(57)【要約】【課題】シートアタックに起因したショート不良を効果的に抑制できるセラミック電子部品の製造方法を提供する。【解決手段】本発明に基づく積層セラミック電子部品の製造方法は、バインダ樹脂を含有したセラミックグリーンシート上に溶剤を含有した導電性ペーストを印刷する工程（Ｓ３Ａ）と、セラミックグリーンシート上に印刷された導電性ペーストを乾燥させる工程（Ｓ３Ｂ）とを備え、導電性ペーストを乾燥させる工程（Ｓ３Ｂ）における乾燥温度をＴｄ［℃］とし、バインダ樹脂の溶解度パラメータをδ１とし、溶剤の溶解度パラメータをδ２とした場合に、上記Ｔｄ、δ１およびδ２が、Ｔｄ＜２０×（δ１−δ２）＋２０の条件（ただし、δ１−δ２≧０）を満たしていることを特徴とする。【選択図】図４
2016207965.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
バインダ樹脂を含有したセラミックグリーンシートを準備する工程と、
溶剤を含有した導電性ペーストを前記セラミックグリーンシート上に印刷する工程と、
前記セラミックグリーンシート上に印刷された前記導電性ペーストを乾燥させる工程と、を備えた積層セラミック電子部品の製造方法であって、
前記導電性ペーストを乾燥させる工程における乾燥温度をＴｄ［℃］とし、前記バインダ樹脂の溶解度パラメータをδ１とし、前記溶剤の溶解度パラメータをδ２とした場合に、前記Ｔｄ、前記δ１および前記δ２が、Ｔｄ＜２０×（δ１−δ２）＋２０の条件（ただし、δ１−δ２≧０）を満たす、積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項２】
前記バインダ樹脂が、ブチラール樹脂、アルキド樹脂、アクリル樹脂、エチルセルロース樹脂からなる群から選択される少なくとも１種の成分を含んでいる、請求項１に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項３】
前記溶剤が、ジヒドロターピネオール、ジヒドロターピニルアセテート、プロピレングリコールジアセテート、ターピネオールからなる群から選択される少なくとも１種の成分を含んでいる、請求項１または２に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項４】
前記セラミックグリーンシートの厚みが、２．０［μｍ］以下である、請求項１から３のいずれかに記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、積層セラミック電子部品の製造方法に関し、より特定的には、セラミックグリーンシート上に導電性ペーストを印刷する工程と、印刷された導電性ペーストを乾燥させる工程とを備えた積層セラミック電子部品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、積層セラミックコンデンサ等の積層セラミック電子部品は、部品本体としての積層体と、当該積層体の外表面に設けられた端子電極としての外部電極とを備えている。積層体は、所定方向に沿って交互に積層されたセラミック誘電体層および導電体層を含んでおり、導電体層の少なくとも一部は、外部電極に接続されている。
【０００３】
通常、積層体は、セラミック誘電体層となるセラミック素地上に導電体層となる所定形状の導電パターンが設けられてなる原料シートを複数準備し、これら原料シートを積層して圧着することで形成される。なお、上述した原料シートは、セラミック素地であるセラミックグリーンシート上に導電パターンとなる導電性ペーストが印刷され、その後、導電性ペーストが乾燥させられることで形成される。
【０００４】
ここで、上記のように導電性ペーストを利用して原料シートを形成する場合には、導電性ペーストに含有された溶剤がセラミックグリーンシートに含有されたバインダ樹脂を溶解する、いわゆるシートアタックと呼ばれる現象が生じることがある。このシートアタックが生じた場合には、積層体の積層構造に意図しない変形が発生するおそれがある。
【０００５】
具体的には、シートアタックは、導電性ペーストに含有された溶剤がセラミックグリーンシートに含有されたバインダ樹脂を溶解することでセラミック粒子が再配列を起こし、その結果セラミック素地や導電性ペーストに変形が生じることで発生するものである。
【０００６】
特に、近年の電子部品の小型化の要請に従ってセラミック素地であるセラミックグリーンシートを薄型化した場合には、導電パターンがセラミック素地を厚み方向に貫通するように形成されてしまうこともあり、この場合には、その後に実施される原料シートの圧着の際に、本来は絶縁分離されるべき導電体層同士が接触し、これらが短絡してしまう不具合（ショート不良）が発生する。
【０００７】
従来、このシートアタックの発生の有無に関係するパラメータとして、いわゆる溶解度パラメータが参考とされている。溶解度パラメータδ（ＳＰ値）は、モル蒸発熱ΔＨおよびモル体積Ｖｍを用いて、δ＝（ΔＨ／Ｖｍ）０．５で表わされる数値であり、溶剤の溶解度パラメータと溶質の溶解度パラメータとの差が小さい場合に、一般的に溶質が溶剤に混ざり易いとされている。
【０００８】
たとえば、特開２００２−２７０４５６号公報（特許文献１）には、導電性ペーストに含有される溶剤として、セラミックグリーンシートに含有された一般的なバインダ樹脂を溶解させ難い、溶解度パラメータが８．５未満のイソボニルアセテートやノビルアセテートを使用することにより、シートアタックが抑制できることが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００２−２７０４５６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
ところで、セラミックグリーンシートに含有されたバインダ樹脂は、上述した導電性ペーストを乾燥させる際の乾燥温度が低い場合に、導電性ペーストに含有された溶剤に対してより溶解し難いことが知られている。したがって、導電性ペーストの乾燥温度は、シートアタックを抑制する観点からは、より低温とされることが好ましいと言える。
【００１１】
しかしながら、従来、乾燥温度をどの程度の低温とした場合にシートアタックが抑制可能になり、結果として上述した如くのショート不良の発生が抑制できるかの知見はなかった。
【００１２】
したがって、本発明は、上述した点に鑑みてなされたものであり、シートアタックに起因したショート不良の発生を効果的に抑制できるセラミック電子部品の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明に基づく積層セラミック電子部品の製造方法は、バインダ樹脂を含有したセラミックグリーンシートを準備する工程と、溶剤を含有した導電性ペーストを上記セラミックグリーンシート上に印刷する工程と、上記セラミックグリーンシート上に印刷された上記導電性ペーストを乾燥させる工程とを備えており、上記導電性ペーストを乾燥させる工程における乾燥温度をＴｄ［℃］とし、上記バインダ樹脂の溶解度パラメータをδ１とし、上記溶剤の溶解度パラメータをδ２とした場合に、上記Ｔｄ、δ１およびδ２が、Ｔｄ＜２０×（δ１−δ２）＋２０の条件（ただし、δ１−δ２≧０）を満たしていることを特徴とする。
【００１４】
上記本発明に基づく積層セラミック電子部品の製造方法にあっては、上記バインダ樹脂が、ブチラール樹脂、アルキド樹脂、アクリル樹脂、エチルセルロース樹脂からなる群から選択される少なくとも１種の成分を含んでいることが好ましい。
【００１５】
上記本発明に基づく積層セラミック電子部品の製造方法にあっては、上記溶剤が、ジヒドロターピネオール、ジヒドロターピニルアセテート、プロピレングリコールジアセテート、ターピネオールからなる群から選択される少なくとも１種の成分を含んでいることが好ましい。
【００１６】
上記本発明に基づく積層セラミック電子部品の製造方法にあっては、上記セラミックグリーンシートの厚みが、２．０［μｍ］以下であってもよい。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、シートアタックに起因したショート不良の発生を効果的に抑制することができ、結果として歩留りよく積層セラミック電子部品を製造することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の実施の形態における積層セラミックコンデンサの製造フローに従って製造された積層セラミックコンデンサの概略斜視図である。
【図２】図１中に示すＩＩ−ＩＩ線に沿った模式断面図である。
【図３】図１中に示すＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿った模式断面図である。
【図４】本発明の実施の形態における積層セラミックコンデンサの製造フローを示す図である。
【図５】図１に示す積層セラミックコンデンサに含まれる積層体を構成する素材シート群の積層構造を示す分解斜視図である。
【図６】図４に示す原料シート群の圧着工程を説明するための模式断面図である。
【図７】図４に示す原料シート群の圧着工程を説明するための模式断面図である。
【図８】第１検証試験の試験条件および試験結果を示す表である。
【図９】第２検証試験の試験条件および試験結果を示す表である。
【図１０】第３検証試験の試験条件および試験結果を示す表である。
【図１１】第４検証試験の試験条件および試験結果を示す表である。
【図１２】第５検証試験の試験条件および試験結果を示す表である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明の実施の形態について、図を参照して詳細に説明する。以下に示す実施の形態においては、積層セラミック電子部品の１種である積層セラミックコンデンサの製造フローに本発明を適用した場合を例示して説明を行なう。なお、以下に示す実施の形態においては、同一のまたは共通する部分について図中同一の符号を付し、その説明は繰り返さない。
【００２０】
図１は、本発明の実施の形態における積層セラミックコンデンサの製造フローに従って製造された積層セラミックコンデンサの概略斜視図である。また、図２および図３は、それぞれ図１中に示すＩＩ−ＩＩ線およびＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿った模式断面図である。まず、本実施の形態における積層セラミックコンデンサの製造フローについて説明するに先立って、これら図１ないし図３を参照して、当該製造フローに従って製造された積層セラミックコンデンサについて説明する。
【００２１】
図１ないし図３に示すように、積層セラミックコンデンサ１０は、全体として略直方体形状を有しており、部品本体としての積層体１１と、端子電極としての一対の外部電極１４とを備えている。積層体１１は、直方体形状を有しており、厚み方向Ｔに沿って交互に積層されたセラミック誘電体層１２および導電体層としての内部電極層１３を含んでいる。一対の外部電極１４は、厚み方向Ｔと直交する長さ方向Ｌおよび幅方向Ｗのうちの長さ方向Ｌにおける積層体１１の両端部に位置している。
【００２２】
ここで言う直方体形状には、積層セラミックコンデンサ１０および積層体１１の角部および稜部に丸みが付けられたものや、積層セラミックコンデンサ１０および積層体１１の外表面に微小な段差や凹凸が設けられたもの等が含まれる。
【００２３】
セラミック誘電体層１２は、たとえばＢａＴｉＯ３、ＣａＴｉＯ３、ＳｒＴｉＯ３、ＣａＺｒＯ３等を主成分とするセラミック材料にて形成されている。当該セラミック誘電体層１２には、Ｍｎ化合物、Ｆｅ化合物、Ｃｒ化合物、Ｃｏ化合物、Ｎｉ化合物等が副成分として添加されていてもよい。セラミック誘電体層１２の厚みは、積層セラミックコンデンサ１０の小型化の観点から、好ましくは５．０［μｍ］以下（さらに好ましくは２．０［μｍ］以下）とされるが、特にこれに制限されるものではない。
【００２４】
内部電極層１３は、たとえばＮｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｄ合金、Ａｕ等に代表される金属材料にて形成されている。内部電極層１３の厚みは、積層セラミックコンデンサ１０の小型化の観点から、好ましくは０．３［μｍ］以上２．０［μｍ］以下とされるが、特にこれに制限されるものではない。
【００２５】
ここで、上述した積層体１１は、セラミック誘電体層１２となるセラミックグリーンシートの表面に内部電極層１３となる導電性ペーストが印刷された原料シートを複数準備し、これら複数の原料シートが積層されて圧着および焼成されることによって形成される。なお、当該原料シートの形成の詳細については、後述することとする。
【００２６】
外部電極１４は、たとえば下地金属層とめっき層との積層膜にて構成される。下地金属層は、たとえばＣｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｄ合金、Ａｕ等のペーストを焼き付けることで形成される。めっき層は、Ｃｕめっき層、Ｎｉめっき層、Ａｇめっき層、Ｐｄめっき層、Ａｇ−Ｐｄ合金めっき層、Ａｕめっき層等の各種のめっき層にて構成することができるが、好ましくは、Ｎｉめっき層とこれを覆うＳｎめっき層との積層膜にて構成される。なお、下地金属層とめっき層との間に、さらに応力緩和用の導電性樹脂層が形成されていてもよい。
【００２７】
下地金属層の厚みは、最も厚い部分で１０［μｍ］以上５０［μｍ］とされることが好ましく、めっき層の一層当たりの厚みは、１．０［μｍ］以上１０［μｍ］以下とされることが好ましい。なお、下地金属層は、内部電極層１３となる導電パターンの焼成の際に同時に焼き付けられるコファイア式のものであってもよいし、内部電極層１３となる導電パターンが焼成された後に積層体１１にペーストが塗布されて焼き付けられるポストファイア式のものであってもよい。
【００２８】
上記に代えて、外部電極１４は、積層体１１に直接的にめっきを施すことでめっき層のみによって構成されていてもよい。また、上記に代えて、外部電極１４は、熱硬化性樹脂を含む導電性樹脂を積層体１１に塗布して硬化させることのみによって形成されていてもよい。
【００２９】
図２に示すように、厚み方向Ｔに沿ってセラミック誘電体層１２を挟んで隣り合う一対の内部電極層１３のうちの一方は、一対の外部電極１４のうちの一方に向けて積層体１１から引き出されて当該一方の外部電極に電気的に接続されており、厚み方向Ｔに沿ってセラミック誘電体層１２を挟んで隣り合う一対の内部電極層１３のうちの他方は、一対の外部電極１４のうちの他方に向けて積層体１１から引き出されて当該他方の外部電極に電気的に接続されている。これにより、一対の外部電極１４間には、複数のコンデンサ要素が電気的に並列に接続された静電容量部が形成されている。
【００３０】
図４は、本実施の形態における積層セラミックコンデンサの製造フローを示す図である。次に、この図４を参照して、本実施の形態における積層セラミックコンデンサの製造フローについて説明する。なお、以下に示す積層セラミックコンデンサの製造フローは、製造過程の途中段階まで一括して加工処理を行なうことでマザーブロックを形成し、その後にマザーブロックを分断して複数のチップに個片化し、個片化後のチップにさらに加工処理を施すことによって複数の積層セラミックコンデンサ１０を同時に大量に製造する場合のものである。また、本実施の形態における積層セラミックコンデンサの製造フローは、外部電極として上述したポストファイア式のものを備えた積層セラミックコンデンサの製造フローを例示するものである。
【００３１】
図４に示すように、上述した積層セラミックコンデンサ１０を製造するに際しては、まず、セラミックスラリーの調製が行なわれる（工程Ｓ１）。具体的には、セラミック粉末、バインダ樹脂および溶媒等が所定の配合比率で混合され、これによりセラミックスラリーが形成される。
【００３２】
ここで、たとえばバインダ樹脂としては、ブチラール樹脂、アルキド樹脂、アクリル樹脂、エチルセルロース樹脂からなる群から選択される少なくとも１種の成分が利用される。また、溶媒としては、有機溶剤または水等が用いられる。
【００３３】
また、セラミックスラリーには、Ｓｉやガラス成分等の焼成助剤が含まれている。焼成助剤としての具体例としては、アルカリ金属成分やアルカリ土類金属成分を含む珪酸塩ガラス、硼酸塩ガラス、硼珪酸塩ガラス、燐酸塩ガラス等が挙げられる。
【００３４】
次に、セラミックグリーンシートが形成される（工程Ｓ２）。具体的には、セラミックスラリーがキャリアフィルム上においてダイコータ、グラビアコータ、マイクログラビアコータ等を用いてスクリーン印刷、スプレーコーティング、ダイコーティング等によってシート状に塗布されることにより、セラミックグリーンシートが形成される。なお、上述したセラミックスラリーの調製の際に、バインダ樹脂がセラミックスラリーに添加されることにより、当該セラミックグリーンシートには、このバインダ樹脂が含有されることになる。
【００３５】
次に、原料シートが形成される（工程Ｓ３）。具体的には、セラミックグリーンシートに導電性ペーストが所定形状のパターンを有するようにスクリーン印刷法またはグラビア印刷法等を用いて印刷され（工程Ｓ３Ａ）、その後、セラミックグリーンシート上に印刷された導電性ペーストが乾燥される（工程Ｓ３Ｂ）ことにより、セラミック素地であるセラミックグリーンシート上に所定形状の導電パターンが設けられた原料シートが形成される。
【００３６】
導電性ペーストには、溶剤が含有されている。ここで、たとえば溶剤としては、ジヒドロターピネオール、ジヒドロターピニルアセテート、プロピレングリコールジアセテート、ターピネオールからなる群から選択される少なくとも１種の成分が利用される。
【００３７】
本実施の形態における積層セラミックコンデンサの製造フローにあっては、上述した導電性ペーストを乾燥させる上記工程Ｓ３Ｂにおいて、乾燥温度をＴｄ［℃］とし、セラミックグリーンシートに含有されたバインダ樹脂の溶解度パラメータをδ１とし、導電性ペーストに含有された溶剤の溶解度パラメータをδ２とした場合に、上記Ｔｄ、δ１およびδ２が、Ｔｄ＜２０×（δ１−δ２）＋２０の条件（ただし、δ１−δ２≧０）を満たすように乾燥処理が実施される。
【００３８】
このような条件を満たすように乾燥処理が実施されることにより、シートアタックが発生する温度よりも十分に低温の乾燥温度にて導電性ペーストの乾燥が行なわれることになるため、シートアタックが生じることによってショート不良が発生することが効果的に抑制できることになる。ここで、上記条件を満たすことにより、特にシートアタックの影響が大きくなる、厚みが薄く構成されたセラミックグリーンシートを用いて原料シートを形成する場合（すなわち、厚みが２．０［μｍ］以下のセラミックグリーンシートを用いて原料シートを形成する場合）に、上述したショート不良の発生をより効果的に抑制することができる。なお、当該乾燥温度の条件は、後述する第１ないし第５検証試験に基づいて導出されたものである。
【００３９】
以下、上記工程Ｓ３において形成される原料シートについてより詳細に説明する。図５は、図１に示す積層セラミックコンデンサに含まれる積層体を構成する素材シート群の積層構造を示す分解斜視図である。
【００４０】
図５に示すように、積層体１１は、構成の異なる複数の素材シート２１Ａ，２１Ｂ１，２１Ｂ２からなる素材シート群２０を材料として形成され、より詳細には、これら構成の異なる複数の素材シート２１Ａ，２１Ｂ１，２１Ｂ２が所定の順番で積層されて圧着および焼成されることによって形成される。
【００４１】
素材シート２１Ａは、その表面に導電パターン２３が形成されていないセラミック素地２２のみからなるものである。素材シート２１Ａは、焼成後において、厚み方向Ｔにおける積層体１１の表層部分を構成するセラミック誘電体層１２となる。
【００４２】
素材シート２１Ｂ１，２１Ｂ２は、セラミック素地２２の表面に所定形状の導電パターン２３が形成されたものである。素材シート２１Ｂ１，２１Ｂ２のうちの導電パターン２３は、焼成後において、内部電極層１３となる。また、素材シート２１Ｂ１，２１Ｂ２のうちのセラミック素地２２は、焼成後において、長さ方向Ｌおよび幅方向Ｗにおける積層体１１の表層部分と、厚み方向Ｔにおいて隣り合って位置する内部電極層１３を隔てる積層体１１の内層部分とを構成するセラミック誘電体層１２となる。
【００４３】
上記工程Ｓ３において形成される原料シートは、図５において示した素材シート２１Ｂ１，２１Ｂ２の各々について、その各々の素材シートを単位ユニットとして同形状の素材シートが平面的にマトリックス状に並ぶように複数敷き詰められたレイアウトを有するものである。
【００４４】
なお、素材シート２１Ｂ１と素材シート２１Ｂ２は同形状であるため、これらを含む原料シートとしては、同一の導電パターンを有するものが使用でき、後述する原料シートの積層工程において同一の導電パターンを有する原料シートを半ピッチずつずらして積層することにより、図５において示した如くの素材シート２１Ｂ１，２１Ｂ２の積層構造を得ることができる。
【００４５】
また、原料シートとしては、上述した導電パターンを有するものの他にも、上記工程Ｓ３を経ることなく形成されたセラミックグリーンシートのみからなるものも準備される。
【００４６】
次に、図４に示すように、原料シートが積層される（工程Ｓ４）。具体的には、上述した複数の原料シートが所定のルールに従って積層されることにより、積層後の原料シート群の内部において、上述した単位ユニットが、それぞれ積層方向である厚み方向Ｔにおいて図５において示した積層構造を有するように配置される。
【００４７】
次に、原料シート群が圧着される（工程Ｓ５）。具体的には、たとえば静水圧プレス法等を用いて原料シート群がその積層方向に沿って加圧されることで圧着される。
【００４８】
図６および図７は、図４に示す原料シート群の圧着工程を説明するための模式断面図である。なお、図６および図７は、それぞれ製造される積層セラミックコンデンサの長さ方向Ｌに沿った断面図および幅方向Ｗに沿った断面図である。また、図６および図７においては、（Ａ）において圧着前の状態を示しており、（Ｂ）において圧着後の状態を示している。
【００４９】
図６および図７に示すように、圧着工程においては、所定のルールに従って積層された原料シート群２０’が、一対の加圧板４０によって積層方向に沿って挟み込まれ、当該加圧板４０が静水圧によって加圧されることで原料シート群２０’が圧着される。
【００５０】
図６（Ａ）に示すように、原料シート群２０’には、長さ方向Ｌにおいて、導電パターン２３が多数存在する領域Ｘと、導電パターン２３が比較的少数のみ存在する領域Ｙとが交互に存在する。一方、図７（Ａ）に示すように、原料シート群２０’には、幅方向Ｗにおいて、導電パターン２３が多数存在する領域Ｘと、導電パターン２３が存在しない領域Ｚとが交互に存在する。
【００５１】
ここで、一対の加圧板４０と原料シート群２０’との間には、シート状の弾性体４１が介装される。当該シート状の弾性体４１は、原料シート群２０’を一対の加圧板４０で加圧する際の加圧力を部位ごとに調整するためのものであり、たとえばポリエチレンテレフタラート（ＰＥＴ）樹脂からなるものが利用できる。
【００５２】
セラミック素地２２は、セラミック誘電体材料にて形成されているため、比較的柔らかく圧下し易い。これに対し、導電パターン２３は、導電体材料にて形成されているため、比較的硬く圧下し難い。また、領域Ｘにおいては、導電パターン２３が密に多数存在し、領域Ｙおよび領域Ｚには、導電パターン２３が存在しないかあるいは存在しても領域Ｘに比べて少数であるため、領域Ｘについては、比較的圧下し難く、領域Ｙおよび領域Ｚについては、比較的圧下し易い。
【００５３】
そのため、上述したように、一対の加圧板４０と原料シート群２０’との間にシート状の弾性体４１を介装させて圧着を行なうことにより、圧着に際して弾性体４１が弾性変形することにより、部位ごとの加圧力を調整することが可能になる。
【００５４】
以上により、圧着後において、図６（Ｂ）および図７（Ｂ）に示す如くの形状のマザーブロック３０が形成されることになる。
【００５５】
次に、図４に示すように、マザーブロックが分断される（工程Ｓ６）。具体的には、押し切りやダイシングが実施されることによってマザーブロックが行列状に分断され、これにより上述したチップの切り出しが行なわれる。ここで、切り出されたチップは、図５において示した如くの積層構造を有するものとなる。
【００５６】
次に、チップの焼成が行なわれる（工程Ｓ７）。具体的には、切り出されたチップが所定の温度に加熱され、これによりセラミック材料（すなわち、チップに含まれるセラミック素地２２）および導電材料（すなわち、チップに含まれる導電パターン２３）の焼結処理が行なわれる。
【００５７】
次に、チップのバレル研磨が行なわれる（工程Ｓ８）。具体的には、焼成後のチップが、バレルと呼ばれる小箱内に焼結後のセラミック材料よりも硬度の高いメディアボールとともに封入され、当該バレルを回転させることにより、チップの研磨が行なわれる。これにより、チップの外表面（特に角部やコーナー部）に曲面状の丸みがもたされることになり、上述した積層体１１が形成される。
【００５８】
次に、外部電極が形成される（工程Ｓ９）。具体的には、たとえば積層体１１の長さ方向Ｌにおける両端部に導電体ペーストが塗布されることで下地金属膜が形成され、形成された下地金属膜の焼結処理が実施された後に当該下地金属膜にＮｉめっき、Ｓｎめっきが順に施されることにより、積層体１１の外表面上に一対の外部電極１４が形成される。
【００５９】
上述した一連の工程を経ることにより、図１ないし図３に示した構造を有する積層セラミックコンデンサ１０の製造が完了することになる。
【００６０】
以上において説明した本実施の形態における積層セラミックコンデンサの製造フローにおいては、上述したように導電性ペーストを乾燥させる工程Ｓ３Ｂにおいて、所定の条件を満たすように乾燥処理が実施されることにより、シートアタックが発生する温度よりも十分に低温の乾燥温度にて導電性ペーストの乾燥が行なわれることになるため、シートアタックが生じることによってショート不良が発生することが効果的に抑制可能になり、歩留りよく積層セラミックコンデンサ１０を製造することが可能になる。
【００６１】
以下においては、上述した導電性ペーストを乾燥させる工程Ｓ３Ｂにおいて満たされるべき所定の条件を導出するために行なった第１ないし第５検証試験について説明する。図８ないし図１２は、それぞれ第１ないし第５検証試験の試験条件および試験結果を示す表である。
【００６２】
第１ないし第５検証試験においては、セラミックグリーンシートの厚みと、導電性ペーストの乾燥温度Ｔｄ［℃］と、セラミックグリーンシートに含有されたバインダ樹脂の溶解度パラメータδ１と、導電性ペーストに含有された溶剤の溶解度パラメータδ２とを種々変更することで積層セラミックコンデンサの様々な製造条件を創り出し、そのそれぞれの製造条件において積層セラミックコンデンサにどの程度ショート不良が発生するかを確認した。
【００６３】
第１ないし第５検証試験のいずれにおいても、セラミックグリーンシートは、ＢａＴｉＯ３を主成分とするセラミック材料にて形成した。具体的には、キャリアフィルムであるＰＥＴフィルム上に、厚みがそれぞれ０．４［μｍ］、０．５［μｍ］、０．８［μｍ］、１．２［μｍ］、１．７［μｍ］、２．０［μｍ］、３．０［μｍ］、４．０［μｍ］、５．０［μｍ］となるように、ＢａＴｉＯ３を主成分とするセラミック粉末を含むセラミックスラリーを塗布し、これらを乾燥させてセラミックグリーンシートを形成した。なお、上記厚みのセラミックグリーンシートを用いた場合に形成される積層セラミックコンデンサのセラミック誘電体層の厚み（すなわち、焼成後の積層体におけるセラミック誘電体の厚み）は、平均してその厚みが０．５［μｍ］〜２．０［μｍ］となる。
【００６４】
第１ないし第５検証試験のいずれにおいても、導電性ペーストとしては、Ｎｉペーストを使用した。具体的には、セラミックグリーンシート上にＮｉペーストを所定形状のパターンを有するように印刷し、これをそれぞれ２５［℃］、３５［℃］、５０［℃］、６５［℃］、７５［℃］、１００［℃］の乾燥温度Ｔｄにて乾燥させた。なお、乾燥後の原料シートは、ＰＥＴフィルムごと巻き取った。
【００６５】
その後、第１ないし第５検証試験のいずれにおいても、巻き取ったＰＥＴフィルムを引き出しつつ原料シートをＰＥＴフィルムから剥離させるとともに、同時にこれを切断して順次２００枚積層し、これらを圧着することでマザーブロックを形成した。次いで、マザーブロックを分断して複数のチップに切り出し、切り出した複数のチップを焼成し、さらに焼成後のチップの各々に一対の外部電極を形成することで、積層セラミックコンデンサを製造した。
【００６６】
ここで、第１検証試験においては、セラミックグリーンシートに含有されたバインダ樹脂の溶解度パラメータδ１を１０．０５に設定し、導電性ペーストに含有された溶剤の溶解度パラメータδ２を７．８０に設定した。
【００６７】
また、第２検証試験においては、セラミックグリーンシートに含有されたバインダ樹脂の溶解度パラメータδ１を８．５０に設定し、導電性ペーストに含有された溶剤の溶解度パラメータδ２を７．８０に設定した。
【００６８】
また、第３検証試験においては、セラミックグリーンシートに含有されたバインダ樹脂の溶解度パラメータδ１を１１．５０に設定し、導電性ペーストに含有された溶剤の溶解度パラメータδ２を７．８０に設定した。
【００６９】
また、第４検証試験においては、セラミックグリーンシートに含有されたバインダ樹脂の溶解度パラメータδ１を１０．０５に設定し、導電性ペーストに含有された溶剤の溶解度パラメータδ２を６．５０に設定した。
【００７０】
また、第５検証試験においては、セラミックグリーンシートに含有されたバインダ樹脂の溶解度パラメータδ１を１０．０５に設定し、導電性ペーストに含有された溶剤の溶解度パラメータδ２を９．５０に設定した。
【００７１】
なお、同一の製造条件に基づいて製造された積層セラミックコンデンサのサンプル数は、いずれも２００個であり、これら２００個のすべてについてショート不良の発生の有無の評価を実施した。図８ないし図１２に示す表におけるショート不良の発生数は、これら２００個のサンプルに含まれていたショート不良品の数を表わしている。
【００７２】
ここで、ショート不良の発生の有無の評価については、横河ヒューレットパッカード社製のキャパシタンスメータ（ＨＰ−４２７８Ａ）を用いて、温度が２５［℃］で相対湿度が５０［％］の環境条件の下、各サンプルに周波数が１２０［Ｈｚ］でかつ電圧が０．５［Ｖ］のＡＣバイアスを印加することで行なった。
【００７３】
図８に示すように、第１検証試験においては、乾燥温度Ｔｄが２５［℃］、３５［℃］、５０［℃］の条件下において、セラミックグリーンシートの厚みの大小にかかわらず、ショート不良が発生していないことが確認された。
【００７４】
また、図９に示すように、第２検証試験においては、乾燥温度Ｔｄが２５［℃］の条件下において、セラミックグリーンシートの厚みの大小にかかわらず、ショート不良が発生していないことが確認された。
【００７５】
また、図１０に示すように、第３検証試験においては、乾燥温度Ｔｄが２５［℃］、３５［℃］、５０［℃］、６５［℃］、７５［℃］の条件下において、セラミックグリーンシートの厚みの大小にかかわらず、ショート不良が発生していないことが確認された。
【００７６】
また、図１１に示すように、第４検証試験においては、乾燥温度Ｔｄが２５［℃］、３５［℃］、５０［℃］、６５［℃］、７５［℃］の条件下において、セラミックグリーンシートの厚みの大小にかかわらず、ショート不良が発生していないことが確認された。
【００７７】
また、図１２に示すように、第５検証試験においては、乾燥温度Ｔｄが２５［℃］の条件下において、セラミックグリーンシートの厚みの大小にかかわらず、ショート不良が発生していないことが確認された。
【００７８】
以上の結果に基づいて、セラミックグリーンシートの厚みの大小にかかわらずショート不良が発生しない乾燥温度条件を導出すると、Ｔｄ＜２０×（δ１−δ２）＋２０の条件（ただし、δ１−δ２≧０）が得られる。したがって、当該条件を満たすように導電性ペーストの乾燥処理が実施されることにより、シートアタックが生じることによってショート不良が発生することが効果的に抑制可能になり、歩留りよく積層セラミックコンデンサを製造することができる。
【００７９】
因みに、第１検証試験において上記式から算出される乾燥温度条件は、Ｔｄ＜６５［℃］であり、第２検証試験において上記式から算出される乾燥温度条件は、Ｔｄ＜３４［℃］であり、第３検証試験において上記式から算出される乾燥温度条件は、Ｔｄ＜９４［℃］であり、第４検証試験において上記式から算出される乾燥温度条件は、Ｔｄ＜９１［℃］であり、第５検証試験において上記式から算出される乾燥温度条件は、Ｔｄ＜３１［℃］である。
【００８０】
なお、以上において説明した本発明の実施の形態においては、積層セラミックコンデンサの製造フローに本発明を適用した場合を例示して説明を行なったが、本発明の適用対象はこれに限定されるものではなく、セラミックグリーンシート上に導電性ペーストを印刷する工程と、印刷された導電性ペーストを乾燥させる工程とを備えた積層セラミック電子部品の製造フローであれば、どのような製造フローにも本発明の適用が可能である。
【００８１】
このように、今回開示した上記実施の形態はすべての点で例示であって、制限的なものではない。本発明の技術的範囲は特許請求の範囲によって画定され、また特許請求の範囲の記載と均等の意味および範囲内でのすべての変更を含むものである。
【符号の説明】
【００８２】
１０  積層セラミックコンデンサ、１１  積層体、１２  セラミック誘電体層、１３  内部電極層、１４  外部電極、２０  素材シート群、２０’  原料シート群、２１Ａ，２１Ｂ１，２１Ｂ２  素材シート、２２  セラミック素地、２３  導電パターン、３０  マザーブロック、４０  加圧板、４１  弾性体。
【図１】
2016207965.tif 000003
【図２】
2016207965.tif 000004
【図３】
2016207965.tif 000005
【図４】
2016207965.tif 000006
【図５】
2016207965.tif 000007
【図６】
2016207965.tif 000008
【図７】
2016207965.tif 000009
【図８】
2016207965.tif 000010
【図９】
2016207965.tif 000011
【図１０】
2016207965.tif 000012
【図１１】
2016207965.tif 000013
【図１２】
2016207965.tif 000014