(57)【要約】      （修正有）【課題】磁界発生による回路への影響を抑えることが可能な表示装置を提供する。【解決手段】表示装置は、基板と、基板上に設けられた、正極配線２２及び負極配線２６を含む電源配線２０と、絶縁層と、を備える。正極配線は、正極基部２３および複数の正極端子部２４を含む。負極配線は、負極基部２７および複数の負極端子部２８を含む。複数の正極端子部は正極基部の一方の端部２３ａに、互いに離間して接続する。複数の負極端子部は負極基部の一方の端部２７ａに、互いに離間して接続する。絶縁層は、正極基部と負極基部の間に設けられる。複数の正極端子部と複数の負極端子部は、平面視で重ならずに配置されている。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に設けられた、正極配線及び負極配線を含む電源配線と、
絶縁層と、
を備え、
前記正極配線は、正極基部および複数の正極端子部を含み、
前記負極配線は、負極基部および複数の負極端子部を含み、
前記複数の正極端子部は前記正極基部の一方の端部に、互いに離間して接続し、
前記複数の負極端子部は前記負極基部の一方の端部に、互いに離間して接続し、
前記絶縁層は、前記正極基部と前記負極基部の間に設けられ、
前記複数の正極端子部と前記複数の負極端子部は、平面視で重ならずに配置されている、
ことを特徴とする表示装置。
【請求項２】
請求項１に記載の表示装置であって、
平面視で、それぞれの前記正極端子部の隣にいずれかの前記負極端子部が配置されている、ことを特徴とする表示装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の表示装置であって、
前記複数の正極端子部と前記複数の負極端子部が同一平面上に配置されていることを特徴とする表示装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項に記載の表示装置であって、
前記複数の正極端子部と前記複数の負極端子部に接続されるフレキシブル配線基板を有することを特徴とする表示装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項に記載の表示装置であって、
前記正極配線は、電流値がそれぞれ異なる複数の分割正極配線を含み、
前記負極基部は、前記複数の分割正極配線の前記正極基部と全体的に平面視で重なり、
前記分割正極配線の前記正極基部はそれぞれ、平面視で前記分割正極配線の電流値の大きさに比例した幅を有する、
ことを特徴とする表示装置。
【請求項６】
請求項１乃至４のいずれか一項に記載の表示装置であって、
前記負極配線は、電流値がそれぞれ異なる複数の分割負極配線を含み、
前記正極基部は、前記複数の分割負極配線の前記負極基部と全体的に平面視で重なり、
前記分割負極配線の前記負極基部はそれぞれ、平面視で前記分割負極配線の電流値の大きさに比例した幅を有する、
ことを特徴とする表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
コンピュータや携帯電話など情報通信端末等の表示デバイスとして、一対の基板を有する表示装置が広く用いられている。このような基板としては、薄膜トランジスタが形成されたＴＦＴ（thin film transistor）基板や、カラーフィルタを有する基板が用いられる。
【０００３】
このようなＴＦＴ基板は、表示素子を電流駆動する場合に配線抵抗が小さくなるように、幅広の配線を有している。特許文献１には、表示領域の周辺に設けられた配線群と、配線群の上層を覆うシールド層とを有する液晶表示装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−０３２９２０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
このような表示装置においては、配線に電流が流れるとその周囲に磁界が発生する。このため、発生した磁界が、ドライバＩＣ、タッチパネル等のシステム回路に影響を引き起こす恐れがある。
【０００６】
特に、多数の有機エレクトロルミネッセンス（Organic Electro Luminescent）素子を備える有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、液晶表示装置よりも電流の供給量が大きいため、配線の周囲の磁界が強くなりやすい。このため、有機エレクトロルミネッセンス表示装置に特許文献１に記載のシールド層を設けると、電源ラインからのノイズが信号ラインに影響する恐れがある。
【０００７】
本発明の目的は、磁界発生による回路への影響を抑えることが可能な表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の表示装置は、基板と、前記基板上に設けられた、正極配線及び負極配線を含む電源配線と、絶縁層と、を備え、前記正極配線は、正極基部および複数の正極端子部を含み、前記負極配線は、負極基部および複数の負極端子部を含み、前記複数の正極端子部は前記正極基部の一方の端部に、互いに離間して接続し、前記複数の負極端子部は前記負極基部の一方の端部に、互いに離間して接続し、前記絶縁層は、前記正極基部と前記負極基部の間に設けられ、前記複数の正極端子部と前記複数の負極端子部は、平面視で重ならずに配置されている、ことを特徴とする。
【０００９】
本発明によれば、磁界発生による回路への影響を抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の一実施形態に係る表示装置の概略平面図である。
【図２】図１に示す表示装置のＩＩ−ＩＩ切断線における概略断面図である。
【図３】図１に示す表示装置のＩＩＩ領域における部分拡大図である。
【図４】図１に示す表示装置のＩＩＩ領域における概略斜視図である。
【図５】図３に示す表示装置のＶ−Ｖ切断線における概略断面図である。
【図６】図３に示す表示装置のＶＩ−ＶＩ切断線における概略断面図である。
【図７】本発明の一実施形態に係る表示装置の変形例を図４と同様の視野において示す概略斜視図である。
【図８】本発明の一実施形態に係る表示装置の変形例を図４と同様の視野において示す概略斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明の一実施形態に係る表示装置について有機エレクトロルミネッセンス表示装置１を例に図面に基づいて説明する。なお、以下の説明において参照する図面は、特徴をわかりやすくするために便宜上特徴となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などは実際と同じであるとは限らない。
【００１２】
また、以下の説明において例示される材料等は一例であって、各構成要素はそれらと異なっていてもよく、その要旨を変更しない範囲で変更して実施することが可能である。なお、本実施形態においては説明の便宜上、各構成の位置関係をＸ軸（Ｘ１方向、Ｘ２方向）、Ｙ軸（Ｙ１方向、Ｙ２方向）、Ｚ軸（Ｚ１方向、Ｚ２方向）の座標を用いて説明する。
【００１３】
はじめに、本発明の一実施形態における表示装置（有機エレクトロルミネッセンス表示装置）１の構成について説明する。図１は本発明の一実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１の概略平面図であり、図２は図１に示す有機エレクトロルミネッセンス表示装置１のＩＩ−ＩＩ切断線における概略断面図である。なお、「平面図」とは、ＴＦＴ基板１０の上面１０ａに対して垂直な方向から見た状態を示す図である。
【００１４】
本実施形態の有機エレクトロルミネッセンス表示装置１は、ＴＦＴ基板１０と対向基板５０を有している。図１に示すように、ＴＦＴ基板１０は複数の画素を有している表示領域Ｄと、表示領域Ｄの外側の領域である周辺領域Ｅとを有している。
【００１５】
ＴＦＴ基板１０の平面視形状（上面１０ａに対して垂直な方向から見た形状）は、対向基板５０の平面視形状よりも大きい。このため、ＴＦＴ基板１０の上面１０ａの一部（図１中のＹ２方向の部分）の領域１０ａ１は、対向基板５０に覆われずに露出する。領域１０ａ１にはフレキシブル配線基板２が接続され、さらに、ドライバＩＣ（Integrated Circuit）３と、電源配線２０とが設けられる。
【００１６】
ドライバＩＣ３は、有機エレクトロルミネッセンス表示装置１の外部からフレキシブル配線基板２を介して画像データを供給されるＩＣである。ドライバＩＣ３は画像データが供給されることにより、図示しないデータ線を介して各画素へ電圧信号を供給する。
【００１７】
電源配線２０は、図示しない電源とフレキシブル配線基板２に接続する、電流が流される配線である。電源配線２０は平面視でドライバＩＣ３のＸ１側、Ｘ２側それぞれに設けられている。なお、電源配線２０の詳細な構成については説明の便宜上後述する。
【００１８】
以下、図２を用いて表示領域Ｄの構成の詳細について説明する。ＴＦＴ基板１０の表示領域Ｄには、基板８と、回路層１２と、平坦化膜１３と、有機エレクトロルミネッセンス素子３０と、封止膜４０と、が形成されている。ＴＦＴ基板１０の表示領域Ｄは、充填剤４５を介して対向基板５０によって覆われている。
【００１９】
基板８は回路層１２が形成される絶縁性の基板である。回路層１２は、薄膜トランジスタ１１や図示しない配線など回路要素を含む層である。
【００２０】
回路層１２の表示領域Ｄには、薄膜トランジスタ１１と、第１の絶縁膜１１１ａ、第２の絶縁膜１１１ｂ、第３の絶縁膜１１１ｃと、が形成されている。薄膜トランジスタ１１は有機エレクトロルミネッセンス素子３０を駆動するトランジスタであり、画素Ｐごとに設けられている。薄膜トランジスタ１１は例えば、半導体層１１ａ、ゲート電極１１ｂ、ソース・ドレイン電極１１ｃを有している。
【００２１】
回路層１２の表示領域Ｄ上は、絶縁性を有する平坦化膜１３によって覆われている。平坦化膜１３は、例えばアクリル、ポリイミド等の、絶縁性を有する有機材料からなる。
【００２２】
平坦化膜１３の上面の各画素Ｐに対応する領域には、反射膜３１が形成されていてもよい。反射膜３１は、有機エレクトロルミネッセンス素子３０から出射された光を対向基板５０側へ反射する膜である。反射膜３１は光反射率が高いほど好ましく、例えばアルミニウムや銀（Ａｇ）等からなる金属膜であることが好ましい。
【００２３】
平坦化膜１３上には、複数の有機エレクトロルミネッセンス素子３０が形成されている。有機エレクトロルミネッセンス素子３０は例えばＩＺＯ（インジウム亜鉛酸化物）等の透光性及び導電性を有する材料からなる下部電極３２と、少なくとも発光層を含む有機層３３と、ＩＺＯ等の透光性及び導電性を有する材料からなる上部電極３４と、を有する。
【００２４】
下部電極３２は複数の画素Ｐ毎に形成された電極である。下部電極３２には、薄膜トランジスタ１１からコンタクトホール３２ａを介して駆動電流が供給される。なお、反射膜３１が導電性を有する材料からなる場合、反射膜３１は下部電極３２の一部として機能する。
【００２５】
下部電極３２の外周は画素分離膜１４に覆われている。画素分離膜１４は、隣接する画素Ｐ同士の境界に沿って画素Ｐを分離するように形成された、有機材料からなる膜である。
【００２６】
有機層３３は少なくとも発光層を有する、有機材料により形成された層である。本実施形態における有機層３３は複数の画素Ｐにわたって形成されている。
【００２７】
有機層３３は、下部電極３２側から順に、例えば、図示しないホール注入層、ホール輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層が積層されてなる。有機層３３の積層構造はこのような例に限られず、少なくとも発光層を含むのであれば、その他の構造であってもよい。
【００２８】
上部電極３４は、複数の画素Ｐに亘って有機層３３の上面を覆うように形成されている。
【００２９】
上部電極３４の上面（図中のＺ１側の面）は、複数の画素Ｐにわたって封止膜４０により覆われている。封止膜４０は、有機層３３や平坦化膜１３への上方向（図中のＺ１側）からの水分の侵入を防ぐ膜である。封止膜４０は、例えば、窒化珪素（ＳｉＮ）からなる。
【００３０】
封止膜４０上は、例えば充填剤４５を介して対向基板５０によって覆われている。対向基板５０としては例えばカラーフィルタを有する基板が挙げられる。対向基板５０がカラーフィルタを有する基板である場合、対向基板５０は例えばガラス基板４８と、ガラス基板４８の下面（図中のＺ２側の面）に格子状に設けられた光不透過膜ＢＭと、光不透過膜ＢＭによってマトリクス状に区分された着色膜４８と、を有している。
【００３１】
次いで、周辺領域Ｅにおける電源配線２０の構成について説明する。図３は、図１に示す有機エレクトロルミネッセンス表示装置１のＩＩＩ領域における部分拡大図であり、図４は図１に示す有機エレクトロルミネッセンス表示装置１のＩＩＩ領域における概略斜視図である。なお、説明の便宜上、図３、４においては電源配線２０のみを示す。
【００３２】
電源配線２０は、電源に接続された正極配線２２と負極配線２６を有している。正極配線２２は正極基部２３および複数の正極端子部２４を有し、負極配線２６は、負極基部２７および複数の負極端子部２８を有している。
【００３３】
正極基部２３と負極基部２７は板状であり、Ｙ方向に延在している。正極基部２３と負極基部２７は、平面視（正極基部２３の上面に垂直な方向から見た場合）で重なっている。
【００３４】
正極基部２３の一方（図中Ｙ２方向）の端部２３ａには複数の正極端子部２４が接続され、負極基部２７の一方（図中Ｙ２方向）の端部２７ａには複数の負極端子部２８が接続されている。正極基部２３と負極基部２７の他方（図中Ｙ１方向）の端部は図示しない電源に接続される。
【００３５】
図５は図３に示す有機エレクトロルミネッセンス表示装置１のＶ−Ｖ切断線における概略断面図である。負極基部２７は第１の絶縁膜１１１ａを介して基板８上（Ｚ１側）に設けられ、正極基部２３と負極基部２７の間には絶縁層６０が設けられている。また、正極基部２３上には第２の絶縁膜１１１ｂが設けられている。
【００３６】
なお、図５に示す例においては、負極基部２７は第１の絶縁膜１１１ａを介して基板８上に形成されているが、負極基部２７と基板８との間の絶縁膜の積層構造は図５に示す例に限定されない。
【００３７】
図３、４に示すように、複数の正極端子部２４と負極端子部２８はＹ方向に延在している。正極端子部２４と負極端子部２８はフレキシブル配線基板２などの外部機器に接続される。正極端子部２４と負極端子部２８のＸ方向の幅は正極基部２３と負極基部２７のＸ方向の幅よりも小さく、複数の正極端子部２４は互いにＸ方向に離間して正極基部２３の一方の端部２３ａに接続され、複数の負極端子部２８は、互いにＸ方向に離間して負極基部２７の一方の端部２７ａに接続されている。
【００３８】
また、図３、６に示すように、正極端子部２４は隣接する負極端子部２８同士の間に位置する。図６は図３に示す有機エレクトロルミネッセンス表示装置１のＶＩ−ＶＩ切断線における概略断面図である。正極端子部２４のＸ方向の側面２４ａは負極端子部２８からＸ方向に離間し、負極端子部２８のＸ方向の側面２８ａは正極端子部２４からＸ方向に離間する。このため、図３に示すように、複数の正極端子部２４と複数の負極端子部２８は、平面視で重ならずに配置される。
【００３９】
本実施形態における有機エレクトロルミネッセンス表示装置１は、正極基部２３と負極基部２７は平面視で重なり、互いの間には絶縁層６０が設けられている。このため、正極基部と負極基部が平面視で重ならずに、Ｘ方向に隣接する表示装置と比べ、正極基部２３と負極基部２７の距離が小さくなる。これにより、正極配線２２の磁気モーメントと負極配線２６の磁気モーメントが相殺されやすく、磁界の発生が抑えられる。このため、フレキシブル配線基板２など外部機器の回路への、磁界発生による影響を抑えることができる
【００４０】
また、本実施形態における有機エレクトロルミネッセンス表示装置１は、図３，６に示すように、平面視でそれぞれの正極端子部２４の隣に、負極端子部２８のいずれかが配置されている。このため、正極端子部２４の磁気モーメントと負極端子部２８の磁気モーメントが相殺されやすく、磁界の発生が抑えられる。
【００４１】
また、本実施形態における有機エレクトロルミネッセンス表示装置１は、図４，６に示すように、正極端子部２４が、負極端子部２８と同一平面上に配置されている。本実施形態における「同一平面上」とは、同じ絶縁層の同一面上に形成されていることを示す。このため、正極基部２３と負極基部２７がＹ方向に重なる構成であっても、正極端子部２４と負極端子部２８を外部機器に接続しやすい。
【００４２】
なお、本実施形態における正極端子部２４は正極基部２３の一方の端部２３ａからＺ２方向へ延び、負極端子部２８の上方（Ｚ１方向）で屈曲して、Ｙ２方向に延在している。本実施形態においては、正極端子部２４の一部が屈曲しているが、正極基部２３と負極基部２７との間に絶縁層６０が配置されるのであれば、正極端子部２４と負極端子部２８のどちらが屈曲していてもよい。
【００４３】
なお、電源配線２０は正極基部２３と負極基部２７の間に絶縁層６０が配置され、正極端子部２４と負極端子部２８が平面視で重ならずに配置されていれば、上述した構成に限られない。図７は本発明の一実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１の変形例を図４と同様の視野において示す概略斜視図である。
【００４４】
図７に示すように、電源配線１２０は、複数に分割された正極配線（分割正極配線）１２２，２２２を有していてもよい。分割正極配線１２２，２２２は、平面視で負極基部２７と重なる。分割正極配線１２２、２２２の正極基部１２３、２２３は全体的に平面視で負極基部２７と重なっている。本実施形態における「全体的に重なっている」とは、複数ある正極配線が全て負極基部２７と重なっていることを示す。
【００４５】
分割正極配線１２２，２２２の電流値はそれぞれ異なっている。分割正極配線１２２，２２２の正極基部１２３，２２３の平面視の幅ｄ１、ｄ２は、分割正極配線１２２，２２２の電力値に比例している。
【００４６】
例えば、図７に示す例においては、分割正極配線１２２よりも分割正極配線２２２の方が、電流値が大きい。分割正極配線１２２の正極基部１２３の幅ｄ１と分割正極配線１２２の正極基部２２３の幅ｄ２は、分割正極配線１２２と分割正極配線２２２それぞれの電力値に比例しており、幅ｄ２は幅ｄ１よりも大きい。
【００４７】
本実施形態における有機エレクトロルミネッセンス表示装置１は、このように正極配線１２２、２２２が、それぞれの電流値の大きさに応じた幅の正極基部１２３、２２３を有することにより、正極配線１２２、２２２の電流密度が均一となる。このため、複数の分割正極配線１２２，２２２それぞれの磁界の強さが均等となり、外部機器の回路への影響を抑えることができる。
【００４８】
図８は本発明の一実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１の変形例を図４と同様の視野において示す概略斜視図である。電源配線２２０は、複数に分割された負極配線（分割負極配線）１２２，２２２を有していてもよい。
【００４９】
分割負極配線１２２，２２２の電流値はそれぞれ異なっており、分割負極配線１２２，２２２の負極基部１２３，２２３の平面視の幅ｄ３、ｄ４は、分割負極配線１２２，２２２の電力値に比例している。また、正極配線２２の正極基部２３は、複数の分割負極配線１２２，２２２の負極基部１２３，２２３と全体的に平面視で重なっている。
【００５０】
このように負極配線１２２、２２２が、それぞれの電流値の大きさに応じた幅の負極基部１２３、２２３を有することにより、複数の分割負極配線１２２，２２２それぞれの磁界の強さは均等となる。
【００５１】
以上、本発明の実施形態を説明してきたが、本発明は、上述した実施形態には限られない。例えば、上述した実施形態で説明した構成は、実質的に同一の構成、同一の作用効果を奏する構成、又は同一の目的を達成することができる構成により置き換えてもよい。
【００５２】
例えば、本実施形態においては、有機エレクトロルミネッセンス表示装置を表示装置１の一例として説明したが、表示装置１は液晶表示装置やその他の表示装置であってもよい。
【符号の説明】
【００５３】
１  表示装置、２  フレキシブル配線基板、３  ドライバＩＣ、８  絶縁基板、１０  ＴＦＴ基板、１１  薄膜トランジスタ、１２  回路層、１３  平坦化膜、１４  画素分離膜、２０  電源配線、２２  正極配線、２３  正極基部、２３ａ  一方の端部、２４  正極端子部、２６  負極配線、２７  負極基部、２７ａ  一方の端部、２８  負極端子部、３０  有機エレクトロルミネッセンス素子、３２  下部電極、３３  有機層、３４  上部電極、４０  封止膜、５０  対向基板、６０  絶縁層、Ｄ  表示領域、ｄ１、ｄ２、ｄ３、ｄ４  幅、Ｅ  周辺領域。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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