(57)【要約】【課題】画素内膜厚のバラツキを抑制することで発光ムラが低減された電気光学装置を製造できる、電気光学装置の製造方法を提供する。また、上記製造方法により得られた電気光学装置を備えた電子機器を提供する。【解決手段】基板の主面に、駆動素子及び配線からなる駆動素子部を形成し、駆動素子部を覆う下地層を形成する下地形成工程と、下地層の基板の主面とは反対側の面に隔壁を形成することにより、各々において下地層により底面が形成され、隔壁により区画されてなる複数の画素領域を形成する画素領域形成工程と、複数の画素領域の各々に、液滴吐出法により機能層を形成する機能層形成工程と、を備え、下地形成工程は、駆動素子部により画素領域の底面において生じる段差を緩和させる段差緩和補助層を形成するステップを含む電気光学装置の製造方法に関する。【選択図】図３
2016177993.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の主面に、駆動素子及び配線からなる駆動素子部を形成し、前記駆動素子部を覆う
下地層を形成する下地形成工程と、
前記下地層の前記基板の主面とは反対側の面に隔壁を形成することにより、各々におい
て前記下地層により底面が形成され、前記隔壁により区画されてなる複数の画素領域を形
成する画素領域形成工程と、
前記複数の画素領域の各々に、液滴吐出法により機能層を形成する機能層形成工程と、
を備え、
前記下地形成工程は、前記駆動素子部により前記画素領域の前記底面において生じる段
差を緩和させる段差緩和補助層を形成するステップを含む
電気光学装置の製造方法。
【請求項２】
前記下地形成工程において、段差の高さが５０ｎｍ以下となるように、前記段差緩和補
助層を形成する
請求項１に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項３】
前記下地形成工程において、段差のテーパー角が３０°以下となるように、前記段差緩
和補助層を形成する
請求項１または２に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項４】
前記画素領域の前記底面において複数の前記段差が生じ、前記複数の段差の各々の高さ
が、略等しくなるように前記段差緩和補助層を形成する
請求項１〜３のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項５】
前記機能層形成工程において、前記画素領域内の重力方向において相対的に低い領域に
対し前記機能層の形成に用いる機能液を優先的に吐出する
請求項１〜４のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項６】
前記画素領域の形状は長手方向と短手方向を有し、
前記機能層形成工程において、
前記画素領域を前記長手方向に２分割してなる２つの領域の各々に対し、前記機能層の
形成に用いる機能液を少なくとも１滴ずつ吐出する
請求項１〜５のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項７】
前記機能層形成工程では、前記画素領域に対して複数回相対移動する液滴吐出ヘッドか
ら前記機能層の形成に用いる機能液を吐出する際、前記複数回の相対移動のうちの第１の
相対移動時における前記機能液の吐出回数は、前記第１の相対移動よりも後に実行する第
２の相対移動時における前記機能液の吐出回数よりも多い
請求項１〜６のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項８】
前記機能層形成工程において、複数の前記機能層を形成する場合、最下層である第１の
機能層の形成に用いる第１の機能液として、前記第１の機能層以外の機能層の形成に用い
る機能液よりも高い沸点を有する高沸点溶媒で構成されたインクを用いる
請求項１〜７のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項９】
前記機能層形成工程において、複数の前記機能層を形成する場合、最下層である第１の
機能層の形成に用いる第１の機能液の乾燥時間は、前記第１の機能層以外の機能層の形成
に用いる機能液の乾燥時間よりも長い
請求項１〜８のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法で製造された電気光学装
置を備える電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置の製造方法及び電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ：Electro Luminecent）素子や発光ポリマ
ー素子などの有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ：Organic Light Emitting Diode）と呼ばれ
る発光素子を用いた電気光学装置の開発が進められている。また、有機ＥＬ素子は、自発
光型であるため、視認性が高いだけでなく、薄くて軽く、耐衝撃性にも優れていることか
ら、液晶表示装置に代わる表示デバイスとして注目されている（例えば、特許文献１〜３
参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１４−１２３５４０号公報
【特許文献２】特開２００８−４１８９４号公報
【特許文献３】特開２００８−４１７４７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、最近では、材料の無駄がなく、微細且つ容易にパターニングできる液滴吐出
法を用い、有機ＥＬ素子を塗布膜により形成することが行われている。しかしながら、液
滴吐出法を用いた場合、下層の段差の影響によって画素内において有機機能層（塗布膜）
の膜厚にばらつきが生じてしまうことがある。画素内において膜厚がばらつくと、発光ム
ラが生じてしまい表示品位が低下してしまうおそれがある。
【０００５】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、画素内膜厚のバラツキを抑制
することで発光ムラが低減された電気光学装置を製造できる、電気光学装置の製造方法を
提供することを目的の一つとする。また、上記製造方法により得られた電気光学装置を備
えた電子機器を提供することを目的の一つとする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の第１態様に従えば、基板の主面に、駆動素子及び配線からなる駆動素子部を形
成し、前記駆動素子部を覆う下地層を形成する下地形成工程と、前記下地層の前記基板の
主面とは反対側の面に隔壁を形成することにより、各々において前記下地層により底面が
形成され、前記隔壁により区画されてなる複数の画素領域を形成する画素領域形成工程と
、前記複数の画素領域の各々に、液滴吐出法により機能層を形成する機能層形成工程と、
を備え、前記下地形成工程は、前記駆動素子部により前記画素領域の前記底面において生
じる段差を緩和させる段差緩和補助層を形成するステップを含む電気光学装置の製造方法
が提供される。
【０００７】
第１態様に係る電気光学装置の製造方法によれば、段差緩和補助層によって画素領域内
において液滴吐出法により吐出された機能液の下地層に対する追従性が向上するので、膜
厚均一性が高い機能層を形成することができる。よって、画素内膜厚のバラツキを抑制し
、発光ムラを低減した電気光学装置を得ることができる。
【０００８】
上記第１態様においては、前記下地形成工程において、段差の高さが５０ｎｍ以下とな
るように、前記段差緩和補助層を形成するのが好ましい。
この構成によれば、段差緩和補助層によって機能液の下地層に対する追従性をより向上
させることができる。
【０００９】
上記第１態様においては、前記下地形成工程において、段差のテーパー角が３０°以下
となるように、前記段差緩和補助層を形成するのが好ましい。
この構成によれば、段差緩和補助層によって機能液の下地層に対する追従性をより向上
させることができる。
【００１０】
上記第１態様においては、前記画素領域の前記底面において複数の前記段差生じ、前記
複数の段差の各々の高さが、略等しくなるように前記段差緩和補助層を形成するのが好ま
しい。
この構成によれば、複数の画素領域間で機能層の膜厚バラツキを小さくすることができ
る。例えば、異なる色の光を発光する画素領域がある場合、各色の発光ムラを低減するこ
とができる。
【００１１】
上記第１態様においては、前記機能層形成工程において、前記画素領域内の重力方向に
おいて相対的に低い領域に対し前記機能層の形成に用いる機能液を優先的に吐出するのが
好ましい。
重力方向において相対的に高い領域に吐出された機能液は、相対的に低い領域へと流れ
込むようになる。そのため、機能液の濡れ性にバラツキが生じ、画素領域間で膜厚バラツ
キが生じやすくなってしまう。そこで、本構成を採用すれば、重力方向において相対的に
低い領域から高い領域に向かって機能液が濡れ拡がるので、濡れ性のバラツキが緩和され
て、画素領域間における膜厚バラツキを緩和することができる。
【００１２】
上記第１態様においては、前記画素領域の形状は長手方向と短手方向を有し、前記機能
層形成工程において、前記画素領域を前記長手方向に２分割してなる２つの領域の各々に
対し、前記機能層の形成に用いる機能液を少なくとも１滴ずつ吐出するのが好ましい。
この構成によれば、画素領域の長辺方向に分散して機能液が吐出されるので、濡れ性の
バラツキや自然乾燥による膜厚ムラの発生を抑制することができる。
【００１３】
上記第１態様においては、前記機能層形成工程では、前記画素領域に対して複数回相対
移動する液滴吐出ヘッドから前記機能層の形成に用いる機能液を吐出する際、前記複数回
の相対移動のうちの第１の相対移動時における前記機能液の吐出回数は、前記第１の相対
移動よりも後に実行する第２の相対移動時における前記機能液の吐出回数よりも多いのが
好ましい。
この構成によれば、液滴吐出ヘッドを画素領域に対して複数回走査する場合において、
できるだけ少ない吐出回数で機能液の吐出動作を完了することができる。
よって、機能液の自然乾燥の影響を抑制でき、膜厚を均一に形成することができる。
【００１４】
上記第１態様においては、前記機能層形成工程において、複数の前記機能層を形成する
場合、最下層である第１の機能層の形成に用いる第１の機能液として、前記第１の機能層
以外の機能層の形成に用いる機能液よりも高い沸点を有する高沸点溶媒で構成されたイン
クを用いるのが好ましい。
画素領域の最下層に吐出された第１の機能層は自然乾燥し易いため、膜厚ムラが生じや
すい。これに対して、本構成を採用すれば、第１の機能液が高沸点溶媒で構成されたイン
クであるため、自然乾燥が生じ難くなる。よって、自然乾燥に伴う膜厚ムラの発生を抑制
することができる。
【００１５】
上記第１態様においては、前記機能層形成工程において、複数の前記機能層を形成する
場合、最下層である第１の機能層の形成に用いる第１の機能液の乾燥時間は、前記第１の
機能層以外の機能層の形成に用いる機能液の乾燥時間よりも長いのが好ましい。
画素領域の最下層に吐出された第１の機能層は膜厚ムラが生じやすい。これに対して、
本構成を採用すれば、第１の機能液をゆっくり乾燥させるので、膜厚ムラの発生を抑制す
ることができる。
【００１６】
本発明の第２態様に従えば、上記第１態様に係る電気光学装置の製造方法で製造された
電気光学装置を備えた電子機器が提供される。
【００１７】
第２態様に係る電子機器によれば、上記第１態様に係る電気光学装置を備えるので、本
電子機器は表示品質に優れた信頼性の高いものとなる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】電気光学装置の回路構成を示す模式図。
【図２】画素領域の平面構造を示す透視平面図。
【図３】画素領域の断面構造を示す図。
【図４】下地層における段差高さおよびテーパー角の許容範囲の説明図。
【図５】（ａ）、（ｂ）はインクジェットヘッドの構成を示す図。
【図６】（ａ）〜（ｃ）は画素領域の形状および描画動作を説明するための図。
【図７】第２実施形態に係る画素領域の断面構造を示す図。
【図８】（ａ）〜（ｃ）は変形例に係る第２段差緩和補助層の形状を示す図。
【図９】変形例係る画素電極周辺部の断面構成を示す図。
【図１０】携帯電話の一例を示す斜視図。
【図１１】腕時計の一例を示す斜視図。
【図１２】携帯型情報処理装置の一例を示す斜視図。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。
なお、以下の説明で用いる図面は、特徴をわかりやすくするために、便宜上特徴となる
部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などが実際と同じであると
は限らない。また、以下の説明において例示される材料、寸法等は一例であって、本発明
はそれらに必ずしも限定されるものではなく、その要旨を変更しない範囲で適宜変更して
実施することが可能である。
【００２０】
（電気光学装置）
先ず、本発明の製造方法により製造した電気光学装置の一実施形態について説明する。
図１に示す電気光学装置１の回路構成について説明する。なお、図１は、電気光学装置１
の回路構成を示す模式図である。
【００２１】
電気光学装置１は、図１に示すように、基板１００の面上に、所定の間隔で並ぶ複数の
走査線１０１と、複数の走査線１０１に対して空間を隔ててほぼ直角に交差する方向に所
定の間隔で並ぶ複数の信号線１０２と、複数の信号線１０２に対して空間を隔ててほぼ平
行な方向に所定の間隔で並ぶ複数の電源線１０３とを含む配線を備えている。また、複数
の走査線１０１と複数の信号線１０２の各交点付近において、複数の画素領域Ａがマトリ
ックス状に配列した状態で設けられている。
【００２２】
各信号線１０２には、シフトレジスター、レベルシフタ、ビデオライン及びアナログス
イッチを備える信号側駆動回路１０４が接続されている。また、各走査線１０１には、シ
フトレジスター及びレベルシフタを備える走査側駆動回路１０５が接続されている。
【００２３】
各画素領域Ａには、走査線１０１を介して走査信号が供給されるスイッチング用ＴＦＴ
１０６と、このスイッチング用ＴＦＴ１０６を介して信号線１０２から供給される画素信
号を保持する保持容量１０７と、この保持容量１０７によって保持された画素信号が供給
される駆動用ＴＦＴ１０８と、この駆動用ＴＦＴ１０８を介して電源線１０３に電気的に
接続したときに電源線１０３から駆動電流が流れ込む画素電極（陽極）１０９と、この画
素電極１０９と対向する対向電極（陰極）１１０と、画素電極１０９と対向電極１１０と
の間に挟み込まれた機能層１０とが設けられている。
【００２４】
以上のような構成を有する電気光学装置１では、走査線１０１が駆動されてスイッチン
グ用ＴＦＴ１０６がオンになると、そのときの信号線１０２の電位が保持容量１０７に保
持される。また、この保持容量１０７の状態に応じて、駆動用ＴＦＴ１０８のオン・オフ
の状態が決まる。そして、駆動用ＴＦＴ１０８のチャネルを介して、電源線１０３から画
素電極１０９に電流が流れ、さらに機能層１０を介して対向電極（陰極）１１０に電流が
流れる。機能層１０は、この流れる電流量に応じて発光する。このような画素領域Ａでの
発光を制御することで所望の画像を表示することができる。
【００２５】
なお、電気光学装置１には、基板１００側から光を取り出すボトムエミッション構造と
、基板１００とは反対側から光を取り出すトップエミッション構造とがある。
近年では、電気光学装置は、ＴＶ、タブレット、スマートフォン等すべての用途におい
て高精細化が要求されている。このように高精細になると画素開口率が低下しディスプレ
イの輝度低下などの品位低下を招くおそれがある。本実施形態の電気光学装置１では、こ
れを解決するために、トップエミッション構造を採用した。これにより、配線上にも画素
領域Ａを形成し開口率を稼ぐことを可能とした。
【００２６】
次に、上記電気光学装置１の画素領域Ａにおける具体的な構造について図２及び図３を
参照して説明する。なお、図２は、画素領域Ａの平面構造を示す透視平面図である。図３
は、画素領域Ａの断面形状において、代表的な断面構造を模式的に一つの図で表した断面
図であり、画素領域Ａ内において生じる、各断面構造間の高さの違いを表現したものであ
る。なお、図３においては、封止基板の図示を省略している。
【００２７】
本実施形態の電気光学装置１は、トップエミッション構造を採用した例であり、基板１
００としてガラス基板を用いている。なお、トップエミッション構造を採用した場合、基
板１００にはガラス基板の他にも、半導体材料（単結晶Ｓｉ、Ｇａ、Ｇｅ等）やセラミッ
クス材料や金属材料などからなる光透過性を有しない基板を用いることができる。
【００２８】
具体的に、この電気光学装置１は、図２及び図３に示すように、上述した基板１００の
面上に、駆動素子部１１と、駆動素子部１１を含み基板面１００ａを覆う下地層３０と、
機能素子部１２とを順次積層した構造を有している。
【００２９】
駆動素子部１１は、基板１００の面上に形成された、図１で示した各種の配線１０１〜
１０３や、スイッチング用ＴＦＴ１０６、保持容量１０７、駆動用ＴＦＴ１０８等を含む
。本実施形態において、駆動素子部１１は、各画素領域Ａの周辺部に配置されている（図
２参照）。すなわち、各画素領域Ａは中央部分の平坦性が高いものとなっている。
【００３０】
駆動用ＴＦＴ１０８は、基板１００の面上に形成された半導体層１７と、ゲート電極１
３と、ソース電極１４と、ドレイン電極１５と、を有している。ゲート電極１３は、スイ
ッチング用ＴＦＴ１０６のドレイン電極（図示せず。）と電気的に接続されている。半導
体層１７の上には、ゲート絶縁膜１６を介してゲート電極１３が設けられている。
【００３１】
ソース電極１４とドレイン電極１５とは、ゲート絶縁膜１６に形成されたコンタクトプ
ラグ１６ａ，１６ｂを介して半導体層１７のソース領域とドレイン領域とに電気的に接続
されている。
【００３２】
ゲート絶縁膜１６の上には、ゲート電極１３の他、駆動素子部１１を構成する第１層メ
タル１１Ａ１、１１Ａ２が配置されている。第１層メタル１１Ａ１は、上記駆動素子部１
１の構成要素（例えば、図１に示した配線１０１〜１０３等の一部）を含むものである。
第１層メタル１１Ａ２は、例えば、保持容量１０７の容量電極を構成するものである。
【００３３】
本実施形態では、画素領域Ａの開口部４０の周辺領域に駆動素子部１１を配置している
。そのため、開口部４０の周辺領域では、上述した各種の配線１０１〜１０３や保持容量
１０７等が立体的に重なり合って配置されたものとなっている。
【００３４】
例えば、電源線１０３の比抵抗を抑えるため、この電源線１０３を２層配線とした場合
や、高精細化のため配線の線幅を細くした場合には、電源線１０３の高さ方向の寸法が更
に増加することになる。この場合、下地層３０は、駆動素子部１１を覆っている開口部４
０（画素領域Ａ）の周辺領域において段差が生じ易くなる。
【００３５】
本実施形態では、画素領域Ａ内において、駆動素子部１１によって大きな段差が生じる
領域に、段差緩和補助層３５を配置することで段差を緩和するようにしている。これによ
り、画素領域Ａ内に形成される画素電極１０９、該画素電極１０９上に形成される機能層
１０の膜厚均一性を高めている。
【００３６】
本実施形態において、機能層１０は後述のように液滴吐出法を用いて形成される。液滴
吐出法は、液状の機能液を吐出（塗布）し、乾燥、焼成することによって機能膜が形成さ
れる。液滴吐出法としては、例えば、インクジェット装置を用いたインクジェット法等が
例示できる。
したがって、機能液が塗布された際、下地表面（画素電極１０９）の段差を緩和するこ
とにより、機能膜の下地形状に対する追従性が向上する。その結果、機能膜の膜厚均一性
が向上する。
【００３７】
一方、画素領域Ａ内において、下地層３０の表面に生じる段差をなくすことは難しい。
そのため、段差緩和補助層３５を用いた場合でも、下地層３０の表面に生じる段差を完全
になくすことは難しい。本発明者は、下地層３０において、上層に形成される機能層１０
の膜厚均一性に影響を与えない段差高さおよびテーパー角の条件を見出した。この条件を
満たせば、液滴吐出法で塗布された機能膜の下地形状に対する追従性が高くなるので、膜
厚均一性が高い機能層１０を形成することができるとの知見を得た。
本実施形態において、表面に塗布された機能膜（機能層１０の形成材料）の追従性が高
く、均一な膜厚の機能層１０を形成できる下地の状態を平坦性が高い状態という。
【００３８】
ここで下地層３０における段差、段差の高さ（以下、段差高さと称す）、および段差に
よるテーパー角について図４を参照しながら説明する。図４（ａ）は、下地層３０におけ
る段差高さ及びテーパー角の関係を示す表であり、図４（ｂ）は図４（ａ）の表を説明す
るための下地層断面の模式図である。
【００３９】
まず、図４（ｂ）を用いて、基準点と、基準面を定義し、定義した基準面に基づき、段
差を定義する。
図４（ｂ）では、画素領域Ａにおける基板１００の主面（基板面１００ａ）内の１点を
基準点Ｐとし、この基準点Ｐを含み、かつ基板１００に平行な平面を基準面Ｍとする。ま
た、基準面Ｍに垂直な方向を垂直方向、水平な方向を水平方向とする。
【００４０】
段差とは、画素領域Ａにおいて底面内に第１の点Ｐ１と第２の点Ｐ２とがあり、垂直方
向において、第１の点Ｐ１と基準面Ｍとの距離を第１の距離、第２の点Ｐ２と基準面Ｍと
の距離を第２の距離としたとき、第２の距離が第１の距離よりも大きい場合の底面の形状
を指す。
【００４１】
また、下地層および基板を第１の点Ｐ１と第２の点Ｐ２の双方を通る直線に沿って垂直
方向に切断した時の断面において、第１の点Ｐ１で垂直方向における基準面Ｍから底面ま
での距離が最小となり、第２の点Ｐ２で垂直方向における基準面Ｍから底面までの距離が
最大となり、かつ第１の点Ｐ１と第２の点Ｐ２の水平方向の距離をＸ、垂直方向の距離を
Ｙとして、ｔａｎθ＝Ｙ／Ｘを満たすθが最大となるように、段差近傍における底面内に
第１の点Ｐ１と第２の点Ｐ２を設定したときのＹを段差の高さ、θをテーパー角とする。
【００４２】
なお、本実施形態において「基板１００に平行な平面」とは、「基板１００の主面（基
板面１００ａ）を巨視的に見たときの主面に平行な平面」の意であり、基板１００の表面
に細かな凹凸等が施されていたとしてもこれらは勘案しないものとする。
【００４３】
本発明者らは、厚さ５００ｎｍ程度の構造物（例えば、配線１０１〜１０３等）であれ
ば下地層３０で覆うことによって段差高さを図４（ａ）、（ｂ）に示す５０ｎｍまで低減
できることを確認した。なお、段差高さは、例えば、触針式の段差計により表面形状を測
定することで求められる。
【００４４】
ここで、機能層１０の膜厚にバラツキが生じるか否か（すなわち、下地層３０の平坦性
が高いか否か）は、段差高さのみならず、図４（ａ）、（ｂ）に示す距離Ｘも関係してい
る。すなわち、段差高さが５０ｎｍであっても、距離Ｘが短いと、段差の側面が急峻に立
ち上がった形状（テーパー角θが大きい形状）となってしまう。なお、テーパー角θは、
上述のように触針式の段差計により針を走査して求めた高さに基づいて算出可能である。
これに対し、本発明者は、距離Ｘが９０ｎｍより大きくすれば、テーパー角θが３０°
より小さくなって、段差の側面が十分になだらかとすることができることを確認した。
すなわち、テーパー角θが３０°より小さくなれば、インク（機能層１０の構成材料で
あるインク）の下地に対する追従性が得られる（機能層１０の膜厚均一性が得られる）こ
とを確認した。すなわち、３０°以上のテーパー角θではインクの追従性（下地層３０の
平坦性）が得られないことを見出した。
【００４５】
以上の知見に基づき、本実施形態では、画素領域Ａの開口部４０内で下地層３０に生じ
る段差高さを所定値以下（５０ｎｍ以下）とするとともに、段差によるテーパー角が所定
角度以下（３０°以下）となるように、段差緩和補助層３５の厚さあるいは設置場所を設
定している。これにより、画素領域Ａ内に液滴吐出法を用いて形成した機能層１０の膜厚
バラツキを低減させている。
【００４６】
本実施形態において、画素領域Ａは、ＲＧＢ各色に対応した光を発光する画素を構成す
る。そのため、複数の画素領域Ａは、赤色光（Ｒ）を発光する発光層９を含む機能層１０
が配置された赤色光用画素領域ａ１と、緑色光（Ｇ）を発光する発光層９を含む機能層１
０が配置された緑色光用画素領域ａ２と、青色光（Ｂ）を発光する発光層９を含む機能層
１０が配置された青色光用画素領域ａ３とから構成されている。
【００４７】
段差緩和補助層３５は各画素領域ａ１〜ａ３に設けられている。段差緩和補助層３５は
、各画素領域ａ１〜ａ３内における段差高さの各々がそれぞれ略等しくなるように形成さ
れている。
【００４８】
下地層３０は、ゲート絶縁膜１６と、第１の層間絶縁膜３１と、第２の層間絶縁膜３２
とを含む積層構造からなる。ゲート絶縁膜１６は、例えばＳｉＯ２やＴｉＯ２などの無機
絶縁材料から構成される。第１の層間絶縁膜３１及び第２の層間絶縁膜３２は、例えば、
アクリル樹脂やポリイミド樹脂等の耐熱性及び絶縁性を有する有機材料から構成されてい
る。
【００４９】
第１の層間絶縁膜３１は、第１層メタル１１Ａ１、１１Ａ２の上に設けられている。上
述のように第１層メタル１１Ａ２は、保持容量１０７を構成するため、第１層メタル１１
Ａ１よりも上方に配置されている。そのため、第１層メタル１１Ａ１、１１Ａ２は、互い
の上面の高さが異なった状態となっている。
【００５０】
本実施形態において、段差緩和補助層３５は、第１段差緩和補助層３５Ａおよび第２段
差緩和補助層３５Ｂを含んでいる。第１段差緩和補助層３５Ａは、第１層メタル１１Ａ１
、１１Ａ２の間に配置されている。なお、第１段差緩和補助層３５Ａは、第１の層間絶縁
膜３１によって覆われている。
【００５１】
第１段差緩和補助層３５Ａは、第１層メタル１１Ａ１、１１Ａ２の間に生じる段差を埋
め込んで平坦化して緩和する。これにより、第１の層間絶縁膜３１は、第１層メタル１１
Ａ１、１１Ａ２の間に生じる段差が緩和されたものとなっている。
【００５２】
本実施形態において、第１段差緩和補助層３５Ａは、第１層メタル１１Ａ１、１１Ａ２
と同じ材料である金属材料（例えば、Ａｌ、Ａｇ等）で形成されている。すなわち、第１
段差緩和補助層３５Ａは、特許請求の範囲における「第１の緩和層」に相当する。第１段
差緩和補助層３５Ａは、第１層メタル１１Ａ１、１１Ａ２を形成するパターニング工程と
同じ工程で形成可能である。よって、第１段差緩和補助層３５Ａを形成するためにフォト
リソ工程を変更する必要が無いので、簡便なプロセスで形成することができる。
なお、第１段差緩和補助層３５Ａは、第１層メタル１１Ａ１、１１Ａ２を形成するパタ
ーニング工程と別構成で形成しても良い。この場合、膜厚制御の自由度が向上するので、
第１段差緩和補助層３５Ａを第１層メタル１１Ａ１、１１Ａ２より厚くしたり、薄くした
りすることが簡便に行うことができる。
【００５３】
第１の層間絶縁膜３１の上には、第２層メタル１１Ｂ１、１１Ｂ２、ソース電極１４、
ドレイン電極１５が配置されている。第２層メタル１１Ｂ１、１１Ｂ２は、上記駆動素子
部１１の構成要素（例えば、配線１０１〜１０３等の一部）を含むものである。第２層メ
タル１１Ｂ１は、第１の層間絶縁膜３１を介して、第１層メタル１１Ａ１の上に配置され
ている。
【００５４】
第２層メタル１１Ｂ２は、第１の層間絶縁膜３１を介して、第１段差緩和補助層３５Ａ
の上に配置されている。本実施形態では、第１段差緩和補助層３５Ａが形成されているの
で、第２層メタル１１Ｂ２、１１Ｂ１の互いの上面の高さがほぼ一致している。
【００５５】
本実施形態では、第１の層間絶縁膜３１を介して第１層メタル１１Ａ２の上に第２段差
緩和補助層３５Ｂが配置されている。第２段差緩和補助層３５Ｂは、画素領域Ａの開口端
部の高さを中心部の高さよりも高くしている。これにより、画素領域Ａの開口端部および
中心部における高さの差を５０ｎｍ以下としている。本実施形態において、段差高さとは
、基準面（基板１００の基板面１００ａ）から下地層３０の表面までの高さをいう。
【００５６】
第２の層間絶縁膜３２は、第２層メタル１１Ｂ１、１１Ｂ２の上に設けられている。上
述のように第２層メタル１１Ｂ１、１１Ｂ２の上面の高さがほぼ一致しているため、第２
の層間絶縁膜３２の上面はほぼ平坦な面となる。
【００５７】
本実施形態において、第２段差緩和補助層３５Ｂは、第２層メタル１１Ｂ１、１１Ｂ２
と同じ材料である金属材料（例えば、Ａｌ、Ａｇ等）で形成されている。すなわち、第２
段差緩和補助層３５Ｂは、特許請求の範囲における「第１の緩和層」に相当する。第２段
差緩和補助層３５Ｂは、第２層メタル１１Ｂ１、１１Ｂ２を形成するパターニング工程と
同じ工程で形成可能である。よって、第１段差緩和補助層３５Ａを形成するためにフォト
リソ工程を変更する必要が無いので、簡便なプロセスで形成することができる。
なお、第２段差緩和補助層３５Ｂは、第２層メタル１１Ｂ１、１１Ｂ２を形成するパタ
ーニング工程と別構成で形成しても良い。この場合、膜厚制御の自由度が向上するので、
第２段差緩和補助層３５Ｂを第２層メタル１１Ｂ１、１１Ｂ２より厚くしたり、薄くした
りすることが簡便に行うことができる。
【００５８】
機能素子部１２は、下地層３０の面上に、上述した画素電極１０９と、機能層１０と、
対向電極１１０とを順次積層することによって、有機ＥＬ素子部を構成している。画素電
極１０９は、アノード電極として、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明電極材
料を用いて矩形状に形成されている。
【００５９】
画素電極１０９は、下地層３０に形成されたコンタクト部２１を介してドレイン電極１
５と電気的に接続されている。対向電極１１０は、カソード電極として、低仕事関数の金
属であるアルカリ金属やアルカリ土類金属、あるいは、ＭｇＡｇやＬｉＦ、ＩＴＯ（イン
ジウム錫酸化物）などによって形成された透明導電材料からなるものであって、画素電極
１０９に対向して設けられている。
【００６０】
本実施形態ではトップエミッション構造を採用するため、ＩＴＯなどの透明電極材料か
らなる画素電極１０９の下側に、例えばＡｌ等の金属材料からなる光反射膜（図示せず。
）が設けられている。なお、画素電極１０９が光反射特性を有する金属材料（Ａｌ）から
構成される場合は、光反射膜を省略することが可能である。
【００６１】
機能層１０は、少なくとも発光層９を含む複数の薄膜を積層することによって構成され
ている。具体的に、本実施形態の機能層１０は、正孔注入層（ＨＩＬ）７、正孔輸送層（
ＨＴＬ）８、発光層（ＥＭＬ）９を含む複数の薄膜を積層することによって形成されてい
る。
【００６２】
正孔注入層７、正孔輸送層８は、例えば、３，４−ポリエチレンジオキシチオフェン−
ポリスチレンスルフォン酸（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）の分散液、すなわち、ポリスチレンス
ルフォン酸を分散媒として、３，４−ポリエチレンジオキシチオフェンを分散させ、さら
にこれを水に分散させた分散液等の液状材料を乾燥、焼成することによって形成されてい
る。
【００６３】
発光層９は、蛍光あるいは燐光を発光することが可能な公知の発光材料により形成され
ている。ここで、発光層９の形成材料としては、例えば、（ポリ）フルオレン誘導体（Ｐ
Ｆ）、（ポリ）パラフェニレンビニレン誘導体（ＰＰＶ）、ポリフェニレン誘導体（ＰＰ
）、ポリパラフェニレン誘導体（ＰＰＰ）、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）、ポリチ
オフェン誘導体、ポリメチルフェニルシラン（ＰＭＰＳ）などのポリシラン系などが好適
に用いられる。また、これらの高分子材料に、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダ
ミン系色素などの高分子系材料や、ルブレン、ペリレン、９，１０−ジフェニルアントラ
セン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリドン等の低分子
材料をドープして用いることもできる。さらに、Ｉｒ（ｐｐｙ）３などの燐光材料を用い
ることもできる。
【００６４】
なお、発光層９については、カラー表示を行う場合、画素領域Ａ毎に赤（Ｒ）、緑（Ｇ
）、青（Ｂ）の各色光に対応した有機材料を含む薄膜を形成することによって、それぞれ
の発色を異ならせることが可能である。また、基板１００の上には、この機能素子部１２
が形成された面上を覆うシール層及び封止基板（不図示）が設けられている。
【００６５】
機能素子部１２は、機能層１０が形成される領域を区画する隔壁２４を有している。
機能層１０は、この隔壁２４によって形成された開口部４０の内側に配置した、薄膜毎に
種類の異なる機能材料を含む機能液を乾燥、焼成することによって形成される。
【００６６】
隔壁２４は、図３に示したように、無機隔壁２４ａと、無機隔壁２４ａ上に形成された
有機隔壁２４ｂと、を含む。隔壁２４は、画素電極１０９を画素領域Ａごとに区画し、か
つ画素電極１０９の上面を露出させる開口部（画素開口部）４０が形成されている。
【００６７】
なお、有機隔壁２４ｂは、例えば、その高さが２μｍとなっており、一方、無機隔壁２
４ａは有機隔壁２４ｂに比べて十分に薄く形成されている。したがって、隔壁２４の高さ
としては、有機隔壁２４ｂの高さによってほぼ決定されることになる。
【００６８】
無機隔壁２４ａは、ＳｉＯ２等の絶縁性の無機材料によって形成されたもので、その表
面に親液化処理が施され、濡れ性が向上させられたことにより、親液性を有したものとな
っている。有機隔壁２４ｂは、例えば下地層３０と同じ有機材料によって形成されたもの
で、その表面に撥液化処理（ＣＦ４処理）が施されたことにより、撥液性を有したものと
なっている。
【００６９】
有機隔壁２４ｂは、無機隔壁２４ａを覆って形成されたもので、その開口形状が隔壁２
４全体の開口部４０の開口形状となっている。なお、本例では、有機隔壁２４ｂはその開
口部の内面がテーパー面となっている。
【００７０】
本実施形態では、液滴吐出法を用いて、有機材料を溶解または分散させてなる液状体（
インク）を隔壁２４の開口部４０内に吐出した後、乾燥、焼成することで上記機能層１０
を形成している。
【００７１】
図５（ａ）は、液滴吐出法により液滴を吐出する液滴吐出装置に備えられた液滴吐出ヘ
ッド５１の断面図である。この液滴吐出ヘッド５１には、液状体を収容する液体室５２に
隣接して、ピエゾ素子５３が設けられている。液体室５２には、液状体を収容する材料タ
ンクを含む液状体供給系５５を介して、液状体が供給されるようになっている。ピエゾ素
子５３は、駆動回路５４に接続されており、この駆動回路５４を介してピエゾ素子５３に
電圧を印加し、ピエゾ素子５３を変形させる。これにより、液体室５２を変形して内圧を
高め、ノズル５６から液状体の液滴を吐出する。すなわち、印加電圧の値を変化させるこ
とにより、ピエゾ素子５３の歪み量を制御し、液状体の吐出量を制御するようになってい
る。
【００７２】
また、この液滴吐出ヘッド５１は、図５（ｂ）に示すようにその下面に多数のノズル５
６を、一定間隔で一列（あるいは複数列）に配置した、マルチノズルタイプのものである
。これらノズル５６からは、それぞれ独立して、機能層１０の形成材料となる機能液（液
状体）の液滴が吐出されるようになっている。
【００７３】
ところで、液滴吐出法を用いて形成される機能層１０の膜厚は、開口部４０内に生じて
いる段差の影響を受けやすい。すなわち、開口部４０の底面の平坦性が低く所定範囲以上
（上述の５０ｎｍ以上の段差）の段差が生じていると、開口部４０内に配置された機能液
を乾燥、焼成することで形成した機能層１０の膜厚のバラツキが大きくなってしまう。
このように、機能層１０の膜厚にバラツキが生じると、画素内での発光ムラによる発光
輝度の均一性が低下してしまう。
【００７４】
これに対し、本実施形態では、駆動素子部１１を構成する各種配線等を画素領域Ａの開
口部４０の周辺に集中して配置することで、該画素領域Ａの中央部分における下地層３０
および該下地層３０上に形成された画素電極１０９の平坦性を向上させている。
【００７５】
液滴吐出法を用いて、隔壁２４の開口部４０内に液状体を吐出した際、画素領域Ａの中
央部分において液状体が平坦な液膜を形成するようになる。よって、画素領域Ａの中央部
分において機能層１０は平坦性の高い膜を形成することができる。
【００７６】
また、開口部４０（画素領域Ａ）の周辺領域において下地層３０が駆動素子部１１を覆
っているため、下地層３０の上面の平坦性が低下するおそれがある。これに対し、本実施
形態では、開口部４０の周辺領域に段差緩和補助層３５を配置することで、各画素領域Ａ
内の段差高さを５０ｎｍ以下、且つ、テーパー角が３０°以下となるように下地層３０の
表面に生じる段差を緩和している。これにより、下地層３０上に形成された画素電極１０
９は、表面の平坦性が高いものとなっている。
【００７７】
本実施形態では、画素領域Ａ内に液滴吐出ヘッド５１を用いて機能液を吐出する際、以
下の方法を採用することで、機能液の膜厚バラツキを低減させるようにしている。
【００７８】
図６（ａ）は画素領域Ａにおける断面形状を示す概略図であり、図６（ｂ）画素領域Ａ
における平面形状を示す図である。
【００７９】
本実施形態においては、図６（ａ）に示すように、画素領域Ａの中央部Ｂ１は段差高さ
（基板面１００ａから画素領域Ａの底面までの高さ）が相対的に低く、画素領域Ａの周辺
部Ｂ２は段差高さが相対的に高くなっている。
【００８０】
ここで、例えば、重力方向において相対的に高い領域（段差高さが高い領域）である画
素領域Ａの周辺部Ｂ２に吐出された機能液６０は、重力方向において相対的に低い領域（
段差高さが低い領域）である画素領域Ａの中央部Ｂ１へと流れ込むようになる。そのため
、機能液６０の濡れ性にバラツキが生じ、画素領域Ａ間で膜厚バラツキが生じやすくなっ
てしまう。
【００８１】
これに対し、本実施形態においては、図６（ａ）に示すように、第１の手法として液滴
吐出ヘッド５１が、画素領域Ａ内において、重力方向において相対的に低い領域（画素領
域Ａの中央部Ｂ１）から優先的に機能液６０を吐出している。
このようにすれば、重力方向において相対的に低い領域である中央部Ｂ１から重力方向
において相対的に高い領域である周辺部Ｂ２に向かって機能液６０が濡れ拡がるので、濡
れ性のバラツキが緩和されて、画素領域Ａ間における膜厚バラツキを緩和することができ
る。
【００８２】
画素領域Ａは、図６（ｂ）に示すように、平面形状が長手方向と短手方向とを有する形
状、例えば、略矩形状となっている。なお、画素領域Ａの平面形状は矩形に限定されず、
楕円状であっても良い。
本実施形態では、第２の手法として液滴吐出ヘッド５１が、画素領域Ａを長手方向に２
分割（例えば、２等分）した各々の領域に、機能液６０を少なくとも１滴ずつ吐出するよ
うにしている。
このようにすれば、画素領域Ａの長手方向に分散して機能液６０が吐出されるので、濡
れ性のバラツキや自然乾燥による膜厚ムラの発生を抑制することができる。
【００８３】
本実施形態において、液滴吐出ヘッド５１は画素領域Ａに対して相対移動しながら各ノ
ズル５６（図５（ｂ）参照）から機能液６０を吐出している。液滴吐出ヘッド５１は、例
えば、図６（ｃ）に示すように、各画素領域Ａ上を一方向（長辺方向における左から右）
に向かって移動しながら機能液６０を吐出する描画動作（第１の相対移動）を行った後、
再び、各画素領域Ａ上を他方向（長辺方向における右から左）に向かって移動しながら機
能液６０を吐出する描画動作（第２の相対移動）を行う。なお、必要に応じて、上記描画
動作を３回以上繰り返しても良い。
【００８４】
本実施形態では、第３の手法として液滴吐出ヘッド５１が、最初に行う描画動作におい
て機能液６０を吐出する回数を、２回目に行う描画動作において機能液６０を吐出する回
数よりも多くしている。図６（ｃ）においては、例えば、最初に行う描画動作において機
能液６０を１０回吐出し、２回目に行う描画動作において機能液６０を３回吐出するよう
にした。
このようにすれば、できるだけ少ない吐出回数で機能液６０の吐出する描画動作を完了
することができる。よって、機能液６０の自然乾燥の影響を抑制でき、機能層１０の膜厚
均一を高めることができる。
【００８５】
具体的に、機能層１０を形成する際、最下層となる正孔注入層７を最初に形成する。液
滴吐出ヘッド５１は、上述した、３つの手法の少なくともいずれかを実行することで画素
電極１０９の露出面上に正孔注入層７の形成材料（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳの分散液）を配置
する。その後、乾燥処理、次いで、焼成処理を例えば２００℃で１０分間程度行うことに
より、機能層１０の一部の薄膜を構成する正孔注入層７を形成する。
【００８６】
本実施形態では、正孔注入層７を形成するインク（機能液）として、正孔輸送層８およ
び発光層９を形成するインクよりも高い沸点を有する高沸点溶媒で構成されたものを用い
た。
【００８７】
画素領域Ａの最下層に吐出されるインク（正孔注入層７を形成するインク）は自然乾燥
し易いため、また、下地層の形状および状態の影響を最も受けやすいため、膜厚ムラが生
じやすい。本実施形態によれば、正孔注入層７を形成するインクとして高沸点溶媒で構成
されたものを用いるため、自然乾燥を生じ難くさせ、乾燥の速度を遅くすることが可能で
ある。よって、自然乾燥に伴う膜厚ムラの発生を抑制することで膜厚均一性が高い正孔注
入層７を形成できる。
【００８８】
また、本実施形態では、正孔注入層７の乾燥時間を、後述の正孔輸送層８および発光層
９を形成するインクの乾燥時間よりも長くするようにしている。
そのため、膜厚ムラが発生しやすい正孔注入層７を形成するインクをゆっくり乾燥させ
ることで、膜厚ムラの発生を抑制することができる。
【００８９】
同様に、液滴吐出ヘッド５１は、正孔注入層７上に正孔輸送層８の形成材料を配置し、
その後、乾燥処理を行うことにより、機能層１０の一部の薄膜を構成する正孔輸送層８を
形成する。この場合においても、液滴吐出ヘッド５１は、上記３つの手法の少なくともい
ずれかを実行し、正孔注入層７上に正孔輸送層８の形成材料を配置する。その後、乾燥処
理、次いで、焼成処理を例えば２００℃で１０分間程度行うことにより、機能層１０の一
部の薄膜を構成する正孔輸送層８を形成する。
【００９０】
次いで、この正孔注入層７及び正孔輸送層８上に、発光層９を形成する。この発光層９
の形成工程においても、上記の正孔注入層７及び正孔輸送層８の形成工程と同様に、液滴
吐出ヘッド５１は、上記３つの手法の少なくともいずれかを実行し、正孔輸送層８上に発
光層９の形成材料を配置する。その後、例えば、窒素雰囲気中にて１３０℃で３０分間程
度熱処理乾燥処理を行い、隔壁２４に形成された開口部４０内、すなわち画素領域Ａ上に
、機能層１０を構成する機能膜となる発光層９を、厚さ５０ｎｍ〜２００ｎｍ程度に形成
する。なお、発光層９の形成材料中に用いる溶媒としては、正孔注入層７及び正孔輸送層
８を再溶解させないもの、例えば、キシレンあるいはシクロヘキシルベンゼンなどが好適
に用いられる。
【００９１】
本実施形態によれば、画素領域Ａ内の段差高さを５０ｎｍ以下、且つ、テーパー角が３
０°以下とするとともに、上述のように液滴吐出ヘッド５１が上記３つのいずれかの手法
を用いて機能層１０の形成材料を画素領域Ａ内に吐出するので、膜厚均一性が高い機能層
１０を形成することができる。
また、本実施形態では、段差緩和補助層３５により各画素領域ａ１〜ａ３内における段
差高さの各々がそれぞれ略等しくなるように形成されているので、ＲＧＢ各色の光をムラ
なく発光することができる。
【００９２】
次いで、発光層９及び有機隔壁２４ｂを覆って透明導電材料を成膜し、対向電極１１０
を形成する。この対向電極１１０の形成では、正孔注入層７及び正孔輸送層８や発光層９
の形成とは異なり、真空蒸着法等で行うことにより、画素領域Ａにのみ選択的に形成する
のでなく、基板１００のほぼ全面に対向電極１１０を形成する。
【００９３】
その後、対向電極１１０上に接着剤を用いて接着層（不図示）を形成し、さらにこの接
着層によって封止基板（不図示）を接着し、封止を行う。これにより、電気光学装置１が
得られる。
【００９４】
以上のように、本実施形態によれば、画素領域Ａ内において、機能層１０（正孔注入層
７、正孔輸送層８、発光層９）の膜厚ムラを抑えることにより、表示性能を向上させるこ
とができる。
【００９５】
また、本実施形態の電気光学装置１では、画素領域Ａ内で生じる下地層３０の高低差に
よる影響を抑えつつ、各薄膜の膜厚の均一性を確保することができる。その結果、上述の
ように、発光輝度の均一性の更なる向上を図ることが可能である。そのため、基板１００
とは反対側から光を取り出すトップエミッション構造に適用するのに好適である。
【００９６】
（第２実施形態）
続いて、第２実施形態に係る電気光学装置について説明する。図７は本実施形態の電気
光学装置１Ａの画素領域Ａ１の断面構造を示す断面図である。本実施形態と上記実施形態
との違いは、段差緩和補助層の材質であり、それ以外は共通である。そのため、以下では
、上記実施形態と共通の部材および構成については同じ符号を付し、その詳細な説明につ
いては省略する。
【００９７】
図７に示すように、本実施形態においても、下地層３０内における、駆動素子部１１に
よって大きな段差が生じる領域に、段差緩和補助層１３５を配置することで段差を緩和す
るようにしている。また、上記実施形態と同様のインクジェットプロセスを用いることで
、画素領域Ａ内に均一な膜厚の機能層１０が形成されたものとなっている。
【００９８】
本実施形態において、段差緩和補助層１３５は、第１段差緩和補助層１３５Ａおよび第
２段差緩和補助層１３５Ｂを含んでいる。
【００９９】
第１段差緩和補助層１３５Ａは、第１層メタル１１Ａ１、１１Ａ２と異なる材料である
、絶縁材料から構成されている。第１段差緩和補助層１３５Ａは、第１層メタル１１Ａ１
、１１Ａ２を形成するパターニング工程と別工程で形成可能である。よって、レイアウト
の自由度が高くなるので、画素領域Ａ内で生じる段差を良好に緩和させることができる。
なお、第１段差緩和補助層１３５Ａは絶縁性を有するため、他の配線１０１〜１０３等に
接触した状態に配置することができる。よって、下地層３０内の所望の位置に形成するこ
とができる。
【０１００】
なお、第１段差緩和補助層１３５Ａは、第１層メタル１１Ａ１、１１Ａ２と同じ材料で
ある、金属材料（例えば、Ａｌ、Ａｇ等）で形成されていても良い。これによれば、第１
段差緩和補助層１３５Ａを形成するためにフォトリソ工程を変更する必要が無くなり、簡
便なプロセスで形成することができる。
【０１０１】
また、第２段差緩和補助層１３５Ｂは、第２層メタル１１Ｂ１、１１Ｂ２と異なる材料
である、絶縁材料から構成されている。第２段差緩和補助層１３５Ｂは、第２層メタル１
１Ｂ１、１１Ｂ２を形成するパターニング工程と別工程で形成可能である。よって、レイ
アウトの自由度が高くなるので、画素領域Ａ内で生じる段差を良好に緩和させることがで
きる。なお、第２段差緩和補助層１３５Ｂは絶縁性を有するため、他の配線１０１〜１０
３等に接触した状態に配置することができる。よって、下地層３０内の所望の位置に形成
することができる。
【０１０２】
ところで、第１層メタル１１Ａ２と画素電極１０９との間には絶縁材料が配置されてい
るため、寄生容量が存在する。本実施形態では、第１層メタル１１Ａ２と画素電極１０９
との間に配置される第２段差緩和補助層１３５Ｂとして、誘電率の低い絶縁材料を選択す
るようにしている。例えば、通常、絶縁材料として利用される、ＳｉＯ２、ＳｉＮに代え
て、ポリイミド等の誘電率が低い材料を用いて第２段差緩和補助層１３５Ｂを形成すれば
良い。
【０１０３】
また、第２段差緩和補助層１３５Ｂは、第１段差緩和補助層１３５Ａに比べて、膜厚を
相対的に厚くするのが望ましい。このようにすれば、第１層メタル１１Ａ２と画素電極１
０９との距離が拡がるので、寄生容量を下げることができる。
【０１０４】
また、第１層メタル１１Ａ２と画素電極１０９との間の寄生容量を下げる方法としては
、例えば、第２段差緩和補助層１３５Ｂをベタ膜状に形成するのではなく、図８（ａ）に
示すようなドット状、図８（ｂ）、（ｃ）に示すようなストライプ状に形成するようにし
ても良い。なお、図８（ｂ）と図８（ｃ）との違いは、ストライプ方向が９０度異なる点
である。
【０１０５】
図８（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示した第２段差緩和補助層１３５Ｂによれば、図９（ａ
）に示すように、凹部１３６の面積分だけ絶縁材料が減るので、寄生容量を低下させるこ
とができる。
【０１０６】
画素電極１０９と第２段差緩和補助層１３５Ｂとの間には第２の層間絶縁膜３２が形成
されている。第２の層間絶縁膜３２は、絶縁層の機能だけではなく、例えば有機樹脂など
を塗布法（スピンコートやスリット等）で形成した場合、下地の層に対しての平坦化層と
の役割を担っている。その際、図８（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示したように、第２段差緩
和補助層１３５Ｂをドット状あるいはストライプ状に配置する事で一定の周期で不連続の
パターン配置を実現することで、上層である第２の層間絶縁膜３２がより平坦化される効
果を得ることができる。
【０１０７】
例えば、駆動素子部１１を覆う下地層３０は、該駆動素子部１１の設計次第で第１層メ
タル１１Ａ１、１１Ａ２および第２層メタル１１Ｂ１，１１Ｂ２のレイアウトや積層構造
が複雑になる。すると、第２の層間絶縁膜３２を形成する直前の膜面（下地層３０の表面
）に凹凸が生じやすくなる。この場合、第２段差緩和補助層１３５Ｂをベタ膜状で形成す
ると、図９（ｂ）に示すように、該第２段差緩和補助層１３５Ｂ上の第２の層間絶縁膜３
２も表面に段差が生じる。
【０１０８】
これに対し、図８（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示したように、第２段差緩和補助層１３５
Ｂを一定の周期で不連続のパターン配置とすれば、第２段差緩和補助層１３５Ｂの上面は
下地層３０の凹凸の影響を受け難くなる。よって、第２段差緩和補助層１３５Ｂとして濡
れ性がより高い材料を用いれば、結果的に第２の層間絶縁膜３２の膜厚均一性が向上し、
結果的に、該第２の層間絶縁膜３２上に形成される画素電極１０９および該画素電極１０
９上に形成される機能層１０の膜厚均一性を高めることができる。
【０１０９】
なお、図８（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示した、ドット形状およびストライプ形状の周期
（ライン＆スペース）をより高周期（高精細）にすることでより大きな効果が得られる。
なお、第２の層間絶縁膜３２の平坦性を向上させる効果を得る場合、ストライプ形状より
ドット形状の方を選択した方が好ましい。
【０１１０】
（電子機器）
次に、上記電気光学装置１を備える電子機器の具体例について、図１０、図１１及び図
１２を参照して説明する。
図１０は、携帯電話２００の一例を示す斜視図である。携帯電話２００は、図１０に示
すように、携帯電話本体２０１を備え、この携帯電話本体２０１に設けられた表示部２０
２に上記電気光学装置１を用いた例である。
【０１１１】
図１１は、腕時計３００の一例を示す斜視図である。腕時計３００は、図１１に示すよ
うに、時計本体３０１を備え、この時計本体３０１に設けられた表示部３０２に上記電気
光学装置１を用いた例である。
【０１１２】
図１２は、パーソナルコンピューターなどの携帯型情報処理装置４００の一例を示す斜
視図である。携帯型情報処理装置４００は、図１２に示すように、装置本体４０１を備え
、この装置本体４０１に設けられた表示部４０２に上記電気光学装置１を用いた例である
。
【０１１３】
また、上記電気光学装置１を備えた電子機器としては、それ以外にも、例えば、デジタ
ルスチルカメラ、車載用モニタ、デジタルビデオカメラ、ビューファインダー型またはモ
ニタ直視型のビデオテープレコーダー、カーナビゲーション装置、ページャー、電子手帳
、電卓、ワークステーション、テレビ電話機、ＰＯＳ端末機などの表示部を備えた電子機
器を挙げることができる。
【０１１４】
なお、本発明は、上記実施形態のものに必ずしも限定されるものではなく、本発明の趣
旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
例えば、上記実施形態では、段差緩和補助層３５、１３５を下地層３０の内部に配置す
ること（埋め込むこと）で下地層３０の上面を平坦化する場合を例に挙げたが、段差緩和
補助層３５、１３５を下地層３０の上面に設置することで下地層３０の上面、すなわち、
画素電極１０９を形成する面の段差を低減するようにしてもよい。
【０１１５】
例えば、上記実施形態では、隔壁２４が無機隔壁２４ａと有機隔壁２４ｂとを備えた２
段構造となっているが、このような構造に必ずしも限定されるものではなく、機能膜を形
成する薄膜に合わせて、段差部の構造や配置、数などを適宜変更することが可能である。
【０１１６】
また、上記実施形態では、電気光学装置の一例として、有機ＥＬ素子を有する電気光学
装置を例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、電気的な作用に
より光学特性が変化する電気光学装置に対して幅広く適用することが可能である。
【０１１７】
また、上記実施形態では、アクティブマトリックス型の電気光学装置としてＴＦＴを駆
動素子やスイッチング素子として用いた場合を説明したが、駆動素子やスイッチング素子
としてＴＦＤ（薄膜ダイオード）を用いることもできる。また、アクティブマトリックス
型の電気光学装置ではなく、パッシブマトリックス型の電気光学装置にも同様に適用する
ことが可能である。
【符号の説明】
【０１１８】
Ａ，Ａ１…画素領域、１，１Ａ…電気光学装置、１０…機能層、１１…駆動素子部、２４
…隔壁、３０…下地層、３５，１３５…段差緩和補助層、６０…機能液、１００…基板、
２００…携帯電話（電子機器）、３００…腕時計（電子機器）、４００…携帯型情報処理
装置（電子機器）。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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