(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
一の面に電子部品用接続パッド、外部接続パッド及びその間の引き回し線が設けられたフィルム基板と、前記フィルム基板の電子部品用接続パッドの部分に該電子部品用接続パッドに接続されて搭載された電子部品と、前記電子部品と前記フィルム基板との間に介在されているとともに前記フィルム基板の引き回し線の部分を覆う封止兼保護膜とを具備し、前記封止兼保護膜は熱可塑性樹脂からなっていることを特徴とする電子部品実装体。
【請求項２】
一の面に電子部品用接続パッド、外部接続パッド及びその間の引き回し線が設けられたフィルム基板の一の面上であって前記外部接続パッドの部分を除く部分に封止兼保護膜を形成し、前記フィルム基板の電子部品用接続パッドの部分における前記封止兼保護膜上に電子部品を前記電子部品用接続パッドに接続させて搭載し、前記封止兼保護膜は熱可塑性樹脂によって形成することを特徴とする電子部品実装体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、フィルム基板上に電子部品を搭載してなる電子部品実装体及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＬＳＩ等からなる半導体チップ（電子部品）の実装技術には、ＣＯＦ(Chip On Film)と呼ばれる技術がある。図２は従来のこのような実装技術によって製造された半導体チップ実装体（電子部品実装体）の一例の断面図を示したものである。この半導体チップ実装体はフィルム基板１を備えている。フィルム基板１の上面の所定の箇所には入力側の外部接続パッド２、半導体チップ用接続パッド３及びその間の引き回し線４が設けられ、他の所定の箇所には出力側の外部接続パッド５、半導体チップ用接続パッド６及びその間の引き回し線７が設けられている。フィルム基板１の上面において両外部接続パッド２、５の部分及び両半導体チップ用接続パッド３、６の部分（つまり半導体チップ搭載領域）を除く部分には、引き回し線４、７を保護するための絶縁性インクからなる保護膜８が設けられている。フィルム基板１の上面の半導体チップ搭載領域にはＬＳＩ等からなる半導体チップ９が、その下面に設けられたバンプ１０、１１を半導体チップ用接続パッド３、６に接続された状態で、搭載されている。そして、半導体チップ９の周囲に封止材１２の材料がディスペンサによって滴下されることにより、半導体チップ９とフィルム基板１との間及び半導体チップ９の近傍における保護膜８の上面には、半導体チップ９の下面を保護（封止）するための封止材１２が設けられている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来のこのような半導体チップ実装体では、フィルム基板１が半導体チップ９の近傍で折り曲げられた場合、封止材１２と保護膜８との界面で剥離が生じ、封止材１２の機能が損なわれてしまうことがあるという問題があった。また、保護膜８と封止材１２とをそれぞれ別の工程で形成することになるので、製造工程数が多くなるという問題もあった。
この発明の課題は、特に封止機能が損なわれることがなく、また製造工程数を少なくすることである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
請求項１記載の発明に係る電子部品実装体は、一の面に電子部品用接続パッド、外部接続パッド及びその間の引き回し線が設けられたフィルム基板と、前記フィルム基板の電子部品用接続パッドの部分に該電子部品用接続パッドに接続されて搭載された電子部品と、前記電子部品と前記フィルム基板との間に介在されているとともに前記フィルム基板の引き回し線の部分を覆う封止兼保護膜とを具備し、前記封止兼保護膜は熱可塑性樹脂からなっているものである。請求項２記載の発明に係る電子部品実装体の製造方法は、一の面に電子部品用接続パッド、外部接続パッド及びその間の引き回し線が設けられたフィルム基板の一の面上であって前記外部接続パッドの部分を除く部分に封止兼保護膜を形成し、前記フィルム基板の電子部品用接続パッドの部分における前記封止兼保護膜上に電子部品を前記電子部品用接続パッドに接続させて搭載し、前記封止兼保護膜は熱可塑性樹脂によって形成するようにしたものである。この発明によれば、封止兼保護膜に封止機能と保護機能とを兼ね備えさせているので、従来のような剥離現象が生じることがなく、したがって特に封止機能が損なわれることがなく、また封止兼保護膜のみを形成すればよいので、製造工程数を少なくすることができる。
【０００５】
【発明の実施の形態】
図１（Ａ）〜（Ｄ）はそれぞれこの発明の一実施形態における半導体チップ実装体の各製造工程を示したものである。そこで、これらの図を順に参照して、この実施形態における半導体チップ実装体の構造及びその製造方法について説明する。
【０００６】
まず、図１（Ａ）に示すように、ポリイミドやポリエチレンテレフタレート等からなるフィルム基板２１の上面にラミネートされた銅箔やアルミニウム箔等からなる導電膜をパターニングすることにより、フィルム基板２１の上面の所定の箇所に入力側の外部接続パッド２２、半導体チップ用接続パッド２３及びその間の引き回し線２４を形成するとともに、他の所定の箇所に出力側の外部接続パッド２５、半導体チップ用接続パッド２６及びその間の引き回し線２７を形成する。次に、外部接続パッド２２、２５、半導体チップ用接続パッド２３、２６及び引き回し線２４、２７上に電解メッキあるいは無電解メッキにより金、錫、半田等のメッキ層（図示せず）を形成する。
【０００７】
次に、図１（Ｂ）に示すように、フィルム基板２１の上面において両外部接続パッド２２、２５の部分を除く部分に、熱可塑性エポキシ樹脂やＢ−ステージエポキシ樹脂等の透明または半透明な熱可塑性樹脂を印刷法やディスペンサ法等により塗布したりシート状のものをラミネートしたりすることにより、所定の厚さの封止兼保護膜２８を形成する。次に、樹脂温度１５０℃程度で１時間程度の加熱を行い、封止兼保護膜２８をある程度硬化させる。次に、図１（Ｃ）に示すように、下面に金等からなるバンプ３０、３１を有するＬＳＩ等からなる半導体チップ２９を、図示しない吸着機構付きボンディングヘッドを用いて、フィルム基板２１の上面の半導体チップ搭載領域の上方に位置合わせして配置する。この場合の位置合わせは、封止兼保護膜２８が透明または半透明であるので、この封止兼保護膜２８下の半導体チップ用接続パッド２３、２６を図示しないカメラで画像確認すること等によって行われる。
【０００８】
次に、図１（Ｄ）に示すように、半導体チップ２９をボンディングヘッドと共に下降させ、フェースダウンボンディングを行う。この場合のボンディング条件は、一例として、樹脂温度が融点以上（２００〜２５０℃程度）で１〜１０秒程度とする。すると、半導体チップ２９のバンプ３０、３１が、融点以上に加熱されて軟らかくなった封止兼保護膜２８中に減り込み、半導体チップ用接続パッド２３、２６に接続される。また、半導体チップ２９の周囲における封止兼保護膜２８がやや盛り上がって、半導体チップ２９の下部外周面を覆う状態となる。そして、封止兼保護膜２８が硬化することにより、特に半導体チップ２９の下面はその下の封止兼保護膜２８を介してフィルム基板２１上に接着される。かくして、フィルム基板２１の上面の半導体チップ搭載領域に半導体チップ２９が搭載される。
【０００９】
このようにして得られた半導体チップ実装体では、封止兼保護膜２８が半導体チップ２９の下面を保護（封止）する機能と引き回し線２４、２７を保護する機能とを兼ね備えることになるので、フィルム基板２１が半導体チップ２９の近傍で折り曲げられても、従来のような剥離現象が生じることがなく、したがって特に封止機能が損なわれることがなく、また封止兼保護膜２８のみを形成すればよいので、製造工程数を少なくすることができる。
【００１０】
ここで、この半導体チップ実装体の寸法の一例について説明する。外部接続パッド２２、２５等の配線の厚さは８〜１８μｍ程度である。封止兼保護膜２８のフィルム基板２１上における厚さは、半導体チップ２９のバンプ３０、３１の高さの１．５〜２倍程度である。封止兼保護膜２８の外部接続パッド２２、２５等の配線上における厚さは、半導体チップ２９のバンプ３０、３１の高さとほぼ同じである。したがって、バンプ３０、３１の高さが１５μｍ程度であれば、封止兼保護膜２８の外部接続パッド２２、２５等の配線上における厚さも１５μｍ程度である。
【００１１】
なお、上記実施形態では、図１（Ｃ）に示すように、封止兼保護膜２８の表面を平坦とした場合について説明したが、これに限定されるものではない。例えば、半導体チップ２９の下面中央部に対応する部分における封止兼保護膜２８の表面を適宜に盛り上げ、ボンディング時に半導体チップ２９の下面で当該盛り上が部を押し付けて平坦化するとともに、半導体チップ２９の下面と封止兼保護膜２８の表面との間に存在するエアーを押し出すようにしてもよい。このようにした場合には、半導体チップ２９と封止兼保護膜２８との間の密着力を上げることができる。
【００１２】
また、上記実施形態では、フィルム基板２１の上面にラミネートされた銅箔等からなる導電膜をパターニングする場合について説明したが、これに限らず、例えばフィルム基板２１の上面に接着剤層を介してラミネートされた銅箔等からなる導電膜をパターニングするようにしてもよい。さらに、上記実施形態では、半導体チップ２９にバンプ３０、３１を設けた場合について説明したが、これに限らず、フィルム基板２１の半導体チップ用接続パッド２４、２７上にバンプを設けるようにしてもよい。ただし、半導体チップ２９の接続パッドがアルミニウムによって形成されている場合には、オーミックコンタクトを良好とするために、半導体チップ２９のアルミニウムからなる接続パッド上に金属層（例えばＴｉＷ層とＡｕ層の２層構造あるいはＴｉ層とＡｕ層の２層構造）を形成するようにする。
【００１３】
【発明の効果】
以上説明したように、この発明によれば、封止兼保護膜に封止機能と保護機能とを兼ね備えさせているので、従来のような剥離現象が生じることがなく、したがって特に封止機能が損なわれることがなく、また封止兼保護膜のみを形成すればよいので、製造工程数を少なくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（Ａ）〜（Ｄ）はそれぞれこの発明の一実施形態における半導体チップ実装体の各製造工程の断面図。
【図２】従来の半導体チップ実装体の一例の断面図。
【符号の説明】
２１  フィルム基板
２２、２５  外部接続パッド
２３、２６  半導体チップ用接続パッド
２４、２７  引き回し線
２８  封止兼保護膜
２９  半導体チップ
【図１】
0003951462.tif 000002
【図２】
0003951462.tif 000003