(57)【要約】【課題】リードピンと、パッケージの側壁との間の共振に起因した高周波特性の劣化を抑えること。【解決手段】光モジュールは、パッケージと、基板と、リードピンと、接地パターンとを有する。基板は、パッケージに収容される基板であって、電気信号を伝送する信号パターンを有し、当該信号パターンの端部を超えてパッケージの側壁の向きへ延在し、信号パターンの端部と、パッケージの側壁との間に貫通孔が形成された。リードピンは、基板の貫通孔に挿入され、信号パターンの端部へ電気信号を入力する。接地パターンは、基板上の貫通孔を囲む領域の少なくとも一部に設けられた。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
パッケージと、
前記パッケージに収容される基板であって、電気信号を伝送する信号パターンを有し、当該信号パターンの端部を超えて前記パッケージの側壁の向きへ延在し、前記信号パターンの端部と、前記パッケージの側壁との間に貫通孔が形成された基板と、
前記基板の前記貫通孔に挿入され、前記信号パターンの端部へ前記電気信号を入力するリードピンと、
前記基板上の前記貫通孔を囲む領域の少なくとも一部に設けられた接地パターンと
を有することを特徴とする光モジュール。
【請求項２】
前記接地パターンは、
前記基板上の前記貫通孔を囲む領域のうち、前記リードピンと前記パッケージの側壁とに挟まれる領域に設けられたことを特徴とする請求項１に記載の光モジュール。
【請求項３】
前記接地パターンは、
前記基板上の前記貫通孔を囲む領域のうち、互いに隣り合う前記リードピンに挟まれる領域に設けられたことを特徴とする請求項１又は２に記載の光モジュール。
【請求項４】
前記パッケージに収容される他の基板であって、前記信号パターンの端部とは反対側の端部に電気的に接続される信号電極と、前記信号電極に沿って配置された接地電極とを有する他の基板をさらに有し、
前記接地パターンは、
前記基板上の前記貫通孔を囲む領域のうち、互いに隣り合う前記リードピンに挟まれる領域から前記信号パターンに沿って延在し、前記他の基板の前記接地電極に電気的に接続されることを特徴とする請求項３に記載の光モジュール。
【請求項５】
前記基板は、
前記接地パターンと、前記基板の内部に設けられた接地層、又は前記基板の前記接地パターンが設けられた面とは反対側の面上に設けられた接地層とを電気的に接続するスルーホールを有することを特徴とする請求項１〜４のいずれか一つに記載の光モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、光伝送システムの大容量化に伴い、光変調器等の光モジュールでは、変調速度の高速化と共に、構成の大規模化が進みつつある。このため、光モジュールを搭載する光送信機では、光導波路を形成する複数のマッハツェンダを１チップに集積し、小型化を図ることが望ましい。光モジュールでは、例えば４つのマッハツェンダにより光導波路が並列に形成され、各光導波路上に、信号電極と接地電極とが２本ずつパターニングされる。光モジュールは、２つの信号電極に、異なる電気信号を入力することで、多値変調の信号を生成する。この様な光モジュールでは、入力部の実装を容易とし実装面積を抑えるため、全ての電気信号の入力部をパッケージの片側に配置する。
【０００３】
入力部が片側に配置された光モジュールでは、パッケージの側面に設けられた同軸コネクタを介して、ＲＦ（Radio  Frequency）信号等の電気信号が入力される。また、同軸コネクタには、外部からの電気信号を入力するための同軸アダプタが接続される。しかしながら、光モジュールは、同軸アダプタの幅に合わせて、電気信号の入力される信号電極間のピッチを広げる必要があるため、チャネル数が増えた場合に、これに伴って実装面積が増大してしまう。
【０００４】
上述した実装面積の増大を抑えるため、パッケージに設けられたＦＰＣ（Flexible  Printed  Circuit）を介して、ＰＣＢ（Printed  Circuit  Board）側からの電気信号を入力する表面実装型の光モジュールが開発されている。この様な光モジュールでは、電気信号を入力するため、ＰＣＢと一端が半田で接続されたＦＰＣが、パッケージの向きに延在し、パッケージに収容された中継基板を介して、光導波路上の信号電極に電気的に接続される。また、光モジュールでは、中継基板上の信号パターンは、パッケージに埋め込まれたガラス端子のリードピンを介して、ＦＰＣと電気的に接続される。ＰＣＢからＦＰＣに入力されたＲＦ信号等の電気信号は、ＦＰＣを経由してリードピンに到達した後、中継基板上の信号パターンに入力され、中継基板上の信号パターンを経由して、光導波路上の信号電極に流れる。これにより、光モジュールは、同軸アダプタが撤廃されるため、電気信号の入力される信号電極間のピッチを狭くして、実装面積を小さくすることができる。その結果、光送信機の小型化が可能となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１２−４８１２１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
パッケージに埋め込まれたガラス端子のリードピンと、パッケージの側壁との間には、隙間が形成される。リードピンと、パッケージの側壁との間に形成された隙間の距離が、特定の距離に適合する場合、リードピンと、パッケージの側壁との間の共振が発生してしまう。特に、光変調器等のように高周波信号を扱う光モジュールでは、上述したリードピンと、パッケージの側壁との間の共振が高周波信号の電界分布を乱し、その結果、高周波特性が劣化してしまう。
【０００７】
開示の技術は、上記に鑑みてなされたものであって、リードピンと、パッケージの側壁との間の共振に起因した高周波特性の劣化を抑えることができる光モジュールを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本願の開示する光モジュールは、一つの態様において、パッケージと、基板と、リードピンと、接地パターンとを有する。前記基板は、前記パッケージに収容される基板であって、電気信号を伝送する信号パターンを有し、当該信号パターンの端部を超えて前記パッケージの側壁の向きへ延在し、前記信号パターンの端部と、前記パッケージの側壁との間に貫通孔が形成された。前記リードピンは、前記基板の前記貫通孔に挿入され、前記信号パターンの前記端部へ前記電気信号を入力する。前記接地パターンは、前記基板上の前記貫通孔を囲む領域の少なくとも一部に設けられた。
【発明の効果】
【０００９】
本願の開示する光モジュールの一つの態様によれば、リードピンと、パッケージの側壁との間の共振に起因した高周波特性の劣化を抑えることができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】図１は、前提技術の光モジュールの構成を示す上面図である。
【図２】図２は、前提技術における中継基板とＦＰＣとの接続部の一例を示す拡大上面図である。
【図３】図３は、前提技術における中継基板とＦＰＣとの接続部の一例を示す拡大断面図である。
【図４】図４は、実施例１における中継基板とＦＰＣとの接続部の一例を示す拡大上面図である。
【図５】図５は、実施例１における中継基板とＦＰＣとの接続部の一例を示す拡大断面図である。
【図６】図６は、実施例２における中継基板とＦＰＣとの接続部の一例を示す拡大上面図である。
【図７】図７は、実施例３における中継基板とＦＰＣとの接続部の一例を示す拡大上面図である。
【図８】図８は、実施例４における中継基板とＦＰＣとの接続部の一例を示す拡大上面図である。
【図９】図９は、実施例５における中継基板とＦＰＣとの接続部の一例を示す拡大上面図である。
【図１０】図１０は、上記各実施例の光モジュールが実装された送信機の構成を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下に、本願の開示する光モジュールの実施例を図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施例により開示技術が限定されるものではない。
【実施例１】
【００１２】
まず、実施例１の光モジュールの前提となる技術について説明する。図１は、前提技術の光モジュールの構成を示す上面図である。図１に示すように、光モジュール１は、プリント回路板（ＰＣＢ：Printed  Circuits  Board）１０上に結晶基板１１が設けられ、結晶基板１１上に形成された光導波路１２近傍に、電極１３が設けられることで形成される。ＰＣＢ１０は、例えばガラスエポキシ基板などであり、光モジュール１を構成する各種の部品を搭載する。結晶基板１１は、ＬｉＮｂＯ３（ＬＮ）、ＬｉＴａＯ２等の電気光学結晶により形成される。また、光導波路１２は、Ｔｉ等の金属膜を形成して熱拡散させる、あるいは、パターニング後に安息香酸中でプロトン交換する、ことにより形成される。光導波路１２は、マッハツェンダ干渉系を成し、電極１３は、マッハツェンダの平行導波路上に設けられている。
【００１３】
また、電極１３は、ｚ軸方向の電界による屈折率変化を利用するため、光導波路１２の真上に配置される。電極１３は、光導波路１２上に、信号電極と接地電極とがパターニングされることにより形成されるコプレーナ電極である。光モジュール１は、光導波路１２中を伝搬する光が上記信号電極と接地電極とにより吸収されるのを防ぐため、結晶基板１１と電極１３との間にバッファ層を有する。バッファ層は、厚さ０．２〜２μｍ程度のＳｉＯ２等により形成される。
【００１４】
光モジュール１は、高速で駆動する場合、上記信号電極と接地電極の終端を抵抗により接続して進行波電極とし、入力側からマイクロ波信号を印加する。このとき、電界によって、マッハツェンダを構成する２本の光導波路１２の屈折率が、それぞれ＋Δｎａ、−Δｎｂの様に変化し、これに伴い、光導波路１２間の位相差が変化する。その結果、マッハツェンダ干渉によって、位相変調された信号光が、光導波路１２から出力される。光モジュール１は、電極１３の断面形状を変化させることでマイクロ波の実効屈折率を制御して、光とマイクロ波との速度を整合させることにより、高速の光応答特性を得ることができる。
【００１５】
光モジュール１では、図１に示すように、結晶基板１１と光導波路１２と電極１３と中継基板１５とを収容するパッケージ１４に、中継基板１５を介して、ＦＰＣ１６が設けられている。ＦＰＣ１６は、一端がＰＣＢ１０と半田で接続されており、パッケージ１４の向きに延在し、パッケージ１４に収容された中継基板１５を介して、光導波路１２上の電極１３に電気的に接続される。また、光モジュール１では、中継基板１５上の信号パターン１５ａは、パッケージ１４に埋め込まれたガラス端子１７のリードピンを介して、ＦＰＣ１６と電気的に接続される。
【００１６】
ＰＣＢ１０からＦＰＣ１６に入力されたＲＦ信号等の電気信号は、パッケージ１４に埋め込まれたガラス端子１７のリードピンを介して、中継基板１５上の信号パターン１５ａに入力される。中継基板１５とＦＰＣ１６との間は、リードピンにより電気的に接続されるので、中継基板１５とＦＰＣ１６との接続部は、同軸アダプタを用いる場合と比較して、中継基板１５上の信号パターン１５ａ間のピッチを狭めることができ、高密度実装が可能となる。
【００１７】
図２は、前提技術における中継基板１５とＦＰＣ１６との接続部の一例を示す拡大上面図である。図３は、前提技術における中継基板１５とＦＰＣ１６との接続部の一例を示す拡大断面図である。図２及び図３に示すように、ＰＣＢ１０の電極パターン１０ａとＦＰＣ１６の一端とは、半田Ｓ１により接続されている。ＦＰＣ１６は、パッケージ１４の向きに延在する。一方、中継基板１５は、パッケージ１４に収容され、信号パターン１５ａを有する。信号パターン１５ａの一端と、電極１３に含まれる信号電極１３ａ及び接地電極１３ｂのうち信号電極１３ａとは、ワイヤＷ１により接続されている。信号パターン１５ａは、中継基板１５のパッケージ１４の側壁に対向する端部まで延在し、他端において、パッケージ１４に埋め込まれたガラス端子１７のリードピン１７ａ、半田Ｓ２及び半田Ｓ３によって、ＦＰＣ１６の他端に接合されている。また、信号パターン１５ａは、パッケージ１４に埋め込まれたガラス端子１７のリードピン１７ａを介して、ＦＰＣ１６と電気的に接続されている。これにより、ＰＣＢ１０からＦＰＣ１６に入力されたＲＦ信号等の電気信号は、ＦＰＣ１６を経由してリードピン１７ａに到達した後、中継基板１５上の信号パターン１５ａに入力され、信号パターン１５ａを経由して、信号電極１３ａに流れる。
【００１８】
ここで、図２及び図３に示した中継基板１５とＦＰＣ１６との接続部の問題点を説明する。図２及び図３に示した接続部では、パッケージ１４に埋め込まれたガラス端子１７のリードピン１７ａと、パッケージ１４の側壁との間に隙間が形成される。このため、リードピン１７ａと、パッケージ１４の側壁との間に形成された隙間の距離によっては、リードピン１７ａと、パッケージ１４の側壁との間の共振が発生してしまうことがあった。例えば、リードピン１７ａと、パッケージ１４の側壁との間に形成された隙間の距離が、リードピン１７ａを流れるＲＦ信号等の電気信号の共振周波数に応じた距離に適合する場合、リードピン１７ａと、パッケージ１４の側壁との間の共振が発生する恐れがあった。その結果、リードピン１７ａを流れるＲＦ信号等の電気信号の電界分布が乱されることがある。このような電気信号の電界分布の乱れは、高周波特性を劣化させる要因となる。そこで、実施例１の光モジュールでは、共振に起因した高周波特性の劣化を抑えることを目的として、中継基板とＦＰＣとの接続部の構造を工夫した。
【００１９】
次に、実施例１の光モジュールについて説明する。実施例１の光モジュールは、中継基板とＦＰＣとの接続部の構造を除き、上記前提技術の光モジュール１と同様の構成を有する。したがって、実施例１では、上記前提技術と共通する構成要素には、同一の参照符号を用いると共に、その詳細な説明は省略する。
【００２０】
図４は、実施例１における中継基板１１５とＦＰＣ１６との接続部の一例を示す拡大上面図である。図５は、実施例１における中継基板１１５とＦＰＣ１６との接続部の一例を示す拡大断面図である。図４及び図５に示すように、中継基板１１５は、パッケージ１４に収容され、信号パターン１１５ａを有する。信号パターン１１５ａの一端と、電極１３に含まれる信号電極１３ａ及び接地電極１３ｂのうち信号電極１３ａとは、ワイヤＷ１により接続されている。信号パターン１１５ａの信号電極１３ａと接続される一端とは反対側の他端は、中継基板１１５のパッケージ１４の側壁に対向する端部に到達しない。言い換えると、中継基板１１５は、信号パターン１１５ａの信号電極１３ａと接続される一端とは反対側の他端を超えてパッケージ１４の側壁の向きへ延在している。以下では、信号パターン１１５ａの信号電極１３ａと接続される一端とは反対側の他端を「信号パターン１１５ａの端部」と称する。
【００２１】
中継基板１１５は、信号パターン１１５ａの端部と、パッケージ１４の側壁との間に貫通孔１１５ｂを有する。中継基板１１５の貫通孔１１５ｂには、パッケージ１４に埋め込まれたガラス端子１７のリードピン１７ａが挿入される。信号パターン１１５ａは、信号パターン１１５ａの端部において、中継基板１１５の貫通孔１１５ｂに挿入されたリードピン１７ａ、半田Ｓ２及び半田Ｓ３によって、半田Ｓ１とは反対側のＦＰＣ１６の他端に接合されている。すなわち、信号パターン１１５ａは、中継基板１１５の貫通孔１１５ｂに挿入されたリードピン１７ａを介して、ＦＰＣ１６と電気的に接続されている。これにより、ＰＣＢ１０からＦＰＣ１６に入力されたＲＦ信号等の電気信号は、ＦＰＣ１６を経由してリードピン１７ａに到達した後、中継基板１１５上の信号パターン１１５ａに入力され、信号パターン１１５ａを経由して、信号電極１３ａに流れる。
【００２２】
中継基板１１５上の貫通孔１１５ｂを囲む領域の少なくとも一部には、図４及び図５に示すように、接地パターン１１８が設けられている。具体的には、接地パターン１１８は、中継基板１１５上の貫通孔１１５ｂを囲む領域のうち、リードピン１７ａとパッケージ１４の側壁とに挟まれる領域に設けられている。そして、接地パターン１１８の長さは、リードピン１７ａの直径よりも大きい。すなわち、前提技術では、接地パターン１１８が、リードピン１７ａとパッケージ１４の側壁との間に存在しなかった。このため、リードピン１７ａと、パッケージ１４の側壁との間の共振が発生する恐れがあった。その結果、リードピン１７ａを流れるＲＦ信号等の電気信号の電界分布が乱され、高周波特性が劣化する恐れがあった。
【００２３】
これに対して、実施例１の光モジュールでは、中継基板１１５上の貫通孔１１５ｂを囲む領域のうち、リードピン１７ａとパッケージ１４の側壁とに挟まれる領域に、長さがリードピン１７ａの直径よりも大きい接地パターン１１８が設けられる。これにより、接地パターン１１８によって、リードピン１７ａと、パッケージ１４の側壁との間が遮断される。このため、リードピン１７ａをＲＦ信号等の電気信号が流れる場合に、リードピン１７ａと、パッケージ１４の側壁との間の共振が回避され、リードピン１７ａを流れるＲＦ信号等の電気信号の電界分布の拡がりが接地パターン１１８によって抑えられる。その結果、リードピン１７ａを流れるＲＦ信号等の電気信号の電界分布の乱れが抑えられるので、高周波特性の劣化が抑えられる。
【００２４】
なお、図４及び図５では、中継基板１１５上の貫通孔１１５ｂを囲む領域のうち、リードピン１７ａとパッケージ１４の側壁とに挟まれる領域に、接地パターン１１８が断続的に設けられる例を示したが、開示技術はこれには限られない。例えば、互いに隣り合う接地パターン１１８が、連続的に接合されてもよい。
【００２５】
以上説明したように、実施例１の光モジュールは、パッケージ１４と、中継基板１１５と、リードピン１７ａと、接地パターン１１８とを有する。中継基板１１５は、パッケージ１４に収容される基板である。中継基板１１５は、電気信号を伝送する信号パターン１１５ａを有し、当該信号パターン１１５ａの端部を超えてパッケージ１４の側壁の向きへ延在し、信号パターン１１５ａの端部と、パッケージ１４の側壁との間に貫通孔１１５ｂが形成された。リードピン１７ａは、中継基板１１５の貫通孔１１５ｂに挿入され、信号パターン１１５ａの端部へ電気信号を入力する。接地パターン１１８は、中継基板１１５上の貫通孔１１５ｂを囲む領域の少なくとも一部に設けられた。このため、リードピン１７ａと、パッケージ１４の側壁との間の共振が回避され、リードピン１７ａを流れるＲＦ信号等の電気信号の電界分布の乱れが抑えられる。その結果、リードピン１７ａと、パッケージ１４の側壁との間の共振に起因した高周波特性の劣化を抑えることができる。
【００２６】
また、実施例１の光モジュールでは、接地パターン１１８は、中継基板１１５上の貫通孔１１５ｂを囲む領域のうち、リードピン１７ａとパッケージ１４の側壁とに挟まれる領域に設けられた。このため、リードピン１７ａを流れるＲＦ信号等の電気信号の電界分布の、パッケージ１４の側壁の向きへの拡がりが抑えられ、リードピン１７ａと、パッケージ１４の側壁との間の共振がより確実に回避される。その結果、リードピン１７ａと、パッケージ１４の側壁との間の共振に起因した高周波特性の劣化をより効率的に抑えることができる。
【実施例２】
【００２７】
次に、実施例２の光モジュールについて説明する。実施例２の光モジュールは、接地パターンの設置位置を除き、実施例１の光モジュールと同様の構成を有する。したがって、実施例２では、上記実施例１と共通する構成要素には、同一の参照符号を用いると共に、その詳細な説明は省略する。
【００２８】
図６は、実施例２における中継基板１１５とＦＰＣ１６との接続部の一例を示す拡大上面図である。図６に示すように、実施例２の光モジュールでは、接地パターン２１８は、中継基板１１５上の貫通孔１１５ｂを囲む領域のうち、互いに隣り合うリードピン１７ａ，１７ａに挟まれる領域に設けられている。具体的には、接地パターン２１８は、接地パターン２１８が互いに隣り合うリードピン１７ａ，１７ａを結ぶ線分に対して交差する線分に沿って延在するように、互いに隣り合うリードピン１７ａに挟まれる領域に設けられている。そして、接地パターン２１８の長さは、リードピン１７ａの直径よりも大きい。これにより、接地パターン２１８によって、互いに隣り合うリードピン１７ａ，１７ａの間が遮断される。
【００２９】
以上説明したように、実施例２の光モジュールでは、接地パターン２１８は、中継基板１１５上の貫通孔１１５ｂを囲む領域のうち、互いに隣り合うリードピン１７ａ，１７ａに挟まれる領域に設けられた。このため、互いに隣り合うリードピン１７ａ，１７ａの間が遮断され、互いに隣り合うリードピン１７ａ，１７ａをそれぞれ流れるＲＦ信号等の電気信号の電界分布の拡がりが抑えられる。その結果、互いに隣り合うリードピン１７ａ，１７ａの間のクロストークを低減することができる。
【実施例３】
【００３０】
次に、実施例３の光モジュールについて説明する。実施例３の光モジュールは、接地パターンの設置位置を除き、実施例１の光モジュールと同様の構成を有する。したがって、実施例３では、上記実施例１と共通する構成要素には、同一の参照符号を用いると共に、その詳細な説明は省略する。
【００３１】
図７は、実施例３における中継基板１１５とＦＰＣ１６との接続部の一例を示す拡大上面図である。図７に示すように、実施例３の光モジュールでは、接地パターン１１８は、中継基板１１５上の貫通孔１１５ｂを囲む領域のうち、リードピン１７ａとパッケージ１４の側壁とに挟まれる領域に設けられている。互いに隣り合う接地パターン１１８，１１８は、連続的に接合されている。連続的に接合された複数の接地パターン１１８のうち最も外側に配置された接地パターン１１８は、中継基板１１５の長手方向に屈曲して延在している。
【００３２】
また、接地パターン２１８は、中継基板１１５上の貫通孔１１５ｂを囲む領域のうち、互いに隣り合うリードピン１７ａ，１７ａに挟まれる領域に設けられている。接地パターン２１８の一端は、互いに隣り合う接地パターン１１８の接合部に接合されている。
【００３３】
なお、図７では、互いに隣り合う接地パターン１１８，１１８は、連続的に接合され、かつ、接地パターン２１８の一端は、互いに隣り合う接地パターン１１８，１１８の接合部に接合されている例を示したが、開示技術はこれには限られない。例えば、互いに隣り合う接地パターン１１８，１１８が分離されてもよく、また、接地パターン２１８と、接地パターン１１８とは、分離されてもよい。
【００３４】
以上説明したように、実施例３の光モジュールでは、接地パターン１１８は、中継基板１１５上の貫通孔１１５ｂを囲む領域のうち、リードピン１７ａとパッケージ１４の側壁とに挟まれる領域に設けられた。このため、リードピン１７ａを流れるＲＦ信号等の電気信号の電界分布の、パッケージ１４の側壁の向きへの拡がりが抑えられ、リードピン１７ａと、パッケージ１４の側壁との間の共振がより確実に回避される。また、実施例３の光モジュールでは、接地パターン２１８は、中継基板１１５上の貫通孔１１５ｂを囲む領域のうち、互いに隣り合うリードピン１７ａ，１７ａに挟まれる領域に設けられた。このため、互いに隣り合うリードピン１７ａ，１７ａの間が遮断され、互いに隣り合うリードピン１７ａ，１７ａをそれぞれ流れるＲＦ信号等の電気信号の電界分布の拡がりが抑えられる。その結果、リードピン１７ａと、パッケージ１４の側壁との間の共振に起因した高周波特性の劣化をより効率的に抑えることができると共に、互いに隣り合うリードピン１７ａ，１７ａの間のクロストークを低減することができる。
【実施例４】
【００３５】
次に、実施例４の光モジュールについて説明する。実施例４の光モジュールは、中継基板１１５がスルーホールを有する点を除き、実施例３の光モジュールと同様の構成を有する。したがって、実施例４では、上記実施例３と共通する構成要素には、同一の参照符号を用いると共に、その詳細な説明は省略する。
【００３６】
図８は、実施例４における中継基板１１５とＦＰＣ１６との接続部の一例を示す拡大上面図である。図８に示すように、実施例４の光モジュールでは、中継基板１１５は、接地パターン１１８と、中継基板１１５の内部に設けられた接地層とを電気的に接続するスルーホール１１５ｃを有する。また、中継基板１１５は、接地パターン２１８と、中継基板１１５の内部に設けられた接地層とを電気的に接続するスルーホール１１５ｄを有する。
【００３７】
以上説明したように、実施例４の光モジュールでは、中継基板１１５は、接地パターン１１８と、中継基板１１５の内部に設けられた接地層とを電気的に接続するスルーホール１１５ｃ等を有する。このため、スルーホール１１５ｃ等によって、中継基板１１５の内部の電界分布の拡がりが抑えられる。その結果、中継基板１１５の内部において、リードピン１７ａと、パッケージ１４の側壁との間の共振に起因した高周波特性の劣化をより効率的に抑えることができると共に、互いに隣り合うリードピン１７ａ，１７ａの間のクロストークを低減することができる。
【００３８】
なお、上記実施例４では、スルーホールは、接地パターンと、中継基板１１５の内部に設けられた接地層とを電気的に接続する例を示したが、開示技術はこれには限られない。例えば、スルーホールは、接地パターンと、中継基板１１５の接地パターンが設けられた面とは反対側の面上に設けられた接地層とを電気的に接続しても良い。
【実施例５】
【００３９】
次に、実施例５の光モジュールについて説明する。実施例５の光モジュールは、接地パターンの形状を除き、実施例４の光モジュールと同様の構成を有する。したがって、実施例５では、上記実施例４と共通する構成要素には、同一の参照符号を用いると共に、その詳細な説明は省略する。
【００４０】
図９は、実施例５における中継基板１１５とＦＰＣ１６との接続部の一例を示す拡大上面図である。図９に示すように、実施例５の光モジュールでは、接地パターン２１８は、中継基板１１５上の貫通孔１１５ｂを囲む領域のうち、互いに隣り合うリードピン１７ａ，１７ａに挟まれる領域から信号パターン１１５ａに沿って延在する。そして、接地パターン２１８は、ワイヤＷ２を介して、結晶基板１１の接地電極１３ｂに接続されている。
【００４１】
なお、連続的に接合された複数の接地パターン１１８のうち最も外側に配置された接地パターン１１８は、中継基板１１５の長手方向に屈曲し、信号パターン１１５ａに沿って延在し、ワイヤＷ３を介して、結晶基板１１の接地電極１３ｂに接続されている。
【００４２】
以上説明したように、実施例５の光モジュールでは、結晶基板１１を有する。結晶基板１１は、パッケージ１４に収容される他の基板であって、信号パターン１１５ａの端部とは反対側の端部に電気的に接続される信号電極１３ａと、信号電極１３ａに沿って配置された接地電極１３ｂとを有する。接地パターン２１８は、中継基板１１５上の貫通孔１１５ｂを囲む領域のうち、互いに隣り合うリードピン１７ａ，１７ａに挟まれる領域から信号パターン１１５ａに沿って延在し、結晶基板１１の接地電極１３ｂに電気的に接続されている。このため、互いに隣り合うリードピン１７ａ，１７ａをそれぞれ流れるＲＦ信号等の電気信号の電界分布の拡がりが抑えられるとともに、互いに隣り合う信号パターン１１５ａ，１１５ａをそれぞれ流れるＲＦ信号等の電気信号の電界分布の拡がりが抑えられる。その結果、互いに隣り合うリードピン１７ａ，１７ａの間のクロストークと、互いに隣り合う信号パターン１１５ａ，１１５ａの間のクロストークとを低減することができる。
【００４３】
（適用例）
上記各実施例の光モジュールを用いた光変調器は、高い信頼性と実装性とを両立し得ることから、例えば、送信機への適用が有効である。図１０は、上記各実施例の光モジュールが実装された送信機５００の構成を示す図である。図１０に示すように、送信機５００は、データ生成回路５０１と、光変調器５０２と、光ファイバ５０３とを有する。また、データ生成回路５０１はドライバ５０１ａを有し、光変調器５０２はＬＤ（Laser  Diode）５０２ａを有する。これら各構成部分は、一方向又は双方向に、各種信号やデータの入出力が可能な様に接続されている。データ生成回路５０１により生成されたデータは、光変調器５０２により、電気信号から光信号に変換された後、光ファイバ５０３を伝送媒体として、装置外部に送信される。
【００４４】
特に、上記各実施例の光モジュールは、中継基板１１５とＦＰＣ１６との接続部を用いて電気信号の入力を行う光変調器への適用が有効である。この様な光変調器としては、例えば、Ｉ／Ｑ（In-phase／Quadrature）光変調器、偏波多重光変調器、光送受信一体デバイス等がある。なお、上記各実施例の光モジュールは、送信機に限らず受信機（レシーバ）へ適用してもよい。
【００４５】
また、上記説明では、個々の実施例毎に個別の構成、及び動作を説明した。しかしながら、上記各実施例の光モジュールは、他の変形例に特有の構成要素を併せて有するものとしてもよい。また、実施例毎の組合せについても、２つに限らず、３つ以上の組合せ等、任意の形態を採ることが可能である。例えば、上記実施例１、２の光モジュールの中継基板１１５が、実施例４におけるスルーホール１１５ｃ等を有してもよい。さらに、１つの光モジュールが、両立可能な範囲内で、上記実施例１〜５において説明した全ての構成要素を併有するものとしてもよい。
【符号の説明】
【００４６】
１１  結晶基板
１３ａ  信号電極
１３ｂ  接地電極
１４  パッケージ
１６  ＦＰＣ
１７  ガラス端子
１７ａ  リードピン
１１５  中継基板
１１５ａ  信号パターン
１１５ｂ  貫通孔
１１５ｃ、１１５ｄ  スルーホール
１１８、２１８  接地パターン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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