(57)【要約】【課題】発光層から放射された光の、発光ムラおよび外部への取出し効率が改善された発光装置を提供する。【解決手段】基板と、前記基板上に形成された、複数の画素と、前記基板上の領域を前記画素ごとに区画する第１隔壁とを備え、前記画素が、各々離間して配置された発光領域からなる、複数のサブ画素と、前記画素上の領域を前記サブ画素ごとに区画する、波長５８９ｎｍでの屈折率が１．４０〜１．５５の第２隔壁とを有する、発光装置。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に形成された、複数の画素と、
前記基板上の領域を前記画素ごとに区画する第１隔壁と
を備え、
前記画素が、各々離間して配置された発光領域からなる、複数のサブ画素と、前記画素上の領域を前記サブ画素ごとに区画する、波長５８９ｎｍでの屈折率が１．４０〜１．５５の第２隔壁とを有する
ことを特徴とする発光装置。
【請求項２】
各サブ画素が、
第１電極と、
第１電極の積層方向に設けられた第２電極と、
発光領域において、第１電極と第２電極との間に設けられた発光層と
を有する、請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記第２隔壁の波長５８９ｎｍでの屈折率が、１．４０〜１．５０である、請求項１または２に記載の発光装置。
【請求項４】
前記第１隔壁の波長５８９ｎｍでの屈折率が、１．４０〜１．５５である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項５】
前記第１隔壁および前記第２隔壁が、同一の材料から形成された隔壁である、請求項１〜４のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項６】
前記第１隔壁および前記第２隔壁が、同一の工程で同時に形成された隔壁である、請求項１〜５のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項７】
前記第１隔壁および前記第２隔壁の断面形状が順テーパー状である、請求項１〜６のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項８】
前記第１隔壁および前記第２隔壁が、
（Ａ）アルカリ可溶性重合体と、
（Ｂ）感光剤と
を含有する感放射線性材料
から形成された隔壁である、請求項１〜７のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項９】
前記重合体（Ａ）が、
ポリイミド（Ａ１）、前記ポリイミドの前駆体（Ａ２）、アクリル樹脂（Ａ３）、ポリシロキサン（Ａ４）、ポリベンゾオキサゾール（Ａ５−１）、前記ポリベンゾオキサゾールの前駆体（Ａ５−２）、ポリオレフィン（Ａ６）、カルド樹脂（Ａ７）、およびノボラック樹脂（Ａ８）から選択される少なくとも１種の重合体
である、請求項８に記載の発光装置。
【請求項１０】
前記重合体（Ａ）の含有量が、感放射線性材料の全固形分１００質量％中、３０〜８５質量％である、請求項８または９に記載の発光装置。
【請求項１１】
請求項１〜７のいずれか１項に記載の発光装置が有する前記第１隔壁および前記第２隔壁を形成するために用いられる感放射線性材料であって、
（Ａ）アルカリ可溶性重合体と、
（Ｂ）感光剤と
を含有することを特徴とする感放射線性材料。
【請求項１２】
前記重合体（Ａ）が、
ポリイミド（Ａ１）、前記ポリイミドの前駆体（Ａ２）、アクリル樹脂（Ａ３）、ポリシロキサン（Ａ４）、ポリベンゾオキサゾール（Ａ５−１）、前記ポリベンゾオキサゾールの前駆体（Ａ５−２）、ポリオレフィン（Ａ６）、カルド樹脂（Ａ７）、およびノボラック樹脂（Ａ８）から選択される少なくとも１種の重合体
である、請求項１１に記載の感放射線性材料。
【請求項１３】
前記重合体（Ａ）の含有量が、感放射線性材料の全固形分１００質量％中、３０〜８５質量％である、請求項１１または１２に記載の感放射線性材料。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光装置および感放射線性材料に関する。
【背景技術】
【０００２】
フラットパネルディスプレイとして、非発光型である液晶ディスプレイが普及している。また、近年では自発光型ディスプレイである電界発光ディスプレイが知られている。特に有機化合物による電界発光を利用した有機エレクトロルミネセンス（ＥＬ）素子は、ディスプレイに設けられる発光素子の他、次世代の照明装置に設けられる発光素子としても期待されている。
【０００３】
例えば有機ＥＬ表示又は照明装置は、基板上の領域を画素ごとに区画する隔壁を有している。このような隔壁は、一般的に感放射線性材料を用いて形成されている（例えば、特許文献１および２参照）。また、各々の画素が、発光領域を含むサブ画素を複数備える構成が検討されている（例えば、特許文献３参照）。
【０００４】
しかしながら、従来の隔壁の構成では、発光層から放射された光の、発光ムラおよび外部への取出し効率の点で充分ではなく、これらの点についてのさらなる改良が望まれる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１１−１０７４７６号公報
【特許文献２】特開２０１０−２３７３１０号公報
【特許文献３】特開２０１４−２０７１０５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の課題は、発光層から放射された光の、発光ムラおよび外部への取出し効率が改善された、表示装置又は照明装置等の発光装置、特に有機ＥＬ装置を提供することを課題とし、また前記隔壁を形成するために用いられる感放射線性材料を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者らは上記課題を解決すべく鋭意検討を行った。その結果、以下の構成を採用することにより上記課題を解決できることを見出し、本発明を完成するに至った。本発明は、例えば以下の［１］〜［１３］に関する。
【０００８】
［１］基板と、前記基板上に形成された、複数の画素と、前記基板上の領域を前記画素ごとに区画する第１隔壁とを備え、前記画素が、各々離間して配置された発光領域からなる、複数のサブ画素と、前記画素上の領域を前記サブ画素ごとに区画する、波長５８９ｎｍでの屈折率が１．４０〜１．５５の第２隔壁とを有することを特徴とする発光装置。
【０００９】
［２］各サブ画素が、第１電極と、第１電極の積層方向に設けられた第２電極と、発光領域において、第１電極と第２電極との間に設けられた発光層とを有する、前記［１］に記載の発光装置。
【００１０】
［３］前記第２隔壁の波長５８９ｎｍでの屈折率が、１．４０〜１．５０である、前記［１］または［２］に記載の発光装置。
【００１１】
［４］前記第１隔壁の波長５８９ｎｍでの屈折率が、１．４０〜１．５５である、前記［１］〜［３］のいずれか１項に記載の発光装置。
【００１２】
［５］前記第１隔壁および前記第２隔壁が、同一の材料から形成された隔壁である、前記［１］〜［４］のいずれか１項に記載の発光装置。
【００１３】
［６］前記第１隔壁および前記第２隔壁が、同一の工程で同時に形成された隔壁である、前記［１］〜［５］のいずれか１項に記載の発光装置。
【００１４】
［７］前記第１隔壁および前記第２隔壁の断面形状が順テーパー状である、前記［１］〜［６］のいずれか１項に記載の発光装置。
【００１５】
［８］前記第１隔壁および前記第２隔壁が、（Ａ）アルカリ可溶性重合体と、（Ｂ）感光剤とを含有する感放射線性材料から形成された隔壁である、前記［１］〜［７］のいずれか１項に記載の発光装置。
【００１６】
［９］前記重合体（Ａ）が、ポリイミド（Ａ１）、前記ポリイミドの前駆体（Ａ２）、アクリル樹脂（Ａ３）、ポリシロキサン（Ａ４）、ポリベンゾオキサゾール（Ａ５−１）、前記ポリベンゾオキサゾールの前駆体（Ａ５−２）、ポリオレフィン（Ａ６）、カルド樹脂（Ａ７）、およびノボラック樹脂（Ａ８）から選択される少なくとも１種の重合体である、前記［８］に記載の発光装置。
【００１７】
［１０］前記重合体（Ａ）の含有量が、感放射線性材料の全固形分１００質量％中、３０〜８５質量％である、前記［８］または［９］に記載の発光装置。
【００１８】
［１１］前記［１］〜［７］のいずれか１項に記載の発光装置が有する前記第１隔壁および前記第２隔壁を形成するために用いられる感放射線性材料であって、（Ａ）アルカリ可溶性重合体と、（Ｂ）感光剤とを含有することを特徴とする感放射線性材料。
【００１９】
［１２］前記重合体（Ａ）が、ポリイミド（Ａ１）、前記ポリイミドの前駆体（Ａ２）、アクリル樹脂（Ａ３）、ポリシロキサン（Ａ４）、ポリベンゾオキサゾール（Ａ５−１）、前記ポリベンゾオキサゾールの前駆体（Ａ５−２）、ポリオレフィン（Ａ６）、カルド樹脂（Ａ７）、およびノボラック樹脂（Ａ８）から選択される少なくとも１種の重合体である、前記［１１］に記載の感放射線性材料。
【００２０】
［１３］前記重合体（Ａ）の含有量が、感放射線性材料の全固形分１００質量％中、３０〜８５質量％である、前記［１１］または［１２］に記載の感放射線性材料。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、発光層から放射された光の、発光ムラおよび外部への取出し効率が改善された、表示装置又は照明装置等の発光装置、特に有機ＥＬ装置を提供することができる。また、本発明によれば、前記隔壁を形成するために用いられる感放射線性材料を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】図１は、隔壁の構成の一例を説明する断面図である。
【図２】図２は、隔壁の構成の一例を説明する上視図である。
【図３】図３は、隔壁の構成の一例を説明する上視図である。図３（Ａ）は、各々の画素が複数のサブ画素を備える例であり、図３（Ｂ）は、各々の画素がサブ画素を備えない例である。
【図４】図４は、隔壁の断面形状として順テーパー状を説明する断面図である。
【図５】図５は、有機ＥＬ装置の主要部の構造の概略を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
本発明の発光装置は、
基板と、
前記基板上に形成された、複数の画素と、
前記基板上の領域を前記画素ごとに区画する第１隔壁と
を備え、
前記画素が、各々離間して配置された発光領域からなる、複数のサブ画素と、前記画素上の領域を前記サブ画素ごとに区画する、波長５８９ｎｍでの屈折率が１．４０〜１．５５の第２隔壁とを有する
ことを特徴とする。
【００２４】
本発明の発光装置の一実施態様では、上記の各サブ画素は、第１電極と、第１電極の積層方向に設けられた第２電極と、発光領域において、第１電極と第２電極との間に設けられた発光層とを有する。
【００２５】
発光装置としては、例えば、表示装置、照明装置が挙げられる。表示装置としては、自発光型ディスプレイ、特に有機ＥＬディスプレイが挙げられる。照明装置としては、例えば、有機ＥＬ照明が挙げられる。
【００２６】
本発明の発光装置における第１隔壁および第２隔壁の断面図の例を図１に示す。
基板１００上に、複数の第１電極１１０と、複数の第１隔壁１２０とが形成されている。第１隔壁１２０は第１電極１１０の端部（周縁部）を覆い、それぞれ第１電極１１０を部分的に露出させるように形成されている。第１隔壁１２０により、複数の画素が区画される。さらに、前記画素上の領域をサブ画素ごとに区画する、第２隔壁１２１が形成されている。
【００２７】
本発明の発光装置における第１隔壁および第２隔壁の上視図の例を図２に示す。
基板１００上にアレイ状に配置された第１電極１１０（長方形の領域；太実線で囲まれた領域）が形成されており、第１隔壁１２０（斜線部）が、各々の第１電極１１０を部分的に露出させるように、基板１００上と第１電極１１０の周縁部上とに形成されている。第１隔壁１２０は、各々の第１電極１１０の周縁部を覆うように形成されている。
【００２８】
また、第１隔壁１２０により区画された領域（破線で囲まれた領域）を、さらにサブ画素ごとに区画する第２隔壁１２１（１点鎖線で囲まれた領域）が形成されている。この実施態様では、第１隔壁１２０および第２隔壁１２１は一体化して形成されている。この第１電極１１０の露出部（空白部）を「開口部」ともいう。開口部は、上記の１つの発光領域（サブ画素）に対応する。
【００２９】
隔壁および開口部の形状は特に限定されない。例えば、開口部の基板面方向における形状は、図２に示すような矩形状であってもよく、図３（Ａ）に示すような円形状であってもよい。図３（Ａ）において、各々の画素ＰＣが、複数のサブ画素ＳＰＣを備える。なお、図３（Ｂ）は、各々の画素ＰＣがサブ画素ＳＰＣを備えない例である。
【００３０】
本発明の発光装置において、第２隔壁の波長５８９ｎｍでの屈折率は、１．４０〜１．５５であり、好ましくは１．４０〜１．５０、特に好ましくは１．４０〜１．４５である。第２隔壁の屈折率が前記範囲にあると、発光ムラを低減し、光取出し効率を向上させることができる。このため、本発明の発光装置は、発光ムラが小さく、かつ消費電力を低減できる点で優れる。屈折率が１．５５を上回ると、光取出し効率が低下し、屈折率が１．４０を下回ると、隔壁を形成する際に現像性が不良となる。
【００３１】
本発明の発光装置において、第１隔壁の波長５８９ｎｍでの屈折率は、１．４０〜１．５５であることが好ましく、より好ましくは１．４０〜１．５０、特に好ましくは１．４０〜１．４５である。第１隔壁の屈折率が前記範囲にあると、発光ムラをさらに低減し、光取出し効率をより向上させることができる。
【００３２】
上記屈折率は、２５℃における波長５８９ｎｍで測定される値である。
第１隔壁および第２隔壁は、一体化して形成されていることが好ましい。すなわち、第１隔壁および第２隔壁は、同一の材料から形成された隔壁であることが好ましく、同一の工程で同時に形成された隔壁であることがより好ましい。例えば、感放射線性材料を用いて樹脂膜を形成し、この樹脂膜に対して所定のパターンマスクを介して露光し、現像することにより、一体化した第１隔壁および第２隔壁を形成することができる。
【００３３】
第１隔壁および第２隔壁の断面形状は、順テーパー状であることが好ましい。図４に示すように、「順テーパー状」とは、隔壁１２５において角度θ１および角度θ２が９０°未満であることに対応する。θ１およびθ２は、隔壁１２５の斜面１２５-1、１２５−2と基板面１００-1とがなす角度である。以下、これらの角度θ１およびθ２を「テーパー角度θ」ともいう。テーパー角度θは、好ましくは８０°以下、より好ましくは５〜６０°、さらに好ましくは１０〜５０°である。テーパー角度は、隔壁の垂直断面形状を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）により観察することで測定することができる。テーパー角度は、例えば、後述する隔壁の形成方法において、露光量、現像時間、ポストベーク温度、ポストベーク時間、現像後の２次露光等により調整することができる。
【００３４】
第１隔壁および第２隔壁の断面形状が順テーパー状であると、隔壁形成後に発光層および第２電極を成膜する場合でも、境界部分においてこれらの膜が滑らかに形成され、段差に起因する膜厚ムラなどを低減させることができ、安定な特性を有する発光装置を得ることができる。
【００３５】
第１隔壁は、第１電極の周縁部を覆い、第１電極を部分的に露出させるように形成されることが好ましい。第１隔壁は、第１電極の周縁部を全て覆うように形成されることがより好ましい。
【００３６】
第１隔壁および第２隔壁の最大膜厚は特に限定されるものではないが、成膜やパターニングの容易性を考えると、好ましくは１．０〜１０．０μｍ、より好ましくは１．０〜８．０μｍ、さらに好ましくは１．０〜６．０μｍである。
【００３７】
第１隔壁および第２隔壁の構成としては特に限定されないが、一実施形態を例示すれば、例えば、基板面における、開口部直径として３〜１０μｍ、サブ画素間隔（第２隔壁幅）として３〜１０μｍ、画素間隔（第１隔壁幅）として５〜４０μｍの範囲で、適切な条件を設定すればよい。
【００３８】
以上の隔壁の構造、例えばテーパー角度および隔壁の膜厚については、基板・隔壁の垂直断面形状を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）により観察することで測定することができる。
本発明の発光装置において、基板は、例えばＴＦＴ基板である。ＴＦＴ基板は、支持基板と、各々の第１電極に対応して支持基板に設けられた薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）と、ＴＦＴを被覆する平坦化層とを有する。例えば、第１電極は、前記平坦化層上に形成されており、前記平坦化層を貫通するスルーホールに形成された配線を介して、前記ＴＦＴと接続される。
【００３９】
支持基板、ＴＦＴ、第１電極、発光層および第２電極としては、例えば、後述する〔実施の形態〕の欄に記載した具体例（支持基板、ＴＦＴ、陽極、有機発光層および陰極）を各々例示することができる。
【００４０】
本発明の発光装置は、ＴＦＴ基板上に設けられ且つＴＦＴと接続された第１電極と、前記ＴＦＴ基板の面上を複数の領域に区画する第１隔壁および第２電極と、前記隔壁により区画された領域（凹部）において第１電極上に形成された有機発光層と、有機発光層上に設けられた第２電極とを含む有機ＥＬ素子を有する、有機ＥＬ装置であることが好ましい。例えば、第１電極は、平坦化層上に形成されており、平坦化層を貫通するスルーホールを介して、ＴＦＴと接続される。第１隔壁および第２隔壁は、第１電極を部分的に露出させるように、平坦化層および第１電極上に形成されることが好ましい。
【００４１】
〔感放射線性材料〕
第１および第２隔壁は、例えば、感放射線性材料を用いて形成することができ、前記材料からなる塗膜のパターン化膜である。感放射線性材料には、露光することで現像液に対する溶解性が増大し、露光部分が除去されるポジ型と、露光することで硬化し、非露光部分が除去されるネガ型がある。
【００４２】
感放射線性材料は、本発明の発光装置における上記隔壁の形成に用いることができる。本発明で好ましく用いられる感放射線性材料は、アルカリ可溶性重合体（Ａ）と感光剤（Ｂ）とを含有する。
【００４３】
上記感放射線性材料は、好適成分として、架橋剤（Ｃ）を含有してもよく、また溶剤（Ｄ）を含有してもよい。また、上記感放射線性材料は、本発明の効果を損なわない範囲で、その他の任意成分を含有してもよい。
【００４４】
隔壁の屈折率は、感放射線性材料を構成する成分を適切に選択することにより、上記範囲に調整することができる。例えば、上記材料中のフッ素原子量もしくはケイ素原子量を適宜調整する、上記材料中の芳香族環の含有量を適宜調製する、または適切な屈折率を有する無機フィラーを配合することにより、屈折率が上記範囲にある隔壁を形成することができる。
【００４５】
上記感放射線性剤材料は、放射線感度が高く、前記材料を用いることでパターン形状に優れた隔壁を形成することができ、パターンの狭ピッチ化に要望に対応することができる。
【００４６】
以下、各成分について詳述する。
［アルカリ可溶性重合体（Ａ）］
重合体（Ａ）において「アルカリ可溶性」とは、２．３８質量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液等のアルカリ現像液に膨潤または溶解可能であることを意味する。
【００４７】
重合体（Ａ）としては、例えば、ポリイミド（Ａ１）、前記ポリイミドの前駆体（Ａ２）、アクリル樹脂（Ａ３）、ポリシロキサン（Ａ４）、ポリベンゾオキサゾール（Ａ５−１）、前記ポリベンゾオキサゾールの前駆体（Ａ５−２）、ポリオレフィン（Ａ６）、カルド樹脂（Ａ７）、およびノボラック樹脂（Ａ８）から選択される少なくとも１種の重合体が挙げられる。
【００４８】
これらの重合体の中でも、隔壁の屈折率の観点から、ポリイミド（Ａ１）、前記ポリイミドの前駆体（Ａ２）、アクリル樹脂（Ａ３）およびポリシロキサン（Ａ４）が好ましく、アクリル樹脂（Ａ３）、ポリシロキサン（Ａ４）がより好ましい。
【００４９】
重合体（Ａ）のポリスチレン換算の重量平均分子量（Ｍｗ）は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法により測定した値において、２，０００〜５００，０００が好ましく、３，０００〜１００，０００がより好ましく、４，０００〜５０，０００がさらに好ましい。Ｍｗが前記範囲の下限値以上であると、充分な機械的特性を有する絶縁膜が得られる傾向にある。Ｍｗが前記範囲の上限値以下であると、溶剤や現像液に対する重合体（Ａ）の溶解性が優れる傾向にある。
【００５０】
重合体（Ａ）の含有量は、感放射線性材料中の全固形分１００質量％中、３０〜８５質量％であることが好ましく、３５〜８０質量％がより好ましく、４０〜７５質量％がさらに好ましい。
【００５１】
《ポリイミド（Ａ１）》
ポリイミド（Ａ１）は、式（Ａ１）で表される構造単位を有することが好ましい。
【００５２】
【化１】
2016167447.tif 000002
式（Ａ１）中、Ｒ1は水酸基を有する２価の基であり、Ｘは４価の有機基である。
Ｒ1としては、例えば、式（ａ１）で表される２価の基が挙げられる。
【００５３】
【化２】
2016167447.tif 000003
式（ａ１）中、Ｒ2は、単結合、酸素原子、硫黄原子、スルホニル基、カルボニル基、メチレン基、ジメチルメチレン基等のアルキレン基、またはビス（トリフルオロメチル）メチレン基等のフッ素原子置換アルキレン基であり；Ｒ3は、それぞれ独立に水素原子、ホルミル基、アシル基またはアルキル基である。ただし、Ｒ3の少なくとも１つは水素原子である。ｎ１およびｎ２は、それぞれ独立に０〜２の整数である。ただし、ｎ１およびｎ２の少なくとも一方は１または２である。ｎ１とｎ２との合計が２以上の場合、複数のＲ3は同一でも異なっていてもよい。
【００５４】
Ｒ2において、アルキレン基の炭素数は、好ましくは１〜１８、より好ましくは１〜１２であり、フッ素原子置換アルキレン基の炭素数は、好ましくは１〜１８、より好ましくは１〜１２である。
【００５５】
Ｒ3において、アシル基としては、例えば、アセチル基等の炭素数２〜２０の基が挙げられ；アルキル基としては、例えば、メチル基等の炭素数１〜２０の基が挙げられる。
式（ａ１）で表される２価の基としては、例えば、下記式で表される２価の基が挙げられる。なお、下記式において、芳香環より伸びる２本の「−」は、結合手を示す。
【００５６】
【化３】
2016167447.tif 000004
Ｘで表される４価の有機基としては、例えば、４価の脂肪族炭化水素基、４価の芳香族炭化水素基、下記式（１）で表される基が挙げられる。Ｘは、テトラカルボン酸二無水物に由来する４価の有機基であることが好ましい。これらの中でも下記式（１）で表される基が好ましい。
【００５７】
【化４】
2016167447.tif 000005
上記式（１）中、Ａｒはそれぞれ独立に３価の芳香族炭化水素基であり、Ａは直接結合または２価の基である。前記２価の基としては、例えば、酸素原子、硫黄原子、スルホニル基、カルボニル基、メチレン基、ジメチルメチレン基等のアルキレン基、ビス（トリフルオロメチル）メチレン基等のフッ素原子置換アルキレン基が挙げられる。
【００５８】
Ａにおいて、アルキレン基の炭素数は、好ましくは１〜１８、より好ましくは１〜１２であり、フッ素原子置換アルキレン基の炭素数は、好ましくは１〜１８、より好ましくは１〜１２である。
【００５９】
４価の脂肪族炭化水素基の炭素数は、通常４〜３０であり、好ましくは８〜２４である。４価の芳香族炭化水素基および上記式（１）中の３価の芳香族炭化水素基の炭素数は、通常６〜３０であり、好ましくは６〜２４である。
【００６０】
４価の脂肪族炭化水素基としては、例えば、鎖状炭化水素基、脂環式炭化水素基、分子構造中の少なくとも一部に芳香族環を含む脂肪族炭化水素基が挙げられる。４価の芳香族炭化水素基および上記式（１）で表される基としては、例えば、下記式で表される４価の基が挙げられる。下記式において、芳香環より伸びる４本の「−」は、結合手を示す。
【００６１】
【化５】
2016167447.tif 000006
ポリイミド（Ａ１）は、以下に説明する、式（Ａ２−１）で表される構造単位をさらに有してもよい。ポリイミド（Ａ１）において、式（Ａ１）、式（Ａ２−１）で表される構造単位の合計含有量は、通常５０質量％以上、好ましくは６０質量％以上、より好ましくは７０質量％以上、特に好ましくは８０質量％以上である。
【００６２】
《ポリイミド前駆体（Ａ２）》
ポリイミド前駆体（Ａ２）は、脱水・環化（イミド化）によって、ポリイミド（Ａ１）、好ましくは式（Ａ１）で表される構造単位を有するポリイミド（Ａ１）を生成することができる化合物である。ポリイミド前駆体（Ａ２）としては、例えば、ポリアミック酸およびポリアミック酸誘導体（例：ポリアミック酸エステル）が挙げられる。
ポリイミド前駆体（Ａ２）は、例えば、式（Ａ２−１）で表される構造単位を有する。
【００６３】
【化６】
2016167447.tif 000007
式（Ａ２−１）中、Ｒ1は水酸基を有する２価の基であり、Ｘは４価の有機基であり、Ｒ4はそれぞれ独立に水素原子またはアルキル基等の有機基である。Ｒ1で表される水酸基を有する２価の基およびＸで表される４価の有機基としては、各々式（Ａ１）中のＲ1およびＸとして例示した基と同様なものが挙げられる。
【００６４】
ポリイミド前駆体（Ａ２）において、式（Ａ２−１）で表される構造単位の含有量は、通常５０質量％以上、好ましくは６０質量％以上、より好ましくは７０質量％以上、特に好ましくは８０質量％以上である。
【００６５】
屈折率が上記範囲にある隔壁を形成する観点から、ポリイミド（Ａ１）およびポリイミド前駆体（Ａ２）としては、それぞれ、フッ素原子を含有するポリイミドおよびポリイミド前駆体が好ましい。例えば、式（Ａ１）または式（Ａ２−１）で表される構造単位において、Ｒ1が式（ａ１）で表される２価の基であって、式（ａ１）中のＲ2がフッ素原子置換アルキレン基であり、および／または、Ｘが式（１）で表される基であって、式（１）中のＡがフッ素原子置換アルキレン基である、ポリイミドおよびポリイミド前駆体が好ましい。
【００６６】
《アクリル樹脂（Ａ３）》
アクリル樹脂（Ａ３）を構成するモノマーとしては、例えば、（メタ）アクリル酸アルキルエステル、（メタ）アクリル酸の脂環式基含有エステル、（メタ）アクリル酸のアリール基含有エステル、フッ素原子含有（メタ）アクリレート、および珪素原子含有（メタ）アクリレートから選ばれる少なくとも１種のモノマーＡが挙げられる。
【００６７】
また、上記（Ａ３）を構成するモノマーとしては、不飽和モノカルボン酸、不飽和ジカルボン酸、不飽和ジカルボン酸無水物およびフッ素アルコール基含有化合物から選ばれる少なくとも１種の酸基含有モノマーＢも挙げられる。
【００６８】
また、上記（Ａ３）を構成するモノマーとしては、（メタ）アクリル酸のヒドロキシアルキルエステル、（メタ）アクリル酸のエポキシ基含有エステル、および（メタ）アクリル酸のオキセタニル基含有エステルから選ばれる少なくとも１種の官能基含有モノマーＣも挙げられる。
【００６９】
（メタ）アクリル酸アルキルエステルとしては、例えば、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレートが挙げられ；（メタ）アクリル酸の脂環式基含有エステルとしては、例えば、シクロヘキシル（メタ）アクリレート等の単環式炭化水素基含有エステル、ジシクロペンタニル（メタ）アクリレート、イソボロニル（メタ）アクリレート等の多環式基含有エステルが挙げられ；（メタ）アクリル酸のアリール基含有エステルとしては、例えば、フェニル（メタ）アクリレート、ベンジル（メタ）アクリレートが挙げられる。
【００７０】
フッ素原子含有（メタ）アクリレートとしては、例えば、トリフルオロメチルメチル（メタ）アクリレート、２−トリフルオロメチルエチル（メタ）アクリレート、２−パーフルオロエチルエチル（メタ）アクリレート、２−パーフルオロエチル−２−パーフルオロブチルエチル（メタ）アクリレート、パーフルオロエチル（メタ）アクリレート、パーフルオロメチル（メタ）アクリレート、パーフルオロメチルメチル（メタ）アクリレート、２−パーフルオロメチル−２−パーフルオロエチルメチル（メタ）アクリレート、２−パーフルオロヘキシルエチル（メタ）アクリレート、１Ｈ，１Ｈ，５Ｈ−オクタフルオロペンチル（メタ）アクリレート、２，２，３，３−テトラフルオロプロピル（メタ）アクリレート等の（メタ）アクリル酸フッ化アルキルエステル；ヘキサフルオロシクロヘキシル（メタ）アクリレート、ヘキサフルオロイソボルニル（メタ）アクリレート等の（メタ）アクリル酸のフッ化脂環式基含有エステル；ヘキサフルオロベンジル（メタ）アクリレート等の（メタ）アクリル酸のフッ化アリール基含有エステルが挙げられる。
【００７１】
珪素原子含有（メタ）アクリレートとしては、例えば、メタクリル変性シリコーンオイル等が挙げられ、Ｘ−２２−１７４ＤＸ、Ｘ−２２−２４２６、Ｘ−２２−２４７５（いずれも信越化学工業（株）製）として入手可能である。
【００７２】
屈折率を上記範囲に調整する観点から、モノマーＡとしては、（メタ）アクリル酸アルキルエステル、（メタ）アクリル酸の脂環式基含有エステル、（メタ）アクリル酸フッ化アルキルエステル、（メタ）アクリル酸のフッ化脂環式基含有エステル、および珪素原子含有（メタ）アクリレートから選ばれる少なくとも１種が好ましい。
【００７３】
不飽和モノカルボン酸としては、例えば、（メタ）アクリル酸、２−（メタ）アクリロイロキシエチルコハク酸が挙げられ；不飽和ジカルボン酸としては、例えば、マレイン酸、フマル酸が挙げられ；不飽和ジカルボン酸無水物としては、例えば、無水マレイン酸が挙げられる。
【００７４】
フッ素アルコール基含有化合物としては、例えば、４−（１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２−ヒドロキシプロパン−２−イル）スチレン等のフッ素アルコール基含有スチレンが挙げられる。
【００７５】
（メタ）アクリル酸のヒドロキシアルキルエステルとしては、例えば、２−ヒドロキシエチルメタクリレートが挙げられ；（メタ）アクリル酸のエポキシ基含有エステルとしては、例えば、（メタ）アクリル酸グリシジル、（メタ）アクリル酸−６，７−エポキシヘプチル、３，４−エポキシシクロヘキシルメチル（メタ）アクリレートが挙げられ；（メタ）アクリル酸のオキセタニル基含有エステルとしては、例えば、３−メチル−３−（メタ）アクリロイルオキシメチルオキセタン、３−エチル−３−（メタ）アクリロイルオキシメチルオキセタン、３−メチル−３−（メタ）アクリロイルオキシエチルオキセタン、３−エチル−３−（メタ）アクリロイルオキシエチルオキセタンが挙げられる。
【００７６】
アクリル樹脂（Ａ３）において、上記モノマーＡに由来する構造単位の含有量は、通常５質量％以上、好ましくは１０〜８５質量％、更に好ましくは１５〜７５質量％であり、上記酸基含有モノマーＢに由来する構造単位の含有量は、通常５〜７０質量％、好ましくは１０〜６０質量％、更に好ましくは１５〜５０質量％であり、上記官能基含有モノマーＣに由来する構造単位の含有量は、通常９０質量％以下、好ましくは５〜８０質量％、更に好ましくは１０〜７０質量％である。アクリル樹脂（Ａ３）において、上記モノマーＡ、Ｂ、Ｃに由来する構造単位の含有量の合計が９５質量％以上であることが好ましく、より好ましくは９８質量％以上である。
【００７７】
特に、アクリル樹脂（Ａ３）において、（メタ）アクリル酸のエポキシ基含有エステルおよび（メタ）アクリル酸のオキセタニル基含有エステルに由来する構造単位の含有量の合計は、１０〜７０質量％であることが好ましく、より好ましくは２０〜６０質量％である。この構造単位が前記範囲にあると、感放射線性材料から形成された塗膜の加熱時に硬化反応が充分に進行し、得られるパターンの耐熱性および表面硬度が充分になる傾向にあると共に、感放射線性材料の保存安定性も優れる傾向にある。
【００７８】
また、アクリル樹脂（Ａ３）において、（メタ）アクリル酸のアリール基含有エステル、（メタ）アクリル酸のフッ化アリール基含有エステル、およびフッ素アルコール基含有スチレンに由来する構造単位の含有量は、感放射線性材料から形成された隔壁の屈折率を上記範囲に調整する観点から、合計で、７０質量％以下であることが好ましく、より好ましくは６０質量％以下である。
【００７９】
アクリル樹脂（Ａ３）は、例えば上記モノマーのラジカル重合で合成することができる。ラジカル重合における重合触媒としては通常のラジカル重合開始剤が使用でき、例えば２，２’−アゾビスイソブチロニトリル等のアゾ化合物；ベンゾイルペルオキシド等の有機過酸化物、および過酸化水素が挙げられる。過酸化物をラジカル重合開始剤に使用する場合、過酸化物と還元剤とを組み合せてレドックス型の開始剤としてもよい。
【００８０】
《ポリシロキサン（Ａ４）》
ポリシロキサン（Ａ４）としては、例えば、式（ａ４）で表されるオルガノシランを反応させて得られるポリシロキサンが挙げられる。
【００８１】
【化７】
2016167447.tif 000008
式（ａ４）中、Ｒ1は水素原子、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数２〜１０のアルケニル基、炭素数６〜１５のアリール基含有基、炭素数２〜１５のエポキシ環含有基、または前記アルキル基に含まれる１または２以上の水素原子を置換基に置き換えてなる基（置換体）であり、Ｒ1が複数ある場合はそれぞれ同一でも異なっていてもよく；Ｒ2は水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアシル基、または炭素数６〜１５のアリール基であり、Ｒ2が複数ある場合はそれぞれ同一でも異なっていてもよく；ｎは０〜３の整数である。
【００８２】
上記置換基としては、例えば、ハロゲン原子、アミノ基、水酸基、メルカプト基、イソシアネート基、（メタ）アクリロイルオキシ基から選ばれる少なくとも１種である。
アルキル基及びその置換体としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、トリフルオロメチル基、２，２，２−トリフルオロエチル基、３，３，３−トリフルオロプロピル基、３−アミノプロピル基、３−メルカプトプロピル基、３−（メタ）アクリロイルオキシプロピル基が挙げられる。
【００８３】
アルケニル基としては、例えば、ビニル基が挙げられる。
アリール基含有基としては、例えば、フェニル基等のアリール基；ｐ−ヒドロキシフェニル基等のヒドロキシアリール基；ベンジル基、フェネチル基等のアラルキル基；１−（ｐ−ヒドロキシフェニル）エチル基、２−（ｐ−ヒドロキシフェニル）エチル基等のヒドロキシアラルキル基；４−ヒドロキシ−５−（ｐ−ヒドロキシフェニルカルボニルオキシ）ペンチル基が挙げられる。
【００８４】
エポキシ環含有基としては、例えば、３−グリシドキシプロピル基、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチル基が挙げられる。
アシル基としては、例えば、アセチル基が挙げられる。
【００８５】
アリール基としては、例えば、フェニル基が挙げられる。
式（ａ４）中のｎは、０〜３の整数である。
オルガノシランとしては、例えば、テトラメトキシシラン、テトラアセトキシシラン、テトラフェノキシシラン等の４官能性シラン；メチルトリメトキシシラン等のアルキルトリメトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、３−（メタ）アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、ｐ−ヒドロキシフェニルトリメトキシシラン、１または２−（ｐ−ヒドロキシフェニル）エチルトリメトキシシラン、４−ヒドロキシ−５−（ｐ−ヒドロキシフェニルカルボニルオキシ）ペンチルトリメトキシシラン、トリフルオロメチルトリメトキシシラン、３，３，３−トリフルオロプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン等の３官能性シラン；ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジアセトキシシラン、ジｎ−ブチルジメトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン等の２官能性シラン；トリメチルメトキシシラン、トリｎ−ブチルエトキシシラン等の１官能性シラン；前記例示の化合物においてメトキシをエトキシ、イソプロポキシ、ｎ−ブトキシ等に変更した化合物が挙げられる。これらのオルガノシランの中でも、絶縁膜の耐クラック性と硬度の点から、３官能性シランが好ましい。
【００８６】
オルガノシランは１種単独で使用しても、２種以上を組み合わせて使用してもよい。
ポリシロキサン（Ａ４）は、例えば、上述のオルガノシランを加水分解および部分縮合させることにより得られる。例えば、オルガノシランに溶媒、水、必要に応じて酸触媒および塩基触媒等の触媒を添加し、加熱攪拌する。攪拌中、必要に応じて蒸留によって、アルコール等の加水分解副生物や水等の縮合副生物を留去してもよい。反応温度は特に限定されないが、通常０℃〜１５０℃の範囲である。反応時間も特に限定されないが、通常１〜１０時間の範囲である。
【００８７】
《ポリベンゾオキサゾール（Ａ５−１）》
ポリベンゾオキサゾール（Ａ５−１）は、式（ａ５−１）で表される構造単位を有することが好ましい。以下、式（ａ５−１）で表される構造単位を「構造単位（ａ５−１）」ともいう。
【００８８】
【化８】
2016167447.tif 000009
式（ａ５−１）中、Ｘ1は芳香族環を有する４価の有機基であり、Ｙ1は２価の有機基である。Ｘ1に結合するＮとＯは、例えば、Ｘ1中の芳香族環上の隣り合った炭素原子に結合し、ベンゾオキサゾール環を形成している。
【００８９】
式（ａ５−１）中、Ｘ1は、好ましくは芳香族環を少なくとも１つ含む４価の基であり、１〜４つの芳香族環を有している基がさらに好ましく、２つの芳香族環を有している基が特に好ましい。
【００９０】
式（ａ５−１）中、Ｙ1は、好ましくは脂環式環および芳香族環から選ばれる環を少なくとも１つ含む２価の基であり、１〜４つの芳香族環を有している基がより好ましく、２つの芳香族環を有している基が特に好ましい。
【００９１】
ポリベンゾオキサゾール（Ａ５−１）は、以下に説明する、式（ａ５−２）で表される構造単位をさらに有してもよい。以下、式（ａ５−２）で表される構造単位を「構造単位（ａ５−２）」ともいう。ポリベンゾオキサゾール（Ａ５−１）において、構造単位（ａ５−１）および（ａ５−２）の合計含有量は、通常５０質量％以上、好ましくは６０質量％以上、より好ましくは７０質量％以上、特に好ましくは８０質量％以上である。
ポリベンゾオキサゾール（Ａ５−１）の具体例としては、例えば、特許第４９２４０１３号公報および特許第５２１１４３８号公報に記載された重合体が挙げられる。
【００９２】
《ポリベンゾオキサゾール前駆体（Ａ５−２）》
ポリベンゾオキサゾール前駆体（Ａ５−２）は、脱水・環化によって、ポリベンゾオキサゾール（Ａ５−１）、好ましくは構造単位（ａ５−１）を有するポリベンゾオキサゾール（Ａ５−１）を生成することができる化合物である。前駆体（Ａ５−２）は、例えば、式（ａ５−２）で表される構造単位を有する。
【００９３】
【化９】
2016167447.tif 000010
式（ａ５−２）中、Ｘ1は芳香族環を有する４価の有機基であり、好ましくは芳香族環を少なくとも１つ含む４価の基である。Ｘ1に結合するＮとＯＨは、同一芳香族環上の隣り合った炭素原子に結合している。式（ａ５−２）中、Ｙ1は２価の有機基であり、好ましくは脂環式環および芳香族環から選ばれる環を少なくとも１つ含む２価の基である。Ｘ1で表される４価の有機基およびＹ1で表される２価の有機基としては、各々式（ａ５−１）中のＸ1およびＹ1として例示した基と同様の基が挙げられる。
【００９４】
ポリベンゾオキサゾール前駆体（Ａ５−２）において、構造単位（ａ５−２）の含有量は、通常５０質量％以上、好ましくは６０質量％以上、より好ましくは７０質量％以上、特に好ましくは８０質量％以上である。
【００９５】
ポリベンゾオキサゾール前駆体（Ａ５−２）の具体例としては、例えば、特許第４３００４６４号公報、特許第４５２２４１２号公報および特開２０１２−２０３３５９号公報に記載された前駆体が挙げられる。
【００９６】
《ポリオレフィン（Ａ６）》
ポリオレフィン（Ａ６）としては、例えば、プロトン性極性基を有する環状オレフィン重合体が挙げられる。プロトン性極性基とは、周期律表第１５族または第１６族に属する原子に水素原子が直接結合している原子団をいう。周期律表第１５族または第１６族に属する原子は、好ましくは周期律表第１５族または第１６族の第２または第３周期に属する原子であり、より好ましくは酸素原子、窒素原子または硫黄原子であり、特に好ましくは酸素原子である。重合体（Ａ６）の具体例としては、例えば、特許第５６４０８６４号公報に記載された重合体が挙げられる。
【００９７】
《カルド樹脂（Ａ７）》
カルド樹脂（Ａ７）とは、カルド構造を有する樹脂である。カルド構造とは、環状構造を構成している環炭素原子に２つの環状構造が結合した骨格構造をいう。カルド構造の一般的な構造としては、フルオレン環の９位の炭素原子に２つの芳香環（例：ベンゼン環）が結合した構造が挙げられる。重合体（Ａ７）の具体例としては、例えば、特許第５１８１７２５号公報、特許第５３２７３４５号公報に記載された重合体が挙げられる。
【００９８】
《ノボラック樹脂（Ａ８）》
ノボラック樹脂（Ａ８）としては、例えば、フェノール／ホルムアルデヒド縮合ノボラック樹脂、クレゾール／ホルムアルデヒド縮合ノボラック樹脂、フェノール−ナフトール／ホルムアルデヒド縮合ノボラック樹脂が挙げられる。
【００９９】
［感光剤（Ｂ）］
感光剤（Ｂ）としては、例えば、光酸発生剤、光ラジカル重合開始剤が挙げられる。感放射線性材料は、感光剤（Ｂ）を含有することで、感放射線特性を発揮することができ、かつ良好な放射線感度を有することができる。
【０１００】
感光剤（Ｂ）は、１種単独で使用しても２種類以上を併用してもよい。
感放射線性材料における感光剤（Ｂ）の含有量は、重合体（Ａ）１００質量部に対して、通常５〜１００質量部であり、好ましくは１０〜６５質量部、より好ましくは１５〜６０質量部である。感光剤（Ｂ）の含有量を前記範囲とすることで、現像液となるアルカリ水溶液等に対する放射線の照射部分と未照射部分との溶解度の差を大きくし、パターニング性能を向上させることができる。
【０１０１】
《光酸発生剤》
光酸発生剤は、放射線の照射を含む処理によって酸を発生する化合物である。
光酸発生剤としては、例えば、キノンジアジド化合物、オキシムスルホネート化合物、オニウム塩、Ｎ−スルホニルオキシイミド化合物、ハロゲン含有化合物、ジアゾメタン化合物、スルホン化合物、スルホン酸エステル化合物、カルボン酸エステル化合物が挙げられる。これらの化合物を用いることで、ポジ型の感放射線特性を発揮する材料を得ることができる。これらの中でも、キノンジアジド化合物が好ましい。
【０１０２】
キノンジアジド化合物は、放射線の照射およびアルカリ水溶液を用いた現像を含む処理によってカルボン酸を発生する。キノンジアジド化合物としては、例えば、フェノール性化合物またはアルコール性化合物と、１，２−ナフトキノンジアジドスルホン酸ハライドとの縮合物が挙げられる。
【０１０３】
《光ラジカル重合開始剤》
感光剤（Ｂ）として光ラジカル重合開始剤を用い、架橋剤（Ｃ）として重合性炭素−炭素二重結合含有化合物を用いることで、ネガ型の感放射線特性を発揮する材料を得ることができる。
【０１０４】
光ラジカル重合開始剤としては、例えば、ビイミダゾール化合物、トリアジン化合物、ベンゾフェノン化合物、アシルフォスフィンオキサイド化合物、オキシムエステル化合物、アルキルフェノン化合物が挙げられる。これらの中でも、オキシムエステル化合物およびアルキルフェノン化合物が好ましい。
【０１０５】
オキシムエステル化合物としては、例えば、１，２−オクタンジオン−１−［４−（フェニルチオ）−２−（Ｏ−ベンゾイルオキシム）］、エタノン−１−［９−エチル−６−（２−メチルベンゾイル）−９Ｈ−カルバゾール−３−イル］−１−（Ｏ−アセチルオキシム）が挙げられる。
【０１０６】
アルキルフェノン化合物としては、例えば、ジエトキシアセトフェノン、２−メチル−１−（４−メチルチオフェニル）−２−モルフォリノプロパン−１−オン、２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルフォリノフェニル）−ブタノン−１、２−（ジメチルアミノ）−２−［（４−メチルフェニル）メチル］−１−［４−（４−モルホリニル）フェニル］−１−ブタノンが挙げられる。
【０１０７】
［架橋剤（Ｃ）］
架橋剤（Ｃ）は、架橋性官能基を有する化合物である。架橋剤（Ｃ）としては、例えば、１分子中に２個以上の架橋性官能基を有する化合物が挙げられる。架橋剤（Ｄ）を用いると、隔壁の耐熱性および絶縁性を向上させることができる。
【０１０８】
架橋剤（Ｃ）としては、例えば、オキセタン化合物、エポキシ化合物、アルコキシアルキル化合物、重合性炭素−炭素二重結合含有化合物、メラミン化合物、ベンゾグアナミン化合物、イソシアネート基が保護基によりブロックされた基を有する化合物（ブロックイソシアネート）が挙げられる。
【０１０９】
オキセタン化合物としては、例えば、４，４−ビス［（３−エチル−３−オキセタニル）メチル］ビフェニル、３，７−ビス（３−オキセタニル）−５−オキサノナン、３，３’−〔１，３−（２−メチレニル）プロパンジイルビス（オキシメチレン）〕ビス（３−エチルオキセタン）、１，４−ビス〔（３−エチル−３−オキセタニル）メトキシメチル〕ベンゼン、１，２−ビス〔（３−エチル−３−オキセタニル）メトキシメチル〕エタンが挙げられる。オキセタン化合物としては、例えば、特開２００９−１９７２０６号公報および特開２０１４−１８６３００号公報に記載された化合物が挙げられる。
【０１１０】
重合性炭素−炭素二重結合含有化合物としては、例えば、多官能（メタ）アクリレートが挙げられ、具体的には、ビスフェノールＡアルキレンオキシドジ（メタ）アクリレート、ビスフェノールＦアルキレンオキシドジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラ（メタ）アクリレート、グリセリントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、エチレンオキシド付加ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、プロピレンオキシド付加ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、ε−カプロラクトン付加ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、９，９−ビス［４−（２−アクリロイルオキシエトキシ）フェニル］フルオレンが挙げられる。重合性炭素−炭素二重結合含有化合物としては、例えば、特開２０１１−１８０４７８号公報および特開２０１３−７６８２１号公報に記載された化合物が挙げられる。
【０１１１】
架橋剤（Ｃ）は、１種単独で使用しても２種類以上を併用してもよい。
架橋剤（Ｃ）中の芳香族環の有無により、隔壁の屈折率を調整することも可能である。
感放射線性材料において、架橋剤（Ｃ）の含有量は、重合体（Ａ）１００質量部に対して、通常１〜２１０質量部であり、好ましくは４〜１６０質量部、より好ましくは１０〜１５０質量部、より好ましくは１５〜１２０質量部である。架橋剤（Ｃ）の含有量が前記範囲であると、隔壁の耐熱性が向上する傾向にある。
【０１１２】
［溶剤（Ｄ）］
溶剤（Ｄ）は、感放射線性材料を液状とするために使用することができる。
溶剤（Ｄ）としては、例えば、ジエチレングリコールモノアルキルエーテル、ジエチレングリコールジアルキルエーテル、エチレングリコールモノアルキルエーテル、エチレングリコールモノアルキルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノアルキルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノアルキルエーテル、プロピレングリコールモノアルキルエーテルプロピオネート、トリエチレングリコールジアルキルエーテル、ヒドロキシ基含有ケトン、環状エーテル又は環状エステルが挙げられる。
【０１１３】
溶剤（Ｄ）は、１種単独で使用しても２種以上を併用してもよい。
感放射線性材料において、溶剤（Ｄ）の含有量は、当該材料の固形分濃度が通常５〜６０質量％、好ましくは１０〜５０質量％、より好ましくは１５〜４０質量％となる量である。ここで固形分とは、溶剤（Ｄ）以外の全成分をいう。
【０１１４】
［その他の任意成分］
感放射線性材料は、上記必須成分および好適成分に加え、本発明の効果を損なわない範囲で、必要に応じて密着助剤（Ｅ）、界面活性剤（Ｆ）、無機フィラー（Ｇ）、遮光剤（Ｈ）等のその他の任意成分を含有してもよい。その他の任意成分は、１種単独で使用しても２種以上を併用してもよい。
【０１１５】
＜密着助剤（Ｅ）＞
密着助剤（Ｅ）は、基板等の膜形成対象物と隔壁との接着性を向上させる成分である。密着助剤（Ｅ）は、特に無機物の基板と隔壁との接着性を向上させるために有用である。密着助剤（Ｅ）としては、例えば、Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン等のシランカップリング剤が挙げられ、特開２０１２−２５６０２３号公報、特開２０１３−２４２５１１号公報および特開２０１４−０８０５７８号公報に記載された具体例を挙げることができる。
【０１１６】
密着助剤（Ｅ）を用いる場合の感放射線性材料中におけるその含有量は、重合体（Ａ）１００質量部に対して、好ましくは２０質量部以下、より好ましくは０．０１〜２０質量部である。密着助剤（Ｅ）の含有量を前記範囲とすることで、形成される隔壁と基板との密着性がより改善される。
【０１１７】
＜界面活性剤（Ｆ）＞
界面活性剤（Ｆ）は、感放射線性材料の塗膜形成性を高める成分である。感放射線性材料は、界面活性剤（Ｆ）を含有することで、塗膜の表面平滑性を向上でき、その結果、隔壁の膜厚均一性をより向上できる。界面活性剤（Ｆ）としては、例えば、フッ素系界面活性剤、シリコーン系界面活性剤が挙げられ、特開２００３−０１５２７８号公報および特開２０１３−２３１８６９号公報に記載された具体例を挙げることができる。
【０１１８】
フッ素系界面活性剤およびシリコーン系界面活性剤を配合することで、隔壁の屈折率を調整することもできる。例えば、フッ素系界面活性剤を多く配合することにより、隔壁の屈折率を下げることができる。
【０１１９】
界面活性剤（Ｆ）を用いる場合の感放射線性材料中におけるその含有量は、重合体（Ａ）１００質量部に対して、好ましくは２０質量部以下、より好ましくは０．０１〜１５質量部、さらに好ましくは０．０５〜１０質量部である。界面活性剤（Ｆ）の含有量を前記範囲とすることで、形成される塗膜の膜厚均一性をより向上することができる。
【０１２０】
＜無機フィラー（Ｇ）＞
無機フィラー（Ｇ）は、例えば、隔壁の屈折率を調整するために用いることができる。
隔壁の低屈折率化に好ましい無機フィラーとしては、例えば中空の無機粒子が挙げられ、具体的には中空シリカ粒子が挙げられる。中空シリカ粒子の屈折率は、通常１．２０〜１．４５、好ましくは１．２５〜１．４０である。
【０１２１】
無機フィラー（Ｇ）を用いる場合の感放射線性材料中におけるその含有量は、重合体（Ａ）１００質量部に対して、好ましくは１５０質量部以下、より好ましくは１４０質量部以下、さらに好ましくは１００質量部以下である。
【０１２２】
＜遮光剤（Ｈ）＞
遮光剤（Ｈ）は、例えば、隔壁の遮光性を調整するために用いることができ、これにより、発光ムラをより低減することができる。隔壁の遮光化に好ましい遮光剤としては、例えば、顔料または染料、具体的には黒色の顔料または染料が挙げられる。顔料または染料としては、例えば、特開２０１１−７０１５６、特開２０１２−２３７９５２号公報、国際公開第２０１２／１３３３８２号、特開２０１３−２１０５７８号公報、特開２０１０−２４４０２７号公報、特開２０１０−２５４９６４号公報、特開２０１１−５９６７３号公報、特開２０１１−１１８３６５号公報、特許第５２６５８４４号公報に記載の具体例が挙げられる。
【０１２３】
遮光剤（Ｈ）を用いる場合の感放射線性材料中におけるその含有量は、重合体（Ａ）１００質量部に対して、好ましくは１００質量部以下、より好ましくは１〜８０質量部、さらに好ましくは５〜５０質量部である。
【０１２４】
［感放射線性材料の調製方法］
感放射線性材料は、例えば溶剤（Ｄ）に、重合体（Ａ）、感光剤（Ｂ）等の必須成分、およびその他の任意成分を混合することによって調製することができる。また、異物を取り除くために、各成分を均一に混合した後、得られた混合物をフィルター等で濾過してもよい。
【０１２５】
〔感放射線性材料を用いた隔壁の形成方法〕
本発明の発光装置が有する隔壁の形成方法は、第１電極が形成された基板上に、上述した感放射線性材料の塗膜を形成する工程１、前記塗膜の少なくとも一部に放射線を照射する工程２、および前記放射線が照射された塗膜を現像する工程３を有し、必要に応じて、前記現像された塗膜を加熱する工程４を有する。
【０１２６】
上記隔壁の形成方法によれば、画素およびサブ画素を区画する、屈折率が特定範囲にある隔壁を、基板上に形成することができる。また、上記材料は感放射線性に優れることから、当該特性を利用した露光、現像、加熱によりパターンを形成することによって、容易に微細かつ精巧なパターンを有する隔壁を形成することができる。
【０１２７】
《工程１》
工程１では、感放射線性材料を第１電極が形成された基板表面に塗布し、好ましくはプレベークを行うことにより溶剤（Ｄ）を除去することで、塗膜を形成する。前記塗膜の膜厚としては、プレベーク後の値として、好ましくは１．０〜１５．０μｍ、より好ましくは１．０〜１０．０μｍ、さらに好ましくは１．０〜６．０μｍとすることができる。
【０１２８】
基板としては、例えば、樹脂基板、ガラス基板、シリコンウエハが挙げられる。基板としてはさらに、製造途中の有機ＥＬ素子において、例えばＴＦＴやその配線が形成されたＴＦＴ基板が挙げられる。
【０１２９】
感放射線性材料の塗布方法としては、例えば、スプレー法、ロールコート法、スピンコート法、スリットダイ塗布法、バー塗布法、インクジェット法が挙げられる。これらの塗布方法の中でも、スピンコート法およびスリットダイ塗布法が好ましい。
プレベークの条件としては、感放射線性材料の組成等によっても異なるが、例えば、加熱温度が６０〜１３０℃、加熱時間が３０秒間〜１５分間程度とされる。
【０１３０】
《工程２》
工程２では、工程１で形成された塗膜に、基板上の領域を画素およびサブ画素ごとに区画する各々の第１および第２隔壁が形成されるよう、所定のパターンを有するマスクを介して、放射線を照射する。このときに用いられる放射線としては、例えば、可視光線、紫外線、遠紫外線、Ｘ線、荷電粒子線が挙げられる。可視光線としては、例えば、ｇ線（波長４３６ｎｍ）、ｈ線（波長４０５ｎｍ）が挙げられる。紫外線としては、例えば、ｉ線（波長３６５ｎｍ）が挙げられる。遠紫外線としては、例えば、ＫｒＦエキシマレーザによるレーザ光が挙げられる。Ｘ線としては、例えば、シンクロトロン放射線が挙げられる。荷電粒子線としては、例えば、電子線が挙げられる。
【０１３１】
これらの放射線の中でも、可視光線および紫外線が好ましく、可視光線および紫外線の中でもｇ線及び／又はｉ線を含む放射線が特に好ましい。ｉ線を含む放射線を用いる場合、露光量としては、６０００ｍＪ／ｃｍ2以下が好ましく、２０〜２０００ｍＪ／ｃｍ2が好ましい。
【０１３２】
《工程３》
工程３では、工程２で放射線を照射した塗膜の現像を行う。これにより、例えば、ポジ型の感放射線性材料を用いた場合は放射線の照射部分を除去し、ネガ型の感放射線性材料を用いた場合は放射線の非照射部分を除去し、所望のパターンを形成することができる。
【０１３３】
現像処理に用いられる現像液としては、アルカリ水溶液が好ましい。アルカリ水溶液に含まれるアルカリ性化合物としては、例えば、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド等の特開２０１２−０８８４５９号公報の段落［０２４０］に記載された化合物が挙げられる。アルカリ水溶液におけるアルカリ性化合物の濃度としては、適当な現像性を得る観点から、０．１〜５．０質量％が好ましい。
【０１３４】
現像方法としては、例えば、液盛り法、ディッピング法、揺動浸漬法、シャワー法が挙げられる。現像時間は、感放射線性材料の組成によって異なるが、通常１０〜１８０秒間程度である。このような現像処理に続いて、例えば流水洗浄を３０〜９０秒間行った後、例えば圧縮空気や圧縮窒素で風乾させることによって、所望のパターンを形成することができる。
【０１３５】
《工程４》
必要に応じて行われる工程４では、工程３の後に、塗膜に対する加熱処理（ポストベーク処理）を行うことで隔壁を得る。この加熱処理における加熱温度は、特に限定されないが、例えば、１３０℃を超えて３００℃以下であり、加熱時間は、加熱機器の種類により異なるが、例えば、５分間〜９０分間である。この際に、２回以上の加熱工程を行うステップベーク法等を用いることもできる。加熱処理には、例えば、ホットプレート、オーブン等の加熱装置を使用することができる。
【０１３６】
このようにして、目的とするパターンの隔壁を基板上に形成することができる。
工程４において、塗膜の加熱前に、パターニングされた塗膜に対してリンス処理や分解処理を行ってもよい。リンス処理では、溶剤（Ｄ）として挙げた溶剤を用い、塗膜を洗浄することが好ましい。分解処理では、高圧水銀灯等による放射線を全面に照射（後露光）することで、塗膜中に残存した感光剤（Ｂ）を分解することができる。この後露光における露光量は、好ましくは１０００〜５０００ｍＪ／ｃｍ2程度である。
【０１３７】
〔実施の形態〕
以下では、本発明の発光装置を図面に基づいて具体的に説明するが、本発明はこれら実施の形態に限定されない。
【０１３８】
［実施の形態１］
図５は、本発明の発光装置の一例である、有機ＥＬ表示又は照明装置（以下、単に「有機ＥＬ装置」ともいう）の、一実施態様における主要部の構造を模式的に示す断面図である。
【０１３９】
図５の有機ＥＬ装置１は、マトリクス状に形成された複数の画素を有するアクティブマトリクス型の有機ＥＬ装置である。この有機ＥＬ装置１は、トップエミッション型、ボトムエミッション型のいずれでもよい。各部材を構成する材料の性質、例えば透明性は、トップエミッション型、ボトムエミッション型に応じて適宜選択される。
【０１４０】
有機ＥＬ装置１は、支持基板２、薄膜トランジスタ（以下「ＴＦＴ」ともいう）３、絶縁層４、第１電極としての陽極５、スルーホール６、第１隔壁７−１、第２隔壁７−２、有機発光層８、第２電極としての陰極９、パッシベーション膜１０および封止基板１１を備える。
【０１４１】
支持基板２は、絶縁材料より形成されている。絶縁材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリイミド等の透明樹脂、無アルカリガラス等のガラス材料が挙げられる。
【０１４２】
ＴＦＴ３は、各画素部分のアクティブ素子であり、支持基板２上に形成されている。このＴＦＴ３は、ゲート電極、ゲート絶縁膜、半導体層、ソース電極およびドレイン電極を備えている。
【０１４３】
絶縁層４は、ＴＦＴ３の表面凹凸を平坦化する役割を果たす平坦化層である。絶縁層４は、ＴＦＴ３の全体を被覆するように形成されている。絶縁層４の膜厚は、通常０．１〜１０．０μｍである。絶縁層４は、上述した隔壁形成用の感放射線性材料を用いて形成してもよく、従来公知の感放射線性材料を用いて形成してもよい。
【０１４４】
陽極５は、画素電極をなす。陽極５は、導電性材料によって絶縁層４上に形成されている。導電性材料としては、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）、酸化スズ；Ａｌ（アルミニウム）、ＡＰＣ合金（銀、パラジウム、銅の合金）、ＡＲＡ（銀、ルビジウム、金の合金）、ＭｏＣｒ（モリブデンとクロムの合金）、ＮｉＣｒ（ニッケルとクロムの合金）、またこれらの金属と透明性の高い電極（例：ＩＴＯ）との積層膜が挙げられる。陽極５の膜厚としては、２０〜５００ｎｍが好ましい。
【０１４５】
スルーホール６は、陽極５とＴＦＴ３のドレイン電極とを接続するために形成される。スルーホール６に形成された配線により、陽極５とＴＦＴ３のドレイン電極とが接続される。
【０１４６】
第１隔壁７−１は、陽極５の周縁部に沿って形成されており、第２隔壁７−２は、第１隔壁７−１により区画された陽極５上の領域をさらに複数部分に区画するよう形成されている。第１隔壁７−１および第２隔壁７−２により、有機発光層８の配置領域を規定する凹部７０が画定される。第１隔壁７−１は、陽極５の周縁部を覆う一方で陽極５の一部を露出させるように形成されている。これらは、上述した〔感放射線性材料を用いた隔壁の形成方法〕等により形成することができる。
【０１４７】
有機発光層８は、電界を印加されて発光する。有機発光層８は、電界発光する有機発光材料を含む層である。有機発光層８は、サブ画素領域、すなわち凹部７０に、インクジェット法および蒸着法等の方法により形成されている。このように、凹部７０に有機発光層８を形成することで、有機発光層８が隔壁によって包囲される。有機発光層８は、凹部７０における陽極５上に形成されている。有機発光層８の膜厚としては、２０〜５００ｎｍが好ましい。
【０１４８】
さらに、陽極５と有機発光層８との間に正孔注入層及び／又は正孔輸送層が配置されていてもよく、有機発光層８と陰極９との間に電子輸送層及び／又は電子注入層が配置されていてもよい。
【０１４９】
陰極９は、複数の画素を共通に覆って形成され、有機ＥＬ装置１の共通電極をなす。陰極９としては、例えば、ＩＴＯ電極やＩＺＯ電極；バリウム（Ｂａ）、酸化バリウム（ＢａＯ）、アルミニウム（Ａｌ）およびＡｌを含む合金からなる電極が挙げられる。陰極９の膜厚としては、２０〜５００ｎｍが好ましい。
【０１５０】
パッシベーション膜１０は、有機ＥＬ素子内への水分や酸素の浸入を抑制する。パッシベーション膜１０は、陰極９上に設けられている。
封止基板１１は、有機発光層８が配置された主面（ＴＦＴ基板において支持基板２とは反対側の面）を封止する。封止基板１１としては、無アルカリガラス基板等のガラス基板が挙げられる。有機発光層８が配置された主面は、ＴＦＴ基板の外周端部付近に塗布されたシール剤を用い、封止層１２を介して、封止基板１１により封止することが好ましい。封止層１２は、例えば、乾燥された窒素ガス等の不活性ガスからなる層、または接着剤等の充填材料からなる層である。
【０１５１】
［実施の形態２、３］
実施の形態１では、カラーフィルターを設けず、例えば赤緑青の各色を画素ごとに塗り分けて、凹部に赤緑青の各色画素が形成されている。図示せぬ実施の形態２では、トップエミッション型であり、凹部に白色光を放射する画素が形成されており、その上方、例えば封止基板下に、前記画素ごとに対応する、赤緑青の各色カラーフィルターが配置されており、各フィルター１３間にはブラックマトリクス１４が形成されていてもよい。前記発光層から放射された白色光は、対応する前記カラーフィルターによって透過選択された色光となって、封止基板を透過する。図示せね実施の形態３では、ボトムエミッション型であり、凹部に白色光を放射する画素が形成されており、その下方、例えば絶縁層下に、カラーフィルターが配置されている。
【実施例】
【０１５２】
以下、本発明を実施例に基づいて更に具体的に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されない。以下の実施例等の記載において、特に言及しない限り、「部」は「質量部」を示す。
【０１５３】
［ＧＰＣ分析］
重合体（Ａ）の重量平均分子量（Ｍｗ）および分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法により、以下の条件で測定した。
・標準物質：ポリスチレン
・装置    ：東ソー（株）製、商品名：ＨＬＣ−８０２０
・カラム  ：東ソー（株）製ガードカラムＨXL−Ｈ、ＴＳＫ ｇｅｌ Ｇ７０００ＨXL、ＴＳＫ ｇｅｌ ＧＭＨXL ２本、ＴＳＫ ｇｅｌ Ｇ２０００ＨXLを順次連結したもの
・溶媒    ：テトラヒドロフラン
・サンプル濃度：０．７質量％
・注入量  ：７０μＬ
・流速    ：１ｍＬ／ｍｉｎ
【０１５４】
＜重合体（Ａ）の合成＞
［合成例Ａ１］重合体（Ａ−１）の合成（アクリルポリマー）
フラスコ内を窒素置換した後、２，２’−アゾビスイソブチロニトリル５．０ｇを溶解したプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート溶液２５０．０ｇを仕込んだ。引き続きメタクリル酸２０．０ｇ、ジシクロペンタニルメタクリレート４５．０ｇおよび３，４−エポキシシクロヘキシルメチルメタクリレート３０．０ｇを仕込んだ後、ゆるやかに攪拌を始めた。溶液の温度を８０℃に上昇させ、この温度を５時間保持した後、１００℃で１時間加熱させて重合を終結させた。その後、反応生成溶液を多量のメタノールに滴下し反応物を凝固させた。この凝固物を水洗後、テトラヒドロフラン２００ｇに再溶解し、多量のメタノールで再度、凝固させた。
【０１５５】
この再溶解−凝固操作を計３回行った後、得られた凝固物を６０℃で４８時間真空乾燥し、目的とする共重合体を得た。その後固形分濃度が約３５質量％になるようにプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを用いて共重合体溶液とした。得られた重合体（Ａ−１）の重量平均分子量（Ｍｗ）は１００００であった。
【０１５６】
［合成例Ａ２］重合体（Ａ−２）の合成（アクリルポリマー）
モノマーとしてメタクリル酸２０．０ｇ、ジシクロペンタニルメタクリレート４５．０ｇおよび３−エチル−３−メタクリロイルオキシメチルオキセタン３０．０ｇを用いたこと以外は合成例Ａ１と同様に行った。得られた重合体（Ａ−２）の重量平均分子量（Ｍｗ）は１００００であった。
【０１５７】
［合成例Ａ３］重合体（Ａ−３）の合成（Ｆ原子含有アクリルポリマー）
モノマーとしてメタクリル酸２０．０ｇ、２，２，２−トリフルオロエチルメタクリレート２０．０ｇおよび３−エチル−３−メタクリロイルオキシメチルオキセタン６０．０ｇを用いたこと以外は合成例Ａ１と同様に行った。得られた重合体（Ａ−３）の重量平均分子量（Ｍｗ）は２００００であった。
【０１５８】
［合成例Ａ４］重合体（Ａ−４）の合成（ポリシロキサン）
特開２００７−２０６３０３号公報の合成例２と同様にして、メチルトリメトキシシラン、フェニルトリメトキシシランおよび２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシランからポリシロキサン（重合体（Ａ−４））を固形分濃度で約３５質量％含む共重合体溶液を得た。得られた重合体（Ａ−４）の重量平均分子量（Ｍｗ）は５０００であった。
【０１５９】
［合成例Ａ５］重合体（Ａ−５）の合成（ポリイミド前駆体）
３口フラスコに重合溶剤としてのγ−ブチロラクトン３９０ｇを加えた後、ジアミン化合物としての２，２’−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン１２０ｇを重合溶剤中に加えた。ジアミン化合物を重合溶剤に溶解させた後、酸二無水物としての４，４'−（ヘキサフルオロイソプロピリデン)ジフタル酸無水物１０２ｇを加えた。その後、６０℃で１時間反応させた後、末端封止剤としての無水マレイン酸１９ｇを加え、６０℃で更に１時間反応させた後、昇温して１８０℃で１時間反応させた。重合体（Ａ−５）を含む固形分濃度が約３５質量％のポリイミド前駆体溶液を約６００ｇ得た。得られた重合体（Ａ−５）のＭｗは８０００であった。
【０１６０】
［合成例Ａ６］重合体（Ａ−６）の合成（アクリルポリマー）
モノマーとしてメタクリル酸１５．０ｇおよびメタクリル酸ベンジル８５．０ｇを用いたこと以外は合成例Ａ１と同様に行った。得られた重合体（Ａ−６）の重量平均分子量（Ｍｗ）は１００００であった。
【０１６１】
＜感放射線性材料の調製＞
感放射線性材料の調製に用いた重合体（Ａ）は合成例Ａ１〜Ａ６の重合体（Ａ−１）〜（Ａ−６）であり、感光剤（Ｂ）、架橋剤（Ｃ）、溶剤（Ｄ）、密着助剤（Ｅ）、界面活性剤（Ｆ）、無機フィラー（Ｇ）および遮光剤（Ｈ）は、下記の通りである。
感光剤（Ｂ）
Ｂ−１：４，４’−［１−［４−［１−［４−ヒドロキシフェニル］−１−メチルエチル］フェニル］エチリデン］ビスフェノール（１．０モル）と１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸クロリド（２．０モル）との縮合物（東洋合成工業（株））
Ｂ−２：２−（ジメチルアミノ）−２−［（４−メチルフェニル）メチル］−１−［４−（４−モルホリニル）フェニル］−１−ブタノン（ＢＡＳＦ社製の「ＩＲＧ−３７９ＥＧ」）
架橋剤（Ｃ）
Ｃ−１：４，４−ビス［（３−エチル−３−オキセタニル）メチル］ビフェニル
（宇部興産（株）製の「ＯＸＢＰ」）
Ｃ−２：東亞合成（株）製の「Ｍ−４０５」
Ｃ−３：新中村化学工業（株）製の「Ａ−ＢＰＥＦ」
溶剤（Ｄ）
Ｄ−１：γ−ブチロラクトン（ＢＬ）、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）およびプロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）の質量比で３０：２０：５０の混合溶剤
ＤＡＡ：ジアセトンアルコール
密着助剤（Ｅ）
Ｅ−１：Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン
（信越化学工業（株）製の「ＫＢＭ−５７３」）
界面活性剤（Ｆ）
Ｆ−１：シリコーン系界面活性剤（東レダウコーニング社製の「ＳＨ８４００」）
無機フィラー（Ｇ）
Ｇ−１：中空シリカ粒子（日揮触媒化成（株）製の「スルーリア４３２０」）
遮光剤（Ｈ）
Ｈ−１：金属錯塩アゾ系黒色染料
（中央合成化学（株）製の「ネオスーパーブラックＣ−８３２」）
【０１６２】
［調製例１］
合成例Ａ１の重合体（Ａ−１）を含む共重合体溶液（重合体（Ａ−１）６５部（固形分）に相当する量）に、（Ｂ−１）１５部、（Ｃ−１）１５部、（Ｅ−１）４部、および（Ｆ−１）１部を混合し、固形分濃度が２５質量％となるように（Ｄ−１）を添加するとともに、口径０．２μｍのメンブランフィルタで濾過して、ポジ型材料１を調製した。
【０１６３】
［調製例２〜１４］
調製例２〜１８では、表１に記載した量で各成分を配合し、固形分濃度が２５質量％となるように（Ｄ−１）を添加したこと以外は調製例１と同様にして、ポジ型材料（調製例２〜８、１３〜１４）およびネガ型材料（調製例９〜１２）を調製した。
【０１６４】
【表１】
2016167447.tif 000011
【０１６５】
［実施例および比較例］
調製例１〜１４のポジ型またはネガ型材料を用いて、以下に説明する方法により隔壁および有機ＥＬ素子を作製した。感放射線性材料の現像性、得られた隔壁の屈折率およびテーパー角度、得られた有機ＥＬ素子の点灯評価、発光ムラ評価および光取出し評価を、それぞれ下記方法で評価した。
【０１６６】
［隔壁の形成方法］
クリーントラック（東京エレクトロン（株）製：Ｍａｒｋ  ＶＺ）を用いて、シリコン基板上に調製例１〜８および１３〜１４で得られたポジ型材料を塗布した後、ホットプレート上で１２０℃にて２分間プレベークして、厚さ４μｍの塗膜を形成した。この塗膜に対して、露光機（（株）Ｎｉｋｏｎ製のｉ線ステッパー「ＮＳＲ−２００５ｉ１０Ｄ」）を用い、所定のパターンを有するパターンマスクを介して波長３６５ｎｍにおける露光量１００ｍＪ／ｃｍ2で露光した。その後、２．３８質量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を用いて２５℃にて８０秒間液盛り法で現像し、超純水で１分間流水洗浄を行い、乾燥させて、シリコン基板上に隔壁を形成した。この塗膜をホットプレート上で２３０℃にて６０分間ポストベークして、厚さ３μｍの隔壁を形成した。
【０１６７】
クリーントラック（東京エレクトロン（株）製：Ｍａｒｋ  ＶＺ）を用いて、シリコン基板上に調製例９〜１２で得られたネガ型材料を塗布した後、ホットプレート上で１２０℃にて２分間プレベークして、厚さ４μｍの塗膜を形成した。この塗膜に対して、露光機（（株）Ｎｉｋｏｎ製のｉ線ステッパー「ＮＳＲ−２００５ｉ１０Ｄ」）を用い、所定のパターンを有するパターンマスクを介して波長３６５ｎｍにおける露光量１００ｍＪ／ｃｍ2で露光した。その後、２．３８質量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を用いて２５℃にて１２０秒間液盛り法で現像し、超純水で１分間流水洗浄を行い、乾燥させて、シリコン基板上に隔壁を形成した。この塗膜をホットプレート上で２３０℃にて６０分間ポストベークして、厚さ３μｍの隔壁を形成した。
【０１６８】
上記パターンマスクに対応する隔壁の上視図を図３（Ａ）に示す。基板面における、開口部直径は５μｍ、サブ画素間隔（第２隔壁幅）は５μｍ、画素間隔（第１隔壁幅）は２０μｍであった。
【０１６９】
［現像性］
上記［隔壁の形成方法］において、上記調製例１〜８および１３〜１４のポジ型材料を用いた場合において現像後の露光部が完全に溶解するか確認した。また、上記調製例９〜１２のネガ型材料を用いた場合において現像後の未露光部が完全に溶解するか確認した。５μｍのパターンを形成し、かつ隔壁剥がれまたは現像残渣なく絶縁膜が形成された場合を「良好」、５μｍのパターンを形成し、かつ隔壁剥がれはないものの、やや現像残渣がある場合、５μｍのパターンを形成できない場合、または隔壁剥がれが発生してしまう場合を「不良」とした。
【０１７０】
［屈折率］
上記［隔壁の形成方法］において、所定のパターンを有するパターンマスクを用いることなく、ポジ型の場合は露光処理を行わずに現像処理のみ行い、ネガ型の場合は露光処理および現像処理を行い、同様の方法により、シリコン基板上に厚さ３μｍの隔壁（硬化膜）を形成した。得られた硬化膜について、ＪＩＳ  Ｋ７１０５に従い、（株）アタゴ製アッベ屈折計を用いて、２５℃における波長５８９ｎｍでの屈折率を測定した。
【０１７１】
なお、比較例１では、芳香族環含有モノマーであるメタクリル酸ベンジル由来の構造単位を有する重合体（Ａ−６）を用い、フルオレンアクリレート「Ａ−ＢＰＥＦ」（Ｃ−３）を架橋剤として使用しているため、屈折率が高くなっている。また、比較例２では、中空シリカ粒子（Ｇ−１）を多量に用いているため、屈折率が低くなっている。
【０１７２】
［テーパー角度］
上記［隔壁の形成方法］において、垂直断面形状（図３（Ａ）のＡ−Ａ線断面）をＳＥＭ（（株）日立ハイテクノロジー製の「ＳＵ３５００」）で観察した。このＳＥＭ画像から、隔壁のテーパー角度を決定した。
【０１７３】
《素子特性評価》
ガラス基板（コーニング社製の「コーニング７０５９」）を用い、このガラス基板上にＩＴＯ透明電極をスパッタし、続いて感光性レジスト（「オプトマーＰＣ４０３」、ＪＳＲ（株）製）をスピンコート法で塗布して乾燥し、所定のパターンマスクを介して露光した。露光後、現像し、加熱硬化して、所定のレジストパターンを形成した。続いてエッチング液を用いて、ＩＴＯ膜をエッチングして、所定のＩＴＯ膜のパターンを形成した後、レジストパターンを剥離液で除去した。
【０１７４】
上記のようにしてアレイ状にＩＴＯ透明電極が形成されたガラス基板上に、感光性レジスト（「オプトマーＮＮ８０３」、ＪＳＲ（株）製）をスピンコート法で膜厚５μｍとなるように塗布した後、ホットプレート上で１２０℃にて２分間プリベークして、塗膜を形成した。次いで、この塗膜を所定のパターンマスクを介して露光した。露光後、現像し、クリーンオーブン中で２３０℃にて６０分間ポストベークした。このようにして、ＩＴＯ透明電極の一部のみが露出したコンタクトホールを有する平坦化層を、ガラス基板上に形成した。ポストベーク後の平坦化層の膜厚は３μｍであった。以上のようにして平坦化層が形成されたガラス基板を複数用意し、以下の工程で用いた。
【０１７５】
Ａｌターゲットを用いてＤＣスパッタ法により、平坦化層を形成したガラス基板上に膜厚１００ｎｍのＡｌ膜を形成した。続いて感光性レジスト（「オプトマーＰＣ４０３」、ＪＳＲ（株）製）をスピンコート法で塗布して乾燥し、所定のパターンマスクを介して露光した。露光後、現像し、加熱硬化して、所定のレジストパターンを形成した。続いて混酸のエッチング液を用いてＡｌ膜をエッチングして、所定のＡｌ膜のパターンを形成した後、レジストパターンを剥離液で除去した。その後、ガラス基板をスパッタ装置に移送して、ＩＴＯターゲットを用いてＤＣマグネトロンリアクティブスパッタリング法により、Ａｌパターン上に膜厚２０ｎｍのＩＴＯ膜を形成した。続いて感光性レジスト（「オプトマーＰＣ４０３」、ＪＳＲ（株）製）をスピンコート法で塗布して乾燥し、所定のパターンマスクを介して露光した。露光後、現像し、加熱硬化して、所定のレジストパターンを形成した。続いてエッチング液を用いてＩＴＯ膜をエッチングして、Ａｌ膜上にＡｌ膜と同様のＩＴＯ膜のパターンを形成した後、レジストパターンを剥離液で除去した。このようにしてＡｌ膜とＩＴＯ膜とからなる陽極を形成した。
【０１７６】
得られた陽極基板に対し、上記［隔壁の形成方法］と同様の方法によって、基板上の領域を画素ごとに区画する第１隔壁、および画素に対応する各々の陽極上の領域をサブ画素ごとに区画する第２隔壁を形成した（図３（Ａ）参照）。隔壁の膜厚は、３μｍであった。隔壁の膜厚およびテーパー角度は、基板・隔壁の垂直断面形状をＳＥＭ（（株）日立ハイテクノロジーの「ＳＵ３５００」）で観察することで確認した。陽極基板面における、開口部直径は５μｍ、サブ画素間隔（第２隔壁幅）は５μｍ、画素間隔（第１隔壁幅）は２０μｍであった。
【０１７７】
続いて、陽極および隔壁が形成された基板に対して、真空蒸着法により有機ＥＬ素子を形成した。有機ＥＬ素子は以下の手順により作成した。
陽極および隔壁が形成された基板に対して超音波洗浄を行い、続いて前記基板をＮ2雰囲気中に移送し、２００℃で３時間乾燥を行った。さらに、前記基板を酸素プラズマ処理装置へ移し、真空排気し、基板付近に設けたリング状電極に５０ＷのＲＦ電力を投入し、酸素プラズマ洗浄処理を行った。酸素圧力は０．６Ｐａ、処理時間は４０秒であった。
【０１７８】
陽極および隔壁が形成された基板を真空成膜室へ移動し、成膜室を１Ｅ-4Ｐａまで排気した後、前記基板上に、所定のパターンの蒸着マスクを用いて、正孔注入性を有する酸化モリブデン（ＭｏＯｘ）を抵抗加熱蒸着法により成膜速度０．００４〜０．００５ｎｍ／ｓｅｃの条件で成膜し、膜厚１ｎｍの正孔注入層を形成した。
【０１７９】
正孔注入層上に、所定のパターンの蒸着マスクを用いて、正孔輸送性を有する４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（α−ＮＰＤ）を抵抗加熱蒸着法により正孔注入層と同様の排気条件で成膜し、膜厚３５ｎｍの正孔輸送層を形成した。成膜速度は、０．２〜０．３ｎｍ／ｓｅｃの条件であった。
【０１８０】
正孔輸送層上に、所定のパターンの蒸着マスクを用いて、緑色の発光材料としてアルキレート錯体であるＡｌｑ3を抵抗加熱蒸着法により正孔輸送層と同様の成膜条件で成膜し、膜厚３５ｎｍの発光層を形成した。成膜速度は、０．５ｎｍ／ｓｅｃ以下の条件であった。
【０１８１】
発光層上に、フッ化リチウムを抵抗加熱蒸着法により正孔注入層と同様の排気条件で成膜し、膜厚０．８ｎｍの電子注入層を形成した。成膜速度は、０．００４ｎｍ／ｓｅｃ以下の条件であった。
【０１８２】
続いて、別の成膜室（スパッタ室）に上記基板を移送し、電子注入層上に、ＩＴＯターゲットを用いてＲＦスパッタリング法により、膜厚１３０ｎｍの陰極を形成した。
グローブボックスに上記基板を移送し、Ｎ2リークして、吸湿材を素子面側に貼り付けておいた封止ガラス基板を、ＵＶ硬化系のアクリル系の接着剤を用いて、上記基板に接着し、封止した。
以上のようにして、評価用有機ＥＬ素子を得た。
【０１８３】
［点灯評価］
評価用有機ＥＬ素子の発光ピクセルおよび隣接する発光ピクセル（本構造ではこれらの発光ピクセルは各々の画素に対応する）を点灯させ、点灯状態を評価した。表２に、上記評価素子を用いて点灯評価を行った際の評価結果を示す。評価は複数の素子を用いて行い、全ての素子で点灯が観測された場合をＡＡ、評価素子中に点灯しない素子が存在した場合をＢＢとしている。
【０１８４】
［発光ムラ評価］
評価用有機ＥＬ素子の発光ピクセルおよび隣接する発光ピクセル（本構造ではこれらの発光ピクセルは各々の画素に対応する）を点灯させ、点灯状態を評価した。その際各発光ピクセルの輝度を測定し、全ての発光ピクセルの輝度が中央値に対して±５％未満の範囲にある場合をＡＡとし、発光ピクセルの輝度の最大値又は最小値が中央値に対して±５％以上±１０％未満の範囲にある場合をＢＢ、±１０％以上±２０％未満の範囲にある場合をＣＣ、±２０％を超えるバラツキを持っている場合をＤＤとしている。輝度測定はＴＯＰＣＯＮの輝度計ＳＲ−３ＡＲを用いて暗室中で行い、輝度測定領域が複数のサブピクセルを含む単一のピクセル全体を含むように、輝度測定領域を設定した。
【０１８５】
［光取出し評価］
評価用有機ＥＬ素子の発光ピクセルおよび隣接する発光ピクセル（本構造ではこれらの発光ピクセルは各々の画素に対応する）を点灯させ、点灯状態を評価した。
【０１８６】
その際にサブピクセル構造を含まず同一の発光面積を持つ比較用ピクセルを上記と同様の方法により作成し（図３（Ｂ）参照）、評価用有機ＥＬ素子の発光ピクセルの輝度と、比較用ピクセルの輝度の比較評価を行った。
【０１８７】
上記の比較評価において評価用有機ＥＬ素子の発光ピクセルの輝度が比較用ピクセルの輝度に対して、１０５％を超えている場合をＡＡ、１００％以上１０５％以下の場合をＢＢ、比較用ピクセル未満の輝度である場合をＣＣとした。
【０１８８】
これらの輝度測定はＴＯＰＣＯＮの輝度計ＳＲ−３ＡＲを用いて暗室中で行い、輝度測定領域が複数のサブピクセルを含む単一のピクセル全体を含むように、輝度測定領域を設定した。
【０１８９】
【表２】
2016167447.tif 000012
【符号の説明】
【０１９０】
１…有機ＥＬ装置、２…支持基板、３…ＴＦＴ、４…絶縁層（平坦化層）、５…陽極、６…スルーホール、７−１…第１隔壁、７−２…第２隔壁、７０…凹部、８…有機発光層、９…陰極、１０…パッシベーション膜、１１…封止基板、１２…封止層、１００…基板、１００-1…基板面、１１０…第１電極、１２０…第１隔壁、１２１…第２隔壁、１２５…隔壁、１２５-1および１２５-2…隔壁の斜面
【図１】
2016167447.tif 000013
【図２】
2016167447.tif 000014
【図３】
2016167447.tif 000015
【図４】
2016167447.tif 000016
【図５】
2016167447.tif 000017