(57)【要約】【課題】  生産性の点で有利なインプリント装置を提供する。【解決手段】  インプリント装置は、インプリント処理の対象とする対象ショット領域を観察する観察部と、前記観察部による前記対象ショット領域の観察データを、インプリント処理が行われたショット領域の状態を示す第１基準データおよびインプリント処理が行われていないショット領域の状態を示す第２基準データの少なくとも１つと比較し、該比較の結果に基づいて前記対象ショット領域における前記インプリント処理の実施状況の判定を行う判定部と、前記インプリント処理が未実施と判定された場合にのみ前記対象ショット領域に前記インプリント処理を行うように制御する制御部と、を備える。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に供給されたインプリント材に型を用いてパターンを形成するインプリント処理を前記基板上の複数のショット領域のそれぞれに行うインプリント装置であって、
前記インプリント処理の対象とする対象ショット領域を観察する観察部と、
前記観察部による前記対象ショット領域の観察データを、インプリント処理が行われたショット領域の状態を示す第１基準データおよびインプリント処理が行われていないショット領域の状態を示す第２基準データの少なくとも１つと比較し、該比較の結果に基づいて前記対象ショット領域における前記インプリント処理の実施状況の判定を行う判定部と、
前記インプリント処理が未実施と判定された場合にのみ前記対象ショット領域に前記インプリント処理を行うように制御する制御部と、
を備えることを特徴とするインプリント装置。
【請求項２】
前記第１基準データは、インプリント処理を行うことによって形成されたマークを含み、前記第２基準データは、前記マークを含まず、前記判定部は、前記対象ショット領域の観察データにおける前記マークの有無によって前記判定を行うことを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
【請求項３】
前記マークは、前記型と前記基板とを位置決めするためのマークを含むことを特徴とする請求項２に記載のインプリント装置。
【請求項４】
前記判定部は、前記型と前記基板とを重ね合わせするための型側マークおよび基板側マークにより形成された干渉縞の有無によって前記判定を行うことを特徴とする請求項３に記載のインプリント装置。
【請求項５】
前記型が前記対象ショット領域の中のマークの観察を妨げないように前記制御部により前記基板と前記型との相対位置関係が保たれた状態で、前記観察部は、前記対象ショット領域を観察することを特徴とする請求項４に記載のインプリント装置。
【請求項６】
前記第１基準データは、インプリント処理を行うことによって形成されたパターンを含み、前記第２基準データは、前記パターンを含まず、前記判定部は、前記対象ショット領域の観察データにおける前記パターンの有無によって前記判定を行うことを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
【請求項７】
前記観察部は、前記対象ショット領域の反射率を検出し、前記第１基準データは、インプリント処理が行われた状態のショット領域の反射率のデータを含み、前記第２基準データは、インプリント処理が行われていない状態のショット領域の反射率のデータを含み、
前記判定部は、前記観察部により検出された前記対象ショット領域の反射率を用いて前記判定を行うことを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
【請求項８】
前記判定部は、前記対象ショット領域の反射率の平均値を用いて前記判定を行うことを特徴とする請求項７に記載のインプリント装置。
【請求項９】
前記第１基準データおよび前記第２基準データは、前記対象ショット領域が配置された基板上の前記対象ショット領域とは異なるショット領域を前記観察部により観察することによって予め生成されていることを特徴とする請求項１ないし８のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項１０】
前記判定部は、前記対象ショット領域における前記インプリント処理の実施状況を未実施、実施済み、および、判定不能のいずれかに判定することを特徴とする請求項１ないし９のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項１１】
前記判定部が前記実施状況を実施済みまたは判定不能と判定する場合には、前記制御部は、前記複数のショット領域のそれぞれに順序付けて実行するインプリント処理のシーケンスを停止することを特徴とする請求項１０に記載のインプリント装置。
【請求項１２】
前記判定部が前記実施状況を実施済みまたは判定不能と判定する場合には、前記制御部は、前記対象ショット領域を前記インプリント処理の対象から外して前記複数のショット領域のそれぞれに順序付けて実行するインプリント処理のシーケンスを継続することを特徴とする請求項１０に記載のインプリント装置。
【請求項１３】
請求項１ないし１２のいずれか１項に記載のインプリント装置を用いて基板にパターンを形成する工程と、
前記パターンが形成された前記基板を加工する工程と、
を含むことを特徴とする物品の製造方法。
【請求項１４】
基板上に供給されたインプリント材に型を用いてパターンを形成するインプリント処理を前記基板上の複数のショット領域のそれぞれに行うインプリント方法であって、
前記インプリント処理の対象ショット領域を観察する観察工程と、
前記対象ショット領域の観察データを、インプリント処理が行われたショット領域の状態を示す第１基準データおよびインプリント処理が行われていないショット領域の状態を示す第２基準データの少なくとも１つと比較する比較工程と、
前記比較工程の比較結果に基づいて前記対象ショット領域における前記インプリント処理の実施状況を未実施、実施済み、および、判定不能のいずれかに判定する判定工程と、
を含むことを特徴とするインプリント方法。
【請求項１５】
前記判定工程で前記実施状況が未実施と判定された場合にのみ、前記対象ショット領域に前記インプリント処理を行うことを特徴とする請求項１４に記載のインプリント方法。
【請求項１６】
前記判定工程で前記実施状況が実施済みまたは判定不能と判定された場合に、前記複数のショット領域のそれぞれに順序付けて実行するインプリント処理のシーケンスを停止することを特徴とする請求項１４または１５に記載のインプリント方法。
【請求項１７】
前記判定工程で前記実施状況が実施済みまたは判定不能と判定された場合に、前記対象ショット領域を前記インプリント処理の対象から外して前記複数のショット領域のそれぞれに順序付けて実行するインプリント処理のシーケンスを継続することを特徴とする請求項１４または１５に記載のインプリント方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インプリント装置、インプリント方法、および物品製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、微細なパターンの形成を可能にするインプリント技術は、様々なデバイス（ＩＣやＬＳＩなどの半導体デバイス、液晶デバイス、ＣＣＤなどの撮像デバイス、磁気ヘッドなど）を製造するための技術として注目されている。インプリント技術は、シリコンウエハやガラスプレートなどの基板の上に塗布された樹脂に対して、微細なパターンが形成された原版（モールド、マスク）を押し付けた状態で、樹脂を硬化させて基板に微細なパターンの転写を行なっている。
【０００３】
転写の際に、モールドとウエハが物理的に接触するため、モールドやウエハ上の異物を噛みこむとモールドが破損してしまうことがある。このため、従来技術ではインプリント時に異物を検知してモールドを交換したり、修正を試みる動作を行なったりする（特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特表２０１１−５１３９７３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら既存の技術においては、異物のみに着目され、基板の処理対象領域の状態が正常かどうか、たとえば、インプリント済みの領域に対して誤って再度インプリント処理を実行してしまうヒューマンエラーの可能性が考慮されていない。インプリント済み領域に誤って再処理すると、例えば基板上のパターンを破壊したり、モールドに樹脂が異物として付着したりする。その結果、以降のインプリントでジョブを継続できなくなることなどが発生するため、生産性の点で不利であった。
【０００６】
本発明は、生産性の点で有利なインプリント装置を提供することを例示的目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、基板上に供給されたインプリント材に型を用いてパターンを形成するインプリント処理を前記基板上の複数のショット領域のそれぞれに行うインプリント装置であって、前記インプリント処理の対象とする対象ショット領域を観察する観察部と、前記観察部による前記対象ショット領域の観察データを、インプリント処理が行われたショット領域の状態を示す第１基準データおよびインプリント処理が行われていないショット領域の状態を示す第２基準データの少なくとも１つと比較し、該比較の結果に基づいて前記対象ショット領域における前記インプリント処理の実施状況の判定を行う判定部と、前記インプリント処理が未実施と判定された場合にのみ前記対象ショット領域に前記インプリント処理を行うように制御する制御部と、を備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、例えば生産性の点で有利なインプリント装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】第１実施形態のインプリント装置の構成を示す図である。
【図２】第１実施形態のショット領域の観察画像を示す図である。
【図３】第２実施形態のショット領域の観察画像を示す図である。
【図４】第３実施形態のショット領域の観察画像を示す図である。
【図５】第４実施形態のショット領域の判定結果を示す図である。
【図６】第１および第２実施形態のインプリント処理のシーケンスを示すフローチャートである。
【図７】第４実施形態のインプリント処理のシーケンスを示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明を実施するための形態について図面などを参照して説明する。
【００１１】
［第１実施形態］
本発明の第１実施形態に係るインプリント装置及び方法について説明する。図１は、本実施形態に係るインプリント装置の構成を示す概略図である。インプリント装置は、半導体デバイス、液晶デバイス、撮像デバイスなどの物品の製造に使用される基板上に供給されたインプリント材を型（モールド）で成形するインプリント処理を複数のショット領域のそれぞれに行う。インプリント装置は、複数のショット領域のそれぞれに対するインプリント処理が順序付けられたインプリント処理のシーケンスに従ってインプリント処理を実行する。なお、ここでは光硬化法を採用したインプリント装置とする。
【００１２】
インプリント装置は、モールド保持部１０と、ウエハステージ（基板ステージ）１と、カメラ（観察部）２と、光源部３と、判定部４と、制御部９と、を備える。モールド保持部１０は、モールド（型）５を保持するモールドチャック８と、光源部３から照射される光をモールド５のパターン部６を通してウエハ（基板）７上の樹脂（インプリント材）１２０に照射するための透過領域１０ａとから構成される。ウエハステージ１はウエハ７を保持し、インプリント処理の対象とする対象ショット領域と、モールドチャック８に固定されたモールド５のパターン部６との位置決めを行い、モールド５とウエハ７上の樹脂１２０とを接触させる。
【００１３】
カメラ２は、対象ショット領域を観察する。シーケンスの並列化によるスループット向上の都合で複数のショット領域を同時に観察する場合には、複数のカメラ２を配置する。また、本発明の実施にあたって、装置内のインプリント機構以外の機構、例えばプリアライメント機構などに観察部を別途構成してもよい。しかし、観察部としてインプリント装置内のカメラ２を用いることで、観察部を追加する構成が不要であり、装置を簡略化できる。光源部３は、インプリント処理の際に、モールド５に対して紫外線を照射するほか、カメラ２によるウエハ７の観察に適した観察光を照射する。観察光の照射部は、光源と、この光源から照射された紫外線ないしは観察光をインプリントまたは基板の観察に適切な光に調整する光学素子とから構成される。
【００１４】
判定部４は、カメラ２から送られてくる観察画像（観察データ）と、予め生成して保持しているインプリント処理を実施済みのサンプル画像（第１基準データ）およびインプリント処理が未実施のサンプル画像（第２基準データ）とを比較する。判定部４は、サンプル画像との比較結果に基づいて、対象ショット領域におけるインプリント処理の実施状況を判定する。判定部４は、制御部９とは別に別途構成してもよいが、制御部９に構成することで、装置を簡略化できる。制御部９は、装置内の各種ユニットから通知される状態を監視し、各種ユニットへ指示を送ることで装置の動作を管理する。
【００１５】
次に、インプリント装置によるインプリント処理の実施状況の判定処理について説明する。図２は、インプリント処理の実施状況の判定を行う際のサンプル画像とカメラ２により観察された画像を示す図である。図６は第１実施形態におけるインプリント処理のシーケンスを示す。制御部９が、図６に示すインプリント装置のシーケンスを開始すると、制御部９は、まず、Ｓ１で、ウエハ７をウエハステージ１に搬入させる。次に、制御部９は、インプリント処理の対象とする対象ショット領域があるか否かを判断し、対象ショット領域が存在する場合には、Ｓ３で、次の対象ショット領域３０がモールド５のパターン部６の下になるようにウエハステージ１を駆動させる。
【００１６】
ウエハ７の移動（ウエハステージ１の駆動）後、制御部９は、Ｓ４で、対象ショット領域３０に対するインプリント処理が実施済みか未実施なのかを判定する。Ｓ４のインプリント処理の実施状況の判定では、カメラ２により得られるショット領域３０の画像２０と、インプリント処理が未実施のショット領域のサンプル画像２１および実施済みのショット領域のサンプル画像２２との比較が行われる。サンプル画像２１およびサンプル画像２２は、予め用意されて判定部４に保存されている。サンプル画像２１およびサンプル画像２２は、過去のインプリント処理で観察された画像を用いても良いし、後述する実施形態のように対象ショット領域が存在する基板７の観察によって作成してもよい。画像２０とサンプル画像２１，２２との比較は、例えば画像処理により画像中のパターンが形成されない部分２０ａ，２１ａ，２２ａが、インプリントの有無により塗布された樹脂１２０の厚みが変化することにより反射率（明度）が変化することを利用してもよい。また、画像２０とサンプル画像２１，２２との比較は、パターンが形成された部分２０ｂ，２１ｂ，２２ｂの反射率（明度）の変化を検出してもよい。
【００１７】
比較結果により判定部４は、ショット領域３０におけるインプリント処理が未実施か、実施済みかを判定する。ショット領域がどちらにも似ている、またはどちらとも似ていない場合には、判定不能として判定される。判定部４は、Ｓ４２、Ｓ４３またはＳ４４で、ショット領域情報に判定結果を登録する。本実施形態では、インプリント処理の対象ショット領域３０の画像２０を、サンプル画像２１およびサンプル画像２２の双方と比較を行った。しかし、対象ショット領域３０の画像２０を、サンプル画像２１およびサンプル画像２２の一方と比較を行うことで、ショット領域３０におけるインプリント処理の実施状況を判定することもできる。下地の層がすでにインプリント処理により作製されている場合には、インプリントの有無により塗布された樹脂１２０の厚みが変化することによる明度の変化の差が少なくなる。したがって、下地の層がすでにインプリント処理により作製されている場合には、インプリント処理の対象ショット領域３０の画像２０を、サンプル画像２１およびサンプル画像２２の双方と比較を行う。インプリント処理の対象ショット領域３０の画像２０を取得するときの照度等の条件と、サンプル画像２１およびサンプル画像２２を取得したときの照度等の条件が異なることがある。そのような場合には、サンプル画像２１およびサンプル画像２２のデータを補正し、画像２０と、補正されたサンプル画像２１およびサンプル画像２２とを比較する必要がある。
【００１８】
制御部９は、判定部４の判定結果に基づいてインプリント処理が未実施であると判定された場合には、Ｓ６で、インプリント処理を行う。制御部９は、インプリント処理の実施状況を実施済みまたは判定不能と判定された場合には、ジョブ設定ないしは装置設定に基づいて、ジョブシーケンスを一時停止または当該ショット領域をスキップしてジョブシーケンスを継続する。一時停止の場合には、装置使用者が、インプリントするかスキップするかシーケンスを中断するかを判断し、装置に指示を出す。
【００１９】
以上のように、本実施形態によれば、対象ショット領域３０におけるインプリント処理の実施状況を判別することで、インプリント処理が実施済みのショット領域３２に誤ってインプリントすることを防止することができる。
【００２０】
［第２実施形態］
本発明の第２実施形態に係るインプリント装置および方法について説明する。第１実施形態では、判定部４はインプリント前後の明度の変化や、インプリントパターンの変化を用いてインプリント処理の有無を判定していた。第２実施形態では、判定部４がインプリント処理で形成されたマークや干渉縞を検出することでインプリント処理の有無を判定する。なお、第２実施形態に係るインプリント装置の各構成要素のうち、第１実施形態に係るインプリント装置の構成要素と同一のものには同一の符号を付し、説明を省略する。
【００２１】
以下、図１と図３を参照して第２実施形態におけるインプリント処理の実施状況の判定方法について説明する。図３（ａ）はインプリント処理の行われていないショット領域内を表している。インプリント未処理のウエハ７にはパターンが何も形成されていない場合もあるが、より精度良く処理するために、位置決めの基準のために、ウエハ側基準マーク３００Ｗが形成されている。
【００２２】
図３（ｂ）は１回目のインプリントが完了した後のショット領域内を表している。インプリント処理では、基準位置へのインプリントを、モールド５のパターン部６上に設けられたモールド側基準マーク３００Ｍをウエハ側基準マーク３００Ｗに合わせることで行う。また、次のインプリント処理で使うための精密重ね合わせ用のウエハ側アライメントマーク３１０Ｗと下地パターン３２０が形成されている。モールド側基準マーク３００Ｍ、ウエハ側基準マーク３００Ｗは、型側マーク、基板側マークをそれぞれ構成している。
【００２３】
図３（ｃ）は２回目のインプリントが完了した後のショット領域内を表している。２回目のインプリントは先のインプリントのパターンとの重ね合わせするために、モールド側アライメントマーク３１０Ｍを、１回目のインプリントで形成されているウエハ側アライメントマーク３１０Ｗに重ね合わせたときに発生する干渉縞３１０を計測する。モールド側アライメントマーク３１０Ｍ、ウエハ側アライメントマーク３１０Ｗは、型側マーク、基板側マークをそれぞれ構成している。干渉縞３１０は、２回目のインプリント処理後に、ウエハ７上のショット領域内に形成される。また、下地パターン３２０上に重ね合わせられたパターン３３０が形成される。
【００２４】
図３（ｄ）は図３（ａ）のＡ−Ａ’断面を表している。インプリント前なのでウエハ７には何も形成されていない。図３（ｅ）は図３（ｂ）のＢ−Ｂ’断面を表している。１回目のインプリントが完了しているため、ウエハ７上に基準マーク３００とウエハ側アライメントマーク３１０Ｗが形成されている。図３（ｆ）は図３（ｃ）のＣ−Ｃ’断面を表している。１回目のインプリントで形成されたウエハ側アライメントマーク３１０Ｗと、２回目のインプリントにより形成されたモールド側アライメントマーク３１０Ｍが上下に並び、反射光が干渉することで図３（ｃ）の干渉縞３１０を発生させている。
【００２５】
図１のアライメントスコープ１２は、インプリントされたマークや干渉縞の観察を行う分解能が数ナノメートル〜数μメートル程度の観察カメラである。本実施形態では、第１実施形態における判定部４の処理内において、カメラ２よりも精密な計測器を用いて、形成済みのマークないし形成されたパターンが存在する領域のインプリント前後の変化を検出する。インプリント前後の変化はたとえば下地パターン３２０の有無や、その上に形成されたパターン３３０の有無などで見ても良い。しかし、個別の製品で異なるパターンの情報をもとに判定するのは難しいため、転写された基準マーク３００Ｍの有無や、干渉縞３１０を検出して判定することが望ましい。干渉縞３１０を観察する場合は、ウエハステージ１を駆動し、モールド５が干渉縞の観察を妨げないようにウエハ７とモールド５との相対位置関係が保たれた状態で、観を行う。各パターンの検出には追加のカメラ等を用いても良いが、重ね合わせ計測用のアライメントスコープ１２を用いると追加の構成が不要であり、装置を簡略化できる。
【００２６】
［第３実施形態］
本発明の第３実施形態に係るインプリント装置および方法について説明する。第３実施形態ではサンプル画像が存在しない場合にサンプル画像を作成してから判定を行う方法について説明する。以下、図１と図４を参照して第３実施形態に置けるインプリント処理済み判定方法について説明する。なお、本実施形態に係るインプリント装置の各構成要素のうち、第１、第２実施形態に係るインプリント装置の構成要素と同一のものには同一の符号を付し、説明を省略する。
【００２７】
図４は本発明の第３実施形態におけるインプリント処理済みのサンプル画像の取得処理を表している。図４（ａ）は一部が処理されたウエハ７を表している。ウエハ７はインプリント処理が未実施のショット領域３１と実施済みのショット領域３２が混在している。図４（ｂ）と図４（ｃ）は、インプリント処理が未実施のショット領域３１の画像２１と実施済みのショット領域３２の画像２２とをそれぞれ表している。図４（ｄ）はインプリント処理が実施済みのショット領域と未実施のショット領域が混在しているウエハのショット領域の観察結果の統計グラフを表している。図４（ｅ）はインプリント処理が実施済みまたは未実施のショット領域のみが存在するウエハ７のショット領域の観察結果の統計グラフを表している。
【００２８】
サンプル画像が無い場合、制御部９はウエハステージ１を駆動させ、ウエハ７の各ショット領域の観察を行う。ウエハ７内にインプリント処理の未実施のショット領域３１と、実施済みのショット領域３２が混在している場合は、観察結果に例えばショット領域の平均明度、あるいはショット領域内のパターン形成部２１ｂおよび２２ｂとの間などで観察結果に差が生じる。ショット領域の平均明度を用いた場合、ウエハ７上の各ショット領域の明度情報の統計が得られる。図４（ｄ）は統計結果をグラフ化したもので、例えば、インプリント処理済みのショット領域３２の画像２２ではインプリントに使った樹脂の分、グラフ左側の領域４１０のように、明度が低下して計測される。一方、インプリント処理が未実施のショット領域３１の画像２１では、グラフ右側の領域４１２のように、樹脂の厚みが薄い分、明度が明るく計測される。判定部４は、グラフ左側の領域４１０に分類されるデータの平均値をインプリント処理済みのショット領域３２の画像２２のサンプルとする。また、判定部４は、グラフ右側の領域４１２に分類されるデータの平均値をインプリント処理が未実施のショット領域３１の画像２１のサンプルとする。図４（ｅ）のように、インプリント処理が未実施のショット領域と実施済みのショット領域とに統計による切り分けができない場合には、判定部４はサンプル画像の取得を行わない。サンプル画像が取得できた場合には、判定部４は、以降のインプリント処理において、取得したサンプル画像との比較を行う。
【００２９】
［第４実施形態］
つぎに、図１と図５と図７を参照して第４実施形態におけるインプリント処理の実施状況の判定方法について説明する。なお、本実施形態に係るインプリント装置の各構成要素のうち、第１から第３実施形態に係るインプリント装置の構成要素と同一のものには同一の符号を付し、説明を省略する。
【００３０】
第４実施形態では、ウエハ７に対してインプリント処理を行う前に、ウエハ７のインプリント処理の実施状況の判定を行い、インプリント未処理ショット領域３１を処理するための処理方法について説明する。図５は本発明の第４実施形態におけるウエハ７のインプリント処理の実施状況の判定マップとスキップショットマップを表している。
【００３１】
図５（ａ）はインプリント装置に搬入されたときのウエハ７の状態を表している。ウエハ７のショット領域３０はインプリント処理が実施済みか未実施かが不明の未判定状態となっている。図５（ｂ）は各ショット領域３０のインプリント処理の実施状況の判定を行なった後のウエハ７の状態を表している。図５（ａ）での未判定ショット３０は、判定結果によってインプリント処理が実施済みのショット領域３２と未実施のショット領域３１と判定不能のショット領域３３に分かれている。図５（ｃ）はスキップショットマップが設定されたウエハ７の状態を表している。インプリント処理の実施状況の判定結果マップを基に、実施済みのショット領域３２および判定不能のショット領域３３にスキップショット領域３５が設定され、未実施のショット領域３１に処理対象ショット領域３４が設定されている。
【００３２】
図７は第４実施形態におけるインプリント装置のシーケンスを示す図である。制御部９が図７に示すインプリント装置のシーケンスを開始すると、制御部９は、まずＳ１で、ウエハ７をウエハステージ１に搬入させる。処理対象のウエハ７がインプリント装置内に移動した後、制御部９は、Ｓ２で、未判定ショットが存在するか確認する。確認は、制御部９の認識しているウエハの各ショット領域の処理状況マップを使用する。未判定ショットが存在する場合には、制御部９は、Ｓ３で、未判定ショット領域の観察を行うためにウエハ７を移動させる。ウエハ７の移動完了後、Ｓ４で、ショット領域におけるインプリント処理が実施済みかを判定するため、制御部９は、観察部を用いて観察を行い、判定部４で判定処理を行う。判定処理は先の実施形態に示すようにインプリント処理によるショット領域内の明度の変化を利用してもよいし、形成されたマークや干渉縞やプリンテッドモアレを検出するなどしてもよい。観察部は別途構成してもよいが、観察対象に合わせてカメラ２や、アライメントスコープ１２を利用するなどしてもよい。
【００３３】
判定部４は判定された結果を制御部９に伝え、制御部９は当該ショット領域の処理状況３１，３２，３３を保持する。
【００３４】
未判定のショット領域が無くなるまで、上記判定処理を繰り返し、全ての領域の判定が完了すると、制御部９は、Ｓ５で、完成した処理状況の判定情報を基にスキップショットマップの設定を行う。スキップショット領域３５の設定は、自動的に完了させるか、装置使用者に確認を行わせるかを装置設定により切り替える。装置使用者に確認させる場合は、完成したスキップショットマップが正しいか、判定不能ショット領域３３をどうするかを使用者に判断させる。
【００３５】
スキップショット領域３５の設定が完了すると、制御部は、Ｓ６で、設定されたスキップショットマップに基づいてインプリントジョブを実行する。スキップショット領域３５は処理を行わず、処理対象ショット領域３４にのみインプリント処理を行うように予め判定が行われているので、ジョブ実行中に停止することなくインプリントジョブを完了できる。
【００３６】
［物品製造方法］
物品としてのデバイス（半導体集積回路デバイス、液晶表示デバイス、ＭＥＭＳ等）の製造方法は、前述したインプリント装置を用いて基板（ウエハ、ガラスプレート、フィルム状基板等）にパターンを転写（形成）するステップを含む。さらに、該製造方法は、パターンを転写された前記基板をエッチングするステップを含みうる。なお、パターンドメディア（記録媒体）や光学素子などの他の物品を製造する場合には、該製造方法は、エッチングステップの代わりに、パターンを転写された前記基板を加工する他の加工ステップを含みうる。
【符号の説明】
【００３７】
１：ウエハステージ（基板ステージ）。２：カメラ（観察部）。４：判定部。５：モールド（型）。７：ウエハ（基板）。９：制御部。１２：アライメントスコープ。１２０：樹脂（インプリント材）。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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