(57)【要約】      （修正有）【課題】複数の発光素子を基板に配置し、別の基板へ一括に接合させる際、基板どうしの線膨張係数が異なる場合でも、発光素子を基板の所望の位置へ接合可能な発光装置の製造方法を提供する。【解決手段】製造方法は、複数の発光素子２を接合するための複数の接合領域１を有する第１の基板１０と、接合領域１に対応する位置に発光素子２が配置され、第１の基板１０と線膨張係数の異なる第２の基板２０とを準備する第１の工程、凸状曲面の第１の挟持面と、第１の挟持面と曲率が異なる凹状曲面の第２の挟持面とを有する金型を準備する第２の工程、曲率が大きい方の挟持面上に線膨張係数が大きい方の基板を配置し、曲率が小さい方の挟持面上に線膨張係数が小さい方の基板を配置する第３の工程、第１の挟持面と第２の挟持面で挟持して、第１の基板１０と発光素子２とを当接させる第４の工程、加熱により第１の基板１０と発光素子２とを接合する第５の工程を有する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の発光素子をそれぞれ接合するための複数の接合領域を有する第１の基板と、複数の前記接合領域に対応する位置にそれぞれ発光素子が配置され、前記第１の基板と線膨張係数の異なる第２の基板と、を準備する第１の工程と、
凸状の曲面である第１の挟持面と、前記第１の挟持面と曲率が異なる凹状の曲面である第２の挟持面と、を有する金型を準備する第２の工程と、
前記第１の挟持面と前記第２の挟持面のうち曲率が大きい方の挟持面上に、前記第１の基板と前記第２の基板のうち線膨張係数が大きい方の基板を配置し、曲率が小さい方の挟持面上に、線膨張係数が小さい方の基板を配置する第３の工程と、
前記第１の挟持面及び前記第２の挟持面で挟持することで、前記第１の基板と前記発光素子とを当接させる第４の工程と、
加熱によって前記第１の基板と前記発光素子とを接合する第５の工程と、を有することを特徴とする発光装置の製造方法。
【請求項２】
前記接合領域に前記発光素子を接合する接着剤が設けられ、
前記接着剤を介して前記第１の基板と前記発光素子とを接合する請求項１に記載の発光装置の製造方法。
【請求項３】
前記第１の基板及び前記第２の基板が可撓性を有する請求項１又は２に記載の発光装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
発光ダイオード（ＬＥＤ）は、低消費電力・長寿命・高信頼性など多くの特長を有し、発光素子として各種照明やバックライト用光源等の発光装置に広く利用されている。ところで、発光装置の製造方法において、作業効率を向上させるために、複数の発光素子を粘着テープ等に配置しておき、基板へ一括に転写することが開示されている（例えば、特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−２０８１２９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１に記載されているような方法をとると、荷重や加熱によって粘着テープ上の発光素子を基板へ実装する場合、材料によっては粘着テープが伸長し、複数の発光素子を基板の所望の位置へ実装できない恐れがある。
【０００５】
本発明の実施形態は、複数の発光素子を基板に配置しておき、別の基板へ一括に接合させる際に、基板どうしの線膨張係数が異なる場合でも、発光素子を基板の所望の位置へ接合可能な発光装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
実施形態に係る発光装置の製造方法は、複数の発光素子をそれぞれ接合するための複数の接合領域を有する第１の基板と、複数の前記接合領域に対応する位置にそれぞれ発光素子が配置され、前記第１の基板と線膨張係数の異なる第２の基板と、を準備する第１の工程と、凸状の曲面である第１の挟持面と、前記第１の挟持面と曲率が異なる凹状の曲面である第２の挟持面と、を有する金型を準備する第２の工程と、前記第１の挟持面と前記第２の挟持面のうち曲率が大きい方の挟持面上に、前記第１の基板と前記第２の基板のうち線膨張係数が大きい方の基板を配置し、曲率が小さい方の挟持面上に、線膨張係数が小さい方の基板を配置する第３の工程と、前記第１の挟持面及び前記第２の挟持面で挟持することで、前記第１の基板と前記発光素子とを当接させる第４の工程と、加熱によって前記第１の基板と前記発光素子とを接合する第５の工程と、を有する。
【発明の効果】
【０００７】
本発明の実施形態によれば、複数の発光素子を基板に配置しておき、別の基板へ一括に接合させる際に、基板どうしの線膨張係数が異なる場合でも、発光素子を基板の所望の位置へ接合することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】実施形態１に係る発光装置の製造方法の第１の工程を示す側面図である。
【図２】実施形態１に係る発光装置の製造方法の第２の工程を示す断面図である。
【図３Ａ】実施形態１に係る発光装置の製造方法の第２の工程を示す断面図である。
【図３Ｂ】実施形態１に係る発光装置の製造方法の第２の工程を示す断面図である。
【図３Ｃ】実施形態１に係る発光装置の製造方法の第２の工程を示す断面図である。
【図３Ｄ】実施形態１に係る発光装置の製造方法の第２の工程を示す断面図である。
【図４Ａ】実施形態１に係る発光装置の製造方法の第３の工程を示す断面図である。
【図４Ｂ】実施形態１に係る発光装置の製造方法の第３の工程を示す断面図である。
【図５Ａ】実施形態１に係る発光装置の製造方法の第４の工程を示す断面図である。
【図５Ｂ】図５Ａの部分拡大図である。
【図６】実施形態１に係る発光装置の製造方法の第５の工程を示す断面図である。
【図７Ａ】実施形態１に係る発光装置の製造方法の別の形態を示す断面図である。
【図７Ｂ】実施形態１に係る発光装置の製造方法の別の形態を示す断面図である。
【図８】実施形態２に係る発光装置の製造方法の第３の工程を示す断面図である。
【図９Ａ】実施例１の発光装置を示す断面図である。
【図９Ｂ】実施例２の発光装置を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本発明の実施形態について適宜図面を参照して説明する。ただし、以下に説明する発光装置は、実施形態の技術的思想を具現化するためのものであって、以下に限定するものではない。特に、構成部品の寸法、材質、形状、その相対的配置等は、本発明の技術的範囲を限定するものではなく、単なる説明例であり、説明を明確にするために誇張していることがある。以下に記載される実施形態及び実施例は、各構成等を適宜組み合わせて適用できる。
【００１０】
＜実施形態１＞
本発明の実施形態は、ある基板に配置された複数の発光素子を、別の基板へ一括に接合させる際に、基板どうしの線膨張係数の差によって生じる、接合領域と発光素子との接合位置のズレを、基板及び発光素子を挟持させる金型の挟持面の形状によって解消するものである。
具体的には、まず、複数の発光素子をそれぞれ接合させるための複数の接合領域が設けられた第１の基板と、それぞれの接合領域に対応する位置に発光素子を有し、第１の基板と線膨張係数が異なる第２の基板と、を準備する。本実施形態では、第２の基板の線膨張係数が第１の基板の線膨張係数よりも大きいこととする。また、凸状の曲面である第１の挟持面と、第１の挟持面と曲率が異なる凹状の曲面である第２の挟持面と、を有する金型を準備する。本実施形態では、第２の挟持面の曲率が第１の挟持面の曲率よりも大きいこととする。そして、線膨張係数が大きい第２の基板を、曲率が大きい第２の挟持面上に配置し、線膨張係数の小さい第１の基板を、曲率の小さい第１の挟持面上に配置する。そして、基板どうしを金型で挟持して加熱することで、複数の発光素子を、接着剤を介して第１の基板の各接合領域に接合させる。このような金型を用いることで、金型で挟持した際（加熱前）、線膨張係数が大きい第１の基板上の発光素子は、線膨張係数が小さい第２の基板上の各接合領域よりも基板の中心側にズレた状態で、第１の基板と当接される。そうすることで、接合時の加熱で第２の基板が第１の基板よりも大きく伸長することで、予め線膨張係数の差を考慮して基板上の接合領域や発光素子の配置を調整しなくても、接合領域と発光素子とをそれぞれズレの少ない状態で接合することができる。
なお、加熱される部材は、平面方向だけでなく厚み方向にも膨張するが、本実施形態では、主に平面方向の膨張（伸長）による接合領域と発光素子との接合位置のズレを抑制する方法について説明する。
【００１１】
以下、本発明の実施形態に係る発光装置の製造方法の各工程について詳述する。
【００１２】
（第１の工程）
図１は、実施形態１に係る発光装置の製造方法の第１の工程を示す側面図である。第１の工程では、複数の発光素子２をそれぞれ接合するための複数の接合領域１を有する第１の基板１０と、複数の接合領域１に対応する位置にそれぞれ発光素子２が配置され、第１の基板１０と線膨張係数が異なる第２の基板２０を準備する。本実施形態では、第１の基板１０よりも線膨張係数の大きい材料で構成される第２の基板２０を準備する。なお、以降、図示される第１の基板１０及び第２の基板２０は、それぞれ５つの接合領域１又は５つの発光素子２を有しているが、これに限らず、適宜所望の数の接合領域１又は発光素子２を有する基板を用いることができる。また、第１の基板１０と第２の基板２０の大きさは、平面視で異なっていてもかまわない。
【００１３】
まず、第１の基板１０を準備する。第１の基板１０は、複数の発光素子２を接合するための実装基板である。第１の基板１０は、その上面に、各発光素子２が接合される複数の接合領域１を有する。接合領域１は、少なくとも第２の基板２０に配置される発光素子２の数以上設けられる。複数の接合領域１は、第１の基板１０上に等間隔で設けられると、第１の基板１０の伸長による位置の変化が予想しやすい。
【００１４】
各接合領域１には、発光素子２を接合するための接着剤３が配置される。接着剤３は、例えば、塗布、印刷等の公知の方法で設けることができ、各接合領域１上に発光素子２を接合可能な量及び領域に設けられていればよい。接着剤３については、第４の工程で詳述する。
【００１５】
第１の基板１０として、例えば約２００℃程度で加熱する場合、線膨張係数が約１〜７０ｐｐｍ／℃程度、より好ましくは約１〜４０ｐｐｍ／℃程度のものを準備することができる。
【００１６】
第１の基板１０の大きさ、形状、厚み等は、特に限定されない。可撓性を有する第１の基板１０を準備すると、後述する第４の工程において、各部材に負荷をかけることなく、第１の基板１０と複数の発光素子２とを当接させることができる。その他、可撓性を有さない硬質な第１の基板１０を準備してもよく、後述する金型の第１の挟持面に沿うように湾曲した第１の基板１０を準備してもよい。金型の第１の挟持面に沿うように湾曲した第１の基板１０を準備すると、可撓性を有する第１の基板１０を準備する場合と同様に、第４の工程において、各部材にかかる負荷を減らすことができる。
【００１７】
続いて、第２の基板２０を準備する。第２の基板２０は複数の発光素子２を上面に保持するものであり、発光素子２は、第１の基板１０の各接合領域１に対応する位置に配置される。すなわち、第１の基板１０と第２の基板２０とを平らな状態で重ね合わせると、接合領域１と発光素子２とはそれぞれ当接する位置に設けられている。
【００１８】
また、本実施形態では、第２の基板２０は、第１の基板１０よりも線膨張係数が大きい材料で構成される。例えば、第１の基板１０よりも線膨張係数が約１〜１０ｐｐｍ／℃程度大きい第２の基板２０を準備することができる。
【００１９】
第１の基板１０と第２の基板２０の線膨張係数の差が大きいほど、後述する金型の第１の挟持面と第２の挟持面の曲率の差を大きく設定することで、第５の工程で接合領域１と発光素子２とをそれぞれズレの少ない状態で接合させることができる。なお、第１の基板１０と第２の基板２０の線膨張係数の差が小さい場合は、前述に比べて第１の挟持面と第２の挟持面の曲率の差が小さくても同様の効果が得られる。したがって、第４の工程で各部材にかかる負担を減らすことができ、さらに、接合領域１と発光素子２とを隙間なく確実に接合することができる。これについては、第４の工程で説明する。
【００２０】
第２の基板２０に配置される発光素子２の大きさや形状は、特に限定されない。発光素子２は、同一面側に正負の電極を有する構造、又は対向する面に正負の電極をそれぞれ有する構造のどちらでもよく、電極を有する面、又は電極を有する面と反対側の面のどちらが第２の基板２０の上面側に配置されていてもよい。なお、複数の発光素子２は、第２の基板２０上に等間隔で配置されていると、第２の基板２０の伸長による発光素子２の位置の変化が予想しやすい。
【００２１】
可撓性を有する第２の基板２０を準備すると、後述する第４の工程において、各部材に負荷をかけることなく、複数の発光素子２と第１の基板１０とを接着剤３を介して当接させることができる。その他、可撓性を有さない硬質な第２の基板２０を準備してもよいし、後述する金型の第２の挟持面に沿うように湾曲した第２の基板２０を準備してもよい。金型の第２の挟持面に沿うように湾曲した第２の基板２０を準備すると、可撓性を有する第２の基板２０を準備する場合と同様に、第４の工程において、各部材にかかる負荷を減らすことができる。
【００２２】
また、第２の基板２０は、その表面に複数の発光素子２を固定しておくだけの粘着性を有していると好ましい。なお、接着剤等によって第２の基板２０に複数の発光素子２が固定されていてもよい。
【００２３】
なお、本実施形態の第１の工程では、第１の基板１０よりも線膨張係数の大きい第２の基板２０を準備したが、第１の基板１０の線膨張係数の方が大きくてもよい。この場合は、後述する第３の工程で、曲率の大きい第２の挟持面上に、第１の基板を配置する。
【００２４】
（第２の工程）
図２及び図３Ａ〜３Ｄは、実施形態１に係る発光装置の製造方法の第２の工程を示す断面図である。なお、以降、図示される下金型ｎの断面視では、奥行き方向における第２の挟持面４０、第２の基板２０及び発光素子２は省略し、最も手前側の第２の挟持面４０、第２の基板２０及び発光素子２のみを示す。また、その他の金型の構成部材も、図の簡略化のために省略することがある。
第２の工程では、凸状の曲面である第１の挟持面３０と、第１の挟持面３０と曲率の異なる凹状の曲面である第２の挟持面４０と、を有する金型５０を準備する。実施形態１では、第２の挟持面４０の曲率が、第１の挟持面３０の曲率よりも大きい金型５０を準備する。なお、発光素子２と第１の基板１０とを加熱によって接合させることができれば、金型５０に限らず、ホットプレート、ラミネータ等を使用してもかまわない。また、第１の工程と第２の工程を行う順番は、特に限定されない。
【００２５】
本実施形態の第２の工程では、上金型ｍと下金型ｎとを有する金型５０を準備する。上金型ｍは、凸状の曲面である第１の挟持面３０を有する。下金型ｎは、第１の挟持面３０よりも大きい曲率の凹状の曲面である第２の挟持面４０を有する。金型５０は、上金型ｍの第１の挟持面３０と下金型ｎの第２の挟持面４０とを対向させ、その間に挟持物を配置してプレスすることで使用される。なお、本実施形態では、第１の挟持面３０の最も突出している部分と、第２の挟持面４０の最も凹んでいる部分とを、垂直方向において重なるように対向配置して使用する。
【００２６】
ここで、挟持面の曲率とは、挟持面の曲がり具合（湾曲の度合い）を示すものである。本実施形態の第１の挟持面３０の曲率は、図２に示される仮想扇形Ａの弧を第１の挟持面３０に見立てることで、１／曲率半径ｒ1で表すことができる。第２の挟持面４０の曲率は、仮想扇形Ｂの弧を第２の挟持面４０に見立てることで、１／曲率半径ｒ2で表すことができる。したがって、本実施形態では、１／曲率半径ｒ1＜１／曲率半径ｒ2となるように、それぞれの挟持面の曲率を設定することができる。なお、実施形態では、第１の挟持面及び第２の挟持面が球面状の曲面であることを想定しているが、金型で第１の基板及び第２の基板を挟持した際（加熱前）に、線膨張係数が大きい基板上の発光素子又は接合領域が、線膨張係数が小さい基板上の発光素子又は接合領域よりも基板の中心側にズレるように、第１の基板と発光素子とを当接させることができれば、第１の挟持面及び／又は第２の挟持面は非球面状の曲面であってもかまわない。
【００２７】
また、本実施形態では、下金型ｎである第２の挟持面４０の曲率が、上金型ｍの第１の挟持面３０の曲率よりも大きいので、第１の挟持面３０と第２の挟持面４０とは嵌合せず、挟持面どうしの間には隙間ができる。同様に、挟持物（本実施形態では、第１の基板１０、接着剤３、発光素子２、第２の基板２０）の厚みが均一である場合は、第１の基板１０と発光素子２との間には隙間ができる。本実施形態では、この隙間が基板の中心ほど大きくなるが、第１の基板１０上に配置される接着剤３の厚みや量を調整することで、第１の基板１０と発光素子２とを隙間なく当接させることができる。これについては、第４の工程で説明する。
【００２８】
以下、第１の挟持面及び第２の挟持面が球面状の曲面である場合の、第１の挟持面３０の曲率及び第２の挟持面４０の曲率の設定手順の一例を示す。なお、本実施形態と各基板の線膨張係数及び／又は各挟持面の曲率の大小関係が異なる場合は、適宜設定手順を変更することが可能である。
【００２９】
まず、曲率が小さい第１の挟持面３０の曲率１／ｒ1を設定することができる。第１の挟持面３０の曲率は、後述する第４の工程で第１の基板１０及び発光素子２が破損しない程度に設定することができる。したがって、第１の基板１０及び第２の基板２０の可撓性が大きいほど、第１の挟持面３０の曲率を大きく設定することができる。例えば、可撓性を有する第１の基板１０及び第２の基板２０を準備する場合、第１の挟持面３０の曲率は、約０．１〜２．０程度、より好ましくは約０．１〜１．２程度に設定することができる。また、第１の挟持面３０の曲率は、第１の基板１０が有する配線等の接合領域１や接着剤３等が剥離しない程度の大きさであると好ましい。
【００３０】
続いて、曲率が大きい第２の挟持面４０の曲率１／ｒ2を設定することができる。そのために、まず、他方の挟持面上に配置される第１の基板１０が、平らな状態で加熱後にどの程度の大きさに伸長するのかを、加熱条件と基板の線膨張係数とから算出する。そして、図３Ａに示されるように、側面視で、加熱後の第１の基板１０’上の一番端どうしの接合領域１’の端部から端部までの長さａを求める。続いて、図３Ｂのように、側面視において、伸長した第１の基板１０’を、曲率１／ｒ1の第１の挟持面３０上に配置した場合の、一番端どうしの接合領域１’の端部から端部までの水平方向の幅ｂを算出しておく。
【００３１】
同様にして、第２の挟持面上に配置される第２の基板２０が、平らな状態で加熱後にどの程度の大きさに伸長するのかを、加熱条件と基板の線膨張係数とから算出する。そして、図３Ｃに示されるように、側面視で一番端どうしの発光素子２’の端部から端部までの長さｃを求める。そして、図３Ｄのように、側面視において、長さｃが幅ｂに収まるような第２の挟持面４０の曲率１／ｒ2を設定する。すなわち、弦の長さが幅ｂであり、弧の長さが長さｃである仮想扇形Ｂの曲率半径ｒ2を求めることで、第２の挟持面４０の曲率１／ｒ2を設定することができる。
【００３２】
本実施形態では、以上のように挟持面の曲率を設定することで、後述する第４の工程において、線膨張係数が大きい第２の基板２０上の発光素子２を、線膨張係数が小さい第１の基板１０上の各接合領域１よりも基板の中心側にズラした状態で、第１の基板１０と当接させることができる。これにより、平坦な挟持面どうしで基板を挟持し、接合領域と発光素子とが重なり合うように当接される場合と比べて、接合時の加熱で線膨張係数が大きい第２の基板の方が大きく伸長した場合に、接合領域１と発光素子２とをそれぞれ位置ズレの少ない状態で接合することができる。
【００３３】
なお、図７Ａに示されるように、第１の挟持面３０の曲率と第２の挟持面４０の曲率とは同じでもかまわない。この場合、凹状の曲面である第２の挟持面上に、熱膨張が大きい方の基板を配置することで、加熱による接合領域と発光素子との接合位置ズレを抑制することができる。これについては、第４の工程で説明する。また、本実施形態では、図７Ｂに示されるように、第１の挟持面は平坦面であってもよい。
【００３４】
以上、第１の挟持面３０と第２の挟持面４０の金型５０の第１の挟持面３０及び第２の挟持面４０以外の面については、特に限定されない。
【００３５】
（第３の工程）
図４Ａ及び図４Ｂは、実施形態１に係る発光装置の製造方法の第３の工程を示す側面図である。本実施形態の第３の工程では、金型５０の曲率が大きい第２の挟持面４０上に、線膨張係数が大きい第２の基板２０を配置し、曲率が小さい第１の挟持面３０上に、線膨張係数が小さい第１の基板１０を配置する。より詳細には、第１の挟持面３０上に、第１の基板１０の複数の接合領域１を有する面と反対側の面を配置する。また、第２の挟持面４０上に、第２の基板２０の複数の発光素子２を有する面と反対側の面を配置する。
【００３６】
本実施形態では、図４Ａに示されるように、第１の基板１０及び／又は第２の基板２０をそれぞれの挟持面に沿うように配置してもよいし、図４Ｂに示されるように、一部が接するように配置してもよい。また、本実施形態では、第１の挟持面３０の最も突出した部分に、第１の基板１０の複数の接合領域１の配列の中心がくるように配置し、第２の挟持面４０の最も凹んだ部分に、第２の基板２０の複数の発光素子２の配列の中心がくるように配置することができる。
【００３７】
また、第１の基板１０及び／又は第２の基板２０は、それぞれの挟持面上で位置がずれないように固定してもよい。また、第１の基板１０及び／又は第２の基板２０が可撓性を有する場合、基板の外縁方向に引張り力を加えた状態で、それぞれの挟持面上に配置してもかまわない。
【００３８】
なお、第１の基板の線膨張係数の方が大きい場合は、第１の基板を曲率が大きい第２の挟持面上に配置し、第２の基板を曲率が小さい第１の挟持面上に配置する。
【００３９】
（第４の工程）
図５Ａは、実施形態１に係る発光装置の製造方法の第４の工程を示す断面図である。図５Ａの一点鎖線Ｘは垂直線であり、幅ｄは加熱前の第１の基板１０の一番端どうしの接合領域１の端部から端部までの水平方向における長さを示す。図５Ｂは、図５Ａの部分拡大図である。
本実施形態の第４の工程では、第１の基板１０が配置された第１の挟持面３０と、第２の基板２０が配置された第２の挟持面４０とを対向させ、互いを近づける方向に移動させて挟持させることで、第１の基板１０と複数の発光素子２とを接着剤３を介して当接させる。すなわち、第１の基板１０と第２の基板２０とを、加圧によって挟持面に沿って湾曲させる。
【００４０】
なお、前述のように、実施形態では第１の挟持面３０と第２の挟持面４０の曲率が異なるので、第１の基板１０及び第２の基板２０を金型５０で挟持すると、第１の基板１０と発光素子２との間には隙間ができる。より詳細には、本実施形態では第２の挟持面４０の曲率が大きいため、第１の基板１０と発光素子２との間には、基板の中心ほど大きな隙間ができる。しかし、実施形態では、各接合領域１上に設けられた接着剤３を介して第１の基板１０と発光素子２とが接していれば、当接しているものとする。また、各発光素子２の全面が第１の基板１０と当接していなくてもよく、各発光素子２の一部が、それぞれ接着剤３を介して第１の基板１０と当接していればかまわない。
【００４１】
第１の基板１０及び／又は第２の基板２０が可撓性を有していると、第１の基板１０と発光素子２とを接着剤３を介して当接させる際に各部材にかかる負荷を抑えることができる。また、金型の挟持面に沿うように湾曲した第１の基板及び／又は第２の基板であれば、可撓性を有する第１の基板及び／又は第２の基板と同様に、各部材にかかる負荷を抑えることができる。なお、可撓性を有さない比較的硬質な第１の基板及び／又は第２の基板を用いる場合は、第４の工程でかかる圧力によって、それぞれの挟持面に沿うように変形させてもよい。これにより、金型の挟持面の形状に合わせて各基板の形状を変更しなくてもよいので、効率的である。
【００４２】
ここで、発光素子２は、第１の工程で互いに対応する位置に設けられた接合領域１とそれぞれ位置がズレた状態で、接着剤３を介して第１の基板１０と当接される。詳述すると、本実施形態では、図５Ｂに示されるように、発光素子２は垂直方向において各接合領域１よりも基板の中心側にズレた状態となる。このズレの量は、基板の外縁側に配置される接合領域１及び発光素子２ほど大きくなる。
【００４３】
この接合領域１と発光素子２とのズレは、第１の挟持面３０と第２の挟持面４０の曲率が異なることで発生する。本実施形態では、第２の挟持面４０の曲率が第１の挟持面３０の曲率よりも大きく、第２の挟持面４０上に配置される第２の基板２０が、第１の基板１０よりも大きく湾曲する（弛む）ので、幅ｄ内において発光素子２の当接面（上面）が接合領域１よりも基板の中心側にズレる。
なお、前述のように、第１の挟持面３０と第２の挟持面４０の曲率の差が大きいほど、第１の基板１０と第２の基板２０の湾曲（弛み）の度合いに差が出るので、第４の工程で第１の基板１０と発光素子２とを当接させたときに、接合領域１と発光素子２とのズレる量が大きくなる。
【００４４】
また、本実施形態の第４の工程では、図７Ａに示されるように、第１の挟持面３０と第２の挟持面４０の曲率が等しい場合も同様に、発光素子２が各接合領域１よりも基板の中心側にズレた状態で第１の基板１０と当接される。これは、曲率が同じ各挟持面上にそれぞれの基板を配置することで、第１の基板１０の発光素子２との当接面の曲率と、発光素子２の第１の基板１０との当接面の曲率とが異なることによる。より詳細には、図７Ａに示されるように、上金型ｍの第１の挟持面３０上（下側）に第１の基板１０が配置されることで、第１の基板１０の発光素子２との当接面の曲率半径が、第１の基板１０（及び接着剤３）の厚み分だけ大きくなり、それに反比例して曲率は小さくなる。同様に、下金型ｎの第２の挟持面４０上（上側）に第２の基板２０が配置されることで、発光素子２の第１の基板１０との当接面の曲率半径が、第２の基板２０及び発光素子２の厚み分だけ小さくなり、それに反比例して曲率は大きくなる。したがって、第２の挟持面４０の曲率が大きい場合と同様に、発光素子２は各接合領域１よりも基板の中心側にズレた状態で第１の基板１０と当接される。
【００４５】
以上のように、本実施形態の第４の工程では、第１の工程でそれぞれ対応する位置に設けられた複数の接合領域１と発光素子２とを、線膨張係数が大きい第２の基板２０上の発光素子２が、線膨張係数が小さい第１の基板１０上の接合領域１よりも基板の中心側（基板の伸長方向と逆側）にくるようにズラして当接させておく。これにより、後の第５の工程の加熱で、第２の基板２０が第１の基板１０よりも大きく伸長することで、複数の発光素子２を各接合領域１とズレの少ない状態で接合することができる。
【００４６】
ここで、第１の基板１０の各接合領域１に設けられる接着剤３について説明する。接着剤３は、接合領域１と発光素子２とをそれぞれ接合するためのものであり、各接合領域１上に発光素子２を接合可能な量及び領域に設けられる。接着剤３の上に、さらに仮止剤やフラックス等を設けてもかまわない。
接着剤３は、第４の工程で第１の基板１０及び第２の基板２０を金型５０で挟持させたときに、第１の基板１０と発光素子２との間にできる隙間を埋めることができる程度の量と厚みで設けられることが好ましい。本実施形態では、挟持面の中心に近い部分に配置される第１の基板１０と発光素子２の間ほど隙間が大きくなるので、第１の基板１０の中心に近い接合領域１上の接着剤３ほど厚みが厚くなるように設けることができる。特に描画法によって接着剤３を設けると、厚みの調整を容易に行うことができる。隙間は、第１の挟持面と第２の挟持面の曲率の差が大きいほど大きくなるので、接着剤３は第１の挟持面と第２の挟持面の曲率の差が大きいほど厚く設けることができる。
【００４７】
なお、第１の基板の線膨張係数が第２の基板の線膨張係数よりも大きい場合であって、第３の工程において、第１の基板を第２の挟持面上に配置した場合は、第１の基板及び第２の基板を金型で挟持すると、発光素子は各接合領域よりも基板の外側方向にズレた状態で第１の基板と当接させることができる。
【００４８】
（第５の工程）
図６は、実施形態１に係る発光装置の製造方法の第５の工程を示す断面図である。第５の工程では、第４の工程で接着剤３を介して当接された第１の基板１０と発光素子２とを、加熱によって接合する。ここで、それぞれの発光素子２は、その発光素子２の接合領域１に隣接する接合領域１へはみ出さないように、第１の基板１０と接合されていればよい。なお、第４の工程と第５の工程は、同時に行ってもかまわない。
【００４９】
具体的には、加熱によって第１の基板１０の各接合領域１上の接着剤３’を溶融し、第１の基板１０の接合領域１と発光素子２とをそれぞれ接合する。例えば、熱及び圧力をかけることで、第１の基板１０と発光素子２とを仮接合させておき、第２の基板２０を発光素子２から除去する。そして、再び加熱することで、第１の基板１０の接合領域１と発光素子２とを接着剤３によってそれぞれ本接合させることができる。なお、第２の基板２０は、除去せずに発光装置の一部として使用してもかまわない。
【００５０】
前述のように加熱することで、線膨張係数の異なる第１の基板１０と第２の基板２０とは、異なる割合で伸長する。特に、本実施形態では、線膨張係数の大きい第２の基板２０は第１の基板１０よりも大きく伸長する。これにより、第４の工程で各接合領域１よりも基板の中心側にくるように当接された発光素子２が、各接合領域１に対応する位置付近まで移動する。そうすることで、平坦な挟持面どうしで基板を挟持し、接合領域と発光素子とが重なり合うように当接される場合と比べて、接合領域１と発光素子２とをそれぞれズレの少ない状態で接合することができる。各基板の伸長の大きさは、加熱条件等によっても異なるので、適宜加熱温度や時間を調整することが好ましい。
【００５１】
なお、第１の基板の線膨張係数の方が大きい場合、すなわち、第１の基板を第２の挟持面上に配置し、第２の基板を第１の挟持面上に配置して金型で挟持する場合は、第４の工程で各発光素子よりも基板の中心側にズレて当接されていた接合領域が、加熱で第１の基板が第２の基板よりも大きく伸長することで各発光素子に対応する位置まで移動し、接合領域と発光素子とをそれぞれズレの少ない状態で接合することができる。
【００５２】
（その他の工程）
第６の工程後、適宜その他の工程を行ってもよい。例えば、複数の発光素子２が接合された第１の基板１０を金型５０から取り出し、発光素子２を被覆するように、発光素子２の光を透過する透光部材６を形成することができる。また、発光素子２どうしの間に、発光素子２の光を反射する光反射部材７を形成することができる。なお、透光部材６及び光反射部材７の両方を形成してもかまわない。透光部材６及び光反射部材７は、塗布、印刷、スプレー等、適宜公知の方法で形成することができる。この他、複数の発光素子２が接合された第１の基板１０を切断し、各発光装置毎に個片化する工程を有していてもよい。個片化は、ダイシング等で行うことができる。
【００５３】
＜実施形態２＞
以下、図８に示される本発明の実施形態２に係る発光装置の製造方法について説明する。実施形態２では、金型５０ａの凹状の曲面である第１の挟持面と凸状の曲面である第２の挟持面の曲率の大小関係が、実施形態１と異なる。具体的には、本実施形態では、第２の工程で第１の挟持面３０ａの曲率が第２の挟持面４０aの曲率よりも大きい金型５０ａを準備する。したがって、図８に示されるように、本実施形態の第３の工程では、線膨張係数が大きい第２の基板２０ａを第１の挟持面３０ａ上に配置し、線膨張係数が小さい第１の基板１０ａを第２の挟持面４０ａ上に配置する。そうすることで、本実施形態の第４の工程では、第１の基板１０ａ及び第２の基板２０ａを金型５０ａで挟持することで、発光素子２ａが、各接合領域よりも基板の中心側にズレた状態で第１の基板１０ａと当接される。そして、第５の工程の接合時の加熱によって、線膨張係数の大きい第２の基板２０ａが第１の基板１０ａよりも大きく伸長することで、接合領域１ａと発光素子２ａとをそれぞれズレの少ない状態で接合することができる。
【００５４】
本実施形態では、第１の挟持面３０ａと第２の挟持面４０ａの曲率が異なることで発生する、第１の基板１０ａと発光素子２ａとの間の隙間は、基板の外側ほど（中心から離れるほど）大きくなる。したがって、基板の外側の接合領域１ａ上の接着剤３ａほど厚みを厚く形成することで、第１の基板１０ａと発光素子２ａとを確実に当接及び接合させることができる。
【００５５】
なお、本実施形態において、第１の基板の線膨張係数が第２の基板の線膨張係数よりも大きい場合は、第１の基板を曲率の大きい第１の挟持面上に配置し、第２の基板を曲率の小さい第２の挟持面上に配置する。また、本実施形態の第２の挟持面は平坦面であってもよい。
前記以外は、実施形態１と略同様の方法を用いることができる。
【００５６】
以上、実施形態では、第１の基板及び／又は第２の基板が熱により伸長（膨張）する場合について説明したが、第１の基板及び／又は第２の基板が収縮する場合は、加熱により平面視で他方の基板よりも小さくなる方の基板を、曲率が小さい方の基板上に配置することで、接合領域と発光素子との位置ズレが少ない状態で、第１の基板と発光素子とを接合することができる。
【００５７】
以下、実施形態の発光装置に係る各構成部材について説明する。
【００５８】
（発光素子）
発光素子としては、ＬＥＤやＬＤなどの半導体発光素子を用いることができる。発光素子は、種々の半導体で構成される素子構造と正負の電極とを有していればよく、形状や大きさ等は特に限定されない。また、発光色は用途に応じて任意の波長のものを選択することができる。特に、紫外〜可視域の発光が可能な窒化物半導体（ＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ、０≦ｘ、０≦ｙ、ｘ＋ｙ≦１）の発光素子が好ましい。その他、緑色〜赤色発光のガリウム砒素系、ガリウム燐系半導体の発光素子でもよい。なお、前述のように、正負の電極は、発光素子の同一面側に設けられていてもよいし、対向する面上にそれぞれ設けられていてもかまわない。
【００５９】
また、発光素子は半導体層の成長用基板等を有していてもよい。成長用基板は、透光性であることが好ましいが、これに限定されない。材料としては、サファイア、スピネル、窒化ガリウム、窒化アルミニウム、シリコン、炭化珪素、ガリウム砒素、ガリウム燐、インジウム燐、硫化亜鉛、酸化亜鉛、セレン化亜鉛などが挙げられる。
【００６０】
（第１の基板）
第１の基板は、複数の発光素子を接合する実装基板であり、各発光素子が接合される複数の接合領域を有する。各接合領域には、接着剤が設けられる。
【００６１】
第１の基板としては、当該分野で公知の実装基板を用いることができる。例えば、正負の配線と、ガラスエポキシ、樹脂、セラミックス等の絶縁性材料又は絶縁性材料及び金属部材の複合材料である基材と、によって構成される第１の基板を用いることができる。基材としては、特に耐熱性及び耐候性の高いセラミックスを利用したものが好ましい。セラミックス材料としては、例えば、熱により伸縮しにくいアルミナ、窒化アルミニウム、ムライトなどが好適に挙げられる。また、これらのセラミックス材料に、例えば、ＢＴレジン、ガラスエポキシ、エポキシ系樹脂等の絶縁性材料を組み合わせてもよい。なお、第１の基板が樹脂等を基材とするフィルムやシート等であると、可撓性を有するため好ましい。配線としては、例えば、銅、アルミニウム、金、銀、タングステン、鉄、ニッケル等の金属又は鉄−ニッケル合金、燐青銅等の合金等が挙げられる。配線の表面にはメッキ等で被膜が施されていてもよい。
【００６２】
接合領域は、第２の基板の配線上であっても、基材上であってもどちらでもかまわない。発光素子が基材上に接合される場合は、発光素子の電極と第１の基板の配線とをワイヤ等で電気的に接続することができる。なお、第１の基板は配線のみ、又は基材のみで構成されていてもよい。
【００６３】
（接着剤）
接着剤は、発光素子を第１の基板の接合領域に接合するためのものであり、第１の基板の各接合領域１上に設けられる。接着剤としては、導電性や絶縁性のものを適宜選択することができ、種類や材料は特に限定されない。絶縁性の接着剤としては、例えば、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、アクリル樹脂等の樹脂やガラス等を挙げることができる。導電性の接着剤としては、例えば、Ａｕ、Ａｇ、Ｂｉ、Ｃｕ、Ｉｎ、Ｐｂ、Ｓｎ、Ｚｎから選択された少なくとも一種を含む金属ペーストや共晶材、カーボンペースト、ろう材等が挙げられる。その他、異方性導電部材等を用いてもかまわない。
なお、発光素子を第２の基板上に固定するための接着剤としては、前述の接着剤の他、溶剤を好適に用いることができる。具体的には、３００℃程度以下で揮発又は昇華するものが好ましく、２５０℃程度以下で揮発又は昇華するものがより好ましい。これにより、加熱によって除去することができるので、洗浄除去工程を行うことなく、第２の基板を容易に除去することができる。
【００６４】
（第２の基板）
第２の基板は、複数の発光素子が配置される基板である。材料としては、樹脂、金属等が挙げられる。樹脂としては、ポリイミド樹脂、フッ素樹脂、シリコーン樹脂、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリエーテルケトンエーテルケトンケトン（ＰＥＫＥＫＫ）等が挙げられ、特に耐熱性、耐候性の観点からポリイミド樹脂が好ましい。金属としては、ステンレス、アルミニウム、亜鉛、スズ、チタン、銅、銀、金、タングステン、鉄、ニッケル、プラチナ、またはそれらの合金等が挙げられる。特に、可撓性を有し、発光素子を固定できる粘着力を有することから、第２の基板はシート状やフィルム状の樹脂であると好ましい。なお、粘着性を有さない金属等の基板に、例えばシート状のアクリル樹脂等を接着剤として貼り付け、その上に発光素子を固定させてもよい。
【００６５】
（透光部材）
透光部材は、発光素子の光を透過可能な樹脂やガラス等の材料で構成される。また、透光部材は、発光素子の光を波長変換可能な波長変換部材を含有していると好ましい。樹脂としては、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、これらの変性樹脂又はこれらの樹脂を１種以上含むハイブリッド樹脂等などが挙げられる。具体的には、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂（シリコーン変性エポキシ樹脂等）、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂（エポキシ変性シリコーン樹脂等）、ハイブリッドシリコーン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂、変性ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリブチレンテレフタレート樹脂、ポリシクロヘキサンテレフタレート樹脂、ポリフタルアミド（ＰＰＡ）、ポリカーボネート樹脂、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）、液晶ポリマー（ＬＣＰ）、ＡＢＳ樹脂、フェノール樹脂、アクリル樹脂、ＰＢＴ樹脂、ユリア樹脂、ＢＴレジン、ポリウレタン樹脂等が挙げられる。特に、耐熱性の観点から、変性エポキシ樹脂・変性シリコーン樹脂・液晶ポリマーが好ましい。
【００６６】
波長変換部材としては、例えば当該分野で公知の蛍光体を用いることができる。具体的には、セリウムで賦活されたイットリウム・アルミニウム・ガーネット（ＹＡＧ）系蛍光体、セリウムで賦活されたルテチウム・アルミニウム・ガーネット（ＬＡＧ）、ユウロピウム及び／又はクロムで賦活された窒素含有アルミノ珪酸カルシウム（ＣａＯ−Ａｌ２Ｏ３−ＳｉＯ２）系蛍光体、ユウロピウムで賦活されたシリケート（（Ｓｒ，Ｂａ）２ＳｉＯ４）系蛍光体、βサイアロン蛍光体、ＣＡＳＮ系又はＳＣＡＳＮ系蛍光体等の窒化物系蛍光体、ＫＳＦ系蛍光体（Ｋ２ＳｉＦ６：Ｍｎ）、硫化物系蛍光体などが挙げられる。波長変換部材は、例えば、いわゆるナノクリスタル、量子ドットと称される発光物質でもよい。これらの材料としては、半導体材料を用いることができ、半導体材料としては、例えばＩＩ−ＶＩ族、ＩＩＩ−Ｖ族、ＩＶ−ＶＩ族半導体、具体的には、ＣｄＳｅ、コアシェル型のＣｄＳｘＳｅ１−ｘ／ＺｎＳ、ＧａＰ等のナノサイズの高分散粒子が挙げられる。
【００６７】
（光反射部材）
光反射部材としては、例えば、樹脂又はセラミックス等の母材に、光反射性物質が含有されたものを用いることができる。樹脂としては、前述の透光部材と同様のものを挙げることができる。光反射性物質としては、二酸化チタン、二酸化ケイ素、二酸化ジルコニウム、チタン酸カリウム、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、窒化ホウ素、ムライト、酸化ニオブ、酸化亜鉛、硫酸バリウム、各種希土類酸化物（例えば、酸化イットリウム、酸化ガドリニウム）等が挙げられる。光反射性物質は、光反射部材の全重量において、約２０〜８０重量％程度、より好ましくは約３０〜５０重量％程度であると好ましい。これにより、光反射部材の光反射率を高めつつ、強度を確保することができる。
透光部材及び光反射部材は、さらに、フィラー、反射材、拡散材、着色材等を含んでいてもよい。
【００６８】
以下、実施例に係る発光装置の製造方法及び発光装置の構成について説明する。
【００６９】
＜実施例１＞
図９Ａは、実施例１に係る発光装置１００Ａを示すものである。実施例１の製造方法では、同一面側に正負の電極を有する複数の発光素子２を、第１の基板１０に一括でフリップチップ実装する。なお、これに限らず、電極を有する面と反対側の面が第１の基板１０と接合されるように発光素子２を実装してもよいし、対向する面に正負の電極をそれぞれ有する発光素子を用いてもかまわない。
【００７０】
まず、実施例１では、第１の工程において、複数の接合領域１が設けられた第１の基板１０と、各接合領域１に対応する位置に発光素子２を有し、第１の基板１０よりも線膨張係数の大きい第２の基板２０と、を準備する。実施例１では、ガラスエポキシ樹脂を含む基材と、銅からなる正負の配線とを有する、平面視で約９０ｍｍ×６０ｍｍ、厚み約０．３ｍｍ、線膨張係数約３０ｐｐｍ／℃のプリント配線基板を第１の基板１０として用いる。配線には、Ｎｉ、Ｐｄ、Ａｕ等で被膜が形成されていてもよい。
【００７１】
各接合領域１は、第２の基板２０に配置される発光素子２と平面視で略同じ大きさで、例えば約１．１ｍｍ×０．２ｍｍとすることができる。また、接合領域１は、発光素子２と同じ個数である３９７８個（縦１１７個×横３４個）設けることができ、発光素子２どうしと同様の間隔で、縦約０．３７ｍｍ、横約２．３ｍｍピッチでマトリクス状に配置することができる。各接合領域１には正負の配線が含まれており、それぞれの配線上には、例えば、接着剤３として直径約７０〜２００μｍ、厚み約６０〜１５０μｍのドット状のＡｕ−Ｓｎを１つ以上配置することができる。
【００７２】
実施例１の第２の基板２０は、例えば、平面視で縦約９０ｃｍ×横約６０ｃｍ、厚み約０．３５ｃｍ、線膨張係数約３５ｐｐｍ／℃（例えば、約２００℃で加熱した場合、約０．２５％程度膨張する）のポリイミド樹脂のシートを用いることができる。また、第２の基板２０上には、前述の第１の基板１０の各接合領域１に対応するように、例えば平面視で約１．１ｍｍ×０．２ｍｍ、高さ約０．１５ｍｍの発光素子２を、縦約０．３７ｍｍ、横約２．３ｍｍピッチで３９７８個、マトリクス状に配置することができる。実施例１では、第２の基板２０の粘着性を利用し、電極を有する面と反対側の面が第２の基板２０と接するように発光素子２を配置する。
ここで、第１の基板１０、接着剤３、発光素子２、第２の基板２０の厚みの総和は、約０．９〜１．２ｃｍ程度である。
【００７３】
なお、複数の接合領域１及び発光素子２は、複数の群に分けて配置されていてもよい。例えば、前述のように縦１１７個×横３４個に配置された接合領域１及び発光素子２を、縦方向に３つの群に分けて配置してもかまわない。
【００７４】
第２の工程において、金型５０を準備する。実施例１では、第１の挟持面３０は金型５０の上金型ｍの凸状の曲面であり、第２の挟持面４０は金型５０の下金型ｎの凹状の曲面である。例えば、第１の挟持面３０は平面視で約１５０ｍｍ×１５０ｍｍ、曲率は約１．０５程度に設定することができる。このような曲率に設定することで、後の工程において第１の基板１０や発光素子２が破損しにくく好ましい。
【００７５】
また、実施例１の第２の挟持面４０は、平面視で約１５０ｍｍ×１５０ｍｍ、曲率は約１．９程度に設定することができる。実施例１では、第２の挟持面４０の曲率を、例えば以下のように設定することができる。まず、第１の基板１０の線膨張係数が３０ｐｐｍ／℃であることから、約２００℃で約１〜３分加熱した場合、第１の基板１０’は平面視において平らな状態で約９０．４９ｍｍ×６０．３２ｍｍとなり、側面視で一番端どうしの接合領域１’の端部から端部までの長さａは約８９．２８ｍｍとなる。これらの値から、加熱後の第１の基板１０’を第１の挟持面３０に配置した場合の、一番端どうしの接合領域１’の端部から端部までの水平方向の幅ｂ、すなわち一番端どうしの接合領域１’の弦の長さを求める。
【００７６】
まず、第１の挟持面３０の曲率（１．０５）から仮想扇形の半径０．９５２ｍを求め、円周０．９５２ｍ×２×π＝５．９８４ｍを求める。長さａが約８９．２８ｍｍであるから、０．０８９２８（ｍ）／円周５．９８４（ｍ）×３６０で、仮想扇形の中心角は５．３７°である。したがって、弧の半分の長さはｓｉｎ２．６８°×０．９５２＝０．０４４６ｍであり、弧の長さ、すなわち一番端どうしの接合領域１’の端部から端部までの水平方向の幅ｂは、約８９．２５ｍｍとなる。
【００７７】
続いて、第２の基板２０の線膨張係数が３５ｐｐｍ／℃であることから、約２００℃で約１〜３分加熱した場合、第２の基板２０’は平面視において平らな状態で約９０．５７ｍｍ×６０．３８ｍｍとなり、側面視で一番端どうしの発光素子２’の端部から端部までの長さｃは約８９．３６ｍｍとなる。水平方向において、幅ｂ（８９．２５ｍｍ）内に収まるように、第２の基板２０’の長さｃ（８９．３６ｍｍ）区間を湾曲させることができれば、加熱後の接合領域１’と発光素子２’とがそれぞれ垂直方向において対応する位置にくるので、それぞれズレの少ない状態で接合させることができる。
まず、第２の挟持面４０を仮想扇形の弧として、仮想扇形の中心角をθとすると、０．０８９３６／２ｒπ×３６０＝θ、２×ｒsin（θ／２）＝０．０８９２５（但し、ｒ＜０．９５２）、この２つの式から２ｒsin（０．０８９３６／（ｒπ３６０）)＝８９．２５となる方程式が得られる。したがって、第２の挟持面４０の曲率は約１．９とすることができる。
【００７８】
実施例１では、第１，２の工程後、第３の工程において、金型５０の第１の挟持面３０に第１の基板１０を配置し、第２の挟持面４０に第２の基板２０を配置する。実施例１では、第１の挟持面３０の最も突出した部分に、第１の基板１０の複数の接合領域１の配列の中心がくるように配置し、第２の挟持面４０の最も凹んだ部分に、第２の基板２０の複数の発光素子２の配列の中心がくるように配置することができる。
【００７９】
次に、第４の工程で、第１の挟持面３０と第２の挟持面４０とを対向させて近づける方向に移動させ、第１の基板１０と、第２の基板２０上の複数の発光素子２とを接着剤３を介して当接させる。実施例１では、第１の挟持面３０の最も突出する部分と、第２の挟持面４０の最も凹んでいる部分とが垂直方向に重なるように、第１の挟持面３０と第２の挟持面４０とを対向させる。
【００８０】
実施例１では、金型５０で約１００〜２００Ｎで加圧し、第１の基板１０及び第２の基板２０をそれぞれの挟持面に沿うように変形させることで、第１の基板１０と発光素子２とを接着剤３を介して当接させる。実施例１では、基板の外側に配置される発光素子２ほど、接合領域１よりも基板の中心側にズレるように第１の基板１０と当接させることができ、例えば、発光素子２が接合領域１から基板の中心側に最大で約８０μｍズレるように、第１の基板１０と当接させることができる。
【００８１】
実施例１では、第４の工程後、第５の工程において、例えば約１５００〜５０００Ｎで加圧しながら、約１５０〜２００℃で約３０〜６０秒程度加熱することで、発光素子２を第１の基板１０に仮接合させることができる。その後、第２の基板２０を除去し、さらに約２００〜３００℃で約１〜２分、複数回（例えば２回）加熱することで、発光素子２と第１の基板１０とを接着剤３によって本接合することができる。実施例１では、この仮接合の際に第１の基板１０及び第２の基板２０が膨張し、第２の基板２０が第１の基板よりも大きく伸長する。これにより、第４の工程で各接合領域１よりも基板の中心側に当接されていた発光素子２を、接合領域１と接合させやすい。なお、実施例１では、第１の基板１０の接合領域１に含まれる金属である配線と、発光素子２の電極とを前述のような共晶材で接合することでセルフアライメント効果が働き、さらに接合領域１と発光素子２との接合の位置ズレを抑制することができる。
【００８２】
実施例１では、平坦な第１の挟持面及び第２の挟持面を有する金型を用いる場合に比べ、約０〜１１０μｍ程度の接合領域１と発光素子２との接合の位置ズレを解消することができる。
【００８３】
以上の工程により、実施例１では、接合領域１に発光素子２がそれぞれ接合された第１の基板１０を形成することができる。さらに、実施例１では、波長変換部材を含有する透光部材６を、発光素子２及び第１の基板１０上を被覆するように形成し、発光素子２毎にダイシング等で切断することにより、図９Ａに示される発光装置１００Ａに個片化することができる。このような構成とすることで、小型で広配光な発光装置を形成することができる。
【００８４】
＜実施例２＞
図９Ｂは、実施例２に係る発光装置１００Ｂを示すものである。実施例２の発光装置１００Ｂは、光反射性部材７を有する点で実施例１の発光装置１００Ａと異なる。
実施例２では、実施例１と同様の方法で、接合領域１に発光素子２がそれぞれ接合された第１の基板１０を形成することができる。その後、第１の基板１０上の発光素子２の側面を被覆するように光反射部材７を形成し、発光素子２の上面を被覆するように透光部材６を形成後、発光素子２毎に切断することで、図９Ｂに示される発光装置１００Ｂに個片化することができる。このような構成とすることで、見切りの良い（すなわち、発光方向への光強度が高い）発光装置を形成することができる。なお、発光装置１００Ｂの発光素子２と光反射部材７との間に、適宜透光部材６を形成してもかまわない。また、実施例２では発光素子２を１つずつ有する発光装置１００Ａ,１００Ｂをしたが、これに限らず、発光素子を２つ以上有していてもよい。
【００８５】
なお、第１の基板１０が可撓性を有する場合は、第１の基板１０を第５の工程後に金型５０から取り出すと、第１の挟持面３０に沿って発光素子２方向に凸状に反った状態から、平らな状態に戻すことができる。また、可撓性を有さない比較的硬質な第１の基板を用いる場合は、第１の挟持面に沿って発光素子方向に凸状に反った第１の基板を有する発光装置を形成することができる。このような構成とすることで、図９Ａの発光装置１００Ａと比べてさらに広配光な発光装置とすることができる。
【符号の説明】
【００８６】
１００Ａ,１００Ｂ  発光装置
１０，１０’,１０ａ  第１の基板
１，１’,１ａ  接合領域
２０，２０’,２０ａ  第２の基板
２，２’,２ａ  発光素子
３，３’,３ａ  接着剤
５０，５０ａ  金型
ｍ  上金型
ｎ  下金型
３０，３０ａ  第１の挟持面
４０，４０ａ  第２の挟持面
６  透光部材
７  光反射部材
【図１】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
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【図３Ｄ】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図６】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図８】
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【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
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