(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
プロセスチャンバ内に載置されたウエハの表面に不純物イオンを注入するために使用されるイオン注入装置の排気システムにおいて、
排気ポンプと；
前記排気システムの外部に設置されているメイン排気ダクトと；
前記イオン注入装置内で、前記メイン排気ダクトと前記プロセスチャンバとの間に設置され、前記排気ポンプにより前記プロセスチャンバから排気される排気ガスを前記メイン排気ダクトに排出させる排気ラインと；
前記排気ライン内に加熱された水分除去用ガスを流入するガス流入手段と；
前記排気ラインに設置され、前記排気ガスに含まれた特定ガスを除去するスクルバとを含み、
前記加熱された水分除去用ガスにより前記排気ガスと前記排気ラインの内側壁に付着する副産物との反応を抑制し、前記スクルバにより特定ガスを除去することを特徴とするイオン注入装置の排気システム。
【請求項２】
前記ガス流入手段は、
前記水分除去用ガスを貯蔵するタンクと；
前記タンクと前記排気ラインとの間に設置され、前記水分除去用ガスを前記排気ラインに供給するガス供給ラインと；
前記ガス供給ライン上に設置され、前記水分除去用ガスを加熱するヒータとを含むことを特徴とする請求項１に記載のイオン注入装置の排気システム。
【請求項３】
前記水分除去用ガスは窒素ガスであることを特徴とする請求項１又は請求項２いずれかに記載のイオン注入装置の排気システム。
【請求項４】
前記ガス供給ラインは前記スクルバと前記排気ポンプとの間にある前記排気ラインに連通されていることを特徴とする請求項２に記載のイオン注入装置の排気システム。
【請求項５】
前記スクルバはライン型の乾式ガススクルバで構成されていることを特徴とする請求項１に記載のイオン注入装置の排気システム。
【請求項６】
前記スクルバはカートリッジ型になった複数の乾式ガススクルバで構成されていることを特徴とする請求項１に記載のイオン注入装置の排気システム。
【請求項７】
前記スクルバはボロンガス（ＢＦ３）、ホスフィンガス（ＰＨ３）および／またはアルシンガス（ＡｓＨ３）および／またはこれらの混合ガスを除去する金属酸化物を持つことを特徴とする請求項１に記載のイオン注入装置の排気システム。
【請求項８】
プロセスチャンバ内に載置された半導体ウエハの表面に不純物イオンを注入するために使用されるイオン注入装置の排気システムにおいて、
排気ポンプと；
前記排気システムの外部に設置されているメイン排気ダクトと；
イオン注入装置内で、前記メイン排気ダクトと前記プロセスチャンバとの間に設置され、前記排気ポンプにより前記プロセスチャンバから排気される排気ガスを前記メイン排気ダクトに排出させる排気ラインと；
前記排気ラインに設置され、前記排気ガスに含まれた水分及び、特定ガスを除去するスクルバとを含み；
前記排気ガスと前記排気ラインの内側壁に付着する副産物との反応を抑制し、前記特定ガスを除去することを特徴とするイオン注入装置の排気システム。
【請求項９】
前記スクルバはライン型乾式ガススクルバで構成されていることを特徴とする請求項８に記載のイオン注入装置の排気システム。
【請求項１０】
前記スクルバはカートリッジになった複数の乾式ガススクルバで構成されていることを特徴とする請求項８に記載のイオン注入装置の排気システム。
【請求項１１】
前記スクルバはカートリッジになった複数のスクルバで構成されていることを特徴とする請求項８に記載のイオン注入装置の排気システム。
【請求項１２】
前記スクルバはボロンガス（ＢＦ３）、ホスフィンガス（ＰＨ３）および／またはアルシンガス（ＡｓＨ３）および／またはこれらの混合ガスを除去する金属酸化物を持つことを特徴とする請求項８に記載のイオン注入装置の排気システム。
【請求項１３】
イオン注入装置のプロセスチャンバから排気ガスを排出するために前記イオン注入装置の諸機能を制御するコントローラと、
排気ポンプと、前記イオン注入装置の外部に設置されているメイン排気ダクトと、前記イオン注入装置内で前記排気ポンプとメインダクトとの間に設置されている排気ラインと、前記排気ライン内に加熱された水分除去用ガスを流入するガス流入ポートと、前記排気ラインに設置され、排気ガスに含まれた特定ガスを除去するスクルバとを含む排気システムの排気方法において、
前記プロセスチャンバ内でイオン注入が終了されたか否かを検出する段階と；
イオン注入の終了時に前記加熱された水分除去用ガスを前記排気ライン内に注入する段階と；
前記排気ポンプにより前記プロセスチャンバ内の排気ガスを前記排気ラインを通じて前記メイン排気ダクトに排出する段階と；
前記排気ラインを通過する前記排気ガスに含有された特定ガスを除去する段階とを含むことを特徴とする排気システムの排気方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体素子の製造に使用されるイオン注入機の排気システムとその排気方法に係り、より具体的には、イオン注入機の内部に位置した排気ラインにフィルタを設置して水分（Ｈ2 Ｏ）がその排気ラインの内壁に形成されないようにすると共に、排気ガス中の特定ガスを制御してその排気ライン内でコロナ放電（Ｃｏｒｏｎａ  Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ）発生を抑制できるようにしたイオン注入機の排気システムとその排気方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体素子の製造に使われるイオン注入機はイオン化されたドーパント（ｄｏｐａｎｔ）を高速に加速し、マスキングされたウエハ表面に注入させる設備である。この設備はウエハに不純物を注入して不純物の量とその分布プロファイルを容易に調節できるという利点があるため、最近になってその技術が急速に発展してきた。
【０００３】
このようなイオン注入機はビーム電流量により二つの種類に分類されるが、その一つはビーム電流量０．５ｍＡ〜２ｍＡを必要とする中電流イオン注入機であり、他の一つは２ｍＡ〜３０ｍＡを必要とする大電流イオン注入機である。
【０００４】
一方、ウエハを一枚づつ加工室に入れた後、処理するウエハ対ウエハ（ｗａｆｅｒ  ｔｏ  ｗａｆｅｒ）方式のイオン注入機は完成度は高いが、単位時間当りの処理量が少ないため実用化された以後技術的な発展が遅い状態であった。最近では時間当りの処理量を向上させることのできるダブル（ｄｏｕｂｌｅ）ウエハ加工室を利用するイオン注入機が実用化されている。
【０００５】
上述したイオン注入機は不純物イオンを生成するイオンソース部（ｉｏｎ  ｓｏｕｒｃｅ  ｓｅｃｔｉｏｎ）と；生成されたイオンに必要なエネルギを与えるビームライン部（ｂｅａｍ  ｌｉｎｅ  ｓｅｃｔｉｏｎ）と；ウエハ加工室の真空及び待機状態を調節してウエハのローディング及びアンローディングを円滑にするようにさせるロードロック部を含むエンドステーション部（ｅｎｄ  ｓｔａｔｉｏｎ  ｓｅｃｔｉｏｎ）と；イオン注入工程が完了した後、イオン注入機の内部に残っている排気ガスを排出するイオン注入機の下部に設置されている排気システム（ｅｘｈａｕｓｔ  ｓｙｓｔｅｍ）とで構成される。図５に示すようにイオン注入機の排気システムは排気ポンプ１２を備えているが、このポンプはイオン注入機１０の内部と連通されるように設置されており、イオン注入機１０内部の排気ガスを排出する機能を有する。また、排気システムの一方側は排気ポンプ１２に連結されており、他方側はイオン注入機の外部に設置されたメイン排気ダクト１４に連結された排気ライン１６に接続されている。この排気ライン１６は排気ポンプ１２から出る排出ガスを外部に運搬するため用いられる。
【０００６】
排気ライン１６はいつも一定な絶縁耐力（Ｄｉｅｌｅｃｔｉｃ  Ｓｔｒｅｎｇｔｈ）を維持し、高電圧にも耐えられるようポリ塩化ビニル（Ｐｏｌｙｖｉｎｙｌ  Ｃｈｌｏｒｉｄｅ：ＰＶＣ）で形成されている。
【０００７】
このようなイオン注入機の作動中に発生し副産物（ｂｙ−ｐｒｏｄｕｃｔ）が排気ポンプ１２により排出されると、排気ライン１６の内面に付着した冷却された副産物（たとえばＦｅ＋Ｈ2 Ｏ＋ＰＶＣ）と排気ポンプ１２が排出される高温の副産物とが互いに接触して凝縮される。この時、Ｈ2 Ｏが含まれたＦｅ＋Ｈ2 Ｏ＋（ＡｓＨ3 ＋ＰＨ3 ＋ＢＦ3 ）が新しい副産物として形成され、排気ライン１６の内壁に付着する。
【０００８】
特に、図６に示すように次の反応式（１）及び（２）により生成されるＡｓ2 Ｏ5 及びＰ2 Ｏ5 成分、又、Ｆｅ成分とＨ2 Ｏ成分とが排気ライン１６の内壁を汚染させ、内壁の絶縁耐力を急速に弱化させる。その結果、イオン注入機に印加される高電圧により、排気ライン１６の絶縁が破壊され、排気ライン１６内部でコロナ放電（ｃｏｒｏｎａｄｉｓ  ｃｈａｒｇｅ）が発生する。
【０００９】
２ＡｓＨ3 ＋５Ｈ2 Ｏ  ＝  Ａｓ2 Ｏ5 ＋８Ｈ2 ↑（１）
２ＰＨ3 ＋５Ｈ2 Ｏ    ＝  Ｐ2 Ｏ5 ＋８Ｈ2 ↑  （２）
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
上述したメカニズムにより排気ライン１６の内部から発生するコロナ放電現象はイオン注入機の安定した高電圧状態を不安定な状態に変化させ、半導体装置の特性に悪い影響を及ぼすという問題点があった。
このようなコロナ放電現象が排気ライン１６の内部にたびたび発生し、その大きさが大きくなると、触媒の役割をする副産物内の水素化合物がコロナ放電により、点火されＰＶＣ材である排気ライン１６が全部燃えてしまう。
【００１１】
上述したコロナ放電現象を起こす重要な３要素として次のようなものがある。その一つは排気ポンプ、すなわち、ドライポンプ（Ｄｒｙ  Ｐｕｍｐ）から発生して排気ライン１６の内部に流入されるＦｅ成分である。他の一つはＨ2 Ｏで、これは排気ライン１６の外部から内部に浸透したり、排気ポンプ１２から新しく排出される高温副産物とすでに排気ライン１６内に存在する低温副産物との接触による凝縮現象により発生する。又、残りの一つの要素は排気ライン１６の材質であるＰＶＣ化合物である。
【００１２】
このような３つの発生要素中で、一つの要素だけでも排気システムの排気ライン内に存在しないと、コロナ放電は発生しないので、排気ラインが燃えることを防止することができる。これらの要素中、Ｆｅは排気ポンプ１２を使用する限り実際には除去が不可能であり、また、排気ライン１６に使われるＰＶＣは高電圧に対する絶縁耐力がすぐれているため必ず使用しなければならない。従って、排気ライン内のコロナ放電現象を防止するためには排気ライン内でＨ2 Ｏが発生しないようにすることが現在のところ必要不可欠ということが出来る。
【００１３】
前述したように、排気ライン内の水分はクラック等により排気ライン内にＨ2 Ｏが浸透することによっても発生するが、大部分は排気ポンプにより排出される高温副産物が排気ラインの内側壁に張り付けている低温副産物等により、急激に冷却されることにより発生する。
【００１４】
本発明は、このような従来のコロナ放電現象問題を解決するためになされたもので、その目的はコロナ放電メカニズムのコネクションリンクを切って、このような放電がイオン注入機内に位置した排気ライン内で発生しないようにするイオン注入機の排気システムを提供することにある。
【００１５】
本発明の他の目的は、コロナ放電メカニズムの要素中、水分Ｈ2 Ｏを除去して排気ライン内でコロナ放電の発生を防止するイオン注入機の排気システム及びその排気方法を提供することにある。
【００１６】
本発明のその他の目的は、イオン注入機の内部に位置した排気ライン内に高温の窒素ガスを注入し、その排気ライン内にある水分Ｈ2 Ｏを除去するイオン注入機装置の排気システムを提供することにある。
【００１７】
本発明の他の目的は、イオン注入機の内部に位置した排気ラインの所定位置にガス及び騒音除去用スクルバ（ｓｃｒｕｂｂｅｒ）を設置したイオン注入機の排気システムを提供することにある。
【００１８】
本発明のその他の目的はプロセスチャンバ（あるいはチューブ）から排出される混合ガスから特定のガスを除去するカートリッジタイプ（ｃａｒｔｒｉｄｇｅｔｙｐｅ）の複数のスクルバを設置したイオン注入機の排気システムを提供することにある。
【００１９】
【課題を解決するための手段】
本発明の一つの特徴によると、本発明の排気システムは半導体装置を製造するためにプロセスチャンバ内に載置されている半導体ウエハの表面に不純物イオンを注入することに使用されるイオン注入装置に適用される。このような排気システムは排気ポンプと；排気システムの外部に設置されているメイン排気ダクトと；イオン注入装置内で、メイン排気ダクトとプロセスチャンバとの間に設置され、排気ポンプによりプロセスチャンバから排気される排気ガスをメイン排気ダクトに排出させる排気ラインと；排気ライン内に加熱された水分除去用ガスを流入するガス流入手段と；排気ラインに接地され、排気ガスに含まれた特定ガスを除去するスクルバとを含んで構成される。そして、加熱された水分除去用ガスを排気ライン内に供給することにより、排気ガスと排気ラインの内側壁に張り付いている副産物との反応を抑制し、また、スクルバにより特定ガスを除くことができる。
【００２０】
ガス流入手段は水分除去用ガスを貯蔵するタンクと、タンクと排気ラインとの間に設置され、水分除去用ガスを排気ラインに供給するガス供給ラインと、ガス供給ライン上に設置され、水分除去用ガスを加熱するヒータとを含むよう構成することが出来る。水分除去用ガスは窒素ガスとすることが出来る。ガス供給ラインはスクルバと排気ポンプとの間にある排気ラインに連通するよう構成することが出来る。
【００２１】
スクルバはライン型の乾式ガススクルバあるいはカートリッジ型になった複数の乾式ガススクルバで構成される。カートリッジ型スクルバを使う場合には特に排気ライン周囲の空間制約を克服することができる。スクルバにはボロンガス（ＢＦ3 ）、ホスフィンガス（ＰＨ3 ）そして、アルシンガス（ＡｓＨ3 ）を各々除去し、又は、これらの混合ガスを除去する金属酸化物が充填されている。
【００２２】
本発明の他の特徴によると、イオン注入装置の排気システムは排気ポンプと；排気システムの外部に設置されているメイン排気ダクトと；イオン注入装置内で、メイン排気ダクトとプロセスチャンバとの間に設置され、排気ポンプによりプロセスチャンバから排気される排気ガスをメイン排気ダクトに排出させる排気ラインと；排気ラインに設置され、排気ガスに含まれた水分及び特定ガスを除去するスクルバとを含む構成を持つ。
【００２３】
本発明のその他の特徴によると、イオン注入装置のプロセスチャンバから排気ガスを排出する方法は、プロセスチャンバ内でイオン注入が終了されたか否かを検出する段階と；イオン注入の終了時に加熱された水分除去用ガスを排気ラインに注入する段階と；プロセスチャンバ内の排気ガスが排気ラインを通じて、イオン注入装置の外部にあるメイン排気ダクトに排出する段階と；排気ラインを通過する排気ガスに含まれた特定ガスを除去する段階とを含む構成を持つ。
【００２４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の望ましい実施の形態を添付図面に基づいて詳細に説明する。
図１を参照すると、本発明の実施例によるイオン注入機の新規な排気システムはイオン注入装置１０ａの外部に設置されたメイン排気ダクト１４ａと排気ポンプ１２ａとの間に設置されている。そして、排気ポンプ１２ａによりプロセスチャンバから排気される排気ガスをメイン排気ダクト１４ａに排出させる排気ライン１６ａと、排気ライン１６ａに設置され排気ガスに含まれた特定ガス及び水分を除去するスクルバ３０とを具備している。さらに、イオン注入装置の外部にあるタンク（ｔａｎｋ）５０から供給される水分除去用窒素ガスを排気ライン１６ａ内に供給するガス流入手段２０を具備している。このような構成により、排気ライン１６ａの内壁に副産物の張り付きを抑制することができるので、イオン注入装置に供給される高電圧により発生するコロナ放電を減らすことができる。又、スクルバ３０により、排気ガスに含まれているボロンガス（ＢＦ3 ）、フォスフィンガス（ＰＨ3 ）そして、アルシンガス（ＡｓＨ3 ）を各々除去したり、これらの混合ガスを除去して排気ラインの１６ａの寿命をのばすことができる。すなわち、副産物の内側壁への張り付きによる、排気ライン１６ａの交替周期を延長することができる。
【００２５】
再び、図１を参照すると、本発明の排気システムはイオン注入機１０ａのターミナル（ｔｅｒｍｉｎａｌ）に設置されている排気ポンプ１２ａと、一方側が排気ポンプ１２ａに、他方側がイオン注入機１２ａの外部に設置されたメイン排気ダクト１４ａに連結されている排気ライン１６ａと、排気ライン１６ａに連結されているガス流入部２０とを具備している。排気システムは排気ライン１６ａの所定位置に、具体的には、排気ラインのガス流入口とメイン排気ダクト１４ａとの間に設置されているスクルバ３０を付加する。スクルバ３０はイオン注入機１０ａの内部に位置する排気ライン上に設置されている。このスクルバ３０は特定ガスを選択的にフィルタリングする金属化合物が充填されており、イオン注入工程中で発生した排気ガスを排出させる時、この排気ガスに含まれた特定ガス、たとえば、ボロンガス（ＢＦ3 ）、フォスフィンガス（ＰＨ3 ）または、アルシンガス（ＡｓＨ3 ）を各々除去したり、これらの混合ガスを除去し、さらに、水分除去及び騒音発生を抑制するために使用される。
【００２６】
図１を参照すると、ガス流入部２０は排気ポンプ１２ａから出てくる排出ガスと排気ライン１６の内壁に残っている副産物との接触に起因して発生する汚染物質が排気ライン１６ａに生成されることを防止する機能を有する。又、ガス流入部２０は排気ライン１６ａと排気システムの外部との間に連結され、排気ライン１６ａに高温の加熱用窒素ガスを供給するために用いられる。ガス流入部２０は、水分除去用窒素ガスを貯蔵するガス貯蔵タンク５０と、このタンク５０と排気ライン１６ａとの間に連結されているガス供給ライン２２と、ガス供給ライン２２の所定位置に固定的に配置されてガス供給ライン２２を通じて流れる窒素ガスを加熱するヒータ部２４とを具備している。
【００２７】
図１に示すように、排気ポンプ１２ａはイオン注入機１０ａの諸機能を制御するためのコントローラ４０から供給された作動信号により駆動され、イオン注入機１０ａの内部に残っている排気ガスを排出する機能をする排気ライン１６ａは、プロセスチャンバ内にある排気ガスを排気ポンプ１２ａから外部に出す役割をする。排気ライン１６ａもＰＶＣで作られているが、これは安定した絶縁耐力を持っているので、高電圧に非常に強い。図１、図５で、未説明符号１８，１８ａはイオン注入のためのイオンを発生するイオン発生部であり、１９，１９ａは排気ポンプ１２，１２ａとイオン発生部１８，１８ａとの間に接続された調節バルブである。
【００２８】
上述した排気システムと関連して、排気ポンプ１２ａの作動により、イオン注入機１０ａの図示しないプロセスチャンバ内部に残っている排気ガスが排出される前にタンク５０内に貯蔵された窒素ガスがガス流入部２０により、排気ライン１６ａの内部に供給される。ガス供給ライン２２を通じて流れる窒素ガスはヒータ部２４により、高温状態に加熱され排気ライン１６ａに流入される。
【００２９】
加熱された窒素ガスが図２に示されるように、排気ライン１６ａの内部に流入されると、排気ライン１６ａの内壁に残っている副産物が加熱された窒素ガスにより加熱されるだけでなく、水分等が窒素ガスとともにメイン排気ダクトに排出される。その結果、プロセスチャンバから排出される排気ガスが排気ライン１６ａ内に流入されるとしても、排気ラインの内側壁に張り付いている副産物も高温の窒素ガスにより加熱された状態であるため、排気ライン内での凝縮現象を抑制することができる。これは排気ライン１６ａの内壁に残っている副産物が加熱された窒素ガスによりあらかじめ加熱されているからである。窒素ガススクルバ３０を通じて、メイン排気ダクト１４ａに排出された後、排気ポンプ１２ａにより排出される排気ガスもスクルバ３０を通過してメイン排気ダクト１４ａに供給される。この時、排気ガスの水分を含む特定ガスはスクルバ３０により除去される。したがって、排気ライン１６ａ内のＨ2 Ｏの生成を抑制することができるので、Ｈ2 Ｏと他の副産物であるＡｓＨ3 ，ＰＨ3 との間で化学反応が起こらないので、Ａｓ2 Ｏ5 及びＰ2 Ｏ5 が生成されない。実施例では、ガス流入部２０とスクルバ３０をともに設置した排気システムを示している。
【００３０】
しかし、排気ライン１６ａに設置されたスクルバ３０により排気ガスの特定ガスを除去することは勿論、その排気ガスに含まれている水分も除去することができるので、排気ライン１６ａにガス流入部２０を設置しないで、スクルバ３０だけを設置しても水分除去効果を得ることができる。
【００３１】
又、スクルバ３０はラインタイプ（ｌｉｎｅ  ｔｙｐｅ）の乾式ガススクルバで構成されている。この実施例では、単一のラインタイプの乾式ガススクルバ３０が排気ライン１６ａに設置されていることを示している。万一、複数の乾式ガススクルバを排気ライン１６ａに設置することはその空間制約のために非常に困難である。
【００３２】
このようなイオン注入装置１０ａのスペース制約を解決するため、図３のようにカートリッジタイプのスクルバ６０を排気ライン１６ａに設置することができる。
【００３３】
このようなカートリッジタイプのスクルバ６０は互いに平行に接続されている複数の乾式ガススクルバ６０ａ、６０ｂで構成されているので、排気ガス中特定ガスを除去する金属酸化物が各スクルバ６０ａ、６０ｂに充電されるので、いろいろなガスを除去するための金属酸化物を混合して充電することができる。その結果、排気ガス中のいろいろな特定ガスを除去することができるだけではなく、水分除去及び騒音発生をも減らすことができる。
【００３４】
その上、カートリッジタイプのスクルバを使う場合には、その排気ラインの交替周期をもっと延長させることができる。
【００３５】
図４は本発明の排気システムを示したもので、イオン注入装置のプロセスチャンバから排気ガスを排出するステップを見せている。このようなステップはイオン注入装置の諸機能を制御するコントローラ４０（図１を参照）により実行される。
【００３６】
まず、コントローラ４０の制御によりプロセスチャンバ内でイオン注入が実行されると（段階Ｓ１０）、その制御は段階Ｓ２０に進行し、イオン注入工程が終了されたか否かを検出する。万一、イオン注入工程が終了してないのであれば、その制御は続いて、イオン注入を実行し、そして、イオン注入が終了すると、その制御は段階Ｓ３０に進行し、水分除去用窒素ガスがタンク５０からガス供給ライン２２内に流入される。この時、窒素ガスはヒータ２４により高温状態に加熱された後、排気ライン１６ａに流入される。その結果、排気ライン１６ａ内壁にある副産物が加熱され同時に水分がメイン排気ダクト１４ａに排出させる。
【００３７】
窒素ガスの流入後、この制御は段階Ｓ４０に進行し、イオン注入機のプロセスチャンバ内にある排気ガスを排出するよう、排気ポンプ１２ａを作動させる。このように、排気ガスが排気ライン１６ａを通じて、排出される時、この排出ライン１６ａ上にあるスクルバ３０により、排気ガスに含まれた特定ガスを選択的に除去することができる。
【００３８】
【発明の効果】
上述したように、本発明の排気システムをイオン注入機に適用すると、Ｈ2 Ｏと、Ａｓ2 Ｏ5 、Ｐ2 Ｏ5 の発生を抑制するため、イオン注入機内の排気ラインの絶縁が急に落ちたり、高電圧による絶縁破壊現象を減少させることが出来る。従って、イオン注入機内の排気ライン内でコロナ放電がほとんど発生しないので、排気ラインが燃えてしまう現象を防止することができるので、排気ラインの交替周期が延長される。
【００３９】
さらに、イオン注入工程中で発生した排気ガスに含有されるガスを選択的に除去することができ、排気ガスの排出時に発生する騒音も抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例によるイオン注入機の排気システムを示す全体構成図。
【図２】図１に示された本発明の排気システムの排気ライン内部に高温の窒素ガスが流入されて作用する状態を示す部分断面図。
【図３】本発明のイオン注入機の排気システムに使われるカートリッジ型スクルバを示す図。
【図４】図１に示されたイオン注入機の排気システムで実行される排気ガスの排気方法を説明するフローチャート。
【図５】従来のイオン注入機の排気システムを示す概略的な構成図。
【図６】図５に示された従来の排気システムの排気ライン内で発生する凝縮作用を説明するための排気ラインの部分断面図。
【符号の説明】
１０ａ    イオン注入機
１２ａ    排気ポンプ
１４ａ    メイン排気ダクト
１６ａ    排気ライン
２０    ガス流入部
２４    ヒータ部
３０    ライン型スクルバ
５０    窒素ガス貯蔵タンク
６０    カートリッジ型スクルバ
【図１】
0003868605.tif 000002
【図２】
0003868605.tif 000003
【図３】
0003868605.tif 000004
【図４】
0003868605.tif 000005
【図５】
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【図６】
0003868605.tif 000007