(57)【要約】      （修正有）【課題】フレキシブル表示装置の製造工程において変形しにくい基板及びその製造方法を提供する。【解決手段】第１領域１２８及び第２領域１３０を有し、第１領域１２８の上に複数の画素が配置され、第２領域１３０の上に接続端子が配置された基板１０２を備え、当該基板１０２は、第２領域１３０におけるヤング率が第１領域１２８におけるヤング率よりも高い表示装置。【選択図】図２
2016218109.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１領域及び第２領域を有し、前記第１領域の上に複数の画素が配置され、前記第２領域の上に接続端子が配置された基板を備え、
前記基板は、前記第２領域におけるヤング率が前記第１領域におけるヤング率よりも高いことを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記基板は、有機材料を含むことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記有機材料は、ポリイミドである請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記第２領域は、無機材料を含むことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項５】
前記基板の前記第１領域におけるヤング率は３ＧＰａ以上６ＧＰａ以下であることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項６】
前記基板の前記第２領域におけるヤング率は前記第１領域におけるヤング率の１．５倍以上３倍以下であることを特徴とする請求項５に記載の表示装置。
【請求項７】
前記第２領域は、前記第１領域を囲むように配置されることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項８】
前記基板の前記複数の画素が配置された側とは反対側の面に設けられた保護フィルムを更に備える請求項１に記載の表示装置。
【請求項９】
可撓性を有する第１基板と、
前記第１基板上に形成された複数の画素と、
前記第１基板上に形成された接続端子と、を備えた表示装置であって、
前記第１基板は、少なくとも前記複数の画素と重畳する第１領域と、少なくとも前記接続端子と重畳する第２領域とを有し、
前記第２領域は、前記第１領域よりも硬いことを特徴とする表示装置。
【請求項１０】
前記第１基板と対向する第２基板を有し、
前記第１領域は前記第２基板と重畳し、
前記第２領域は前記第２基板と重畳していないことを特徴とする請求項９に記載の表示装置。
【請求項１１】
前記第１領域は第１のポリイミドを含み、
前記第２領域は、前記第１のポリイミドよりも硬い第２のポリイミドを含むことを特徴とする請求項９又は請求項１０に記載の表示装置。
【請求項１２】
前記第１領域は有機材料を含み、
前記第２領域は、無機材料を含むことを特徴とする請求項９又は請求項１０に記載の表示装置。
【請求項１３】
前記第１基板は、
前記第１領域と前記第２領域とに跨って配置された第１の有機膜と、
前記第１領域と前記第２領域とに跨って配置された第１の無機膜と、
前記第１の有機膜と前記第１の無機膜とに積層し、且つ前記第１の無機膜と接して前記第１領域に配置された第２の有機膜と、
前記第１の有機膜と前記第１の無機膜とに積層し、且つ前記第１の無機膜と接して前記第２領域に配置された、第３の有機膜と、を含み、
前記第３の有機膜は、前記第２の有機膜よりも硬いことを特徴とする請求項９又は請求項１０に記載の表示装置。
【請求項１４】
前記第１基板は、
前記第１領域と前記第２領域とに跨って配置された第１の有機膜と、
前記第１領域と前記第２領域とに跨って配置された第１の無機膜と、
前記第１の有機膜と前記第１の無機膜とに積層し、且つ前記第１の無機膜と接して前記第１領域に配置された第２の有機膜と、
前記第１の有機膜と前記第１の無機膜とに積層し、且つ前記第１の無機膜と接して前記第２領域に配置された、第２の無機膜と、を含み、
前記第２の無機膜は、前記第２の有機膜よりも硬いことを特徴とする請求項９又は請求項１０に記載の表示装置。
【請求項１５】
前記第１基板の前記複数の画素とは反対側の表面は、前記第１の有機膜であることを特徴とする請求項１３又は請求項１４に記載の表示装置。
【請求項１６】
前記第２領域は、前記第１領域を囲んで位置していることを特徴とする請求項９に記載の表示装置。
【請求項１７】
支持基板上に、第１領域及び第２領域を有し、前記第２領域におけるヤング率が前記第１領域におけるヤング率よりも高い基板を形成し、
前記基板の前記第１領域の上に複数の画素を形成し、
前記基板の前記第２領域の上に接続端子を形成し、
前記基板と前記支持基板とを剥離することを含む表示装置の製造方法。
【請求項１８】
前記基板を形成する工程は、
前記支持基板上に第１有機材料で形成された膜を配置して前記第１領域を形成する工程と、
前記支持基板上に前記第１有機材料とは異なる第２有機材料で形成された膜を配置して前記第２領域を形成する工程と、
を含む請求項１７に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１９】
前記基板を形成する工程は、
前記支持基板上に有機材料で形成された膜を配置して前記第１領域を形成する工程と、
前記支持基板上に無機材料で形成された膜を配置して前記第２領域を形成する工程と、
を含む請求項１７に記載の表示装置の製造方法。
【請求項２０】
前記基板を形成する工程は、
前記支持基板上に有機材料で形成された有機膜を形成する工程と、
前記有機膜の一部をエネルギー照射によって硬化させ前記第２領域を形成する工程と、
を含む請求項１７に記載の表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は表示装置に関する。特に、フレキシブル表示装置における基板の構成に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネッセンス（以下、有機ＥＬと呼ぶ。）表示装置は、各画素に発光素子が設けられ、個別に発光を制御することで画像を表示する。発光素子は、一方をアノード電極、他方をカソード電極として区別される一対の電極間に有機ＥＬ材料を含む層（以下、「発光層」ともいう）が挟持された構造を有している。有機ＥＬ表示装置は、一方の電極が画素毎に画素電極として設けられ、他方の電極は複数の画素に跨がって共通の電位が印加される共通電極として設けられている。有機ＥＬ表示装置は、この共通電極の電位に対し、画素電極の電位を画素毎に印加することで、画素の発光を制御している。
【０００３】
特に、薄いポリイミド（ＰＩ）等の樹脂から成る基板を用いたフレキシブル表示装置が盛んに開発されている。フレキシブル表示装置の製造においては、ガラス基板等の支持基板上に形成したＰＩ膜等の樹脂上に、薄膜トランジスタ回路素子及び発光素子を順次形成した基板（ＴＦＴ側基板）を準備する。他方、別支持基板上に形成したＰＩ膜等の樹脂上に、カラーフィルタ（ＣＦ）を形成した基板（ＣＦ側基板）を準備する。これらの基板を貼り合せ、両方の支持基板を剥離し、個片化するすることで、薄いＰＩ樹脂基板を有するフレキシブル表示装置を得る。
【０００４】
ここで、ＰＩ樹脂基板は１０〜２０μｍと非常に薄いため、製造工程での変形を防ぐことを目的として、ＰＩ樹脂基板を保護するフィルムを補助的に貼ることが有効である。
【０００５】
しかしながら、特に支持基板の剥離工程において、或いは剥離工程後において、ＰＩ樹脂基板が変形してしまうと、後の工程においてＰＩ樹脂基板を保護するフィルムを貼ることが困難になり、製造歩留まりが低下する要因となる。
【０００６】
例えば特許文献１では、有機ＥＬデバイスにおいて、基板の反りや歪みを防止するために、粘着層または接着層を介して基板に形状保護層が貼り付けられる構成が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２０１３−１５７２２８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、上記問題に鑑み、フレキシブル表示装置の製造工程において変形しにくい基板及びその製造方法を提供することを目的の一つとする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一態様は、第１領域及び第２領域を有し、第１領域の上に複数の画素が配置され、第２領域の上に接続端子が配置された基板を備え、当該基板は、第２領域におけるヤング率が第１領域におけるヤング率よりも高いこと、或いは第２領域は前記第１領域よりも硬いこと、を特徴とする表示装置である。
【００１０】
本発明の一態様は、支持基板上に、第１領域及び第２領域を有し、第２領域におけるヤング率が第１領域におけるヤング率よりも高い基板を形成し、当該基板の第１領域の上に複数の画素を形成し、当該基板の第２領域の上に接続端子を形成し、当該基板と支持基板とを剥離することを含む表示装置の製造方法である。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を示す斜視図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を示す断面図である。
【図３】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する断面図である。
【図４】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する斜視図である。
【図５】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する断面図である。
【図６】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する断面図である。
【図７】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する断面図である。
【図８】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する断面図である。
【図９】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する断面図である。
【図１０】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する斜視図である。
【図１１】本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を示す断面図である。
【図１２】本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を示す平面図である。
【図１３】本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の実施の形態を、図面等を参照しながら説明する。但し、本発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、以下に例示する実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。
【００１３】
本明細書において、ある部材又は領域が、他の部材又は領域の「上に（又は下に）」あるとする場合、特段の限定がない限り、これは他の部材又は領域の直上（又は直下）にある場合のみでなく、他の部材又は領域の上方（又は下方）にある場合を含み、すなわち、他の部材又は領域の上方（又は下方）において間に別の構成要素が含まれている場合も含む。
【００１４】
＜第１実施形態＞
［構成］
本実施形態に係る表示装置１００の構成を、図１を参照して説明する。図１は、本実施形態に係る表示装置１００の構成を示す斜視図である。表示装置１００は、第１基板１０２に表示領域１０６が設けられている。表示領域１０６は複数の画素１０８が配列することによって構成されている。表示領域１０６の上面には封止材としての第２基板１０４が設けられている。第２基板１０４は表示領域１０６を囲むシール材１１０によって、第１基板１０２に固定されている。第１基板１０２に形成された表示領域１０６は、封止材である第２基板１０４とシール材１１０によって大気に晒されないように封止されている。このような封止構造により画素１０８に設けられる発光素子の劣化を抑制している。
【００１５】
第１基板１０２は、一端部に端子領域１１４が設けられている。端子領域１１４は第２基板１０４の外側に配置されている。端子領域１１４は、複数の接続端子１１６によって構成されている。接続端子１１６には、映像信号を出力する機器や電源などと表示パネルとを接続する配線基板が接続される。配線基板と接続する接続端子１１６の接点は、外部に露出している。
【００１６】
本実施形態に係る表示装置１００の構成について、図面を参照しながら更に詳細に説明する。図２は、本実施形態に係る表示装置１００の構成を示す断面図であり、図１におけるＡ−Ａ´の断面を示している。
【００１７】
本実施形態に係る表示装置１００は、薄膜トランジスタ回路素子及び発光素子が形成されたＴＦＴ側基板１１８と、カラーフィルタ（ＣＦ）が形成されたＣＦ側基板１２０とを貼り合わせた構造を有している。
【００１８】
先ず、ＴＦＴ側基板について説明する。ＴＦＴ側基板１１８は、可撓性を有する第１基板１０２を有し、第１基板１０２上に、ＴＦＴ層１２２、発光層１２４、封止層１２６が設けられた構成を有している。更に、第１基板１０２のＣＦ側基板１２０とは反対側の面に保護フィルム１３８を設けてもよい。保護フィルム１３８は、例えばポリイミド（ＰＩ）からなる樹脂材料、有機材料によって形成される樹脂膜、有機膜である。
【００１９】
第１基板１０２は、第１領域１２８及び第２領域１３０を有する。後の工程によって、第１領域１２８には複数の画素１０８が配置され、第２領域１３０には接続端子１１６が配置される。つまり、第１領域１２８は、画像を表示するための表示領域１０６に対応する領域である。一方、第２領域１３０は端子領域１１４を含む領域である。また、第２領域１３０は、第１基板１０２上において第１領域１２８を除く領域であるとも言える。
【００２０】
本実施形態においては、可撓性を有する第１基板１０２の第２領域１３０におけるヤング率が、第１領域１２８におけるヤング率よりも高いことを特徴としている。
【００２１】
ヤング率はフックの法則が成立する弾性範囲における、同軸方向のひずみと応力の比例定数である。換言すると、物質の硬さを示す指標である。つまり、本実施形態においては、第１基板１０２の第２領域１３０は、第１領域１２８よりも硬いとも言える。
【００２２】
本実施形態に係る表示装置１００おいては、第１基板１０２の第１領域１２８のヤング率は例えば３ＧＰａ以上６ＧＰａ以下であり、慣習的なフレキシブル表示装置が有する可撓性基板のヤング率は、ほぼこの数値範囲に含まれる。また、第１基板１０２の第２領域１３０のヤング率は、８ＧＰａ以上９ＧＰａ以下であることが好ましい。
【００２３】
このような第１基板１０２の構成を有することによって、特に製造工程中に第１基板１０２の端子領域１１４に発生し易い第１基板１０２の変形や歪み、皺の発生を抑制し、これに起因する製造歩留まりの低下を抑制することができる。
【００２４】
第１基板１０２の第２領域１３０のヤング率が上記の数値範囲よりも低いと、製造工程において第１基板１０２の端子領域１１４が変形してしまう可能性が高く、製造歩留まりが低下してしまう。一方、第２領域１３０のヤング率が上記の数値範囲よりも高いと、第１領域１２８の可撓性が低下し、フレキシブル表示装置としての利便性が低下してしまう。
【００２５】
第１基板１０２の第１領域１２８のヤング率と第２領域１３０のヤング率の関係としては、第２領域１３０のヤング率は、第１領域１２８のヤング率の１．５倍以上３倍以下であることが好ましい。
【００２６】
可撓性を有する第１基板１０２の材料としては、例えば有機樹脂を用いることができる。有機樹脂としては、例えばポリイミド（ＰＩ）を用いることができる。本実施形態においては第１基板１０２としてＰＩを用いる。このとき、第１基板１０２の膜厚は１０μｍ以上２０μｍ以下程度とすることができる。
【００２７】
ＰＩは、その組成によってヤング率が３ＧＰａ以上９ＭＧＰａ以下の範囲のものを作製することができる。つまり、ヤング率が上記の数値範囲となる第１ＰＩ１０２ａ及び第２ＰＩ１０２ｂを、第１基板１０２のそれぞれ第１領域１２８及び第２領域１３０の材料として用いることができる。
【００２８】
第１基板１０２の上にはＴＦＴ層１２２が設けられる。ＴＦＴ層１２２は、画像を表示する画素回路に用いられ、図示されていない薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）及び配線を含む。
【００２９】
発光素子１２４は、画像が表示される表示領域１０６に配置される。発光素子１２４は、例えば、画素１０８毎に設けられた画素電極と、複数の画素１０８に跨って設けられた共通電極とが、発光層を挟持する構成を有している（図示せず）。発光素子１２４が、発光層として有機ＥＬ層を用いる場合、有機ＥＬ層として低分子系又は高分子系の有機材料を用いることができる。低分子系の有機材料を用いる場合、発光素子は発光性の有機材料を含む発光層に加え、当該発光層を挟むように正孔注入層や電子注入層、更に正孔輸送層や電子輸送層等を含んで構成される。本実施形態においては、発光層は、白色発光を呈するものを用い、カラーフィルタによってフルカラー発光を実現している。また、発光層は、複数の画素１０８に跨って形成されても良いし、複数の画素１０８の各々に独立して形成されても良い。
【００３０】
封止層１２６は、発光素子１２４の上に配置されると共に、発光素子１２４に起因する凹凸を平坦化するように形成されている。封止層１２６は、水分が発光素子１２４へ浸入することを遮断できる絶縁層であることが好ましい。絶縁層として無機絶縁層又は有機絶縁層を用いることができる。又は、これらを組み合わせた積層構造としてもよい。
【００３１】
次いでＣＦ側基板１２０について説明する。ＣＦ側基板１２０は、例えば可撓性を有する第２基板１０４上に、カラーフィルタ（ＣＦ）層１３２、シール材１３４、充填材１３６が設けられている。尚、ＣＦ側基板１２０は、少なくともカラーフィルタ（ＣＦ）層１３２を備えた第２基板１０４であるとし、第１基板１０２と第２基板１０４とがシール材１３４で貼り合わされ、第１基板１０２と第２基板１０４との間に充填材１３６が充填されているともいえる。
【００３２】
ＣＦ層１３２は、第２基板１０４の上の表示領域１０６に対応する領域に配置され、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の三色が並ぶカラーフィルタと、各色のカラーフィルタを区画する遮光層（ブラックマトリクスとも呼ばれる）とが設けられている（図示せず）。遮光層を設けることによって画素間の光漏れを遮断し、各色の混色といった表示不良を防止している。
【００３３】
シール材１３４は、表示領域１０６に対応する領域を囲むように配置されている。充填材１３６は、シール材１３４に囲まれた領域に配置される。
【００３４】
シール材１３４によって、第１基板１０２と第２基板１０４が貼り合わせられている。表示領域１０６に形成された発光素子１２４は、充填材１３６とシール材１３４とによって大気に晒されないように封止されている。このような封止構造により発光素子１２４の劣化を抑制している。充填材１３６としては、例えば透明なエポキシ樹脂を含む材料を用いることができる。
【００３５】
以上、本実施形態に係る表示装置１００の構成について説明した。本実施形態に係る表示装置１００は、特に製造工程中に第１基板１０２の端子領域１１４に発生し易い第１基板１０２の変形や歪み、皺の発生を抑制し、製造歩留まりの低下を抑制することができる。
【００３６】
［製造方法］
次いで、本実施形態に係る表示装置１００の製造方法について、図面を参照しながら詳細に説明する。図３乃至図９は、本実施形態に係る表示装置１００の製造方法を説明する図である。図３及び図４は、ＴＦＴ側基板１２８の製造工程を説明する図である。図５は、ＣＦ側基板１３０の製造工程を説明する図である。図６乃至図９は、ＴＦＴ側基板１２８及びＣＦ側基板１３０を貼り合わせる工程以降を説明する図である。
【００３７】
先ず、図３及び図４を参照して、ＴＦＴ側基板の製造工程について説明する。
【００３８】
先ず、支持基板１０１を準備する。支持基板１０１としては、例えばガラス基板を用いてもよい。
【００３９】
支持基板１０１上に第１基板１０２を形成する（図３（ａ））。第１基板１０２は第１領域１２８及び第２領域１３０を有し、それぞれの領域に、それぞれ異なるヤング率を有する材料が選択的に配置されている。それぞれ異なるヤング率を有する材料は、例えば有機材料であってもよい。本実施形態においては、２種の異なるヤング率を有するＰＩが用られる。つまり、第１領域１２８には第１ＰＩ１０２ａが配置され、第２領域１３０に第２ＰＩ１０２ｂが配置される。
【００４０】
特に、第１基板１０２の詳細な製造方法について、図４を用いて説明する。図４は、第１基板１０２の製造方法を示す斜視図である。図４（ａ）は、支持基板１０１を準備した段階であり、支持基板１０１は本実施形態においてはガラス基板である。
【００４１】
次いで、第１領域１２８となる領域に第１ＰＩ１０２ａを形成する（図４（ｂ））。この第１ＰＩ１０２ａの形成方法としては、印刷法、フォトリソグラフィ法等を用いることができる。
【００４２】
一例として、例えばインクジェット法等の印刷法を用いて、第１領域１２８となる領域のみに第１ＰＩ１０２ａを形成してもよい。
【００４３】
他の例として、マスクを通して薄膜を形成する成膜法を用いて、第１領域１２８となる領域のみに第１ＰＩ１０２ａを形成してもよい。この方法は、基板の被成膜面に、開口部が設けられたマスクの位置を合わせ、開口部を通して薄膜の成膜及びパターニングを行う成膜法である。このとき、マスクは基板の被成膜面に密着させてもよいし、基板との間に間隔を設けて配置してもよい。
【００４４】
更に他の例として、第１ＰＩ１０２ａを支持基板１０１の全面に成膜し、フォトリソグラフィ法を用いて第１領域１２８の第１ＰＩ１０２ａを残し、第２領域１３０に成膜された第１ＰＩ１０２ａをエッチングにより除去してもよい。
【００４５】
次いで、第２領域１３０となる領域に第２ＰＩ１０２ｂを選択的に形成する（図４（ｃ））。第２領域１３０は、第１基板１０２において第１領域１２８を除く領域であってもよい。この第２ＰＩ１０２ｂの形成方法としては、印刷法、フォトリソグラフィ法等を用いることができる。
【００４６】
一例として、例えばインクジェット法等の印刷法を用いて、第２領域１３０となる領域のみに第２ＰＩ１０２ｂを形成してもよい。
【００４７】
他の例として、上述したマスクを通した薄膜の成膜法を用いて、第２領域１３０となる領域のみに第２ＰＩ１０２ｂを形成してもよい。
【００４８】
更に他の例として、第２ＰＩ１０２ｂを支持基板１０１の全面に成膜し、フォトリソグラフィ法を用いて第２領域１３０の第２ＰＩ１０２ｂを残し、第１領域１２８に成膜された第２ＰＩ１０２ｂをエッチングにより除去してもよい。
【００４９】
尚、上記では第１ＰＩ１０２ａを形成した後に第２ＰＩ１０２ｂを形成する工程を説明したが、これらを形成する順序は逆であっても構わない。
【００５０】
尚、本実施形態に係る表示装置１００においては第２領域１３０のヤング率が第１領域１２８のヤング率よりも高ければよい。よって、上述した製造工程において、第２領域１３０に亘って成膜された第１ＰＩ１０２ａを、その後の工程でエッチングにより除去しなくても構わない。つまり、第２領域１３０においては、第１ＰＩ１０２ａと第２ＰＩ１０２ｂが積層された構造であっても構わない。
【００５１】
次いで、第１基板１０２上にＴＦＴ層１２２を（図３（ｂ））、ＴＦＴ層１２２上に発光素子１２４を（図３（ｃ））、発光素子１２４上に封止層１２６を（図３（ｄ））形成してＴＦＴ側基板１１８を得る。
【００５２】
次いで、図５を参照してＣＦ側基板１３０の製造工程について説明する。先ず、支持基板１０３を準備する。支持基板１０３としては、例えばガラス基板を用いてもよい。
【００５３】
支持基板１０３上に第２基板１０４を形成する（図５（ａ））。第２基板１０４は、支持基板１０３の全面に形成してもよい。本実施形態においては、第２基板１０４としてＰＩを用いる。
【００５４】
次いで、第２基板１０４の上の表示領域１０６に対応する領域に、ＣＦ層１３２を形成する（図５（ｂ））。ＣＦ層１３２は、第２基板１０４の上の表示領域１０６に対応する領域に配置され、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の三色が並ぶカラーフィルタと、各色のカラーフィルタを区画する遮光層とを含んでいる（図示せず）。
【００５５】
次いで、個々の表示装置において、第２基板１０４を表示領域１０６と端子領域１１４に分離する分離溝１４２を形成する。分離溝１４２はフォトリソグラフィ法を用いて形成することができる。
【００５６】
次いで、表示領域１０６に対応する領域を囲むようにシール材１３４を配置し、シール材１３４に囲まれる領域に充填材１３６を配置してＣＦ側基板１２０を得る（図５（ｄ））。以上、ＣＦ側基板１２０の製造方法を説明した。尚、シール材１３４及び充填材１３６を、ＴＦＴ側基板１１８に配置しても良い。
【００５７】
次いで、図６を参照し、ＴＦＴ側基板１１８及びＣＦ側基板１２０の貼り合わせ以降の工程について説明する。
【００５８】
前述の工程によって作製したＴＦＴ側基板１１８及びＣＦ側基板１２０を対向させ、位置合わせを行い、両者を貼り合わせる（図６（ａ））。
【００５９】
次いで、ＴＦＴ側の支持基板１０１を第１基板１０２から剥離する（図６（ｂ））。これによって、第１基板１０２の表面のうち、対向する第２基板１０４の反対側の表面、即ち非表示面側の表面は外部に露出されることになる。
【００６０】
ここで、慣習的な例において、この支持基板１０１と第１基板１０２との剥離工程で懸念される問題について説明しておく。この剥離工程において、本実施形態のように第１領域１２８及び第２領域１３０にそれぞれ異なるヤング率を有するＰＩを用いず、慣習的に、一様なヤング率を有するＰＩを用いた場合、特に端子領域１１４に対応する第１基板１０２の第２領域１３０において、例えば皺状の不規則な凹凸、歪みが発生し易いという問題がある。
【００６１】
支持基板１０１の剥離前において、表示領域１０６は、支持基板１０１と第２基板１０４が、シール材１３４と充填材１３６を介して対向して固定されている。一方、端子領域１１４は、支持基板１０１と第２基板１０４との間は空洞であるため、換言すれば、端子領域１１４は平面的に見て第２基板１０４と重畳していないため、端子領域１１４においては第１基板１０２を支持する要素が無い。従って、上記の問題が発生し易い。
【００６２】
この様な問題に対し、本実施形態に係る表示装置の製造方法によれば、第１基板１０２の端子領域１１４に対応する第２領域１３０に比較的高いヤング率を有するＰＩ、つまり比較的硬いＰＩを用いるために、上記の様な変形が発生しにくい。後の工程の説明で詳述するが、これによって、第１基板１０２の変形や歪み、皺の発生に起因する製造歩留まりの低下を抑制することができる。
【００６３】
次いで、第１基板１０２の非表示面側に保護フィルム１３８を貼り付ける（図７（ａ））。第１基板１０２は１０〜２０μｍと非常に薄いため、製造工程での変形を防ぐことを目的として、第１基板１０２を保護するための保護フィルム１３８を補助的に貼り付けることが有効である。
【００６４】
ここで、第１基板１０２が、例えば支持基板１０１の剥離工程等に起因して変形し、凹凸を有していると、保護フィルム１３８との十分な密着性を確保することができず、安定的に貼り付けることが困難になる。このため、後の工程において例えばこれらが剥離してしまい第１基板１０２が十分に保護されず、製造の歩留まりが低下するという問題がある。
【００６５】
この問題に対し、本実施形態においては、前述の理由によって第１基板１０２の変形が発生しにくいため、保護フィルム１３８との十分な密着性を確保することができ、貼り付けが容易になる。これによって、後の工程において第１基板１０２を十分に保護することができ、製造の歩留まり低下を抑制することができる。
【００６６】
次いで、ＣＦ側の支持基板１０４を剥離する（図７（ｂ））。
【００６７】
次いで、同一の支持基板板上に形成された複数の表示装置を分断し、それぞれ個片化する（図８（ａ））。
【００６８】
次いで、端子領域１１４において、接続端子１１６を露出する。（図８（ｂ））。尚、図８（ｂ）においては、接続端子１１６はＴＦＴ層１２２に含まれている。以上の工程を経て、本実施形態に係る表示装置１００を得ることができる。
【００６９】
ここで、図９（ａ）に示すように、ＣＦ側に保護フィルム１４０を設けてもよい。これによって、表示装置の物理的機械的な強度を向上させることができる。ＣＦ側に保護フィルム１４０を設けるか否かは、最終的な製品の形態に応じて選択すればよい。
【００７０】
また、図９（ｂ）に示すように、ＴＦＴ側の保護フィルム１３８を剥離してもよい。ＴＦＴ側の保護フィルム１３８を剥離するか否かは、最終的な製品の形態に応じて選択すればよい。
【００７１】
以上、本実施形態に係る表示装置１００の製造方法について説明した。本実施形態に係る表示装置１００の製造方法によれば、製造工程中において問題となっていた第１基板１０２の変形を抑制することができる。特に、ＴＦＴ側の支持基板１０１を剥離する際に、端子領域１１４において発生する不規則な凹凸を抑制することができる。これによって、後の製造工程において第１基板１０２に保護フィルム１３８を貼り付けることが容易になり、製造の歩留まりを向上させることができる。
【００７２】
＜第２実施形態＞
本実施形態に係る表示装置２００の構成について、図面を参照しながら詳細に説明する。本実施形態に係る表示装置２００の外観及び構成は、第１実施形態に係る表示装置１００と同様である。
【００７３】
本実施形態における表示装置２００と第１実施形態における表示装置１００とを比較すると、その製造方法において、第１基板１０２を形成する方法のみが相違している。
【００７４】
図１０を用いて本実施形態に係る表示装置２００の第１基板１０２の製造方法について説明する。
【００７５】
図１０は、第１基板１０２の製造方法を示す斜視図である。図１０（ａ）は、支持基板１０１であり、本実施形態においてはガラス基板である。
【００７６】
次いで、第１領域１２８及び第２領域１３０が配置される領域に亘って、第１基板１０２を形成する（図１０（ｂ））。第１基板１０２は、支持基板１０１の全面に形成してもよい。本実施形態においては、第１基板１０２はＰＩである。
【００７７】
次いで、第１基板１０２の第２領域１３０にエネルギー照射を行い、第２領域１３０におけるＰＩを硬化させる（図１０（ｃ））。エネルギー照射は、例えば紫外線照射を用いることができる。これによって、エネルギー照射された第２領域１３０のＰＩが、第１領域１２８のＰＩよりも硬くなる。つまり、第２領域１３０のＰＩのヤング率が、第１領域１２８のＰＩのヤング率よりも高くなる。
【００７８】
これによって、第１基板１０２の端子領域１１４に対応する第２領域１３０に、比較的高いヤング率を有するＰＩを形成できるために、後の製造工程において当該端子領域の変形が発生しにくい。これによって、第１基板１０２の変形に起因する製造歩留まりの低下を抑制することができる。
【００７９】
更に、このような第１基板１０２の製造方法を用いれば、フォトリソグラフィ工程を用いないために、製造に要するマスクの枚数が増加せず、容易に本実施形態に係る表示装置２００を作製することができる。
【００８０】
＜第３実施形態＞
本実施形態に係る表示装置３００の構成について、図面を参照しながら詳細に説明する。本実施形態に係る表示装置３００の外観は、第１実施形態に係る表示装置１００と同様である。図１１は、本実施形態に係る表示装置３００の構成を説明する断面図である。
【００８１】
本実施形態における表示装置３００の構成と第１実施形態における表示装置１００の構成とを比較すると、第２領域１３０の材料のみが相違している。本実施形態においては、第１基板１０２の第２領域１３０の材料１０２ｃとして、ＰＩ以外の材料を用いる。第２領域１３０の材料としては、第１領域１２８の材料よりもヤング率が高い材料であればよい。例えば、無機材料又は有機材料を用いることができる。無機材料としては、例えばセラミックス系材料を用いることができる。有機材料としては、例えばエポキシ樹脂、ポリアミド系樹脂等を用いることができる。
【００８２】
このような支持基板としての第１基板１０２の構成を有することによって、特に製造工程中に第１基板１０２の端子領域１１４に発生し易い変形を抑制し、製造歩留まりの低下を抑制することができる。
【００８３】
本実施形態における表示装置３００の製造方法は、第１実施形態における表示装置１００の製造方法と同様であり、第１基板１０２の第２領域１３０における材料が異なるのみであるため、詳細な説明は省略する。
【００８４】
＜第４実施形態＞
第１乃至第３実施形態に係る表示装置は、第１基板１０２における第１領域１２８及び第２領域１３０のレイアウトは共通している。つまり、接続端子１１６が配置される第２領域１３０は、第１基板１０２の一辺に沿って配置される構成を有している。しかし、本発明はこのようなレイアウトに限られるものではない。
【００８５】
第１領域１２８及び第２領域１３０の他の好ましい形態について図面を参照しながら説明する。図１２は、本実施形態に係る表示装置４００の、第１基板１０２における第１領域１２８及び第２領域１３０レイアウトを説明する図である。図１２では、各表示装置を個片化する前の上面図を示している。この例では、支持基板１０１に配置された複数の表示装置の各々に着目すると、第２領域１３０は、第１領域１２８を囲むように配置されている。換言すると、第２領域１３０は、各表示装置の周縁部に沿って配置されている。
【００８６】
このような構成を有することによって、表示装置全体が、第１領域１２８よりもヤング率の高い第２領域１３０に囲まれるため、製造工程中の変形が更に発生しにくくなる。
【００８７】
これにより、製造工程中の変形を防止するために設けられるＴＦＴ側の保護フィルム１３８を省略することが可能となる。更に、最終製品形態におけるＴＦＴ側の保護フィルム１３８及び／又はＣＦ側の保護フィルムの省略も可能となる。これらにより、製造工程の簡略化及び製造コストの削減に繋がる。
【００８８】
＜第５実施形態＞
第１乃至第４実施形態に係る表示装置は、第１基板１０２は一層のみから成る構成を有していた。しかし、第１基板１０２の構成としてはこれに限られず、複数の膜が積層された構造であってもよい。本実施形態においては、複数の膜が積層された第１基板１０２の好ましい形態について説明する。
【００８９】
図１３は、積層構造を有する第１基板１０２を含む表示装置の３通りの例を示す図である。図１３（ａ）は、第１基板１０２として、３層の積層構造を有する表示装置５１０を示している。このうち、最も第２基板１０４側の膜１０２ａおよび１０２ｂは、第１実施形態乃至第３実施形態のいずれかに示した第１基板１０２と同様であり、異なるヤング率を有する領域が配置されている。膜１０２ａおよび１０２ｂの下に隣接する膜１０２ｄは、無機材料を含む膜である。無機材料としては、例えば酸化ケイ素、窒化ケイ素等を用いることができる。１０２ｄの下に隣接する膜１０２ｅは、有機材料である。有機材料としては例えばＰＩを用いることができる。膜１０２ｅの平面構造は均一である。つまり、一様に材料が配置される。
【００９０】
図１３（ｂ）は、第１基板１０２として、３層の積層構造を有する表示装置５２０を示している。このうち、最も第２基板１０４側の膜１０２ｅは、有機材料である。有機材料としては例えばＰＩを用いることができる。膜１０２ｅの平面構造は均一である。１０２ｅの下に隣接する膜１０２ｄは、無機材料を含む膜である。無機材料としては、例えば酸化ケイ素、窒化ケイ素等を用いることができる。１０２ｄの下に隣接する膜１０２ａおよび１０２ｂは、第１実施形態乃至第３実施形態のいずれかに示した第１基板１０２と同様である。
図１３（ｃ）は、第１基板１０２として、５層の積層構造を有する表示装置５３０を示している。第２基板１０４側の３層は、図１３（ｂ）に示した表示装置５２０と同様の構成を有している。上記３層の下の膜１０２（ｆ）は、無機材料を含む膜である。無機材料としては、例えば酸化ケイ素、窒化ケイ素等を用いることができる。１０２（ｆ）の下に隣接する膜１０２（ｇ）は、有機材料である。有機材料としては例えばＰＩを用いることができる。膜１０２（ｇ）の平面構造は均一である。
【００９１】
以上のような積層構造を有する構成によって、第１基板のバリア性が向上し、外部から水分等の異物が表示装置内に侵入することが抑制される。これによって、信頼性の向上した表示装置５１０乃至５３０を提供することができる。
【００９２】
また、製造工程において第１基板１０２は支持基板１０１上に形成され、後の工程で支持基板１０１は剥離される。この剥離工程においては、支持基板１０１と接する第１基板１０２のうち、最下層の膜は平面構造が均一である方が好ましい。つまり、以上の例では、図１３（ａ）及び図１３（ｃ）に示した第１基板１０２の構成が好ましい。
【００９３】
尚、以上で示した例に限らず、多様な積層構造を選択することができる。また、以上で示した例は全て第１基板１０２が積層構造を示しているが、第２基板１０４を積層構造にしてもよい。これによって、第２基板１０４のバリア性が向上し、外部から水分等の異物が表示装置内に侵入することが抑制される。これによって、信頼性の向上した表示装置を提供することができる。
【００９４】
以上、本発明の好ましい態様を第１実施形態乃至第５実施形態によって説明した。しかし、これらは単なる例示に過ぎず、本発明の技術的範囲はそれらには限定されない。当業者であれば、本発明の要旨を逸脱することなく、種々の変更が可能であろう。よって、それらの変更も当然に、本発明の技術的範囲に属すると解されるべきである。
【符号の説明】
【００９５】
１００、２００、３００・・・表示装置
１０１、１０２、１０３、１０４・・・基板
１０６・・・表示領域
１０８・・・画素
１１０・・・シール材
１１４・・・端子領域
１１６・・・接続端子
１１８・・・ＴＦＴ側基板
１２０・・・ＣＦ側基板
１２２・・・ＴＦＴ層
１２４・・・発光素子
１２６・・・封止層
１２８・・・第１領域
１３０・・・第２領域
１３２・・・ＣＦ層
１３４・・・シール材
１３６・・・充填材
１３８、１４０・・・保護フィルム
１４２・・・分離溝
【図１】
2016218109.tif 000003
【図２】
2016218109.tif 000004
【図３】
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【図４】
2016218109.tif 000006
【図５】
2016218109.tif 000007
【図６】
2016218109.tif 000008
【図７】
2016218109.tif 000009
【図８】
2016218109.tif 000010
【図９】
2016218109.tif 000011
【図１０】
2016218109.tif 000012
【図１１】
2016218109.tif 000013
【図１２】
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【図１３】
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