(57)【要約】【課題】少ない数の温度センサで、高精度な温度補正を行うことができる電流検出装置、及び電流検出方法を提供する。【解決手段】並列して設置された複数の電流路１，２，３と、各電流路に対応して設けられ、各電流路を流れる電流により発生する磁界の強度を検出する磁気検出素子１５，１６を有する磁気検出部１１，１２，１３と、磁気検出部の温度を検出する温度センサ１４と、温度センサの検出結果に基づき、磁気検出素子の出力を補正する補正回路１７と、補正回路により補正された出力から、各電流路を流れる電流の大きさを検出する検出回路１８と、を備える。磁気検出部１１，１２，１３及び温度センサ１４は、複数の電流路１，２，３の一部と共に、モールドパッケージ２０／２１／２４に収納され、磁気検出部１１，１２，１３の数よりも少ない数の温度センサ１４が設けられている。【選択図】図２Ｂ
2016099292.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
並列して設置された複数の電流路と、
各電流路に対応して設けられ、各電流路を流れる電流により発生する磁界の強度を検出する磁気検出素子を有する磁気検出部と、
前記磁気検出部の温度を検出する温度センサと、
前記温度センサの検出結果に基づき、前記磁気検出素子の出力を補正する補正回路と、
前記補正回路により補正された出力から、各電流路を流れる電流の大きさを検出する検出回路と、を備え、
前記磁気検出部及び前記温度センサは、前記複数の電流路の一部と共に、モールドパッケージに収納され、
前記磁気検出部の数よりも少ない数の前記温度センサが設けられた、
電流検出装置。
【請求項２】
前記温度センサは、前記モールドパッケージ内の前記複数の電流路の設置範囲内の温度分布において、温度がほぼ中間値となる位置に配置された、
請求項１に記載の電流検出装置。
【請求項３】
前記モールドパッケージは、熱伝導性が高い高放熱部と、前記高放熱部よりも熱伝導性が低い低放熱部とを有し、前記低放熱部を、前記複数の電流路の並列方向の端部に有する、
請求項１又は２に記載の電流検出装置。
【請求項４】
前記低放熱部は、前記高放熱部に比べて、封止材の充填率が低い構造である、
請求項３に記載の電流検出装置。
【請求項５】
前記モールドパッケージ内の温度を均一化する熱伝導材が、前記モールドパッケージに収納された、
請求項１乃至４のいずれか１項に記載の電流検出装置。
【請求項６】
前記磁気検出部及び前記温度センサは、前記熱伝導材と接触して設けられた、
請求項５に記載の電流検出装置。
【請求項７】
前記電流路を、３つ以上備え、
前記温度センサが、前記磁気検出部の数よりも少ない数の２つ以上設けられた、
請求項１乃至６のいずれか１項に記載の電流検出装置。
【請求項８】
並列して設置された複数の電流路の、各電流路に対応して、各電流路を流れる電流により発生する磁界の強度を検出する磁気検出素子を有する磁気検出部を設け、
前記磁気検出部の温度を検出する温度センサを、前記磁気検出部の数よりも少ない数だけ設け、
前記磁気検出部及び前記温度センサを、前記複数の電流路の一部と共に、モールドパッケージに収納し、
１つの前記温度センサの検出結果に基づき、２つ以上の前記磁気検出部の磁気検出素子の出力を補正して、
補正した出力から、各電流路を流れる電流の大きさを検出する、
電流検出方法。
【請求項９】
前記温度センサを、前記モールドパッケージ内の前記複数の電流路の設置範囲内の温度分布において、温度がほぼ中間値となる位置に配置する、
請求項８に記載の電流検出方法。
【請求項１０】
前記モールドパッケージに、熱伝導性が高い高放熱部と、前記高放熱部よりも熱伝導性が低い低放熱部とを設け、
前記低放熱部を、前記モールドパッケージの、前記複数の電流路の並列方向の端部に設ける、
請求項８又は９に記載の電流検出方法。
【請求項１１】
前記低放熱部を、前記高放熱部に比べて、封止材の充填率が低い構造とする、
請求項１０に記載の電流検出方法。
【請求項１２】
熱伝導材を、前記モールドパッケージに収納して、前記モールドパッケージ内の温度を均一化する、
請求項８乃至１１のいずれか１項に記載の電流検出方法。
【請求項１３】
前記磁気検出部及び前記温度センサを、前記熱伝導材と接触させて設ける、
請求項１２に記載の電流検出方法。
【請求項１４】
前記電流路を、３つ以上設け、
前記温度センサを、前記磁気検出部の数よりも少ない数の２つ以上設ける、
請求項８乃至１３のいずれか１項に記載の電流検出方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気検出素子を用いて電流路に流れる電流を検出する電流検出装置、及び電流検出方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、ハイブリット車や電気自動車等におけるモータ駆動技術等の分野では、比較的大きな電流が取り扱われるため、大電流を非接触で測定可能な電流検出装置が要求されている。このような電流検出装置として、磁気検出素子を用い、被測定電流によって生じた磁界の強度を検出して、被測定電流の大きさを検出するものがある。磁気検出素子としては、ホール効果を利用したホール素子や、異方性磁気抵抗効果（ＡＭＲ：Anisotropic Magneto-Resistive effect）を利用したＡＭＲ素子、巨大磁気抵抗効果（ＧＭＲ：Giant Magneto-Resistive effect）を利用したＧＭＲ素子、トンネル磁気抵抗効果（ＴＭＲ：Tunnel Magneto-Resistive effect）を用いたＴＭＲ素子等がある。
【０００３】
電流路に電流が流れると、電流路にはジュール熱が発生し、その熱が磁気検出素子へ伝わって、磁気検出素子の温度が変動する。磁気検出素子は、温度によって出力が変化するため、温度センサにより温度を検出して、磁気検出素子の出力を補正する必要がある。従来、磁気検出素子が磁気抵抗効果素子である場合に、磁気抵抗効果素子のバイアス磁石と、バイアス磁石の温度を測定する温度センサとを収納部に収納し、温度センサの出力信号に基づいて、磁気検出素子の出力信号の温度特性を補正することが行われていた（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１３−２４２３０１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
３相モータへ電流を供給する電流路等のように、複数の電流路が並列して設置される場合、１つの温度センサでは、各電流路に対応して設けられる各磁気検出素子の温度を、精度良く検出することができない。各磁気検出素子の温度を精度良く検出して、高精度な温度補正を行うためには、温度センサを各電流路の各磁気検出素子に対応して設ける必要があり、温度センサの数が増加して、装置のコストが増大するという問題があった。
【０００６】
本発明は、少ない数の温度センサで、高精度な温度補正を行うことができる電流検出装置、及び電流検出方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、上記課題を解決することを目的として、並列して設置された複数の電流路と、各電流路に対応して設けられ、各電流路を流れる電流により発生する磁界の強度を検出する磁気検出素子を有する磁気検出部と、磁気検出部の温度を検出する温度センサと、温度センサの検出結果に基づき、磁気検出素子の出力を補正する補正回路と、補正回路により補正された出力から、各電流路を流れる電流の大きさを検出する検出回路と、を備え、磁気検出部及び温度センサは、複数の電流路の一部と共に、モールドパッケージに収納され、磁気検出部の数よりも少ない数の温度センサが設けられた、電流検出装置を提供する。
【０００８】
また、本発明は、上記課題を解決することを目的として、並列して設置された複数の電流路の、各電流路に対応して、各電流路を流れる電流により発生する磁界の強度を検出する磁気検出素子を有する磁気検出部を設け、磁気検出部の温度を検出する温度センサを、磁気検出部の数よりも少ない数だけ設け、磁気検出部及び温度センサを、複数の電流路の一部と共に、モールドパッケージに収納し、１つの温度センサの検出結果に基づき、２つ以上の磁気検出部の磁気検出素子の出力を補正して、補正した出力から、各電流路を流れる電流の大きさを検出する、電流検出方法を提供する。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、少ない数の温度センサで、各磁気検出部の温度を精度良く検出して、高精度な温度補正を行うことができる。従って、装置のコストを低減しながら、電流路を流れる電流により発生する磁界を高精度に検出して、電流路を流れる電流を精度良く検出することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の実施の形態に係る電流検出装置の磁気検出部の構成を示す図である。
【図２Ａ】本発明の第１の実施の形態に係る電流検出装置の斜視図である。
【図２Ｂ】図２ＡのＡ−Ａ線断面図である。
【図３】モールドパッケージ内の温度分布の一例を示す図である。
【図４Ａ】本発明の第２の実施の形態に係る電流検出装置の斜視図である。
【図４Ｂ】図４ＡのＢ−Ｂ線断面図である。
【図５Ａ】本発明の第３の実施の形態に係る電流検出装置の斜視図である。
【図５Ｂ】図５ＡのＣ−Ｃ線断面図である。
【図６Ａ】本発明の第４の実施の形態に係る電流検出装置の斜視図である。
【図６Ｂ】図６ＡのＤ−Ｄ線断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
（磁気検出部の構成）
図１は、本発明の実施の形態に係る電流検出装置の磁気検出部の構成を示す図である。電流検出装置の磁気検出部１１，１２，１３は、２つの磁気検出素子１５，１６を有するハーフブリッジ構造となっている。各磁気検出素子１５，１６は、ＧＭＲ素子からなり、電流路を流れる電流により発生する磁界の強度を検出する。
【００１２】
ＧＭＲ素子は、ホール素子に比べて、高感度である。より具体的には、ホール素子の最小磁界検出感度は０．５Ｏｅ（空気中での磁束密度に換算して０．０５ｍＴ）であるのに対し、ＧＭＲ素子では０．０２Ｏｅ（空気中での磁束密度に換算して０．００２ｍＴ）である。また、ＧＭＲ素子は、例えばホール素子等の他の磁気検出素子に比べて、応答速度が速い。そして、ＧＭＲ素子は、例えば磁界の変化を捉えるコイル等とは異なり、磁界そのものを直接検出するため、磁界の微小な変化にも敏感に対応することが可能である。従って、各磁気検出素子１５，１６としてＧＭＲ素子を用いることにより、電流路を流れる電流により発生した磁界の検出精度が向上する。
【００１３】
磁気検出素子１５と磁気検出素子１６とは、直列に接続されており、矢印で示す感磁軸の方向が、互いに逆方向となるように配置されている。磁気検出素子１５側の端子には、駆動電圧＋Ｖｃｃ／２が印加され、磁気検出素子１６側の端子には、駆動電圧−Ｖｃｃ／２が印加される。そして、磁気検出素子１５と磁気検出素子１６との接続点から、出力信号が出力される。補正回路１７は、温度センサ１４の検出結果に基づき、出力信号の温度補正を行う。検出回路１８は、補正回路１７により補正された出力信号から、電流路を流れる電流の大きさを検出する。
【００１４】
磁気検出素子１５，１６及び補正回路１７は、１つのチップ内に配置されている。しかしながら、磁気検出素子１５と磁気検出素子１６とを、別々のチップに配置してもよい。また、補正回路１７を、チップの外に設けてもよい。あるいは、検出回路１８を、チップ内に配置してもよい。
【００１５】
磁気検出部１１，１２，１３には、ＧＭＲ素子に対するバイアス磁界を発生するバイアスコイルが設けられているが、図１では、バイアスコイルの図示が省略されている。なお、磁気検出部１１，１２，１３は、４つの磁気検出素子を有するフルブリッジ構造としてもよい。
【００１６】
［第１の実施の形態］
図２Ａは、本発明の第１の実施の形態に係る電流検出装置の斜視図である。図２Ａは、３本の電流路１，２，３を備えた３相の電流路を示しており、電流路１，２，３が並列して設置されている。各電流路１，２，３は、３相のＵ相、Ｖ相、又はＷ相のいずれかに対応している。各電流路１，２，３は、平板状のバスバーであり、バスバーの幅方向が、電流路１，２，３の並列方向と一致している。なお、バスバーの幅方向を、電流路１，２，３の並列方向と直交させてもよい。
【００１７】
電流路１，２，３には、電流路１，２，３の一部を収納するモールドパッケージ２０が設けられている。モールドパッケージ２０の封止材には、エポキシ樹脂等の耐熱性樹脂や、アルミナ等のセラミック材料の中で、熱伝導率の高いものが使用されている。従来の封止材の分子構造を変えたり、ポリカーボネート等のベース樹脂に添加剤として充填材（フィラー）を混入したりして、熱伝導性を向上させたものであってもよい。
【００１８】
図２Ｂは、図２ＡのＡ−Ａ線断面図である。モールドパッケージ２０内には、各電流路１，２，３に対応して、磁気検出部１１，１２，１３がそれぞれ設けられている。磁気検出部１１は、対応する電流路１を流れる電流により発生する磁界の強度を検出する。磁気検出部１２は、対応する電流路２を流れる電流により発生する磁界の強度を検出する。磁気検出部１３は、対応する電流路３を流れる電流により発生する磁界の強度を検出する。
【００１９】
磁気検出部１１，１２，１３が、複数の電流路１，２，３の一部と共に、モールドパッケージ２０に収納されているので、各電流路１，２，３から発生する熱がモールドパッケージ２０の封止材に伝わり、モールドパッケージ２０内の温度がほぼ同じとなる。従って、各磁気検出部１１，１２，１３の温度差が小さくなる。
【００２０】
モールドパッケージ２０内には、温度センサ１４が設けられている。本実施の形態では、温度センサ１４は、磁気検出部１１，１２，１３に共通に設けられており、磁気検出部１１，１２，１３の高さと同じ高さに配置されている。各磁気検出部１１，１２，１３の補正回路１７は、１つの温度センサ１４の検出結果に基づき、各磁気検出部１１，１２，１３の磁気検出素子１５，１６の出力を補正する。少ない数の温度センサ１４で、各磁気検出部１１，１２，１３の温度が精度良く検出され、高精度な温度補正が行われる。
【００２１】
図３は、モールドパッケージ内の温度分布の一例を示す図である。図３の横軸は、破線で示す電流路２の中心を通る位置から、電流路１，２，３の並列方向へ離れた位置までの距離を示し、縦軸は、電流路１，２，３の上側又は下側の所定の高さにおける温度を示している。モールドパッケージ２０内の温度は、電流路２の中心を通る位置で最大となり、電流路２の中心から離れるに従って、徐々に低下する。そして、電流路１，２，３の設置範囲（図３において、破線で示す電流路１の左端から、破線で示す電流路３の右端までの範囲）を外れると、温度の低下が大きくなる。電流路１，２，３の設置範囲内における、温度の最大値をＴｍａｘ、最小値をＴｍｉｎ、それらの中間値をＴａとすると、温度センサ１４は、モールドパッケージ２０内の複数の電流路１，２，３の設置範囲内の温度分布において、温度がほぼ中間値Ｔａとなる位置に配置されている。
【００２２】
電流路が３つ配置される本実施形態の場合、温度が中間値Ｔａとなる位置は、電流路１と電流路２との間の中心から電流路１側にずれた位置と、電流路２と電流路３との間の中心から電流路３側にずれた位置である。
【００２３】
温度センサ１４を、モールドパッケージ２０内の複数の電流路１，２，３の設置範囲内の温度分布において、温度がほぼ中間値となる位置に配置するので、温度センサ１４が検出する温度と、各磁気検出部１１，１２，１３の実際の温度との差が小さくなる。
【００２４】
（第１の実施の形態の作用及び効果）
以上説明した第１の実施の形態によれば、以下のような作用及び効果が得られる。
【００２５】
（１）磁気検出部１１，１２，１３及び温度センサ１４が、複数の電流路１，２，３の一部と共に、モールドパッケージ２０に収納され、磁気検出部１１，１２，１３の数よりも少ない数の温度センサ１４が設けられているので、少ない数の温度センサ１４で、各磁気検出部１１，１２，１３の温度を精度良く検出して、高精度な温度補正を行うことができる。従って、装置のコストを低減しながら、電流路１，２，３を流れる電流により発生する磁界を高精度に検出して、電流路１，２，３を流れる電流を精度良く検出することが可能となる。
【００２６】
（２）温度センサ１４を、モールドパッケージ２０内の複数の電流路１，２，３の設置範囲内の温度分布において、温度がほぼ中間値となる位置に配置することにより、検出誤差を小さくして、さらに高精度な温度補正を行うことができる。
【００２７】
［第２の実施の形態］
図４Ａは、本発明の第２の実施の形態に係る電流検出装置の斜視図である。本実施の形態のモールドパッケージ２１は、熱伝導性が高い高放熱部２２と、高放熱部２２よりも熱伝導性が低い低放熱部２３と有する。その他の構成は、図２Ａに示した第１の実施の形態と同様である。
【００２８】
高放熱部２２には、封止材がほぼ隙間無く充填されている。低放熱部２３には、例えばハニカム構造等に構成により、封止材に隙間が設けられている。封止材の充填率の違いにより、低放熱部２３の方が、高放熱部２２よりも、熱伝導性の低い構成となっている。
【００２９】
なお、高放熱部２２と低放熱部２３とを、熱伝導率の異なる材料で構成してもよい。
【００３０】
図４Ｂは、図４ＡのＢ−Ｂ線断面図である。モールドパッケージ２１内において、低放熱部２３は、複数の電流路１，２，３の並列方向の端部に設けられている。並列して設置された電流路１，２，３の一部をモールドパッケージ２１に収納すると、モールドパッケージ２１内の温度分布は、電流路１，２，３の並列方向の中央で最も高くなり、端部ではそれよりも若干低くなる。高放熱部２２よりも熱伝導性が低い低放熱部２３を、複数の電流路１，２，３の並列方向の端部に設けることにより、低放熱部２３を設けた端部では、放熱効果が高放熱部２２よりも下がって、モールドパッケージ２１内の温度のさらなる均一化が図られる。
【００３１】
（第２の実施の形態の作用及び効果）
以上説明した第２の実施の形態によれば、第１の実施の形態について説明した（１）及び（２）の作用及び効果と同様の作用及び効果が得られる。
【００３２】
さらに、熱伝導性が高い高放熱部２２に比べて、熱伝導性が低い低放熱部２３を、モールドパッケージ２１の、複数の電流路１，２，３の並列方向の端部に設けることにより、モールドパッケージ２１内の温度のさらなる均一化を図ることができる。
【００３３】
また、低放熱部２３を、高放熱部２２に比べて、封止材の充填率が低い構造とすることにより、高放熱部２２と低放熱部２３とを同じ材料で構成することができる。
【００３４】
［第３の実施の形態］
図５Ａは、本発明の第３の実施の形態に係る電流検出装置の斜視図である。本実施の形態では、モールドパッケージ２４内の温度を均一化する熱伝導材２５が、モールドパッケージ２４に収納されている。その他の構成は、図２Ａに示した第１の実施の形態と同様である。なお、熱伝導材２５を、図４Ａに示した第２の実施の形態のモールドパッケージ２１に収納してもよい。
【００３５】
熱伝導材２５は、モールドパッケージ２４の封止材よりも熱伝導率の高い材料で構成されている。モールドパッケージ２４の封止材には、成形性の良さが要求されるが、熱伝導材２５は板状、箔状又は棒状等であればよく、その材料には成形性の良さが要求されないので、熱伝導率の高い各種の材料を使用することができる。
【００３６】
具体的には、熱伝導材２５は、例えばアルミ板や銅板、アルミ箔、銅箔等の金属であってもよい。熱伝導材２５が導電体である場合、磁気検出部１１，１２，１３及び温度センサ１４は、熱伝導材２５と接する面以外に電極を有する。なお、熱伝導材２５が、回路パターンが形成された基板であって、回路パターンに磁気検出部１１，１２，１３、温度センサ１４等を構成する素子の電極が接続されていてもよい（この場合には、磁気検出部１１，１２，１３、温度センサ１４のどの面に電極があってもよい。）また、この場合には、磁気検出部１１，１２，１３、温度センサ１４等を構成する素子の電極に接続された回路パターンが、モールドパッケージから露出していてもよい。
【００３７】
図５Ｂは、図５ＡのＣ−Ｃ線断面図である。モールドパッケージ２４内において、熱伝導材２５は、複数の電流路１，２，３の並列方向に設置されている。この熱伝導材２５により、複数の電流路１，２，３の並列方向において、モールドパッケージ２４内の温度のさらなる均一化が図られる。
【００３８】
本実施の形態では、磁気検出部１１，１２，１３及び温度センサ１４は、熱伝導材２５と接触して設けられている。これにより、各磁気検出部１１，１２，１３の温度が熱伝導材２５の温度とほぼ同じとなり、温度センサ１４が検出する温度と、各磁気検出部１１，１２，１３の実際の温度との差が、さらに小さくなる。
【００３９】
（第３の実施の形態の作用及び効果）
以上説明した第３の実施の形態によれば、第１の実施の形態について説明した（１）及び（２）の作用及び効果と同様の作用及び効果が得られる。
【００４０】
さらに、熱伝導材２５を、モールドパッケージ２４に収納することにより、モールドパッケージ２４内の温度のさらなる均一化を図ることができる。
【００４１】
また、磁気検出部１１，１２，１３及び温度センサ１４を、熱伝導材２５と接触させて設けることにより、温度センサ１４が検出する温度と、各磁気検出部１１，１２，１３の実際の温度との差を、さらに小さくすることができる。
【００４２】
［第４の実施の形態］
図６Ａは、本発明の第４の実施の形態に係る電流検出装置の斜視図である。また、図６Ｂは、図６ＡのＤ−Ｄ線断面図である。本実施の形態では、モールドパッケージ２０内に、複数の温度センサ１４が収納されている。その他の構成は、図２Ａに示した第１の実施の形態と同様である。なお、図４Ａに示した第２の実施の形態のモールドパッケージ２１に、複数の温度センサ１４を収納してもよい。また、図５Ａに示した第３の実施の形態のモールドパッケージ２４に、複数の温度センサ１４を収納してもよい。
【００４３】
本実施の形態では、磁気検出部１１，１２，１３の数よりも少ない数の２つの温度センサ１４が、電流路２を挟んで左右対称な位置に配置されている。各温度センサ１４の位置は、図３に破線で示した、モールドパッケージ２０内の複数の電流路１，２，３の設置範囲内の温度分布において、温度がほぼ中間値Ｔａとなる位置である。
【００４４】
平常時は、２つの温度センサ１４の出力の平均値に基づいて、各磁気検出部１１，１２，１３の磁気検出素子１５，１６の出力の温度補正を行う。各磁気検出部１１，１２，１３の温度がさらに精度良く検出され、さらに高精度な温度補正が行われる。そして、一方の温度センサ１４が故障した場合には、故障していないもう一方の温度センサ１４の出力を用いて、各磁気検出部１１，１２，１３の磁気検出素子１５，１６の出力の温度補正を行う。
【００４５】
（第４の実施の形態の作用及び効果）
以上説明した第４の実施の形態によれば、第１の実施の形態について説明した（１）及び（２）の作用及び効果と同様の作用及び効果が得られる。
【００４６】
さらに、モールドパッケージ２０内に複数の温度センサを収納することにより、複数の温度センサ１４の一部が故障しても、故障していない温度センサ１４の出力を用いて、各磁気検出部１１，１２，１３の磁気検出素子１５，１６の出力の温度補正を行うことができる。また、複数の温度センサ１４の出力の平均値に基づいて、各磁気検出部１１，１２，１３の磁気検出素子１５，１６の出力の温度補正を行うことにより、さらに高精度な温度補正が可能となる。
【００４７】
（実施の形態のまとめ）
次に、以上説明した実施の形態から把握される技術思想について、実施の形態における符号等を援用して記載する。ただし、以下の記載における各符号は、特許請求の範囲における構成要素を実施の形態に具体的に示した部材等に限定するものではない。
【００４８】
［１］並列して設置された複数の電流路（１，２，３）と、各電流路（１，２，３）に対応して設けられ、各電流路（１，２，３）を流れる電流により発生する磁界の強度を検出する磁気検出素子（１５，１６）を有する磁気検出部（１１，１２，１３）と、磁気検出部（１１，１２，１３）の温度を検出する温度センサ（１４）と、温度センサ（１４）の検出結果に基づき、磁気検出素子（１５，１６）の出力を補正する補正回路（１７）と、補正回路（１７）により補正された出力から、各電流路（１，２，３）を流れる電流の大きさを検出する検出回路（１８）と、を備え、磁気検出部（１１，１２，１３）及び温度センサ（１４）は、複数の電流路（１，２，３）の一部と共に、モールドパッケージ（２０／２１／２４）に収納され、磁気検出部（１１，１２，１３）の数よりも少ない数の温度センサ（１４）が設けられた、電流検出装置。
【００４９】
［２］温度センサ（１４）は、モールドパッケージ（２０／２１／２４）内の複数の電流路（１，２，３）の設置範囲内の温度分布において、温度がほぼ中間値となる位置に配置された、電流検出装置。
【００５０】
［３］モールドパッケージ（２１）は、熱伝導性が高い高放熱部（２２）と、高放熱部（２２）よりも熱伝導性が低い低放熱部（２３）とを有し、低放熱部（２３）を、複数の電流路（１，２，３）の並列方向の端部に有する、電流検出装置。
【００５１】
［４］低放熱部（２３）は、高放熱部（２２）に比べて、封止材の充填率が低い構造である、電流検出装置。
【００５２】
［５］モールドパッケージ（２４）内の温度を均一化する熱伝導材（２５）が、モールドパッケージ（２４）に収納された、電流検出装置。
【００５３】
［６］磁気検出部（１１，１２，１３）及び温度センサ（１４）は、熱伝導材（２５）と接触して設けられた、電流検出装置。
【００５４】
［７］電流路（１，２，３）を、３つ以上備え、温度センサ（１４）が、磁気検出部（１１，１２，１３）の数よりも少ない数の２つ以上設けられた、電流検出装置。
【００５５】
［８］並列して設置された複数の電流路（１，２，３）の、各電流路（１，２，３）に対応して、各電流路（１，２，３）を流れる電流により発生する磁界の強度を検出する磁気検出素子（１５，１６）を有する磁気検出部（１１，１２，１３）を設け、磁気検出部（１１，１２，１３）の温度を検出する温度センサ（１４）を、磁気検出部（１１，１２，１３）の数よりも少ない数だけ設け、磁気検出部（１１，１２，１３）及び温度センサ（１４）を、複数の電流路（１，２，３）の一部と共に、モールドパッケージ（２０／２１／２４）に収納し、１つの温度センサ（１４）の検出結果に基づき、２つ以上の磁気検出部（１１，１２，１３）の磁気検出素子（１５，１６）の出力を補正して、補正した出力から、各電流路（１，２，３）を流れる電流の大きさを検出する、電流検出方法。
【００５６】
［９］温度センサ（１４）を、モールドパッケージ（２０／２１／２４）内の複数の電流路（１，２，３）の設置範囲内の温度分布において、温度がほぼ中間値となる位置に配置する、電流検出方法。
【００５７】
［１０］モールドパッケージ（２１）に、熱伝導性が高い高放熱部（２２）と、高放熱部（２２）よりも熱伝導性が低い低放熱部（２３）とを設け、低放熱部（２３）を、モールドパッケージ（２１）の、複数の電流路（１，２，３）の並列方向の端部に設ける、電流検出方法。
【００５８】
［１１］低放熱部（２３）を、高放熱部（２２）に比べて、封止材の充填率が低い構造とする、電流検出方法。
【００５９】
［１２］熱伝導材（２５）を、モールドパッケージ（２４）に収納して、モールドパッケージ（２４）内の温度を均一化する、電流検出方法。
【００６０】
［１３］磁気検出部（１１，１２，１３）及び温度センサ（１４）を、熱伝導材（２５）と接触させて設ける、電流検出方法。
【００６１】
［１４］電流路（１，２，３）を、３つ以上設け、温度センサ（１４）を、磁気検出部（１１，１２，１３）の数よりも少ない数の２つ以上設ける、電流検出方法。
【００６２】
以上、本発明の実施の形態を説明したが、上記に記載した実施の形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。また、実施の形態の中で説明した特徴の組合せの全てが発明の課題を解決するための手段に必須であるとは限らない点に留意すべきである。
【００６３】
本発明は、その趣旨を逸脱しない範囲で適宜変形して実施することが可能である。例えば、上記実施例では、各磁気検出素子１５，１６としてＧＭＲ素子を使用しているが、他の磁気検出素子、例えばホール素子ＡＭＲ素子、ＴＭＲ素子等を用いてもよい。
【００６４】
また、以上説明した実施の形態では、３本の電流路１，２，３が設けられているが、電流路の数はこれに限らず、２本又は４本以上の電流路を設けてもよい。そして、温度センサ１４の数は１つ又は２つに限らず、磁気検出部の数（電流路の数と同じ）よりも少ない数であればよい。
【符号の説明】
【００６５】
１，２，３…電流路
１１，１２，１３…磁気検出部
１４…温度センサ
１５，１６…磁気検出素子
１７…補正回路
１８…検出回路
２０，２１，２４…モールドパッケージ
２２…高放熱部
２３…低放熱部
２５…熱伝導材
【図１】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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