(57)【要約】【課題】熱プレスにおける良好な粘性を有し、光半導体素子を確実かつ迅速に封止することのできる封止シート、それを用いる封止光半導体素子の製造方法、および、それを用いる光半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】封止シート１は、光半導体素子１５を封止するように使用される封止層２を備える封止シートであって、封止層２を、周波数１Ｈｚおよび昇温速度１０℃／分の条件で動的粘弾性測定することにより得られる貯蔵剪断弾性率Ｇ’と温度Ｔとの関係を示す曲線が、極小値を有し、極小値における温度Ｔが、６０℃以上、２００℃以下の範囲にあり、極小値における貯蔵剪断弾性率Ｇ’が、５Ｐａ以上、１，０００Ｐａ以下の範囲にある。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光半導体素子を封止するように使用される封止層を備える封止シートであって、
前記封止層を、周波数１Ｈｚおよび昇温速度１０℃／分の条件で動的粘弾性測定することにより得られる貯蔵剪断弾性率Ｇ’と温度Ｔとの関係を示す曲線が、極小値を有し、
前記極小値における温度Ｔが、６０℃以上、２００℃以下の範囲にあり、
前記極小値における貯蔵剪断弾性率Ｇ’が、５Ｐａ以上、１，０００Ｐａ以下の範囲にあることを特徴とする、封止シート。
【請求項２】
３０℃における前記貯蔵剪断弾性率Ｇ’が、１００Ｐａ以上であることを特徴とする、請求項１に記載の封止シート。
【請求項３】
前記封止層が、熱硬化性樹脂を含有することを特徴とする、請求項１または２に記載の封止シート。
【請求項４】
前記封止層が、Ｂステージ状態であることを特徴とする、請求項３に記載の封止シート。
【請求項５】
１５０℃、２時間の加熱条件で熱硬化させたときの２５℃における引張弾性率が、１０ＭＰａ以上であることを特徴とする、請求項３または４に記載の封止シート。
【請求項６】
前記極小値が、６５℃以上、９０℃以下の範囲にあることを特徴とする、請求項１〜５のいずれか一項に記載の封止シート。
【請求項７】
前記極小値における貯蔵剪断弾性率Ｇ’が、１０Ｐａ以上、３００Ｐａ以下の範囲にあることを特徴とする、請求項１〜６のいずれか一項に記載の封止シート。
【請求項８】
前記封止層の厚み方向一方面に配置される剥離シートをさらに備えることを特徴とする、請求項１〜７のいずれか一項に記載の封止シート。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか一項に記載の封止シートを用意するシート用意工程、
基材に配置される光半導体素子を用意する素子用意工程、および、
前記封止シートを、６０℃以上、２００℃以下の温度で、前記光半導体素子に対して熱プレスする熱プレス工程
を備えることを特徴とする、封止光半導体素子の製造方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の封止光半導体素子の製造方法により、封止光半導体素子を得る工程を備え、
前記基材が、支持板と、前記支持板の厚み方向一方面に配置される粘着シートとを備え、
前記封止光半導体素子を前記粘着シートから剥離する剥離工程、および、
前記封止光半導体素子を基板に実装する実装工程
をさらに備えることを特徴とする、光半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項９に記載の封止光半導体素子の製造方法により、封止光半導体素子を得る工程を備え、
前記基材が、基板であり、
前記素子用意工程では、前記基板に実装された光半導体素子を用意することを特徴とする、光半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、封止シート、封止光半導体素子の製造方法および光半導体装置の製造方法、詳しくは、封止シート、それを用いる封止光半導体素子の製造方法、および、その製造方法により得られる封止光半導体素子を用いる光半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、封止シートによりＬＥＤを封止し、それによって、発光装置を得ることが知られている。
【０００３】
例えば、所定の架橋温度未満の温度において熱可塑性を有し、前記架橋温度以上の温度で不可逆的に硬化する熱可塑性樹脂を含有する封止用樹脂シートが提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００４】
上記した封止用樹脂シートは、ＬＥＤに対して、熱プレスして、使用される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１３−１７９３００号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかるに、封止シートには、熱プレスにおいて、過度に流動することを抑制して、ＬＥＤの近傍に滞留できる粘性が求められるところ、特許文献１に記載される封止用樹脂シートでは、求められる粘性を十分に満足することができないという不具合がある。
【０００７】
一方、封止用樹脂シートには、ＬＥＤに対する確実な封止性が求められる。
【０００８】
さらに、封止用樹脂シートには、ＬＥＤに対して迅速に封止することも求められている。
【０００９】
本発明の目的は、熱プレスにおける良好な粘性を有し、光半導体素子を確実かつ迅速に封止することのできる封止シート、それを用いる封止光半導体素子の製造方法、および、それを用いる光半導体装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明（１）は、光半導体素子を封止するように使用される封止層を備える封止シートであって、前記封止層を、周波数１Ｈｚおよび昇温速度１０℃／分の条件で動的粘弾性測定することにより得られる貯蔵剪断弾性率Ｇ’と温度Ｔとの関係を示す曲線が、極小値を有し、前記極小値における温度Ｔが、６０℃以上、２００℃以下の範囲にあり、前記極小値における貯蔵剪断弾性率Ｇ’が、５Ｐａ以上、１，０００Ｐａ以下の範囲にある、封止シートを含む。
【００１１】
この封止シートによれば、封止層の極小値における温度Ｔが、６０℃以上、２００℃以下の範囲にあり、極小値における貯蔵剪断弾性率Ｇ’が、５Ｐａ以上、１，０００Ｐａ以下の範囲にあるので、熱プレスにおける良好な粘性を有し、光半導体素子を確実かつ迅速に封止することができる。
【００１２】
本発明（２）は、３０℃における前記貯蔵剪断弾性率Ｇ’が、１００Ｐａ以上である、（１）に記載の封止シートを含む。
【００１３】
この封止シートでは、３０℃における貯蔵剪断弾性率Ｇ’が、１００Ｐａ以上であるので、３０℃における取扱性に優れている。
【００１４】
本発明（３）は、前記封止層が、熱硬化性樹脂を含有する、（１）または（２）に記載の封止シートを含む。
【００１５】
この封止シートでは、封止層が、熱硬化性樹脂を含有するので、封止層を熱硬化させることができ、これによって、封止光半導体素子の信頼性、ひいては、光半導体装置の信頼性を向上させることができる。
【００１６】
本発明（４）は、前記封止層が、Ｂステージ状態である、（３）に記載の封止シートを含む。
【００１７】
この封止シートでは、封止層が、Ｂステージ状態であるので、封止層によって、光半導体素子を確実に埋設して、封止層による光半導体素子に対する確実な封止を図ることができる。
【００１８】
本発明（５）は、１５０℃、２時間の加熱条件で熱硬化させたときの２５℃における引張弾性率が、１０ＭＰａ以上である、（３）または（４）に記載の封止シートを含む。
【００１９】
この封止シートでは、１５０℃、２時間の加熱条件で熱硬化させたときの２５℃における引張弾性率が、１０ＭＰａ以上であるので、封止層の迅速な硬化を達成でき、そのため、封止光半導体素子および光半導体装置の製造効率に優れ、従って、封止光半導体素子および光半導体装置の製造コストの上昇を抑制することができる。
【００２０】
本発明（６）は、前記極小値が、６５℃以上、９０℃以下の範囲にある、（１）〜（５）のいずれか一項に記載の封止シートを含む。
【００２１】
この封止シートによれば、極小値が、６５℃以上、９０℃以下の範囲にあるので、封止層の優れた封止性によって、光半導体素子を確実に封止することができる。
【００２２】
本発明（７）は、前記極小値における貯蔵剪断弾性率Ｇ’が、１０Ｐａ以上、３００Ｐａ以下の範囲にある、（１）〜（６）のいずれか一項に記載の封止シートを含む。
【００２３】
この封止シートによれば、極小値における貯蔵剪断弾性率Ｇ’が、１０Ｐａ以上、３００Ｐａ以下の範囲にあるので、光半導体素子に対する迅速な封止、および、確実な封止を図ることができる。
【００２４】
本発明（８）は、前記封止層の厚み方向一方面に配置される剥離シートをさらに備える、（１）〜（７）のいずれか一項に記載の封止シートを含む。
【００２５】
この封止シートによれば、封止層の厚み方向一方面に配置される剥離シートをさらに備えるので、封止層の厚み方向一方面を保護することができる。
【００２６】
本発明（９）は、（１）〜（８）のいずれか一項に記載の封止シートを用意するシート用意工程、基材に配置される光半導体素子を用意する素子用意工程、および、前記封止シートを、６０℃以上、２００℃以下の温度で、前記光半導体素子に対して熱プレスする熱プレス工程を備える、封止光半導体素子の製造方法を含む。
【００２７】
この封止光半導体素子の製造方法によれば、熱プレス工程では、封止シートを、６０℃以上、２００℃以下の温度で、光半導体素子に対して熱プレスするので、封止シートによって、光半導体素子に対する確実かつ迅速な封止を達成することができる。
【００２８】
本発明（１０）は、（９）に記載の封止光半導体素子の製造方法により、封止光半導体素子を得る工程を備え、前記基材が、支持板と、前記支持板の厚み方向一方面に配置される粘着シートとを備え、前記封止光半導体素子を前記粘着シートから剥離する剥離工程、および、前記封止光半導体素子を基板に実装する実装工程をさらに備える、光半導体装置の製造方法を含む。
【００２９】
この光半導体装置の製造方法によれば、上記した封止光半導体素子の製造方法により、封止光半導体素子を得、これを基板に実装するので、信頼性に優れた光半導体装置を製造することができる。
【００３０】
本発明（１１）は、（９）に記載の封止光半導体素子の製造方法により、封止光半導体素子を得る工程を備え、前記基材が、基板であり、前記素子用意工程では、前記基板に実装された光半導体素子を用意する、光半導体装置の製造方法を含む。
【００３１】
この光半導体装置の製造方法によれば、信頼性に優れた光半導体装置を製造することができる。
【発明の効果】
【００３２】
本発明の封止シートによれば、熱プレスにおける良好な粘性を有し、光半導体素子を確実かつ迅速に封止することができる。
【００３３】
本発明の封止光半導体素子の製造方法によれば、信頼性に優れた光半導体装置を製造することができる。
【００３４】
本発明の光半導体装置の製造方法の製造方法によれば、信頼性に優れた光半導体装置を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】図１は、本発明の封止シートの一実施形態の断面図を示す。
【図２】図２Ａ〜図２Ｅは、本発明の封止光半導体素子の製造方法および光半導体装置の製造方法の第１実施形態の工程図を示し、図２Ａは、光半導体素子を基材に仮固定する工程、図２Ｂは、封止シートを光半導体素子の対向面に載置する工程、図２Ｃは、封止シートにより光半導体素子を封止する工程、図２Ｄは、封止光半導体素子を個片化し、続いて、基材から引き剥がす工程、図２Ｅは、封止光半導体素子を基板に実装する工程を示す。
【図３】図３Ａ〜図３Ｃは、本発明の封止光半導体素子の製造方法および光半導体装置の製造方法の第２実施形態の工程図を示し、図３Ａは、基板に実装された光半導体素子を用意する工程、図３Ｂは、封止シートを光半導体素子の対向面に載置する工程、図３Ｃは、封止シートによって光半導体素子を封止する工程を示す。
【図４】図４は、各実施例および各比較例における封止層の貯蔵剪断弾性率Ｇ’と温度Ｔとの関係を示す。
【発明を実施するための形態】
【００３６】
＜本発明の封止シートの一実施形態＞
本発明の一実施形態を以下で説明する。
【００３７】
図１において、紙面上下方向は、上下方向（第１方向、厚み方向）であり、紙面上側が上側（第１方向一方側、厚み方向一方側）、紙面下側が下側（第１方向他方側、厚み方向他方側）である。図１において、紙面左右方向は、左右方向（第１方向に直交する第２方向）であり、紙面左側が左側（第２方向一方側）、紙面右側が右側（第２方向他方側）である。図１において、紙面紙厚方向は、前後方向（第１方向および第２方向に直交する第３方向）であり、紙面手前側が前側（第３方向一方側）、紙面奥側が後側（第３方向他方側）である。具体的には、各図の方向矢印に準拠する。
【００３８】
１．封止シート
封止シート１は、図１に示すように、略平板形状を有し、具体的には、所定の厚みを有し、左右方向および前後方向に延び、平坦な上面（表面）および平坦な下面（裏面）を有している。また、封止シート１は、後述する封止光半導体素子１１（図２Ｄ参照）ではなく、また、光半導体装置２１（図２Ｅ参照）でもない。すなわち、封止シート１は、封止光半導体素子１１および光半導体装置２１の一部品であり、すなわち、封止光半導体素子１１および光半導体装置２１を作製するための部品である。そのため、封止シート１は、光半導体素子１５および光半導体素子１５を実装する基板１６（図２Ｅ参照）を含まず、封止シート１そのものが、部品単独で流通し、産業上利用可能なデバイスである。
【００３９】
図１に示すように、封止シート１は、封止層２と、封止層２の下面に配置される剥離シート３とを備える。好ましくは、封止シート１は、封止層２と、剥離シート３とのみからなる。
【００４０】
１−１．封止層
封止層２は、封止材料から形成される層（シート）状を有している。また、封止層２は、後述する図２Ｃに示すように、光半導体素子１５を封止するように使用される。
【００４１】
封止材料としては、例えば、封止組成物が挙げられる。封止組成物は、例えば、粘着性（すなわち、常温（２５℃）での表面タック性）の樹脂を含有している。
【００４２】
樹脂としては、例えば、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂が挙げられ、好ましくは、熱硬化性樹脂が挙げられる。
【００４３】
熱硬化性樹脂としては、例えば、２段反応硬化性樹脂、１段反応硬化性樹脂が挙げられる。
【００４４】
２段反応硬化性樹脂は、２つの反応機構を有しており、第１段の反応で、Ａステージ状態からＢステージ化（半硬化）し、次いで、第２段の反応で、Ｂステージ状態からＣステージ化（完全硬化）することができる。つまり、２段反応硬化性樹脂は、適度の加熱条件によりＢステージ状態となることができる熱硬化性樹脂である。Ｂステージ状態は、熱硬化性樹脂が、液状であるＡステージ状態と、完全硬化したＣステージ状態との間の状態であって、硬化およびゲル化がわずかに進行し、圧縮弾性率がＣステージ状態の弾性率よりも小さい半固体状態または固体状態である。
【００４５】
１段反応硬化性樹脂は、１つの反応機構を有しており、第１段の反応で、Ａステージ状態からＣステージ化（完全硬化）することができる。このような１段反応硬化性樹脂は、第１段の反応の途中で、その反応が停止して、Ａステージ状態からＢステージ状態となることができ、その後のさらなる加熱によって、第１段の反応が再開されて、Ｂステージ状態からＣステージ化（完全硬化）することができる熱硬化性樹脂である。つまり、かかる熱硬化性樹脂は、Ｂステージ状態となることができる熱硬化性樹脂である。そのため、１段反応硬化性樹脂は、１段の反応の途中で停止するように制御できず、つまり、Ｂステージ状態となることができず、一度に、Ａステージ状態からＣステージ化（完全硬化）する熱硬化性樹脂を含まない。
【００４６】
要するに、熱硬化性樹脂は、Ｂステージ状態となることができる熱硬化性樹脂である。
【００４７】
熱硬化性樹脂としては、例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂などが挙げられる。熱硬化性樹脂としては、好ましくは、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂が挙げられ、より好ましくは、シリコーン樹脂が挙げられる。
【００４８】
上記した熱硬化性樹脂は、同一種類または複数種類のいずれでもよい。
【００４９】
シリコーン樹脂としては、透明性、耐久性、耐熱性、耐光性の観点から、例えば、付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物、縮合・付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物などのシリコーン樹脂組成物が挙げられ、好ましくは、付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物が挙げられる。シリコーン樹脂は、単独で使用してもよく、あるいは、併用することもできる。
【００５０】
付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物は、１段反応硬化性樹脂組成物であって、例えば、アルケニル基含有ポリシロキサンと、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンと、ヒドロシリル化触媒とを含有する。
【００５１】
アルケニル基含有ポリシロキサンは、分子内に２個以上のアルケニル基および／またはシクロアルケニル基を含有する。アルケニル基含有ポリシロキサンは、具体的には、下記平均組成式（１）で示される。
【００５２】
平均組成式（１）：
Ｒ１ａＲ２ｂＳｉＯ（４−ａ−ｂ）／２
（式中、Ｒ１は、炭素数２〜１０のアルケニル基および／または炭素数３〜１０のシクロアルケニル基を示す。Ｒ２は、非置換または置換の炭素数１〜１０の１価の炭化水素基（ただし、アルケニル基およびシクロアルケニル基を除く。）を示す。ａは、０．０５以上、０．５０以下であり、ｂは、０．８０以上、１．８０以下である。）
式（１）中、Ｒ１で示されるアルケニル基としては、例えば、ビニル基、アリル基、プロペニル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基、ヘプテニル基、オクテニル基などの炭素数２〜１０のアルケニル基が挙げられる。Ｒ１で示されるシクロアルケニル基としては、例えば、シクロヘキセニル基、ノルボルネニル基などの炭素数３〜１０のシクロアルケニル基が挙げられる。
【００５３】
Ｒ１として、好ましくは、アルケニル基、より好ましくは、炭素数２〜４のアルケニル基、さらに好ましくは、ビニル基が挙げられる。
【００５４】
Ｒ１で示されるアルケニル基は、同一種類または複数種類のいずれでもよい。
【００５５】
Ｒ２で示される１価の炭化水素基は、アルケニル基およびシクロアルケニル基以外の非置換または置換の炭素原子数１〜１０の１価の炭化水素基である。
【００５６】
非置換の１価の炭化水素基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ペンチル基、ヘプチル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基、ノニル基、デシル基などの炭素数１〜１０のアルキル基、例えば、シクロプロピル、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などの炭素数３〜６のシクロアルキル基、例えば、フェニル基、トリル基、ナフチル基などの炭素数６〜１０のアリール基、例えば、ベンジル基、ベンジルエチル基などの炭素数７〜８のアラルキル基が挙げられる。好ましくは、炭素数１〜３のアルキル基、炭素数６〜１０のアリール基が挙げられ、より好ましくは、メチル基および／またはフェニル基が挙げられる。
【００５７】
一方、置換の１価の炭化水素基は、上記した非置換の１価の炭化水素基における水素原子を置換基で置換したものが挙げられる。
【００５８】
置換基としては、例えば、塩素原子などのハロゲン原子、例えば、グリシジルエーテル基などが挙げられる。
【００５９】
置換の１価の炭化水素基としては、具体的には、３−クロロプロピル基、グリシドキシプロピル基などが挙げられる。
【００６０】
１価の炭化水素基は、非置換および置換のいずれであってもよく、好ましくは、非置換である。
【００６１】
Ｒ２で示される１価の炭化水素基は、同一種類または複数種類であってもよい。好ましくは、メチル基および／またはフェニル基が挙げられ、より好ましくは、メチル基およびフェニル基の併用が挙げられる。
【００６２】
ａは、好ましくは、０．１０以上、０．４０以下である。
【００６３】
ｂは、好ましくは、１．５以上、１．７５以下である。
【００６４】
アルケニル基含有ポリシロキサンの重量平均分子量は、例えば、１００以上、好ましくは、５００以上であり、また、例えば、１０，０００以下、好ましくは、５，０００以下である。アルケニル基含有ポリシロキサンの重量平均分子量は、ゲル透過クロマトグラフィーによって測定される標準ポリスチレンによる換算値である。
【００６５】
アルケニル基含有ポリシロキサンは、適宜の方法によって調製され、また、市販品を用いることもできる。
【００６６】
また、アルケニル基含有ポリシロキサンは、同一種類または複数種類であってもよい。
【００６７】
ヒドロシリル基含有ポリシロキサンは、例えば、分子内に２個以上のヒドロシリル基（ＳｉＨ基）を含有する。ヒドロシリル基含有ポリシロキサンは、具体的には、下記平均組成式（２）で示される。
【００６８】
平均組成式（２）：
ＨｃＲ３ｄＳｉＯ（４−ｃ−ｄ）／２
（式中、Ｒ３は、非置換または置換の炭素数１〜１０の１価の炭化水素基（ただし、アルケニル基および／またはシクロアルケニル基を除く。）を示す。ｃは、０．３０以上、１．０以下であり、ｄは、０．９０以上、２．０以下である。）
式（２）中、Ｒ３で示される非置換または置換の炭素数１〜１０の１価の炭化水素基は、式（１）のＲ２で示される非置換または置換の炭素数１〜１０の１価の炭化水素基と同一のものが例示される。好ましくは、非置換の炭素数１〜１０の１価の炭化水素基、より好ましくは、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数６〜１０のアリール基が挙げられ、さらに好ましくは、メチル基および／またはフェニル基が挙げられる。
【００６９】
ｃは、好ましくは、０．５以下である。
【００７０】
ｄは、好ましくは、１．３以上、１．７以下である。
【００７１】
ヒドロシリル基含有ポリシロキサンの重量平均分子量は、例えば、１００以上、好ましくは、５００以上であり、また、例えば、１０，０００以下、好ましくは、５，０００以下である。ヒドロシリル基含有ポリシロキサンの重量平均分子量は、ゲル透過クロマトグラフィーによって測定される標準ポリスチレンによる換算値である。
【００７２】
ヒドロシリル基含有ポリシロキサンは、適宜の方法によって調製され、また、市販品を用いることもできる。
【００７３】
また、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンは、同一種類または複数種類であってもよい。
【００７４】
上記した平均組成式（１）および平均組成式（２）中、Ｒ２およびＲ３の少なくともいずれか一方の炭化水素基は、好ましくは、フェニル基を含み、より好ましくは、Ｒ２およびＲ３の両方の炭化水素が、フェニル基を含む。なお、Ｒ２およびＲ３の少なくともいずれか一方の炭化水素基がフェニル基を含む場合には、付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物は、フェニル系シリコーン樹脂組成物とされる。フェニル系シリコーン樹脂組成物の屈折率は、例えば、１．４５以上、さらには、１．５０以上である。
【００７５】
ヒドロシリル基含有ポリシロキサンの配合割合は、アルケニル基含有ポリシロキサンのアルケニル基およびシクロアルケニル基のモル数の、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンのヒドロシリル基のモル数に対する割合（アルケニル基およびシクロアルケニル基のモル数／ヒドロシリル基のモル数）が、例えば、１／３０以上、好ましくは、１／３以上、また、例えば、３０／１以下、好ましくは、３／１以下となるように、調整される。
【００７６】
ヒドロシリル化触媒は、アルケニル基含有ポリシロキサンのアルケニル基および／またはシクロアルケニル基と、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンのヒドロシリル基とのヒドロシリル化反応（ヒドロシリル付加）の反応速度を向上させる物質（付加触媒）であれば、特に限定されず、例えば、金属触媒が挙げられる。金属触媒としては、例えば、白金黒、塩化白金、塩化白金酸、白金−オレフィン錯体、白金−カルボニル錯体、白金−アセチルアセテートなどの白金触媒、例えば、パラジウム触媒、例えば、ロジウム触媒などが挙げられる。
【００７７】
ヒドロシリル化触媒の配合割合は、金属触媒の金属量（具体的には、金属原子）として、アルケニル基含有ポリシロキサンおよびヒドロシリル基含有ポリシロキサンに対して、質量基準で、例えば、１．０ｐｐｍ以上であり、また、例えば、１０，０００ｐｐｍ以下、好ましくは、１，０００ｐｐｍ以下、より好ましくは、５００ｐｐｍ以下である。
【００７８】
付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物は、アルケニル基含有ポリシロキサン、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンおよびヒドロシリル化触媒を、上記した割合で配合することにより、調製される。
【００７９】
上記した付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物は、まず、アルケニル基含有ポリシロキサン、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンおよびヒドロシリル化触媒を配合することによって、Ａステージ（液体）状態として調製されて使用される。
【００８０】
上記したように、フェニル系シリコーン樹脂組成物は、所望条件の加熱により、アルケニル基含有ポリシロキサンのアルケニル基および／またはシクロアルケニル基と、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンのヒドロシリル基とのヒドロシリル化付加反応を生じ、その後、ヒドロシリル化付加反応が、一旦、停止する。これによって、Ａステージ状態からＢステージ（半硬化）状態となることができる。
【００８１】
その後、フェニル系シリコーン樹脂組成物は、さらなる所望条件の加熱により、上記したヒドロシリル化付加反応が再開されて、完結する。これによって、Ｂステージ状態からＣステージ（完全硬化）状態となることができる。
【００８２】
縮合・付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物は、２段反応硬化性樹脂であって、具体的には、例えば、特開２０１０−２６５４３６号公報、特開２０１３−１８７２２７号公報などに記載される第１〜第８の縮合・付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物、例えば、特開２０１３−０９１７０５号公報、特開２０１３−００１８１５号公報、特開２０１３−００１８１４号公報、特開２０１３−００１８１３号公報、特開２０１２−１０２１６７号公報などに記載されるかご型オクタシルセスキオキサン含有シリコーン樹脂組成物などが挙げられる。なお、縮合・付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物は、固体状または半固体状であって、熱可塑性および熱硬化性を併有する。
【００８３】
なお、シリコーン樹脂は、市販品を用いることができ、例えば、ＯＥシリーズ（付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物、東レ・ダウコーニング社製）などが用いられる。
【００８４】
そして、上記した樹脂は、少なくともＢステージ（半硬化）状態にあるとき、すなわち、封止層２を形成しているときの樹脂は、固体状または半固体状である。そして、このような樹脂は、熱可塑性および熱硬化性を併有する。つまり、樹脂は、加熱により、一旦、可塑化した後、完全硬化する。より具体的には、樹脂は、昇温とともに、粘度が次第に降下し、その後、昇温を継続すると、粘度が次第に上昇する。
【００８５】
封止組成物は、例えば、フィラーを含有することもできる。
【００８６】
フィラーとしては、例えば、無機粒子、有機粒子などが挙げられる。
【００８７】
無機粒子としては、例えば、シリカ（ＳｉＯ２）、酸化チタン（ＴｉＯ２）、タルク（Ｍｇ３（Ｓｉ４Ｏ１０）（ＨＯ）２）、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、酸化ホウ素（Ｂ２Ｏ３）、酸化カルシウム（ＣａＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）、酸化バリウム（ＢａＯ）、酸化アンチモン（Ｓｂ２Ｏ３）などの酸化物、例えば、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）などの窒化物などの無機物粒子（無機物）が挙げられる。また、無機粒子として、例えば、上記例示の無機物から調製される複合無機物粒子が挙げられ、具体的には、酸化物から調製される複合無機酸化物粒子（具体的には、ガラス粒子など）が挙げられる。
【００８８】
無機粒子として、好ましくは、シリカ粒子、ガラス粒子が挙げられる。
【００８９】
無機粒子は、通常、後述するトルエンなどの溶剤に不溶である。
【００９０】
有機粒子の有機材料としては、例えば、アクリル系樹脂、スチレン系樹脂、アクリル−スチレン系樹脂、シリコーン系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、ベンゾグアナミン系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリイミド系樹脂などが挙げられる。
【００９１】
有機粒子として、好ましくは、シリコーン系樹脂粒子が挙げられる。
【００９２】
有機粒子は、例えば、後述するトルエンなどの溶剤に不溶である。なお、有機粒子は、例えば、溶剤に溶解するものを含むこともできる。
【００９３】
なお、フィラーは、光拡散機能を有することもできる。
【００９４】
フィラーの屈折率は、例えば、１．４０以上、２．５０以下である。
【００９５】
フィラーは、単独使用または併用することができる。
【００９６】
フィラーの含有割合は、封止組成物に対して、例えば、１質量％以上、好ましくは、３質量％以上であり、また、例えば、８０質量％以下、好ましくは、７５質量％以下である。
【００９７】
また、フィラーの樹脂１００重量部に対する配合割合は、例えば、１０質量部以上、好ましくは、３０質量部以上であり、また、例えば、１，０００質量部以下、好ましくは、２００質量部以下である。
【００９８】
さらに、封止組成物は、例えば、蛍光体をさらに含有することもできる。
【００９９】
蛍光体としては、例えば、青色光を黄色光に変換することのできる黄色蛍光体、青色光を赤色光に変換することのできる赤色蛍光体などが挙げられる。
【０１００】
黄色蛍光体としては、例えば、（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ）２ＳｉＯ４；Ｅｕ、（Ｓｒ，Ｂａ）２ＳｉＯ４：Ｅｕ（バリウムオルソシリケート（ＢＯＳ））などのシリケート蛍光体、例えば、Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ（ＹＡＧ（イットリウム・アルミニウム・ガーネット）：Ｃｅ）、Ｔｂ３Ａｌ３Ｏ１２：Ｃｅ（ＴＡＧ（テルビウム・アルミニウム・ガーネット）：Ｃｅ）などのガーネット型結晶構造を有するガーネット型蛍光体、例えば、Ｃａ−α−ＳｉＡｌＯＮなどの酸窒化物蛍光体などが挙げられる。
【０１０１】
赤色蛍光体としては、例えば、ＣａＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ、ＣａＳｉＮ２：Ｅｕなどの窒化物蛍光体などが挙げられる。
【０１０２】
蛍光体として、好ましくは、黄色蛍光体、より好ましくは、ガーネット型蛍光体が挙げられる。
【０１０３】
蛍光体の形状としては、例えば、球状、板状、針状などが挙げられる。
【０１０４】
蛍光体の最大長さの平均値（球状である場合には、平均粒子径）は、例えば、０．１μｍ以上、好ましくは、１μｍ以上であり、また、例えば、２００μｍ以下、好ましくは、１００μｍ以下でもある。
【０１０５】
蛍光体は、単独使用または併用することができる。
【０１０６】
蛍光体の配合割合は、封止組成物に対して、例えば、０．１質量％以上、好ましくは、０．５質量％以上であり、例えば、９０質量％以下、好ましくは、８０質量％以下である。
【０１０７】
封止層２を調製するには、例えば、上記した樹脂と、必要により配合されるフィラーおよび蛍光体とを配合して、封止組成物のワニスを調製し、続いて、それを、剥離シート３の上面に塗布する。次いで、封止組成物が熱硬化性樹脂を含有する場合には、封止組成物を、Ｂステージ化する。具体的には、封止組成物を、加熱する。
【０１０８】
加熱条件は、封止層２において動的粘弾性測定における貯蔵剪断弾性率Ｇ’が所望の範囲となるように、適宜設定される。
【０１０９】
つまり、加熱温度は、封止組成物における熱硬化性樹脂の組成によって適宜設定され、具体的には、例えば、５０℃以上、好ましくは、７０℃以上であり、また、例えば、１２０℃以下、好ましくは、１００℃以下である。加熱温度が上記下限以上、および／または、加熱温度が上記上限以下であれば、上記した貯蔵剪断弾性率Ｇ’の極小値を所望の範囲に設定することができる。
【０１１０】
加熱時間は、例えば、５分以上、好ましくは、１０分以上であり、また、例えば、２０分以下、好ましくは、１５分以下である。加熱時間が上記下限以上、および／または、上記上限以下であれば、上記した貯蔵剪断弾性率Ｇ’の極小値を所望の範囲に設定することができる。
【０１１１】
これにより、封止層２が調製される。
【０１１２】
封止層２の厚みは、例えば、５０μｍ以上、好ましくは、１００μｍ以上であり、また、例えば、１５００μｍ以下、好ましくは、１０００μｍ以下である。
【０１１３】
１−２．封止層の物性
（１）  動的粘弾性
（１−１）極小値
このような封止層２を、周波数１Ｈｚおよび昇温速度１０℃／分の条件で動的粘弾性測定することにより得られる貯蔵剪断弾性率Ｇ’と温度Ｔとの関係を示す曲線は、図４が参照されるように、極小値を有する。
【０１１４】
そして、そのような極小値における温度Ｔは、６０℃以上、２００℃以下の範囲にあり、上記した極小値における貯蔵剪断弾性率Ｇ’は、５Ｐａ以上、１，０００Ｐａ以下の範囲にある。
【０１１５】
極小値における温度Ｔが６０℃未満であれば、次に説明する熱プレス工程（図２Ｃ参照）における６０℃以上の熱プレスにおいて、粘度が過度に上昇する。そのため、封止層２の光半導体素子１５（図２Ｂ参照）に対する封止性が低下する不具合がある。
【０１１６】
極小値における温度Ｔが２００℃超過であれば、次に説明する熱プレス工程（図２Ｃ参照）における２００℃以下の熱プレスにおいて、封止層２の粘度が十分に降下しない。そのため、熱プレスにおいて２００℃を超える高温で封止層２を加熱する必要があり、そのため、封止光半導体素子１１および光半導体装置２１の製造コストが上昇する不具合がある。
【０１１７】
極小値における貯蔵剪断弾性率Ｇ’が、５Ｐａ未満であれば、次に説明する熱プレス工程（図２Ｃ参照）において、封止層２を形成する封止材料が過度に柔らかくなる。そして、封止材料が、光半導体素子１から離れるように流動して、光半導体素子１５を封止できないという不具合がある。具体的には、封止材料が過度に流動することを抑制して、光半導体素子１５の近傍に滞留できる粘性を有することができないという不具合がある。
【０１１８】
極小値における貯蔵剪断弾性率Ｇ’が、１，０００Ｐａ超過であれば、次に説明する熱プレス工程（図２Ｃ参照）において、封止層２の粘度が十分に降下しない。そのため、封止層２が光半導体素子１５（図２Ｂ参照）を埋設できず、そのため、封止層２の半導体素子１５に対する封止性が低下するという不具合がある。
【０１１９】
また、極小値における温度Ｔが、好ましくは、６５℃以上、９０℃以下の範囲にある。温度Ｔが上記範囲内にあれば、封止層２の優れた封止性によって、封止光半導体素子１１を確実に封止することができる。
【０１２０】
また、極小値における貯蔵剪断弾性率Ｇ’は、好ましくは、１０Ｐａ以上、より好ましくは、１５Ｐａ以上、さらに好ましくは、２０Ｐａ以上であり、また、好ましくは、７５０Ｐａ以下、より好ましくは、２５０Ｐａ以下、さらに好ましくは、１００Ｐａ以下、とりわけ好ましくは、５０Ｐａ未満の範囲にある。
【０１２１】
極小値における貯蔵剪断弾性率Ｇ’が上記した下限以上であれば、次に説明する熱プレス工程（図２Ｃ参照）において、過度に流動するのを抑制して、封止光半導体素子１１に対する封止性に優れる。
【０１２２】
極小値における貯蔵剪断弾性率Ｇ’が上記した上限以下であれば、次に説明する熱プレス工程（図２Ｃ参照）において、光半導体素子１５を迅速に封止することができる。
（１−２）３０℃における貯蔵剪断弾性率Ｇ’
また、３０℃における貯蔵剪断弾性率Ｇ’は、例えば、１００Ｐａ以上、好ましくは、１５０Ｐａ以上、より好ましくは、２００Ｐａ以上であり、また、例えば、１，０００，０００Ｐａ以下、好ましくは、１００，０００Ｐａ以下、より好ましくは、１，０００Ｐａ以下、さらに好ましくは、５００Ｐａ以下である。常温（２５℃）に近い３０℃における上記した貯蔵剪断弾性率Ｇ’が上記下限以上であれば、封止シート１の常温（２５℃）における取扱性に優れる。
【０１２３】
（２）  引張弾性率
封止層２は、熱硬化性樹脂を含有する場合には、１５０℃、２時間の加熱条件で熱硬化させたときの２５℃における引張弾性率が、例えば、５ＭＰａ以上、好ましくは、１０ＭＰａ以上、より好ましくは、２０ＭＰａ以上、さらに好ましくは、２０ＭＰａ以上であり、また、例えば、１００ＭＰａ以下である。引張弾性率が上記下限以上であれば、封止層２を迅速に熱硬化させることができる。そのため、光半導体素子１５の製造コストの上昇を抑制し、ひいては、光半導体装置２１の製造コストの上昇を抑制することができる。引張弾性率が上記上限以下であれば、封止層２が適度な柔軟性を有するために、光半導体装置２１の信頼性を担保することができる。
【０１２４】
なお、２５℃における引張弾性率の測定方法は、後述する実施例欄において詳述される。
【０１２５】
（３）長期保存後の溶融粘度
封止層２は、低温において長期保存したときに、溶融粘度の上昇が抑制されている。具体的には、初期の封止層２の６０℃における溶融粘度Ｖ０に対する、−１５℃で、１週間保存した後の封止層２の６０℃における溶融粘度Ｖ１の比（Ｖ１／Ｖ０）が、例えば、２倍未満、好ましくは、１．５倍未満であり、また、例えば、１．０倍以上である。さらに、初期の封止層２の６０℃における溶融粘度Ｖ０に対する、−１５℃で、４週間保存した後の封止層２の６０℃における溶融粘度Ｖ４の比（Ｖ４／Ｖ０）が、例えば、１．５倍未満、好ましくは、１．３倍未満であり、また、例えば、１．０倍以上である。上記した溶融粘度の比（Ｖ１／Ｖ０、および／または、Ｖ４／Ｖ０）が、上記上限未満であれば、封止層２の良好な保存安定性を確保することができる。
【０１２６】
なお、溶融粘度の測定方法は、後述する実施例欄において、詳述される。
【０１２７】
１−３．剥離シート
剥離シート３は、図２Ｂに示すように、封止層２によって光半導体素子１５に対して封止するまでの間、封止層２を保護するために、封止層２の裏面（図１における下面）に剥離可能に配置されている。剥離シート３は、可撓性フィルムからなる。また、剥離シート３の表面、つまり、封止層２に対する接触面は、必要によりフッ素処理などの剥離処理されている。
【０１２８】
剥離シート３としては、例えば、ポリエチレンフィルム、ポリエステルフィルム（ＰＥＴなど）などのポリマーフィルム、例えば、セラミクスシート、例えば、金属箔などが挙げられる。剥離シート３は、平面視略矩形状（短冊状、長尺状を含む）などを有している。剥離シート３の厚みは、例えば、１μｍ以上、好ましくは、１０μｍ以上であり、また、例えば、２，０００μｍ以下、好ましくは、１，０００μｍ以下である。
１−４．封止シートの製造
封止シート１を得るには、まず、剥離シート３および上記した封止組成物のワニスをそれぞれ用意する。続いて、剥離シート３の上面に、封止組成物のワニスを塗布する。その後、封止組成物が、熱硬化性樹脂を含有する場合には、封止組成物を加熱によりＢステージ化する。
【０１２９】
これによって、封止層２と、封止層２の下面全面に配置される剥離シート３とを備える封止シート１を得る。
【０１３０】
封止シート１の厚みは、例えば、５０μｍ以上、好ましくは、１００μｍ以上であり、また、例えば、１５００μｍ以下、好ましくは、１０００μｍ以下である。
【０１３１】
２．封止光半導体素子の製造方法および光半導体装置の製造方法
＜本発明の封止光半導体素子の製造方法および光半導体装置の製造方法の第１実施形態＞
本発明の封止光半導体素子の製造方法および光半導体装置の製造方法の第１実施形態を順次説明する。
【０１３２】
すなわち、第１実施形態として、上記した封止シート１を用いる、封止光半導体素子１１を製造する方法、および、光半導体装置２１を製造する方法を説明する。
【０１３３】
２−１．封止光半導体素子の製造方法
図１および図２Ａ〜図２Ｄに示すように、封止光半導体素子１１の製造方法は、封止シート１を用意するシート用意工程（図１参照）、光半導体素子１５を用意する素子用意工程（図２Ａ参照）、および、封止シート１を光半導体素子１５に対して熱プレスする熱プレス工程（図２Ｃ参照）を備える。さらに、封止光半導体素子１１の製造方法は、光半導体素子１５を個片化する個片化工程（図２Ｄの１点破線参照）、および、封止光半導体素子１１を基材１２から剥離する剥離工程（図２Ｄの矢印および仮想線参照）を備える。以下、各工程について順次説明する。
【０１３４】
（１）シート用意工程
シート用意工程では、図１に示すように、上記の「１．封止シート」欄で記載したように、封止シート１を用意する。
【０１３５】
（２）素子用意工程
素子用意工程では、図２Ａに示すように、基材１２に配置される光半導体素子１５を用意する。
【０１３６】
基材１２は、支持板１３と、支持板１３の上面に配置される粘着シート１４とを備えている。
【０１３７】
支持板１３は、上記した剥離シート３と同様の材料から形成されている。また、支持板１３は、ガラスなどの無機材料から形成されていてもよい。支持板１３の厚みは、例えば、１０μｍ以上、好ましくは、５０μｍ以上であり、また、例えば、１，０００μｍ以下、好ましくは、１００μｍ以下である。
【０１３８】
粘着シート１４は、例えば、加熱および／または紫外線照射により、光半導体素子１５を容易に剥離できるシート（すなわち、光半導体素子１５を仮固定できる仮固定シート）から形成されている。粘着シート１４の厚みは、例えば、５μｍ以上、好ましくは、１０μｍ以上であり、また、例えば、２００μｍ以下、好ましくは、１００μｍ以下である。
【０１３９】
基材１２は、支持板１３の表面に、粘着シート１４を配置することにより得られる。基材１２の厚みは、例えば、２０μｍ以上、好ましくは、５０μｍ以上であり、また、例えば、５００μｍ以下、好ましくは、２００μｍ以下である。
【０１４０】
光半導体素子１５は、例えば、電気エネルギーを光エネルギーに変換するＬＥＤやＬＤである。好ましくは、光半導体素子１５は、青色光を発光する青色ＬＥＤ（発光ダイオード素子）である。一方、光半導体素子１５は、光半導体素子とは技術分野が異なるトランジスタなどの整流器を含まない。
【０１４１】
光半導体素子１５は、前後方向および左右方向に沿う略平板形状を有している。光半導体素子１５は、電極側面１７と、対向面１８と、周側面１９とを有している。
【０１４２】
電極側面１７は、図２Ａに示す光半導体素子１５における下面である。電極側面１７には、電極（図示せず）が設けられている。電極側面１７は、粘着シート１４の上面に仮固定されている。
【０１４３】
対向面１８は、図２Ａに示す光半導体素子１５における上面であって、電極側面１７に対して下側に間隔を隔てて対向配置されている。
【０１４４】
周側面１９は、電極側面１７の周端縁と、対向面１８の周端縁とを連結している。
【０１４５】
光半導体素子１５は、前後方向および左右方向に互いに間隔を隔てて間隔を隔てて複数整列配置されている。
【０１４６】
光半導体素子１５の寸法は、適宜設定されており、具体的には、厚み（高さ）が、例えば、０．１μｍ以上、好ましくは、０．２μｍ以上であり、また、例えば、５００μｍ以下、好ましくは、２００μｍ以下である。また、光半導体素子１５の前後方向および／または左右方向における長さＬ１は、例えば、０．１ｍｍ以上、好ましくは、０．２ｍｍ以上であり、また、例えば、３ｍｍ以下、好ましくは、２ｍｍ以下である。また、隣接する光半導体素子１５の間の間隔（前後方向および／または左右方向における間隔）Ｌ０は、例えば、０．１ｍｍ以上、好ましくは、０．２ｍｍ以上であり、また、例えば、５ｍｍ以下、好ましくは、３ｍｍ以下である。また、隣接する光半導体素子１５のピッチＬ２、具体的には、上記した長さＬ１および間隔Ｌ０の和（Ｌ１＋Ｌ０）は、例えば、０．２ｍｍ以上、好ましくは、０．４ｍｍ以上であり、また、例えば、８ｍｍ以下、好ましくは、５ｍｍ以下である。
【０１４７】
（３）熱プレス工程
熱プレス工程は、「（１）シート用意工程」および「（２）素子用意工程」の後に、実施される。
【０１４８】
熱プレス工程では、まず、図１に示す封止シート１を上下反転させて、続いて、図２Ｂに示すように、その封止シート１を、基材１２に仮固定された光半導体素子１５の上面に配置する。具体的には、封止層２を、光半導体素子１５の対向面１８に載置する。
【０１４９】
続いて、基材１２、光半導体素子１５および封止シート１を、例えば、プレス機（図示せず）を用いて、熱プレスする。プレス機は、真空装置および熱源を備える真空熱プレス機であって、下板と、下板の上側に配置され、下板に対して下側に熱プレス可能に構成される上板とを備える。
【０１５０】
熱プレス条件は、封止層２における封止組成物が可塑化して、各光半導体素子１５の周側面１９を被覆し、続いて、封止組成物の硬化がわずかに進行する条件に適宜設定される。
【０１５１】
具体的には、熱プレスの温度は、６０℃以上、好ましくは、７０℃以上であり、また、２００℃以下、好ましくは、１８０℃以下、より好ましくは、１５０℃以下である。
【０１５２】
熱プレスの圧力は、例えば、０．０１ＭＰａ以上、好ましくは、０．１０ＭＰａ以上であり、また、例えば、１０．００ＭＰａ以下、好ましくは、５．００ＭＰａ以下、より好ましくは、１．００ＭＰａ以下である。
【０１５３】
熱プレスの時間は、例えば、１分以上、好ましくは、３分以上であり、また、例えば、６０分以下、好ましくは、３０分以下である。
【０１５４】
また、熱プレスは、複数回実施することができる。
【０１５５】
上記した熱プレスによって、封止層２は、まず、樹脂が可塑化することに基づいて、各光半導体素子１５の周側面１９を被覆する。これによって、封止層２は、光半導体素子１５を埋設する。また、封止層２の下端部は、粘着シート１４の上面に至り、これによって、光半導体素子１５の電極側面１７に対して面一な下端面２８を形成する。
【０１５６】
続いて、剥離シート３を封止層２から剥離する。
【０１５７】
その後、光半導体素子１５、封止層２および基材１２を、例えば、オーブンなどによって、加熱する。封止組成物が熱硬化性樹脂を含有する場合には、熱硬化性樹脂が完全硬化（Ｃステージ化）する。
【０１５８】
加熱温度は、例えば、１００℃以上、好ましくは、１２０℃以上であり、また、例えば、２００℃以下、好ましくは、１５０℃以下である。また、加熱時間が、例えば、１０分以上、好ましくは、３０分以上であり、また、例えば、１８０分以下、好ましくは、１２０分以下である。
【０１５９】
これによって、樹脂が熱硬化性樹脂である場合には、熱硬化性樹脂を硬化（Ｃステージ化）させる。これによって、熱硬化性樹脂を完全に反応させて生成物を生成する。
【０１６０】
（生成物）
シリコーン樹脂組成物の反応（Ｃステージ化反応）では、アルケニル基含有ポリシロキサンのアルケニル基および／またはシクロアルケニル基と、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンのヒドロシリル基とのヒドロシリル付加反応がさらに促進される。その後、アルケニル基および／またはシクロアルケニル基、あるいは、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンのヒドロシリル基が消失して、ヒドロシリル付加反応が完結することによって、Ｃステージのシリコーン樹脂組成物、つまり、生成物（あるいは硬化物）が得られる。つまり、ヒドロシリル付加反応の完結により、シリコーン樹脂組成物において、硬化性（具体的には、熱硬化性）が発現する。
【０１６１】
上記した生成物は、下記平均組成式（３）で示される。
【０１６２】
平均組成式（３）：
Ｒ５ｅＳｉＯ（４−ｅ）／２
（式中、Ｒ５は、フェニル基を含む、非置換または置換の炭素数１〜１０の１価の炭化水素基（ただし、アルケニル基およびシクロアルケニル基を除く。）を示す。ｅは、１．０以上、３．０以下である。）
Ｒ５で示される非置換または置換の炭素数１〜１０の１価の炭化水素基としては、式（１）のＲ２で示される非置換または置換の炭素数１〜１０の１価の炭化水素基、および、式（２）のＲ３で示される非置換または置換の炭素数１〜１０の１価の炭化水素基と同一のものが例示される。好ましくは、非置換の１価の炭化水素基、より好ましくは、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数６〜１０のアリール基が挙げられ、さらに好ましくは、フェニル基およびメチル基の併用が挙げられる。
【０１６３】
そして、生成物の平均組成式（３）のＲ５におけるフェニル基の含有割合は、例えば、３０モル％以上、好ましくは、３５モル％以上であり、また、例えば、５５モル％以下、好ましくは、５０モル％以下である。
【０１６４】
生成物の平均組成式（３）のＲ５におけるフェニル基の含有割合は、生成物のケイ素原子に直接結合する１価の炭化水素基（平均組成式（３）においてＲ５で示される）におけるフェニル基濃度である。
【０１６５】
生成物の平均組成式（３）のＲ５におけるフェニル基の含有割合は、１Ｈ−ＮＭＲおよび２９Ｓｉ−ＮＭＲにより算出される。Ｒ５におけるフェニル基の含有割合の算出方法の詳細は、例えば、ＷＯ２０１１／１２５４６３などの記載に基づいて、１Ｈ−ＮＭＲおよび２９Ｓｉ−ＮＭＲにより算出される。
【０１６６】
これによって、封止層２が、光半導体素子１５の対向面１８および周側面１９に対して接着する。つまり、封止層２が、光半導体素子１５の対向面１８および周側面１９を封止する。
【０１６７】
そして、複数の光半導体素子１５と、光半導体素子１５を封止する封止層２とを備える封止光半導体素子１１が、光半導体素子１５の電極側面１７および封止層２の下端面２８が基材１２によって支持された状態で、得られる。
【０１６８】
この封止光半導体素子１１は、基材１２が設けられた状態（基材１２に支持された状態）で、流通することができる。
【０１６９】
（４）個片化工程
個片化工程は、「（３）熱プレス工程」の後に、実施される。個片化工程では、図２Ｄの１点破線で示すように、隣接する光半導体素子１５間における封止層２を、ダイシングなどによって切断する。これによって、光半導体素子１５を個片化する。
【０１７０】
これによって、１つの光半導体素子１５と、封止層２とを備える封止光半導体素子１１が、基材１２に支持された状態で、得られる。
【０１７１】
（５）剥離工程
剥離工程は、「（４）個片化工程」の後に、実施される。剥離工程では、図２Ｄの矢印および仮想線で示すように、封止光半導体素子１１を基材１２から引き剥がす。具体的には、電極側面１７および封止層２の下端面２８を、粘着シート１４の上面から引き剥がす。
【０１７２】
これによって、光半導体素子１５と、封止層２とを備える封止光半導体素子１１が得られる。
【０１７３】
封止光半導体素子１１は、光半導体装置２１（図２Ｅ参照）ではなく、つまり、光半導体装置２１に備えられる基板１６を含まない。つまり、封止光半導体素子１１は、電極側面１７が、光半導体装置２１の基板１６に設けられる端子（図示せず）とまだ電気的に接続されないように、構成されている。さらに、封止光半導体素子１１では、封止層２の下端面２８が基板１６の上面にまだ接触してしない。また、封止光半導体素子１１は、光半導体装置２１の一部品、すなわち、光半導体装置２１を作製するための部品であり、部品単独で流通し、産業上利用可能なデバイスである。
【０１７４】
封止光半導体素子１１は、好ましくは、光半導体素子１５と、封止層２とのみからなる。
【０１７５】
３．光半導体装置の製造方法
図２Ｅに示すように、光半導体装置の製造方法では、「封止光半導体素子の製造方法」により得られる封止光半導体素子１１を、基板１６に実装する。
【０１７６】
基板１６は、略平板形状を有し、例えば、絶縁基板である。また、基板１６は、上面に配置される端子（図示せず）を備えている。
【０１７７】
封止光半導体素子１１を基板１６に実装するには、封止光半導体素子１１における電極側面１７における電極（図示せず）を、基板１６の端子（図示せず）と接触させて、電気的に接続させる。つまり、封止光半導体素子１１の光半導体素子１５を基板１６に対してフリップチップ実装する。
【０１７８】
これとともに、電極側面１を、基板１６の上面に接触させる。
【０１７９】
これにより、基板１６と、基板１６に実装される封止光半導体素子１１とを備える光半導体装置２１を得る。好ましくは、光半導体装置２１は、基板１６と、封止光半導体素子１１とのみからなる。つまり、光半導体装置２１は、剥離シート３および／または基材１２を含まず、好ましくは、基板１６と、光半導体素子１５と、封止層２とのみからなる。
【０１８０】
４．作用効果
そして、この封止シート１によれば、封止層２の極小値における温度Ｔが、６０℃以上、２００℃以下の範囲にあり、極小値における貯蔵剪断弾性率Ｇ’が、５Ｐａ以上、１，０００Ｐａ以下の範囲にあるので、熱プレスにおける良好な粘性を有し、光半導体素子１５に対する封止性に優れ、さらに、光半導体素子１５を迅速に封止することができる。
【０１８１】
また、この封止シート１では、３０℃における貯蔵剪断弾性率Ｇ’が、１００Ｐａ以上であれば、３０℃における取扱性に優れている。
【０１８２】
また、この封止シート１では、封止層２が、熱硬化性樹脂を含有する場合には、封止層２を熱硬化させることができ、これによって、封止光半導体素子１１の信頼性、ひいては、光半導体装置２１の信頼性を向上させることができる。
【０１８３】
また、この封止シート１では、封止層２が、Ｂステージ状態であれば、封止層２によって、光半導体素子１５を確実に埋設して、封止層２による光半導体素子１５に対する確実な封止を図ることができる。
【０１８４】
また、この封止シート１では、１５０℃、２時間の加熱条件で熱硬化させたときの２５℃における引張弾性率が、１０ＭＰａ以上であれば、封止光半導体素子１１および光半導体装置２１の製造効率に優れ、従って、封止光半導体素子１１および光半導体装置２１の製造コストの上昇を抑制することができる。
【０１８５】
また、この封止シート１によれば、極小値が、６５℃以上、９０℃以下の範囲にあれば、保存安定性を向上させることができる。
【０１８６】
また、この封止シート１によれば、極小値における貯蔵剪断弾性率Ｇ’が、１０Ｐａ以上、３００Ｐａ以下の範囲にあれば、光半導体素子１５に対する迅速な封止、および、確実な封止を図ることができる。
【０１８７】
また、この封止シート１によれば、封止層２の下面に配置される剥離シート３をさらに備えるので、封止層２の下面を保護することができる。
【０１８８】
また、この封止光半導体素子１５の製造方法によれば、熱プレス工程では、封止シート１を、６０℃以上、２００℃以下の温度で、光半導体素子１５に対して熱プレスするので、封止シート１によって、光半導体素子１５に対する確実かつ迅速な封止を達成することができる。
【０１８９】
この光半導体装置２１の製造方法によれば、上記した封止光半導体素子封止シート１の製造方法により、封止光半導体素子１１を得、これを基板１６に実装するので、信頼性に優れた光半導体装置２１を製造することができる。
【０１９０】
５．変形例
第１実施形態では、図２Ｄの１点破線で示すように、個片化工程を実施しているが、図示しないが、例えば、個片化工程を実施することなく、つまり、封止層２を切断せずに、複数の光半導体素子１５を備える封止光半導体素子１１を得ることもできる。
【０１９１】
＜本発明の封止光半導体素子および光半導体装置の製造方法の第２実施形態＞
第２実施形態において、上記した第１実施形態と同様の部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
【０１９２】
第１実施形態では、図２Ｄに示すように、基材１２の上で、封止光半導体素子１１を一旦製造した後、図２Ｅに示すように、封止光半導体素子１１を基材１２から引き剥がして、封止光半導体素子１１を基板１６に実装している。しかし、図３Ａに示すように、予め、複数の光半導体素子１５を基板１６に実装し、その後、図３Ｂに示すように、封止シート１によって複数の光半導体素子１５を封止して、その後、剥離シート３を封止層２から引き剥がして、基板１６と、光半導体素子１５と、封止層２とを備える光半導体装置２１を得ることもできる。
【０１９３】
すなわち、図２Ａに示す基材１２を、基板１６に置き換え、さらに個片化工程および実装工程を省略することができる。つまり、図３Ｃに示すように、基板１６の上において、封止光半導体素子１１を製造することができる。
【０１９４】
具体的には、まず、図３Ａに示すように、光半導体素子１５の電極側面１７が基板１６の上面と対向するように、複数の光半導体素子１５を基板１６に対して予めフリップチップ実装する。
【０１９５】
次いで、図３Ｂに示すように、封止シート１によって複数の光半導体素子１５を封止する。具体的には、まず、封止シート１の封止層２を、複数の光半導体素子１５の対向面１８に載置する。
【０１９６】
続いて、光半導体素子１５、基板１６および封止シート１をプレス機にセットし、続いて、熱プレスを実施する。これによって、図３Ｃに示すように、封止層２が光半導体素子１５の対向面１８および周側面１９を封止する。具体的には、封止層２は、光半導体素子１５を埋設する。一方、封止層２の下端部は、基板１６の上面に至り、これによって、光半導体素子１５の電極側面１７に対して面一な下端面２８を形成する。
【０１９７】
続いて、剥離シート３を封止層２から剥離する。
【０１９８】
その後、光半導体素子１５、基板１６および封止層２を、加熱する。封止組成物が熱硬化性樹脂を含有する場合には、熱硬化性樹脂が完全硬化（Ｃステージ化）する。これによって、封止層２が光半導体素子１５の対向面１８および周側面１９に対して接着する。
【０１９９】
これによって、基板１６と、基板１６に実装される光半導体素子１５と、光半導体素子１５を封止する封止層２とを備える光半導体装置２１が得られる。なお、光半導体素子１５および封止層２は、封止光半導体素子１１を構成する。そのため、光半導体装置２１は、基板１６と、封止光半導体素子１１とを備えている。
【０２００】
第２実施形態によっても、第１実施形態と同様の作用効果を奏することができる。
【実施例】
【０２０１】
以下の記載において用いられる配合割合（含有割合）、物性値、パラメータなどの具体的数値は、上記の「発明を実施するための形態」において記載されている、それらに対応する配合割合（含有割合）、物性値、パラメータなど該当記載の上限値（「以下」、「未満」として定義されている数値）または下限値（「以上」、「超過」として定義されている数値）に代替することができる。
【０２０２】
＜アルケニル基含有ポリシロキサンおよびヒドロシリル基含有ポリシロキサンの合成＞
合成例１
撹拌機、還流冷却管、投入口および温度計が装備された四ツ口フラスコに、１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン９３．２ｇ、水１４０ｇ、トリフルオロメタンスルホン酸０．３８ｇおよびトルエン５００ｇを投入して混合し、撹拌しつつメチルフェニルジメトキシシラン７２９．２ｇとフェニルトリメトキシシラン３３０．５ｇの混合物１時間かけて滴下し、その後、１時間加熱還流した。その後、冷却し、下層（水層）を分離して除去し、上層（トルエン溶液）を３回水洗した。水洗したトルエン溶液に水酸化カリウム０．４０ｇを加え、水分離管から水を除去しながら還流した。水の除去完了後、さらに５時間還流し、冷却した。その後、酢酸０．６ｇを投入して中和した後、ろ過して得られたトルエン溶液を３回水洗した。その後、減圧濃縮することにより、液体状のアルケニル基含有ポリシロキサンＡを得た。アルケニル基含有ポリシロキサンＡの平均単位式および平均組成式は、以下の通りである。
【０２０３】
平均単位式：
（（ＣＨ２＝ＣＨ）（ＣＨ３）２ＳｉＯ１／２）０．１５（ＣＨ３Ｃ６Ｈ５ＳｉＯ２／２）０．６０（Ｃ６Ｈ５ＳｉＯ３／２）０．２５
平均組成式：
（ＣＨ２＝ＣＨ）０．１５（ＣＨ３）０．９０（Ｃ６Ｈ５）０．８５ＳｉＯ１．０５
つまり、アルケニル基含有ポリシロキサンＡは、Ｒ１がビニル基、Ｒ２がメチル基およびフェニル基であり、ａ＝０．１５、ｂ＝１．７５である上記平均組成式（１）で示される。
【０２０４】
また、ゲル透過クロマトグラフィーによって、アルケニル基含有ポリシロキサンＡのポリスチレン換算の重量平均分子量を測定したところ、２，３００であった。
【０２０５】
合成例２
撹拌機、還流冷却管、投入口および温度計が装備された四ツ口フラスコに、１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン９３．２ｇ、水１４０ｇ、トリフルオロメタンスルホン酸０．３８ｇおよびトルエン５００ｇを投入して混合し、撹拌しつつジフェニルジメトキシシラン１７３．４ｇとフェニルトリメトキシシラン３００．６ｇの混合物１時間かけて滴下し、滴下終了後、１時間加熱還流した。その後、冷却し、下層（水層）を分離して除去し、上層（トルエン溶液）を３回水洗した。水洗したトルエン溶液に水酸化カリウム０．４０ｇを加え、水分離管から水を除去しながら還流した。水の除去完了後、さらに５時間還流し、冷却した。酢酸０．６ｇを投入して中和した後、ろ過して得られたトルエン溶液を３回水洗した。その後、減圧濃縮することにより、液体状のアルケニル基含有ポリシロキサンＢを得た。アルケニル基含有ポリシロキサンＢの平均単位式および平均組成式は、以下の通りである。
【０２０６】
平均単位式：
（ＣＨ２＝ＣＨ（ＣＨ３）２ＳｉＯ１／２）０．３１（（Ｃ６Ｈ５）２ＳｉＯ２／２）０．２２（Ｃ６Ｈ５ＳｉＯ３／２）０．４７
平均組成式：
（ＣＨ２＝ＣＨ）０．３１（ＣＨ３）０．６２（Ｃ６Ｈ５）０．９１ＳｉＯ１．０８
つまり、アルケニル基含有ポリシロキサンＢは、Ｒ１がビニル基、Ｒ２がメチル基およびフェニル基であり、ａ＝０．３１、ｂ＝１．５３である上記平均組成式（１）で示される。
【０２０７】
また、ゲル透過クロマトグラフィーによって、アルケニル基含有ポリシロキサンＢのポリスチレン換算の重量平均分子量を測定したところ、１，０００であった。
【０２０８】
合成例３
撹拌機、還流冷却管、投入口および温度計が装備された四ツ口フラスコに、ジフェニルジメトキシシラン３２５．９ｇ、フェニルトリメトキシシラン５６４．９ｇ、およびトリフルオロメタンスルホン酸２．３６ｇを投入して混合し、１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン１３４．３ｇを加え、撹拌しつつ酢酸４３２ｇを３０分かけて滴下した。滴下終了後、混合物を撹拌しつつ５０℃に昇温して３時間反応させた。室温まで冷却した後、トルエンと水を加え、良く混合して静置し、下層（水層）を分離して除去した。その後、上層（トルエン溶液）を３回水洗した後、減圧濃縮することにより、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンＣ（架橋剤Ｃ）を得た。
【０２０９】
ヒドロシリル基含有ポリシロキサンＣの平均単位式および平均組成式は、以下の通りである。
【０２１０】
平均単位式：
（Ｈ（ＣＨ３）２ＳｉＯ１／２）０．３３（（Ｃ６Ｈ５）２ＳｉＯ２／２）０．２２（Ｃ６Ｈ５ＰｈＳｉＯ３／２）０．４５
平均組成式：
Ｈ０．３３（ＣＨ３）０．６６（Ｃ６Ｈ５）０．８９ＳｉＯ１．０６
つまり、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンＣは、Ｒ３がメチル基およびフェニル基であり、ｃ＝０．３３、ｄ＝１．５５である上記平均組成式（２）で示される。
【０２１１】
また、ゲル透過クロマトグラフィーによって、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンＣのポリスチレン換算の重量平均分子量を測定したところ、１，０００であった。
【０２１２】
＜その他の原料＞
アルケニル基含有ポリシロキサンおよびヒドロシリル基含有ポリシロキサン以外の原料について、以下に詳述する。
［その他、使用した材料］
ＯＥ−６６３０：付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物、屈折率１．５３、東レ・ダウコーニング社製
ＯＥ−６６３５：付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物、屈折率１．５４、東レ・ダウコーニング社製
ＯＥ−６６３６：付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物、屈折率１．５４、東レ・ダウコーニング社製
白金カルボニル錯体：
商品名「ＳＩＰ６８２９．２」、Ｇｅｌｅｓｔ社製、白金濃度２．０質量％
ガラス粒子：
屈折率１．５５、組成および組成比率（重量％）：ＳｉＯ２／Ａｌ２Ｏ３／ＣａＯ／ＭｇＯ＝６０／２０／１５／５の無機粒子、平均粒子径：３μｍ
＜シリコーン樹脂組成物の調製＞
調製例１
アルケニル基含有ポリシロキサンＡ  ２０ｇ、アルケニル基含有ポリシロキサンＢ  ２５ｇ、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンＣ  ２５ｇ、白金カルボニル錯体５ｍｇを混合させて、シリコーン樹脂組成物Ａを調製した。
【０２１３】
調製例２
アルケニル基含有ポリシロキサンＡ  ２０ｇ、アルケニル基含有ポリシロキサンＢ  ２５ｇ、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンＣ  ２５ｇ、白金カルボニル錯体１ｍｇを混合させて、シリコーン樹脂組成物Ｂを調製した。
【０２１４】
＜封止シートの作製（シート用意工程）＞
（実施例１）
シリコーン樹脂組成物Ａに対して、ガラス粒子を、それらの総量に対して、５０質量％となるように、混合して、封止組成物（屈折率１．５６）を調製した。
【０２１５】
次いで、封止組成物を、アプリケータで、厚み５０μｍの剥離シート（ＰＥＴシート、商品名「ＳＳ４Ｃ」、ニッパ社製）の表面に、加熱後の厚みが４００μｍとなるように塗布し、その後、８０℃で１１．５分、加熱することにより、Ｂステージの封止層を剥離シートの表面に作製した。つまり、封止層と、剥離シートとを備える封止シートを作製した（図１参照）。
【０２１６】
（実施例２）
シリコーン樹脂組成物Ａに対して、ガラス粒子を、それらの総量に対して、５０質量％となるように、混合して、封止組成物（屈折率１．５６）を調製した。
【０２１７】
次いで、封止組成物を、アプリケータで、厚み５０μｍの剥離シート（ＰＥＴシート、商品名「ＳＳ４Ｃ」、ニッパ社製）の表面に、加熱後の厚みが４００μｍとなるように塗布し、その後、８０℃で１３分、加熱することにより、Ｂステージの封止層を剥離シートの表面に作製した。つまり、封止層と、剥離シートとを備える封止シートを作製した（図１参照）。
【０２１８】
（実施例３）
ＯＥ−６６３６に対して、ガラス粒子を、それらの総量に対して、５０質量％となるように、混合して、封止組成物（屈折率１．５６）を調製した。
【０２１９】
次いで、封止組成物を、アプリケータで、厚み５０μｍの剥離シート（ＰＥＴシート、商品名「ＳＳ４Ｃ」、ニッパ社製）の表面に、加熱後の厚みが４００μｍとなるように塗布し、その後、８０℃で１１．５分、加熱することにより、Ｂステージの封止層を剥離シートの表面に作製した。つまり、封止層と、剥離シートとを備える封止シートを作製した（図１参照）。
【０２２０】
（実施例４）
シリコーン樹脂組成物Ｂに対して、ガラス粒子を、それらの総量に対して、５０質量％となるように、混合して、封止組成物（屈折率１．５６）を調製した。
【０２２１】
次いで、封止組成物を、アプリケータで、厚み５０μｍの剥離シート（ＰＥＴシート、商品名「ＳＳ４Ｃ」、ニッパ社製）の表面に、加熱後の厚みが４００μｍとなるように塗布し、その後、８０℃で３０分、加熱することにより、Ｂステージの封止層を剥離シートの表面に作製した。つまり、封止層と、剥離シートとを備える封止シートを作製した（図１参照）。
【０２２２】
（実施例５）
シリコーン樹脂組成物Ａに対して、ガラス粒子を、それらの総量に対して、５０質量％となるように、混合して、封止組成物（屈折率１．５６）を調製した。
【０２２３】
次いで、封止組成物を、アプリケータで、厚み５０μｍの剥離シート（ＰＥＴシート、商品名「ＳＳ４Ｃ」、ニッパ社製）の表面に、加熱後の厚みが４００μｍとなるように塗布し、その後、８０℃で１０分、加熱することにより、Ｂステージの封止層を剥離シートの表面に作製した。つまり、封止層と、剥離シートとを備える封止シートを作製した（図１参照）。
【０２２４】
（実施例６）
ＯＥ−６６３０に対して、ガラス粒子を、それらの総量に対して、５０質量％となるように、混合して、封止組成物（屈折率１．５６）を調製した。
次いで、封止組成物を、アプリケータで、厚み５０μｍの剥離シート（ＰＥＴシート、商品名「ＳＳ４Ｃ」、ニッパ社製）の表面に、加熱後の厚みが４００μｍとなるように塗布し、その後、８０℃で１０分、加熱することにより、Ｂステージの封止層を剥離シートの表面に作製した。つまり、封止層と、剥離シートとを備える封止シートを作製した（図１参照）。
【０２２５】
（実施例７）
シリコーン樹脂組成物Ａに対して、ガラス粒子を、それらの総量に対して、５０質量％となるように、混合して、封止組成物（屈折率１．５６）を調製した。
【０２２６】
次いで、封止組成物を、アプリケータで、厚み５０μｍの剥離シート（ＰＥＴシート、商品名「ＳＳ４Ｃ」、ニッパ社製）の表面に、加熱後の厚みが４００μｍとなるように塗布し、その後、８０℃で１６分、加熱することにより、Ｂステージの封止層を剥離シートの表面に作製した。つまり、封止層と、剥離シートとを備える封止シートを作製した（図１参照）。
【０２２７】
（実施例８）
シリコーン樹脂組成物Ａに対して、ガラス粒子を、それらの総量に対して、５０質量％となるように、混合して、封止組成物（屈折率１．５６）を調製した。
【０２２８】
次いで、封止組成物を、アプリケータで、厚み５０μｍの剥離シート（ＰＥＴシート、商品名「ＳＳ４Ｃ」、ニッパ社製）の表面に、加熱後の厚みが４００μｍとなるように塗布し、その後、８０℃で１4．５分、加熱することにより、Ｂステージの封止層を剥離シートの表面に作製した。つまり、封止層と、剥離シートとを備える封止シートを作製した（図１参照）。
【０２２９】
（実施例９）
シリコーン樹脂組成物Ａに対して、ガラス粒子を、それらの総量に対して、５０質量％となるように、混合して、封止組成物（屈折率１．５６）を調製した。
【０２３０】
次いで、封止組成物を、アプリケータで、厚み５０μｍの剥離シート（ＰＥＴシート、商品名「ＳＳ４Ｃ」、ニッパ社製）の表面に、加熱後の厚みが４００μｍとなるように塗布し、その後、８０℃で１６．５分、加熱することにより、Ｂステージの封止層を剥離シートの表面に作製した。つまり、封止層と、剥離シートとを備える封止シートを作製した（図１参照）
（比較例１）
シリコーン樹脂組成物Ａに対して、ガラス粒子を、それらの総量に対して、５０質量％となるように、混合して、封止組成物（屈折率１．５６）を調製した。
【０２３１】
次いで、封止組成物を、アプリケータで、厚み５０μｍの剥離シート（ＰＥＴシート、商品名「ＳＳ４Ｃ」、ニッパ社製）の表面に、加熱後の厚みが４００μｍとなるように塗布し、その後、８０℃で１７分、加熱することにより、Ｂステージの封止層を剥離シートの表面に作製した。つまり、封止層と、剥離シートとを備える封止シートを作製した（図１参照）。
【０２３２】
（比較例２）
ＯＥ−６６３５に対して、ガラス粒子を、それらの総量に対して、５０質量％となるように、混合して、封止組成物（屈折率１．５６）を調製した。
【０２３３】
次いで、封止組成物を、アプリケータで、厚み５０μｍの剥離シート（ＰＥＴシート、商品名「ＳＳ４Ｃ」、ニッパ社製）の表面に、加熱後の厚みが４００μｍとなるように塗布し、その後７０℃で８．５分、加熱することにより、Ｂステージの封止層を剥離シートの表面に作製した。つまり、封止層と、剥離シートとを備える封止シートを作製した（図１参照）。
【０２３４】
＜評価＞
以下の各項目の結果を表１に示す。
【０２３５】
（貯蔵剪断弾性率Ｇ’）
各実施例および各比較例で得られた封止シートにおける封止層を、下記の条件で、動的粘弾性測定した。
【０２３６】
［条件］
ＤＭＡ装置：回転式レオメータ（Ｃ−ＶＯＲ装置、マルバーン社製）
サンプル量：０．１ｇ
歪量：１０％
周波数：１Ｈｚ
プレート径：８ｍｍ
プレート間ギャップ：２００μｍ
昇温速度：１０℃／分
温度範囲：２０〜２００℃
貯蔵剪断弾性率Ｇ’と温度Ｔとの関係を示す曲線を図４に示す。
【０２３７】
（３０℃における貯蔵剪断弾性率Ｇ’）
各実施例および各比較例で得られた封止シートにおいて、上記貯蔵剪断弾性率Ｇ’の測定を行った結果から、３０℃における貯蔵剪断弾性率Ｇ’を抽出した。
【０２３８】
（封止層の保存安定性）
各実施例および各比較例で得られた封止層の保存安定性を、封止層の６０℃における溶融粘度を参照して評価した。
【０２３９】
すなわち、Ｅ型粘度計（コーンプレート型、東機産業社製）を用いて測定した際の粘度と評価した。
【０２４０】
具体的には、初期の溶融粘度Ｖ０から、−１５℃で、１週間保存後の溶融粘度Ｖ１が２．０倍以上に上昇した場合、つまり、Ｖ１／Ｖ０が２．０以上であった場合、保存安定性を×と評価した。
【０２４１】
また、初期の溶融粘度Ｖ０から、−１５℃で、４週間保存後の溶融粘度Ｖ４が１．５倍以上に上昇した場合、つまり、Ｖ４／Ｖ０が１．５以上であった場合、保存安定性を△と評価した。
【０２４２】
一方、初期の溶融粘度Ｖ０から、−１５℃で、４週間保存後の溶融粘度Ｖ４が１．５倍以上に上昇しなかった場合、つまり、Ｖ４／Ｖ０が１．５未満であった場合、保存安定性を○と評価した。
【０２４３】
（封止シートの取扱性）
各実施例および各比較例で得られた封止シートを垂直に立てかけ、２５℃、２４時間放置した。
【０２４４】
ハンドリング性は、封止シートが２ｍｍ以上変形した場合を△と評価し、変形が２ｍｍ未満、あるいは、変形しなかった場合を○と評価した。
【０２４５】
（引張弾性率）
各実施例および各比較例で得られた封止シートにおける封止層を１５０℃で、２時間加熱して、封止層をＣステージ化（完全硬化）させた。その後、封止層を剥離シートから剥離し、その封止層について、万能試験機（テンシロン）で、下記の条件で、引張試験を実施し、封止層（サンプル）の弾性率を算出した。
【０２４６】
［条件］
サンプル幅：１０ｍｍ
チャック間距離：１０ｍｍ
引張速度：３００ｍｍ／ｍｉｎ
温度：２５℃
（封止性および硬化性）
ステンレス板の上に両面テープを貼り着け、その上に、光半導体素子（ＬＥＤチップ、ＥＤＩ−ＦＡ４５４５Ａ、エピスター社製）を、１．６４ｍｍピッチで配列させた（素子用意工程、図２Ａ参照）。
【０２４７】
その後、各実施例および各比較例で得られた封止シートを光半導体素子に載置し、続いて、９０℃に加熱したプレス機を用い、１０分間、熱プレスした。（熱プレス工程、図２Ｃ参照）。
【０２４８】
その後、剥離シートを封止層から剥離し、次いで、１５０℃、２時間加熱し、続いて、ダイシングにより、隣接する光半導体素子間における封止層を切断して、光半導体素子を個片化した。これにより、１つの光半導体素子と、封止層とを備える封止光半導体素子（チップサイズパッケージ）を作製した（図２Ｄ参照）。
【０２４９】
［硬化性］
熱プレス工程後に、封止層の厚みのバラツキが５０μｍ以上ある場合、硬化性を×と評価した。つまり、硬化性が十分でないと評価した。一方、熱プレス工程後に、封止層の厚みのバラツキが５０μｍ未満である場合、硬化性を○と評価した。つまり、硬化性が十分であると評価した。
【０２５０】
［封止性（充填性）］
ダイシング後に、封止光半導体素子を電極側面側から観察し、周側面の下端縁が封止層により被覆されているか否かで、封止性（充填性）を評価した。
【０２５１】
具体的には、光半導体素子および封止シートをプレス機にセットして、１分以内に成型が始まった場合でも、封止（充填）不良が見られた場合、評価を×と評価した。シートをプレス機にセットして、３分以内に成型が始まった場合に、封止（充填）不良が見られた場合、評価を△と評価した。シートをプレス機にセットして、３分以内に成型が始まった場合に、充填不良が見られなかった場合、評価を○と評価した。
【０２５２】
（シリコーン樹脂組成物の反応により得られる生成物の炭化水素基（Ｒ５）におけるフェニル基の含有割合の測定）
シリコーン樹脂組成物ＡおよびＢ（つまり、フィラーが含まれていないシリコーン樹脂組成物）の反応により得られる生成物中、ケイ素原子に直接結合する炭化水素基（平均組成式（３）のＲ５）におけるフェニル基の含有割合（モル％）を、１Ｈ−ＮＭＲおよび２９Ｓｉ−ＮＭＲにより算出した。
【０２５３】
具体的には、Ａステージのシリコーン樹脂組成物ＡおよびＢを、蛍光体およびフィラーを添加せずに、１００℃１時間で、反応（完全硬化、Ｃステージ化）させて、生成物を得た。
【０２５４】
次いで、得られた生成物の１Ｈ−ＮＭＲおよび２９Ｓｉ−ＮＭＲを測定することで、ケイ素原子に直接結合している炭化水素基（Ｒ５）におけるフェニル基が占める割合（モル％）を算出した。
【０２５５】
その結果、シリコーン樹脂組成物ＡおよびＢの反応により得られる生成物の炭化水素基（Ｒ５）におけるフェニル基の含有割合は、ともに、４８％であった。
【０２５６】
【表１】
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【符号の説明】
【０２５７】
１     封止シート
２     封止層
３     剥離シート
１１   封止光半導体素子
１３   支持板
１４   粘着シート
１５   光半導体素子
１６   基板
２１   光半導体装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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