(57)【要約】【課題】半導体集積回路のプロセス状態に応じた供給電圧調整において、半導体集積回路の電源リップルのばらつきに起因して、余剰な電力消費が発生する。【解決手段】半導体集積回路のプロセス状態に応じた電源リップル値を記憶する手段、プロセス状態を示す情報を取得し、前記取得した情報が示すプロセス状態に応じた電源リップル値を、前記記憶手段から取得する手段と、前記取得した電源リップル値と前記プロセス状態の半導体集積回路が正常に動作可能な電圧値を加算した電圧値を、電源供給手段に設定する手段を有することを特徴とする。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体集積回路（ＡＳＩＣ（101））と電源供給手段（102）から構成され、
前記電源供給手段（102）は、電源電圧変更手段（210）と電源電圧設定手段（電源電圧設定レジスタ（211））を有し、
前記半導体集積回路は、
半導体集積回路のプロセスの状態を認識する認識手段（モニタ回路（200））と、
前記認識手段によって認識されたプロセス状態を示す情報を格納する格納手段（ＡＳＶ電圧コード保持部（201））と、
半導体集積回路のプロセス状態に応じた電源リップル値を記憶する記憶手段（リップル値テーブル（220））と、
前記格納手段に格納された情報を取得し、前記取得した情報が示すプロセス状態に応じた電源リップル値を、前記記憶手段から取得する手段（S602〜S604）と、
前記取得手段によって取得した電源リップル値と、前記格納手段に格納された情報が示す半導体集積回路が正常に動作可能な電圧値を加算した電圧値を、前記電源供給手段（102）に設定する設定手段（S605〜S606）
を有することを特徴とする供給電圧制御方法。
【請求項２】
半導体集積回路（ＡＳＩＣ（101））と電源供給手段（102）を有し、
前記電源供給手段（102）は、電源電圧変更手段（210）と電源電圧設定手段（電源電圧設定レジスタ（211））を有し、
前記半導体集積回路は、
半導体集積回路のプロセスの状態を認識する認識手段（モニタ回路（200））と、
前記認識手段によって認識されたプロセス状態を示す情報を格納する格納手段（ＡＳＶ電圧コード保持部（201））と、
半導体集積回路のプロセス状態に応じた電源リップル値を記憶する記憶手段（リップル値テーブル（220））と、
前記格納手段に格納された情報を取得し、前記取得した情報が示すプロセス状態に応じた電源リップル値を、前記記憶手段から取得する手段（S602〜S604）と、
前記取得手段によって取得した電源リップル値と、前記格納手段に格納された情報が示す半導体集積回路が正常に動作可能な電圧値を加算した電圧値を、前記電源供給手段（102）に設定する設定手段（S605〜S606）
を有することを特徴とする情報処理装置。
【請求項３】
請求項１に記載の記憶手段に、半導体集積回路のプロセスの状態を示す情報と、前記情報に応じたプロセス状態を有する半導体集積回路の電源リップル値を記憶する手段を有することを特徴とする請求項１に記載の供給電圧制御方法及び情報処理装置。
【請求項４】
スキャン手段、プリント手段、コピー手段を備え、請求項１に記載の供給電圧制御方法によって電源供給される半導体集積回路が、前記スキャン手段、プリント手段、コピー手段を制御することを特徴とする画像処理装置。
【請求項５】
半導体集積回路の初期化動作時に、請求項１記載の格納手段から半導体集積回路のプロセス状態を示す情報を取得する手段、
前記情報取得後に、請求項１記載の記憶手段から半導体集積回路のプロセス状態に応じた電源リップル値を取得する手段を有することを特徴とする請求項１記載の供給電圧制御方法及び情報処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＡＳＩＣ等の半導体集積回路に対して、好適な電源電圧を供給する供給電圧制御方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体集積回路を目的の動作周波数によって動作させるために好適な電源電圧を供給する技術として、Adaptive Supply Voltage（以降ＡＳＶとする）技術がある（特許文献１参照）。
【０００３】
ＡＳＶ制御とは、チップの製造時のプロセスのばらつきに対応した供給電圧制御技術である。以下にＡＳＶ制御に関して簡単な説明を行う。
【０００４】
半導体集積回路を製造する際には、同じものを作るつもりでも、露光装置の状態などにより、出来上がった半導体集積回路のプロセスには、ばらつきが発生する。そのプロセスのばらつきは、動作速度のばらつきとなって現れる。半導体製造メーカでは、前記ばらつきが規定の範囲内である事を確認した半導体集積回路の出荷を行う事となる。
【０００５】
ＡＳＶ制御とは、前記半導体集積回路の使用時に、製造時のプロセスのばらつきを考慮し、好適な半導体集積回路への供給電圧制御を実施する技術となる。具体的には、半導体集積回路内のプロセスの状態を認識する為のプロセスモニタを持ち、その出力情報からその半導体集積回路のプロセス状態の認識を行う。
【０００６】
基準状態より高速動作可能な半導体集積回路に対しては、目標となる動作周波数で正常に動作する範囲で供給電圧を下げて動作させる制御を行う。
【０００７】
基準状態より低速でしか動作出来ない半導体集積回路に対しては、目標となる動作周波数で正常に動作するように、供給電圧を上げて動作させる制御を行う事も可能となる。
また、電源供給手段から供給される電源ラインには、電流負荷に応じて電源リップル（以降リップルとする）が生じる。リップルによる電源電圧変動を考慮した上で、電源供給手段からの供給電圧値が、規定の電源電圧値を下回ることがないように、供給電圧を調整するのが一般的である（特許文献２参照）。
【０００８】
具体的に言えば、半導体集積回路に供給されるべき規定の電源電圧値に、リップルによる電圧変動値を加算した電圧値を出力するように、電源供給手段の出力電圧値が調整される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２０１３−３７４７２号公報
【特許文献２】特許第３７３２８９６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
前記先行技術においては、リップルによる電圧変動値は、半導体集積回路のプロセスのばらつきに関係なく一定値であった。前記一定値は、プロセスのばらつきが規定の範囲内にある半導体集積回路の中で、リップルによる電圧変動値が最大の場合の値であった。
しかし実際には半導体集積回路のプロセスのばらつきに応じて、電流負荷にもばらつきが生じ、リップルにもばらつきが生じる。
【００１１】
例えば前記リップルによる電圧変動の最大値（以降リップル最大値とする）が０．０４Ｖ、半導体集積回路のプロセスのばらつきに応じて最適化された規定の供給電圧値が１．１０Ｖの場合について説明する。この場合、半導体集積回路に供給されるべき規定の供給電圧値１．１０Ｖに、リップル最大値０．０４Ｖを加算した値、即ち１．１４Ｖを出力するように、電源供給手段の出力電圧値が調整される。
【００１２】
一方、プロセスのばらつきによっては、リップルによる電圧変動が前記リップル最大値０．０４Ｖよりも小さいチップ個体も存在する。例えば前記リップル最大値０．０４Ｖよりも小さい、リップル値が０．０２Ｖであるチップ個体について説明する。
【００１３】
前記リップル値０．０２Ｖのチップ個体が、前述した１．１４Ｖに調整された電源供給手段から電源供給される場合、前記チップ個体のリップル値０．０２Ｖを考慮しても、その半導体集積回路に供給される電圧値が１．１２Ｖを下回ることはない。前述した半導体集積回路に供給されるべき規定の供給電圧値１．１０Ｖに対し、それよりも０．０２Ｖ高い１．１２Ｖを半導体集積回路に供給していることになる。リップル値０．０２Ｖのチップ個体の場合、電源供給手段から出力される電圧値を１．１４Ｖから１．１２Ｖに下げて、消費電力を低減する余地がある。換言すれば、リップル値０．０２Ｖのチップ個体に対し、電源供給手段から前述したリップル最大値０．０４Ｖを考慮した１．１４Ｖを供給している場合、余剰な電力を消費していることになる。
【００１４】
つまり、リップル最大値を考慮したＡＳＶ制御による供給電圧調整においては、チップ個体のリップルのばらつきに起因して、余剰な電力消費が発生することになる。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上記の課題を解決するために、本発明の供給電圧制御方法は、
半導体集積回路（ＡＳＩＣ（101））と電源供給手段（102）から構成され、
前記電源供給手段（102）は、電源電圧変更手段（210）と電源電圧設定手段（電源電圧設定レジスタ（211））を有し、
前記半導体集積回路は、
半導体集積回路のプロセスの状態を認識する手段（モニタ回路（200））と、
前記認識手段によって認識されたプロセス状態を示す情報を格納する格納手段（ＡＳＶ電圧コード保持部（201））と、
半導体集積回路のプロセス状態に応じた電源リップル値を記憶する記憶手段（リップル値テーブル（220））と、
前記格納手段に格納された情報を取得し、前記取得した情報が示すプロセス状態に応じた電源リップル値を、前記記憶手段から取得する手段（S602〜S604）と、
前記取得手段によって取得した電源リップル値と、前記格納手段に格納された情報が示す半導体集積回路が正常に動作可能な電圧値を加算した電圧値を、前記電源供給手段（102）に設定する設定手段（S605〜S606）
を有することを特徴とする。
【００１６】
本発明の情報処理装置は、
半導体集積回路（ＡＳＩＣ（101））と電源供給手段（102）を有し、
前記電源供給手段（102）は、電源電圧変更手段（210）と電源電圧設定手段（電源電圧設定レジスタ（211））を有し、
前記半導体集積回路は、
半導体集積回路のプロセスの状態を認識する認識手段（モニタ回路（200））と、
前記認識手段によって認識されたプロセス状態を示す情報を格納する格納手段（ＡＳＶ電圧コード保持部（201））と、
半導体集積回路のプロセス状態に応じた電源リップル値を記憶する記憶手段（リップル値テーブル（220））と、
前記格納手段に格納された情報を取得し、前記取得した情報が示すプロセス状態に応じた電源リップル値を、前記記憶手段から取得する手段（S602〜S604）と、
前記取得手段によって取得した電源リップル値と、前記格納手段に格納された情報が示す半導体集積回路が正常に動作可能な電圧値を加算した電圧値を、前記電源供給手段（102）に設定する設定手段（S605〜S606）と、
を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、半導体のプロセスばらつきに応じて供給電圧が最適化される半導体集積回路に対し、プロセスばらつきに応じたリップル値を用いて、更に供給電圧を最適化することが可能となる。前記更なる最適化により、半導体集積回路に対する供給電圧を低減し、消費電力を低減することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明を適用したＭＦＰの全体構成図
【図２】ＡＳＩＣ（101）、電源供給手段（102）及びＦＬＡＳＨメモリ（105）の構成図
【図３】プロセスばらつきとＡＳＶ電圧及びＡＳＶ電圧コードの対応を示す図
【図４】リップル値テーブル（220）を説明するための図
【図５】ＭＦＰの電源投入時の電源供給手段（102）の動作を説明するフローチャート
【図６】ＭＦＰのＣＰＵ（104）の動作を説明するフローチャート
【図７】プロセスばらつきとＡＳＶ電圧コード及び供給電圧の対応を示す図
【発明を実施するための形態】
【００１９】
本発明を実施するための形態について図面を用いて説明する。
【００２０】
本実施形態では、スキャン、プリント、コピー等を行うＭｕｌｔｉ  Ｆｕｎｃｔｉｏｎ  Ｐｒｉｎｔｅｒ（以降ＭＦＰとする）に、本発明を適用した場合について説明する。ただし、本実施形態に記載されている図面はあくまで例示であり、この発明の範囲をそれらにのみ限定する主旨のものではない。
【００２１】
図１に、本発明を適用したＭＦＰの全体構成図を示す。同図においてＭＦＰ制御部（100）は、画像入力デバイスであるスキャナ部（110）や画像出力デバイスであるプリンタ部（120）と接続され、画像情報やデバイス情報の入出力、ＰＤＬデータのイメージ展開等の制御を行う。またＭＦＰ制御部（100）は、ＬＡＮや公衆回線等の外部ネットワークと接続されているネットワークインターフェイス（130）と接続され、ＭＦＰ外部の機器（図示省略）とデータの送受信を行う。
【００２２】
ＨＤＤ記憶部（140）はハードディスクドライブで、システムソフトウェアや、画像データを格納する。ユーザインターフェイス（150）は、ＭＦＰの状態や、画像データの表示を行うディスプレイや、ユーザが本ＭＦＰを使用するにあたって、各種設定を行うボタンやスイッチ、テンキーが含まれるものとする。またユーザインターフェイス（150）は、前記ディスプレイやボタン等を兼ねたタッチパネルなどが含まれているものであってもよい。
【００２３】
更にＭＦＰ制御部（100）は、システム全体を制御するプロセッサである半導体集積回路（101）（以降ＡＳＩＣとする）、前記ＡＳＩＣ（101）に対して電源供給を行う電源供給手段（102）及びＦＬＡＳＨメモリ（105）を備える。前記ＦＬＡＳＨメモリ（105）はＡＳＩＣ（101）内のＣＰＵ（104）のブートプログラムの格納や各種データの保存に使用される。ＡＳＩＣ（101）内のＣＰＵ（104）は電源投入直後、ＦＬＡＳＨメモリ（105）のブートプログラムを読み込み、そのプログラム内容に従って動作する。ＤＲＡＭ（106）はＡＳＩＣ（101）内のＣＰＵ（104）が動作するためのシステムワークメモリであり、画像データを一時記憶するための画像メモリでもある。
【００２４】
ＣＰＵ（104）では、本ＭＦＰのシステム全体の制御を行うとともに、データ処理回路（103）に対する各種設定や、画像データの入出力制御等を行う。例えば、コピー動作を行う場合は、ユーザインターフェイス（150）からの設定に基づき、ＣＰＵ（104）によって、各種画像処理の設定が、データ処理回路（103）に対して行われる事となる。前記設定が完了した時点で、スキャナ部（110）が稼働し、原稿を読み取り、アナログ・デジタル変換等を行った後、スキャンデータとしてＭＦＰ制御部（100）に入力される。ＭＦＰ制御部（100）において、ＣＰＵ（104）を介してデータ処理回路（103）に前記スキャンデータが入力される。データ処理回路（103）では、予めＣＰＵ（104）により設定された各種設定に従って、画像処理を行い、プリント出力用の画像データを生成する事となる。ＭＦＰ制御部（100）内のデータ処理回路（103）から出力されたプリント出力用の画像データは、プリンタ部（120）に入力され、所定の用紙にプリントが行われる事となる。
【００２５】
またネットワークインターフェイス（130）では、外部ネットワークに接続されたPC等（図示省略）から、プリント動作の要求や現状のＭＦＰの動作状況の確認要求を行うデータ等が入力される事となる。プリント動作要求の場合は、外部ネットワークからネットワークインターフェイス（130）を介してＭＦＰ制御部（100）に対して、プリント時の各種設定及びプリント用の画像データが入力される。ＭＦＰ制御部（100）内のＣＰＵ（104）は、入力された設定に応じてデータ処理回路（103）の各種設定を行った後、入力されたプリント用の画像データをデータ処理回路（103）に入力する。データ処理回路（103）では、ＣＰＵ（104）により設定された各種係数に従って画像処理を行い、プリント出力用の画像データを生成する事となる。ＭＦＰ制御部（100）内のデータ処理回路（103）から出力されたプリント出力用の画像データは、プリンタ部（120）に入力され、プリントが行われる事となる。
【００２６】
図２は図１におけるＭＦＰ制御部（100）内のＡＳＩＣ（101）、電源供給手段（102）及びＦＬＡＳＨメモリ（105）の構成を示す図である。ＡＳＩＣ（101）内部には、前述したＣＰＵ（104）の他に、モニタ回路（200）、ＡＳＶ電圧コード保持部（201）、シリアルバスインターフェイス（202）（以降シリアルバスＩ／Ｆとする）が含まれている。
【００２７】
ＡＳＩＣ（101）と電源供給手段（102）はシリアルバスで接続され、ＡＳＩＣ（101）内のＣＰＵ（104）はシリアルバスＩ／Ｆ（202）を制御し、シリアルバス経由で電源供給手段（102）との間でデータをやりとりすることが可能である。
【００２８】
電源供給手段（102）は、既定の電圧値を有する電源をＡＳＩＣ（101）に対して供給する。本実施例において、前記既定の電圧値が１．１０Ｖである場合について、以降の説明を行う。
【００２９】
電源供給手段（102）内部には、電源電圧変更手段（210）及び電源電圧設定レジスタ（211）が備えられている。電源電圧変更手段（210）は、電源電圧設定レジスタ（211）の設定値を基に、ＡＳＩＣ（101）に供給する電圧を既定の１．１０Ｖから変更することが可能である。
【００３０】
前記電源電圧設定レジスタ（211）の値は、ＣＰＵ（104）がシリアルバスＩ／Ｆ（202）を制御し、シリアルバス経由で、所望の値に変更することが可能である。本実施例における電源電圧変更手段（210）は、電源電圧設定レジスタ（211）の値の変更により、数ｍＶ単位でＡＳＩＣ（101）に供給する電源電圧値を変更可能であるものとして以降の説明を行う。
【００３１】
ＦＬＡＳＨメモリ（105）は、リップル値テーブル（220）を備えているが、前記リップル値テーブル（220）の詳細については後述する。
【００３２】
ＡＳＩＣ（101）内のモニタ回路（200）とは、ＡＳＩＣ（101）を製造する際の製造条件や半導体の材料などから生じる、ＡＳＩＣ（101）内の回路の動作速度のばらつきを検出するものである。モニタ回路（200）は、複数のインバータからなるリングオシレータ（図示省略）から構成される。ＡＳＶ電圧コード保持部（201）の詳細に関しては後述する。
【００３３】
ＡＳＩＣ製造元がＡＳＩＣ（101）を出荷する際のテスト時には、テスター装置（図示省略）にＡＳＩＣ（101）を接続し、様々なテストを実施する。その際テスター装置は、モニタ回路（200）からの情報を基に、ＡＳＩＣ（101）が出荷可能なばらつきの範囲内か否かの判断を行う事となる。更にテスター装置は前記情報を基に、前記範囲内のチップが高速で動くチップなのか、低速でしか動作可能でないチップなのかの判断を行う事となる。
【００３４】
モニタ回路（200）からの情報で、高速で動作が可能なチップであると判断した場合は、そのチップに対して、通常電圧レベルから何ボルトまで電圧を下げても、想定したスピードでの処理が可能かの判断を行う。
【００３５】
また、モニタ回路（200）からの情報で、低速でしか動作しないチップであると判断した場合、そのチップに対して、通常電圧レベルから何ボルトまで電圧を上げれば、想定したスピードでの処理が可能かの判断を行う。
【００３６】
テスター装置は前記判断を行い、そのチップが想定したスピードでの動作可能な電圧値を電圧コードに変換し、前記電圧コードをＡＳＩＣ（101）内のＡＳＶ電圧コード保持部（201）に格納する。
【００３７】
以上のように、ＡＳＩＣ製造元がＡＳＩＣ（101）を出荷する際のテスト時に、ＡＳＶ電圧コード保持部（201）へ、そのチップが想定したスピードでの動作可能な電圧の値を電圧コードに変換し格納して出荷する事となる。前記そのチップが想定したスピードでの動作可能な電圧を「ＡＳＶ電圧」として、更に前記電圧コードを「ＡＳＶ電圧コード」として、以降の説明を行う。
【００３８】
図３はチップのプロセスばらつきと前記ＡＳＶ電圧及びＡＳＶ電圧コードの対応を示す図である。同図を用いて、本実施例における前記ＡＳＶ電圧コードの決定方法例を以下に説明する。前述してきたように、高速で動作可能なチップの場合には、基準とする電圧より多少低い電圧でも基準電圧供給時と同等なスピードでの処理が可能という事となる。
【００３９】
また、低速でしか動作できないチップに関しては、基準電圧より多少高めの電圧を供給する事で、基準電圧供給時と同等なスピードでの処理が可能という事となる。
【００４０】
図３を用いて具体的に説明する。１.１０Ｖの電圧を供給した場合に、チップが所望とするスピード（例えば２００ＭＨｚ）での動作が可能であるとする。本実施例では前記１.１０Ｖを基準電圧とし、基準電圧１.１０Ｖにて２００ＭＨｚ動作可能なチップを、プロセスばらつきの基準とする。
【００４１】
前記プロセスばらつきの基準となるチップに対し、プロセスばらつきによっては、基準電圧１.１０Ｖよりも低い電圧を供給しても、２００ＭＨｚ動作可能なチップが存在する。本実施例では図３に示すように、１．０２Ｖ、１．０４Ｖ、１．０６Ｖ、１．０８Ｖの各ＡＳＶ電圧で、チップは所望とするスピード、即ち２００ＭＨｚでの動作が可能であるものとする。
【００４２】
逆にプロセスばらつきによっては、基準電圧１.１０Ｖよりも高い電圧を供給することによって、２００ＭＨｚ動作可能なチップが存在する。本実施例では図３に示すように、１．１２Ｖ、１．１４Ｖ、１．１６Ｖの各ＡＳＶ電圧で、チップは所望とするスピードでの動作が可能であるものとする。
【００４３】
前述したように、ＡＳＩＣ製造時には、テスター装置（図示省略）によって、そのチップが所望とするスピードでの動作可能な電圧値、即ちＡＳＶ電圧値をＡＳＶ電圧コードに変換し、ＡＳＩＣ（101）内のＡＳＶ電圧コード保持部（201）へと格納する。
【００４４】
本実施例では、前述した１．０２Ｖ〜１．１６Ｖまでの各ＡＳＶ電圧を、各ＡＳＶ電圧に対応する３ｂｉｔのＡＳＶ電圧コードへと変換して、ＡＳＶ電圧コード保持部（201）に格納する事とする。図３に示すように、前記ＡＳＶ電圧コード保持部（201）に格納される３ｂｉｔのＡＳＶ電圧コードは、ＡＳＶ電圧が１．０２Ｖの場合には１１１であるものとする。以下同様に、ＡＳＶ電圧が１．０４Ｖ、１．０６Ｖ、１．０８Ｖ、１.１０Ｖ、１.１２Ｖ、１.１４Ｖ、１.１６Ｖの各場合に対して、ＡＳＶ電圧コードは各々１１０、１０１、１００、０１１、０１０、００１、０００であるものとする。
【００４５】
本実施例では、前述してきた各ＡＳＶ電圧の値は、それに対応するＡＳＶ電圧コードとともに、ＦＬＡＳＨメモリ（105）内に予め記憶されているものとする。即ち図３に例示した１．０２Ｖ〜１．１６ＶのＡＳＶ電圧の値と、それに対応する１１１〜０００の各ＡＳＶ電圧コードの値は、ＦＬＡＳＨメモリ（105）内に予め記憶されているものとする。ＡＳＩＣ（101）内のＣＰＵ（104）は、ＦＬＡＳＨメモリバスを介して、ＦＬＡＳＨメモリ（105）に記憶されている前記ＡＳＶ電圧及びＡＳＶ電圧コードの値を読み込むことが可能である。
【００４６】
図２におけるＦＬＡＳＨメモリ（105）内のリップル値テーブル（220）は、予め定められたリップルの値が記憶されたテーブルである。ＦＬＡＳＨメモリ（105）内のリップル値テーブル（220）領域には、予め定められた値が書き込まれている。そしてＡＳＩＣ（101）内のＣＰＵ（104）は、ＦＬＡＳＨメモリバスを介してＦＬＡＳＨメモリ（105）内のリップル値テーブル（220）の値を読み込むことが可能である。
【００４７】
図４は前記リップル値テーブル（220）を説明するための図である。同図はチップのプロセスばらつきと前述したＡＳＶ電圧コード及びリップル値の対応を示す図である。
チップのプロセスばらつきに応じて、ＡＳＩＣ（101）の電流負荷にもばらつきが生じ、リップルにもばらつきが生じる。リップル値テーブル（220）には、前記チップのプロセスばらつきに応じたリップルの値が記憶される。
【００４８】
更に具体的に説明する。リップル値テーブル（220）は、３ｂｉｔのＡＳＶ電圧コードと前記ＡＳＶ電圧コードに対応するリップル値から構成される。
【００４９】
先に図３を用いて説明したように、前記ＡＳＶ電圧コードは、そのチップが想定したスピードでの動作可能なＡＳＶ電圧の値が３ｂｉｔのコードに変換されたものである。
【００５０】
リップル値テーブル（220）には、３ｂｉｔの値を有するＡＳＶ電圧コードの各々に対応するリップル値が記憶されている。前記リップル値は、チップのプロセスに応じてばらつきを有する値となる。図４に示すように本実施例では、リップル値テーブル（220）に記憶されるリップル値は、ＡＳＶ電圧コード１１１の場合は０．０２６Ｖであるものとする。以下同様に、ＡＳＶ電圧コードが１１０、１０１、１００、０１１、０１０、００１、０００の各場合に対して、リップル値は各々０．０２８Ｖ、０．０３０Ｖ、０．０３２Ｖ、０．０３４Ｖ、０．０３６Ｖ、０．０３８Ｖ、０．０４０Ｖであるものとする。
【００５１】
本実施例では、これらチップのプロセスばらつきに応じたリップル値は、実測から得られた値を用いるものとする。具体的には、計８パターンのＡＳＶ電圧コード０００〜１１１を有するチップ個体を用意し、その各々のチップ個体に対してリップルを測定することにより、プロセスばらつきに応じたリップル値を得るものとする。
【００５２】
本実施例では、実測によってプロセスばらつきに応じたリップル値を得るものとして説明してきたが、プロセスばらつきに応じたリップル値の取得方法は、実測に限定されるものではない。例えばシミュレーションを実施し、プロセスばらつきに応じたリップル値を算出する方法であっても構わない。
【００５３】
図５は本実施例におけるＭＦＰの電源投入時の電源供給手段（102）の動作を説明するフローチャートである。図６は本実施例におけるＭＦＰのＣＰＵ（104）の動作を説明するフローチャートである。図７はプロセスばらつきとＡＳＶ電圧コード及び供給電圧の対応を示す図である。前記供給電圧については後述する。
【００５４】
図１〜７を用いて本実施例におけるＭＦＰの動作を説明する。
【００５５】
まず図５を用いてＭＦＰの電源投入時の電源供給手段（102）の動作を説明する。ＭＦＰが備える電源スイッチ（図示省略）押下によって、ＭＦＰは電源ＯＮされる。ＭＦＰの電源ＯＮに伴い、電源供給手段（102）はＡＳＩＣ（101）に対して電源供給を開始する（図５、S501）。
【００５６】
ＡＳＩＣ（101）に供給される電圧は０Ｖから徐々に上昇し、ＡＳＩＣ（101）を動作させるための通常電圧レベルに到達したところで、前記供給電圧は一定値となる。（S502）本実施例において前記通常電圧レベルとは、先に図３を用いて説明したプロセスばらつきの基準となるＡＳＶ電圧１．１０Ｖとする。
【００５７】
電源供給手段（102）は前記供給電圧を監視しており、前記通常電圧レベルに達したタイミングで電圧通知信号を出力し、供給電圧が通常電圧レベルに達した事をＡＳＩＣ（101）に対して通知する。（S503）具体的には電源供給手段（102）は前記タイミングで、電圧通知信号に「Ｈｉｇｈ」を出力する。一方、電源ＯＮ以降の電源供給開始から供給電圧が前記通常電圧レベルに達するまでの期間は、前記電圧通知信号には「Ｌｏｗ」が出力される。本実施例において、電源ＯＮ以降、供給電圧が通常電圧レベルに到達した場合のみ、電源供給手段（102）は前記電圧通知信号による通知を行う。換言すると、前記電圧通知信号による通知後、電源供給手段（102）の供給電圧が前記通常電圧レベルを下回ったとしても、電源供給手段（102）は電圧通知信号の「Ｈｉｇｈ」出力を維持し、「Ｌｏｗ」を出力することはない。
【００５８】
また図示は省略しているが、ＭＦＰ制御部（100）にはリセット信号制御手段が設けられており、リセット信号制御手段には前記電圧通知信号が入力される。リセット信号制御手段は、前記電圧通知信号を基にリセット信号出力を制御する。具体的には、リセット信号制御手段は、前記電圧通知信号の「Ｈｉｇｈ」入力を受けると、ＡＳＩＣ（101）に対するリセット信号を解除する（S504）。
【００５９】
続いて図６を用いて、前記電源供給手段（102）によるリセット解除後の、ＡＳＩＣ（101）内のＣＰＵ（104）の動作を説明する。
【００６０】
前記リセット信号の解除により、ＡＳＩＣ（101）内のＣＰＵ（104）は動作を開始する。本実施例において、ＣＰＵ（104）は、図１におけるＦＬＡＳＨメモリ（105）、ＤＲＡＭ（105）あるいはＨＤＤ記憶部（140）に格納されたプログラムを実行し、以降に説明する動作を行う。ＣＰＵ（104）は動作開始後、所定の処理を行い、起動を完了する（図６、S601）。
【００６１】
起動完了後、ＣＰＵ（104）は、まずＡＳＶ電圧コード保持部（201）内のＡＳＶ電圧コードを取得する（S602）。先に図３を用いて説明したように、前記ＡＳＶ電圧コードは、そのチップが想定したスピードで動作可能なＡＳＶ電圧の値が、３ｂｉｔのコードに変換されたものである。本実施例では、ＣＰＵ（104）が取得したＡＳＶ電圧コードの値が１１１、即ちそのチップのＡＳＶ電圧が１．０２Ｖの場合を一例として、以降の説明を行う。
【００６２】
続いてＣＰＵ（104）は、ＦＬＡＳＨメモリ（105）内のリップル値テーブル（220）を参照する（S603）。
【００６３】
そしてＣＰＵ（104）は、S602において取得したＡＳＶ電圧コードに対応するリップル値を取得する（S604）。前述したように、ＣＰＵ（104）が取得したＡＳＶ電圧コードの値が１１１、即ちそのチップのＡＳＶ電圧が１．０２Ｖの場合について説明する。この場合、S604においてＣＰＵ（104）は、リップル値テーブル（220）から、図４におけるＡＳＶ電圧コード１１１に対応するリップル値０．０２６Ｖを取得する。
【００６４】
前記リップル値取得後、ＣＰＵ（104）は電源供給手段（102）に設定すべき電源電圧値を算出する（S605）。具体的にはＣＰＵ（104）は、S602において取得したＡＳＶ電圧コードに対応するＡＳＶ電圧値と、S604において取得したＡＳＶ電圧コードに対応するリップル値を加算し、前記設定電源電圧値を算出する。
【００６５】
前述したように、ＡＳＶ電圧コード及びＡＳＶ電圧の各値は、予めＦＬＡＳＨメモリ（105）内に記憶されている。従ってＣＰＵ（104）は、前記取得したＡＳＶ電圧コードに対応するＡＳＶ電圧値をＦＬＡＳＨメモリ（105）から得ることができる。具体的には取得したＡＳＶ電圧コード１１１に対応するＡＳＶ電圧値１．０２Ｖが、ＦＬＡＳＨメモリ（105）から得られる。ＡＳＶ電圧コード１１１に対応するＡＳＶ電圧値１．０２Ｖ、ＡＳＶ電圧コード１１１に対応するリップル値０．０２６Ｖである場合、１．０２Ｖと０．０２６Ｖを加算した１．０４６Ｖが設定電源電圧値となる。
【００６６】
続いてＣＰＵ（104）は、電源供給手段（102）に対して電源電圧の設定を行う。（S606）具体的には、ＣＰＵ（104）はＡＳＩＣ（101）内のシリアルバスＩ／Ｆ（202）を制御し、シリアルバス経由で電源供給手段（102）内の電源電圧設定レジスタ（211）の値を設定する。ＣＰＵ（104）は、S605において算出された設定電源電圧値が、電源供給手段（102）からＡＳＩＣ（101）に対して供給されるように、前記電源電圧設定レジスタ（211）の値を設定する。前述した設定電源電圧値１．０４６Ｖである場合、ＣＰＵ（104）は１．０４６Ｖの電源電圧が供給されるように、電源電圧設定レジスタ（211）の値を設定する。
【００６７】
電源供給手段（102）内の電源電圧変更手段（210）は、電源電圧設定レジスタ（211）の設定値を基に、ＡＳＩＣ（101）に供給する電源電圧を変更する（図５、S505）。本実施例において例示してきた数値の場合、ＡＳＩＣ（101）に供給する電圧を既定の１．１０Ｖから１．０４６Ｖに変更する。
【００６８】
前記電源電圧設定後、ＭＦＰは通常の動作を開始する（S611）。即ちＣＰＵ（104）の制御により、図１におけるＭＦＰ制御部（100）の各部を制御し、ＭＦＰとしての各種動作が可能な状態となる。
【００６９】
以上が、本実施例におけるＭＦＰの動作フローである。
【００７０】
以上説明してきたように、本実施例におけるＭＦＰ制御部（101）は、ＦＬＡＳＨメモリ（105）内に、チップのプロセスばらつきに応じたリップルの値が記憶されたリップル値テーブル（220）を備える。
【００７１】
そしてＭＦＰ制御部（101）におけるＡＳＩＣ（101）内のＣＰＵ（104）は、ＡＳＶ電圧コード保持部（201）内のＡＳＶ電圧コードを取得する。
【００７２】
更にＣＰＵ（104）は、前記取得したＡＳＶ電圧コードに対応するリップル値を、リップル値テーブル（220）から取得する。
【００７３】
ＣＰＵ（104）は、前記取得したＡＳＶ電圧コードに対応するＡＳＶ電圧値と、前記ＡＳＶ電圧コードに対応するリップル値を加算した電圧値を算出し、電源供給手段（102）からＡＳＩＣ（101）に対して供給される電圧値を、前記算出値に設定することが可能となる。
【００７４】
本実施例において例示してきた数値の場合について説明する。その場合ＣＰＵ（104）は、電源供給手段（102）からＡＳＩＣ（101）への供給電圧値を、ＡＳＶ電圧コード１１１に対応するＡＳＶ電圧値１．０２Ｖと、ＡＳＶ電圧コード１１１に対応するリップル値０．０２６Ｖを加算した１．０４６Ｖに設定することが可能となる。
【００７５】
これまでＡＳＶ電圧コード１１１の場合について説明を行ってきたが、他のＡＳＶ電圧コードの場合についても説明を行う。
【００７６】
図７はチップのプロセスばらつきとＡＳＶ電圧コード及び電源供給手段（102）に設定される供給電圧の対応を示す図である。図３に示したＡＳＶ電圧コード１１１〜０００に対応するＡＳＶ電圧値１．０２Ｖ〜１．１６Ｖと、図４に示したＡＳＶ電圧コード１１１〜０００に対応するリップル値０．０２６Ｖ〜０．０４０Ｖを加算した値が、図７における供給電圧となる。
【００７７】
図４に示したように、本実施例においてリップル値が最大の０．０４０Ｖであるのは、ＡＳＶ電圧コードが０００のチップ個体である。そして図７に示すように、ＡＳＶ電圧コードが０００のチップ個体の場合、電源供給手段（102）に設定される供給電圧は１．２００Ｖとなる。
【００７８】
一方、前述したように、ＡＳＶ電圧コード１１１のチップ個体の場合、電源供給手段（102）に設定される供給電圧は１．０４６Ｖとなる。
【００７９】
ＡＳＶ電圧コード１１１のチップ個体の場合は、ＡＳＶ電圧コード０００のチップ個体よりも低い供給電圧でＡＳＩＣ（101）を動作させることが可能となり、消費電力を低減することが可能となる。
【００８０】
ＡＳＶ電圧コード１１０〜００１を有するチップ個体の場合も、図７に示すように、０００のチップ個体よりも低い供給電圧でＡＳＩＣ（101）を動作させることが可能となり、消費電力を低減することが可能となる。
【符号の説明】
【００８１】
100  ＭＦＰ制御部、110  スキャナ部、120  プリンタ部
【図２】
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【図１】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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