(57)【要約】【課題】内部に部品を効率よく配置させることができる光トランシーバの製造方法を提供する。【解決手段】変調器、電源基板及びＧＰＯケーブルを含む変調器ユニットＵ１を組み立てる第１工程と、波長可変光源１３及び制御基板を上ハウジング２に搭載する第２工程と、変調器ユニットＵ１を上ハウジング２に搭載する第３工程と、光受信ユニットを主基板７に搭載する第４工程と、主基板７を上ハウジング２に搭載する第５工程と、偏波保持カプラ１４を主基板７に搭載する第６工程と、光源ユニットＵ２と偏波保持カプラ１４を接続する第７工程と、偏波保持カプラ１４と変調器を接続する第８工程と、偏波保持カプラ１４と光受信ユニットを接続する第９工程と、変調器とレセプタクル１８と光受信ユニットを接続させる第１０工程とを備える。【選択図】図３
2016099508.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
変調器、波長可変光源、光受信ユニット及び偏波保持カプラをハウジング内に搭載するコヒーレント型の光トランシーバの製造方法であって、
前記変調器、前記変調器にバイアスを付与する回路を搭載する第１基板、及び前記変調器に駆動信号を出力するケーブルを含む変調器ユニットを前記ハウジング外で組み立てる第１工程と、
前記波長可変光源と、前記波長可変光源の波長を決定する回路を搭載する第２基板とを含む光源ユニットを前記ハウジングに搭載する第２工程と、
前記変調器ユニットを前記ハウジングに搭載する第３工程と、
前記光受信ユニットを第３基板の一方の面上に搭載する第４工程と、
前記光受信ユニットが搭載された前記第３基板を、前記第３基板の他方の面を露出させて前記ハウジングに搭載する第５工程と、
前記偏波保持カプラを前記第３基板の前記他方の面に搭載する第６工程と、
前記光源ユニットと前記偏波保持カプラとを、第１偏波保持コネクタ及び第１偏波保持ファイバによって接続する第７工程と、
前記偏波保持カプラと前記変調器とを、第２偏波保持コネクタ及び第２偏波保持ファイバによって接続する第８工程と、
前記偏波保持カプラと前記光受信ユニットとを、第３偏波保持コネクタ及び第３偏波保持ファイバによって接続する第９工程と、
前記変調器と前記ハウジングに搭載されたレセプタクルとを第１単一モードファイバによって接続し、前記レセプタクルと前記光受信ユニットとを第２単一モードファイバによって接続する第１０工程と、を備え、
前記第７工程、前記第８工程及び前記第９工程は、順不同にて実行される、
光トランシーバの製造方法。
【請求項２】
前記第９工程において、前記光受信ユニットと接続される前記第３偏波保持コネクタには、前記第３偏波保持ファイバが係合されている、
請求項１に記載の光トランシーバの製造方法。
【請求項３】
前記レセプタクルは、少なくとも２個の端子を備え、
前記第１０工程において、前記第１単一モードファイバに、前記レセプタクルの一方の端子が組み立てられる、
請求項１又は２に記載の光トランシーバの製造方法。
【請求項４】
前記第１０工程において、前記第２単一モードファイバに、前記レセプタクルの他方の端子が組み立てられる、
請求項３に記載の光トランシーバの製造方法。
【請求項５】
前記第７工程及び前記第８工程のそれぞれにおいて、前記第３基板の前記他方の面に前記第１偏波保持コネクタ及び前記第２偏波保持コネクタが係合される、
請求項１〜４のいずれか一項に記載の光トランシーバの製造方法。
【請求項６】
前記第１０工程の後に、前記第３基板と前記光源ユニットとを電気的に接続する工程と、前記第３基板と前記変調器ユニットとを電気的に接続する工程と、を備える、
請求項１〜５のいずれか一項に記載の光トランシーバの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光トランシーバの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、波長可変半導体レーザと半導体光変調器とを備えた光モジュールが記載されている。この光モジュールにおいて、半導体光変調器は、波長可変半導体レーザから出力された光を変調する。この光モジュールは、半導体光変調器から出力された光を取り出す光取り出しポートを備えている。波長可変半導体レーザからの光出力方向と、半導体光変調器への光入力方向とは互いに反対方向を向いている。また、光取り出しポートから見て、波長可変半導体レーザと半導体光変調器とは並列に配置されている。
【０００３】
また、光モジュールでは、振幅変調と他の変調方式とを併用して総伝送容量を高める努力がなされている。上記他の変調方式としては、偏波モード変調、位相変調、又は偏波（Polarization Modulation）と位相（phase modulation）と振幅とを相互に組み合わせた変調が挙げられる。この偏波、位相及び振幅を相互に組み合わせた変調方式は、いわゆるコヒーレント方式による伝送モードとして知られている。コヒーレント方式では、光の位相情報が伝送に利用される。また、局発信号との位相差における０°成分と９０°成分の信号強度に対して、それぞれ１又は０の状態を作成及び検知し、この作成及び検知を偏波成分０°及び９０°について行うことによって、４倍の伝送容量を確保する。この方式は、ＤＰ−ＱＰＳＫ（Dual Polarization Quadrature Phase Shift Keying）と呼ばれる。
【０００４】
ＤＰ−ＱＰＳＫ方式を採用したコヒーレントトランシーバでは、筐体の内部に、Ｔｘ側の光源（４チャンネル分のＤＣ光）と、多チャンネル光変調器と、ＩＣＲ（Integrated Coherent Receiver）側の４チャンネル分の受信器と、局発光源と、信号処理ＩＣとを搭載しなければならない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００９−１４６９９２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上述したようなコヒーレントトランシーバでは、単一チャンネル全二重光トランシーバと比較して、多チャンネルである点、位相信号処理が必要である点等により、搭載する部品の数が各段に増加している。更に、コヒーレント光トランシーバが偏波多重機能をも有する場合には、偏波処理光回路も必要となるので部品点数は一層増加する。従って、多数の光部品及び電子部品を一つのハウジングに搭載しなければならず部品搭載密度が高まることとなるので、内部に部品を効率よく配置させる組み立て手順の構築が必要である。
【０００７】
本発明は、内部に部品を効率よく配置させることができる光トランシーバの製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一形態による光トランシーバは、変調器、波長可変光源、光受信ユニット及び偏波保持カプラをハウジング内に搭載するコヒーレント型の光トランシーバの製造方法であって、変調器、変調器にバイアスを付与する回路を搭載する第１基板、及び変調器に駆動信号を出力するケーブルを含む変調器ユニットを組み立てる第１工程と、波長可変光源と、波長可変光源の波長を決定する回路を搭載する第２基板とを含む光源ユニットをハウジングに搭載する第２工程と、変調器ユニットをハウジングに搭載する第３工程と、光受信ユニットを第３基板の一方の面上に搭載する第４工程と、光受信ユニットが搭載された第３基板を、第３基板の他方の面が露出するようにハウジングに搭載する第５工程と、偏波保持カプラを第３基板の他方の面に搭載する第６工程と、光源ユニットと偏波保持カプラとを、第１偏波保持コネクタ及び第１偏波保持ファイバによって結線する第７工程と、偏波保持カプラと変調器とを、第２偏波保持コネクタ及び第２偏波保持ファイバによって結線する第８工程と、偏波保持カプラと光受信ユニットとを、第３偏波保持コネクタ及び第３偏波保持ファイバによって結線する第９工程と、変調器とハウジングに搭載されたレセプタクルとを第１単一モードファイバによって結線し、レセプタクルと光受信ユニットとを第２単一モードファイバによって結線する第１０工程と、を備え、第７工程、第８工程及び第９工程は、順不同にて実行される。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の一形態では、内部に部品を効率よく配置させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】実施形態に係る光トランシーバを示す斜視図である。
【図２】図１の光トランシーバから上ハウジングを外した状態を示す斜視図である。
【図３】図１の光トランシーバから下ハウジングを外した状態を示す斜視図である。
【図４】図１の光トランシーバ内の光配線を模式的に示した図である。
【図５】変調器ユニットを構成する各部品を示す斜視図である。
【図６】変調器ユニットを構成する各部品を示す斜視図である。
【図７】光源ユニットを構成する各部品を示す斜視図である。
【図８】上ハウジングに変調器ユニットが搭載された状態を示す斜視図である。
【図９】主基板の一方の面を示す斜視図である。
【図１０】主基板の他方の面を示す斜視図である。
【図１１】光受信ユニットと主基板とを示す斜視図である。
【図１２】光受信ユニットを示す背面図である。
【図１３】上ハウジングに主基板を搭載した状態を示す斜視図である。
【図１４】図１３の主基板に偏波保持カプラ及び内部ファイバを搭載した状態を示す斜視図である。
【図１５】内部ファイバの配線状態を模式的に示す図である。
【図１６】下ハウジング及び封止部材を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、添付図面を参照しながら本発明に係る光トランシーバの製造方法の実施形態を詳細に説明する。なお、図面の説明において同一又は相当する要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
【００１２】
図１は、本実施形態に係る光トランシーバ１の外観を示す斜視図である。光トランシーバ１は、ＣＦＰ規格に準拠するコヒーレントトランシーバである。光トランシーバ１は、上ハウジング（ハウジング）２と、下ハウジング（ハウジング）３と、２本のねじ４と、フロントパネル５とを備えている。以下では、図面において「前後方向」、「上下方向」及び「左右方向」の語を用いるが、これらの語は図示する状態に基づく便宜的なものである。以下の説明において、上方向は下ハウジング３から見て上ハウジング２が設けられる方向であり、前方向は上ハウジング２及び下ハウジング３から見てフロントパネル５が設けられる方向であり、左右方向は２個のねじ４が並設される方向（光トランシーバ１の幅方向）である。
【００１３】
上ハウジング２及び下ハウジング３は、金属製（金属ダイキャスト製）である。上ハウジング２及び下ハウジング３の前後方向の長さは約１５ｃｍ、上ハウジング２及び下ハウジング３の左右方向の幅は約８ｃｍ、上ハウジング２及び下ハウジング３の上下方向の高さは約１．５ｃｍである。上ハウジング２及び下ハウジング３により形成される内部空間は、光トランシーバ１の全ての部品が収容されている。フロントパネル５における左右方向の両側部分には、２本のねじ４がフロントパネル５から前方に突き出ている。ねじ４は、光トランシーバ１を外部のホストシステムのケージに取り付けるためのものである。
【００１４】
上述したように、上ハウジング２及び下ハウジング３により形成される内部空間には、全ての部品がほぼ隙間なく搭載されている状態である。よって、組立手順（搭載手順）を誤ると光トランシーバ１が組み上がらないという状況が生じうる。
【００１５】
また、ＣＦＰ規格では、ホストシステムから光トランシーバに与えられる電源として３．３Ｖの一種類のみが規定されている。そこで、上記のように搭載部品が多い場合には、光トランシーバ内部で必要とされる電源が３．３Ｖの一種類で賄えることはなく、３．３ＶからＤＣ／ＤＣコンバータによって昇圧、降下させて必要とされる電源を生成しなければならない。上記のＤＣ／ＤＣコンバータ、特に昇圧型ＤＣ／ＤＣコンバータを用いた場合、電子部品の数が多くなる。このため回路基板が大きくなるばかりでなく、別の基板を用意して都度部品に対する電源を生成しなければならない。すなわち、複数の基板と、複数の基板を接続させるＦＰＣとを光トランシーバ内に搭載させる手順を整備することも必要である。
【００１６】
また、コヒーレント通信では、受信側に位相信号を扱う復調器が必要となる。一般的に、この復調器としての機能はＤＳＰ（Digital Signal Processor）が担う。ＤＳＰは多チャンネルを同時且つデジタル的に扱うことができ、ＤＳＰの処理速度は１０Ｇｂｐｓを超え２５Ｇｂｐｓに達する場合もある。複雑なデジタル処理をこのような高速で行うＤＳＰは、その消費電力が３０Ｗを超えることもある。ＤＳＰは、一種の高性能ＣＰＵであり、ＤＳＰはその放熱に留意しないと正常な回路動作が期待できない。
【００１７】
また、多数の光部品を光トランシーバ内で相互に接続させるために、多数の内部ファイバが必要となる。更に、偏波多重機能を有する光トランシーバでは、光の偏光方向を維持しつつ部品間を光学的に接続することも必要である。本実施形態に係る光トランシーバ１の製造方法では、以上のような問題点を回避した部品配置が実現されている。以下では、光トランシーバ１の部品配置について説明する。
【００１８】
図２は、光トランシーバ１の内部における各部品の配置を示す斜視図である。図３は、下ハウジング３から上ハウジング２を外した状態を示す斜視図である。図２及び図３に示されるように、ねじ４は、上ハウジング２及び下ハウジング３の内部を通ると共に、下ハウジング３の内部に形成された凹部３ｅに載置される。
【００１９】
ねじ４の後端部４ａは、光トランシーバ１の後端に位置する電気プラグ６の両脇において後方に突き出ることとなる。電気プラグ６には、信号用のピンと電源用のピンとが設けられており、合計１４８個のピンが配置されている。各ピンのピッチは０．８ｍｍである。１４８個のピンは、２本のねじ４をホストシステムの筐体に形成された孔部に係合させることにより、ホストシステムに用意された電気コネクタの各電極と電気的に接続される。
【００２０】
上ハウジング２と下ハウジング３とによって囲まれる光トランシーバ１の内部空間には、電気信号を出力する２個のドライバ１１と、変調器１２と、波長可変光源１３と、偏波保持カプラ（ＰＭＣ：Polarization Maintaining Coupler）１４と、ＩＣＲ１５と、ＤＳＰ１６と、ＧＰＯケーブル１７と、レセプタクル１８とが搭載されている。
【００２１】
光トランシーバ１の内部空間において、変調器１２はドライバ１１の側方で光トランシーバ１の前後方向（長軸方向）に延在している。変調器１２とドライバ１１とは、４本のＧＰＯケーブル１７を介して接続されている。また、光トランシーバ１の内部には、７本の内部ファイバＦ１〜Ｆ７が配置されている。内部ファイバＦ１〜Ｆ７の配置態様については後に詳述する。内部ファイバＦ１〜Ｆ７は、変調器１２、波長可変光源１３、偏波保持カプラ１４、ＩＣＲ１５及びレセプタクル１８を相互に光学的に接続するために設けられる。
【００２２】
変調器１２は、変調器１２から前方に延び、また後方に折り返される内部ファイバＦ６（第１単一モードファイバ）を介してレセプタクル１８に接続されている。変調器１２によって変調された４つの光信号は、変調器１２の内部で多重化されてレセプタクル１８に受容された光コネクタＣ１（図１参照）から出力される。一方、光コネクタＣ２からは、入力信号光が入力される。
【００２３】
レセプタクル１８は、フロントパネル５から前方に露出する部品である。レセプタクル１８は、レセプタクル１８から後方に延びてハウジングの内部を一周する内部ファイバＦ７（第２単一モードファイバ）を介してＩＣＲ１５に接続されている。光コネクタＣ２から入力された入力信号光は、内部ファイバＦ７を介してＩＣＲ１５に入力される。内部ファイバＦ６，Ｆ７は共に単一モードファイバである。
【００２４】
波長可変光源１３は、波長可変レーザ（ＬＤ）を含み、局発光を出射する光源として機能する。波長可変光源１３を含む光源ユニットＵ２は、フロントパネル５の開口５ａを貫通して配置されている。偏波保持カプラ１４は、レセプタクル１８の後方且つＩＣＲ１５の側方で前後方向に延在している。ＩＣＲ１５は、ドライバ１１に対して変調器１２とは反対側に設けられている。ＤＳＰ１６は、ＩＣＲ１５の後方に位置している。レセプタクル１８は開口５ａを貫通し光トランシーバ１のフロントパネルからその開口を露出させ、この開口に光コネクタＣ１，Ｃ２が差し込まれる。レセプタクル１８に光コネクタＣ１，Ｃ２が差し込まれ係合されることによって全二重通信が実現される。
【００２５】
図４は、光トランシーバ１内の光配線を模式的に示した図である。波長可変光源１３から偏波保持カプラ１４を経由して変調器１２に至るまでの経路と、偏波保持カプラ１４からＩＣＲ１５に至るまでの経路には偏波保持ファイバを配置する必要がある。すなわち、変調器１２、波長可変光源１３及びＩＣＲ１５については、入力光、出力光について、光の偏光方向を維持しなければならず、所謂ピグテールの形態によって偏波保持ファイバがこれら光部品から引き出される。ファイバ引き出し構造について通常の光コネクタを採用した場合には、光コネクタの接続部での光コネクタの回転により光の偏光方向が維持されなくなってしまう。
【００２６】
コヒーレント光トランシーバ１は、偏波保持ファイバに係る部品を４個（波長可変光源１３、偏波保持カプラ１４、変調器１２及びＩＣＲ１５）備えており、これらの部品を、偏波保持ファイバを介して接続させる場合、部品間の接続手段としては融着接続が一般的である。しかしながら、融着接続の場合には、接続箇所の強度を維持するために接続箇所の前後数ｃｍ以上を補強部品で固定しなければならず、極めて限られた空間内に内部ファイバＦ１〜Ｆ７を配置する光トランシーバ１において、この融着接続は採用し難い。光トランシーバ１では、融着接続に代えて、偏波保持コネクタＰ１〜Ｐ３による接続を用いている。偏波保持コネクタＰ１，Ｐ２，Ｐ３は、それぞれ雄コネクタＰ１１，Ｐ２１，Ｐ３１と雌コネクタＰ１２，Ｐ２２，Ｐ３２とを備えている。
【００２７】
波長可変光源１３から引き出された偏波保持ファイバである内部ファイバＦ１（第１偏波保持ファイバ）は、偏波保持コネクタＰ１（第１偏波保持コネクタ）により、偏波保持カプラ１４から引き出された偏波保持ファイバである内部ファイバＦ２（第１偏波保持ファイバ）と結合する。偏波保持カプラ１４から引き出された偏波保持ファイバである内部ファイバＦ３（第２偏波保持ファイバ）は、偏波保持コネクタＰ２（第２偏波保持コネクタ）により、変調器１２から引き出された偏波保持ファイバである内部ファイバＦ４（第２偏波保持ファイバ）と結合する。
【００２８】
偏波保持カプラ１４から引き出された偏波保持ファイバである内部ファイバＦ５（第３偏波保持ファイバ）は、偏波保持コネクタＰ３（第３偏波保持コネクタ）を介してＩＣＲ１５と結合する。ここで、偏波保持コネクタＰ３はＩＣＲ１５と一体になっているので、内部ファイバＦ５はＩＣＲ１５に直接係合する。また、ＩＣＲ１５には光コネクタＣ３（図２参照）が設けられており、この光コネクタＣ３と上述した内部ファイバＦ７とによってＩＣＲ１５とレセプタクル１８とが接続されている。
【００２９】
波長可変光源１３から出力される局発光は、偏波保持カプラ１４によって、偏光方向が維持されるつつ分離される。偏波保持カプラ１４によって分離された一方の局発光は変調器１２に入力され、他方の局発光はＩＣＲ１５に入力される。変調器１２は、波長可変光源１３から偏波保持カプラ１４を介して入力された局発光を、ドライバ１１からＧＰＯケーブル１７を介して提供された電気信号に従って変調する。４本のＧＰＯケーブル１７はそれぞれ電気信号ＱＸ，ＱＹ，ＩＸ，ＩＹに対応しており、電気信号ＱＸ，ＱＹ，ＩＸ，ＩＹはそれぞれ各偏光、Ｘ及びＹ、の実部Ｉ及び虚部Ｑに対応する信号である。なお、偏波保持カプラ１４の分岐比は変調器１２側とＩＣＲ１５側とで本実施の形態では７：３に設定されているが、この分岐比は適宜変更可能である。
【００３０】
次に、光トランシーバ１の製造方法（組み立て方法）について説明する。光トランシーバ１の製造方法は、後述する第１〜第１０工程を備えている。まずは、変調器１２を含む変調器ユニットＵ１を組み立てる工程である第１工程について説明する。
【００３１】
第１工程では、光トランシーバ１の筐体外部で変調器ユニットＵ１を組み立てる。図５は、変調器ユニットＵ１を構成する各部品を示す分解斜視図である。図５に示されるように、変調器ユニットＵ１は、上述した変調器１２と、変調器１２に電源を供給する回路を搭載した電源基板（第１基板）２１と、電源基板２１に接続される第１ＦＰＣ２２及び第２ＦＰＣ２３と、シールド部材２４と、スペーサ２５とを備えている。
【００３２】
電源基板２１は、電源回路を搭載する子基板であり、電源回路としては変調器１２にバイアスを付与する回路を含む。第１工程では、まず電源基板２１に第１ＦＰＣ２２をソルダリングする。第１ＦＰＣ２２は後述する主基板７（第３基板）に接続されるＦＰＣである。また、変調器１２の側面１２ｃに露出するＤＣバイアスピン１２ａに、電源基板２１と接続するための第２ＦＰＣ２３をソルダリングする。
【００３３】
図６は、変調器１２、電源基板２１、第２ＦＰＣ２３及びスペーサ２５の主要部の拡大図である。電源基板２１の裏面２１ａは、第２ＦＰＣ２３に接続されるパッド２１ｂを除いて略全面にグランドパターンが形成されている。変調器１２のＤＣバイアスピン１２ａと第２ＦＰＣ２３とのソルダリングは、第２ＦＰＣ２３を曲げていない状態で行われる。また、その状態で第２ＦＰＣ２３とパッド２１ｂとのソルダリングも実施する。
【００３４】
変調器１２のＤＣバイアスピン１２ａに第２ＦＰＣ２３をソルダリングした後には、図５及び図６に示されるように、第２ＦＰＣ２３の一方の面２３ａが電源基板２１のパッド２１ｂにソルダリングされていることにより、変調器１２と電源基板２１が第２ＦＰＣ２３を介して一体化される。このとき、電源基板２１は、変調器１２のＤＣバイアスピン１２ａに対して直角方向に展開される。
【００３５】
次に、変調器１２の一側面１２ｂに導電製スペーサ２５を載置し、この状態で第２ＦＰＣ２３を図５に示されるように略直角に折り曲げる。第２ＦＰＣ２３は、一側面１２ｂからスペーサ２５の厚み分だけ離れた箇所において折り曲げられる。スペーサ２５は、コの字状を呈しており、コの字の各辺に囲まれた中央箇所２５ａに電源基板２１のパッド２１ｂが位置する。
【００３６】
パッド２１ｂが一側面１２ｂからスペーサ２５の厚み分だけ離されるので、たとえ変調器１２の筐体が金属製であったとしても、パッド２１ｂが変調器１２の金属製筐体と短絡することはない。また、第２ＦＰＣ２３を略直角に折り曲げることによって、電源基板２１は変調器１２のＤＣバイアスピン１２ａに対して平行に展開される（図５に示される状態）。そして、電源基板２１は、スペーサ２５と共に変調器１２にネジ止めされる。このネジ止めの箇所は例えば２箇所である。
【００３７】
次に、シールド部材２４を変調器１２に取り付ける。シールド部材２４は、一枚の金属板に対し切断加工及び折り曲げ加工のみを施すことによって形成されている。シールド部材２４の断面形状は横長のコの字状となっており、コの字の各辺で囲まれた中央部分（シールド部材２４の一端面２４ａに形成された開口）に電源基板２１が挿入される。コの字の縦棒に相当する面（シールド部材２４の他端面２４ｂ）にはスリット２４ｃが形成されており、このスリット２４ｃに第１ＦＰＣ２２が挿入される。挿入された第１ＦＰＣ２２は、シールド部材２４の上面２４ｄとその反対側に位置する下面とに挟み込まれる。
【００３８】
シールド部材２４の下面は、その中程に略直角に折り曲げられる箇所２４ｅを有する。この箇所２４ｅは、変調器１２のＤＣバイアスピン１２ａに接続された第２ＦＰＣ２３を保護している。折り曲げ箇所２４ｅは、外部からの雑音に対するシールド機能をも有する。また、上記のようにシールド部材２４に対する電源基板２１及び第１ＦＰＣ２２の設置が完了した後、シールド部材２４の両側に形成された孔部２４ｆ、電源基板２１の両側に形成された孔部２１ｆ、スペーサ２５の両側に形成された孔部２５ｆ及び変調器１２の一側面１２ｂに形成された孔部１２ｆにネジを挿入して、シールド部材２４を電源基板２１、スペーサ２５及び変調器１２に共締めする。
【００３９】
そして、４本のＧＰＯケーブル１７を変調器１２の側面１２ｃに設けたコネクタ部１２ｄに接続する。ＧＰＯケーブル１７は変調器１２に駆動信号を提供する。ＧＰＯケーブル１７は、所謂セミリジットケーブルであり、所定の特性インピーダンスを有し、中心導体、およびこの中心導体を囲む絶縁体及び導体被覆（ＧＮＤ）を備えている。導体被覆は可撓性材料で構成された金属シースで形成される場合が多い。
【００４０】
ＧＰＯケーブル１７は、簡単に折り曲げられると共に、その折り曲げ形状を維持することができる。ＧＰＯケーブル１７は、変調器１２のコネクタ部１２ｄに接続する前に予め図５に示されるような形状にプリフォーミングされており、この状態でコネクタ部１２ｄに接続される。このＧＰＯケーブル１７を変調器１１に接続して、電源基板２１及びＧＰＯケーブル１７を含む変調器ユニットＵ１を組み立てる第１工程が完了する。
【００４１】
次に、光源ユニットＵ２を上ハウジング２に搭載する工程である第２工程について説明する。図７に示されるように、光源ユニットＵ２は、波長可変光源１３と、波長可変光源１３の波長を決定する制御回路を搭載する制御基板（第２基板）３１を備えている。光源ユニットＵ２は、通常ピグテールファイバの状態、すなわち内部ファイバＦ１が装着されている。内部ファイバＦ１の波長可変光源１３に接続されている側とは反対の端部には偏波保持コネクタＰ１が取り付けられている。
【００４２】
光源ユニットＵ２は、上ハウジング２内の所定箇所に搭載されて固定される。具体的には、光源ユニットＵ２は、上ハウジング２の突出部２ａの内部に設けられた予備空間Ｓ１に光源ユニットＵ２の一部（前側部分）が入り込んで上ハウジング２に搭載される。これにより光源ユニットＵ２を上ハウジングに搭載する第２工程が完了する。
【００４３】
次に、先に組立てた変調器ユニットＵ１を上ハウジング２に搭載する第３工程について説明を行う。図８に示されるように、まず４本のＧＰＯケーブル１７を上ハウジング２の内面に形成された４本の溝２ｂに挿入し、ＧＰＯケーブル１７の端部に形成されたコネクタ１７ａを偏波保持コネクタＰ２の上方に位置させる。変調器１２の後方では、変調器１２から引き出された内部ファイバＦ４を、上ハウジング２の後壁２ｃに形成された切り込み２ｄに通し、一旦後壁２ｃの後方に引き出す。そして、後壁２ｃの後方に引き出した内部ファイバＦ４を、上ハウジング２の突出部２ｅに形成された円弧状の溝２ｆ内に落とし込む。更に、この内部ファイバＦ４を、後壁２ｃに形成された他の切り込み２ｇに通す。
【００４４】
上記のように上ハウジング２の突出部２ｅで内部ファイバＦ４を引き回した後には、カバー４２を溝２ｆに被せ内部ファイバＦ４を保護する。カバー４２は、後端部の両側部、前端部の中央に配置された三か所の爪部４２ａ，４２ｂ，４２ｃと、カバー４２の前端部両側で略垂直に折り曲げられた折り曲げ片４２ｄ，４２ｅとを備えている。カバー４２は、爪部４２ａ，４２ｂ，４２ｃが突出部２ｅに形成された孔部２ｈ，２ｊ，２ｋにそれぞれ係合することによって、突出部２ｅ上に取り付けられる。また、カバー４２を突出部２ｅに取り付けたときに、折り曲げ片４２ｄ，４２ｅが切り込み２ｄ，２ｇを塞ぐ。
【００４５】
内部ファイバＦ４は変調器１２から偏波保持カプラ１４に向かう偏波保持ファイバであり、内部ファイバＦ４の変調器１２とは反対側の端部に、偏波保持コネクタＰ２が設けられている。すなわち、内部ファイバＦ４は、変調器１２の後端から引き出され、上記後壁２ｃの外側に設けられた溝２ｆ内をＵ字状に展開する。後壁２ｃの切り込み２ｇを通過してハウジング内に戻った内部ファイバＦ４は、そのままハウジング前方に展開し、ハウジング前端の予備空間Ｓ１内において再度Ｕ字状にに展開して後方に向かう。そして、内部ファイバＦ４の後端に設けられた偏波保持コネクタＰ２は上ハウジング２の略中央部分において他の偏波保持ファイバＦ３と接続する。
【００４６】
一方、光源ユニットＵ２から後方に延びる内部ファイバＦ１も偏波保持カプラ１４に向かう偏波保持ファイバである。内部ファイバＦ１の一端には、上述した偏波保持コネクタＰ１が接続されている。内部ファイバＦ１は、光源ユニットＵ２から後方に引き延ばされ、ハウジング２の後部でハウジング外に引き出されることなくＵ字状に展開し、変調器１２に沿って前方に向かう。変調器１２に沿って展開した後、予備空間Ｓ１内においてＵ字状に湾曲し後方に展開する。内部ファイバＦ１の後端には偏波保持コネクタＰ１が接続される。この偏波保持コネクタＰ１も上ハウジング２の略中央部分において他の偏波保持ファイバＦ２と接続する。
【００４７】
変調器ユニットＵ１は、上ハウジング２の内面における２箇所のネジ孔に電源基板２１をネジ止めすることによって上ハウジング２に固定される。このとき、変調器１２の筐体は上ハウジング２とは電気的に絶縁される。変調器１２の筐体を信号ＧＮＤに接地させる一方、信号ＧＮＤをシャーシＧＮＤと分離させるためである。これにより雑音特性が改善される。
【００４８】
上述したように、各ＧＰＯケーブル１７はＵ字状に折り曲げられているので、変調器１２の駆動ＩＣであるドライバ１１を上ハウジング２内に効率よく配置できる。また、本実施形態では、ＧＰＯケーブル１７が収容された４本の溝２ｂを塞ぐケーブルカバー４４（図２参照）が設けられる。ケーブルカバー４４は金属製であり、ケーブルカバー４４上に搭載されたドライバ１１に対し高い放熱効果を発揮する。このケーブルカバー４４でＧＰＯケーブル１７を塞ぐことによって変調器ユニットをハウジングに搭載する第３工程が完了する。
【００４９】
次に、光受信ユニットＵ３を主基板７の一方の面７ａ上に搭載する第４工程について説明する。図９は主基板７の一方の面７ａを示す斜視図であり、図１０は主基板７の他方の面７ｂを示す斜視図である。主基板７の一方の面７ａには、主に信号処理系のＩＣ（回路）を搭載する。具体的には、光受信ユニットＵ３の搭載予定箇所の後方にＤＳＰ１６を配置し、４個のＧＰＰＯコネクタ４５の後方に２個のドライバ１１を搭載する。ＤＳＰ１６は、それ単体で数十Ｗの発熱を伴う集積回路である。
【００５０】
また、光トランシーバ１では、主基板７と別体となった子基板８を搭載する。この子基板８には、昇圧型のＤＣ／ＤＣコンバータＩＣ４６を搭載する。ＤＣ／ＤＣコンバータＩＣ４６はサイズの大きなインダクタを搭載するので、ＤＣ／ＤＣコンバータＩＣ４６の全高が高くなる傾向にある。本実施形態の光トランシーバ１では、その外寸がＣＦＰ規格に準拠しているので、１０ｍｍ強の全高しか確保できない。また、主基板７では、一方の面７ａ及び他方の面７ｂの両方に部品が実装されるので、一方の面７ａ又は他方の面７ｂに背高部品を搭載するのは困難である。
【００５１】
以上のような点を考慮して本実施形態の光トランシーバ１では、ＤＣ／ＤＣコンバータＩＣ４６を子基板８上に搭載し、子基板８の水平位置を主基板７よりも低く設定した。このように主基板７の水平位置より低位の子基板８上に部品を搭載することによって、背高部品も光トランシーバ１内の限られた空間に搭載することを可能にしている。この子基板８は、導電性のピンにより主基板７に固定し、ＦＰＣ４８によって主基板７と電気的に接続する。子基板８上に搭載される部品は大電流を処理する必要があるため、主基板７から供給する大電流を流すためのピンにより両基板を固定する。
【００５２】
子基板８の裏面８ａには配線パターンが形成されていない。子基板８の裏面８ａを直接下ハウジング３の封止部材３ａ（図１６参照）に接触させることが可能となる。また、子基板８の裏面８ａを封止部材３ａに接触させることにより、その表面に搭載したＤＣ／ＤＣコンバータＩＣ４６等の放熱効果を高めている。さらに、封止部材３ａは薄肉に形成されており、背高部品に対する搭載余裕を確保している（後に詳述）。
【００５３】
次に、ＩＣＲ１５を含む光受信ユニットＵ３を搭載する方法について説明する。図１１は、光受信ユニットＵ３と主基板７とを示す分解斜視図である。図１１に示されるように、光受信ユニットＵ３は、ＩＣＲ１５と、ＩＣＲ１５を保持するホルダ５１と、２枚のＤＣ信号用ＦＰＣ５２，５３と、ＲＦ信号用ＦＰＣ５４とを備えている。
【００５４】
ＩＣＲ１５は矩形状を呈しており、その側壁１５ａには、ＤＣ信号用のピン列１５ｂが配置されている。また、ＩＣＲ１５の後側（ＤＳＰ１６側）の壁はＲＦ信号用のピン列（不図示）を備える。ＩＣＲ１５は、ホルダ５１を介して主基板７の一方の面７ａ上に搭載される。ホルダ５１は、一方の面７ａ上でＩＣＲ１５を保持する。
【００５５】
図１２は、ＩＣＲ１５、ホルダ５１及びＤＣ信号用ＦＰＣ５２，５３の位置関係を示す図である。図１１及び図１２に示されるように、ＩＣＲ１５のピン列１５ｂに接続される２枚のＦＰＣ５２，５３は、ホルダ５１と主基板７との間の隙間Ｓ２を通り主基板７上の電極パッド７ｃ，７ｄに接続される。
【００５６】
ＦＰＣ５２は、光トランシーバ１の中央側（図１２において右側）ピン列１５ｂに接続され当該ピン列１５ｂから下方に展開し、ホルダ５１に沿ってほぼ直角に折り曲げられ、ホルダ５１と主基板７との間の隙間Ｓ２を通りトランシーバ１の端部側で一旦上方に展開した後、さらに外方にＵ字状に折り返される。その後、再び隙間Ｓ２を展開した後主基板７上の電極パッド７ｃに接続される。この電極パッド７ｃは、ホルダ５１の直下であって且つ光トランシーバ１の中央側に設けられる。
【００５７】
他方のＦＰＣ５３は、ＩＣＲ１５のトランシーバ端部側に位置するピン列１５ｂにソルダリングされている。ＦＰＣ５３は、ピン列１５ｂから上方に展開し、Ｕ字状に折り返された先のＦＰＣ５２を囲む様にＵ字状に折り返されて下方に展開した後、隙間Ｓ２に向かってほぼ９０°の角度で折り曲げられて、主基板７上の電極パッド７ｄに接続される。隙間Ｓ２においては、ＦＰＣ５２はＦＰＣ５３の上方に位置し、また、ＦＰＣ５３に対応する電極パッド７ｄは、ホルダ５１の直下であってＦＰＣ５２に対応する電極パッド７ｃよりは、光トランシーバ１の端部側（左側）に設けられる。ＦＰＣ５２のＵ字状に折り返された箇所の曲率は、ＦＰＣ５３のＵ字状に折り返された箇所の曲率よりも小さい。
【００５８】
上述したように、主基板７上の電極パッド７ｃ，７ｄはホルダ５１の直下に位置するので、ホルダ５１を主基板７上に設置した後には、電極パッド７ｃ，７ｄを視認したり電極パッド７ｃ，７ｄへのソルダリングを行ったりすることはできない。従って、まずＦＰＣ５２，５３を電極パッド７ｃ，７ｄにソルダリングし、その後、ＩＣＲ１５をホルダ５１上に搭載する、という順序で組み立てを行う。
【００５９】
具体的には、まずＩＣＲ１５それぞれのピン列１５ｂにＦＰＣ５２，５３を接続した中間アセンブリを作製し、次いでＦＰＣ５２を電極パッド７ｃに接続し、他方のＦＰＣ５３を電極パッド７ｄに接続する。その後、ホルダ５１を主基板７に設置し、ＩＣＲ１５を２枚のＦＰＣ５２、５３で巻き込む様にして、ＩＣＲ１５を主基板７の上方に搭載する。最後に、ＩＣＲ１５のＲＦ信号用のピン列にＲＦ信号用ＦＰＣ５４をソルダリングし、当該ＦＰＣ５４の他端を主基板７の所定の電極パッドにソルダリングすることによって第４工程が完了する。
【００６０】
ここで、ホルダ５１には、ＩＣＲ１５の下方に隙間Ｓ２を確保するために、Ｕ字状に折り曲げられた複数の折り曲げ部５１ａが設けられている。また、ホルダ５１の主面５１ｂから上方に折り曲げられた延在部５１ｃは、その上端にホルダ５１の中央側に向けて折り曲げられたフックが形成されており、当該フックが部位５１ｃで囲まれた領域に搭載されたＩＣＲ１５を抑え込む。４個の延在部５１ｃは、ＩＣＲ１５の前後左右に設けられる。また、ホルダ５１はその主面５１ｂに対して下方且つホルダ５１の外側にその先端が折り曲げられた脚部５１ｄを備えており、この脚部５１ｄは偏波保持カプラ１４を主基板７に押さえつけるために設けられる（後に詳述）。
【００６１】
なお、２枚のＦＰＣ５２，５３で伝送される信号はＤＣ信号とＧＮＤであるため、その全長が長くなっても信号品質に与える影響は少ない。従って、本実施形態は、上述したような信号用ＦＰＣ５２，５３の収容構造を採用することが可能となる。そして、このようなＦＰＣ５２，５３の収容構造が、光受信ユニットＵ３をコンパクトに主基板７上に搭載することを可能とする。
【００６２】
また、この段階で内部ファイバＦ５をＩＣＲ１５の偏波保持コネクタＰ３に接続させてもよい。すなわち、偏波保持カプラ１４にピグテール接続されている内部ファイバＦ５を偏波保持コネクタＰ３に係合させてＩＣＲ１５と偏波保持カプラ１４とを接続することも可能である。なお、偏波保持カプラ１４には、内部ファイバＦ５の他に、波長可変光源１３に向かう内部ファイバＦ２と、変調器１２に向かう内部ファイバＦ３とがピグテール接続されている。
【００６３】
更に、主基板７上には種々のＩＣが搭載されるが、主基板７上に搭載されるＩＣは相当の発熱を伴って動作する。特に、１０Ｇｂｐｓを超える動作速度である場合には、発熱量は数十Ｗに達する。よって、上記各ＩＣからの放熱を促進させるために、上ハウジング２の内面におけるＩＣの搭載位置、及び主基板７上の各ＩＣの搭載箇所に予め放熱ゲルを塗布する。
【００６４】
具体的には、例えば、ケーブルカバー４４上；ＤＳＰ１６の搭載箇所に対面する箇所；子基板８上のＤＣ／ＤＣコンバータＩＣ４６の搭載箇所に対向する内面；ＩＣＲ１５の天上面に接触する箇所；の４箇所に放熱ゲルを塗布しておく。一方、主基板７上においては、ドライバ１１、ＤＳＰ１６、ＤＣ／ＤＣコンバータＩＣ４６、および、ＩＣＲ１５それぞれの天上面４箇所に放熱ゲルを塗布しておく。
【００６５】
次に、主基板７を上ハウジング２に搭載する第５工程について説明する。第５工程では、図１３に示されるように、主基板７の他方の面７ｂを露出させて主基板７を上ハウジング２内に収容する。そして、子基板８で上ハウジング２に搭載されている変調器１２を覆う。このとき、子基板８上のＤＣ／ＤＣコンバータＩＣ４６は変調器１２の筐体に対して熱的に接触する。子基板８は、変調器ユニットＵ１のシールド部材２４とは干渉せず、シールド部材２４の後方でシールド部材２４から離間して配置される。このように各部品の配置を行うことによって第５工程が完了する。
【００６６】
次いで、偏波保持カプラ１４を主基板７の他方の面７ｂに搭載する第６工程が行われる。図１４に示されるように、第６工程では、偏波保持カプラ１４を主基板７の側部に装着する。また、主基板７には切り欠き７ｆが設けられており、この切り欠き７ｆからはホルダ５１の脚部５１ｄが露出している。偏波保持カプラ１４の両端を他方の面７ｂに載せ偏波保持カプラ１４の中央部分を切り欠き７ｆの上方に位置させて、偏波保持カプラ１４を脚部５１ｄの内側に通し込む。このように偏波保持カプラ１４を脚部５１ｄの内側に通し込むことによって、脚部５１ｄは偏波保持カプラ１４を主基板７に押し付ける。従って、主基板７に対する偏波保持カプラ１４の機械的な保持が実現されることとなり第６工程が完了する。
【００６７】
次に、上ハウジング２の略中央に位置している偏波保持コネクタＰ１，Ｐ２に対する各内部ファイバＦ１〜Ｆ７の係合を行う。図１５は、内部ファイバＦ１〜Ｆ７の配置を模式的に示した図である。図１５を参照して光源ユニットＵ２と偏波保持カプラ１４とを、偏波保持コネクタＰ１及び内部ファイバＦ１，Ｆ２によって結線する第７工程について説明する。
【００６８】
図１５に示されるように、波長可変光源１３から引き出された内部ファイバＦ１は、上ハウジング２の後部にまで延び、上ハウジング２の後部において折り返される。折り返された内部ファイバＦ１は、変調器１２の脇を前方に展開し、上ハウジング２の予備空間Ｓ１において再度後方に向け折り返される。その後上ハウジング２の中央付近で偏波保持コネクタＰ１に接続される。
【００６９】
偏波保持コネクタＰ１から引き出された内部ファイバＦ２は、上ハウジング２の後部にまで展開し、上ハウジング２の後部で変調器１２を回り込むように折り返される。折り返された内部ファイバＦ２は、変調器１２の外側を通り予備空間Ｓ１において再度後方に向け折り返され、波長可変光源１３の側方、及びレセプタクル１８の後方を通って偏波保持カプラ１４に接続する。このように波長可変光源１３と偏波保持カプラ１４とを内部ファイバＦ１，Ｆ２及び偏波保持コネクタＰ１によって互いに接続することにより、第７工程が完了する。
【００７０】
次に、偏波保持カプラ１４と変調器１２とを、偏波保持コネクタＰ２及び内部ファイバＦ３，Ｆ４によって結線する第８工程について説明する。偏波保持カプラ１４から延びる内部ファイバＦ３は、後方に展開し、上ハウジング２の後部において前方に向け折り返され、その後偏波保持コネクタＰ２に接続する。
【００７１】
また、偏波保持コネクタＰ２から引き出された内部ファイバＦ４は、波長可変光源１３の脇で前方に展開し予備空間Ｓ１において後方に向け折り返され、変調器１２の脇を通過して後方に展開し、一旦上ハウジング２の後壁２ｃを通過して外側に引き出された後、ハウジング外部で再度折り返される。その後、後壁２ｃを通過して再度ハウジング内部に引き込まれ、後壁２ｃ内の直近で変調器１２に接続される。このように偏波保持カプラ１４と変調器１２とを接続することにより第８工程が完了する。
【００７２】
続いて、偏波保持カプラ１４と光受信ユニットＵ３（ＩＣＲ１５）とを、偏波保持コネクタＰ３及び内部ファイバＦ５によって結線する第９工程について説明する。偏波保持カプラ１４から後方に延びる内部ファイバＦ５は、上ハウジング２の後部において変調器１２に向けて折り返され、変調器１２の外側を通過してハウジング前方に展開し、予備空間の手前でレセプタクル側に向けて曲げられ、レセプタクル１８の後方を通ってＩＣＲ１５の偏波保持コネクタＰ３に接続する。
【００７３】
内部ファイバＦ５はその大部分が主基板７上に露出しており（図１４参照）、変調器ユニットＵ１のシールド部材２４の外側に形成された爪２４ｇに引っ掛けられて保持される。以上のように偏波保持カプラ１４とＩＣＲ１５とを内部ファイバＦ５及び偏波保持コネクタＰ３によって接続させることにより第９工程が完了する。
【００７４】
以上、内部ファイバＦ１〜Ｆ５を布線する第７〜第９工程については、これらの工程を順不同で実行することが可能である。例えば、第９工程を、主基板７を上ハウジング２に搭載する第５工程の前に行ってもよい。
【００７５】
次に、変調器１２とレセプタクル１８とを内部ファイバＦ６で結線し、レセプタクル１８と光受信ユニットＵ３とを内部ファイバＦ７で結線する第１０工程について説明する。第１０工程では、内部ファイバＦ６とレセプタクル１８の一方の端子１８ａが組み立てられ、内部ファイバＦ７とレセプタクル１８の他方の端子１８ｂが組み立てられる。
【００７６】
内部ファイバＦ６は、変調器１２から前方に引き出され予備空間Ｓ１にまで展開した後予備空間Ｓ１内で光源ユニットＵ２を取り巻く様に後方に向けて折り返される。その後、波長可変光源１３の後方及び変調器１２のトランシーバの中心側の側方を通過して上ハウジング２の後部にまで展開し、上ハウジング２の後部において端子１８ａに対応する位置に向けて折り返されそのままレセプタクル１８の端子１８ａに接続する。
【００７７】
一方、レセプタクル１８からの入力信号光を伝搬させる内部ファイバＦ７は、端子１８ｂから引き出された後ＩＣＲ１５の光トランシーバの中心側の側方を通過して後方に延び、上ハウジング２の後部で変調器１２その側に向けて折り返される。その後、変調器１２の外側を前方に向けて展開し、変調器１２の前方でレセプタクル側に向けて曲げられ、レセプタクル１８の後方を通ってＩＣＲ１５に接続する。以上のように、変調器１２とレセプタクル１８とを接続し、レセプタクル１８とＩＣＲ１５とを接続することによって第１０工程が完了する。図３に示されるように、第１０工程が完了した時点において、内部ファイバＦ１，Ｆ４は主基板７に隠れており、内部ファイバＦ２，Ｆ３，Ｆ５〜Ｆ７の一部は主基板７上に露出している。
【００７８】
以上、本実施形態に係る光トランシーバ１の製造方法では、上述した第１〜第１０工程を経ることによって数多くの部品を高精度に配置させることができる。また、第１０工程の後には、主基板７と光源ユニットＵ２とを電気的に接続する工程と、主基板７と変調器ユニットＵ１とを電気的に接続する工程とを行う。
【００７９】
具体的には、主基板７から光源ユニットＵ２に向けて延びるＦＰＣ７ｅの備わるコネクタを光源ユニットＵ２のコネクタに係合する。次いで、変調器ユニットＵ１と主基板７を接続する第１ＦＰＣ２２を主基板７の電極にソルダリングする。
【００８０】
そして、上ハウジング２に下ハウジング３を組み立てる工程を実行する。この工程では、上ハウジング２の両脇に係合ネジを設置した後、上ハウジング２に対する下ハウジング３の位置合わせを行う。ここで、図１６に示されるように、下ハウジング３の子基板８と対面する箇所には、下ハウジング３を貫通する開口３ｂが形成されており、この開口３ｂに前述した封止部材３ａが入り込んでいる。
【００８１】
封止部材３ａ及び開口３ｂは矩形状を呈しており、封止部材３ａはＳＵＳ製である。封止部材３ａは、開口３ｂを覆う板状であり、開口３ｂに内側から嵌め込まれている。下ハウジング３において、封止部材３ａが設けられている箇所の高さは、封止部材３ａが設けられていない箇所の高さよりも低くなっている。すなわち、封止部材３ａの厚さは、下ハウジング３本体の厚さよりも薄くなっている。
【００８２】
ここで、上ハウジング２及び下ハウジング３の両方をアルミダイキャストで作製する場合、上ハウジング２及び下ハウジング３の厚みとして最低限０．５ｍｍ程度は必要である。また、上述したように子基板８に搭載されるＤＣ／ＤＣコンバータＩＣ４６は背高の部品になりがちである。単純に下ハウジング３の本体に子基板８及びＤＣ／ＤＣコンバータＩＣ４６を重ねると、部品公差、製造バラツキ等を加味すると、標準で規定されている外形寸法の高さを超えてしまう可能性がある。
【００８３】
上記のような問題を回避するために、本実施形態の下ハウジング３では封止部材３ａ及び開口３ｂが設けられている。すなわち、下ハウジング３の子基板８に対面する箇所を繰り抜いて開口３ｂを形成し、より薄い封止部材３ａを開口３ｂに嵌め込むことによって、光トランシーバ１の高さを抑えている。封止部材３ａとして０．２ｍｍ程度の厚みを有するＳＵＳ板を用いた場合には、ダイキャスト製アルミニウムと同等の強度を確保できるので機械的強度の観点で問題は生じない。また、ＳＵＳの熱伝導率とアルミニウムの熱伝導率とは同程度である。
【００８４】
以上、本発明に係る好適な実施形態について説明してきたが、本発明は上述した実施形態に限定されない。すなわち、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形及び変更が可能であることは、当業者によって容易に認識される。
【符号の説明】
【００８５】
１…光トランシーバ、２…上ハウジング（ハウジング）、２ａ…突出部、２ｂ…溝、２ｃ…後壁、２ｄ，２ｇ…切り込み、２ｅ…突出部、２ｆ…溝、２ｈ，２ｊ，２ｋ…孔部、３…下ハウジング（ハウジング）、３ａ…封止部材、３ｂ…開口、４…ねじ、４ａ…後端部、５…フロントパネル、６…電気プラグ、７…主基板（第３基板）、７ａ…一方の面、７ｂ…他方の面、７ｃ，７ｄ…電極パッド、７ｅ…ＦＰＣ、７ｆ…切り欠き、７ｇ…コネクタ、８…子基板、８ａ…裏面、１１…ドライバ、１２…変調器、１２ａ…ＤＣバイアスピン、１２ｂ…一側面、１２ｃ…側面、１２ｄ…コネクタ部、１２ｆ…孔部、１３…波長可変光源、１３ａ…コネクタ、１４…偏波保持カプラ、１５…ＩＣＲ、１５ａ…側面、１５ｂ…ピン列、１６…ＤＳＰ、１７…ＧＰＯケーブル、１７ａ…コネクタ、１８…レセプタクル、１８ａ…端子（一方の端子）、１８ｂ…端子（他方の端子）、２１…電源基板（第１基板）、２１ａ…裏面、２１ｂ…パッド、２１ｆ…孔部、２２…第１ＦＰＣ、２３…第２ＦＰＣ、２４…シールド部材、２４ｃ…スリット、２４ｄ…上面、２４ｅ…折り曲げ部、２４ｆ…孔部、２４ｇ…爪、２５…スペーサ、２５ａ…中央箇所、３１…制御基板（第２基板）、４２…カバー、４２ａ，４２ｂ，４２ｃ…爪部、４２ｄ，４２ｅ…折り曲げ片、４４…ケーブルカバー、４５…ＧＰＰＯコネクタ、４７…ネジ、５１…ホルダ、５１ａ…折り曲げ部、５１ｂ…主面、５１ｃ…延在部、５１ｄ…脚部、５２，５３…ＤＣ信号用ＦＰＣ、５４…ＲＦ信号用ＦＰＣ、Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３…光コネクタ、Ｆ１，Ｆ２…内部ファイバ（第１偏波保持ファイバ）、Ｆ３，Ｆ４…内部ファイバ（第２偏波保持ファイバ）、Ｆ５…内部ファイバ（第３偏波保持ファイバ）、Ｆ６…内部ファイバ（第１単一モードファイバ）、Ｆ７…内部ファイバ（第２単一モードファイバ）、Ｐ１…偏波保持コネクタ（第１偏波保持コネクタ）、Ｐ２…偏波保持コネクタ（第２偏波保持コネクタ）、Ｐ３…偏波保持コネクタ（第３偏波保持コネクタ）、Ｓ１…予備空間、Ｓ２…隙間、Ｕ１…変調器ユニット、Ｕ２…光源ユニット、Ｕ３…光受信ユニット。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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