(57)【要約】【課題】特に初期全光束や全光束維持率の安定したＬＥＤパッケージを製造するための配線基板を提供する。【解決手段】パターン層６を露出させる開口部４Ａを有し、開口部においては、パターン層６が凹んでいる少なくとも１か所の第１凹部（Ａ）１１と、第１凹部（Ａ）１１の外周を囲むようにパターン層が凹んでいる第２凹部（Ｂ）１３と、第１凹部（Ａ）１１の外周部において、パターン層が厚くなる内壁面部１５と、内壁面部１５の上部側から薄くなって第２凹部（Ｂ）１３の底面側に向かう外壁面部１６とを含む所定幅の壁形状部１２と、を有しており、開口部における樹脂層４の端部が概ね外壁面部１６に位置している。【選択図】図２
2016171222.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気絶縁性を有する基材と、前記基材の少なくとも片側面に配置された金属のパターン層と、前記パターン層の上層に配置された樹脂層と、前記基材を厚さ方向に貫通し、前記パターン層下面に接触するように金属が充填される金属充填部と、を有する配線基板であって、
前記樹脂層は少なくとも１か所の前記パターン層を露出させる開口部を有し、
前記開口部においては、
前記パターン層が凹んでいる少なくとも１か所の第１凹部（Ａ）と、
前記第１凹部（Ａ）の外周を囲むように前記パターン層が凹んでいる第２凹部（Ｂ）と、
前記第１凹部（Ａ）の外周部において、前記パターン層が厚くなる内壁面部と、当該内壁面部の上部側から薄くなって前記第２凹部（Ｂ）の底面側に向かう外壁面部とを含む所定幅の壁形状部と、を有しており、
前記開口部における前記樹脂層の端部が概ね前記外壁面部に位置している
ことを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記樹脂層は、複数層であり、最上層は酸化チタンを含む層である
ことを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記樹脂層の最下層は、
前記樹脂層がカバーしている前記パターン層を構成する金属とのクロスカット試験において良好な接着性を有し、ジメチルシリコーンよりも酸素透過率が低い
ことを特徴とする請求項１または２に記載の配線基板。
【請求項４】
前記開口部の前記パターン層の上面には、Ａｕ，Ａｇ、Ｐｄ、Ｎｉの少なくともいずれかからなる金属層が単層、または複層で存在する
ことを特徴とする請求項１から３のいずれか一に記載の配線基板。
【請求項５】
前記第２凹部（Ｂ）の上面には、前記樹脂層の端部位置に起因する部分を除き、前記金属層が無い
ことを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の配線基板。
【請求項６】
前記第２凹部（Ｂ）においては、前記樹脂層端部における最上層とその下地層との界面、あるいは最上層の端部が下地層をオーバーラップする場合は、最上層の端部の底面は、前記第１凹部（Ａ）と前記第２凹部（Ｂ）の間にある前記壁形状部の上部より低い
ことを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載の配線基板。
【請求項７】
電気絶縁性を有する基材と、前記基材の少なくとも片側面に配置された金属のパターン層と、前記パターン層の上層に配置された樹脂層と、前記基材を厚さ方向に貫通し、前記パターン層下面に接触するように金属が充填される金属充填部と、を有する配線基板であって、
前記樹脂層は少なくとも１か所の前記パターン層を露出させる開口部を有し、
前記開口部においては、
前記パターン層が凹んでいる複数の第１凹部（Ａ）と、
前記第１凹部（Ａ）の外周を囲むように前記パターン層が凹んでいる第２凹部（Ｂ）と、
前記複数の第１凹部（Ａ）間において金属がないようにパターニングされてシリコーン系樹脂が充填される空隙部と、
前記空隙部の少なくとも一部を除く前記第１凹部（Ａ）の外周部において、前記パターン層が厚くなる内壁面部と、当該内壁面部の上部側から薄くなって前記第２凹部（Ｂ）の底面側に向かう外壁面部とを含む所定幅の壁形状部と、を有しており、
前記開口部における前記樹脂層の端部が概ね前記外壁面部に位置している
ことを特徴とする配線基板。
【請求項８】
前記樹脂層は、複数層であり、最上層は酸化チタンを含む層である
ことを特徴とする請求項７に記載の配線基板。
【請求項９】
前記樹脂層の最下層は、前記樹脂層がカバーしている前記パターン層を構成する金属とのクロスカット試験において良好な接着性を有し、ジメチルシリコーンよりも酸素透過率が低い
ことを特徴とする請求項７または８に記載の配線基板。
【請求項１０】
前記樹脂層と前記空隙部を充填したシリコーン系樹脂は、同一材料である
ことを特徴とする請求項７から９のいずれか一項に記載の配線基板。
【請求項１１】
前記開口部のパターン層上面には、Ａｕ，Ａｇ、Ｐｄ、Ｎｉの少なくともいずれかからなる金属層が単層、または複層で存在し、かつ前記第２凹部（Ｂ）には、前記樹脂層の端部位置に起因する部分を除き、前記金属層が無い
ことを特徴とする請求項７から１０のいずれか一項に記載の配線基板。
【請求項１２】
請求項１から１１のいずれか一項に記載の配線基板の前記パターンが当該パターン上部に配置されたＬＥＤチップと電気的に接続され、前記ＬＥＤチップが封止樹脂で封止されているＬＥＤパッケージ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、特にＬＥＤパッケージ用途の配線基板およびＬＥＤパッケージに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ＬＥＤ(Light Emitting Diode)パッケージは、その省エネルギー性と長寿命、そして水銀を使用しないことから環境負荷が少ないという観点で、蛍光管や電球に代わる光源としてバックライトや照明の分野で多く使用されている。
【０００３】
そのＬＥＤパッケージにおいては、特に明るさに関する性能が注目され、ＬＥＤパッケージを製造する側の指標として全光束とコストの比をとった（ｌｍ／￥）があたかも単位のように採用される状況にある。
また、北米照明学会が定めるＬＭ−８０に代表される全光束維持率に関する規格も広まってきた。
【０００４】
一般にＬＥＤパッケージは、配線基板にＬＥＤチップを実装・封止し、さらに試験・分類して供給されている。
ＬＥＤパッケージ用の配線基板としては、古くからあるリードフレームを筆頭に、リジット基板、アルミベース基板、セラミック基板などが使用されている。
これら配線基板に要求される特性としては、良好な放熱性と広い波長域での光の反射率、そしてＬＥＤチップが出す青色光〜近紫外線の波長の短い光に対する経時安定性が特に注目されている。
【０００５】
そのため、ＬＥＤ用配線基板としては特にＬＥＤチップを実装する部分とその近傍の反射率向上に関する開発や、青色光〜近紫外線に対する長期安定性に関する開発が盛んに行われている。
また、配線基板に使用されるめっきは、その反射率やコストの観点から一部のものを除きＡｇめっきが多用されており、現在もその状況が続いている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１３−３３９１１号公報      図１Ａ                                              項番０００２〜００１０
【特許文献２】特開２０１４−１２７５４８号公報    図１                                              項番０００２〜０００９
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、発明者らは、ＴＡＢ(Tape Automated Bonding)やＣＯＦ(Chip On Film)の製造技術を活かしたＬＥＤ用配線基板を提供するために上記の［特許文献１］，［特許文献２］に示すような配線基板を考案し、開発を進めてきた。
その開発を推進していく過程でＬＥＤ用各種配線基板が抱える新たな課題を見出してきたものを以下にまとめる。
【０００８】
１）スクラッチ傷と表面汚染：
既存の配線基板は、配線基板の製造工程において、パターン層を樹脂層でカバーするまでは、パターン層のうちＬＥＤチップを実装しＬＥＤチップの近傍の光の反射率を期待される部分が最表面にあり、それがほとんどの場合、白色のＡｇめっきであるためにわずかなスクラッチ傷（深さ１μｍ未満）や接触による擦れ痕が目立ってしまうリスクが高い。
ＬＥＤパッケージ１個あたりの光の反射を期待される部分は、レンズの内部であり、概ねφ２ｍｍ以下と小さくなってきていることもスクラッチ傷が目立つリスクを増大させている。
また、樹脂層はスクリーン印刷の手法を取る場合があるが、その際に印刷版がパターン層に接触するので、印刷版の接触に起因する汚れが生じる可能性がある。その汚れがめっき後の汚れならば直接的に光の反射率を低下させる要因になり、めっき前の汚れならば、めっきの前処理に影響する可能性があり、影響した場合はめっき後の外観や光の反射率に影響を与える可能性が高くなる。
【０００９】
２）光の反射率の長期安定性：
現時点でも原因は十分には解明されていないが、配線基板を覆う樹脂の開口部における樹脂端面近傍が青色光を発するＬＥＤチップの光に１０００〜５０００ｈｒ以上の長時間さらされることによって封止樹脂やめっき面で変色が起きる場合があり、その変色が起きると光の吸収や減衰が生じてＬＥＤパッケージの全光束が設計寿命よりも早く低下してしまう。
この問題を解決するために、めっきや樹脂などＬＥＤパッケージや配線基板の構成材毎の対策は進められているが、構成材単体で耐青色光性があっても、ＬＥＤパッケージに組んで問題が起きてしまうという、組み合わせや製造プロセスに起因する要因も推定されるためこの課題の解決が困難になっている。
【００１０】
３）樹脂の開口形状精度：
ＬＥＤチップ近傍の光の反射を期待される部分は、樹脂の開口部として形成されるが
樹脂をスクリーン印刷等で形成する場合は、樹脂の選定や調合に工夫をしてもその開口部の形状精度が５０μｍ程度のバラツキがあるのと、樹脂の流れだし（例えば５０μｍ程度）が発生しやすいという問題があり、ＬＥＤパッケージの初期全光束と全光束維持率に影響を与える可能性があった。
【００１１】
４）樹脂の酸素透過率と密着性
ＬＥＤチップ近傍の光の反射を期待される部分の近傍に使用される樹脂は、ＬＥＤパッケージの封止材やレンズに使用される樹脂と同系のシリコーン系樹脂に、酸化チタンを分散させて白色にしたものが耐青色光性の点で好適である。
しかし、シリコーン樹脂は酸素透過率が高くシリコーン樹脂を硬化させるために１５０℃、１ｈｒ程度の過熱を一般空気雰囲気中で行うと、シリコーン樹脂で覆った部分の銅表面に酸化銅層を形成してしまう課題があった。
このような酸化銅層が樹脂層の下にあると、酸化銅を溶解したり還元したりする処理液を使うめっき工程では、処理液の染み込み等の問題を引き起こしてしまうため、樹脂層の下を含むパターン層全面にめっきを施す、いわゆる先めっきの製造プロセスを余儀なくされてしまう。
これは、ＬＥＤパッケージで多用されているＡｇめっきを採用した場合を想定すると、Ａｇとの接着が苦手なシリコーン樹脂をＡｇめっきの上に接着させることになってしまい、接着性は極めて悪い。またシリコーン樹脂は、Ｃｕ系の材料に対してはＡｇ系の材料よりも接着強度が強いが、それでもパッケージ用途には十分ではないためプライマー層や添加剤の添加などの工夫を行うが、その場合でも接着力の向上がわずかであったり耐青色光性が低下してしまうという課題があった。
【００１２】
本発明は、上記のような複数の課題を解決し、特に初期全光束や全光束維持率の安定したＬＥＤパッケージを製造するための配線基板およびＬＥＤパッケージを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明の第１の観点は、電気絶縁性を有する基材と、前記基材の少なくとも片側面に配置された金属のパターン層と、前記パターン層の上層に配置された樹脂層と、前記基材を厚さ方向に貫通し、前記パターン層下面に接触するように金属が充填される金属充填部と、を有する配線基板であって、前記樹脂層は少なくとも１か所の前記パターン層を露出させる開口部を有し、前記開口部においては、前記パターン層が凹んでいる少なくとも１か所の第１凹部（Ａ）と、前記第１凹部（Ａ）の外周を囲むように前記パターン層が凹んでいる第２凹部（Ｂ）と、前記第１凹部（Ａ）の外周部において、前記パターン層が厚くなる内壁面部と、当該内壁面部の上部側から薄くなって前記第２凹部（Ｂ）の底面側に向かう外壁面部とを含む所定幅の壁形状部と、を有しており、前記開口部における前記樹脂層の端部が概ね前記外壁面部に位置している。
【００１４】
好適には、前記樹脂層は、複数層であり、最上層は酸化チタンを含む層である。
【００１５】
好適には、前記樹脂層の最下層は、前記樹脂層がカバーしている前記パターン層を構成する金属とのクロスカット試験において良好な接着性を有し、ジメチルシリコーンよりも酸素透過率が低い機能を有する。
【００１６】
好適には、前記開口部の前記パターン層の上面には、Ａｕ，Ａｇ、Ｐｄ、Ｎｉの少なくともいずれかからなる金属層が単層、または複層で存在する。
【００１７】
好適には、前記第２凹部（Ｂ）の上面には、前記樹脂層の端部位置に起因する部分を除き、前記金属層が無い。
【００１８】
好適には、前記第２凹部（Ｂ）においては、前記樹脂層端部における最上層とその下地層との界面、あるいは最上層の端部が下地層をオーバーラップする場合は、最上層の端部の底面は、前記第１凹部（Ａ）と前記第２凹部（Ｂ）の間にある前記壁形状部の上部より低い。
【００１９】
本発明の第２の観点は、電気絶縁性を有する基材と、前記基材の少なくとも片側面に配置された金属のパターン層と、前記パターン層の上層に配置された樹脂層と、前記基材を厚さ方向に貫通し、前記パターン層下面に接触するように金属が充填される金属充填部と、を有する配線基板であって、前記樹脂層は少なくとも１か所の前記パターン層を露出させる開口部を有し、前記開口部においては、前記パターン層が凹んでいる複数の第１凹部（Ａ）と、前記第１凹部（Ａ）の外周を囲むように前記パターン層が凹んでいる第２凹部（Ｂ）と、前記複数の第１凹部（Ａ）間において金属がないようにパターニングされてシリコーン系樹脂が充填される空隙部と、前記空隙部の少なくとも一部を除く前記第１凹部（Ａ）の外周部において、前記パターン層が厚くなる内壁面部と、当該内壁面部の上部側から薄くなって前記第２凹部（Ｂ）の底面側に向かう外壁面部とを含む所定幅の壁形状部と、を有しており、前記開口部における前記樹脂層の端部が概ね前記外壁面部に位置している。
【００２０】
好適には、前記樹脂層は、複数層であり、最上層は酸化チタンを含む層である。
【００２１】
好適には、前記樹脂層の最下層は、前記樹脂層がカバーしている前記パターン層を構成する金属とのクロスカット試験において良好な接着性を有し、ジメチルシリコーンよりも酸素透過率が低い機能を有する。
【００２２】
好適には、前記樹脂層と前記空隙部を充填したシリコーン系樹脂は、同一材料である。
【００２３】
好適には、前記開口部のパターン層上面には、Ａｕ，Ａｇ、Ｐｄ、Ｎｉの少なくともいずれかからなる金属層が単層、または複層で存在し、かつ前記第２凹部（Ｂ）には、前記樹脂層の端部位置に起因する部分を除き、前記金属層が無い。
【００２４】
本発明の第３の観点のＬＥＤパッケージは、上記した各配線基板のうちのいずれか一つの配線基板の前記パターンが当該パターン上部に配置されたＬＥＤチップと電気的に接続され、前記ＬＥＤチップが封止樹脂で封止されている。
【発明の効果】
【００２５】
本発明によれば、１）実装面にハンドリング等によるスクラッチ傷や汚染がつきにくい、２）光の反射率が長期的に安定しやすい、３）実装面の開口寸法が安定している、４）樹脂の密着力が安定している、ＬＥＤパッケージ用途に適した配線基板を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本発明の特徴的な構造を採用する前の基本的な配線基板を用いたＬＥＤパッケージの平面図とＡ−Ａ線矢視方向の断面図である。
【図２】本発明の特徴的な構造を採用した第１の実施形態に係る配線基板の要部の平面図とＢ−Ｂ線矢視方向の断面図である。
【図３】本発明の実施形態に係る配線基板をＴＡＢの製造ラインで製造した場合の外観の一例を示す図である。
【図４】本発明の実施形態に係る配線基板の製造手順を説明するための第１図である。
【図５】本発明の実施形態に係る配線基板の製造手順を説明するための第２図である。
【図６】本発明の第２の実施形態に係る配線基板の要部を示す図である。
【図７】本発明の第３の実施形態に係る配線基板の要部を示す図である。
【図８】本発明の第４の実施形態に係る配線基板の要部を示す図である。
【図９】本発明の実施形態に係る配線基板の応用例とそれを用いたＬＥＤパッケージの平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下、本発明の実施形態を図面に関連付けて説明する。
【００２８】
（第１の実施形態）
図１は、本発明の特徴的な構造を採用する前の基本的な配線基板を用いたＬＥＤパッケージを示す図であって、図１（ａ）は平面図を、図１（ｂ）は図１（ａ）におけるＡ−Ａ線矢視方向の断面図を示している。
図２は、本発明の特徴的な構造を採用した第１の実施形態に係る配線基板の要部を示す図であって、図２（ａ）の平面図を、図２（ｂ）は図２（ａ）におけるＢ−Ｂ線矢視方向の断面図を示している。
【００２９】
図１および図２において、１は封止材およびレンズを、２はＬＥＤチップを、３はワイヤーを、４は樹脂層を、４Ａは開口部を、４Ｂは樹脂層最上層を、４Ｃは樹脂層最下層を、５は樹脂層を、６はパターン層を、７は接着層を、８は基材を、９は基材を、１０は金属充填部を、１１は第１凹部（Ａ）を、１２は壁形状部を、１３は第２凹部（Ｂ）を、１４は金属層を、１５は内壁面部を、１６は外壁面部を、１００は配線基板を、２００はＬＥＤパッケージを、それぞれ示している。
【００３０】
（本実施形態の配線基板１００の基本的および特徴的な構造）
本実施形態の配線基板１００は、基本的に、電気絶縁性を有する基材９と、基材９の少なくとも片側面に配置された金属のパターン層６と、パターン層６の上層に配置された樹脂層４と、基材９を厚さ方向に貫通し、パターン層６の下面に接触するように金属が充填される金属充填部１０と、を有している。そして、配線基板１００は、樹脂層４は少なくとも１か所のパターン層６を露出させる開口部４Ａを有している。
開口部４Ａにおいては、パターン層６が凹んでいる少なくとも１か所（本実施形態では２か所）の第１凹部（Ａ）１１と、第１凹部（Ａ）１１の外周を囲むようにパターン層６が凹んでいる第２凹部（Ｂ）１３と、第１凹部（Ａ）１１の外周部において、パターン層６が厚くなる内壁面部１５と、内壁面部１５の上部側から薄くなって第２凹部（Ｂ）１３の底面側に向かう外壁面部１６とを含む所定幅の壁形状部１２と、を有しており、開口部における樹脂層４の端部が概ね外壁面部１６に位置している。
【００３１】
以下に、本実施形態の配線基板１００の基本的な構造および特徴的な構造について、図１および図２に関連付けて説明する。
【００３２】
（本実施形態の配線基板１００の基本的な構造）
まず始めに、基本的な配線基板１００とそれを用いたＬＥＤパッケージについて図１に関連付けて説明する。
【００３３】
図１（ｂ）に示すように、配線基板の基材９は一般的な３層構造の銅貼板の基材であり、銅または銅合金からなるパターン層６は接着層７を介してポリイミドなどの電気絶縁性のある基材８に貼り合わせてある。
【００３４】
また図示はしないが、パターン層６にはＮｉめっきを下地としてＡｇめっきやＡｕめっきが加工されるのが通常であり、先めっきの場合はそのめっきの上層、後めっきの場合は、めっきを行わないパターン層６の上層には樹脂層４が開口部４Ａを伴って形成される。
【００３５】
パターン層６は、ＬＥＤパッケージ２００の場合アノードとカソードとして電気的に分離されており、その空隙部４Ｄには耐青色光性のあるシリコーン樹脂などからなる樹脂層５が充填されている。
【００３６】
さらにＬＥＤパッケージを別の実装基板に半田付けして、電気的・熱的伝導を行うためにパターン層６に接続された金属充填部１０が基材９を貫通して基材９の１／２以上の厚さで形成されている。
この金属充填部１０はＬＥＤパッケージとして半田リフローによって他の基板に実装される際に他の基板に印刷された半田ペーストと濡れやすくする観点やＬＥＤパケージの熱容量を増やす観点から基材９と同じ厚さ以上あることがより好ましい。
【００３７】
ＬＥＤパッケージ２００は、このような配線基板１００にＬＥＤチップ２をダイボンディングした後アノードとカソードに電気的に分離したパターン層６にそれぞれワイヤーボンディングした後、封止材１でレンズが形成される。
【００３８】
（本実施形態の配線基板１００の特徴的な構造）
次に、本発明の特徴的な構造を採用した第１の実施形態に係る配線基板の要部を図２に関連付けて説明する。
【００３９】
パターン層６には第１凹部（Ａ）１１と、第１凹部（Ａ）１１の周囲を囲むように第２凹部（Ｂ）１３が形成されている。第１凹部（Ａ）１１と第２凹部（Ｂ）１３の間には壁形状部１２が形成されている。
第１凹部（Ａ）１１の底面から壁形状部１２の上面までの高低差は３μｍ以上あり、壁形状部１２の上部（上面）１２Ａから第２凹部（Ｂ）１３の底面までの高低差は３μｍ以上あり、壁形状部１２の上部１２Ａの幅は０．２０ｍｍ以下である。
【００４０】
図２（ａ）の平面図では第１凹部（Ａ）１１が複数あるのでこの場合は、第１凹部（Ａ１），第１凹部（Ａ２）等と呼称を区別しても良い。
【００４１】
図２（ｂ）に示すように、パターン層６には、例えばＮｉめっきを下地としたＡｇめっきからなる金属層１４が配置されている。
その金属層１４が壁形状部１２に沿って立ち上がる面として内壁面部１５、および反対側の立ち下がる面として外壁面部１６がある。図２（ｂ）の場合、金属層１４は外壁面部１６として第２凹部（Ｂ）１３の底面に達しないで終わり、それより外側の第２凹部（Ｂ）１３や樹脂層４の下層には存在していない。
【００４２】
また、概ね内壁面部１５と壁形状部１２の上部１２Ａとの交点付近がＬＥＤパッケージのレンズの内側と外側を分ける境界とするのが好適であるが、壁形状部１２の範囲でも良く、特に限定するものではない。
【００４３】
また、樹脂層４は、樹脂層最上層４Ｂと樹脂層最下層４Ｃから形成されており、その界面４１は壁形状部１２の上部（上面）１２Ａよりも低い。
さらに、樹脂層最上層４Ｂは樹脂層最下層４Ｃをオーバーラップしておりオーバーラップ部分４２の樹脂層最上層４Ｂの底面は壁形状部１２の上部（上面）１２Ａよりも低い。
また、樹脂層最上層４Ｂは、光の反射率を高めるために酸化チタンを含み、樹脂層最下層４Ｃはパターン層６を構成する金属とのクロスカット試験において良好な接着性を有し、ジメチルシリコーンよりも酸素透過率が低い機能を有している。ここで、クロスカット試験の良好な接着性とは、ＪＩＳ  Ｋ５４００に準拠した試験の結果、６段階の評価の上位２段階にあることを意味する。
【００４４】
最近のＬＥＤチップ２は、白色光を作るために青色光から青紫光のものが使用されるが、その波長を概略０．４μｍと丸めると内壁面部１５の高低差３μｍは概ね８波長分あり、また凹部を識別・計測する高低差値としても十分で、ＬＥＤチップ２から発せられた光のリフレクターとしての機能も期待できる。
【００４５】
この高低差を大きくすることで内壁面部１５は、光のリフレクターとしての機能をさらに強調させることが可能になるが、製造の容易性の観点から高低差は概ね２０μｍ以下が望ましい。
また、壁形状部１２の上部（上面）１２Ａの幅は、従来の配線基板ならば樹脂層開口部のバラツキ量に相当する部分ともいえるので、０．２０ｍｍ以下なら従来品並みであるが本発明では、光学的にリフレクターの内外を分ける部分になるため小さいほど良く、製造の安定性の観点から１０μｍ〜３０μｍのほどの幅が良い。
【００４６】
外壁面部１６の高低差については、内壁面部１５と同時並列的に加工する製造上の利便性の観点からは内壁面部１５と同じ高低差が良いが、樹脂層最上層４Ｂの下地層との界面４１の位置関係や樹脂層最下層４Ｃをオーバーラップした部分４２の樹脂層最上層４Ｂの底面の位置関係の観点から、あるいは樹脂層４の流れだし止めという機能の観点からは高い方が良い。総合的には概ね５〜２０μｍの高低差が製造の安定性の点で良い。
【００４７】
樹脂層４の樹脂層最上層４Ｂは、ＬＥＤパッケージのレンズの外側に位置するとはいえ、わずかに青色光成分がもれることにも備えシリコーン樹脂が望ましく、白色光のＬＥＤパッケージにとっては、樹脂層最上層４Ｂは白色が好印象であり、酸化チタンを含むことが望ましい。
また、樹脂層最下層４Ｃは、ＬＥＤパッケージ製造時にも熱が加わることから熱硬化性の樹脂が好適で、少なくともジメチルシリコーンよりも酸素透過率が低くそのキュア条件において下地のパターン層６の酸化を防止する機能を有することが望ましい。
【００４８】
本発明の実施形態に係る配線基板の製造手順について図３、図４、および図５に関連付けて説明する。製造手順については、ロールto ロールで作業できるＴＡＢ（Tape Automated Bonding）やフレキシブル配線基板をベースに説明するが、この製造方法のみに限定するわけではない。
【００４９】
図３は、本発明の実施形態に係る配線基板をＴＡＢの製造ラインで製造した場合の外観の一例を示す図である。
【００５０】
ＴＡＢ基板２０全体としては、図３に示すように、スプロケット穴２３があるテープ状の配線基板の中に図１で示した１個の配線パターン２１がブロック２２の中にマトリクス状に配置されて形成され、ブロック２２がＴＡＢ基板２０の長さ方向に繰り返して配置された形態をしている。なお、配線パターン２１へめっき作業の際必要な給電線は不図示である。
また、ＬＥＤパッケージを製造する際は、このＴＡＢ基板２０をテープ状のままで使用したり、２ブロックずつなどに一定の長さに切断してフレーム状にして使用することができる。
【００５１】
図４は，本発明の実施形態に係る配線基板の製造手順を説明するための第１図である。
図５は、本発明の実施形態に係る配線基板の製造手順を説明するための第２図である。
以下に、図４および図５に関連付けてＴＡＢ基板の製造手順を説明する。
【００５２】
まず、図４（ａ）に示すように、接着材２４と樹脂フィルム２５からなる基材９を用意する。このような基材９は市販（株式会社巴川製紙所、東レ株式会社など）されており、容易に入手が可能である。
また、接着材２４と樹脂フィルム２５をそれぞれ用意してラミネートして製造することでも良い。
接着材２４としては、熱硬化性でＢステージ状態でも金型による打ち抜きバリの発生しにくいモノが好適である。
また、樹脂フィルム２５としてはポリイミドフィルムが一般的であるが、用途に応じてポリイミドアミド、ポリエチレンテレフタレート、アラミドなどのフィルムを選択しても良い。また、樹脂フィルム２５の厚さとしては５０〜７５μｍが入手性やハンドリング性の点で好適である。
【００５３】
次に、図４（ｂ）に示すように貫通穴２７を開ける。貫通穴２７は、後に金属充填部１０（図１参照）を形成するための穴である。
穴を形成する方法としては、打ち抜き金型による方法が汎用的であり、この際に金型の前工程でスプロケット穴２３（図３参照）をあけてそれを金型の後工程でパイロットして貫通穴２７をあける。穴の数が多い場合はグループに分けて穴あけを行う。
また、マトリクス構造のブロック２２の形状をつくるには、ブロック内の穴をグループ毎にあけるための送り量とブロック間の送り量を変えることができるような制御を有したプレス機が必要となるがこのようなプレス機も市販されている。
【００５４】
次に、図４（ｃ）に示すように、貫通穴２７をあけた基材９に銅箔２８または銅合金箔２８をラミネートする。この銅箔（または銅合金箔）２８は、ＬＥＤパッケージには放熱性が要求されるので１８〜１００μｍの厚さが望ましく、特に３５〜７０μｍの厚さが入手性やＬＥＤパッケージ用として好適である。
ラミネーターとしては、ロールラミネーターが良く減圧雰囲気でのラミネートができればさらに良い。ラミネート終了後は、接着材メーカーから指定された条件で接着材２４のキュアを行う。一般的には１５０℃以上の熱風循環炉でキュアを行う。
【００５５】
次に、図４（ｄ）に示すように、貫通穴２７に電気銅めっきで埋め込みめっきを行い、金属充填部１０を形成する。埋め込みめっきの方法については、特開２００３−１２４２６４号公報などにも記載されている。
市販の銅めっき液とその使用方法についてはメーカー（荏原ユージライト株式会社やアトテックジャパン株式会社など）から入手可能である。
【００５６】
次に、図４（ｅ）に示すように、銅箔２８のパターニングを行って第１凹部（Ａ）１１、第２凹部（Ｂ）１３をエッチングで形成する。
図示はしないがパターニングはフォトリソグラフィが汎用的である。すなわち、感光性レジストを銅箔２８に貼り合わせる。微細なパターンであれば液状のものをロールコーターなどで塗工し、特に制約がなければ感光性のドライフィルムをラミネートすることでも良い。
次にパターンを露光し、塩化第二鉄あるいは塩化第二銅主体のエッチング液でエッチングを行う。このとき、第１凹部（Ａ）１１，第２凹部（Ｂ）１３は、いわゆるハーフエッチングになるので、エッチング時間の短縮化を基本パラメーターにして調整しエッチングの深さを所望の深さに制御する。エッチング後は、感光性レジストを完全に除去する。
【００５７】
次に、図５（ｆ）に示すように、図４（ｅ）と同じ手順を繰り返して、今度は銅箔２８の厚さ以上のエッチング深さになるようにエッチング量を調整してパターン層６を形成する。
この場合の感光性レジストや感光性フィルムの選択は第１凹部（Ａ）１１，第２凹部（Ｂ）１３のハーフエッチング深さにも影響を受けるので、事前に確認をしておくことが望ましい。
【００５８】
次に、図５（ｇ）に示すように、パターン層６に、樹脂層４をスクリーン印刷によって設ける。
まず、樹脂層最下層４Ｃを印刷しそれをキュアしたのち樹脂層最上層４Ｂを印刷する。樹脂層最上層４Ｂ用のインクついては、シリコーン系樹脂が良いので朝日ラバー株式会社のＳＷＲ-ＰＫシリーズからの選択が好適である。
樹脂層最下層４Ｃのインクに付いては、ＳＷＲ-ＰＫシリーズとの接着性が良い物を熱硬化性ソルダーレジストの中から選択する。
また、樹脂層最上層４Ｂを印刷する際に同時並列的に樹脂層５も印刷することが望ましい。
また、パターン層６の無い部分の樹脂層４については、単層、複層の任意の層構成を選択が可能である。
【００５９】
次に、図５（ｈ）に示すように、Ｎｉを下地めっきとした、Ａｇめっきを電解めっきで行い金属層１４を設ける。ＮｉめっきとＡｇめっきの間にＡｇまたはＡｕのストライクめっきを行うことが望ましい。
また、ＬＥＤ用パッケージは、光沢めっきを好む場合が多いので、適時Ｎｉめっき用の光沢剤とＡｇめっき用の光沢剤を市販品の中から選択することで良い。
【００６０】
以上で図３に示したＴＡＢ基板２０を製造することができる。一連の製造方法の中でＴＡＢやＣＯＦやフレキシブル配線基板を製造している事業者にとって、一般に市販されていないような特殊な製造設備は不要である。
【００６１】
以上説明したように、本第１の実施形態においては、ＬＥＤチップ２を実装する部分かつ青色光の影響を強く受ける部分として第１凹部（Ａ）１１があり、その周囲に第２凹部（Ｂ）１３を設けることで第１凹部（Ａ）１１と第２凹部（Ｂ）１３の間に壁形状部１２が形成される。
この壁形状部１２の第１凹部（Ａ）１１側の壁は、ＬＥＤチップ２の光を反射する機能を有し、ＬＥＤパケージの全光束アップ（ＵＰ）に寄与するとともに樹脂層４の開口部の樹脂端近傍にＬＥＤチップ２の光が直接的に当たるのを防ぐとともに、レンズの内外を分離するための境界として従来の樹脂の開口による境界よりも寸法的に安定した境界としての機能を有する。
また、壁形状部１２の第２凹部（Ｂ）１３側の壁面は樹脂の流れ止めとなって樹脂開口形状の寸法不安定さを補う機能を有する。
また、第１凹部（Ａ）１１は、一段低くなった形状の為に、第１凹部（Ａ）１１の底面にハンドリング等によるスクラッチ傷や接触による擦れ痕がつきにくい特徴を有する。また、樹脂は複数の層構成とすることで、銅系パターン層への密着と酸化防止、そして耐青色光性の機能を有している。
【００６２】
以上のことから、本第１の実施形態によれば、１）実装面にハンドリング等によるスクラッチ傷や擦れ痕がつきにくい、２）光の反射率が長期的に安定しやすい、３）実装面の開口寸法が安定している、４）樹脂の密着力が安定している、ＬＥＤパッケージ用途に適した配線基板を提供することができる。
【００６３】
（第２の実施形態）
図６は、本発明の第２の実施形態に係る配線基板の要部を示す図である。図６は図２（ｂ）と同様に、図２（ａ）におけるＢ−Ｂ線矢視方向の構成を断面として示す図である。
【００６４】
本第２の実施形態の配線基板１００ａが第１の実施形態の配線基板１００と異なる点は、以下の通りである。
本第２の実施形態の配線基板１００ａにおいては、金属層１４ａが壁形状部１２ａの上部１２Ａの第２凹部（Ｂ）１３側で終端されており、外壁面部１６ａがこの金属層１４ａの終端端面として構成されている。
【００６５】
このように、外壁面部１６ａが金属層１４ａの終端端面であっても壁形状部１２ａの上部（上面）１２Ａよりも樹脂層最上層４Ｂの下地層との界面４１が低い位置になれば良い。
【００６６】
本第２の実施形態によれば、上述した第１の実施形態の効果と同様の効果を得ることができる。
【００６７】
（第３の実施形態）
図７は、本発明の第３の実施形態に係る配線基板の要部を示す図である。図７は図２（ｂ）と同様に、図２（ａ）におけるＢ−Ｂ線矢視方向の構成を断面として示す図である。
【００６８】
本第３の実施形態の配線基板１００ｂが第１の実施形態の配線基板１００と異なる点は、以下の通りである。
本第３の実施形態の配線基板１００ｂにおいては、樹脂層最上層４Ｂが樹脂層最下層４Ｃをオーバーラップしている構成で、上記第２の実施形態と同様に、金属層１４ｂが壁形状部１２ｂの上部１２Ａの第２凹部（Ｂ）１３側で終端されており、外壁面部１６ａがこの金属層１４ｂの終端端面として構成されている。
【００６９】
このように、外壁面部１６ａが金属層１４ａの終端端面であり、樹脂層最上層４Ｂの樹脂層最下層４Ｃオーバーラップ部４２の底面が壁形状部１２ｂの上部（上面）１２Ａより低い位置になれば良い。
【００７０】
本第３の実施形態によれば、上述した第１の実施形態の効果と同様の効果を得ることができる。
【００７１】
（第４の実施形態）
図８は、本発明の第４の実施形態に係る配線基板の要部を示す図である。図８は図２（ｂ）と同様に、図２（ａ）におけるＢ−Ｂ線矢視方向の構成を断面として示す図である。
【００７２】
本第４の実施形態の配線基板１００ｃが第１の実施形態の配線基板１００と異なる点は、以下の通りである。
本第４の実施形態の配線基板１００ｃにおいては、樹脂層４の樹脂層最下層４Ｃの位置が壁形状部１２ｃまで達しない状態で、樹脂層最上層４Ｂの樹脂層最下層４Ｃオーバーラップ部４２の底面が十分に下がらない状態のために、金属層１４ｃがその隙間に潜り込み、第２凹部（Ｂ）１３の底面に達した構成となっている。
【００７３】
このように、樹脂層最下層４Ｃの位置が壁形状部１２ｃまで達しない状態で、樹脂層最上層４Ｂの樹脂層最下層４Ｃオーバーラップ部４２の底面が十分に下がらない状態のために、金属層１４ｃがその隙間に潜り込み、第２凹部（Ｂ）１３の底面に達したとしても樹脂層最上層４Ｂのオーバーラップ部の底面は壁形状部１２ｃの上面より低い位置であれば良い。
【００７４】
本第４の実施形態によれば、上述した第１の実施形態の効果と同様の効果を得ることができる。
【００７５】
（変形例１）
次に、本発明の実施形態の変形例について述べる。
本発明の実施形態では、片面配線基板を中心に述べてきたが、両面配線基板の一方のパターン面に本発明を適用することは容易である。
（変形例２）
次に本発明の製造方法の変形例について述べる。
本発明の製造方法において、図５（ｇ）において、樹脂層４を設ける際に、まず樹脂裁下層４Ｃを設けた後、Ｎｉ下地のＡｇめっき等の金属層１４を設け、その後に樹脂層最上層４Ｂを設ける製造方法を適用する事も可能である。
【００７６】
（応用例１）
次に、本発明の実施形態の応用例について述べる。
図９は、本発明の実施形態に係る配線基板の応用例とそれを用いたＬＥＤパッケージの平面図である。
【００７７】
応用例１としては、図９に示すように、フリップチップ型ＬＥＤチップ３０を実装するＬＥＤパッケージとそれに対応した本発明の配線基板１００ｄが構成可能である。
パターン層６に空隙部４Ｄを作って電気的に分離したアノードとカソードのパターンを形成しフリップチップ型ＬＥＤチップ３０をはんだバンプ等を介してフリップチップ実装することができる。
【００７８】
その場合、少なくともフリップチップ型ＬＥＤチップ３０の下になる部分には壁形状部１２を形成しないことが望ましい。
図９においては、フリップチップ型ＬＥＤチップ３０がＬＥＤパッケージの中心にないが中心に設計することも容易である。
また、図９では、アノードとカソード間の空隙部４Ｄにおいて、壁形状部１２は、全て無くなっているが部分的に無くするように設計することも容易である。
【００７９】
（応用例２）
応用例２としては、本発明の実施形態で説明したスクリーン印刷で加工する樹脂の他に、ポリフタルアミド等のように射出成型で加工する樹脂を用いても同様の効果が期待できる。
すなわち射出成形による樹脂の開口部の樹脂端を第１凹部（Ａ）とその周囲の第２凹部（Ｂ）の間に形成される壁形状部の第２凹部（Ｂ）側の壁面近傍になるように設計すればよい。
【符号の説明】
【００８０】
１：封止材、レンズ
２：ＬＥＤチップ
３：ワイヤー
４：樹脂層
４Ａ：開口部
４Ｂ：樹脂層最上層
４Ｃ：樹脂層最下層
４１：界面
４２：オーバーラップ部分
５：樹脂層
６：パターン層
７：接着層
８：基材
９：基材
１０：金属充填部
１１：第１凹部（Ａ）
１２：壁形状部
１３：第２凹部（Ｂ）
１４：金属層
１５：内壁面部
１６：外壁面部
２０：ＴＡＢ基板
２１：一個の配線パターン
２２：ブロック
２３：スプロケット穴
２４：接着材
２５：樹脂フィルム
２７：貫通穴
２８：銅箔
３０：フリップチップ型ＬＥＤチップ
１００，１００ａ〜１００ｄ：配線基板
２００：ＬＥＤパッケージ
【図１】
2016171222.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
2016171222.tif 000008
【図７】
2016171222.tif 000009
【図８】
2016171222.tif 000010
【図９】
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