(57)【要約】      （修正有）【課題】排気経路にＳｉＯガス等に起因する詰まりが発生せず、また、連続焼成炉の内部にもＳｉＯガスに起因する堆積物が存在しないため、長時間に渡って連続操業が可能で、効率よく、連続的に再結晶ＳｉＣを製造することが可能な連続焼成炉を提供する。【解決手段】ＳｉＣ粒子を含む成形体を２０００〜２３００℃で連続的に焼成処理することにより再結晶ＳｉＣを製造するための連続焼成炉であって、上記連続焼成炉の途中に、炉内に存在するＳｉＯを含むガスを、１５００〜１９００℃の温度を保ちながら排気する排気経路２５が設置されていることを特徴とする連続焼成炉。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＳｉＣ粒子を含む成形体を２０００〜２３００℃で連続的に焼成処理することにより再結晶ＳｉＣを製造するための連続焼成炉であって、
前記連続焼成炉の途中に、炉内に存在するＳｉＯを含むガスを、１５００〜１９００℃の温度を保ちながら排気する排気経路が設置されていることを特徴とする連続焼成炉。
【請求項２】
前記排気経路は、前記連続焼成炉の１５００〜１９００℃の温度領域に設置されている請求項１に記載の連続焼成炉。
【請求項３】
前記排気経路は、該排気経路内を流通するガスを加熱するためのヒータを備えている請求項１又は２に記載の連続焼成炉。
【請求項４】
前記ヒータは、炭素製である請求項１〜３のいずれかに記載の連続焼成炉。
【請求項５】
前記排気経路の末端には、サイクロン型の捕集装置が設置されている請求項１〜４のいずれかに記載の連続焼成炉。
【請求項６】
前記連続焼成炉は、ＳｉＣ粒子を含み、長さ方向に複数の貫通孔が並設された柱状のハニカム成形体を連続的に焼成処理してハニカム焼成体を製造するための焼成炉である請求項１〜５のいずれかに記載の連続焼成炉。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、連続焼成炉に関する。
【背景技術】
【０００２】
バス、トラック等の車両や建設機械等の内燃機関から排出される排ガス中に含有されるスス等のパティキュレート（以下、ＰＭという）やその他の有害成分が環境や人体に害を及ぼすことが最近問題となっている。そこで、排ガス中のＰＭを捕集して排ガスを浄化するハニカムフィルタとして、多孔質ＳｉＣからなるハニカム構造体が種々提案されている。また、排ガス中の有害ガスを浄化するためのハニカム触媒として機能するハニカム構造体も提案されている。
【０００３】
このようなハニカム構造体を製造する際には、まず、ＳｉＣ粒子を有機バインダ等と混練した後、押出成形用の金型等を用いて所定の形状に成形し、ハニカム成形体を作製する。この後、得られたハニカム成形体を焼成炉で２０００〜２３００℃で焼成処理し、再結晶ＳｉＣからなるハニカム焼成体を製造する。
その後、必要により、このハニカム焼成体を、接着材を介して接着したり、ダイヤモンドカッター等を用いて所定の形状に切削加工することにより、ハニカム構造体を製造する。
【０００４】
ハニカム成形体の焼成処理を、連続焼成炉を用いて行うことにより、効率よく再結晶ＳｉＣからなるハニカム焼成体を製造することができる。
連続焼成炉によるハニカム成形体の焼成処理は、アルゴン等の不活性ガス雰囲気中で行われ、室温から次第に温度を上げていき、最高温度２０００〜２３００℃で焼成処理するが、連続焼成炉の温度が１４００℃以上の温度領域になると、炭化ケイ素粒子表面の酸化されたＳｉＯ２や、炭化ケイ素に不純物として含まれるＳｉＯ２に起因すると考えられる一酸化ケイ素ガス（ＳｉＯガス）が発生する。
【０００５】
このＳｉＯガスは、連続焼成炉内の低温の場所に移動するとＳｉＯ２として固化し、焼成炉内のマッフルの内壁等に堆積し、搬送部材上に載置された成形体の移動を妨げるため、搬送部材が搬送停止となったり、上記成形体が搬送部材から転落する等の不都合が発生し、連続操業の妨げとなっていた。
【０００６】
上記した不都合の発生を防止するため、特許文献１には、マッフル内の気体に含まれるＳｉＯを除去する一酸化ケイ素除去手段を排気経路に設けた焼成炉が開示されている。具体的には、マッフルの上面に上下方向に沿って伸びる排気筒が設置され、その内部に一酸化ケイ素を除去する一酸化ケイ素除去材が設けられていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００２−２４９３８５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、特許文献１に開示された焼成炉では、排気筒は、マッフルの最高温度領域には配置されているものの、排気筒の内部は、余り高い温度に維持されていないため、ガスが焼成炉内から排気筒の内部に入ると直ぐに冷却され、多量のＳｉＯ２が排気筒の内部に析出、堆積し、排気筒に短時間で詰まりが発生し、排気筒を設けない焼成炉と同じになってしまうという問題があった。
【０００９】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、排気経路にＳｉＯガス等に起因する詰まりが発生せず、また、連続焼成炉の内部にもＳｉＯガスに起因する堆積物が存在しないため、長時間に渡って連続操業が可能で、効率よく、連続的に再結晶ＳｉＣを製造することが可能な連続焼成炉を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するために、本発明の連続焼成炉は、ＳｉＣ粒子を含む成形体を２０００〜２３００℃で連続的に焼成処理することにより再結晶ＳｉＣを製造するための連続焼成炉であって、上記連続焼成炉の途中に、炉内に存在するＳｉＯを含むガスを、１５００〜１９００℃の温度を保ちながら排気する排気経路が設置されていることを特徴とする。
【００１１】
上記連続焼成炉では、排気経路でＳｉＯを含むガスの排気を行うが、上記排気経路の内部を通過するガスは、ヒータ等により１５００〜１９００℃の温度に保たれているので、排気経路の内部でＳｉＯガスが殆ど固化することはなく、排気経路の内部に詰まりが発生することはない。また、定常的に連続焼成炉の内部のガスが排気経路を経て排出されるので、連続焼成炉の内部は、ガスが排気経路に向かって流れることとなり、ＳｉＯガスは、焼成炉内の低温領域に移動しにくく、連続焼成炉の内部にＳｉＯガスに起因する堆積物が堆積しにくい。その結果、搬送部材が搬送停止となったり、成形体が搬送部材から転落する等の不都合が発生するのを防止することができ、連続的かつ効率的に再結晶ＳｉＣを製造することができる。
【００１２】
本発明の連続焼成炉では、前記排気経路は、上記連続焼成炉の１５００〜１９００℃の温度領域に設置されていることが望ましい。
【００１３】
上記連続焼成炉で、排気経路は、連続焼成炉の１５００〜１９００℃の温度領域に設置されていると、ＳｉＯガスが固体となって析出することはなく、この排気経路を介して連続焼成炉の内部を流通するガスを連続的に排気することにより、ガスは、高い温度領域に向かって流れるので、連続焼成炉の内部にＳｉＯガスに起因する堆積物がより堆積しにくく、搬送部材が搬送停止となったり、成形体が搬送部材から転落する等の不都合が発生するのをより効果的に防止することができる。
【００１４】
本発明の連続焼成炉では、排気経路は、該排気経路内を流通するガスを加熱するためのヒータを備えていることが望ましい。
上記連続焼成炉で、排気経路が、１５００〜１９００℃の温度を保つために、該排気経路内を流通するガスを加熱するためのヒータを備えているので、容易に上記温度範囲に保つことができ、排気経路内にＳｉＯガスに起因する堆積物の堆積を防止することができる。
【００１５】
本発明の連続焼成炉では、上記ヒータは、炭素製であることが望ましい。
上記連続焼成炉で、排気経路に設置されたヒータが炭素製であっても、連続焼成炉の内部は不活性ガス雰囲気であるので、酸化により劣化しにくく、比較的容易に排気経路内を１５００〜１９００℃に維持することができ、排気経路内にＳｉＯガスに起因する堆積物の堆積を防止することができる。
【００１６】
本発明の連続焼成炉では、上記排気経路の末端には、サイクロン型の捕集装置が設置されていることが望ましい。
上記連続焼成炉では、排気経路の末端に、サイクロン型の捕集装置が設置されることにより、ＳｉＯガスに起因する析出物等を、排気経路外で、効率よく回収することができる。
【００１７】
本発明の連続焼成炉では、上記連続焼成炉は、ＳｉＣ粒子を含み、長さ方向に複数の貫通孔が並設された柱状のハニカム成形体を連続的に焼成処理してハニカム焼成体を製造するための焼成炉であることが望ましい。
【００１８】
上記連続焼成炉を、ＳｉＣ粒子を含み、長さ方向に複数の貫通孔が並設された柱状のハニカム成形体を連続的に焼成処理してハニカム焼成体を製造するための焼成炉として用いることにより、長期間に渡り、連続的に操業を行うことが可能となり、連続的かつ効率的にハニカム焼成体を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】図１（ａ）は、本発明の連続焼成炉で焼成の対象となるハニカム成形体を模式的に示す斜視図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）に示すハニカム成形体のＡ−Ａ線断面図である。
【図２】図２は、本発明の連続焼成炉を長手方向に沿って鉛直縦方向に切断した場合を模式的に示す縦断面図である。
【図３】図３は、本発明の連続焼成炉を長手方向に垂直な断面で切断した場合を模式的に示す断面図である。
【図４】図４は、図３に示した連続焼成炉における排気経路の部分を拡大して示した拡大断面図である。
【図５】図５は、本発明の連続焼成炉で製造されるハニカム焼成体を用いたハニカムフィルタを示す斜視図である。
【図６】図６（ａ）は、図５に示したハニカムフィルタを構成するハニカム焼成体の斜視図であり、図６（ｂ）は、図６（ａ）に示したハニカム焼成体のＢ−Ｂ線断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、本発明の連続焼成炉について具体的に説明する。しかしながら、本発明は、以下の記載に限定されるものではなく、本発明の要旨を変更しない範囲において適宜変更して適用することができる。
【００２１】
本発明の連続焼成炉は、ＳｉＣ粒子を含む成形体を２０００〜２３００℃で連続的に焼成処理することにより再結晶ＳｉＣを製造するための連続焼成炉であって、前記連続焼成炉の途中に、炉内に存在するＳｉＯを含むガスを、１５００〜１９００℃の温度を保ちながら排気する排気経路が設置されていることを特徴とする。
【００２２】
まず、最初に、本発明の連続焼成炉で焼成処理を行う対象となるＳｉＣ粒子を含む成形体について説明することにする。
【００２３】
上記ＳｉＣ粒子を含む成形体の作製方法は特に限定されるものではないが、下記する（１）成形体用原料調製工程、（２）成形体作製工程及び（３）脱脂工程を経て得られるものであることが望ましい。以下、上記工程を含むＳｉＣ粒子を含む成形体の作製方法について説明していく。
【００２４】
（１）成形体用原料調製工程
この成形体用原料調製工程では、炭化ケイ素粉末、及び、少なくとも有機バインダを含む有機添加物を含む原料組成物を混合して成形体用原料を調製する。
【００２５】
炭化ケイ素粉末の粒径等は、特に限定されるものではないが、平均粒子径の異なる２種類の炭化ケイ素粉末を用いることが好ましい。
【００２６】
有機添加物としては、有機バインダが挙げられるほか、分散媒液、可塑剤、潤滑剤等が挙げられる。
上記有機バインダとしては、例えば、メチルセルロース、カルボキシメチルセルロース、ヒドロキシエチルセルロース、ポリエチレングリコール、フェノール樹脂、エポキシ樹脂等が挙げられる。これらのなかでは、メチルセルロースが好ましい。
【００２７】
上記分散媒液としては、例えば、メタノール等のアルコール、ベンゼン等の有機溶媒が挙げられるほか、水が挙げられる。上記可塑剤としては特に限定されず、例えば、グリセリン等が挙げられる。
【００２８】
上記潤滑剤としては特に限定されず、例えば、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキシプロピレンアルキルエーテル等のポリオキシアルキレン系化合物等が挙げられる。上記潤滑剤の具体例としては、例えば、ポリオキシエチレンモノブチルエーテル、ポリオキシプロピレンモノブチルエーテル等が挙げられる。
【００２９】
上記成形体用原料を調製する際には、炭化ケイ素粉末、有機バインダ、及び、分散媒液である水を、湿式混合機を用いて混合することにより成形体用原料を調製する。その際、必要により、上記可塑剤や上記潤滑剤等を加えてもよい。
【００３０】
（２）成形体作製工程
この成形体作製工程では、調製した成形体用原料を押出成形することによりＳｉＣ粒子を含む成形体（以下、ハニカム成形体という）を作製する。
この工程では、得られた成形体用原料を押出成形機に投入して、押出成形を行い、角柱形状の連続体を作製した後、所定の長さに切断することにより、長手方向に多数のセルが並設された生のハニカム成形体を作製する。この生のハニカム成形体を乾燥機により乾燥させ、ハニカム成形体の乾燥体とする。
【００３１】
次いで、ハニカム成形体の乾燥体を構成するセルのいずれかの端部に、封止材ペーストを所定量充填し、貫通孔を目封止する。このような工程を経て、セルの一端部が目封止されたハニカム成形体を作製する。
【００３２】
図１（ａ）は、本発明の連続焼成炉で焼成の対象となるハニカム成形体を模式的に示す斜視図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）に示すハニカム成形体のＡ−Ａ線断面図である。
図１（ａ）及び（ｂ）に示すように、作製されたハニカム成形体１００には、一端部が封止材１２０により目封止された多数のセル１１０が長手方向に並設されており、これらのセル１１０の間には壁部１３０が形成されている。
【００３３】
（３）脱脂工程
次に、脱脂工程として、作製されたハニカム成形体を、酸素含有雰囲気中、３００〜６５０℃に加熱することにより、有機物を酸化分解させて完全に除去する。
この脱脂処理では、作製された複数のハニカム成形体を所定形状の成形体載置用冶具に収容し、さらにハニカム成形体が収容された成形体載置用冶具を搬送部材上に載置し、脱脂炉に搬入することにより脱脂処理を行う。
通常は、この脱脂処理が終了したハニカム成形体が載置された上記搬送部材を、そのまま連続焼成炉に搬入することにより、焼成処理を行う。
【００３４】
図２は、本発明の連続焼成炉を長手方向に沿って鉛直縦方向に切断した切断面を模式的に示す縦断面図であり、図３は、本発明の連続焼成炉の焼成エリアを長手方向に垂直な断面で切断した断面を模式的に示す断面図である。また、図４は、図３に示した連続焼成炉における排気経路の部分を拡大して示した拡大断面図である。
【００３５】
図２に示すように、本発明に係る連続焼成炉１０には、入口方向から順次、脱気エリア１１、予熱エリア１２、昇温・焼成エリア１３、徐冷エリア１４、冷却エリア１５、脱気エリア１６が設けられている。
【００３６】
脱気エリア１１は、搬入する脱脂工程が終了したハニカム成形体１００の内部や周囲の雰囲気を変えるために設けられており、ハニカム成形体１００を搬送部材２９等に載置して搬入した後、一旦、脱気エリア１１を真空にし、続いて不活性ガスを導入することにより、ハニカム成形体１００の内部や周囲の雰囲気を不活性ガス雰囲気とする。不活性ガスとしては、アルゴン、窒素等が用いられる。
【００３７】
予熱エリア１２では、昇温・焼成エリア１３の熱を利用してハニカム成形体１００の温度を、室温から１０００℃付近まで徐々に昇温させる。
【００３８】
次に、昇温・焼成エリア１３でさらに温度を上昇させ１９００℃まで昇温させた後、２０００〜２３００℃で焼成を行なう。この昇温・焼成エリア１３内での加熱工程は、焼成工程に相当し、再結晶ＳｉＣからなるハニカム焼成体（以下、ハニカム焼成体という）が製造される。徐冷エリア１４では、焼成後のハニカム焼成体を徐々に冷却し、さらに冷却エリア１５で室温に近い温度まで冷却する。そして、脱気エリア１６にハニカム成形体１００を搬入した後、不活性ガスを抜いて空気を導入し、ハニカム焼成体を搬出することにより、ハニカム成形体１００の焼成処理の一連の流れが完了する。
【００３９】
次に、上記連続焼成炉の構成の一例を説明する。
図２、図３及び図４に示したように、連続焼成炉１０において、ハニカム成形体１００の焼成を行う予熱エリア１２、昇温・焼成エリア１３、徐冷エリア１４及び冷却エリア１５は、ハニカム成形体１００を収容する空間を確保するように形成された筒状のマッフル２１が配置されており、昇温・焼成エリア１３では、マッフル２１の上方及び下方に所定間隔で加熱用ヒータ２２が配設されている。
【００４０】
また、連続焼成炉１０は、マッフル２１と加熱用ヒータ２２とをその内部に含むように設けられた断熱材２３と、断熱材２３の外側に配設された炉材２４とを備えており、炉材２４により周囲の雰囲気と隔離されている。
【００４１】
マッフル２１は、図示しない支持部材により床部分の全体が支持されており、搬送部材２９上に配置されたハニカム成形体１００を移動させることができるように構成されている。マッフル２１は、脱気エリア１１、１６および冷却エリア１５を除いた全域に設けられている。マッフル２１の内部にはコンベア等の輸送手段が設けられていてもよい。この場合、搬送部材２９を輸送手段に載置することにより、ハニカム成形体１００の自動輸送が可能となる。
【００４２】
予熱エリア１２、昇温・焼成エリア１３及び徐冷エリア１４には、断熱材２３が設置されており、昇温・焼成エリア１３では、断熱材２３は加熱用ヒータ２２のさらに外側に設けられており、適宜固定部材により固定されている。そして、一番外側には、脱気エリア１１、１６を除いた全域にわたって炉材２４が設けられている。
【００４３】
また、図３及び図４に示すように、昇温・焼成エリア１３内の１５００〜１９００℃の温度領域には、炉内に存在するＳｉＯを含むガスを、１５００〜１９００℃の温度を保ちながら排気する排気経路２５が設置されている。
【００４４】
図４に示すように、この排気経路２５は、排気経路２５の内部を流通するガスを加熱するためのヒータ２６を備えている。ヒータ２６は、内部配管２５ａを取り囲むように配設されている。ヒータ２６の材料は特に限定されるものではないが、排気経路２５のガスが流通するセラミック製の内部配管２５ａ内の温度を１５００〜１９００℃に保つ必要があり、この点から炭素製のヒータであることが望ましい。内部配管２５ａの内径は、３０〜１５０ｍｍであることが望ましい。３０ｍｍ未満では、排気量が不充分になったり、排気経路２５内にＳｉＯ２が堆積することがあり、１５０ｍｍより大きいと焼成炉内の熱が排気経路２５から逃げエネルギーロスにつながってしまったり、排気流速が遅くなり、ＳｉＯガスを含むガスが充分に排気されず、焼成炉内にＳｉＯ２が堆積することがある。
【００４５】
また、ヒータ２６の外側の外周には、ヒータ２６を保温し、かつ、外側に配設された金属製の外部配管２５ｂの温度上昇を防止するための断熱層２７が配置されている。断熱層２７の材料は特に限定されるものではないが、多孔質の炭素製であることが望ましい。
【００４６】
さらに、排気経路２５の末端には、サイクロン型の捕集装置２８が設置されている。捕集装置２８の構造は特に限定されるものではないが、小さな粉末でも捕集が可能であること、捕集装置２８が詰まるのを防止することが可能である点からサイクロン型が望ましい。
また、この排気経路２５には、３個所に測温器１７ａ、１７ｂ、１７ｃが設けられるとともに、捕集装置２８内にも、測温器１７ｄが設けられており、捕集装置２８に近い排気経路２５にも、測温器１７ｃが設けられており、常時、排気経路２５の温度を監視している。測温器としては、熱電対、放射温度計などが使用できる。温度を監視するための測温器の数は、上記に限定されるものではない。
【００４７】
連続焼成炉１０に搬入される脱脂処理されたハニカム成形体１００は、炉内の温度が１４００℃を超えると、炭化ケイ素粒子表面の酸化されたＳｉＯ２や、炭化ケイ素に不純物として含まれるＳｉＯ２に起因すると考えられる一酸化ケイ素ガス（ＳｉＯガス）が発生する。
連続焼成炉１０の内部は、常に大気圧よりも高い気圧に維持されているので、連続焼成炉１０の内部のガスは、昇温・焼成エリア１３に配置された排気経路２５を通過し、捕集装置２８を通って外部に放出される。そして、捕集装置２８を通過し、固化したＳｉＯ２は、捕集装置２８により捕集される。排気経路２５を通過するガスの流通量は、焼成炉の容量にもよるが、５〜１００Ｎｍ３／ｈｒであることが望ましい。なお、捕集装置２８では、連続焼成炉１０より排出されるガスを冷却するために、アルゴン等の不活性ガスを導入することが望ましい。
【００４８】
従って、発生したＳｉＯガスも、排気経路２５を通過するが、排気経路２５の内部を通過するガスは、ヒータ等により１５００〜１９００℃の温度に保たれているので、排気経路２５の内部でＳｉＯガスが殆ど固化することはなく、排気経路２５の内部に詰まりが発生することはない。また、定常的に連続焼成炉１０の内部のガスが排気経路２５を経て排出されるので、連続焼成炉１０の内部は、ガスが排気経路２５に向かって流れることとなり、ＳｉＯガスは、連続焼成炉１０内の低温領域に移動しにくく、連続焼成炉１０の内部にＳｉＯガスに起因する堆積物が堆積しにくい。その結果、搬送部材２９が搬送停止となったり、ハニカム成形体１００が搬送部材２９から転落する等の不都合が発生するのを防止することができる。
【００４９】
連続焼成炉を通過し、ハニカム成形体の焼成処理が終了することにより、多孔質のハニカム焼成体を製造することができる。ハニカム焼成体の構造は、基本的に、図１に示したハニカム成形体１００と同様である。
【００５０】
得られたハニカム焼成体を用いてハニカムフィルタを製造する際には、上記ハニカム焼成体の側面に、接着材ペーストを塗布して接着材ペースト層を形成し、この接着材ペースト層を介して順次他のハニカム焼成体を積層する。この手順を繰り返して所定数のハニカム焼成体が接着材ペースト層を介して接着されたハニカム焼成体の集合体を作製する。なお、接着材ペーストとしては、例えば、無機バインダと有機バインダと無機繊維及び／又は無機粒子とからなるものを使用することができる。
【００５１】
次に、このハニカム焼成体の集合体を加熱して接着材ペースト層を乾燥、固化させて接着材層とする。その後、ダイヤモンドカッター等を用いてハニカム焼成体の集合体に切削加工を施してセラミックブロックとし、セラミックブロックの外周面に外周コート材ペーストを塗布して乾燥固化させることにより外周コート層を形成することにより、ハニカムフィルタを製造することができる。上記外周コート材ペーストとして、接着材ペーストと同様の組成のものを使用することができる。
【００５２】
図５は、本発明の連続焼成炉で製造されるハニカム焼成体を用いたハニカムフィルタを示す斜視図である。図６（ａ）は、図５に示した本発明のハニカムフィルタを構成するハニカム焼成体の斜視図であり、図６（ｂ）は、図６（ａ）に示したハニカム焼成体のＢ−Ｂ線断面図である。
【００５３】
図５に示すように、本発明のハニカムフィルタ４０は、炭化ケイ素からなる多孔質のハニカム焼成体３０が、接着材層４１を介して複数個組み合わされて円柱状のセラミックブロック４５を構成し、このセラミックブロック４５の周囲にコート層４２が形成されている。
【００５４】
図５に示したハニカムフィルタ４０では、セラミックブロックの形状は円柱状であるが、本発明において、セラミックブロックは、柱状であれば円柱状に限定されることはなく、例えば、楕円柱状や角柱状等任意の形状のものであってもよい。
【００５５】
図６に示すハニカム焼成体３０は、図１（ａ）及び（ｂ）に示したハニカム成形体１００が脱脂、焼成されることにより製造されたものであり、長手方向に多数のセル３１が並設され、セル３１のいずれかの端部が目封止されているため、セル３１同士を隔てるセル隔壁３３がフィルタとして機能するようになっている。即ち、ハニカム焼成体３０に形成されたセル３１は、図６（ｂ）に示したように、排気ガスの入口側又は出口側の端部のいずれかが封止材３２により目封じされ、一のセル３１に流入した排気ガスは、必ずセル３１を隔てるセル隔壁３３を通過した後、他のセル３１から流出するようになっている。
【００５６】
このように構成されたハニカムフィルタでは、内燃機関から排出される排ガス中に含有されるスス等のＰＭを捕集することにより、排ガスを浄化することができる。
【００５７】
（実施例）
以下、本発明の第一実施形態をより具体的に開示した実施例を示す。なお、本発明はこれらの実施例のみに限定されるものではない。
【００５８】
（実施例１）
（１）ハニカム焼成体の製造
まず、成形体用原料調製工程として、平均粒子径２２μｍを有する炭化ケイ素の粗粉末５２．０重量％と、平均粒子径０．５μｍの炭化ケイ素の微粉末２２．２重量％とを混合し、得られた混合物に対して、有機バインダ（メチルセルロース）３．９重量％、潤滑剤（日油社製  ユニルーブ）２．３重量％、グリセリン１．０重量％、シリカ粉末６．５重量％、及び、水１２．１重量％を加えて混練して成形体用原料を得た。
【００５９】
この後、成形体作製工程として、得られた成形体用原料を用いて押出成形を行い、生のハニカム成形体を得た。次いで、マイクロ波乾燥機を用いて上記生のハニカム成形体を乾燥させることにより、ハニカム成形体の乾燥体を作製した。
【００６０】
その後、ハニカム成形体の乾燥体の所定のセルに封止材ペーストを充填してセルの封止を行い、図１（ａ）及び（ｂ）に示す目封止されたハニカム成形体１００を得た。なお、上記湿潤混合物を封止材ペーストとして使用した。セルの封止を行った後、封止材ペーストを充填したハニカム成形体の乾燥体を再び乾燥機を用いて乾燥させた。
【００６１】
上記のようにして得られた複数のハニカム成形体を、搬送部材２９上に設置された載置冶具上に載置し、４００℃で脱脂処理を行った後、連続的に図２及び図３に示す構成の連続焼成炉１０に搬入して、アルゴン雰囲気中、２２００℃、３時間の条件で焼成処理を行った。
【００６２】
ハニカム成形体の焼成処理を行っている間、連続焼成炉１０に設けられた排気経路２５からガスを２０Ｎｍ３／ｈｒの条件で排気させ、サイクロンを稼働させてアルゴンを導入し、固化したＳｉＯ２を回収した。
排気経路２５の設定温度は、１９００℃とし、連続焼成炉出口（ｔ１）、排気経路中央（ｔ２）、排気経路出口（ｔ３）、サイクロン内（ｔ４）の４ヶ所において、熱電対１７ａ、１７ｂ、１７ｃ、１７ｄで温度を測定した。その結果、ｔ１＝１９００℃、ｔ２＝１８９５℃、ｔ３＝１５００℃、ｔ４＝８０６℃であった。
【００６３】
サイクロンにより回収した粉末の組成は、Ｃ：３０．００ｍｏｌ％、Ｏ：２８．９４ｍｏｌ％、Ｓｉ：１４．７０ｍｏｌ％、Ｃａ：１４．１３ｍｏｌ％、Ｆｅ：５．２４ｍｏｌ％、その他の成分：６．９８ｍｏｌ％であり、排気経路を設けなかった連続焼成炉において、低温領域で析出した固体の組成とほぼ同様の組成であった。
【００６４】
上記条件で、連続焼成炉１０を８時間、連続稼働させたが、排気経路２５に詰まりは全く見られず、連続焼成炉１０の内部にＳｉＯ２の固化物も殆ど観察されなかった。なお、連続焼成炉１０は、実施例１を行う前に、炉内に析出したＳｉＯ２の固化物を除去しておいた。
【００６５】
（比較例１）
連続焼成炉に設ける排気経路にヒータを設けなかったほかは、実施例１と同様にして、排気経路よりガスを排気させた。
その結果、連続焼成炉１０を８時間、連続稼働させた時点で、排気経路２５に２２．２ｇの堆積物が発生した。
なお、サイクロンにより回収した粉末の組成は、Ｃ：３３．７５ｍｏｌ％、Ｏ：３０．５５ｍｏｌ％、Ｓｉ：１０．１２ｍｏｌ％、Ｃａ：１０．５５ｍｏｌ％、Ｆｅ：５．９１ｍｏｌ％、その他の成分：９．４４ｍｏｌ％であり、実施例１で回収した粉末と、その組成は余り変わらなかった。
【符号の説明】
【００６６】
１０  連続焼成炉
１１、１６  脱気エリア
１２  予熱エリア
１３  昇温・焼成エリア
１４  徐冷エリア
１５  冷却エリア
１７  測温器（熱電対）
１８  放射温度計
２１  マッフル
２２  加熱用ヒータ
２３  断熱材
２４  炉材
２５  排気経路
２５ａ、２５ｂ  配管
２６  ヒータ
２７  断熱層
２８  捕集装置
２９  搬送部材
３０  ハニカム焼成体
３１  セル
３２  封止材
３３  セル隔壁
４０  ハニカムフィルタ
４１  接着材層
４２  コート層
４５  セラミックブロック
１００  ハニカム成形体
１１０  セル
１２０  封止材
１３０  壁部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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