(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素電極をマトリクス状に有し、映像信号配線と走査信号配線に電気的に接続されたスイッチング素子が前記画素電極に接続される液晶表示パネルと、前記液晶パネルの走査信号配線を駆動する走査配線駆動手段と、ガンマ補正用電圧を参照電圧にして、デジタル映像信号を映像信号配線駆動電圧に変換するデジタル−アナログコンバータを具備した映像信号配線駆動手段を備えた液晶表示装置であって、液晶表示装置内の少なくとも１ヶ所の部位の温度と、予め予想される前記液晶表示パネルの垂直方向の温度分布とに応じて、前記ガンマ補正用電圧を変化させることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
容量を介して走査信号配線に接続された画素電極をマトリクス状に有し、映像信号配線と前記走査信号配線に電気的に接続されたスイッチング素子が前記画素電極に接続され、前記スイッチング素子のオン期間に映像信号電圧を画素電極に伝達し、奇数フィールドの前記スイッチング素子のオフ期間に前記走査信号配線に変調信号Ｖｅ（＋）を与え、偶数フィールドの前記スイッチング素子のオフ期間に前記走査信号配線に変調信号Ｖｅ（−）を与えることにより、前記画素電極の電位を変化させ、前記画素電極の電位の変化と前記映像信号電圧とを相互に重畳させて表示材料に電圧を印加する液晶表示装置であって、変調信号振幅Ｖｅｐｐ＝｜Ｖｅ（＋）−Ｖｅ（−）｜と定義するとき、液晶表示装置内の少なくとも１ヶ所の部位の温度と、予め予想される液晶パネルの垂直方向の温度分布とに応じて、各走査信号配線におけるＶｅｐｐを変化させることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３】
容量を介して補助容量配線に接続された画素電極をマトリクス状に有し、映像信号配線と前記走査信号配線に電気的に接続されたスイッチング素子が前記画素電極に接続され、前記スイッチング素子のオン期間に映像信号電圧を画素電極に伝達し、奇数フィールドの前記スイッチング素子のオン期間に前記補助容量配線に変調信号Ｖｅ（＋）を与え、偶数フィールドの前記スイッチング素子のオン期間に前記補助容量配線に変調信号Ｖｅ（−）を与えることにより、前記画素電極の電位を変化させ、前記画素電極の電位の変化と前記映像信号電圧とを相互に重畳させて表示材料に電圧を印加する液晶表示装置であって、変調信号振幅Ｖｅｐｐ＝｜Ｖｅ（＋）−Ｖｅ（−）｜と定義するとき、液晶表示装置内の少なくとも１ヶ所の部位の温度と、予め予想される液晶パネルの垂直方向の温度分布とに応じて、各走査信号配線におけるＶｅｐｐを変化させることを特徴とする液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、薄膜トランジスタ（以下ＴＦＴとする）等のスイッチング素子を画素電極ごとに配置したアクティブマトリクス液晶表示装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、ＴＦＴ液晶表示装置は、大型化、高画質化が進み、ＰＣ用のディスプレイモニタの他、家庭用の大型テレビへも採用されるようになってきている。一般に液晶表示パネルにおける、液晶材料の印加電圧に対する透過率特性は温度依存性を有している。図２は液晶の印加電圧−透過率特性の温度依存を示すグラフである。例えばノーマリーホワイトモードの液晶表示パネルでは図２に示す様に、温度が高くなるのに伴い、透過率は低下する。この液晶材料の温度特性の影響を抑え、より高い表示品位が要求される場合に対応するため、温度補償手段を有する表示装置が提案されている。例えば特開平７−２９５５１８や特開平２０００−８９１９２では温度センサをパネル近傍に取り付け、その出力により液晶表示装置の駆動条件の制御を行っている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら従来の技術においては、液晶表示装置の一部の温度を検出するものであるため、液晶表示パネルに温度分布が存在する場合には、表示画面全面において適切な駆動条件が与えられない。例えばエッジライト方式のバックライトを用いたＴＦＴ液晶表示装置では、発熱の主要因である冷陰極線管がパネルの上部、下部のいずれか、もしくは上下の両端に配置されるので、液晶パネルの上部、中央部、下部などで温度の差異を生じる。図３はエッジライト方式を採用した液晶表示装置のパネルモジュールの断面図と液晶パネル表面の温度分布を示すものである。上下２本ずつ配置された冷陰極線管３１から発せられた光は、導光板３２によりＴＦＴ液晶パネルにほぼ均等に照射される。ＴＦＴ液晶表示パネル３３は、画素毎に印加された電圧に応じて透過率が変化し、各画素の輝度が決定される。ここで冷陰極線管の発光には発熱を伴うから、冷陰極線管に近いほど液晶表示パネルの温度が高くなる。例えば１５インチの液晶パネルでは画面中央の温度に対して、上部、下部は５℃程度の温度差を生じる。近年は特に大画面化、高輝度化が進んでいるため、エッジライト方式の液晶表示装置においては液晶パネルの垂直方向における温度差は大きくなる傾向にある。
【０００４】
これは、従来の温度補償では、液晶表示装置の上下方向の位置によっては透過率特性が変化し、画面の均一性が得られない事を意味する。
【０００５】
この温度分布の影響は、人間の視覚特性から特に輝度の低い部分で目立ちやすい。図４に透過率を最小とするための液晶への印加電圧、すなわち黒を表示するのに最適な印加電圧と温度の関係を示す。図４のグラフから、例えば表示装置全面に黒を表示する場合、液晶パネル上端等に取り付けた温度センサで液晶へ印加される電圧の制御を行うことで、画面の上部ではほぼ理想に近い黒を表示することが可能であるが、温度の低い画面中央部では黒浮きが発生したりすることになる。
【０００６】
以上のような問題に鑑み、本発明は画面上の垂直方向の温度差による影響を抑えた液晶表示装置を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
この課題を解決するために第１の発明は、画素電極をマトリクス状に有し、映像信号配線と走査信号配線に電気的に接続されたスイッチング素子が画素電極に接続される液晶表示パネルと、液晶パネルの走査信号配線を駆動する走査配線駆動手段と、ガンマ補正用電圧を参照電圧にして、デジタル映像信号を映像信号配線駆動電圧に変換するデジタル−アナログコンバータを具備した映像信号配線駆動手段を備えた液晶表示装置であって、液晶表示装置内の少なくとも１ヶ所の部位の温度と、予め予想される液晶表示パネルの垂直方向の温度分布とに応じて、ガンマ補正用電圧を変化させるものである。これにより液晶材料へ印加される電圧が走査ライン毎に温度補償され、画面の垂直方向に温度の差異が生じる液晶表示パネルにおいて、全画面均一で高品位な表示が可能となる。
【０００８】
また第２の発明においては、容量を介して走査信号配線に接続された画素電極をマトリクス状に有し、映像信号配線と走査信号配線に電気的に接続されたスイッチング素子が画素電極に接続され、スイッチング素子のオン期間に映像信号電圧を画素電極に伝達し、奇数フィールドのスイッチング素子のオフ期間に走査信号配線に変調信号Ｖｅ（＋）を与え、偶数フィールドのスイッチング素子のオフ期間に走査信号配線に変調信号Ｖｅ（−）を与えることにより、画素電極の電位を変化させ、画素電極の電位の変化と映像信号電圧とを相互に重畳させて表示材料に電圧を印加する液晶表示装置であって、変調信号振幅Ｖｅｐｐ＝｜Ｖｅ（＋）−Ｖｅ（−）｜と定義するとき、液晶表示装置内の少なくとも１ヶ所の部位の温度と、予め予想される液晶パネルの垂直方向の温度分布とに応じて、各走査信号配線におけるＶｅｐｐを変化させるようにした。
【０００９】
これにより液晶材料へ印加される電圧が走査ライン毎に温度補償され、画面の垂直方向に温度の差異が生じる液晶表示パネルにおいて、全画面均一で高品位な表示が可能となる。
【００１０】
また容量を介して補助容量配線に接続された画素電極をマトリクス状に有し、映像信号配線と走査信号配線に電気的に接続されたスイッチング素子が画素電極に接続され、スイッチング素子のオン期間に映像信号電圧を画素電極に伝達し、奇数フィールドのスイッチング素子のオン期間に補助容量配線に変調信号Ｖｅ（＋）を与え、偶数フィールドのスイッチング素子のオン期間に補助容量配線に変調信号Ｖｅ（−）を与えることにより、画素電極の電位を変化させ、画素電極の電位の変化と映像信号電圧とを相互に重畳させて表示材料に電圧を印加する液晶表示装置であって、変調信号振幅Ｖｅｐｐ＝｜Ｖｅ（＋）−Ｖｅ（−）｜と定義するとき、液晶表示装置内の少なくとも１ヶ所の部位の温度と、予め予想される液晶パネルの垂直方向の温度分布とに応じて、各走査信号配線におけるＶｅｐｐを変化させるようにした。
【００１１】
これにより液晶材料へ印加される電圧が走査ライン毎に温度補償され、画面の垂直方向に温度の差異が生じる液晶表示パネルにおいて、全画面均一で高品位な表示が可能となる。
【００１２】
【発明の実施の形態】
本発明の請求項１に記載の発明は、画素電極をマトリクス状に有し、映像信号配線と走査信号配線に電気的に接続されたスイッチング素子が画素電極に接続される液晶表示パネルと、液晶パネルの走査信号配線を駆動する走査配線駆動手段と、ガンマ補正用電圧を参照電圧にして、デジタル映像信号を映像信号配線駆動電圧に変換するデジタル−アナログコンバータを具備した映像信号配線駆動手段を備えた液晶表示装置であって、液晶表示装置内の少なくとも１ヶ所の部位の温度と、予め予想される液晶表示パネルの垂直方向の温度分布に応じて、ガンマ補正用電圧を変化させることを特徴とする液晶表示装置である。
【００１３】
本発明の請求項２に記載の発明は、容量を介して走査信号配線に接続された画素電極をマトリクス状に有し、映像信号配線と走査信号配線に電気的に接続されたスイッチング素子が画素電極に接続され、スイッチング素子のオン期間に映像信号電圧を画素電極に伝達し、奇数フィールドのスイッチング素子のオフ期間に走査信号配線に変調信号Ｖｅ（＋）を与え、偶数フィールドのスイッチング素子のオフ期間に走査信号配線に変調信号Ｖｅ（−）を与えることにより、画素電極の電位を変化させ、画素電極の電位の変化と映像信号電圧とを相互に重畳させて表示材料に電圧を印加する液晶表示装置であって、変調信号振幅Ｖｅｐｐ＝｜Ｖｅ（＋）−Ｖｅ（−）｜と定義するとき、液晶表示装置内の少なくとも１ヶ所の部位の温度と、予め予想される液晶パネルの垂直方向の温度分布とに応じて、各走査信号配線におけるＶｅｐｐを変化させることを特徴とする液晶表示装置である。
【００１４】
本発明の請求項３に記載の発明は、容量を介して補助容量配線に接続された画素電極をマトリクス状に有し、映像信号配線と走査信号配線に電気的に接続されたスイッチング素子が画素電極に接続され、スイッチング素子のオン期間に映像信号電圧を画素電極に伝達し、奇数フィールドのスイッチング素子のオン期間に補助容量配線に変調信号Ｖｅ（＋）を与え、偶数フィールドのスイッチング素子のオン期間に補助容量配線に変調信号Ｖｅ（−）を与えることにより、画素電極の電位を変化させ、画素電極の電位の変化と映像信号電圧とを相互に重畳させて表示材料に電圧を印加する液晶表示装置であって、変調信号振幅Ｖｅｐｐ＝｜Ｖｅ（＋）−Ｖｅ（−）｜と定義するとき、液晶表示装置内の少なくとも１ヶ所の部位の温度と、予め予想される液晶パネルの垂直方向の温度分布とに応じて、各走査信号配線におけるＶｅｐｐを変化させることを特徴とする液晶表示装置である。
【００１５】
（実施の形態１）
以下に、本発明の請求項１に記載された発明の実施の形態について、図１、図４、図５、図６、図７を用いて説明する。
【００１６】
図５（ａ）は液晶表示装置の構成図である。図５（ａ）の表示装置は、液晶表示パネル５１、映像信号配線駆動手段５２、走査配線駆動手段５３、ガンマ補正用電圧発生手段５４、垂直周期制御信号発生手段１１、温度検出手段１２から構成される。液晶表示パネル５１は走査配線（Ｘ１〜ＸＮ）と映像信号配線（Ｙ１〜ＹＮ）とがマトリクス状に配線され、その交点を画素としてＮ×Ｍ個のＴＦＴが配置されている。図５（ｂ）は１画素の等価手段を表しており、ＴＦＴ４のゲートは走査配線１に、ソースは映像信号配線３に、またドレインは画素電極に接続されている。画素電極と第２の共通電極（対向電極ともいう）９の間には液晶が封入されており液晶容量Ｃｌｃ７が形成される。また画素電極と第１の共通電極１０間には補助容量（蓄積容量ともいう）Ｃｓ８が形成される。
【００１７】
走査配線駆動手段５３は走査配線１を駆動しＴＦＴのゲートをＯＮ／ＯＦＦするものである。映像信号配線駆動手段５２は、ガンマ補正用電圧を参照電圧として、入力されるデジタル映像信号を映像信号配線駆動電圧に変換するデジタル−アナログコンバータを具備しており、映像信号配線３を駆動し、入力されるデジタル映像信号に応じた駆動電圧をＴＦＴのＯＮ期間に印加するものである。
【００１８】
図６にガンマ補正用電圧発生手段を示す。第１の基準電圧と第２の基準電圧間に複数の抵抗が直列され、抵抗比により２つの基準電圧間の複数の電圧を取り出すものである。
【００１９】
図７に映像信号配線駆動手段の入出力特性を示す。映像信号配線駆動手段５２は、図７（ａ）に示す様に、入力されるガンマ補正用電圧を参照しつつアナログ電圧に変換し、映像信号配線を駆動する。
【００２０】
ここでガンマ補正用電圧発生手段の抵抗値の調整により、液晶表示装置のガンマ特性の変更が可能となる。
【００２１】
液晶はＤＣ成分の電界が定常的に印加されないよう、交流で駆動する必要があるので、図７（ａ）で示される映像信号配線駆動電圧と、図７（ｂ）に示すような反転側のガンマ補正用電圧を参照した映像信号配線駆動電圧とが１フレーム毎交互に印加されるが、本発明の実施の形態の説明においては、複雑となるため、反転側の動作には触れないこととする。
【００２２】
ここで温度による液晶の透過率変化による黒レベル変動の補償を考えた場合、図６において黒側の基準電圧にあたる第１基準電圧を温度に応じて変更すれば良いのは明白である。その際、図４に示した様に、温度が低い場合は液晶への印加電圧を高くすれば良く、パネルの温度分布による温度変化ΔＴに対して変化させるべき印加電圧ΔＶも温度の低い場合の方が大きくなる。
【００２３】
図１は本発明の実施の形態１及び２における垂直周期制御電圧発生手段の構成を示すブロック図である。図１に垂直周期制御電圧発生手段１１、と温度検出手段１２を示す。垂直周期制御電圧発生手段１１は垂直周期発生手段１３、温度検出手段１２の出力により垂直周期波形発生手段３から得られる波形のゲインを調整するゲイン調整手段１４、同じく温度検出手段１２の出力により、ゲイン制御された波形のＤＣレベルをシフトし制御電圧として出力するレベルシフタ１５から構成される。温度検出手段１２は液晶表示パネルの上端近傍に取り付けられた温度センサである。ここで垂直周期発生手段１３は予め予測したパネルの垂直方向の温度分布に相似な波形を出力する物である。表示パネル毎に走査配線数は固定であり、任意の波形を発生するものではないので、水平パルスで動作する簡単なロジック手段とデジタル−アナログコンバータで形成している。ゲイン調整手段１４はパネルの垂直方向の温度変化に対応して変調すべき電圧の振幅を温度検出手段１２の出力により制御する。すなわち図４におけるΔＶを調整するものであり、温度が高ければ波形の振幅を抑える方向で動作する。レベルシフタ１５は温度検出手段１２のパネルの上部の温度を検出結果から、温度が高くなると波形のＤＣレベルを下げる方向で動作し、垂直周期制御電圧として出力する。
【００２４】
上記のように制御された垂直周期制御電圧を、図６に示すガンマ補正用電圧発生手段の黒側の基準電圧である第１の基準電圧とする、もしくは垂直周期制御電圧で第１の基準電圧を変調することにより、液晶表示装置の黒レベルの変動に対する温度補償をパネルの温度分布をも加味して実現できる。
【００２５】
なお温度検出手段１２はサーミスタ等を用いても良いし、垂直周期制御電圧発生手段１１もゲイン調整やレベルシフトの機能までデジタル手段で構成するなどしても良い。また温度検出を行う場所は、パネルのいずれかの部位の温度を直接測るもので無くても、パネルのいずれかの部位の温度と相関が取れる場所であれば、当然ながら問題無い。
【００２６】
（実施の形態２）
次に、本発明の請求項２に記載された発明の実施の形態について図８を用いて説明する。
【００２７】
図８（ａ）は液晶表示装置の構成図である。実施の形態１と構成はほぼ等しいが、駆動方法の違いによりＶｅｐｐ調整手段８１を有しており、Ｖ（＋）、Ｖ（−）の２つの信号変調電圧を発生し、走査配線駆動手段５３に与える。
【００２８】
図８（ｂ）に、液晶表示装置の画素レベルで見た電気的等価手段を示す。ｎ番目の走査信号配線１、ｎ−１番目の走査信号配線２、映像信号配線３、ＴＦＴ４を有し、ＴＦＴ４には寄生容量であるゲート・ドレイン間容量Ｃgd５、ソース・ドレイン間容量Ｃsd６が存在する。また意図的に形成された容量として、液晶容量Ｃlc＊７、蓄積容量Ｃs８がある。
【００２９】
これらの各要素電極には外部から駆動電圧として、ｎ番目の走査信号配線１には走査信号Ｖg（ｎ）を、ｎ−１番目の走査信号配線２には走査信号Ｖg（ｎ−１）を、画像信号配線３には画像信号電圧Ｖsigを、液晶容量Ｃlc＊の対向電極には一定の電圧をそれぞれ印加する。上記の各容量を通じて駆動電圧の影響が画素電極（同図Ａ点）に現われる。図９は本発明の実施の形態２の液晶表示装置の駆動波形を示す図である。図９に示すＶg，Ｖe（＋），Ｖe（−），Ｖt及びＶsigを図２の各点にそれぞれ印加すると、容量結合による画素電極の電位変化ΔＶ＊は、偶，奇それぞれのフィールドで式（１），（２）で表わされる。
【００３０】
【数１】
0004023192.tif 000002
【００３１】
【数２】
0004023192.tif 000003
【００３２】
【数３】
0004023192.tif 000004
【００３３】
式（１），（２）の第１項は変調信号による電位変化である。第２項は走査信号ＶgがＴＦＴ４の寄生容量Ｃgdを通じて画素電極に誘起する電位変化である。第３項は画素信号電圧が寄生容量を通じて画素電極に誘起する電位変化を示す。Ｃlc＊は、信号電圧（Ｖsig）の大小により液晶の配向状態が変化するに連れて、その誘電異方性の影響を受けて変化する液晶の容量である。従って、Ｃlc＊及びΔＶ＊は液晶容量の大（Ｃlc（ｈ））小（Ｃlc（ｌ））に各々対応する。偶，奇フィールドでの電位変化ΔＶ＊＋，ΔＶ＊−が等しくなれば液晶に直流電圧がかからず対称な交流駆動が可能である。即ち次式を満足することである。
【００３４】
【数４】
0004023192.tif 000005
【００３５】
Ｖsigは各フィールド毎に反転する信号をあたえるので各フィールドで第３項ＣsdＶsigの効果は相殺される。従って式（３）は
【００３６】
【数５】
0004023192.tif 000006
【００３７】
と簡単化される。
【００３８】
ここで、式（４）を書き換えると
【００３９】
【数６】
0004023192.tif 000007
【００４０】
となる。
【００４１】
画素電極に誘起される電位ΔＶ＊は、偶，奇各フィールドで対向電極に対して液晶容量に無関係に正負等しくすることができる。このため正負両極性の電圧が等しく液晶に印加されフリッカーは本質的に減少する。また、式（３），（４）にＣlc＊が現われないため、式（３），（４）が満たされる条件で駆動すれば液晶の誘電異率方性の影響は消失し、Ｃlc＊に起因するＤＣ電圧は表示装置内部に発生しない。さらに式（３），（４）を満たした駆動条件では、走査信号Ｖgが寄生容量Ｃgdを通じて画像信号配線と表示電極間に誘起する直流電位をも相殺し零とすることができる。本実施例の駆動法では、各フィールド毎に対向電極の電位に対して正負逆極性の信号を与えるので２フィールドを見れば画素電極，信号電極，対向電極の各電位間には直流電界は生じないため、液晶に直流電圧を与えることがない。
【００４２】
ここで条件式（３），（４）は表示装置側で任意設定可能な２つの電圧パラメータＶe（＋）とＶe（−）を有している。このため、Ｖe（＋）とＶe（−）を式（３），（４）に合わせて制御すれば、画素電極に現われる電位変動ΔＶ＊を任意の大きさに設定でき、このΔＶ＊を変化させる、つまりＶeppを変化させることにより、液晶材料へ印加される電圧をを変えることができる。
【００４３】
図１０にＶｅｐｐ調整手段を示す。出力されるＶ（＋）、Ｖ（−）は走査配線駆動手段５３が図９に示す走査配線駆動信号におけるＶｅ（＋）、Ｖｅ（−）を出力する際の参照電位とされるものである。Ｖ（＋）はＶｅｐｐ調整端への入力電圧がボルテージフォロアにより直接出力され、Ｖ（−）は別途決定されている中心電位（Ｖｃｅｎｔｅｒ）に対しＶ（＋）と対称な電圧となる。
【００４４】
前述したようにＶｅｐｐを制御することは、液晶材料への印加電圧を制御することと等価であるので、ここで実施の形態１に示した垂直周期制御電圧に対応してＶ（＋）を発生させる、言いかえればＶｅｐｐを垂直周期制御電圧で変調することにより、液晶表示パネルの温度分布に応じた適切な印加電圧を与えることが出来る。
【００４５】
以上のように本発明に依れば、画面の垂直方向に温度差を生じている場合においても、画面全域にて適切に黒レベルが温度補償された、高品位な液晶表示装置を実現できる。
【００４６】
（実施の形態３）
次に、本発明の請求項３に記載された発明の実施の形態について図１１を用いて説明する。
【００４７】
本実施の形態は実施の形態２で示した作用と同一であるが、液晶表示パネルの駆動方式の違いにより若干構成が異なるので、異なる部分についてのみ説明する。
【００４８】
図１１は本発明の実施の形態３の液晶表示装置の構成図である。図１１（ａ）において液晶表示パネル５６は走査配線Ｘ１〜ＸＮの他、補助容量配線Ｃ１〜ＣＮを有し、それらは補助容量駆動手段５５により駆動される。但し、交流駆動の方式により補助容量配線はＮ＋１本の場合もある。
【００４９】
図１１（ｂ）において、補助容量Ｃｓ８は補助容量配線１６に接続されている。図８において補助容量はＴＦＴ４のゲートの接続される走査配線の前段の走査配線に接続されており、前段の走査配線に与えられるＶｅ（＋）、Ｖｅ（−）に応じて自段の画素電極が変調されるが、図１１における液晶表示装置においてはＶｅ（＋）、Ｖｅ（−）を与えるための補助容量配線を走査配線と独立で持っている。
【００５０】
図１２は本発明の実施の形態３の液晶表示装置の駆動波形の例であるが、図９と比較して駆動波形の振幅を抑えることが出来るため、図８に示す表示装置と比較して耐圧の低いプロセスにおいて駆動手段を構成可能である。
【００５１】
Ｖｅ（＋）、Ｖ（−）が補助容量Ｃｓ８を介して画素電極に変調を与える構成は同様であるので、本構成においてもＶｅｐｐを実施の形態２同様に制御することで画面の垂直方向に温度差を生じている場合においても、画面全域にて適切に黒レベルが温度補償された、高品位な液晶表示装置をを実現できる。
【発明の効果】
以上のように第１の発明では、液晶表示装置内の少なくとも１ヶ所の部位の温度と、予め予想させる液晶表示パネルの垂直方向の温度分布とに応じて、ガンマ補正用電圧や各走査信号配線におけるＶｅｐｐを変化させるようにしたので、液晶材料へ印加される電圧が走査ライン毎に温度補償されるため、画面の垂直方向に温度の差異が生じる液晶パネルの全画面で均一で高品位な表示が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態１、２における垂直周期制御電圧発生手段の構成を示すブロック図
【図２】液晶の印加電圧−透過率特性の温度依存を示すグラフ
【図３】液晶パネルの上下方向の温度分布の例を示す図
【図４】透過率が最小となる液晶への印加電圧の温度依存を示すグラフ
【図５】本発明の実施の形態１の液晶表示装置の構成図
【図６】ガンマ補正用電圧発生手段を示す図
【図７】映像信号配線駆動手段の入出力特性を示す図
【図８】本発明の実施の形態２の液晶表示装置の構成図
【図９】本発明の実施の形態２の液晶表示装置の駆動波形を示す図
【図１０】本発明の実施の形態２におけるＶｅｐｐ調整手段の例を示す図
【図１１】本発明の実施の形態３の液晶表示装置の構成図
【図１２】本発明の実施の形態３の液晶表示装置の駆動波形を示す図
【符号の説明】
１  ｎ番目の走査信信号配線
２  ｎ＋１番目の走査信号配線
３  映像信号配線
４  ＴＦＴ
５  ゲート−ドレイン間容量
６  ソース−ドレイン間容量
７  液晶容量
８  補助容量
９  第２の共通電極
１０  第１の共通電極
１１  垂直周期制御電圧発生手段
１２  温度検出手段
１３  垂直周期波形発生手段
１４  ゲイン調整手段
１５  レベルシフタ
１６  ｎ番目の補助容量配線
３１  例陰極線管
３２  導光板
３３、５１、５６  液晶表示パネル
５２  信号配線駆動手段
５３  走査配線駆動手段
５４  ガンマ補正用電圧発生手段
５５  容量配線駆動手段
８１  Ｖｅｐｐ調整手段
【図１】
0004023192.tif 000008
【図２】
0004023192.tif 000009
【図３】
0004023192.tif 000010
【図４】
0004023192.tif 000011
【図５】
0004023192.tif 000012
【図６】
0004023192.tif 000013
【図７】
0004023192.tif 000014
【図８】
0004023192.tif 000015
【図９】
0004023192.tif 000016
【図１０】
0004023192.tif 000017
【図１１】
0004023192.tif 000018
【図１２】
0004023192.tif 000019