(57)【要約】【課題】  発光波長が６７０ｎｍ以上、６９０ｎｍ以下の領域において、ＡｌＧａＩｎＰ系材料からなる発光部の発光効率を改善することができるエピタキシャルウェーハを提供する。【解決手段】  組成式（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＰ（ただし、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）で表される化合物半導体により構成された第一導電型クラッド層、活性層、第二導電型クラッド層が積層された発光層を有し、前記発光層の発光波長が６７０ｎｍ以上、６９０ｎｍ以下であるエピタキシャルウェーハであって、前記活性層が井戸層と障壁層が交互に積層された量子井戸構造であり、前記障壁層の組成が０．２０≦ｘ≦０．４５、０＜ｙ＜１であることを特徴とするエピタキシャルウェーハ。【選択図】  図１
2016207869.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
組成式（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＰ（ただし、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）で表される化合物半導体により構成された第一導電型クラッド層、活性層、第二導電型クラッド層が積層された発光層を有し、前記発光層の発光波長が６７０ｎｍ以上、６９０ｎｍ以下であるエピタキシャルウェーハであって、
前記活性層が井戸層と障壁層が交互に積層された量子井戸構造であり、前記障壁層の組成が０．２０≦ｘ≦０．４５、０＜ｙ＜１であることを特徴とするエピタキシャルウェーハ。
【請求項２】
請求項１に記載のエピタキシャルウェーハを用いて製造されたことを特徴とする発光ダイオード。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、エピタキシャルウェーハ及びこれを用いて製造した発光ダイオードに関する。
【背景技術】
【０００２】
省エネルギー、長寿命、小型化が可能な発光ダイオードによる照明を用いた栽培方法が注目されている。これまでの研究結果から、植物育成(光合成)用の光源に適した発光波長の１つとして、６６０〜６７０ｎｍの領域の赤色光の効果が確認されており、特に発光波長が６６０ｎｍの光は、光合成の反応効率が高く望ましい光源である。一方で、緑色植物の光の吸収は６８０ｎｍがピークであるため、発光波長が６８０ｎｍの光は、光合成のさらなる反応効率が高い光源として期待されている。
【０００３】
ＡｌＧａＩｎＰ（（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＰ：０≦ｘ≦１、０＜ｙ≦１）系材料からなる発光層を備えた化合物半導体の発光ダイオードにおいては、Ｇａ０．５Ｉｎ０．５Ｐの組成を有する発光層の波長が最も長いが、この発光層で得られる発光波長（ピーク波長）は、６５０ｎｍ付近である。このため、６５０ｎｍより長波長の領域は、歪発光層を用いることにより実現されている。しかし、発光波長を長くするにしたがい歪量が大きくなるため、発光層内部の結晶欠陥が増加し実用化、高効率化が困難であった。
【０００４】
これらの問題を解決するために、特許文献１では、活性層が歪発光層と障壁層とが交互に積層された積層構造において、障壁層に歪発光層と逆の歪を加えることで、発光層で発生した歪を緩和し、歪発光層の内部における結晶欠陥の発生を抑制することで高い発光効率を得る方法が開示されている。また、特許文献２では、活性層が歪発光層と障壁層とが交互に積層された積層構造において、歪発光層の層数を１〜７、及び膜厚を２５０ｎｍ以下とし、歪量を小さくすることで高い発光効率を得る方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１２−０１８９８６号公報
【特許文献２】特開２０１２−０３９０４９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上述のように、発光波長が６５０ｎｍ以上の波長領域において高い発光効率を得るという課題に対して、特許文献１や２が開示されているが、発光波長が６７０ｎｍ以上の場合、歪量が大きくなるため、発光層の内部における結晶欠陥が増加し、必ずしも高い発光効率を得ることができるとは言えない。
【０００７】
以上のことから、ＡｌＧａＩｎＰ系材料を用いた発光素子において、特に発光波長が６７０ｎｍ以上の波長領域における発光効率向上を図るためには、活性層の構造パラメーターを最適化する必要があった。
【０００８】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであって、発光ダイオードにおける発光波長が６７０ｎｍ以上、６９０ｎｍ以下の領域において、ＡｌＧａＩｎＰ系材料からなる発光部の発光効率を改善することができるエピタキシャルウェーハを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するために、本発明は、組成式（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＰ（ただし、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）で表される化合物半導体により構成された第一導電型クラッド層、活性層、第二導電型クラッド層が積層された発光層を有し、前記発光層の発光波長が６７０ｎｍ以上、６９０ｎｍ以下であるエピタキシャルウェーハであって、前記活性層が井戸層と障壁層が交互に積層された量子井戸構造であり、前記障壁層の組成が０．２０≦ｘ≦０．４５、０＜ｙ＜１であることを特徴とするエピタキシャルウェーハを提供する。
【００１０】
このように障壁層の組成を０．２０≦ｘ≦０．４５、０＜ｙ＜１とすることで、発光波長が６７０〜６９０ｎｍの発光ダイオードにおいて高い発光効率を得ることができる。
【００１１】
また、本発明は、上記のエピタキシャルウェーハを用いて製造されたことを特徴とする発光ダイオードを提供する。
【００１２】
このような発光ダイオードであれば、発光波長が６７０〜６９０ｎｍの領域において高い発光効率が得られる発光ダイオードとすることができる。
【発明の効果】
【００１３】
以上のように、本発明のエピタキシャルウェーハであれば、発光波長が６７０〜６９０ｎｍの発光ダイオードにおいて高い発光効率を得ることができる。また、本発明の発光ダイオードであれば、発光波長が６７０〜６９０ｎｍの領域において高い発光効率が得られる発光ダイオードとすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明のエピタキシャルウェーハの実施形態の一例を示す模式的な断面図である。
【図２】本発明の発光ダイオードの実施形態の一例を示す模式的な断面図である。
【図３】本発明の発光ダイオードを製造する方法の一例を示す工程断面図である。
【図４】発光波長が６８０ｎｍの時の障壁層のＡｌ組成ｘとＰＬ強度の関係を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
前述したように、ＡｌＧａＩｎＰ系材料を用いた発光素子において、特に発光波長が６７０ｎｍ以上の波長領域における発光効率向上を図るためには、活性層の構造パラメーターを最適化する必要があった。
【００１６】
そこで、本発明者らは、発光波長が６７０ｎｍ以上、６９０ｎｍ以下の領域において、ＡｌＧａＩｎＰ系材料からなる発光層の発光効率を改善することができるエピタキシャルウェーハについて鋭意検討した。その結果、障壁層の組成を（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＰの組成式において０．２０≦ｘ≦０．４５、０＜ｙ＜１とすることで、発光波長が６７０〜６９０ｎｍの発光ダイオードにおいて高い発光効率を得ることができることを見出し、本発明をなすに至った。
【００１７】
以下、本発明について、実施態様の一例として、図を参照しながら詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
【００１８】
まず、本発明のエピタキシャルウェーハについて、図１を参照しながら説明する。
【００１９】
図１に示すように本実施形態のエピタキシャルウェーハ１０は、ＧａＡｓ基板１２上に設けられたｐｎ接合型の発光部２８を有し、発光部２８内には発光層の一部として量子井戸活性層１７を含んでいる。
【００２０】
具体的には、エピタキシャルウェーハ１０は、ＧａＡｓ基板１２上に、第一導電型エッチングストップ層１３、第一導電型コンタクト層１４、発光部２８をこの順にエピタキシャル成長させたものである。発光部２８は、第一導電型電流拡散層１５と、第一導電型電流拡散層１５上に設けられた発光層２７と、発光層２７上に設けられた第二導電型電流拡散層１９を有している。
【００２１】
発光層２７は、第一導電型クラッド層１６と、第一導電型クラッド層１６上に設けられた量子井戸活性層１７と、量子井戸活性層１７上に設けられた第二導電型クラッド層１８を有している。量子井戸活性層１７は、井戸層１７ａと障壁層１７ｂが交互に積層されたものである。
【００２２】
ここで、例えば、第一導電型がｐ型であり、第二導電型がｎ型である。この場合、詳しくは、第一導電型エッチングストップ層１３がｐ−（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＰ（但し、０≦ｘ≦１、  ０＜ｙ＜１）、第一導電型コンタクト層１４がｐ−ＧａＡｓ、第一導電型電流拡散層１５がｐ−（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＰ（但し、０≦ｘ≦１、０＜ｙ＜１）、第一導電型クラッド層１６がｐ−（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＰ（但し、０≦ｘ≦１、０＜ｙ＜１）、量子井戸活性層１７における井戸層１７ａがｉ−ＧａｙＩｎ１−ｙＰ（但し、０＜ｙ＜１）、量子井戸活性層１７における障壁層１７ｂがｉ−（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＰ（但し、０．２≦ｘ≦０．４５、０＜ｙ＜１）、第二導電型クラッド層１８がｎ−（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＰ（但し、０≦ｘ≦１、０＜ｙ＜１）、第二導電型電流拡散層１９がｎ−ＧａＰ層である。この場合、量子井戸活性層１７の井戸層１７ａのＧａ組成ｙを、所望の発光波長になるように可変させることができる。本発明のエピタキシャルウェーハは、発光波長が６７０ｎｍ以上、６９０ｎｍ以下であるので、量子井戸活性層１７の井戸層１７ａのＧａ組成ｙは、発光波長が６７０ｎｍ以上、６９０ｎｍ以下になるように設定される。
【００２３】
本発明のエピタキシャルウェーハは、量子井戸活性層１７の障壁層１７ｂの組成を０．２０≦ｘ≦０．４５、０＜ｙ＜１とすることで、発光波長が６７０〜６９０ｎｍの発光ダイオードにおいて高い発光効率を得ることができる。
【００２４】
次に、本発明の発光ダイオードについて、図２を参照しながら説明する。
【００２５】
図２に示すように、本実施形態の発光ダイオード１１は、発光部２８と、第１導電型側（例えばｐ型側）の第一オーミック細線電極２０及びパッド電極（不図示）と、第２導電型側（例えば、ｎ型側）の第二オーミック細線電極２１と、透明酸化膜層２２、反射金属層２３、接合金属層２４、導電性支持基板２５、導電性オーミック電極２６を有している。発光ダイオード１１は、導電性支持基板２５上に、接合金属層２４、反射金属層２３、透明酸化膜層２２、発光部２８がこの順に設けられたものであり、第一オーミック細線電極２０及びパッド電極は第一導電型コンタクト層１４を介して発光部２８上に設けられ、第二オーミック細線電極２１は透明酸化膜層２２中に設けられ、導電性オーミック電極２６は、導電性支持基板２５の下面上に設けられている。発光部２８を構成する第一導電型電流拡散層１５、発光層２７（第一導電型クラッド層１６、量子井戸活性層１７と、第二導電型クラッド層１８）、第二導電型電流拡散層１９は、図１に示したものと同様である。また、第一のオーミック細線電極２０と第二のオーミック細線電極２１は、上面から見て互いに重ならない位置に配置されている。
【００２６】
なお、図２の発光ダイオード１１は、後述するように、図１のエピタキシャルウェーハ１０を用いて製造されている。図２のような発光ダイオードであれば、発光波長が６７０〜６９０ｎｍの領域において高い発光効率が得られる発光ダイオードとすることができる。
【００２７】
次に、本発明のエピタキシャルウェーハを製造する方法の一例について説明する。
【００２８】
ＭＯＶＰＥ法により、図１に示したｎ−ＧａＡｓ基板１２上に複数のＡｌＧａＩｎＰ系材料の半導体積層構造を形成する。具体的には、ｎ−ＧａＡｓ基板１２上に、ｐ−Ｇａ０．５Ｉｎ０．５Ｐからなるｐ型エッチングストップ層１３と、ｐ−ＧａＡｓからなるｐ型コンタクト層１４と、ｐ−（Ａｌ０．４Ｇａ０．６）０．５Ｉｎ０．５Ｐからなるｐ型電流拡散層１５と、ｐ−Ａｌ０．５Ｉｎ０．５Ｐからなるｐ型クラッド層１６と、アンドープのＧａ０．３Ｉｎ０．７Ｐの井戸層１７ａ（膜厚８ｎｍ）とアンドープの（Ａｌ０．４Ｇａ０．６）０．５Ｉｎ０．５Ｐの障壁層１７ｂ（膜厚７．７ｎｍ）からなるペア数４（井戸層数５、障壁層数４）の量子井戸活性層１７（発光波長６８０ｎｍの場合を記載）と、ｎ−Ａｌ０．５Ｉｎ０．５Ｐからなるｎ型クラッド層１８と、ｎ−ＧａＰからなるｎ型電流拡散層１９をＭＯＶＰＥ法により順次堆積させる。これにより、図１に示すようなエピタキシャルウェーハ１０が形成される。
【００２９】
ここで、ＭＯＶＰＥ法において用いる原料は、トリメチルガリウム（ＴＭＧａ）、トリエチルガリウム（ＴＥＧａ）、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡｌ）、トリメチルインジウム（ＴＭＩｎ）等の有機金属化合物、及びアルシン（ＡｓＨ３）、フォスフィン（ＰＨ３）等の水素化物ガスを用いることができる。さらに、ｎ型ドーパントの原料は、モノシラン（ＳｉＨ４）、ｐ型ドーパントの原料はビスシクロペンタジエニルマグネシウム（Ｃｐ２Ｍｇ）を用いることができる。また、ｎ型ドーパントの原料として、セレン化水素（Ｈ２Ｓｅ）、ジシラン（Ｓｉ２Ｈ６）、ジエチルテルル（ＤＥＴｅ）、又はジメチルテルル（ＤＭＴｅ）を用いることもできる。そして、ｐ型ドーパントの原料としてジメチルジンク（ＤＭＺｎ）又は、ジエチルジンク（ＤＥＺｎ）を用いることもできる。
【００３０】
次に本発明の発光ダイオードを製造する方法の一例について図３を参照しながら説明する。
【００３１】
まず、上記のようにして形成したエピタキシャルウェーハ１０のｎ型電流拡散層１９の表面に透明酸化膜層２２を形成し、透明酸化膜層２２中にｎ型側の第２オーミック細線電極２１を形成する（図３（ａ）、図３（ｂ）参照）。具体的には、プラズマＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）装置を用いて、透明酸化膜層２２として例えばＳｉＯ２膜を形成後、フォトリソグラフィー法、及びエッチング法を用いて透明酸化膜層２２に開口部を設ける。更に詳しくは、エッチング液としてフッ酸系のエッチャントを用いて、レジストパターンが形成されていない領域の透明酸化膜層２２を除去することにより開口部を設ける。続いて真空蒸着法を用いて、開口部内にｎ型側の第２オーミック細線電極２１を構成する材料であるＡｕＳｉ合金を形成する。
【００３２】
次に、真空蒸着法又はスパッタ法を用いて、反射層としてのＡｌ層と、バリア層としてのＴｉ層と、接合層としてのＡｕ層を形成する。これにより、反射金属層２３が形成される（図３（ｃ）参照）。なお、反射金属層２３を構成する材料は、量子井戸活性層１７が発する光の波長に応じて、当該光の波長に対する反射率が高い材料を選択することができる。これにより、半導体積層構造体２９が得られる。
【００３３】
次に、導電性支持基板２５（例えばＳｉ基板）上に、導電性オーミックの接合金属層２４として、コンタクト電極としてのＴｉと、バリア層としてのＮｉと、接合層としてのＡｕとを真空蒸着法を用いて形成し、支持基板３０を準備する。この支持基板３０と、図３（ｃ）に示す半導体積層構造体２９とを貼り合せることで機械的、電気的に接続した接合構造体３１が形成される（図３（ｄ）参照）。ここで、ウェーハの貼り合せは、貼り合せ装置内を所定圧力にした後、重なりあった半導体積層構造体２９と支持基板３０とを冶具を介して圧力を加えると共に、所定の温度まで加熱する。具体的には、圧力９０Ｎ／ｃｍ２、温度３５０℃で３０分間である。
【００３４】
次に、ＧａＡｓエッチング用のエッチャントを用いて、接合構造体３１からＧａＡｓ基板１２を選択的に完全に除去して、ｐ−Ｇａ０．５Ｉｎ０．５Ｐからなるｐ型エッチングストップ層１３を露出させる。ＧａＡｓエッチング用のエッチャントとしては、例えば、アンモニア水と過酸化水素水との混合液が挙げられる。次にＧａＡｓ基板を除去した接合構造体３１から、エッチングストップ層１３を所定のエッチャントを用いてエッチングにより除去する（図３（ｅ）参照）。エッチングストップ層１３がＡｌＧａＩｎＰ系材料の化合物半導体から形成される場合、所定のエッチャントとしては、塩酸を含むエッチャントを用いることができる。
【００３５】
次に、フォトリソグラフィー法及び真空蒸着法を用いて、所定の位置にｐ型側のオーミック電極を形成する（図３（ｆ）参照）。ｐ型側のオーミック電極は円電極（図示しない）と細線電極２０で形成され、例えば、Ｔｉ、ＡｕＢｅ、Ａｕをこの順に蒸着することにより形成させる。この場合、ｐ型側のオーミック電極は、ｎ型側の第２オーミック電極２１と上面からみて重なり合わない位置に形成される。次にｐ型側のオーミック電極をマスクとして、ｐ−ＧａＡｓからなるｐ型コンタクト層１４をエッチングして除去する。また、ｐ型側のオーミック電極をマスクとして、ｐ型電流拡散層１５を粗面化処理することもできる。また、ｐ型コンタクト層１４を除去した後、所定のエッチャントを用いて粗面化処理することもできる。
【００３６】
次に導電性支持基板２５の裏面の略全面に導電性オーミック電極２６を真空蒸着法により形成する（図３（ｇ）参照）。裏面のオーミック電極２６は、ＴｉとＡｕとをこの順に導電性支持基板２５の底面に蒸着することにより形成する。その後、各オーミック電極を電気的接合に形成する合金化工程であるアロイ工程を施す。一例として、不活性雰囲気としての窒素雰囲気下で４００℃、５分間の熱処理を施す。これにより接合構造体３１’が形成される。
【００３７】
そして、ダイシングブレードを有するダイシング装置を用いて、接合構造体３１’を素子分離する。これにより、図２に示すような発光ダイオード１１が複数形成される。
【実施例】
【００３８】
以下、実施例及び比較例を示して本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
【００３９】
（実施例１−９、比較例１−７）
実施例１−９、及び比較例１−７は、ＭＯＶＰＥ法により直径５０ｍｍのｎ−ＧａＡｓ基板１２上に複数の半導体層を積層させる工程において、量子井戸活性層１７の障壁層１７ｂ（（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＰにおいて、ｙ＝０．５とした（ＡｌｘＧａ１−ｘ）０．５Ｉｎ０．５Ｐ）のＡｌ組成ｘを０．１〜０．６の間で変化させ、また、各Ａｌ組成に対して所望の波長（すなわち、６７０ｎｍ、６８０ｎｍ、６９０ｎｍ）となるように井戸層１７ａ（（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＰにおいて、ｘ＝０としたＧａｙＩｎ１−ｙＰ）のＧａ組成ｙを変化させた点のみが異なり、その他の工程は、上記に説明したような製造方法に従って、エピタキシャルウェーハを製造した。ここで、実施例１−９、比較例１−７のＧａ組成ｙは、表１に示す通りである。
【００４０】
【表１】
2016207869.tif 000003
【００４１】
発光波長６８０ｎｍの場合（実施例１−３、比較例１−３）における障壁層１７ｂのＡｌ組成ｘとエピタキシャルウェーハのＰＬ強度の関係を図４に示す。ここで、ＰＬ（Ｐｈｏｔｏ  Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）法は、光の照射により電子−正孔対が生成され、様々の過程を経て再結合するときに発光するスペクトルを測定することで、バンドギャップ、材料の結晶性、不純物等のドーピング量等を測定する方法である。エピタキシャルウェーハのＰＬ強度、半値幅等は、材料の結晶性を判定することができるため、ＰＬ強度の大小は素子状態での大まかな輝度の大小を知ることができる。
【００４２】
図４からわかるように、障壁層１７ｂのＡｌ組成ｘが０．４近傍でＰＬ強度が最大となり、障壁層１７ｂのＡｌ組成ｘが小さくなるにつれて、ＰＬ強度は緩やかに低下する。Ａｌ組成が小さくなることで歪量も小さくなるが、同時にキャリアの閉じ込め効果が小さくなるため、強度の低下が発生する。また、Ａｌ組成が０．５以上の場合、歪量が大きくなり、発光層内部における結晶欠陥が増加するため強度は極端に低下する。この時のエピタキシャルウェーハ表面は、結晶欠陥起因のヒロックが多数観察された。
【００４３】
実施例１−９、比較例１−７における障壁層１７ｂのＡｌ組成ｘとエピタキシャルウェーハ表面状態を表２に示す。
【００４４】
実施例１−９、比較例１−７のエピタキシャルウェーハを用いて、上記に説明したような製造方法に従って、発光ダイオードを作製した。
【００４５】
作製した発光ダイオードについて、ピーク波長、発光効率を測定した。その結果を表２に示す。ここで、発光効率は、発光効率（％）＝出力（ｍＷ）／投入電力（ｍＷ）で算出され、障壁層１７ｂのＡｌ組成ｘが０．４である場合の値を“１”とした時の比率で表記している。
【００４６】
【表２】
2016207869.tif 000004
【００４７】
表２からわかるように、Ａｌ組成ｘが０．５以上の場合、エピタキシャルウェーハ表面に多数のヒロックが発生したため、表面凹凸が大きくなりすぎ、半導体積層構造体２９と支持基板３０の接合ができず、素子化（発光ダイオードの作製）ができなかった。素子化が可能なＡｌ組成ｘが０．１〜０．４５の範囲においては、発光効率はＰＬ強度結果と同様な傾向であり、比較例１、４、６では０．９０以下であるのに対して、実施例１−９では０．９４〜１．００と改善されている。
【００４８】
また、Ａｌ組成ｘが０．５以上（比較例２、３、５、７）の場合、素子化が可能であったとしても、図４の結果から発光効率がかなり低下することが推測される。
【００４９】
すなわち、実施例１−９では、障壁層１７ｂのＡｌ組成ｘを０．２以上、０．４５以下とすることで、発光層の歪量が大きくなる発光波長６７０〜６９０ｎｍの領域において発光層の内部における結晶欠陥を抑制できるため、比較例１−７と比べて発光効率の改善が見られ、高い発光効率を有する発光ダイオードを作製可能なエピタキシャルウェーハを得ることができた。
【００５０】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【符号の説明】
【００５１】
１０…エピタキシャルウェーハ、  １１…発光ダイオード、
１２…ＧａＡｓ基板（ｎ−ＧａＡｓ基板）、
１３…第一導電型エッチンングストップ層（ｐ型エッチングストップ層）、
１４…第一導電型コンタクト層（ｐ型コンタクト層）、
１５…第一導電型電流拡散層（ｐ型電流拡散層）、
１６…第一導電型クラッド層（ｐ型クラッド層）、
１７…量子井戸活性層、  １７ａ…井戸層、  １７ｂ…障壁層、
１８…第二導電型クラッド層（ｎ型クラッド層）、
１９…第二導電型電流拡散層（ｎ型電流拡散層）、
２０…第一オーミック細線電極（細線電極）、  ２１…第二オーミック細線電極、
２２…透明酸化膜層、  ２３…反射金属層、  ２４…接合金属層、
２５…導電性支持基板、  ２６…導電性オーミック電極、  ２７…発光層、
２８…発光部、  ２９…半導体積層構造体、  ３０…支持基板、
３１、３１’…接合構造体。
【図１】
2016207869.tif 000005
【図２】
2016207869.tif 000006
【図３】
2016207869.tif 000007
【図４】
2016207869.tif 000008
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月7日(2016.3.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
作製した発光ダイオードについて、ピーク波長、発光効率を測定した。その結果を表２に示す。ここで、発光効率（ａ．ｕ．）は、発光効率（％）＝出力（ｍＷ）／投入電力（ｍＷ）で算出され、障壁層１７ｂのＡｌ組成ｘが０．４である場合の値を“１”とした時の比率で表記している。