(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
下面に電極が形成された半導体基板と、この半導体基板の上面に形成された端子電極と、上・下面に正・負の表面電極を有する発光素子とを備え、
前記表面電極のいずれか一方を前記端子電極に接続し、
前記半導体基板の抵抗値を前記発光素子の作動時抵抗値よりも大きくし、且つ前記端子電極と接続していない方の発光素子の表面電極と半導体基板の下面の電極とを同電位とし、
前記端子電極と接続していない方の発光素子の表面電極と、前記端子電極との間に駆動電圧を印加することを特徴とする光半導体装置。
【請求項２】
下面に電極が形成された半導体基板と、この半導体基板の上面に形成された第１の端子電極と、同一面側に正・負の表面電極を有する発光素子とを備え、
前記発光素子の表面電極のいずれか一方を第１の端子電極と接続し、
前記半導体基板の抵抗値を前記発光素子の作動時抵抗値よりも大きくし、且つ第１の端子電極と接続していない方の発光素子の表面電極と半導体基板の下面の電極とを同電位とし、
第１の端子電極と接続していない方の発光素子の表面電極と、第１の端子電極との間に駆動電圧を印加することを特徴とする光半導体装置。
【請求項３】
前記半導体基板の上面に絶縁層を介して第２の端子電極を形成し、前記発光素子の正・負の表面電極を第１の端子電極と第２の端子電極とに接続し、第１の端子電極と第２の端子電極との間に駆動電圧を印可する請求項２記載の光半導体装置。
【請求項４】
前記発光素子が窒化ガリウム系半導体素子である請求項２又は３記載の光半導体装置。
【請求項５】
前記半導体基板の抵抗値が５０〜１５，０００Ωの範囲である請求項１〜４のいずれかに記載の光半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は光半導体装置に関し、より詳細には発光素子の静電耐圧を向上させた光半導体装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
窒化ガリウム系発光素子などの発光素子は静電気などの逆方向過電圧（以下、「サージ」と記すことがある）に非常に弱く、比較的小さな静電気によっても素子が破壊されてしまう。このため静電気対策としてこれまでから種々の方法が提案されている。代表的な方法としてはツェナーダイオードを用いる方法がある。ツェナーダイオードを用いた光半導体装置の縦断面図を図８に、その回路図を図９に示す。
【０００３】
図８の光半導体装置では、ｎ型半導体基板６１の一部表面下にｐ型不純物の拡散層６２を形成すると共に、下面に電極２を形成している。そしてこの拡散層６２に接触するように第２の端子電極３２を基板６１上に形成する一方、もう一つの電極である第１の端子電極３１も基板６１上に形成している。そして、同一面側に正・負の表面電極４１ａ，４１ｂを有する発光素子４’を、正・負の表面電極４１ａ，４１ｂが第１の端子電極３１と第２の端子電極３２とにそれぞれ接続するように固着している。発光素子４’の駆動電圧は端子Ｔ1と端子Ｔ2との間に印加される。なお、端子Ｔ1から端子Ｔ2に電流が流れる方向を順電圧とする。
【０００４】
このような従来の光半導体装置において正常な順電圧が印加された場合には、ボンディングワイヤＷａ−下面電極２−基板６１−第１の端子電極３１−発光素子４’−第２の端子電極３２−ボンディングワイヤＷｂと電流が流れ発光素子４’が発光する。
【０００５】
一方、静電気などにより順方向に過電圧が印加された場合には、上記電流回路の他、ツェナーダイオード（ｎ型半導体基板６１−ｐ型拡散層６２）を介して下面電極２から第２の端子電極３２へと流れる新たな電流回路が形成されるため、過電圧による発光素子の破壊が防止される。また、静電気などにより逆電圧が印加された場合には、図９から理解されるように、ボンディングワイヤＷｂ−第２の端子電極３２−ｐ型拡散層６２−ｎ型半導体基板６１−下面電極２−ボンディングワイヤＷａと電流が流れる。この結果、発光素子４’に電流は流れず発光素子の破壊が防止される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
このように、ツェナーダイオードを用いれば静電気による発光素子の破壊を有効に防止できるものの、ツェナーダイオードを形成するためには半導体基板の材料に制限を受ける。このため、発光素子の活性層での発熱を効率的に外部に放散するには熱伝導性の高い半導体基板材料を用いるのが望ましいが、前記のツェナーダイオードを形成するためにこのような材料を用いることができなかった。また、半導体基板６１の抵抗成分Ｒ’が発光素子４’と直列接続された形態をとるので、抵抗成分Ｒ’によって端子Ｔ1から端子Ｔ2に加える順電圧が高くなってしまう。
【０００７】
本発明はこのような従来の問題に鑑みてなされたものであり、ツェナーダイオードを形成せずに、順方向に過電圧が印加された場合および逆電圧が印加された場合であっても発光素子が壊れない光半導体装置を提供することをその主な目的とするものである。また、発光素子の保護を行なうための構成によって順方向電圧が増加することがない光半導体装置を提供することもその目的の１つとするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば、下面に電極が形成された半導体基板と、この半導体基板の上面に形成された端子電極と、上・下面に正・負の表面電極を有する発光素子とを備え、前記表面電極のいずれか一方を前記端子電極に接続し、前記半導体基板の抵抗値を前記発光素子の作動時抵抗値よりも大きくし、且つ前記端子電極と接続していない方の発光素子の表面電極と半導体基板の下面の電極とを同電位とし、前記端子電極と接続していない方の発光素子の表面電極と、前記端子電極との間に駆動電圧を印加することを特徴とする光半導体装置が提供される。
【０００９】
また本発明によれば、下面に電極が形成された半導体基板と、この半導体基板の上面に形成された第１の端子電極と、同一面側に正・負の表面電極を有する発光素子とを備え、前記発光素子の表面電極のいずれか一方を第１の端子電極と接続し、前記半導体基板の抵抗値を前記発光素子の作動時抵抗値よりも大きくし、且つ第１の端子電極と接続していない方の発光素子の表面電極と半導体基板の下面の電極とを同電位とし、第１の端子電極と接続していない方の発光素子の表面電極と、第１の端子電極との間に駆動電圧を印加することを特徴とする光半導体装置が提供される。
【００１０】
ここで、前記半導体基板の上面に絶縁層を介して第２の端子電極を形成し、前記発光素子の正・負の表面電極を第１の端子電極と第２の端子電極とに接続し、第１の端子電極と第２の端子電極との間に駆動電圧を印可する構成としてもよい。
【００１１】
本発明の光半導体素子には発光素子として窒化ガリウム系発光素子が好適に用いられる。またサージによる発光素子の破壊を一層確実に防止する観点からは、半導体基板の抵抗値は５０〜１５，０００Ωの範囲とするのが好ましい。
【００１２】
【発明の実施の形態】
本発明者等は、ツェナーダイオードを用いずに静電気による発光素子の破壊を防ぐことができないか鋭意検討を重ねた結果、半導体基板の抵抗を発光素子との関係において特定値とすることにより、正常な順電圧が印加された場合には発光素子に電流が流れる一方、順方向に過電圧印加された場合には発光素子のみならず半導体基板にも電流が流れ、また逆電圧が印加された場合には半導体基板に電流が流れて発光素子の破壊が防止できることを見出し本発明をなすに至った。すなわち、本発明の大きな特徴の一つは、半導体基板の抵抗値を発光素子の作動時抵抗よりも大きくしたことにある。そしてもう一つの大きな特徴は、半導体基板上に形成された端子電極と接続していない方の発光素子の表面電極と、半導体基板の下面電極とを同電位としたことにある。このような構成により、本発明の光半導体装置では正常な順電圧が印加された場合には発光素子が発光し、順方向に過電圧が印加された場合および逆電圧が印加された場合には半導体基板を電流が流れ発光素子の破壊が防止される。以下、図に基づいて本発明の光半導体装置について説明する。
【００１３】
図１は、第１の発明に係る光半導体装置の一例を示す縦断面図である。図１の光半導体装置は、下面電極２を備えた半導体基板１の上面に端子電極３が形成され、この端子電極３上に、上・下面に負・正の表面電極４１ａ，４１ｂが形成された発光素子４が導電性接着剤Ｂで固着されている。そして、発光素子４の上面に形成された表面電極４１ｂと半導体基板１の下面電極２とは配線Ｗｂ，Ｗｃにより同電位とされている。なお、半導体基板１の抵抗値は発光素子４の作動時抵抗値よりも大きく設定されている。
【００１４】
このような構成の光半導体装置では２つの電流通過回路が形成される。一つは配線Ｗａ−端子電極３−表面電極４１ａ−発光素子４−表面電極４１ｂ−配線Ｗｂと流れる第１電流通過回路である。もう一つは、配線Ｗａ−端子電極３−半導体基板１−下面電極２−配線Ｗｃと流れる第２電流通過回路である。回路的には、発光素子４に半導体基板１（その抵抗値Ｒ）が並列接続された形態をとる。
【００１５】
ここで端子Ｔ1をプラス側、端子Ｔ2をマイナス側としてこの間に発光素子の駆動電圧が印加された場合には、半導体基板１の抵抗値が発光素子４の作動時抵抗値よりも大きいため、第１電流通過回路に電流が流れて発光素子４が発光する。発光素子４に半導体基板１が並列接続されているため、基板１によって発光素子４の駆動電圧が上昇することは防止される。
【００１６】
これに対して逆電圧が印加された場合、すなわち端子Ｔ1をマイナス側、端子Ｔ2をプラス側として電圧が印加された場合には、半導体基板１の抵抗に比べて発光素子４の抵抗が格段に高いため第２電流通過回路に電流が流れる。これにより発光素子の破壊が防止されるのである。また、半導体基板１の抵抗を選択することにより順方向に過電圧が印加された場合に、発光素子４のみならず半導体基板１へも電流を流すことができ発光素子４の破壊を防止できる。
【００１７】
半導体基板１の抵抗値Ｒは下記式（１）から算出できるから、端子電極３が半導体基板１に直接接触している面積Ｓおよび半導体基板１の厚さｄ、半導体基板１の抵抗率ｋを変えることにより（図１を参照）、発光素子４の作動時抵抗値よりも大きくなるように半導体基板１の抵抗値Ｒを調整すればよい。
【００１８】
Ｒ＝ｋ×（ｄ／Ｓ）・・・・・・（１）
光半導体装置における半導体基板の抵抗値Ｒと発光素子の静電耐圧との関係の一例を図２に示す。抵抗値Ｒを１６，０００Ω程度とした場合、静電耐圧は約１１０Ｖ程度（図のＡ群）、抵抗値Ｒを５，０００Ω程度とした場合、静電耐圧は約１７０Ｖ前後となる（図のＢ群）。この図から半導体基板の抵抗値Ｒを小さくすると静電耐圧が大きくなることがわかる。発光素子の種類にもよるが一般に発光素子の静電耐圧としては１２０Ｖ以上が望まれることから、抵抗値Ｒの上限値としては１５，０００Ωが好ましい。一方、抵抗値Ｒが発光素子の作動時抵抗値よりも小さいと、前記の第２電流通過回路を流れる電流が大きくなり発光素子が発光しなくなるからその下限値は５０Ωが好ましい。
【００１９】
次に、第２の発明に係る光半導体装置について説明する。第２の発明に係る光半導体装置の第１の発明に係る光半導体装置と異なる点は、第２の発明に係る光半導体装置では、同一面側に正・負の表面電極を有する発光素子を用いる点にある。そこでまず、同一面側に正・負の表面電極を有する発光素子の一例として窒化ガリウム系発光素子の構造を図３に示す。図３の発光素子４’は、サファイヤ基板４２の上に、ＧａＮバッファ層４３、ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層４４、ｎ型Ｇａ１−ｙＡｌｙＮクラッド層（０＜ｙ＜１）４５、ｎ型ＩｎｚＧａ１−ｚＮ（０＜ｚ＜１）活性層４６、Ｍｇドープｐ型Ｇａ１−ｘＡｌｘＮ（０＜ｘ＜０．５）クラッド層４７、Ｍｇドープｐ型ＧａＮコンタクト層４８が順に積層された構造を有し、ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層４４及びＭｇドープｐ型ＧａＮコンタクト層４８の表面にそれぞれＡｌ及びＡｕからなる表面電極４１ａ，４１ｂが形成されている。
【００２０】
このような窒化ガリウム系発光素子４’は例えば次のようにして作製される。サファイヤ基板４２を洗浄した後反応器内に配設し、キャリアガスとして水素、原料ガスとしてアンモニアとトリメチルガリウム（ＴＭＧ）を反応器内に供給し５１０℃の成長温度でサファイア基板４２上にＧａＮ層４３を約２００Åまで成長させる。次に、ＴＭＧの供給を止めて１０３０℃まで昇温した後、ＴＭＧとアンモニアガスを供給すると同時にドーパントガスとしてシランガスを供給し、Ｓｉをドープしたｎ型ＧａＮ層４４を４μｍ程度成長させる。次に、原料ガスとしてＴＭＧとトリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）、アンモニアとを用い、ドーパントガスとしてシランガスを反応器内に供給し８００℃の成長温度でＳｉドープｎ型Ｇａ0.86Ａｌ0.14Ｎ層４５を０．１５μｍまで成長させる。そして、原料ガス及びドーパントガスの供給を止めて、キャリアガスを窒素に切替えた後、原料ガスとしてＴＭＧとトリメチルインジウム（ＴＭＩ）、アンモニアとを用い、ドーパントガスとしてシランガスを用いて、Ｓｉドープｎ型Ｉｎ0.01Ｇａ0.99Ｎ層４６を１００Åまで成長させる。
【００２１】
次に、原料ガスとドーパントガスの供給を止めて１０２０℃まで昇温した後、原料ガスとしてＴＭＧとＴＭＡ、アンモニアを用い、ドーパントガスとしてＣｐ２Ｍｇを用いて、ｐ型Ｇａ0.86Ａｌ0.14Ｎクラッド層４７を０．１５μｍまで成長させる。そして、ＴＭＡの供給を止めてＭｇドープｐ型ＧａＮコンタクト層４８を０．４μｍまで成長させる。
【００２２】
その後、作製したウエハを反応容器から取りだし、アニーリング装置で窒素雰囲気下７００℃で２０分間アニーリングを行い、ｐ型Ｇａ0.86Ａｌ0.14Ｎクラッド層４５とｐ型ＧａＮコンタクト層４８の低抵抗化を行う。そして、このウエハの片側をエッチングして図３のようにｎ型ＧａＮ層４４を露出させ、ｎ型ＧａＮ層４４の表面にはＡｌ電極４１ｂ、ｐ型ＧａＮコンタクト層４８の表面にはＡｕ電極４１ａを形成し、５００℃で再度アニーリングを行い電極４１ａ，４１ｂと前記層４８，４４とをなじませる。そして最後に５００μｍ×５００μｍに分割して発光素子４’としていた。
【００２３】
次に、このような発光素子４’を用いた光半導体装置の一例を示す縦断面図を図４に示す。図４の光半導体装置では、下面電極２を有する半導体基板１（材料：ＳｉＣ、抵抗率ｋ：０．４Ω・ｃｍ、厚さｄ：２００μｍ）の表面に、端子電極３１が形成されていると共に、正・負の表面電極４１ａ，４１ｂが上面に形成された発光素子４’が固着されている。そして端子電極３１と表面電極４１ｂとは配線Ｗｄで接続され、もう一つの表面電極４１ａと半導体基板１の下面電極２とは配線Ｗｂ、Ｗｃにより同電位とされている。また、半導体基板１の抵抗値Ｒは発光素子４’の作動時抵抗値よりも大きく設定されている。
【００２４】
このような構成の光半導体装置における電流通過回路は、前記と同様に２つあり、その一つは配線Ｗａ−端子電極３１−配線Ｗｄ−表面電極４１ｂ−発光素子４’−表面電極４１ａ−配線Ｗｂと流れる第１電流通過回路である。もう一つは、配線Ｗａ−端子電極３１−半導体基板１−下面電極２−配線Ｗｃと流れる第２電流通過回路である。回路的には、発光素子４’に半導体基板１（その抵抗値Ｒ）が並列接続された形態をとる。
【００２５】
ここで端子Ｔ1をプラス側、端子Ｔ2をマイナス側としてこの間に発光素子４’の駆動電圧が印加された場合には、半導体基板１の抵抗値Ｒが発光素子４’の作動時抵抗値よりも大きいため、第１電流通過回路に電流が流れ発光素子４’が発光する。発光素子４’に半導体基板１が並列接続されているため、基板１によって発光素子４’の駆動電圧が上昇することは防止される。
【００２６】
これに対して逆電圧が印加された場合、すなわち端子Ｔ1をマイナス側、端子Ｔ2をプラス側として電圧が印加された場合には、半導体基板１の抵抗に比べて発光素子４’の抵抗が格段に高いため第２電流通過回路に電流が流れ、これにより発光素子４’の破壊が防止される。また、半導体基板１の抵抗を選択することにより順方向に過電圧が印加された場合に、発光素子４のみならず半導体基板１へも電流を流すことができ発光素子４’の破壊を防止できる。
【００２７】
第２の発明に係る光半導体装置の他の例を示す縦断面図を図５に示す。図５の光半導体装置は、下面電極２を有する半導体基板１（材料：ｎ−Ｓｉ、抵抗率ｋ：０．４Ω・ｃｍ、厚さｄ：２００μｍ）の表面に２つの端子電極３１，３２が形成されている。一方の端子電極（第１の端子電極）３１は半導体基板１表面に直接形成され、もう一方の端子電極（第２の端子電極）３２は絶縁層５を介して半導体基板１上に形成されている。そして、図３の発光素子４’を上下反対にして、発光素子４’の２つの表面電極４１ａ，４１ｂをそれぞれ第１の端子電極３１と第２の端子電極３２の上に位置させて導電性接着剤Ｂで固着している。また、第１の端子電極３１および第２の端子電極３２上の発光素子４’によって覆われない露出部分に電源からの配線Ｗａ，Ｗｂがそれぞれ接続され、また表面電極４１ｂと下面電極２とは配線Ｗｂ、Ｗｃにより同電位とされている。そしてまた、半導体基板１の抵抗値Ｒは発光素子４’の作動時抵抗値よりも大きく設定されている（この例ではＲ＝２７０Ω）。
【００２８】
このような構成の光半導体装置における電流通過回路は、前記と同様に２つあり、その一つは配線Ｗａ−第１の端子電極３１−表面電極４１ａ−発光素子４’−表面電極４１ｂ−第２の端子電極３２−配線Ｗｂと流れる第１電流通過回路である。もう一つは、配線Ｗａ−端子電極３１−半導体基板１−下面電極２−配線Ｗｃと流れる第２電流通過回路である。回路的には、発光素子４’に半導体基板１（その抵抗値Ｒ）が並列接続された形態をとる。
【００２９】
そして、前記と同様にして、この光半導体装置に順電圧を印加すると、半導体基板１の抵抗値Ｒが発光素子４’の作動時抵抗値よりも大きいため、第１電流通過回路に電流が流れ発光素子４’が発光する。発光素子４’に半導体基板１が並列接続されているため、基板１によって発光素子４’の駆動電圧が上昇することは防止される。
【００３０】
一方、逆電圧を印加すると、半導体基板１の抵抗に比べて発光素子４’の抵抗が格段に高いため第２電流通過回路に電流が流れ、これにより発光素子４’の破壊が防止される。また、半導体基板１の抵抗を選択することにより順方向に過電圧が印加された場合に、発光素子４’のみならず半導体基板１へも電流を流すことができ発光素子４の破壊を防止できる。
【００３１】
次に、第２の発明に係る光半導体装置を発光装置に実装した場合の形態を説明する。図６は、図４に示した光半導体装置Ｍを半導体レーザ装置に実装した場合の斜視図である。光半導体装置Ｍは、その下面電極２（図４に図示）と主リード８１とが導通可能に主リード８１の先端部分に導電性接着剤で固着されている。また、主リード８１に対して垂直方向に形成された、主リード８１と導通し且つ副リード８２，８３とは絶縁の側壁９には、発光素子４’からの光を受光できる位置に受光素子７が設けられている。そして主リード８１の左右には副リード８２，８３が軸方向に平行して設けられている。
【００３２】
副リード８２と端子電極３１とはボンディングワイヤＷａで接続され、端子電極３１と表面電極４１ｂとはボンディングワイヤＷｄで、表面電極４１ａと主リード８１とはボンディングワイヤＷｂでそれぞれ接続されている。また、受光素子７と副リード８３とはボンディングワイヤＷｅで接続されている。そして、光半導体装置Ｍや受光素子７、各ボンディングワイヤを含めた、側壁９から先端側はエポキシ樹脂などの透光性樹脂Ｒで封止されている。もちろん側壁９から先端側が透光性樹脂Ｒで封止されていなくても構わない。
【００３３】
このような構造の半導体レーザ装置において、主リード８１と副リード８２の間に順方向に所定の電流又は所定のレーザ駆動電圧を与えた場合には、主リード８１−ボンディングワイヤＷｂ−表面電極４１ａ−半導体レーザ素子４’−表面電極４１ｂ−ボンディングワイヤＷｄ−端子電極３１−ボンディングワイヤＷａ−副リード８２と流れ、半導体レーザ素子４’が発振し、レーザ光がＸ方向に出射される。そして出射された光を受光素子７が検知すると、主リード８１と副リード８３間に電流が流れ、この電流値を基に半導体レーザ素子４’の光出力が一定になるように電圧が制御される。
【００３４】
一方、静電気などによって主リード８１と副リード８２の間に逆方向に電圧が加わった場合には、副リード８２−ボンディングワイヤＷａ−端子電極３１−半導体基板１−下面電極２−主リード８１と流れ、静電気による半導体レーザ素子４’の破壊が回避される。
【００３５】
さらに、第２の発明に係る光半導体装置を発光装置に実装した他の形態を図７に示す。図７は、図５に示した光半導体装置Ｍ’をリード型発光ダイオード装置に実装した場合の縦断面図である。リード８４の上端に、その下面電極とリードとが導通可能に導電性接着剤で光半導体装置Ｍ’が固着されている。そして、リード８４と第１の端子電極３１とはボンディングワイヤＷａで接続され、第２の端子電極３２とリード８５とはボンディングワイヤＷｂで接続されている。光半導体装置Ｍ’と各ボンディングワイヤ、リード８４，８５の上部は透光性樹脂Ｒで封止されている。
【００３６】
このような電極間配線において、リード８４，８５の間に順方向に所定の電流又は所定のレーザ駆動電圧を与えた場合には、リード８４−ボンディングワイヤＷａ−第１の端子電極３１−発光素子４’−第２の端子電極３２−ボンディングワイヤＷｂ−リード８５と流れ、発光素子４’が発光する。一方、静電気などによってリード８４，８５の間に逆方向に電圧が加わった場合には、リード８５−端子電極３２−半導体基板１−下面電極２−リード８４と流れ、静電気による発光素子４’の破壊が回避される。
【００３７】
【発明の効果】
第１の発明に係る光半導体装置では、下面に電極が形成され半導体基板と、この半導体基板の上面に形成された端子電極と、異なる面側に正・負の表面電極を有する発光素子とを備え、表面電極のいずれか一方を端子電極に接続し、半導体基板の抵抗値を発光素子の作動時抵抗値よりも大きくし、且つ端子電極と接続していない方の発光素子の表面電極と半導体基板の下面の電極とを同電位とし、端子電極と接続していない方の発光素子の表面電極と、端子電極との間に駆動電圧を印加する構成としたので、半導体基板の材料に特に制限を受けることなく、過電圧および逆電圧による発光素子の破壊を有効に防止できる。
【００３８】
また第２の発明に係る光半導体装置では、下面に電極が形成された半導体基板と、この半導体基板の上面に形成された第１の端子電極と、同一面側に正・負の表面電極を有する発光素子とを備え、発光素子の表面電極のいずれか一方を第１の端子電極と接続し、半導体基板の抵抗値を発光素子の作動時抵抗値よりも大きくし、且つ第１の端子電極と接続していない方の発光素子の表面電極と半導体基板の下面の電極とを同電位とし、第１の端子電極と接続していない方の発光素子の表面電極と、第１の端子電極との間に駆動電圧を印加する構成としたので、第１の発明と同様に、半導体基板の材料に特に制限を受けることなく、過電圧および逆電圧による発光素子の破壊を有効に防止できる。
【００３９】
本発明によれば、発光素子にその保護回路としての半導体基板が並列に接続された形態をとるので、発光素子の駆動電圧の上昇を防止することもできる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  第１の発明に係る光半導体装置の一例を示す縦断面図である。
【図２】  半導体基板の抵抗値Ｒと発光素子の静電耐圧との関係を示す図である。
【図３】  同一面側に正・負の表面電極を有する発光素子の一例を示す縦断面図である。
【図４】  第２の発明に係る光半導体装置の一例を示す縦断面図である。
【図５】  第２の発明に係る光半導体装置の他の例を示す縦断面図である。
【図６】  図４の光半導体装置を搭載した半導体レーザ装置の斜視図である。
【図７】  図５の光半導体装置を搭載した発光ダイオード装置の縦断面図である。
【図８】  従来の光半導体装置を示す縦断面図である。
【図９】  図８の光半導体装置の回路図である。
【符号の説明】
１  半導体基板
２  下面電極
３  端子電極
４，４’  発光素子
５  絶縁層
３１  第１の端子電極
３２  第２の端子電極
４１ａ，４１ｂ  表面電極
【図１】
0003920613.tif 000002
【図２】
0003920613.tif 000003
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
0003920613.tif 000007
【図７】
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【図８】
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【図９】
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