(57)【要約】      （修正有）【課題】透明電極に重ねて高い精度で補助配線を形成することができる表示装置の製造方法を提供する。【解決手段】第１基板１１上に、画素毎に設けられた第１電極１３と、第１電極のそれぞれに対向した開口を有する絶縁層１５と、全画素に共通の発光層を含む有機層２０と、有機層の全面に形成された第２電極３１とが積層されている表示装置の製造方法であって、第２電極上の全面に金属材料層を形成した後、金属材料層側からエネルギー線を照射し、画素に対応する部分において吸収されるエネルギーによって金属材料層を選択的に除去し、以て、金属材料層から成る補助配線３２を形成する工程を備えている。【選択図】図２
2016207452.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板上に、画素毎に設けられた第１電極と、第１電極のそれぞれに対向した開口を有する絶縁層と、全画素に共通の発光層を含む有機層と、有機層の全面に形成された第２電極とが積層されている表示装置の製造方法であって、
第２電極上の全面に金属材料層を形成した後、金属材料層側からエネルギー線を照射し、画素に対応する部分において吸収されるエネルギーによって金属材料層を選択的に除去し、以て、金属材料層から成る補助配線を形成する工程を備えている、
表示装置の製造方法。
【請求項２】
画素に対応する部分は、第１基板側の反射面と第２電極上の金属材料層によって形成される反射面との間においてエネルギー線を吸収する共振構造を形成するように構成されている、
請求項１に記載の表示装置の製造方法。
【請求項３】
第１基板側の反射面は、金属材料から成る第１電極の面によって構成されている、
請求項２に記載の表示装置の製造方法。
【請求項４】
第１電極は透明導電材料から構成されており、
第１基板側の反射面は、第１電極とは別に設けられた反射電極の面によって構成されている、
請求項２に記載の表示装置の製造方法。
【請求項５】
隣接する画素の間の部分は、第１基板側の反射面と第２電極上の金属材料層によって形成される反射面との間においてエネルギー線を反射する共振構造を形成するように構成されている、
請求項２に記載の表示装置の製造方法。
【請求項６】
隣接する画素の間の部分における第１基板側の反射面は、隣接する画素の間の部分の第１基板上に設けられた反射板の面によって構成されている、
請求項５に記載の表示装置の製造方法。
【請求項７】
エネルギー線は、レーザ光である、
請求項１に記載の表示装置の製造方法。
【請求項８】
エネルギー線は、赤外領域のレーザ光である、
請求項７に記載の表示装置の製造方法。
【請求項９】
第１基板上に、画素毎に設けられた第１電極と、第１電極のそれぞれに対向した開口を有する絶縁層と、全画素に共通の発光層を含む有機層と、有機層の全面に形成された第２電極とが積層されている表示装置であって、
画素に対応する部分は、第２電極上に反射面が形成されているとしたときに、第１基板側の反射面と第２電極上の反射面との間においてエネルギー線を吸収する共振構造を形成するように構成されている、
表示装置。
【請求項１０】
第１基板側の反射面は、金属材料から成る第１電極の面によって構成されている、
請求項９に記載の表示装置。
【請求項１１】
第１電極は透明導電材料から構成されており、
第１基板側の反射面は、第１電極とは別に設けられた反射電極の面によって構成されている、
請求項９に記載の表示装置。
【請求項１２】
隣接する画素の間の部分は、第２電極上に反射面が形成されているとしたときに、第１基板側の反射面と第２電極上の反射面との間においてエネルギー線を反射する共振構造を形成するように構成されている、
請求項９に記載の表示装置。
【請求項１３】
隣接する画素の間の部分における第１基板側の反射面は、隣接する画素の間の部分の第１基板上に設けられた反射板の面によって構成されている、
請求項１２に記載の表示装置。
【請求項１４】
表示装置を有する電子機器であって、
表示装置は、第１基板上に、画素毎に設けられた第１電極と、第１電極のそれぞれに対向した開口を有する絶縁層と、全画素に共通の発光層を含む有機層と、有機層の全面に形成された第２電極とが積層されており、
画素に対応する部分は、第２電極上に反射面が形成されているとしたときに、第１基板側の反射面と第２電極上の反射面との間においてエネルギー線を吸収する共振構造を形成するように構成されている、
電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、表示装置の製造方法、表示装置、及び、電子機器に関する。より具体的には、数ミクロンの画素ピッチが要求される超小型ディスプレイに用いられる表示装置の製造方法、表示装置、及び、係る表示装置を備えた電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
画像を表示する表示装置として、有機エレクトロルミネッセンス素子を表示素子として用いた有機エレクトロルミネッセンス表示装置の開発が進められている。そして、直視型ディスプレイのみならず、数ミクロンの画素ピッチが要求される超小型ディスプレイにおいても有機エレクトロルミネッセンス表示装置が用いられている。以下、有機エレクトロルミネッセンス素子を『有機ＥＬ素子』と略称し、有機エレクトロルミネッセンス表示装置を『有機ＥＬ表示装置』と略称する場合がある。
【０００３】
直視型の有機ＥＬ表示装置にあっては、通常、マスク蒸着プロセスなどによって赤色発光部、緑色発光部、青色発光部などを塗り分けるといったことが行われる。しかしながら、超小型ディスプレイに用いられる有機ＥＬ表示装置において上述した塗り分けを行うことは、マスクの位置合わせ精度などから困難である。そこで、表示領域全体に亙って赤色、緑色、青色の発光層を積層して白色を得、カラーフィルタによってカラー化を図るといったことが行われる。
【０００４】
また、所謂トップエミッション構造の有機ＥＬ表示装置において、上部電極は光を透過するように構成する必要がある。このため、ＩＴＯやＩＺＯといった透明な導電材料を用いて上部電極を構成する必要がある。しかしながら、透明電極のシート抵抗は、アルミニウム等の金属材料から成る電極のシート抵抗に対して相対的に高くなるので、電圧降下などによる画質の低下といった問題が起こる場合がある。透明電極の膜厚を厚くすればシート抵抗を下げることはできるが、透過率の低下などといった問題が生ずる。
【０００５】
そこで、透明電極のシート抵抗を実質的に下げるために、透明電極とは別に補助配線を設けるといったことが行われる。例えば、特許文献１には、透明電極が設けられる基板と対向する基板側に補助配線を設け、この補助配線と透明電極とをコンタクトで接続するといったことが開示されている。また、特許文献２には、透明電極に重ねて補助配線を形成するといったことが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００６−２０１４２１号公報
【特許文献２】特開２０１１−２３２７６４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上述したように、超小型ディスプレイ用の有機ＥＬ表示装置は、表示領域全体に亙って赤色、緑色、青色の発光層を積層するといった構成である。このため、発光層とコンタクトとを電気的に絶縁する絶縁層の形成が困難であるので、対向する基板に補助配線を設けるといった構成は取り難い。従って、透明電極のシート抵抗を実質的に下げるためには、透明電極に重ねて補助配線を形成する必要がある。
【０００８】
しかしながら、超小型ディスプレイ用の有機ＥＬ表示装置にあっては、高い精度で透明電極に重ねて補助配線を形成する必要がある。このため、高い精度で透明電極に重ねて補助配線を形成するのに適した方法や構造が求められている。
【０００９】
従って、本開示の目的は、透明電極に重ねて高い精度で補助配線を形成することができる表示装置の製造方法や、透明電極に重ねて高い精度で補助配線が形成された表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記の目的を達成するための本開示の第１の態様に係る表示装置の製造方法は、
第１基板上に、画素毎に設けられた第１電極と、第１電極のそれぞれに対向した開口を有する絶縁層と、全画素に共通の発光層を含む有機層と、有機層の全面に形成された第２電極とが積層されている表示装置の製造方法であって、
第２電極上の全面に金属材料層を形成した後、金属材料層側からエネルギー線を照射し、画素に対応する部分において吸収されるエネルギーによって金属材料層を選択的に除去し、以て、金属材料層から成る補助配線を形成する工程を備えている。
【００１１】
上記の目的を達成するための本開示の第１の態様に係る表示装置は、
第１基板上に、画素毎に設けられた第１電極と、第１電極のそれぞれに対向した開口を有する絶縁層と、全画素に共通の発光層を含む有機層と、有機層の全面に形成された第２電極とが積層されている表示装置であって、
画素に対応する部分は、第２電極上に反射面が形成されているとしたときに、第１基板側の反射面と第２電極上の反射面との間においてエネルギー線を吸収する共振構造を形成するように構成されている。
【００１２】
上記の目的を達成するための本開示の第１の態様に係る電子機器は、
表示装置を有する電子機器であって、
表示装置は、第１基板上に、画素毎に設けられた第１電極と、第１電極のそれぞれに対向した開口を有する絶縁層と、全画素に共通の発光層を含む有機層と、有機層の全面に形成された第２電極とが積層されており、
画素に対応する部分は、第２電極上に反射面が形成されているとしたときに、第１基板側の反射面と第２電極上の反射面との間においてエネルギー線を吸収する共振構造を形成するように構成されている。
【発明の効果】
【００１３】
本開示に係る表示装置の製造方法にあっては、第２電極上の全面に金属材料層を形成した後、金属材料層側からエネルギー線を照射し、画素に対応する部分において吸収されるエネルギーによって金属材料層を選択的に除去し、以て、金属材料層から成る補助配線を形成する。従って、金属材料層側からエネルギー線を照射するといった簡便な工程によって、精度よく補助配線を形成することができる。尚、本明細書に記載された効果はあくまで例示であって限定されるものでは無く、また、付加的な効果があってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】図１は、本開示の前提となるアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置の基本的な構成の概略を示すシステム構成図である。
【図２】図２は、第１の実施形態に係る表示装置の模式的な一部断面図である。
【図３】図３Ａ、図３Ｂ、図３Ｃは、第１の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための第１基板等の模式的な一部端面図である。
【図４】図４Ａ、図４Ｂは、図３Ｃに引き続き、第１の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための第１基板等の模式的な一部端面図である。
【図５】図５Ａ、図５Ｂは、図４Ｂに引き続き、第１の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための第１基板等の模式的な一部端面図である。
【図６】図６は、図５Ｂに引き続き、第１の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための第１基板等の模式的な一部端面図である。
【図７】図７は、多層膜の光学特性を説明するための模式的な端面図である。
【図８】図８は、画素部に対応する領域における層構成と、画素部を区画する格子部の領域における層構成とを説明するための模式的な一部端面図である。
【図９】図９は、図６に引き続き、第１の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための第１基板等の模式的な一部端面図である。
【図１０】図１０は、図９に引き続き、第１の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための第１基板等の模式的な一部端面図である。
【図１１】図１１は、図１０に引き続き、第１の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための第１基板等の模式的な一部端面図である。
【図１２】図１２は、第２の実施形態に係る表示装置の模式的な一部断面図である。
【図１３】図１３Ａ、図１３Ｂ、図１３Ｃは、第２の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための第１基板等の模式的な一部端面図である。
【図１４】図１４Ａ、図１４Ｂは、図１３Ｃに引き続き、第２の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための第１基板等の模式的な一部端面図である。
【図１５】図１５は、図１４Ｂに引き続き、第２の表示装置に係る表示装置の製造方法を説明するための第１基板等の模式的な一部端面図である。
【図１６】図１６は、レンズ交換式一眼レフレックスタイプのデジタルスチルカメラの外観図であり、図１６Ａにその正面図を示し、図１６Ｂにその背面図を示す。
【図１７】図１７は、ヘッドマウントディスプレイの外観図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、図面を参照して、実施形態に基づき本開示を説明する。本開示は実施形態に限定されるものではなく、実施形態における種々の数値や材料は例示である。以下の説明において、同一要素または同一機能を有する要素には同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。尚、説明は、以下の順序で行う。
１．本開示に係る表示装置の製造方法、表示装置、及び、電子機器、全般に関する説明
２．本開示の前提となるアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置
３．第１の実施形態
４．第２の実施形態
５．適用例（電子機器の例）、その他
【００１６】
［本開示に係る表示装置の製造方法、表示装置、及び、電子機器、全般に関する説明］
本開示に係る表示装置の製造方法において、画素に対応する部分は、第１基板側の反射面と第２電極上の金属材料層によって形成される反射面との間においてエネルギー線を吸収する共振構造を形成するように構成されている構成とすることができる。この場合において、例えば、金属材料を用いて第１電極を構成し、第１基板側の反射面が、第１電極の面によって構成されている態様とすることができる。あるいは又、第１電極は透明導電材料から構成されており、第１基板側の反射面は、第１電極とは別に設けられた反射電極の面によって構成されている態様とすることもできる。本開示に係る表示装置や電子機器においても同様である。尚、反射電極は電位規定されていてもよいし、されていなくてもよい。例えば、第１電極に対して電気的に浮遊するような構成であってもよい。
【００１７】
上述した好ましい構成を含む本開示に係る表示装置の製造方法において、隣接する画素の間の部分は、第１基板側の反射面と第２電極上の金属材料層によって形成される反射面との間においてエネルギー線を反射する共振構造を形成するように構成されている態様とすることができる。この場合において、隣接する画素の間の部分における第１基板側の反射面は、隣接する画素の間の部分の第１基板上に設けられた反射板の面によって構成されている態様とすることができる。反射板は、第１電極と同一層として構成してもよいし、別層として構成してもよい。
【００１８】
上述した好ましい構成を含む本開示に係る表示装置の製造方法において、エネルギー線は、レーザ光、より好ましくは、赤外領域のレーザ光とすることが望ましい。レーザ光源は特に限定するものではなく、固体レーザ、気体レーザ、半導体レーザ、液体レーザなど各種のレーザを使用することができる。例えば、Ｎｄ：ＹＡＧレーザを用いる場合は、波長は１０６４［ｎｍ］である。
【００１９】
本開示に係る表示装置において、隣接する画素の間の部分は、第２電極上に反射面が形成されているとしたときに、第１基板側の反射面と第２電極上の反射面との間においてエネルギー線を反射する共振構造を形成するように構成されている態様とすることができる。この場合において、隣接する画素の間の部分における第１基板側の反射面は、隣接する画素の間の部分の第１基板上に設けられた反射板の面によって構成されている構成とすることができる。反射板は、第１電極と同一層として構成されていてもよいし、別層として構成されていてもよい。本開示に係る電子機器においても同様である。
【００２０】
［本開示の前提となるアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置］
図１は、本開示の前提となるアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置の基本的な構成の概略を示すシステム構成図である。
【００２１】
アクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置は、発光部の駆動を、当該発光部と同じ画素内に設けた能動素子、例えば絶縁ゲート型電界効果トランジスタによって行う表示装置である。図示の都合上、図１においては、１つの表示素子１０、より具体的には、後述する第（ｑ，ｐ）番目の表示素子１０についての結線関係を示した。
【００２２】
アクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置は、電流駆動型の発光部と発光部を駆動する駆動回路とを含む表示素子１０が、行方向（図１においてＸ方向）に延びる走査線ＳＣＬと列方向（図１においてＹ方向）に延びるデータ線ＤＴＬとに接続された状態で２次元マトリクス状に配列された表示装置１、及び、データ線ＤＴＬに電圧を印加するデータドライバ１０２を備えている。走査線ＳＣＬには、走査部１０１から走査信号が供給される。表示素子１０を構成する発光部ＥＬＰは、有機エレクトロルミネッセンス発光部から成る。
【００２３】
表示装置１は、更に、行方向に並ぶ表示素子１０に接続される給電線ＰＳ１と、全ての表示素子１０に共通に接続される第２の給電線ＰＳ２を備えている。給電線ＰＳ１には、電源部１００から所定の駆動電圧が供給される。第２の給電線ＰＳ２には、共通の電圧（例えば接地電位）が供給される。
【００２４】
図１では図示されていないが、表示装置１が画像を表示する領域（表示領域）は、行方向にＱ個、列方向にＰ個、合計Ｑ×Ｐ個の、２次元マトリクス状に配列された表示素子１０から構成されている。表示領域における表示素子１０の行数はＰであり、各行を構成する表示素子１０の数はＱである。
【００２５】
また、走査線ＳＣＬ及び給電線ＰＳ１の本数はそれぞれＰ本である。第ｐ行目（但し、ｐ＝１，２・・・，Ｐ）の表示素子１０は、第ｐ番目の走査線ＳＣＬp及び第ｐ番目の給電線ＰＳ１pに接続されており、１つの表示素子行を構成する。尚、図１では、給電線ＰＳ１pのみが示されている。
【００２６】
また、データ線ＤＴＬの本数はＱ本である。第ｑ列目（但し、ｑ＝１，２・・・，Ｑ）の表示素子１０は、第ｑ番目のデータ線ＤＴＬqに接続されている。尚、図１では、データ線ＤＴＬqのみが示されている。
【００２７】
表示装置１は、例えばカラー表示の表示装置であり、１つの表示素子１０が１つの画素を構成する。図示は省略するが、行方向に並ぶ赤色を表示する画素、緑色を表示する画素、青色を表示する画素の組によって、１つのピクセルが構成される。従って、表示装置１は、行方向にＱ／３個、列方向にＰ個のピクセルを有する。ピクセルの値として、Ｕ−ＸＧＡ（１６００，１２００）、ＨＤ−ＴＶ（１９２０，１０８０）、Ｑ−ＸＧＡ（２０４８，１５３６）の他、（３８４０，２１６０）、（７６８０，４３２０）等、画像表示用解像度の幾つかを例示することができるが、これらの値に限定するものではない。
【００２８】
走査部１０１からの走査信号によって、表示装置１は行単位で線順次走査される。第ｐ行、第ｑ列目に位置する表示素子１０を、以下、第（ｑ，ｐ）番目の表示素子１０あるいは第（ｑ，ｐ）番目の画素と呼ぶ。
【００２９】
表示装置１にあっては、第ｐ行目に配列されたＱ個の画素のそれぞれを構成する表示素子１０が同時に駆動される。換言すれば、行方向に沿って配されたＱ個の表示素子１０にあっては、その発光／非発光のタイミングは、それらが属する行単位で制御される。表示装置１の表示フレームレートをＦＲ（回／秒）と表せば、表示装置１を行単位で線順次走査するときの１行当たりの走査期間（いわゆる水平走査期間）は、（１／ＦＲ）×（１／Ｐ）秒未満である。
【００３０】
データドライバ１０２には、例えば図示せぬ装置から、表示すべき画像に応じた階調信号ＤSigが入力される。入力される階調信号ＤSigのうち、第（ｑ，ｐ）番目の表示素子１０に対応する階調信号をＤSig(q,p)と表す場合がある。
【００３１】
表示素子１０は、電流駆動型の発光部ＥＬＰ、書込みトランジスタＴＲW、駆動トランジスタＴＲD、及び、容量部Ｃ1を少なくとも備えており、駆動トランジスタＴＲDのソース／ドレイン領域を介して発光部ＥＬＰに電流が流れると発光する。
【００３２】
容量部Ｃ1は、駆動トランジスタＴＲDのソース領域に対するゲート電極の電圧（所謂ゲート−ソース間電圧）を保持するために用いられる。表示素子１０の発光状態においては、駆動トランジスタＴＲDの一方のソース／ドレイン領域（図１において給電線ＰＳ１に接続されている側）はドレイン領域として働き、他方のソース／ドレイン領域（発光部ＥＬＰの一端、具体的には、アノード電極に接続されている側）はソース領域として働く。容量部Ｃ1を構成する一方の電極と他方の電極は、それぞれ、駆動トランジスタＴＲDの他方のソース／ドレイン領域とゲート電極に接続されている。
【００３３】
書込みトランジスタＴＲWは、走査線ＳＣＬqに接続されたゲート電極と、データ線ＤＴＬqに接続された一方のソース／ドレイン領域と、駆動トランジスタＴＲDのゲート電極に接続された他方のソース／ドレイン領域とを有する。
【００３４】
駆動トランジスタＴＲDのゲート電極は、書込みトランジスタＴＲWの他方のソース／ドレイン領域と容量部Ｃ1の他方の電極とに接続されており、駆動トランジスタＴＲDの他方のソース／ドレイン領域は、容量部Ｃ1の一方の電極と発光部ＥＬＰのアノード電極とに接続されている。
【００３５】
発光部ＥＬＰの他端（具体的には、カソード電極）は、第２の給電線ＰＳ２に接続されている。発光部ＥＬＰの容量を符号ＣELで表す。
【００３６】
データドライバ１０２からデータ線ＤＴＬqに、表示すべき画像の階調信号ＤSig(q,p)に応じた電圧が供給された状態で、走査部１０１からの走査信号により書込みトランジスタＴＲWが導通状態とされると、容量部Ｃ1に表示すべき画像の輝度に応じた電圧が書き込まれる。書込みトランジスタＴＲWが非導通状態とされた後、容量部Ｃ1に保持された電圧に応じて駆動トランジスタＴＲDに電流が流れ、発光部ＥＬＰが発光する。
【００３７】
以上、本開示の前提となるアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置の構成について説明した。
【００３８】
表示装置１は、フルカラーを実現する方式として、例えば、赤色、緑色、青色といった３色の発光層の積層によって白色光を取り出す白色有機ＥＬ素子とカラーフィルタとを組み合わせる方式（以下、「ホワイト方式」と記述する）を採用する。画素毎に発光層を塗り分けるといった方式ではマスクの位置合わせ精度が問題となるが、ホワイト方式はマスクの位置合わせといったことを必要としないので、特に、超小型ディスプレイのような数ミクロン程度の微細な画素ピッチに対して有用である。
【００３９】
［第１の実施形態］
図２は、第１の実施形態に係る表示装置の模式的な一部断面図である。尚、図示の都合上、隣接する２つの画素（例えば、赤色表示の画素とこれに隣接する青色表示の画素）に対応する部分を示した。後述する他の図面においても同様である。図２において、符号ＳＰは、画素に対応する領域を示し、符号ＬＡは、画素と画素との間の領域を示す。
【００４０】
表示装置１は、例えばガラス材料から成る第１基板１１の上（より具体的には、後述する平坦化膜１２の上）に、画素毎に設けられた第１電極１３と、第１電極１３のそれぞれに対向した開口を有する絶縁層１５と、全画素に共通の発光層を含む有機層２０と、有機層２０の全面に形成された第２電極３１とが積層されている。有機層２０は例えば、ホール注入輸送層、赤色発光層、緑色発光層、青色発光層、及び、電子輸送層といった複数の層から構成されているが、図示の都合上これを一層で示した。尚、隣接する画素の間の部分の第１基板１１上には、第１電極１３と同層の反射板１４が設けられている。
【００４１】
符号１２は、例えば、トランジスタＴＲW，ＴＲDの各種電極、容量部Ｃ1を構成する電極、各種信号線を覆う平坦化膜を示す。尚、作図の都合上、図２においては、トランジスタ、容量部、コンタクトホール、各種信号線などの表示を省略している。図３ないし図６、図８ないし図１５においても同様である。
【００４２】
トランジスタＴＲW，ＴＲDは、例えばボトムゲート型の薄膜トランジスタであり、基板上の選択的な領域にゲート電極を有し、このゲート電極と基板とを覆うように基板の全面にわたってゲート絶縁膜が設けられている。ゲート絶縁膜上には、半導体層が形成されている。半導体層は、非晶質シリコン、多結晶シリコンまたは酸化物半導体により構成されている。半導体層上には、コンタクトホールを有する層間絶縁膜が形成されており、層間絶縁膜上には、そのコンタクトホールを埋め込むように、ソースまたはドレインとして機能するソース・ドレイン電極が配置されている。
【００４３】
平坦化膜１２は、例えばポリイミド、アクリル系樹脂またはノボラック系樹脂などの有機材料、あるいは、酸化シリコン（ＳｉＯx）、窒化シリコン（ＳｉＮx）、酸窒化シリコン（ＳｉＯxＮy）などの無機材料から構成することができる。駆動トランジスタＴＲWの一方のソース／ドレイン電極は、図示せぬコンタクトホールによって第１電極１３と電気的に接続されている。
【００４４】
第１電極１３や反射板１４は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム合金、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、クロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）などの光反射材料で構成されている。第１電極１３は、厚さが５０〜３００［ｎｍ］の範囲に設定されていることが好ましい。尚、第１電極１３を透明電極とすることもできるが、この場合は、基板との間に反射界面を形成する目的で、例えば上記のような光反射材料からなる反射電極を設けることが好ましい。
【００４５】
画素間を絶縁するために設けられる絶縁層１５は、基板全面にわたって形成されている。絶縁層１５は、上述した平坦化膜と同様の材料を用いて構成することができる。
【００４６】
第２電極３１は、透明な導電材料から構成されている。第２電極３１上の画素と画素との間の部分には、金属材料から成る補助配線３２が設けられている。補助配線３２によって、透明電極のシート抵抗を実質的に小さくすることができる。そして、補助配線３２上を含む全面に、保護膜３３が形成されている。
【００４７】
第２電極３１は、例えば、ＩＴＯやＩＺＯ、ＡＺＯなどといった、可視光域における光透過性が良好かつ抵抗率の低い透明導電材料から構成されている。第２電極３１の厚さは、３０〜３００［ｎｍ］の範囲に設定されることが好ましい。また、第２電極３１は多層膜として構成することもでき、例えば、第１層としてカルシウム（Ｃａ）、バリウム（Ｂａ）、リチウム（Ｌｉ）、セシウム（Ｃｓ）、インジウム（Ｉｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、銀（Ａｇ）あるいはそれらの合金などの金属層を、５［ｎｍ］以下の膜厚で形成し、第２層を上記の透明導電材料から構成してもよい。
【００４８】
第２電極３１上の補助配線３２は、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、タングステン（Ｗ）、あるいはそれらの合金などの電気伝導率の高い材料により構成されている。
【００４９】
補助配線３２上を含む全面に形成される保護膜３３は、有機層２０への水分やガスの侵入を防止するためのものであり、透過性および透水性の低い材料によって形成されている。保護膜の材料として、窒化シリコン（ＳｉＮx）、酸化シリコン（ＳｉＯx）、酸化アルミニウム（ＡｌＯx）、またはこれらの組み合わせが用いられる。保護膜の厚さは１〜８［μｍ］といった値である。
【００５０】
第１基板１１に対向する第２基板４１は、例えばガラス材料から構成されており、その内面には、画素に対応したカラーフィルタ４２の他、ブラックマトリクスとしての遮光膜４３が形成されている。第１基板１１上に保護膜３３を形成した後、接着層３４を形成するＵＶ硬化樹脂あるいは熱硬化樹脂を塗布して第２基板４１を張り合わせることで封止がされる。有機層２０の白色光は、カラーフィルタ４２によって色分割され、画素に対応した光が第２基板４１から出射する。
【００５１】
後ほど図８を参照して詳しく説明するが、画素に対応する部分は、第２電極３１上に反射面が形成されているとしたときに、第１基板１１側の反射面と第２電極３１上の反射面との間においてエネルギー線を吸収する共振構造を形成するように構成されている。図に示す例では、第１基板１１側の反射面は、金属材料から成る第１電極１３の面によって構成されている。尚、上述したように、第１電極１３を透明導電材料から構成すると共に、第１基板１１側の反射面を第１電極１３とは別に設けられた反射電極の面によって構成されている態様とすることもできる。また、隣接する画素の間の部分は、第２電極３１上に反射面が形成されているとしたときに、第１基板１１側の反射面と第２電極３１上の反射面との間においてエネルギー線を反射する共振構造を形成するように構成されている。図に示す例では、隣接する画素の間の部分における第１基板１１側の反射面は、隣接する画素の間の部分の第１基板１１上に設けられた反射板１４の面によって構成されている。
【００５２】
次いで、図１に示す発光部ＥＬＰを構成する有機層２０について説明する。発光部ＥＬＰは、第１基板１１上に積層された、第１電極１３、有機層２０、及び、第２電極３１によって構成されている。
【００５３】
ＲＧＢの各波長領域の発光をさせることができる限り、有機層２０の積層構造は特に限定するものではない。例えば、発光層は赤色発光層、緑色発光層、青色発光層の積層であってもよいし、青色発光層と黄色発光層の積層であってもよい。尚、ＣＧＬ層を介したタンデム構造を採用することもできる。ここでは、有機層２０が、ホール注入輸送層、赤色発光層、緑色発光層、青色発光層、電子輸送層などの積層構造であるとして説明する。
【００５４】
有機層２０を構成するホール注入輸送層は、第１電極１３からホールを注入し、かつ発光層へホールを輸送する機能を有しており、例えば４−（Ｎ，Ｎ−ビス（ｐ−メチルフェニル）アミノ）−α−フェニルスチルベンやＮ，Ｎ’−ビス（４’−ジフェニルアミノ−４−ビフェニリル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジンといった材料などで構成される。
【００５５】
有機層２０を構成する発光層は、公知の材料を用いて構成することができる。発光層は、蛍光性の材料で構成されていてもよいし燐光性の材料で構成されていてもよい。赤色発光層は、例えば、４，４−ビス（２，２−ジフェニルビニン）ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）に２，６−ビス［（４’−メトキシジフェニルアミノ）スチリル］−１，５−ジシアノナフタレン（ＢＳＮ）を３０重量％混合したものにより構成されている。緑色発光層は、例えば、ＤＰＶＢｉにクマリン６を５重量％混合したものによって構成されている。青色発光層は、例えば、例えば、ＤＰＶＢｉに４，４’−ビス［２−｛４−（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）フェニル｝ビニル］ビフェニル（ＤＰＡＶＢｉ）を２．５重量％混合したものによって構成されている。
【００５６】
電子輸送層は、例えばＢＣＰ（２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン）、Ａｌｑ3（アルミキノリノール）、Ｂｐｈｅｎ（バソフェナントロリン）などが用いられる。電子輸送層は、１層以上からなり、アルカリ金属もしくはアルカリ土類金属をドープした電子輸送層を少なくとも１層含んでもよい。アルカリ金属もしくはアルカリ土類金属をドープした電子輸送層は、ホスト材料として、例えばＢＣＰ、Ａｌｑ3、Ｂｐｈｅｎなどに、ドーパント材料が共蒸着により例えば０．５〜１５重量％ドープされたものによって構成される。ドーパント材料としては、リチウム（Ｌｉ）、ナトリウム（Ｎａ）、カリウム（Ｋ）、ルビジウム（Ｒｂ）、セシウム（Ｃｓ）などのアルカリ金属もしくはマグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、バリウム（Ｂａ）などのアルカリ土類金属を例示することができる。
【００５７】
電子輸送層と第２電極３１との間に電子注入層を設ける構成であってもよい。電子注入層は、第２電極３１からの電子注入を高めるためのものであり、例えばフッ化リチウム（ＬｉＦ）などで構成される。
【００５８】
有機層２０を構成する各層の厚さは、ホール注入輸送層が１〜２００［ｎｍ］、発光層が５〜５０［ｎｍ］、電子輸送層は１０〜２００［ｎｍ］の範囲に設定されることが好ましい。有機層２０を構成する各層の厚さは、その光学膜厚が前記の共振構造を可能とするような値に設定される。
【００５９】
表示装置１の構造について説明した。次いで、図３ないし図１１を参照して、表示装置１の製造方法について説明する。
【００６０】
先ず、第１基板１１の上に、公知の薄膜プロセスに基づいて、トランジスタＴＲW，ＴＲD、容量部Ｃ1などを含む駆動回路を形成する。次いで、例えばスピンコート法やスリットコート法によって、全面にわたって平坦化膜１２を形成する。その後、例えばフォトリソグラフィ法により、平坦化膜１２を所定の形状にパターンニングすると共に、トランジスタと第１電極１３を接続するためのコンタクトホールを形成する（図３Ａを参照）。
【００６１】
次いで、全面に、例えばアルミニウム（Ａｌ）を蒸着して金属材料層１３’を形成する（図３Ｂを参照）。金属材料層１３’は、第１電極１３の他、反射板１４の形成にも用いられる。その後、例えばフォトリソグラフィ法により、金属材料層１３’を所定の形状にパターンニングし、第１電極１３と反射板１４を形成する（図３Ｃを参照）。
【００６２】
次いで、全面に、例えば酸化シリコンから成る絶縁材料膜１５’を、ＣＶＤ法やスパッタ法により形成する（図４Ａを参照）。その後、例えばドライエッチング法により画素に対応する絶縁材料膜１５’の部分を除去することによって、第１電極１３が露出するように開口を有する絶縁層１５を形成する（図４Ｂを参照）。
【００６３】
次いで、全面に、ホール注入輸送層、青色発光層、緑色発光層、赤色発光層、電子輸送層、電子注入層を順次積層し、有機層２０を形成する（図５Ａを参照）。その後、例えば蒸着法により、全面に例えばＩＺＯから成る第２電極３１を形成する（図５Ｂを参照）。
【００６４】
次いで、例えば蒸着法により、全面に例えばマグネシウム（Ｍｇ）と銀（Ａｇ）との合金から成る金属材料層３２’を形成する（図６を参照）。
【００６５】
この後、金属材料層３２’側から、エネルギー線（具体的には、レーザ光）を照射する工程を行う。本開示の理解を助けるため、先ず、多層膜の光学特性について説明する。
【００６６】
図７は、多層膜の光学特性を説明するための模式的な端面図である。具体的には、第１番目の層，第２番目の層・・・，第α番目の層が、順次積層されて成る多層膜の構成を示す。ここで、符号β（但し、βは１〜αまでの自然数）を用いて多層膜を構成する層の番号を表すとすれば、第β番目の層の複素屈折率は、以下の式（１）で表される。また、第β番目の層の膜厚を、以下の（２）のように表す。尚、複素屈折率は、例えばエリプソメータを用いた測定によって求めることができる。
【数１】
2016207452.tif 000003
【数２】
2016207452.tif 000004
【００６７】
第β番目の層において、転送行列は式（３）で表され、位相差は式（４）で表される。また、転送行列内の係数「ηβ」に関してＳ偏光の場合は式（５）、Ｐ偏光の場合は式（６）で表される。符号「λ」は多層膜に入射する光の波長、符号「ｃ」は光速、符号「μ0」は真空の透磁率、符号「θβ」は各層に入射する光の入射角である。
【数３】
2016207452.tif 000005
【数４】
2016207452.tif 000006
【数５】
2016207452.tif 000007
【数６】
2016207452.tif 000008
【００６８】
図７において光が垂直に入射するとすれば、Ｃｏｓ（θβ）＝１である。このとき、上述した式（５）と式（６）は同じ値となり、以下の式（７）のように表される。また、位相差は、式（８）のように表される。
【数７】
2016207452.tif 000009
【数８】
2016207452.tif 000010
【００６９】
多層膜の転送行列は各層の転送行列の積で表される。従って、多層膜全体の転送行列は、符号「Ａ」、「Ｂ」、「Ｃ」、「Ｄ」を係数として、以下の式（９）のように表される。また、電界の反射率は、以下の式（１０）のように表される。従って、光の反射率は、以下の式（１１）のように表される。
【数９】
2016207452.tif 000011
【数１０】
2016207452.tif 000012
【数１１】
2016207452.tif 000013
【００７０】
以上、多層膜の光学特性について説明した。
【００７１】
図８に示すように、画素に対応する部分は、［第１電極１３、有機層２０、第２電極３１、金属材料層３２’］が積層された構造となる。一方、画素と画素との間といった部分は、［反射板１４（第１電極１３と同じ材質）、絶縁層１５、有機層２０、第２電極３１、金属材料層３２’］が積層された構造となる。
【００７２】
従って、絶縁層１５の膜厚や材質を調整することで、画素の部分と、画素と画素との間の部分とで、入射する光線に対する反射率が差を生ずるように設定することができる。
【００７３】
図８に示す層構造について説明する。画素に対応する部分は、第１基板１１側の反射面と第２電極３１上の金属材料層３２’によって形成される反射面との間においてエネルギー線を吸収する共振構造を形成するように構成されている。第１基板１１側の反射面は、金属材料から成る第１電極１３の面によって構成されている。また、隣接する画素の間の部分は、第１基板１１側の反射面と第２電極３１上の金属材料層３２’によって形成される反射面との間においてエネルギー線を反射する共振構造を形成するように構成されている。隣接する画素の間の部分における第１基板１１側の反射面は、隣接する画素の間の部分の第１基板１１上に設けられた反射板１４の面によって構成されている。
【００７４】
例えば、波長１０６４［ｎｍ］の光に対する反射率が、画素に対応する部分において１パーセント、画素と画素との間の部分で９９％となるように、有機層２０、絶縁層１５、第２電極３１の材質や膜厚を設定したとする。このとき、例えば、波長１０６４［ｎｍ］のＮｄ：ＹＡＧレーザを用いて光を照射すれば、画素の部分では光は殆ど吸収されるのに対して、画素と画素との間の部分では光は殆ど反射される。これによって、光の照射によって金属材料層３２’を除去する加工を行うことに対して、画素の部分と、画素と画素との間の部分とで、加工性に差を生じさせることができる。
【００７５】
反射率について極端な値を例示して説明をしたが、実際には、照射される光に対する反射率を、画素に対応する部分で４０％以下、より好ましくは３０％以下に設定することが望ましい。一方、画素と画素との間に対応する部分では、照射される光に対する反射率を、７０％以上、より好ましくは８０％以上に設定することが望ましい。
【００７６】
例えば、有機層２０の厚さを１７０［ｎｍ］、ＩＺＯから成る第２電極３１の厚さを５０［ｎｍ］、マグネシウム（Ｍｇ）と銀（Ａｇ）との合金から成る金属材料層３２’の厚さを２０［ｎｍ］、酸化シリコンから成る絶縁層１５の厚さを７０［ｎｍ］に設定すれば、上記の条件を満たすような層構造を得ることができる。
【００７７】
引き続き、本開示の製造方法の説明を行う。第２電極３１上の全面に金属材料層３２’を形成した後、金属材料層３２’側からエネルギー線を照射し、画素に対応する部分において吸収されるエネルギーによって金属材料層３２’を選択的に除去し、以て、金属材料層から成る補助配線３２を形成する工程を行う。
【００７８】
具体的には、図９に示すように、金属材料層３２’側から、全面に波長１０６４［ｎｍ］のＮｄ：ＹＡＧレーザ光を照射する。照射する光の強度は、画素に対応する部分において金属材料層３２’が除去され、画素と画素との間の部分では金属材料層３２’が残るように、例えば実験などによって適宜設定すればよい。
【００７９】
エネルギー線の照射によって、画素に対応する部分において吸収されるエネルギーによって金属材料層３２’が選択的に除去され、画素と画素との間の部分では金属材料層３２’が残される。従って、金属材料層３２’から成る補助配線３２を得ることができる（図１０を参照）。
【００８０】
次いで、全面に、保護膜３３を形成する（図１１を参照）。その後、接着層３４を形成するＵＶ硬化樹脂あるいは熱硬化樹脂を塗布して、カラーフィルタなどが形成された第２基板４１を張り合わせることで封止を行う。これによって、図２に示す表示装置を得ることができる。
【００８１】
以上説明したように、光の照射によって金属材料層３２’を除去する加工を行うことに対して、画素の部分と、画素と画素との間の部分とで、加工性に差を生じさせることができる。従って、全面にエネルギー線を照射するといった簡便な方法によって、高い精度で透明電極（第２電極）に重ねて補助配線を形成することできる。
【００８２】
［第２の実施形態］
図１２は、第２の実施形態に係る表示装置の模式的な一部断面図である。
【００８３】
上述した第１の実施形態にあっては、反射板１４は、第１電極１３と同層の構成とした。これに対し、第２の実施形態に係る表示装置１’にあっては、反射板２１４を第１電極２１３とは別の層、具体的には、第２の平坦化膜２１２を介して、第１電極２１３の下層に設けた点が主に相違する。
【００８４】
第１の実施形態にあっては、反射板１４と第１電極１３との電気的な絶縁を図る必要上、反射板１４と第１電極１３とをオーバーラップさせるといった構成とすることができない。これに対して、第２の実施形態にあっては、第１電極２１３と第１電極２１３との間をオーバーラップするように反射板２１４を構成することができる。従って、第１の実施形態よりも反射板の面積を大きくすることができる。
【００８５】
表示装置１’の構造について説明した。次いで、図１３ないし図１５を参照して、表示装置１’の製造方法について説明する。
【００８６】
先ず、第１基板１１の上に、公知の薄膜プロセスに基づいて、トランジスタＴＲW，ＴＲD、容量部Ｃ1などを含む駆動回路を形成する。次いで、例えばスピンコート法やスリットコート法によって、全面にわたって平坦化膜１２を形成する。その後、例えばフォトリソグラフィ法により、平坦化膜１２を所定の形状にパターンニングする（図１３Ａを参照）。
【００８７】
次いで、全面に、例えばアルミニウム（Ａｌ）を蒸着して金属材料層２１４’を形成する（図１３Ｂを参照）。金属材料層２１４’は、反射板２１４の形成に用いられる。その後、例えばフォトリソグラフィ法により、金属材料層２１４’を所定の形状にパターンニングし、反射板２１４を形成する（図１３Ｃを参照）。
【００８８】
次いで、例えばスピンコート法やスリットコート法によって、全面にわたって絶縁層としての第２の平坦化膜２１２を形成する。その後、例えばフォトリソグラフィ法により、第２の平坦化膜２１２を所定の形状にパターンニングすると共に、トランジスタと第１電極２１３を接続するためのコンタクトホールを形成する（図１４Ａを参照）。
【００８９】
次いで、全面に、例えばアルミニウム（Ａｌ）を蒸着して金属材料層２１３’を形成する（図１４Ｂを参照）。金属材料層２１３’は、第１電極２１３の形成に用いられる。その後、例えばフォトリソグラフィ法により、金属材料層２１３’を所定の形状にパターンニングし、第１電極２１３を形成する（図１５を参照）。
【００９０】
その後の工程は、基本的には、第１の実施形態において図４ないし図６、図９ないし図１１を参照して説明した工程と同様であるので、説明を省略する。尚、画素と画素との間といった部分は、［反射板２１４、第２の平坦化膜２１２、絶縁層１５、有機層２０、第２電極３１、金属材料層２１３’］が積層された構造となる。従って、絶縁層１５に加えて更に第２の平坦化膜２１２を考慮して光学設計を行えばよい。
【００９１】
第２の実施形態にあっては、第１の実施形態に対して反射板をより大きく設定することができる。従って、金属材料層３２’が残されて形成される補助配線３２をより幅広く形成することができるので、透明電極（第２電極）のシート抵抗をより下げることができる。
【００９２】
＜電子機器＞
以上説明した本開示の表示装置は、電子機器に入力された映像信号、若しくは、電子機器内で生成した映像信号を、画像若しくは映像として表示するあらゆる分野の電子機器の表示部（表示装置）として用いることができる。一例として、例えば、テレビジョンセット、デジタルスチルカメラ、ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話機等の携帯端末装置、ビデオカメラ、ヘッドマウントディスプレイ（頭部装着型ディスプレイ）等の表示部として用いることができる。
【００９３】
本開示の表示装置は、封止された構成のモジュール形状のものをも含む。一例として、画素アレイ部に透明なガラス等の対向部が貼り付けられて形成された表示モジュールが該当する。尚、表示モジュールには、外部から画素アレイ部への信号等を入出力するための回路部やフレキシブルプリントサーキット（ＦＰＣ）などが設けられていてもよい。以下に、本開示の表示装置を用いる電子機器の具体例として、デジタルスチルカメラ及びヘッドマウントディスプレイを例示する。但し、ここで例示する具体例は一例に過ぎず、これに限られるものではない。
【００９４】
（具体例１）
図１６は、レンズ交換式一眼レフレックスタイプのデジタルスチルカメラの外観図であり、図１６Ａにその正面図を示し、図１６Ｂにその背面図を示す。レンズ交換式一眼レフレックスタイプのデジタルスチルカメラは、例えば、カメラ本体部（カメラボディ）３１１の正面右側に交換式の撮影レンズユニット（交換レンズ）３１２を有し、正面左側に撮影者が把持するためのグリップ部３１３を有している。
【００９５】
そして、カメラ本体部３１１の背面略中央にはモニタ３１４が設けられている。モニタ３１４の上部には、ビューファインダ（接眼窓）３１５が設けられている。撮影者は、ビューファインダ３１５を覗くことによって、撮影レンズユニット３１２から導かれた被写体の光像を視認して構図決定を行うことが可能である。
【００９６】
上記の構成のレンズ交換式一眼レフレックスタイプのデジタルスチルカメラにおいて、そのビューファインダ３１５として本開示の表示装置を用いることができる。すなわち、本例に係るレンズ交換式一眼レフレックスタイプのデジタルスチルカメラは、そのビューファインダ３１５として本開示の表示装置を用いることによって作製される。
【００９７】
（具体例２）
図１７は、ヘッドマウントディスプレイの外観図である。ヘッドマウントディスプレイは、例えば、眼鏡形の表示部４１１の両側に、使用者の頭部に装着するための耳掛け部４１２を有している。このヘッドマウントディスプレイにおいて、その表示部４１１として本開示の表示装置を用いることができる。すなわち、本例に係るヘッドマウントディスプレイは、その表示部４１１として本開示の表示装置を用いることによって作製される。
【００９８】
尚、本開示は以下のような構成をとることもできる。
［１］
第１基板上に、画素毎に設けられた第１電極と、第１電極のそれぞれに対向した開口を有する絶縁層と、全画素に共通の発光層を含む有機層と、有機層の全面に形成された第２電極とが積層されている表示装置の製造方法であって、
第２電極上の全面に金属材料層を形成した後、金属材料層側からエネルギー線を照射し、画素に対応する部分において吸収されるエネルギーによって金属材料層を選択的に除去し、以て、金属材料層から成る補助配線を形成する工程を備えている、
表示装置の製造方法。
［２］
画素に対応する部分は、第１基板側の反射面と第２電極上の金属材料層によって形成される反射面との間においてエネルギー線を吸収する共振構造を形成するように構成されている、
上記［１］に記載の表示装置の製造方法。
［３］
第１基板側の反射面は、金属材料から成る第１電極の面によって構成されている、
上記［２］に記載の表示装置の製造方法。
［４］
第１電極は透明導電材料から構成されており、
第１基板側の反射面は、第１電極とは別に設けられた反射電極の面によって構成されている、
上記［２］に記載の表示装置の製造方法。
［５］
隣接する画素の間の部分は、第１基板側の反射面と第２電極上の金属材料層によって形成される反射面との間においてエネルギー線を反射する共振構造を形成するように構成されている、
上記［２］ないし［４］のいずれかに記載の表示装置の製造方法。
［６］
隣接する画素の間の部分における第１基板側の反射面は、隣接する画素の間の部分の第１基板上に設けられた反射板の面によって構成されている、
上記［５］に記載の表示装置の製造方法。
［７］
エネルギー線は、レーザ光である、
上記［１］ないし［６］のいずれかに記載の表示装置の製造方法。
［８］
エネルギー線は、赤外領域のレーザ光である、
上記［７］に記載の表示装置の製造方法。
［９］
第１基板上に、画素毎に設けられた第１電極と、第１電極のそれぞれに対向した開口を有する絶縁層と、全画素に共通の発光層を含む有機層と、有機層の全面に形成された第２電極とが積層されている表示装置であって、
画素に対応する部分は、第２電極上に反射面が形成されているとしたときに、第１基板側の反射面と第２電極上の反射面との間においてエネルギー線を吸収する共振構造を形成するように構成されている、
表示装置。
［１０］
第１基板側の反射面は、金属材料から成る第１電極の面によって構成されている、
上記［９］に記載の表示装置。
［１１］
第１電極は透明導電材料から構成されており、
第１基板側の反射面は、第１電極とは別に設けられた反射電極の面によって構成されている、
上記［９］に記載の表示装置。
［１２］
隣接する画素の間の部分は、第２電極上に反射面が形成されているとしたときに、第１基板側の反射面と第２電極上の反射面との間においてエネルギー線を反射する共振構造を形成するように構成されている、
上記［９］ないし［１１］のいずれかに記載の表示装置。
［１３］
隣接する画素の間の部分における第１基板側の反射面は、隣接する画素の間の部分の第１基板上に設けられた反射板の面によって構成されている、
上記［１２］に記載の表示装置。
［１４］
表示装置を有する電子機器であって、
表示装置は、第１基板上に、画素毎に設けられた第１電極と、第１電極のそれぞれに対向した開口を有する絶縁層と、全画素に共通の発光層を含む有機層と、有機層の全面に形成された第２電極とが積層されており、
画素に対応する部分は、第２電極上に反射面が形成されているとしたときに、第１基板側の反射面と第２電極上の反射面との間においてエネルギー線を吸収する共振構造を形成するように構成されている、
電子機器。
【符号の説明】
【００９９】
１・・・表示装置、１０・・・表示素子、１００・・・電源部、１０１・・・走査部、１０２・・・データドライバ、ＳＣＬ・・・走査線、ＤＴＬ・・・データ線、ＰＳ１・・・給電線、ＰＳ２・・・第２の給電線、ＴＲW・・・書込みトランジスタ、ＴＲD・・・駆動トランジスタ、Ｃ1・・・容量部、ＥＬＰ・・・発光部、ＣEL・・・発光部ＥＬＰの容量、１１・・・第１基板、１２・・・平坦化膜、１３・・・第１電極、１４・・・反射板、１５・・・絶縁層、２０・・・有機層、３１・・・第２電極、３２・・・補助配線、３２’・・・金属材料層、３３・・・保護膜、３４・・・接着層、４１・・・第２基板、４２・・・カラーフィルタ、４３・・・遮光膜、２１２・・・第２の平坦化膜、２１３・・・第１電極、２１３’・・・金属材料層、２１４・・・反射板、３１１・・・カメラ本体部（カメラボディ）、３１２・・・撮影レンズユニット（交換レンズ）、３１３・・・グリップ部、３１４・・・モニタ、３１５・・・ビューファインダ（接眼窓）、４１１・・・眼鏡形の表示部、４１２・・・耳掛け部
【図１】
2016207452.tif 000014
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
2016207452.tif 000026
【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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