(57)【要約】【課題】誘電正接が低く、曲げても誘電率が変化しにくい誘電体導波線路を提供する。【解決手段】ポリテトラフルオロエチレンからなる芯線と、上記芯線の周囲に設けられた金属からなる被覆層と、を備えており、上記芯線は、２．４５ＧＨｚにおける誘電正接が０．０００２０以下であり、硬度が８５以上であることを特徴とする誘電体導波線路。【選択図】    なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリテトラフルオロエチレンからなる芯線と、
前記芯線の周囲に設けられた金属からなる被覆層と、を備えており、
前記芯線は、２．４５ＧＨｚにおける誘電正接が０．０００２０以下であり、硬度が８５以上である
ことを特徴とする誘電体導波線路。
【請求項２】
芯線は、２．４５ＧＨｚにおける誘電率が２．２０以下である請求項１記載の誘電体導波線路。
【請求項３】
芯線は、２．４５ＧＨｚにおける誘電率の標準偏差が０．０８０以下である請求項１又は２記載の誘電体導波線路。
【請求項４】
未焼成ポリテトラフルオロエチレンの粉末と押出助剤とからなる混合物をペースト押出成形して未焼成芯線を得る工程、
前記未焼成芯線を金属製の物品の表面に密着させ、かつ、前記未焼成芯線の両端を固定する工程、
前記未焼成芯線を、３２０〜３４０℃で、１０秒〜１８０分間焼成することにより半焼成芯線を得る工程、及び、
前記半焼成芯線の周囲に金属からなる被覆層を設ける工程
を含むことを特徴とする誘電体導波線路の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、誘電体導波線路に関する。
【背景技術】
【０００２】
同軸ケーブルやＬＡＮケーブルのような高周波信号を伝送するケーブルには常に誘電損失が生ずる。ポリテトラフルオロエチレンは、高周波信号を伝送するケーブルの誘電損失を低減することができる。従って、高周波信号を伝送するケーブルの絶縁被覆層材料としてポリテトラフルオロエチレンを使用することが提案されている。
【０００３】
例えば、特許文献１では、中心導体の外周に、表面の結晶化率を７５〜９２％，また絶縁層全体の気孔率を５〜３０％に熱処理調整した多孔質四弗化エチレン樹脂絶縁層を設け、この多孔質四弗化エチレン樹脂絶縁層上に無電解めっきアンカー金属層と電気めっき金属層を順次施した外部金属導体層を設けたことを特徴とするセミリジッド型同軸ケーブルが提案されている。
【０００４】
また、特許文献２には、ポリテトラフルオロエチレンを絶縁被覆層材料として使用する場合、誘電率や誘電正接といった電気的特性と加工性などとのバランスを取るために、ポリテトラフルオロエチレンの熱処理の程度を制御する必要があることが記載されている。
【０００５】
特許文献１及び特許文献２は、いずれも、芯線に金属材料を使用する高周波信号伝送用ケーブルの絶縁被覆層材料として、ポリテトラフルオロエチレンを使用することを開示している。しかし、芯線に金属材料を使用する高周波信号伝送用ケーブルは、波長の長いマイクロ波を伝送することができるが、ミリ波やサブミリ波を伝送するには、減衰量が大きすぎる。そこで、ミリ波やサブミリ波を伝送するための導波管として、円形又は方形の断面形状を有する中空金属管が用いられている。また、ミリ波やサブミリ波を伝送するための導波線路にポリテトラフルオロエチレンを使用することも知られている。
【０００６】
特許文献３には、波動エネルギー伝送部分の少なくとも一部を、焼成固定した延伸連続気孔性の結晶性高分子材料よりなる誘電体で形成したことを特徴とする伝送線路が記載されており、結晶性高分子材料としてポリテトラフルオロエチレンが例示されている。
【０００７】
また、特許文献４には、ミリ波やサブミリ波を伝送するための誘電体導波路の波動エネルギー伝送部分を、未焼成または不完全焼成のポリテトラフルオロエチレン成形物により形成することが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２０００−２１２５０号公報
【特許文献２】特開２００２−１５７９３０号公報
【特許文献３】特公昭６３−３８８８４号公報
【特許文献４】特開平１０−１２３０７２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
中空金属管は、比較的重いという問題がある。また、充分な柔軟性を有していない上、管の内部が空洞になっていることから、曲げると断面が変形して、伝送効率が損なわれるという問題がある。一方、金属管の内部に誘電体を充填した導波管や、特許文献３及び４
に記載されているように、ポリテトラフルオロエチレンを誘電体導波路の波動エネルギー伝送部分に使用することも知られているが、伝送効率の改善が求められる。
【００１０】
本発明の目的は、上記現状に鑑み、誘電正接が低く、曲げても誘電率が変化しにくい誘電体導波線路を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）からなる芯線と、上記芯線の周囲に設けられた金属からなる被覆層と、を備えており、上記芯線は、２．４５ＧＨｚにおける誘電正接が０．０００２０以下であり、硬度が８５以上であることを特徴とする誘電体導波線路である。
【００１２】
上記芯線は、２．４５ＧＨｚにおける誘電率が２．２０以下であることが好ましい。
【００１３】
上記芯線は、２．４５ＧＨｚにおける誘電率の標準偏差が０．０８０以下であることが好ましい。
【００１４】
本発明は、未焼成ＰＴＦＥの粉末と押出助剤とからなる混合物をペースト押出成形して未焼成芯線を得る工程、上記未焼成芯線を金属製の物品の表面に密着させ、かつ、上記未焼成芯線の両端を固定する工程、上記未焼成芯線を、３２０〜３４０℃で、１０秒〜１８０分間焼成することにより半焼成芯線を得る工程、及び、上記半焼成芯線の周囲に金属からなる被覆層を設ける工程を含むことを特徴とする誘電体導波線路の製造方法でもある。
【発明の効果】
【００１５】
本発明の誘電体導波線路は、誘電正接が低く、曲げても誘電率が変化しにくい。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】ステンレスパイプに巻きつけた未焼成ＰＴＦＥを描いた模式図である。
【図２】ターン端子を使ってアルミ板に固定した未焼成ＰＴＦＥを描いた模式図である。
【図３】芯線の誘電率の変化を確認するための試験方法において、芯線を屈曲させる方法を示した図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明を具体的に説明する。
【００１８】
本発明の誘電体導波線路は、芯線と被覆層とを備えている。
【００１９】
本発明の誘電体導波線路は、上記芯線がポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）からなり、上記芯線の２．４５ＧＨｚにおける誘電正接（ｔａｎδ）が０．０００２０以下であり、上記芯線の硬度が８５以上である点に特徴がある。
【００２０】
上記硬度は、９０以上であることがより好ましい。上限は、特に限定されないが、９９であってよい。上記誘電体導波線路は、上記芯線の上記硬度が上記範囲内であることから、曲げても誘電率が変化しにくい。
【００２１】
上記硬度は、ＪＩＳ  Ａによる硬さである。上記硬度は、直径２ｍｍの芯線を、ＪＩＳ  Ｋ６３０１−１９７５に規定されていたスプリング式硬さ計（ＪＩＳ−Ａ形）により測定する。
【００２２】
上記誘電正接（ｔａｎδ）は、０．０００１５以下であることが好ましく、０．０００１０以下であることがより好ましい。上記誘電正接（ｔａｎδ）の下限は、特に限定されないが、０．００００１であってよい。上記芯線は、高い硬度を有するにもかかわらず、低い誘電正接を有する。
【００２３】
上記芯線は、２．４５ＧＨｚにおける誘電率が２．２０以下であることが好ましく、２．１５未満であることがより好ましく、２．１０以下であることが更に好ましく、２．００以下であることが特に好ましい。下限は、特に限定されないが、１．１０であってよい。誘電率が上記範囲内にあると、優れた伝送効率が得られる。
【００２４】
上記誘電率及び誘電正接は、ネットワークアナライザーＨＰ８５１０Ｃ及び２．４５ＧＨｚ空洞共振器を用いて共振周波数及び電界強度の変化を２０〜２５℃の温度下で測定して得られる値である。
【００２５】
上記芯線は、２．４５ＧＨｚにおける誘電率の標準偏差が０．０８０以下であることが好ましく、０．０５０以下であることがより好ましく、０．０３０以下であることが更に好ましく、０．０２５以下であることがより好ましい。下限は特に限定されないが、０．０１０とすることができる。誘電率の標準偏差が上記範囲内にあることは、複数の箇所で誘電率を測定しても、測定数値にばらつきが観察されないことを意味する。誘電率の異なる２つの媒体の界面では反射がおきる。従って、上記芯線の誘電率が場所によって異なると、ミリ波やサブミリ波の一部は伝送されずに反射されてしまい、伝送効率が損なわれる。上記芯線の誘電率の標準偏差が上位範囲内にあると、高い伝送効率を実現することができる。誘電率の標準偏差が小さい芯線は、極めて特殊な製造方法により製造できる。詳細は後述する。
【００２６】
上記芯線の誘電率の標準偏差は、芯線から切り取った５本のサンプル（長さ１１０ｍｍ）の誘電率を測定し、５つの誘電率から算出する。５本のサンプルはそれぞれ１９０ｍｍの間隔を開けて芯線から切り取る。
【００２７】
上記芯線は、比重が１．７０以上であることが好ましく、１．８０以上であることがより好ましい。上限は、特に限定されないが、２．２５であってよい。上記芯線の比重が上記範囲内であると、曲げた場合の誘電率の変化が非常に小さい。
【００２８】
上記比重は、液中ひょう量法（ＪＩＳ  Ｚ  ８８０７準拠）により測定する。
【００２９】
上記芯線は、ＰＴＦＥからなる。上記ＰＴＦＥは、ＴＦＥの単独重合体であっても、他の単量体で変性された変性ＰＴＦＥであってもよい。
【００３０】
上記変性ＰＴＦＥは、テトラフルオロエチレン〔ＴＦＥ〕とＴＦＥ以外のモノマー（以下、「変性剤」ともいう。）とからなるＰＴＦＥである。変性ＰＴＦＥは、均一に変性されたものであってもよいし、コアシェル構造を有する変性ＰＴＦＥであってもよい。
【００３１】
上記変性ＰＴＦＥは、ＴＦＥに基づくＴＦＥ単位と変性剤に基づく変性剤単位とからなるものである。上記変性ＰＴＦＥは、変性剤単位が全単量体単位の０．００５〜１質量％であることが好ましい。より好ましくは、０．０２〜０．５質量％である。
【００３２】
本明細書において、「変性剤単位」は、変性ＰＴＦＥの分子構造上の一部分であって、変性剤として用いた共単量体に由来する繰り返し単位を意味する。上記変性剤単位は、例えば、変性剤としてパーフルオロプロピルビニルエーテルを用いた場合、−［ＣＦ２−ＣＦ（−ＯＣ３Ｆ７）］−で表され、ヘキサフルオロプロピレンを用いた場合、−［ＣＦ２−ＣＦ（−ＣＦ３）］−で表される。
【００３３】
上記変性剤としては、ＴＦＥとの共重合が可能なものであれば特に限定されず、例えば、ヘキサフルオロプロピレン〔ＨＦＰ〕等のパーフルオロオレフィン；クロロトリフルオロエチレン〔ＣＴＦＥ〕等のクロロフルオロオレフィン；トリフルオロエチレン、フッ化ビニリデン〔ＶＤＦ〕等の水素含有フルオロオレフィン；パーフルオロビニルエーテル；パーフルオロアルキルエチレン、エチレン等が挙げられる。また、用いる変性剤は１種であってもよいし、複数種であってもよい。
【００３４】
上記パーフルオロビニルエーテルとしては特に限定されず、例えば、下記一般式
ＣＦ２＝ＣＦ−ＯＲｆ
（式中、Ｒｆは、パーフルオロ有機基を表す。）で表されるパーフルオロ不飽和化合物等が挙げられる。本明細書において、上記「パーフルオロ有機基」とは、炭素原子に結合する水素原子が全てフッ素原子に置換されてなる有機基を意味する。上記パーフルオロ有機基は、エーテル酸素を有していてもよい。
【００３５】
上記パーフルオロビニルエーテルとしては、例えば、上記一般式において、Ｒｆが炭素数１〜１０のパーフルオロアルキル基であるパーフルオロ（アルキルビニルエーテル）〔ＰＡＶＥ〕が挙げられる。上記パーフルオロアルキル基の炭素数は、好ましくは１〜５である。
【００３６】
上記ＰＡＶＥにおけるパーフルオロアルキル基としては、例えば、パーフルオロメチル基、パーフルオロエチル基、パーフルオロプロピル基、パーフルオロブチル基、パーフルオロペンチル基、パーフルオロヘキシル基等が挙げられるが、パーフルオロアルキル基がパーフルオロプロピル基であることが好ましい。すなわち、上記ＰＡＶＥは、パーフルオロ（プロピルビニルエーテル）〔ＰＰＶＥ〕が好ましい。
【００３７】
上記パーフルオロビニルエーテルとしては、更に、上記一般式において、Ｒｆが炭素数４〜９のパーフルオロ（アルコキシアルキル）基であるもの、Ｒｆが下記式：
【００３８】
【化１】
2016195295.tif 000002
【００３９】
（式中、ｍは、０又は１〜４の整数を表す。）で表される基であるもの、Ｒｆが下記式：
【００４０】
【化２】
2016195295.tif 000003
【００４１】
（式中、ｎは、１〜４の整数を表す。）で表される基であるもの等が挙げられる。
【００４２】
パーフルオロアルキルエチレン（ＰＦＡＥ）としては特に限定されず、例えば、パーフルオロブチルエチレン（ＰＦＢＥ）、パーフルオロヘキシルエチレン等が挙げられる。
【００４３】
上記変性ＰＴＦＥにおける変性剤としては、ＨＦＰ、ＣＴＦＥ、ＶＤＦ、ＰＡＶＥ、ＰＦＡＥ及びエチレンからなる群より選択される少なくとも１種であることが好ましい。より好ましくは、ＰＡＶＥであり、更に好ましくは、ＰＰＶＥである。
【００４４】
上記変性ＰＴＦＥは、粒子芯部と粒子殻部とからなるコアシェル構造を有するものであってもよい。
【００４５】
上記ＰＴＦＥは、フィブリル化性を有することが好ましい。フィブリル化性の有無は、ＴＦＥの重合体から作られた粉末である「高分子量ＰＴＦＥ粉末」を成形する代表的な方法である「ペースト押出し」で判断できる。通常、ペースト押出しが可能であるのは、高分子量のＰＴＦＥがフィブリル化性を有するからである。ペースト押出しで得られた未焼成の成形物に実質的な強度や伸びがない場合、例えば伸びが０％で引っ張ると切れるような場合はフィブリル化性がないとみなすことができる。
【００４６】
上記ＰＴＦＥは、非溶融二次加工性を有することが好ましい。上記非溶融加工性とは、ＡＳＴＭ  Ｄ−１２３８及びＤ−２１１６に準拠して、結晶化融点より高い温度でメルトフローレートを測定できない性質を意味する。
【００４７】
上記ＰＴＦＥは、標準比重〔ＳＳＧ〕が２．１３〜２．２３であることが好ましく、２．１４〜２．１９であることが好ましい。上記標準比重は、ＡＳＴＭ  Ｄ−４８９５  ９８に準拠して成形されたサンプルを用い、ＡＳＴＭ  Ｄ−７９２に準拠した水置換法により測定する値である。
【００４８】
上記ＰＴＦＥは、第一融点が３３３〜３４７℃であることが好ましい。より好ましくは、３３５〜３４５℃である。上記第一融点は、３００℃以上の温度に加熱した履歴がないＰＴＦＥについて示差走査熱量計〔ＤＳＣ〕を用いて１０℃／分の速度で昇温したときの融解熱曲線における極大値に対応する温度である。
【００４９】
また、上記ＰＴＦＥとして、高分子量ＰＴＦＥと低分子量ＰＴＦＥとを使用することも可能である。分子量の異なる２種類のＰＴＦＥを使用すると、誘電率の標準偏差が小さい芯線を容易に製造できる点で有利である。上記高分子量ＰＴＦＥは、第一融点が３３３〜３４７℃であることが好ましく、３３５〜３４５℃であることがより好ましい。上記低分子量ＰＴＦＥは、第一融点が３２２〜３３３℃であることが好ましく、３２４〜３３０℃であることがより好ましい。上記第一融点は、３００℃以上の温度に加熱した履歴がないＰＴＦＥについて示差走査熱量計〔ＤＳＣ〕を用いて１０℃／分の速度で昇温したときの融解熱曲線における極大値に対応する温度である。
【００５０】
上記高分子量ＰＴＦＥと上記低分子量ＰＴＦＥとの質量比は、８０／２０〜９９．５／０．５であることが好ましく、８５／１５〜９９／１であることがより好ましく、９０／１０〜９８／２であることが更に好ましい。
【００５１】
上記芯線は、上記ＰＴＦＥ及び上記ＰＴＦＥ以外の樹脂からなる芯線であってもよい。上記ＰＴＦＥ以外の樹脂としては、例えば、ＴＦＥ／ヘキサフルオロプロピレン〔ＨＦＰ〕共重合体〔ＦＥＰ〕、ＴＦＥ／パーフルオロ（アルキルビニルエーテル）〔ＰＡＶＥ〕共重合体〔ＰＦＡ〕、エチレン／ＴＦＥ共重合体〔ＥＴＦＥ〕、ポリビリニデンフルオライド〔ＰＶｄＦ〕、ポリクロロトリフルオロエチレン〔ＰＣＴＦＥ〕、ポリプロピレン、ポリエチレン等が挙げられる。
【００５２】
上記芯線は、他の成分を含むものであってもよい。上記他の成分としては、界面活性剤、酸化防止剤、光安定剤、蛍光増白剤、着色剤、顔料、染料、フィラー等が挙げられる。また、カーボンブラック、グラファイト、アルミナ、マイカ、炭化珪素、窒化硼素、酸化チタン、酸化ビスマス、ブロンズ、金、銀、銅、ニッケル等の粉末又は繊維粉末等も挙げられる。
【００５３】
上記芯線は、上記他の成分として、高誘電率無機粒子を含むものであってもよい。上記高誘電率無機粒子としては、チタン酸バリウム、チタン酸カルシウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸マグネシウム、チタン酸鉛、チタン酸亜鉛、ジルコン酸鉛、ジルコン酸カルシウム、ジルコン酸ストロンチウム、チタン酸ジルコン酸バリウム、チタン酸ジルコン酸鉛等が挙げられる。
【００５４】
上記芯線は、上記ＰＴＦＥ以外の樹脂や上記他の成分を含む場合であっても、上記芯線に対して９９．０質量％以上の上記ＰＴＦＥからなるものであることが好ましく、９９．９質量％以上の上記ＰＴＦＥからなるものであることがより好ましい。
【００５５】
上記芯線は、断面が略矩形、略円形、又は、略楕円形であってよいが、略円形であることが好ましい。上記芯線は、直径が０．１〜３０ｍｍであってよく、０．５〜５ｍｍであってよく、１．８〜２．２ｍｍであってよく、約２．０ｍｍであってよい。
【００５６】
上記芯線は、３２０℃以上に加熱した履歴の無い未焼成ＰＴＦＥを、３２０〜３４０℃で、１０秒〜１８０分間焼成することにより得られたものであることが好ましい。この条件で焼成されて得られるＰＴＦＥは、半焼成ＰＴＦＥと呼ばれることもある。上述した誘電正接及び硬度は、未焼成ＰＴＦＥを半焼成することによって達成される。完全に焼成してしまうと、誘電正接が小さい芯線が得られず、焼成が不充分であると、硬度が高い芯線が得られない。上記焼成温度は、３４０℃以下、かつ、上記未焼成ＰＴＦＥの第１融点よりも低い温度であることがより好ましい。上記未焼成ＰＴＦＥは３００℃以上に加熱した履歴のないものが好ましい。
【００５７】
上記焼成は、焼成収縮を両端固定などの方法で制限した未焼成芯線を電気炉内に放置することによって行うことが好ましい。また、焼成収縮を両端固定などの方法で制限した未焼成芯線をソルトバスや、サンドバスで焼成してもよい。
ソルトバスで１ｍ以上の未焼成芯線を連続的に焼成しようとすると、誘電率の長さ方向の偏差を少なくするために、一定速度で、送り込み、さらに引き出す必要がある。その際、
ソルトバスから、融点近くの高温になった芯線に張力がかかり、部分的に延伸される。
従って、均一に焼成することができず、誘電率の標準偏差が小さい芯線を製造することが困難である。すなわち、均一に延伸しながら未焼成ＰＴＦＥを均一に焼成することが困難であることから、芯線の両端を固定しないソルトバスを使用した焼成は好ましくない。
【００５８】
上記焼成は、上記未焼成芯線を金属製の物品の表面に密着させ、かつ、未焼成芯線の両端を固定した状態で行うことがより好ましい。この方法で焼成すると、誘電率の標準偏差が小さい芯線を得ることができる。
【００５９】
上記未焼成芯線は、未焼成ＰＴＦＥの粉末と押出助剤とからなる混合物をペースト押出成形して得られるものであることが好ましい。また、ペースト押出成形した後、得られた押出物を乾燥することによって押出助剤を除去したものであってもよい。上記混合物は、未焼成ＰＴＦＥの粉末と押出助剤とを公知の方法により混合し、１〜２４時間熟成させ、圧力０．１〜２．０ＭＰａで予備成形して得られたものであってもよい。上記ペースト押出は、押出圧力２〜１００ＭＰａにて行うことができる。
【００６０】
上記被覆層は、上記芯線の周囲に設けられており、金属からなる。上記金属としては、銅、銅合金、アルミ、アルミ合金、鉄、鉄合金及び銀からなる群より選択される少なくとも１種であることが好ましい。
【００６１】
未焼成ＰＴＦＥの粉末と押出助剤とからなる混合物をペースト押出成形して未焼成芯線を得る工程、上記未焼成芯線を金属製の物品の表面に密着させ、かつ、上記未焼成芯線の両端を固定する工程、上記未焼成芯線を、３２０〜３４０℃で、１０秒〜１８０分間焼成することにより半焼成芯線を得る工程、及び、上記半焼成芯線の周囲に金属からなる被覆層を設ける工程を含むことを特徴とする誘電体導波線路の製造方法も本発明の一つである。
【００６２】
上記製造方法により、本発明の誘電体導波線路を製造することができる。上記製造方法は、上記未焼成芯線を乾燥して押出助剤を除去する工程を含むものであってもよい。
【００６３】
上記未焼成ＰＴＦＥは、３２０℃以上に加熱した履歴のないＰＴＦＥであり、好ましくは３００℃以上に加熱した履歴のないＰＴＦＥである。
【００６４】
上記の金属製の物品としては、熱を伝導する物品であれば特に限定されず、また、形状も限定されない。上記の金属製の物品としては、例えば、ステンレスパイプ、アルミ板等が挙げられる。
【００６５】
上記未焼成芯線を上記金属製の物品の表面に密着させることにより、上記未焼成芯線に均一に熱を伝えることができ、上記未焼成芯線を均一に焼成することができる。また、上記未焼成芯線の両端を固定することにより、上記未焼成芯線を焼成した際に、上記未焼成芯線を均一に収縮させることができる。従って、誘電率の標準偏差が小さい芯線を備える誘電体導波線路を製造することができる。上記未焼成芯線を、金属製の物品の表面に密着させ、両端を固定する方法としては、上記未焼成芯線を金属製パイプに巻き付けて両端を結ぶ方法、上記未焼成芯線を金属板に押し付けた状態で両端を固定する方法等を挙げることができる。
【００６６】
上記未焼成芯線を、金属製の物品の表面に密着させ、両端を固定した後、３２０〜３４０℃で、１０秒〜１８０分間焼成することにより、半焼成芯線を得る。上記半焼成芯線は、半焼成ＰＴＦＥからなる芯線である。上記焼成は、上記未焼成芯線を金属製の物品の表面に密着させ、かつ、上記未焼成芯線の両端を固定したままで実施する。この焼成では、未焼成芯線が均一に焼成され、しかも均一に収縮するので、誘電率の標準偏差が小さい芯線を得ることができる。
【００６７】
本明細書において、上記半焼成芯線を単に「芯線」ということがある。上記半焼成芯線は、上述した誘電正接と硬度とを有する。また、上記半焼成芯線は、上述した誘電率、誘電率の標準偏差、又は、比重を有することもできる。
【００６８】
上記製造方法は、上記半焼成芯線を得た後、上記半焼成芯線と上記金属製の物品とを分離させて、上記半焼成芯線を回収する工程を含むものであってもよい。
【００６９】
上記半焼成芯線の周囲に金属からなる被覆層を設けて誘電体導波線路を製造する。被覆層を設ける方法として、次の方法を挙げることができる。
（１）半焼成芯線に銅管をかぶせて、銅管を絞りダイスを使って内径が、半焼成芯線の外径と一致するように絞り込む。
（２）半焼成芯線に（無電解）メッキを行う。
（３）半焼成芯線に金属編組線をかぶせる。
（４）半焼成芯線に金属テープを巻きつける。
【実施例】
【００７０】
つぎに本発明を実験例をあげて説明するが、本発明はかかる実験例のみに限定されるものではない。
【００７１】
実験例の各数値は以下の方法により測定した。
【００７２】
誘電率及び誘電正接（ｔａｎδ）
ネットワークアナライザーＨＰ８５１０Ｃ及び２．４５ＧＨｚ空洞共振器を用いて共振周波数及び電界強度の変化を２０〜２５℃の温度下で測定して算出した。
【００７３】
硬度
ＪＩＳ  Ｋ６３０１−１９７５に規定されていたスプリング式硬さ計（ＪＩＳ−Ａ形）により硬さを測定した。
【００７４】
比重
液中ひょう量法（ＪＩＳ  Ｚ  ８８０７準拠）により測定した。
【００７５】
実験例１
ポリテトラフルオロエチレン（テトラフルオロエチレンホモポリマー、標準比重（ＳＳＧ）２．１７５、融点３４３℃）２０００ｇに、押出助剤（炭化水素系溶剤）を１７ｗｔ％混合した後、内径２．０５０ｍｍのダイスを使って、リダクションレシオ（ＲＲ）５３４でペースト押出を行った。この押出物を８０℃１時間、２００℃で３０分間電気炉に入れることで、押出助剤を蒸散させて、未焼成ＰＴＦＥからなる芯線（以下、未焼成芯線という）を得た
【００７６】
未焼成芯線を、図１に示すように、φ１４０ｍｍのステンレスパイプに巻きつけた。未焼成芯線が巻き付けられたステンレスパイプを電気炉に放置して、３２７℃で、７０分間焼成することにより、半焼成ＰＴＦＥからなる芯線（以下、半焼成芯線という）を得た。半焼成芯線の直径は２．０ｍｍであった。
【００７７】
誘電率の測定
半焼成芯線を長さ１１０ｍｍに切断し、さらに１９０ｍｍの間隔をあけて１１０ｍｍに切断した。この方法でサンプルを５本準備し、誘電率を測定し、５本のサンプルの誘電率の平均値と、誘電率の標準偏差を求めた。結果を表１に示す。
【００７８】
実験例２〜４
表１に示す温度で焼成した他は、実験例１と同様にして、半焼成芯線を得た。結果を表１に示す。
【００７９】
実験例５
実験例１と同様にして未焼成芯線を得た。
図２に示すとおり、５００ｍｍ角厚み５ｍｍのアルミ板に設けられたφ５０ｍｍ、高さ３０ｍｍのターン端子を使って、未焼成芯線をアルミ板に密着させ、両端を固定した。未焼成芯線が固定されたアルミ板を電気炉に放置して、表１に示す条件で焼成することにより、半焼成芯線を得た。結果を表１に示す。
【００８０】
実験例６
ポリテトラフルオロエチレン（テトラフルオロエチレンホモポリマー、標準比重（ＳＳＧ）２．１７５、融点３４３℃）１９００ｇと、低分子量ＰＴＦＥ（３８０℃におけるフローテスター法による溶融粘度が３２０００Ｐａ・ｓ）１００ｇとを混合して、混合粉を得た。
この混合粉を使用したこと、及び、表１に示す温度で焼成した他は、実験例１と同様にして、半焼成芯線を得た。結果を表１に示す。
【００８１】
実験例７
実験例１と同様にして未焼成芯線を得た。
得られた未焼成芯線を、水平なアルミ板にのせて、電気炉に放置して、表１に示す条件で焼成することにより、半焼成芯線を得た。結果を表１に示す。
実験例７の結果は、焼成収縮を制限せずに焼成すると、誘電率の標準偏差が大きいことを表している。
【００８２】
実験例８
実験例１と同様にして未焼成芯線を得た。
得られた未焼成芯線を、３２９℃のソルトバスに連続的に投入して、５分間焼成することにより、未焼成芯線を得た。結果を表１に示す。
実験例８の結果は、芯線をソルトバスから一定速度で引き出すと、高温の芯線が張力により部分的に、不均一に延伸され、不均一に収縮するため、誘電率の標準偏差が大きいことを表している。
【００８３】
比較例１及び２
表１に示す温度で焼成した他は、実験例１と同様にして、未焼成芯線又は完全焼成芯線を得た。結果を表１に示す。３１０℃焼成の比較例１では、硬度が低く、３５０℃焼成の比較例２は、誘電正接が大きくなった。
【００８４】
【表１】
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【００８５】
実験例９〜１２及び比較例３
表２に示す温度で焼成した他は、実験例１と同様にして、半焼成芯線又は未焼成芯線を得た。
【００８６】
得られた半焼成芯線又は未焼成芯線を６０ｍｍ長さにカットしてサンプルを得た。まず得られたサンプルの誘電率、誘電正接及び硬度を測定する。図３に示すように、得られたサンプル２を、丸棒３ａ及び丸棒３ｂの間に設置する（図３（ａ））。丸棒３ａ及び丸棒３ｂは、いずれも直径が１０ｍｍである。サンプル２を丸棒３ａに巻きつけて、２７０度折り曲げた後（図３（ｂ））、サンプル２を直線上に戻す（図３（ｃ））。次に、サンプル２を丸棒３ｂに巻きつけて、２７０度折り曲げた後（図３（ｄ））、サンプル２を直線上に戻す（図３（ｅ））。これを１回として、１０回繰り返す。そして、誘電率を測定する。結果を表２に示す。
【００８７】
これは、導波線路の屈曲による、反射の増加を定量的に測定するもので、屈曲前後の誘電率変化が少ないほどインピーダンス変化が小さく、そのため、反射損失が小さい。この２７０度往復屈曲による誘電率変化は、０．７％以下であることが好ましく、０．４％以下であることがさらに好ましい。
【００８８】
【表２】
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【００８９】
実験例１３
実験例１で得られた直径２．０ｍｍの半焼成芯線を内層として、外層に内径２．５ｍｍ、外径３．５ｍｍの銅管をかぶせた後、銅管引き伸ばしダイスを使って半焼成芯線と銅管を密着させ、金属管内径が２．０ｍｍのＴＥ０１モードの円柱状誘電体導波線路を得た。
【００９０】
実験例１４
実験例１で得られた直径２．０ｍｍの半焼成芯線の表面に、メッキを行うことで、直径２．０ｍｍのＴＥ０１モードの円柱状誘電体導波線路を得た。
【符号の説明】
【００９１】
１  ステンレスパイプ
２  ＰＴＦＥからなる芯線
３ａ、３ｂ  丸棒
【図１】
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【図２】
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【図３】
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