(57)【要約】【課題】傾斜ミラー作製プロセスで生じる傾斜角度の誤差による出射角度の誤差を、所望の出射角度に補正することが可能な半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】半導体基板６０１と、半導体基板の面に水平な方向に光を出射するレーザ共振器と、共振器から出射した光の進行方向を変換する傾斜ミラーと、進行方向が変換された光が透過する位置を少なくとも含む半導体基板の面の一部または全部に形成された誘電体膜６４０であり、透過する光の光軸が交わりかつ空気と接する面が半導体基板の面に対して傾斜している誘電体膜とを備える。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、
前記半導体基板の面に水平な方向に光を出射するレーザ共振器と、
前記共振器から出射した光の進行方向を変換する傾斜ミラーと、
進行方向が変換された前記光が透過する位置を少なくとも含む、前記半導体基板の面の一部または全部に形成された誘電体膜と
を備え、
前記誘電体膜は、透過する前記光の光軸が交わりかつ空気と接する面が前記半導体基板の面に対して傾斜していることを特徴とする半導体レーザ素子。
【請求項２】
前記半導体基板の面に対する前記誘電体膜の面の傾斜の角度は、前記傾斜ミラーの傾斜誤差に起因して生じる前記半導体レーザ素子における前記光の出射角度誤差に等しいことを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ素子。
【請求項３】
前記誘電体膜の前記面の傾斜は、ナノインプリント加工により形成されたことを特徴とする請求項１または２に記載の半導体レーザ素子。
【請求項４】
前記半導体基板の進行方向が変換された前記光が透過する位置に形成された半導体レンズであり、前記誘電体膜によって埋め込まれた半導体レンズをさらに備えたことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の半導体レーザ素子。
【請求項５】
複数のレーザ共振器を備えたことを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の半導体レーザ素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体レーザ素子に関し、より詳細には、面出射型半導体レーザ素子における光の出射角度誤差を補正する誘電体膜を出射面に備えた半導体レーザ素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体基板上に形成され該半導体基板の面に水平な方向に導波する共振器と、該共振器からの出力光の出射方向を変換する傾斜ミラーとを有し、該光出力を半導体基板の面から得る半導体レーザ素子（以下、面出射型半導体レーザ素子という）が知られている。面出射型半導体レーザ素子は、一般的な劈開面から出力光を得る半導体レーザに比べて、外部の光ファイバとの簡便な光結合が可能となる。また、複数の半導体レーザからなるアレイ素子においても、各チャネルからの出力光を二次元にアレイ状に得られるため、外部の光ファイバや別の光素子へすべてのチャネルからの出力光を一括で光結合することが可能となる。
【０００３】
さらに、InP基板の面上で出射光の光軸上にInPを加工したレンズ（以下、InPレンズという）を集積した面出射型半導体レーザ素子が知られている（非特許文献１参照）。図１は、レーザ共振器１０２および傾斜ミラー１０４が形成されたInP基板の裏面にInPレンズ１０６を集積した面出射型半導体レーザ素子（以下、裏面出射型半導体レーザ素子）１００を裏面から見た図である。レーザ共振器１０２からの出射光は、傾斜ミラー１０４により進行方向が変換され、InPレンズ１０６へ入射する。このようにInPレンズを集積した面出射型半導体レーザ素子は、出射光を所望のビームサイズに変換できることから、半導体レーザと大きく異なるモード径をもつ光ファイバや光機能素子へ高光結合を、外部レンズを用いることなく簡易な実装で得ることができる。
【０００４】
図２は、従来の基板の裏面にInPレンズを集積した裏面出射型半導体レーザ素子を示す図であり、（ａ）は基板の表面から見た図であり、（ｂ）は断面図である。裏面出射型半導体レーザ素子２００は、InP基板２０１の表面側に該InP基板に水平な方向に形成されたレーザ共振器２０２と、光導波路２３０と、４５°傾斜ミラー２０４と、InPレンズ２０６と、レーザ共振器２０２に電圧を印加する電極（２２０，２２２）と、高反射幕２４０とを備える。レーザ共振器２０２は、下部分離閉じ込め（ＳＣＨ）層２１０と、多重量子井戸２１２と、上部ＳＣＨ２１４と、回折格子２１６とを備え、Distributed FeedBack Laser（DFB）モードで動作する。レーザ共振器２０２から出射された光は、InP中の光導波路２３０を伝搬し、傾斜ミラー２０４に達する。傾斜ミラー２０４は共振器２０２からの出射光を全反射するように形成された平面で、入射した光の進行方向を変換する。さらに、出力光は基板２０１の裏面に達する際に光軸上に作成されたInPレンズ２０６を透過し、シングルモードファイバのモード半径（約4.5 μm）に合わせて集光され、素子外部へと出力される。したがって、本素子ではInPレンズ２０６を集積することにより、共振器２０２の導波路構造のモード半径を光ファイバのモード半径に合わせて変換し、外部レンズを用いることなく簡易な実装で光ファイバに結合することができる。
【０００５】
図３は、表面出射型半導体レーザ素子３００と石英系光素子３５０からなる光送信機の断面図を示す。光送信機は、表面出射型半導体レーザ素子３００において、レーザ共振器３０２から出射し光導波路３３０を伝搬した出射光の進行方法を傾斜ミラー３０４により変換し、InP基板３０１の表面に集積されたInPレンズ３０６によりコリメート光に変換し、さらに、英系光素子３５０において、コリメート光を、石英系基板３５１の表面に集積された石英系レンズ３５６により傾斜ミラー３５４と石英系光導波路３５２との交差点に集光させ、傾斜ミラー３５４により進行方法を変換させて、高効率で石英系光導波路３５２に光結合させることができる。例えば、石英系基板３５１上には高効率な合波素子を作製することができ、複数の表面出射型レーザからの出力光を高効率に合波することができる。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００６】
【非特許文献１】K. Adachi et al., “A 1.3-μm Lens-Integrated Horizontal-Cavity Surface-Emitting Laser with Direct and Highly Efficient Coupling to Optical Fibers,” Proc. of Optical Fiber Communication, JThA31, Mar. 22-26, 2009
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、面出射型半導体レーザにおいては前述した傾斜ミラーの設計時の傾斜角度と作製時の傾斜角度に誤差（以下、傾斜角度誤差という）が生じることが避けられず、傾斜角度誤差に起因して、基板の面からの出射光と基板表面の垂線のなす角（以下、出射角度という）もまた設計値との間に誤差（以下、出射角度誤差という）が生じ、光ファイバや機能素子等の外部素子との光結合の実装プロセスの複雑化や光結合効率の低下の要因となっていた。
【０００８】
一般的に傾斜ミラーは基板に対して角度をつけてドライエッチングを行うことで作製される。裏面出射型半導体レーザ素子の場合は傾斜ミラー面と基板表面とのなす角を１２６°〜１４４°で形成され、表面出射型半導体レーザ素子の場合は傾斜ミラー面と基板表面とのなす角を３６°〜５４°で形成される。この際、設計した任意の傾斜ミラー角度に対してドライエッチングによって実際に作製された後の傾斜ミラー角度は±３°程度の誤差を持つことから、基板の面（表面または裏面）から得られる出力光の出射角度にも設計値との誤差が生じ、これが外部の光ファイバ等との結合効率低下や実装プロセスの複雑化の要因となっていた。
【０００９】
本発明は、このような問題に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、面出射型半導体レーザ素子における傾斜ミラー作製プロセスで生じる傾斜角度の誤差による出射角度の誤差を、所望の出射角度に補正することが可能な半導体レーザ素子を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
このような目的を達成するために、本願発明の一態様は、半導体レーザ素子である。本態様の半導体レーザ素子は、半導体基板と、該半導体基板の面に水平な方向に光を出射するレーザ共振器と、該共振器から出射した光の進行方向を変換する傾斜ミラーと、進行方向が変換された光が透過する位置を少なくとも含む、半導体基板の面の一部または全部に形成された誘電体膜とを備える。本態様の半導体レーザ素子において、透過する光の光軸が交わりかつ空気と接する誘電体膜の面は半導体基板の面に対して傾斜している。一実施形態では、半導体基板の面に対する誘電体膜の面の傾斜の角度は、傾斜ミラーの傾斜誤差に起因して生じる半導体レーザ素子における光の出射角度誤差に等しい。一実施形態では、誘電体膜の面の傾斜は、ナノインプリント加工により形成されている。
【００１１】
一実施形態では、半導体レーザは、傾斜ミラーにより進行方向が変換された光が透過する半導体基板の面の位置に半導体レンズを備える。半導体レンズは、誘電体膜によって埋め込まれている。
【００１２】
一実施形態では、半導体レーザは、複数のレーザ共振器を備える。一実施形態では、半導体レーザは、レーザ共振器と連通した光導波路を備え、傾斜ミラーは光導波路の終端で光の進行方向を変換する。一実施形態では、半導体基板はInP基板である。一実施形態では、誘電体膜の材料は、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂または紫外線硬化性樹脂である。
【発明の効果】
【００１３】
以上説明したように、本発明によれば、面出射型半導体レーザ素子における傾斜ミラー作製プロセスで生じる傾斜角度の誤差による出射角度の誤差を、所望の出射角度に補正することが可能な面出射型半導体レーザ素子を提供することができる。その結果、外部素子との光結合の実装プロセスが容易になり、また高結合効率を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】従来の裏面出射型半導体レーザ素子を示す図である。
【図２】従来の裏面出射型半導体レーザ素子を示す図であり、（ａ）は基板の表面から見た図であり、（ｂ）は断面図である。
【図３】従来の表面出射型半導体レーザ素子と石英系光素子とからなる光送信機の断面図を示す図である。
【図４】本願発明を説明するための図である。
【図５】傾斜ミラーの傾斜角度の誤差と出射角度の誤差との関係を示す図である。
【図６】本願発明の一実施形態の表面出射型半導体レーザ素子の断面を示す図である。
【図７】InP媒質中のビーム広がりを示す図である。
【図８】本願発明の一実施形態の表面出射型半導体レーザ素子の断面を示す図である。
【図９】本願発明の一実施形態の表面出射型半導体レーザ素子の断面を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、図面を参照しながら本発明の実施形態について詳細に説明する。以下の種々の実施形態の説明においては、具体的な数値例を用いるが、本願発明は、このような具体的な数値例に限定されるものではなく、一般性を失うことは他の数値においても実施することもできることは言うまでもない。
【００１６】
図４は、表面出射型半導体レーザ素子の断面を示す図である。図４に示す表面出射型半導体レーザ素子４００は、半導体基板（例えば、InP基板）４０１の表面側に該基板に水平な方向に形成されたレーザ共振器（不図示）と、光導波路４３０と、傾斜ミラー４０４と、レーザ共振器に電圧を印加する電極（不図示）と、高反射幕（不図示）とを備える。さらに、表面出射型半導体レーザ素子４００は、半導体の面の出力光が透過する位置を含む一部または全部に誘電体膜４４０を備える。
【００１７】
表面出射型半導体レーザ素子４００において、半導体基板４０１に水平な方向の共振器からの出射光は、同じく半導体基板４０１に水平な方向の光導波路４３０と連通している。表面出射型半導体レーザ素子４００は、光導波路４３０の終端にはドライエッチングで形成された傾斜ミラー４０４が設けられており、これにより出力光の進行方向を変換し半導体基板４０１の表面から外部に取り出すことができる。ここで、傾斜ミラー４０４と基板４０１の表面とのなす角（ミラー傾斜角度）は３６°〜５４°に設計される。これは、出射光が傾斜ミラー４０４で反射され半導体基板４０１の表面に到達する際に、半導体基板と空気の界面（半導体基板の表面）で全反射されないような角度で入射する条件から求められる範囲である。
【００１８】
しかし、上述したように、この傾斜ミラー４０４の角度は設計時の値と実際の作製時の角度に最大±３°程度の傾斜角度誤差Δθ0が生じてしまう。このことが、反射角度の誤差（以下、反射角度誤差（Δθ1）という）および面出射型半導体レーザにおける出射角度誤差Δθ2の要因となっていた。ここで半導体材料であるInPの屈折率を3.21、レーザからの出射光波長は1.3μｍである。傾斜ミラー角度の設計値は典型的な値として４５°および４０°を用いた。この際の出射角度の設計値はそれぞれ、０°（半導体基板の表面に垂直な方向に出射）および１０°である。屈折率の高い半導体から屈折率の低い空気へと光が出射するため、傾斜ミラー４０４の傾斜角度誤差に対して出射角度誤差の方が大きくなる傾向にある。図５は、傾斜ミラーの角度誤差と出射角度誤差との関係を示す図である。傾斜ミラー４０４の作製時の傾斜角度誤差は±３°程度生じてしまうことが避けられないため、傾斜ミラー角度が４０°の場合、出射角度は設計値と実際の作製時の誤差が±１２°程度生じてしまうことになる。傾斜ミラーの傾斜角度の設計値が３６°〜５４°で形成され、さらに作製時の角度誤差が±３°であることから、表面出射型レーザ素子４００で生じうる出射角度誤差は最大で±３０°程度である。
【００１９】
本実施形態ではこの作製誤差による出射角度誤差を半導体レーザ素子作製時にあらかじめ測定し、その測定された出射角度誤差を補正するように誘電体膜を加工することが可能である。誘電体膜の表面（光軸と交わりかつ空気と接する面）と半導体基板の表面とのなす角が角度φとなるように誘電体膜を加工する。この際、角度φは予め測定した出射角度誤差Δθ2に対して、Δθ2＝φを満たす角度である。
【００２０】
図６は、誘電体膜の加工後の表面出射型半導体レーザ素子の断面図である。図６に示す表面出射型半導体レーザ素子６００は、誘電体膜６４０の形状を除き、図４の表面出射型半導体レーザ素子４００と同様である。図６の表面出射型半導体レーザ素子６００は、半導体基板（例えば、InP基板）６０１の表面側に該基板に水平な方向に形成されたレーザ共振器（不図示）と、光導波路６３０と、傾斜ミラーと、レーザ共振器に電圧を印加する電極（不図示）と、高反射幕（不図示）と、出力光が透過する位置を少なくとも含む半導体基板６０１の表面の一部または全部に形成された誘電体膜６４０とを備える。
【００２１】
表面出射型半導体レーザ素子６００において、半導体基板６０１に水平な方向の共振器からの出射光は、同じく半導体基板６０１に水平な方向の光導波路６３０と連通している。表面出射型半導体レーザ素子６００は、光導波路６３０の終端にはドライエッチングで形成された傾斜ミラーが設けられており、これにより出力光の進行方向を変換し半導体基板６０１の表面から外部に取り出すことができる。ここで、傾斜ミラー６０４と半導体基板６０１の表面とのなす角（ミラー傾斜角度）は３６°〜５４°に設計される。これは、出射光が傾斜ミラーで反射され半導体基板６０１の表面に到達する際に、半導体基板と空気の界面（半導体基板の表面）で全反射されないような角度で入射する条件から求められる範囲である。
【００２２】
半導体基板６０１の表面に誘電体膜６４０を形成する面積は、半導体中を伝搬し半導体基板６０１の表面から出射される出力光のビーム径よりも大きくしておく必要がある。図７はInP媒質中のビーム広がりを示す図であり、光導波路６３０の終端において傾斜ミラーにより進行方向を変換した後、InP内を伝搬するガウシアンビームの伝搬距離とビーム半径を示す図である。
【００２３】
光導波路６３０から出射時のモード半径ω0については、半導体を用いた導波路構造における一般的な値が0.5μｍ〜1.0μｍである。傾斜ミラーで反射された出射光はガウシアンビームとしてビーム径を広げながら伝搬し半導体基板６０１の表面に到達する。したがって、出射光ビームを損失なく透過させるためには半導体基板６０１の表面の誘電体膜をビーム面積よりも広い面積に形成する必要がある。一般的に半導体基板の表面から光を得る（出射させる）面出射型レーザ素子はクラッド層厚を4〜10μｍ程度とするため、半導体基板の表面に到達したビームの90％以上を含む大きさ（面積）の誘電体膜を形成する場合、一辺の長さを4〜10μｍとする必要がある。同様に半導体基板の裏面から光出力を得る面出射型レーザ素子の場合、導波路終端から半導体基板の裏面に到達するまでのInP厚を100〜150μｍとするため、形成する誘電体膜の一辺の大きさを100〜150μｍ以上の大きさに形成する必要がある。
【００２４】
図８は、本発明の一実施形態に係る面出射型半導体レーザ素子の断面図である。図８の面出射型半導体レーザ素子は、半導体基板の表面から光を得る表面出射型半導体レーザ素子であり、誘電体膜による出射角度補正機能を有する。図８の表面出射型半導体レーザ素子８００は、InP基板８０１の表面側に該InP基板に水平な方向に形成されたレーザ共振器８０２と、光導波路８３０と、傾斜ミラー８０４と、InPレンズ８０６と、レーザ共振器８０２に電圧を印加する電極（８２０，８２２）と、高反射幕（不図示）と、出力光が透過する位置を少なくとも含む半導体基板８０１の表面の一部または全部にInPレンズ８０６を埋め込むように形成された誘電体膜８４０とを備える。
【００２５】
レーザ共振器８０２は、導波路構造であり、下部分離閉じ込め（ＳＣＨ）層８１０と、多重量子井戸８１２と、上部ＳＣＨ８１４と、回折格子８１６とを備え、Distributed FeedBack Laser（DFB）モードで動作する。
【００２６】
レーザ共振器８０２から出射された光は、InP中の光導波路８３０を伝搬し、傾斜ミラー８０４に達する。傾斜ミラー８０４は共振器８０２からの出射光を光導波路８３０の終端において全反射するように形成された平面で、入射した光の進行方向を変換する。さらに、出力光は半導体基板８０１の表面に達する際に光軸上に作成されたInPレンズ８０６を透過し、外部素子に光結合するようにモード半径を変換して集光され、あるいはコリメートに変換され、出力される。
【００２７】
また、InPレンズ８０６から出力された光は、誘電体膜８４０の表面（光軸が交わりかつ空気と接する面）において、傾斜ミラー８０４の傾斜角度誤差に起因する出射角度誤差が補正されて出射する。
【００２８】
ここで、表面出射型半導体レーザ素子の作製方法を説明する。n-InP基板上に、下部SCH層、多重量子井戸層、上部SCH層を成長した初期基板を用いる。初めに、光導波路となる部分を選択的にエッチングしバットジョイント再成長によって光導波路８３０と成る層を形成する。例えば、光導波路８３０と成る層は、InGaAsPを材料としてバットジョイント再成長により形成することができる。
【００２９】
続いて、レーザ共振器となる部分に1.3μm帯を発振波長として動作するように調節された回折格子８１６を形成し、再成長によって回折格子および光導波路と成る層を埋め込むp-InPクラッド層を形成する。クラッド層の厚さは十分な大きさのInPレンズ８０６を形成する上で必要となる厚さ6μｍとした。次に、光導波路と成る層およびレーザ共振器となる部分をエッチングすることでメサ構造を形成し、再び埋め込み再成長によってメサ両脇にFeをドーピングした半絶縁性InP層を形成する。
【００３０】
半導体基板に水平な方向の共振器８０２の垂直方向については、多重量子井戸（活性層）８１２と上下SCH層（８１０，８１４）からなるコア層（層厚の合計200ｎｍ）と、該コア層を上下から挟み込むInPクラッド層（それぞれ層厚2μｍ）からなる積層構造を有し、水平方向にはメサ両脇にInP層が形成された埋め込みヘテロ構造を有する。また、共振器８０２は、共振器長を200μｍ、ストライプ幅を1.5μｍとし、共振器８０２内に形成した回折格子８１６に起因するDFBモードで動作する。この共振器８０２の終端から出射される出力光は光導波路８３０に光結合し伝搬される。この光導波路８３０中を伝搬する際の光モード半径は垂直・水平方向にそれぞれωy0＝0.55μｍ、ωx0＝1.0μｍとした。続いて、n側、p側の電極（８２０，８２２）を形成した後、光導波路８０４の終端にInP基板８０１の表面となす角40°を設計値としてエッチングして傾斜ミラー８０４を作製する。この際のエッチングの深さは光導波路８３０が完全に露出するまで行う。また、この際の出射角度の設計値は、InP基板８０１の表面の垂線に対して34°である。次に、InP基板８０１の表面にエッチングを施すことで直径10μｍの集光レンズ８０６を形成する。ただし、本発明は基板の表面から出射する光軸の出射角度を補正するものであるため、InPレンズの有無によらず効果を発揮する。続いて、屈折率1.45からなる誘電体膜８４０をInPレンズ８０６が完全に覆い隠され、且つ表面が平坦になるように形成する。例えば、誘電体膜８４０の材料は、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂または紫外線硬化性樹脂等をもちいることができる。例えば、紫外線硬化性樹脂であるSU-8のフォトレジストをスピンコートあるいは塗布することで、誘電体膜８４０を形成することができる。
【００３１】
この状態で、表面出射型半導体レーザ素子を動作させ、出力光の出射角度を測定した結果、出力光の光軸が、傾斜ミラー面と垂直に交わる面内にあり、InP基板の面の垂線に対して、約46°の傾きを持っていることが確認できた。従って、出力光の出射角度は設計値に対して12°傾いている（出射角度誤差Δθ2＝12°である）ことが確認できた。外部の光ファイバへの結合評価を行ったところ、光ファイバの角度調整を行わない場合は（光の出射角度の設計値に対応した光ファイバの設置角度のままの場合は）、15dB程度の結合損失が確認された。
【００３２】
続いて、測定された出射角度誤差の補正を行うために半導体基板８０１の表面に誘電体膜を形成して、これに対してナノインプリント加工を実施し、表面が傾斜した誘電体膜８４０を作製する（すなわち誘電体膜８４０の表面を傾斜させる）。ナノインプリント加工により、半導体基板８０１の表面に対して誘電体膜の表面が12°の傾き（φ＝12°（＝Δθ2））を持つように形状加工を施す。ナノインプリント用の複数種類の金型をあらかじめ用意しておき、出射角度誤差の補正に適した傾斜角の金型を選択するようにすることが望ましい。ナノインプリント加工を実施した後に、半導体基板の表面からの出力光の出射角度を測定したところ約34°に補正された。
【００３３】
図９は、角度補正を行った際の表面出射型レーザの光出力部の段面図を示す図である。上記と同様の光ファイバへの結合実験を実施したところ光ファイバの角度補正なしで約4dBの結合損失が確認された。以上の結果から誘電体膜８０６により出射角度誤差を補正することができ、出射角度誤差の補正効果により、表面出射型半導体レーザ素子の外部素子との光結合の実装プロセスが容易になり、光結合効率を実現できる。
【００３４】
なお、上記実施形態では、表面出射型半導体レーザ素子を例示したが、本願発明は、表面出射型半導体レーザ素子に限定されず、出射型半導体レーザ素子および裏面出射型半導体レーザ素子を含む半導体レーザ素子に適用することができる。
【００３５】
また、上記実施形態では、共振器が１つの表面出射型半導体レーザ素子を例示したが、本願発明は、複数の共振器を配列して集積した半導体レーザ素子にも適用することができる。
【符号の説明】
【００３６】
１００，２００  裏面出射型レンズ集積レーザ素子
１０２，２０２，３０２，８０２  レーザ共振器
１０４，２０４  ４０°傾斜ミラー
１０６，２０６，３０６，８０６  ＩｎＰレンズ
２０１  半導体基板
２１０，８１０  下部ＳＣＨ層
２１２，８１２  多重量子井戸
２１４，８１４  上部ＳＣＨ層
２１６，８１６  回折格子  
２２０，２２２，８２０，８２２  電極
２３０，３３０，４３０，６３０，８３０  光導波路
２４０  高反射膜
３００，４００，６００，８００  表面出射型レンズ集積レーザ素子
３０１，８０１  ＩｎＰ基板
３０４，３５４，  ４０４，８０４  傾斜ミラー
３５０  石英系素子
３５１  石英系基板
３５２  石英系光導波路
３５６  石英系レンズ
４０１，６０１  半導体基板
４４０，６４０、８４０  誘電体膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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