５０％）以上であれば、ＳＴＯの発振層の高周波発振が可能となる。
【００４８】
前述した第２の実施形態および第３の実施形態におけるＳＴＯ６５は、Coverage１００％であり、図１１に示した第４の実施形態におけるＳＴＯ６５はCoverage ５０％である。図１２に示すように、Coverage ５０％の第４の実施形態においても、スピン注入効率は、０．９５（９５％）であり、発振層の発振に十分なスピン注入効率がとれていることがわかる。
【００４９】
以上のことから、第４の実施形態においても、前述した第２の実施形態と同様の作用効果を得ることができる。すなわち、ＡＢＳから離れた奥側位置にスピン注入層を設け、ＡＢＳ端での膜厚をゼロ、奥側位置での膜厚を厚くすることにより、スピン注入層内の磁化がヘッド走行方向に一様に向き易くすることができる。このため、発振層の磁化回転が容易になり、良好な発振が得られる。更に、奥側位置でのギャップ長ＷＧ２よりもＡＢＳ４３でのギャップ長ＷＧ１が短い構造により、記録ヘッドの記録分解能が向上し、磁気ディスクの線記録密度が向上する。
【００５０】
（第５の実施形態）  
図１３は、第５の実施形態に係るＨＤＤにおける磁気記録ヘッドの先端部を拡大して示すトラックセンターに沿った断面図である。本実施形態によれば、主磁極６０の先端部６０ｂにおいて、シールド側端面６０ｃに形成された断面台形の凹部６１は、ＡＢＳ４３から離れた奥側位置で、かつ、ＳＴＯ６５の発振層６５ｃの上端よりも高い位置に形成されている。凹部６１の底面６１ａは、シールド側端面６０ｃよりもリーディング側に離間しているとともに、トレーリングシールド６２のリーディング側端面６２ｂとほぼ平行に対向している。これにより、ライトギャップＷＧにおいて、ＡＢＳ側端のギャップ長ＷＧ１よりもＡＢＳ４３から離間した奥側位置でのギャップ長ＷＧ２（走行方向Ｄに沿った、リーディング側端面６２ｂと凹部６１の底面６１ａとの間の距離）が大きくなっている。
【００５１】
非磁性導電層６７ａおよびスピン注入層６５ａは凹部６１内に設けられている。これにより、スピン注入層６５ａは、発振層６５ｃよりも高く位置し、ギャップ長方向において発振層６５ｃと全く重なっていない。すなわち、Coverage ０％となっている。ＳＴＯ６５の中間層６５ｂは、ＡＢＳ４３から発振層６５ｃの上端を越えてスピン注入層６５ａと対向する位置まで延びている。これにより、中間層６５ｂは発振層６５ｃの全面およびスピン注入層６５ａの全面に接合している。
【００５２】
スピン注入層６５ａは、ＡＢＳ４３側端に存在せず、ＡＢＳ４３から離間した奥側位置のみに設けられている。これにより、スピン注入層６５ａのヘッド走行方向Ｄの厚さは、ＡＢＳ４３側端の膜厚Ｔ１がゼロで、ＡＢＳ４３から離れた奥側位置での膜厚Ｔ２が厚く形成されている。
【００５３】
本実施形態において、スピン注入層６５ａの高さ方向中心位置と発振層６５ｃの高さ方向中心位置との高さ方向距離（ｈ２）は６０ｎｍ程度であり、発振層６５ｃの高さ方向サイズが４０ｎｍ程度、Coverage０％である。図１２に示すように、第５の実施形態に係るＳＴＯ６５のスピン注入効率は、０．８（８０％）であり、発振層６５ｃの発振に十分なスピン注入効率がとれていることがわかる。  
従って、第５の実施形態においても、前述した第４の実施形態と同様の作用効果を得ることができる。
【００５４】
（第６の実施形態）  
図１４は、第６の実施形態に係るＨＤＤにおける磁気記録ヘッドの先端部を拡大して示すトラックセンターに沿った断面図である。本実施形態によれば、ＳＴＯ６５のスピン注入層６５ａ、中間層（非磁性導電層）６５ｂ、発振層６５ｃは、トレーリングシールド６２側から主磁極６０側に順に積層して、すなわち、磁気ヘッドの走行方向Ｄに沿って順に積層されている。スピン注入層６５ａは、非磁性導電層（キャップ層）６７ｂを介してトレーリングシールド６２のリーディング側端面６２ｂに接合されている。発振層６５ｃは、非磁性導電層（下地層）６７ａを介して主磁極６０のシールド側端面６０ｃに接合されている。
【００５５】
主磁極６０の先端部６０ｂにおいて、シールド側端面６０ｃはＡＢＳ４３に対してほぼ垂直に延びている。また、トレーリングシールド６２のリーディング側端面６２ｂはＡＢＳ４３に対してほぼ垂直に延び、シールド側端面６０ｃとほぼ平行に対している。リーディング側端面６２ｂのＡＢＳ４３から離間した奥側部分に、トレーリング側に凹となる断面矩形状の切欠（凹部）８２形成されている。切欠８２は、ライトギャップＷＧに対向している。すなわち、切欠８２の底面８２ａは、リーディング側端面６２ｂよりもトレーリング側に離間しているとともに、主磁極６０のシールド側端面６０ｃとほぼ平行に対向している。これにより、ライトギャップＷＧにおいて、ＡＢＳ側端のギャップ長ＷＧ１よりもＡＢＳ４３から離間した奥側位置でのギャップ長ＷＧ２（走行方向Ｄに沿った、シールド側端面６０ｃと切欠８２の底面８２ａとの間の距離）が大きくなっている。
【００５６】
ＳＴＯ６５のスピン注入層６５ａのＡＢＳ４３から離間している上端側（奥側）の部分は、一部が切欠８２内に延出している。これにより、スピン注入層６５ａのヘッド走行方向Ｄの厚さは、ＡＢＳ４３側端の膜厚Ｔ１よりもＡＢＳ４３から離れた奥側位置での膜厚Ｔ２の方が厚く形成されている。本実施形態において、スピン注入層６５ａの膜厚は、ＡＢＳ４３側端から上方に向かって階段状に増加している。スピン注入層６５ａは、非磁性導電層６７ａを介して、リーディング側端面６２ｂおよび切欠８２の底面８２ａに接合している。スピン注入層６５ａは、発振層６５ｃの上端よりも上方まで延出している。
【００５７】
以上のように構成された第６の実施形態においても、前述した第２の実施形態と同様の作用効果を得ることができる。すなわち、スピン注入層のＡＢＳ端での膜厚Ｔ１よりも、ギャップ磁界強度の強いＡＢＳから離れた奥側位置でのスピン注入層の膜厚Ｔ２を厚くすることにより、スピン注入層内の磁化がヘッド走行方向に一様に向き易くすることができる。このため、発振層の磁化回転が容易になり、良好な発振が得られる。更に、奥側位置でのギャップ長ＷＧ２よりもＡＢＳ４３でのギャップ長ＷＧ１が短い構造により、記録ヘッドの記録分解能が向上し、磁気ディスクの線記録密度を向上することがでいる。
【００５８】
（第７の実施形態）  
図１５は、第７の実施形態に係るＨＤＤにおける磁気記録ヘッドの先端部を拡大して示すトラックセンターに沿った断面図である。本実施形態によれば、ＳＴＯ６５のスピン注入層６５ａ、中間層（非磁性導電層）６５ｂ、発振層６５ｃは、トレーリングシールド６２側から主磁極６０側に順に積層して、すなわち、磁気ヘッドの走行方向Ｄに沿って順に積層されている。スピン注入層６５ａは、非磁性導電層（キャップ層）６７ｂを介してトレーリングシールド６２のリーディング側端面６２ｂに接合されている。発振層６５ｃは、非磁性導電層（下地層）６７ａを介して主磁極６０のシールド側端面６０ｃに接合されている。
【００５９】
トレーリングシールド６２のリーディング側端面６２ｂはＡＢＳ４３に対してほぼ垂直に延び、シールド側端面６０ｃとほぼ平行に対している。リーディング側端面６２ｂのＡＢＳ４３から離間した奥側部分に、トレーリング側に凹となる断面矩形状の凹部あるいは切欠８２形成されている。切欠８２の底面８２ａは、リーディング側端面６２ｂよりもトレーリング側に離間しているとともに、主磁極６０のシールド側端面６０ｃとほぼ平行に対向している。これにより、ライトギャップＷＧにおいて、ＡＢＳ側端のギャップ長ＷＧ１よりもＡＢＳ４３から離間した奥側位置でのギャップ長ＷＧ２（走行方向Ｄに沿った、シールド側端面６０ｃと切欠８２の底面８２ａとの間の距離）が大きくなっている。
【００６０】
ＳＴＯ６５のスピン注入層６５ａは、トレーリングシールド６２の切欠８２内に設けられている。スピン注入層６５ａの上端部および中間層６５ｂの上端部は、発振層６５ｃの上端よりも高い位置まで延在している。スピン注入層６５ａの下端は、発振層６５ｃの高さ方向中間に位置し、ＡＢＳ４３から垂直方向上方に離間している。すなわち、スピン注入層６５ａは、ＡＢＳ４３側端に存在せず、ＡＢＳ４３から離間した奥側位置のみに設けられている。これにより、スピン注入層６５ａのヘッド走行方向Ｄの厚さは、ＡＢＳ４３側端の膜厚Ｔ１がゼロで、ＡＢＳ４３から離れた奥側位置での膜厚Ｔ２が厚く形成されている。  
以上のように構成された第７の実施形態においても、前述した第６の実施形態と同様の作用効果を得ることができる。
【００６１】
（第８の実施形態）  
図１６は、第８の実施形態に係るＨＤＤにおける磁気記録ヘッドの先端部を拡大して示すトラックセンターに沿った断面図である。本実施形態によれば、トレーリングシールド６２のリーディング側端面６２ｂに形成された切欠８２は、ＡＢＳ４３から離れた奥側位置で、かつ、ＳＴＯ６５の発振層６５ｃの上端よりも高い位置に形成されている。切欠８２の底面８２ａは、リーディング側端面６２ｂよりもトレーリング側に離間しているとともに、主磁極６０のシールド側端面６０ｃとほぼ平行に対向している。これにより、ライトギャップＷＧにおいて、ＡＢＳ側端のギャップ長ＷＧ１よりもＡＢＳ４３から離間した奥側位置でのギャップ長ＷＧ２が大きくなっている。
【００６２】
非磁性導電層６７ｂおよびスピン注入層６５ａは切欠８２内に設けられている。これにより、スピン注入層６５ａは、発振層６５ｃよりも高く位置し、ギャップ長方向において発振層６５ｃと重なっていない。すなわち、Coverage ０％となっている。ＳＴＯ６５の中間層６５ｂは、ＡＢＳ４３から発振層６５ｃの上端を越えてスピン注入層６５ａと対向する位置まで延びている。これにより、中間層６５ｂは発振層６５ｃの全面およびスピン注入層６５ａの全面に接合している。
【００６３】
スピン注入層６５ａは、ＡＢＳ４３側端に存在せず、ＡＢＳ４３から離間した奥側位置のみに設けられている。これにより、スピン注入層６５ａのヘッド走行方向Ｄの厚さは、ＡＢＳ４３側端の膜厚Ｔ１がゼロで、ＡＢＳ４３から離れた奥側位置での膜厚Ｔ２が厚く形成されている。本実施形態において、ＳＴＯ６５のスピン注入効率は、０．８程度であり、発振層６５ｃの発振に十分なスピン注入効率がとれる。  
第８の実施形態においても、前述した第６の実施形態と同様の作用効果を得ることができる。
【００６４】
（第９の実施形態）  
図１７は、第９の実施形態に係るＨＤＤにおける磁気記録ヘッドの先端部を拡大して示すトラックセンターに沿った断面図である。本実施形態によれば、主磁極６０のシールド側端面６０ｃにおいて、ＡＢＳ４３と接する下端部に切欠８４が形成されている。この切欠８４は、ＡＢＳ４３からほぼ垂直に延びる底面８４ａと、底面の上端からシールド側端面６０ｃに向かってトレーリング側へ傾斜したテーパ面８４ｂを有している。また、トレーリングシールド６２のリーディング側端面６２ｂは、ＡＢＳ４３から上方に向かってトレーリング側に傾斜し、テーパ面を形成している。これにより、主磁極６０の先端部とトレーリングシールド６２の先端部６２ａとの間に形成されたライトギャップＷＧにおいて、ＡＢＳ４３でのギャップ長ＷＧ１よりもＡＢＳ４３から離間した奥側位置でのギャップ長ＷＧ２の方が長くなっている。
【００６５】
ＳＴＯ６５は、ライトギャップＷＧ内において、主磁極６０の先端部６０ｂとトレーリングシールド６２との間に設けられ、その一部は、ＡＢＳ４３に露出している。ＳＴＯ６５は、スピン注入層６５ａ、中間層（非磁性導電層）６５ｂ、発振層６５ｃを有している。ＡＢＳ４３では、主磁極６０のシールド側端面６０ｃから、中間層６５ｂ、発振層６５ｃ、非磁性導電層６７ｂが順に積層されている。ＡＢＳ４３から上方に離間した奥側位置では、切欠８４の底面８４ａおよびテーパ面８４ｂとトレーリングシールド６２のリーディング側端面６２ｂとの間に、主磁極６０側から、非磁性導電層６７ａ、スピン注入層６５ａ、中間層６５ｂ、発振層６５ｃ、非磁性導電層６７ｂが順に積層されている。
【００６６】
非磁性導電層６７ａ、スピン注入層６５ａ、中間層６５ｂ、発振層６５ｃ、非磁性導電層６７ｂは、テーパ面８４ｂおよびリーディング側端面６２ｂの傾斜に沿って、ＡＢＳ４３から上方に向かってトレーリング側に傾斜している。また、非磁性導電層６７ａ、スピン注入層６５ａ、中間層６５ｂは、切欠８４内に形成されている。ＳＴＯ６５のスピン注入層６５ａは、トレーリングシールド６２の切欠８２内に設けられている。これにより、スピン注入層６５ａの下端は、ＡＢＳ４３から垂直方向上方に離間している。すなわち、スピン注入層６５ａは、ＡＢＳ４３側端に存在せず、ＡＢＳ４３から離間した奥側位置のみに設けられている。これにより、スピン注入層６５ａのヘッド走行方向Ｄの厚さは、ＡＢＳ４３での膜厚Ｔ１がゼロで、ＡＢＳ４３から離れた奥側位置での膜厚Ｔ２が厚く形成されている。  
上記構成の第９の実施形態によれば、主磁極６０とトレーリングシールド６２との間に発生するギャップ磁界の高さ方向奥側の強度が強くなる位置にスピン注入層６５ａが配置され、スピン注入層６５ａ内の磁化が、スピン注入層の膜面垂直方向に一様に向きやすくなっている。そのため、発振層６５ｃの磁化回転が容易になり、良好な発振が得られる。また、ＡＢＳ４３でのギャップ長ＷＧ１が奥側位置でのギャップ長ＷＧ２よりも短い構造とすることにより、記録分解能が向上し、線記録密度が向上する。
【００６７】
（第１０の実施形態）  
図１８は、第１０の実施形態に係るＨＤＤにおける磁気記録ヘッドの先端部を拡大して示すトラックセンターに沿った断面図である。本実施形態によれば、主磁極６０のシールド側端面６０ｃの下端に切欠８４が形成されている。この切欠８４により、ＡＢＳ４３から上方に向かってトレーリング側に傾斜した第１テーパ面８４ｃと、第１テーパ面の上端からＡＢＳ４３に対してほぼ垂直に延びる底面８４ａと、底面８４ａの上端からシールド側端面６０ｃに向かってトレーリング側へ傾斜した第２テーパ面８４ｂとが形成されている。また、トレーリングシールド６２のリーディング側端面６２ｂは、ＡＢＳ４３から上方に向かってトレーリング側に傾斜し、テーパ面を形成している。これにより、主磁極６０の先端部とトレーリングシールド６２の先端部６２ａとの間に形成されたライトギャップＷＧにおいて、ＡＢＳ４３でのギャップ長ＷＧ１よりもＡＢＳ４３から離間した奥側位置でのギャップ長Ｇ２の方が長くなっている。
【００６８】
ＳＴＯ６５は、ライトギャップＷＧ内において、主磁極６０の先端部６０ｂとトレーリングシールド６２との間に設けられ、その一部は、ＡＢＳ４３に露出している。ＡＢＳ４３では、主磁極６０のシールド側端面から、中間層６５ｂ、発振層６５ｃ、非磁性導電層６７ｂが順に積層されている。ＡＢＳ４３から上方に離間した奥側位置では、切欠８４の底面８４ａおよび第２テーパ面８４ｂとトレーリングシールド６２のリーディング側端面６２ｂとの間に、主磁極６０側から、非磁性導電層６７ａ、スピン注入層６５ａ、中間層６５ｂ、発振層６５ｃ、非磁性導電層６７ｂが順に積層されている。
【００６９】
非磁性導電層６７ａ、スピン注入層６５ａ、中間層６５ｂ、発振層６５ｃ、非磁性導電層６７ｂは、テーパ面８４ｂおよびリーディング側端面６２ｂの傾斜に沿って、ＡＢＳ４３から上方に向かってトレーリング側に傾斜している。また、非磁性導電層６７ａ、スピン注入層６５ａ、中間層６５ｂは、切欠８４内に形成されている。ＳＴＯ６５のスピン注入層６５ａは、トレーリングシールド６２の切欠８２内に設けられている。これにより、スピン注入層６５ａの下端は、ＡＢＳ４３から垂直方向上方に離間している。すなわち、スピン注入層６５ａは、ＡＢＳ４３側端に存在せず、ＡＢＳ４３から離間した奥側位置のみに設けられている。これにより、スピン注入層６５ａのヘッド走行方向Ｄの厚さは、ＡＢＳ４３での膜厚Ｔ１がゼロで、ＡＢＳ４３から離れた奥側位置での膜厚Ｔ２が厚く形成されている。  
第１０の実施形態においても、前述した第９の実施形態と同様の作用効果を得ることができる。
【００７０】
（第１１の実施形態）  
図１９は、第１１の実施形態に係るＨＤＤにおける磁気記録ヘッドの先端部を拡大して示すトラックセンターに沿った断面図である。本実施形態によれば、上述した第１０の実施形態と同様に、主磁極６０のシールド側端面６０ｃの下端に形成された切欠８４は、ＡＢＳ４３から上方に向かってトレーリング側に傾斜した第１テーパ面８４ｃと、第１テーパ面の上端からＡＢＳ４３に対してほぼ垂直に延びる底面８４ａと、底面８４ａの上端からシールド側端面６０ｃに向かってトレーリング側へ傾斜した第２テーパ面８４ｂとを形成している。
【００７１】
本実施形態において、ＳＴＯ６５のスピン注入層６５ａ、中間層６５ｂ、非磁性導電層６７ａは、切欠８４内に設けられ、それぞれＡＢＳ４３まで延びている。ＡＢＳ４３では、主磁極６０のシールド側端面から、非磁性導電層６７ａ、スピン注入層６５ａ、中間層６５ｂ、発振層６５ｃ、非磁性導電層６７ｂが順に積層されている。ＡＢＳ４３から上方に離間した奥側位置では、切欠８４の底面８４ａおよび第２テーパ面８４ｂとトレーリングシールド６２のリーディング側端面６２ｂとの間に、主磁極６０側から、非磁性導電層６７ａ、スピン注入層６５ａ、中間層６５ｂ、発振層６５ｃ、非磁性導電層６７ｂが順に積層されている。
【００７２】
これにより、スピン注入層６５ａのヘッド走行方向Ｄの厚さは、ＡＢＳ４３での膜厚Ｔ１よりも、ＡＢＳ４３から離れた奥側位置での膜厚Ｔ２が厚く形成されている。同時に、主磁極６０の先端部とトレーリングシールド６２の先端部６２ａとの間に形成されたライトギャップＷＧにおいて、ＡＢＳ４３でのギャップ長ＷＧ１よりもＡＢＳ４３から離間した奥側位置でのギャップ長Ｇ２の方が長くなっている。  
第１１の実施形態において、他の構成は、前述した第１０の実施形態と同一である。そして、第１１の実施形態においても、前述した第９の実施形態と同様の作用効果を得ることができる。
【００７３】
本発明は上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。
【００７４】
例えば、ヘッド部を構成する要素の材料、形状、大きさ等は、必要に応じて変更可能である。また、磁気ディスク装置において、磁気ディスクおよび磁気ヘッドの数は、必要に応じて増加可能であり、磁気ディスクのサイズも種々選択可能である。
【符号の説明】
【００７５】
１０…筺体、１２…ベース、１６…磁気ディスク、１８…スピンドルモータ、  
２２…キャリッジアッセンブリ、４２…スライダ、４３…空気支持面（ＡＢＳ）、  
４４…ヘッド部、５４…再生ヘッド、５８…記録ヘッド、６０…主磁極、  
６０ｃ…シールド側端面、６１…凹部、６２…トレーリングシールド、  
６２ｂ…リーディング側端面、６４…記録コイル、６５…スピントルク発振子、  
６５ａ…スピン注入層、６５ｂ…中間層、６５ｃ…発振層、８２…凹部、８４…切欠
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図７Ｃ】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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