(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された蓄積容量バスラインの断線欠陥を修復する液晶表示装置の欠陥修復方法において、
前記蓄積容量バスラインの断線両端部であって画素電極が形成されていない領域上に、前記蓄積容量バスラインを露出させる断線修復用コンタクトホールをそれぞれ形成する第１の工程と、
前記蓄積容量バスライン上で前記画素電極を電気的に分離して分離領域を形成し、前記画素電極を前記分離領域を挟んで２つに分割する第２の工程と、
前記画素電極と短絡させずに、前記断線修復用コンタクトホールを介して前記断線両端部間を電気的に接続させる断線修復用導電膜を前記分離領域上に形成する第３の工程とを有し、
前記断線修復用導電膜で構成される断線修復経路で前記断線欠陥を修復すること
を特徴とする液晶表示装置の欠陥修復方法。
【請求項２】
請求項１記載の液晶表示装置の欠陥修復方法において、
前記断線修復用導電膜と短絡させずに、分割された２つの前記画素電極間を電気的に接続する画素電極接続用導電膜を形成する工程をさらに有すること
を特徴とする液晶表示装置の欠陥修復方法。
【請求項３】
絶縁性を有する基板と、
前記基板上にマトリクス状に配置された画素領域と、
前記画素領域を横断して形成された蓄積容量バスラインと、
絶縁膜を介して前記蓄積容量バスラインに対向して形成された蓄積容量電極と、
保護膜を介した前記蓄積容量電極上で電気的に分離された分離領域を挟んで２つに分割して前記画素領域に形成され、前記保護膜に設けられたコンタクトホールを介してそれぞれ前記蓄積容量電極と電気的に接続された画素電極と
を有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項４】
請求項３記載の液晶表示装置において、
前記分離領域は、前記蓄積容量バスラインの断線修復用導電膜が形成される幅を有していること
を特徴とする液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、パーソナルコンピュータ等の表示装置として用いられる液晶表示装置の製造工程において蓄積容量バスラインに生じた断線欠陥を修復（リペア）可能な液晶表示装置及びその欠陥修復方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
液晶表示装置の液晶パネルは、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ；Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）等が形成されたＴＦＴ基板とカラーフィルタ（ＣＦ；Ｃｏｌｏｒ  Ｆｉｌｔｅｒ）等が形成されたＣＦ基板の２枚のガラス基板を対向させ、その間に液晶を封入して貼り合わせた構造を有している。
【０００３】
ＴＦＴ基板には、複数のゲートバスラインと、層間絶縁膜を介してこのゲートバスラインと交差する複数のドレインバスラインと、ゲートバスラインとドレインバスラインにより画定される画素領域内をゲートバスラインに並行して横断する蓄積容量バスラインと、ゲートバスライン及びドレインバスラインをそれぞれ外部接続用の端子部に接続する引き出し線（リード線）とが設けられている。なお、各バスラインの交差点近傍には、ドレイン電極がドレインバスラインに接続されるＴＦＴが形成されている。ＴＦＴのソース電極は、各画素領域に配置される画素電極に接続される。
【０００４】
ところで、液晶表示装置において製造コストの低減は重要な課題である。コスト低減には、まず、製造歩留まりの向上が強く望まれる。液晶表示装置の製造歩留まりを低下させる原因の一つに、ＴＦＴ基板上に形成された蓄積容量バスラインなどの配線パターンに生じる断線欠陥がある。断線欠陥は、レーザＣＶＤ（Ｌａｓｅｒ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法を用いたレーザリペア等で修復されている。
【０００５】
ここで、従来の液晶表示装置の欠陥修復方法について図２８乃至図３０を用いて説明する。図２８は、蓄積容量バスライン５１５に断線欠陥が生じた液晶表示装置の欠陥修復方法を示す平面図である。図２８に示すように、基板上には、図中上下方向に延びる複数のドレインバスライン５０１が形成されている。また基板上には、図中左右方向に延びる破線で示した複数のゲートバスライン５０３が形成されている。これらドレインバスライン５０１とゲートバスライン５０３とで画定される領域に画素領域が形成される。そして、各ドレインバスライン５０１とゲートバスライン５０３との交差位置近傍にＴＦＴ５２１が形成されている。
【０００６】
ＴＦＴ５２１のドレイン電極５１７は、図中左側に示したドレインバスライン５０１から引き出されて、その端部がゲートバスライン５０３上に形成されたチャネル保護膜５０５上の一端辺側に位置するように形成されている。
【０００７】
一方、ソース電極５１９は、チャネル保護膜５０５上の他端辺側に位置するように形成されている。このような構成においてチャネル保護膜５０５直下のゲートバスライン５０３領域が当該ＴＦＴ５２１のゲート電極として機能するようになっている。図示は省略しているが、ゲートバスライン５０３上には、ゲート絶縁膜が形成され、その上にチャネルを構成する動作半導体層が形成されている。
【０００８】
また、画素領域ほぼ中央を左右に横断している破線で示した領域に、蓄積容量バスライン５１５が形成されている。蓄積容量バスライン５１５の上層には、絶縁膜を介して蓄積容量バスライン５１５と対向する蓄積容量電極５０９が各画素毎に形成されている。ソース電極５１９および蓄積容量電極５０９の上層には、透明電極からなる画素電極５１３が形成されている。
【０００９】
画素電極５１３は、その下方に形成された保護膜に設けられたコンタクトホール５０７を介してソース電極５１９と電気的に接続されている。また画素電極５１３は、コンタクトホール５１１を介して蓄積容量電極５０９と電気的に接続されている。
【００１０】
図中上方の蓄積容量バスライン５１５には、断線部５２３で１画素内に断線欠陥が生じている。まず、断線が生じている画素のドレイン電極５１７とドレインバスライン５０１とを切断部５２６で切断する。次に、断線欠陥５２３の断線両端部であって上層に画素電極５１３が形成されていない領域に、蓄積容量バスライン５１５が露出する断線修復用コンタクトホール５２７をそれぞれ形成する。次いで、断線修復用コンタクトホール５２７を介して断線両端部を電気的に接続させる断線修復用導電膜５２９をレーザＣＶＤ法を用いて形成し、蓄積容量バスライン５１５の断線欠陥を修復する。このとき、断線修復用導電膜５２９は、画素電極５１３と接続されている。また、図中下方の蓄積容量バスライン５１５’には、２画素にまたがった断線部５２５で広範囲の断線欠陥が生じている。断線部５２５で断線欠陥が生じた蓄積容量バスライン５１５’は、蓄積容量バスライン５１５と同様に修復されている。
【００１１】
蓄積容量バスライン５１５に断線欠陥が生じた液晶表示装置の従来の欠陥修復方法について図２９及び図３０を用いてより具体的に説明する。図２９及び図３０は、図２８のＡ−Ａ’線で切断した蓄積容量バスライン５１５近傍の断面を示している。なお、図２８に示す断線修復用コンタクトホール５２７を形成する前に予め蓄積容量バスライン５１５の断線検査がなされており、断線検査の結果、図２８に示す蓄積容量バスライン５１５の断線部５２３が発見されているものとする。
【００１２】
まず、図２９（ａ）に示すように、ガラス基板５３１上に蓄積容量バスライン５１５を形成する。ここで、蓄積容量バスライン５１５には断線部５２３で断線欠陥が生じている。次に、蓄積容量バスライン５１５上に、絶縁膜５３３とアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）層５３５とチャネル保護膜形成層５３７とをこの順に成膜する。次に、チャネル保護膜（図示せず）がゲート電極（図示せず）上のみに形成されるようにチャネル保護膜形成層５３７をパターニングする（図２９（ｂ））。
【００１３】
次に、図２９（ｃ）に示すように、全面にｎ＋ａ−Ｓｉ層５３９と金属層５４１とを連続成膜する。次に、図２９（ｄ）に示すように、金属層５４１とｎ＋ａ−Ｓｉ層５３９とａ−Ｓｉ層５３５とを一括エッチングによりパターニングし、蓄積容量電極（中間電極）５０９を形成する。次に、図３０（ａ）に示すように、蓄積容量電極５０９上の全面に保護膜５４３を形成する。次に、図３０（ｂ）に示すように、透明導電膜を成膜してパターニングし、画素電極５１３を形成する。
【００１４】
次に、断線欠陥の生じた画素のドレイン電極５１７を切断部５２６で切断してドレインバスライン５０１と分離する。次に、図３０（ｃ）に示すように、断線部５２３の断線両端部であって上層に画素電極５１３及び蓄積容量電極５０９が形成されていない領域に、蓄積容量バスライン５１５が露出する断線修復用コンタクトホール５２７をそれぞれ形成する。次に、図３０（ｄ）に示すように、レーザＣＶＤ法を用い、断線修復用コンタクトホール５２７を介して断線両端部間を電気的に接続させる断線修復用導電膜５２９を画素電極５１３上に形成する。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、以上説明した従来の液晶表示装置の欠陥修復方法を用いて蓄積容量バスライン５１５に生じた断線欠陥を修復すると、図３０（ｄ）に示すように、断線欠陥修復用導電膜５２９を介して蓄積容量バスライン５１５と画素電極５１３とが短絡してしまう。このため、当該画素のドレイン電極５１７とドレインバスライン５０１とを切断部５２６で切断して電気的に絶縁させる必要があるが、当該画素が新たな点欠陥となってしまうという問題が生じる。さらに、２画素以上にまたがった広範囲にわたる断線欠陥を修復すると、同様にそれらの画素が連結点欠陥となってしまうという問題が生じる。
【００１６】
本発明の目的は、新たな点欠陥を生じさせずに蓄積容量バスラインに生じた断線欠陥を修復できる液晶表示装置及びその欠陥修復方法を提供することにある。
【００１７】
【課題を解決するための手段】
上記目的は、基板上に形成された蓄積容量バスラインの断線欠陥を修復する液晶表示装置の欠陥修復方法において、前記蓄積容量バスラインの断線両端部であって画素電極が形成されていない領域上に、前記蓄積容量バスラインを露出させる断線修復用コンタクトホールをそれぞれ形成する第１の工程と、前記画素電極と短絡させずに、前記断線修復用コンタクトホールを介して前記断線両端部間を電気的に接続させる断線修復用導電膜を形成する第２の工程とを有し、前記断線修復用導電膜で構成される断線修復経路で前記断線欠陥を修復することを特徴とする液晶表示装置の欠陥修復方法によって達成される。
【００１８】
また、上記目的は、絶縁性を有する基板と、前記基板上にマトリクス状に配置された画素領域と、前記画素領域を横断して形成された蓄積容量バスラインと、絶縁膜を介して前記蓄積容量バスラインに対向して形成された蓄積容量電極と、前記蓄積容量電極上で電気的に分離された分離領域を挟んで２つに分割して前記画素領域に形成され、それぞれ前記蓄積容量電極と電気的に接続された画素電極とを有することを特徴とする液晶表示装置によって達成される。
【００１９】
さらに、上記目的は、絶縁性を有する基板と、前記基板上の画素領域毎に形成された画素電極と、前記画素電極と電気的に分離され、前記画素電極の周囲に形成された断線修復用導電膜とを有することを特徴とする液晶表示装置によって達成される。
【００２０】
【発明の実施の形態】
本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置及びその欠陥修復方法について図１乃至図１２を用いて説明する。図１は、本実施の形態による液晶表示装置の概略構成を示している。液晶パネルは、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ；Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）等が形成されたＴＦＴ基板２００とカラーフィルタ（ＣＦ；Ｃｏｌｏｒ  Ｆｉｌｔｅｒ）等が形成されたＣＦ基板２０２の２枚の絶縁性を有するガラス基板を対向させ、その間に液晶を封止して貼り合わせた構造を有している。
【００２１】
図２は、本実施の形態による液晶表示装置のＴＦＴ基板２００上に形成された素子の等価回路を示している。ＴＦＴ基板２００上には、図中左右に延びるゲートバスライン１０３が平行に複数形成され、それらにほぼ直交して図中上下に延びるドレインバスライン１０１が平行に複数形成されている。複数のゲートバスライン１０３とドレインバスライン１０１とで囲まれた各領域が画素領域となる。画素領域内にはＴＦＴ１２１と透明電極材料からなる画素電極１１３が形成されている。各ＴＦＴ１２１のドレイン電極は隣接するドレインバスライン１０１に接続され、ゲート電極は隣接するゲートバスライン１０３に接続され、ソース電極は画素電極１１３に接続されている。基板面に対して画素電極１１３下方にはゲートバスライン１０３と平行に蓄積容量バスライン１１５が形成されている。これらのＴＦＴ１２１や各バスライン１０１、１０３、１１５は、フォトリソグラフィ工程で形成され、「成膜→レジスト塗布→露光→現像→エッチング→レジスト剥離」という一連の半導体プロセスを繰り返して形成される。
【００２２】
図１に戻り、液晶を封止してＣＦ基板２０２と対向配置されたＴＦＴ基板２００には、複数のゲートバスライン１０３を駆動するドライバＩＣが実装されたゲート駆動回路２０６と、複数のドレインバスライン１０１を駆動するドライバＩＣが実装されたドレイン駆動回路２０８とが設けられている。これらの駆動回路２０６、２０８は、制御回路２１６から出力された所定の信号に基づいて、走査信号やデータ信号を所定のゲートバスライン１０３あるいはドレインバスライン１０１に出力するようになっている。ＴＦＴ基板２００の素子形成面と反対側の基板面には偏光板２１２が配置され、偏光板２１２のＴＦＴ基板２００と反対側の面にはバックライトユニット２１４が取り付けられている。一方、ＣＦ基板２０２のＣＦ形成面と反対側の面には、偏光板２１２とクロスニコルに配置された偏光板２１０が貼り付けられている。
【００２３】
ＴＦＴ１２１の構造には、基板面に対してゲート電極上部にソース／ドレイン電極が形成された逆スタガ型や、ソース／ドレイン電極上部にゲート電極が形成されたスタガ型あるいはプレーナ型等がある。図３は、代表的な逆スタガ型ＴＦＴを備えた画素領域の概略構成を示している。図３（ａ）は、基板面に向かって見た一画素領域を表し、図３（ｂ）は、図３（ａ）のＢ−Ｂ’線で切断したＴＦＴ１２１断面を示している。
【００２４】
図３（ａ）に示すように、ＴＦＴ１２１は、ゲートバスライン１０３とドレインバスライン１０１との交差位置近傍に形成されている。ＴＦＴ１２１のドレイン電極１１７はドレインバスライン１０１から引き出され、その端部が、ゲートバスライン１０３上にａ−Ｓｉやポリシリコン（ｐ−Ｓｉ）で形成された動作半導体層１３６と、その上に形成されたチャネル保護膜１０５の一端辺側に位置するように形成されている。
【００２５】
一方、ソース電極１１９は動作半導体層１３６及びチャネル保護膜１０５上の他端辺側に位置するように形成されている。このような構成においてチャネル保護膜１０５直下のゲートバスライン１０３が当該ＴＦＴ１２１のゲート電極として機能するようになっている。
【００２６】
また、図３（ｂ）に示すように、ゲートバスライン１０３上にはゲート絶縁膜１２３が形成され、チャネルを構成する動作半導体層１３６はゲートバスライン１０３直上のゲート絶縁膜１２３上に形成されている。
図３（ａ）に戻り、画素領域ほぼ中央を左右に延びる蓄積容量バスライン１１５が形成されている。蓄積容量バスライン１１５の上層には保護膜１４３を介して画素毎に蓄積容量電極１０９が形成されている。ソース電極１１９および蓄積容量電極１０９の上層にはＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）等の透明電極からなる画素電極１１３が形成されている。画素電極１１３は、その下方に形成した保護膜１４３に設けられたコンタクトホール１０７を介してソース電極１１９と電気的に接続されている。また画素電極１１３は、コンタクトホール１１１を介して蓄積容量電極１０９と電気的に接続されている。
【００２７】
以上説明したＴＦＴ構造は逆スタガ型であるが、例えばスタガ型やプレーナ型では最下層にドレイン電極があり、ゲート電極はその上部にあるという逆の構造になっている。
【００２８】
次に、本実施の形態による液晶表示装置の製造方法について、図４乃至図９を用いて説明する。なお、図４乃至図９において、図１乃至図３に示した構成要素と同一の機能作用を有する構成要素については、同一の符号を付してその説明を省略する。また、図４乃至図９における（ａ）は、図３のＢ−Ｂ’線で切断したＴＦＴ１２１の断面を示し、（ｂ）は、図３のＣ−Ｃ’線で切断した蓄積容量バスライン近傍の断面を示している。
【００２９】
まず、図４に示すように、透明ガラス基板１３１上に例えばアルミニウム（Ａｌ）を全面に成膜して厚さ約１５０ｎｍの金属層を形成する。次いで、第１のマスクを用いてパターニングし、ゲートバスライン１０３（図４（ａ）参照）及び蓄積容量バスライン１１５（図４（ｂ）参照）を形成する。次に、例えばシリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）をプラズマＣＶＤ法により基板全面に成膜して厚さ約４００ｎｍのゲート絶縁膜１２３を形成する。次に、動作半導体層を形成するための例えば厚さ約１５ｎｍのａ−Ｓｉ層１２５をプラズマＣＶＤ法により基板全面に成膜する。続いて、チャネル保護膜を形成するための例えば厚さ約１２０ｎｍのＳｉＮ膜１２７をプラズマＣＶＤ法により連続して成膜する。
【００３０】
次に、ゲートバスライン１０３及び蓄積容量バスライン１１５をマスクとして、透明ガラス基板１３１に対して背面露光を行い、さらに第２のマスクを用いた露光を行って、ゲートバスライン１０３上に自己整合的にレジストパターン（図示せず）を形成し、ゲートバスライン１０３及び蓄積容量バスライン１１５上に形成されたＳｉＮ膜１２７をエッチングして、ＴＦＴ形成領域のゲートバスライン１０３上にチャネル保護膜１０５を形成する（図５（ａ）、（ｂ）参照）。
【００３１】
次に、図６に示すように、厚さ約３０ｎｍのオーミックコンタクト層を形成するためのｎ＋ａ−Ｓｉ層１２９をプラズマＣＶＤ法により全面に形成する。次いで、ドレイン電極１１７、ソース電極１１９、蓄積容量電極１０９、及びドレインバスライン１０１を形成するための厚さ約１７０ｎｍの金属層（例えばクロム（Ｃｒ）層）１３２をスパッタリングにより連続成膜する。
【００３２】
次に、図７に示すように、第３のマスクを用いて金属層１３２、ｎ＋ａ−Ｓｉ層１２９、ａ−Ｓｉ層１２５をパターニングし、ドレインバスライン１０１（図７では図示せず）、ドレイン電極１１７、ソース電極１１９、蓄積容量電極１０９、及び動作半導体層１３６を形成する。このパターニングにおけるエッチング処理において、チャネル保護膜１０５はエッチングストッパとして機能し、その下層のａ−Ｓｉ層１２５はエッチングされずに残存する。
【００３３】
次に、図８に示すように、例えばＳｉＮ膜からなる厚さ約３００ｎｍの保護膜１４３をプラズマＣＶＤ法にて形成する。次いで、第４のマスクを用いて保護膜１４３をパターニングし、ソース電極１１９及び蓄積容量電極１０９上の保護膜１４３を開口して、ソース電極１１９上にコンタクトホール１０７を形成し、蓄積容量電極１０９上にコンタクトホール１１１を形成する。
【００３４】
次に、図９に示すように、透明ガラス基板１３１全面に例えばＩＴＯからなる厚さ約７０ｎｍの画素電極形成材料を成膜する。次いで、第５のマスクを用いて画素電極形成材料をパターニングし、図３に示すような所定形状の画素電極１１３を形成する。画素電極１１３はコンタクトホール１０７を介してソース電極１１９と電気的に接続され、また、コンタクトホール１１１を介して蓄積容量電極１０９と電気的に接続される。以上の工程を経て本実施の形態による液晶表示装置の表示パネルが完成する。
【００３５】
次に、本実施の形態による液晶表示装置の欠陥修復方法について、図１０乃至図１２を用いて説明する。図１０は、本実施の形態による液晶表示装置の欠陥修復方法を示す平面図である。なお、図３（ａ）に示した構成要素と同一の機能作用を有する構成要素については、同一の符号を付してその説明を省略する。予め蓄積容量バスライン１１５、１１５’の断線検査がなされており、断線検査の結果、蓄積容量バスライン１１５、１１５’の断線部１５０、１５２が発見されているものとする。まず、断線欠陥が生じた蓄積容量バスライン１１５の断線両端部であって、画素電極１１３及び蓄積容量電極１０９が形成されていない領域上（図１０では蓄積容量電極１０９とドレインバスライン１０１の間）に、蓄積容量バスライン１１５を露出させる断線修復用コンタクトホール１５４をそれぞれ形成する。次に、レーザＣＶＤ法を用いて断線修復用導電膜１５６を形成する。断線修復用導電膜１５６は、画素電極１１３と短絡しないように、画素電極１１３の周囲のドレインバスライン１０１及びゲートバスライン１０３上を迂回させて形成される。断線修復用導電膜１５６で構成される断線修復経路により、蓄積容量バスライン１１５の断線両端部が電気的に接続され、断線欠陥が修復される。２画素にまたがった断線部１５２で広範囲に断線欠陥が生じた蓄積容量バスライン１１５’についても同様に修復される。
【００３６】
図１１及び図１２は、図１０のＤ−Ｄ’線で切断した蓄積容量バスライン１１５近傍の工程断面図であり、本実施の形態による液晶表示装置の欠陥修復方法について、その前提となる製造工程を含めて示している。まず、本実施の形態による液晶表示装置の製造工程を説明する。図４乃至図７に示した工程と同様の工程により、蓄積容量バスライン１１５、蓄積容量電極１０９、及びドレインバスライン１０１を形成する（図１１（ａ））。次に、図１１（ｂ）に示すように、例えばＳｉＮ膜からなる厚さ約３００ｎｍの保護膜１４３をプラズマＣＶＤ法にて形成する。次に、図１１（ｃ）に示すように、例えば厚さ約７０ｎｍのＩＴＯからなる画素電極１１３を保護膜１４３上に形成し、液晶表示装置の表示パネルが完成する。
【００３７】
次に、本実施の形態による液晶表示装置の欠陥修復工程について説明する。まず、図１２（ａ）に示すように、断線欠陥が生じた蓄積容量バスライン１１５の断線両端部であって、画素電極１１３及び蓄積容量電極１０９が形成されていない領域上に、蓄積容量バスライン１１５を露出させる断線修復用コンタクトホール１５４をそれぞれ形成する。断線修復用コンタクトホール１５４は、レーザを用いて形成される。
【００３８】
次に、図１２（ｂ）に示すように、画素電極１１３と短絡させずに、蓄積容量電極１０９上に断線修復用導電膜１５６を形成し、断線修復用コンタクトホール１５４間を結線する。断線修復用導電膜１５６は、レーザＣＶＤ法を用いて成膜され、画素電極１１３を迂回するように、ドレインバスライン１０１及びゲートバスライン１０３上層の保護膜上に形成される。断線修復用導電膜１５６で構成される断線修復経路により、蓄積容量バスライン１１５の断線両端部が電気的に接続され、断線欠陥が修復される。
【００３９】
本実施の形態によれば、蓄積容量バスライン１１５、１１５’に生じた断線欠陥を修復する際に、断線欠陥修復用導電膜１５６と画素電極１１３、１１３’とが短絡しないため、蓄積容量バスライン１１５、１１５’と画素電極１１３、１１３’とは電気的な絶縁が保たれる。そのため、ドレイン電極１１７とドレインバスライン１０１とを切断する必要がなく、新たな点欠陥を生じさせずに蓄積容量バスライン１１５に生じた断線欠陥を修復できる。また、新たな連結点欠陥を生じさせずに蓄積容量バスライン１１５’に生じた２画素以上にまたがった広範囲にわたる断線欠陥を修復できる。
【００４０】
次に、本発明の第２の実施の形態による液晶表示装置及びその欠陥修復方法について図１３乃至１５を用いて説明する。図１３は、本実施の形態による液晶表示装置の構成を示す平面図である。なお、図３（ａ）に示した構成要素と同一の機能作用を有する構成要素については、同一の符号を付してその説明を省略する。図１３に示す液晶表示装置は、画素電極１１３が蓄積容量電極１０９上で電気的に分離された分離領域１６６を挟んで、画素電極１１３、１１３’の２つに分割して形成されている。また、蓄積容量電極１０９は凸状のコンタクト部である突起領域を２つ有しており、各突起領域に形成されたコンタクトホール１１１、１１２を介して２つの画素電極１１３、１１３’にそれぞれ接続されている。
【００４１】
また、図１３に示す液晶表示装置は、図中左上の１画素内で蓄積容量バスライン１１５に断線部１５０での断線欠陥が生じており、図中下方では蓄積容量バスライン１１５’に２画素にまたがった断線部１５２での断線欠陥が生じている。
【００４２】
次に、本実施の形態による液晶表示装置の欠陥修復方法について図１４及び図１５を用いて説明する。図１４は、本実施の形態による液晶表示装置の欠陥修復方法を示す平面図である。なお、図３（ａ）に示した構成要素と同一の機能作用を有する構成要素については、同一の符号を付してその説明を省略する。予め蓄積容量バスライン１１５、１１５’の断線検査がなされており、断線検査の結果、蓄積容量バスライン１１５、１１５’の断線部１５０、１５２が発見されているものとする。まず、断線部１５０で断線欠陥が生じた蓄積容量バスライン１１５の断線両端部であって、画素電極１１３及び蓄積容量電極１０９が形成されていない領域上（図１４では蓄積容量電極１０９とドレインバスライン１０１の間）に、蓄積容量バスライン１１５を露出させる断線修復用コンタクトホール１５４をそれぞれ形成する。次に、画素電極１１３と短絡させずに、分離領域１６６上に断線修復用導電膜１５６をレーザＣＶＤ法を用いて形成する。ここで、分離領域１６６は断線修復用導電膜１５６が形成される幅を有している。断線修復用導電膜１５６で構成される断線修復経路により、蓄積容量バスライン１１５の断線両端部が電気的に接続され、断線欠陥が修復される。２画素にまたがった断線部１５２で広範囲に断線欠陥が生じた蓄積容量バスライン１１５’についても同様に修復される。
【００４３】
本実施の形態による液晶表示装置の欠陥修復方法について、図１５を用いてより具体的に説明する。図１５は、図１４のＥ−Ｅ’線で切断した蓄積容量バスライン近傍の工程断面図であり、本実施の形態による液晶表示装置の欠陥修復方法について、その前提となる製造工程を含めて示している。なお、図９（ｂ）等に示した構成要素と同一の機能作用を有する構成要素については、同一の符号を付してその説明を省略する。
【００４４】
まず、本実施の形態による液晶表示装置の製造工程について説明する。図４乃至図６に示した工程とほぼ同様の工程により、図１４に示すような上下に２つの突起領域を有する蓄積容量電極１０９を形成する（図１５（ａ））。次に、図１５（ｂ）に示すように、例えばＳｉＮ膜からなる厚さ約３００ｎｍの保護膜１４３をプラズマＣＶＤ法にて形成する。次に、図１５（ｃ）に示すように、保護膜１４３をパターニングし、蓄積容量電極１０９の突起領域上の保護膜１４３を開口して、コンタクトホール１１２を形成する。次に、例えばＩＴＯからなる厚さ約７０ｎｍの画素電極形成材料を成膜してパターニングし、図１３に示したように蓄積容量電極１０９上の分離領域１６６で分離された画素電極１１３、１１３’を形成する。画素電極１１３は、コンタクトホール１１１（図１５では図示せず）を介して蓄積容量電極１０９と電気的に接続されている。また、画素電極１１３’は、コンタクトホール１１２を介して蓄積容量電極１０９と電気的に接続されている。すなわち、画素電極１１３と画素電極１１３’は分離領域１６６で分離して形成されているが、蓄積容量電極１０９を介して互いに電気的に接続されている。以上説明した工程を経て、図１３に示した液晶表示装置が完成する。
【００４５】
次に、本実施の形態による液晶表示装置の欠陥修復工程について説明する。まず、断線欠陥が生じた蓄積容量バスライン１１５の断線両端部であって、画素電極１１３、１１３’及び蓄積容量電極１０９が形成されていない領域上に、蓄積容量バスライン１１５、１１５’を露出させる断線修復用コンタクトホール（図１５では図示せず）をそれぞれ形成する。断線修復用コンタクトホールは、レーザを用いて形成される。断線修復用コンタクトホールの形成に用いるレーザ光は、ＹＡＧパルスレーザの第３高調波（３５５ｎｍ）あるいは第４高調波（２６６ｎｍ）である。
【００４６】
次に、図１５（ｄ）に示すように、画素電極１１３、１１３’と短絡させずに、分離領域１６６上に断線修復用導電膜１５６を形成し、断線修復用コンタクトホール１５４間を結線する。断線修復用導電膜１５６は、レーザＣＶＤ法を用いて成膜される。断線修復用導電膜１５６で構成される断線修復経路により、蓄積容量バスライン１１５の断線両端部が電気的に接続され、断線欠陥が修復される。
【００４７】
レーザＣＶＤ法による断線修復用導電膜１５６の成膜は、タングステン（Ｗ）有機金属、モリブデン（Ｍｏ）有機金属あるいはクロム（Ｃｒ）有機金属を含むアルゴン（Ａｒ）ガスを流しながら有機金属ガス（成膜ガス）濃度、レーザパワー、スキャン速度及び回数を調整してＹＡＧ３５５ｎｍの連続レーザ光を照射して膜を堆積させるようにしている。
【００４８】
具体的な成膜条件を示す。成膜ガスは、金属カルボニル｛Ｗ（ＣＯ）6、Ｃｒ（ＣＯ）6｝である。レーザパワーは、アッテネータ値として、０．２〜０．４である。スキャン速度は、３．０μｍ／ｓｅｃである。スキャン回数は、１往復である。キャリアガス（Ａｒ）流量は、９０ｃｃ／ｍｉｎである。この条件で成膜すれば、Ｗで膜厚が４００〜６００ｎｍ、比抵抗が１００〜１５０μΩｃｍが得られる。なお、Ｗ単体での比抵抗は５．６５μΩｃｍである。
【００４９】
コンタクトホール径は、レーザ条件にもよるが２〜５μｍ径レベルのものを使用している。レーザＣＶＤ法によって成膜した金属配線部は最小描画線幅が５μｍ、膜厚は０．２μｍ、抵抗率は５０μΩ・ｃｍ以下である。
【００５０】
本実施の形態によれば、蓄積容量バスライン１１５、１１５’に生じた断線欠陥を修復する際に、断線欠陥修復用導電膜１５６と画素電極１１３、１１３’が短絡しないため、蓄積容量バスライン１１５、１１５’と画素電極１１３、１１３’とは電気的な絶縁が保たれる。そのため、ドレイン電極１１７とドレインバスライン１０１とを切断する必要がなく、新たな点欠陥を生じさせずに蓄積容量バスライン１１５に生じた断線欠陥を修復できる。また、新たな連結点欠陥を生じさせずに蓄積容量バスライン１１５’に生じた２画素以上にまたがった広範囲にわたる断線欠陥を修復できる。さらに、断線修復経路が迂回しないので、レーザＣＶＤ法を容易に正確に用いることができる。
【００５１】
次に、本発明の第３の実施の形態による液晶表示装置及びその欠陥修復方法について、図１６乃至図１９を用いて説明する。図１６は、本実施の形態による液晶表示装置の構成を示す平面図である。なお、図３（ａ）に示した構成要素と同一の機能作用を有する構成要素については、同一の符号を付してその説明を省略する。図１６に示す液晶表示装置は、画素電極１１３の周囲に、画素電極１１３と電気的に分離して形成された断線修復用導電膜１５８を有していることを特徴としている。断線修復用導電膜１５８は、画素電極１１３の形成材料で、画素電極１１３と同時に形成されている。また、断線修復用導電膜１５８は、配線両端が蓄積容量バスライン１１５あるいは１１５’上に位置している。さらに、断線修復用導電膜１５８は、図中画素電極１１３周囲上半分側のゲートバスライン１０３及びドレインバスライン１０１上に形成され、ゲートバスライン１０３に沿う隣接画素間を接続して形成されている。
【００５２】
次に、本実施の形態による液晶表示装置の欠陥修復方法について、図１７乃至図１９を用いて説明する。図１７は、本実施の形態による液晶表示装置の欠陥修復方法を示す平面図である。なお、図３（ａ）に示した構成要素と同一の機能作用を有する構成要素については、同一の符号を付してその説明を省略する。予め蓄積容量バスライン１１５、１１５’の断線検査がなされており、断線検査の結果、蓄積容量バスライン１１５、１１５’の断線部１５０、１５２が発見されているものとする。図１７に示すように、まず、断線部１５０で断線欠陥が生じた蓄積容量バスライン１１５の断線両端部であって、画素電極１１３及び蓄積容量電極１０９が形成されていない領域上（図１７では蓄積容量電極１０９とドレインバスライン１０１の間）に、蓄積容量バスライン１１５を露出させる断線修復用コンタクトホール１５４をそれぞれ形成する。次に、レーザＣＶＤ法を用いて断線修復用導電膜１５８と接続する断線修復用導電膜１５６を形成し、断線修復用導電膜１５８とコンタクトホール１５４との間を結線する。断線修復用導電膜１５６と断線修復用導電膜１５８とで構成される画素電極１１３を迂回する断線修復経路により、蓄積容量バスライン１１５、１１５’の断線両端部が電気的に接続され、断線欠陥が修復される。２画素にまたがった断線部１５２で広範囲に断線欠陥が生じた蓄積容量バスライン１１５’についても同様に修復される。
【００５３】
本実施の形態による液晶表示装置の欠陥修復方法について、図１８及び図１９を用いてより具体的に説明する。図１８及び図１９は、図１７のＦ−Ｆ’線で切断した蓄積容量バスライン１１５近傍の工程断面図であり、本実施の形態による液晶表示装置の欠陥修復方法について、その前提となる製造工程を含めて示している。なお、図９（ｂ）等に示した構成要素と同一の機能作用を有する構成要素については、同一の符号を付してその説明を省略する。まず、本実施の形態による液晶表示装置の製造工程について説明する。図４乃至図７に示した工程と同様の工程により、蓄積容量バスライン１１５、蓄積容量電極１０９、及びドレインバスライン１０１を形成する（図１８（ａ））。次に、図１８（ｂ）に示すように、例えばＳｉＮ膜からなる厚さ約３００ｎｍの保護膜１４３をプラズマＣＶＤ法にて形成する。次に、図１８（ｃ）に示すように、例えば厚さ約７０ｎｍのＩＴＯを成膜しパターニングして、画素電極１１３及び欠陥修復用導電膜１５８を保護膜１４３上に形成する。
【００５４】
次に、本実施の形態による液晶表示装置の欠陥修復工程について説明する。まず、図１９（ａ）に示すように、断線欠陥が生じた蓄積容量バスライン１１５の断線両端部であって、画素電極１１３及び蓄積容量電極１０９が形成されていない領域上に、蓄積容量バスライン１１５を露出させる断線修復用コンタクトホール１５４をそれぞれ形成する。断線修復用コンタクトホール１５４は、レーザを用いて形成される。
【００５５】
次に、図１９（ｂ）に示すように、画素電極１１３と短絡させずに、断線修復膜１５８と接続する断線修復用導電膜１５６を蓄積容量電極１０９上に形成し、断線修復用コンタクトホール１５４と断線修復用導電膜１５８とを結線する。断線修復用導電膜１５６は、レーザＣＶＤ法を用いて成膜される。断線修復用導電膜１５６と断線修復用導電膜１５８とで構成される断線修復経路により、蓄積容量バスライン１１５の断線両端部が電気的に接続され、断線欠陥が修復される。
【００５６】
本実施の形態によれば、蓄積容量バスライン１１５、１１５’に生じた断線欠陥を修復する際に、断線欠陥修復用導電膜１５６と画素電極１１３が短絡しないため、蓄積容量バスライン１１５、１１５’と画素電極１１３とは電気的な絶縁が保たれる。そのため、ドレイン電極１１７とドレインバスライン１０１とを切断する必要がなく、新たな点欠陥を生じさせずに蓄積容量バスライン１１５に生じた断線欠陥を修復できる。また、新たな連結点欠陥を生じさせずに蓄積容量バスライン１１５’に生じた２画素以上にまたがった広範囲にわたる断線欠陥を修復できる。さらに、断線修復経路のうち画素電極１１３を迂回する断線修復用導電膜１５８があらかじめ形成されているため、レーザＣＶＤ法を用いて成膜される断線修復用導電膜１５６の距離が短く、欠陥修復に要する時間を短縮できる。また、断線修復用導電膜１５８は画素電極１１３の形成材料で画素電極１１３と同時に形成されるため、製造工程も増加しない。
【００５７】
次に、本発明の第４の実施の形態による液晶表示装置の欠陥修復方法について、図２０及び図２１を用いて説明する。図２０及び図２１は、本実施の形態による液晶表示装置の欠陥修復方法を示す平面図である。なお、図３（ａ）に示した構成要素と同一の機能作用を有する構成要素については、同一の符号を付してその説明を省略する。予め蓄積容量バスライン１１５、１１５’の断線検査がなされており、断線検査の結果、蓄積容量バスライン１１５、１１５’の断線部１５０、１５２が発見されているものとする。図２０に示すように、まず、断線部１５０が含まれる画素領域に形成された画素電極１１３の外周の一部をレーザで分離して孤立させ、当該孤立領域で断線修復用導電膜１６０を形成する。次に、図２１に示すように、断線欠陥が生じた蓄積容量バスライン１１５の断線両端部であって、画素電極１１３及び蓄積容量電極１０９が形成されていない領域上（図２１では蓄積容量電極１０９とドレインバスライン１０１の間）に、蓄積容量バスライン１１５を露出させる断線修復用コンタクトホール１５４をそれぞれ形成する。次に、レーザＣＶＤ法を用いて断線修復用導電膜１６０と接続する断線修復用導電膜１５６を形成し、断線修復用コンタクトホール１５４と断線修復用導電膜１６０との間を結線する。断線修復用導電膜１５６と断線修復用導電膜１６０とで構成される画素電極１１３を迂回する断線修復経路により、蓄積容量バスライン１１５の断線両端部が電気的に接続され、断線欠陥が修復される。
【００５８】
２画素にまたがった断線部１５２で広範囲に断線欠陥が生じた蓄積容量バスライン１１５’については、断線部１５２が含まれる２つの画素領域に形成された２つの画素電極１１３の外周の一部をそれぞれレーザで分離し、断線修復用導電膜１６０’、１６０’’を形成する。次に、図２１に示すように、断線欠陥が生じた蓄積容量バスライン１１５’の断線両端部であって、画素電極１１３及び蓄積容量電極１０９が形成されていない領域上に、蓄積容量バスライン１１５’を露出させる断線修復用コンタクトホール１５４をそれぞれ形成する。次に、レーザＣＶＤ法を用いて断線修復用導電膜１５６を形成し、断線修復用コンタクトホール１５４と断線修復用導電膜１６０’との間を結線する。続いて、断線修復用導電膜１６０’と断線修復用導電膜１６０’’との間と、断線修復用導電膜１６０’’と断線修復用コンタクトホール１５４との間とをそれぞれ結線する。断線修復用導電膜１５６と断線修復用導電膜１６０とで構成される画素電極１１３を迂回する断線修復経路により、蓄積容量バスライン１１５の断線両端部が電気的に接続され、断線欠陥が修復される。
【００５９】
本実施の形態によれば、蓄積容量バスライン１１５、１１５’に生じた断線欠陥を修復する際に、断線欠陥修復用導電膜１５６と画素電極１１３が短絡しないため、蓄積容量バスライン１１５、１１５’と画素電極１１３とは電気的な絶縁が保たれる。そのため、ドレイン電極１１７とドレインバスライン１０１とを切断する必要がなく、新たな点欠陥を生じさせずに蓄積容量バスライン１１５に生じた断線欠陥を修復できる。また、新たな連結点欠陥を生じさせずに蓄積容量バスライン１１５’に生じた２画素以上にまたがった広範囲にわたる断線欠陥を修復できる。さらに、断線修復経路のうち画素電極１１３を迂回する断線修復用導電膜１６０が画素電極１１３の外周の一部を分離して形成されるため、レーザＣＶＤ法で成膜される断線修復用導電膜１５６の距離が短く、欠陥修復に要する時間を短縮できる。なお、画素電極１１３の外周の一部を分離するのみであるので、当該画素が欠陥になることもない。
【００６０】
次に、本発明の第５の実施の形態による液晶表示装置の欠陥修復方法について、図２２乃至図２４を用いて説明する。図２２及び図２３は、本実施の形態による液晶表示装置の欠陥修復方法を示す平面図である。なお、図３（ａ）に示した構成要素と同一の機能作用を有する構成要素については、同一の符号を付してその説明を省略する。予め蓄積容量バスライン１１５、１１５’の断線検査がなされており、断線検査の結果、蓄積容量バスライン１１５、１１５’の断線部１５０、１５２が発見されているものとする。図２２に示すように、まず、断線部１５０が含まれる画素領域で蓄積容量電極１０９上の画素電極１１３をレーザを用いて除去して分離して分離領域１６６を形成する。画素電極１１３は、分離領域１６６を挟んで画素電極１１３、１１３’の２つに分割される。次に、図２３に示すように、断線欠陥が生じた蓄積容量バスライン１１５の断線両端部であって、画素電極１１３、１１３’及び蓄積容量電極１０９が形成されていない領域上（図２３では蓄積容量電極１０９とドレインバスライン１０１の間）に、蓄積容量バスライン１１５を露出させる断線修復用コンタクトホール１５４をそれぞれ形成する。断線修復用コンタクトホール１５４は、レーザを用いて形成される。
【００６１】
次に、画素電極１１３、１１３’と短絡させずに、分離領域１６６上に断線修復用導電膜１５６を形成し、断線修復用コンタクトホール１５４間を結線する。断線修復用導電膜１５６は、レーザＣＶＤ法を用いて成膜される。断線修復用導電膜１５６で構成される断線修復経路により、蓄積容量バスライン１１５の断線両端部が電気的に接続され、断線欠陥が修復される。次に、分割された画素電極１１３と画素電極１１３’とを接続する画素電極接続用導電膜１６２を形成する。画素電極接続用導電膜１６２はレーザＣＶＤ法を用いて成膜され、断線修復用導電膜１５６と短絡しないように、断線修復用導電膜１５６を迂回して形成されている。２画素にまたがった断線部１５２で広範囲に断線欠陥が生じた蓄積容量バスライン１１５’についても同様に修復される。
【００６２】
本実施の形態による液晶表示装置の欠陥修復方法について、図２４を用いてより具体的に説明する。図２４は、図２３のＧ−Ｇ’線で切断した蓄積容量バスライン１１５近傍の工程断面図であり、本実施の形態による液晶表示装置の欠陥修復方法について、その前提となる製造工程を含めて示している。なお、図９（ｂ）等に示した構成要素と同一の機能作用を有する構成要素については、同一の符号を付してその説明を省略する。まず、本実施の形態による液晶表示装置の製造工程について説明する。図４乃至図７に示した工程とほぼ同様の工程により、蓄積容量バスライン１１５、蓄積容量電極１０９、及びドレインバスライン１０１を形成する（図２４（ａ））。次に、図２４（ｂ）に示すように、例えばＳｉＮ膜からなる厚さ約３００ｎｍの保護膜１４３をプラズマＣＶＤ法にて形成する。次に、例えば厚さ約７０ｎｍのＩＴＯを成膜しパターニングして、画素電極１１３を保護膜１４３上に形成する。
【００６３】
次に、本実施の形態による液晶表示装置の欠陥修復工程について説明する。まず、図２４（ｃ）に示すように、断線部１５０が含まれる画素領域に形成された画素電極１１３を蓄積容量電極１０９上で分離して分離領域１６６を形成する。画素電極１１３は、分離領域１６６を挟んで画素電極１１３、１１３’の２つに分割される。次に、断線欠陥が生じた蓄積容量バスライン１１５の断線両端部であって、画素電極１１３、１１３’及び蓄積容量電極１０９が形成されていない領域上に、蓄積容量バスライン１１５を露出させる断線修復用コンタクトホール１５４（図２４では図示せず）をそれぞれ形成する。次に、図２４（ｄ）に示すように、画素電極１１３、１１３’と短絡させずに、画素電極１１３が除去された蓄積容量電極１０９上に断線修復用導電膜１５６を形成する。蓄積容量バスライン１１５の断線両端部を結線する断線修復用導電膜１５６は、レーザＣＶＤ法を用いて成膜される。次に、分割された画素電極１１３、１１３’を電気的に接続させる画素電極接続用導電膜１６２を形成する。画素電極接続用導電膜１６２はレーザＣＶＤ法を用いて成膜される。
【００６４】
本実施の形態によれば、蓄積容量バスライン１１５、１１５’に生じた断線欠陥を修復する際に、断線欠陥修復用導電膜１５６と画素電極１１３、１１３’が短絡しないため、蓄積容量バスライン１１５、１１５’と画素電極１１３、１１３’とは電気的な絶縁が保たれる。そのため、ドレイン電極１１７とドレインバスライン１０１とを切断する必要がなく、新たな点欠陥を生じさせずに蓄積容量バスライン１１５に生じた断線欠陥を修復できる。また、新たな連結点欠陥を生じさせずに蓄積容量バスライン１１５’に生じた２画素以上にまたがった広範囲にわたる断線欠陥を修復できる。なお、画素電極１１３、１１３’が分離されているが、後工程で画素電極接続用導電膜１６２により接続されているため、その画素が欠陥になることもない。
【００６５】
次に、本発明の第６の実施の形態による液晶表示装置の欠陥修復方法について、図２５乃至図２７を用いて説明する。図２５は、本実施の形態による液晶表示装置の欠陥修復方法を示す平面図である。なお、図３（ａ）に示した構成要素と同一の機能作用を有する構成要素については、同一の符号を付してその説明を省略する。予め蓄積容量バスライン１１５、１１５’の断線検査がなされており、断線検査の結果、蓄積容量バスライン１１５、１１５’の断線部１５０、１５２が発見されているものとする。図２５に示すように、まず、断線部１５０が含まれる画素領域に形成された蓄積容量電極１０９上でかつ画素電極１１３上に、断線修復用絶縁膜１６４を形成する。断線修復用絶縁膜１６４は、レーザＣＶＤ法を用いて成膜される。
【００６６】
次に、断線欠陥が生じた蓄積容量バスライン１１５の断線両端部であって、画素電極１１３及び蓄積容量電極１０９が形成されていない領域上（図２５では蓄積容量電極１０９とドレインバスライン１０１の間）に、蓄積容量バスライン１１５を露出させる断線修復用コンタクトホール１５４をそれぞれ形成する。断線修復用コンタクトホール１５４は、レーザを用いて形成される。
【００６７】
次に、画素電極１１３と短絡させずに、断線修復用絶縁膜１６４上に断線修復用導電膜１５６を形成し、断線修復用コンタクトホール１５４間を結線する。蓄積容量バスライン１１５の断線両端部を結線する断線修復用導電膜１５６は、レーザＣＶＤ法を用いて成膜される。断線修復用導電膜１５６で構成される断線修復経路により、蓄積容量バスライン１１５の断線両端部が電気的に接続され、断線欠陥が修復される。２画素にまたがった断線部１５２で広範囲に断線欠陥が生じた蓄積容量バスライン１１５’についても同様に修復される。
【００６８】
本実施の形態による液晶表示装置の欠陥修復方法について、図２６を用いてより具体的に説明する。図２６は、図２５のＨ−Ｈ’線で切断した蓄積容量バスライン１１５近傍の工程断面図であり、本実施の形態による液晶表示装置の欠陥修復方法について、その前提となる製造工程を含めて示している。なお、図９（ｂ）等に示した構成要素と同一の機能作用を有する構成要素については、同一の符号を付してその説明を省略する。まず、本実施の形態による液晶表示装置の製造工程について説明する。図４乃至図７に示した工程とほぼ同様の工程により、蓄積容量バスライン１１５、蓄積容量電極１０９、及びドレインバスライン１０１を形成する（図２６（ａ））。次に、図２６（ｂ）に示すように、例えばＳｉＮ膜からなる厚さ約３００ｎｍの保護膜１４３をプラズマＣＶＤ法にて形成する。次に、図２６（ｃ）に示すように、例えば厚さ約７０ｎｍのＩＴＯを成膜しパターニングして、画素電極１１３を保護膜１４３上に形成する。
【００６９】
次に、本実施の形態による液晶表示装置の欠陥修復工程について説明する。まず、図２７（ａ）に示すように、断線部１５０が含まれる画素領域に形成された画素電極１１３上に、例えばシリコン酸化膜からなる断線修復用絶縁膜１６４を形成する。断線修復用絶縁膜１６４は、レーザＣＶＤ法等の光学的手法を用いて成膜される。
【００７０】
次に、図２７（ｂ）に示すように、断線欠陥が生じた蓄積容量バスライン１１５の断線両端部であって、画素電極１１３及び蓄積容量電極１０９が形成されていない領域上に、蓄積容量バスライン１１５を露出させる断線修復用コンタクトホール１５４をそれぞれ形成する。断線修復用コンタクトホール１５４は、レーザを用いて形成される。
【００７１】
次に、画素電極１１３と短絡させずに、断線修復用絶縁膜１６４上に断線修復用導電膜１５６を形成する。蓄積容量バスライン１１５の断線両端部を結線する断線修復用導電膜１５６は、レーザＣＶＤ法を用いて成膜される。断線修復用導電膜１５６で構成される断線修復経路により、蓄積容量バスライン１１５の断線両端部が電気的に接続され、断線欠陥が修復される。
【００７２】
本実施の形態によれば、蓄積容量バスライン１１５、１１５’に生じた断線欠陥を修復する際に、断線欠陥修復用導電膜１５６と画素電極１１３が短絡しないため、蓄積容量バスライン１１５、１１５’と画素電極１１３とは電気的な絶縁が保たれる。そのため、ドレイン電極１１７とドレインバスライン１０１とを切断する必要がなく、新たな点欠陥を生じさせずに蓄積容量バスライン１１５に生じた断線欠陥を修復できる。また、新たな連結点欠陥を生じさせずに蓄積容量バスライン１１５’に生じた２画素以上にまたがった広範囲にわたる断線欠陥を修復できる。
【００７３】
本発明は、上記実施の形態に限らず種々の変形が可能である。
例えば、上記第３の実施の形態では、断線修復用導電膜１５８が全ての画素に形成されており、ゲートバスライン１０３の延びる方向に隣接する画素同士で互いに接続されているが、本発明はこれに限られない。断線修復用導電膜１５８は、ゲートバスライン１０３の延びる方向に一画素おきに形成されていても構わない。そうすることにより、断線修復用導電膜１５８は互いに絶縁されるため、１本の蓄積容量バスライン１１５に生じた複数の断線欠陥を修復できる。
【００７４】
また、上記実施の形態では、単一の欠陥修復方法を用いて断線欠陥を修復しているが、本発明はこれに限らず、複数の欠陥修復方法を組み合わせて断線欠陥を修復してもよい。
【００７５】
以上説明した実施の形態による液晶表示装置及びその欠陥修復方法は、以下のようにまとめられる。
（付記１）
基板上に形成された蓄積容量バスラインの断線欠陥を修復する液晶表示装置の欠陥修復方法において、
前記蓄積容量バスラインの断線両端部であって画素電極が形成されていない領域上に、前記蓄積容量バスラインを露出させる断線修復用コンタクトホールをそれぞれ形成する第１の工程と、
前記画素電極と短絡させずに、前記断線修復用コンタクトホールを介して前記断線両端部間を電気的に接続させる断線修復用導電膜を形成する第２の工程とを有し、
前記断線修復用導電膜で構成される断線修復経路で前記断線欠陥を修復すること
を特徴とする液晶表示装置の欠陥修復方法。
【００７６】
（付記２）
付記１記載の液晶表示装置の欠陥修復方法において、
前記断線修復用導電膜は、前記画素電極を迂回させて形成すること
を特徴とする液晶表示装置の欠陥修復方法。
【００７７】
（付記３）
付記１又は２に記載の液晶表示装置の欠陥修復方法において、
前記画素電極の一部を電気的に分離した孤立領域を形成し、前記孤立領域を前記断線修復用導電膜の一部に用いること
を特徴とする液晶表示装置の欠陥修復方法。
【００７８】
（付記４）
付記１乃至３のいずれか１項に記載の液晶表示装置の欠陥修復方法において、
前記断線修復用導電膜は、前記画素電極周囲に予め形成しておくこと
を特徴とする液晶表示装置の欠陥修復方法。
【００７９】
（付記５）
付記１乃至４のいずれか１項に記載の液晶表示装置の欠陥修復方法において、
絶縁膜を介して前記蓄積容量バスラインに対向して形成された蓄積容量電極上で前記画素電極を電気的に分離して分離領域を形成し、前記画素電極を前記分離領域を挟んで２つに分割する工程をさらに有し、
前記第２の工程は、前記断線修復用導電膜を前記分離領域上に形成すること
を特徴とする液晶表示装置の欠陥修復方法。
【００８０】
（付記６）
付記５記載の液晶表示装置の欠陥修復方法において、
前記断線修復用導電膜と短絡させずに、分割された２つの前記画素電極間を電気的に接続する画素電極接続用導電膜を形成する工程をさらに有すること
を特徴とする液晶表示装置の欠陥修復方法。
【００８１】
（付記７）
付記５又は６に記載の液晶表示装置の欠陥修復方法において、
前記画素電極接続用導電膜は、レーザＣＶＤ法により形成すること
を特徴とする液晶表示装置の欠陥修復方法。
【００８２】
（付記８）
付記１乃至７のいずれか１項に記載の液晶表示装置の欠陥修復方法において、
前記第２の工程の前に、前記画素電極上に断線修復用絶縁膜を形成する工程をさらに有し、
前記第２の工程は、前記断線修復用導電膜を前記断線修復用絶縁膜上に形成すること
を特徴とする液晶表示装置の欠陥修復方法。
【００８３】
（付記９）
付記８記載の液晶表示装置の欠陥修復方法において、
前記断線修復用絶縁膜は、レーザＣＶＤ法により形成すること
を特徴とする液晶表示装置の欠陥修復方法。
【００８４】
（付記１０）
付記１乃至９のいずれか１項に記載の液晶表示装置の欠陥修復方法において、
前記断線修復用導電膜は、レーザＣＶＤ法により形成すること
を特徴とする液晶表示装置の欠陥修復方法。
【００８５】
（付記１１）
絶縁性を有する基板と、
前記基板上にマトリクス状に配置された画素領域と、
前記画素領域を横断して形成された蓄積容量バスラインと、
絶縁膜を介して前記蓄積容量バスラインに対向して形成された蓄積容量電極と、
前記蓄積容量電極上で電気的に分離された分離領域を挟んで２つに分割して前記画素領域に形成され、それぞれ前記蓄積容量電極と電気的に接続された画素電極と
を有することを特徴とする液晶表示装置。
【００８６】
（付記１２）
付記１１記載の液晶表示装置において、
前記分離領域は、前記蓄積容量バスラインの断線修復用導電膜が形成される幅を有していること
を特徴とする液晶表示装置。
【００８７】
（付記１３）
付記１１又は１２に記載の液晶表示装置において、
前記蓄積容量電極は２つの突起領域を有し、前記２つの突起領域に形成されたコンタクトホールを介して前記２つの画素電極とそれぞれ電気的に接続されていること
を特徴とする液晶表示装置。
【００８８】
（付記１４）
絶縁性を有する基板と、
前記基板上の画素領域毎に形成された画素電極と、
前記画素電極と電気的に分離され、前記画素電極の周囲に形成された断線修復用導電膜と
を有することを特徴とする液晶表示装置。
【００８９】
（付記１５）
付記１４記載の液晶表示装置において、
前記断線修復用導電膜は、前記画素電極の形成材料で前記画素電極と同時に形成されていること
を特徴とする液晶表示装置。
【００９０】
（付記１６）
付記１４又は１５記載の液晶表示装置において、
前記断線修復用導電膜は、配線両端が前記蓄積容量バスライン上に位置して形成され、蓄積容量バスラインの断線欠陥を修復すること
を特徴とする液晶表示装置。
【００９１】
【発明の効果】
以上の通り、本発明によれば、新たな点欠陥を生じさせずに蓄積容量バスラインに生じた断線欠陥を修復できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置の概略構成を示す図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置のＴＦＴ基板上に形成された素子の等価回路を示す図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置の画素領域の概略構成を示す図である。
【図４】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置の製造方法を示す工程断面図である。
【図５】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置の製造方法を示す工程断面図である。
【図６】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置の製造方法を示す工程断面図である。
【図７】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置の製造方法を示す工程断面図である。
【図８】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置の製造方法を示す工程断面図である。
【図９】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置の製造方法を示す工程断面図である。
【図１０】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置の欠陥修復方法を示す平面図である。
【図１１】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置の欠陥修復方法を示す工程断面図である。
【図１２】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置の欠陥修復方法を示す工程断面図である。
【図１３】本発明の第２の実施の形態による液晶表示装置の構成を示す平面図である。
【図１４】本発明の第２の実施の形態による液晶表示装置の欠陥修復方法を示す平面図である。
【図１５】本発明の第２の実施の形態による液晶表示装置の欠陥修復方法を示す工程断面図である。
【図１６】本発明の第３の実施の形態による液晶表示装置の構成を示す平面図である。
【図１７】本発明の第３の実施の形態による液晶表示装置の欠陥修復方法を示す平面図である。
【図１８】本発明の第３の実施の形態による液晶表示装置の欠陥修復方法を示す工程断面図である。
【図１９】本発明の第３の実施の形態による液晶表示装置の欠陥修復方法を示す工程断面図である。
【図２０】本発明の第４の実施の形態による液晶表示装置の欠陥修復方法を示す平面図である。
【図２１】本発明の第４の実施の形態による液晶表示装置の欠陥修復方法を示す平面図である。
【図２２】本発明の第５の実施の形態による液晶表示装置の欠陥修復方法を示す平面図である。
【図２３】本発明の第５の実施の形態による液晶表示装置の欠陥修復方法を示す平面図である。
【図２４】本発明の第５の実施の形態による液晶表示装置の欠陥修復方法を示す工程断面図である。
【図２５】本発明の第６の実施の形態による液晶表示装置の欠陥修復方法を示す平面図である。
【図２６】本発明の第６の実施の形態による液晶表示装置の欠陥修復方法を示す工程断面図である。
【図２７】本発明の第６の実施の形態による液晶表示装置の欠陥修復方法を示す工程断面図である。
【図２８】従来の液晶表示装置の欠陥修復方法を示す平面図である。
【図２９】従来の液晶表示装置の欠陥修復方法を示す工程断面図である。
【図３０】従来の液晶表示装置の欠陥修復方法を示す工程断面図である。
【符号の説明】
１０１  ドレインバスライン
１０３  ゲートバスライン
１０５  チャネル保護膜
１０７、１１１、１１２  コンタクトホール
１０９  蓄積容量電極
１１３  画素電極
１１５  蓄積容量バスライン
１１７  ドレイン電極
１１９  ソース電極
１２１  ＴＦＴ
１２３  ゲート絶縁膜
１２５  ａ−Ｓｉ層
１２７  ＳｉＮ膜
１２９  ｎ＋ａ−Ｓｉ層
１３１  ガラス基板
１３２  金属層
１３５  画素電極形成材料
１３６  動作半導体層
１４３  保護膜
１５０、１５２  断線部
１５４  断線修復用コンタクトホール
１５６、１５８、１６０  断線修復用導電膜
１６２  画素電極接続用導電膜
１６４  断線修復用導電膜
１６６  分離領域
２００  ＴＦＴ基板
２０２  ＣＦ基板
２０６  ゲート駆動回路
２０８  ドレイン駆動回路
２１０、２１２  偏光板
２１４  バックライトユニット
２１６  制御回路
【図１】
0003884625.tif 000002
【図２】
0003884625.tif 000003
【図３】
0003884625.tif 000004
【図４】
0003884625.tif 000005
【図５】
0003884625.tif 000006
【図６】
0003884625.tif 000007
【図７】
0003884625.tif 000008
【図８】
0003884625.tif 000009
【図９】
0003884625.tif 000010
【図１０】
0003884625.tif 000011
【図１１】
0003884625.tif 000012
【図１２】
0003884625.tif 000013
【図１３】
0003884625.tif 000014
【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
0003884625.tif 000017
【図１７】
0003884625.tif 000018
【図１８】
0003884625.tif 000019
【図１９】
0003884625.tif 000020
【図２０】
0003884625.tif 000021
【図２１】
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【図２２】
0003884625.tif 000023
【図２３】
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【図２４】
0003884625.tif 000025
【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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