(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
高周波信号が伝播する第１のマイクロストリップ線路と、前記第１のマイクロストリップ線路の一方の端面に電気的に接続し高周波信号が伝播する第２のマイクロストリップ線路と、前記第１のマイクロストリップ線路の他方の端面に電気的に接続し高周波信号が伝播する第３のマイクロストリップ線路と、前記第１のマイクロストリップ線路の断面における幅方向の中心部に電気的に接続し前記第１のマイクロストリップ線路に直流信号を印加するコイルと、前記第１のマイクロストリップ線路を設ける第１の誘電体基板と、前記第２のマイクロストリップ線路を設ける第２の誘電体基板と、前記第３のマイクロストリップ線路を設ける第３の誘電体基板とを備え、
前記第１の誘電体基板が、前記第２の誘電体基板及び前記第３の誘電体基板から分離し、且つ前記第２の誘電体基板及び前記第３の誘電体基板よりも厚い基板厚を有し、
前記第１のマイクロストリップ線路が、前記第２のマイクロストリップ線路及び前記第３のマイクロストリップ線路と同一の特性インピーダンスを有する
ことを特徴とするバイアス回路。
【請求項２】
第１のマイクロストリップ線路は、第２のマイクロストリップ線路及び第３のマイクロストリップ線路よりも広い線路幅を有することを特徴とする請求項１記載のバイアス回路。
【請求項３】
第１のマイクロストリップ線路は、第２のマイクロストリップ線路及び第３のマイクロストリップ線路よりも低い特性インピーダンスを有することを特徴とする請求項１記載のバイアス回路。
【請求項４】
第１の誘電体基板は、第２の誘電体基板及び第３の誘電体基板よりも低い誘電率を有することを特徴とする請求項１記載のバイアス回路。
【請求項５】
高周波信号が伝播するコプレーナ線路と、前記コプレーナ線路の一方の端面に電気的に接続し高周波信号が伝播する第２のマイクロストリップ線路と、前記コプレーナ線路の他方の端面に電気的に接続し高周波信号が伝播する第３のマイクロストリップ線路と、前記コプレーナ線路の断面における幅方向の中心部に電気的に接続し前記コプレーナ線路に直流信号を印加するコイルと、前記コプレーナ線路を設ける第１の誘電体基板と、前記第２のマイクロストリップ線路を設ける第２の誘電体基板と、前記第３のマイクロストリップ線路を設ける第３の誘電体基板とを備え、
前記第１の誘電体基板が、前記第２の誘電体基板及び前記第３の誘電体基板から分離し、且つ前記第２の誘電体基板及び前記第３の誘電体基板よりも厚い基板厚を有し、
前記コプレーナ線路が、前記第２のマイクロストリップ線路及び前記第３のマイクロストリップ線路と同一の特性インピーダンスを有することを特徴とするバイアス回路。
【請求項６】
コプレーナ線路は、第２のマイクロストリップ線路及び第３のマイクロストリップ線路よりも低い特性インピーダンスを有することを特徴とする請求項５記載のバイアス回路。
【請求項７】
コプレーナ線路を設ける第１の誘電体基板は、第２の誘電体基板及び第３の誘電体基板よりも低い誘電率を有することを特徴とする請求項５記載のバイアス回路。
【請求項８】
コプレーナ線路は、高周波信号が伝播するストリップ線路と、前記ストリップ線路から離隔した位置であり、且つ第１の誘電体基板の端部に設けられた接地導体とを備えることを特徴とする請求項５から請求項７のうちのいずれか１項記載のバイアス回路。
【請求項９】
ストリップ線路は、第２のマイクロストリップ線路及び第３のマイクロストリップ線路よりも広い線路幅を有することを特徴とする請求項８記載のバイアス回路。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、マイクロ波帯，ミリ波帯で利用され、広帯域，低損失の特性を有するバイアス回路に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
図８は、従来のバイアス回路を備える高周波スイッチを示す構造図であり、「２〜１８．５ＧＨｚ帯低損失・高アイソレーションＰＩＮダイオードＳＰＤＴスイッチ」（１９９８年電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエティ大会講演論文集，Ｃ−２−２０，ｐ４６）で報告された高周波スイッチの構造を示している。
【０００３】
図８において、１０１は高周波スイッチの構成部品を収納するための筐体、１０２は高周波信号入力端子、１０３ａ，１０３ｂは高周波信号出力端子、１０４ａ，１０４ｂ，１０４ｃは高周波信号を伝播するマイクロストリップ線路を設けた第１の誘電体基板、１０５ａ，１０５ｂは高周波信号を伝播するマイクロストリップ線路を設けた第２の誘電体基板、１０６はＳＰＤＴスイッチ機能を備えた半導体スイッチング用ＩＣ、１０７ａ，１０７ｂはＰＩＮダイオード、１０８ａ，１０８ｂ，１０８ｃは島状導体、１０９ａ，１０９ｂ，１０９ｃはそれぞれ島状導体１０８ａ，１０８ｂ，１０８ｃを設けた第３の誘電体基板である。
【０００４】
また、図８において、１１０ａは第１の誘電体基板１０４ａに設けたマイクロストリップ線路と島状導体１０８ａとを結線する金ワイヤ、１１０ｂは第１の誘電体基板１０４ｂに設けたマイクロストリップ線路と島状導体１０８ｂとを結線する金ワイヤ、１１０ｃは第１の誘電体基板１０４ｃに設けたマイクロストリップ線路と島状導体１０８ｃとを結線する金ワイヤ、１１１ａは島状導体１０８ａ間を結線する金ワイヤ、１１１ｂは島状導体１０８ｂ間を結線する金ワイヤ、１１１ｃは島状導体１０８ｃ間を結線する金ワイヤ、１１２ａ，１１２ｂ，１１２ｃはそれぞれ第３の誘電体基板１０９ａ，１０９ｂ，１０９ｃ，島状導体１０８ａ，１０８ｂ，１０８ｃの間，島状導体１０８ａ，１０８ｂ，１０８ｃと第１の誘電体基板１０４ａ，１０４ｂ，１０４ｃに設けたマイクロストリップ線路とを結線する金ワイヤ１１０ａ，１１０ｂ，１１０ｃで構成されるバイアス回路である。
【０００５】
なお、バイアス回路１１２ａ，１１２ｂ，１１２ｃは、半導体スイッチング用ＩＣ１０６及びＰＩＮダイオード１０７ａ，１０７ｂにバイアスを印加するためのものであり、第１の誘電体基板１０４ａ，１０４ｂ，１０４ｃに設けたマイクロストリップ線路を伝播する高周波信号が、バイアス回路１１２ａ，１１２ｂ，１１２ｃへ漏洩することを低減するため、島状導体１０８ａ，１０８ｂ，１０８ｃを設けた第３の誘電体基板１０９ａ，１０９ｂ，１０９ｃに金ワイヤ１１０ａ，１１０ｂ，１１０ｃを電気的に接続し、高周波信号において高インピーダンスとなる構成になっている。
【０００６】
次に動作について説明する。
高周波信号入力端子１０２に入力した高周波信号は、第１の誘電体基板１０４ａに設けたマイクロストリップ線路を伝播し、半導体スイッチング用ＩＣ１０６に入力する。次に、半導体スイッチング用ＩＣ１０６の出力端子が切り替えられることにより、第２の誘電体基板１０５ａ又は第２の誘電体基板１０５ｂを伝播し、ＰＩＮダイオード１０７ａ又はＰＩＮダイオード１０７ｂを介して第１の誘電体基板１０４ｂに設けたマイクロストリップ線路又は第１の誘電体基板１０４ｃに設けたマイクロストリップ線路に伝播する。次に、第１の誘電体基板１０４ｂに設けたマイクロストリップ線路から高周波信号出力端子１０３ａに出力するか、又は第１の誘電体基板１０４ｃに設けたマイクロストリップ線路から高周波信号出力端子１０３ｂに出力する。
【０００７】
また、半導体スイッチング用ＩＣ１０６及びＰＩＮダイオード１０７ａ，１０７ｂの切り替え動作を制御するために、バイアス回路１１２ａ，１１２ｂ，１１２ｃは半導体スイッチング用ＩＣ１０６及びＰＩＮダイオード１０７ａ，１０７ｂにバイアスを印加する。
【０００８】
次に、半導体スイッチング用ＩＣ１０６及びＰＩＮダイオード１０７ａ，１０７ｂにバイアスを印加した場合の切り替え動作の制御について説明する。
図９は、図８に示された従来のバイアス回路を備える高周波スイッチを示す回路図である。図９において、図８と同一符号は同一または相当部分を示すのでその説明を省略する。１２１ａ〜１２１ｄは半導体スイッチング用ＩＣ１０６を構成するＰＩＮダイオード、１２２ａ，１２２ｂ，１２２ｃはバイアスを印加するためのバイアス端子である。
【０００９】
次に動作について説明する。
バイアス端子１２２ａを接地し、バイアス端子１２２ｂに負電圧、バイアス端子１２２ｃに正電圧を印加した場合、ＰＩＮダイオード１０７ｂ，１２１ａ，１２１ｄには順方向電圧が印加され、ＰＩＮダイオード１０７ａ，１２１ｂ，１２１ｃには逆方向電圧が印加される。この時、ＰＩＮダイオード１０７ｂ，１２１ａ，１２１ｄは導通状態となり、ＰＩＮダイオード１０７ａ，１２１ｂ，１２１ｃは遮断状態となる。即ち、高周波信号入力端子１０２に入力した高周波信号は、高周波信号出力端子１０３ｂには出力せず、高周波信号出力端子１０３ａから出力する。なお、ＰＩＮダイオード１０７ｂ，１２１ｄは導通状態であるので、遮断状態のＰＩＮダイオード１２１ｂから漏洩した高周波信号が、高周波信号出力端子１０３ｂから出力しないようにアイソレーションを高める効果が得られる。
【００１０】
同様に、バイアス端子１２２ａを接地し、バイアス端子１２２ｂに正電圧、バイアス端子１２２ｃに負電圧を印可した場合、ＰＩＮダイオード１０７ａ，１２１ｂ，１２１ｃには順方向電圧が印可し、ＰＩＮダイオード１０７ｂ，１２１ａ，１２１ｄには逆方向電圧が印可する。この時、ＰＩＮダイオード１０７ａ，１２１ｂ，１２１ｃは導通状態となり、ＰＩＮダイオード１０７ｂ，１２１ａ，１２１ｄは遮断状態となる。高周波信号入力端子１０２に入力した高周波信号は、高周波信号出力端子１０３ａには出力せず、高周波信号出力端子１０３ｂから出力する。なお、ＰＩＮダイオード１０７ａ，１２１ｃは導通状態であるので、遮断状態のＰＩＮダイオード１２１ａから漏洩した高周波信号が、高周波信号出力端子１０３ａから出力しないようにアイソレーションを高める効果が得られる。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
従来のバイアス回路を備える高周波スイッチは以上のように構成されているので、高周波信号において高インピーダンスとなるバイアス回路を、マイクロストリップ線路に高周波信号が伝播する方向にのみバイアス回路による損失が最小になるような最適な位置に接続するから、マイクロストリップ線路の断面方向へは損失が最小になるような最適な位置に接続されないという課題があった。
【００１２】
また、従来のバイアス回路を備える高周波スイッチは、マイクロストリップ線路の幅が狭い場合には、バイアス回路におけるマイクロストリップ線路の断面方向への接続位置の精度が得られ難い等の課題があった。
【００１３】
この発明は上記のような課題を解決するためになされたもので、バイアス回路による損失を広帯域に渡って低減することができると共に、バイアス回路におけるマイクロストリップ線路の断面方向への接続位置の精度を向上することができるバイアス回路を得ることを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
この発明に係るバイアス回路は、高周波信号が伝播する第１のマイクロストリップ線路と、第１のマイクロストリップ線路の一方の端面に電気的に接続し高周波信号が伝播する第２のマイクロストリップ線路と、第１のマイクロストリップ線路の他方の端面に電気的に接続し高周波信号が伝播する第３のマイクロストリップ線路と、第１のマイクロストリップ線路の断面における幅方向の中心部に電気的に接続し第１のマイクロストリップ線路に直流信号を印加するコイルと、第１のマイクロストリップ線路を設ける第１の誘電体基板と、第２のマイクロストリップ線路を設ける第２の誘電体基板と、第３のマイクロストリップ線路を設ける第３の誘電体基板とを備え、第１の誘電体基板が、第２の誘電体基板及び第３の誘電体基板から分離し、且つ第２の誘電体基板及び第３の誘電体基板よりも厚い基板厚を有し、第１のマイクロストリップ線路が、第２のマイクロストリップ線路及び第３のマイクロストリップ線路と同一の特性インピーダンスを有するようにしたものである。
【００１５】
この発明に係るバイアス回路は、第１のマイクロストリップ線路が、第２のマイクロストリップ線路及び第３のマイクロストリップ線路よりも広い線路幅を有するようにしたものである。
【００１６】
この発明に係るバイアス回路は、第１のマイクロストリップ線路が、第２のマイクロストリップ線路及び第３のマイクロストリップ線路よりも低い特性インピーダンスを有するようにしたものである。
【００１７】
この発明に係るバイアス回路は、第１の誘電体基板が、第２の誘電体基板及び第３の誘電体基板よりも低い誘電率を有するようにしたものである。
【００１８】
この発明に係るバイアス回路は、高周波信号が伝播するコプレーナ線路と、コプレーナ線路の一方の端面に電気的に接続し高周波信号が伝播する第２のマイクロストリップ線路と、コプレーナ線路の他方の端面に電気的に接続し高周波信号が伝播する第３のマイクロストリップ線路と、コプレーナ線路を構成するマイクロストリップ線路の断面における幅方向の中心部に電気的に接続しコプレーナ線路に直流信号を印加するコイルと、コプレーナ線路を設ける第１の誘電体基板と、第２のマイクロストリップ線路を設ける第２の誘電体基板と、第３のマイクロストリップ線路を設ける第３の誘電体基板とを備え、第１の誘電体基板が、第２の誘電体基板及び第３の誘電体基板から分離し、且つ第２の誘電体基板及び第３の誘電体基板よりも厚い基板厚を有し、コプレーナ線路が、第２のマイクロストリップ線路及び第３のマイクロストリップ線路と同一の特性インピーダンスを有するようにしたものである。
【００１９】
この発明に係るバイアス回路は、コプレーナ線路が、第２のマイクロストリップ線路及び第３のマイクロストリップ線路よりも低い特性インピーダンスを有するようにしたものである。
【００２０】
この発明に係るバイアス回路は、コプレーナ線路を設ける第１の誘電体基板が、第２の誘電体基板及び第３の誘電体基板よりも低い誘電率を有するようにしたものである。
【００２１】
この発明に係るバイアス回路は、コプレーナ線路が、高周波信号が伝播するストリップ線路と、ストリップ線路から離隔した位置であり、且つ第１の誘電体基板の端部に設けられた接地導体とを備えるようにしたものである。
【００２２】
この発明に係るバイアス回路は、ストリップ線路が、第２のマイクロストリップ線路及び第３のマイクロストリップ線路よりも広い線路幅を有するようにしたものである。
【００２３】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の実施の一形態について説明する。
実施の形態１．
図１は、この発明の実施の形態１によるバイアス回路の構成を示す斜視図である。図１において、１は高周波信号を伝播する第１のマイクロストリップ線路、２は第１のマイクロストリップ線路１の一方の端部と接続し高周波信号を伝播する第２のマイクロストリップ線路、３は第１のマイクロストリップ線路１の他方の端部と接続し高周波信号を伝播する第３のマイクロストリップ線路、４はバイアス用チョークコイル（コイル）、５はバイアス用チョークコイル４を固定するチョークコイル固定枠、６はバイアス用チョークコイル４と第１のマイクロストリップ線路１とを接続する接続部、７はバイアス用チョークコイル４と接続するバイパスコンデンサ、８ａは第１のマイクロストリップ線路１と第２のマイクロストリップ線路２とを接続する金ワイヤ、８ｂは第１のマイクロストリップ線路１と第３のマイクロストリップ線路３とを接続する金ワイヤ、９は接地面である。なお、第１のマイクロストリップ線路１と第２のマイクロストリップ線路２、及び第１のマイクロストリップ線路１と第３のマイクロストリップ線路３とをそれぞれ金ワイヤ８ａ，８ｂで接続しているが、例えば金リボン等を用いた他の接続方法を用いてもよい。
【００２４】
また、図１において、１０は第１のマイクロストリップ線路１を備える誘電体基板（第１の誘電体基板）、１１は第２のマイクロストリップ線路２を備える誘電体基板（第２の誘電体基板）、１２は第３のマイクロストリップ線路３を備える誘電体基板（第３の誘電体基板）である。なお、第１のマイクロストリップ線路１を備える誘電体基板１０は、第２のマイクロストリップ線路２を備える誘電体基板１１及び第３のマイクロストリップ線路３を備える誘電体基板１２よりも基板厚が厚く、且つ誘電体基板１１及び誘電体基板１２から分離するように構成されている。また、第１のマイクロストリップ線路１は、第２のマイクロストリップ線路２及び第３のマイクロストリップ線路３と同一の特性インピーダンスを有し、かつ、第２のマイクロストリップ線路２及び第３のマイクロストリップ線路３よりも線路幅を広くしている。
【００２５】
次に動作について説明する。
高周波信号が、第２のマイクロストリップ線路２から入力した場合は、先ず、第２のマイクロストリップ線路２を伝播し、金ワイヤ８ａを介して、第１のマイクロストリップ線路１に入力する。次に、高周波信号は、バイアス用チョークコイル４が接続している第１のマイクロストリップ線路１から、金ワイヤ８ｂを介して、第３のマイクロストリップ線路３に伝播する。
【００２６】
一方、高周波信号が、第３のマイクロストリップ線路３から入力した場合は、先ず、第３のマイクロストリップ線路３を伝播し、金ワイヤ８ｂを介して、第１のマイクロストリップ線路１に入力する。次に、高周波信号は、バイアス用チョークコイル４が接続している第１のマイクロストリップ線路１から、金ワイヤ８ａを介して、第２のマイクロストリップ線路２に伝播する。
【００２７】
この時、バイパスコンデンサ７が接続したバイアス用チョークコイル４の端子から直流信号が印加する。バイアス用チョークコイル４は、各マイクロストリップ線路１〜３を伝播する高周波信号に対して高インピーダンスとなる特性を有していることから、各マイクロストリップ線路１〜３を伝播する高周波信号のバイアス用チョークコイル４への漏洩が低減する。即ち、第１のマイクロストリップ線路１を伝播する高周波信号の損失を低減している。
【００２８】
以上のように、この実施の形態１によれば、第１のマイクロストリップ線路１を備える誘電体基板１０は、第２のマイクロストリップ線路２を備える誘電体基板１１及び第３のマイクロストリップ線路３を備える誘電体基板１２よりも基板厚が厚くなるように構成し、また、第１のマイクロストリップ線路１は、第２のマイクロストリップ線路２及び第３のマイクロストリップ線路３と同一の特性インピーダンスを有するようにしたので、各マイクロストリップ線路１〜３を伝播する高周波信号の損失を低減できる効果が得られる。
【００２９】
また、この実施の形態１によれば、第１のマイクロストリップ線路１は、第２のマイクロストリップ線路２及び第３のマイクロストリップ線路３よりも線路幅を広くしたので、バイアス用チョークコイル４を第１のマイクロストリップ線路１に接続する際に、第１のマイクロストリップ線路１の断面方向への接続位置の精度が容易に向上する効果が得られる。
【００３０】
実施の形態２．
図２は、この発明の実施の形態２によるバイアス回路の構成を示す斜視図である。図２において、図１と同一符号は同一または相当部分を示すのでその説明を省略する。１３は第１のマイクロストリップ線路１を備える低誘電率基板（第１の誘電体基板）である。第１のマイクロストリップ線路１を備える低誘電率基板１３は、第２のマイクロストリップ線路２を備える誘電体基板１１及び第３のマイクロストリップ線路３を備える誘電体基板１２よりも基板厚が厚く、且つ誘電体基板１１及び誘電体基板１２から分離するように構成されている。また、第１のマイクロストリップ線路１は、第２のマイクロストリップ線路２及び第３のマイクロストリップ線路３と同一の特性インピーダンスを有し、かつ、第２のマイクロストリップ線路２及び第３のマイクロストリップ線路３よりも線路幅を広くしている。
【００３１】
以上のように、この実施の形態２によれば、第１のマイクロストリップ線路１を備える低誘電率基板１３は、第２のマイクロストリップ線路２を備える誘電体基板１１及び第３のマイクロストリップ線路３を備える誘電体基板１２よりも基板厚が厚くなるように構成し、また、第１のマイクロストリップ線路１は、第２のマイクロストリップ線路２及び第３のマイクロストリップ線路３と同一の特性インピーダンスを有するようにしたので、各マイクロストリップ線路１〜３を伝播する高周波信号の損失を低減できる効果が得られる。
【００３２】
実施の形態３．
図３は、この発明の実施の形態３によるバイアス回路の構成を示す斜視図である。図３において、図１と同一符号は同一または相当部分を示すのでその説明を省略する。１４は第２のマイクロストリップ線路２及び第３のマイクロストリップ線路３よりも低い特性インピーダンスを有する第１のマイクロストリップ線路、１５は第１のマイクロストリップ線路１４を備える誘電体基板（第１の誘電体基板）である。第１のマイクロストリップ線路１４を備える誘電体基板１５は、第２のマイクロストリップ線路２を備える誘電体基板１１及び第３のマイクロストリップ線路３を備える誘電体基板１２と基板厚が同じ厚さで構成されている。また、第１のマイクロストリップ線路１４は、第２のマイクロストリップ線路２及び第３のマイクロストリップ線路３よりも線路幅を広くしている。
【００３３】
以上のように、この実施の形態３によれば、第１のマイクロストリップ線路１４は、第２のマイクロストリップ線路２及び第３のマイクロストリップ線路３よりも低い特性インピーダンスを有することによって、第２のマイクロストリップ線路２及び第３のマイクロストリップ線路３よりも線路幅を広くできるから、各マイクロストリップ線路２，３，１４を伝播する高周波信号の損失を低減できると共に、バイアス用チョークコイル４を第１のマイクロストリップ線路１４に接続する際に、第１のマイクロストリップ線路１４の断面方向への接続位置の精度が容易に向上する効果が得られる。
【００３４】
実施の形態４．
この発明の実施の形態４によるバイアス回路は、バイアス用チョークコイル４と第１のマイクロストリップ線路１との接続部６を、第１のマイクロストリップ線路１の断面における幅方向の中心部にしたものである。
【００３５】
次に第１のマイクロストリップ線路１の電荷密度分布について説明する。
一般に、マイクロストリップ線路の断面における電荷密度分布は次に示す式（１）で近似的に表される。
【００３６】
【数１】
0003920046.tif 000002
【００３７】
ここで、ρは電荷密度、Ｑは電荷、πは円周率、Ｗはマイクロストリップ線路の線路幅、Ｘはマイクロストリップ線路の断面における幅方向の位置（−Ｗ／２＜Ｘ＜Ｗ／２）である。
【００３８】
図４は、マイクロストリップ線路の断面における電荷密度分布を示す特性図であり、式（１）を図示化したものに相当する。図４において、縦軸は電荷密度ρであり、横軸はマイクロストリップ線路の断面における幅方向の位置Ｘである。図４に示されたように、電荷密度ρは、マイクロストリップ線路の断面における幅方向の中心部で最小になり、マイクロストリップ線路の断面における幅方向の両端で最大となることは明らかである。
【００３９】
以上のように、この実施の形態４によれば、バイアス用チョークコイル４と第１のマイクロストリップ線路１との接続部６を、第１のマイクロストリップ線路１の断面における幅方向の中心部にしたので、電荷密度ρが最小であるから、高周波信号がバイアス用チョークコイル４に漏洩することを低減し、第１のマイクロストリップ線路１を伝播する高周波信号の損失を低減することができるという効果が得られる。
【００４０】
実施の形態５．
図５は、この発明の実施の形態５によるバイアス回路の構成を示す斜視図である。図５において、図１と同一符号は同一または相当部分を示すのでその説明を省略する。１６はストリップ線路、１７ａ，１７ｂはストリップ線路１６から離隔した位置であり、誘電体基板１０の端部に設けた接地導体である。なお、ストリップ線路１６と接地導体１７ａ，１７ｂからコプレーナ線路が構成されている。この実施の形態５におけるコプレーナ線路は、実施の形態１において示された第１のマイクロストリップ線路１に代えて設けたものであり、第２のマイクロストリップ線路２及び第３のマイクロストリップ線路３と同一の特性インピーダンスを有するものである。また、６はストリップ線路１６と接続している点で図１に符号６を付して示したものとは異なる接続部であり、１０はコプレーナ線路を備える点で図１に符号１０を付して示したものとは異なる誘電体基板（第１の誘電体基板）である。
【００４１】
以上のように、この実施の形態５によれば、コプレーナ線路を備える誘電体基板１０は、第２のマイクロストリップ線路２を備える誘電体基板１１及び第３のマイクロストリップ線路３を備える誘電体基板１２よりも基板厚が厚くなるように構成し、また、コプレーナ線路は、第２のマイクロストリップ線路２及び第３のマイクロストリップ線路３と同一の特性インピーダンスを有するようにしたので、コプレーナ線路，第２のマイクロストリップ線路２，第３のマイクロストリップ線路３を伝播する高周波信号の損失を低減できる効果が得られる。
【００４２】
実施の形態６．
図６は、この発明の実施の形態６によるバイアス回路の構成を示す斜視図である。図６において、図２及び図５と同一符号は同一または相当部分を示すのでその説明を省略する。但し、１３はコプレーナ線路を備える点で図２に符号１３を付して示したものとは異なる低誘電率基板（第１の誘電体基板）であり、１６は線路幅が広くなっている点で図５に符号１６を付して示したものとは異なるストリップ線路である。なお、コプレーナ線路は、第２のマイクロストリップ線路２及び第３のマイクロストリップ線路３と同一の特性インピーダンスを有し、ストリップ線路１６は、第２のマイクロストリップ線路２及び第３のマイクロストリップ線路３よりも線路幅を広くしている。
【００４３】
以上のように、この実施の形態６によれば、コプレーナ線路を備える低誘電率基板１３は、第２のマイクロストリップ線路２を備える誘電体基板１１及び第３のマイクロストリップ線路３を備える誘電体基板１２よりも基板厚が厚くなるように構成し、また、コプレーナ線路は、第２のマイクロストリップ線路２及び第３のマイクロストリップ線路３と同一の特性インピーダンスを有するようにしたので、コプレーナ線路，第２のマイクロストリップ線路２，第３のマイクロストリップ線路３を伝播する高周波信号の損失を低減できる効果が得られる。
【００４４】
また、この実施の形態６によれば、ストリップ線路１６は、第２のマイクロストリップ線路２及び第３のマイクロストリップ線路３よりも線路幅を広くしたので、バイアス用チョークコイル４をストリップ線路１６に接続する際に、ストリップ線路１６の断面方向への接続位置の精度が容易に向上する効果が得られる。
【００４５】
実施の形態７．
図７は、この発明の実施の形態７によるバイアス回路の構成を示す斜視図である。図７において、図１及び図５と同一符号は同一または相当部分を示すのでその説明を省略する。コプレーナ線路は、第２のマイクロストリップ線路２及び第３のマイクロストリップ線路３よりも低い特性インピーダンスを有し、ストリップ線路１６は、第２のマイクロストリップ線路２及び第３のマイクロストリップ線路３よりも線路幅を広くしている。
【００４６】
以上のように、この実施の形態７によれば、コプレーナ線路は、第２のマイクロストリップ線路２及び第３のマイクロストリップ線路３よりも低い特性インピーダンスを有することによって、ストリップ線路１６が第２のマイクロストリップ線路２及び第３のマイクロストリップ線路３よりも線路幅を広くできるから、コプレーナ線路，第２のマイクロストリップ線路２，第３のマイクロストリップ線路３を伝播する高周波信号の損失を低減できると共に、バイアス用チョークコイル４をストリップ線路１６に接続する際に、ストリップ線路１６の断面方向への接続位置の精度が容易に向上する効果が得られる。
【００４７】
実施の形態８．
この発明の実施の形態８によるバイアス回路は、バイアス用チョークコイル４とストリップ線路１６との接続部６を、ストリップ線路１６の断面における幅方向の中心部にしたものである。
【００４８】
以上のように、この実施の形態８によれば、バイアス用チョークコイル４とストリップ線路１６との接続部６を、ストリップ線路１６の断面における幅方向の中心部にしたので、電荷密度ρが最小であるから、高周波信号がバイアス用チョークコイル４に漏洩することを低減し、コプレーナ線路を伝播する高周波信号の損失を低減することができるという効果が得られる。
【００４９】
【発明の効果】
以上のように、この発明によれば、高周波信号が伝播する第１のマイクロストリップ線路と、第１のマイクロストリップ線路の一方の端面に電気的に接続し高周波信号が伝播する第２のマイクロストリップ線路と、第１のマイクロストリップ線路の他方の端面に電気的に接続し高周波信号が伝播する第３のマイクロストリップ線路と、第１のマイクロストリップ線路の断面における幅方向の中心部に電気的に接続し第１のマイクロストリップ線路に直流信号を印加するコイルと、第１のマイクロストリップ線路を設ける第１の誘電体基板と、第２のマイクロストリップ線路を設ける第２の誘電体基板と、第３のマイクロストリップ線路を設ける第３の誘電体基板とを備え、第１の誘電体基板が、第２の誘電体基板及び第３の誘電体基板から分離し、且つ第２の誘電体基板及び第３の誘電体基板よりも厚い基板厚を有し、第１のマイクロストリップ線路が、第２のマイクロストリップ線路及び第３のマイクロストリップ線路と同一の特性インピーダンスを有するように構成したので、高周波信号がコイルに漏洩することを低減し、第１のマイクロストリップ線路を伝播する高周波信号の損失を低減することができる効果がある。
【００５０】
この発明によれば、第１のマイクロストリップ線路が、第２のマイクロストリップ線路及び第３のマイクロストリップ線路よりも広い線路幅を有するように構成したので、コイルを第１のマイクロストリップ線路に接続する際に、第１のマイクロストリップ線路の断面方向への接続位置の精度が容易に向上する効果がある。
【００５１】
この発明によれば、第１のマイクロストリップ線路が、第２のマイクロストリップ線路及び第３のマイクロストリップ線路よりも低い特性インピーダンスを有するように構成したので、第１のマイクロストリップ線路の線路幅が、第２のマイクロストリップ線路及び第３のマイクロストリップ線路よりも広くできるから、高周波信号の損失を低減できると共に、コイルを第１のマイクロストリップ線路に接続する際に、第１のマイクロストリップ線路の断面方向への接続位置の精度が容易に向上する効果がある。
【００５２】
この発明によれば、第１の誘電体基板が、第２の誘電体基板及び第３の誘電体基板よりも低い誘電率を有するように構成したので、高周波信号の損失を低減できる効果がある。
【００５３】
この発明によれば、高周波信号が伝播するコプレーナ線路と、コプレーナ線路の一方の端面に電気的に接続し高周波信号が伝播する第２のマイクロストリップ線路と、コプレーナ線路の他方の端面に電気的に接続し高周波信号が伝播する第３のマイクロストリップ線路と、コプレーナ線路を構成するマイクロストリップ線路の断面における幅方向の中心部に電気的に接続しコプレーナ線路に直流信号を印加するコイルと、コプレーナ線路を設ける第１の誘電体基板と、第２のマイクロストリップ線路を設ける第２の誘電体基板と、第３のマイクロストリップ線路を設ける第３の誘電体基板とを備え、第１の誘電体基板が、第２の誘電体基板及び第３の誘電体基板から分離し、且つ第２の誘電体基板及び第３の誘電体基板よりも厚い基板厚を有し、コプレーナ線路が、第２のマイクロストリップ線路及び第３のマイクロストリップ線路と同一の特性インピーダンスを有するように構成したので、高周波信号がコイルに漏洩することを低減し、ストリップ線路を伝播する高周波信号の損失を低減することができるという効果がある。
【００５４】
この発明によれば、コプレーナ線路が、第２のマイクロストリップ線路及び第３のマイクロストリップ線路よりも低い特性インピーダンスを有するように構成したので、ストリップ線路の線路幅が、第２のマイクロストリップ線路及び第３のマイクロストリップ線路よりも広くできるから、高周波信号の損失を低減できると共に、コイルをストリップ線路に接続する際に、ストリップ線路の断面方向への接続位置の精度が容易に向上する効果がある。
【００５５】
この発明によれば、コプレーナ線路を設ける第１の誘電体基板が、第２の誘電体基板及び第３の誘電体基板よりも低い誘電率を有するように構成したので、高周波信号の損失を低減できる効果がある。
【００５６】
この発明によれば、コプレーナ線路が、高周波信号が伝播するストリップ線路と、ストリップ線路から離隔した位置であり、且つ第１の誘電体基板の端部に設けられた接地導体とを備えるように構成したので、第１のストリップ線路に代えて利用することができる効果がある。
【００５７】
この発明によれば、ストリップ線路が、第２のマイクロストリップ線路及び第３のマイクロストリップ線路よりも広い線路幅を有するように構成したので、コイルをストリップ線路に接続する際に、ストリップ線路の断面方向への接続位置の精度が容易に向上する効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】  この発明の実施の形態１によるバイアス回路の構成を示す斜視図である。
【図２】  この発明の実施の形態２によるバイアス回路の構成を示す斜視図である。
【図３】  この発明の実施の形態３によるバイアス回路の構成を示す斜視図である。
【図４】  マイクロストリップ線路の断面における電荷密度分布を示す特性図である。
【図５】  この発明の実施の形態５によるバイアス回路の構成を示す斜視図である。
【図６】  この発明の実施の形態６によるバイアス回路の構成を示す斜視図である。
【図７】  この発明の実施の形態７によるバイアス回路の構成を示す斜視図である。
【図８】  従来のバイアス回路を備える高周波スイッチを示す構造図である。
【図９】  従来のバイアス回路を備える高周波スイッチを示す回路図である。
【符号の説明】
１  第１のマイクロストリップ線路、２  第２のマイクロストリップ線路、３  第３のマイクロストリップ線路、４  バイアス用チョークコイル（コイル）、５  チョークコイル固定枠、６  接続部、７  バイパスコンデンサ、８ａ，８ｂ  金ワイヤ、９  接地面、１０  誘電体基板（第１の誘電体基板）、１１  誘電体基板（第２の誘電体基板）、１２  誘電体基板（第３の誘電体基板）、１３  低誘電率基板（第１の誘電体基板）、１４  第１のマイクロストリップ線路、１５  誘電体基板（第１の誘電体基板）、１６  ストリップ線路、１７ａ，１７ｂ  接地導体。
【図１】
0003920046.tif 000003
【図２】
0003920046.tif 000004
【図３】
0003920046.tif 000005
【図４】
0003920046.tif 000006
【図５】
0003920046.tif 000007
【図６】
0003920046.tif 000008
【図７】
0003920046.tif 000009
【図８】
0003920046.tif 000010
【図９】
0003920046.tif 000011