(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力電極、出力電極及びＧＮＤ電極がその表面に形成されたＳＡＷ基板と、その内部に上記ＳＡＷ基板を収納しかつその一の外表面に各々上記入力電極、出力電極又はＧＮＤ電極と導電接続された入力端子、出力端子及びＧＮＤ端子が設けられたパッケージとを備えるＳＡＷフィルタを、回路基板上に実装するに際し、
上記回路基板の一方の面に少なくともＧＮＤランドを、他方の面にＧＮＤパターンをそれぞれ設けておき、
その後、上記ＧＮＤランドに上記ＧＮＤ端子が導電接続されるよう上記ＳＡＷフィルタを上記一方の面に実装し、
上記ＧＮＤ電極と上記ＧＮＤパターンとの間に生じる二次的かつ寄生的なインダクタンスの値がＳＡＷフィルタのトラップの周波数をその通過帯域の近傍にするための目標値となるよう、予めその個数、形状、寸法又は位置を設定したスルーホールを介し、かつ上記実装に前後して、上記ＧＮＤランドを上記ＧＮＤパターンに導電接続することを特徴とする基板実装方法。
【請求項２】
入力電極、出力電極及びＧＮＤ電極がその表面に形成されたＳＡＷ基板と、その内部に上記ＳＡＷ基板を収納しかつその一の外表面に各々上記入力電極、出力電極又はＧＮＤ電極と導電接続された入力端子、出力端子及びＧＮＤ端子が設けられたパッケージとを備えるＳＡＷフィルタを、回路基板上に実装するに際し、
上記回路基板の一方の面に少なくともＧＮＤランド、ＧＮＤ導体及びこれらを導電接続する接続導体を予め設けておき、かつ、これらＧＮＤランド、ＧＮＤ導体及び接続導体のうちいずれかの形状又は寸法を、下記実装後に上記ＧＮＤ電極と上記ＧＮＤ導体との間に生じる二次的かつ寄生的なインダクタンスの値がＳＡＷフィルタのトラップの周波数をその通過帯域の近傍にするための目標値となるよう設定しておき、
その後、上記ＧＮＤランドに上記ＧＮＤ端子が導電接続されるよう上記ＳＡＷフィルタを上記一方の面に実装することを特徴とする基板実装方法。
【請求項３】
入力電極、出力電極及びＧＮＤ電極がその表面に形成されたＳＡＷ基板と、その内部に上記ＳＡＷ基板を収納しかつその一の外表面に各々上記入力電極、出力電極又はＧＮＤ電極と導電接続された入力端子、出力端子及びＧＮＤ端子が設けられたパッケージとを備えるＳＡＷフィルタを、回路基板上に実装するに際し、
上記回路基板の一方の面に少なくとも入力ランド及び出力ランドを予め設けておき、かつ、これら入力ランド及び出力ランドの形状、寸法又は間隔を、下記実装後に上記入力電極と上記出力電極との間に生じる二次的かつ寄生的な容量の値がＳＡＷフィルタのトラップの周波数をその通過帯域の近傍にするための目標値となるよう設定しておき、
その後、上記入力ランド及び出力ランドに上記入力端子及び出力端子のうち対応するものが導電接続されるよう上記ＳＡＷフィルタを上記一方の面に実装することを特徴とする基板実装方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、回路基板上に実装可能な弾性表面波（ＳＡＷ）フィルタに関し、特にその基板実装方法の改良による特性の改善に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来から、通信機器等において各種のＳＡＷデバイスが用いられている。ＳＡＷデバイスは、水晶、ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウム等圧電性を有する素材の基板の表面に、この基板を励振するための電極を配置形成したデバイスである。例えばＳＡＷフィルタにおいては、一般に、入力電極及びこれと対を成すＧＮＤ電極と、出力電極及びこれと対を成すＧＮＤ電極とが、圧電性基板の同一の面上に、かつＳＡＷ伝搬方向に沿って並んで、配置される。入力電極及びこれと対を成すＧＮＤ電極の間に電気信号が印加されると、この電気信号のうち電極構造にて定まるある特定の周波数成分が機械振動に変換される（電気音響変換）。電気音響変換にて発生した振動のうち、出力電極及びこれと対を成すＧＮＤ電極まで顕著な減衰なしで到達できるのは、使用する基板の材質及びそのカットの選択や基板表面の電極被覆状況等により定まるある特定のモードの波のみであり、ＳＡＷフィルタでは基板の表面又は比較的浅い部位を伝搬するモードの波（これらを総称してＳＡＷと呼ぶ）を利用する。出力電極及びこれと対を成すＧＮＤ電極においては、伝搬してきた波のうちその電極構造にて定まるある特定の周波数成分が、電気信号に変換される（音響電気変換）。ＳＡＷフィルタは、上に例示した素材の基板を用いその基板の上で上述の電気音響変換、ＳＡＷ伝搬及び音響電気変換を実行することを特徴とするフィルタであり、単一面上における電極配置・電極構造のみによってその特性が原理上概ね定まること、電極設計・製造に半導体関連技術を応用できること、マイクロプロセスの利用によりその通過帯域をＶＨＦ〜ＵＨＦといった高周波域に設定できるため無線通信機器のＲＦ回路等を含め広い用途に対応できること等の利点を有している。
【０００３】
図１１に、ＳＡＷフィルタの一例としていわゆる多電極型ＳＡＷフィルタを示す。この図のフィルタは、上述の素材から形成されたＳＡＷ基板１０の同一面上に、入力電極１４ＴとＧＮＤ電極１４Ｇの対（以下これを入力電極対１２Ｔと呼ぶ）及び出力電極１４ＲとＧＮＤ電極１４Ｇの対（以下これを出力電極対１２Ｒと呼ぶ）を、ＳＡＷ伝搬方向に沿って複数個交互にかつほぼ平行に並設した構成を有している。電極１４Ｔ、１４Ｒ及び１４Ｇはいずれも櫛歯状の電極構成、すなわち所定幅所定長の指状電極を所定間隔で並べ各指状電極の一端を互いに接続した構成を有している。入力電極１４Ｔ又は出力電極１４Ｒとこれに対応するＧＮＤ電極１４Ｇは、等間隔で指交叉状に、即ち指状電極がちょうど両手の指を組んだのと同じような形をなすよう配置されている（インターディジタル配置）。電極対１２Ｔ及び１２Ｒは、大まかには、構造、形状、寸法等を含め互いに同一の構成を有しているが、厳密には、要求特性を実現する必要上両者の構成を若干異なる構成としたり、指状電極の幅、長さ、間隔に不均一さを導入したり、指状電極を間引くことがある。また、図示の簡略化のため、指状電極の本数を実際より極めて少なく（従って間隔は非常に広めに）表していることにも留意されたい。更に、複数個の入力電極対１２Ｔに同一の電気信号を供給しまた複数個の出力電極対１２Ｒからの電気信号を合成結合する必要上、入力電極１４Ｔを共通接続導体１６Ｔにて、出力電極１４Ｒを共通接続導体１６Ｒにて、ＧＮＤ電極１４Ｇを共通接続導体１６Ｇにて、互いに接続している。共通接続導体１６Ｔ、１６Ｒ及び１６ＧはいずれもＳＡＷ基板１０の表面に被着形成する。
【０００４】
図１１に示されるＳＡＷフィルタを実際に回路上で使用するためには、これを、回路基板上に実装可能なパッケージに収納する必要がある。図１２に、パッケージ２０に収納されたＳＡＷフィルタの外観の一例を示す。この図に示されているパッケージ２０は表面実装型の方形パッケージ即ち回路基板の表面にピン等なしで実装可能な方形のパッケージであり、その下面（フットプリント）の隅部には導電部材からなる入力端子２２Ｔ、出力端子２２Ｒ及びＧＮＤ端子２２Ｇが設けられている。図１１に示されるＳＡＷ基板１０は、このパッケージ２０の内部に収納かつ固定されており、また、入力電極１４Ｔ、出力電極１４Ｒ及びＧＮＤ電極１４Ｇはパッケージ内部の配線（図示せず）を介してそれぞれ端子２２Ｔ、２２Ｒ又は２２Ｇに接続されている。
【０００５】
この接続を実現する手法としては、“パッケージ２０内部に設けられた収納孔にＳＡＷ基板１０を収納かつ固定した後、収納孔近傍に設けられている入力、出力及びＧＮＤの各パッドに電極１４Ｔ、１４Ｒ及び１４Ｇ（又はこれら各々に係る共通接続導体）をワイヤボンディング等の方法で接続し、更にこれらのパッドをパッケージ２０を貫通する配線を介し端子２２Ｔ、２２Ｒ又は２２Ｇのうち対応するものに接続する”、という方法を用いることができる。あるいは、“パッケージ２０内部に設けられた収納孔の底面に入力、出力及びＧＮＤの各パッドを特定のパターンで設けておき、電極１４Ｔ、１４Ｒ及び１４Ｇ（又はこれら各々に係る共通接続導体）がこれら収納孔底面上のパッドのうち対応するものと対向するよう位置決めしながらＳＡＷ基板１０を当該底面に向けフェースダウンボンディングし、収納孔底面上のパッドを更にパッケージ２０を貫通する配線を介し端子２２Ｔ、２２Ｒ又は２２Ｇのうち対応するものに接続する”、という方法を用いることができる。後者の方法を使用した場合、収納孔底面のパッドのパターンによっては、共通接続導体１６Ｇを省略できる。
【０００６】
図１３に、図１２のＳＡＷフィルタを回路基板３０特にそのＧＮＤ面上に実装する方法の一例を示す。回路基板３０の図中上側の面（この場合ＧＮＤ面）には入力端子２２Ｔ及び出力端子２２Ｒに対応する導電性のランドとして入力ランド３２Ｔ及び出力ランド３２Ｒが被着形成されている。この面のそれ以外の部位は、導電性のＧＮＤパターン３４Ｇによって被覆されている。ＳＡＷフィルタを実装するに際しては、端子２２Ｔ及び２２Ｒがそれぞれランド３２Ｔ又は３２Ｒに対向するよう位置決めした上で、端子２２Ｔ及び２２Ｒを３２Ｔ又は３２Ｒに、また端子２２ＧをＧＮＤパターン３４Ｇに、いずれも半田、導電性接着剤等を用いて電気的に接続する。なお、ランド３２Ｔ及び３２ＲとＧＮＤパターン３４Ｇとの間には、両者の電気絶縁を維持すべく、導電部材の存在しないギャップ３６Ｔ及び３６Ｇが形成されている。ランド３２Ｔ及び３２Ｒやギャップ３６Ｔ及び３６Ｇの形状・寸法は、端子２２Ｔ及び２２Ｒが対応するランド（３２Ｔ又は３２Ｒ）以外の部位と接触乃至結合しないよう設定する。また、回路基板３０の図中下側の面（この場合部品実装面）には、他の回路部品（例えばＲＦ増幅器や整合回路等）が実装されており、更にこれらの回路部品とＳＡＷフィルタとを接続するための導電パターンが形成されている（図示せず）。ランド３２Ｔ及び３２Ｒには、この導電パターンと端子２２Ｔ及び２２Ｒとを接続するため、その内部に導電材料が充填乃至配置されたスルーホール３８が形成されている。
【０００７】
実装方法としては、図１３とは逆に、部品実装面にＳＡＷフィルタを実装する方法がある。即ち、“回路基板３０の部品実装面に、他の回路部品との接続用の導電パターンの他にＧＮＤランドを設けておき、実装に当たっては他の回路部品との接続用の導電パターンにランド３２Ｔ及び３２Ｒをまた当該ＧＮＤランドに端子２２Ｇをそれぞれ接続し、ＧＮＤ面のＧＮＤパターン３４Ｇと当該ＧＮＤランドの間はスルーホール等で接続する”、という方法も考えられる。しかし、この方法は、ＧＮＤ間共通インピーダンスの発生の点で、図１３の方法より劣っている。即ち、部品実装面上のＧＮＤランドとＧＮＤ面上のＧＮＤパターン３４Ｇとを接続するために使用するスルーホールによって意図しないインピーダンスが発生し、このインピーダンスを介しＳＡＷフィルタの入出力間が不正常に結合してしまうため、意図した特性を得にくくなる。
【０００８】
図１３の方法によれば、端子２２ＧとＧＮＤパターン３４Ｇとがスルーホールを介さずに接続されるためこのような意図しないインピーダンスは発生しにくい。しかし、この方法によっても、ＧＮＤ間共通インピーダンスを完全には排除できず、従って、従来は、しばしば、要求特性からはずれた特性しか実現できない状況が存していた。
【０００９】
【発明の概要】
本発明の発明者は、ＧＮＤ間共通インピーダンス等の入出力間二次結合が、ＳＡＷフィルタの実際の特性にどのような影響を与えるのか、即ち設計時に等価回路シミュレーション等により予測した特性から実際の特性をどの様にずらしてしまうのか、に関し、定量的な検討を行った。
【００１０】
この検討の第１段階として、発明者は、８００ＭＨｚ帯に通過帯域を有するＳＡＷフィルタに関し、その通過帯域を測定すると共に、その設計情報に基づく等価回路シミュレーションを実施した。等価回路シミュレーションの際には、従来周知の等価回路モデルを用いた。実測の結果を図１に、数値シミュレーションの結果を図２に、それぞれ示す。一見して明らかなように、両者の間には、特に通過帯域外に関し、大きな相違が生じている。
【００１１】
検討の第２段階として、発明者は、ＧＮＤ間共通インピーダンス以外に入出力間二次結合につながる要素はないか、またこれを含め入出力間二次結合につながる要素を等価回路表現したときどの様な回路となるか、に関して検討を行った。その結果得られた等価回路モデルを図３に示す。この図中の“ＳＡＷ”は、図２の等価回路シミュレーションの基礎となった従来の等価回路モデル（即ち入出力間二次結合を考慮していないときのＳＡＷフィルタの伝達関数）を示すブロックである。インダクタンスＬｇは上述のＧＮＤ間共通インピーダンスを表すものであり、容量Ｃｃは入力電極１４Ｔ・出力電極１４Ｒ間の容量結合を表すものである。ここでは、端子２２Ｇ、ＧＮＤパターン３４Ｇ及び両者を接続する半田等の抵抗値が十分小さいという実際的な仮定の下に、ＧＮＤ間共通インピーダンスをＧＮＤ間共通インダクタンスＬｇにて表している。
【００１２】
検討の第３段階として、発明者は、図３の等価回路モデルを用いて数値シミュレーションを実行し、その結果（図４）を図１の実測結果と比較した。更に、この比較の結果を、図１と図２の比較の結果と、比較した。その結果、第１に、図３の等価回路モデルのほうが従来の等価回路モデルより正確に、実際の特性を模擬・再現できることが判明した。例えば、阻止帯域のうち通過帯域のすぐ上下の帯域（７５０ＭＨｚ以下の帯域や、９００ＭＨｚ〜１．５ＧＨｚ程度までの帯域）に関しては、明らかに、図４のほうが図２よりも図１に似ている。第２に、図１の実測特性に現れている１．８ＧＨｚのトラップが図２では現れていないのに対し図４では現れていることや、このトラップがなぜ１．８ＧＨｚに現れるのかも判明した。
【００１３】
発明者が明らかにした事項のうちトラップが１．８ＧＨｚに現れる理由は、以下の通りである。まず、前述のようにＳＡＷフィルタは圧電性のＳＡＷ基板１０上に電極１４Ｔ、１４Ｒ及び１４Ｇを被着形成した構成を有しているから、その通過帯域に比べ十分高い周波数帯域では、一群の入力電極対１２Ｔ及び一群の出力電極対１２Ｒがそれぞれ容量Ｃｔｉ又はＣｔｏと等価であると見なせる（図５（ａ））。但し、ここでは入力電極１４Ｔ（又は出力電極１４Ｒ）とＧＮＤ電極１４Ｇとの容量結合は無視している。高い周波数帯域にて有効な図５（ａ）の等価回路は、周知の回路変形規則により、図５（ｂ）の形に変形できる。図５（ｂ）に現れている容量Ｃｘ及びＣｙは、それぞれ次の式
【数１】
Ｃｘ＝Ｃｔ＋２Ｃｃ
Ｃｙ＝Ｃｔ／Ｃｃ・（Ｃｔ＋２Ｃｃ）
にて表すことができる。但し、ここでは、計算の便宜のためＣｔｉ及びＣｔｏがいずれも等しいと仮定しこれをＣｔと表している。上式にて表される容量のうちＣｙはＬｇと直列共振し、ＳＡＷフィルタの通過特性上でトラップを発生させる。このトラップの周波数Ｆｐは、次の式
【数２】
0003895397.tif 000002
にて表すことができる（Ｃｔ＞＞Ｃｃ）。発明者は、他方で、題材としたＳＡＷフィルタに関しＣｃ及びＬｇを変化させながら、Ｆｐ＝１．８ＧＨｚが概ね成立するＣｃ及びＬｇを推定し、これらがそれぞれ０．０８ｐＦ、０．０５ｎＨであるというデータを得た。その際、Ｃｔとしては３．２ｐＦの値を用いた。このＣｔ，Ｃｃ及びＬｇを上のＦｐの式に代入すると、Ｆｐ＝１．９４ＧＨｚが得られる。
【００１４】
このように、発明者による検討により、電極対の等価容量を示すＣｔや入出力間二次結合を示すＣｃ及びＬｇが既知であればトラップの周波数Ｆｐを予測できることが明らかになった。これは、逆にいえば、ＣｃやＬｇを適宜調整することができれば、図１の特性上１．８ＧＨｚ近傍に現れているトラップを他の帯域例えば通過帯域のすぐ上側に移動させられること、ひいては通過帯域のすぐ上側における阻止帯域減衰量を増大させることができることを、表している。
【００１５】
本発明の第１の特徴は、図６中実線で示されているように従来のＬｇに意図的な増減Ｌｇを付し及び／又は同図中破線で示されているように従来のＣｃに意図的な増減ΔＣｃを付す手段を提供することにより、トラップの周波数Ｆｐを任意の周波数に移動可能にすることである。かかる手段例えばＬｇの増大手段の提供により、従来例えば１．８ＧＨｚに現れていたトラップを例えば８００ＭＨｚ帯にある通過帯域の近傍まで移動させることが可能になり、従って通過帯域近傍における阻止域減衰量を増大させることができる。
【００１６】
本発明の第２の特徴は、増減ΔＬｇ又はΔＣｃを提供する手段として実装先の回路基板の導電パターンやスルーホールを利用しているため、ＳＡＷフィルタ自体の構成の変更、部品の追加、大規模な設計変更等を伴うことがなく、安価かつ簡便に実施できることである。即ち、本発明で利用している入出力間二次結合Ｌｇ及びＣｃは、ＳＡＷフィルタの製造乃至実装に際してはほぼ必須的に生じ、これまで要求特性の実現の支障としてとらえられてきた現象であるから、これを増減調整する本発明の構成は、本質的に、比較的小規模な変形のみで実施できる。また、ＳＡＷフィルタユーザ（例えば通信機器セット等の設計者）から見れば、設計発注時にＳＡＷフィルタ設計者に対し要求した特性と若干異なる特性を実現しようとするときに、改めてＳＡＷフィルタ設計者に対し発注し直す又は要求特性に係る仕様を訂正する必要がなくなり、従ってより安価かつ迅速に作業を進めることが可能になる。更に、上述のように入出力間二次結合を逆用する本発明においては、要求特性を満たすことができる範囲内であれば、ＳＡＷフィルタ実装面を回路基板のＧＮＤ面及び部品実装面のいずれとしてもよくなる。即ち、従来は“Ｌｇをできるだけ小さくする”ことが求められていたのに対し本発明の実施に際しては例えば“Ｌｇを必要な値まで大きくする”ことが求められるのであるから、ＳＡＷフィルタの実装面を、Ｌｇを比較的小さくできるＧＮＤ面に限定する必要がなくなる。
【００１７】
これらの特徴は、より具体的には、次のような構成を有する基板実装方法にて実現できる。まず、本発明の第１の構成においては、入力電極、出力電極及びＧＮＤ電極がその表面に形成されたＳＡＷ基板と、その内部に上記ＳＡＷ基板を収納しかつその一の外表面に各々上記入力電極、出力電極又はＧＮＤ電極と導電接続された入力端子、出力端子及びＧＮＤ端子が設けられたパッケージとを備えるＳＡＷフィルタを、回路基板上に実装するに際し、上記回路基板の一方の面に少なくともＧＮＤランドを、他方の面にＧＮＤパターンをそれぞれ設けておき、その後、上記ＧＮＤランドに上記ＧＮＤ端子が導電接続されるよう上記ＳＡＷフィルタを上記一方の面に実装し、上記ＧＮＤ電極と上記ＧＮＤパターンとの間に生じる二次的かつ寄生的なインダクタンスＬｇの値がＳＡＷフィルタのトラップの周波数をその通過帯域の近傍にするための目標値となるよう、予めその個数、形状、寸法又は位置を設定したスルーホールを介し、かつ上記実装に前後して、上記ＧＮＤランドを上記ＧＮＤパターンに導電接続する。
【００１８】
本発明の第２の構成においては、入力電極、出力電極及びＧＮＤ電極がその表面に形成されたＳＡＷ基板と、その内部に上記ＳＡＷ基板を収納しかつその一の外表面に各々上記入力電極、出力電極又はＧＮＤ電極と導電接続された入力端子、出力端子及びＧＮＤ端子が設けられたパッケージとを備えるＳＡＷフィルタを、回路基板上に実装するに際し、上記回路基板の一方の面に少なくともＧＮＤランド、ＧＮＤ導体及びこれらを導電接続する接続導体を予め設けておき、かつ、これらＧＮＤランド、ＧＮＤ導体及び接続導体のうちいずれかの形状又は寸法を、下記実装後に上記ＧＮＤ電極と上記ＧＮＤ導体との間に生じる二次的かつ寄生的なインダクタンスＬｇの値がＳＡＷフィルタのトラップの周波数をその通過帯域の近傍にするための目標値となるよう設定しておき、その後、上記ＧＮＤランドに上記ＧＮＤ端子が導電接続されるよう上記ＳＡＷフィルタを上記一方の面に実装する。
【００１９】
そして、本発明の第３の構成においては、入力電極、出力電極及びＧＮＤ電極がその表面に形成されたＳＡＷ基板と、その内部に上記ＳＡＷ基板を収納しかつその一の外表面に各々上記入力電極、出力電極又はＧＮＤ電極と導電接続された入力端子、出力端子及びＧＮＤ端子が設けられたパッケージとを備えるＳＡＷフィルタを、回路基板上に実装するに際し、上記回路基板の一方の面に少なくとも入力ランド及び出力ランドを予め設けておき、かつ、これら入力ランド及び出力ランドの形状、寸法又は間隔を、下記実装後に上記入力電極と上記出力電極との間に生じる二次的かつ寄生的な容量Ｃｃの値がＳＡＷフィルタのトラップの周波数をその通過帯域の近傍にするための目標値となるよう設定しておき、その後、上記入力ランド及び出力ランドに上記入力端子及び出力端子のうち対応するものが導電接続されるよう上記ＳＡＷフィルタを上記一方の面に実装する。
【００２０】
これらの構成の作用効果に関しては、既に述べた本発明の原理及びその特徴事項に関する説明から、当業者にとり一意に解釈できかつ自明である。更に、本発明は、基板実装方法という表現形式にて限定されるべきものではなく、例えば、「ＳＡＷフィルタを実装するのに適する回路基板の構造」「ＳＡＷフィルタの特性調整方法」等として表現することもできる。この種の表現形式の変更に関しても、これまでの説明から、当業者にとり一意に解釈できかつ自明である。
【００２１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好適な実施形態に関して図面に基づき説明する。なお、図１１〜１３に示す従来技術と同一の又は対応する構成については同一の符号を付し、説明を省略する。また、図１〜図６を用いた本発明の原理説明に使用した符号を、実施形態の説明においても引き続き使用する。
【００２２】
図７に、本発明の第１実施形態に係る基板実装方法が示されている。この実施形態においては、回路基板３０の図中上側の面に、入力ランド３２Ｔ、出力ランド３２Ｒ及びＧＮＤランド３２Ｇが被着形成されている。これらのランド３２Ｔ、３２Ｒ及び３２Ｇは、実装すべきＳＡＷフィルタの端子２２Ｔ、２２Ｒ及び２２Ｇに対応して設けられており、このＳＡＷフィルタを回路基板３０上に実装する際には、これらの端子２２Ｔ、２２Ｒ及び２２Ｇをランド３２Ｔ、３２Ｒ及び３２Ｇのうち対応するものと半田等により導電接続できるよう、ＳＡＷフィルタを回路基板３０に対し位置決めし、その後半田付等を行う。
【００２３】
また、図示しないが、回路基板３０の図中下側の面には、他の回路部品との接続のための導電パターンが被着形成されており、ランド３２Ｔ、３２Ｒ及び３２Ｇはいずれもスルーホール３８を介して裏側の対応する導電パターンに導電接続される。また、本実施形態においては、特にＧＮＤランド３２Ｇにかかるスルーホール３８の個数が、実現すべきＬｇの値に応じて、設定されている。このように、本実施形態においては、スルーホール３８の個数の設定によって任意のＬｇを実現可能とし、通過帯域近傍における阻止帯域減衰量の改善等、特性改善の効果を達成している。
【００２４】
この効果をより具体的に説明するため、発明の原理説明において題材としたＳＡＷフィルタ、すなわち８００ＭＨｚ帯を通過帯域とするＳＡＷフィルタを考える。前述の従来技術においては、Ｌｇの値をできるだけ小さくすることを前提として基板実装が行われていたため、Ｌｇは０．０５ｎＨという小さな値になっており、そのため１．８ＧＨｚにトラップが現れていた（図１参照）。これに対して本実施形態の構成を使用しＬｇを例えば０．２ｎＨにすることにより、トラップの周波数を１．８ＧＨｚからより低い周波数例えば通過帯域のすぐ上側の周波数まで低めることができる。本発明の発明者は、本実施形態においてＬｇ＝０．２ｎＨとなるようＧＮＤランド３２Ｇに係るスルーホール３８の個数を設定した例に関し、その通過特性の実測を行なった（図８）。この図からも明らかなように、本実施形態においては、図１に示す従来技術のそれに比べ、特に通過帯域近傍の阻止域減衰量という限られた範囲ではあるが、特性の改善が現れている。
【００２５】
なお、図７にはＧＮＤランド３２Ｇにかかるスルーホール３８の個数を実現すべきＬｇの値に応じて設定する例のみを示したが、ＧＮＤランド３２Ｇにかかるスルーホール３８の形状、寸法、位置等を目標とすべきＬｇの値に応じて設定ないし調整する構成によっても、同様の作用効果を実現することができる。
【００２６】
図９に、本発明の第２実施形態に係る基板実装方法を示す。この実施形態においては、回路基板３０の図中上側の面に入力ランド３２Ｔ、出力ランド３２Ｒ及びＧＮＤランド３２Ｇが、前述の第１実施形態と同様被着形成されている。また、回路基板３０の図中下側の面には、図示しないが、入力ランド３２Ｔ及び出力ランド３２Ｒとスルーホール３８を介し導電接続される導電パターンが被着形成されている。本実施形態が前述の第１実施形態と相違しているのは、ＧＮＤランド３２Ｇの形成面と同一の面にＧＮＤ導体４０を設け、ＧＮＤランド３２ＧとＧＮＤ導体４０との間をやはり同じ面に被着形成されているストリップライン４２にて導電接続している点である。なお、図中、２個設けられているＧＮＤランド３２Ｇのうち一方のみをＧＮＤ導体４０に導電接続しているが、これは、端子２２Ｇがパッケージ２０内において互いに導電接続されているため一方のみでよいことによる（従来技術の欄を参照）。
【００２７】
本実施形態においても、特にストリップライン４２においてインダクタンスが発生するため、このインダクタンスを以て、Ｌｇに増減ΔＬｇを復することができる。従って、この実施形態においても、前述の第１実施形態と同様の作用効果が得られる。なお、厳密には、インダクタンスはストリップライン４２のみならずＧＮＤ導体４０及びＧＮＤランド３２Ｇにおいても発生するから、ＧＮＤランド３２Ｇ、ストリップライン４２及びＧＮＤ導体４０のいずれの形状、寸法等を調整することによっても、同様の作用効果を達成できる。
【００２８】
図１０に、本発明の第３実施形態に係る基板実装方法を示す。この実施形態においては、おおむね、前述の従来技術と同様の基板構造が採用されている。但し、この実施形態においては、入力ランド３２Ｔにかかるギャップ３６Ｔと出力ランド３２Ｒにかかるギャップ３６Ｒとが分離しておらず、一体のギャップ３６を構成している。従って、入力ランド３２Ｔと出力ランド３２Ｒの間はＧＮＤパターン３４Ｇによって遮蔽されておらず、両者の間には容量性の結合が発生する。この容量性の結合は前述のＣｃの増減ΔＣｃとして寄与する。この構成によれば、ギャップ３６の形状、寸法、或いは入力ランド３２Ｔ又は出力ランド３２Ｒの形状、寸法、間隔等を調整することにより、Ｃｃを適宜目標値に設定ないし調整することができ、ひいては高周波域にあるトラップを通過帯域近傍に移すといった特性調整がやはり可能である。
【００２９】
以上の各実施形態では、概ね、図１１に示すように入力電極対１２ＴのＧＮＤ電極１４と出力電極対１２ＲのＧＮＤ電極１４ＧとをＳＡＷ基板１０上で接続する構成を、前提としていた。しかし、この接続を、ＳＡＷ基板１０上の導体１６Ｇではなく、パッケージ２０内部又は表面の配線又はパターン導体や、回路基板３０上の配線又はパターンで、実現してもかまわない。
【図面の簡単な説明】
【図１】  従来のＳＡＷフィルタ（基板実装後）の実測通過特性を示す図である。
【図２】  従来の等価回路モデルに基づく通過特性の数値シミュレーション結果を示す図である。
【図３】  入出力間２次結合を考慮した等価回路モデルを示す回路図である。
【図４】  図３の等価回路モデルに基づく通過特性の数値シミュレーションの結果を示す図である。
【図５】  図３に示す等価回路モデルの変形を示す図であり、特に（ａ）は通過帯域に比べ十分高い周波数帯域における等価回路を、（ｂ）はこれを変形した等価回路を、それぞれ示す図である。
【図６】  本発明の基本原理を示す等価回路図である。
【図７】  本発明の第１実施形態に係る基板実装方法を示す分解斜視図である。
【図８】  この実施形態における通過特性の測定結果を示す図である。
【図９】  本発明の第２実施形態に係る基板実装方法を示す分解斜視図である。
【図１０】  本発明の第３実施形態に係る基板実装方法を示す分解斜視図である。
【図１１】  多電極型ＳＡＷフィルタにおける電極配置の一例を示す概略平面図である。
【図１２】  表面実装型パッケージの一例構成を示す斜視図である。
【図１３】  一従来技術に係る基板実装方法を示す分解斜視図である。
【符号の説明】
１２Ｔ  入力電極対、１２Ｒ  出力電極対、１４Ｔ  入力電極、１４Ｒ  出力電極、１４Ｇ  ＧＮＤ電極、２０  パッケージ、２２Ｔ  入力端子、２２Ｒ  出力端子、２２Ｇ  ＧＮＤ端子、３０  回路基板、３２Ｔ  入力ランド、３２Ｒ  出力ランド、３２Ｇ  ＧＮＤランド、３４Ｇ  ＧＮＤパターン、３６  ギャップ、３８  スルーホール、４０  ＧＮＤ導体、４２  ストリップライン、Ｌｇ  ＧＮＤ間共通インダクタンス、Ｃｃ  入出力間結合容量、ΔＬｇ  Ｌｇの増減分、ΔＣｃ  Ｃｃの増減分。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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