(57)【要約】      （修正有）【課題】非表示領域で延在する配線の構成を適正化することにより、表示品位の低下を抑制することのできる液晶装置および電子機器を提供すること。【解決手段】液晶装置の第１基板１０（素子基板）では、表示領域１０ａとシール材の外縁１０７ｅとに挟まれた非表示領域１０ｃで延在する配線のうち、共通電位線ＬＶcomが画素電極９ａとの間に層間絶縁膜（第１絶縁膜）を介在させるように設けられている。これに対して、共通電位Ｖcomと異なる電位を供給する配線ＬＳＰＹ、ＬＶＳＳＹ、ＬＶＤＤＹ、ＬＣＬＹ、ＬＣＬＹINV、および配線１０６は、画素電極９ａとの間に層間絶縁膜（第１絶縁膜）および層間絶縁膜（第２絶縁膜）を介在させるように配置されている。共通電位線ＬＶcomにおいて、第２配線部分ＬＶcom2は、非表示領域１０ｃにおいて表示領域１０ａを全周にわたって囲むように延在している。【選択図】図２
2016099492.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板と、
該第１基板に対向する第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わせる枠状のシール材と、
前記シール材で囲まれた領域に配置された液晶層と、
前記第１基板と前記第２基板との間において前記シール材より外側で前記第１基板の基
板間導通電極と前記第２基板の共通電極とを導通させる基板間導通部と、
を有し、
前記第１基板の前記第２基板と対向する面側に、表示領域と前記シール材の外縁とに挟
まれた非表示領域で延在して前記基板間導通電極に共通電位を供給する共通電位線と、該
共通電位線の前記第２基板側に設けられた第１絶縁膜と、該第１絶縁膜の前記第２基板側
に設けられた画素電極と、を有し、
前記非表示領域では、前記共通電位以外の電位を供給する配線が前記共通電位線に対し
て前記第２基板とは反対側に設けられていることを特徴とする液晶装置。
【請求項２】
前記共通電位線は、前記非表示領域において前記表示領域に沿って延在していることを
特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
【請求項３】
前記共通電位線は、前記非表示領域において前記表示領域を全周にわたって囲むように
延在していることを特徴とする請求項２に記載の液晶装置。
【請求項４】
前記第１基板の前記第２基板と対向する面側に、前記共通電位線の前記第２基板とは反
対側に設けられた第２絶縁膜と、該第２絶縁膜の前記第２基板とは反対側に設けられた第
３絶縁膜と、を有し、
前記配線は、前記非表示領域では前記第２絶縁膜と前記第３絶縁膜との間に設けられて
いることを特徴とする請求項１乃至３の何れか一項に記載の液晶装置。
【請求項５】
前記共通電位線および前記配線は、アルミニウム配線であることを特徴とする請求項１
乃至４の何れか一項に記載の液晶装置。
【請求項６】
請求項１乃至５の何れか一項に記載の液晶装置を備えていることを特徴とする電子機器
。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、第１基板と第２基板との間に液晶層が設けられた液晶装置、および当該液晶
装置を備えた電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶装置では、一対の基板（第１基板および第２基板）の間においてシール材で囲まれ
た領域内に液晶層が設けられており、第１基板に設けた画素電極と第２基板に設けた共通
電極との間で液晶層を駆動する。また、第１基板と第２基板との間には基板間導通部が設
けられており、第１基板に形成した共通電位線および基板間導通部を介して共通電極に共
通電位を供給する。
【０００３】
かかる液晶装置において、シール材に含まれているイオン性不純物が液晶層内に侵入し
て表示領域まで到達すると、表示ムラやシミ等の表示品位の低下が発生する。そこで、表
示領域とシール材との間において、第１基板に画素電極と同層に設けた非表示領域電極と
第２基板の共通電極とを液晶層を介して対向させるとともに、非表示領域に共通電位を印
加することにより、イオン性不純物が表示領域まで進入することを抑制する技術が提案さ
れている（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−２７５１４４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、本願発明者が検討した結果、表示領域とシール材との間において非表示
領域電極と共通電極とを液晶層を介して対向させるとともに、非表示領域に共通電位を印
加するだけでは、イオン性不純物が表示領域まで侵入することを確実に防止することが困
難であるという知見を得た。すなわち、画素電極より下層側で、共通電位以外の電位を供
給する配線が非表示領域で延在していると、かかる配線の電位の影響で、イオン性不純物
がシール材から滲みだして表示領域内に侵入してしまう。
【０００６】
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、非表示領域で延在する配線の構成を適正化す
ることにより、表示品位の低下を抑制することのできる液晶装置および電子機器を提供す
ることにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明に係る液晶装置は、第１基板と、該第１基板に対向
する第２基板と、前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わせる枠状のシール材と、前記
シール材で囲まれた領域に配置された液晶層と、前記第１基板と前記第２基板との間にお
いて前記シール材より外側で前記第１基板の基板間導通電極と前記第２基板の共通電極と
を導通させる基板間導通部と、を有し、前記第１基板の前記第２基板と対向する面側に、
表示領域と前記シール材の外縁とに挟まれた非表示領域で延在して前記基板間導通電極と
ともに共通電位が印加された共通電位線と、該共通電位線の前記第２基板側に設けられた
第１絶縁膜と、該第１絶縁膜の前記第２基板側に設けられた画素電極と、を有し、前記非
表示領域では、前記共通電位以外の電位を供給する配線が前記共通電位線に対して前記第
２基板とは反対側に設けられていることを特徴とする。
【０００８】
本発明において、第１基板の第２基板と対向する面側では、表示領域とシール材の外縁
とに挟まれた非表示領域では、液晶層に近い位置で共通電位線が表示領域に沿って延在し
ているが、共通電位以外の電位を供給する配線は、共通電位線より液晶層から遠い位置に
配置されている。このため、液晶層は、非表示領域で共通電位線の影響を受ける一方、配
線の電位の影響を受けにくい。従って、非表示領域での液晶層の配向を均一化することが
できるので、配線の電位に起因する画像の品位の低下を抑制することができる。また、配
線の電位が液晶層やシール材に影響を及ぼしにくいので、シール材からのイオン性不純物
の滲み出しや、滲み出したイオン性不純物が表示領域に侵入することを抑制することがで
きる。それ故、画像の品位の経時的な低下を抑制することができる。
【０００９】
本発明において、前記共通電位線は、前記非表示領域において前記表示領域に沿って延
在していることが好ましい。かかる構成によれば、表示領域の外縁に沿って、非表示領域
での液晶層の配向を均一化することができる。
【００１０】
本発明において、前記共通電位線は、前記非表示領域において前記表示領域を全周にわ
たって囲むように延在していることが好ましい。かかる構成によれば、表示領域の全周に
わたって、非表示領域での液晶層の配向を均一化することができる。
【００１１】
本発明において、前記第１基板の前記第２基板と対向する面側に、前記共通電位線の前
記第２基板とは反対側に設けられた第２絶縁膜と、該第２絶縁膜の前記第２基板とは反対
側に設けられた第３絶縁膜と、を有し、前記配線は、前記非表示領域では前記第２絶縁膜
と前記第３絶縁膜との間に設けられている構成を採用することができる。
【００１２】
本発明において、前記共通電位線および前記配線は、例えば、アルミニウム配線である
。
【００１３】
本発明に係る液晶装置は、携帯電話機やモバイルコンピューター、カメラのファインダ
ー、投射型表示装置等の電子機器に用いることができる。これらの電子機器のうち、投射
型表示装置は、液晶装置に光を供給するための光源部と、液晶装置によって光変調された
光を投射する投射光学系とを備えている。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明を適用した液晶装置の液晶パネルの説明図である。
【図２】本発明を適用した第１基板の電気的構成を示す説明図である。
【図３】本発明を適用した液晶装置の画素の説明図である。
【図４】本発明を適用した液晶装置の配線の説明図である。
【図５】本発明を適用した投射型表示装置（電子機器）および光学ユニットの概略構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。なお、以下の説明で参照する図にお
いては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に
縮尺を異ならしめてある。また、以下の説明で参照する図においては、走査線、データ線
、信号線等の配線等については、それらの数を少なく表してある。また、第１基板１０の
面内方向で交差する２方向をＹ方向（第１方向）とＸ方向（第２方向）とし、Ｙ方向の一
方側をＹ１側とし、Ｙ方向の他方側をＹ２とし、Ｘ方向の一方側をＸ１側とし、Ｘ方向の
他方側をＸ２として説明する。
【００１６】
［全体構成］
図１は、本発明を適用した液晶装置の液晶パネルの説明図であり、図１（ａ）、（ｂ）
は各々、液晶パネルを各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図、およびそのＨ−Ｈ
′断面図である。
【００１７】
図１（ａ）、（ｂ）に示すように、本形態の液晶装置１００において、液晶パネル１０
０ｐは、第１基板１０（素子基板）と第２基板２０（対向基板）とが所定の隙間を介して
枠状のシール材１０７によって貼り合わされており、シール材１０７は第２基板２０の外
縁に沿うように枠状に設けられている。シール材１０７は、光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂
等からなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバーあるい
はガラスビーズ等のギャップ材１０７ａが配合されている。液晶パネル１００ｐにおいて
、第１基板１０と第２基板２０との間のうち、シール材１０７によって囲まれた領域内に
は、液晶層５０が設けられている。シール材１０７には、液晶注入口１０７ｃとして利用
される途切れ部分が形成されており、かかる液晶注入口１０７ｃは、液晶材料の注入後、
封止材１０７ｄによって封止されている。
【００１８】
液晶パネル１００ｐにおいて、第１基板１０および第２基板２０はいずれも四角形であ
り、第１基板１０は、Ｙ方向（第１方向）で対向する２つの辺１０ｅ、１０ｆ（端部）と
、Ｘ方向（第２方向）で対向する２つの辺１０ｇ、１０ｈ（端部）とを備えている。液晶
パネル１００ｐの略中央には、表示領域１０ａが四角形の領域として設けられており、か
かる形状に対応して、シール材１０７も略四角形に設けられている。従って、液晶パネル
１００ｐは、表示領域１０ａとシール材１０７の外縁１０７ｅ（第２基板２０の外縁）と
の間に四角形の非表示領域１０ｃを有している。
【００１９】
第１基板１０において、非表示領域１０ｃでは、第１基板１０においてＹ方向の一方側
Ｙ１に位置する辺１０ｅに沿ってデータ線駆動回路１０１および複数の接続端子１０２が
形成されており、この辺１０ｅに隣接する他の辺１０ｇ、１０ｈの各々に沿って走査線駆
動回路１０４が形成されている。なお、接続端子１０２には、フレキシブル配線基板（図
示せず）が接続されており、第１基板１０には、フレキシブル配線基板を介して外部制御
回路から各種電位や各種信号が入力される。
【００２０】
図３等を参照して詳しくは後述するが、第１基板１０の一方面１０ｓおよび他方面１０
ｔのうち、第２基板２０と対向する一方面１０ｓの側において、表示領域１０ａには、画
素電極９ａや、図２等を参照して後述する画素スイッチング素子３０等がマトリクス状に
配列されている。従って、表示領域１０ａは、画素電極９ａがマトリクス状に配列された
画素電極配列領域１０ｐとして構成されている。かかる構成の第１基板１０において、画
素電極９ａの上層側には配向膜１６が形成されている。
【００２１】
第１基板１０の一方面１０ｓの側において、表示領域１０ａより外側の非表示領域１０
ｃのうち、表示領域１０ａとシール材１０７とに挟まれた四角枠状のダミー領域１０ｂ（
周辺領域）にはダミー画素電極９ｂが形成されている。
【００２２】
第２基板２０の一方面２０ｓおよび他方面２０ｔのうち、第１基板１０と対向する一方
面２０ｓの側には共通電極２１が形成されている。共通電極２１は、第２基板２０の略全
面あるいは複数の帯状電極として複数の画素１００ａに跨って形成されている。本形態に
おいて、共通電極２１は、第２基板２０の略全面に形成されている。
【００２３】
第２基板２０の一方面２０ｓの側には、共通電極２１の下層側に遮光層２９が形成され
、共通電極２１の表面には配向膜２６が積層されている。遮光層２９は、表示領域１０ａ
の外周縁に沿って延在する額縁部分２９ａとして形成されており、遮光層２９の内周縁に
よって表示領域１０ａが規定されている。また、遮光層２９は、隣り合う画素電極９ａに
より挟まれた画素間領域に重なるブラックマトリクス部２９ｂとしても形成されている。
【００２４】
液晶パネル１００ｐにおいて、シール材１０７より外側には、第２基板２０の一方面２
０ｓの側の４つの角部分に基板間導通用電極２５が形成されており、第１基板１０の一方
面１０ｓの側には、第２基板２０の４つの角部分（基板間導通用電極２５）と対向する位
置に基板間導通用電極１９が形成されている。本形態において、基板間導通用電極２５は
、共通電極２１の一部からなる。基板間導通用電極１９には、定電位Ｖcomが印加されて
いる。基板間導通用電極１９と基板間導通用電極２５との間には、導電粒子を含んだ基板
間導通材１９ａが配置されており、第２基板２０の共通電極２１は、基板間導通用電極１
９、基板間導通材１９ａおよび基板間導通用電極２５からなる基板間導通部１９０を介し
て第１基板１０側に電気的に接続されている。このため、共通電極２１は、第１基板１０
の側から定電位Ｖcomが印加されている。シール材１０７は、略同一の幅寸法をもって第
２基板２０の外周縁に沿って設けられているが、第２基板２０の角部分と重なる領域では
基板間導通用電極１９、２５を避けて内側を通るように設けられている。
【００２５】
本形態において、液晶装置１００は透過型液晶装置であり、画素電極９ａおよび共通電
極２１は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜やＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）膜等の透光性
導電膜により形成されている。かかる透過型の液晶装置１００では、例えば、第２基板２
０の側から入射した光が第１基板１０の側から出射される間に変調されて画像を表示する
。また、液晶装置１００が反射型の液晶装置である場合、共通電極２１は、ＩＴＯ膜やＩ
ＺＯ膜等の透光性導電膜により形成され、画素電極９ａは、アルミニウム膜等の反射性導
電膜により形成される。かかる反射型の液晶装置１００では、第１基板１０および第２基
板２０のうち、第２基板２０の側から入射した光が第１基板１０で反射して出射される間
に変調されて画像を表示する。
【００２６】
液晶装置１００は、モバイルコンピューター、携帯電話機等といった電子機器のカラー
表示装置として用いることができ、この場合、第２基板２０等には、カラーフィルター（
図示せず）が形成される。また、液晶装置１００は、電子ペーパーとして用いることがで
きる。また、液晶装置１００では、使用する液晶層５０の種類や、ノーマリホワイトモー
ド／ノーマリブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板等が
液晶パネル１００ｐに対して所定の向きに配置される。さらに、液晶装置１００は、後述
する投射型表示装置（液晶プロジェクター）において、ＲＧＢ用のライトバルブとして用
いることができる。この場合、ＲＧＢ用の各液晶装置１００の各々には、ＲＧＢ色分解用
のダイクロイックミラーを介して分解された各色の光が投射光として各々入射されること
になるので、カラーフィルターは形成されない。
【００２７】
（第１基板１０の電気的構成）
図２は、本発明を適用した液晶装置１００の第１基板１０の電気的構成を示す説明図で
あり、図２（ａ）、（ｂ）は、第１基板１０の回路や配線の平面的なレイアウトを示す説
明図、および画素の電気的構成を示す説明図である。なお、図２では、シール材１０７の
外縁１０７ｅを一点鎖線で示してあり、共通電位線ＬＶcomについては太線で示してある
。また、図２では、表示領域１０ａに対してＹ方向に形成されたダミー領域１０ｂについ
ては画素１００ａの図示を省略してある。また、以下の説明において、接続端子１０２を
介して第１基板１０に入力される信号や電位に対応する配線については、「Ｌ」の後に信
号や電位を示すアルファベット記号を付与して説明する。例えば、信号名称である「クロ
ック信号ＣＬＸ」に対応する配線について「クロック信号線ＬＣＬＸ」とする。また、接
続端子１０２に関しては、「Ｔ」の後に信号や電位を示すアルファベット記号を付与して
説明する。例えば、信号名称である「クロック信号ＣＬＸ」に対応する接続端子１０２に
ついては「接続端子ＴＣＬＸ」とする。
【００２８】
図２（ａ）、（ｂ）に示すように、液晶装置１００において、第１基板１０には複数の
画素１００ａがマトリクス状に配列された画素電極配列領域１０ｐが設けられている。画
素電極配列領域１０ｐのうち、図１（ｂ）に示す額縁部分２９ａの内縁で囲まれた領域が
表示領域１０ａであり、表示領域１０ａの外側がダミー領域１０ｂである。
【００２９】
第１基板１０では、画素電極配列領域１０ｐの内側に、Ｙ方向（第１方向）に沿って延
在する複数本のデータ線６ａと、Ｘ方向（第２方向）に沿って延在する複数本の走査線３
ａとが形成されており、それらの交点に対応する位置に画素１００ａが構成されている。
複数の画素１００ａの各々には、ＴＦＴ等のトランジスターからなる画素スイッチング素
子３０、および画素電極９ａが形成されている。画素スイッチング素子３０のソースには
データ線６ａが電気的に接続され、画素スイッチング素子３０のゲートには走査線３ａが
電気的に接続され、画素スイッチング素子３０のドレインには、画素電極９ａが電気的に
接続されている。
【００３０】
第１基板１０において、表示領域１０ａ（画素電極配列領域１０ｐ）より外側の非表示
領域１０ｃには、走査線駆動回路１０４、データ線駆動回路１０１、サンプリング回路１
０３、基板間導通用電極１９、接続端子１０２等が構成されており、接続端子１０２から
走査線駆動回路１０４、データ線駆動回路１０１、サンプリング回路１０３、および基板
間導通用電極１９に向けて複数の配線１０５が延在している。サンプリング回路１０３は
、複数本のデータ線６ａにＹ方向の一方側Ｙ１で電気的に接続しており、走査線駆動回路
１０４は、複数本の走査線３ａにＸ方向で電気的に接続している。
【００３１】
各画素１００ａにおいて、画素電極９ａは、図１を参照して説明した第２基板２０に形
成された共通電極２１と液晶層５０を介して対向し、液晶容量５０ａを構成している。ま
た、各画素１００ａには、液晶容量５０ａで保持される画像信号の変動を防ぐために、液
晶容量５０ａと並列に保持容量５５が付加されている。本形態では、保持容量５５を構成
するために、複数の画素１００ａに跨って容量線５ａが形成され、かかる容量線５ａには
、共通電極２１に印加される共通電位と同一の定電位Ｖcomが印加されている。なお、容
量線５ａは、走査線３ａに沿ってＸ方向に沿って延在している構成、およびデータ線６ａ
に沿ってＹ方向に沿って延在している構成のいずれを採用してもよい。
【００３２】
接続端子１０２は、共通電位線用、走査線駆動回路用、画像信号用、およびデータ線駆
動回路用の４つの用途に大きく分類される複数の接続端子群により構成されている。具体
的には、複数の接続端子１０２は、共通電位線ＬＶcom用として接続端子ＴＶcomを含み、
走査線駆動回路１０４用として接続端子ＴＳＰＹ、接続端子ＴＶＳＳＹ、接続端子ＴＶＤ
ＤＹ、接続端子ＴＣＬＹ、および接続端子ＴＣＬＹINVを含んでいる。また、複数の接続
端子１０２は、画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６用として接続端子ＴＶＩＤ１〜ＴＶＩＤ６を
含み、データ線駆動回路１０１用として、接続端子ＴＶＳＳＸ、接続端子ＴＳＰＸ、接続
端子ＴＶＤＤＸ、接続端子ＴＣＬＸ、接続端子ＴＣＬＸINV、接続端子ＴＥＮＢ１〜ＴＥ
ＮＢ４、および接続端子ＴＶＳＳＸを含んでいる。
【００３３】
データ線駆動回路１０１は、シフトレジスター回路１０１ｃ、波形選択回路１０１ｂ、
およびバッファー回路１０１ａを備えている。データ線駆動回路１０１において、シフト
レジスター回路１０１ｃは、外部制御回路から接続端子１０２（接続端子ＴＶＳＳＸ、Ｔ
ＶＤＤＸ）および配線１０５（配線ＬＶＳＳＸ、ＬＶＤＤＸ）を介して供給される負電源
ＶＳＳＸおよび正電源ＶＤＤＸを電源として用い、外部制御回路から接続端子１０２（接
続端子ＴＳＰＸ）および配線１０５（配線ＬＳＰＸ）を介して供給されるスタート信号Ｓ
ＰＸに基づいて転送動作を開始する。シフトレジスター回路１０１ｃは、接続端子１０２
（接続端子ＴＣＬＸ、ＴＣＬＸINV）、および配線１０５（配線ＬＣＬＸ、ＬＣＬＸINV）
を介して供給されるクロック信号ＣＬＸおよび逆位相クロック信号ＣＬＸINVに基づき、
転送信号を波形選択回路１０１ｂへ出力する。波形選択回路１０１ｂは、「イネーブル回
路」とも称され、シフトレジスター回路１０１ｃから出力される転送信号のパルス幅を、
外部制御回路から接続端子１０２（接続端子ＴＥＮＢ１〜ＴＥＮＢ４）および配線１０５
（配線ＬＥＮＢ１〜ＬＥＮＢ４）を介して供給されるイネーブル信号ＥＮＢ１〜ＥＮＢ４
のパルス幅に制限することにより、後述のサンプリング回路１０３における各サンプリン
グ期間を規定する。より具体的には、波形選択回路１０１ｂは、シフトレジスター回路１
０１ｃの各段に対応して設けられたＮＡＮＤ回路およびインバーター等により構成されて
おり、シフトレジスター回路１０１ｃより出力される転送信号がハイレベルとされており
、かつ、イネーブル信号ＥＮＢ１〜ＥＮＢ４のいずれかがハイレベルとされているときに
のみデータ線６ａが駆動されるように時間軸上における電位の選択制御を行う。バッファ
ー回路１０１ａは、このように波形の選択が行われた転送信号をバッファリングした後、
サンプリング回路駆動信号として、サンプリング回路駆動信号線１０９を介してサンプリ
ング回路１０３に供給する。
【００３４】
サンプリング回路１０３は、画像信号をサンプリングするためのサンプリングスイッチ
１０８を複数備えて構成されている。本形態において、サンプリングスイッチ１０８は、
ＴＦＴ等のトランジスターからなる。サンプリングスイッチ１０８のドレインには、デー
タ線６ａが電気的に接続され、サンプリングスイッチ１０８のソースには、配線１０６を
介して配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１〜ＬＶＩＤ６）が接続され、サンプリングスイ
ッチ１０８のゲートには、データ線駆動回路１０１に接続されたサンプリング回路駆動信
号線１０９が接続されている。そして、接続端子１０２（接続端子ＴＶＩＤ１〜ＶＩＤ６
）を介して配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１〜ＬＶＩＤ６）に供給された画像信号ＶＩ
Ｄ１〜ＶＩＤ６は、データ線駆動回路１０１からサンプリング回路駆動信号線１０９を通
じてサンプリング回路駆動信号が供給されるのに応じ、サンプリング回路１０３によりサ
ンプリングされ、各データ線６ａに画像信号Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、・・Ｓｎとして供給され
る。本形態において、画像信号Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、・・Ｓｎは、６相にシリアル−パラレ
ル展開された画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６の各々に対応して、６本のデータ線６ａの組に
対してグループ毎に供給される。なお、画像信号の相展開数に関しては、６相に限られる
ものでなく、例えば、９相、１２相、２４相、４８相等、複数相に展開された画像信号が
、その展開数に対応した数を一組としたデータ線６ａの組に対して供給される。
【００３５】
走査線駆動回路１０４は、構成要素としてシフトレジスター回路およびバッファー回路
を備えている。走査線駆動回路１０４は、外部制御回路から接続端子１０２（接続端子Ｔ
ＶＳＳＹ、ＴＶＤＤＹ）および配線１０５（配線ＬＶＳＳＹ、ＬＶＤＤＹ）を介して供給
される負電源ＶＳＳＹおよび正電源ＶＤＤＹを電源として用い、同じく外部制御回路から
接続端子１０２（接続端子ＴＳＰＹ）および配線１０５（配線ＬＳＰＹ）を介して供給さ
れるスタート信号ＳＰＹに応じて、その内蔵シフトレジスター回路の転送動作を開始する
。また、走査線駆動回路１０４は、接続端子１０２（接続端子ＴＣＬＹ、ＴＣＬＹINV）
および配線１０５（配線ＬＣＬＹ、ＬＣＬＹINV）を介して供給されるクロック信号ＣＬ
Ｙおよび逆位相クロック信号ＣＬＹINVに基づいて、所定のタイミングで走査線３ａに走
査信号をパルス的に線順次で印加する。
【００３６】
第１基板１０には、４つの基板間導通用電極１９を通過するように配線１０５（共通電
位線ＬＶcom）が形成されており、基板間導通用電極１９には、接続端子１０２（接続端
子ＴＶcom）および配線１０５（共通電位線ＬＶcom）を介して定電位Ｖcomが供給される
。
【００３７】
（画素１００ａの具体的構成）
図３は、本発明を適用した液晶装置１００の画素１００ａの説明図であり、図３（ａ）
、（ｂ）は、第１基板１０において隣り合う複数の画素の平面図、および液晶装置１００
のＨ−Ｈ′断面図である。なお、図３（ａ）では、各層を以下の線
下層側の遮光層８ａ＝細くて長い破線
半導体層１ａ＝細くて短い点線
走査線３ａ＝太い実線
ドレイン電極４ａ＝細い実線
データ線６ａおよび中継電極６ｂ＝細い一点鎖線
容量線５ａ＝太い一点鎖線
上層側の遮光層７ａおよび中継電極７ｂ＝細い二点鎖線
画素電極９ａ＝太い破線
で示してある。また、図３（ａ）では、互いの端部が平面視で重なり合う層については、
層の形状等が分かりやすいように、端部の位置をずらしてある。また、第１基板１０に形
成されている膜等を説明する際、上層側とは基板本体１０ｗとは反対側（第２基板２０の
側、液晶層５０の側）を意味し、下層側とは基板本体１０ｗの側（第２基板２０とは反対
側、液晶層５０とは反対側）を意味する。また、第２基板２０に形成されている膜等を説
明する際、上層側とは基板本体２０ｗとは反対側（第１基板１０の側、液晶層５０の側）
を意味し、下層側とは基板本体２０ｗの側（第１基板１０とは反対側、液晶層５０とは反
対側）を意味する。
【００３８】
図３（ａ）に示すように、第１基板１０において第２基板２０と対向する一方面１０ｓ
には、複数の画素１００ａの各々に画素電極９ａが形成されており、隣り合う画素電極９
ａにより挟まれた画素間領域に沿ってデータ線６ａおよび走査線３ａが形成されている。
本形態において、画素間領域は縦横に延在しており、走査線３ａは画素間領域のうち、Ｘ
方向に沿って延在する第１画素間領域に沿って直線的に延在し、データ線６ａは、Ｙ方向
に沿って延在する第２画素間領域に沿って直線的に延在している。また、データ線６ａと
走査線３ａとの交差に対応して画素スイッチング素子３０が形成されており、本形態にお
いて、画素スイッチング素子３０は、データ線６ａと走査線３ａとの交差領域およびその
付近を利用して形成されている。第１基板１０には容量線５ａが形成されており、かかる
容量線５ａには定電位Ｖcomが印加されている。本形態において、容量線５ａは、走査線
３ａおよびデータ線６ａに重なるように延在して格子状に形成されている。画素スイッチ
ング素子３０の上層側には遮光層７ａが形成されており、かかる遮光層７ａは、データ線
６ａに重なるように延在している。画素スイッチング素子３０の下層側には遮光層８ａが
形成されており、かかる遮光層８ａは、走査線３ａと重なるように直線的に延びた主線部
分と、データ線６ａと走査線３ａとの交差部分でデータ線６ａに重なるように延びた副線
部分とを備えている。
【００３９】
図３（ｂ）に示すように、第１基板１０は、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本
体１０ｗの液晶層５０側の基板面（第２基板２０と対向する一方面１０ｓ側）に画素電極
９ａ、画素スイッチング用の画素スイッチング素子３０、および配向膜１６等が構成され
ている。第２基板２０は、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体２０ｗの液晶層５
０側の基板面（第１基板１０と対向する一方面２０ｓ）に遮光層２９、共通電極２１、お
よび配向膜２６等が構成されている。
【００４０】
より具体的には、第１基板１０において、基板本体１０ｗの一方面１０ｓ側には、導電
性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からな
る下層側の遮光層８ａが形成されている。本形態において、遮光層８ａは、タングステン
シリサイド（ＷＳｉ）等の遮光膜からなり、液晶装置１００を透過した後の光が他の部材
で反射した際、かかる反射光が半導体層１ａに入射して画素スイッチング素子３０で光電
流に起因する誤動作が発生することを防止する。なお、遮光層８ａを走査線として構成す
る場合もあり、この場合、後述するゲート電極３ｂと遮光層８ａを導通させた構成とする
。
【００４１】
基板本体１０ｗの一方面１０ｓ側において、遮光層８ａの上層側には、シリコン酸化膜
等の透光性の絶縁膜１２が形成されており、かかる絶縁膜１２の表面側に、半導体層１ａ
を備えた画素スイッチング素子３０が形成されている。画素スイッチング素子３０は、デ
ータ線６ａの延在方向に長辺方向を向けた半導体層１ａと、半導体層１ａの長さ方向と直
交する方向に沿って延在して半導体層１ａの長さ方向の中央部分に重なるゲート電極３ｂ
とを備えており、本形態において、ゲート電極３ｂは走査線３ａの一部からなる。画素ス
イッチング素子３０は、半導体層１ａとゲート電極３ｂとの間に透光性のゲート絶縁層２
を有している。半導体層１ａは、ゲート電極３ｂに対してゲート絶縁層２を介して対向す
るチャネル領域１ｇを備えているとともに、チャネル領域１ｇの両側にソース領域１ｂお
よびドレイン領域１ｃを備えている。本形態において、画素スイッチング素子３０は、Ｌ
ＤＤ構造を有している。従って、ソース領域１ｂおよびドレイン領域１ｃは各々、チャネ
ル領域１ｇの両側に低濃度領域を備え、低濃度領域に対してチャネル領域１ｇとは反対側
で隣接する領域に高濃度領域を備えている。
【００４２】
半導体層１ａは、ポリシリコン膜（多結晶シリコン膜）等によって構成されている。ゲ
ート絶縁層２は、半導体層１ａを熱酸化したシリコン酸化膜からなる第１ゲート絶縁層２
ａと、減圧ＣＶＤ法により形成されたシリコン酸化膜からなる第２ゲート絶縁層２ｂとの
２層構造からなる。ゲート電極３ｂおよび走査線３ａは、導電性のポリシリコン膜、金属
シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。
【００４３】
ゲート電極３ｂの上層側には、ＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等のシリコン酸化膜
等からなる透光性の層間絶縁膜４１が形成され、層間絶縁膜４１の上層には、ドレイン電
極４ａが形成されている。ドレイン電極４ａは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイ
ド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。ドレイン電極４ａは、半導体層
１ａのドレイン領域１ｃ（画素電極側ソースドレイン領域）と一部が重なるように形成さ
れており、層間絶縁膜４１およびゲート絶縁層２を貫通するコンタクトホール４１ａを介
してドレイン領域１ｃに導通している。
【００４４】
ドレイン電極４ａの上層側には、シリコン酸化膜等からなる透光性の絶縁膜４９、およ
び透光性の誘電体層４０が形成されており、かかる誘電体層４０の上層側には容量線５ａ
が形成されている。誘電体層４０としては、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜等のシリコ
ン化合物を用いることができる他、アルミニウム酸化膜、チタン酸化膜、タンタル酸化膜
、ニオブ酸化膜、ハフニウム酸化膜、ランタン酸化膜、ジルコニウム酸化膜等の高誘電率
の誘電体層を用いることができる。容量線５ａは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサ
イド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。ここで、容量線５ａは、誘電
体層４０を介してドレイン電極４ａと重なっており、保持容量５５を構成している。
【００４５】
容量線５ａの上層側には、シリコン酸化膜等からなる透光性の層間絶縁膜４２が形成さ
れており、かかる層間絶縁膜４２の上層側には、データ線６ａと中継電極６ｂとが同一の
導電膜により形成されている。データ線６ａおよび中継電極６ｂは、導電性のポリシリコ
ン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。本形態にお
いて、データ線６ａおよび中継電極６ｂは、アルミニウム配線からなる。また、データ線
６ａおよび中継電極６ｂは、アルミニウム層と、アルミニウム層の上層に積層された窒化
チタン層からなる。データ線６ａは、層間絶縁膜４２、絶縁膜４９、層間絶縁膜４１およ
びゲート絶縁層２を貫通するコンタクトホール４２ａを介してソース領域１ｂ（データ線
側ソースドレイン領域）に導通している。中継電極６ｂは、層間絶縁膜４２および絶縁膜
４９を貫通するコンタクトホール４２ｂを介してドレイン電極４ａに導通している。
【００４６】
データ線６ａおよび中継電極６ｂの上層側にはシリコン酸化膜等からなる透光性の層間
絶縁膜４３が形成されており、かかる層間絶縁膜４３の上層側には、遮光層７ａおよび中
継電極７ｂが同一の導電膜によって形成されている。層間絶縁膜４３の表面は平坦化され
ている。遮光層７ａおよび中継電極７ｂは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜
、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。本形態において、遮光層７ａおよび
中継電極７ｂは、アルミニウム配線からなる。また、本形態において、遮光層７ａおよび
中継電極７ｂは、アルミニウム層と、アルミニウム層の上層に積層された窒化チタン層か
らなる。中継電極７ｂは、層間絶縁膜４３を貫通するコンタクトホール４３ａを介して中
継電極６ｂに導通している。遮光層７ａは、データ線６ａと重なるように延在している。
なお、遮光層７ａを容量線５ａと導通させて、シールド層として利用してもよい。
【００４７】
遮光層７ａおよび中継電極７ｂの上層側には、シリコン酸化膜等からなる透光性の層間
絶縁膜４４が形成されており、かかる層間絶縁膜４４の上層側にはＩＴＯ膜等からなる画
素電極９ａが形成されている。層間絶縁膜４４には、層間絶縁膜４４を貫通して中継電極
７ｂまで到達したコンタクトホール４４ａが形成されており、画素電極９ａは、コンタク
トホール４４ａを介して中継電極７ｂに電気的に接続している。その結果、画素電極９ａ
は、中継電極７ｂ、中継電極６ｂおよびドレイン電極４ａを介してドレイン領域１ｃに電
気的に接続している。層間絶縁膜４４の表面は平坦化されている。
【００４８】
画素電極９ａの表面側には、ポリイミドや無機配向膜からなる配向膜１６が形成されて
いる。本形態において、配向膜１６は、ＳｉＯX（ｘ＜２）、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、ＭｇＯ
、Ａｌ2Ｏ3、Ｉｎ2Ｏ3、Ｓｂ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ5等の斜方蒸着膜（傾斜垂直配向膜／無機配向
膜）からなる。
【００４９】
なお、図１等に示すデータ線駆動回路１０１や走査線駆動回路１０４に用いられている
スイッチング素子や、図２に示すサンプリングスイッチ１０８は、画素スイッチング素子
３０と略同様な構成を有している。
【００５０】
（第２基板２０の構成）
第２基板２０では、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体２０ｗ（透光性基板）
の液晶層５０側の面（第１基板１０に対向する一方面２０ｓ）には、遮光層２９、シリコ
ン酸化膜等からなる絶縁膜２８、およびＩＴＯ膜等の透光性導電膜からなる共通電極２１
が形成されており、かかる共通電極２１を覆うように、ポリイミドや無機配向膜からなる
配向膜２６が形成されている。本形態において、共通電極２１はＩＴＯ膜からなる。本形
態において、配向膜２６は、配向膜１６と同様、ＳｉＯX（ｘ＜２）、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2
、ＭｇＯ、Ａｌ2Ｏ3、Ｉｎ2Ｏ3、Ｓｂ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ5等の斜方蒸着膜（傾斜垂直配向膜／
無機配向膜）である。かかる配向膜１６、２６は、液晶層５０に用いた誘電異方性が負の
ネマチック液晶化合物を傾斜垂直配向させ、液晶パネル１００ｐは、ノーマリブラックの
ＶＡモードとして動作する。本形態では、配向膜１６、２６として、各種無機配向膜のう
ち、シリコン酸化膜（ＳｉＯX）の斜方蒸着膜が用いられている。
【００５１】
（定電位線ＬＣcom等のレイアウト）
図４は、本発明を適用した液晶装置１００の配線の説明図であり、図４（ａ）、（ｂ）
、（ｃ）は、共通電位線ＬＶcomの断面図、共通電位と異なる電位を供給する配線の断面
図、および共通電位と異なる電位を供給する配線の変形例の断面図である。
【００５２】
再び図２において、接続端子ＴＶcomは、接続端子１０２が配列されている領域の両側
端部に配置されており、共通電位線ＬＶcomは、２つの接続端子ＴＶcomから第１基板１０
の外縁に沿って延在して４つの基板間導通用電極１９に向けて延在する第１配線部分ＬＶ
com1を有している。また、共通電位線ＬＶcomは、非表示領域１０ｃにおいて表示領域１
０ａの周りを全周にわたって囲むように表示領域１０ａに沿って延在する第２配線部分Ｌ
Ｖcom2と、第２配線部分と４つの基板間導通用電極１９の各々とを接続する第３配線部分
ＬＶcom3を有している。本形態において、第２配線部分ＬＶcom2は、非表示領域１０ｃの
うち、表示領域１０ａとシール材１０７の内縁１０７ｆとに挟まれたダミー領域１０ｂで
延在している。
【００５３】
また、非表示領域１０ｃでは、共通電位Ｖcomと異なる電位を供給する配線として、接
続端子ＴＳＰＹ、ＴＶＳＳＹ、ＴＶＤＤＹ、ＴＣＬＹ、ＴＣＬＹINVと走査線駆動回路１
０４とを結ぶ配線ＬＳＰＹ、ＬＶＳＳＹ、ＬＶＤＤＹ、ＬＣＬＹ、ＬＣＬＹINVの一部や
、サンプリングスイッチ１０８のソースに接続された配線１０６の一部が延在している。
【００５４】
ここで、共通電位線ＬＶcomは、図４（ａ）に示すように、層間絶縁膜４３と層間絶縁
膜４４との間に遮光層７ａや中継電極７ｂと同層のアルミニウム配線として設けられてお
り、層間絶縁膜４４の上側には画素電極９ａが形成されている。本形態の液晶装置１００
では、液晶層５０の側から層間絶縁膜４４（第１絶縁膜）、層間絶縁膜４３（第２絶縁膜
）、層間絶縁膜４２（第３絶縁膜）、および層間絶縁膜４１（第４絶縁膜）が順に設けら
れており、共通電位線ＬＶcomは、層間絶縁膜４３（第２絶縁膜）と層間絶縁膜４４（第
１絶縁膜）との間に設けられている。このため、共通電位線ＬＶcomは、各種配線のうち
、最も液晶層５０に近い位置に設けられている。
【００５５】
これに対して、配線ＬＳＰＹ、ＬＶＳＳＹ、ＬＶＤＤＹ、ＬＣＬＹ、ＬＣＬＹINV、お
よび配線１０６は、図４（ｂ）に示すように、層間絶縁膜４２（第３絶縁膜）と層間絶縁
膜４３（第２絶縁膜）との間に、データ線６ａおよび中継電極６ｂと同層のアルミニウム
配線として設けられている。ここで、配線ＬＳＰＹ、ＬＶＳＳＹ、ＬＶＤＤＹ、ＬＣＬＹ
、ＬＣＬＹINV、および配線１０６は、図４（ｃ）に示すように、層間絶縁膜４１（第４
絶縁膜）と層間絶縁膜４２（第３絶縁膜）との間に容量線５ａと同層に設けられることも
ある。いずれの場合でも、配線ＬＳＰＹ、ＬＶＳＳＹ、ＬＶＤＤＹ、ＬＣＬＹ、ＬＣＬＹ
INV、および配線１０６は、液晶層５０からみたとき、共通電位線ＬＶcomより遠い位置に
設けられている。なお、非表示領域１０ｃでは、共通電位Ｖcomと異なる電位を供給する
配線として、データ線６ａおよび走査線３ａも延在している。但し、データ線６ａは、層
間絶縁膜４２（第３絶縁膜）と層間絶縁膜４３（第２絶縁膜）との間に設けられ、走査線
３ａは、層間絶縁膜４１と基板本体１０ｗとの間に設けられている。
【００５６】
（本形態の主な効果）
以上説明したように、本形態の液晶装置１００では、表示領域１０ａとシール材１０７
の外縁１０７ｅとに挟まれた非表示領域１０ｃで延在する配線のうち、共通電位線ＬＶco
mが画素電極９ａとの間に層間絶縁膜４４（第１絶縁膜）を介在させるように設けられて
いる。これに対して、共通電位Ｖcomと異なる電位を供給する配線ＬＳＰＹ、ＬＶＳＳＹ
、ＬＶＤＤＹ、ＬＣＬＹ、ＬＣＬＹINV、および配線１０６は、図４（ｂ）に示す構成で
は、画素電極９ａとの間に層間絶縁膜４４（第１絶縁膜）および層間絶縁膜４３（第２絶
縁膜）を介在させるように配置され、図４（ｃ）に示す構成では、画素電極９ａとの間に
層間絶縁膜４４（第１絶縁膜）、層間絶縁膜４３（第２絶縁膜）、および層間絶縁膜４２
（第３絶縁膜）を介在させるように設けられている。このため、共通電位Ｖcom以外の電
位を供給する配線ＬＳＰＹ、ＬＶＳＳＹ、ＬＶＤＤＹ、ＬＣＬＹ、ＬＣＬＹINV、および
配線１０６は、共通電位線ＬＶcomより液晶層５０から遠い位置に配置されている。従っ
て、液晶層５０は、非表示領域１０ｃにおいて、共通電位線ＬＶcomの影響を受ける一方
、配線ＬＳＰＹ、ＬＶＳＳＹ、ＬＶＤＤＹ、ＬＣＬＹ、ＬＣＬＹINV、および配線１０６
の影響を受けにくい。それ故、非表示領域１０ｃでの液晶層５０の配向を均一化すること
ができるので、配線ＬＳＰＹ、ＬＶＳＳＹ、ＬＶＤＤＹ、ＬＣＬＹ、ＬＣＬＹINV、およ
び配線１０６の電位に起因する画像の品位の低下を抑制することができる。また、配線Ｌ
ＳＰＹ、ＬＶＳＳＹ、ＬＶＤＤＹ、ＬＣＬＹ、ＬＣＬＹINV、および配線１０６の電位が
液晶層５０やシール材１０７に影響を及ぼしにくいので、シール材１０７からのイオン性
不純物の滲み出しや、滲み出したイオン性不純物が表示領域１０ａに侵入することを抑制
することができる。それ故、画像の品位の経時的な低下を抑制することができる。
【００５７】
また、共通電位線ＬＶcomは、非表示領域１０ｃにおいて表示領域１０ａを全周にわた
って囲むように表示領域１０ａに沿って延在している。しかも、共通電位線ＬＶcomは、
非表示領域１０ｃのうち、表示領域１０ａとシール材１０７の内縁１０７ｆとに挟まれた
領域で延在している。従って、表示領域１０ａの全周にわたって、非表示領域１０ｃでの
液晶層５０の配向を均一化することができる。
【００５８】
［他の実施の形態］
上記実施の形態では、共通電位線ＬＶcomが非表示領域１０ｃにおいて表示領域１０ａ
を全周にわたって囲んだ構成であったが、非表示領域１０ｃにおいて表示領域１０ａの外
縁に沿って延在しているが、表示領域１０ａを全周にわたって囲んでいない構成であって
もよい。
【００５９】
［電子機器への搭載例］
（投射型表示装置および光学ユニットの構成例）
図５は、本発明を適用した投射型表示装置（電子機器）および光学ユニットの概略構成
図である。
【００６０】
図５に示す投射型表示装置１１０は、観察者側に設けられたスクリーン１１１に光を照
射し、このスクリーン１１１で反射した光を観察する、いわゆる投影型の投射型表示装置
である。投射型表示装置１１０は、光源１１２を備えた光源部１３０と、ダイクロイック
ミラー１１３、１１４と、液晶ライトバルブ１１５〜１１７と、投射光学系１１８と、ク
ロスダイクロイックプリズム１１９（合成光学系）と、リレー系１２０とを備えており、
液晶装置１００およびクロスダイクロイックプリズム１１９は、光学ユニット２００を構
成している。
【００６１】
光源１１２は、赤色光Ｒ、緑色光Ｇ、および青色光Ｂを含む光を供給する超高圧水銀ラ
ンプで構成されている。ダイクロイックミラー１１３は、光源１１２からの赤色光Ｒを透
過させるとともに、緑色光Ｇ、および青色光Ｂを反射する構成となっている。また、ダイ
クロイックミラー１１４は、ダイクロイックミラー１１３で反射された緑色光Ｇおよび青
色光Ｂのうち青色光Ｂを透過させるとともに緑色光Ｇを反射する構成となっている。この
ように、ダイクロイックミラー１１３、１１４は、光源１１２から出射した光を赤色光Ｒ
と緑色光Ｇと青色光Ｂとに分離する色分離光学系を構成する。
【００６２】
ここで、ダイクロイックミラー１１３と光源１１２との間には、インテグレーター１２
１および偏光変換素子１２２が光源１１２から順に配置されている。インテグレーター１
２１は、光源１１２から照射された光の照度分布を均一化する構成となっている。また、
偏光変換素子１２２は、光源１１２からの光を、例えばｓ偏光のような特定の振動方向を
有する偏光にする構成となっている。
【００６３】
液晶ライトバルブ１１５は、ダイクロイックミラー１１３を透過して反射ミラー１２３
で反射した赤色光を画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置である。液晶ライトバル
ブ１１５は、λ／２位相差板１１５ａ、第１偏光板１１５ｂ、液晶装置１００（赤色用液
晶パネル１００Ｒ）、および第２偏光板１１５ｄを備えている。ここで、液晶ライトバル
ブ１１５に入射する赤色光Ｒは、ダイクロイックミラー１１３を透過しても光の偏光は変
化しないことから、ｓ偏光のままである。
【００６４】
λ／２位相差板１１５ａは、液晶ライトバルブ１１５に入射したｓ偏光をｐ偏光に変換
する光学素子である。また、第１偏光板１１５ｂは、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過させ
る偏光板である。そして、液晶装置１００（赤色用液晶パネル１００Ｒ）は、ｐ偏光を画
像信号に応じた変調によってｓ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）に変換する構
成となっている。さらに、第２偏光板１１５ｄは、ｐ偏光を遮断してｓ偏光を透過させる
偏光板である。したがって、液晶ライトバルブ１１５は、画像信号に応じて赤色光Ｒを変
調し、変調した赤色光Ｒをクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて出射する構成と
なっている。
【００６５】
なお、λ／２位相差板１１５ａ、および第１偏光板１１５ｂは、偏光を変換させない透
光性のガラス板１１５ｅに接した状態で配置されており、λ／２位相差板１１５ａ、およ
び第１偏光板１１５ｂが発熱によって歪むのを回避することができる。
【００６６】
液晶ライトバルブ１１６は、ダイクロイックミラー１１３で反射した後にダイクロイッ
クミラー１１４で反射した緑色光Ｇを画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置である
。かかる液晶ライトバルブ１１６は、液晶ライトバルブ１１５と同様に、第１偏光板１１
６ｂ、液晶装置１００（緑色用液晶パネル１００Ｇ）、および第２偏光板１１６ｄを備え
ている。液晶ライトバルブ１１６に入射する緑色光Ｇは、ダイクロイックミラー１１３、
１１４で反射されて入射するｓ偏光である。第１偏光板１１６ｂは、ｐ偏光を遮断してｓ
偏光を透過させる偏光板である。また、液晶装置１００（緑色用液晶パネル１００Ｇ）は
、ｓ偏光を画像信号に応じた変調によってｐ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）
に変換する構成となっている。そして、第２偏光板１１６ｄは、ｓ偏光を遮断してｐ偏光
を透過させる偏光板である。したがって、液晶ライトバルブ１１６は、画像信号に応じて
緑色光Ｇを変調し、変調した緑色光Ｇをクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて出
射する構成となっている。
【００６７】
液晶ライトバルブ１１７は、ダイクロイックミラー１１３で反射し、ダイクロイックミ
ラー１１４を透過した後でリレー系１２０を経た青色光Ｂを画像信号に応じて変調する透
過型の液晶装置である。かかる液晶ライトバルブ１１７は、液晶ライトバルブ１１５、１
１６と同様に、λ／２位相差板１１７ａ、第１偏光板１１７ｂ、液晶装置１００（青色用
液晶パネル１００Ｂ）、および第２偏光板１１７ｄを備えている。ここで、液晶ライトバ
ルブ１１７に入射する青色光Ｂは、ダイクロイックミラー１１３で反射してダイクロイッ
クミラー１１４を透過した後にリレー系１２０の後述する２つの反射ミラー１２５ａ、１
２５ｂで反射することから、ｓ偏光となっている。
【００６８】
λ／２位相差板１１７ａは、液晶ライトバルブ１１７に入射したｓ偏光をｐ偏光に変換
する光学素子である。また、第１偏光板１１７ｂは、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過させ
る偏光板である。そして、液晶装置１００（青色用液晶パネル１００Ｂ）は、ｐ偏光を画
像信号に応じた変調によってｓ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）に変換する構
成となっている。さらに、第２偏光板１１７ｄは、ｐ偏光を遮断してｓ偏光を透過させる
偏光板である。したがって、液晶ライトバルブ１１７は、画像信号に応じて青色光Ｂを変
調し、変調した青色光Ｂをクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて出射する構成と
なっている。なお、λ／２位相差板１１７ａ、および第１偏光板１１７ｂは、ガラス板１
１７ｅに接した状態で配置されている。
【００６９】
リレー系１２０は、リレーレンズ１２４ａ、１２４ｂと反射ミラー１２５ａ、１２５ｂ
とを備えている。リレーレンズ１２４ａ、１２４ｂは、青色光Ｂの光路が長いことによる
光損失を防止するために設けられている。ここで、リレーレンズ１２４ａは、ダイクロイ
ックミラー１１４と反射ミラー１２５ａとの間に配置されている。また、リレーレンズ１
２４ｂは、反射ミラー１２５ａ、１２５ｂの間に配置されている。反射ミラー１２５ａは
、ダイクロイックミラー１１４を透過してリレーレンズ１２４ａから出射した青色光Ｂを
リレーレンズ１２４ｂに向けて反射するように配置されている。また、反射ミラー１２５
ｂは、リレーレンズ１２４ｂから出射した青色光Ｂを液晶ライトバルブ１１７に向けて反
射するように配置されている。
【００７０】
クロスダイクロイックプリズム１１９は、２つのダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂ
をＸ字型に直交配置した色合成光学系である。ダイクロイック膜１１９ａは青色光Ｂを反
射して緑色光Ｇを透過する膜であり、ダイクロイック膜１１９ｂは赤色光Ｒを反射して緑
色光Ｇを透過する膜である。従って、クロスダイクロイックプリズム１１９は、液晶ライ
トバルブ１１５〜１１７の各々で変調された赤色光Ｒと緑色光Ｇと青色光Ｂとを合成し、
投射光学系１１８に向けて出射するように構成されている。
【００７１】
なお、液晶ライトバルブ１１５、１１７からクロスダイクロイックプリズム１１９に入
射する光はｓ偏光であり、液晶ライトバルブ１１６からクロスダイクロイックプリズム１
１９に入射する光はｐ偏光である。このようにクロスダイクロイックプリズム１１９に入
射する光を異なる種類の偏光としていることで、クロスダイクロイックプリズム１１９に
おいて各液晶ライトバルブ１１５〜１１７から入射する光を合成できる。ここで、一般に
、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂはｓ偏光の反射トランジスター特性に優れている
。このため、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂで反射される赤色光Ｒ、および青色光
Ｂをｓ偏光とし、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂを透過する緑色光Ｇをｐ偏光とし
ている。投射光学系１１８は、投影レンズ（図示略）を有しており、クロスダイクロイッ
クプリズム１１９で合成された光をスクリーン１１１に投射するように構成されている。
【００７２】
（他の投射型表示装置）
投射型表示装置においては、光源部として、各色の光を出射するＬＥＤ光源等を用い、
かかるＬＥＤ光源から出射された色光を各々、別の液晶装置に供給するように構成しても
よい。
【００７３】
（他の電子機器）
本発明を適用した液晶装置１００については、上記の電子機器の他にも、携帯電話機、
情報携帯端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistants）、デジタルカメラ、カメラのフ
ァインダー、液晶テレビ、カーナビゲーション装置、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパ
ネルを備えた機器等の電子機器において直視型表示装置として用いてもよい。
【符号の説明】
【００７４】
１ａ・・半導体層、２・・ゲート絶縁層、３ａ・・走査線、５ａ・・容量線、６ａ・・デ
ータ線、７ａ・・遮光層、９ａ・・画素電極、１０・・第１基板、１０ａ・・表示領域、
１０ｂ・・ダミー領域、１０ｃ・・非表示領域、１０ｐ・・画素電極配列領域、１６・・
配向膜、１９・・基板間導通用電極、１９ａ・・基板間導通材、２０・・第２基板、２１
・・共通電極、２５・・基板間導通用電極、２６・・配向膜、３０・・画素トランジスタ
ー、４０・・誘電体層、４１・・層間絶縁膜（第４絶縁膜）、４２・・層間絶縁膜（第３
絶縁膜）、４３・・層間絶縁膜（第２絶縁膜）、４４・・層間絶縁膜（第１絶縁膜）、５
０・・液晶層、５５・・保持容量、１００・・液晶装置、１００ａ・・画素、１００ｐ・
・液晶パネル、１０１・・データ線駆動回路、１０２・・接続端子、１０４・・走査線駆
動回路、１０５、１０６・・配線、１０７・・シール材、１０７ｅ・・外縁、１０７ｆ・
・内縁、１１０・・投射型表示装置、１９０・・基板間導通部、ＬＳＰＹ、ＬＶＳＳＹ、
ＬＶＤＤＹ、ＬＣＬＹ、ＬＣＬＹINV・・配線、ＬＶcom・・共通電位線、ＬＶＩＤ、ＬＶ
ＩＤ１〜ＬＶＩＤ６・・画像信号線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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