(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
スパッタリングターゲット又はバッキングプレートに接合したスパッタリングターゲットの不要な膜が堆積する面に、アーク溶射皮膜とプラズマ溶射皮膜の合わせた膜厚が２００μｍ以上のアーク溶射皮膜及びさらにその上にプラズマ溶射皮膜を形成したことを特徴とするパーティクル発生の少ないスパッタリングターゲット又はバッキングプレートに接合したスパッタリングターゲット。
【請求項２】
スパッタリングターゲット又はバッキングプレートに接合したスパッタリングターゲットの不要な膜が堆積する面に、アーク溶射皮膜とプラズマ溶射皮膜の合わせた膜厚が２００μｍ以上のアルミニウムのアーク溶射皮膜及びさらにその上にマグネシウム含有アルミニウム合金プラズマ溶射皮膜を形成したことを特徴とするパーティクル発生の少ないスパッタリングターゲット又はバッキングプレートに接合したスパッタリングターゲット。
【請求項３】
中心線平均粗さＲａ１０〜２０μｍの溶射皮膜を備えていることを特徴とする請求項１又は２記載のパーティクル発生の少ないスパッタリングターゲット又はバッキングプレートに接合したスパッタリングターゲット。
【請求項４】
スパッタリングターゲットの側面及びバッキングプレートの面に亘って連続的に溶射皮膜を備えていることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のパーティクル発生の少ないスパッタリングターゲット又はバッキングプレートに接合したスパッタリングターゲット。
【請求項５】
スパッタリングターゲットのスパッタ面よりもやや離れた側面位置からバッキングプレート方向又はバッキングプレート面に亘って溶射皮膜を備えていることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のパーティクル発生の少ないスパッタリングターゲット又はバッキングプレートに接合したスパッタリングターゲット。
【請求項６】
スパッタリングターゲット又はバッキングプレートに接合したスパッタリングターゲットの不要な膜が堆積する面に、アーク溶射皮膜とプラズマ溶射皮膜の合わせた膜厚が２００μｍ以上のアーク溶射皮膜及びさらにその上にプラズマ溶射皮膜を形成したことを特徴とするパーティクル発生の少ないスパッタリングターゲット又はバッキングプレートに接合したスパッタリングターゲットの製造方法。
【請求項７】
中心線平均粗さＲａ１０〜２０μｍの溶射皮膜を備えていることを特徴とする請求項６記載のパーティクル発生の少ないスパッタリングターゲット又はバッキングプレートに接合したスパッタリングターゲットの製造方法。
【請求項８】
スパッタリングターゲットの側面及びバッキングプレートの面に亘って連続的に溶射皮膜を備えていることを特徴とする請求項６又は７に記載のパーティクル発生の少ないスパッタリングターゲット又はバッキングプレートに接合したスパッタリングターゲットの製造方法。
【請求項９】
スパッタリングターゲットのスパッタ面よりもやや離れた側面位置からバッキングプレート方向又はバッキングプレート面に亘って溶射皮膜を備えていることを特徴とする請求項６〜８のいずれかに記載のパーティクル発生の少ないスパッタリングターゲット又はバッキングプレートに接合したスパッタリングターゲットの製造方法。
【請求項１０】
溶射皮膜としてアルミニウム又はアルミニウム合金を用いることを特徴とする請求項６〜９のいずれかに記載のパーティクル発生の少ないスパッタリングターゲット又はバッキングプレートに接合したスパッタリングターゲットの製造方法。
【請求項１１】
アルミニウムのアーク溶射皮膜及びさらにその上にマグネシウム含有アルミニウム合金プラズマ溶射皮膜を形成したことを特徴とする請求項６〜１０のいずれかに記載のパーティクル発生の少ないスパッタリングターゲット又はバッキングプレートに接合したスパッタリングターゲットの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、成膜中にパーティクル発生の少ないスパッタリングターゲット又はバッキングプレート及びその製造方法に関する。
【技術分野】
【０００２】
近年、膜厚や成分を容易に制御できるスパッタリング法が、電子・電気部品用材料の成膜法の一つとして多く使用されている。
このスパッタリング法は正の電極と負の電極とからなるターゲットとを対向させ、不活性ガス雰囲気下でこれらの基板とターゲットの間に高電圧を印加して電場を発生させるものであり、この時電離した電子と不活性ガスが衝突してプラズマが形成され、このプラズマ中の陽イオンがターゲット（負の電極）表面に衝突してターゲット構成原子を叩きだし、この飛び出した原子が対向する基板表面に付着して膜が形成されるという原理を用いたものである。
【０００３】
このスパッタリング法による薄膜の形成に際し、パーティクルの発生という問題が大きく取り上げられるようになってきた。このパーティクルは、例えばスパッタリング法におけるターゲット起因のものについて説明すると、ターゲットをスパッタリングした場合、薄膜は基板以外に薄膜形成装置の内壁や内部にある部材等のいたるところに堆積する。ターゲットのエロージョン部以外の面及び側面も例外ではなく、スパッタ粒子が堆積しているのが観察される。
【０００４】
そしてこのような薄膜形成装置内にある部材等から剥離した薄片が直接基板表面に飛散して付着することがパーティクル発生の大きな原因の一つであると考えられている。
また、一般にはターゲットの側面は直接プラズマに向き合っている訳ではないので、側面からのパーティクルの発生を問題視している例は少ない。したがって、これまでターゲットの中央部と外周縁部の非エロージョン部に対策を講ずる例が多かったが、ターゲット使用効率向上のためスパッタ面の全面がスパッタされる傾向にあり、このような対策は逆にパーティクルを増加させる可能性がある。
最近では、ＬＳＩ半導体デバイスの集積度が上がる（１６Ｍビット、６４Ｍビットさらには２５６Ｍビット）一方、配線幅が０．２５μｍ以下になるなどにより微細化されつつあるので、上記のようなパーティクルによる配線の断線や短絡と言った問題が、より頻発するようになった。
【０００５】
このように、電子デバイス回路の高集積度化や微細化が進むにつれてパーティクルの発生は一層大きな問題となってきた。
一般に、スパッタリングターゲットはそれよりも寸法が大きいバッキングプレートに溶接、拡散接合あるいははんだ付け等の手段により接合されるが、スパッタリングの安定性から、バッキングプレートに接合するスパッタリングターゲットの側面が該バッキングプレートに向かって、通常末広がりの傾斜面を持つように形成されている。
既に知られているように、バッキングプレートは背面が冷却材と接触してターゲットを冷却する役目を持っており、熱伝導性の良いアルミニウムや銅又はこれらの合金等の材料が使用されている。
前記スパッタリングターゲットの側面は、スパッタリングによるエロージョンを受ける（摩耗）箇所ではない。しかし、ターゲットのエロージョン面に近接しているので、スパッタリング操作中に飛来するスパッタ粒子が付着し、より堆積するという傾向がある。
一般に、スパッタリングターゲットのエロージョン面は旋盤加工により平滑面としており、また前記傾斜している側面も同様に旋盤加工されている。
【０００６】
ところが、このような傾斜側面から、一旦付着したスパッタ粒子（堆積物）が再び剥離し、それが浮遊してパーティクル発生の原因となることが分かった。
また、このような堆積物の剥離は平坦な周辺のエロージョン面近傍よりもむしろ、そこから離れている箇所からの方が、堆積物の剥離が多くなっているのが観察された。
このような現象は、必ずしも明確に把握されていた訳でなく、また特に対策が講じられていた訳でもない。しかしながら、上記のように電子デバイス回路の高集積度化や微細化の要請から、このような箇所からのパーティクルの発生も大きな問題となってきた。
このような問題を解決しようとして、ターゲット側面及びバッキングプレートの近傍部分をブラスト処理し、アンカー効果により付着力を向上させる提案もなされた。
【０００７】
しかし、この場合、ブラスト材の残留による製品への汚染の問題、残留ブラスト材上に堆積した付着粒子の剥離の問題、さらには付着膜の選択的かつ不均一な成長による剥離の問題が新たに生じ、根本的解決にはならなかった。
また、特にこのようなブラスト処理しても、ターゲット側面及びバッキングプレートとの間には材質的な相違やそれによる熱膨張の差異、さらには材料間で明確な段差が生ずるので、パーティクル発生の原因となる傾向がある。そして、この場合には、上記のようにエロージョン部から距離があるので、これがパーティクル発生の原因となっていることに気付かないという問題がある。
このようなことから、本発明者らは先にスパッタリングターゲットの少なくとも側面に、中心線平均粗さＲａ１０〜２０μｍ の溶射皮膜を備えたパーティクル発生の少ないスパッタリングターゲットを提案した（特許文献１参照）。
【特許文献１】
特願２０００−３１４７７８
【０００８】
この技術自体は従来の方法に比べはるかに付着膜の剥離を防止し、パーティクル発生を抑制できる効果があった。しかし、この溶射皮膜形成のためにアーク溶射又はプラズマ溶射を使用していたが、前者は表面粗さが大きくなりすぎる傾向があり、そのばらつきも大きく付着膜の密着性が不均一であり、また後者は表面粗さが小さくアンカー効果が低く付着物との密着性が劣り、必ずしも満足のいくものではなかった。
また、このようなパーティクル発生を抑制のために形成される溶射皮膜の問題は前記のターゲット側面の問題だけではなく、その他のスパッタリングターゲットの面、バッキングプレート又はスパッタリング装置内の機器の不要な膜が堆積する面においても、同様の問題があった。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、上記のような問題から、溶射皮膜の改善を図り、より効果的にターゲット、バッキングプレートその他のスパッタリング装置内の機器の不要な膜が堆積する面から発生する該堆積物の剥離・飛散を直接的に防止できるスパッタリングターゲット又はバッキングプレートに接合したスパッタリングターゲットを得ることを目的とする。
上記の課題を解決するために、本発明者らは鋭意研究を行った結果、溶射皮膜工程の改善により、成膜中のパーティクル発生を効率良く抑制できるとの知見を得た。  本発明はこの知見に基づき、
【００１０】
１．  スパッタリングターゲット又はバッキングプレートに接合したスパッタリングターゲットの不要な膜が堆積する面に、溶射皮膜の総膜厚が２００μｍ以上のアーク溶射皮膜及びさらにその上にプラズマ溶射皮膜を形成したことを特徴とするパーティクル発生の少ないスパッタリングターゲット又はバッキングプレートに接合したスパッタリングターゲット。
２．スパッタリングターゲット又はバッキングプレートに接合したスパッタリングターゲットの不要な膜が堆積する面に、溶射皮膜の総膜厚が２００μｍ以上のアルミニウムのアーク溶射皮膜及びさらにその上にマグネシウム含有アルミニウム合金プラズマ溶射皮膜を形成したことを特徴とするパーティクル発生の少ないスパッタリングターゲット又はバッキングプレートに接合したスパッタリングターゲット
３．中心線平均粗さＲａ１０〜２０μｍの溶射皮膜を備えていることを特徴とする上記１又は２記載のパーティクル発生の少ないスパッタリングターゲット又はバッキングプレートに接合したスパッタリングターゲット
４．スパッタリングターゲットの側面及びバッキングプレートの面に亘って連続的に溶射皮膜を備えていることを特徴とする上記１〜３のいずれかに記載のパーティクル発生の少ないスパッタリングターゲット又はバッキングプレートに接合したスパッタリングターゲット
５．スパッタリングターゲットのスパッタ面よりもやや離れた側面位置からバッキングプレート方向又はバッキングプレート面に亘って溶射皮膜を備えていることを特徴とする上記１〜４のいずれかに記載のパーティクル発生の少ないスパッタリングターゲット又はバッキングプレートに接合したスパッタリングターゲット
【００１１】
６．スパッタリングターゲット又はバッキングプレートに接合したスパッタリングターゲットの不要な膜が堆積する面に、溶射皮膜の総膜厚が２００μｍ以上のアーク溶射皮膜及びさらにその上にプラズマ溶射皮膜を形成したことを特徴とするパーティクル発生の少ないスパッタリングターゲット又はバッキングプレートに接合したスパッタリングターゲットの製造方法
７．中心線平均粗さＲａ１０〜２０μｍの溶射皮膜を備えていることを特徴とする上記６記載のパーティクル発生の少ないスパッタリングターゲット又はバッキングプレートに接合したスパッタリングターゲットの製造方法
８．スパッタリングターゲットの側面及びバッキングプレートの面に亘って連続的に溶射皮膜を備えていることを特徴とする上記６又は７に記載のパーティクル発生の少ないスパッタリングターゲット又はバッキングプレートに接合したスパッタリングターゲットの製造方法
９．スパッタリングターゲットのスパッタ面よりもやや離れた側面位置からバッキングプレート方向又はバッキングプレート面に亘って溶射皮膜を備えていることを特徴とする上記６〜８のいずれかに記載のパーティクル発生の少ないスパッタリングターゲット又はバッキングプレートに接合したスパッタリングターゲットの製造方法
１０．溶射皮膜としてアルミニウム又はアルミニウム合金を用いることを特徴とする上記６〜９のいずれかに記載のパーティクル発生の少ないスパッタリングターゲット又はバッキングプレートに接合したスパッタリングターゲットの製造方法
１１．アルミニウムのアーク溶射皮膜及びさらにその上にマグネシウム含有アルミニウム合金プラズマ溶射皮膜を形成したことを特徴とする上記６〜１０のいずれかに記載のパーティクル発生の少ないスパッタリングターゲット又はバッキングプレートに接合したスパッタリングターゲットの製造方法、を提供する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
アルミニウム又はアルミニウム合金を溶射する方法としてアーク溶射とプラズマ溶射がある。アーク溶射もプラズマ溶射も原理的には同じで、アーク溶射はアークを熱源とし、プラズマ溶射はプラズマジェット炎で溶射材料を溶融し、高温の溶融粒子を飛行させ、材料表面に衝突、積層させて皮膜を形成する方法である。
しかし、このアーク溶射又はプラズマ溶射をスパッタリングターゲット、バッキングプレート又はスパッタリング装置内の機器の不要な膜が堆積する面に形成して、皮膜の剥離を調査したところ、非常に大きな差があることが分かった。
【００１３】
アーク溶射のみで溶射皮膜を形成したところ、アルミニウム又はアルミニウム合金の溶融部の面積が広く、耐剥離性は期待していたよりも悪く懸念の残る表面状態であった。そして、実際にスパッタリングした結果、堆積物の一部が剥離するのが観察された。
これに対し、プラズマ溶射のみで溶射皮膜を形成したところ、表面粗さが不足し、アンカー効果が低く、スパッタリングの際の付着膜との密着性が低くなり、結果としてパーティクル低減効果が低くなった。
このため、溶射の方法を種々検討した結果、アーク溶射皮膜及びさらにその上にプラズマ溶射皮膜を形成することにより、一定の面積をもつ表面に対して、均一且つ安定して最適な表面粗さの溶射皮膜を形成できることが分かった。
【００１４】
一般に、プラズマ溶射はアーク溶射に比べて溶融粒子の衝突エネルギーが大きく、溶融粒子が扁平化して表面粗さが小さくなってしまう。
この両溶射法の大きな違いは、熱源温度と溶融粒子の飛行速度である。プラズマ溶射は約１００００°Ｃ、溶融粒子の飛行速度が約７００ｍ／秒であり、他方
アーク溶射は約５０００°Ｃ、１００ｍ／秒程度と言われている。
このような、プラズマ溶射とアーク溶射の機能を生かし、始めにアーク溶射にて被覆される材料表面に表面粗さが大きめの溶射皮膜を形成した後、その上にプラズマ溶射を用いて、表面粗さを下げるように最適な表面粗さとする。
【００１５】
これによって、均一で安定した表面粗さのコントロールが容易に得ることが可能となった。なお、プラズマ溶射の後にアーク溶射を施した場合には、表面粗さが大きくなり過ぎ最適値を超える結果となったので、好ましくない。
本発明の溶射皮膜は、スパッタリングターゲット、バッキングプレート又はスパッタリング装置内の機器の不要な膜が堆積する面に形成することができる。この溶射皮膜により好適なアンカー効果を持たせるためには、中心線平均粗さＲａ１０〜２０μｍの溶射皮膜を備えていることが望ましい。
【００１６】
前記アーク溶射後にプラズマ溶射を行うことにより、容易に達成することができる。そして、これによりパーティクル発生を効果的に抑制できるという優れた効果が得られる。本発明の溶射を、例えばターゲットに適応する場合、矩形、円形、その他の形状のターゲットにも適用できる。この場合、非エロージョン部であるターゲットの側面に溶射皮膜を形成することも効果的である。
ターゲット側面は傾斜面とすることが多いが、垂直な面あるいはこれらの面に継続した平面を持つ構造のスパッタリングターゲットにも適用できる。本発明はこれらを全て含むものである。
特に、ターゲット側面からのパーティクル発生については、看過されがちであるが、スパッタリングターゲットの傾斜側面から、一旦付着したスパッタ粒子（堆積物）が再び剥離し、それが浮遊してパーティクル発生の原因となることが観察される。
しかも、このような堆積物の剥離が平坦な周辺のエロージョン面近傍よりもむしろ、そこから離れている箇所からの方が、堆積物の剥離が多くなっている。したがって、このような側面への溶射膜の形成は極めて容易であり、かつパーティクル発生を効果的に抑制できるメリットがある。
【００１７】
溶射皮膜の材料としては、アーク溶射及びプラズマ溶射が可能な材料であるならば、ターゲット材料と同質の材料を使用できるし、また他の材料を使用することもできる。この場合、制限となるのは基板へのスパッタリング薄膜が汚染されない材料であることが望ましいということだけである。
上記の通り、溶射皮膜は、固有のアンカー効果を示すので、溶射皮膜脆弱で溶射皮膜自体が剥離することにより汚染の原因とならない限り、特に制限を受けない。しかし、溶射皮膜としてアルミニウム又はアルミニウム合金を用いるのが、材料の入手と操作の簡便さ及び汚染の防止という観点から望ましいと言える。
その例を示すと、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ａｌ、Ｃｕ、これらを主成分とする合金等を使用できる。
【００１８】
また、バッキングプレート材としては、通常使用されている銅、銅合金系、アルミニウム、アルミニウム合金系等を使用でき、これらに特に制限はない。スパッタ装置内の機器については、特に材料を特定する必要はなくステンレスその他の材料表面に溶射皮膜を形成することができる。
スパッタリングターゲットの側面が傾斜面である場合、特にバッキングプレートに接合するスパッタリングターゲットの側面が該バッキングプレートに向かって末広がりの傾斜面を持つスパッタリングターゲットにも使用できる。
特に、本発明の溶射皮膜は、スパッタリングターゲットの側面及びバッキングプレートの面に亘って連続的に溶射皮膜が形成されているのが望ましい。
【００１９】
上記の通り、ターゲット側面及びバッキングプレートとの間には材質的な相違やそれによる熱膨張の差異、さらには材料間で明確な段差が生じ、パーティクル発生の原因となるが、この部位により強固なアンカー効果を有する溶射皮膜を形成することにより、パーティクル発生を効果的に防止できる。
バッキングプレートへの連続した溶射皮膜の形成は、ターゲットの露出した面の全てであってもよいし、またターゲットとの接合部近傍であってもよい。本発明はこれらの全てを含む。スパッタリングターゲットの側面、下方平坦面及びバッキングプレートの面に亘って連続的に溶射皮膜が形成できるのは当然である。
【実施例】
【００２０】
次に、本発明の実施例及び比較例を説明する。なお、実施例はあくまで本発明の一例であり、この実施例に制限されるものではない。すなわち、本発明の技術思想に基づく、変形や他の態様は全て本発明に包含される。
【００２１】
（実施例１）
ステンレス板（ＳＵＳ３０４）に以下の条件溶射皮膜を形成した。
（アーク溶射条件）
電流：２０Ａ
電圧：２６０Ｖ
Ａｉｒ圧：０．５５ＭＰａ(≒８０ｐｓｉ)
使用ワイヤー：φ１．６ｍｍアルミニウムワイヤー（純度９９．６％）
ワイヤーフィード量：６ｇ／ｍｉｎ
溶射ガンとステンレス板との距離２００ｍｍ
【００２２】
（プラズマ溶射条件）
電流：７５０Ａ
電圧：３０Ｖ
Ａｒガス圧：０．３８ＭＰａ(≒５５ｐｓｉ)
Ｈｅガス圧：０．３５ＭＰａ(≒５０ｐｓｉ)
原料フィード量：６ｇ／ｍｉｎ
溶射ガンとステンレス板との距離２００ｍｍ
使用原料粉：アルミニウム粉＋５％マグネシウム合金粉（平均粒径７５μｍ）
溶射時間：アーク溶射３秒＋プラズマ溶射２秒
【００２３】
（比較例１）
次の条件でステンレス板にアーク溶射のみを施した。
（アーク溶射条件）
電流：２０Ａ
電圧：２６０Ｖ
Ａｉｒ圧：０．５５ＭＰａ(≒８０ｐｓｉ)
使用ワイヤー：φ１．６ｍｍアルミニウムワイヤー（純度９９．６％）
ワイヤーフィード量：６ｇ／ｍｉｎ
溶射ガンとステンレス板との距離２００ｍｍ
溶射時間：５秒
【００２４】
（比較例２）
（プラズマ溶射条件）
電流：７５０Ａ
電圧：３０Ｖ
Ａｒガス圧：０．３８ＭＰａ(≒５５ｐｓｉ)
Ｈｅガス圧：０．３５ＭＰａ(≒５０ｐｓｉ)
原料フィード量：６ｇ／ｍｉｎ
溶射ガンとステンレス板との距離２００ｍｍ
使用原料粉：アルミニウム粉＋５％マグネシウム合金粉（平均粒径７５μｍ）
溶射時間：５秒
【００２５】
上記実施例１及び比較例１、２の溶射された面積は直径１５０ｍｍ程度の範囲であった。実施例１及び比較例１、２の表面粗さの測定結果を表１に示す。表面粗さは１０箇所測定した。
表１に示すように、比較例１、２に比べて実施例１のアーク溶射＋プラズマ溶射は、目標とする表面あらさ１０〜２０μｍＲａにコントロールし易く、表面粗さのバラツキも少ない。
【００２６】
【表１】
0003895277.tif 000002
【００２７】
（実施例２）
直径３００ｍｍ、厚み１０ｍｍの円盤状高純度チタンターゲット側面部分に、実施例１で示したアーク溶射＋プラズマ溶射条件で溶射皮膜を形成した。
但し、溶射ガンとワーク（ターゲット）との距離は約３００ｍｍとし、溶射膜厚さはワーク（ターゲット）の回転数を５０、６０、７０ｒｐｍに変化させることで制御した。
この側面溶射ターゲットをスパッタ装置に装着し、ＴｉＮ膜をリアクティブスパッタによって形成した。ＴｉＮ膜厚が４０μｍになるまでスパッタを行い、付着膜の様子を観察した。
【００２８】
（比較例３）
実施例２と同様に円盤状高純度チタンターゲット側面に、比較例１で示したようにアーク溶射のみで溶射皮膜を形成した。溶射ガンとワーク（ターゲット）との距離は約３００ｍｍとし、溶射膜厚さはワーク（ターゲット）の回転数を５０、６０、７０ｒｐｍに変化させることで制御した。
この側面溶射ターゲットをスパッタ装置に装着し、ＴｉＮ膜をリアクティブスパッタによって形成した。ＴｉＮ膜厚がおよそ４０μｍになるまでスパッタを行い、付着膜の様子を観察した。
【００２９】
（比較例４）
実施例２と同様に円盤状の高純度チタンターゲット側面に、比較例２で示したようにプラズマ溶射のみで溶射皮膜を形成した。溶射ガンとワーク（ターゲット）との距離は約３００ｍｍとし、溶射膜厚さはワーク（ターゲット）の回転数を５０、６０、７０ｒｐｍに変化させることで制御した。
この側面溶射ターゲットをスパッタ装置に装着し、ＴｉＮ膜をリアクティブスパッタによって形成した。ＴｉＮ膜厚がおよそ４０μｍになるまでスパッタを行い、付着膜の様子を観察した。
【００３０】
実施例２及び比較例３、４の結果を表２に示す。実施例２のアーク溶射＋プラズマ溶射法によって皮膜を形成した場合は、ワーク回転数を５０、６０ｒｐｍにしたものは、付着したＴｉＮ膜の剥離は観察されなかったが、溶射皮膜の薄い７０ｒｐｍのものは剥離が発生してしまった。溶射皮膜の膜厚としては２００μｍ程度以上必要であると考えられる。
比較例３のアーク溶射によるものは、表面粗さが大きく、斑のある表面状態であり、斑の部分からＴｉＮ膜の剥離が観察された。
また、比較例４のプラズマ溶射皮膜によるものは、表面粗さが小さくＴｉＮ膜を強固に付着させるだけのアンカー効果が低いものであり、ＴｉＮ膜の剥離が観察された。
【００３３】
【表２】
0003895277.tif 000003
【発明の効果】
【００３２】
溶射皮膜の改善を図り、アーク溶射皮膜及びさらにその上にプラズマ溶射皮膜を形成することにより、ターゲット、バッキングプレート、その他のスパッタリング装置内の機器の、不要な膜が堆積する面から発生する該堆積物の剥離・飛散を直接的にかつ効果的に防止できるスパッタリングターゲット又はバッキングプレート及びスパッタリング方法を得ることができるという優れた効果を有する。