(57)【要約】      （修正有）【課題】センサー素子を容易に気密封止することができる物理量センサー、電子機器および移動体を提供する。【解決手段】物理量センサー１は、素子片と、一方の面に素子片が配置され、前記一方の面に設けられた溝２４を有する支持基板２と、溝２４に設けられ、素子片と電気的に接続された配線４３と、一方の面に接合され、素子片を収納する蓋基板５と、溝２４のうちの、蓋基板５と支持基板２との境界部Ｋにて溝２４を封止し、支持基板２および蓋基板５の融点または軟化点よりも融点が低い封止材７とを備える。【選択図】図５
2016099224.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
センサー素子と、
一方の面に前記センサー素子が配置され、前記一方の面に設けられた溝を有する支持基
板と、
前記溝に設けられ、前記センサー素子と電気的に接続された配線と、
前記一方の面に接合され、前記センサー素子を収納する蓋基板と、
前記溝のうちの、前記蓋基板と前記支持基板との境界部にて前記溝を封止し、前記支持
基板および前記蓋基板の融点または軟化点よりも融点が低い封止材と、を備えることを特
徴とする物理量センサー。
【請求項２】
前記蓋基板には、厚さ方向に貫通し、前記溝と連通する貫通孔が形成され、前記貫通孔
により形成される前記境界部にて前記溝を前記封止材で封止している請求項１に記載の物
理量センサー。
【請求項３】
前記封止材は、前記貫通孔および前記溝を一括して封止している請求項２に記載の物理
量センサー。
【請求項４】
前記溝は、複数設けられ、
前記貫通孔は、前記蓋基板の平面視で、複数の前記溝とそれぞれ交差している請求項２
または３に記載の物理量センサー。
【請求項５】
前記封止材は、前記蓋基板の前記境界部であり、かつ、縁部である位置に配置されてい
る請求項１ないし４のいずれか１項に記載の物理量センサー。
【請求項６】
前記封止材は、金属材料または低融点ガラス材料を含んでいる請求項１ないし５のいず
れか１項に記載の物理量センサー。
【請求項７】
前記配線の表面を覆う絶縁層を有している請求項１ないし６のいずれか１項に記載の物
理量センサー。
【請求項８】
請求項１ないし７のいずれか１項に記載の物理量センサーを備えることを特徴とする電
子機器。
【請求項９】
請求項１ないし７のいずれか１項に記載の物理量センサーを備えることを特徴とする移
動体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、物理量センサー、電子機器および移動体に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、角速度や加速度等の物理量を検出する物理量センサーが知られている（例え
ば、特許文献１）。
【０００３】
特許文献１に記載の物理量センサーは、慣性質量体と、可動電極と、固定電極と、配線
と、これらを支持する基板と、基板の上面側に設けられ、慣性質量体、可動電極および固
定電極を収納する凹部を有する上面保護基板と、基板の下面側に設けられた下面保護基板
と、を備える容量型加速度センサーである。
【０００４】
物理量センサーでは、配線は、基板の上面側に設けられている。また、上面保護基板は
、平面視での大きさが基板よりも小さい。このため、上面保護基板は、配線を跨ぐように
配線を介して基板に接合され、配線の一部は、上面保護基板の外側に引き出された構成と
なっている。
【０００５】
また、少なくとも配線の基板および上面保護基板が接合されている部分は、絶縁層に覆
われている。これにより、配線は、基板および上面保護基板と非接触になっている。
【０００６】
しかしながら、配線および絶縁膜を平坦に形成するのは、比較的難しい。このため、特
許文献１に記載の物理量センサーでは、上面保護基板を基板に気密的に接合するのが困難
になる。したがって、凹部の気密性が不十分となる。
【０００７】
このように、配線を上面保護基板の外側に引き出す構成とした場合、慣性質量体、可動
電極および固定電極等を気密的に封止するのは、困難である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００５−２４９４５４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明の目的は、センサー素子を容易に気密封止することができる物理量センサー、電
子機器および移動体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
このような目的は、下記の本発明により達成される。
［適用例１］
本発明の物理量センサーは、センサー素子と、
一方の面に前記センサー素子が配置され、前記一方の面に設けられた溝を有する支持基
板と、
前記溝に設けられ、前記センサー素子と電気的に接続された配線と、
前記一方の面に接合され、前記センサー素子を収納する蓋基板と、
前記溝のうちの、前記蓋基板と前記支持基板との境界部にて前記溝を封止し、前記支持
基板および前記蓋基板の融点または軟化点よりも融点が低い封止材と、を備えることを特
徴とする。
【００１１】
これにより、支持基板に形成された溝に配線を設けることで、配線を蓋基板の外側に引
き出すことができるとともに、蓋基板および支持基板を、これらが有する平坦性を利用し
て気密的に接合することができる。
【００１２】
また、蓋基板と支持基板との境界部に位置する溝を局所的に封止することで、蓋基板の
内側の気密性を確保することができる。
【００１３】
したがって、本発明によれば、配線が蓋基板の外側に引き出されていても、センサー素
子が収納される空間を容易に気密封止することができる。
【００１４】
［適用例２］
本発明の物理量センサーでは、前記蓋基板には、厚さ方向に貫通し、前記溝と連通する
貫通孔が形成され、前記貫通孔により形成される前記境界部にて前記溝を前記封止材で封
止しているのが好ましい。
【００１５】
これにより、貫通孔を通じて、溝に封止材を容易に充填することができる。よって、セ
ンサー素子が収納される空間をより容易に封止することができる。
【００１６】
［適用例３］
本発明の物理量センサーでは、前記封止材は、前記貫通孔および前記溝を一括して封止
しているのが好ましい。
【００１７】
これにより、センサー素子が収納される空間の気密性をさらに高めることができ、物理
量センサーは、信頼性に優れる。
【００１８】
［適用例４］
本発明の物理量センサーでは、前記溝は、複数設けられ、
前記貫通孔は、前記蓋基板の平面視で、複数の前記溝とそれぞれ交差しているのが好ま
しい。
【００１９】
これにより、溝が複数設けられていた場合であっても、各溝を一括して封止することが
できる。よって、物理量センサーは、生産性に優れる。
【００２０】
［適用例５］
本発明の物理量センサーでは、前記封止材は、前記蓋基板の前記境界部であり、かつ、
縁部である位置に配置されているのが好ましい。
【００２１】
これにより、封止材を蓋基板の縁部から溝に充填することができる。よって、センサー
素子が収納される空間をより容易に封止することができる。
【００２２】
［適用例６］
本発明の物理量センサーでは、前記封止材は、金属材料または低融点ガラス材料を含ん
でいるのが好ましい。
【００２３】
これにより、センサー素子が収納される空間の気密性を高めることができ、物理量セン
サーは、さらに信頼性に優れる。
【００２４】
［適用例７］
本発明の物理センサーでは、前記配線の表面を覆う絶縁層を有しているのが好ましい。
【００２５】
これにより、封止材が導電性を有していても、複数の配線が短絡するのを防止すること
ができる。
【００２６】
［適用例８］
本発明の電子機器は、本発明の物理量センサーを備えることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い電子機器を得ることができる。
【００２７】
［適用例９］
本発明の移動体は、本発明の物理量センサーを備えることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い移動体を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】本発明の物理量センサーの第１実施形態を示す斜視図である。
【図２】図１に示す物理量センサーを示す平面図である。
【図３】図２中のＡ−Ａ線断面図である。
【図４】図３の部分拡大図（拡大断面図）である。
【図５】図２中のＢ−Ｂ線断面図を部分的に拡大した図である。
【図６】（ａ）が貫通孔の上面図、（ｂ）が図５中のＣ−Ｃ線断面図である。
【図７】図１に示す物理量センサーの製造方法を示す断面図であって、（ａ）用意工程を示す図、（ｂ）が配置工程および接合工程を示す図である。
【図８】図１に示す物理量センサーの製造方法を示す断面図であって、（ａ）が圧力調節工程を示す図、（ｂ）が封止の工程を示す図である。
【図９】本発明の物理量センサーの第２実施形態示す拡大断面図である。
【図１０】図９に示す物理量センサーの製造方法を示す断面図であって、（ａ）が圧力調節工程を示す図、（ｂ）が封止工程を示す図である。
【図１１】本発明の物理量センサーの第３実施形態を示す拡大断面図である。
【図１２】本発明の物理量センサーを備える電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピューターの構成を示す斜視図である。
【図１３】本発明の物理量センサーを備える電子機器を適用した携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。
【図１４】本発明の物理量センサーを備える電子機器を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。
【図１５】本発明の物理量センサーを備える移動体を適用した自動車の構成を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
以下、本発明の物理量センサー、電子機器および移動体を添付図面に示す好適な実施形
態に基づいて詳細に説明する。
【００３０】
まず、本発明の物理量センサーについて説明する。
１．物理量センサー
＜第１実施形態＞
図１は、本発明の物理量センサーの第１実施形態を示す斜視図である。図２は、図１に
示す物理量センサーを示す平面図である。図３は、図２中のＡ−Ａ線断面図である。図４
は、図３の部分拡大図（拡大断面図）である。図５は、図２中のＢ−Ｂ線断面図を部分的
に拡大した図である。図６は、（ａ）が貫通孔の上面図、（ｂ）が図５中のＣ−Ｃ線断面
図である。
【００３１】
なお、以下では、説明の便宜上、図２中の紙面手前側を「上」、紙面奥側を「下」、右
側を「右」、左側を「左」と言う。また、図１〜３、５では、互いに直交する３つの軸と
して、Ｘ軸、Ｙ軸およびＺ軸が図示されている。また、以下では、Ｘ軸に平行な方向（左
右方向）を「Ｘ軸方向」、Ｙ軸に平行な方向を「Ｙ軸方向」、Ｚ軸に平行な方向（上下方
向）を「Ｚ軸方向」と言う。また、矢印で図示されているＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸において
、矢印が指す方向を「＋」とし、その反対方向を「−」とする。
【００３２】
また、図７および図８（図９についても同様）では、物理量センサーの厚さ方向を誇張
して図示しており、実際の寸法とは大きく異なる。
【００３３】
図１に示す物理量センサー１は、支持基板２と、この支持基板２に接合・支持された素
子片（センサー素子）３と、素子片３に電気的に接続された導体パターン４と、素子片３
を覆うように設けられた蓋基板５とを有する。
【００３４】
以下、物理量センサー１を構成する各部を順次詳細に説明する。
（支持基板）
支持基板２は、素子片３を支持する機能を有する。
【００３５】
この支持基板２は、板状をなし、その上面（一方の面）には、空洞部２１が設けられて
いる。この空洞部２１は、支持基板２を平面視したときに、後述する素子片３の可動部３
３、可動電極部３６、３７および連結部３４、３５を包含するように形成されていて、内
底を有する。このような空洞部２１は、素子片３の可動部３３、可動電極部３６、３７お
よび連結部３４、３５が支持基板２に接触するのを防止する逃げ部を構成する。これによ
り、素子片３の可動部３３の変位を許容することができる。
【００３６】
なお、この逃げ部は、空洞部２１（凹部）に代えて、支持基板２をその厚さ方向に貫通
する開口部であってもよい。また、本実施形態では、空洞部２１の平面視形状は、四角形
（具体的には長方形）をなしているが、これに限定されるものではない。
【００３７】
また、支持基板２の上面には、前述した空洞部２１の外側に、その外周に沿って、凹部
２２、２３、２４が設けられている。この凹部２２、２３、２４は、平面視で導体パター
ン４に対応した形状をなしている。具体的には、凹部２２は、後述する導体パターン４の
配線４１および電極４４に対応した形状をなし、凹部２３は、後述する導体パターン４の
配線４２および電極４５に対応した形状をなし、凹部２４は、後述する導体パターン４の
配線４３および電極４６に対応した形状をなす。
【００３８】
また、凹部２２の電極４４が設けられた部位の深さは、凹部２２の配線４１が設けられ
た部位よりも深くなっている。同様に、凹部２３の電極４５が設けられた部位の深さは、
凹部２３の配線４２が設けられた部位よりも深くなっている。また、凹部２４の電極４６
が設けられた部位の深さは、凹部２４の配線４３が設けられた部位よりも深くなっている
。
【００３９】
このように凹部２２、２３、２４の一部の深さを深くすることにより、物理量センサー
１の製造時において、素子片３を形成する前の基板１０３を基板１０２Ａに接合したとき
、その基板１０３が電極４４、４５、４６と接合してしまうのを防止することができる。
または、基板１０３の、基板１０２Ａとの接合面上の当該箇所を一定量エッチング除去す
ることによっても同一の効果が得られる。
【００４０】
このような支持基板２の構成材料としては、具体的には、高抵抗なシリコン材料、ガラ
ス材料を用いるのが好ましく、特に、素子片３がシリコン材料を主材料として構成されて
いる場合、アルカリ金属イオン（可動イオン）を含むガラス材料（例えば、パイレックス
ガラス（登録商標）のような硼珪酸ガラス）を用いるのが好ましい。これにより、素子片
３がシリコンを主材料として構成されている場合、支持基板２と素子片３とを陽極接合す
ることができる。
【００４１】
また、支持基板２の融点または軟化点（以下、単に「融点」と言う）Ｔ２は、特に限定
されないが、例えば、４５０℃以上とされる。
【００４２】
また、支持基板２の構成材料は、素子片３の構成材料との熱膨張係数差ができるだけ小
さいのが好ましく、具体的には、支持基板２の構成材料と素子片３の構成材料との熱膨張
係数差が３ｐｐｍ／℃以下であるのが好ましい。これにより、支持基板２と素子片３との
接合時等に高温下にさらされても、支持基板２と素子片３との間の残留応力を低減するこ
とができる。
【００４３】
（素子片）
素子片３は、固定部３１、３２と、可動部３３と、連結部３４、３５と、可動電極部３
６、３７と、固定電極部３８、３９とで構成されている。
【００４４】
このような素子片３は、例えば、加速度、角速度等の物理量の変化に応じて、可動部３
３および可動電極部３６、３７が、連結部３４、３５を弾性変形させながら、Ｘ軸方向（
＋Ｘ方向または−Ｘ方向）に変位する。
【００４５】
固定部３１は、支持基板２の上面の空洞部２１に対して−Ｘ方向側（図中左側）の部分
に接合されている。固定部３２は、支持基板２の上面の空洞部２１に対して＋Ｘ方向側（
図中右側）の部分に接合されている。また、固定部３１、３２は、平面視したときに、そ
れぞれ、空洞部２１の外周縁を跨ぐように設けられている。
【００４６】
固定部３１、３２の間には、可動部３３が設けられている。本実施形態では、可動部３
３は、Ｘ軸方向に延びる長手形状をなしている。可動部３３は、固定部３１に対して連結
部３４を介して連結されるとともに、固定部３２に対して連結部３５を介して連結されて
いる。
【００４７】
連結部３４、３５は、可動部３３を固定部３１、３２に対して変位可能に連結している
。本実施形態では、連結部３４、３５は、図２にて矢印ａで示すように、Ｘ軸方向（＋Ｘ
方向または−Ｘ方向）に可動部３３を変位し得るように構成されている。
【００４８】
連結部３４は、２つの梁３４１、３４２で構成されている。そして、梁３４１、３４２
は、それぞれ、Ｙ軸方向に蛇行しながらＸ軸方向に延びる形状をなしている。言い換える
と、梁３４１、３４２は、それぞれ、Ｙ軸方向に複数回（本実施形態では２回）折り返さ
れた形状をなしている。
【００４９】
同様に、連結部３５は、Ｙ軸方向に蛇行しながらＸ軸方向に延びる形状をなす２つの梁
３５１、３５２で構成されている。
【００５０】
このように支持基板２に対してＸ軸方向に変位可能に支持された可動部３３の幅方向で
の一方側（＋Ｙ方向側）には、可動電極部３６が設けられ、他方側（−Ｙ方向側）には、
可動電極部３７が設けられている。
【００５１】
可動電極部３６は、可動部３３から＋Ｙ方向に突出し、櫛歯状をなすように並ぶ複数の
可動電極指３６１〜３６５を備えている。この可動電極指３６１、３６２、３６３、３６
４、３６５は、−Ｘ方向側から＋Ｘ方向側へ、この順に並んでいる。同様に、可動電極部
３７は、可動部３３から−Ｙ方向に突出し、櫛歯状をなすように並ぶ複数の可動電極指３
７１〜３７５を備える。この可動電極指３７１、３７２、３７３、３７４、３７５は、−
Ｘ方向側から＋Ｘ方向側へ、この順に並んでいる。
【００５２】
このように複数の可動電極指３６１〜３６５および複数の可動電極指３７１〜３７５は
、それぞれ、可動部３３の変位する方向（すなわちＹ軸方向）に並んで設けられている。
【００５３】
固定電極部３８は、前述した可動電極部３６の複数の可動電極指３６１〜３６５に対し
て間隔を隔てて噛み合う櫛歯状をなすように並ぶ複数の固定電極指３８１〜３８８を備え
る。このような複数の固定電極指３８１〜３８８の可動部３３とは反対側の端部は、それ
ぞれ、支持基板２の上面の空洞部２１に対して＋Ｙ方向側の部分に接合されている。そし
て、各固定電極指３８１〜３８８は、その固定された側の端を固定端とし、自由端が−Ｙ
方向へ延びている。
【００５４】
この固定電極指３８１〜３８８は、−Ｘ方向側から＋Ｘ方向側へ、この順に並んでいる
。そして、固定電極指３８１、３８２は、対をなし、前述した可動電極指３６１、３６２
の間に、固定電極指３８３、３８４は、対をなし、可動電極指３６２、３６３の間に、固
定電極指３８５、３８６は、対をなし、可動電極指３６３、３６４の間に、固定電極指３
８７、３８８は、対をなし、可動電極指３６４、３６５の間に臨むように設けられている
。
【００５５】
このような固定電極指３８２、３８４、３８６、３８８と、固定電極指３８１、３８３
、３８５、３８７とは、支持基板２上において、互いに連結されておらず、島状に孤立し
ている。これにより、固定電極指３８２、３８４、３８６、３８８と可動電極部３６との
間の静電容量、および、固定電極指３８１、３８３、３８５、３８７と可動電極部３６と
の間の静電容量を別々に測定し、それらの測定結果に基づいて、高精度に物理量を検出す
ることができる。
【００５６】
固定電極部３９は、前述した可動電極部３７の複数の可動電極指３７１〜３７５に対し
て間隔を隔てて噛み合う櫛歯状をなすように並ぶ複数の固定電極指３９１〜３９８を備え
る。このような複数の固定電極指３９１〜３９８の可動部３３とは反対側の端部は、それ
ぞれ、支持基板２の上面の空洞部２１に対して−Ｙ方向側の部分に接合されている。そし
て、各固定電極指３９１〜３９８は、その固定された側の端を固定端とし、自由端が＋Ｙ
方向へ延びている。
【００５７】
この固定電極指３９１、３９２、３９３、３９４、３９５、３９６、３９７、３９８は
、−Ｘ方向側から＋Ｘ方向側へ、この順に並んでいる。そして、固定電極指３９１、３９
２は、対をなし、前述した可動電極指３７１、３７２の間に、固定電極指３９３、３９４
は、対をなし、可動電極指３７２、３７３の間に、固定電極指３９５、３９６は、対をな
し、可動電極指３７３、３７４の間に、固定電極指３９７、３９８は、対をなし、可動電
極指３７４、３７５の間に臨むように設けられている。
【００５８】
このような固定電極指３９２、３９４、３９６、３９８と固定電極指３９１、３９３、
３９５、３９７とは、前述した固定電極部３８と同様、支持基板２上で互いに分離してい
る。これにより、固定電極指３９２、３９４、３９６、３９８と可動電極部３７との間の
静電容量、および、固定電極指３９１、３９３、３９５、３９７と可動電極部３７との間
の静電容量を別々に測定し、それらの測定結果に基づいて、高精度に物理量を検出するこ
とができる。
【００５９】
このような素子片３（すなわち、固定部３１、３２、可動部３３、連結部３４、３５、
複数の固定電極指３８１〜３８８、３９１〜３９８および複数の可動電極指３６１〜３６
５、３７１〜３７５）は、後述する１つのシリコン基板をエッチングすることより形成さ
れたものである。
【００６０】
また、素子片３の構成材料としては、前述したような静電容量の変化に基づく物理量の
検出が可能であれば、特に限定されないが、半導体が好ましく、本実施形態では、単結晶
シリコン、ポリシリコン等のシリコン材料が用いられる。
【００６１】
また、素子片３を構成するシリコン材料には、リン、ボロン等の不純物がドープされて
いるのが好ましい。これにより、素子片３の導電性を優れたものとすることができる。
【００６２】
また、素子片３は、前述したように、支持基板２の上面に固定部３１、３２および固定
電極部３８、３９が接合されることにより、支持基板２に支持されている。
【００６３】
このような素子片３と支持基板２との接合方法は、特に限定されないが、陽極接合法を
用いるのが好ましい。これにより、素子片３を支持基板２に強固に接合することができる
。
【００６４】
（導体パターン）
導体パターン４は、前述した支持基板２の上面（固定電極部３８、３９側の面）上に設
けられている。
【００６５】
この導体パターン４は、配線４１、４２、４３と、電極４４、４５、４６とで構成され
ている。
【００６６】
配線４１は、前述した支持基板２の空洞部２１の外側に設けられ、空洞部２１の外周に
沿うように形成されている。そして、配線４１の一端部は、支持基板２の上面の外周部（
支持基板２上の蓋基板５の外側の部分）上において、電極４４に接続されている。
【００６７】
このような配線４１は、前述した素子片３の第１固定電極指である各固定電極指３８２
、３８４、３８６、３８８および各固定電極指３９２、３９４、３９６、３９８に電気的
に接続されている。
【００６８】
また、配線４２は、前述した配線４１の内側、かつ、前述した支持基板２の空洞部２１
の外側でその外周縁に沿って設けられている。そして、配線４２の一端部は、前述した電
極４４に対して間隔を隔てて並ぶように支持基板２の上面の外周部（支持基板２上の蓋基
板５の外側の部分）上において、電極４５に接続されている。
【００６９】
配線４３は、支持基板２上の固定部３１との接合部から、支持基板２の上面の外周部（
支持基板２上の蓋基板５の外側の部分）上に延びるように設けられている。配線４３と固
定部３１とは突起５０を介して接続されている。そして、配線４３の固定部３１とは反対
側の端部は、前述した電極４４、４５に対して間隔を隔てて並ぶように支持基板２の上面
の外周部（支持基板２上の蓋基板５の外側の部分）上において、電極４６に接続されてい
る。
【００７０】
また、配線４１および電極４４は、前述した支持基板２の凹部（第１凹部）２２内に設
けられ、配線４２および電極４５は、前述した支持基板２の凹部（第２凹部）２３内に設
けられ、配線４３および電極４６は、前述した支持基板２の凹部（第３凹部）２４内に設
けられている。これにより、配線４１〜４３が支持基板２の板面から突出するのを防止す
ることができる。
【００７１】
配線４１上には、導電性を有する複数の突起４８１および複数の突起４８２が設けられ
ている。複数の突起４８１は、複数の第１固定電極指である固定電極指３８２、３８４、
３８６、３８８に対応して設けられ複数の突起４８２は、複数の第１固定電極指である固
定電極指３９２、３９４、３９６、３９８に対応して設けられている。
【００７２】
そして、複数の突起４８１を介して固定電極指３８２、３８４、３８６、３８８と配線
４１とが電気的に接続されるとともに、複数の突起４８２を介して固定電極指３９２、３
９４、３９６、３９８と配線４１とが電気的に接続されている。
【００７３】
同様に、配線４２上には、導電性を有する複数の突起４７１および複数の突起４７２が
設けられている。複数の突起４７１は、複数の第２固定電極指である固定電極指３８１、
３８３、３８５、３８７に対応して設けられ、複数の突起４７２は、複数の第２固定電極
指である固定電極指３９１、３９３、３９５、３９７に対応して設けられている。
【００７４】
そして、複数の突起４７１を介して固定電極指３８１、３８３、３８５、３８７と配線
４２とが電気的に接続されるとともに、複数の突起４７２を介して固定電極指３９１、３
９３、３９５、３９７と配線４２とが電気的に接続されている。
【００７５】
これにより、配線４２と他の部位との不本意な電気的接続（短絡）を防止しつつ、各固
定電極指３８１、３８３、３８５、３８７、３９１、３９３、３９５、３９７と配線４２
との電気的接続を行うことができる。
【００７６】
配線４１〜４３および電極４４〜４６の構成材料としては、それぞれ、導電性を有する
ものであれば、特に限定されず、各種電極材料を用いることができるが、例えば、ＩＴＯ
（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ
）、Ｉｎ３Ｏ３、ＳｎＯ２、Ｓｂ含有ＳｎＯ２、Ａｌ含有ＺｎＯ等の酸化物（透明電極材
料）、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌまたはこれらを含む合金等が挙げられ、これらのう
ちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００７７】
このような導体パターン４が支持基板２の上面に設けられていることにより、配線４１
を介して固定電極指３８２、３８４、３８６、３８８と可動電極部３６との間の静電容量
および固定電極指３９２、３９４、３９６、３９８と可動電極部３７との間の静電容量を
測定するとともに、配線４２を介して固定電極指３８１、３８３、３８５、３８７と可動
電極部３６との間の静電容量および固定電極指３９１、３９３、３９５、３９７と可動電
極部３７との間の静電容量を測定することができる。また、本実施形態では、配線４３は
、接地用の配線として機能する。
【００７８】
（絶縁膜）
また、図４、６に示すように、配線４１〜４３上には、絶縁膜６が設けられている。そ
して、前述した各突起４７１、４７２、４８１、４８２上の絶縁膜６は形成せずに突起の
表面が露出している。この絶縁膜６は、導体パターン４と素子片３との不本意な電気的接
続（短絡）を防止する機能を有する。これにより、配線４１、４２と他の部位との不本意
な電気的接続（短絡）をより確実に防止しつつ、各第１固定電極指３８２、３８４、３８
６、３８８、３９２、３９４、３９６、３９８と配線４１との電気的接続および各第２固
定電極指３８１、３８３、３８５、３８５、３８７、３９１、３９３、３９５、３９７と
配線４２との電気的接続を行うことができる。また、配線４３と他の部位との不本意な電
気的接続（短絡）をより確実に防止しつつ、固定部３１と配線４３との電気的接続を行う
ことができる。
【００７９】
また、固定電極指３９１と配線４１上の絶縁膜６との間には、隙間が形成されている。
図示しないが、この隙間と同様の隙間が他の各固定電極指と配線４１、４２上の絶縁膜６
との間にも形成されている。
【００８０】
また、図６に示すように、蓋基板５と配線４３上の絶縁膜６との間には、隙間２２２が
形成されている。図示しないが、この隙間２２２と同様の隙間が蓋基板５と配線４１、４
２上の絶縁膜６との間にも形成されている。これらの隙間は、蓋基板５内を減圧したり、
不活性ガスを充填したりするのを用いることができる。
【００８１】
このような絶縁膜６の構成材料としては、特に限定されず、絶縁性を有する各種材料を
用いることができるが、支持基板２がガラス材料（特に、アルカリ金属イオンが添加され
たガラス材料）で構成されている場合、二酸化珪素（ＳｉＯ２）を用いるのが好ましい。
これにより、前述したような不本意な電気的接続を防止するとともに、支持基板２の上面
の素子片３との接合部位に絶縁膜６が存在していても、支持基板２と素子片３とを陽極接
合することができる。
【００８２】
また、絶縁膜６の厚さ（平均厚さ）は、特に限定されないが、１０〜１０００ｎｍ程度
であるのが好ましく、１０〜２００ｎｍ程度であるのがより好ましい。このような厚さの
範囲で絶縁膜６を形成すると、前述したような不本意な電気的接続を防止することができ
る。
【００８３】
（蓋基板）
蓋基板５は、前述した素子片３を保護する機能を有する。
【００８４】
この蓋基板５は、板状をなし、その一方の面（下面）に凹部５１が設けられている。こ
の凹部５１は、素子片３の可動部３３および可動電極部３６、３７等の変位を許容するよ
うに形成されている。
【００８５】
そして、蓋基板５の下面の凹部５１よりも外側の部分は、前述した支持基板２の上面に
接合されている。本実施形態では、前述した絶縁膜６を介して支持基板２と蓋基板５とが
接合されている。
【００８６】
また、図５および図６に示すように、蓋基板５の凹部５１よりも−Ｘ側には、支持基板
２の厚さ方向に貫通する貫通孔５２が設けられている。この貫通孔５２は、Ｚ軸方向から
見たとき、Ｙ軸方向に延在する長方形をなしている。
【００８７】
また、図６（ａ）および（ｂ）に示すように、貫通孔５２は、凹部２２〜２４に対応す
る部分に設けられており、具体的には、Ｚ軸方向から見たとき、凹部２２〜２４とそれぞ
れ交差している。これにより、１つの貫通孔５２を通じて封止材７を、凹部２２〜２４内
にそれぞれ充填することができる。よって、凹部２２〜２４に対して、それぞれ３つの貫
通孔を形成する場合に比べて、蓋基板５を容易に形成することができる。
【００８８】
また、貫通孔５２の幅（Ｘ軸方向の長さ）は、支持基板２側にいくに従い漸減している
。貫通孔５２の上面開口の幅Ｗ１と、下面開口の幅Ｗ２との比Ｗ１／Ｗ２は、１０以上、
７０以下であるのが好ましく、１５以上、３０以下であるのがより好ましい。これにより
、後述するように、貫通孔５２に棒状の封止材７ａを安定的に配置することができる。
【００８９】
また、蓋基板５の融点（軟化点）Ｔ５は、特に限定されず、例えば、１０００℃以上で
あるのが好ましく、１１００℃以上であるのがより好ましい。
【００９０】
蓋基板５と支持基板２との接合方法としては、特に限定されず、例えば、接着剤を用い
た接合方法、陽極接合法、直接接合法等を用いることができる。
【００９１】
また、蓋基板５の構成材料としては、前述したような機能を発揮し得るものであれば、
特に限定されないが、例えば、シリコン材料、ガラス材料等を好適に用いることができる
。
【００９２】
（封止材）
図５〜図７に示すように、Ｙ軸方向から見たとき、支持基板２と蓋基板５との境界部Ｋ
と交差（横断）する凹部２２〜２４および、貫通孔５２には、封止材７が充填されている
。本明細書中では、「境界部Ｋ」とは、支持基板２と蓋基板５とが接合されている接合面
のことを言う。
【００９３】
以下、図５に示す凹部２４について代表的に説明する。なお、凹部２２、２３について
も、封止材７が同様に充填されている。また、Ｚ軸方向から見たとき、凹部２４の境界部
Ｋと交差する部分を「凹部２４Ａ」とも言う。
【００９４】
封止材７は、凹部２４Ａでは、Ｚ軸方向から見たとき、貫通孔５２の下面開口と重なっ
ている部分と、その周辺部（＋Ｘ側の部分および−Ｘ側の部分）に充填されている。また
、封止材７は、凹部２４Ａの内面、絶縁膜６、蓋基板５の下面にそれぞれ密着している。
【００９５】
また、封止材７は、貫通孔５２では、貫通孔５２の下面開口から深さ方向の途中まで充
填されており、その内側面の全周にわたって密着している。
【００９６】
上記構成により、物理量センサー１では、凹部２４Ａおよび貫通孔５２が封止材７によ
り封止され（塞がれ）、よって、凹部５１は、気密封止される。
【００９７】
ここで、物理量センサー１では、例えば、凹部２４Ａのうちの貫通孔５２の下面開口よ
りも＋Ｘ側の部分を封止材７で充填しさえすれば、凹部５１を気密封止することができる
。本実施形態では、封止材７は、凹部２４Ａのうちの貫通孔５２の下面開口よりも＋Ｘ側
の部分に加え、貫通孔５２の下面開口の直下およびその−Ｘ側にも充填されている。これ
により、凹部５１の気密性を優れたものとすることができる。よって、物理量センサー１
の信頼性を高めることができる。
【００９８】
さらに、物理量センサー１では、封止材７は、貫通孔５２にも、深さ方向の途中まで充
填されているため、その分、凹部５１の気密性をさらに高めることができる。よって、物
理量センサー１の信頼性をさらに高めることができる。
【００９９】
このように、封止材７は、凹部２２〜２４だけでなく、貫通孔５２にも跨って配置され
ている。これにより、後述の物理量センサー１の製造方法で説明するように、貫通孔５２
を通じて、凹部２４Ａに封止材７を容易に充填することができる。よって、凹部５１をよ
り容易に封止することができる。
【０１００】
また、前述したように、物理量センサー１では、貫通孔５２は、凹部２２〜２４とそれ
ぞれ交差している。これにより、１つの封止材７によって凹部２２〜凹部２４が一括して
封止されている。よって、凹部５１を容易に気密封止することができる。
【０１０１】
また、封止材７の融点Ｔ７は、支持基板２の融点Ｔ２および蓋基板５の融点Ｔ５よりも
低い。これにより、後述の封止工程において、封止材７を溶融させる際、支持基板２およ
び蓋基板５の熱変形を防止することができる。
【０１０２】
封止材７の融点Ｔ７と、支持基板２の融点Ｔ２または蓋基板５の融点Ｔ５との差ΔＴは
、２０℃以上であるのが好ましく、１００℃以上であるのがより好ましい。これにより、
凹部５１を効果的に封止することができる。
【０１０３】
差ΔＴが小さすぎると、後述の接合工程において、加熱時間（接合時間）が比較的長く
なると、封止材７が溶融される可能性がある。
【０１０４】
封止材７の融点Ｔ７は、上記のような関係を満足していれば特に限定されないが、例え
ば、３２０℃以上、４５０℃以下であるのが好ましく、３４０℃以上、４３０℃以下であ
るのがより好ましい。
【０１０５】
封止材７の構成材料としては、特に限定されず、例えば、Ａｕ−Ｇｅ系合金や、Ａｕ−
Ｓｎ系合金等の金属材料や、鉛ガラスや、ビスマス系ガラスや、バナジウム系ガラスなど
の低融点ガラス材料等を用いることができる。これにより、支持基板２の融点Ｔ２および
蓋基板５の融点Ｔ５よりも融点が低いという条件を満足する封止材７の構成材料の選定が
それぞれ容易になる。
【０１０６】
ここで、配線４１〜４３は、絶縁膜６で覆われている。これにより、封止材７として金
属材料のような導電性を有する材料を用いても、配線４１〜４３が、短絡するのを防止す
ることができる。
【０１０７】
封止材７が上記のような低融点ガラス材料で構成されていた場合、封止材７は、絶縁性
を有することとなる。これにより、絶縁膜６を省略したとしても、配線４１〜４３が短絡
するのを防止することができる。さらに、支持基板２または蓋基板５がガラス材料で構成
されていた場合、貫通孔の内側面、凹部２２〜２４の内側面に対する親和性を高めること
ができる。よって、凹部５１の気密性をさらに高めることができる。
【０１０８】
以上説明したように、物理量センサー１では、支持基板２に形成された凹部２２〜２４
に配線４１〜４３を配置することにより、蓋基板５の外側に配線４１〜４３を引き出すこ
とができる。また、このような構成によれば、支持基板２の上面および蓋基板５の下面の
平坦性を利用して気密的に接合することができる。さらに、支持基板２と蓋基板５との境
界部Ｋに位置する凹部２２〜２４を局所的に封止することで、凹部５１を気密封止するこ
とができる。したがって、本発明によれば、配線４１〜４３が蓋基板５の外側に引き出さ
れていても、凹部５１を容易に気密封止することができる。
【０１０９】
（物理量センサーの製造方法）
次に、物理量センサー１の製造方法について説明する。
【０１１０】
図７は図１に示す物理量センサーの製造方法を示す断面図であって、（ａ）用意工程を
示す図、（ｂ）が配置工程および接合工程を示す図である。図８は、図１に示す物理量セ
ンサーの製造方法を示す断面図であって、（ａ）が圧力調節工程を示す図、（ｂ）が封止
の工程を示す図である。
【０１１１】
物理量センサーの製造方法は、［１］用意工程と、［２］配置工程、［３］接合工程と
、［４］圧力調節工程と、［５］封止工程とを有している。
【０１１２】
なお、図７（ｂ）のみにチャンバー１００を図示しており、図８（ａ）および（ｂ）中
では、チャンバー１００の図示を省略しているが、本実施形態では、［３］接合工程〜［
５］封止工程が完了するまで、チャンバー１００内で行われる。
【０１１３】
また、以下では、支持基板２がアルカリ金属イオンを含むガラス材料で構成され、蓋基
板５がシリコン材料で構成されている場合を一例として説明する。
【０１１４】
また、素子片３は、公知の方法によって形成することができるため、その説明を省略す
る。
【０１１５】
［１］用意工程
まず、図７（ａ）に示すように、上面に素子片３が設けられた支持基板２と、蓋基板５
とを用意する。
【０１１６】
なお、支持基板２の空洞部２１、凹部２２〜２４、蓋基板５の凹部５１、貫通孔５２は
、エッチングすることにより形成されている。
【０１１７】
このエッチング方法としては、特に限定されないが、例えば、プラズマエッチング、リ
アクティブイオンエッチング、ビームエッチング、光アシストエッチング等の物理的エッ
チング法、ウェットエッチング等の化学的エッチング法等のうちの１種または２種以上を
組み合わせて用いることができる。
【０１１８】
［２］配置工程
次いで、図７（ｂ）に示すように、貫通孔５２内に、封止材７となる棒状の封止材７ａ
を配置する。これら封止材７ａの外径（最大外径）は、貫通孔５２の下面開口の幅よりも
大きく、かつ、貫通孔５２の上面開口の幅よりも小さい。これにより、封止材７ａを、貫
通孔５２内に配置することができる（以下、この状態を「配置状態」と言う）。
【０１１９】
また、前述したように、貫通孔５２は、幅が下側にいくに従って漸減している。これに
より、配置状態では、封止材７ａは、貫通孔５２の幅と一致した部分で留まることとなる
。よって、封止材７ａは、貫通孔５２内をＺ軸方向に移動するのが規制されている。さら
に、封止材７ａが貫通孔５２の孔径と一致した部分で留まることにより、封止材７ａがＸ
Ｙ平面方向に移動するのも規制することができる。これにより、封止材７ａをさらに安定
的に貫通孔５２内に配置することができる。
【０１２０】
［３］接合工程
次いで、図７（ｂ）に示すように、凹部５１に素子片３が収納されるように、支持基板
２の上面に蓋基板５を配置する（この状態を以下、「物理量センサー１’」とも言う）。
そして、物理量センサー１’をチャンバー１００に入れる。なお、支持基板２の上面に蓋
基板５を配置した後に、貫通孔５２に封止材７ａを配置してもよい。
【０１２１】
そして、陽極接合によって支持基板２の上面と蓋基板５の下面とを接合する。これによ
り、支持基板２と蓋基板５とを高い強度および気密性で接合することができる。
【０１２２】
この陽極接合におけるチャンバー１００内の温度、すなわち、陽極接合時の物理量セン
サー１’の温度Ｔａは、封止材７ａの融点Ｔ７よりも低ければ特に限定されず、１５０℃
以上、３８０℃以下であるのが好ましく、２５０℃以上、３６０℃以下であるのがより好
ましい。これにより、配置状態で陽極接合を行っても、封止材７ａが溶融して凹部５１が
封止されるのを防止することができる。
【０１２３】
なお、接合工程において、温度Ｔａが小さすぎると、支持基板２と蓋基板５との接合強
度が不十分となるおそれがある。また、温度Ｔａが高すぎると、封止材７ａが軟化して、
凹部５１が封止されるおそれがある。
【０１２４】
なお、接合工程が完了した状態では、凹部５１は貫通孔５２および凹部２２〜２４を介
して外側と連通している。
【０１２５】
［４］圧力調節工程
次いで、図８（ａ）に示すように、チャンバー１００内を真空ポンプによって真空引き
する。このとき、図８（ａ）中の矢印で示すように、凹部５１の空気は、凹部２２〜２４
を介して、凹部５１の外側に排出される。これにより、凹部５１内は真空状態となる。な
お、本明細書中では、「真空状態」とは、気圧が１０Ｐａ以下の状態のことを言う。
【０１２６】
一旦、凹部５１内を真空状態とした後に、チャンバー１００内に、例えば、窒素、アル
ゴン、ヘリウム、ネオン等の不活性ガスや、空気等を注入して、チャンバー１００内の気
圧を大気圧状態とする。これにより、図８（ａ）中の矢印で示すように、封止材７ａと貫
通孔５２の内側面との間の微小な隙間を介して、凹部５１内に空気（不活性ガス）が流入
し、凹部５１内は、大気圧状態となる。
【０１２７】
なお、本実施形態では、圧力調節工程において、凹部５１内を大気圧としているが、圧
力調節工程後の凹部５１内の圧力としては、大気圧よりも気圧が低い減圧状態とするのも
本発明に含まれる。この減圧状態としては、気圧が０．３×１０５Ｐａ以上、１×１０５
Ｐａ以下であるのが好ましく、０．５×１０５Ｐａ以上、０．８×１０５Ｐａ以下である
のがより好ましい。このような減圧状態のまま凹部５１を封止した場合、素子片３には、
駆動時に適度なダンピング（振動の減衰力）が作用し、その結果、不要振動が生じるのを
防止することができる。よって、加速度センサーとしての素子片３の検出感度を高めるこ
とができる。
【０１２８】
［５］封止工程
次いで、図８（ｂ）に示すように、チャンバー１００内の圧力状態を［４］圧力調節工
程後の圧力状態のまま、チャンバー１００内を加熱し、チャンバー１００内の温度を封止
材７ａの融点Ｔ７以上、支持基板２の融点Ｔ２および蓋基板５の融点Ｔ５未満の温度Ｔｂ
として、貫通孔５２内の封止材７ａを溶融させる。これにより、溶融により液状となった
封止材７ａ（以下、この液状の封止材７ａを「封止材７ｂ」と言う）は、貫通孔５２の内
側面の全周にわたって密着するとともに、貫通孔５２の下面開口から凹部２４Ａ（凹部２
２、２３についても同様）の内側面および絶縁膜６の上面に密着する。よって、凹部５１
内と凹部５１の外側の空間とは、封止材７ｂによって分離された状態となる。その結果、
凹部５１は、気密封止される。
【０１２９】
また、封止材７ｂの粘度は、貫通孔５２の下面開口の幅にもよるが、封止材７ｂが貫通
孔５２の下面開口から凹部２２〜２４内に流入することができる程度であれば特に限定さ
れない。具体的には、封止材７ｂの粘度は、０．５×１０−３Ｐａ・ｓ以上、１０×１０
−３Ｐａ・ｓ以下であるのが好ましく、２×１０−３Ｐａ・ｓ以上、５×１０−３Ｐａ・
ｓ以下であるのがより好ましい。
【０１３０】
封止材７ｂの粘度が小さすぎると、封止材７ｂが貫通孔５２から凹部２２〜２４内に入
り込む量が多くなり、貫通孔５２に充填される量が減ったり、貫通孔５２の封止が不十分
になったりする傾向を示す。一方、封止材７ｂの粘度が高すぎると、貫通孔５２の下面開
口から凹部２２〜２４に流入しにくくなり、凹部２２〜２４の封止が不十分となるおそれ
がある。
【０１３１】
そして、［５］封止工程が完了したら、最後に、封止材７ｂを、例えば常温に戻すこと
により凝固させる。これにより、物理量センサー１を得ることができる。
【０１３２】
このように、工程［１］〜［５］を経ることによって、凹部５１を気密封止することが
できる。特に、封止材７ａの融点Ｔ７が、支持基板２の融点Ｔ２および蓋基板５の融点Ｔ
５よりも低いため、接合工程において、支持基板２および蓋基板５が熱変形するのを防止
することができる。よって、寸法精度よく物理量センサー１を得ることができる。
【０１３３】
また、物理量センサー１’をチャンバー１００に入れさえすれば、物理量センサー１’
をチャンバー１００から出し入れすることなく［３］接合工程〜［５］封止工程を行うこ
とができる。このため、本製造方法は、非常に簡単であり、生産性が高い。
【０１３４】
なお、複数の物理量センサー１’を１つのチャンバー１００内に入れて、上記工程［１
］〜［５］を行うことによって、複数の物理量センサー１を一括して得ることもできる。
【０１３５】
＜第２実施形態＞
次に、本発明の物理量センサーの第２実施形態について説明する。
図９は、本発明の物理量センサーの第２実施形態示す拡大断面図である。
【０１３６】
以下、この図を参照して物理量センサーの第２実施形態について説明するが、前述した
実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項はその説明を省略する。
【０１３７】
第２実施形態では、封止材の配置位置が異なること以外は前記第１実施形態と略同様で
ある。
【０１３８】
図９に示す物理量センサー１Ａでは、蓋基板５Ａの側面のうちの−Ｘ側に位置している
側面５４は、ＸＹ平面に対して傾斜している。この傾斜角度θは、特に限定されないが、
３５°以上、８５°以下であるのが好ましく、４５°以上、７５°以下であるのがより好
ましい。
【０１３９】
傾斜角度θが大きすぎると、後述するように、封止材７ｂの粘度にもよるが、封止材７
が側面５４に接触した状態を維持するのが困難になる。一方、傾斜角度θが小さすぎると
、蓋基板５のＸ軸方向の長さが長くなる傾向を示し、支持基板２において封止材７を配置
するスペースを十分に確保できない可能性がある。
なお、蓋基板５Ａでは、貫通孔５２が省略されている。
【０１４０】
本実施形態では、封止材７は、境界部Ｋの、Ｚ軸方向から見て、凹部２４Ａのうちの蓋
基板５の−Ｘ側の縁部と重なる（交差する）部分に設けられている。また、封止材７は、
Ｚ軸方向から見たとき、蓋基板５の凹部２４Ａの−Ｘ側の端部から＋Ｘ軸側に入り込んで
いる。この封止材７は、凹部２４内では、蓋基板５の下面、凹部２４Ａの内面および絶縁
膜６の上面に密着している。これにより、凹部５１の気密性を優れたものとすることがで
きる。
【０１４１】
さらに、封止材７は、蓋基板５の側面５４にも密着している。これにより、封止材７と
蓋基板５との接触面積を大きくすることができ、その分、封止材７と、支持基板２および
蓋基板５Ａとの接合強度を高めることができる。よって、封止材７が蓋基板５および支持
基板２から離脱するのを効果的に防止または抑制することができる。
【０１４２】
次に、物理量センサー１Ａの製造方法について説明する。
図１０は、図９に示す物理量センサーの製造方法を示す断面図であって、（ａ）が圧力
調節工程を示す図、（ｂ）が封止工程を示す図である。
【０１４３】
本実施形態の物理量センサーの製造方法は、［１’］用意工程と、［２’］配置工程、
［３’］接合工程と、［４’］圧力調節工程と、［５’］封止工程とを有している。
【０１４４】
［１’］用意工程
まず、上面に素子片３およびが設けられた支持基板２と、蓋基板５Ａとを用意する。
【０１４５】
［２’］配置工程
次いで、図１０（ａ）に示すように、支持基板の上面で、かつ、蓋基板５Ａの側面５４
と接触するように、封止材７ａを配置する。
【０１４６】
［３’］接合工程
次いで、配置状態のまま、支持基板２および蓋基板５Ａをチャンバー（図示せず）に入
れて、陽極接合によって支持基板２および蓋基板５Ａを接合する。
【０１４７】
［４’］圧力調節工程
次いで、第１実施形態の［４］圧力工程と同様の工程を行う。
【０１４８】
［５’］封止工程
そして、図１０（ｂ）に示すように、チャンバー１００内を加熱し、チャンバー１００
内の温度を封止材７ａの融点Ｔ７以上、支持基板２の融点Ｔ２および蓋基板５の融点Ｔ５
未満の温度Ｔｂとして、貫通孔５２内の封止材７ａを溶融させる。
【０１４９】
このとき、溶融された封止材７ｂは、側面５４に接触し、かつ、凹部２４Ａを封止する
。
【０１５０】
また、封止材７ｂの粘度は、凹部２２〜２４の深さにもよるが、封止材７ｂが、蓋基板
５の−Ｘ側の縁部から凹部２２〜２４内に流入することができる程度であれば特に限定さ
れない。具体的には、封止材７ｂの粘度は、０．５×１０−３Ｐａ・ｓ以上、１０×１０
−３Ｐａ・ｓ以下であるのが好ましく、２×１０−３Ｐａ・ｓ以上、５×１０−３Ｐａ・
ｓであるのがより好ましい。
【０１５１】
封止材７ｂの粘度が小さすぎると、封止材７ｂが絶縁膜６上で過剰に広がり、その程度
によっては、電極４４〜４６に達するおそれがある。一方、封止材７ｂの粘度が高すぎる
と、封止材７ｂが、凹部２４内に入り込む量が少なくなる。
【０１５２】
そして、最後に、封止材７ｂを凝固させて、物理量センサー１Ａを得ることができる。
このように、本実施形態によれば、第１実施形態での貫通孔５２を省略することができ
る。よって、蓋基板５の構成を簡素にすることができる。
【０１５３】
＜第３実施形態＞
次に、本発明の物理量センサーの第３実施形態について説明する。
図１１は、本発明の物理量センサーの第３実施形態示す拡大断面図である。
【０１５４】
以下、この図を参照して物理量センサーの第３実施形態について説明するが、前述した
実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項はその説明を省略する。
第３実施形態では、凹部の形状が異なること以外は前記第１実施形態と略同様である。
【０１５５】
図１１に示すように、物理量センサー１Ｂの支持基板２Ｂは、配線４３が配置された凹
部２４Ｂを有する。凹部２４Ｂは、内面の底面と側面との境界部が、丸みを帯びて連続し
た面となっている。これにより、凹部２４Ｂ内に液状の封止材７ｂが入り込む際、封止材
７ｂは、凹部２４Ｂ内の隅々まで容易に入り込んで、凹部２４Ｂの内面に密着することが
できる。よって、凹部５１の気密性をより優れたものとすることができる。従って、物理
量センサー１Ｂは、さらに信頼性が高くなる。
【０１５６】
また、このような形状の凹部２４Ｂは、支持基板２が例えばガラス材料で構成されてい
た場合、ウェットエッチングを行うことにより、容易に得られる。
【０１５７】
このエッチング液としては、フッ化水素酸水溶液を主成分とする混合液を用いるのが好
ましい。
【０１５８】
なお、図示はしないが、物理量センサー１Ｂでは、配線４１、４２が配置された凹部も
それぞれ凹部２４Ｂと同様の形状をなしている。
【０１５９】
２．電子機器
次いで、物理量センサー１を適用した電子機器について、図１２〜図１４に基づき、詳
細に説明する。
【０１６０】
図１２は、本発明の物理量センサーを備える電子機器を適用したモバイル型（またはノ
ート型）のパーソナルコンピューターの構成を示す斜視図である。この図において、パー
ソナルコンピューター１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、表示
部１１０８を備えた表示ユニット１１０６とにより構成され、表示ユニット１１０６は、
本体部１１０４に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。このようなパー
ソナルコンピューター１１００には、角速度検知手段として機能する物理量センサー１が
内蔵されている。
【０１６１】
図１３は、本発明の物理量センサーを備える電子機器を適用した携帯電話機（ＰＨＳも
含む）の構成を示す斜視図である。この図において、携帯電話機１２００は、複数の操作
ボタン１２０２、受話口１２０４および送話口１２０６を備え、操作ボタン１２０２と受
話口１２０４との間には、表示部１２０８が配置されている。このような携帯電話機１２
００には、角速度検知手段として機能する物理量センサー１が内蔵されている。
【０１６２】
図１４は、本発明の物理量センサーを備える電子機器を適用したディジタルスチルカメ
ラの構成を示す斜視図である。なお、この図には、外部機器との接続についても簡易的に
示されている。ここで、通常のカメラは、被写体の光像により銀塩写真フィルムを感光す
るのに対し、ディジタルスチルカメラ１３００は、被写体の光像をＣＣＤ（Charge Coupl
ed Device）などの撮像素子により光電変換して撮像信号（画像信号）を生成する。
【０１６３】
ディジタルスチルカメラ１３００におけるケース（ボディー）１３０２の背面には、表
示部が設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、表示部
１３１０は、被写体を電子画像として表示するファインダーとして機能する。
【０１６４】
また、ケース１３０２の正面側（図中裏面側）には、光学レンズ（撮像光学系）やＣＣ
Ｄなどを含む受光ユニット１３０４が設けられている。
【０１６５】
撮影者が表示部に表示された被写体像を確認し、シャッターボタン１３０６を押下する
と、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、メモリー１３０８に転送・格納される。
【０１６６】
また、このディジタルスチルカメラ１３００においては、ケース１３０２の側面に、ビ
デオ信号出力端子１３１２と、データ通信用の入出力端子１３１４とが設けられている。
そして、図示されるように、ビデオ信号出力端子１３１２にはテレビモニター１４３０が
、デ−タ通信用の入出力端子１３１４にはパーソナルコンピューター１４４０が、それぞ
れ必要に応じて接続される。さらに、所定の操作により、メモリー１３０８に格納された
撮像信号が、テレビモニター１４３０や、パーソナルコンピューター１４４０に出力され
る構成になっている。
【０１６７】
このようなディジタルスチルカメラ１３００には、角速度検知手段として機能する物理
量センサー１が内蔵されている。
【０１６８】
なお、本発明の物理量センサーを備える電子機器は、図１２のパーソナルコンピュータ
ー（モバイル型パーソナルコンピューター）、図１３の携帯電話機、図１４のディジタル
スチルカメラの他にも、例えば、インクジェット式吐出装置（例えばインクジェットプリ
ンター）、ラップトップ型パーソナルコンピューター、テレビ、ビデオカメラ、ビデオテ
ープレコーダー、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳（通信機能付も含む）、
電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電
話、防犯用テレビモニター、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、医療機器（例えば電子体温計、血
圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡）、魚群探知機、各種測定
機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシミュレーター等に適
用することができる。
【０１６９】
３．移動体
次いで、本発明の物理量センサーを適用した移動体について、図１５に基づき、詳細に
説明する。
【０１７０】
図１５は、本発明の物理量センサーを備える移動体を適用した自動車の構成を示す斜視
図である。自動車１５００には、角速度検知手段として機能する物理量センサー１が内蔵
されており、物理量センサー１によって車体１５０１の姿勢を検出することができる。物
理量センサー１からの信号は、車体姿勢制御装置１５０２に供給され、車体姿勢制御装置
１５０２は、その信号に基づいて車体１５０１の姿勢を検出し、検出結果に応じてサスペ
ンションの硬軟を制御したり、個々の車輪１５０３のブレーキを制御したりすることがで
きる。その他、このような姿勢制御は、二足歩行ロボットやラジコンヘリコプターで利用
することができる。以上のように、各種移動体の姿勢制御の実現にあたって、物理量セン
サー１が組み込まれる。
【０１７１】
以上、本発明の物理量センサーを図示の実施形態について説明したが、本発明は、これ
に限定されるものではなく、物理量センサーを構成する各部は、同様の機能を発揮し得る
任意の構成のものと置換することができる。また、任意の構成物が付加されていてもよい
。
【０１７２】
また、本発明の物理量センサー、電子機器および移動体は、前記各実施形態のうちの、
任意の２以上の構成（特徴）を組み合わせたものであってもよい。
【０１７３】
また、前記各実施形態では、蓋基板は、主面がシリコンの（１００）面含むシリコン単
結晶基板を加工して形成されているが、本発明ではこれに限定されず、例えば主面がシリ
コン（１１０）面を含む単結晶基板の母材を加工して形成してもよい。
【符号の説明】
【０１７４】
１……物理量センサー
１’ ……物理量センサー
１Ａ……物理量センサー
１Ｂ……物理量センサー
２……支持基板
２Ｂ……支持基板
２１……空洞部
２２……凹部
２２２……隙間
２３……凹部
２４……凹部
２４Ａ……凹部
２４Ｂ……凹部
３……素子片
３１……固定部
３２……固定部
３３……可動部
３４……連結部
３４１……梁
３４２……梁
３５……連結部
３５１……梁
３５２……梁
３６……可動電極部
３６１……可動電極指
３６２……可動電極指
３６３……可動電極指
３６４……可動電極指
３６５……可動電極指
３７……可動電極部
３７１……可動電極指
３７２……可動電極指
３７３……可動電極指
３７４……可動電極指
３７５……可動電極指
３８……固定電極部
３８１……固定電極指
３８２……固定電極指
３８３……固定電極指
３８４……固定電極指
３８５……固定電極指
３８６……固定電極指
３８７……固定電極指
３８８……固定電極指
３９……固定電極部
３９１……固定電極指
３９２……固定電極指
３９３……固定電極指
３９４……固定電極指
３９５……固定電極指
３９６……固定電極指
３９７……固定電極指
３９８……固定電極指
４……導体パターン
４１……配線
４２……配線
４３……配線
４４……電極
４５……電極
４６……電極
４７１……突起
４７２……突起
４８１……突起
４８２……突起
５……蓋基板
５Ａ……蓋基板
５０……突起
５１……凹部
５２……貫通孔
５４……側面
６……絶縁膜
７……封止材
７ａ……封止材
７ｂ……封止材
７……封止材
１００……チャンバー
１１００……パーソナルコンピューター
１１０２……キーボード
１１０４……本体部
１１０６……表示ユニット
１１０８……表示部
１２００……携帯電話機
１２０２……操作ボタン
１２０４……受話口
１２０６……送話口
１２０８……表示部
１３００……ディジタルスチルカメラ
１３０２……ケース
１３０４……受光ユニット
１３０６……シャッターボタン
１３０８……メモリー
１３１０……表示部
１３１２……ビデオ信号出力端子
１３１４……入出力端子
１４３０……テレビモニター
１４４０……パーソナルコンピューター
１５００……自動車
１５０１……車体
１５０２……車体姿勢制御装置
１５０３……車輪
Ｋ……境界部
Ｔ２……融点（軟化点）
Ｔ５……融点（軟化点）
Ｔ７……融点（軟化点）
Ｗ１……幅
Ｗ２……幅
θ……傾斜角度
【図１】
2016099224.tif 000003
【図２】
2016099224.tif 000004
【図３】
2016099224.tif 000005
【図４】
2016099224.tif 000006
【図５】
2016099224.tif 000007
【図６】
2016099224.tif 000008
【図７】
2016099224.tif 000009
【図８】
2016099224.tif 000010
【図９】
2016099224.tif 000011
【図１０】
2016099224.tif 000012
【図１１】
2016099224.tif 000013
【図１２】
2016099224.tif 000014
【図１３】
2016099224.tif 000015
【図１４】
2016099224.tif 000016
【図１５】
2016099224.tif 000017