(57)【要約】【課題】共振器構造の光路長を高精度に制御することにより、色のばらつきや発光効率のばらつきを抑えることを可能にする。【解決手段】本開示の表示装置は、第１電極と、第１電極上に形成された無機材料から成る無機ホール注入輸送層と、無機ホール注入輸送層上に形成された、それぞれ発光色が異なる第１有機発光部及び第２有機発光部の少なくとも２つの発光部と、少なくとも２つの有機発光部上に形成された電子輸送層と、電子輸送層上に形成された第２電極と、を備える。そして、第１有機発光部の発光層は、第１発光色の発光層と第２発光色の発光層との積層から成り、第２有機発光部の発光層は、第２発光色の発光層から成る。【選択図】  図４
2016195070.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１電極と、
第１電極上に形成された無機材料から成る無機ホール注入輸送層と、
無機ホール注入輸送層上に形成された、それぞれ発光色が異なる第１有機発光部及び第２有機発光部の少なくとも２つの発光部と、
少なくとも２つの有機発光部上に形成された電子輸送層と、
電子輸送層上に形成された第２電極と、
を備え、
第１有機発光部の発光層は、第１発光色の発光層と第２発光色の発光層との積層から成り、
第２有機発光部の発光層は、第２発光色の発光層から成る、
表示装置。
【請求項２】
第１有機発光部、第２有機発光部、及び、第３有機発光部の３つの発光部を有し、
第１有機発光部の発光層は、第１発光色の発光層と第２発光色の発光層と第３発光色の発光層との積層から成り、
第２有機発光部の発光層は、第２発光色の発光層と第３発光色の発光層との積層から成り、
第３有機発光部の発光層は、第３発光色の発光層から成る、
請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
第１有機発光部は、無機ホール注入輸送層と第１発光色の発光層との間に設けられた光路長調整層を有する、
請求項１に記載の表示装置。
【請求項４】
無機ホール注入輸送層は、第１発光色の発光層と第２発光色の発光層との間を絶縁膜によって分離されている、
請求項１に記載の表示装置。
【請求項５】
第１有機発光部は、隣接する有機発光部との間に設けられた隔壁を有する、
請求項１に記載の表示装置。
【請求項６】
第１電極上に無機材料から成る無機ホール注入輸送層を形成し、
無機ホール注入輸送層上に、第１発光色の発光層と第２発光色の発光層との積層から成る第１有機発光部、及び、第２発光色の発光層から成る第２有機発光部の少なくとも２つの発光部を形成し、
少なくとも２つの有機発光部上に電子輸送層を形成し、
電子輸送層上に第２電極を形成して成る表示装置の製造に当たって、
無機ホール注入輸送層上に第１発光色の発光層を形成した後、無機ホール注入輸送層上の第２有機発光部の領域の第１発光色の発光層を、エネルギー線を照射することによって除去し、
次いで、第１有機発光部の領域及び第２有機発光部の領域に第２発光色の発光層を形成する、
表示装置の製造方法。
【請求項７】
エネルギー線は、レーザービーム、電子ビーム、分子ビーム、及び、イオンビームのいずれかである、
請求項６に記載の表示装置の製造方法。
【請求項８】
無機ホール注入輸送層の表面に対してエネルギー線を斜め方向から照射する、
請求項６に記載の表示装置の製造方法。
【請求項９】
第１電極と、
第１電極上に形成された無機材料から成る無機ホール注入輸送層と、
無機ホール注入輸送層上に形成された、それぞれ発光色が異なる第１有機発光部及び第２有機発光部の少なくとも２つの発光部と、
少なくとも２つの有機発光部上に形成された電子輸送層と、
電子輸送層上に形成された第２電極と、
を備え、
第１有機発光部の発光層は、第１発光色の発光層と第２発光色の発光層との積層から成り、
第２有機発光部の発光層は、第２発光色の発光層から成る、
表示装置を有する電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、表示装置、表示装置の製造方法、及び、電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機材料のエレクトロルミネッセンス（Electro Luminescence：ＥＬ）を利用して画像を表示する有機ＥＬ表示装置がある。そして、近年、有機ＥＬ表示装置の技術は、モニタなどの直視型ディスプレイの他、数ミクロン程度の微細な画素ピッチが要求される超小型ディスプレイ（所謂、マイクロディスプレイ）に適用されつつある。
【０００３】
ところで、有機ＥＬ表示装置には、フルカラーを実現する方式として、複数色、例えば赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の３原色の有機ＥＬ材料を、マスクを利用して蒸着で塗り分ける方式と、白色（Ｗ）発光の有機ＥＬ素子とカラーフィルタとを組み合わせる方式とがある。白色発光の有機ＥＬ素子（白色有機ＥＬ素子）は、例えばＲＧＢ３色の発光層を全画素に亘って積層することによって白色光を取り出す構造となっている。
【０００４】
これらの方式のうち、前者のＲＧＢ塗り分け方式は、一般的に、直視型の有機ＥＬ表示装置で用いられている。超小型ディスプレイのような数ミクロン程度の微細な画素ピッチに対しては、マスクの位置合わせの精度などの観点から、フルカラーの実現方式としてＲＧＢ塗り分け方式を採用し、マスク蒸着プロセスによる塗り分けを実現することは困難である。そのため、数ミクロン程度の微細な画素ピッチの有機ＥＬ表示装置には、例えばＲＧＢ３色の発光層の積層によって白色光を取り出す白色有機ＥＬ素子とカラーフィルタとを組み合わせる方式がフルカラーの実現方式として適用されている。
【０００５】
しかしながら、白色有機ＥＬ素子とカラーフィルタとを組み合わせる方式は、白色有機ＥＬ素子から発せられる白色光をカラーフィルタで分解することになるためにロスが大きく、ＲＧＢ塗り分け方式に比べて発光効率が低下する。これに対して、共振効果によって特定の波長の光を強調する共振器構造を採用することで、発光効率の高効率化や色再現性の向上を実現する技術が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００６−２７８２５７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上記の共振器構造は、反射膜と透明電極との間の光路長をＲＧＢ各色毎に異ならせることによってマイクロキャビティ構造を形成し、共振効果によって特定の波長の光を強調することになる。特許文献１にあっては、反射膜−透明電極間の光路長の調整は、反射膜−透明電極間の層間膜の膜厚を制御することにより行われていた。この反射膜−透明電極間の層間膜の膜厚制御は、スパッタリングやＣＶＤ(Chemical Vapor Deposition)プロセスによって行われる。しかしながら、スパッタリングやＣＶＤプロセスによる膜厚制御は、蒸着プロセスによる膜厚制御に比べて、膜厚を精度良く制御することが難しく、膜厚にズレが生じ易い。そして、膜厚ズレが生じると、反射膜−透明電極間の光路長、即ち共振器構造の光路長が各色間でばらつくことになるため、色のばらつきや発光効率のばらつきが生じる。
【０００８】
そこで、本開示は、共振器構造の光路長を高精度に制御することにより、色のばらつきや発光効率のばらつきを抑えることを可能にした表示装置、表示装置の製造方法、及び、当該表示装置を有する電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記の目的を達成するための本開示の表示装置は、
第１電極と、
第１電極上に形成された無機材料から成る無機ホール注入輸送層と、
無機ホール注入輸送層上に形成された、それぞれ発光色が異なる第１有機発光部及び第２有機発光部の少なくとも２つの発光部と、
少なくとも２つの有機発光部上に形成された電子輸送層と、
電子輸送層上に形成された第２電極と、
を備え、
第１有機発光部の発光層は、第１発光色の発光層と第２発光色の発光層との積層から成り、
第２有機発光部の発光層は、第２発光色の発光層から成る。
【００１０】
また、上記の目的を達成するための本開示の表示装置の製造方法は、
第１電極上に無機材料から成る無機ホール注入輸送層を形成し、
無機ホール注入輸送層上に、第１発光色の発光層と第２発光色の発光層との積層から成る第１有機発光部、及び、第２発光色の発光層から成る第２有機発光部の少なくとも２つの発光部を形成し、
少なくとも２つの有機発光部上に電子輸送層を形成し、
電子輸送層上に第２電極を形成して成る表示装置の製造に当たって、
無機ホール注入輸送層上に第１発光色の発光層を形成した後、無機ホール注入輸送層上の第２有機発光部の領域の第１発光色の発光層を、エネルギー線を照射することによって除去し、
次いで、第１有機発光部の領域及び第２有機発光部の領域に第２発光色の発光層を形成する。
【００１１】
また、上記の目的を達成するための本開示の表示装置の電子機器は、上記の構成の表示装置を有する電子機器である。
【００１２】
上記の構成の表示装置、表示装置の製造方法、あるいは、電子機器において、ホール注入輸送層を形成する無機材料は、有機材料に比べてエッチングレートが非常に低い、換言すれば、有機材料に比べてエッチングされにくく。従って、第１電極上に無機ホール注入輸送層が設けられていることで、マスクを用いなくても蒸着プロセスによって有機層（有機発光部）の膜厚制御が可能になる。そして、蒸着プロセスによる有機層の膜厚制御により、スパッタリングやＣＶＤプロセスによる膜厚制御よりも高精度に膜厚制御を行うことができるため、共振器構造の光路長を高精度に制御できる。
【発明の効果】
【００１３】
本開示によれば、共振器構造の光路長を高精度に制御できるため、色のばらつきや発光効率のばらつきを抑えることができる。
【００１４】
尚、ここに記載された効果に必ずしも限定されるものではなく、本明細書中に記載されたいずれかの効果であってもよい。また、本明細書に記載された効果はあくまで例示であって、これに限定されるものではなく、また付加的な効果があってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】図１は、本開示の前提となるアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置の基本的な構成の概略を示すシステム構成図である。
【図２】図２は、２Ｔｒ２Ｃの単位画素（画素回路）の回路構成を示す回路図である。
【図３】図３は、共振器構造を有するＲＧＢ３つの副画素の従来例に係る画素構造を示す断面図である。
【図４】図４は、共振器構造を有するＲＧＢ３つの副画素の実施例１に係る画素構造を示す断面図である。
【図５】図５Ａ、図５Ｂ及び図５Ｃは、実施例１に係る画素構造を作製する手順を示す工程図（その１）である。
【図６】図６Ａ及び図６Ｂは、実施例１に係る画素構造を作製する手順を示す工程図（その２）である。
【図７】図７Ａ及び図７Ｂは、実施例１に係る画素構造を作製する手順を示す工程図（その３）である。
【図８】図８は、共振器構造を有するＲＧＢ３つの副画素の実施例２に係る画素構造を示す断面図である。
【図９】図９Ａ、図９Ｂ及び図９Ｃは、実施例２に係る画素構造を作製する手順を示す工程図（その１）である。
【図１０】図１０Ａ及び図１０Ｂは、実施例２に係る画素構造を作製する手順を示す工程図（その２）である。
【図１１】図１１Ａ及び図１１Ｂは、実施例２に係る画素構造を作製する手順を示す工程図（その３）である。
【図１２】図１２は、共振器構造を有するＲＧＢ３つの副画素の実施例３に係る画素構造を示す断面図である。
【図１３】図１３Ａ、図１３Ｂ及び図１３Ｃは、実施例３に係る画素構造を作製する手順を示す工程図（その１）である。
【図１４】図１４Ａ及び図１４Ｂは、実施例３に係る画素構造を作製する手順を示す工程図（その２）である。
【図１５】図１５Ａ及び図１５Ｂは、実施例３に係る画素構造を作製する手順を示す工程図（その３）である。
【図１６】図１６は、共振器構造を有するＲＧＢ３つの副画素の実施例４に係る画素構造を示す断面図である。
【図１７】図１７Ａ、図１７Ｂ及び図１７Ｃは、実施例４に係る画素構造を作製する手順を示す工程図（その１）である。
【図１８】図１８Ａ及び図１８Ｂは、実施例４に係る画素構造を作製する手順を示す工程図（その２）である。
【図１９】図１９Ａ及び図１９Ｂは、実施例４に係る画素構造を作製する手順を示す工程図（その３）である。
【図２０】図２０は、レンズ交換式一眼レフレックスタイプのデジタルスチルカメラの外観図であり、図２０Ａにその正面図を示し、図２０Ｂにその背面図を示す。
【図２１】図２１は、ヘッドマウントディスプレイの外観図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本開示の技術を実施するための形態（以下、「実施形態」と記述する）について図面を用いて詳細に説明する。本開示の技術は実施形態に限定されるものではなく、実施形態における種々の数値や材料などは例示である。以下の説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。尚、説明は以下の順序で行う。
１．本開示の表示装置、表示装置の製造方法、及び、電子機器、全般に関する説明
２．本開示の前提となる表示装置
２−１．システム構成
２−２．画素回路
２−３．フルカラーを実現する方式
２−４．共振器構造
３．本開示の一実施形態
３−１．実施例１
３−２．実施例２（光路長調整層を有する例）
３−３．実施例３（無機ホール注入輸送層を画素単位で電気的に隔離した例）
３−４．実施例４（赤色有機ＥＬ素子の両端に隔壁を設けた例）
４．電子機器
【００１７】
＜本開示の表示装置、表示装置の製造方法、及び、電子機器、全般に関する説明＞
本開示の表示装置、表示装置の製造方法、及び、電子機器にあっては、第１有機発光部、第２有機発光部、及び、第３有機発光部の３つの発光部を有する構成とすることができる。そして、第１有機発光部の発光層について、第１発光色の発光層と第２発光色の発光層と第３発光色の発光層との積層から成り、第２有機発光部の発光層は、第２発光色の発光層と第３発光色の発光層との積層から成り、第３有機発光部の発光層は、第３発光色の発光層から成る構成とすることができる。
【００１８】
上述した好ましい構成を含む本開示の表示装置、表示装置の製造方法、及び、電子機器にあっては、第１有機発光部について、無機ホール注入輸送層と第１発光色の発光層との間に設けられた光路長調整層を有する構成とすることができる。また、無機ホール注入輸送層について、第１発光色の発光層と第２発光色の発光層との間を絶縁膜によって分離されている構成とすることができる。また、第１有機発光部について、隣接する有機発光部との間に設けられた隔壁を有する構成とすることができる。
【００１９】
更に、上述した好ましい構成を含む本開示の表示装置の製造方法にあっては、エネルギー線について、レーザービーム、電子ビーム、分子ビーム、及び、イオンビームのいずれかである構成とすることができる。また、無機ホール注入輸送層の表面に対してエネルギー線を斜め方向から照射する構成とすることができる。
【００２０】
＜本開示の前提となる表示装置＞
［システム構成］
図１は、本開示の前提となるアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置の基本的な構成の概略を示すシステム構成図である。
【００２１】
アクティブマトリクス型表示装置は、発光部（発光素子）の駆動を、当該発光部と同じ画素内に設ける能動素子、例えば絶縁ゲート型電界効果トランジスタによって行う表示装置である。絶縁ゲート型電界効果トランジスタとしては、典型的には、薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor：ＴＦＴ）を用いることができる。
【００２２】
ここでは、一例として、単位画素（画素回路）の発光部（発光素子）が有機ＥＬ素子から成るアクティブマトリクス方式の有機ＥＬ表示装置の場合を例に挙げて説明するものとする。有機ＥＬ素子は、デバイスに流れる電流値に応じて発光輝度が変化する電流駆動型の電気光学素子である。以下では、「単位画素／画素回路」を単に「画素」と記述する場合もある。
【００２３】
図１に示すように、本開示の前提となるアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置１０は、複数の単位画素２０が行列状（２次元マトリクス状）に２次元配置されて成る画素アレイ部３０と、その周辺領域に配置されて画素２０を駆動する駆動部（周辺回路）とを有する構成となっている。駆動部は、例えば、書込み走査部４０、電源供給走査部５０、及び、信号出力部６０等から成り、画素アレイ部３０の各画素２０を駆動する。
【００２４】
本例では、書込み走査部４０、電源供給走査部５０、及び、信号出力部６０は、画素アレイ部３０の周辺回路として当該画素アレイ部３０と同じ基板上、即ち、表示パネル７０上に搭載されている。但し、書込み走査部４０、電源供給走査部５０、及び、信号出力部６０のいくつか、あるいは全部を表示パネル７０の外部に設ける構成を採ることも可能である。また、書込み走査部４０及び電源供給走査部５０をそれぞれ、画素アレイ部３０の一方側に配置する構成としているが、画素アレイ部３０を挟んで両側に配置する構成を採ることも可能である。表示パネル７０の基板としては、ガラス基板等の透明絶縁性基板を用いることもできるし、シリコン基板等の半導体基板を用いることもできる。
【００２５】
カラー表示対応の有機ＥＬ表示装置１０では、カラー画像を形成する際の単位となる１つの画素（単位画素／ピクセル）は複数の色の副画素（サブピクセル）から構成される。このとき、副画素の各々が図１の画素２０に相当することになる。より具体的には、カラー表示対応の表示装置では、１つの画素は、例えば、赤色（Ｒｅｄ：Ｒ）光を発光する副画素、緑色（Ｇｒｅｅｎ：Ｇ）光を発光する副画素、及び、青色（Ｂｌｕｅ：Ｂ）光を発光する副画素の３つの副画素から構成される。
【００２６】
但し、１つの画素としては、ＲＧＢの３原色の副画素の組み合わせに限られるものではなく、３原色の副画素に更に１色あるいは複数色の副画素を加えて１つの画素を構成することも可能である。より具体的には、例えば、輝度向上のために白色（Ｗｈｉｔｅ；Ｗ）光を発光する副画素を加えて１つの画素を構成したり、色再現範囲を拡大するために補色光を発光する少なくとも１つの副画素を加えて１つの画素を構成したりすることも可能である。
【００２７】
画素アレイ部３０には、ｍ行ｎ列の画素２０の配列に対して、行方向（画素行の画素の配列方向／水平方向）に沿って走査線３１（３１1〜３１m）と電源供給線３２（３２1〜３２m）とが画素行毎に配線されている。更に、ｍ行ｎ列の画素２０の配列に対して、列方向（画素列の画素の配列方向／垂直方向）に沿って信号線３３（３３1〜３３n）が画素列毎に配線されている。
【００２８】
走査線３１1〜３１mは、書込み走査部４０の対応する行の出力端にそれぞれ接続されている。電源供給線３２1〜３２mは、電源供給走査部５０の対応する行の出力端にそれぞれ接続されている。信号線３３1〜３３nは、信号出力部６０の対応する列の出力端にそれぞれ接続されている。
【００２９】
書込み走査部４０は、シフトレジスタ回路等によって構成されている。この書込み走査部４０は、画素アレイ部３０の各画素２０への映像信号の信号電圧の書込みに際して、走査線３１（３１1〜３１m）に対して書込み走査信号ＷＳ（ＷＳ1〜ＷＳm）を順次供給することによって画素アレイ部３０の各画素２０を行単位で順番に走査する、所謂、線順次走査を行う。
【００３０】
電源供給走査部５０は、書込み走査部４０と同様に、シフトレジスタ回路等によって構成されている。この電源供給走査部５０は、書込み走査部４０による線順次走査に同期して、第１電源電圧Ｖccpと当該第１電源電圧Ｖccpよりも低い第２電源電圧Ｖiniとで切り替わることが可能な電源電圧ＤＳ（ＤＳ1〜ＤＳm）を電源供給線３２（３２1〜３２m）に供給する。後述するように、電源電圧ＤＳのＶccp／Ｖiniの切替えによって、画素２０の発光／非発光（消光）の制御が行われる。
【００３１】
信号出力部６０は、信号供給源（図示せず）から供給される、輝度情報に応じた映像信号の信号電圧（以下、単に「信号電圧」と記述する場合もある）Ｖsigと基準電圧Ｖofsとを選択的に出力する。ここで、基準電圧Ｖofsは、映像信号の信号電圧Ｖsigの基準となる電圧（例えば、映像信号の黒レベルに相当する電圧）であり、後述する閾値補正処理の際に用いられる。
【００３２】
信号出力部６０から出力される信号電圧Ｖsig／基準電圧Ｖofsは、信号線３３（３３1〜３３n）を介して画素アレイ部３０の各画素２０に対して、書込み走査回路４０による走査によって選択された画素行の単位で書き込まれる。すなわち、信号出力部６０は、信号電圧Ｖsigを行（ライン）単位で書き込む線順次書込みの駆動形態を採っている。
【００３３】
［画素回路］
図２は、単位画素（画素回路）２０の具体的な回路構成の一例を示す回路図である。画素２０の発光部は、デバイスに流れる電流値に応じて発光輝度が変化する電流駆動型の電気光学素子の一例である有機ＥＬ素子２１から成る。
【００３４】
図２に示すように、画素２０は、有機ＥＬ素子２１と、有機ＥＬ素子２１に電流を流すことによって当該有機ＥＬ素子２１を駆動する駆動回路とによって構成されている。有機ＥＬ素子２１は、全ての画素２０に対して共通に配線された共通電源線３４にカソード電極が接続されている。
【００３５】
有機ＥＬ素子２１を駆動する駆動回路は、駆動トランジスタ２２、書込みトランジスタ２３、保持容量２４、及び、補助容量２５、即ち、２つのトランジスタ（Ｔｒ）と２つの容量素子（Ｃ）を有する、２Ｔｒ２Ｃの回路構成となっている。ここでは、駆動トランジスタ２２及び書込みトランジスタ２３としてＮチャネル型の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を用いている。但し、ここで示した、駆動トランジスタ２２及び書込みトランジスタ２３の導電型の組み合わせは一例に過ぎず、これらの組み合わせに限られるものではない。
【００３６】
駆動トランジスタ２２は、一方の電極（ソース／ドレイン電極）が電源供給線３２（３２1〜３２m）に接続され、他方の電極（ソース／ドレイン電極）が有機ＥＬ素子２１のアノード電極に接続されている。書込みトランジスタ２３は、一方の電極（ソース／ドレイン電極）が信号線３３（３３1〜３３n）に接続され、他方の電極（ソース／ドレイン電極）が駆動トランジスタ２２のゲート電極に接続されている。また、書込みトランジスタ２３のゲート電極は、走査線３１（３１1〜３１m）に接続されている。
【００３７】
駆動トランジスタ２２及び書込みトランジスタ２３において、一方の電極とは、一方のソース／ドレイン領域に電気的に接続された金属配線を言い、他方の電極とは、他方のソース／ドレイン領域に電気的に接続された金属配線を言う。また、一方の電極と他方の電極との電位関係によって一方の電極がソース電極ともなればドレイン電極ともなり、他方の電極がドレイン電極ともなればソース電極ともなる。
【００３８】
保持容量２４は、一方の電極が駆動トランジスタ２２のゲート電極に接続され、他方の電極が駆動トランジスタ２２の他方の電極、及び、有機ＥＬ素子２１のアノード電極に接続されている。補助容量２５は、一方の電極が有機ＥＬ素子２１のアノード電極に、他方の電極が有機ＥＬ素子２１のカソード電極にそれぞれ接続されている、即ち、有機ＥＬ素子２１に対して並列に接続されている。
【００３９】
上記の構成において、書込みトランジスタ２３は、書込み走査部４０から走査線３１を通してゲート電極に印加される、高電圧の状態がアクティブ状態となる書込み走査信号ＷＳに応答して導通状態となる。これにより、書込みトランジスタ２３は、信号線３３を通して信号出力部６０から異なるタイミングで供給される、輝度情報に応じた映像信号の信号電圧Ｖsig又は基準電圧Ｖofsをサンプリングし、画素２０内に書き込む。書込みトランジスタ２３によって書き込まれた信号電圧Ｖsig又は基準電圧Ｖofsは保持容量２４に保持される。
【００４０】
駆動トランジスタ２２は、電源供給線３２（３２1〜３２m）の電源電圧ＤＳが第１電源電圧Ｖccpにあるときには、一方の電極がドレイン電極、他方の電極がソース電極となって飽和領域で動作する。これにより、駆動トランジスタ２２は、電源供給線３２から電流の供給を受けて有機ＥＬ素子２１を電流駆動にて発光駆動する。より具体的には、駆動トランジスタ２２は、飽和領域で動作することにより、保持容量２４に保持された信号電圧Ｖsigの電圧値に応じた電流値の駆動電流を有機ＥＬ素子２１に供給し、当該有機ＥＬ素子２１を電流駆動することによって発光させる。
【００４１】
駆動トランジスタ２２は更に、電源電圧ＤＳが第１電源電圧Ｖccpから第２電源電圧Ｖiniに切り替わったときには、一方の電極がソース電極、他方の電極がドレイン電極となってスイッチングトランジスタとして動作する。これにより、駆動トランジスタ２２は、有機ＥＬ素子２１への駆動電流の供給を停止し、有機ＥＬ素子２１を非発光状態にする。すなわち、駆動トランジスタ２２は、有機ＥＬ素子２１の発光／非発光を制御するトランジスタとしての機能をも併せ持っている。
【００４２】
この駆動トランジスタ２２のスイッチング動作により、有機ＥＬ素子２１が非発光状態となる期間（非発光期間）を設け、有機ＥＬ素子２１の発光期間と非発光期間の割合（デューティ）を制御することができる。このデューティ制御により、１表示フレーム期間に亘って画素が発光することに伴う残像ボケを低減できるために、特に、動画の画品位をより優れたものとすることができる。
【００４３】
電源供給走査部５０から電源供給線３２を通して選択的に供給される第１，第２電源電圧Ｖccp，Ｖiniのうち、第１電源電圧Ｖccpは有機ＥＬ素子２１を発光駆動する駆動電流を駆動トランジスタ２２に供給するための電源電圧である。また、第２電源電圧Ｖiniは、有機ＥＬ素子２１に対して逆バイアスを掛けるための電源電圧である。この第２電源電圧Ｖiniは、基準電圧Ｖofsよりも低い電圧、例えば、駆動トランジスタ２２の閾値電圧をＶthとするときＶofs−Ｖthよりも低い電圧、好ましくは、Ｖofs−Ｖthよりも十分に低い電圧に設定される。
【００４４】
画素アレイ部３０の各画素２０は、駆動トランジスタ２２の特性のばらつきに起因する駆動電流のばらつきを補正する機能を有している。駆動トランジスタ２２の特性としては、例えば、駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖthや、駆動トランジスタ２２のチャネルを構成する半導体薄膜の移動度ｕ（以下、単に「駆動トランジスタ２２の移動度ｕ」と記述する）を例示することができる。
【００４５】
閾値電圧Ｖthのばらつきに起因する駆動電流のばらつきの補正（以下、「閾値補正」と記述する）は、駆動トランジスタ２２のゲート電圧Ｖgを基準電圧Ｖofsに初期化することによって行われる。具体的には、駆動トランジスタ２２のゲート電圧Ｖgの初期化電圧（基準電圧Ｖofs）を基準として当該初期化電圧から駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖthを減じた電位に向けて、駆動トランジスタ２２のソース電圧Ｖsを変化させる動作が行われる。この動作が進むと、やがて、駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間電圧Ｖgsが駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖthに収束する。この閾値電圧Ｖthに相当する電圧は保持容量２４に保持される。そして、保持容量２４に閾値電圧Ｖthに相当する電圧が保持されていることで、映像信号の信号電圧Ｖsigによる駆動トランジスタ２２の駆動の際に、駆動トランジスタ２２に流れるドレイン−ソース間電流Ｉdsの閾値電圧Ｖthに対する依存性を抑えることができる。
【００４６】
一方、移動度ｕのばらつきに起因する駆動電流のばらつきの補正（以下、「移動度補正」と記述する）は、書込みトランジスタ２３が導通状態となり、映像信号の信号電圧Ｖsigを書き込んでいる状態で、駆動トランジスタ２２を介した電流を保持容量２４に流すことによって行われる。換言すれば、駆動トランジスタ２２に流れる電流Ｉdsに応じた帰還量（補正量）で保持容量２４に負帰還をかけることによって行われる。上記の閾値補正により、映像信号を書き込んだときには既にドレイン−ソース間電流Ｉdsの閾値電圧Ｖthに対する依存性が打ち消されており、当該ドレイン−ソース間電流Ｉdsは、駆動トランジスタ２２の移動度ｕに依存したものとなっている。従って、駆動トランジスタ２２に流れる電流Ｉdsに応じた帰還量で駆動トランジスタ２２のドレイン−ソース間電圧Ｖdsに負帰還をかけることで、駆動トランジスタ２２に流れるドレイン−ソース間電流Ｉdsの移動度ｕに対する依存性を抑えることができる。
【００４７】
［フルカラーを実現する方式］
上述した、発光色が異なる複数の副画素から成る単位画素２０が行列状に配置されて成る有機ＥＬ表示装置１０においては、フルカラーを実現する方式として、例えばＲＧＢ３色の発光層の積層によって白色光を取り出す白色有機ＥＬ素子とカラーフィルタとを組み合わせる方式（以下、「ホワイト方式」と記述する）を採用する。このホワイト方式は、ＲＧＢ３色の発光層を全画素（副画素）に亘って積層して白色を取り出すため、ＲＧＢ塗り分け方式のようなマスクの位置合わせ精度の問題が無く、特に、超小型ディスプレイのような数ミクロン程度の微細な画素ピッチに対して有用なフルカラー実現方式である。但し、ホワイト方式の場合は、白色有機ＥＬ素子から発せられる白色光をカラーフィルタで分解し、白色光の２／３をカットすることによって１つの色の光を取り出すことになるためにロスが大きく、ＲＧＢ塗り分け方式に比べて例えば１／３以下まで発光効率が低下する。
【００４８】
［共振器構造］
そこで、上述した白色有機ＥＬ素子とカラーフィルタとを組み合わせる方式を採用する有機ＥＬ表示装置１０では、発光効率の高効率化や色再現性の向上を図る目的で共振器構造を採用している。共振器構造は、反射膜と透明電極との間の光路長をＲＧＢ各色毎に異ならせることによってマイクロキャビティ構造を形成し、共振効果によって特定の波長の光を強調して取り出す。以下に、共振器構造の従来例について図３を用いて説明する。
【００４９】
図３は、共振器構造を有する赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の３つの副画素２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂの従来例に係る画素構造を示す断面図である。図３に示す従来例に係る画素構造において、カソード電極８１は、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）と銀（Ａｇ）との合金（Ｍｇ-Ａｇ合金）から成り、半透過板（半透過電極）を兼ねた構成となっており、全画素（副画素）共通に設けられている。カソード電極８１は、発光機能層である有機層８２の上に形成されている。カソード電極８１の上には当該カソード電極８１を保護する保護膜８３が形成され、当該保護膜８３の上にはＲＧＢのカラーフィルタ８４Ｒ，８４Ｇ，８４Ｂが配されている。
【００５０】
有機層８２は、白色光を発光する白色発光機能層であり、透明導電材料である例えばＩＴＯ(Indium Tin Oxide：酸化インジウム・スズ)から成るアノード電極８５Ｒ，８５Ｇ，８５Ｂの上に形成されている。具体的には、有機層８２は、それぞれ有機材料から成るホール注入層８２１、ホール輸送層８２２、ＲＢＧの発光層８２３Ｒ，８２３Ｂ，８２３Ｇ、及び、電子輸送層８２４がアノード電極８５Ｒ，８５Ｇ，８５Ｂ側からこの順に積層された構造となっている。Ｒの発光層８２３ＲとＢの発光層８２３Ｂとの間には、中間層８２５が介在している。
【００５１】
上記の構成の有機層８２において、ホール注入層８２１及びホール輸送層８２２は、発光層８２３Ｒ，８２３Ｂ，８２３Ｇへのホール注入効率を高めるためのものである。発光層８２３Ｒ，８２３Ｂ，８２３Ｇは、電流が流れることにより、赤色、緑色、及び、青色の各光を発するものである。電子輸送層８２４は、発光層８２３Ｒ，８２３Ｂ，８２３Ｇへの電子注入効率を高めるためのものである。中間層８２５は、ＲＢＧの各発光層８２３Ｒ，８２３Ｂ，８２３Ｇをバランス良く発光させるためのものである。
【００５２】
アノード電極８５Ｒ，８５Ｇ，８５Ｂの下方にはＲＧＢの副画素２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂ毎に、例えば、アルミニウム（Ａｌ）と銅（Ｃｕ）との合金（Ａｌ-Ｃｕ合金）から成る反射板８６Ｒ，８６Ｇ，８６Ｂが配されている。また、アノード電極８５Ｒ，８５Ｇ，８５Ｂと反射板８６Ｒ，８６Ｇ，８６Ｂとの間には層間膜８７が介在している。後述するように、層間膜８７はその膜厚によって共振器構造の光路長（図に矢印で示す距離）を最適化する。層間膜８７の膜厚制御は、スパッタリングやＣＶＤ(Chemical Vapor Deposition)プロセスによって行われる。カラーフィルタ８４Ｒ，８４Ｇ，８４Ｂの間には、ブラックマトリクスとしての遮光膜８８が設けられている。
【００５３】
上記の構成の従来例に係る画素構造において、半透過電極であるカソード電極８１と反射板８６Ｒ，８６Ｇ，８６Ｂとにより、白色発光機能層である有機層８２で発生した光を共振させる共振器構造が構成されている。この共振器構造では、アノード電極８５Ｒ，８５Ｇ，８５Ｂと反射板８６Ｒ，８６Ｇ，８６Ｂとの間に介在する層間膜８７の膜厚を変えることにより、カソード電極８１と反射板８６Ｒ，８６Ｇ，８６Ｂとの間の光路長を発光色毎に変えて最適化し、画素（副画素）毎に発光色を変えるようにしている。
【００５４】
共振器構造を有する副画素２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂを備える有機ＥＬ表示装置１０において、共振効果を最大限に活かすには、共振器構造の最終的な光路長、即ち、カソード電極８１と反射板８６Ｒ，８６Ｇ，８６Ｂとの間の最終的な光路長のばらつきを抑制する必要がある。
【００５５】
上記の構成の従来例に係る画素構造では、共振器構造の最終的な光路長を最適化する層間膜８７の膜厚制御が、スパッタリングやＣＶＤプロセスによって行われている。しかしながら、スパッタリングやＣＶＤプロセスによる膜厚制御は、蒸着プロセスによる膜厚制御に比べて、膜厚を精度良く制御することが難しく、膜厚にズレが生じ易い。そして、膜厚ズレが生じると、カソード電極８１−反射板８６Ｒ，８６Ｇ，８６Ｂ間の光路長が各発光色間でばらつくことになるため、色のばらつきや発光効率のばらつきが発生する要因となる。
【００５６】
＜本開示の一実施形態＞
そこで、本開示の一実施形態では、共振器構造を有する副画素２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂを備える有機ＥＬ表示装置１０において、共振器構造の光路長を高精度に制御可能な構成を採る。具体的には、本実施形態では、スパッタリングやＣＶＤプロセスによる層間膜８７の膜厚制御に代えて、蒸着プロセスによる有機層８２の膜厚制御によって共振器構造の光路長、即ちカソード電極８１−反射板８６Ｒ，８６Ｇ，８６Ｂ間の光路長を最適化する構成を採る。
【００５７】
尚、先述した、共振器構造を有する従来例に係る画素構造では、白色光を発光する白色発光機能層である有機層８２が、ＲＢＧ３色の発光層８２３Ｒ，８２３Ｂ，８２３Ｇの積層から成るとしたが、これに限られるものではない。例えば、青色（Ｂ）を発光する発光層、及び、黄色（Ｙｅ）を発光する発光層の２つの発光層の積層によっても、白色光を発光する白色発光機能層を構成することができる。
【００５８】
本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１０は、第１電極、第１電極上に形成された無機材料から成る無機ホール注入輸送層、無機ホール注入輸送層上に形成された、それぞれ発光色が異なる第１有機発光部及び第２有機発光部の少なくとも２つの発光部を備える。本有機ＥＬ表示装置１０は更に、２つの有機発光部上に形成された電子輸送層、及び、電子輸送層上に形成された第２電極を備える。そして、第１有機発光部の発光層は、第１発光色の発光層と第２発光色の発光層との積層から成り、第２有機発光部の発光層は、第２発光色の発光層から成る。第１電極は下部電極であるアノード電極であり、第２電極は上部電極であるカソード電極である。
【００５９】
ここで、無機材料は、有機材料に比べてエッチングレートが非常に低いことが知られている。換言すれば、無機材料は、有機材料に比べてエッチングされにくく。従って、下部電極であるアノード電極上に無機材料から成る無機ホール注入輸送層が設けられていることで、マスクを用いなくても蒸着プロセスによって有機層（有機発光部）の膜厚制御が可能になる。そして、蒸着プロセスによる有機層の膜厚制御により、スパッタリングやＣＶＤプロセスによる膜厚制御よりも高精度に膜厚制御を行うことができる。これにより、共振器構造の光路長を高精度に制御することができるため、各発光色毎に共振器構造の光路長を最適化できるとともに、各発光色間での共振器構造の光路長のばらつきを抑えることができる。その結果、色のばらつきや発光効率のばらつきを抑えることができる。
【００６０】
以下に、共振器構造の光路長を高精度に制御可能とするための本実施形態の具体的な実施例について説明する。以下では、白色光を発光する白色発光機能層である有機層が、ＲＢＧ３色の発光層の積層から成る場合を例に挙げて説明するが、ＲＢＧ３色の発光層の積層に限られるものではない。具体的には、青色を発光する発光層と、黄色を発光する発光層との積層の場合など、少なくとも２つの発光層の積層から成る構成を採ることも可能である。
【００６１】
［実施例１］
図４は、共振器構造を有するＲＧＢ３つの副画素の実施例１に係る画素構造を示す断面図である。
【００６２】
実施例１に係る画素構造において、例えば赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の３つの有機ＥＬ素子２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂがそれぞれ副画素２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂを構成している。そして、これら副画素２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂは、層間膜８７を含むバックプレーン基板である駆動基板（図示せず）上にマトリクス状に２次元配置されている。駆動基板は、例えば、透明ガラス基板や半導体基板（例えば、シリコン基板）などで構成される。駆動基板としては、フレキシブルな構成のものであってもよい。この駆動基板上に、図２に示した駆動トランジスタ２２や書込みトランジスタ２３を含む駆動回路が形成される。
【００６３】
ここで、駆動トランジスタ２２や書込みトランジスタ２３として用いられるＴＦＴ及びその周辺部の構成の概略について説明する。ＴＦＴは、例えばボトムゲート型の薄膜トランジスタであり、駆動基板上の選択的な領域にゲート電極を有し、このゲート電極と駆動基板とを覆うように駆動基板の全面に亘ってゲート絶縁膜が設けられている。ゲート絶縁膜上には、半導体層が形成されている。この半導体層は、非晶質シリコン、多結晶シリコン又は酸化物半導体により構成されている。
【００６４】
半導体層上には、コンタクトホールを有する層間絶縁膜が形成されている。層間絶縁膜上には、ソース／ドレイン電極が配置されており、このソース／ドレイン電極は、層間絶縁膜のコンタクトホールを埋め込むように形成されることで、ソース／ドレイン領域として機能する半導体層と電気的に接続されている。このＴＦＴは、駆動基板において、平坦化膜により被覆されている。平坦化膜は、例えばポリイミド、アクリル系樹脂又はノボラック系樹脂などの有機絶縁膜、あるいは、酸化シリコン（ＳｉＯx）、窒化シリコン（ＳｉＮx）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などの無機絶縁膜より成る。
【００６５】
図４において、赤色有機ＥＬ素子２１Ｒは、駆動基板上に下層から順に、アノード電極８５Ｒ、無機ホール注入輸送層８２６、赤色発光層８２３Ｒ、緑色発光層８２３Ｇ、青色発光層８２３Ｂ、電子輸送層８２４、及び、カソード電極８１が積層された構成となっている。第１電極としてのアノード電極８５Ｒ，８５Ｇ，８５Ｂは、有機層８２の下側（光取り出し側と反対側）に設けられた下部電極である。第２電極としてのカソード電極８１は、有機層８２の上側（光取り出し側）に設けられた上部電極である。
【００６６】
緑色有機ＥＬ素子２１Ｇは、駆動基板上に下層から順に、アノード電極８５Ｇ、無機ホール注入輸送層８２６、緑色発光層８２３Ｇ、青色発光層８２３Ｂ、電子輸送層８２４、及び、カソード電極８１が積層された構成となっている。青色有機ＥＬ素子２１Ｂは、駆動基板上に下層から順に、アノード電極８５Ｂ、無機ホール注入輸送層８２６、青色発光層８２３Ｂ、電子輸送層８２４、及び、カソード電極８１が積層された構成となっている。
【００６７】
カソード電極８１は、赤色有機ＥＬ素子２１Ｒ、緑色有機ＥＬ素子２１Ｇ、及び、青色有機ＥＬ素子２１Ｂに対して共通に設けられている。このカソード電極８１上には、保護膜８３やカラーフィルタ８４Ｒ，８４Ｇ，８４Ｂを有する対向基板（図示せず）が設けられる。
【００６８】
アノード電極８５Ｒ，８５Ｇ，８５Ｂは、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム合金、銀（Ａｇ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、クロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）などの光反射材料で構成される反射電極である。アノード電極８５Ｒ，８５Ｇ，８５Ｂはその厚さが、例えば１００〜３００［ｎｍ］の範囲に設定されていることが好ましい。
【００６９】
ここでは、アノード電極８５Ｒ，８５Ｇ，８５Ｂについて、反射電極としたが、透明電極とすることも可能である。アノード電極８５Ｒ，８５Ｇ，８５Ｂを透明電極とする場合は、駆動基板との間に第１の反射界面を形成する目的で、例えば、Ａｌ、Ａｇ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｗなどの光反射材料から成る反射層を設けるのが好ましい。アノード電極８５Ｒ，８５Ｇ，８５Ｂは、カソード電極８１と絶縁されて設けられる。
【００７０】
無機材料から成るホール注入輸送層、即ち無機ホール注入輸送層８２６は、アノード電極８５Ｒ，８５Ｇ，８５Ｂからホールを注入し、かつ発光層８２３Ｒ，８２３Ｂ，８２３Ｇへホールを輸送する機能を有している。この無機ホール注入輸送層８２６は、例えば公知の材料としてシリコン又はゲルマニウムの酸化物を主成分とし、この主成分を（ＳｉxＧｅ1-x）０yと表したとき、０≦ｘ≦１、１．７≦ｘ≦２．２である材料などで構成される。
【００７１】
赤色発光層８２３Ｒは、蛍光性の材料でも燐光性の材料でもよい。具体的には、赤色発光層８２３Ｒは、例えば、４，４−ビス（２，２−ジフェニルビニン）ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）に２，６−ビス［（４’−メトキシジフェニルアミノ）スチリル］−１，５−ジシアノナフタレン（ＢＳＮ）を３０重量％混合したものによって構成されている。緑色発光層８２３Ｇは、蛍光性の材料でも燐光性の材料でもよい。具体的には、緑色発光層８２３Ｇは、例えば、ＤＰＶＢｉにクマリン６を５重量％混合したものによって構成されている。青色発光層８２３Ｂは、蛍光性の材料でも燐光性の材料でもよい。具体的には、青色発光層８２３Ｂは、例えば、ＤＰＶＢｉに４，４’−ビス［２−｛４−（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）フェニル｝ビニル］ビフェニル（ＤＰＡＶＢｉ）を２．５重量％混合したものによって構成されている。
【００７２】
電子輸送層８２４は、例えば、ＢＣＰ（２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン）、Ａｌｑ3（アルミキノリノール）、Ｂｐｈｅｎ（バソフェナントロリン）などよって構成されている。電子輸送層８２４は、１層以上からなり、アルカリ金属もしくはアルカリ土類金属をドープした電子輸送層８２４を少なくとも１層含んでもよい。
【００７３】
アルカリ金属もしくはアルカリ土類金属をドープした電子輸送層８２４は、ホスト材料として、例えばＢＣＰ（２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン）、Ａｌｑ3（アルミキノリノール）、Ｂｐｈｅｎ（バソフェナントロリン）などに、ドーパント材料が共蒸着により例えば０．５〜１５重量％ドープされたものによって構成される。ドーパント材料としては、リチウム（Ｌｉ）、ナトリウム（Ｎａ）、カリウム（Ｋ）、ルビジウム（Ｒｂ）、セシウム（Ｃｓ）などのアルカリ金属もしくはマグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、バリウム（Ｂａ）などのアルカリ土類金属を例示することができる。
【００７４】
本実施例では、電子輸送層８２４上にカソード電極８１を設ける構成を例示したが、電子輸送層８２４とカソード電極８１との間に電子注入層を設ける構成であってもよい。電子注入層は、カソード電極８１からの電子注入を高めるためのものであり、例えばフッ化リチウム（ＬｉＦ）などで構成される。
【００７５】
有機ＥＬ素子２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂを構成する各層の厚さについては、例えば、無機ホール注入輸送層８２６が１〜２００［ｎｍ］、発光層８２３Ｒ，８２３Ｇ，８２３Ｂが５〜５０［ｎｍ］、電子輸送層８２４が１０〜２００［ｎｍ］の範囲に設定されることが好ましい。有機ＥＬ素子２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂを構成する各層の厚さは、その光学膜厚が各層の動作を可能とするような値に設定される。
【００７６】
カソード電極８１は、光透過性が良好で仕事関数が小さい材料、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）、銀（Ａｇ）あるいはそれらの合金などの金属層で構成される。カソード電極８１はその厚さが、例えば３〜１５［ｎｍ］の範囲に設定されることが好ましい。
【００７７】
カソード電極８１については、多層膜として形成してもよい。多層膜とする場合、例えば、第１層をカルシウム（Ｃａ）、バリウム（Ｂａ）、リチウム（Ｌｉ）、セシウム（Ｃｓ）、インジウム（Ｉｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、銀（Ａｇ）などの金属層で構成し、第２層をマグネシウム（Ｍｇ）、銀（Ａｇ）あるいはそれらの合金などの金属層で構成することができる。
【００７８】
カソード電極８１上の保護膜８３は、有機層８２への水分の侵入を防止するためのものであり、透過性および透水性の低い材料を用いて例えば１〜８［ｕｍ］の厚さで形成される。保護膜８３の材料としては、窒化ケイ素（ＳｉＮx）、酸化ケイ素（ＳｉＯx）、酸化アルミニウム（ＡｌＯx）、またはこれらの組み合わせを用いることができる。
【００７９】
保護膜８３上に配される対向基板（図示せず）は、保護膜８３を形成した後、ＵＶ硬化樹脂あるいは熱硬化樹脂を塗布して貼り合わせて封止するものである。対向基板には、カラーフィルタ８４Ｒ，８４Ｇ，８４Ｂ及びブラックマトリクスとしての遮光膜８８が設けられている。これにより、有機ＥＬ素子２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂで発生した光を色分割して取り出すとともに、各有機ＥＬ素子２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂ間の配線において反射された外光を吸収し、コントラストを改善することができる。
【００８０】
アノード電極８５Ｒ，８５Ｇ，８５Ｂが配設された駆動基板上には、基板全面に亘って画素間絶縁膜（図示せず）が形成されている。画素間絶縁膜は、有機ＥＬ素子２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂを電気的に分離する機能を有するものであり、例えばポリイミド、アクリル系樹脂又はノボラック系樹脂などの有機絶縁膜、あるいは酸化シリコン（ＳｉＯx）、窒化シリコン（ＳｉＮx）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などの無機絶縁膜より成る。
【００８１】
上記の構成の実施例１に係る画素構造において、反射電極であるアノード電極８５Ｒ，８５Ｇ，８５Ｂと、半透過電極であるカソード電極８１とによって共振器構造が形成されている。共振器構造は、アノード電極８５Ｒ，８５Ｇ，８５Ｂとカソード電極８１との間の光路長（図に矢印で示す距離）、即ち共振器構造の光路長をＲＧＢ各色毎に異ならせることによってマイクロキャビティ構造を形成し、共振効果によって特定の波長の光を強調する。
【００８２】
実施例１に係る画素構造では、ホール注入輸送層として、有機材料に比べてエッチングレートが非常に低い無機材料から成る無機ホール注入輸送層８２６を用いているため、マスクを用いなくても蒸着プロセスによって有機層８２の膜厚制御が可能になる。そして、実施例１に係る画素構造にあっては、蒸着プロセスによる有機層８２の膜厚制御によってＲＧＢ各色毎の光路長を調整するようにしている。
【００８３】
蒸着プロセスによる有機層８２の膜厚制御によれば、スパッタリングやＣＶＤプロセスによる膜厚制御よりも高精度に膜厚制御を行うことができるため、共振器構造の光路長を高精度に制御することができる。これにより、各発光色毎に共振器構造の光路長を最適化できるとともに、各発光色間での共振器構造の光路長のばらつきを抑えることができるため、色のばらつきや発光効率のばらつきが少なく、高効率な有機ＥＬ装置を得ることができる。
【００８４】
また、実施例１に係る画素構造では、赤色の副画素２０Ｒについて赤色発光層８２３Ｒと緑色発光層８２３Ｇと青色発光層８２３Ｂとが直接積層され、緑色の副画素２０Ｒについて緑色発光層８２３Ｇと青色発光層８２３Ｂとが直接積層された構成となっている。先述した従来例に係る画素構造（図３参照）では、有機層８２が中間層８２５を含む白色発光機能層から成り、白色を発光する構成となっていた。
【００８５】
これに対して、上記の構成の実施例１に係る画素構造においては、有機ＥＬ素子２１Ｒが赤色を発光し、有機ＥＬ素子２１Ｇが緑色を発光し、有機ＥＬ素子２１Ｂが青色を発光する。このような発光状態を得るには、有機ＥＬ素子２１Ｒが赤色のみを発光し、有機ＥＬ素子２１Ｇが緑色のみを発光する設計を採用することになる。この設計には、周知の技術を用いることができる。具体的には、例えば、電子輸送層８２４の電子移動度を、無機ホール注入輸送層８２６のホール移動度と比較してより大きくする。
【００８６】
そして、有機ＥＬ素子２１Ｒでは、電子輸送層８２４と青色発光層８２３Ｂとの界面における電子に対する障壁を、無機ホール注入輸送層８２６と赤色発光層８２３Ｒとの界面におけるホールの障壁と比較してより小さくする。これにより、赤色の副画素２０Ｒにおいて、緑色発光層８２３Ｇ及び青色発光層８２３Ｂが発光するのを抑制することができる。また、有機ＥＬ素子２１Ｇでは、電子輸送層８２４と青色発光層８２３Ｂとの界面における電子に対する障壁を、無機ホール注入輸送層８２６と緑色発光層８２３Ｇとの界面におけるホールの障壁と比較してより小さくする。これにより、緑色の副画素２０Ｇにおいて、青色発光層８２３Ｂが発光するのを抑制することができる。
【００８７】
赤色の副画素２０Ｒにおいて、緑色発光層８２３Ｇ及び青色発光層８２３Ｂが発光するのを抑制することができ、緑色の副画素２０Ｇにおいて、青色発光層８２３Ｂが発光するのを抑制することができるとしたが、全く発光しない訳ではない。これに対して、実施例１に係る画素構造では、共振器構造を採用しているため、当該共振器構造の作用により、赤色の副画素２０Ｒでは、赤色光を強調して取り出すことができ、緑色の副画素２０Ｇでは、緑色光を強調して取り出すことができる。
【００８８】
有機層８２が白色発光機能層から成る従来例に係る画素構造の場合は、白色発光機能層である有機層８２から発せられる白色光をカラーフィルタ８４Ｒ，９４Ｇ，８４Ｂで分解し、白色光の２／３をカットすることによって１つの色の光を取り出すことになる。そのため、ロスが大きく、１／３程度まで発光効率が低下する。これに対して、実施例１に係る画素構造では、有機ＥＬ素子２１Ｒが赤色のみを発光し、有機ＥＬ素子２１Ｇが緑色のみを発光し、有機ＥＬ素子２１Ｂが青色のみを発光するため、副画素２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂの発光効率を、従来例に係る画素構造に比べて大幅に向上できる。
【００８９】
尚、実施例１では、カラーフィルタ８４Ｒ，８４Ｇ，８４Ｂを備える画素構造を例示したが、有機ＥＬ素子２１Ｒが赤色のみを発光し、有機ＥＬ素子２１Ｇが緑色のみを発光し、有機ＥＬ素子２１Ｂが青色のみを発光する訳であるから、カラーフィルタ８４Ｒ，８４Ｇ，８４Ｂを省略することができる。但し、各有機ＥＬ素子２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂ間の配線において反射された外光を吸収し、コントラストを改善する上では、カラーフィルタ８４Ｒ，８４Ｇ，８４Ｂを備える画素構造を採ることが好ましい。以下の各実施例においても同様である。
【００９０】
（製造方法）
上記の構成の実施例１に係る画素構造を有する有機ＥＬ表示装置１０は、次のようにして製造することができる。
【００９１】
まず、上述した材料から成る駆動基板上に、所定の薄膜プロセスを経てＴＦＴを含む駆動回路を形成した後、基板全面に亘って平坦化膜を、例えばスピンコート法、スリットコート法により成膜する。続いて、成膜した平坦化膜を、例えばフォトリソグラフィ法により、所定の形状にパターンニングするとともに、この平坦化膜にコンタクトホールを形成する。
【００９２】
次に、アノード電極８５Ｒ，８５Ｇ，８５Ｂを形成した駆動基板上に、有機ＥＬ素子２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂを電気的に分離する、上述した画素間絶縁膜を、例えば、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などの無機絶縁膜をＣＶＤ法やスパッタ法により成膜する。続いて、成膜した画素間絶縁膜を、例えばドライエッチング法により、所定の形状にパターンニングし画素開口を形成する。
【００９３】
以降の実施例１に係る画素構造を作製する手順については、図５の工程図（その１）、図６の工程図（その２）、及び、図７の工程図（その３）を用いて説明する。
【００９４】
まず、駆動基板の全面に亘って、上述した材料より成る無機ホール注入輸送層８２６を例えばスパッタ法によって形成する（図５Ａ）。次いで、駆動基板の全面に亘って、赤色発光層８２３Ｒを例えばライン蒸着法によって形成する（図５Ｂ）。次いで、緑色画素領域及び青色画素領域の無機ホール注入輸送層８２６上の赤色発光層８２３Ｒをエネルギー線、例えばアルゴンイオンビームを照射することによって除去する（図５Ｃ）。エネルギー線としては、レーザービーム、電子ビーム、分子ビーム、及び、イオンビームなどのいずれかを用いることができる。
【００９５】
続いて、駆動基板の全面に亘って、緑色発光層８２３Ｇを例えばライン蒸着法によって形成する（図６Ａ）。次いで、青色画素領域の無機ホール注入輸送層８２６上の緑色発光層８２３Ｇを、例えばアルゴンイオンビームを照射することによって除去する（図６Ｂ）。次いで、駆動基板の全面に亘って、青色発光層８２３Ｂを例えばライン蒸着法によって形成する（図７Ａ）。続いて、電子輸送層８２４及びカソード電極８１を例えば蒸着法によって形成する（図７Ｂ）。
【００９６】
次いで、形成したカソード電極８１上の全面を覆って保護膜８３を形成した後、接着樹脂を用いて駆動基板と対向基板とを貼りあわせる。以上の一連の処理により、実施例１に係る画素構造を有する有機ＥＬ表示装置１０が完成する。
【００９７】
［実施例２］
実施例２は、実施例１の変形例である。図８は、共振器構造を有するＲＧＢ３つの副画素の実施例２に係る画素構造を示す断面図である。
【００９８】
図８に示すように、実施例２に係る画素構造は、赤色有機ＥＬ素子２１Ｒが、無機ホール注入輸送層８２６と赤色発光層８２３Ｒとの間に光路長調整層８２７を有する構成となっており、それ以外については実施例１に係る画素構造と同様に構成されている。光路長調整層８２７は、ホール輸送性の有機材料からなり、例えば、α−ＮＰＤ［Ｎ，Ｎ’−ｄｉ（１−ｎａｐｈｔｈｙｌ）−Ｎ，Ｎ’−ｄｉｐｈｅｎｙｌ−［１，１’−ｂｉｐｈｅｎｙｌ］−４，４’−ｄｉａｍｉｎｅ］で構成される。
【００９９】
実施例２に係る画素構造によれば、赤色有機ＥＬ素子２１Ｒが、無機ホール注入輸送層８２６と赤色発光層８２３Ｒとの間に光路長調整層８２７を有するため、当該光路長調整層８２７の作用によって光取り出し効率を最適化できる。そして、光取り出し効率の最適化により、更に高効率な有機ＥＬ装置を得ることができる。
【０１００】
（製造方法）
次に、上記の構成の実施例２に係る画素構造を有する有機ＥＬ表示装置の製造方法について、図９の工程図（その１）、図１０の工程図（その２）、及び、図１１の工程図（その３）を用いて説明する。
【０１０１】
まず、駆動基板の全面に亘って、上述した材料より成る無機ホール注入輸送層８２６を、例えばスパッタ法によって形成する（図９Ａ）。次いで、駆動基板の全面に亘って、光路長調整層８２７及び赤色発光層８２３Ｒを例えばライン蒸着法によって形成する（図９Ｂ）。次いで、緑色画素領域及び青色画素領域の無機ホール注入輸送層８２６上の光路長調整層８２７及び赤色発光層８２３Ｒをエネルギー線、例えばアルゴンイオンビームを照射することによって除去する（図９Ｃ）。
【０１０２】
続いて、駆動基板の全面に亘って、緑色発光層８２３Ｇを例えばライン蒸着法によって形成する（図１０Ａ）。次いで、青色画素領域の無機ホール注入輸送層８２６上の緑色発光層８２３Ｇを、例えばアルゴンイオンビームを照射することによって除去する（図１０Ｂ）。次いで、駆動基板の全面に亘って、青色発光層８２３Ｂを例えばライン蒸着法によって形成する（図１１Ａ）。続いて、電子輸送層８２４及びカソード電極８１を例えば蒸着法によって形成する（図１１Ｂ）。
【０１０３】
次いで、形成したカソード電極８１上の全面を覆って保護膜８３を形成した後、接着樹脂を用いて駆動基板と対向基板とを貼りあわせる。以上の一連の処理により、実施例２に係る画素構造を有する有機ＥＬ表示装置１０が完成する。
【０１０４】
［実施例３］
実施例３は、実施例２の変形例である。図１２は、共振器構造を有するＲＧＢ３つの副画素の実施例３に係る画素構造を示す断面図である。
【０１０５】
図１２に示すように、実施例３に係る画素構造は、無機ホール注入輸送層８２６が画素間絶縁膜８２８によって画素（副画素）単位で電気的に隔離された構成となっており、それ以外については実施例２に係る画素構造と同様に構成されている。画素間絶縁膜８２８は、無機ホール注入輸送層８２６と同じ高さになるように形成されることが好ましい。ここで、「同じ高さ」とは、厳密に同じ高さである場合の他、実質的に同じ高さである場合も含む意味であり、設計上あるいは製造上生ずる種々のばらつきの存在は許容される。
【０１０６】
実施例２に係る画素構造によれば、無機ホール注入輸送層８２６が画素間絶縁膜８２８によって電気的に隔離されているため、無機ホール注入輸送層８２６を通しての画素間の電流リークを抑制することができる。また、画素間絶縁膜８２８の高さと無機ホール注入輸送層８２６の高さとが面一となっているため、その上に積層される有機層８２の膜厚が均一となる。これにより、段差のある構造へ蒸着した際に生じる有機層８２の膜厚の不均一性に起因する異常発光を抑制できる。
【０１０７】
（製造方法）
次に、上記の構成の実施例３に係る画素構造を有する有機ＥＬ表示装置の製造方法について、図１３の工程図（その１）、図１４の工程図（その２）、及び、図１５の工程図（その３）を用いて説明する。
【０１０８】
まず、画素間絶縁膜８２８を覆うように無機ホール注入輸送層８２６を形成し、しかる後、ＣＭＰなどにより画素間絶縁膜８２８の高さと無機ホール注入輸送層８２６の高さとを均一化する（図１３Ａ）。次いで、駆動基板の全面に亘って、光路長調整層８２７及び赤色発光層８２３Ｒを例えばライン蒸着法によって形成する（図１３Ｂ）。次いで、緑色画素領域及び青色画素領域の無機ホール注入輸送層８２６上の光路長調整層８２７及び赤色発光層８２３Ｒをエネルギー線、例えばアルゴンイオンビームを照射することによって除去する（図１３Ｃ）。
【０１０９】
続いて、駆動基板の全面に亘って、緑色発光層８２３Ｇを例えばライン蒸着法によって形成する（図１４Ａ）。次いで、青色画素領域の無機ホール注入輸送層８２６上の緑色発光層８２３Ｇを、例えばアルゴンイオンビームを照射することによって除去する（図１４Ｂ）。次いで、駆動基板の全面に亘って、青色発光層８２３Ｂを例えばライン蒸着法によって形成する（図１５Ａ）。続いて、電子輸送層８２４及びカソード電極８１を例えば蒸着法によって形成する（図１５Ｂ）。
【０１１０】
次いで、形成したカソード電極８１上の全面を覆って保護膜８３を形成した後、接着樹脂を用いて駆動基板と対向基板とを貼りあわせる。以上の一連の処理により、実施例３に係る画素構造を有する有機ＥＬ表示装置が完成する。
【０１１１】
［実施例４］
実施例４は、実施例１の別の変形例である。図１６は、共振器構造を有するＲＧＢ３つの副画素の実施例４に係る画素構造を示す断面図である。
【０１１２】
図１６に示すように、実施例４に係る画素構造は、赤色有機ＥＬ素子２１Ｒの両端に隔壁８２９が設けられた構成となっており、それ以外については実施例２に係る画素構造と同様に構成されている。
【０１１３】
実施例４に係る画素構造によれば、赤色有機ＥＬ素子２１Ｒの両端に隔壁８２９が設けられているため、エネルギー線を局所的に照射することができる。具体的には、無機ホール注入輸送層８２６の表面に対して斜めからエネルギー線を照射することで、一部の有機ＥＬ素子２１Ｇ，２１Ｂが隔壁８２９によって遮られる。これにより、残したい箇所の緑色発光層８２３Ｇ及び青色緑色発光層８２３Ｂが除去されるのを防ぐことができる。そのため、隔壁８２９により局所的にエネルギー線を照射することが容易となり、セルフアラインにて選択的に有機膜８２を除去することができる。その結果、一括で有機膜８２を除去処理することが可能となるため、生産性を向上することができる。
【０１１４】
（製造方法）
次に、上記の構成の実施例４に係る画素構造を有する有機ＥＬ表示装置の製造方法について、図１７の工程図（その１）、図１８の工程図（その２）、及び、図１９の工程図（その３）を用いて説明する。
【０１１５】
まず、隔壁８２９を実施例３の画素間絶縁膜８２８と同様の手法により、赤色有機ＥＬ素子２１Ｒの両端に形成し、次いで、無機ホール注入輸送層８２６を例えばスパッタ法で形成する（図１７Ａ）。次いで、駆動基板の全面に亘って、赤色発光層８２３Ｒを例えばライン蒸着法によって形成する（図１７Ｂ）。次いで、緑色画素領域及び青色画素領域の無機ホール注入輸送層８２６上の赤色発光層８２３Ｒを、無機ホール注入輸送層８２６の表面に対して斜めから例えばアルゴンイオンビームを照射することによって除去し、更に、反対方向からアルゴンイオンビームを斜め照射することにより、青色画素領域の無機ホール注入輸送層８２６上の赤色発光層８２３Ｒを除去する（図１７Ｃ）。
【０１１６】
続いて、駆動基板の全面に亘って、緑色発光層８２３Ｇを例えばライン蒸着法によって形成する（図１８Ａ）。次いで、青色画素領域の無機ホール注入輸送層８２６上の緑色発光層８２３Ｇを、例えばアルゴンイオンビームを斜めから照射することによって除去する（図１８Ｂ）。次いで、駆動基板の全面に亘って、青色発光層８２３Ｂを例えばライン蒸着法によって形成する（図１９Ａ）。続いて、電子輸送層８２４及びカソード電極８１を例えば蒸着法によって形成する（図１９Ｂ）。
【０１１７】
次いで、形成したカソード電極８１上の全面を覆って保護膜８３を形成した後、接着樹脂を用いて駆動基板と対向基板とを貼りあわせる。以上の一連の処理により、実施例４に係る画素構造を有する有機ＥＬ表示装置１０が完成する。
【０１１８】
尚、実施例４では、実施例１に係る画素構造に対して赤色有機ＥＬ素子２１Ｒの両端に隔壁８２９を設けるとしたが、実施例２に係る画素構造に対して赤色有機ＥＬ素子２１Ｒの両端に隔壁８２９を設ける構成を採ることもできる。
【０１１９】
＜電子機器＞
以上説明した本開示の表示装置は、電子機器に入力された映像信号、若しくは、電子機器内で生成した映像信号を、画像若しくは映像として表示するあらゆる分野の電子機器の表示部（表示装置）として用いることができる。一例として、例えば、テレビジョンセット、デジタルスチルカメラ、ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話機等の携帯端末装置、ビデオカメラ、ヘッドマウントディスプレイ（頭部装着型ディスプレイ）等の表示部として用いることができる。
【０１２０】
このように、あらゆる分野の電子機器において、その表示部として本開示の表示装置を用いることにより、次のような効果を得ることができる。すなわち、本開示の技術によれば、各発光色毎に共振器構造の光路長を最適化できるとともに、各発光色間での共振器構造の光路長のばらつきを抑えることができるため、色のばらつきや発光効率のばらつきを抑えることができ、よって表示品位の向上に寄与することができる。
【０１２１】
本開示の表示装置は、封止された構成のモジュール形状のものをも含む。一例として、画素アレイ部に透明なガラス等の対向部が貼り付けられて形成された表示モジュールが該当する。尚、表示モジュールには、外部から画素アレイ部への信号等を入出力するための回路部やフレキシブルプリントサーキット（ＦＰＣ）などが設けられていてもよい。以下に、本開示の表示装置を用いる電子機器の具体例として、デジタルスチルカメラ及びヘッドマウントディスプレイを例示する。但し、ここで例示する具体例は一例に過ぎず、これに限られるものではない。
【０１２２】
（具体例１）
図２０は、レンズ交換式一眼レフレックスタイプのデジタルスチルカメラの外観図であり、図２０Ａにその正面図を示し、図２０Ｂにその背面図を示す。レンズ交換式一眼レフレックスタイプのデジタルスチルカメラは、例えば、カメラ本体部（カメラボディ）１１１の正面右側に交換式の撮影レンズユニット（交換レンズ）１１２を有し、正面左側に撮影者が把持するためのグリップ部１１３を有している。
【０１２３】
そして、カメラ本体部１１１の背面略中央にはモニタ１１４が設けられている。モニタ１１４の上部には、ビューファインダ（接眼窓）１１５が設けられている。撮影者は、ビューファインダ１１５を覗くことによって、撮影レンズユニット１１２から導かれた被写体の光像を視認して構図決定を行うことが可能である。
【０１２４】
上記の構成のレンズ交換式一眼レフレックスタイプのデジタルスチルカメラにおいて、そのビューファインダ１１５として本開示の表示装置を用いることができる。すなわち、本例に係るレンズ交換式一眼レフレックスタイプのデジタルスチルカメラは、そのビューファインダ１１５として本開示の表示装置を用いることによって作製される。
【０１２５】
（具体例２）
図２１は、ヘッドマウントディスプレイの外観図である。ヘッドマウントディスプレイは、例えば、眼鏡形の表示部２１１の両側に、使用者の頭部に装着するための耳掛け部２１２を有している。このヘッドマウントディスプレイにおいて、その表示部２１１として本開示の表示装置を用いることができる。すなわち、本例に係るヘッドマウントディスプレイは、その表示部２１１として本開示の表示装置を用いることによって作製される。
【０１２６】
尚、本開示は以下のような構成をとることもできる。
［１］第１電極と、
第１電極上に形成された無機材料から成る無機ホール注入輸送層と、
無機ホール注入輸送層上に形成された、それぞれ発光色が異なる第１有機発光部及び第２有機発光部の少なくとも２つの発光部と、
少なくとも２つの有機発光部上に形成された電子輸送層と、
電子輸送層上に形成された第２電極と、
を備え、
第１有機発光部の発光層は、第１発光色の発光層と第２発光色の発光層との積層から成り、
第２有機発光部の発光層は、第２発光色の発光層から成る、
表示装置。
［２］第１有機発光部、第２有機発光部、及び、第３有機発光部の３つの発光部を有し、
第１有機発光部の発光層は、第１発光色の発光層と第２発光色の発光層と第３発光色の発光層との積層から成り、
第２有機発光部の発光層は、第２発光色の発光層と第３発光色の発光層との積層から成り、
第３有機発光部の発光層は、第３発光色の発光層から成る、
上記［１］に記載の表示装置。
［３］第１有機発光部は、無機ホール注入輸送層と第１発光色の発光層との間に設けられた光路長調整層を有する、
上記［１］又は［２］に記載の表示装置。
［４］無機ホール注入輸送層は、第１発光色の発光層と第２発光色の発光層との間を絶縁膜によって分離されている、
上記［１］から［３］のいずれかに記載の表示装置。
［５］第１有機発光部は、隣接する有機発光部との間に設けられた隔壁を有する、
上記［１］から［４］のいずれかに記載の表示装置。
［６］第１電極上に無機材料から成る無機ホール注入輸送層を形成し、
無機ホール注入輸送層上に、第１発光色の発光層と第２発光色の発光層との積層から成る第１有機発光部、及び、第２発光色の発光層から成る第２有機発光部の少なくとも２つの発光部を形成し、
少なくとも２つの有機発光部上に電子輸送層を形成し、
電子輸送層上に第２電極を形成して成る表示装置の製造に当たって、
無機ホール注入輸送層上に第１発光色の発光層を形成した後、無機ホール注入輸送層上の第２有機発光部の領域の第１発光色の発光層を、エネルギー線を照射することによって除去し、
次いで、第１有機発光部の領域及び第２有機発光部の領域に第２発光色の発光層を形成する、
表示装置の製造方法。
［７］エネルギー線は、レーザービーム、電子ビーム、分子ビーム、及び、イオンビームのいずれかである、
上記［６］に記載の表示装置の製造方法。
［８］無機ホール注入輸送層の表面に対してエネルギー線を斜め方向から照射する、
上記［６］又は［７］に記載の表示装置の製造方法。
［９］第１電極と、
第１電極上に形成された無機材料から成る無機ホール注入輸送層と、
無機ホール注入輸送層上に形成された、それぞれ発光色が異なる第１有機発光部及び第２有機発光部の少なくとも２つの発光部と、
少なくとも２つの有機発光部上に形成された電子輸送層と、
電子輸送層上に形成された第２電極と、
を備え、
第１有機発光部の発光層は、第１発光色の発光層と第２発光色の発光層との積層から成り、
第２有機発光部の発光層は、第２発光色の発光層から成る、
表示装置を有する電子機器。
【符号の説明】
【０１２７】
１０・・・有機ＥＬ表示装置、２０（２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂ）・・・単位画素（画素／画素回路）、２１（２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂ）・・・有機ＥＬ素子、２２・・・駆動トランジスタ、２３・・・書込みトランジスタ、２４・・・保持容量、２５・・・補助容量、３０・・・画素アレイ部、３１（３１1〜３１m）・・・走査線、３２（３２1〜３２m）・・・電源供給線、３３（３３1〜３３n）・・・信号線、３４・・・共通電源線、４０・・・書込み走査部、５０・・・電源供給走査部、６０・・・信号出力部、７０・・・表示パネル、８１・・・カソード電極、８２・・・有機層、８３・・・保護膜、８４Ｒ，８４Ｇ，８４Ｂ・・・カラーフィルタ、８５Ｒ，８５Ｇ，８５Ｂ・・・アノード電極、８６Ｒ，８６Ｇ，８６Ｂ・・・反射板、８７・・・層間膜、８８・・・遮光膜（ブラックマトリクス）、８２１・・・ホール注入層、８２２・・・ホール輸送層、８２３Ｒ，８２３Ｂ，８２３Ｇ・・・ＲＢＧの発光層、８２４・・・電子輸送層、８２５・・・中間層、８２６・・・無機ホール注入輸送層、８２７・・・光路長調整層、８２８・・・画素間絶縁膜、８２９・・・隔壁
【図１】
2016195070.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2016195070.tif 000009
【図８】
2016195070.tif 000010
【図９】
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【図１０】
2016195070.tif 000012
【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
2016195070.tif 000019
【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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