(57)【要約】【課題】画像を高輝度で表示することができる液晶表示装置の製造方法を提供する。【解決手段】液晶表示装置１０は、薄膜トランジスタ１５のドレイン電極１９を覆う有機絶縁膜２２と、該有機絶縁膜２２上に形成される共通電極２３と、該共通電極２３を覆うように有機絶縁膜２２上に形成される無機絶縁膜２４と、該無機絶縁膜２４上に形成される画素電極２５とを備え、液晶表示装置１０において、同一のマスク膜２８を用いて無機絶縁膜２４及び有機絶縁膜２２がエッチングされて無機絶縁膜２４を貫通する無機絶縁膜貫通穴２９と、有機絶縁膜２２を貫通する有機絶縁膜貫通穴３０とが同一アライメントで形成され、無機絶縁膜貫通穴２９及び有機絶縁膜貫通穴３０はコンタクトホール３１を構成する。【選択図】図２
2016218094.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電界効果トランジスタのドレイン電極上に該ドレイン電極及び共通電極を絶縁する有機絶縁膜を形成し、該有機絶縁膜上に画素電極及び前記共通電極を絶縁する無機絶縁膜を形成する液晶表示装置の製造方法であって、
前記無機絶縁膜及び前記有機絶縁膜を貫通して底部に前記ドレイン電極を露出させるコンタクトホールを形成するコンタクトホール形成ステップを有し、
前記コンタクトホール形成ステップでは、前記無機絶縁膜を貫通する第１のホールと、前記有機絶縁膜を貫通する第２のホールとを同一アライメントで形成して前記コンタクトホールを形成することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項２】
前記コンタクトホール形成ステップでは、前記無機絶縁膜上に該無機絶縁膜の一部を露出させるマスク膜を形成し、前記マスク膜を共通のマスクとして前記無機絶縁膜及び前記有機絶縁膜のいずれをもエッチングして前記第１のホール及び前記第２のホールを形成することを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項３】
前記コンタクトホール形成ステップでは、前記無機絶縁膜上に該無機絶縁膜の一部を露出させるマスク膜を形成し、前記マスク膜をマスクとして前記無機絶縁膜をエッチングして前記第１のホールを形成し、前記無機絶縁膜をマスクとして前記第１のホールに露出する前記有機絶縁膜をエッチングして前記第２のホールを形成することを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項４】
前記第１のホールを形成する際、前記第１のホールの側面をテーパ面で構成することを特徴とする請求項２又は３記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項５】
電界効果トランジスタのドレイン電極上に該ドレイン電極及び共通電極を絶縁する第１の無機絶縁膜及び有機絶縁膜をこの順で積層して形成し、該有機絶縁膜上に画素電極及び前記共通電極を絶縁する第２の無機絶縁膜を形成する液晶表示装置の製造方法であって、
前記第２の無機絶縁膜、前記有機絶縁膜及び前記第１の無機絶縁膜を貫通して底部に前記ドレイン電極を露出させるコンタクトホールを形成するコンタクトホール形成ステップを有し、
前記コンタクトホール形成ステップでは、前記第２の無機絶縁膜を貫通する第１のホールと、前記有機絶縁膜を貫通する第２のホールと、前記第１の無機絶縁膜を貫通する第３のホールとを同一アライメントで形成して前記コンタクトホールを形成することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項６】
前記有機絶縁膜は、アクリル系、シロキサン系又はポリイミド系のいずれかの材料からなることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項７】
前記有機絶縁膜は、ポリスチレン系樹脂に顔料又は染料が添加されたカラーフィルタ材料からなることを特徴とする請求項６記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項８】
前記無機絶縁膜は、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、シリコン酸窒化膜及び金属酸化膜のいずれからなることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項９】
電界効果トランジスタのドレイン電極上に該ドレイン電極及び共通電極を絶縁する有機絶縁膜を形成し、該有機絶縁膜上に画素電極及び前記共通電極を絶縁する無機絶縁膜を形成する液晶表示装置の製造装置であって、
前記無機絶縁膜及び前記有機絶縁膜を貫通して底部に前記ドレイン電極を露出させるコンタクトホールを形成し、
前記コンタクトホールを形成する際、前記無機絶縁膜を貫通する第１のホールと、前記有機絶縁膜を貫通する第２のホールとを同一アライメントで形成して前記コンタクトホールを形成することを特徴とする液晶表示装置の製造装置。
【請求項１０】
電界効果トランジスタのドレイン電極上に該ドレイン電極及び共通電極を絶縁する第１の無機絶縁膜及び有機絶縁膜をこの順で積層して形成し、該有機絶縁膜上に画素電極及び前記共通電極を絶縁する第２の無機絶縁膜を形成する液晶表示装置の製造装置であって、
前記第２の無機絶縁膜、前記有機絶縁膜及び前記第１の無機絶縁膜を貫通して底部に前記ドレイン電極を露出させるコンタクトホールを形成し、
前記コンタクトホールを形成する際、前記第２の無機絶縁膜を貫通する第１のホールと、前記有機絶縁膜を貫通する第２のホールと、前記第１の無機絶縁膜を貫通する第３のホールとを同一アライメントで形成して前記コンタクトホールを形成することを特徴とする液晶表示装置の製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電界効果トランジスタを用いる液晶表示装置の製造方法及び液晶表示装置の製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）を用いる液晶表示装置では、電界効果トランジスタ上にドレイン電極を共通電極から絶縁するための層間絶縁膜と、画素電極及び共通電極を互いに絶縁するための層間絶縁膜とが形成される（例えば、特許文献１参照。）。例えば、画素電極が共通電極よりも上方に形成される場合、ドレイン電極を共通電極から絶縁するための下方層間絶縁膜、並びに、共通電極及び画素電極を互いに絶縁するための上方層間絶縁膜が形成されるが、画素電極及びドレイン電極の導通を確保するために、下方層間絶縁膜及び上方層間絶縁膜のいずれも貫通するコンタクトホールが形成される。
【０００３】
図１１は、従来の液晶表示装置の製造方法を示す工程図である。図１１では、液晶表示装置の一部の断面図を用いて従来の液晶表示装置の製造方法が示される。
【０００４】
まず、ソース電極１１０、ゲート電極１１１、ポリシリコンからなるチャネル１１２及びドレイン電極１１３からなる電界効果トランジスタを覆うように下方層間絶縁膜１１４を形成し（図１１（Ａ））、その後、パターニングによって下方層間絶縁膜１１４へ底部においてドレイン電極１１３を露出させるコンタクトホール１１５を形成する（図１１（Ｂ））。
【０００５】
次いで、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）のスパッタ及び続くパターニングによって下方層間絶縁膜１１４上に共通電極１１６を形成し（図１１（Ｃ））、さらに、下方層間絶縁膜１１４及び共通電極１１６を覆うようにＣＶＤによって上方層間絶縁膜１１７を形成する（図１１（Ｄ））。その後、フォトレジストの塗布及びパターニングにより、コンタクトホール１１５内の上方層間絶縁膜１１７を露出させるホール状パターン１１８を有するマスク膜１１９を形成し（図１１（Ｅ））、該マスク膜１１９を用いたプラズマエッチングによって上方層間絶縁膜１１７に底部においてドレイン電極１１３を露出させるコンタクトホール１２０を形成する（図１１（Ｆ））。
【０００６】
次いで、アッシングによってマスク膜１１９を除去し、ＩＴＯのスパッタ及び続くパターニングによってコンタクトホール１２０内及び上方層間絶縁膜１１７上に複数の画素電極１２１が形成される（図１１（Ｇ））。上述したように、コンタクトホール１２０はドレイン電極１１３を露出させるため、コンタクトホール１２０内に形成された画素電極１２１はドレイン電極１１３と導通する。
【０００７】
従来の液晶表示装置では、コンタクトホール１２０によってドレイン電極１１３が露出されることが前提となるため、コンタクトホール１２０は、元々底部においてドレイン電極１１３が露出していたコンタクトホール１１５の底部において形成される必要がある。また、コンタクトホール１２０はホール状パターン１１８の下端に対応するため、ホール状パターン１１８の下端の位置をコンタクトホール１１５の底部の位置へ合わせる必要がある。ここで、ホール状パターン１１８の下端は、コンタクトホール１１５の底部に達し、マスク膜１１９を構成するフォトレジストの感光用のレンズからの距離が大きくなるため、フォトレジストの感光時における解像度が低下する。すなわち、ホール状パターン１１８の下端の位置精度が低下する。また、フォトレジストの露光精度はさほど高くないため、ホール状パターン１１８の下端の位置をコンタクトホール１１５の底部の位置へ正確に合わせるのは困難である。
【０００８】
そこで、ホール状パターン１１８の下端の位置をコンタクトホール１１５の底部の位置へ合わせやすくするために、コンタクトホール１１５の径が拡大される（例えば、底部の径は７μｍ〜８μｍであり、上端の径は１０μｍ以上となる）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２０１０−１３９６００号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、液晶表示装置において液晶層の上に配置されるカラーフィルタでは、各コンタクトホール１１５の上方において該コンタクトホール１１５を覆うようにバックライトの透過光を遮光するブラックマトリクスが形成される。すなわち、各コンタクトホール１１５の径が拡大されると、各ブラックマトリクスも大きくなり、透過光が遮光される割合が増加する。その結果、液晶表示装置の画像を高輝度で表示することが困難となる。特に、近年、省電力化や高集積化により、透過光の光量が減少しているため、この問題が顕著化するおそれがある。
【００１１】
本発明の目的は、画像を高輝度で表示することができる液晶表示装置の製造方法及び液晶表示装置の製造装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記目的を達成するために、本発明の液晶表示装置の製造方法は、電界効果トランジスタのドレイン電極上に該ドレイン電極及び共通電極を絶縁する有機絶縁膜を形成し、該有機絶縁膜上に画素電極及び前記共通電極を絶縁する無機絶縁膜を形成する液晶表示装置の製造方法であって、前記無機絶縁膜及び前記有機絶縁膜を貫通して底部に前記ドレイン電極を露出させるコンタクトホールを形成するコンタクトホール形成ステップを有し、前記コンタクトホール形成ステップでは、前記無機絶縁膜を貫通する第１のホールと、前記有機絶縁膜を貫通する第２のホールとを同一アライメントで形成して前記コンタクトホールを形成することを特徴とする。
【００１３】
上記目的を達成するために、本発明の液晶表示装置の製造方法は、電界効果トランジスタのドレイン電極上に該ドレイン電極及び共通電極を絶縁する第１の無機絶縁膜及び有機絶縁膜をこの順で積層して形成し、該有機絶縁膜上に画素電極及び前記共通電極を絶縁する第２の無機絶縁膜を形成する液晶表示装置の製造方法であって、前記第２の無機絶縁膜、前記有機絶縁膜及び前記第１の無機絶縁膜を貫通して底部に前記ドレイン電極を露出させるコンタクトホールを形成するコンタクトホール形成ステップを有し、前記コンタクトホール形成ステップでは、前記第２の無機絶縁膜を貫通する第１のホールと、前記有機絶縁膜を貫通する第２のホールと、前記第１の無機絶縁膜を貫通する第３のホールとを同一アライメントで形成して前記コンタクトホールを形成することを特徴とする。
【００１４】
上記目的を達成するために、本発明の液晶表示装置の製造装置は、電界効果トランジスタのドレイン電極上に該ドレイン電極及び共通電極を絶縁する有機絶縁膜を形成し、該有機絶縁膜上に画素電極及び前記共通電極を絶縁する無機絶縁膜を形成する液晶表示装置の製造装置であって、前記無機絶縁膜及び前記有機絶縁膜を貫通して底部に前記ドレイン電極を露出させるコンタクトホールを形成し、前記コンタクトホールを形成する際、前記無機絶縁膜を貫通する第１のホールと、前記有機絶縁膜を貫通する第２のホールとを同一アライメントで形成して前記コンタクトホールを形成することを特徴とする。
【００１５】
上記目的を達成するために、本発明の液晶表示装置の製造装置は、電界効果トランジスタのドレイン電極上に該ドレイン電極及び共通電極を絶縁する第１の無機絶縁膜及び有機絶縁膜をこの順で積層して形成し、該有機絶縁膜上に画素電極及び前記共通電極を絶縁する第２の無機絶縁膜を形成する液晶表示装置の製造装置であって、前記第２の無機絶縁膜、前記有機絶縁膜及び前記第１の無機絶縁膜を貫通して底部に前記ドレイン電極を露出させるコンタクトホールを形成し、前記コンタクトホールを形成する際、前記第２の無機絶縁膜を貫通する第１のホールと、前記有機絶縁膜を貫通する第２のホールと、前記第１の無機絶縁膜を貫通する第３のホールとを同一アライメントで形成して前記コンタクトホールを形成することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、無機絶縁膜を貫通する第１のホールと、有機絶縁膜を貫通する第２のホールとを同一アライメントで形成するので、第１のホールを形成するためのマスク膜のパターンの位置を第２のホールの位置へ合わせる必要がない。これにより、第２のホールの径を拡大する必要を無くすことができ、もって、第２のホール及び第１のホールからなるコンタクトホールの径を拡大する必要を無くしてブラックマトリクスを縮小することができる。その結果、透過光の遮光を抑制して画像を高輝度で表示することができる。
【００１７】
本発明によれば、第２の無機絶縁膜を貫通する第１のホールと、有機絶縁膜を貫通する第２のホールと、第１の無機絶縁膜を貫通する第３のホールとを同一アライメントで形成するので、第１のホールを形成するためのマスク膜のパターンの位置を第２のホールの位置へ合わせる必要がない。これにより、第２のホールの径を拡大する必要を無くすことができる。また、第２のホールを形成するためのマスク膜のパターンの位置を第３のホールの位置へ合わせる必要がない。これにより、第３のホールの径を拡大する必要を無くすことができる。その結果、第１のホール乃至第３のホールからなるコンタクトホールの径を拡大する必要を無くすことができ、もって、ブラックマトリクスを縮小することができ、透過光の遮光を抑制して画像を高輝度で表示することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る液晶表示装置の製造方法によって製造される液晶表示装置の一部の構成を概略的に示す部分断面図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態に係る液晶表示装置の製造方法を示す工程図である。
【図３】コンタクトホールの断面がアンダーカット形状を呈するのを抑制するための方法を説明するための工程図である。
【図４】図２の製造方法の変形例を示す工程図である。
【図５】本発明の第２の実施の形態に係る液晶表示装置の製造方法によって製造される液晶表示装置の一部の構成を概略的に示す部分断面図である。
【図６】本発明の第２の実施の形態に係る液晶表示装置の製造方法を示す工程図である。
【図７】本発明の第３の実施の形態に係る液晶表示装置の製造方法によって製造される液晶表示装置の一部の構成を概略的に示す部分断面図である。
【図８】本発明の第３の実施の形態に係る液晶表示装置の製造方法を示す工程図である。
【図９】図７の液晶表示装置の変形例の一部の構成を概略的に示す部分断面図である。
【図１０】本発明の第４の実施の形態に係る液晶表示装置の製造方法によって製造される液晶表示装置の一部の構成を概略的に示す部分断面図である。
【図１１】従来の液晶表示装置の製造方法を示す工程図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。
【００２０】
まず、本発明の第１の実施の形態に係る液晶表示装置の製造方法について説明する。
【００２１】
図１は、本実施の形態に係る液晶表示装置の製造方法によって製造される液晶表示装置の一部の構成を概略的に示す部分断面図である。
【００２２】
図１において、ＬＴＰＳ（低温ポリシリコン）型の液晶表示装置１０は、ガラス等からなる基板１１と、該基板１１を覆うように形成されるバッファ膜１２と、該バッファ膜１２上に形成された無機絶縁膜１３と、無機絶縁膜１３上に形成された無機絶縁膜１４と、該バッファ膜１２上に形成されたスイッチングデバイスとしての薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）１５とを備える。薄膜トランジスタ１５は、ポリシリコンからなるチャネル１６と、無機絶縁膜１３を挟んでチャネル１６に対向するゲート電極１７と、該ゲート電極１７の両脇に形成されてそれぞれチャネル１６に接続されるソース電極１８及びドレイン電極１９とを有する。ソース電極１８及びドレイン電極１９と、ゲート電極１７とは無機絶縁膜１４によって互いに絶縁される。
【００２３】
また、液晶表示装置１０は、無機絶縁膜１３上に形成された共通電位配線２０と、無機絶縁膜１４上に形成されて共通電位配線２０に接続される共通電位配線２１と、無機絶縁膜１４上に形成されてソース電極１８、ドレイン電極１９及び共通電位配線２１を覆う平坦化膜として機能する有機絶縁膜２２と、該有機絶縁膜２２上に形成される共通電極２３と、該共通電極２３を覆うように有機絶縁膜２２上に形成される無機絶縁膜２４と、該無機絶縁膜２４上に形成される画素電極２５とを備える。有機絶縁膜２２はソース電極１８及びドレイン電極１９を共通電極２３から絶縁し、無機絶縁膜２４は共通電極２３及び画素電極２５を互いに絶縁する。
【００２４】
さらに、液晶表示装置１０は、各画素電極２５上に形成される液晶層（図示しない）と、該液晶層上に配置されるカラーフィルタ（図示しない）と、基板１１下に配置されるバックライト（図示しない）とを備え、各画素電極２５へ印加される電圧を制御することによって生じさせる電界により、液晶層の各液晶の配位を制御してバックライトから投射されて液晶層を介してカラーフィルタを透過する透過光の光量を調整して画像を表示する。
【００２５】
図２は、本実施の形態に係る液晶表示装置の製造方法を示す工程図である。
【００２６】
まず、液晶表示装置１０において、無機絶縁膜１４上にソース電極１８、ドレイン電極１９及び共通電位配線２１を覆う有機絶縁膜２２を形成し（図２（Ａ））、その後、フォトリソグラフィによって共通電位配線２１の一部を底部に露出させるコンタクトホール２６を有機絶縁膜２２に形成する（図２（Ｂ））。
【００２７】
次いで、ＩＴＯのスパッタによる成膜、フォトリソグラフィによるパターニング及びウェットエッチングにより、有機絶縁膜２２上にＩＴＯからなる共通電極２３を形成する。該共通電極２３はドレイン電極１９の上方を避けるように形成される（図２（Ｃ））。共通電極２３はコンタクトホール２６の内部にも形成され、コンタクトホール２６の底部において共通電位配線２１と接触し、共通電極２３及び共通電位配線２１は互いに導通する。
【００２８】
次いで、ＣＶＤによる成膜により、有機絶縁膜２２上へ共通電極２３を覆うように無機絶縁膜２４が形成され（図２（Ｄ））、さらに、無機絶縁膜２４上にフォトレジストが塗布され、所定のパターンに従った感光及び現像により、ドレイン電極１９の上方において底部に無機絶縁膜２４を露出させるホール状パターン２７を有するマスク膜２８が形成される（図２（Ｅ））。
【００２９】
次いで、マスク膜２８を用いたプラズマエッチングにより、ホール状パターン２７の底部に露出する無機絶縁膜２４がエッチングされてホール状パターン２７に対応する位置に無機絶縁膜貫通穴２９（第１のホール）が形成される。無機絶縁膜貫通穴２９の底部には有機絶縁膜２２が露出する。その後、同一のマスク膜２８を用いたプラズマエッチングが継続されると、無機絶縁膜貫通穴２９の底部に露出する有機絶縁膜２２がエッチングされて無機絶縁膜貫通穴２９に対応する位置に有機絶縁膜貫通穴３０（第２のホール）が形成される。有機絶縁膜貫通穴３０の底部にはドレイン電極１９が露出する。上述したように、無機絶縁膜貫通穴２９の位置はホール状パターン２７の位置に対応するので、有機絶縁膜貫通穴３０の位置もホール状パターン２７の位置に対応する。すなわち、ホール状パターン２７、無機絶縁膜貫通穴２９及び有機絶縁膜貫通穴３０は同一アライメントに存在する。本実施の形態では、有機絶縁膜貫通穴３０は底部にドレイン電極１９を露出させるため、無機絶縁膜貫通穴２９及び有機絶縁膜貫通穴３０は、底部にドレイン電極１９を露出させ、且つ有機絶縁膜２２及び無機絶縁膜２４を貫通するコンタクトホール３１を構成する（コンタクトホール形成ステップ）（図２（Ｆ））。
【００３０】
次いで、アッシングにより、マスク膜２８を除去して無機絶縁膜２４を露出させた後、ＩＴＯのスパッタによる成膜、フォトリソグラフィによるパターニング及びウェットエッチングにより、無機絶縁膜２４上にＩＴＯからなる画素電極２５を形成する。該画素電極２５は無機絶縁膜２４上において点在するように形成される（図２（Ｇ））。画素電極２５はコンタクトホール３１の内部にも形成され、コンタクトホール３１の底部においてドレイン電極１９と接触し、画素電極２５及びドレイン電極１９は互いに導通する。
【００３１】
図２の製造方法によれば、同一のマスク膜２８を用いて無機絶縁膜２４及び有機絶縁膜２２がエッチングされ、無機絶縁膜２４を貫通する無機絶縁膜貫通穴２９と、有機絶縁膜２２を貫通する有機絶縁膜貫通穴３０とが同一アライメントで形成される。したがって、従来の製造方法のように、まず、有機絶縁膜貫通穴３０を形成し、さらに、無機絶縁膜２４を形成した後で、無機絶縁膜貫通穴２９を形成するためのマスク膜２８におけるホール状パターン２７の位置を、有機絶縁膜貫通穴３０の位置へ合わせる必要がない。これにより、有機絶縁膜貫通穴３０の径を拡大する必要を無くすことができ、もって、有機絶縁膜貫通穴３０及び無機絶縁膜貫通穴２９によって構成されるコンタクトホール３１の径を拡大する必要を無くしてブラックマトリクスを縮小することができる。その結果、液晶表示装置１０において透過光の遮光を抑制して画像を高輝度で表示することができる。
【００３２】
ところで、液晶表示装置１０では、有機絶縁膜２２において有機絶縁膜貫通穴３０が形成される際、有機絶縁膜２２は比較的軟質であってエッチングされ易いため、有機絶縁膜２２が下方だけでなく側方にも容易にエッチングされて有機絶縁膜貫通穴３０が横に広がるサイドエッチングが生じる可能性がある。このとき、無機絶縁膜２４がエッチングされずに無機絶縁膜貫通穴２９の径が拡大しないと、無機絶縁膜貫通穴２９の径よりも有機絶縁膜貫通穴３０の径が大きくなり、コンタクトホール３１の断面がアンダーカット形状を呈することがある（図３（Ａ））。コンタクトホール３１の断面がアンダーカット形状を呈すると、画素電極２５をＩＴＯのスパッタによる成膜で形成する際、コンタクトホール３１の側面、特に、有機絶縁膜２２におけるアンダーカット形状に対応する部分にＩＴＯが付着せず、コンタクトホール３１の内部において画素電極２５が途切れる可能性がある。
【００３３】
本実施の形態では、これに対応して、マスク膜２８を用いて無機絶縁膜２４をエッチングする際、無機絶縁膜貫通穴２９の側面がテーパ面で構成されるようにプラズマエッチングの条件を調整する。具体的には、無機絶縁膜２４がエッチングされるにつれてマスク膜２８もエッチングされ、ホール状パターン２７の径が徐々に拡大されるように、プラズマを生成させる処理ガスとして用いられる酸素ガス及びＳＦ６やＣＦ４等のフッ素系ガスの流量比を調整する。これにより、無機絶縁膜貫通穴２９の側面を積極的にテーパ面で構成する（図３（Ｂ））。
【００３４】
無機絶縁膜貫通穴２９の側面はテーパ面で構成されるため、プラズマエッチングにより、有機絶縁膜２２において有機絶縁膜貫通穴３０が形成される際、無機絶縁膜貫通穴２９の側面がプラズマによって積極的にスパッタされて無機絶縁膜貫通穴２９の径が徐々に拡大する（図３（Ｃ））。すなわち、有機絶縁膜貫通穴３０においてサイドエッチングが生じても、無機絶縁膜貫通穴２９の径が拡大するため、結果としてコンタクトホール３１の断面はアンダーカット形状を呈することがない（図３（Ｄ））。その結果、画素電極２５がコンタクトホール３１の内部において途切れるのを防止することができる。
【００３５】
なお、無機絶縁膜２４が有機絶縁膜２２と同程度にエッチングされやすい場合、有機絶縁膜貫通穴３０だけでなく無機絶縁膜貫通穴２９においてもサイドエッチングが生じ、コンタクトホール３１の断面はアンダーカット形状を呈することがないため、無機絶縁膜貫通穴２９の側面を積極的にテーパ面で構成する必要はない。
【００３６】
上述した図２の製造方法では、無機絶縁膜２４だけでなく有機絶縁膜２２もマスク膜２８を用いてエッチングしたが、有機絶縁膜２２に対するマスク膜２８の選択比を大きくすることができず、プラズマエッチングによって有機絶縁膜２２をエッチングする際、マスク膜２８もエッチングされて消滅する虞がある場合は、マスク膜２８を用いて有機絶縁膜２２をエッチングしなくてもよい。例えば、図４（Ａ）に示すように、マスク膜２８を用いたプラズマエッチングにより、無機絶縁膜２４において無機絶縁膜貫通穴２９を形成した後、アッシングによってマスク膜２８を除去し（図４（Ｂ））、さらに、無機絶縁膜２４をマスクとして無機絶縁膜貫通穴２９の底部に露出する有機絶縁膜２２をプラズマエッチングによってエッチングし、有機絶縁膜貫通穴３０を形成する（図４（Ｃ））。
【００３７】
この場合も、無機絶縁膜貫通穴２９の位置はホール状パターン２７の位置に対応し、有機絶縁膜貫通穴３０の位置も無機絶縁膜貫通穴２９の位置、すなわち、ホール状パターン２７の位置に対応するため、無機絶縁膜貫通穴２９及び有機絶縁膜貫通穴３０は同一アライメントに存在する。
【００３８】
次に、本発明の第２の実施の形態に係る液晶表示装置の製造方法について説明する。
【００３９】
図５は、本実施の形態に係る液晶表示装置の製造方法によって製造される液晶表示装置の一部の構成を概略的に示す部分断面図である。
【００４０】
本実施の形態は、液晶表示装置の一部の構成が第１の実施の形態と異なるのみであり、その構成、作用が上述した第１の実施の形態と基本的に同じであるので、重複した構成、作用については説明を省略し、以下に異なる構成、作用についての説明を行う。
【００４１】
図５において、ＬＴＰＳ型の液晶表示装置３２は、無機絶縁膜２４及び有機絶縁膜２２を貫通し、底部に共通電位配線２１を露出させるコンタクトホール３３と、有機絶縁膜２２上に形成され、且つブリッヂ配線３４ｂによってコンタクトホール３３の内部を経由して共通電位配線２１と接触する共通電極３４ａとを備える。
【００４２】
図６は、本実施の形態に係る液晶表示装置の製造方法を示す工程図である。
【００４３】
まず、液晶表示装置３２において、無機絶縁膜１４上にソース電極１８、ドレイン電極１９及び共通電位配線２１を覆う有機絶縁膜２２を形成し（図６（Ａ））、その後、ＩＴＯのスパッタによる成膜、フォトリソグラフィによるパターニング及びウェットエッチングにより、有機絶縁膜２２上にＩＴＯからなる共通電極３４ａを形成する。該共通電極３４ａはドレイン電極１９及び共通電位配線２１の上方を避けるように形成される（図６（Ｂ））。すなわち、図２の製造方法と異なり、この段階では共通電位配線２１を底部に露出させるコンタクトホール３３を有機絶縁膜２２に形成しない。
【００４４】
次いで、ＣＶＤによる成膜により、有機絶縁膜２２上へ共通電極３４ａを覆うように無機絶縁膜２４が形成され（図６（Ｃ））、さらに、無機絶縁膜２４上にフォトレジストが塗布され、所定のパターンに従った感光及び現像により、３種類のホール状パターンを有するマスク膜３５が形成される（図６（Ｄ））。３種類のホール状パターンは、ドレイン電極１９の上方において底部に無機絶縁膜２４を露出させるホール状パターン２７と、共通電位配線２１の上方において底部に無機絶縁膜２４を露出させるホール状パターン３６と、ホール状パターン３６の近傍且つ共通電極３４ａの上方において底部に無機絶縁膜２４を露出させるホール状パターン３７とからなる。
【００４５】
次いで、マスク膜３５を用いたプラズマエッチングにより、無機絶縁膜２４がエッチングされてホール状パターン２７に対応する位置に無機絶縁膜貫通穴２９（第１のホール）が形成され、無機絶縁膜貫通穴２９の底部には有機絶縁膜２２が露出する。その後、同一のマスク膜３５を用いたプラズマエッチングが継続されると、有機絶縁膜２２がエッチングされて無機絶縁膜貫通穴２９に対応する位置へ底部にドレイン電極１９を露出させる有機絶縁膜貫通穴３０（第２のホール）が形成される。無機絶縁膜貫通穴２９及び有機絶縁膜貫通穴３０は、第１の実施の形態と同様に、コンタクトホール３１を構成する（コンタクトホール形成ステップ）（図６（Ｅ））。
【００４６】
また、同様に、マスク膜３５を用いたプラズマエッチングにより、ホール状パターン３６の底部に露出する無機絶縁膜２４がエッチングされてホール状パターン３６に対応する位置に無機絶縁膜貫通穴３８が形成される。無機絶縁膜貫通穴３８の底部には有機絶縁膜２２が露出する。その後、同一のマスク膜３５を用いたプラズマエッチングが継続されると、無機絶縁膜貫通穴３８の底部に露出する有機絶縁膜２２がエッチングされて無機絶縁膜貫通穴３８に対応する位置に有機絶縁膜貫通穴３９が形成される。有機絶縁膜貫通穴３９の底部には共通電位配線２１が露出する。上述したように、無機絶縁膜貫通穴３８の位置はホール状パターン３６の位置に対応するので、有機絶縁膜貫通穴３９の位置もホール状パターン３６の位置に対応する。すなわち、ホール状パターン３６、無機絶縁膜貫通穴３８及び有機絶縁膜貫通穴３９は同一アライメントに存在する。本実施の形態では、有機絶縁膜貫通穴３９は底部に共通電位配線２１を露出させるため、無機絶縁膜貫通穴３８及び有機絶縁膜貫通穴３９は、底部に共通電位配線２１を露出させ、且つ有機絶縁膜２２及び無機絶縁膜２４を貫通するコンタクトホール４０を構成する。
【００４７】
さらに、マスク膜３５を用いたプラズマエッチングにより、ホール状パターン３７の底部に露出する無機絶縁膜２４がエッチングされてホール状パターン３７に対応する位置にコンタクトホール４１が形成される。コンタクトホール４１の底部には共通電極３４ａが露出する。
【００４８】
次いで、アッシングにより、マスク膜３５を除去して無機絶縁膜２４を露出させた後、ＩＴＯのスパッタによる成膜、フォトリソグラフィによるパターニング及びウェットエッチングにより、無機絶縁膜２４上にＩＴＯからなる画素電極２５及びブリッヂ配線３４ｂを形成する。画素電極２５は無機絶縁膜２４上において点在するように形成される。画素電極２５はコンタクトホール３１の内部にも形成され、コンタクトホール３１の底部においてドレイン電極１９と接触し、画素電極２５及びドレイン電極１９は互いに導通する。また、ブリッヂ配線３４ｂはコンタクトホール４０及びコンタクトホール４１の内部にも形成され、コンタクトホール４０の底部において共通電位配線２１と接触し、且つコンタクトホール４１の底部において共通電極３４ａと接触する。これにより、共通電極３４ａ及び共通電位配線２１は互いに導通する（図６（Ｆ））。
【００４９】
図６の製造方法によれば、図２の製造方法とは異なり、共通電位配線２１を底部に露出させるコンタクトホール３３及びドレイン電極１９を底部に露出させるコンタクトホール３１を別工程で形成せず、同一のマスク膜３５を用いたプラズマエッチングによって同一工程において形成する。これにより、液晶表示装置３２の製造方法を構成する工程を削減することができ、スループットを改善することができる。
【００５０】
なお、液晶表示装置１０，３２において、有機絶縁膜２２はアクリル系、シロキサン系又はポリイミド系のいずれかの材料、例えば、ポリスチレン系樹脂に顔料又は染料が添加されたカラーフィルタ材料から構成すればよく、無機絶縁膜１３，１４，２４はシリコン酸化膜、シリコン窒化膜、シリコン酸窒化膜及び金属酸化膜（例えば、酸化アルミ膜）のいずれかによって構成されればよい。
【００５１】
次に、本発明の第３の実施の形態に係る液晶表示装置の製造方法について説明する。
【００５２】
図７は、本実施の形態に係る液晶表示装置の製造方法によって製造される液晶表示装置の一部の構成を概略的に示す部分断面図である。
【００５３】
図７において、ＢＣＥ（バックチャネルエッチ）型の液晶表示装置４２は、ガラス等からなる基板４３と、該基板４３を覆うように形成されるバッファ膜４４と、該バッファ膜４４上に下方から順に形成された無機絶縁膜４５，４６，４７と、スイッチングデバイスとしての薄膜トランジスタ４８とを備える。薄膜トランジスタ４８は、バッファ膜４４上に形成されたゲート電極４９と、無機絶縁膜４５，４６を挟んでゲート電極４９に対向する、酸化物半導体である酸化インジウムガリウム亜鉛（以下、「ＩＧＺＯ」という。）からなるチャネル５０と、該チャネル５０の両脇に形成されてそれぞれチャネル５０に接続するソース電極５１及びドレイン電極５２とを有する。ソース電極５１及びドレイン電極５２と、ゲート電極４９とは無機絶縁膜４５，４６によって互いに絶縁される。無機絶縁膜４７はパシベーション膜として機能する。なお、チャネル層５０を構成する酸化物半導体は、ＩＧＺＯに限定されず、Ｉｎ−Ｚｎ−Ｏ系、Ｉｎ−Ｚｎ−Ｓｎ−Ｏ系、又はＩｎ−Ｚｎ−Ｓｉ−Ｏ系等であってもよく、具体的には、ＺｎＯ（酸化亜鉛）等であってもよい。
【００５４】
また、液晶表示装置４２は、バッファ膜４４上に形成された共通電位配線５３と、無機絶縁膜４７（第１の無機絶縁膜）上に形成されてソース電極５１、ドレイン電極５２及びチャネル５０を覆う平坦化膜として機能する有機絶縁膜５４と、該有機絶縁膜５４上に形成される共通電極５５と、該共通電極５５を覆うように有機絶縁膜５４上に形成される無機絶縁膜５６（第２の無機絶縁膜）と、該無機絶縁膜５６上に形成される画素電極５７とを備える。無機絶縁膜４７及び有機絶縁膜５４はソース電極５１及びドレイン電極５２を共通電極５５から絶縁し、無機絶縁膜５６は共通電極５５及び画素電極５７を互いに絶縁する。
【００５５】
さらに、液晶表示装置４２は、液晶表示装置１０と同様に、各画素電極５７上に形成される液晶層（図示しない）と、該液晶層上に配置されるカラーフィルタ（図示しない）と、基板４３下に配置されるバックライト（図示しない）とを備え、各画素電極５７へ印加される電圧を制御することによって生じさせる電界により、液晶層の各液晶の配位を制御してバックライトから投射されて液晶層を介してカラーフィルタを透過する透過光の光量を調整して画像を表示する。
【００５６】
図８は、本実施の形態に係る液晶表示装置の製造方法を示す工程図である。
【００５７】
まず、液晶表示装置４２において、無機絶縁膜４７上にソース電極５１、ドレイン電極５２及びチャネル５０を覆う有機絶縁膜５４を形成し（図８（Ａ））、その後、ＩＴＯのスパッタによる成膜、フォトリソグラフィによるパターニング及びウェットエッチングにより、有機絶縁膜５４上にＩＴＯからなる共通電極５５を形成する。該共通電極５５はドレイン電極５２及び共通電位配線５３の上方を避けるように形成される（図８（Ｂ））。なお、図８の製造方法と異なり、この段階では共通電位配線５３を底部に露出させるコンタクトホールを有機絶縁膜５４や無機絶縁膜４５，４６，４７に形成しない。
【００５８】
次いで、ＣＶＤによる成膜により、有機絶縁膜５４上へ共通電極５５を覆うように無機絶縁膜５６が形成され（図８（Ｃ））、さらに、無機絶縁膜５６上にフォトレジストが塗布され、所定のパターンに従った感光及び現像により、３種類のホール状パターンを有するマスク膜７１が形成される（図８（Ｄ））。３種類のホール状パターンは、ドレイン電極５２の上方において底部に無機絶縁膜５６を露出させるホール状パターン５８と、共通電位配線５３の上方において底部に無機絶縁膜５６を露出させるホール状パターン５９と、ホール状パターン５９の近傍且つ共通電極５５の上方において底部に無機絶縁膜５６を露出させるホール状パターン６０とからなる。
【００５９】
次いで、マスク膜７１を用いたプラズマエッチングにより、ホール状パターン５８の底部に露出する無機絶縁膜５６がエッチングされてホール状パターン５８に対応する位置に無機絶縁膜貫通穴６１（第１のホール）が形成され、無機絶縁膜貫通穴６１の底部には有機絶縁膜５４が露出する。その後、同一のマスク膜７１を用いたプラズマエッチングが継続されると、無機絶縁膜貫通穴６１の底部に露出する有機絶縁膜５４がエッチングされて無機絶縁膜貫通穴６１に対応する位置に有機絶縁膜貫通穴６２（第２のホール）が形成され、有機絶縁膜貫通穴６２の底部には無機絶縁膜４７が露出する。さらに、同一のマスク膜７１を用いたプラズマエッチングが継続されると、有機絶縁膜貫通穴６２の底部に露出する無機絶縁膜４７がエッチングされて有機絶縁膜貫通穴６２に対応する位置において底部にドレイン電極５２を露出させる無機絶縁膜貫通穴６３（第３のホール）が形成される。
【００６０】
上述したように、無機絶縁膜貫通穴６１の位置はホール状パターン５８の位置に対応するので、有機絶縁膜貫通穴６２の位置もホール状パターン５８の位置に対応する。また、有機絶縁膜貫通穴６２がホール状パターン５８の位置に対応するので、無機絶縁膜貫通穴６３の位置もホール状パターン５８の位置に対応する。すなわち、ホール状パターン５８、無機絶縁膜貫通穴６１、有機絶縁膜貫通穴６２及び無機絶縁膜貫通穴６３は同一アライメントに存在する。本実施の形態では、無機絶縁膜貫通穴６３は底部にドレイン電極５２を露出させるため、無機絶縁膜貫通穴６１、有機絶縁膜貫通穴６２及び無機絶縁膜貫通穴６３は、底部にドレイン電極５２を露出させ、且つ無機絶縁膜５６、有機絶縁膜５４及び無機絶縁膜４７を貫通するコンタクトホール６４を構成する（コンタクトホール形成ステップ）（図８（Ｆ））。
【００６１】
また、同様に、マスク膜７１を用いたプラズマエッチングにより、ホール状パターン５９の底部に露出する無機絶縁膜５６がエッチングされてホール状パターン５９に対応する位置に無機絶縁膜貫通穴６５が形成される。無機絶縁膜貫通穴６５の底部には有機絶縁膜５４が露出する。その後、同一のマスク膜７１を用いたプラズマエッチングが継続されると、無機絶縁膜貫通穴６５の底部に露出する有機絶縁膜５４がエッチングされて無機絶縁膜貫通穴６５に対応する位置に有機絶縁膜貫通穴６６が形成される。有機絶縁膜貫通穴６６の底部には無機絶縁膜４７が露出する。さらに、同一のマスク膜７１を用いたプラズマエッチングが継続されると、有機絶縁膜貫通穴６６の底部に露出する無機絶縁膜４７がエッチングされ、さらに続けて無機絶縁膜４６，４５がエッチングされて有機絶縁膜貫通穴６６に対応する位置において底部に共通電位配線５３を露出させる無機絶縁膜貫通穴６７が形成される。
【００６２】
上述したように、無機絶縁膜貫通穴６５の位置はホール状パターン５９の位置に対応するので、有機絶縁膜貫通穴６６の位置もホール状パターン５９の位置に対応する。また、有機絶縁膜貫通穴６６がホール状パターン５９の位置に対応するので、無機絶縁膜貫通穴６７の位置もホール状パターン５９の位置に対応する。すなわち、ホール状パターン５９、無機絶縁膜貫通穴６５、有機絶縁膜貫通穴６６及び無機絶縁膜貫通穴６７は同一アライメントに存在する。本実施の形態では、無機絶縁膜貫通穴６７は底部に共通電位配線５３を露出させるため、無機絶縁膜貫通穴６５、有機絶縁膜貫通穴６６及び無機絶縁膜貫通穴６７は、底部に共通電位配線５３を露出させ、且つ無機絶縁膜５６、有機絶縁膜５４、並びに無機絶縁膜４７，４６，４５貫通するコンタクトホール６８を構成する。
【００６３】
さらに、マスク膜７１を用いたプラズマエッチングにより、ホール状パターン６０の底部に露出する無機絶縁膜５６がエッチングされてホール状パターン６０に対応する位置にコンタクトホール６９が形成される。コンタクトホール６９の底部には共通電極５５が露出する。
【００６４】
次いで、アッシングにより、マスク膜７１を除去して無機絶縁膜５６を露出させた後、ＩＴＯのスパッタによる成膜、フォトリソグラフィによるパターニング及びウェットエッチングにより、無機絶縁膜５６上にＩＴＯからなる画素電極５７及びブリッヂ配線７０を形成する。画素電極５７は無機絶縁膜５６上において点在するように形成される。画素電極５７はコンタクトホール６４の内部にも形成され、コンタクトホール６４の底部においてドレイン電極５２と接触し、画素電極５７及びドレイン電極５２は互いに導通する。また、ブリッヂ配線７０はコンタクトホール６８及びコンタクトホール６９の内部にも形成され、コンタクトホール６８の底部において共通電位配線５３と接触し、且つコンタクトホール６９の底部において共通電極５５と接触する。これにより、共通電極５５及び共通電位配線５３は互いに導通する（図８（Ｆ））。
【００６５】
図８の製造方法によれば、同一のマスク膜７１を用いて無機絶縁膜５６，有機絶縁膜５４及び無機絶縁膜４７がエッチングされて無機絶縁膜５６を貫通する無機絶縁膜貫通穴６１と、有機絶縁膜５４を貫通する有機絶縁膜貫通穴６２と、無機絶縁膜４７を貫通する無機絶縁膜貫通穴６３とが同一アライメントで形成される。したがって、従来の製造方法のように、例えば、まず、有機絶縁膜貫通穴６２を形成し、さらに、無機絶縁膜５６を形成した後で、無機絶縁膜貫通穴６１を形成するためのマスク膜７１におけるホール状パターン５８の位置を、有機絶縁膜貫通穴６２の位置へ合わせる必要がない。これにより、有機絶縁膜貫通穴６２の径を拡大する必要を無くすことができる。また、同様に、有機絶縁膜貫通穴６２を形成するためのマスク膜７１におけるホール状パターン５８の位置を、無機絶縁膜貫通穴６３の位置へ合わせる必要がない。これにより、無機絶縁膜貫通穴６３の径を拡大する必要を無くすことができる。その結果、無機絶縁膜貫通穴６１、有機絶縁膜貫通穴６２及び無機絶縁膜貫通穴６３によって構成されるコンタクトホール６４の径を拡大する必要を無くしてブラックマトリクスを縮小することができる。
【００６６】
また、図８の製造方法によれば、共通電位配線５３を底部に露出させるコンタクトホール６８及びドレイン電極５２を底部に露出させるコンタクトホール６４を別工程で形成せず、同一のマスク膜７１を用いたプラズマエッチングによって同一工程において形成する。これにより、液晶表示装置４２の製造方法を構成する工程を削減することができ、スループットを改善することができる。
【００６７】
上述した図８の製造方法によれば、コンタクトホール６８をコンタクトホール６４と同一工程において形成したが、コンタクトホール６８をコンタクトホール６４と同一工程において形成しなくてもよい。例えば、図２の製造方法におけるコンタクトホール２６と同様に、共通電極５５が形成される前に、フォトリソグラフィによって有機絶縁膜５４及び無機絶縁膜４７，４６，４５を貫通して底部に共通電位配線５３を露出させるコンタクトホールを形成してもよい。その後、共通電極５５が形成されると、該共通電極５５は当該コンタクトホールの内部にも形成されて共通電位配線５３と接触する。また、コンタクトホール６９もコンタクトホール６４と同一工程において形成しなくてもよい。
【００６８】
図９は、図７の液晶表示装置の変形例の一部の構成を概略的に示す部分断面図である。
【００６９】
図９の液晶表示装置７２は、無機絶縁膜４６上に形成されて共通電位配線５３に接続される共通電位配線７３を備え、ブリッヂ配線７０がコンタクトホール６８の底部において共通電位配線７３と接触する点のみが液晶表示装置４２と異なる。液晶表示装置７２では、マスク膜７１を用いたプラズマエッチングによってコンタクトホール６８を形成する際、無機絶縁膜貫通穴６７は無機絶縁膜４７のみを貫通して底部に共通電位配線７３を露出させればよい。すなわち、マスク膜７１を用いたプラズマエッチングによって無機絶縁膜４５，４６をエッチングする必要がない。これにより、コンタクトホール６８の形成時間を、無機絶縁膜貫通穴６３が無機絶縁膜４７のみを貫通するコンタクトホール６４の形成時間程度まで短縮することができ、もって、スループットをより改善することができる。なお、共通電位配線７３はソース電極５１及びドレイン電極５２と同時に形成されてもよい。
【００７０】
次に、本発明の第４の実施の形態に係る液晶表示装置の製造方法について説明する。
【００７１】
図１０は、本実施の形態に係る液晶表示装置の製造方法によって製造される液晶表示装置の一部の構成を概略的に示す部分断面図である。
【００７２】
本実施の形態は、液晶表示装置の一部の構成が第３の実施の形態と、特に、薄膜トランジスタの構造及び無機絶縁膜の積層構造が異なるのみであり、その構成、作用が上述した第１の実施の形態と基本的に同じであるので、重複した構成、作用については説明を省略し、以下に異なる構成、作用についての説明を行う。
【００７３】
図１０において、液晶表示装置７４は、スイッチングデバイスとしての薄膜トランジスタ７７と、無機絶縁膜４６及び無機絶縁膜４７の間に介在する無機絶縁膜７５と、該無機絶縁膜７５上に形成されて共通電位配線５３に接続される共通電位配線７６とを備える。薄膜トランジスタ７７は、ゲート電極４９と、ＩＧＺＯからなるチャネル５０と、無機絶縁膜４６上に形成されてそれぞれ無機絶縁膜７５を貫通してチャネル５０に接続するソース電極７８及びドレイン電極７９とを有する。ソース電極７８及びドレイン電極７９と、ゲート電極４９とは無機絶縁膜４５，４６，７５によって互いに絶縁される。
【００７４】
液晶表示装置７４では、マスク膜７１を用いたプラズマエッチングによってコンタクトホール６８を形成する際、無機絶縁膜貫通穴６７は無機絶縁膜４７のみを貫通して底部に共通電位配線７６を露出させればよい。すなわち、マスク膜７１を用いたプラズマエッチングによって無機絶縁膜４５，４６，７５をエッチングする必要がない。これにより、コンタクトホール６８の形成時間を、無機絶縁膜貫通穴６３が無機絶縁膜４７のみを貫通するコンタクトホール６４の形成時間程度まで短縮することができ、もって、スループットをより改善することができる。なお、共通電位配線７６はソース電極５１及びドレイン電極５２と同時に形成されてもよい。
【００７５】
上述した液晶表示装置７２や液晶表示装置７４には図８の製造方法を適用することができ、コンタクトホール６８はコンタクトホール６４と同一工程において形成されるが、コンタクトホール６８をコンタクトホール６４と同一工程において形成しなくてもよい。例えば、図２の製造方法におけるコンタクトホール２６と同様に、共通電極５５が形成される前に、フォトリソグラフィによって有機絶縁膜５４及び無機絶縁膜４７を貫通して底部に共通電位配線７３や共通電位配線７６を露出させるコンタクトホールを形成してもよい。また、例えば、共通電極５５が形成される前に、フォトリソグラフィによって有機絶縁膜５４を貫通する有機絶縁膜貫通穴６６を形成し、その後、エッチングによって底部に共通電位配線７３や共通電位配線７６を露出させるコンタクトホールを形成してもよい。その後、共通電極５５が形成されると、該共通電極５５は当該コンタクトホールの内部にも形成されて共通電位配線７３や共通電位配線７６と接触する。
【００７６】
上述した液晶表示装置４２，７２，７４のチャネル５０はＩＧＺＯからなるが、当該チャネル５０をアモルファスシリコン、ポリシリコンや微結晶シリコンによって構成してもよい。チャネル５０をアモルファスシリコンや微結晶シリコンによって構成する場合、チャネル５０への透湿を抑制する必要がないため、パシベーション膜である無機絶縁膜４７を配置しなくてもよく、上下に隣接して配置される各無機絶縁膜、例えば、無機絶縁膜４５及び無機絶縁膜４６を１つの無機絶縁膜で構成してよい。
【００７７】
また、液晶表示装置４２，７２，７４のバッファ膜４４は必要に応じて形成されればよく、液晶表示装置４２，７２，７４に求められるデバイス特性によってはバッファ膜４４を形成しなくてもよい。なお、液晶表示装置４２，７２，７４において、有機絶縁膜５４はアクリル系、シロキサン系又はポリイミド系のいずれかの材料、例えば、ポリスチレン系樹脂に顔料又は染料が添加されたカラーフィルタ材料から構成すればよく、無機絶縁膜４５，４６，４７，５６，７５はシリコン酸化膜、シリコン窒化膜、シリコン酸窒化膜及び金属酸化膜（例えば、酸化アルミ膜）のいずれかによって構成されればよい。
【００７８】
また、液晶表示装置１０では、コンタクトホール３１の断面がアンダーカット形状を呈することがないように、無機絶縁膜貫通穴２９の側面をテーパ面で構成したが、同様に、液晶表示装置３２，４２，７２，７４においてコンタクトホール３３，６４，６８の断面がアンダーカット形状を呈することがないように、無機絶縁膜貫通穴３８，６１，６５の側面をテーパ面で構成するのが好ましい。
【００７９】
以上、本発明について、上記各実施の形態を用いて説明したが、本発明は上記各実施の形態に限定されるものではない。
【符号の説明】
【００８０】
１０，３２，４２，７２，７４  液晶表示装置
１５，４８，７７  薄膜トランジスタ
１９，５２，７９  ドレイン電極
２２，５４  有機絶縁膜
２３，３４ａ，５５  共通電極
２４，５６  無機絶縁膜
２８，３５，７１  マスク膜
２９，６１  無機絶縁膜貫通穴
３０，６２  有機絶縁膜貫通穴
３１，６４  コンタクトホール
【図１】
2016218094.tif 000003
【図２】
2016218094.tif 000004
【図３】
2016218094.tif 000005
【図４】
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【図５】
2016218094.tif 000007
【図６】
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【図７】
2016218094.tif 000009
【図８】
2016218094.tif 000010
【図９】
2016218094.tif 000011
【図１０】
2016218094.tif 000012
【図１１】
2016218094.tif 000013