(57)【要約】【課題】優れた特性を有する発光装置の製造方法および発光装置を提供すること、また、かかる発光装置を備える電子機器を提供すること。【解決手段】本発明の発光装置の製造方法は、Ｂ画素領域に、第１成膜材料を含むインク４ａを付与する第１インク付与工程と、Ｂ画素領域に付与されたインク４ａを乾燥させた後に酸素ガス雰囲気下で焼成することにより、正孔注入層４Ｂを形成する第１焼成工程と、ＲＧ画素領域に、第２成膜材料を含むインク４ｂを付与する第２インク付与工程と、第２画素領域に付与されたインク４ｂを乾燥させた後に不活性ガス雰囲気下で焼成することにより、正孔注入層４Ｒ、４Ｇを形成する第２焼成工程と、を有する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１画素領域に、第１成膜材料を含む第１インクを付与する第１インク付与工程と、
前記第１画素領域に付与された前記第１インクを乾燥させた後に酸素ガス雰囲気下で焼成することにより、第１機能層を形成する第１焼成工程と、
前記第１画素領域と異なる第２画素領域に、第２成膜材料を含む第２インクを付与する第２インク付与工程と、
前記第２画素領域に付与された前記第２インクを乾燥させた後に不活性ガス雰囲気下で焼成することにより、第２機能層を形成する第２焼成工程と、を有することを特徴とする発光装置の製造方法。
【請求項２】
前記第１機能層および前記第２機能層は、それぞれ、正孔注入層である請求項１に記載の発光装置の製造方法。
【請求項３】
前記第１焼成工程における焼成温度は、前記第２焼成工程における焼成温度以上である請求項１または２に記載の発光装置の製造方法。
【請求項４】
前記第１成膜材料および前記第２成膜材料が互いに異なる請求項１ないし３のいずれか１項に記載の発光装置の製造方法。
【請求項５】
前記発光装置は、
第１画素領域に設けられている第１陽極と、
前記第１画素領域とは異なる第２画素領域に設けられている第２陽極と、
前記第１画素領域および前記第２画素領域に共通して設けられている共通陰極と、
前記第１画素領域および前記第２画素領域に共通して前記第１陽極および前記第２陽極と前記共通陰極との間に設けられ、第１色で発光する機能を有する第１発光機能層と、
前記第１発光機能層と前記第２陽極との間に設けられ、前記第１色と異なる第２色で発光する機能を有する第２発光機能層と、
前記第１発光機能層と前記第１陽極との間に設けられている第１正孔注入層と、
前記第２発光機能層と前記第２陽極との間に設けられている第２正孔注入層と、を有し、
前記第１正孔注入層が前記第１機能層であり、
前記第２正孔注入層が前記第２機能層である請求項１ないし４のいずれか１項に記載の発光装置の製造方法。
【請求項６】
前記第１画素領域および前記第２画素領域と異なる第３画素領域に設けられている第３陽極と、
前記第１画素領域、前記第２画素領域および前記第３画素領域に共通して設けられている前記共通陰極と、
前記第１画素領域、前記第２画素領域および前記第３画素領域に共通して前記第１陽極、前記第２陽極および前記第３陽極と前記共通陰極との間に設けられている前記第１発光機能層と、
前記第１発光機能層と前記第３陽極との間に設けられ、前記第１色および前記第２色と異なる第３色で発光する機能を有する第３発光機能層と、
前記第３発光機能層と前記第３陽極との間に設けられている第３正孔注入層と、を有し、
前記第２正孔注入層および前記第３正孔注入層のそれぞれが前記第２機能層である請求項５に記載の発光装置の製造方法。
【請求項７】
前記第１色が青色、前記第２色が赤色、前記第３色が緑色である請求項６に記載の発光装置の製造方法。
【請求項８】
前記第１機能層上または前記第２機能層上に、第３成膜材料を含む第３インクを付与する第３インク付与工程と、
前記第１機能層上または前記第２機能層上に付与された前記第３インクを乾燥させた後に不活性ガス雰囲気下で焼成することにより、第３機能層を形成する第３焼成工程と、を有する請求項１ないし７のいずれか１項に記載の発光装置の製造方法。
【請求項９】
前記第３機能層が正孔輸送層である請求項８に記載の発光装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項１ないし９のいずれか１項に記載の発光装置の製造方法を用いて製造されたことを特徴とする発光装置。
【請求項１１】
請求項１０に記載の発光装置を備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光装置の製造方法、発光装置および電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネッセンス素子（いわゆる有機ＥＬ素子）は、陽極と陰極との間に少なくとも１層の発光性有機層（発光層）を介挿した構造を有する発光素子である。このような発光素子では、陰極と陽極との間に電界を印加することにより、発光層に陰極側から電子が注入されるとともに陽極側から正孔が注入され、発光層中で電子と正孔が再結合することにより励起子が生成し、この励起子が基底状態に戻る際に、そのエネルギー分が光として放出される。
【０００３】
例えば、このような発光素子を用いてディスプレイ装置を構成する場合、赤色発光、緑色発光および青色発光の各発光素子を組み合わせて用いる（例えば、特許文献１参照）。特許文献１に記載の発光装置は、赤色発光層を有する発光素子と、緑色発光層を有する発光素子と、青色発光層を有する発光素子と、を備え、青色発光層が共通層として赤色発光層および緑色発光層上にも形成されている。このような発光装置では、赤色発光層および緑色発光層をインクジェット法のような液相プロセスで形成し、青色発光層およびそれよりも陰極側の層を共通層として蒸着法等の気相プロセスにより形成することで、効率的な生産が可能となる。
【０００４】
しかし、特許文献１に記載の発光装置では、各発光素子の正孔注入層の特性を最適化することができず、その結果、十分な特性を得ることができないという問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１２−２２６８９１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は、優れた特性を有する発光装置の製造方法および発光装置を提供すること、また、かかる発光装置を備える電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【０００８】
［適用例１］
本発明の発光装置の製造方法は、第１画素領域に、第１成膜材料を含む第１インクを付与する第１インク付与工程と、
前記第１画素領域に付与された前記第１インクを乾燥させた後に酸素ガス雰囲気下で焼成することにより、第１機能層を形成する第１焼成工程と、
前記第１画素領域と異なる第２画素領域に、第２成膜材料を含む第２インクを付与する第２インク付与工程と、
前記第２画素領域に付与された前記第２インクを乾燥させた後に不活性ガス雰囲気下で焼成することにより、第２機能層を形成する第２焼成工程と、を有することを特徴とする。
【０００９】
このような発光装置の製造方法によれば、第１成膜材料が酸化により特性が向上する材料であり、第２成膜材料が酸化により特性が低下する材料である場合に、優れた特性を有する第１機能層および第２機能層を得ることができる。そのため、優れた特性を有する発光装置を製造することができる。
【００１０】
［適用例２］
本発明の発光装置の製造方法では、前記第１機能層および前記第２機能層は、それぞれ、正孔注入層であることが好ましい。
【００１１】
これにより、酸化により優れた特性を発揮する正孔注入層を第１画素領域に形成するとともに、酸化の低減により優れた特性を発揮する正孔注入層を第２画素領域に形成することができる。
【００１２】
［適用例３］
本発明の発光装置の製造方法では、前記第１焼成工程における焼成温度は、前記第２焼成工程における焼成温度以上であることが好ましい。
これにより、第１インクまたは第１機能層の酸化を効率的に行うことができる。
【００１３】
［適用例４］
本発明の発光装置の製造方法では、前記第１成膜材料および前記第２成膜材料が互いに異なることが好ましい。
【００１４】
これにより、第１機能層および第２機能層のそれぞれの特性を優れたものとすることができる。
【００１５】
［適用例５］
本発明の発光装置の製造方法では、前記発光装置は、
第１画素領域に設けられている第１陽極と、
前記第１画素領域とは異なる第２画素領域に設けられている第２陽極と、
前記第１画素領域および前記第２画素領域に共通して設けられている共通陰極と、
前記第１画素領域および前記第２画素領域に共通して前記第１陽極および前記第２陽極と前記共通陰極との間に設けられ、第１色で発光する機能を有する第１発光機能層と、
前記第１発光機能層と前記第２陽極との間に設けられ、前記第１色と異なる第２色で発光する機能を有する第２発光機能層と、
前記第１発光機能層と前記第１陽極との間に設けられている第１正孔注入層と、
前記第２発光機能層と前記第２陽極との間に設けられている第２正孔注入層と、を有し、
前記第１正孔注入層が前記第１機能層であり、
前記第２正孔注入層が前記第２機能層であることが好ましい。
【００１６】
これにより、優れた特性を有する第１正孔注入層および第２正孔注入層を得ることができる。特に、このような共通発光機能層である第１発光機能層を有する発光装置（ハイブリット型の発光装置）では、一般に、第１正孔注入層に優れた正孔注入性が求められ、また、第２正孔注入層の構成材料が酸化により特性低下を起こしやすい。したがって、このような発光装置に本発明を適用すると、その効果が顕著となる。
【００１７】
［適用例６］
本発明の発光装置の製造方法では、前記第１画素領域および前記第２画素領域と異なる第３画素領域に設けられている第３陽極と、
前記第１画素領域、前記第２画素領域および前記第３画素領域に共通して設けられている前記共通陰極と、
前記第１画素領域、前記第２画素領域および前記第３画素領域に共通して前記第１陽極、前記第２陽極および前記第３陽極と前記共通陰極との間に設けられている前記第１発光機能層と、
前記第１発光機能層と前記第３陽極との間に設けられ、前記第１色および前記第２色と異なる第３色で発光する機能を有する第３発光機能層と、
前記第３発光機能層と前記第３陽極との間に設けられている第３正孔注入層と、を有し、
前記第２正孔注入層および前記第３正孔注入層のそれぞれが前記第２機能層であることが好ましい。
【００１８】
これにより、優れた特性を有する第１正孔注入層、第２正孔注入層および第３正孔注入層を得ることができる。
【００１９】
［適用例７］
本発明の発光装置の製造方法では、前記第１色が青色、前記第２色が赤色、前記第３色が緑色であることが好ましい。
これにより、フルカラー表示が可能な表示装置を実現することができる。
【００２０】
［適用例８］
本発明の発光装置の製造方法では、前記第１機能層上または前記第２機能層上に、第３成膜材料を含む第３インクを付与する第３インク付与工程と、
前記第１機能層上または前記第２機能層上に付与された前記第３インクを乾燥させた後に不活性ガス雰囲気下で焼成することにより、第３機能層を形成する第３焼成工程と、を有することが好ましい。
【００２１】
これにより、第１機能層および第２機能層の必要な特性を保持しつつ、第３機能層を形成することができる。
【００２２】
［適用例９］
本発明の発光装置の製造方法では、前記第３機能層が正孔輸送層であることが好ましい。
【００２３】
これにより、第１機能層および第２機能層の必要な特性を保持しつつ、正孔輸送層を形成することができる。
【００２４】
［適用例１０］
本発明の発光装置は、本発明の発光装置の製造方法を用いて製造されたことを特徴とする。
このような発光装置によれば、優れた特性を発揮することができる。
【００２５】
［適用例１１］
本発明の電子機器は、本発明の発光装置を備えることを特徴とする。
このような電子機器によれば、発光装置が優れた特性を発揮することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本発明の第１実施形態に係る発光装置（表示装置）を示す断面図である。
【図２】図１に示す発光装置の製造方法を説明するための図である。
【図３】図１に示す発光装置の製造方法を説明するための図である。
【図４】図１に示す発光装置の製造方法を説明するための図である。
【図５】本発明の第２実施形態に係る発光装置の製造方法を説明するための図である。
【図６】本発明の第３実施形態に係る発光装置（表示装置）を示す断面図である。
【図７】本発明の電子機器の一例であるモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
【図８】本発明の電子機器の一例である携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。
【図９】本発明の電子機器の一例であるディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下、本発明の発光装置の製造方法、発光装置および電子機器について、図面に示す好適な実施形態に基づいて説明する。なお、各図では、説明の便宜上、各部の縮尺が適宜変更されており、図示の構成は実際の縮尺と必ずしも一致するわけではない。
【００２８】
（発光装置）
まず、本発明の発光装置の一例である表示装置について説明する。
【００２９】
図１は、本発明の第１実施形態に係る発光装置（表示装置）を示す断面図である。なお、以下では、説明の都合上、図１中の上側を「上」、下側を「下」として説明を行う。
【００３０】
図１に示す発光装置１００は、複数の発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂがサブ画素１００Ｒ（Ｒ画素）、１００Ｇ（Ｇ画素）、１００Ｂ（Ｂ画素）に対応して設けられ、ボトムエミッション構造のディスプレイパネルを構成している。ここで、サブ画素１００Ｂが「第１画素領域」、サブ画素１００Ｒが「第２画素領域」、サブ画素１００Ｇが「第３画素領域」を構成している。なお、本実施形態では表示装置の駆動方式としてアクティブマトリックス方式を採用した例に説明するが、パッシブマトリックス方式を採用したものであってもよい。
【００３１】
発光装置１００は、回路基板２０と、回路基板２０上に設けられた複数の発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂと、封止基板４０と、を有している。
【００３２】
回路基板２０は、基板２１と、基板２１上に設けられた層間絶縁膜２２、複数のスイッチング素子２３および配線２４と、を有している。
【００３３】
基板２１は、実質的に透明（無色透明、着色透明または半透明）とされる。これにより、各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂからの光を基板２１側から光を取り出すことができる。基板２１の構成材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリプロピレン、シクロオレフィンポリマー、ポリアミド、ポリエーテルサルフォン、ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネート、ポリアリレートのような樹脂材料や、石英ガラス、ソーダガラスのようなガラス材料等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００３４】
なお、発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂからの光を基板２１とは反対側から取り出すトップエミッション構造とする場合は、基板２１は、不透明基板であってもよく、かかる不透明基板としては、例えば、アルミナのようなセラミックス材料で構成された基板、ステンレス鋼のような金属基板の表面に酸化膜（絶縁膜）を形成したもの、樹脂材料で構成された基板等が挙げられる。
【００３５】
このような基板２１上には、複数のスイッチング素子２３がマトリクス状に配列されている。各スイッチング素子２３は、各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂに対応して設けられ、各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂを駆動するための駆動用トランジスタである。
【００３６】
このような各スイッチング素子２３は、シリコンからなる半導体層２３１と、半導体層２３１上に形成されたゲート絶縁層２３２と、ゲート絶縁層２３２上に形成されたゲート電極２３３と、ソース電極２３４と、ドレイン電極２３５と、を有している。
【００３７】
このような複数のスイッチング素子２３を覆うように、絶縁材料で構成された層間絶縁膜２２が形成されている。この層間絶縁膜２２には、配線２４が設けられている。
【００３８】
層間絶縁膜２２上には、各スイッチング素子２３に対応して発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂが設けられている。本実施形態では、発光素子１Ｒは、赤色（第２色）の光を出射するよう構成され、発光素子１Ｇは、緑色（第３色）の光を出射するよう構成され、発光素子１Ｂは、青色（第１色）の光を出射するように構成されている。これにより、フルカラー表示の発光装置１００（表示装置）を実現することができる。
【００３９】
具体的には、発光素子１Ｒ（第２発光素子）は、層間絶縁膜２２上に、陽極３Ｒ（第２陽極）、正孔注入層４Ｒ（第２正孔注入層）、正孔輸送層５Ｒ、発光機能層６Ｒ（第２発光機能層）、中間層７、発光機能層６Ｂ（第１発光機能層：共通発光機能層）、電子輸送層８、電子注入層９および陰極１０（第２陰極：共通陰極）がこの順で積層されて構成されている。
【００４０】
同様に、発光素子１Ｇ（第３発光素子）は、層間絶縁膜２２上に、陽極３Ｇ（第３陽極）、正孔注入層４Ｇ（第３正孔注入層）、正孔輸送層５Ｇ、発光機能層６Ｇ（第３発光機能層）、中間層７、発光機能層６Ｂ（第１発光機能層：共通発光機能層）、電子輸送層８、電子注入層９および陰極１０（第３陰極：共通陰極）がこの順で積層されて構成されている。
【００４１】
一方、発光素子１Ｂ（第１発光素子）は、層間絶縁膜２２上に、陽極３Ｂ（第１陽極）、正孔注入層４Ｂ（第１正孔注入層）、正孔輸送層５Ｂ、中間層７、発光機能層６Ｂ（第１発光機能層：共通発光機能層）、電子輸送層８、電子注入層９および陰極１０（第１陰極：共通陰極）がこの順で積層されている。
【００４２】
ここで、陽極３Ｒ、３Ｇ、３Ｂは、対応する発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂごと（サブ画素ごと）に個別に設けられた画素電極を構成し、スイッチング素子２３のドレイン電極に配線２４を介して電気的に接続されている。また、正孔注入層４Ｒ、４Ｇ、４Ｂ、正孔輸送層５Ｒ、５Ｇ、５Ｂ、発光機能層６Ｒおよび発光機能層６Ｇも、対応する発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂごとに個別に設けられている。なお、以下では、発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂを総括して「発光素子１」、陽極３Ｒ、３Ｇ、３Ｂを総括して「陽極３」、正孔注入層４Ｒ、４Ｇ、４Ｂを総括して「正孔注入層４」、正孔輸送層５Ｒ、５Ｇ、５Ｂを総括して「正孔輸送層５」ともいう。
【００４３】
一方、陰極１０は、発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂに共通して一体化されて設けられた共通電極を構成している。また、中間層７、発光機能層６Ｂ、電子輸送層８および電子注入層９も、発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂに共通して設けられている。
【００４４】
このようなハイブリット型の発光装置１００によれば、液相プロセスを用いて正孔輸送層５Ｒ、５Ｇ、５Ｂおよび発光機能層６Ｒ、６Ｇ等をそれぞれ素子ごとに個別に形成するとともに、気相プロセスを用いて中間層７および発光機能層６Ｂ等をそれぞれ３つの素子に共通に形成することができる。そのため、発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂを効率的に製造することができる。
【００４５】
隣接する発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂ同士の間には、樹脂材料で構成された隔壁３１（バンク）が設けられている。また、このような発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂは、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂で構成された樹脂層３２を介して、封止基板４０が接合されている。
【００４６】
前述したように本実施形態の各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂはボトムエミッション型であるため、封止基板４０は、透明基板であっても、不透明基板であってもよく、封止基板４０の構成材料としては、前述した基板２１と同様の材料を用いることができる。
【００４７】
以下、発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂについて詳述する。
発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂでは、発光機能層６Ｒ、６Ｇ、６Ｂに対し、陰極１０側から電子が供給（注入）されるとともに、陽極３Ｒ、３Ｇ、３Ｂ側から正孔が供給（注入）される。そして、発光機能層６Ｒ、６Ｇ、６Ｂでは、それぞれ、正孔と電子とが再結合し、この再結合に際して放出されたエネルギーによりエキシトン（励起子）が生成し、エキシトンが基底状態に戻る際にエネルギー（蛍光やりん光）を放出（発光）する。
【００４８】
ここで、発光素子１Ｒ、１Ｇでは、発光機能層６Ｂが設けられているが、発光機能層６Ｂを発光させずに、発光機能層６Ｒ、６Ｇを選択的に発光させる。これにより、発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂがそれぞれ赤色、緑色、青色に発光する。
【００４９】
以下、発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂの各部の構成を簡単に説明する。
（陽極）
陽極３（３Ｒ、３Ｇ、３Ｂ）は、正孔注入層４（４Ｒ、４Ｇ、４Ｂ）に正孔を注入する電極である。この陽極３Ｒ、３Ｇ、３Ｂの構成材料としては、それぞれ、仕事関数が大きく、導電性に優れる材料を用いるのが好ましい。
【００５０】
具体的には、陽極３Ｒ、３Ｇ、３Ｂの構成材料としては、それぞれ、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）、Ｉｎ３Ｏ３、ＳｎＯ２、Ｓｂ含有ＳｎＯ２、Ａｌ含有ＺｎＯ等の酸化物、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｃｕまたはこれらを含む合金等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。なお、陽極３Ｒ、３Ｇ、３Ｂの構成材料は、互いに同じであっても異なっていてもよいが、互いに同じ材料を用いることにより、一括して陽極３Ｒ、３Ｇ、３Ｂを形成することができ、生産性を高めることができる。
【００５１】
（正孔注入層）
正孔注入層４（４Ｒ、４Ｇ、４Ｂ）は、陽極３（３Ｒ、３Ｇ、３Ｂ）からの正孔注入効率を向上させる機能を有するものである。
【００５２】
このような正孔注入層４Ｒ、４Ｇ、４Ｂの構成材料（正孔注入材料）としては、それぞれ、特に限定されないが、例えば、ＴＡＰＣ（(1,1-ビス[4-(ジ-p-トリル)アミ.ノフェニル]シクロヘキサン)) ：4,4'-Cyclohexylidenebis[N,N-bis(4-methylphenyl)aniline]）、ＴＰＤ（N,N’-ジフェニル-N,N’-ビス-(3-メチルフェニル)-１,１’ビフェニル-4,4’-ジアミン）、α−ＮＰＤ（N,N’-ジフェニル-N,N’-ビス-(1-ナフチル)-１,１’ビフェニル-4,4’-ジアミン）、ｍ−ＭＴＤＡＴＡ（4，4’，4”−トリス（Ｎ−３−メチルフェニルアミノ）−トリフェニルアミン：4,4’,4”-Tris(N-3-methylphenyl-N-phenylamino)-triphenylamine）、２−ＴＮＡＴＡ（４，４’，４”−トリス（Ｎ, Ｎ−（２−ナフチル）フェニルアミノ）トリフェニルアミン）、ＴＣＴＡ（4，4’，4”−トリ（Ｎ−カルバゾル基）トリフェニルアミン：Tris-(4-carbazoyl-9-yl-phenyl)-amine）、ＴＤＡＰＢ（１，３，５−トリス−（Ｎ，Ｎ−ビス−（４−メトキシ−フェニル）−アミノフェニル）−ベンゼン：1,3,5-tris[4-(diphenylamino)phenyl]benzene）、スピローＴＡＤ、ＨＴＭ１（Tri-p-tolylamineHTM2,1,1-bis[(di-4-tolylamino) phenyl]cyclohexane）、ＨＴＭ２（1,1-bis[(di-4-tolylamino) phenyl]cyclohexane）、ＴＰＴ１（1,3,5-tris(4-pyridyl)-2,4,6-triazin）、ＴＰＴＥ（Triphenylamine-tetramer）、ＴＦＢ（poly(9,9-dioctyl-fluorene-co-N-(4- butylphenyl)-diphenylamine)）等のトリフェニルアミン系ポリマー等のアミン系化合物、ポリフルオレン誘導体（ＰＦ）、ポリパラフェニレンビニレン誘導体（ＰＰＶ）、ポリパラフェニレン誘導体（ＰＰＰ）、ポリビニカルバゾール（ＰＶＫ）、ポリチオフェン誘導体、ポリメチルフェニルシラン（ＰＭＰＳ）を含むポリシラン系等の高分子材料、日産化学社製「エルソース」、綜研化学社製「ベラゾール」、NOVALED社製「NDP-9」等が挙げられ、これらのうちの１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００５３】
ここで、正孔注入層４Ｂは、正孔注入層４Ｒ、４Ｇと異なる材料で構成されている。言い換えると、正孔注入層４Ｂは、正孔注入層４Ｒおよび正孔注入層４Ｇと異なる導電率（正孔注入性・正孔輸送性）の材料で構成されている。これにより、正孔注入層４Ｒ、４Ｇ、４Ｂのそれぞれの特性を最適化することができる。そのため、発光装置１００の特性を優れたものとすることができる。例えば、正孔注入層４Ｒ、４Ｇ、４Ｂのそれぞれの厚さを最適化するとともに、サブ画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂのキャリアバランスをそれぞれ最適化することができ、サブ画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂをそれぞれ所望の色で効率的に発光させたり、正孔注入層４Ｒ、４Ｇ、４Ｂの電子による劣化を低減したりすることができ、発光装置１００の特性を優れたものとすることができる。
【００５４】
ここで、正孔注入層４Ｂの構成材料の導電率が正孔注入層４Ｒ、４Ｇの構成材料の導電率よりも高いことが好ましい。これにより、正孔注入層４Ｂの構成材料の正孔輸送性を正孔注入層４Ｒ、４Ｇの構成材料の正孔輸送性よりも高くし、青色の画素を効率的に発光させることができる。これは、発光機能層６Ｂに含まれる青色発光材料が、発光機能層６Ｒ、６Ｇに含まれる赤色発光材料や緑色発光材料に比べて、バンドギャップが大きく、発光させるのにより大きなエネルギー（キャリア量）が必要なためである。
【００５５】
また、本実施形態のようなハイブリット型の発光装置１００においては、後述するように発光機能層６Ｂを気相成膜法により形成するため、通常、発光機能層６Ｂの電子輸送性が、液相プロセスで形成された発光機能層６Ｒ、６Ｇに比べて高くなる。そのため、正孔注入層４Ｂの正孔輸送性が低いと、サブ画素１００Ｂにおいて、発光機能層６Ｂにバランスよく電子および正孔を注入することができなかったり、電子が正孔注入層４Ｂやそれよりも陽極３Ｂ側に侵入して正孔注入層４Ｂの劣化の原因となったりする。そこで、正孔注入層４Ｂの構成材料の導電率を正孔注入層４Ｒ、４Ｇの構成材料の導電率よりも高くすることで、これらの問題を解決することができる。
【００５６】
以上のような観点から、正孔注入層４Ｂの具体的な構成材料としては、例えば、導電性高分子材料（または導電性オリゴマー材料）に電子受容性化合物を添加したイオン伝導性正孔注入材料が好適に用いられる。このようなイオン伝導性正孔注入材料としては、例えば、ポリチオフォン系正孔注入材料や、ポリアニリン系正孔注入材料が使用できる。
【００５７】
また、正孔注入層４Ｒ、４Ｇの具体的な構成材料としては、例えば、芳香族アミン化合物、カルバゾール化合物、チオフェン化合物及びそれらの化合物に電子受容性化合物を添加したものが好適に用いられる。
【００５８】
また、正孔注入層４Ｒ、４Ｇの構成材料は、互いに同じであっても異なっていてもよい。正孔注入層４Ｒ、４Ｇの構成材料が互いに同じ場合、これらの層を形成する材料の数を少なくすることができ、低コスト化を図ることができる。一方、正孔注入層４Ｒ、４Ｇの構成材料が互いに異なる場合、これらの層の特性を容易に最適化することができる。
【００５９】
また、正孔注入層４Ｂの膜厚は、正孔注入層４Ｒ、４Ｇの膜厚と異なることが好ましい。これにより、正孔注入層４Ｒ、４Ｂのそれぞれの膜厚を最適化することができる。
【００６０】
同様に、正孔注入層４Ｒ、４Ｇの膜厚は、互いに異なることが好ましい。これにより、正孔注入層４Ｒ、４Ｇのそれぞれの膜厚を最適化することができる。
【００６１】
このような正孔注入層４Ｒ、４Ｇ、４Ｂの厚さは、それぞれ、特に限定されないが、１０ｎｍ以上３００ｎｍ以下の範囲内にあることが好ましく、４０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下の範囲内にあることがより好ましい。また、正孔注入層４Ｒ、４Ｇ、４Ｂの厚さは、互いに同じであっても異なっていてもよい。
【００６２】
（正孔輸送層、中間層）
正孔輸送層５Ｒ（第２正孔輸送層）は、陽極３Ｒから正孔注入層４Ｒを介して注入された正孔を発光機能層６Ｒまで輸送する機能を有する。同様に、正孔輸送層５Ｇ（第３正孔輸送層）は、陽極３Ｇから正孔注入層４Ｇを介して注入された正孔を発光機能層６Ｇまで輸送する機能を有する。
【００６３】
また、正孔輸送層５Ｒは、電子ブロック性を有し、電子が正孔注入層４Ｒに侵入することによる正孔注入層４Ｒの機能低下を防止する機能をも有する。同様に、正孔輸送層５Ｇは、電子ブロック性を有し、電子が正孔注入層４Gに侵入することによる正孔注入層４Gの機能低下を防止する機能をも有する。
【００６４】
正孔輸送層５Ｂ（第１正孔輸送層）および中間層７は、陽極３Ｂから正孔注入層４Ｂを介して注入された正孔を発光機能層６Ｂまで輸送する機能を有する。
【００６５】
また、正孔輸送層５Ｂおよび中間層７は、電子ブロック性を有し、電子が正孔注入層４Ｂに侵入することによる正孔注入層４Ｂの機能低下を防止する機能をも有する。なお、中間層７は、後述するように極めて薄いため、中間層７単独の電子ブロック性は極めて低く、発光素子１Ｒ、１Ｇにおいて、電子の移動を阻害しないようになっている。
【００６６】
正孔輸送層５Ｒ、５Ｇ、５Ｂの構成材料としては、例えば、ＴＦＢ（poly(9,9-dioctyl-fluorene-co-N-(4- butylphenyl)-diphenylamine)）等のトリフェニルアミン系ポリマー等のアミン系化合物、ポリフルオレン誘導体（ＰＦ）やポリパラフェニレンビニレン誘導体（ＰＰＶ）、ポリパラフェニレン誘導体（ＰＰＰ）、ポリビニカルバゾール（ＰＶＫ）、ポリチオフェン誘導体、ポリメチルフェニルシラン（ＰＭＰＳ）を含むポリシラン系等の高分子の正孔輸送材料、また、ｍ−ＭＴＤＡＴＡ（４，４’，４”−トリス（Ｎ−３−メチルフェニルアミノ）−トリフェニルアミン）、ＴＣＴＡ（４，４’，４”−トリ（Ｎ−カルバゾル基）トリフェニルアミン）、α−ＮＰＤ（ビス（Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニル）ベンジジン）等の低分子の正孔輸送材料が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。また、正孔輸送層５Ｒ、５Ｇ、５Ｂ（第１正孔輸送層、第２正孔輸送層、第３正孔輸送層）の構成材料は、互いに同じであっても異なっていてもよいが、正孔輸送層５Ｒ、５Ｇ（第１正孔輸送層、第３正孔輸送層）の構成材料が互いに同じで、かつ、正孔輸送層５Ｂ（第２正孔輸送層）の構成材料が正孔輸送層５Ｒ、５Ｇと異なることにより、発光素子１Ｒ、１Ｇと発光素子１Ｂとの発光バランスを容易に調整することができる。
【００６７】
ここで、正孔輸送層５Ｂは、正孔輸送層５Ｒ、５Ｇと異なる材料で構成されていることが好ましい。これにより、正孔輸送層５Ｒ、５Ｇ、５Ｂのそれぞれの特性を最適化することができる。
【００６８】
また、正孔輸送雄総５Ｒ、５Ｇの構成材料は、互いに同じであっても異なっていてもよい。正孔輸送層４５、５Ｇの構成材料が互いに同じ場合、これらの層を形成する材料の数を少なくすることができ、低コスト化を図ることができる。一方、正孔輸送層５Ｒ、５Ｇの構成材料が互いに異なる場合、これらの層の特性を容易に最適化することができる。
【００６９】
また、正孔輸送層５Ｂの膜厚は、正孔輸送層５Ｒ、５Ｇの膜厚と異なることが好ましい。これにより、正孔輸送層５Ｒ、５Ｂのそれぞれの膜厚を最適化することができる。
【００７０】
さらに、正孔輸送層５Ｒ、５Ｇ、５Ｂの膜厚が互いに異なることが好ましい。これにより、正孔輸送層５Ｒ、５Ｇ、５Ｂのそれぞれの膜厚を最適化することができる。
【００７１】
このような正孔輸送層５Ｒ、５Ｇ、５Ｂの厚さは、それぞれ、特に限定されないが、１５ｎｍ以上２５ｎｍ以下の範囲内にあることが好ましい。
【００７２】
また、中間層７の構成材料としては、例えば、ｍ−ＭＴＤＡＴＡ（４，４’，４”−トリス（Ｎ−３−メチルフェニルアミノ）−トリフェニルアミン）、ＴＣＴＡ（４，４’，４”−トリ（Ｎ−カルバゾル基）トリフェニルアミン）、α−ＮＰＤ（ビス（Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニル）ベンジジン）等の低分子の正孔輸送材料が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。また、中間層７（共通正孔輸送層）の構成材料は、正孔輸送層５Ｒ、５Ｇ、５Ｂと同じであっても異なっていてもよいが、正孔輸送層５Ｂ（第２正孔輸送層）の構成材料と同一または近似した材料を含んでいることにより、正孔輸送層５Ｂから中間層７を介して発光機能層６Ｂへキャリア（正孔）をスムーズに輸送させることができる。
【００７３】
また、中間層７の厚さｔは、２ｎｍ以下であることが好ましく、０．１ｎｍ以上１．５ｎｍ以下であることがより好ましく、０．１ｎｍ以上１ｎｍ以下であることがさらに好ましく、０．１ｎｍ以上０．９ｎｍ以下であることが最も好ましい。これにより、発光素子１Ｒ、１Ｇにおいて、発光機能層６Ｒ、６Ｇと発光機能層６Ｂとの間に設けられている中間層７の厚さが極めて薄いため、発光機能層６Ｂから発光機能層６Ｒ、６Ｇへキャリア（電子）を受け渡すことができる。したがって、発光素子１Ｒ、１Ｇにおいて発光機能層６Ｂを発光させずに発光機能層６Ｒ、６Ｇを選択的に発光させることができる。中間層７の厚さが極めて薄いため、中間層７を設けることによる発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂの駆動電圧の上昇を抑えることができる。
【００７４】
ここで、中間層７の構成材料が前述したように電子ブロック性を有するため、発光素子１Ｂにおいて中間層７の電子ブロック性を利用して発光機能層６Ｂを効率的に発光させることができる。一方、発光素子１Ｒ、１Ｇにおいて、中間層７の電子ブロック性が高すぎると、発光機能層６Ｒ、６Ｇによる発光が生じなかったり、発光効率が著しく低下したりする。したがって、中間層７の厚さを極めて薄くして発光素子１Ｒ、１Ｇにおける中間層７の電子ブロック性を低くすることは極めて有用である。
【００７５】
これに対し、中間層７の厚さｔが薄すぎると、中間層７を設けることによる前述した効果が極端に小さくなる傾向を示す。一方、中間層７の厚さｔが厚すぎると、発光素子１Ｒ、１Ｇの駆動電圧が急激に大きく（発光効率が急激に低く）なるか、または、発光素子１Ｒ、１Ｇにおいて発光機能層６Ｂが発光してしまい、所望の色の発光が得られなくなってしまう。
なお、中間層７は、省略してもよい。
【００７６】
（発光機能層）
発光機能層６Ｒは、正孔輸送層５Ｒに接して設けられている。また、発光機能層６Ｇは、正孔輸送層５Ｇに接して設けられている。また、発光機能層６Ｂは、中間層７に接して設けられている。
【００７７】
発光機能層６Ｒ、６Ｇ、６Ｂは、それぞれ、発光材料を含んで構成されている。この発光材料としては、特に限定されず、各種蛍光材料、燐光材料を１種または２種以上組み合わせて用いることができ、発光機能層６Ｒは、発光材料として赤色蛍光材料または赤色燐光材料が用いられ、発光機能層６Ｇは、発光材料として緑色蛍光材料または緑色燐光材料が用いられ、発光機能層６Ｂは、発光材料として青色蛍光材料または青色燐光材料が用いられる。
【００７８】
赤色蛍光材料としては、赤色の蛍光を発するものであれば特に限定されず、例えば、ジインデノペリレン誘導体等のペリレン誘導体、ユーロピウム錯体、ベンゾピラン誘導体、ローダミン誘導体、ベンゾチオキサンテン誘導体、ポルフィリン誘導体、ナイルレッド、２−（１，１−ジメチルエチル）−６−（２−（２，３，６，７−テトラヒドロ−１，１，７，７−テトラメチル−１Ｈ，５Ｈ−ベンゾ（ｉｊ）キノリジン−９−イル）エテニル）−４Ｈ−ピラン−４Ｈ−イリデン）プロパンジニトリル（ＤＣＪＴＢ）、４−（ジシアノメチレン）−２−メチル−６−（ｐ−ジメチルアミノスチリル）−４Ｈ−ピラン（ＤＣＭ）、ＡＤＳ１１１ＲＥ（アメリカンダイソース社製）等を挙げられる。
【００７９】
赤色燐光材料としては、赤色の燐光を発するものであれば特に限定されず、例えば、Ｂｔ２Ｉｒ（ａｃａｃ）（Bis（２−phenylbenxothiozolato−Ｎ，Ｃ２’）Iridium（III）（acetylacetonate））、Ｂｔｐ２Ｉｒ（ａｃａｃ）（Bis（２，２’−benzothienyl）−pyridinato−Ｎ，Ｃ３）Iridium（acetylacetonate））などのイリジウム錯体、ＰｔＯＥＰ（２，３，７，８，１２，１３，１７，１８−Octaethyl−２１Ｈ，２３Ｈ−porphine，platinum（II））などの白金錯体等が挙げられる。
【００８０】
緑色蛍光材料としては、緑色の蛍光を発するものであれば特に限定されず、例えば、クマリン誘導体、キナクリドン誘導体等のキナクリドンおよびその誘導体、９，１０−ビス［（９−エチル−３−カルバゾール）−ビニレニル］−アントラセン、ポリ（９，９−ジヘキシル−２，７−ビニレンフルオレニレン）、ポリ［（９，９−ジオクチルフルオレン−２，７−ジイル）−コ−（１，４−ジフェニレン−ビニレン−２−メトキシ−５−｛２−エチルヘキシルオキシ｝ベンゼン）］、ポリ［（９，９−ジオクチル−２，７−ジビニレンフルオレニレン）−オルト−コ−（２−メトキシ−５−（２−エトキシルヘキシルオキシ）−１，４−フェニレン）］、ＡＤＳ１０９ＧＥ（アメリカンダイソース社製）等が挙げられる。
【００８１】
緑色燐光材料としては、緑色の燐光を発するものであれば特に限定されず、例えば、Ｉｒ（ｐｐｙ）３（Fac−tris（２−phenypyridine）iridium）、Ｐｐｙ２Ｉｒ（ａｃａｃ）（Bis（２−phenyl−pyridinato−Ｎ，Ｃ２）Iridium（acetylacetone））などのイリジウム錯体等が挙げられる。
【００８２】
青色蛍光材料としては、青色の蛍光を発するものであれば、特に限定されず、例えば、ジスチリルジアミン系化合物等のジスチリルアミン誘導体、フルオランテン誘導体、ピレン誘導体、ペリレンおよびペリレン誘導体、アントラセン誘導体、ベンゾオキサゾール誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、クリセン誘導体、フェナントレン誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、テトラフェニルブタジエン、４，４’−ビス（９−エチル−３−カルバゾビニレン）−１，１’−ビフェニル（ＢＣｚＶＢｉ）、ポリ［（９．９−ジオクチルフルオレン−２，７−ジイル）−コ−（２，５−ジメトキシベンゼン−１，４−ジイル）］、ポリ［（９，９−ジヘキシルオキシフルオレン−２，７−ジイル）−オルト−コ−（２−メトキシ−５−｛２−エトキシヘキシルオキシ｝フェニレン−１，４−ジイル）］、ポリ［（９，９−ジオクチルフルオレン−２，７−ジイル）−コ−（エチルニルベンゼン）］、ＡＤＳ１３６ＢＥ（アメリカンダイソース社製）等が挙げられる。
【００８３】
青色燐光材料としては、青色の燐光を発するものであれば、特に限定されず、例えば、ＦＩｒｐｉｃ（Iridium−bis（４，６−difluorophenyl−pyridinato−Ｎ，Ｃ２）−picolinate）、Ｉｒ（ｐｍｂ）３（Iridium−tris（１−phenyl−３−methylbenzimidazolin−２−ylidene−Ｃ，Ｃ（２）’）、ＦＩｒＮ４（Iridium （III）bis（４，６−difluorophenylpyridinato）（５−（pyridin−２−yl）−tetrazolate））、ＦＩｒｔａｚ（Iridium（III）bis（４，６−difluorophenylpyridinato）（５−（pyridine−２−yl）−１，２，４−triazolate））などのイリジウム錯体等が挙げられる。
【００８４】
また、発光機能層６Ｒ、６Ｇ、６Ｂ中には、前述した発光材料の他に、発光材料がゲスト材料として添加されるホスト材料が含まれていてもよい。このホスト材料は、正孔と電子とを再結合して励起子を生成するとともに、その励起子のエネルギーを発光材料に移動（フェルスター移動またはデクスター移動）させて、発光材料を励起する機能を有する。このようなホスト材料を用いる場合、例えば、ゲスト材料である発光材料をドーパントとしてホスト材料にドープして用いることができる。
【００８５】
このようなホスト材料としては、用いる発光材料に対して前述したような機能を発揮するものであれば、特に限定されないが、例えば、ＴＤＡＰＢ（１，３，５−トリス−（Ｎ，Ｎ−ビス−（４−メトキシ−フェニル）−アミノフェニル）−ベンゼン）、ＣＢＰ(４，４’−bis(９−dicarbazolyl)−２，２’−biphenyl）、ＢＡｌｑ（Bis−（２−methyl−８−quinolinolate）−４−（phenylphenolate）aluminium）、ｍＣＰ（Ｎ，Ｎ−dicarbazolyl−３，５−benzene：ＣＢＰ誘導体）、ＣＤＢＰ（４，４’−bis（９−carbazolyl）−２，２’−dimethyl−biphenyl）、ＤＣＢ（Ｎ，Ｎ’−Dicarbazolyl−１，４−dimethene−benzene）、Ｐ０６（２，７−bis（diphenylphosphineoxide）９，９−dimethylfluorene）、ＳｉｍＣＰ（３，５−bis（９−carbazolyl）tetraphenylsilane）、ＵＧＨ３（Ｗ−bis（triphenylsilyl）benzene）等の低分子のホスト材料が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることもできる。
【００８６】
発光機能層６Ｒ、６Ｇの構成材料は、前述した正孔輸送層５Ｒ、５Ｇの構成材料を溶解可能な溶媒に可溶であることが好ましい。これにより、同じ溶媒を用いて発光機能層６Ｒ、６Ｇおよび正孔輸送層５Ｒ、５Ｇを液相プロセスにより形成することができる。すなわち、発光機能層６Ｒ、６Ｇを液相プロセスにより形成する際、正孔輸送層５Ｒ、５Ｇを液相プロセスにより形成した際に用いた溶媒と同じ溶媒を用いることができる。その結果、発光機能層６Ｒ、６Ｇと正孔輸送層５Ｒ、５Ｇとの間の界面の密着性または親和性を高め、正孔輸送層５Ｒ、５Ｇから発光機能層６Ｒ、６Ｇへのキャリア（正孔）の輸送性を高めることができる。
【００８７】
また、発光機能層６Ｒ、６Ｇの構成材料は、低分子材料を主材料として構成されていることが好ましく、低分子のゲスト材料および低分子のホスト材料を主材料として構成されていることがより好ましい。これにより、発光機能層６Ｒ、６Ｇの発光効率を高めて、中間層７を設けることによる発光素子１Ｒ、１Ｇの発光効率の低下分を補うことができる。その結果、発光素子１Ｒ、１Ｇと発光素子１Ｂの発光バランスを優れたものとすることができる。このような観点から、発光機能層６Ｒ、６Ｇ中の低分子材料の含有量は、６０ｗｔ％以上であることが好ましく、８０ｗｔ％以上であることがより好ましく、９０ｗｔ％以上であることがさらに好ましい。
【００８８】
このような発光機能層６Ｒ、６Ｇ、６Ｂの厚さは、それぞれ、特に限定されないが、５ｎｍ以上１００ｎｍ以下の範囲内にあることが好ましく、１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下の範囲内にあることがより好ましい。
【００８９】
（電子輸送層）
電子輸送層８は、陰極１０から電子注入層９を介して注入された電子を発光機能層６Ｂに輸送する機能を有するものである。
【００９０】
電子輸送層８の構成材料（電子輸送材料）としては、例えば、ＢＡＬｑ、ＯＸＤ−１（１，３，５−トリ（５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール））、ＢＣＰ（Bathocuproine）、ＰＢＤ（２−（４−ビフェニル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−オキサジアゾール）、ＴＡＺ（３−（４−ビフェニル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール）、ＤＰＶＢｉ（４，４’−ビス（１，１−ビスージフェニルエテニル）ビフェニル）、ＢＮＤ（２，５−ビス（１−ナフチル）−１，３，４−オキサジアゾール）、ＤＴＶＢｉ（４，４’−ビス（１，１−ビス（４−メチルフェニル）エテニル）ビフェニル）、ＢＢＤ（２，５−ビス（４−ビフェニリル）−１，３，４−オキサジアゾール）、また、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ３）、オキサジアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、フェナンソロリン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、ベンゾキノン誘導体、ナフトキノン誘導体、アントラキノン誘導体、テトラシアノアンスラキノジメタン誘導体、フルオレン誘導体、ジフェニルジシアノエチレン誘導体、ジフェノキノン誘導体、ヒドロキシキノリン誘導体等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００９１】
電子輸送層８の厚さは、特に限定されないが、１ｎｍ以上１００ｎｍ以下の範囲内にあることが好ましく、５ｎｍ以上５０ｎｍ以下の範囲内にあることがより好ましい。
【００９２】
なお、この電子輸送層８は、他の層の構成材料や厚さ等によっては、省略することができる。
【００９３】
（電子注入層）
電子注入層９は、陰極１０からの電子注入効率を向上させる機能を有するものである。
【００９４】
この電子注入層９の構成材料（電子注入材料）としては、例えば、各種の無機絶縁材料、各種の無機半導体材料が挙げられる。
【００９５】
このような無機絶縁材料としては、例えば、アルカリ金属カルコゲナイド（酸化物、硫化物、セレン化物、テルル化物）、アルカリ土類金属カルコゲナイド、アルカリ金属のハロゲン化物およびアルカリ土類金属のハロゲン化物等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これらを主材料として電子注入層を構成することにより、電子注入性をより向上させることができる。特にアルカリ金属化合物（アルカリ金属カルコゲナイド、アルカリ金属のハロゲン化物等）は仕事関数が非常に小さく、これを用いて電子注入層９を構成することにより、発光素子１は、高い輝度が得られるものとなる。
【００９６】
アルカリ金属カルコゲナイドとしては、例えば、Ｌｉ２Ｏ、ＬｉＯ、Ｎａ２Ｓ、Ｎａ２Ｓｅ、ＮａＯ等が挙げられる。アルカリ土類金属カルコゲナイドとしては、例えば、ＣａＯ、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＢｅＯ、ＢａＳ、ＭｇＯ、ＣａＳｅ等が挙げられる。アルカリ金属のハロゲン化物としては、例えば、ＣｓＦ、ＬｉＦ、ＮａＦ、ＫＦ、ＬｉＣｌ、ＫＣｌ、ＮａＣｌ等が挙げられる。アルカリ土類金属のハロゲン化物としては、例えば、ＣａＦ２、ＢａＦ２、ＳｒＦ２、ＭｇＦ２、ＢｅＦ２等が挙げられる。
【００９７】
また、無機半導体材料としては、例えば、Ｌｉ、Ｎａ、Ｂａ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｙｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｃｄ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｔａ、ＳｂおよびＺｎのうちの少なくとも１つの元素を含む酸化物、窒化物または酸化窒化物等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００９８】
電子注入層９の厚さは、特に限定されないが、０．０１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の範囲内にあることが好ましく、０．１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の範囲内にあることがより好ましい。
【００９９】
なお、この電子注入層９は、他の層の構成材料や厚さ等によっては、省略することができる。
【０１００】
（陰極）
陰極１０は、電子注入層９を介して電子輸送層８に電子を注入する電極である。この陰極１０の構成材料としては、仕事関数の小さい材料を用いるのが好ましい。
【０１０１】
陰極１０の構成材料としては、例えば、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｅｒ、Ｅｕ、Ｓｃ、Ｙ、Ｙｂ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｃｓ、Ｒｂまたはこれらを含む合金等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて（例えば、複数層の積層体等）用いることができる。
【０１０２】
特に、陰極１０の構成材料として合金を用いる場合には、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｕ等の安定な金属元素を含む合金、具体的には、ＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ、ＣｕＬｉ等の合金を用いるのが好ましい。かかる合金を陰極１０の構成材料として用いることにより、陰極１０の電子注入効率および安定性の向上を図ることができる。
【０１０３】
また、本実施形態の発光素子１は、ボトムエミッション型であるため、陰極１０は、光透過性を有していなくてもよい。ボトムエミッション型である場合、陰極１０の構成材料としては、例えば、Ａｌ、Ａｇ、ＡｌＡｇ、ＡｌＮｄ等の金属または合金が好ましく用いられる。このような金属または合金を陰極１０の構成材料として用いることにより、陰極１０の電子注入効率および安定性の向上を図ることができる。
【０１０４】
ボトムエミッション型である場合の陰極１０の厚さは、特に限定されないが、５０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下の範囲内にあることが好ましく、１００ｎｍ以上５００ｎｍ以下の範囲内にあることがより好ましい。
【０１０５】
なお、発光素子１がトップエミッション型である場合、陰極１０の構成材料としては、ＭｇＡｇ、ＭｇＡｌ、ＭｇＡｕ、ＡｌＡｇ等の金属または合金を用いるのが好ましい。このような金属または合金を陰極１０の構成材料として用いることにより、陰極１０の光透過性を確保しつつ、陰極１０の電子注入効率および安定性の向上を図ることができる。
【０１０６】
トップエミッション型である場合における陰極１０の厚さは、特に限定されないが、１ｎｍ以上５０ｎｍ以下の範囲内にあることが好ましく、５ｎｍ以上２０ｎｍ以下の範囲内にあることがより好ましい。
【０１０７】
以上説明したように構成された発光装置１００によれば、後に詳述するように、液相プロセスを用いて正孔注入層４Ｒ、４Ｇ、４Ｒ、正孔輸送層５Ｒ、５Ｇ、５Ｂおよび発光機能層６Ｒ、６Ｇをそれぞれ素子ごとに個別に形成するとともに、気相プロセスを用いて中間層７および発光機能層６Ｂをそれぞれ発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂに共通に形成することができる。そのため、発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂを効率的に製造することができる。
【０１０８】
特に、発光装置１００は、以下で詳述するように、正孔注入層４Ｒ、４Ｇ、４Ｂの形成に際して正孔注入層４Ｒ、４Ｇと正孔注入層４Ｂとの焼成条件を異ならせることにより、優れた特性を有する正孔注入層４Ｒ、４Ｇ、４Ｂを形成し、優れた特性を発揮することができる。
【０１０９】
（発光装置の製造方法）
以下、前述した発光装置１００の製造方法の一例を説明する。
【０１１０】
図２〜図４は、図１に示す発光装置の製造方法を説明するための図である。以下、各工程を順次説明する。
【０１１１】
［１］
まず、回路基板２０を用意し、図２（ａ）に示すように、この回路基板２０上に陽極３Ｒ、３Ｇ、３Ｂを形成した後、隔壁３１を形成する。
【０１１２】
陽極３Ｒ、３Ｇ、３Ｂは、例えば、回路基板２０上に、蒸着法、ＣＶＤ法等の気相成膜法を用いて電極材料を成膜した後、これをエッチング等を用いてパターニングすることにより得られる。
【０１１３】
また、隔壁３１は、陽極３Ｒ、３Ｇ、３Ｂが露出するようにフォトリソグラフィー法等を用いてパターニングすること等により形成することができる。
【０１１４】
ここで、隔壁３１の構成材料は、耐熱性、撥液性、インク溶剤耐性、回路基板２０等との密着性等を考慮して選択される。具体的には、隔壁３１の構成材料としては、例えば、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、エポキシ系樹脂のような有機材料や、ＳｉＯ２のような無機材料が挙げられる。
【０１１５】
また、陽極３Ｒ、３Ｇ、３Ｂおよび隔壁３１の形成後、必要に応じて、陽極３Ｒ、３Ｇ、３Ｂおよび隔壁３１の表面に酸素プラズマ処理を施してもよい。これにより、陽極３Ｒ、３Ｇ、３Ｂの表面に親液性を付与すること、陽極３Ｒ、３Ｇ、３Ｂおよび隔壁３１の表面に付着する有機物を除去（洗浄）すること、陽極３Ｒ、３Ｇ、３Ｂの表面付近の仕事関数を調整すること等を行うことができる。
【０１１６】
ここで、酸素プラズマ処理の条件としては、例えば、プラズマパワー１００〜８００Ｗ程度、酸素ガス流量５０〜１００ｍＬ／ｍｉｎ程度、被処理部材（陽極３Ｒ、３Ｇ、３Ｂ）の搬送速度０．５〜１０ｍｍ／ｓｅｃ程度、回路基板２０の温度７０〜９０℃程度とするのが好ましい。
【０１１７】
また、この酸素プラズマ処理の後、ＣＦ４等のフッ素系ガスを処理ガスとしてプラズマ処理するのが好ましい。これにより、有機材料である感光性樹脂からなる隔壁３１の表面のみにフッ素系ガスが反応して撥液化される。これによって、隔壁３１内に付与される液体が不本意に濡れ拡がるのを低減することができる。
【０１１８】
［２］
２−１
次に、図２（ｂ）に示すように、インクジェットヘッド２００から正孔注入層形成用のインク４ａ（第１インク）を隔壁３１内の陽極３Ｂ上に付与する。
【０１１９】
インク４ａは、正孔注入層５Ｂの構成材料またはその前駆体（第１成膜材料）を溶媒に溶解または分散媒に分散させてなるものである。溶媒または分散媒としては、例えば、各種無機溶媒や、各種有機溶媒、または、これらを含む混合溶媒等が挙げられる。
【０１２０】
以上のように、サブ画素１００Ｂ（第１画素領域）に、第１成膜材料を含む第１インクであるインク４ａを付与する第１インク付与工程を行う。
【０１２１】
２−２
その後、陽極３Ｂ上のインク４ａを乾燥（脱溶媒または脱分散媒）し、加熱処理（焼成）することにより、図２（ｃ）に示すように、正孔注入層４Ｂを形成する。
【０１２２】
乾燥は、例えば、大気圧または減圧雰囲気中での放置、加熱処理、不活性ガスの吹付け等により行うことができるが、５Ｐａ以下の真空状態で１０分間〜１時間程度減圧乾燥を行った後に、大気圧（酸素ガス雰囲気下）のオーブン内またはホットプレートにて１００℃〜２５０℃で５分間〜３０分間程度加熱乾燥することが好ましい。これにより、平坦で優れた特性を有する正孔注入層４Ｂを形成することができる。また、酸素ガス雰囲気下で焼成を行うことにより、得られる正孔注入層４Ｂの材料の酸化を促進し、高い導電性（正孔注入性）を有する正孔注入層４Ｂを得ることができる。
【０１２３】
また、本工程における焼成温度は、後述する第２焼成工程における焼成温度以上であることが好ましい。これにより、インク４ａまたは正孔注入層４Ｂの酸化を効率的に行うことができる。
【０１２４】
以上のように、サブ画素１００Ｂに付与されたインク４ａを乾燥させた後に酸素ガス雰囲気下で焼成することにより、第１機能層である正孔注入層４Ｂを形成する第１焼成工程を行う。
【０１２５】
２−３
次に、図２（ｄ）に示すように、インクジェットヘッド２００から正孔注入層形成用のインク４ｂを隔壁３１内の陽極３Ｒ、３Ｇ上にそれぞれ付与する。
【０１２６】
インク４ｂは、正孔注入層４Ｒ、４Ｇの構成材料（正孔注入層４Ｂの構成材料とは異なる材料）またはその前駆体（第２成膜材料）を溶媒に溶解または分散媒に分散させてなるものである。溶媒または分散媒としては、例えば、各種無機溶媒や、各種有機溶媒、または、これらを含む混合溶媒等が挙げられる。
【０１２７】
ここで、インク４ｂに含まれる成膜材料は、インク４ａに含まれる成膜材料と異なるこれにより、得られる正孔注入層４Ｒ、４Ｇ、４Ｂのそれぞれの特性を優れたものとすることができる。
【０１２８】
以上のように、サブ画素１００Ｒ、１００Ｇ（第２、第３画素領域）に、第２成膜材料を含む第２インクであるインク４ｂを付与する第２インク付与工程を行う。
【０１２９】
２−４
その後、陽極３Ｒ、３Ｇ上のインク４ｂを乾燥（脱溶媒または脱分散媒）し、加熱処理（焼成）することにより、図３（ａ）に示すように、正孔注入層４Ｒ、４Ｇを形成する。
【０１３０】
乾燥は、例えば、大気圧または減圧雰囲気中での放置、加熱処理、不活性ガスの吹付け等により行うことができるが、５Ｐａ以下の真空状態で１０分間〜１時間程度減圧乾燥を行った後に、窒素ガス等の不活性ガス雰囲気のオーブン内またはホットプレートにて１００℃〜２５０℃で５分間〜３０分間程度加熱乾燥することが好ましい。これにより、平坦で優れた特性を有する正孔注入層４Ｒ、４Ｇを形成することができる。また、不活性ガス雰囲気下で焼成を行うことにより、得られる正孔注入層４Ｒ、４Ｇの材料の酸化を低減し、高い導電性（正孔注入性）を有する正孔注入層４Ｂを得ることができる。特に、赤色や緑色の画素に適した正孔注入材料は、一般に酸化されやすいのもが多く、酸化されると正孔注入性が低下してしまうため、このように不活性ガス雰囲気下で焼成を行うことが有益である。
【０１３１】
以上のように、サブ画素１００Ｒ、１００Ｇに付与されたインク４ｂを乾燥させた後に不活性ガス雰囲気下で焼成することにより、第２機能層である正孔注入層４Ｒ、４Ｇを形成する第２焼成工程を行う。
【０１３２】
以上のように、インク４ａ、４ｂを用いた液相プロセスにより、正孔注入層４Ｒ、４Ｇ、４Ｂが形成される。
【０１３３】
このような正孔注入層４Ｒ、４Ｇ、４Ｂの形成方法によれば、正孔注入層４Ｂの構成材料（第１成膜材料）が酸化により特性が向上する材料であり、正孔注入層４Ｒ、４Ｇの構成材料（第２成膜材料）が酸化により特性が低下する材料である場合に、優れた特性を有する正孔注入層４Ｒ、４Ｇ、４Ｂを得ることができる。すなわち、酸化により優れた特性を発揮する正孔注入層４Ｂをサブ画素１００Ｂに形成するとともに、酸化の低減により優れた特性を発揮する正孔注入層４Ｒ、４Ｇをサブ画素１００Ｒ、１００Ｇに形成することができる。
【０１３４】
特に、前述したように共通発光機能層である発光機能層６Ｂを有する発光装置１００（ハイブリット型の発光装置）では、一般に、正孔注入層４Ｂに優れた正孔注入性が求められ、また、正孔注入層４Ｒ、４Ｇ、４Ｂの構成材料をそれぞれ最適化しようとした場合、正孔注入層４Ｒ、４Ｇの構成材料が酸化により特性低下を起こしやすい。したがって、このような発光装置１００に本発明を適用すると、その効果が顕著となる。
【０１３５】
［３］
３−１
次に、図３（ｂ）に示すように、インクジェットヘッド２００から正孔輸送層形成用のインク５ａを隔壁３１内の正孔注入層４Ｒ、４Ｇ上にそれぞれ付与する。
【０１３６】
インク５ａは、正孔輸送層５Ｒ、５Ｇの構成材料またはその前駆体（第３成膜材料）を溶媒に溶解または分散媒に分散させてなるものである。溶媒または分散媒としては、例えば、各種無機溶媒や、各種有機溶媒、または、これらを含む混合溶媒等が挙げられる。
【０１３７】
以上のように、正孔注入層４Ｒ、４Ｇ（第２機能層）上に、第３成膜材料を含む第３インクであるインク５ａを付与する第３インク付与工程を行う。
【０１３８】
３−２
その後、正孔注入層４Ｒ、４Ｇ上のインク５ａを乾燥（脱溶媒または脱分散媒）し、加熱処理することにより、図３（ｃ）に示すように、正孔輸送層５Ｒ、５Ｇを形成する。
【０１３９】
乾燥は、例えば、大気圧または減圧雰囲気中での放置、加熱処理、不活性ガスの吹付け等により行うことができるが、５Ｐａ以下の真空状態で１０分間〜１時間程度減圧乾燥を行った後に、窒素雰囲気のオーブン内にて１５０℃〜２５０℃で５分間〜３０分間程度加熱乾燥することが好ましい。これにより、平坦で優れた特性を有する正孔輸送層５Ｒ、５Ｇを形成することができる。
【０１４０】
以上のように、正孔注入層４Ｒ、４Ｇ上に付与されたインク５ａを乾燥させた後に不活性ガス雰囲気下で焼成することにより、第３機能層である正孔輸送層５Ｒ、５Ｇを形成する第３焼成工程を行う。
以上のように、液相プロセスにより、正孔輸送層５Ｒ、５Ｇが形成される。
【０１４１】
このような正孔輸送層５Ｒ、５Ｇの形成方法によれば、焼成を不活性ガス雰囲気下で行うため、正孔注入層４Ｒ、４Ｇ、４Ｂが酸化されるのを低減して、正孔注入層４Ｒ、４Ｇ、４Ｂの必要な特性を保持しつつ、正孔輸送層５Ｒ、５Ｇを形成することができる。
【０１４２】
［４］
４−１
次に、図３（ｄ）に示すように、インクジェットヘッド２００から発光機能層形成用のインク６ａ、６ｂを隔壁３１内の正孔輸送層５Ｒ、５Ｇ上に、正孔輸送層形成用のインク５ｂを隔壁３１内の正孔注入層４Ｂ上にそれぞれ付与する。
【０１４３】
インク６ａは、発光機能層６Ｒの構成材料またはその前駆体（第３成膜材料）を溶媒に溶解または分散媒に分散させてなるものである。インク６ｂは、発光機能層６Ｇの構成材料またはその前駆体を溶媒に溶解または分散媒に分散させてなるものである。インク５ｂは、正孔輸送層５Ｂの構成材料またはその前駆体を溶媒に溶解または分散媒に分散させてなるものである。溶媒または分散媒としては、例えば、各種無機溶媒や、各種有機溶媒、または、これらを含む混合溶媒等が挙げられる。
【０１４４】
以上のように、本工程は、正孔注入層４Ｂ（第１機能層）上に、第３成膜材料を含む第３インクであるインク５ｂを付与する第３インク付与工程を含む。
【０１４５】
４−２
その後、正孔輸送層５Ｒ、５Ｇ上のインク６ａ、６ｂおよび正孔注入層４Ｂ上のインク５ｂを乾燥（脱溶媒または脱分散媒）し、加熱処理することにより、図４（ａ）に示すように、発光機能層６Ｒ、６Ｇおよび正孔輸送層５Ｂを形成する。
【０１４６】
乾燥は、例えば、大気圧または減圧雰囲気中での放置、加熱処理、不活性ガスの吹付け等により行うことができるが、５Ｐａ以下の真空状態で１０分間〜１時間程度減圧乾燥を行った後に、窒素雰囲気のオーブン内にて１５０℃〜２５０℃で５分間〜３０分間程度加熱乾燥することが好ましい。これにより、平坦で優れた特性を有する発光機能層６Ｒ、６Ｇおよび正孔輸送層５Ｂを形成することができる。
【０１４７】
以上のように、本工程は、正孔注入層４Ｂ上に付与されたインク５ｂを乾燥させた後に不活性ガス雰囲気下で焼成することにより、第３機能層である正孔輸送層５Ｂを形成する第３焼成工程を含む。
【０１４８】
以上のように、液相プロセスにより、発光機能層６Ｒ、６Ｇおよび正孔輸送層５Ｂが形成される。なお、正孔輸送層５Ｂの形成は、発光機能層６Ｒ、６Ｇの形成と同時でなくてもよく、発光機能層６Ｒ、６Ｇの形成の前であっても後であってもよい。
【０１４９】
このような正孔輸送層５Ｂの形成方法によれば、焼成を不活性ガス雰囲気下で行うため、正孔注入層４Ｒ、４Ｇ、４Ｂが酸化されるのを低減して、正孔注入層４Ｒ、４Ｇ、４Ｂの必要な特性を保持しつつ、正孔輸送層５Ｂを形成することができる。
【０１５０】
［５］
次に、図４（ｂ）に示すように、発光機能層６Ｒ、６Ｇおよび正孔輸送層５Ｂ上に、隔壁３１を跨ってこれらを覆うようにして、中間層７、発光機能層６Ｂ、電子輸送層８、電子注入層９および陰極１０をこの順で形成する。
【０１５１】
中間層７、発光機能層６Ｂ、電子輸送層８、電子注入層９および陰極１０は、それぞれ、例えば、真空蒸着等の乾式メッキ法等を用いた気相プロセスにより形成することができる。
【０１５２】
［６］
最後に、図４（ｃ）に示すように、陰極１０を樹脂層３２（封止層）を介して封止基板４０を接着する。これにより、発光装置１００が得られる。
【０１５３】
以上説明したように、液相プロセスを用いて正孔輸送層５Ｒ、５Ｇ、５Ｂおよび発光機能層６Ｒ、６Ｇをそれぞれ素子ごとに個別に形成するとともに、気相プロセスを用いて中間層７および発光機能層６Ｂをそれぞれ発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂに共通に形成し、発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂを効率的に製造することができる。
【０１５４】
特に、酸素ガス雰囲気下での焼成により正孔注入層４Ｂを形成した後に、不活性ガス雰囲気下での焼成により正孔注入層４Ｒ、４Ｇを形成するため、正孔注入層４Ｂの構成材料（第１成膜材料）が酸化により特性が向上する材料であり、正孔注入層４Ｒ、４Ｇの構成材料（第２成膜材料）が酸化により特性が低下する材料である場合に、優れた特性を有する正孔注入層４Ｒ、４Ｇ、４Ｂを得ることができる。そのため、優れた特性を有する発光装置１００を製造することができる。
【０１５５】
＜第２実施形態＞
次に、本発明の第２実施形態について説明する。
図５は、本発明の第２実施形態に係る発光装置の製造方法を説明するための図である。
【０１５６】
以下、本発明の第２実施形態について説明するが、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項はその説明を省略する。
【０１５７】
第２実施形態は、第１インク付与工程が異なる以外は、前述した第１実施形態と同様である。
【０１５８】
本実施形態に係る発光装置１００の製造方法は、図５（ａ）に示すように、回路基板２０を用意し、図５（ｂ）に示すように、インクジェットヘッド２００から正孔注入層形成用のインク４ａ（第１インク）を隔壁３１内の陽極３Ｂ上に付与するとともに、インクジェットヘッド２００から溶媒のみで構成されたインク４ｃを隔壁３１内の陽極３Ｒ、３Ｇ上に付与する。
【０１５９】
インク４ｃを構成する溶媒としては、インク４ａに用いる溶媒または分散媒と同様のものを用いることができる。
【０１６０】
その後、陽極３Ｒ、３Ｇ上のインク４ｃおよび陽極３Ｂ上のインク４ａを乾燥（脱溶媒または脱分散媒）し、加熱処理（焼成）することにより、図５（ｃ）に示すように、正孔注入層４Ｂを形成する。ここで、インク４ａの乾燥時にインク４ｃが共存するため、インク４ａの乾燥速度を遅くすることができ、得られる正孔注入層４Ｂの膜厚の均一化を図ることができる。また、インク４ｃは、溶媒のみで構成されているため、乾燥時に揮発して除去される。
【０１６１】
＜第３実施形態＞
次に、本発明の第３実施形態について説明する。
図６は、本発明の第３実施形態に係る発光装置（表示装置）を示す断面図である。
【０１６２】
以下、本発明の第３実施形態について説明するが、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項はその説明を省略する。
【０１６３】
第３実施形態は、発光機能層が画素領域ごとに独立した形態の発光装置に本発明を適用した以外は、前述した第１実施形態と同様である。
【０１６４】
図６に示す発光装置１００Ａは、サブ画素１００Ｂのみに青色発光機能層である発光機能層６Ｂが設けられているとともに中間層７を省略した以外は、前述した第１実施形態の発光装置１００と同様である。
【０１６５】
すなわち、発光装置１００Ａが備える発光素子１Ｒ（第２発光素子）は、層間絶縁膜２２上に、陽極３Ｒ（第２陽極）、正孔注入層４Ｒ（第２正孔注入層）、正孔輸送層５Ｒ、発光機能層６Ｒ（第２発光機能層）、電子輸送層８、電子注入層９および陰極１０（第２陰極：共通陰極）がこの順で積層されて構成されている。
【０１６６】
同様に、発光装置１００Ａが備える発光素子１Ｇ（第３発光素子）は、層間絶縁膜２２上に、陽極３Ｇ（第３陽極）、正孔注入層４Ｇ（第３正孔注入層）、正孔輸送層５Ｇ、発光機能層６Ｇ（第３発光機能層）、電子輸送層８、電子注入層９および陰極１０（第３陰極：共通陰極）がこの順で積層されて構成されている。
【０１６７】
また、発光装置１００Ａが備える発光素子１Ｂ（第１発光素子）は、層間絶縁膜２２上に、陽極３Ｂ（第１陽極）、正孔注入層４Ｂ（第１正孔注入層）、正孔輸送層５Ｂ、発光機能層６Ｂ（第１発光機能層）、電子輸送層８、電子注入層９および陰極１０（第１陰極：共通陰極）がこの順で積層されている。
【０１６８】
なお、図６では、発光機能層１００Ａがトップエミッション構造である場合を図示している。
【０１６９】
このように構成されている発光装置１００Ａの正孔注入層４Ｒ、４Ｇ、４Ｂを形成も、前述した第１実施形態の発光装置１００の製造方法の工程［２］と同様に行うことができる。
【０１７０】
（電子機器）
図７は、本発明の電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
【０１７１】
この図において、パーソナルコンピュータ１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、表示部を備える表示ユニット１１０６とにより構成され、表示ユニット１１０６は、本体部１１０４に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。
【０１７２】
このパーソナルコンピュータ１１００において、表示ユニット１１０６が備える表示部が前述の発光装置１００で構成されている。
【０１７３】
図８は、本発明の電子機器を適用した携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。
【０１７４】
この図において、携帯電話機１２００は、複数の操作ボタン１２０２、受話口１２０４および送話口１２０６とともに、表示部を備えている。
携帯電話機１２００において、この表示部が前述の発光装置１００で構成されている。
【０１７５】
図９は、本発明の電子機器を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。なお、この図には、外部機器との接続についても簡易的に示されている。
【０１７６】
ここで、通常のカメラは、被写体の光像により銀塩写真フィルムを感光するのに対し、ディジタルスチルカメラ１３００は、被写体の光像をＣＣＤ（Charge Coupled Device）などの撮像素子により光電変換して撮像信号（画像信号）を生成する。
【０１７７】
ディジタルスチルカメラ１３００におけるケース（ボディー）１３０２の背面には、表示部が設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、被写体を電子画像として表示するファインダとして機能する。
【０１７８】
ディジタルスチルカメラ１３００において、この表示部が前述の発光装置１００で構成されている。
【０１７９】
ケースの内部には、回路基板１３０８が設置されている。この回路基板１３０８は、撮像信号を格納（記憶）し得るメモリが設置されている。
【０１８０】
また、ケース１３０２の正面側（図示の構成では裏面側）には、光学レンズ（撮像光学系）やＣＣＤなどを含む受光ユニット１３０４が設けられている。
【０１８１】
撮影者が表示部に表示された被写体像を確認し、シャッタボタン１３０６を押下すると、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、回路基板１３０８のメモリに転送・格納される。
【０１８２】
また、このディジタルスチルカメラ１３００においては、ケース１３０２の側面に、ビデオ信号出力端子１３１２と、データ通信用の入出力端子１３１４とが設けられている。そして、図示のように、ビデオ信号出力端子１３１２にはテレビモニタ１４３０が、デ−タ通信用の入出力端子１３１４にはパーソナルコンピュータ１４４０が、それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所定の操作により、回路基板１３０８のメモリに格納された撮像信号が、テレビモニタ１４３０や、パーソナルコンピュータ１４４０に出力される構成になっている。
このような本発明の電子機器は、優れた信頼性を有する。
【０１８３】
なお、本発明の電子機器は、図７のパーソナルコンピュータ（モバイル型パーソナルコンピュータ）、図８の携帯電話機、図９のディジタルスチルカメラの他にも、例えば、スマートフォン、タブレット端末、時計、テレビや、ビデオカメラ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、ラップトップ型パーソナルコンピュータ、スマートフォン、タブレット端末、時計、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニタ、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器（例えば金融機関のキャッシュディスペンサー、自動券売機）、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電表示装置、超音波診断装置、内視鏡用表示装置）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシミュレータ、その他各種モニタ類、プロジェクター等の投射型表示装置等に適用することができる。
【０１８４】
以上、本発明の発光装置の製造方法、発光装置および電子機器を、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものでない。
【実施例】
【０１８５】
次に、本発明の具体的な実施例について説明する。
１．発光素子の製造
（実施例）
＜１＞  まず、厚さ０．５ｍｍの透明なガラス基板を用意した。次に、この基板上に、スパッタ法により、ＲＧＢ画素のそれぞれの画素電極として厚さ１００ｎｍのＩＴＯ電極（第１陽極、第２陽極および第３陽極）を形成した。その後、アクリル系樹脂で構成される絶縁層を形成した後、この絶縁層をフォトリソグラフィー法を用いて各ＩＴＯ電極を露出するようにパターニングすることで隔壁（撥液性を有するバンク）を形成した。
そして、基板をアセトン、２−プロパノールの順に浸漬し、超音波洗浄した。
【０１８６】
＜２＞  次に、Ｂ画素用の正孔注入層形成用インクを、Ｂ画素の隔壁内にインクジェット法により充填してＩＴＯ電極上付与した後に、これを５Ｐａで減圧乾燥した後に酸素雰囲気下（大気中）で加熱処理（焼成）することにより、厚さ５０ｎｍの正孔注入層（第１正孔注入層）を形成した。
【０１８７】
ここで、Ｂ画素用の正孔注入層形成用インクとして、ＰＥＤＯＴ・ＰＳＳ水分散溶液（１．０ｗｔ％）にジエチレングリコールを１０％添加した溶液を用いた。
【０１８８】
また、焼成は、大気中で行い、焼成温度を２００℃とし、焼成時間を１０分間とした。
このようなインクを用いて、ドーパント材料の含有率１０％のＢ画素の正孔注入層を形成した。
【０１８９】
＜３＞  次に、ＲＧ画素用の正孔注入層形成用インクを、ＲＧ画素のそれぞれの隔壁内にインクジェット法により充填してＩＴＯ電極上付与した後に、これを５Ｐａで減圧乾燥した後に窒素雰囲気下で加熱処理（焼成）することにより、厚さ５０ｎｍの正孔注入層（第２、３正孔注入層）を形成した。
【０１９０】
ここで、Ｒ画素用およびＧ画素用の正孔注入層形成用インクとして、ｍ−ＭＴＤＡＴＡを３０％混合したＴＦＢ（poly(9,9-dioctyl-fluorene-co-N-(4- butylphenyl)-diphenylamine)）溶液（１．０ｗｔ％）を用いた。
【０１９１】
また、焼成は、窒素雰囲気下で行い、焼成温度を１８０℃とし、焼成時間を３０分間とした。
【０１９２】
このようなインクを用いて、ドーパント材料の含有率１０％のＲ画素およびＧ画素の正孔注入層を形成した。
【０１９３】
＜４＞  次に、正孔輸送層形成用インクを、ＲＧ画素のそれぞれの隔壁内にインクジェット法により充填して正孔注入層上に付与した後に、これを５Ｐａで減圧乾燥した後に加熱処理（焼成）することにより、厚さ２０ｎｍの正孔輸送層を形成した。
【０１９４】
ここで、正孔輸送層形成用インクとして、ＴＦＢ（poly(9,9-dioctyl-fluorene-co-N-(4- butylphenyl)-diphenylamine)）を０．５ｗｔ％含んだテトラメチルベンゼン溶液を用いた。また、焼成は、窒素で満たされたグローブボックス内で行い、焼成温度を１８０℃とし、焼成時間を３０分間とした。
【０１９５】
＜５＞  次に、発光機能層形成用インクを、ＲＧ画素のそれぞれの隔壁内にインクジェット法により充填して正孔輸送層上に付与するとともに、正孔輸送層形成用インクを、Ｂ画素の隔壁内にインクジェット法により充填して正孔注入層上に付与した後に、これを５Ｐａで減圧乾燥した後に加熱処理（焼成）することにより、ＲＧ画素に厚さ６０ｎｍの発光機能層（第２、第３発光機能層）を形成するとともに、Ｂ画素に厚さ４０ｎｍの正孔輸送層を形成した。
【０１９６】
ここで、Ｇ画素用の発光機能層形成用インクとして、４，４’−ビス（９−ジカルバゾイル）−２，２’−ビフェニル（CBP）と、ビス（２−(９，９−ジヘシルフルオロエニル)−１−ピリジン）(アセチルアセトナト)イリジウムを重量比９０：１０で混合したテトラロン溶液（濃度１．０ｗｔ％）を用いた。Ｒ画素用の発光機能層形成用インクとして、４，４’−ビス（９−ジカルバゾイル）−２，２’−ビフェニル（ＣＢＰ）と、ビス（２−(９，９−ジブチルフルオロエニル)−１−イソキノリン）(アセチルアセトナト)イリジウムを重量比９０：１０で混合したテトラロン溶液（濃度１．０ｗｔ％）を用いた。Ｂ画素用の正孔輸送層形成用インクとして、Ｎ，Ｎ−ビス（１−ナフタレニル）−Ｎ−Ｎ’−ビス（フェニルベンジジン）（α−ＮＰＤ）のテトラロン溶液（濃度１．０ｗｔ％）を用いた。
【０１９７】
また、乾燥は、５Ｐａ以下の真空度で１０分間減圧乾燥することにより行った。また、焼成は、窒素で満たされたグローブボックス内で行い、焼成温度を１００℃とし、焼成時間を２０分間とした。
【０１９８】
＜６＞  次に、蒸着により発光機能層形成用材料を、ＲＧＢの画素に跨って成膜することにより、厚さ２０ｎｍの発光機能層（第１発光機能層）を形成した。
【０１９９】
ここで、発光機能層形成用材料は、スチリル誘導体化合物である4,4’-ビス（2,2-ジフェニル-エテン-1-イル）ビフェニル（DPVBi）とアントラセン誘導体化合物である6-メチル-2-(4-(9-(4-(6-メチルベンゾ[d]チアゾール-2-イル)フェニル)アントラセン-10-イル)フェニル)ベンゾ[d]チアゾール（DBzA）を９７：３の比率で混合したものである。
【０２００】
＜７＞  次に、第２発光機能層上に、Ａｌｑ３を真空蒸着法により成膜し、厚さ２０ｎｍの電子輸送層を形成した。
【０２０１】
＜８＞  次に、電子輸送層上に、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を真空蒸着法により成膜し、厚さ０．５ｎｍの電子注入層を形成した。
【０２０２】
＜９＞  次に、電子注入層上に、Ａｌを真空蒸着法により成膜した。これにより、Ａｌで構成される厚さ１５０ｎｍの陰極を形成した。
以上の工程により、ＲＧＢ画素（第１〜３発光素子）を有する発光装置を製造した。
【０２０３】
（比較例１）
ＲＧ画素の正孔注入層の焼成を大気中で行った以外は、前述した実施例と同様にして発光装置を製造した。
【０２０４】
（比較例２）
Ｂ画素の正孔注入層の焼成を窒素ガス雰囲気下で行った以外は、前述した実施例と同様にして発光装置を製造した。
【０２０５】
２．評価
実施例および各比較例について、初期の輝度が所定の設定値となるような電流密度で直流電源を用いて各画素の発光素子に定電流を流しつづけ、その間、輝度計を用いて輝度を測定し、その輝度が初期の輝度の５０％となる時間（ＬＴ５０）を測定した。そして、実施例における各画素の発光素子のＬＴ５０の時間を１．００として規格化し、対応する各画素の発光素子のＬＴ５０の時間を相対的に評価した。
上記の評価結果を表１に示す。
【０２０６】
【表１】
2016195040.tif 000003
【０２０７】
表１からわかるように、実施例の発光装置は、比較例の発光装置に比べて、長寿命化を図ることができる。
【符号の説明】
【０２０８】
１‥‥発光素子
１Ｂ‥‥発光素子
１Ｇ‥‥発光素子
１Ｒ‥‥発光素子
３‥‥陽極
３Ｂ‥‥陽極
３Ｇ‥‥陽極
３Ｒ‥‥陽極
４Ｂ‥‥正孔注入層
４Ｇ‥‥正孔注入層
４Ｒ‥‥正孔注入層
４ａ‥‥インク
５Ｂ‥‥正孔輸送層
５Ｇ‥‥正孔輸送層
５Ｒ‥‥正孔輸送層
５ａ‥‥インク
５ｂ‥‥インク
６Ｂ‥‥発光機能層
６Ｇ‥‥発光機能層
６Ｒ‥‥発光機能層
６ａ‥‥インク
６ｂ‥‥インク
７‥‥正孔輸送層
８‥‥電子輸送層
９‥‥電子注入層
１０‥‥陰極
２０‥‥回路基板
２１‥‥基板
２２‥‥層間絶縁膜
２３‥‥スイッチング素子
２４‥‥配線
３１‥‥隔壁
３２‥‥樹脂層
４０‥‥封止基板
１００‥‥発光装置
１００Ｒ‥‥サブ画素
１００Ｇ‥‥サブ画素
１００Ｂ‥‥サブ画素
２００‥‥インクジェットヘッド
２３１‥‥半導体層
２３２‥‥ゲート絶縁層
２３３‥‥ゲート電極
２３４‥‥ソース電極
２３５‥‥ドレイン電極
１１００‥‥パーソナルコンピュータ
１１０２‥‥キーボード
１１０４‥‥本体部
１１０６‥‥表示ユニット
１２００‥‥携帯電話機
１２０２‥‥操作ボタン
１２０４‥‥受話口
１２０６‥‥送話口
１３００‥‥ディジタルスチルカメラ
１３０２‥‥ケース
１３０４‥‥受光ユニット
１３０６‥‥シャッタボタン
１３０８‥‥回路基板
１３１２‥‥ビデオ信号出力端子
１３１４‥‥入出力端子
１４３０‥‥テレビモニタ
１４４０‥‥パーソナルコンピュータ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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