(57)【要約】【課題】隣接する電極パッド同士が電気的に短絡するのを抑制することが可能な部品内蔵基板を提供すること。【解決手段】絶縁基材１と、絶縁基材１の上に形成された導電パッド２と、はんだ４を介して導電パッド２と接続された部品３と、部品３を覆う樹脂１１とを有し、絶縁基材１と導電パッド２とに孔１ａが設けられ、孔１ａの側面に絶縁基材１が表出している部品内蔵基板による。【選択図】図８
2016207952.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基材と、
前記絶縁基材の上に形成された導電パッドと、
はんだを介して前記導電パッドと接続された部品と、
前記部品を覆う樹脂とを有し、
前記絶縁基材と前記導電パッドとに孔が設けられ、前記孔の側面に前記絶縁基材が表出していることを特徴とする部品内蔵基板。
【請求項２】
前記絶縁基材の下に形成された導電パターンを更に有し、
前記孔が前記導電パターンにより塞がれたことを特徴とする請求項１に記載の部品内蔵基板。
【請求項３】
平面視において、前記孔の全ての部分が前記導電パッドに含まれることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の部品内蔵基板。
【請求項４】
前記孔の直径は、０．０７mm〜０．３mmであることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の部品内蔵基板。
【請求項５】
前記絶縁基材の上方に設けられた最上層の配線と、
はんだバンプを介して前記配線と接続された半導体素子とを有し、
前記はんだバンプの融点が、前記はんだの融点以上の温度であることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の部品内蔵基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、部品内蔵基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
パーソナルコンピュータやサーバ等の電子機器には様々な配線基板が内蔵される。
【０００３】
なかでも、抵抗素子やコンデンサ等の部品が配線基板内に内蔵された部品内蔵基板は、基板表面に部品が表出しないため外形を小さくでき、電子機器の小型化に資することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平７−３０２９７０公報
【特許文献２】特公平６−９３０２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、部品内蔵基板においては、基板内に設けられた電極パッドと部品とをはんだ付けすることにより基板に部品が内蔵される。
【０００６】
しかしながら、基板内においてはんだが濡れ広がると、そのはんだを介して隣接する電極パッド同士が電気的に短絡してしまう。
【０００７】
開示の技術は、上記に鑑みてなされたものであって、隣接する電極パッド同士が電気的に短絡するのを抑制することが可能な部品内蔵基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
以下の開示の一観点によれば、絶縁基材と、前記絶縁基材の上に形成された導電パッドと、はんだを介して前記導電パッドと接続された部品と、前記部品を覆う樹脂とを有し、前記絶縁基材と前記導電パッドとに孔が設けられ、前記孔の側面に前記絶縁基材が表出している部品内蔵基板が提供される。
【発明の効果】
【０００９】
以下の開示によれば、隣接する導電パッド同士がはんだを介して電気的に短絡するのを防ぐことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】図１（ａ）、（ｂ）は、検討に使用した部品内蔵基板の製造途中の断面図（その１）である。
【図２】図２（ａ）、（ｂ）は、検討に使用した部品内蔵基板の製造途中の断面図（その２）である。
【図３】図３は、検討に使用した部品内蔵基板の製造途中の断面図（その３）である。
【図４】図４は、部品の周囲の様子を模式的に示す拡大断面図である。
【図５】図５（ａ）、（ｂ）は、第１実施形態に係る部品内蔵基板の製造途中の断面図（その１）である。
【図６】図６（ａ）、（ｂ）は、第１実施形態に係る部品内蔵基板の製造途中の断面図（その２）である。
【図７】図３（ａ）、（ｂ）は、第１実施形態に係る部品内蔵基板の製造途中の断面図（その３）である。
【図８】図８は、第１実施形態に係る部品内蔵基板の製造途中の断面図（その４）である。
【図９】図９（ａ）、（ｂ）は、第１実施形態に係る部品内蔵基板の製造途中の拡大平面図である。
【図１０】図１０は、第１実施形態において孔の好適な位置について説明するための拡大平面図である。
【図１１】図１１は、第１実施形態において、はんだと樹脂の各々の熱膨張量を計算する際に使用したモデルの断面図である。
【図１２】図１２は、第１実施形態において、それぞれの大きさの電子部品についてはんだの熱膨張量と樹脂の熱膨張量とを計算して得られた表である。
【図１３】図１３は、第１実施形態において、電子部品のそれぞれの大きさに適した孔の直径と、平面視での孔の面積と、孔の体積とを計算して得られた表である。
【図１４】図１４（ａ）、（ｂ）は、第２実施形態に係る部品内蔵基板の製造途中の断面図（その１）である。
【図１５】図１５（ａ）、（ｂ）は、第２実施形態に係る部品内蔵基板の製造途中の断面図（その２）である。
【図１６】図１６は、第２実施形態に係る部品内蔵基板の製造途中の断面図（その３）である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
本実施形態の説明に先立ち、本願発明者が行った検討事項について説明する。
【００１２】
図１〜図３は、検討に使用した部品内蔵基板の製造途中の断面図である。
【００１３】
その部品内蔵基板を製造するには、図１（ａ）に示すように、絶縁基材１の両面に銅膜を形成してなる銅張基材を用意し、その銅膜をパターニングして導電パッド２を形成する。その絶縁基材１として、例えばガラスエポキシ基材を使用する。
【００１４】
次いで、図１（ｂ）に示すように、導電パッド２の上にはんだ４としてはんだペーストを印刷し、更にそのはんだ４の上に部品３を搭載する。その後に、はんだ４を加熱して溶融することにより、はんだ４を介して導電パッド２に部品３を接続する。
【００１５】
部品３としては、例えば抵抗素子、コンデンサ、及びコイル等を使用し得る。
【００１６】
また、はんだ４の材料としては、鉛を含まず環境に優しい鉛フリーはんだを使用するのが好ましく、この例ではSnAgCuはんだを使用する。SnAgCuはんだの融点はその組成比に依存するが、例えば融点が約２２０℃のSn-3Ag-0.5Cuはんだをはんだ４の材料として使用する。
【００１７】
なお、このように部品３が接続される導電パッド２は、フットプリントとも呼ばれる。
【００１８】
次に、図２（ａ）に示す工程について説明する。
【００１９】
まず、上記のようにして部品３が接続された絶縁基材１の上方に、第１の多層配線基材７と第２の多層配線基材８とを配する。
【００２０】
これらの多層配線基材７、８は、いずれも絶縁層９と配線１０とを交互に積層してなるものであって、絶縁層９としては例えばエポキシ樹脂の樹脂シートを使用し、配線１０としては例えば銅めっき層を形成し得る。
【００２１】
そして、第１の多層配線基材７の表面には、熱硬化性の樹脂１１としてプリプレグが貼付されている。更に、樹脂１１と第１の多層配線基材７には、部品３が収容される大きさの開口７ａが機械加工により形成される。
【００２２】
樹脂１１は、例えば熱硬化性のエポキシ樹脂であって、第１の多層配線基材７と第２の多層配線基材８との間にも配される。なお、この時点では樹脂１１は硬化しておらず未硬化の状態である。
【００２３】
次に、図２（ｂ）に示すように、上記の絶縁基材１、第１の多層配線基材７、第２の多層配線基材８、及び樹脂１１を積層した後、これらを加熱しながら加圧することにより、樹脂１１を熱硬化させる。
【００２４】
本工程での樹脂１１の最高温度は、樹脂１１が熱硬化する１８０℃〜２００℃程度である。この温度は前述のはんだ４の融点よりも低いため、本工程でははんだ４は溶融しない。
【００２５】
また、このように加圧することで開口７ａ内に樹脂１１が浸み出し、その樹脂１１によって開口７ａが充填される。
【００２６】
次に、図３に示すように、最上層の配線１０の上にはんだバンプ１６を介して半導体素子１７を搭載する。この例では、そのはんだバンプ１６として、前述のはんだ４と同じ組成比と融点のSn-3Ag-0.5Cuはんだを使用する。
【００２７】
そして、はんだバンプ１６を加熱してリフローすることにより、はんだバンプ１６で配線１０に半導体素子１７を接続する。
【００２８】
以上により、この例に係る部品内蔵基板１８の基本構造が完成する。
【００２９】
この部品内蔵基板１８においては、基板表面に部品３が表出しないため外形を小さくでき、部品内蔵基板１８を備えたサーバ等の電子機器を小型化することができる。
【００３０】
ところで、上記した部品内蔵基板１８の製造方法によれば、図３の工程ではんだバンプ１６を溶融させる際の熱により、はんだ４や樹脂１１も加熱される。
【００３１】
図４は、このときの部品３の周囲の様子を模式的に示す拡大断面図である。
【００３２】
前述のように、はんだバンプ１６とはんだ４の各々の融点は同じであるため、はんだ１６を加熱して溶融させると、はんだ４も溶融する。更に、その熱によってはんだ４の周囲の樹脂１１が熱膨張する。
【００３３】
これにより、溶融したはんだ４がその周囲の樹脂１１から圧力を受け、樹脂１１と絶縁基材１との界面に沿ってはんだ４が横方向に濡れ広がるようになる。そして、最悪の場合には、横方向に隣接する導電パッド２同士がはんだ４を介して電気的に短絡してしまう。
【００３４】
このような現象ははんだフラッシュと呼ばれ、部品内蔵基板１８の歩留まりを低下させる一因となる。
【００３５】
はんだフラッシュを抑制するために本願発明者は幾つかの対策を検討したが、いずれの対策にも問題がある。
【００３６】
例えば、はんだ４の材料として、はんだバンプ１６の材料であるSn-3Ag-0.5Cuはんだよりも融点が高い材料を使用することも考えられる。これにより、図３の工程ではんだバンプ１６をリフローしても、融点が高いはんだ４は溶融しないので、前述のはんだフラッシュは防止できる。
【００３７】
しかし、これでは図１（ｂ）の工程ではんだ４を溶融させるためにはんだ４を高温に加熱しなければならず、加熱による絶縁基材１と導電パッド２との熱膨張量の差が顕著に現れて、絶縁基材１に亀裂等のダメージが入ってしまう。
【００３８】
これとは逆に、はんだバンプ１６の材料として、はんだ４のSn-3Ag-0.5Cuよりも融点が低いはんだを使用し、はんだバンプ１６のリフロー時にはんだ４が溶融しないようにすることも考えられる。但し、Sn-3Ag-0.5Cuよりも融点が低いはんだは機械的に脆弱であるため、そのようなはんだをはんだバンプ１６に使用したのでは、配線１０と半導体素子１７との接続強度が低下するおそれがある。
【００３９】
また、はんだ４の材料として、一度溶融した後にその融点が上昇する材料を使用することも考えられる。
【００４０】
例えば、はんだに銅粉を含有させたはんだペーストにおいては、最初に溶融したときに銅粉の一部がはんだに溶け出すことで、はんだにおける銅の組成比が高くなる。これにより、次にはんだを溶融させるには、最初に溶融させたときよりも高温を要することになり、図３の工程ではんだバンプ１６をリフローさせる際にはんだ４が溶融しないと考えられる。
【００４１】
しかし、はんだ４の融点が上昇する程度は僅かであるため、図３の工程ではんだバンプ１６をリフローするときにバンプ４が溶融し、前述のはんだフラッシュが発生するおそれがある。
【００４２】
このようにはんだ４の材料を変えるのではなく、図２（ｂ）の工程前に開口７ａ内に接着剤を充填しておき、その接着剤を硬化させておくことも考えられる。これによれば、はんだ４の周囲が接着剤で固められるので、図３の工程ではんだ４が溶融したとしても、はんだ４が横方向に濡れ広がるのを防止できると考えられる。
【００４３】
しかし、これでは開口７ａ内に接着剤を充填する工程の分だけ工程数が増えてしまい、部品内蔵基板１８の製造コストが上昇してしまう。しかも、開口７ａの容積と同じ体積の接着剤を定量してそれを開口７ａに充填するのは技術的に難しい。
【００４４】
以下に、前述のはんだフラッシュを抑制することが可能な各実施形態について説明する。
【００４５】
（第１実施形態）
本実施形態では、以下のようにして部品内蔵基板ではんだフラッシュが発生するのを抑制する。
【００４６】
図５〜図８は、本実施形態に係る部品内蔵基板の製造途中の断面図である。また、図９（ａ）、（ｂ）は、本実施形態に係る部品内蔵基板の製造途中の拡大平面図である。
【００４７】
なお、図５〜図９において、図１〜図４において説明したのと同じ要素にはこれらの図におけるのと同じ符号を付し、以下ではその説明を省略する。
【００４８】
まず、図５（ａ）に示すように、絶縁基材１の両面に厚さが１２μm〜３５μm程度の銅膜を形成してなる銅張基材を用意し、その銅膜をパターニングして導電パッド２を形成する。
【００４９】
絶縁基材１の材料や厚さは特に限定されない。この例では絶縁基材１として厚さが約０．０６mm〜０．２mm程度のガラスエポキシ基材を使用する。
【００５０】
次に、図５（ｂ）に示すように、ドリル加工により導電パッド２と絶縁基材１の各々に孔１ａを形成する。
【００５１】
なお、ドリル加工に代えてレーザ加工により孔１ａを形成してもよい。この場合は、図５（ａ）のパターニングの際に孔１ａに相当する部位の導電パッド２を予め除去しておき、レーザ加工では絶縁基材１のみに孔１ａを形成すればよい。
【００５２】
また、本実施形態では孔１ａの側面には金属膜等を形成せずに、その孔１ａから絶縁基材１の材料が露出したままにする。
【００５３】
図９（ａ）は、本工程を終了した時点での孔１ａとその周囲の拡大平面図である。
【００５４】
図９（ａ）に示すように、孔１ａは、概略円形の平面形状を有すると共に、その全ての部分が平面視で導電パッド２に含まれる。
【００５５】
次いで、図６（ａ）に示すように、絶縁基材１の上方にメタルマスク１９を配する。
【００５６】
そのメタルマスク１９において導電パッド２に対応した位置には開口１９ａが形成されており、その開口１９ａが導電パッド２に重なるようにメタルマスク１９の位置を調節する。
【００５７】
そして、印刷法により、開口１９ａ内の導電パッド２の上にはんだ４としてはんだペーストを印刷する。
【００５８】
そのはんだ４としては、鉛を含まず環境に優しい鉛フリーはんだを使用するのが好ましく、この例ではSnAgCuはんだを使用する。このSnAgCuはんだの融点も特に限定されないが、融点が約２２０℃と低く溶融時に絶縁基材１にダメージを与えないSn-3Ag-0.5Cuを使用する。
【００５９】
図９（ｂ）は、本工程を終了した時点での孔１ａとその周囲の拡大平面図である。
【００６０】
図９（ｂ）に示すように、メタルマスク１９にはアイランド１９ｂが設けられており、そのアイランド１９ｂにより孔１ａが塞がれる。これにより、孔１ａにはんだ４が入るのを防止しながら、孔１ａの周囲にのみはんだ４を印刷することができる。
【００６１】
続いて、図６（ｂ）に示すように、はんだ４の上に部品３を搭載した後、はんだ４を約２２０℃の温度に加熱して溶融させることにより、はんだ４を介して導電パッド２に部品３を接続する。その部品３としては、例えば、抵抗素子、コンデンサ、及びコイル等を使用し得る。
【００６２】
このようにはんだ４が溶融しても、孔１ａの側面にははんだの濡れ性が悪い絶縁基材１の絶縁材料が露出しているため、孔１ａの中にははんだ４は殆ど入り込まない。
【００６３】
次いで、図７（ａ）に示すように、絶縁基材１の上方に図２（ａ）で説明した第１の多層配線基材７、樹脂１１、及び第２の多層配線基材８をこの順に配する。
【００６４】
図２（ａ）において説明したように、第１の多層配線基材７の表面には樹脂１１としてプリプレグが貼付されており、その樹脂１１と第１の多層配線基材７には部品３が収まる大きさの開口７ａが形成される。
【００６５】
樹脂１１として使用されるプリプレグは、例えば熱硬化性のエポキシ樹脂であって、この時点では未硬化の状態である。その樹脂１１の厚さも特に限定されないが、ここでは樹脂１１の厚さを０．０６mm〜０．２mm程度とする。
【００６６】
更に、絶縁層９や配線１０の厚さも特に限定されない。絶縁層９は、例えば厚さが０．０６mm〜０．２mm程度のエポキシ樹脂の樹脂シートである。また、配線１０は、例えば厚さが１２μm〜３５μm程度の銅めっき層である。
【００６７】
そして、図７（ｂ）に示すように、上記の絶縁基材１、第１の多層配線基材７、樹脂１１、及び第２の多層配線基材８を積層することにより、開口７ａ内に部品３を収容しつつ、第２の多層配線基材８で開口７ａを塞ぐ。
【００６８】
その後に、絶縁基材１、第１の多層配線基材７、樹脂１１、及び第２の多層配線基材８を加熱しながら加圧することにより、樹脂１１を熱硬化させる。
【００６９】
本工程での樹脂１１の最高温度は、樹脂１１が熱硬化する１８０℃〜２００℃程度である。この温度は前述のはんだ４の融点よりも低いため、本工程でははんだ４は溶融しない。
【００７０】
また、このように加圧することで開口７ａ内に樹脂１１が浸み出し、その樹脂１１によって開口７ａが充填される。
【００７１】
次に、図８に示すように、最上層の配線１０の上にはんだバンプ１６を介して半導体素子１７を搭載する。
【００７２】
はんだバンプ１６の材料は特に限定されない。但し、前述のようにはんだ４よりも低融点のはんだは機械的に脆弱であり、そのような低融点のはんだをバンプ１６に使用すると半導体素子１７と配線１０との接続強度が低下するおそれがある。
【００７３】
半導体素子１７と配線１０との接続強度を高めるには、はんだ４の融点以上の融点のはんだをはんだバンプ１６の材料として用いるのが好ましい。この点に鑑み、本実施形態においては、はんだ４と同じ材料で同じ融点（約２２０℃）のSn-3Ag-0.5Cuをはんだバンプ１６の材料として使用する。
【００７４】
そして、はんだバンプ１６を約２２０℃の温度に加熱してリフローすることにより、はんだバンプ１６で配線１０に半導体素子１７を接続する。
【００７５】
そのリフローにより、はんだバンプ１６と同じ融点のはんだ４が溶融すると共に、はんだ４の周囲の樹脂１１が熱膨張をする。これによりはんだ４が周囲の樹脂１１から圧力を受けることになるが、本実施形態では溶融したはんだ４が孔１ａに逃げるので、溶融したはんだ４が横方向に濡れ広がらない。その結果、横方向に隣接する導電パッド２同士がはんだ４を介して電気的に短絡するはんだフラッシュを抑制することが可能となる。
【００７６】
しかも、はんだの濡れ性が悪い絶縁基材１が孔１ａの側面に表出していたため、本工程の前に孔１ａがはんだ４で事前に埋まってしまうのを防止でき、本工程で孔１ａにはんだが逃げる余地を残しておくことができる。
【００７７】
以上により、本実施形態に係る部品内蔵基板２５の基本構造が完成する。
【００７８】
上記した本実施形態によれば、前述のように溶融したはんだ４を孔１ａに逃がすことができるので、はんだフラッシュを抑制することができる。
【００７９】
なお、この例では一つの導電パッド２に設ける孔１ａの個数を１個としているが、一つの導電パッド２に複数の孔１ａを設けることにより、孔１ａに逃げるはんだ４の量を多くしてもよい。
【００８０】
次に、はんだフラッシュを効果的に抑制することが可能な孔１ａの位置について説明する。
【００８１】
図１０は、孔１ａの好適な位置について説明するための拡大平面図であって、図６（ｂ）の工程ではんだ４を介して導電パッド２に部品３を接続した直後の様子を示す。
【００８２】
但し、図９（ａ）とは異なり、図１０の例では平面視で孔１ａの一部が導電パッド２からはみ出している。
【００８３】
はみ出した部分の孔１ａの上には部品３やはんだ４が存在しない。これでは図７（ｂ）の工程で樹脂１１を加圧したときに、導電パッド２からはみ出した部分の孔１ａに樹脂１１が浸入してしまい、樹脂１１で孔１ａが塞がってしまう。その結果、図８の工程で溶融したはんだ４が孔１ａに逃げることができず、前述のはんだフラッシュが発生する可能性が高くなる。
【００８４】
一方、本実施形態では図９（ａ）のように孔１ａの全ての部分が導電パッド２の内側に位置するので、孔１ａの全ての部分がはんだ４で覆われるようになり、孔１ａに樹脂１１が浸入するのを防止できる。
【００８５】
更に、本願発明者は、はんだフラッシュを効果的に抑制することが可能な孔１ａの直径について検討した。
【００８６】
その検討においては、はんだ４と樹脂１１の各々の熱膨張量を計算した。
【００８７】
図１１は、その計算に使用したモデルの断面図である。
【００８８】
このモデルでは、絶縁基材１の厚さをTとし、孔１ａの直径をDとした。また、部品３の高さをＺ、部品３の長さをYとした。
【００８９】
部品３の大きさは、長さYと高さZの組み合わせでY×Zと表される。ここでは、大きさY×Zが０．６mm×０．３mm、１．０mm×０．５mm、１．６mm×０．８mm、２．０mm×１．２mmの四種類を用いた。
【００９０】
図１２は、これらの大きさの電子部品３の各々について、（１）はんだ４の熱膨張量ΔVsと、（２）樹脂１１の熱膨張量ΔVrとを計算して得られた表である。なお、各熱膨張量は、温度が２０℃から２２５℃に高められた場合の計算値である。これは、はんだ４と樹脂１１の各々の温度が、室温（２０℃）から図８のリフローの温度（約２２０℃）に高められた場合の熱膨張量に略等しい。
【００９１】
なお、はんだ４の熱膨張率は２１ppm／℃とし、樹脂１１の熱膨張量は６０ppm／℃とした。
【００９２】
そして、上記の（１）はんだ４の熱膨張量ΔVsと、（２）樹脂１１の熱膨張量ΔVrとの合計値（ΔVs+ΔVr）が、（３）孔１ａへのはんだ４のはみ出し量ΔVhとなる。
【００９３】
なお、図１２においては、参考のために、電子部品３のそれぞれの大きさに適した導電パッド２の平面視での面積Scも併記している。
【００９４】
一方、図１３は、上記した電子部品３のそれぞれの大きさに適した孔１ａの直径Dと、平面視での孔１ａの面積Shと、孔１ａの体積Vとを計算して得られた表である。計算に際しては、絶縁基材１の厚さTを、実用に耐え得る厚さのうちで最も薄い０．０６mmとした。
【００９５】
ここで、孔１ａの体積Vがはみ出し量ΔVh（図１２参照）よりも小さいと、孔１ａの全てがはんだ４で充填されてしまい、はんだ４の熱膨張を孔１ａで吸収するのが難しくなるおそれがある。この問題は、部品３とは反対側の孔１ａが塞がれている場合に顕在化する。
【００９６】
これを防ぐには、孔１ａの体積Vをはみ出し量ΔVh以上（ΔVh≦V）とし、孔１ａの全てがはんだ４で充填されるのを防止するのが好ましい。
【００９７】
図１２、図１３によれば、孔１ａの直径Dが０．０７mm以上である場合にΔVh≦Vとなっている。よって、直径Dを０．０７mm以上とすることで、孔１ａの全てがはんだ４で充填されるのを防ぐことができる。これは、孔１ａの面積Shを導電パッド２の面積Scの４％以上とすることに相当する。
【００９８】
一方、直径Dが大きすぎると、導電パッド２にはんだ４が接合している部分の面積が小さくなるため、導電パッド２と部品３との接続強度が低下するおそれがある。このように接続強度が低下するのを防止するには、直径Dを０．３mm以下とするのが好ましい。なお、孔１ａと導電パッド２の各々の面積比では、孔１ａの面積Shを導電パッド２の面積Scの２０％以下にすることで、このような接続強度の低下を抑制することができる。
【００９９】
（第２実施形態）
本実施形態では、以下のようにして部品内蔵基板に配線を密に形成する。
【０１００】
図１４〜図１６は、本実施形態に係る部品内蔵基板の製造途中の断面図である。なお、図１４〜図１６において、第１実施形態で説明したのと同じ要素には第１実施形態におけるのと同じ符号を付し、以下ではその説明を省略する。
【０１０１】
まず、図１４（ａ）に示すように、絶縁基材１の両面に銅膜を形成してなる銅張基材を用意し、絶縁基材１の一方の面側の銅膜をパターニングして導電パッド２を形成すると共に、絶縁基材１の他方の面側の銅膜をパターニングして導電パターン２ａを形成する。
【０１０２】
なお、本実施形態ではそのパターニングの際に導電パッド２に孔１ａを形成しておく。
【０１０３】
次に、図１４（ｂ）に示すように、絶縁基材１の他方の面側に絶縁層９として樹脂シートを貼付した後、更にその絶縁層９の上に銅めっき膜を形成し、その銅めっき膜をパターニングすることで、厚さが１２μm〜３５μm程度の配線２１を形成する。
【０１０４】
なお、その絶縁層９としては例えば厚さが０．０６mm〜０．２mm程度のエポキシ樹脂の樹脂シートを使用し得る。
【０１０５】
そして、図１５（ａ）に示すように、導電パッド２の孔１ａを通じて絶縁基材１にエキシマレーザ等を照射することにより、絶縁基材１にも孔１ａを形成する。
【０１０６】
そのレーザの出力は、樹脂を材料とする絶縁基材１が蒸発するように設定されており、導電パターン２ａを蒸発させるのには不十分である。よって、本工程ではレーザによって導電パターン２ａは開口せず、孔１ａが導電パターン２ａで塞がれた構造が得られる。
【０１０７】
次に、図１５（ｂ）に示すように、第１実施形態と同様にしてはんだ４を介して導電パッド２に部品３を接続する。
【０１０８】
この後は、第１実施形態で説明した図７（ａ）〜図８の工程を行うことにより、図１６に示す本実施形態に係る部品内蔵基板３０の基本構造を得る。
【０１０９】
上記した本実施形態によれば、図１５（ａ）に示したように導電パターン２ａで孔１ａを塞ぐ。その導電パターン２ａの下の絶縁層９にも孔１ａが形成されていると、絶縁層９上で配線２１を引き回すのが孔１ａで阻害されてしまうが、このように孔１ａを塞ぐことで配線２１を引き回す自由度が増え、配線２１を高い密度で形成することが可能となる。
【０１１０】
以上説明した各実施形態に関し、更に以下の付記を開示する。
【０１１１】
（付記１）  絶縁基材と、
前記絶縁基材の上に形成された導電パッドと、
はんだを介して前記導電パッドと接続された部品と、
前記部品を覆う樹脂とを有し、
前記絶縁基材と前記導電パッドとに孔が設けられ、前記孔の側面に前記絶縁基材が表出していることを特徴とする部品内蔵基板。
【０１１２】
（付記２）  前記絶縁基材の下に形成された導電パターンを更に有し、
前記孔が前記導電パターンにより塞がれたことを特徴とする付記１に記載の部品内蔵基板。
【０１１３】
（付記３）  前記絶縁基材と前記導電パターンの各々の上に形成された絶縁層と、
前記絶縁層の上に形成された配線とを更に有することを特徴とする付記２に記載の部品内蔵基板。
【０１１４】
（付記４）  平面視において、前記孔の全ての部分が前記導電パッドに含まれることを特徴とする付記１乃至付記３のいずれかに記載の部品内蔵基板。
【０１１５】
（付記５）  前記孔の直径は、０．０７mm〜０．３mmであることを特徴とする付記１乃至付記４のいずれかに記載の部品内蔵基板。
【０１１６】
（付記６）  前記絶縁基材の上方に設けられた最上層の配線と、
はんだバンプを介して前記配線と接続された半導体素子とを有し、
前記はんだバンプの融点が、前記はんだの融点以上の温度であることを特徴とする付記１乃至付記５のいずれかに記載の部品内蔵基板。
【０１１７】
（付記７）  前記絶縁基材の上に設けられ、前記部品を収容する開口を備えた第１の配線基材を有し、
前記樹脂が前記開口内に充填されたことを特徴とする付記１乃至付記６のいずれかに記載の部品内蔵基板。
【０１１８】
（付記８）  前記第１の配線基材の上に設けられ、前記開口を塞ぐ第２の配線基材を更に有することを特徴とする付記７に記載の部品内蔵基板。
【０１１９】
（付記９）  前記樹脂は、熱硬化性樹脂であることを特徴とする付記１乃至付記８のいずれかに記載の部品内蔵基板。
【符号の説明】
【０１２０】
１…絶縁基材、１ａ…孔、２…導電パッド、３…部品、４…はんだ、７…第１の多層配線基材、７ａ…開口、８…第２の多層配線基材、９…絶縁層、１０…配線層、１１…樹脂、１６…はんだバンプ、１７…半導体素子、１８、２５、３０…部品内蔵基板、１９…メタルマスク、１９ａ…開口、１９ｂ…アイランド、２１…配線。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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