(57)【要約】【課題】溝のアスペクト比が５以上であっても、焼結体に対する簡単な加工だけで済み、しかも、誘電体フィルタとした場合に、必要な結合度を得ることができる誘電体ブロック、誘電体ブロックの製造方法及び誘電体フィルタを提供する。【解決手段】第１誘電体ブロック１０Ａは、２つの主面（１２ａ及び１２ｂ）と複数の側面（１４ａ〜１４ｄ）とを有する。第１誘電体ブロック１０Ａは、１つの側面１４ａから他の側面１４ｂに向かって延びる溝１６が形成され、溝１６の最大深さをＤｍ、溝１６の最大幅をＷｍとしたとき、溝１６のアスペクト比（Ｄｍ／Ｗｍ）が５以上であり、溝１６の互いに対向する側部１６ｃが焼成面（Ａｓ−ｆｉｒｅｄ面）である。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
２つの主面と複数の側面とを有する誘電体ブロックであって、
１つの側面から他の側面に向かって延びる溝が形成され、
前記溝の最大深さをＤｍ、前記溝の最大幅をＷｍとしたとき、前記溝のアスペクト比（Ｄｍ／Ｗｍ）が５以上であり、
前記溝の互いに対向する側部が焼成面（Ａｓ−ｆｉｒｅｄ面）であることを特徴とする誘電体ブロック。
【請求項２】
請求項１記載の誘電体ブロックにおいて、
１つの前記主面において前記溝によって１つの形状が形づくられ、
前記主面上での前記溝の底部の幅をＷｂ、前記主面上での前記溝の開口部の幅をＷｔとしたとき、
０．９９≦Ｗｔ／Ｗｂ＜１．１１
であることを特徴とする誘電体ブロック。
【請求項３】
請求項１記載の誘電体ブロックにおいて、
前記１つの側面における前記溝の幅方向に沿った長さをＬ１、前記他の側面における前記溝の幅方向に沿った長さをＬ２としたとき、
０．９９≦Ｌ１／Ｌ２＜１．１１
であることを特徴とする誘電体ブロック。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の誘電体ブロックにおいて、
前記１つの側面から前記他の側面までの最短距離をＬａとしたとき、
前記溝の最大深さはＬａ／３以上、２Ｌａ／３以下であることを特徴とする誘電体ブロック。
【請求項５】
２つの主面と複数の側面とを有する誘電体ブロックの製造方法において、
少なくとも１つの貫通孔を有するセラミック成形体を作製する成形体作製工程と、
作製されたセラミック成形体を焼成して貫通孔を有するセラミック焼結体を作製する工程と、
前記セラミック焼結体の前記貫通孔の一部を開放して、複数の側面のうち、１つの側面から他の側面に向かって延びる溝が形成された誘電体ブロックを作製する工程とを有することを特徴とする誘電体ブロックの製造方法。
【請求項６】
請求項５記載の誘電体ブロックの製造方法において、
前記セラミック成形体は２つの主面と複数の側面を有し、
前記セラミック成形体の前記貫通孔は、前記複数の側面のうち、少なくとも１つの側面寄りに形成されていることを特徴とする誘電体ブロックの製造方法。
【請求項７】
請求項５記載の誘電体ブロックの製造方法において、
前記セラミック成形体は、互いに対向する第１側面及び第２側面を有し、
前記セラミック成形体の前記貫通孔は長孔形状を有し、
前記貫通孔の長手方向が、前記第１側面から前記第２側面に向かう方向であることを特徴とする誘電体ブロックの製造方法。
【請求項８】
請求項５〜７のいずれか１項に記載の誘電体ブロックの製造方法において、
前記セラミック焼結体に対する研磨加工、あるいは研削加工、あるいは研磨加工及び研削加工によって前記貫通孔の一部を開放することを特徴とする誘電体ブロックの製造方法。
【請求項９】
請求項５〜７のいずれか１項に記載の誘電体ブロックの製造方法において、
前記セラミック焼結体に対するレーザ加工によって前記貫通孔の一部を開放することを特徴とする誘電体ブロックの製造方法。
【請求項１０】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の誘電体ブロックと、
前記誘電体ブロックに形成された少なくとも２つの共振器とを有し、
前記２つの共振器は、前記溝を挟んで形成され、
前記共振器の軸方向と前記溝の深さ方向とがねじれの位置関係にあることを特徴とする誘電体フィルタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えばデュプレクサ等で使用される誘電体フィルタの構成部材の１つである誘電体ブロックと、該誘電体ブロックの製造方法と、誘電体フィルタに関する。
【背景技術】
【０００２】
溝を有する誘電体フィルタとしては、例えば特許文献１及び２に記載の誘電体フィルタがある。
【０００３】
特許文献１には、誘電体ブロックに複数の共振器を構成すると共に、共振器間に溝を形成して、その溝以外の誘電体ブロック部分で共振器間を結合させるようにした例が開示されている。
【０００４】
特許文献２には、互いに対向する第１・第２面の間を貫通し、且つ第１・第２面に直交する第３・第４面に平行な方向に列をなして配置した複数の貫通孔を有するほぼ直方体形状の誘電体ブロックを備えた例が開示されている。特に、特許文献２記載の誘電体ブロックは、第１面の隣接する２つの貫通孔形成位置の間に、第３面から第４面方向へ直線状に延びる結合調整用溝が形成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開昭６１−６２２０３号公報
【特許文献２】特開２００７−２９５０１５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、誘電体ブロックに溝を形成する方法として、従来では、第１の方法あるいは第２の方法を採用している。第１の方法は、セラミック成形体を焼成してセラミック焼結体を作製した後、セラミック焼結体に加工を施して溝を形成する。第２の方法は、セラミック成形体に加工を施して溝を形成した後、セラミック成形体を焼成することにより、溝を有する誘電体ブロックを得る。
【０００７】
第１の方法は、セラミック焼結体に形成する溝のアスペクト比（深さ／幅）が５以上であると、工数や加工時間がかかるという問題がある。
【０００８】
第２の方法は、形成する溝のアスペクト比が５以上であると、セラミック成形体の焼成時に溝の幅が大きくなり、外形形状が変形するという問題がある。特に、溝の上部の幅の広がりが顕著となる。この場合、溝を含めた外径寸法が結合に影響するため、その後に、誘電体フィルタとした場合に、必要な結合度を得ることができないという問題がある。
【０００９】
本発明はこのような課題を考慮してなされたものであり、溝のアスペクト比が５以上であっても、焼結体に対する簡単な加工だけで済み、しかも、誘電体フィルタとした場合に、必要な結合度を得ることができる誘電体ブロックを提供することを目的とする。
【００１０】
本発明の他の目的は、アスペクト比が５以上の溝を有する誘電体ブロックを工数をかけずに作製することができ、しかも、加工時間の短縮化並びに歩留まりの向上を図ることができる誘電体ブロックの製造方法を提供することにある。
【００１１】
本発明の他の目的は、共振器間の結合度を、必要な結合度に精度よく合わせ込むことができる誘電体フィルタを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
［１］  第１の本発明に係る誘電体ブロックは、２つの主面と複数の側面とを有する誘電体ブロックであって、１つの側面から他の側面に向かって延びる溝が形成され、前記溝の最大深さをＤｍ、前記溝の最大幅をＷｍとしたとき、前記溝のアスペクト比（Ｄｍ／Ｗｍ）が５以上であり、前記溝の互いに対向する側部が焼成面（Ａｓ−ｆｉｒｅｄ面）であることを特徴とする。
【００１３】
これにより、溝のアスペクト比が５以上であっても、焼結体に対する簡単な加工だけで済み、しかも、誘電体フィルタとした場合に、必要な結合度を得ることができる。溝のアスペクト比は、好ましくは、５以上５０未満である。ここで、Ａｓ−ｆｉｒｅｄ面とは、焼成後、焼結体の表面を研削加工していない未加工状態の面をいう。
【００１４】
［２］  第１の本発明において、１つの前記主面において前記溝によって１つの形状が形づくられ、前記主面上での前記溝の底部の幅をＷｂ、前記主面上での前記溝の開口部の幅をＷｔとしたとき、０．９９≦Ｗｔ／Ｗｂ＜１．１１であることが好ましい。
【００１５】
［３］  第１の本発明において、前記１つの側面における前記溝の幅方向に沿った長さをＬ１、前記他の側面における前記溝の幅方向に沿った長さをＬ２としたとき、０．９９≦Ｌ１／Ｌ２＜１．１１であることが好ましい。
【００１６】
［４］  第１の本発明において、前記１つの側面から前記他の側面までの最短距離をＬａとしたとき、前記溝の最大深さはＬａ／３以上、２Ｌａ／３以下であることが好ましい。これにより、例えば４つの共振器が結合され、且つ、両端の共振器が遮断された誘電体フィルタを容易に構成することができる。
【００１７】
［５］  第２の本発明に係る誘電体ブロックの製造方法は、２つの主面と複数の側面とを有する誘電体ブロックの製造方法において、少なくとも１つの貫通孔を有するセラミック成形体を作製する成形体作製工程と、作製されたセラミック成形体を焼成して貫通孔を有するセラミック焼結体を作製する工程と、前記セラミック焼結体の前記貫通孔の一部を開放して、複数の側面のうち、１つの側面から他の側面に向かって延びる溝が形成された誘電体ブロックを作製する工程とを有することを特徴とする。
【００１８】
これにより、アスペクト比が５以上の溝を有する誘電体ブロックを工数をかけずに作製することができ、しかも、加工時間の短縮化並びに歩留まりの向上を図ることができる。また、形成する溝のアスペクト比が５以上であっても、セラミック成形体の焼成時に溝の幅が大きくなることが回避され、外形形状の変形を防止することができる。その結果、誘電体フィルタとした場合に、必要な結合度を得ることができる。
【００１９】
［６］  第２の本発明において、前記セラミック成形体は２つの主面と複数の側面を有し、前記セラミック成形体の前記貫通孔は、前記複数の側面のうち、少なくとも１つの側面寄りに形成されていることが好ましい。
【００２０】
これにより、セラミック成形体をセラミック焼結体とした後に、貫通孔の一部を開放するための作業（例えば研磨、研削等）を短時間で行うことができ、研磨量や研削量等も少量で済ますことができる。
【００２１】
［７］  第２の本発明において、前記セラミック成形体は、互いに対向する第１側面及び第２側面を有し、前記セラミック成形体の前記貫通孔は長孔形状を有し、前記貫通孔の長手方向が、前記第１側面から前記第２側面に向かう方向であってもよい。
【００２２】
［８］  第２の本発明において、前記セラミック焼結体に対する研磨加工、あるいは研削加工、あるいは研磨加工及び研削加工によって前記貫通孔の一部を開放してもよい。
【００２３】
［９］  第２の本発明において、前記セラミック焼結体に対するレーザ加工によって前記貫通孔の一部を開放してもよい。
【００２４】
［１０］  第３の本発明に係る誘電体フィルタは、上述した第１の本発明に係る誘電体ブロックと、前記誘電体ブロックに形成された少なくとも２つの共振器とを有し、前記２つの共振器は、前記溝を挟んで形成され、前記共振器の軸方向と前記溝の深さ方向とがねじれの位置関係にあることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２５】
以上説明したように、本発明に係る誘電体ブロックによれば、溝のアスペクト比が５以上であっても、焼結体に対する簡単な加工だけで済み、しかも、誘電体フィルタとした場合に、必要な結合度を得ることができる。
【００２６】
また、本発明に係る誘電体ブロックの製造方法によれば、アスペクト比が５以上の溝を有する誘電体ブロックを工数をかけずに作製することができ、しかも、加工時間の短縮化並びに歩留まりの向上を図ることができる。
【００２７】
また、本発明に係る誘電体フィルタによれば、共振器間の結合度を、必要な結合度に精度よく合わせ込むことができる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】図１Ａは第１の実施の形態に係る誘電体ブロック（第１誘電体ブロック）を上面から見て示す平面図であり、図１Ｂは第１誘電体ブロックを示す斜視図である。
【図２】図２Ａはセラミック焼結体に形成された溝をｘ方向（セラミック焼結体の一方の側面）から見た形状の例を一部省略して示す側面図であり、図２Ｂは上記溝をｙ方向（セラミック焼結体の他の側面）から見た形状の例を示す側面図であり、図２Ｃは上記溝をｚ方向（セラミック焼結体の上面）から見た形状の例を示す平面図である。図２Ｃの二点鎖線によるたすき掛けは溝の下端の位置が任意であることを示す。
【図３】図３Ａは矩形状の溝の一例を示す平面図であり、図３Ｂは矩形状の溝の他の例を示す平面図である。
【図４】図４Ａ〜図４Ｃは溝の深さの例を示す平面図である。
【図５】図５Ａは第２の実施の形態に係る誘電体ブロック（第２誘電体ブロック）を上面から見て示す平面図であり、図５Ｂは第２誘電体ブロックを示す斜視図である。
【図６】図６Ａは第２誘電体ブロックを含む誘電体フィルタを上面から見て示す平面図であり、図６Ｂは誘電体フィルタの図６ＡにおけるＶＩＢ矢視図である。
【図７】第２誘電体ブロックを含む誘電体フィルタを示す斜視図である。
【図８】第２誘電体ブロックを含む誘電体フィルタを示す等価回路図である。
【図９】第２誘電体ブロック並びに誘電体フィルタの製造方法を示す工程図である。
【図１０】図１０Ａはセラミック成形体を上面から見て示す平面図であり、図１０Ｂはセラミック成形体を示す斜視図である。
【図１１】図１１Ａはセラミック焼結体の貫通孔の一部を開放する１つの方法を示す平面図であり、図１１Ｂはセラミック焼結体の貫通孔の一部を開放する他の方法を示す平面図である。
【図１２】図１２Ａ〜図１２Ｈはセラミック焼結体の様々な形状を示す平面図である。溝のたすき掛けの表示は溝の形状が任意であることを示す。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
以下、本発明に係る誘電体ブロック、誘電体ブロックの製造方法及び誘電体フィルタの実施の形態例を図１Ａ〜図１２Ｈを参照しながら説明する。なお、本明細書において数値範囲を示す「〜」は、その前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む意味として使用される。
【００３０】
先ず、第１の実施の形態に係る誘電体ブロック（以下、第１誘電体ブロック１０Ａと記す）は、図１Ａ及び図１Ｂに示すように、直方体状のセラミック焼結体１２にて構成され、４つの側面（第１側面１４ａ〜第４側面１４ｄ）のうち、少なくとも１つの側面（例えば第１側面１４ａ）に溝１６が形成されている。溝１６はセラミック焼結体１２の上面１２ａから下面１２ｂにかけて貫通している。
【００３１】
ここで、溝１６の形状について、図１Ｂ及び図２Ａ〜図２Ｃを参照しながら説明する。図２Ａは、図１Ｂにおいて、溝１６をｘ方向（セラミック焼結体１２の第４側面１４ｄ）から見た形状の例を示し、図２Ｂは、同じく図１Ｂにおいて、溝１６をｙ方向（セラミック焼結体１２の第１側面１４ａ）から見た形状の例を示し、図２Ｃは、同じく図１Ｂにおいて、溝１６をｚ方向（セラミック焼結体１２の上面１２ａ）から見た形状の例を示す。図２Ｃの全ての形状（Ｃ−１）〜（Ｃ−７）において、図２Ａの（Ａ−１）〜（Ａ−７）のそれぞれの組み合わせが考えられ、同じく図２Ｂの（Ｂ−１）〜（Ｂ−６）のそれぞれの組み合わせが考えられる。これらはあくまでも一例であり、その他、種々の形状が考えられる。なお、図１Ａ及び図１Ｂに示す溝１６は、図２ＡのＡ−１、図２ＢのＢ−１及び図２ＣのＣ−１で示す形状を組み合わせた形状を有する。
【００３２】
溝１６の互いに対向する側部１６ｃの全部又は一部は焼成面（Ａｓ−ｆｉｒｅｄ面）である。Ａｓ−ｆｉｒｅｄ面とは、焼成後、セラミック焼結体１２の表面に対して研磨加工や研削加工等を実施していない未加工状態の面をいう。Ａｓ−ｆｉｒｅｄ面の表面粗さＲａ（算術平均粗さ）は０．１〜１．０μｍである。
【００３３】
また、溝１６のアスペクト比（最大深さＤｍ／最大幅Ｗｍ）は５以上である。最大深さＤｍとは、図２Ａに示す各種の溝１６の形状において、溝１６の深さ方向（ｙ方向）の最大長さをいい、最大幅Ｗｍとは、図２Ｂに示す各種の溝１６の形状において、溝１６の幅方向（ｘ方向）の最大長さをいう。
【００３４】
特に、図１Ａ及び図１Ｂに示すように、セラミック焼結体１２の上面１２ａにおいて溝１６によって１つの形状、例えば矩形状が形づくられている場合は、上面１２ａ上での溝１６の底部１６ｂの幅をＷｂ、同じく上面１２ａ上での溝１６の開口部１６ａの幅をＷｔとしたとき、Ｗｔ／Ｗｂを限りなく１に近いことが好ましい。この範囲としては、０．９９≦Ｗｔ／Ｗｂ＜１．１１である。ここで、溝１６の形状が矩形状とは、図３Ａに示すように、上面１２ａから見て長方形状である場合や、図３Ｂに示すように、コーナー部分が丸まったり、円弧状となっている場合等を含む。
【００３５】
また、セラミック焼結体１２が直方体状あるいは立方体状である場合は、図１Ａに示すように、第１側面１４ａにおける溝１６の幅方向（ｘ方向）の長さをＬ１、第２側面１４ｂにおけるｘ方向の長さをＬ２としたとき、０．９９≦Ｌ１／Ｌ２＜１．１１である。
【００３６】
溝１６の最大深さＤｍは、図４Ａ〜図４Ｃに示すように、任意である。第１側面１４ａから第２側面１４ｂ（第１側面１４ａと対向する側面）までの最短距離をＬａとしたとき、図４Ａに示すように、溝１６の最大深さＤｍをＬａ／２未満にしてもよいし、図４Ｂに示すように、Ｌａ／２と同等としてもよいし、図４Ｃに示すように、Ｌａ／２よりも深くしてもよい。
【００３７】
次に、第２の実施の形態に係る誘電体ブロック（以下、第２誘電体ブロック１０Ｂと記す）並びに第２誘電体ブロック１０Ｂを用いた誘電体フィルタ２０について図５Ａ〜図７を参照しながら説明する。
【００３８】
この第２誘電体ブロック１０Ｂは、図５Ａ及び図５Ｂに示すように、上述した第１誘電体ブロック１０Ａとほぼ同じ構成を有するが、４つの貫通孔（第１貫通孔２２ａ〜第４貫通孔２２ｄ）が上面から見てコ字状に配列されている点で異なる。
【００３９】
この場合、溝１６の最大深さＤｍはＬ／３≦Ｄｍ≦２Ｌ／３としてもよい。これにより、図６Ａ〜図７に示すように、第２誘電体ブロック１０Ｂを使用して誘電体フィルタ２０を構成した場合、４つの共振器（第１共振器２４ａ〜第４共振器２４ｄ）が結合され、且つ、第１共振器２４ａと第４共振器２４ｄ間が遮断された誘電体フィルタ２０を容易に構成することができる。
【００４０】
誘電体フィルタ２０は、第２誘電体ブロック１０Ｂ（セラミック焼結体１２）の第２側面１４ｂ〜第４側面１４ｄ、溝１６の底部１６ｂ及び側部１６ｃ、下面１２ｂ並びに第１貫通孔２２ａ〜第４貫通孔２２ｄの内周面にそれぞれ導体層２６が形成されている。さらに、第１側面１４ａの第１貫通孔２２ａ寄りに第１端子２８ａが形成され、第１側面１４ａの第４貫通孔２２ｄ寄りに第２端子２８ｂが形成されている。これにより、第１貫通孔２２ａ〜第４貫通孔２２ｄに対応した部分にそれぞれ共振器（第１共振器２４ａ〜第４共振器２４ｄ）が形成される。この誘電体フィルタ２０は、図７に示すように、各共振器（第１共振器２４ａ〜第４共振器２４ｄ）の軸方向（一点鎖線ｍで示す）と溝１６の深さ方向（一点鎖線ｎで示す）とがねじれの位置関係にある。
【００４１】
また、誘電体フィルタ２０は、図８の等価回路に示すように、以下の回路構成を有する。すなわち、第１端子２８ａと該第１端子２８ａに隣接する第１共振器２４ａとが電磁界結合され、第１共振器２４ａと該第１共振器２４ａに隣接する第２共振器２４ｂとが電磁界結合される。第２共振器２４ｂと該第２共振器２４ｂに隣接する第３共振器２４ｃとが電磁界結合され、第３共振器２４ｃと該第３共振器２４ｃに隣接する第４共振器２４ｄとが電磁界結合される。第４共振器２４ｄと該第４共振器２４ｄに隣接する第２端子２８ｂとが電磁界結合される。
【００４２】
第１共振器２４ａと第４共振器２４ｄとは隣接しているが、第１共振器２４ａと第４共振器２４ｄ間に溝１６が形成され、さらに溝１６の互いに対向する側部１６ｃと底部１６ｂに導体層２６が形成されていることから、第１共振器２４ａと第４共振器２４ｄとの結合が遮断される。
【００４３】
ここで、主に第２誘電体ブロック１０Ｂ並びに該第２誘電体ブロック１０Ｂを含む誘電体フィルタ２０の製造方法について図９〜図１１Ｂを参照しながら説明する。
【００４４】
先ず、図９のステップＳ１において、図１０Ａ及び図１０Ｂに示すように、セラミック成形体３０を作製する。この場合、例えば複数枚のグリーンシート３２を積層してセラミック成形体３０を作製する。例えば各種セラミック材料を含む混合粉末に、アクリル系有機バインダー、可塑剤、トルエン及びアルコール系の溶剤を加え、アルミナ玉石で充分に混合してスラリーを調製する。その後、スラリーを用いて、例えばドクターブレード法及びプレス成形により、０．２ｍｍ〜０．５ｍｍの厚みのグリーンシート３２を作製する。各グリーンシート３２には、プレス成形によって、後に溝１６となる矩形状の貫通孔３４と、後に共振器となる４つの円形状の貫通孔３６が形成されている。矩形状及び円形状は共に上面から見た形状を示す。そして、図１０Ｂに示すように、作製したグリーンシート３２を積層して、セラミック成形体３０を作製する。
【００４５】
このセラミック成形体３０には、各グリーンシート３２の貫通孔３４が厚み方向に並んで構成される１つの矩形状の貫通孔３８が形成され、同様に、各グリーンシート３２の４つの貫通孔３６がそれぞれ厚み方向に並んで構成される４つの円形状の貫通孔（第１貫通孔２２ａ〜第４貫通孔２２ｄ）が形成される。上述の矩形状の貫通孔３８は、セラミック成形体３０の複数の側面のうち、第１側面１４ａ寄りに形成される。この貫通孔３８の長辺の方向は、第１側面１４ａから第２側面１４ｂに向かう方向である。
【００４６】
セラミック成形体３０を作製する方法としては、上述した方法のほか、ゲルキャスト法や粉末プレス法等も好ましく使用することができる。例えばゲルキャスト法は、セラミック粉末、分散媒及びゲル化剤を含むスラリーを注型し、このスラリーをゲル化させることによってセラミック成形体３０を得る。スラリーを固化させる方法としては、例えば以下の方法が挙げられる。
【００４７】
（１）  無機物粉体と共に、ゲル化剤となるポリビニルアルコール、エポキシ樹脂、フェノール樹脂等のプレポリマーを、分散剤と共に分散媒中に分散してスラリーを調製し、注型後、架橋剤により三次元的に架橋してゲル化させることにより、スラリーを固化させる。
【００４８】
（２）  反応性官能基を有する有機分散媒とゲル化剤とを化学結合させることにより、スラリーを固化させる。この方法は、本出願人の特開２００１−３３５３７１号公報に記載されている方法である。
【００４９】
その後、ステップＳ２において、セラミック成形体３０を焼成して例えば１つの矩形状の貫通孔３８と４つの円形状の貫通孔（第１貫通孔２２ａ〜第４貫通孔２２ｄ）を有するセラミック焼結体１２（図１１Ａ及び図１１Ｂ参照）を作製する。貫通孔３８は第１側面１４ａ寄りに形成されているため、貫通孔３８と第１側面１４ａとの間に薄肉部分４０（図１１Ａ及び図１１Ｂ参照）が存在することとなる。
【００５０】
その後、ステップＳ３において、セラミック焼結体１２の矩形状の貫通孔３８の一部、すなわち、薄肉部分４０を開放して、複数の側面のうち、第１側面１４ａに溝１６が形成され、４つの貫通孔（第１貫通孔２２ａ〜第４貫通孔２２ｄ）が形成された第２誘電体ブロック１０Ｂ（図５Ａ及び図５Ｂ参照）が完成する。
【００５１】
貫通孔３８の一部を開放する方法としては、以下の方法が挙げられる。
（ａ）  例えば図１１Ａに示すように、セラミック焼結体１２の第１側面１４ａ全体に対して研磨加工、あるいは研削加工、あるいは研磨加工及び研削加工を行って、薄肉部分４０を除去する。
（ｂ）  例えば図１１Ｂに示すように、第１側面１４ａ側の薄肉部分４０を研磨加工、あるいは研削加工にて除去する。レーザ加工にて薄肉部分４０を除去してもよい。
【００５２】
（ａ）の方法によって溝１６を形成した場合は、溝１６の側部１６ｃの全部が焼成面（Ａｓ−ｆｉｒｅｄ面）となる。（ｂ）の方法によって溝１６を形成した場合は、溝１６の側部１６ｃのうち、溝１６の側部１６ｃの一部（加工面を除く部分）が焼成面（Ａｓ−ｆｉｒｅｄ面）となる。
【００５３】
なお、（ａ）及び（ｂ）の方法において、研削加工にて薄肉部分４０を除去する場合、加工時間の短縮化を図ることができるが、薄肉部分４０を除去した際に、角部に欠けが生じる場合がある。研磨加工にて薄肉部分４０を除去する場合、加工時間は研削加工よりもかかるが、角部に欠けは生じにくくなる。すなわち、歩留まりの向上に寄与する。（ｂ）の方法でレーザ加工にて薄肉部分４０を除去する場合は、加工時間の短縮も図れ、角部に欠けも生じにくくなるため、好ましく採用することができる。
【００５４】
その後、ステップＳ４において、第２誘電体ブロック１０Ｂの第２側面１４ｂ〜第４側面１４ｄ、溝１６の底部１６ｂ及び側部１６ｃ、下面１２ｂ並びに第１貫通孔２２ａ〜第４貫通孔２２ｄの内周面にそれぞれ導体層２６を形成する。さらに、第１側面１４ａの第１貫通孔２２ａ寄りに第１端子２８ａを形成し、第１側面１４ａの第４貫通孔２２ｄ寄りに第２端子２８ｂを形成する。これによって、第１貫通孔２２ａ〜第４貫通孔２２ｄに対応した部分にそれぞれ共振器（第１共振器２４ａ〜第４共振器２４ｄ）が形成された誘電体フィルタ２０（図６Ａ及び図６Ｂ参照）が完成する。
【００５５】
このように、少なくとも１つの貫通孔３８を有するセラミック成形体３０を作製し、その後、セラミック成形体３０を焼成してセラミック焼結体１２を作製し、その後、セラミック焼結体１２の貫通孔３８の一部を開放するようにしたので、形成する溝１６のアスペクト比が５以上であっても、セラミック成形体３０の焼成時に溝１６の幅が大きくなることが回避され、外形形状の変形を防止することができる。その結果、誘電体フィルタ２０とした場合に、必要な結合度を得ることができる。
【００５６】
すなわち、溝１６のアスペクト比（最大深さＤｍ／最大幅Ｗｍ）として５以上、好ましくは、５以上５０未満を実現することができる。また、本実施の形態では、貫通孔３８が形成されたセラミック成形体３０を焼成して、セラミック焼結体１２とした後、貫通孔３８の一部を開放して溝１６とする。これにより、誘電体ブロックの上面において、溝１６によって矩形状が形づくられている場合は、上面上での溝１６の底部１６ｂの幅をＷｂ、同じく上面上での溝１６の開口部１６ａの幅をＷｔとしたとき、Ｗｔ／Ｗｂを限りなく１に近づけることができる。
【００５７】
セラミック成形体３０に形成される貫通孔３８が矩形状ではなく、台形状やくさび形状等の場合であっても、上述したように、外形形状の変形を防止することができることから、第１側面１４ａにおける溝１６の幅方向（ｘ方向）の長さＬ１と、第２側面１４ｂにおけるｘ方向の長さをＬ２の比（Ｌ１／Ｌ２）を限りなく１に近づけることができる。
【００５８】
また、上述した誘電体ブロックの製造方法によれば、セラミック成形体３０の第１側面１４ａ寄りに、後に溝１６となる貫通孔３８を形成するようにしたので、セラミック焼結体１２とした後に貫通孔３８の一部を開放するための作業（研磨、研削等）を短時間で行うことができ、研磨量や研削量等も少量で済ますことができる。
【００５９】
また、セラミック焼結体１２に溝１６を形成するための作業（貫通孔３８の一部を開放するための作業を除く）が不要となるため、アスペクト比が５以上の溝を有する誘電体ブロックを工数をかけずに作製することができ、しかも、加工時間の短縮化並びに歩留まりの向上を図ることができる。
【００６０】
さらに、上述した誘電体フィルタ２０によれば、セラミック成形体３０の焼成時に、外形形状の変形が防止されているため、各共振器間の結合度を、必要な結合度に精度よく合わせ込むことができる。
【００６１】
なお、第１共振器２４ａ〜第４共振器２４ｄを構成する第１貫通孔２２ａ〜第４貫通孔２２ｄの形状は、上述の例では円形状としたが、その他、三角形状、矩形状、五角形状、六角形状等の多角形でもよい。
【００６２】
また、第２誘電体ブロック１０Ｂの下面１２ｂに導体層２６を形成することで、第１共振器２４ａ〜第４共振器２４ｄをそれぞれ１／４波長共振器に適用した例を示したが、その他、第２誘電体ブロック１０Ｂの下面１２ｂに導体層２６を形成せずに、第１共振器２４ａ〜第４共振器２４ｄをそれぞれ１／２波長共振器に適用してもよい。
【００６３】
なお、本発明に係る誘電体ブロック、誘電体ブロックの製造方法及び誘電体フィルタは、上述の実施の形態に限らず、本発明の要旨を逸脱することなく、種々の構成を採り得ることはもちろんである。
【００６４】
例えば図１２Ａ〜図１２Ｈに示すように、セラミック焼結体１２として、上面から見た形状が六角形、八角形、五角形、台形、Ｔ字状等、様々な形状に対応することができる。溝１６についても任意の形状を採用することができる。
【符号の説明】
【００６５】
１０Ａ…第１誘電体ブロック            １０Ｂ…第２誘電体ブロック
１２…セラミック焼結体                １４ａ〜１４ｄ…第１側面〜第４側面
１６…溝                              １６ａ…溝の開口部
１６ｂ…溝の底部                      １６ｃ…溝の側部
２０…誘電体フィルタ
２２ａ〜２２ｄ…第１貫通孔〜第４貫通孔
２４ａ〜２４ｄ…第１共振器〜第４共振器
２６…導体層                          ２８ａ…第１端子
２８ｂ…第２端子                      ３０…セラミック成形体
３２…グリーンシート                  ３８…貫通孔
４０…薄肉部分
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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