(57)【要約】【課題】処理液の吐出状態の異常を検出可能な基板処理装置および基板処理方法を提供する。【解決手段】処理液ノズルから処理液が吐出される。処理液ノズルから吐出される処理液による荷重が荷重検出部２２０により検出される。荷重検出部２２０により検出された荷重の時間変化が荷重変化取得部４２２により取得される。荷重変化取得部４２２により取得された荷重の時間変化に基づいて、判定部４２５により処理液ノズルからの処理液の吐出状態が正常であるか否が判定される。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理液を用いて基板に処理を行う基板処理装置であって、
処理液を吐出する処理液ノズルと、
前記処理液ノズルから吐出される処理液による荷重を検出する荷重検出部と、
前記荷重検出部により検出された荷重の時間変化に基づいて、前記処理液ノズルからの処理液の吐出状態が正常であるか否かを判定する判定部とを備える、基板処理装置。
【請求項２】
前記処理液ノズルからの処理液の吐出状態が正常である場合における処理液による荷重の時間変化を基準時間変化として記憶する第１の記憶部をさらに備え、
前記判定部は、前記荷重検出部により検出された荷重の時間変化と前記第１の記憶部に記憶された基準時間変化との比較結果に基づいて、前記処理液ノズルからの処理液の吐出状態が正常であるか否かを判定する、請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記第１の記憶部は、前記荷重検出部により検出された荷重の時間変化を前記基準時間変化として記憶する、請求項２記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記荷重検出部は、前記処理液ノズルから吐出される処理液による荷重をそれぞれ検出する複数の荷重検出素子を含み、
前記判定部は、前記複数の荷重検出素子によりそれぞれ検出された荷重の時間変化に基づいて、前記処理液ノズルからの処理液の吐出状態が正常であるか否かを判定する、請求項１〜３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記荷重検出部により検出された荷重の時間変化に基づいて、所定期間における荷重の積算量を算出する荷重積算部をさらに備え、
前記判定部は、前記荷重積算部により算出された荷重の積算量に基づいて、前記処理液ノズルからの処理液の吐出量が正常であるか否かを判定する、請求項１〜４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記処理液ノズルからの処理液の吐出量が正常である場合における荷重の積算量を基準積算量として記憶する第２の記憶部をさらに備え、
前記判定部は、前記荷重積算部により算出された荷重の積算量と前記第２の記憶部に記憶された基準積算量との比較結果に基づいて、前記処理液ノズルからの処理液の吐出量が正常であるか否かを判定する、請求項５記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記第２の記憶部には、荷重の積算量と前記処理液ノズルからの処理液の吐出量との関係がさらに記憶され、
前記基板処理装置は、
前記荷重積算部により算出された荷重の積算量と前記第２の記憶部に記憶された関係とに基づいて前記処理液ノズルからの処理液の吐出量を取得する吐出量取得部をさらに備える、請求項６記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記判定部による判定結果を使用者に通知する通知部をさらに備える、請求項１〜７のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記荷重検出部上に配置される貯留部をさらに備え、
前記処理液ノズルは、処理液を前記貯留部内に吐出可能に設けられ、
前記荷重検出部は、前記貯留部内に吐出される処理液による荷重を検出する、請求項１〜８のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項１０】
前記貯留部を洗浄する洗浄液を前記貯留部内に吐出可能に設けられた洗浄ノズルをさらに備える、請求項９記載の基板処理装置。
【請求項１１】
前記荷重検出部は、前記処理液ノズル内を通過する処理液による荷重を検出可能に前記処理液ノズルに設けられる、請求項１〜８のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項１２】
処理液を用いて基板に処理を行う基板処理方法であって、
処理液ノズルから処理液を吐出するステップと、
前記処理液ノズルから吐出される処理液による荷重を検出するステップと、
検出された荷重の時間変化に基づいて、前記処理液ノズルからの処理液の吐出状態が正常であるか否かを判定するステップとを含む、基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、処理液を用いて基板を処理する基板処理装置および基板処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
基板処理装置においては、略水平に支持された基板がモータにより回転される。この状態で、基板の上面の略中央部にノズルから処理液が吐出される。このような処理液を用いた基板処理においては、基板上の処理液の膜厚を均一にしつつコストを削減するために、処理液の吐出量を必要最小限に設定することが好ましい。そのため、基板処理の前に、処理液の吐出量が正常であるか否かを確認するための測定が行われることがある。
【０００３】
特許文献１に記載された液供給装置には、液吐出量検査モードが設けられる。液吐出量検査モードにおいては、予め準備された容器の重量が測定される。次に、レジストノズルから容器内にレジスト液が吐出される。これにより、容器内にレジスト液が貯留される。その後、レジスト液が貯留された容器の重量が測定される。レジスト液が貯留される前後の容器の重量の差が算出されることにより、レジスト液の吐出量が測定される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−３２９１６５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１に記載された従来の検査方法によれば、容器に貯留された処理液の量を測定することができる。しかしながら、レジストノズル内に残留する処理液中への空気の混入およびレジストノズルの吐出口内への異物の付着等によりレジストノズルからの処理液の吐出状態に異常が生じることがある。上記の従来の検査方法では、処理液の吐出状態の異常を検出することができない。
【０００６】
本発明の目的は、処理液の吐出状態の異常を検出可能な基板処理装置および基板処理方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
（１）第１の発明に係る基板処理装置は、処理液を用いて基板に処理を行う基板処理装置であって、処理液を吐出する処理液ノズルと、処理液ノズルから吐出される処理液による荷重を検出する荷重検出部と、荷重検出部により検出された荷重の時間変化に基づいて、処理液ノズルからの処理液の吐出状態が正常であるか否かを判定する判定部とを備える。
【０００８】
この基板処理装置においては、処理液ノズルから処理液が吐出される。処理液ノズルから吐出される処理液による荷重が検出される。ここで、処理液ノズルからの処理液の吐出状態が異常である場合における荷重の時間変化は、処理液ノズルからの処理液の吐出状態が正常である場合における荷重の時間変化とは異なる。そこで、検出された荷重の時間変化に基づいて、処理液ノズルからの処理液の吐出状態が正常であるか否かが判定される。これにより、処理液の吐出状態の異常を検出することができる。
【０００９】
（２）基板処理装置は、処理液ノズルからの処理液の吐出状態が正常である場合における処理液による荷重の時間変化を基準時間変化として記憶する第１の記憶部をさらに備え、判定部は、荷重検出部により検出された荷重の時間変化と第１の記憶部に記憶された基準時間変化との比較結果に基づいて、処理液ノズルからの処理液の吐出状態が正常であるか否かを判定してもよい。
【００１０】
この場合、第１の記憶部に記憶された基準時間変化に基づいて、処理液ノズルからの処理液の吐出状態が正常であるか否かを容易に判定することができる。
【００１１】
（３）第１の記憶部は、荷重検出部により検出された荷重の時間変化を基準時間変化として記憶してもよい。
【００１２】
この場合、新たに検出された荷重の時間変化と以前に検出された荷重の時間変化とが比較される。これにより、以前の処理液の吐出状態と比較して、新たに吐出された処理液の吐出状態に変化が生じたか否かを判定することができる。
【００１３】
（４）荷重検出部は、処理液ノズルから吐出される処理液による荷重をそれぞれ検出する複数の荷重検出素子を含み、判定部は、複数の荷重検出素子によりそれぞれ検出された荷重の時間変化に基づいて、処理液ノズルからの処理液の吐出状態が正常であるか否かを判定してもよい。
【００１４】
この場合、複数の荷重検出素子に対応する荷重の時間変化に基づいて、処理液ノズルからの処理液の吐出の方向または分布が正常であるか否かを判定することができる。これにより、処理液の吐出の方向または分布の異常を検出することができる。
【００１５】
（５）基板処理装置は、荷重検出部により検出された荷重の時間変化に基づいて、所定期間における荷重の積算量を算出する荷重積算部をさらに備え、判定部は、荷重積算部により算出された荷重の積算量に基づいて、処理液ノズルからの処理液の吐出量が正常であるか否かを判定してもよい。
【００１６】
この場合、所定期間における荷重の積算量に基づいて、処理液の吐出量が正常であるか否かが判定される。これにより、処理液の吐出量の異常を検出することができる。
【００１７】
（６）基板処理装置は、処理液ノズルからの処理液の吐出量が正常である場合における荷重の積算量を基準積算量として記憶する第２の記憶部をさらに備え、判定部は、荷重積算部により算出された荷重の積算量と第２の記憶部に記憶された基準積算量との比較結果に基づいて、処理液ノズルからの処理液の吐出量が正常であるか否かを判定してもよい。
【００１８】
この場合、第２の記憶部に記憶された基準積算量に基づいて、処理液の吐出量が正常であるか否かを容易に判定することができる。
【００１９】
（７）第２の記憶部には、荷重の積算量と処理液ノズルからの処理液の吐出量との関係がさらに記憶され、基板処理装置は、荷重積算部により算出された荷重の積算量と第２の記憶部に記憶された関係とに基づいて処理液ノズルからの処理液の吐出量を取得する吐出量取得部をさらに備えてもよい。
【００２０】
この場合、使用者は、処理液ノズルからの処理液の吐出量を数値的に認識することができる。
【００２１】
（８）基板処理装置は、判定部による判定結果を使用者に通知する通知部をさらに備えてもよい。
【００２２】
この場合、使用者は、処理液ノズルからの処理液の吐出状態が正常であるか否かの判定結果を容易に認識することができる。
【００２３】
（９）基板処理装置は、荷重検出部上に配置される貯留部をさらに備え、処理液ノズルは、処理液を貯留部内に吐出可能に設けられ、荷重検出部は、貯留部内に吐出される処理液による荷重を検出してもよい。この場合、荷重検出部の検出面に処理液が付着することが防止される。
【００２４】
（１０）基板処理装置は、貯留部を洗浄する洗浄液を貯留部内に吐出可能に設けられた洗浄ノズルをさらに備えてもよい。
【００２５】
この場合、洗浄ノズルから貯留部内に洗浄液が吐出されることにより、貯留部が洗浄される。そのため、基板処理装置のメンテナンスをより容易にすることができる。
【００２６】
（１１）荷重検出部は、処理液ノズル内を通過する処理液による荷重を検出可能に処理液ノズルに設けられてもよい。
【００２７】
この場合、処理液を用いた基板の処理中に処理液ノズルからの処理液の吐出状態が正常であるか否かを判定することができる。これにより、基板の処理中に発生した処理液の吐出状態の異常を検出することができる。
【００２８】
（１２）第２の発明に係る基板処理方法は、処理液を用いて基板に処理を行う基板処理方法であって、処理液ノズルから処理液を吐出するステップと、処理液ノズルから吐出される処理液による荷重を検出するステップと、検出された荷重の時間変化に基づいて、処理液ノズルからの処理液の吐出状態が正常であるか否かを判定するステップとを含む。
【００２９】
この基板処理方法によれば、処理液ノズルから処理液が吐出される。処理液ノズルから吐出される処理液による荷重が検出される。ここで、処理液ノズルからの処理液の吐出状態が異常である場合における荷重の時間変化は、処理液ノズルからの処理液の吐出状態が正常である場合における荷重の時間変化とは異なる。そこで、検出された荷重の時間変化に基づいて、処理液ノズルからの処理液の吐出状態が正常であるか否かが判定される。これにより、処理液の吐出状態の異常を検出することができる。
【発明の効果】
【００３０】
本発明によれば、処理液の吐出状態の異常を検出することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る基板処理装置の模式的平面図である。
【図２】図１の塗布処理部、塗布現像処理部および洗浄乾燥処理部の内部構成を示す模式的側面図である。
【図３】塗布処理ユニットの構成を示す平面図である。
【図４】吐出検査ユニットの構成を示す図である。
【図５】ローカルコントローラの構成を示すブロック図である。
【図６】吐出検査処理において取得される荷重変化データに基づく荷重変化を示す図である。
【図７】吐出検査処理を示すフローチャートである。
【図８】吐出検査処理を示すフローチャートである。
【図９】図１の熱処理部および洗浄乾燥処理部の内部構成を示す模式的側面図である。
【図１０】搬送部の内部構成を示す模式的側面図である。
【図１１】変形例における吐出検査ユニットの構成を示す図である。
【図１２】図１１の吐出検査ユニットを用いた吐出検査処理において取得される荷重変化を示す図である。
【図１３】図１１の吐出検査ユニットを用いた吐出検査処理において取得される荷重変化を示す図である。
【図１４】第２の実施の形態における処理液ノズルの縦断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３２】
［１］第１の実施の形態
（１）基板処理装置の構成
以下、本発明の第１の実施の形態に係る基板処理装置および基板処理方法について図面を用いて説明する。なお、以下の説明において、基板とは、半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板またはフォトマスク用基板等をいう。
【００３３】
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る基板処理装置の模式的平面図である。図１および以降の所定の図には、位置関係を明確にするために互いに直交するＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向を示す矢印を付している。Ｘ方向およびＹ方向は水平面内で互いに直交し、Ｚ方向は鉛直方向に相当する。なお、各方向において矢印が向かう方向を＋方向、その反対の方向を−方向とする。
【００３４】
図１に示すように、基板処理装置１００は、インデクサブロック１１、第１の処理ブロック１２、第２の処理ブロック１３、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａおよび搬入搬出ブロック１４Ｂを備える。洗浄乾燥処理ブロック１４Ａおよび搬入搬出ブロック１４Ｂにより、インターフェイスブロック１４が構成される。搬入搬出ブロック１４Ｂに隣接するように露光装置１５が配置される。露光装置１５においては、液浸法により基板Ｗに露光処理が行われる。
【００３５】
図１に示すように、インデクサブロック１１は、複数のキャリア載置部１１１および搬送部１１２を含む。各キャリア載置部１１１には、複数の基板Ｗを多段に収納するキャリア１１３が載置される。搬送部１１２には、メインコントローラ１１４および搬送機構１１５が設けられる。メインコントローラ１１４は、基板処理装置１００の種々の構成要素を制御する。搬送機構１１５は、基板Ｗを保持しつつその基板Ｗを搬送する。
【００３６】
第１の処理ブロック１２は、塗布処理部１２１、搬送部１２２および熱処理部１２３を含む。塗布処理部１２１および熱処理部１２３は、搬送部１２２を挟んで対向する。搬送部１２２とインデクサブロック１１との間には、基板Ｗが載置される基板載置部ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ４（図１０参照）が設けられる。搬送部１２２には、基板Ｗを搬送する搬送機構１２７，１２８（図１０参照）が設けられる。
【００３７】
第２の処理ブロック１３は、塗布現像処理部１３１、搬送部１３２および熱処理部１３３を含む。塗布現像処理部１３１および熱処理部１３３は、搬送部１３２を挟んで対向する。搬送部１３２と搬送部１２２との間には、基板Ｗが載置される基板載置部ＰＡＳＳ５〜ＰＡＳＳ８（図１０参照）が設けられる。搬送部１３２には、基板Ｗを搬送する搬送機構１３７，１３８（図１０参照）が設けられる。
【００３８】
洗浄乾燥処理ブロック１４Ａは、洗浄乾燥処理部１６１，１６２および搬送部１６３を含む。洗浄乾燥処理部１６１，１６２は、搬送部１６３を挟んで対向する。搬送部１６３には、搬送機構１４１，１４２が設けられる。
【００３９】
搬送部１６３と搬送部１３２との間には、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２（図１０参照）が設けられる。載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２は、複数の基板Ｗを収容可能に構成される。
【００４０】
また、搬送機構１４１，１４２の間において、搬入搬出ブロック１４Ｂに隣接するように、基板載置部ＰＡＳＳ９および後述の載置兼冷却部Ｐ−ＣＰ（図１０参照）が設けられる。載置兼冷却部Ｐ−ＣＰは、基板Ｗを冷却する機能（例えば、クーリングプレート）を備える。載置兼冷却部Ｐ−ＣＰにおいて、基板Ｗが露光処理に適した温度に冷却される。
【００４１】
搬入搬出ブロック１４Ｂには、搬送機構１４６が設けられる。搬送機構１４６は、露光装置１５に対する基板Ｗの搬入および搬出を行う。露光装置１５には、基板Ｗを搬入するための基板搬入部１５ａおよび基板Ｗを搬出するための基板搬出部１５ｂが設けられる。
【００４２】
（２）塗布処理部および現像処理部
図２は、図１の塗布処理部１２１、塗布現像処理部１３１および洗浄乾燥処理部１６１の内部構成を示す模式的側面図である。図２に示すように、塗布処理部１２１には、塗布処理室２１，２２，２３，２４が階層的に設けられる。各塗布処理室２１〜２４には、塗布処理ユニット１２９が設けられる。塗布現像処理部１３１には、現像処理室３１，３３および塗布処理室３２，３４が階層的に設けられる。各現像処理室３１，３３には、現像処理ユニット１３９が設けられ、各塗布処理室３２，３４には、塗布処理ユニット１２９が設けられる。
【００４３】
図３は、塗布処理ユニット１２９の構成を示す平面図である。図２および図３に示すように、各塗布処理ユニット１２９は、待機部２０、複数のスピンチャック２５、複数のカップ２７、複数の処理液ノズル２８、ノズル搬送機構２９および複数のエッジリンスノズル３０を備える。本実施の形態においては、スピンチャック２５、カップ２７およびエッジリンスノズル３０は、各塗布処理ユニット１２９に２つずつ設けられる。
【００４４】
各スピンチャック２５は、基板Ｗを保持した状態で、図示しない電動モータ等の駆動装置により回転駆動される。カップ２７はスピンチャック２５の周囲を取り囲むように設けられる。待機時には、各処理液ノズル２８は待機部２０に挿入される。各処理液ノズル２８には、図示しない処理液貯留部から処理液配管を通して後述する種々の処理液が供給される。
【００４５】
複数の処理液ノズル２８のうちのいずれかの処理液ノズル２８がノズル搬送機構２９により基板Ｗの上方に移動される。スピンチャック２５が回転しつつ処理液ノズル２８から処理液が吐出されることにより、回転する基板Ｗ上に処理液が塗布される。また、エッジリンスノズル３０が所定の待機位置から基板Ｗの周縁部の近傍に移動される。スピンチャック２５が回転しつつエッジリンスノズル３０から回転する基板Ｗの周縁部に向けてリンス液が吐出されることにより、基板Ｗに塗布された処理液の周縁部が溶解される。それにより、基板Ｗの周縁部の処理液が除去される。
【００４６】
本実施の形態においては、図２の塗布処理室２２，２４の処理液ノズル２８からは、反射防止膜用の処理液（反射防止液）が吐出される。塗布処理室２１，２３の処理液ノズル２８からは、レジスト膜用の処理液（レジスト液）が吐出される。塗布処理室３２，３４の処理液ノズル２８からは、レジストカバー膜用の処理液（レジストカバー液）が吐出される。
【００４７】
図２に示すように、現像処理ユニット１３９は、塗布処理ユニット１２９と同様に、複数のスピンチャック３５および複数のカップ３７を備える。また、図１に示すように、現像処理ユニット１３９は、現像液を吐出する２つのスリットノズル３８およびそれらのスリットノズル３８を移動させる移動機構３９を備える。
【００４８】
現像処理ユニット１３９においては、図示しない駆動装置によりスピンチャック３５が回転される。それにより、基板Ｗが回転される。この状態で、スリットノズル３８が移動しつつ各基板Ｗに現像液を供給する。これにより、基板Ｗ上のレジストカバー膜が除去されるとともに、基板Ｗの現像処理が行われる。
【００４９】
洗浄乾燥処理部１６１には、複数（本例では４つ）の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１が設けられる。洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１においては、露光処理前の基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われる。
【００５０】
（３）処理液の吐出量の検査
（ａ）吐出検査ユニット
図３の各塗布処理ユニット１２９は、処理液ノズル２８から吐出される処理液の吐出状態および吐出量を検査する吐出検査ユニット２００をさらに備える。図３の例においては、吐出検査ユニット２００は、２つのカップ２７の間に配置される。また、図２の現像処理ユニット１３９は、塗布処理ユニット１２９の吐出検査ユニット２００と同様の構成を有する吐出検査ユニット３００を備える。
【００５１】
図４は、吐出検査ユニット２００の構成を示す図である。図４（ａ）は吐出検査ユニット２００の平面図を示し、図４（ｂ）は図４（ａ）の吐出検査ユニット２００のＡ−Ａ線断面図を示す。図４（ａ）においては、図４（ｂ）の処理液ノズル２８および洗浄ノズル２４０の図示を省略している。
【００５２】
図４（ａ），（ｂ）に示すように、吐出検査ユニット２００は、収容部２１０、荷重検出部２２０、貯留部２３０および洗浄ノズル２４０を含む。収容部２１０は底面部２１１および側面部２１２からなり、カップ形状を有する。収容部２１０の底面部２１１には廃液口２１３が形成される。
【００５３】
本実施の形態では、荷重検出部２２０は単一の荷重検出素子２２１により構成される。荷重検出素子２２１は、例えばロードセルである。荷重検出素子２２１は、収容部２１０の底面部２１１の略中央部に配置される。貯留部２３０は処理液を貯留可能な容器である。貯留部２３０は、荷重検出部２２０上に配置される。貯留部２３０の高さは比較的小さい。貯留部２３０の上方に洗浄ノズル２４０が配置される。
【００５４】
（ｂ）ローカルコントローラ
図５は、ローカルコントローラの構成を示すブロック図である。ローカルコントローラ４００は、図１のメインコントローラ１１４からの指令に基づいて吐出検査ユニット２００の動作を制御する。ローカルコントローラ４００は、後述する基板処理が行われる前に、定期的に吐出検査処理を実行する。吐出検査処理においては、処理液の吐出状態および吐出量が正常であるか否かが検査される。
【００５５】
図５に示すように、ローカルコントローラ４００は、記憶部４１０および制御部４２０を含む。記憶部４１０は、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）またはハードディスクにより構成される。記憶部４１０には、吐出検査ユニット２００を含む第１の処理ブロック１２（図１）の動作を制御するためのプログラムが記憶されるとともに、種々のデータが記憶される。
【００５６】
制御部４２０は、中央演算処理装置（ＣＰＵ）により構成される。制御部４２０は、塗布処理駆動部４２１、荷重変化取得部４２２、荷重積算部４２３、吐出量取得部４２４、判定部４２５および通知部４２６を含む。制御部４２０が記憶部４１０に記憶されたプログラムを実行することにより、塗布処理駆動部４２１、荷重変化取得部４２２、荷重積算部４２３、吐出量取得部４２４、判定部４２５および通知部４２６の機能が実現される。
【００５７】
塗布処理駆動部４２１は、図３の塗布処理ユニット１２９の動作を制御する。吐出検査処理においては、塗布処理駆動部４２１は、ノズル搬送機構２９（図３）を制御することにより、待機部２０（図３）から検査対象である処理液ノズル２８（図３）を貯留部２３０（図４（ｂ））の上方に移動させる。この状態で、塗布処理駆動部４２１は、処理液ノズル２８から所定の回数だけ処理液を貯留部２３０内に吐出させる。これにより、貯留部２３０に処理液が貯留される。
【００５８】
荷重検出部２２０は、処理液が貯留部２３０の底面に与える衝撃荷重（動荷重）を検出する。荷重変化取得部４２２は、荷重検出部２２０により検出された衝撃荷重の時間変化を示す荷重変化データを取得する。荷重積算部４２３は、荷重変化取得部４２２により取得された荷重変化データに基づいて、所定期間における衝撃荷重の積算量を算出する。
【００５９】
記憶部４１０には、衝撃荷重の積算量と処理液の吐出量との関係を示すテーブルまたは数式が予め記憶される。吐出量取得部４２４は、荷重積算部４２３により算出された衝撃荷重の積算量および記憶部４１０に記憶されたテーブルまたは数式に基づいて、処理液の吐出量を取得する。
【００６０】
記憶部４１０には、比較対象として用いる荷重変化データが基準変化データとして予め記憶される。本実施の形態においては、基準変化データは、処理液の吐出量が正常であるときに取得された衝撃荷重の時間変化を示すデータである。また、記憶部４１０には、基板処理に用いられる処理液の設定量が予め記憶される。
【００６１】
判定部４２５は、荷重変化取得部４２２により取得された荷重変化データと記憶部４１０に記憶された基準変化データとの差の絶対値を算出する。以下、取得された荷重変化データと記憶された基準変化データとの差の絶対値を、取得された荷重変化データと記憶された基準変化データとの差と略記する。記憶部４１０には、荷重変化データと基準変化データとの許容差を示す荷重許容差が予め記憶される。判定部４２５により算出された荷重変化データと基準変化データとの差が記憶部４１０に記憶された荷重許容差未満である場合には、判定部４２５は処理液の吐出状態が正常であると判定する。
【００６２】
また、判定部４２５は、吐出量取得部４２４により取得された処理液の吐出量と記憶部４１０に記憶された処理液の設定量との差の絶対値を算出する。以下、取得された処理液の吐出量と記憶された処理液の設定量の差の絶対値を、取得された処理液の吐出量と記憶された処理液の設定量の差と略記する。記憶部４１０には、処理液の吐出量と設定量との許容差を示す吐出許容差が予め記憶される。算出された処理液の吐出量と設定量との差が記憶部４１０に記憶された吐出許容差未満である場合には、判定部４２５は処理液の吐出量が正常であると判定する。
【００６３】
通知部４２６は、使用者に処理液の吐出状態および吐出量が正常であるか否かを通知する。吐出状態および吐出量の通知は、図示しない表示装置に文字を出力することにより行われてもよい。あるいは、吐出状態および吐出量の通知は、警報または音声が出力されることにより行われてもよい。あるいは、吐出状態および吐出量の通知は、図示しない発光素子を点灯または消灯させることにより行われてもよい。
【００６４】
上記の吐出検査処理の終了後には、洗浄ノズル２４０から貯留部２３０内に揮発性の洗浄液が吐出される。それにより、貯留部２３０内の処理液が収容部２１０に溢れ出すとともに、貯留部２３０が洗浄される。この場合、収容部２１０内の処理液は、底面部２１１の廃液口２１３から図示しない廃液システムに回収される。これにより、吐出検査ユニット２００のメンテナンスを容易にすることができる。貯留部２３０に付着した洗浄液はその後揮発するので、貯留部２３０内の洗浄液は除去されなくてもよい。
【００６５】
一方、吐出検査処理においては、荷重検出部２２０により検出される衝撃荷重の変化に基づいて処理液の吐出状態および吐出量が検査されるので、貯留部２３０内に処理液が残存していても吐出状態および吐出量の検査には影響がない。そのため、吐出検査処理の終了後には、貯留部２３０に貯留された処理液は、積極的に排出されずに放置されてもよい。
【００６６】
また、貯留部２３０の高さは比較的小さいので、貯留部２３０に多量の処理液が残存した状態で貯留部２３０内に処理液が吐出された場合には、過剰な処理液が貯留部２３０から収容部２１０に溢れ出ることとなる。この場合でも、処理液の吐出状態および吐出量の検査には影響がない。
【００６７】
（ｃ）吐出状態および吐出量の判定
図６は、吐出検査処理において取得される荷重変化データに基づく荷重変化を示す図である。図６（ａ），（ｂ）の横軸は時間を示し、縦軸は衝撃荷重を示す。図６（ａ），（ｂ）においては、基準変化データに基づく基準変化が点線で示される。
【００６８】
荷重積算部４２３により算出される衝撃荷重の積算量は、図６（ａ），（ｂ）の横軸と荷重変化を示す曲線とにより囲まれる領域の面積に相当し、当該面積が処理液の吐出量に対応する。図６（ａ），（ｂ）の横軸と基準変化を示す曲線とにより囲まれる領域の面積が処理液の設定量に対応する。
【００６９】
図６（ａ）の例では、荷重変化は基準変化に略一致し、各時点における荷重変化データと基準変化データとの差が荷重許容差Δｉ未満である。そのため、本例では、処理液の吐出状態は正常であると判定される。また、図６（ａ）の横軸と荷重変化を示す曲線とにより囲まれる領域の面積は、図６（ａ）の横軸と基準変化を示す曲線とにより囲まれる領域の面積に略一致し、処理液の吐出量と設定量との差が吐出許容差未満である。そのため、本例では、処理液の吐出量は正常であると判定される。
【００７０】
一方、図６（ｂ）の例では、荷重変化は基準変化から大きく乖離し、複数の時点における荷重変化データと基準変化データとの差が荷重許容差Δｉ以上である。そのため、本例では、処理液の吐出状態は異常であると判定される。また、図６（ｂ）の横軸と荷重変化を示す曲線とにより囲まれる領域の面積は、図６（ｂ）の横軸と基準変化を示す曲線とにより囲まれる領域の面積と大きく異なり、処理液の吐出量と設定量との差が吐出許容差以上である。そのため、本例では、処理液の吐出量は異常であると判定される。
【００７１】
時間領域の全体の時点において荷重変化と基準変化との差が算出されてもよく、時間領域の一部の時点において荷重変化と基準変化との差が算出されてもよい。例えば、少数箇所（５箇所程度）の時点における荷重変化データと基準変化データとの差が算出されてもよい。この場合、処理液の吐出状態が正常であるか否かの判定を高速に行うことができる。
【００７２】
図６（ａ），（ｂ）の例では時点ｔ１〜ｔ５が予め設定される。ここで、各時点ｔ１〜ｔ５には、時点許容幅Δｔが設定されてもよい。各時点ｔ１〜ｔ５に設定される時点許容幅Δｔの範囲内で荷重変化と基準変化との差が荷重許容差Δｉ未満となる場合に、処理液の吐出状態は正常であると判定される。時点許容幅Δｔを小さく設定しかつ荷重許容差Δｉを小さく設定することにより、処理液の吐出状態を正確に検査することができる。
【００７３】
本実施の形態においては、図６（ａ），（ｂ）の基準変化を示す基準変化データは、処理液の吐出量が正常であるときに取得された衝撃荷重の時間変化を示すデータであるが、本発明はこれに限定されない。基準変化データは、以前の吐出検査処理において取得された衝撃荷重の時間変化を示すデータであってもよい。この場合、以前の処理液の吐出状態および吐出量と比較して、新たに吐出された処理液および吐出量の吐出状態に変化が生じたか否かを判定することができる。
【００７４】
具体的には、基準変化データは、最初の吐出検査処理において取得された衝撃荷重の時間変化を示すデータであってもよいし、直前の吐出検査処理において取得された衝撃荷重の時間変化を示すデータであってもよい。あるいは、以前の複数回吐出検査処理において取得された衝撃荷重の時間変化を示すデータの平均等であってもよい。
【００７５】
（ｄ）吐出検査処理
図７および図８は、吐出検査処理を示すフローチャートである。以下、図４〜図８を参照しながらローカルコントローラ４００の制御部４２０による吐出検査処理を説明する。
【００７６】
まず、制御部４２０は、検査対象である処理液ノズル２８を貯留部２３０の上方に移動させる（ステップＳ１）。次に、制御部４２０は、処理液ノズル２８から貯留部２３０内に処理液を吐出させる（ステップＳ２）。これにより、荷重検出部２２０は、衝撃荷重を検出する。続いて、制御部４２０は、荷重検出部２２０から荷重変化データを取得する（ステップＳ３）。その後、制御部４２０は、取得した荷重変化データに基づいて、所定期間における衝撃荷重の積算量を算出する（ステップＳ４）。
【００７７】
次に、制御部４２０は、算出した衝撃荷重の積算量および記憶部４１０に記憶されたテーブルまたは数式に基づいて処理液の吐出量を取得する（ステップＳ５）。続いて、制御部４２０は、取得した処理液の吐出量と記憶部４１０に記憶された処理液の設定量との差を算出する（ステップＳ６）。また、取得した荷重変化データと記憶部４１０に記憶された基準変化データとの差を算出する（ステップＳ７）。ステップＳ６，Ｓ７の処理は、いずれが先に行われてもよい。
【００７８】
ここで、制御部４２０は、算出した処理液の吐出量と設定量との差が記憶部４１０に記憶された吐出許容差未満であるか否かを判定する（ステップＳ８）。処理液の吐出量と設定量との差が吐出許容差未満である場合には、制御部４２０は、予め設定された複数の時点の全てにおいて、算出した荷重変化データと基準変化データとの差が記憶部４１０に記憶された荷重許容差未満であるか否かを判定する（ステップＳ９）。複数の時点の全てにおける荷重変化データと基準変化データとの差が荷重許容差未満である場合には、制御部４２０は吐出検査処理を終了する。
【００７９】
ステップＳ８において処理液の吐出量と設定量との差が吐出許容差以上である場合には、制御部４２０は、使用者に処理液の吐出量が異常である旨を通知し（ステップＳ１０）、吐出検査処理を終了する。また、ステップＳ９において複数の時点のいずれかにおける荷重変化データと基準変化データとの差が荷重許容差以上である場合には、制御部４２０は、使用者に処理液の吐出状態が異常である旨を通知し（ステップＳ１０）、吐出検査処理を終了する。ステップＳ８，Ｓ９の処理は、いずれが先に行われてもよい。
【００８０】
上記の吐出検査処理においては、処理液の吐出状態または吐出量が異常である場合に通知が行われ、処理液の吐出状態および吐出量が正常である場合に通知が行われないが、本発明はこれに限定されない。処理液の吐出状態および吐出量が正常である場合に通知が行われ、処理液の吐出状態または吐出量が異常である場合に通知が行われなくてもよい。あるいは、処理液の吐出状態および吐出量が正常である場合に正常を示す通知が行われ、処理液の吐出状態または吐出量が異常である場合に異常を示す通知が行われてもよい。
【００８１】
（４）熱処理部
図９は、図１の熱処理部１２３，１３３および洗浄乾燥処理部１６２の内部構成を示す模式的側面図である。図９に示すように、熱処理部１２３は、上方に設けられる上段熱処理部３０１および下方に設けられる下段熱処理部３０２を有する。上段熱処理部３０１および下段熱処理部３０２には、複数の熱処理ユニットＰＨＰ、複数の密着強化処理ユニットＰＡＨＰおよび複数の冷却ユニットＣＰが設けられる。
【００８２】
熱処理部１２３の最上部には、図５のローカルコントローラ４００が設けられる。ローカルコントローラ４００は、図１のメインコントローラ１１４からの指令に基づいて、上述のように図４の吐出検査ユニット２００の動作を制御する。また、ローカルコントローラ４００は、メインコントローラ１１４からの指令に基づいて、塗布処理部１２１、搬送部１２２および熱処理部１２３の動作を制御する。
【００８３】
熱処理ユニットＰＨＰにおいては、基板Ｗの加熱処理および冷却処理が行われる。密着強化処理ユニットＰＡＨＰにおいては、基板Ｗと反射防止膜との密着性を向上させるための密着強化処理が行われる。具体的には、密着強化処理ユニットＰＡＨＰにおいて、基板ＷにＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラサン）等の密着強化剤が塗布されるとともに、基板Ｗに加熱処理が行われる。冷却ユニットＣＰにおいては、基板Ｗの冷却処理が行われる。
【００８４】
熱処理部１３３は、上方に設けられる上段熱処理部３０３および下方に設けられる下段熱処理部３０４を有する。上段熱処理部３０３および下段熱処理部３０４には、冷却ユニットＣＰ、複数の熱処理ユニットＰＨＰおよびエッジ露光部ＥＥＷが設けられる。
【００８５】
熱処理部１３３の最上部には、図５のローカルコントローラ４００と同様の構成を有するローカルコントローラ５００が設けられる。ローカルコントローラ５００は、図１のメインコントローラ１１４からの指令に基づいて、現像処理室３１，３３の吐出検査ユニット３００および塗布処理室３２，３４の吐出検査ユニット２００の動作を制御する。また、ローカルコントローラ５００は、メインコントローラ１１４からの指令に基づいて、塗布現像処理部１３１、搬送部１３２および熱処理部１３３の動作を制御する。
【００８６】
エッジ露光部ＥＥＷにおいては、基板Ｗの周縁部の露光処理（エッジ露光処理）が行われる。基板Ｗにエッジ露光処理が行われることにより、後の現像処理時に、基板Ｗの周縁部上のレジスト膜が除去される。それにより、現像処理後において、基板Ｗの周縁部が他の部分と接触した場合に、基板Ｗの周縁部上のレジスト膜が剥離してパーティクルとなることが防止される。
【００８７】
洗浄乾燥処理部１６２には、複数（本例では５つ）の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２が設けられる。洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２においては、露光処理後の基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われる。
【００８８】
（５）搬送部
図１０は、搬送部１２２，１３２，１６３の内部構成を示す模式的側面図である。図１０に示すように、搬送部１２２は、上段搬送室１２５および下段搬送室１２６を有する。搬送部１３２は、上段搬送室１３５および下段搬送室１３６を有する。上段搬送室１２５には搬送機構１２７が設けられ、下段搬送室１２６には搬送機構１２８が設けられる。また、上段搬送室１３５には搬送機構１３７が設けられ、下段搬送室１３６には搬送機構１３８が設けられる。
【００８９】
塗布処理室２１，２２（図２）と上段熱処理部３０１（図９）とは上段搬送室１２５を挟んで対向し、塗布処理室２３，２４（図２）と下段熱処理部３０２（図９）とは下段搬送室１２６を挟んで対向する。現像処理室３１および塗布処理室３２（図２）と上段熱処理部３０３（図９）とは上段搬送室１３５を挟んで対向し、現像処理室３３および塗布処理室３４（図２）と下段熱処理部３０４（図９）とは下段搬送室１３６を挟んで対向する。
【００９０】
図１０に示すように、搬送部１１２と上段搬送室１２５との間には、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２が設けられ、搬送部１１２と下段搬送室１２６との間には、基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４が設けられる。上段搬送室１２５と上段搬送室１３５との間には、基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６が設けられ、下段搬送室１２６と下段搬送室１３６との間には、基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８が設けられる。
【００９１】
上段搬送室１３５と搬送部１６３との間には、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１が設けられ、下段搬送室１３６と搬送部１６３との間には載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ２が設けられる。搬送部１６３において搬入搬出ブロック１４Ｂと隣接するように、基板載置部ＰＡＳＳ９および複数の載置兼冷却部Ｐ−ＣＰが設けられる。
【００９２】
載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１は、搬送機構１３７および搬送機構１４１，１４２（図１）による基板Ｗの搬入および搬出が可能に構成される。載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ２は、搬送機構１３８および搬送機構１４１，１４２（図１）による基板Ｗの搬入および搬出が可能に構成される。また、基板載置部ＰＡＳＳ９および載置兼冷却部Ｐ−ＣＰは、搬送機構１４１，１４２（図１）および搬送機構１４６による基板Ｗの搬入および搬出が可能に構成される。
【００９３】
基板載置部ＰＡＳＳ１および基板載置部ＰＡＳＳ３には、インデクサブロック１１から第１の処理ブロック１２へ搬送される基板Ｗが載置される。基板載置部ＰＡＳＳ２および基板載置部ＰＡＳＳ４には、第１の処理ブロック１２からインデクサブロック１１へ搬送される基板Ｗが載置される。
【００９４】
基板載置部ＰＡＳＳ５および基板載置部ＰＡＳＳ７には、第１の処理ブロック１２から第２の処理ブロック１３へ搬送される基板Ｗが載置される。基板載置部ＰＡＳＳ６および基板載置部ＰＡＳＳ８には、第２の処理ブロック１３から第１の処理ブロック１２へ搬送される基板Ｗが載置される。
【００９５】
載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２には、第２の処理ブロック１３から洗浄乾燥処理ブロック１４Ａへ搬送される基板Ｗが載置される。載置兼冷却部Ｐ−ＣＰには、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａから搬入搬出ブロック１４Ｂへ搬送される基板Ｗが載置される。基板載置部ＰＡＳＳ９には、搬入搬出ブロック１４Ｂから洗浄乾燥処理ブロック１４Ａへ搬送される基板Ｗが載置される。
【００９６】
搬送機構１２７は、塗布処理室２１，２２（図２）、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２，ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６（図１０）および上段熱処理部３０１（図９）に対して基板Ｗの受け渡しを行う。搬送機構１２６は、塗布処理室２３，２４（図２）、基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４，ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８（図１０）および下段熱処理部３０２（図９）に対して基板Ｗの受け渡しを行う。
【００９７】
搬送機構１３７は、現像処理室３１（図２）、塗布処理室３２（図２）、基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６（図１０）、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１（図１０）および上段熱処理部３０３（図９）に対して基板Ｗの受け渡しを行う。搬送機構１３８は、現像処理室３３（図２）、塗布処理室３４（図２）、基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８（図１０）、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ２（図１０）および下段熱処理部３０４（図９）に対して基板Ｗの受け渡しを行う。
【００９８】
（６）基板処理
図１、図２、図９および図１０を参照しながら基板処理を説明する。インデクサブロック１１のキャリア載置部１１１（図１）には、未処理の基板Ｗが収容されたキャリア１１３が載置される。搬送機構１１５は、キャリア１１３から基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ３（図１０）に未処理の基板Ｗを搬送する。また、搬送機構１１５は、基板載置部ＰＡＳＳ２，ＰＡＳＳ４（図１０）に載置された処理済みの基板Ｗをキャリア１１３に搬送する。
【００９９】
第１の処理ブロック１２において、搬送機構１２７（図１０）は、基板載置部ＰＡＳＳ１に載置された未処理の基板Ｗを密着強化処理ユニットＰＡＨＰ（図９）、冷却ユニットＣＰ（図９）および塗布処理室２２（図２）に順に搬送する。次に、搬送機構１２７は、塗布処理室２２の基板Ｗを、熱処理ユニットＰＨＰ（図９）、冷却ユニットＣＰ（図９）、塗布処理室２１（図２）、熱処理ユニットＰＨＰ（図９）および基板載置部ＰＡＳＳ５（図１０）に順に搬送する。
【０１００】
この場合、密着強化処理ユニットＰＡＨＰにおいて、基板Ｗに密着強化処理が行われた後、冷却ユニットＣＰにおいて、反射防止膜の形成に適した温度に基板Ｗが冷却される。次に、塗布処理室２２において、塗布処理ユニット１２９（図２）により基板Ｗ上に反射防止膜が形成される。続いて、熱処理ユニットＰＨＰにおいて、基板Ｗの熱処理が行われた後、冷却ユニットＣＰにおいて、レジスト膜の形成に適した温度に基板Ｗが冷却される。次に、塗布処理室２１において、塗布処理ユニット１２９（図２）により、基板Ｗ上にレジスト膜が形成される。その後、熱処理ユニットＰＨＰにおいて、基板Ｗの熱処理が行われ、その基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ５に載置される。
【０１０１】
また、搬送機構１２７は、基板載置部ＰＡＳＳ６（図１０）に載置された現像処理後の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ２（図１０）に搬送する。
【０１０２】
搬送機構１２８（図１０）は、基板載置部ＰＡＳＳ３に載置された未処理の基板Ｗを密着強化処理ユニットＰＡＨＰ（図９）、冷却ユニットＣＰ（図９）および塗布処理室２４（図２）に順に搬送する。次に、搬送機構１２８は、塗布処理室２４の基板Ｗを、熱処理ユニットＰＨＰ（図９）、冷却ユニットＣＰ（図９）、塗布処理室２３（図２）、熱処理ユニットＰＨＰ（図９）および基板載置部ＰＡＳＳ７（図１０）に順に搬送する。
【０１０３】
また、搬送機構１２８（図１０）は、基板載置部ＰＡＳＳ８（図１０）に載置された現像処理後の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ４（図１０）に搬送する。塗布処理室２３，２４（図２）および下段熱処理部３０２（図９）における基板Ｗの処理内容は、上記の塗布処理室２１，２２（図２）および上段熱処理部３０１（図９）における基板Ｗの処理内容とそれぞれ同様である。
【０１０４】
第２の処理ブロック１３において、搬送機構１３７（図１０）は、基板載置部ＰＡＳＳ５に載置されたレジスト膜形成後の基板Ｗをエッジ露光部ＥＥＷ（図９）および載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１（図１０）に順に搬送する。この場合、エッジ露光部ＥＥＷにおいて、基板Ｗにエッジ露光処理が行われる。エッジ露光処理後の基板Ｗが載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１に載置される。
【０１０５】
また、搬送機構１３７（図１０）は、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａに隣接する熱処理ユニットＰＨＰ（図９）から露光処理後でかつ熱処理後の基板Ｗを取り出す。搬送機構１３７は、その基板Ｗを冷却ユニットＣＰ（図９）、現像処理室３１，３２（図２）のいずれか一方、熱処理ユニットＰＨＰ（図９）および基板載置部ＰＡＳＳ６（図１０）に順に搬送する。
【０１０６】
この場合、冷却ユニットＣＰにおいて、現像処理に適した温度に基板Ｗが冷却された後、現像処理室３１，３２のいずれか一方において、現像処理ユニット１３９により基板Ｗの現像処理が行われる。その後、熱処理ユニットＰＨＰにおいて、基板Ｗの熱処理が行われ、その基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ６に載置される。
【０１０７】
搬送機構１３８（図１０）は、基板載置部ＰＡＳＳ７に載置されたレジスト膜形成後の基板Ｗをエッジ露光部ＥＥＷ（図９）および載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ２（図１０）に順に搬送する。
【０１０８】
また、搬送機構１３８（図１０）は、インターフェイスブロック１４に隣接する熱処理ユニットＰＨＰ（図９）から露光処理後でかつ熱処理後の基板Ｗを取り出す。搬送機構１３８は、その基板Ｗを冷却ユニットＣＰ（図９）、現像処理室３３，３４（図２）のいずれか一方、熱処理ユニットＰＨＰ（図９）および基板載置部ＰＡＳＳ８（図１０）に順に搬送する。現像処理室３３，３４および下段熱処理部３０４における基板Ｗの処理内容は、上記の現像処理室３１，３２および上段熱処理部３０３における基板Ｗの処理内容とそれぞれ同様である。
【０１０９】
洗浄乾燥処理ブロック１４Ａにおいて、搬送機構１４１（図１）は、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２（図１０）に載置された基板Ｗを洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１（図２）および載置兼冷却部Ｐ−ＣＰ（図１０）に順に搬送する。この場合、洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１において基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われた後、載置兼冷却部Ｐ−ＣＰにおいて露光装置１５（図１）による露光処理に適した温度に基板Ｗが冷却される。
【０１１０】
搬送機構１４２（図１）は、基板載置部ＰＡＳＳ９（図１０）に載置された露光処理後の基板Ｗを洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２（図９）および上段熱処理部３０３または下段熱処理部３０４の熱処理ユニットＰＨＰ（図９）に順に搬送する。この場合、洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２において基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われた後、熱処理ユニットＰＨＰにおいて露光後ベーク（ＰＥＢ）処理が行われる。
【０１１１】
搬入搬出ブロック１４Ｂにおいて、搬送機構１４６（図１）は、載置兼冷却部Ｐ−ＣＰ（図１０）に載置された露光処理前の基板Ｗを露光装置１５の基板搬入部１５ａ（図１）に搬送する。また、搬送機構１４６（図１）は、露光装置１５の基板搬出部１５ｂ（図１）から露光処理後の基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ９（図１０）に搬送する。
【０１１２】
本実施の形態においては、上段に設けられた塗布処理室２１，２２、現像処理室３１，３２および上段熱処理部３０１，３０３における基板Ｗの処理と、下段に設けられた塗布処理室２３，２４、現像処理室３３，３４および下段熱処理部３０２，３０４における基板Ｗの処理とを並行して行うことができる。それにより、フットプリントを増加させることなく、スループットを向上させることができる。
【０１１３】
（７）変形例
図４の吐出検査ユニット２００の荷重検出部２２０は単一の荷重検出素子により構成されるが、本発明はこれに限定されない。荷重検出部２２０は、複数の荷重検出素子により構成されてもよい。
【０１１４】
図１１は、変形例における吐出検査ユニット２００の構成を示す図である。図１１（ａ）は吐出検査ユニット２００の平面図を示し、図１１（ｂ）は図１１（ａ）の吐出検査ユニット２００のＢ−Ｂ線断面図を示す。図１１（ａ）においては、図１１（ｂ）の処理液ノズル２８および洗浄ノズル２４０の図示を省略している。図１１の吐出検査ユニット２００は、以下の点を除き図４の吐出検査ユニット２００と同様の構成を有する。
【０１１５】
処理液ノズル２８の先端で処理液が凝固している場合、または処理液ノズル２８が他の部材または使用者と接触した場合等には、処理液の吐出の方向または分布が異常になることがある。図１１の吐出検査ユニット２００においては、処理液の吐出状態として、処理液の吐出の方向または分布が正常であるか否かを判定することができる。
【０１１６】
図１１（ａ），（ｂ）に示すように、荷重検出部２２０は３個の荷重検出素子２２１，２２２，２２３により構成される。荷重検出素子２２１〜２２３は、収容部２１０の底面部２１１の略中央部に配置される。貯留部２３０は、荷重検出素子２２１〜２２３上に略均等に支持されるように配置される。この構成においては、３個の荷重検出素子２２１，２２２，２２３により検出される衝撃荷重に対応する荷重変化データの合計が、図６（ａ），（ｂ）の実線の荷重変化を示す荷重変化データと等価となる。
【０１１７】
本例においては、記憶部４１０には、図６（ａ），（ｂ）の点線の基準変化を示す基準変化データに加えて、荷重検出素子２２１〜２２３の各々に対応する個別基準変化データが予め記憶される。なお、処理液の吐出状態が正常であるときに荷重検出素子２２１〜２２３により検出される衝撃荷重が互いに略等しい場合には、記憶部４１０には、荷重検出素子２２１〜２２３のいずれかに対応する個別基準変化データが予め記憶されてもよい。
【０１１８】
図５の判定部４２５は、各荷重検出素子２２１〜２２３に対応する荷重変化データと記憶部４１０に記憶された個別基準変化データとの差を算出する。記憶部４１０には、各荷重検出素子２２１〜２２３に対応する荷重変化データと個別基準変化データとの許容差を示す個別荷重許容差が予め記憶される。複数の時点において、各荷重検出素子２２１〜２２３に対応する荷重変化データと個別基準変化データとの差が記憶部４１０に記憶された個別荷重許容差未満である場合には、判定部４２５は処理液の吐出の方向または分布が正常であると判定する。
【０１１９】
図１２および図１３は、図１１の吐出検査ユニット２００を用いた吐出検査処理において取得される荷重変化を示す図である。図１２（ａ）〜（ｄ）および図１３（ａ）〜（ｄ）の横軸は時間を示し、縦軸は衝撃荷重を示す。
【０１２０】
図１２（ａ）および図１３（ａ）は、荷重検出素子２２１に対応する荷重変化を示す。図１２（ｂ）および図１３（ｂ）は、荷重検出素子２２２に対応する荷重変化を示す。図１２（ｃ）および図１３（ｃ）は、荷重検出素子２２３に対応する荷重変化を示す。図１２（ｄ）および図１３（ｄ）は、荷重検出素子２２１〜２２３に対応する荷重変化の合計を示す。したがって、図１２（ｄ）および図１３（ｄ）の荷重変化の合計は、図６（ａ），（ｂ）の実線の荷重変化と等価である。
【０１２１】
図１２の例では、図１２（ｄ）の荷重変化データの合計と基準変化データとの差が荷重許容差未満であり、かつ荷重変化データの合計から算出される処理液の吐出量と設定量との差が吐出許容差未満であるとする。また、荷重検出素子２２１〜２２３に対応する図１２（ａ）〜（ｃ）の荷重変化は互いに略等しく、複数の時点における各荷重変化データと個別基準変化データとの差は個別荷重許容差未満である。そのため、本例では、処理液の吐出量は正常であるとともに、処理液の吐出の方向または分布を含む処理液の吐出状態が正常であると判定される。
【０１２２】
一方、図１３の例では、図１３（ｄ）の荷重変化データの合計と基準変化データとの差が荷重許容差未満であり、かつ荷重変化データの合計から算出される処理液の吐出量と設定量との差が吐出許容差未満であるとする。しかしながら、図１３（ａ）の荷重変化と図１３（ｂ），（ｃ）の荷重変化とは著しく異なり、複数の時点における各荷重変化データと個別基準変化データとの差は個別荷重許容差以上である。そのため、本例では、処理液の吐出量は正常であるが、処理液の吐出の方向または分布が異常であると判定される。
【０１２３】
（８）効果
本実施の形態に係る基板処理装置１００においては、処理液ノズル２８から吐出される処理液による衝撃荷重が荷重検出部２２０により検出される。ここで、処理液ノズル２８からの処理液の吐出状態が異常である場合における衝撃荷重の時間変化は、処理液ノズル２８からの処理液の吐出状態が正常である場合における衝撃荷重の時間変化とは異なる。
【０１２４】
そこで、荷重検出部２２０により検出された衝撃荷重の時間変化が荷重変化取得部４２２により取得される。荷重変化取得部４２２により取得された衝撃荷重の時間変化に基づいて、処理液ノズル２８からの処理液の吐出状態が正常であるか否かが判定部４２５により判定される。
【０１２５】
また、所定期間における衝撃荷重の積算量が荷重積算部４２３により算出される。荷重積算部４２３により算出された衝撃荷重の積算量に基づいて、処理液ノズル２８からの処理液の吐出量が正常であるか否かが判定部４２５により判定される。
【０１２６】
この構成によれば、判定部４２５により処理液の吐出状態の異常を検出することができる。また、判定部４２５による処理液の吐出状態および吐出量が正常であるか否かの判定結果が通知部４２６により使用者に通知される。これにより、使用者は、処理液ノズル２８からの処理液の吐出状態が正常であるか否かの判定結果を容易に認識することができる。
【０１２７】
また、上記の吐出検査処理においては、荷重検出部２２０により検出される衝撃荷重の変化に基づいて処理液の吐出量が検査されるので、吐出検査処理の過程で処理液が揮発しても処理液の吐出量が正確に算出される。そのため、処理液の揮発性が高い場合でも、処理液の吐出量を正確に検査することができる。
【０１２８】
［２］第２の実施の形態
第１の実施の形態においては、荷重検出部２２０が吐出検査ユニット２００に設けられるが、本発明はこれに限定されない。荷重検出部２２０は、吐出検査ユニット２００に設けられなくてもよい。以下、第２の実施の形態に係る基板処理装置１００について、第１の実施の形態に係る基板処理装置１００と異なる点を説明する。
【０１２９】
図１４は、第２の実施の形態における処理液ノズルの縦断面図である。なお、本実施の形態に係る基板処理装置１００には、吐出検査ユニット２００が設けられない。図１４に示すように、処理液ノズル２８は、略水平に延びる水平部２８１と略垂直に延びる垂直部２８２とを含む。本実施の形態においては、水平部２８１および垂直部２８２は、テフロン（登録商標）等の樹脂により形成される。
【０１３０】
水平部２８１の内部には、処理液が通過する流路２８３が形成される。流路２８３は、水平部２８１の内部で略水平に延び、水平部２８１の端部近傍で垂直に折れ曲がる。垂直部２８２は、水平部２８１の一端から下方に突出するように設けられる。垂直部２８２の内部には、処理液が通過する流路２８４が形成される。水平部２８１の流路２８３と垂直部２８２の流路２８４とは連通する。
【０１３１】
本実施の形態においては、処理液ノズル２８の水平部２８１の内部における流路２８３の折れ曲がり部の近傍に荷重検出部２２０の荷重検出素子２２１が設けられる。荷重検出素子２２１と流路２８３との間には、微小な厚み（例えば数μｍ）を有する壁部２８１ａが形成される。それにより、荷重検出素子２２１と流路２８３とは、微小な距離離間する。そのため、流路２８３を処理液が通過する場合、荷重検出素子２２１は処理液に直接接触せずに処理液による衝撃荷重を検出する。
【０１３２】
荷重検出部２２０は、検出した衝撃荷重を図５のローカルコントローラ４００に与える。本実施の形態におけるローカルコントローラ４００の動作は、第１の実施の形態におけるローカルコントローラ４００の動作と同様である。本実施の形態においては、処理液ノズル２８に荷重検出部２２０が設けられるので、基板処理を実行しながら吐出検査処理を並列に実行することができる。
【０１３３】
［３］他の実施の形態
（ａ）第１の実施の形態において、吐出検査ユニット２００は収容部２１０、荷重検出部２２０および洗浄ノズル２４０を含むが、本発明はこれに限定されない。吐出検査ユニット２００は、収容部２１０、荷重検出部２２０および洗浄ノズル２４０の一部または全部を含まなくてもよい。吐出検査ユニット２００が貯留部２３０を含まない場合には、処理液ノズル２８は荷重検出部２２０上に処理液を吐出する。
【０１３４】
（ｂ）第１の実施の形態の変形例において、少なくとも１つの荷重検出素子２２１〜２２３に対応する個別基準変化データが記憶部４１０に記憶されるが、本発明はこれに限定されない。複数の荷重検出素子２２１〜２２３にそれぞれ対応する複数の衝撃変化データのばらつきに基づいて処理液の吐出の方向または分布が正常であるか否かが判定される場合には、個別基準変化データが記憶部４１０に記憶されなくてもよい。
【０１３５】
（ｃ）第１および第２の実施の形態において、吐出検査処理で処理液の吐出状態および吐出量の両方が検査されることが好ましいが、本発明はこれに限定されない。吐出検査処理で処理液の吐出状態が検査され、処理液の吐出量が検査されなくてもよい。
【０１３６】
（ｄ）第１および第２の実施の形態において、衝撃荷重の積算量に基づいて処理液の吐出量が取得されることが好ましいが、本発明はこれに限定されない。処理液の吐出量は取得されなくてもよい。この場合、処理液ノズル２８からの処理液の吐出量が正常であるときの荷重の積算量が基準積算量として記憶部４１０に記憶される。判定部４２５は、記憶部４１０に記憶された基準積算量に基づいて、処理液の吐出量が正常であるか否かを判定する。
【０１３７】
この構成においては、記憶部４１０に衝撃荷重の積算量と処理液の吐出量との関係を示すテーブルまたは数式が記憶されない。また、制御部４２０に吐出量取得部４２４が設けられない。
【０１３８】
（ｅ）第１および第２の実施の形態においては、荷重検出部２２０が処理液の荷重として処理液の衝撃荷重（動荷重）を検出するが、本発明はこれに限定されない。荷重検出部２２０が処理液の荷重として処理液の静荷重および動荷重の合計を検出してもよい。この場合、判定部４２５は、処理液の静荷重および動荷重の合計の時間変化に基づいて、処理液の吐出状態および吐出量が正常であるか否かを判定する。
【０１３９】
［４］請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応関係
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。
【０１４０】
上記の実施の形態では、基板Ｗが基板の例であり、基板処理装置１００が基板処理装置の例であり、処理液ノズル２８が処理液ノズルの例であり、荷重検出部２２０が荷重検出部の例である。荷重検出素子２２１〜２２３が荷重検出素子の例であり、判定部４２５が判定部の例であり、記憶部４１０が第１および第２の記憶部の例であり、荷重積算部４２３が荷重積算部の例である。吐出量取得部４２４が吐出量取得部の例であり、通知部４２６が通知部の例であり、貯留部２３０が貯留部の例であり、洗浄ノズル２４０が洗浄ノズルの例である。
【０１４１】
請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。
【産業上の利用可能性】
【０１４２】
本発明は、種々の処理液を用いた基板処理に有効に利用することができる。
【符号の説明】
【０１４３】
１１  インデクサブロック
１２  第１の処理ブロック
１３  第２の処理ブロック
１４  インターフェイスブロック
１４Ａ  洗浄乾燥処理ブロック
１４Ｂ  搬入搬出ブロック
１５  露光装置
１５ａ  基板搬入部
１５ｂ  基板搬出部
２０  待機部
２１〜２４，３２，３４  塗布処理室
２５，３５  スピンチャック
２７，３７  カップ
２８  処理液ノズル
２８ａ  把持部
２９  ノズル搬送機構
３０  エッジリンスノズル
３１，３３  現像処理室
３８  スリットノズル
３９  移動機構
１００  基板処理装置
１１１  キャリア載置部
１１２，１２２，１３２，１６３  搬送部
１１３  キャリア
１１４  メインコントローラ
１１５，１２７，１２８，１３７，１３８，１４１，１４２，１４６  搬送機構
１２１  塗布処理部
１２３，１３３  熱処理部
１２５，１３５  上段搬送室
１２６，１３６  下段搬送室
１２９  塗布処理ユニット
１３１  塗布現像処理部
１３９  現像処理ユニット
１６１，１６２  洗浄乾燥処理部
２００，３００  吐出検査ユニット
２１０  収容部
２１１  底面部
２１２  側面部
２１３  廃液口
２２０  荷重検出部
２２１〜２２３  荷重検出素子
２３０  貯留部
２４０  洗浄ノズル
２８１  水平部
２８１ａ  壁部
２８２  垂直部
２８３，２８４  流路
３０１，３０３  上段熱処理部
３０２，３０４  下段熱処理部
４００，５００  ローカルコントローラ
４１０  記憶部
４２０  制御部
４２１  塗布処理駆動部
４２２  荷重変化取得部
４２３  荷重積算部
４２４  吐出量取得部
４２５  判定部
４２６  通知部
ＣＰ  冷却ユニット
ＥＥＷ  エッジ露光部
ＰＡＨＰ  密着強化処理ユニット
ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ９  基板載置部
Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２  載置兼バッファ部
Ｐ−ＣＰ  載置兼冷却部
ＰＨＰ  熱処理ユニット
ＳＤ１，ＳＤ２  洗浄乾燥処理ユニット
Ｗ  基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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