(57)【要約】【課題】基材に蓄積された電荷を非接触に除去しつつエッチング処理速度の低下を抑制するエッチング装置を提供する。【解決手段】第１プラズマ処理部が第１プラズマを介して第１領域にアルゴンイオンを付与することにより、主面のうち第１領域に配される部分でエッチング処理が進行する。また、正に帯電した主面のうち第２領域に配される部分に向かって第２プラズマから電子が引きつけられることにより、基材に対する蓄積電荷中和処理が進行する。また、第２プラズマ処理部が基材の主面に蓄積した正電荷を非接触に中和する。【選択図】図７
2016189365.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材の主面に処理を施すエッチング装置であって、
チャンバーと、
電気的な絶縁部材を介して前記チャンバー内に支持され第１領域に向けて開放された第１処理空間を規定する第１仕切り部材を有し、前記第１処理空間に第１プラズマを生成して、前記第１プラズマを介して前記第１領域に電子または陽イオンを付与する第１プラズマ処理部と、
電気的に接地した状態で前記チャンバー内に支持され前記第１領域とは異なる第２領域に向けて開放された第２処理空間を規定する導電性の第２仕切り部材を有し、前記第２処理空間に第２プラズマを生成する第２プラズマ処理部と、
前記主面の存在領域が前記第１領域および前記第２領域を含むように、前記基材を前記チャンバー内で保持する保持部と、
前記第１処理空間および前記第２処理空間にガスを供給するガス供給部と、
を備えることを特徴とするエッチング装置。
【請求項２】
請求項１に記載のエッチング装置であって、
前記第１プラズマ処理部は、
導電性の前記第１仕切り部材と、
前記第１仕切り部材に正電圧または負電圧を印加する電圧印加部と、
前記第１処理空間内に第１プラズマを生成する第１プラズマ生成部と、
前記第１プラズマ生成部に高周波電力を供給する第１高周波電力供給部と、
を有し、
前記第２プラズマ処理部は、
前記第２仕切り部材と、
前記第２処理空間内に第２プラズマを生成する第２プラズマ生成部と、
前記第２プラズマ生成部に高周波電力を供給する第２高周波電力供給部と、
を有することを特徴とするエッチング装置。
【請求項３】
請求項１に記載のエッチング装置であって、
前記第１プラズマ処理部は、
前記第１仕切り部材と、
電気的な絶縁部材を介して前記チャンバー内に支持され、前記第１処理空間に配される電極と、
前記電極に正電圧または負電圧を印加する電圧印加部と、
前記第１処理空間内に第１プラズマを生成する第１プラズマ生成部と、
前記第１プラズマ生成部に高周波電力を供給する第１高周波電力供給部と、
を有し、
前記第２プラズマ処理部は、
前記第２仕切り部材と、
前記第２処理空間内に第２プラズマを生成する第２プラズマ生成部と、
前記第２プラズマ生成部に高周波電力を供給する第２高周波電力供給部と、
を有することを特徴とするエッチング装置。
【請求項４】
請求項１ないし請求項３のいずれかに記載のエッチング装置であって、
前記第１プラズマ処理部が第１プラズマを介して前記第１領域に陽イオンを付与することにより、前記主面のうち前記第１領域でエッチング処理が進行し、
正に帯電した前記主面のうち前記第２領域に向かって前記第２プラズマから電子が引きつけられることを特徴とするエッチング装置。
【請求項５】
請求項１ないし請求項３のいずれかに記載のエッチング装置であって、
前記第１プラズマ処理部は第１プラズマを介して前記第１領域に電子を付与し、
負に帯電した前記主面のうち前記第２領域に向かって前記第２プラズマから陽イオンが引きつけられることにより、前記主面のうち前記第２領域でエッチング処理が進行することを特徴とするエッチング装置。
【請求項６】
請求項１ないし請求項５のいずれかに記載のエッチング装置であって、
前記第１プラズマ処理部は、前記第１処理空間に磁界を形成することにより前記第１プラズマの存在範囲を制限する第１磁界形成部を有することを特徴とするエッチング装置。
【請求項７】
請求項６に記載のエッチング装置であって、
前記第１磁界形成部は、前記基材から見て前記第１処理空間と反対側に配されることを特徴とするエッチング装置。
【請求項８】
請求項１ないし請求項５のいずれかに記載のエッチング装置であって、
前記第２プラズマ処理部は、前記第２処理空間に磁界を形成することにより前記第２プラズマの存在範囲を制限する第２磁界形成部を有することを特徴とするエッチング装置。
【請求項９】
請求項８に記載のエッチング装置であって、
前記第２磁界形成部は、前記基材から見て前記第２処理空間と反対側に配されることを特徴とするエッチング装置。
【請求項１０】
請求項１ないし請求項５のいずれかに記載のエッチング装置であって、
前記第１プラズマ処理部は、前記第１処理空間に第１磁界を形成することにより前記第１プラズマの存在範囲を制限する第１磁界形成部を有し、
前記第２プラズマ処理部は、前記第２処理空間に第２磁界を形成することにより前記第２プラズマの存在範囲を制限する第２磁界形成部を有することを特徴とするエッチング装置。
【請求項１１】
請求項１０に記載のエッチング装置であって、
前記第１磁界形成部は前記基材から見て前記第１処理空間と反対側に配され、前記第２磁界形成部は前記基材から見て前記第２処理空間と反対側に配されることを特徴とするエッチング装置。
【請求項１２】
請求項１０または請求項１１に記載のエッチング装置であって、
前記第１磁界形成部および前記第２磁界形成部の双方が、前記主面に直交する方向のうち一方側に第１極性を有し、前記方向のうち他方側に第２極性を有することを特徴とするエッチング装置。
【請求項１３】
請求項１ないし請求項１２のいずれかに記載のエッチング装置であって、
前記保持部は、前記基材を保持しつつ搬送可能な機構であることを特徴とするエッチング装置。
【請求項１４】
請求項１３に記載のエッチング装置であって、
前記保持部は、電気的に絶縁された複数の搬送ローラを含んで構成されることを特徴とするエッチング装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマを生成して該プラズマを用いて基材の表面を処理するエッチング装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
処理ガスをチャンバー内に導入するとともに、チャンバー内の電極に高周波電力を印加して高周波電界を形成し、この高周波電界により処理ガスのプラズマを生成して、基材の主面に処理を施すエッチング装置が知られている。
【０００３】
例えば、特許文献１には、誘導結合アンテナを備え、該誘導結合アンテナによって生成した誘導結合プラズマ（Inductively Coupled Plasma）を用いて基材の主面に処理を施すエッチング装置が開示されている。特許文献２には、チャンバー内に導入される処理ガスの条件（処理ガスの種類、複数の処理ガスの混合比、等）を調節することによって、エッチングの処理速度を速くする技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特許第３７５１９０９号公報
【特許文献２】特開２０１０−２０５９６７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
例えば、基材の主面に陽イオンを付与してエッチング処理を行う場合、エッチング処理の進行に伴って該主面に正電荷が蓄積する。その結果、主面に蓄積する正電荷とプラズマから基材に付与される陽イオンとの斥力に起因して、エッチング処理速度が低下しうる。したがって、この種のプラズマエッチング技術においては、エッチングの処理速度の低下を抑制することが技術課題とされている。
【０００６】
処理速度の低下を抑制する態様として、例えば、アース電極等を基材の主面に接触させて該主面に蓄積する電荷を除去する態様が考えられる。しかしながら、この態様では、基材にアース電極等の部材を接触させることに起因した新たな問題（例えば、基材に金属汚染を生じさせる問題）が生じうる。
【０００７】
本発明は、こうした問題を解決するためになされたもので、基材に蓄積された電荷を非接触に除去しつつエッチング処理速度の低下を抑制するエッチング装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の第１の態様にかかるエッチング装置は、基材の主面に処理を施すエッチング装置であって、チャンバーと、電気的な絶縁部材を介して前記チャンバー内に支持され第１領域に向けて開放された第１処理空間を規定する第１仕切り部材を有し、前記第１処理空間に第１プラズマを生成して、前記第１プラズマを介して前記第１領域に電子または陽イオンを付与する第１プラズマ処理部と、電気的に接地した状態で前記チャンバー内に支持され前記第１領域とは異なる第２領域に向けて開放された第２処理空間を規定する導電性の第２仕切り部材を有し、前記第２処理空間に第２プラズマを生成する第２プラズマ処理部と、前記主面の存在領域が前記第１領域および前記第２領域を含むように、前記基材を前記チャンバー内で保持する保持部と、前記第１処理空間および前記第２処理空間にガスを供給するガス供給部と、を備えることを特徴とする。
【０００９】
本発明の第２の態様にかかるエッチング装置は、本発明の第１の態様にかかるエッチング装置であって、前記第１プラズマ処理部は、導電性の前記第１仕切り部材と、前記第１仕切り部材に正電圧または負電圧を印加する電圧印加部と、前記第１処理空間内に第１プラズマを生成する第１プラズマ生成部と、前記第１プラズマ生成部に高周波電力を供給する第１高周波電力供給部と、を有し、前記第２プラズマ処理部は、前記第２仕切り部材と、前記第２処理空間内に第２プラズマを生成する第２プラズマ生成部と、前記第２プラズマ生成部に高周波電力を供給する第２高周波電力供給部と、を有することを特徴とする。
【００１０】
本発明の第３の態様にかかるエッチング装置は、本発明の第１の態様にかかるエッチング装置であって、前記第１プラズマ処理部は、前記第１仕切り部材と、電気的な絶縁部材を介して前記チャンバー内に支持され、前記第１処理空間に配される電極と、前記電極に正電圧または負電圧を印加する電圧印加部と、前記第１処理空間内に第１プラズマを生成する第１プラズマ生成部と、前記第１プラズマ生成部に高周波電力を供給する第１高周波電力供給部と、を有し、前記第２プラズマ処理部は、前記第２仕切り部材と、前記第２処理空間内に第２プラズマを生成する第２プラズマ生成部と、前記第２プラズマ生成部に高周波電力を供給する第２高周波電力供給部と、を有することを特徴とする。
【００１１】
本発明の第４の態様にかかるエッチング装置は、本発明の第１の態様ないし第３の態様のいずれかにかかるエッチング装置であって、前記第１プラズマ処理部が第１プラズマを介して前記第１領域に陽イオンを付与することにより、前記主面のうち前記第１領域でエッチング処理が進行し、正に帯電した前記主面のうち前記第２領域に向かって前記第２プラズマから電子が引きつけられることを特徴とする。
【００１２】
本発明の第５の態様にかかるエッチング装置は、本発明の第１の態様ないし第３の態様のいずれかにかかるエッチング装置であって、前記第１プラズマ処理部は第１プラズマを介して前記第１領域に電子を付与し、負に帯電した前記主面のうち前記第２領域に向かって前記第２プラズマから陽イオンが引きつけられることにより、前記主面のうち前記第２領域でエッチング処理が進行することを特徴とする。
【００１３】
本発明の第６の態様にかかるエッチング装置は、本発明の第１の態様ないし第５の態様のいずれかにかかるエッチング装置であって、前記第１プラズマ処理部は、前記第１処理空間に磁界を形成することにより前記第１プラズマの存在範囲を制限する第１磁界形成部を有することを特徴とする。
【００１４】
本発明の第７の態様にかかるエッチング装置は、本発明の第６の態様にかかるエッチング装置であって、前記第１磁界形成部は、前記基材から見て前記第１処理空間と反対側に配されることを特徴とする。
【００１５】
本発明の第８の態様にかかるエッチング装置は、本発明の第１の態様ないし第５の態様のいずれかにかかるエッチング装置であって、前記第２プラズマ処理部は、前記第２処理空間に磁界を形成することにより前記第２プラズマの存在範囲を制限する第２磁界形成部を有することを特徴とする。
【００１６】
本発明の第９の態様にかかるエッチング装置は、本発明の第８の態様にかかるエッチング装置であって、前記第２磁界形成部は、前記基材から見て前記第２処理空間と反対側に配されることを特徴とする。
【００１７】
本発明の第１０の態様にかかるエッチング装置は、本発明の第１の態様ないし第５の態様のいずれかにかかるエッチング装置であって、前記第１プラズマ処理部は、前記第１処理空間に第１磁界を形成することにより前記第１プラズマの存在範囲を制限する第１磁界形成部を有し、前記第２プラズマ処理部は、前記第２処理空間に第２磁界を形成することにより前記第２プラズマの存在範囲を制限する第２磁界形成部を有することを特徴とする。
【００１８】
本発明の第１１の態様にかかるエッチング装置は、本発明の第１０の態様にかかるエッチング装置であって、前記第１磁界形成部は前記基材から見て前記第１処理空間と反対側に配され、前記第２磁界形成部は前記基材から見て前記第２処理空間と反対側に配されることを特徴とする。
【００１９】
本発明の第１２の態様にかかるエッチング装置は、本発明の第１０の態様または第１１の態様にかかるエッチング装置であって、前記第１磁界形成部および前記第２磁界形成部の双方が、前記主面に直交する方向のうち一方側に第１極性を有し、前記方向のうち他方側に第２極性を有することを特徴とする。
【００２０】
本発明の第１３の態様にかかるエッチング装置は、本発明の第１の態様ないし第１２の態様のいずれかにかかるエッチング装置であって、前記保持部は、前記基材を保持しつつ搬送可能な機構であることを特徴とする。
【００２１】
本発明の第１４の態様にかかるエッチング装置は、本発明の第１３の態様にかかるエッチング装置であって、前記保持部は、電気的に絶縁された複数の搬送ローラを含んで構成されることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２２】
本発明では、第１プラズマ処理部が第１領域に陽イオンを付与する場合、この第１領域でエッチング処理が進行する。陽イオンの付与に伴って基材の主面が正に帯電することにより、第２領域に向かって第２プラズマから電子が引きつけられる。第１プラズマ処理部が第１領域に電子を付与する場合、基材の主面が負に帯電する。これにより、第２領域に向かって第２プラズマから陽イオンが引きつけられて、この第２領域でエッチング処理が進行する。
【００２３】
いずれの場合も、第２プラズマから基材の主面に電子または陽イオンが引きつけられることにより、基材の主面に蓄積する電荷が中和される。このため、第１プラズマから付与される電子または陽イオンと基材の主面に蓄積した電荷との斥力に起因してエッチング処理速度が低下することが抑制される。
【００２４】
また、本発明では、基材の主面に蓄積した電荷を非接触に中和する。このため、本発明では、アース電極等を基材の主面に接触させて蓄積電荷を除去する他の態様に比べて、基材に他の部材を接触させることに起因した問題（例えば、基材に金属汚染を生じさせる問題）が生じ難い。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】エッチング装置１の概略構成を模式的に示すＸＺ側面図である。
【図２】エッチング装置１の概略構成を模式的に示すＹＺ側面図である。
【図３】エッチング装置１のうち第１処理空間Ｖ１および第２処理空間Ｖ２の周辺部を示す部分斜視図である。
【図４】エッチング処理の流れを模式的に示すエッチング装置１のＹＺ側面図である。
【図５】エッチング処理の流れを模式的に示すエッチング装置１のＹＺ側面図である。
【図６】エッチング処理の流れを模式的に示すエッチング装置１のＹＺ側面図である。
【図７】エッチング処理の流れを模式的に示すエッチング装置１のＹＺ側面図である。
【図８】エッチング装置１Ａの概略構成を模式的に示すＸＺ側面図である。
【図９】エッチング装置１Ａのうち第１処理空間Ｖ１および第２処理空間Ｖ２の周辺部を詳細に示す部分斜視図である。
【図１０】エッチング装置１Ｂの概略構成を模式的に示すＸＺ側面図である。
【図１１】エッチング処理の流れを模式的に示すエッチング装置１ＢのＹＺ側面図である。
【図１２】エッチング処理の流れを模式的に示すエッチング装置１ＢのＹＺ側面図である。
【図１３】エッチング装置１Ｃの概略構成を模式的に示すＹＺ側面図である。
【図１４】エッチング処理の流れを模式的に示すエッチング装置１ＣのＹＺ側面図である。
【図１５】エッチング処理の流れを模式的に示すエッチング装置１ＣのＹＺ側面図である。
【図１６】エッチング処理の流れを模式的に示すエッチング装置１ＣのＹＺ側面図である。
【図１７】エッチング処理の流れを模式的に示すエッチング装置１ＣのＹＺ側面図である。
【図１８】エッチング装置１Ｄの概略構成を模式的に示すＹＺ側面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
以下、図面を参照しながら、本発明の実施形態について説明する。図面では同様な構成および機能を有する部分に同じ符号が付され、下記説明では重複説明が省略される。なお、以下の実施形態は、本発明を具体化した一例であり、本発明の技術的範囲を限定する事例ではない。また、図面においては、理解容易のため、各部の寸法や数が誇張または簡略化して図示されている場合がある。また、一部の図面には、方向を説明するためにＸＹＺ直交座標軸が付されている。該座標軸における＋Ｚ方向は鉛直上方向を示し、ＸＹ平面は水平面である。
【００２７】
＜１  第１実施形態＞
＜１．１  エッチング装置１の構成＞
図１は、エッチング装置１の概略構成を模式的に示すＸＺ側面図である。図２は、エッチング装置１の概略構成を模式的に示すＹＺ側面図である。図３は、エッチング装置１のうち第１処理空間Ｖ１および第２処理空間Ｖ２の周辺部を示す部分斜視図である。
【００２８】
エッチング装置１は、チャンバー１００内に形成された第１処理空間Ｖ１および第２処理空間Ｖ２にプラズマを生成し、該プラズマを用いて基材Ｓの一方主面Ｓ１にエッチング処理を施す装置である。以下では、ガラス基板である基材Ｓの主面Ｓ１にＴＣＯ（Transparent Conductive Oxide）膜が形成されており、エッチング装置１がこのＴＣＯ膜をエッチングする場合について説明する。
【００２９】
エッチング装置１は、主たる構成として、チャンバー１００と、チャンバー１００内において基材Ｓを搬送する搬送機構２と、第１プラズマ処理部１１と、第２プラズマ処理部１２と、を備える。また、エッチング装置１は、該装置の各部を統括制御する制御部９を備える。なお、図１では、Ｙ方向に沿って配列される第１プラズマ処理部１１および第２プラズマ処理部１２のうち、図示手前側（−Ｙ側）に位置する第１プラズマ処理部１１が描かれている。
【００３０】
第１プラズマ処理部１１は、絶縁板５（電気的な絶縁部材）を介してチャンバー１００内に支持され第１領域Ｐ１に向けて開放された第１処理空間Ｖ１を規定する第１仕切り部材３１を有する。第１プラズマ処理部１１は、後述する誘導結合アンテナ４１によって第１処理空間Ｖ１に第１プラズマを生成して、第１プラズマを介して第１領域Ｐ１に陽イオンを付与する部分である。
【００３１】
本実施形態では、上側が開放された箱状の第１仕切り部材３１によってチャンバー１００内が仕切られ、第１処理空間Ｖ１の範囲が規定されている。第１仕切り部材３１は導電性の部材（例えば、ステンレス鋼）によって構成され、該第１仕切り部材３１には直流の正電圧を印加する電圧印加部８１が電気的に接続される。
【００３２】
このため、第１仕切り部材３１は、プラズマ範囲（第１処理空間Ｖ１の範囲）を制限するシールドとしての機能と、チャンバー１００内の各部から絶縁された状態で正電圧が印加される電極としての機能と、を有する。なお、第１仕切り部材３１に正電圧が印加される際の作用については、後述する＜１．２  エッチング処理＞にて詳細に説明する。
【００３３】
第２プラズマ処理部１２は、電気的に接地した状態でチャンバー１００内に支持され第２領域Ｐ２に向けて開放された第２処理空間Ｖ２を規定する第２仕切り部材３２を有する。第２プラズマ処理部１２は、後述する誘導結合アンテナ４１によって第２処理空間Ｖ２に第２プラズマを生成する部分である。
【００３４】
本実施形態では、上側が開放された箱状の第２仕切り部材３２によってチャンバー１００内が仕切られ、第２処理空間Ｖ２の範囲が規定されている。第２仕切り部材３２は、導電性の部材（例えば、ステンレス鋼）によって構成される。また、第２仕切り部材３２は、チャンバー１００を介して電気的に接地されている。
【００３５】
このため、第２仕切り部材３２は、プラズマ範囲（第２処理空間Ｖ２の範囲）を制限するシールドとしての機能と、チャンバー１００内の荷電粒子を逃がす接地電極としての機能と、を有する。なお、第２仕切り部材３２が荷電粒子を逃がす際の作用については、後述する＜１．２  エッチング処理＞にて詳細に説明する。
【００３６】
図２に示すように、本実施形態では、チャンバー１００の底板の上面うち−Ｙ側に第１仕切り部材３１が設けられ、第１仕切り部材３１の上方に第１領域Ｐ１が位置づけられる。また、チャンバー１００内のうち＋Ｙ側に第２仕切り部材３２が設けられ、第２仕切り部材３２の上方に第２領域Ｐ２が位置づけられる。
【００３７】
チャンバー１００内には、水平な搬送経路面Ｌが第１仕切り部材３１および第２仕切り部材３２の上方に規定されている。搬送経路面Ｌの延在方向はＸ軸方向であり、搬送機構２は、基材Ｓの主面Ｓ１を下向きにした状態で搬送経路面Ｌに沿って基材Ｓを搬送する。
【００３８】
チャンバー１００のうち搬送経路面Ｌの−Ｘ側の端部には、基材Ｓをチャンバー１００内に搬入するためのゲート１６０が設けられる。他方、チャンバー１００のうち搬送経路面Ｌの＋Ｘ側の端部には、基材Ｓをチャンバー１００外に搬出するためのゲート１６１が設けられている。また、チャンバー１００のＸ方向両端部には、ロードロックチャンバーや、アンロードロックチャンバーなどの他のチャンバーの開口部が気密を保った形態で接続可能に構成されている。各ゲート１６０、１６１は、開閉の切替可能に構成される。
【００３９】
搬送機構２（保持部）は、基材Ｓを保持搬送するための機構であり、チャンバー１００内でＹ方向において搬送経路面Ｌを挟んで対向配置された複数対の搬送ローラ２１と、これらを同期させて回転駆動する駆動部（図示省略）とを含んで構成される。搬送ローラ２１は、電気的に絶縁されたローラであり、搬送経路面Ｌの延在方向であるＸ方向に沿って複数対設けられる。なお、図１では、１３対の搬送ローラ２１における図示手前側（−Ｙ側）に位置する１３個のローラが描かれている。
【００４０】
基材Ｓがゲート１６０を介してチャンバー１００内に搬入されると、各搬送ローラ２１が該基材Ｓの端縁（±Ｙ側の端縁）付近に下方から当接する。そして、駆動部（図示省略）によって各搬送ローラ２１が同期回転されることによって、基材Ｓが各搬送ローラ２１上に保持され搬送経路面Ｌに沿って搬送される。本実施形態では、各搬送ローラ２１が図示時計回りに回転して基材Ｓが＋Ｘ方向に搬送される態様について説明する。なお、他の態様として、各搬送ローラ２１が図示時計回りおよび反時計回りに回転可能であり基材Ｓが±Ｘ方向に往復搬送される態様が採用されても構わない。
【００４１】
搬送機構２は、基材Ｓの主面Ｓ１の存在領域が第１領域Ｐ１および第２領域Ｐ２を含むように、搬送経路面Ｌに沿って基材Ｓを保持しつつ搬送する。後述するエッチング処理では、主面Ｓ１のうち第１領域Ｐ１を通過する部分（すなわち、主面Ｓ１のうち−Ｙ側の部分）でエッチング処理が行われる。チャンバー１００内でのエッチング処理を完了した基材Ｓは、ゲート１６１を介してチャンバー１００から搬出される。
【００４２】
また、エッチング装置１は、チャンバー１００内を搬送される基材Ｓを加熱または冷却する温調部（図示せず）を備えてもよい。温調部は、例えば、搬送経路面Ｌの上方に配置される。
【００４３】
第１プラズマ処理部１１は、第１処理空間Ｖ１内に第１プラズマを生成する４つの誘導結合アンテナ４１（第１プラズマ生成部）を箱状の第１仕切り部材３１の内部に備える。第２プラズマ処理部１２は、第２処理空間Ｖ２内に第２プラズマを生成する２つの誘導結合アンテナ４１（第２プラズマ生成部）を箱状の第２仕切り部材３２の内部に備える。各誘導結合アンテナ４１は、Ｙ方向に沿って間隔をあけて配列される。
【００４４】
各誘導結合アンテナ４１は、石英（石英硝子）などからなる誘電体の保護部材によって覆われて、チャンバー１００の底板を貫通して設けられる。より詳細には、各誘導結合アンテナ４１は、金属製のパイプ状導体をＵ字形に曲げたものであり、「Ｕ」の字を上下逆向きにした状態でチャンバー１００の底板を貫通して第１処理空間Ｖ１または第２処理空間Ｖ２の内部に突設されている。各誘導結合アンテナ４１は、内部に冷却水を循環させるなどして、適宜、冷却されている。誘導結合アンテナ４１は、インダクタンスが低い誘導結合タイプの高周波アンテナであり、ＬＩＡ（Low Inductance Antenna：株式会社イー・エム・ディーの登録商標）とも称される。
【００４５】
各誘導結合アンテナ４１の一端は、マッチングボックス４３を介して高周波電源４４に接続されている。また、各誘導結合アンテナ４１の他端は接地されている。この構成において、高周波電源４４から各誘導結合アンテナ４１に高周波電流（例えば、１３．５６ＭＨｚの高周波電流）が流されると、誘導結合アンテナ４１の周囲の電界（高周波誘導電界）により電子が加速されて、誘導結合プラズマが発生する。本実施形態では、マッチングボックス４３および高周波電源４４によって実現される構成が、第１プラズマ生成部に高周波電力を供給する第１高周波電力供給部および第２プラズマ生成部に高周波電力を供給する第２高周波電力供給部として機能する。
【００４６】
上述したとおり、誘導結合アンテナ４１は、Ｕ字形状を呈している。このようなＵ字形状の誘導結合アンテナ４１は、巻数が未周回の誘導結合アンテナに相当し、巻数が１回以上の誘導結合アンテナよりもインダクタンスが低いため、誘導結合アンテナ４１の両端に発生する高周波電圧が低減され、生成するプラズマへの静電結合に伴うプラズマ電位の高周波揺動が抑制される。このため、対地電位へのプラズマ電位揺動に伴う過剰な電子損失が低減され、プラズマ電位が特に低く抑えられる。
【００４７】
第１プラズマ処理部１１は、第１処理空間Ｖ１に第１磁界を形成することにより第１プラズマの存在範囲を制限する第１磁界形成部１０１を有する。第１磁界形成部１０１は、例えば、上側をＮ極とし下側をＳ極とする永久磁石で構成され、Ｙ方向を長手方向としてチャンバー１００から吊り下げ支持される。
【００４８】
第１磁界形成部１０１は、基材Ｓから見て第１処理空間Ｖ１と反対側（基材Ｓの上側）に配される。このため、本実施形態の態様では、第１磁界形成部１０１が基材Ｓと第１処理空間Ｖ１との間に配されて第１磁界形成部１０１が主面Ｓ１におけるエッチング処理の進行を阻害するという事態が生じず、望ましい。
【００４９】
第２プラズマ処理部１２は、第２処理空間Ｖ２に第２磁界を形成することにより第２プラズマの存在範囲を制限する第２磁界形成部１０２を有する。第２磁界形成部１０２は、例えば、上側をＮ極とし下側をＳ極とする永久磁石で構成され、Ｙ方向を長手方向としてチャンバー１００から吊り下げ支持される。
【００５０】
第２磁界形成部１０２は、基材Ｓから見て第２処理空間Ｖ２と反対側（基材Ｓの上側）に配される。このため、本実施形態の態様では、第２磁界形成部１０２が基材Ｓと第２処理空間Ｖ２との間に配されて第２磁界形成部１０２が主面Ｓ１におけるエッチング処理の進行を阻害するという事態が生じず、望ましい。
【００５１】
また、エッチング装置１は、第１処理空間Ｖ１および第２処理空間Ｖ２に不活性ガスであるアルゴンガス等を供給するガス供給部６を備える。ガス供給部６は、例えば、アルゴンガスの供給源であるガス供給源６１１と、ガス供給源６１１から供給されたガスを送給する配管６１２と、配管６１２を通じて送給されたガスを第１処理空間Ｖ１および第２処理空間Ｖ２内に供給するノズル６１４と、を有する。また、配管６１２の経路途中には、管内を流れるガスの流量を自動調整するマスフローコントローラ６１３が設けられる。以上のような構成となっているので、制御部９による制御下で第１処理空間Ｖ１および第２処理空間Ｖ２に所望のアルゴン雰囲気を形成することができる。なお、本実施形態とは異なる態様として、種々の処理ガス（例えば、酸素ガス等）を採用しうる。
【００５２】
また、エッチング装置１は、チャンバー１００の内部空間を真空状態に減圧可能な排気部７を備える。排気部７は、例えば、それぞれ図示省略の真空ポンプと、一端が真空ポンプに接続され他端がチャンバー１００の内部空間に開口した排気配管と、を有する。また、該排気配管の経路途中には、排気バルブ（図示せず）が設けられる。排気バルブは、排気配管を流れるガスの流量を自動調整できるバルブである。この構成では、真空ポンプが作動された状態で排気バルブが開放されることによって、第１処理空間Ｖ１および第２処理空間Ｖ２内の雰囲気が排気される。この際、排気バルブとマスフローコントローラ（図示せず）とが協働することによって、第１処理空間Ｖ１および第２処理空間Ｖ２が所定のプロセス圧に保たれる。
【００５３】
エッチング装置１が備える各構成要素は制御部９と電気的に接続されており、当該各構成要素は制御部９により制御される。制御部９は、具体的には、例えば、各種演算処理を行うＣＰＵ、プログラム等を記憶するＲＯＭ、演算処理の作業領域となるＲＡＭ、プログラムや各種のデータファイルなどを記憶するハードディスク、ＬＡＮ等を介したデータ通信機能を有するデータ通信部等がバスラインなどにより互いに接続された、一般的なＦＡコンピュータにより構成される。また、制御部９は、各種表示を行うディスプレイ、キーボードおよびマウスなどで構成される入力部等と接続されている。エッチング装置１においては、制御部９の制御下で、基材Ｓに対して定められた処理が実行される。
【００５４】
＜１．２  エッチング処理＞
図４〜図７は、エッチング処理の流れを模式的に示すエッチング装置１のＹＺ側面図である。図４〜図７では、右下がりのハッチングを付した丸印でプラズマ中の電子９１を表現し、右上がりのハッチングを付した丸印でプラズマ中のアルゴンイオン９２を表現している。また、電子９１およびアルゴンイオン９２の移動方向を矢印で表現している。なお、図４〜図７では、実際には多数存在する電子９１およびアルゴンイオン９２のうち、７個の電子９１および７個のアルゴンイオン９２を示している。以下、本実施形態におけるエッチング処理の流れについて説明する。
【００５５】
まず、ガス供給部６が、第１処理空間Ｖ１および第２処理空間Ｖ２に不活性ガスであるアルゴンガスを供給する。これにより、第１処理空間Ｖ１および第２処理空間Ｖ２には、アルゴン雰囲気が形成される。
【００５６】
高周波電源４４が各誘導結合アンテナ４１に高周波電力を供給し、第１処理空間Ｖ１および第２処理空間Ｖ２内に誘導結合プラズマが生成される。これにより、第１処理空間Ｖ１および第２処理空間Ｖ２内のアルゴンガスがプラズマ化して、第１処理空間Ｖ１および第２処理空間Ｖ２内に電子９１とアルゴンイオン９２とが生成される。図４は、この時点におけるエッチング装置１のＹＺ側面図である。
【００５７】
また、電圧印加部８１は、絶縁板５を介してチャンバー１００内に支持される第１仕切り部材３１に対して、直流の正電圧を印加する。印加される正電圧は、例えば、４０〜２００Ｖの電圧である。
【００５８】
本実施形態において、各誘導結合アンテナ４１への高周波電力の供給と第１仕切り部材３１に対する正電圧の印加とは時間的に並行して行われる。
【００５９】
その結果、正に帯電した第１仕切り部材３１と第１プラズマ中の正に帯電したアルゴンイオン９２との間で斥力が生じ、第１処理空間Ｖ１内のアルゴンイオン９２が箱状の第１仕切り部材３１の上方開口から上向きに加速して飛翔される。また、正に帯電した第１仕切り部材３１と第１プラズマ中の負に帯電した電子９１との間で引力が生じ、第１処理空間Ｖ１内の電子９１が箱状の第１仕切り部材３１の付近に引き寄せられる。図５は、この時点におけるエッチング装置１のＹＺ側面図である。
【００６０】
なお、上記の通り第１仕切り部材３１は絶縁板５を介してチャンバー１００内に支持されているため、第１仕切り部材３１に正電圧が印加されたとしても、第１仕切り部材３１からチャンバー１００内の他の部材に電流が流れることは防止される。
【００６１】
未処理の基材Ｓがゲート１６０を介してチャンバー１００内に搬入されると、搬送機構２は該基材Ｓを水平姿勢で保持しつつ搬送経路面Ｌに沿って＋Ｘ方向に搬送する。そして、上述した各誘導結合アンテナ４１への高周波電力の供給と第１仕切り部材３１に対する正電圧の印加とが並行して行われる状態において、基材Ｓの主面Ｓ１が第１領域Ｐ１および第２領域Ｐ２を通過する。
【００６２】
基材Ｓの主面Ｓ１のうち第１領域Ｐ１に配される部分に上向きに加速して飛翔したアルゴンイオン９２が衝突し、該部分においてのエッチング処理が進行する。このとき、第１磁界形成部１０１が第１プラズマを第１領域Ｐ１近傍に閉じ込める。これにより、主面Ｓ１の第１領域Ｐ１におけるエッチング処理が効率的に進行する。図６は、この時点におけるエッチング装置１のＹＺ側面図である。
【００６３】
基材Ｓの主面Ｓ１のうち第１領域Ｐ１に配される部分に衝突したアルゴンイオン９２は、導電性の主面Ｓ１の第１領域Ｐ１を正に帯電させ、イオン電流として主面Ｓ１の全体に拡散する。すなわち、このアルゴンイオン９２により発生した正電荷は、第１領域Ｐ１に位置する−Ｙ側の領域から、第２領域Ｐ２に位置する＋Ｙ側の領域に向けて拡散する。これにより、第２領域Ｐ２に配される部分を含む主面Ｓ１の全体が正に帯電する。
【００６４】
上述の通り、第２処理空間Ｖ２にも電子９１およびアルゴンイオン９２が存在する。このため、正に帯電した主面Ｓ１の第２領域Ｐ２に配される部分と第２プラズマ中の負に帯電した電子９１との間で引力が生じ、第２処理空間Ｖ２内の電子９１が主面Ｓ１の第２領域Ｐ２に配される部分に引き寄せられる。また、第２仕切り部材３２がチャンバー１００を介して接地されているため、第２処理空間Ｖ２内のアルゴンイオン９２は第２仕切り部材３２を介して接地先へと逃がされる。図７は、この時点におけるエッチング装置１のＹＺ側面図である。
【００６５】
第２処理空間Ｖ２内の電子９１が主面Ｓ１の第２領域Ｐ２に配される部分に引き寄せられることにより、第１プラズマから付与されて当該部分に蓄積していたアルゴンイオン９２の正電荷が中和される。このとき、第２磁界形成部１０２が第２プラズマを第２領域Ｐ２近傍に閉じ込める。これにより、主面Ｓ１の第２領域Ｐ２における電荷中和処理が効率的に進行する。
【００６６】
第１処理空間Ｖ１および第２処理空間Ｖ２の上方を通過してエッチング処理が施された基材Ｓは、ゲート１６１を介してチャンバー１００から搬出される。これにより、１枚の基材Ｓについてエッチング装置１での処理が完了する。
【００６７】
以上説明したように、本実施形態では、第１プラズマ処理部１１が第１プラズマを介して第１領域Ｐ１にアルゴンイオン９２（陽イオン）を付与することにより、主面Ｓ１のうち第１領域Ｐ１に配される部分でエッチング処理が進行する。また、正に帯電した主面Ｓ１のうち第２領域Ｐ２に配される部分に向かって第２プラズマから電子９１が引きつけられることにより、基材Ｓに対する蓄積電荷中和処理が進行する。このため、本実施形態の態様では、基材Ｓの主面Ｓ１に蓄積する正電荷と第１プラズマから付与されるアルゴンイオン９２との斥力に起因してエッチング処理速度が低下することを有効に抑制できる。
【００６８】
また、本実施形態の態様では、第２プラズマ処理部１２が、基材Ｓの主面Ｓ１に蓄積した正電荷を非接触に中和する。このため、本発明の態様では、アース電極等を基材Ｓの主面Ｓ１に接触させて主面Ｓ１の蓄積正電荷を除去する他の態様に比べて、基材Ｓに他の部材を接触させることに起因した問題（例えば、基材Ｓに金属汚染を生じさせる問題）が生じ難い。
【００６９】
また、本実施形態では、第１磁界形成部１０１および第２磁界形成部１０２の双方が、主面Ｓ１に直交する鉛直方向のうち一方側に第１極性（例えば、Ｎ極）を有し、他方側に第２極性（例えば、Ｓ極）を有する。このため、第１磁界形成部１０１による第１磁界と第２磁界形成部１０２による第２磁界とが、互いに反発し独立した磁界となる。これにより、第１プラズマ中のアルゴンイオン９２が基材Ｓの主面Ｓ１に衝突することなく第２プラズマへと移動する事態（すなわち、第１プラズマと第２プラズマとの間で電気的短絡が生じる事態）が有効に抑制される。
【００７０】
また、本実施形態では、第１仕切り部材３１が、プラズマ範囲（第１処理空間Ｖ１の範囲）を制限するシールドとしての本来の機能に加え、電極としての機能をさらに有する。このため、本実施形態の態様では、後述する第２実施態様のエッチング装置１Ａのように仕切り部材と電極とを別体として備える態様に比べ、装置の簡素化および小型化を実現できる。
【００７１】
また、本実施形態では、第１仕切り部材３１（電極）が第１処理空間Ｖ１の側方を全体的に包囲している。このため、本実施形態の態様では、後述するエッチング装置１Ａのように電極が局所的に設けられる態様に比べ、電極への正電圧印加によりプラズマ中のアルゴンイオン９２をより加速させることができる。
【００７２】
＜２  第２実施形態＞
図８は、第２実施形態のエッチング装置１Ａの概略構成を模式的に示すＸＺ側面図である。図９は、エッチング装置１Ａのうち第１処理空間Ｖ１および第２処理空間Ｖ２の周辺部を詳細に示す部分斜視図である。
【００７３】
以下では、図８および図９を参照しつつ第２実施形態のエッチング装置１Ａについて説明するが、第１実施形態と同一の要素については同一の符号を付し重複説明を省略する。なお、図８では、図示が煩雑になるのを防ぐ目的で、電極の周辺部を簡略的に描いている。また、図９では、図示が煩雑になるのを防ぐ目的で、第１磁界形成部１０１および第２磁界形成部１０２が省略されている。
【００７４】
エッチング装置１Ａは、第１仕切り部材３１Ａと電極８Ａとを別体として有する第１プラズマ処理部１１Ａを備える。この点で、エッチング装置１Ａは上記したエッチング装置１とは異なる。以下、この相違点について主に説明する。
【００７５】
第１仕切り部材３１Ａは、上記第１実施形態と同様、上方が開放された箱状の部材であり、絶縁板５を介してチャンバー１００の底板に支持される。
【００７６】
第１仕切り部材３１Ａの上部のうち搬送上流側（−Ｘ側）および搬送下流側（＋Ｘ側）には、それぞれ、水平面に沿ってＹ方向に伸びる板状の電極８Ａが設けられる。また、第１仕切り部材３１Ａの上部と２つの電極８Ａとの間には、複数の絶縁部材５０が配設される。これにより、２つの電極８Ａが電気的な絶縁部材を介してチャンバー１００内に支持されることとなる。
【００７７】
このように２つの電極８Ａを支持する態様としては、例えば、電極８Ａ、絶縁部材５０、および、第１仕切り部材３１Ａの上部、を鉛直方向にネジ１１０で貫通させ、該ネジ１１０で締付け固定する態様を採用することができる（図９）。この支持態様においては、ネジ１１０が絶縁部材を含んで構成されることが望ましい。これにより、電極８Ａをチャンバー１００内の各部から絶縁された状態で支持することができるからである。なお、電極８Ａの支持態様としては、他にも種々の態様を採用しうる。
【００７８】
また、２つの電極８Ａには、正電圧を印加する電圧印加部８１Ａが電気的に接続される。このような構成となっているため、エッチング処理において、２つの電極８Ａに正電圧を印加することで、第１プラズマ中のアルゴンイオンを上向きに加速して飛翔させることができる。これにより、基材Ｓの主面Ｓ１のうち第１領域Ｐ１に配される部分でエッチング処理が進行する。
【００７９】
また、本実施形態では、電極８Ａが誘導結合アンテナ４１よりも基材Ｓの主面Ｓ１に近い位置に配される。このため、本実施形態の態様では、電極が誘導結合アンテナ４１よりも主面Ｓ１から遠い位置に配される他の態様に比べて、正電圧印加によって加速されたアルゴンイオンが減速されにくくより高速に基材Ｓの主面Ｓ１に衝突する。その結果、エッチング処理速度が向上しうる。
【００８０】
また、本実施形態では、電極８Ａのサイズが第１実施形態の電極（第１仕切り部材３１）に比べて小さい。このため、正電圧の印加に伴う消費電力を抑制することが可能となる。なお、本実施形態において第１仕切り部材３１Ａには正電圧が印加されないので、該第１仕切り部材３１Ａは必ずしも導電体で構成される必要はない。
【００８１】
＜３  第３実施形態＞
図１０は、第３実施形態のエッチング装置１Ｂの概略構成を模式的に示すＸＺ側面図である。図１１および図１２は、エッチング処理の流れを模式的に示すエッチング装置１ＢのＹＺ側面図である。
【００８２】
以下では、図１０〜図１２を参照しつつ第３実施形態のエッチング装置１Ｂについて説明するが、第１実施形態と同一の要素については同一の符号を付し重複説明を省略する。
【００８３】
第１実施形態では、第１プラズマ処理部１１および第２プラズマ処理部１２が搬送経路面Ｌのうち搬送方向（Ｘ方向）と直交する方向（Ｙ方向）に沿って配列されるエッチング装置１について説明した。第３実施形態では、第１プラズマ処理部１１Ｂおよび第２プラズマ処理部１２Ｂが搬送方向（Ｘ方向）に沿って上流側と下流側とに配列されるエッチング装置１Ｂについて説明する。
【００８４】
搬送経路面Ｌの直下に第１仕切り部材３１Ｂが配され、搬送経路面Ｌの直下のうち第１仕切り部材３１Ｂの搬送下流側に隣接して第２仕切り部材３２Ｂが配される。第１仕切り部材３１Ｂおよび第２仕切り部材３２ＢのＹ方向幅は搬送される基材ＳのＹ方向幅と略同一である。第１仕切り部材３１Ｂおよび第２仕切り部材３２Ｂの内部には、Ｙ方向に沿って間隔をあけて（好ましくは等間隔で）複数の誘導結合アンテナ４１が配列される。
【００８５】
このため、Ｘ方向に沿って搬送される基材Ｓの主面Ｓ１のうちＹ方向全範囲が、第１仕切り部材３１Ｂの上方に位置する第１領域Ｐ１および第２仕切り部材３２Ｂの上方に位置する第２領域Ｐ２を通過する。このため、第３実施形態のエッチング装置１Ｂでは、主面Ｓ１のうちＹ方向全範囲においてエッチング処理を行うことが可能である。
【００８６】
また、第１磁界形成部１０１Ｂおよび第２磁界形成部１０２Ｂは、例えば、上側をＮ極とし下側をＳ極とする永久磁石で構成され、チャンバー１００の−Ｙ側の内壁と＋Ｙ側の内壁との間でかつ搬送経路面Ｌの上方を架け渡される。Ｙ方向に延設される第１磁界形成部１０１ＢにおけるＸ方向位置は、Ｙ方向に延設される第１仕切り部材３１ＢにおけるＸ方向位置と略同一である。また、Ｙ方向に延設される第２磁界形成部１０２ＢにおけるＸ方向位置は、Ｙ方向に延設される第２仕切り部材３２ＢにおけるＸ方向位置と略同一である。
【００８７】
このため、第１磁界形成部１０１Ｂが第１プラズマを第１領域Ｐ１近傍に閉じ込めることにより、主面Ｓ１の第１領域Ｐ１におけるエッチング処理が効率的に進行する。また、第２磁界形成部１０２が第２プラズマを第２領域Ｐ２近傍に閉じ込めることにより、主面Ｓ１の第２領域Ｐ２における電荷中和処理が効率的に進行する。
【００８８】
第１実施形態で述べたように、主面Ｓ１のうち第１領域Ｐ１に配される部分でエッチング処理を進行させつつ、主面Ｓ１のうち第２領域Ｐ２に配される部分で電荷中和処理を行うことにより、エッチング処理速度の低下を有効に抑制できる。
【００８９】
第３実施形態の態様では、主面Ｓ１の＋Ｘ側端部が第２領域Ｐ２に配されたタイミング（図１１）から主面Ｓ１の−Ｘ側端部が第１領域Ｐ１を抜け出るタイミング（図１２）までの期間において、エッチング処理および電荷中和処理を行ってエッチング処理速度の低下を有効に抑制できる。
【００９０】
＜４  第４実施形態＞
図１３は、第４実施形態のエッチング装置１Ｃの概略構成を模式的に示すＹＺ側面図である。図１４〜図１７は、エッチング処理の流れを模式的に示すエッチング装置１ＣのＹＺ側面図である。
【００９１】
以下では、図１３〜図１７を参照しつつ第４実施形態のエッチング装置１Ｃについて説明するが、第１実施形態と同一の要素については同一の符号を付し重複説明を省略する。
【００９２】
第１実施形態では、電圧印加部８１が第１仕切り部材３１に直流の正電圧を印加することにより第１領域Ｐ１に第１プラズマ中のアルゴンイオン９２を付与するエッチング装置１について説明した。第４実施形態では、電圧印加部８１Ｃが第１仕切り部材３１に直流の負電圧を印加することにより第１領域Ｐ１に第１プラズマ中の電子９１を付与するエッチング装置１Ｃについて説明する。
【００９３】
まず、ガス供給部６が、第１処理空間Ｖ１および第２処理空間Ｖ２に不活性ガスであるアルゴンガスを供給する。これにより、第１処理空間Ｖ１および第２処理空間Ｖ２には、アルゴン雰囲気が形成される。
【００９４】
高周波電源４４が各誘導結合アンテナ４１に高周波電力を供給し、第１処理空間Ｖ１および第２処理空間Ｖ２内に誘導結合プラズマが生成される。これにより、第１処理空間Ｖ１および第２処理空間Ｖ２内のアルゴンガスがプラズマ化して、第１処理空間Ｖ１および第２処理空間Ｖ２内に電子９１とアルゴンイオン９２とが生成される。図１４は、この時点におけるエッチング装置１のＹＺ側面図である。
【００９５】
また、電圧印加部８１Ｃは、絶縁板５を介してチャンバー１００内に支持される第１仕切り部材３１に対して、直流の負電圧を印加する。印加される負電圧は、例えば、−２００〜−４０Ｖの電圧である。
【００９６】
本実施形態において、各誘導結合アンテナ４１への高周波電力の供給と第１仕切り部材３１に対する負電圧の印加とは時間的に並行して行われる。
【００９７】
その結果、負に帯電した第１仕切り部材３１と第１プラズマ中の負に帯電した電子９１との間で斥力が生じ、第１処理空間Ｖ１内の電子９１が箱状の第１仕切り部材３１の上方開口から上向きに加速して飛翔される。また、負に帯電した第１仕切り部材３１と第１プラズマ中の正に帯電したアルゴンイオン９２との間で引力が生じ、第１処理空間Ｖ１内のアルゴンイオン９２が箱状の第１仕切り部材３１の付近に引き寄せられる。図１５は、この時点におけるエッチング装置１のＹＺ側面図である。
【００９８】
なお、第１仕切り部材３１は絶縁板５を介してチャンバー１００内に支持されているため、第１仕切り部材３１に負電圧が印加されたとしても、第１仕切り部材３１からチャンバー１００内の他の部材に電流が流れることは防止される。
【００９９】
未処理の基材Ｓがゲート１６０を介してチャンバー１００内に搬入されると、搬送機構２は該基材Ｓを水平姿勢で保持しつつ搬送経路面Ｌに沿って＋Ｘ方向に搬送する。そして、各誘導結合アンテナ４１への高周波電力の供給と第１仕切り部材３１に対する負電圧の印加とが並行して行われる状態において、基材Ｓの主面Ｓ１が第１領域Ｐ１および第２領域Ｐ２を通過する。
【０１００】
基材Ｓの主面Ｓ１のうち第１領域Ｐ１に配される部分に上向きに加速して飛翔した電子９１が衝突する。このとき、第１磁界形成部１０１が第１プラズマを第１領域Ｐ１近傍に閉じ込める。これにより、主面Ｓ１の第１領域Ｐ１に対する電子供給処理が効率的に進行する。図１６は、この時点におけるエッチング装置１のＹＺ側面図である。
【０１０１】
基材Ｓの主面Ｓ１のうち第１領域Ｐ１に配される部分に衝突した電子９１は、導電性の主面Ｓ１上で全体に拡散する。すなわち、この電子９１は、第１領域Ｐ１に位置する−Ｙ側の領域から、第２領域Ｐ２に位置する＋Ｙ側の領域に向けて拡散する。これにより、第２領域Ｐ２に配される部分を含む主面Ｓ１の全体が負に帯電する。
【０１０２】
第２処理空間Ｖ２にも電子９１およびアルゴンイオン９２が存在する。このため、負に帯電した主面Ｓ１の第２領域Ｐ２に配される部分と第２プラズマ中の正に帯電したアルゴンイオン９２との間で引力が生じ、第２処理空間Ｖ２内のアルゴンイオン９２が主面Ｓ１の第２領域Ｐ２に配される部分に引き寄せられる。また、第２仕切り部材３２がチャンバー１００を介して接地されているため、第２処理空間Ｖ２内の電子９１は第２仕切り部材３２を介して接地先へと逃がされる。図１７は、この時点におけるエッチング装置１のＹＺ側面図である。
【０１０３】
第２処理空間Ｖ２内のアルゴンイオン９２が主面Ｓ１の第２領域Ｐ２に配される部分に引き寄せられることにより、当該部分でエッチング処理が進行する。また、第２処理空間Ｖ２内のアルゴンイオン９２が主面Ｓ１の第２領域Ｐ２に配される部分に引き寄せられることにより、第１プラズマから付与されて当該部分に蓄積していた電子９１の負電荷が中和される。このとき、第２磁界形成部１０２が第２プラズマを第２領域Ｐ２近傍に閉じ込める。これにより、主面Ｓ１の第２領域Ｐ２におけるエッチング処理および電荷中和処理が効率的に進行する。
【０１０４】
第１処理空間Ｖ１および第２処理空間Ｖ２の上方を通過してエッチング処理が施された基材Ｓは、ゲート１６１を介してチャンバー１００から搬出される。これにより、１枚の基材Ｓについてエッチング装置１での処理が完了する。
【０１０５】
以上説明したように、本実施形態では、第１プラズマ処理部１１Ｃが第１プラズマを介して第１領域Ｐ１に電子９１を付与する。また、負に帯電した主面Ｓ１のうち第２領域Ｐ２に配される部分に向かって第２プラズマからアルゴンイオン９２（陽イオン）が引きつけられることにより、基材Ｓに対するエッチング処理および蓄積電荷中和処理が進行する。このため、本実施形態の態様では、基材Ｓの主面Ｓ１に蓄積する負電荷と第１プラズマから付与される電子９１との斥力に起因してエッチング処理速度が低下することを有効に抑制できる。
【０１０６】
＜５  第５実施形態＞
図１８は、第５実施形態のエッチング装置１Ｄの概略構成を模式的に示すＹＺ側面図である。
【０１０７】
以下では、図１８を参照しつつ第５実施形態のエッチング装置１Ｄについて説明するが、第１実施形態と同一の要素については同一の符号を付し重複説明を省略する。
【０１０８】
第１実施形態では、永久磁石によって構成される第１磁界形成部１０１を有する第１プラズマ処理部１１と、永久磁石によって構成される第２磁界形成部１０２を有する第２プラズマ処理部１２と、を備えるエッチング装置１について説明した。第５実施形態では、電磁石によって構成される第１磁界形成部１０１Ｄを有する第１プラズマ処理部１１Ｄと、電磁石によって構成される第２磁界形成部１０２Ｄを有する第２プラズマ処理部１２Ｄと、を備えるエッチング装置１Ｄについて説明する。
【０１０９】
第１磁界形成部１０１Ｄは、鉛直軸回りに螺旋形状に巻かれたコイルと、交流電源とを有する電磁石である。交流電源によりコイルに電流が流れることで、第１磁界形成部１０１Ｄは例えば上側をＮ極とし下側をＳ極とする磁石として機能する。
【０１１０】
また、第１処理空間Ｖ１の上方開口と第１領域Ｐ１との間の空間領域を囲むように、第１磁界形成部１０１Ｄのコイルが巻かれる。このため、本実施形態の態様では、第１磁界形成部１０１Ｄが基材Ｓと第１処理空間Ｖ１との間に配されて第１磁界形成部１０１Ｄが主面Ｓ１におけるエッチング処理の進行を阻害するという事態が生じず、望ましい。
【０１１１】
第２磁界形成部１０２Ｄも第１磁界形成部１０１Ｄと同様の構成である。第２磁界形成部１０２Ｄは、鉛直軸回りに螺旋形状に巻かれたコイルと、交流電源とを有する電磁石である。交流電源によりコイルに電流が流れることで、第２磁界形成部１０２Ｄは例えば上側をＮ極とし下側をＳ極とする磁石として機能する。
【０１１２】
また、第２処理空間Ｖ２の上方開口と第２領域Ｐ２との間の空間領域を囲むように、２１磁界形成部１０２Ｄのコイルが巻かれる。このため、本実施形態の態様では、第２磁界形成部１０２Ｄが基材Ｓと第２処理空間Ｖ２との間に配されて第２磁界形成部１０２Ｄが主面Ｓ１におけるエッチング処理の進行を阻害するという事態が生じず、望ましい。
【０１１３】
また、本実施形態では、第１磁界形成部１０１Ｄおよび第２磁界形成部１０２Ｄの双方が、主面Ｓ１に直交する鉛直方向のうち一方側に第１極性（例えば、Ｎ極）を有し、他方側に第２極性（例えば、Ｓ極）を有する。このため、第１磁界形成部１０１Ｄによる第１磁界と第２磁界形成部１０２Ｄによる第２磁界とが、互いに反発し独立した磁界となる。これにより、第１プラズマ中のアルゴンイオン９２が基材Ｓの主面Ｓ１に衝突することなく第２プラズマへと移動する事態（すなわち、第１プラズマと第２プラズマとの間で電気的短絡が生じる事態）が有効に抑制される。
【０１１４】
＜６  変形例＞
以上、本発明の実施の形態について説明したが、この発明はその趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。
【０１１５】
上記各実施形態では、第１磁界形成部および第２磁界形成部を有するエッチング装置について説明したが、これに限られるものではない。エッチング装置は第１磁界形成部および第２磁界形成部を有さなくても構わないし、第１磁界形成部および第２磁界形成部のうち一方のみを有していてもよい。
【０１１６】
上記各実施形態では、水平方向に搬送される基材Ｓに対してエッチング処理を実行する態様について説明したが、これに限定されるものではない。種々の搬送方向（例えば、垂直方向）に搬送される基材Ｓに対してエッチング処理が実行されてもよいし、静止した基材Ｓに対してエッチング処理が実行されてもよい。
【０１１７】
また、上記各実施形態では、上側が開放された箱状の第１仕切り部材および第２仕切り部材によってチャンバー１００内が仕切られて、搬送機構２が基材Ｓの主面Ｓ１を下向きにした状態で搬送経路面Ｌに沿って基材Ｓを搬送する態様について説明したが、これに限られるものではない。例えば、下側が開放された箱状の第１仕切り部材および第２仕切り部材によってチャンバー１００内が仕切られて、搬送機構２が基材Ｓの主面Ｓ１を上向きにした状態で搬送経路面に沿って基材Ｓを搬送する態様でもよい。
【０１１８】
また、上記各実施形態では、搬送方向から見た平面視（ＸＺ平面視）において各誘導結合アンテナ４１が逆Ｕ字状に見えるように、各各誘導結合アンテナ４１が配置されていたが、これに限られるものではない。各誘導結合アンテナ４１が上記各実施形態の状態からＺ軸回りに所定角度（例えば、９０度）だけ回転されて配置されてもよい。
【０１１９】
以上、実施形態およびその変形例に係るエッチング装置について説明したが、これらは本発明に好ましい実施形態の例であって、本発明の実施の範囲を限定するものではない。本発明は、その発明の範囲内において、各実施形態の自由な組み合わせ、あるいは各実施形態の任意の構成要素の変形、もしくは各実施形態において任意の構成要素の省略が可能である。
【符号の説明】
【０１２０】
１、１Ａ〜１Ｄ  エッチング装置
２  搬送機構
５  絶縁板
６  ガス供給部
７  排気部
１１、１１Ａ〜１１Ｄ  第１プラズマ処理部
１２、１２Ｂ、１２Ｄ  第２プラズマ処理部
３１、３１Ａ、３１Ｂ  第１仕切り部材
３２、３２Ｂ  第２仕切り部材
４１  誘導結合アンテナ
８１、８１Ａ、８１Ｃ  電圧印加部
１００  チャンバー
１０１、１０１Ｂ、１０１Ｄ  第１磁界形成部
１０２、１０２Ｂ、１０２Ｄ  第２磁界形成部
Ｌ  搬送経路面
Ｓ  基材
Ｓ１  主面
Ｖ１  第１処理空間
Ｖ２  第２処理空間
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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