(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
フリップチップ型のＩＣチップを搭載する基板主面と、基板裏面とを有し、複数の絶縁層を備える多層配線基板であって、
上記絶縁層の主面側最表面に略格子状に配置され、上記ＩＣチップのＩＣ端子に接続される多数の端子であって、外周側の３列に配置され信号を伝送する複数の信号端子を含む端子と、
上記絶縁層のうち少なくとも主面側の一層を貫通し、３列に配置された上記信号端子に１対１で対応して直接または間接的に接続する複数の信号ビア導体と、
上記絶縁層の主面側最表面に形成され、上記信号端子とこれに間接的に接続する上記信号ビア導体とを結ぶ複数のシフト配線と、
上記絶縁層の層間または裏面側最表面に形成され、上記信号ビア導体に１対１で対応して接続し、外周側に向かって延びる複数の引き出し配線と、
を備える多層配線基板。
【請求項２】
フリップチップ型のＩＣチップを搭載する基板主面と、基板裏面とを有し、複数の絶縁層を備える多層配線基板であって、
上記絶縁層の主面側最表面に略格子状に配置され、上記ＩＣチップのＩＣ端子に接続される多数の端子であって、
最外周から数えて１列目に配置され信号を伝送する複数の１列目信号端子、
最外周から数えて２列目に配置され信号を伝送する複数の２列目信号端子、及び、
最外周から数えて３列目に配置され信号を伝送する複数の３列目信号端子、
を含む端子と、
上記絶縁層のうち少なくとも主面側の一層を貫通し、３列に配置された上記信号端子に１対１で対応して直接または間接的に接続する複数の信号ビア導体であって、上記１列目信号端子及び２列目信号端子に導通する信号ビア導体は、上記３列と直交し所定間隔をあけて並ぶ複数の仮想直線上に２ｎ（ｎは２以上の自然数）個ずつ配置されている信号ビア導体と、
上記絶縁層の主面側最表面に形成され、上記信号端子とこれに間接的に接続する上記信号ビア導体とを結ぶ複数のシフト配線と、
上記絶縁層の層間または裏面側最表面に形成され、上記信号ビア導体に１対１で対応して接続し、外周側に向かって延びる複数の引き出し配線と、
を備える多層配線基板。
【請求項３】
請求項２に記載の多層配線基板であって、
前記シフト配線の長さは、いずれも前記端子のなす格子間隔の７倍以下である多層配線基板。
【請求項４】
請求項２または請求項３に記載の多層配線基板であって、
前記３列目信号端子は、前記信号ビア導体に直接接続する
多層配線基板。
【請求項５】
請求項２〜請求項４のいずれか一項に記載の多層配線基板であって、
前記ｎは２である
多層配線基板。
【請求項６】
請求項５に記載の多層配線基板であって、
前記複数の仮想直線は、いずれも前記信号端子上を通り、
一の上記仮想直線上に配置された４個の前記信号ビア導体のうち、
２個の信号ビア導体は、前記１列目信号端子及び２列目信号端子のうち、この仮想直線上に位置する線上１列目信号端子及び線上２列目信号端子に導通し、
残り２個の信号ビア導体は、これら線上１列目信号端子及び線上２列目信号端子と隣り合う全部で４個の上記１列目信号端子及び２列目信号端子のうちから選択した２個の信号端子に、前記シフト配線を介して接続する
多層配線基板。
【請求項７】
請求項６に記載の多層配線基板であって、
前記線上１列目信号端子は、前記信号ビア導体に直接接続する
多層配線基板。
【請求項８】
請求項７に記載の多層配線基板であって、
前記線上２列目信号端子も、前記信号ビア導体に直接接続する
多層配線基板。
【請求項９】
請求項５に記載の多層配線基板であって、
前記複数の仮想直線は、いずれも前記信号端子の間を通り、
一の上記仮想直線上に配置された４個の前記信号ビア導体は、この仮想直線の両側に最も近接して位置する２個の前記１列目信号端子と２個の前記２列目信号端子とに、前記シフト配線を介して接続する
多層配線基板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、フリップチップ型のＩＣチップが基板主面に搭載される多層配線基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、フリップチップ型のＩＣチップが基板主面に搭載される多層配線基板が知られている。
例えば、図８３に簡略化した縦断面図を示す多層配線基板９００１が挙げられる。この多層配線基板９００１は、図中に破線で示すＩＣチップＩＣ１を搭載する基板主面９００２と、図示しないマザーボードに接続される基板裏面９００３とを有する略板形状である。多層配線基板９００１は、４層の絶縁層（第１絶縁層９０１１、第２絶縁層９０１２、第３絶縁層９０１３及び第４絶縁層９０１４）を備え、その基板主面９００２側には主面側ソルダーレジスト層９０１６が、基板裏面９００３側には裏面側ソルダーレジスト層９０１７が積層されている。
【０００３】
基板内部を基板主面９００２側から基板裏面９００３側に向かって順に説明すると、第１絶縁層９０１１の主面側表面には、図８３及び図８４に示すように、その略中央にＩＣチップＩＣ１のＩＣ端子に接続される端子９０２１が略格子状に多数形成され、主面側ソルダーレジスト層９０１６の主面側開口９０１６Ｋ内にそれぞれ露出している。これらの端子９０２１には、電源電位や接地電位とされる端子の他、信号を伝送する信号端子９０２１Ｓが多数ある。なお、図８４は基板主面９００２側から見た平面図のうち、略格子状に並んだ端子９０２１の外周近傍の領域を示す部分拡大平面図である。
第１絶縁層９０１１には、図８３に示すように、これを貫通し端子９０２１に１対１で接続する第１ビア導体９０２３が多数形成されている。これらの第１ビア導体９０２３には、電源電位や接地電位とされるビア導体と、信号端子９０２１Ｓに接続し、信号を伝送する第１信号ビア導体９０２３Ｓがある。
【０００４】
第１絶縁層９０１１と第２絶縁層９０１２の層間には、電源電位とされる電源プレーン層９０２５が略ベタ状に形成されている。電源プレーン層９０２５には、多数の第１貫通孔９０２５Ｋが設けられ、第１貫通孔９０２５Ｋ内には、接地電位とされる第１ビア導体９０２３と第１信号ビア導体９０２３Ｓが配置されている。
第２絶縁層９０１２には、これを貫通し電源プレーン層９０２５または第１ビア導体９０２３の一部にそれぞれ接続する第２ビア導体９０２７が多数形成されている。これらの第２ビア導体９０２７には、電源電位や接地電位とされるビア導体と、第１信号ビア導体９０２３Ｓに１対１で接続し、信号を伝送する第２信号ビア導体９０２７Ｓがある。
【０００５】
第２絶縁層９０１２と第３絶縁層９０１３との層間には、接地電位とされる接地プレーン層９０２９が略ベタ状に形成されている。接地プレーン層９０２９には、多数の第２貫通孔９０２９Ｋが設けられ、第２貫通孔９０２９Ｋ内には、電源電位とされる第２ビア導体９０２７と第２信号ビア導体９０２７Ｓが配置されている。
第３絶縁層９０１３には、これを貫通し接地プレーン層９０２９または第２ビア導体９０２７の一部にそれぞれ接続する第３ビア導体９０３１が多数形成されている。これらの第３ビア導体９０３１には、電源電位や接地電位とされるビア導体と、第２信号ビア導体９０２７Ｓに１対１で接続し、信号を伝送する第３信号ビア導体９０３１Ｓがある。
【０００６】
第３絶縁層９０１３と第４絶縁層９０１４の層間には、図８３及び図８５に示すように、一端で第３信号ビア導体９０３１Ｓにそれぞれ接続し、外周側に向かって延びる引き出し配線９０３３が多数形成されている。なお、図８５は図８３におけるＡ−Ａ横断面のうち図８４に対応した領域を示す部分拡大横断面図である。
第４絶縁層９０１４には、図８３に示すように、これを貫通し引き出し配線９０３３の他端または第３ビア導体９０３１の一部にそれぞれ接続する第４ビア導体９０３５が多数形成されている。これらの第４ビア導体９０３５には、電源電位や接地電位とされるビア導体と、引き出し配線９０３３の他端にそれぞれ接続し、信号を伝送する第４信号ビア導体９０３５Ｓがある。
【０００７】
第４絶縁層９０１４の裏面側表面には、マザーボードの端子に接続される裏面端子９０３７が多数形成され、裏面側ソルダーレジスト層９０１７の裏面側開口９０１７Ｋ内にそれぞれ露出している。これらの裏面端子９０３７には、電源電位や接地電位とされる端子と、第４信号ビア導体９０３５Ｓに１対１で接続し、信号を伝送する信号裏面端子９０３７Ｓがある。
以上の説明から明らかなように、この多層配線基板９００１は、端子９０２１と裏面端子９０３７がそれぞれ導通している。このため、マザーボードからＩＣチップＩＣ１に電源電位や接地電位を供給したり、マザーボードとＩＣチップＩＣ１との間で信号を伝送することができる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
このような多層配線基板９００１は、近年、搭載するＩＣチップＩＣ１の高密度化に伴い、高密度化が進んでいる。具体的に言うと、ＩＣチップＩＣ１が高密度化し、ＩＣチップＩＣ１のＩＣ端子が狭い間隔で配置されるようになってきたため、多層配線基板９００１の端子９０２１も同様に狭い間隔で配置される。その結果、端子９０２１に第１，第２信号ビア導体９０２３Ｓ，９０２７Ｓを介して接続する第３信号ビア導体９０３１Ｓも、端子９０２１と同様に狭い間隔で配置される。
このように狭い間隔で第３信号ビア導体９０３１Ｓが配置されると、外周側の２列に配置された第３信号ビア導体９０３１Ｓしか、信号配線を一挙に外周側に引き出すことができない（図８５参照）。このため、外周側の３列に第３信号ビア導体９０３１Ｓが配置されている場合、即ち、外周側の３列に信号端子９０２１が配置されている場合には、２層以上に分けて信号配線を外周側に引き出す必要が生じ、絶縁層数が増加する。絶縁層数の増加は、多層配線基板の高密度化に逆行するものであり、また、製品コストも増加することになる。
【０００９】
本発明はかかる現状に鑑みてなされたものであって、フリップチップ型のＩＣチップが基板主面に搭載される多層配線基板について、外周側の３列に配置された信号端子から延びる信号配線を一挙に外周側に引き出すことができる多層配線基板を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段、作用及び効果】
その解決手段は、フリップチップ型のＩＣチップを搭載する基板主面と、基板裏面を有し、複数の絶縁層を備える多層配線基板であって、上記絶縁層の主面側最表面に略格子状に配置され、上記ＩＣチップのＩＣ端子に接続される多数の端子であって、外周側の３列に配置され信号を伝送する複数の信号端子を含む端子と、上記絶縁層のうち少なくとも主面側の一層を貫通し、上記３列に配置された信号端子に１対１で対応して直接または間接的に接続する複数の信号ビア導体と、上記絶縁層の主面側最表面に形成され、上記信号端子とこれに間接的に接続する上記信号ビア導体とを結ぶ複数のシフト配線と、上記絶縁層の層間または裏面側最表面に形成され、上記信号ビア導体に１対１で対応して接続し、外周側に向かって延びる複数の引き出し配線と、を備える多層配線基板である。
【００１１】
本発明によれば、略格子状に並ぶ端子の外周側の３列には、信号端子が配置されている。そして、これらの信号端子は、１対１で対応して、シフト配線を介して間接的にあるいは直接的に信号ビア導体に接続している。さらに、これらの信号ビア導体は、１対１で対応して、引き出し配線に接続している。
つまり、この多層配線基板は、シフト配線により、信号ビア導体の位置をこれに導通する信号端子の位置から移動させておき、その後、引き出し配線により、信号端子から延びる信号配線を外周側に引き出している。従って、この多層配線基板では、外周側の３列に配置された信号端子から延びる信号配線を、２層以上に分けることなく、一挙に外周側に引き出すことができる。
【００１２】
また、他の解決手段は、フリップチップ型のＩＣチップを搭載する基板主面と、基板裏面を有し、複数の絶縁層を備える多層配線基板であって、上記絶縁層の主面側最表面に略格子状に配置され、上記ＩＣチップのＩＣ端子に接続される多数の端子であって、最外周から数えて１列目に配置され信号を伝送する複数の１列目信号端子、最外周から数えて２列目に配置され信号を伝送する複数の２列目信号端子、及び、最外周から数えて３列目に配置され信号を伝送する複数の３列目信号端子、を含む端子と、上記絶縁層のうち少なくとも主面側の一層を貫通し、上記３列に配置された信号端子に１対１で対応して直接または間接的に接続する複数の信号ビア導体であって、上記１列目信号端子及び２列目信号端子に導通する信号ビア導体は、上記３列と直交し所定間隔をあけて並ぶ複数の仮想直線上に２ｎ（ｎは２以上の自然数）個ずつ配置されている信号ビア導体と、上記絶縁層の主面側最表面に形成され、上記信号端子とこれに間接的に接続する上記信号ビア導体とを結ぶ複数のシフト配線と、上記絶縁層の層間または裏面側最表面に形成され、上記信号ビア導体に１対１で対応して接続し、外周側に向かって延びる複数の引き出し配線と、を備える多層配線基板である。
【００１３】
本発明によれば、略格子状に並ぶ端子の外周側の３列には、信号端子が配置されている。そして、これらの信号端子は、１対１で対応して、シフト配線を介して間接的にあるいは直接的に信号ビア導体に接続している。これらの信号ビア導体のうち、１列目信号端子及び２列目信号端子に導通する信号ビア導体は、信号端子のなす外周側の３列と直交し所定の間隔をあけて並ぶ複数の仮想直線上に２ｎ個ずつ配置されている。また、これらの信号ビア導体は、１対１で対応して、引き出し配線に接続している。
つまり、この多層配線基板は、シフト配線により、信号ビア導体の位置をこれに導通する信号端子の位置から移動させている。即ち、１列目信号端子及び２列目信号端子に導通する信号ビア導体が、信号端子のなす外周側の３列と直交し所定の間隔をあけて並ぶ複数の仮想直線上に２ｎ個ずつ配置されるように、移動させている。そしてその後、引き出し配線により、信号端子から延びる信号配線を外周側に引き出している。従って、この多層配線基板では、外周側の３列に配置された信号端子から延びる信号配線を、２層以上に分けることなく、一挙に外周側に引き出すことができる。
【００１４】
さらに、上記の多層配線基板であって、前記シフト配線の長さは、いずれも前記端子のなす格子間隔の７倍以下である多層配線基板とすると良い。
【００１５】
本発明によれば、シフト配線の長さは、いずれも端子のなす格子間隔の７倍以下と短くされている。このため、信号ビア導体の移動距離、即ち、信号ビア導体とこれに導通する信号端子との距離を小さくすることができる。つまり、信号ビア導体の位置を僅かに移動させるだけで、外周側の３列に配置された信号端子から延びる信号配線を、一挙に外周側に引き出すことができる。
【００１６】
さらに、上記のいずれかに記載の多層配線基板であって、前記３列目信号端子は、前記信号ビア導体に直接接続する多層配線基板とすると良い。
【００１７】
本発明によれば、３列目信号端子は、信号ビア導体に直接接続している。従って、これらの信号ビア導体はシフト配線により移動させる必要がない。このため、１列目信号端子及び２列目信号端子に導通する信号ビア導体だけを移動させることにより、外周側の３列に配置された信号端子から延びる信号配線を、一挙に外周側に引き出すことができる。
【００１８】
さらに、上記のいずれかに記載の多層配線基板であって、前記ｎは２である多層配線基板とすると良い。
【００１９】
ｎの数が大きくなるほど、仮想直線上に並ぶ信号ビア導体の数（２ｎ）が多くなるので、一部の信号ビア導体は、それに導通する信号端子の位置から大きく移動させる必要が生じる。
これに対し、本発明では、ｎ＝２としているので、各々の仮想直線上に並ぶ信号ビア導体の数（４個）が最も少ない。このため、信号ビア導体の移動距離を小さくすることができる。つまり、信号ビア導体の位置を僅かに移動させるだけで、外周側の３列に配置された信号端子から延びる信号配線を、一挙に外周側に引き出すことができる。
【００２０】
さらに、上記の多層配線基板であって、前記複数の仮想直線は、いずれも前記信号端子上を通り、一の上記仮想直線上に配置された４個の前記信号ビア導体のうち、２個の信号ビア導体は、前記１列目信号端子及び２列目信号端子のうち、この仮想直線上に位置する線上１列目信号端子及び線上２列目信号端子に導通し、残り２個の信号ビア導体は、これら線上１列目信号端子及び線上２列目信号端子と隣り合う全部で４個の上記１列目信号端子及び２列目信号端子のうちから選択した２個の信号端子に、前記シフト配線を介して接続する多層配線基板とすると良い。
【００２１】
本発明によれば、仮想直線はいずれも信号端子上を通る。そして、一の仮想直線に着目すると、この仮想直線上に配置された４個の信号ビア導体のうち２個は、この仮想直線上に位置する線上１列目信号端子と線上２列目信号端子に、直接またはシフト配線を介して導通する。従って、これら２個の信号ビア導体は、これらに導通する信号端子と同じ位置にあるか、あるいは、これらに導通する信号端子から近い位置にある。一方、この仮想直線上に配置された４個の信号ビア導体のうち残り２個は、これらの線上１列目信号端子及び線上２列目信号端子と隣り合う全部で４個の１列目信号端子及び２列目信号端子のうちから選択した２個の信号端子に、シフト配線を介して接続する。従って、これら２個の信号ビア導体も、これらに導通する信号端子から近い位置にある。
つまり、本発明では、信号ビア導体の位置を僅かに移動させるだけで、外周側の３列に配置された信号端子から延びる信号配線を、一挙に外周側に引き出すことができる。
なお、「接続する」とは、特に明示がない限り、２つのものが直接接続することを指す。一方、「導通する」とは、２つのものが電気的に繋がっている状態を指し、２つのものが直接接続する場合の他、２つのものが他のビア導体や他の配線など介して間接的に接続する場合も含まれる。
【００２２】
さらに、上記の多層配線基板であって、前記線上１列目信号端子は、前記信号ビア導体に直接接続する多層配線基板とすると良い。
【００２３】
本発明によれば、線上１列目信号端子は、信号ビア導体に直接接続している。従って、これらの信号ビア導体はシフト配線により移動させる必要がない。このため、残りの１列目信号端子と、２列目信号端子及び３列目信号端子とに導通する信号ビア導体だけを移動させることにより、外周側の３列に配置された信号端子から延びる信号配線を、一挙に外周側に引き出すことができる。
【００２４】
さらに、上記の多層配線基板であって、前記線上２列目信号端子も、前記信号ビア導体に直接接続する多層配線基板とすると良い。
【００２５】
本発明によれば、線上１列目信号端子だけでなく線上２列目信号端子も、信号ビア導体に直接接続している。従って、これらの信号ビア導体はシフト配線により移動させる必要がない。このため、残りの１列目信号端子と残りの２列目信号端子と３列目信号端子とに導通する信号ビア導体だけを移動させることにより、外周側の３列に配置された信号端子から延びる信号配線を、一挙に外周側に引き出すことができる。
【００２６】
さらに、前記の多層配線基板であって、前記複数の仮想直線は、それぞれ前記信号端子の間を通り、一の上記仮想直線上に配置された４個の前記信号ビア導体は、この仮想直線の両側に最も近接して位置する２個の前記１列目信号端子と２個の前記２列目信号端子とに、前記シフト配線を介して接続する多層配線基板としても良い。
【００２７】
本発明によれば、仮想直線はいずれも信号端子の間を通る。そして、一の仮想直線に着目すると、この仮想直線上に配置された４個の信号ビア導体のうち２個は、この仮想直線上の両側に最も近接して位置する２個の１列目信号端子と、シフト配線を介して接続している。従って、これら２個の信号ビア導体は、これらに導通する１列目信号端子から近い位置にある。一方、この仮想直線上に配置された４個の信号ビア導体のうち残り２個は、この仮想直線上の両側に最も近接して位置する２個の２列目信号端子と、シフト配線を介して接続している。従って、これら２個の信号ビア導体も、これらに導通する１列目信号端子から近い位置にある。
つまり、本発明では、信号ビア導体の位置を僅かに移動させるだけで、外周側の３列に配置された信号端子から延びる信号配線を、一挙に外周側に引き出すことができる。
【００２８】
【発明の実施の形態】
（実施形態１）
以下、本発明の実施の形態を、図面を参照しつつ説明する。
本実施形態１の多層配線基板１０１について、図１に簡略化した縦断面図を示す。また、図２に基板主面１０２側から見た平面図のうち略格子状に並んだ端子１２１の外周近傍の領域を示す。また、図３に図１におけるＡ−Ａ横断面のうち図２に対応した領域を、図４にシフト配線１２２等の一部を模式的に示した説明図を示す。また、図５に図１におけるＢ−Ｂ横断面のうち図２に対応した領域を、図６に図１におけるＣ−Ｃ横断面のうち図２に対応した領域を示す。また、図７に図１におけるＤ−Ｄ横断面のうち図２に対応した領域を、図８に引き出し配線１３３等の一部を模式的に示した説明図を示す。
【００２９】
この多層配線基板１０１は、フリップチップ型のＩＣチップＩＣが搭載されると共にマザーボードに接続されるものであり、マザーボードからＩＣチップＩＣに電源電位や接地電位を供給したり、マザーボードとＩＣチップＩＣとの間で信号を伝送することができる。
多層配線基板１０１は、図１中に破線で示すＩＣチップＩＣを搭載する基板主面１０２と、図示しないマザーボードに接続される基板裏面１０３とを有する略矩形の略板形状である。多層配線基板１０１は、エポキシ樹脂等からなり厚さがそれぞれ約３０μｍの４層の絶縁層（第１絶縁層１１１、第２絶縁層１１２、第３絶縁層１１３及び第４絶縁層１１４）を備える。そして、その基板主面１０２側にはエポキシ樹脂等からなる厚さ約２５μｍの主面側ソルダーレジスト層１１６が、基板裏面１０３側には同じくエポキシ樹脂等からなる厚さ約２５μｍの裏面側ソルダーレジスト層１１７が積層されている。
【００３０】
基板内部の詳細を基板主面１０２側から基板裏面１０３側に向かって順に説明すると、絶縁層の主面側最表面、即ち、第１絶縁層１１１の主面側表面には、図１〜図３に示すように、ＩＣチップＩＣのＩＣ端子とそれぞれ接続される端子１２１が多数形成されている。具体的には、これらの端子１２１は、基板主面１０２のうちＩＣチップＩＣを搭載する略中央のＩＣ搭載領域下に約２００μｍの間隔で略格子状に配置されている。各々の端子１２１は、直径約１２５μｍの平面視円形状の略板形状をし、その中央部が主面側ソルダーレジスト層１１６に形成された直径約９０μｍの主面側開口１１６Ｋ内に露出している。これらの端子１２１には、電源電位や接地電位とされる端子の他、信号を伝送する信号端子１２１Ｓが多数ある。
このうち信号端子１２１Ｓについて説明すると、信号端子１２１Ｓは、略格子状に配置された端子１２１のうち、外周側の３列にそれぞれ配置されている。即ち、信号端子１２１Ｓには、最外周から数えて１列目に配置された多数の１列目信号端子１２１Ｓ１と、最外周から数えて２列目に配置された多数の２列目信号端子１２１Ｓ２と、最外周から数えて３列目に配置された多数の３列目信号端子１２１Ｓ３がある。
【００３１】
また、第１絶縁層１１１の表面には、図１及び図３に示すように、信号端子１２１Ｓとこれに間接的に接続する後述する第１信号ビア導体１２３Ｓとを結ぶ線幅約２５μｍのシフト配線１２２が多数形成されている。
その詳細を図４を参照しつつ説明する。本実施形態１では、外周側の３列に配置された信号端子１２１Ｓは、いずれもシフト配線１２２を介して、第１信号ビア導体１２３Ｓに接続している。シフト配線１２２の長さは、いずれも端子１２１のなす格子間隔の７倍以下である。
１列目信号端子１２１Ｓ１及び２列目信号端子１２１Ｓ２に導通する第１信号ビア導体１２３Ｓは、上記３列と直交し約４００μｍの間隔（端子１２１のなす格子間隔の２倍の間隔）をあけて並ぶ多数（図中２本）の仮想直線ＫＴ上に４個ずつ配置されている。これらの仮想直線ＫＴは、いずれも信号端子１２１Ｓ上を通っている。一方、３列目信号端子１２１Ｓ３に導通する第１信号ビア導体１２３Ｓは、上記３列と平行に配置されている。
【００３２】
一の仮想直線ＫＴに着目すると、この上に配置された４個の第１信号ビア導体１２３Ｓのうち、２個の第１信号ビア導体１２３Ｓは、１列目信号端子１２１Ｓ１及び２列目信号端子１２１Ｓ２のうち、この仮想直線ＫＴ上に位置する線上１列目信号端子１２１Ｓ１Ｌ及び線上２列目信号端子１２１Ｓ２Ｌに、シフト配線１２２を介して接続している。また、残り２個の第１信号ビア導体１２３Ｓは、これら線上１列目信号端子１２１Ｓ１Ｌ及び線上２列目信号端子１２１Ｓ２Ｌと隣り合う全部で４個の１列目信号端子１２１Ｓ１及び２列目信号端子１２１Ｓ２のうちから選択した２個の信号端子１２１Ｓ、具体的には、仮想直線ＫＴよりも図中右側の１列目信号端子１２１Ｓ１と２列目信号端子１２１Ｓ２に、シフト配線１２２を介して接続している。
【００３３】
第１絶縁層１１１には、図１及び図５に示すように、これを貫通し、シフト配線１２２の他端または端子１２１の一部にそれぞれ接続する直径約６５μｍのフィルドビア導体である第１ビア導体１２３が多数形成されている。第１ビア導体１２３には、電源電位や接地電位とされる端子１２１に接続し、電源電位や接地電位とされるビア導体と、信号端子１２１Ｓにシフト配線１２２を介して接続し、信号を伝送するビア導体（第１信号ビア導体１２３Ｓ）がある。なお、第１信号ビア導体１２３Ｓは、信号端子１２１Ｓに１対１で対応して形成されている。
【００３４】
第１絶縁層１１１と第２絶縁層１１２の層間には、図１及び図５に示すように、図５中に破線で示す電源電位とされる第１ビア導体１２３に接続し、電源電位とされる電源プレーン層１２５が略ベタ状に形成されている。電源プレーン層１２５には、第１貫通孔１２５Ｋが多数設けられ、第１貫通孔１２５Ｋ内には、接地電位とされる第１ビア導体１２３と第１信号ビア導体１２３Ｓが、電源プレーン層１２５と絶縁しつつ配置されている。
【００３５】
第２絶縁層１１２には、図１及び図６に示すように、これを貫通し、電源プレーン層１２５または第１ビア導体１２３の一部にそれぞれ接続する直径約６５μｍのフィルドビア導体である第２ビア導体１２７が多数形成されている。これらの第２ビア導体１２７には、電源プレーン層１２５に接続し、電源電位とされるビア導体と、接地電位とされる第１ビア導体１２３に接続し、接地電位とされるビア導体と、第１信号ビア導体１２３Ｓに１対１で接続し、信号を伝送するビア導体（第２信号ビア導体１２７Ｓ）がある。
【００３６】
第２絶縁層１１２と第３絶縁層１１３の層間には、図１及び図６に示すように、図６中に破線で示す接地電位とされる第２ビア導体１２７に接続し、接地電位とされる接地プレーン層１２９が略ベタ状に形成されている。この接地プレーン層１２９には、第２貫通孔１２９Ｋが多数設けられ、第２貫通孔１２９Ｋ内には、電源電位とされる第２ビア導体１２７と第２信号ビア導体１２７Ｓが、接地プレーン層１２９と絶縁しつつ配置されている。
【００３７】
第３絶縁層１１３には、図１及び図７に示すように、これを貫通し、接地プレーン層１２９または第２ビア導体１２７の一部にそれぞれ接続する直径約６５μｍのフィルドビア導体である第３ビア導体１３１が多数形成されている。これらの第３ビア導体１３１には、電源電位とされる第２ビア導体１２７に接続し、電源電位とされるビア導体と、接地プレーン層１２９に接続し、接地電位とされるビア導体と、第２信号ビア導体１２７Ｓに１対１で接続し、信号を伝送するビア導体（第３信号ビア導体１３１Ｓ）がある。
【００３８】
第３絶縁層１１３と第４絶縁層１１４との層間には、図１、図７及び図８に示すように、一端で第３信号ビア導体１３１Ｓにそれぞれ接続し、外周側に向かって延びる線幅約２５μｍの引き出し配線１３３が多数形成されている。即ち、引き出し配線１３３は、第３信号ビア導体１３１Ｓに１対１で対応して形成されている。これにより、３列に並んだ信号端子１２１Ｓから延びる信号配線が、一挙に外周側に引き出される。具体的には、前述のシフト配線１２２により第１信号ビア導体１２３Ｓの間隔（仮想直線ＫＴの間隔）が２倍に拡がることで、これらに第２信号ビア導体１２７Ｓを介して接続する第３信号ビア導体１３１Ｓの間隔（仮想直線ＫＴの間隔）も同じく２倍に拡がっているので、この間隙にそれぞれ５本の引き出し配線１３３を形成することができる。従って、３列に並んだ信号端子１２１Ｓから延びる信号配線を、この第３絶縁層１１３と第４絶縁層１１４との層間だけで、一挙に外周側に引き出すことができる。
【００３９】
第４絶縁層１１４には、図１に示すように、これを貫通し、引き出し配線１３３の他端または第３ビア導体１３１の一部にそれぞれ接続する直径約６５μｍのフィルドビア導体である第４ビア導体１３５が多数形成されている。これらの第４ビア導体１３５には、電源電位や接地電位とされる第３ビア導体１３１に接続し、電源電位や接地電位とされるビア導体と、引き出し配線１３３に１対１で接続し、信号を伝送するビア導体（第４信号ビア導体１３５Ｓ）がある。
【００４０】
絶縁層の裏面側最表面、即ち、第４絶縁層１１４の裏面側表面には、図１に示すように、マザーボードの端子にそれぞれ接続される裏面端子１３７が多数形成されている。具体的には、裏面端子１３７は、表面全体に約１．０ｍｍの間隔で略格子状に配置されている。各々の裏面端子１３７は、直径約７００μｍの平面視円形状の略板形状をなし、その中央部が裏面側ソルダーレジスト層１１７に形成された直径約５５０μｍの裏面側開口１１７Ｋ内に露出している。裏面端子１３７には、電源電位や接地電位とされる第４ビア導体１３５に接続し、電源電位や接地電位とされる端子と、第４信号ビア導体１３５Ｓに接続し、信号を伝送する端子（信号裏面端子１３７Ｓ）がある。
【００４１】
以上の説明から明らかなように、この多層配線基板１０１は、端子１２１と裏面端子１３７がそれぞれ導通している。信号を伝送する経路に着目すると、信号配線は、信号端子１２１Ｓから、シフト配線１２２、第１信号ビア導体１２３Ｓ、第２信号ビア導体１２７Ｓ、第３信号ビア導体１３１Ｓ、引き出し配線１３３、第４信号ビア導体１３５Ｓを介して、信号裏面端子１４７Ｓに至る。つまり、信号配線は、信号端子１２１Ｓから、シフト配線１２２により僅かに移動され、第１信号ビア導体１２３Ｓ、第２信号ビア導体１２７Ｓ及び第３信号ビア導体１３１Ｓからなるビア導体を介した後、引き出し配線１３３により外周側に引き出される。そして、第４信号ビア導体１３５Ｓを介して、信号裏面端子１４７Ｓまで延びる。
【００４２】
以上で述べたように、この多層配線基板１０１は、略格子状に並ぶ端子１２１の外周側の３列に、信号端子１２１Ｓが配置されている。そして、これらの信号端子１２１Ｓは、１対１で対応して、シフト配線１２２を介して間接的に信号ビア導体（第１ビア導体１２３Ｓ）に接続している。これらの第１信号ビア導体１２３Ｓのうち、１列目信号端子１２１Ｓ１及び２列目信号端子１２１Ｓ２に導通する第１信号ビア導体１２３Ｓは、信号端子１２１Ｓのなす外周側の３列と直交し所定の間隔をあけて並ぶ複数の仮想直線ＫＴ上に２ｎ個（４個）ずつ配置されている。また、これらの第１信号ビア導体１２３Ｓと第２信号ビア導体１２７Ｓを介して接続する第３信号ビア導体１３１Ｓは、即ち、第１〜第３信号ビア導体１２３Ｓ，１２７Ｓ，１３１Ｓからなるビア導体は、１対１で対応して、引き出し配線１３３に接続している。
【００４３】
つまり、この多層配線基板１０１は、シフト配線１２２により、信号ビア導体（第１信号ビア導体１２３Ｓ）の位置をこれに導通する信号端子１２１Ｓの位置から移動させている。即ち、１列目信号端子１２１Ｓ１及び２列目信号端子１２１Ｓ２に導通する第１信号ビア導体１２３Ｓが、信号端子１２１Ｓのなす外周側の３列と直交し所定の間隔をあけて並ぶ複数の仮想直線ＫＴ上に２ｎ個（４個）ずつ配置されるように、移動させている。そしてその後、引き出し配線１３３により、信号端子１２１Ｓから延びる信号配線を外周側に引き出している。従って、この多層配線基板１０１では、外周側の３列に配置された信号端子１２１Ｓから延びる信号配線を、２層以上に分けることなく、一挙に外周側に引き出すことができる。
【００４４】
さらに、本実施形態１では、シフト配線１２２の長さは、いずれも端子１２１のなす格子間隔の７倍以下と短くされている。このため、信号ビア導体（第１信号ビア導体１２３Ｓ）の移動距離、即ち、第１信号ビア導体１２３Ｓとこれに導通する信号端子１２１Ｓとの距離を小さくすることができる。つまり、第１信号ビア導体１２３Ｓの位置を僅かに移動させるだけで、外周側の３列に配置された信号端子１２１Ｓから延びる信号配線を、一挙に外周側に引き出すことができる。
また、本実施形態１では、各々の仮想直線ＫＴ上に並ぶ信号ビア導体（第１信号ビア導体１２３Ｓ）の数（４個）が最も少なくされている。このため、第１信号ビア導体１２３Ｓの移動距離を小さくすることができる。つまり、第１信号ビア導体１２３Ｓの位置を僅かに移動させるだけで、外周側の３列に配置された信号端子１２１Ｓから延びる信号配線を、一挙に外周側に引き出すことができる。
【００４５】
また、本実施形態１では、仮想直線ＫＴはいずれも信号端子１２１Ｓ上を通る。そして、一の仮想直線ＫＴに着目すると、この仮想直線ＫＴ上に配置された４個の信号ビア導体（第１信号ビア導体１２３Ｓ）のうち２個は、この仮想直線ＫＴ上に位置する線上１列目信号端子１２１Ｓ１Ｌと線上２列目信号端子１２１Ｓ２Ｌに、シフト配線１２２を介して導通する。従って、これら２個の第１信号ビア導体１２３Ｓは、これらに導通する信号端子１２１Ｓから近い位置にある。一方、この仮想直線ＫＴ上に配置された４個の第１信号ビア導体１２３Ｓのうち残り２個は、これらの線上１列目信号端子１２１Ｓ１Ｌ及び線上２列目信号端子１２１Ｓ２Ｌと隣り合う全部で４個の１列目信号端子１２１Ｓ１及び２列目信号端子１２１Ｓ２のうちから選択した２個の信号端子１２１Ｓに、シフト配線１２２を介して接続する。従って、これら２個の第１信号ビア導体１２３Ｓも、これらに導通する信号端子１２１Ｓから近い位置にある。つまり、第１信号ビア導体１２３Ｓの位置を僅かに移動させるだけで、外周側の３列に配置された信号端子１２１Ｓから延びる信号配線を、一挙に外周側に引き出すことができる。
【００４６】
（実施形態２）
次いで、第２の実施の形態について説明する。なお、上記実施形態１と同様な部分の説明は、省略または簡略化する。
本実施形態２の多層配線基板２０１は、シフト配線１２２によるシフト方法が上記実施形態１と異なる。図９にシフト配線１２２等の一部を模式的に示した説明図を示す。また、図１０に引き出し配線１３３等の一部を模式的に示した説明図を示す。
【００４７】
図９に示すように、外周側の３列に配置された信号端子１２１Ｓのうち、１列目信号端子１２１Ｓ１と２列目信号端子１２１Ｓ２は、いずれもシフト配線１２２を介して第１信号ビア導体１２３Ｓに接続している。シフト配線１２２の長さは、いずれも端子１２１のなす格子間隔の７倍以下である。一方、３列目信号端子１２１Ｓ３は、第１信号ビア導体１２３Ｓに直接接続している。
１列目信号端子１２１Ｓ１及び２列目信号端子１２１Ｓ２に導通する第１信号ビア導体１２３Ｓは、上記３列と直交する仮想直線ＫＴ上に４個ずつ配置されている。これらの仮想直線ＫＴは、いずれも信号端子１２１Ｓ上を通っている。
【００４８】
一の仮想直線ＫＴに着目すると、この上に配置された４個の第１信号ビア導体１２３Ｓのうち、２個の第１信号ビア導体１２３Ｓは、この仮想直線ＫＴ上に位置する線上１列目信号端子１２１Ｓ１Ｌ及び線上２列目信号端子１２１Ｓ２Ｌに、シフト配線１２２を介して接続している。また、残り２個の第１信号ビア導体１２３Ｓは、これらの信号端子１２１Ｓ１Ｌ，１２１Ｓ２Ｌと隣り合う全部で４個の１列目信号端子１２１Ｓ１及び２列目信号端子１２１Ｓ２のうちから選択した２個の信号端子１２１Ｓ、具体的には、仮想直線ＫＴよりも図中右側の１列目信号端子１２１Ｓ１と２列目信号端子１２１Ｓ２に、シフト配線１２２を介して接続している。
また、シフト方法が異なることによって、図１０に示すように、引き出し配線１３３の長さや形状が上記実施形態１と異なっている。
【００４９】
このような多層配線基板２０１も、上記実施形態１と同様に、外周側の３列に配置された信号端子１２１Ｓから延びる信号配線を、２層以上に分けることなく、一挙に外周側に引き出すことができる。
その上、本実施形態２では、３列目信号端子１２１Ｓ３が、信号ビア導体（第１信号ビア導体１２３Ｓ）に直接接続しているので、これらの第１信号ビア導体１２３Ｓはシフト配線１２２により移動させる必要がない。このため、１列目信号端子１２１Ｓ１及び２列目信号端子１２１Ｓ２に導通する第１信号ビア導体１２３Ｓだけを移動させれば足りる。なお、その他、上記実施形態１と同様な部分は同様な効果を奏する。
【００５０】
（実施形態３）
次いで、第３の実施の形態について説明する。なお、上記実施形態１と同様な部分の説明は、省略または簡略化する。
本実施形態３の多層配線基板３０１は、シフト配線１２２によるシフト方法が上記実施形態１と異なる。図１１にシフト配線１２２等の一部を模式的に示した説明図を示す。また、図１２に引き出し配線１３３等の一部を模式的に示した説明図を示す。
【００５１】
図１１に示すように、１列目信号端子１２１Ｓ１のうち、仮想直線ＫＴ上に位置する線上１列目信号端子１２１Ｓ１Ｌは、第１信号ビア導体１２３Ｓに直接接続し、その他の１列目信号端子１２１Ｓ１は、シフト配線１２２を介して第１信号ビア導体１２３Ｓに接続している。一方、２列目信号端子１２１Ｓ２と３列目信号端子１２１Ｓ３は、いずれもシフト配線１２２を介して第１信号ビア導体１２３Ｓに接続している。シフト配線１２２の長さは、いずれも端子１２１のなす格子間隔の６倍以下である。
１列目信号端子１２１Ｓ１及び２列目信号端子１２１Ｓ２に導通する第１信号ビア導体１２３Ｓは、上記３列と直交し約４００μｍの間隔をあけて並ぶ多数の仮想直線ＫＴ上に４個ずつ配置されている。これらの仮想直線ＫＴは、いずれも信号端子１２１Ｓ上を通っている。一方、３列目信号端子１２１Ｓ３に導通する第１信号ビア導体１２３Ｓは、上記３列と平行に配置されている。
【００５２】
一の仮想直線ＫＴに着目すると、この上に配置された４個の第１信号ビア導体１２３Ｓのうち、２個の第１信号ビア導体１２３Ｓは、この仮想直線ＫＴ上に位置する線上１列目信号端子１２１Ｓ１Ｌに直接接続し、また、線上２列目信号端子１２１Ｓ２Ｌにシフト配線１２２を介して接続している。また、残り２個の第１信号ビア導体１２３Ｓは、これらの信号端子１２１Ｓ１Ｌ，１２１Ｓ２Ｌと隣り合う全部で４個の１列目信号端子１２１Ｓ１及び２列目信号端子１２１Ｓ２のうちから選択した２個の信号端子１２１Ｓ、具体的には、仮想直線ＫＴよりも図中右側の１列目信号端子１２１Ｓ１と２列目信号端子１２１Ｓ２に、シフト配線１２２を介して接続している。
また、シフト方法が異なることによって、図１２に示すように、引き出し配線１３３の長さや形状が上記実施形態１と異なっている。
【００５３】
このような多層配線基板３０１は、上記実施形態１と同様に、外周側の３列に配置された信号端子１２１Ｓから延びる信号配線を、２層以上に分けることなく、一挙に外周側に引き出すことができる。
その上、本実施形態３では、線上１列目信号端子１２１Ｓ１Ｌが信号ビア導体（第１信号ビア導体１２３Ｓ）に直接接続しているので、これらの第１信号ビア導体１２３Ｓはシフト配線１２２により移動させる必要がない。このため、線上１列目信号端子１２１Ｓ１Ｌ以外の信号端子１２１Ｓ１に導通する第１信号ビア導体１２３Ｓだけを移動させれば足りる。なお、その他、上記実施形態１と同様な部分は同様な効果を奏する。
【００５４】
（実施形態４）
次いで、第４の実施の形態について説明する。なお、上記実施形態１と同様な部分の説明は、省略または簡略化する。
本実施形態４の多層配線基板４０１は、シフト配線１２２によるシフト方法が上記実施形態１と異なる。図１３にシフト配線１２２等の一部を模式的に示した説明図を示す。また、図１４に引き出し配線１３３等の一部を模式的に示した説明図を示す。
【００５５】
図１３に示すように、１列目信号端子１２１Ｓ１のうち、仮想直線ＫＴ上に位置する線上１列目信号端子１２１Ｓ１Ｌは、第１信号ビア導体１２３Ｓに直接接続し、その他の１列目信号端子１２１Ｓ１は、シフト配線１２２を介して第１信号ビア導体１２３Ｓに接続している。一方、２列目信号端子１２１Ｓ２は、いずれもシフト配線１２２を介して第１信号ビア導体１２３Ｓに接続している。シフト配線１２２の長さは、いずれも端子１２１のなす格子間隔の６倍以下である。他方、３列目信号端子１２１Ｓ３は、いずれも第１信号ビア導体１２３Ｓに直接接続している。
１列目信号端子１２１Ｓ１及び２列目信号端子１２１Ｓ２に導通する第１信号ビア導体１２３Ｓは、上記３列と直交し約４００μｍの間隔をあけて並ぶ多数の仮想直線ＫＴ上に４個ずつ配置されている。これらの仮想直線ＫＴは、いずれも信号端子１２１Ｓ上を通っている。
【００５６】
一の仮想直線ＫＴに着目すると、この上に配置された４個の第１信号ビア導体１２３Ｓのうち、２個の第１信号ビア導体１２３Ｓは、この仮想直線ＫＴ上に位置する線上１列目信号端子１２１Ｓ１Ｌに直接接続し、また、線上２列目信号端子１２１Ｓ２Ｌにシフト配線１２２を介して接続している。また、残り２個の第１信号ビア導体１２３Ｓは、これらの信号端子１２１Ｓ１Ｌ，１２１Ｓ２Ｌと隣り合う全部で４個の１列目信号端子１２１Ｓ１及び２列目信号端子１２１Ｓ２のうちから選択した２個の信号端子１２１Ｓ、具体的には、仮想直線ＫＴよりも図中右側の１列目信号端子１２１Ｓ１と２列目信号端子１２１Ｓ２に、シフト配線１２２を介して接続している。
また、シフト方法が異なることによって、図１４に示すように、引き出し配線１３３の長さや形状が上記実施形態１と異なっている。
【００５７】
このような多層配線基板４０１も、上記実施形態１と同様に、外周側の３列に配置された信号端子１２１Ｓから延びる信号配線を、２層以上に分けることなく、一挙に外周側に引き出すことができる。
その上、本実施形態４では、３列目信号端子１２１Ｓ３が信号ビア導体（第１信号ビア導体１２３Ｓ）に直接接続しているので、これらの第１信号ビア導体１２３Ｓはシフト配線１２２により移動させる必要がない。さらに、線上１列目信号端子１２１Ｓ１Ｌも第１信号ビア導体１２３Ｓに直接接続しているので、これらの第１信号ビア導体１２３Ｓもシフト配線１２２により移動させる必要がない。このため、線上１列目信号端子１２１Ｓ１Ｌと３列目信号端子１２１Ｓ３を除いた信号端子１２１Ｓに導通する第１信号ビア導体１２３Ｓだけを移動させれば足りる。なお、その他、上記実施形態１と同様な部分は同様な効果を奏する。
【００５８】
（実施形態５）
次いで、第５の実施の形態について説明する。なお、上記実施形態１と同様な部分の説明は、省略または簡略化する。
本実施形態５の多層配線基板５０１は、シフト配線１２２によるシフト方法が上記実施形態１と異なる。図１５にシフト配線１２２等の一部を模式的に示した説明図を示す。また、図１６に引き出し配線１３３等の一部を模式的に示した説明図を示す。
【００５９】
図１５に示すように、１列目信号端子１２１Ｓ１のうち、仮想直線ＫＴ上に位置する線上１列目信号端子１２１Ｓ１Ｌは、第１信号ビア導体１２３Ｓに直接接続し、その他の１列目信号端子１２１Ｓ１は、シフト配線１２２を介して第１信号ビア導体１２３Ｓに接続している。同様に、２列目信号端子１２１Ｓ２のうち、仮想直線ＫＴ上に位置する線上２列目信号端子１２１Ｓ２Ｌは、第１信号ビア導体１２３Ｓに直接接続し、その他の２列目信号端子１２１Ｓ２は、シフト配線１２２を介して第１信号ビア導体１２３Ｓに接続している。一方、３列目信号端子１２１Ｓ３は、いずれもシフト配線１２２を介して第１信号ビア導体１２３Ｓに接続している。シフト配線１２２の長さは、いずれも端子１２１のなす格子間隔の５倍以下である。
１列目信号端子１２１Ｓ１及び２列目信号端子１２１Ｓ２に導通する第１信号ビア導体１２３Ｓは、上記３列と直交し約４００μｍの間隔をあけて並ぶ多数の仮想直線ＫＴ上に４個ずつ配置されている。これらの仮想直線ＫＴは、いずれも信号端子１２１Ｓ上を通っている。一方、３列目信号端子１２１Ｓ３に導通する第１信号ビア導体１２３Ｓは、上記３列と平行に配置されている。
【００６０】
一の仮想直線ＫＴに着目すると、この上に配置された４個の第１信号ビア導体１２３Ｓのうち、２個の第１信号ビア導体１２３Ｓは、この仮想直線ＫＴ上に位置する線上１列目信号端子１２１Ｓ１Ｌ及び線上２列目信号端子１２１Ｓ２Ｌに直接接続している。また、残り２個の第１信号ビア導体１２３Ｓは、これらの信号端子１２１Ｓ１Ｌ，１２１Ｓ２Ｌと隣り合う全部で４個の１列目信号端子１２１Ｓ１及び２列目信号端子１２１Ｓ２のうちから選択した２個の信号端子１２１Ｓ、具体的には、仮想直線ＫＴよりも図中右側の１列目信号端子１２１Ｓ１と２列目信号端子１２１Ｓ２に、シフト配線１２２を介して接続している。
また、シフト方法が異なることによって、図１６に示すように、引き出し配線１３３の長さや形状が上記実施形態１と異なっている。
【００６１】
このような多層配線基板５０１も、上記実施形態１と同様に、外周側の３列に配置された信号端子１２１Ｓから延びる信号配線を、２層以上に分けることなく、一挙に外周側に引き出すことができる。
その上、本実施形態５では、線上１列目信号端子１２１Ｓ１Ｌが信号ビア導体（第１信号ビア導体１２３Ｓ）に直接接続しているので、これらの第１信号ビア導体１２３Ｓをシフト配線１２２により移動させる必要がない。さらに、線上２列目信号端子１２１Ｓ１Ｌも第１信号ビア導体１２３Ｓに直接接続しているので、これらの第１信号ビア導体１２３Ｓもシフト配線１２２により移動させる必要がない。このため、線上１列目信号端子１２１Ｓ１Ｌと線上２列目信号端子１２１Ｓ２Ｌを除いた信号端子１２１Ｓに導通する第１信号ビア導体１２３Ｓだけを移動させれば足りる。なお、その他、上記実施形態１と同様な部分は同様な効果を奏する。
【００６２】
（実施形態６）
次いで、第６の実施の形態について説明する。なお、上記実施形態１と同様な部分の説明は、省略または簡略化する。
本実施形態６の多層配線基板６０１は、シフト配線１２２によるシフト方法が上記実施形態１と異なる。図１７にシフト配線１２２等の一部を模式的に示した説明図を示す。また、図１８に引き出し配線１３３等の一部を模式的に示した説明図を示す。
【００６３】
図１７に示すように、１列目信号端子１２１Ｓ１のうち、仮想直線ＫＴ上に位置する線上１列目信号端子１２１Ｓ１Ｌは、第１信号ビア導体１２３Ｓに直接接続し、その他の１列目信号端子１２１Ｓ１は、シフト配線１２２を介して第１信号ビア導体１２３Ｓに接続している。同様に、２列目信号端子１２１Ｓ２のうち、仮想直線ＫＴ上に位置する線上２列目信号端子１２１Ｓ２Ｌは、第１信号ビア導体１２３Ｓに直接接続し、その他の２列目信号端子１２１Ｓ２は、シフト配線１２２を介して第１信号ビア導体１２３Ｓに接続している。シフト配線１２２の長さは、いずれも端子１２１のなす格子間隔の５倍以下である。一方、３列目信号端子１２１Ｓ３は、いずれも第１信号ビア導体１２３Ｓに直接接続している。
１列目信号端子１２１Ｓ１及び２列目信号端子１２１Ｓ２に導通する第１信号ビア導体１２３Ｓは、上記３列と直交し約４００μｍの間隔をあけて並ぶ多数の仮想直線ＫＴ上に４個ずつ配置されている。これらの仮想直線ＫＴは、いずれも信号端子１２１Ｓ上を通っている。
【００６４】
一の仮想直線ＫＴに着目すると、この上に配置された４個の第１信号ビア導体１２３Ｓのうち、２個の第１信号ビア導体１２３Ｓは、この仮想直線ＫＴ上に位置する線上１列目信号端子１２１Ｓ１Ｌ及び線上２列目信号端子１２１Ｓ２Ｌに直接接続している。また、残り２個の第１信号ビア導体１２３Ｓは、これらの信号端子１２１Ｓ１Ｌ，１２１Ｓ２Ｌと隣り合う全部で４個の１列目信号端子１２１Ｓ１及び２列目信号端子１２１Ｓ２のうちから選択した２個の信号端子１２１Ｓ、具体的には、仮想直線ＫＴよりも図中右側の１列目信号端子１２１Ｓ１と２列目信号端子１２１Ｓ２に、シフト配線１２２を介して接続している。
また、シフト方法が異なることによって、図１８に示すように、引き出し配線１３３の長さや形状が上記実施形態１と異なっている。
【００６５】
このような多層配線基板６０１も、上記実施形態１と同様に、外周側の３列に配置された信号端子１２１Ｓから延びる信号配線を、２層以上に分けることなく、一挙に外周側に引き出すことができる。
その上、本実施形態６では、線上１列目信号端子１２１Ｓ１Ｌが、信号ビア導体（第１信号ビア導体１２３Ｓ）に直接接続しているので、これらの第１信号ビア導体１２３Ｓをシフト配線１２２により移動させる必要がない。さらに、線上２列目信号端子１２１Ｓ２Ｌも、第１信号ビア導体１２３Ｓに直接接続しているので、これらの第１信号ビア導体１２３Ｓもシフト配線１２２により移動させる必要がない。また、３列目信号端子１２１Ｓ３も、第１信号ビア導体１２３Ｓに直接接続しているので、これらの第１信号ビア導体１２３Ｓもシフト配線１２２により移動させる必要がない。このため、線上１列目信号端子１２１Ｓ１Ｌと線上２列目信号端子１２１Ｓ２Ｌと３列目信号端子１２１Ｓ３を除いた信号端子１２１Ｓに導通する第１信号ビア導体１２３Ｓだけを移動させれば足りる。なお、その他、上記実施形態１と同様な部分は同様な効果を奏する。
【００６６】
（実施形態７）
次いで、第７の実施の形態について説明する。なお、上記実施形態１と同様な部分の説明は、省略または簡略化する。
本実施形態７の多層配線基板７０１は、シフト配線１２２によるシフト方法が上記実施形態１と異なる。図１９にシフト配線１２２等の一部を模式的に示した説明図を示す。また、図２０に引き出し配線１３３等の一部を模式的に示した説明図を示す。
【００６７】
図１９に示すように、１列目信号端子１２１Ｓ１のうち、仮想直線ＫＴ上に位置する線上１列目信号端子１２１Ｓ１Ｌは、第１信号ビア導体１２３Ｓに直接接続し、その他の１列目信号端子１２１Ｓ１は、シフト配線１２２を介して第１信号ビア導体１２３Ｓに接続している。同様に、２列目信号端子１２１Ｓ２のうち、仮想直線ＫＴ上に位置する線上２列目信号端子１２１Ｓ２Ｌは、第１信号ビア導体１２３Ｓに直接接続し、その他の２列目信号端子１２１Ｓ２は、シフト配線１２２を介して第１信号ビア導体１２３Ｓに接続している。一方、３列目信号端子１２１Ｓ３は、いずれもシフト配線１２２を介して第１信号ビア導体１２３Ｓに接続している。シフト配線１２２の長さは、いずれも端子１２１のなす格子間隔の３倍以下である。
１列目信号端子１２１Ｓ１及び２列目信号端子１２１Ｓ２に導通する第１信号ビア導体１２３Ｓは、上記３列と直交し約４００μｍの間隔をあけて並ぶ多数の仮想直線ＫＴ上に４個ずつ配置されている。これらの仮想直線ＫＴは、いずれも信号端子１２１Ｓ上を通っている。一方、３列目信号端子１２１Ｓ３に導通する第１信号ビア導体１２３Ｓは、上記３列と平行に配置されている。
【００６８】
一の仮想直線ＫＴに着目すると、この上に配置された４個の第１信号ビア導体１２３Ｓのうち、２個の第１信号ビア導体１２３Ｓは、この仮想直線ＫＴ上に位置する線上１列目信号端子１２１Ｓ１Ｌ及び線上２列目信号端子１２１Ｓ２Ｌに直接接続している。また、残り２個の第１信号ビア導体１２３Ｓは、これらの信号端子１２１Ｓ１Ｌ，１２１Ｓ２Ｌと隣り合う全部で４個の１列目信号端子１２１Ｓ１及び２列目信号端子１２１Ｓ２のうちから選択した２個の信号端子１２１Ｓ、具体的には、仮想直線ＫＴよりも図中右側の１列目信号端子１２１Ｓ１と２列目信号端子１２１Ｓ２に、シフト配線１２２を介して接続している。
また、シフト方法が異なることによって、図２０に示すように、引き出し配線１３３の長さや形状が上記実施形態１と異なっている。
【００６９】
このような多層配線基板７０１も、上記実施形態１と同様に、外周側の３列に配置された信号端子１２１Ｓから延びる信号配線を、２層以上に分けることなく、一挙に外周側に引き出すことができる。
その上、本実施形態７では、線上１列目信号端子１２１Ｓ１Ｌが、信号ビア導体（第１信号ビア導体１２３Ｓ）に直接接続しているので、これらの第１信号ビア導体１２３Ｓをシフト配線１２２により移動させる必要がない。さらに、線上２列目信号端子１２１Ｓ２Ｌも、第１信号ビア導体１２３Ｓに直接接続しているので、これらの第１信号ビア導体１２３Ｓもシフト配線１２２により移動させる必要がない。このため、線上１列目信号端子１２１Ｓ１Ｌと線上２列目信号端子１２１Ｓ２Ｌを除いた信号端子１２１Ｓに導通する第１信号ビア導体１２３Ｓだけを移動させれば足りる。なお、その他、上記実施形態１と同様な部分は同様な効果を奏する。
【００７０】
（実施形態８）
次いで、第８の実施の形態について説明する。なお、上記実施形態１と同様な部分の説明は、省略または簡略化する。
本実施形態８の多層配線基板８０１は、シフト配線１２２によるシフト方法が上記実施形態１と異なる。図２１にシフト配線１２２等の一部を模式的に示した説明図を示す。また、図２２に引き出し配線１３３等の一部を模式的に示した説明図を示す。
【００７１】
図２１に示すように、１列目信号端子１２１Ｓ１のうち、仮想直線ＫＴ上に位置する線上１列目信号端子１２１Ｓ１Ｌは、第１信号ビア導体１２３Ｓに直接接続し、その他の１列目信号端子１２１Ｓ１は、シフト配線１２２を介して第１信号ビア導体１２３Ｓに接続している。同様に、２列目信号端子１２１Ｓ２のうち、仮想直線ＫＴ上に位置する線上２列目信号端子１２１Ｓ２Ｌは、第１信号ビア導体１２３Ｓに直接接続し、その他の２列目信号端子１２１Ｓ２はシフト配線１２２を介して、第１信号ビア導体１２３Ｓに接続している。一方、３列目信号端子１２１Ｓ３は、いずれも第１信号ビア導体１２３Ｓに直接接続している。シフト配線１２２の長さは、いずれも端子１２１のなす格子間隔の３倍以下である。１列目信号端子１２１Ｓ１及び２列目信号端子１２１Ｓ２に導通する第１信号ビア導体１２３Ｓは、上記３列と直交し約４００μｍの間隔をあけて並ぶ多数の仮想直線ＫＴ上に４個ずつ配置されている。これらの仮想直線ＫＴは、いずれも信号端子１２１Ｓ上を通っている。
【００７２】
一の仮想直線ＫＴに着目すると、この上に配置された４個の第１信号ビア導体１２３Ｓのうち、２個の第１信号ビア導体１２３Ｓは、この仮想直線ＫＴ上に位置する線上１列目信号端子１２１Ｓ１Ｌ及び線上２列目信号端子１２１Ｓ２Ｌに直接接続している。また、残り２個の第１信号ビア導体１２３Ｓは、これらの端子１２１Ｓ１Ｌ，１２１Ｓ２Ｌと隣り合う全部で４個の１列目信号端子１２１Ｓ１及び２列目信号端子１２１Ｓ２のうちから選択した２個の信号端子１２１Ｓ、具体的には、仮想直線ＫＴよりも図中右側の１列目信号端子１２１Ｓ１と２列目信号端子１２１Ｓ２に、シフト配線１２２を介して接続している。
また、シフト方法が異なることによって、図２２に示すように、引き出し配線１３３の長さや形状が上記実施形態１と異なっている。
【００７３】
このような多層配線基板８０１も、上記実施形態１と同様に、外周側の３列に配置された信号端子１２１Ｓから延びる信号配線を、２層以上に分けることなく、一挙に外周側に引き出すことができる。
その上、本実施形態８では、線上１列目信号端子１２１Ｓ１Ｌが、信号ビア導体（第１信号ビア導体１２３Ｓ）に直接接続しているので、これらの第１信号ビア導体１２３Ｓをシフト配線１２２により移動させる必要がない。さらに、線上２列目信号端子１２１Ｓ２Ｌも、第１信号ビア導体１２３Ｓに直接接続しているので、これらの第１信号ビア導体１２３Ｓもシフト配線１２２により移動させる必要がない。また、３列目信号端子１２１Ｓ３も、第１信号ビア導体１２３Ｓに直接接続しているので、これらの第１信号ビア導体１２３Ｓもシフト配線１２２により移動させる必要がない。このため、線上１列目信号端子１２１Ｓ１Ｌと線上２列目信号端子１２１Ｓ２Ｌと３列目信号端子１２１Ｓ３を除いた信号端子１２１Ｓに導通する第１信号ビア導体１２３Ｓだけを移動させれば足りる。なお、その他、上記実施形態１と同様な部分は同様な効果を奏する。
【００７４】
（実施形態９）
次いで、第９の実施の形態について説明する。なお、上記実施形態１と同様な部分の説明は、省略または簡略化する。
本実施形態９の多層配線基板９０１は、シフト配線１２２によるシフト方法が上記実施形態１と異なる。図２３にシフト配線１２２等の一部を模式的に示した説明図を示す。また、図２４に引き出し配線１３３等の一部を模式的に示した説明図を示す。
【００７５】
図２３に示すように、１列目信号端子１２１Ｓ１、２列目信号端子１２１Ｓ２及び３列目信号端子１２１Ｓ３は、いずれもシフト配線１２２を介して第１信号ビア導体１２３Ｓに接続している。シフト配線１２２の長さは、いずれも端子１２１のなす格子間隔の６倍以下である。
１列目信号端子１２１Ｓ１及び２列目信号端子１２１Ｓ２に導通する第１信号ビア導体１２３Ｓは、上記３列と直交し約４００μｍの間隔をあけて並ぶ多数の仮想直線ＫＴ上に４個ずつ配置されている。これらの仮想直線ＫＴは、いずれも信号端子１２１Ｓ上を通っている。一方、３列目信号端子１２１Ｓ３に導通する第１信号ビア導体１２３Ｓは、上記３列と平行に配置されている。
【００７６】
一の仮想直線ＫＴに着目すると、この上に配置された４個の第１信号ビア導体１２３Ｓのうち、２個の第１信号ビア導体１２３Ｓは、この仮想直線ＫＴ上に位置する線上１列目信号端子１２１Ｓ１Ｌ及び線上２列目信号端子１２１Ｓ２Ｌに、シフト配線１２２を介して接続している。また、残り２個の第１信号ビア導体１２３Ｓは、これらの端子１２１Ｓ１Ｌ，１２１Ｓ２Ｌと隣り合う全部で４個の１列目信号端子１２１Ｓ１及び２列目信号端子１２１Ｓ２のうちから選択した２個の信号端子１２１Ｓ、具体的には、仮想直線ＫＴよりも図中右側の１列目信号端子１２１Ｓ１と図中左側の２列目信号端子１２１Ｓ２に、シフト配線１２２を介して接続している。
また、シフト方法が異なることによって、図２４に示すように、引き出し配線１３３の長さや形状が上記実施形態１と異なっている。
【００７７】
このような多層配線基板９０１も、上記実施形態１と同様に、外周側の３列に配置された信号端子１２１Ｓから延びる信号配線を、２層以上に分けることなく、一挙に外周側に引き出すことができる。また、その他、上記実施形態１と同様な部分は同様な効果を奏する。
【００７８】
（実施形態１０）
次いで、第１０の実施の形態について説明する。なお、上記実施形態１と同様な部分の説明は、省略または簡略化する。
本実施形態１０の多層配線基板１００１は、シフト配線１２２によるシフト方法が上記実施形態１と異なる。図２５にシフト配線１２２等の一部を模式的に示した説明図を示す。また、図２６に引き出し配線１３３等の一部を模式的に示した説明図を示す。
【００７９】
図２５に示すように、１列目信号端子１２１Ｓ１及び２列目信号端子１２１Ｓ２は、いずれもシフト配線１２２を介して第１信号ビア導体１２３Ｓに接続している。一方、３列目信号端子１２１Ｓ３は、いずれも第１信号ビア導体１２３Ｓに直接接続している。シフト配線１２２の長さは、いずれも端子１２１のなす格子間隔の６倍以下である。
１列目信号端子１２１Ｓ１及び２列目信号端子１２１Ｓ２に導通する第１信号ビア導体１２３Ｓは、上記３列と直交し約４００μｍの間隔をあけて並ぶ多数の仮想直線ＫＴ上に４個ずつ配置されている。これらの仮想直線ＫＴは、いずれも信号端子１２１Ｓ上を通っている。
【００８０】
一の仮想直線ＫＴに着目すると、この上に配置された４個の第１信号ビア導体１２３Ｓのうち、２個の第１信号ビア導体１２３Ｓは、この仮想直線ＫＴ上に位置する線上１列目信号端子１２１Ｓ１Ｌ及び線上２列目信号端子１２１Ｓ２Ｌに、シフト配線１２２を介して接続している。また、残り２個の第１信号ビア導体１２３Ｓは、これらの端子１２１Ｓ１Ｌ，１２１Ｓ２Ｌと隣り合う全部で４個の１列目信号端子１２１Ｓ１及び２列目信号端子１２１Ｓ２のうちから選択した２個の信号端子１２１Ｓ、具体的には、仮想直線ＫＴよりも図中右側の１列目信号端子１２１Ｓ１と図中左側の２列目信号端子１２１Ｓ２に、シフト配線１２２を介して接続している。
また、シフト方法が異なることによって、図２６に示すように、引き出し配線１３３の長さや形状が上記実施形態１と異なっている。
【００８１】
このような多層配線基板１００１も、上記実施形態１と同様に、外周側の３列に配置された信号端子１２１Ｓから延びる信号配線を、２層以上に分けることなく、一挙に外周側に引き出すことができる。
その上、本実施形態１０では、３列目信号端子１２１Ｓ３が、信号ビア導体（第１信号ビア導体１２３Ｓ）に直接接続しているので、これらの第１信号ビア導体１２３Ｓをシフト配線１２２により移動させる必要がない。このため、１列目信号端子１２１Ｓ１と２列目信号端子１２１Ｓ２に導通する第１信号ビア導体１２３Ｓだけを移動させれば足りる。なお、その他、上記実施形態１と同様な部分は同様な効果を奏する。
【００８２】
（実施形態１１）
次いで、第１１の実施の形態について説明する。なお、上記実施形態１と同様な部分の説明は、省略または簡略化する。
本実施形態１１の多層配線基板１１０１は、シフト配線１２２によるシフト方法が上記実施形態１と異なる。図２７にシフト配線１２２等の一部を模式的に示した説明図を示す。また、図２８に引き出し配線１３３等の一部を模式的に示した説明図を示す。
【００８３】
図２７に示すように、１列目信号端子１２１Ｓ１、２列目信号端子１２１Ｓ２及び３列目信号端子１２１Ｓ３は、いずれもシフト配線１２２を介して第１信号ビア導体１２３Ｓに接続している。シフト配線１２２の長さは、いずれも端子１２１のなす格子間隔の５倍以下である。
１列目信号端子１２１Ｓ１及び２列目信号端子１２１Ｓ２に導通する第１信号ビア導体１２３Ｓは、上記３列と直交し約４００μｍの間隔をあけて並ぶ多数の仮想直線ＫＴ上に４個ずつ配置されている。これらの仮想直線ＫＴは、いずれも信号端子１２１Ｓ上を通っている。一方、３列目信号端子１２１Ｓ３に導通する第１信号ビア導体１２３Ｓは、上記３列と平行に並んでいる。
【００８４】
一の仮想直線ＫＴに着目すると、この上に配置された４個の第１信号ビア導体１２３Ｓのうち、２個の第１信号ビア導体１２３Ｓは、この仮想直線ＫＴ上に位置する線上１列目信号端子１２１Ｓ１Ｌ及び線上２列目信号端子１２１Ｓ２Ｌに、シフト配線１２２を介して接続している。また、残り２個の第１信号ビア導体１２３Ｓは、これらの端子１２１Ｓ１Ｌ，１２１Ｓ２Ｌと隣り合う全部で４個の１列目信号端子１２１Ｓ１及び２列目信号端子１２１Ｓ２のうちから選択した２個の信号端子１２１Ｓ、具体的には、仮想直線ＫＴよりも図中右側の１列目信号端子１２１Ｓ１と図中左側の２列目信号端子１２１Ｓ２に、シフト配線１２２を介して接続している。
また、シフト方法が異なることによって、図２８に示すように、引き出し配線１３３の長さや形状が上記実施形態１と異なっている。
【００８５】
このような多層配線基板１１０１も、上記実施形態１と同様に、外周側の３列に配置された信号端子１２１Ｓから延びる信号配線を、２層以上に分けることなく、一挙に外周側に引き出すことができる。また、その他、上記実施形態１と同様な部分は同様な効果を奏する。
【００８６】
（実施形態１２）
次いで、第１２の実施の形態について説明する。なお、上記実施形態１と同様な部分の説明は、省略または簡略化する。
本実施形態１２の多層配線基板１２０１は、シフト配線１２２によるシフト方法が上記実施形態１と異なる。図２９にシフト配線１２２等の一部を模式的に示した説明図を示す。また、図３０に引き出し配線１３３等の一部を模式的に示した説明図を示す。
【００８７】
図２９に示すように、１列目信号端子１２１Ｓ１及び２列目信号端子１２１Ｓ２は、いずれもシフト配線１２２を介して第１信号ビア導体１２３Ｓに接続している。シフト配線１２２の長さは、いずれも端子１２１のなす格子間隔の５倍以下である。一方、３列目信号端子１２１Ｓ３は、いずれも第１信号ビア導体１２３Ｓに直接接続している。
１列目信号端子１２１Ｓ１及び２列目信号端子１２１Ｓ２に導通する第１信号ビア導体１２３Ｓは、上記３列と直交し約４００μｍの間隔をあけて並ぶ多数の仮想直線ＫＴ上に４個ずつ配置されている。これらの仮想直線ＫＴは、いずれも信号端子１２１Ｓ上を通っている。
【００８８】
一の仮想直線ＫＴに着目すると、この上に配置された４個の第１信号ビア導体１２３Ｓのうち、２個の第１信号ビア導体１２３Ｓは、この仮想直線ＫＴ上に位置する線上１列目信号端子１２１Ｓ１Ｌ及び線上２列目信号端子１２１Ｓ２Ｌに、シフト配線１２２を介して接続している。また、残り２個の第１信号ビア導体１２３Ｓは、これらの端子１２１Ｓ１Ｌ，１２１Ｓ２Ｌと隣り合う全部で４個の１列目信号端子１２１Ｓ１及び２列目信号端子１２１Ｓ２のうちから選択した２個の信号端子１２１Ｓ、具体的には、仮想直線ＫＴよりも図中右側の１列目信号端子１２１Ｓ１と図中左側の２列目信号端子１２１Ｓ２に、シフト配線１２２を介して接続している。
また、シフト方法が異なることによって、図３０に示すように、引き出し配線１３３の長さや形状が上記実施形態１と異なっている。
【００８９】
このような多層配線基板１２０１も、上記実施形態１と同様に、外周側の３列に配置された信号端子１２１Ｓから延びる信号配線を、２層以上に分けることなく、一挙に外周側に引き出すことができる。
その上、本実施形態１２では、３列目信号端子１２１Ｓ３が、信号ビア導体（第１信号ビア導体１２３Ｓ）に直接接続しているので、これらの第１信号ビア導体１２３Ｓをシフト配線１２２により移動させる必要がない。このため、１列目信号端子１２１Ｓ１と２列目信号端子１２１Ｓ２に導通する第１信号ビア導体１２３Ｓだけを移動させれば足りる。なお、その他、上記実施形態１と同様な部分は同様な効果を奏する。
【００９０】
（実施形態１３）
次いで、第１３の実施の形態について説明する。なお、上記実施形態１と同様な部分の説明は、省略または簡略化する。
本実施形態１３の多層配線基板１３０１は、シフト配線１２２によるシフト方法が上記実施形態１と異なる。図３１にシフト配線１２２等の一部を模式的に示した説明図を示す。また、図３２に引き出し配線１３３等の一部を模式的に示した説明図を示す。
【００９１】
図３１に示すように、１列目信号端子１２１Ｓ１、２列目信号端子１２１Ｓ２及び３列目信号端子１２１Ｓ３は、いずれもシフト配線１２２を介して第１信号ビア導体１２３Ｓに接続している。シフト配線１２２の長さは、いずれも端子１２１のなす格子間隔の５倍以下である。
１列目信号端子１２１Ｓ１及び２列目信号端子１２１Ｓ２に導通する第１信号ビア導体１２３Ｓは、上記３列と直交し約４００μｍの間隔をあけて並ぶ多数の仮想直線ＫＴ上に４個ずつ配置されている。これらの仮想直線ＫＴは、いずれも信号端子１２１Ｓ上を通っている。一方、３列目信号端子１２１Ｓ３に導通する第１信号ビア導体１２３Ｓは、上記３列と平行に配置されている。
【００９２】
一の仮想直線ＫＴに着目すると、この上に配置された４個の第１信号ビア導体１２３Ｓのうち、２個の第１信号ビア導体１２３Ｓは、この仮想直線ＫＴ上に位置する線上１列目信号端子１２１Ｓ１Ｌ及び線上２列目信号端子１２１Ｓ２Ｌに、シフト配線１２２を介して接続している。また、残り２個の第１信号ビア導体１２３Ｓは、これらの端子１２１Ｓ１Ｌ，１２１Ｓ２Ｌと隣り合う全部で４個の１列目信号端子１２１Ｓ１及び２列目信号端子１２１Ｓ２のうちから選択した２個の信号端子１２１Ｓ、具体的には、仮想直線ＫＴよりも図中左側の１列目信号端子１２１Ｓ１と２列目信号端子１２１Ｓ２に、シフト配線１２２を介して接続している。
また、シフト方法が異なることによって、図３２に示すように、引き出し配線１３３の長さや形状が上記実施形態１と異なっている。
【００９３】
このような多層配線基板１３０１も、上記実施形態１と同様に、外周側の３列に配置された信号端子１２１Ｓから延びる信号配線を、２層以上に分けることなく、一挙に外周側に引き出すことができる。また、その他、上記実施形態１と同様な部分は同様な効果を奏する。
【００９４】
（実施形態１４）
次いで、第１４の実施の形態について説明する。なお、上記実施形態１と同様な部分の説明は、省略または簡略化する。
本実施形態１４の多層配線基板１４０１は、シフト配線１２２によるシフト方法が上記実施形態１と異なる。図３３にシフト配線１２２等の一部を模式的に示した説明図を示す。また、図３４に引き出し配線１３３等の一部を模式的に示した説明図を示す。
【００９５】
図３３に示すように、１列目信号端子１２１Ｓ１及び２列目信号端子１２１Ｓ２は、いずれもシフト配線１２２を介して第１信号ビア導体１２３Ｓに接続している。シフト配線１２２の長さは、いずれも端子１２１のなす格子間隔の５倍以下である。一方、３列目信号端子１２１Ｓ３は、いずれも第１信号ビア導体１２３Ｓに直接接続している。
１列目信号端子１２１Ｓ１及び２列目信号端子１２１Ｓ２に導通する第１信号ビア導体１２３Ｓは、上記３列と直交し約４００μｍの間隔をあけて並ぶ多数の仮想直線ＫＴ上に４個ずつ配置されている。これらの仮想直線ＫＴは、いずれも信号端子１２１Ｓ上を通っている。
【００９６】
一の仮想直線ＫＴに着目すると、この上に配置された４個の第１信号ビア導体１２３Ｓのうち、２個の第１信号ビア導体１２３Ｓは、この仮想直線ＫＴ上に位置する線上１列目信号端子１２１Ｓ１Ｌ及び線上２列目信号端子１２１Ｓ２Ｌに、シフト配線１２２を介して接続している。また、残り２個の第１信号ビア導体１２３Ｓは、これらの端子１２１Ｓ１Ｌ，１２１Ｓ２Ｌと隣り合う全部で４個の１列目信号端子１２１Ｓ１及び２列目信号端子１２１Ｓ２のうちから選択した２個の信号端子１２１Ｓ、具体的には、仮想直線ＫＴよりも図中左側の１列目信号端子１２１Ｓ１と２列目信号端子１２１Ｓ２に、シフト配線１２２を介して接続している。
また、シフト方法が異なることによって、図３４に示すように、引き出し配線１３３の長さや形状が上記実施形態１と異なっている。
【００９７】
このような多層配線基板１４０１も、上記実施形態１と同様に、外周側の３列に配置された信号端子１２１Ｓから延びる信号配線を、２層以上に分けることなく、一挙に外周側に引き出すことができる。
その上、本実施形態１４では、３列目信号端子１２１Ｓ３が、信号ビア導体（第１信号ビア導体１２３Ｓ）に直接接続しているので、これらの第１信号ビア導体１２３Ｓをシフト配線１２２により移動させる必要がない。このため、１列目信号端子１２１Ｓ１と２列目信号端子１２１Ｓ２に導通する第１信号ビア導体１２３Ｓだけを移動させれば足りる。なお、その他、上記実施形態１と同様な部分は同様な効果を奏する。
【００９８】
（実施形態１５）
次いで、第１５の実施の形態について説明する。なお、上記実施形態１と同様な部分の説明は、省略または簡略化する。
本実施形態１５の多層配線基板１５０１は、シフト配線１２２によるシフト方法が上記実施形態１と異なる。図３５にシフト配線１２２等の一部を模式的に示した説明図を示す。また、図３６に引き出し配線１３３等の一部を模式的に示した説明図を示す。
【００９９】
図３５に示すように、１列目信号端子１２１Ｓ１、２列目信号端子１２１Ｓ２及び３列目信号端子１２１Ｓ３は、いずれもシフト配線１２２を介して第１信号ビア導体１２３Ｓに接続している。シフト配線１２２の長さは、いずれも端子１２１のなす格子間隔の５倍以下である。
１列目信号端子１２１Ｓ１及び２列目信号端子１２１Ｓ２に導通する第１信号ビア導体１２３Ｓは、上記３列と直交し約４００μｍの間隔をあけて並ぶ多数の仮想直線ＫＴ上に４個ずつ配置されている。これらの仮想直線ＫＴは、いずれも信号端子１２１Ｓ上を通っている。一方、３列目信号端子１２１Ｓ３に導通する第１信号ビア導体１２３Ｓは、上記３列と平行に配置されている。
【０１００】
一の仮想直線ＫＴに着目すると、この上に配置された４個の第１信号ビア導体１２３Ｓのうち、２個の第１信号ビア導体１２３Ｓは、この仮想直線ＫＴ上に位置する線上１列目信号端子１２１Ｓ１Ｌ及び線上２列目信号端子１２１Ｓ２Ｌに、シフト配線１２２を介して接続している。また、残り２個の第１信号ビア導体１２３Ｓは、これらの端子１２１Ｓ１Ｌ，１２１Ｓ２Ｌと隣り合う全部で４個の１列目信号端子１２１Ｓ１及び２列目信号端子１２１Ｓ２のうちから選択した２個の信号端子１２１Ｓ、具体的には、仮想直線ＫＴよりも図中右側の１列目信号端子１２１Ｓ１と図中左側の２列目信号端子１２１Ｓ２に、シフト配線１２２を介して接続している。
また、シフト方法が異なることによって、図３６に示すように、引き出し配線１３３の長さや形状が上記実施形態１と異なっている。
【０１０１】
このような多層配線基板１５０１も、上記実施形態１と同様に、外周側の３列に配置された信号端子１２１Ｓから延びる信号配線を、２層以上に分けることなく、一挙に外周側に引き出すことができる。また、その他、上記実施形態１と同様な部分は同様な効果を奏する。
【０１０２】
（実施形態１６）
次いで、第１６の実施の形態について説明する。なお、上記実施形態１と同様な部分の説明は、省略または簡略化する。
本実施形態１６の多層配線基板１６０１は、シフト配線１２２によるシフト方法が上記実施形態１と異なる。図３７にシフト配線１２２等の一部を模式的に示した説明図を示す。また、図３８に引き出し配線１３３等の一部を模式的に示した説明図を示す。
【０１０３】
図３７に示すように、１列目信号端子１２１Ｓ１及び２列目信号端子１２１Ｓ２は、いずれもシフト配線１２２を介して第１信号ビア導体１２３Ｓに接続している。シフト配線１２２の長さは、いずれも端子１２１のなす格子間隔の５倍以下である。一方、３列目信号端子１２１Ｓ３は、いずれも第１信号ビア導体１２３Ｓに直接接続している。
１列目信号端子１２１Ｓ１及び２列目信号端子１２１Ｓ２に導通する第１信号ビア導体１２３Ｓは、上記３列と直交し約４００μｍの間隔をあけて並ぶ多数の仮想直線ＫＴ上に４個ずつ配置されている。これらの仮想直線ＫＴは、いずれも信号端子１２１Ｓ上を通っている。
【０１０４】
一の仮想直線ＫＴに着目すると、この上に配置された４個の第１信号ビア導体１２３Ｓのうち、２個の第１信号ビア導体１２３Ｓは、この仮想直線ＫＴ上に位置する線上１列目信号端子１２１Ｓ１Ｌ及び線上２列目信号端子１２１Ｓ２Ｌに、シフト配線１２２を介して接続している。また、残り２個の第１信号ビア導体１２３Ｓは、これらの端子１２１Ｓ１Ｌ，１２１Ｓ２Ｌと隣り合う全部で４個の１列目信号端子１２１Ｓ１及び２列目信号端子１２１Ｓ２のうちから選択した２個の信号端子１２１Ｓ、具体的には、仮想直線ＫＴよりも図中右側の１列目信号端子１２１Ｓ１と図中左側の２列目信号端子１２１Ｓ２に、シフト配線１２２を介して接続している。
また、シフト方法が異なることによって、図３８に示すように、引き出し配線１３３の長さや形状が上記実施形態１と異なっている。
【０１０５】
このような多層配線基板１６０１も、上記実施形態１と同様に、外周側の３列に配置された信号端子１２１Ｓから延びる信号配線を、２層以上に分けることなく、一挙に外周側に引き出すことができる。
その上、本実施形態１６では、３列目信号端子１２１Ｓ３が信号ビア導体（第１信号ビア導体１２３Ｓ）に直接接続しているので、これらの第１信号ビア導体１２３Ｓをシフト配線１２２により移動させる必要がない。このため、１列目信号端子１２１Ｓ１と２列目信号端子１２１Ｓ２に導通する第１信号ビア導体１２３Ｓだけを移動させれば足りる。なお、その他、上記実施形態１と同様な部分は同様な効果を奏する。
【０１０６】
（実施形態１７）
次いで、第１７の実施の形態について説明する。なお、上記実施形態１と同様な部分の説明は、省略または簡略化する。
本実施形態１７の多層配線基板１７０１は、シフト配線１２２によるシフト方法が上記実施形態１と異なる。図３９にシフト配線１２２等の一部を模式的に示した説明図を示す。また、図４０に引き出し配線１３３等の一部を模式的に示した説明図を示す。
【０１０７】
図３９に示すように、１列目信号端子１２１Ｓ１、２列目信号端子１２１Ｓ２及び３列目信号端子１２１Ｓ３は、いずれもシフト配線１２２を介して、第１信号ビア導体１２３Ｓに接続している。シフト配線１２２の長さは、いずれも端子１２１のなす格子間隔の５倍以下である。
１列目信号端子１２１Ｓ１及び２列目信号端子１２１Ｓ２に導通する第１信号ビア導体１２３Ｓは、上記３列と直交し約４００μｍの間隔をあけて並ぶ多数の仮想直線ＫＴ上に４個ずつ配置されている。これらの仮想直線ＫＴは、いずれも信号端子１２１Ｓ上を通っている。一方、３列目信号端子１２１Ｓ３に導通する第１信号ビア導体１２３Ｓは、上記３列と平行に配置されている。
【０１０８】
一の仮想直線ＫＴに着目すると、この上に配置された４個の第１信号ビア導体１２３Ｓのうち、２個の第１信号ビア導体１２３Ｓは、この仮想直線ＫＴ上に位置する線上１列目信号端子１２１Ｓ１Ｌ及び線上２列目信号端子１２１Ｓ２Ｌに、シフト配線１２２を介して接続している。また、残り２個の第１信号ビア導体１２３Ｓは、これらの端子１２１Ｓ１Ｌ，１２１Ｓ２Ｌと隣り合う全部で４個の１列目信号端子１２１Ｓ１及び２列目信号端子１２１Ｓ２のうちから選択した２個の信号端子１２１Ｓ、具体的には、仮想直線ＫＴよりも図中左側の１列目信号端子１２１Ｓ１と２列目信号端子１２１Ｓ２に、シフト配線１２２を介して接続している。
また、シフト方法が異なることによって、図４０に示すように、引き出し配線１３３の長さや形状が上記実施形態１と異なっている。
【０１０９】
このような多層配線基板１７０１も、上記実施形態１と同様に、外周側の３列に配置された信号端子１２１Ｓから延びる信号配線を、２層以上に分けることなく、一挙に外周側に引き出すことができる。また、その他、上記実施形態１と同様な部分は同様な効果を奏する。
【０１１０】
（実施形態１８）
次いで、第１８の実施の形態について説明する。なお、上記実施形態１と同様な部分の説明は、省略または簡略化する。
本実施形態１８の多層配線基板１８０１は、シフト配線１２２によるシフト方法が上記実施形態１と異なる。図４１にシフト配線１２２等の一部を模式的に示した説明図を示す。また、図４２に引き出し配線１３３等の一部を模式的に示した説明図を示す。
【０１１１】
図４１に示すように、１列目信号端子１２１Ｓ１及び２列目信号端子１２１Ｓ２は、いずれもシフト配線１２２を介して第１信号ビア導体１２３Ｓに接続している。シフト配線１２２の長さは、いずれも端子１２１のなす格子間隔の５倍以下である。一方、３列目信号端子１２１Ｓ３は、第１信号ビア導体１２３Ｓに直接接続している。
１列目信号端子１２１Ｓ１及び２列目信号端子１２１Ｓ２に導通する第１信号ビア導体１２３Ｓは、上記３列と直交し約４００μｍの間隔をあけて並ぶ多数の仮想直線ＫＴ上に４個ずつ配置されている。これらの仮想直線ＫＴは、いずれも信号端子１２１Ｓ上を通っている。
【０１１２】
一の仮想直線ＫＴに着目すると、この上に配置された４個の第１信号ビア導体１２３Ｓのうち、２個の第１信号ビア導体１２３Ｓは、この仮想直線ＫＴ上に位置する線上１列目信号端子１２１Ｓ１Ｌ及び線上２列目信号端子１２１Ｓ２Ｌに、シフト配線１２２を介して接続している。また、残り２個の第１信号ビア導体１２３Ｓは、これらの端子１２１Ｓ１Ｌ，１２１Ｓ２Ｌと隣り合う全部で４個の１列目信号端子１２１Ｓ１及び２列目信号端子１２１Ｓ２のうちから選択した２個の信号端子１２１Ｓ、具体的には、仮想直線ＫＴよりも図中左側の１列目信号端子１２１Ｓ１と２列目信号端子１２１Ｓ２に、シフト配線１２２を介して接続している。
また、シフト方法が異なることによって、図４２に示すように、引き出し配線１３３の長さや形状が上記実施形態１と異なっている。
【０１１３】
このような多層配線基板１８０１も、上記実施形態１と同様に、外周側の３列に配置された信号端子１２１Ｓから延びる信号配線を、２層以上に分けることなく、一挙に外周側に引き出すことができる。
その上、本実施形態１８では、３列目信号端子１２１Ｓ３が信号ビア導体（第１信号ビア導体１２３Ｓ）に直接接続しているので、これらの第１信号ビア導体１２３Ｓをシフト配線１２２により移動させる必要がない。このため、１列目信号端子１２１Ｓ１と２列目信号端子１２１Ｓ２に導通する第１信号ビア導体１２３Ｓだけを移動させれば足りる。なお、その他、上記実施形態１と同様な部分は同様な効果を奏する。
【０１１４】
（実施形態１９）
次いで、第１９の実施の形態について説明する。なお、上記実施形態１と同様な部分の説明は、省略または簡略化する。
本実施形態１９の多層配線基板１９０１は、シフト配線１２２によるシフト方法が上記実施形態１と異なる。図４３にシフト配線１２２等の一部を模式的に示した説明図を示す。また、図４４に引き出し配線１３３等の一部を模式的に示した説明図を示す。
【０１１５】
図４３に示すように、１列目信号端子１２１Ｓ１、２列目信号端子１２１Ｓ２及び３列目信号端子１２１Ｓ３は、いずれもシフト配線１２２を介して第１信号ビア導体１２３Ｓに接続している。シフト配線１２２の長さは、いずれも端子１２１のなす格子間隔の６倍以下である。
１列目信号端子１２１Ｓ１及び２列目信号端子１２１Ｓ２に導通する第１信号ビア導体１２３Ｓは、上記３列と直交し約４００μｍの間隔をあけて並ぶ多数の仮想直線ＫＴ上に４個ずつ配置されている。これらの仮想直線ＫＴは、いずれも信号端子１２１Ｓ上を通っている。一方、３列目信号端子１２１Ｓ３に導通する第１信号ビア導体１２３Ｓは、上記３列に平行に配置されている。
【０１１６】
一の仮想直線ＫＴに着目すると、この上に配置された４個の第１信号ビア導体１２３Ｓのうち、２個の第１信号ビア導体１２３Ｓは、この仮想直線ＫＴ上に位置する線上１列目信号端子１２１Ｓ１Ｌ及び線上２列目信号端子１２１Ｓ２Ｌに、シフト配線１２２を介して接続している。また、残り２個の第１信号ビア導体１２３Ｓは、これらの端子１２１Ｓ１Ｌ，１２１Ｓ２Ｌと隣り合う全部で４個の１列目信号端子１２１Ｓ１及び２列目信号端子１２１Ｓ２のうちから選択した２個の信号端子１２１Ｓ、具体的には、仮想直線ＫＴよりも図中左側の１列目信号端子１２１Ｓ１と２列目信号端子１２１Ｓ２に、シフト配線１２２を介して接続している。
また、シフト方法が異なることによって、図４４に示すように、引き出し配線１３３の長さや形状が上記実施形態１と異なっている。
【０１１７】
このような多層配線基板１９０１も、上記実施形態１と同様に、外周側の３列に配置された信号端子１２１Ｓから延びる信号配線を、２層以上に分けることなく、一挙に外周側に引き出すことができる。また、その他、上記実施形態１と同様な部分は同様な効果を奏する。
【０１１８】
（実施形態２０）
次いで、第２０の実施の形態について説明する。なお、上記実施形態１と同様な部分の説明は、省略または簡略化する。
本実施形態２０の多層配線基板２００１は、シフト配線１２２によるシフト方法が上記実施形態１と異なる。図４５にシフト配線１２２等の一部を模式的に示した説明図を示す。また、図４６に引き出し配線１３３等の一部を模式的に示した説明図を示す。
【０１１９】
図４５に示すように、１列目信号端子１２１Ｓ１及び２列目信号端子１２１Ｓ２は、いずれもシフト配線１２２を介して第１信号ビア導体１２３Ｓに接続している。シフト配線１２２の長さは、いずれも端子１２１のなす格子間隔の６倍以下である。一方、３列目信号端子１２１Ｓ３は、いずれも第１信号ビア導体１２３Ｓに直接接続している。
１列目信号端子１２１Ｓ１及び２列目信号端子１２１Ｓ２に導通する第１信号ビア導体１２３Ｓは、上記３列と直交し約４００μｍの間隔をあけて並ぶ多数の仮想直線ＫＴ上に４個ずつ配置されている。これらの仮想直線ＫＴは、いずれも信号端子１２１Ｓ上を通っている。
【０１２０】
一の仮想直線ＫＴに着目すると、この上に配置された４個の第１信号ビア導体１２３Ｓのうち、２個の第１信号ビア導体１２３Ｓは、この仮想直線ＫＴ上に位置する線上１列目信号端子１２１Ｓ１Ｌ及び線上２列目信号端子１２１Ｓ２Ｌに、シフト配線１２２を介して接続している。また、残り２個の第１信号ビア導体１２３Ｓは、これらの端子１２１Ｓ１Ｌ，１２１Ｓ２Ｌと隣り合う全部で４個の１列目信号端子１２１Ｓ１及び２列目信号端子１２１Ｓ２のうちから選択した２個の信号端子１２１Ｓ、具体的には、仮想直線ＫＴよりも図中左側の１列目信号端子１２１Ｓ１と図中左側の２列目信号端子１２１Ｓ２に、シフト配線１２２を介して接続している。
また、シフト方法が異なることによって、図４６に示すように、引き出し配線１３３の長さや形状が上記実施形態１と異なっている。
【０１２１】
このような多層配線基板２００１も、上記実施形態１と同様に、外周側の３列に配置された信号端子１２１Ｓから延びる信号配線を、２層以上に分けることなく、一挙に外周側に引き出すことができる。
その上、本実施形態２０では、３列目信号端子１２１Ｓ３が信号ビア導体（第１信号ビア導体１２３Ｓ）に直接接続しているので、これらの第１信号ビア導体１２３Ｓをシフト配線１２２により移動させる必要がない。このため、１列目信号端子１２１Ｓ１と２列目信号端子１２１Ｓ２に導通する第１信号ビア導体１２３Ｓだけを移動させれば足りる。なお、その他、上記実施形態１と同様な部分は同様な効果を奏する。
【０１２２】
（実施形態２１）
次いで、第２１の実施の形態について説明する。なお、上記実施形態１と同様な部分の説明は、省略または簡略化する。
本実施形態２１の多層配線基板２１０１は、シフト配線１２２によるシフト方法が上記実施形態１と異なる。図４７にシフト配線１２２等の一部を模式的に示した説明図を示す。また、図４８に引き出し配線１３３等の一部を模式的に示した説明図を示す。
【０１２３】
図４７に示すように、１列目信号端子１２１Ｓ１のうち、仮想直線ＫＴ上に位置する線上１列目信号端子１２１Ｓ１Ｌは、第１信号ビア導体１２３Ｓに直接接続し、その他の１列目信号端子１２１Ｓ１は、シフト配線１２２を介して第１信号ビア導体１２３Ｓに接続している。一方、２列目信号端子１２１Ｓ２及び３列目信号端子１２１Ｓ３は、いずれもシフト配線１２２を介して第１信号ビア導体１２３Ｓに接続している。シフト配線１２２の長さは、いずれも端子１２１のなす格子間隔の５倍以下である。
１列目信号端子１２１Ｓ１及び２列目信号端子１２１Ｓ２に導通する第１信号ビア導体１２３Ｓは、上記３列と直交し約４００μｍの間隔をあけて並ぶ多数の仮想直線ＫＴ上に４個ずつ配置されている。これらの仮想直線ＫＴは、いずれも信号端子１２１Ｓ上を通っている。一方、３列目信号端子１２１Ｓ３に導通する第１信号ビア導体１２３Ｓは、上記３列と平行に配置されている。
【０１２４】
一の仮想直線ＫＴに着目すると、この上に配置された４個の第１信号ビア導体１２３Ｓのうち、２個の第１信号ビア導体１２３Ｓは、この仮想直線ＫＴ上に位置する線上１列目信号端子１２１Ｓ１Ｌに直接接続し、また、線上２列目信号端子１２１Ｓ２Ｌにシフト配線１２２を介して接続している。また、残り２個の第１信号ビア導体１２３Ｓは、これらの端子１２１Ｓ１Ｌ，１２１Ｓ２Ｌと隣り合う全部で４個の１列目信号端子１２１Ｓ１及び２列目信号端子１２１Ｓ２のうちから選択した２個の信号端子１２１Ｓ、具体的には、仮想直線ＫＴよりも図中右側の１列目信号端子１２１Ｓ１と図中左側の２列目信号端子１２１Ｓ２に、シフト配線１２２を介して接続している。
また、シフト方法が異なることによって、図４８に示すように、引き出し配線１３３の長さや形状が上記実施形態１と異なっている。
【０１２５】
このような多層配線基板２１０１も、上記実施形態１と同様に、外周側の３列に配置された信号端子１２１Ｓから延びる信号配線を、２層以上に分けることなく、一挙に外周側に引き出すことができる。
その上、本実施形態２１では、線上１列目信号端子１２１Ｓ１Ｌが信号ビア導体（第１信号ビア導体１２３Ｓ）に直接接続しているので、これらの第１信号ビア導体１２３Ｓをシフト配線１２２により移動させる必要がない。このため、線上１列目信号端子１２１Ｓ１Ｌを除いた信号端子１２１Ｓに導通する第１信号ビア導体１２３Ｓだけを移動させれば足りる。なお、その他、上記実施形態１と同様な部分は同様な効果を奏する。
【０１２６】
（実施形態２２）
次いで、第２２の実施の形態について説明する。なお、上記実施形態１と同様な部分の説明は、省略または簡略化する。
本実施形態２２の多層配線基板２２０１は、シフト配線１２２によるシフト方法が上記実施形態１と異なる。図４９にシフト配線１２２等の一部を模式的に示した説明図を示す。また、図５０に引き出し配線１３３等の一部を模式的に示した説明図を示す。
【０１２７】
図４９に示すように、１列目信号端子１２１Ｓ１のうち、仮想直線ＫＴ上に位置する線上１列目信号端子１２１Ｓ１Ｌは、第１信号ビア導体１２３Ｓに直接接続し、その他の１列目信号端子１２１Ｓ１は、シフト配線１２２を介して第１信号ビア導体１２３Ｓに接続している。一方、２列目信号端子１２１Ｓ２は、いずれもシフト配線１２２を介して第１信号ビア導体１２３Ｓに接続している。シフト配線１２２の長さは、いずれも端子１２１のなす格子間隔の５倍以下である。他方、３列目信号端子１２１Ｓ３は、いずれも第１信号ビア導体１２３Ｓに直接接続している。
１列目信号端子１２１Ｓ１及び２列目信号端子１２１Ｓ２に導通する第１信号ビア導体１２３Ｓは、上記３列と直交し約４００μｍの間隔をあけて並ぶ多数の仮想直線ＫＴ上に４個ずつ配置されている。これらの仮想直線ＫＴは、いずれも信号端子１２１Ｓ上を通っている。
【０１２８】
一の仮想直線ＫＴに着目すると、この上に配置された４個の第１信号ビア導体１２３Ｓのうち、２個の第１信号ビア導体１２３Ｓは、この仮想直線ＫＴ上に位置する線上１列目信号端子１２１Ｓ１Ｌに直接接続し、また、線上２列目信号端子１２１Ｓ２Ｌにシフト配線１２２を介して接続している。また、残り２個の第１信号ビア導体１２３Ｓは、これらの端子１２１Ｓ１Ｌ，１２１Ｓ２Ｌと隣り合う全部で４個の１列目信号端子１２１Ｓ１及び２列目信号端子１２１Ｓ２のうちから選択した２個の信号端子１２１Ｓ、具体的には、仮想直線ＫＴよりも図中右側の１列目信号端子１２１Ｓ１と図中左側の２列目信号端子１２１Ｓ２に、シフト配線１２２を介して接続している。
また、シフト方法が異なることによって、図５０に示すように、引き出し配線１３３の長さや形状が上記実施形態１と異なっている。
【０１２９】
このような多層配線基板２２０１も、上記実施形態１と同様に、外周側の３列に配置された信号端子１２１Ｓから延びる信号配線を、２層以上に分けることなく、一挙に外周側に引き出すことができる。
その上、本実施形態２２では、線上１列目信号端子１２１Ｓ１Ｌが信号ビア導体（第１信号ビア導体１２３Ｓ）に直接接続しているので、これらの第１信号ビア導体１２３Ｓをシフト配線１２２により移動させる必要がない。さらに、３列目信号端子１２１Ｓ３が第１信号ビア導体１２３Ｓに直接接続しているので、これらの第１信号ビア導体１２３Ｓをシフト配線１２２により移動させる必要がない。このため、線上１列目信号端子１２１Ｓ１及び３列目信号端子１２１Ｓ３を除いた信号端子１２１Ｓに導通する第１信号ビア導体１２３Ｓだけを移動させれば足りる。なお、その他、上記実施形態１と同様な部分は同様な効果を奏する。
【０１３０】
（実施形態２３）
次いで、第２３の実施の形態について説明する。なお、上記実施形態１と同様な部分の説明は、省略または簡略化する。
本実施形態２３の多層配線基板２３０１は、シフト配線１２２によるシフト方法が上記実施形態１と異なる。図５１にシフト配線１２２等の一部を模式的に示した説明図を示す。また、図５２に引き出し配線１３３等の一部を模式的に示した説明図を示す。
【０１３１】
図５１に示すように、１列目信号端子１２１Ｓ１のうち、仮想直線ＫＴ上に位置する線上１列目信号端子１２１Ｓ１Ｌは、第１信号ビア導体１２３Ｓに直接接続し、その他の１列目信号端子１２１Ｓ１は、シフト配線１２２を介して第１信号ビア導体１２３Ｓに接続している。一方、２列目信号端子１２１Ｓ２及び３列目信号端子１２１Ｓ３は、いずれもシフト配線１２２を介して第１信号ビア導体１２３Ｓに接続している。シフト配線１２２の長さは、いずれも端子１２１のなす格子間隔の４倍以下である。
１列目信号端子１２１Ｓ１及び２列目信号端子１２１Ｓ２に導通する第１信号ビア導体１２３Ｓは、上記３列と直交し約４００μｍの間隔をあけて並ぶ多数の仮想直線ＫＴ上に４個ずつ配置されている。これらの仮想直線ＫＴは、いずれも信号端子１２１Ｓ上を通っている。一方、３列目信号端子１２１Ｓ３に導通する第１信号ビア導体１２３Ｓは、上記３列と平行に配置されている。
【０１３２】
一の仮想直線ＫＴに着目すると、この上に配置された４個の第１信号ビア導体１２３Ｓのうち、２個の第１信号ビア導体１２３Ｓは、この仮想直線ＫＴ上に位置する線上１列目信号端子１２１Ｓ１Ｌに直接接続し、また、線上２列目信号端子１２１Ｓ２Ｌにシフト配線１２２を介して接続している。また、残り２個の第１信号ビア導体１２３Ｓは、これらの端子１２１Ｓ１Ｌ，１２１Ｓ２Ｌと隣り合う全部で４個の１列目信号端子１２１Ｓ１及び２列目信号端子１２１Ｓ２のうちから選択した２個の信号端子１２１Ｓ、具体的には、仮想直線ＫＴよりも図中右側の１列目信号端子１２１Ｓ１と図中左側の２列目信号端子１２１Ｓ２に、シフト配線１２２を介して接続している。
また、シフト方法が異なることによって、図５２に示すように、引き出し配線１３３の長さや形状が上記実施形態１と異なっている。
【０１３３】
このような多層配線基板２３０１も、上記実施形態１と同様に、外周側の３列に配置された信号端子１２１Ｓから延びる信号配線を、２層以上に分けることなく、一挙に外周側に引き出すことができる。
その上、本実施形態２３では、線上１列目信号端子１２１Ｓ１Ｌが信号ビア導体（第１信号ビア導体１２３Ｓ）に直接接続しているので、これらの第１信号ビア導体１２３Ｓをシフト配線１２２により移動させる必要がない。このため、線上１列目信号端子１２１Ｓ１Ｌを除いた信号端子１２１Ｓに導通する第１信号ビア導体１２３Ｓだけを移動させれば足りる。なお、その他、上記実施形態１と同様な部分は同様な効果を奏する。
【０１３４】
（実施形態２４）
次いで、第２４の実施の形態について説明する。なお、上記実施形態１と同様な部分の説明は、省略または簡略化する。
本実施形態２４の多層配線基板２４０１は、シフト配線１２２によるシフト方法が上記実施形態１と異なる。図５３にシフト配線１２２等の一部を模式的に示した説明図を示す。また、図５４に引き出し配線１３３等の一部を模式的に示した説明図を示す。
【０１３５】
図５３に示すように、１列目信号端子１２１Ｓ１のうち、仮想直線ＫＴ上に位置する線上１列目信号端子１２１Ｓ１Ｌは、第１信号ビア導体１２３Ｓに直接接続し、その他の１列目信号端子１２１Ｓ１は、シフト配線１２２を介して第１信号ビア導体１２３Ｓに接続している。一方、２列目信号端子１２１Ｓ２は、いずれもシフト配線１２２を介して第１信号ビア導体１２３Ｓに接続している。シフト配線１２２の長さは、いずれも端子１２１のなす格子間隔の４倍以下である。他方、３列目信号端子１２１Ｓ３は、第１信号ビア導体１２３Ｓに直接接続している。
１列目信号端子１２１Ｓ１及び２列目信号端子１２１Ｓ２に導通する第１信号ビア導体１２３Ｓは、上記３列と直交し約４００μｍの間隔をあけて並ぶ多数の仮想直線ＫＴ上に４個ずつ配置されている。これらの仮想直線ＫＴは、いずれも信号端子１２１Ｓ上を通っている。
【０１３６】
一の仮想直線ＫＴに着目すると、この上に配置された４個の第１信号ビア導体１２３Ｓのうち、２個の第１信号ビア導体１２３Ｓは、この仮想直線ＫＴ上に位置する線上１列目信号端子１２１Ｓ１Ｌに直接接続し、また、線上２列目信号端子１２１Ｓ２Ｌにシフト配線１２２を介して接続している。また、残り２個の第１信号ビア導体１２３Ｓは、これらの端子１２１Ｓ１Ｌ，１２１Ｓ２Ｌと隣り合う全部で４個の１列目信号端子１２１Ｓ１及び２列目信号端子１２１Ｓ２のうちから選択した２個の信号端子１２１Ｓ、具体的には、仮想直線ＫＴよりも図中右側の１列目信号端子１２１Ｓ１と図中左側の２列目信号端子１２１Ｓ２に、シフト配線１２２を介して接続している。
また、シフト方法が異なることによって、図５４に示すように、引き出し配線１３３の長さや形状が上記実施形態１と異なっている。
【０１３７】
このような多層配線基板２４０１も、上記実施形態１と同様に、外周側の３列に配置された信号端子１２１Ｓから延びる信号配線を、２層以上に分けることなく、一挙に外周側に引き出すことができる。
その上、本実施形態２４では、線上１列目信号端子１２１Ｓ１Ｌが信号ビア導体（第１信号ビア導体１２３Ｓ）に直接接続しているので、これらの第１信号ビア導体１２３Ｓをシフト配線１２２により移動させる必要がない。さらに、３列目信号端子１２１Ｓ３が第１信号ビア導体１２３Ｓに直接接続しているので、これらの第１信号ビア導体１２３Ｓをシフト配線１２２により移動させる必要がない。このため、線上１列目信号端子１２１Ｓ１Ｌ及び３列目信号端子１２１Ｓ３を除いた信号端子１２１Ｓに導通する第１信号ビア導体１２３Ｓだけを移動させれば足りる。なお、その他、上記実施形態１と同様な部分は同様な効果を奏する。
【０１３８】
（実施形態２５）
次いで、第２５の実施の形態について説明する。なお、上記実施形態１と同様な部分の説明は、省略または簡略化する。
本実施形態２５の多層配線基板２５０１は、シフト配線１２２によるシフト方法が上記実施形態１と異なる。図５５にシフト配線１２２等の一部を模式的に示した説明図を示す。また、図５６に引き出し配線１３３等の一部を模式的に示した説明図を示す。
【０１３９】
図５５に示すように、１列目信号端子１２１Ｓ１のうち、仮想直線ＫＴ上に位置する線上１列目信号端子１２１Ｓ１Ｌは、第１信号ビア導体１２３Ｓに直接接続し、その他の１列目信号端子１２１Ｓ１は、シフト配線１２２を介して第１信号ビア導体１２３Ｓに接続している。一方、２列目信号端子１２１Ｓ２及び３列目信号端子１２１Ｓ３は、いずれもシフト配線１２２を介して第１信号ビア導体１２３Ｓに接続している。シフト配線１２２の長さは、いずれも端子１２１のなす格子間隔の４倍以下である。
１列目信号端子１２１Ｓ１及び２列目信号端子１２１Ｓ２に導通する第１信号ビア導体１２３Ｓは、上記３列と直交し約４００μｍの間隔をあけて並ぶ多数の仮想直線ＫＴ上に４個ずつ配置されている。これらの仮想直線ＫＴは、いずれも信号端子１２１Ｓ上を通っている。一方、３列目信号端子１２１Ｓ３に導通する第１信号ビア導体１２３Ｓは、上記３列に平行に配置されている。
【０１４０】
一の仮想直線ＫＴに着目すると、この上に配置された４個の第１信号ビア導体１２３Ｓのうち、２個の第１信号ビア導体１２３Ｓは、この仮想直線ＫＴ上に位置する線上１列目信号端子１２１Ｓ１Ｌに直接接続し、線上２列目信号端子１２１Ｓ２Ｌにシフト配線１２２を介して接続している。また、残り２個の第１信号ビア導体１２３Ｓは、これらの端子１２１Ｓ１Ｌ，１２１Ｓ２Ｌと隣り合う全部で４個の１列目信号端子１２１Ｓ１及び２列目信号端子１２１Ｓ２のうちから選択した２個の信号端子１２１Ｓ、具体的には、仮想直線ＫＴよりも図中左側の１列目信号端子１２１Ｓ１と２列目信号端子１２１Ｓ２に、シフト配線１２２を介して接続している。
また、シフト方法が異なることによって、図５６に示すように、引き出し配線１３３の長さや形状が上記実施形態１と異なっている。
【０１４１】
このような多層配線基板２５０１も、上記実施形態１と同様に、外周側の３列に配置された信号端子１２１Ｓから延びる信号配線を、２層以上に分けることなく、一挙に外周側に引き出すことができる。
その上、本実施形態２５では、線上１列目信号端子１２１Ｓ１Ｌが信号ビア導体（第１信号ビア導体１２３Ｓ）に直接接続しているので、これらの第１信号ビア導体１２３Ｓをシフト配線１２２により移動させる必要がない。このため、線上１列目信号端子１２１Ｓ１Ｌを除いた信号端子１２１Ｓに導通する第１信号ビア導体１２３Ｓだけを移動させれば足りる。なお、その他、上記実施形態１と同様な部分は同様な効果を奏する。
【０１４２】
（実施形態２６）
次いで、第２６の実施の形態について説明する。なお、上記実施形態１と同様な部分の説明は、省略または簡略化する。
本実施形態２６の多層配線基板２６０１は、シフト配線１２２によるシフト方法が上記実施形態１と異なる。図５７にシフト配線１２２等の一部を模式的に示した説明図を示す。また、図５８に引き出し配線１３３等の一部を模式的に示した説明図を示す。
【０１４３】
図５７に示すように、１列目信号端子１２１Ｓ１のうち、仮想直線ＫＴ上に位置する線上１列目信号端子１２１Ｓ１Ｌは、第１信号ビア導体１２３Ｓに直接接続し、その他の１列目信号端子１２１Ｓ１は、シフト配線１２２を介して第１信号ビア導体１２３Ｓに接続している。一方、２列目信号端子１２１Ｓ２は、いずれもシフト配線１２２を介して第１信号ビア導体１２３Ｓに接続している。シフト配線１２２の長さは、いずれも端子１２１のなす格子間隔の４倍以下である。他方、３列目信号端子１２１Ｓ３は、第１信号ビア導体１２３Ｓに直接接続している。
１列目信号端子１２１Ｓ１及び２列目信号端子１２１Ｓ２に導通する第１信号ビア導体１２３Ｓは、上記３列と直交し約４００μｍの間隔をあけて並ぶ多数の仮想直線ＫＴ上に４個ずつ配置されている。これらの仮想直線ＫＴは、いずれも信号端子１２１Ｓ上を通っている。
【０１４４】
一の仮想直線ＫＴに着目すると、この上に配置された４個の第１信号ビア導体１２３Ｓのうち、２個の第１信号ビア導体１２３Ｓは、この仮想直線ＫＴ上に位置する線上１列目信号端子１２１Ｓ１Ｌに直接接続し、また、線上２列目信号端子１２１Ｓ２Ｌにシフト配線１２２を介して接続している。また、残り２個の第１信号ビア導体１２３Ｓは、これらの端子１２１Ｓ１Ｌ，１２１Ｓ２Ｌと隣り合う全部で４個の１列目信号端子１２１Ｓ１及び２列目信号端子１２１Ｓ２のうちから選択した２個の信号端子１２１Ｓ、具体的には、仮想直線ＫＴよりも図中左側の１列目信号端子１２１Ｓ１と２列目信号端子１２１Ｓ２に、シフト配線１２２を介して接続している。
また、シフト方法が異なることによって、図５８に示すように、引き出し配線１３３の長さや形状が上記実施形態１と異なっている。
【０１４５】
このような多層配線基板２６０１も、上記実施形態１と同様に、外周側の３列に配置された信号端子１２１Ｓから延びる信号配線を、２層以上に分けることなく、一挙に外周側に引き出すことができる。
その上、本実施形態２６では、線上１列目信号端子１２１Ｓ１Ｌが信号ビア導体（第１信号ビア導体１２３Ｓ）に直接接続しているので、これらの第１信号ビア導体１２３Ｓをシフト配線１２２により移動させる必要がない。さらに、３列目信号端子１２１Ｓ３が第１信号ビア導体１２３Ｓに直接接続しているので、これらの第１信号ビア導体１２３Ｓをシフト配線１２２により移動させる必要がない。このため、線上１列目信号端子１２１Ｓ１Ｌ及び３列目信号端子１２１Ｓ３を除いた信号端子１２１Ｓに導通する第１信号ビア導体１２３Ｓだけを移動させれば足りる。なお、その他、上記実施形態１と同様な部分は同様な効果を奏する。
【０１４６】
（実施形態２７）
次いで、第２７の実施の形態について説明する。なお、上記実施形態１と同様な部分の説明は、省略または簡略化する。
本実施形態２７の多層配線基板２７０１は、シフト配線１２２によるシフト方法が上記実施形態１と異なる。図５９にシフト配線１２２等の一部を模式的に示した説明図を示す。また、図６０に引き出し配線１３３等の一部を模式的に示した説明図を示す。
【０１４７】
図５９に示すように、１列目信号端子１２１Ｓ１のうち、仮想直線ＫＴ上に位置する線上１列目信号端子１２１Ｓ１Ｌは、第１信号ビア導体１２３Ｓに直接接続し、その他の１列目信号端子１２１Ｓ１は、シフト配線１２２を介して第１信号ビア導体１２３Ｓに接続している。一方、２列目信号端子１２１Ｓ２及び３列目信号端子１２１Ｓ３は、いずれもシフト配線１２２を介して第１信号ビア導体１２３Ｓに接続している。シフト配線１２２の長さは、いずれも端子１２１のなす格子間隔の４倍以下である。
１列目信号端子１２１Ｓ１及び２列目信号端子１２１Ｓ２に導通する第１信号ビア導体１２３Ｓは、上記３列と直交し約４００μｍの間隔をあけて並ぶ多数の仮想直線ＫＴ上に４個ずつ配置されている。これらの仮想直線ＫＴは、いずれも信号端子１２１Ｓ上を通っている。一方、３列目信号端子１２１Ｓ３に導通する第１信号ビア導体１２３Ｓは、上記３列に平行に配置されている。
【０１４８】
一の仮想直線ＫＴに着目すると、この上に配置された４個の第１信号ビア導体１２３Ｓのうち、２個の第１信号ビア導体１２３Ｓは、この仮想直線ＫＴ上に位置する線上１列目信号端子１２１Ｓ１Ｌに直接接続し、また、線上２列目信号端子１２１Ｓ２Ｌにシフト配線１２２を介して接続している。また、残り２個の第１信号ビア導体１２３Ｓは、これらの端子１２１Ｓ１Ｌ，１２１Ｓ２Ｌと隣り合う全部で４個の１列目信号端子１２１Ｓ１及び２列目信号端子１２１Ｓ２のうちから選択した２個の信号端子１２１Ｓ、具体的には、仮想直線ＫＴよりも図中右側の１列目信号端子１２１Ｓ１と図中左側の２列目信号端子１２１Ｓ２に、シフト配線１２２を介して接続している。
また、シフト方法が異なることによって、図６０に示すように、引き出し配線１３３の長さや形状が上記実施形態１と異なっている。
【０１４９】
このような多層配線基板２７０１も、上記実施形態１と同様に、外周側の３列に配置された信号端子１２１Ｓから延びる信号配線を、２層以上に分けることなく、一挙に外周側に引き出すことができる。
その上、本実施形態２７では、線上１列目信号端子１２１Ｓ１Ｌが信号ビア導体（第１信号ビア導体１２３Ｓ）に直接接続しているので、これらの第１信号ビア導体１２３Ｓをシフト配線１２２により移動させる必要がない。このため、線上１列目信号端子１２１Ｓ１を除いた信号端子１２１Ｓに導通する第１信号ビア導体１２３Ｓだけを移動させれば足りる。なお、その他、上記実施形態１と同様な部分は同様な効果を奏する。
【０１５０】
（実施形態２８）
次いで、第２８の実施の形態について説明する。なお、上記実施形態１と同様な部分の説明は、省略または簡略化する。
本実施形態２８の多層配線基板２８０１は、シフト配線１２２によるシフト方法が上記実施形態１と異なる。図６１にシフト配線１２２等の一部を模式的に示した説明図を示す。また、図６２に引き出し配線１３３等の一部を模式的に示した説明図を示す。
【０１５１】
図６１に示すように、１列目信号端子１２１Ｓ１のうち、仮想直線ＫＴ上に位置する線上１列目信号端子１２１Ｓ１Ｌは、第１信号ビア導体１２３Ｓに直接接続し、その他の１列目信号端子１２１Ｓ１は、シフト配線１２２を介して第１信号ビア導体１２３Ｓに接続している。一方、２列目信号端子１２１Ｓ２は、いずれもシフト配線１２２を介して第１信号ビア導体１２３Ｓに接続している。シフト配線１２２の長さは、いずれも端子１２１のなす格子間隔の４倍以下である。他方、３列目信号端子１２１Ｓ３は、第１信号ビア導体１２３Ｓに直接接続している。
１列目信号端子１２１Ｓ１及び２列目信号端子１２１Ｓ２に導通する第１信号ビア導体１２３Ｓは、上記３列と直交し約４００μｍの間隔をあけて並ぶ多数の仮想直線ＫＴ上に４個ずつ配置されている。これらの仮想直線ＫＴは、いずれも信号端子１２１Ｓ上を通っている。
【０１５２】
一の仮想直線ＫＴに着目すると、この上に配置された４個の第１信号ビア導体１２３Ｓのうち、２個の第１信号ビア導体１２３Ｓは、この仮想直線ＫＴ上に位置する線上１列目信号端子１２１Ｓ１Ｌに直接接続し、また、線上２列目信号端子１２１Ｓ２Ｌにシフト配線１２２を介して接続している。また、残り２個の第１信号ビア導体１２３Ｓは、これらの端子１２１Ｓ１Ｌ，１２１Ｓ２Ｌと隣り合う全部で４個の１列目信号端子１２１Ｓ１及び２列目信号端子１２１Ｓ２のうちから選択した２個の信号端子１２１Ｓ、具体的には、仮想直線ＫＴよりも図中右側の１列目信号端子１２１Ｓ１と図中左側の２列目信号端子１２１Ｓ２に、シフト配線１２２を介して接続している。
また、シフト方法が異なることによって、図６２に示すように、引き出し配線１３３の長さや形状が上記実施形態１と異なっている。
【０１５３】
このような多層配線基板２８０１も、上記実施形態１と同様に、外周側の３列に配置された信号端子１２１Ｓから延びる信号配線を、２層以上に分けることなく、一挙に外周側に引き出すことができる。
その上、本実施形態２８では、線上１列目信号端子１２１Ｓ１Ｌが信号ビア導体（第１信号ビア導体１２３Ｓ）に直接接続しているので、これらの第１信号ビア導体１２３Ｓをシフト配線１２２により移動させる必要がない。さらに、３列目信号端子１２１Ｓ３が第１信号ビア導体１２３Ｓに直接接続しているので、これらの第１信号ビア導体１２３Ｓをシフト配線１２２により移動させる必要がない。このため、線上１列目信号端子１２１Ｓ１Ｌ及び３列目信号端子１２１Ｓ３を除いた信号端子１２１Ｓに導通する第１信号ビア導体１２３Ｓだけを移動させれば足りる。なお、その他、上記実施形態１と同様な部分は同様な効果を奏する。
【０１５４】
（実施形態２９）
次いで、第２９の実施の形態について説明する。なお、上記実施形態１と同様な部分の説明は、省略または簡略化する。
本実施形態２９の多層配線基板２９０１は、シフト配線１２２によるシフト方法が上記実施形態１と異なる。図６３にシフト配線１２２等の一部を模式的に示した説明図を示す。また、図６４に引き出し配線１３３等の一部を模式的に示した説明図を示す。
【０１５５】
図６３に示すように、１列目信号端子１２１Ｓ１のうち、仮想直線ＫＴ上に位置する線上１列目信号端子１２１Ｓ１Ｌは、第１信号ビア導体１２３Ｓに直接接続し、その他の１列目信号端子１２１Ｓ１は、シフト配線１２２を介して第１信号ビア導体１２３Ｓに接続している。一方、２列目信号端子１２１Ｓ２及び３列目信号端子１２１Ｓ３は、いずれもシフト配線１２２を介して第１信号ビア導体１２３Ｓに接続している。シフト配線１２２の長さは、いずれも端子１２１のなす格子間隔の４倍以下である。
１列目信号端子１２１Ｓ１及び２列目信号端子１２１Ｓ２に導通する第１信号ビア導体１２３Ｓは、上記３列と直交し約４００μｍの間隔をあけて並ぶ多数の仮想直線ＫＴ上に４個ずつ配置されている。これらの仮想直線ＫＴは、いずれも信号端子１２１Ｓ上を通っている。一方、３列目信号端子１２１Ｓ３に導通する第１信号ビア導体１２３Ｓは、上記３列に平行に配置されている。
【０１５６】
一の仮想直線ＫＴに着目すると、この上に配置された４個の第１信号ビア導体１２３Ｓのうち、２個の第１信号ビア導体１２３Ｓは、この仮想直線ＫＴ上に位置する線上１列目信号端子１２１Ｓ１Ｌに直接接続し、線上２列目信号端子１２１Ｓ２Ｌにシフト配線１２２を介して接続している。また、残り２個の第１信号ビア導体１２３Ｓは、これらの端子１２１Ｓ１Ｌ，１２１Ｓ２Ｌと隣り合う全部で４個の１列目信号端子１２１Ｓ１及び２列目信号端子１２１Ｓ２のうちから選択した２個の信号端子１２１Ｓ、具体的には、仮想直線ＫＴよりも図中左側の１列目信号端子１２１Ｓ１と２列目信号端子１２１Ｓ２に、シフト配線１２２を介して接続している。
また、シフト方法が異なることによって、図６４に示すように、引き出し配線１３３の長さや形状が上記実施形態１と異なっている。
【０１５７】
このような多層配線基板２９０１も、上記実施形態１と同様に、外周側の３列に配置された信号端子１２１Ｓから延びる信号配線を、２層以上に分けることなく、一挙に外周側に引き出すことができる。
その上、本実施形態２９では、線上１列目信号端子１２１Ｓ１Ｌが信号ビア導体（第１信号ビア導体１２３Ｓ）に直接接続しているので、これらの第１信号ビア導体１２３Ｓをシフト配線１２２により移動させる必要がない。このため、線上１列目信号端子１２１Ｓ１Ｌを除いた信号端子１２１Ｓに導通する第１信号ビア導体１２３Ｓだけを移動させれば足りる。なお、その他、上記実施形態１と同様な部分は同様な効果を奏する。
【０１５８】
（実施形態３０）
次いで、第３０の実施の形態について説明する。なお、上記実施形態１と同様な部分の説明は、省略または簡略化する。
本実施形態３０の多層配線基板３００１は、シフト配線１２２によるシフト方法が上記実施形態１と異なる。図６５にシフト配線１２２等の一部を模式的に示した説明図を示す。また、図６６に引き出し配線１３３等の一部を模式的に示した説明図を示す。
【０１５９】
図６５に示すように、１列目信号端子１２１Ｓ１のうち、仮想直線ＫＴ上に位置する線上１列目信号端子１２１Ｓ１Ｌは、第１信号ビア導体１２３Ｓに直接接続し、その他の１列目信号端子１２１Ｓ１は、シフト配線１２２を介して第１信号ビア導体１２３Ｓに接続している。一方、２列目信号端子１２１Ｓ２は、いずれもシフト配線１２２を介して第１信号ビア導体１２３Ｓに接続している。シフト配線１２２の長さは、いずれも端子１２１のなす格子間隔の４倍以下である。他方、３列目信号端子１２１Ｓ３は、第１信号ビア導体１２３Ｓに直接接続している。
１列目信号端子１２１Ｓ１及び２列目信号端子１２１Ｓ２に導通する第１信号ビア導体１２３Ｓは、上記３列と直交し約４００μｍの間隔をあけて並ぶ多数の仮想直線ＫＴ上に４個ずつ配置されている。これらの仮想直線ＫＴは、いずれも信号端子１２１Ｓ上を通っている。
【０１６０】
一の仮想直線ＫＴに着目すると、この上に配置された４個の第１信号ビア導体１２３Ｓのうち、２個の第１信号ビア導体１２３Ｓは、この仮想直線ＫＴ上に位置する線上１列目信号端子１２１Ｓ１Ｌに直接接続し、また、線上２列目信号端子１２１Ｓ２Ｌにシフト配線１２２を介して接続している。また、残り２個の第１信号ビア導体１２３Ｓは、これらの端子１２１Ｓ１Ｌ，１２１Ｓ２Ｌと隣り合う全部で４個の１列目信号端子１２１Ｓ１及び２列目信号端子１２１Ｓ２のうちから選択した２個の信号端子１２１Ｓ、具体的には、仮想直線ＫＴよりも図中左側の１列目信号端子１２１Ｓ１と２列目信号端子１２１Ｓ２に、シフト配線１２２を介して接続している。
また、シフト方法が異なることによって、図６６に示すように、引き出し配線１３３の長さや形状が上記実施形態１と異なっている。
【０１６１】
このような多層配線基板３００１も、上記実施形態１と同様に、外周側の３列に配置された信号端子１２１Ｓから延びる信号配線を、２層以上に分けることなく、一挙に外周側に引き出すことができる。
その上、本実施形態３０では、線上１列目信号端子１２１Ｓ１Ｌが信号ビア導体（第１信号ビア導体１２３Ｓ）に直接接続しているので、これらの第１信号ビア導体１２３Ｓをシフト配線１２２により移動させる必要がない。さらに、３列目信号端子１２１Ｓ３も第１信号ビア導体１２３Ｓに直接接続しているので、これらの第１信号ビア導体１２３Ｓをシフト配線１２２により移動させる必要がない。このため、線上１列目信号端子１２１Ｓ１及び３列目信号端子１２１Ｓ３を除いた信号端子１２１Ｓに導通する第１信号ビア導体１２３Ｓだけを移動させれば足りる。なお、その他、上記実施形態１と同様な部分は同様な効果を奏する。
【０１６２】
（実施形態３１）
次いで、第３１の実施の形態について説明する。なお、上記実施形態１と同様な部分の説明は、省略または簡略化する。
本実施形態３１の多層配線基板３１０１は、シフト配線１２２によるシフト方法が上記実施形態１と異なる。図６７にシフト配線１２２等の一部を模式的に示した説明図を示す。また、図６８に引き出し配線１３３等の一部を模式的に示した説明図を示す。
【０１６３】
図６７に示すように、１列目信号端子１２１Ｓ１のうち、仮想直線ＫＴ上に位置する線上１列目信号端子１２１Ｓ１Ｌは、第１信号ビア導体１２３Ｓに直接接続し、その他の１列目信号端子１２１Ｓ１は、シフト配線１２２を介して第１信号ビア導体１２３Ｓに接続している。一方、２列目信号端子１２１Ｓ２及び３列目信号端子１２１Ｓ３は、いずれもシフト配線１２２を介して第１信号ビア導体１２３Ｓに接続している。シフト配線１２２の長さは、いずれも端子１２１のなす格子間隔の５倍以下である。
１列目信号端子１２１Ｓ１及び２列目信号端子１２１Ｓ２に導通する第１信号ビア導体１２３Ｓは、上記３列と直交し約４００μｍの間隔をあけて並ぶ多数の仮想直線ＫＴ上に４個ずつ配置されている。これらの仮想直線ＫＴは、いずれも信号端子１２１Ｓ上を通っている。一方、３列目信号端子１２１Ｓ３に導通する第１信号ビア導体１２３Ｓは、上記３列と平行に配置されている。
【０１６４】
一の仮想直線ＫＴに着目すると、この上に配置された４個の第１信号ビア導体１２３Ｓのうち、２個の第１信号ビア導体１２３Ｓは、この仮想直線ＫＴ上に位置する線上１列目信号端子１２１Ｓ１Ｌに直接接続し、また、線上２列目信号端子１２１Ｓ２Ｌにシフト配線１２２を介して接続している。また、残り２個の第１信号ビア導体１２３Ｓは、これらの端子１２１Ｓ１Ｌ，１２１Ｓ２Ｌと隣り合う全部で４個の１列目信号端子１２１Ｓ１及び２列目信号端子１２１Ｓ２のうちから選択した２個の信号端子１２１Ｓ、具体的には、仮想直線ＫＴよりも図中左側の１列目信号端子１２１Ｓ１と２列目信号端子１２１Ｓ２）に、シフト配線１２２を介して接続している。
また、シフト方法が異なることによって、図６８に示すように、引き出し配線１３３の長さや形状が上記実施形態１と異なっている。
【０１６５】
このような多層配線基板３１０１も、上記実施形態１と同様に、外周側の３列に配置された信号端子１２１Ｓから延びる信号配線を、２層以上に分けることなく、一挙に外周側に引き出すことができる。
その上、本実施形態３１では、線上１列目信号端子１２１Ｓ１Ｌが信号ビア導体（第１信号ビア導体１２３Ｓ）に直接接続しているので、これらの第１信号ビア導体１２３Ｓをシフト配線１２２により移動させる必要がない。このため、線上１列目信号端子１２１Ｓ１を除いた信号端子１２１Ｓに導通する第１信号ビア導体１２３Ｓだけを移動させれば足りる。なお、その他、上記実施形態１と同様な部分は同様な効果を奏する。
【０１６６】
（実施形態３２）
次いで、第３２の実施の形態について説明する。なお、上記実施形態１と同様な部分の説明は、省略または簡略化する。
本実施形態３２の多層配線基板３２０１は、シフト配線１２２によるシフト方法が上記実施形態１と異なる。図６９にシフト配線１２２等の一部を模式的に示した説明図を示す。また、図７０に引き出し配線１３３等の一部を模式的に示した説明図を示す。
【０１６７】
図６９に示すように、１列目信号端子１２１Ｓ１のうち、仮想直線ＫＴ上に位置する線上１列目信号端子１２１Ｓ１Ｌは、第１信号ビア導体１２３Ｓに直接接続し、その他の１列目信号端子１２１Ｓ１は、シフト配線１２２を介して第１信号ビア導体１２３Ｓに接続している。一方、２列目信号端子１２１Ｓ２は、いずれもシフト配線１２２を介して、第１信号ビア導体１２３Ｓに接続している。シフト配線１２２の長さは、いずれも端子１２１のなす格子間隔の５倍以下である。他方、３列目信号端子１２１Ｓ３は、いずれも第１信号ビア導体１２３Ｓに直接接続している。
１列目信号端子１２１Ｓ１及び２列目信号端子１２１Ｓ２に導通する第１信号ビア導体１２３Ｓは、上記３列と直交し約４００μｍの間隔をあけて並ぶ多数の仮想直線ＫＴ上に４個ずつ配置されている。これらの仮想直線ＫＴは、いずれも信号端子１２１Ｓ上を通っている。一方、３列目信号端子１２１Ｓ３に導通する第１信号ビア導体１２３Ｓは、上記３列と平行に配置されている。
【０１６８】
一の仮想直線ＫＴに着目すると、この上に配置された４個の第１信号ビア導体１２３Ｓのうち、２個の第１信号ビア導体１２３Ｓは、この仮想直線ＫＴ上に位置する線上１列目信号端子１２１Ｓ１Ｌに直接接続し、また、線上２列目信号端子１２１Ｓ２Ｌにシフト配線１２２を介して接続している。また、残り２個の第１信号ビア導体１２３Ｓは、これらの端子１２１Ｓ１Ｌ，１２１Ｓ２Ｌと隣り合う全部で４個の１列目信号端子１２１Ｓ１及び２列目信号端子１２１Ｓ２のうちから選択した２個の信号端子１２１Ｓ、具体的には、仮想直線ＫＴよりも図中左側の１列目信号端子１２１Ｓ１と図中左側の２列目信号端子１２１Ｓ２に、シフト配線１２２を介して接続している。
また、シフト方法が異なることによって、図７０に示すように、引き出し配線１３３の長さや形状が上記実施形態１と異なっている。
【０１６９】
このような多層配線基板３２０１も、上記実施形態１と同様に、外周側の３列に配置された信号端子１２１Ｓから延びる信号配線を、２層以上に分けることなく、一挙に外周側に引き出すことができる。
その上、本実施形態３２では、線上１列目信号端子１２１Ｓ１Ｌが信号ビア導体（第１信号ビア導体１２３Ｓ）に直接接続しているので、これらの第１信号ビア導体１２３Ｓをシフト配線１２２により移動させる必要がない。さらに、３列目信号端子１２１Ｓ３も第１信号ビア導体１２３Ｓに直接接続しているので、これらの第１信号ビア導体１２３Ｓをシフト配線１２２により移動させる必要がない。このため、線上１列目信号端子１２１Ｓ１Ｌ及び３列目信号端子１２１Ｓ３を除いた信号端子１２１Ｓに導通する第１信号ビア導体１２３Ｓだけを移動させれば足りる。なお、その他、上記実施形態１と同様な部分は同様な効果を奏する。
【０１７０】
（実施形態３３）
次いで、第３３の実施の形態について説明する。なお、上記実施形態１と同様な部分の説明は、省略または簡略化する。
本実施形態３３の多層配線基板３３０１は、シフト配線１２２によるシフト方法が上記実施形態１と異なる。図７１にシフト配線１２２等の一部を模式的に示した説明図を示す。また、図７２に引き出し配線１３３等の一部を模式的に示した説明図を示す。
【０１７１】
図７１に示すように、１列目信号端子１２１Ｓ１のうち、仮想直線ＫＴ上に位置する線上１列目信号端子１２１Ｓ１Ｌは、第１信号ビア導体１２３Ｓに直接接続し、その他の１列目信号端子１２１Ｓ１は、シフト配線１２２を介して第１信号ビア導体１２３Ｓに接続している。同様に、２列目信号端子１２１Ｓ２のうち、仮想直線ＫＴ上に位置する線上２列目信号端子１２１Ｓ２Ｌは、第１信号ビア導体１２３Ｓに直接接続し、その他の２列目信号端子１２１Ｓ２は、シフト配線１２２を介して第１信号ビア導体１２３Ｓに接続している。一方、３列目信号端子１２１Ｓ３は、いずれもシフト配線１２２を介して第１信号ビア導体１２３Ｓに接続している。シフト配線１２２の長さは、いずれも端子１２１のなす格子間隔の４倍以下である。
１列目信号端子１２１Ｓ１及び２列目信号端子１２１Ｓ２に導通する第１信号ビア導体１２３Ｓは、上記３列と直交し約４００μｍの間隔をあけて並ぶ多数の仮想直線ＫＴ上に４個ずつ配置されている。これらの仮想直線ＫＴは、いずれも信号端子１２１Ｓ上を通っている。一方、３列目信号端子１２１Ｓ３に導通する第１信号ビア導体１２３Ｓは、上記３列と平行に配置されている。
【０１７２】
一の仮想直線ＫＴに着目すると、この上に配置された４個の第１信号ビア導体１２３Ｓのうち、２個の第１信号ビア導体１２３Ｓは、この仮想直線ＫＴ上に位置する線上１列目信号端子１２１Ｓ１Ｌ及び線上２列目信号端子１２１Ｓ２Ｌに、直接接続している。また、残り２個の第１信号ビア導体１２３Ｓは、これらの端子１２１Ｓ１Ｌ，１２１Ｓ２Ｌと隣り合う全部で４個の１列目信号端子１２１Ｓ１及び２列目信号端子１２１Ｓ２のうちから選択した２個の信号端子１２１Ｓ、具体的には、仮想直線ＫＴよりも図中右側の１列目信号端子１２１Ｓ１と図中左側の２列目信号端子１２１Ｓ２に、シフト配線１２２を介して接続している。また、シフト方法が異なることによって、図７２に示すように、引き出し配線１３３の長さや形状が上記実施形態１と異なっている。
【０１７３】
このような多層配線基板３３０１も、上記実施形態１と同様に、外周側の３列に配置された信号端子１２１Ｓから延びる信号配線を、２層以上に分けることなく、一挙に外周側に引き出すことができる。
その上、本実施形態３３では、線上１列目信号端子１２１Ｓ１Ｌが信号ビア導体（第１信号ビア導体１２３Ｓ）に直接接続しているので、これらの第１信号ビア導体１２３Ｓをシフト配線１２２により移動させる必要がない。さらに、線上２列目信号端子１２１Ｓ２Ｌも第１ビア導体１２３Ｓに直接接続しているので、これらの第１信号ビア導体１２３Ｓもシフト配線１２２により移動させる必要がない。このため、線上１列目信号端子１２１Ｓ１Ｌ及び線上２列目信号端子１２１Ｓ２Ｌを除いた信号端子１２１Ｓに導通する第１信号ビア導体１２３Ｓだけを移動させれば足りる。なお、その他、上記実施形態１と同様な部分は同様な効果を奏する。
【０１７４】
（実施形態３４）
次いで、第３４の実施の形態について説明する。なお、上記実施形態１と同様な部分の説明は、省略または簡略化する。
本実施形態３４の多層配線基板３４０１は、シフト配線１２２によるシフト方法が上記実施形態１と異なる。図７３にシフト配線１２２等の一部を模式的に示した説明図を示す。また、図７４に引き出し配線１３３等の一部を模式的に示した説明図を示す。
【０１７５】
図７３に示すように、１列目信号端子１２１Ｓ１のうち、仮想直線ＫＴ上に位置する線上１列目信号端子１２１Ｓ１Ｌは、第１信号ビア導体１２３Ｓに直接接続し、その他の１列目信号端子１２１Ｓ１は、シフト配線１２２を介して第１信号ビア導体１２３Ｓに接続している。また、２列目信号端子１２１Ｓ２のうち、仮想直線ＫＴ上に位置する線上２列目信号端子１２１Ｓ２Ｌは、第１信号ビア導体１２３Ｓに直接接続し、その他の２列目信号端子１２１Ｓ２はシフト配線１２２を介して、第１信号ビア導体１２３Ｓに接続している。一方、３列目信号端子１２１Ｓ３は、いずれも第１信号ビア導体１２３Ｓに直接接続している。シフト配線１２２の長さは、いずれも端子１２１のなす格子間隔の４倍以下である。
１列目信号端子１２１Ｓ１及び２列目信号端子１２１Ｓ２に導通する第１信号ビア導体１２３Ｓは、上記３列と直交し約４００μｍの間隔をあけて並ぶ多数の仮想直線ＫＴ上に４個ずつ配置されている。これらの仮想直線ＫＴは、いずれも信号端子１２１Ｓ上を通っている。
【０１７６】
一の仮想直線ＫＴに着目すると、この上に配置された４個の第１信号ビア導体１２３Ｓのうち、２個の第１信号ビア導体１２３Ｓは、この仮想直線ＫＴ上に位置する線上１列目信号端子１２１Ｓ１Ｌ及び線上２列目信号端子１２１Ｓ２Ｌに直接接続している。また、残り２個の第１信号ビア導体１２３Ｓは、これらの端子１２１Ｓ１Ｌ，１２１Ｓ２Ｌと隣り合う全部で４個の１列目信号端子１２１Ｓ１及び２列目信号端子１２１Ｓ２のうちから選択した２個の信号端子１２１Ｓ、具体的には、仮想直線ＫＴよりも図中右側の１列目信号端子１２１Ｓ１と図中左側の２列目信号端子１２１Ｓ２に、シフト配線１２２を介して接続している。
また、シフト方法が異なることによって、図７４に示すように、引き出し配線１３３の長さや形状が上記実施形態１と異なっている。
【０１７７】
このような多層配線基板３４０１も、上記実施形態１と同様に、外周側の３列に配置された信号端子１２１Ｓから延びる信号配線を、２層以上に分けることなく、一挙に外周側に引き出すことができる。
その上、本実施形態３４では、線上１列目信号端子１２１Ｓ１Ｌが信号ビア導体（第１信号ビア導体１２３Ｓ）に直接接続しているので、これらの第１信号ビア導体１２３Ｓをシフト配線１２２により移動させる必要がない。さらに、線上２列目信号端子１２１Ｓ２Ｌも第１信号ビア導体１２３Ｓに直接接続しているので、これらの第１信号ビア導体１２３Ｓもシフト配線１２２により移動させる必要がない。また、３列目信号端子１２１Ｓ３も第１信号ビア導体１２３Ｓに直接接続しているので、これらの第１信号ビア導体１２３Ｓもシフト配線１２２により移動させる必要がない。このため、線上１列目信号端子１２１Ｓ１Ｌ、線上２列目信号端子１２１Ｓ２Ｌ及び３列目信号端子１２１Ｓ３を除いた信号端子１２１Ｓに導通する第１信号ビア導体１２３Ｓだけを移動させれば足りる。なお、その他、上記実施形態１と同様な部分は同様な効果を奏する。
【０１７８】
（実施形態３５）
次いで、第３５の実施の形態について説明する。なお、上記実施形態１と同様な部分の説明は、省略または簡略化する。
本実施形態３５の多層配線基板３５０１は、シフト配線１２２によるシフト方法が上記実施形態１と異なる。図７５にシフト配線１２２等の一部を模式的に示した説明図を示す。また、図７６に引き出し配線１３３等の一部を模式的に示した説明図を示す。
【０１７９】
図７５に示すように、１列目信号端子１２１Ｓ１のうち、仮想直線ＫＴ上に位置する線上１列目信号端子１２１Ｓ１Ｌは、第１信号ビア導体１２３Ｓに直接接続し、その他の１列目信号端子１２１Ｓ１は、シフト配線１２２を介して第１信号ビア導体１２３Ｓに接続している。また、２列目信号端子１２１Ｓ２のうち、仮想直線ＫＴ上に位置する線上２列目信号端子１２１Ｓ２Ｌは、第１信号ビア導体１２３Ｓに直接接続し、その他の２列目信号端子１２１Ｓ２は、シフト配線１２２を介して第１信号ビア導体１２３Ｓに接続している。一方、３列目信号端子１２１Ｓ３は、いずれもシフト配線１２２を介して第１信号ビア導体１２３Ｓに接続している。シフト配線１２２の長さは、いずれも端子１２１のなす格子間隔の３倍以下である。
１列目信号端子１２１Ｓ１及び２列目信号端子１２１Ｓ２に導通する第１信号ビア導体１２３Ｓは、上記３列と直交し約４００μｍの間隔をあけて並ぶ多数の仮想直線ＫＴ上に４個ずつ配置されている。これらの仮想直線ＫＴは、いずれも信号端子１２１Ｓ上を通っている。一方、３列目信号端子１２１Ｓ３は、上記３列と平行に配置されている。
【０１８０】
一の仮想直線ＫＴに着目すると、この上に配置された４個の第１信号ビア導体１２３Ｓのうち、２個の第１信号ビア導体１２３Ｓは、この仮想直線ＫＴ上に位置する線上１列目信号端子１２１Ｓ１Ｌ及び線上２列目信号端子１２１Ｓ２Ｌに、直接接続している。また、残り２個の第１信号ビア導体１２３Ｓは、これらの端子１２１Ｓ１Ｌ，１２１Ｓ２Ｌと隣り合う全部で４個の１列目信号端子１２１Ｓ１及び２列目信号端子１２１Ｓ２のうちから選択した２個の信号端子１２１Ｓ、具体的には、仮想直線ＫＴよりも図中右側の１列目信号端子１２１Ｓ１と図中左側の２列目信号端子１２１Ｓ２に、シフト配線１２２を介して接続している。また、シフト方法が異なることによって、図７６に示すように、引き出し配線１３３の長さや形状が上記実施形態１と異なっている。
【０１８１】
このような多層配線基板３５０１も、上記実施形態１と同様に、外周側の３列に配置された信号端子１２１Ｓから延びる信号配線を、２層以上に分けることなく、一挙に外周側に引き出すことができる。
その上、本実施形態３５では、線上１列目信号端子１２１Ｓ１Ｌが信号ビア導体（第１信号ビア導体１２３Ｓ）に直接接続しているので、これらの第１信号ビア導体１２３Ｓをシフト配線１２２により移動させる必要がない。さらに、線上２列目信号端子１２１Ｓ２Ｌも第１信号ビア導体１２３Ｓに直接接続しているので、これらの第１信号ビア導体１２３Ｓもシフト配線１２２により移動させる必要がない。このため、線上１列目信号端子１２１Ｓ１Ｌ及び線上２列目信号端子１２１Ｓ２Ｌを除いた信号端子１２１Ｓに導通する第１信号ビア導体１２３Ｓだけを移動させれば足りる。なお、その他、上記実施形態１と同様な部分は同様な効果を奏する。
【０１８２】
（実施形態３６）
次いで、第３６の実施の形態について説明する。なお、上記実施形態１と同様な部分の説明は、省略または簡略化する。
本実施形態３６の多層配線基板３６０１は、シフト配線１２２によるシフト方法が上記実施形態１と異なる。図７７にシフト配線１２２等の一部を模式的に示した説明図を示す。また、図７８に引き出し配線１３３等の一部を模式的に示した説明図を示す。
【０１８３】
図７７に示すように、１列目信号端子１２１Ｓ１のうち、仮想直線ＫＴ上に位置する線上１列目信号端子１２１Ｓ１Ｌは、第１信号ビア導体１２３Ｓに直接接続し、その他の１列目信号端子１２１Ｓ１は、シフト配線１２２を介して第１信号ビア導体１２３Ｓに接続している。また、２列目信号端子１２１Ｓ２のうち、仮想直線ＫＴ上に位置する線上２列目信号端子１２１Ｓ２Ｌは、第１信号ビア導体１２３Ｓに直接接続し、その他の２列目信号端子１２１Ｓ２はシフト配線１２２を介して、第１信号ビア導体１２３Ｓに接続している。一方、３列目信号端子１２１Ｓ３は、いずれも第１信号ビア導体１２３Ｓに直接接続している。シフト配線１２２の長さは、いずれも端子１２１のなす格子間隔の３倍以下である。
１列目信号端子１２１Ｓ１及び２列目信号端子１２１Ｓ２に導通する第１信号ビア導体１２３Ｓは、上記３列と直交し約４００μｍの間隔をあけて並ぶ多数の仮想直線ＫＴ上に４個ずつ配置されている。これらの仮想直線ＫＴは、いずれも信号端子１２１Ｓ上を通っている。
【０１８４】
一の仮想直線ＫＴに着目すると、この上に配置された４個の第１信号ビア導体１２３Ｓのうち、２個の第１信号ビア導体１２３Ｓは、この仮想直線ＫＴ上に位置する線上１列目信号端子１２１Ｓ１Ｌ及び線上２列目信号端子１２１Ｓ２Ｌに、直接接続している。また、残り２個の第１信号ビア導体１２３Ｓは、これらの端子１２１Ｓ１Ｌ，１２１Ｓ２Ｌと隣り合う全部で４個の１列目信号端子１２１Ｓ１及び２列目信号端子１２１Ｓ２のうちから選択した２個の信号端子１２１Ｓ、具体的には、仮想直線ＫＴよりも図中右側の１列目信号端子１２１Ｓ１と図中左側の２列目信号端子１２１Ｓ２に、シフト配線１２２を介して接続している。また、シフト方法が異なることによって、図７８に示すように、引き出し配線１３３の長さや形状が上記実施形態１と異なっている。
【０１８５】
このような多層配線基板３６０１も、上記実施形態１と同様に、外周側の３列に配置された信号端子１２１Ｓから延びる信号配線を、２層以上に分けることなく、一挙に外周側に引き出すことができる。
その上、本実施形態３６では、線上１列目信号端子１２１Ｓ１Ｌが信号ビア導体（第１信号ビア導体１２３Ｓ）に直接接続しているので、これらの第１信号ビア導体１２３Ｓをシフト配線１２２により移動させる必要がない。さらに、線上２列目信号端子１２１Ｓ２Ｌも第１信号ビア導体１２３Ｓに直接接続しているので、これらの第１信号ビア導体１２３Ｓもシフト配線１２２により移動させる必要がない。また、３列目信号端子１２１Ｓ３も第１信号ビア導体１２３Ｓに直接接続しているので、これらの第１信号ビア導体１２３Ｓもシフト配線１２２により移動させる必要がない。このため、線上１列目信号端子１２１Ｓ１Ｌ、線上２列目信号端子１２１Ｓ２Ｌ及び３列目信号端子１２１Ｓ３を除いた信号端子１２１Ｓに導通する第１信号ビア導体１２３Ｓだけを移動させれば足りる。なお、その他、上記実施形態１と同様な部分は同様な効果を奏する。
【０１８６】
（実施形態３７）
次いで、第３７の実施の形態について説明する。なお、上記実施形態１と同様な部分の説明は、省略または簡略化する。
本実施形態３７の多層配線基板３７０１は、シフト配線１２２によるシフト方法が上記実施形態１と異なる。図７９にシフト配線１２２等の一部を模式的に示した説明図を示す。また、図８０に引き出し配線１３３等の一部を模式的に示した説明図を示す。
【０１８７】
図７９に示すように、１列目信号端子１２１Ｓ１、２列目信号端子１２１Ｓ２及び３列目信号端子１２１Ｓ３は、いずれもシフト配線１２２を介して、第１信号ビア導体１２３Ｓに接続している。シフト配線１２２の長さは、いずれも端子１２１のなす格子間隔の６倍以下である。
１列目信号端子１２１Ｓ１及び２列目信号端子１２１Ｓ２に導通する第１信号ビア導体１２３Ｓは、上記３列と直交し約４００μｍの間隔をあけて並ぶ多数の仮想直線ＫＴ上に４個ずつ配置されている。これらの仮想直線ＫＴは、いずれも信号端子１２１Ｓの間（真中）を通っている。一方、３列目信号端子１２１Ｓ３に導通する第１信号ビア導体１２３Ｓは、上記３列と平行に配置されている。
【０１８８】
一の仮想直線ＫＴに着目すると、仮想直線ＫＴ上に配置された４個の第１信号ビア導体１２３Ｓは、この仮想直線ＫＴの両側に最も近接して位置する２個の１列目信号端子１２１Ｓ１と２個の２列目信号端子１２１Ｓ２に、シフト配線１２２を介して接続している。
また、シフト方法が異なることによって、図８０に示すように、引き出し配線１３３の長さや形状が上記実施形態１と異なっている。
【０１８９】
このような多層配線基板３７０１も、上記実施形態１と同様に、外周側の３列に配置された信号端子１２１Ｓから延びる信号配線を、２層以上に分けることなく、一挙に外周側に引き出すことができる。
一方、本実施形態３７では、仮想直線ＫＴは、いずれも信号端子１２１Ｓの間を通る。そして、この仮想直線ＫＴ上に配置された４個の信号ビア導体（第１信号ビア導体１２３Ｓ）のうち２個は、この仮想直線ＫＴ上の両側に最も近接して位置する２個の１列目信号端子と、シフト配線１２２を介して接続している。従って、これら２個の第１信号ビア導体１２３Ｓは、これらに導通する信号端子１２１Ｓから近い位置にある。また、この仮想直線ＫＴ上に配置された４個の第１信号ビア導体１２３Ｓのうち残り２個は、この仮想直線ＫＴ上の両側に最も近接して位置する２個の２列目信号端子１２１Ｓ２と、シフト配線１２２を介して接続している。従って、これら２個の第１信号ビア導体１２３Ｓも、これらに導通する信号端子１２１Ｓから近い位置にある。つまり、本実施形態３６では、第１信号ビア導体１２３Ｓの位置を僅かに移動させるだけで、外周側の３列に配置された信号端子１２１Ｓから延びる信号配線を、一挙に外周側に引き出すことができる。
なお、その他、上記実施形態１と同様な部分は同様な効果を奏する。
【０１９０】
（実施形態３８）
次いで、第３８の実施の形態について説明する。なお、上記実施形態１と同様な部分の説明は、省略または簡略化する。
本実施形態３８の多層配線基板３８０１は、シフト配線１２２によるシフト方法が上記実施形態１と異なる。図８１にシフト配線１２２等の一部を模式的に示した説明図を示す。また、図８２に引き出し配線１３３等の一部を模式的に示した説明図を示す。
【０１９１】
図８１に示すように、１列目信号端子１２１Ｓ１、２列目信号端子１２１Ｓ２及び３列目信号端子１２１Ｓ３は、いずれもシフト配線１２２を介して、第１信号ビア導体１２３Ｓに接続している。シフト配線１２２の長さは、いずれも端子１２１のなす格子間隔の１０倍以下である。
１列目信号端子１２１Ｓ１及び２列目信号端子１２１Ｓ２に導通する第１信号ビア導体１２３Ｓは、上記３列と直交し約６００μｍの間隔（端子１２１の格子間隔の３倍の間隔）をあけて並ぶ多数の仮想直線ＫＴ上に６個ずつ配置されている。これらの仮想直線ＫＴは、いずれも信号端子１２１Ｓ上を通っている。
また、シフト方法が異なることによって、図８２に示すように、引き出し配線１３３の長さや形状が上記実施形態１と異なっている。
【０１９２】
このような多層配線基板３８０１も、上記実施形態１と同様に、外周側の３列に配置された信号端子１２１Ｓから延びる信号配線を、２層以上に分けることなく、一挙に外周側に引き出すことができる。なお、その他、上記実施形態１と同様な部分は同様な効果を奏する。
【０１９３】
以上において、本発明を実施形態に即して説明したが、本発明は上記各実施形態１〜３８に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で、適宜変更して適用できることはいうまでもない。
例えば、上記各実施形態１〜３８では、４層の絶縁層を有する多層配線基板を示したが、これよりも少ない層数の絶縁層、あるいは、多い層数の絶縁層を有する多層配線基板に本発明を適用することもできる。また、１または複数層からなるコア基板を有する多層配線基板にも本発明を適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施形態１に係る多層配線基板の簡略化した縦断面図である。
【図２】実施形態１に係る多層配線基板の基板主面側から見た平面図のうち、略格子状に並んだ端子の外周近傍の領域を示す部分拡大平面図である。
【図３】実施形態１に係る多層配線基板について、図１におけるＡ−Ａ横断面のうち、図２に対応した領域を示す部分拡大横断面図である。
【図４】実施形態１に係る多層配線基板について、一部のシフト配線等を模式的に示した説明図である。
【図５】実施形態１に係る多層配線基板について、図１におけるＢ−Ｂ横断面のうち、図２に対応した領域を示す部分拡大横断面図である。
【図６】実施形態１に係る多層配線基板について、図１におけるＣ−Ｃ横断面のうち、図２に対応した領域を示す部分拡大横断面図である。
【図７】実施形態１に係る多層配線基板について、図１におけるＤ−Ｄ横断面のうち、図２に対応した領域を示す部分拡大横断面図である。
【図８】実施形態１に係る多層配線基板について、一部の引き出し配線等を模式的に示した説明図である。
【図９】実施形態２に係る多層配線基板について、一部のシフト配線等を模式的に示した説明図である。
【図１０】実施形態２に係る多層配線基板について、一部の引き出し配線等を模式的に示した説明図である。
【図１１】実施形態３に係る多層配線基板について、一部のシフト配線等を模式的に示した説明図である。
【図１２】実施形態３に係る多層配線基板について、一部の引き出し配線等を模式的に示した説明図である。
【図１３】実施形態４に係る多層配線基板について、一部のシフト配線等を模式的に示した説明図である。
【図１４】実施形態４に係る多層配線基板について、一部の引き出し配線等を模式的に示した説明図である。
【図１５】実施形態５に係る多層配線基板について、一部のシフト配線等を模式的に示した説明図である。
【図１６】実施形態５に係る多層配線基板について、一部の引き出し配線等を模式的に示した説明図である。
【図１７】実施形態６に係る多層配線基板について、一部のシフト配線等を模式的に示した説明図である。
【図１８】実施形態６に係る多層配線基板について、一部の引き出し配線等を模式的に示した説明図である。
【図１９】実施形態７に係る多層配線基板について、一部のシフト配線等を模式的に示した説明図である。
【図２０】実施形態７に係る多層配線基板について、一部の引き出し配線等を模式的に示した説明図である。
【図２１】実施形態８に係る多層配線基板について、一部のシフト配線等を模式的に示した説明図である。
【図２２】実施形態８に係る多層配線基板について、一部の引き出し配線等を模式的に示した説明図である。
【図２３】実施形態９に係る多層配線基板について、一部のシフト配線等を模式的に示した説明図である。
【図２４】実施形態９に係る多層配線基板について、一部の引き出し配線等を模式的に示した説明図である。
【図２５】実施形態１０に係る多層配線基板について、一部のシフト配線等を模式的に示した説明図である。
【図２６】実施形態１０に係る多層配線基板について、一部の引き出し配線等を模式的に示した説明図である。
【図２７】実施形態１１に係る多層配線基板について、一部のシフト配線等を模式的に示した説明図である。
【図２８】実施形態１１に係る多層配線基板について、一部の引き出し配線等を模式的に示した説明図である。
【図２９】実施形態１２に係る多層配線基板について、一部のシフト配線等を模式的に示した説明図である。
【図３０】実施形態１２に係る多層配線基板について、一部の引き出し配線等を模式的に示した説明図である。
【図３１】実施形態１３に係る多層配線基板について、一部のシフト配線等を模式的に示した説明図である。
【図３２】実施形態１３に係る多層配線基板について、一部の引き出し配線等を模式的に示した説明図である。
【図３３】実施形態１４に係る多層配線基板について、一部のシフト配線等を模式的に示した説明図である。
【図３４】実施形態１４に係る多層配線基板について、一部の引き出し配線等を模式的に示した説明図である。
【図３５】実施形態１５に係る多層配線基板について、一部のシフト配線等を模式的に示した説明図である。
【図３６】実施形態１５に係る多層配線基板について、一部の引き出し配線等を模式的に示した説明図である。
【図３７】実施形態１６に係る多層配線基板について、一部のシフト配線等を模式的に示した説明図である。
【図３８】実施形態１６に係る多層配線基板について、一部の引き出し配線等を模式的に示した説明図である。
【図３９】実施形態１７に係る多層配線基板について、一部のシフト配線等を模式的に示した説明図である。
【図４０】実施形態１７に係る多層配線基板について、一部の引き出し配線等を模式的に示した説明図である。
【図４１】実施形態１８に係る多層配線基板について、一部のシフト配線等を模式的に示した説明図である。
【図４２】実施形態１８に係る多層配線基板について、一部の引き出し配線等を模式的に示した説明図である。
【図４３】実施形態１９に係る多層配線基板について、一部のシフト配線等を模式的に示した説明図である。
【図４４】実施形態１９に係る多層配線基板について、一部の引き出し配線等を模式的に示した説明図である。
【図４５】実施形態２０に係る多層配線基板について、一部のシフト配線等を模式的に示した説明図である。
【図４６】実施形態２０に係る多層配線基板について、一部の引き出し配線等を模式的に示した説明図である。
【図４７】実施形態２１に係る多層配線基板について、一部のシフト配線等を模式的に示した説明図である。
【図４８】実施形態２１に係る多層配線基板について、一部の引き出し配線等を模式的に示した説明図である。
【図４９】実施形態２２に係る多層配線基板について、一部のシフト配線等を模式的に示した説明図である。
【図５０】実施形態２２に係る多層配線基板について、一部の引き出し配線等を模式的に示した説明図である。
【図５１】実施形態２３に係る多層配線基板について、一部のシフト配線等を模式的に示した説明図である。
【図５２】実施形態２３に係る多層配線基板について、一部の引き出し配線等を模式的に示した説明図である。
【図５３】実施形態２４に係る多層配線基板について、一部のシフト配線等を模式的に示した説明図である。
【図５４】実施形態２４に係る多層配線基板について、一部の引き出し配線等を模式的に示した説明図である。
【図５５】実施形態２５に係る多層配線基板について、一部のシフト配線等を模式的に示した説明図である。
【図５６】実施形態２５に係る多層配線基板について、一部の引き出し配線等を模式的に示した説明図である。
【図５７】実施形態２６に係る多層配線基板について、一部のシフト配線等を模式的に示した説明図である。
【図５８】実施形態２６に係る多層配線基板について、一部の引き出し配線等を模式的に示した説明図である。
【図５９】実施形態２７に係る多層配線基板について、一部のシフト配線等を模式的に示した説明図である。
【図６０】実施形態２７に係る多層配線基板について、一部の引き出し配線等を模式的に示した説明図である。
【図６１】実施形態２８に係る多層配線基板について、一部のシフト配線等を模式的に示した説明図である。
【図６２】実施形態２８に係る多層配線基板について、一部の引き出し配線等を模式的に示した説明図である。
【図６３】実施形態２９に係る多層配線基板について、一部のシフト配線等を模式的に示した説明図である。
【図６４】実施形態２９に係る多層配線基板について、一部の引き出し配線等を模式的に示した説明図である。
【図６５】実施形態３０に係る多層配線基板について、一部のシフト配線等を模式的に示した説明図である。
【図６６】実施形態３０に係る多層配線基板について、一部の引き出し配線等を模式的に示した説明図である。
【図６７】実施形態３１に係る多層配線基板について、一部のシフト配線等を模式的に示した説明図である。
【図６８】実施形態３１に係る多層配線基板について、一部の引き出し配線等を模式的に示した説明図である。
【図６９】実施形態３２に係る多層配線基板について、一部のシフト配線等を模式的に示した説明図である。
【図７０】実施形態３２に係る多層配線基板について、一部の引き出し配線等を模式的に示した説明図である。
【図７１】実施形態３３に係る多層配線基板について、一部のシフト配線等を模式的に示した説明図である。
【図７２】実施形態３３に係る多層配線基板について、一部の引き出し配線等を模式的に示した説明図である。
【図７３】実施形態３４に係る多層配線基板について、一部のシフト配線等を模式的に示した説明図である。
【図７４】実施形態３４に係る多層配線基板について、一部の引き出し配線等を模式的に示した説明図である。
【図７５】実施形態３５に係る多層配線基板について、一部のシフト配線等を模式的に示した説明図である。
【図７６】実施形態３５に係る多層配線基板について、一部の引き出し配線等を模式的に示した説明図である。
【図７７】実施形態３６に係る多層配線基板について、一部のシフト配線等を模式的に示した説明図である。
【図７８】実施形態３６に係る多層配線基板について、一部の引き出し配線等を模式的に示した説明図である。
【図７９】実施形態３７に係る多層配線基板について、一部のシフト配線等を模式的に示した説明図である。
【図８０】実施形態３７に係る多層配線基板について、一部の引き出し配線等を模式的に示した説明図である。
【図８１】実施形態３８に係る多層配線基板について、一部のシフト配線等を模式的に示した説明図である。
【図８２】実施形態３８に係る多層配線基板について、一部の引き出し配線等を模式的に示した説明図である。
【図８３】従来技術に係る多層配線基板の簡略化した縦断面図である。
【図８４】従来技術に係る多層配線基板の基板主面側から見た平面図のうち、略格子状に並んだ端子の外周近傍の領域を示す部分拡大平面図である。
【図８５】従来技術に係る多層配線基板について、図８３におけるＡ−Ａ横断面のうち、図８４に対応した領域を示す部分拡大横断面図である。
【符号の説明】
１０１        多層配線基板
１０２        基板主面
１０３        基板裏面
１１１        第１絶縁層
１１２        第２絶縁層
１１３        第３絶縁層
１１４        第４絶縁層
１２１        端子
１２１Ｓ      信号端子
１２１Ｓ１    １列目信号端子
１２１Ｓ１Ｌ  線上１列目信号端子
１２１Ｓ２    ２列目信号端子
１２１Ｓ２Ｌ  線上２列目信号端子
１２１Ｓ３    ３列目信号端子
１２２        シフト配線
１２３Ｓ      第１信号ビア導体
１２７Ｓ      第２信号ビア導体
１３１Ｓ      第３信号ビア導体
１３３        引き出し配線
ＩＣ          ＩＣチップ
ＫＴ          仮想直線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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【図４２】
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【図４３】
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【図４４】
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【図４５】
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【図４６】
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【図４７】
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【図４８】
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【図４９】
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【図５０】
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【図５１】
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【図５２】
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【図５３】
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【図５４】
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【図５５】
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【図５６】
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【図５７】
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【図５８】
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【図５９】
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【図６０】
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【図６１】
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【図６２】
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【図６３】
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【図６４】
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【図６５】
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【図６６】
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【図６７】
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【図６８】
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【図６９】
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【図７０】
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【図７１】
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【図７２】
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【図７３】
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【図７４】
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【図７５】
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【図７６】
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【図７７】
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【図７８】
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【図７９】
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【図８０】
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【図８１】
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【図８２】
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【図８３】
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【図８４】
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【図８５】
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