(57)【要約】【課題】検出感度を向上させることができる物理量センサーを提供すること、また、かかる物理量センサーを備える圧力センサー、高度計、電子機器および移動体を提供すること。【解決手段】本発明の物理量センサー１は、平面視で輪郭が内側に入り込んでいる部分２６ｅ、２６ｆ、２６ｇ、２６ｈを有し、受圧により撓み変形するダイヤフラム部２０と、平面視で内側に入り込んでいる部分２６ｅ、２６ｆ、２６ｇ、２６ｈに沿って配置されていて、歪みにより電気信号を出力するピエゾ抵抗素子５ｅ１、５ｅ２、５ｆ１、５ｆ２、５ｇ１、５ｇ２、５ｈ１、５ｈ２と、を備える。【選択図】図２
2016099147.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
平面視で輪郭が内側に入り込んでいる部分を有し、受圧により撓み変形するダイヤフラ
ム部と、
平面視で前記内側に入り込んでいる部分に沿って配置されていて、歪みにより電気信号
を出力する第１のセンサー素子と、
を備えることを特徴とする物理量センサー。
【請求項２】
前記ダイヤフラム部は、平面視で中心部を挟んで対向する２つの辺を２組有する請求項
１に記載の物理量センサー。
【請求項３】
平面視で前記辺に沿って配置されていて、歪みにより電気信号を出力する第２センサー
素子を備える請求項２に記載の物理量センサー。
【請求項４】
前記内側に入り込んでいる部分が平角よりも大きい角部を有する請求項１ないし３のい
ずれか１項に記載の物理量センサー。
【請求項５】
前記第１の素子は、前記角部を構成する２つの辺のうちの少なくとも一方に沿って配置
されている請求項４に記載の物理量センサー。
【請求項６】
前記内側に入り込んでいる部分の幅が前記ダイヤフラム部の幅に対して１％以上３０％
以下の範囲内にある請求項１ないし５のいずれか１項に記載の物理量センサー。
【請求項７】
前記内側に入り込んでいる部分が湾曲している湾曲部を有する請求項１ないし６のいず
れか１項に記載の物理量センサー。
【請求項８】
前記第１のセンサー素子がピエゾ抵抗素子である請求項１ないし７のいずれか１項に記
載の物理量センサー素子。
【請求項９】
請求項１ないし８のいずれか１項に記載の物理量センサーを備えることを特徴とする圧
力センサー。
【請求項１０】
請求項１ないし８のいずれか１項に記載の物理量センサーを備えることを特徴とする高
度計。
【請求項１１】
請求項１ないし８のいずれか１項に記載の物理量センサーを備えることを特徴とする電
子機器。
【請求項１２】
請求項１ないし８のいずれか１項に記載の物理量センサーを備えることを特徴とする移
動体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、物理量センサー、圧力センサー、高度計、電子機器および移動体に関するも
のである。
【背景技術】
【０００２】
受圧により撓み変形するダイヤフラムを備えた圧力センサーが広く用いられている（例
えば、特許文献１参照）。このような圧力センサーは、例えば、特許文献１に開示されて
いるように、ダイヤフラム上に配置されたピエゾ抵抗素子でダイヤフラムの撓みを検出す
ることにより、ダイヤフラムに加わった圧力を検出する。
【０００３】
しかし、従来の圧力センサーでは、検出感度を十分に向上させることができないという
問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１１−７５４００号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、検出感度を向上させることができる物理量センサーを提供すること、
また、かかる物理量センサーを備える圧力センサー、高度計、電子機器および移動体を提
供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
このような目的は、下記の本発明により達成される。
［適用例１］
本発明の物理量センサーは、平面視で輪郭が内側に入り込んでいる部分を有し、受圧に
より撓み変形するダイヤフラム部と、
平面視で前記内側に入り込んでいる部分に沿って配置されていて、歪みにより電気信号
を出力する第１のセンサー素子と、
を備えることを特徴とする。
【０００７】
このような物理量センサーによれば、ダイヤフラム部の平面視で内側に入り込んだ部分
において、受圧による撓み変形に伴ってダイヤフラム部に生じる応力（歪み）を局所的に
高めることができる。そのため、かかる部分に沿って配置されたセンサー素子によりダイ
ヤフラム部の撓み変形を高感度で検出することができる。よって、検出感度を向上させる
ことができる。
【０００８】
［適用例２］
本発明の物理量センサーでは、前記ダイヤフラム部は、平面視で中心部を挟んで対向す
る２つの辺を２組有することが好ましい。
【０００９】
従来の平面視で矩形をなすダイヤフラム部は、平面視で中心部を挟んで対向する２つの
辺を２組有し、各辺の中央部付近において、受圧に伴う応力（歪み）を大きくすることが
できるものの、角部が外側に出っ張っているため、角部付近において、受圧に伴う応力（
歪み）が小さい。これに対し、本発明では、平面視で中心部を挟んで対向する２つの辺を
２組有した上で、角部を内側に入り込ませることで、その部分においても、受圧に伴う応
力（歪み）を局所的に高めることができる。
【００１０】
［適用例３］
本発明の物理量センサーでは、平面視で前記辺に沿って配置されていて、歪みにより電
気信号を出力する第２センサー素子を備えることが好ましい。
【００１１】
これにより、各辺の中央部付近における歪みも検出することができ、検出感度を向上さ
せることができる。
【００１２】
［適用例４］
本発明の物理量センサーでは、前記内側に入り込んでいる部分が平角よりも大きい角部
を有することが好ましい。
【００１３】
これにより、ダイヤフラム部の平面視で内側に入り込んだ部分において、受圧に伴う応
力（歪み）を効果的に高めることができる。
【００１４】
［適用例５］
本発明の物理量センサーでは、前記第１の素子は、前記角部を構成する２つの辺のうち
の少なくとも一方に沿って配置されていることが好ましい。
【００１５】
これにより、ダイヤフラム部の平面視で内側に入り込んだ部分において、受圧に伴う応
力（歪み）を効率的に検出することができる。
【００１６】
［適用例６］
本発明の物理量センサーでは、前記内側に入り込んでいる部分の幅が前記ダイヤフラム
部の幅に対して１％以上３０％以下の範囲内にあることが好ましい。
【００１７】
これにより、ダイヤフラム部の平面視で内側に入り込んだ部分において、受圧に伴う応
力（歪み）を効果的に高めることができる。
【００１８】
［適用例７］
本発明の物理量センサーでは、前記内側に入り込んでいる部分が湾曲している湾曲部を
有することが好ましい。
【００１９】
これにより、ダイヤフラム部の平面視で内側に入り込んだ部分において、不本意な応力
（歪み）の発生を低減することができる。
【００２０】
［適用例８］
本発明の物理量センサーでは、前記第１のセンサー素子がピエゾ抵抗素子であることが
好ましい。
【００２１】
これにより、ダイヤフラム部の平面視で内側に入り込んだ部分において、受圧に伴う応
力（歪み）を効率的に検出することができる。
【００２２】
［適用例９］
本発明の圧力センサーは、本発明の物理量センサーを備えることを特徴とする。
これにより、優れた検出感度を有する圧力センサーを提供することができる。
【００２３】
［適用例１０］
本発明の高度計は、本発明の物理量センサーを備えることを特徴とする。
これにより、優れた検出感度を有する高度計を提供することができる。
【００２４】
［適用例１１］
本発明の電子機器は、本発明の物理量センサーを備えることを特徴とする。
これにより、優れた検出感度を有する物理量センサーを備える電子機器を提供すること
ができる。
【００２５】
［適用例１２］
本発明の移動体は、本発明の物理量センサーを備えることを特徴とする。
【００２６】
これにより、優れた検出感度を有する物理量センサーを備える移動体を提供することが
できる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】本発明の第１実施形態に係る物理量センサーを示す断面図である。
【図２】図１に示す物理量センサーのピエゾ抵抗素子（センサー素子）の配置およびダイヤフラム部の平面視形状を示す平面図である。
【図３】図２に示すピエゾ抵抗素子を含むブリッジ回路を示す図である。
【図４】図１に示す物理量センサーの作用を説明するための図であって、（ａ）は加圧状態を示す断面図、（ｂ）は加圧状態を示す平面図である。
【図５】（ａ）は、本発明に係るダイヤフラム部に生じる応力の状態を示す図、（ｂ）は、平面視で矩形をなす従来に係るダイヤフラム部に生じる応力の状態を示す図である。
【図６】図１に示す物理量センサーの製造工程を示す図である。
【図７】図１に示す物理量センサーの製造工程を示す図である。
【図８】本発明の第２実施形態に係る物理量センサーのピエゾ抵抗素子（センサー素子）およびダイヤフラム部の凹部の配置を示す平面図である。
【図９】本発明の第３実施形態に係る物理量センサーのピエゾ抵抗素子（センサー素子）およびダイヤフラム部の凹部の配置を示す平面図である。
【図１０】本発明の第４実施形態に係る物理量センサーのピエゾ抵抗素子（センサー素子）およびダイヤフラム部の凹部の配置を示す平面図である。
【図１１】本発明の圧力センサーの一例を示す断面図である。
【図１２】本発明の高度計の一例を示す斜視図である。
【図１３】本発明の電子機器の一例を示す正面図である。
【図１４】本発明の移動体の一例を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
以下、本発明の物理量センサー、圧力センサー、高度計、電子機器および移動体を添付
図面に示す各実施形態に基づいて詳細に説明する。
【００２９】
１．物理量センサー
＜第１実施形態＞
図１は、本発明の第１実施形態に係る物理量センサーを示す断面図、図２は、図１に示
す物理量センサーのピエゾ抵抗素子（センサー素子）の配置およびダイヤフラム部の平面
視形状を示す平面図である。図３は、図２に示すピエゾ抵抗素子を含むブリッジ回路を示
す図である。図４は、図１に示す物理量センサーの作用を説明するための図であって、（
ａ）は加圧状態を示す断面図、（ｂ）は加圧状態を示す平面図である。なお、以下では、
説明の便宜上、図１中の上側を「上」、下側を「下」という。
【００３０】
図１に示す物理量センサー１は、ダイヤフラム部２０を有する基板２と、ダイヤフラム
部２０に配置されているセンサー素子である複数のピエゾ抵抗素子５と、基板２とともに
空洞部Ｓ（圧力基準室）を形成している積層構造体６と、基板２と積層構造体６との間に
配置されている中間層３と、を備えている。
【００３１】
以下、物理量センサー１を構成する各部を順次説明する。
−基板−
基板２は、半導体基板２１と、半導体基板２１の一方の面上に設けられた絶縁膜２２と
、絶縁膜２２の半導体基板２１とは反対側の面上に設けられた絶縁膜２３と、を有してい
る。
【００３２】
半導体基板２１は、単結晶シリコンで構成されているシリコン層２１１（ハンドル層）
と、シリコン酸化膜で構成されている酸化シリコン層２１２（ボックス層）と、単結晶シ
リコンで構成されているシリコン層２１３（デバイス層）とがこの順で積層されたＳＯＩ
基板である。なお、半導体基板２１は、ＳＯＩ基板に限定されず、例えば、単結晶シリコ
ン基板等の他の半導体基板であってもよい。
【００３３】
絶縁膜２２は、例えば、シリコン酸化膜であり、絶縁性を有する。また、絶縁膜２３は
、例えば、シリコン窒化膜であり、絶縁性を有するとともに、フッ酸を含むエッチング液
に対する耐性をも有する。ここで、半導体基板２１（シリコン層２１３）と絶縁膜２３（
シリコン窒化膜）との間に絶縁膜２２（シリコン酸化膜）が介在していることにより、絶
縁膜２３の成膜時に生じた応力が半導体基板２１に伝わるのを絶縁膜２２により緩和する
ことができる。また、絶縁膜２２は、半導体基板２１およびその上方に半導体回路を形成
する場合、素子間分離膜として用いることもできる。なお、絶縁膜２２、２３は、前述し
た構成材料に限定されず、また、必要に応じて、絶縁膜２２、２３のうちのいずれか一方
を省略してもよい。
【００３４】
このような基板２の絶縁膜２３上には、パターニングされた中間層３が配置されている
。この中間層３は、基板２の厚さ方向から見た平面視（以下、単に「平面視」という）で
ダイヤフラム部２０の周囲を囲むように形成されており、中間層３の上面と基板２の上面
との間であって、ダイヤフラム部２０の中心側（内側）に中間層３の厚さ分の段差部を形
成する。これにより、ダイヤフラム部２０が受圧により撓み変形したとき、ダイヤフラム
部２０の段差部との間の境界部分に応力を集中させることができる。そのため、かかる境
界部分（またはその付近）にピエゾ抵抗素子５を配置することにより、検出感度を向上さ
せることができる。なお、かかる段差部は、平面視で、ダイヤフラム部２０の外形に沿っ
た形状であることが好ましい。
【００３５】
この中間層３は、例えば、単結晶シリコン、多結晶シリコン（ポリシリコン）またはア
モルファスシリコンで構成されている。また、中間層３は、例えば、単結晶シリコン、多
結晶シリコン（ポリシリコン）またはアモルファスシリコンにリン、ボロン等の不純物を
ドープ（拡散または注入）して構成されていてもよい。この場合、中間層３は、導電性を
有するため、例えば、空洞部Ｓの外側において基板２上にＭＯＳトランジスタを形成する
場合、中間層３の一部をＭＯＳトランジスタのゲート電極として用いることができる。ま
た、中間層３の一部を配線として用いることもできる。
【００３６】
このような基板２には、周囲の部分よりも薄肉であり、受圧によって撓み変形するダイ
ヤフラム部２０が設けられている。ダイヤフラム部２０は、半導体基板２１の下面に有底
の凹部２４を設けることで形成されている。すなわち、ダイヤフラム部２０は、基板２の
一方の面に開口している凹部２４の底部を含んで構成されている。このダイヤフラム部２
０は、その下面が受圧面２５となっている。本実施形態では、図２に示すように、ダイヤ
フラム部２０は、正方形（矩形）の各角部を矩形に欠いた平面視形状である。すなわち、
ダイヤフラム部２０は、平面視で、中心部を挟んで対向する２つの辺２６ａ、２６ｂと、
中心部を挟んで対向する他の２つの辺２６ｃ、２６ｄと、輪郭が内側に入り込んでいる部
分２６ｅ、２６ｆ、２６ｇ、２６ｈと、を有している。なお、ダイヤフラム部２０の平面
視形状に関する事項については、後に詳述する。
【００３７】
本実施形態の基板２では、凹部２４がシリコン層２１１を貫通しており、ダイヤフラム
部２０が酸化シリコン層２１２、シリコン層２１３、絶縁膜２２および絶縁膜２３の４層
で構成されている。ここで、酸化シリコン層２１２は、後述するように、物理量センサー
１の製造工程において凹部２４をエッチングにより形成する際にエッチングストップ層と
して利用することができ、ダイヤフラム部２０の厚さの製品ごとのバラツキを少なくする
ことができる。
【００３８】
なお、凹部２４がシリコン層２１１を貫通せず、ダイヤフラム部２０がシリコン層２１
１の薄肉部、酸化シリコン層２１２、シリコン層２１３、絶縁膜２２および絶縁膜２３の
５層で構成されていてもよい。また、本実施形態では、凹部２４の平面視形状がダイヤフ
ラム部２０の平面視形状と合致していて、これにより、前述したような平面視形状のダイ
ヤフラム部２０を実現しているが、後述する積層構造体６の配線層６２、６４の平面視形
状を適宜設定することで、前述したような平面視形状のダイヤフラム部２０を実現するこ
とも可能である。
【００３９】
−ピエゾ抵抗素子（機能素子）−
複数のピエゾ抵抗素子５は、図１に示すように、それぞれ、ダイヤフラム部２０の空洞
部Ｓ側に形成されている。ここで、ピエゾ抵抗素子５は、半導体基板２１のシリコン層２
１３に形成されている。
【００４０】
図２に示すように、複数のピエゾ抵抗素子５は、ダイヤフラム部２０の外周部に配置さ
れている複数のピエゾ抵抗素子５ａ、５ｂ、５ｃ、５ｄ、５ｅ１、５ｅ２、５ｆ１、５ｆ
２、５ｇ１、５ｇ２、５ｈ１、５ｈ２で構成されている。
【００４１】
ピエゾ抵抗素子５ａ、５ｂ、５ｃ、５ｄは、ダイヤフラム部２０の４つの辺２６ａ、２
６ｂ、２６ｃ、２６ｄにそれぞれ対応して配置されている。これらのピエゾ抵抗素子５ａ
、５ｂ、５ｃ、５ｄは、平面視で辺２６ａ、２６ｂ、２６ｃ、２６に沿って配置されてい
て、歪みにより電気信号を出力する「第２のセンサー素子」である。
【００４２】
ここで、ピエゾ抵抗素子５ａは、辺２６ａに対応していて辺２６ａに対して垂直な方向
に沿って延びている。同様に、ピエゾ抵抗素子５ｂは、辺２６ｂに対応していて辺２６ｂ
に対して垂直な方向に沿って延びている。一方、ピエゾ抵抗素子５ｃは、辺２６ｃに対応
していて辺２６ｃに対して平行な方向に沿って延びている。同様に、ピエゾ抵抗素子５ｄ
は、辺２６ｄに対応していて辺２６ｄに対して平行な方向に沿って延びている。
【００４３】
また、ピエゾ抵抗素子５ｅ１、５ｅ２、ピエゾ抵抗素子５ｆ１、５ｆ２、ピエゾ抵抗素
子５ｇ１、５ｇ２およびピエゾ抵抗素子５ｈ１、５ｈ２は、ダイヤフラム部２０の４つの
部分２６ｅ、２６ｆ、２６ｇ、２６ｈにそれぞれ対応して配置されている。これらのピエ
ゾ抵抗素子５ｅ１、５ｅ２、５ｆ１、５ｆ２、５ｇ１、５ｇ２、５ｈ１、５ｈ２は、平面
視で内側に入り込んでいる部分２６ｅ、２６ｆ、２６ｇ、２６ｈに沿って配置されていて
、歪みにより電気信号を出力する「第１のセンサー素子」である。
【００４４】
ここで、ピエゾ抵抗素子５ｅ１、５ｅ２は、ピエゾ抵抗素子５ｅ１が部分２６ｅを構成
する２つの辺のうちの辺２６ａ側の辺に対応していて当該辺に対して垂直な方向に沿って
延びている一方、ピエゾ抵抗素子５ｅ２が部分２６ｅを構成する２つの辺のうちの辺２６
ｃ側の辺に対応していて当該辺に対して平行な方向に沿って延びている。
【００４５】
同様に、ピエゾ抵抗素子５ｆ１、５ｆ２は、ピエゾ抵抗素子５ｆ１が部分２６ｆを構成
する２つの辺のうちの辺２６ａ側の辺に対応していて当該辺に対して垂直な方向に沿って
延びている一方、ピエゾ抵抗素子５ｆ２が部分２６ｆを構成する２つの辺のうちの辺２６
ｄ側の辺に対応していて当該辺に対して平行な方向に沿って延びている。
【００４６】
また、ピエゾ抵抗素子５ｇ１、５ｇ２は、ピエゾ抵抗素子５ｇ１が部分２６ｇを構成す
る２つの辺のうちの辺２６ｂ側の辺に対応していて当該辺に対して垂直な方向に沿って延
びている一方、ピエゾ抵抗素子５ｇ２が部分２６ｇを構成する２つの辺のうちの辺２６ｃ
側の辺に対応していて当該辺に対して平行な方向に沿って延びている。
【００４７】
また、ピエゾ抵抗素子５ｈ１、５ｈ２は、ピエゾ抵抗素子５ｈ１が部分２６ｈを構成す
る２つの辺のうちの辺２６ｂ側の辺に対応していて当該辺に対して垂直な方向に沿って延
びている一方、ピエゾ抵抗素子５ｈ２が部分２６ｈを構成する２つの辺のうちの辺２６ｄ
側の辺に対応していて当該辺に対して平行な方向に沿って延びている。
【００４８】
このように配置されたピエゾ抵抗素子５ａ、５ｂ、５ｃ、５ｄ、５ｅ１、５ｅ２、５ｆ
１、５ｆ２、５ｇ１、５ｇ２、５ｈ１、５ｈ２において、ピエゾ抵抗素子５ａ、５ｅ１、
５ｆ１が、図示しない配線により直列に電気的に接続され、また、ピエゾ抵抗素子５ｂ、
５ｇ１、５ｈ１が、図示しない配線により直列に電気的に接続され、また、ピエゾ抵抗素
子５ｃ、５ｅ２、５ｇ２が、図示しない配線により直列に電気的に接続され、また、ピエ
ゾ抵抗素子５ｄ、５ｆ２、５ｈ２が、図示しない配線により直列に電気的に接続されてい
る。なお、これらの配線をまとめて「配線２１４」ともいう。
【００４９】
このようなピエゾ抵抗素子５および配線２１４は、それぞれ、例えば、リン、ボロン等
の不純物をドープ（拡散または注入）したシリコン（単結晶シリコン）で構成されている
。ここで、配線２１４における不純物のドープ濃度は、ピエゾ抵抗素子５における不純物
のドープ濃度よりも高い。なお、配線２１４は、金属で構成されていてもよい。
【００５０】
また、複数のピエゾ抵抗素子５は、例えば、自然状態における抵抗値が互いに等しくな
るように構成されている。
【００５１】
以上説明したようなピエゾ抵抗素子５は、配線２１４等を介して、図３に示すように、
ブリッジ回路７０（ホイートストンブリッジ回路）を構成している。このブリッジ回路７
０には、駆動電圧を供給する駆動回路（図示せず）が接続されている。そして、このブリ
ッジ回路７０では、ピエゾ抵抗素子５の抵抗値に応じた信号（電圧）として出力される。
これにより、ダイヤフラム部２０に生じた応力（歪み）をピエゾ抵抗素子５により効率的
に検出することができる。
【００５２】
−積層構造体−
積層構造体６は、前述した基板２との間に空洞部Ｓを画成するように形成されている。
ここで、積層構造体６は、ダイヤフラム部２０のピエゾ抵抗素子５側に配置されていてダ
イヤフラム部２０（または基板２）とともに空洞部Ｓ（内部空間）を区画形成（構成）し
ている。
【００５３】
この積層構造体６は、基板２上に平面視でピエゾ抵抗素子５を取り囲むように形成され
た層間絶縁膜６１と、層間絶縁膜６１上に形成された配線層６２と、配線層６２および層
間絶縁膜６１上に形成された層間絶縁膜６３と、層間絶縁膜６３上に形成され、複数の細
孔６４２（開孔）を備えた被覆層６４１を有する配線層６４と、配線層６４および層間絶
縁膜６３上に形成された表面保護膜６５と、被覆層６４１上に設けられた封止層６６とを
有している。
【００５４】
層間絶縁膜６１、６３は、それぞれ、例えば、シリコン酸化膜で構成されている。また
、配線層６２、６４および封止層６６は、それぞれ、アルミニウム等の金属で構成されて
いる。また、封止層６６は、被覆層６４１が有する細孔６４２を封止している。また、表
面保護膜６５は、例えば、シリコン窒化膜である。
【００５５】
このような積層構造体６において、被覆層６４１を除く配線層６２および配線層６４か
らなる構造体は、基板２の一方の面側に平面視でピエゾ抵抗素子５を囲んで配置されてい
る「壁部」を構成している。また、被覆層６４１は、この壁部に対して基板２とは反対側
に配置されていて空洞部Ｓ（内部空間）を壁部とともに構成している「天井部」を構成し
ている。
【００５６】
また、このような積層構造体６は、ＣＭＯＳプロセスのような半導体製造プロセスを用
いて形成することができる。なお、シリコン層２１３上およびその上方には、半導体回路
が作り込まれていてもよい。この半導体回路は、ＭＯＳトランジスタ等の能動素子、その
他必要に応じて形成されたコンデンサ、インダクタ、抵抗、ダイオード、配線（ピエゾ抵
抗素子５に接続されている配線を含む）等の回路要素を有している。
【００５７】
基板２と積層構造体６とによって画成された空洞部Ｓは、密閉された空間である。この
空洞部Ｓは、物理量センサー１が検出する圧力の基準値となる圧力基準室として機能する
。本実施形態では、空洞部Ｓが真空状態（３００Ｐａ以下）となっている。空洞部Ｓを真
空状態とすることによって、物理量センサー１を、真空状態を基準として圧力を検出する
「絶対圧センサー」として用いることができ、その利便性が向上する。
【００５８】
ただし、空洞部Ｓは、真空状態でなくてもよく、大気圧であってもよいし、大気圧より
も気圧が低い減圧状態であってもよいし、大気圧よりも気圧が高い加圧状態であってもよ
い。また、空洞部Ｓには、窒素ガス、希ガス等の不活性ガスが封入されていてもよい。
以上、物理量センサー１の構成について簡単に説明した。
【００５９】
このような構成の物理量センサー１は、図４（ａ）に示すように、ダイヤフラム部２０
の受圧面２５が受ける圧力Ｐに応じて、ダイヤフラム部２０が変形し、これにより、図４
（ｂ）に示すように、ピエゾ抵抗素子５ａ、５ｂ、５ｃ、５ｄ、５ｅ１、５ｅ２、５ｆ１
、５ｆ２、５ｇ１、５ｇ２、５ｈ１、５ｈ２が歪み、ピエゾ抵抗素子５ａ、５ｂ、５ｃ、
５ｄ、５ｅ１、５ｅ２、５ｆ１、５ｆ２、５ｇ１、５ｇ２、５ｈ１、５ｈ２の抵抗値が変
化する。それに伴って、ピエゾ抵抗素子５ａ、５ｂ、５ｃ、５ｄ、５ｅ１、５ｅ２、５ｆ
１、５ｆ２、５ｇ１、５ｇ２、５ｈ１、５ｈ２が構成するブリッジ回路７０の出力が変化
し、その出力に基づいて、受圧面２５で受けた圧力の大きさを求めることができる。
【００６０】
より具体的に説明すると、前述したようなダイヤフラム部２０の変形が生じる前の自然
状態では、例えば、ピエゾ抵抗素子５ａ、５ｂ、５ｃ、５ｄ、５ｅ１、５ｅ２、５ｆ１、
５ｆ２、５ｇ１、５ｇ２、５ｈ１、５ｈ２の抵抗値が互いに等しい場合、ピエゾ抵抗素子
５ａ、５ｅ１、５ｆ１の抵抗値とピエゾ抵抗素子５ｂ、５ｇ１、５ｈ１の抵抗値との積と
、ピエゾ抵抗素子５ｃ、５ｅ２、５ｇ２の抵抗値とピエゾ抵抗素子５ｄ、５ｆ２、５ｈ２
の抵抗値との積とが等しく、ブリッジ回路７０の出力（電位差）はゼロとなる。
【００６１】
一方、前述したようなダイヤフラム部２０の変形が生じると、図４（ｂ）に示すように
、ピエゾ抵抗素子５ａ、５ｂ、５ｅ１、５ｆ１、５ｇ１、５ｈ１にその長手方向に沿った
圧縮歪みおよび幅方向に沿った引張歪みが生じるとともに、ピエゾ抵抗素子５ｃ、５ｄ、
５ｅ２、５ｇ２、５ｆ２、５ｈ２にその長手方向に沿った引張歪みおよび幅方向に沿った
圧縮歪みが生じる。したがって、前述したようなダイヤフラム部２０の変形が生じたとき
、ピエゾ抵抗素子５ａ、５ｂ、５ｅ１、５ｆ１、５ｇ１、５ｈ１の抵抗値とピエゾ抵抗素
子５ｃ、５ｄ、５ｅ２、５ｇ２、５ｆ２、５ｈ２の抵抗値とのうち、一方の抵抗値が増加
し、他方の抵抗値が減少する。
【００６２】
このようなピエゾ抵抗素子５ａ、５ｂ、５ｃ、５ｄ、５ｅ１、５ｅ２、５ｆ１、５ｆ２
、５ｇ１、５ｇ２、５ｈ１、５ｈ２の歪みにより、ピエゾ抵抗素子５ａ、５ｅ１、５ｆ１
の抵抗値とピエゾ抵抗素子５ｂ、５ｇ１、５ｈ１の抵抗値との積と、ピエゾ抵抗素子５ｃ
、５ｅ２、５ｇ２の抵抗値とピエゾ抵抗素子５ｄ、５ｆ２、５ｈ２の抵抗値との積との差
が生じ、その差（電位差）に応じた出力（電気信号）がブリッジ回路７０から出力される
。このブリッジ回路７０からの出力に基づいて、受圧面２５で受けた圧力の大きさ（絶対
圧）を求めることができる。
【００６３】
ここで、前述したようなダイヤフラム部２０の変形が生じたとき、ピエゾ抵抗素子５ａ
、５ｂ、５ｅ１、５ｆ１、５ｇ１、５ｈ１の抵抗値とピエゾ抵抗素子５ｃ、５ｄ、５ｅ２
、５ｇ２、５ｆ２、５ｈ２の抵抗値とのうち、一方の抵抗値が増加し、他方の抵抗値が減
少するため、ピエゾ抵抗素子５ａ、５ｅ１、５ｆ１の抵抗値とピエゾ抵抗素子５ｂ、５ｇ
１、５ｈ１の抵抗値との積と、ピエゾ抵抗素子５ｃ、５ｅ２、５ｇ２の抵抗値とピエゾ抵
抗素子５ｄ、５ｆ２、５ｈ２の抵抗値との積との差の変化を大きくすることができ、それ
に伴って、ブリッジ回路７０からの出力を大きくすることができる。その結果、圧力の検
出感度を高めることができる。
【００６４】
（ダイヤフラム部の平面視形状）
以下、ダイヤフラム部２０の平面視形状およびそれに関連する事項について詳述する。
【００６５】
図５（ａ）は、本発明に係るダイヤフラム部に生じる応力の状態を示す図、図５（ｂ）
は、平面視で矩形をなす従来に係るダイヤフラム部に生じる応力の状態を示す図である。
なお、図５では、図中左右方向での圧縮応力の大小を濃淡で示しており、濃いほど図中左
右方向での圧縮応力が大きいとともに図中上下方向での引張応力が大きく、また、淡いほ
ど図中上下方向での圧縮応力が大きいとともに図中左右方向での引張応力が大きい。また
、図５では、ダイヤフラム部の輪郭を破線で示している。
【００６６】
前述したように、ダイヤフラム部２０は、平面視で、中心部を挟んで対向する２つの辺
２６ａ、２６ｂと、中心部を挟んで対向する他の２つの辺２６ｃ、２６ｄと、輪郭が内側
に入り込んでいる部分２６ｅ、２６ｆ、２６ｇ、２６ｈと、を有している（図２参照）。
【００６７】
このような平面視形状をなすダイヤフラム部２０は、４つの辺２６ａ、２６ｂ、２６ｃ
、２６ｄ、すなわち、平面視で中心部を挟んで対向する２つの辺を２組有しているため、
図５（ａ）に示すように、各辺２６ａ、２６ｂ、２６ｃ、２６ｄの中央部付近において、
受圧に伴う応力（歪み）を大きくすることができる。
【００６８】
これに加えて、ダイヤフラム部２０では、内側に入り込んでいる部分２６ｅ、２６ｆ、
２６ｇ、２６ｈ付近においても、受圧に伴う応力（歪み）を局所的に高めることができる
。
【００６９】
このように、物理量センサー１では、ダイヤフラム部２０の平面視で内側に入り込んだ
各部分２６ｅ、２６ｆ、２６ｇ、２６ｈにおいて、受圧による撓み変形に伴ってダイヤフ
ラム部２０に生じる応力（歪み）を局所的に高めることができる。そのため、前述したよ
うに、かかる部分に沿って配置されたピエゾ抵抗素子５ｅ１、５ｅ２、５ｆ１、５ｆ２、
５ｇ１、５ｇ２、５ｈ１、５ｈ２によりダイヤフラム部２０の撓み変形を高感度で検出す
ることができる。よって、検出感度を向上させることができる。
【００７０】
これに対し、従来の平面視で矩形をなすダイヤフラム部は、平面視で中心部を挟んで対
向する２つの辺を２組有し、図５（ｂ）に示すように、各辺の中央部付近において、受圧
に伴う応力（歪み）を大きくすることができるものの、角部が外側に出っ張っているため
、角部付近において、受圧に伴う応力（歪み）が小さい。すなわち、単なる矩形の平面視
形状のダイヤフラム部では、各辺の中央部付近のみしか応力を生じさせることができない
。
【００７１】
本実施形態では、各部分２６ｅ、２６ｆ、２６ｇ、２６ｈの応力をピエゾ抵抗素子５ｅ
１、５ｅ２、５ｆ１、５ｆ２、５ｇ１、５ｇ２、５ｈ１、５ｈ２で検出するだけでなく、
各辺２６ａ、２６ｂ、２６ｃ、２６ｄの中央部付近における歪みもピエゾ抵抗素子５ａ、
５ｂ、５ｃ、５ｄで検出することができ、検出感度を向上させることができる。
【００７２】
また、内側に入り込んでいる各部分２６ｅ、２６ｆ、２６ｇ、２６ｈは、２つの辺で構
成されていて、本実施形態では、これら２つの辺のなす角が９０°である。このように各
部分２６ｅ、２６ｆ、２６ｇ、２６ｈが平角よりも大きい角部であることにより、ダイヤ
フラム部２０の平面視で内側に入り込んだ部分２６ｅ、２６ｆ、２６ｇ、２６ｈにおいて
、受圧に伴う応力（歪み）を効果的に高めることができる。
【００７３】
また、内側に入り込んでいる各部分２６ｅ、２６ｆ、２６ｇ、２６ｈの幅は、ダイヤフ
ラム部２０の幅に対して、１％以上３０％以下であることが好ましく、５％以上２０％以
下であることがより好ましい。これにより、ダイヤフラム部２０の平面視で内側に入り込
んだ各部分２６ｅ、２６ｆ、２６ｇ、２６ｈにおいて、受圧に伴う応力（歪み）を効果的
に高めることができる。
【００７４】
（物理量センサーの製造方法）
次に、物理量センサー１の製造方法を簡単に説明する。
【００７５】
図６および図７は、図１に示す物理量センサーの製造工程を示す図である。以下、物理
量センサー１の製造方法を、これらの図に基づいて説明する。
【００７６】
［素子形成工程］
まず、図６（ａ）に示すように、ＳＯＩ基板である半導体基板２１を用意する。
【００７７】
そして、半導体基板２１のシリコン層２１３にリン（ｎ型）またはボロン（ｐ型）等の
不純物をドープ（イオン注入）することにより、図６（ｂ）に示すように、複数のピエゾ
抵抗素子５および配線２１４を形成する。
【００７８】
例えば、ボロンを＋８０ｋｅＶでイオン注入を行う場合、ピエゾ抵抗素子５へのイオン
注入濃度を１×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ２程度とする。また、配線２１４へのイオン注
入濃度をピエゾ抵抗素子５よりも多くする。例えば、ボロンを１０ｋｅＶでイオン注入を
行う場合、配線２１４へのイオン注入濃度を５×１０１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ２程度とする
。また、前述したようなイオン注入の後、例えば、１０００℃程度で２０分程度のアニー
ルを行う。
【００７９】
［絶縁膜等形成工程］
次に、図６（ｃ）に示すように、シリコン層２１３上に絶縁膜２２、絶縁膜２３および
中間層３をこの順で形成する。
【００８０】
絶縁膜２２、２３の形成は、それぞれ、例えば、スパッタリング法、ＣＶＤ法等により
行うことができる。中間層３は、例えば、多結晶シリコンをスパッタリング法、ＣＶＤ法
等により成膜した後、その膜に必要に応じてリン、ボロン等の不純物をドープ（イオン注
入）し、その後、エッチングによりパターニングすることで形成することができる。
【００８１】
［層間絶縁膜・配線層形成工程］
次に、図６（ｄ）に示すように、絶縁膜２３上に、犠牲層４１、配線層６２、犠牲層４
２および配線層６４をこの順で形成する。
【００８２】
この犠牲層４１、４２は、それぞれ、後述する空洞部形成工程により一部が除去され、
残部が層間絶縁膜６１、６３となるものである。犠牲層４１、４２の形成は、それぞれ、
シリコン酸化膜をスパッタリング法、ＣＶＤ法等により形成し、そのシリコン酸化膜をエ
ッチングによりパターニングすることにより行う。
【００８３】
また、犠牲層４１、４２の厚さは、それぞれ、特に限定されないが、例えば、１５００
ｎｍ以上５０００ｎｍ以下程度とされる。
【００８４】
また、配線層６２、６４の形成は、それぞれ、例えばアルミニウムよりなる層をスパッ
タリング法、ＣＶＤ法等により形成した後、パターニング処理することにより行う。
【００８５】
ここで、配線層６２、６４の厚さは、それぞれ、特に限定されないが、例えば、３００
ｎｍ以上９００ｎｍ以下程度とされる。
【００８６】
このような犠牲層４１、４２および配線層６２、６４からなる積層構造は、通常のＣＭ
ＯＳプロセスを用いて形成され、その積層数は、必要に応じて適宜に設定される。すなわ
ち、必要に応じてさらに多くの犠牲層や配線層が積層される場合もある。
【００８７】
［空洞部形成工程］
次に、犠牲層４１、４２の一部を除去することにより、図７（ｅ）に示すように、絶縁
膜２３と被覆層６４１との間に空洞部Ｓ（キャビティ）を形成する。これにより、層間絶
縁膜６１、６３が形成される。
【００８８】
空洞部Ｓの形成は、被覆層６４１に形成された複数の細孔６４２を通じたエッチングに
より、犠牲層４１、４２の一部を除去することにより行う。ここで、かかるエッチングと
してウェットエッチングを用いる場合、複数の細孔６４２からフッ酸、緩衝フッ酸等のエ
ッチング液を供給し、ドライエッチングを用いる場合、複数の細孔６４２からフッ化水素
酸ガス等のエッチングガスを供給する。このようなエッチングの際、絶縁膜２３がエッチ
ングストップ層として機能する。また、絶縁膜２３は、エッチング液に対する耐性を有す
ることから、絶縁膜２３に対して下側の構成部（例えば、絶縁膜２２、ピエゾ抵抗素子５
、配線２１４等）をエッチング液から保護する機能をも有する。
【００８９】
ここで、かかるエッチングの前に、スパッタリング法、ＣＶＤ法等により表面保護膜６
５を形成する。これにより、かかるエッチングの際、犠牲層４１、４２の層間絶縁膜６１
、６２となる部分を保護することができる。表面保護膜６５の構成材料としては、例えば
、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、ポリイミド膜、エポキシ樹脂膜など、素子を水分、
ゴミ、傷などから保護するための耐性を有するものが挙げられ、特に、シリコン窒化膜が
好適である。表面保護膜６５の厚さは、特に限定されないが、例えば、５００ｎｍ以上２
０００ｎｍ以下程度とされる。
【００９０】
［封止工程］
次に、図７（ｆ）に示すように、被覆層６４１上に、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜
、Ａｌ、Ｃｕ、Ｗ、Ｔｉ、ＴｉＮ等の金属膜等からなる封止層６６をスパッタリング法、
ＣＶＤ法等により形成し、各細孔６４２を封止する。これより、空洞部Ｓが封止層６６に
より封止され、積層構造体６を得る。
【００９１】
ここで、封止層６６の厚さは、特に限定されないが、例えば、１０００ｎｍ以上５００
０ｎｍ以下程度とされる。
【００９２】
［ダイヤフラム形成工程］
次に、シリコン層２１１の下面を必要に応じて研削した後、シリコン層２１１の下面の
一部をエッチングにより除去（加工）することにより、図７（ｇ）に示すように、凹部２
４を形成する。これにより、空洞部Ｓを介して被覆層６４１に対向するダイヤフラム部２
０が形成される。
【００９３】
ここで、シリコン層２１１の下面の一部を除去する際、酸化シリコン層２１２がエッチ
ングストップ層として機能する。これにより、ダイヤフラム部２０の厚さを高精度に規定
することができる。
【００９４】
なお、シリコン層２１１の下面の一部を除去する方法としては、ドライエッチングであ
っても、ウェットエッチング等であってもよい。
以上のような工程により、物理量センサー１を製造することができる。
【００９５】
＜第２実施形態＞
次に、本発明の第２実施形態について説明する。
【００９６】
図８は、本発明の第２実施形態に係る物理量センサーのピエゾ抵抗素子（センサー素子
）およびダイヤフラム部の凹部の配置を示す平面図である。
【００９７】
以下、本発明の第２実施形態について説明するが、前述した実施形態との相違点を中心
に説明し、同様の事項はその説明を省略する。
【００９８】
本実施形態は、センサー素子の配置が異なる以外は、前述した第１実施形態と同様であ
る。
【００９９】
図８に示す物理量センサー１Ａは、ピエゾ抵抗素子５ａ、５ｂ、５ｃ、５ｄを省略した
以外は、前述した第１実施形態の物理量センサー１と同様に構成されている。すなわち、
物理量センサー１Ａは、複数のピエゾ抵抗素子５ｅ１、５ｅ２、５ｆ１、５ｆ２、５ｇ１
、５ｇ２、５ｈ１、５ｈ２で構成された複数のピエゾ抵抗素子５Ａを備えている。
以上説明したような第２実施形態によっても、検出感度を向上させることができる。
【０１００】
＜第３実施形態＞
次に、本発明の第３実施形態について説明する。
【０１０１】
図９は、本発明の第３実施形態に係る物理量センサーのピエゾ抵抗素子（センサー素子
）およびダイヤフラム部の凹部の配置を示す平面図である。
【０１０２】
以下、本発明の第３実施形態について説明するが、前述した実施形態との相違点を中心
に説明し、同様の事項はその説明を省略する。
【０１０３】
本実施形態は、ダイヤフラム部の平面視形状が異なる以外は、前述した第１実施形態と
同様である。
【０１０４】
図９に示す物理量センサー１Ｂは、ダイヤフラム部２０Ｂを備えており、このダイヤフ
ラム部２０Ｂは、中心部を挟んで対向する２つの辺２６ａ、２６ｂと、中心部を挟んで対
向する他の２つの辺２６ｃ、２６ｄと、輪郭が内側に入り込んでいる部分２６ｉ、２６ｊ
、２６ｋ、２６ｌと、を有している。
【０１０５】
内側に入り込んでいる各部分２６ｉ、２６ｊ、２６ｋ、２６ｌは、２つの辺と、これら
２つの辺の間で湾曲した湾曲部と、を有する。これにより、ダイヤフラム部２０Ｂの平面
視で内側に入り込んだ部分２６ｉ、２６ｊ、２６ｋ、２６ｌにおいて、不本意な応力（歪
み）の発生を低減することができる。
以上説明したような第３実施形態によっても、検出感度を向上させることができる。
【０１０６】
＜第４実施形態＞
次に、本発明の第４実施形態について説明する。
【０１０７】
図１０は、本発明の第４実施形態に係る物理量センサーのピエゾ抵抗素子（センサー素
子）およびダイヤフラム部の凹部の配置を示す平面図である。
【０１０８】
以下、本発明の第４実施形態について説明するが、前述した実施形態との相違点を中心
に説明し、同様の事項はその説明を省略する。
【０１０９】
本実施形態は、ダイヤフラム部の平面視形状およびセンサー素子の配置が異なる以外は
、前述した第１実施形態と同様である。
【０１１０】
図１０に示す物理量センサー１Ｃは、ダイヤフラム部２０Ｃと、ダイヤフラム部２０Ｃ
に配置されている複数のピエゾ抵抗素子５Ｃと、を有する。
【０１１１】
ダイヤフラム部２０Ｃは、平面視で矩形の各辺２６ｍ、２６ｎ、２６ｏ、２６ｐの中央
部から内側に入り込んでいる部分２６ｑ、２６ｒ、２６ｓ、２６ｔを有する。
【０１１２】
そして、複数のピエゾ抵抗素子５Ｃは、部分２６ｑ、２６ｒ、２６ｓ、２６ｔに対応し
て配置された複数のピエゾ抵抗素子５ｉ、５ｊ、５ｋ、５ｌで構成されている。
以上説明したような第４実施形態によっても、検出感度を向上させることができる。
【０１１３】
２．圧力センサー
次に、本発明の物理量センサーを備える圧力センサー（本発明の圧力センサー）ついて
説明する。図１１は、本発明の圧力センサーの一例を示す断面図である。
【０１１４】
図１１に示すように、本発明の圧力センサー１００は、物理量センサー１と、物理量セ
ンサー１を収納する筐体１０１と、物理量センサー１から得た信号を圧力データに演算す
る演算部１０２とを備えている。物理量センサー１は、配線１０３を介して演算部１０２
と電気的に接続されている。
【０１１５】
物理量センサー１は、筐体１０１の内側に、図示しない固定手段により固定されている
。また、筐体１０１には、物理量センサー１のダイヤフラム部２０が、例えば大気（筐体
１０１の外側）と連通するための貫通孔１０４を有している。
【０１１６】
このような圧力センサー１００によれば、貫通孔１０４を介してダイヤフラム部２０が
圧力を受ける。この受圧した信号を配線１０３を介して演算部に送信し、圧力データに演
算する。この演算された圧力データは、図示しない表示部（例えば、パーソナルコンピュ
ーターのモニター等）を介して表示することができる。
【０１１７】
３．高度計
次に、本発明の物理量センサーを備える高度計（本発明の高度計）の一例について説明
する。図１２は、本発明の高度計の一例を示す斜視図である。
【０１１８】
高度計２００は、腕時計のように、手首に装着することができる。また、高度計２００
の内部には、物理量センサー１（圧力センサー１００）が搭載されており、表示部２０１
に現在地の海抜からの高度、または、現在地の気圧等を表示することができる。
【０１１９】
なお、この表示部２０１には、現在時刻、使用者の心拍数、天候等、様々な情報を表示
することができる。
【０１２０】
４．電子機器
次に、本発明の物理量センサーを備える電子機器を適用したナビゲーションシステムに
ついて説明する。図１３は、本発明の電子機器の一例を示す正面図である。
【０１２１】
ナビゲーションシステム３００には、図示しない地図情報と、ＧＰＳ（全地球測位シス
テム：Ｇｌｏｂａｌ  Ｐｏｓｉｔｉｏｎｉｎｇ  Ｓｙｓｔｅｍ）からの位置情報取得手段
と、ジャイロセンサーおよび加速度センサーと車速データとによる自立航法手段と、物理
量センサー１と、所定の位置情報または進路情報を表示する表示部３０１とを備えている
。
【０１２２】
このナビゲーションシステムによれば、取得した位置情報に加えて高度情報を取得する
ことができる。高度情報を得ることにより、例えば、一般道路と位置情報上は略同一の位
置を示す高架道路を走行する場合、高度情報を持たない場合には、一般道路を走行してい
るのか高架道路を走行しているのかナビゲーションシステムでは判断できず、優先情報と
して一般道路の情報を使用者に提供してしまっていた。そこで、本実施形態に係るナビゲ
ーションシステム３００では、高度情報を物理量センサー１によって取得することができ
、一般道路から高架道路へ進入することによる高度変化を検出し、高架道路の走行状態に
おけるナビゲーション情報を使用者に提供することができる。
【０１２３】
なお、表示部３０１は、例えば液晶パネルディスプレイや、有機ＥＬ（Organic Electr
o-Luminescence）ディスプレイなど、小型かつ薄型化が可能な構成となっている。
【０１２４】
なお、本発明の物理量センサーを備える電子機器は、上記のものに限定されず、例えば
、パーソナルコンピューター、携帯電話、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計
、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡）、各種測定機器、計器類（例えば、車
両、航空機、船舶の計器類）、フライトシミュレーター等に適用することができる。
【０１２５】
５．移動体
次いで、本発明の物理量センサーを適用した移動体（本発明の移動体）について説明す
る。図１４は、本発明の移動体の一例を示す斜視図である。
【０１２６】
図１４に示すように、移動体４００は、車体４０１と、４つの車輪４０２とを有してお
り、車体４０１に設けられた図示しない動力源（エンジン）によって車輪４０２を回転さ
せるように構成されている。このような移動体４００には、ナビゲーションシステム３０
０（物理量センサー１）が内蔵されている。
【０１２７】
以上、本発明の物理量センサー、圧力センサー、高度計、電子機器および移動体を図示
の各実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものではなく、各部の
構成は、同様の機能を有する任意の構成のものに置換することができる。また、他の任意
の構成物が付加されていてもよい。
【０１２８】
また、１つのダイヤフラム部に設けられるピエゾ抵抗素子（機能素子）の数、配置や形
状等は、前述した実施形態に限定されず、例えば、前述した実施形態において、ダイヤフ
ラム部の中央部にもピエゾ抵抗素子を配置してもよい。
【符号の説明】
【０１２９】
１‥‥物理量センサー
１Ａ‥‥物理量センサー
１Ｂ‥‥物理量センサー
１Ｃ‥‥物理量センサー
２‥‥基板
３‥‥中間層
５‥‥ピエゾ抵抗素子
５Ａ‥‥ピエゾ抵抗素子
５Ｃ‥‥ピエゾ抵抗素子
５ａ‥‥ピエゾ抵抗素子
５ｂ‥‥ピエゾ抵抗素子
５ｃ‥‥ピエゾ抵抗素子
５ｄ‥‥ピエゾ抵抗素子
５ｅ１‥‥ピエゾ抵抗素子
５ｅ２‥‥ピエゾ抵抗素子
５ｆ１‥‥ピエゾ抵抗素子
５ｆ２‥‥ピエゾ抵抗素子
５ｇ１‥‥ピエゾ抵抗素子
５ｇ２‥‥ピエゾ抵抗素子
５ｈ１‥‥ピエゾ抵抗素子
５ｈ２‥‥ピエゾ抵抗素子
５ｉ‥‥ピエゾ抵抗素子
５ｊ‥‥ピエゾ抵抗素子
５ｋ‥‥ピエゾ抵抗素子
５ｌ‥‥ピエゾ抵抗素子
６‥‥積層構造体
２０‥‥ダイヤフラム部
２０Ｂ‥‥ダイヤフラム部
２０Ｃ‥‥ダイヤフラム部
２１‥‥半導体基板
２２‥‥絶縁膜
２３‥‥絶縁膜
２４‥‥凹部
２５‥‥受圧面
２６ａ‥‥辺
２６ｂ‥‥辺
２６ｃ‥‥辺
２６ｄ‥‥辺
２６ｅ‥‥部分
２６ｆ‥‥部分
２６ｇ‥‥部分
２６ｈ‥‥部分
２６ｉ‥‥部分
２６ｊ‥‥部分
２６ｋ‥‥部分
２６ｌ‥‥部分
２６ｍ‥‥辺
２６ｎ‥‥辺
２６ｏ‥‥辺
２６ｐ‥‥辺
２６ｑ‥‥部分
２６ｒ‥‥部分
２６ｓ‥‥部分
２６ｔ‥‥部分
４１‥‥犠牲層
４２‥‥犠牲層
５１ｃ‥‥配線
５１ｄ‥‥配線
６１‥‥層間絶縁膜
６２‥‥配線層
６３‥‥層間絶縁膜
６４‥‥配線層
６５‥‥表面保護膜
６６‥‥封止層
７０‥‥ブリッジ回路
１００‥‥圧力センサー
１０１‥‥筐体
１０２‥‥演算部
１０３‥‥配線
１０４‥‥貫通孔
２００‥‥高度計
２０１‥‥表示部
２１１‥‥シリコン層
２１２‥‥酸化シリコン層
２１３‥‥シリコン層
２１４‥‥配線
３００‥‥ナビゲーションシステム
３０１‥‥表示部
４００‥‥移動体
４０１‥‥車体
４０２‥‥車輪
６４１‥‥被覆層
６４２‥‥細孔
Ｐ‥‥圧力
Ｓ‥‥空洞部
【図１】
2016099147.tif 000003
【図２】
2016099147.tif 000004
【図３】
2016099147.tif 000005
【図４】
2016099147.tif 000006
【図５】
2016099147.tif 000007
【図６】
2016099147.tif 000008
【図７】
2016099147.tif 000009
【図８】
2016099147.tif 000010
【図９】
2016099147.tif 000011
【図１０】
2016099147.tif 000012
【図１１】
2016099147.tif 000013
【図１２】
2016099147.tif 000014
【図１３】
2016099147.tif 000015
【図１４】
2016099147.tif 000016