(57)【要約】【課題】高解像度の表示が可能な電気光学装置、及び電子機器を提供する。【解決手段】第１基材１０ａの上に設けられたＴＦＴ３０と、ＴＦＴ３０の上に設けられた画素電極２７と、ＴＦＴ３０と画素電極２７との間に設けられたデータ線６ａと、第１基材１０ａ上に設けられた固定電位と電気的に接続された固定電位線３０１と、を備え、ＴＦＴ３０とデータ線６ａとの間に設けられた、第１基材１０ａ側から、固定電位線と電気的に接続された第１容量電極５１、第１容量絶縁膜６１、第２容量電極５２によって構成された第１容量素子７１と、第２容量電極５２、第２容量絶縁膜６２、固定電位線と電気的に接続された第３容量電極５３によって構成された第２容量素子７２と、データ線６ａと画素電極２７との間に設けられた、第１基材１０ａ側から、固定電位線３０１、第３容量絶縁膜６３、第４容量電極３０２によって構成された第３容量素子７３と、を備える。【選択図】図４
2016218382.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の上に設けられたトランジスターと、
前記トランジスターの上に設けられた画素電極と、
前記トランジスターと前記画素電極との間に設けられたソース線と、
前記基板上に設けられた固定電位と電気的に接続された固定電位線と、
を備え、
前記トランジスターと前記ソース線との間に設けられた、前記基板側から、前記固定電位線と電気的に接続された第１電極、第１容量膜、第２電極によって構成された第１容量素子と、前記第２電極、第２容量膜、前記固定電位線と電気的に接続された第３電極によって構成された第２容量素子と、
前記ソース線と前記画素電極との間に設けられた、前記基板側から、前記固定電位線、第３容量膜、第４電極によって構成された第３容量素子と、
を備えることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
基板と、
前記基板の上に設けられたトランジスターと、
前記トランジスターの上に設けられた画素電極と、
前記トランジスターと前記画素電極との間に設けられたソース線と、
前記基板上に設けられた固定電位と電気的に接続された固定電位線と、
を備え、
前記トランジスターと前記ソース線との間に設けられた、前記基板側から、前記固定電位線と電気的に接続された第１電極、第１容量膜、第２電極によって構成された第１容量素子と、前記第２電極、第２容量膜、前記固定電位線と電気的に接続された第３電極によって構成された第２容量素子と、
前記ソース線と前記画素電極との間に設けられた、前記基板側から、前記固定電位線、第３容量膜、前記画素電極によって構成された第３容量素子と、
を備えることを特徴とする電気光学装置。
【請求項３】
基板と、
前記基板の上に設けられたトランジスターと、
前記トランジスターの上に設けられた画素電極と、
前記トランジスターと前記画素電極との間に設けられたソース線と、
前記基板上に設けられた固定電位と電気的に接続された固定電位線と、
を備え、
前記トランジスターと前記ソース線との間に設けられた、前記基板側から、前記固定電位線と電気的に接続された第１電極、第１容量膜、第２電極によって構成された第１容量素子と、前記第２電極、第２容量膜、前記固定電位線と電気的に接続された第３電極によって構成された第２容量素子と、
前記ソース線と前記画素電極との間に設けられた、前記基板側から、前記固定電位線と電気的に接続されると共に前記固定電位線と絶縁膜を介して異なる層に形成された固定電位分岐線、第３容量膜、前記画素電極によって構成された第３容量素子と、
を備えることを特徴とする電気光学装置。
【請求項４】
請求項３に記載の電気光学装置であって、
前記固定電位線は、前記ソース線の延在方向に沿って形成されており、
前記固定電位分岐線は、前記固定電位線と交差する方向に形成されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項５】
請求項２乃至請求項４のいずれか一項に記載の電気光学装置であって、
前記画素電極は、透明導電材料であることを特徴とする電気光学装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置、及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
上記電気光学装置として、例えば、画素電極をスイッチング制御するトランジスターを画素ごとに備えたアクティブ駆動方式の液晶装置が知られている。この液晶装置は、例えば、電子機器としての液晶プロジェクターの液晶ライトバルブとして用いられる。
【０００３】
上記液晶装置には、画素電位を保持するために、一対の容量電極の間に誘電体膜が挟持された構造の保持容量（容量素子）が備えられている。例えば、特許文献１には、開口率を低下させることなく保持容量を増やすために、上下方向に２つの容量素子を並列に接続した構造が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１３−４１１３１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、画素の高解像度化・高精細化が進むと容量素子の容量値が足りなくなり、これによりデータを保持しにくくなるという問題がある。その結果、表示品質が劣化するという課題がある。また、高速駆動になると、不要な寄生容量により、ソース線やゲート線の電圧変動が大きくなり、表示画像がちらつくなど表示品質が劣化するという課題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の態様は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。
【０００７】
［適用例１］本適用例に係る電気光学装置は、基板と、前記基板の上に設けられたトランジスターと、前記トランジスターの上に設けられた画素電極と、前記トランジスターと前記画素電極との間に設けられたソース線と、前記基板上に設けられた固定電位と電気的に接続された固定電位線と、を備え、前記トランジスターと前記ソース線との間に設けられた、前記基板側から、前記固定電位線と電気的に接続された第１電極、第１容量膜、第２電極によって構成された第１容量素子と、前記第２電極、第２容量膜、前記固定電位線と電気的に接続された第３電極によって構成された第２容量素子と、前記ソース線と前記画素電極との間に設けられた、前記基板側から、前記固定電位線、第３容量膜、第４電極によって構成された第３容量素子と、を備えることを特徴とする。
【０００８】
本適用例によれば、ソース線に対しトランジスター側に備えられた第１容量素子及び第２容量素子に加えて、ソース線に対し画素電極側に備えられた第３容量素子を備えるので、画素電位を保持するための保持容量を増やすことができる。よって、保持容量が不足することによる表示品質が劣化することを抑えることができる。また、高解像度（例えば、「４Ｋ２Ｋ」など）の高速駆動にも対応することが可能となり、高い表示品質を得ることができる。更に、ソース線（又はゲート線）と各容量素子との間に固定電位線を配置するので、画素電極への書込み電圧がソース線の電圧変動の影響を受けにくくなる。したがって、表示品質を向上させることができる。
【０００９】
［適用例２］本適用例に係る電気光学装置は、基板と、前記基板の上に設けられたトランジスターと、前記トランジスターの上に設けられた画素電極と、前記トランジスターと前記画素電極との間に設けられたソース線と、前記基板上に設けられた固定電位と電気的に接続された固定電位線と、を備え、前記トランジスターと前記ソース線との間に設けられた、前記基板側から、前記固定電位線と電気的に接続された第１電極、第１容量膜、第２電極によって構成された第１容量素子と、前記第２電極、第２容量膜、前記固定電位線と電気的に接続された第３電極によって構成された第２容量素子と、前記ソース線と前記画素電極との間に設けられた、前記基板側から、前記固定電位線、第３容量膜、前記画素電極によって構成された第３容量素子と、を備えることを特徴とする。
【００１０】
本適用例によれば、ソース線に対しトランジスター側に備えられた第１容量素子及び第２容量素子に加えて、ソース線に対し画素電極側に備えられた第３容量素子を備えるので、画素電位を保持するための保持容量を増やすことができる。よって、保持容量が不足することによる表示品質が劣化することを抑えることができる。また、高解像度（例えば、「４Ｋ２Ｋ」など）の高速駆動にも対応することが可能となり、高い表示品質を得ることができる。更に、ソース線（又はゲート線）と各容量素子との間に固定電位線を配置するので、画素電極への書込み電圧がソース線の電圧変動の影響を受けにくくなる。したがって、表示品質を向上させることができる。
【００１１】
［適用例３］本適用例に係る電気光学装置は、基板と、前記基板の上に設けられたトランジスターと、前記トランジスターの上に設けられた画素電極と、前記トランジスターと前記画素電極との間に設けられたソース線と、前記基板上に設けられた固定電位と電気的に接続された固定電位線と、を備え、前記トランジスターと前記ソース線との間に設けられた、前記基板側から、前記固定電位線と電気的に接続された第１電極、第１容量膜、第２電極によって構成された第１容量素子と、前記第２電極、第２容量膜、前記固定電位線と電気的に接続された第３電極によって構成された第２容量素子と、前記ソース線と前記画素電極との間に設けられた、前記基板側から、前記固定電位線と電気的に接続されると共に前記固定電位線と絶縁膜を介して異なる層に形成された固定電位分岐線、第３容量膜、前記画素電極によって構成された第３容量素子と、を備えることを特徴とする。
【００１２】
本適用例によれば、ソース線に対しトランジスター側に備えられた第１容量素子及び第２容量素子に加えて、ソース線に対し画素電極側に備えられた第３容量素子を備えるので、画素電位を保持するための保持容量を増やすことができる。よって、保持容量が不足することによる表示品質が劣化することを抑えることができる。また、高解像度（例えば、「４Ｋ２Ｋ」など）の高速駆動にも対応することが可能となり、高い表示品質を得ることができる。更に、ソース線（又はゲート線）と各容量素子との間に固定電位線を配置するので、画素電極への書込み電圧がソース線の電圧変動の影響を受けにくくなる。したがって、表示品質を向上させることができる。
【００１３】
［適用例４］上記適用例に係る電気光学装置において、前記固定電位線は、前記ソース線の延在方向に沿って形成されており、前記固定電位分岐線は、前記固定電位線と交差する方向に形成されていることが好ましい。
【００１４】
本適用例によれば、固定電位と電気的に接続された固定電位線と固定電位分岐線とが絶縁膜を介して交差するように配置されている、言い換えれば、固定電位線（固定電位分岐線）がマトリックス状に形成されて配線の面積が増えるので、固定電位線の抵抗を下げることができる。また、異なる層に形成されており、例えば、配線幅を広くしないので開口面積を大きく低下させることなく、低抵抗化させることができる。更に、固定電位線（固定電位分岐線）によって、ソース線（又はゲート線）に対しシールドする領域を増やすことが可能となるので、ソース線の電圧の影響を抑えることが可能となり、表示品質を向上させることができる。
【００１５】
［適用例５］上記適用例に係る電気光学装置において、前記画素電極は、透明導電材料であることが好ましい。
【００１６】
本適用例によれば、透明導電材料を用いて容量素子を構成するので、例えば、画素電極と別の金属材料をパターニング形成しなくてもよく、製造工程を少なく効率よく容量素子を形成することができる。
【００１７】
［適用例６］本適用例に係る電子機器は、上記に記載の電気光学装置を備えることを特徴とする。
【００１８】
本適用例によれば、高解像度の表示が可能な電子機器を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】第１実施形態の電気光学装置としての液晶装置の構造を示す模式平面図。
【図２】図１に示す液晶装置のＨ−Ｈ’線に沿う模式断面図。
【図３】液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図。
【図４】液晶装置を構成する画素の構造を示す模式断面図。
【図５】図４に示す画素のうちＡ部の層を上方から見た概略平面図。
【図６】図４に示す画素のうちＢ部の層を上方から見た概略平面図。
【図７】図４に示す画素のＣ部の層を上方から見た概略平面図。
【図８】液晶装置を備えた電子機器としてのプロジェクターの構成を示す模式図。
【図９】第２実施形態の液晶装置を構成する画素の構成を示す模式断面図。
【図１０】図９に示す画素のうちＤ部の層を上方から見た概略平面図。
【図１１】第３実施形態の液晶装置を構成する画素の構成を示す模式断面図。
【図１２】図１１に示す画素のうちＥ部の層を上方から見た概略平面図。
【図１３】図１１に示す画素のうちＦ部の層を上方から見た概略平面図。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している。
【００２１】
なお、以下の形態において、例えば「基板上に」と記載された場合、基板の上に接するように配置される場合、又は基板の上に他の構成物を介して配置される場合、又は基板の上に一部が接するように配置され、一部が他の構成物を介して配置される場合を表すものとする。
【００２２】
本実施形態では、薄膜トランジスター（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）を画素のスイッチング素子として備えたアクティブマトリックス型の液晶装置を例に挙げて説明する。この液晶装置は、例えば、後述する電子機器（液晶プロジェクター）の光変調素子（液晶ライトバルブ）として好適に用いることができるものである。
【００２３】
（第１実施形態）
＜電気光学装置としての液晶装置の構成＞
図１は、電気光学装置としての液晶装置の構造を示す模式平面図である。図２は、図１に示す液晶装置のＨ−Ｈ’線に沿う模式断面図である。図３は、液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図である。以下、液晶装置の構成を、図１〜図３を参照しながら説明する。
【００２４】
図１及び図２に示すように、本実施形態の液晶装置１００は、対向配置された素子基板１０および対向基板２０と、これら一対の基板によって挟持された液晶層１５とを有する。素子基板１０を構成する基板としての第１基材１０ａ、および対向基板２０を構成する第２基材２０ａは、例えば、ガラス基板、石英基板などの透明基板が用いられている。
【００２５】
素子基板１０は対向基板２０よりも大きく、両基板は、対向基板２０の外周に沿って配置されたシール材１４を介して接合され、その隙間に負の誘電異方性を有する液晶が封入されて液晶層１５を構成している。シール材１４は、例えば、熱硬化性又は紫外線硬化性のエポキシ樹脂などの接着剤が採用されている。シール材１４には、一対の基板の間隔を一定に保持するためのギャップ材が混入されている。
【００２６】
シール材１４の内側に、複数の画素Ｐが配列された表示領域Ｅを有している。シール材１４と表示領域Ｅとの間に表示領域Ｅを囲むように遮光性の例えば金属あるいは金属酸化物などからなる遮光層１８（見切り部）が配置されている。なお、表示領域Ｅは、表示に寄与する複数の画素Ｐを囲むように配置された複数のダミー画素を含んでいてもよい。
【００２７】
第１基材１０ａの１辺部と、１辺部に沿ったシール材１４との間にデータ線駆動回路２２が設けられている。また、該１辺部に対向する他の１辺部に沿ったシール材１４の内側に検査回路（図示せず）が設けられている。さらに、該１辺部と直交し互いに対向する他の２辺部には、２つの走査線駆動回路２４が設けられている。該１辺部と対向する他の１辺部には、２つの走査線駆動回路２４を繋ぐ複数の配線２９が設けられている。
【００２８】
これらデータ線駆動回路２２及び走査線駆動回路２４に繋がる配線は、該１辺部に沿って配列した複数の外部接続端子２３に接続されている。以降、該１辺部に沿った方向をＸ方向とし、該１辺部と直交し互いに対向する他の２辺部に沿った方向をＹ方向として説明する。
【００２９】
図２に示すように、第１基材１０ａの液晶層１５側の表面には、画素Ｐごとに設けられた光透過性を有する画素電極２７およびスイッチング素子としての薄膜トランジスター３０（以降、「ＴＦＴ３０」と称する。）と、信号配線と、これらを覆う第１配向膜２８とが形成されている。
【００３０】
画素電極２７は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明導電材料を用いて形成することができる。また、ＴＦＴ３０における半導体層に光が入射してスイッチング動作が不安定になることを防ぐ遮光構造が採用されている。このように素子基板１０は、少なくともＴＦＴ３０と画素電極２７と第１配向膜２８とを有している。
【００３１】
第２基材２０ａの液晶層１５側の表面には、遮光層１８と、これを覆うように成膜された絶縁層１３と、絶縁層１３を覆うように設けられた共通電極３１と、共通電極３１を覆う第２配向膜３２とが設けられている。
【００３２】
共通電極３１は、例えばＩＴＯなどの透明導電膜からなり、絶縁層などを覆うと共に、図１に示すように対向基板２０の四隅に設けられた上下導通部２６により素子基板１０側の配線に電気的に接続している。
【００３３】
画素電極２７を覆う第１配向膜２８および共通電極３１を覆う第２配向膜３２は、無機配向膜であって、液晶装置１００の光学設計に基づいて選定される。例えば、ＳｉＯｘ（酸化シリコン）などの無機材料を気相成長法を用いて成膜して、液晶分子に対して略垂直配向させたものが挙げられる。このように対向基板２０は、少なくとも共通電極３１と第２配向膜３２とを有している。
【００３４】
図３に示すように、液晶装置１００は、少なくとも表示領域Ｅにおいて互いに絶縁されて直交する複数の走査線３ａ（ゲート線）および複数のデータ線６ａ（ソース線）と、走査線３ａと並行して延在する固定電位線とを有する。走査線３ａが延在する方向がＸ方向であり、データ線６ａが延在する方向がＹ方向である。なお、固定電位線はデータ線６ａと並行して延在するように配置することもできる。
【００３５】
走査線３ａとデータ線６ａならびに固定電位線３００’と、これらの信号線類により区分された領域に、画素電極２７と、ＴＦＴ３０と、容量素子７０とが設けられ、これらが画素Ｐの画素回路を構成している。
【００３６】
走査線３ａはＴＦＴ３０のゲートに電気的に接続され、データ線６ａはＴＦＴ３０のデータ線側ソースドレイン領域に電気的に接続されている。画素電極２７は、ＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域に電気的に接続されている。
【００３７】
データ線６ａは、データ線駆動回路２２（図１参照）に接続されており、データ線駆動回路２２から供給される画像信号Ｄ１，Ｄ２，…，Ｄｎを画素Ｐに供給する。走査線３ａは、走査線駆動回路２４（図１参照）に接続されており、走査線駆動回路２４から供給される走査信号ＳＣ１，ＳＣ２，…，ＳＣｍを各画素Ｐに供給する。
【００３８】
データ線駆動回路２２からデータ線６ａに供給される画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、この順に線順次で供給してもよく、互いに隣り合う複数のデータ線６ａ同士に対してグループごとに供給してもよい。走査線駆動回路２４は、走査線３ａに対して、走査信号ＳＣ１〜ＳＣｍを所定のタイミングでパルス的に線順次で供給する。
【００３９】
液晶装置１００は、スイッチング素子であるＴＦＴ３０が走査信号ＳＣ１〜ＳＣｍの入力により一定期間だけオン状態とされることで、データ線６ａから供給される画像信号Ｄ１〜Ｄｎが所定のタイミングで画素電極２７に書き込まれる構成となっている。そして、画素電極２７を介して液晶層１５に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、画素電極２７と液晶層１５を介して対向配置された共通電極３１との間で一定期間保持される。
【００４０】
保持された画像信号Ｄ１〜Ｄｎがリークするのを防止するため、画素電極２７と共通電極３１との間に形成される液晶容量と並列に容量素子７０が接続されている。容量素子７０は、ＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域と固定電位線３００’との間に設けられている。
【００４１】
図４は、液晶装置を構成する画素の構造を示す模式断面図である。図５は、図４に示す画素のうちＡ部の層を上方から見た概略平面図である。図６は、図４に示す画素のうちＢ部の層を上方から見た概略平面図である。図７は、図４に示す画素のＣ部の層を上方から見た概略平面図である。以下、画素の構成について、図４〜図７を参照しながら説明する。
【００４２】
図４及び図５に示すように、ＴＦＴ３０は、ＬＤＤ構造を有し、半導体層３０ａと、ゲート電極３０ｇとを含んで構成されている。半導体層３０ａは、例えば、ポリシリコンによって構成されている。具体的には、半導体層３０ａは、チャネル領域３０ａ’、データ線側ＬＤＤ領域３０ｓ’、画素電極側ＬＤＤ領域３０ｄ’、データ線側ソースドレイン領域３０ｓ、画素電極側ソースドレイン領域３０ｄを有している。
【００４３】
データ線側ソースドレイン領域３０ｓ及び画素電極側ソースドレイン領域３０ｄは、チャネル領域３０ａ’を基準として、ほぼミラー対称に形成されている。データ線側ＬＤＤ領域３０ｓ’は、チャネル領域３０ａ’及びデータ線側ソースドレイン領域３０ｓ間に形成されている。画素電極側ＬＤＤ領域３０ｄ’は、チャネル領域３０ａ’及び画素電極側ソースドレイン領域３０ｄ間に形成されている。
【００４４】
データ線側ＬＤＤ領域３０ｓ’、画素電極側ＬＤＤ領域３０ｄ’、データ線側ソースドレイン領域３０ｓ及び画素電極側ソースドレイン領域３０ｄは、例えば、イオンインプランテーション法等の不純物打ち込みによって半導体層３０ａに不純物を打ち込んでなる不純物領域である。
【００４５】
データ線側ＬＤＤ領域３０ｓ’及び画素電極側ＬＤＤ領域３０ｄ’は、それぞれデータ線側ソースドレイン領域３０ｓ及び画素電極側ソースドレイン領域３０ｄよりも不純物の少ない低濃度な不純物領域として形成されている。このような不純物領域によれば、ＴＦＴ３０の非動作時において、ソース領域及びドレイン領域間に流れるオフ電流を低減し、且つＴＦＴ３０の動作時に流れるオン電流の低下を抑制できる。
【００４６】
ゲート電極３０ｇは、例えば、導電性ポリシリコンから形成されており、部分的に半導体層３０ａのチャネル領域３０ａ’と対向するように形成されている。ゲート電極３０ｇ及び半導体層３０ａ間は、ゲート絶縁膜１１ｇによって絶縁されている。
【００４７】
ＴＦＴ３０よりも下地絶縁膜１１ａを介して下層側には、走査線３ｃが設けられている。走査線３ｃは、例えば、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｐｄ（パラジウム）等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの等の遮光性材料からなる。
【００４８】
走査線３ｃは、素子基板１０における裏面反射や、複板式のプロジェクター等で他の液晶装置から発せられ合成光学系を突き抜けてくる光などである、素子基板１０側から装置内に入射する戻り光から、ＴＦＴ３０のチャネル領域３０ａ’及びその周辺を遮光する下側遮光膜としても機能する。
【００４９】
ＴＦＴ３０よりも層間絶縁膜１１ｂを介して上層側には、容量素子７０を構成する第１容量素子７１及び第２容量素子７２が設けられている。第１容量素子７１は、下層側から、第１容量電極５１（第１電極）、第１容量絶縁膜６１（第１容量膜）、及び第２容量電極５２（第２電極）によって構成されている。第２容量素子７２は、下層側から、第２容量電極５２、第２容量絶縁膜６２（第２容量膜）、及び第３容量電極５３（第３電極）によって構成されている。
【００５０】
第１容量電極５１及び第３容量電極５３は、固定電位線（ＬＣＣＯＭ）３０１及び中継電極１２ｃを介して定電位源と電気的に接続された固定電位側容量電極である。具体的には、第１容量電極５１は、コンタクトホールＣＮＴ１を介して中継電極１２ｃと電気的に接続されている。第３容量電極５３も同様に、コンタクトホールＣＮＴ１を介して中継電極１２ｃと電気的に接続されている。
【００５１】
第１容量電極５１及び第３容量電極５３は、例えばＡｌ（アルミニウム）、Ａｇ（銀）等の金属又は合金を含んだ非透明な金属膜から形成されており、ＴＦＴ３０を遮光する上側遮光膜（内蔵遮光膜）としても機能する。
【００５２】
なお、第１容量電極５１及び第３容量電極５３は、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｐｄ等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの等から構成されていてもよい。この場合には、第１容量電極５１及び第３容量電極５３の内蔵遮光膜としての機能を高めることができる。
【００５３】
第２容量電極５２は、ＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域３０ｄ及び画素電極２７に電気的に接続された画素電位側容量電極である。具体的には、第２容量電極５２は、コンタクトホールＣＮＴ３を介して画素電極側ソースドレイン領域３０ｄと電気的に接続されると共に、コンタクトホールＣＮＴ４〜ＣＮＴ７及び中継電極１２ａ，１２ｂ、第４容量電極３０２（第４電極）を介して画素電極２７と電気的に接続されている。
【００５４】
第１容量絶縁膜６１及び第２容量絶縁膜６２は、誘電体膜であり、例えば、ハフニア（ＨｆＯ2）、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）、窒化シリコン（ＳｉＮ）などが挙げられる。
【００５５】
図４に戻り、素子基板１０上の第３容量電極５３よりも層間絶縁膜１１ｄを介して上層側には、データ線６ａ、及び中継電極１２ａ，１２ｃが設けられている。
【００５６】
データ線６ａは、半導体層３０ａのデータ線側ソースドレイン領域３０ｓに、ゲート絶縁膜１１ｇ、層間絶縁膜１１ｂ，１１ｃ，１１ｄを貫通するコンタクトホールＣＮＴ８を介して電気的に接続されている。データ線６ａ及びコンタクトホールＣＮＴ８の内部は、例えば、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ、Ａｌ−Ｃｕ等のＡｌ（アルミニウム）含有材料、又はＡｌ単体、若しくはＡｌ層とＴｉＮ層等との多層膜からなる。データ線６ａは、ＴＦＴ３０を遮光する機能も有している。
【００５７】
中継電極１２ａ，１２ｃは、層間絶縁膜１１ｄ上においてデータ線６ａと同層に形成されている。データ線６ａ、及び中継電極１２ａ，１２ｃは、例えば、金属膜等の導電材料で構成される薄膜を、層間絶縁膜１１ｄ上に薄膜形成法を用いて形成しておき、当該薄膜を部分的に除去、即ちパターニングすることによって相互に離間させた状態で形成される。このように、データ線６ａ、及び中継電極１２ａ，１２ｃを同一工程で形成すれば、装置の製造プロセスを簡便にできる。
【００５８】
図４及び図６に示すように、素子基板１０のデータ線６ａよりも層間絶縁膜１１ｅを介して上層側には、固定電位線３０１及び中継電極１２ｂが設けられている。
【００５９】
固定電位線３０１は、例えば、アルミニウム等の金属を含んで構成されており、上述した第１容量電極５１及び第３容量電極５３のように固定電位を供給する。一方で、固定電位線３０１と同層に形成された中継電極１２ｂは、半導体層３０ａにおける画素電極側ソースドレイン領域３０ｄと画素電極２７との電気的導通を中継している。
【００６０】
また、層間絶縁膜１１ｅの画素電極２７側には、固定電位線３０１の画素電極２７側に第３容量絶縁膜６３（第３容量膜）を介して第４容量電極３０２を配置することにより、容量素子７０を構成する第３容量素子７３が形成されている。
【００６１】
第４容量電極３０２は、中継電極１２ｂとコンタクトホールＣＮＴ６を介して電気的に接続されている。つまり、第４容量電極３０２は、画素電極側ソースドレイン領域３０ｄ及び画素電極２７と電気的に接続されている。
【００６２】
第３容量絶縁膜６３としては、例えば、第１容量絶縁膜６１及び第２容量絶縁膜６２と同様の材料が用いられる。
【００６３】
図４及び図７に示すように、第３容量素子７３の上層には、層間絶縁膜１１ｈを介して画素電極２７が設けられている。画素電極２７は、コンタクトホールＣＮＴ３〜ＣＮＴ７、第２容量電極５２、中継電極１２ａ，１２ｂ、及び第４容量電極３０２を介して、半導体層３０ａの画素電極側ソースドレイン領域３０ｄに電気的に接続されている。
【００６４】
画素電極２７と第４容量電極３０２とを電気的に接続するコンタクトホールＣＮＴ７は、層間絶縁膜１１ｈを貫通するように形成された孔部の内壁にＩＴＯ等の画素電極２７を構成する導電材料が成膜されることによって形成されている。画素電極２７の上側表面には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜が設けられている。
【００６５】
上述した画素部の構成は各画素部に共通であり、表示領域Ｅ（図１参照）には、かかる画素部が周期的に形成されている。
【００６６】
このように、ＴＦＴ３０の上に並列接続された第１容量素子７１及び第２容量素子７２を形成し、更に、データ線６ａの上層に第３容量素子７３を形成するので、画素電位を保持するための保持容量を増やすことができる。これにより、高解像度（高速駆動）に対応させることが可能となり、表示品質を向上させることができる。
【００６７】
また、第１容量素子７１、第２容量素子７２、及び第３容量素子７３と、データ線６ａ及び走査線３ａとの間に、固定電位に電気的に接続された固定電位線３０１、中継電極１２ｃ、コンタクトホールＣＮＴ１、及び第１容量電極５１などを配置するので、表示画像がちらつくなど表示品質が劣化することを抑えることができる。
【００６８】
＜電子機器の構成＞
図８は、上記した液晶装置を備えた電子機器としてのプロジェクターの構成を示す模式図である。以下、プロジェクターの構成について、図８を参照しながら説明する。
【００６９】
図８に示すように、プロジェクター１１００内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット１１０２が設けられている。このランプユニット１１０２から出射された投射光は、ライトガイド１１０４内に配置された４枚のミラー１１０６及び２枚のダイクロイックミラー１１０８によってＲＧＢの３原色に分離され、各原色に対応するライトバルブとしての液晶装置１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇに入射される。
【００７０】
液晶装置１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇの構成は、上述した液晶装置１００と同等であり、画像信号処理回路から供給されるＲ、Ｇ、Ｂの原色信号でそれぞれ駆動されるものである。そして、これらの液晶装置１１１０Ｒ，１１１０Ｂ，１１１０Ｇによって変調された光は、ダイクロイックプリズム１１１２に３方向から入射される。このダイクロイックプリズム１１１２においては、Ｒ及びＢの光が９０度に屈折する一方、Ｇの光が直進する。従って、各色の画像が合成される結果、投射レンズ１１１４を介して、スクリーン等にカラー画像が投写されることとなる。
【００７１】
ここで、各液晶装置１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇによる表示像について着目すると、液晶装置１１１０Ｇによる表示像は、液晶装置１１１０Ｒ、１１１０Ｂによる表示像に対して左右反転することが必要となる。
【００７２】
なお、液晶装置１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇには、ダイクロイックミラー１１０８によって、Ｒ、Ｇ、Ｂの各原色に対応する光が入射するので、カラーフィルターを設ける必要はない。
【００７３】
また、液晶装置１００が搭載される電子機器としては、プロジェクター１１００の他、ヘッドアップディスプレイ（ＨＵＤ）、ヘッドマウントディスプレイ（ＨＭＤ）、スマートフォン、ＥＶＦ（Electrical View Finder）、モバイルミニプロジェクター、電子ブック、携帯電話、モバイルコンピューター、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、ディスプレイ、車載機器、オーディオ機器、露光装置や照明機器など各種電子機器に用いることができる。
【００７４】
以上詳述したように、本実施形態の液晶装置１００、及びプロジェクター１１００によれば、以下に示す効果が得られる。
【００７５】
（１）本実施形態の液晶装置１００によれば、データ線６ａに対しＴＦＴ３０側に設けられた第１容量素子７１及び第２容量素子７２に加えて、データ線６ａに対し画素電極２７側に設けられた第３容量素子７３を備えるので、画素電位を保持するための保持容量を増やすことができる。よって、保持容量が不足することによる表示品質が劣化することを抑えることができる。また、高解像度（例えば、「４Ｋ２Ｋ」など）の高速駆動にも対応することが可能となり、高い表示品質を得ることができる。更に、データ線６ａ（又は走査線３ａ）と各容量素子７０（７１，７２，７３）との間に固定電位線３０１、第１容量電極５１、第３容量電極５３を配置するので、データ線６ａの電圧が変動することに起因する画素電極書込み電圧への影響を受けにくくすることが可能となり、表示品質を向上させることができる。
【００７６】
（２）本実施形態の液晶装置１００によれば、上記したように、データ線の電圧変動の影響を抑えることが可能となるので、縦クロストークをよくすることができる。なお、縦クロストークは、Ｃｓｄ／保持容量に比例し、値が小さい方が表示品質がよくなる。
【００７７】
（３）本実施形態のプロジェクター１１００によれば、上記に記載の液晶装置１００を備えているので、高解像度の表示が可能な電子機器を提供することができる。
【００７８】
（第２実施形態）
＜液晶装置の構成＞
図９は、第２実施形態の液晶装置を構成する画素の構成を示す模式断面図である。図１０は、図９に示す画素のうちＤ部の層を上方から見た概略平面図である。以下、第２実施形態の画素の構成について、図９及び図１０を参照しながら説明する。
【００７９】
第２実施形態の液晶装置２００は、上述の第１実施形態の液晶装置１００と比べて、第３容量素子の構成が異なり、その他の部分については概ね同様である。このため第２実施形態では、第１実施形態と異なる部分について詳細に説明し、その他の重複する部分については適宜説明を省略する。
【００８０】
図９及び図１０に示すように、第２実施形態の液晶装置２００は、第３容量素子７３ａを、固定電位線３０１、第３容量絶縁膜６３、及び画素電極２７によって構成している。
【００８１】
固定電位線３０１は、上記したように、定電位源と電気的に接続された固定電位側容量電極となる。固定電位線３０１は、例えばＡｌ（アルミニウム）、Ａｇ（銀）等の金属又は合金を含んだ非透明な金属膜から形成されている。
【００８２】
第３容量絶縁膜６３としては、例えば、上記した第１容量絶縁膜６１及び第２容量絶縁膜６２と同様の材料を用いることができる。画素電極２７は、上記したように、ＩＴＯ等の透明材料である。
【００８３】
この構成によれば、第１実施形態と同様に、３つの容量素子７０（７１，７２，７３ａ）を設けることが可能となるので、画素電位を保持するための保持容量を増やすことができる。これにより、高解像度（高速駆動）に対応させることが可能となり、表示品質を向上させることができる。
【００８４】
また、第３容量素子７３ａとデータ線６ａとの間に、固定電位に電気的に接続された固定電位線３０１が配置されるので、表示画像がちらつくなど表示品質が劣化することを抑えることができる。
【００８５】
以上詳述したように、第２実施形態の液晶装置２００によれば、第１実施形態の効果に加えて、以下に示す効果が得られる。
【００８６】
（４）第２実施形態の液晶装置２００によれば、透明導電材料（ＩＴＯ）を用いて第３容量素子７３を形成するので、画素電極２７とは別の金属材料をパターニング形成しなくてもよく、製造工程を少なく効率よく第３容量素子７３を形成することができる。
【００８７】
（第３実施形態）
＜液晶装置の構成＞
図１１は、第３実施形態の液晶装置を構成する画素の構成を示す模式断面図である。図１２は、図１１に示す画素のうちＥ部の層を上方から見た概略平面図である。図１３は、図１１に示す画素のうちＦ部の層を上方から見た概略平面図である。以下、第３実施形態の画素の構成について、図１１〜図１３を参照しながら説明する。
【００８８】
第３実施形態の液晶装置３００は、上述の第２実施形態の液晶装置２００と比べて、第３容量素子７３ｂの構成が異なり、その他の部分については概ね同様である。このため第３実施形態では、第２実施形態と異なる部分について詳細に説明し、その他の重複する部分については適宜説明を省略する。
【００８９】
図１１〜図１３に示すように、第３実施形態の液晶装置３００は、第３容量素子７３ｂを、第１固定電位線３０１とは別の第２固定電位線３０３、第３容量絶縁膜６３、及び画素電極２７によって構成している。
【００９０】
第１固定電位線３０１は、定電位源と電気的に接続されている。第２固定電位線３０３は、コンタクトホールＣＮＴ６を介して第１固定電位線３０１と電気的に接続されている。なお、第１固定電位線３０１は、データ線６ａの延在方向と同じ方向に向かって形成されている。第２固定電位線３０３は、走査線３ａの延在方向と同じ方向に向かって形成されている。つまり、第１固定電位線３０１と第２固定電位線３０３とは、層間絶縁膜１１ｆを介して交差するように形成されている。
【００９１】
第１固定電位線３０１及び第２固定電位線３０３は、例えば、第１容量電極５１及び第３容量電極５３と同様に、Ａｌ（アルミニウム）、Ａｇ（銀）等の金属又は合金を含んだ非透明な金属膜から形成されている。
【００９２】
第３容量絶縁膜６３としては、例えば、上記した第１容量絶縁膜６１及び第２容量絶縁膜６２と同様の材料を用いることができる。画素電極２７は、上記したように、ＩＴＯ等の透明材料である。
【００９３】
この構成によれば、第１実施形態及び第２実施形態と同様に、３つの容量素子７０（７１，７２，７３ｂ）を設けることが可能となるので、画素電位を保持するための保持容量を増やすことができる。これにより、高解像度（高速駆動）に対応させることが可能となり、表示品質を向上させることができる。
【００９４】
また、第３容量素子７３とデータ線６ａとの間に、固定電位に電気的に接続された第１固定電位線３０１が配置されるので、表示画像がちらつくなど表示品質が劣化することを抑えることができる。
【００９５】
更に、定電位源と電気的に接続された第１固定電位線３０１がデータ線６ａの延在方向と同じ方向に、更に、第２固定電位線３０３が走査線３ａの延在方向と同じ方向に形成されている、言い換えれば、２層を使って固定電位線が交差するように画素Ｐの非表示領域に形成されているので、開口率を大きく下げることなく、固定電位線を増やして抵抗を下げることができる。その結果、高解像度の表示品質を得ることができる。
【００９６】
以上詳述したように、第３実施形態の液晶装置３００によれば、第１実施形態及び第２実施形態の効果に加えて、以下に示す効果が得られる。
【００９７】
（５）第３実施形態の液晶装置３００によれば、定電位源と電気的に接続された第１固定電位線３０１と第２固定電位線３０３とが層間絶縁膜１１を介して交差するように配置されている、言い換えれば、平面視でマトリックス状に形成されて固定電位線３０１，３０３が増えるので、固定電位線３０１，３０３の抵抗を下げることができる。また、異なる層に形成されているので、配線幅を広くしなくても低抵抗化することができる。加えて、開口面積を大きく低下させることがない。更に、固定電位線３０１，３０３によって、データ線６ａ（又は走査線３ａ）に対しシールドする領域を増やすことが可能となるので、画素電極への書込み電圧がソース線の電圧変動の影響を受けにくくなる。したがって、表示品質を向上させることができる。
【００９８】
なお、本発明の態様は、上記した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、本発明の態様の技術範囲に含まれるものである。また、以下のような形態で実施することもできる。
【００９９】
（変形例１）
上記したように、電気光学装置として液晶装置１００を適用することに限定されず、例えば、有機ＥＬ装置、プラズマディスプレイ、電子ペーパー（ＥＰＤ）等に適用するようにしてもよい。また、透過型の液晶装置１００以外にも、例えば、反射型の液晶装置に適用するようにしてもよい。
【符号の説明】
【０１００】
３ａ…走査線、３ｃ…ゲート線としての走査線、６ａ…ソース線としてのデータ線、１０…素子基板、１０ａ…基板としての第１基材、１１，１１ｂ，１１ｃ，１１ｄ，１１ｅ，１１ｆ，１１ｈ…層間絶縁膜、１１ａ…下地絶縁膜、１１ｇ…ゲート絶縁膜、１２ａ，１２ｂ，１２ｃ…中継電極、１３…絶縁層、１４…シール材、１５…液晶層、１８…遮光層、２０…対向基板、２０ａ…第２基材、２２…データ線駆動回路、２３…外部接続端子、２４…走査線駆動回路、２６…上下導通部、２７…画素電極、２８…第１配向膜、２９…配線、３０…トランジスターとしてのＴＦＴ、３０ａ…半導体層、３０ｄ…画素電極側ソースドレイン領域、３０ａ’…チャネル領域、３０ｄ’…画素電極側ＬＤＤ領域、３０ｇ…ゲート電極、３０ｓ…データ線側ソースドレイン領域、３０ｓ’…データ線側ＬＤＤ領域、３１…共通電極、３２…第２配向膜、５１…第１電極としての第１容量電極、５２…第２電極としての第２容量電極、５３…第３電極としての第３容量電極、６１…第１容量膜としての第１容量絶縁膜、６２…第２容量膜としての第２容量絶縁膜、６３…第３容量膜としての第３容量絶縁膜、７０…容量素子、７１…第１容量素子、７２…第２容量素子、７３，７３ａ，７３ｂ…第３容量電極、１００，２００，３００…液晶装置、３０１…固定電位線（第１固定電位線）、３０２…第４電極としての第４容量電極、３０３…固定電位分岐線としての第２固定電位線、１１００…プロジェクター、１１０２…ランプユニット、１１０４…ライトガイド、１１０６…ミラー、１１０８…ダイクロイックミラー、１１１０Ｇ，１１１０Ｂ，１１１０Ｒ…液晶装置、１１１２…ダイクロイックプリズム、１１１４…投射レンズ。
【図１】
2016218382.tif 000003
【図２】
2016218382.tif 000004
【図３】
2016218382.tif 000005
【図４】
2016218382.tif 000006
【図５】
2016218382.tif 000007
【図６】
2016218382.tif 000008
【図７】
2016218382.tif 000009
【図８】
2016218382.tif 000010
【図９】
2016218382.tif 000011
【図１０】
2016218382.tif 000012
【図１１】
2016218382.tif 000013
【図１２】
2016218382.tif 000014
【図１３】
2016218382.tif 000015