(57)【要約】【課題】青色光色変換方式の発光装置を構成する波長変換層において、発光した光の一部が励起光源側に出射し、発光装置の前面側に出射する光の光取り出し効率が減少することを防止する波長変換基板、発光装置並びにこれを備えた表示装置、照明装置および電子機器を提供する。【解決手段】透明基板と、該透明基板の一方の面に設けられた波長変換層１８と、を有し、波長変換層１８は、波長変換物質（Ａ）および高分子（Ｂ）を含み、波長変換層１８は、厚さ方向に沿って、波長変換物質（Ａ）の濃度が異なる少なくとも２つの領域を有する波長変換基板２０。【選択図】図１
2016218151.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基板と、該透明基板の一方の面に設けられた波長変換層と、を有し、
前記波長変換層は、波長変換物質（Ａ）および高分子（Ｂ）を含み、
前記波長変換層は、厚さ方向に沿って、前記波長変換物質（Ａ）の濃度が異なる少なくとも２つの領域を有する波長変換基板。
【請求項２】
前記波長変換層は、前記波長変換物質（Ａ）の濃度が異なるｎ層（ｎ＝２、３、４、・・・、ｐ、・・・、ｑ、・・・、ｎ）が、前記透明基板の一方の面に垂直な方向に積層されてなり、
前記波長変換層のうち、入射光面側を第１層、出射光面側を第ｎ層としたとき、第ｐ層は第（ｐ−１）層よりも前記波長変換物質（Ａ）の濃度が高い請求項１に記載の波長変換基板。
【請求項３】
前記波長変換層のうち、第ｑ層の上層または下層に、前記波長変換物質（Ａ）を含まずかつ透明な保護層が設けられた請求項１または２に記載の波長変換基板。
【請求項４】
前記波長変換層における、入射光面または出射光面に垂直な方向の厚さは、１μｍ〜１０μｍである請求項１〜３のいずれか１項に記載の波長変換基板。
【請求項５】
前記波長変換層は、前記波長変換物質（Ａ）が波長４００ｎｍ〜４８０ｎｍのいずれかにピーク波長を有する入射光を、波長４８０ｎｍ〜５２０ｎｍのいずれかに緑色発光ピーク波長を有する出射光に変換する請求項１〜４のいずれか１項に記載の波長変換基板。
【請求項６】
前記波長変換層は、全域において濃度が均一な前記波長変換物質（Ａ）とは異なる波長変換物質（Ｃ）を含む請求項１〜５のいずれか１項に記載の波長変換基板。
【請求項７】
前記波長変換層は、前記波長変換物質（Ａ）とは異なる波長変換物質（Ｃ）を含み、
前記波長変換層は、厚さ方向に沿って、前記波長変換物質（Ｃ）の濃度が異なる少なくとも２つの領域を有する請求項１〜５のいずれか１項に記載の波長変換基板。
【請求項８】
前記波長変換物質（Ｃ）は、波長４８０ｎｍ〜５２０ｎｍのいずれかにピーク波長を有する入射光を、波長５３０ｎｍ〜６３０ｎｍのいずれかに赤色発光ピーク波長を有する出射光に変換する請求項６または７に記載の波長変換基板。
【請求項９】
前記高分子（Ｂ）は、数平均分子量が１００００〜１００００００である請求項１〜８のいずれか１項に記載の波長変換基板。
【請求項１０】
前記高分子（Ｂ）は、透明である請求項１〜９のいずれか１項に記載の波長変換基板。
【請求項１１】
前記波長変換層は、前記高分子（Ｂ）とは異なる高分子（Ｄ）を含み、
前記高分子（Ｄ）は、数平均分子量が１００００〜１００００００であり、かつ透明である請求項１〜１０のいずれか１項に記載の波長変換基板。
【請求項１２】
前記波長変換層は、カラーフィルタ上に設けられた透明層上、または、カラーフィルタと波長変換物質の間に設けられた透明層上に設けられた請求項１〜１１のいずれか１項に記載の波長変換基板。
【請求項１３】
前記波長変換層は、複数の副画素を形成し、各画素の間に光散乱隔壁が設けられた請求項１〜１２のいずれか１項に記載の波長変換基板。
【請求項１４】
前記光散乱隔壁は、前記波長変換層の入射光面または出射光面に平行な方向における幅が３μｍ〜７μｍである請求項１３に記載の波長変換基板。
【請求項１５】
前記光散乱隔壁は、前記波長変換層の入射光面または出射光面に垂直な方向における厚さが５μｍ〜１５μｍであることを特徴とする請求項１３または１４に記載の波長変換基板。
【請求項１６】
請求項１〜１５のいずれか１項に記載の波長変換基板と、該波長変換基板の入射光面側に設けられた励起光源と、を備えた発光装置。
【請求項１７】
前記励起光源は、波長４００ｎｍ〜４８０ｎｍの光を発光する光源である請求項１６に記載の発光装置。
【請求項１８】
前記励起光源は、発光ダイオード、有機エレクトロルミネセンス素子または無機エレクトロルミネセンス素子のいずれかである請求項１６または１７に記載の発光装置。
【請求項１９】
請求項１６〜１８のいずれか１項に記載の発光装置を備えた表示装置、照明装置、電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、波長変換基板、発光装置並びにこれを備えた表示装置、照明装置および電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、テレビ、パーソナルコンピュータ、スマートフォン等の情報端末機器へ搭載するディスプレイに対し、高性能化の要求が高まっており、ブラウン管、液晶、プラズマディスプレイ、有機ＥＬディスプレイ等の種々の表示装置の開発が進められている。中でも、液晶ディスプレイと有機ＥＬディスプレイは、薄型かつ低消費電力であることから、開発に重点が置かれている。
消費電力の他に、ディスプレイを高精細にし、よりきれいな画像を表示することも求められている。ディスプレイを高精細にするほど、液晶は消費電力が急激に上がり、有機ＥＬよりも消費電力が高くなる。
【０００３】
また、カラーフィルタを用いた色光変換方式の薄型液晶や有機ＥＬディスプレイは、視野角がブラウン管よりも狭く、斜め方向からの画像認識性が悪い。視野角を向上させる方法としては、蛍光体と散乱体を励起光源よりも出射光側に配置し、励起光源から出射された光を蛍光体で色変換する方法が開示されている（例えば、特許文献１、２参照）。この方法は、青色コリメート光を、青色画素では蛍光体による色変換をせずに用い、赤色画素と緑色画素では、蛍光体により赤色と緑色に変換して３色を発色させる方法である。さらに、この方式はカラーフィルタを用いた色光変換方式と異なり、光損失が少なく、消費電力も低くすることが可能である。
【０００４】
高精細かつ低消費電力とするとともに、視野角特性を向上させるには、青色光色変換方式有機ＥＬ発光装置が好適である。青色光色変換方式有機ＥＬ発光装置は、液晶と同様に視野角特性に優れるという利点に加え、高精細にしても、液晶よりも消費電力があまり上がらないことから、注目を集めている。励起光として青色を用いる理由は、蛍光体は、蛍光体が発光する光の波長よりも短い波長の光を励起光とする特徴を有することから、蛍光体が発光する光の波長よりも短い波長の青色光を用いて、蛍光体によって色変換できる入射光の量を増やせるからである。青色光色変換方式有機ＥＬ発光装置では、励起光として、青色光以外に紫外光や青緑光を用い、蛍光体で色変換してもよい。
【０００５】
青色光色変換方式有機ＥＬ発光装置は、上述のように利点が多いものの、次のような問題がある。色変換部に光を入射すると、一部の凝集した蛍光体により入射光が散乱し、入射光が出射光面近傍の蛍光体に届かない。また、入射光面近傍で色変換された光は、出射光面近傍の蛍光体により散乱し、発光効率が低下する。このような問題を解決するために、凝集しない濃度で、レジスト中に蛍光体を分散させる必要があるが、レジストと蛍光体の相溶性が低いため、濃度を低くしても、一部の蛍光体は凝集してしまう。また、入射光面近傍の光を、より多く出射光面から出射させるための方法としては、色変換部の膜厚を小さくして、入射光面側への戻り光を減らす方法も挙げられる。５００ｐｐｉのディスプレイを作製する場合、一色あたりの色変換部（バンクを除く）の長さは１０μｍ程度であることから、色変換部の厚さは１０μｍ以下であることが好ましい。レジストとして用いられることが多いポリイミドやアクリル系レジストは、膜厚が５μｍ以下の膜を形成することができるため、５００ｐｐiのディスプレイを作製するために充分に薄い膜を作製できる。しかし、ポリイミドやアクリル系レジストに、クマリンやペリレンジイミド等の蛍光体を混合した場合、その混合物で形成した膜が薄いため、その膜に含まれる蛍光体の量が少なくなり、蛍光体が充分に光を吸収できず、発光効率が低いという問題がある。
【０００６】
また、有機ＥＬ素子において、入射光面から出射光面方向に向かって、入射光面から約８割の厚さの蛍光体の濃度を濃度Ａと設定し、出射光面側の残り約２割の厚さの蛍光体の濃度を、濃度Ａの約１０倍と設定することにより、有機ＥＬ素子からの発光効率を向上させる方法が開示されている（例えば、特許文献３参照）。しかし、この方法を青色光色変換方式有機ＥＬ発光装置に用いると、色変換部において、出射光面側の蛍光体の濃度が、入射光面側の蛍光体の濃度より急激に高くなることから、上述のように、レジスト中における蛍光体の分散性の悪さに起因して、蛍光体の溶解度が低くなったり、レジストを含む膜の厚さが小さくなったりすることによる不充分な光吸収量が課題となる。
さらに、特許文献３の有機ＥＬ素子では、有機ＥＬ素子と、蛍光体が分散している樹脂とが接着し、その樹脂における有機ＥＬ素子近傍の部分の蛍光体が変質し消光し易いため、入射光面側に蛍光体がほとんど無い方がよく、入射光面側と出射光面側における蛍光体の濃度の差を極端に大きくする必要がある。ところで、有機ＥＬディスプレイの色変換部のように、比較的、光源との間隔（距離）が大きい場合、入射光面側と出射光面側における蛍光体の濃度の差を極端に大きくする必要はない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２０００−１３１６８３号公報
【特許文献２】特開昭６２−１９４２２７号公報
【特許文献３】特開２００７−８０８７３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、青色光色変換方式の発光装置を構成する波長変換層において、発光した光の一部が励起光源側に出射し、発光装置の前面側に出射する光の光取り出し効率が減少することを防止する波長変換基板、発光装置並びにこれを備えた表示装置、照明装置および電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の１つの態様の波長変換基板は、透明基板と、該透明基板の一方の面に設けられた波長変換層と、を有し、前記波長変換層は、波長変換物質（Ａ）および高分子（Ｂ）を含み、前記波長変換層は、厚さ方向に沿って、前記波長変換物質（Ａ）の濃度が異なる少なくとも２つの領域を有する。
【００１０】
本発明の１つの態様の波長変換基板において、前記波長変換層は、前記波長変換物質（Ａ）の濃度が異なるｎ層（ｎ＝２、３、４、・・・、ｐ、・・・、ｑ、・・・、ｎ）が、前記透明基板の一方の面に垂直な方向に積層されてなり、前記波長変換層のうち、入射光面側を第１層、出射光面側を第ｎ層としたとき、第ｐ層は第（ｐ−１）層よりも前記波長変換物質（Ａ）の濃度が高くてもよい。
【００１１】
本発明の１つの態様の波長変換基板において、前記波長変換層のうち、第ｑ層の上層または下層に、前記波長変換物質（Ａ）を含まずかつ透明な保護層が設けられていてもよい。
【００１２】
本発明の１つの態様の波長変換基板において、前記波長変換層における、入射光面または出射光面に垂直な方向の厚さは、１μｍ〜１０μｍであってもよい。
【００１３】
本発明の１つの態様の波長変換基板において、前記波長変換層は、前記波長変換物質（Ａ）が波長４００ｎｍ〜４８０ｎｍのいずれかにピーク波長を有する入射光を、波長４８０ｎｍ〜５２０ｎｍのいずれかに緑色発光ピーク波長を有する出射光に変換するものであってもよい。
【００１４】
本発明の１つの態様の波長変換基板において、前記波長変換層は、全域において濃度が均一な前記波長変換物質（Ａ）とは異なる波長変換物質（Ｃ）を含んでいてもよい。
【００１５】
本発明の１つの態様の波長変換基板において、前記波長変換層は、前記波長変換物質（Ａ）とは異なる波長変換物質（Ｃ）を含み、前記波長変換層は、厚さ方向に沿って、前記波長変換物質（Ｃ）の濃度が異なる少なくとも２つの領域を有していてもよい。
【００１６】
本発明の１つの態様の波長変換基板において、前記波長変換物質（Ｃ）は、波長４８０ｎｍ〜５２０ｎｍのいずれかにピーク波長を有する入射光を、波長５３０ｎｍ〜６３０ｎｍのいずれかに赤色発光ピーク波長を有する出射光に変換するものであってもよい。
【００１７】
本発明の１つの態様の波長変換基板において、前記高分子（Ｂ）は、数平均分子量が１００００〜１００００００であってもよい。
【００１８】
本発明の１つの態様の波長変換基板において、前記高分子（Ｂ）は、透明であってもよい。
【００１９】
本発明の１つの態様の波長変換基板において、前記波長変換層は、前記高分子（Ｂ）とは異なる高分子（Ｄ）を含み、前記高分子（Ｄ）は、数平均分子量が１００００〜１００００００であり、かつ透明であってもよい。
【００２０】
本発明の１つの態様の波長変換基板において、前記波長変換層は、カラーフィルタ上に設けられた透明層上、または、カラーフィルタと波長変換物質の間に設けられた透明層上に設けられていてもよい。
【００２１】
本発明の１つの態様の波長変換基板において、前記波長変換層は、複数の副画素を形成し、各画素の間に光散乱隔壁が設けられていてもよい。
【００２２】
本発明の１つの態様の波長変換基板において、前記光散乱隔壁は、前記波長変換層の入射光面または出射光面に平行な方向における幅が３μｍ〜７μｍであってもよい。
【００２３】
本発明の１つの態様の波長変換基板において、前記光散乱隔壁は、前記波長変換層の入射光面または出射光面に垂直な方向における厚さが５μｍ〜１５μｍであってもよい。
【００２４】
本発明の１つの態様の発光装置は、本発明の１つの態様の波長変換基板と、該波長変換基板の入射光面側に設けられた励起光源と、を備える。
【００２５】
本発明の１つの態様の発光装置において、前記励起光源は、波長４００ｎｍ〜４８０ｎｍの光を発光する光源であってもよい。
【００２６】
本発明の１つの態様の発光装置において、前記励起光源は、発光ダイオード、有機エレクトロルミネセンス素子または無機エレクトロルミネセンス素子のいずれかであってもよい。
【００２７】
本発明の１つの態様の表示装置、照明装置、電子機器は、本発明の１つの態様の発光装置を備える。
【発明の効果】
【００２８】
本発明によれば、青色光色変換方式の発光装置を構成する波長変換層において、発光した光の一部が励起光源側に出射し、発光装置の前面側に出射する光の光取り出し効率が減少することを防止する波長変換基板、発光装置並びにこれを備えた表示装置、照明装置および電子機器を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】本発明の第１実施形態である発光装置の概略構成を示す断面図である。
【図２】本発明の第１実施形態である発光装置を示す上面図である。
【図３】本発明の第１実施形態である波長変換基板の概略構成を示す断面図である。
【図４】本発明の第２実施形態である表示装置の配線構造と、駆動回路の接続構成と、を例示する概略構成図である。
【図５】本発明の第２実施形態である表示装置に配置されている、１つの画素を構成する回路を例示する画素回路図である。
【図６】本発明の第３実施形態である照明装置の第１の例を示す概略斜視図である。
【図７】本発明の第３実施形態である照明装置の第２の例を示す概略斜視図である。
【図８】本発明の第３実施形態である照明装置の第３の例を示す概略斜視図である。
【図９】本発明の第４実施形態である電子機器の第１の例を示す概略正面図である。
【図１０】本発明の第４実施形態である電子機器の第２の例を示す概略正面図である。
【図１１】本発明の第４実施形態である電子機器の第３の例を示す概略正面図である。
【図１２】本発明の第４実施形態である電子機器の第４の例を示す概略斜視図である。
【図１３】実施例および比較例において、波長変換基板の製造方法の概略を示す断面図である。
【図１４】実施例および比較例において、波長変換基板の製造方法の概略を示す断面図である。
【図１５】実施例および比較例において、波長変換基板および有機ＥＬ素子基板の製造方法の概略を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
本発明の波長変換基板、発光装置並びにこれを備えた表示装置、照明装置および電子機器の実施の形態について説明する。
なお、本実施の形態は、発明の趣旨をより良く理解させるために具体的に説明するものであり、特に指定のない限り、本発明を限定するものではない。
また、以下の説明で用いる図面は、本発明の特徴を分かりやすくするために、便宜上、要部となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率等が実際と同じであるとは限らない。
【００３１】
［第１実施形態］
（波長変換基板、発光装置）
図１は、本発明の第１実施形態である発光装置の概略構成を示す断面図である。図２は、本発明の第１実施形態である発光装置を示す上面図である。
図１に示すように、本実施形態の発光装置（色変換発光素子）３０は、有機ＥＬ素子１０と、有機ＥＬ素子１０からの青色発光を吸収して赤色に変換する赤色波長変換層１８Ｒおよび青色発光を吸収して緑色に変換する緑色波長変換層１８Ｇを有する波長変換基板２０と、を備え、アクティブ駆動方式で駆動されるトップエミッションタイプの有機ＥＬ発光装置である。
【００３２】
発光装置３０は、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）回路２を備えた基板１と、基板１上に層間絶縁膜３および平坦化膜４を介して設けられた有機発光素子（有機ＥＬ素子、光源）１０と、封止基板９と、封止基板９の一方の面９ａ上に散乱バンク７に仕切られて並列配置された赤色カラーフィルタ８Ｒ、緑色カラーフィルタ８Ｇおよび青色カラーフィルタ８Ｂと、封止基板９の一方の面９ａ上の赤色カラーフィルタ８Ｒ上に位置を合わせて形成された赤色波長変換層１８Ｒと、封止基板９上の一方の面９ａ上の緑色カラーフィルタ８Ｇ上に位置を合わせて形成された緑色波長変換層１８Ｇと、封止基板９上の青色カラーフィルタ８Ｂ上に位置を合わせて形成された散乱層３１と、を備えて概略構成されており、基板１と封止基板９とは、有機ＥＬ素子１０と赤色波長変換層１８Ｒおよび緑色波長変換層１８Ｇ並びに散乱層３１とが封止材を介して対向するように配置されている。赤色波長変換層１８Ｒ、緑色波長変換層１８Ｇおよび散乱層３１は、上述のように散乱バンク７により仕切られている。
【００３３】
有機ＥＬ素子１０は、その光を取り出す面側に配され、有機ＥＬ素子１０からの発光を吸収して、吸収光とは異なる波長で発光を行う赤色波長変換層１８Ｒおよび緑色波長変換層１８Ｇが封止基板９の一方の面９ａ上に設けられた波長変換基板２０と組み合わせて、例えば、色変換方式の有機ＥＬ発光装置として用いることが可能である。
本実施形態では、赤色波長変換層１８Ｒと緑色波長変換層１８Ｇを総称して、波長変換層１８と言うことがある。
以下、波長変換層１８および波長変換基板２０について具体的に説明する。
【００３４】
「波長変換基板」
図１に示すように波長変換基板２０は、波長変換層１８と、散乱バンク７と、光吸収散乱バンク７’と、カラーフィルタ８と、封止基板９と、を備えている。
波長変換基板２０は、図１に示すように、１画素に赤色波長変換層１８Ｒおよび赤色カラーフィルタ８Ｒ、緑色波長変換層１８Ｇおよび緑色カラーフィルタ８Ｇ、並びに、散乱層３１および青色カラーフィルタ８Ｂが１つずつ並置されている。この配列は、図２に示すように、破線で囲まれた赤色カラーフィルタ８Ｒ、緑色カラーフィルタ８Ｇおよび青色カラーフィルタ８Ｂは、ｙ軸に沿ってストライプ状に延長され、ｘ軸に沿って赤色カラーフィルタ８Ｒ、緑色カラーフィルタ８Ｇおよび青色カラーフィルタ８Ｂがこの順に配置された、２次元的なストライプ配列とされている。なお、図２において、ＲＧＢ画素（赤色カラーフィルタ８Ｒ、緑色カラーフィルタ８Ｇおよび青色カラーフィルタ８Ｂ）がストライプ配列された例を示しているが、本実施形態はこれに限定されない。本実施形態にあっては、ＲＧＢ画素の配列はモザイク配列、デルタ配列等、公知のＲＧＢ画素配列とすることもできる。
【００３５】
波長変換層１８は、少なくとも１種の蛍光色素（蛍光体、波長変換物質）を含む層である。
赤色波長変換層１８Ｒは、光源である有機ＥＬ素子１０から発光された青色領域の光を吸収して、赤色領域の光に変換して封止基材９側に赤色領域の光を射出する。
緑色波長変換層１８Ｇは、光源である有機ＥＬ素子１０から発光された青色領域の光を吸収して、緑色領域の光に変換して封止基材９側に緑色領域の光を放出する。
【００３６】
赤色波長変換層１８Ｒおよび緑色波長変換層１８Ｇは、ネガ型もしくはポジ型のフォトレジストを用いて、フォトリソグラフィにより形成されたものである。
フォトレジストに用いられる高分子としては、（メタ）アクリレート系光硬化樹脂、イミド系光硬化樹脂、シリコーン系光硬化樹脂等が挙げられる。
本実施形態におけるフォトレジストに用いられる光重合開始剤は、フォトレジスト中のモノマーと反応する。上記の高分子を用いる場合、ラジカル重合開始剤が好ましい。ラジカル重合開始剤としては、α開裂型重合開始剤と水素引き抜き型重合開始剤の２種類が挙げられる。ラジカル重合開始剤としては、α開裂型重合開始剤と水素引き抜き型重合開始剤のいずれを用いてもよい。
【００３７】
α開裂型重合開始剤としては、ベンゾインエーテル系、アセトフェノン系、フォスフィンオキサイド系等が挙げられる。より詳細には、例えば、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、α−アクリルベンゾイン等のベンゾイン系、ベンジル、２−メチル−２−モルホリノ（４−チオメチルフェニル）プロパン−１−オン、２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルホリノフェニル）−１−ブタノン、ベンジルメチルケタール、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニルプロパン−１−オン、１−（４−イソプロピルフェニル）−２−ヒドロキシ−２−メチルプロパン−１−オン、４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル−（２−ヒドロキシ−２−プロピル）ケトン、４−（２−アクリロイル−オキシエトキシ）フェニル−２−ヒドロキシ−２−プロピルケトン、ジエトキシアセトフェノン等が挙げられる。
【００３８】
水素引き抜き型重合開始剤としては、ベンゾフェノン、チオキサントン系が挙げられる。より詳しくは、例えば、フェニルベンゾフェノン、クロロベンゾフェノン、ジメチルベンゾフェノン、ジエチルベンゾフェノン、ベンゾイル安息香酸メチル、ヒドロキシベンゾフェノンと、ジメチルチオキサントン、ジエチルチオキサントン、イソプロピルチオキサントン、ジクロロチオキサントン等が挙げられる。
【００３９】
光重合開始剤は、波長３００ｎｍ〜４８０ｎｍの光を吸収することが好ましい。光重合開始剤は、励起光ピーク波長の光をより多く吸収できることがより好ましく、例えば、青色励起光の場合、波長４４０ｎｍ〜４６０ｎｍの光をより多く吸収できることがより好ましい。
光重合開始剤の添加量は、フォトレジスト１００に対して、質量比で１〜１０であることが好ましい。
【００４０】
紫外領域の光もしくは青色領域の光を吸収して、緑色領域の光に変換する蛍光色素としては、Ｃｏｕｍａｒｉｎ系色素、ＢＯＤＩＰＹ系色素、ペリレン系色素、ローダミン系色素、フルオレセインが挙げられる。
Ｃｏｕｍａｒｉｎ色素としては、例えば、２，３，５，６−１Ｈ、４Ｈ−テトラヒドロ−８−トリフロメチルキノリジン（９，９ａ、１−ｇｈ）Ｃｏｕｍａｒｉｎ（Ｃｏｕｍａｒｉｎ１５３）、３−（２’−ベンゾチアゾリル）―７−ジエチルアミノＣｏｕｍａｒｉｎ（Ｃｏｕｍａｒｉｎ６）、３−（２’−ベンゾイミダゾリル）―７−Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノＣｏｕｍａｒｉｎ（Ｃｏｕｍａｒｉｎ７）等が挙げられる。
ＢＯＤＩＰＹ系色素としては、例えば、４，４−ジフルオロ−４−ボラ−３ａ， ４ａ−アザシンダセン、１，３，５，７，８−ペンタメチルピロメテン−ＢＦ２、１，２，３，５，６，７，８−ヘプタメチルピロメテン−ＢＦ２、１，３，５，７，８−ペンタメチル−１−２，６−ジエチルピロメテン−ＢＦ２、１，２，３，５，６，７，８−ヘプタメチルピロメテン−ＢＦ２、１，３，５，７，８−ペンタメチル−１−２，６−ジプロピルピロメテン−ＢＦ２、１，３，５，７，８−ペンタメチル−１−２，６−ジブチルピロメテン−ＢＦ２等が挙げられる。
【００４１】
ペリレン系色素としては、例えば、Ｌｕｍｏｇｅｎ  Ｙｅｌｌｏｗ  ＳＯ７９Ｏ、Ｌｕｍｏｇｅｎ  Ｆ  Ｙｅｌｌｏｗ  Ｏ８３等が挙げられる。
ローダミン系色素としては、例えば、ローダミン６Ｇ、６−ａｍｉｎｏ−９−（２−Ｍｅｔｈｏｘｙｃａｒｂｏｎｙｌｐｈｅｎｙｌ）ｘａｎｔｈｅｎ−３−ｙｌｉｄｅｎｅｌａｚａｎｉｕｍ  ｃｈｌｏｒｉｄｅ（ローダミン１２３）、３，６−ジアミノ−９−（２−カルボキシフェニル）キサンチリウム（ローダミン１１０）等が挙げられる。
【００４２】
青色領域の光もしくは緑色領域の光を吸収して、赤色領域の光に変換する蛍光色素としては、ペリレン系色素、ローダミン系色素、クリセン系色素、ピレン系色素、ルブレン系色素、テリレン系色素、カテリレン系色素、フタロシアニン、スクアレン等が挙げられる。
ペリレン系色素としては、例えば、ペリレンジイミド、Ｌｕｍｏｇｅｎ  Ｆ  Ｏｒａｎｇｅ  ２４Ｏ、Ｌｕｍｏｇｅｎ  Ｆ  Ｒｅｄ  ３Ｏ５等が挙げられる。
ローダミン系色素としては、例えば、ローダミンＢ、リサミンローダミンＢ、テトラメチルローダミン誘導体、５，６−カルボキシテトラメチル−ローダミン−スクシンイミド−エステル（Ｔｅｘａｓ  Ｒｅｄの一種）等が挙げられる。
【００４３】
また、仮にＢ画素の青色として、光源の励起光の波長の光ではなく、別の波長の光を用いる場合、光源の励起光を異なる波長の青色光に変換する色素が必要である。Ｂ画素用の色素としては、例えば、スチルベンゼン系色素の１，４−ビス（２−メチルスチリル）ベンゼン、トランス−４，４’−ジフェニルスチルベンゼン、Ｃｏｕｍａｒｉｎ系色素の７−ヒドロキシ−４−メチルＣｏｕｍａｒｉｎ等が挙げられる。
【００４４】
波長変換物質の蛍光体としては、無機蛍光体を用いることもできる。
紫外領域の光もしくは青色領域の光を吸収して、緑色領域の光に変換する無機蛍光体としては、例えば、（ＢａＭｇ）Ａｌ１６Ｏ２７：Ｅｕ２＋，Ｍｎ２＋、Ｓｒ４Ａｌ１４Ｏ２５：Ｅｕ２＋、（ＳｒＢ亜ａ）Ａl１２Ｓｉ２Ｏ８：Ｅｕ２＋、（ＢａＭｇ）２ＳｉＯ４：Ｅｕ２＋、Ｙ２ＳｉＯ５：Ｃｅ３＋，Ｔｂ３＋、Ｓｒ２Ｐ２Ｏ７−Ｓｒ２Ｂ２Ｏ５：Ｅｕ２＋、（ＢａＣａＭｇ）５（ＰＯ４）３Ｃｌ：Ｅｕ２＋、Ｓｒ２Ｓｉ３Ｏ８−２ＳｒＣ１２：Ｅｕ２＋、Ｚｒ２ＳｉＯ４、ＭｇＡｌ１１Ｏ１９：Ｃｅ３＋，Ｔｂ３＋、Ｂａ２ＳｉＯ４：Ｅｕ２＋、Ｓｒ２ＳｉＯ４：Ｅｕ２＋、（ＢａＳｒ）ＳｉＯ４：Ｅｕ２＋等が挙げられる。
紫外領域の光もしくは青色領域の光を吸収して、赤色領域の光に変換する無機蛍光体としては、例えば、Ｙ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ３＋、ＹＡｌＯ３：Ｅｕ３＋、Ｃａ２Ｙ２（ＳｉＯ４）６：Ｅｕ３＋、ＬｉＹ９（ＳｉＯ４）６Ｏ２：Ｅｕ３＋、ＹＶＯ４：Ｅｕ３＋、ＣａＳ：Ｅｕ３＋、Ｇｄ２Ｏ３：Ｅｕ３＋、Ｇｄ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ３＋、Ｙ（Ｐ，Ｖ）Ｏ４：Ｅｕ３＋、Ｍｇ４ＧｅＯ５．５Ｆ：Ｍｎ４＋、Ｍｇ４ＧｅＯ６：Ｍｎ４＋、Ｋ５Ｅｕ２．５（ＷＯ４）６．２５、Ｎａ５Ｅｕ２．５（ＷＯ４）６．２５、Ｋ５Ｅｕ２．５（ＭｏＯ４）６．２５、Ｎａ５Ｅｕ２．５（ＭｏＯ４）６．２５等が挙げられる。
【００４５】
紫外領域の光を吸収して、青色領域の光に変換する無機蛍光体としては、Ｓｒ２Ｐ２Ｏ７：Ｓｎ４＋、Ｓｒ４Ａｌ１４Ｏ２５：Ｅｕ２＋、ＢａＭｇＡｌ１０Ｏ１７：Ｅｕ２＋、ＳｒＧａ２Ｓ４：Ｃｅ３＋、ＣａＧａ２Ｓ４：Ｃｅ３＋、（Ｂａ、Ｓｒ）（Ｍｇ、Ｍｎ）Ａｌ１０Ｏ１７：Ｅｕ２＋、（Ｓｒ、Ｃａ、Ｂａ、Ｍｇ）１０（ＰＯ４）６Ｃ１２：Ｅｕ２＋、ＢａＡｌ２ＳｉＯ８：Ｅｕ２＋、Ｓｒ２Ｐ２Ｏ７：Ｅｕ２＋、Ｓｒ５（ＰＯ４）３Ｃｌ：Ｅｕ２＋、（Ｓｒ，Ｃａ，Ｂａ）５（ＰＯ４）３Ｃｌ：Ｅｕ２＋、ＢａＭｇ２Ａｌ１６Ｏ２７：Ｅｕ２＋、（Ｂａ，Ｃａ）５（ＰＯ４）３Ｃｌ：Ｅｕ２＋、Ｂａ３ＭｇＳｉ２Ｏ８：Ｅｕ２＋、Ｓｒ３ＭｇＳｉ２Ｏ８：Ｅｕ２＋等が挙げられる。
ただし、蛍光体は上記の材料に限定されない。
【００４６】
波長変換層１８（赤色波長変換層１８Ｒおよび緑色波長変換層１８Ｇ）の膜厚は、１００ｎｍ〜１００μｍであることが好ましく、１μｍ〜１５μｍであることがより好ましい。
波長変換層１８の膜厚が１μｍ未満では、波長変換層１８の入射光吸収率が低下する。一方、波長変換層１８の膜厚が１５μｍを超えると、波長変換層１８のアスペクト比（入射光方向に平行な方向の波長変換層１８の高さ／波長変換層１８の幅）が１を超えて、波長変換層１８の強度が不安定となり形状が崩れる。
波長変換層１８の膜厚が１００ｎｍ以上であることにより、有機ＥＬ素子１０から発光する青色光を十分に吸収でき、発光装置３０における発光効率が向上し、赤色波長変換層１８Ｒおよび緑色波長変換層１８Ｇで変換された変換光への青色の透過光の混入が抑制されて、色純度が向上する。また、有機ＥＬ素子１０から発光する青色光の吸収を高め、色純度の悪影響を及ぼさない程度に青色の透過光を低減するためには、赤色波長変換層１８Ｒおよび緑色波長変換層１８Ｇの膜厚は１μｍ以上であることが好ましい。
赤色波長変換層１８Ｒおよび緑色波長変換層１８Ｇの膜厚が１００μｍを超えても、有機ＥＬ素子１０から発光する青色光は既に充分に吸収されているため、発光装置３０における発光効率の上昇には繋がらない。そこで、材料コストを低減できる点から、赤色波長変換層１８Ｒおよび緑色波長変換層１８Ｇの膜厚は、１００μｍ以下であることが好ましい。
【００４７】
波長変換層１８は、その厚さ方向に沿って、波長変換物質（蛍光体）の濃度が異なる少なくとも２つの領域を有する。より詳細には、波長変換層１８は、入射光面から出射光面に向かう方向に、波長変換物質（蛍光体）の濃度が次第に高くなる少なくとも２つの領域を有する。
【００４８】
また、波長変換層１８は、波長変換物質（蛍光体）の濃度が異なるｎ層（ｎ＝２、３、４、・・・、ｐ、・・・、ｑ、・・・、ｎ（３≦ｐ≦ｑ≦ｎ））が、封止基板９の一方の面９ａに垂直な方向に積層されてなり、波長変換層１８のうち、入射光面側を第１層、出射光面側を第ｎ層としたとき、第ｐ層は第（ｐ−１）層よりも波長変換物質（蛍光体）の濃度が高くなっている。
波長変換層１８では、第ｐ層と第（ｐ−２）層が蛍光体を含み、第（ｐ−１）層が蛍光体を含んでいなくてもよい（第１の形態）。また、第（ｐ−１）層は透明であり、かつ、第（ｐ−１）層は、第ｐ層および第（ｐ−２）層よりも膜厚が充分に薄いことが好ましい。
波長変換層１８では、第ｐ層と第（ｐ−２）層が蛍光体を含まず、第（ｐ−１）層が蛍光体を含んでいてもよい（第２の形態）。また、第ｐ層と第（ｐ−２）層は透明であり、かつ、第ｐ層および第（ｐ−２）層は、第（ｐ−１）層よりも膜厚が充分に薄いことが好ましい。
【００４９】
第１の形態では、第（ｐ−１）層を形成する高分子（レジスト材料）としては、第ｐ層および第（ｐ−２）層と同様のものが用いられることが好ましい。また、第ｐ層と第（ｐ−２）層とは、材質が異なる樹脂を用いることが好ましい。例えば、第ｐ層と第（ｐ−２）層が疎水性の場合、第（ｐ−１）層を形成する高分子（レジスト材料）としては、水溶性のポリビニルアルコール、ポリスチレンスルホン酸、ポリビニルピロリドン等が用いられる。
第２の形態では、第ｐ層目および第（ｐ−２）層を形成する高分子（レジスト材料）としては、第（ｐ−１）層と同様のものが用いられることが好ましい。
【００５０】
また、より高精細な表示装置を構成するためには、波長変換層１８の厚さは２μｍ〜１０μｍであることが好ましい。これは、例えば、高精細の４００ｐｐｉ以上の表示装置を構成するためには、サブピクセル（散乱バンク７と波長変換層１８を含む）の幅が約２０μｍとなるからである。波長変換層１８は、幅に対する厚さが小さい方が安定することから、波長変換層１８の厚さは１０μｍ程度が好ましい。ただし、表示装置の精細度によって安定する厚さが異なることから、波長変換層１８の厚さはこれに限定されない。また、波長変換層１８の厚さが２μｍ未満では、波長変換層１８の蛍光体による吸収率が低下し、発光効率が低下することから、波長変換層１８の厚さは２μｍ以上が好ましい。厚さが２μｍ〜１０μｍの波長変換層１８を作製するためには、第ｎ層におけるｎの最大値は１０である。これは、１つの波長変換層１８を最も薄く作製する場合、その厚さは１μｍ程度だからである。
【００５１】
散乱層３１は、光源（有機ＥＬ素子１０）からの発光を直接用いる画素（例えば、青色画素）と、波長変換層１８からの発光を用いる画素（緑色画素、赤色画素）との異なる配光特性を有する画素から構成されている。そこで、散乱層３１は、光源（有機ＥＬ素子１０）からの発光と波長変換層１８からの発光の配光特性を合わせ視野角による配光特性のズレによる輝度、色変化を低減するために設けられる。そして、散乱層３１は、封止基板９側に青色領域の光を放出する。なお、散乱層３１は省略することもできる。
【００５２】
散乱層３１は、バインダー樹脂に光散乱粒子が分散されて構成されている。散乱層３１の膜厚は、１μｍ〜１００μｍであることが好ましく、２μｍ〜５０μｍであることがより好ましい。
散乱層３１を構成するバインダー樹脂としては、特に限定されず、公知のものが用いられる。
【００５３】
光散乱粒子としては、有機ＥＬ素子１０からの光を散乱または透過させることができるものであれば特に限定されない。
光散乱粒子は、有機材料から構成されていてもよく、無機材料から構成されていてもよいが、無機材料から構成されていることが好ましい。これにより、外部（例えば、有機ＥＬ素子１０）からの指向性を有する光を、より等方的かつ効果的に、拡散または散乱させることが可能となる。また、無機材料を用いることにより、光および熱に安定な散乱層３１を形成することが可能となる。また、光散乱粒子としては、透明度が高いものが好ましい。また、青色領域の光が散乱層３１によって効果的に散乱するためには、光散乱粒子の粒径がミー散乱の領域にあることが必要であるので、光散乱粒子の粒径としては、１００ｎｍ〜５００ｎｍ程度が好ましい。
【００５４】
光散乱粒子として、無機材料を用いる場合には、例えば、ケイ素、チタン、ジルコニウム、アルミニウム、インジウム、亜鉛、錫およびアンチモンからなる群から選択される少なくとも１種の金属の酸化物を主成分とした粒子（微粒子）等が挙げられる。
また、光散乱粒子として、無機材料から構成される粒子（無機微粒子）を用いる場合、光散乱粒子としては、例えば、シリカビーズ（屈折率：１．４４）、アルミナビーズ（屈折率：１．６３）、酸化チタンビーズ（屈折率  アナタース型：２．５０、ルチル型：２．７０）、酸化ジルコニアビーズ（屈折率：２．０５）、酸化亜鉛ビーズ（屈折率：２．００）、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）（屈折率：２.４）等が挙げられる。
光散乱粒子として、有機材料から構成される粒子（有機微粒子）を用いる場合、光散乱粒子としては、例えば、ポリメチルメタクリレートビーズ（屈折率：１．４９）、アクリルビーズ（屈折率：１．５０）、アクリル−スチレン共重合体ビーズ（屈折率：１．５４）、メラミンビーズ（屈折率：１．５７）、高屈折率メラミンビーズ（屈折率：１．６５）、ポリカーボネートビーズ（屈折率：１．５７）、スチレンビーズ（屈折率：１．６０）、架橋ポリスチレンビーズ（屈折率：１．６１）、ポリ塩化ビニルビーズ（屈折率：１．６０）、ベンゾグアナミン−メラミンホルムアルデヒドビーズ（屈折率：１．６８）、シリコーンビーズ（屈折率：１．５０）等が挙げられる。
【００５５】
光散乱粒子と混合して用いる樹脂材料（バインダー樹脂）としては、透光性の樹脂であることが好ましい。また、樹脂材料としては、例えば、アクリル樹脂（屈折率：１．４９）、メラミン樹脂（屈折率：１．５７）、ナイロン（屈折率：１．５３）、ポリスチレン（屈折率：１．６０）、メラミンビーズ（屈折率：１．５７）、ポリカーボネート（屈折率：１．５７）、ポリ塩化ビニル（屈折率：１．６０）、ポリ塩化ビニリデン（屈折率：１．６１）、ポリ酢酸ビニル（屈折率：１．４６）、ポリエチレン（屈折率：１．５３）、ポリメタクリル酸メチル（屈折率：１．４９）、ポリＭＢＳ（屈折率：１．５４）、中密度ポリエチレン（屈折率：１．５３）、高密度ポリエチレン（屈折率：１．５４）、テトラフルオロエチレン（屈折率：１．３５）、ポリ三フッ化塩化エチレン（屈折率：１．４２）、ポリテトラフルオロエチレン（屈折率：１．３５）等が挙げられる。
【００５６】
また、光散乱粒子としては、平均粒径が２５μｍ、粒度分布の標準偏差が１μｍのポリスチレン粒子等が挙げられる。また、散乱層３１における光散乱粒子の含有量は、特に限定されず、適宜調整される。
散乱層３１は、公知の方法で形成され、例えば、バインダー樹脂および光散乱粒子を溶媒に溶解または分散させてなる散乱層形成用組成物を用いて、スピンコーティング法、ディッピング法、ドクターブレード法、吐出コート法、スプレーコート法等の塗布法や、インクジェット法、凸版印刷法、凹版印刷法、スクリーン印刷法、マイクログラビアコート法等の印刷法等による公知のウエットプロセス等により形成される。
【００５７】
このように、波長変換基板２０は、波長変換層１８（および散乱層３１）を備えていることにより、有機ＥＬ素子１０から放出された光を波長変換して、赤色、緑色、青色の三色の光を封止基板９側から射出し、表示装置をフルカラー化することができる。
【００５８】
光取り出し側（観察者側）の封止基板９と、赤色波長変換層１８Ｒおよび緑色波長変換層１８Ｇ、並びに、散乱層３１との間に配された赤色カラーフィルタ８Ｒ、緑色カラーフィルタ８Ｇおよび青色カラーフィルタ８Ｂは、発光装置３０から出射される赤色、緑色、青色の色純度を高め、発光装置３０の色再現範囲を拡大する目的で設けられる。また、赤色波長変換層１８Ｒ上に形成された赤色カラーフィルタ８Ｒ、および、緑色波長変換層１８Ｇ上に形成された緑色カラーフィルタ８Ｇは、外光の青色成分および紫外成分を吸収するため、外光による波長変換層１８の発光を低減または防止することが可能であり、コントラストの低下を低減または防止できる。
【００５９】
赤色カラーフィルタ８Ｒ、緑色カラーフィルタ８Ｇおよび青色カラーフィルタ８Ｂとしては、特に限定されず、公知のカラーフィルタが用いられる。また、赤色カラーフィルタ８Ｒ、緑色カラーフィルタ８Ｇおよび青色カラーフィルタ８Ｂは、公知の方法で形成され、その膜厚も適宜調整される。
カラーフィルタ８を設けることによって、波長変換層１８により吸収されず、透過してしまう励起光が外部に漏れ出すことを防止できるため、波長変換層１８からの発光と励起光による混色による発光の色純度の低下を防止することができる。さらに、各画素の色純度を高めることが可能となり、表示装置の色再現範囲を拡大することができる。また、散乱層３１上に形成された青色カラーフィルタ８Ｂ、緑色波長変換層１８Ｇ上に形成された緑色カラーフィルタ８Ｇ、赤色波長変換層１８Ｒ上に形成された赤色カラーフィルタ８Ｒが、外光のうち、各蛍光体を励起する励起光を吸収するため、外光による波長変換層１８の発光を低減・防止することが可能となり、コントラストの低下を低減・防止することができる。
【００６０】
さらに、波長変換層１８として、シアン、イエローを用いた場合、それぞれの発光に対応したカラーフィルタを設けることもできる。
また、発光装置３０においては、散乱層３１に代えて、光源である有機ＥＬ素子１０から発光された光のうち、紫外領域の光を吸収して、青色領域の光に変換して封止基板９側に青色領域の光を放出する青色波長変換層を設けてもよい。
この場合、青色蛍光体層に用いる有機蛍光性化合物としては、紫外領域の励起光を、青色領域の光に変換する蛍光色素である、１，４−ビス（２−メチルスチリル）ベンゼン、トランス−４，４’−ジフェニルスチルベンゼン等のスチルベンゼン系色素；７−ヒドロキシ−４−メチルＣｏｕｍａｒｉｎ等のＣｏｕｍａｒｉｎ系色素等が挙げられる。
【００６１】
また、青色蛍光体層には、無機系蛍光性化合物として、紫外領域の励起光を青色領域の光に変換するものを用いることもでき、このようなものとして具体的には、Ｓｒ２Ｐ２Ｏ７：Ｓｎ４＋、Ｓｒ４Ａｌ１４Ｏ２５：Ｅｕ２＋、ＢａＭｇＡｌ１０Ｏ１７：Ｅｕ２＋、ＳｒＧａ２Ｓ４：Ｃｅ３＋、ＣａＧａ２Ｓ４：Ｃｅ３＋、（Ｂａ、Ｓｒ）（Ｍｇ、Ｍｎ）Ａｌ１０Ｏ１７：Ｅｕ２＋、（Ｓｒ、Ｃａ、Ｂａ２、Ｍｇ）１０（ＰＯ４）６Ｃｌ２：Ｅｕ２＋、ＢａＡｌ２ＳｉＯ８：Ｅｕ２＋、Ｓｒ２Ｐ２Ｏ７：Ｅｕ２＋、Ｓｒ５（ＰＯ４）３Ｃｌ：Ｅｕ２＋、（Ｓｒ、Ｃａ、Ｂａ）５（ＰＯ４）３Ｃｌ：Ｅｕ２＋、ＢａＭｇ２Ａｌ１６Ｏ２７：Ｅｕ２＋、（Ｂａ、Ｃａ）５（ＰＯ４）３Ｃｌ：Ｅｕ２＋、Ｂａ３ＭｇＳｉ２Ｏ８：Ｅｕ２＋、Ｓｒ３ＭｇＳｉ２Ｏ８：Ｅｕ２＋等が挙げられる。
【００６２】
無機系蛍光性化合物には、必要に応じて表面改質処理を施すことが好ましく、その方法としては、シランカップリング剤等の化学的処理によるもの、サブミクロンオーダーの微粒子等の添加による物理的処理によるもの、これらの併用によるもの等が挙げられる。
無機系蛍光性化合物は、その平均粒径（ｄ５０）が、０．５μｍ〜５０μｍであることが好ましい。
【００６３】
また、波長変換基板２０は、各画素間に、カラーフィルタ８の間に光吸収散乱バンク７’を設けることが好ましい。これにより、コントラストを向上されることができる。
光吸収散乱バンク７’としては、公知のものが設けられ、例えば、カーボンブラック等の黒色顔料を含む樹脂で構成された遮光性のものが好ましい。
ここで、光吸収散乱バンク７’の膜厚は、通常１０ｎｍ〜２０μｍ程度であるが、１０ｎｍ〜３μｍが好ましい。
光吸収散乱バンク７’は、フォトリソグラフィ法で形成される。
【００６４】
また、光吸収散乱バンク７’上の各画素間には、光反射性のバンク、もしくは、光散乱性のバンク（散乱バンク７）を設けることが好ましい。これにより、波長変換層１８からの等方発光の内、側面方向への発光（波長変換層１８を通しての導波成分）を防止することが可能となり、所望の画素以外への発光の漏れによる色純度の低下を防止すことができ、さらに、画素内に光を反射されることが可能となり、発光を有効利用できるため、消費電力を低下させることができる。さらに、光反射性のバンク、もしくは、光散乱性のバンクの膜厚としては、波長変換層１８の総膜厚より厚くすることが好ましく、これにより、波長変換層１８内を導波し、側面にロスする光を有効に利用することが可能となる。
【００６５】
光反射性のバンク、もしくは、光散乱性のバンクの材料としては、特に限定されず、例えば、金、銀、アルミニウム等の金属等の反射膜、酸化チタン等の散乱膜を用いることもできる。
散乱バンク７は、フォトリソグラフィ法で形成できる。例えば、散乱バンク７を構成するための（散乱バンク形成用組成物）を用いる点以外は、光吸収散乱バンク７’と同じ方法で形成できる。
【００６６】
封止基板９は、カラーフィルタ８、光吸収散乱バンク７’の下に配置されており、光の透過率が９０％以上の基板、例えば、ガラス、石英等からなる無機材料基板；ポリエチレンテレフタレート、ポリカルバゾール、ポリイミド等からなるプラスチック基板；プラスチック基板の表面を無機材料でコーティングした基板；アルミナ等からなるセラミックス基板等の絶縁性基板が挙げられる。これらの中でも、ストレスなく湾曲部、折り曲げ部を形成できる点においては、プラスチック基板が好ましく、プラスチック基板に無機材料をコーティングした基板がより好ましい。例えば、有機ＥＬ素子は、微量の水分や酸素によっても劣化することが知られており、プラスチック基板を用いた有機ＥＬ素子では、この基板における水分および酸素の透過による劣化が大きな問題となる。これに対して、プラスチック基板に無機材料をコーティングした基板は、水分および酸素の透過を抑制する効果が高く、かかる基板を有機ＥＬ素子に適用した場合、水分および酸素による有機ＥＬ素子の劣化を高度に抑制できる。
【００６７】
封止基板９の厚さは、１０μｍ〜２０００μｍであることが好ましく、１００μｍ〜１０００μｍであることがより好ましい。
【００６８】
波長変換基板２０では、封止基板９と、波長変換層１８および散乱層３１との間、もしくは、図３に示すようにカラーフィルタ８と波長変換層１８との間に、封止基板９および波長変換層１８よりも屈折率が低い低屈折率層を設けてもよい。低屈折率層を設けることにより、波長変換基板２０で問題となる波長変換層１８からの発光が、光取出し側の封止基板９を導波して、封止基板９の側面に導波する発光のロスを軽減できる。それは、屈折率差を利用し、光取出し側の封止基板９から空気層へ取出すことができない臨界角以上の光を、波長変換層１８と低屈折率層の間の屈折率差で反射させ、光取出し側と反対側に形成されている反射部材（波長変換層１８と有機ＥＬ素子１０の間に設けられた、励起光は透過し、波長変換層１８からの発光を反射させる反射層（誘電体多層膜、バンドパスフィルタ、金属の超薄膜等）、無機ＥＬ部、有機ＥＬ部に設けられた半透明電極もしくは反射電極）で反射させ、再度、光取出し方向に出射させることで、光取出し側の封止基板９を導波する発光ロスを低減することが可能となり、表示装置の消費電力を低減すること、輝度を向上させることが可能となるからである。
【００６９】
低屈折率層に用いられる材料としては、特に限定されないが、例えば、フッ素系樹脂（Ｐｏｌｙ（１，１，１，３，３，３−ｈｅｘａｆｌｕｏｒｏｉｓｏｐｒｏｐｙｌ  ａｃｒｙｌａｔｅ）：ｎ＝１．３７５、Ｐｏｌｙ（２，２，３，３，４，４，４−ｈｅｐｔａｆｌｕｏｒｏｂｕｔｙｌ  ｍｅｔｈａｃｒｙｌａｔｅ）：ｎ＝１．３８３、Ｐｏｌｙ（２，２，３，３，３−ｐｅｎｔａｆｌｕｏｒｏｉｓｏｐｒｏｐｙｌ  ｍｅｔｈａｃｒｙｌａｔｅ）：ｎ＝１．３９５、Ｐｏｌｙ（２，２，２−ｔｒｉｆｌｕｏｒｏｅｔｈｙｌ  ｍｅｔｈａｃｒｙｌａｔｅ）：ｎ＝１．４１８）、メソポーラスシリカ（ｎ＝１．２）、エアロゲル（ｎ＝１．０５）等の膜で構成してもよいし、ドライエアー、Ｎ２等の気体を導入してもよいし、減圧状態を利用することもできる。
【００７０】
蛍光体を励起する励起光としては、紫外領域の光、青色領域の光、青緑色領域の光が好ましい。このような励起光を発光する光源としては、例えば、紫外ＬＥＤ、青色ＬＥＤ、青緑色ＬＥＤ、紫外発光無機ＥＬ、青色発光無機ＥＬ、青緑色発光無機ＥＬ、紫外発光有機ＥＬ、青色発光有機ＥＬ、青緑色有機ＥＬ等が挙げられる。本実施形態では、光源として有機ＥＬ素子１０を用いた場合を例示するが、本発明はこれらに限定されない。
【００７１】
有機ＥＬ素子１０が設けられる基板１と封止基板９とは、有機ＥＬ素子１０と、波長変換層１８および散乱層３１とが封止材を介して対向するように配置されている。波長変換層１８および散乱層３１は、上述のように散乱バンク７によって仕切られている。
基板１上には、ＴＦＴ回路２および各種配線（図示略）が形成され、さらに、基板１の上面およびＴＦＴ回路２を覆うように、層間絶縁膜３および平坦化膜４が順次積層されている。
封止基板９上に赤色カラーフィルタ８Ｒを介して赤色蛍光体層１８Ｒが設けられ、緑色カラーフィルタ８Ｇを介して緑色蛍光体層１８Ｇが設けられた構造は、本実施形態の波長変換基板２０に相当する。
【００７２】
基板１としては、特に限定されないが、例えば、ガラス、石英等からなる無機材料基板；ポリエチレンテレフタレート、ポリカルバゾール、ポリイミド等からなるプラスチック基板；アルミナ等からなるセラミックス基板等の絶縁性基板や、アルミニウム（Ａｌ）、鉄（Ｆｅ）等からなる金属基板；前記基板表面に酸化シリコン（ＳｉＯ２）等の有機絶縁材料等からなる絶縁物をコーティングした基板；Ａｌ等からなる金属基板の表面を陽極酸化等の方法で絶縁化処理を施した基板等が挙げられる。
【００７３】
ＴＦＴ回路２は、有機ＥＬ素子１０を形成する前に、予め基板１上に形成され、スイッチング用および駆動用として機能する。ＴＦＴ回路２としては、公知のＴＦＴ回路が用いられる。また、本実施形態において、スイッチング用および駆動用回路として、ＴＦＴ回路２の代わりに、金属−絶縁体−金属（ＭＩＭ）ダイオードを用いることもできる。
【００７４】
ＴＦＴ回路２の活性層の材料としては、非晶質シリコン（アモルファスシリコン）、多結晶シリコン（ポリシリコン）、微結晶シリコン、セレン化カドミウム等の無機半導体材料；酸化亜鉛、酸化インジウム−酸化ガリウム−酸化亜鉛等の酸化物半導体材料；ポリチオフェン誘導体、チオフエンオリゴマー、ポリ（ｐ−フェリレンビニレン）誘導体、ナフタセン、ペンタセン等の有機半導体材料等が挙げられる。
また、ＴＦＴ回路２の構造としては、例えば、スタガ型、逆スタガ型、トップゲート型、コプレーナ型等が挙げられる。
【００７５】
ＴＦＴ回路２のゲート絶縁膜としては、公知の材料が用いられる。ゲート絶縁膜としては、プラズマ誘起化学気相成長（ＰＥＣＶＤ）法もしくは減圧化学気相成長（ＬＰＣＶＤ）法等により形成されたＳｉＯ２またはポリシリコン膜を熱酸化して得られたＳｉＯ２等が挙げられる。
また、ＴＦＴ回路２の信号電極線、走査電極線、共通電極線、第１駆動電極および第２駆動電極は、例えば、タンタル（Ｔａ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）等の公知の材料を用いて形成される。
【００７６】
発光装置３０においては、有機ＥＬ素子１０からの発光を封止基板９側から取り出すため、外光が基板１上に形成されたＴＦＴ回路２に入射して、ＴＦＴ特性に変化が生じることを防ぐ目的で、遮光性を兼ね備えた層間絶縁膜３（遮光性絶縁膜）を用いることが好ましい。また、発光装置３０においては、層間絶縁膜３と遮光性絶縁膜とを組み合わせて用いることもできる。
遮光性絶縁膜としては、フタロシアニン、キナクロドン等の顔料または染料をポリイミド等の高分子樹脂に分散させたものや、カラーレジスト、ブラックマトリクス材料、ＮｉｘＺｎｙＦｅ２Ｏ４等の無機絶縁材料等が挙げられる。
【００７７】
層間絶縁膜３は、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ２）、窒化シリコン（ＳｉＮ、Ｓｉ２Ｎ４）、酸化タンタル（ＴａＯ、Ｔａ２Ｏ５）等の無機材料；アクリル樹脂、レジスト材料等の有機材料等、公知の材料を用いて形成される。
層間絶縁膜３の形成方法としては、化学気相成長（ＣＶＤ）法、真空蒸着法等のドライプロセスや、スピンコート法等のウエットプロセスが挙げられ、必要に応じてフォトリソグラフィ法等によりパターニングすることもできる。
【００７８】
平坦化膜４は、ＴＦＴ回路２の表面の凸凹により、有機ＥＬ素子１０の欠陥（例えば、画素電極の欠損、有機ＥＬ層の欠損、対向電極の断線、画素電極と対向電極との短絡、耐圧の低下等）等の発生を防止するために設けられるものである。なお、平坦化膜４は省略することもできる。
平坦化膜４は、例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化タンタル等の無機材料や、ポリイミド、アクリル樹脂、レジスト材料等の有機材料等の公知の材料を用いて形成できるが、材料はこれらに限定されない。
平坦化膜４の形成方法としては、特に限定されないが、例えば、ＣＶＤ法、真空蒸着法等のドライプロセスや、スピンコート法等のウエットプロセスが挙げられる。
平坦化膜４は、単層構造および多層構造のいずれであってもよい。
【００７９】
有機ＥＬ素子１０は、無機封止膜５に覆われている。
有機ＥＬ素子は、有機ＥＬ層（有機層）１７が第１電極１２と第２電極１６により狭持された構造を有し、第１電極１２の下面には反射電極１１が設けられている。反射電極１１および第１電極１２は、層間絶縁膜３および平坦化膜４を貫通して設けられた配線２ｂにより、ＴＦＴ回路２の１つに接続されている。第２電極１６は、層間絶縁膜３、平坦化膜４およびエッジカバー１９を貫通して設けられた配線２ａにより、ＴＦＴ回路２の１つに接続されている。
【００８０】
エッジカバー１９は、絶縁材料からなり、隣接する第１電極１２の各エッジ部（端部）を覆うように設けられており、第１電極１２と第２電極１６との間でリークが起こることを防止するものである。
エッジカバー１９は、絶縁材料を用いてＥＢ蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、抵抗加熱蒸着法等の公知の方法により形成でき、公知のドライおよびウエット法のフォトリソグラフィ法によりパターニングできるが、エッジカバー１９の形成方法はこれらに限定されない。
【００８１】
エッジカバー１９を構成する絶縁材料としては、ＳｉＯ、ＳｉＯＮ、ＳｉＮ、ＳｉＯＣ、ＳｉＣ、ＨｆＳｉＯＮ、ＺｒＯ、ＨｆＯ、ＬａＯ等、光透過性を有する公知の材料が挙げられる。
エッジカバー１９の膜厚は、１００ｎｍ〜２０００ｎｍであることが好ましい。エッジカバー１９の膜厚が１００ｎｍ以上であることにより、十分な絶縁性を保ち、第１電極１２と第２電極１６との間でのリークに伴う消費電力の上昇や非発光の発生を効果的に抑制できる。また、エッジカバー１９の膜厚が２０００ｎｍ以下であることにより、成膜プロセスでの生産性の低下や、エッジカバー１９における第２電極１６の断線を効果的に抑制できる。
【００８２】
さらに、有機ＥＬ層１７をパターン化していないため、有機層通して側面方向に導波する発光のロスが存在する。そこで、エッジカバーとしては、前記課題を解決すると共に側面方向への発光のロスを有効利用するため、光反射性、または、光散乱性の材料を用いる事もできる。
光反射性のエッジカバーとしては、従来のアルミニウム、銀等の金属をＳｉＯ２等の透明な絶縁性の材料で覆った構造を取ることができる。
光散乱性のエッジカバーとして、従来の樹脂中に光散乱微粒子を分散したものを用いることができる。また、青色光が光散乱性の隔壁によって効果的に散乱するためには、光散乱粒子の粒径がミー散乱の領域にあることが必要であるので、光散乱粒子の粒径は１００ｎｍ〜５００ｎｍ程度が好ましい。
【００８３】
光散乱粒子として、無機材料により構成された粒子（無機微粒子）を用いる場合、例えば、無機微粒子としては、シリカビーズ（屈折率：１．４４）、アルミナビーズ（屈折率：１．６３）、酸化チタンビーズ（屈折率  アナタース型：２．５０、ルチル型：２．７０）、酸化ジルコニアビーズ（屈折率：２．０５）、酸化亜鉛ビーズ（屈折率：２．００）、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）（屈折率：２.４）等が挙げられる。
光散乱粒子として、有機材料により構成された粒子（有機微粒子）を用いる場合、例えば、有機微粒子としては、ポリメチルメタクリレートビーズ（屈折率：１．４９）、アクリルビーズ（屈折率：１．５０）、アクリル−スチレン共重合体ビーズ（屈折率：１．５４）、メラミンビーズ（屈折率：１．５７）、高屈折率メラミンビーズ（屈折率：１．６５）、ポリカーボネートビーズ（屈折率：１．５７）、スチレンビーズ（屈折率：１．６０）、架橋ポリスチレンビーズ（屈折率：１．６１）、ポリ塩化ビニルビーズ（屈折率：１．６０）、ベンゾグアナミン−メラミンホルムアルデヒドビーズ（屈折率：１．６８）、シリコーンビーズ（屈折率：１．５０）等が挙げられる。
【００８４】
光散乱粒子と混合して用いる樹脂材料としては、例えば、アクリル樹脂（屈折率：１．４９）、メラミン樹脂（屈折率：１．５７）、ナイロン（屈折率：１．５３）、ポリスチレン（屈折率：１．６０）、メラミンビーズ（屈折率：１．５７）、ポリカーボネート（屈折率：１．５７）、ポリ塩化ビニル（屈折率：１．６０）、ポリ塩化ビニリデン（屈折率：１．６１）、ポリ酢酸ビニル（屈折率：１．４６）、ポリエチレン（屈折率：１．５３）、ポリメタクリル酸メチル（屈折率：１．４９）、ポリＭＢＳ（屈折率：１．５４）、中密度ポリエチレン（屈折率：１．５３）、高密度ポリエチレン（屈折率：１．５４）、テトラフルオロエチレン（屈折率：１．３５）、ポリ三フッ化塩化エチレン（屈折率：１．４２）、ポリテトラフルオロエチレン（屈折率：１．３５）等が挙げられる。
【００８５】
配線２ａおよび２ｂは、導電性材料で構成されていればよい。導電性材料としては、特に限定されないが、例えば、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｔａ、Ａｌ、Ａｌ合金、Ｃｕ、Ｃｕ合金等が挙げられる。
配線２ａおよび２ｂは、スパッタ法、ＣＶＤ法、マスクを用いるフォトリソグラフィ法等の公知の方法で形成される。
【００８６】
第１電極１２は反射電極１１上に形成されており、第２電極１６は有機ＥＬ層（有機層）１７上に形成されている。
第１電極１２および第２電極１６を形成する電極材料としては、公知の電極材料が用いられる。
陽極である第１電極１２を形成する材料としては、有機ＥＬ層１７への正孔の注入をより効率よく行う観点から、仕事関数が４．５ｅＶ以上である金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）等の金属；インジウム（Ｉｎ）および錫（Ｓｎ）からなる酸化物（ＩＴＯ）、錫（Ｓｎ）の酸化物（ＳｎＯ２）インジウム（Ｉｎ）および亜鉛（Ｚｎ）からなる酸化物（ＩＺＯ）等が挙げられる。
陰極である第２電極１６を形成する電極材料としては、有機ＥＬ層１７への電子の注入をより効率よく行う観点から、仕事関数が４．５ｅＶ以下であるリチウム（Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）、セリウム（Ｃｅ）、バリウム（Ｂａ）、アルミニウム（Ａｌ）等の金属；これらの金属を含有するＭｇ：Ａｇ合金、Ｌｉ：Ａｌ合金等の合金が挙げられる。
【００８７】
第１電極１２および第２電極１６は、上記の材料を用いてＥＢ（電子ビーム）蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、抵抗加熱蒸着法等の公知の方法により基板上に形成されるが、形成方法はこれらに限定されない。また、必要に応じて、フォトリソグラフフィ法、レーザ剥離法により、形成した電極をパターニングすることもでき、シャドーマスクと組み合わせることで直接パターニングした電極を形成することもできる。
【００８８】
第１電極１２および第２電極１６の膜厚は、５０ｎｍ以上であることが好ましい。第１電極１２および第２電極１６の膜厚が５０ｎｍ以上であることにより、配線抵抗の上昇に伴う駆動電圧の上昇を抑制する効果が高くなる。
有機ＥＬ素子１０は、発光層を含む少なくとも１層の有機層が、一対の電極間に狭持されて構成されている。より具体的には、有機ＥＬ素子１０は、平坦化膜４上に、反射電極１１、第１電極１２、有機ＥＬ層（有機層）１７および第２電極１６がこの順に積層されて構成されている。本実施形態では、第１電極１２および第２電極１６により狭持された有機ＥＬ層１７は、正孔輸送層１３、有機発光層１４および電子輸送層１５がこの順に積層されて構成されている。
【００８９】
第１電極１２および第２電極１６は、有機ＥＬ素子１０の陽極または陰極として対で機能する。つまり、第１電極１２を陽極とした場合、第２電極１６は陰極となり、第１電極１２を陰極とした場合、第２電極１６は陽極となる。図１および以下の説明においては、第１電極１２が陽極、第２電極１６が陰極である場合を例示する。なお、第１電極１２が陰極、第２電極１６が陽極の場合、有機ＥＬ層（有機層）１７の積層構成において、正孔注入層および正孔輸送層を第２電極１６側とし、電子注入層および電子輸送層を第１電極１２側とすればよい。
【００９０】
有機ＥＬ層（有機層）１７は、有機発光層１４の単層構造でもよいし、図１に示すような正孔輸送層１３、有機発光層１４および電子輸送層１５の積層構造のごとく多層構造であってもよい。有機ＥＬ層（有機層）１７としては、具体的には、下記の構成が挙げられるが、本実施形態はこれらに限定されない。なお、下記の構成において、正孔注入層および正孔輸送層１３は陽極である第１電極１２側に配され、電子注入層および電子輸送層１５は陰極である第２電極１６側に配される。
（１）有機発光層１４
（２）正孔輸送層１３／有機発光層１４
（３）有機発光層１４／電子輸送層１５
（４）正孔注入層／有機発光層１４
（５）正孔輸送層１３／有機発光層１４／電子輸送層１５
（６）正孔注入層／正孔輸送層１３／有機発光層１４／電子輸送層１５
（７）正孔注入層／正孔輸送層１３／有機発光層１４／電子輸送層１５／電子注入層
（８）正孔注入層／正孔輸送層１３／有機発光層１４／正孔防止層／電子輸送層１５
（９）正孔注入層／正孔輸送層１３／有機発光層１４／正孔防止層／電子輸送層１５／電子注入層
（１０）正孔注入層／正孔輸送層１３／電子防止層／有機発光層１４／正孔防止層／電子輸送層１５／電子注入層
ここで、有機発光層１４、正孔注入層、正孔輸送層１３、正孔防止層、電子防止層、電子輸送層１５および電子注入層の各層は、単層構造でも多層構造であってもよい。
【００９１】
なお、有機ＥＬ層１７が励起子ブロッキング層を含む場合、励起子ブロッキング層は正孔輸送層１３と有機発光層１４の間、かつ／または、有機発光層１４と電子輸送層１５の間に挿入することが可能である。励起子ブロッキング層は、有機発光層１４中で生成された励起子が、正孔輸送層１３、電子輸送層１５にエネルギー移動して失活することを防止する機能を有し、より効果的に励起子のエネルギーを発光に利用することが可能となるため、効率のよい発光を実現することが可能となる。励起子ブロッキング層は、公知の励起子ブロッキング材料から構成できる。
【００９２】
有機発光層１４は、発光性化合物（蛍光性化合物）のみから構成されていてもよいし、発光性化合物をドーパント（発光材料）として、ホスト材料と組み合わせて構成されていてもよく、発光性化合物をホスト材料として、発光性のドーパントと組み合わせて構成されていてもよい。また、本発明において、有機発光層１４は、任意に正孔輸送材料、電子輸送材料、添加剤（ドナー、アクセプター等）等を含んでいてもよく、また、これらの材料が高分子材料（結着用樹脂）または無機材料中に分散された構成であってもよい。有機発光層１４は、第１電極１２から注入された正孔と第２電極１６から注入された電子とを再結合させて、発光性化合物または発光性のドーパントの燐光発光により、光を放出（発光）する。低消費電力化の観点で、発光効率の高い燐光材料を用いることが好ましい。
【００９３】
有機発光層１４として、発光性化合物を発光性のドーパント（発光材料）とし、従来のホスト材料と組み合わせて用いる場合、ホスト材料としては、公知の有機ＥＬ用のホスト材料を用いることができる。このようなホスト材料としては、４，４’−ビス（カルバゾール）ビフェニル、９，９−ジ（４−ジカルバゾール−ベンジル）フルオレン（ＣＰＦ）、３，６−ビス（トリフェニルシリル）カルバゾール（ｍＣＰ）、ポリ（Ｎ−オクチル−２，７−カルバゾール−Ｏ−９，９−ジオクチル−２，７−フルオレン）（ＰＣＦ）、１，３，５−トリス（カルバゾール−９−イル）ベンゼン（ＴＣＰ）、９，９−ビス［４−（カルバゾール−９−イル）−フェニル］フルオレン（ＦＬ−２ＣＢＰ）等のカルバゾール誘導体；４−（ジフェニルフォスフォイル）−Ｎ，Ｎ-ジフェニルアニリン（ＨＭ−Ａ１）等のアニリン誘導体；１，３−ビス（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）ベンゼン（ｍＤＰＦＢ）、１，４−ビス（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）ベンゼン（ｐＤＰＦＢ）等のフルオレン誘導体；１，３，５−トリス［４−（ジフェニルアミノ）フェニル］ベンゼン（ＴＤＡＰＢ）；１，４−ビストリフェニルシリルベンゼン（ＵＧＨ−２）；１，３−ビス（トリフェニルシリル）ベンゼン（ＵＧＨ−３）；９−（４−ターシャルブチルフェニル）−３，６−ビス（トリフェニルシリル）−９Ｈ−カルバゾール（ＣｚＳｉ）等が例示できる。
【００９４】
有機発光層１４として、発光性化合物をホスト材料とし、従来の発光性のドーパントを組み合わせて用いる場合、発光性ドーパントとしては、公知の有機ＥＬ用の発光性のドーパント材料を用いることができる。このような発光性のドーパント材料としては、トリス（２−フェニルピリジン）イリジウム（ＩＩＩ）（Ｉｒ（ｐｐｙ）３）、ビス（２−フェニルピリジン）（アセチルアセトネート）イリジウム（ＩＩＩ）（Ｉｒ（ｐｐｙ）２（ａｃａｃ））、トリス［２−（ｐ−トリル）ピリジン］イリジウム（ＩＩＩ）（Ｉｒ（ｍｐｐｙ）３）、ビス［（４，６−ジフルオロフェニル）−ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］ピコリネート  イリジウム（ＩＩＩ）（ＦＩｒＰｉｃ）、ビス（４’，６’−ジフルオロフェニルポリジナト）テトラキス（１−ピラゾイル）ボレートイリジウム（ＩＩＩ）（ＦＩｒ６）、トリス（１−フェニル−３−メチルベンゾイミダゾリン−２−イリデン−Ｃ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）（Ｉｒ（Ｐｍｂ）３）、ビス（２，４−ビフルオロフェニルピリジナト）（５−（ピリジン−２−イル）−１Ｈ−テトラゾネート）イリジウム（ＩＩＩ）（ＦＩｒＮ４）、ビス（２−ベンゾ［ｂ］チオフェン−２−イル−ピリジン）（アセチルアセトナト）イリジウム（ＩＩＩ）（Ｉｒ（ｂｔｐ）２（ａｃａｃ））、トリス（１−フェニルイソキノリン）イリジウム（ＩＩＩ）（Ｉｒ（ｐｉｑ）３）、トリス（１−フェニルイソキノリン）（アセチルアセトネート）イリジウム（ＩＩＩ）（Ｉｒ（ｐｉｑ）２（ａｃａｃ））、ビス［１−（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）−イソキノリン］（アセチルアセトネート）イリジウム（ＩＩＩ）（Ｉｒ（ｆｌｉｑ）２（ａｃａｃ））、ビス［２−（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）−イソキノリン］（アセチルアセトネート）イリジウム（ＩＩＩ）（Ｉｒ（ｆｌｑ）２（ａｃａｃ））、トリス（２−フェニルキノリン）イリジウム（ＩＩＩ）（Ｉｒ（２−ｐｈｑ）３）、トリス（２−フェニルキノリン）（アセチルアセトネート）イリジウム（ＩＩＩ）（Ｉｒ（２−ｐｈｑ）２（ａｃａｃ））等のイリジウム錯体；
ビス（３−トリフルオロメチル−５−（２−ピリジル）−ピラゾネート）（ジメチルフェニルフォスフィン）オスミウム（Ｏｓ（ｆｐｐｚ）２（ＰＰｈＭｅ２）２）、ビス（３−トリフルオロメチル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルピリジル）−１，２，４−トリアゾネート）（ジフェニルメチルフォスフィン）オスミウム（Ｏｓ（ｂｐｆｔｚ）２（ＰＰｈ２Ｍｅ）２）等のオスミウム錯体；
５，１０，１５，２０−テトラフェニルテトラベンゾポリフィリン白金等の白金錯体；
等の燐光発光有機金属錯体等が挙げられる。
【００９５】
正孔注入層および正孔輸送層１３は、陽極である第１電極１２からの正孔の注入と有機発光層１４への輸送（注入）をより効率よく行う目的で、第１電極１２と有機発光層１４との間に設けられる。電子注入層および電子輸送層１５は、陰極である第２電極１６からの電子の注入と有機発光層１４への輸送（注入）をより効率よく行う目的で、第２電極１６と有機発光層１４との間に設けられる。
これら正孔注入層、正孔輸送層１３、電子注入層および電子輸送層１５は、それぞれ公知の材料を用いて構成でき、以下に例示する材料のみから構成されていてもよく、任意に添加剤（ドナー、アクセプター等）等を含んでいてもよく、これらの材料が高分子材料（結着用樹脂）または無機材料中に分散された構成であってもよい。
【００９６】
正孔輸送層１３を構成する材料としては、酸化バナジウム（Ｖ２Ｏ５）、酸化モリブデン（ＭｏＯ２）等の酸化物；無機ｐ型半導体材料；ポルフィリン化合物；Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）−ベンジジン（ＴＰＤ）、Ｎ，Ｎ’−ジ（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ベンジジン（ＮＰＤ）等の芳香族第三級アミン化合物；ヒドラゾン化合物、キナクリドン化合物、スチリルアミン化合物等の低分子材料；ポリアニリン（ＰＡＮＩ）、ポリアニリン−樟脳スルホン酸（ポリアニリン−カンファースルホン酸；ＰＡＮＩ−ＣＳＡ）、３，４−ポリエチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンサルフォネイト（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）、ポリ（トリフェニルアミン）誘導体（Ｐｏｌｙ−ＴＰＤ）、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＣｚ）、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）（ＰＰＶ）、ポリ（ｐ−ナフタレンビニレン）（ＰＮＶ）等の高分子材料等が挙げられる。
【００９７】
陽極である第１電極１２からの正孔の注入・輸送をより効率よく行う点で、正孔注入層を構成する材料としては、正孔輸送層１３に用いる材料よりも最高被占分子軌道（ＨＯＭＯ）のエネルギー準位が低い材料を用いることが好ましく、正孔輸送層１３を構成する材料としては、正孔注入層に用いる材料よりも正孔の移動度が高い材料を用いることが好ましい。
正孔注入層を構成する材料としては、特に限定されないが、例えば、銅フタロシアニン等のフタロシアニン誘導体；４，４’，４”−トリス（３−メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン、４，４’，４”−トリス（１−ナフチルフェニルアミノ）トリフェニルアミン、４，４’，４”−トリス（（２−ナフチルフェニルアミノ）トリフェニルアミン、４，４’，４”−トリス［ビフェニル−２−イル（フェニル）アミノ］トリフェニルアミン、４，４’，４”−トリス［ビフェニル−３−イル（フェニル）アミノ］トリフェニルアミン、４，４’，４”−トリス［ビフェニル−４−イル（３−メチルフェニル）アミノ］トリフェニルアミン、４，４’、４”−トリス［９，９−ジメチル−２−フルオレニル（フェニル）アミノ］トリフェニルアミン等のアミン化合物；酸化バナジウム（Ｖ２Ｏ５）、酸化モリブデン（ＭｏＯ２）等の酸化物等が挙げられる。
【００９８】
正孔の注入・輸送性をより向上させるため、正孔注入層および正孔輸送層１３にはアクセプターをドープすることが好ましい。アクセプターとしては、有機ＥＬ用のアクセプター材料として公知のものを用いることができる。
アクセプター材料としては、Ａｕ、Ｐｔ、Ｗ、Ｉｒ、ＰＯＣｌ３、ＡｓＦ６、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、酸化バナジウム（Ｖ２Ｏ５）、酸化モリブデン（ＭｏＯ２）等の無機材料；ＴＣＮＱ（７，７，８，８，−テトラシアノキノジメタン）、ＴＣＮＱＦ４（テトラフルオロテトラシアノキノジメタン）、ＴＣＮＥ（テトラシアノエチレン）、ＨＣＮＢ（ヘキサシアノブタジエン）、ＤＤＱ（ジシクロジシアノベンゾキノン）等のシアノ基を有する化合物；ＴＮＦ（トリニトロフルオレノン）、ＤＮＦ（ジニトロフルオレノン）等のニトロ基を有する化合物；フルオラニル、クロラニル、ブロマニル等の有機材料等が挙げられる。
これらの中でも、ＴＣＮＱ、ＴＣＮＱＦ４、ＴＣＮＥ、ＨＣＮＢ、ＤＤＱ等のシアノ基を有する化合物が、キャリア濃度を効果的に増加させることが可能であるためより好ましい。
【００９９】
電子防止層を構成する材料としては、正孔輸送層１３および正孔注入層を構成する材料として先に例示したものと同じものが挙げられる。
電子輸送層１５を構成する材料としては、ｎ型半導体である無機材料；オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、チオピラジンジオキシド誘導体、ベンゾキノン誘導体、ナフトキノン誘導体、アントラキノン誘導体、ジフェノキノン誘導体、フルオレノン誘導体、ベンゾジフラン誘導体等の低分子材料；ポリ（オキサジアゾール）（Ｐｏｌｙ−ＯＸＺ）、ポリスチレン誘導体（ＰＳＳ）等の高分子材料等が挙げられる。なお、本明細書において、「誘導体」とは、例えば、元の化合物の１個以上の水素原子が水素原子以外の基で置換された構造を有する化合物を意味する。
【０１００】
電子注入層を構成する材料としては、例えば、ｎ型半導体である無機材料、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、チオピラジンジオキシド誘導体、ベンゾキノン誘導体、ナフトキノン誘導体、アントラキノン誘導体、ジフェノキノン誘導体、フルオレノン誘導体、ベンゾジフラン誘導体等の低分子材料；ポリ（オキサジアゾール）（Ｐｏｌｙ−ＯＸＺ）、ポリスチレン誘導体（ＰＳＳ）等の高分子材料が挙げられる。特に、電子注入材料としては、特にフッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化バリウム（ＢａＦ２）等のフッ化物、酸化リチウム（Ｌｉ２Ｏ）等の酸化物等が挙げられる。
【０１０１】
陰極である第２電極１６から電子の注入・輸送をより効率よく行う点で、電子注入層を構成する材料としては、電子輸送層１５に用いる材料よりも最低空分子軌道（ＬＵＭＯ）のエネルギー準位が高い材料を用いることが好ましく、電子輸送層１５を構成する材料としては、電子注入層に用いる材料よりも電子の移動度が高い材料を用いることが好ましい。
電子の注入・輸送性をより向上させるため、電子注入層および電子輸送層１５にはドナーをドープすることが好ましい。ドナーとしては、有機ＥＬ用のドナー材料として公知のものを用いることができる。
【０１０２】
ドナー材料としては、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類元素、Ａｌ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｉｎ等の無機材料；アニリン類；フェニレンジアミン類；Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラフェニルベンジジン、Ｎ，Ｎ’−ビス−（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス−（フェニル）−ベンジジン、Ｎ，Ｎ’−ジ（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ベンジジン等のベンジジン類；トリフェニルアミン、４，４’，４”−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニル−アミノ）−トリフェニルアミン、４，４’，４”−トリス（Ｎ−３−メチルフェニル−Ｎ−フェニル−アミノ）−トリフェニルアミン、４，４’，４”−トリス（Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニル−アミノ）−トリフェニルアミン等のトリフェニルアミン類；Ｎ，Ｎ’−ジ−（４−メチル−フェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−１，４−フェニレンジアミン等のトリフェニルジアミン類の芳香族３級アミンを骨格に有する化合物；フェナントレン、ピレン、ペリレン、アントラセン、テトラセン、ペンタセン等の縮合多環化合物（ただし、縮合多環化合物は置換基を有してもよい）；ＴＴＦ（テトラチアフルバレン）類、ジベンゾフラン、フェノチアジン、カルバゾール等の有機材料等が例示できる。
これらの中でも、キャリア濃度をより効果的に増加させることが可能であることから、芳香族３級アミンを骨格に有する化合物、縮合多環化合物、アルカリ金属がより好ましい。
【０１０３】
正孔防止層を構成する材料としては、電子輸送層１５および電子注入層を構成する材料として先に例示したものと同じものが挙げられる。
有機ＥＬ層１７を構成する有機発光層１４、正孔輸送層１３、電子輸送層１５、正孔注入層、電子注入層、正孔防止層、電子防止層、励起子ブロッキング層等の形成方法としては、上記の材料を溶媒に溶解または分散させてなる有機ＥＬ層形成用組成物を用いて、スピンコーティング法、ディッピング法、ドクターブレード法、吐出コート法、スプレーコート法等の塗布法や、インクジェット法、凸版印刷法、凹版印刷法、スクリーン印刷法、マイクログラビアコート法等の印刷法等による公知のウエットプロセスにより形成する方法；上記の材料を抵抗加熱蒸着法、電子線（ＥＢ）蒸着法、分子線エピタキシー（ＭＢＥ）法、スパッタリング法、有機気相蒸着（ＯＶＰＤ）法等の公知のドライプロセスにより形成する方法；レーザ転写法等により形成する方法等が例示できる。なお、ウエットプロセスにより有機ＥＬ層１７を形成する場合には、有機ＥＬ層形成用組成物は、レベリング剤、粘度調整剤等の、組成物の物性を調整するための添加剤が配合されてなるものでもよい。
【０１０４】
有機ＥＬ層１７を構成する各層の膜厚は、１ｎｍ〜１０００ｎｍであることが好ましく、１０ｎｍ〜２００ｎｍであることがより好ましい。有機ＥＬ層１７を構成する各層の膜厚が１０ｎｍ以上であると、本来必要とされる物性（電荷（電子、正孔）の注入特性、輸送特性、閉じ込め特性）がさらに高精度で得られ、異物による画素欠陥の抑制効果が高くなる。また、有機ＥＬ層１７を構成する各層の膜厚が２００ｎｍ以下であると、駆動電圧の上昇による消費電力の上昇を抑制する効果が高くなる。
【０１０５】
また、特に、本実施形態では、マイクロキャビティ効果を用いることで、色純度の向上、発光効率の向上、正面輝度の向上を図ることが可能となる。本実施形態では、有機ＥＬ部からの発光は、青緑色発光であり、青色画素では、青色カラーフィルタを通すことで、緑色発光をカットし、青色発光を得ており、緑色画素では、緑色カラーフィルタを通すことで、青色発光をカットし、緑色発光を得ているが、青色画素に対応した有機ＥＬ部の画素を、反射電極と半透明電極との干渉効果による、もしくは、誘電体多層膜によるマイクロキャビティ構造（光微小共振器構造）を取ることで青色発光が強調するように設計することで、有機ＥＬ部からの発光を青緑色から青色にすること、緑色画素に対応した有機ＥＬ部の画素を、第１電極１２と第２電極１６との干渉効果による、もしくは、誘電体多層膜によるマイクロキャビティ構造（光微小共振器構造）を取ることで緑色発光が強調するように設計することで、有機ＥＬ部からの発光を青緑色から緑色にすることで、色純度の向上、発光効率の向上、正面輝度の向上が可能となる。
【０１０６】
ここで、半透明電極の膜厚を青色画素と緑色画素で変え、半透明電極と反射電極の間の光学距離を、それぞれ青色と緑色が強調されるように設計することで、青色、緑色画素に対応した有機ＥＬ部からの発光を青緑色からそれぞれ青色、緑色を強調した発光にすることか可能となり、色純度の向上、発光効率の向上、正面輝度の向上させることができる。また、基板側の電極を反射電極と透明電極の組合せとし透明電極の膜厚を調整する方法でマイクロキャビティ効果を実現することで、従来のフォトリソグラフィ法で容易にパターニングが可能で、有機層のパターニングが不要となるので、低コストに作製することが可能となる。
ここで、マイクロキャビティ効果を得るためには、有機ＥＬ層１７からの発光を第２電極１６側（第１電極１２）から取り出す場合、第２電極１６（第１電極１２）として半透明電極を用いる必要がある。
【０１０７】
ここで用いる材料として、金属の半透明電極単体、もしくは、金属の半透明電極と透明電極材料の組み合わせを用いることが可能であるが、半透明電極材料としては、反射率・透過率の観点から、銀が好ましい。
半透明電極の膜厚は、５ｎｍ〜３０ｎｍであることが好ましい。半透明電極の膜厚が５ｎｍ未満では、光の反射が十分行えず、干渉の効果を十分得るとこができない。一方、半透明電極の膜厚が３０ｎｍを超えると、光の透過率が急激に低下することから、輝度、効率が低下するおそれがある。
【０１０８】
また、第２電極１６（第１電極１２）としては、光を反射する反射率の高い電極を用いることが好ましい。この場合の電極材料としては、例えば、アルミニウム、銀、金、アルミニウム−リチウム合金、アルミニウム−ネオジウム合金、アルミニウム−シリコン合金等の反射性金属電極と透明電極を組み合わせた電極等が挙げられる。
【０１０９】
本実施形態において、発光装置３０の要素である有機ＥＬ素子１０と波長変換基板２０の貼り合わせについて説明する。ただし、貼り合わせ材料、方法は以下に示すものに限定されない。
発光装置３０においては、有機ＥＬ素子１０の上面および側面を覆うように、無機封止膜５が設けられている。さらに、無機封止膜５上には、一方の面上に散乱バンク７に仕切られて並列配置された赤色蛍光体層１８Ｒ、緑色蛍光体層１８Ｇおよび散乱層３１、並びに赤色カラーフィルタ８Ｒ、緑色カラーフィルタ８Ｇおよび青色カラーフィルタ８Ｂが設けられた封止基板９が、赤色蛍光体層１８Ｒ、緑色蛍光体層１８Ｇおよび散乱層３１、有機ＥＬ素子１０とが対向するように配置されており、無機封止膜５と封止基板９との間には封止材６が封入されている。すなわち、有機ＥＬ素子１０に対向配置された赤色蛍光体層１８Ｒ、緑色蛍光体層１８Ｇおよび散乱層３１は、それぞれ周囲を散乱バンク７に囲まれて区画され、かつ、封止材６に囲まれた封止領域に封入されている。このように無機封止膜５および封止材６を設けることにより、発光装置３０は、外部から有機ＥＬ層１７内への酸素、水分等の混入が防止され、長寿命化させることができる。
【０１１０】
封止基板９としては、基板１と同様のものを用いることができるが、封止基板９側より発光を取り出す（観察者は封止基板９の外側より発光による表示を観察する）ため、光透過性を有することが必要である。
【０１１１】
無機封止膜５は、プラズマＣＶＤ法、イオンプレーティング法、イオンビーム法、スパッタ法等により、ＳｉＯ、ＳｉＯＮ、ＳｉＮ等の無機膜を成膜することにより形成される。
なお、無機封止膜５は、光を取り出すために光透過性を有することが必要である。
【０１１２】
封止材６としては、樹脂（硬化性樹脂）からなるものが挙げられる。この場合、例えば、有機ＥＬ素子１０および無機封止膜５が形成された基材１の無機封止膜５上、または、赤色蛍光体層１８Ｒ、緑色蛍光体層１８Ｇおよび散乱層３１と、赤色カラーフィルタ８Ｒ、緑色カラーフィルタ８Ｇおよび青色カラーフィルタ８Ｂとが形成された封止基板９における赤色蛍光体層１８Ｒ、緑色蛍光体層１８Ｇおよび散乱層３１上に、硬化性樹脂組成物（光硬化性樹脂組成物、熱硬化性樹脂組成物）をスピンコート法、ラミネート法等により塗工し、基板１と封止基板９とをこの塗工層を介して貼り合わせて、硬化性樹脂組成物を光硬化または熱硬化させることにより、封止材６を形成できる。なお、封止材６は光透過性を有することが必要である。
【０１１３】
また、赤色蛍光体層１８Ｒ、緑色蛍光体層１８Ｇおよび散乱層３１の封止基板９とは反対側の面は、平坦化膜等（図示略）により平坦化されていることが好ましい。これにより、有機ＥＬ素子１０と、赤色蛍光体層１８Ｒ、緑色蛍光体層１８Ｇおよび散乱層３１とを、封止材６を介して対向させて密着させる際に、有機ＥＬ素子１０と、赤色蛍光体層１８Ｒ、緑色蛍光体層１８Ｇおよび散乱層３１との間に空隙が生じることを防止でき、かつ、有機ＥＬ素子１０が形成された基板１と、赤色蛍光体層１８Ｒ、緑色蛍光体層１８Ｇおよび散乱層３１、並びに、赤色カラーフィルタ８Ｒ、緑色カラーフィルタ８Ｇおよび青色カラーフィルタ８Ｂが形成された封止基板９と、の密着性を向上させることができる。
この場合の平坦化膜としては、上述の平坦化膜４と同様のものが用いられる。
【０１１４】
上述の本実施形態の波長変換基板は、表示装置および照明装置等へ好適に用いられる。以下、これらについて説明する。
【０１１５】
＜表示装置＞
本発明の第２実施形態である表示装置は、上述の実施形態の波長変換基板を用いてなり、例えば、画像信号を発生する画像信号出力部と、この画像信号出力部からの信号に基づいて電流または電圧を発生する駆動部と、この駆動部からの電流または電圧により発光する発光部と、を備えて構成される。かかる表示装置としては、有機ＥＬディスプレイが挙げられる。ただし、これに限定されない。
前記の発光部は、上述の実施形態の波長変換基板を用い、色変換発光素子等の波長変換発光素子を備えて構成される。以下、発光部が色変換発光素子である場合の表示装置について説明するが、本発明はこれに限定されない。
【０１１６】
図４は、発光部としての上述の実施形態の発光装置と、駆動部と、を備えてなる表示装置の配線構造と、駆動回路の接続構成と、を例示する概略構成図である。図５は、上述の実施形態の発光装置を用いた表示装置に配置されている、１つの画素を構成する回路を例示する画素回路図である。
図４に示すように、本実施形態の表示装置は、発光装置３０の基板１に対して、平面視でマトリクス状に走査線１０１と信号線１０２とが配線されている。各走査線１０１は基板１の一側縁部に設けられた走査回路１０３に接続され、各信号線１０２は基板１の他側縁部に設けられた映像信号駆動回路１０４に接続されている。より具体的には、走査線１０１と信号線１０２との交差部分のそれぞれに、図１に示す発光装置３０の薄膜トランジスタ等の駆動素子（ＴＦＴ回路２）が組み込まれ、駆動素子毎に画素電極が接続され、これらの画素電極が図１に示す構造の発光装置３０の反射電極１１に対応し、これらの反射電極１１が第１電極１２に対応している。
【０１１７】
走査回路１０３および映像信号駆動回路１０４は、制御線１０６、１０７、１０８を介してコントローラ１０５に電気的に接続され、コントローラ１０５は中央演算装置（ＣＰＵ）１０９により作動制御されている。また、走査回路１０３および映像信号駆動回路１０４には、別途、電源配線１１０、１１１を介して有機ＥＬ電源回路１１２が接続されている。画像信号出力部はＣＰＵ１０９およびコントローラ１０５より構成されている。
発光装置３０の有機ＥＬ素子１０（有機ＥＬ発光部）を駆動させる駆動部は、走査回路１０３、映像信号駆動回路１０４および有機ＥＬ電源回路１１２より構成されており、走査線１０１および信号線１０２により区画された各領域内に、図１に示す発光装置３０のＴＦＴ回路２が組み込まれている。
【０１１８】
図５は、走査線１０１および信号線１０２により区画された各領域内に配置されている、色変換発光素子３０の１つの画素を構成する画素回路図である。図５に示す画素回路においては、走査線１０１に走査信号が印加されると、この信号は薄膜トランジスタからなるスイッチングＴＦＴ１２４のゲート電極に印加されて、スイッチングＴＦＴ１２４をオンにする。次いで、信号線１０２に画素信号が印加されると、この信号はスイッチングＴＦＴ１２４のソース電極に印加され、オンであるスイッチングＴＦＴ１２４を経てそのドレイン電極に接続された保持容量１２５を充電する。保持容量１２５は、駆動用ＴＦＴ１２６のソース電極とゲート電極との間に接続されている。従って、駆動用ＴＦＴ１２６のゲート電圧は、スイッチングＴＦＴ１２４が次に走査選択されるまで、保持容量１２５の電圧により決まる値に保持される。電源線１２３は有機ＥＬ電源回路１１２（図４）に接続されており、これから供給される電流は、駆動用ＴＦＴ１２６を経て有機発光素子（有機ＥＬ素子）１２７に流れて、この素子１２７を連続発光させる。
【０１１９】
このような構成の画像信号出力部および駆動部を備えることにより、所望の画素の第１電極１２および第２電極１６間に挟持された有機ＥＬ層（有機層）１７に電圧を印加することで、当該画素に該当する発光装置３０を発光させて、対応する画素から可視領域光を射出させることができ、所望の色や画像を表示できる。
ここでは、発光部として発光装置３０を備えた場合について説明したが、本実施形態においては、上述の実施形態の発光装置であれば、いずれも発光部として好適に用いることができ、上述の波長変換基板を備えていることにより、本実施形態の表示装置は、特に発光効率に優れる。
【０１２０】
＜照明装置＞
本発明の第３実施形態である照明装置は、上述の実施形態の波長変換基板を備えたものである。
図６は、本実施形態の照明装置の第１の例を示す概略斜視図である。
図６に示す照明装置１５０は、電流または電圧を発生する駆動部１５１と、この駆動部１５１からの電流または電圧により発光する発光部１５２と、を備えている。
発光部１５２は、上述の実施形態の波長変換基板を用い、色変換発光素子等の波長変換発光素子を備えて構成される。以下、発光部が色変換発光素子である場合の照明装置について説明するが、本発明はこれに限定されない。
【０１２１】
図６に示す照明装置１５０は、駆動部１５１によって、第１電極１２および第２電極１６間に挟持された有機ＥＬ層（有機層）１７に電圧を印加することにより、当該画素に該当する有機ＥＬ素子１０を発光させて、光を射出させることができる。
ここで、発光部として発光装置３０を備えた場合について説明したが、上述のように本実施形態においては、上述の実施形態の発光装置であれば、いずれも発光部として好適に用いることができ、上述の波長変換基板を備えていることにより、本実施形態の照明装置は、特に発光効率に優れる。
【０１２２】
図７は、本発明の第３実施形態である照明装置の第２の例を示す概略斜視図である。ここに示す照明装置は、シーリングライトである。
図７に示すシーリングライト１６０は、発光部１６１、吊下線１６２、および電源コード１６３等を備えている。そして、発光部１６１として、上述の実施形態の発光装置であれば、いずれも好適に用いることができる。本実施形態の照明装置は、上述の波長変換基板を備えていることにより、特に発光効率に優れる。
【０１２３】
図８は、本発明の第３実施形態である照明装置の第３の例を示す概略斜視図である。ここに示す照明装置は、照明スタンドである。
図８に示す照明スタンド１７０は、発光部１７１、スタンド１７２、メインスイッチ１７３、および電源コード１７４等を備えている。そして、発光部１７１として、上述の実施形態の発光装置であれば、いずれも好適に用いることができる。本実施形態の照明装置は、上述の波長変換基板を備えていることにより、特に発光効率に優れる。
【０１２４】
上述の実施形態の表示装置は、各種電子機器への適用に好適である。以下、このような電子機器について説明する。
【０１２５】
＜電子機器＞
本発明の第４実施形態である電子機器は、上述の実施形態の表示装置を用いたものである。
図９が、本実施形態の電子機器の第１の例を示す概略正面図である。ここに示す電子機器は、携帯電話である。
図９に示す携帯電話１８０は、音声入力部１８１、音声出力部１８２、アンテナ１８３、操作スイッチ１８４、表示部１８５および筐体１８６等を備えている。そして、表示部１８５として、上述の実施形態の表示装置を備える。携帯電話１８０は、上述の実施形態の表示装置（波長変換基板）を備えていることにより、特に優れた発光効率で映像を表示できる。
【０１２６】
図１０は、本発明の第４実施形態である電子機器の第２の例を示す概略正面図である。ここに示す電子機器は、薄型テレビである。
図１０に示す薄型テレビ１９０は、表示部１９１、スピーカ１９２、キャビネット１９３およびスタンド１９４等を備えて、概略構成されている。そして、表示部１９１として、上述の本発明に係る表示装置を備える。薄型テレビ１９０は、上述の実施形態の表示装置（波長変換基板）を備えていることにより、特に優れた発光効率で映像を表示できる。
【０１２７】
図１１は、本発明の第４実施形態である電子機器の第３の例を示す概略正面図である。ここに示す電子機器は、携帯型ゲーム機である。
図１１に示す携帯型ゲーム機２００は、操作ボタン２０１および２０２、外部接続端子２０３、表示部２０４並びに筐体２０５等を備えている。そして、表示部２０４として、上述の実施形態の表示装置を備える。携帯型ゲーム機２００は、上述の表示装置（波長変換層）を備えていることにより、特に優れた発光効率で映像を表示できる。
【０１２８】
図１２は、本発明の第４実施形態である電子機器の第４の例を示す概略斜視図である。ここに示す電子機器は、ノートパソコンである。
図１２に示すノートパソコン２１０は、表示部２１１、キーボード２１２、タッチパッド２１３、メインスイッチ２１４、カメラ２１５、記録媒体スロット２１６および筐体２１７等を備えている。そして、表示部２１１として、上述の実施形態の表示装置を備える。ノートパソコン２１０は、上述の表示装置（波長変換層）を備えていることにより、特に優れた発光効率で映像を表示できる。
【０１２９】
以上、本発明に係る好適な実施形態について説明したが、本発明はこれらに限定されないことは言うまでもない。上述した例において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲内において、設計要求等に基づき種々変更可能である。
【実施例】
【０１３０】
以下、実施例および比較例により本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
【０１３１】
［実施例１］
＜波長変換層の作製＞
図１３（Ａ）に示すように、基板３０１として、５インチサイズで厚みが０．７ｍｍのガラス基板を用いた。このガラス基板を水洗した後、純水超音波洗浄１０分、アセトン超音波洗浄１０分、イソプロピルアルコール蒸気洗浄５分行い、１００℃にて１時間乾燥させた。
まず、光吸収隔壁材料として、ＢＫレジスト（東京応化工業社製）を、スピンコータを用いて塗布した。
その後、７０℃で１５分間プリベークして、膜厚1μｍの塗膜を形成した。この塗膜に所望の画像パターンが形成できるようなマスク（画素ピッチ２００μｍ、線幅２０μｍ）を被せてｉ線（１００ｍＪ／ｃｍ２）を照射し、露光した。
次いで、図１３（Ａ）に示すように、現像液として炭酸ナトリウム水溶液を用いて現像し、純水でリンス処理を行い、光吸収隔壁３０２を形成した。
【０１３２】
次いで、図１３（Ｂ）に示すように、光吸収隔壁３０２によって区画された領域に、赤色カラーフィルタ３０３Ｒ、緑色カラーフィルタ３０３Ｇ、青色カラーフィルタ３０３Ｂをフォトリソグラフィ法によりパターン形成した。
次いで、散乱バンク材料として、エポキシ系樹脂（屈折率：１．５９）、アクリル系樹脂（屈折率：１．４９）、ルチル型酸化チタン（屈折率：２．７１、粒径２５０ｎｍ）、光重合開始剤、芳香族系溶剤からなる白色感光性組成物を攪拌混合してポジ型レジストとした。そして、図１３（Ｃ）に示すように、基板３０１上に、このポジ型レジストを、スピンコータを用いて塗布した。幅７μｍ、画素ピッチ（散乱バンクからとなりの散乱バンクまでの距離）１７μｍでパターン形成し、光吸収隔壁３０２上に膜厚５μｍの散乱バンク３０４を作製した。その後、散乱バンク３０４の表面にアルミを蒸着し、反射膜３０４’を形成した。
【０１３３】
次に、波長変換層３０５の材料として以下のサンプル溶液を準備した。赤色波長変換層の材料として、Ｌｕｍｏｇｅｎ  Ｆ  Ｒｅｄ  ３０５（ＢＡＳＦ）、レジストとして、トリメチロールプロパントリアクリラート（ＴＴＡ）を用いた。また、重合開始剤として、ジメチルアミノベンゾフェノンをモノマー全体の質量に対し、１ｗ／ｗ％となるよう混合した。また、モノマーと重合開始剤を合わせた全体の４．５ｗ／ｗ％となるようにＬｕｍｏｇｅｎ  Ｆ  Ｒｅｄ  ３０５を含んだトルエン溶液を調製した。
その後このトルエン溶液を、スターラーを用いて撹拌した。この溶液を、散乱バンク３０４を形成した基板に１ｍＬ塗布し、スピンコータを用いて１０００ｒｐｍ３０秒回転させ、９０℃で１５分間、ホットプレートを用いて加熱した（プリベーク）。
【０１３４】
次に、マスク（サブピクセル間幅１７μｍ、サブピクセル幅１０μｍ）を被せて波長３６５ｎｍの光を１２５ｍＪ／ｃｍ２照射し、９５℃で１０分間加熱した。
次に、これをプロピレングリコール１−モノメチルエーテル２−アセタート（ＰＧＭＥＡ）に４分間浸し、さらに新しいＰＧＭＥＡで洗い流し、基板３０１に残ったＰＧＭＥＡに窒素を吹きかけ除去し、図１３（Ｄ）に示すように、赤色波長変換層３０５Ｒ１を形成した。上記プロセスは、ドライエアー中で行った。
【０１３５】
次に、ビニルピロリドン・ポリビニルアルコール混合モノマー、重合開始剤としてビニルピロリドン系モノマーに対し１ｗ／ｗ％となるように２，２’−アゾビス（２−メチルブチロニトリル）を混合し、混合物を形成した基板に１ｍＬ塗布し、スピンコータを用いて２０００ｒｐｍ３０秒回転させ、９５℃で５分間ホットプレートを用いて加熱した（プリベーク）。
次に、マスク（サブピクセル間幅１７μｍ、サブピクセル幅１０μｍ）を被せて波長３６５ｎｍの光を１２５ｍＪ／ｃｍ２照射し、６５℃で１分加熱後、９５℃で２分間加熱した。
【０１３６】
次に、これをプロピレングリコール１−モノメチルエーテル２−アセタート（ＰＧＭＥＡ）に３分間浸し、さらに新しいＰＧＭＥＡで洗い流し、基板３０１に残ったＰＧＭＥＡに窒素を吹きかけ除去し、図１３（Ｄ）に示すように、中間層３０７ａを形成した。上記プロセスも、ドライエアー中で行った。
次に、赤色波長変換層３０５Ｒ１と同様の方法で、図１３（Ｄ）に示すように、中間層３０７ａ上に、赤色波長変換層３０５Ｒ２を形成した。ただし、中間層３０７ａ上に塗布する溶液には、レジストと重合開始剤の混合物全体の３．０ｗ/ｗ％となるようにＬｕｍｏｇｅｎ  Ｆ  Ｒｅｄ  ３０５を添加した。
以上により、波長変換基板を得た。
なお、波長変換層および中間層の組成を表１に示す。
【０１３７】
【表１】
2016218151.tif 000003
【０１３８】
＜有機ＥＬ素子基板の作製＞
図１４（Ａ）に示すように、基板として、厚さが０．７ｍｍの５インチのガラス基板３０７上に、スパッタ法、ウェットエッチングにより、ゲート電極３０８を形成した後、図１４（Ｂ）、図１４（Ｃ）に示すように、ＳｉＮを用いてゲート絶縁膜３０９、水素化非晶質シリコン膜３１０、ｎ＋―シリコン膜３１１をプラズマＣＶＤ法で形成した。
次に、ＸｅＣｌエキシマレーザを照射し、水素化非晶質シリコン膜３１０をポリマー化させた。
その後、図１４（Ｄ）に示すように、スパッタ法によりソース電極３１３、ドレイン電極３１４を形成し、チャネル部に相当する部分にのみエキシマレーザを用いて１３０ｍＪ／ｃｍ２の光を照射し、ｎ＋―シリコン膜を除いた。
【０１３９】
次に、図１５（Ａ）に示すように、層間絶縁膜３１５を形成した。ただし、上述の過程においてコンタクトホールも設け、アクティブマトリクスＴＦＴ基板を作製した。
次に、図１５（Ｂ）に示すように、層間絶縁層上に平坦化膜３１６を形成した。
次に、図１５（Ｃ）に示すように、膜厚が１００ｎｍとなるように、スパッタ法により銀を製膜して反射電極３１７を形成し、さらに、その上に同方法で膜厚２０ｎｍとなるようにＩＺＯを透明電極３１８として製膜した。その後、フォトリソグラフィ法により、陽極（画素電極）として１５μｍ×５３μｍのパターンを形成し、コンタクトホールを介して電気的にトランジスタのソース電極と接続した。
【０１４０】
これを水洗した後、アルカリ性水溶液中にて超音波洗浄を３０分間行い、水洗した後、超純水にて超音波洗浄を１５分間行い、１１０℃で３０分間乾燥させた。乾燥後のこの基板３０７に対して、ＵＶオゾンクリーナーを用いて、大気雰囲気下でＵＶ−オゾン処理を行った。
次いで、基板３０７をインライン型抵抗加熱蒸着装置内の基板ホルダーに固定し、１×１０−４Ｐａ以下の圧力まで減圧して、図１５（Ｃ）に示すように、ホール注入層３１９、ホール輸送層３２０、青色発光層３２１、ホールブロック層３２２、電子輸送層３２３および電子注入層３２４をこの順に、表２に示す材料・膜厚で形成し、有機ＥＬ層とした。
次いで、真空蒸着法により、有機ＥＬ層の表面にシャドーマスクを介してマグネシウムおよび銀を共蒸着し、厚さ１ｎｍのマグネシウム銀層を形成し、さらにその上に、厚さ１９ｎｍの銀層を形成して、図１５（Ｃ）に示すように、陰極（半透明電極）３２５を形成した。
以上により、有機ＥＬ素子基板を得た。
【０１４１】
【表２】
2016218151.tif 000004
【０１４２】
最後に、得られた有機ＥＬ素子基板と波長変換基板とを、有機ＥＬ素子基板の陰極と、波長変換基板の赤色変換フィルタ、緑色変換フィルタおよび光散乱層とが対向するように、窒素雰囲気下で貼り合せ、実施例１の波長変換方式の有機ＥＬ発光装置を製造した。これを有機ＥＬ発光装置Ａとした。
【０１４３】
＜光取り出し効率の測定＞
その後、有機ＥＬ発光装置Ａの光取り出し効率を、量子収率測定装置（商品名：ＱＥ-１１００、大塚電子社製）を用いて計測した。
光取り出し効率の定義を下記式（１）に示す。量子収率測定装置により発光光子数Ｉ２と吸収光子数Ｉ１を求めた。
【０１４４】
【数１】
2016218151.tif 000005
【０１４５】
ただし、吸収光子数Ｉ１を、下記式（２）で定義した。
【０１４６】
【数２】
2016218151.tif 000006
【０１４７】
Ｉ０は、波長４５０ｎｍの光の光子数とした。
検出したＩ１’は、波長４５０ｎｍの光をサンプルのガラス基板と反対側から照射した時のガラス基板側から出てくる波長４５０ｎｍの光子数とした。
式（２）より、吸収光子数Ｉ１を算出した。
また、発光光子数Ｉ２は、波長４５０ｎｍの入射光をガラス基板とは反対側からサンプルに照射した時のガラス基板側から出てくる波長４８０ｎｍ〜５２０ｎｍの光子数と定義した。
有機ＥＬ発光装置Ａの光取り出し効率を表２６に示す。
【０１４８】
［実施例２］
実施例１と同様にして散乱バンクを形成した後、ポリマーとしてジエチレングリコールジメタクリレート(ＤＥＧＤＭＡ)、重合開始剤として１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、蛍光体としてβ-サイアロン：Ｅｕ２＋（根本特殊化学社製）を表３に示す混合比で用い、ＤＥＧＤＭＡ１に対して、質量比で２のＰＧＭＥＡを加え、この溶液を、スターラーを用いて撹拌した。
この溶液を、散乱バンクを形成した基板に１ｍＬ塗布し、スピンコータを用いて１０００ｒｐｍ３０秒回転させた。
次に、マスク（サブピクセル間幅１７μｍ、サブピクセル幅１０μｍ）を被せて波長３６５ｎｍの光を１２５ｍＪ／ｃｍ２照射し、加熱した。
その後、ＰＧＭＥＡに１分間浸し、さらに新しいＰＧＭＥＡで洗い流し、基板に残ったＰＧＭＥＡに窒素を吹きかけ除去し、緑色波長変換層Ｇ１を形成した。上記プロセスを、ドライエアー中で行った。
以下、実施例１と同様にして、中間層ａを形成した後、その上に緑色波長変換層Ｇ２、中間層ｂ、緑色波長変換層Ｇ３を形成した。波長変換層および中間層の組成を表３に示す。
その後、実施例１と同様の方法で、実施例２の有機ＥＬ発光装置Ｂを作製した。
有機ＥＬ発光装置Ｂの光取り出し効率を、実施例１と同様の方法で算出した。ただし、実施例１と異なり、Ｉ０は波長４５０ｎｍの光の光子数、検出したＩ１’は波長５３０ｎｍの光をサンプルのガラス基板と反対側から照射した時のガラス基板側から出てくる波長５３０ｎｍの光子数、発光光子数Ｉ２は波長５３０ｎｍの入射光をガラス基板とは反対側からサンプルに照射した時のガラス基板側から出てくる波長５００ｎｍ〜７００ｎｍの光子数と定義した。
有機ＥＬ発光装置Ｂの光取り出し効率を表２６に示す。
【０１４９】
【表３】
2016218151.tif 000007
【０１５０】
［実施例３］
実施例１におけるＬｕｍｏｇｅｎ  Ｆ  Ｒｅｄ  ３０５の代わりに、ＣａＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ２＋（三菱化学社製）を表４の混合比で用い、実施例１と同様にして、赤色波長変換層Ｒ１、中間層ａ、赤色波長変換層Ｒ２、中間層ｂ、赤色波長変換層Ｒ３を順に形成した。
その後、実施例１と同様の方法で、実施例３の有機ＥＬ発光装置Ｃを作製した。
有機ＥＬ発光装置Ｃの光取り出し効率を、実施例１と同様の方法で算出した。ただし、実施例１と異なり、Ｉ０は波長４５０ｎｍの光の光子数、検出したＩ１’は波長４５０ｎｍの光をサンプルのガラス基板と反対側から照射した時のガラス基板側から出てくる波長４５０ｎｍの光子数、発光光子数Ｉ２は波長４５０ｎｍの入射光をガラス基板とは反対側からサンプルに照射した時のガラス基板側から出てくる波長５５０ｎｍ〜８００ｎｍの光子数と定義した。
有機ＥＬ発光装置Ｃの光取り出し効率を表２６に示す。
【０１５１】
【表４】
2016218151.tif 000008
【０１５２】
［実施例４］
実施例１におけるＬｕｍｏｇｅｎ  Ｆ  Ｒｅｄ  ３０５とＣｏｕｍａｒｉｎ６を表５の混合比で用い、実施例１と同様にして、赤色波長変換層Ｒ１、中間層ａ、赤色波長変換層Ｒ２、中間層ｂ、赤色波長変換層Ｒ３を順に形成した。
その後、実施例１と同様の方法で、実施例４の有機ＥＬ発光装置Ｄを作製した。
有機ＥＬ発光装置Ｄの光取り出し効率を、実施例１と同様の方法で算出した。ただし、実施例１と異なり、Ｉ０は波長５３０ｎｍの光の光子数、検出したＩ１’は波長５３０ｎｍの光をサンプルのガラス基板と反対側から照射した時のガラス基板側から出てくる波長５３０ｎｍの光子数、発光光子数Ｉ２は波長５３０ｎｍの入射光をガラス基板とは反対側からサンプルに照射した時のガラス基板側から出てくる波長５６０ｎｍ〜８００ｎｍの光子数と定義した。
有機ＥＬ発光装置Ｄの光取り出し効率を表２６に示す。
【０１５３】
【表５】
2016218151.tif 000009
【０１５４】
［実施例５］
＜波長変換層の作製＞
実施例１と同様にして、光吸収隔壁３０２と、散乱バンク３０４と、反射膜３０４’とを形成した。
次に、波長変換層３０５の材料として以下のサンプル溶液を準備した。赤色波長変換層の材料として、Ｌｕｍｏｇｅｎ  Ｆ  Ｒｅｄ  ３０５（ＢＡＳＦ）、レジストとして、トリメチロールプロパントリアクリラート（ＴＴＡ）を用いた。また、重合開始剤として、ジメチルアミノベンゾフェノンをモノマー全体の質量に対し、１ｗ／ｗ％となるよう混合した。また、モノマーと重合開始剤を合わせた全体の４．５ｗ／ｗ％となるようにＬｕｍｏｇｅｎ  Ｆ  Ｒｅｄ  ３０５を含んだトルエン溶液を調製した。
その後このトルエン溶液を、スターラーを用いて撹拌した。この溶液を、散乱バンク３０４を形成した基板に１ｍＬ塗布し、スピンコータを用いて１０００ｒｐｍで３０秒回転させ、９０℃で１５分間、ホットプレートを用いて加熱した（プリベーク）。
【０１５５】
次に、マスク（サブピクセル間幅１７μｍ、サブピクセル幅１０μｍ）を被せて波長３６５ｎｍの光を１２５ｍＪ／ｃｍ２照射し、９５℃で１０分間加熱した。
次に、これをプロピレングリコール１−モノメチルエーテル２−アセタート（ＰＧＭＥＡ）に４分間浸し、さらに新しいＰＧＭＥＡで洗い流し、基板３０１に残ったＰＧＭＥＡに窒素を吹きかけ除去し、図１３（Ｄ）に示すように、赤色波長変換層３０５Ｒ１を形成した。上記プロセスは、ドライエアー中で行った。
【０１５６】
次に、赤色波長変換層３０５Ｒ１と同様の方法で、赤色波長変換層３０５Ｒ１上に、赤色波長変換層３０５Ｒ２を直接形成した。ただし、レジストとして、イソシアヌル酸ＥＯ変性ジアクリレートとＮ、Ｎ−ジメチルアミノエチルアクリレートとを、質量比で１：１となるように混合した混合物を用いた。また、重合開始剤として、ジメチルアミノベンゾフェノンを、前記の混合物に対して１ｗ／ｗ％となるように混合した。基板上に塗布する溶液には、レジストと重合開始剤の混合物に対して３．０ｗ／ｗ％となるようにＬｕｍｏｇｅｎ  Ｆ  Ｒｅｄ  ３０５を加えた。基板に、溶液を１ｍＬ塗布した後、赤色波長変換層３０５Ｒ１と同様の方法で、赤色波長変換層３０５Ｒ２を形成した。
次に、赤色波長変換層３０５Ｒ１と同様の方法で、赤色波長変換層３０５Ｒ２上に、赤色波長変換層３０５Ｒ３を直接形成した。
ただし、レジスト、重合開始剤は、赤色波長変換層３０５Ｒ１と同様のものを用いた。基板上に添加する溶液には、レジストと重合開始剤の混合物に対して１．５ｗ／ｗ％となるようにＬｕｍｏｇｅｎ  Ｆ  Ｒｅｄ  ３０５を加えた。基板に、溶液を１ｍＬ塗布した後、赤色波長変換層３０５Ｒ１と同様の方法で、赤色波長変換層３０５Ｒ３を形成した。
以上により、波長変換基板を得た。
その後、実施例１と同様の方法で、実施例５の有機ＥＬ発光装置Ｅを作製した。
なお、波長変換層の組成を表６に示す。
有機ＥＬ発光装置Ｅの光取り出し効率を、実施例１と同様の方法で算出した。
有機ＥＬ発光装置Ｅの光取り出し効率を表２６に示す。
【０１５７】
【表６】
2016218151.tif 000010
【０１５８】
［実施例６］
波長変換層の組成を表７に示す組成としたこと以外は、実施例２と同様の方法で、実施例６の有機ＥＬ発光装置Ｆを作製した。
なお、波長変換層の組成を表７に示す。
有機ＥＬ発光装置Ｆの光取り出し効率を、実施例２と同様の方法で算出した。
有機ＥＬ発光装置Ｆの光取り出し効率を表２６に示す。
【０１５９】
【表７】
2016218151.tif 000011
【０１６０】
［実施例７］
波長変換層の組成を表８に示す組成としたこと以外は、実施例３と同様の方法で、実施例７の有機ＥＬ発光装置Ｇを作製した。
なお、波長変換層の組成を表８に示す。
有機ＥＬ発光装置Ｇの光取り出し効率を、実施例３と同様の方法で算出した。
有機ＥＬ発光装置Ｇの光取り出し効率を表２６に示す。
【０１６１】
【表８】
2016218151.tif 000012
【０１６２】
［実施例８］
波長変換層の組成を表８に示す組成としたこと以外は、実施例４と同様の方法で、実施例８の有機ＥＬ発光装置Ｇを作製した。
なお、波長変換層の組成を表８に示す。
有機ＥＬ発光装置Ｇの光取り出し効率を、実施例４と同様の方法で算出した。
有機ＥＬ発光装置Ｇの光取り出し効率を表２６に示す。
【０１６３】
【表９】
2016218151.tif 000013
【０１６４】
［比較例１］
波長変換層の組成を表１０に示す組成としたこと以外は、実施例１と同様の方法で、比較例１の有機ＥＬ発光装置Ｈを作製した。
なお、波長変換層の組成を表１０に示す。
有機ＥＬ発光装置Ｈの光取り出し効率を、実施例１と同様の方法で算出した。
有機ＥＬ発光装置Ｈの光取り出し効率を表２７に示す。
【０１６５】
【表１０】
2016218151.tif 000014
【０１６６】
［比較例２］
波長変換層の組成を表１１に示す組成としたこと以外は、実施例１と同様の方法で、比較例２の有機ＥＬ発光装置Ｉを作製した。
有機ＥＬ発光装置Ｉの光取り出し効率を、実施例２と同様の方法で算出した。
有機ＥＬ発光装置Ｉの光取り出し効率を表２７に示す。
【０１６７】
【表１１】
2016218151.tif 000015
【０１６８】
［比較例３］
波長変換層の組成を表１２に示す組成としたこと以外は、実施例１と同様の方法で、比較例３の有機ＥＬ発光装置Ｊを作製した。
有機ＥＬ発光装置Ｊの光取り出し効率を、実施例３と同様の方法で算出した。
有機ＥＬ発光装置Ｊの光取り出し効率を表２７に示す。
【０１６９】
【表１２】
2016218151.tif 000016
【０１７０】
［比較例４］
波長変換層の組成を表１３に示す組成としたこと以外は、実施例１と同様の方法で、比較例４の有機ＥＬ発光装置Ｋを作製した。
有機ＥＬ発光装置Ｋの光取り出し効率を、実施例４と同様の方法で算出した。
有機ＥＬ発光装置Ｋの光取り出し効率を表２７に示す。
【０１７１】
【表１３】
2016218151.tif 000017
【０１７２】
［比較例５］
波長変換層の組成を表１４に示す組成としたこと以外は、実施例１と同様の方法で、比較例５の有機ＥＬ発光装置Ｌを作製した。
有機ＥＬ発光装置Ｌの光取り出し効率を、実施例１と同様の方法で算出した。
有機ＥＬ発光装置Ｌの光取り出し効率を表２７に示す。
【０１７３】
【表１４】
2016218151.tif 000018
【０１７４】
［比較例６］
波長変換層の組成を表１５に示す組成としたこと以外は、実施例１と同様の方法で、比較例６の有機ＥＬ発光装置Ｌを作製した。
有機ＥＬ発光装置Ｌの光取り出し効率を、実施例２と同様の方法で算出した。
有機ＥＬ発光装置Ｌの光取り出し効率を表２７に示す。
【０１７５】
【表１５】
2016218151.tif 000019
【０１７６】
［比較例７］
波長変換層の組成を表１６に示す組成としたこと以外は、実施例１と同様の方法で、比較例７の有機ＥＬ発光装置Ｍを作製した。
有機ＥＬ発光装置Ｍの光取り出し効率を、実施例３と同様の方法で算出した。
有機ＥＬ発光装置Ｍの光取り出し効率を表２７に示す。
【０１７７】
【表１６】
2016218151.tif 000020
【０１７８】
［比較例８］
波長変換層の組成を表１７に示す組成としたこと以外は、実施例１と同様の方法で、比較例８の有機ＥＬ発光装置Ｎを作製した。
有機ＥＬ発光装置Ｎの光取り出し効率を、実施例４と同様の方法で算出した。
有機ＥＬ発光装置Ｎの光取り出し効率を表２７に示す。
【０１７９】
【表１７】
2016218151.tif 000021
【０１８０】
［比較例９］
波長変換層の組成を表１８に示す組成としたこと以外は、実施例１と同様の方法で、比較例９の有機ＥＬ発光装置Ｏを作製した。
有機ＥＬ発光装置Ｏの光取り出し効率を、実施例１と同様の方法で算出した。
有機ＥＬ発光装置Ｏの光取り出し効率を表２７に示す。
【０１８１】
【表１８】
2016218151.tif 000022
【０１８２】
［比較例１０］
波長変換層の組成を表１９に示す組成としたこと以外は、実施例１と同様の方法で、比較例１０の有機ＥＬ発光装置Ｐを作製した。
有機ＥＬ発光装置Ｐの光取り出し効率を、実施例１と同様の方法で算出した。
有機ＥＬ発光装置Ｐの光取り出し効率を表２７に示す。
【０１８３】
【表１９】
2016218151.tif 000023
【０１８４】
［比較例１１］
波長変換層の組成を表２０に示す組成としたこと以外は、実施例１と同様の方法で、比較例１１の有機ＥＬ発光装置Ｑを作製した。
有機ＥＬ発光装置Ｑの光取り出し効率を、実施例３と同様の方法で算出した。
有機ＥＬ発光装置Ｑの光取り出し効率を表２７に示す。
【０１８５】
【表２０】
2016218151.tif 000024
【０１８６】
［比較例１２］
波長変換層の組成を表２１に示す組成としたこと以外は、実施例１と同様の方法で、比較例１２の有機ＥＬ発光装置Ｒを作製した。
有機ＥＬ発光装置Ｒの光取り出し効率を、実施例４と同様の方法で算出した。
有機ＥＬ発光装置Ｒの光取り出し効率を表２７に示す。
【０１８７】
【表２１】
2016218151.tif 000025
【０１８８】
［比較例１３］
波長変換層の組成を表２２に示す組成としたこと以外は、実施例１と同様の方法で、比較例１３の有機ＥＬ発光装置Ｓを作製した。
有機ＥＬ発光装置Ｓの光取り出し効率を、実施例４と同様の方法で算出した。
有機ＥＬ発光装置Ｓの光取り出し効率を表２７に示す。
【０１８９】
【表２２】
2016218151.tif 000026
【０１９０】
［比較例１４］
波長変換層の組成を表２３に示す組成としたこと以外は、実施例１と同様の方法で、比較例１４の有機ＥＬ発光装置Ｔを作製した。
有機ＥＬ発光装置Ｔの光取り出し効率を、実施例２と同様の方法で算出した。
有機ＥＬ発光装置Ｔの光取り出し効率を表２７に示す。
【０１９１】
【表２３】
2016218151.tif 000027
【０１９２】
［比較例１５］
波長変換層の組成を表２４に示す組成としたこと以外は、実施例１と同様の方法で、比較例１５の有機ＥＬ発光装置Ｕを作製した。
有機ＥＬ発光装置Ｕの光取り出し効率を、実施例３と同様の方法で算出した。
有機ＥＬ発光装置Ｕの光取り出し効率を表２７に示す。
【０１９３】
【表２４】
2016218151.tif 000028
【０１９４】
［比較例１６］
波長変換層の組成を表２５に示す組成としたこと以外は、実施例１と同様の方法で、比較例１６の有機ＥＬ発光装置Ｖを作製した。
有機ＥＬ発光装置Ｖの光取り出し効率を、実施例４と同様の方法で算出した。
有機ＥＬ発光装置Ｖの光取り出し効率を表２７に示す。
【０１９５】
【表２５】
2016218151.tif 000029
【０１９６】
【表２６】
2016218151.tif 000030
【０１９７】
【表２７】
2016218151.tif 000031
【０１９８】
表２６および表２７の結果から、実施例１〜８の有機ＥＬ発光装置は、比較例１〜１６の有機ＥＬ発光装置よりも、光取り出し効率が大きいことが分かった。
また、同一の蛍光体で比較した場合、段階的な濃度勾配のある波長変換層を有する有機ＥＬ発光装置は、急峻な濃度勾配があるか、もしくは、濃度勾配がない波長変換層を有する有機ＥＬ発光装置よりも光取り出し効率が大きいことが分かった。
【産業上の利用可能性】
【０１９９】
本発明は、有機ＥＬ表示装置、照明装置、電子機器に適用することができる。
【符号の説明】
【０２００】
１・・・基板、２・・・ＴＦＴ回路、３・・・層間絶縁膜、４・・・平坦化膜、７・・・散乱バンク、８・・・カラーフィルタ、９・・・封止基板、１０・・・有機ＥＬ素子、１８・・・波長変換層、２０・・・波長変換基板、３１・・・散乱層。
【図１】
2016218151.tif 000032
【図２】
2016218151.tif 000033
【図３】
2016218151.tif 000034
【図４】
2016218151.tif 000035
【図５】
2016218151.tif 000036
【図６】
2016218151.tif 000037
【図７】
2016218151.tif 000038
【図８】
2016218151.tif 000039
【図９】
2016218151.tif 000040
【図１０】
2016218151.tif 000041
【図１１】
2016218151.tif 000042
【図１２】
2016218151.tif 000043
【図１３】
2016218151.tif 000044
【図１４】
2016218151.tif 000045
【図１５】
2016218151.tif 000046