(57)【要約】【課題】Ｎｉ３Ｓｎ４を成分とする脆い金属間化合物層の形成を抑制し、接合信頼性の高い接続端子を備えた配線基板及び配線基板の製造方法を提供すること。【解決手段】本発明に係る配線基板は、絶縁層及び導体層がそれぞれ１層以上積層された積層構造体を有し、該積層構造体の主面に接続端子が設けられた配線基板であって、前記接続端子は、Ｃｕ又はＣｕを含む合金からなるパッド部と、前記パッド部の露出部分の全面を被覆するＣｕ―Ｓｎ合金層と、前記Ｃｕ―Ｓｎ合金層を被覆するＮｉ層とを備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層及び導体層がそれぞれ１層以上積層された積層構造体を有し、該積層構造体の主面に接続端子が設けられた配線基板であって、
前記接続端子は、
Ｃｕ又はＣｕを含む合金からなるパッド部と、
前記パッド部の露出部分の全面を被覆するＣｕ―Ｓｎ合金層と、
前記Ｃｕ―Ｓｎ合金層を被覆するＮｉ層と
を備えることを特徴とする配線基板。
【請求項２】
絶縁層及び導体層がそれぞれ１層以上積層された積層構造体を有し、該積層構造体の主面に接続端子が設けられた配線基板であって、
前記接続端子は、
Ｃｕ又はＣｕを含む合金からなるパッド部と、
前記パッド部を直接被覆するＣｕ―Ｓｎ合金層と、
前記Ｃｕ―Ｓｎ合金層を直接被覆するＮｉ層と
を備えることを特徴とする配線基板。
【請求項３】
絶縁層及び導体層がそれぞれ１層以上積層された積層構造体を有し、該積層構造体の主面に接続端子が設けられた配線基板であって、
前記接続端子は、
Ｃｕ又はＣｕを含む合金からなるパッド部と、
前記パッド部を被覆するＣｕ―Ｓｎ合金層と、
前記Ｃｕ―Ｓｎ合金層を被覆するＮｉ層と
を備え、
前記接続端子がＳｎ層を含まないことを特徴とする配線基板。
【請求項４】
前記Ｃｕ―Ｓｎ合金層は、
前記パッド部を被覆するＣｕ３Ｓｎを主成分とする第１の合金層と、
前記第１の合金層を被覆するＣｕ６Ｓｎ５を主成分とする第２の合金層と
を備えることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の配線基板。
【請求項５】
絶縁層及び導体層がそれぞれ１層以上積層された積層構造体を有し、該積層構造体の主面に接続端子が設けられた配線基板の製造方法であって、
Ｃｕ又はＣｕを含む合金からなるパッド部を被覆するＣｕ―Ｓｎ合金層を形成した後、前記Ｃｕ―Ｓｎ合金層を被覆するＮｉ層を形成して、前記接続端子を形成することを特徴とする配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品を実装するための接続端子を備えた配線基板及び配線基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体チップや水晶振動子等の電子部品を実装するための接続端子を備えた配線基板がある。このような配線基板では、通常、接続端子は、電気伝導性の良好なＣｕ又はＣｕを含む合金（以下、Ｃｕ合金と記載）からなるパッド部に、良好な半田接続を確保してその信頼性を高めるためのめっき処理が施されている。
【０００３】
上記表面処理としては、例えば、電解Ｎｉ／Ａｕめっきや電解Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕめっきがある。一方、半田は、ＲｏＨＳ（Ｒｅｓｔｒｉｃｔｉｏｎ ｏｆ Ｈａｚａｒｄｏｕｓ Ｓｕｂｓｔａｎｃｅｓ）規制により、従来のＳｎ−Ｐｂ系半田から、Ｐｂを含有しない半田（例えば、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系半田）への移行が進んでいる。
【０００４】
しかし、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系半田は、融点が高いという問題があるため、現在では、Ｓｎ−Ｚｎ系半田（融点：約１９０℃）、Ｓｎ−Ｂｉ系半田（約１３９℃）などが提案されている。しかしながら、Ｃｕ又はＣｕ合金からなるパッド部に、電解Ｎｉ／Ａｕめっきや電解Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕめっき等の処理が施されている場合、上記Ｓｎ−Ｚｎ系半田やＳｎ−Ｂｉ系半田を用いると、めっき皮膜と半田との接合界面に針状のＮｉ３Ｓｎ４を成分とする脆い金属間化合物層が形成される。結果、接続端子の接合信頼性が低下してしまう。
【０００５】
そこで、従来技術には、ＣｕあるいはＣｕ合金を含む通電部材上に、ピンホールを有する置換Ｓｎめっき皮膜と、電解Ｎｉめっき皮膜と、電解Ｐｄめっき皮膜と、電解Ａｕめっき皮膜とを同順に積層することを提案するものがある（例えば、特許文献１参照）。これによれば、上記めっき皮膜が積層された電極表面に半田を加熱接合（リフローとも称する）した場合、Ｃｕ成分が置換めっき被膜に形成されたピンホールを介してＣｕまたはＣｕ合金からなる電極から拡散してくるため、Ｃｕ電極と半田接合界面に安定なＣｕ、Ｎｉ、Ｓｎを含む金属間化合物層（Ｃｕ，Ｎｉ）６Ｓｎ５を形成することができ、接合信頼性の高い接続端子を提供できるとしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１３−０７６１３５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、ピンホールを有する置換Ｓｎめっき皮膜を形成するためには、置換Ｓｎめっきを、塩化物、次亜りん酸塩、臭化物、硝酸塩から選ばれる添加剤の少なくとも一種類以上が添加された置換Ｓｎめっき浴中で行うことが必要となる。このため、添加剤を配合した置換Ｓｎめっき液を特別に用意する必要がある。また、添加量の配合量の管理も必要となる。このため、めっきの工程管理が煩雑となる。
【０００８】
本発明は、上記の事情に対処してなされたものであり、Ｎｉ３Ｓｎ４を成分とする脆い金属間化合物層の形成を抑制し、接合信頼性の高い接続端子を備えた配線基板及び配線基板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成すべく、本発明の配線基板は、絶縁層及び導体層がそれぞれ１層以上積層された積層構造体を有し、該積層構造体の主面に接続端子が設けられた配線基板であって、接続端子は、Ｃｕ又はＣｕを含む合金からなるパッド部と、パッド部の露出部分の全面を被覆するＣｕ―Ｓｎ合金層と、Ｃｕ―Ｓｎ合金層を被覆するＮｉ層とを備えることを特徴としている。
【００１０】
本発明の配線基板によれば、パッド部の露出部分の全面を被覆するＣｕ―Ｓｎ合金層を備え、該Ｃｕ―Ｓｎ合金層をＮｉ層が被覆しているので、半田の加熱接合時に、Ｓｎ成分が過剰にＮｉ層に拡散してＮｉ３Ｓｎ４を成分とする脆い金属間化合物層が形成されることが抑制される。このため、接合信頼性の高い接続端子を備えた配線基板を提供することができる。
【００１１】
本発明の配線基板は、絶縁層及び導体層がそれぞれ１層以上積層された積層構造体を有し、該積層構造体の主面に接続端子が設けられた配線基板であって、接続端子は、Ｃｕ又はＣｕを含む合金からなるパッド部と、パッド部を直接被覆するＣｕ―Ｓｎ合金層と、Ｃｕ―Ｓｎ合金層を直接被覆するＮｉ層とを備えることを特徴としている。
【００１２】
本発明の配線基板によれば、パッド部を直接被覆するＣｕ―Ｓｎ合金層を備え、Ｃｕ―Ｓｎ合金層をＮｉ層が直接被覆しているので、半田の加熱接合時に、Ｓｎ成分が過剰にＮｉ層に拡散してＮｉ３Ｓｎ４を成分とする脆い金属間化合物層が形成されることが効果的に抑制される。このため、接合信頼性の高い接続端子を備えた配線基板を提供することができる。
【００１３】
本発明の配線基板は、絶縁層及び導体層がそれぞれ１層以上積層された積層構造体を有し、該積層構造体の主面に接続端子が設けられた配線基板であって、接続端子は、Ｃｕ又はＣｕを含む合金からなるパッド部と、パッド部を被覆するＣｕ―Ｓｎ合金層と、Ｃｕ―Ｓｎ合金層を被覆するＮｉ層とを備え、接続端子がＳｎ層を含まないことを特徴としている。
【００１４】
本発明の配線基板によれば、接続端子がＳｎ層を含んでいないため、半田の加熱接合時に、Ｓｎ成分がＮｉ層に拡散してＮｉ３Ｓｎ４を成分とする脆い金属間化合物層が形成されることがより効果的に抑制される。この結果、接合信頼性の高い接続端子を備えた配線基板を提供することができる。
【００１５】
本発明の配線基板のＣｕ―Ｓｎ合金層は、パッド部を被覆するＣｕ３Ｓｎを主成分とする第１の合金層と、第１の合金層を被覆するＣｕ６Ｓｎ５を主成分とする第２の合金層とを備えることを特徴としている。
【００１６】
本発明の配線基板によれば、より安定性の高いＣｕ６Ｓｎ５を主成分とする第２の合金層を備え、該第２の合金層がＮｉ層により被覆されているので、半田の加熱接合時に、Ｓｎ成分が過剰にＮｉ層に拡散してＮｉ３Ｓｎ４を成分とする脆い金属間化合物層が形成されることがほとんどない。このため、接合信頼性の高い接続端子を備えた配線基板を提供することができる。
【００１７】
本発明の配線基板の製造方法は、絶縁層及び導体層がそれぞれ１層以上積層された積層構造体を有し、該積層構造体の主面に接続端子が設けられた配線基板の製造方法であって、Ｃｕ又はＣｕを含む合金からなるパッド部を被覆するＣｕ―Ｓｎ合金層を形成した後、Ｃｕ―Ｓｎ合金層を被覆するＮｉ層を形成して、接続端子を形成することを特徴としている。
【００１８】
本発明の配線基板の製造方法によれば、Ｃｕ―Ｓｎ合金層を形成した後に、Ｃｕ―Ｓｎ合金層を被覆するＮｉ層を形成しているので、半田の加熱接合時に、Ｓｎ成分が過剰にＮｉ層に拡散してＮｉ３Ｓｎ４を成分とする脆い金属間化合物層が形成されることが抑制される。このため、接合信頼性の高い接続端子を備えた配線基板を提供することができる。また、特別に添加剤を配合しためっき液や添加剤の配合量の管理が必要でないため、めっきの工程管理が煩雑とならない。
【発明の効果】
【００１９】
以上説明したように、本発明によれば、Ｎｉ３Ｓｎ４を成分とする脆い金属間化合物層の形成を抑制し、接合信頼性の高い接続端子を備えた配線基板及び配線基板の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】実施形態に係る配線基板の一部断面図。
【図２】実施形態に係る接続端子の断面図。
【図３】実施形態に係る配線基板の製造工程図。
【図４】実施形態に係る配線基板の製造工程図。
【図５】実施形態に係る配線基板の製造工程図。
【図６】実施形態に係る配線基板の製造工程図。
【図７】他の実施形態に係る配線基板の一部断面図。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら詳細に説明する。なお、実施形態に係る配線基板はあくまでも一例であり、導体層と絶縁層とをそれぞれ少なくとも１層以上有する配線基板であれば特に限定されるものではない。例えば、以下の実施形態では、コア基板を有する配線基板を例に本発明を説明している。しかしながら、本発明は、コア基板を有しない、いわゆるコアレス配線基板についても適用可能である。なお、以下の説明では、半導体チップ等の電子部品が接続される側を表面側とし、マザーボードやソケット等（以下、マザーボード等と称する）が接続される側を裏面側として説明する。
【００２２】
（配線基板）
図１は、実施形態に係る配線基板１００の部分断面図である。配線基板１００は、コア基板２と、コア基板２上に交互に積層された絶縁層４１〜４４及び導体層３３，３４とで構成される積層構造体と、この積層構造体の主面Ｓ１，Ｓ２にそれぞれ設けられた接続端子３５Ｃ，３６Ｃを含む導体層３５，３６と、導体層３５，３６及び絶縁層４３，４４上にそれぞれ積層されたレジスト層６１，６２とを備える。
【００２３】
コア基板２は、表面及び裏面にそれぞれ導体層３１及び導体層３２が形成された耐熱性樹脂板（たとえばビスマレイミド−トリアジン樹脂板）や、繊維強化樹脂板（たとえばガラス繊維強化エポキシ樹脂）等で構成された板状の樹脂製基板である。コア基板２には、ドリル等により穿設されたスルーホール２１が形成され、その内壁面には導体層３１及び導体層３２を電気的に接続するスルーホール導体２２が形成されている。さらに、スルーホール導体２２内は、エポキシ樹脂等の樹脂製穴埋め材２３により充填されている。
【００２４】
コア基板２の表面側には、絶縁層４１，４３及び導体層３３，３５が積層されている。また、コア基板２の裏面側には、絶縁層４２，４４及び導体層３４，３６が積層されている。
【００２５】
絶縁層４１〜４４は、例えば、エポキシ系の樹脂フィルムで構成されている。絶縁層４１〜４４には、厚さ方向に貫通するビアホール４１Ａ〜４４Ａがそれぞれ形成されている。ビアホール４１Ａ〜４４Ａ内には、ビアホール４１Ａ〜４４Ａを埋設するようにしてビア導体５１〜５４がそれぞれ充填されている。ビア導体５１は導体層３１及び導体層３３を、ビア導体５２は導体層３２及び導体層３４を、ビア導体５３は導体層３３及び導体層３５を、ビア導体５４は導体層３４及び導体層３６をそれぞれ電気的に接続している。
【００２６】
導体層３１〜３４は、各々ビア導体５１〜５４と電気的に接触するビアランド３１Ａ〜３４Ａと、ビア導体５１〜５４と接触していない配線３１Ｂ〜３４Ｂとをそれぞれ備える。導体層３１〜３４は、電気的良導体である銅（Ｃｕ）等で構成される。
【００２７】
導体層３５は、各々ビア導体５３と電気的に接触するビアランド３５Ａと、ビア導体５３と接触していない配線３５Ｂと、接続端子３５Ｃとを備える。また、導体層３６は、各々ビア導体５４と電気的に接触するビアランド３６Ａと、ビア導体５４と接触していない配線３６Ｂと、接続端子３６Ｃとを備える。
【００２８】
ここで、接続端子３５Ｃは、半導体チップ（不図示）をフリップチップ接続するためのパッド（ＦＣパッド）であり、配線基板１００の表面側に設けられている。また、接続端子３６Ｃは、配線基板１００をマザーボードに接続するためのランド（ＬＧＡパッド）であり、配線基板１００の裏面側に設けられている。
【００２９】
図２は、接続端子３５Ｃの断面図である。以下、図２を参照して、接続端子３５Ｃの構成について説明する。なお、接続端子３６Ｃの構成は、接続端子３５Ｃの構成と同じであるため重複する説明を省略する。
【００３０】
図２に示すように、接続端子３５Ｃは、Ｃｕ又はＣｕを含む合金からなるパッド部３０１と、パッド部３０１の露出部分の全面を被覆するＣｕ―Ｓｎ合金層３０２と、Ｃｕ―Ｓｎ合金層３０２を被覆するＮｉ層３０３とを備えている。ここで、Ｃｕ―Ｓｎ合金層３０２は、パッド部３０１を直接被覆し、Ｎｉ層３０３は、Ｃｕ―Ｓｎ合金層３０２を直接被覆している。
【００３１】
また、Ｃｕ―Ｓｎ合金層３０２は、パッド部３０１を被覆するＣｕ３Ｓｎを主成分とする第１の合金層３０２ａと、第１の合金層３０２ａを被覆するＣｕ６Ｓｎ５を主成分とする第２の合金層３０２ｂとを備えている。さらに、接続端子３５Ｃには、Ｓｎ層が含まれておらず、Ｃｕ―Ｓｎ合金層３０２は、直径が０．０００１〜０．２μｍの、いわゆるピンホールを有しない。
【００３２】
ここで主成分とは、第１の合金層３０２ａ及び第２の合金層３０２ｂに、それぞれ５０体積％以上含まれている成分のことをいう。つまり、本実施形態では、第１の合金層３０２ａにＣｕ３Ｓｎが５０体積％以上含まれており、第２の合金層３０２ｂにＣｕ６Ｓｎ５が５０体積％以上含まれている。なお、必要に応じて、接続端子３５Ｃ，３６ＣのＮｉ層３０３上に、Ｐｂ層及びＡｕ層を同順に積層してもよい。
【００３３】
レジスト層６１，６２は、厚み方向に貫通する開口部６１Ａ，６２Ａがそれぞれ形成されており、各開口部６１Ａ，６２Ａからは、接続端子３５Ｃ，３６Ｃの少なくとも一部がそれぞれ露出している。
【００３４】
（配線基板の製造方法）
次に、図１〜図６を参照して、本実施形態における配線基板１００の製造方法について説明する。
【００３５】
板状の樹脂製基板の表面及び裏面に銅箔が貼付された銅張積層板を準備する。また、銅張積層板に対してドリルを用いて孔あけ加工を行い、スルーホール２１となる貫通孔を所定位置にあらかじめ形成しておく。なお、スルーホール２１形成工程の後、加工部分のスミアを除去するデスミア処理を行うことが望ましい。
【００３６】
次に、従来公知の手法に従って無電解銅めっき及び電解銅めっきを行うことでスルーホール２１の内壁にスルーホール導体２２を形成し、銅張積層板の両面に銅めっき層を形成する。  その後、スルーホール導体２２内をエポキシ樹脂等の樹脂穴埋め材２３で充填し、さらに、銅張積層板の両面の銅箔上に形成された銅めっき層を所望の形状にエッチングして銅張積層板の表面及び裏面に導体層３１，３２を構成するビアランド３１Ａ，３２Ａ及び配線３１Ｂ，３２Ｂをそれぞれ形成する（図３参照）。
【００３７】
なお、導体層３１，３２を構成するビアランド３１Ａ，３２Ａ及び配線３１Ｂ，３２Ｂの表面は、銅表面粗化剤（例えば、メックエッチボンドＣＺ：メック社製）により粗化しておくことが好ましい。
【００３８】
次に、コア基板２の表面側及び裏面側に樹脂フィルムを積層し、真空下において加圧加熱することにより硬化させて絶縁層４１，４２を形成する。これにより、コア基板２の表面及び裏面が絶縁層４１，４２により覆われる。
【００３９】
次に、絶縁層４１，４２に対して、例えばＣＯ２ガスレーザやＹＡＧレーザから所定強度のレーザ光を照射し、ビアホール４１Ａ，４２Ａをそれぞれ形成する。その後、ビアホール４１Ａ，４２Ａを含む絶縁層４１，４２に対して粗化処理を実施する。なお、絶縁層４１，４２がフィラーを含む場合、粗化処理を実施するとフィラーが遊離して絶縁層４１，４２上に残存するため適宜水洗を行う。
【００４０】
次に、ビアホール４１Ａ，４２Ａに対してデスミア処理及びアウトラインエッチングを施し、ビアホール４１Ａ，４２Ａ内を洗浄する。なお、上記水洗とデスミア処理との間にエアーブロー処理を行ってもよい。水洗により遊離したフィラーが完全に除去されていない場合でも、エアーブロー処理によりフィラーの残存をより確実に抑制することができる。
【００４１】
次に、絶縁層４１，４２に対して、電解めっきのためのシード層（第１の導体層）を形成する。なお、シード層は、従来公知の手法、例えば、無電解銅めっき、スパッタ（ＰＶＤ）や真空蒸着等により形成することができる。
【００４２】
その後、絶縁層４１，４２上のシード層上に所望のパターンの開口を有する感光性樹脂からなるレジスト層を形成し、レジスト層の非形成部分に電解銅めっきを行うことにより、第２の導体層を形成する。その結果、ビア導体５１，５２がそれぞれ形成されるとともに、導体層３３，３４を構成するビアランド３３Ａ，３４Ａ及び配線３３Ｂ，３４Ｂがそれぞれ形成される。なお、ビア導体５１，５２、ビアランド３３Ａ，３４Ａ及び配線３３Ｂ，３４Ｂをそれぞれ形成した後、レジスト層及びレジスト層の下のシード層を除去する（図４参照）。
【００４３】
なお、導体層３３，３４を構成するビアランド３３Ａ，３４Ａ及び配線３３Ｂ，３４Ｂの表面は、銅表面粗化剤（例えば、メックエッチボンドＣＺ：メック社製）により粗化しておくことが好ましい。
【００４４】
次に、導体層３３，３４及び絶縁層４１，４２上に樹脂フィルムを積層し、真空下において加圧加熱することにより硬化させて絶縁層４３，４４をそれぞれ形成する。
【００４５】
次に、絶縁層４３，４４に対して、例えばＣＯ２ガスレーザやＹＡＧレーザから所定強度のレーザ光を照射し、ビアホール４３Ａ，４４Ａをそれぞれ形成した後、ビアホール４３Ａ，４４Ａを含む絶縁層４３，４４に対して粗化処理を実施する。
【００４６】
次に、ビアホール４３Ａ，４４Ａに対してデスミア処理及びアウトラインエッチングを施し、ビアホール４３Ａ，４４Ａ内を洗浄する。次に、絶縁層４３，４４に対して、電解めっきのためのシード層（第１の導体層）を形成する。なお、シード層は、従来公知の手法、例えば、無電解銅めっき、スパッタ（ＰＶＤ）や真空蒸着等により形成することができる。
【００４７】
その後、絶縁層４３，４４上のシード層上に所望のパターンの開口を有するレジスト層を形成し、レジスト層の非形成部分に電解銅めっきを行うことにより、第２の導体層を形成する。その結果、ビア導体５３，５４がそれぞれ形成されるとともに、導体層３５，３６を構成するビアランド３５Ａ，３６Ａ、配線３５Ｂ，３６Ｂ及び接続端子３５Ｃ，３６Ｃとなるパッド部３０１がそれぞれ形成される。なお、ビア導体５３，５４及び導体層３５，３６をそれぞれ形成した後、レジスト層及びレジスト層の下のシード層を除去する（図５参照）。
【００４８】
なお、接続端子３５Ｃ，３６Ｃとなるパッド部３０１を含む導体層３５，３６の表面は、銅表面粗化剤（例えば、メックエッチボンドＣＺ：メック社製）により粗化しておくことが好ましい。
【００４９】
次に、感光性樹脂からなるフィルム状のレジスト材を、導体層３５，３６及び絶縁層４３，４４上にそれぞれ積層し、レジスト層６１，６２を形成する（図６参照）。次に、接続端子３５Ｃ，３６Ｃとなるパッド部３０１の少なくとも一部を露出させる開口部６１Ａ，６２Ａをレジスト層６１，６２に形成する。
【００５０】
次に、置換めっきにより、パッド部３０１を被覆するＣｕ―Ｓｎ合金層３０２を形成する。次に、電解めっきや無電解等めっきにより、Ｃｕ―Ｓｎ合金層３０２を被覆するＮｉ層３０３を形成して、接続端子３５Ｃ，３６Ｃを備える配線基板１００を得る（図１参照）。
【００５１】
ここで、パッド部３０１を被覆するＣｕ―Ｓｎ合金層３０２は、通常の置換Ｓｎめっきにより形成することができる。具体的には、メタンスルホン酸Ｓｎ、メタンスルホン酸、チオ尿素等で構成された置換Ｓｎめっき浴中でパッド部３０１表面にＳｎ成分を析出させるが、このＳｎ成分を析出させる際にパッド部３０１からＣｕ成分が供給される。このため、置換Ｓｎめっきによりパッド部３０１表面に析出するＳｎ成分がパッド部３０１から供給されるＣｕ成分と反応し、パッド部３０１表面にＣｕ−Ｓｎ合金層３０２が形成される。
【００５２】
その後、余分なＳｎ成分（Ｃｕ成分と反応していない純Ｓｎ成分）をエッチング（例えば、硝酸を用いたウェットエッチング）等により除去することで、パッド部３０１表面を被覆するＣｕ−Ｓｎ合金層３０２を得ることができる。通常、Ｃｕ−Ｓｎ合金層３０２は、Ｃｕ成分が供給されるパッド部３０１表面側から形成される。つまり、Ｃｕ−Ｓｎ層３０１上に余分な純Ｓｎ成分が存在する構成となる。このため、余分な純Ｓｎ成分は、上記エッチングにより容易に除去することができる。
【００５３】
また、置換Ｓｎめっき後に加熱処理を行うことにより、Ｃｕ成分とＳｎ成分との反応を促進させてもよい。この場合、析出したＳｎ成分がすぐにＣｕ成分と反応するため、余分なＳｎ成分が存在しにくくなる。この場合には、余分なＳｎ成分をエッチングで除去する工程が不要となる。また、Ｓｎ成分が全てＣｕ成分と反応するまで室温で放置するようにしてもよい。さらに、上記説明では、置換Ｓｎめっきによりパッド部３０１表面にＳｎを析出しているが、還元Ｓｎめっきによりパッド部３０１表面にＳｎを析出するようにしてもよい。また、置換Ｓｎめっきと還元Ｓｎめっきとを組み合わせてもよい。
【００５４】
なお、発明者らが行った実験では、置換ＳｎめっきによりＣｕ又はＣｕを含む合金からなるパッド部表面にＳｎを析出する方法により、厚みが０．０４〜０．０８μｍのＣｕ−Ｓｎ層をパッド部の表面に形成することができた。置換Ｓｎめっきでは、通常、２μｍ程度の厚みのＳｎ層を形成することができる。このため、置換Ｓｎめっきによる方法では、Ｃｕ−Ｓｎ層を厚み２μｍ程度まで形成することが可能である。
【００５５】
また、本実施形態においては、必要に応じて、レジスト層６１，６２の開口部６１Ａ，６２Ａから露出する接続端子３５Ｃ，３６Ｃを覆うようにして、例えばＰｂ層及びＡｕ層を同順に形成してもよい。
【００５６】
以上のように、本実施形態では、接続端子３５Ｃ，３６Ｃは、Ｃｕ又はＣｕを含む合金からなるパッド部３０１と、パッド部３０１の露出部分の全面を被覆するＣｕ―Ｓｎ合金層３０２と、Ｃｕ―Ｓｎ合金層３０２を被覆するＮｉ層３０３とを備えている。このため、半田の溶融接合時（リフロー時）に、Ｓｎ成分が過剰にＮｉ層に拡散してＮｉ３Ｓｎ４を成分とする脆い金属間化合物層が形成されることが抑制される。この結果、接合信頼性の高い接続端子を備えた配線基板を提供することができる。
【００５７】
また、本実施形態では、接続端子３５Ｃ，３６Ｃは、パッド部３０１がＣｕ―Ｓｎ合金層３０２で直接被覆されており、Ｃｕ―Ｓｎ合金層３０２がＮｉ層３０３で直接被覆されている。このため、半田の溶融接合時に、Ｓｎ成分が過剰にＮｉ層３０３に拡散してＮｉ３Ｓｎ４を成分とする脆い金属間化合物層が形成されることが効果的に抑制される。
【００５８】
また、本実施形態では、接続端子３５Ｃ，３６Ｃは、Ｓｎ層を含んでいない。このため、半田の溶融接合時に、Ｓｎ成分がＮｉ層３０３に拡散してＮｉ３Ｓｎ４を成分とする脆い金属間化合物層が形成されることがより効果的に抑制される。
【００５９】
さらに、本発明の配線基板のＣｕ―Ｓｎ合金層３０２は、パッド部を被覆するＣｕ３Ｓｎを主成分とする第１の合金層３０２ａと、第１の合金層３０２ａを被覆するＣｕ６Ｓｎ５を主成分とする第２の合金層３０２ｂとを備えている。
【００６０】
本発明の配線基板によれば、より安定性の高いＣｕ６Ｓｎ５を主成分とする第２の合金層３０２ｂがＮｉ層３０３により被覆されているので、半田の溶融接合時に、Ｓｎ成分が過剰にＮｉ層３０３に拡散してＮｉ３Ｓｎ４を成分とする脆い金属間化合物層が形成されることがほとんどない。
【００６１】
また、本実施形態では、Ｃｕ又はＣｕを含む合金からなるパッド部を被覆するＣｕ―Ｓｎ合金層３０２を形成した後、Ｃｕ―Ｓｎ合金層３０２を被覆するＮｉ層３０３を形成して、接続端子３５Ｃ，３６Ｃを形成している。このため、半田の溶融接合時に、Ｓｎ成分が過剰にＮｉ層に拡散してＮｉ３Ｓｎ４を成分とする脆い金属間化合物層が形成されることが抑制される。この結果、接合信頼性の高い接続端子を備えた配線基板を提供することができる。また、添加剤を配合しためっき液や添加剤の配合量の管理が必要でないため、めっきの工程管理が煩雑とならない。
【００６２】
なお、パッド部３０１にピンホールを有するＳｎ層を被覆した後、該Ｓｎ層をＮｉ層で被覆する場合、Ｓｎ層にピンホールが均一に形成されない虞がある。この場合、ピンホールの形成密度が低い領域では、パッド部３０１のＣｕ成分がＳｎ層とＮｉ層との界面に十分に供給されず、Ｓｎ層とＮｉ層との界面にＮｉ３Ｓｎ４を成分とする脆い金属間化合物層が形成される虞がある。
【００６３】
一方、本実施形態に係る配線基板及び配線基板の製造方法では、Ｎｉ３Ｓｎ４を成分とする脆い金属間化合物層が形成される虞がほとんどなく、接合信頼性の高い接続端子３５Ｃ，３６Ｃを備えた配線基板１００を得ることができる。また、ピンホールを形成するために、塩化物、次亜りん酸塩、臭化物、硝酸塩から選ばれる添加剤を特別に配合しためっき液を使用する必要がなく、添加量の配合量の管理が必要でない。このため、めっきの工程管理が煩雑とならない。
【００６４】
（他の実施形態）
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。例えば、上記の実施形態では、レジスト層６１に形成された一つの開口部６１Ａ内に一つの接続端子３５Ｃが配置する形態について説明した。しかし、本発明は、図７に示すように、レジスト層６１に形成された一つの開口部６１Ａ内に複数の接続端子３５Ｃが配置される、いわゆるＮＳＭＤ（ノン・ソルダー・マスク・ディファインド）にも適用することができる。なお、図７では、図１を参照して説明した実施形態に係る配線基板１００と同一の構成には、同一の符号を付している。また、上記実施形態では、樹脂絶縁層及び導体層がそれぞれ１層以上積層された、いわゆるオーガニック配線基板に本発明を適用した例について説明したが、絶縁層をセラミックで形成した、いわゆるセラミック配線基板にも適用可能である。
【符号の説明】
【００６５】
２…コア基板
２１…スルーホール
２２…スルーホール導体
２３…樹脂製穴埋め材
３１〜３６…導体層
３１Ａ〜３６Ａ…ビアランド
３１Ｂ〜３６Ｂ…配線
３５Ｃ，３６Ｃ…接続端子
４１〜４４…絶縁層
４１Ａ〜４４Ａ…ビアホール
５１〜５４…ビア導体
６１，６２…レジスト層
６１Ａ，６２Ａ…開口部
１００…配線基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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