(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１及び第２基板と、該第１基板と該第２基板との間に挟持された液晶層およびスペーサーとを有し、該液晶層に電圧を印加する一対の電極によって規定される複数の絵素領域を有する表示領域と、該表示領域の周辺の非表示領域とを有する液晶表示装置であって、
該絵素領域は、透過領域と反射領域とを有し、
該第１基板は、該表示領域内に、該複数の絵素領域毎に設けられた反射領域を有し、該反射領域は、光感光性樹脂によって形成された凹凸形状の表面を有する絶縁層と、該絶縁層上に形成された表面が凹凸形状の反射層とを有し、且つ、
該第１基板は、該非表示領域内のうち、少なくとも該表示領域とシール部との間の領域に光感光性樹脂によって形成された絶縁層を有し、該非表示領域内の絶縁層は、凹凸形状の表面を有し、
該非表示領域内の該絶縁層表面における該第１基板表面からの高さの最頻値ｈｍｏｄｅと、該表示領域内の凹凸形状の該反射層表面における該第１基板表面からの最高高さＨｍａｘおよび最低高さＨｍｉｎとが、
Ｈｍｉｎ−０．５≦ｈｍｏｄｅ≦Ｈｍａｘ＋０．５  （単位：μｍ）
の関係を満たす、液晶表示装置。
【請求項２】
前記非表示領域内の絶縁層は、前記表示領域内の絶縁層と同じ凹凸形状の表面を有する請求項１に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はワードプロセッサやパーソナルコンピュータ等のＯＡ機器や電子手帳等の携帯情報機器、あるいは液晶モニターを備えたカメラ一体型ＶＴＲ等に用いられる反射型液晶表示装置および透過型と反射型と兼ね備えた液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
液晶パネルは、ＣＲＴ（ブラウン管）やＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示装置とは異なり自ら発光しないため、バックライトと呼ばれる蛍光管を備えた装置を背後に設置して、バックライトからの光の透過と遮断を液晶パネルで切り替えて表示を行う、透過型液晶表示装置が用いられている。
【０００３】
しかし、透過型液晶表示装置では、通常バックライトが液晶表示装置の全消費電力のうち５０％以上を占めるため、バックライトを設けることで消費電力が大きくなってしまう。
【０００４】
よって、戸外や常時携帯して使用する機会が多い携帯情報機器ではバックライトの代わりに反射板を設置し、反射板による周囲光の反射光の透過と遮断を液晶パネルで切り替えて表示を行う反射型液晶表示装置も用いられている。
【０００５】
例えば、特開平５−３２３３７１号公報は、配線上にも絵素領域を拡大して開口率の向上をはかるために、直交する複数のゲート配線と複数のソース配線と、これら複数のゲート配線およびソース配線にそれぞれ接続されたスイッチング素子上に、層間絶縁層を設け、層間絶縁層上に形成された絵素電極の反射電極領域とゲート配線及びソース配線の一部とが重なるように設けた液晶表示装置において、層間絶縁層の表面に数μｍ深さの凹凸を設けることにより、凹凸形状の表面を有する反射電極領域を形成することによって、さまざまな入射角度の周囲光を表示光として利用することにより、視角依存性の少ない良好な表示が得られることを開示している。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記公報に開示されている従来の液晶表示装置においては、液晶表示装置を構成する一対の基板間の間隙（いわゆるセルギャップ）を精度良く制御できず、表示品質が低下するという問題が発生することがあった。
【０００７】
従来の液晶表示装置においては、液晶層を挟む一対の基板（例えば、アクティブマトリクス基板と対向基板）に、粒状スペーサーを配置して、セルギャップを制御する方法が用いられている。具体的には、少なくとも一方の基板上に、粒状スペーサー（例えばプラスチック樹脂製の球状スペーサー）を均一に散布した後、粒状スペーサーを介して、一対の基板を加圧しながらシール剤を用いて貼り合わせることによって、一対の基板間の間隙を制御する方法が一般に用いられている。セルギャップを決定するスペーサーの大きさは、液晶表示モードに応じて決定される。通常は、最適光路長のセルギャップを得る大きさとして、直径が約２〜６μｍの球状スペーサー（または円柱状スペーサー）が使用される。この方法では、粒状スペーサーを散布すると、基板上の特定の位置にスペーサーを配置することは困難であり、基板の表面に凹凸（段差）があると、均一なセルギャップが得られない場合があった。
【０００８】
上述の層間絶縁層の表面に凹凸形状を形成する方法としては、ポジ型感光性樹脂をスピンコータ等を用いて基板上に塗布し、反射電極領域に所望の形状のパターンを有するマスクを介して露光し、現像した後熱処理することによって形成する方法がある（図６参照）。反射光利用効率の向上だけに着目して、凹凸形状を有する層間絶縁層を反射電極領域のみに形成した場合には、次のような問題点を生じることを本願発明者は見出した。
【０００９】
図１７を参照しながらこの問題を説明する。層間絶縁層の表面に凹凸形状を形成するための下地層をポジ型感光性樹脂を用いて形成する際に、非表示領域の下地層を未露光とすると、表示領域内の非表示領域付近（図１７（ａ）中の表示領域内のハッチング部）に表示不良が発生することがある。
【００１０】
これは、非表示領域の未露光部分の下地層は、表示領域の露光された凸部を有する下地層よりも厚くなる。これは、ポジ型レジストを露光・現像することによって、膜減りが起こるからである。従って、同一の粒径のスペーサーを散布すると、表示領域と非表示領域との間で、セルギャップが変化し、特に、表示領域内に、所定のセルギャップよりも大きなセルギャップを有する箇所ができる。このセルギャップのバラツキによって、表示不良が発生する。
【００１１】
特に、本願出願人による特願平９−２０１１７６号に開示されている反射透過両用型液晶表示装置においては、セルギャップのバラツキによる表示品質の低下が反射型液晶表示装置においてよりも大きいことを本願発明者は見出した。反射透過両用型液晶表示装置の表示品質を向上させるためには、反射領域および透過領域における光路長をできるだけ一致させることが好ましい。すなわち、反射領域の液晶層の厚さを透過領域の液晶層の厚さの２分の１に設定することが好ましい。例えば、セルギャップが最適値からＸμｍずれると、透過領域の光路長が最適値からＸμｍずれるのに対し、反射領域の光路長は最適値から２Ｘμｍずれることになり、セルギャップのずれが表示に与える影響の程度が、透過領域と反射領域とで異なることに起因する。
【００１２】
セルギャップのバラツキは、ＴＮ（ツイステッドネマティック）モード、平行配向モード、垂直配向モード等のいずれの液晶表示モードにおいても表示品質の低下をもたらす。特に、表示モードとしてノーマリホワイトモードを採用した場合には、セルギャップの変化によるコントラスト比の低下が大きい。ノーマリホワイトモードにおいては、所定の電圧を印加した状態で黒表示を行うので、セルギャップがバラツクと黒表示のために印加すべき電圧値が場所によって異なることになり、黒表示の品質が低下する。コントラスト比には、白表示状態よりも黒表示状態の品質が大きく影響するので、ノーマリホワイトモードにおいてコントラスト比の低下が大きくなる。
【００１３】
本発明は、上記の課題を解決するためになされたものであり、セルギャップのバラツキによる表示不良の無い、表示品質の高い反射型または反射透過両用型液晶表示装置を提供することを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
本発明の液晶表示装置は、第１及び第２基板と、該第１基板と該第２基板との間に挟持された液晶層とを有し、該液晶層に電圧を印加する一対の電極によって規定される複数の絵素領域を有する表示領域と、該表示領域の周辺の非表示領域とを有する液晶表示装置であって、該絵素領域は、透過領域と反射領域とを有し、該第１基板は、該表示領域内に、該複数の絵素領域毎に設けられた反射領域を有し、該反射領域は、光感光性樹脂によって形成された凹凸形状の表面を有する絶縁層と、該絶縁層上に形成された表面が凹凸形状の反射層とを有し、且つ、該第１基板は、該非表示領域内にも光感光性樹脂によって形成された絶縁層を有し、該非表示領域内の絶縁層は、凹凸形状の表面を有しており、そのことによって上記目的が達成される。
【００１５】
前記非表示領域内の絶縁層は、前記表示領域内の絶縁層と同じ凹凸形状の表面を有することが好ましい。
【００２３】
以下、本発明の作用について説明する。
【００２４】
液晶表示装置において、表示領域内に凹凸表面を有する絶縁層が存在する場合、非表示領域の絶縁層表面における基板表面からの高さが、表示領域内の表示領域内の凹凸形状の反射層表面における基板表面からの高さと著しく異なる場合、表示領域と非表示領域とで、スペーサーを支持する表面とスペーサーとの相互作用の差が大きくなり、パネル全体にわたって均一なセル厚が得られない。そこで、本発明にあっては、非表示領域内の絶縁層表面における基板表面からの高さの最頻値（最も占める面積が広い基板表面からの高さ）ｈｍｏｄｅと、表示領域内の凹凸形状の反射層表面における基板表面からの最高高さＨｍａｘおよび最低低さＨｍｉｎとが、
Ｈｍｉｎ−０．５≦ｈｍｏｄｅ≦Ｈｍａｘ＋０．５  （単位：μｍ）
の関係を満たすように、非表示領域の絶縁層を形成することにより、セル厚むらに起因する表示むらを許容範囲内にすることが可能である。ここで、Ｈｍｉｎに対して−０．５μｍ、Ｈｍａｘに対して＋０．５μｍの範囲を設定しているのは、セル厚のバラツキが±０．５μｍを超えると、透過率やコントラスト等が所望のスペックから外れるためである。例えば透過率は−０．５μｍで１割以上変化し、コントラストは＋０．５μｍで半分程度になる。
【００２５】
さらに、非表示領域内の絶縁層表面における基板表面からの高さｈと、表示領域内の凹凸形状の反射層表面における基板表面からの最高高さＨｍａｘおよび最低低さＨｍｉｎとが、
Ｈｍｉｎ−０．５≦ｈ≦Ｈｍａｘ＋０．５  （単位：μｍ）
の関係を満たすように、非表示領域の絶縁層を形成することにより、表示領域と非表示領域とで、スペーサーを支持する表面とスペーサーとの相互作用の差をさらに小さくして、パネル全体にわたって均一なセル厚を実現することが可能となる。
【００２６】
さらに、非表示領域内の絶縁層表面に凹凸形状を設けることにより、スペーサーを支持する表面とスペーサーとの相互作用の差をより一層小さくして、パネル全体にわたって均一なセル厚を実現することが可能となる。
【００２７】
さらに、非表示領域に表示領域とほぼ同じパターンの凹凸形状の表面を有する層間絶縁層を形成することにより、表示領域と非表示領域の表面状態が同様となり、セル内スペーサーへの影響が同じになるので、セルギャップを均一に維持することができる。また、層間絶縁層の製造条件の変動による表面形状の変動も、表示領域と非表示領域とに同様に影響するので、製造条件が変動しても、セルギャップが変動することを抑制・防止することができる。なお、表示領域の反射層の厚みが厚くてセルギャップに影響を与えるような場合には、表示領域において反射層の厚みを加えた表面形状と、非表示領域の表面形状とをほぼ同じのパターンにすればよい。
【００２８】
本発明にあっては、表示領域だけでなく非表示領域にも層間絶縁層を形成し、同一粒径のスペーサーによって、セルギャップを均一に制御することが可能である。さらに具体的には、スペーサー支持表面である層間絶縁層表面の基板表面（ガラス表面または決まった平面）からの高さの分布（基板表面からの厚さの分布）を表示領域と非表示領域とで実質的に同じにすることによって、更にセルギャップの均一性を高めることができる。層間絶縁層表面の基板表面からの厚さの分布の内、最頻値（最も占める面積が広い基板表面からの厚さ）が表示領域と非表示領域とで同じであれば、セルギャップを均一に制御することができる。勿論、厚さの分布全体が同じであれば、さらにセルギャップの均一性が向上する。
【００２９】
セルギャップの均一性を高めることによる表示品質の向上の効果は、反射透過両用型の液晶表示装置において特に顕著である。特に、反射透過両用型液晶表示装置において、層間絶縁層１５の厚さを調整することによって、反射領域の液晶層の厚さを透過領域の液晶層の厚さの２分の１となるように制御することによって、反射領域と透過領域の光路長を一致されることによって、優れた表示品質の液晶表示装置を提供できる。
【００３０】
更に、シール領域には層間絶縁層を形成しない構成とすることにより、シール剤と両基板との接着性が改善されるとともに、シール部の信頼性が向上する。
【００３１】
本願明細書において、以下の用語を用いる。反射透過両用型液晶表示装置において、透過光を用いて表示を行う領域を透過領域、反射光を利用して表示を行う領域を反射領域とそれぞれ呼ぶ。透過領域および反射領域は、それぞれ、基板上に形成された透過電極領域および反射電極領域と、一対の基板に挟持された液晶層とを含む。基板上の透過電極領域および反射電極領域が、透過領域および反射領域をそれぞれ規定する。透過電極領域は、典型的には透明電極によって規定される。反射電極領域は、反射電極または、透明電極と反射層との組み合わせによっても規定され得る。
【００３２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。まず、本発明が好適に適用される反射透過両用型液晶表示装置およびその製造方法について説明する。
【００３３】
本発明による反射透過両用型液晶表示装置１００の一部を模式的に、図１に示す。図１（ａ）は上面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ’線に沿った断面図である。
【００３４】
液晶表示装置１００は、絵素領域１１０内に、反射領域１１０Ｒと透過領域１１０Ｔとを有する反射透過両用型の液晶表示装置である。反射領域１１０Ｒおよび透過領域１１０Ｔは、アクティブマトリクス基板２０上の反射電極領域１９と透過電極領域１８とによってそれぞれが規定される。この例では、反射電極領域１９は反射電極、透過電極領域１８は透明電極でそれぞれ形成されている。反射電極１９と透明電極１８は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）２１に接続されており、絵素電極として機能する。
【００３５】
液晶表示装置１００は、マトリクス状に配置された複数の絵素領域１１０からなる表示領域３８と、表示領域３８の周辺の非表示領域３７とを有している。非表示領域３７の外周部には、アクティブマトリクス基板２０と対向基板（カラーフィルタ基板）６０を貼り合わせるとともに、液晶層７０を両基板２０および６０の間に封入するためのシール部５０で規定されるシール領域３５とを有している。なお、表示領域とは画素が存在する領域であり、非表示領域とは表示領域以外の領域である。非表示領域には絶縁層が存在する領域と存在しない領域とがあり、ここでは絶縁層が存在する領域を非表示領域３７として図示している。なお、シール領域は非表示領域に含まれるが、絶縁層を設けても設けなくてもよい。
【００３６】
反射電極１９は、層間絶縁層１５上に形成されている。反射電極１９が形成されている部分の層間絶縁層１５の表面１５ａは凹凸形状を有している。これは、反射電極１９の反射面を凹凸形状とし、干渉色の発生の少ない良好な白色表示が可能な反射特性を実現するためである。また。層間絶縁層１５の厚さを調整することによって、反射領域１１０Ｒの液晶層７０の厚さｄＲを透過領域１１０Ｔの液晶層７０の厚さｄＴの１／２倍となるように制御することができる。この層間絶縁層１５は、表示領域３８内の反射電極領域１１０Ｒ内だけでなく、非表示領域３７内にも形成されている。
【００３７】
一対の基板２０と６０との間隔セルギャップは、セル内スペーサー３４により一定値に保持され、シール内スペーサー３６を添加したシール材料により強固に接着されている。通常シール内スペーサー３６の大きさはシール領域３５にはない対向基板のカラーフィルタ層３３の厚み等を考慮して、セル内スペーサー３４より数μｍ大きいものが選択され、シール領域３５近傍の表示領域３８でガラス基板１１の反りが生じないように最適化される。
【００３８】
本発明によると、セル内スペーサー３４によって規定されるセルギャップに影響を与える、スペーサー支持面である表示領域３８内の反射電極１９表面の基板表面からの高さまたは反射電極で覆われていない層間絶縁層１５表面の基板表面からの高さｈｄと、非表示領域３７内の層間絶縁層１５表面の基板表面からの高さｈｐとが実質的に同じであり、セルギャップのバラツキによる表示不良が発生しない。
【００３９】
表示領域３８内の反射電極１９表面の基板表面からの高さまたは反射電極で覆われていない層間絶縁層１５表面の基板表面からの高さｈｄと、非表示領域３７内の層間絶縁層１５の高さｈｐとが実質的に同じとは、同一の粒径のスペーサーによって表示領域３８および非表示領域３７のセルギャップを制御した場合に、表示領域３８と非表示領域３７との境界領域において表示不良を生じるようなセルギャップの変化を生じさせないことをいう。すなわち、表示領域３８内の反射電極１９上または層間絶縁層１５上および非表示領域３７内の層間絶縁層１５上に設けられた同一粒径のスペーサー３４によって一対の基板２０および６０の間隔が均一に制御される状態を実現するために必要な層間絶縁層１５表面の基板表面からの高さ（高さの範囲および／または高さの分布）の条件をいう。この条件および条件を具体的に実現する方法については、下記の実施形態１から３において説明する。
【００４０】
以下では、本発明の効果が特に顕著に得られる実施形態である反射透過両用型液晶表示装置の基本構成とその製造方法について説明する。
【００４１】
図２は、反射透過両用型液晶表示装置に用いられるアクティブマトリクス基板２０を示した平面図であり、図３（ａ）、図３（ｂ）、図４（ａ）、図４（ｂ）、図５（ａ）、図５（ｂ）は、アクティブマトリクス基板２０の製造工程を示す図であり、図２のＢ−Ｂ’線に沿った断面図である。
【００４２】
図２および図５（ｂ）に示すように、この反射透過両用型のアクティブマトリクス基板２０は、絶縁基板であるガラス基板１１の上に、走査線としての複数のゲートバスライン２２および信号線としてのソースバスライン２４が交互に交差して設けられている。各ゲートバスライン２２および各ソースバスライン２４によって囲まれた矩形状の領域内には、光反射効率の高い材料からなる反射電極１９と、それとは別に、光透過効率の高い材料からなる透明電極１８とが配置されており、これら反射電極１９と透明電極１８とで画素電極を形成している。
【００４３】
この各画素電極が配置された領域内の隅部には、ゲートバスライン２２から絵素電極に向かって延設されたゲート電極２３が分岐されており、このゲート電極２３の先端部分にスイッチング素子として薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）２１が形成されている。上記ゲート電極２３はＴＦＴ２１の一部を構成する。
【００４４】
ＴＦＴ２１は、図５（ｂ）に示すように、ガラス基板１１の上に形成された上記ゲート電極２３の上方に配設されている。ゲート電極２３は、ゲート絶縁膜１１ａによって覆われており、ゲート絶縁膜１１ａの上には、ゲート電極２３の上方を覆うように半導体層２７が積層されている。この半導体層２７上の両端部を覆って一対のコンタクト層２８、２８が形成されている。
【００４５】
ソースバスライン２４はソース電極２５に電気的に接続されており、コンタクト層２８上に形成されたソース電極２５の先端部がゲート電極２３の上に絶縁状態で重畳されて、各ＴＦＴ２１の一部を構成する。ゲート電極２３の上には、ソース電極２５とは間隔を空け、かつ、ゲート電極２３とは絶縁状態で重畳してＴＦＴ２１のドレイン電極２６がコンタクト層２８上に設けられている。このドレイン電極２６は下地電極３１ａを介して画素電極に電気的に接続されている。
【００４６】
このとき、下地電極３１ａと次段のゲートバスライン２２とが、ゲート絶縁膜１１ａを介して重なるような構造とすることにより補助容量を形成している。また、この下地電極３１ａを後述する凹凸部が存在するほぼ全領域に形成することにより、プロセスの影響を均一にすることが可能となる。
【００４７】
一方、上述した光反射効率の高い材料からなる反射電極１９の下には、ガラス基板１１の上にランダムに形成した高さの高い凸部１４ａおよび高さの低い凸部１４ｂと、これら凸部１４ａおよび１４ｂの上に形成された層間絶縁層としての高分子樹脂膜１５とが存在する。
【００４８】
この高分子樹脂膜１５の上表面は、感光性高分子をフォトリソグラフィ技術を用いてパターニングし、熱処理によって角を丸くした凸部１４ａおよび１４ｂの存在により、連続する波状となっている。高分子樹脂膜１５は、反射電極１９の下方だけでなくガラス基板１１のほぼ全域にわたって形成されており、材料として、本実施の形態では、例えば、東京応化社製のＯＦＰＲ−８００を使用している。
【００４９】
上述した凸部１４ａおよび１４ｂの上に存在し、上表面が連続する波状となっている高分子樹脂膜１５部分の上には、上述した反射電極１９が形成されており、この反射電極１９は、光反射効率の高い、例えばＡｌにより形成されている。なお、反射電極１９はコンタクトホール２９を介してドレイン電極２６と電気的に接続されている。
【００５０】
また、本発明の反射透過両用型の液晶表示装置においては、反射電極１９とは別に透明電極１８が形成されており、この透明電極１８は光透過効率の高い材料、例えばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）などにより形成されている。
【００５１】
次に、この反射透過両用型のアクティブマトリクス基板２０の反射電極１９および透明電極１８の形成方法を図３（ａ）および（ｂ）、図４（ａ）および（ｂ）、図５（ａ）および（ｂ）を参照しながら説明する。
【００５２】
まず、図３（ａ）に示すように、ガラス基板１１上には、Ｃｒ、Ｔａなどからなる複数のゲートバスライン２２（図２参照）と、このゲートバスライン２２から分岐したゲート電極２３とが形成されている。
【００５３】
これらゲートバスライン２２およびゲート電極２３を覆って、ガラス基板１１上の全面に、ＳｉＮｘ、ＳｉＯｘなどからなるゲート絶縁膜１１ａが形成されており、ゲート電極２３の上方のゲート絶縁膜１１ａ上には、非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）や多結晶シリコン、ＣｄＳｅなどからなる半導体層２７が形成されている。この半導体層２７の両端部には、非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）などからなるコンタクト層２８、２８が形成されている。
【００５４】
このコンタクト層２８、２８のうちの一方側上には、Ｔｉ、Ｍｏ、Ａｌなどからなるソース電極２５が重畳形成されており、また他方側上には、ソース電極２５と同様に、Ｔｉ、Ｍｏ、Ａｌなどからなるドレイン電極２６が重畳形成されている。
【００５５】
なお、本実施の形態では、ガラス基板１１としては、例えばコーニング社製の商品名が７０５９である厚さ１．１ｍｍのものを用いた。
【００５６】
次に、図３（ｂ）に示すように、ソースバスライン２４を構成する金属層３１をスパッタ法によって形成し、この金属層３１をパターニングして、ソースバスライン２４と同時に下地電極３１ａを形成した。
【００５７】
続いて、図４（ａ）に示すように、ソースバスライン２４を構成するＩＴＯ層３０をスパッタ法によって成膜し、パターニングした。
【００５８】
本実施形態においては、ソースバスライン２４を構成する層を金属層３１とＩＴＯ層３０との２層構造とした。この構造には、仮にソースバスライン２４を構成する金属層３１の一部に膜の欠陥があったとしても、ＩＴＯ層３０によって電気的に接続されるためソースバスライン２４の断線を少なくすることができるという利点がある。
【００５９】
上記のＩＴＯ層３０をパターニングしてソースバスライン２４の上層を形成すると同時に、画素電極を構成する透明電極１８を形成した。このようにすることで、透明電極１８をソースバスライン２４の形成時に同時に作り込むことができ、層数増加を招くことがなくなる。
【００６０】
次に、図４（ｂ）に示すように、光感光性樹脂のレジスト膜１２からなる角落としされた断面が略円形状の凸部１４ａおよび１４ｂを反射電極１９がパターニングされる領域の下に形成する。このとき、透明電極１８上には、液晶層に効率良く電圧を印加するために凸部１４ａおよび１４ｂを形成しない方が好ましいが、たとえ、透明電極１８上に凸部を形成したとしても光学的には大きな影響を与えることはない。
【００６１】
ここで、この反射電極領域に形成された凸部１４ａおよび１４ｂの形成プロセスについて、図６（ａ）〜図６（ｄ）を参照しながら説明する。
【００６２】
まず、図６（ａ）に示すように、ガラス基板１１（実際は、図４（ｂ）に示すように、ガラス基板１１上には、金属層３１と下地電極３１ａとが既に形成されている。）の上に、光感光性樹脂からなるレジスト膜１２をスピンコート方式により形成する。なお、レジスト膜１２としては、後述する高分子樹脂膜１５と同一の材料であるＯＦＰＲ−８００の光感光性樹脂を、好ましくは５００ｒｐｍから３０００ｒｐｍ、本実施形態では１５００ｒｐｍで３０秒スピンコートし、レジスト膜１２の厚さを２．５μｍとした。
【００６３】
次に、このレジスト膜１２が形成されたガラス基板１１を、例えば９０℃で３０分間プリベークする。
【００６４】
続いて、図７に示すような、例えば板体１３ｃに２種類の円形のパターン孔１３ａ、１３ｂが形成されているフォトマスク１３を使用し、このフォトマスク１３を、図６（ｂ）に示すようにレジスト膜１２の上方に配置して、このフォトマスク１３の上方から図の矢印で示すように露光する。
【００６５】
なお、本実施形態におけるフォトマスク１３は、直径５μｍの円形をしたパターン孔１３ａと、直径３μｍの円形をしたパターン孔１３ｂとがランダムに配置されており、相互に近接するパターン孔の間隔は、少なくとも２μｍ以上離隔されている。ただし、あまり離隔し過ぎると、高分子樹脂膜１５の上表面が連続する波状となり難い。
【００６６】
次に、例えば東京応化製のＮＭＤ−３からなる濃度２．３８％の現像液を使用して現像を行なう。これにより、図６（ｃ）に示すように、ガラス基板１１の一方の反射電極領域に、高さの異なる微細な凸部１４ａ´、１４ｂ´が多数個形成される。これら凸部１４ａ´、１４ｂ´は上縁が角張っている。本実施形態では、直径５μｍのパターン孔１３ａによって高さ２．４８μｍの凸部１４ａが形成され、直径３μｍのパターン孔１３ｂによって高さ１．６４μｍの凸部１４ｂが形成された。
【００６７】
これらの凸部１４ａ´、１４ｂ´の高さは、パターン孔１３ａ、１３ｂの大きさ、露光時間、現像時間によって変化させることが可能であり、パターン孔１３ａ、１３ｂの大きさとしても、上述のサイズに限定されるものではない。また、パターン孔の直径は、１種類でもよい。
【００６８】
次に、図６（ｄ）に示すように、凸部１４ａ´、１４ｂ´を形成したガラス基板１１を２００℃で１時間加熱して熱処理を行なう。これによって、図６（ｃ）に示したように上端部に角部を有する現像されたままの凸部１４ａ´、１４ｂ´を軟化（熱だれ）させて、前記角部が丸くなった、つまり角落としされた断面略円形状の凸部１４ａ、１４ｂを形成する。
【００６９】
上述したような工程により図４（ｂ）に示した凸部１４ａ、１４ｂは形成される。
【００７０】
次に、図５（ａ）に示すように、高分子樹脂をガラス基板１１上にスピンコートしてパターンニングし、高分子樹脂膜１５を形成した。高分子樹脂膜としては、上述したＯＦＰＲ−８００を使用し、好ましくは１０００ｒｐｍ〜３０００ｒｐｍでスピンコートする。本実施形態では、２０００ｒｐｍでスピンコートした。
【００７１】
これにより、凸部１４ａ、１４ｂが形成されていないガラス基板１１の上の部分が平坦であっても、上表面が連続する波状をした高分子樹脂膜１５が形成されることになる。
【００７２】
次に、図５（ｂ）に示すように、上述した高分子樹脂膜１５の上の所定箇所にＡｌからなる反射電極１９を、例えばスパッタリング法を用いて形成した。反射電極１９に使用するのに適した材料としては、ＡｌやＡｌ合金の他に、例えば光反射効率の高いＴａ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ａｇなどを挙げることができ、反射電極１９の厚さとしては、０．０１〜１．０μｍ程度が適している。
【００７３】
このようにして作製された本実施形態におけるアクティブマトリクス基板２０の裏面に、図示しない偏光板を貼り合わせ、さらにバックライトを偏光板の外側に配設する。
【００７４】
ここで、透明電極１８上の高分子樹脂膜１５を除去した状態でＡｌ膜を形成してしまうと電食が発生してしまうが、これは、透明電極１８上の高分子樹脂膜１５を残しておくことにより防止することが可能である。
【００７５】
透明電極１８上の高分子樹脂膜１５をアッシング処理により除去するのと同時に、アクティブマトリクス基板２０の周辺端部に形成されたドライバーを接続するための端子電極上の高分子樹脂膜１５も併せて除去しておくことにより、プロセスの効率化を図ることができ、液晶層に効率良く電圧を印加することが可能となる。
【００７６】
なお、高分子樹脂膜１５を使用しない凹凸部の形成プロセスでは、ＩＴＯからなる透明電極１８とＡｌからなる反射電極１９との間に、Ｍｏなどの層を形成する工程を経ることにより、電食を防止することが可能となる。
【００７７】
このようにして形成された光反射効率の高い材料からなる反射電極１９は、上述したように高分子樹脂膜１５がその上を連続する波状となして形成されているので、同様に上表面が連続する波状となる。
【００７８】
なお、表示領域の凸部または凹部の個数を最適化することで明るいペーパーホワイト表示が可能となり、表示領域の凹凸が少なすぎると平坦部の正反射が多くなってペーパーホワイト可能な散乱特性が実現できない。また、多すぎると凹凸のランダム配置が困難となって反射光の干渉が発生する。現在の生産条件において、反射型液晶表示装置では１５０００個／ｍｍ2の密度、透過反射両用型液晶表示装置では５３００個／ｍｍ2の密度で、凸部が形成される。また、非表示領域については、凸部または凹部の密度が小さくなると、凸部形成の場合には露光する面積が増加して最低膜厚の方に層間絶縁膜の膜厚の存在頻度がシフトし、凹部形成の場合には露光する面積が減少して最高膜厚の方に層間絶縁膜の膜厚の存在頻度がシフトする。よって、非表示領域の凹凸の個数を表示領域と近似させることで、表示領域と非表示領域とにおいて、スペーサーを支持する表面とスペーサーとの相互作用の差をさらに小さくすることができるので好ましい。
【００７９】
本実施形態においては、透明電極１８をソースバスライン２４の形成と同時に形成しているが、ソースバスライン２４が金属層３１とＩＴＯ層３０との２層構造ではなく、金属層３１の単層である場合には、透明電極１８の形成とソースバスライン２４の形成とは、別々であってもよい。
【００８０】
上述の方法で形成されたアクティブマトリクス基板２０と、別途公知の方法で製造された対向基板６０とを貼り合わせて、液晶表示装置１００を製造する。対向基板６０は、ガラス基板１１上の表示領域のほぼ全面に対向電極（不図示）を有し、絵素領域の間隙および非表示領域を遮光するためのブラックマトリクス３２を有している。また、必要に応じてカラーフィルタ層３３を形成してもよい。なお、対向電極（不図示）は、カラーフィルタ層３３の液晶層７０側に形成しても、基板１１側に形成してもよい。また、両基板２０および６０の液晶層７０側表面には、必要に応じて、配向膜（不図示）を形成し、配向処理が施される。
【００８１】
両基板２０と６０とのセルギャップは、少なくとも一方の基板（２０または６０）上に散布されるセル内スペーサー３４により一定値に保持され、シール内スペーサー３６を添加したシール剤により強固に接着されている。なお、シール剤によって形成されるシール部５０は、液晶材料を注入するための開口部、いわゆる注入口（不図示）を少なくとも１つ有している。注入口は液晶材料を注入した後、硬化性樹脂を用いて封口される。
【００８２】
通常、シール内スペーサー３６の大きさは、シール領域３５に存在しない対向基板６０のカラーフィルタ層３３の厚み等を考慮して、セル内スペーサー３４より数μｍ大きいものが選択され、シール領域３５近傍の表示領域３８でガラス基板１１の反りが生じないように最適化される。この最適化によってガラス基板のそりを効果的に防止するためには、非表示領域３７（シール領域３５を含む）における層間絶縁層１５表面の基板表面からの厚さｈｐと、表示領域３８におけるスペーサー支持面である反射電極１９表面の基板表面からの高さまたは反射電極で覆われていない層間絶縁層１５表面の基板表面からの高さｈｄが一定の関係を有している必要がある。
【００８３】
このセル内スペーサー３４として、本実施の形態では、例えば、球状スペーサーである積水ファインケミカル社のミクロパールシリーズを使用し、シール内スペーサー３６としては、例えば、円柱状スペーサーである日本電気硝子社製のガラスファイバーを使用した。
【００８４】
具体的なプロセスとしては、アクティブマトリクス基板２０と対向基板６０とに約１００ｎｍの厚さで配向膜（不図示）を塗布してラビング処理を行い、少なくとも一方の基板上にセル内スペーサー３４を１００（個／ｍｍ2）程度、均一に散布し、少なくとも一方の基板上に、シール内スペーサー３４を重量比１〜１０％程度添加した熱硬化型エポキシ系シール樹脂材料をディスペンサ塗布法またはスクリーン印刷法により塗布して両基板２０と６０とを貼り合わせた後、貼り合わせた一対の基板２０と６０をプレス機による高圧力下で加熱硬化した。その後、分断線４１（図１０）にそって分断を行い、真空注入法にて液晶材料を注入、封口して液晶表示セルを得た。
【００８５】
以下の実施形態１から３において、均一なセルギャップを得るための層間絶縁層の構成およびその製造方法を具体的に説明する。
【００８６】
（実施形態１）
図８Ａおよび図８Ｂを参照しながら、実施形態１による反射透過両用型液晶表示装置２００を説明する。図８Ａは、液晶表示装置２００のアクティブマトリクス基板８０の絵素領域部の上面図を示し、図８Ｂは、液晶表示装置２００の部分断面図を示す。なお、以下の図面において、先に説明した構成要素と実質的に同一の構造および機能を有する構成要素には同一の参照符号を付し、詳細な説明を省略する。本実施形態１の液晶表示装置２００においては、ＴＦＴ２１やゲートバスライン２２およびソースバスライン２４上の層間絶縁層８５の表面も凹凸形状としている。
【００８７】
ＴＦＴ２１やゲートバスライン２２およびソースバスライン２４上の層間絶縁層８５は、下地の段差の影響を受けるので、他の領域の層間絶縁層８５よりも基板表面からの高さが高くなる。従って、ＴＦＴ２１やゲートバスライン２２およびソースバスライン２４上の層間絶縁層８５の表面も凹凸形状にすることにより、他の領域の層間絶縁層８５の表面とほぼ同じ高さにすることができ、均一なセルギャップを得ることができる。さらに、ＴＦＴ２１やゲートバスライン２２およびソースバスライン２４上に、凹凸形状の表面を有する反射電極領域を形成することができるので、さまざまな入射角度の周囲光を表示光として更に有効に利用することができる。
【００８８】
なお、図８Ａに示していないが、ブラックマトリクス３２で遮光された、アクティブマトリクス基板８０の非表示領域３７には、表示領域３８の絵素領域と実質的に同じ構成を有し、表示に寄与しないダミー絵素（不図示）などを形成してもよい。また、ダミー絵素が形成されていない場合でも、例えば、バスライン（ゲート配線、ソース配線）と層間絶縁層が形成されている場合、もしくは画像表示に寄与しないアクティブ素子と層間絶縁層が形成されている場合、層間絶縁層のみが形成されている場合がある。
【００８９】
本実施形態ではいずれの場合においても、表示領域３８と同じ遮光パターンを有するフォトマスクを使用し、図６を参照しながら先に説明したように凸部を形成し、表面に凹凸形状を有する層間絶縁層８５を非表示領域３７にも形成している。非表示領域３７の層間絶縁層８５の下にある配線等の影響は、必ずしも表示領域３８と同じではない。この層間絶縁層８５について、基板表面からの高さの分布（膜厚の分布）を断面ＳＥＭ観察法または干渉顕微鏡で測定した。その結果を、図９に示すように、横軸に基板表面からの膜厚（基板表面からの反射電極表面の高さ）をおよそ０．２μｍ刻みで表し、縦軸に存在度数を表すヒストグラムを作成した。この図９から分かるように、基板表面からの膜厚分布は、表示領域３８と非表示領域３７とで多少異なる。しかしながら、非表示領域３７の層間絶縁層８５の表面に凹凸形状を形成し、表示領域３８の層間絶縁層８５の表面形状と同じにすることで、液晶表示装置２００のパネル全面に同一のセル内スペーサー３４を散布しても、均一なセルギャップを得ることができる。なお、ここでは、反射電極１９の厚みを０．３μｍにしているので、表示領域と非表示領域とでほぼ同じパターンで層間絶縁層８５を形成したが、反射電極１９の厚みが影響を与える場合には、表示領域３８の表面形状に反射電極１９の厚みを含み、非表示領域の表面形状を反射電極表面の形状と同様にする。
【００９０】
本実施形態では、基板表面（ガラス表面）からの凹凸形状部の平均厚さ（凹部の底点での厚さと凸部の頂点での厚さの平均値）は約２μｍ、セル内スペーサーの直径は約３μｍ、シール内スペーサーの直径は約５．２μｍとした。
【００９１】
更に、本実施形態には以下の利点もある。
【００９２】
層間絶縁層８５の凹凸形状および膜厚は、感光性樹脂を用いて凸部（図６の１４ａおよび１４ｂ）を形成する際の条件、樹脂の塗布条件や露光条件、とりわけ熱処理条件（熱だれ条件）に大きく依存し、生産ロット間で数％程度の凹凸形状、膜厚のばらつきが発生する。表示領域３８の凹凸形状や膜厚と非表示領域３７のシール領域３５の凹凸形状が同様にばらつくため、セル内スペーサー３４の大きさに対するシール内スペーサー３６の最適大きさの関係は、製造条件が多少変化しても、一定に保たれるので、セル内スペーサー３４とシール内スペーサー３６の大きさの最適値からのずれによるセルギャップ不良の発生を防止できる。
【００９３】
また、図１０に示すように、マザーガラス基板１１１から多面取り法を用いて液晶表示装置の液晶パネル２１０を製造する場合には、液晶パネル２１０のシール領域３５のみならず、補強等のためにダミーシール領域４０を設ける場合がある。この場合には、ダミーシール領域４０にも層間絶縁層を形成し、その表面に液晶表示装置の層間絶縁層と同様に凹凸形状を形成する。これにより、セルのシール領域３５とダミーシール領域４０で同じ大きさのシール内スペーサー３６を使用しても、液晶パネルのシール領域３５とダミーシール領域４０におけるセルギャップの違いによるマザーガラス基板１１１の反りの発生を抑制・防止することができる。したがって、得られる液晶表示装置のセルギャップの均一性を一層高めることができる。
【００９４】
更に、非表示領域３７に存在する層間絶縁層に凹凸を形成することを特徴とすることとした場合は、セル内スペーサー３４が凹凸の凹部に落ち込む場合がある。このような状況下では、スペーサーの粒径よりも小さいセルギャップを均一に実現できる。一般にスペーサーの粒径を小さくするに伴って製造歩留が大きく減少するので、スペーサーの価格が上昇する。本発明によれば、例えば直径３μｍのプラスチックスペーサーの使用によって２μｍの均一なセルギャップを得ることが可能となる。なお、図面においては、見やすさのために、凹凸部の間隔をスペーサーの直径よりも小さく示しているが、例えば図１５（ａ）に示すように、スペーサーの直径と同等の凹部が存在する場合もあり、または図１５（ｂ）に示すように、スペーサーの直径よりも大きな凹部が存在する場合もある。
【００９５】
なお、本実施形態では、非表示領域３７の層間絶縁層８５の表面に表示領域３８と同様の凹凸形状を設けたが、例えば図１６（ａ）に示すように、非表示領域の層間絶縁層に段差を設けてもよい。この場合、非表示領域の層間絶縁層表面における基板表面からの高さの最頻値（最も占める面積が広い基板表面からの高さ）ｈｍｏｄｅと、表示領域内の凹凸形状の反射層表面における基板表面からの最高高さＨｍａｘ（例えば３μｍ）および最低低さＨｍｉｎ（例えば２μｍ）とが、
Ｈｍｉｎ−０．５≦ｈｍｏｄｅ≦Ｈｍａｘ＋０．５  （単位：μｍ）
の関係を満たすように、非表示領域の絶縁層を形成することにより、セル厚むらに起因する表示むらを許容範囲内にすることが可能である。
【００９６】
さらに、図１６（ｂ−１）および（ｂ−２）に示すように、非表示領域内の絶縁層表面における基板表面からの高さｈと、表示領域内の凹凸形状の反射層表面における基板表面からの最高高さＨｍａｘおよび最低低さＨｍｉｎとが、
Ｈｍｉｎ−０．５≦ｈ≦Ｈｍａｘ＋０．５  （単位：μｍ）
の関係を満たすように、非表示領域の絶縁層を形成することにより、表示領域と非表示領域とで、スペーサーを支持する表面とスペーサーとの相互作用の差を図１６（ａ）の場合よりもさらに小さくして、パネル全体にわたって均一なセル厚を実現することが可能となる。この場合、非表示領域内の絶縁層の表面は、凹凸形状であっても平坦であってもよい。。
【００９７】
さらに、図１６（ｃ）に示すように、表示領域内の絶縁層と異なる形状であっても、非表示領域内の絶縁層表面に凹凸形状を設けることにより、スペーサーを支持する表面とスペーサーとの相互作用の差を図１６（ａ）、（ｂ−１）および（ｂ−２）の場合よりもより一層小さくして、パネル全体にわたって均一なセル厚を実現することが可能となる。
【００９８】
（実施形態２）
図１１Ａおよび１１Ｂを参照しながら、実施形態２による反射透過両用型液晶表示装置３００を説明する。図１１Ａは、液晶表示装置３００のアクティブマトリクス基板９０の絵素領域部の上面図を示し、図１１Ｂは、液晶表示装置３００の部分断面図を示す。
【００９９】
実施形態２では、実施形態１と異なり、表示領域３８のＴＦＴ２１、ソースバスライン２４およびゲートバスライン２２上には凸部（図６参照）を形成せず、ＴＦＴ２１、ソースバスライン２４およびゲートバスライン２２上の層間絶縁層９５上の表面には凹凸形状が形成されず平坦な表面を有しているとともに、非表示領域３７の層間絶縁層９５の表面も凹凸形状のない平坦な表面となっている。すなわち、反射領域に形成された層間絶縁層９５が凹凸形状の表面を有している。
【０１００】
このアクティブマトリクス基板９０の層間絶縁層９５の膜厚を実施形態１と同様にして測定した結果を図１２に示す。図１２のヒストグラムから分かるように、表示領域３８と非表示領域３７では表面の凹凸状態が異なっているが、最も分布の高い領域（Ｍ）は、いずれの領域においても平坦な部分である点が一致している。なお、図１１Ａでは、バスライン上等の反射領域以外の部分は一定の厚さの膜厚を有する平坦部になっており、かなりの割合を占める最も分布が高い領域になっている。そして、図１１Ｂに示すように、表示領域の平坦部は未露光部であるので、凹凸部に比べて膜厚が厚くなる。
【０１０１】
このため、表示領域３８のセルギャップは、絵素領域内の層間絶縁層９５の平坦部（例えば、上述のように、ＴＦＴ２１、ソースバスライン２４、ゲートバスライン２２上に形成される）上のスペーサー３４によって制御され、非表示領域３７のセルギャップも、層間絶縁層９５の平坦表面上のスペーサー３４によって制御されることとなり、バラツキの無い均一なセルギャップが得られる。
【０１０２】
本実施形態では、層間絶縁層の基板表面（ガラス表面）からの厚さは約４μｍ、基板表面からの凹凸形状部の平均厚さは約２μｍ、セル内スペーサーの直径は約５．２μｍ、シール内スペーサーの直径は約５．２μｍとした。
【０１０３】
なお、図１１Ｂに示した例では、凹凸形状の表面を有する層間絶縁層９５の厚さが熱だれによって、平坦な表面を有する層間絶縁層９５の厚さよりも小さくなっているが、製造条件を調整することによって、図１のように平坦部と凹凸部の基板表面からの厚さ、またはその上の反射電極表面の基板表面からの高さを同じにすることができる。凹凸形状の表面を有する層間絶縁層９５の下地となるレジスト（ポジ型）層１２（図６参照）を露光する際に、従来露光されなかった平坦部の下地層を適当量露光することによって下地層の膜厚を減らし、その上に形成される層間絶縁層９５の平坦部の基板表面からの厚さを凹凸形状部の基板表面からの厚さ、またはその上の反射電極表面の基板表面からの高さと同じにすることもできる。また、ネガ型レジストを用いた場合にも、露光量を適宜調節することによって下地層の厚さを調整し、層間絶縁層９５の平坦部の基板表面からの厚さを凹凸形状部またはその上の反射電極表面の基板表面からの厚さと同じにすることもできる。このように、膜厚を調整することによって、表示領域３８と非表示領域３７とで、スペーサーを支持する表面の基板表面からの厚さの分布を更に近づけることができるので、更に均一なセルギャップを得ることができる。
【０１０４】
なお、この実施形態においては、表示領域３８の平坦部と非表示領域３７の平坦部とにおいて層間絶縁層９５の厚みを同じにしたが、この場合にも、例えば±０．５μｍ等の厚みの範囲を持たせても良い。
【０１０５】
（実施形態３）
図１３を参照しながら、実施形態３による反射透過両用型液晶表示装置４００を説明する。図１３は、液晶表示装置４００の部分断面図を示す。液晶表示装置４００は、シール部５５で規定されるアクティブマトリクス基板９８のシール領域３５に層間絶縁層９５を形成していない点において、実施形態１および実施例２と異なる。この液晶表示装置４００の液晶パネルを図１０に示した多面取り法を用いて作製する場合、ダミーシール領域４０には、シール領域３５と同様に、層間絶縁層９５を設けない。
【０１０６】
なお、シール領域３５以外の層間絶縁層９５の構成は、実施形態１の様に全面に凹凸形状を形成してもよいし、実施形態２の様に、表示領域３８の一部と非表示領域に平坦な表面を形成してもよい。また、図１３に示したように、表示領域３８に一部に平坦部を形成し、非表示領域３７を含む他の領域の表面に凹凸形状を形成してもよい。
【０１０７】
本実施形態では、基板表面からの層間絶縁層の平坦部の厚さは約２μｍ、基板表面からの凹凸形状部の平均厚さは約１．５μｍ、セル内スペーサーの直径は約３μｍ、シール内スペーサーの直径は約７．０μｍとした。
【０１０８】
シール領域３５に層間絶縁層９５を形成しない場合、シール内スペーサー３６の大きさは、実施形態１および２の場合より、層間絶縁層の厚さ分だけ大きいものを使用することになる。これにより、シール剤を基板に塗布又は印刷した状態から、貼り合わせ、加熱プレスした時の圧縮によるシール剤の膜厚の変化を比較的小さくすることが可能になる。その結果、加熱プレス時に、例えば、シール剤の成分である粘度の低いエポキシ樹脂部分がフィラー部分と分離して変質する問題や、図１４に示す、分離したエポキシ樹脂部分３９等が注入口から表示領域３８に流れこんで引き起こす表示不良を防止することができる。また、シール剤と両基板６０および９８との接着性が改善される。さらに、注入口の高さを大きくできるので、液晶材料の注入時間を大幅に短縮できる。対角３．５インチのパネルについて、実施形態２の構成と比較すると、約４０分の注入時間が約２０分となった。
【０１０９】
以上、反射透過両用型の液晶表示装置において実施形態を示したが、反射型の液晶表示装置においても絵素領域に透明電極１８部分が存在しないことのみが異なり、同様の効果が実現される。
【０１１０】
【発明の効果】
上述したように、本発明によれば、表示領域のセルギャップと非表示領域におけるセルギャップを同等にし、セルギャップのバラツキに起因する表示不良の発生のない、液晶表示装置を提供することができる。本発明は、特に表示品質の優れた反射透過両用型の液晶表示装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による反射透過両用型液晶表示装置の一部を模式的に示す図である。（ａ）は上面図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’線に沿った断面図である。
【図２】反射透過両用型液晶表示装置のアクティブマトリクス基板の上面図である。
【図３】反射透過両用型液晶表示装置のアクティブマトリクス基板の製造方法を示すプロセス断面図である。
【図４】反射透過両用型液晶表示装置のアクティブマトリクス基板の製造方法を示すプロセス断面図である。
【図５】反射透過両用型液晶表示装置のアクティブマトリクス基板の製造方法を示すプロセス断面図である。
【図６】反射領域に形成される凹凸形状の表面を有する層間絶縁層を製造するための下地層の製造方法を説明する断面図である。
【図７】図６に示した製造方法で用いられるフォトマスクの例を示す図である。
【図８Ａ】実施形態１の反射透過両用型液晶表示装置の一部を模式的に示す上面図である。
【図８Ｂ】実施形態１の反射透過両用型液晶表示装置の一部を模式的に示す断面図である。
【図９】実施形態１の反射透過両用型液晶表示装置の基板表面からの膜厚分布を示すヒストグラムである。
【図１０】実施形態１における反射透過両用型の液晶表示装置の製造過程において多面取りを行う際のマザーガラスの平面図である。
【図１１Ａ】実施形態２の反射透過両用型液晶表示装置の一部を模式的に示す上面図である。
【図１１Ｂ】実施形態２の反射透過両用型液晶表示装置の一部を模式的に示す断面図である。
【図１２】実施形態２の反射透過両用型液晶表示装置の層間絶縁層の膜厚分布を示すヒストグラムである。
【図１３】実施形態３の反射透過両用型液晶表示装置の一部を模式的に示す断面図である。
【図１４】シール材料が成分分離して引き起こす表示不良の様子をあらわす平面図である。
【図１５】スペーサーの直径と凹部の大きさについて、他の例を示す断面図である。
【図１６】非表示領域と表示領域の断面形状について、他の例を示す図である。
【図１７】従来の液晶表示装置におけるセルギャップのバラツキによる表示不良を説明するための図である。（ａ）は上面図、（ｂ）は部分断面図である。
【符号の説明】
１１      ガラス基板
１１ａ    ゲート絶縁膜
１４      凸部
１５      層間絶縁層
１８      透明電極
１９      反射電極
２０      アクティブマトリクス基板
２１      薄膜トランジスタ
２２      ゲートバスライン
２３      ゲート電極
２４      ソースバスライン
２５      ソース電極
２６      ドレイン電極
２７      半導体層
２８      コンタクト層
２９      コンタクトホール
３０      ＩＴＯ層
３１      金属層
３２      ブラックマトリクス
３３      カラーフィルタ層
３４      セル内スペーサー
３５      シール領域
３６      シール内スペーサー
３７      非表示領域
３８      表示領域
３９      シール材料から分離したエポキシ樹脂等
４０      ダミーシール
４１      分断線
【図１】
0003929409.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１Ａ】
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【図１１Ｂ】
0003929409.tif 000014
【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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