(57)【要約】【課題】半導体集積回路の製造時における歩留まり劣化を抑止する。【解決手段】実施形態の設計支援プログラムは、コンピュータに、設計対象とする設計対象回路の配線のレイアウトを複数の区分領域に分割する処理を実行させる。また、設計支援プログラムは、コンピュータに、区分領域のそれぞれについて、エッチングによる配線のずれ幅の予測値を算出する処理を実行させる。また、設計支援プログラムは、コンピュータに、所定の区分領域におけるずれ幅の予測値に基づいて、当該ずれ幅をもとにエッチングを補正した場合に、所定の区分領域とは異なる他の区分領域のそれぞれのずれ幅が所定の範囲に収まるように、各区分領域の配線のレイアウトを修正する処理を実行させる。また、設計支援プログラムは、コンピュータに、修正された各区分領域の配線のレイアウトを含むレイアウト情報を出力する処理を実行させる。【選択図】図１
2016099682.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コンピュータに、
設計対象とする設計対象回路の配線のレイアウトを複数の区分領域に分割し、
前記区分領域のそれぞれについて、エッチングによる配線のずれ幅の予測値を算出し、
所定の前記区分領域におけるずれ幅の予測値に基づいて、当該ずれ幅をもとにエッチングを補正した場合に、前記所定の区分領域とは異なる他の区分領域のそれぞれのずれ幅が所定の範囲に収まるように、各区分領域の配線のレイアウトを修正し、
前記修正された各区分領域の配線のレイアウトを含むレイアウト情報を出力する
処理を実行させることを特徴とする設計支援プログラム。
【請求項２】
前記修正する処理は、前記所定の区分領域におけるずれ幅を最小とするように当該区分領域の配線のレイアウトを修正した後の、前記所定の区分領域におけるずれ幅に基づいて、前記他の区分領域のそれぞれの配線のレイアウトを修正する
ことを特徴とする請求項１に記載の設計支援プログラム。
【請求項３】
前記修正する処理は、前記各区分領域内のダミー配線の密度を修正する
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の設計支援プログラム。
【請求項４】
コンピュータが、
設計対象とする設計対象回路の配線のレイアウトを複数の区分領域に分割し、
前記区分領域のそれぞれについて、エッチングによる配線のずれ幅の予測値を算出し、
所定の前記区分領域におけるずれ幅の予測値に基づいて、当該ずれ幅をもとにエッチングを補正した場合に、前記所定の区分領域とは異なる他の区分領域のそれぞれのずれ幅が所定の範囲に収まるように、各区分領域の配線のレイアウトを修正し、
前記修正された各区分領域の配線のレイアウトを含むレイアウト情報を出力する
処理を実行することを特徴とする設計支援方法。
【請求項５】
設計対象とする設計対象回路の配線のレイアウトを複数の区分領域に分割する分割部と、
前記区分領域のそれぞれについて、エッチングによる配線のずれ幅の予測値を算出する算出部と、
所定の前記区分領域におけるずれ幅の予測値に基づいて、当該ずれ幅をもとにエッチングを補正した場合に、前記所定の区分領域とは異なる他の区分領域のそれぞれのずれ幅が所定の範囲に収まるように、各区分領域の配線のレイアウトを修正する修正部と、
前記修正された各区分領域の配線のレイアウトを含むレイアウト情報を出力する出力部と
を有することを特徴とする設計支援装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、設計支援プログラム、設計支援方法および設計支援装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
様々な電子機器に用いられる半導体集積回路は、予め定められた設計仕様（レイアウト）のもと、様々な製造方法によって製造される。半導体集積回路の製造方法の一例について説明する。図１１は、半導体集積回路の製造方法の一例を示す図である。図１１に示すように、酸化物などの絶縁物に対して、配線パターンを照射する露光、配線溝を形成するエッチング、銅を堆積するメッキ、余分な銅を除去する研磨を繰り返して積層構造を構築することで、半導体集積回路が製造される。
【０００３】
この半導体集積回路の製造のエッチングでは、配線パターンに応じて配線幅にばらつきが生じる。このため、配線パターンのレイアウトでは、エッチングによる配線幅のばらつきを低減するように、回路上に形成するダミー配線（以下、ダミー、ダミーメタルとも表記する場合がある）を変更している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１３−１８２４４０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上述した従来技術では、例えば、レイアウトを定める際に、ＡＰＣ（Advanced  Process  Control）による補正が考慮されていないため、半導体集積回路の製造時に歩留まりが低下する場合がある。
【０００６】
図１２は、ＡＰＣの一例を示す図である。図１２に示すように、ＡＰＣでは、半導体集積回路２００上の所定のモニタ位置２０１における配線幅が適切な値となるように制御される。
【０００７】
具体的には、ＡＰＣでは、半導体集積回路２００形成を行うウエハに対し、配線幅狙い値による露光（Ｓ２０１）を行い、測長（Ｓ２０２）を行う。このＳ２０２では、半導体集積回路２００のモニタ位置２０１におけるＤＩＣＤ（Development  Inspection  Critical  Dimension）が測長される。次いで、エッチャー（Ｓ２０３）を行い、測長（Ｓ２０４）を行う。このＳ２０４では、モニタ位置２０１におけるＦＩＣＤ（Final  Inspection  Critical  Dimension）が測長される。次いで、ＤＩＣＤとＦＩＣＤとのシフト量をフィードバックし、モニタ位置２０１における配線幅が適切な値となるように、エッチャーのレシピを補正して最適レシピとするＡＰＣフィードバック（Ｓ２０５）を行う。
【０００８】
このように、ＡＰＣでは、半導体集積回路２００上のモニタ位置２０１における配線幅が適切な値となるように制御されるが、モニタ位置以外の配線幅のばらつきには未対応であり、歩留まりの低下を招く場合がある。
【０００９】
１つの側面では、半導体集積回路の製造時における歩留まり劣化を抑止できる設計支援プログラム、設計支援方法および設計支援装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
第１の案では、設計支援プログラムは、コンピュータに、設計対象とする設計対象回路の配線のレイアウトを複数の区分領域に分割する処理を実行させる。また、設計支援プログラムは、コンピュータに、区分領域のそれぞれについて、エッチングによる配線のずれ幅の予測値を算出する処理を実行させる。また、設計支援プログラムは、コンピュータに、所定の区分領域におけるずれ幅の予測値に基づいて、当該ずれ幅をもとにエッチングを補正した場合に、所定の区分領域とは異なる他の区分領域のそれぞれのずれ幅が所定の範囲に収まるように、各区分領域の配線のレイアウトを修正する処理を実行させる。また、設計支援プログラムは、コンピュータに、修正された各区分領域の配線のレイアウトを含むレイアウト情報を出力する処理を実行させる。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の１実施態様によれば、半導体集積回路の製造時における歩留まり劣化を抑止できる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】図１は、実施形態にかかる設計支援装置の機能構成の一例を示す図である。
【図２】図２は、メッシュデータの一例を説明する説明図である。
【図３】図３は、複数のメッシュへの分割を説明する説明図である。
【図４】図４は、実施形態にかかる設計支援装置の動作の一例を示すフローチャートである。
【図５】図５は、レイアウト修正の処理を例示するフローチャートである。
【図６】図６は、モニタ位置のレイアウト修正を説明する説明図である。
【図７】図７は、ダミーメタルの変更を説明する説明図である。
【図８】図８は、各メッシュのレイアウト修正を説明する説明図である。
【図９】図９は、許容範囲内にとどめるレイアウト修正を説明する説明図である。
【図１０】図１０は、設計支援プログラムを実行するコンピュータを示す図である。
【図１１】図１１は、半導体集積回路の製造方法の一例を示す図である。
【図１２】図１２は、ＡＰＣの一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、図面を参照して、実施形態にかかる設計支援プログラム、設計支援方法および設計支援装置を説明する。実施形態において同一の機能を有する構成には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。なお、以下の実施形態で説明する設計支援プログラム、設計支援方法および設計支援装置は、一例を示すに過ぎず、実施形態を限定するものではない。また、以下の各実施形態は、矛盾しない範囲内で適宜組みあわせてもよい。
【００１４】
図１は、実施形態にかかる設計支援装置１０の機能構成の一例を示す図である。図２に示すように、設計支援装置１０は、入力部１１、表示部１２、記憶部１３および制御部１４を有する。
【００１５】
入力部１１は、各種情報を制御部１４に入力する。例えば、入力部１１は、設計支援装置１０のユーザから半導体集積回路のレイアウト編集時における各種指示を受け付けて、受け付けた指示を制御部１４に入力する。入力部１１のデバイスの一例としては、マウスやキーボードなどが挙げられる。
【００１６】
表示部１２は、各種の情報を表示する。例えば、表示部１２は、後述の出力部１４ｄより出力された情報を表示する。表示部１２のデバイスの一例としては、液晶ディスプレイなどが挙げられる。
【００１７】
記憶部１３は、各種情報を記憶する。例えば、記憶部１３は、フラッシュメモリなどの半導体メモリ素子、または、ハードディスク、光ディスクなどの記憶装置であり、半導体集積回路モデルデータ１３ａ、メッシュデータ１３ｂを記憶する。
【００１８】
半導体集積回路モデルデータ１３ａは、半導体集積回路の設計工程において設計された半導体集積回路のモデルを示すデータである。半導体集積回路のモデルは、例えば、複数の面を有し、かつ、複数の面のうち所定面に溝が形成された酸化物の基板と溝に設けられた銅の配線とを含む層（ｌａｙｅｒ）が複数重ねられた半導体集積回路のモデルである。また、半導体集積回路のモデルは、各層に、ダミーの配線が設けられている。半導体集積回路モデルデータ１３ａのフォーマットの一例としては、ＧＤＳII、ＯＡＳＹＳなどが挙げられる。
【００１９】
メッシュデータ１３ｂには、後述のメッシュごとに、メッシュに関するデータが後述の分割部１４ａ、算出部１４ｂ、修正部１４ｃおよび出力部１４ｄにより登録される。図２は、メッシュデータの一例を説明する説明図である。
【００２０】
図２に示すように、メッシュデータ１３ｂには、一つのレコードに、「ｌａｙｅｒ」、「ｍｅｓｈ  ｘ座標」、「ｍｅｓｈ  ｙ座標」である１つのメッシュに関するデータが登録される。具体的には、１つのメッシュについて、「ｌａｙｅｒ」、「ｍｅｓｈ  ｘ座標」、「ｍｅｓｈ  ｙ座標」の他、「Ｄｅｎｓ」、「ｄｕｍｍｙＤｅｎｓ」、「ｅｄｇｅＬｅｇｔｈ」、「ｄｕｍｍｙＥｄｇｅ」、「ｄｕｍｍｙＡｒｅａ」、「ｄｅｌｔａＷｉｄｔｈ」の項目を有する。さらには、「Ｄｅｎｓ２」、「ｅｄｇｅＬｅｎｇｔｈ２」、「ＤｅｌｔａＷｉｄｔｈ２」、「Ｄｕｍｍｙ変更情報」の項目を有する。
【００２１】
「ｌａｙｅｒ」の項目には、分割部１４ａにより、メッシュが位置する層が何番目の層であるのかを示す数値が登録される。「ｍｅｓｈ  ｘ座標」の項目には、分割部１４ａにより、メッシュ上の所定の点（例えば、原点Ｏ（０，０）に距離が最も近いメッシュ上の点）のｘ座標の値が登録される。「ｍｅｓｈ  ｙ座標」の項目には、分割部１４ａにより、メッシュ上の所定の点（例えば、原点Ｏに距離が最も近いメッシュ上の点）のｙ座標の値が登録される。
【００２２】
「Ｄｅｎｓ」の項目には、算出部１４ｂにより、メッシュにおける配線密度（％）が登録される。ここで、「Ｄｅｎｓ」の項目に登録される配線密度は、半導体集積回路において実際に電流が流れる配線と、いわゆるダミーメタルとの２つの配線の密度である。「ｄｕｍｍｙＤｅｎｓ」の項目には、算出部１４ｂにより、メッシュにおけるダミーメタルによる配線密度（％）が登録される。なお、「ｄｕｍｍｙＤｅｎｓ」の項目に登録される配線密度には、半導体集積回路において実際に電流が流れる配線の密度が含まれていない。
【００２３】
「ｅｄｇｅＬｅｇｔｈ」の項目には、算出部１４ｂより、メッシュでの配線（ダミーメタルを含む）による配線周囲長が登録される。「ｄｕｍｍｙＥｄｇｅ」の項目には、算出部１４ｂより、ダミーメタルによる配線周囲長が登録される。「ｄｕｍｍｙＡｒｅａ」の項目には、算出部１４ｂにより、メッシュでのダミーメタルが挿入可能な領域を特定するための座標およびダミーメタルが挿入可能な領域の面積が登録される。「ｄｅｌｔａＷｉｄｔｈ」の項目には、算出部１４ｂより、配線のエッチングによる配線幅のずれ（予測値）が登録される。
【００２４】
「Ｄｅｎｓ２」の項目には、修正部１４ｃより、配線幅のずれを考慮したレイアウト変更（修正）後のメッシュにおける銅密度（ダミーを含む）が登録される。「ｅｄｇｅＬｅｎｇｔｈ２」の項目には、修正部１４ｃより、配線幅のずれを考慮したレイアウト変更（修正）後のメッシュにおける配線周囲長（ダミーを含む）が登録される。「ＤｅｌｔａＷｉｄｔｈ２」の項目には、修正部１４ｃより、レイアウト変更（修正）後のメッシュにおける配線幅のずれが登録される。「Ｄｕｍｍｙ変更情報」の項目には、メッシュに配置されるダミーの配線が変更された場合には、修正部１４ｃにより、メッシュに配置されるダミーの配線が変更済みであることを示す「１」が登録されて、「Ｄｕｍｍｙ変更情報」の項目の登録内容が更新される。なお、「Ｄｕｍｍｙ変更情報」の項目には、予め、ダミーの配線が変更していないことを示す「０」が登録されている。さらに、「Ｄｕｍｍｙ変更情報」の項目には、ダミーの配線が変更済みである場合、修正部１４ｃにより、メッシュに配置されたダミーの配線を識別するためのＩＤが登録される。
【００２５】
制御部１４は、各種の処理手順を規定したプログラムや制御データを格納するための内部メモリを有し、これらによって種々の処理を実行する。制御部１４は、分割部１４ａと、算出部１４ｂと、修正部１４ｃと、出力部１４ｄとを有する。
【００２６】
分割部１４ａは、半導体集積回路モデルデータ１３ａが示す半導体集積回路のモデルに対して、層ごとに、上述した所定面を複数のメッシュに分割する。分割部１４ａの一態様について説明する。分割部１４ａは、入力部１１から処理を実行するための指示が入力されると、記憶部１３から半導体集積回路モデルデータ１３ａを取得する。そして、分割部１４ａは、半導体集積回路モデルデータ１３ａが示す半導体集積回路のモデルの各層を１つずつ選択する。そして、分割部１４ａは、層を１つずつ選択するたびに、次の処理を行う。すなわち、分割部１４ａは、選択した層（銅の配線が設けられた基板）の銅の配線が設けられた面を複数のメッシュ（区分領域）に分割する。
【００２７】
図３は、複数のメッシュ２１への分割を説明する説明図である。図３に示すように、分割部１４ａは、銅の配線が設けられた基板２０を複数のメッシュ２１に分割する。ここで、１つのメッシュ２１は、例えば、Ｘ軸方向の長さ２０（μｍ）×Ｙ軸方向の長さ２０（μｍ）の正方形である。上述した処理を行うことにより、分割部１４ａは、半導体集積回路モデルデータ１３ａが示す半導体集積回路のモデルの各層を複数のメッシュ２１に分割する。なお、本実施形態では、メッシュ２１の形状を正方形とするが、正六角形などの形状であってもよいし、均等割りとする形状でなくてもよい。
【００２８】
そして、分割部１４ａは、メッシュ２１ごとに、メッシュデータ１３ｂにレコードを追加する。そして、分割部１４ａは、メッシュ２１ごとに、追加したレコードの「ｌａｙｅｒ」の項目に、メッシュ２１が位置する層が何番目の層であるのかを示す数値を登録する。また、分割部１４ａは、メッシュ２１ごとに、追加したレコードの「ｍｅｓｈ  ｘ座標」の項目に、メッシュ２１上の所定の点（例えば、原点Ｏに距離が最も近いメッシュ２１上の点）のｘ座標の値を登録する。また、分割部１４ａは、メッシュ２１ごとに、追加したレコードの「ｍｅｓｈ  ｙ座標」の項目に、メッシュ２１上の所定の点（例えば、原点Ｏに距離が最も近いメッシュ２１上の点）のｙ座標の値を登録する。
【００２９】
分割部１４ａは、上述した処理を全ての層に対して行うことにより、半導体集積回路のモデルの全ての層を複数のメッシュ２１に分割し、各メッシュ２１に関するデータをメッシュデータ１３ｂに登録する。
【００３０】
算出部１４ｂは、各メッシュ２１における配線密度、配線周囲長、配線幅ずれなどを算出する。算出部１４ｂの一態様について説明する。算出部１４ｂは、分割部１４ａにより半導体集積回路のモデルの全ての層が複数のメッシュ２１に分割され、各メッシュ２１に関するデータがメッシュデータ１３ｂに登録されると、半導体集積回路のモデルの各層を１つずつ選択する。また、算出部１４ｂは、層を１つずつ選択するたびに、選択した層の各メッシュ２１における配線密度、配線周囲長、配線幅ずれを算出する。かかる配線密度は、半導体集積回路のモデルにおいて電流が流れる配線、及び、いわゆるダミーの配線の２つの配線の密度である。例えば、算出部１４ｂは、半導体集積回路モデルデータ１３ａをもとに、図３に示す全てのメッシュ２１のそれぞれにおける銅の配線の密度を算出する。上述した処理を行うことにより、算出部１４ｂは、半導体集積回路のモデルの各層の複数のメッシュ２１における銅の配線の密度を算出する。同様に、算出部１４ｂは、半導体集積回路モデルデータ１３ａをもとに、選択した層の各メッシュ２１における配線（ダミーを含む）による配線周囲長およびダミーの配線周囲長を算出する。
【００３１】
また、算出部１４ｂは、選択した層の各メッシュ２１におけるダミーの配線が配置可能な領域を特定するための座標を特定する。かかる座標の一例としては、ダミーの配線が配置可能な領域の原点Ｏに距離が最も近い位置の座標、及び、ダミーの配線が配置可能な領域の原点Ｏが最も遠い位置の座標が挙げられる。また、算出部１４ｂは、選択した層の各メッシュ２１におけるダミーの配線が配置可能な領域の面積を算出する。
【００３２】
また、算出部１４ｂは、半導体集積回路モデルデータ１３ａをもとに、選択した層の各メッシュ２１における配線のエッチングによる配線幅のずれ（予測値）を算出する。この配線幅ずれは、公知の予測モデルをもとに算出される。具体的には、ＴＣＡＤのようなシミュレーションによる予測や、Ｍｉｃｒｏ−ｌｏａｄｉｎｇ効果によるモデルなどを用いた予測がある。
【００３３】
例えば、算出部１４ｂは、処理対象とするメッシュ２１およびそのメッシュ２１に影響を与える距離内のすべてのメッシュの配線密度（ｄ）、配線周囲長（ｅ）および処理対象の中心部からの距離（ｒ）を用いた予測式ｆ（ｄ，ｅ、ｒ）を用いて予測値ｗ（ｄｅｌｔａＷｉｄｔｈ）を算出する。この予測式は、例えば、下記式（１）となる。
【００３４】
ｗ＝Σ（ａ１ｄｂ１＋ａ２ｅｂ２）…（１）
ここで、ａ１、ａ２、ｂ１、ｂ２は、いずれもキャリブレーションパラメータである。Σは距離ｒ内に位置するメッシュである。
【００３５】
そして、算出部１４ｂは、メッシュ２１ごとに、メッシュ２１に対応するレコードをメッシュデータ１３ｂのレコードの中から特定する。そして、算出部１４ｂは、メッシュ２１ごとに、特定したレコードの「Ｄｅｎｓ」の項目に、銅の配線の密度を登録する。また、算出部１４ｂは、メッシュ２１ごとに、特定したレコードの「ｄｕｍｍｙＤｅｎｓ」の項目に、ダミーの配線の密度を登録する。また、算出部１４ｂは、メッシュ２１ごとに、特定したレコードの「ｅｄｇｅＬｅｇｔｈ」の項目に、配線（ダミーを含む）による配線周囲長を登録する。また、算出部１４ｂは、特定したレコードの「ｄｕｍｍｙＥｄｇｅ」の項目に、ダミーの配線周囲長を登録する。また、算出部１４ｂは、メッシュ２１ごとに、特定したレコードの「ｄｕｍｍｙＡｒｅａ」の項目に、ダミーの配線が配置可能な領域を特定するための座標、及び、ダミーの配線が配置可能な領域の面積を登録する。また、算出部１４ｂは、メッシュ２１ごとに、特定したレコードの「ｄｅｌｔａＷｉｄｔｈ」の項目に、配線のエッチングによる配線幅のずれ（予測値）を登録する。
【００３６】
また、算出部１４ｂは、修正部１４ｃによるレイアウト変更（修正）を行った場合、半導体集積回路モデルデータ１３ａからの変更後のデータをもとに、選択した層の各メッシュ２１における配線密度、配線周囲長、配線のエッチングによる配線幅のずれ（予測値）を算出する。そして、算出部１４ｂは、メッシュ２１ごとに、特定したレコードの「Ｄｅｎｓ２」の項目に、レイアウト変更（修正）後の配線密度を登録する。また、算出部１４ｂは、メッシュ２１ごとに、特定したレコードの「ｅｄｇｅＬｅｎｇｔｈ２」の項目に、レイアウト変更（修正）後の配線周囲長を登録する。また、算出部１４ｂは、メッシュ２１ごとに、特定したレコードの「ＤｅｌｔａＷｉｄｔｈ２」の項目に、レイアウト変更（修正）後の配線幅のずれ（予測値）を登録する。
【００３７】
修正部１４ｃは、ＡＰＣを行う際のモニタ位置のメッシュにおける配線幅のずれ（予測値）に基づいて、その配線幅のずれをもとにエッチングを補正した場合に他のメッシュの配線幅のずれ幅が所定の範囲に収まるように、各メッシュの配線のレイアウトを修正する。具体的には、修正部１４ｃは、各メッシュにおいてダミーの配線の挿入・変更を行って配線の密度を調整することで、配線幅のずれ幅が所定の範囲に収まるようにする（詳細は後述する）。
【００３８】
出力部１４ｄは、半導体集積回路の配線パターンのレイアウトを定める処理（詳細は後述する）によりレイアウトが定まったメッシュデータ１３ｂを、表示部１２に出力して表示させる。また、出力部１４ｄの出力先は、表示部１２だけでなく、通信装置（図示しない）を介して接続される他の機器であってもよい。例えば、出力部１４ｄは、半導体製造装置などに出力してもよい。
【００３９】
次に、半導体集積回路の配線パターンのレイアウトを定める際の設計支援装置１０の動作について説明する。図４は、実施形態にかかる設計支援装置１０の動作の一例を示すフローチャートである。
【００４０】
図４に示すように、処理が開始されると、分割部１４ａは半導体集積回路モデルデータ１３ａをもとにメッシュデータ１３ｂを作成し（Ｓ１）、算出部１４ｂは、いずれかの層の各メッシュ２１における配線幅のずれ（予測値）を計算する（Ｓ２）。次いで、制御部１４は、例えば、各メッシュ２１における配線幅のずれ（予測値）が所定の許容範囲に収まるか否かなどの、終了条件を満たすか否かを判定する（Ｓ３）。この終了条件については、任意に設定可能であり、特に上記の条件に限定しない。
【００４１】
終了条件を満たさない場合（Ｓ３：ＮＯ）、修正部１４ｃは配線のレイアウトの修正を行って（Ｓ４）、Ｓ２へ処理を戻す。終了条件を満たす場合（Ｓ３：ＹＥＳ）、制御部１４は、全層についてＳ２〜Ｓ４の処理が終了したか否かを判定する（Ｓ５）。全層終了していない場合（Ｓ５：ＮＯ）、制御部１４は、次の層へ処理を進めるようにインクリメントしてＳ２へ戻す。全層終了している場合（Ｓ５：ＹＥＳ）、全層の各メッシュ２１が終了条件を満たしていることから、制御部１４は、レイアウトが定まったものとして、処理を終了する。
【００４２】
ここで、修正部１４ｃによる配線のレイアウト修正について詳細に説明する。図５は、レイアウト修正の処理を例示するフローチャートである。
【００４３】
図５に示すように、配線のレイアウト修正の処理が開始されると、修正部１４ｃは、現在のメッシュデータ１３ｂを記憶部１３より取得し（Ｓ４１）、ＡＰＣを行う際のモニタ位置におけるメッシュについてレイアウト修正を行う（Ｓ４２）。
【００４４】
図６は、モニタ位置２２のレイアウト修正を説明する説明図である。図６に示すように、ＡＰＣを行う際のモニタ位置２２は、基板２０を区分した各メッシュ２１において、所定のメッシュに予め定められている。モニタ位置２２には、メッシュデータ１３ｂにおいて対応するメッシュのデータに従った配線２２１、ダミーメタル２２２が配置されている。修正部１４ｃは、モニタ位置２２における配線幅のずれ（ｄｅｌｔａＷｉｄｔｈ）を最小とするように、ダミーメタルの挿入・変更を行って、配線の密度を調整するレイアウト修正を行う。このように、モニタ位置２２における配線幅のずれ（ｄｅｌｔａＷｉｄｔｈ）を最小とするように予めレイアウト修正することで、ＡＰＣによる補正を小さくし、ＡＰＣによる歩留まり悪化を抑えることができる。
【００４５】
図７は、ダミーメタルの変更を説明する説明図である。図７に示すように、修正部１４ｃは、ダミーメタル２２２の面積を当初より大きくし、配線周囲長を長くする高密度ダミーや、ダミーメタル２２２の面積を当初より小さくし、配線周囲長を短くする低密度ダミーへ段階的に調整する。そして、修正部１４ｃは、配線幅のずれを予測するモデル式（例えば、前述した式（１））による予測値を最小とする配線の密度を探すことで、レイアウト修正を行う。
【００４６】
なお、ダミーメタルの挿入・変更は、モニタ位置２２のメッシュだけでなく、ダミーメタルの挿入・変更によってモニタ位置２２に影響を及ぼす影響範囲２３（図６参照）内のメッシュ２１であってもよい。具体的には、Ｍｉｃｒｏ−ｌｏａｄｉｎｇ効果によるモデル等において、モニタ位置２２に最も影響を及ぼすと予測されるメッシュ２１へのダミーメタルの挿入・変更であってもよい。
【００４７】
次いで、修正部１４ｃは、Ｓ４２におけるレイアウト修正後のモニタ位置２２の配線幅のずれをもとに、エッチングの際にＡＰＣで補正される補正量の分、各メッシュ２１における配線幅のずれ（ｄｅｌｔａＷｉｄｔｈ）を補正する（Ｓ４３）。具体的には、Ｓ４２において最小としたモニタ位置２２の配線幅のずれがＡＰＣで補正される補正量に相当することから、その補正量が基板２０の各メッシュ２１全体に及ぶものとし、各メッシュ２１における配線幅のずれ（ｄｅｌｔａＷｉｄｔｈ）に補正量を加算する。
【００４８】
次いで、修正部１４ｃは、各メッシュ２１について、Ｓ４３による補正後の配線幅のずれが所定の許容範囲内であるか否かのエラーチェックを行う（Ｓ４４）。次いで、修正部１４ｃは、配線幅のずれが所定の許容範囲を超えたエラー箇所（メッシュ２１）について、その配線幅のずれを予め設定された許容範囲内とするように、ダミーメタルの挿入・変更を行って、配線の密度を調整するレイアウト修正を行う（Ｓ４５）。このエラー箇所におけるレイアウト修正は、上述したモニタ位置２２におけるレイアウト修正と同様に行うものとする。また、許容範囲は、入力部１１による入力操作などによって、メモリなどに予め設定されているものとする。
【００４９】
図８は、各メッシュ２１のレイアウト修正を説明する説明図である。なお、図８における横軸はモニタ位置２２を通る基板２０の延在方向の位置を示し、縦軸は各位置における配線幅のずれ（ｄｅｌｔａＷｉｄｔｈ）とする。なお、配線幅のずれの許容範囲Ｈは±７［ｎｍ］とし、モニタ位置２２におけるずれａは＋２［ｎｍ］とする。また、モニタ位置２２とは別の位置におけるずれｂは＋８［ｎｍ］、ずれｃは−６［ｎｍ］とする。
【００５０】
モニタ位置２２におけるずれａが＋２［ｎｍ］であることから、ＡＰＣで補正される補正量は−２［ｎｍ］となる。したがって、ずれｂについては、（８−２）＝＋６［ｎｍ］となり、許容範囲Ｈ内なのでエラーチェックによるレイアウト修正は行われない。これに対し、ずれｃについては、（−６−２）＝−８［ｎｍ］となり、許容範囲Ｈ外なのでエラーチェックによるレイアウト修正が行われることとなる。
【００５１】
図９は、許容範囲Ｈ内にとどめるレイアウト修正を説明する説明図である。図９に示すように、Ｓ４２によりモニタ位置２２における修正が行われた後に、Ｓ４３により、そのモニタ位置２２における配線幅のずれをもとに、ＡＰＣによる補正量を加味し、各メッシュ２１における配線幅のずれ（ｄｅｌｔａＷｉｄｔｈ）を補正する。次いで、Ｓ４４によるエラーチェックで許容範囲Ｈ外となったメッシュ２１について（図中において実線で囲んだ箇所）、配線幅のずれを許容範囲Ｈ内とするように、ダミーメタルの挿入・変更によるレイアウト修正を行う。
【００５２】
次いで、修正部１４ｃは、Ｓ４２およびＳ４５によるレイアウト修正をメッシュデータ１３ｂに反映し、メッシュデータ１３ｂの更新を行う（Ｓ４６）。具体的には、修正部１４ｃは、Ｓ４２およびＳ４５によるレイアウト修正後のデータを算出部１４ｂに通知する。そして、算出部１４ｂは、レイアウト修正後の各メッシュ２１における配線密度、配線周囲長、配線のエッチングによる配線幅のずれ（予測値）を算出し、「Ｄｅｎｓ２」、「ｅｄｇｅＬｅｎｇｔｈ２」、「ＤｅｌｔａＷｉｄｔｈ２」の各項目への登録を行う。
【００５３】
したがって、更新後のメッシュデータ１３ｂを出力して半導体製造を行うことで、エッチングの際にＡＰＣによる補正が行われる場合でも、モニタ位置２２以外のメッシュ２１における配線幅のずれは許容範囲Ｈ内に収まることから、歩留まり劣化を抑止することができる。
【００５４】
以上のように、設計支援装置１０は、設計対象とする設計対象回路の配線のレイアウトを複数のメッシュ２１に分割したメッシュデータ１３ｂを作成する。そして、設計支援装置１０は、メッシュ２１のそれぞれについて、エッチングによる配線のずれ幅の予測値（ｄｅｌｔａＷｉｄｔｈ）を算出し、モニタ位置２２におけるずれ幅の予測値に基づいて、そのずれ幅をもとにエッチングを補正した場合に、各メッシュ２１のそれぞれのずれ幅が許容範囲Ｈに収まるように、各メッシュ２１の配線のレイアウトを修正する。そして、設計支援装置１０は、修正された各メッシュ２１の配線のレイアウトを含むメッシュデータ１３ｂを出力する。したがって、設計支援装置１０により出力されたメッシュデータ１３ｂによる半導体集積回路の製造を行うことで、製造時における歩留まり劣化を抑止できる。
【００５５】
また、上述した実施形態において説明した各処理のうち、自動的に行われるものとして説明した処理の全部または一部を手動的に行うこともできる。また、上述した実施形態において説明した各処理のうち、手動的に行われるものとして説明した処理の全部または一部を公知の方法で自動的に行うこともできる。
【００５６】
また、各種の負荷や使用状況などに応じて、上述した実施形態において説明した各処理の各ステップでの処理を任意に細かくわけたり、あるいはまとめたりすることができる。また、ステップを省略することもできる。
【００５７】
また、各種の負荷や使用状況などに応じて、上述した実施形態において説明した各処理の各ステップでの処理の順番を変更できる。
【００５８】
また、図示した各装置の各構成要素は機能概念的なものであり、必ずしも物理的に図示の如く構成されていることを要しない。すなわち、各装置の分散・統合の具体的状態は図示のものに限られず、その全部または一部を、各種の負荷や使用状況などに応じて、任意の単位で機能的または物理的に分散・統合して構成することができる。
【００５９】
また、上述した実施形態で説明した設計支援装置１０の各種の処理は、あらかじめ用意されたプログラムをパーソナルコンピュータやワークステーションなどのコンピュータシステムで実行することによって実現することもできる。そこで、以下では、図１０を用いて、上述した実施形態で説明した設計支援装置１０と同様の機能を有する設計支援プログラムを実行するコンピュータの一例を説明する。図１０は、設計支援プログラム１３０ａを実行するコンピュータ１００を示す図である。
【００６０】
図１０に示すように、コンピュータ１００は、ＣＰＵ１１０、ＲＯＭ１２０、ＨＤＤ（Hard  Disk  Drive）１３０、ＲＡＭ１４０を有する。これら各機器（１１０〜１４０）は、バス１５０を介して接続されている。
【００６１】
ＲＯＭ１２０には、ＯＳ（Operating  System）などの基本プログラムが記憶されている。また、ＨＤＤ１３０には、上述した実施形態で示す各部（１４ａ〜１４ｄ）と同様の機能を発揮する設計支援プログラム１３０ａが予め記憶される。また、ＨＤＤ１３０には、記憶部１３に記憶された各種のデータおよびリストが設けられる。ＣＰＵ１１０が、設計支援プログラム１３０ａをＨＤＤ１３０から読み出して実行する。
【００６２】
ＣＰＵ１１０は、各種のデータおよびリストを読み出してＲＡＭ１４０に格納する。さらに、ＣＰＵ１１０は、ＲＡＭ１４０に格納された各種のデータおよびリストを用いて、設計支援プログラム１３０ａを実行する。なお、ＲＡＭ１４０に格納されるデータは、常に全てのデータがＲＡＭ１４０に格納されなくともよい。処理に用いられるデータがＲＡＭ１４０に格納されればよい。
【００６３】
なお、設計支援プログラム１３０ａについては、必ずしも最初からＨＤＤ１３０に記憶させなくともよい。例えば、コンピュータ１００に挿入されるフレキシブルディスク（ＦＤ）、ＣＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤディスク、光磁気ディスク、ＩＣカードなどの「可搬用の物理媒体」にプログラムを記憶させておく。そして、コンピュータ１００がこれらからプログラムを読み出して実行するようにしてもよい。
【００６４】
さらには、公衆回線、インターネット、ＬＡＮ、ＷＡＮなどを介してコンピュータ１００に接続される「他のコンピュータ（またはサーバ）」などにプログラムを記憶させておく。そして、コンピュータ１００がこれらからプログラムを読み出して実行するようにしてもよい。
【符号の説明】
【００６５】
１０…設計支援装置
１１…入力部
１２…表示部
１３…記憶部
１３ａ…半導体集積回路モデルデータ
１３ｂ…メッシュデータ
１４…制御部
１４ａ…分割部
１４ｂ…算出部
１４ｃ…修正部
１４ｄ…出力部
２０…基板
２１…メッシュ
２２…モニタ位置
２３…影響範囲
２２１…配線
２２２…ダミーメタル
ａ、ｂ、ｃ…ずれ
Ｈ…許容範囲
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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