(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
駆動集積回路に接触させられるパッド部が設けられた液晶表示素子において、前記パッド部は、
基板と、
該基板上の電極パッドと、
該電極パッド上の透明電極と、
前記基板と前記透明電極との間に配置されて、該透明電極に接触する半導体層とを具備し、前記パッド部の周りから前記基板が露出されていることを特徴とする液晶表示素子。
【請求項２】
前記半導体層が、リング形状を有することを特徴とする請求項１記載の液晶表示素子。
【請求項３】
前記基板上に、非等方性導体薄膜（Anisotropic Conductive Film）をさらに具備することを特徴とする請求項１記載の液晶表示素子。
【請求項４】
前記基板上に、ゲート絶縁膜をさらに具備することを特徴とする請求項１記載の液晶表示素子。
【請求項５】
前記半導体層が、前記ゲート絶縁膜と前記透明電極との間に配置されていることを特徴とする請求項４記載の液晶表示素子。
【請求項６】
前記半導体層が、前記半導体層の下のゲート絶縁膜をエッチングから保護するために前記ゲート絶縁膜上に配置されていることを特徴とする請求項４記載の液晶表示素子。
【請求項７】
前記半導体層が、非晶質シリコンからなることを特徴とする請求項１記載の液晶表示素子。
【請求項８】
駆動集積回路に接触させられるパッド部が設けられた液晶表示素子において、前記パッド部は、
基板と、
該基板上に形成された電極パッドと、
前記電極パッド上に形成された透明電極と、
前記電極パッドの下に部分的に重畳するように配置されて、前記透明電極と接触させられる半導体層とを具備し、
前記パッド部の周りから前記基板が露出されていることを特徴とする液晶表示素子。
【請求項９】
前記半導体層が、非晶質シリコンからなることを特徴とする請求項８記載の液晶表示素子。
【請求項１０】
前記半導体層が、リング形状を有することを特徴とする請求項８記載の液晶表示素子。
【請求項１１】
前記基板上に、非等方性導体薄膜（Anisotropic Conductive Film）をさらに具備することを特徴とする請求項８記載の液晶表示素子。
【請求項１２】
前記基板上に、ゲート絶縁膜をさらに具備することを特徴とする請求項８記載の液晶表示素子。
【請求項１３】
前記半導体層が、該半導体層および前記電極パッドの下のゲート絶縁膜をエッチングから保護するために、該ゲート絶縁膜上に配置されていることを特徴とする請求項１２記載の液晶表示素子。
【請求項１４】
駆動集積回路に接触させられるパッド部が設けられた液晶表示素子において、前記パッド部は、
基板と、
該基板上のゲート絶縁膜と、
前記基板上の電極パッドと、
該電極パッドを保護するためにその電極パッド上に形成された透明電極と、
前記電極パッドに接触させられるゲート絶縁膜上に形成されて、前記透明電極に接触させられる半導体層とを具備し、
前記パッド部の周りから前記基板が露出されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１５】
前記半導体層が、前記電極パッドの外郭部と一部が重畳させられるリング形状を有することを特徴とする請求項１４記載の液晶表示素子。
【請求項１６】
前記半導体層が、非晶質シリコンからなることを特徴とする請求項１４記載の液晶表示素子。
【請求項１７】
前記半導体層が、前記ゲート絶縁膜上に形成されていることを特徴とする請求項１４記載の液晶表示素子。
【請求項１８】
前記電極パッドがゲートパッドであり、前記透明電極が、前記半導体層上に形成され、該半導体層および前記ゲート絶縁膜に形成されたホールを通して、前記電極パッドに接触させられることを特徴とする請求項１４記載の液晶表示素子。
【請求項１９】
前記電極パッドがデータパッドであり、前記半導体層が、前記電極パッドの下部に部分的に重畳されるように形成されていることを特徴とする請求項１４記載の液晶表示素子。
【請求項２０】
前記透明電極が、前記半導体層およびデータパッド上に接触するように形成されていることを特徴とする請求項１４記載の液晶表示素子。
【請求項２１】
ゲート駆動集積回路に電気的に接触させられるゲートパッド部領域、又は、データ駆動集積回路に電気的に接触させられるデータパッド部領域に、ゲートパッド部又はデータパッド部が１又は複数配列するように設けられた液晶表示素子の製造方法であって、
基板を設ける段階と、
該基板上のゲートパッド部領域にゲートパッドを形成する段階と、
該ゲートパッドが形成された基板上の全面にゲート絶縁膜を塗布した後に、前記ゲートパッドの位置にホールを形成する段階と、
ゲートパッド部領域及びデータパッド部領域に、半導体層パターンを形成する段階と、
データパッド部領域において、前記ゲート絶縁膜及び前記半導体層の一部と重畳するようにデータパッドを形成する段階と、
前記データパッド上の全面に有機保護膜を塗布してパタニングする段階と、
前記ゲートパッド部領域及びデータパッド部領域の有機保護膜とゲート絶縁膜を順次的にエッチングして前記ゲートおよびデータ領域の有機保護膜を除去する段階と、
前記データパッドおよびゲートパッドを保護するための透明電極を、前記データパッドおよびゲートパッド上に形成する段階と、
を含む液晶表示素子の製造方法。
【請求項２２】
前記半導体層を形成する段階において、前記半導体層が前記ゲートパッドおよびデータパッドの外郭部と一部分が重畳されるリング形状を有するように形成されることを特徴とする請求項２１記載の液晶表示素子の製造方法。
【請求項２３】
前記ゲート絶縁膜をエッチングする段階において、前記半導体層の下部に位置するゲート絶縁膜のエッチングを防止することによって前記ゲート絶縁膜を保護することを特徴とする請求項２１記載の液晶表示素子の製造方法。
【請求項２４】
前記透明電極を形成する段階において、前記透明電極を前記半導体層と接触するように配置することを特徴とする請求項２１記載の液晶表示素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶表示素子に関するもので、特に、有機絶縁膜が適用された液晶パネルとテープキャリアパッケージ（Tape Carrier Package；ＴＣＰ）との間の接着力を強化させることができる液晶表示素子、および、その製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
液晶表示（Liquid Crystal Display；ＬＣＤ）素子は、マトリックス形態に配列された液晶セルが、ビデオ信号によって光透過率を変える性質を利用して、液晶パネルに、ビデオ信号に応じた画像を表示する素子である。このために、液晶表示素子は、液晶セルがアクティブマトリックス（Active Matrix）形態で配列された液晶パネルと、液晶セルを駆動するための駆動集積回路（Integrated Circuit；以下、ＩＣという）とを具備している。
【０００３】
駆動ＩＣは、通常、チップ形態で製作され、ＴＡＢ（Tape Autoamted Bonding）方式である場合には、ＴＣＰ（Tape Carrier Package）に装着され、ＣＯＧ（Chips On Glass）方式である場合には、液晶パネルの表面に装着される。ＴＡＢ方式のである場合には、駆動ＩＣはＴＣＰによって、液晶パネルに設けられたパッド部に電気的に接続される。
【０００４】
図１を参照すると、通常の液晶パネルの平面図が示されている。図１の液晶パネル２は、下板４と上板６とが対向して接着された構造を具備し、マトリックス液晶セルが配置された画像表示部８と、駆動ＩＣと画像表示部８との間を接続するゲートパッド部１２およびデータパッド部１４とを含んでいる。
【０００５】
前記画像表示部８において、前記下板４には、ビデオ信号が印加されるデータラインと、走査信号が印加されるゲートラインとが互いに交差して配置され、その交差部に液晶セルをスイッチングするための薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタに接続されて液晶セルを駆動する画素電極とが形成されている。
【０００６】
前記上板６には、ブラックマトリックスによってセル領域別に分離されたカラーフィルタと、該カラーフィルタの表面の共通の透明電極とが塗布されている。これら上板６および下板４は、スペースによって離隔されてセルケップが設けられ、そのセルケップは液晶物質で満たされている。
【０００７】
前記上板６と前記下板４とは、画像表示部８の外郭のシーリング部１０に塗布されたシーリング剤によって接着されている。前記上板６と重畳されない下板４の縁の領域にはゲートパッド部１２と、データパッド部１４とが設けられている。このゲートパッド部１２は、ゲート駆動ＩＣから供給されるゲート信号を画像表示部８のゲートラインに供給する。データパッド部１４はデータ駆動ＩＣから供給されるビデオ信号を画像表示部８のデータラインに供給する。
【０００８】
このような構造を有する液晶パネル２では、下板６には、金属電極および薄膜トランジスタを保護するための保護膜が、その全面に塗布されている。この保護膜上には、前記画素電極がセル領域別に形成されている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
保護膜としては、従来より、ＳｉＮｘ、ＳｉＯｘのような無機膜が利用されている。この無機保護膜は、誘電率が大きく、無機保護膜を間に置いた画素電極およびデータラインは、寄生キャパシティによるカップリング効果を最小化するために、一定の間隔、例えば、３〜５μｍの間隔を維持しなければならなかった。このため、液晶セルの開口率を左右する画素電極の大きさを小さくせざるを得ず、開口率が低くなると言う問題があった。
【００１０】
これを解決するために、最近ではＢＣＢ（Benzocyclobutene）などのように比較的誘電率の低い有機物が保護膜に利用されるようになった。例えば、米国特許第５７９８８１２号明細書には、液晶パネルのパッド領域および画素領域を覆う有機絶縁膜が開示されている。この有機保護膜は、約２．７程度の低い誘電率を有するので、画素電極とデータラインとを重畳させることができ、これによって、画素電極の大きさが増大されて開口率を向上させることができる。
【００１１】
ＴＡＢ方式の場合には、駆動ＩＣを装着したＴＣＰが、ゲートパッド部およびデータパッド部と接触させられる。この場合、ＴＡＢ課程で必然的に要求されるＴＣＰの接着過程の反復時に、データパッドである金属電極の損傷を防止するために、データパッドが有機絶縁膜上に形成される透明電極を介してＴＣＰと電気的に接続される。
【００１２】
しかしながら、有機保護膜と下部のゲート絶縁膜との間の接着特性が弱くなることによって、ＴＣＰの接着過程の反復時に、有機保護膜がゲート絶縁膜と分離して、その上の透明電極が除去されてしまう問題が発生するようになる。以下、添付図面を参照して、従来の液晶表示素子の問題点を詳細に見ることにする。
【００１３】
図２は、図１に図示されたゲートパッド部１２の一部を拡大して示したものであり、図３の（ａ），（ｂ）は、図２のゲートパッド部１２を線Ａ−Ａ′と線Ｂ−Ｂ′に沿って切断した縦断面をそれぞれ示したものである。
【００１４】
図２および図３において、ゲートパッド１６は、画像表示部のゲートラインとともに下部ガラス２２上に形成される。ゲートパッド１６が形成された下部ガラス２２上には、ゲート絶縁膜２４および有機保護膜２６が順次、全面に塗布される。
【００１５】
このようなゲート絶縁膜２４および有機保護膜２６をパタニングすることによって、ゲートパッド１６の位置にホール１８が形成される。その後、有機保護膜２６上に透明電極パターン２０が形成されることによて、ホール１８を通してゲートパッド１６と透明電極パターン２０とが接続される。
【００１６】
このようなゲートパッド部１２にＴＡＢ方式で駆動ＩＣが装着されたＴＣＰを接着する場合には、ＴＣＰ接着および分離過程を何回も繰り返さなければならない。この場合、有機保護膜２６と下部のゲート絶縁膜２４との間の接着特性が弱いので、ＴＣＰを分離する過程で、有機保護膜２６がＴＣＰにつれてゲート絶縁膜２４から容易に分離される事態が発生するようになる。
【００１７】
特に、ゲートパッド１６上の有機保護膜２６に、ゲート絶縁膜２４を経由して形成された多数のホール１８によって、有機保護膜２６の接着特性はさらに弱まることになり、有機保護膜２６が剥がれてしまうこともある。この場合には、有機保護膜２６が除去された表面が不均質となることによって、ＴＣＰの再接着時の接着特性が弱くなる問題点がある。
【００１８】
また、ゲートパッド１６の上の有機保護膜２６が除去されると、その上の透明電極パターン２０も、これとともに除去されてしまうので、ゲートパッド１６が露出して損傷を受けたり、酸化されたりして、ゲートパッド１６の特性が低するという問題点が発生する。
【００１９】
図４は、図１に示されたデータパッド部１４の一部分を拡大して示したものであり、図５の（ａ），（ｂ）は、図４のデータパッド部１４を線Ａ−Ａ′線と線Ｂ−Ｂ′に沿って切断した縦断面をそれぞれ示したものである。
【００２０】
図４および図５において、データパッド２８は、画像表示部のデータラインとともに下部ガラス２２上のゲート絶縁膜２４上に形成されている。データパッド２８の下部には半導体層３０がデータラインまで延長して形成されている。
【００２１】
データパッド２８が形成されたゲート絶縁膜２４上には、有機保護膜２６が全面に塗布される。有機保護膜２６およびゲート絶縁膜２４を順次パタニングすることによって、データパッド２８の位置にホール１８が形成される。その後、有機保護膜２６の上に透明電極パターン２０が形成されることによって、ホール１８を介してデータパッド２８と透明電極パターン２０とが接続される。
【００２２】
このようなデータパッド部１４にＴＡＢ方式で駆動ＩＣが装着されたＴＣＰを接着する場合には、ＴＣＰ接着および分離過程を何回も繰り返さなければならない。この場合、有機保護膜２６と下部のゲート絶縁膜２４および半導体層３０との間の接着特性が弱いために、ＴＣＰの分離過程で有機保護膜２６がＴＣＰとともにゲート絶縁膜２４から容易に分離されてしまう事態が発生する。
【００２３】
特に、データパッド２８の位置で有機保護膜２６およびゲート絶縁膜２４を貫通して形成された多数のホール１８によって、有機保護膜２６の接着特性はさらに弱くなり、有機保護膜（２６）が剥がれてしまうこともある。この場合に、有機保護膜２６が除去された表面が不均質となることによって、ＴＣＰの再接着時の接着特性が弱くなる問題点がある。
【００２４】
また、データパッド２８上の有機保護膜２６が除去されると、その上の透明電極パターン２０も、これとともに除去されるので、データパッド２８が露出して損傷を受けたり、酸化したりする問題点が発生する。
【００２５】
したがって、本発明の目的は、有機保護膜が塗布された高開口率の液晶パネルと、ＴＣＰとの間の接着力を強化させることができる構造を有する液晶表示素子およびその製造方法を提供することである。
【００２６】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するために、本発明の一つの特徴による液晶表示素子は、基板と、該基板上の電極パッドと、該電極パッド上の透明電極と、前記基板と透明電極との間に配置されて、該透明電極に接触させられた半導体層とを具備する。
【００２７】
本発明の他の特徴による液晶表示素子は、基板と、該基板上に位置してその基板上に形成された多数の電極パッドを含むパッド領域と、前記電極パッド上に形成された多数の透明電極と、電極パッド下に部分的に重畳されるように配置されて透明電極と接触させられた半導体層とを具備する。
【００２８】
本発明のさらに他の特徴による液晶表示素子は、ガラス基板と、該ガラス基板上のゲート絶縁膜と、前記ガラス基板上の電極パッドと、該電極パッドを保護するためにその電極パッド上に形成された透明電極と、電極パッドと接触するゲート絶縁膜のエッチングを防止するためにゲート絶縁膜上に形成されて透明電極と接触させられた半導体層とを具備する。
【００２９】
本発明による液晶表示素子の製造方法は、ガラス基板を設ける段階と、該ガラス基板上にゲートパッドを形成する段階と、該ゲートパッドが形成されたガラス基板上の全面にゲート絶縁膜を塗布した後、前記ゲートパッドの位置にホールを形成する段階と、前記ゲート絶縁膜上にデータパッドを形成する段階と、前記ゲート絶縁膜上に位置するゲートパッドと部分的に重畳させて、前記ガラス基板上の全面に有機保護膜を塗布する段階と、ゲートおよびデータパッド領域の有機保護膜とゲート絶縁膜とを順次的にエッチングしてゲートおよびデータ領域の有機保護膜を除去する段階と、データおよびゲートパッドを保護するための透明電極をデータおよびゲートパッド上に形成する段階とを含む。
【００３０】
上述した目的以外の本発明の他の目的および利点等は、添付図面を参照した本発明の好ましい実施形態に対する以下の説明を通して明確になる。
【００３１】
【作用】
本発明による液晶表示素子およびその製造方法では、パッド部の有機保護膜およびゲート絶縁膜をすべて除去することで、ＴＡＢ過程の反復時に、有機保護膜の弱い接着特性により、透明電極が除去されることを防止することが可能となる。これにより、透明電極の除去によるパッド部の損傷を防止することができる。
【００３２】
その結果、本発明による液晶表示素子およびその製造方法によれば、パッド部の有機保護膜およびゲート絶縁膜の全面除去によって、ＡＣＦが下部ガラスに直接接触するようになるので、パッド部とＴＣＰとの間の接着力を強化させることができる。また、本発明による液晶表示素子およびその製造方法では、パッド部の位置でのゲート絶縁膜のエッチストッパの役割をする半導体パターンを形成して、ゲート絶縁膜のアンダーカットによるパッドの損傷および透明電極の不安定な形成を防止することができる。
【００３３】
【発明の実施の態様】
以下、本発明の好ましい実施形態について、図６〜図９を参照して詳細に説明することにする。
図６は、本発明の一実施形態に係る液晶表示素子のゲートパッド部の一部を拡大して示したものであり、図７（ａ），（ｂ）は、図６のゲートパッド部を線Ａ−Ａ′と線Ｂ−Ｂ′に沿って切断した縦断面をそれぞれ示したものである。
【００３４】
図６および図７において、ゲートパッド１６は、画像表示部のゲートラインとともに下部ガラス２２上に形成される。ゲートパッド１６上には、ゲート絶縁膜２４が塗布され、その後、ゲートパッド１６の位置にホール１８を形成するようにパタニングされる。そして、ゲートパッド１６の位置のゲート絶縁膜２４上に、半導体パターン３２を形成する。この場合に、半導体パターン３２は、ゲートパッド１６の外郭部と重畳されるリング形状を有する。
【００３５】
半導体パターン３２上の全面に有機保護膜を塗布した後に、パタニングすることによって、ゲートパッド１６の位置の有機保護膜およびゲート絶縁膜２４を全てエッチングする。この場合に、ゲート絶縁膜のエッチング時に、半導体パターン３２がエッチストッパ（Etchstopper）として作用して、その下部のゲート絶縁膜２４がアンダーカットされることを防止する。
【００３６】
この半導体パターン３２の幅を小さく設定する場合には、ゲート絶縁膜２４がアンダーカットされてＴＣＢ過程の反復時に、ゲートパッド１６が損傷を受けるおそれがあるだけではなく、半導体パターン３２とアンダーカットされたゲート絶縁膜２４との間の段差によって、それ以降に形成される透明電極パターン２０がオープンされるおそれがある。このため、半導体パターン３２の幅を、ゲート絶縁膜のアンダーカットによる問題が発生しないように適切に設定する。
【００３７】
半導体パターン３２上には、ゲートパッド１６保護のための透明電極パターン２０が形成される。このような構造を有するゲートパッド部では、ゲートパッド１６周辺の有機保護膜およびゲート絶縁膜が除去されることによって図７（ｂ）に示されるように、下部基板２２の表面が部分的に露出させられる。
【００３８】
これにより、ＴＡＢ過程の反復時に、有機保護膜とゲート絶縁膜との間の接着特性が弱いために透明電極パターン２０が除去されてしまう不都合の発生を防止することができる。また、ゲートパッド部の有機保護膜およびゲート絶縁膜の除去によって、ＴＣＰとゲートパッド部とを接着させるためのＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film）（図示しない）が、下部ガラス２２と直接接触させられることにより、ゲートパッド部とＴＣＰとの接着力を強化することができる。
【００３９】
図８は、本発明の第２の実施形態に係る液晶表示素子のデータパッド部の一部を拡大して示したものであり、図９（ａ），（ｂ）は、図８のデータパッド部を線Ａ−Ａ′および線Ｂ−Ｂ′線に沿って切断した縦断面をそれぞれ示したものである。
【００４０】
図８および図９において、半導体パターン３２は、下部ガラス２２上のゲート絶縁膜２４上に形成される。この場合に、データパッド部の位置の半導体パターン３２は前記ゲートパッド部に形成されたものと同様に、リング形状を有する。データパッド２８は、半導体パターン３２上に形成される。この場合に、データパッド２８は、半導体パターン３２の中央ホール１８を通して外郭部と重畳されるようになる。
【００４１】
データパッド２８上の全面には有機保護膜が塗布され、その後にパタニングされることによって、データパッド２８の位置の有機保護膜が除去される。同じ方法で下部のゲート絶縁膜２４をパタニングする。この場合において、ゲート絶縁膜２４のエッチング時に、半導体パターン３２がエッチストッパとして作用して、その下部のゲート絶縁膜２４がアンダーカットされることを防止する。
【００４２】
この半導体パターン３２の幅を小さく設定すると、ゲート絶縁膜２４のエッチング時に半導体パターン３２の下部のゲート絶縁膜２４がアンダーカットされて、ＴＣＢ過程の反復時にデータパッド２８が損傷を受けるおそれがあるだけではなく、半導体パターン３２とアンダーカットされたゲート絶縁膜２４との段差によって、それ以降に形成される透明電極パターン２０がオープンされるおそれがある。このため、半導体パターン３２の幅をゲート絶縁膜のアンダーカットによる問題が発生しないように適切に設定する。
【００４３】
半導体パターン３２上のデータパッド２８上には、該データパッド２８を保護するための透明電極パターン２０が形成される。このような構造を有するゲートパッド部では、有機保護膜およびゲート絶縁膜が除去されることによって、図９（ｂ）に示されるように、下部基板２２の表面が部分的に露出させられる。
【００４４】
これによって、ＴＡＢ過程の反復時に有機保護膜とゲート絶縁膜間との接着特性が弱いために透明電極パターン２０が除去されてしまうことを防止することができる。また、データパッド部の有機保護膜およびゲート絶縁膜の除去により、ＴＣＰとゲートパッド部とを接着するためのＡＣＦ（図示しない）が、下部ガラス２２と直接接触するようになることによって、データパッド部とＴＣＰとの接着力を強化させることができる。
【００４５】
【発明の効果】
上述したように、本発明に係る液晶表示素子およびその製造方法によれば、パッド部の有機保護膜およびゲート絶縁膜が全て除去されることにより、ＴＡＢ過程の反復時に、有機保護膜の接着特性が弱いことにより透明電極が除去されることを防止することができる。これにより、透明電極の除去によるパッド部の損傷を防止することができる。
【００４６】
その結果、本発明に係る液晶表示素子およびその製造方法によれば、パッド部における有機保護膜およびゲート絶縁膜の全面除去によって、ＡＣＦが下部ガラスに直接接触するようになるので、パッド部とＴＣＰ間の接着力を強化させることができる。また、本発明に係る液晶表示素子およびその製造方法によれば、パッド部の位置に、ゲート絶縁膜のエッチストッパの役割をする半導体パターンを形成して、ゲート絶縁膜のアンダーカットによるパッドの損傷および透明電極の不安定な形成を防止することができる。
【００４７】
なお、当業者であれば、上述した内容を通して、本発明の技術思想を逸脱しない範囲で多様な変更および修正をすることができることがわかる。したがって、本発明の技術的範囲は、発明の実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲によって定めなければならない。
【図面の簡単な説明】
【図１】  従来の液晶パネルを示す平面図である。
【図２】  図１に示されたゲートパッド部の一部を拡大して示した平面図である。
【図３】  （ａ）は、図２のゲートパッド部を線Ａ−Ａ′に沿って切断した縦断面を示し、（ｂ）は、線Ｂ−Ｂ′に沿って切断した縦断面を示す図である。
【図４】  図１に示されたデータパッド部の一部を拡大して示した平面図である。
【図５】  （ａ）は、図４のゲートパッド部を線Ａ−Ａ′に沿って切断した縦断面を示し、（ｂ）は、線Ｂ−Ｂ′に沿って切断した縦断面を示す図である。
【図６】  本発明の第１実施形態に係る液晶表示素子のゲートパッド部を部分的に拡大して示した平面図である。
【図７】  （ａ）は、図６のゲートパッド部を線Ａ−Ａ′に沿って切断した縦断面を示し、（ｂ）は、線Ｂ−Ｂ′に沿って切断した縦断面を示す図である。
【図８】  本発明の第２実施形態に係る液晶表示素子のデータパッド部を部分的に拡大して示した平面図である。
【図９】  （ａ）は、図８のデータパッド部を線Ａ−Ａ′に沿って切断した縦断面を示し、（ｂ）は、線Ｂ−Ｂ′に沿って切断した縦断面を示す図である。
【符号の説明】
２  液晶パネル
４  下板
６  上板
８  画像表示部
１０  シーリング部
１２  ゲートパッド部
１４  データパッド部
１６  ゲートパッド
１８  ホール
２０  透明電極パターン
２２  下部ガラス
２４  ゲート絶縁膜
２６  有機保護膜
２８  データパッド
３０  半導体層
３２  半導体パターン
【図１】
0003951033.tif 000002
【図２】
0003951033.tif 000003
【図３】
0003951033.tif 000004
【図４】
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【図５】
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【図６】
0003951033.tif 000007
【図７】
0003951033.tif 000008
【図８】
0003951033.tif 000009
【図９】
0003951033.tif 000010