(57)【要約】【課題】  パネル中間品がプラズマに晒される処理を実施する際に金属マスクを利用したとしても、多層配線層の信頼性を確保する。【解決手段】  基板１１０Ｘ上に第１電源線１５０と第２電源線１６０と絶縁体とを含む多層配線層１２０を形成し、第１電源線１５０と第２電源線１６０とを連結する渡り線１８６を形成し、その後、有機ＥＬ素子１３１を形成し、その後、渡り線１８６を除去する。有機ＥＬ素子１３１の形成は、パネル中間品１００Ｘ上に金属マスク１９０が配された状態でパネル中間品１００Ｘがプラズマに晒される処理を含む。渡り線１８６は、金属マスク１９０がパネル中間品１００Ｘ上に配されたときに金属マスク１９０に接触する導体パッド領域となる配線１８３ｃを有する。【選択図】図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を供給し、
前記基板上に、第１電源線と前記第１電源線に印加される電圧とは異なる電圧が印加される第２電源線と前記第１電源線および前記第２電源線の間に配された絶縁体とを含む多層配線層を形成し、
前記基板上の前記多層配線層が形成された領域とは異なる領域に、前記第１電源線と前記第２電源線とを連結する渡り線を形成し、
その後、前記多層配線層上に、前記第１電源線および前記第２電源線にそれぞれ接続された有機ＥＬ素子を形成し、
その後、前記渡り線を除去すること、を含み、
前記有機ＥＬ素子の形成は、前記基板と前記多層配線層と前記渡り線とを少なくとも含むパネル中間品上に金属マスクが配された状態で前記パネル中間品がプラズマに晒される処理を含み、
前記渡り線は、前記金属マスクが前記パネル中間品上に配されたときに前記金属マスクに接触する導体パッド領域を有する、
有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
【請求項２】
さらに、前記基板上の前記多層配線層が形成された領域とは異なる領域に絶縁層を形成し、
前記渡り線の前記導体パッド領域は、前記絶縁層上に形成される、
請求項１に記載の有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
【請求項３】
前記絶縁層は、前記多層配線層に含まれる絶縁体と同じ材料を含み、
前記絶縁層の形成は、前記多層配線層の形成と並行して実施される、
請求項２に記載の有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
【請求項４】
前記第１電源線および第２電源線は、それぞれ、外部接続のための導体パッド領域を有し、
前記金属マスクは、前記金属マスクが前記パネル中間品上に配されたときに前記パネル中間品の上面に対向する対向面を有し、
前記対向面は、前記金属マスクが前記パネル中間品上に配されたときに前記渡り線の前記導体パッド領域に接触する第１面部分と、前記第１面部分から窪んでおり前記第１電源線および前記第２電源線のそれぞれの導体パッド領域を被覆するが前記第１電源線および前記第２電源線のそれぞれの導体パッド領域とは非接触となる第２面部分とを含む、
請求項１から３の何れかに記載の有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
【請求項５】
前記渡り線の除去は、前記基板を割断して前記基板の前記多層配線層が形成された領域と前記基板の前記渡り線が形成された領域とを分離することにより実施される、
請求項１に記載の有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
【請求項６】
前記多層配線層は、さらに、前記有機ＥＬ素子の輝度を設定するための信号線を含み、
前記渡り線は、前記第１電源線と前記第２電源線と前記信号線を連結する、
請求項１に記載の有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
【請求項７】
基板を供給し、
前記基板上に、第１電源線と前記第１電源線に印加される電圧とは異なる電圧が印加される第２電源線と前記第１電源線および前記第２電源線の間に配された絶縁体とを含む多層配線層を形成し、
前記基板上の前記多層配線層が形成された領域とは異なる領域に、前記第１電源線に接続された第１配線と、前記第２電源線に接続された第２配線とを形成し、
その後、前記多層配線層上に、前記第１電源線および前記第２電源線にそれぞれ接続された有機ＥＬ素子を形成し、
その後、前記第１配線および前記第２配線を除去すること、を含み、
前記有機ＥＬ素子の形成は、前記基板と前記多層配線層と前記第１配線と前記第２配線とを少なくとも含むパネル中間品上に金属マスクが配された状態で前記パネル中間品がプラズマに晒される処理を含み、
前記第１配線および前記第２配線は、それぞれ、前記金属マスクが前記パネル中間品上に配されたときに前記金属マスクに接触する導体パッド領域を有する、
有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
【請求項８】
さらに、前記基板上の前記多層配線層が形成された領域とは異なる領域に絶縁層を形成し、
前記第１配線および前記第２配線の前記導体パッド領域は、前記絶縁層上に形成される、
請求項７に記載の有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
【請求項９】
前記絶縁層は、前記多層配線層に含まれる絶縁体と同じ材料を含み、
前記絶縁層の形成は、前記多層配線層の形成と並行して実施される、
請求項８に記載の有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
【請求項１０】
前記第１電源線および第２電源線は、それぞれ、外部接続のための導体パッド領域を有し、
前記金属マスクは、前記金属マスクが前記パネル中間品上に配されたときに前記パネル中間品の上面に対向する対向面を有し、
前記対向面は、前記金属マスクが前記パネル中間品上に配されたときに前記第１配線および前記第２配線の前記導体パッド領域に接触する第１面部分と、前記第１面部分から窪んでおり前記第１電源線および前記第２電源線のそれぞれの導体パッド領域を被覆するが前記第１電源線および前記第２電源線のそれぞれの導体パッド領域とは非接触となる第２面部分とを含む、
請求項７から９の何れかに記載の有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
【請求項１１】
前記第１配線および前記第２配線の除去は、前記基板を割断して前記基板の前記多層配線層が形成された領域と前記基板の前記第１配線および前記第２配線が形成された領域とを分離することにより実施される、
請求項７に記載の有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
【請求項１２】
前記多層配線層は、さらに、前記有機ＥＬ素子の輝度を設定するための信号線を含み、
さらに、前記基板上の前記多層配線層が形成された領域とは異なる領域に、前記信号線に接続された第３配線を形成し、前記第３配線は、前記金属マスクが前記パネル中間品上に配されたときに前記金属マスクに接触する導体パッド領域を有する、
請求項７に記載の有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子を含む有機ＥＬ表示パネルの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、有機ＥＬ素子を複数含む有機ＥＬ表示パネルが知られている。有機ＥＬ表示パネルは、例えば、基板と、基板上に配された多層配線層と、多層配線層上に配された複数の有機ＥＬ素子とを備える。
各有機ＥＬ素子は、各種材料の薄膜を積層した多層構造を有し、少なくとも、下部電極と、上部電極と、これらに挟まれた有機発光層とを備える。下部電極と有機発光層の間、または、上部電極と有機発光層の間には、必要に応じて、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層、電子注入層、電子輸送層、正孔ブロック層などが設けられる。
【０００３】
多層配線層は、外部から各有機ＥＬ素子に電力および信号を伝達するための電源線および信号線、並びに、これらを互いに電気的に絶縁する絶縁体を含む。電源線は、有機ＥＬ素子の下部電極に接続された第１電源線と、有機ＥＬ素子の上部電極に接続された第２電源線とを含む。第１電源線が正極で第２電源線が負極の場合、あるいは、その逆の場合がある。有機ＥＬ表示パネルを平面視したとき、第１電源線および第２電源線は、何れも、複数の有機ＥＬ素子が配された領域（以下、「表示領域」という）からその周囲にある領域（以下、「額縁領域」という）まで引き出され、額縁領域において外部駆動回路に接続されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
有機ＥＬ表示パネルの製造は、一般に、基板を供給し、基板上に多層配線層を形成し、多層配線層上に複数の有機ＥＬ素子を形成する、という工程を経る。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００９−１２３５３８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
有機ＥＬ素子を形成する工程では、製造途中の有機ＥＬ表示パネル（以下、「パネル中間品」という）がプラズマに晒される処理を実施することがある。例えば、パネル中間品をプラズマに晒すことでパネル中間品の表面改質または表面洗浄を実施する場合がある。また、ドライエッチング、プラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）、スパッタリングなどの処理では、原理的にパネル中間品がプラズマに晒される。通常、このような処理を実施する場合、パネル中間品のプラズマに晒す必要のない領域を保護するために、パネル中間品上に金属マスクが配される。
【０００７】
ところで、金属マスクは、プラズマに晒された場合、プラズマから入射された電荷によりシース（sheath）が形成される程度に帯電する。  このとき、金属マスクとパネル中間品の多層配線層に含まれる第１および第２電源線との間に電位差が発生することがある。この電位差は、場合によっては多層配線層に含まれる絶縁体の絶縁耐力を超え、その場合、絶縁体に絶縁破壊が生じて絶縁体が通電する。絶縁破壊が生じると、絶縁体の絶縁破壊が生じた部分の耐圧特性が劣化し、多層配線層の信頼性の低下を招く。一方、マスクを樹脂製またはセラミックス製とすることも想定される。しかしながら、樹脂マスクはプラズマ耐性に難があり、また、セラミックスマスクはマスクの加工精度に難がある。
【０００８】
本発明は、パネル中間品がプラズマに晒される処理を実施する際に金属マスクを利用したとしても、多層配線層の信頼性を確保することができる、有機ＥＬ表示パネルの製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の第１態様に係る有機ＥＬ表示パネルの製造方法は、基板を供給し、基板上に、第１電源線と第１電源線に印加される電圧とは異なる電圧が印加される第２電源線と第１電源線および第２電源線の間に配された絶縁体とを含む多層配線層を形成し、基板上の多層配線層が形成された領域とは異なる領域に、第１電源線と第２電源線とを連結する渡り線を形成し、その後、多層配線層上に、第１電源線および第２電源線にそれぞれ接続された有機ＥＬ素子を形成し、その後、渡り線を除去すること、を含む。有機ＥＬ素子の形成は、基板と多層配線層と渡り線とを少なくとも含むパネル中間品上に金属マスクが配された状態でパネル中間品がプラズマに晒される処理を含む。渡り線は、金属マスクがパネル中間品上に配されたときに金属マスクに接触する導体パッド領域を有する。
【００１０】
本発明の第２態様に係る有機ＥＬ表示パネルの製造方法は、基板を供給し、基板上に、第１電源線と第１電源線に印加される電圧とは異なる電圧が印加される第２電源線と第１電源線および第２電源線の間に配された絶縁体とを含む多層配線層を形成し、基板上の多層配線層が形成された領域とは異なる領域に、第１電源線に接続された第１配線と、第２電源線に接続された第２配線とを形成し、その後、多層配線層上に、第１電源線および第２電源線にそれぞれ接続された有機ＥＬ素子を形成し、その後、第１配線および第２配線を除去すること、を含む。有機ＥＬ素子の形成は、基板と多層配線層と第１配線と第２配線とを少なくとも含むパネル中間品上に金属マスクが配された状態でパネル中間品がプラズマに晒される処理を含む。第１配線および第２配線は、それぞれ、金属マスクがパネル中間品上に配されたときに金属マスクに接触する導体パッド領域を有する。
【発明の効果】
【００１１】
上記構成によれば、金属マスクがパネル中間品上に配されたときに、金属マスクとパネル中間品の多層配線層に含まれる第１電源線および第２電源線とが電気的に接続される。そのため、金属マスクと第１および第２電源線との間に電位差が生じず、多層配線層に含まれる絶縁体に絶縁破壊が生じない。従って、パネル中間品がプラズマに晒される処理を実施する際に金属マスクを利用したとしても、多層配線層の信頼性を確保することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】第１実施形態に係る有機ＥＬ表示パネルの平面レイアウト図
【図２】第１実施形態に係る有機ＥＬ表示パネルの等価回路図
【図３】第１実施形態に係る有機ＥＬ表示パネルの配線構造を示す平面レイアウト図
【図４】第１実施形態に係る有機ＥＬ表示パネルの構造を示すＡ−Ａ断面図
【図５】第１実施形態に係る有機ＥＬ表示パネルの構造を示すＢ−Ｂ断面図
【図６】（ａ）、（ｂ）は、第１実施形態に係る有機ＥＬ表示パネルの製造工程を説明するための断面図
【図７】（ａ）、（ｂ）は、第１実施形態に係る有機ＥＬ表示パネルの製造工程を説明するための断面図
【図８】（ａ）、（ｂ）は、第１実施形態に係る有機ＥＬ表示パネルの製造工程を説明するための断面図
【図９】（ａ）、（ｂ）は、第１実施形態に係る有機ＥＬ表示パネルの製造工程を説明するための断面図
【図１０】第１実施形態に係るパネル中間品の平面レイアウト図
【図１１】第１実施形態に係るパネル中間品の配線構造を示す平面レイアウト図
【図１２】スパッタリング装置のチャンバー内部を模式的に示す断面図
【図１３】（ａ）、（ｂ）は、第１実施形態に係る有機ＥＬ表示パネルの製造方法の効果を説明するための断面図
【図１４】第２実施形態に係るパネル中間品の構造を示す断面図
【図１５】第２実施形態に係るパネル中間品の配線構造を示す平面レイアウト図
【図１６】第３実施形態に係る有機ＥＬ表示パネルの構造を示す断面図
【図１７】第３実施形態に係る有機ＥＬ表示パネルの配線構造を示す平面レイアウト図
【図１８】第３実施形態に係る有機ＥＬ表示パネルの製造工程を説明するための断面図
【図１９】第４実施形態に係るパネル中間品の配線構造を示す平面レイアウト図
【図２０】第４実施形態に係る有機ＥＬ表示パネルの製造工程を説明するための断面図
【図２１】パネル中間品の変形例を示す平面レイアウト図
【発明を実施するための形態】
【００１３】
＜１＞  本発明の一態様
本発明の第１態様に係る有機ＥＬ表示パネルの製造方法は、基板を供給し、基板上に、第１電源線と第１電源線に印加される電圧とは異なる電圧が印加される第２電源線と第１電源線および第２電源線の間に配された絶縁体とを含む多層配線層を形成し、基板上の多層配線層が形成された領域とは異なる領域に、第１電源線と第２電源線とを連結する渡り線を形成し、その後、多層配線層上に、第１電源線および第２電源線にそれぞれ接続された有機ＥＬ素子を形成し、その後、渡り線を除去すること、を含む。有機ＥＬ素子の形成は、基板と多層配線層と渡り線とを少なくとも含むパネル中間品上に金属マスクが配された状態でパネル中間品がプラズマに晒される処理を含む。渡り線は、金属マスクがパネル中間品上に配されたときに金属マスクに接触する導体パッド領域を有する。
【００１４】
「渡り線」とは、端子間などを結ぶ配線のことである。上記構成によれば、金属マスクがパネル中間品上に配されたときに、金属マスクとパネル中間品の多層配線層に含まれる第１電源線および第２電源線とが電気的に接続される。そのため、金属マスクと第１および第２電源線との間に電位差が生じず、多層配線層に含まれる絶縁体に絶縁破壊が生じない。従って、パネル中間品がプラズマに晒される処理を実施する際に金属マスクを利用したとしても、多層配線層の信頼性を確保することができる。
【００１５】
さらに、基板上の多層配線層が形成された領域とは異なる領域に絶縁層を形成し、渡り線の導体パッド領域は、絶縁層上に形成されてもよい。これにより、渡り線の導体パッド領域の位置が絶縁層の厚みの分だけ高くなる。そのため、渡り線の導体パッド領域が金属マスクに接触しやすくなる。
また、絶縁層は、多層配線層に含まれる絶縁体と同じ材料を含んでもよい。このとき、絶縁層の形成は、多層配線層の形成と並行して実施されることとしてもよい。これにより、絶縁層を形成するための工数を低減することができる。
【００１６】
また、第１電源線および第２電源線は、それぞれ、外部接続のための導体パッド領域を有してもよい。このとき、金属マスクは、金属マスクがパネル中間品上に配されたときにパネル中間品の上面に対向する対向面を有し、対向面は、金属マスクがパネル中間品上に配されたときに渡り線の導体パッド領域に接触する第１面部分と、第１面部分から窪んでおり第１電源線および前記第２電源線のそれぞれの導体パッド領域を覆うものの第１電源線および第２電源線のそれぞれの導体パッド領域とは非接触となる第２面部分とを含むこととしてもよい。第１電源線および第２電源線の導体パッド領域が金属マスクに接触すると、導体パッド領域に接触痕が生じたりして、導体パッド領域が損傷することがある。導体パッド領域が損傷すると、外部接続の際に接触不良の原因となる。上記構成によれば、第１電源線および第２電源線の導体パッド領域は金属マスクに接触しない。これにより、第１電源線および第２電源線の導体パッド領域が損傷することを防止することができる。
【００１７】
また、渡り線の除去は、基板を割断して基板の多層配線層が形成された領域と基板の渡り線が形成された領域とを分離することにより実施されることとしてもよい。有機ＥＬ表示パネルの製造過程では、大きめの基板に有機ＥＬ表示パネルを形成し、その後、基板を割断して基板サイズを調整する場合がある。また、１枚の基板に複数の有機ＥＬ表示パネルを形成し、その後、基板を割断して有機ＥＬ表示パネルを個々に分離することがある。上記構成によれば、基板の割断と並行して渡り線を除去できるので、渡り線を除去するための工数を低減することができる。
【００１８】
また、多層配線層は、さらに、有機ＥＬ素子の輝度を設定するための信号線を含んでもよい。このとき、渡り線は、第１電源線と第２電源線と信号線を連結してもよい。これにより、金属マスクがパネル中間品上に配されたときに、金属マスクと信号線とが電気的に接続される。そのため、金属マスクと信号線との間に電位差が生じず、多層配線層に含まれる絶縁体に絶縁破壊が生じない。従って、多層配線層の信頼性をより確保することができる。
【００１９】
本発明の第２態様に係る有機ＥＬ表示パネルの製造方法は、基板を供給し、基板上に、第１電源線と第１電源線に印加される電圧とは異なる電圧が印加される第２電源線と第１電源線および第２電源線の間に配された絶縁体とを含む多層配線層を形成し、基板上の多層配線層が形成された領域とは異なる領域に、第１電源線に接続された第１配線と、第２電源線に接続された第２配線とを形成し、その後、多層配線層上に、第１電源線および第２電源線にそれぞれ接続された有機ＥＬ素子を形成し、その後、第１配線および第２配線を除去すること、を含む。有機ＥＬ素子の形成は、基板と多層配線層と第１配線と第２配線とを少なくとも含むパネル中間品上に金属マスクが配された状態でパネル中間品がプラズマに晒される処理を含む。第１配線および第２配線は、それぞれ、金属マスクがパネル中間品上に配されたときに金属マスクに接触する導体パッド領域を有する。
【００２０】
上記構成によれば、金属マスクがパネル中間品上に配されたときに、金属マスクとパネル中間品の多層配線層に含まれる第１電源線および第２電源線とが電気的に接続される。そのため、金属マスクと第１および第２電源線との間に電位差が生じず、多層配線層に含まれる絶縁体に絶縁破壊が生じない。従って、パネル中間品がプラズマに晒される処理を実施する際に金属マスクを利用したとしても、多層配線層の信頼性を確保することができる。
【００２１】
さらに、基板上の多層配線層が形成された領域とは異なる領域に絶縁層を形成してもよい。このとき、第１配線および第２配線の導体パッド領域は、絶縁層上に形成されてもよい。これにより、第１配線および第２配線の導体パッド領域の位置が絶縁層の厚みの分だけ高くなる。そのため、第１配線および第２配線の導体パッド領域が金属マスクに接触しやすくなる。
【００２２】
また、絶縁層は、多層配線層に含まれる絶縁体と同じ材料を含んでもよい。このとき、絶縁層の形成は、多層配線層の形成と並行して実施されることとしてもよい。これにより、絶縁層を形成するための工数を低減することができる。
また、第１電源線および第２電源線は、それぞれ、外部接続のための導体パッド領域を有してもよい。このとき、金属マスクは、金属マスクがパネル中間品上に配されたときにパネル中間品の上面に対向する対向面を有し、対向面は、金属マスクがパネル中間品上に配されたときに第１配線および第２配線の導体パッド領域に接触する第１面部分と、第１面部分から窪んでおり第１電源線および第２電源線のそれぞれの導体パッド領域を被覆するが第１電源線および第２電源線のそれぞれの導体パッド領域とは非接触となる第２面部分とを含むこととしてもよい。第１電源線および第２電源線の導体パッド領域が金属マスクに接触すると、導体パッド領域に接触痕が生じたりして、導体パッド領域が損傷することがある。導体パッド領域が損傷すると、外部接続の際に接触不良の原因となる。上記構成によれば、第１電源線および第２電源線の導体パッド領域は金属マスクに接触しない。これにより、第１電源線および第２電源線の導体パッド領域が損傷することを防止することができる。
【００２３】
また、第１配線および第２配線の除去は、基板を割断して基板の多層配線層が形成された領域と基板の第１配線および第２配線が形成された領域とを分離することにより実施されることとしてもよい。有機ＥＬ表示パネルの製造過程では、大きめの基板に有機ＥＬ表示パネルを形成し、その後、基板を割断して基板サイズを調整する場合がある。また、１枚の基板に複数の有機ＥＬ表示パネルを形成し、その後、基板を割断して有機ＥＬ表示パネルを個々に分離することがある。上記構成によれば、基板の割断と並行して第１配線および第２配線を除去できるので、第１配線および第２配線を除去するための工数を低減することができる。
【００２４】
また、多層配線層は、さらに、有機ＥＬ素子の輝度を設定するための信号線を含んでもよい。さらに、基板上の多層配線層が形成された領域とは異なる領域に、信号線に接続された第３配線を形成してもよい。このとき、第３配線は、金属マスクがパネル中間品上に配されたときに金属マスクに接触する導体パッド領域を有することとしてもよい。これにより、金属マスクがパネル中間品上に配されたときに、金属マスクと信号線とが電気的に接続される。そのため、金属マスクと信号線との間に電位差が生じず、多層配線層に含まれる絶縁体に絶縁破壊が生じない。従って、多層配線層の信頼性をより確保することができる。
【００２５】
以下、図面を用いて本発明の実施形態について詳細に説明する。
＜２＞  第１実施形態
図１は、第１実施形態に係る有機ＥＬ表示パネルの平面レイアウト図である。有機ＥＬ表示パネル１００は、画像を表示するための表示領域１０と、表示領域１０よりも外周側に位置し、表示領域１０を囲む額縁領域２０とを含む。表示領域１０は、複数の画素（ピクセル）を含み、各画素は、複数のサブ画素（サブピクセル）を含む。額縁領域２０は、画素が存在しない領域である。額縁領域２０は、表示領域１０から引き出された各種配線を集約するための配線集約領域２２と、配線集約領域２２からさらに引き出された各種配線を外部駆動回路に接続するための外部接続領域２４とを含む。有機ＥＬ表示パネル１００の形状は、本実施形態では平面視で長方形状であるが、これに限られない。
【００２６】
図２は、第１実施形態に係る有機ＥＬ表示パネルの等価回路図である。同図は、図１のＡ部分を示している。有機ＥＬ表示パネル１００は、水平方向（図中Ｘ方向）および垂直方向（図中Ｙ方向）に並んだ複数の画素１２を有する。本実施の形態では、ひとつの画素１２は、水平方向に並ぶ３つのサブ画素１１からなる。サブ画素１１は、有機ＥＬ素子１３１と、有機ＥＬ素子１３１に接続されたサブ画素駆動回路１２３とを含む。有機ＥＬ表示パネル１００は、さらに、垂直方向に延在する複数のデータ信号線１２４と、水平方向に延在する複数のスキャン信号線１２６とを含む。データ信号線１２４とスキャン信号線１２６は、有機ＥＬ素子１３１の輝度を設定するための信号を伝達する。データ信号線１２４およびスキャン信号線１２６は公知なので、ここでは説明を省略する。
【００２７】
有機ＥＬ表示パネル１００は、さらに、第１電源線１５０と第２電源線１６０とを含む。第１電源線１５０は、幹線１５１と、幹線１５１に接続された複数の支線１５２と、幹線１５１に接続された引出線１５３とを含む。第２電源線１６０は、幹線１６１と、幹線１６１に接続された複数の支線１６２と、幹線１６１に接続された引出線１６３とを含む。幹線１５１、１６１は、それぞれ額縁領域２０の配線集約領域２２内に配され、表示領域１０を囲む環状の形状を有する。図２は額縁領域２０が水平方向に延在する部分を示すので、幹線１５１、１６１は、水平方向に延在している。額縁領域２０が垂直方向（Ｙ方向）に延在する部分では、幹線１５１、１６１は垂直方向に延在する。支線１５２、１６２は、それぞれ有機ＥＬ表示パネル１００の表示領域１０内で垂直方向に延在する。引出線１５３、１６３は、それぞれ額縁領域２０内の配線集約領域２２と外部接続領域２４との間に配され、それぞれ垂直方向に延在する。第１電源線１５０は、外部接続領域２４内に、外部駆動回路に接続するための導体パッド領域１５５を有する。第２電源線１６０は、外部接続領域２４内に、外部駆動回路に接続するための導体パッド領域１６５を有する。同様に、データ信号線１２４は、外部駆動回路に接続するための導体パッド領域１２５を有する。外部接続領域２４内の各導体パッド領域は、ＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film）等を利用して外部駆動回路の各配線に接続される。
【００２８】
本実施形態では、第１電源線１５０は、有機ＥＬ素子１３１のアノードに接続され、第２電源線１６０は、有機ＥＬ素子１３１のカソードに接続されている。第１電源線１５０には、第１電圧（例えば、２０Ｖ）が印加され、第２電源線１６０には、第１電圧とは異なる第２電圧（例えば、０Ｖ）が印加される。
以下、有機ＥＬ表示パネル１００の構造について説明する。図３は、第１実施形態に係る有機ＥＬ表示パネルの配線構造を示す平面レイアウト図である。同図は、図１のＡ部分の額縁領域２０を示す。図４および図５は、それぞれ第１実施形態に係る有機ＥＬ表示パネルの構造を示す断面図である。図４は、図３のＡ−Ａ断面を示し、図５は、図３のＢ−Ｂ断面を示す。
【００２９】
図４に示す通り、有機ＥＬ表示パネル１００は、基板１１０と、基板１１０上に配された多層配線層１２０と、多層配線層１２０上に配された有機ＥＬ素子アレイ１３０と、有機ＥＬ素子アレイ１３０上に配された封止層１４０と、封止層１４０上に配された封止板１７０とを備える。
基板１１０は、例えば、ガラスまたは樹脂からなる。
【００３０】
多層配線層１２０は、各種配線（第１電源線１５０、第２電源線１６０、データ信号線１２４、スキャン信号線１２６）と層間絶縁層１２１、１２２とを含む。各種配線は、それぞれ、金属材料からなる。金属材料としては、例えば、タングステン、モリブデン、銅、アルミニウムなどを利用することができる。層間絶縁層１２１、１２２は、それぞれ、電気的な絶縁体からなり無機材料または有機材料からなる。無機材料としては、例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウムなどを利用することができる。有機材料としては、例えば、ポリイミド系樹脂、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂などを利用することができる。各種配線は、それぞれ単層構造でも多層構造でもよい。同様に、層間絶縁層１２１、１２２も、それぞれ単層構造でも多層構造でもよい。多層配線層１２０の構成は、表示領域１０内の部分と額縁領域２０内の部分とで異なる。多層配線層１２０の表示領域１０内の部分は、第１電源線１５０の支線１５２、サブ画素駆動回路１２３および第２電源線１６０の支線１６２（図５参照）を含む。多層配線層１２０の額縁領域２０内の部分は、第１電源線１５０の幹線１５１および引出線１５３、並びに、第２電源線１６０の幹線１６１および引出線１６３を含む。図４、図５に示す通り、本実施形態では、多層配線層１２０は、配線層が３層の階層構造を有する。図４に示す通り、第１電源線１５０の支線１５２および引出線１５３は、基板１１０上の第１階層に配され、第１電源線１５０の幹線１５１は、層間絶縁層１２１上の第２階層に配されている。コンタクトプラグ１５４が、各階層に配された配線を接続している。また、図５に示す通り、第２電源線１６０の支線１６２は、層間絶縁層１２２上の第３階層に配されている。第２電源線１６０の幹線１６１は、第２階層に配された配線１６１ａと第３階層に配された１６１ｂとを含む。第２電源線１６０の引出線１６３は、第１階層に配されている。コンタクトプラグ１６４が、各階層に配された配線を接続している。
【００３１】
有機ＥＬ素子アレイ１３０は、複数の有機ＥＬ素子１３１と、各有機ＥＬ素子１３１の間に配された絶縁層１３５とを含む。有機ＥＬ素子１３１は、各種材料の薄膜を積層した多層構造を有し、下部電極１３２と、下部電極１３２上に配された有機発光層１３３と、有機発光層１３３上に配された上部電極１３４とを含む。下部電極１３２は、有機ＥＬ素子１３１のアノードとして機能する。上部電極１３４は、有機ＥＬ素子１３１のカソードとして機能する。有機発光層１３３は、下部電極１３２から注入された正孔と上部電極１３４から注入された電子を再結合させることで発光する機能を有する。なお、有機ＥＬ素子１３１は、必要に応じて、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層、電子注入層、電子輸送層、正孔ブロック層の少なくともひとつを含んでいてもよい。また、下部電極１３２、有機発光層１３３および上部電極１３４は、それぞれ、単層構造でも多層構造でもよい。本実施形態では、各有機ＥＬ素子１３１の上部電極１３４は、それぞれ連結された共通の電極となっている。絶縁層１３５は、各有機ＥＬ素子１３１の有機発光層１３３を電気的に絶縁する機能を果たす。なお、本実施形態では、絶縁層１３５は、表示領域１０だけでなく額縁領域２０にも存在している。絶縁層１３５の額縁領域２０に存在する部分は、第２電源線１６０の幹線１６１の一部および支線１６２の一部を被覆しており、有機ＥＬ表示パネル１００の製造過程でこれらを保護する機能を果たす。
【００３２】
封止層１４０は、無機材料または有機材料からなる。無機材料としては、例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウムなどを利用することができる。有機材料としては、例えば、ポリイミド系樹脂、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂などを利用することができる。封止層１４０は、単層構造でも多層構造でもよい。
封止板１７０は、例えば、ガラスまたは樹脂からなる。
【００３３】
次に、有機ＥＬ表示パネル１００の製造方法を説明する。有機ＥＬ素子１３１を形成する工程では、パネル中間品が金属マスクにより部分的に被覆された状態でプラズマに晒される処理が実施されることがある。以下の説明では、このような処理として、スパッタリングを利用して上部電極１３４を形成する処理を例示する。例えば、上部電極１３４の材料がＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）、ＺｎＯ（Zinc Oxide）などの場合、スパッタリングが採用されることがある。また、図４、図５に示す通り、上部電極１３４は、表示領域１０には形成されるが、額縁領域２０には形成されない。額縁領域２０に不要な材料が堆積することを防止するため、スパッタリングの際には額縁領域２０が金属マスクで被覆される。
【００３４】
図６〜図９は、第１実施形態に係る有機ＥＬ表示パネルの製造工程を説明するための断面図である。図１０は、第１実施形態に係るパネル中間品の平面レイアウト図である。図１１は、第１実施形態に係るパネル中間品の配線構造を示す平面レイアウト図である。図１２は、パネル中間品がプラズマに晒される処理を説明するための断面図である。
まず、基板１１０よりもサイズの大きな基板１１０Ｘを供給する（図６（ａ））。基板１１０Ｘのサイズは、有機ＥＬ表示パネル１００の製造工程の最終段階で基板１１０Ｘが割断されることにより適切なサイズに整えられる。
【００３５】
次に、基板１１０Ｘ上に、多層配線層１２０と、パネル中間品上に金属マスクが配されたときに金属マスクに接触する金属マスク接触構造１８０とを形成する（図６（ｂ））。金属マスク接触構造１８０は、渡り線１８６と層間絶縁層１８１、１８２とを含む。金属マスク接触構造１８０は、多層配線層１２０と同じ工程で並行して形成され、その結果、多層配線層１２０と同様に配線層が３層の階層構造を有する。配線１８３ａおよび配線１８５は、第１階層に配され、配線１８３ｂは第２階層に配され、配線１８３ｃは第３階層に配される。コンタクトプラグ１８４が各階層に配された配線を接続する。層間絶縁層１８１の材料は、層間絶縁層１２１の材料と同じであり、層間絶縁層１８２の材料は、層間絶縁層１２２の材料と同じである。渡り線１８６の材料は、第１電源線１５０等の材料と同じである。
【００３６】
図１０に示す通り、パネル中間品１００Ｘは、表示領域１０と、表示領域１０より外周側に位置し表示領域１０を囲む額縁領域２０と、額縁領域２０よりも外周側に位置し額縁領域２０を囲む製品外領域３０とを含む。金属マスク接触構造１８０は、製品外領域３０に配され、額縁領域２０に沿う環状の形状を有する。図１１に示す通り、渡り線１８６は、水平方向（Ｘ方向）に延在する配線１８３と、垂直方向（Ｙ方向）に延在する複数の配線１８５とを含む。各配線１８５は、各種配線（第１電源線１５０、第２電源線１６０、データ信号線１２４）の導体パッド領域と配線１８３との間を接続する。配線１８３は、額縁領域２０を囲む環状の配線である。図１１は額縁領域２０が水平方向に延在する部分を示すので、配線１８３は、水平方向に延在している。額縁領域２０が垂直方向（Ｙ方向）に延在する部分では、配線１８３は垂直方向に延在する。図示しないが、スキャン信号線１２６の導体パッド領域は額縁領域２０が垂直方向に延在する部分に存在する。スキャン信号線１２６の導体パッド領域は、水平方向に延在する配線により配線１８３に接続される。すなわち、渡り線１８６は、第１電源線１５０と第２電源線１６０とデータ信号線１２４とスキャン信号線１２６を連結している。図６（ｂ）に示す通り、渡り線１８６の配線１８３ｃは、絶縁体で被覆されずに外部に露出している。そのため、配線１８３ｃは渡り線１８６の導体パッド領域としての役割を果たす。
【００３７】
なお、渡り線１８６の配線１８３ｂ、１８３ｃを形成する際に、外部接続領域２４に配された導体パッド領域に配線１８３ｂ、１８３ｃの材料が堆積するのを防止することが好ましい。例えば、事前にレジストマスクで導体パッド領域を被覆しておき、渡り線１８６の形成後にレジストマスクを剥離する、などの措置が考えられる。
金属マスク接触構造１８０の形成後、多層配線層１２０上に絶縁層１３５を形成し、さらに、下部電極１３２上に有機発光層１３３を形成する（図７（ａ））。
【００３８】
次に、パネル中間品１００Ｘ上に金属マスク１９０を配する（図７（ｂ））。金属マスク１９０は、表示領域１０を被覆せず、額縁領域２０および製品外領域３０を被覆する。このとき、金属マスク１９０は、渡り線１８６の導体パッド領域である配線１８３ｃに接触する。これにより、金属マスク１９０とパネル中間品１００Ｘの多層配線層１２０に含まれる第１電源線１５０および第２電源線１６０とが電気的に接続される。さらに、金属マスク１９０とデータ信号線１２４およびスキャン信号線１２６とが電気的に接続される。金属マスク１９０の材料としては、例えば、インバー（invar）、ステンレスなどを利用することができる。金属マスク１９０の厚みは、例えば、１００μｍ〜５００μｍである。
【００３９】
次に、スパッタリングにより、上部電極１３４の材料１３４Ｘをパネル中間品上に堆積させ（図８（ａ））、金属マスク１９０を取り去る（図８（ｂ））。これにより、上部電極１３４が形成される。
次に、有機ＥＬ素子アレイ１３０上に封止層１４０を形成し、その上に封止板１７０Ｘを貼り付ける（図９（ａ））。
【００４０】
最後に、パネル中間品１００Ｘの額縁領域２０と製品外領域３０の境界線で基板１１０Ｘを割断し、基板のサイズを整える（図９（ｂ））。図１０のＡ１−Ａ１線、Ａ２−Ａ２線、Ｂ１−Ｂ１線およびＢ２−Ｂ２線が割断ラインである。これにより、製品外領域３０に配された渡り線１８６が除去される。その結果、図３に示す通り、第１電源線１５０の導体パッド領域１５５、第２電源線１６０の導体パッド領域１６５、データ信号線１２４の導体パッド領域１２５、スキャン信号線１２６の導体パッド領域がそれぞれ別個の存在となる。
【００４１】
図１２、図１３を用いて、本実施形態の有機ＥＬ表示パネルの製造方法の効果を説明する。図１２は、スパッタリング装置のチャンバー内部を模式的に示す断面図である。パネル中間品１００Ｘは、上下反転させた状態で吸着シート５２を介して吸着治具５１に保持されている。キャリア５３は、チャンバー内のレール（不図示）に沿って水平に移動可能であり、絶縁部材５４を介して吸着治具５１に取り付けられている。これにより、吸着治具５１がチャンバー内を水平に搬送可能となる。防着板５５は、キャリア５３等に不要な材料が堆積するのを防止するため、キャリア５３に絶縁部材５６を介して取り付けられている。金属マスク１９０はパネル中間品１００Ｘ上に配されている。マグネット５７は、金属マスク１９０を磁力で吸引することで金属マスク１９０をパネル中間品１００Ｘに密着させる。
【００４２】
キャリア５３は、スパッタリング装置のチャンバーに電気的に接続されている。チャンバーは接地されているので、キャリア５３の電位は接地電位となる。一方、吸着治具５１、防着板５５は、キャリア５３およびチャンバーから電気的に絶縁されているので、これらの電位はフローティング電位となる。また、パネル中間品１００Ｘおよび金属マスク１９０も、
キャリア５３およびチャンバーから電気的に絶縁されているので、これらの電位もフローティング電位となる。この状況において、チャンバー内にプラズマが発生すると、プラズマから入射した電荷（この例では、電子）により、防着板５５、金属マスク１９０およびパネル中間品１００Ｘが帯電する。
【００４３】
仮に、図１３（ａ）に示す通り、パネル中間品９００Ｘが金属マスク接触構造を備えていない場合、金属マスク１９０は、第１電源線１５０および第２電源線１６０から電気的に絶縁される。金属マスク１９０は、プラズマから入射した電子（符号６１）、あるいは、プラズマから防着板５５を介して入射した電荷（符号６２、６３）により帯電する。これにより、金属マスク１９０と第１電源線１５０および第２電源線１６０との間に電位差が発生する。この電位差は、場合によっては層間絶縁層１２２の絶縁耐力を超え、その場合、層間絶縁層１２２に絶縁破壊が生じて層間絶縁層１２２が通電する（符号６４）。絶縁破壊が生じると、層間絶縁層１２２の絶縁破壊が生じた部分の耐圧特性が劣化し、多層配線層１２０の信頼性の低下を招く。例えば、製品の動作中に第１電源線１５０と第２電源線１６０との間にリーク電流が生じたり、ひどい場合には第１電源線１５０と第２電源線１６０とが短絡する。
【００４４】
これに対し、図１３（ｂ）に示す通り、パネル中間品１００Ｘが金属マスク接触構造１８０を備えている場合、金属マスク１９０は、第１電源線１５０および第２電源線１６０に電気的に接続される。そのため、金属マスク１９０にプラズマから電荷が入射したとしても、金属マスク１９０と第１電源線１５０および第２電源線１６０との間に電位差は発生しない。従って、層間絶縁層１２２が絶縁破壊することを防止することができ、ひいては、多層配線層１２０の信頼性を確保することができる。なお、層間絶縁層１２２の材料として、ポリイミド系樹脂を採用すれば、比較的高い絶縁耐力を確保することができる。しかし、ポリイミド系樹脂でも塗布型材料の場合は、絶縁耐力が十分確保することができない場合がある。このような場合でも、本実施形態の製造方法によれば、多層配線層１２０の信頼性を確保することができる。
【００４５】
また、渡り線１８６の導体パッド領域である配線１８３ｃは、層間絶縁層１８１、１８２を含む絶縁層上に配されている。これにより、渡り線１８６の導体パッド領域の位置が絶縁層の厚みの分だけ高くなる。そのため、渡り線１８６の導体パッド領域が金属マスク１９０に接触しやすくなる。
また、渡り線１８６の導体パッド領域である配線１８３ｃは、額縁領域２０に沿う環状の形状を有する。従って、金属マスク１９０に歪みが生じて金属マスク１９０の一部が配線１８３ｃから浮いたとしても、金属マスク１９０の残部が配線１８３ｃに接触していれば、金属マスク１９０と配線１８３ｃとの電気的な接続を確保することができる。
【００４６】
＜３＞  第２実施形態
第２実施形態と第１実施形態の異なる点は、金属マスク接触構造のみである。金属マスク接触構造以外の構成は第１実施形態と同様なので説明を省略する。
図１４は、第２実施形態に係るパネル中間品の構造を示す断面図である。図１５は、第２実施形態に係るパネル中間品の配線構造を示す平面レイアウト図である。第１実施形態では、金属マスク接触構造が、第１電源線、第２電源線、データ信号線およびスキャン信号線の各種配線を連結する渡り線を有している。つまり、金属マスク接触構造が各種配線に共通に設けられている。これに対して、第２実施形態では、図１５に示す通り、金属マスク接触構造２８０は、各種配線（第１電源線１５０、第２電源線１６０、データ信号線１２４およびスキャン信号線１２６）に個別に設けられている。
【００４７】
具体的には、図１４に示す通り、パネル中間品２００Ｘの金属マスク接触構造２８０は、層間絶縁層２８１、２８２と配線２８３とを備える。配線２８３は、各種配線（第１電源線１５０、第２電源線１６０、データ信号線１２４、スキャン信号線１２６）の導体パッド領域に接続されている。同図では、配線２８３は、第１電源線１５０の導体パッド領域１５５に接続されている。金属マスク接触構造２８０は、配線層が３層の階層構造を有する。配線２８３ａは、第１階層に配され、配線２８３ｂは第２階層に配され、配線２８３ｃは第３階層に配される。コンタクトプラグ２８４が各階層に配された配線を接続する。配線２８３ｃが配線２８３の導体パッド領域の役割を果たす。
【００４８】
配線２８３および層間絶縁層２８１、２８２は、これに限られないが、多層配線層１２０を形成と同じ工程で並行に形成される。そのため、層間絶縁層２８１、２８２の材料は、層間絶縁層１２１、１２２の材料と同じである。配線２８３ａ、２８３ｂ、２８３ｃの材料は、第１電源線１５０等の材料と同じである。
金属マスク１９０がパネル中間品２００Ｘ上に配されたとき、金属マスク１９０が各配線２８３の導体パッド領域である配線２８３ｃに接触する。この場合、金属マスク１９０が第１実施形態の渡り線の役割を果たし、第１電源線１５０、第２電源線１６０、データ信号線１２４およびスキャン信号線１２６を電気的に接続する。従って、第１実施形態と同様の理由により、多層配線層１２０の信頼性を確保することができる。
【００４９】
＜４＞  第３実施形態
第３実施形態と第１実施形態の異なる点は、各種配線（第１電源線、第２電源線、データ信号線、スキャン信号線）の導体パッド領域が金属マスク接触構造の導体パッド領域を兼ねることである。これ以外の構成は第１実施形態と同様なので説明を省略する。
図１６は、第３実施形態に係る有機ＥＬ表示パネルの構造を示す断面図である。有機ＥＬ表示パネル３００は、外部接続領域２４内に配線３５５と層間絶縁層３５６を備える。配線３５５は、第１電源線１５０の一部であり、配線３５５ａ、３５５ｂ、３５５ｃを含む。配線３５５ａは、第１階層に配され、配線３５５ｂは第２階層に配され、配線３５５ｃは第３階層に配される。コンタクトプラグ３５７が各配線を接続している。配線３５５ｃが第１電源線１５０の導体パッド領域の役割を果たす。
【００５０】
配線３５５および層間絶縁層３５６は、これに限られないが、多層配線層１２０を形成と同じ工程で並行に形成される。そのため、層間絶縁層３５６の材料は、層間絶縁層１２２の材料と同じである。配線３５５ａ、３５５ｂ、３５５ｃの材料は、第１電源線１５０等の材料と同じである。
図１７は、第３実施形態に係る有機ＥＬ表示パネルの配線構造を示す平面レイアウト図である。有機ＥＬ表示パネル３００は、さらに、第２電源線１６０の一部としての配線３６５、データ信号線１２４の一部としての配線３２５を備える。配線３６５、３２５の構造は、配線３５５と同じである。図示していないが、有機ＥＬ表示パネル３００は、スキャン信号線１２６の一部として配線３５５等と同じ構造の配線を備える。
【００５１】
図１８は、第３実施形態に係る有機ＥＬ表示パネルの製造工程を説明するための断面図である。金属マスク１９０がパネル中間品３００Ｘ上に配された場合に、金属マスク１９０が各種配線（第１電源線１５０、第２電源線１６０、データ信号線１２４、スキャン信号線１２６）の導体パッド領域に接触する。これにより、金属マスク１９０が第１実施形態の渡り線の役割を果たし、第１電源線１５０、第２電源線１６０、データ信号線１２４およびスキャン信号線１２６を電気的に接続する。従って、第１実施形態と同様の理由により、多層配線層１２０の信頼性を確保することができる。
【００５２】
＜５＞  第４実施形態
第４実施形態は、第１実施形態の各種配線の導体パッド領域を第３実施形態の導体パッド領域の構造に置き換えている。さらに、第３実施形態の導体パッド領域の構造を採用するに当たり、金属マスクの形状が改良されている。これ以外の構成は第１実施形態と同様なので説明を省略する。
【００５３】
図１９は、第４実施形態に係るパネル中間品の配線構造を示す平面レイアウト図である。第１実施形態では、各種配線（第１電源線１５０、第２電源線１６０、データ信号線１２４、スキャン信号線１２６）の導体パッド領域は、単層構造である。これに対して、第４実施形態では、各種配線は多層構造の配線３２５、３５５、３６５を備える。
図２０は、第４実施形態に係る有機ＥＬ表示パネルの製造工程を説明するための断面図である。配線３５５の層構造は、金属マスク接触構造１８０の層構造と同じである。そのため、第１電源線１５０の導体パッド領域となる配線３５５ｃの高さは、渡り線１８６の導体パッド領域である配線１８３ｃの高さと同じである。ここで、高さとは、基板１１０Ｘの上面からの距離をいう。
【００５４】
金属マスク４９０は、金属マスク４９０がパネル中間品４００Ｘ上に配されたときにパネル中間品４００Ｘの上面１１１に対向する対向面４９３を有する。対向面４９３は、第１面部分４９１と、第１面部分４９１より窪んだ第２面部分４９２とを含む。第１面部分４９１は、金属マスク４９０がパネル中間品４００Ｘ上に配されたときに渡り線１８６の導体パッド領域となる配線１８３ｃに接触する。一方、第２面部分４９２は、金属マスク４９０がパネル中間品４００Ｘ上に配されたときに第１電源線１５０の導体パッド領域である配線３５５ｃを被覆するが、この配線３５５ｃとは非接触となる。図示されていないが、金属マスク４９０の第２面部分４９２は、外部接続領域２４に沿って延在している。そのため、第２電源線１６０、データ信号線１２４およびスキャン信号線１２６の各導体パッド領域も金属マスク４９０とは非接触となる。
【００５５】
各種配線（第１電源線１５０、第２電源線１６０、データ信号線１２４、スキャン信号線１２６）の導体パッド領域が金属マスク４９０に接触すると、導体パッド領域に接触痕が生じたりして、導体パッド領域が損傷することがある。導体パッド領域が損傷すると、外部接続の際に接触不良の原因となる。上記構成によれば、各種配線の導体パッド領域は金属マスク４９０に接触しない。これにより、各種配線の導体パッド領域が損傷することを防止することができる。第２面部分４９２の第１面部分４９１からの窪みの深さは、金属マスク４９０が各種配線の導体パッド領域に接触しない程度であればよい。例えば、４０μｍ〜５０μｍとしてもよい。
【００５６】
なお、第２実施形態の各種配線の導体パッド領域を第３実施形態の外部端子構造に置き換えた場合でも、金属マスク４９０の形状を採用することにより、同様の効果を得ることができる。この場合、金属マスク４９０の第１面部分４９１は、金属マスク４９０がパネル中間品上に配されたときに配線２８３の導体パッド領域である配線２８３ｃに接触する。一方、第２面部分４９２は、金属マスク４９０がパネル中間品４００Ｘ上に配されたときに第１電源線１５０の導体パッド領域である配線３５５ｃを被覆するが、この配線３５５ｃとは非接触となる。
【００５７】
＜６＞  変形例
第１から第４実施形態では、１枚の基板に１枚の有機ＥＬ表示パネルを形成しているが、これに限られない。１枚の基板に複数枚の有機ＥＬ表示パネルを形成し、その後、基板を割断して有機ＥＬ表示パネルを個々に分離することとしてもよい。図２１に、１枚の基板に４枚の有機ＥＬ表示パネルを形成する場合を例示する。この例では、金属マスク接触構造５８０は、水平方向に延在する３本の部分５８０ａ、５８０ｂ、５８０ｃと垂直方向に延在する３本の部分５８０ｄ、５８０ｅ、５８０ｆとからなる。Ａ１−Ａ１線、Ａ２−Ａ２線、Ａ３−Ａ３線、Ａ４−Ａ４線、Ｂ１−Ｂ１線、Ｂ２−Ｂ２線、Ｂ３−Ｂ３線およびＢ４−Ｂ４線が割断ラインである。
【００５８】
第１および第４実施形態では、金属マスク接触構造が額縁領域２０に沿って全周にわたり延在しているが、これに限られない。例えば、水平方向の１辺と垂直方向の１辺だけに沿って延在していてもよい。
第１から第４実施形態では、プラズマに晒される処理として上部電極を形成する処理を例示しているが、これに限られない。例えば、有機発光層、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層、正孔ブロック層、電子輸送層、電子注入層を形成する工程でも、プラズマに晒される処理が実施されることがある。また、封止層１４０の一部を無機材料で形成する場合、封止層１４０を形成する工程でも、プラズマに晒される処理が実施されることがある。
【００５９】
第１から第４実施形態では、金属マスク接触構造の除去は、基板の割断により実施されているが、これに限られない。例えば、金属マスク接触構造を基板から機械的に引き剥がしたり、金属マスク接触構造を薬液で溶かしたりすることで、除去してもよい。
第１から第４実施形態では、金属マスク接触構造は多層配線層と同じ層構造を有するが、これに限られない。多層配線層１２０の厚みは数ミクロン程度であり、多層配線層１２０と金属マスク接触構造との距離は数ミリ程度であることが多い。また、前述の通り、金属マスクはパネル中間品の裏側に配されたマグネットにより吸引されることが多い。これらの事情を鑑みると、多層配線層１２０の高さと金属マスク接触構造の高さが多少異なっていても、金属マスクの撓みにより、金属マスクが金属マスク接触構造に接触すると考えられる。従って、例えば、金属マスク接触構造を配線１８５および配線１８３ａのみの単層構造としてもよい。
【００６０】
第１から第４実施形態では、金属マスク接触構造は、多層配線層と同じ工程で並行して形成されているが、これに限られない。例えば、金属マスク接触構造を多層配線層とは別の工程で形成してもよい。
第１から第４実施形態では、第１電源線、第２電源線、データ信号線およびスキャン信号線の全てを金属マスクに電気的に接続しているが、これに限られない。有機ＥＬ表示パネルの使用中では、特に、第１電源線に印加される電圧と第２電源線に印加される電圧との差が大きい。そのため、第１電源線と第２電源線の間の絶縁体の劣化を抑制することが重要である。従って、例えば、第１電源線と第２電源線だけを金属マスクに電気的に接続することとしてもよい。
【００６１】
第１から第４実施形態は、下部電極がアノードであり上部電極がカソードとしている。これに伴い、第１電源線に印加される第１電圧が第２電源線に印加される第２電圧よりも高い。しかしながら、これに限られず、下部電極がカソードであり上部電極がアノードであってもよい。この場合、第１電源線に印加される第１電圧が第２電源線に印加される第２電圧よりも低い。
【産業上の利用可能性】
【００６２】
本発明は、有機ＥＬ表示パネルの製造方法に利用可能である。
【符号の説明】
【００６３】
１００、３００  有機ＥＬ表示パネル
１００Ｘ、２００Ｘ、３００Ｘ、４００Ｘ  パネル中間品
１１０、１１０Ｘ  基板
１２０  多層配線層
１２１、１２２  層間絶縁層
１３０  有機ＥＬ素子アレイ
１３１  有機ＥＬ素子
１３５  絶縁層
１４０  封止層
１７０、１７０Ｘ  封止板
１２４  データ信号線
１２５  データ信号線の導体パッド領域
１２６  スキャン信号線
１５０  第１電源線
１５１  第１電源線の幹線
１５２  第１電源線の支線
１５３  第１電源線の引出線
１５４  コンタクトプラグ
１５５  第１電源線の導体パッド領域
１６０  第２電源線
１６１  第２電源線の幹線
１６２  第２電源線の支線
１６３  第２電源線の引出線
１６４  コンタクトプラグ
１６５  第２電源線の導体パッド領域
１８０、２８０、５８０  金属マスク接触構造
１８１、１８２、２８１、２８２  層間絶縁層
１８６  渡り線
１９０、４９０  金属マスク
２８３  配線
２８４  コンタクトプラグ
４９１  金属マスクの第１面部分
４９２  金属マスクの第２面部分
４９３  金属マスクの対向面
１０  表示領域
２０  額縁領域
２２  配線集約領域
２４  外部接続領域
３０  製品外領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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