(57)【要約】【課題】封止基板および支持基板の接合強度が高く、信頼性に優れる物理量センサー、物理量センサーの製造方法、電子機器および移動体を提供すること。【解決手段】本発明の物理量センサー１は、素子片３が設けられた支持基板２と、底部５１と、底部５１の縁部から立設し、端面が支持基板２に接合された壁部５２、５４とを有し、底部５１および壁部５２、５４で囲まれた空間に素子片３を収納して封止する封止基板５とを有する。壁部５２、５４は、立設方向の途中に、横断面積が最も小さい部分を有し、壁部５２、５４の支持基板２との接合面の面積は、壁部５２、５４の最も小さい横断面積よりも大きい。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
センサー素子が設けられた支持基板と、
底部と、前記底部の縁部から立設し、端面が前記支持基板に接合された壁部とを有し、前記底部および前記壁部で囲まれた空間に前記センサー素子を収納して封止する封止基板とを有し、
前記壁部は、立設方向の途中に、横断面積が最も小さい部分を有し、
前記壁部の前記支持基板との接合面の面積は、前記壁部の最も小さい横断面積よりも大きいことを特徴とする物理量センサー。
【請求項２】
前記壁部は、前記横断面積が最も小さい部分から前記接合面に向って、横断面積が連続的に大きくなっている請求項１に記載の物理量センサー。
【請求項３】
前記壁部は、厚さが前記接合面に向って厚くなるように、内側の面が前記壁部の立設方向に対して傾斜している部分を有する請求項２に記載の物理量センサー。
【請求項４】
前記封止基板は、単結晶シリコンを含んでいる請求項１ないし３のいずれか１項に記載の物理量センサー。
【請求項５】
前記底部の前記支持基板側の面は、シリコンの（１００）面を含んでいる請求項４に記載の物理量センサー。
【請求項６】
前記壁部の内側の面は、シリコンの（１１１）面を含んでいる請求項４または５に記載の物理量センサー。
【請求項７】
センサー素子が設けられた支持基板と、
底部と、前記底部の縁部から立設し、端面が前記支持基板に接合され、立設方向において横断面積が異なっている壁部とを有し、前記底部および前記壁部で囲まれた空間に前記センサー素子を収納して封止する封止基板とを有する物理量センサーの製造方法であって、
単結晶基板で構成された母板に凹部を形成する第１の工程と、
前記壁部が、立設方向の途中に、横断面積が最も小さい部分を有するように、前記凹部から異方性エッチングを行うことにより、前記底部および前記壁部を形成する第２の工程と、を有することを特徴とする物理量センサーの製造方法。
【請求項８】
前記第１の工程では、前記凹部をドライエッチングにより形成する請求項７に記載の物理量センサーの製造方法。
【請求項９】
前記異方性エッチングは、ウェットエッチングである請求項７または８に記載の物理量センサーの製造方法。
【請求項１０】
請求項１ないし６のいずれか１項に記載の物理量センサーを備えることを特徴とする電子機器。
【請求項１１】
請求項１ないし６のいずれか１項に記載の物理量センサーを備えることを特徴とする移動体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、物理量センサー、電子機器および移動体に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、角速度や加速度等の物理量を検出する物理量センサーが知られている（例えば、特許文献１）。
【０００３】
特許文献１に記載の物理量センサーは、センサー部と、センサー部を支持するベース部と、ベース部に接合され、センサー部を封止するキャップ部と、を備える加速度センサーである。
【０００４】
この加速度センサーでは、キャップ部は、底部と、底部の縁部から立設した壁部とを有している。壁部の端面は、ベース部に接合されており、これにより、底部、壁部およびベース部によって画成された空間にセンサー部が気密的に封止されている。
【０００５】
さて、壁部は、端面に向って厚さが漸減しており、端面において、厚さが最も薄くなっている。このため、壁部は、厚さ（横断面積）が最も小さい部分でベース部に接合されている。特許文献１に記載の加速度センサーでは、このように面積が小さい端面がベース部との接合面となっているため、接合強度が不十分であり、信頼性に乏しい。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特許第４３８６５５９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の目的は、封止基板と支持基板との接合強度が高く、信頼性に優れる物理量センサー、物理量センサーの製造方法、電子機器および移動体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
このような目的は、下記の本発明により達成される。
［適用例１］
本発明の物理量センサーは、センサー素子が設けられた支持基板と、
底部と、前記底部の縁部から立設し、端面が前記支持基板に接合された壁部とを有し、前記底部および前記壁部で囲まれた空間に前記センサー素子を収納して封止する封止基板とを有し、
前記壁部は、立設方向の途中に、横断面積が最も小さい部分を有し、
前記壁部の前記支持基板との接合面の面積は、前記壁部の最も小さい横断面積よりも大きいことを特徴とする。
【０００９】
これにより、支持基板と封止基板との接合面積を大きくすることができる。よって、支持基板と封止基板との接合強度を高くすることができる。よって、物理量センサーは、信頼性に優れる。
【００１０】
［適用例２］
本発明の物理量センサーでは、前記壁部は、前記横断面積が最も小さい部分から前記接合面に向って、横断面積が連続的に大きくなっているのが好ましい。
【００１１】
これにより、壁部の強度を高めつつ、接合面積を大きく確保することができる。よって、物理量センサーは、さらに信頼性に優れる。また、傾斜する面を簡単かつ高精度に形成することができる。
【００１２】
［適用例３］
本発明の物理量センサーでは、前記壁部は、厚さが前記接合面に向って厚くなるように、内側の面が前記壁部の立設方向に対して傾斜している部分を有するのが好ましい。
【００１３】
これにより、封止基板の小型化を図りつつ、支持基板と封止基板との接合強度を高くすることができる。
【００１４】
［適用例４］
本発明の物理量センサーでは、前記封止基板は、単結晶シリコンを含んでいるのが好ましい。
【００１５】
これにより、例えば、異方性エッチングを用いて、簡単かつ高精度に封止基板を得ることができる。
【００１６】
［適用例５］
本発明の物理量センサーでは、前記底部の前記支持基板側の面は、シリコンの（１００）面を含んでいるのが好ましい。
【００１７】
これにより、壁部の全周にわたって、支持基板と封止基板との接合面積をより大きくすることができ、支持基板と封止基板との接合強度をより高めることができ、物理量センサーは、さらに信頼性に優れる。
【００１８】
［適用例６］
本発明の物理量センサーでは、前記壁部の内側の面は、シリコンの（１１１）面を含んでいるのが好ましい。
【００１９】
これにより、壁部の全周にわたって、支持基板と封止基板との接合面積をより大きくすることができ、支持基板と封止基板との接合強度をより高めることができ、物理量センサーは、さらに信頼性に優れる。
【００２０】
［適用例７］
本発明の物理量センサーの製造方法は、センサー素子が設けられた支持基板と、
底部と、前記底部の縁部から立設し、端面が前記支持基板に接合され、立設方向において横断面積が異なっている壁部とを有し、前記底部および前記壁部で囲まれた空間に前記センサー素子を収納して封止する封止基板とを有する物理量センサーの製造方法であって、
単結晶基板で構成された母板に凹部を形成する第１の工程と、
前記壁部が、立設方向の途中に、横断面積が最も小さい部分を有するように、前記凹部から異方性エッチングを行うことにより、前記底部および前記壁部を形成する前記第２の工程と、を有することを特徴とする。
【００２１】
これにより、支持基板と封止基板との接合面積を大きく確保することができる。よって、支持基板と封止基板との接合強度を高くすることができる。よって、物理量センサーは、信頼性に優れる。
【００２２】
また、本製造方法によれば、単結晶基板で構成された母板に幅が一定の凹部を形成し、該凹部から異方性エッチングを行うという簡単な方法で本発明の物理量センサーを得ることができる。
【００２３】
［適用例８］
本発明の物理量センサーの製造方法では、前記第１の工程では、前記凹部をドライエッチングにより形成するのが好ましい。
【００２４】
母板が、例えば、主面が結晶面（１００）のシリコンで構成されていた場合、凹部の内側面は、結晶面（１１１）よりもエッチングレートが高い面となる。これにより、凹部の内側面からエッチング（サイドエッチング）を行うことができる。よって、端面の面積が大きい壁部を得ることができる。
【００２５】
［適用例９］
本発明の物理量センサーの製造方法では、前記異方性エッチングは、ウェットエッチングであるのが好ましい。
【００２６】
母板が、例えば、主面が結晶面（１００）シリコンで構成されていた場合、結晶面（１１１）のエッチングレートが極めて小さいことを利用して、端面の面積が大きい壁部を得ることができる。
【００２７】
［適用例１０］
本発明の電子機器は、本発明の物理量センサーを備えることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い電子機器を得ることができる。
【００２８】
［適用例１１］
本発明の移動体は、本発明の物理量センサーを備えることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い移動体を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】本発明の物理量センサーの第１実施形態を示す斜視図である。
【図２】図１に示す物理量センサーを示す平面図である。
【図３】図２中のＡ−Ａ線断面図である。
【図４】図３の部分拡大図（拡大断面図）である。
【図５】図２中のＢ−Ｂ線断面図である。
【図６】図５の部分拡大図（拡大断面図）である。
【図７】本発明の物理量センサーの製造方法を示す断面図であって、（ａ）が第１の工程および第２の工程を示す図、（ｂ）が（ａ）中の矢印Ｃ方向から見た図、（ｃ）が第３の工程を示す図である。
【図８】本発明の物理量センサーの製造方法を示す断面図であって、（ａ）が第４の工程を示す図、（ｂ）〜（ｄ）が第５の工程を示す図である。
【図９】本発明の物理量センサーの第２実施形態が備える封止基板を示す断面図である。
【図１０】本発明の物理量センサーの製造方法を示す断面図であって、（ａ）が第１の工程および第２の工程を示す図、（ｂ）が第３の工程を示す図、（ｃ）および（ｄ）が、第４の工程を示す図である。
【図１１】本発明の物理量センサーを備える電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピューターの構成を示す斜視図である。
【図１２】本発明の物理量センサーを備える電子機器を適用した携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。
【図１３】本発明の物理量センサーを備える電子機器を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。
【図１４】本発明の物理量センサーを備える移動体を適用した自動車の構成を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
以下、本発明の物理量センサー、物理量センサーの製造方法、電子機器および移動体を添付図面に示す好適な実施形態に基づいて詳細に説明する。
【００３１】
まず、本発明の物理量センサーについて説明する。
１．物理量センサー
＜第１実施形態＞
図１は、本発明の物理量センサーの第１実施形態を示す斜視図である。図２は、図１に示す物理量センサーを示す平面図である。図３は、図２中のＡ−Ａ線断面図である。図４は、図３の部分拡大図（拡大断面図）である。図５は、図２中のＢ−Ｂ線断面図である。図６は、図５の部分拡大図（拡大断面図）である。
【００３２】
なお、以下では、説明の便宜上、図２中の紙面手前側を「上」、紙面奥側を「下」、右側を「右」、左側を「左」と言う。また、図１〜３、５では、互いに直交する３つの軸として、Ｘ軸、Ｙ軸およびＺ軸が図示されている。また、以下では、Ｘ軸に平行な方向（左右方向）を「Ｘ軸方向」、Ｙ軸に平行な方向を「Ｙ軸方向」、Ｚ軸に平行な方向（上下方向）を「Ｚ軸方向」と言う。
【００３３】
また、図７および図８（図９についても同様）では、物理量センサーの厚さ方向を誇張して図示しており、実際の寸法とは大きく異なる。
【００３４】
図１に示す物理量センサー１は、支持基板２と、この支持基板２に接合・支持された素子片（センサー素子）３と、素子片３に電気的に接続された導体パターン４と、素子片３を覆うように設けられた封止基板５とを有する。
【００３５】
以下、物理量センサー１を構成する各部を順次詳細に説明する。
（支持基板）
支持基板２は、素子片３を支持する機能を有する。
【００３６】
この支持基板２は、板状をなし、その上面（一方の面）には、空洞部２１が設けられている。この空洞部２１は、支持基板２を平面視したときに、後述する素子片３の可動部３３、可動電極部３６、３７および連結部３４、３５を包含するように形成されていて、内底を有する。このような空洞部２１は、素子片３の可動部３３、可動電極部３６、３７および連結部３４、３５が支持基板２に接触するのを防止する逃げ部を構成する。これにより、素子片３の可動部３３の変位を許容することができる。
【００３７】
なお、この逃げ部は、空洞部２１（凹部）に代えて、支持基板２をその厚さ方向に貫通する開口部であってもよい。また、本実施形態では、空洞部２１の平面視形状は、四角形（具体的には長方形）をなしているが、これに限定されるものではない。
【００３８】
また、支持基板２の上面には、前述した空洞部２１の外側に、その外周に沿って、凹部２２、２３、２４が設けられている。この凹部２２、２３、２４は、平面視で導体パターン４に対応した形状をなしている。具体的には、凹部２２は、後述する導体パターン４の配線４１および電極４４に対応した形状をなし、凹部２３は、後述する導体パターン４の配線４２および電極４５に対応した形状をなし、凹部２４は、後述する導体パターン４の配線４３および電極４６に対応した形状をなす。
【００３９】
また、凹部２２の電極４４が設けられた部位の深さは、凹部２２の配線４１が設けられた部位よりも深くなっている。同様に、凹部２３の電極４５が設けられた部位の深さは、凹部２３の配線４２が設けられた部位よりも深くなっている。また、凹部２４の電極４６が設けられた部位の深さは、凹部２４の配線４３が設けられた部位よりも深くなっている。
【００４０】
このような支持基板２の構成材料としては、具体的には、高抵抗なシリコン材料、ガラス材料を用いるのが好ましく、特に、素子片３がシリコン材料を主材料として構成されている場合、アルカリ金属イオン（可動イオン）を含むガラス材料（例えば、パイレックスガラス（登録商標）のような硼珪酸ガラス）を用いるのが好ましい。これにより、素子片３がシリコンを主材料として構成されている場合、支持基板２と素子片３とを陽極接合することができる。
【００４１】
また、支持基板２の構成材料は、素子片３の構成材料との熱膨張係数差ができるだけ小さいのが好ましく、具体的には、支持基板２の構成材料と素子片３の構成材料との熱膨張係数差が３ｐｐｍ／℃以下であるのが好ましい。これにより、支持基板２と素子片３との接合時等に高温下にさらされても、支持基板２と素子片３との間の残留応力を低減することができる。
【００４２】
（素子片）
素子片３は、固定部３１、３２と、可動部３３と、連結部３４、３５と、可動電極部３６、３７と、固定電極部３８、３９とで構成されている。
【００４３】
このような素子片３は、例えば、加速度、角速度等の物理量の変化に応じて、可動部３３および可動電極部３６、３７が、連結部３４、３５を弾性変形させながら、Ｘ軸方向（＋Ｘ方向または−Ｘ方向）に変位する。
【００４４】
固定部３１は、支持基板２の上面の空洞部２１に対して−Ｘ方向側（図中左側）の部分に接合されている。固定部３２は、支持基板２の上面の空洞部２１に対して＋Ｘ方向側（図中右側）の部分に接合されている。また、固定部３１、３２は、平面視したときに、それぞれ、空洞部２１の外周縁を跨ぐように設けられている。
【００４５】
固定部３１、３２の間には、可動部３３が設けられている。本実施形態では、可動部３３は、Ｘ軸方向に延びる長手形状をなしている。可動部３３は、固定部３１に対して連結部３４を介して連結されるとともに、固定部３２に対して連結部３５を介して連結されている。
【００４６】
連結部３４、３５は、可動部３３を固定部３１、３２に対して変位可能に連結している。本実施形態では、連結部３４、３５は、図２にて矢印ａで示すように、Ｘ軸方向（＋Ｘ方向または−Ｘ方向）に可動部３３を変位し得るように構成されている。
【００４７】
連結部３４は、２つの梁３４１、３４２で構成されている。そして、梁３４１、３４２は、それぞれ、Ｙ軸方向に蛇行しながらＸ軸方向に延びる形状をなしている。言い換えると、梁３４１、３４２は、それぞれ、Ｙ軸方向に複数回（本実施形態では２回）折り返された形状をなしている。
【００４８】
同様に、連結部３５は、Ｙ軸方向に蛇行しながらＸ軸方向に延びる形状をなす２つの梁３５１、３５２で構成されている。
【００４９】
このように支持基板２に対してＸ軸方向に変位可能に支持された可動部３３の幅方向での一方側（＋Ｙ方向側）には、可動電極部３６が設けられ、他方側（−Ｙ方向側）には、可動電極部３７が設けられている。
【００５０】
可動電極部３６は、可動部３３から＋Ｙ方向に突出し、櫛歯状をなすように並ぶ複数の可動電極指３６１〜３６５を備えている。この可動電極指３６１、３６２、３６３、３６４、３６５は、−Ｘ方向側から＋Ｘ方向側へ、この順に並んでいる。同様に、可動電極部３７は、可動部３３から−Ｙ方向に突出し、櫛歯状をなすように並ぶ複数の可動電極指３７１〜３７５を備える。この可動電極指３７１、３７２、３７３、３７４、３７５は、−Ｘ方向側から＋Ｘ方向側へ、この順に並んでいる。
【００５１】
このように複数の可動電極指３６１〜３６５および複数の可動電極指３７１〜３７５は、それぞれ、可動部３３の変位する方向（すなわちＹ軸方向）に並んで設けられている。
【００５２】
固定電極部３８は、前述した可動電極部３６の複数の可動電極指３６１〜３６５に対して間隔を隔てて噛み合う櫛歯状をなすように並ぶ複数の固定電極指３８１〜３８８を備える。このような複数の固定電極指３８１〜３８８の可動部３３とは反対側の端部は、それぞれ、支持基板２の上面の空洞部２１に対して＋Ｙ方向側の部分に接合されている。そして、各固定電極指３８１〜３８８は、その固定された側の端を固定端とし、自由端が−Ｙ方向へ延びている。
【００５３】
この固定電極指３８１〜３８８は、−Ｘ方向側から＋Ｘ方向側へ、この順に並んでいる。そして、固定電極指３８１、３８２は、対をなし、前述した可動電極指３６１、３６２の間に、固定電極指３８３、３８４は、対をなし、可動電極指３６２、３６３の間に、固定電極指３８５、３８６は、対をなし、可動電極指３６３、３６４の間に、固定電極指３８７、３８８は、対をなし、可動電極指３６４、３６５の間に臨むように設けられている。
【００５４】
このような固定電極指３８２、３８４、３８６、３８８と、固定電極指３８１、３８３、３８５、３８７とは、支持基板２上において、互いに連結されておらず、島状に孤立している。これにより、固定電極指３８２、３８４、３８６、３８８と可動電極部３６との間の静電容量、および、固定電極指３８１、３８３、３８５、３８７と可動電極部３６との間の静電容量を別々に測定し、それらの測定結果に基づいて、高精度に物理量を検出することができる。
【００５５】
固定電極部３９は、前述した可動電極部３７の複数の可動電極指３７１〜３７５に対して間隔を隔てて噛み合う櫛歯状をなすように並ぶ複数の固定電極指３９１〜３９８を備える。このような複数の固定電極指３９１〜３９８の可動部３３とは反対側の端部は、それぞれ、支持基板２の上面の空洞部２１に対して−Ｙ方向側の部分に接合されている。そして、各固定電極指３９１〜３９８は、その固定された側の端を固定端とし、自由端が＋Ｙ方向へ延びている。
【００５６】
この固定電極指３９１、３９２、３９３、３９４、３９５、３９６、３９７、３９８は、−Ｘ方向側から＋Ｘ方向側へ、この順に並んでいる。そして、固定電極指３９１、３９２は、対をなし、前述した可動電極指３７１、３７２の間に、固定電極指３９３、３９４は、対をなし、可動電極指３７２、３７３の間に、固定電極指３９５、３９６は、対をなし、可動電極指３７３、３７４の間に、固定電極指３９７、３９８は、対をなし、可動電極指３７４、３７５の間に臨むように設けられている。
【００５７】
このような固定電極指３９２、３９４、３９６、３９８と固定電極指３９１、３９３、３９５、３９７とは、前述した固定電極部３８と同様、支持基板２上で互いに分離している。これにより、固定電極指３９２、３９４、３９６、３９８と可動電極部３７との間の静電容量、および、固定電極指３９１、３９３、３９５、３９７と可動電極部３７との間の静電容量を別々に測定し、それらの測定結果に基づいて、高精度に物理量を検出することができる。
【００５８】
このような素子片３（すなわち、固定部３１、３２、可動部３３、連結部３４、３５、複数の固定電極指３８１〜３８８、３９１〜３９８および複数の可動電極指３６１〜３６５、３７１〜３７５）は、後述する１つのシリコン基板をエッチングすることより形成されたものである。
【００５９】
また、素子片３の構成材料としては、前述したような静電容量の変化に基づく物理量の検出が可能であれば、特に限定されないが、半導体が好ましく、本実施形態では、単結晶シリコン、ポリシリコン等のシリコン材料が用いられる。
【００６０】
また、素子片３を構成するシリコン材料には、リン、ボロン等の不純物がドープされているのが好ましい。これにより、素子片３の導電性を優れたものとすることができる。
【００６１】
また、素子片３は、前述したように、支持基板２の上面に固定部３１、３２および固定電極部３８、３９が接合されることにより、支持基板２に支持されている。
【００６２】
このような素子片３と支持基板２との接合方法は、特に限定されないが、陽極接合法を用いるのが好ましい。これにより、素子片３を支持基板２に強固に接合することができる。
【００６３】
（導体パターン）
導体パターン４は、前述した支持基板２の上面（固定電極部３８、３９側の面）上に設けられている。
【００６４】
この導体パターン４は、配線４１、４２、４３と、電極４４、４５、４６とで構成されている。
【００６５】
配線４１は、前述した支持基板２の空洞部２１の外側に設けられ、空洞部２１の外周に沿うように形成されている。そして、配線４１の一端部は、支持基板２の上面の外周部（支持基板２上の封止基板５の外側の部分）上において、電極４４に接続されている。
【００６６】
このような配線４１は、前述した素子片３の第１固定電極指である各固定電極指３８２、３８４、３８６、３８８および各固定電極指３９２、３９４、３９６、３９８に電気的に接続されている。
【００６７】
また、配線４２は、前述した配線４１の内側、かつ、前述した支持基板２の空洞部２１の外側でその外周縁に沿って設けられている。そして、配線４２の一端部は、前述した電極４４に対して間隔を隔てて並ぶように支持基板２の上面の外周部（支持基板２上の封止基板５の外側の部分）上において、電極４５に接続されている。
【００６８】
配線４３は、支持基板２上の固定部３１との接合部から、支持基板２の上面の外周部（支持基板２上の封止基板５の外側の部分）上に延びるように設けられている。そして、配線４３の固定部３１とは反対側の端部は、前述した電極４４、４５に対して間隔を隔てて並ぶように支持基板２の上面の外周部（支持基板２上の封止基板５の外側の部分）上において、電極４６に接続されている。また、配線４３と固定部３１とは突起５０Ａを介して接続されている。
【００６９】
また、配線４１および電極４４は、前述した支持基板２の凹部（第１凹部）２２内に設けられ、配線４２および電極４５は、前述した支持基板２の凹部（第２凹部）２３内に設けられ、配線４３および電極４６は、前述した支持基板２の凹部（第３凹部）２４内に設けられている。これにより、配線４１〜４３が支持基板２の板面から突出するのを防止することができる。
【００７０】
配線４１上には、導電性を有する複数の突起４８１および複数の突起４８２が設けられている。複数の突起４８１は、複数の第１固定電極指である固定電極指３８２、３８４、３８６、３８８に対応して設けられ、複数の突起４８２は、複数の第１固定電極指である固定電極指３９２、３９４、３９６、３９８に対応して設けられている。
【００７１】
そして、複数の突起４８１を介して固定電極指３８２、３８４、３８６、３８８と配線４１とが電気的に接続されるとともに、複数の突起４８２を介して固定電極指３９２、３９４、３９６、３９８と配線４１とが電気的に接続されている。
【００７２】
同様に、配線４２上には、導電性を有する複数の突起４７１および複数の突起４７２が設けられている。複数の突起４７１は、複数の第２固定電極指である固定電極指３８１、３８３、３８５、３８７に対応して設けられ、複数の突起４７２は、複数の第２固定電極指である固定電極指３９１、３９３、３９５、３９７に対応して設けられている。
【００７３】
そして、複数の突起４７１を介して固定電極指３８１、３８３、３８５、３８７と配線４２とが電気的に接続されるとともに、複数の突起４７２を介して固定電極指３９１、３９３、３９５、３９７と配線４２とが電気的に接続されている。
【００７４】
これにより、配線４２と他の部位との不本意な電気的接続（短絡）を防止しつつ、各固定電極指３８１、３８３、３８５、３８７、３９１、３９３、３９５、３９７と配線４２との電気的接続を行うことができる。
【００７５】
配線４１〜４３および電極４４〜４６の構成材料としては、それぞれ、導電性を有するものであれば、特に限定されず、各種電極材料を用いることができるが、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）、Ｉｎ３Ｏ３、ＳｎＯ２、Ｓｂ含有ＳｎＯ２、Ａｌ含有ＺｎＯ等の酸化物（透明電極材料）、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌまたはこれらを含む合金等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００７６】
このような導体パターン４が支持基板２の上面に設けられていることにより、配線４１を介して固定電極指３８２、３８４、３８６、３８８と可動電極部３６との間の静電容量および固定電極指３９２、３９４、３９６、３９８と可動電極部３７との間の静電容量を測定するとともに、配線４２を介して固定電極指３８１、３８３、３８５、３８７と可動電極部３６との間の静電容量および固定電極指３９１、３９３、３９５、３９７と可動電極部３７との間の静電容量を測定することができる。また、本実施形態では、配線４３は、接地用の配線として機能する。
【００７７】
（封止基板）
図１〜図６に示す封止基板５は、前述した素子片３を保護する機能を有する。
【００７８】
封止基板５は、一方の面（下面）に、素子片３を収納する凹部５０が設けられている。すなわち、封止基板５は、平面視で長方形をなす底部５１と、底部５１の縁部から立設する４つの壁部５２、５３、５４、５５とを有している。
【００７９】
壁部５２は、底部５１の−Ｘ軸側の縁部に沿って設けられており、壁部５３は、底部５１の＋Ｙ軸側の縁部に沿って設けられており、壁部５４は、底部５１の＋Ｘ軸側の縁部に沿って設けられており、壁部５５は、底部５１の−Ｙ軸方向側の縁部に沿って設けられている。
【００８０】
また、壁部５２、５３、５４、５５の端面（底部５１と反対側の面）５２１、５３１、５４１、５５１は、それぞれ支持基板２の上面に接合されている。
【００８１】
壁部５２の端面５２１は、支持基板２の上面の電極４４〜４６よりも＋Ｘ軸方向側に接合されている。壁部５３の端面５３１は、支持基板２の上面の＋Ｙ軸方向側の縁部に接合されている。壁部５４の端面５４１は、支持基板２の上面の＋Ｘ軸方向側の縁部に接合されている。そして、壁部５５の端面５５１は、支持基板２の上面の−Ｙ軸方向側の縁部に接合されている。
【００８２】
このような構成によって、素子片３は、底部５１および壁部５２〜５５で囲まれた空間Ｓに気密的に封止されている。
【００８３】
なお、Ｚ軸方向からみたとき、凹部２４（凹部２２、２３についても同様）の、端面５２１と重なっている部分、すなわち、壁部５２の端面５２１と配線４１（配線４２、４３についても同様）との間の空間には、例えば、金属材料、樹脂材料、ガラス材料等で構成された封止材１００が充填されている。これにより、空間Ｓの気密性を確保することができる。
【００８４】
このような封止基板５では、壁部５２〜５５は、立設方向の途中に、横断面積（厚さ）が最も小さい部分を有する形状になっている。以下、このことについて説明するが、壁部５２〜５５は、同様の構成であるため、壁部５２について代表的に説明する。
【００８５】
図６に示すように、壁部５２は、底部５１側の第１の部分５２２と、第１の部分５２２の底部５１とは反対側に連続して設けられている第２の部分５２３とを有している。
【００８６】
第１の部分５２２は、底部５１に向って厚さが厚くなっている。これにより、壁部５２の付け根部分の剛性を高めることができる。よって、壁部５２を付け根部分において破損しにくくすることができる。
【００８７】
第２の部分５２３は、第１の部分５２２と反対側に端面５２１を有する。また、第２の部分５２３は、底部５１から遠ざかるに従い厚さが厚くなっている。これにより、端面５２１側の端部の剛性を高めることができる。よって、壁部５２の端面５２１側の端部において破損しにくくすることができる。
【００８８】
また、第１の部分５２２および第２の部分５２３では、厚さが連続的に変化している。これにより、所定部位（例えば、厚さが段階的に変化している部分）に応力が集中するのを防止することができる。よって、壁部５２をより破損しにくくすることができる。
【００８９】
このような壁部５２では、第１の部分５２２と第２の部分５２３との境界５２７において、厚さが最も薄くなっている。このため、端面５２１、すなわち、壁部５２の支持基板２の上面と接合される接合面は、境界５２７の横断面積よりも大きい。これにより、従来のような、壁部の厚さ（横断面積）が最も小さい部分で接合する構成と比べて、物理量センサー１では、接合面積を大きく確保することができる。よって、支持基板２と封止基板５との接合強度を高くすることができる。その結果、物理量センサー１は、信頼性に優れる。
【００９０】
また、壁部５２の外面５２４、すなわち、壁部５２の空間Ｓと反対側の面は、Ｚ軸方向と平行な平面になっている。そして、壁部５２の内面、すなわち、壁部５２の空間Ｓに臨む面は、第１の部分５２２では、底部５１に向って厚さが厚くなるようにＺ軸方向に対して傾斜した傾斜面５２５になっている。また、壁部５２の内面は、第２の部分５２３では、端面５２１に向って厚さが厚くなるようにＺ軸方向に対して傾斜した傾斜面５２６になっている。
【００９１】
ここで、物理量センサー１では、上述したように、壁部５２の外面５２４は、ＹＺ平面（壁部の立設方向に対して縦断する面）と平行な面で構成され、かつ、壁部５２の内面（傾斜面５２５、５２６）が傾斜することによって、Ｚ軸方向に沿って厚さが変化するよう構成されている。これにより、壁部５２の外形形状が外側に向って突出するのを省略することができる。よって、小型化を図りつつ、高い接合強度を確保することができる。
【００９２】
また、端面５２１から境界５２７までの長さ、すなわち、第２の部分５２３の長さＬ１と、端面５２１から底部５１までの長さＬ２との比Ｌ１／Ｌ２は、特に限定されないが、０．５〜０．７程度とされる。これにより、凹部５０の深さを比較的深くすることができ、素子片３の厚さの制限を少なくすることができる。
【００９３】
比Ｌ１／Ｌ２が小さすぎると、壁部５２の境界５２７での厚さと、壁部５２の端面５２１での厚さとの差が比較的小さくなる。このため、壁部５２の境界５２７での横断面積と、端面５２１の面積との差が比較的小さくなり、本発明の効果が顕著に表れにくい。
【００９４】
さらに、比Ｌ１／Ｌ２が小さすぎると、傾斜面５２５が傾斜面５２６よりも内側に位置する部分が多くなる傾向を示す。このため、素子片３の厚さを比較的薄くする必要があり、素子片３の設計の自由度が低下する。素子片３の十分な設計の自由度を確保するためには封止基板５の平面視での大きさを大きくする必要がある。このように、比Ｌ１／Ｌ２が小さすぎると、封止基板５の小型化を図りつつ、素子片３の十分な設計の自由度を確保するのは困難になる。
【００９５】
一方、比Ｌ１／Ｌ２が大きすぎると、封止基板５の製造が複雑化する傾向を示す。
このような封止基板５の構成材料としては、上述したような機能を発揮し得るものであれば特に限定されないが、例えば、シリコン材料、ガラス材料等を好適に用いることができる。
【００９６】
封止基板５がシリコン材料で構成され、かつ、支持基板２がガラス材料で構成されていた場合、支持基板２および封止基板５の接合時に陽極接合法を用いることができる。これにより、支持基板２と封止基板５との接合強度が極めて高くなる。
【００９７】
また、封止基板５は、単結晶シリコンで構成されているのが好ましい。これにより、後述するように、ウェットエッチングによって、シリコンの結晶面を利用して、封止基板５を容易かつ高精度に形成することができる。
【００９８】
また、シリコンの底部５１の支持基板２側の面が結晶面（１００）に沿っている場合、壁部５２の傾斜面５２５、５２６は、結晶面（１１１）に沿うこととなる。これは、結晶面（１１１）のアルカリエッチング液に対するエッチングレートが極めて小さいためである。これにより、後述するように封止基板５を簡単かつ高精度に形成することができる。
【００９９】
さらに、シリコンの底部５１の支持基板２側の面が結晶面（１００）に沿っている場合、後述の物理量センサー１の製造方法において、壁部５２だけでなく、壁部５３〜５５も壁部５２と同様の形状とすることができる。よって、物理量センサー１では、全ての壁部５２〜５５において支持基板２との接合強度が高くなる。その結果、物理量センサー１の信頼性がさらに高くなる。
【０１００】
（物理量センサーの製造方法）
次に、物理量センサー１の製造方法について説明する。
【０１０１】
図７は、本発明の物理量センサーの製造方法を示す断面図であって、（ａ）が第１工程および第２工程を示す図、（ｂ）が（ａ）中の矢印Ｃ方向から見た図、（ｃ）が第３工程を示す図である。図８は、本発明の物理量センサーの製造方法を示す断面図であって、（ａ）が第４工程を示す図、（ｂ）〜（ｄ）が第５工程を示す図である。
【０１０２】
本発明の物理量センサーの製造方法は封止基板５を製造する封止基板製造工程と、素子片３および導体パターン４が形成された支持基板２とを接合する接合工程とを有している。また、支持基板２に素子片３および導体パターン４を形成する方法と、封止基板５を支持基板２に接合する方法は、公知の方法を用いることができるため、その説明は省略し、封止基板製造工程（封止基板の製造方法）のみを説明する。
【０１０３】
封止基板５の製造方法は、［１］母材を用意する第１の工程と、［２］母材にマスクを形成する第２の工程と、［３］凹部（溝）を形成する第３の工程と、［４］凹部（溝）から異方性エッチングを行う第４の工程と、［５］凹部（溝）の内側の残存部を除去する第５の工程と、を有している。［１］第１の工程〜［５］第５の工程を経ることによって、底部５１および壁部５２〜５５を得ることができるが、以下では、壁部５２〜５５のうち、壁部５２について代表的に説明する。
【０１０４】
［１］第１の工程
図７（ａ）に示すように、シリコン単結晶基板で構成された母材５’を用意する。この母材５’は、主面が結晶面（１００）に沿っている。
【０１０５】
［２］第２の工程
そして、図７（ａ）および（ｂ）に示すように、母材５’の一方の面上に、マスク３０を形成する。このマスク３０は、母材５’のうちの、凹部５０が形成される部分の上面の縁部以外を覆うような形状をなしている。
【０１０６】
具体的には、マスク３０は、母材５’の上面の縁部、下面および各側面を覆うマスク３０ａと、母材５’の上面において、マスク３０ａの内側で、かつ、マスク３０ａと所定距離離間して設けられたマスク３０ｂとで構成されている。
【０１０７】
マスク３０としては、ドライエッチングに対する耐性を有するものであれば、特に限定されないが、例えばシリコン酸化膜、シリコン窒化膜等を用いることができる。
【０１０８】
マスク３０として、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜等を用いることにより、ウェットエッチングに対する耐性も有することとなる。これにより、本工程と［４］第４の工程とで同一のマスク３０を用いることができる。よって、［４］第４の工程において、マスク３０を除去して、ウェットエッチング用のマスクを別途形成するのを省略することができる。その結果、封止基板５の製造方法が簡素になり、生産性が高くなる。
【０１０９】
このようなマスク３０として用いるシリコン酸化膜、シリコン窒化膜は、例えば、ＣＶＤ等の気相成膜法を用いて形成される。
【０１１０】
［３］第３の工程
次に、図７（ｃ）に示すように、母材５’にマスク３０を介してドライエッチングすることにより、溝５００を形成する。この溝５００は、ドライエッチングにより形成されているため、幅（図７中の左右方向の長さ）が略一定になる。
【０１１１】
また、前述したように、母材５’は、主面が結晶面（１００）に沿ったシリコン単結晶基板で構成されているため、溝５００の内側面５００ａは、結晶面（１１１）よりもエッチングレートが高い面（例えば結晶面（１１０））となる。
【０１１２】
また、ドライエッチングとしては、母材５’をエッチングすることができれば特に限定されないが、例えば、Ｓｉ高速エッチング法、ボッシュプロセス法、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ：Reactive Ion Etching）、ＩＣＰ（Inductively Coupled Plasma）等が挙げられる。また、エッチングガスとしては、ＳＦ６等を用いることができる。
【０１１３】
［４］第４の工程
次に、図８（ａ）に示すように、溝５００からウェットエッチング（異方性エッチング）を行う。前述したように、溝５００の内側面５００ａは、結晶面（１１１）よりもエッチングレートが高い面となっている。これにより、サイドエッチングを行うことができ、溝５００の内側面５００ａは、結晶面（１１１）が露出するまでエッチングされる。よって、母材５’には、結晶面（１１１）に沿って傾斜した面（傾斜面５２５、５２６）を有する溝５００’が形成される。
【０１１４】
このように、結晶面（１１１）をウェットエッチングのエッチングストップ面として利用して壁部５２〜５５を形成するため、簡単かつ寸法精度よく壁部５２〜５５を得ることができる。
【０１１５】
また、ウェットエッチングは、母材５’をエッチングすることができれば、特に限定されないが、ＫＯＨやＴＭＡＨ等のアルカリエッチング液を用いる。
【０１１６】
［５］第５の工程
次に、図８（ｂ）に示すように、マスク３０ｂを除去する。これにより、母材５’の上面の溝５００’の内側の部分が露出する。
【０１１７】
そして、図８（ｃ）に示すように、この露出した部分から、［４］第４の工程と同様のエッチング液を用いてウェットエッチングを行う。これにより、溝５００’の内側の部分が除去され、凹部５０を有する、すなわち、底部５１および壁部５２〜５５を有する封止基板５を得ることができる。
最後に、図８（ｄ）に示すように、マスク３０ａを除去する。
【０１１８】
以上の［１］第１の工程〜［５］第５の工程を経て、物理量センサー１の封止基板５を得ることができる。
【０１１９】
このように、本発明によれば、ドライエッチングによって溝５００を形成し、溝５００から異方性エッチングを行うという簡単な方法によって、寸法精度が高い封止基板５（物理量センサー１）を得ることができる。
【０１２０】
また、第３の工程で形成される溝５００の深さをＤとすると、第４の工程では、母材５’の上面からＤ／２の位置に境界５２７が形成される。このため、溝５００の深さＤを適宜設定することにより、長さＬ１を設定することができる。
【０１２１】
また、溝５００の深さＤと、第５の工程において母材５’をエッチングする量とを適宜設定することにより、長さＬ２を設定することができる。
【０１２２】
また、マスク３０ｂを設けることにより、第５の工程まで、母材５’の溝５００の内側の部分はエッチングされず、残存している状態とすることができる。よって、第５工程では、底部５１の厚さのみを調節すればよく、底部５１の厚さの制御が容易となる。
【０１２３】
＜第２実施形態＞
次に、本発明の物理量センサーの第２実施形態について説明する。
【０１２４】
図９は、本発明の物理量センサーの第２実施形態が備える封止基板を示す断面図である。図１０は、本発明の物理量センサーの製造方法を示す断面図であって、（ａ）が第１の工程および第２の工程を示す図、（ｂ）が第３の工程を示す図、（ｃ）および（ｄ）が、第４の工程を示す図である。
【０１２５】
以下、この図を参照して物理量センサーの第２実施形態について説明するが、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項はその説明を省略する。
【０１２６】
第２実施形態では、封止基板の構成が異なること以外は前記第１実施形態と略同様である。
【０１２７】
図９に示す物理量センサー１Ａの封止基板５Ａは、ＳＯＩ基板を加工して得られたものである。封止基板５Ａは、導電性を有する第１の層５１Ａおよび第２の層５２Ａと、絶縁性を有する第３の層５３Ａを有している。また、第２の層５２Ａ、第３の層５３Ａおよび第１の層５１Ａは、この順に図中下側から積層されている。また、封止基板５Ａでは、第２の層５２Ａ、第１の層５１Ａおよび第３の層５３Ａの順に厚さが厚くなっている。
【０１２８】
第２の層５２Ａには、壁部５２〜５５が形成されており、第３の層５３Ａは、空間Ｓに臨んでいる。また、底部５１は、第１の層５１Ａと第３の層５３Ａとで構成されている。
【０１２９】
第１の層５１Ａおよび第２の層５２Ａの構成材料としては、本実施形態では、シリコン材料で構成されている。第３の層５３Ａの構成材料としては、絶縁性を有していれば特に限定されないが、本実施形態では、第３の層５３Ａは、ＳｉＯ２で構成されている。
【０１３０】
なお、例えば、第１の層５１Ａおよび第２の層５２Ａには、リン、ボロン等の不純物がドープされていてもよい。
【０１３１】
このような構成の封止基板５Ａは、［１’］第１の工程〜［４’］第４の工程を経て得られる。
【０１３２】
［１’］第１の工程
まず、ＳＯＩ基板で構成された母材５Ａ’を用意する。この母材５Ａ’は、主面（第２の層５２Ａ側の面）が結晶面（１１１）に沿っている。
【０１３３】
［２’］第２の工程
次に、図１０（ａ）に示すように、マスク３０ａを形成する。本実施形態では、第１実施形態でのマスク３０ｂが省略されている。
【０１３４】
［３’］第３の工程
次に、図１０（ｂ）に示すように、マスク３０ａを介してドライエッチングすることにより、凹部５００Ａを形成する。この凹部５００Ａの内側面５００Ａ’は、結晶面（１１１）よりもエッチングレートが高い面（例えば結晶面（１１０））となる。
【０１３５】
［４’］第４の工程
次に、図１０（ｃ）に示すように、凹部５００Ａからウェットエッチングを行い、内側面５００Ａ’は、傾斜面５２５、５２６となる。また、このとき、ウェットエッチングによって、凹部５００Ａの底部も深さ方向にエッチングされる。このため、本実施形態では、第４の工程において、底部５１および壁部５２〜５５が同時に形成される。
【０１３６】
この深さ方向のエッチングは、第３の層５３Ａが上方に露出するまで行われる。その際、第３の層５３Ａは、エッチングストップ層として機能する。これにより、底部５１の厚さの制御を簡単かつ正確に行うことができる。
そして、最後に、マスク３０ａを除去する（図１０（ｄ）参照）。
【０１３７】
このように、［１’］第１の工程〜［４’］第４の工程を経て、さらに容易かつ寸法精度よく封止基板５Ａを形成することができる。
【０１３８】
２．電子機器
次いで、物理量センサー１を適用した電子機器について、図１１〜図１３に基づき、詳細に説明する。
【０１３９】
図１１は、本発明の物理量センサーを備える電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピューターの構成を示す斜視図である。この図において、パーソナルコンピューター１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、表示部１１０８を備えた表示ユニット１１０６とにより構成され、表示ユニット１１０６は、本体部１１０４に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。このようなパーソナルコンピューター１１００には、角速度検知手段として機能する物理量センサー１が内蔵されている。
【０１４０】
図１２は、本発明の物理量センサーを備える電子機器を適用した携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。この図において、携帯電話機１２００は、複数の操作ボタン１２０２、受話口１２０４および送話口１２０６を備え、操作ボタン１２０２と受話口１２０４との間には、表示部１２０８が配置されている。このような携帯電話機１２００には、角速度検知手段として機能する物理量センサー１が内蔵されている。
【０１４１】
図１３は、本発明の物理量センサーを備える電子機器を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。なお、この図には、外部機器との接続についても簡易的に示されている。ここで、通常のカメラは、被写体の光像により銀塩写真フィルムを感光するのに対し、ディジタルスチルカメラ１３００は、被写体の光像をＣＣＤ（Charge Coupled Device）などの撮像素子により光電変換して撮像信号（画像信号）を生成する。
【０１４２】
ディジタルスチルカメラ１３００におけるケース（ボディー）１３０２の背面には、表示部が設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、表示部１３１０は、被写体を電子画像として表示するファインダーとして機能する。
【０１４３】
また、ケース１３０２の正面側（図中裏面側）には、光学レンズ（撮像光学系）やＣＣＤなどを含む受光ユニット１３０４が設けられている。
【０１４４】
撮影者が表示部に表示された被写体像を確認し、シャッターボタン１３０６を押下すると、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、メモリー１３０８に転送・格納される。
【０１４５】
また、このディジタルスチルカメラ１３００においては、ケース１３０２の側面に、ビデオ信号出力端子１３１２と、データ通信用の入出力端子１３１４とが設けられている。そして、図示されるように、ビデオ信号出力端子１３１２にはテレビモニター１４３０が、データ通信用の入出力端子１３１４にはパーソナルコンピューター１４４０が、それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所定の操作により、メモリー１３０８に格納された撮像信号が、テレビモニター１４３０や、パーソナルコンピューター１４４０に出力される構成になっている。
【０１４６】
このようなディジタルスチルカメラ１３００には、角速度検知手段として機能する物理量センサー１が内蔵されている。
【０１４７】
なお、本発明の物理量センサーを備える電子機器は、図１１のパーソナルコンピューター（モバイル型パーソナルコンピューター）、図１２の携帯電話機、図１３のディジタルスチルカメラの他にも、例えば、インクジェット式吐出装置（例えばインクジェットプリンター）、ラップトップ型パーソナルコンピューター、テレビ、ビデオカメラ、ビデオテープレコーダー、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニター、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシミュレーター等に適用することができる。
【０１４８】
３．移動体
次いで、本発明の物理量センサーを適用した移動体について、図１４に基づき、詳細に説明する。
【０１４９】
図１４は、本発明の物理量センサーを備える移動体を適用した自動車の構成を示す斜視図である。自動車１５００には、角速度検知手段として機能する物理量センサー１が内蔵されており、物理量センサー１によって車体１５０１の姿勢を検出することができる。物理量センサー１からの信号は、車体姿勢制御装置１５０２に供給され、車体姿勢制御装置１５０２は、その信号に基づいて車体１５０１の姿勢を検出し、検出結果に応じてサスペンションの硬軟を制御したり、個々の車輪１５０３のブレーキを制御したりすることができる。その他、このような姿勢制御は、二足歩行ロボットやラジコンヘリコプターで利用することができる。以上のように、各種移動体の姿勢制御の実現にあたって、物理量センサー１が組み込まれる。
【０１５０】
以上、本発明の物理量センサーを図示の実施形態について説明したが、本発明は、これに限定されるものではなく、物理量センサーを構成する各部は、同様の機能を発揮し得る任意の構成のものと置換することができる。また、任意の構成物が付加されていてもよい。
【０１５１】
また、本発明の物理量センサーの製造方法および物理量センサーは、前記各実施形態のうちの、任意の２以上の構成（特徴）を組み合わせたものであってもよい。
【０１５２】
また、前記各実施形態では、封止基板は、主面がシリコンの（１００）面含むシリコン単結晶基板を加工して形成されているが、本発明ではこれに限定されず、例えば主面がシリコン（１１０）面を含む単結晶基板の母材を加工して形成してもよい。
【０１５３】
また、前記第１実施形態において、第２実施形態と同様の形状をなすマスクを用いてもよい。
【符号の説明】
【０１５４】
１……物理量センサー
１Ａ……物理量センサー
２……支持基板
２１……空洞部
２２……凹部
２３……凹部
２４……凹部
３……素子片
３１……固定部
３２……固定部
３３……可動部
３４……連結部
３４１……梁
３４２……梁
３５……連結部
３５１……梁
３５２……梁
３６……可動電極部
３６１……可動電極指
３６２……可動電極指
３６３……可動電極指
３６４……可動電極指
３６５……可動電極指
３７……可動電極部
３７１……可動電極指
３７２……可動電極指
３７３……可動電極指
３７４……可動電極指
３７５……可動電極指
３８……固定電極部
３８１……固定電極指
３８２……固定電極指
３８３……固定電極指
３８４……固定電極指
３８５……固定電極指
３８６……固定電極指
３８７……固定電極指
３８８……固定電極指
３９……固定電極部
３９１……固定電極指
３９２……固定電極指
３９３……固定電極指
３９４……固定電極指
３９５……固定電極指
３９６……固定電極指
３９７……固定電極指
３９８……固定電極指
４……導体パターン
４１……配線
４２……配線
４３……配線
４４……電極
４５……電極
４６……電極
４７１……突起
４７２……突起
４８１……突起
４８２……突起
５０Ａ……突起
５……封止基板
５’ ……母材
５Ａ……封止基板
５Ａ’ ……母材
５０……凹部
５１……底部
５１Ａ……第１の層
５２……壁部
５２１……端面
５２２……第１の部分
５２３……第２の部分
５２４……外面
５２５……傾斜面
５２６……傾斜面
５２７……境界
５２Ａ……第２の層
５３……壁部
５３１……端面
５３Ａ……第３の層
５４……壁部
５４１……端面
５５……壁部
５５１……端面
３０……マスク
３０ａ……マスク
３０ｂ……マスク
１００……封止材
５００……溝
５００’……溝
５００Ａ……凹部
５００Ａ’……内側面
５００ａ……内側面
１１００……パーソナルコンピューター
１１０２……キーボード
１１０４……本体部
１１０６……表示ユニット
１１０８……表示部
１２００……携帯電話機
１２０２……操作ボタン
１２０４……受話口
１２０６……送話口
１２０８……表示部
１３００……ディジタルスチルカメラ
１３０２……ケース
１３０４……受光ユニット
１３０６……シャッターボタン
１３０８……メモリー
１３１０……表示部
１３１２……ビデオ信号出力端子
１３１４……入出力端子
１４３０……テレビモニター
１４４０……パーソナルコンピューター
１５００……自動車
１５０１……車体
１５０２……車体姿勢制御装置
１５０３……車輪
Ｓ……空間
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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