(57)【要約】【課題】  波長３５０〜４５０ｎｍの光の利用効率が高いシンチレータアレイを提供する。【解決手段】  間隙を隔てて二次元的に配列された複数のシンチレータ結晶と、前記複数のシンチレータ結晶間の間隙に形成された反射材とを有するシンチレータアレイ。前記反射材は、硫酸バリウム、酸化アルミニウムおよびポリテトラフルオロエチレンからなる群より選択される反射粒子と、バインダーとしてのストレートシリコーンとを含む。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
硫酸バリウム、酸化アルミニウムおよびポリテトラフルオロエチレンからなる群より選択される反射粒子と、ストレートシリコーンとを含むことを特徴とする反射材。
【請求項２】
前記反射材中の前記反射粒子の割合が５０〜８０重量％であることを特徴とする請求項１に記載の反射材。
【請求項３】
前記反射材は平均粒径の異なる２種以上の反射粒子を含むことを特徴とする請求項１または２に記載の反射材。
【請求項４】
間隙を隔てて二次元的に配列された複数のシンチレータ結晶と、前記複数のシンチレータ結晶間の間隙に形成された、請求項１乃至３のいずれかに記載の反射材とを含むことを特徴とするシンチレータアレイ。
【請求項５】
さらに、前記複数のシンチレータ結晶の表面に表面反射材を有することを特徴とする請求項４に記載のシンチレータアレイ。
【請求項６】
シンチレータ結晶のブロックに格子状の溝を切り込んで柱状に加工した複数のシンチレータ結晶を縦横に二次元的に配置した構造を形成し、
前記複数のシンチレータ結晶間の間隙に、硫酸バリウム、酸化アルミニウムおよびポリテトラフルオロエチレンからなる群より選択される反射粒子とストレートシリコーンとを含む液状組成物を充填させ、
前記液状組成物を硬化させて前記シンチレータ結晶間に反射材を形成する
ことを特徴とするシンチレータアレイの製造方法。
【請求項７】
前記液状組成物は一液タイプまたは二液タイプであり、前記液状組成物の硬化を縮合反応または付加反応によって行うことを特徴とする請求項６に記載のシンチレータアレイの製造方法。
【請求項８】
前記液状組成物の硬化時に、白金族金属触媒を用いることを特徴する請求項６または７に記載のシンチレータアレイの製造方法。
【請求項９】
請求項６または７に記載のシンチレータアレイと、光検出器とを有することを特徴とする放射線検出器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、反射材、シンチレータアレイ、シンチレータアレイの製造方法、および放射線検出器に関する。
【背景技術】
【０００２】
シンチレータは、放射線の入射に伴い光（シンチレーション光）を発する物質である。放射線検出器には、柱状に加工した複数個のシンチレータ結晶を縦横に二次元的に配置し、シンチレータ結晶の間隙に反射材を形成したシンチレータアレイが用いられる。
【０００３】
最近では、発光波長域が３５０〜４５０ｎｍにあるシンチレータ結晶が用いられるようになってきている。このため、シンチレータアレイおよび放射検出器には、波長３５０〜４５０ｎｍの光の利用効率を高めることが要望されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００９−２６４７５号公報
【特許文献２】特開２００９−５８４５３号公報
【特許文献３】特開２０１４−７８０４１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明が解決しようとする課題は、波長３５０〜４５０ｎｍの光の利用効率が高い、反射材、シンチレータアレイ、および放射線検出器を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
実施形態によれば、間隙を隔てて二次元的に配列された複数のシンチレータ結晶と、前記複数のシンチレータ結晶間の間隙に形成された反射材とを有するシンチレータアレイが提供される。前記反射材は、硫酸バリウム、酸化アルミニウムおよびポリテトラフルオロエチレンからなる群より選択される反射粒子と、バインダーとしてのストレートシリコーンとを含む。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】実施形態に係るシンチレータアレイの斜視図。
【図２】実施形態に係る放射線検出器を説明する図。
【図３】実施形態に係るシンチレータアレイの断面図。
【図４】実施形態に係る、単一の平均粒径を有する反射粒子を分散させた反射材の断面図。
【図５】実施形態に係る、２種の平均粒径を有する反射粒子を分散させた反射材の断面図。
【図６】実施形態の反射材における反射粒子の配合割合と反射率との関係を示す図。
【図７】４種の反射材の透過スペクトルを示す図。
【図８】４種の反射材の吸収スペクトルを示す図。
【図９】６種の反射材の反射スペクトルを示す図。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、実施形態について説明する。  
図１に実施形態に係るシンチレータアレイの斜視図を示す。図1のシンチレータアレイ１０は、柱状に加工されて間隙を隔てて縦横に二次元的に配列された複数のシンチレータ結晶１１と、前記複数のシンチレータ結晶１１間の間隙に形成された反射材１２とを有する。前記反射材１２は、硫酸バリウム、酸化アルミニウムおよびポリテトラフルオロエチレンからなる群より選択される反射粒子と、バインダーとしてのストレートシリコーンとを含む。
【０００９】
シンチレータ結晶１１は、放射線の入射に伴って３５０〜４５０ｎｍの波長域の光を発することが好ましい。反射材１２を構成する反射粒子は、波長３５０〜４５０ｎｍの光に対する反射率が高いことが好ましい。反射材１２を構成するバインダーは、波長３５０〜４５０ｎｍの光に対して低い吸収率および高い透過率を有することが好ましい。
【００１０】
実施形態に係る放射線検出器は、上述したシンチレータアレイと、フォトダイオードなどの光検出器とを有する。
【００１１】
図２を参照して、実施形態に係る放射線検出器を概略的に説明する。
【００１２】
シンチレータアレイ１０の光出射側には、フォトダイオードなどの光検出器２０が配置されている。通常、シンチレータアレイ１０と光検出器２０とは一体化されて放射線検出器の検出器パックを構成している。
【００１３】
図３に実施形態に係るシンチレータアレイ１０の断面図を示す。この図では、複数のシンチレータ結晶１１と、シンチレータ結晶１１間の間隙に形成された反射材１２とを有するシンチレータアレイ１０の、放射線入射側の表面に表面反射材１３が形成されている。表面反射材１３の材料は、シンチレータ結晶１１間の間隙の反射材１２と同じ材料でよい。
【００１４】
表面反射材１３は必ずしも設ける必要はないが、表面反射材１３を設けると、光の利用効率をより高めることができる。すなわち、図３に示すように、放射線の入射に伴ってシンチレータ結晶１１から発せられた光は、直進して光検出器２０に達するか、反射材１２で反射されて光検出器２０に達するが、たとえば光検出器２０の表面で反射されて放射線入射側へ戻るものもある。表面反射材１３を設けておけば、放射線入射側へ戻った光を光検出器２０で検出できるので、光の利用効率をより高めることができる。
【００１５】
次に、実施形態に係るシンチレータアレイに用いられる材料について説明する。  
シンチレータ結晶１１として好適な、放射線の入射に伴って３５０〜４５０ｎｍの波長域の光を発する材料としては、たとえば以下のものが挙げられる。ＮａＩ：Ｔｌ（タリウム活性化ヨウ化ナトリウム）、ＣｓＩ：Ｎａ（ナトリウム活性化ヨウ化セシウム）、ＣｓＦ２：Ｅｕ（ユーロピウム活性化フッ化セシウム）、ＣｓＦ（フッ化セシウム）、ＬｉＦ：Ｗ（タングステン活性化フッ化リチウム）、ＰｂＷＯ４（タングステン酸鉛，ＰＷＯ）、Ｙ２ＳｉＯ５：Ｃｅ（セリウム活性化ケイ酸イットリウム，ＹＳＯ），Ｇｄ２ＳｉＯ５：Ｃｅ（セリウム活性化ケイ酸ガドリニウム，ＧＳＯ）、Ｌｕ２ＳｉＯ５：Ｃｅ（セリウム活性化ケイ酸ルテチウム，ＬＳＯ）、（Ｌｕ，Ｇｄ）２ＳｉＯ５：Ｃｅ（セリウム活性化ケイ酸ルテチウムガドリニウム，ＬＧＳＯ）、（Ｌｕ，Ｙ）２ＳｉＯ５：Ｃｅ（セリウム活性化ケイ酸ルテチウムイットリウム，ＬＹＳＯ）などである。
【００１６】
反射材は、反射粒子とバインダーとしてのストレートシリコーンとを含む。反射材は、反射粒子とストレートシリコーンとを含む液状組成物を複数のシンチレータ結晶間の間隙に充填し、ストレートシリコーンを硬化させることによって形成される。
【００１７】
反射材を構成する反射粒子は、硫酸バリウム、酸化アルミニウムおよびポリテトラフルオロエチレンからなる群より選択される。これらの反射粒子は、波長３５０〜４５０ｎｍの光に対する反射率が高い。
【００１８】
反射材を構成するバインダーとしてのストレートシリコーンは、ジメチルシリコーン、メチルフェニルシリコーン、およびメチルハイドロジェンシリコーンからなる群より選択される。ジメチルシリコーン、メチルフェニルシリコーン、およびメチルハイドロジェンシリコーンの構造を下記化学式に示す。
【００１９】
【化１】
2016177009.tif 000003
【００２０】
ジメチルシリコーンは、ポリシロキサン−（Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ−Ｏ）−の側鎖、末端がすべてメチル基（ＣＨ３）である構造を有する。
【００２１】
メチルフェニルシリコーンは、ポリシロキサン−（Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ−Ｏ）−の側鎖の一部がフェニル基（Ｃ６Ｈ５）である構造を有する。メチルフェニルシリコーンは、ポリシロキサンのＳｉ原子に結合した全有機基のうちフェニル基（Ｃ６Ｈ５）の含有率が５〜３５％であることが好ましい。フェニル基（Ｃ６Ｈ５）の含有率が３５％を超えると、硬化物の吸収波長が長波長側へシフトするため好ましくない。
【００２２】
メチルハイドロジェンシリコーンは、ポリシロキサン−（Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ−Ｏ）−の側鎖の一部が水素（Ｈ）である構造を有する。メチルハイドロジェンシリコーンは、ポリシロキサンのＳｉ原子に結合した全有機基のうち水素（Ｈ）の含有率が５〜３５％であることが好ましい。水素（Ｈ）の含有率が３５％を超えると、硬化速度が低下するため好ましくない。
【００２３】
上述したストレートシリコーンは、側鎖にＣおよびＨが含まれているだけであり、吸収ピークが紫外領域の短波長側（３００ｎｍ付近）に存在するため、３５０〜４００ｎｍの波長の光に対して低い吸収率および高い透過率を示す。
【００２４】
一方、シリコーンには、ストレートシリコーン以外に、変性シリコーンと呼ばれるものが知られている。変性シリコーンには、ポリシロキサンの側鎖に有機基を導入した側鎖型、ポリシロキサンの片末端に有機基を導入した片末端型、ポリシロキサンの両末端に有機基を導入した両末端型、ポリシロキサンの側鎖と両末端に有機基を導入した側鎖両末端型がある。これらの変性シリコーンは、多種多様な有機基が結合していることにより、吸収ピークが長波長側にシフトし、３５０〜４００ｎｍの波長の光に対して低い吸収率および高い透過率が得られない。
【００２５】
反射粒子とストレートシリコーンとを含む液状組成物を硬化させて反射材を形成する際には、使用形態として一液タイプまたは二液タイプ、硬化条件として室温硬化または加熱硬化、反応機構として縮合反応型または付加反応型があり、これらを適宜組み合わせて使用する。
【００２６】
縮合反応型では、反応副生成物（アウトガス）を生成しながら硬化反応を進行させる。一液縮合反応型では、空気中の水分により硬化反応が起こり、空気と触れる面から深部方向に硬化が進行する。二液縮合反応型では、主剤であるポリシロキサンに対して、硬化剤を加えることによって硬化反応を行うので、全体的に硬化が進行する。硬化剤には水分と同様に機能する官能基が含まれている。ただし、縮合反応型の硬化では、一液タイプ、二液タイプに関わらず水分が必要になる。二液縮合反応型のアウトガス（副生成物）としては、たとえばエタノール、アセトンなどがある。
【００２７】
二液付加反応型では、たとえば、主剤としてのビニル基（ＣＨ２＝ＣＨ−）を有するポリシロキサンと、硬化剤としてのヒドロキシル基（ＨＯ−）を有するポリシロキサンとを、白金族金属触媒の存在下にヒドロキシル化反応させて硬化させる。二液付加反応型では、硬化剤の使用量や触媒により反応速度つまり硬化時間を管理することができる。
【００２８】
一液付加反応型では、ポリシロキサンを白金族金属触媒の存在下に加熱することによって硬化させる。
【００２９】
白金族金属触媒としては、白金系、パラジウム系、ロジウム系などの触媒が挙げられ、特に白金系触媒を用いることが経済性、反応性の点から好ましい。白金系触媒としては、公知のものを用いることができる。具体的には、白金微粉末、白金黒、塩化第一白金酸、塩化第二白金酸などの塩化白金酸、四塩化白金、塩化白金酸のアルコール化合物、アルデヒド化合物、あるいは白金のオレフィン錯体、アルケニルシロキサン錯体、カルボニル錯体などが挙げられる。
【００３０】
ストレートシリコーンの反応例をより具体的に説明する。ここでは、両末端および／または側鎖にアルケニル基を有するオルガノポリシロキサン（以後、適宜オルガノポリシロキサンＡとも称する）と、両末端および／または側鎖にハイドロシリル基を有するオルガノポリシロキサン（以後、適宜オルガノポリシロキサンＢとも称する）とを含む架橋性オルガノポリシロキサンの反応について説明する。
【００３１】
アルケニル基は特に限定されないが、たとえば、ビニル基（エテニル基）、アリル基（２−プロペニル基）、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキシニル基などが挙げられ、なかでも耐熱性に優れる点から、ビニル基が好ましい。
【００３２】
オルガノポリシロキサンＡに含まれるアルケニル基以外の基、および、オルガノポリシロキサンＢに含まれるハイドロシリル基以外の基としては、アルキル基（特に、炭素数４以下のアルキル基）が挙げられる。
【００３３】
オルガノポリシロキサンＡ中におけるアルケニル基の位置は特に制限されないが、オルガノポリシロキサンＡが直鎖状の場合、アルケニル基は下記に示すＭ単位およびＤ単位のいずれかに存在してもよく、Ｍ単位とＤ単位の両方に存在していてもよい。硬化速度の点から、少なくともＭ単位に存在していることが好ましく、２個のＭ単位の両方に存在していることが好ましい。
【００３４】
なお、Ｍ単位及びＤ単位は、オルガノポリシロキサンの基本構成単位の例であり、Ｍ単位は有機基が３つ結合した１官能性のシロキサン単位、Ｄ単位は有機基が２つ結合した２官能性のシロキサン単位である。シロキサン単位において、シロキサン結合は２個のケイ素原子が１個の酸素原子を介して結合した結合であるので、シロキサン結合におけるケイ素原子１個当たりの酸素原子は１／２個とみなし、式中Ｏ1/2と表現される。
【００３５】
【化２】
2016177009.tif 000004
【００３６】
オルガノポリシロキサンＡ中におけるアルケニル基の数は特に制限されないが、１分子中に１〜３個が好ましく、２個がより好ましい。
【００３７】
オルガノポリシロキサンＢ中におけるハイドロシリル基の位置は特に制限されないが、オルガノポリシロキサンＡが直鎖状の場合、ハイドロシリル基はＭ単位およびＤ単位のいずれかに存在してもよく、Ｍ単位とＤ単位の両方に存在していてもよい。硬化速度の点から、少なくともＤ単位に存在していることが好ましい。
【００３８】
オルガノポリシロキサンＢ中におけるハイドロシリル基の数は特に制限されないが、１分子中に少なくとも３個有することが好ましく、３個がより好ましい。
【００３９】
オルガノポリシロキサンＡとオルガノポリシロキサンＢとの混合比率は特に制限されないが、オルガノポリシロキサンＢ中のケイ素原子に結合した水素原子と、オルガノポリシロキサンＡ中の全アルケニル基のモル比（水素原子／アルケニル基）が０．７〜１．０５となるように調整することが好ましい。なかでも、０．８〜１．０となるように混合比率を調整することが好ましい。
【００４０】
ヒドロシリル化触媒としては、上述したように白金族金属触媒を用いることが好ましい。ヒドロシリル化触媒の使用量は、オルガノポリシロキサンＡとオルガノポリシロキサンＢとの合計重量１００重量部に対して０．１〜２０重量部が好ましく、１〜１０重量部がより好ましい。
【００４１】
図４および図５を参照して、実施形態の反射材中の反射粒子の粒径について説明する。
図４の反射材においては、バインダー２中に単一の平均粒径を有する反射粒子１αが分散している。反射粒子１αの粒径分布は単峰形になる。
【００４２】
図５の反射材においては、バインダー２中に２種の平均粒径を有する反射粒子１αおよび反射粒子１βが分散している。反射粒子１αおよび反射粒子１βの粒径分布は双峰形にある。さらに、反射粒子の粒径分布がより多峰形になっていてもよい。
【００４３】
２種以上の平均粒径を有する反射粒子を用いた場合、反射材中での反射粒子の配合割合および充填密度を高めることができ、反射率の向上に寄与する。
【００４４】
図６に、実施形態の反射材における反射粒子の配合割合と反射率との関係を示す。この図を参照して、実施形態の反射材における好適な径系をについて説明する。  
実施形態の反射材において、９０％以上の実用的な反射率が得られるのは、反射材全体に対する反射粒子の配合割合が５０重量％以上の場合である。
【００４５】
一方、文献（日本金属学会誌、第５０巻、第５号、１９８６年、４７５−４７９頁）によれば、異なる粒径を有する２成分の粒子系において、充填密度は粒径比と配合割合によって変化し、粒子の配合割合が０．７２（７２重量％）付近で最大となる。また、実施形態の反射材において、反射粒子とバインダーとの物理的混合限界および接着強度の観点から、反射材全体に対する反射粒子の配合割合の上限は８０重量％となる。
【００４６】
反射材全体に対する反射粒子の配合割合が５０〜８０重量％であれば、９０％以上の反射率が得られるとともに、十分な接着強度も得られる。
【００４７】
実施形態の反射材に用いられる反射粒子の粒径は、０．５〜２０μｍであることが好ましい。平均粒径を異なる２種の反射粒子を用いる場合、小さい反射粒子１βの粒径は、大きい反射粒子１αの粒径の１／５以下であることが好ましい。平均粒径を異なる２種の反射粒子を用いる場合、反射材全体に対して、大きい反射粒子１αの配合割合を４０〜５０重量％、小さい反射粒子１βの配合割合を１０〜２０重量％とすることが好ましい。
【００４８】
次に、実施形態に係るシンチレータアレイの製造方法の一例を説明する。  
シンチレータ結晶のブロックの上面から、ブレードを用いて格子状の溝を切り込んで区画し、柱状に加工した複数のシンチレータ結晶を縦横に二次元的に配置した構造を形成する。複数のシンチレータ結晶間の間隙に、反射粒子とストレートシリコーンとを含む液状組成物を含浸させる。スキージで余剰の液状組成物を除去する。このシンチレータ結晶のブロックを真空容器に入れ、真空引きして液状組成物の気泡を除去する。これらの操作を繰り返して、柱状のシンチレータ結晶間の間隙に液状組成物を充填させる。液状組成物を硬化させることにより、柱状のシンチレータ結晶間の反射材を形成する。その後、シンチレータ結晶のブロックの上面および下面を研磨して、実施形態に係るシンチレータアレイを製造する。
【００４９】
図３を参照して説明したように、シンチレータアレイ１０の放射線入射側の表面に反射粒子とストレートシリコーンとを含む液状組成物を塗布して硬化させ、表面反射材１３を形成してもよい。
【００５０】
さらに、得られたシンチレータアレイ１０を、フォトダイオードなどの光検出器２０に接合させることにより、放射線検出器を製造する。
【実施例】
【００５１】
以下、実施例について説明する。  
実施例１
以下の反射粒子およびバインダーを用いて反射材（Ａ）〜（Ｄ）を作製した。
【００５２】
（Ａ）反射粒子：平均粒径１０μｍの酸化チタン、バインダー：エポキシ樹脂、
（Ｂ）反射粒子：平均粒径１０μｍの硫酸バリウム、バインダー：エポキシ樹脂、
（Ｃ）反射粒子：平均粒径１０μｍの硫酸バリウム、バインダー：変性シリコーン樹脂
（Ｄ）反射粒子：平均粒径１０μｍの硫酸バリウム、バインダー：ストレートシリコーン樹脂（ジメチルシリコーン樹脂）。
【００５３】
ストレートシリコーンは二液タイプである。反射材中の反射粒子の配合割合は６０重量％とした。
【００５４】
図７に、得られた４種の反射材の透過スペクトルを示す。図８に、得られた４種の反射材の吸収スペクトルを示す。
【００５５】
図７および図８から以下のことがわかる。バインダーとしてストレートシリコーン（ジメチルシリコーン）を用いた反射材（Ｄ）は、３５０〜４５０ｎｍの波長域で、透過率が９０％以上、吸収率が５％未満である。バインダーとして変性シリコーンを用いた反射材（Ｃ）は、３５０〜４５０ｎｍの波長域で、透過率が８５％以上、吸収率が約８％である。バインダーとしてエポキシ樹脂またはアクリル樹脂を用いた反射材（Ａ）または（Ｂ）は、さらに透過率が低く、吸収率が高い。したがって、バインダーとしてストレートシリコーン（ジメチルシリコーン）を用いた反射材（Ｄ）は、３５０〜４５０ｎｍの波長域で、反射材の反射率の向上に寄与する。
【００５６】
実施例２
以下のように、１種または２種の粒径の反射粒子を用い、反射粒子の配合割合を変化させて反射材（Ｄ）〜（Ｉ）を作製した。反射材（Ｄ）〜（Ｈ）については、同一の二液タイプのストレートシリコーン（ジメチルシリコーン）を用いた。反射材（Ｉ）については、一液タイプのストレートシリコーン（ジメチルシリコーン）を用いた。
【００５７】
（Ｄ）反射粒子：平均粒径１０μｍの硫酸バリウム、６０重量％（実施例１の（Ｄ）と同じ）
（Ｅ）反射粒子：平均粒径１０μｍの硫酸バリウム、７０重量％、
（Ｆ）反射粒子：平均粒径２μｍの硫酸バリウム、３０重量％、
（Ｇ）反射粒子：平均粒径１０μｍの硫酸バリウム、５０重量％および平均粒径２μｍの硫酸バリウム、１０重量％、
（Ｈ）反射粒子：平均粒径１０μｍの硫酸バリウム、４０重量％および平均粒径２μｍの硫酸バリウム、２０重量％、
（Ｉ）反射粒子：平均粒径１０μｍの酸化アルミニウム、７０重量％。
【００５８】
図９に、得られた６種の反射材の反射スペクトルを示す。図９から、反射粒子の材料が同一（硫酸バリウム）であれば、１種の粒径の反射粒子を用いた反射材（Ｄ）、（Ｅ）、（Ｆ）よりも、２種の粒径の反射粒子を用いた反射材（Ｇ）、（Ｈ）の方が、３５０〜４５０ｎｍの波長域で、高い反射率を示す傾向がある。これは、粒径の異なる２種の反射粒子を用いた方が、充填密度が高くなるためであると考えられる。
【００５９】
なお、本発明は、上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。更に、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。
【符号の説明】
【００６０】
１、１α、１β…反射粒子、２…バインダー、１０…シンチレータアレイ、１１…シンチレータ結晶、１２…反射材、２０…光検出器。
【図１】
2016177009.tif 000005
【図２】
2016177009.tif 000006
【図３】
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【図４】
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【図５】
2016177009.tif 000009
【図６】
2016177009.tif 000010
【図７】
2016177009.tif 000011
【図８】
2016177009.tif 000012
【図９】
2016177009.tif 000013
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月23日(2016.2.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
【特許文献１】特開２００９−２６４７５１号公報
【特許文献２】特開２００９−５８４５３号公報
【特許文献３】特開２０１４−７８０４１号公報