(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
音響振動により振動する可動電極と、
前記可動電極に対向して配置された固定電極と、
前記可動電極および前記固定電極の端子電圧を緩衝増幅する増幅手段と、
前記増幅手段の信号出力端子に一端が接続され他端が前記増幅手段の共通出力端子に接続されたバイパスコンデンサと、
前記増幅手段の信号出力端子とマイク信号出力端子との間に挿入された直列抵抗と、
前記固定電極と、前記マイク信号出力端子、前記バイパスコンデンサ、及び前記直列抵抗との間の少なくとも一つに設けられた静電シールドとを備え、
前記マイク信号出力端子と、前記増幅手段の共通出力端子が接続されるマイク共通出力端子とを有するコンデンサマイクユニット。
【請求項２】
音響振動により振動する可動電極と、
前記可動電極に対向して配置された固定電極と、
前記可動電極および前記固定電極の端子電圧を緩衝増幅する増幅手段と、
前記増幅手段の信号出力端子に一端が接続され他端が前記増幅手段の共通出力端子に接続されたバイパスコンデンサと、
前記増幅手段の信号出力端子に一端が接続されて他端が前記増幅手段の共通出力端子に接続された阻止コンデンサとダンプ抵抗の直列体と、
前記固定電極と、前記増幅手段の信号出力端子が接続されるマイク信号出力端子、前記バイパスコンデンサ、及び前記ダンプ抵抗との間の少なくとも一つに設けられた静電シールドとを備え、
前記マイク信号出力端子と、前記増幅手段の共通出力端子が接続されるマイク共通出力端子とを有するコンデンサマイクユニット。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、音響振動を電気信号に変換するコンデンサマイク装置、特に、インピダンス変換素子を内蔵したものに関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、コンデンサマイク装置は、コンデンサマイクユニットと、マイク信号出力電送線路と、負荷抵抗と、電源等から構成されている。
【０００３】
従来、コンデンサマイク装置は、携帯電話器などで利用される場合、送信部からの高周波信号の輻射により雑音を出力する問題がある。この対策のため、コンデンサマイク装置として、内部のＦＥＴ（静電効果トランジスタ）のソース・ドレイン間にバイパスコンデンサを設ける方法が知られている。
【０００４】
まず、従来のコンデンサマイク装置におけるコンデンサマイクユニットの構成について、図面を用いて説明する。
【０００５】
図１１（Ａ）は、ＦＥＴのソース・ドレイン間にバイパスコンデンサを設けた従来のコンデンサマイクユニットの断面構造図である。図１１（Ａ）において、コンデンサマイクユニットは、内部にゴミが侵入するのを防ぐ面布１１、音入力孔１２、シールドを兼ねた金属ケース１３、音響振動により振動する可動電極１４、可動電極リング１５、スペーサ１６、固定電極１７、絶縁体１８、ＦＥＴ１９、配線板２０、バイパスコンデンサ２１、マイク信号出力端子２２、マイク共通出力端子（接地端）２３から形成される。
【０００６】
可動電極１４と固定電極１７とスペーサ１６は、コンデンサを形成しており、可動電極１４と固定電極１７は、エレクトレット材料自身から成るかまたはエレクトレット材料が付着させてあり、その表面に電荷を蓄積させている。そして、スペーサ１６は、可動電極１４と固定電極１７とを絶縁するものである。可動電極リング１５は、可動電極１４を支持するものであり、絶縁体１８は、固定電極１７を絶縁しながら支持するものである。ＦＥＴ１９は、可動電極１４と固定電極１７とからなるコンデンサに発生する電圧を緩衝増幅するものであり、内部にバイアス設定用の素子（ダイオード）を内蔵している。配線板２０は、回路配線をしながら背面の封止を兼ねている。バイパスコンデンサ２１は、外部から侵入する高周波信号を共通出力端にバイパスするコンデンサである。
【０００７】
なお、図１１（Ｂ）はコンデンサマイクユニットの底面図である。平面形状が円のため、向きが定まらなくとも接触がとれるように、マイク信号出力端子２２とマイク信号共通端子２３とを同芯円上に配置してある。これ以外に、ピン端子を持ったものもある。
【０００８】
次に、従来のマイクコンデンサ装置の動作について、図１２を参照しながら説明する。  図１２は、従来のコンデンサマイク装置の回路図である。
【０００９】
マイク信号出力伝送線路３１は、携帯電話器などの機器の母基板での配線に供するものである。デカップルコンデンサ３５（マイク信号出力電送線路３１と接地パターンの層間の寄生コンデンサも含まれる）は、マイク信号出力電送線路３１に重畳してしまう高周波信号を低減するものである。同様に、負荷抵抗３２、電源３３は、携帯電話器などの機器内の母基板に設置されている。マイク信号出力電送線路３１は、回路構成上、デカップルコンデンサ３５のところで高周波的に接地されていると見なしている。
【００１０】
高周波信号はマイク信号出力電送線路３１を通じて、マイク信号出力端子２２に印加され、ＦＥＴ１９のドレインに加わる。この高周波信号は、ＦＥＴ１９のドレイン・ゲート静電容量を介してゲートに印加され、ＦＥＴ１９のバイアス用ダイオードまたはＦＥＴ１９のチャネルとゲートのｐｎ接合によりＡＭ検波され直流分となり、可聴域の雑音に変換される。無線機の高いキャリア周波数帯では、マイク信号出力電送線路３１は、インダクタとして働き、また、バイパスコンデンサ２１は静電容量と寄生インダクタの直列体として働くため、特定の周波数で並列共振または直列共振を起こす。例えば、バイパスコンデンサ２１の静電容量と寄生インダクタによる直列共振の周波数では、バイパスコンデンサ２１の端子電圧は小さくなるため、ＦＥＴ１９のドレインに印加される高周波電圧は小さく、この周波数での雑音の発生はない。一方、バイパスコンデンサ２１およびマイク信号出力電送線路３１の直列共振周波数では大きな共振電流が流れる。これは、バイパスコンデンサ２１およびマイク信号出力電送線路３１の等価直列抵抗が非常に小さいためである。そのため、バイパスコンデンサ２１の端子電圧は大きくなり、ＦＥＴ１９のドレインに印加される高周波電圧は大きく、少ない高周波信号でも、コンデンサマイク装置に大きな雑音を発生させる。このように、ＦＥＴ１９のドレインに印加される高周波電圧の大きさは、高周波信号の周波数によって大きく変化するため、広い帯域に渡って低く保つことが困難であった。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
このような構成のコンデンサマイク装置を携帯電話器などで利用する場合、機器構成上、アンテナとコンデンサマイク装置は互いに離れた部分に配置されやすい。これは、受話器は耳元に、また、コンデンサマイク装置は口元に配置する必要があることと、アンテナはできるだけ高い位置に配置した方が、放射効率が高いため受話器の近くに配置されることに由来している。さらに、機器の小型化とキャリア周波数の高周波化によって、アンテナの長さが短くなり、アンテナの輻射特性上、高い高周波電圧がアンテナの反対側に誘起し、そこに位置するコンデンサマイク装置に加わる高周波電圧が高くなってきている。また、配線長も長く、高周波電圧が重畳しやすい配置になっている。そのため、従来の対策であるバイパスコンデンサだけでは、対処できなくなってきている。さらに、携帯電話器には２つの周波数バンドで利用するものもあり、それぞれ異なる周波数での雑音対策をする必要が出てきている。
【００１２】
本発明は、このような無線装置の送信部から輻射または伝導される高周波信号により発生する雑音出力を低減するコンデンサマイク装置のコンデンサマイクユニットを提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明のコンデンサマイクユニットは、音響振動により振動する可動電極と、前記可動電極に対向して配置された固定電極と、前記可動電極および前記固定電極の端子電圧を緩衝増幅する増幅手段と、前記増幅手段の信号出力端子に一端が接続され他端が前記増幅手段の共通出力端子に接続されたバイパスコンデンサと、前記増幅手段の信号出力端子とマイク信号出力端子との間に挿入された直列抵抗と、前記固定電極と、前記マイク信号出力端子、前記バイパスコンデンサ、及び前記直列抵抗との間の少なくとも一つに設けられた静電シールドとを備え、前記マイク信号出力端子と、前記増幅手段の共通出力端子が接続されるマイク共通出力端子とを有するものである。この構成により、無線装置の送信部から輻射または伝導される高周波信号による雑音出力を広いキャリア周波数範囲において低減することができ、さらに、マイク信号出力端子に印加される直流静電気の破壊耐量を大きくできるという作用を有する。
【００１４】
また、本発明のコンデンサマイクユニットは、音響振動により振動する可動電極と、前記可動電極に対向して配置された固定電極と、前記可動電極および前記固定電極の端子電圧を緩衝増幅する増幅手段と、前記増幅手段の信号出力端子に一端が接続され他端が前記増幅手段の共通出力端子に接続されたバイパスコンデンサと、前記増幅手段の信号出力端子に一端が接続されて他端が前記増幅手段の共通出力端子に接続された阻止コンデンサとダンプ抵抗の直列体と、前記固定電極と、前記増幅手段の信号出力端子が接続されるマイク信号出力端子、前記バイパスコンデンサ、及び前記ダンプ抵抗との間の少なくとも一つに設けられた静電シールドとを備え、前記マイク信号出力端子と、前記増幅手段の共通出力端子が接続されるマイク共通出力端子とを有するものである。この構成により、無線装置の送信部から輻射または伝導される高周波信号による雑音出力を、広いキャリア周波数範囲において低減することができるという作用を有する。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。
【００２０】
（第１の実施の形態）
図１は、本発明の第１の実施の形態におけるコンデンサマイク装置の回路図であり、図１２に示す従来のコンデンサマイク装置の回路図と、直列抵抗２４が付加された点が異なっている。図１のコンデンサマイクユニット１０ｂにおいて、直列抵抗２４は、ＦＥＴ１９のドレインとマイク信号出力端子２２の間に挿入されている。
【００２１】
直列抵抗２４は、共振電流を制限することを目的に設置したもので、高周波の等価回路上、マイク信号出力電送線路３１とバイパスコンデンサ２１からなる直列共振体に直列に配置されている。バイパスコンデンサ２１の等価直列抵抗は１Ω以下であるため、直列抵抗２４を数十Ω〜数百Ωにすることで、マイク信号出力電送線路３１とバイパスコンデンサ２１の共振電流を１／１０〜１／１００に低減でき、ＦＥＴ１９のドレインに印加される高周波電圧も１／１０〜１／１００に低減できる。そのため、無線装置の送信部から輻射または伝導される高周波信号により発生する雑音を低く抑えることができる。この直列抵抗２４は、音響振動から電気信号に変換された音響信号に対し、ほとんど影響を与えない。これは、ＦＥＴの動作特性上、ＦＥＴ１９のドレインから表れる音響信号は、電流源と見なして良く、その信号は負荷抵抗３２（１〜２ｋΩ）において、信号電流値・負荷抵抗値の積である音響信号電圧に変換される。数十Ω〜数百Ωに設定した直列抵抗２４があっても、ＦＥＴ１９のドレインより出力される信号電流値はほとんど変化がないため、負荷抵抗３２の両端に表れる音響信号電圧もほとんど変化しない。この直列抵抗２４は、さらに、バイパスコンデンサ２１と協調して、マイク信号出力電送線路３１に重畳した高周波電圧を、減衰させる高域減衰フィルタとして働く。例えば、バイパスコンデンサ２１を３３ｐＦとし、直列抵抗２４を１００Ωに設定した場合、カットオフ周波数は約４８ＭＨｚとなり、この周波数以上の周波数は減衰する。一方、携帯電話器のキャリア周波数は８００ＭＨｚまたはそれ以上のため、バイパスコンデンサ２１の端子電圧は１／１０以下に低減させることができる。このフィルタの帯域は、上記のバイパスコンデンサ２１の静電容量と寄生インダクタの直列共振による帯域よりも格段に広いため、より広い帯域に渡たる高周波信号に対して雑音を低減することができる。
【００２２】
なお、第１の実施の形態の図１のコンデンサマイク装置では、直列抵抗２４はコンデンサマイクユニット１０ｂのケースの中に配置されているが、これは電気的な接続条件を満たせば、他の場所に配置されていても同様の効果が得られる。この直列抵抗２４の一端は増幅手段の信号出力端であるＦＥＴ１９のドレインに接続され、他端は装置信号出力に接続されてマイク信号出力電送線路３１に直列に配置されていれば良いため、例えば、直列抵抗２４はコンデンサマイクユニット１０ｂを接続する携帯電話器の基板上の極近傍に配置しても同様の効果が得られる。このような改変および効果は、バイパスコンデンサ２１についても同様でる。
【００２３】
（第２の実施の形態）
図２は、本発明の第２の実施の形態におけるコンデンサマイク装置の回路図であり、図１２に示す従来のコンデンサマイク装置の回路図と、ダンプ抵抗２５と阻止コンデンサ２６が付加された点が異なっている。図２のコンデンサマイクユニット１０ｃにおいて、ダンプ抵抗２５と、直流を阻止する阻止コンデンサ２６とは直列に接続され、その直列体はＦＥＴ１９のドレインとＦＥＴ１９のソースに並列に接続されている。ダンプ抵抗２５および阻止コンデンサ２６は、並列共振をダンプする目的で設置したもので、高周波の等価回路上、マイク信号出力電送線路３１とバイパスコンデンサ２１からなる並列共振体に並列に配置されている。バイパスコンデンサ２１の等価直列抵抗は１Ω以下であるため、マイク信号出力電送線路３１とバイパスコンデンサ２１の並列共振時のインピダンスは非常に大きくなる。例えば、バイパスコンデンサ２１を３３ｐＦ、マイク信号出力電送線路３１のインダクタンスを１．２ｎＨとすると、共振周波数は約８００ＭＨｚであり、その時のバイパスコンデンサ２１単体のインピダンスは約６Ωになる。ところが、マイク信号出力電送線路３１のインダクタンスを含めた並列共振インピダンスは約４０Ω〜８０Ωになるため、バイパスコンデンサ２１単体よりも高周波信号を減衰させる量は少ない。しかし、ダンプ抵抗２５および阻止コンデンサ２６からなる直列体を、ＦＥＴ１９のドレインとＦＥＴ１９のソースに並列に接続することで、この並列共振インピダンスをダンプ抵抗２５の値並に低くすることができるため、最終的に、ＦＥＴ１９のドレインに印加される高周波電圧を小さくすることができる。なお、阻止コンデンサ２６は、ＦＥＴ１９のドレインに印加された直流バイアス電圧および音響信号がＦＥＴ１９のソース電位であるマイク共通出力端子２３にリークするのを防ぐことと、高周波信号電流がダンプ抵抗２５に速やかに流れるような静電容量値に設定される。ダンプ抵抗２５の値は、上記、共振インピダンスの関係から数Ω〜数十Ωに設定される。以上のように構成することで、無線装置の送信部から輻射または伝導される高周波信号により発生する雑音を低く抑えることができる。そして、ダンプ抵抗２５および阻止コンデンサ２６によるカットオフ周波数以上では、バイパスコンデンサ２１とマイク信号出力電送線路３１のインダクタンスとの並列のインピダンスは、ダンプ抵抗２５の値で低く抑えられる。この値は、バイパスコンデンサ２１の静電容量と寄生インダクタの直列共振による帯域よりも広く、より広い帯域に渡たる高周波信号に対して雑音を低減することができる。
【００２４】
なお、第２の実施の形態の図２のコンデンサマイク装置では、ダンプ抵抗２５および阻止コンデンサ２６は、コンデンサマイクユニット１０ｂのケースの中に配置されているが、これらは電気的な接続条件を満たせば、他の場所に配置されていても同様の効果が得られる。このダンプ抵抗２５と阻止コンデンサ２６の直列体の一端は増幅手段の信号出力端であるＦＥＴ１９のドレインに接続され、他端は増幅手段の共通出力端であるＦＥＴ１９のソースに接続されていれば良いため、例えば、ダンプ抵抗２５および阻止コンデンサ２６は、コンデンサマイクユニット１０ｂを接続する携帯電話器の基板上の極近傍に配置しても同様の効果が得られる。このような改変および効果は、バイパスコンデンサ２１についても同様である。
【００２５】
（第３の実施の形態）
図３は、本発明の第３の実施の形態におけるコンデンサマイクユニットと中継装置（コネクタ）の回路図である。図３において、直列抵抗２７は、中継装置４０ａに含まれている。直列抵抗２７の両端は、コネクタ信号入力端子４１とコネクタ信号出力端子４３に接続されている。コネクタ信号入力端子４１およびコネクタ共通入力端子４２には、コンデンサマイクユニット１０ａのマイク信号出力端子２２およびマイク共通出力端子２３がそれぞれ接続されている。また、コネクタ信号出力端子４３およびコネクタ共通出力端子４４は、携帯電話器などの機器の母基板上のマイク信号出力電送線路３１および共通端（接地）にそれぞれ接続され、負荷抵抗３２、電源３３、増幅器３４と併せて、携帯電話器などの音響信号を電気信号に変換するコンデンサマイク装置を構成している。
【００２６】
直列抵抗２７は、マイク信号出力電送線路３１とバイパスコンデンサ２１からなる直列共振体に直列に配置されているため、第１の実施の形態の図１と同様に無線装置の送信部から輻射または伝導される高周波信号により発生する雑音を低く抑えることができる。そして、上記実施の形態では、高周波信号の減衰に寄与する直列抵抗２７が中継装置に備えてあるので、コンデンサマイクユニット１０ａと組み合わせることによって、第１の実施の形態と同様の効果が得られる。
【００２７】
（第４の実施の形態）
図４は、本発明の第４の実施の形態におけるコンデンサマイクユニットと中継装置（コネクタ）の回路図である。図４において、ダンプ抵抗２８および阻止コンデンサ２９は、この中継装置４０ｂに含まれている。ダンプ抵抗２８と阻止コンデンサ２９は、直列に接続され、その両端は、コネクタ信号入力端子４１とコネクタ共通入力端子４２に接続される。コネクタ信号入力端子４１およびコネクタ共通入力端子４２には、コンデンサマイクユニット１０ａのマイク信号出力端子２２およびマイク共通出力端子２３がそれぞれ接続されている。ダンプ抵抗２８および阻止コンデンサ２９は、マイク信号出力電送線路３１とバイパスコンデンサ２１からなる並列共振体に並列に配置されているため、第２の実施の形態の図２と同様に、無線装置の送信部から輻射または伝導される高周波信号により発生する雑音を低く抑えることができる。そして、上記実施の形態では、高周波信号の減衰に寄与するダンプ抵抗２８および阻止コンデンサ２９が中継装置４０ｂに備えてあるので、コンデンサマイクユニット１０ａと組み合わせることによって、第２の実施の形態と同様の効果が得られる。
【００２８】
（第５の実施の形態）
図５は、本発明の第５の実施の形態におけるコンデンサマイクユニットと中継装置（コネクタ）の回路図である。図５において、バイパスコンデンサ３０と直列抵抗２７は、この中継装置４０ｃの中に含まれている。直列抵抗２７の両端はコネクタ信号入力端子４１とコネクタ信号出力端子４３に接続されている。またバイパスコンデンサ３０の両端は、コネクタ信号入力端子４１とコネクタ共通入力端子４２に接続されている。コネクタ信号入力端子４１およびコネクタ共通入力端子４２には、図１２の従来のコンデンサマイクユニットからバイパスコンデンサ２１を除いたコンデンサマイクユニット１０ｄのマイク信号出力端子２２およびマイク共通出力端子２３がそれぞれ接続されている。
【００２９】
直列抵抗２７は、マイク信号出力電送線路３１とバイパスコンデンサ３０からなる直列共振体に直列に配置されているため、第１の実施の形態の図１と同様に無線装置の送信部から輻射または伝導される高周波信号により発生する雑音を低く抑えることができる。そして、上記実施の形態では、高周波信号の減衰に寄与するバイパスコンデンサ３０と直列抵抗２７が中継装置４０ｃに備えてあるので高周波雑音対策の無いコンデンサマイクユニット１０ｄと組み合わせることによって、第１の実施の形態と同様の効果が得られる。
【００３０】
（第６の実施の形態）
図６は、本発明の第６の実施の形態におけるコンデンサマイクユニットと中継装置（コネクタ）の回路図である。図６において、バイパスコンデンサ３０とダンプ抵抗２８および阻止コンデンサ２９は、中継装置４０ｄの中に含まれている。バイパスコンデンサ３０の両端は、コネクタ信号入力端子４１とコネクタ共通入力端子４２に接続されている。また、ダンプ抵抗２８と阻止コンデンサ２９は、直列に接続され、バイパスコンデンサ３０と並列で接続されている。コネクタ信号入力端子４１およびコネクタ共通入力端子４２には、図１２の従来のコンデンサマイクユニットからバイパスコンデンサ２１を除いたコンデンサマイクユニット１０ｄのマイク信号出力端子２２およびマイク共通出力端子２３がそれぞれ接続されている。
【００３１】
ダンプ抵抗２８および阻止コンデンサ２９は、マイク信号出力電送線路３１とバイパスコンデンサ３０からなる並列共振体に並列に配置されているため、第２の実施の形態と同様に、無線装置の送信部から輻射または伝導される高周波信号により発生する雑音を低く抑えることができる。そして、上記実施の形態では、高周波信号の減衰に寄与するバイパスコンデンサ３０とダンプ抵抗２８および阻止コンデンサ２９が中継装置４０ｄに備えてあるので、高周波雑音対策の無いコンデンサマイクユニット１０ｄと組み合わせることによって、第２の実施の形態と同様の効果が得られる。
【００３２】
（第７の実施の形態）
図７は、本発明の第３の実施の形態および第５の実施の形態の中継装置４０、４６を具体的に表している。図７において、ゴムコネクタ（中継装置）５０は絶縁ゴム５１と、導電性が中程度の抵抗性ファイバー５２と、導電性の高い導電性ファイバー５３とから構成されている。母基板上の信号端子パターン５５と母基板上の共通端子（接地端）パターン５６は、コンデンサマイクユニット１０ａ、１０ｂからの音響出力を、携帯電話器などの機器内の母基板５４に伝えるように構成されている。なお、従来のコンデンサマイクユニット１０ａ、１０ｂと母基板５４との接続を確実にするため、ゴムコネクタ５０を図中の上下から圧縮する方向の力が加えられている。
【００３３】
ゴムコネクタ（中継装置）５０の抵抗性ファイバー５２は、マイク信号出力端子２２と母基板上の信号端子パターン５５のあいだに挿入され、図１の直列抵抗２４と同じ接続状態になる。したがって、信号端子パターン５５につながるマイク信号出力電送線路（図示せず）から高周波信号が到来しても、高周波に由来する雑音を低く抑えることができる。
【００３４】
なお、図７では、直列抵抗２７を抵抗性ファイバー５２にしているが、これは例えば、体積抵抗値を調整した導電性のゴムに置き換えても良い。
【００３５】
また、この抵抗性ファイバー５２を、例えば、多層フィルムにダンプ抵抗２８および阻止コンデンサ２９などを形成したものを、ゴムコネクタ５０の上面または下面に貼り付けるようにして、置き換えても良い。この多層フィルムは、例えば、導電層と抵抗層と誘電体層と導電層とからなり、その形成パターンおよびビアホールにより、直列抵抗２７やバイパスコンデンサ３０や阻止コンデンサ２９やダンプ抵抗２８を形成されている。
【００３６】
なお、このフィルムは、第１の実施の形態または第２実施の形態の配線板２０に貼り付けても良く、この場合にも同様の効果が得られる。このような抵抗やコンデンサを集積したフィルムを用いることで、上記実施の形態以外の第３、４、５、６の実施の形態が構成できるようになる。
【００３７】
（第８の実施の形態）
図８は、本発明の第３の実施の形態および第５の実施の形態の中継装置４０、４６を具体的に表している。図８において、バネ端子コネクタ（中継装置）６０は絶縁ケース６１と、抵抗率が高い抵抗性バネ接点６２と、抵抗率が低い導電性バネ接点６３とから構成されている。母基板上の信号端子パターン５５と母基板上の共通端子（接地端）５６は、コンデンサマイクユニット１０ａ、１０ｂからの音響出力を、携帯電話器などの機器内の母基板５４に伝えるように構成されている。
【００３８】
バネ端子コネクタ（中継装置）６０の抵抗性バネ接点６２は、マイク信号出力端子２２と母基板上の信号端子パターン５５の間に挿入され、図１の直列抵抗２４と同じ接続状態になる。したがって、信号端子パターン５５につながるマイク信号出力電送線路（図示せず）から高周波信号が到来しても、高周波に由来する雑音を低く抑えることができる。
【００３９】
なお、図８では、直列抵抗２７を抵抗性バネ接点６２にしているが、これは例えば、導電性バネ接点に薄い抵抗率の高い材料を付着させ、マイク信号出力端子２２との接触面で直列抵抗２７の効果を持たせても良い。
【００４０】
（第９の実施の形態）
図９は、本発明の第１の実施の形態の直列抵抗２４を配線板２０のマイク信号出力端子２２の表面に抵抗体を塗布して形成した例を示したコンデンサマイクユニットの断面構造図であり、図１１（Ａ）に示す従来のコンデンサマイクユニットの断面構造図と、厚膜直列抵抗７１が付加された点が異なる。厚膜直列抵抗７１は、マイク信号出力端子２２の上に印刷などの方法により形成されている。
【００４１】
厚膜直列抵抗７１は、マイク信号出力電送線路３１とバイパスコンデンサ２１からなる直列共振体に直列に配置されているため、第１の実施の形態と同様に、無線装置の送信部から輻射または伝導される高周波信号により発生する雑音を低く抑えることができる。そして、上記実施の形態では、高周波信号の減衰に寄与する厚膜直列抵抗７１がマイク信号出力端子２２の上に形成できるため、従来のコンデンサマイクユニットの配線板２０に印刷抵抗の加工をするだけで、第１の実施の形態と同様の効果が得られる。
【００４２】
なお、第９の実施の形態の図９のコンデンサマイク装置では、厚膜直列抵抗７１はマイク信号出力端子２２の上に印刷などの方法により形成されているが、これは基板表面に何らかの方法によって付着させた電気抵抗を有する膜であれば、同様の効果が得られる。例えば、蒸着などの薄膜工程によって形成しても良い。
【００４３】
また、上記の厚膜直列抵抗７１は、マイク信号出力端子２２の上に形成されているが、これは表面のＦＥＴ１９が実装されている面であっても、多層基板の内層であっても同様の効果が得られる。前者の場合、特に、ＦＥＴ１９の下に形成すれば、後者と同様に基板の面積を有効に利用することができるようになるため、他に必要な部品の実装が可能になる利点を有する。
【００４４】
（第１０の実施の形態）
図１０は、本発明の第１の実施の形態の直列抵抗２４を配線板８０の部品実装面とマイク信号出力端子２２を電気的につなぐビアホール（貫通孔）８２内に抵抗体を充填して形成した例を示したコンデンサマイク装置の断面構造図であり、図１１（Ａ）の従来のコンデンサマイクユニットの断面構造図の配線板２０に、ビア内直列抵抗８１が付加された点が異なる。配線板８０は回路配線をしながら背面の封止を兼ねるものであり、ＦＥＴ１９のドレインからマイク信号出力端子２２に向かう貫通孔と、ＦＥＴ１９のソースからマイク共通出力端子２３に向かう貫通孔が形成されている。前者は導電性を調整した抵抗体を充填または側壁に付着させたビア内直列抵抗８１、後者は導電性の高い材料を充填または側壁にメッキしたビアホール８２の機能を持たせてある。
【００４５】
ビア内直列抵抗８１は、マイク信号出力電送線路３１とバイパスコンデンサ２１からなる直列共振体に直列に配置されているため、第１の実施の形態と同様に無線装置の送信部から輻射または伝導される高周波信号により発生する雑音を低く抑えることができる。そして、第１０の実施の形態では、高周波信号の減衰に寄与するビア内直列抵抗８１が配線板８０の中に形成できるため、従来のコンデンサマイクユニットの配線板２０の工法の変更だけで、第１の実施の形態と同様の効果が得られる。
【００４６】
第１、３、５、７、８、９、１０の実施の形態において、直列抵抗がマイク信号出力端子２２もしくはマイク信号出力電送線路３１とＦＥＴ１９のドレインのあいに挿入されているため、人体などに蓄積した電荷が放電して携帯電話器などの機器に飛び込んだ際にも、マイク信号出力端子２２に流れ込む電流を低く抑えることができる。その結果、コンデンサマイク装置の静電気の破壊耐量を大きくする効果が得ることができる。
【００４７】
なお、第１の実施の形態は、第２の実施の形態または第４の実施の形態または第６の実施の形態と併用することができ、また、第２の実施の形態は、第３の実施の形態または第５の実施の形態と併用することができ、また、第３の実施の形態３は、第４の実施の形態または第６の実施の形態と併用することができ、また第４の実施の形態は、第５の実施の形態と併用することができ、また、第５の実施の形態は、第６の実施の形態と併用することができる。この場合、直列抵抗２７とダンプ抵抗２８と阻止コンデンサ２９を同時に使用するため、それぞれから得られる効果を合わせ持つことができる。そして、第１の実施の形態ないし第６の実施の形態において、直列抵抗およびダンプ抵抗および阻止コンデンサは、コンデンサマイクユニットや中継装置に配置されているが、これらは電気的な接続条件を満たせば他の場所に配置されていても同様の効果が得られる。例えば、コンデンサマイクユニットまたは中継装置を接続する携帯電話器の基板上の極近傍に配置しても同様の効果が得られる。このような改変および効果は、バイパスコンデンサについても同様である。
【００４８】
また、第１、３、５、７〜１０の実施の形態における直列抵抗は、１ヵ所に集中して配置しているが、これは複数の分散して配置することでより一層の効果が得られる。例えば、第１の実施の形態のようにコンデンサマイクユニット１０ｂ内に直列抵抗２４と、第３の実施の形態のように中継装置４０ａ内に直列抵抗２７と、さらに、マイク信号出力電送線路３１の途中に直列抵抗を分散して配置することで、電送線路が分割されて短くなるためにその共振周波数が高くなり、ＦＥＴ１９に印加される高周波電圧は低くなる。これはさらに、伝送線路３１自身を抵抗体で形成しても良く、同様の効果が得られる。これらは、キャリア周波数が高くなった際に、より一層の効果が得られる。
【００４９】
また、第１の実施の形態ないし第１０の実施の形態におけるバイパスコンデンサ、および直列抵抗、および阻止コンデンサ、およびダンプ抵抗は、その全てまたは一部が、携帯電話器などのコンデンサマイク装置利用する機器の母基板の極近傍に実装されていてもよく、この場合でも、同様の効果が得られる。
【００５０】
さらに、これらはコンデンサマイク装置と母基板との間に設けた子基板（小片の基板）に実装しても良く、機器の母基板との間の接続がリード線やフレキシブル配線基板の場合に好適であり、他の耐静電気部品（バリスタなど）、耐ラジオ障害対策（高容量のセラミックコンデンサなど）部品もここに実装できるなどの利点も得られる。この場合、コンデンサマイク装置のマイク信号出力端子の形状は、第１〜１０の実施の形態のような接触型に限らず、ピン端子型など子基板へ装着できるものならば良い。
【００５１】
また、第１、３、５、７、１０の実施の形態における直列抵抗を上記効果を得るために分散する場合、マイク信号出力端子２２の経路だけでなく、マイク共通出力端子２３から母基板の接地に至る経路中であっても良い。コンデンサマイクユニットが直に、または、その中継装置を介して母基板に装着されている第１〜１０の実施の形態の場合、接地電位のインピーダンスはかなり低いため、混入する高周波については、ＦＥＴ１９のドレインに着目し、これを接地側にバイパスすることを考えれば良かった。ところが、コンデンサマイクユニットが母基板から離れて配置され、かつ、接地パターンの面積が少ない条件で実装された場合、コンデンサマイク共通出力端子２３と母基板の接地電位のあいだの配線インピーダンスがマイク信号出力電送線路のインピーダンス程度に大きく、コンデンサマイクユニットの接地（ケース）電位も高周波で振られる。その結果、ＦＥＴ１９のドレイン・ソース間電圧に高周波が加わり、雑音が発生してしまう。このような場合、マイク信号出力端子２２とマイク共通出力端子２３の両方の経路に直列抵抗２４を分けて挿入することで、これら２つの経路から浸入する高周波電圧をＦＥＴのドレイン・ソース間で小さくすることができる。これは、コンデンサマイクユニットから出力される信号が、マイク信号出力端子２２とマイク共通出力端子２３とで方向が反対の電流であり、２端子の高周波電位が等しくすることで、マイク信号出力端子２２とマイク共通出力端子２３に加わる高周波電圧を低減する平衡動作状態と言える。このようにマイク信号出力端子２２とマイク共通出力端子２３の両方に分けた直列抵抗は、それぞれをさらに分割したり、その経路自身を抵抗体で形成してもよく、またマイク信号出力端子２２とマイク共通出力端子２３に発生する高周波電圧の大きさが等しくなるように直列抵抗の値を選べば、より大きな効果が得られる。
【００５２】
また、第１の実施の形態ないし第１０の実施の形態における緩衝増幅手段にはＦＥＴ１９を用いているが、これは、その他の素子、例えば、ＦＥＴ入力の演算増幅器であっても同様に実施可能であり、同様の効果を得るものである。
【００５３】
また、第１の実施の形態ないし第１０の実施の形態におけるバイパスコンデンサ、直列抵抗、ダンプ抵抗、阻止コンデンサなどの素子は基板実装型としているが、これは基板表面になんらかの方法によって付着させた電気抵抗を有する膜および静電容量を有する構造体であっても同様の効果が得られる。例えば、蒸着などの薄膜工程によって形成しても良い。さらに、これらを形成する箇所は、ＦＥＴ１９が実装されている面であっても、マイク信号出力端子２２のある面でも、多層基板の内層であっても良い。また、これらをフィルム上に形成した物を、ＦＥＴ１９が実装されている面またはマイク信号出力端子２２のある面などの表面に貼り合わせるか、多層基板の内層に配置しても良い。
【００５４】
また、第１〜第１０の実施の形態において、ＦＥＴ１９のドレイン側には弱められた高周波電圧が加わっているが、マイク信号出力端子２２には比較的大きな高周波電圧が加わっているため、高周波電圧はコンデンサマイクユニット内部の空間を伝って、高インピーダンスの固定電極１７およびＦＥＴ１９のゲートに印加する。この原因による雑音は、固定電極１７およびＦＥＴ１９のゲートと、マイク信号出力端子２２およびこれに接続される直列抵抗２４およびダンプ抵抗２５およびバイパスコンデンサ２１との間に静電シールドを設けることで軽減できる。例えば、第１の実施の形態において、直列抵抗２４のマイク信号出力端子２２側の電極および抵抗体を絶縁層を介してマイク共通出力端子２３に接続されたシールド層で覆うことで改善できる。例えば、直列抵抗２４を基板のＦＥＴ１９側に印刷抵抗で形成した場合、マイク信号出力端子から直列抵抗２４の電極および抵抗体を絶縁膜（例えばレジスト膜）で覆い、更に、マイク共通出力端子に接続された導電層で覆うことでシールド層を形成できる。ここで用いるシールド用の導電層には、低抵抗に調合した厚膜抵抗体であってもよい。
【００５５】
また、第１の実施の形態ないし第２の実施の形態では、固定電極１７をケース１３と区別した構造のコンデンサマイクユニットを用いているが、これは、その他の構造、例えば、固定電極１７とケース１３を兼用した構造であっても同様に実施可能であり、同様の効果を得るものである。
【００５６】
また、第１の実施の形態ないし第１０の実施の形態における音響振動を電気信号に変換する方式に、可動電極１４または固定電極１７の表面に電荷を蓄積させるものを用いているが、これは、その他の方式、例えば、外部からバイアス電圧を供給するようなものであったり、印加した交流バイアスを高インピダンスで電圧検出するようなものであっても同様に実施可能であり、同様の効果を得るものである。
【００５７】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、無線装置の送信部から輻射または伝導される高周波信号により発生する雑音出力を、少ない追加部品で低減できるという有利な効果が得られる。
【００５９】
さらに、静電気による破壊耐量を増加させるという有利な効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態におけるコンデンサマイクユニットからなるコンデンサマイク装置の回路図
【図２】本発明の第２の実施の形態におけるコンデンサマイクユニットからなるコンデンサマイク装置の回路図
【図３】本発明の第３の実施の形態におけるコンデンサマイクユニットと中継装置の回路図
【図４】本発明の第４の実施の形態におけるコンデンサマイクユニットと中継装置の回路図
【図５】本発明の第５の実施の形態におけるコンデンサマイクユニットと中継装置の回路図
【図６】本発明の第６の実施の形態におけるコンデンサマイクユニットと中継装置の回路図
【図７】本発明の第７の実施の形態におけるコンデンサマイクユニットと中継装置の断面構造図
【図８】本発明の第８の実施の形態におけるコンデンサマイクユニットと中継装置の断面構造図
【図９】本発明の第９の実施の形態におけるコンデンサマイクユニットの断面構造図
【図１０】本発明の第１０の実施の形態におけるコンデンサマイクユニットの断面構造図
【図１１】（Ａ）従来のコンデンサマイク装置を示す断面構造図
（Ｂ）従来のコンデンサマイク装置の端子を示す図
【図１２】従来のコンデンサマイク装置を示す回路図
【符号の説明】
１４  可動電極
１７  固定電極
１８  絶縁体
１９  ＦＥＴ（緩衝増幅手段）
２０、８０  配線板
２１  バイパスコンデンサ
２２  マイク信号出力端子
２３  マイク共通出力端子
２４  直列抵抗
２５  ダンプ抵抗
２６  阻止コンデンサ
３１  マイク信号出力電送線路
４０ａ、４０ｂ、４０ｃ、４０ｄ  中継器（コネクタ）
４１  コネクタ信号入力端子
４２  コネクタ共通入力端子
４３  コネクタ信号出力端子
４４  コネクタ共通出力端子
５０  ゴムコネクタ
５１  絶縁ゴム
５２  抵抗性ファイバー
５３  導電性ファイバー
５４  機器内の母基板
５５  母基板上の信号端子パターン
５６  母基板上の共通端子パターン
６０  バネ端子コネクタ
６１  絶縁ケース
６２  抵抗性バネ接点
６３  導電性バネ接点
７１  厚膜直列抵抗
８１  ビア内直列抵抗
８２  ビアホール
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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