(57)【要約】【課題】液体を基板に触れさせずに基板を切断することができる干渉フィルターの製造方法を提供する。【解決手段】干渉フィルター１２の製造方法であって、第１基板５３に設置された可動部１３ｂを囲んで第１接合面５３ｂに第１溝部５４を設置し、第２基板５５に設置された反射膜設置部１４ａを囲んで第２接合面５５ｂに第２溝部５６を設置し、第１溝部５４と第２溝部５６とが向かい合うように第１接合面５３ｂと第２接合面５５ｂとを接合し、第１溝部５４に沿って第１基板５３を切断し、第２溝部５６に沿って第２基板５５を切断する。【選択図】図１１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
構造体の製造方法であって、
第１基板に設置された第１構造体を囲んで第１面に第１溝部を設置し、
第２基板に設置された第２構造体を囲んで第２面に第２溝部を設置し、
前記第１面と前記第２面とを接合し、
前記第１溝部に沿って前記第１基板を切断し、
前記第２溝部に沿って前記第２基板を切断することを特徴とする構造体の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の構造体の製造方法であって、
前記第１溝部の深さは前記第１基板の厚みの５０％〜９５％であり、
前記第２溝部の深さは前記第２基板の厚みの５０％〜９５％であることを特徴とする構造体の製造方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載の構造体の製造方法であって、
前記第１基板を切断するときは、前記第１基板において前記第１面の反対側の面に前記第１溝部に沿ってクラックを形成し、クラックに沿って前記第１基板を切断することを特徴とする構造体の製造方法。
【請求項４】
請求項１または２に記載の構造体の製造方法であって、
前記第１基板を切断するときは、前記第１基板において前記第１面の反対側の面から前記第１溝部に沿ってレーザー光を照射し、前記第１溝部に沿って応力を加えて前記第１基板を切断することを特徴とする構造体の製造方法。
【請求項５】
第１反射膜が設置された第１基板と、
前記第１反射膜に対向する第２反射膜が設置され前記第１基板と接合された第２基板と、
前記第１反射膜と前記第２反射膜の間隔を制御する間隔制御部と、を備え、
前記第１基板と前記第２基板とが接合された接合面が位置する場所の基板の側面には前記接合面に沿って第３溝部が設置されていることを特徴とする干渉フィルター。
【請求項６】
干渉フィルターと、
内部空間を有し前記内部空間に前記干渉フィルターを収納する筐体と、
前記筐体と接続され前記内部空間を密閉する蓋部と、を備え、
前記干渉フィルターは、
第１反射膜が設置された第１基板と、
前記第１反射膜に対向する第２反射膜が設置され前記第１基板と接合された第２基板と、
前記第１反射膜と前記第２反射膜の間隔を制御する間隔制御部と、を備え、
前記第１基板と前記第２基板とが接合された接合面が位置する場所の基板の側面には前記接合面に沿って第３溝部が設置されていることを特徴とする光学モジュール。
【請求項７】
光学モジュールと、
前記光学モジュールを制御する制御部と、を備え、
前記光学モジュールは、干渉フィルターと、
内部空間を有し前記内部空間に前記干渉フィルターを収納する筐体と、
前記筐体と接続され前記内部空間を密閉する蓋部と、を備え、
前記干渉フィルターは、
第１反射膜が設置された第１基板と、
前記第１反射膜に対向する第２反射膜が設置され前記第１基板と接合された第２基板と、
前記第１反射膜と前記第２反射膜の間隔を制御する間隔制御部と、を備え、
前記第１基板と前記第２基板とが接合された接合面が位置する場所の基板の側面には前記接合面に沿って第３溝部が設置されていることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、干渉フィルター、光学モジュール、電子機器および構造体の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、入射光の中から特定の波長の光を選択して通過させる光フィルターが活用されている。そして、特定の波長の光を通過させる光フィルターが特許文献１に開示されている。それによると、光フィルターは一対の基板を対向配置し、これら基板の対向する面のそれぞれに反射膜が設置されている。この光フィルターは、対向する一対の反射膜間のギャップに応じた波長の光を選択的に取り出すことができる。反射膜間のギャップは、基板に設けられた段差の深さにより設定されていた。
【０００３】
光フィルターを構成する基板の材質は脆性材料であり、基板は剛性を有する程度の厚みがある。そこで、マザーボードに光フィルターを多数形成した後で、切断して各光フィルターに分離する。このとき、ダイサー式切断機を用いてマザーボードに液体をかけながらダイシングブレードで切断していた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−３０９１７４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
マザーボードに液体をかけて切断するとき、液体の一部が反射膜に付着する可能性がある。このとき、反射膜の反射率が低下する。そして、光フィルターが光を分離させる効率が低下する。そこで、液体をマザーボードに触れさせずにマザーボードを切断することができる構造体の製造方法が望まれていた。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上述の課題を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【０００７】
［適用例１］
本適用例にかかる構造体の製造方法は、構造体の製造方法であって、第１基板に設置された第１構造体を囲んで第１面に第１溝部を設置し、第２基板に設置された第２構造体を囲んで第２面に第２溝部を設置し、前記第１面と前記第２面とを接合し、前記第１溝部に沿って前記第１基板を切断し、前記第２溝部に沿って前記第２基板を切断することを特徴とする。
【０００８】
本適用例によれば、第１基板に第１構造体が設置され、第２基板に第２構造体が設置されている。第１構造体を囲んで第１基板の第１面に第１溝部を設置している。そして、第２構造体を囲んで第２基板の第２面に第２溝部を設置している。次に、第１面と第２面とを接合している。これにより、第１基板と第２基板とは合体して１枚の基板となる。次に、第１溝部に沿って第１基板を切断し、第２溝部に沿って第２基板を切断している。
【０００９】
第１溝部のある場所では第１基板の厚みが薄くなっているので切断され易くなっている。従って、第１基板を乾式で切断することができる。同様に、第２溝部のある場所では第２基板の厚みが薄くなっているので切断され易くなっている。従って、第２基板を乾式で切断することができる。その結果、第１基板と第２基板とが合体した基板を乾式にて切断することができる為、第１構造体及び第２構造体に液体を触れさせずに基板を切断することができる。
【００１０】
［適用例２］
上記適用例にかかる構造体の製造方法において、前記第１溝部の深さは前記第１基板の厚みの５０％〜９５％であり、前記第２溝部の深さは前記第２基板の厚みの５０％〜９５％であることを特徴とする。
【００１１】
本適用例によれば、第１溝部の深さは第１基板の厚みの５０％〜９５％である。また、第２溝部の深さは第２基板の厚みの５０％〜９５％である。このとき、第１溝部における第１基板の厚みは、第１溝部がない場所の厚みの５０％〜５％である。同様に、第２溝部における第２基板の厚みは、第２溝部がない場所の厚みの５０％〜５％である。このとき、第１基板及び第２基板は剛性を確保している為、第１基板と第２基板とを接合させることができる。そして、第１溝部で第１基板を切断するときに必要な負荷を低減することができる。同様に、第２溝部で第２基板を切断するときに必要な負荷を低減することができる。従って、第１基板と第２基板とを接合して合体した基板を容易に切断することができる。
【００１２】
［適用例３］
上記適用例にかかる構造体の製造方法において、前記第１基板を切断するときは、前記第１基板において前記第１面の反対側の面に前記第１溝部に沿ってクラックを形成し、クラックに沿って前記第１基板を切断することを特徴とする。
【００１３】
本適用例によれば、第１基板において第１面の反対側の面に第１溝部に沿ってクラックを形成し、クラックに沿って第１基板を切断している。第１面の反対側の面は第１溝部が設置された面の反対側であり、第１溝部がないので容易にクラックを形成することができる。そして、クラックに沿って第１基板を切断するとき切断される面をクラックの形状に沿って精度良く形成することができる。
【００１４】
［適用例４］
上記適用例にかかる構造体の製造方法において、前記第１基板を切断するときは、前記第１基板において前記第１面の反対側の面から前記第１溝部に沿ってレーザー光を照射し、前記第１溝部に沿って応力を加えて前記第１基板を切断することを特徴とする。
【００１５】
本適用例によれば、第１基板において第１面の反対側の面に第１溝部に沿ってレーザー光を照射し、第１溝部に沿って第１基板を切断している。第１面の反対側の面は第１溝部が設置された面の反対側であり、第１溝部がないので容易にレーザー光を照射することができる。レーザー光が照射された場所では基板が熱により改質または溶解され切断され易くなっている。そして、第１溝部に沿って応力を加えて第１基板を切断するとき切断面を第１溝部に沿って位置精度良く形成することができる。従って、第１基板の形状を位置精度良く形成することができる。
【００１６】
［適用例５］
本適用例にかかる干渉フィルターであって、第１反射膜が設置された第１基板と、前記第１反射膜に対向する第２反射膜が設置され前記第１基板と接合された第２基板と、前記第１反射膜と前記第２反射膜の間隔を制御する間隔制御部と、を備え、前記第１基板と前記第２基板とが接合された接合面が位置する場所の基板の側面には前記接合面に沿って第３溝部が設置されていることを特徴とする。
【００１７】
本適用例によれば、第１基板には第１反射膜が設置され、第２基板には第２反射膜が設置されている。第１反射膜と第２反射膜とは互いに対向する場所に設置されている。そして、間隔制御部が第１反射膜と第２反射膜との間隔を制御する。これにより、干渉フィルターは第１反射膜と第２反射膜との間で反射する光の波長を制御することができる。
【００１８】
第１基板と第２基板とが接合面で接合され１枚の基板になっている。そして、基板の側面には接合面に沿って第３溝部が設置されている。第３溝部がある場所では第１基板及び第２基板の厚みが薄くなっている。従って、第１基板及び第２基板を乾式で切断することができる。その結果、第１基板と第２基板とが合体した基板を乾式にて切断することができる為、第１反射膜及び第２反射膜に液体を触れさせずに基板を切断することができる。
【００１９】
［適用例６］
本適用例にかかる光学モジュールであって、干渉フィルターと、内部空間を有し前記内部空間に前記干渉フィルターを収納する筐体と、前記筐体と接続され前記内部空間を密閉する蓋部と、を備え、前記干渉フィルターは、第１反射膜が設置された第１基板と、前記第１反射膜に対向する第２反射膜が設置され前記第１基板と接合された第２基板と、前記第１反射膜と前記第２反射膜の間隔を制御する間隔制御部と、を備え、前記第１基板と前記第２基板とが接合された接合面が位置する場所の基板の側面には前記接合面に沿って第３溝部が設置されていることを特徴とする。
【００２０】
本適用例によれば、光学モジュールは筐体と蓋部とで密閉された内部空間を有し、内部空間には干渉フィルターが設置されている。干渉フィルターでは第１反射膜と第２反射膜とが互いに対向する場所に設置されている。そして、間隔制御部が第１反射膜と第２反射膜との間隔を制御する。これにより、干渉フィルターは第１反射膜と第２反射膜との間で反射する光の波長を制御することができる。
【００２１】
そして、干渉フィルターは第１基板と第２基板とが接合面で接合され、接合された基板の側面には接合面に沿って第３溝部が設置されている。これにより、第３溝部がある場所では第１基板及び第２基板の厚みが薄くなっている。そして、第１基板と第２基板とが合体した基板を乾式にて切断することができる為、第１反射膜及び第２反射膜に液体を触れさせずに基板を切断することができる。従って、光学モジュールは第１反射膜及び第２反射膜に液体を触れさせずに基板が切断された干渉フィルターを備えたモジュールとすることができる。
【００２２】
［適用例７］
本適用例にかかる電子機器であって、光学モジュールと、前記光学モジュールを制御する制御部と、を備え、前記光学モジュールは、干渉フィルターと、内部空間を有し前記内部空間に前記干渉フィルターを収納する筐体と、前記筐体と接続され前記内部空間を密閉する蓋部と、を備え、前記干渉フィルターは、第１反射膜が設置された第１基板と、前記第１反射膜に対向する第２反射膜が設置され前記第１基板と接合された第２基板と、前記第１反射膜と前記第２反射膜の間隔を制御する間隔制御部と、を備え、前記第１基板と前記第２基板とが接合された接合面が位置する場所の基板の側面には前記接合面に沿って第３溝部が設置されていることを特徴とする。
【００２３】
本適用例によれば、電子機器は光学モジュールと、光学モジュールを制御する制御部と、を備えている。そして、光学モジュールは筐体と蓋部とで密閉された内部空間を有し、内部空間には干渉フィルターが設置されている。干渉フィルターでは第１反射膜と第２反射膜とが互いに対向する場所に設置されている。そして、間隔制御部が第１反射膜と第２反射膜との間隔を制御する。これにより、干渉フィルターは第１反射膜と第２反射膜との間で反射する光の波長を制御することができる。
【００２４】
そして、干渉フィルターは第１基板と第２基板とが接合面で接合され、接合された基板の側面には接合面に沿って第３溝部が設置されている。これにより、第３溝部がある場所では第１基板及び第２基板の厚みが薄くなっている。そして、第１基板と第２基板とが合体した基板を乾式にて切断することができる為、第１反射膜及び第２反射膜に液体を触れさせずに基板を切断することができる。従って、光学モジュールは第１反射膜及び第２反射膜に液体を触れさせずに基板が切断された干渉フィルターを備えている。その結果、電子機器は第１反射膜及び第２反射膜に液体を触れさせずに基板が切断された干渉フィルターを備えた機器とすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】第１の実施形態にかかわり、（ａ）及び（ｂ）は光学モジュールの構造を示す概略斜視図。
【図２】（ａ）は光学モジュールの構造を示す模式平面図、（ｂ）及び（ｃ）は光学モジュールの構造を示す模式側断面図。
【図３】（ａ）は干渉フィルターの構造を示す模式側断面図、（ｂ）は可動基板の構造を示す模式平面図、（ｃ）は固定基板の構造を示す模式平面図。
【図４】（ａ）及び（ｃ）は、溝部の構造を示す要部拡大図、（ｂ）は、干渉フィルターの構造を示す模式側断面図。
【図５】制御部の電気制御ブロック図。
【図６】干渉フィルターの製造方法を示すフローチャート。
【図７】干渉フィルターの製造方法を説明するための模式図。
【図８】干渉フィルターの製造方法を説明するための模式図。
【図９】干渉フィルターの製造方法を説明するための模式図。
【図１０】干渉フィルターの製造方法を説明するための模式図。
【図１１】干渉フィルターの製造方法を説明するための模式図。
【図１２】第２の実施形態にかかわり、（ａ）及び（ｂ）は干渉フィルターの製造方法を説明するための模式図。
【図１３】第３の実施形態にかかわり、（ａ）及び（ｂ）は光学モジュールの構造を示す要部模式側断面図。
【図１４】第４の実施形態にかかわる測色装置の構成を示すブロック図。
【図１５】第５の実施形態にかかわるガス検出装置の構成を示す模式正面図。
【図１６】ガス検出装置の制御系の構成を示すブロック図。
【図１７】第６の実施形態にかかわる食物分析装置の構成を示すブロック図。
【図１８】第７の実施形態にかかわる分光カメラの構成を示す概略斜視図。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
以下、実施形態について図面に従って説明する。尚、各図面における各部材は、各図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各部材毎に縮尺を異ならせて図示している。
【００２７】
（第１の実施形態）
本実施形態では、特徴的な構造を有する光学モジュールと、この光学モジュールの製造方法について図１〜図１１に従って説明する。まず、光学モジュールについて図１〜図５に従って説明する。図１（ａ）及び図１（ｂ）は光学モジュールの構造を示す概略斜視図である。図１（ａ）は光学モジュールの第１蓋体側から見た図であり、図１（ｂ）は光学モジュールの第２蓋体側から見た図である。図１（ａ）に示すように、光学モジュール１は略直方体の形状となっている。光学モジュール１の図中下方向をＺ方向とし、Ｚ方向と直交する２方向をＸ方向及びＹ方向とする。Ｘ方向、Ｙ方向、Ｚ方向はそれぞれ光学モジュール１の辺に沿う方向であり、直交する方向となっている。
【００２８】
光学モジュール１は有底角筒状の筐体２を備え、筐体２の−Ｚ方向側には円形の第１孔２ａが形成されている。そして、第１孔２ａを塞ぐように第１蓋体３が設置されている。筐体２と第１蓋体３とは第１の低融点ガラス４により接合されている。筐体２において−Ｚ方向側の面には第１端子５、第２端子６、第３端子７、第４端子８が設置されている。筐体２のＺ方向側には蓋部としての第２蓋体９が設置され、筐体２と第２蓋体９とは第２の低融点ガラス１０により接合されている。
【００２９】
図１（ｂ）に示すように、筐体２のＺ方向には四角形の第２孔２ｂが形成されている。第２孔２ｂは第１孔２ａより大きな孔となっている。そして、第２孔２ｂを塞ぐように第２蓋体９が設置されている。筐体２、第１蓋体３及び第２蓋体９に囲まれた内部空間１１は密閉された空間であり、内部空間１１には干渉フィルター１２が設置されている。
【００３０】
図２（ａ）は光学モジュールの構造を示す模式平面図であり、光学モジュール１をＺ方向側から見た図である。図２（ａ）は第２蓋体９を除いた図となっている。図２（ｂ）は光学モジュールの構造を示す模式側断面図であり、図２（ａ）のＡ−Ａ線に沿う断面側から見た図である。図２（ｃ）は光学モジュールの構造を示す模式側断面図であり、図２（ａ）のＢ−Ｂ線に沿う断面から見た図である。図２に示すように、筐体２の底面２ｃに干渉フィルター１２が設置され、干渉フィルター１２は第１基板としての可動基板１３と第２基板としての固定基板１４とが接合され重なった構造となっている。
【００３１】
可動基板１３はＸ方向側の端に第１端子１５、第２端子１６、第３端子１７、第４端子１８が設置されている。Ｘ方向側の底面２ｃには第１端子２２、第２端子２３、第３端子２４、第４端子２５が設置されている。第１端子１５は第１端子２２と金線２６により接続され、第２端子１６は第２端子２３と金線２６により接続されている。さらに、第３端子１７は第３端子２４と金線２６により接続され、第４端子１８は第４端子２５と金線２６により接続されている。
【００３２】
筐体２には貫通電極２７が設置され、第１端子２２は第１端子５と貫通電極２７により接続されている。同様に、第２端子２３は第２端子６と貫通電極２７により接続され、第３端子２４は第３端子７と貫通電極２７により接続されている。さらに、第４端子２５は第４端子８と貫通電極２７により接続されている。つまり、第１端子１５は第１端子５と接続され、第２端子１６は第２端子６と接続されている。そして、第３端子１７は第３端子７と接続され、第４端子１８は第４端子８と接続されている。
【００３３】
第１端子５〜第４端子８は制御部としての電圧制御部２１と接続されている。電圧制御部２１は第１端子５〜第４端子８、貫通電極２７、第１端子２２〜第４端子２５及び金線２６を介して第１端子１５〜第４端子１８の電圧を制御する。
【００３４】
第１蓋体３及び第２蓋体９は光透過性を有するガラスによって形成されている。可動基板１３及び固定基板１４の材料にはソーダガラス、結晶性ガラス、石英ガラス、鉛ガラス、カリウムガラス、ホウケイ酸ガラス、無アルカリガラス等の各種ガラスや、水晶等を用いることができる。従って、第１蓋体３、干渉フィルター１２、第２蓋体９を光２８が通過することが可能になっている。筐体２の材質は第１蓋体３及び第２蓋体９と線膨張係数が近い材質であれば良く特に限定されないが、本実施形態では例えば、筐体２の材質にセラミックを用いている。
【００３５】
可動基板１３のＸ方向且つＹ方向側の角では固定部２９が設置され、固定部２９により可動基板１３は端部の側面にて筐体２の側壁部２ｄに固定されている。固定部２９は、例えば、エポキシ系やシリコーン系の接着剤にて構成されている。
【００３６】
筐体２と干渉フィルター１２とは固定部２９により１か所で固定されている。−Ｘ方向側と−Ｙ方向側では干渉フィルター１２の側面と筐体２の内側の側壁部２ｄとが接している。これにより、筐体２に対する干渉フィルター１２の位置が固定されている。底面２ｃと可動基板１３との間には隙間があっても良いが、隙間が無い方が好ましい。可動基板１３と底面２ｃとが擦れることにより振動を減衰させやすくすることができる。
【００３７】
図３（ａ）は干渉フィルターの構造を示す模式側断面図であり、Ｙ方向から見た図である。図３（ｂ）は可動基板の構造を示す模式平面図であり、図３（ｃ）は固定基板の構造を示す模式平面図である。図３（ａ）に示すように、干渉フィルター１２では可動基板１３と固定基板１４とが接合膜３０により接合されている。接合膜３０には例えば、シロキサンを主成分とするプラズマ重合膜等により構成された膜を用いることができる。接合された可動基板１３及び固定基板１４を基板としての接合基板３１とする。可動基板１３において接合膜３０と接する面を接合面としての第１接合面１３ｆとし、固定基板１４において接合膜３０と接する面を接合面としての第２接合面１４ｆとする。固定基板１４のＺ方向側の面にはアパーチャー３２が設置されている。
【００３８】
アパーチャー３２は例えばＣｒ等の非透光性部材の膜である。アパーチャー３２は円環状であり、環内周径は干渉フィルター１２が光干渉する光２８の有効径に設定されている。これにより、アパーチャー３２は光学モジュール１に入射した光２８を所定の範囲に限定して絞ることができる。
【００３９】
図３（ａ）及び図３（ｂ）に示すように、Ｚ方向から見た平面視で可動基板１３には中央を囲む円環状の円環溝１３ａが設置されている。円環溝１３ａに囲まれた円柱状の部分を第１構造体としての可動部１３ｂとする。可動部１３ｂの周囲に位置し円環溝１３ａにより薄くなっている部分を保持部１３ｃとする。保持部１３ｃは厚みが薄いので変形し易くなっている。これにより、可動部１３ｂは容易にＺ方向に移動することが可能になっている。可動基板１３は厚みが例えば６００μｍに形成されるガラス基材を加工することで形成されている。可動基板１３の側面において第１接合面１３ｆが位置する場所には全周に渡って第３溝部としての側面溝部１３ｄが設置されている。
【００４０】
可動部１３ｂには＋Ｚ方向側の面に第１反射膜としての可動反射膜３３及び可動電極３４が設置されている。可動反射膜３３は略円形の膜であり、第３端子１７と接続されている。第３端子１７は筐体２の第３端子７と接続されているので、可動反射膜３３は第３端子７と接続されている。
【００４１】
接合基板３１の−Ｘ方向側の面では固定基板１４において第３溝部としての側面溝部１４ｄより突出した側面１４ｅが筐体２の側壁部２ｄと接触する。そして、接合基板３１の＋Ｘ方向側の面では可動基板１３において側面溝部１３ｄより突出した側面１３ｅ及び側面溝部１３ｄと筐体２の側壁部２ｄとの間に固定部２９が設置される。
【００４２】
可動電極３４は可動反射膜３３の周囲に位置し円環状に可動反射膜３３を囲んでいる。可動電極３４は円環状の＋Ｘ方向側が分断され、分断された場所に可動反射膜３３の一部が設置されている。可動電極３４は第２端子１６と接続されている。第２端子１６は筐体２の第２端子６と接続されているので、可動電極３４は第２端子６と接続されている。
【００４３】
図３（ａ）及び図３（ｃ）に示すように、−Ｚ方向から見た平面視で固定基板１４の中央には円柱状に−Ｚ方向に突出する第２構造体としての反射膜設置部１４ａが設置されている。反射膜設置部１４ａの周囲には円環状に凹んだ電極設置溝１４ｂが設置されている。さらに、電極設置溝１４ｂは＋Ｘ方向側に延び固定基板１４の外周にまで延在している。従って、干渉フィルター１２は電極設置溝１４ｂが開口している。固定基板１４は厚みが例えば６００μｍに形成されたガラス基材を加工することで形成されている。固定基板１４の側面において第２接合面１４ｆが位置する場所には全周に渡って側面溝部１４ｄが設置されている。
【００４４】
反射膜設置部１４ａには−Ｚ方向側の面に第２反射膜としての固定反射膜３５が設置されている。固定反射膜３５は略円形の膜であり固定反射膜３５のＸ方向側に位置する反射膜端子３６と接続されている。固定反射膜３５の周囲では電極設置溝１４ｂに固定電極３７が設置されている。固定電極３７は固定反射膜３５の周囲に位置し円環状に固定反射膜３５を囲んでいる。固定電極３７は円環状の−Ｘ方向側が分断され、分断された場所に固定反射膜３５の一部が設置されている。固定電極３７は固定電極端子３８と接続されている。
【００４５】
反射膜端子３６と第４端子１８との間にはバンプ電極４１が設置され、バンプ電極４１により反射膜端子３６は第４端子１８と接続されている。第４端子１８は筐体２の第４端子８と接続されているので、固定反射膜３５は第４端子８と接続されている。同様に、固定電極端子３８と第１端子１５との間にはバンプ電極４１が設置され、バンプ電極４１により固定電極端子３８は第１端子１５と接続されている。第１端子１５は筐体２の第１端子５と接続されているので、固定電極３７は第１端子５と接続されている。
【００４６】
可動反射膜３３及び固定反射膜３５の材質には、例えばＡｇ等の金属膜や、Ａｇ合金等の合金膜を用いることができる。また、可動反射膜３３及び固定反射膜３５の材質には、例えば高屈折層をＴｉＯ2、低屈折層をＳｉＯ2とした誘電体多層膜を用いてもよい。さらに、誘電体多層膜上に金属膜（または合金膜）を積層した反射膜や、金属膜（または合金膜）上に誘電体多層膜を積層した反射膜、単層の屈折層（ＴｉＯ2やＳｉＯ2等）と金属膜（または合金膜）とを積層した反射膜等を用いてもよい。
【００４７】
可動電極３４と固定電極３７とは円環状の部分が対向して設置されている。そして、電圧制御部２１が、第２端子６と第１端子５との間に所定のステップ電圧を印加する。これにより、可動電極３４と固定電極３７との間に静電引力が発生する。静電引力により保持部１３ｃが撓むことで、可動部１３ｂが固定基板１４側に変位し、反射膜間ギャップ４２を所望の寸法に設定することが可能となる。可動電極３４、固定電極３７及び保持部１３ｃ等により間隔制御部としての静電アクチュエーター４３が構成されている。
【００４８】
可動反射膜３３及び固定反射膜３５は干渉フィルター１２に入射する光２８の一部を反射し一部を透過する。可動反射膜３３と固定反射膜３５との間で多重反射が生じ、位相の合う光２８は光２８が進行する方向に透過して進行する。電圧制御部２１が反射膜間ギャップ４２を制御することにより干渉フィルター１２は所定の波長の光２８を透過させることができる。
【００４９】
可動反射膜３３及び固定反射膜３５は電圧制御部２１に接続されている。電圧制御部２１は可動反射膜３３の電位を固定反射膜３５の電位と同じ電位にする。これにより、電圧制御部２１は可動反射膜３３と固定反射膜３５との間に静電引力が作用しないようにしている。従って、電圧制御部２１は反射膜間ギャップ４２を精度良く制御することができる。
【００５０】
さらに、電圧制御部２１は可動反射膜３３と固定反射膜３５との間の静電容量を測定することにより反射膜間ギャップ４２を推定する機能も備えている。
【００５１】
図４（ａ）は、溝部の構造を示す要部拡大図である。図４（ａ）に示すように、固定基板１４には側面溝部１４ｄが設置されている。固定基板１４の厚みを固定基板厚み４４とする。固定基板１４の厚み方向における側面溝部１４ｄの長さを固定板溝深さ４５とする。固定板溝深さ４５は固定基板厚み４４の５０％〜９５％になっている。さらには、固定板溝深さ４５は固定基板厚み４４の６５％〜９５％が好ましい。さらには、固定板溝深さ４５は固定基板厚み４４の８０％〜９５％が好ましい。
【００５２】
同様に、可動基板１３には側面溝部１３ｄが設置されている。可動基板１３の厚みを可動基板厚み４６とする。可動基板１３の厚み方向における側面溝部１３ｄの長さを可動板溝深さ４７とする。可動板溝深さ４７は可動基板厚み４６の５０％〜９５％になっている。さらには、可動板溝深さ４７は可動基板厚み４６の６５％〜９５％が好ましい。さらには、可動板溝深さ４７は可動基板厚み４６の８０％〜９５％が好ましい。
【００５３】
このとき、可動基板１３及び固定基板１４は剛性を確保している為、可動基板１３と固定基板１４とを接合させることができる。そして、側面溝部１３ｄで可動基板１３を切断するときに必要な負荷を低減することができる。同様に、側面溝部１４ｄで固定基板１４を切断するときに必要な負荷を低減することができる。従って、可動基板１３と固定基板１４とを接合して合体した接合基板３１を容易に切断することができる。
【００５４】
図４（ｂ）は、干渉フィルターの構造を示す模式側断面図であり、Ｘ方向から見た図である。図４（ｂ）に示すように、固定基板１４の＋Ｙ方向側の側面及び−Ｙ方向側の側面にも側面溝部１４ｄが設置されている。可動基板１３の＋Ｙ方向側の側面及び−Ｙ方向側の側面にも第１接合面１３ｆが位置する場所に側面溝部１３ｄが設置されている。＋Ｙ方向側の側面では側面溝部１３ｄの＋Ｙ方向側を向く面と側面溝部１４ｄの＋Ｙ方向側を向く面とが略同じ平面上に配置されている。同様に、−Ｙ方向側の側面では側面溝部１３ｄの−Ｙ方向側を向く面と側面溝部１４ｄの−Ｙ方向側を向く面とが略同じ平面上に配置されている。
【００５５】
接合基板３１の−Ｙ方向側の面では固定基板１４において側面溝部１４ｄより突出した側面１４ｅが筐体２の側壁部２ｄと接触する。さらに、可動基板１３において側面溝部１３ｄより突出した側面１３ｅが筐体２の側壁部２ｄと接触する。そして、接合基板３１の＋Ｙ方向側の面では可動基板１３において側面溝部１３ｄより突出した側面１３ｅ及び側面溝部１３ｄと筐体２の側壁部２ｄとの間に固定部２９が設置される。
【００５６】
図４（ｃ）は、溝部の構造を示す要部拡大図である。図４（ｃ）に示すように、固定基板１４の＋Ｙ方向側の側面及び−Ｙ方向側の側面においても固定板溝深さ４５は固定基板厚み４４の５０％〜９５％になっている。さらには、固定板溝深さ４５は固定基板厚み４４の６５％〜９５％が好ましい。さらには、固定板溝深さ４５は固定基板厚み４４の８０％〜９５％が好ましい。同様に、可動基板１３の＋Ｙ方向側の側面及び−Ｙ方向側の側面においても可動板溝深さ４７は可動基板厚み４６の５０％〜９５％になっている。さらには、可動板溝深さ４７は可動基板厚み４６の６５％〜９５％が好ましい。さらには、可動板溝深さ４７は可動基板厚み４６の８０％〜９５％が好ましい。
【００５７】
図５は制御部の電気制御ブロック図である。図５に示すように、電圧制御部２１には第１スイッチ４８、第２スイッチ４９の２個のスイッチと第１スイッチ４８及び第２スイッチ４９を制御するスイッチ制御部５０とが設置されている。各スイッチは２回路２接点スイッチの形態となっている。第１スイッチ４８は第１可動切片４８ａ、第２可動切片４８ｂ、第１接点４８ｃ、第２接点４８ｄ、第３接点４８ｅ及び第４接点４８ｆを備えている。
【００５８】
第１可動切片４８ａ及び第２可動切片４８ｂは共に接地されている。第１接点４８ｃは孤立し接続されていない接点である。第２接点４８ｄは第４端子８を介して固定反射膜３５と接続されている。第１可動切片４８ａは第１接点４８ｃ及び第２接点４８ｄの一方と導通する。同様に、第３接点４８ｅは孤立し接続されていない接点である。第４接点４８ｆは第３端子７を介して可動反射膜３３と接続されている。第２可動切片４８ｂは第３接点４８ｅ及び第４接点４８ｆの一方と導通する。
【００５９】
第１可動切片４８ａと第２可動切片４８ｂとは連動しスイッチ制御部５０に制御される。スイッチ制御部５０が第１可動切片４８ａを第１接点４８ｃと導通させて第２可動切片４８ｂを第３接点４８ｅと導通させるとき、第１スイッチ４８では固定反射膜３５が第１可動切片４８ａと切断され、可動反射膜３３が第２可動切片４８ｂと切断された状態となる。一方、スイッチ制御部５０が第１可動切片４８ａを第２接点４８ｄと導通させて第２可動切片４８ｂを第４接点４８ｆと導通させるとき、第１スイッチ４８では可動反射膜３３及び固定反射膜３５が接地された状態となる。従って、スイッチ制御部５０は可動反射膜３３及び固定反射膜３５を短絡させて且つ接地させるか開放するかを制御することができる。
【００６０】
第２スイッチ４９は第１可動切片４９ａ、第２可動切片４９ｂ、第１接点４９ｃ、第２接点４９ｄ、第３接点４９ｅ及び第４接点４９ｆを備えている。第１可動切片４９ａ及び第２可動切片４９ｂは距離検出部５１と接続されている。第１接点４９ｃは第４端子８を介して固定反射膜３５と接続されている。第２接点４９ｄは孤立し接続されていない接点である。第１可動切片４９ａは第１接点４９ｃ及び第２接点４９ｄの一方と導通する。同様に、第３接点４９ｅは第３端子７を介して可動反射膜３３と接続されている。第４接点４９ｆは孤立し接続されていない接点である。第２可動切片４９ｂは第３接点４９ｅ及び第４接点４９ｆの一方と導通する。距離検出部５１は可動反射膜３３と固定反射膜３５との間の電気容量を測定することにより可動反射膜３３と固定反射膜３５との間の距離を検出する機能を有する。
【００６１】
干渉フィルター１２は第３端子７及び第４端子８の外部端子を備えている。そして、第３端子７及び第４端子８の外部端子を用いて距離検出部５１が可動反射膜３３と固定反射膜３５との間の距離を検出することが可能になっている。
【００６２】
第１可動切片４９ａと第２可動切片４９ｂとは連動しスイッチ制御部５０に制御される。スイッチ制御部５０が第１可動切片４９ａを第１接点４９ｃと導通させて第２可動切片４９ｂを第３接点４９ｅと導通させるとき、第２スイッチ４９では可動反射膜３３及び固定反射膜３５が距離検出部５１と接続される。一方、スイッチ制御部５０が第１可動切片４９ａを第２接点４９ｄと導通させて第２可動切片４９ｂを第４接点４９ｆと導通させるとき、第２スイッチ４９では可動反射膜３３及び固定反射膜３５が距離検出部５１と切断される。従って、スイッチ制御部５０は可動反射膜３３及び固定反射膜３５を距離検出部５１に接続させるか接地させるかを制御することができる。
【００６３】
電圧制御部２１が反射膜間ギャップ４２を検出するとき、まず、スイッチ制御部５０が第１スイッチ４８及び第２スイッチ４９を切り替える。第１スイッチ４８ではスイッチ制御部５０が第１可動切片４８ａを第１接点４８ｃと接触させる。さらに、スイッチ制御部５０は第２可動切片４８ｂを第３接点４８ｅと接触させる。さらに、第２スイッチ４９ではスイッチ制御部５０が第１可動切片４９ａを第１接点４９ｃと接触させる。さらに、スイッチ制御部５０は第２可動切片４９ｂを第３接点４９ｅと接触させる。これにより、可動反射膜３３及び固定反射膜３５はそれぞれ距離検出部５１と接続される。そして、距離検出部５１は可動反射膜３３及び固定反射膜３５に通電して可動反射膜３３と固定反射膜３５との間の電気容量を測定する。これにより、距離検出部５１は反射膜間ギャップ４２を検出する。
【００６４】
距離検出部５１が反射膜間ギャップ４２を測定しないとき、第１スイッチ４８ではスイッチ制御部５０が第１可動切片４８ａを第２接点４８ｄと接触させる。さらに、スイッチ制御部５０は第２可動切片４８ｂを第４接点４８ｆと接触させる。第２スイッチ４９ではスイッチ制御部５０は第１可動切片４９ａを第２接点４９ｄと接触させる。さらに、スイッチ制御部５０は第２可動切片４９ｂを第４接点４９ｆと接触させる。これにより、可動反射膜３３及び固定反射膜３５はそれぞれ接地され、互いに導通する。
【００６５】
可動反射膜３３と固定反射膜３５との間には水分子や酸素分子等の分子が移動し、分子同士が衝突しあう。このとき、各分子に静電気が生ずることがある。そして、静電気をもつ分子が可動反射膜３３及び固定反射膜３５に接触するとき可動反射膜３３及び固定反射膜３５が帯電する。静電気により可動反射膜３３と固定反射膜３５との間で電圧差が生じるとき、可動反射膜３３と固定反射膜３５との間に静電気力が生じる。これにより反射膜間ギャップ４２が変動する。反射膜間ギャップ４２が変動することにより干渉フィルター１２を通過する光の波長が変動する。そこで、スイッチ制御部５０が所定の時間間隔にて可動反射膜３３及び固定反射膜３５を接地する。これにより、可動反射膜３３及び固定反射膜３５の静電気が除去される為反射膜間ギャップ４２を精度良く制御することができる。
【００６６】
尚、第１スイッチ４８及び第２スイッチ４９はトランジスター等の半導体により構成されたスイッチング素子を用いても良く電磁スイッチでも良い。電流が小さいときには半導体により構成されたスイッチング素子を用いる方が製造し易く耐久性があり好ましい。本実施形態では、例えば、第１スイッチ４８及び第２スイッチ４９は半導体により構成されたスイッチング素子を用いている。
【００６７】
電圧制御部２１には電圧制御部５２が設置され、電圧制御部５２には可動電極３４及び固定電極３７が電気的に接続されている。電圧制御部５２は可動電極３４及び固定電極３７に印加する電圧を制御することにより反射膜間ギャップ４２を制御することが可能になっている。電圧制御部５２が反射膜間ギャップ４２を所定の間隔に変更する。そして、光２８が干渉フィルター１２に入射される。光２８は可動反射膜３３と固定反射膜３５との間で多重反射し、反射膜間ギャップ４２の寸法に応じた波長の光が干渉フィルター１２を通過する。従って、電圧制御部５２が反射膜間ギャップ４２を制御することにより干渉フィルター１２を通過する光２８の波長を制御することが可能になっている。
【００６８】
次に、干渉フィルター１２の製造方法について説明する。図６は干渉フィルターの製造方法を示すフローチャートであり、図７〜図１１は干渉フィルターの製造方法を説明するための模式図である。図６において、ステップＳ１は、可動基板製造工程に相当する。この工程では、基板をエッチング及び成膜して可動基板１３を製造する工程である。次にステップＳ２に移行する。ステップＳ２は、固定基板製造工程に相当する。この工程は、基板をエッチング及び成膜して固定基板１４を製造する工程である。次にステップＳ３に移行する。ステップＳ３は、基板接合工程に相当する。この工程は、可動基板１３と固定基板１４とを接合する工程である。次にステップＳ４に移行する。ステップＳ４は、切断工程に相当する。この工程は、接合した接合基板３１を複数の干渉フィルター１２に分割する工程である。以上の工程により干渉フィルター１２が製造される。
【００６９】
次に、図７〜図１１を用いて、図６に示したステップと対応させて、製造方法を詳細に説明する。
図７及び図８はステップＳ１の可動基板製造工程に対応する図である。図７（ａ）に示すように、ステップＳ１において第１基板５３を用意する。第１基板５３は円板状の石英基板を０．６ｍｍの厚みに研削し表面を研磨した板である。第１基板５３は可動基板１３の基になる基板である。
【００７０】
次に、図７（ｂ）に示すように、第１基板５３の第１面の反対側の面としての第１表面５３ａに円環溝１３ａ及び保持部１３ｃを形成する。円環溝１３ａ及び保持部１３ｃは公知のリソグラフィー法を用いてパターニングしエッチングすることにより形成することができる。例えば、クロム層及び金層からなる層をパターニングしてマスクを形成し、超高純度バッファードフッ酸を用いてエッチングすることにより形成することができる。例えば本実施形態では厚みが０．６ｍｍの石英基板をエッチングして保持部１３ｃの厚みを約３０μｍに形成した。円環溝１３ａを形成することにより可動部１３ｂが形成される。
【００７１】
第１基板５３において第１表面５３ａの反対側の面を第１面としての第１接合面５３ｂとする。次に、図７（ｃ）に示すように、第１接合面５３ｂに第１溝部５４を設置する。第１溝部５４は側面溝部１３ｄとなる部位である。第１溝部５４は干渉フィルター１２の側面の一部を構成する。第１溝部５４は直交する２方向に延在する直線に沿って複数の場所に設置される。これにより、第１基板５３に設置された可動部１３ｂを囲んで第１接合面５３ｂに第１溝部５４が設置される。
【００７２】
第１溝部５４はダイサー式切断機を用いて設置することができる。第１溝部５４の幅をダイシングブレードの幅に合わせて設定する。そして、３０μｍの厚みを残して第１溝部５４を設置する。尚、湿式や乾式のエッチング方法をもちいて第１溝部５４を設置しても良い。
【００７３】
次に、図７（ｄ）に示すように、第１接合面５３ｂ上に可動電極３４を設置する。まず、第１基板５３上に可動電極３４の材料であるＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）とＡｕとが積層されたベタ膜を形成する。ベタ膜は第１基板５３上全体に同じ膜厚で設置された膜を示す。次に、ＩＴＯのベタ膜に重ねてＡｕ膜のベタ膜を形成する。ベタ膜の形成には蒸着法、スパッタ法等の成膜方法を用いることができる。次に、ベタ膜をパターニングして可動電極３４を形成する。可動電極３４を形成するには公知のリソグラフィー法を用いてマスクをパターニングしてベタ膜をエッチングすることにより形成することができる。
【００７４】
次に、第１基板５３上に第１端子１５〜第４端子１８及びバンプ電極４１を形成する。第１端子１５〜第４端子１８及びバンプ電極４１は金属下地層と金属上側層との２層で構成される。まず、第１基板５３上に金属下地層の材料であるＣｒからなる下地導体ベタ膜を形成する。下地導体ベタ膜はＣｒの材料からなるベタ膜を示す。次に、下地導体ベタ膜に重ねて、金属上側層の材料であるＡｕからなる上側導体ベタ膜を形成する。上側導体ベタ膜はＡｕの材料からなるベタ膜を示す。下地導体ベタ膜及び上側導体ベタ膜の形成には蒸着法、スパッタ法等の成膜方法を用いることができる。
【００７５】
次に、上側導体ベタ膜の表面をパターニングしてバンプ電極４１を形成する。さらに、上側導体ベタ膜の残った膜をパターニングして第１端子１５〜第４端子１８の金属上側層を形成する。さらに、下地導体ベタ膜をパターニングして第１端子１５〜第４端子１８の金属下地層を形成する。第１端子１５〜第４端子１８及びバンプ電極４１を形成するには公知のリソグラフィー法を用いてマスクをパターニングして導体ベタ膜をエッチングすることにより形成することができる。Ａｕのエッチング液は特に限定されないが例えばヨウ素系エッチング液を用いることができる。金属下地層の材料にＣｒまたはＮｉＣｒを用いるときのエッチング液は特に限定されないが例えば硝酸セリウム系エッチング液を用いることができる。金属下地層の材料にはＴｉＷを用いても良い。このときのエッチング液は特に限定されないが例えば過塩素酸系エッチング液を用いることができる。
【００７６】
次に、図７（ｅ）に示すように、第１接合面５３ｂに可動反射膜３３を設置する。可動反射膜３３上には図示しない保護膜が設置される。まず、第１基板５３上に可動反射膜３３の材料からなる反射ベタ膜を形成する。反射ベタ膜は例えばＡｇＳｍＣｕからなるベタ膜である。反射ベタ膜上に保護膜の材料からなる保護ベタ膜を形成する。保護ベタ膜はＩＧＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−ｇａｌｌｉｕｍ  ｏｘｉｄｅ）からなるベタ膜である。反射ベタ膜及び保護ベタ膜の形成には蒸着法、スパッタ法等の成膜方法を用いることができる。次に、保護ベタ膜をパターニングして保護膜を形成する。続いて、反射ベタ膜をパターニングして可動反射膜３３を形成する。このとき、可動反射膜３３及び保護膜を同じ形状に形成する。保護膜及び可動反射膜３３を形成するには公知のリソグラフィー法を用いてマスクをパターニングして保護ベタ膜及び反射ベタ膜をエッチングすることにより形成することができる。ＩＧＯ膜のエッチング液はシュウ酸系エッチング液を用いることができる。反射ベタ膜のエッチング液はリン酸、硝酸、酢酸混合エッチング液を用いることができる。
【００７７】
図８は第１基板５３の構造を示す模式平面図である。図８に示すように、可動部１３ｂを囲んで第１接合面５３ｂに第１溝部５４が格子状に設置される。尚、第１基板５３は円板状としたが、四角形でも良い。効率良く可動部１３ｂを配置することができる。
【００７８】
図９及び図１０はステップＳ２の固定基板製造工程に対応する図である。図９（ａ）に示すように、ステップＳ２において第２基板５５を用意する。第２基板５５は円板状の石英基板を０．６ｍｍの厚みに研削し表面を研磨した板である。第２基板５５は固定基板１４の基になる基板である。
【００７９】
次に、図９（ｂ）に示すように第２基板５５の第２面としての第２接合面５５ｂに反射膜設置部１４ａ及び電極設置溝１４ｂを形成する。反射膜設置部１４ａ及び電極設置溝１４ｂは公知のリソグラフィー法を用いてパターニングしエッチングすることにより形成することができる。例えば、クロム層及び金層からなる層をパターニングしてマスクを形成し、超高純度バッファードフッ酸を用いてエッチングすることにより形成することができる。例えば、本実施形態では厚みが０．６ｍｍの石英基板をエッチングして形成した。第２基板５５において第２接合面５５ｂと反対側の面を第２面の反対側の面としての第２表面５５ａとする。
【００８０】
次に、図９（ｃ）に示すように、第２基板５５の第２接合面５５ｂに第２溝部５６を設置する。第２溝部５６は側面溝部１４ｄとなる部位である。第２溝部５６は干渉フィルター１２の側面の一部を構成する。第２溝部５６は直交する２方向に延在する直線に沿って複数の場所に設置される。これにより、第２基板５５に設置された反射膜設置部１４ａを囲んで第２接合面５５ｂに第２溝部５６が設置される。
【００８１】
第２溝部５６はダイサー式切断機を用いて設置することができる。第２溝部５６の幅をダイシングブレードの幅に合わせて設定する。そして、３０μｍの厚みを残して第２溝部５６を設置する。尚、湿式や乾式のエッチング方法をもちいて第２溝部５６を設置しても良い。
【００８２】
次に、図９（ｄ）に示すように、第２基板５５の第２表面５５ａにアパーチャー３２を設置する。アパーチャー３２を設置するには、まず、アパーチャー３２の材料のベタ膜を形成する。ベタ膜の形成には蒸着法、スパッタ法等の成膜方法を用いることができる。次に、ベタ膜をパターニングしてアパーチャー３２を形成する。アパーチャー３２を形成するには公知のリソグラフィー法を用いてマスクをパターニングしてベタ膜をエッチングすることにより形成することができる。
【００８３】
次に、第２基板５５の第２接合面５５ｂ側に固定電極３７、反射膜端子３６及び固定電極端子３８を設置する。まず、第２基板５５上に固定電極３７の材料であるＩＴＯとＡｕとが積層されたベタ膜を形成する。ベタ膜の形成には蒸着法、スパッタ法等の成膜方法を用いることができる。次に、ベタ膜をパターニングして固定電極３７、反射膜端子３６及び固定電極端子３８を形成する。固定電極３７、反射膜端子３６及び固定電極端子３８を形成するには公知のリソグラフィー法を用いてマスクをパターニングしてベタ膜をエッチングすることにより形成することができる。
【００８４】
次に、図９（ｅ）に示すように、第２基板５５の第２接合面５５ｂ上に固定反射膜３５を設置する。固定反射膜３５上には図示しない保護膜が設置される。まず、第２基板５５上に固定反射膜３５の材料からなる反射ベタ膜を形成する。反射ベタ膜は例えばＡｇＳｍＣｕからなるベタ膜である。反射ベタ膜上に保護膜の材料からなる保護ベタ膜を形成する。保護ベタ膜はＩＧＯからなるベタ膜である。反射ベタ膜及び保護ベタ膜の形成には蒸着法、スパッタ法等の成膜方法を用いることができる。次に、保護ベタ膜をパターニングして保護膜を形成する。続いて、反射ベタ膜をパターニングして固定反射膜３５を形成する。このとき固定反射膜３５及び保護膜を同じ形状に形成する。保護膜及び固定反射膜３５を形成するには公知のリソグラフィー法を用いてマスクをパターニングして反射ベタ膜をエッチングすることにより形成することができる。保護ベタ膜であるＩＧＯ膜のエッチング液にはシュウ酸系エッチング液を用いることができる。反射ベタ膜のエッチング液にはリン酸、硝酸、酢酸混合エッチング液を用いることができる。
【００８５】
図１０は第２基板５５の構造を示す模式平面図である。図１０に示すように、反射膜設置部１４ａを囲んで第２接合面５５ｂに第２溝部５６が格子状に設置される。尚、第２基板５５は円板状としたが、四角形でも良い。効率良く反射膜設置部１４ａを配置することができる。
【００８６】
図１１（ａ）はステップＳ３の基板接合工程に対応する図である。図１１（ａ）に示すように、ステップＳ３において、第１基板５３の第１接合面５３ｂと第２基板５５の第２接合面５５ｂとを接合する。第１基板５３の第１接合面５３ｂ及び第２基板５５の第２接合面５５ｂにそれぞれシロキサンを主成分とするプラズマ重合膜を成膜する。次に、プラズマ重合膜を貼り合せて第１基板５３と第２基板５５とを接合する。貼り合せられたプラズマ重合膜は接合膜３０となる。バンプ電極４１は反射膜端子３６と第４端子１８とを接続し、固定電極端子３８と第１端子１５とを接続する。そして、第１溝部５４の一部と第２溝部５６の一部とが向かい合うように第１基板５３と第２基板５５とが接合されて基板５７となる。
【００８７】
図１１（ｂ）及び図１１（ｃ）はステップＳ４の切断工程に対応する図である。図１１（ｂ）に示すように、ステップＳ４において、第１溝部５４にそって第１表面５３ａにガラス用のスクライビングホイール５８を転動させる。スクライビングホイール５８は超鋼合金やダイヤモンドを焼結して形成されている。スクライビングホイール５８は側面が突出する円板の形態をしている。操作者はスクライビングホイール５８を第１基板５３に押圧しながら転動させて、第１基板５３にクラック６１を形成する。
【００８８】
同様に、第２溝部５６にそって第２表面５５ａにガラス用のスクライビングホイール５８を転動させる。操作者はスクライビングホイール５８を第２基板５５に押圧しながら転動させることにより、第２基板５５にクラック６１を形成することができる。クラック６１はスクライビングホイール５８が転動する軌跡に沿って形成される。従って、スクライビングホイール５８を位置精度良く転動させることにより、クラック６１を位置精度良く形成することができる。
【００８９】
次に、図１１（ｃ）に示すように、第１基板５３のクラック６１を第１基板５３の厚み方向に押圧治具６２にて押圧する。押圧によりクラック６１は第１表面５３ａから第１溝部５４まで進行する。そして、クラック６１に沿って第１基板５３が切断されて可動基板１３になる。同様に、第２基板５５のクラック６１を第２基板５５の厚み方向に押圧治具６２にて押圧する。押圧によりクラック６１は第２表面５５ａから第２溝部５６まで進行する。クラック６１に沿って第２基板５５が切断されて固定基板１４になる。そして、第１溝部５４及び第２溝部５６は側面溝部１３ｄ及び側面溝部１４ｄになる。以上の工程により干渉フィルター１２が完成する。
【００９０】
さらに、続けて干渉フィルター１２を筐体２の内部に設置しても良い。筐体２には第１蓋体３、第１端子５〜第４端子８、貫通電極２７、第１端子２２〜第４端子２５等が設置されている。尚、筐体２の製造方法は公知の方法を用いて製造することが可能であり説明を省略する。
【００９１】
次に、筐体２または干渉フィルター１２に固定部２９の材料を配置し、固定部２９の材料を挟んで筐体２の側壁部２ｄに干渉フィルター１２を接合する。このとき、治具を用いて筐体２と干渉フィルター１２との位置関係を固定する。続いて、固定部２９が熱硬化型の接着剤であるときには固定部２９を加熱乾燥し、さらに加熱して固定部２９を固化する。固定部２９が固化した後で治具を除去する。
【００９２】
次に、第１端子１５と第１端子２２とを金線２６で接続し、第２端子１６と第２端子２３とを金線２６で接続する。さらに、第３端子１７と第３端子２４とを金線２６で接続し、第４端子１８と第４端子２５とを金線２６で接続する。金線２６の接続はワイヤーボンディング法を用いて行われる。
【００９３】
次に、筐体２に第２蓋体９を接合する。まず、筐体２の第２蓋体９を設置する予定の面に低融点ガラスペーストを配置する。次に、筐体２上に第２蓋体９を配置し、真空チャンバー装置等によって真空雰囲気に設定された環境下で加熱する。低融点ガラスペーストが溶融した後、徐冷する。これにより、内部空間１１が減圧された状態で光学モジュール１が封止される。以上の工程により光学モジュール１が完成する。
【００９４】
上述したように、本実施形態によれば、以下の効果を有する。
（１）本実施形態によれば、第１溝部５４に沿って第１基板５３を切断し、第２溝部５６に沿って第２基板５５を切断している。第１溝部５４のある場所では第１基板５３の厚みが薄くなっているので切断され易くなっている。従って、第１基板５３が石英基板のように硬い基板であっても第１基板５３を乾式で切断することができる。同様に、第２溝部５６のある場所では第２基板５５の厚みが薄くなっているので切断され易くなっている。従って、第２基板５５を乾式で切断することができる。その結果、第１基板５３と第２基板５５とが合体した基板５７を乾式にて切断することができる為、可動部１３ｂ及び反射膜設置部１４ａに液体を触れさせずに基板５７を切断することができる。従って、可動反射膜３３及び固定反射膜３５が液体により反射率が低下することを防止することができる。
【００９５】
（２）本実施形態によれば、第１溝部５４の深さは第１基板５３の厚みの５０％〜９５％である。また、第２溝部５６の深さは第２基板５５の厚みの５０％〜９５％である。このとき、第１溝部５４における第１基板５３の厚みは、第１溝部５４がない場所の厚みの５０％〜５％である。同様に、第２溝部５６における第２基板５５の厚みは、第２溝部５６がない場所の厚みの５０％〜５％である。このとき、第１基板５３及び第２基板５５は剛性を確保している為、第１基板５３と第２基板５５とを接合させることができる。そして、第１溝部５４で第１基板５３を切断するときに必要な負荷を低減することができる。同様に、第２溝部５６で第２基板５５を切断するときに必要な負荷を低減することができる。従って、第１基板５３と第２基板５５とを接合して合体した基板５７を容易に切断することができる。
【００９６】
（３）本実施形態によれば、第１基板５３において第１表面５３ａに第１溝部５４に沿ってクラック６１を形成し、クラック６１に沿って第１基板５３を切断している。第１表面５３ａは第１溝部５４が設置された面の反対側であり、容易にクラック６１を形成することができる。そして、クラック６１に沿って第１基板５３を切断するとき切断される切断面をクラック６１の形状に沿って精度良く形成することができる。
【００９７】
同様に、第２基板５５においても第２表面５５ａに第２溝部５６に沿ってクラック６１を形成し、クラック６１に沿って第２基板５５を切断している。第２表面５５ａは第２溝部５６が設置された面の反対側であり、容易にクラック６１を形成することができる。そして、クラック６１に沿って第２基板５５を切断するとき切断面をクラックの形状に沿って精度良く形成することができる。従って、基板５７を位置精度良く切断することができる。
【００９８】
（４）本実施形態によれば、可動基板１３と固定基板１４とが接合膜３０で接合され１枚の接合基板３１になっている。そして、接合基板３１の側面には第１接合面１３ｆ及び第２接合面１４ｆに沿って側面溝部１３ｄ及び側面溝部１４ｄが設置されている。側面溝部１３ｄ及び側面溝部１４ｄがある場所では第１基板５３及び第２基板５５の厚みが薄くなっている。従って、第１基板５３及び第２基板５５を乾式で切断することができる。その結果、第１基板５３と第２基板５５とが合体した基板５７を乾式にて切断することができる為、可動反射膜３３及び固定反射膜３５に液体を触れさせずに基板５７を切断することができる。
【００９９】
（５）本実施形態によれば、基板５７を乾式にて切断することができる為、可動反射膜３３及び固定反射膜３５に液体を触れさせずに基板を切断することができる。従って、光学モジュール１は可動反射膜３３及び固定反射膜３５に液体を触れさせずに基板５７が切断された干渉フィルター１２を備えたモジュールとすることができる。
【０１００】
（６）本実施形態によれば、スクライビングホイール５８を用いてクラック６１を形成する場所は板厚が薄くなっている。従って、スクライビングホイール５８を第１基板５３や第２基板５５に押圧する力を小さくすることができる。従って、スクライビングホイール５８の摩耗が少なくなりスクライビングホイール５８の寿命を長くすることができる。
【０１０１】
（７）本実施形態によれば、スクライビングホイール５８を用いてクラック６１を形成する場所が可動基板１３または固定基板１４の側面になっている。そして、ＸＹステージを用いることにより第１基板５３または第２基板５５に対してスクライビングホイール５８を位置精度良く移動させることができる。従って、可動基板１３及び固定基板１４の平面形状を精度良く製造することができる。
【０１０２】
（８）本実施形態によれば、ステップＳ４の切断工程で切断する場所の板厚が薄く形成されている。従って、切断時に可動基板１３の保持部１３ｃに衝撃を与えないようにすることができる。その結果、保持部１３ｃに残留応力が残らないように可動基板１３を製造することができる。同様に、可動基板１３や固定基板１４が切断時の衝撃で一部が欠ける等の損傷を受けることを防止することができる為、品質良く干渉フィルター１２を製造することができる。
【０１０３】
（第２の実施形態）
次に、干渉フィルター１２を製造する方法の一実施形態について図１２（ａ）及び図１２（ｂ）の干渉フィルターの製造方法を説明するための模式図を用いて説明する。本実施形態が第１の実施形態と異なるところは、図１１（ｂ）に示したスクライブ方法が異なる点にある。尚、第１の実施形態と同じ点については説明を省略する。
【０１０４】
すなわち、本実施形態では、図１２（ａ）に示すように、ステップＳ４の切断工程においてレーザースクライブ装置６３を用いて第１基板５３及び第２基板５５のスクライブを行う。レーザースクライブ装置６３はレーザー光６４を射出するレーザー光源６３ａを備えている。レーザー光源６３ａにはＹＡＧレーザーまたはフェムト秒レーザーを用いることができる。レーザー光源６３ａから射出されたレーザー光６４は反射鏡６３ｂにて進行方向を変えて基板５７に向かって進行する。次に、レーザー光６４は集光レンズ６３ｃを通過して第１基板５３または第２基板５５の内部に集光する。
【０１０５】
レーザー光６４が集光された場所では石英ガラスの多光子吸収による改質部６５が形成される。改質部６５は脆い構造の組織であり応力を加えたときに容易に破壊される。第１基板５３においてレーザースクライブ装置６３は第１溝部５４に近い場所から第１表面５３ａに向けて順次改質部６５を形成する。そして、第１溝部５４に沿って改質部６５を配列させる。
【０１０６】
同様に、第２基板５５においてレーザースクライブ装置６３は第２溝部５６に近い場所から第２表面５５ａに向けて順次改質部６５を形成する。そして、第２溝部５６に沿って改質部６５を配列させる。尚、改質部６５を形成する順番は第２基板５５の次に第１基板５３を行っても良い。次に、第１の実施形態と同様に、押圧治具６２を用いて改質部６５に応力を加え、第１基板５３及び第２基板５５を切断する。
【０１０７】
次の実施形態では、図１２（ｂ）に示すように、ステップＳ４の切断工程においてレーザースクライブ装置６６を用いて第１基板５３及び第２基板５５のスクライブを行う。レーザースクライブ装置６６はレーザー光６４を射出するレーザー光源６６ａを備えている。レーザー光源６６ａには炭酸ガスレーザーを用いることができる。レーザー光源６６ａから射出されたレーザー光６４は反射鏡６６ｂにて進行方向を変えて基板５７に向かって進行する。次に、レーザー光６４は集光レンズ６６ｃを通過して第１基板５３または第２基板５５の内部に集光する。
【０１０８】
レーザー光６４が集光された場所では石英ガラスが加熱されて溶解した溶解部６７が形成される。レーザースクライブ装置６６はガス６８を噴射するノズル６６ｄを備えている。溶解部６７では溶融した材料の一部がガス６８により吹き飛ばされて除去される。このため溶解部６７は脆い構造の組織になり応力を加えたときに容易に破壊される。第１基板５３においてレーザースクライブ装置６６は第１表面５３ａに近い場所から第１溝部５４に向けて順次溶解部６７を形成する。そして、第１溝部５４に沿って溶解部６７を配置させる。
【０１０９】
同様に、第２基板５５においてレーザースクライブ装置６６は第２表面５５ａに近い場所から第２溝部５６に向けて順次溶解部６７を形成する。そして、第２溝部５６に沿って溶解部６７を配列させる。尚、溶解部６７を形成する順番は第２基板５５の次に第１基板５３を行っても良い。次に、第１の実施形態と同様に、押圧治具６２を用いて溶解部６７に応力を加え、第１基板５３及び第２基板５５を切断する。
【０１１０】
上述したように、本実施形態によれば、以下の効果を有する。
（１）本実施形態によれば、第１基板５３において第１表面５３ａに第１溝部５４に沿ってレーザー光６４を照射し、第１溝部５４に沿って第１基板５３を切断している。第１表面５３ａは第１溝部５４が設置された面の反対側であり、容易にレーザー光６４を照射することができる。レーザー光６４が照射された場所では第１基板５３が熱により改質され切断され易くなっている。そして、第１溝部５４に沿って応力を加えて第１基板５３を切断するとき切断面を第１溝部５４に沿って位置精度良く形成することができる。
【０１１１】
同様に、第２基板５５においても第２表面５５ａに第２溝部５６に沿ってレーザー光６４を照射し、第２溝部５６に沿って第２基板５５を切断している。第２表面５５ａは第２溝部５６が設置された面の反対側であり、容易にレーザー光６４を照射することができる。レーザー光６４が照射された場所では第２基板５５が熱により改質され切断され易くなっている。そして、第２溝部５６に沿って応力を加えて第２基板５５を切断するとき切断面を第２溝部５６に沿って位置精度良く形成することができる。従って、基板５７の形状を位置精度良く形成することができる。
【０１１２】
（第３の実施形態）
次に、光学モジュールの一実施形態について図１３（ａ）及び図１３（ｂ）の光学モジュールの構造を示す要部模式側断面図を用いて説明する。本実施形態が第１の実施形態と異なるところは、干渉フィルター１２の側面溝部１３ｄ及び側面溝部１４ｄと筐体の突出した部位とが接触する点にある。尚、第１の実施形態と同じ点については説明を省略する。
【０１１３】
すなわち、本実施形態では、図１３（ａ）に示すように、光学モジュール７１は有底角筒状の筐体７２を備え、筐体７２のＺ方向側には第２蓋体９が設置されている。筐体７２において内部空間１１を向く側壁部７２ｄにはＺ方向の中程に内部空間１１側に突出する突出面７２ｅが設置されている。
【０１１４】
干渉フィルター１２の−Ｘ方向側では固定基板１４における側面溝部１４ｄが筐体７２の突出面７２ｅと接触する。そして、干渉フィルター１２の＋Ｘ方向側では可動基板１３における側面溝部１３ｄと筐体７２の突出面７２ｅとの間に固定部２９が設置される。
【０１１５】
図１３（ｂ）に示すように、干渉フィルター１２の−Ｙ方向側の面では固定基板１４における側面溝部１４ｄが筐体７２の突出面７２ｅと接触する。さらに、可動基板１３における側面溝部１３ｄが筐体７２の突出面７２ｅと接触する。そして、干渉フィルター１２の＋Ｙ方向側の面では可動基板１３における側面１３ｅ及び側面溝部１３ｄと筐体７２の突出面７２ｅとの間に固定部２９が設置される。
【０１１６】
上述したように、本実施形態によれば、以下の効果を有する。
（１）本実施形態によれば、側面溝部１３ｄ及び側面溝部１４ｄが筐体７２と干渉フィルター１２との位置決めに用いられている。側面溝部１３ｄ及び側面溝部１４ｄはステップＳ１の可動基板製造工程及びステップＳ２の固定基板製造工程においてダイシングブレードにて形成された溝である。従って、側面溝部１３ｄ及び側面溝部１４ｄは位置精度良く製造されている。従って、筐体７２に対して干渉フィルター１２を位置精度良く設置することができる。
【０１１７】
（第４の実施形態）
次に、上記の光学モジュール１または光学モジュール７１を備えた測色装置の一実施形態について図１４を用いて説明する。尚、上記の実施形態と同じ点については説明を省略する。
【０１１８】
（測色装置）
図１４は、測色装置の構成を示すブロック図である。図１４に示すように、電子機器としての測色装置７５は、測定対象物７６に光２８を射出する光源装置７７と、測色センサー７８と、測色装置７５の全体動作を制御する制御装置８１とを備える。そして、この測色装置７５は光源装置７７から射出される光２８を測定対象物７６にて反射させる。反射された検査対象光を測色センサー７８が受光し、測色センサー７８から出力される検出信号に基づいて測色装置７５は検査対象光の色度すなわち測定対象物７６の色を分析して測定する。
【０１１９】
光源装置７７は光源８２及び複数のレンズ８３（図中には１つのみ記載）を備え、測定対象物７６に対して例えば基準光（例えば、白色光）を射出する。また、複数のレンズ８３にはコリメーターレンズが含まれてもよい。この場合、光源８２から射出された基準光をコリメーターレンズが平行光にし、光源装置７７は図示しない投射レンズから測定対象物７６に向かって光を射出する。尚、本実施形態では、光源装置７７を備える測色装置７５を例示するが、例えば測定対象物７６が液晶パネル等の発光部材である場合、光源装置７７が設けられない構成としてもよい。
【０１２０】
測色センサー７８は光学モジュールとしての光フィルター８４と、光フィルター８４を透過する光を受光するディテクター７９と、光フィルター８４を透過させる光の波長を制御する制御部としての波長制御部８０とを備える。光フィルター８４には上記の光学モジュール１または光学モジュール７１が用いられている。波長制御部８０は第１の実施形態における電圧制御部２１の機能を備えている。
【０１２１】
また、測色センサー７８は、光フィルター８４に対向する場所に図示しない入射光学レンズを備えている。入射光学レンズは測定対象物７６で反射された反射光（検査対象光）を測色センサー７８の内部に導光する。そして、測色センサー７８では入射光学レンズから入射した検査対象光のうち所定の波長の光を光フィルター８４が分光し、分光した光をディテクター７９が受光する。
【０１２２】
制御装置８１は測色装置７５の全体動作を制御する。この制御装置８１としては、例えば汎用パーソナルコンピューターや携帯情報端末の他にも測色専用コンピューター等を用いることができる。そして、制御装置８１は光源制御部８５、測色センサー制御部８６及び測色処理部８７等を備えて構成されている。光源制御部８５は光源装置７７に接続され、例えば、操作者の設定入力に基づいて光源装置７７に所定の制御信号を出力して所定の明るさの白色光を射出させる。測色センサー制御部８６は測色センサー７８に接続されている。例えば、操作者の設定入力に基づいて測色センサー７８にて受光させる光の波長を測色センサー制御部８６が設定する。そして、設定した波長の光の受光量を検出する旨の制御信号を測色センサー制御部８６が測色センサー７８に出力する。これにより、制御信号に基づいて波長制御部８０は光フィルター８４を駆動させる。測色処理部８７は、ディテクター７９により検出された受光量から、測定対象物７６の色度を分析する。
【０１２３】
光フィルター８４には上記の光学モジュール１または光学モジュール７１が用いられている。光フィルター８４では可動反射膜３３及び固定反射膜３５に液体を触れさせずに基板５７が切断されている。従って、可動反射膜３３及び固定反射膜３５は反射率の高い膜であり、光フィルター８４は効率よく光２８を分光することができる。測色装置７５は測色する光の波長を効率良く分光できる光フィルター８４を備えた電子機器とすることができる。
【０１２４】
（第５の実施形態）
次に、上記の光学モジュール１または光学モジュール７１の何れかを備えたガス検出装置の一実施形態について図１５及び図１６を用いて説明する。このガス検出装置は、例えば、特定ガスを高感度検出する車載用ガス漏れ検出器や、呼気検査用の光音響希ガス検出器等に用いられる。尚、上記の実施形態と同じ点については説明を省略する。
【０１２５】
図１５は、ガス検出装置の構成を示す模式正面図であり、図１６は、ガス検出装置の制御系の構成を示すブロック図である。図１５に示すように、電子機器としてのガス検出装置９０はセンサーチップ９１と吸引口９２ａ、吸引流路９２ｂ、排出流路９２ｃ及び排出口９２ｄを備えた流路９２と本体部９３とを有する構成となっている。
【０１２６】
本体部９３は、センサー部カバー９４、排出手段９５及び筐体９６を備えている。センサー部カバー９４を開閉することにより、流路９２を着脱することが可能になっている。さらに、本体部９３は光学部９７、フィルター９８、光学モジュールとしての光フィルター９９、受光素子１００（検出部）等を含む検出装置を備えている。光フィルター９９には上記の光学モジュール１または光学モジュール７１が用いられている。
【０１２７】
さらに、本体部９３は検出された信号を処理し、検出部を制御する制御部１０１（処理部）及び電力を供給する電力供給部１０２等を備えている。光学部９７は、光を射出する光源１０３、ビームスプリッター１０４、レンズ１０５、レンズ１０６及びレンズ１０７により構成されている。ビームスプリッター１０４は光源１０３から入射された光をセンサーチップ９１側に反射し、センサーチップ側から入射された光を受光素子１００側に透過する。
【０１２８】
図１６に示すように、ガス検出装置９０には操作パネル１０８、表示部１０９、外部とのインターフェイスのための接続部１１０及び電力供給部１０２が設けられている。電力供給部１０２が二次電池の場合には充電のための接続部１１１を備えてもよい。更に、ガス検出装置９０の制御部１０１は、ＣＰＵ等により構成された信号処理部１１４及び光源１０３を制御するための光源ドライバー回路１１５を備えている。更に、制御部１０１は光フィルター９９を制御するための制御部としての波長制御部１１６、受光素子１００からの信号を受信する受光回路１１７を備えている。波長制御部１１６は第１の実施形態における電圧制御部２１の機能を備えている。更に、制御部１０１はセンサーチップ９１のコードを読み取り、センサーチップ９１の有無を検出するセンサーチップ検出器１１８からの信号を受信するセンサーチップ検出回路１１９を備えている。更に、制御部１０１は排出手段９５を制御する排出ドライバー回路１２０等を備えている。
【０１２９】
次に、ガス検出装置９０の動作について説明する。本体部９３の上部のセンサー部カバー９４の内部にはセンサーチップ検出器１１８が設けられている。センサーチップ検出器１１８によりセンサーチップ９１の有無が検出される。信号処理部１１４はセンサーチップ検出器１１８からの検出信号を検出するとセンサーチップ９１が装着された状態であると判断する。そして、信号処理部１１４は表示部１０９へ検出動作を実施可能な旨を表示させる表示信号を出す。
【０１３０】
そして、操作者により操作パネル１０８が操作され、操作パネル１０８から検出処理を開始する旨の指示信号が信号処理部１１４へ出力される。まず、信号処理部１１４は光源ドライバー回路１１５に光源駆動の指示信号を出力して光源１０３を作動させる。光源１０３が駆動されると、光源１０３から単一波長で直線偏光の安定したレーザー光が射出される。光源１０３には温度センサーや光量センサーが内蔵されており、センサーの情報が信号処理部１１４へ出力される。光源１０３から入力された温度や光量に基づいて、光源１０３が安定動作していると信号処理部１１４が判断すると、信号処理部１１４は排出ドライバー回路１２０を制御して排出手段９５を作動させる。これにより、検出すべき標的物質（ガス分子）を含んだ気体試料が、吸引口９２ａから吸引流路９２ｂ、センサーチップ９１内、排出流路９２ｃ、排出口９２ｄへと誘導される。尚、吸引口９２ａには、除塵フィルター９２ｅが設けられ、比較的大きい粉塵や一部の水蒸気等が除去される。
【０１３１】
センサーチップ９１は金属ナノ構造体が複数組み込まれた素子であり、局在表面プラズモン共鳴を利用したセンサーである。このようなセンサーチップ９１ではレーザー光により金属ナノ構造体間で増強電場が形成される。この増強電場内にガス分子が入り込むと、分子振動の情報を含んだラマン散乱光、及びレイリー散乱光が発生する。これらのレイリー散乱光やラマン散乱光は光学部９７を通ってフィルター９８に入射する。フィルター９８によりレイリー散乱光が分離され、ラマン散乱光が光フィルター９９に入射する。
【０１３２】
そして、信号処理部１１４は波長制御部１１６に対して制御信号を出力する。これにより、波長制御部１１６は光フィルター９９のアクチュエーターを駆動させて検出対象となるガス分子に対応したラマン散乱光を光フィルター９９に分光させる。分光した光が受光素子１００にて受光されると、受光量に応じた受光信号が受光回路１１７を介して信号処理部１１４に出力される。
【０１３３】
信号処理部１１４は、得られた検出対象となるガス分子に対応したラマン散乱光のスペクトルデータとＲＯＭに格納されているデータとを比較する。そしてし、検出対象となるガス分子が目的のガス分子か否かを判定し物質の特定をする。また、信号処理部１１４は表示部１０９にその結果情報を表示し、接続部１１０から外部へ出力する。
【０１３４】
ラマン散乱光を光フィルター９９により分光し、分光されたラマン散乱光からガス検出を行うガス検出装置９０を例示した。ガス検出装置９０はガス固有の吸光度を検出してガス種別を特定するガス検出装置として用いてもよい。この場合、センサー内部にガスを流入させ、入射光のうちガスにて吸収された光を検出するガスセンサーに光フィルター９９を用いる。そして、ガス検出装置はガスセンサーによりセンサー内に流入されたガスを分析、判別する電子機器である。ガス検出装置９０はこのような構成にすることで光フィルター９９を用いてガスの成分を検出することができる。
【０１３５】
光フィルター９９には上記の光学モジュール１または光学モジュール７１が用いられている。光フィルター９９では可動反射膜３３及び固定反射膜３５に液体を触れさせずに基板５７が切断されている。従って、可動反射膜３３及び固定反射膜３５は反射率の高い膜であり、光フィルター９９は効率よく光２８を分光することができる。ガス検出装置９０は測色する光の波長を効率良く分光できる光フィルター９９を備えた電子機器とすることができる。
【０１３６】
（第６の実施形態）
次に、上記の光学モジュール１または光学モジュール７１を備えた食物分析装置の一実施形態について図１７を用いて説明する。上記の光学モジュールは近赤外線分光による糖類の非侵襲的測定装置や食物、生体、鉱物等の情報の非侵襲的測定装置等の物質成分分析装置に用いることができる。食物分析装置は物質成分分析装置の１種である。尚、上記の実施形態と同じ点については説明を省略する。
【０１３７】
図１７は、食物分析装置の構成を示すブロック図である。図１７に示すように、電子機器としての食物分析装置１２３は検出器１２４、制御部１２５及び表示部１２６を備えている。検出器１２４は光を射出する光源１２７、測定対象物からの光が導入される撮像レンズ１２８、撮像レンズ１２８から導入された光を分光する光学モジュールとしての光フィルター１２９を備えている。光フィルター１２９には上記の光学モジュール１または光学モジュール７１が用いられている。
【０１３８】
さらに、検出器１２４は分光された光を検出する撮像部１３０（検出部）を備えている。また、制御部１２５は光源１２７の点灯・消灯制御、点灯時の明るさ制御を実施する光源制御部１３１及び光フィルター１２９を制御する制御部としての波長制御部１３２を備えている。波長制御部１３２は第１の実施形態における電圧制御部２１の機能を備えている。さらに、制御部１２５は撮像部１３０を制御して撮像部１３０で撮像された分光画像を取得する検出制御部１３３、信号処理部１３４及び記憶部１３５を備えている。
【０１３９】
食物分析装置１２３を駆動させると光源制御部１３１により光源１２７が制御されて光源１２７から測定対象物１３６に光が照射される。そして、測定対象物１３６で反射された光は撮像レンズ１２８を通って光フィルター１２９に入射する。光フィルター１２９は波長制御部１３２の制御により駆動される。これにより、光フィルター１２９から精度よく目的波長の光を取り出すことができる。そして、取り出された光は、例えば、ＣＣＤカメラ等により構成される撮像部１３０に撮像される。また、撮像された光は分光画像として記憶部１３５に蓄積される。また、信号処理部１３４は波長制御部１３２を制御して光フィルター１２９に印加する電圧値を変化させ、各波長に対する分光画像を取得する。
【０１４０】
そして、信号処理部１３４は記憶部１３５に蓄積された各画像における各画素のデータを演算処理し、各画素におけるスペクトルを求める。また、記憶部１３５にはスペクトルに対する食物の成分に関する情報が記憶されている。記憶部１３５に記憶された食物に関する情報を基に信号処理部１３４は求めたスペクトルのデータを分析する。そして、信号処理部１３４は測定対象物１３６に含まれる食物成分と各食物成分含有量を求める。また、得られた食物成分及び含有量から信号処理部１３４は食物カロリーや鮮度等をも算出することができる。更に、画像内のスペクトル分布を分析することで、信号処理部１３４は検査対象の食物の中で鮮度が低下している部分の抽出等をも実施することができる。更には、信号処理部１３４は食物内に含まれる異物等の検出をも実施することができる。そして、信号処理部１３４は上述のようにして得られた検査対象の食物の成分や含有量、カロリーや鮮度等の情報を表示部１２６に表示させる処理をする。
【０１４１】
光フィルター１２９には上記の光学モジュール１または光学モジュール７１が用いられている。光フィルター１２９では可動反射膜３３及び固定反射膜３５に液体を触れさせずに基板５７が切断されている。従って、可動反射膜３３及び固定反射膜３５は反射率の高い膜であり、光フィルター１２９は効率よく光２８を分光することができる。食物分析装置１２３は測色する光の波長を効率良く分光できる光フィルター１２９を備えた電子機器とすることができる。
【０１４２】
また、食物分析装置１２３の他にも略同様の構成により、上述したようなその他の情報の非侵襲的測定装置としても利用することができる。例えば、血液等の体液成分の測定、分析等、生体成分を分析する生体分析装置として用いることができる。このような生体分析装置としては、例えば、血液等の体液成分を測定する装置に食物分析装置１２３を用いることができる。他にも、エチルアルコールを検知する装置とすれば、運転者の飲酒状態を検出する酒気帯び運転防止装置に食物分析装置１２３を用いることができる。また、このような生体分析装置を備えた電子内視鏡システムとしても用いることができる。更には、鉱物の成分分析を実施する鉱物分析装置としても用いることができる。
【０１４３】
更には、上記の光学モジュール１または光学モジュール７１を用いた電子機器としては、以下のような装置に適用することができる。例えば、各波長の光の強度を経時的に変化させることで、各波長の光でデータを伝送させることも可能であり、この場合、上記の光学モジュール１または光学モジュール７１により特定波長の光を分光する。そして、受光部で受光させることで、特定波長の光により伝送されるデータを抽出することができ、このように上記の光学モジュール１または光学モジュール７１でデータを抽出する電子機器により各波長の光のデータを処理することで、複数波長の光通信を実施することもできる。
【０１４４】
（第７の実施形態）
次に、上記の光学モジュール１または光学モジュール７１を備えた分光カメラの一実施形態について図１８を用いて説明する。光を分光させて分光画像を撮像する分光カメラや分光分析機等に上記の光学モジュール１または光学モジュール７１を用いることができる。このような分光カメラの一例として、上記の光学モジュール１または光学モジュール７１を内蔵した赤外線カメラが挙げられる。尚、上記の実施形態と同じ点については説明を省略する。
【０１４５】
図１８は、分光カメラの構成を示す概略斜視図である。図１８に示すように、電子機器としての分光カメラ１３９はカメラ本体１４０、撮像レンズユニット１４１及び撮像部１４２を備えている。カメラ本体１４０は操作者により把持され操作される部分である。
【０１４６】
撮像レンズユニット１４１はカメラ本体１４０に接続され、入射した画像光を撮像部１４２に導光する。また、この撮像レンズユニット１４１は対物レンズ１４３、結像レンズ１４４及びこれらのレンズ間に設けられた光学モジュールとしての光フィルター１４５を備えて構成されている。光フィルター１４５には上記の光学モジュール１または光学モジュール７１が用いられている。さらに、カメラ本体１４０には光フィルター１４５が分光する光の波長を制御する制御部としての波長制御部１４６が設置されている。波長制御部１４６は第１の実施形態における電圧制御部２１の機能を備えている。
【０１４７】
撮像部１４２は受光素子により構成され、撮像レンズユニット１４１により導光された画像光を撮像する。分光カメラ１３９では光フィルター１４５が撮像対象となる波長の光を透過させて、撮像部１４２が所望の波長の光の分光画像を撮像する。
【０１４８】
光フィルター１４５には上記の光学モジュール１または光学モジュール７１が用いられている。光フィルター１４５では可動反射膜３３及び固定反射膜３５に液体を触れさせずに基板５７が切断されている。従って、可動反射膜３３及び固定反射膜３５は反射率の高い膜であり、光フィルター１４５は効率よく光２８を分光することができる。分光カメラ１３９は測色する光の波長を効率良く分光できる光フィルター１４５を備えた電子機器とすることができる。
【０１４９】
更には、光フィルター１４５を組み合わせた光学モジュールをバンドパスフィルターとして用いてもよい。例えば、発光素子が射出する所定波長域の光のうち、所定の波長を中心とした狭帯域の光のみを光フィルター１４５で分光して透過させる光学式レーザー装置としても用いることができる。また、光学モジュールを生体認証装置として用いてもよく、例えば、近赤外領域や可視領域の光を用いた血管、指紋、網膜及び虹彩等の認証装置にも適用できる。更には、光学モジュールを濃度検出装置に用いることができる。この場合、上記の光学モジュール１または光学モジュール７１により物質から射出された赤外エネルギー（赤外光）を分光して分析し、サンプル中の被検体濃度を測定する。
【０１５０】
上記に示すように、上記の光学モジュール１または光学モジュール７１は、入射光から所定の光を分光するいかなる装置にも適用することができる。そして、上記の光学モジュール１または光学モジュール７１は上記のように複数の波長を効率良く分光させることができる。このため、複数の波長のスペクトルの測定、複数の成分に対する検出を効率よく実施することができる。したがって、単一波長を分光させる複数の光モジュールにより所望の波長を取り出す従来の装置に比べて、電子機器の小型化を促進でき、例えば、携帯用や車載用の光学デバイスとして好適に用いることができる。このときにも、上記の光学モジュール１または光学モジュール７１は光２８を効率良く分光させることができる為、これらの光学モジュールを用いた電子機器は複数の波長の光２８を効率良く取り出して利用することができる。
【０１５１】
尚、本実施形態は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想内で当分野において通常の知識を有する者により種々の変更や改良を加えることも可能である。変形例を以下に述べる。
（変形例１）
前記第１の実施形態では、第１溝部５４及び第２溝部５６はダイサー式切断機を用いて設置された。第１溝部５４は円環溝１３ａを設置する工程でエッチングにて設置されても良い。そして、第２溝部５６は電極設置溝１４ｂを設置する工程でエッチングにて設置されても良い。工程数が削減されるので、生産性良く干渉フィルター１２を製造することができる。
【０１５２】
（変形例２）
前記第１の実施形態では、静電アクチュエーター４３により反射膜間ギャップ４２が制御された。反射膜間ギャップ４２は静電引力の他に電磁気力を用いても良い。引力と斥力とを作用させることができるので、反射膜間ギャップ４２を制御する範囲を広くすることができる。尚、変形例１及び変形例２の内容は前記第２の実施形態にも適用しても良い。
【０１５３】
（変形例３）
前記第１の実施形態では、第１基板５３及び第２基板５５の両方にクラック６１を形成して切断した。第１基板５３及び第２基板５５の一方にクラック６１を形成して切断し、他方にはレーザー光６４を照射して改質部６５または溶解部６７を形成して切断してもよい。このときにも乾式で第１基板５３及び第２基板５５を切断することができる。そして、製造装置の自由度を上げることができる。
【符号の説明】
【０１５４】
１…光学モジュール、２…筐体、９…蓋部としての第２蓋体、１２…干渉フィルター、１３…第１基板としての可動基板、１３ｂ…第１構造体としての可動部、１３ｄ，１４ｄ…第３溝部としての側面溝部、１３ｆ…接合面としての第１接合面、１４…第２基板としての固定基板、１４ａ…第２構造体としての反射膜設置部、１４ｆ…接合面としての第２接合面、２１…制御部としての電圧制御部、３１…基板としての接合基板、３３…第１反射膜としての可動反射膜、３５…第２反射膜としての固定反射膜、４３…間隔制御部としての静電アクチュエーター、５３…第１基板、５３ａ…第１面の反対側の面としての第１表面、５３ｂ…第１面としての第１接合面、５４…第１溝部、５５…第２基板、５５ａ…第２面の反対側の面としての第２表面、５５ｂ…第２面としての第２接合面、５６…第２溝部、６１…クラック、６４…レーザー光、７５…電子機器としての測色装置、９０…電子機器としてのガス検出装置、１２３…電子機器としての食物分析装置、１３９…電子機器としての分光カメラ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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