(57)【要約】      （修正有）【課題】半導体レーザ及び光変調器等の光デバイスにおいて、光入出射端面に光学薄膜を形成する際に、損傷又は外観不良を抑制し、製造工程数及び製造コストを削減し、光学薄膜の形成効率を向上させる。【解決手段】光入出射端面加工工程において、電極形成面１ｂの対向面の光入出射端面１ａ側のエッジ部が、電極形成面１ｂの光入出射端面１ａ側のエッジ部より、光入出射端面１ａにおける光入出射方向についてショット１の内側となるように、光入出射端面１ａに切り欠き部９ａを加工する。基板積層形成工程において、光入出射端面１ａに切り欠き部９ａを加工された複数のショット１について、光入出射端面１ａが略同一平面上となるように、積層を形成する。光学薄膜形成工程において、積層を形成された複数のショット１について、略同一平面上となった光入出射端面１ａに一括して光学薄膜１０を形成する。【選択図】図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光入出射端面及び電極形成面を有する基板を備える光デバイスの製造方法であって、
前記電極形成面の対向面の前記光入出射端面側のエッジ部が、前記電極形成面の前記光入出射端面側のエッジ部より、前記光入出射端面における光入出射方向について前記基板の内側となるように、前記光入出射端面に切り欠き部を加工する光入出射端面加工工程と、
前記光入出射端面に前記切り欠き部を加工された複数の前記基板について、前記光入出射端面が略同一平面上となるように、かつ、一の前記電極形成面の対向面と他の前記電極形成面が接触するように、積層を形成する基板積層形成工程と、
積層を形成された複数の前記基板について、略同一平面上となった前記光入出射端面に一括して光学薄膜を形成する光学薄膜形成工程と、
前記光学薄膜を形成された複数の前記基板について、積層を分解することにより、複数の前記光デバイスを製造する基板積層分解工程と、
を順に備えることを特徴とする光デバイスの製造方法。
【請求項２】
前記光入出射端面加工工程は、前記光デバイスの側面から見た前記切り欠き部の断面が、方形状、くさび状又は円弧状となるように、前記光入出射端面に前記切り欠き部を加工することを特徴とする、請求項１に記載の光デバイスの製造方法。
【請求項３】
前記光入出射端面加工工程は、複数の前記基板をウェハから劈開で切り出し、前記光入出射端面を前記ウェハの劈開位置に形成するにあたり、前記ウェハのうち前記電極形成面が形成される面の対向面に、前記劈開位置に沿って、方形状、Ｖ字状又はＵ字状の断面を有する溝構造を形成し、前記溝構造に沿って、複数の前記基板を前記ウェハから劈開で切り出すことを特徴とする、請求項１又は２に記載の光デバイスの製造方法。
【請求項４】
光入出射端面及び電極形成面を有する基板を備える光デバイスであって、
前記光入出射端面に光学薄膜が形成され、前記電極形成面の対向面の前記光入出射端面側のエッジ部が、前記電極形成面の前記光入出射端面側のエッジ部より、前記光入出射端面における光入出射方向について前記基板の内側となるように、前記光入出射端面に切り欠き部が加工されることを特徴とする光デバイス。
【請求項５】
前記光デバイスの側面から見た前記切り欠き部の断面が、方形状、くさび状又は円弧状となるように、前記光入出射端面に前記切り欠き部が加工されることを特徴とする、請求項４に記載の光デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体レーザ及び光変調器等の光デバイスにおいて、光入出射端面に光学薄膜を形成するときの作業性向上を図るための技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体レーザ及び光変調器等の光デバイスにおいて、光学特性の向上及び物理的な損傷からの保護を目的として、光入出射端面に誘電体膜及び金属膜等の光学薄膜を形成している。光入出射端面に光学薄膜を形成するときの作業性向上を図るために、全ての光入出射端面が略同一平面上となるように、複数の光デバイスを積層したうえで、全ての光入出射端面に一括して光学薄膜を形成することが行われている（例えば、特許文献１を参照）。
【０００３】
従来技術の光デバイスの製造方法及びショット保持用治具を図１に示す。図１の上段は、特許文献１で開示された、光デバイスを複数備えるショットを示す。図１の下段は、特許文献１で開示された、ショットを保持するショット保持用治具を示す。
【０００４】
１枚のウェハには、Ｍ×Ｎ個の光デバイス（チップ）が一括して製造される。１枚のウェハは、Ｍ列のショット１に分離される。１列のショット１には、Ｎ個の光デバイスが形成される。このＮ個の光デバイスの光入出射端面１ａは、同一平面上に露出される。このＮ個の光デバイスの電極形成面１ｂには、光デバイスを駆動するための電極（不図示）、外部より供給される光デバイスを駆動するための電気信号を受容するためのパッド（不図示）、電極とパッドとを接続する電気配線（不図示）などが形成される。
【０００５】
複数列のショット１は、全ての光入出射端面１ａ（図１の下段の斜線ハッチング部分）が略同一平面上となるように、かつ、ショット１及びスペーサ２がサンドイッチ状に交互に配列されるように、積層を形成される。積層を形成されたショット１及びスペーサ２は、基部３上に配置され、ねじ６、ねじ取付部７及び板ばね８を用いて、固定部４及び可動部５により挟み込まれ、よって、ショット保持用治具Ａにより保持される。
【０００６】
光学薄膜は、外に向けて露出されたショット１の光入出射端面１ａ及びスペーサ２表面を含めて、ショット保持用治具Ａに対して、全体的に形成される。光学薄膜は、スペーサ２により覆い隠された電極形成面１ｂには形成されない。積層を形成されたショット１及びスペーサ２は、ショット保持用治具Ａから取り外され、積層を分解される。１列のショット１は、Ｎ個の光デバイスに、劈開により分離される。
【０００７】
なお、１個の光デバイスが、複数の光入出射端面１ａを有することがある。例えば、一面の光入射端面及び他面の光出射端面が、互いに対向する面である場合である。このとき、一面に光学薄膜を形成されたショット１及びスペーサ２は、一旦ショット保持用治具Ａから取り外され、他面に光学薄膜を形成されるような配置方向で、再びショット保持用治具Ａにより保持され、以上と同様な処理が行なわれる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特公平６−００７６１９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
特許文献１では、外に向けて露出されたショット１の光入出射端面１ａ及びスペーサ２表面は、略同一平面上としている。よって、光学薄膜を形成した後に、ショット１及びスペーサ２を分離する際に、光入出射端面１ａに形成された光学薄膜が、スペーサ２表面に形成された光学薄膜に引き摺られ、剥がれてしまうことがある。
【００１０】
特許文献１では、コストを抑えるため、スペーサ２は、再利用される。このとき、以前にスペーサ２表面に形成された光学薄膜は、再利用にあたり取り除かれるが、一部が破片等として残されることがある。よって、一部の破片等は、ショット１の光入出射端面１ａ又は電極形成面１ｂに付着し、光デバイスの損傷又は外観不良の原因となることがある。
【００１１】
特許文献１では、ショット１及びスペーサ２は、サンドイッチ状に交互に配列される。よって、スペーサ２の用意及び配列のための製造コスト及び製造工程数を削減することができない。そして、スペーサ２を積層する分だけ、ショット１の積層枚数を増やすことができず、光学薄膜の形成効率を向上させることができない。
【００１２】
そこで、前記課題を解決するために、本発明は、半導体レーザ及び光変調器等の光デバイスにおいて、光入出射端面に光学薄膜を形成する際に、損傷又は外観不良を抑制し、製造工程数及び製造コストを削減し、光学薄膜の形成効率を向上させることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記目的を達成するために、特許文献１のスペーサ２を利用することなく、複数の基板の光入出射端面に一括して光学薄膜を形成するにあたり、隣接する基板の光入出射端面に形成される光学薄膜がお互いに連続しないつまり付着しないように、各々の基板の光入出射端面に、切り欠き部、溝構造、凹構造、座繰り又は段差部を形成することとした。
【００１４】
本発明は、光入出射端面及び電極形成面を有する基板を備える光デバイスの製造方法であって、前記電極形成面の対向面の前記光入出射端面側のエッジ部が、前記電極形成面の前記光入出射端面側のエッジ部より、前記光入出射端面における光入出射方向について前記基板の内側となるように、前記光入出射端面に切り欠き部を加工する光入出射端面加工工程と、前記光入出射端面に前記切り欠き部を加工された複数の前記基板について、前記光入出射端面が略同一平面上となるように、かつ、一の前記電極形成面の対向面と他の前記電極形成面が接触するように、積層を形成する基板積層形成工程と、積層を形成された複数の前記基板について、略同一平面上となった前記光入出射端面に一括して光学薄膜を形成する光学薄膜形成工程と、前記光学薄膜を形成された複数の前記基板について、積層を分解することにより、複数の前記光デバイスを製造する基板積層分解工程と、を順に備えることを特徴とする光デバイスの製造方法である。
【００１５】
また、本発明は、光入出射端面及び電極形成面を有する基板を備える光デバイスであって、前記光入出射端面に光学薄膜が形成され、前記電極形成面の対向面の前記光入出射端面側のエッジ部が、前記電極形成面の前記光入出射端面側のエッジ部より、前記光入出射端面における光入出射方向について前記基板の内側となるように、前記光入出射端面に切り欠き部が加工されることを特徴とする光デバイスである。
【００１６】
この構成によれば、特許文献１のスペーサ２を利用せず、かつ、各々の基板の光入出射端面に、切り欠き部、溝構造、凹構造、座繰り又は段差部を形成する。よって、光学薄膜を形成した後に、複数の光デバイスを分離する際に、一の光デバイスの光入出射端面に形成された光学薄膜が、他の光デバイスの切り欠き部、溝構造、凹構造、座繰り又は段差部に形成された光学薄膜に引き摺られ、剥がれてしまうことがない。
【００１７】
また、この構成によれば、特許文献１と異なり、スペーサの用意及び配列の必要がない。よって、一部の破片等が、光デバイスの光入出射端面又は電極形成面に付着し、光デバイスの損傷又は外観不良の原因となることがない。
【００１８】
また、この構成によれば、特許文献１と異なり、スペーサの用意及び配列の必要がない。よって、スペーサの用意及び配列のための製造コスト及び製造工程数を削減することができ、スペーサを積層しない分だけ、光デバイスの形成基板の積層枚数を増やすことができ、光学薄膜の形成効率を向上させることができる。
【００１９】
また、本発明は、前記光入出射端面加工工程は、前記光デバイスの側面から見た前記切り欠き部の断面が、方形状、くさび状又は円弧状となるように、前記光入出射端面に前記切り欠き部を加工することを特徴とする光デバイスの製造方法である。
【００２０】
また、本発明は、前記光デバイスの側面から見た前記切り欠き部の断面が、方形状、くさび状又は円弧状となるように、前記光入出射端面に前記切り欠き部が加工されることを特徴とする光デバイスである。
【００２１】
この構成によれば、光入出射端面のうち、電極形成面寄りの面ではなく、電極形成面の対向面寄りの面に対して、切り欠き部、溝構造、凹構造、座繰り又は段差部を形成する。よって、光入出射端面の加工を、電極形成面のパターニングに影響を与えず行うことができる。
【００２２】
また、本発明は、前記光入出射端面加工工程は、複数の前記基板をウェハから劈開で切り出し、前記光入出射端面を前記ウェハの劈開位置に形成するにあたり、前記ウェハのうち前記電極形成面が形成される面の対向面に、前記劈開位置に沿って、方形状、Ｖ字状又はＵ字状の断面を有する溝構造を形成し、前記溝構造に沿って、複数の前記基板を前記ウェハから劈開で切り出すことを特徴とする光デバイスの製造方法である。
【００２３】
この構成によれば、基板のうち電極形成面が形成される面の対向面に、切り欠き部、溝構造、凹構造、座繰り又は段差部を形成する。よって、切り欠き部、溝構造、凹構造、座繰り又は段差部は、光入出射端面のうち電極形成面の対向面寄りの面の加工及びウェハの劈開にともに役立つ。
【発明の効果】
【００２４】
このように、本発明は、半導体レーザ及び光変調器等の光デバイスにおいて、光入出射端面に光学薄膜を形成する際に、損傷又は外観不良を抑制し、製造工程数及び製造コストを削減し、光学薄膜の形成効率を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】従来技術の光デバイスの製造方法及びショット保持用治具を示す図である。
【図２】実施形態１の光デバイスを製造するためのウェハの構成を示す図である。
【図３】実施形態１の光デバイスを製造するためのショットの構成を示す図である。
【図４】実施形態１の光デバイスを製造するための基板積層形成工程を示す図である。
【図５】実施形態１の光デバイスを製造するための光学薄膜形成工程を示す図である。
【図６】実施形態１の光デバイスを製造するための基板積層分解工程を示す図である。
【図７】実施形態１の光デバイスを製造するための基板積層分解工程を示す図である。
【図８】実施形態２の光デバイスを製造するためのウェハの構成を示す図である。
【図９】実施形態３の光デバイスを製造するためのウェハの構成を示す図である。
【図１０】実施形態４の光デバイスを製造するためのウェハの構成を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
添付の図面を参照して本発明の実施形態を説明する。以下に説明する実施形態は本発明の実施の例であり、本発明は以下の実施形態に制限されるものではない。
【００２７】
（実施形態１）
実施形態１の光デバイスを製造するためのウェハの構成を図２に示す。実施形態１の光デバイスを製造するためのショットの構成を図３に示す。
【００２８】
まず、１枚のウェハに、Ｍ×Ｎ個（図２では、３×３個）の光デバイス（チップ）が一括して製造される。ここで、光デバイスは、実施形態１では、Ｍａｃｈ−Ｚｅｈｎｄｅｒ型の光変調器であるが、変形例として、半導体レーザ等でもよい。例えば、ＩｎＰ等の半導体基板上に、エピタキシャル成長により、下部クラッド層、コア層及び上部クラッド層を形成した後に、半導体プロセスにより、ハイメサ構造の光導波路１３を形成する。そして、上部クラッド層上に、光デバイスを駆動するための電極１１、電気信号を受容するためのパッド１２及び電極１１とパッド１２を接続する配線１４を形成する。このように、電極１１、パッド１２及び配線１４が形成された面が、電極形成面１ｂとなる。
【００２９】
次に、ウェハのうち電極形成面１ｂが形成される面の対向面に、劈開位置に沿って、方形状の断面を有する溝構造９を形成する。ここで、溝構造９は、ウェハに形成された光導波路１３に到達しない程度の深さで形成されることが好ましい。
【００３０】
例えば、電極形成面１ｂが形成されるウェハの裏面に、フォトレジストをスピンコートした後に、フォトリソグラフィ工程により、劈開位置のフォトレジストを所定の幅で除去する。そして、フォトレジストが除去されたウェハの裏面に、異方性ウェットエッチング又はドライエッチングを行い、方形状の断面を有する溝構造９を形成する。
【００３１】
或いは、電極形成面１ｂが形成されるウェハの裏面に、ダイシング技術により、方形状の断面を有する溝構造９を形成する。ここで、ダイシング技術とは、ブレードと呼ばれる切除用の円盤型のプレートを回転させて、基板に切断・溝入れの加工を行うものであり、ブレードの形状に応じて様々な形状の溝構造を形成することができる。
【００３２】
なお、実施形態１では、ウェハに光デバイスを形成した後に、溝構造９を形成しているが、変形例として、ウェハに溝構造９を形成した後に、光デバイスを形成してもよい。
【００３３】
次に、溝構造９に沿って、複数のショット１をウェハから劈開で切り出し、光入出射端面１ａをウェハの劈開位置に形成する。例えば、１枚のウェハは、Ｍ列（図２では、３列）のショット１に分離される。そして、１列のショット１には、Ｎ個（図２、３では、３個）の光デバイスが形成される。さらに、このＮ個の光デバイスの光入出射端面１ａは、同一平面上に露出される。ここで、１個の光デバイスが、複数の光入出射端面１ａを有してもよい。例えば、一面及び他面の光入出射端面１ａが、互いに対向してもよい。このとき、溝構造９が、それぞれの光入出射端面１ａに形成されればよい。
【００３４】
このように、電極形成面１ｂの対向面の光入出射端面１ａ側のエッジ部が、電極形成面１ｂの光入出射端面１ａ側のエッジ部より、光入出射端面１ａにおける光入出射方向についてショット１の内側となるように、光入出射端面１ａに切り欠き部９ａを加工する。具体的には、ショット１の側面から見た切り欠き部９ａの断面が、方形状となるように、光入出射端面１ａに切り欠き部９ａを加工する。このように、切り欠き部９ａは、ウェハに形成した溝構造９が、劈開で表面化した光入出射端面１ａに反映されたものである。
【００３５】
なお、実施形態１では、溝構造９を形成した後に、ウェハを劈開しているが、変形例として、ウェハを劈開した後に、光入出射端面１ａに切り欠き部９ａを形成してもよい。
【００３６】
実施形態１の光デバイスを製造するための基板積層形成工程を図４に示す。基板積層形成工程では、光入出射端面１ａに切り欠き部９ａを加工された複数のショット１について、光入出射端面１ａが略同一平面上となるように、かつ、一の電極形成面１ｂの対向面と他の電極形成面１ｂが接触するように、積層を形成する。
【００３７】
実施形態１の光デバイスを製造するための光学薄膜形成工程を図５に示す。光学薄膜形成工程では、積層を形成された複数のショット１について、略同一平面上となった光入出射端面１ａに一括して光学薄膜１０を形成する。
【００３８】
積層を形成された複数のショット１は、固定部材１７により固定されるセットステージ１５上に配置され、固定部材１８により固定される固定用ブロック１６をかぶせられ、固定用ばね１９の弾性力を用いて、セットステージ１５及び固定用ブロック１６により挟み込まれ、よって、ショット保持用治具Ｂにより保持される。
【００３９】
光学薄膜１０は、外に向けて露出された光入出射端面１ａ及び切り欠き部９ａに対して、一括して形成されるが、外に向けて露出されない電極形成面１ｂに対して、形成されない。光学薄膜１０は、例えば電子ビーム蒸着法やスパッタリング法などにより、誘電体膜や金属膜、半導体膜などを単層にあるいは屈折率を周期的に違えて多層に被膜成形したものである。誘電体膜の材料としては、例えばＡｌ２Ｏ３やＳｉＯ２などが、金属膜の材料としてはＡｕやＡｌなどが、半導体膜の材料としてはＳｉなどが用いられる。
【００４０】
なお、１個の光デバイスが、複数の光入出射端面１ａを有してもよい。例えば、一面及び他面の光入出射端面１ａが、互いに対向してもよい。このとき、一面の光入出射端面１ａに光学薄膜１０を形成されたショット１は、一旦ショット保持用治具Ｂから取り外され、他面の光入出射端面１ａに光学薄膜１０を形成されるような配置方向で、再びショット保持用治具Ｂにより保持され、以上と同様な処理を行なえばよい。
【００４１】
実施形態１の光デバイスを製造するための基板積層分解工程を図６、７に示す。基板積層分解工程では、光学薄膜１０を形成された複数のショット１について、積層を分解し、積層を分解されたそれぞれのショット１について、劈開等で分離し、複数（図２、３では、３個）の光デバイスを製造する。光デバイスは、光入出射端面１ａに光学薄膜１０が形成されており、光入出射端面１ａに切り欠き部９ａが残されている。
【００４２】
ここで、光入出射端面１ａに切り欠き部９ａが形成されない場合には、特許文献１のスペーサ２を利用しないものの、光学薄膜１０を形成した後に、複数のショット１を分離する際に、一のショット１の光入出射端面１ａに形成された光学薄膜１０が、他のショット１の光入出射端面１ａに形成された光学薄膜１０に引き摺られ、剥がれてしまうことがある。
【００４３】
一方で、光入出射端面１ａに切り欠き部９ａが形成される場合には、光学薄膜１０を形成した後に、複数のショット１を分離する際に、一のショット１の光入出射端面１ａに形成された光学薄膜１０が、他のショット１の切り欠き部９ａに形成された光学薄膜１０に引き摺られ、剥がれてしまうことがない。
【００４４】
つまり、外に向けてわずかに露出された電極形成面１ｂは、光入出射端面１ａに形成される切り欠き部９ａに覆いかぶせられ、光学薄膜１０をほとんど形成されないか、光学薄膜１０をごく薄くしか形成されない。そして、光学薄膜１０を形成した後に、複数のショット１を分離する際に、外に向けてわずかに露出された電極形成面１ｂにごく薄くしか形成されない光学薄膜１０は、一のショット１の光入出射端面１ａに形成された光学薄膜１０及び、他のショット１の切り欠き部９ａに形成された光学薄膜１０から、容易に分離することができる。
【００４５】
そして、実施形態１では、特許文献１と異なり、スペーサ２の用意及び配列の必要がない。よって、一部の破片等が、光デバイスの光入出射端面１ａ又は電極形成面１ｂに付着し、光デバイスの損傷又は外観不良の原因となることがない。
【００４６】
さらに、実施形態１では、特許文献１と異なり、スペーサ２の用意及び配列の必要がない。よって、スペーサ２の用意及び配列のための製造コスト及び製造工程数を削減することができ、スペーサ２を積層しない分だけ、ショット１の積層枚数を増やすことができ、光学薄膜１０の形成効率を向上させることができる。
【００４７】
（実施形態２）
実施形態２の光デバイスを製造するためのウェハの構成を図８に示す。実施形態２では、実施形態１と同様に、ウェハのうち電極形成面１ｂが形成される面の対向面に、溝構造９を形成するが、実施形態１と異なり、溝構造９は、Ｖ字状の断面を有する。
【００４８】
つまり、複数のショット１をウェハから劈開で切り出し、光入出射端面１ａをウェハの劈開位置に形成するにあたり、ウェハのうち「電極形成面１ｂが形成される面の対向面」に、劈開位置に沿って、「Ｖ字状」の断面を有する溝構造９を形成し、溝構造９に沿って、複数のショット１をウェハから劈開で切り出す。
【００４９】
このようにして、電極形成面１ｂの対向面の光入出射端面１ａ側のエッジ部が、電極形成面１ｂの光入出射端面１ａ側のエッジ部より、光入出射端面１ａにおける光入出射方向についてショット１の内側となるように、光入出射端面１ａに切り欠き部９ａを加工することができる。切り欠き部９ａは、ウェハに形成した「Ｖ字状」の断面を有する溝構造９が、劈開で表面化した光入出射端面１ａに反映されたものである。ショット１の側面から見た切り欠き部９ａの断面は、くさび状となるように加工される。
【００５０】
ウェハに「Ｖ字状」の断面を有する溝構造９を形成するために、実施形態１で説明した異方性ウェットエッチング又はダイシング技術を適用することができる。
【００５１】
ウェハに「Ｖ字状」の断面を有する溝構造９を形成することにより、ショット１の光入出射端面１ａの近傍が必要以上に除去されないため、ショット１を劈開して光デバイスを形成する際に、光デバイスの光入出射端面１ａが欠けてしまうことを防ぐことができる。
【００５２】
（実施形態３）
実施形態３の光デバイスを製造するためのウェハの構成を図９に示す。実施形態３では、実施形態１と同様に、ウェハのうち電極形成面１ｂが形成される面の対向面に、溝構造９を形成するが、実施形態１と異なり、溝構造９は、Ｕ字状の断面を有する。
【００５３】
つまり、複数のショット１をウェハから劈開で切り出し、光入出射端面１ａをウェハの劈開位置に形成するにあたり、ウェハのうち「電極形成面１ｂが形成される面の対向面」に、劈開位置に沿って、「Ｕ字状」の断面を有する溝構造９を形成し、溝構造９に沿って、複数のショット１をウェハから劈開で切り出す。
【００５４】
このようにして、電極形成面１ｂの対向面の光入出射端面１ａ側のエッジ部が、電極形成面１ｂの光入出射端面１ａ側のエッジ部より、光入出射端面１ａにおける光入出射方向についてショット１の内側となるように、光入出射端面１ａに切り欠き部９ａを加工することができる。切り欠き部９ａは、ウェハに形成した「Ｕ字状」の断面を有する溝構造９が、劈開で表面化した光入出射端面１ａに反映されたものである。ショット１の側面から見た切り欠き部９ａの断面は、円弧状となるように加工される。
【００５５】
ウェハに「Ｕ字状」の断面を有する溝構造９を形成するために、等方性ウェットエッチングを適用することができる。
【００５６】
ウェハに「Ｕ字状」の断面を有する溝構造９を形成することにより、ショット１の光入出射端面１ａの近傍が必要以上に除去されないため、ショット１を劈開して光デバイスを形成する際に、光デバイスの光入出射端面１ａが欠けてしまうことを防ぐことができる。
【００５７】
（実施形態４）
実施形態４の光デバイスを製造するためのウェハの構成を図１０に示す。実施形態４では、実施形態１と同様に、ウェハのうち電極形成面１ｂが形成される面の対向面に、溝構造９を形成するが、実施形態１と異なり、溝構造９は、略Ｖ字状の断面を有する。
【００５８】
つまり、複数のショット１をウェハから劈開で切り出し、光入出射端面１ａをウェハの劈開位置に形成するにあたり、ウェハのうち「電極形成面１ｂが形成される面の対向面」に、劈開位置に沿って、「勾配が端部から中央へと大きくなるＶ字状」の断面を有する溝構造９を形成し、溝構造９に沿って、複数のショット１をウェハから劈開で切り出す。
【００５９】
このようにして、電極形成面１ｂの対向面の光入出射端面１ａ側のエッジ部が、電極形成面１ｂの光入出射端面１ａ側のエッジ部より、光入出射端面１ａにおける光入出射方向についてショット１の内側となるように、光入出射端面１ａに切り欠き部９ａを加工することができる。切り欠き部９ａは、ウェハに形成した「略Ｖ字状」の断面を有する溝構造９が、劈開で表面化した光入出射端面１ａに反映されたものである。ショット１の側面から見た切り欠き部９ａの断面は、くさび状となるように加工される。
【００６０】
ウェハに「略Ｖ字状」の断面を有する溝構造９を形成するために、実施形態１で説明した異方性ウェットエッチング又はドライエッチングを適用することができる。
【００６１】
ウェハに「略Ｖ字状」の断面を有する溝構造９を形成することにより、ショット１の光入出射端面１ａの近傍が必要以上に除去されないため、ショット１を劈開して光デバイスを形成する際に、光デバイスの光入出射端面１ａが欠けてしまうことを防ぐことができる。
【産業上の利用可能性】
【００６２】
本発明の光デバイスの製造方法及び光デバイスは、半導体レーザ及び光変調器等の光デバイスにおいて、光入出射端面に光学薄膜を形成する際に、損傷又は外観不良を抑制し、製造工程数及び製造コストを削減し、光学薄膜の形成効率を向上させることができる。
【符号の説明】
【００６３】
１：ショット
１ａ: 光入出射端面
１ｂ：電極形成面
２：スペーサ
３：基部
４：固定部
５：可動部
６：ねじ
７：ねじ取付部
８：板ばね
９：溝構造
９ａ：切り欠き部
１０：光学薄膜
１１：電極
１２：パッド
１３：光導波路
１４：配線
１５：セットステージ
１６：固定用ブロック
１７、１８：固定部材
１９：固定用ばね
Ａ、Ｂ：ショット保持用治具
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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