(57)【要約】      （修正有）【課題】光のクロストークが大幅に抑制され、照射像における明部（導通状態の素子に対応する照射部分）及び暗部（非導通状態の素子に対応する照射部分）間の境界が明確な発光装置、また、素子間領域に起因する暗部の形成が大幅に抑制された高性能かつ高輝度の発光装置を提供する。【解決手段】搭載基板１１と、搭載基板１１上にマトリクス状に並置された複数の発光素子２０と、複数の発光素子２０の上面全体を覆うように形成された透光板３０と、隣接する発光素子２０間の領域において透光板３０から搭載基板１１に向けて形成された透光壁３１と、透光壁３１における一方の発光素子２０Ａ側の壁面３１ＳＡ及び他方の発光素子２０Ｂ側の壁面３１ＳＢのうち、いずれか一方の壁面３１Ｓを覆うように形成された光反射膜ＬＲと、を有する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
搭載基板と、
前記搭載基板上にマトリクス状に並置された複数の発光素子と、
前記複数の発光素子の上面全体を覆うように形成された透光板と、
隣接する前記発光素子間の領域において前記透光板から前記搭載基板に向けて形成された透光壁と、
前記透光壁における一方の発光素子側の壁面及び他方の発光素子側の壁面のうち、いずれか一方の壁面を覆うように形成された光反射膜と、を有することを特徴とする発光装置。
【請求項２】
前記複数の発光素子の各々は発光層を含み、
前記透光壁は、前記発光層を越える位置まで延びていることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記光反射膜は、前記透光壁の頂面を覆うように形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の発光装置。
【請求項４】
前記透光壁は、前記隣接する前記発光素子の領域間を連通させる連通部を有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１つに記載の発光装置。
【請求項５】
前記複数の発光素子の各々は、支持体を介して前記搭載基板上に搭載されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１つに記載の発光装置。
【請求項６】
前記透光壁は、隣接する前記支持体の領域間に延びていることを特徴とする請求項５に記載の発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光ダイオード（ＬＥＤ）などの発光素子を複数個用いた発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体発光素子は、通常、成長用基板上に、ｎ型半導体層、発光層及びｐ型半導体層からなる半導体構造層を成長し、それぞれｎ型半導体層及びｐ型半導体層に電圧を印加するｎ電極及びｐ電極を形成して作製される。さらに、放熱性能の向上を図る半導体発光素子として、半導体構造層を成長用基板とは別の支持基板に接合した後、成長用基板を除去した半導体発光素子が知られている。また、例えば複数の半導体発光素子を実装基板上に固定し、さらに波長変換用の蛍光体層を形成した後、樹脂などで封止することによって、半導体発光装置が作製される。
【０００３】
特許文献１には、ＬＥＤを有してなるドット状に形成された発光単位と、透光性板材と、透光性板材の裏面に垂直に接合され、発光単位をそれぞれ個別に隔離する遮光性隔壁とを有するＬＥＤ発光表示装置が開示されている。また、特許文献２には、透光面で構成される側面を有する第１ＬＥＤ装置と、遮光面で構成される側面を有する第２ＬＥＤ装置とを有し、第１ＬＥＤ装置の透光面と第２ＬＥＤ装置の遮光面とが対向するように載置されたＬＥＤモジュールが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開2008-218674号公報
【特許文献２】国際公開第2014/087938号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
近年、自動車用ヘッドライトにおいて、前方の状況、すなわち対向車や前走車などの有無及びその位置に応じて配光形状をリアルタイムで制御する技術が注目されている。この技術によって、ドライバに対して常にハイビームに近い視界を与えることができ、その一方で対向車に眩惑光（グレア）を与えることが防止される。このような配光可変型のヘッドライトシステムは、例えば、複数の発光素子をアレイ状に配置した発光装置を作製し、当該発光素子の各々への導通及び非導通をリアルタイムで制御することによって実現することができる。
【０００６】
しかし、一般に、複数の発光素子が並置された発光装置を光源として用いる場合、その照射像にはわずかな暗部（暗線）が形成されることがある。この暗部形成の主な原因は、並置された発光素子の隣接する素子との間に設けられた素子間領域（非発光領域）の存在である。この暗部の形成を抑制することを考慮すると、並置された素子間の距離は小さいことが好ましい。
【０００７】
しかし、素子間の距離を小さくした場合、導通状態の素子から放出された光の一部が隣接する非導通状態の素子に伝播してしまう場合がある。このいわゆる光のクロストークによって、非導通状態の素子からも弱い光が放出されているような状態となる場合がある。複数の素子を用いる発光装置の様々な応用分野において、光のクロストークはないことが望ましい。
【０００８】
本発明は上記した点に鑑みてなされたものであり、光のクロストークが大幅に抑制され、照射像における明部（導通状態の素子に対応する照射部分）及び暗部（非導通状態の素子に対応する照射部分）間の境界が明確な発光装置を提供することを目的としている。また、素子間領域に起因する暗部の形成が大幅に抑制された高性能かつ高輝度の発光装置を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明による発光装置は、搭載基板と、搭載基板上にマトリクス状に並置された複数の発光素子と、複数の発光素子の上面全体を覆うように形成された透光板と、隣接する発光素子間の領域において透光板から搭載基板に向けて形成された透光壁と、透光壁における一方の発光素子側の壁面及び他方の発光素子側の壁面のうち、いずれか一方の壁面を覆うように形成された光反射膜と、を有することを特徴としている。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】（ａ）は実施例１に係る発光装置の模式的な上面図であり、（ｂ）は実施例１に係る発光装置の断面図である。
【図２】実施例１に係る発光装置内の光の進路を模式的に示す断面図である。
【図３】実施例１の変形例１に係る発光装置の構造を示す断面図である。
【図４】実施例１の変形例２に係る発光装置の模式的な上面図である。
【図５】実施例１の変形例３に係る発光装置の構造を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下に本発明の実施例について詳細に説明する。
【実施例１】
【００１２】
図１（ａ）は、実施例１の発光装置１０の上面を模式的に示す図である。図１（ｂ）は、発光装置１０の構造を示す断面図である。図１（ｂ）は、図１（ａ）のＶ−Ｖ線に沿った断面図である。発光装置１０は、搭載基板１１上に複数の発光素子２０（以下、単に素子と称する場合がある）がマトリクス状（ｍ行ｎ列、ｍ≧１、ｎ≧１）に並置された構造を有している。本実施例においては、発光装置１０は、複数の発光素子２０の各々の導通及び非導通が独立して切替わるように構成されている場合について説明する。すなわち、本実施例においては、発光素子２０の各々の点消灯が個別に切替わる。
【００１３】
また、図１（ａ）に示すように、本実施例においては、搭載基板１１に垂直な方向から見たとき、発光素子２０の各々が矩形形状を有する場合について説明する。また、発光素子２０が３行３列でマトリクス状に配列されている場合について説明する。以下においては、複数の発光素子２０のうち、隣接して整列した２つの特定の発光素子２０を、発光素子２０Ａ及び２０Ｂに区別して説明する。
【００１４】
発光装置１０は、複数の発光素子２０の上面全体を覆うように形成された透光板３０を有している。透光板３０は、発光素子２０の各々からの放出光に対して透光性を有している。透光板３０は、発光装置１０における光取出し部（光取出し領域）として機能する。透光板３０は、例えばサファイアなどを用いたガラス材料からなる。発光素子２０から放出された光は、透光板３０の主面の一方に入射し、他方の主面から出射する。透光板３０から出射された光は外部に取出される。
【００１５】
発光装置１０は、隣接する発光素子２０間の領域において透光板３０から搭載基板１１に向けて形成された透光壁３１を有している。透光壁３１は、発光素子２０の素子間領域（隣接する発光素子２０間の領域）に延在し、格子状に形成されている。すなわち、透光壁３１は、素子間領域において隣接する発光素子２０の領域を隔離するように形成されている。本実施例においては、透光壁３１は、発光素子２０の各々の側面全体を取り囲むように形成されている。また、透光壁３１は、上面視において発光素子２０の側面に平行に配置されている。透光壁３１は、発光素子２０の各々からの放出光に対して透光性を有している。透光壁３１は、例えばエポキシ樹脂をベースとしたフォトレジストからなる。
【００１６】
発光装置１０は、透光壁３１における一方の発光素子２０側の壁面（第１の壁面）３１Ｓ及び他方の発光素子２０側の壁面（第２の壁面）３１Ｓのうち、いずれか一方の壁面３１Ｓ（本実施例においては壁面３１ＳＡ）を覆うように形成された光反射膜ＬＲを有している。ここでは、理解の容易さのため、発光素子２０Ａ及び２０Ｂ間を隔てるように設けられた透光壁３１の壁面３１Ｓのうち、発光素子２０Ａ側の壁面３１Ｓを壁面３１ＳＡと称し、発光素子２０Ｂ側の壁面３１Ｓを壁面３１ＳＢと称する。
【００１７】
図１（ａ）に示すように、光反射膜ＬＲは、発光素子２０Ａ及び２０Ｂ間に設けられた透光壁３１の壁面（側面）３１ＳＡ及び３１ＳＢのうち、いずれか一方の壁面のみ（本実施例では壁面３１ＳＡ）を覆うように形成されている。光反射膜ＬＲは、例えばＰｔ、Ａｇ、Ａｌなどの金属材料からなる。なお、図１（ａ）においては、図の明確さのため、光反射膜ＬＲの形成領域にハッチングを施している。また、以下においては、透光壁３１の両壁面３１Ｓを壁面対ＰＳと称する場合がある。
【００１８】
発光装置１０の発光領域は、光反射膜ＬＲによって複数の発光セグメントＥＳに区画される。本実施例においては、発光セグメントＥＳは、発光素子２０の外縁によってではなく、透光壁３１の壁面３１Ｓの一方に設けられた光反射膜ＬＲによって画定される。すなわち、素子領域のみならず、素子間領域も発光セグメントＥＳとして使用する。従って、素子間領域に対応する暗部が照射像に顕在化することが大幅に抑制される。また、発光セグメントＥＳが光反射膜ＬＲによって明確に画定されるため、素子間における光のクロストークが防止される。
【００１９】
次に、図１（ｂ）を用いて、発光素子２０について説明する。発光素子２０は、例えば、ＡｌxＩｎyＧａ1-x-yＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）の組成を有する半導体構造層（図示せず）を有し、半導体構造層は発光層ＬＥを有する。すなわち、本実施例においては、発光素子２０は、発光層ＬＥを含む半導体発光素子である。また、発光素子２０の光取出し面は凹凸構造を有している。発光素子２０の光取出し面が凹凸構造を有することによって、多くの光が発光素子２０から取出され、光取出し効率が向上する。
【００２０】
透光壁３１は、発光層ＬＥを越える位置まで延びている。すなわち、図１（ｂ）に示すように、発光素子２０Ａの発光層ＬＥと発光素子２０Ｂの発光層ＬＥとは、透光壁３１によって、発光層ＬＥの層内方向において完全に遮られている。従って、隣接する発光素子２０Ａ及び２０Ｂ間における光のクロストークが大きく抑制される。
【００２１】
また、光反射膜ＬＲは、透光壁３１の頂面（透光板３０とは反対側の端面）３１Ｔを覆うように形成されている。すなわち、光反射膜ＬＲは、透光壁３１の壁面３１Ｓの一方と頂面３１Ｔとの両方を覆うように形成されている。透光壁３１の頂面３１Ｔが光反射膜ＬＲに覆われていることによって、光のクロストーク抑制効果が向上し、光取り出し効率が向上する。
【００２２】
なお、本実施例においては、透光壁３１が発光層ＬＥを越える位置まで形成され、透光壁３１の頂面３１Ｔが光反射膜ＬＲに覆われている場合について説明した。しかし、透光壁３１は発光層ＬＥを越えていなくてもよく、光反射膜ＬＲは透光壁３１の頂面３１Ｔを覆っていなくてもよい。
【００２３】
次に、図１（ｂ）に示すように、透光板３０と発光素子２０との間には、蛍光体ＰＰを含む蛍光体層（図示せず）が形成されている。蛍光体ＰＰは発光素子２０と透光壁３１との間にも形成されている。発光素子２０から放出された光は、蛍光体層に入射する。そして、蛍光体ＰＰによって一部の光の波長（発光色）が変換される。これによって、取出される光の波長の調節が行われる。
【００２４】
蛍光体ＰＰは、例えばＹＡＧ：Ｃｅ蛍光体（ＹＡＧ（イットリウム・アルミニウム・ガーネット）に付活剤としてＣｅ（セリウム）を導入した蛍光体）からなる。なお、蛍光体ＰＰとして複数の種類の蛍光体粒子を用いてもよい。また、取出されるべき光の波長（発光色）によっては、蛍光体ＰＰが設けられていなくてもよい。
【００２５】
ここで、発光装置１０の作製方法の一例について説明する。発光装置１０は、発光素子２０が並置された搭載基板１１と、透光壁３１及び蛍光体ＰＰが形成された透光板３０とを接着することで作製することができる。具体的には、まず搭載基板１１上にマトリクス状に発光素子２０を形成する。次に、透光板３０上に格子状に透光壁３１を形成し、透光壁３１を埋設するように透光板３０の主面に蛍光体ＰＰを含むバインダ（図示せず）を塗布する。次に、透光板３０を加熱し、蛍光体ＰＰを硬化させる。
【００２６】
続いて、発光素子２０の上面上に接着剤を塗布し、透光壁３１が発光素子２０の素子間領域に配置されるように透光板３０を発光素子２０上に密着させる。続いて発光素子２０上の接着剤を硬化させて、発光素子２０上に透光板３０を固定する。このようにして、発光装置１０を作製することができる。
【００２７】
図２は、発光装置１０内の光の進路を模式的に示す図である。図２は、図１（ｂ）と同様の断面図であるが、一部のハッチングを省略している。図２を用いて、発光素子２０からの放出光における発光装置１０から取出されるまでの進路について説明する。まず、発光層ＬＥから発光素子２０の上面に向かって放出された光Ｌ１は、発光素子２０の上面（光取出し面）から出射し、透光板３０を透過して外部に取出される。次に、発光層ＬＥから、光反射膜ＬＲが形成された透光壁３１の壁面３１Ｓに向かって放出された光（例えば発光素子２０Ａから壁面３１ＳＡに向かう光）Ｌ２は、光反射膜ＬＲによって反射された後、透光板３０を透過して外部に取出される。
【００２８】
次に、発光層ＬＥから、光反射膜ＬＲが形成されていない透光壁３１の壁面３１Ｓに向かって放出された光（例えば発光素子２０Ｂから壁面３１ＳＢに向かう光）Ｌ３は、透光壁３１内に入射した後、透光壁３１内において光反射膜ＬＲによって反射される。光Ｌ３は、その後、透光壁３１から出射し、透光板３０を透過して外部に取出される。
【００２９】
このようにして、発光素子２０からの放出光は、他の素子領域に伝播する（クロストークが発生する）ことなく、自身の領域上における透光板３０に向かって進む。また、透光壁３１を透光板３０から形成することで、発光素子２０の光取出し方向において発光素子２０の上面（光取出し面）を越えて光反射膜ＬＲを形成することができる。従って、発光素子２０から比較的小さな角度（発光層ＬＥに垂直な方向に近い角度）で放出された光についても、光反射膜ＬＲによって、他の素子領域に向かおうとする光を自身の素子領域に戻すことが可能となる。従って、光のクロストークがさらに抑制される。
【００３０】
また、光は透光壁３１からも出射される。従って、素子間領域や透光壁３１の形成領域が照射像の暗線の形成要因となることが抑制される。
【００３１】
従って、例えば発光素子２０Ａ及び２０Ｂの両方を導通状態とした場合には、照射像に暗線（ダークグリッド）が形成されることが抑制される。また、発光素子２０Ａ及び２０Ｂのうち、発光素子２０Ａのみを導通状態とした場合には、発光素子２０Ｂの領域に対応する照射領域を完全な消光領域とすることが可能となる。これによって、導通素子２０Ａに対応する照射像の領域（明部）と非導通素子２０Ｂに対応する照射像の領域（暗部）との間の境界が明確なものとなる。
【００３２】
また、本実施例においては、透光壁３１が発光層ＬＥを越えて形成され、透光壁３１の頂面３１Ｔが光反射膜ＬＲに覆われている。従って、発光層ＬＲから搭載基板１１側に進む光についても光反射膜ＬＲによって反射させることが可能となり、クロストークの防止を行うことができる。また、発光層ＬＥから、透光壁３１に入射して透光壁３１の頂面３１Ｔに向かって進む光Ｌ４は、光反射膜ＬＲによって反射され、透光板３０に向かって進む。従って、搭載基板１１側に放出された光についても透光板３０から取り出すことが可能となる。従って、クロストーク防止効果や暗線の形成防止効果に加え、光取り出し効率の向上効果を得ることができる。
【００３３】
なお、本実施例においては、素子２０の各々が矩形形状を有し、９つの素子２０の各々がマトリクス状に並置されている。従って、行方向及び列方向にそれぞれ６つ、合計１２個の壁面対ＰＳが構成されている。また、図１（ａ）に示すように、壁面対ＰＳの各々はその行方向及び列方向に整列して形成されている。また、光反射膜ＬＲは、壁面対ＰＳのうち、同一側の壁面３１Ｓの各々に形成されている。従って、例えば、列方向又は行方向に整列した複数の素子を同時に導通させた場合には、照射像内には一直線に形成された明暗の境界を表現することができる。
【００３４】
上記したように、本実施例においては、発光装置１０が素子間領域に設けられた透光壁３１を有し、透光壁３１の一方の壁面３１Ｓに設けられた光反射膜ＬＲを有している。従って、光のクロストークが抑制され、また、素子間領域に起因する暗部の形成が抑制された発光装置１０を提供することが可能となる。
【００３５】
図３は、実施例１の変形例１に係る発光装置１０Ａの断面図である。なお、図４は、発光装置１０Ａにおける図１（ｂ）と同様の断面図である。発光装置１０Ａは、透光壁３１の構造を除いては、発光装置１０と同様の構造を有している。透光壁３１は、隣接する発光素子２０の領域間を連通させる連通部３１Ｂを有している。すなわち、発光素子２０と透光板３０及び透光壁３１との間に形成（隔離）された素子領域（素子空間）は、連通部３１Ｂによって他の素子領域（又は外部空間）に連通している。
【００３６】
本変形例においては、透光壁３１が連通部３１Ｂを有している。連通部３１Ｂは、図３に示すように、例えば、透光壁３１に貫通孔として形成されている。しかし、連通部３１Ｂは、スリット状に形成されていてもよい。すなわち、透光壁３１が連通部３１Ｂによって部分的に途切れて形成されていてもよい。
【００３７】
この連通部３１Ｂは、製造過程において発生したガスの放出経路となる。例えば、上記した透光板３０と発光素子２０との接着工程においては接着部（発光素子２０と透光板３０との間の部分）などにガスが発生する場合がある。このガスが気泡として装置内に留まると、光の進みを妨害し、光取出し効率が低下する場合がある。これに対し、本変形例においては、透光壁３１が連通部３１Ｂを有しているため、連通部３１Ｂを介してガスを抜くことが可能となる。従って、光取り出し効率が向上する。
【００３８】
図４は、実施例１の変形例２に係る発光装置１０Ｂの上面を模式的に示す図である。発光装置１０Ｂは、光反射膜ＬＲの形成位置を除いては発光装置１０と同様の構造を有している。
【００３９】
本実施例の発光装置１０においては、光反射膜ＬＲが整列した壁面対ＰＳ（例えば列方向に整列した３つの壁面対ＰＳ）の各々における同一側の壁面３１Ｓ（図１（ａ）においては壁面３１ＳＡと同一側の壁面３１Ｓ）に形成される場合について説明した。しかし、光反射膜ＬＲは、壁面対ＰＳのいずれか一方の壁面３１Ｓに形成されていればよく、複数の光反射膜ＬＲが直線状に整列する必要は無い。光反射膜ＬＲの形成位置は、例えば、様々な用途（例えば照明用途）に応じて変更することができる。
【００４０】
本変形例においては、光反射膜ＬＲは、隣接する発光素子２０の一方側の透光壁３１の壁面３１Ｓの全てに形成されている。例えば、発光素子２０Ａの側面を囲む透光壁３１の壁面３１Ｓ（発光素子２０Ａの側面に面した透光壁３１の壁面３１Ｓ）は、全て光反射膜ＬＲで覆われている。一方、発光素子２０Ｂの側面を囲む透光壁３１の壁面３１Ｓは、いずれも光反射膜ＬＲで覆われていない。本変形例においては、光反射膜ＬＲが形成された部分と光反射膜ＬＲが形成されていない部分とが市松模様で形成されている。
【００４１】
本変形例においては、隣接する発光セグメントの大きさが互いに異なる。例えば、図４に示すように、発光素子２０Ａに対応する発光セグメントＥＳ１は、発光素子２０Ｂに対応する発光セグメントＥＳ２よりも小さい。このようにして、素子２０の形状を変更するのではなく、光反射膜ＬＲの形成位置を調節することによって、発光セグメントＥＳの大きさを調節することができる。
【００４２】
なお、本変形例においては、透光壁３１は、発光素子２０の各々からなる素子群の全体を取り囲んでいる。また、光反射膜ＬＲは、最外部の透光壁３１の壁面３１Ｓを覆うように形成されている。すなわち、発光素子２０に面していない透光壁３１の壁面３１Ｓが光反射膜ＬＲに覆われている。これによって、照射像の縁部における明暗が明確となり、照射像の輪郭がくっきりしたものとなる。
【００４３】
図５は、実施例１の変形例３に係る発光装置１０Ｃの断面図である。図５は、発光装置１０Ｃにおける図１（ｂ）と同様の断面図である。発光装置１０Ｃは、発光素子２０の各々を支持する支持体１２が搭載基板１１上に設けられていること、及び透光壁３１Ｃの形成高さを除いては、発光装置１０と同様の構造を有している。
【００４４】
本変形例においては、発光装置１０Ｃは、各々が発光素子２０の各々を支持する支持体１２を有する。すなわち、発光素子２０の各々は、支持体１２を介して搭載基板１１上に搭載されている。また、透光壁３１Ｃは、隣接する発光素子２０間の領域を越えて隣接する支持体１２間の領域に延びている。
【００４５】
支持体１２は、発光素子２０における半導体構造層を成長する際の成長用基板とは別の基板材料からなる。支持体１２は、例えばＳｉからなる。発光装置１０Ｃは、例えば以下のようにして作製することができる。まず、成長用基板上に発光素子２０の半導体構造層を成長した後、半導体構造層に支持体１２となる支持基板を接合する。次に、成長用基板を除去し、支持基板及び半導体構造層を個片化する。以上の工程を経て支持体１２に固定された発光素子２０を形成する。続いて、支持体１２を搭載基板１１上に固定することで発光素子２０を搭載基板１１上に搭載することができる。なお、発光素子２０は、半導体構造層が成長用基板から支持体１２に貼り替えられた構造を有することで、優れた放熱性能を有することとなる。
【００４６】
本変形例においては、透光壁３１Ｃが発光素子２０の発光層ＬＥを越えて発光素子２０の側面全体を覆うように形成されている。従って、透光壁３１Ｃに光反射膜ＬＲを形成することで、光のクロストークをほぼ完全に抑制することが可能となる。従って、発光装置１０Ｃは、クロストークの抑制効果に優れたものとなる。
【００４７】
なお、発光装置１０Ｃのように、支持体１２上に発光素子２０を固定した上で支持体１２を搭載基板１１に固定する場合、発光層ＬＥを越えて透光壁３１（３１Ｃ）を形成することが容易になる。より具体的には、成長用基板上に半導体構造層を成長する場合、一般にはｎ型半導体層、発光層ＬＥ及びｐ型半導体層をこの順で積層する。従って、成長用基板から半導体構造層を支持体１２に貼り替える場合、支持体１２上にはｐ型半導体層が配置（接合）されることとなる。
【００４８】
ここで、ｐ型半導体層の層厚は非常に小さい（薄い）。従って、ｐ型半導体層上に形成されている発光層ＬＥの支持体１２からの積層方向における距離は非常に小さい。従って、別工程で作製する透光壁３１の高さを厳密に調整しなければ、発光層ＬＥに至らない高さとなる場合や、搭載基板１１に当接して接着時に破損する場合がある。一方、本変形例においては、個別に支持体１２を形成した後に支持体１２を搭載基板１１に固定する。従って、支持体１２の厚さ分だけ透光壁３１（３１Ｃ）の形成高さの許容誤差が増大（緩和）する。従って、安定して発光層ＬＥを越えて延びる透光壁３１を作製することができる。また、発光素子２０の全体を越えて支持体１２間の領域にまで透光壁３１Ｃを形成することで、クロストークの抑制効果はより大きくなる。
【００４９】
なお、上記においては、発光素子２０の各々が上面視において矩形形状を有する場合について説明したが、発光素子の上面視における形状はこれに限定されない。例えば、発光素子は、三角形や六角形の形状を有していてもよい。また、発光素子２０の各々は、照射像における暗部形成の抑制を考慮すると、平面充填形にて配列されていることが好ましい。また、発光素子２０の各々が独立して発光動作を行う場合について説明したが、発光素子２０の各々が全て同時に発光動作を行ってもよい。
【００５０】
また、上記した実施例１及び各変形例は互いに組み合わせて実施することができる。例えば、実施例１と変形例１を組み合わせ、透光壁３１の一部に連通部３１Ｂを設けた発光装置を作製してもよい。
【００５１】
上記においては、発光装置が素子間領域に設けられた透光壁３１を有し、透光壁３１の壁面対ＰＳのうちの一方の壁面３１Ｓに設けられた光反射膜ＬＲを有している。この透光壁３１と光反射膜ＬＲを組み合わせることで、光のクロストーク及び暗部の形成を大幅に抑制することができる。
【符号の説明】
【００５２】
１０、１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃ  （半導体）発光装置
１１  搭載基板
１２  支持体
２０、２０Ａ、２０Ｂ  （半導体）発光素子
ＬＥ  発光層
３０  透光板
３１、３１Ｃ  透光壁
３１Ｓ、３１ＳＡ、３１ＳＢ  壁面
ＰＳ  壁面対
３１Ｔ  頂面
３１Ｂ  連通部
ＬＲ  光反射膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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