(57)【要約】【課題】寸法精度に優れ、信頼性および生産性の高い物理量センサー、物理量センサーの製造方法、電子機器および移動体を提供すること。【解決手段】本発明の物理量センサーは、支持基板２と、支持基板２の一方の面上に設けられたジャイロセンサー素子３と、支持基板２の一方の面上で、かつ、ジャイロセンサー素子３とは異なる位置に設けられた加速度センサー素子４と、ジャイロセンサー素子３を収納する凹部５１と、加速度センサー素子４を収納する凹部５２と、凹部５１と連通する貫通孔５３と、凹部５２と連通する貫通孔５４と、を有し、支持基板２の一方の面に接合された封止基板５と、貫通孔５３に充填され、凹部５１を封止する封止材６と、貫通孔５４に充填され、凹部５２を封止する封止材７と、を備え、封止材６の融点と、封止材７の融点とは、互いに異なっている。【選択図】図１
2016099225.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持基板と、
前記支持基板の一方の面上に設けられた第１のセンサー素子と、
前記支持基板の前記一方の面上で、かつ、前記第１のセンサー素子とは異なる位置に設
けられた第２のセンサー素子と、
前記第１のセンサー素子を収納する第１の凹部と、前記第２のセンサー素子を収納する
第２の凹部と、前記第１の凹部と連通する第１の貫通孔と、前記第２の凹部と連通する第
２の貫通孔と、を有し、前記支持基板の前記一方の面に接合された封止基板と、
前記第１の貫通孔に充填され、前記第１の凹部を封止する第１の封止材と、
前記第２の貫通孔に充填され、前記第２の凹部を封止する第２の封止材と、を備え、
前記第１の封止材の融点と、前記第２の封止材の融点とは、互いに異なっていることを
特徴とする物理量センサー。
【請求項２】
前記第１の封止材の融点および前記第２の封止材の融点は、前記支持基板および前記封
止基板の融点または軟化点よりもそれぞれ低い請求項１に記載の物理量センサー。
【請求項３】
前記第１の封止材の融点と、前記第２の封止材の融点との差は、３０℃以上１５０℃以
下である請求項１または２に記載の物理量センサー。
【請求項４】
前記第１のセンサー素子は、ジャイロセンサー素子であり、
前記第２のセンサー素子は、加速度センサー素子であり、
前記第１の封止材の融点は、前記第２の封止材の融点よりも低い請求項１ないし３のい
ずれか１項に記載の物理量センサー。
【請求項５】
前記第１の封止材および前記第２の封止材は、それぞれ、金属材料または低融点ガラス
材料を含んでいる請求項１ないし４のいずれか１項に記載の物理量センサー。
【請求項６】
第１のセンサー素子および第２のセンサー素子が設けられた支持基板と、同一面上に開
放する第１の凹部および第２の凹部が設けられているとともに、前記第１の凹部と連通す
る第１の貫通孔および前記第２の凹部と連通する第２の貫通孔を有する封止基板と、を用
意する用意工程と、
前記第１の凹部に前記第１のセンサー素子を収納するとともに、前記第２の凹部に前記
第２のセンサー素子を収納するように前記支持基板に前記封止基板を接合する接合工程と
、
前記第１の貫通孔に第１の封止材を充填して前記第１の凹部を封止する第１の封止工程
と、
前記第２の貫通孔に前記第１の封止材よりも融点が高い第２の封止材を充填して前記第
２の凹部を封止する第２の封止工程と、を備えることを特徴とする物理量センサーの製造
方法。
【請求項７】
前記第１の封止工程および前記第２の封止工程は、同一のチャンバー内で行われるもの
であり、
前記第１の封止工程では、前記チャンバー内の温度を少なくとも前記第１の封止材の融
点よりも高い第１の温度として前記第１の封止材を溶融し、
前記第２の封止工程では、前記チャンバー内の温度を、前記第１の温度から少なくとも
前記第２の封止材の融点よりも高い第２の温度として前記第２の封止材を溶融する請求項
６に記載の物理量センサーの製造方法。
【請求項８】
前記第１の封止工程を行うのに先立って、前記第１の封止材を前記貫通孔に配置すると
ともに、前記第２の貫通孔に前記第２の封止材を配置する配置工程をさらに有する請求項
７に記載の物理量センサーの製造方法。
【請求項９】
請求項１ないし５のいずれか１項に記載の物理量センサーを備えることを特徴とする電
子機器。
【請求項１０】
請求項１ないし５のいずれか１項に記載の物理量センサーを備えることを特徴とする移
動体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、物理量センサー、物理量センサーの製造方法、電子機器および移動体に関す
るものである。
【背景技術】
【０００２】
例えば、角速度センサーと加速度センサーとを備える複合センサーが知られている（例
えば、特許文献１参照）。
【０００３】
特許文献１に開示されている複合センサーは、２つのセンサーと、各センサーが配置さ
れたセンサー基板と、センサー基板に接合され、各センサーをそれぞれ収納する２つの凹
部を有するキャップ基板とを備えている。また、各センサーが収納された凹部は、気密封
止されており、互いに圧力が異なっている。
【０００４】
特許文献１において、このような複合センサーを製造するには、溝を有するセンサー基
板用母材に各センサー素子を配置し、次いで各センサー素子が各凹部に収納されるように
キャップ基板用母材をセンサー基板に接合する。この接合を大気圧よりも圧力が低い第１
の圧力状態で行うことで、各凹部内が第１の圧力状態のまま各センサー素子を封止するこ
とができる。なお、２つの凹部のうちの一方の凹部は、溝を介して外部と連通している。
【０００５】
そして、各母材が接合された接合体の雰囲気を第１の圧力状態よりも圧力が高い第２の
圧力状態とする。これにより、溝を介して外部と連通する一方の凹部内は第２の圧力状態
となる。最後に、その第２の圧力状態で加熱および加圧を行うことにより、溝を潰すよう
に各母材を変形させる。これにより、第２の凹部が第２の圧力状態で気密封止される。こ
のようにして互いに異なる圧力で各センサー素子を気密封止することができる。
【０００６】
しかしながら、第２の凹部を封止する際、溝を潰すようにして封止するため、その程度
によっては、複合センサーの寸法精度が低下し、信頼性が低くなる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２０１０−１０７３２５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明の目的は、寸法精度に優れ、信頼性および生産性の高い物理量センサー、物理量
センサーの製造方法、電子機器および移動体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
このような目的は、下記の本発明により達成される。
［適用例１］
本発明の物理量センサーは、支持基板と、
前記支持基板の一方の面上に設けられた第１のセンサー素子と、
前記支持基板の前記一方の面上で、かつ、前記第１のセンサー素子とは異なる位置に設
けられた第２のセンサー素子と、
前記第１のセンサー素子を収納する第１の凹部と、前記第２のセンサー素子を収納する
第２の凹部と、前記第１の凹部と連通する第１の貫通孔と、前記第２の凹部と連通する第
２の貫通孔と、を有し、前記支持基板の前記一方の面に接合された封止基板と、
前記第１の貫通孔に充填され、前記第１の凹部を封止する第１の封止材と、
前記第２の貫通孔に充填され、前記第２の凹部を封止する第２の封止材と、を備え、
前記第１の封止材の融点と、前記第２の封止材の融点とは、互いに異なっていることを
特徴とする。
【００１０】
これにより、物理量センサーの製造工程において、例えば、第１の貫通孔に第１の封止
材を配置するとともに第２の貫通孔に第２の封止材を配置した状態で支持基板および封止
基板の加熱温度を同一チャンバー内で変更するという簡単な方法で、第１の封止材および
第２の封止材を異なるタイミングで溶融させることができる。よって、第１の凹部の封止
のタイミングと、第２の凹部の封止のタイミングとを容易に異ならせることができる。し
たがって、第１の封止材が溶融するときと、第２の封止材が溶融するときとのチャンバー
内の圧力を異ならせることにより、封止後の第１の凹部内の圧力と、封止後の第２の凹部
内の圧力とを異ならせることができる。
【００１１】
このように、本発明の物理量センサーは、上記のような簡単な方法で得ることができ、
生産性が高い。
【００１２】
さらに、上記方法では、「特開２０１０−１０７３２５（特許文献１）」のような、溝
を潰すように基板を変形させる工程を省略することができる。よって、支持基板を変形さ
せることなく、第１の凹部および第２の凹部を封止することができる。したがって、本発
明の物理量センサーは、寸法精度に優れ、信頼性が高いものとなる。
【００１３】
［適用例２］
本発明の物理量センサーでは、前記第１の封止材の融点および前記第２の封止材の融点
は、前記支持基板および前記封止基板の融点または軟化点よりもそれぞれ低いのが好まし
い。
【００１４】
これにより、物理量センサーの製造工程において、第１の封止材および第２の封止材を
溶融させる際、支持基板および封止基板が熱変形するのを防止することができる。よって
、物理量センサーは、より寸法精度に優れる。
【００１５】
［適用例３］
本発明の物理量センサーでは、前記第１の封止材の融点と、前記第２の封止材の融点と
の差は、３０℃以上１５０℃以下であるのが好ましい。
これにより、生産性および信頼性の高い物理量センサーを得ることができる。
【００１６】
［適用例４］
本発明の物理量センサーでは、前記第１のセンサー素子は、ジャイロセンサー素子であ
り、
前記第２のセンサー素子は、加速度センサー素子であり、
前記第１の封止材の融点は、前記第２の封止材の融点よりも低いのが好ましい。
【００１７】
第１の貫通孔に第１の封止材を配置するとともに第２の貫通孔に第２の封止材を配置し
た状態で支持基板および封止基板の加熱温度を同一チャンバー内で第１の封止材の融点よ
りも低い温度から上昇させていった場合、第１の凹部は、第２の凹部よりも先に封止され
る。
【００１８】
また、物理量センサーを製造する際、第１の凹部が封止された後で、かつ、第２の凹部
が封止される前にチャンバー内の圧力を変更することにより、後に封止される第２の凹部
の気圧よりも、先に封止される第１の凹部の気圧を第２の凹部の気圧よりも低くすること
ができる。
【００１９】
そして、一般的には、ジャイロセンサー素子は、大気圧よりも気圧が低い雰囲気におい
て優れた検出精度を発揮し、加速度センサー素子は、ジャイロセンサーよりも気圧が高い
雰囲気において優れた検出性を発揮する。
【００２０】
これらのことから、本適用例の構成によれば、第１のセンサー素子および第２のセンサ
ー素子は、それぞれ優れた検出精度を発揮することができる。
【００２１】
［適用例５］
本発明の物理量センサーでは、前記第１の封止材および前記第２の封止材は、それぞれ
、金属材料または低融点ガラス材料を含んでいるのが好ましい。
【００２２】
これにより、支持基板および封止基板よりも融点が低いという条件を満足する第１の封
止材の構成材料および第２の封止材の構成材料の選定がそれぞれ容易になる。
【００２３】
［適用例６］
本発明の物理量センサーの製造方法は、第１のセンサー素子および第２のセンサー素子
が設けられた支持基板と、同一面上に開放する第１の凹部および第２の凹部が設けられて
いるとともに、前記第１の凹部と連通する第１の貫通孔および前記第２の凹部と連通する
第２の貫通孔を有する封止基板と、を用意する用意工程と、
前記第１の凹部に前記第１のセンサー素子を収納するとともに、前記第２の凹部に前記
第２のセンサー素子を収納するように前記支持基板に前記封止基板を接合する接合工程と
、
前記第１の貫通孔に第１の封止材を充填して前記第１の凹部を封止する第１の封止工程
と、
前記第２の貫通孔に前記第１の封止材よりも融点が高い第２の封止材を充填して前記第
２の凹部を封止する第２の封止工程と、を備えることを特徴とする。
【００２４】
これにより、物理量センサーの製造工程において、例えば、第１の貫通孔に第１の封止
材を配置するとともに第２の貫通孔に第２の封止材を配置した状態で支持基板および封止
基板の加熱温度を同一チャンバー内で変更するという簡単な方法で、第１の封止材および
第２の封止材を異なるタイミングで溶融させることができる。よって、第１の凹部の封止
のタイミングと、第２の凹部の封止のタイミングとを容易に異ならせることができる。し
たがって、第１の封止材が溶融するときと、第２の封止材が溶融するときとのチャンバー
内の圧力を異ならせることにより、封止後の第１の凹部内の圧力と、封止後の第２の凹部
内の圧力とを異ならせることができる。
【００２５】
このように、本発明の物理量センサーは、上記のような簡単な方法で得ることができ、
生産性が高い。
【００２６】
さらに、上記方法では、「特開２０１０−１０７３２５（特許文献１）」のような、溝
を潰すように基板を変形させる工程を省略することができる。よって、支持基板を変形さ
せることなく、第１の凹部および第２の凹部を封止することができる。したがって、本発
明によって得られた物理量センサーは、寸法精度に優れ、信頼性が高いものとなる。
【００２７】
［適用例７］
本発明の物理量センサーの製造方法では、前記第１の封止工程および前記第２の封止工
程は、同一のチャンバー内で行われるものであり、
前記第１の封止工程では、前記チャンバー内の温度を少なくとも前記第１の封止材の融
点よりも高い第１の温度として前記第１の封止材を溶融し、
前記第２の封止工程では、前記チャンバー内の温度を、前記第１の温度から少なくとも
前記第２の封止材の融点よりも高い第２の温度として前記第２の封止材を溶融するのが好
ましい。
【００２８】
これにより、チャンバーから出し入れすることなく、接合工程、第１の封止工程および
第２の封止工程を行うことができる。よって、物理量センサーの生産性をさらに向上させ
ることができる。
【００２９】
［適用例８］
本発明の物理量センサーの製造方法では、前記第１の封止工程を行うのに先立って、前
記第１の封止材を前記貫通孔に配置するとともに、前記第２の貫通孔に前記第２の封止材
を配置する配置工程をさらに有するのが好ましい。
【００３０】
これにより、チャンバーから出し入れすることなく、接合工程、第１の封止工程および
第２の封止工程を行うことができる。よって、物理量センサーの生産性をさらに向上させ
ることができる。
【００３１】
［適用例９］
本発明の電子機器は、本発明の物理量センサーを備えることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い電子機器を得ることができる。
【００３２】
［適用例１０］
本発明の移動体は、本発明の物理量センサーを備えることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い移動体を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】本発明の物理量センサーを示す断面図である。
【図２】図１に示す物理量センサーが備えるジャイロセンサー素子を示す平面図である。
【図３】図１に示す物理量センサーが備える加速度センサー素子を示す平面図である。
【図４】本発明の物理量センサーの製造方法（第１実施形態）を説明するための断面図であって、（ａ）が用意工程を示す図、（ｂ）が接合工程を示す図、（ｃ）が配置工程を示す図である。
【図５】本発明の物理量センサーの製造方法（第１実施形態）を説明するための断面図であって、（ａ）が第１の圧力調節工程を示す図、（ｂ）が第１の封止工程を示す図、（ｃ）が第２の圧力調節工程を示す図である。
【図６】本発明の物理量センサーの製造方法（第１実施形態）における第２の封止工程を示す断面図である。
【図７】本発明の物理量センサーを備える電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピューターの構成を示す斜視図である。
【図８】本発明の物理量センサーを備える電子機器を適用した携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。
【図９】本発明の物理量センサーを備える電子機器を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。
【図１０】本発明の物理量センサーを備える移動体を適用した自動車の構成を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００３４】
以下、本発明の物理量センサー、物理量センサーの製造方法、電子機器および移動体を
添付図面に示す好適な実施形態に基づいて詳細に説明する。
【００３５】
まず、本発明の物理量センサーについて説明する。
１．物理量センサー
＜第１実施形態＞
図１は、本発明の物理量センサーを示す断面図である。図２は、図１に示す物理量セン
サーが備えるジャイロセンサー素子を示す平面図である。図３は、図１に示す物理量セン
サーが備える加速度センサー素子を示す平面図である。
【００３６】
なお、以下では、説明の便宜上、図２、図３中の紙面手前側を「上」、紙面奥側を「下
」、右側を「右」、左側を「左」と言う。また、図１〜図６では、互いに直交する３つの
軸として、Ｘ軸、Ｙ軸およびＺ軸が図示されている。また、以下では、Ｘ軸に平行な方向
（左右方向）を「Ｘ軸方向」、Ｙ軸に平行な方向を「Ｙ軸方向」、Ｚ軸に平行な方向（上
下方向）を「Ｚ軸方向」と言う。
【００３７】
図１に示す物理量センサー１は、支持基板２と、この支持基板２に接合・支持されたジ
ャイロセンサー素子３および加速度センサー素子４と、各センサー素子３、４を覆うよう
に設けられた封止基板５とを有する。
【００３８】
以下、物理量センサー１を構成する各部について説明する。
（支持基板）
支持基板２は、ジャイロセンサー素子３および加速度センサー素子４を支持する機能を
有する。
【００３９】
この支持基板２は、板状をなし、その上面（一方の面）には、空洞部（凹部）２１、２
２が設けられている。空洞部２１は、支持基板２を平面視したときに、後述するジャイロ
センサー素子３の可動体３１と、振動体３２と、４つの可動駆動電極部３６とを包含する
ように形成されていて、内底を有する。このような空洞部２１は、可動体３１と、振動体
３２と、４つの可動駆動電極部３６とが支持基板２に接触するのを防止する逃げ部を構成
する。これにより、ジャイロセンサー素子３の変位を許容することができる。
【００４０】
一方、空洞部２２は、支持基板２を平面視したときに、後述する加速度センサー素子４
の可動部４３を包含するように形成されていて、内底を有する。このような空洞部２２は
、加速度センサー素子４の可動部４３が支持基板２に接触するのを防止する逃げ部を構成
する。これにより、加速度センサー素子４の変位を許容することができる。
【００４１】
このような支持基板２の構成材料としては、具体的には、高抵抗なシリコン材料、ガラ
ス材料を用いるのが好ましく、特に、ジャイロセンサー素子３および加速度センサー素子
４がシリコン材料を主材料として構成されている場合、アルカリ金属イオン（可動イオン
）を含むガラス材料（例えば、パイレックスガラス（登録商標）のような硼珪酸ガラス）
を用いるのが好ましい。これにより、各センサー素子３、４がシリコンを主材料として構
成されている場合、支持基板２と各センサー素子３、４とをそれぞれ陽極接合することが
できる。
【００４２】
また、支持基板２の融点または軟化点（以下、単に「融点」と言う）Ｔ２は、特に限定
されないが、例えば、５００℃以上１０００℃以下であるのが好ましく、６００℃以上９
００℃以下であるのがより好ましい。
【００４３】
また、支持基板２の構成材料は、ジャイロセンサー素子３および加速度センサー素子４
の構成材料との熱膨張係数差ができるだけ小さいのが好ましく、具体的には、支持基板２
の構成材料と各センサー素子３、４の構成材料との熱膨張係数差が３ｐｐｍ／℃以下であ
るのが好ましい。これにより、支持基板２と各センサー素子との接合時等に高温下にさら
されても、支持基板２と各センサー素子との間の残留応力を低減することができる。
【００４４】
（ジャイロセンサー素子）
図２に示すように、ジャイロセンサー素子３は、可動体３１と、振動体３２と、梁部３
３と、４つの固定部３４と、４つの駆動バネ部３５と、４つの可動駆動電極部３６と、４
対の固定駆動電極部３８ａ、３８ｂと、可動検出電極部３７と、固定検出電極部３９と、
を有する。
【００４５】
また、固定部３４、駆動バネ部３５、振動体３２、可動駆動電極部３６、可動体３１、
梁部３３および可動検出電極部３７は、例えばシリコン基板をパターニングすることによ
って一体的に形成されている。また、このシリコン基板には、例えば、リン、ボロン等の
不純物がドープされることにより導電性が付与されている。
【００４６】
可動体３１は、長方形の板状をなしている。この可動体３１の外側には、四角形の枠状
をなす振動体３２が設けられている。可動体３１と振動体３２とは、一対の梁部３３によ
って連結されている。
【００４７】
各梁部３３は、可動体３１の４つの角部のうちの＋Ｙ軸側の２つの角部に連結されてい
る。梁部３３は、ねじり変形可能に構成され、このねじり変形により、可動体３１をＺ軸
方向に変位させることができる。
【００４８】
振動体３２の４つの角部には、それぞれ、駆動バネ部３５の一端部がそれぞれ連結され
ている。また、各駆動バネ部３５は、複数回蛇行した形状をなしており、他端部がそれぞ
れ４つの固定部３４に連結されている。
各固定部３４は、例えば陽極接合によって支持基板２に固定されている。
【００４９】
可動駆動電極部３６は、振動体３２の＋Ｙ軸側の辺に２つ設けられ、−Ｙ軸側の辺に２
つ設けられている。各可動駆動電極部３６は、振動体３２からＹ軸方向に延出している幹
部と、該幹部からＸ軸方向に延出している複数の枝部と、を有する櫛歯状の電極である。
【００５０】
固定駆動電極部３８ａ、３８ｂは、各可動駆動電極部３６を介して対向するように設け
られている。
【００５１】
可動駆動電極部３６および固定駆動電極部３８ａ、３８ｂによって、振動体３２は、Ｘ
軸方向に（Ｘ軸に沿って）振動することができる。
【００５２】
可動検出電極部３７は、可動体３１に設けられている。可動体３１は、不純物をドープ
することによって形成されていてもよく、可動検出電極部３７の表面に形成された金属層
によって構成されていてもよい。
【００５３】
固定検出電極部３９は、支持基板２の空洞部２１の底部に設けられた金属層で構成され
ている。この固定検出電極部３９は、可動検出電極部３７と対向して設けられている。
次に、ジャイロセンサー素子３の動作について説明する。
【００５４】
可動駆動電極部３６と固定駆動電極部３８ａ、３８ｂとの間に電圧を印加すると、可動
駆動電極部３６と固定駆動電極部３８ａ、３８ｂとの間に静電力を発生させることができ
る。これにより、駆動バネ部３５をＸ軸方向に伸縮させつつ、振動体３２をＸ軸方向に振
動させることができる。また、可動体３１は、振動体３２の振動に伴い、Ｘ軸方向に振動
する。
【００５５】
振動体３２がＸ軸方向に振動を行っている状態で、ジャイロセンサー素子３にＹ軸まわ
りの角速度（Ｙ軸を軸とする角速度）ωｙが加わると、コリオリ力が働き、可動体３１は
、Ｚ軸方向に変位する。可動体３１がＺ軸方向に変位することにより、可動検出電極部３
７は、固定検出電極部３９に接近または離間する。そのため、可動検出電極部３７と固定
検出電極部３９との間の静電容量は、変化する。この可動検出電極部３７と固定検出電極
部３９との間の静電容量の変化量を検出することにより、Ｙ軸まわりの角速度ωｙを求め
ることができる。
【００５６】
（加速度センサー素子）
加速度センサー素子４は、Ｙ軸方向の加速度を検出するものである。加速度センサー素
子４は、支持部４１、４２と、可動部４３と、連結部４４、４５と、複数の第１固定電極
指４８と、複数の第２固定電極指４９と、を有している。また、可動部４３は、基部４３
１と、基部４３１からＸ軸方向両側に突出している複数の可動電極指４３２と、を有して
いる。
【００５７】
支持部４１、４２は、それぞれ、支持基板２の上面に接合されており、導電性バンプ（
図示せず）を介して配線（図示せず）と電気的に接続されている。そして、これら支持部
４１、４２の間に可動部４３が設けられている。可動部４３は、−Ｙ軸側において連結部
４４を介して支持部４１に連結されると共に、＋Ｙ軸側において連結部４５を介して支持
部４２に連結されている。これにより、可動部４３が支持部４１、４２に対して矢印ｂで
示すようにＹ軸方向に変位可能となる。
【００５８】
複数の第１固定電極指４８は、可動電極指４３２のＹ軸方向一方側に配置され、対応す
る可動電極指４３２に対して間隔を隔てて噛み合う櫛歯状をなすように並んでいる。この
ような複数の第１固定電極指４８は、その基端部にて支持基板２の上面に接合され、導電
性バンプを介して配線に電気的に接続されている。
【００５９】
これに対して、複数の第２固定電極指４９は、可動電極指４３２のＹ軸方向他方側に配
置され、対応する可動電極指４３２に対して間隔を隔てて噛み合う櫛歯状をなすように並
んでいる。このような複数の第２固定電極指４９は、その基端部にて、支持基板２の上面
に接合され、導電性バンプを介して配線に電気的に接続されている。
【００６０】
このような加速度センサー素子４は、次のようにしてＹ軸方向の加速度を検出する。す
なわち、Ｙ軸方向の加速度が物理量センサー１に加わると、その加速度の大きさに基づい
て、可動部４３が、連結部４４、４５を弾性変形させながら、Ｙ軸方向に変位する。この
ような変位に伴って、可動電極指４３２と第１固定電極指４８との間の静電容量および可
動電極指４３２と第２固定電極指４９との間の静電容量の大きさがそれぞれ変化する。そ
のため、これら静電容量の変化（差動信号）に基づいて加速度を検出することができる。
【００６１】
（封止基板）
封止基板５は、前述したジャイロセンサー素子３および加速度センサー素子４を封止し
て保護する機能を有する。この封止基板５は、板状をなし、支持基板２の上面に接合され
ている。また、封止基板５は、一方の面（下面）に開放する凹部（第１の凹部）５１およ
び凹部（第２の凹部）５２を有している。
【００６２】
凹部５１は、ジャイロセンサー素子３を収納し、凹部５２は、加速度センサー素子４を
収納している。また、各凹部５１、５２は、各センサー素子３、４をそれぞれ十分に収納
し得る程度の大きさを有している。
【００６３】
また、図示の構成では、凹部５１、５２は、それぞれ略直方体に凹没して形成されてい
るが、これに限定されず、例えば、半球状、三角錐等の形状に凹没していてもよい。
【００６４】
図１に示すように、封止基板５には、その厚さ方向に貫通する貫通孔５３、５４が設け
られている。貫通孔５３は、凹部５１と連通し、貫通孔５４は、凹部５２と連通している
。
【００６５】
貫通孔５３、５４は、下面開口の直径が異なること以外は、それぞれ略同様の構成であ
るため、以下、貫通孔５３について代表的に説明する。
【００６６】
貫通孔５３の孔径（幅）は、凹部５１側にいくに従って漸減している。すなわち、貫通
孔５３の横断面積は、凹部５１側にいくに従って漸減している。貫通孔５３の上面開口の
直径Ｄ１と、貫通孔５３の下面開口の直径Ｄ２との比Ｄ１／Ｄ２は、４〜１００であるの
が好ましく、８〜３５であるのがより好ましい。これにより、後述するように、貫通孔５
３に球状の封止材６ａを安定的に配置することができる。
【００６７】
また、貫通孔５３の上面開口の直径Ｄ１は、特に限定されず、例えば、２００μｍ以上
、５００μｍ以下であるのが好ましく、２５０μｍ以上、３５０μｍ以下であるのがより
好ましい。
【００６８】
このような貫通孔５３、５４では、貫通孔５３の直径Ｄ２は、貫通孔５４の下面開口の
直径Ｄ３よりも小さい。これにより、後述するように、比較的粘度が低い液状の封止材６
ｂが凹部５１内に流入するのを効果的に防止することができる。
【００６９】
なお、貫通孔５３の下面開口の直径Ｄ２は、貫通孔５４の下面開口の直径Ｄ３の１０％
以上、９０％以下であるのが好ましく、３０％以上、７０％以下であるのがより好ましい
。これにより、液状の封止材６ｂが凹部５１内に流入するのをより効果的に防止すること
ができる。
【００７０】
貫通孔５３の下面開口の直径Ｄ２が小さすぎると、後述の第１の圧力調節工程において
、凹部５１内の空気の排出が不十分となるおそれがある。一方、貫通孔５３の下面開口の
直径Ｄ２が大きすぎると、上記効果を十分に得られない可能性がある。
【００７１】
貫通孔５３の下面開口の直径Ｄ２は、特に限定されず、例えば、３μｍ以上、４５μｍ
以下であるのが好ましく、５μｍ以上、２５μｍ以下であるのがより好ましい。
【００７２】
一方、貫通孔５４の下面開口の直径Ｄ３は、特に限定されず、例えば、５μｍ以上、５
０μｍ以下であるのが好ましく、１０μｍ以上、３０μｍ以下であるのがより好ましい。
【００７３】
また、封止基板５の構成材料としては、前述したような機能を発揮し得るものであれば
、特に限定されないが、例えば、シリコン材料、ガラス材料等を好適に用いることができ
る。
【００７４】
また、封止基板５の融点（軟化点）Ｔ５は、特に限定されず、例えば、１０００℃以上
であるのが好ましく、１２００℃以上であるのがより好ましい。したがって、封止基板５
として単結晶シリコンを用いることは、非常に好ましい。
なお、封止基板５と支持基板２との接合方法としては、特に限定されず、例えば、接着
剤を用いた接合方法、陽極接合法等の直接接合法等を用いることができる。
【００７５】
図１に示すように、貫通孔５３には、封止材６が充填され、貫通孔５４には、封止材７
が充填されている。これにより、凹部５１、５２は、それぞれ、気密封止されている。
【００７６】
また、封止材６の融点Ｔ６と封止材７の融点Ｔ７とは、互いに異なっており、具体的に
は、Ｔ６＜Ｔ７なる関係を満足している。これにより、後述の第１の封止工程で、チャン
バー内の温度をＴ６以上、Ｔ７未満とすることにより、第１の封止材６のみを溶融して凹
部５１のみを封止することができる。よって、凹部５１を封止するタイミングと、凹部５
２を封止するタイミングとを異ならせることができる。したがって、第１の封止材６を溶
融するときの凹部５１内の圧力と第２の封止材７を溶融するときの圧力とを異ならせるこ
とによって、封止後の第１の凹部５１と、封止後の第２の凹部５２とを異なる圧力で封止
することができる。
【００７７】
また、封止材６の融点Ｔ６と封止材７の融点Ｔ７との差ΔＴ１は、３０℃以上、１５０
℃以下であるのが好ましく、５０℃以上、１３０℃以下であるのがより好ましい。これに
より、生産性および信頼性の高い物理量センサー１を得ることができる。
【００７８】
差ΔＴ１が小さすぎると、後述の第１の封止工程におけるチャンバー内の温度によって
は、封止材６が溶融したときに封止材７も軟化または溶融して変形し、不本意に第２の凹
部５２が封止されるおそれがある。一方、差ΔＴ１が大きすぎると、封止材６が溶融して
から封止材７が溶融するまでに、比較的時間がかかり、生産性が低下する傾向を示す。さ
らに、封止材７が溶融した際、封止材６の温度は、融点Ｔ６よりも過剰に高くなり、封止
材６の粘度が過剰に低下するおそれがある。この場合、封止材６は、貫通孔５３を介して
凹部５１内に入り込みやすくなる。
【００７９】
また、封止材６の融点Ｔ６および封止材７の融点Ｔ７は、支持基板２の融点Ｔ２または
封止基板５の融点Ｔ５よりも低い。封止材６の融点Ｔ６と、支持基板２の融点Ｔ２または
封止基板５の融点Ｔ５との差ΔＴ２は、例えば、２０°℃以上であるのが好ましく、１０
０°℃以上であるのがより好ましい。これにより、凹部５１を効果的に封止することがで
きる。
【００８０】
差ΔＴ２が小さすぎると、後述の接合工程において、加熱時間（接合時間）が比較的長
くなると、封止材６が溶融される可能性がある。一方、差ΔＴ２が大きすぎると、封止材
６、支持基板２および封止基板５の構成材料の選定が難しくなる。
また、封止材７の融点Ｔ７と、支持基板２の融点Ｔ２または封止基板５の融点Ｔ５との差
の関係についても、上記と同様のことが言える。
【００８１】
このような封止材６の融点Ｔ６は、特に限定されず、例えば、２７０℃以上、４００℃
以下であるのが好ましく、２９０℃以上、３８０℃以下であるのがより好ましい。また、
封止材７の融点Ｔ７は、特に限定されず、例えば、３２０℃以上、４５０℃以下であるの
が好ましく、３４０℃以上、４３０℃以下であるのがより好ましい。
【００８２】
封止材６、７の構成材料としては、上記のような融点の関係を満足するものであれば特
に限定されず、例えば、Ａｕ−Ｇｅ系合金や、Ａｕ−Ｓｎ系合金等の金属材料や、鉛ガラ
スや、ビスマス系ガラスや、バナジウム系ガラスなどの低融点ガラス材料等を用いること
ができる。これにより、支持基板２の融点Ｔ２および封止基板５の融点Ｔ５よりも融点が
低いという条件を満足する封止材６、７の構成材料の選定がそれぞれ容易になる。
【００８３】
また、封止材６、７が上記のような金属材料で構成されていた場合、封止後の凹部５１
、５２の気密性を確保することができ、よって、物理量センサー１は、信頼性に優れる。
【００８４】
一方、封止材６、７が上記のような低融点ガラス材料で構成され、封止基板５がガラス
材料で構成されていた場合、封止材６、７の封止基板５に対する親和性を高めることがで
きる。したがって、物理量センサー１は、信頼性に優れる。
【００８５】
（物理量センサーの製造方法）
次に、本発明の物理量センサーの製造方法について説明する。
【００８６】
図４は、本発明の物理量センサーの製造方法（第１実施形態）を説明するための断面図
であって、（ａ）が用意工程を示す図、（ｂ）が接合工程を示す図、（ｃ）が配置工程を
示す図である。図５は、本発明の物理量センサーの製造方法（第１実施形態）を説明する
ための断面図であって、（ａ）が第１の圧力調節工程を示す図、（ｂ）が第１の封止工程
を示す図、（ｃ）が第２の圧力調節工程を示す図である。図６は、本発明の物理量センサ
ーの製造方法（第１実施形態）における第２の封止工程を示す断面図である。
【００８７】
本発明の物理量センサーの製造方法は、［１］用意工程と、［２］配置工程と、［３］
接合工程と、［４］第１の圧力調節工程と、［５］第１の封止工程と、［６］第２の圧力
調節工程と、［７］第２の封止工程とを有している。
【００８８】
なお、図４（ｃ）のみにチャンバー１００を図示しており、図５（ａ）〜（ｃ）および
図６中では、チャンバー１００の図示を省略しているが、本実施形態では、［３］接合工
程〜［７］第２の封止工程が完了するまで、チャンバー１００内で行われる。
【００８９】
また、以下では、支持基板２がアルカリ金属イオンを含むガラス材料で構成され、封止
基板５がシリコン材料で構成されている場合を一例として説明する。
【００９０】
また、ジャイロセンサー素子３および加速度センサー素子４は、公知の方法によって形
成することができるため、その説明を省略する。
【００９１】
［１］用意工程
まず、図４（ａ）に示すように、上面にジャイロセンサー素子３および加速度センサー
素子４が設けられた支持基板２と、封止基板５とを用意する。
【００９２】
なお、支持基板２の空洞部２１、２２、封止基板５の凹部５１、５２、貫通孔５３、５
４は、エッチングすることにより形成されている。
【００９３】
このエッチング方法としては、特に限定されないが、例えば、プラズマエッチング、リ
アクティブイオンエッチング、ビームエッチング、光アシストエッチング等の物理的エッ
チング法、ウェットエッチング等の化学的エッチング法等のうちの１種または２種以上を
組み合わせて用いることができる。
【００９４】
［２］配置工程
次いで、図４（ｂ）に示すように、貫通孔５３内に、封止材６となる球状の封止材６ａ
を配置し、貫通孔５４内に封止材７となる球状の封止材７ａを配置する。これら封止材６
ａ、７ａの外径（最大外径）は、貫通孔５４の下面開口の直径Ｄ２よりも大きく、かつ、
貫通孔５４の上面開口の直径Ｄ１よりも小さい。これにより、封止材６ａ、７ａを、貫通
孔５３、５４内に配置することができる（以下、この状態を「配置状態」と言う）。
【００９５】
また、前述したように、貫通孔５３、５４は、それぞれ、孔径が下側にいくに従って漸
減している。これにより、配置状態では、封止材６ａは、貫通孔５３の孔径と一致した部
分で留まることとなる。よって、封止材６ａは、貫通孔５３内をＺ軸方向に移動するのが
規制されている。さらに、封止材６ａが貫通孔５３の孔径と一致した部分で留まることに
より、封止材６ａがＸＹ平面方向に移動するのも規制することができる。これにより、封
止材６ａをさらに安定的に貫通孔５３内に配置することができる。このことは、封止材７
ａについても同様である。
【００９６】
このような封止材６ａ、７ａの外径は、１００μｍ以上、５００μｍ以下であるのが好
ましく、１５０μｍ以上、３００μｍ以下であるのがより好ましい。
【００９７】
［３］接合工程
次いで、図４（ｃ）に示すように、凹部５１にジャイロセンサー素子３が収納され、凹
部５２に加速度センサー素子４が収納されるように、支持基板２の上面に封止基板５を配
置する（この状態を以下、「物理量センサー１’」とも言う）。そして、物理量センサー
１’をチャンバー１００に入れる。なお、支持基板２の上面に封止基板５を配置した後に
、貫通孔５３、５４に封止材６ａ、７ａを配置してもよい。
【００９８】
そして、陽極接合によって支持基板２の上面と封止基板５の下面とを接合する。これに
より、支持基板２と封止基板５とを高い強度および気密性で接合することができる。
【００９９】
この陽極接合におけるチャンバー１００内の温度、すなわち、陽極接合時の物理量セン
サー１’の温度Ｔａは、封止材６ａの融点Ｔ６よりも低ければ特に限定されず、１５０℃
以上、３８０℃以下であるのが好ましく、２５０℃以上、３６０℃以下であるのがより好
ましい。これにより、配置状態で陽極接合を行っても、封止材６ａ、７ａが溶融して凹部
５１、５２が封止されるのを防止することができる。
【０１００】
なお、接合工程において、温度Ｔａが小さすぎると、支持基板２と封止基板５との接合
強度が不十分となるおそれがある。また、温度Ｔａが高すぎると、封止材６ａが軟化して
、凹部５１が封止されるおそれがある。
【０１０１】
なお、接合工程が完了した状態では、凹部５１は貫通孔５３を介して外側と連通してお
り、凹部５２は、貫通孔５４を介して外側と連通している。
【０１０２】
［４］第１の圧力調節工程
次いで、図５（ａ）に示すように、支持基板２および封止基板５の雰囲気を第１の圧力
状態（真空状態）にする。ここで、本明細書中では、「真空状態」とは、気圧が１０Ｐａ
以下の状態のことを言う。
【０１０３】
なお、本実施形態では、配置工程後に、支持基板２および封止基板５をチャンバー１０
０に配置し、該チャンバー１００内を真空ポンプ等によって真空引きする。
【０１０４】
支持基板２および封止基板５の雰囲気を第１の圧力状態とすることで、凹部５１の空気
は、封止材６ａと貫通孔５３の内側面との間の微小な隙間を介して、凹部５１の外側に排
出される。これにより、凹部５１内は第１の圧力状態となる（凹部５２についても同様）
。
【０１０５】
［５］第１の封止工程
次いで、図５（ｂ）に示すように、チャンバー１００内を加熱し、チャンバー１００内
の温度を封止材６ａの融点Ｔ６以上、封止材７ａの融点Ｔ７未満の温度Ｔｂとして、貫通
孔５３内の封止材６ａを溶融させる。これにより、溶融により液状となった封止材６ａ（
以下、この液状の封止材６ａを「封止材６ｂ」と言う）は、貫通孔５３の内側面に全周に
わたって密着する。よって、凹部５１内と凹部５１の外側の空間とは、封止材６ｂによっ
て分離された状態となる。その結果、凹部５１は、第１の圧力状態のまま気密封止される
。凹部５１内を第１の圧力状態で封止することにより、ジャイロセンサー素子３には、駆
動時にダンピング（振動の減衰力）が作用するのを防止することができる。その結果、適
切な振幅で振動することができ、ジャイロセンサー素子３の検出感度を高めることができ
る。
【０１０６】
なお、封止材６として金属材料および低融点ガラス材料を用いた場合、封止材６ｂは、
比較的表面張力が高く、貫通孔５３内に留まり易くなる。したがって、封止材６ｂが貫通
孔５３の下面開口から凹部５１内に流入するのを防止することができる。
【０１０７】
また、封止材６ｂの粘度は、ある程度高いのが好ましく、具体的には、１×１０−３Ｐ
ａ・ｓ以上であるのが好ましく、３×１０−３Ｐａ・ｓ以上であるのがより好ましい。こ
れにより、封止材６ｂが貫通孔５３の下面開口から凹部５１内に流入するのをより効果的
に防止することができる。
【０１０８】
さらに、前述したように、貫通孔５３の下面開口の開口径が十分に小さい。これにより
、上記と相まって、封止材６ｂが凹部５１内に流入するのをさらに効果的に防止すること
ができる。
【０１０９】
なお、本工程におけるチャンバー１００内の温度Ｔｂと、封止材６ａの融点Ｔ６との差
ΔＴ３は、１０℃以上、１００℃以下であるのが好ましく、４０℃以上７０℃以下である
のがより好ましい。
【０１１０】
差ΔＴ３が大きすぎると、封止材７ａの構成材料によっては、封止材７ａが軟化して貫
通孔５３内で変形するおそれがある。さらに、チャンバー１００内の温度を温度Ｔａから
温度Ｔｂとするのに比較的時間がかかる。一方、差ΔＴ３が小さすぎると、封止材６ａの
構成材料や大きさ等にもよるが、チャンバー１００内が温度Ｔｂになってから封止材６ａ
が溶融されるまでに比較的時間がかかる。
【０１１１】
［６］第２の圧力調節工程
次いで、図５（ｃ）に示すように、チャンバー１００内の圧力を第１の圧力状態よりも
圧力が高い第２の圧力状態とする。第１の圧力状態から第２の圧力状態とする方法として
は、例えば、チャンバー１００内に、窒素、アルゴン、ヘリウム、ネオン等の不活性ガス
或いは空気等を注入する方法が挙げられる。
【０１１２】
また、このとき、前記と同様に、球状の封止材７ａと、貫通孔５４の内側面との間の微
小な隙間を介して、凹部５２内には不活性ガス或いは空気等が流入する。これにより、凹
部５２内は、第１の圧力状態から第２の圧力状態となる。
【０１１３】
なお、本発明では、「第２の雰囲気」としては、第１の圧力状態よりも圧力が高ければ
よく、大気圧状態や、大気圧よりも圧力が低い減圧状態も含まれる。この減圧状態として
は、気圧が０．３×１０５Ｐａ以上、１×１０５Ｐａ以下であるのが好ましく、０．５×
１０４Ｐａ以上、０．８×１０４Ｐａ以下であるのがより好ましい。このような減圧状態
で第２の凹部５２を封止した場合、加速度センサー素子４には、駆動時に適度なダンピン
グ（振動の減衰力）が作用し、その結果、不要振動が生じるのを防止することができる。
よって、加速度センサー素子４の検出感度を高めることができる。
【０１１４】
［７］第２の封止工程
そして、図６に示すように、第２の圧力状態のまま、チャンバー１００内を加熱し、チ
ャンバー１００内の温度を封止材７ａの融点Ｔ７以上で、かつ、支持基板２の融点Ｔ２お
よびの封止基板５の融点Ｔ５以下の温度Ｔｃとする。これにより、貫通孔５４内の封止材
７ａを溶融する。よって、溶融されて液状となった封止材７ｂが、貫通孔５４の内側面の
全周にわたって密着する。したがって、凹部５２内と凹部５２の外側の空間とは、封止材
７ｂによって分離された状態となる。その結果、凹部５２は、第２の圧力状態のまま気密
封止される。
【０１１５】
なお、本工程では、封止材７ａが融点Ｔ７以上に加熱されて封止材７ｂになったとき、
封止材６ｂは、封止材７ｂと同じ温度、すなわち、第１の封止工程での温度よりも高い温
度になる。このため、本工程において、封止材６ｂの粘度は、第１の封止工程での粘度よ
りも低下する傾向にある。しかしながら、前述したように、貫通孔５３の直径Ｄ２は、十
分に小さい。これにより、封止材６ｂが凹部５１内に流入するのをより効果的に防止する
ことができる。
【０１１６】
なお、本工程におけるチャンバー１００内の温度Ｔｃと封止材７ａの融点Ｔ７との差Δ
Ｔ４は、３０℃以上、１００℃以下であるのが好ましく、５０℃以上８０℃以下であるの
がより好ましい。
【０１１７】
差ΔＴ４が大きすぎると、チャンバー１００内の温度を温度Ｔｂから温度Ｔｃとするの
に時間がかかるとともに、封止材６ｂの粘度がさらに低下する傾向を示す。一方、差ΔＴ
４が小さすぎると、封止材７ａの構成材料にもよるが、チャンバー１００内が温度Ｔｃに
なってから封止材７ａが溶融されるまでに時間がかかる傾向にある。
【０１１８】
そして、［７］第２の封止工程が完了したら、最後に、封止材６ｂ、７ｂを、例えば常
温に戻すことにより凝固させる。これにより、物理量センサー１を得ることができる。
【０１１９】
このように、工程［１］〜［７］を経ることによって、凹部５１と凹部５２とを、互い
に圧力が異なる状態で、それぞれ気密封止することができる。特に、本発明によれば、「
特開２０１０−１０７３２５（特許文献１）」のように、溝を潰すように基板を変形させ
る工程を省略することができる。よって、支持基板２を変形させることなく、凹部５１と
凹部５２とを封止することができる。よって、本製造方法により得られた物理量センサー
１は、寸法精度に優れ、信頼性が高いものとなる。
【０１２０】
さらに、物理量センサー１’をチャンバー１００に入れさえすれば、物理量センサー１
’をチャンバー１００から出し入れすることなく［３］接合工程〜［７］第２の封止工程
を行うことができる。このため、本製造方法は、非常に簡単であり、生産性が高い。また
、物理量センサー１’の加熱・冷却を繰り返すことにより生じる物理量センサー１’への
影響（例えば、各基板に生じるクラック等）を効果的に防止または抑制することができる
。よって、本発明によれば、信頼性が非常に高い物理量センサー１を得ることができる。
【０１２１】
なお、複数の物理量センサー１’を１つのチャンバー１００内に入れて、上記工程［１
］〜［７］を行うことによって、複数の物理量センサー１を一括して得ることもできる。
【０１２２】
２．電子機器
次いで、物理量センサー１を適用した電子機器について、図７〜図９に基づき、詳細に
説明する。
【０１２３】
図７は、本発明の物理量センサーを備える電子機器を適用したモバイル型（またはノー
ト型）のパーソナルコンピューターの構成を示す斜視図である。この図において、パーソ
ナルコンピューター１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、表示部
１１０８を備えた表示ユニット１１０６とにより構成され、表示ユニット１１０６は、本
体部１１０４に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。このようなパーソ
ナルコンピューター１１００には、角速度検知手段として機能する物理量センサー１が内
蔵されている。
【０１２４】
図８は、本発明の物理量センサーを備える電子機器を適用した携帯電話機（ＰＨＳも含
む）の構成を示す斜視図である。この図において、携帯電話機１２００は、複数の操作ボ
タン１２０２、受話口１２０４および送話口１２０６を備え、操作ボタン１２０２と受話
口１２０４との間には、表示部１２０８が配置されている。このような携帯電話機１２０
０には、角速度検知手段として機能する物理量センサー１が内蔵されている。
【０１２５】
図９は、本発明の物理量センサーを備える電子機器を適用したディジタルスチルカメラ
の構成を示す斜視図である。なお、この図には、外部機器との接続についても簡易的に示
されている。ここで、通常のカメラは、被写体の光像により銀塩写真フィルムを感光する
のに対し、ディジタルスチルカメラ１３００は、被写体の光像をＣＣＤ（Charge Coupled
Device）などの撮像素子により光電変換して撮像信号（画像信号）を生成する。
【０１２６】
ディジタルスチルカメラ１３００におけるケース（ボディー）１３０２の背面には、表
示部が設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、表示部
１３１０は、被写体を電子画像として表示するファインダーとして機能する。
【０１２７】
また、ケース１３０２の正面側（図中裏面側）には、光学レンズ（撮像光学系）やＣＣ
Ｄなどを含む受光ユニット１３０４が設けられている。
【０１２８】
撮影者が表示部に表示された被写体像を確認し、シャッターボタン１３０６を押下する
と、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、メモリー１３０８に転送・格納される。
【０１２９】
また、このディジタルスチルカメラ１３００においては、ケース１３０２の側面に、ビ
デオ信号出力端子１３１２と、データ通信用の入出力端子１３１４とが設けられている。
そして、図示されるように、ビデオ信号出力端子１３１２にはテレビモニター１４３０が
、データ通信用の入出力端子１３１４にはパーソナルコンピューター１４４０が、それぞ
れ必要に応じて接続される。さらに、所定の操作により、メモリー１３０８に格納された
撮像信号が、テレビモニター１４３０や、パーソナルコンピューター１４４０に出力され
る構成になっている。
【０１３０】
このようなディジタルスチルカメラ１３００には、角速度検知手段として機能する物理
量センサー１が内蔵されている。
【０１３１】
なお、本発明の物理量センサーを備える電子機器は、図７のパーソナルコンピューター
（モバイル型パーソナルコンピューター）、図８の携帯電話機、図９のディジタルスチル
カメラの他にも、例えば、インクジェット式吐出装置（例えばインクジェットプリンター
）、ラップトップ型パーソナルコンピューター、テレビ、ビデオカメラ、ビデオテープレ
コーダー、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞
書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、防
犯用テレビモニター、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、
血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡）、魚群探知機、各種測定機器、
計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシュミレーター等に適用する
ことができる。
【０１３２】
３．移動体
次いで、図１に示す物理量センサーを適用した移動体について、図１０に基づき、詳細
に説明する。
【０１３３】
図１０は、本発明の物理量センサーを備える移動体を適用した自動車の構成を示す斜視
図である。自動車１５００には、角速度検知手段として機能する物理量センサー１が内蔵
されており、物理量センサー１によって車体１５０１の姿勢を検出することができる。物
理量センサー１からの信号は、車体姿勢制御装置１５０２に供給され、車体姿勢制御装置
１５０２は、その信号に基づいて車体１５０１の姿勢を検出し、検出結果に応じてサスペ
ンションの硬軟を制御したり、個々の車輪１５０３のブレーキを制御したりすることがで
きる。その他、このような姿勢制御は、二足歩行ロボットやラジコンヘリコプターで利用
することができる。以上のように、各種移動体の姿勢制御の実現にあたって、物理量セン
サー１が組み込まれる。
【０１３４】
以上、本発明の物理量センサー、物理量センサーの製造方法、電子機器および移動体を
図示の実施形態について説明したが、本発明は、これに限定されるものではなく、物理量
センサーを構成する各部は、同様の機能を発揮し得る任意の構成のものと置換することが
できる。また、任意の構成物が付加されていてもよい。
【０１３５】
また、本発明の物理量センサー、物理量センサーの製造方法、電子機器および移動体は
、前記各実施形態のうちの、任意の２以上の構成（特徴）を組み合わせたものであっても
よい。
【０１３６】
また、前記各実施形態では、貫通孔は、その深さ方向の全長にわたって幅（孔径）が漸
減しているが、本発明ではこれに限定されず、段階的に減少していてもよく、幅（孔径）
が一定の部分を有していてもよい。
【０１３７】
また、前記各実施形態では、凹部は、２つ設けられているが、本発明ではこれに限定さ
れず、凹部は３つ以上形成されており、各凹部にセンサー素子をそれぞれ配置してもよい
。
【０１３８】
また、前記実施形態では、チャンバー内の温度を上げることによって各封止材を溶融し
ているが、本発明ではこれに限定されず、例えば、レーザーを封止材に照射して封止材を
溶融してもよい。
【０１３９】
また、前記各実施形態では、第１の凹部を第２の凹部よりも先に封止しているが、本発
明ではこれに限定されず、第２の凹部を先に封止してもよい。
【符号の説明】
【０１４０】
１、１’……物理量センサー
２……支持基板
２１……空洞部
２２……空洞部
３……ジャイロセンサー素子
３１……可動体
３２……振動体
３３……梁部
３４……固定部
３５……駆動バネ部
３６……可動駆動電極部
３７……可動検出電極部
３８ａ……固定駆動電極部
３８ｂ……固定駆動電極部
３９……固定検出電極部
４……加速度センサー素子
４１……支持部
４２……支持部
４３……可動部
４３１……基部
４３２……可動電極指
４４……連結部
４５……連結部
４８……第１固定電極指
４９……第２固定電極指
５……封止基板
５１……凹部
５２……凹部
５３……貫通孔
５４……貫通孔
６、６ａ、６ｂ……封止材
７、７ａ、７ｂ……封止材
１００……チャンバー
１１００……パーソナルコンピューター
１１０２……キーボード
１１０４……本体部
１１０６……表示ユニット
１１０８……表示部
１２００……携帯電話機
１２０２……操作ボタン
１２０４……受話口
１２０６……送話口
１２０８……表示部
１３００……ディジタルスチルカメラ
１３０２……ケース
１３０４……受光ユニット
１３０６……シャッターボタン
１３０８……メモリー
１３１０……表示部
１３１２……ビデオ信号出力端子
１３１４……入出力端子
１４３０……テレビモニター
１４４０……パーソナルコンピューター
１５００……自動車
１５０１……車体
１５０２……車体姿勢制御装置
１５０３……車輪
Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３……直径
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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