(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
バネ性金属層と絶縁べ−ス材との積層材料に於ける前記絶縁べ−ス材上に、化学的エッチング処理又はレ−ザ−アブレ−ション処理手段を加えてフライングリ−ド部の前記バネ性金属層を露出させ、前記絶縁べ−ス材及び露出した前記バネ性金属層上にスパッタリング手段で電解メッキ手段により所要の配線パタ−ン及びフライングリ−ドとなるパタ−ンを形成し、前記バネ性金属層に対するエッチング処理を施して前記フライングリ−ドを露出させて該フライングリ−ドと可撓性中継回路基板との双方を電気的に接合する為の磁気ヘッド用フレクシャーブランクの製造法に於いて、前記配線パタ−ンに対する表面保護層を形成した後に、前記バネ性金属層に対する所要のエッチング前処理として少なくとも前記フライングリ−ド外面に耐腐食性薄膜層を形成し、前記バネ性金属層に対するエッチング処理後に、前記耐腐食性薄膜層をエッチング除去することを特徴とする磁気ヘッド用フレクシャーブランクの製造法。
【請求項２】
前記耐腐食性薄膜層が薄膜クロム層である請求項１の磁気ヘッド用フレクシャーブランクの製造法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、磁気ディスク装置等に使用する磁気ヘッドサスペンション組立体に於ける磁気ヘッド用フレクシャーブランクの製造法に関し、更に具体的に云えば、本発明は相手方の可撓性中継回路基板と接続する為のフライングリ−ドを備えた磁気ヘッド用フレクシャーブランクの製造法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
この種の磁気ディスク装置等に使用される磁気ヘッド用フレクシャーブランクに於いて、可撓性中継回路基板とフレクシャーブランクを接続する手法として、フレクシャーブランクの端部にフライングリ−ド構造を形成して可撓性中継回路基板との双方の端部を超音波融着接合するか、或いは可撓性中継回路基板の端部に半田バンプ等を設けてフレクシャーブランクと同様に超音波融着接合する形態がある。
【０００３】
そのうち、上記の如くフレクシャーブランクの端部にフライングリ−ド構造を形成する手法の場合には、図２（１）の如く、ステンレス等のバネ性金属層２０とポリイミドフィルム等の絶縁べ−ス材２１とを積層した材料を用意し、先ず、絶縁べ−ス材２１の表面にスパッタリング手段でシ−ド層としてクロム層２２と銅層２３とを順次形成し、次いで所要の配線パタ−ンを形成できるようにレジストパタ−ン２４，２５を銅層２３上に形成した段階で電解メッキ手段を使用して所要の配線パタ−ン２６とフライングリ−ド２７となるパタ−ンを形成する。
【０００４】
次に、レジストパタ−ン２４，２５を剥離し、同図（２）の如く、配線パタ−ン２６の外面に対して例えば感光性絶縁樹脂材料等を用いて表面保護層２８を形成し、先ず、バネ性金属層２０にエッチング処理を加えて所要のバネ性金属層パタ−ン２０Ａを形成し、次いでバネ性金属層パタ−ン２０Ａの側からレ−ザ−アブレ−ション処理を施して不要な絶縁べ−ス材２１部分を除去することによって所要の絶縁べ−ス材部分２１Ａを形成するとフライングリ−ド２７も同時に露出する。
【０００５】
その際、配線パタ−ン２６の下部には、シ−ド層として機能したクロム層部分２２Ａと銅層部分２３Ａとが残されるが、フライングリ−ド２７の下部のそれらはレ−ザ−アブレ−ション処理時に除去される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
上記に於いて、レ−ザ−アブレ−ション処理工程に付す為には、バネ性金属層２０に対するエッチング処理後、レ−ザ−アブレ−ション処理の為のメタルマスクパタ−ンを形成する必要があるが、この工程には相当な手間を要する。即ち、そのメタルマスクパタ−ン形成工程は、先ず、薄膜金属形成工程と、全面メッキ圧付け工程と、レジストコ−ティング工程と、露光工程と、現像工程と、メッキエッチング工程と、レジスト剥離工程と、レ−ザ−加工工程と、そしてメッキエッチング工程とを必要とするので極めて煩雑である。
【０００７】
また、配線パタ−ン２６を含めてフライングリ−ド２７が微細パタ−ンに形成される形態では、フライングリ−ド２７がレ−ザ−アブレ−ション処理時に損傷を受ける虞がある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
そこで本発明は、相手方の可撓性中継回路基板と接続する為に確実に形成できるフライングリ−ドを備えた磁気ヘッド用フレクシャーブランクの製造法を提供するものである。
【００１０】
その為に本発明に係る磁気ヘッド用フレクシャーブランクの製造法では、バネ性金属層と絶縁べ−ス材との積層材料に於ける前記絶縁べ−ス材上、化学的エッチング処理又はレ−ザ−アブレ−ション処理手段を加えてフライングリ−ド部の前記バネ性金属層を露出させ、前記絶縁べ−ス材及び露出した前記バネ性金属層上にスパッタリング手段で電解メッキ手段により所要の配線パタ−ン及びフライングリ−ドとなるパタ−ンを形成し、前記バネ性金属層に対するエッチング処理を施して前記フライングリ−ドを露出させて該フライングリ−ドと可撓性中継回路基板との双方を電気的に接合する為の磁気ヘッド用フレクシャーブランクの製造法に於いて、前記配線パタ−ンに対する表面保護層を形成した後に、前記バネ性金属層に対する所要のエッチング前処理として少なくとも前記フライングリ−ド外面に耐腐食性薄膜層として薄膜クロム層を形成し、前記バネ性金属層に対するエッチング処理後に、前記耐腐食性薄膜層としての薄膜クロム層をエッチング除去する手法を採用したものである。
【００１１】
【発明の実施の形態】
以下、図示の実施例を参照しながら本発明を更に詳述する。図１は本発明に係る磁気ヘッド用フレクシャーブランクの概念的な製造工程図であり、同図（１）の如く、先ず、ステンレス等のバネ性金属層１とポリイミドフィルム等からなる絶縁べ−ス材との積層材料を用意し、その絶縁べ−ス材に対して化学的エッチング処理又はレ−ザ−アブレ−ション処理手段等を加えて所要の絶縁べ−ス層２を形成する。
【００１２】
次いで、絶縁べ−ス層２及び露出したバネ性金属層１の領域全面にスパッタリング手段でシ−ド層として機能するクロム層３と銅層４を数百Å〜数千Åの厚さに形成する。ここで、クロム層３は後工程で行われるバネ性金属層１に対するエッチング処理時のバリア層として作用すると共に、絶縁べ−ス層２と後述の配線パタ−ンとの間の密着性を高めるものである。
【００１３】
そこで、銅層４上に例えば液状レジストをスピンコ−タ−等で数十μｍ程度の厚さにコ−ティングし、これにプリベ−ク処理及び露光・現像処理を施すことにより所要の配線パタ−ン及びフライングリ−ドとなるパタ−ンと逆パタ−ンとなるメッキ用レジストパタ−ン５，６を形成した段階で、電解メッキ手段で所要の配線パタ−ン７及びフライングリ−ド８となるパタ−ンを形成する。この場合、これらの配線パタ−ン７及びフライングリ−ド８となるパタ−ンは、銅、ニッケル及び金の順で全体の厚みを数μｍ程度になるように形成することができる。
【００１４】
次に、同図（２）の如く、メッキ用レジストパタ−ン５，６を剥離液で除去した後、露出した銅層４とクロム層３との不要な領域を商品名メックブライトＣＢ８０１等の酸とフェリシアン化カリ等のアルカリでそれぞれスライトエッチング除去する。これにより、フライングリ−ド８及び配線パタ−ンの下部にはクロム層部分３Ａと銅層部分４Ａとが残される。そこで、図のように配線パタ−ン７に対して例えば感光性ポリイミド樹脂をコ−ティング又はラミネ−トして、これに露光・現像処理及びエッチング剥離処理を施して所要の表面保護層９を形成することとなる。
【００１５】
次いで、同図（３）の如く、表面保護層９を含めてフライングリ−ド８の全面に耐腐食性薄膜層としての薄膜クロム層１０をスパッタリング手段で適宜形成した後、同図（４）の如く、薄膜クロム層１０の側には一様にエッチング用レジスト１１を形成すると共に、バネ性金属層１の側に対しては所要のレジストパタ−ン１２を形成する。これらのエッチング用レジスト１１並びにレジストパタ−ン１２は、エッチング用レジストをワ−ク両面に適宜コ−ティングし、バネ性金属層１の側に対して所要のパタ−ンニング処理を加えることにより簡便に形成することが可能である。
【００１６】
そこで、同図（５）の如く、露出したバネ性金属層１の不要な領域をスプレ−等によるエッチング液の噴霧手段でエッチング除去した後、エッチング用レジスト１１並びにレジストパタ−ン１２を剥離することによって、絶縁べ−ス層２の下面に所要のバネ性金属層パタ−ン１Ａを形成することができる。このエッチング処理時に於いて、フライングリ−ド８は薄膜クロム層１０とクロム層３Ａにより好適に保護される。
【００１７】
最後に、薄膜クロム層１０をスライトエッチング除去することによって、同図（６）の如く、フライングリ−ド８はその下部に銅層部分４Ａを有し、そのフライングリ−ド８の下面を絶縁べ−ス層２の下面と略同一に形成した磁気ヘッド用フレクシャーブランクを製作することができる。
【００１８】
【発明の効果】
本発明の磁気ヘッド用フレクシャーブランク及びその製造法によれば、フライングリ−ドはその下部に銅層部分を有し、また、そのフライングリ−ドの下面を絶縁べ−ス層の下面と略同一に形成できるので、相手方の可撓性中継回路基板と確実且つ容易に電気的に接続することができる。
【００１９】
そして、本発明による磁気ヘッド用フレクシャーブランクの製造法では、バネ性金属層に対する所要のエッチング前処理として少なくともフライングリ−ドの外面に薄膜クロム層からなる耐腐食性薄膜層を形成するので、従来の如く煩雑なメタルマスク形成工程を伴う絶縁べ−ス層に対する好ましくないレ−ザ−アブレ−ション工程を採用することなく、簡易な工程で微細な配線パタ−ン並びにフライングリ−ドを備えた磁気ヘッド用フレクシャーブランクでも安定的に製作することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の磁気ヘッド用フレクシャーブランクの製造工程図。
【図２】従来の磁気ヘッド用フレクシャーブランクの問題点を説明する為の図。
【符号の説明】
１  バネ性金属層
１Ａ  バネ性金属層パタ−ン
２  絶縁べ−ス層
３  クロム層
４  銅層
４Ａ  銅層部分
５  レジストパタ−ン
６  レジストパタ−ン
７  配線パタ−ン
８  フライングリ−ド
９  表面保護層
１０  薄膜クロム層
１１  レジスト
１２  レジストパタ−ン
【図１】
0004025470.tif 000002
【図２】
0004025470.tif 000003