(57)【要約】【課題】マイクロ波によりチャンバ内にプラズマを生成してプラズマ処理を行うプラズマ処理装置においてインピーダンス整合を行う際にプラズマの失火や不安定動作を抑制する。【解決手段】チューナ４３は、給電されたマイクロ波を平面スロットアンテナ１０１に伝送する同軸構造のマイクロ波伝送路５１と、マイクロ波伝送路５１に沿って移動可能な誘電体からなるスラグ６１ａ，６１ｂと、スラグ６１ａ，６１ｂをマイクロ波伝送路５１に沿って移動させる駆動部７０と、スラグ６１ａ，６１ｂの位置が、反射係数が小さい整合ポジションになるように、これらの位置を制御してインピーダンス整合するとともに、プラズマの状態に基づいて、スラグ６１ａ，６１ｂの整合ポジションに至る移動経路である整合軌道を制御する制御部８０とを具備する。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
マイクロ波によりチャンバ内にプラズマを生成してプラズマ処理を行うプラズマ処理装置において、マイクロ波電源から伝送されたマイクロ波が給電され、マイクロ波を放射する平面アンテナへマイクロ波を伝送するとともに、プラズマ負荷のインピーダンスを前記マイクロ波電源の特性インピーダンスに整合させるチューナであって、
給電されたマイクロ波を前記平面アンテナに伝送する同軸構造のマイクロ波伝送路と、
前記マイクロ波伝送路に沿って移動可能な誘電体からなる少なくとも２つのスラグと、
前記少なくとも２つのスラグを前記マイクロ波伝送路に沿って移動させる駆動部と、
前記少なくとも２つのスラグの位置が、反射係数が小さい整合ポジションになるように、これらの位置を制御してインピーダンス整合するとともに、プラズマの状態に基づいて、前記少なくとも２つのスラグの整合ポジションに至る移動経路である整合軌道を制御する制御部と
を具備することを特徴とするチューナ。
【請求項２】
前記制御部は、前記少なくとも２つのスラグの前記整合軌道において、プラズマ失火の可能性や不安定動作になる可能性があるプラズマ状態にならないように前記整合軌道を制御することを特徴とする請求項１に記載のチューナ。
【請求項３】
前記制御部は、前記少なくとも２つのスラグの位置とプラズマ発光強度との関係をプラズマ条件ごとに記憶した記憶部を有し、前記記憶部の情報に基づいて前記少なくとも２つのスラグの整合軌道を制御することを特徴とする請求項１または請求項２に記載のチューナ。
【請求項４】
前記チャンバ内のプラズマの発光強度を検出するプラズマ発光強度センサをさらに具備し、前記制御部は、前記プラズマ発光強度センサの検出値に基づいて前記少なくとも２つのスラグの整合軌道を制御することを特徴とする請求項１または請求項２に記載のチューナ。
【請求項５】
チャンバ内にマイクロ波プラズマを形成してプラズマ処理を行うプラズマ処理装置に用いられるマイクロ波プラズマ源であって、
マイクロ波電源を有し、マイクロ波を出力するマイクロ波出力部と、
前記マイクロ波出力部から出力されたマイクロ波を伝送し前記チャンバ内に放射するためのマイクロ波供給部と
を具備し、
前記マイクロ波供給部は、
請求項１から請求項４のいずれかのチューナと、
前記チューナからマイクロ波が伝送され、伝送されたマイクロ波を前記チャンバに向けて放射する平面アンテナを有するアンテナ部と
を備えることを特徴とするマイクロ波プラズマ源。
【請求項６】
前記マイクロ波出力部は、前記マイクロ波を複数に分配する分配器を有し、前記マイクロ波供給部は、分配されたマイクロ波を前記チャンバ内へ導く複数のアンテナモジュールを有しており、前記各アンテナモジュールは、前記チューナと前記アンテナ部とを有することを特徴とする請求項５に記載のマイクロ波プラズマ源。
【請求項７】
マイクロ波によりチャンバ内にプラズマを生成してプラズマ処理を行うプラズマ処理装置において、マイクロ波電源から伝送されたマイクロ波が給電され、マイクロ波を放射する平面アンテナへマイクロ波を伝送するとともに、プラズマ負荷のインピーダンスを前記マイクロ波電源の特性インピーダンスに整合させるチューナにおけるインピーダンス整合方法であって、
同軸構造のマイクロ波伝送路に沿って移動可能な誘電体からなる少なくとも２つのスラグの位置が、反射係数が小さい整合ポジションになるように、これらの位置を制御してインピーダンス整合するとともに、プラズマの状態に基づいて、前記少なくとも２つのスラグの整合ポジションに至る移動経路である整合軌道を制御することを特徴とするインピーダンス整合方法。
【請求項８】
前記少なくとも２つのスラグの前記整合軌道において、プラズマ失火の可能性や不安定動作になる可能性があるプラズマ状態にならないように前記整合軌道を制御することを特徴とする請求項７に記載のインピーダンス整合方法。
【請求項９】
前記少なくとも２つのスラグの位置とプラズマ発光強度との関係をプラズマ条件ごとに記憶しておき、その記憶した情報に基づいて前記少なくとも２つのスラグの整合軌道を制御することを特徴とする請求項７または請求項８に記載のインピーダンス整合方法。
【請求項１０】
前記チャンバ内のプラズマの発光強度を検出するプラズマ発光強度センサの検出値に基づいて前記少なくとも２つのスラグの整合軌道を制御することを特徴とする請求項７または請求項８に記載のインピーダンス整合方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マイクロ波プラズマ処理装置においてインピーダンスの自動整合を行うチューナ、マイクロ波プラズマ源、およびインピーダンス整合方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスや液晶表示装置の製造工程においては、半導体ウエハやガラス基板といった被処理基板にエッチング処理や成膜処理等のプラズマ処理を施すために、プラズマエッチング装置やプラズマＣＶＤ成膜装置等のプラズマ処理装置が用いられる。
【０００３】
近時、このようなプラズマ処理装置としては、高密度で低電子温度のプラズマを均一に形成することができるＲＬＳＡ（登録商標）マイクロ波プラズマ処理装置が注目されている（例えば特許文献１）。
【０００４】
ＲＬＳＡ（登録商標）マイクロ波プラズマ処理装置は、チャンバの上部に所定のパターンで多数のスロットが形成された平面アンテナを設け、マイクロ波発生源から導かれたマイクロ波を、平面アンテナのスロットから放射させるとともに、その下に設けられた誘電体からなるマイクロ波透過板を介して真空に保持されたチャンバ内に放射し、このマイクロ波電界によりチャンバ内に導入されたガスをプラズマ化し、このように形成されたプラズマにより半導体ウエハ等の被処理体を処理するものである。
【０００５】
また、マイクロ波を複数に分配し、上記平面アンテナを有する複数のアンテナモジュールを介してマイクロ波をチャンバ内に導きチャンバ内でマイクロ波を空間合成するマイクロ波プラズマ源を有するマイクロ波プラズマ処理装置も提案されている（特許文献２）。
【０００６】
この種のマイクロ波プラズマ処理装置では、プラズマ負荷のインピーダンスをマイクロ波電源の特性インピーダンスに自動整合させるインピーダンス整合を行うためのチューナが必要とされる。チューナとしては、同軸伝送路内に一対のスラグを移動可能に設け、これらを移動させることによりインピーダンスを整合させるスラグチューナが知られており、このスラグチューナにおいて自動的にインピーダンス整合を行う技術が特許文献３に開示されている。
【０００７】
特許文献３に開示された技術では、プラズマ負荷の反射係数を計算し、反射係数が小さくなるようにスラグの位置制御を行うアルゴリズムによりインピーダンス整合を行っている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２０００−２９４５５０号公報
【特許文献２】国際公開第２００８／０１３１１２号パンフレット
【特許文献３】特開２００７−１０９４５７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
ところで、このようなプラズマ処理装置においては、チューナのスラグのポジションをプラズマ着火しやすい着火ポジションにしてプラズマ着火した後、スラグをインピーダンスが整合される整合ポジションに移動させる。また、整合している状態で、圧力、パワー、ガス種等のプラズマ条件が変更された場合には、新しい条件においてインピーダンスが整合される再整合ポジションにスラグを移動させる。このとき、従来はプラズマの状態に無関係に反射係数のみに基づいて、スラグの移動距離が最短距離になるような整合軌道でスラグを移動させているため、スラグの整合軌道にプラズマ発光強度の小さいエリアが含まれることがあり、その際にプラズマが失火する可能性や不安定動作になる可能性がある。
【００１０】
本発明は、このような点に鑑みてなされたものであり、マイクロ波によりチャンバ内にプラズマを生成してプラズマ処理を行うプラズマ処理装置においてインピーダンス整合を行う際にプラズマの失火や不安定動作を抑制することができるチューナ、そのようなチューナを有するマイクロ波プラズマ源、およびそのようなチューナを用いたインピーダンス整合方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記課題を解決するため、本発明の第１の観点は、マイクロ波によりチャンバ内にプラズマを生成してプラズマ処理を行うプラズマ処理装置において、マイクロ波電源から伝送されたマイクロ波が給電され、マイクロ波を放射する平面アンテナへマイクロ波を伝送するとともに、プラズマ負荷のインピーダンスを前記マイクロ波電源の特性インピーダンスに整合させるチューナであって、給電されたマイクロ波を前記平面アンテナに伝送する同軸構造のマイクロ波伝送路と、前記マイクロ波伝送路に沿って移動可能な誘電体からなる少なくとも２つのスラグと、前記少なくとも２つのスラグを前記マイクロ波伝送路に沿って移動させる駆動部と、前記少なくとも２つのスラグの位置が、反射係数が小さい整合ポジションになるように、これらの位置を制御してインピーダンス整合するとともに、プラズマの状態に基づいて、前記少なくとも２つのスラグの整合ポジションに至る移動経路である整合軌道を制御する制御部とを具備することを特徴とするチューナを提供する。
【００１２】
上記第１の観点のチューナにおいて、前記制御部は、前記少なくとも２つのスラグの前記整合軌道において、プラズマ失火の可能性や不安定動作になる可能性があるプラズマ状態にならないように前記整合軌道を制御することが好ましい。
【００１３】
また、前記制御部は、前記少なくとも２つのスラグの位置とプラズマ発光強度との関係をプラズマ条件ごとに記憶した記憶部を有し、前記記憶部の情報に基づいて前記少なくとも２つのスラグの整合軌道を制御する構成とすることができる。
【００１４】
さらに、前記チャンバ内のプラズマの発光強度を検出するプラズマ発光強度センサをさらに具備し、前記制御部は、前記プラズマ発光強度センサの検出値に基づいて前記少なくとも２つのスラグの整合軌道を制御する構成とすることもできる。
【００１５】
本発明の第２の観点は、チャンバ内にマイクロ波プラズマを形成してプラズマ処理を行うプラズマ処理装置に用いられるマイクロ波プラズマ源であって、マイクロ波電源を有し、マイクロ波を出力するマイクロ波出力部と、前記マイクロ波出力部から出力されたマイクロ波を伝送し前記チャンバ内に放射するためのマイクロ波供給部とを具備し、前記マイクロ波供給部は、上記第１の観点のチューナと、前記チューナからマイクロ波が伝送され、伝送されたマイクロ波を前記チャンバに向けて放射する平面アンテナを有するアンテナ部とを備えることを特徴とするマイクロ波プラズマ源を提供する。
【００１６】
上記第２の観点のマイクロ波プラズマ源において、前記マイクロ波出力部は、前記マイクロ波を複数に分配する分配器を有し、前記マイクロ波供給部は、分配されたマイクロ波を前記チャンバ内へ導く複数のアンテナモジュールを有しており、前記各アンテナモジュールは、前記チューナと前記アンテナ部とを有する構成とすることができる。
【００１７】
本発明の第３の観点は、マイクロ波によりチャンバ内にプラズマを生成してプラズマ処理を行うプラズマ処理装置において、マイクロ波電源から伝送されたマイクロ波が給電され、マイクロ波を放射する平面アンテナへマイクロ波を伝送するとともに、プラズマ負荷のインピーダンスを前記マイクロ波電源の特性インピーダンスに整合させるチューナにおけるインピーダンス整合方法であって、同軸構造のマイクロ波伝送路に沿って移動可能な誘電体からなる少なくとも２つのスラグの位置が、反射係数が小さい整合ポジションになるように、これらの位置を制御してインピーダンス整合するとともに、プラズマの状態に基づいて、前記少なくとも２つのスラグの整合ポジションに至る移動経路である整合軌道を制御することを特徴とするインピーダンス整合方法を提供する。
【００１８】
上記第３の観点のインピーダンス整合方法において、前記少なくとも２つのスラグの前記整合軌道において、プラズマ失火の可能性や不安定動作になる可能性があるプラズマ状態にならないように前記整合軌道を制御することが好ましい。
【００１９】
また、前記少なくとも２つのスラグの位置とプラズマ発光強度との関係をプラズマ条件ごとに記憶しておき、その記憶した情報に基づいて前記少なくとも２つのスラグの整合軌道を制御することができる。
【００２０】
さらに、前記チャンバ内のプラズマの発光強度を検出するプラズマ発光強度センサの検出値に基づいて前記少なくとも２つのスラグの整合軌道を制御することもできる。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、少なくとも２つのスラグの位置が、反射係数が小さい整合ポジションになるように、これらの位置を制御してインピーダンス整合するとともに、プラズマの状態に基づいて、少なくとも２つのスラグの整合ポジションに至る移動経路である整合軌道を制御するので、整合動作を行う際に、インピーダンス整合を行う際にプラズマの失火や不安定動作となるプラズマ状態を回避することができる。このため、プラズマの失火や不安定動作を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】第１の実施形態に用いるプラズマ処理装置の概略構成を示す断面図である。
【図２】図１のプラズマ処理装置におけるマイクロ波プラズマ源の構成を示す構成図である。
【図３】図２のマイクロ波プラズマ源に用いるチューナおよびアンテナ部の構造を示す断面図である。
【図４】図３のＡＡ′断面図である。
【図５】図３のＢＢ′断面図である。
【図６】第１の実施形態におけるチューナの制御部を示すブロック図である。
【図７】２つのスラグ位置の直交座標におけるマイクロ波の電界強度のマップを示す図である。
【図８】２つのスラグ位置の直交座標におけるプラズマ発光強度のマップを示す図である。
【図９】第２の実施形態においてマイクロ波プラズマ源に用いるチューナおよびアンテナ部を示す断面図である。
【図１０】第２の実施形態におけるチューナの制御部を示すブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、添付図面を参照して本発明の実施の形態について詳細に説明する。
【００２４】
＜第１の実施形態＞
（プラズマ処理装置）
図１は第１の実施形態に用いるプラズマ処理装置の概略構成を示す断面図であり、図２は図１のプラズマ処理装置におけるマイクロ波プラズマ源の構成を示す構成図である。
【００２５】
プラズマ処理装置１００は、ウエハに対してプラズマ処理として例えばエッチング処理を施すプラズマエッチング装置として構成されており、気密に構成されたアルミニウムまたはステンレス鋼等の金属材料からなる略円筒状の接地されたチャンバ１と、チャンバ１内にマイクロ波プラズマを形成するためのマイクロ波プラズマ源２と、全体制御部３とを有している。チャンバ１の上部には開口部１ａが形成されており、マイクロ波プラズマ源２はこの開口部１ａからチャンバ１の内部に臨むように設けられている。
【００２６】
チャンバ１内には被処理体であるウエハＷを水平に支持するためのサセプタ１１が、チャンバ１の底部中央に絶縁部材１２ａ介して立設された筒状の支持部材１２により支持された状態で設けられている。サセプタ１１および支持部材１２を構成する材料としては、表面をアルマイト処理（陽極酸化処理）したアルミニウム等が例示される。
【００２７】
また、図示はしていないが、サセプタ１１には、ウエハＷを静電吸着するための静電チャック、温度制御機構、ウエハＷの裏面に熱伝達用のガスを供給するガス流路、およびウエハＷを搬送するために昇降する昇降ピン等が設けられている。さらに、サセプタ１１には、整合器１３を介して高周波バイアス電源１４が電気的に接続されている。この高周波バイアス電源１４からサセプタ１１に高周波電力が供給されることにより、ウエハＷ側にプラズマ中のイオンが引き込まれる。
【００２８】
チャンバ１の底部には排気管１５が接続されており、この排気管１５には真空ポンプを含む排気装置１６が接続されている。そしてこの排気装置１６を作動させることによりチャンバ１内が排気され、チャンバ１内が所定の真空度まで高速に減圧することが可能となっている。また、チャンバ１の側壁には、ウエハＷの搬入出を行うための搬入出口１７と、この搬入出口１７を開閉するゲートバルブ１８とが設けられている。
【００２９】
チャンバ１内のサセプタ１１の上方位置には、プラズマエッチングのための処理ガスをウエハＷに向けて吐出するシャワープレート２０が水平に設けられている。このシャワープレート２０は、格子状に形成されたガス流路２１と、このガス流路２１に形成された多数のガス吐出孔２２とを有しており、格子状のガス流路２１の間は空間部２３となっている。このシャワープレート２０のガス流路２１にはチャンバ１の外側に延びる配管２４が接続されており、この配管２４には処理ガス供給源２５が接続されている。
【００３０】
一方、チャンバ１のシャワープレート２０の上方位置には、リング状のプラズマガス導入部材２６がチャンバ壁に沿って設けられており、このプラズマガス導入部材２６には内周に多数のガス吐出孔が設けられている。このプラズマガス導入部材２６には、プラズマガスを供給するプラズマガス供給源２７が配管２８を介して接続されている。プラズマ生成ガスとしてはＡｒガスなどが好適に用いられる。
【００３１】
プラズマガス導入部材２６からチャンバ１内に導入されたプラズマガスは、マイクロ波プラズマ源２からチャンバ１内に導入されたマイクロ波によりプラズマ化され、このＡｒプラズマがシャワープレート２０の空間部２３を通過しシャワープレート２０のガス吐出孔２２から吐出された処理ガスを励起し、処理ガスのプラズマを形成する。なお、プラズマ生成ガスと処理ガスとを同一の供給部材で供給してもよい。
【００３２】
チャンバ１の上部には支持リング２９を介して天板１１０が設けられており、マイクロ波プラズマ源２は天板１１０の上側に配置されている。
【００３３】
全体制御部３は、マイクロプロセッサからなるコントローラ（コンピュータ）を有しており、プラズマ処理装置１００における各構成部（マイクロ波プラズマ源２、高周波電源１４、ゲートバルブ１８、ガス供給源２５，２７等）を制御するようになっている。全体制御部３は、プラズマ処理装置１００のプロセスシーケンスおよび制御パラメータであるプロセスレシピを記憶した記憶部や、入力手段およびディスプレイ等を備えており、選択されたプロセスレシピに従ってプラズマ処理装置１００におけるプロセスを制御するようになっている。
【００３４】
（マイクロ波プラズマ源）
次に、マイクロ波プラズマ源２について説明する。
図２に示すように、マイクロ波プラズマ源２は、複数経路に分配してマイクロ波を出力するマイクロ波出力部３０と、マイクロ波出力部３０から出力されたマイクロ波を伝送しチャンバ１内に放射するためのマイクロ波供給部４０とを有している。
【００３５】
マイクロ波出力部３０は、マイクロ波電源３１と、マイクロ波発振器３２と、発振されたマイクロ波を増幅するアンプ３３と、増幅されたマイクロ波を複数に分配する分配器３４とを有している。
【００３６】
マイクロ波発振器３２は、所定周波数（例えば、８６０ＭＨｚ）のマイクロ波を例えばＰＬＬ発振させる。分配器３４では、マイクロ波の損失ができるだけ起こらないように、入力側と出力側のインピーダンス整合を取りながらアンプ３３で増幅されたマイクロ波を分配する。なお、マイクロ波の周波数としては、８６０ＭＨｚの他に、７００ＭＨｚから３ＧＨｚの範囲を用いることができる。
【００３７】
マイクロ波供給部４０は、分配器３４にて分配されたマイクロ波をチャンバ１内へ導く複数のアンテナモジュール４１を有している。各アンテナモジュール４１は、分配されたマイクロ波を主に増幅するアンプ部４２と、アンプ部４２で増幅されたマイクロ波のインピーダンス整合を行うチューナ４３と、チューナ４３の先端に設けられた平面スロットアンテナ１０１を有するアンテナ部４４とを有している。チューナ４３とアンテナ部４４とは一体的に設けられている。そして、各アンテナモジュール４１におけるアンテナ部４４からチャンバ１内へマイクロ波が放射されるようになっている。
【００３８】
アンプ部４２は、位相器４６と、可変ゲインアンプ４７と、ソリッドステートアンプを構成するメインアンプ４８と、アイソレータ４９とを有している。
【００３９】
位相器４６は、マイクロ波の位相を変化させることができるように構成されており、これを調整することにより放射特性を変調させることができる。例えば、各アンテナモジュール毎に位相を調整することにより指向性を制御してプラズマ分布を変化させることができる。また、隣り合うアンテナモジュールにおいて９０°ずつ位相をずらすようにして円偏波を得ることができる。また、位相器４６は、アンプ内の部品間の遅延特性を調整し、チューナ内での空間合成を目的として使用することができる。ただし、このような放射特性の変調やアンプ内の部品間の遅延特性の調整が不要な場合には位相器４６を設ける必要はない。
【００４０】
可変ゲインアンプ４７は、メインアンプ４８へ入力するマイクロ波の電力レベルを調整し、個々のアンテナモジュールのばらつきを調整またはプラズマ強度調整のためのアンプである。可変ゲインアンプ４７を各アンテナモジュール毎に変化させることによって、発生するプラズマに分布を生じさせることもできる。
【００４１】
ソリッドステートアンプを構成するメインアンプ４８は、例えば、入力整合回路と、半導体増幅素子と、出力整合回路と、高Ｑ共振回路とを有する構成とすることができる。
【００４２】
アイソレータ４９は、アンテナ部４４で反射してメインアンプ４８に向かう反射マイクロ波を分離するものであり、サーキュレータとダミーロード（同軸終端器）とを有している。サーキュレータは、アンテナ部４４で反射したマイクロ波をダミーロードへ導き、ダミーロードはサーキュレータによって導かれた反射マイクロ波を熱に変換する。
【００４３】
マイクロ波プラズマ源２の各構成部は、全体制御部３により制御されるようになっている。
【００４４】
（チューナ）
次に、チューナ４３について説明する。
図３は、チューナ４３およびアンテナ部４４を示す断面図である。
図３に示すように、チューナ４３は、マイクロ波電源３１から伝送されたマイクロ波が給電され、マイクロ波を放射する平面スロットアンテナ１０１へマイクロ波を伝送するとともに、負荷のインピーダンスをマイクロ波電源３１の特性インピーダンスに整合させるものであり、２つのスラグによりインピーダンス整合を行うスラグチューナとして構成されている。
【００４５】
チューナ４３は、２つのスラグが移動してチューニングを行うチューニング部６０と、スラグを駆動するスラグ駆動部７０と、スラグの位置を制御する制御部８０とを有している。スラグ駆動部７０はチューニング部６０の上側に設けられ、チューニング部６０の下側にアンテナ部４４が配置されている。
【００４６】
チューニング部６０は、筒状をなす外側導体５２および内側に設けられた筒状をなす内側導体５３が同軸状に配置されてなるマイクロ波伝送路５１と、外側導体５２と内側導体５３との間を上下に移動する第１スラグ６１ａ、第２スラグ６１ｂとを有している。第１スラグ６１ａは上側に設けられ、第２スラグ６１ｂは下側に設けられている。そして、内側導体５３が給電側、外側導体５２が接地側となっている。外側導体５２および内側導体５３の上端は反射板５８となっている。
【００４７】
マイクロ波伝送路５１の基端側にはマイクロ波を給電する給電機構５４が設けられている。給電機構５４は、マイクロ波伝送路５１（外側導体５２）の側面に設けられたマイクロ波電力を導入するためのマイクロ波電力導入ポート５５を有している。マイクロ波電力導入ポート５５には、アンプ部４２から増幅されたマイクロ波を供給するための給電線として、内側導体５６ａおよび外側導体５６ｂからなる同軸線路５６が接続されている。そして、同軸線路５６の内側導体５６ａの先端には、外側導体５２の内部に向けて水平に伸びる給電アンテナ９０が接続されている。
【００４８】
給電アンテナ９０は、例えば、アルミニウム等の金属板を削り出し加工した後、テフロン（登録商標）等の誘電体部材の型にはめて形成される。反射板５８から給電アンテナ９０までの間には、反射波の実効波長を短くするためのテフロン（登録商標）等の誘電体からなる遅波材５９が設けられている。なお、２．４５ＧＨｚ等の周波数の高いマイクロ波を用いた場合には、遅波材５９は設けなくてもよい。このとき、給電アンテナ９０から反射板５８までの距離を最適化し、給電アンテナ９０から放射される電磁波を反射板５８で反射させることで、最大の電磁波を同軸構造のマイクロ波伝送路５１に伝送させる。
【００４９】
給電アンテナ９０は、図４に示すように、マイクロ波電力導入ポート５５において同軸線路５６の内側導体５６ａに接続され、電磁波が供給される第１の極９２および供給された電磁波を放射する第２の極９３を有するアンテナ本体９１と、アンテナ本体９１の両側から、内側導体５３の外側に沿って延び、リング状をなす反射部９４とを有し、アンテナ本体９１に入射された電磁波と反射部９４で反射された電磁波とで定在波を形成するように構成されている。アンテナ本体９１の第２の極９３は内側導体５３に接触している。
【００５０】
給電アンテナ９０がマイクロ波（電磁波）を放射することにより、外側導体５２と内側導体５３との間の空間にマイクロ波電力が給電される。そして、給電機構５４に供給されたマイクロ波電力がアンテナ部４４に向かって伝播する。
【００５１】
内側導体５３の内部空間には、その長手方向に沿って例えば台形ネジが形成された螺棒からなるスラグ移動用の２本のスラグ移動軸６４ａ，６４ｂが設けられている。
【００５２】
図５に示すように、第１スラグ６１ａは、例えばアルミナ等の誘電体からなる円環状をなし、その内側に滑り性を有する樹脂からなる滑り部材６３が嵌め込まれている。滑り部材６３にはスラグ移動軸６４ａが螺合するねじ穴６５ａとスラグ移動軸６４ｂが挿通される通し穴６５ｂが設けられている。一方、第２スラグ６１ｂも同様に、例えばアルミナ等の誘電体からなる円環状をなし、ねじ穴６５ａと通し穴６５ｂとを有しているが、第１スラグ６１ａとは逆に、ねじ穴６５ａはスラグ移動軸６４ｂに螺合され、通し穴６５ｂにはスラグ移動軸６４ａが挿通されるようになっている。これによりスラグ移動軸６４ａを回転させることにより第１スラグ６１ａが昇降移動し、スラグ移動軸６４ｂを回転させることにより第２スラグ６１ｂが昇降移動する。すなわち、スラグ移動軸６４ａ，６４ｂと滑り部材６３とからなるねじ機構により第１スラグ６１ａおよび第２スラグ６１ｂが昇降移動される。
【００５３】
内側導体５３には長手方向に沿って等間隔に３つのスリット５３ａが形成されている。一方、滑り部材６３は、これらスリット５３ａに対応するように３つの突出部６３ａが等間隔に設けられている。そして、これら突出部６３ａが第１スラグ６１ａおよび第２スラグ６１ｂの内周に当接した状態で滑り部材６３が第１スラグ６１ａおよび第２スラグ６１ｂの内部に嵌め込まれる。滑り部材６３の外周面は、内側導体５３の内周面と遊びなく接触するようになっており、スラグ移動軸６４ａ，６４ｂが回転されることにより、滑り部材６３が内側導体５３を滑って昇降するようになっている。すなわち内側導体５３の内周面が第１スラグ６１ａおよび第２スラグ６１ｂの滑りガイドとして機能する。
【００５４】
上記スラグ移動軸６４ａ，６４ｂは、反射板５８を貫通してスラグ駆動部７０に延びている。スラグ移動軸６４ａ，６４ｂと反射板５８との間にはベアリング（図示せず）が設けられている。また、内側導体５３の下端には、導体からなる底板６７が設けられている。スラグ移動軸６４ａ，６４ｂの下端は、駆動時の振動を吸収するために、通常は開放端となっており、これらスラグ移動軸６４ａ，６４ｂの下端から２〜５ｍｍ程度離隔して底板６７が設けられている。なお、この底板６７を軸受け部としてスラグ移動軸６４ａ，６４ｂの下端をこの軸受け部にて軸支させてもよい。
【００５５】
スラグ駆動部７０は筐体７１を有し、スラグ移動軸６４ａおよび６４ｂは筐体７１内に延びており、スラグ移動軸６４ａおよび６４ｂの上端には、それぞれ歯車７２ａおよび７２ｂが取り付けられている。また、スラグ駆動部７０には、スラグ移動軸６４ａを回転させるモータ７３ａと、スラグ移動軸６４ｂを回転させるモータ７３ｂが設けられている。モータ７３ａの軸には歯車７４ａが取り付けられ、モータ７３ｂの軸には歯車７４ｂが取り付けられており、歯車７４ａが歯車７２ａに噛合し、歯車７４ｂが歯車７２ｂに噛合するようになっている。したがって、モータ７３ａにより歯車７４ａおよび７２ａを介してスラグ移動軸６４ａが回転され、モータ７３ｂにより歯車７４ｂおよび７２ｂを介してスラグ移動軸６４ｂが回転される。なお、モータ７３ａ，７３ｂは例えばステッピングモータである。
【００５６】
なお、スラグ移動軸６４ｂはスラグ移動軸６４ａよりも長く、より上方に達しており、したがって、歯車７２ａおよび７２ｂの位置が上下にオフセットしており、モータ７３ａおよび７３ｂも上下にオフセットしているので、モータおよび歯車等の動力伝達機構のスペースが小さく、筐体７１が外側導体５２と同じ径となっている。
【００５７】
モータ７３ａおよび７３ｂの上には、これらの出力軸に直結するように、それぞれスラグ６１ａおよび６１ｂの位置を検出するためのインクリメント型のエンコーダ７５ａおよび７５ｂが設けられている。
【００５８】
制御部８０は、図６に示すように、スラグコントローラ８１と、検出器８２と、記憶部８３とを有している。検出器８２は、入力端のインピーダンス値、または方向性結合器を介して進行波および反射波を検出する。また、記憶部８３は、第１スラグ６１ａおよび第２スラグ６１ｂの位置とプラズマの発光強度との関係を、プラズマ条件ごとに求めたテーブルを記憶している。プラズマ条件としては、ガス種、ガス流量、圧力、パワー、アンテナのタイプ等を挙げることができる。スラグコントローラ８１は、検出器８２の検出値と、エンコーダ７５ａおよび７５ｂにより検知された第１スラグ６１ａおよび第２スラグ６１ｂの位置情報に基づいて、モータ７３ａおよび７３ｂに制御信号を送り、第１スラグ６１ａおよび第２スラグ６１ｂの位置が、反射係数が小さい整合ポジションになるように、第１スラグ６１ａおよび第２スラグ６１ｂの位置を制御してインピーダンス整合を行うとともに、プラズマの状態に基づいて、具体的には、記憶部８３に記憶された第１スラグ６１ａおよび第２スラグ６１ｂの位置とプラズマの発光強度との関係に基づいて、第１スラグ６１ａおよび第２スラグ６１ｂの整合ポジションに至る移動経路である整合軌道を制御するようになっている。スラグコントローラ８１は、終端が例えば５０Ωになるようにインピーダンス整合を実行させる。２つのスラグのうち一方のみを動かすと、スミスチャートの原点を通る軌跡を描き、両方同時に動かすと位相のみが回転する。
【００５９】
（アンテナ部）
アンテナ部４４については、図３にチューナと併せて記載されている。アンテナ部４４は、マイクロ波放射アンテナとして機能する、平面状をなしスロット１０１ａを有する平面スロットアンテナ１０１と、平面スロットアンテナ１０１の上面に設けられた遅波材１０２と、平面スロットアンテナ１０１の先端側に設けられた誘電体からなるマイクロ波透過板１０３とを有している。
【００６０】
スロット１０１ａの形状は、マイクロ波が効率良く放射されるように適宜設定される。スロット１０１ａには誘電体が挿入されていてもよい。
【００６１】
遅波材１０２の中心には導体からなる円柱部材１０２ａが貫通してチューナ４３における底板６７と平面スロットアンテナ１０１とを接続している。したがって、チューナ４３における内側導体５３が底板６７および円柱部材１０２ａを介して平面スロットアンテナ１０１に接続されている。
【００６２】
遅波材１０２およびマイクロ波透過板１０３は、真空よりも大きい誘電率を有する誘電体、例えば、石英、セラミックス、ポリテトラフルオロエチレン等のフッ素系樹脂やポリイミド系樹脂により構成されている。真空中ではマイクロ波の波長が長くなることから、遅波材１０２およびマイクロ波透過板１０３をこのように真空よりも大きい誘電率を有する誘電体で構成することにより、マイクロ波の波長を短くしてアンテナを小さくすることができる。遅波材１０２は、その厚さによりマイクロ波の位相を調整することができ、マイクロ波透過板１０３と平面スロットアンテナ１０１の接合部が定在波の「はら」になるようにその厚さを調整する。これにより、反射が最小で、平面スロットアンテナ１０１の放射エネルギーが最大となるようにすることができる。
【００６３】
なお、外側導体５２は遅波材１０２の上面まで延びており、遅波材１０２および平面スロットアンテナ１０１の外周は被覆導体１０４により覆われている。
【００６４】
マイクロ波透過板１０３は、平面スロットアンテナ１０１に接するように設けられており、天板１１０に嵌め込まれている。そして、メインアンプ４８で増幅されたマイクロ波が同軸線路５６を通って給電機構５４によりチューナ４３に給電され、チューナ４３のマイクロ波伝送路５１を伝送されて平面スロットアンテナ１０１に至り、スロット１０１ａから放射され、マイクロ波透過板１０３を透過してチャンバ１内の空間に至り、表面波プラズマが形成される。
【００６５】
本実施形態において、メインアンプ４８と、チューナ４３と、平面スロットアンテナ１０１とは近接配置している。そして、チューナ４３と平面スロットアンテナ１０１とは１／２波長内に存在する集中定数回路を構成しており、かつ平面スロットアンテナ１０１、遅波板１０２、マイクロ波透過板１０３は合成抵抗が５０Ωに設定されているので、チューナ４３はプラズマ負荷に対して直接チューニングしていることになり、効率良くプラズマへエネルギーを伝達することができる。
【００６６】
（プラズマ処理装置の動作）
次に、以上のように構成されるプラズマ処理装置１００における動作について説明する。
まず、ウエハＷをチャンバ１内に搬入し、サセプタ１１上に載置する。そして、プラズマ生成ガス供給源２７から配管２８およびプラズマ生成ガス導入部材２６を介してチャンバ１内にプラズマ生成ガス、例えばＡｒガスを導入しつつ、マイクロ波プラズマ源２からマイクロ波をチャンバ１内に放射して表面波プラズマを生成する。
【００６７】
そして、処理ガス供給源２５から配管２４およびシャワープレート２０を介してチャンバ１内に処理ガス、例えばＣｌ２ガス等のエッチングガスが吐出される。吐出された処理ガスは、シャワープレート２０の空間部２３を通過してきたプラズマにより励起されてプラズマ化し、この処理ガスのプラズマによりウエハＷにプラズマ処理、例えばエッチング処理が施される。
【００６８】
上記表面波プラズマを生成するに際し、マイクロ波プラズマ源２では、マイクロ波出力部３０のマイクロ波発振器３２から発振されたマイクロ波電力はアンプ３３で増幅された後、分配器３４により複数に分配され、分配されたマイクロ波電力はマイクロ波供給部４０へ導かれる。マイクロ波供給部４０においては、このように複数に分配されたマイクロ波電力が、ソリッドステートアンプを構成するメインアンプ４８で個別に増幅され、各チューナ４３に給電され、マイクロ波伝送路５１を伝送されてアンテナ部４４に至る。その際に、チューナ４３の第１スラグ６１ａおよび第２スラグ６１ｂによりインピーダンスが自動整合され、電力反射が実質的にない状態で、チューナ４３からアンテナ部４４の遅波材１０２を経て平面スロットアンテナ１０１のスロット１０１ａから放射され、さらにマイクロ波透過板１０３を透過し、プラズマに接するマイクロ波透過板１０３の表面（下面）を伝送されて表面波を形成する。そして、各アンテナ部４４における電力がチャンバ１内で空間合成され、これによりチャンバ１内の空間に表面波プラズマが生成され、被処理体であるウエハＷがプラズマ処理される。
【００６９】
このように、複数に分配されたマイクロ波を、ソリッドステートアンプを構成するメインアンプ４８で個別に増幅し、複数のアンテナ部４４から個別にチャンバ１内に導入して表面波を形成後、これらを空間で合成するので、大型のアイソレータや合成器が不要となる。また、チューナ４３とアンテナ部４４とが一体となって設けられているのでコンパクトである。さらに、メインアンプ４８、チューナ４３および平面スロットアンテナ１０１が近接して設けられ、チューナ４３と平面スロットアンテナ１０１とは集中定数回路を構成し、かつ共振器として機能することにより、インピーダンス不整合が存在する平面スロットアンテナ取り付け部分においてチューナ４３によりプラズマを含めて高精度でチューニングすることができ、反射の影響を確実に解消することができる。
【００７０】
さらに、このようにチューナ４３と平面スロットアンテナ１０１とが近接し、集中定数回路を構成してかつ共振器として機能することにより、平面スロットアンテナ１０１に至るまでのインピーダンス不整合を高精度で解消することができ、実質的に不整合部分をプラズマ空間とすることができるので、チューナ４３により高精度のプラズマ制御が可能となる。
【００７１】
ところで、チューナ４３により、プラズマ負荷のインピーダンスをマイクロ波電源の特性インピーダンスに整合させる場合、第１スラグ６１ａおよび第２スラグ６１ｂの位置が、反射係数が小さい整合ポジションになるように、第１スラグ６１ａおよび第２スラグ６１ｂの位置制御を行うアルゴリズムを用いるが、従来は、プラズマの状態に無関係に反射係数のみに基づいて、スラグの移動距離が最短距離になるような整合軌道でスラグを移動させていた。このため、チューナのスラグのポジションをプラズマ着火しやすい着火ポジションにしてプラズマ着火した後、スラグをインピーダンスが整合される整合ポジションに移動させる整合軌道にプラズマ発光強度の小さいエリアが含まれることがあり、その際にプラズマが失火する可能性や不安定動作になる可能性があった。また、整合している状態で、圧力、パワー、ガス種等のプラズマ条件が変更された場合には、新しい条件においてインピーダンスが整合される再整合ポジションにスラグを移動させる整合軌道において、同様にスラグがプラズマ発光強度の小さいポジションを通過することがあり、その際にもプラズマが失火する可能性や不安定動作になる可能性があった。
【００７２】
以下、図７，８を参照して具体的に説明する。
図７は２つのスラグ位置の直交座標におけるマイクロ波の電界強度のマップを示す図であり、図８は２つのスラグ位置の直交座標におけるプラズマ発光強度のマップを示す図である。
【００７３】
例えば、プラズマ着火するときは、平面スロットアンテナから放射されるマイクロ波の電界強度が大きい方がプラズマ着火しやすいため、図７に示すように、第１スラグと第２スラグの位置を電界強度が大きいポジション（１）にしてプラズマ着火を行う。つまりポジション（１）が着火ポジションである。しかし、インピーダンスが整合する位置は反射波が最小でプラズマ発光強度が大きい（プラズマが明るい）位置であり、着火しやすいポジション（１）とは異なる位置になるため、プラズマ着火後、図８に示すように、ポジション（１）から反射波が最小でプラズマ発光強度が大きい整合ポジションであるポジション（２）に第１スラグおよび第２スラグを移動する。このとき、図８の例において、スラグの整合軌道を最短経路であるルートＡにすると、プラズマ発光強度が小さいエリア（３）を通過するため、プラズマが失火する可能性や不安定動作になる可能性がある。
【００７４】
そこで、本実施形態では、制御部８０により、第１スラグ６１ａおよび第２スラグ６１ｂの位置を整合ポジションに制御するのみならず、プラズマ状態に基づいて、第１スラグ６１ａおよび第２スラグ６１ｂの位置が整合ポジションに至るまでのこれらの移動経路である整合軌道を制御する。具体的には、制御部８０の記憶部８３に、第１スラグ６１ａおよび第２スラグ６１ｂの位置とプラズマの発光強度との関係を、プラズマ条件（ガス種、ガス流量、圧力、パワー、アンテナのタイプ等）ごとに求めたテーブルを記憶させておき、これを第１スラグ６１ａおよび第２スラグ６１ｂの整合軌道の制御に用いる。すなわち、スラグコントローラ８１により、検出器８２の検出値と、エンコーダ７５ａおよび７５ｂにより検知された第１スラグ６１ａおよび第２スラグ６１ｂの位置情報に基づいて、モータ７３ａおよび７３ｂに制御信号を送り、第１スラグ６１ａおよび第２スラグ６１ｂの位置が、反射係数が小さい整合ポジションになるように第１スラグ６１ａおよび第２スラグ６１ｂの位置を制御してインピーダンス整合を行う際に、記憶部８３から該当するプラズマ条件のテーブルを選択し、そのテーブルの第１スラグ６１ａおよび第２スラグ６１ｂの位置とプラズマの発光強度との関係に基づいて、第１スラグ６１ａおよび第２スラグ６１ｂの整合軌道において、プラズマ失火の可能性や不安定動作になる可能性があるプラズマ状態にならないようにそれらの整合軌道を制御する。図８の例では、着火ポジション（１）から整合ポジション（２）へのスラグの整合軌道を発光が安定している領域を通るルートＢに制御する。
【００７５】
このようにしてインピーダンス整合の際の第１スラグ６１ａおよび第２スラグ６１ｂの整合ポジションのみならず、整合軌道を制御することにより、第１スラグ６１ａおよび第２スラグ６１ｂによるインピーダンス整合動作を行っている際にプラズマが失火したり、不安定動作になったりする事態を極めて効果的に抑制することができる。また、このようにプラズマの失火を効果的に抑制できることから、適用プロセスの範囲を拡大することができる。
【００７６】
＜第２の実施形態＞
第２の実施形態では、チューナおよびアンテナ部の構造のみが第１の実施形態と異なっている。したがって、チューナおよびアンテナ部の構成のみについて説明し、他は第１の実施形態と同じであるから説明を省略する。
【００７７】
（チューナおよびアンテナ部）
図９は第２の実施形態においてマイクロ波プラズマ源に用いるチューナおよびアンテナ部を示す断面図であり、図１０はチューナの制御部を示すブロック図である。
【００７８】
本実施形態におけるチューナ４３′は、第１の実施形態のチューナ４３の制御部８０の代わりに制御部８０′を有している他は、第１の実施形態におけるチューナ４３と基本的に同じ構成を有している。また、アンテナ部４４′は、プラズマ発光強度を測定するプラズマ発光センサ１２０を有している他は第１の実施形態のアンテナ部４４と基本的に同じ構成を有している。したがって、図９および図１０において、第１の実施形態と同じものには同じ符号を付して説明を省略する。
【００７９】
アンテナ部４４′のプラズマ発光センサ１２０は、遅波材１０２の上方から遅波材１０２および平面スロットアンテナ１０１を貫通してマイクロ波透過板１０３の上面に至るように設けられており、受光素子で構成されている。このプラズマ発光センサ１２０は、マイクロ波透過板１０３を通して、直下のプラズマの発光を直接検出することができる。
【００８０】
また、チューナ４３′の制御部８０′は、図１０に示すように、スラグコントローラ８１′と、検出器８２とを有している。検出器８２は、第１の実施形態と同様に構成され、入力端のインピーダンス値、または方向性結合器を介して進行波および反射波を検出する。スラグコントローラ８１′は、検出器８２の検出値と、エンコーダ７５ａおよび７５ｂにより検知された第１スラグ６１ａおよび第２スラグ６１ｂの位置情報に基づいて、モータ７３ａおよび７３ｂに制御信号を送り、第１スラグ６１ａおよび第２スラグ６１ｂの位置が、反射係数が小さい整合ポジションになるように、第１スラグ６１ａおよび第２スラグ６１ｂの位置を制御してインピーダンス整合を行うとともに、プラズマの状態に基づいて、具体的にはプラズマ発光センサ１２０で検出されたプラズマの発光強度に基づいて、第１スラグ６１ａおよび第２スラグ６１ｂの整合ポジションに至る移動経路である整合軌道を制御するようになっている。スラグコントローラ８１′も、第１の実施形態のスラグコントローラ８１と同様、終端が例えば５０Ωになるようにインピーダンス整合を実行させる。２つのスラグのうち一方のみを動かすと、スミスチャートの原点を通る軌跡を描き、両方同時に動かすと位相のみが回転する。
【００８１】
このようなチューナ４３′においては、給電機構５４から給電されたマイクロ波は、マイクロ波伝送路５１を伝送されてアンテナ部４４′に至る。その際に、チューナ４３′の第１スラグ６１ａおよび第２スラグ６１ｂによりインピーダンスが自動整合され、電力反射が実質的にない状態で、チューナ４３′からアンテナ部４４′の遅波材１０２を経て平面スロットアンテナ１０１のスロット１０１ａから放射され、さらにマイクロ波透過板１０３を透過し、プラズマに接するマイクロ波透過板１０３の表面（下面）を伝送されて表面波を形成する。そして、各アンテナ部４４′における電力がチャンバ１内で空間合成され、これによりチャンバ１内の空間に表面波プラズマが生成され、被処理体であるウエハＷがプラズマ処理される。
【００８２】
本実施形態のチューナ４３′においても、インピーダンス整合動作を行う際に、制御部８０′により、第１スラグ６１ａおよび第２スラグ６１ｂの位置を整合ポジションに制御するのみならず、プラズマ状態に基づいて、第１スラグ６１ａおよび第２スラグ６１ｂの位置が整合ポジションに至るまでのこれらの移動経路である整合軌道を制御する。具体的には、プラズマ発光センサ１２０で検出されたプラズマ発光強度を第１スラグ６１ａおよび第２スラグ６１ｂの整合軌道の制御に用いる。すなわち、スラグコントローラ８１′により、検出器８２の検出値と、エンコーダ７５ａおよび７５ｂにより検知された第１スラグ６１ａおよび第２スラグ６１ｂの位置情報に基づいて、モータ７３ａおよび７３ｂに制御信号を送り、第１スラグ６１ａおよび第２スラグ６１ｂの位置が、反射係数が小さい整合ポジションになるように第１スラグ６１ａおよび第２スラグ６１ｂの位置を制御してインピーダンス整合を行う際に、プラズマ発光センサ１２０で検出されたプラズマ発光強度に基づいて、第１スラグ６１ａおよび第２スラグ６１ｂの整合軌道において、プラズマ失火の可能性や不安定動作になる可能性があるプラズマ状態にならないようにそれらの整合軌道を制御する。この際の制御アルゴリズムは特に限定されないが、例えば、プラズマ発光センサ１２０により常時プラズマ発光強度を検出し、その発光強度の検出値に基づいて、発光強度が低下しない方向に第１スラグ６１ａおよび第２スラグ６１ｂが移動するように制御することを挙げることができる。
【００８３】
このようにしてインピーダンス整合の際の第１スラグ６１ａおよび第２スラグ６１ｂの整合ポジションのみならず、整合軌跡を制御することより、第１スラグ６１ａおよび第２スラグ６１ｂによるインピーダンス整合動作を行っている際にプラズマが失火したり、不安定動作になったりする事態を極めて効果的に抑制することができる。また、このようにプラズマの失火を効果的に抑制できることから、適用プロセスの範囲を拡大することができる。
【００８４】
＜他の適用＞
なお、本発明は上記実施形態に限定されることなく、本発明の思想の範囲内において種々変形可能である。
【００８５】
例えば、スラグの駆動機構は上記実施形態のものに限らず、いかなる機構であってもよい。また、スラグが２つの場合を示したが、３つ以上であってもよい。また、マイクロ波出力部３０の回路構成やマイクロ波供給部４０、メインアンプ４８の回路構成等も、上記実施形態に限定されるものではない。具体的には、平面スロットアンテナから放射されるマイクロ波の指向性制御を行ったり円偏波にしたりする必要がない場合には、位相器は不要である。
【００８６】
さらに、マイクロ波供給部４０は、必ずしも複数のアンテナモジュールで構成する必要はなく、アンテナモジュールは１個であってもよい。さらに、上記実施形態では、平面スロットアンテナのスロットの形状を明確には描いていないが、条件に応じて種々のスロットパターンを採用することが可能である。
【００８７】
さらにまた、上記実施形態においては、マイクロ波プラズマ源を適用するプラズマ処理装置としてエッチング処理装置を例示したが、これに限らず、成膜処理、酸窒化膜処理、アッシング処理等の他のプラズマ処理にも用いることができる。
【符号の説明】
【００８８】
１；チャンバ
２；マイクロ波プラズマ源
３；全体制御部
１１；サセプタ
１２；支持部材
１５；排気管
１６；排気装置
１７；搬入出口
２０；シャワープレート
３０；マイクロ波出力部
３１；マイクロ波電源
３２；マイクロ波発振器
４０；マイクロ波供給部
４１；アンテナモジュール
４２；アンプ部
４３，４３′；チューナ
４４，４４′；アンテナ部
５１；マイクロ波伝送路
５２；外側導体
５３；内側導体
５４；給電機構
５５；マイクロ波電力導入ポート
５６；同軸線路
５８；反射板
６０；チューニング部
６１ａ，６１ｂ；スラグ
７０；スラグ駆動部
７３ａ，７３ｂ；モータ
７５ａ，７５ｂ；エンコーダ
８０，８０′；制御部
８１，８１′；スラグコントローラ
８２；検出器
８３；記憶部
１００；プラズマ処理装置
１０１；平面スロットアンテナ
１０２；遅波材
１０３；マイクロ波透過板
１１０；天板
１２０；プラズマ発光センサ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図９】
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【図１０】
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【図７】
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【図８】
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