(57)【要約】      （修正有）【課題】優れた寿命特性を有する発光素子、かかる発光素子を製造することができる発光素子の製造方法、かかる発光素子を備える発光装置および電子機器を提供する。【解決手段】陽極３Ｒ、３Ｇ、３Ｂと、陰極１０と、陽極３Ｒ、３Ｇ、３Ｂと陰極１０との間に設けられた発光機能層６Ｒ、６Ｇ、６Ｂと、陽極３Ｒ、３Ｇ、３Ｂと発光機能層６Ｒ、６Ｇ、６Ｂとの間に設けられている正孔注入層４Ｇ、４Ｂと、正孔注入層４Ｇ、４Ｂと発光機能層６Ｒ、６Ｇ、６Ｂとの間に設けられている正孔輸送層５Ｒ、５Ｇ、５Ｂとを備えており、正孔注入層４Ｇ、４Ｂは、２Ｖの電圧を印加したときの抵抗値が２５kΩ/□以下であり、正孔注入層４Ｇ、４Ｂと正孔輸送層５Ｒ、５Ｇ、５Ｂとの積層体は、５Ｖの電圧を印加したときの抵抗値が１０MΩ/□以上である発光装置１００。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
陽極と、
陰極と、
前記陽極と前記陰極との間に設けられ、前記陽極と前記陰極との間に通電することにより発光する発光機能層と、
前記陽極と前記発光機能層との間に設けられている正孔注入層と、
前記正孔注入層と前記発光機能層との間に設けられている正孔輸送層とを備え、
前記正孔注入層は、２Ｖの電圧を印加したときの抵抗値が２５kΩ/□以下であり、
前記正孔注入層と前記正孔輸送層との積層体は、５Ｖの電圧を印加したときの抵抗値が１０MΩ/□以上であることを特徴とする発光素子。
【請求項２】
前記正孔注入層は、その平均膜厚が１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下である請求項１に記載の発光素子。
【請求項３】
前記正孔輸送層は、その平均膜厚が５ｎｍ以上４０ｎｍ以下である請求項１または２に記載の発光素子。
【請求項４】
前記正孔注入層と前記正孔輸送層との積層体は、５Ｖの電圧を印加したときの抵抗値が５００MΩ/□以下である請求項１ないし３のいずれか１項に記載の発光素子。
【請求項５】
前記発光機能層は、赤色または緑色の光を発光する請求項１ないし４のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項６】
陽極上に、２Ｖの電圧を印加したときの抵抗値が２５kΩ/□以下である正孔注入層を形成する工程と、
前記正孔注入層と前記正孔輸送層との積層体に５Ｖの電圧を印加したときの抵抗値が１０MΩ/□以上となるように、前記正孔注入層上に正孔輸送層を形成する工程と、
前記正孔輸送層上に発光機能層を形成する工程と、
前記発光機能層の上側に、陰極を形成する工程とを有することを特徴とする発光素子の製造方法。
【請求項７】
請求項１ないし５のいずれか１項に記載の発光素子または請求項６に記載の発光素子の製造方法により製造された発光素子を備えることを特徴とする発光装置。
【請求項８】
請求項７に記載の発光装置を備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光素子、発光素子の製造方法、発光装置および電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネセンス素子（いわゆる有機ＥＬ素子）は、陽極と陰極との間に少なくとも１層の発光性有機層（発光層）を介挿した構造を有する発光素子である。このような発光素子では、陰極と陽極との間に電界を印加することにより、発光層に陰極側から電子が注入されるとともに陽極側から正孔が注入され、発光層中で電子と正孔が再結合することにより励起子が生成し、この励起子が基底状態に戻る際に、そのエネルギー分が光として放出される。
【０００３】
このような発光素子では、従来、発光層に十分なホール（正孔）を供給することを目的に、正孔輸送性に優れた、正孔注入層および正孔輸送層を形成してきた。
【０００４】
しかしながら、近年、発光素子の劣化の原因として、例えば、非特許文献１、２では、電子輸送性材料として用いられるトリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ３）のカチオン形成、すなわち酸化が挙げられることが報告されている。
【０００５】
これと同様に、一般的に酸化耐性が高いと言われる正孔輸送材料についても、過剰なホールにより、正孔輸送材料が酸化・劣化し、その結果、発光素子の寿命が低下することが懸念される。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００６】
【非特許文献１】H.Aziz, Z.D.Popovic, N.X.Hu, A.M.Hor and G.Xu, sience,283,P1900(1999)
【非特許文献２】Z.D.Popovic, and H.Aziz,  IEEE J. on Selected Topics in Quantum Electronics, 8, P362(2002)
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の目的は、優れた寿命特性を有する発光素子、かかる発光素子を製造することができる発光素子の製造方法、かかる発光素子を備える発光装置および電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【０００９】
［適用例１］
本発明の発光素子は、陽極と、
陰極と、
前記陽極と前記陰極との間に設けられ、前記陽極と前記陰極との間に通電することにより発光する発光機能層と、
前記陽極と前記発光機能層との間に設けられている正孔注入層と、
前記正孔注入層と前記発光機能層との間に設けられている正孔輸送層とを備え、
前記正孔注入層は、２Ｖの電圧を印加したときの抵抗値が２５kΩ/□以下であり、
前記正孔注入層と前記正孔輸送層との積層体は、５Ｖの電圧を印加したときの抵抗値が１０MΩ/□以上であることを特徴とする。
【００１０】
これにより、優れた寿命特性を有する発光素子、すなわち長寿命な発光素子とすることができる。
【００１１】
［適用例２］
本発明の発光素子では、前記正孔注入層は、その平均膜厚が１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下であることが好ましい。
【００１２】
これにより、正孔注入層と、正孔注入層ならびに正孔輸送層からなる積層体との抵抗値を、前述した関係を満足するものとすることができる。
【００１３】
［適用例３］
本発明の発光素子では、前記正孔輸送層は、その平均膜厚が５ｎｍ以上４０ｎｍ以下であることが好ましい。
【００１４】
これにより、正孔注入層と、正孔注入層ならびに正孔輸送層からなる積層体との抵抗値を、前述した関係を満足するものとすることができる。
【００１５】
［適用例４］
本発明の発光素子では、前記正孔注入層と前記正孔輸送層との積層体は、５Ｖの電圧を印加したときの抵抗値が５００MΩ/□以下であることが好ましい。
【００１６】
これにより、過剰な正孔が、正孔輸送層に注入されるのを的確に抑制することができるとともに、正孔注入層から注入された正孔を、正孔輸送層中において、発光機能層側により円滑に伝達することができる。
【００１７】
［適用例５］
本発明の発光素子では、前記発光機能層は、赤色または緑色の光を発光することが好ましい。
【００１８】
一般的に、赤色または緑色の光を発光する発光素子が備える、正孔注入層および正孔輸送層に用いられる正孔注入材料および正孔輸送材料が、ともに、導電性の高いものすなわち抵抗値の低いものが選択されるため、本発明を適用することにより得られる効果を、より顕著に発揮させることができる。
【００１９】
［適用例６］
本発明の発光素子の製造方法は、陽極上に、２Ｖの電圧を印加したときの抵抗値が２５kΩ/□以下である正孔注入層を形成する工程と、
前記正孔注入層と前記正孔輸送層との積層体に５Ｖの電圧を印加したときの抵抗値が１０MΩ/□以上となるように、前記正孔注入層上に正孔輸送層を形成する工程と、
前記正孔輸送層上に発光機能層を形成する工程と、
前記発光機能層の上側に、陰極を形成する工程とを有することを特徴とする。
【００２０】
これにより、優れた寿命特性を有する発光素子、すなわち長寿命な発光素子を製造することができる。
【００２１】
［適用例７］
本発明の発光装置は、本発明の発光素子または本発明の発光素子の製造方法により製造された発光素子を備えることを特徴とする。
このような発光装置は、長寿命な発光素子を備えるので、信頼性に優れる。
【００２２】
［適用例８］
本発明の電子機器は、本発明の発光装置を備えることを特徴とする。
このような電子機器は、長寿命な発光素子を備えるので、信頼性に優れる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明の実施形態に係る発光装置（表示装置）を示す断面図である。
【図２】図１に示す発光装置の製造方法を説明するための図である。
【図３】図１に示す発光装置の製造方法を説明するための図である。
【図４】図１に示す発光装置の製造方法を説明するための図である。
【図５】本発明の電子機器の一例であるモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
【図６】本発明の電子機器の一例である携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。
【図７】本発明の電子機器の一例であるディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。
【図８】実施例および比較例の抵抗値測定用素子Ａにおける、電流密度と電圧との関係を示す図である。
【図９】実施例および比較例の抵抗値測定用素子Ｂにおける、電流密度と電圧との関係を示す図である。
【図１０】実施例および比較例の発光素子における、輝度と時間との関係を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、本発明の発光素子、発光素子の製造方法、発光装置および電子機器について、図面に示す好適な実施形態に基づいて説明する。なお、各図では、説明の便宜上、各部の縮尺が適宜変更されており、図示の構成は実際の縮尺と必ずしも一致するわけではない。
【００２５】
（発光装置）
まず、本発明の発光装置（すなわち、本発明の発光素子を備える発光装置）の一例である表示装置について説明する。
【００２６】
図１は、本発明の実施形態に係る発光装置（表示装置）を示す断面図である。なお、以下では、説明の都合上、図１中の上側を「上」、下側を「下」として説明を行う。
【００２７】
図１に示す発光装置１００は、複数の発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂがサブ画素１００Ｒ（Ｒ画素）、１００Ｇ（Ｇ画素）、１００Ｂ（Ｂ画素）に対応して設けられ、ボトムエミッション構造のディスプレイパネルを構成している。ここで、サブ画素１００Ｂが「第１画素領域」、サブ画素１００Ｒが「第２画素領域」、サブ画素１００Ｇが「第３画素領域」を構成している。なお、本実施形態では表示装置の駆動方式としてアクティブマトリックス方式を採用した例に説明するが、パッシブマトリックス方式を採用したものであってもよい。
【００２８】
発光装置１００は、回路基板２０と、回路基板２０上に設けられた複数の発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂと、封止基板４０と、を有している。
【００２９】
回路基板２０は、基板２１と、基板２１上に設けられた層間絶縁膜２２、複数のスイッチング素子２３および配線２４と、を有している。
【００３０】
基板２１は、実質的に透明（無色透明、着色透明または半透明）とされる。これにより、各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂからの光を基板２１側から光を取り出すことができる。基板２１の構成材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリプロピレン、シクロオレフィンポリマー、ポリアミド、ポリエーテルサルフォン、ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネート、ポリアリレートのような樹脂材料や、石英ガラス、ソーダガラスのようなガラス材料等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００３１】
なお、発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂからの光を基板２１とは反対側から取り出すトップエミッション構造とする場合は、基板２１は、不透明基板であってもよく、かかる不透明基板としては、例えば、アルミナのようなセラミックス材料で構成された基板、ステンレス鋼のような金属基板の表面に酸化膜（絶縁膜）を形成したもの、樹脂材料で構成された基板等が挙げられる。
【００３２】
このような基板２１上には、複数のスイッチング素子２３がマトリクス状に配列されている。各スイッチング素子２３は、各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂに対応して設けられ、各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂを駆動するための駆動用トランジスタである。
【００３３】
このような各スイッチング素子２３は、シリコンからなる半導体層２３１と、半導体層２３１上に形成されたゲート絶縁層２３２と、ゲート絶縁層２３２上に形成されたゲート電極２３３と、ソース電極２３４と、ドレイン電極２３５と、を有している。
【００３４】
このような複数のスイッチング素子２３を覆うように、絶縁材料で構成された層間絶縁膜２２が形成されている。この層間絶縁膜２２には、配線２４が設けられている。
【００３５】
層間絶縁膜２２上には、各スイッチング素子２３に対応して発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂが設けられている。本実施形態では、発光素子１Ｒは、赤色（第２色）の光を出射するよう構成され、発光素子１Ｇは、緑色（第３色）の光を出射するよう構成され、発光素子１Ｂは、青色（第１色）の光を出射するように構成されている。これにより、フルカラー表示の発光装置１００（表示装置）を実現することができる。
【００３６】
具体的には、発光素子１Ｒ（第２発光素子）は、層間絶縁膜２２上に、陽極３Ｒ（第２陽極）、正孔注入層４Ｒ（第２正孔注入層）、正孔輸送層５Ｒ、発光機能層６Ｒ（第２発光機能層）、正孔輸送層（中間層）７、発光機能層６Ｂ（第１発光機能層：共通発光機能層）、電子輸送層８、電子注入層９および陰極１０（第２陰極：共通陰極）がこの順で積層されて構成されている。
【００３７】
同様に、発光素子１Ｇ（第３発光素子）は、層間絶縁膜２２上に、陽極３Ｇ（第３陽極）、正孔注入層４Ｇ（第３正孔注入層）、正孔輸送層５Ｇ、発光機能層６Ｇ（第３発光機能層）、正孔輸送層（中間層）７、発光機能層６Ｂ（第２発光機能層：共通発光機能層）、電子輸送層８、電子注入層９および陰極１０（第３陰極：共通陰極）がこの順で積層されて構成されている。
【００３８】
一方、発光素子１Ｂ（第１発光素子）は、層間絶縁膜２２上に、陽極３Ｂ（第１陽極）、正孔注入層４Ｂ（第１正孔注入層）、正孔輸送層５Ｂ、正孔輸送層７、発光機能層６Ｂ（第１発光機能層：共通発光機能層）、電子輸送層８、電子注入層９および陰極１０（第１陰極：共通陰極）がこの順で積層されている。
【００３９】
ここで、陽極３Ｒ、３Ｇ、３Ｂは、対応する発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂごと（サブ画素ごと）に個別に設けられた画素電極を構成し、スイッチング素子２３のドレイン電極に配線２４を介して電気的に接続されている。また、正孔注入層４Ｒ、４Ｇ、４Ｂ、正孔輸送層５Ｒ、５Ｇ、５Ｂ、発光機能層６Ｒおよび発光機能層６Ｇも、対応する発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂごとに個別に設けられている。なお、以下では、発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂを総括して「発光素子１」、陽極３Ｒ、３Ｇ、３Ｂを総括して「陽極３」、正孔注入層４Ｒ、４Ｇ、４Ｂを総括して「正孔注入層４」、正孔輸送層５Ｒ、５Ｇ、５Ｂを総括して「正孔輸送層５」ともいう。
【００４０】
一方、陰極１０は、発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂに共通して一体化されて設けられた共通電極を構成している。また、正孔輸送層７、発光機能層６Ｂ、電子輸送層８および電子注入層９も、発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂに共通して設けられている。
【００４１】
このようなハイブリット型の発光装置１００によれば、液相プロセスを用いて正孔輸送層５Ｒ、５Ｇ、５Ｂおよび発光機能層６Ｒ、６Ｇ等をそれぞれ素子ごとに個別に形成するとともに、気相プロセスを用いて正孔輸送層７および発光機能層６Ｂ等をそれぞれ３つの素子に共通に形成することができる。そのため、発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂを効率的に製造することができる。
【００４２】
隣接する発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂ同士の間には、樹脂材料で構成された隔壁３１（バンク）が設けられている。また、このような発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂは、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂で構成された樹脂層３２を介して、封止基板４０が接合されている。
【００４３】
前述したように本実施形態の各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂはボトムエミッション型であるため、封止基板４０は、透明基板であっても、不透明基板であってもよく、封止基板４０の構成材料としては、前述した基板２１と同様の材料を用いることができる。
【００４４】
以下、発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂについて詳述する。
発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂでは、発光機能層６Ｒ、６Ｇ、６Ｂに対し、陰極１０側から電子が供給（注入）されるとともに、陽極３Ｒ、３Ｇ、３Ｂ側から正孔が供給（注入）される。そして、発光機能層６Ｒ、６Ｇ、６Ｂでは、それぞれ、正孔と電子とが再結合し、この再結合に際して放出されたエネルギーによりエキシトン（励起子）が生成し、エキシトンが基底状態に戻る際にエネルギー（蛍光やりん光）を放出（発光）する。
【００４５】
ここで、発光素子１Ｒ、１Ｇでは、発光機能層６Ｂが設けられているが、発光機能層６Ｂを発光させずに、発光機能層６Ｒ、６Ｇを選択的に発光させる。これにより、発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂがそれぞれ赤色、緑色、青色に発光する。
【００４６】
以下、発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂの各部の構成を簡単に説明する。
（陽極）
陽極３（３Ｒ、３Ｇ、３Ｂ）は、正孔注入層４（４Ｒ、４Ｇ、４Ｂ）に正孔を注入する電極である。この陽極３Ｒ、３Ｇ、３Ｂの構成材料としては、それぞれ、仕事関数が大きく、導電性に優れる材料を用いるのが好ましい。
【００４７】
具体的には、陽極３Ｒ、３Ｇ、３Ｂの構成材料としては、それぞれ、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）、Ｉｎ３Ｏ３、ＳｎＯ２、Ｓｂ含有ＳｎＯ２、Ａｌ含有ＺｎＯ等の酸化物、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｃｕまたはこれらを含む合金等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。なお、陽極３Ｒ、３Ｇ、３Ｂの構成材料は、互いに同じであっても異なっていてもよいが、互いに同じ材料を用いることにより、一括して陽極３Ｒ、３Ｇ、３Ｂを形成することができ、生産性を高めることができる。
【００４８】
（正孔注入層）
正孔注入層４（４Ｒ、４Ｇ、４Ｂ）は、陽極３（３Ｒ、３Ｇ、３Ｂ）からの正孔注入効率を向上させる機能を有するものである。
【００４９】
この正孔注入層４Ｒ、４Ｇ、４Ｂの構成材料（正孔注入材料）としては、それぞれ、特に限定されないが、例えば、ＴＡＰＣ（(1,1-ビス[4-(ジ-p-トリル)アミ.ノフェニル]シクロヘキサン)) ：4,4'-Cyclohexylidenebis[N,N-bis(4-methylphenyl)aniline]）、ＴＰＤ（N,N’-ジフェニル-N,N’-ビス-(3-メチルフェニル)-１,１’ビフェニル-4,4’-ジアミン）、α−ＮＰＤ（N,N’-ジフェニル-N,N’-ビス-(1-ナフチル)-１,１’ビフェニル-4,4’-ジアミン）、ｍ−ＭＴＤＡＴＡ（4，4’，4”−トリス（Ｎ−３−メチルフェニルアミノ）−トリフェニルアミン：4,4’,4”-Tris(N-3-methylphenyl-N-phenylamino)-triphenylamine）、２−ＴＮＡＴＡ（４，４’，４”−トリス（Ｎ, Ｎ−（２−ナフチル）フェニルアミノ）トリフェニルアミン）、ＴＣＴＡ（4，4’，4”−トリ（Ｎ−カルバゾル基）トリフェニルアミン：Tris-(4-carbazoyl-9-yl-phenyl)-amine）、ＴＤＡＰＢ（１，３，５−トリス−（Ｎ，Ｎ−ビス−（４−メトキシ−フェニル）−アミノフェニル）−ベンゼン：1,3,5-tris[4-(diphenylamino)phenyl]benzene）、スピローＴＡＤ、ＨＴＭ１（Tri-p-tolylamineHTM2,1,1-bis[(di-4-tolylamino) phenyl]cyclohexane）、ＨＴＭ２（1,1-bis[(di-4-tolylamino) phenyl]cyclohexane）、ＴＰＴ１（1,3,5-tris(4-pyridyl)-2,4,6-triazin）、ＴＰＴＥ（Triphenylamine-tetramer）、ＴＦＢ（ポリ(9,9-ジオクチル-フルオレン-コ-N-(4-ブチルフェニル)-ジフェニルアミン)等のトリフェニルアミン系ポリマー等のアミン系化合物、ポリアニリン誘導体、ポリフルオレン誘導体（ＰＦ）、ポリパラフェニレンビニレン誘導体（ＰＰＶ）、ポリパラフェニレン誘導体（ＰＰＰ）、ポリビニカルバゾール（ＰＶＫ）、ポリ(3,4-エチレンジオキシチオフェン)(PEDOT)のようなポリチオフェン誘導体、ポリメチルフェニルシラン（ＰＭＰＳ）を含むポリシラン系等の高分子材料、また、NOVALED社製NDP-9、ポリスチレンスルホン酸（ＰＳＳ）等他の材料が挙げられ、これらのうちの１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。他の材料
また、２種以上を組み合わせて用い、主材料として用いられる１種をホスト材料とし、その他の１種以上をドーパント材料とする場合、前述した正孔注入材料のうち、ホスト材料としては、高分子材料を用いることが好ましく、一方、ドーパント材料としては、前記他の材料を用いることが好ましい。これにより、ドーパント材料の含有量の調整により、正孔注入性（導電率）すなわち、正孔注入層の抵抗値を容易に調整することができる。
【００５０】
このようにホスト材料およびドーパント材料を用いる場合、正孔注入層４Ｒ、４Ｇ、４Ｂ中におけるドーパント材料の含有量は、特に限定されないが、０．１ｗｔ％以上２０ｗｔ％以下であることが好ましく、１ｗｔ％以上１５ｗｔ％以下であることがより好ましく、５ｗｔ％以上１０ｗｔ％以下であることがさらに好ましい。
【００５１】
（正孔輸送層）
正孔輸送層５Ｒ（第２正孔輸送層）は、陽極３Ｒから正孔注入層４Ｒを介して注入された正孔を発光機能層６Ｒまで輸送する機能を有する。同様に、正孔輸送層５Ｇ（第３正孔輸送層）は、陽極３Ｇから正孔注入層４Ｇを介して注入された正孔を発光機能層６Ｇまで輸送する機能を有する。
【００５２】
また、正孔輸送層５Ｒは、電子ブロック性を有し、電子が正孔注入層４Ｒに侵入することによる正孔注入層４Ｒの機能低下を防止する機能をも有する。同様に、正孔輸送層５Ｇは、電子ブロック性を有し、電子が正孔注入層４Gに侵入することによる正孔注入層４Gの機能低下を防止する機能をも有する。
【００５３】
さらに、正孔輸送層５Ｂ（第１正孔輸送層）および正孔輸送層７は、陽極３Ｂから正孔注入層４Ｂを介して注入された正孔を発光機能層６Ｂまで輸送する機能を有する。
【００５４】
また、正孔輸送層５Ｂ、７は、電子ブロック性を有し、電子が正孔注入層４Ｂに侵入することによる正孔注入層４Ｂの機能低下を防止する機能をも有する。なお、正孔輸送層７は、後述するように極めて薄いため、正孔輸送層７単独の電子ブロック性は極めて低く、発光素子１Ｒ、１Ｇにおいて、電子の移動を阻害しないようになっている。
【００５５】
正孔輸送層５Ｒ、５Ｇ、５Ｂの構成材料としては、例えば、ＴＦＢ（poly(9,9-dioctyl-fluorene-co-N-(4- butylphenyl)-diphenylamine)）等のトリフェニルアミン系ポリマー等のアミン系化合物、ポリフルオレン誘導体（ＰＦ）やポリパラフェニレンビニレン誘導体（ＰＰＶ）、ポリパラフェニレン誘導体（ＰＰＰ）、ポリビニカルバゾール（ＰＶＫ）、ポリチオフェン誘導体、ポリメチルフェニルシラン（ＰＭＰＳ）を含むポリシラン系等の高分子の正孔輸送材料、また、ｍ−ＭＴＤＡＴＡ（４，４’，４”−トリス（Ｎ−３−メチルフェニルアミノ）−トリフェニルアミン）、ＴＣＴＡ（４，４’，４”−トリ（Ｎ−カルバゾル基）トリフェニルアミン）、α−ＮＰＤ（ビス（Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニル）ベンジジン）等の低分子の正孔輸送材料が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。また、正孔輸送層５Ｒ、５Ｇ、５Ｂ（第１正孔輸送層、第２正孔輸送層、第３正孔輸送層）の構成材料は、互いに同じであっても異なっていてもよいが、正孔輸送層５Ｒ、５Ｇ（第１正孔輸送層、第３正孔輸送層）の構成材料が互いに同じで、かつ、正孔輸送層５Ｂ（第２正孔輸送層）の構成材料が正孔輸送層５Ｒ、５Ｇと異なることにより、発光素子１Ｒ、１Ｇと発光素子１Ｂとの発光バランスを容易に調整することができる。
【００５６】
また、正孔輸送層７の構成材料としては、例えば、ｍ−ＭＴＤＡＴＡ（４，４’，４”−トリス（Ｎ−３−メチルフェニルアミノ）−トリフェニルアミン）、ＴＣＴＡ（４，４’，４”−トリ（Ｎ−カルバゾル基）トリフェニルアミン）、α−ＮＰＤ（ビス（Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニル）ベンジジン）等の低分子の正孔輸送材料が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。また、正孔輸送層７（共通正孔輸送層）の構成材料は、正孔輸送層５Ｒ、５Ｇ、５Ｂと同じであっても異なっていてもよいが、正孔輸送層５Ｂ（第２正孔輸送層）の構成材料と同一または近似した材料を含んでいることにより、正孔輸送層５Ｂから正孔輸送層７を介して発光機能層６Ｂへキャリア（正孔）をスムーズに輸送させることができる。
【００５７】
さらに、正孔輸送層（中間層）７の厚さｔは、２ｎｍ以下であることが好ましく、０．１ｎｍ以上１．５ｎｍ以下であることがより好ましく、０．１ｎｍ以上１ｎｍ以下であることがさらに好ましく、０．１ｎｍ以上０．９ｎｍ以下であることが最も好ましい。これにより、発光素子１Ｒ、１Ｇにおいて、発光機能層６Ｒ、６Ｇと発光機能層６Ｂとの間に設けられている正孔輸送層７の厚さが極めて薄いため、発光機能層６Ｂから発光機能層６Ｒ、６Ｇへキャリア（電子）を受け渡すことができる。したがって、発光素子１Ｒ、１Ｇにおいて発光機能層６Ｂを発光させずに発光機能層６Ｒ、６Ｇを選択的に発光させることができる。正孔輸送層７の厚さが極めて薄いため、正孔輸送層７を設けることによる発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂの駆動電圧の上昇を抑えることができる。
【００５８】
ここで、正孔輸送層７の構成材料が前述したように電子ブロック性を有するため、発光素子１Ｂにおいて正孔輸送層７の電子ブロック性を利用して発光機能層６Ｂを効率的に発光させることができる。一方、発光素子１Ｒ、１Ｇにおいて、正孔輸送層７の電子ブロック性が高すぎると、発光機能層６Ｒ、６Ｇによる発光が生じなかったり、発光効率が著しく低下したりする。したがって、正孔輸送層７の厚さを極めて薄くして発光素子１Ｒ、１Ｇにおける正孔輸送層７の電子ブロック性を低くすることは極めて有用である。
【００５９】
これに対し、正孔輸送層７の厚さｔが薄すぎると、正孔輸送層７を設けることによる前述した効果が極端に小さくなる傾向を示す。一方、正孔輸送層７の厚さｔが厚すぎると、発光素子１Ｒ、１Ｇの駆動電圧が急激に大きく（発光効率が急激に低く）なるか、または、発光素子１Ｒ、１Ｇにおいて発光機能層６Ｂが発光してしまい、所望の色の発光が得られなくなってしまう。
【００６０】
ここで、本発明では、上述した正孔注入層４（４Ｒ、４Ｇ、４Ｂ）と正孔輸送層５（５Ｒ、５Ｇ、５Ｂ）との組み合わせが、正孔注入層４に、２Ｖの電圧を印加したときの抵抗値が２５kΩ/□以下であり、正孔注入層４と正孔輸送層５との積層体に、５Ｖの電圧を印加したときの抵抗値が１０MΩ/□以上となるものが選択されている。
【００６１】
これにより、正孔注入層４単独では、その抵抗値が低く導電性が高いため、陽極３から注入された正孔（ホール）を、正孔注入層４中において、正孔輸送層５側に伝達することができるが、正孔注入層４と正孔輸送層５との積層体とした際に、その抵抗値が高く導電性が低くなっているため、過剰な正孔が、正孔輸送層５に注入されるのを的確に抑制することができる。その結果、正孔輸送層５中において、正孔輸送材料が酸化・劣化するのが的確に抑制または防止されるため、発光素子１の長寿命化が図られる。
【００６２】
また、正孔注入層４は、この正孔注入層４に陽極３と陰極１０との間で、２Ｖの電圧を印加したときの抵抗値が２５kΩ/□以下であれば良いが、１０  kΩ/□以下であることが好ましい。これにより、陽極３から注入された正孔を、正孔注入層４中において、正孔輸送層５側により円滑に伝達することができる。
【００６３】
さらに、正孔注入層４と正孔輸送層５との積層体は、この積層体に陽極３と陰極１０との間で、５Ｖの電圧を印加したときの抵抗値が１０MΩ/□以上であれば良いが、１５MΩ/□以上であることが好ましい。さらに、５Ｖの電圧を印加したときの抵抗値が５００MΩ/□以下であることが好ましく、２００MΩ/□以下であることがより好ましい。これにより、過剰な正孔が、正孔輸送層５に注入されるのを的確に抑制することができるとともに、正孔注入層４から注入された正孔を、正孔輸送層５中において、発光機能層６側により円滑に伝達することができる。
【００６４】
以上のような、正孔注入層４と、正孔注入層４ならびに正孔輸送層５からなる積層体との抵抗値の関係は、正孔注入層４ならびに正孔輸送層５に含まれる構成材料の組み合わせ、構成材料のバンドギャップ（ＨＯＭＯ、ＬＵＭＯ）の関係、および、構成材料の含有量を適宜設定することにより満足させることができる他、正孔注入層４ならびに正孔輸送層５の膜厚の関係、さらには、後述する発光装置の製造方法において詳述するように正孔注入層４と正孔輸送層５との界面の状態を適宜設定することにより満足させることができる。
【００６５】
また、正孔注入層４は、その平均膜厚が１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下であることが好ましく、２０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下であることがより好ましい。これにより、正孔注入層４と、正孔注入層４ならびに正孔輸送層５からなる積層体との抵抗値を、前述した関係を満足するものとすることができる。
【００６６】
さらに、正孔輸送層５は、その平均膜厚が５ｎｍ以上４０ｎｍ以下であることが好ましく、１０ｎｍ以上３０ｎｍ以下であることがより好ましい。これにより、正孔注入層４と、正孔注入層４ならびに正孔輸送層５からなる積層体との抵抗値を、前述した関係を満足するものとすることができる。
【００６７】
なお、正孔注入層４と、正孔注入層４ならびに正孔輸送層５からなる積層体との抵抗値の関係は、発光素子１（１Ｒ、１Ｇ、１Ｂ）のうちいずれの発光素子において満足するものであっても良いが、赤色の光を発光する発光機能層６Ｒを備える発光素子１Ｒ、および、緑色の光を発光する発光機能層６Ｇを備える発光素子１Ｇのうちの少なくも一方で満足することが好ましい。これは、一般的に、発光素子１Ｒ、１Ｇが備える、正孔注入層４Ｒ、４Ｇおよび正孔輸送層５Ｒ、５Ｇに用いられる正孔注入材料および正孔輸送材料が、ともに、導電性の高いものすなわち抵抗値の低いものが選択されるため、本発明を適用することにより得られる効果を、より顕著に発揮させることができる。
【００６８】
（発光機能層）
発光機能層６Ｒは、正孔輸送層５Ｒに接して設けられている。また、発光機能層６Ｇは、正孔輸送層５Ｇに接して設けられている。また、発光機能層６Ｂは、正孔輸送層７に接して設けられている。
【００６９】
発光機能層６Ｒ、６Ｇ、６Ｂは、それぞれ、発光材料を含んで構成されている。この発光材料としては、特に限定されず、各種蛍光材料、燐光材料を１種または２種以上組み合わせて用いることができ、発光機能層６Ｒは、発光材料として赤色蛍光材料または赤色燐光材料が用いられ、発光機能層６Ｇは、発光材料として緑色蛍光材料または緑色燐光材料が用いられ、発光機能層６Ｂは、発光材料として青色蛍光材料または青色燐光材料が用いられる。
【００７０】
赤色蛍光材料としては、赤色の蛍光を発するものであれば特に限定されず、例えば、ジインデノペリレン誘導体等のペリレン誘導体、ユーロピウム錯体、ベンゾピラン誘導体、ローダミン誘導体、ベンゾチオキサンテン誘導体、ポルフィリン誘導体、ナイルレッド、２−（１，１−ジメチルエチル）−６−（２−（２，３，６，７−テトラヒドロ−１，１，７，７−テトラメチル−１Ｈ，５Ｈ−ベンゾ（ｉｊ）キノリジン−９−イル）エテニル）−４Ｈ−ピラン−４Ｈ−イリデン）プロパンジニトリル（ＤＣＪＴＢ）、４−（ジシアノメチレン）−２−メチル−６−（ｐ−ジメチルアミノスチリル）−４Ｈ−ピラン（ＤＣＭ）、ＡＤＳ１１１ＲＥ（アメリカンダイソース社製）等を挙げられる。
【００７１】
赤色燐光材料としては、赤色の燐光を発するものであれば特に限定されず、例えば、Ｂｔ２Ｉｒ（ａｃａｃ）（Bis（２−phenylbenxothiozolato−Ｎ，Ｃ２’）Iridium（III）（acetylacetonate））、Ｂｔｐ２Ｉｒ（ａｃａｃ）（Bis（２，２’−benzothienyl）−pyridinato−Ｎ，Ｃ３）Iridium（acetylacetonate））などのイリジウム錯体、ＰｔＯＥＰ（２，３，７，８，１２，１３，１７，１８−Octaethyl−２１Ｈ，２３Ｈ−porphine，platinum（II））などの白金錯体等が挙げられる。
【００７２】
緑色蛍光材料としては、緑色の蛍光を発するものであれば特に限定されず、例えば、クマリン誘導体、キナクリドン誘導体等のキナクリドンおよびその誘導体、９，１０−ビス［（９−エチル−３−カルバゾール）−ビニレニル］−アントラセン、ポリ（９，９−ジヘキシル−２，７−ビニレンフルオレニレン）、ポリ［（９，９−ジオクチルフルオレン−２，７−ジイル）−コ−（１，４−ジフェニレン−ビニレン−２−メトキシ−５−｛２−エチルヘキシルオキシ｝ベンゼン）］、ポリ［（９，９−ジオクチル−２，７−ジビニレンフルオレニレン）−オルト−コ−（２−メトキシ−５−（２−エトキシルヘキシルオキシ）−１，４−フェニレン）］、ＡＤＳ１０９ＧＥ（アメリカンダイソース社製）等が挙げられる。
【００７３】
緑色燐光材料としては、緑色の燐光を発するものであれば特に限定されず、例えば、Ｉｒ（ｐｐｙ）３（Fac−tris（２−phenypyridine）iridium）、Ｐｐｙ２Ｉｒ（ａｃａｃ）（Bis（２−phenyl−pyridinato−Ｎ，Ｃ２）Iridium（acetylacetone））などのイリジウム錯体等が挙げられる。
【００７４】
青色蛍光材料としては、青色の蛍光を発するものであれば、特に限定されず、例えば、ジスチリルジアミン系化合物等のジスチリルアミン誘導体、フルオランテン誘導体、ピレン誘導体、ペリレンおよびペリレン誘導体、アントラセン誘導体、ベンゾオキサゾール誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、クリセン誘導体、フェナントレン誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、テトラフェニルブタジエン、４，４’−ビス（９−エチル−３−カルバゾビニレン）−１，１’−ビフェニル（ＢＣｚＶＢｉ）、ポリ［（９．９−ジオクチルフルオレン−２，７−ジイル）−コ−（２，５−ジメトキシベンゼン−１，４−ジイル）］、ポリ［（９，９−ジヘキシルオキシフルオレン−２，７−ジイル）−オルト−コ−（２−メトキシ−５−｛２−エトキシヘキシルオキシ｝フェニレン−１，４−ジイル）］、ポリ［（９，９−ジオクチルフルオレン−２，７−ジイル）−コ−（エチルニルベンゼン）］、ＡＤＳ１３６ＢＥ（アメリカンダイソース社製）等が挙げられる。
【００７５】
青色燐光材料としては、青色の燐光を発するものであれば、特に限定されず、例えば、ＦＩｒｐｉｃ（Iridium−bis（４，６−difluorophenyl−pyridinato−Ｎ，Ｃ２）−picolinate）、Ｉｒ（ｐｍｂ）３（Iridium−tris（１−phenyl−３−methylbenzimidazolin−２−ylidene−Ｃ，Ｃ（２）’）、ＦＩｒＮ４（Iridium （III）bis（４，６−difluorophenylpyridinato）（５−（pyridin−２−yl）−tetrazolate））、ＦＩｒｔａｚ（Iridium（III）bis（４，６−difluorophenylpyridinato）（５−（pyridine−２−yl）−１，２，４−triazolate））などのイリジウム錯体等が挙げられる。
【００７６】
また、発光機能層６Ｒ、６Ｇ、６Ｂ中には、前述した発光材料の他に、発光材料がゲスト材料として添加されるホスト材料が含まれていてもよい。このホスト材料は、正孔と電子とを再結合して励起子を生成するとともに、その励起子のエネルギーを発光材料に移動（フェルスター移動またはデクスター移動）させて、発光材料を励起する機能を有する。このようなホスト材料を用いる場合、例えば、ゲスト材料である発光材料をドーパントとしてホスト材料にドープして用いることができる。
【００７７】
このようなホスト材料としては、用いる発光材料に対して前述したような機能を発揮するものであれば、特に限定されないが、例えば、ＴＤＡＰＢ（１，３，５−トリス−（Ｎ，Ｎ−ビス−（４−メトキシ−フェニル）−アミノフェニル）−ベンゼン）、ＣＢＰ(４，４’−bis(９−dicarbazolyl)−２，２’−biphenyl）、ＢＡｌｑ（Bis−（２−methyl−８−quinolinolate）−４−（phenylphenolate）aluminium）、ｍＣＰ（Ｎ，Ｎ−dicarbazolyl−３，５−benzene：ＣＢＰ誘導体）、ＣＤＢＰ（４，４’−bis（９−carbazolyl）−２，２’−dimethyl−biphenyl）、ＤＣＢ（Ｎ，Ｎ’−Dicarbazolyl−１，４−dimethene−benzene）、Ｐ０６（２，７−bis（diphenylphosphineoxide）９，９−dimethylfluorene）、ＳｉｍＣＰ（３，５−bis（９−carbazolyl）tetraphenylsilane）、ＵＧＨ３（Ｗ−bis（triphenylsilyl）benzene）等の低分子のホスト材料が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることもできる。
【００７８】
発光機能層６Ｒ、６Ｇの構成材料は、前述した正孔輸送層５Ｒ、５Ｇの構成材料を溶解可能な溶媒に可溶であることが好ましい。これにより、同じ溶媒を用いて発光機能層６Ｒ、６Ｇおよび正孔輸送層５Ｒ、５Ｇを液相プロセスにより形成することができる。すなわち、発光機能層６Ｒ、６Ｇを液相プロセスにより形成する際、正孔輸送層５Ｒ、５Ｇを液相プロセスにより形成した際に用いた溶媒と同じ溶媒を用いることができる。その結果、発光機能層６Ｒ、６Ｇと正孔輸送層５Ｒ、５Ｇとの間の界面の密着性または親和性を高め、正孔輸送層５Ｒ、５Ｇから発光機能層６Ｒ、６Ｇへのキャリア（正孔）の輸送性を高めることができる。
【００７９】
また、発光機能層６Ｒ、６Ｇの構成材料は、低分子材料を主材料として構成されていることが好ましく、低分子のゲスト材料および低分子のホスト材料を主材料として構成されていることがより好ましい。これにより、発光機能層６Ｒ、６Ｇの発光効率を高めて、正孔輸送層７を設けることによる発光素子１Ｒ、１Ｇの発光効率の低下分を補うことができる。その結果、発光素子１Ｒ、１Ｇと発光素子１Ｂの発光バランスを優れたものとすることができる。このような観点から、発光機能層６Ｒ、６Ｇ中の低分子材料の含有量は、６０ｗｔ％以上であることが好ましく、８０ｗｔ％以上であることがより好ましく、９０ｗｔ％以上であることがさらに好ましい。
【００８０】
このような発光機能層６Ｒ、６Ｇ、６Ｂの厚さは、それぞれ、特に限定されないが、５ｎｍ以上１００ｎｍ以下の範囲内にあることが好ましく、１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下の範囲内にあることがより好ましい。
【００８１】
（電子輸送層）
電子輸送層８は、陰極１０から電子注入層９を介して注入された電子を発光機能層６Ｂに輸送する機能を有するものである。
【００８２】
電子輸送層８の構成材料（電子輸送材料）としては、例えば、ＢＡＬｑ、ＯＸＤ−１（１，３，５−トリ（５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール））、ＢＣＰ（Bathocuproine）、ＰＢＤ（２−（４−ビフェニル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−オキサジアゾール）、ＴＡＺ（３−（４−ビフェニル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール）、ＤＰＶＢｉ（４，４’−ビス（１，１−ビスージフェニルエテニル）ビフェニル）、ＢＮＤ（２，５−ビス（１−ナフチル）−１，３，４−オキサジアゾール）、ＤＴＶＢｉ（４，４’−ビス（１，１−ビス（４−メチルフェニル）エテニル）ビフェニル）、ＢＢＤ（２，５−ビス（４−ビフェニリル）−１，３，４−オキサジアゾール）、また、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ３）、オキサジアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、フェナンソロリン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、ベンゾキノン誘導体、ナフトキノン誘導体、アントラキノン誘導体、テトラシアノアンスラキノジメタン誘導体、フルオレン誘導体、ジフェニルジシアノエチレン誘導体、ジフェノキノン誘導体、ヒドロキシキノリン誘導体等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００８３】
電子輸送層８の厚さは、特に限定されないが、１ｎｍ以上１００ｎｍ以下の範囲内にあることが好ましく、５ｎｍ以上５０ｎｍ以下の範囲内にあることがより好ましい。
【００８４】
なお、この電子輸送層８は、他の層の構成材料や厚さ等によっては、省略することができる。
【００８５】
（電子注入層）
電子注入層９は、陰極１０からの電子注入効率を向上させる機能を有するものである。
【００８６】
この電子注入層９の構成材料（電子注入材料）としては、例えば、各種の無機絶縁材料、各種の無機半導体材料が挙げられる。
【００８７】
このような無機絶縁材料としては、例えば、アルカリ金属カルコゲナイド（酸化物、硫化物、セレン化物、テルル化物）、アルカリ土類金属カルコゲナイド、アルカリ金属のハロゲン化物およびアルカリ土類金属のハロゲン化物等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これらを主材料として電子注入層を構成することにより、電子注入性をより向上させることができる。特にアルカリ金属化合物（アルカリ金属カルコゲナイド、アルカリ金属のハロゲン化物等）は仕事関数が非常に小さく、これを用いて電子注入層９を構成することにより、発光素子１は、高い輝度が得られるものとなる。
【００８８】
アルカリ金属カルコゲナイドとしては、例えば、Ｌｉ２Ｏ、ＬｉＯ、Ｎａ２Ｓ、Ｎａ２Ｓｅ、ＮａＯ等が挙げられる。アルカリ土類金属カルコゲナイドとしては、例えば、ＣａＯ、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＢｅＯ、ＢａＳ、ＭｇＯ、ＣａＳｅ等が挙げられる。アルカリ金属のハロゲン化物としては、例えば、ＣｓＦ、ＬｉＦ、ＮａＦ、ＫＦ、ＬｉＣｌ、ＫＣｌ、ＮａＣｌ等が挙げられる。アルカリ土類金属のハロゲン化物としては、例えば、ＣａＦ２、ＢａＦ２、ＳｒＦ２、ＭｇＦ２、ＢｅＦ２等が挙げられる。
【００８９】
また、無機半導体材料としては、例えば、Ｌｉ、Ｎａ、Ｂａ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｙｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｃｄ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｔａ、ＳｂおよびＺｎのうちの少なくとも１つの元素を含む酸化物、窒化物または酸化窒化物等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００９０】
電子注入層９の厚さは、特に限定されないが、０．０１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の範囲内にあることが好ましく、０．１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の範囲内にあることがより好ましい。
【００９１】
なお、この電子注入層９は、他の層の構成材料や厚さ等によっては、省略することができる。
【００９２】
（陰極）
陰極１０は、電子注入層９を介して電子輸送層８に電子を注入する電極である。この陰極１０の構成材料としては、仕事関数の小さい材料を用いるのが好ましい。
【００９３】
陰極１０の構成材料としては、例えば、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｅｒ、Ｅｕ、Ｓｃ、Ｙ、Ｙｂ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｃｓ、Ｒｂまたはこれらを含む合金等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて（例えば、複数層の積層体等）用いることができる。
【００９４】
特に、陰極１０の構成材料として合金を用いる場合には、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｕ等の安定な金属元素を含む合金、具体的には、ＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ、ＣｕＬｉ等の合金を用いるのが好ましい。かかる合金を陰極１０の構成材料として用いることにより、陰極１０の電子注入効率および安定性の向上を図ることができる。
【００９５】
また、本実施形態の発光素子１は、ボトムエミッション型であるため、陰極１０は、光透過性を有していなくてもよい。ボトムエミッション型である場合、陰極１０の構成材料としては、例えば、Ａｌ、Ａｇ、ＡｌＡｇ、ＡｌＮｄ等の金属または合金が好ましく用いられる。このような金属または合金を陰極１０の構成材料として用いることにより、陰極１０の電子注入効率および安定性の向上を図ることができる。
【００９６】
ボトムエミッション型である場合の陰極１０の厚さは、特に限定されないが、５０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下の範囲内にあることが好ましく、１００ｎｍ以上５００ｎｍ以下の範囲内にあることがより好ましい。
【００９７】
なお、発光素子１がトップエミッション型である場合、陰極１０の構成材料としては、ＭｇＡｇ、ＭｇＡｌ、ＭｇＡｕ、ＡｌＡｇ等の金属または合金を用いるのが好ましい。このような金属または合金を陰極１０の構成材料として用いることにより、陰極１０の光透過性を確保しつつ、陰極１０の電子注入効率および安定性の向上を図ることができる。
【００９８】
トップエミッション型である場合における陰極１０の厚さは、特に限定されないが、１ｎｍ以上５０ｎｍ以下の範囲内にあることが好ましく、５ｎｍ以上２０ｎｍ以下の範囲内にあることがより好ましい。
【００９９】
以上説明したように構成された発光装置１００によれば、後に詳述するように、液相プロセスを用いて正孔注入層４Ｒ、４Ｇ、４Ｒ、正孔輸送層５Ｒ、５Ｇ、５Ｂおよび発光機能層６Ｒ、６Ｇをそれぞれ素子ごとに個別に形成するとともに、気相プロセスを用いて正孔輸送層７および発光機能層６Ｂをそれぞれ発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂに共通に形成することができる。そのため、発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂを効率的に製造することができる。
【０１００】
（発光装置の製造方法）
以下、前述した発光装置１００の製造方法の一例を説明する。
【０１０１】
図２〜図４は、図１に示す発光装置の製造方法を説明するための図である。以下、各工程を順次説明する。
【０１０２】
［１］
まず、回路基板２０を用意し、図２（ａ）に示すように、この回路基板２０上に陽極３Ｒ、３Ｇ、３Ｂを形成した後、隔壁３１を形成する。
【０１０３】
陽極３Ｒ、３Ｇ、３Ｂは、例えば、回路基板２０上に、蒸着法、ＣＶＤ法等の気相成膜法を用いて電極材料を成膜した後、これをエッチング等を用いてパターニングすることにより得られる。
【０１０４】
また、隔壁３１は、陽極３Ｒ、３Ｇ、３Ｂが露出するようにフォトリソグラフィー法等を用いてパターニングすること等により形成することができる。
【０１０５】
ここで、隔壁３１の構成材料は、耐熱性、撥液性、インク溶剤耐性、回路基板２０等との密着性等を考慮して選択される。具体的には、隔壁３１の構成材料としては、例えば、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、エポキシ系樹脂のような有機材料や、ＳｉＯ２のような無機材料が挙げられる。
【０１０６】
また、陽極３Ｒ、３Ｇ、３Ｂおよび隔壁３１の形成後、必要に応じて、陽極３Ｒ、３Ｇ、３Ｂおよび隔壁３１の表面に酸素プラズマ処理を施してもよい。これにより、陽極３Ｒ、３Ｇ、３Ｂの表面に親液性を付与すること、陽極３Ｒ、３Ｇ、３Ｂおよび隔壁３１の表面に付着する有機物を除去（洗浄）すること、陽極３Ｒ、３Ｇ、３Ｂの表面付近の仕事関数を調整すること等を行うことができる。
【０１０７】
ここで、酸素プラズマ処理の条件としては、例えば、プラズマパワー１００〜８００Ｗ程度、酸素ガス流量５０〜１００ｍＬ／ｍｉｎ程度、被処理部材（陽極３Ｒ、３Ｇ、３Ｂ）の搬送速度０．５〜１０ｍｍ／ｓｅｃ程度、回路基板２０の温度７０〜９０℃程度とするのが好ましい。
【０１０８】
また、この酸素プラズマ処理の後、ＣＦ４等のフッ素系ガスを処理ガスとしてプラズマ処理するのが好ましい。これにより、有機材料である感光性樹脂からなる隔壁３１の表面のみにフッ素系ガスが反応して撥液化される。これによって、隔壁３１内に付与される液体が不本意に濡れ拡がるのを低減することができる。
【０１０９】
［２］
次に、図２（ｂ）に示すように、インクジェットヘッド２００から正孔注入層形成用のインク４ａを隔壁３１内の陽極３Ｒ、３Ｇ、３Ｂ上にそれぞれ付与する。
【０１１０】
インク４ａは、正孔注入層４Ｒ、４Ｇ、４Ｂの構成材料またはその前駆体を溶媒に溶解または分散媒に分散させてなるものである。溶媒または分散媒としては、例えば、各種無機溶媒や、各種有機溶媒、または、これらを含む混合溶媒等が挙げられる。
【０１１１】
その後、陽極３上のインク４ａを乾燥（脱溶媒または脱分散媒）し、必要に応じて加熱処理することにより、図２（ｃ）に示すように、正孔注入層４Ｒ、４Ｇ、４Ｂを形成する。
【０１１２】
なお、本発明では、この正孔注入層４の形成の際に、形成される正孔注入層４に２Ｖの電圧を印加したときの抵抗値が２ＫΩ以下となるように、その構成材料の種類、含有量および膜厚等が設定される。
【０１１３】
乾燥は、例えば、大気圧または減圧雰囲気中での放置、加熱処理、不活性ガスの吹付け等により行うことができるが、５Ｐａ以下の真空状態で１０分間〜１時間程度減圧乾燥を行った後に、大気圧のオーブン内にて１５０℃〜２５０℃で５分間〜３０分間程度加熱乾燥することが好ましい。これにより、平坦で優れた特性を有する正孔注入層４Ｒ、４Ｇ、４Ｂを形成することができる。
【０１１４】
以上のように、インク４ａを用いた液相プロセスにより、正孔注入層４Ｒ、４Ｇ、４Ｂ
が形成される。
【０１１５】
なお、正孔注入層４Ｒ、４Ｇ、４Ｂの形成に用いるインクは、前述したものに限定されず、例えば、画素ごとに互いに異なる構成（材料、含有量、濃度等）のインクを用いてもよい。この場合、各インクの成膜材料が１種の正孔注入性材料またはその前駆体で構成されていてもよい。
【０１１６】
［３］
次に、図３（ａ）に示すように、正孔輸送層５Ｒ、５Ｇを形成する。
【０１１７】
具体的に説明すると、インクジェットヘッドから正孔輸送層形成用のインクを隔壁３１内の正孔注入層４Ｒ、４Ｇ上にそれぞれ付与する。
【０１１８】
かかるインクは、正孔輸送層５Ｒ、５Ｇの構成材料またはその前駆体を溶媒に溶解または分散媒に分散させてなるものである。溶媒または分散媒としては、例えば、各種無機溶媒や、各種有機溶媒、または、これらを含む混合溶媒等が挙げられる。
【０１１９】
その後、正孔注入層４Ｒ、４Ｇ上のインクを乾燥（脱溶媒または脱分散媒）し、必要に応じて加熱処理することにより、図３（ａ）に示すように、正孔輸送層５Ｒ、５Ｇを形成する。
【０１２０】
なお、本発明では、これら正孔輸送層５Ｒ、５Ｇの形成の際に、形成される正孔注入層４Ｒ、４Ｇと正孔輸送層５Ｒ、５Ｇとの積層体に５Ｖの電圧を印加したときの抵抗値が１ＭΩ以上となるように、正孔輸送層５Ｒ、５Ｇの構成材料の種類、含有量および膜厚等が設定される。
【０１２１】
さらには、本工程［３］に先立って、正孔注入層４Ｒ、４Ｇと正孔輸送層５Ｒ、５Ｇとの界面の状態を、前記積層体に５Ｖの電圧を印加したときの抵抗値が１ＭΩ以上となるように調整するようにしても良く、具体的には、正孔注入層４Ｒ、４Ｇの表面にプラズマ処理のような表面処理を施すようにしても良い。
【０１２２】
乾燥は、例えば、大気圧または減圧雰囲気中での放置、加熱処理、不活性ガスの吹付け等により行うことができるが、５Ｐａ以下の真空状態で１０分間〜１時間程度減圧乾燥を行った後に、窒素雰囲気のオーブン内にて１５０℃〜２５０℃で５分間〜３０分間程度加熱乾燥することが好ましい。これにより、平坦で優れた特性を有する正孔輸送層５Ｒ、５Ｇを形成することができる。
以上のように、液相プロセスにより、正孔輸送層５Ｒ、５Ｇが形成される。
【０１２３】
［４］
次に、図３（ｂ）に示すように、発光機能層６Ｒ、６Ｇを形成する。
【０１２４】
より具体的に説明すると、インクジェットヘッドから発光機能層形成用のインクを隔壁３１内の正孔輸送層５Ｒ、５Ｇ上にそれぞれ付与する。
【０１２５】
かかるインクは、発光機能層６Ｒ、６Ｇの構成材料またはその前駆体を溶媒に溶解または分散媒に分散させてなるものである。溶媒または分散媒としては、例えば、各種無機溶媒や、各種有機溶媒、または、これらを含む混合溶媒等が挙げられる。
【０１２６】
その後、正孔輸送層５Ｒ、５Ｇ上のインクを乾燥（脱溶媒または脱分散媒）し、必要に応じて加熱処理することにより、図３（ｂ）に示すように、発光機能層６Ｒ、６Ｇを形成する。
【０１２７】
乾燥は、例えば、大気圧または減圧雰囲気中での放置、加熱処理、不活性ガスの吹付け等により行うことができるが、５Ｐａ以下の真空状態で１０分間〜１時間程度減圧乾燥を行った後に、窒素雰囲気のオーブン内にて１５０℃〜２５０℃で５分間〜３０分間程度加熱乾燥することが好ましい。これにより、平坦で優れた特性を有する発光機能層６Ｒ、６Ｇを形成することができる。
以上のように、液相プロセスにより、発光機能層６Ｒ、６Ｇが形成される。
【０１２８】
［５］
次に、図４（ａ）に示すように、正孔輸送層５Ｂを形成する。
【０１２９】
より具体的に説明すると、インクジェットヘッドから正孔輸送層形成用のインクを隔壁３１内の正孔注入層４Ｂ上に付与する。
【０１３０】
かかるインクは、正孔輸送層５Ｂの構成材料またはその前駆体を溶媒に溶解または分散媒に分散させてなるものである。溶媒または分散媒としては、例えば、各種無機溶媒や、各種有機溶媒、または、これらを含む混合溶媒等が挙げられる。
【０１３１】
その後、正孔注入層４Ｂ上のインクを乾燥（脱溶媒または脱分散媒）し、必要に応じて加熱処理することにより、図４（ａ）に示すように、正孔輸送層５Ｂを形成する。
【０１３２】
なお、本発明では、この正孔輸送層５Ｂの形成の際に、形成される正孔注入層４Ｂと正孔輸送層５Ｂとの積層体に５Ｖの電圧を印加したときの抵抗値が１ＭΩ以上となるようにしてもよい。なお、このような抵抗値の設定方法としては、前記工程［３］で説明したのと同様の方法を用いることができる。
【０１３３】
乾燥は、例えば、大気圧または減圧雰囲気中での放置、加熱処理、不活性ガスの吹付け等により行うことができるが、５Ｐａ以下の真空状態で１０分間〜１時間程度減圧乾燥を行った後に、窒素雰囲気のオーブン内にて１５０℃〜２５０℃で５分間〜３０分間程度加熱乾燥することが好ましい。これにより、平坦で優れた特性を有する正孔輸送層５Ｂを形成することができる。
以上のように、液相プロセスにより、正孔輸送層５Ｂが形成される。
【０１３４】
［６］
次に、図４（ｂ）に示すように、発光機能層６Ｒ、６Ｇおよび正孔輸送層５Ｂ上に、隔壁３１を跨ってこれらを覆うようにして、正孔輸送層７、発光機能層６Ｂ、電子輸送層８、電子注入層９および陰極１０をこの順で形成する。
【０１３５】
正孔輸送層７、発光機能層６Ｂ、電子輸送層８、電子注入層９および陰極１０は、それぞれ、例えば、真空蒸着等の乾式メッキ法等を用いた気相プロセスにより形成することができる。
【０１３６】
［７］
最後に、図４（ｃ）に示すように、陰極１０を樹脂層３２（封止層）を介して封止基板４０を接着する。これにより、発光装置１００が得られる。
【０１３７】
以上説明したように、液相プロセスを用いて正孔輸送層５Ｒ、５Ｇ、５Ｂおよび発光機能層６Ｒ、６Ｇをそれぞれ素子ごとに個別に形成するとともに、気相プロセスを用いて正孔輸送層７および発光機能層６Ｂをそれぞれ発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂに共通に形成し、発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂを効率的に製造することができる。
【０１３８】
（電子機器）
図５は、本発明の電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
【０１３９】
この図において、パーソナルコンピュータ１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、表示部を備える表示ユニット１１０６とにより構成され、表示ユニット１１０６は、本体部１１０４に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。
【０１４０】
このパーソナルコンピュータ１１００において、表示ユニット１１０６が備える表示部が前述の発光装置１００で構成されている。
【０１４１】
図６は、本発明の電子機器を適用した携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。
【０１４２】
この図において、携帯電話機１２００は、複数の操作ボタン１２０２、受話口１２０４および送話口１２０６とともに、表示部を備えている。
携帯電話機１２００において、この表示部が前述の発光装置１００で構成されている。
【０１４３】
図７は、本発明の電子機器を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。なお、この図には、外部機器との接続についても簡易的に示されている。
【０１４４】
ここで、通常のカメラは、被写体の光像により銀塩写真フィルムを感光するのに対し、ディジタルスチルカメラ１３００は、被写体の光像をＣＣＤ（Charge Coupled Device）などの撮像素子により光電変換して撮像信号（画像信号）を生成する。
【０１４５】
ディジタルスチルカメラ１３００におけるケース（ボディー）１３０２の背面には、表示部が設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、被写体を電子画像として表示するファインダとして機能する。
【０１４６】
ディジタルスチルカメラ１３００において、この表示部が前述の発光装置１００で構成されている。
【０１４７】
ケースの内部には、回路基板１３０８が設置されている。この回路基板１３０８は、撮像信号を格納（記憶）し得るメモリが設置されている。
【０１４８】
また、ケース１３０２の正面側（図示の構成では裏面側）には、光学レンズ（撮像光学系）やＣＣＤなどを含む受光ユニット１３０４が設けられている。
【０１４９】
撮影者が表示部に表示された被写体像を確認し、シャッタボタン１３０６を押下すると、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、回路基板１３０８のメモリに転送・格納される。
【０１５０】
また、このディジタルスチルカメラ１３００においては、ケース１３０２の側面に、ビデオ信号出力端子１３１２と、データ通信用の入出力端子１３１４とが設けられている。そして、図示のように、ビデオ信号出力端子１３１２にはテレビモニタ１４３０が、デ−タ通信用の入出力端子１３１４にはパーソナルコンピュータ１４４０が、それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所定の操作により、回路基板１３０８のメモリに格納された撮像信号が、テレビモニタ１４３０や、パーソナルコンピュータ１４４０に出力される構成になっている。
このような本発明の電子機器は、優れた信頼性を有する。
【０１５１】
なお、本発明の電子機器は、図５のパーソナルコンピュータ（モバイル型パーソナルコンピュータ）、図６の携帯電話機、図７のディジタルスチルカメラの他にも、例えば、テレビや、ビデオカメラ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、ラップトップ型パーソナルコンピュータ、スマートフォン、タブレット端末、時計、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニタ、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器（例えば金融機関のキャッシュディスペンサー、自動券売機）、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電表示装置、超音波診断装置、内視鏡用表示装置）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシミュレータ、その他各種モニタ類、プロジェクター等の投射型表示装置等に適用することができる。
【０１５２】
以上、本発明の発光素子、発光素子の製造方法、発光装置および電子機器を、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものでない。
【０１５３】
例えば、本発明の発光素子は、前述した実施形態のものに限定されず、陽極と、陰極と、発光機能層と、正孔注入層と、正孔輸送層とを備える構成のものであれば、如何なる構成の発光素子にも適用することができる。
【０１５４】
また、本発明の発光装置は、前述した実施形態のものに限定されず、例えば、各画素の発光機能層が独立して設けられた発光装置にも適用可能である。
【実施例】
【０１５５】
次に、本発明の具体的な実施例について説明する。
１．評価用サンプルの製造
（実施例）
１−１．発光素子の製造
＜１Ａ＞  まず、厚さ０．５ｍｍの透明なガラス基板を用意した。次に、この基板上に、スパッタ法により、画素電極として厚さ１００ｎｍのＩＴＯ電極を形成した。その後、アクリル系樹脂で構成される絶縁層を形成した後、この絶縁層を、フォトリソグラフィー法を用いて各ＩＴＯ電極を露出するようにパターニングすることで隔壁（バンク）を形成した。
【０１５６】
そして、基板をアセトン、２−プロパノールの順に浸漬し、超音波洗浄した後、酸素プラズマ処理およびアルゴンプラズマ処理を施した。これらのプラズマ処理は、それぞれ、基板を７０〜９０℃に加温した状態で、プラズマパワー１００Ｗ、ガス流量２０ｓｃｃｍ、処理時間５ｓｅｃで行った。
【０１５７】
＜２Ａ＞  次に、正孔注入層形成用インクを、隔壁内にインクジェット法により充填してＩＴＯ電極上付与した後に、これを５Ｐａまで減圧乾燥した後に、大気中で２００℃１０分間の加熱処理（焼成）をすることにより、厚さ５０ｎｍの正孔注入層を形成した。
【０１５８】
ここで、正孔注入層形成用インクとして、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳの１．０ｗｔ％水分散液にジエチレングリコールを１０ｗｔ％添加した溶液を用いた。
【０１５９】
＜３Ａ＞  次に、正孔輸送層形成用インクを、隔壁内にインクジェット法により充填して正孔注入層上に付与した後に、これを５Ｐａまで減圧乾燥した後に、窒素雰囲気下で１８０℃３０分間の加熱処理（焼成）をすることにより、厚さ２０ｎｍの正孔輸送層を形成した。
【０１６０】
ここで、正孔輸送層形成用インクとして、ＴＦＢ（poly(9,9-dioctyl-fluorene-co-N-(4- butylphenyl)-diphenylamine)）を０．５ｗｔ％含んだシクロヘキシルベンゼン（ＣＨＢ）溶液を用いた。
【０１６１】
＜４Ａ＞  次に、発光機能層形成用インクを、隔壁内にインクジェット法により充填して正孔輸送層上に付与した後に、これを５Ｐａまで減圧乾燥した後に、窒素雰囲気下で１００℃２０分間の加熱処理（焼成）をすることにより、厚さ６０ｎｍの発光機能層（赤色発光機能層）を形成した。
【０１６２】
ここで、発光機能層形成用インクとして、ＣＢＰ（４，４’−ビス（９−ジカルバゾイル）−２，２’−ビフェニル）とビス（２−（９，９−ジブチルフルオロエニル）−１−イソキノリン）（アセチルアセトナト）イリジウムとを重量比９０：１０で混合したテトラロン溶液（濃度１．０ｗｔ％）を用いた。
【０１６３】
＜５Ａ＞  次に、発光機能層上に、Ａｌｑ３を真空蒸着法により成膜し、厚さ２０ｎｍの電子輸送層を形成した。
【０１６４】
＜６Ａ＞  次に、電子輸送層上に、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を真空蒸着法により成膜し、厚さ０．５ｎｍの電子注入層を形成した。
【０１６５】
＜７Ａ＞  次に、電子注入層上に、Ａｌを真空蒸着法により成膜した。これにより、Ａｌで構成される厚さ１５０ｎｍの陰極を形成した。
以上の工程により、発光素子を製造した。
【０１６６】
１−２．正孔注入層の抵抗値測定用素子Ａの製造
前記工程＜３Ａ＞〜前記工程＜６Ａ＞を省略したこと以外は、前述した実施例の発光素子と同様にして正孔注入層の抵抗値測定用素子（ホールリッチ素子）Ａを製造した。
【０１６７】
１−３．正孔注入層と正孔輸送層との積層体の抵抗値測定用素子Ｂの製造
前記工程＜４Ａ＞〜前記工程＜６Ａ＞を省略したこと以外は、前述した実施例の発光素子と同様にして正孔注入層と正孔輸送層との積層体の抵抗値測定用素子（ホールリッチ素子）Ｂを製造した。
【０１６８】
（比較例）
１−４．発光素子の製造
＜１Ｂ＞  まず、厚さ０．５ｍｍの透明なガラス基板を用意した。次に、この基板上に、スパッタ法により、画素電極として厚さ１００ｎｍのＩＴＯ電極を形成した。その後、アクリル系樹脂で構成される絶縁層を形成した後、この絶縁層を、フォトリソグラフィー法を用いて各ＩＴＯ電極を露出するようにパターニングすることで隔壁（バンク）を形成した。
【０１６９】
そして、基板をアセトン、２−プロパノールの順に浸漬し、超音波洗浄した後、酸素プラズマ処理およびアルゴンプラズマ処理を施した。これらのプラズマ処理は、それぞれ、基板を７０〜９０℃に加温した状態で、プラズマパワー１００Ｗ、ガス流量２０ｓｃｃｍ、処理時間５ｓｅｃで行った。
【０１７０】
＜２Ｂ＞  次に、正孔注入層形成用インクを、隔壁内にインクジェット法により充填してＩＴＯ電極上付与した後に、これを５Ｐａまで減圧乾燥した後に、窒素雰囲気下で１８０℃３０分間の加熱処理（焼成）をすることにより、厚さ５０ｎｍの正孔注入層を形成した。
【０１７１】
ここで、正孔注入層形成用インクとして、ｍ−ＭＴＤＡＴＡ（４，４’，４”−トリス（Ｎ−３−メチルフェニルアミノ）−トリフェニルアミン）を３０ｗｔ％混合したＴＦＢ（poly(9,9-dioctyl-fluorene-co-N-(4- butylphenyl)-diphenylamine)）溶液（１．０ｗｔ％）を用いた。
【０１７２】
＜３Ｂ＞  次に、正孔輸送層形成用インクを、隔壁内にインクジェット法により充填して正孔注入層上に付与した後に、これを５Ｐａまで減圧乾燥した後に、窒素雰囲気下で１８０℃３０分間の加熱処理（焼成）をすることにより、厚さ２０ｎｍの正孔輸送層を形成した。
【０１７３】
ここで、正孔輸送層形成用インクとして、ＴＦＢ（poly(9,9-dioctyl-fluorene-co-N-(4- butylphenyl)-diphenylamine)）を０．５ｗｔ％含んだシクロヘキシルベンゼン（ＣＨＢ）溶液を用いた。
【０１７４】
＜４Ｂ＞  次に、発光機能層形成用インクを、隔壁内にインクジェット法により充填して正孔輸送層上に付与した後に、これを５Ｐａまで減圧乾燥した後に、窒素雰囲気下で１００℃２０分間の加熱処理（焼成）をすることにより、厚さ６０ｎｍの発光機能層（赤色発光機能層）を形成した。
【０１７５】
ここで、発光機能層形成用インクとして、ＣＢＰ（４，４’−ビス（９−ジカルバゾイル）−２，２’−ビフェニル）とビス（２−（９，９−ジブチルフルオロエニル）−１−イソキノリン）（アセチルアセトナト）イリジウムとを重量比９０：１０で混合したテトラロン溶液（濃度１．０ｗｔ％）を用いた。
【０１７６】
＜５Ｂ＞  次に、発光機能層上に、Ａｌｑ３を真空蒸着法により成膜し、厚さ２０ｎｍの電子輸送層を形成した。
【０１７７】
＜６Ｂ＞  次に、電子輸送層上に、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を真空蒸着法により成膜し、厚さ０．５ｎｍの電子注入層を形成した。
【０１７８】
＜７Ｂ＞  次に、電子注入層上に、Ａｌを真空蒸着法により成膜した。これにより、Ａｌで構成される厚さ１５０ｎｍの陰極を形成した。
以上の工程により、発光素子を製造した。
【０１７９】
１−５．正孔注入層の抵抗値測定用素子Ａの製造
前記工程＜３Ｂ＞〜前記工程＜６Ｂ＞を省略したこと以外は、前述した比較例の発光素子と同様にして正孔注入層の抵抗値測定用素子Ａを製造した。
【０１８０】
１−６．正孔注入層と正孔輸送層との積層体の抵抗値測定用素子Ｂの製造
前記工程＜４Ｂ＞〜前記工程＜６Ｂ＞を省略したこと以外は、前述した比較例の発光素子と同様にして正孔注入層と正孔輸送層との積層体の抵抗値測定用素子Ｂを製造した。
【０１８１】
２．評価
２−１．正孔注入層の抵抗値の測定
実施例および比較例の抵抗値測定用素子Ａについて、それぞれ、電極間に−２V〜＋２Vの電圧を印加し、その際に電極間を流れる電流を測定することで、実施例および比較例の抵抗値測定用素子Ａが備える正孔注入層に、２Ｖの電圧を印加したときの抵抗値を求めた。
【０１８２】
【表１】
2016195156.tif 000003
【０１８３】
その結果、図８、表１に示す通り、実施例、比較例ともに抵抗値は２５ＫΩ/□以下となっているが、実施例では２Ｖの電圧を印加したときの抵抗値が１０ＫΩ/□以下となっており、実施例のほうが、比較例に比べ多くの電流を流しており、実施例における正孔注入層は、比較例における正孔注入層と比較してホール注入性および輸送性が高いと言える結果を示した。
【０１８４】
２−１．正孔注入層と正孔輸送層との積層体の抵抗値の測定
実施例および比較例の抵抗値測定用素子Ｂについて、それぞれ、電極間に−２V〜＋１３Vの電圧を印加し、その際に電極間を流れる電流を測定することで、実施例および比較例の抵抗値測定用素子Ｂが備える正孔注入層の抵抗値を求めた。
【０１８５】
その結果、図９、表１に示す通り、実施例では５Ｖの電圧を印加したときの抵抗値が１０ＭΩ/□以上となっており、実施例に対して比較例は電流量が多く、HILのみの抵抗値測定用素子Ａの電流量の関係と逆転している。ここで、実施例と比較例とでは、正孔輸送層は同一の構成をなしていることから、積層した抵抗値測定用素子Ｂの電流量の違いは正孔注入層から正孔輸送層へのホール注入の違いを示しており、実施例では比較例に比較して正孔注入層から正孔輸送層へのホール注入が抑制されているといえる結果を示した。
【０１８６】
２−３．発光素子の発光寿命の評価
実施例および比較例について、初期の輝度が所定の設定値となるような電流密度で直流電源を用いて各画素の発光素子に定電流を流しつづけ、その間、輝度計を用いて輝度を測定し、その輝度が初期の輝度の５０％となる時間（ＬＴ５０）を測定した。
【０１８７】
その結果、図１０に示す通り、実施例の発光素子は、比較例の発光素子に比較して、約２倍の素子寿命が得られ、長寿命化が図られた結果を示した。
【符号の説明】
【０１８８】
１‥‥発光素子
１Ｂ‥‥発光素子
１Ｇ‥‥発光素子
１Ｒ‥‥発光素子
３‥‥陽極
３Ｂ‥‥陽極
３Ｇ‥‥陽極
３Ｒ‥‥陽極
４Ｂ‥‥正孔注入層
４Ｇ‥‥正孔注入層
４Ｒ‥‥正孔注入層
４ａ‥‥インク
５Ｂ‥‥正孔輸送層
５Ｇ‥‥正孔輸送層
５Ｒ‥‥正孔輸送層
５ａ‥‥インク
５ｂ‥‥インク
６Ｂ‥‥発光機能層
６Ｇ‥‥発光機能層
６Ｒ‥‥発光機能層
６ａ‥‥インク
６ｂ‥‥インク
７‥‥正孔輸送層
８‥‥電子輸送層
９‥‥電子注入層
１０‥‥陰極
２０‥‥回路基板
２１‥‥基板
２２‥‥層間絶縁膜
２３‥‥スイッチング素子
２４‥‥配線
３１‥‥隔壁
３２‥‥樹脂層
４０‥‥封止基板
１００‥‥発光装置
１００Ｒ‥‥サブ画素
１００Ｇ‥‥サブ画素
１００Ｂ‥‥サブ画素
２００‥‥インクジェットヘッド
２３１‥‥半導体層
２３２‥‥ゲート絶縁層
２３３‥‥ゲート電極
２３４‥‥ソース電極
２３５‥‥ドレイン電極
１１００‥‥パーソナルコンピュータ
１１０２‥‥キーボード
１１０４‥‥本体部
１１０６‥‥表示ユニット
１２００‥‥携帯電話機
１２０２‥‥操作ボタン
１２０４‥‥受話口
１２０６‥‥送話口
１３００‥‥ディジタルスチルカメラ
１３０２‥‥ケース
１３０４‥‥受光ユニット
１３０６‥‥シャッタボタン
１３０８‥‥回路基板
１３１２‥‥ビデオ信号出力端子
１３１４‥‥入出力端子
１４３０‥‥テレビモニタ
１４４０‥‥パーソナルコンピュータ
【図１】
2016195156.tif 000004
【図２】
2016195156.tif 000005
【図３】
2016195156.tif 000006
【図４】
2016195156.tif 000007
【図５】
2016195156.tif 000008
【図６】
2016195156.tif 000009
【図７】
2016195156.tif 000010
【図８】
2016195156.tif 000011
【図９】
2016195156.tif 000012
【図１０】
2016195156.tif 000013