(57)【要約】【課題】配線の微細化と低抵抗化を両立し、従来困難であった比較的大きな電流を取り扱うことができる高密度で低損失な電子デバイスの製造方法を提供すること。【解決手段】基材１００の少なくとも一表面上に、前記表面より凸となる配線パターン１０１が形成された配線基板を用意する工程と、ブランケットを設置した版胴１０３の前記ブランケット上に導電性インキを塗布して導電性膜１０５を形成する工程と、前記配線基板の前記配線パターン１０１と前記導電性膜１０５を接触させて前記導電性膜１０５を前記配線パターン１０１上に転写する工程とを含む電子デバイスの製造方法。【選択図】図１Ｄ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材の少なくとも一表面上に、前記表面より凸となる配線パターンが形成された配線基板を用意する工程と、
ブランケットを設置した版胴の前記ブランケット上に導電性インキを塗布して導電性膜を形成する工程と、
前記配線基板の前記配線パターンと前記導電性膜を接触させて前記導電性膜を前記配線パターン上に転写する工程と
を含む電子デバイスの製造方法。
【請求項２】
前記ブランケットを設置した版胴の前記ブランケット上に導電性インキを塗布して導電性膜を形成する工程において、
前記導電性インキの塗布方法がスクリーン印刷法である、
請求項１に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項３】
前記配線基板がフレキシブル基板である、
請求項１または２に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項４】
ブランケットを設置した版胴を、ブランケットを設置した平板に置き換えた、
請求項１〜３のいずれか一項に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか一項に記載の製造方法によって製造された電子デバイスを、配線基板として用いる、
請求項１〜４のいずれか一項に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項６】
前記配線パターン上への導電性膜の転写工程において、転写された導電性膜を含む配線パターンの側面が前記基材の厚み方向と平行に延在するように、転写を行う、
請求項１〜５のいずれか一項に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項７】
少なくとも基材および該基材の少なくとも一表面上に形成された配線パターンを有する電子デバイスであって、
前記配線パターンの側面が前記基材の厚み方向と平行に延在している、電子デバイス。
【請求項８】
前記配線パターンの最小線幅ｘに対する高さｈの比（ｈ／ｘ）が１よりも大きい、請求項７に記載の電子デバイス。
【請求項９】
前記配線パターンの最小線幅ｘに対する上部線幅ｙの比（ｙ／ｘ）が０．８〜１．２である、
請求項７または８に記載の電子デバイス。
【請求項１０】
前記配線パターンが、金属ナノ粒子焼結体、金属粒子分散樹脂組成物、導電性高分子材料からなる群から選択される材料から形成されている、
請求項７〜９のいずれか一項に記載の電子デバイス。
【請求項１１】
前記配線パターンがその高さ方向に対して２種類以上の導電層からなる、
請求項７〜１０のいずれか一項に記載の電子デバイス。
【請求項１２】
前記配線パターンを構成する最表面側の導電層が金を含む、
請求項１１に記載の電子デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子デバイスの製造方法およびこの方法により製造された電子デバイスに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子デバイスの小型化、高密度化、および高機能化が一層求められている。この要求を達成するために、電子デバイスを構成する機能素子の密度向上および小型化を実現する多層配線基板が用いられている。この多層配線基板は、コア基板上に、内部に接続ビアを有する絶縁層と当該絶縁層上の一部に設けられた配線部とを交互に積層したビルドアップ薄膜層を有している。これらの配線部は、絶縁層内の接続ビアを介して相互に接続されている。
【０００３】
従来の多層配線基板としては、プリント配線板やセラミック多層基板が多く用いられている（例えば、特許文献１参照）。プリント配線板の配線部は通常銅箔を化学的にエッチングして形成される。また特許文献１にはセラミック多層基板の配線部は、導体ペーストをスクリーン印刷法、グラビア印刷法などの公知の印刷技術を用いて形成する方法が開示されている。
【０００４】
これらの配線部の形成方法によると微細化に限界があったため、近年新しい印刷方法を用いた配線形成方法が提案されている（例えば、特許文献２および３参照）。特許文献２にはマイクロコンタクトプリント法が記載されており、スタンプマスターから複製されたスタンプにインクを補充し、スタンプを試料に接触させてインクを試料に転写することでパターニングを行う方法が開示されている。また、特許文献３には、ブランケット上にインキを塗布してインキ塗布面を形成し、インキ塗布面に凸版を押圧して凸版に接触する部分のインキをブランケット上から除去したのち、ブランケット上に残ったインキを被印刷体に転写する印刷方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１１−２２５４４６号公報
【特許文献２】特開２００５−１２９７９１号公報
【特許文献３】特開２００７−２７３７１２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本願発明者らは、鋭意検討の末、従来の電子デバイスの製造方法には、以下の点で改善点があることを見出した。
特許文献２においては、スタンプマスターから複製されたスタンプにインクを保持させ、スタンプから試料にインクを転写する工程をとるため、１０μｍ以下の微細なピッチでパターンを形成することが可能になる反面、インクの厚みを大きくとることが困難であるという課題を有していた。また、特許文献３においては、ブランケット上に塗布したインキ面に凸版を押圧して凸版に接触する部分のインキをブランケット上から除去する工程を有するため、インキがある程度厚くなるとブランケット上から除去することが困難になるという課題を有していた。
【０００７】
本発明は、前記従来の課題を解決するものであり、配線の微細化と低抵抗化を両立し、従来困難であった比較的大きな電流を取り扱うことができる高密度で低損失な電子デバイスの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記従来の課題を解決するために、本発明では、基材の少なくとも一表面上に、前記表面より凸となる配線パターンが形成された配線基板を用意する工程と、ブランケットを設置した版胴の前記ブランケット上に導電性インキを塗布して導電性膜を形成する工程と、前記配線基板の前記配線パターンと前記導電性膜を接触させて前記導電性膜を前記配線パターン上に転写する工程とを含むことを特徴とする、電子デバイスの製造方法が供される。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の電子デバイスの製造方法では、配線パターンの直上のみに導電性膜を追加積層するため、配線幅に対して厚みが大きな配線パターンを形成することができる。このため配線パターンが微細かつ高密度であっても高いアスペクト比を持ち、低抵抗な配線を形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１Ａ】本発明の第１実施形態の製造方法における一工程を示した工程別断面図。
【図１Ｂ】本発明の第１実施形態の製造方法における一工程を示した工程別断面図。
【図１Ｃ】本発明の第１実施形態の製造方法における一工程を示した工程別断面図。
【図１Ｄ】本発明の第１実施形態の製造方法における一工程を示した工程別断面図。
【図１Ｅ】本発明の第１実施形態の製造方法における一工程を示した工程別断面図。
【図２Ａ】本発明の第２実施形態の製造方法における一工程を示した工程別断面図。
【図２Ｂ】本発明の第２実施形態の製造方法における一工程を示した工程別断面図。
【図２Ｃ】本発明の第２実施形態の製造方法における一工程を示した工程別断面図。
【図２Ｄ】本発明の第２実施形態の製造方法における一工程を示した工程別断面図。
【図２Ｅ】本発明の第２実施形態の製造方法における一工程を示した工程別断面図。
【図３Ａ】本発明の第３実施形態の製造方法における一工程を示した工程別断面図。
【図３Ｂ】本発明の第３実施形態の製造方法における一工程を示した工程別断面図。
【図３Ｃ】本発明の第３実施形態の製造方法における一工程を示した工程別断面図。
【図３Ｄ】本発明の第３実施形態の製造方法における一工程を示した工程別断面図。
【図３Ｅ】本発明の第３実施形態の製造方法における一工程を示した工程別断面図。
【図４Ａ】本発明の第４実施形態の製造方法における一工程を示した工程別断面図。
【図４Ｂ】本発明の第４実施形態の製造方法における一工程を示した工程別断面図。
【図４Ｃ】本発明の第４実施形態の製造方法における一工程を示した工程別断面図。
【図４Ｄ】本発明の第４実施形態の製造方法における一工程を示した工程別断面図。
【図４Ｅ】本発明の第４実施形態の製造方法における一工程を示した工程別断面図。
【図５】本発明の製造方法により得られた電子デバイスにおける配線パターン近傍の拡大断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
［電子デバイスの製造方法］
本発明の電子デバイスの製造方法を各種実施形態に基づいて、図面を参照しながら説明する。図面に示す各種の要素は、本発明の理解のために模式的に示したにすぎず、寸法比や外観などは実物と異なり得ることに留意されたい。尚、本明細書で直接的または間接的に用いる“上下方向”は、図中における上下方向に対応した方向に相当する。また特記しない限り、同じ符号または記号は、同じ部材または同じ意味内容を示すものとする。
【００１２】
（第１実施形態）
図１Ａ〜図１Ｅは、本発明の第１実施形態における電子デバイスの製造方法を示した工程別断面図である。
【００１３】
まず、図１Ａに示すように、基材１００の少なくとも一表面上に配線パターン１０１が形成された配線基板１０２を用意する。
【００１４】
基材１００としては、電気的絶縁性、平坦性そして形状保持性があればよく、特に限定されないが、例えばガラス、アルミナセラミック、ガラスセラミック複合体、シリコン、石英、サファイア、ＳｉＣ（炭化ケイ素）、ＡｌＮ（窒化アルミニウム）といった無機系材料や、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂、ビスマレイミド・トリアジン樹脂、液晶ポリマー、フッ素樹脂といった有機材料、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＩ（ポリイミド）、ＰＡ（ポリアミド）、ＰＣ（ポリカーボネート）、ＰＳ（ポリスチレン）、ＰＡＮ（ポリアクリロニトリル）、ＰＰＥ（ポリフェニレンエーテル）、ＰＰＳ（ポリフェニレンサルファイド）、ＰＥＳ（ポリエーテルサルフォン）、ＰＥＥＫ（ポリエーテルエーテルケトン）、ポリオレフィン等の有機フィルム材料、およびこれらの群から選ばれた２種類以上の複合材料が使用できる。
【００１５】
基材１００はフレキシブル特性を有していてもよいし、剛性特性を有していてもよいし、またはそれらの中間の特性を有していてもよい。フレキシブル特性とは、外力によって比較的容易に撓み変形するが、除力すると元の形状へと戻る特性をいう。剛性特性とは、外力によって比較的撓み変形し難い特性をいう。
【００１６】
配線パターン１０１の形成方法としては特に限定されず、例えば、以下の方法から選択されてよい：スクリーン印刷、グラビア印刷、グラビアオフセット印刷、リバースオフセット印刷、フレキソ印刷、インクジェット法等の印刷方法；スパッタ法、蒸着法、イオンプレーティング法等の真空成膜法；めっき等の電気化学的な方法；エッチング等のサブトラクティブ法。特には、リバースオフセット印刷による方法が好ましい。この方法によれば後述する工程に使用するブランケット付版胴１０３やコーティング装置１０４、導電性インキを使用することができるからである。なお、配線パターン１０１は基材１００の主要な両面に形成されていてもよい。配線パターン１０１を形成し得る導電性インキとしては、後述の導電性膜１０５を形成し得る導電性インキが使用可能である。当該導電性インキは、後述の導電性膜１０５を形成する導電性インキと同じものを使用してもよいし、または異なるものを使用してもよいが、電子デバイスの製造容易性の観点から、同じものを使用することが好ましい。
【００１７】
次に、図１Ｂに示すように、表面にブランケットを配置した版胴１０３の前記ブランケット上に、コーティング装置１０４を用いて導電性インキを塗布して導電性膜１０５を形成する。この時、導電性膜１０５は版胴１０３の胴体部の全てもしくは一部に形成してよい。
【００１８】
版胴１０３表面のブランケットは、オフセット印刷の分野で版面に付着したインキを自己の表面に転写させた後、転写されたインキを紙に再転写させる媒体として使用されるものである。ブランケットは、付着されたインキとブランケットとの界面において優れた離型性（剥離性）を発揮する。このため、後述の転写工程において、配線パターンの上面に、ブランケット上の導電性膜の表面を接触させるだけで、接触した導電性膜は配線パターン上に容易に転写される。その結果、配線パターン１０１の直上のみに導電性膜１０５を選択的に追加積層することができる。
【００１９】
前記ブランケットの材質としては、版胴１０３上に均一に前記導電性インキを塗布でき、かつ後述のように配線パターン１０１に対して導電性膜１０５を押圧して配線パターン１０１に対向する部分の導電性膜１０５を選択的に転写可能なものが好ましい。具体的には、前記ブランケットの材質としては、当該ブランケットが上記のような機能を発揮し得る限り、特に限定されず、例えばシリコーン樹脂、フッ素樹脂、ポリオレフィン、スチレン系エラストマーを用いることができる。特に優れた離型性、柔軟性および耐久性を有するブランケットの材質として、ポリジメチルシロキサン（PDMS）を用いることが好ましい。なお、前記ブランケットは前記導電性インキを塗布する版胴１０３の外周部分に配置されていればよい。この場合、好ましくは、前記ブランケットの内部に柔軟性を増やすためのゴムおよび／又は接着のための樹脂フィルム等を含めることが良い。
【００２０】
前記導電性インキは、導電性を有し、かつ後述の転写工程において、配線パターン１０１の直上のみに導電性膜１０５として選択的に追加積層され得るものであればよく、特に限定されるものではない。そのような導電性インキは、例えば金、銀、銅、ニッケル、亜鉛、アルミ、すず、鉄、インジウム、白金、パラジウム、クロム等の金属粒子、これらの群から選択された少なくとも２つの金属粒子から成る合金粒子、導電性酸化物粒子等を溶剤に分散させたものが使用でき、樹脂を含んでもよい。導電性酸化物粒子は、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ）、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、フッ素ドープ酸化スズ（ＦＴＯ）等から成る粒子である。又、導電性インキは、比較的低温で熱分解して導電性を供する有機金属錯体等の有機金属塩、導電性高分子等を更に含んで成ってよい。導電性高分子としては、ポリエチレンジオキシチオフェン、ポリスチレンスルホン酸、ポリアニリン等が挙げられる。ブランケット上で導電性膜１０５を形成する導電性インキは、配線パターン１０１の形成に際し導電性インキを用いた場合には、当該導電性インキと同じものを使用してもよいし、または異なるものを使用してもよいが、電子デバイスの製造容易性の観点から、同じものを使用することが好ましい。
【００２１】
コーティング装置１０４は、表面にブランケットを配置した版胴１０３の前記ブランケット上に均一に導電性インキを塗布できるものであればよく、特に限定されるものではないが、例えば、スロットダイコータ、キャップコータ、スプレーコータ、ロールコータ、バーコータ、スリットコータ等が挙げられる。なお、コーティング装置１０４は、用いるタイプに応じて、表面にブランケットを配置した版胴１０３上に均一に導電性インキを塗布可能な位置に適切に設けることが好ましい。
【００２２】
次に、図１Ｃおよび図１Ｄに示すように、配線基板１０２の配線パターン１０１に対して、図１Ｂに示した導電性膜１０５が形成されたブランケット付版胴１０３を一方向に回転させることで、配線パターン１０１に対して導電性膜１０５を押圧する。それによって導電性膜１０５のうち配線パターン１０１と対向する部分の導電性膜１０５を選択的に配線パターン１０１上に転写させる。配線パターン１０１に対する導電性膜１０５の押圧は、図１Ｃに示すように、配線パターン１０１の上面に導電性膜１０５の表面が接触する程度の押圧であってもよい。図１Ｃはこのような転写工程の初期を示す概略断面図であり、図１Ｄは当該転写工程の終期を示す概略断面図である。
【００２３】
これにより、配線パターン１０１の直上のみに導電性膜１０５を選択的に追加積層するため、配線幅を広げることなく配線幅に対して厚みが大きな配線パターンを形成することができる。また転写された導電性膜１０５を含む配線パターンの側面が基材の厚み方向と平行に延在するように、転写を行うことができる。その結果として、後述するように、非テーパー形状を有する配線パターンを形成することができる。このため配線パターンが微細かつ高密度であっても高いアスペクト比を持ち、低抵抗な配線を形成することができる。
【００２４】
次に、図１Ｅに示すように、配線パターン１０１上に形成された導電性膜１０５を固化させて配線パターン１０６とすることで、電子デバイス１０７を形成する。固化とは、単に固くなる固化だけでなく、インキに含まれる樹脂（ポリマー）成分による硬化も含む概念で用いるものとする。固化する方法は、導電性膜１０５が電気的に低抵抗となればよく、インキまたはその樹脂成分の種類に応じて適宜選択される。固化方法の具体例としては、特に限定されないが、例えば加熱処理法、光照射法、紫外線照射法、電子線照射法などが使用できる。
【００２５】
以上の工程を経て、本発明の第１実施形態の電子デバイスの製造方法により、電子デバイス１０７を製造することができる。狭義には、本発明の第１実施形態の電子デバイスの製造方法は、当該電子デバイス１０７上に抵抗素子、容量素子、半導体素子等の機能素子を設置する工程を更に含む。
【００２６】
なお、本実施形態にかかる電子デバイス１０７を配線基板１０２として用い、上記の各工程を繰り返すことで、配線幅を広げることなく更に配線パターン１０６の厚みを増大させ、ひいては配線のアスペクト比を高くし、高密度で低抵抗な配線を形成することができる。
【００２７】
（第２実施形態）
図２Ａ〜図２Ｅは、本発明の第２実施形態における電子デバイスの製造方法を示した工程別断面図である。本実施形態における電子デバイスの製造方法は、導電性インキのブランケットへの塗布方法としてスクリーン印刷法を用いること以外、第１実施形態における電子デバイスの製造方法と同様である。
【００２８】
なお、本発明の第２実施形態の電子デバイスの製造方法にて用いる部材の材質、形状、高さ、大きさ等の特徴は、以下に特記すること以外、上記の本発明の第１実施形態の電子デバイスの製造方法におけるものと同じであるため、説明を簡略又は省略するものとする。具体的には、第２実施形態の説明において、基材、配線パターン、配線基板、ブランケット付版胴、導電性インキおよび導電性膜は、以下に特記すること以外、第１実施形態におけるものと同様である。
【００２９】
第２実施形態においては、まず、図２Ａに示すように、基材２００の少なくとも一表面上に配線パターン２０１が形成された配線基板２０２を用意する。
【００３０】
次に、図２Ｂに示すように、表面にブランケットを配置した版胴２０３と、スクリーン版２０４を用意する。スクリーン版２０４を版胴２０３の上方に配置し、版胴２０３上に配置されたブランケットとスクリーン版２０４が接するようにスキージ２０５を押圧しながら版胴を回転させ、同時にスクリーン版２０４を同期させて移動させることで、導電性インキ２０６をブランケット上へ一様の厚みに塗布して導電性膜２０７形成する。この時、導電性膜２０７は版胴２０３の胴体部の全てもしくは一部に形成してよい。
【００３１】
スクリーン版２０４としてはスクリーン印刷法の分野で使用されているスクリーン版であれば特に限定されず、一般的に用いられる金属メッシュや樹脂繊維メッシュを乳剤で部分的にマスキングしたものが使用できる。
【００３２】
次に、図２Ｃおよび図２Ｄに示すように、配線基板２０２の配線パターン２０１に対して、図２Ｂに示した導電性膜２０７が形成されたブランケット付版胴２０３を一方向に回転させることで、配線パターン２０１に対して導電性膜２０７を押圧する。それによって導電性膜２０７のうち配線パターン２０１と対向する部分の導電性膜２０７を選択的に配線パターン２０１上に転写させる。図２Ｃはこのような転写工程の初期を示す概略断面図であり、図２Ｄは当該転写工程の終期を示す概略断面図である。
【００３３】
これにより、配線パターン２０１の直上のみに導電性膜２０７を選択的に追加積層するため、配線幅を広げることなく配線幅に対して厚みが大きな配線パターンを形成することができる。また転写された導電性膜２０７を含む配線パターンの側面が基材の厚み方向と平行に延在するように、転写を行うことができる。その結果として、後述するように、非テーパー形状を有する配線パターンを形成することができる。このため配線パターンが微細かつ高密度であっても高いアスペクト比を持ち、低抵抗な配線を形成することができる。
【００３４】
次に、図２Ｅに示すように、配線パターン２０１上に形成された導電性膜２０７を固化させて配線パターン２０８とすることで、電子デバイス２０９を形成する。固化する方法は、導電性膜２０７が電気的に低抵抗となればよく特に限定されないが、例えば加熱処理、光照射、紫外線照射、電子線照射などが使用できる。
【００３５】
以上の工程を経て、本発明の第２実施形態の電子デバイスの製造方法により、電子デバイス２０９を製造することができる。狭義には、本発明の第２実施形態の電子デバイスの製造方法は、当該電子デバイス２０９上に抵抗素子、容量素子、半導体素子等の機能素子を設置する工程を更に含む。
【００３６】
本実施形態よれば、第１実施形態で示したコーティング方法ではコーティングすることが困難な高粘度な導電性インキを使用することができる。それにより、配線パターン２０８の厚みを厚くすることができるため、更に高アスペクト比を持つ配線パターン２０８を形成することができ、ひいては高密度で低抵抗な配線パターン２０８持つ電子デバイス２０９を形成することが可能になる。
【００３７】
なお、本実施形態にかかる電子デバイス２０９を配線基板２０２として用い、上記の各工程を繰り返すことで、配線幅を広げることなく更に配線パターン２０８の厚みを増大させ、ひいては配線のアスペクト比を高くし、高密度で低抵抗な配線を形成することができる。
【００３８】
（第３実施形態）
図３Ａ〜図３Ｅは、本発明の第３実施形態における電子デバイスの製造方法を示した工程別断面図である。本実施形態における電子デバイスの製造方法は、配線基板を構成する基材のフレキシブル特性を利用して、ブランケット付版胴とシリンダとの間で、ブランケット上の導電性膜の配線パターンへの転写を行うこと以外、第１実施形態における電子デバイスの製造方法と同様である。
【００３９】
なお、本発明の第３実施形態の電子デバイスの製造方法にて用いる部材の材質、形状、高さ、大きさ等の特徴は、以下に特記すること以外、上記の本発明の第１実施形態の電子デバイスの製造方法におけるものと同じであるため、説明を簡略又は省略するものとする。具体的には、第３実施形態の説明において、配線パターン、配線基板、ブランケット付版胴、導電性インキおよび導電性膜は、以下に特記すること以外、第１実施形態におけるものと同様である。第３実施形態において、特に基材はフレキシブル特性を有すること以外、第１実施形態の基材と同様である。
【００４０】
第３実施形態においては、まず、図３Ａに示すように、フレキシブル基材３００の少なくとも一表面上に配線パターン３０１が形成された配線基板フレキシブル配線基板３０２を用意する。
【００４１】
フレキシブル基材３００としては、電気的絶縁性、平坦性に加えてフレキシブル性があればよく、特に限定されない。フレキシブル基材３００の具体例として、例えば極薄板ガラス、シリコンといった無機系材料や、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂、フッ素樹脂といった有機材料、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＩ（ポリイミド）、ＰＡ（ポリアミド）、ＰＣ（ポリカーボネート）、ＰＳ（ポリスチレン）、ＰＡＮ（ポリアクリロニトリル）、ＰＰＥ（ポリフェニレンエーテル）、ＰＰＳ（ポリフェニレンサルファイド）、ＰＥＳ（ポリエーテルサルフォン）、ＰＥＥＫ（ポリエーテルエーテルケトン）、ポリオレフィン等の有機フィルム材料、およびこれらの群から選ばれた２種類以上の複合材料が使用できる。
【００４２】
次に、図３Ｂに示すように、表面にブランケットを配置した版胴３０３の前記ブランケット上に、コーティング装置３０４を用いて導電性インキを塗布して導電性膜３０５を形成する。この時、導電性膜３０５は版胴３０３の胴体部の全てもしくは一部に形成してよい。
【００４３】
次に、図３Ｃおよび図３Ｄに示すように、フレキシブル配線基板３０２を配線パターン３０１面が表面となるようにしてシリンダ３０６上に配置する。更に図３Ｂに示した導電性膜３０５が形成されたブランケット付版胴３０３を配線パターン３０１に対して所望の間隔で近接させる。そして版胴３０３およびシリンダ３０６を一方向に回転させることで、配線パターン３０１に対して導電性膜３０５を押圧する。それによって、導電性膜３０５のうち配線パターン３０１と対向する部分の導電性膜３０５を選択的に配線パターン３０１上に転写させる。図３Ｃはこのような転写工程の初期を示す概略断面図であり、図３Ｄは当該転写工程の終期を示す概略断面図である。
【００４４】
これにより、配線パターン３０１の直上のみに導電性膜３０５を選択的に追加積層するため、配線幅を広げることなく配線幅に対して厚みが大きな配線パターンを形成することができる。また転写された導電性膜３０５を含む配線パターンの側面が基材の厚み方向と平行に延在するように、転写を行うことができる。その結果として、後述するように、非テーパー形状を有する配線パターンを形成することができる。このため配線パターンが微細かつ高密度であっても高いアスペクト比を持ち、低抵抗な配線を形成することができる。
【００４５】
次に、図３Ｅに示すように、配線パターン３０１上に形成された導電性膜３０６を固化させて配線パターン３０７とすることで、電子デバイス３０８を形成する。固化する方法は、導電性膜３０６が電気的に低抵抗となればよく特に限定されないが、例えば加熱処理、光照射、紫外線照射、電子線照射などが使用できる。
【００４６】
以上の工程を経て、本発明の第３実施形態の電子デバイスの製造方法により、電子デバイス３０８を製造することができる。狭義には、本発明の第３実施形態の電子デバイスの製造方法は、当該電子デバイス３０８上に抵抗素子、容量素子、半導体素子等の機能素子を設置する工程を更に含む。
【００４７】
なお、図３Ａ〜図３Ｅにおいてフレキシブル配線基板３０２および電子デバイス３０８は個片状に示されているが、その形状に限定されるものではなく、フィルム状やストリップ状であるものやそれらをロール状に巻き取ったものを含む。またフレキシブル配線基板３０２上に電子デバイス３０８が複数個形成されていてもよい。
【００４８】
本実施形態によれば、電子デバイスがフレキシブルな場合において容易に生産することができる。またロール状あるいはストリップ状の配線基板を使用することで、配線基板のフレキシブル性を利用して半連続的に搬送しながら印刷することが可能となるため、生産性を高めることが可能となる。
【００４９】
なお、本実施形態にかかる電子デバイス３０８をフレキシブル配線基板３０２として用い、上記の各工程を繰り返すことで、配線幅を広げることなく更に配線パターン３０７の厚みを増大させ、ひいては配線のアスペクト比を高くし、高密度で低抵抗な配線を形成することができる。
【００５０】
（第４実施形態）
図４Ａ〜図４Ｅは、本発明の第４実施形態における電子デバイスの製造方法を示した工程別断面図である。本実施形態における電子デバイスの製造方法は、配線基板を構成する基材のフレキシブル特性を利用して、ブランケット付平板とシリンダとの間で、ブランケット上の導電性膜の配線パターンへの転写を行うこと以外、第３実施形態における電子デバイスの製造方法と同様である。
【００５１】
なお、本発明の第４実施形態の電子デバイスの製造方法にて用いる部材の材質、形状、高さ、大きさ等の特徴は、以下に特記すること以外、上記の本発明の第３実施形態の電子デバイスの製造方法におけるものと同じであるため、説明を簡略又は省略するものとする。具体的には、第４実施形態の説明において、基材、配線パターン、配線基板、導電性インキおよび導電性膜は、以下に特記すること以外、第３実施形態におけるものと同様である。第４実施形態において、特にブランケット付平板は平板形状を有すること以外、第３実施形態のブランケット付版胴と同様である。
【００５２】
第４実施形態においては、まず、図４Ａに示すように、フレキシブル基材４００の少なくとも一表面上に配線パターン４０１が形成された配線基板フレキシブル配線基板４０２を用意する。
【００５３】
次に、図４Ｂに示すように、表面にブランケットを配置した平板４０３の前記ブランケット上に、コーティング装置４０４を用いて導電性インキを塗布して導電性膜４０５を形成する。この時、導電性膜４０５は平板４０３上の全てもしくは一部に形成してよい。
【００５４】
次に、図４Ｃおよび図４Ｄに示すように、フレキシブル配線基板４０２を配線パターン４０１面が表面となるようにしてシリンダ４０６上に配置する。更に図４Ｂに示した導電性膜４０５が形成されたブランケット付平板４０３を配線パターン４０１に対して所望の間隔で近接させる。そして、シリンダ４０６を一方向に回転させながら、平板４０３もしくはシリンダ４０６を移動させることで、配線パターン４０１に対して導電性膜４０５を押圧する。それによって、導電性膜４０５のうち配線パターン４０１と対向する部分の導電性膜４０５を選択的に配線パターン４０１上に転写させる。図４Ｃはこのような転写工程の初期を示す概略断面図であり、図４Ｄは当該転写工程の終期を示す概略断面図である。
【００５５】
これにより、配線パターン４０１の直上のみに導電性膜４０５を選択的に追加積層するため、配線幅を広げることなく配線幅に対して厚みが大きな配線パターンを形成することができる。また転写された導電性膜４０５を含む配線パターンの側面が基材の厚み方向と平行に延在するように、転写を行うことができる。その結果として、後述するように、非テーパー形状を有する配線パターンを形成することができる。このため配線パターンが微細かつ高密度であっても高いアスペクト比を持ち、低抵抗な配線を形成することができる。
【００５６】
次に、図４Ｅに示すように、配線パターン４０１上に形成された導電性膜４０５を固化させて配線パターン４０７とすることで、電子デバイス４０８を形成する。固化する方法は、導電性膜４０５が電気的に低抵抗となればよく特に限定されないが、例えば加熱処理、光照射、紫外線照射、電子線照射などが使用できる。
【００５７】
以上の工程を経て、本発明の第４実施形態の電子デバイスの製造方法により、電子デバイス４０８を製造することができる。狭義には、本発明の第４実施形態の電子デバイスの製造方法は、当該電子デバイス４０８上に抵抗素子、容量素子、半導体素子等の機能素子を設置する工程を更に含む。
【００５８】
なお、図４Ａ〜図４Ｅにおいてフレキシブル配線基板４０２および電子デバイス４０８は個片状に示されているが、その形状に限定されるものではなく、フィルム状やストリップ状であるものやそれらをロール状に巻き取ったものを含む。またフレキシブル配線基板４０２上に電子デバイス４０８が複数個形成されていてもよい。
【００５９】
本実施形態によれば、電子デバイスがフレキシブルな場合において容易に生産することができる。またロール状あるいはストリップ状の配線基板を使用することで、配線基板のフレキシブル性を利用して半連続的に搬送しながら印刷することが可能となるため、生産性を高めることが可能となる。
【００６０】
なお、本実施形態にかかる電子デバイス４０８をフレキシブル配線基板４０２として用い、上記の各工程を繰り返すことで、配線幅を広げることなく更に配線パターン４０７の厚みを増大させ、ひいては配線のアスペクト比を高くし、高密度で低抵抗な配線を形成することができる。
【００６１】
（第５実施形態）
本実施形態は電子デバイスに関するものであり、第１〜第４実施形態に係る電子デバイスの製造方法により得ることができる。
【００６２】
本実施形態の電子デバイスは、例えば図５に示すように、少なくとも基材（１００、２００、３００、４００）および当該基材の少なくとも一表面上に形成された配線パターン（１０６、２０８、３０７、４０７）を有する。図５は、電子デバイスにおける配線パターン近傍の拡大断面図である。本実施形態において、配線パターン（１０６、２０８、３０７、４０７）は、第１〜第４実施形態における配線パターン（１０１、２０１、３０１、４０１）だけでなく、これに転写されて一体化された導電性膜（１０５、２０７、３０５、４０５）も包含する領域を指すものとする。
【００６３】
本実施形態において配線パターン（１０６等）は非テーパー形状を有するものであり、すなわち配線パターンの側面は、基材（１００等）の厚み方向と平行に延在している。詳しくは配線パターンの幅寸法は、当該配線パターンの高さ方向（すなわち、基材の厚み方向）について一定である。
【００６４】
本実施形態の電子デバイスは配線パターン１０６、２０８、３０７、４０７が高アスペクト比を有する。詳しくは、図５に示すように、配線パターンの最小線幅をｘ、高さをｈとしたときの比（ｈ／ｘ）は１よりも大きく、通常は３よりも小さい。好ましいｈ／ｘ比は１超２以下である。アスペクト比が１よりも大きな配線を形成することは一般的な方法では難しいが、このように、本発明によれば比較的容易に形成することができる。これにより、電子デバイスを高精細化し高密度化することができるとともに、配線の低抵抗化が実現でき、低損失な電子デバイスを実現することが可能になる。
【００６５】
本実施形態において配線パターン（１０６等）の最小線幅ｘとは、当該配線パターンを構成する配線自体の最小線幅のことである。最小線幅ｘは、詳しくは、配線の断面積が最小になるように配線パターンを切ったときの断面（以下、単に「断面Ａ」という）において、配線パターンの底面８０１から頂面８０２までの線幅のうち最小の線幅のことである。配線の断面積が最小になるように配線パターンを切ったときの断面とは、例えば、配線が基材上、直線状の配線パターンで形成されている部位で、当該直線に対して垂直に配線パターンを切ったときの断面を意味する。配線パターン（１０６等）の底面８０１とは、配線パターンにおける基材（１００等）との接触面である。配線パターン（１０６等）の頂面８０２は、配線パターンの頂部に形成される面である。最小線幅ｘが例えば最小で３μｍの配線パターンの形成が可能である。
【００６６】
配線パターン（１０６等）の高さｈは底面８０１から頂面８０２までの距離であり、基材（１００等）の厚み方向の長さを意味する。配線パターンの高さｈは、当該配線パターンを構成する配線自体の高さのことであり、詳しくは配線パターンの前記断面Ａにおける配線の高さである。配線パターンの高さｈは、ブランケット付版胴またはブランケット付平板上に形成される導電性膜の厚みおよび各実施形態の説明で述べた各工程の繰り返し回数（すなわち、配線パターン（１０６等）を構成する転写された導電性膜（１０５等）の層数）を調整することにより制御することができる。配線パターンの高さｈは、例えば転写された導電性膜（１０５等）が１層のときで０．２〜４μｍとすることができる。配線パターンの高さｈは、転写された導電性膜の層数を調整することによりさらに大きな値に制御することができる。
【００６７】
本実施形態の電子デバイスはまた、図５に示すように、配線パターン１０６、２０８、３０７、４０７の最小線幅をｘ、頂面８０２における線幅（上部線幅）をｙとしたときの比（ｙ／ｘ）は０．８〜１．２、特に０．９〜１．１であることが好ましい。
【００６８】
本実施形態において配線パターン（１０６等）の頂面８０２における上部線幅ｙは、当該配線パターンを構成する配線自体の上部線幅のことであり、詳しくは前記した配線パターンの断面Ａにおける配線の頂面での線幅である。
【００６９】
本実施形態の電子デバイスにおいては、配線パターンの最小線幅をｘ、配線パターンの最大線幅をｚとしたときの比（ｚ／ｘ）は１〜１．２、特に１〜１．１であることが好ましい。
【００７０】
本実施形態において配線パターン（１０６等）の最大線幅ｚとは、当該配線パターンを構成する配線自体の最大線幅のことであり、詳しくは前記した配線パターンの断面Ａにおいて、底面８０１から頂面８０２までの線幅のうち最大の線幅のことである。
【００７１】
本実施形態の電子デバイスは、配線パターンが上記のように高アスペクト比を有し、かつ高精細化および高密度化され得るため、配線パターンを低抵抗化しつつ、狭ピッチで形成することができる。
【００７２】
本実施形態の電子デバイスは、前記した各実施形態の方法により製造されるため、結果として、配線パターンは、金属ナノ粒子焼結体、金属粒子分散樹脂組成物、導電性高分子材料からなる群から選択される材料から形成されている。
【００７３】
本実施形態の電子デバイスは、配線パターン上に導電性膜が積層および一体化されて、形成されるため、厳密には配線パターンはその高さ方向に対して２種類以上の導電層からなっている。導電層の種類の数は、各実施形態において行われる転写工程の回数に応じて決定される。詳しくは、各実施形態において配線パターン（１０１、２０１、３０１、４０１）の上に導電性膜を転写する工程をｎ回繰り返し行う場合、結果として得られる配線パターン（１０６、２０８、３０７、４０７）を構成する導電層の種類の数は「ｎ＋１」である。
【００７４】
本実施形態の電子デバイスにおいては、配線パターンの酸化防止の観点から、最表面側の導電層が金を含むことが好ましい。最表面側の導電層とは、配線パターンにおいて最高位に配置される導電層のことであり、詳しくは各実施形態において最後の転写工程で転写される導電性膜から形成される導電層を意味する。
【００７５】
最表面側の導電層のみが金を含むことにより、比較的低コストで、酸化が有効に防止された配線パターンを形成することができる。
【実施例】
【００７６】
（実施例１）
第１実施形態に従って、電子デバイスを製造した。
詳しくは、厚み１２５μｍのＰＥＮフィルムを基材として用い、その一表面上にＡｇを用いて配線パターン（厚み２μｍ）が形成された配線基板を用意した。
金属製の版胴にシリコーン樹脂からなるブランケットを配置し、その上にＡｇフィラーとエポキシ樹脂を主成分とする導電性インキをスリットコーターを用いて塗布して導電性膜を形成した。
次に、上記配線基板を平板上に固定し、その上に導電性インキを塗布したブランケット付版胴を接触させ、配線基板上で回転させて配線パターン上に選択的に導電性インキを転写させた。
最後に配線基板を１５０℃で熱処理して導電性膜を固化させ、これにより電子デバイスを完成させた。
電子デバイスにおいて配線の断面積が最小になるように配線パターンを切ったときの断面において、各寸法を任意の１０箇所で断面計測により測定し、平均値を求めた。
ｘ＝３．０μｍ；
ｙ＝２．７μｍ；
ｚ＝３μｍ；
ｈ＝４．０μｍ；
ｈ／ｘ＝１．３；
ｙ／ｘ＝０．９；
ｚ／ｘ＝１．０。
【産業上の利用可能性】
【００７７】
本発明にかかる電子デバイスの製造方法によれば高密度で低抵抗な配線パターンを有し、表示装置、例えば、液晶表示装置、有機ＥＬ表示装置、電気泳動式表示装置、電子粉流体式表示装置、マイクロカプセル式表示装置、エレクトロクロミック式表示装置、エレクトロウェッティング式表示装置、および物理センサ、化学センサ、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、ＲＦＩＤタグ、ロジック回路、メモリ、電力伝送デバイス、タッチパネル、電磁遮蔽部材、フレキシブル配線板（ＦＰＣ）、回路基板等に利用することができる。
【符号の説明】
【００７８】
１００、２００：基材
１０１、１０６、２０１、２０８、３０１、３０７、４０１、４０７：配線パターン
１０２、２０２：配線基板
１０３、２０３、３０３：ブランケット付版胴
１０４、３０４、４０４：コーティング装置
１０５、２０７、３０５、４０５：導電性膜
１０７、２０９、３０８、４０８：電子デバイス
２０４：スクリーン版
２０５：スキージ
２０６：導電性インキ
３００、４００：フレキシブル基材
３０２、４０２：フレキシブル配線基板
３０６、４０６：シリンダ
４０３：ブランケット付平板
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
2016219508.tif 000004
【図１Ｃ】
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【図１Ｄ】
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【図１Ｅ】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
2016219508.tif 000009
【図２Ｃ】
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【図２Ｄ】
2016219508.tif 000011
【図２Ｅ】
2016219508.tif 000012
【図３Ａ】
2016219508.tif 000013
【図３Ｂ】
2016219508.tif 000014
【図３Ｃ】
2016219508.tif 000015
【図３Ｄ】
2016219508.tif 000016
【図３Ｅ】
2016219508.tif 000017
【図４Ａ】
2016219508.tif 000018
【図４Ｂ】
2016219508.tif 000019
【図４Ｃ】
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【図４Ｄ】
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【図４Ｅ】
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【図５】
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