(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（３）
［ＲｕＩ（arene)（Ｒ1 −ＢＩＮＡＰ）］Ｉ・・（３）
｛式中、ａｒｅｎｅはベンゼン環を有する炭化水素、Ｒ1 −ＢＩＮＡＰは式（２）
【化１】
0003919268.tif 000004
（Ｒ1 は炭素数１乃至４の低級アルキル基、炭素数１乃至４の低級アルコキシ基、炭素数１乃至４の低級アルキルアミノ基およびハロゲン原子からなる群から選ばれる置換基を有してもよいアリ−ル基または炭素数３乃至８のシクロアルキル基を示す）で示される光学活性な第三級ホスフィンを示す｝
で表されるルテニウム−光学活性ホスフィン錯体を、極性溶媒中で反応させることを特徴とする下記式（１）
Ｒｕ−Ｉ2−（Ｒ1−ＢＩＮＡＰ）  ・・・（１）
（式中、Ｒ1−ＢＩＮＡＰは上記式（２）で示される光学活性な第三級ホスフィンを示す）
で表されるルテニウム−ヨ−ド−光学活性ホスフィン錯体の製法。
【請求項２】
式（５）
Ｒｕ（Ｒ2 ＣＯＯ）2 （Ｒ1 −ＢＩＮＡＰ）・・（５）
｛式中、Ｒ2 は水素原子、低級アルキル基、ハロゲン化低級アルキル基、あるいは低級アルキル置換基を有していてもよいアリ−ル基を、Ｒ1 −ＢＩＮＡＰは式（２）
【化２】
0003919268.tif 000005
（Ｒ1 は請求項１記載の式（２）の定義に同じ）で示される光学活性な第三級ホスフィンを示す｝
で表されるルテニウム−光学活性ホスフィン錯体を、ホウフッ化水素酸および無機ヨウ化物と反応させることを特徴とする、下記式（１）
Ｒｕ−Ｉ2−（Ｒ1−ＢＩＮＡＰ）  ・・・（１）
（式中、Ｒ1−ＢＩＮＡＰは上記式（２）で示される光学活性な第三級ホスフィンを示す）
で表されるルテニウム−ヨ−ド−光学活性ホスフィン錯体の製法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、新規なルテニウム−ヨ−ド−光学活性ホスフィン錯体の製法に関し、さらに詳細には、各種の有機合成反応、特に不斉水素化反応等の触媒として用いられる上記錯体の製法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、多くの遷移金属錯体が有機合成反応の触媒として使用されている。特にルテニウム金属と光学活性な第三級ホスフィンによる金属錯体は、不斉水素化反応の触媒として良く知られており、例えば、２，２，−ビス（ジフェニルホスフィノ）−１，１，−ビナフチルのよう様な光学活性な第三級ホスフィンを配位子としたルテニウム−光学活性ホスフィン錯体として、次の様なものが知られている。
【０００３】
【化９】
Ｒｕx Ｈy ＣｌZ （第三級ホスフィン）2 （Ａ）p 
（式中、Ａは第三級アミンを示し、ｙが０のとき、ｘは２、ｚは４、ｐは１を示し、ｙが１のとき  、ｘは１、ｚは１、ｐは０を示す）（特開昭６１−６３６９０号公報、特開昭６３−１３５３９７号公報）。
【０００４】
【化１０】
［ＲｕＨr （第三級ホスフィン）m ］Ｔn 
（式中、ＴはＣｌＯ4 、ＢＦ4 、ＰＦ6 を示し、ｒが０のとき、ｍは１、ｎは２を示し、ｒが１のとき、ｍは２、ｎは１を示す）（特開昭６３−４１４８７号公報、特開昭６３−１４５４９２号公報）。
【０００５】
【化１１】
［ＲｕＸa （Ｑ）b （第三級ホスフィン）］Ｙc 
（式中、Ｘはハロゲン原子を示し、Ｑは置換基を有していてもよいベンゼンまたはアセトニトリルを示し、Ｙはハロゲン原子、ＣｌＯ4 、ＰＦ6 、ＢＰｈ4 （ここでＰｈはフェニル基を示す。以下同様）またはＢＦ4 を示し、Ｑが置換基を有していてもよいベンゼンの場合、ａ、ｂ及びｃはいずれも１を示し、Ｑがアセトニトリルの場合、ａが０のとき、ｂは４、ｃは２を示し、ａが１のとき、ｂは２、ｃは１を示す。尚、Ｑが置換基を有するベンゼンのうちｐ−シメンであり、Ｘ及びＹがヨウ素原子である場合は、ａ、ｂ及びｃがいずれも１であるほか、ａが１、ｂが１、ｃが３であってもよい）（特開平２−１９１２８９号公報、特開平５−１１１６３９号公報）。
【０００６】
【化１２】
（第三級ホスフィン）w Ｒｕ（ＯＣＯＲ’）（ＯＣＯＲ”）
（式中、Ｒ’およびＲ”は低級アルキル基、ハロゲン化低級アルキル基、低級アルキル置換基を有してもよいフェニル基、α−アミノアルキル基またはα−アミノフェニルアルキル基を示すか、あるいはＲ’とＲ”が一緒になってアルキレン基を形成し、ｗは１または２を示す）（特開昭６２−２６５２９３号公報、特開昭６３−１４５２９１号公報）。
【０００７】
ＲｕＪ2 （第三級ホスフィン）
（式中、Ｊは塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子を示す）（R. Noyori et al., J. Am. Chem. Soc., Vol. 109, No. 19, pp. 5856-5859 (1987) ）
ＲｕＧ2 （第三級ホスフィン）
（式中、Ｇはアリル基またはメタリル基を示す）（J. P. Genet et al., Tetrahedron: Asymmetry, Vol. 2, No. 7, pp. 555-567 (1991) ）
【０００８】
しかし、これらのルテニウム−光学活性ホスフィン錯体を用いても、対象とする反応または反応基質によっては、触媒活性や不斉収率が不十分である等、実際の工業化に当たっては問題がある場合があった。一方、４−メチル−２−オキセタノン（「β−ブチロラクトン」または「β−メチル−β−プロピオラクトン」とも言う）は、従来より、ポリマ−原料等に用いられているが、近年になって、特開平６−２５６４８２号公報、特開平６−３２９７６８号公報、特開平７−５３６９４号公報、特開平８−５３５４０号公報、特開平８−１２７６４５号公報に記載されているように、特にその光学活性体が有用であるとして注目されている。
【０００９】
光学活性な４−メチル−２−オキセタノンの製法としては、次のような方法が報告されている。（ａ）クロトン酸に臭化水素酸を付加して得られる３−ブロモ酪酸を、光学活性なナフチルエチルアミンを用いて光学分割し、次いで環化する方法（J. Reid Shelton et al.; Polymer Letters, Vol. 9, pp. 173-178 (1971) 及びT. Satoet al; Tetrahedron Lett., Vol. 21, pp. 3377-3380 (1980)) 。
【００１０】
（ｂ）光学活性な３−ヒドロキシ酪酸にトリエチルオルト酢酸を反応させて光学活性な２−エトキシ−２，６−ジメチル−１，３−ジオキサン−４−オンを得、これを熱分解する方法 (A. Griesbeck et al.; Helv. Chim. Acta, Vol. 70, pp. 1320-1325 (1987)及びR. Breitschuh et al.; Chimia, Vol. 44, pp. 216-218 (1990))。
【００１１】
（ｃ）光学活性な３−ヒドロキシ酪酸エステルをメタンスルホニルクロリドと反応させて水酸基をメシル化した後、得られたエステルを加水分解し、次いで炭酸水素ナトリウムで縮合環化する方法（Y. Zhang et al.; Macromolecules, Vol. 23, pp. 3206-3212 (1990)) 。
【００１２】
更に、前記したルテニウム−光学活性ホスフィン錯体を用いた例として次のような方法も報告されている。
（ｄ）４−メチレン−２−オキセタノン（「ジケテン」とも言う）を、塩化メチレンまたはテトラヒドロフランのような非プロトン性溶媒中で、［ＲｕＣｌ［（Ｓ）−もしくは（Ｒ）−ＢＩＮＡＰ（ベンゼン）］Ｃｌ、または、Ｒｕ2 Ｃｌ4 ［（Ｓ）−もしくは（Ｒ）−ＢＩＮＡＰ］2 （ＮＥｔ3 ）［ここで、ＢＩＮＡＰは２，２’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−１，１’−ビナフチルを示し、Ｅｔはエチル基を示す］を触媒として不斉水素化する方法（T. Ohta et al.; J. Chem. Soc., Chem. Commun., 1725 (1992) ）。
【００１３】
しかしながら、これらの方法はそれぞれ次のような問題点を有していた。すなわち、（ａ）の方法は、光学分割剤として特殊な光学活性アミンを原料化合物と等モル必要とし、また、不要な鏡像体が目的物と等モル副生するので、無駄が多く経済的に有利な方法ではない。
【００１４】
また、（ｂ）及び（ｃ）の方法は、原料化合物である光学活性な３−ヒドロキシ酪酸またはそのエステルの合成が容易ではない。すなわち、微生物が産生する光学活性なポリ−３−ヒドロキシ酪酸エステルを熱分解するか、或いは、４−メチレン−２−オキセタノンをアルコリシス反応によってアセト酢酸エステルに導いた後不斉還元を行なう必要があり、工程数が多く操作が煩雑である。
【００１５】
（ｄ）の方法は、上述した（ａ）乃至（ｃ）の方法の問題点の多くを解決してはいるが、まだいくつかの問題点を抱えている。すなわち、触媒活性が低く、反応時間が長い。さらに得られる生成物の光学純度が７０〜９２％ｅ. ｅ. と低かった。さらに、特開平６−１２８２４５号公報、特開平７−１８８２０１号公報、特開平７−２０６８８５号公報で報告されているようにこの方法は改良されてきているが、未だ触媒活性が低いことから、工業的には十分満足のいく方法ではなかった。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】
したがって、本発明の目的は、触媒活性が高く、かつ、不斉反応における高い不斉収率、すなわち、光学純度が高い生成物を得ることができる触媒を製造する方法を提供することにある。
【００１７】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、前記課題を解決するために鋭意研究を行なった結果、高い触媒活性を有し、不斉合成触媒として広く用いることができるルテニウム−ヨ−ド−光学活性ホスフィン錯体が、比較的簡単な方法によって得られることを見い出し、本発明を完成した。
【００２０】
すなわち、本発明は、式（３）
［ＲｕＩ（arene)（Ｒ1 −ＢＩＮＡＰ）］Ｉ・・（３）
｛式中、ａｒｅｎｅはベンゼン環を有する炭化水素、Ｒ1 −ＢＩＮＡＰは下記式（２）
【化３】
0003919268.tif 000002
（Ｒ1 は炭素数１乃至４の低級アルキル基、炭素数１乃至４の低級アルコキシ基、炭素数１乃至４の低級アルキルアミノ基およびハロゲン原子からなる群から選ばれる置換基を有してもよいアリ−ル基または炭素数３乃至８のシクロアルキル基を示す）で示される光学活性な第三級ホスフィンを示す｝
で表されるルテニウム−光学活性ホスフィン錯体を、極性溶媒中で反応させることを特徴とする下記式（１）
Ｒｕ−Ｉ2−（Ｒ1−ＢＩＮＡＰ）  ・・・（１）
（式中、Ｒ1−ＢＩＮＡＰは上記式（２）で示される光学活性な第三級ホスフィンを示す）
で表されるルテニウム−ヨ−ド−光学活性ホスフィン錯体の製造方法である。
【００２１】
本発明の目的は、また式（５）
【化１６】
Ｒｕ（Ｒ2 ＣＯＯ）2 （Ｒ1 −ＢＩＮＡＰ）・・・（５）
｛式中、Ｒ2 は水素原子、低級アルキル基、ハロゲン化低級アルキル基、あるいは低級アルキル置換基を有していてもよいアリ−ル基、Ｒ1 −ＢＩＮＡＰは上記式（２）で示される光学活性な第三級ホスフィンを示す｝
で表されるルテニウム−光学活性ホスフィン錯体を、ホウフッ化水素酸および無機ヨウ化物と反応させることを特徴とするルテニウム−ヨ−ド−光学活性ホスフィン錯体の製造方法により達成される。
【００２３】
【発明の実施の形態】
本発明のルテニウム−ヨ−ド−光学活性ホスフィン錯体（以下、「Ｒｕ−Ｉ2−（Ｒ1 −ＢＩＮＡＰ）」と略記する）は、上記に示した二種類の方法で得ることができる。すなわち、窒素等の不活性ガスで置換を行った反応容器中に、図１の反応式(i)のごとく、上記ルテニウム−ホスフィン錯体（式（３））を極性溶媒中で加熱、攪拌反応をすることによって得ることができ、また、図１の反応式(ii)のごとく、上記ルテニウム−ホスフィン錯体（式（５））とホウフッ化水素酸および無機ヨウ化物を溶媒中で攪拌反応をすることによって、容易に得ることができる。
【００２４】
本発明のＲｕ−Ｉ2 −（Ｒ1 −ＢＩＮＡＰ）を製造するための原料である、上記式（３）または式（５）で示されるルテニウム−光学活性ホスフィン錯体において、式（２）で表されるＲ1 −ＢＩＮＡＰのＲ1 で表される基のうち、アリ−ル基としては、フェニル基、２−ナフチル基ならびにｐ−置換フェニル基、ｍ−置換フェニル基、ｍ−ジ置換フェニル基のような置換基を有するフェニル基、６−置換−２−ナフチル基のような置換基を有する２−ナフチル基を挙げることができる。フェニル基及びナフチル基に置換してもよい置換基としては、メチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基のような低級アルキル基（「低級」とは炭素数１乃至４の直鎖または分岐鎖を意味する。以下同じ）、低級アルコキシ基、低級アルキルアミノ基およびハロゲン原子、例えば塩素原子を挙げることができる。また、Ｒ1 で表される炭素数３〜８のシクロアルキル基としては、特にシクロペンチル基及びシクロヘキシル基が好ましい。
【００２５】
これら式（３）または式（５）で示されるルテニウム−光学活性ホスフィン錯体において、Ｒ1 −ＢＩＮＡＰで表される第三級ホスフィンの具体例としては、次のものを挙げることができる。尚、いずれの第三級ホスフィンも（Ｒ）体及び（Ｓ）体が存在するがその表記は省略した。以下同じ。
【００２６】
（ア）２，２’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−１，１’−ビナフチル（以下、単に「ＢＩＮＡＰ」と略記する）
（イ）２，２’−ビス（ジ−ｐ−トリルホスフィノ）−１，１’−ビナフチル（以下、「Ｔ−ＢＩＮＡＰ」と略記する）
（ウ）２，２’−ビス［ジ−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ホスフィノ］−１，１’−ビナフチル（以下、「ｔＢｕ−ＢＩＮＡＰ」と略記する）
（エ）２，２’−ビス（ジ−ｍ−トリルホスフィノ）−１，１’−ビナフチル（以下、「ｍ−Ｔ−ＢＩＮＡＰ」と略記する）
（オ）２，２’−ビス［ジ−（３，５−ジメチルフェニル）ホスフィノ］−１，１’−ビナフチル（以下、「ＤＭ−ＢＩＮＡＰ」と略記する）
（カ）２，２’−ビス［ジ−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ホスフィノ］−１，１’−ビナフチル（以下、「ＤｔＢｕ−ＢＩＮＡＰ」と略記する）
（キ）２，２’−ビス［ジ−（ｐ−メトキシフェニル）ホスフィノ］−１，１’−ビナフチル（以下、「ＭｅＯ−ＢＩＮＡＰ」と略記する）
ク）２，２’−ビス［ジ−（ｐ−クロロフェニル）ホスフィノ］−１，１’−ビナフチル（以下、「ｐ−Ｃｌ−ＢＩＮＡＰ」と略記する）
（ケ）２，２’−ビス（ジ−２−ナフチルホスフィノ）−１，１’−ビナフチル
（以下、「Ｎａｐｈ−ＢＩＮＡＰ」と略記する）
（コ）２，２’−ビス（ジシクロペンチルホスフィノ）−１，１’−ビナフチル
（以下、「ＣｐＢＩＮＡＰ」と略記する）
（サ）２，２’−ビス（ジシクロヘキシルホスフィノ）−１，１’−ビナフチル
（以下、「ＣｙＢＩＮＡＰ」と略記する）
【００２７】
これらの第三級ホスフィンは、特開昭６１−６３６９０号公報、特開平３−２０２９０号公報、特開平３−２５５０９０号公報、特開平１−６８３８６号公報または特開平４−７４１９２号公報、特願平７−３０５２１１号公報に記載されている方法によって調製することができる。
【００２８】
上記式（３）で表されるルテニウム−光学活性ホスフィン錯体は、特開平２−１９１２８９号公報および特開平５−１１１６３９号公報記載の方法によって得ることができる。このようにして得られる上記式（３）で表されるルテニウム−光学活性ホスフィン錯体の具体例としては次のものを挙げることができる。
【００２９】
【化１６】
［ＲｕＩ（benzene ）（ＢＩＮＡＰ）］Ｉ
［ＲｕＩ（benzene ）（Ｔ−ＢＩＮＡＰ）］Ｉ
［ＲｕＩ（benzene ）（ｔＢｕ−ＢＩＮＡＰ）］Ｉ
［ＲｕＩ（benzene ）（ｍ−Ｔ−ＢＩＮＡＰ）］Ｉ
［ＲｕＩ（benzene ）（ＤＭ−ＢＩＮＡＰ）］Ｉ
［ＲｕＩ（benzene ）（ＤｔＢｕ−ＢＩＮＡＰ）］Ｉ
［ＲｕＩ（benzene ）（ＭｅＯ−ＢＩＮＡＰ）］Ｉ
［ＲｕＩ（benzene ）（ｐ−Ｃｌ−ＢＩＮＡＰ）］Ｉ
［ＲｕＩ（benzene ）（Ｎａｐｈ−ＢＩＮＡＰ）］Ｉ
［ＲｕＩ（benzene ）（ＣｐＢＩＮＡＰ）］Ｉ
［ＲｕＩ（benzene ）（ＣｙＢＩＮＡＰ）］Ｉ
［ＲｕＩ（p-cymene）（ＢＩＮＡＰ）］Ｉ
［ＲｕＩ（p-cymene）（Ｔ−ＢＩＮＡＰ）］Ｉ
［ＲｕＩ（p-cymene）（ｔＢｕ−ＢＩＮＡＰ）］Ｉ
［ＲｕＩ（p-cymene) （ｍ−Ｔ−ＢＩＮＡＰ）］Ｉ
［ＲｕＩ（p-cymene) （ＤＭ−ＢＩＮＡＰ）］Ｉ
［ＲｕＩ（p-cymene) （ＤｔＢｕ−ＢＩＮＡＰ）］Ｉ
［ＲｕＩ（p-cymene) （ＭｅＯ−ＢＩＮＡＰ）］Ｉ
［ＲｕＩ（p-cymene) （ｐ−Ｃｌ−ＢＩＮＡＰ）］Ｉ
［ＲｕＩ（p-cymene) （Ｎａｐｈ−ＢＩＮＡＰ）］Ｉ
［ＲｕＩ（p-cymene) （ＣｐＢＩＮＡＰ）］Ｉ
［ＲｕＩ（p-cymene) （ＣｙＢＩＮＡＰ）］Ｉ
【００３１】
上記式（５）で表されるルテニウム−光学活性ホスフィン錯体は、特開昭６２−２６５２９３号公報及び特開昭６３−１４５２９１号公報記載の方法によって得ることができる。得られるルテニウム−光学活性ホスフィン錯体の具体例としては次のものを挙げることができる。
【００３２】
【化１７】
Ｒｕ（ＣＨ3 ＣＯＯ）2 （ＢＩＮＡＰ）
Ｒｕ（ＣＦ3 ＣＯＯ）2 （ＢＩＮＡＰ）
Ｒｕ（ＣＨ3 ＣＯＯ）2 （Ｔ−ＢＩＮＡＰ）
Ｒｕ（ＣＨ3 ＣＯＯ）2 （ｔＢｕ−ＢＩＮＡＰ）
Ｒｕ（ＣＨ3 ＣＯＯ）2 （ｍ−Ｔ−ＢＩＮＡＰ）
Ｒｕ（ＣＨ3 ＣＯＯ）2 （ＤＭ−ＢＩＮＡＰ）
Ｒｕ（ＣＨ3 ＣＯＯ）2 （ＤｔＢｕ−ＢＩＮＡＰ）
Ｒｕ（ＣＨ3 ＣＯＯ）2 （ＭｅＯ−ＢＩＮＡＰ）
Ｒｕ（ＣＨ3 ＣＯＯ）2 （ｐ−Ｃｌ−ＢＩＮＡＰ）
Ｒｕ（ＣＨ3 ＣＯＯ）2 （Ｎａｐｈ−ＢＩＮＡＰ）
Ｒｕ（ＣＨ3 ＣＯＯ）2 （ＣｐＢＩＮＡＰ）
Ｒｕ（ＣＨ3 ＣＯＯ）2 （ＣｙＢＩＮＡＰ）
【００３３】
一方、上記式（５）で表されるルテニウム−光学活性ホスフィン錯体からＲｕ−Ｉ2 −（Ｒ1 −ＢＩＮＡＰ）を製造するための他方の原料である、ホウフッ化水素酸の使用量は、ルテニウム−光学活性ホスフィン錯体（５）１モルに対し約２乃至１０モルの範囲とするのがよく、特に好ましくは約４乃至８モルの範囲とするとよい。
【００３４】
また、ルテニウム−光学活性ホスフィン錯体（５）からＲｕ−Ｉ2 −（Ｒ1 −ＢＩＮＡＰ）を製造するための原料である、無機ヨウ化物としては、例えば、ヨウ化ナトリウム（以下、「ＮａＩ」と記載する）やヨウ化カリウム（以下、「ＫＩ」と記載する）のようなアルカリ金属のヨウ化物、ヨウ化カルシウムのようなアルカリ土類金属のヨウ化物、ヨウ化銀のようなその他の金属のヨウ化物等が挙げられるが、特にＮａＩおよびＫＩが好ましい。この無機ヨウ化物の使用量は、ルテニウム−光学活性ホスフィン錯体（５）１モルに対し約４乃至２０モルの範囲とするのがよく、特に好ましくは約６乃至１２モルの範囲とするとよい。
【００３５】
図１の反応式(i)において用いられる極性溶媒としては、メタノール、エタノールのような低級アルコール類、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、ジオキサン、テトラヒドロフラン、メタノール−塩化メチレン混合溶媒等が挙げられる。
【００３６】
図１の反応式(i)の方法により本発明のＲｕ−Ｉ2 −( Ｒ1 −ＢＩＮＡＰ）を製造するための温度は、約４０乃至６０℃であり、特に好ましくは５０乃至５５℃であり、また、反応時間は約１０乃至４０時間、特に好ましくは約１５乃至２０時間とするとよい。
【００３７】
図１の反応式(ii)、すなわち式（５）で表されるルテニウム−光学活性ホスフィン錯体を用いる反応において用いられる溶媒としては、メタノ−ル、エタノ−ルのような低級アルコ−ル類と塩化メチレン、臭化メチレン、クロロホルム、塩化エチレンのような有機ハロゲン化物の混合溶媒、またはメタノ−ル、エタノ−ルのような低級アルコ−ル類とエチルエ−テル、ジイソプロピルエ−テル、ジオキサン、テトラヒドロフランのようなエ−テル類の混合溶媒が挙げられる。
【００３８】
反応式(ii)の方法により本発明のＲｕ−Ｉ2 ー（Ｒ1 −ＢＩＮＡＰ）を製造するための温度は、約０乃至６０℃、特に好ましくは室温であり、また、反応時間は約１０乃至４０時間、特に好ましくは約１５乃至２０時間とするとよい。反応終了後、疎水性有機溶媒層を取出し、溶媒を留去、乾燥等の方法により精製すれば、目的とするＲｕ−Ｉ2 −（Ｒ1 −ＢＩＮＡＰ）を得ることができる。
【００３９】
このようにして得られるＲｕ−Ｉ2 −（Ｒ1 −ＢＩＮＡＰ）は、式（３）のａｒｅｎｅ分子が脱離した構造を有する錯体であり、また、式（５）のカルボキシル基がヨウ素原子に置き換わった構造を有する錯体であると推定される。すなわち、本発明の錯体の最低限の構成要素であるルテニウム、ヨウ素および光学活性第三級ホスフィンから成る式で示せば、次のものを具体例として挙げることができる。尚、上記Ｒｕ−Ｉ2 −（Ｒ1 −ＢＩＮＡＰ）は用いるＲ1 −ＢＩＮＡＰ（式（２））の絶対配置により、（Ｒ）体または（Ｓ）体のいずれかとして得られるが、その表示は省略した。
【００４０】
Ｒｕ−Ｉ2 −（ＢＩＮＡＰ）
Ｒｕ−Ｉ2 −（Ｔ−ＢＩＮＡＰ）
Ｒｕ−Ｉ2 −（ｔＢｕ−ＢＩＮＡＰ）
Ｒｕ−Ｉ2 −（ｍ−Ｔ−ＢＩＮＡＰ）
Ｒｕ−Ｉ2 −（ＤＭ−ＢＩＮＡＰ）
Ｒｕ−Ｉ2 −（ＤｔＢｕ−ＢＩＮＡＰ）
Ｒｕ−Ｉ2 −（ＭｅＯ−ＢＩＮＡＰ）
Ｒｕ−Ｉ2 −（ｐ−Ｃｌー ＢＩＮＡＰ）
Ｒｕ−Ｉ2 −（Ｎａｐｈ−ＢＩＮＡＰ）
Ｒｕ−Ｉ2 −（ＣｐＢＩＮＡＰ）
Ｒｕ−Ｉ2 −（ＣｙＢＩＮＡＰ）
【００４１】
斯くして得られる本発明のＲｕ−Ｉ2 −（Ｒ1 −ＢＩＮＡＰ）は、極めて高い触媒活性を有し、不斉合成用触媒として広く用いることができる化合物である。特にこの化合物を４−メチレン−２−オキセタノンの不斉水素化反応の触媒に用いれば、短時間で効率良く、高い光学純度の光学活性４−メチル−２−オキセタノンを製造できる。
【００４２】
本発明の製法で得られるＲｕ−Ｉ2 −（Ｒ1 −ＢＩＮＡＰ）を用いて光学活性４−メチル−２−オキセタノンを製造するには、例えば、耐圧容器に、窒素雰囲気下、上記したＲｕ−Ｉ2 −（Ｒ1 −ＢＩＮＡＰ）、原料化合物である４−メチレン−２−オキセタノンおよび溶媒を加えて、水素圧５乃至１５０kg/cm2，室温〜１００℃で不斉水素化を行なえばよい。この方法において、原料化合物として用いられる４−メチレン−２−オキセタノンは、例えば、Ｒ．Ｊ．クレメンスらが報告した方法（R. J. Clemens et al., Chem. Rev., Vol. 86, pp. 241-318 (1986) ）によって、酢酸または無水酢酸を熱分解することによって容易に合成により得ることができるものである。
【００４３】
不斉水素化触媒であるＲｕ−Ｉ2 −（Ｒ1 −ＢＩＮＡＰ）は、（Ｒ）体または（Ｓ）体のいずれかを選択することにより、所望する絶対配置の４−メチル−２−オキセタノンを得ることができる。
【００４４】
また、光学活性４−メチル−２−オキセタノンの製造を有利に実施するには、Ｒｕ−Ｉ2 −（Ｒ1 −ＢＩＮＡＰ）が、金属ルテニウムと光学活性ホスフィンのモル比が１：１. ０５乃至１：０. ９５の割合で調製されたものを用いるとよい。通常、式（３）で示される光学活性錯体を調製する場合、ルテニウム１当量に対し光学活性ホスフィン配位子を約１. ０５乃至１. ２当量用いるが、これを１. ０５当量以内に抑えたものを用いることによって、副反応である４−メチレン−２−オキセタノンの重合反応を防ぐことができる。尚、光学活性ホスフィン配位子が０. ９５当量より少ないと、金属ルテニウムが過剰になり、不経済となる。
【００４５】
触媒であるＲｕ−Ｉ2 −（Ｒ1 −ＢＩＮＡＰ）の使用量は、原料化合物である４−メチレン−２−オキセタノン１モルに対して通常約０. ０００１乃至０. ０１モルの範囲、特に好ましくは、約０. ０００２乃至０. ０００５モルの範囲とするとよい。触媒が０. ０００１モルより少ない量では触媒としての効果を充分奏さず、また、０. ０００５モルより多い量では不経済となる。
【００４６】
溶媒としては、通常の不斉水素化に使用される溶媒であれば特に限定されないが、具体的には、ジエチルエ−テル、テトラヒドロフラン、ジオキサン等の直鎖状または環状エ−テル類、塩化メチレン、臭化メチレン、ジクロロエタン等の有機ハロゲン化物、アセトン、メチルエチルケトン、メチルブチルケトン等のケトン類、酢酸、プロピオン酸等のカルボン酸類、酢酸エチル、酢酸ブチル、３−ヒドロキシ酪酸メチル等のエステル類、トルエン、ベンゼン等の芳香族化合物、メタノ−ル、エタノ−ル、イソプロパノ−ル、ｔｅｒｔ−ブチルアルコ−ル、１，３−ブタンジオ−ル等のアルコ−ル類及びこれらの混合溶媒を挙げることができる。さらに、不斉水素化反応の速度を上げるために上記溶媒に１％程度の水を添加してもよい。
【００４７】
不斉水素化の反応温度、反応時間は触媒の種類やその他の反応条件により異なるが、通常、室温乃至１００℃、特に好ましくは約３０乃至６０℃の温度で、約０. ５乃至４０時間反応させると良い。また、水素圧は、約５乃至１５０ｋｇ／ｃｍ2 、特に好ましくは約２０乃至１００ｋｇ／ｃｍ2 とすると良い。反応終了後、溶媒留去、蒸留等の方法により反応生成物を精製することにより目的とする光学活性４−メチル−２−オキセタノンを得ることができる。
【００４８】
【実施例】
以下、実施例及び比較例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらになんら制約されるものではない。尚、以下の実施例において、得られた化合物の物性の測定には、次の機器を用いた。
31Ｐ−ＮＭＲスペクトル：ＡＭ−４００型装置（ブルカ−社製）
外部標準物質；８５％リン酸
溶媒；クロロホルム
（光学純度測定）
ガスクロマトグラフ装置:HEWLETT PACKARD 5890 SERIES  II
光学活性カラム（ChradexG-TA 30m (ASTEC社製）
【００４９】
〔実施例１〕
Ｒｕ−Ｉ2 −［（Ｓ）−ＢＩＮＡＰ］の製造：
８０ｍｌのシュレンク管を窒素置換した後、［ＲｕＩ2 （p-cymene) ]2を１. ０ｇ( １. ０２ｍｍｏｌ) 、（Ｓ）−ＢＩＮＡＰを１. ２９ｇ（２. ０７ｍｍｏｌ) 、メタノールを４０ｍｌ入れ、５５℃で１7 時間攪拌した。標題の化合物を２. ２０ｇ（収率９６％）得た。
31P-NMR : δ4.0 (d,J=39 Hz),7.3(d,J=35Hz),75.8 (d,J=35Hz),77.2 (d,
J=39 Hz)
【００５０】
〔実施例２〕
Ｒｕ−Ｉ2 −［（Ｓ）−Ｔ−ＢＩＮＡＰ］の製造：
３００ｍｌの反応容器を窒素置換した後、Ｒｕ（ＣＨ3 ＣＯＯ）2 ［（Ｓ）−Ｔ−ＢＩＮＡＰ］１. ８０ｇ( １. ９８９ｍｍｏｌ) 、塩化メチレン３０ｍｌ、メタノール２.5ｍｌ、４２％ホウフッ化水素酸２. ４９ｇ（１１. ９１ｍｍｏｌ）を入れ、室温で3 時間攪拌した。その後、ヨウ化ナトリウム２. ３７（１５. ８１ｍｍｏｌ）、脱気水１７ｍｌを窒素下で溶解し加え、室温で１５時間撹拌した。塩化メチレン層を注射器で取り、脱気水２０ｍｌで洗浄し塩化メチレンを減圧留去した後、得られた錯体を４０℃で４時間減圧乾燥した。標題の化合物Ｒｕ−Ｉ2 −［（Ｓ）−Ｔ−ＢＩＮＡＰ］を２. ０７ｇ（収率１００. ７％）得た。
31P-NMR : δ1.8(d,J=32 Hz),4.6(d,J=35 Hz),75.0(d,J=35 hZ),
76.4(d,J=32 Hz)
【００５１】
〔実施例３〕
Ｒｕ−Ｉ2 −［（Ｓ）−Ｔ−ＢＩＮＡＰ］の製造：
１００ｍｌの反応容器を窒素置換した後、［ＲｕＩ（p-cymene) （（Ｓ）−Ｔ−ＢＩＮＡＰ）］Ｉを１. ６４ｇ( １. ４０４ｍｍｏｌ) 、メタノールを９０ｍｌ入れ、５５℃で１５時間攪拌した。標題の化合物を１. ５２ｇ（収率９３％）得た。
31P-NMR : δ1.8(d,J=32 Hz),4.6(d,J=35Hz,75.0(d,J=35 Hz)
76.5(d,J=32 Hz)
【００５２】
〔実施例４〕
Ｒｕ−Ｉ2 −［（Ｓ）−Ｔ−ＢＩＮＡＰ］の製造：
８０ｍｌのシュレンク管を窒素置換した後、［ＲｕＩ2 （p-cymene) ］2 を１. ０ｇ( １. ０２ｍｍｏｌ) 、（Ｓ）−Ｔ−ＢＩＮＡＰを１. ４１ｇ（２. ０７ｍｍｏｌ) 、メタノールを４０ｍｌ入れ、５５℃で１６時間攪拌した。標題の化合物を２. ３５ｇ（収率９８％）得た。
31P-NMR : δ1.8(d,J=32 Hz), 4.6(d,J=35 Hz),75.0(d,J=35HZ)
76.4(d,J=32 Hz)
【００５３】
〔実施例５〕
Ｒｕ−Ｉ2 −［（Ｓ）−ｔＢｕ−ＢＩＮＡＰ］の製造：
８０ｍｌのシュレンク管を窒素置換した後、［ＲｕＩ2 （p-cymene) ］2 を０. ３４ｇ（０．３４８ｍｍｏｌ) 、（Ｓ）−ｔＢｕ−ＢＩＮＡＰを０. ５９ｇ（０. ６９６ｍｍｏｌ) 、メタノールを１５ｍｌ入れ、５５℃で１６時間攪拌した。標題の化合物を０. ９０ｇ（収率９7 ％）得た。
31P-NMR : δ0.4(d,J=32Hz),11.9(d,J=37),67.0(d,J=37 HZ),
74.0(d,J=32 Hz)
【００５４】
〔実施例６〕
Ｒｕ−Ｉ2 −［（Ｓ）−ＤＭ−ＢＩＮＡＰ］の製造：
８０ｍｌのシュレンク管を窒素置換した後、［ＲｕＩ2 （p-cymene) ］2 を０. ５０ｇ（０. ５１１ｍｍｏｌ),（Ｓ）−ＤＭ−ＢＩＮＡＰを０. ７６ｇ（１. ０３ｍｍｏｌ),メタノールを２０ｍｌを入れ、５５℃で２０時間攪拌した。標題の化合物を１. ２０ｇ（収率９６％）得た。
31P-NMR : δ 1.8(d,J=41Hz), 78.0(d,J=41Hz)
【００５５】
〔実施例７〕
Ｒｕ−Ｉ2 −［（Ｓ）−ＭｅＯ−ＢＩＮＡＰ］の製造：
８０ｍｌのシュレンク管を窒素置換した後、［ＲｕＩ2 （p-cymene) ］2 を
０. ４０ｇ（０. ４０９ｍｍｏｌ),（Ｓ）−ＭｅＯ−ＢＩＮＡＰを０. ６１４ｇ（０. ８２７ｍｍｏｌ),メタノールを２０ｍｌ入れ、５５℃で１８時間攪拌した。標題の化合物を１. ００ｇ（収率９９％）得た。
31P-NMR : δ -0.1(d,J=33 Hz), 3.0(d,J=36Hz),73.0(d,J=36 Hz),
74.9 (d,J=33 Hz)
【００５６】
〔実施例８〕
Ｒｕ−Ｉ2 −［（Ｓ）−Ｎａｐｈ−ＢＩＮＡＰ］の製造：
８０ｍｌのシュレンク管を窒素置換した後、［ＲｕＩ2 （p-cymene) ］2 を０. ３ｇ（０. ３０７ｍｍｏｌ),（Ｓ）−Ｎａｐｈ−ＢＩＮＡＰを０. ５１ｇ（０. ６２０ｍｍｏｌ),ジメチルホルムアミドを２０ｍｌ入れ、５５℃で１６時間攪拌した。標題の化合物を０. ８０ｇ（収率９９％）得た。
31P-NMR : δ : 9.9 (br), 80.8(br)
【００５７】
〔実施例９〕
（Ｒ）−４−メチル−２−オキセタノンの製造：
５００ｍｌ容量のステンレス製オ−トクレ−ブに、窒素雰囲気下、Ｒｕ−Ｉ2 −［（Ｓ）−ＢＩＮＡＰ］４４. １２ｍｇ（０. ０３９７ｍｍｏｌ）、４−メチレン−２−オキセタノン２０. ６ｇ（２４５. ２ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフラン１６０ｍｌ、脱気水０. ９ｍｌを仕込み、水素圧５０ｋｇ／ｃｍ2 、反応温度４０℃で４０時間攪拌した。得られた反応液をクライゼン蒸留装置を用いて蒸留し、沸点７１乃至７３℃／２９ｍｍＨｇの留分１３. ３ｇ（収率６３. １％）を得た。この反応の転化率は６４. ７％、触媒活性はタ−ンオ−バ−数で４０００であった。生成物は、ガスクロマトグラフィ−による標品との比較分析の結果、４−メチル−２−オキセタノンであることが確認され、ＡＳＴＥＣ社製光学活性カラム（Chiraldex G-TA 30m）を用いたガスクロマトグラフィ−（ＧＣ）測定から絶対配置は（Ｒ）体で光学純度は９４. ９％ｅ. ｅ. であることが確認された。
【００５８】
〔実施例１０〕
（Ｒ）−４−メチル−２−オキセタノンの製造：
Ｒｕ−Ｉ2 −［（Ｓ）−Ｔ−ＢＩＮＡＰ］６１. ８０ｍｇ（０. ０５２９ｍｍｏｌ）、４−メチレン−２−オキセタノン２０. ０ｇ（２３８. １ｍｍｏｌ）を用いたほかは実施例９と同様に反応を行い、標題の化合物１８. ８ｇ（収率９２％）を得た。この反応の転化率は１００％、触媒活性はタ−ンオ−バ−数で４５００であった。生成物の絶対配置は（Ｒ）体で光学純度は９３. ６％ｅ. ｅ. であった。
【００５９】
〔実施例１１〕
（Ｒ）−４−メチル−２−オキセタノンの製造：
Ｒｕ−Ｉ2 −［（Ｓ）−ｔＢｕ−ＢＩＮＡＰ］３. ０２ｍｇ（０. ０３９７ｍｍｏｌ）、４−メチレン−２−オキセタノン２０. ２ｇ（２４０. ５ｍｍｏｌ）を用いたほかは実施例９と同様に反応を行い、標題の化合物１２. ３ｇ（収率５９. ５％）を得た。この反応の転化率は６１. １％、触媒活性はターンオ−バ−数で３７００であった。生成物の絶対配置は（Ｒ）体で光学純度は９４.8％ｅ. ｅ. であった。
【００６０】
〔実施例１２〕
（Ｒ）−４−メチル−２−オキセタノンの製造：
Ｒｕ−Ｉ2 −［（Ｓ）−ＤＭ−ＢＩＮＡＰ］４８. ６ｍｇ（０. ０３９７ｍｍｏｌ）、４−メチレン−２−オキセタノン２０. ５ｇ（２４４. ０ｍｍｏｌ）を用いたほかは実施例９と同様に反応を行い、標題の化合物１１. ３ｇ（収率５３. ８％）を得た。この反応の転化率は５５. ３％、触媒活性はタ−ンオ−バ−数で３４００であった。生成物の絶対配置は（Ｒ）体で光学純度は９5.1 ％ｅ. ｅ. であった。
【００６１】
〔実施例１３〕
（Ｒ）−４−メチル−２−オキセタノンの製造：
Ｒｕ−Ｉ2 −［（Ｓ）−ＭｅＯ−ＢＩＮＡＰ］４８. ９ｍｇ（０. ０３９７ｍｍｏｌ）、４−メチレン−２−オキセタノン１９. ２ｇ（２２８. ６ｍｍｏｌ）を用いたほかは実施例９と同様に反応を行い、標題の化合物１０. ６ｇ（収率５３. ９％）を得た。この反応の転化率は５５. ５％、触媒活性はタ−ンオ−バ−数で３２００であった。生成物の絶対配置は（Ｒ）体で光学純度は９３.6％ｅ. ｅ. であった。
【００６２】
〔実施例１４〕
（Ｒ）−４−メチル−２−オキセタノンの製造：
Ｒｕ−Ｉ２−［（Ｓ）−Ｎａｐｈ−ＢＩＮＡＰ］５７. ０ｍｇ（０. ０４３４ｍｍｏｌ）、４−メチレン−２−オキセタノン２０. １ｇ（２３９. ３ｍｍｏｌ）を用いたほかは実施例９と同様に反応を行い、標題の化合物１９. １ｇ（収率９３％）を得た。この反応の転化率は１００％、触媒活性はタ−ンオ−バ−数で５５００であった。生成物の絶対配置は（Ｒ）体で光学純度は９４. ７％ｅ. ｅ. であった。
【００６３】
〔比較例１〕
（Ｒ）−４−メチル−２−オキセタノンの製造：
従来の特開平７−２０６８８５号公報に記載されているルテニウム−ヨ−ド−光学活性ホスフィン錯体を製造し、これを触媒として用いて光学活性４−メチル−２−オキセタノンを製造した。すなわち、あらかじめ窒素置換した３００ｍｌ容量の反応容器に、Ｒｕ2 Ｃｌ4 ［（Ｓ）−Ｔ−ＢＩＮＡＰ］2 ＮＥｔ3 を０. ５７ｇ（０. ６３２ｍｍｏｌ）、ＮａＩを０. ９５ｇ（６. ３４ｍｍｏｌ）、（Ｃ4 Ｈ9 ）4 ＮＢｒを２. ０ｍｇ（０. ００６３ｍｍｏｌ）、塩化メチレンを５０ｍｌおよび蒸留水を２０ｍｌ入れ、室温で４４時間攪拌した。反応後、塩化メチレン層を注射器で採取し、塩化メチレンを減圧留去した後、得られた錯体を５０℃で４時間減圧乾燥して、Ｒｕ−Ｉ−［（Ｓ）−Ｔ−ＢＩＮＡＰ］を０. ６５ｇ得た。
【００６４】
この錯体Ｒｕ−Ｉ−［（Ｓ）−Ｔ−ＢＩＮＡＰ］４１. ０ｍｇ（０. ０３９７ｍｍｏｌ）を秤り取り、４−メチレン−２−オキセタノン２０. ０ｇ（２３８. １ｍｍｏｌ）を用いたほかは実施例９と同様に反応を行い、標題の化合物１０. ０ｇ（収率４８. ８％）を得た。この反応の転化率は５０. ０％、触媒活性はタ−ンオ−バ−数で３０００であった。生成物の絶対配置は（Ｒ）体で光学純度は９３.2％ｅ. ｅ. であった。
【００６５】
〔比較例２〕
（Ｒ）−４−メチル−２−オキセタノンの製造：
[ ＲｕＩ（p-cymene) （（Ｓ）−Ｔ−ＢＩＮＡＰ］Ｉを１３９. ０ｍｇ（０. １１９ｍｍｏｌ）、４−メチレン−２−オキセタノンを２０. ０ｇ（２３８. １ｍｍｏｌ）用いたほかは実施例９と同様に反応を行い、標題の化合物１０. ０ｇ（収率４８. ８％）を得た。この反応の転化率は５０. ０％、触媒活性はタ−ンオ−バ−数で１０００であった。生成物の絶対配置は（Ｒ）体で光学純度は９２. ６％ｅ. ｅ. であった。
【００６６】
〔比較例３〕
（Ｒ）−４−メチル−２−オキセタノンの製造：
Ｒｕ（ＣＨ3 ＣＯＯ）2 ［（Ｓ）−Ｔ−ＢＩＮＡＰ］２１５. ５ｍｇ（０. ２３８ｍｍｏｌ）、４−メチレン−２−オキセタノン２０. ０ｇ（２３８. １ｍｍｏｌを用いたほかは実施例９と同様に反応を行い、標題の化合物１２. ０ｇ（収率５８. ６％）を得た。この反応の転化率は５９. ９％、触媒活性はタ−ンオ−バ−で６００であった。生成物の絶対配置は（Ｒ）体で光学純度は９３. ３％ｅ. ｅ. であった。
【００６７】
実施例９乃至１４及び比較例１乃至３の触媒活性（タ−ンオ−バ−数）と得られた４−メチル−２−オキセタノンの立体配置と光学純度（％ｅ. ｅ. ）を、表１にまとめて示す。
【００６８】
【表１】
0003919268.tif 000003
【００６９】
以上の結果より、本発明の錯体Ｒｕ−Ｉ2 −（Ｒ1 −ＢＩＮＡＰ）を触媒として用いた実施例のほうが、従来より知られているルテニウム−光学活性ホスフィン錯体よりも、はるかに高いタ−ンオ−バ−数で反応を進行させることができ、また、光学純度の高い生成物を得ることができることが明らかである。
【００７０】
【発明の効果】
本発明の製法によって得られるルテニウム−ヨ−ド−光学活性ホスフィン錯体は、極めて高い触媒活性を有し、かつ、不斉反応における高い不斉収率、すなわち、光学純度が高い生成物を得ることができるため、経済的に有利な不斉合成用触媒として広く用いることができるものである。特に、この錯体を触媒として用いて、４−メチレン−２−オキセタノンを不斉水素化することにより、ポリマ−原料等として有用な光学活性４−メチル−２−オキセタノンを、短時間で効率良く、しかも高い光学純度のものとして得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  図１は本発明のルテニウム−ヨード−光学活性ホスフィン錯体の製法を示す２種の反応式を示す。
【図１】
0003919268.tif 000006