(57)【要約】【課題】  信頼性の高い有機発光装置を提供する。【解決手段】  本発明は、長尺の基板と、前記基板に配置されている複数の発光画素、とを有し、前記発光画素は、前記基板側から、第一電極、有機化合物層、第二電極をこの順で有し、前記有機化合物層が前記基板の長手方向に前記発光画素および前記発光画素の隣の発光画素に連続して配置されている発光装置であって、前記基板上に、複数の突起物を有し、前記突起物のそれぞれは、それぞれの前記発光画素の前記基板の短手方向における隣に配置され、前記突起物と他の前記突起物との間に前記発光画素が配置され、前記突起物は、前記第二電極よりも、基板主面に対する高さが突出しており、前記突起物と、前記第二電極とが、離れて配置されていることを特徴とする発光装置を提供する。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、前記基板に配置されている複数の発光画素、とを有し、
前記発光画素は、前記基板側から、第一電極、有機化合物層、第二電極をこの順で有し、
前記有機化合物層が前記基板の第一の方向に前記発光画素および前記発光画素の隣の発光画素に連続して配置されている発光装置であって、
前記基板上に、複数の突起物を有し、前記突起物のそれぞれは、それぞれの前記発光画素の前記基板の第二の方向における隣に配置され、
前記突起物と他の前記突起物との間に前記発光画素が配置され、
前記突起物は、前記第二電極よりも、基板主面に対する高さが突出しており、
前記突起物と、前記第二電極とが、離れて配置されていることを特徴とする発光装置。
【請求項２】
前記突起物と前記第二電極は、前記基板の第二の方向において２μｍ以上離れて配置されていることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記基板の第一の方向において、前記突起物と他の前記突起物との間の距離が異なることを特徴とする請求項１または２に記載の発光装置。
【請求項４】
前記基板の第一の方向において、前記基板の端部における前記突起物と他の前記突起物との間の距離が、他方の基板の端部における前記突起物と他の前記突起物との間の距離よりも大きいことを特徴とする請求項３に記載の発光装置。
【請求項５】
前記突起物と前記第二電極は、下記式１を満たして配置されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の発光装置。
前記突起物の中心と、隣の前記突起物の中心と、の距離−突起物の基板の第二の方向の幅−第二電極の第二の方向の幅≧１０５μｍ      （式１）
【請求項６】
前記複数の突起物の少なくとも一つは、前記基板の第一の方向に沿って配置されている長尺の突起物であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の発光装置。
【請求項７】
前記突起物の第一の方向の長さは、前記有機化合物層の第一の方向の長さよりも長いことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の発光装置。
【請求項８】
前記基板と前記突起物の前記基板に対して反対側の面との距離は、２．０μｍ以上であることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載の発光装置。
【請求項９】
前記突起物は、感光性樹脂を含むことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一項に記載の発光装置。
【請求項１０】
前記突起物の前記基板に平行な断面の形状が、円形、楕円形、帯状のいずれかであることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか一項に記載の発光装置。
【請求項１１】
前記第二電極に接続されている配線をさらに有し、前記配線が前記基板の一辺に沿って設けられていることを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の発光装置。
【請求項１２】
前記第二電極上に封止層をさらに有し、前記封止層は、酸化シリコン、窒化シリコン、窒化酸化シリコン、アルミニウム酸化物の少なくともいずれかを有することを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか一項に記載の発光装置。
【請求項１３】
前記複数の発光画素は、ｎ行×ｍ列（ｎ≦４、１００≦ｍ）に配置されていることを特徴とする請求項１乃至１２のいずれか一項に記載の発光装置。
【請求項１４】
前記基板の第二の方向の長さが、１ｍｍ以上１０ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至１３のいずれか一項に記載の発光装置。
【請求項１５】
前記複数の発光画素は、複数の行に配置され、前記複数の行のうちの一の行において、前記発光画素は行方向にそれぞれ離間して配置され、他の行において前記一の行における前記発光画素と隣の前記発光画素との間の位置に相当する位置にそれぞれ配置されていることを特徴とする請求項１３または１４に記載の発光装置。
【請求項１６】
感光体と、前記感光体を露光する露光部と、前記感光体を帯電する帯電部と、前記感光体に現像剤を付与する現像部と、を有する画像形成装置であって、
前記露光部は、請求項１乃至１５のいずれか一項に記載の発光装置を有し、前記発光装置が有する前記複数の発光画素は、前記感光体の長軸方向に沿って配置されていることを特徴とする画像形成装置。
【請求項１７】
感光体を露光する露光装置であって、請求項１乃至１６のいずれか一項に記載の発光装置を有し、前記発光装置が有する前記複数の発光画素は、前記感光体の長軸方向に沿って配置されることを特徴とする露光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子を用いた発光装置、画像形成装置、露光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子写真技術に基づくレーザースキャン方式のプリンターが広く普及している。一般的なレーザービームプリンターは、レーザー光源から出射された光をスキャンユニットで走査して感光体を露光するが、レーザースキャンユニットはその構造上、装置サイズを小さくすることが困難である。
【０００３】
一方で、発光素子を列状に配置した長尺状の露光光源を用いて、感光体を露光する方式のレーザービームプリンターが検討されている。この方式は、光源ユニットを小さくすることができるため、プリンター装置のサイズダウンを図るうえで有用である。特に、有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、「有機ＥＬ素子」と表記する）は、高精細、低消費電力の発光素子であり、プリンター装置の光源ユニット用の発光装置に好適である。
【０００４】
有機ＥＬ素子は、一対の電極と、この一対の電極の間に配置されている有機化合物層を有する素子である。これら一対の電極から供給されるキャリアが有機化合物層内で再結合する際に発生する励起子が基底状態に戻ることで発光する。
【０００５】
有機ＥＬ素子は、優れた発光素子である一方で、水分によってその特性が劣化してしまうことが知られている。したがって、有機ＥＬ素子の発光性能を維持するためには、製造工程中や有機発光素子が完成した後に、発光素子への水分の浸入を抑制することが好ましい。
【０００６】
特許文献１には、画像形成装置の露光部に有機エレクトロクロルミネッセンス装置を用いることが記載されている。この有機エレクトロルミネッセンス装置は、塗布法により基板上に有機層が形成される。有機化合物を溶解させた液体を塗布する際に液体が基板からはみ出さないように隔壁が設けられている。そして、その隔壁をまたいで上部電極が連続して形成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２０１０−２８００６６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
特許文献１に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置は、隔壁をまたいで上部電極が形成されているため、上部電極上に薄膜封止層を設けた場合、隔壁に付着していた異物によって封止層や上部電極に欠陥を生じる可能性がある。封止層や上部電極に生じた欠陥は、水分の浸入経路となり、有機ＥＬ素子の性能を劣化させる原因になる。
【０００９】
本発明は、突起物と第二電極とが離れて配置されているので、水分などが有機ＥＬ素子に到達する浸入の経路の発生を抑制することができ、信頼性の高い発光装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
そこで、本発明は、長尺の基板と、前記基板に配置されている複数の発光画素、とを有し、
前記発光画素は、前記基板側から、第一電極、有機化合物層、第二電極をこの順で有し、
前記有機化合物層が前記基板の長手方向に前記発光画素および前記発光画素の隣の発光画素に連続して配置されている発光装置であって、
前記基板上に、複数の突起物を有し、前記突起物のそれぞれは、それぞれの前記発光画素の前記基板の短手方向における隣に配置され、前記突起物と他の前記突起物との間に前記発光画素が配置され、前記突起物は、前記第二電極よりも、基板主面に対する高さが突出しており、前記突起物と、前記第二電極とが、離れて配置されていることを特徴とする発光装置を提供する。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、突起物と上部電極とが離れて配置されているので、水分などが有機ＥＬ素子に到達する浸入の経路の発生を抑制することができ、信頼性の高い発光装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明に係る発光装置の一例を示す模式図である。
【図２】図１（ａ）におけるＡ−Ａ’線の断面模式図である。
【図３】本発明に係る発光装置の発光画素の配列パターンの例を示す模式図である。
【図４】本発明に係る発光装置の配置の一例を示す模式図である。
【図５】本発明に係る発光装置の配置の一例を示す模式図である。
【図６】本発明に係る発光装置の製造工程の一例を示した模式図である。
【図７】本発明に係る発光装置の製造工程における基板とマスクのたわみ関係の模式図である。
【図８】マザーガラス基板から本発明に係る発光装置を多数個取りする一例を表わす図である。
【図９】図８における領域Ｂの拡大図である。
【図１０】マザーガラス基板から本発明に係る発光装置を多数個取りする他の例を表わす図である。
【図１１】図１０における領域Ｃの拡大図である。
【図１２】本発明に係る発光装置の他の例を表わす図である。
【図１３】本発明に係る発光装置の封止構成の一例を表わす断面模式図である。
【図１４】本発明に係る発光装置を有する画像形成装置の例を示す模式図である。
【図１５】（ａ）及び（ｂ）は、図１４の画像形成装置を構成する露光光源（露光器）の具体例を示す平面概略図であり、（ｃ）は、図１４の画像形成装置を構成する感光体の具体例を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
本発明は、基板と、前記基板に配置されている複数の発光画素、とを有し、前記発光画素は、前記基板側から、第一電極、有機化合物層、第二電極をこの順で有し、前記有機化合物層が前記基板の長手方向に前記発光画素および前記発光画素の隣の発光画素に連続して配置されている発光装置である。
【００１４】
前記基板上に、複数の突起物を有し、前記突起物のそれぞれは、それぞれの前記発光画素の前記基板の短手方向における隣に配置され、前記突起物と他の前記突起物との間に前記発光画素が配置され、前記突起物は、前記第二電極よりも、基板主面に対する高さが突出しており、前記突起物と、前記第二電極とが、離れて配置されていることを特徴とする。
【００１５】
突起物は外部との接触から有機ＥＬ素子を保護する保護部材である。
【００１６】
本発明に係る発光装置の突起物は、第二電極よりも基板主面に対する高さが突出している。すなわち、突起物の高さは、第二電極の高さよりも高い。そのため、突起物は第二電極よりも先に外部の部材に接触するので、異物の付着を受けやすい構造となっている。この突起物と第二電極、すなわち有機ＥＬ素子、とが離れて配置されているため、突起物に付着した異物により、水分の浸入経路が形成された場合であっても、水分が有機ＥＬ素子に到達する浸入の経路が形成されることを抑制することができる。
【００１７】
突起物に異物が付着する場合とは、突起物が、例えば蒸着マスクと接触する場合があげられる。
【００１８】
基板は第一の方向と、第一の方向とは異なる第二の方向とを有し、第一の方向が第二の方向よりも長いものを長尺の基板と呼ぶ。第一の方向と第二の方向とは直交していてもよい。長尺の基板の第一の方向を長手方向、第二の方向を短手方向と呼ぶことができる。
【００１９】
長尺の基板は、基板の長手方向の端部のみを固定した場合、基板が撓む場合がある。本発明の発光装置は突起物を有するため、基板の長手方向の端部に加えて、突起物により基板を固定することができる。
【００２０】
その結果、基板が撓む量が低減され、例えば、有機化合物層を蒸着により形成する場合であっても、良好な膜性の有機化合物層を得ることができる。
【００２１】
本発明に係る突起物は、無機材料であっても、樹脂材料であってもよい。突起物が無機材料である場合、突起物は酸化シリコンや窒化シリコンをドライエッチング、フォトリソグラフィなどによって加工することで得ることができる。樹脂である場合、突起物はフォトレジストなどの感光性樹脂を硬化させることで得ることができる。
【００２２】
突起物の高さは、基板の上面から１μｍ以上であることが好ましく、より好ましくは２μｍ以上１０μｍ以下である。
【００２３】
［有機発光装置］
図１（ａ）は、本発明に係る発光装置を基板の主面に対して垂直な方向から俯瞰した模式図である。長尺の基板１には、長手方向２および短手方向３がある。基板１上には、発光画素４、突起物５を有し、発光画素と突起物とは離れて配置されている。突起物と突起物との間に有機化合物層６、第二電極７を有する。基板の短手方向の端部には、データ線８が配置され、他方の端部には、画素回路９、電源線１０、走査回路１１が配置されている。基板の長手方向の端部の一方には、配線パッド１２が配置されている。これらの配置位置は適宜変更することができる。
【００２４】
図１（ａ９において、突起物５は基板の長手方向に沿って連続で配置されている壁のような部材として記載されているが、複数に分離していてもよい。
【００２５】
図１（ｂ）は、本発明に係る発光装置の別の実施形態である。図１（ｂ）に示す通り、本発明に係る突起物は、配置される間隔が異なっていてもよい。本実施形態においては図面の右側に突起物は、隣の突起物との配置間隔が短くなっている。突起物をこのように配置するため、他の部材との接触において効率が高い。
【００２６】
本実施形態において、データ線８、有機化合物層６、走査回路１１は、基板の短手方向において、データ線、有機化合物層、走査回路の順番に並んでいる。この配置は、データ線と走査回路との間に有機化合物層が配置されているということもできる。有機化合物層６がこれらの間に配置されることで、基板の短手方向の端部から遠ざかるので、外部からの水分の浸入を抑制する効果がある。データ線等の配線は、基板の一辺に沿って配置されていてよい。
【００２７】
図２は図１（ａ）のＡ−Ａ’における断面模式図である。基板３の上には、アンダーコート層１３、層間絶縁層１４が配置されている。アンダーコート層１３上には、チャネル層１５、ゲート絶縁膜１６及びゲート電極１７を含む薄膜トランジスタ１８が形成されている。薄膜トランジスタ１８は、画素回路９や走査回路１１等の駆動回路を構成するスイッチング素子である。薄膜トランジスタはＴＦＴとも呼ばれる。
【００２８】
層間絶縁層１４上には、層間絶縁層１４に形成された接続孔を介して薄膜トランジスタ１８のチャネル層１５やゲート電極１７に電気的に接続されたソース／ドレイン電極１９や、電源線１０やデータ線８を構成する金属配線２１が形成されている。
【００２９】
ソース／ドレイン電極１９や金属配線２１等が形成された層間絶縁層１４上には、酸化シリコンや窒化シリコン等の無機絶縁材料よりなるパッシベーション層２２が形成されている。パッシベーション層は、金属配線を保護するために設けられている。
【００３０】
層間絶縁層１４の上には、有機ＥＬ素子２８の第一電極２５が設けられており、ソース／ドレイン電極１９と接続されている。第一電極は下部電極とも呼ばれる。第一電極は、その端部を画素分離層２３により覆われ、第二電極２７との短絡を抑制されている。第一電極２５と第二電極２７との間には有機化合物層２６が配置されている。画素分離層２３は開口部２４を有しており、この開口部において有機化合物層２６は第一電極２５と接している。第二電極２７は、突起物５と離れて配置されている。なお第二電極は上部電極とも呼ばれる。
【００３１】
第二電極および突起物を覆い、無機材料からなる封止層２９が配置される。
【００３２】
基板は、ガラス基板、シリコン基板などを用いることができる。フレキシブル基板を用いることもできる。フレキシブル基板を用いた場合でも突起物を有するため、蒸着マスクに有機ＥＬ素子を接触させることなく、蒸着工程を行うことができる。
【００３３】
アンダーコート層、層間絶縁層は、無機絶縁層で構成され、酸化シリコンや窒化シリコンがあげられる。
【００３４】
第一電極、第二電極は、少なくともいずれか一方は、透明または半透明電極である。半透明とは透過率が５０％以上であることを指す。また、他方の電極が反射電極であってもよい。
【００３５】
透明電極である場合、インジウムスズ酸化物、インジウム亜鉛酸化物などを用いることができる。半透明電極である場合、アルミニウム、銀などを適切な層厚で設けることで反透明電極とすることができる。具体的には２０ｎｍ以上３０ｎｍ以下である。半透明電極には可視光領域の光の反射率が高い電極が好ましい。アルミニウム、銀の他にも、これらの合金、積層構造等があげられる。特に銀を用いる場合には、Ｍｇとの合金や積層構造を用いることが好ましい。
【００３６】
画素分離層は、第一電極と、第二電極とが短絡するのを抑制する層である。第一電極と第二電極との間には有機化合物層が配置されているものの、有機化合物層の層厚は小さいので、第一電極と第二電極との短絡を抑制する性能は小さい。そのため、画素分離層が設けられる。
【００３７】
画素分離層の開口部により第一電極と有機化合物層とが接触する面を規定しているので、画素分離層により、発光領域を規定しているということもできる。
【００３８】
画素分離層は、有機材料で構成されても、無機材料で構成されてもよい。好ましくは無機材料から構成されることが好ましい。有機材料で構成される場合は、ポリイミドなどの樹脂があげられ、無機材料で構成される場合は、酸化シリコン、窒化シリコン等があげられる。
【００３９】
有機化合物層は、発光層を含むである。図２においては一層の如く記載しているが、複数層であってもよい。複数層とは、発光層のほかに、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層、正孔ブロック層、電子輸送層、電子注入層などがあげられる。有機化合物層の層厚は５０ｎｍ〜３００ｎｍ程度である。この値は光学干渉の設計により異なる。
【００４０】
封止層は、無機材料により構成される。具体的には、酸化シリコン、窒化シリコン、窒化酸化シリコン、アルミニウム酸化物などがあげられる。酸化シリコン、窒化シリコン、窒化酸化シリコンは、スパッタリング法、ＣＶＤ法により形成することができ、アルミニウム酸化物は、ＡＬＤ法（原子層堆積法）により形成することができる。封止層の封止性能は、水透過率が、１０−６ｇ／ｍ２・ｄａｙ以下であればよい。封止層の層厚は特に限定されるものではないが、封止性能の観点から２μｍ以上であることが好ましい。
【００４１】
また、簡易封止構造として封止層２９を所望の層厚で設けたのち、さらにその上をガラスキャップなどで封止された発光装置であってもよい。
【００４２】
なお、封止層は、基板の全面に設けられるが、配線パッド１２は別工程により露出され、その後外部と接続される。
【００４３】
図３は、発光画素の配列の形態である。本発明に係る発光装置は、複数の発光画素を有しており、前記複数の発光画素は、ｎ行×ｍ列（ｎ≦４、１００≦ｍ）に配置されていてもよい。
【００４４】
図３（ａ）は、複数の発光画素が一行に配置されている。図３（ｂ）は、複数の発光画素を複数の行に配置する例である。図３（ｂ）では２行に配置されている。図３（ｃ）は、複数の発光画素を２行に配置し千鳥格子状に配置したものである。千鳥格子は、前記複数の行のうちの一の行において、前記発光画素は行方向にそれぞれ離間して配置され、他の行において前記一の行における前記発光画素と隣の前記発光画素との間の位置に相当する位置にそれぞれ配置されていると表現することもできる。
【００４５】
図３（ａ）の発光装置は、例えば、１行×２５０６列で配置されたライン状の発光装置があげられる。発光画素の大きさａ×ｂが４２．３μｍ×４２．３μｍで、ピッチｃが８４．６μｍの場合、露光幅２１２ｍｍ（８４．６μｍ×２５０６発光画素）となる。またこの時の長尺の基板の長手方向の長さは２１９ｍｍで、短手方向の長さは４．７ｍｍである。本発明の長尺の基板の短手方向の長さは、短ければそれだけ１枚のガラス基板から多数個取りできるため、１０ｍｍ以下が好ましい。さらに具体的には１ｍｍ以上１０ｍｍ以下が好ましい。
【００４６】
また、図３（ｂ）に示すように、発光画素が２行×２５０６列で配置されたライン状の発光装置でもよい。発光画素の大きさａ×ｂが４２．３μｍ×４２．３μｍで、長手方向のピッチｃが８４．６μｍで、短手方向のピッチｄが６７．７μｍの場合、露光幅２１２ｍｍ（８４．６μｍ×２５０６発光画素）となる。
【００４７】
また、図３（ｃ）に示すように、列方向に沿って千鳥配列状にジグザグに配置してもよい。この場合、図３（ｂ）のような配列よりも列方向に高密度に発光画素を配置できる。発光画素の大きさａ×ｂが４２．３μｍ×２５．４μｍで、長手方向のピッチｃが８４．６μｍで、短手方向のピッチｄが５０．８μｍの場合、露光幅２１２ｍｍ（４２．３μｍ×５０１２発光画素）となる。
【００４８】
［突起物の他の実施形態］
図４は、本発明に係る発光装置の端部を省略して記載したものである。図４に記載の端部は、それぞれ、有機化合物層の短手方向の端部３０、第二電極の短手方向の端部３１、突起物の短手方向の端部３２であり、基板の中心線３３、突起物の中心位置３４が記載されている。それぞれの幅は、有機化合物層の短手方向の幅３５、第二電極の短手方向の幅３６、突起物の中心間距離３７、突起物の基板短手方向の幅３８である。本発明に係る発光装置が有する突起物は、第二電極と離れて配置されている。その距離は、下記の式１を満たすことが好ましい。
【００４９】
突起物の中心と隣の突起物の中心との距離３７−突起物の基板短手方向の幅３８−第二電極の短手方向の幅３６≧１０５μｍ      （式１）
【００５０】
ここで突起物の中心間距離３７は、突起物の短手方向の幅、離間領域の幅、第二電極の幅の総和である。式１は、突起物と、有機化合物層を介して反対側に配置されている突起物との間に存在する離間領域の基板の短手方向の距離の総和が、１０５μｍ以上であることを意味する。このように設計することで、蒸着マスク開口を含めた蒸着条件において、第二電極と、突起物とを離れて配置することができる。
【００５１】
これは製造時の基板とマスクの位置合わせ精度に起因したバラつきがあっても、確実に第二電極と突起物を離して形成することができる。
【００５２】
図５は、突起物の配置が異なった場合の発光装置である。図４と同様に端部の記載は省略されている。突起物が、図５のように配置されている場合でも、（式１）の関係が満たされればよい。それぞれの距離は、図５に記載のように定義される。具体的には、突起物の延長線において、突起物と他の突起物の距離が最も小さくなる点において距離が見積もられる。
【００５３】
また、突起物と第二電極とは少なくとも基板短手方向において２μｍ以上離れていることが好ましい。これは、異物は１μｍ未満のものが粒経分布において大部分であるためである。
【００５４】
突起物５の形状は発光画素４を保護する上で特に限定されるものではないが、帯状の突起物であることが途切れなく保護部材としての機能性が発現するため好ましい。より好ましくは一つの帯となっていることである。
【００５５】
その突起物の長手方向の長さについては、特に限定されるものではないが、基板の長手方向に沿って形成された発光画素の長手方向の長さより突起物の長手方向の長さが長いことが好ましい。より好ましくは有機化合物層の長手方向の長さよりも突起物の長手方向の長さが長いことである。さらに好ましくは有機化合物層を被覆するように設けられた第二電極の長手方向の長さよりも、突起物の長さが長くなっていることである。これにより、擦れなどで発生した傷は少なくとも第二電極よりも外側に発生しやすくなるので、有機ＥＬ素子に至る水分の浸入経路の形成を抑制することができる。
【００５６】
［有機発光装置の製造方法］
次に、本発明の有機発光装置の製造方法について説明する。本発明の有機発光装置の製造方法は、少なくとも下記に示される製造プロセスを有する。
（Ａ）第一電極に、発光領域を決めるための画素分離層を設ける工程
（Ｂ）画素分離層上に突起物を設ける工程
（Ｃ）第一電極の上に、有機化合物層を形成する工程
（Ｄ）該有機化合物層を第二電極で被覆する工程
（Ｅ）第二電極を被覆するように封止層を設ける工程
【００５７】
本発明においては、第二電極と突起物とは次の関係式を満たして離れて配置されていることが好ましい。
突起物の中心間距離３７−突起物の基板短手方向の幅３８−第二電極の短手方向の幅３６≧１０５μｍ      （式１）
【００５８】
これにより、製造プロセス工程において真空成膜時のパターニング用マスクと基板の接触により突起物上についた異物に起因する水の浸入経路の発生を抑制し、信頼性の高い有機発光装置を得ることができる。
【００５９】
（１）第一の製造方法
第一の製造方法について説明する。図６は、本発明の有機発光装置の製造方法における第一の実施形態を示す断面模式図である。
【００６０】
１）下地工程から画素分離膜を形成するまでの工程（図６（ａ））
まず、ガラス基板等の基板３上に、例えばＣＶＤ法により、酸化シリコンや窒化シリコン等の無機絶縁材料よりなるアンダーコート層１３を形成する。
【００６１】
次いで、アンダーコート層１３上に、公知の薄膜トランジスタの製造方法と同様にして、チャネル層１５、ゲート絶縁膜１６、ゲート電極１７を有する薄膜トランジスタ１８を形成する。
【００６２】
次いで、薄膜トランジスタ１８が形成されたアンダーコート層１３上に、例えばＣＶＤ法により、酸化シリコンや窒化シリコン等の無機絶縁材料よりなる層間絶縁層１４を形成する。
【００６３】
次いで、フォトリソグラフィ及びドライエッチングにより、層間絶縁層１４に、薄膜トランジスタ１８の電極上に開口された接続孔を形成後、この接続孔を介して薄膜トランジスタ１８に接続されたソース／ドレイン電極１９や金属配線２１等を形成する。
【００６４】
次いで、ソース／ドレイン電極１９及び金属配線２１が形成された層間絶縁層１４上に、例えばＣＶＤ法により、酸化シリコンや窒化シリコン等の無機絶縁材料よりなるパッシベーション層２２を形成する。
【００６５】
次いで、フォトリソグラフィ及びドライエッチングにより、パッシベーション層２２に、ソース／ドレイン電極１９上に開口された接続孔を形成後、この接続孔を介してソース／ドレイン電極１９に接続された第一電極２５を形成する。
【００６６】
次いで、第一電極２５が形成された後に、例えばＣＶＤ法により、酸化シリコンや窒化シリコン等の無機絶縁材料よりなる画素分離層２３を形成する。
【００６７】
次いで、フォトリソグラフィ及びドライエッチングにより画素分離層２３をパターニングして、発光領域を画定する開口部２４を形成する。
【００６８】
２）画素分離膜上に突起物を形成する工程（図６（ｂ））
次いで、例えばスピンコート法により、画素分離層２３上にポリアクリルやポリイミド等の感光性樹脂材料を形成した後、フォトリソグラフィによりこの感光性樹脂材料をパターニングして突起物５を形成する。本発明の突起物５は、第二電極２７よりも基板面の垂直方向に突出させるために、膜厚を厚くする必要がある。樹脂材料はスピンコート法等で比較的容易に厚膜を形成できるため、突起物５は樹脂から形成されることが好ましい。
【００６９】
３）有機化合物層を形成する工程（図６（ｃ））
次いで、画素分離層２３の開口部２４内に露出した第一電極２５上に、蒸着マスクを用いた真空蒸着法により、有機化合物層２６を形成する。有機化合物層２６は、発光材料を含む発光層のほか、ホール輸送層や電子輸送層等を適宜形成する。
【００７０】
図７に示すように、基板１と蒸着マスクを重ね合わせて有機化合物層を形成することで、所望の領域に選択的に有機化合物層２６を形成することができる。
【００７１】
４）第二電極を形成する工程（図６（ｄ））
次いで、有機化合物層２６及び画素分離層２３上に、第二電極２７を形成する。第二電極２７は、マスクを用いたスパッタリング法や真空蒸着法により、アルミニウムや銀、マグネシウムなどの金属膜、またはそれらの合金を形成することができる。このとき、有機化合物層２６は第二電極２７によって被覆される。このようにして、第一電極２５、有機化合物層２６及び第二電極２７を含む有機ＥＬ素子２８を形成する。
【００７２】
本実施形態に係る発光装置は、基板側から光を取りだすボトムエミッション型でも、基板とは反対側から光を取りだすトップエミッション型でもよい。なお、有機ＥＬ素子２８をボトムエミッション型とする場合は、第一電極２５をＩＴＯなどの透明電極材料により形成し、第二電極２７をアルミニウム等の反射性の電極材料により形成する。また、有機ＥＬ素子２８をトップエミッション型とする場合は、第一電極２５を反射性の電極材料により形成し、第二電極２７を透明電極材料により形成する。
【００７３】
５）薄膜封止層を形成する工程（図６（ｅ））
次いで、全面に、例えばスパッタリング法やＣＶＤ法等により、窒化シリコンや酸化シリコン等からなる封止層２９を形成する。なお、有機ＥＬ素子がボトムエミッション型の場合、封止層２９に透光性は要求されないが、トップエミッション型の場合、封止層２９側へ有機ＥＬ素子２８からの光を取りだすため、封止層２９には透光性が必要となる。
【００７４】
ところで、有機ＥＬ素子を列状に配置した長尺状の露光光源においてコスト低減を考えた場合、複数の露光光源を１つのマザーガラスから多数個取りすることが求められる。例えば、第２世代マザーガラス（４６０ｍｍ×３６５ｍｍ）から、長尺状の露光光源（２１９ｍｍ×４．７ｍｍ）を多数個取りする場合、例えば６９行×２列で１３８個取りすることができる。しかしながら、本発明者らの検討により、大きなマザーガラス基板から長尺状の露光光源を多数個取りする場合に、前記有機化合物層２６と第二電極２７の形成工程において、次のような問題がある。
【００７５】
図７に、基板１と蒸着マスク３９を位置合わせして重ね合わせる工程の模式図を示す。
【００７６】
図７（ａ）に示すように、基板と蒸着マスクは自重により撓んだ状態となる。コストダウンのために基板が大きくなればそれだけ、自重による撓み量は大きくなる。例えば、第２世代マザーガラス（４６０ｍｍ×３６５ｍｍ）相当のガラス基板における撓み量Ｙは数１００μｍ程度であり、同じサイズの蒸着マスクにおける撓み量Ｘは数１０μｍ程度である。蒸着マスクは非常に薄く、また周辺に設けられた枠体に固定された状態で一定の張力が加えられているので、撓み量はガラス基板と比較すると小さくなる。
【００７７】
撓み量が異なる基板と蒸着マスクを重ね合せていくと、図７（ｂ）に示すように、基板の中央部からその周囲に向けて順次基板と蒸着マスクが接触していき、図７（ｃ）のように一体となって成膜工程が行われることとなる。このとき、撓み量の曲率の違いから基板面方向のズレが生じやすくなり、基板の中央部で特に蒸着マスクによる擦れが原因のダークスポットが発生しやすくなる。
【００７８】
本発明に係る発光装置は、突起物が設けられていることで、基板とマスクの間のスペーサーとなって接触が回避される。これを考慮し、突起物の高さは、１．０μｍ以上あることが好ましく、より好ましくは２．０μｍ以上１０μｍ以下である。これは、一般的な半導体製造等のクリーンルーム内における異物の粒径分布において、サイズ１μｍ以下の異物が、多いためである。このため、発光画素がマスクとの接触することを抑制し、ダークスポットの発生を抑制することができる。
【００７９】
なお、図７では成膜が基板の下面側であったが、上下が反転して上面が成膜面で基板の上にマスクがくる場合においても同様に行うことで、信頼性の高い有機発光装置が得られる。
【００８０】
（２）第二の製造方法
ここでは第一の製造方法とは異なる方法で有機発光装置を製造する部分についてのみ説明する。
【００８１】
第一電極２５が形成されたパッシベーション層２２上に、ポリイミドやポリアクリルからなる有機絶縁材料よりなる画素分離層２３を形成する。これらの樹脂は吸湿性があるため、有機化合物層２６の形成前には十分に真空ベークを行い、脱水したのち使用することが好ましい。
【００８２】
［マザーガラスからの切り出し］
図８は、１つのマザーガラスから長尺の基板を切り出す例を示す図である。複数の発光装置を１つのマザーガラスから多数個取りする場合、無機封止層まで形成した後に、ブレードダイシングやレーザーアブレーションダイシング等によって１つ１つの発光装置が切り出される。
【００８３】
第２世代マザーガラス基板（４６０ｍｍ×３６５ｍｍ）から、長尺の発光装置２０（２１９ｍｍ×４．７ｍｍ）を多数個取りできる。例えば、図８に示すように発光装置２０をマザーガラス基板の中央部に６９行×２列で詰め合わせることで１３８個取りすることができる。マザーガラスの端部は、マザーガラス基板のハンドリングで基板支持体と接触することがあるため、発光装置はできるだけ中央部に寄せて詰め合わせることが好ましい。発光装置は、電子写真方式の画像形成装置の露光光源とすることができる。
【００８４】
図９は、図８の領域Ｂの拡大図である。６行×２列で１２個の発光装置が並んでいる領域である。配線パッド１２がマザーガラス基板の中央部でなく、端部となるように発光装置を２列に配置している。端部は有機化合物層の層厚の均一性が低くなる場合があるので、有機化合物層を形成しない配線パッドを配置することが好ましい。
【００８５】
本発明の発光装置は、第二電極２７よりも基板面の垂直方向に突出した突起物５が、ライン状に配置された発光画素の列の長手方向に沿って複数配置されている。マザーガラス基板と蒸着マスクを重ね合わせ時には、蒸着マスクは突起物と接触して支持されることとなり、画素分離膜や有機化合物層、第二電極は蒸着マスクと離間された状態となる。
【００８６】
突起物の高さは、第二電極よりも高ければ特に限定されるものではないが、１．０μｍ以上であることが好ましい。また、より好ましくは２μｍ以上１０μｍ以下である。これは、クリーンルームにおける異物のサイズが１μｍ以下であることに基づく。このような異物が基板上に付着した際に、基板と蒸着マスクが接触しないようにするためである。
【００８７】
本発明に係る発光装置は、突起物が配置されているため、突起物が蒸着マスクに接触する。その結果、異物が付着する部材は突起物となり、発光装置に異物が付着することを抑制することで、異物に起因するダークスポットを抑制することができる。
【００８８】
蒸着マスクが突起物と接触した際に、蒸着マスクに付着していた付着物が突起物に移ることがある。第二電極２７上形成されている封止層２９は、突起物に移った付着物を起点として封止層に亀裂が発生してしまう場合がある。封止層に亀裂が発生した場合、有機ＥＬ素子２８を水分や酸素などの外部雰囲気から遮断する効果が損なわれてしまう。このことから、突起物の総数はできるだけ少ない方がさらに好ましい。
【００８９】
本実施形態の発光装置は、突起物の総数を少なくすることができるので、突起物を起点とする封止層の亀裂が発生する可能性を抑制することができる。
【００９０】
図１０は、第４．５世代マザーガラス基板（９２０ｍｍ×７３０ｍｍ）から、長尺の発光装置２０（２１９ｍｍ×４．７ｍｍ）を多数個取りする場合を示す図である。第１実施形態とは、マザーガラス基板の大きさが異なる。大きさが異なるため、発光装置をマザーガラス基板の中央部に１４８行×４列で詰め合わせることで５９２個取りすることができる。図１１は、図１０におけるＣの領域の拡大図であり、６行×４列で２４個の発光装置が並んでいる。４列の発光装置のうち、両端の２列は突起物の配置が異なっている。両端の発光装置は突起物の配置の間隔が広くなっている。これは、マザーガラス基板の端部は、中央部に比べて撓み量が少ないためである。
【００９１】
他の点は、第１実施形態と同様である。本実施形態に係る発光装置は、突起物が効率よく配置され、他の部材との接触する点を少なくすることで、異物の付着を抑制することができる。また、ガラス基板から、４列の発光装置を取りだすことができるので、１枚の基板から効率よく発光装置を製造することができる。
【００９２】
本実施形態は、発光装置が有する突起物の配置が異なること以外は先の実施形態と同様である。図１１は、図１０におけるＣの領域の拡大図であり、６行×４列で２４個の発光装置が並んでいる。４列の発光装置のうち両端の発光装置においても、マザーガラス基板の中央に近付くにつれて突起物が配置される間隔が短くなっている。
【００９３】
本実施形態においては、マザーガラス基板に４列に配置された発光装置において、突起物の配置と総数が等しくなる。
【００９４】
本実施形態に係る発光装置は、突起物が効率よく配置され、他の部材との接触する点を少なくすることで、異物の付着を抑制することができる。また、ガラス基板から、４列の発光装置を取りだすことができるので、１枚の基板から効率よく発光装置を製造することができる。４列の発光装置を取りだす場合であっても異物の付着をさらに抑制することができる。
【００９５】
本実施形態は、少なくとも一部の突起物の形状がドット状ではない点において先の実施形態と異なる。突起物の基板に平行な平面における断面形状は、具体的には、円形、楕円形、帯状等があげられる。
【００９６】
図１２は、本実施形態に係る発光装置に一例であり、突起物の一部が帯状の形状となっている。
【００９７】
帯状の突起物を有することで、突起物の数をさらに低減することができ、異物の付着を抑制することができる。
【００９８】
本発明の長尺状の基板の短手方向の長さは、短ければそれだけ１枚のガラス基板から多数個取りできるため、１０ｍｍ以下が好ましい。さらに具体的には１ｍｍ以上１０ｍｍ以下が好ましい。
【００９９】
［他の封止形態］
本発明に係る発光装置は、封止層を形成しなくてもよい。図１４は、基板上に凹部が形成された封止基板３２を窒素雰囲気中で貼り合せることで封止した発光装置の断面模式図である。封止基板の内側には吸湿剤３３を配置することにより、封止内部の水分を低減することができる。
【０１００】
［有機発光装置の用途］
本発明の画像形成装置は、感光体と、この感光体の表面を帯電させる帯電部と、感光体を露光して靜電潜像を形成するための露光部と、感光体に現像剤を付与し感光体の表面に形成された静電潜像を現像するための現像部とを有する画像形成装置である。ここで画像形成装置に備える露光手段は、本発明の有機発光装置を含んでいる。
【０１０１】
また本発明の有機発光装置は、感光体を露光するための露光装置の構成部材として使用することができる。本発明の有機発光装置を有する露光装置は、例えば、本発明の有機発光装置を構成する有機発光素子を所定の方向に沿って列を形成して配置されている露光装置がある。
【０１０２】
図１４は、本発明に係る有機発光装置を有する画像形成装置の例を示す模式図である。図１４の画像形成装置４０は、感光体４１と、露光光源４２と、現像器４３と、帯電部４４と、転写器４５と、搬送ローラー４６と、定着器４７と、を有している。
【０１０３】
図１４の画像形成装置４０は、露光光源４２から感光体４１へ向けて光４８が照射され、感光体４１の表面に静電潜像が形成される。図１４の画像形成装置４０において、露光光源４２は、本発明に係る有機発光装置である。また図１４の画像形成装置４０において、現像器４３は、トナー等を有している。帯電部４４は、感光体４１を帯電させるために設けられている。転写器４５は、現像された画像を紙等の記録媒体４９に転写するために設けられている。尚、記録媒体４９は、搬送ローラー４６によって転写器４５へ搬送される。定着器４７は、記録媒体４９に形成された画像を定着させるために設けられている。
【０１０４】
図１５（ａ）及び図１５（ｂ）は、図１５の画像形成装置４０を構成する露光光源（露光器）の具体例を示す平面概略図であり、図１５（ｃ）は、図１４の画像形成装置４０を構成する感光体の具体例を示す概略図である。尚、図１５（ａ）及び図１５（ｂ）は、露光光源４２に有機発光素子を含む発光部４２ａが長尺状の基板４２ｃの長軸方向に沿って、一列に複数配置されている点で共通している。また符合４２ｂの矢印は、発光部４２ａが配列されている列方向を表わす。この列方向は、感光体４１が回転する場合の軸の方向と同じである。
【０１０５】
ところで図１５（ａ）では、発光部４２ａは、感光体４１の軸方向に沿って配置した形態である。一方、図１５（ｂ）では、第一の列αと第二の列βとのそれぞれにおいて発光部４２ａが列方向に交互に配置されている形態である。図１５（ｂ）において、第一の列α及び第二の列βは、それぞれ行方向に異なる位置に配置されている。
【０１０６】
また図１５（ｂ）において、第一の列αは、複数の発光部４２αが一定の間隔を空けて配置される一方で、第二の列βは、第一の列αに含まれる発光部４２α同士の間隔に対応する位置に発光部４２βを有する。すなわち、図１５（ｂ）の露光光源は、行方向にも、複数の発光部が一定の間隔を空けつつ配置されている。
【０１０７】
尚、図１５（ｂ）の露光光源は、露光光源を構成する発光部（４２α、４２β）を、例えば、格子状、千鳥格子、あるいは市松模様に配置されている状態と言い換えることもできる。
【０１０８】
以上説明の通り、本発明の有機発光装置を駆動することにより、良好な画質で、長時間安定な表示が可能である。
【実施例】
【０１０９】
以下、実施例により、本発明を詳細に説明する。実施例にて作製する有機発光装置において、下地工程から画素分離膜を形成するまでの工程においては半導体プロセスにおける一般的な製造方法で行われる範囲においては本発明に含まれるものとする。
【０１１０】
下記実施例においては発光画素の配列について記載はあるが基板サイズ等はそれらによって制約されるものではないため記載していない。
【０１１１】
（実施例１）
図６に示される製造プロセスに従って、発光装置を作製した。
【０１１２】
１−１  ガラス基板上に画素分離膜を形成するまでの工程（図６（ａ））
まず、ガラス基板の基板１０上に、ＣＶＤ法により、窒化シリコンの無機絶縁材料よりなるアンダーコート層１３を形成した。次いで、アンダーコート層１３上に、公知の薄膜トランジスタの製造方法と同様にして、チャネル層１５、ゲート絶縁膜１６、ゲート電極１７を有する薄膜トランジスタ１８を形成した。次いで、薄膜トランジスタ１８が形成されたアンダーコート層１３上に、ＣＶＤ法により、酸化シリコンの無機絶縁材料よりなる層間絶縁層１４を形成した。次いで、フォトリソグラフィ及びドライエッチングにより、層間絶縁層１４に、薄膜トランジスタ１８の電極上に開口された接続孔を形成後、この接続孔を介して薄膜トランジスタ１８に接続されたソース／ドレイン電極１９や金属配線２１等を形成した。次いで、ソース／ドレイン電極１９及び金属配線２１が形成された層間絶縁層１４上に、ＣＶＤ法により、酸化シリコンや無機絶縁材料よりなるパッシベーション層２２を形成した。次いで、フォトリソグラフィ及びドライエッチングにより、パッシベーション層２２にソース／ドレイン電極１９上に開口された接続孔を形成した。この接続孔を介してソース／ドレイン電極１９に接続される第一電極２５としてインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）を形成した。次いで、第一電極２５の上に、ＣＶＤ法により、窒化シリコン等の無機絶縁材料よりなる画素分離層２３を膜厚２００ｎｍで形成した。次いで、フォトリソグラフィ及びドライエッチングにより画素分離層２３をパターニングして、発光領域を４０μｍ角に画定する開口部２４を形成した。
【０１１３】
このとき基板上にはｎ＝１、ｍ＝５００の発光画素がライン状に配列とし、総発光画素数は５００画素であった。その後、有機層成膜前には真空で２５０℃程度のベークを行って基板からの脱水を行った。
【０１１４】
１−２  画素分離膜上に突起物を形成する工程（図６（ｂ））
次いで、スピンコート法により、画素分離層２３上に感光性樹脂材料としてポリイミドを膜厚２μｍで成膜した後、フォトリソグラフィによりパターニングして突起物５を形成した。このとき、平面上の形状として膜厚２μｍで幅１０μｍで、ライン状に配列した発光画素の中心線に対して短手方向の距離が３６０μｍの位置に設け、突起物の中心間距離は７２０μｍとなるように、基板１の長手方向２に沿ってパターニングした。この工程において基板１上に突起物５を配置した。その長さは発光画素の長手方向長さよりも短いものとした。この結果、２μｍの高さで幅１０μｍの一つの帯状の突起物が形成された。突起物の有機化合物層を介して反対側に他の突起物が設けられ、突起物と他の突起物との間に発光画素となる第一電極が配置された。
【０１１５】
１−３  有機化合物層を形成する工程（図６（ｃ））
次いで、画素分離層２３の開口部２４内に露出した第一電極２５上に、真空蒸着法を用いて、有機化合物層２６を蒸着マスクを密着させて形成し、所定の成膜領域に有機化合物層２６を形成した。その際、有機化合物層には正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層、発光層、正孔ブロック層、電子輸送層、電子注入層の順に成膜を行った。各層に用いた材料は市販されている公知材料を用いた。感光材料の感光波長に合わせて発光層の発光色は赤色とした。
【０１１６】
１−４  第二電極を形成する工程（図６（ｄ））
前記有機化合物層２６を被覆するように、第二電極２７を成膜した。第二電極にはアルミニウムを用い、蒸着マスクを用いた真空蒸着法により所定の成膜領域に第二電極２７を厚さ２００μｍで形成した。このとき、第二電極の短手方向の幅は６００μｍであり、ライン状に配列した発光画素の中心線に合わせて成膜した。これにより、第二電極２７と突起物５の間には、少なくとも２μｍ以上離れて形成された。
【０１１７】
１−５  封止層を形成する工程（図６（ｅ））
次いで、全面に、ＣＶＤ法により、窒化シリコンからなる封止層２９を２μｍの厚さで形成した。本実施例では、画素分離層２３と封止層２９とが接触した。
【０１１８】
その後、配線パッド２２が露出するようにフォトリソとドライエッチ工程を行った後、外部回路と接続させて有機発光装置２０を得た。
【０１１９】
（実施例２）
画素分離層を有機絶縁材料により形成した以外は実施例１と同様にして発光装置を作製した。
【０１２０】
実施例１における１−１ガラス基板上に画素分離膜を形成するまでの工程（図６（ａ））において、第一電極２５が形成された後に、スピンコート法により、ポリイミドからなる有機絶縁材料よりなる画素分離層２３を厚さ２００ｎｍで形成した。次いで、フォトリソグラフィにより画素分離層２３をパターニングして、発光領域を４０μｍ角に画定する開口部２４を形成した。本実施例では、有機絶縁材料からなる画素分離層２３と封止層２９とが接触した。
【０１２１】
（実施例３）
実施例２における１−２画素分離膜上に突起物を形成する工程（図６（ｂ））において、スピンコート法により、画素分離層２３上に感光性樹脂材料としてポリイミドを膜厚５μｍで成膜した後、フォトリソグラフィによりパターニングして突起物５を形成した。このとき、平面上の形状として一つの帯状の幅１５μｍの突起物を、ライン状に配列した発光画素の中心線に対して短手距離で４００μｍの距離に設け、突起物の中心間距離は８００μｍとなるように基板１の長手方向２に沿ってパターニングした。この工程によって５μｍの高さで幅１５μｍの一つの帯状の突起物を形成した。
【０１２２】
（実施例４）
実施例２における１−２画素分離膜上に突起物を形成する工程（図６（ｂ））において、基板１上に発光画素の長手方向長さよりも長い突起物を配置した。それ以外は、実施例２と同様にして発光装置を作製した。
【０１２３】
（実施例５）
実施例２における１−２画素分離膜上に突起物を形成する工程（図６（ｂ））において、基板１上に、この後形成される有機化合物層の長手方向長さよりも長い突起物を配置した。それ以外は、実施例２と同様にして発光装置を作製した。
【０１２４】
（実施例６）
実施例２における１−２画素分離膜上に突起物を形成する工程（図６（ｂ））において、基板１上に、この後形成される第二電極２７の長手方向の長さよりも長い突起物を配置した。それ以外は、実施例２と同様にして発光装置を作製した。
【０１２５】
（実施例７）
実施例２における１−１ガラス基板上に画素分離膜を形成するまでの工程（図６（ａ））において、発光領域を４０μｍ角に画定する開口部２４が千鳥配置されるように形成した。それ以外は、実施例２と同様にして発光装置を作製した。このときの画素配列はｎ＝１、ｍ＝５００であり総発光画素数は５００画素であった。一列の発光画素の短手幅が８０μｍとなったため、突起物を形成する工程（図６（ｂ））において、突起物５をライン状に配列した発光画素の中心線からの短手距離が３８０μｍの距離になるように設けた。そして、突起物の中心間距離は７６０μｍとなるように基板１の長手方向２に沿ってパターニングした。また、１−４第二電極を形成する工程（図６（ｄ））において、第二電極の短手幅は６４０μｍとした。
【０１２６】
（実施例８）
実施例２におけるガラス基板上に画素分離膜を形成するまでの工程（図６（ａ））において第一電極としてＩＴＯ、銀（Ａｇ）、ＩＴＯの積層反射電極を形成した。第二電極を形成する工程（図６（ｄ））において、第二電極としてインジウム亜鉛酸化物をスパッタ成膜により形成した。
【０１２７】
本実施例で得た有機発光装置は封止層側から光を取り出すトップエミッション型である。それ以外は、実施例２と同様にして発光装置を作製した。
【０１２８】
（実施例９）
実施例８における基板をシリコン基板とした以外は実施例８と同様に発光装置を作製した。本実施例で得た有機発光装置も封止層から光を取り出すトップエミッション型である。
【０１２９】
（実施例１０）
実施例１における画素分離膜上に突起物を形成する工程（図６（ｂ））において、スピンコート法により、画素分離層２３上に感光性樹脂材料としてポリイミドを膜厚５μｍで成膜した。その後、フォトリソグラフィによりパターニングして突起物５を形成した。このとき、平面上の形状として一つの帯状の幅１５μｍの突起物を、ライン状に配列した発光画素の中心線に対して短手距離で４００μｍの距離に設け、突起物の中心間距離は８００μｍとなるように基板１の長手方向２に沿ってパターニングした。この工程によって５μｍの高さで幅１５μｍの一つの帯状の突起物を形成した。
【０１３０】
（比較例１、２）
突起物を設けない以外は、実施例１および実施例２と同様に発光装置を作製した。
【０１３１】
（比較例３）
本比較例は、突起物を有するが、突起物と第二電極とが接する例である。
【０１３２】
１−２画素分離膜上に突起物を形成する工程（図６（ｂ））において、突起物５をライン状に配列した発光画素の中心線に対して短手距離で３６０μｍの距離に設け、突起物の中心間距離は７２０μｍとなるように基板１の長手方向２に沿ってパターニングした。また、１−４第二電極を形成する工程（図６（ｄ））において、第二電極の短手方向の幅は７２０μｍとした。
【０１３３】
５回試作を繰り返したが、いずれも突起物５上に第二電極２７が重なってしまった。
【０１３４】
（比較例４）
本比較例は、突起物を有するが、突起物と第二電極とが接する例である。
【０１３５】
有機化合物層２６が第二電極２７より被覆された以外は比較例３と同様に有機発光装置を作製した。
【０１３６】
（参考例１）
本参考例は、突起物の中心と隣の突起物の中心との距離、突起物の幅、第二電極の短手方向の幅、の関係が式（１）を満たさない例である。１−２画素分離膜上に突起物を形成する工程（図６（ｂ））において、突起物５をライン状に配列した発光画素の中心線に対して短手距離で３６０μｍの距離に設け、突起物の中心間距離は７２０μｍとなるように基板１の長手方向２に沿ってパターニングした。また、１−４第二電極を形成する工程（図６（ｄ））において、第二電極の短手方向の幅は６７０μｍとした。突起物は、５μｍの高さで幅１５μｍの一つの帯状の突起物とした。
【０１３７】
以上の通り、式（１）を満たさない場合、突起物と第二電極とが重なってしまう場合があった。
【０１３８】
５回試作を繰り返したが、そのうち３回は突起物５上に第二電極２７が重なってしまった。発光装置を作製する場合は、式１を満たす方が好ましい。
【０１３９】
（信頼性評価）
実施例と比較例で製造した有機発光装置を下記方法で評価した。なお、実施例１乃至１０の発光装置を５回ずつ作製したが、すべての発光装置において、第二電極と、突起物とが離れて形成されていた。
【０１４０】
・実装後発光テスト
実施例１乃至１０の発光装置では、保護部材となる突起物５があることでマザーガラスから切り出して所定の筺体に実装するにあたり、発光領域の保護が可能になり、第二電極２７ではなく突起物５が傷付いた箇所が見られた。しかし、突起物５と第二電極２７とが離れて形成されているため、その後の突起物付近に発生した封止欠陥で水や酸素などの劣化を引き起こす気体の浸入があっても、発光画素は保護された。
【０１４１】
また、製造中に突起物上に付いた異物が起因となった同様な劣化からも発光画素は保護された。突起物５があるために作製した発光装置には致命的なキズが付つかず、長期信頼性の高い発光装置であった。
【０１４２】
一方で比較例１、２では、発光画素に至るキズがつく不良が発生して良好な信頼性を持った素子を作製することが困難であった。
【０１４３】
・高温高湿保管試験
８５℃８５％で保管試験を行ってみると、実施例１乃至１０は良好な発光状態を１０００ｈ後においても保っていた。
【０１４４】
一方、比較例１、２のものは、有機化合物層端、第二電極端で成膜時のマスクから基板に転写された異物による封止欠陥が発生し、非発光領域が拡大していた。比較例３では突起物５上に第二電極が重なって形成された３基板において、突起物上の異物によって発生した封止欠陥から水が浸入し、第二電極２７と浸透して、発光画素に達し発光不良となった。比較例４では、作製したすべての基板において突起物５上の異物によって発生した封止欠陥から水が浸入し、第二電極２７と基板の間を浸透して、発光画素に達し発光不良となった。参考例１では、突起物５上で発生した突起物上の異物によって発生した封止欠陥から水が浸入し、有機化合物層２６を浸透して、発光画素に達し発光不良となった。
【０１４５】
これに対して、各実施例にて作製した発光装置は、有機化合物層２６が第二電極２７によって被覆されているので、水分や酸素の浸透による発光画素部の劣化は抑制されるため、信頼性の高い発光装置であることが分かった。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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