(57)【要約】【課題】ガス抜き工程の短縮化を図りつつ、薄膜部が形成された側の基板が割れることも抑制する。【解決手段】第１基板１０の他面１０ｂ、第２基板２０における窪み部２０ｃの底面、第２基板２０の他面２０ｂの少なくとも１つの面に複数の凹部２１ｄを形成し、気密室３１と外部空間との間に位置する部分が薄くされた薄膜部２１ｅを構成する。そして、複数の凹部２１ｄ、１７同士の間に位置する部分にて構成される梁部２１ｆを第１、第２基板１０、２０の面方向における一方向と、第１、第２基板１０、２０の面方向における一方向と異なる他方向に延設する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
一面（１０ａ）および前記一面と反対側の他面（１０ｂ）を有する第１基板（１０）と、
一面（２０ａ）および前記一面と反対側の他面（２０ｂ）を有し、前記一面に窪み部（２０ｃ）が形成され、当該一面が前記第１基板の一面と対向する状態で前記第１基板と接合されている第２基板（２１、２２）と、を備え、
前記第１基板と前記第２基板の窪み部との間の空間を含んで気密室（３１）が構成された半導体装置において、
前記第１基板の他面、前記第２基板における窪み部の底面、前記第２基板の他面の少なくとも１つの面には、複数の凹部（２１ｄ、１７）が形成されることにより、前記気密室と外部空間との間に位置する部分が薄くされた薄膜部（２１ｅ、４１）が構成されており、
前記複数の凹部同士の間に位置する部分にて構成される梁部（２１ｆ、４２）は、前記第１、第２基板の面方向における一方向と、前記第１、第２基板の面方向における前記一方向と異なる他方向に延設されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記第１、第２基板における同一平面に形成された前記複数の凹部は、当該複数の凹部における外縁部に位置する前記凹部の深さが内縁部に位置する前記凹部の深さより浅くされていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第１、第２基板における同一平面に形成された前記複数の凹部は、当該複数の凹部における外縁部に位置する部分よりも内縁部に位置する部分の方が密に形成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記複数の凹部は、開口部が六角形状とされており、
前記複数の凹部同士の間に位置する部分にてハニカム構造が構成されていることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれか１つに記載の半導体装置の製造方法であって、
前記第１、第２基板を用意する工程と、
前記第１、第２基板の少なくともいずれか一方に前記凹部を形成することで前記薄膜部を形成する工程と、
前記第１基板と前記第２基板とを接合することで前記気密室を形成する工程と、
加熱することにより、前記気密室内のデガスを前記薄膜部を介して排出するするガス抜き工程と、を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、第１基板に第２基板が接合され、第１基板と第２基板との間に気密室が構成された半導体装置およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、この種の半導体装置として、次のものが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
すなわち、この半導体装置では、第１基板に角速度を検出するセンシング部が形成されている。また、第２基板は、第１基板の一面のうちのセンシング部と対向する部分に窪み部が形成されている。そして、この第２基板は、第１基板と窪み部との間を含む空間にてセンシング部を封止する気密室が構成されるように、第１基板に接合されている。
【０００４】
このような半導体装置は、次のように製造される。すなわち、まず、第１基板に角速度を検出するセンシング部を形成すると共に、第２基板に窪み部を形成する。そして、第１基板と窪み部との間を含む空間にてセンシング部を封止する気密室が構成されるように、第１基板と第２基板とを接合することにより、製造される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１２−１８７６６４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記半導体装置の製造方法では、第１基板と第２基板とを接合する際、第１基板と第２基板との接合界面からデガス（水素ガス等）が発生する。このため、気密室内の圧力が所望の圧力に対して変動し、検出精度が低下するという問題がある。特に、気密室を小型化することによって半導体装置を小型化している場合には、デガスによって気密室内の圧力が大きく変動してしまう。
【０００７】
この問題を解決するため、第１基板と第２基板とを接合した後、加熱処理を行うことによってデガスの拡散係数を大きくすることにより、気密室内に存在するデガスを第２基板内に拡散（通過）させて外部に排出するガス抜き工程を行うことが考えられる。しかしながら、このガス抜き工程をそのまま行うと、気密室内のデガスを排出する際の処理時間が長くなるという問題がある。
【０００８】
したがって、ガス抜き工程の短縮化を図るため、第２基板の窪み部の底面にさらに凹部を形成することによって薄膜部を形成し、第１基板と第２基板とを接合した後、加熱処理を行うことによってデガスを第２基板における薄膜部内を拡散（通過）させて外部に排出することが考えられる。しかしながら、第２基板に単純に薄膜部を形成した場合、第２基板の強度が低下することにより、第１基板と第２基板とを接合する際や、半導体装置の使用時等に第２基板が割れる可能性があるという問題がある。
【０００９】
なお、ここでは第２基板に薄膜部を形成した例について説明したが、このような問題は第１基板に薄膜部を形成した場合においても同様に発生する。
【００１０】
本発明は上記点に鑑みて、ガス抜き工程の短縮化を図りつつ、薄膜部が形成された側の基板が割れることも抑制できる半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、一面（１０ａ）および一面と反対側の他面（１０ｂ）を有する第１基板（１０）と、一面（２０ａ）および一面と反対側の他面（２０ｂ）を有し、一面に窪み部（２０ｃ）が形成され、当該一面が第１基板の一面と対向する状態で第１基板と接合されている第２基板（２１、２２）と、を備え、第１基板と第２基板の窪み部との間の空間を含んで気密室（３１）が構成された半導体装置において、以下の点を特徴としている。
【００１２】
すなわち、第１基板の他面、第２基板における窪み部の底面、第２基板の他面の少なくとも１つの面には、複数の凹部（２１ｄ、１７）が形成されることにより、気密室と外部空間との間に位置する部分が薄くされた薄膜部（２１ｅ、４１）が構成されており、複数の凹部同士の間に位置する部分にて構成される梁部（２１ｆ、４２）は、第１、第２基板の面方向における一方向と、基板の面方向における一方向と異なる他方向に延設されていることを特徴としている。
【００１３】
これによれば、複数の凹部同士の間に位置する部分にて構成される梁部が異なる方向に延設されている。このため、第１基板と第２基板との接合界面に発生する応力に対し、少なくともいずれか一方に延設されている梁部にて当該応力に対する強度を向上できる。したがって、第２基板が破壊されることを抑制できる。
【００１４】
また、請求項５に記載の発明は、請求項１ないし４のいずれか１つに記載の半導体装置の製造方法に関するものであり、第１、第２基板を用意する工程と、第１、第２基板の少なくともいずれか一方に凹部を形成することで薄膜部を形成する工程と、第１基板と第２基板とを接合することで気密室を形成する工程と、加熱することにより、気密室内のデガスを薄膜部を介して排出するするガス抜き工程と、を行うことを特徴としている。
【００１５】
これによれば、複数の凹部同士の間に位置する部分にて構成される梁部が異なる方向となるように凹部を形成している。このため、第１基板と第２基板とを接合する際や、第１基板と第２基板とを接合した後、第１基板と第２基板との接合界面に発生する応力に対し、少なくともいずれか一方に延設されている梁部にて当該応力に対する強度を向上できる。したがって、第２基板が破壊されることを抑制できる。
【００１６】
なお、この欄および特許請求の範囲で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の第１実施形態における半導体装置の断面図である。
【図２】図１に示す基板２１の一面２１ａ側の平面図である。
【図３】図１に示す半導体装置の製造工程を示す断面図である。
【図４】図３に続く半導体装置の製造工程を示す断面図である。
【図５】本発明の第２実施形態における半導体装置の断面図である。
【図６】本発明の第３実施形態における基板２１の一面２１ａ側の平面図である。
【図７】本発明の第４実施形態における基板２１の一面２１ａ側の平面図である。
【図８Ａ】本発明の他の実施形態における基板２１の一面２１ａ側の平面図である。
【図８Ｂ】本発明の他の実施形態における基板２１の一面２１ａ側の平面図である。
【図９Ａ】本発明の他の実施形態における半導体装置の断面図である。
【図９Ｂ】本発明の他の実施形態における半導体装置の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、同一符号を付して説明を行う。
【００１９】
（第１実施形態）
本発明の第１実施形態について図面を参照しつつ説明する。なお、本実施形態では、本発明の半導体装置を加速度を検出する加速度センサに適用した例について説明する。
【００２０】
図１に示されるように、本実施形態の加速度センサは、一面１０ａおよび他面１０ｂを有し、面方向における一方向（図１中紙面左右方向）を長手方向とするセンサ基板１０を備えている。本実施形態では、センサ基板１０は、支持基板１１、絶縁膜１２、半導体層１３が順に積層されたＳＯＩ（Silicon on Insulator）基板が用いられる。
【００２１】
なお、本実施形態では、センサ基板１０が本発明の第１基板１０に相当し、半導体層１３のうちの絶縁膜１２側と反対側の一面がセンサ基板１０の一面１０ａを構成し、支持基板１１のうち絶縁膜１２側と反対側の一面がセンサ基板１０の他面１０ｂを構成している。また、支持基板１１および半導体層１３はシリコン等で構成され、絶縁膜１２は酸化膜等で構成される。
【００２２】
そして、センサ基板１０には、一面１０ａ側（半導体層１３）に物理量としての加速度に応じたセンサ信号を出力するセンシング部１４が形成されている。本実施形態では、このセンシング部１４は、可動部および固定部が溝部１５によって区画形成された周知の構成とされている。簡単に説明すると、可動部は、矩形状の錘部の両端が梁部を介してアンカー部に一体に連結され、当該錘部の側面に可動電極が形成されている。固定部は、可動電極の側面と所定の検出間隔を有するように可動電極と平行に配置された固定電極が形成されている。
【００２３】
また、絶縁膜１２のうちのセンシング部１４と対向する部分には、犠牲層エッチング等によって開口部１６が形成されている。これにより、可動電極および固定電極は、支持基板１１に対して浮遊した状態とされている。
【００２４】
このため、センシング部１４は、加速度が印加されると、可動電極（錘部）が加速度に応じて変位することで可動電極と固定電極との間隔が変化し、加速度に応じたセンサ信号（容量変化）を出力する。
【００２５】
そして、図１に示されるように、上記センサ基板１０の一面１０ａには、一面２０ａおよび他面２０ｂを有し、センサ基板１０と同じ平面形状とされたキャップ基板２０が接合されている。具体的には、キャップ基板２０は、一面２０ａのうちのセンシング部２０ａと対向する部分に窪み部２０ｃが形成されており、センサ基板１０と窪み部２０ｃとの間の空間を含んで気密室３１が構成され、当該気密室３１にセンシング部１４が封止されるように、センサ基板１０と接合されている。
【００２６】
キャップ基板２０は、センサ基板１０側の一面２１ａおよび当該一面２１ａと対向する他面２１ｂを有する基板２１と、基板２１の一面２１ａに形成された絶縁膜２２と、基板２１の他面２１ｂに形成された絶縁膜２３とを有している。本実施形態では、基板２１の一面２１ａに形成された絶縁膜２２のうちの基板２１と反対側の一面がキャップ基板２０の一面２０ａを構成し、基板２１の他面２１ｂに形成された絶縁膜２３のうちの基板２１と反対側の一面がキャップ基板２０の他面２０ｂを構成している。
【００２７】
基板２１は、シリコン基板等で構成され、一面２１ａのうちのセンシング部１４と対向する部分に凹み部２１ｃが形成されている。これにより、キャップ基板２０に、凹み部２１ｃの壁面にて構成される窪み部２０ｃが構成されている。なお、本実施形態では、基板２１および絶縁膜２２が本発明の第２基板に相当しており、窪み部２０ｃは底面が略矩形状とされている。
【００２８】
また、基板２１には、凹み部２１ｃ（窪み部２０ｃ）の底面から基板２１の他面２１ｂに向かって凹部２１ｄが形成されている。具体的には、この凹部２１ｄは、基板２１の他面２１ｂに達しないように形成されている。つまり、凹部２１ｄは基板２１を貫通しないように形成されている。そして、凹部２１ｄの底面と基板２１の他面２１ｂ（外部空間）との間の部分にて基板２１を薄膜化した薄膜部２１ｅが形成されている。
【００２９】
ここで、本実施形態の凹部２１ｄについて具体的に説明する。本実施形態では、図２に示されるように、基板２１の長手方向を第１方向、当該第１方向と直交する方向を第２方向としたとき、凹部２１ｄは、第１、第２方向に沿って３つずつ形成され、全部で９つ形成されている。詳述すると、各凹部２１ｄは、開口部が矩形状とされており、当該矩形状を形造る相対する２組の辺のうちの一方の組の辺が第１方向と平行に配置され、他方の組の辺が第２方向と平行となるように配置されている。そして、９つの凹部２１ｄは、凹み部２１ｃの底面における略中心と一致するように１つの凹部２１ｄが形成され、当該凹部２１ｄを中心として他の８つの凹部２１ｄが均等に形成されている。
【００３０】
また、基板２１には、各凹部２１ｄの間に位置する部分にて梁部２１ｆが構成されている。本実施形態では、上記のように凹部２１ｄが形成されていることにより、第１方向に沿った凹部２１ｄ同士の間に位置する梁部２１ｆは、第２方向に沿って延設され、第２方向に沿った凹部２１ｄ同士の間に位置する梁部２１ｆは、第１方向に沿って延設された形状とされている。つまり、基板２１には、異なる２方向に延設された梁部２１ｆが形成されている。
【００３１】
なお、特に限定されるものではないが、基板２１として、例えば、（００１）面方位を有するものを用いた場合には、面方位と梁部２１ｆの延設方向（第１、第２方向）とが異なるようにすることが好ましい。これは、機械的強度の向上のためである。すなわち、本実施形態では、薄膜部２１ｅの機械的強度は厚膜部（薄膜部２１ｅでない部分）より薄くなった分だけ低下する。この場合、薄膜方向（梁部２１ｆの延設方向）と結晶面方位とが同じであると、薄膜部２１ｅにかかる応力が集中してしまうため、方向を揃えないことによって強度が低下することを抑制できる。
【００３２】
また、キャップ基板２０には、図１に示されるように、センサ基板１０とキャップ基板２０との積層方向に当該キャップ基板２０を貫通してセンシング部１４の一部を露出させる複数の貫通孔２４が形成されている。そして、貫通孔２４の壁面には、ＴＥＯＳ等で構成される絶縁膜２５を介してＡｌ等で構成される貫通電極２６がセンシング部１４と電気的に接続されるように形成されている。また、キャップ基板２０の他面２０ｂ（絶縁膜２３）上には、貫通電極２６と電気的に接続されるパッド部２７が形成されている。
【００３３】
以上が本実施形態における加速度センサの構成である。次に、上記加速度センサの製造方法について図３および図４を参照しつつ説明する。
【００３４】
まず、図３（ａ）に示されるように、支持基板１１、絶縁膜１２、半導体層１３が順に積層されたセンサ基板１０を用意する。そして、従来の製造方法と同様に、ドライエッチング等で半導体層１３に溝部１５を形成してセンシング部１４を形成すると共に、犠牲層エッチング等で絶縁膜１２に開口部１６を形成する。
【００３５】
続いて、図３（ｂ）に示されるように、図３（ａ）とは別工程において、基板２１を用意し、基板２１の一面２１ａにＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法等で絶縁膜２２を形成する。その後、基板２１の一面２１ａ側からドライエッチング等を行うことによって上記凹み部２１ｃおよび凹部２１ｄを形成する。これにより、上記薄膜部２１ｅおよび梁部２１ｆが構成される。
【００３６】
次に、図３（ｃ）に示されるように、センサ基板１０と基板２１との間に気密室３１が構成されるように、センサ基板１０と絶縁膜２２が形成された基板２１とを接合する。本実施形態では、まず、センサ基板１０の接合面（半導体層１３）および絶縁膜２２の接合面にＡｒイオンビーム等を照射し、各接合面を活性化させる。そして、センサ基板１０および基板２１に適宜設けられたアライメントマーク等を用いて赤外顕微鏡等によるアライメントを行い、室温〜５５０°の低温で接合するいわゆる直接接合により、センサ基板１０と基板２１（絶縁膜２２）とを接合する。これにより、センサ基板１０と基板２１の凹み部２１ｃとの間の空間を含んで気密室３１が構成され、当該気密室３１にセンシング部１４が封止される。
【００３７】
なお、この工程が終了した後は、センサ基板１０と絶縁膜２２とを接合した際に発生するデガス（水素ガス等）によって気密室３１内の圧力が所望の圧力に対して変動した（高くなっている）状態となっている。
【００３８】
また、センサ基板１０と基板２１とを接合する際、および接合した後には、接合界面に応力が発生するが、基板２１には、第１方向および第２方向に延設された梁部２１ｆが形成されている。このため、少なくともいずれか一方の方向に延設された梁部２１ｆによって当該応力に対する強度を向上でき、基板２１が割れたりすることを抑制できる。
【００３９】
続いて、図４（ａ）に示されるように、７００〜８００°に加熱して気密室３１内に存在するデガスを主に基板２１のうちの薄膜部２１ｅ内を拡散（通過）させて外部に排出するガス抜き工程を行う。つまり、加熱することによってデガスの拡散係数を大きくして当該デガスを気密室３１内から外部に排出する。
【００４０】
その後は、図４（ｂ）に示されるように、センシング部１４の一部が露出するように、ドライエッチング等で基板２１、絶縁膜２２を貫通する貫通孔２４を形成する。そして、各貫通孔２４の壁面にＴＥＯＳ等の絶縁膜２５を成膜する。このとき、基板２１の他面２１ｂ側に形成された絶縁膜にて上記絶縁膜２３が構成される。次に、各貫通孔２４の底部に形成された絶縁膜２５を除去する。そして、各貫通孔２４にスパッタ法や蒸着法等でＡｌやＡｌ−Ｓｉ等の金属膜を成膜することにより、センシング部１４と電気的に接続される貫通電極２６を形成する。その後、絶縁膜２３上に形成された金属膜をパターニングして貫通電極２６と電気的に接続されるパッド部２７を形成することにより、上記図１に示す加速度センサが製造される。
【００４１】
なお、上記では、１つの加速度センサの製造方法について説明したが、ウェハ状のセンサ基板１０と基板２１とを用意し、ウェハ状のまま上記各工程を行った後にこのものをダイシングカットしてチップ単位に分割するようにしてもよい。
【００４２】
以上説明したように、本実施形態では、基板２１に複数の凹部２１ｄを形成することによって薄膜部２１ｅを形成している。このため、ガス抜き工程を行う際、デガスが薄膜部２１ｅを拡散（通過）する場合には拡散する経路が短くなって外部に排出され易くなる。したがって、ガス抜き工程の短縮化を図ることができる。
【００４３】
また、基板２１に複数の凹部２１ｄを形成し、各凹部２１ｄ同士の間に位置する部分の梁部２１ｆが第１方向または第２方向に延設されるようにしている。つまり、梁部２１ｆは、異なる２方向に延設されている。このため、基板２１とセンサ基板１０とを接合する際や、接合した後、接合界面に応力が発生したとしても、少なくともいずれか一方の梁部２１ｆにて当該応力に対する強度を向上できる。したがって、基板２１（キャップ基板２０）が破壊されることを抑制できる。
【００４４】
さらに、本実施形態では、気密室３１側に凹部２１ｄを形成している。このため、基板２１の他面２１ｂ側に凹部２１ｄを形成することによって薄膜部２１ｅを構成した場合と比較して、気密室３１の体積を増加させることができる。したがって、デガスによる圧力変動の影響を小さくできる。
【００４５】
また、気密室３１内のデガスは、気密室３１を構成する壁面とも反応する。このため、気密室３１側に凹部２１ｄを形成することにより、気密室３１内のデガスと接する壁面の面積を増加させることができる。したがって、気密室３１内に導入されたデガスを壁面と反応させ易くなり、気密室３１内に存在するデガス自体を少なくできる。
【００４６】
（第２実施形態）
本発明の第２実施形態について説明する。本実施形態は、第１実施形態に対して凹部２１ｄの深さを変更したものであり、その他に関しては第１実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
【００４７】
本実施形態では、図５に示されるように、複数の凹部２１ｄのうち、凹み部２１ｃの略中心に形成された１つの凹部２１ｄは、他の８つの凹部２１ｄよりも深く形成されている。なお、図５は、図２中のI−I断面に相当する図であり、他の凹部２１ｄに関しては特に図示していないが、凹み部２１ｃの略中心に形成された凹部２１ｄより浅くされている。つまり、本実施形態では、基板２１には複数の凹部２１ｄが形成されており、当該複数の凹部２１ｄのうちの外縁部（外縁側）に形成された凹部２１ｄは、内縁部（内縁側）に形成された凹部２１ｄより浅く形成されている。
【００４８】
このような半導体装置では、キャップ基板２０には、接合界面に最も大きな応力が印加され、当該応力が順にキャップ基板２０のうちのセンサ基板１０と接合されていない部分に伝播する。このため、各凹部２１ｄが形成される凹み部２１ｃの底面において、凹み部２１ｃの外縁側に伝播される応力は、凹み部２１ｃの内縁側（略中心）に伝播される応力より大きくなる。そして、本実施形態の半導体装置では、応力が最も伝播され難い部分に形成される凹部２１ｄを最も深くし、応力が伝播され易い部分に形成される凹部２１ｄを浅くしている。つまり、応力が最も伝播され難い部分に形成される薄膜部２１ｅを薄くし、応力が伝播され易い部分に形成される薄膜部２１ｅを厚くしている。このため、さらに基板２１（キャップ基板２０）が破壊されることを抑制しつつ、上記第１実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００４９】
（第３実施形態）
本発明の第３実施形態について説明する。本実施形態は、第１実施形態に対して凹部２１ｄの並べ方を変更したものであり、その他に関しては第１実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
【００５０】
本実施形態では、図６に示されるように、凹み部２１ｃの底面には、１８個の凹部２１ｄが形成されている。そして、複数の凹部２１ｄのうちの外縁側に形成された４個の凹部２１ｄは、内縁側に形成された１６個の凹部２１ｄよりまばらに形成されている。言い換えると、複数の凹部２１ｄは、凹み部２１ｃの外縁側より内縁側の方に密集して形成されている。
【００５１】
これによれば、上記第２実施形態と同様に、応力が最も伝播され難い部分に多数の凹部２１ｄを形成し、応力が伝播され易い部分に少数の凹部２１ｄを形成しているため、さらに基板２１（キャップ基板２０）が破壊されることを抑制しつつ、上記第１実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００５２】
（第４実施形態）
本発明の第４実施形態について説明する。本実施形態は、第１実施形態に対して凹部２１ｄの形状を変更したものであり、その他に関しては第１実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
【００５３】
本実施形態では、図７に示されるように、各凹部２１ｄは、開口部が六角形状とされており、凹部２１ｄの間に位置する梁部２１ｆにてハニカム構造が構成されている。言い換えると、基板２１には、梁部２１ｆにてハニカム構造が構成されるように、複数の凹部２１ｄが形成されている。
【００５４】
これによれば、梁部２１ｆにてハニカム構造が形成されているため、梁部２１ｆが４方向に延設されることになる。このため、さらに複数の方向の応力に対する強度を向上しつつ、上記第１実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００５５】
（他の実施形態）
本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。
【００５６】
例えば、上記各実施形態では、各凹部２１ｄが全て同じ大きさである例について説明したが、図８Ａに示されるように、各凹部２１ｄの大きさは異なっていてよい。例えば、凹み部２１ｃの外縁側に形成される凹部２１ｄは、内縁側に形成される凹部２１ｄより大きくされていてもよい。また、図８Ｂに示されるように、内縁側に形成される凹部２１ｄの一部が他の凹部２１ｄより大きくされていてもよい。すなわち、凹部２１ｄの大きさは適宜変更可能である。また、特に図示しないが、各凹部２１ｄは大きさだけでなく、開口部の形状が異なっていてもよい。すなわち、凹部２１ｄ同士の間にて構成される梁部２１ｆが異なる方向に延設されるのであれば、凹部２１ｄの大きさおよび形状は適宜変更可能である。
【００５７】
また、上記各実施形態では、基板２１のうちの凹み部２１ｃの底面に凹部２１ｄが形成される例について説明したが、基板２１のうちの他面２１ｂ側から凹部２１ｄが形成されることにより、凹部２１ｄの底面と凹み部２１ｃの底面との間の部分にて薄膜部２１ｅが構成されるようにしてもよい。さらに、基板２１のうちの凹み部２１ｃの底面および基板２１の他面ｂにそれぞれ凹部２１ｄが形成されていてもよい。
【００５８】
そして、上記各実施形態において、凹み部２１ｃの壁面に絶縁膜２２が形成されていてもよい。また、第１基板１０としてＳＯＩ基板ではなく、シリコン基板等を用いてもよい。
【００５９】
さらに、上記各実施形態では、本発明を加速度センサに適用した例について説明したが、例えば、本発明を図９Ａ、図９Ｂに示されるような圧力センサに適用することもできる。
【００６０】
すなわち、図９Ａに示される圧力センサでは、支持基板１１の他面１０ｂ側から凹部１７が形成されることにより、凹部１７の底面とセンサ基板１０の一面１０ａとの間に位置する絶縁膜１２および半導体層１３にて、圧力に応じて変形可能なダイヤフラム１８が構成されている。そして、このダイヤフラム１８に当該ダイヤフラム１８の変形に応じて抵抗値が変化するゲージ抵抗１９が形成されている。また、この圧力センサでは、キャップ基板２０（本発明の第２基板）は、基板２１および絶縁膜２２にて構成されている。そして、基板２１の凹み部２１ｃの底面に上記凹部２１ｄが形成されている。なお、図９Ａに示す基板２１は、図２中のI−I断面に相当し、本実施形態では、ゲージ抵抗が本発明のセンシング部に相当している。
【００６１】
このような圧力センサでは、凹部１７を介してダイヤフラム１８に測定媒体の圧力が印加されると、測定媒体の圧力と気密室３１との差圧に応じてダイヤフラム１８が変形する。そして、当該差圧に応じたセンサ信号がゲージ抵抗１９から出力される。つまり、図９Ａでは、気密室３１は、ダイヤフラム１８に基準圧力を印加する基準圧力室としても機能する。
【００６２】
そして、上記図４（ａ）におけるガス抜き工程を行う際には、薄膜部２１ｅおよびダイヤフラム１８内を拡散（通過）してデガスが外部に排出される。
【００６３】
また、図９Ｂに示される圧力センサでは、第１基板１０は、支持基板１１および絶縁膜１２にて構成され、第２基板２０は基板２１のみで構成されている。そして、第２基板２０のうちの窪み部２１ｃ（２０ｃ）の底部が圧力に応じて変形可能なダイヤフラム１８とされ、このダイヤフラム１８に当該ダイヤフラム１８の変形に応じて抵抗値が変化するゲージ抵抗１９が形成されている。なお、図９Ｂでは、ゲージ抵抗１９にてセンシング部が構成されている。
【００６４】
そして、第１基板１０には、他面１０ｂ側から上記凹部２１ｄと同様の凹部１７が形成されることにより、上記薄膜部２１ｅと同様の薄膜部４１が形成され、凹部１７同士の間に位置する部分にて上記梁部２１ｆと同様の梁部４２が形成されている。
【００６５】
このような圧力センサでは、ダイヤフラム１８に測定媒体の圧力が印加されると、測定媒体の圧力と気密室３１との差圧に応じてダイヤフラム１８が変形する。そして、当該差圧に応じたセンサ信号がゲージ抵抗１９から出力される。つまり、図９Ｂでは、気密室３１は、ダイヤフラム１８に基準圧力を印加する基準圧力室としても機能する。そして、上記図４（ａ）におけるガス抜き工程を行う際には、薄膜部４１およびダイヤフラム１８内を拡散（通過）してデガスが外部に排出される。
【００６６】
さらに、特に図示しないが、本発明を角速度センサ等に適用することもできる。
【００６７】
また、上記各実施形態を適宜組み合わせることもできる。例えば、上記第２実施形態を上記第３、第４実施形態に組み合わせ、複数の凹部２１ｄのうちの外縁部に形成された凹部２１ｄが内縁部に形成された凹部２１ｄより浅くされていてもよい。また、上記第３実施形態を第４実施形態に組み合わせ、凹み部２１ｃの外縁側より内縁側の方に密集して凹部２１ｄを形成するようにしてもよい。
【符号の説明】
【００６８】
１０    センサ基板
１０ａ  一面
２１    基板
２１ｄ  凹部
２１ｅ  薄膜部
２２    絶縁膜
３１    気密室
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
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