(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の電子ビームの各々を独立にオンオフし走査して試料上に所望のパターンを描画する電子ビーム描画方法であって、
前記複数の電子ビームのいずれかが、各々の電子ビームが本来描画を受け持つべき領域に対して位置ずれを持っている場合において、
前記複数の電子ビームの各々が前記位置ずれを持った状態で前記試料上に実際に描くパターンと、本来描画すべき前記所望のパターンとのずれ量を、前記複数の電子ビームの各々が本来描くべきパターンのデータであるパターンデータを、前記ずれ量を打ち消す方向に位置をシフトさせることにより補正し、
もって、前記各々の電子ビームが前記本来描画を受け持つべき領域に対して位置ずれを持った状態で前記所望のパターンを描画することを特徴とする電子ビーム描画方法。
【請求項２】
複数の電子ビームの各々を独立にオンオフし走査して試料上に所望のパターンを描画する電子ビーム描画方法であって、
前記複数の電子ビームのいずれかが、各々の電子ビームが本来描画を受け持つべき領域に対して位置ずれを持っている場合において、
前記複数の電子ビームの各々が描くべき前記所望のパターンを含む第１の領域の周囲に偏向領域余裕に相当する第２の領域を付加した第３の領域を設定する工程と、
前記複数の電子ビームの各々が前記試料上に実際に描くパターンと、前記複数の電子ビームが試料上に本来描画すべき前記所望のパターンとのずれ量を求める工程と、
前記第３の領域の範囲内で、前記各々の電子ビームが描くべき前記所望パターンのデータであるパターンデータを、前記ずれ量を打ち消すようにシフトさせて補正する工程と、
前記第３の領域で前記複数の電子ビームの各々を偏向制御する工程とを備えることにより、
前記電子ビームが前記本来描画を受け持つべき領域に対して位置ずれを持った状態で前記所望のパターンを描画することを特徴とする電子ビーム描画方法。
【請求項３】
複数の電子ビームの各々を独立にオンオフ制御した後、偏向器を含む投影光学系を介して試料上に投影することにより所望のパターンを描画するようにした電子ビーム描画装置において、
前記複数の電子ビームの各々が描くべき前記所望のパターンのパターンデータを保持するビットマップメモリと、
前記複数の電子ビームの各々が前記試料上に実際に描くパターンと、前記試料上に本来描くべき前記所望のパターンのパターンデータに対するずれ量を格納する演算手段と、
前記ずれ量を打ち消すように前記パターンデータを補正するシフト演算回路と、
当該補正されたパターンデータを用いて、前記複数の電子ビームの各々を該電子ビーム自身が持つ位置のずれは補正せずに偏向制御する偏向制御手段とを有してなることを特徴とする電子ビーム描画装置。
【請求項４】
複数の電子ビームの各々を独立にオンオフ制御した後、偏向器を含む投影光学系を介して試料上を投影することにより所望のパターンを描画する電子ビーム描画装置において、
前記複数の電子ビームの各々が描くべき前記所望のパターンを含む第１の領域の周囲に偏向領域余裕に相当する第２の領域を加えた第３の領域のビットマップメモリと、
前記第３の領域にて前記複数の電子ビームの各々が前記試料上に実際に描くパターンと、前記試料上に本来描くべき前記所望のパターンのデータであるパターンデータに対するずれ量を格納する演算手段と、
前記第３の領域の範囲内で、前記各々の電子ビームが描くパターンの前記パターンデータを前記位置ずれ量を打ち消すように補正するシフト演算回路と、
当該補正されたパターンデータを用いて、前記複数の電子ビームの各々を前記第３の領域にて前記複数の電子ビームの各々を該電子ビーム自身が持つ位置のずれは補正せずに偏向制御する偏向制御手段とを有してなることを特徴とする電子ビーム描画装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体集積回路などの加工、描画に用いられる電子ビーム描画技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＬＳＩを代表とする半導体集積回路の高密度化、高集積化が急速に進み、これに伴い形成すべき回路パターンの微細化も急速に進んでいる。特に１００ｎｍノード以下のパターン形成は、従来の光リソグラフィーの延長では非常に困難とされている。
【０００３】
これに対し、電子ビーム描画は、微細パターンを形成するためには有効な手段であるが、生産現場に適用するためには、更に高いスループットが要求されている。近年、電子ビーム描画のスループット向上の手段として大きく２つの方法が研究開発されてきている。第１はステンシルマスクを用いて、電子ビームを縮小投影してパターンを形成する方法である。この方法は、高スループットを望めるものの、マスク製作が困難で、コストがかかると予想されている。
【０００４】
一方、第２の方法は、従来の電子ビーム描画描画方法であるポイントビームや可変矩形ビームを同時に複数用いて一度に描画を行う方式である。ここでは、電子レンズや偏向器からなる１つの電子光学系に１つの電子ビームを割り当てこの電子光学系を複数用いるものをマルチカラム方式、１つの電子光学系に複数のビームを通すものをマルチビーム方式と定義する。
【０００５】
マルチビームの電子ビーム描画として、例えば、特開平９−２４５７０８号公報に記載された方法がある。１つの電子源から放射された電子ビームをコンデンサレンズにて平行ビームを形成し、アパーチャアレイにより複数の電子ビームに分割する。このビームからレンズアレイと偏向器アレイにより中間像を形成し、ブランキングアレイにより独立にオンオフを制御した後、偏向器を含む投影光学系により試料上に中間像を投影することにより描画を行う。本方法は、レンズアレイと偏向器アレイにより投影光学系にて発生する像面湾曲や歪などをあらかじめ補正することが可能で、投影光学系の設計が容易になるため高解像かつ高スループットを実現する画期的な方法である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記のマルチビーム描画方法では、アパーチャアレイやレンズアレイ、投影光学系の機械的製作誤差および、それに伴う理想的なビーム中心軸に対する斜入射等により、マルチビームの各々のビーム間隔が設計上想定した所定の値にならないことが起こりうる。当然、ビーム間隔のばらつきは、各ビームの位置を上記の偏向器アレイを用いて補正が可能である。この偏向器アレイは空間の制約から微小な４極以上の静電型偏向器を用いるため配線が困難で、かつ、ビーム１本当り４個以上の高精度アナログ駆動回路が必要になる。また、描画に同期した偏向や試料高さ変動に伴い発生する倍率、回転、歪によるビーム位置ずれを補正するためには、高速な駆動回路が必要となる。
【０００７】
マルチビーム描画システムのマルチビームの本数を１０００〜４０００本とすれば、回路規模は膨大となり、かつ、駆動回路と偏向器アレイを結合する配線数も多くなり、実装が大変困難となる。
【０００８】
本発明は、前記の課題に鑑みてなされたものであり、マルチビーム描画方式において、各ビームの位置補正を簡略な構成で可能にし、高精度かつ高速な電子ビーム描画技術を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明は、複数の電子ビームの各々を独立にオンオフし走査して試料上に所望のパターンを描画する電子ビーム描画方法において、前記複数の電子ビームの各々が描くパターンと前記所望のパターンとのずれを、前記複数の電子ビームの各々が描くパターンのパターンデータの位置をシフトすることにより制御することを特徴とする。
【００１０】
また、本発明は、複数の電子ビームの各々を独立にオンオフし走査して試料上に所望のパターンを描画する電子ビーム描画方法において、前記複数の電子ビームの各々が描くべき前記所望のパターンを含む第１の領域の周囲に偏向領域余裕に相当する第２の領域を付加して第３の領域のパターンを設定する工程と、前記第３の領域にて前記複数の電子ビームの各々が描くパターンのパターンデータの、前記所望のパターンのパターンデータに対する位置のシフト量を求める工程と、前記第３の領域の範囲で前記位置シフト量に応じて前記複数の電子ビームの各々を偏向制御する工程とを有することを特徴とする。
【００１１】
また、本発明は、複数の電子ビームの各々を独立にオンオフ制御した後、偏向器を含む投影光学系を介して試料上に投影することにより所望のパターンを描画するようにした電子ビーム描画装置において、前記複数の電子ビームの各々が描くべき前記所望のパターンのパターンデータを保持するメモリと、前記所望のパターンのパターンデータに対する前記複数の電子ビームの各々が描くパターンのパターンデータの、前記所望のパターンのパターンデータに対する位置のシフト量を求めるシフト演算回路と、前記位置シフト量に応じて前記複数の電子ビームの各々を偏向制御する偏向制御手段とを有することを特徴とする。
【００１２】
また、本発明は、複数の電子ビームの各々を独立にオンオフ制御した後、偏向器を含む投影光学系を介して試料上を投影することにより所望のパターンを描画する電子ビーム描画装置において、前記複数の電子ビームの各々が描くべき前記所望のパターンを含む第１の領域の周囲に偏向領域余裕に相当する第２の領域を加えた第３の領域のパターンデータを保持するメモリと、前記第３の領域にて前記複数の電子ビームの各々が描くパターンのパターンデータの、前記所望のパターンのパターンデータに対する位置のシフト量を求めるシフト演算回路と、前記第３の領域の範囲で前記位置シフト量に応じて前記複数の電子ビームの各々を偏向制御する偏向制御手段とを有することを特徴とする。
【００１３】
また、前記パターンデータの位置シフト量は、全体の電子光学系もしくは前記試料の高さ変動に起因して発生する、倍率誤差、回転誤差、もしくは歪による誤差のような各種の誤差、あるいはこれらの組み合わせによる前記複数の電子ビームの位置ずれを補正する量を設定する手段を有することを特徴とする。
【００１４】
また、前記パターンの位置シフト演算を行う手段と描画のための偏向動作とを同期させる手段を有することを特徴とする。
【００１５】
また、前記パターンの位置シフト演算を行う手段はパターンデータの線形補間を行う手段により構成されていて、線形補間の結果を照射量に変換する照射量制御手段を有することを特徴とする。
【００１６】
また、前記パターンの位置シフト演算を行う手段は、描画のための偏向位置に依存してシフト量を設定することが可能であることを特徴とする。
【００１７】
前記ビットマップメモリの電子ビームの各々が描くべき第１の領域の周囲に付加するパターンの位置シフト演算を行うための第２の領域の大きさを、描画のための偏向位置に依存して変更することが可能であることを特徴とする。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施例を、図面を用いて詳細に説明する。
【００１９】
まず、本発明で用いる電子ビーム描画装置の構成について説明する。図２は、マルチビーム方式の電子ビーム描画装置の例である。
【００２０】
電子銃２０１から放射された電子ビーム２０２は、コンデンサレンズ２０３によって略平行の電子ビームになる。この電子銃２０１は、カソード、アノード、グリッド（いずれも図示せず）などからなり、印加する電圧によりクロスオーバーサイズを変えることが出来る。略平行の電子ビームは、アパーチャアレイ２０４により分離された電子ビーム２０６は、フォーカス制御回路２２０に駆動されるレンズアレイ２０５によりブランキング絞り２０８近傍に電子銃のクロスオーバの中間像２０９を結ぶ。これらの中間像２０９の位置は、レンズアレイ２０５の個々の強度を変えることにより光軸方向の位置を変えることができる。
【００２１】
また、ブランキングアレイ２０７に電圧を印加することにより中間像２０９は光軸と垂直方向に移動し、ブランキング絞り２０８によって遮断され、個々の分離された電子ビーム２０６についてオンオフの制御が可能となる。このとき、アパーチャアレイ２０４により分離された１本のビームに対するレンズアレイ、ブランキングアレイ、ブランキング絞りの各１要素からなる電子光学系を要素電子光学系とする。要素電子光学系の詳細につては、後述する。
【００２２】
これらの中間像２０９を第１投影レンズ２１０、第２投影レンズ２１４からなる投影光学系により試料ステージ２１８上の試料２１７に投影する。投影光学系は、第１投影レンズ２１０の後焦点位置と第２投影レンズ２１４の前焦点位置を共有するようにレンズ制御回路２２２によって駆動される。この配置は、対称磁気ダブレット構成と呼ばれ、低収差で投影が可能となる。
【００２３】
電子ビーム描画用の電子源として最も多く用いられるＬａＢ６は、電子銃のクロスオーバーサイズは１０μｍ程度である。試料上でのビームサイズを１０ｎｍにするためには１／１０００に縮小する必要がある。今、レンズアレイの倍率を１／２０とすると、投影光学系には１／５０の倍率が必要である。これを１組の投影レンズで実現することは困難な場合がある。そのときには、投影レンズを２組用いて、例えば、１段目を１／１０、２段目を１／５に設定する。図２に示したブランキング絞り２０８と第１投影レンズと２１０の間に、投影レンズを設置する。この投影レンズも、対称磁気ダブレット構成を用いる。
【００２４】
このとき、各中間像２０９を構成する複数の電子ビームは一括して主偏向器２１３および副偏向器２１５により偏向され、位置決めされる。例えば、主偏向２１３は偏向幅を広く、副偏向２１５は偏向幅を狭く用いる。主偏向器２１３は電磁型、副偏向器２１５は静電型で構成される。偏向器を動作させてビームを偏向した際に発生する偏向収差による焦点ずれは動的焦点補正器２１１で、偏向により発生する偏向非点は動的非点補正器２１２により補正を行う。焦点補正器、非点補正器ともコイルで構成される。
【００２５】
描画は、試料ステージ２１８に搭載した試料２１７を移動させることにより行う。２１９は、試料ステージ上に搭載され、Ｘ方向およびＹ方向にナイフエッジを有するファラデーカップである。このファラデーカップ２１９は、レーザー干渉計などの座標測定機能（図示せず）を含むステージ制御回路２２５と連動して、試料上での電子ビームを偏向またはファラデーカップ２１９の移動と同期させて電荷量を測定することにより、各中間像からなる試料上での電子ビームの位置を計測することが出来る。また、試料ステージ上に位置計測用マーク２２７を取りつけ、その上を走査して電子検出器２１６の信号を検出し、信号処理回路２２４で処理する方法でも、電子ビーム位置を測定できる。測定されたビーム位置に基づいて各ビームのシフト量を求める。
【００２６】
ＣＰＵ２２６に蓄えられたパターンデータに基づく照射量制御回路２２１によりビームのオンオフと、偏向制御回路２２３により駆動される主偏向器２１３および副偏向器２１５の偏向動作を同期させることにより描画が行われる。このとき、ステージ制御回路２２５を通じて連続移動またはステップ移動により試料ステージ２１８が移動する。
【００２７】
上記一連の動作全てを、ＣＰＵ２２６が制御する。
【００２８】
次に、図１１を用いて要素電子光学系の詳細を示す。図１１は、図２のアパーチャアレイ２０４からブランキング絞り２０８までを抜粋し、斜め上から見たものであり、符号は図２と同一である。アパーチャアレイ２０４には略平行な電子ビーム（図示せず）が照射されている。アパーチャアレイ２０４で分離された電子ビーム２０６はレンズアレイ２０５で収束されブランキング絞り２０８に中間像２０９を形成する。レンズアレイ２０５は３枚電極で、両極は接地、中間電極にのみ電圧を印加するユニポテンシャルレンズである。例えば、印加電圧１ｋＶのときの焦点距離は１００ｍｍ程度である。
【００２９】
アパーチャアレイ２０４、レンズアレイ２０５、ブランキングアレイ２０７およびブランキング絞り２０８の開口部の間隔（ピッチ）は略同一で、例えば、試料上で４μｍ間隔、投影光学系の倍率が１／５０とすると、２００μｍとなる。
【００３０】
図１１は、ブランキングアレイ２０７上のブランキング電極１１０１には電圧０Ｖを、ブランキング電極１１０２には特定の電圧を印加した場合を示している。ブランキング電極１１０１の間を通過したビームはブランキング絞り２０９の開口部に中間像を結び、下流に達する。ブランキング電極１１０２の間には特定の電圧が印加されており、このためビームが偏向され、中間像はブランキング絞り２０８の非開口部に達して、下流へは遮断される。このように、各ブランキング電極に電圧を印加するかしないかで、ビームのオンオフが可能となる。感度向上のため、対向する両電極に±逆符号の電圧を印加するのが効率的である。例えば、１００ＭＨｚ程度の動作で±５Ｖ〜±１０Ｖの電圧を用いる。
【００３１】
次に、図３を用いて本例の描画装置における描画動作を示す。試料（この場合はウェハ）上に描くべきパターンは、主偏向で偏向可能な範囲の幅を持つ短冊形状のストライプ３０１に分割される。ストライプ３０１は、各中間像からなる試料上での電子ビームの配列の大きさからなる副フィールド３０２単位で分割された主フィールド３０３に分割される。副フィールド内の各試料上での電子ビーム３０４（図３では６４本）は副偏向により偏向されて副フィールド３０２全てを描画する。副フィールド３０２の１つの電子ビームが描画を受け持つ領域をマイクロフィールド３０５とし、マイクロフィールド３０５内は電子ビーム３０４の径と略同じ大きさであるピクセル３０６を単位として、角から順にラスタスキャンのような偏向動作を行う。副フィールド内３０２の全ての電子ビームは、一括して副偏向により偏向をされる。このピクセル単位の偏向に同期して各電子ビームをオンオフすることにより副フィールド内のパターンの描画を行う。
【００３２】
１つの副フィールドの描画が完了した後、主偏向により副フィールド分だけ偏向を行う。上記と同様に次の副フィールドの描画を行う。以下同様に副フィールドの描画を行い、主偏向の偏向範囲、すなわち、主フィールド端部まで描画を終了した時点で次の主フィールドの描画に移行する。このとき、試料ステージは連続的に移動させる。フィールドおよびストライプの大きさは、例えば、１ピクセルは２０ｎｍ、マイクロフィールドは４μｍ角、副フィールドは２５６μｍ角（６４×６４本のビームに相当する）、主フィールドは２５６μｍ×４ｍｍ、ストライプ幅は４ｍｍである。
【００３３】
（実施例１）
次に、本発明の描画方法を示す。副フィールドを構成する各電子ビームの間隔は、図２で示した要素電子光学系の間隔に投影光学系の倍率を乗じて決定される。ところが、要素電子光学系の加工精度による間隔のばらつき、投影光学系の製作誤差、およびそれらに伴って発生する各電子ビームの入射角度の誤差などにより副フィールドを構成する各電子ビームの間隔がばらつく可能性がある。これらの誤差要因は固定的で、一度全ての電子光学系を組み上げて、結像条件を設定すればビーム間隔は決定される。このビーム間隔は、図２に示したナイフエッジを有するファラデーカップを用いて個々に測定すれば可能であり、例えば、所定の値からのずれ量を各ビーム毎に記憶しておけばよい。
【００３４】
各電子ビームのばらつきは、時間とともに変化する場合もある。そのときには、上記測定を適当な時間間隔にて行えば良い。
【００３５】
図４は、副フィールド内の４つのマイクロフィールドを取り出して示した例である。図４（Ａ）はマイクロフィールド４０１と描画すべきパターン４０２を示している。例えば、図４（Ｂ）の様に４つの電子ビーム４０３の間隔が変動している場合、描画パターンはずれたものとなる。これに対して、個々のビームに対して独立な偏向器を持ち、図４（Ｃ）の矢印で示すようにずれの補正４０４を行えば、描画すべきパターンは正しく描かれる。
【００３６】
これに対し、図４（Ｄ）に示すように、先ず、各マイクロフィールド毎に偏向領域余裕４０５を設け、マイクロフィールドのビームの位置ずれを打ち消す方向に同マイクロフィールド毎に描画すべきパターンのシフト４０６を行う。次に、図４（Ｅ）に示すように、偏向領域余裕を含めてビーム偏向４０７を行いマイクロフィールドを描画すれば、各ビーム位置がずれたままでも、結果として図４（Ｆ）に示すように、当初の描画すべきパターンが正しく描かれることになる。
【００３７】
前記描画方法を、描画制御の点から図１を用いて説明する。ＣＰＵ１０１に蓄えられている描画パターンデータは、ビットマップ展開回路１０２にて図３に示す１ピクセルを単位とするビットマップデータに展開される。展開されたデータは、マイクロフィールドを単位として分割され、マイクロフィールドの数で構成されるビットマップメモリ１０３に照射量データとして格納される。このビットマップメモリ１０３は、図４（Ｄ）に示した偏向領域余裕に相当する分を加えたものであり、この段階で偏向領域余裕にはパターンが無いので初期値０が格納される。
【００３８】
次に、ビットマップメモリ１０３とビットマップシフト回路１０４とシフト量制御回路１０５で構成されるシフト演算回路にてシフト演算を行う。各ビットマップメモリ１０３のパターンデータをビットマップシフト回路１０４によりシフト演算を行う。このときのシフト量などのパラメータは、シフト量制御回路１０５から設定する。シフト演算された値（照射量データ）に基づき、照射量制御回路１０６にてブランキングオフの時間信号に変換され、ブランキングアレイ１０７の各ブランキング電極に供給される。
【００３９】
ビットマップシフト演算、および、照射量制御は副フィールド内のビーム本数分並列に行われ、かつ、偏向信号発生回路１０８からの同期信号によって同期をとる。この同期信号は、偏向制御回路１０９にも入力され、偏向制御回路の出力すなわち偏向器１１０に供給される偏向信号とも同期されて描画を行う。このとき、シフトされたパターンデータは偏向領域余裕を含めて一つの偏向器１１０にて描画される。
【００４０】
シフト量などのパラメータは、あらかじめ試料ステージ１１１上のファラデーカップ１１２を用いて各ビームの位置を検出して、ＣＰＵ１０１に記憶しておく。各ビームの位置検出は、ステージ制御回路１１３からの位置情報と信号処理回路１１４からのビームプロファイル信号を基にして行う。
【００４１】
次に、ビットマップシフト演算の方法を述べる。図５は、あるマイクロフィールドのビットマップメモリを示している。このメモリに格納されているｘ方向ｉ番目、ｙ方向ｊ番目のデータをｆ（ｉ、ｊ）によって参照する。
【００４２】
まず、ピクセル以下のシフトの方法を示す。ピクセル以下の移動は線形補間演算を用いる。線形補間は以下の式で表される。ｘ方向の移動を以下の通りである。
【００４３】
【数１】
0003940310.tif 000002
ここで、ｆ（ｉ、ｊ）はピクセル位置ｉ、ｊでの照射量、ｄｘ、ｄｙはピクセルサイズを１に規格化したシフト量を示す。同様にｙ方向は以下の通りである。
【００４４】
【数２】
0003940310.tif 000003
ｘとｙの両方向の移動はｘ方向、ｙ方向を順に行えば良いが、上式をまとめて、以下のようにすれば１度に演算可能である。
【００４５】
【数３】
0003940310.tif 000004
上記の演算は、ビットマップメモリからの読み出しと、加算、乗算で構成されている。これを実現する手段には、計算プログラムを持った汎用マイクロプロセッサのような演算回路を使用するのが一般的である。ただし、例えば１００ＭＨｚ以上の高速に演算するには専用回路を構成する必要がある。専用回路を構成するために、（式１）を以下のように別の表現とする。
【００４６】
【数４】
0003940310.tif 000005
この表現は、乗算が１回しかなく専用回路を構成するのに都合が良い。回路構成の例を、図１２に示す。ビットマップメモリから読み出されたｆ（ｉ、ｊ）はシフトレジスタ１２０１と符号反転されて加算器１２０２に入力される。シフトレジスタは、１回前のデータを保持しているものである。この場合には、マイクロフィールド内のビーム偏向をＸの増加方向、すなわち、ｉがインクリメントされているとする。シフトレジスタ１２０１の出力も加算器１２０２に入力され、結果として、ｆ（ｉ−１、ｊ）−ｆ（ｉ、ｊ）が出力される。これに乗算器１２０３によりｄｘが乗じられる。この出力と、ビットマップメモリから読み出されたｆ（ｉ、ｊ）とが、加算器１２０４に入力され、結果として（式４）が出力される。Ｙ方向には、同じ回路を図１２に示す回路の後段に接続すれば良い。シフトレジスタ１２０１が１ライン前のデータを保持している点以外は全く同様である。
【００４７】
このような回路を複数並べて、いわゆるパイプライン処理を行えば高速化が可能となる。
【００４８】
図６に、データをシフトした結果をビームプロファイルにて示す。図６（Ｂ）は、ビームぼけ２０ｎｍのビームを、２０ｎｍピクセルの５ピクセル分にビームを照射して、１００ｎｍのパターンを描画した例である。なお、図６は説明簡略化のため１次元方向しか示さないが、２次元でも全く同様である。図６（Ｂ）に対してプラス方向（図では右方向）に４ｎｍシフト（ｄｘ＝０．２）させた場合が図６（Ｃ）である。左端のビーム照射量が元の照射量に対して８０％になり、右端６ピクセル目に２０％照射量にて照射を行う。結果として、１００ｎｍのパターンが４ｎｍ移動することになる。同様に、図６（Ｄ）は１０ｎｍシフト（ｄｘ＝０．５）した例である。両端のビーム照射量は５０％になる。これら１００ｎｍのパターンのシフトをまとめて示したものが、図６（Ａ）である。このように線形補間演算を行えば、ピクセル以下の移動が可能となる。
【００４９】
次に、ピクセルの大きさ以上の移動方法を述べる。ピクセル以上の移動は、ビットマップメモリの読み出し位置を変えることで実現する。上記のｆ（ｉ、ｊ）のｉとｊにオフセットを加えれば良い。
【００５０】
【数５】
0003940310.tif 000006
ここで、ｆ’は描画ピクセル位置での照射量、ｉoffsetはｘ方向の読み出し位置オフセット、ｊoffsetはｙ方向の読み出し位置オフセットを示す。
【００５１】
従って、あるシフト量を与えられた場合の読み出しオフセットとピクセル以下のシフト量は以下の関係になる。
【００５２】
読み出し位置オフセット＝整数部（移動量/ピクセルサイズ）
ピクセル以下のシフト量＝剰余部（移動量/ピクセルサイズ）
例えば、１ピクセルサイズが２０ｎｍで、移動量を５０ｎｍの場合には読み出し位置オフセットは２に、ピクセル以下のシフト量は１０ｎｍとなり、ピクセルサイズを１に規格化したピクセルシフト量は０．５となる。
【００５３】
読み出し位置オフセットとピクセル以下のシフト量を組み合わせれば、移動の方向を変えることが出来る。（式１）、（式２）に示した方式では、Ｘ方向、Ｙ方向それぞれ正の方向（座標が増加する方向）にしか移動できない。負の方向に移動するためには、オフセットにてピクセル単位で必要な移動量以上にマイナス側に移動して、必要な移動量との差をプラス側に移動すれば良い。読み出し位置オフセットとピクセル以下のシフト量の関係は、以下のようになる。
【００５４】
読み出し位置オフセット＝整数部（負の移動量/ピクセルサイズ）−１
ピクセル以下のシフト量＝剰余部（移動量/ピクセルサイズ）＋ピクセルサイズ
例えば、１ピクセルサイズが２０ｎｍで、マイナス方向に３５ｎｍ移動する場合には、読み出し位置オフセットは−２に、ピクセル以下のシフト量は５ｎｍになる。
【００５５】
（実施例２）
実施例１では、ビットマップシフトをビットマップメモリの読み出し、すなわち描画動作と同期して行っている。しかし、固定的なビーム位置シフトだけであれば、ビットマップ展開されたパターンデータをビットマップメモリに格納する前にビットマップシフトを行う方法もある。図７に描画制御を示す。図１との差異が少ないので同一符号を用いて説明する。
【００５６】
本実施例では、シフト演算回路を構成するビットマップメモリ１０３とビットマップシフト回路１０４の順序が図１と異なる。ＣＰＵ１０１に蓄えられている描画パターンデータは、ビットマップ展開回路１０２にて１ピクセルを単位とするビットマップデータに展開される。展開されたデータは、マイクロフィールドを単位として分割され、各マイクロフィールド毎にビットマップシフト回路１０４にてシフト演算を行った後、マイクロフィールドの数で構成されるビットマップメモリ１０３に照射量データとして格納される。
【００５７】
シフト量などのパラメータは、シフト量制御回路１０５から設定する。このビットマップメモリ１０３も、図１と同様偏向領域余裕に相当する分を加えたものであるため、シフトされたデータを格納することが出来る。
【００５８】
ビットマップメモリ１０３を偏向と同期して照射量制御回路１０６が読み出し、ブランキングオフの時間信号に変換され、ブランキングアレイ１０７の各ブランキング電極に供給される。その他の構成は、図１と同様である。
【００５９】
（実施例３）
本発明の描画方法では、図３に示す副フィールドの単位で同時に電子ビームが試料上に照射される。これは、副フィールドを1つの面状ビームと考えることと等価である。この副フィールドを主偏向器によって偏向し描画を行う。この副フィールドの面積が大きいほど描画速度は速くなる反面、収差は大きくなる。本実施例では副フィールドは２５６μｍ角としたため、偏向収差を無視できない。この収差は、図２に示す動的焦点、非点補正器により可能な限り小さくするのが理想的である。しかし、偏向により発生する収差は、焦点ずれ、非点、歪、倍率誤差、回転誤差など種類が多くこれら全てに対し、同時に補正しようとすれば、焦点補正器、非点補正器の数は補正する収差の数以上に設置する必要があり、かつ、動的に制御が必要なため、実現は困難となる。
【００６０】
これらの収差のうち、歪、倍率誤差、回転誤差を図８に示す。図中の破線は理想格子を示し、実線は理想格子点のずれを示している。これらは、各ビーム位置がずれることに相当し、描画位置をシフトすることにより補正することが可能である。
【００６１】
しかし、これらは偏向により発生する収差であるために、偏向動作毎にシフト量を演算する必要がある。更に、偏向により発生する収差は、主偏向量に依存した面状ビーム（副フィールド）内での場所依存をもつ。更に、マイクロフィールドの形状も主偏向量と主偏向量に依存した副フィールド内での場所依存をもつ。これらの、場所依存性は理論的には偏向距離の３次の多項式で近似できる。従って、あるマイクロフィールドでの補正量は以下の式にて計算することが可能である。
【００６２】
【数６】
0003940310.tif 000007
ここで、ｄｘ、ｄｙはこのマイクロフィールド内での位置ｘμ、ｙμに依存した補正量を示している。ａ００からａ３３、およびｂ００からｂ３３のそれぞれ１０個の係数は、主偏向量ｘｍ、ｙｍと副フィールド内での位置ｘｓ、ｙｓに依存している。例えば、ａ００は副フィールド内での位置ｘｓ、ｙｓに依存しており、このときの係数をｃ００からｃ３３とすると（式６）と同様に（式７）の様に表される。
【００６３】
【数７】
0003940310.tif 000008
更に、係数ｃは主偏向量ｘｍ、ｙｍに依存し、そのときの係数をｄとすると、例えばｃ００は（式８）の様に表される。
【００６４】
【数８】
0003940310.tif 000009
係数ａ００とｃ００以外も（式６）と同様である。また、係数ｂも同様に求めることが出来る。従って、（式３）のｄｘ、ｄｙは偏向位置に依存した値となり、ｄｘ（ｉ、ｊ）、ｄｙ（ｉ、ｊ）という形で表現される。
【００６５】
このとき、主偏向量により発生する副フィールド全体（全てのマイクロフィールド）のシフトや回転は、主偏向にて補正を行えば、（式６）に示す各マイクロフィールドのシフトや回転量は最小限になり、描画速度が向上する。
【００６６】
シフト量の場所依存性すなわち、（式６）のａ、ｂの係数は、代表的な場所を数点から数十点決めて、前記のごとくビーム位置を全ての偏向量に対して測定を行うか、または、試し描画を行って設計位置からのずれ量を測定し、最小二乗近似などを行えば求めることができる。
【００６７】
描画制御の構成を、図９に示す。この構成は、図１との差異が少ないので同一符号を用いて説明する。パターンデータのシフトは偏向座標に依存するため、偏向に同期して（式６）の演算を行う必要がある。従って、偏向信号発生回路９０８からの同期信号と同期して、シフト演算回路を構成するシフト量制御回路９０５にて主偏向量と副フィールド内での場所依存でのシフト量の演算を行い、更にビットマップシフト回路９０４により実際にパターンデータのシフト量が演算される。以降の動作は図１に示した例と同一である。
【００６８】
前記の倍率誤差と回転誤差は試料の高さが変動した場合にも発生する。しかし、試料の高さ変動は試料ステージ移動時に起こるものであり、偏向動作よりも頻度は低いので、（式６）に含めて演算可能である。この場合には、試料の高さ変動に対する倍率変動量および回転変動量をあらかじめ求めておき、（式６）中の偏向量の１次項の係数に乗算すれば良い。
【００６９】
前記の動的焦点補正にて、試料高さが変動しても倍率、回転の変化をなくすことは可能である。また、試料ステージに高さ補正機能や回転補正機能を搭載すれば倍率や回転の誤差は発生しない。動焦点補正も高さと回転補正機能付き試料ステージを搭載した場合にもシステムや制御が複雑になることは避けられない。本発明の方法は、簡素な構成で、倍率、回転誤差を補正できるので有効である。
【００７０】
（実施例４）
実施例３において、（式６）は３次の演算を行っている。しかし、偏向により発生する収差が小さい場合には、０次項（オフセット分のみ）、１次項、または２次項の演算のみで補正の簡略化を行える場合もある。（式６）の演算も図１２に示したような回路を用いるとすると、次数が少なくなるに従って演算回数も減少するので、回路を簡素化することが出来る。
【００７１】
電子光学系の設計や構成および主、副、マイクロの各フィールドのサイズによっては必要精度に比較して無視し得るほど収差を小さくすることが出来る場合もある。従って、補正演算の偏向量の依存を減少させ、簡略化した偏向量を用いることが可能な場合がある。例えば、実施例３に示したＸμ、Ｙμを回転および倍率のみにする（１次項のみ使用する）場合、Ｘμ、Ｙμの依存を考慮しない場合がある。また、（式６）におけるａおよびｂの係数の偏向量依存性を、それぞれＸｍ＋Ｘｓ＋ＸμおよびＹｍ＋Ｙｓ＋Ｙμにしてもよいし、それぞれＸｍ＋ＸｓおよびＹｍ＋Ｙｓとしてもよい。
【００７２】
例えば、焦点補正器、非点補正器を適切に使えば４ｍｍ主フィールドの端部で２５６μｍ角の副フィールドの歪みを１００ｎｍ程度にすることは可能である。このとき、４μｍ角のマイクロフィールドの変形は最大１ｎｍ程度となり無視できる。すなわち、Ｘμ、Ｙμの依存は演算を行う必要がなくなる。
【００７３】
しかし、副フィールド中心のマイクロフィールドと、副フィールド端部のマイクロフィールドの相対位置関係にはずれが生じ、結果として隣接する副フィールドとの接続にずれが発生する。ここでは、各マイクロフィールド毎に主偏向量と副フィールド内での位置に依存するシフト項（（式６）のａ００、ｂ００）だけを演算した。この演算に基づき各マイクロフィールドの中心位置をシフトさせて描画を行った結果、マイクロフィールド間の接続誤差が無視し得る程度に小さくなった。
【００７４】
図１５に、４×４のマイクロフィールドのパターンシフトを示す。パターンデータ上のマイクロフィールドサイズ１５０１と偏向領域余裕１５０２を示す。図中の矢印は中心位置の移動方向である。
【００７５】
（実施例５）
副フィールド内の複数のビームをそれぞれ独立しているとみなし、Ｘｓ、Ｙｓの依存を考慮せず、複数のビームそれぞれに主偏向依存を演算しても良い。この場合、各ビームの補正量は（式６）と同様に以下の様に表される。
【００７６】
【数９】
0003940310.tif 000010
ここで、ｎは各ビームの番号（１０００本のビームであれば１から１０００）を示す。副フィールド内での位置の依存を考慮しないため、係数ａは主偏向量ｘｍ、ｙｍにだけ依存する。
【００７７】
【数１０】
0003940310.tif 000011
ここで、ｎは（式９）のｎに対応している。係数の求め方は、全てのビームに対して個別に主偏向量依存を測定する方法を用いる。これは、主偏向で適当な間隔（例えば副フィールドサイズ）で数箇所偏向し、その各場所での各ビーム位置をマーク検出などで求める。それらの位置を（式１０）の多項式にて近似すれば、各ビームの係数ａの値を求めることが出来る。係数ｂも同様に求めることが出来る。
【００７８】
また、代表点のビーム（例えば副フィールド内の周辺部と中心部）の主偏向量依存を求めて、その他の係数は多項式などを用いて代表点の係数から補完して求めれば、少ないビーム位置検出にて全ての係数ａおよびｂを決定できる。
【００７９】
例えば、４ｍｍ主フィールドの端部で２５６μｍ角の副フィールドの歪みが１００ｎｍ程度で、４μｍ角のマイクロフィールドの変形が最大１ｎｍ程度のとき、Ｘμ、Ｙμの依存は演算を行う必要がない。副フィールド中心のマイクロフィールドと、副フィールド端部のマイクロフィールドの相対位置関係にはずれは、全てのビームの主偏向量に依存するシフト項（（式９）のａ００、ｂ００）だけを演算すればよい。この演算に基づき各マイクロフィールドの中心位置をシフトさせて描画を行った結果でも、マイクロフィールド間の接続誤差が無視し得る程度に小さくなった。
【００８０】
（実施例６）
実施例３において示した偏向により発生するビームの位置ずれは、通常偏向量に依存して大きくなる。すなわち、偏向位置０（光軸上）と最大偏向位置ではずれ量に差があることになる。
【００８１】
図１３を用いて、歪の例を示す。図１３（Ａ）は中心軸上での歪の形状を、図１３（Ｂ）は最大偏向位置での歪の形状を示している。今、図１３を４×４のマイクロフィールドとすれば、図中の斜線で示した領域は、最も歪んだマイクロフィールドを示す。偏向位置０でのマイクロフィールド１３０１よりも最大偏向位置でのマイクロフィールド１３０２の方が変形が大きく、データのシフト量が大きいため、大きな偏向領域余裕が必要となる。図１３（Ｃ）は偏向位置０でのマイクロフィールドサイズ１３０３と偏向領域余裕１３０４の関係を、図１３（Ｄ）は最大偏向位置でのマイクロフィールドサイズ１３０５と偏向領域余裕１３０６の関係を示している。例えば、１ピクセルが２０ｎｍの条件にて、偏向位置０での歪み量が最大１０ｎｍ、最大偏向位置での歪み量が５０ｎｍであれば、偏向領域余裕はそれぞれ１ピクセル、３ピクセル分となる。偏向余裕領域の変化は、ビットマップメモリを読み出すカウンタの設定値を、偏向量依存で設定すれば良い。
【００８２】
偏向領域余裕は、実際にビームを偏向する領域であり、偏向領域余裕が小さければ余分な領域の偏向が無くなり、描画速度が向上する。
【００８３】
（実施例７）
実施例３において示した偏向により発生するビームの位置ずれは、偏向動作に依存して常に一定である。一方、電子ビーム位置の経時変化、いわゆるビームドリフトは予測できない場合が多い。特に、複数のビーム間でドリフトの方向や大きさが異なる場合には偏向領域余裕が効率的でない場合も想定される。そのような場合には、複数の各ビームにビーム位置調整用の偏向器アレイを設けてもよい。
【００８４】
図１４は、図２の電子ビーム描画装置にビーム位置調整用の偏向器アレイを設けた例である。図１４は、図２と差異が少なく同じ符号を用いているため、相違点だけを説明する。ブランキング絞り２０８の下に偏向器アレイ１４０１を設けている。ブランキング絞り２０８の上に設置しても同等の機能を得ることができる。この偏向器アレイ１４０１により、試料上でのビーム間隔が補正可能である。補正は、実施の形態１で示したように各ビーム位置を測定し、所定の間隔になる様、光軸制御装置１４０２により電圧を印加する。一度設定した光軸は、次の測定までは一定に保たれるため、光軸制御装置１４０２には高速な回路は必要としない。この状態にて、実施例３で示した偏向に依存するデータシフトによる補正を行えば、製作誤差によるビーム位置ずれを除くことが可能となり、偏向領域余裕を効率的に使用できる。
【００８５】
（実施例８）
図１０に、本発明の電子ビーム描画方法を用いた半導体集積回路の製造工程を示す。
【００８６】
図１０Ａから図１０Ｄは、その工程を示す素子の断面図である。Ｎマイナスシリコン基板１０２０に通常の方法でＰウエル層１０２１、Ｐ層１０２２、フィールド酸化膜１０２３、多結晶シリコン／シリコン酸化膜ゲート１０２４、Ｐ高濃度拡散層１０２５、Ｎ高濃度拡散層１０２６、などを形成した（図１０Ａ）。次に、リンガラス（ＰＳＧ）の絶縁膜１０２７を被着し、絶縁膜１０２７をドライエッチングしてコンタクトホール１０２８を形成した（図１０Ｂ）。
【００８７】
次に、通常の方法でＷ／ＴｉＮ電極配線１０３０材を被着し、その上に感光剤１０２９を塗布し、本発明の電子ビーム描画方法を用いて感光剤１０２９のパターンニングを行った（図１０Ｃ)。そして、ドライエッチングなどによりＷ／ＴｉＮ電極配線１０３０を形成した。
【００８８】
次に、層間絶縁膜１０３１を形成し、通常の方法でホールパターン１０３２を形成した。ホールパターン１０３２の中はＷプラグで埋め込み、Ａｌ第２配線１０３３を連結した（図１０Ｄ）。以降のパッシベーション工程は従来法を用いた。
【００８９】
なお、本実施例では主な製造工程のみを説明したが、Ｗ／ＴｉＮ電極配線形成のリソグラフィ工程で本発明の電子ビーム描画方法を用いたこと以外は、従来法と同じ工程を用いた。以上の工程により、質が低下することなくパターンを形成することができ、ＣＭＯＳＬＳＩを高歩留まりで製造することが出来た。本発明の電子ビーム描画方法を用い半導体集積回路を製作した結果、描画精度が向上したことによる歩留まりが向上し生産量が増加した。
【００９０】
（実施例９）
図１６に、面状電子源によるマルチビーム方式の電子ビーム描画装置の例を示す。本図では、電子ビームを発生する手段以外は図２に示す描画装置と同一であり、図２と同一符号を用いて説明する。面状電子源１６０１から放射された分離された電子ビーム２０６はフォーカス制御回路２２０に駆動されるレンズアレイ２０５により中間像２０９を結ぶ。これらの中間像２０９の位置は、レンズアレイ２０５の個々の強度を変えることにより光軸方向の位置を変えることができる。このとき、各分離された電子ビーム２０６のオンオフは面状電子源１６０１の面内の各位置で放射のオンオフを制御することにより可能となる。中間像２０９以下の構成は図２と同一である。
【００９１】
面状電子源としてはＭＩＭ（金属-絶縁体-金属）型、ＭＩＳ（金属-絶縁体-半導体）型、針状のチップを並べたＦＥＡ（フィールドエミッションアレイ）型、カーボンナノチューブを並べたものなどを用いることができる。ここでは、Si基板上に、１４０ÅのSiO2で絶縁層を形成し、更にその上に１５ÅのAlと２５ÅのAuで金属層を形成したＭＩＳ型を用いた。この構造の金属層に１０Ｖの電圧を印加すると、金属層を突き抜けて電子が１ｍＡ/ｃｍ２程度の電流密度で放出される。面状電子源の電子放出部分の間隔を分離された電子ビームの間隔２００μｍピッチと同一とし、各面状電子源の電子放出部分の面積を１００μｍ角とした場合、電子ビーム１本当りの電流量は１００ｎＡとなる。
【００９２】
電子放出は、金属層に電圧を印加した場合に起こり、電子ビームのオンオフは電圧にて制御可能である。電子放出量は印加電圧の大小または電圧印加の時間で制御する。これらの制御は、パターンデータに基づく照射量制御回路２２１により行われる。
【００９３】
ＦＥＡ型のような輝度の高くクロスオーバー径の小さい電子源を用いた場合にはレンズアレイによる像縮小が不要となり、中間像を作ることなく電子源像をそのまま試料上に投影することも可能となる。図１７に、この例を示す。図１７は図１６と同一符号で説明する。面状電子源１７０１の像が図１６に示す中間像２０９の位置に相当する位置にあること、レンズアレイとフォーカス制御回路が無いこと以外は、図１６と同一である。ＦＥＡ型の電子源は、引出し電極の電圧を制御することによりオンオフと放射量の制御が可能であり、この制御はパターンデータに基づく照射量制御回路２２１により行われる。
【００９４】
面状電子源を用いた場合の制御装置の構成を、図１８に示す。図１８は、図１と同一の符号を用いている。照射量制御回路１０６からの出力がブランキングアレイではなく面状電子源１８０１に入力されること以外は図１と同一である。
【００９５】
（実施例１０）
図１９に、光励起電子源によるマルチビーム方式の電子ビーム描画装置の例を示す。本図では、電子ビームを発生する手段以外は図１６に示す描画装置と同一であり、図１６と同一符号を用いて説明する。励起光発生装置１９０３により励起光１９０２が放出され、光励起電子源１９０１に照射され、分離された電子ビーム２０６が放射される。これ以下の構成は図１６と同一である。
【００９６】
光励起電子源、いわゆるホトカソードは、ガラス基板上に半導体層と表面吸着層を形成して作製する。半導体層の材料は、ｐ型半導体で、GaAs、AlAs、InP、InAs、GaP、GaN等のIII-Ｖ族もしくはSi、C、Ge等のIＶ族もしくはこれらの混合物である。表面吸着層は、Cs、Na等のアルカリ金属もしくは、Cs、Na等のアルカリ金属と酸素、もしくはBa等のアルカリ土類と酸素、もしくはこれらの混合物である。この光励起電子源に、波長８００〜６００ｎｍのレーザーダイオード光や、波長６３３ｎｍのＨｅ-Ｎｅレーザー光を照射することにより電子を放出する。ここでは、ガラス基板上にAlGaAs膜を厚さ２μｍ、GaAsを厚さ１.５μｍで形成し、その上にCsを数原子層形成したものを用いた。
【００９７】
この光励起電子源に、ガラス基板面からレーザーダイオードにより励起光を照射した。このとき励起光１ｍＷで２５μＡ程度の電流を得ることができた。電子ビーム放射のオンオフと放射量は、励起光のオンオフおよび励起光の強度または照射時間で制御可能であり、これらの制御は、パターンデータに基づく照射量制御回路２２１により行われる。
【００９８】
このように、光励起電子源は、高い電流密度を得ることが出来るので、光励起電子源で励起光を収束すれば、図２０に示す中間像の無い構成を取ることができる。本図では、図１９と同じ符号を用いる。励起光発生装置２００３から発生した励起光２００２を収束して光励起電子源２００１に照射する。放出された分離された電子ビーム２０６以下は図１９と同一である。
【００９９】
光励起電子源を用いた場合の制御装置の構成を、図２１に示す。図２１は、図１８と同一の符号を用いている。照射量制御回路１０６からの出力がブランキングアレイではなく励起光発生装置２１０２に入力され、発生した励起光が光励起電子源２１０１に照射されること以外は図１８と同一である。
【０１００】
図１８および図２１に示した制御装置には、図７および図９に示した制御装置も適用可能である。
【０１０１】
【発明の効果】
本発明によれば、マルチビーム方式の電子ビーム描画方法及び装置において、簡略な構成で、高精度かつ高速な描画を行うことが出来る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施例を説明する図。
【図２】マルチビーム方式の電子ビーム描画装置の例を示す図。
【図３】本実施例の描画装置における描画動作を示す図。
【図４】４つのマイクロフィールドを取り出した例を示す図。
【図５】マイクロフィールドのビットマップメモリを示す図。
【図６】データをシフトした結果を、ビームプロファイルにて示した図。
【図７】本発明の第２の実施例を説明する図。
【図８】歪、倍率誤差、回転誤差を示す図。
【図９】本発明の第３の実施例を説明する図。
【図１０】本発明の電子ビーム描画方法を用いた半導体集積回路の製造工程の例を示す図。
【図１１】要素電子光学系の詳細を示す図。
【図１２】本発明の第４の実施例における回路構成の例を示す図。
【図１３】本発明の第５の実施例における偏向位置依存の歪み形状と偏向領域余裕の関係を示す図。
【図１４】本発明の第６の実施例を説明する図。
【図１５】本発明の第４の実施例における歪み補正時のパターンシフトの様子を示す図。
【図１６】面状電子源によるマルチビーム方式の電子ビーム描画装置の例を示す図。
【図１７】面状電子源によるマルチビーム方式の電子ビーム描画装置の他の例を示す図。
【図１８】面状電子源を用いた場合の本発明による描画制御を示す図。
【図１９】光励起電子源によるマルチビーム方式の電子ビーム描画装置の例を示す図。
【図２０】光励起電子源によるマルチビーム方式の電子ビーム描画装置の他の例を示す図。
【図２１】光励起電子源を用いた場合の本発明による描画制御を示す図。
【符号の説明】
１０１：ＣＰＵ、１０２：ビットマップ展開回路、１０３：ビットマップメモリ、１０４：ビットマップシフト回路、１０５：シフト量制御回路、１０６：照射量制御回路、１０７：ブランキングアレイ、１０８：偏向信号発生回路、１０９：偏向制御回路、１１０：偏向器、１１１：試料ステージ、１１２：ファラデーカップ、１１３：ステージ制御回路、１１４：信号処理回路、２０１：電子銃、２０２：電子ビーム、２０３：コンデンサレンズ、２０４：アパーチャアレイ、２０５：レンズアレイ、２０６：分離された電子ビーム、２０７：ブランキングアレイ、２０８：ブランキング絞り、２０９：中間像、２１０：第１投影レンズ、２１１：動的焦点補正器、２１２：動的非点補正器、２１３：主偏向器、２１４：第２投影レンズ、２１５：副偏向器、２１６：電子検出器、２１７：試料、２１８：試料ステージ、２１９：ファラデーカップ、２２０：フォーカス制御回路、２２１：照射量制御回路、２２２：レンズ制御回路、２２３：偏向制御回路、２２４：信号処理回路、２２５：ステージ制御回路、２２６：ＣＰＵ、２２７：位置計測用マーク、３０１：ストライプ、３０２：、副フィールド、３０３：主フィールド、３０４：電子ビーム、３０５：マイクロフィールド、３０６：ピクセル、４０１：マイクロフィールド、４０２：描画すべきパターン、４０３：電子ビーム、４０４：ずれの補正、４０５：偏向領域余裕、４０６：パターンのシフト、４０７：ビーム偏向、９０４：ビットマップシフト回路、９０５：シフト量制御回路、９０８：偏向信号発生回路、１１０１：ブランキング電極、１１０２：ブランキング電極、１２０１：シフトレジスタ、１２０２：加算器、１２０３：乗算器、１２０４：加算器、１３０１：マイクロフィールド、１３０２：マイクロフィールド、１３０３：マイクロフィールドサイズ、１３０４：偏向領域余裕、１３０５：マイクロフィールドサイズ、１３０６：偏向領域余裕、１４０１：偏向器アレイ、１４０２：光軸制御装置、１５０１：マイクロフィールドサイズ、１５０２：偏向領域余裕、１６０１：面状電子源、１７０１：面状電子源、１８０１：面状電子源、１９０１：光励起電子源、１９０２：励起光、１９０３：励起光発生装置、２００１：光励起電子源、２００２：励起光、２００３：励起光発生装置、２１０１：光励起電子源、２１０２：励起光発生装置。
【図１】
0003940310.tif 000012
【図２】
0003940310.tif 000013
【図３】
0003940310.tif 000014
【図４】
0003940310.tif 000015
【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
0003940310.tif 000019
【図９】
0003940310.tif 000020
【図１０】
0003940310.tif 000021
【図１１】
0003940310.tif 000022
【図１２】
0003940310.tif 000023
【図１３】
0003940310.tif 000024
【図１４】
0003940310.tif 000025
【図１５】
0003940310.tif 000026
【図１６】
0003940310.tif 000027
【図１７】
0003940310.tif 000028
【図１８】
0003940310.tif 000029
【図１９】
0003940310.tif 000030
【図２０】
0003940310.tif 000031
【図２１】
0003940310.tif 000032