(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面を有する基板上に、第１電極層、半導体光活性層及び第２電極層の積層体からなる複数の発電領域を配設し、これら積層体を電気接続した光起電力装置の製造方法であって、
前記絶縁表面の略全面上に、第１電極層を構成する第１導電膜を形成する工程と、
前記絶縁表面上で、前記複数の発電領域の配列方向に沿った前記基板の外周の内側に、前記第１導電膜を分割する第1下部外周溝を形成すると共に、該第1下部外周溝の外側に第2下部外周溝を形成し、前記各発電領域間に前記第１導電膜を分割する領域間溝を形成して、前記各発電領域毎に対応した第１電極層を形成する工程と、
前記第1及び第2下部外周溝にまたがって、これら外周溝及び前記第1導電膜上に外周絶縁部材を配置する工程と、
前記第１導電膜上の略全表面に前記半導体光活性層を構成する半導体膜及び前記第２電極層を構成する第２導電膜の積層体を形成する工程と、
この第２導電膜の露出方向から、前記外周絶縁部材上に位置する部分に、エネルギービームを照射して、照射部分の前記半導体光活性層及び前記第２導電膜を除去し、前記外周絶縁部材に到達する上部外周溝を形成する工程と、
各発電領域に対応した前記半導体光活性層及び前記第２電極層を分割形成する工程と、
隣接する前記第１電極層及び前記第２電極層を電気的に接続することによって、複数の前記発電領域を電気接続する工程と、を有することを特徴とする光起電力装置の製造方法。
【請求項２】
第１電極層、半導体光活性層及び第２電極層の積層体からなる光起電力装置の製造方法であって、
絶縁表面を有する基板の略全表面上に、前記第１電極層を構成する第１導電膜を形成する工程と、
前記絶縁表面上で前記基板の外周の内側に前記第１導電膜を分割する第1下部外周溝を形成すると共に、該第1下部外周溝の外側に第2下部外周溝を形成し、前記第１電極層を分割形成する工程と、
前記第1及び第2下部外周溝にまたがって、これら外周溝及び前記第1導電膜上に外周絶縁部材を配置する工程と、
前記第１導電膜上の略全面に前記半導体光活性層を構成する半導体膜及び第２電極層を構成する第２導電膜の積層体を形成する工程と、
この第２導電膜の露出方向から、前記外周絶縁部材上に位置する部分に、エネルギービームを照射して、照射部分の前記半導体膜及び前記第２導電膜を除去し、前記外周絶縁部材に到達する上部外周溝を形成して、前記半導体光活性層及び前記第２電極層を分割形成する工程とからなることを特徴とする光起電力装置の製造方法。
【請求項３】
第１電極層、半導体光活性層及び第２電極層の積層体からなる光起電力装置の製造方法であって、
絶縁表面を有し、開口を有する基板の略全表面上に、前記第１電極層を構成する第１導電膜を形成する工程と、
前記絶縁表面上で、前記基板の開口周端より基板側に前記第１導電膜を分割する第1下部外周溝を形成すると共に、該第1下部外周溝より、前記開口に対して離れる方向である基板内側に第2下部外周溝を形成し、前記第１電極層を分割形成する工程と、
前記第1及び第2下部外周溝にまたがって、これら外周溝及び前記第1導電膜上に外周絶縁部材を配置する工程と、
前記第１導電膜上の略全面に前記半導体光活性層を構成する半導体膜及び第２電極層を構成する第２導電膜の積層体を形成する工程と、
この第２導電膜の露出方向から、前記外周絶縁部材上に位置する部分に、エネルギービームを照射して、照射部分の前記半導体膜及び前記第２導電膜を除去し、前記外周絶縁部材に到達する上部外周溝を形成して、前記半導体光活性層及び前記第２電極層を分割形成する工程とからなることを特徴とする光起電力装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、光起電力装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来の光起電力装置の製造方法が、特開平１０−２１４９８３号公報に開示されている。図３及び図４に開示されているように、基板１０の全外周の内側に位置する第１外周絶縁部材６０上の第１上部外周溝９０と、この第１上部外周溝９０の外側に配置された第２外周絶縁部材６１上の第２上部外周溝９１とにより、半導体膜７０及び第２導電膜８０を分離している。
【０００３】
この構成により、基板の外周部から進入する水分により、第１導電膜、半導体膜及び第２導電膜が腐食し、剥離することを防止することができる。また、第２電極膜を確実に電気的に分離することができ、基板の側面或るいは裏面に不所望に付着した第２導電膜材料を通じて、各発電領域間が導通状態となり特性不良となることを低減できる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
上記の従来の製造方法においては、第1外周絶縁部材上にレーザビームを照射して第1上部外周溝を形成するときに、偶発的なレーザビーム出力の過剰や、半導体膜及び第２導電膜の膜厚が不所望に薄いこと等により、第1上部外周溝が第1外周絶縁部材を貫き、発電領域の第１電極層に到達することがあった。そして、発電領域において第２電極層と第１電極層との間、セルショ−トが発生する。また、第1外周絶縁部材を貫くなら、貫いた部分より水分が侵入し、第１電極層に至り、第１電極層が腐食することがある。
【０００５】
本発明はこのような問題点を解決するために成されたものであり、レーザ等のエネルギービームを利用した発電領域の分割等に際して、外周溝が外周絶縁部材を貫いても、セルショ−トが発生せず、耐湿性の大きい光起電力装置の製造方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明の光起電力装置の製造方法における主要な構成は、第１電極層、半導体光活性層及び第２電極層の積層体からなる光起電力装置の製造方法であって、絶縁表面を有する基板の略全表面上に、前記第１電極層を構成する第１導電膜を形成する工程と、前記絶縁表面上で前記基板の外周の内側に前記第１導電膜を分割する第1下部外周溝を形成すると共に、該第1下部外周溝の外側に第2下部外周溝を形成し、前記第１電極層を分割形成する工程と、前記第1及び第2下部外周溝にまたがって、これら外周溝及び前記第1導電膜上に外周絶縁部材を配置する工程と、前記第１導電膜上の略全面に前記半導体光活性層を構成する半導体膜及び第２電極層を構成する第２導電膜の積層体を形成する工程と、この第２導電膜の露出方向から、前記外周絶縁部材上に位置する部分に、エネルギービームを照射して、照射部分の前記半導体膜及び前記第２導電膜を除去し、前記外周絶縁部材に到達する上部外周溝を形成して、前記半導体光活性層及び前記第２電極層を分割形成する工程とを備えることを特徴とする。
【０００７】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明の光起電力装置の製造方法の第１実施例を、図１〜５を用いて詳細に説明する。
【０００８】
まず、図１において、１０は可撓性を有するステンレスやアルミニウム等の金属シートとこの上に形成されたポリイミド等の絶縁樹脂膜からなる基板、又は、ポリイミド等の樹脂からなるフィルムの基板である。この基板１０は、矩形状であり、透光性でも、非透光性でもよい。２０ａ〜２０ｃは後述する第１電極層、半導体光活性層及び第２電極層の積層体で構成される発電領域である。また、２０ａｔ、２０ｃｔは、光起電力装置からの出力を取り出すための左端、右端出力端子領域である。
【０００９】
まず基板１０上において、発電領域２０ａ〜２０ｃの各領域間において基板１０の側辺に平行に、帯状の銀ペースト等からなる導電ペースト３０ａｂ、３０ｂｃを配置する。そして、左端、右端出力端子領域２０ａｔ、２０ｃｔにおいても、基板１０の側辺に平行に帯状の導電ペースト３１、３２を配置する。ここで、導電ペースト３０ａｂ、３０ｂｃ、３１、３２は、ポリイミド又はフェノール系のバインダーに銀、ニッケル又はアルミニウム等の粉末（粒径約３〜７μｍ）を含むもので、スクリーン印刷によりパターニングされた後、２５０〜３００℃で焼成され、高さ約１０〜５０μｍに形成され、導電ペースト３０ａｂ、３０ｂｃは幅約０．２〜０．６ｍｍに、導電ペースト３１、３２は幅約１〜４ｍｍに、形成される。
【００１０】
基板１０上の全面に、厚さ約０．１〜１．０μｍの第１導電膜４０が形成される。この第１導電膜４０としては、アルミニウム、チタン、ニッケル等の金属が、単層又は多層にて用いられる。
【００１１】
次に、基板１０の上下辺の内側、即ち、発電領域の配列方向に沿った基板１０の外周の内側に、レーザビームや電子ビーム等のエネルギービームを照射して、照射部分の第１導電膜を除去し、第１導電膜４０を分割する第1下部外周溝５０（幅約５０μｍ）を形成すると共に、この第1下部外周溝５０の外側に第2下部外周溝５５（幅約５０μｍ）を形成する。また、基板１０の左右辺の内側に、第１導電膜４０を分割する縦下部外周溝５６を形成する。加えて、左端出力端子領域２０ａｔと発電領域２０ａとの間に、及び各発電領域に、レーザビームや電子ビーム等のエネルギービームを照射して、照射部分の第１導電膜を除去し、領域間溝５１、５１、端子部溝５２（幅約５０μｍ）を形成する。これにより、各発電領域毎に対応した第１電極層４０ａ〜４０ｃが分割形成される。よって、第1下部外周溝５０と第2下部外周溝５５との間には、分離された第1電極膜４１（幅約０．０５〜０．３ｍｍ)が存在することになる。
【００１２】
次に、図２に示す工程においては、第1下部外周溝５０及び第2下部外周溝５５にまたがって、これら外周溝５０、５５及び第1導電膜４０上に外周絶縁部材６０を配置する。また、縦下部外周溝５６、領域間溝５１、端子部溝５２においても、各々、絶縁部材６６、６１、６２を配置する。加えて、第１電極層４０ａ〜４０ｃ各々の右端で、これら各々の上に、分割絶縁部材６３・・・を配置する。これら絶縁部材６０、６１、６２、６３、６６は、ポリイミド又はフェノ−ル系のバインダーに二酸化シリコン等の無機材料の粉末（粒径約１．５〜７．０μｍ）を含むもので、スクリーン印刷法によりパタ−ニングされた後、２５０〜３００℃で乾燥され、高さ約１０〜５０μｍに形成され、外周絶縁部材６０は幅約０．２〜１．０ｍｍ、絶縁部材６１、６２、６３、６６は幅約０．２〜０．６ｍｍに形成される。
【００１３】
基板１０の絶縁樹脂表面と、金属膜からなる第１導電膜４０との密着力は比較的小さく、剥離しやすい。この実施例では、樹脂材料を含むことより、基板１０と外周絶縁部材６０とは密着力が良好で、この外周絶縁部材６０は、第1下部外周溝５０及び第2下部外周溝５５にまたがって形成し、これら溝にて直接基板１０上に形成している。ここで、外周絶縁部材６０が、第1下部外周溝５０、第2下部外周溝５５にて直接基板１０上に接触していることと、第1下部外周溝５０及び第2下部外周溝５５にまたがって形成していることより、外周絶縁部材６０の基板１０及び分離された第1導電膜４１との密着力は良好である。また、縦下部外周溝５６、領域間溝５１、端子部溝５２において、絶縁部材６６、６１、６２も、基板１０と密着力が十分に、接触している。
【００１４】
次に、図３に示す工程においては、第１電極層上で基板１０上方の略全面に、アモルファスシリコン、アモルファスシリコンカーバイド、アモルファスシリコンゲルマニウム等をｐｎまたはｐｉｎに積層した半導体膜７０（厚さ約０．３〜１．０μｍ）を、及び、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、酸化錫（ＳｎＯ2）等の透明導電膜からなる第２導電膜８０（厚さ約０．３〜１．０μｍ）を積層形成する。
【００１５】
次に、図４に示す工程においては、この第２導電膜８０の露出方向から、第1下部外周溝５０と第2下部外周溝５５との間における外周絶縁部材６０上に、レーザビームや電子ビーム等のエネルギービームを照射して、照射部分の半導体膜７０及び第２導電膜８０を除去し、外周絶縁部材６０に到達する上部外周溝９０（幅約５０μｍ）を形成する。詳細には、上部外周溝９０の下には、外周絶縁部材６０を介して、第1下部外周溝５０及び第2下部外周溝５５により分離された第1導電膜４１が位置している。そして、同様に、この第２導電膜８０の露出方向から、分割絶縁部材６３・・・上に位置する部分に、レーザビームや電子ビーム等のエネルギービームを照射して、照射部分の半導体膜７０及び第２導電膜８０を除去し、分割絶縁部材６３に到達する上部溝９３（幅約５０μｍ）を形成する。同様に、基板１０の左右辺の内側における絶縁部材６６上に、上下分割溝９６を形成する。そして、これらの上部外周溝９０、上部溝９３により、各発電領域に対応した半導体光活性層７０ａ〜７０ｃ及び第２電極層８０ａ〜８０ｃに分割形成される。加えて、右端出力端子領域２０ｃｔにおいては、半導体膜材料からなる半導体層７０ｃｔ及び第２導電膜材料からなる第２電極パッド８０ｃｔが分割形成されることになる。一方、左端出力端子領域２０ａｔにおいては、半導体光活性層７０ａから延出した半導体層７０ａｔ及び第２電極層８０ａから延出する第２電極延出部８０ａｔが形成されることになる。
【００１６】
更に、第２導電膜の露出側から、導電ペースト３０ａｂ、３０ｂｃ、３１、３２上に位置する部分に、レーザビームや電子ビーム等のエネルギービームを照射する。これにより、導電ペースト３０ａｂ、３０ｂｃと、第２電極層８０ｂ、８０ｃが各々溶着されて電気的に接続され、各発電領域２０ａ〜２０ｃが直列に接続される。また、右端出力端子領域２０ｃｔにおいては、導電ペースト３２と第２電極パッド８０ｃｔが電気的に接続され、第１電極層２０ｃからの出力を導出することができる。更には、左端出力端子領域２０ａｔにおいては、導電ペースト３１と第２電極延出部８０ａｔとが電気的に接続され、この導電ペースト３２により出力端子での電気抵抗を低減し、集電効率が向上する。
【００１７】
図５に示す工程においては、基板１０の上下辺に平行な複数の枝部分１０１とこれら枝部分１０１の左端で連続している幹部分１０２からなる集電極１００・・・を第２電極層８０ａ〜８０ｃ上に形成する。これらの集電極１００の幹部分１０２は、各々、導電ペースト３０ａｂ、３０ｂｃ、３２の上方に位置すると共に、基板１０の側辺に平行に配置され、帯状の形状を有する。ここで、左端出力端子領域２０ａｔに位置する集電極１００の幹部分１０２は、出力端子１０３として機能している。また、右端出力端子領域２０ｃｔにおいては、導電ペースト３２上方の第２電極パッド８０ｃｔ上に、集電極１００と同一工程にて形成され同一材料の導電ペーストからなる帯状の出力端子１０４を形成する。そして、出力端子１０３、１０４の下辺側を除いて、基板１０上の全面に、透明樹脂からなる保護膜１１０がスクリーン印刷法を用いて形成される。
【００１８】
次に、出力端子１０３、１０４からの出力取出しの構造、製造方法について、説明する。このような構造、製造方法については、本出願人による特開２０００−２８６４３６号に詳細に記載されている。出力端子１０３、１０４上に、半田材料が被う金属箔２２（厚さ約５０〜３００μｍ）を固着する。次に、基板１０上の上面、裏面上に、フィルム状の透明な保護フィルム１２４、１２５を形成する。これらの保護フィルム１２４、１２５は、ポリエチレンテレフタレ−ト（ＰＥＴ）、フッ素樹脂材料等からなる厚さ約２５〜１０００μｍのフィルム体であり、エチレン−酢酸ビニル共重合体（＝ＥＶＡ）等の熱可塑性樹脂からなる接着層（厚み約２０〜１００μｍ、図示せず）が片面に被着されており、熱ローラ間を通過させることによって、保護フィルム１２４、１２５を同時にラミネ−トして形成する。更には、基板１０の裏面側より、金属箔２２に至る開口１２８を形成し、この開口１２８を介して、金属箔２２と、リード体１２９とを半田材料１３０を介して、接続する。
【００１９】
以上の本実施例においては、複数の発電領域２０ａ〜２０ｃの配列方向に沿った基板１０の外周の内側に、第１導電膜４０を分割する第1下部外周溝５０及び第2下部外周溝５５を形成し、これらにまたがって、これら外周溝及び第1導電膜上に外周絶縁部材６０を配置している。そして、外周絶縁部材６０に到達する上部外周溝９０を形成している。上部外周溝９０の下には、第1下部外周溝５０及び第2下部外周溝５５により分離された第1導電膜４１が位置している。従って、レーザ等のエネルギービームを利用して半導体膜及び第２導電膜を分割して、発電領域を形成するとき、偶発的なエネルギービーム出力の過剰や、半導体膜及び第２導電膜の膜厚が不所望に薄いこと等により、上部外周溝９０が外周絶縁部材６０を貫いても、上部外周溝９０に下には、分離された第1導電膜４１が位置するだけなので、発電領域の第1電極層と第2電極層とがセルショ−トすることがない。
【００２０】
更には、本実施例においては、外周絶縁部材６０が、第1下部外周溝５０、第2下部外周溝５５にて直接基板１０上に接触していることと、第1下部外周溝５０及び第2下部外周溝５５にまたがって形成していることより、外周絶縁部材６０の基板１０及び分離された第1導電膜４１との密着力は良好である。従って、本実施例を長期使用したり、耐湿性テストを行う場合、外周より水分が侵入して、基板１０上にて、外周より第1導電膜４０、半導体膜７０、第２導電膜８０が剥離するときでも、外周絶縁部材６０にて、外周からの剥離の進行を止めることができる。
【００２１】
なお、基板１０の左右辺においては、その内側に、縦下部外周溝５６に、絶縁部材６６が配置され、上下分割溝９６が形成されている。縦下部外周溝５６が１本であり、絶縁部材６６の幅も狭く、外周からの水分の侵入により剥離が進行することもあるが、内側に幅が広い導電ペースト３１、３２が存在するので、発電領域に剥離が進行することを止めることができる。
【００２２】
一方、図６、７は、本発明の第２実施例において製造された光起電力装置を示す。第１実施例との大きな違いは、その中心に開口１１を有する円形の基板１０を用いた点である。また、第1実施例と同じような製造工程を有するものであり、第１実施例と同じ名称のものは、同一の材料、製造方法を示すものであり、詳細な説明は省略する。円形の基板１５上には、左右方向に配列された発電領域２５ａ〜２５ｄ、配列方向の左端、右端には、略三日月状の左端、右端出力端子領域２５ａｔ、２５ｄｔが配置されている。
【００２３】
まず、基板１０上の全面に、第１導電膜４５が形成される。次に、発電領域の外周に沿って、エネルギービームを照射して、照射部分の第1導電膜を除去し、第１導電膜４０を分割する第1下部外周溝５０Ｓ（幅約５０μｍ）を形成すると共に、この第1下部外周溝５０Ｓの外側に第2下部外周溝５５Ｓ（幅約５０μｍ）を形成する。このように、これら外周溝５０Ｓ、５５Ｓは、全周に略円状に形成されることになる。
【００２４】
また、開口１１周端より基板１０側に第１導電膜４０を分割する第1下部外周溝５０Ｉ（幅約５０μｍ）を形成すると共に、該第1下部外周溝５０Ｉより、前記開口１１に対して離れる方向である基板１０内側に第2下部外周溝５５Ｉを形成する。このように、これら外周溝５０Ｉ、５５Ｉは、開口１１まわりの全周に略円状に形成されることになる。加えて、領域間溝５１、５１、端子部溝５２により、各発電領域毎に対応した第１電極層４０ａ〜４０ｄが分割形成される
次に、外周において、第1下部外周溝５０Ｓ及び第2下部外周溝５５Ｓにまたがって、これら外周溝５０Ｓ、５５Ｓ及び第1導電膜４０上に外周絶縁部材６０Ｓを配置する。また、開口１１の周縁において、第1下部外周溝５０Ｉ及び第2下部外周溝５５Ｉにまたがって、これら外周溝５０Ｉ、５５Ｉ及び第1導電膜４０上に外周絶縁部材６０Ｉを配置する。領域間溝５１、端子部溝５２においても、各々、絶縁部材６６、６１、６２を配置する。加えて、第１電極層４５ａ〜４５ｄ各々の右端で、これら各々の上に、分割絶縁部材６３・・・を配置する。
【００２５】
次に、発電領域２５ａ〜２５ｄの各領域間において、導電ペースト３５ａｂ、３５ｂｃ、３５ｃｄを配置する。なお、導電ぺースト３５ｂｃについては、真ん中に開口１１が存在するので、図６の紙面上下方向に、２分割されている。そして、左端、右端出力端子領域２５ａｔ、２５ｃｔにおいても、導電ペースト３６、３７を配置する。
【００２６】
次に、第１電極層上で基板１０上方の略全面に、半導体膜７０及び第２導電膜８０を積層形成する。次に、この第２導電膜８０の露出方向から、外周絶縁部材６０Ｓ、６０Ｉ上に、エネルギービームを照射して、照射部分の半導体膜７０及び第２導電膜８０を除去し、外周絶縁部材６０Ｓ、６０Ｉに到達する上部外周溝９０Ｓ、９０Ｉを形成する。
【００２７】
そして、これらの上部外周溝９０、上部溝９３により、各発電領域に対応した半導体光活性層７０ａ〜７０ｄ及び第２電極層８０ａ〜８０ｄに分割形成される。加えて、右端出力端子領域２５ｃｔにおいては、半導体膜材料からなる半導体層７０ｄｔ及び第２導電膜材料からなる第２電極パッド８０ｄｔが分割形成されることになる。一方、左端出力端子領域２５ａｔにおいては、半導体光活性層７０ａから延出した半導体層７０ａｔ及び第２電極層８０ａから延出する第２電極延出部８０ａｔが形成されることになる。
【００２８】
更に、第２導電膜の露出側から、導電ペースト３０ａｂ、３０ｂｃ、３０ｃｄ、３６、３７上に位置する部分に、レーザビームや電子ビーム等のエネルギービームを照射する。これにより、導電ペースト３０ａｂ、３０ｂｃ、３０ｃｄと、第２電極層８０ｂ、８０ｃ、８０ｄが各々溶着されて電気的に接続され、各発電領域２５ａ〜２５ｄが直列に接続される。また、右端出力端子領域２５ｄｔにおいては、導電ペースト３７と第２電極パッド８０ｄｔが電気的に接続され、第１電極層２０ｄからの出力を導出することができる。更には、左端出力端子領域２５ａｔにおいては、導電ペースト３６と第２電極延出部８０ａｔとが電気的に接続され、この導電ペースト３２により出力端子での電気抵抗を低減し、集電効率が向上する。
【００２９】
なお、発電領域２５ｂ、２５ｃとの分割、電気接続について、補足説明する。図６（ａ）、図７等に示されるように、発電領域２５ｂ、２５ｃ間の分割については、開口１１の（図６（ａ）紙面における）上下側において直線状の上部溝９３と、円状の上部外周溝９０Ｉとにより第２電極層、半導体光活性層が分割され、また、開口１１の上下側で直線状の領域間溝５１と、円状の下部外周溝５０Ｉ、５５Ｉとにより、第1電極層が分割されている。電気接続については、開口１１の上下側で直線状に配置された導電ペースト３０ａｂ上に、直線状に走査したエネルギービームを照射することで電気接続している。
【００３０】
次の工程においては、発電領域の配列方向に平行な複数の枝部分１０１とこれら枝部分１０１の左端で連続している幹部分１０２からなる集電極１００・・・を第２電極層８０ａ〜８０ｄ上に形成する。これらの集電極１００の幹部分１０２は、各々、導電ペースト３０ａｂ、３０ｂｃ、３０ｃｄ、３７の上方に位置する。ここで、左端出力端子領域２５ａｔに位置する集電極１００の幹部分１０２は、出力端子１０３として機能している。また、右端出力端子領域２０ｄｔにおいては、導電ペースト３７上方の第２電極パッド８０ｄｔ上に導電ペーストからなる帯状の出力端子１０４を形成する。第1実施例と同様に、基板１０の裏面側より、開口１２８を介して、金属箔２２と、リード体１２９とを半田材料１３０を介して、接続する。
【００３１】
以上の本実施例においては、基板１０の外周の内側に、また、基板１０の開口１１の周端に、第１導電膜４０を分割する第1下部外周溝５０Ｓ及び第2下部外周溝５５Ｓ、第1下部外周溝５０Ｉ及び第2下部外周溝５５Ｉを形成し、これらにまたがって、これら外周溝及び分離された第1導電膜４１Ｓ、４１Ｉ上に外周絶縁部材６０Ｓ、６０Ｉを配置している。そして、外周絶縁部材６０Ｓ、６０Ｉに到達する上部外周溝９０Ｓ、９０Ｉを形成している。上部外周溝９０Ｓ、９０Ｉの下には、第1下部外周溝５０Ｓ及び第2下部外周溝５５Ｓ、第1下部外周溝５０Ｉ及び第2下部外周溝５５Ｉにより分離された第1導電膜４１Ｓ、４１Ｉが位置している。従って、レーザ等のエネルギービームを利用して半導体膜及び第２導電膜を分割して、発電領域を形成するとき、偶発的なエネルギービーム出力の過剰や、半導体膜及び第２導電膜の膜厚が不所望に薄いこと等により、上部外周溝９０Ｓ、９０Ｉが外周絶縁部材６０Ｓ、６０Ｉを貫いても、上部外周溝９０Ｓ、９０Ｉに下には、分離された第1導電膜４１Ｓ、４１Ｉが位置するだけなので、発電領域の第1電極層と第2電極層とがセルショ−トすることがない。
【００３２】
更には、本実施例においては、外周絶縁部材６０Ｓ、６０Ｉが、第1下部外周溝５０Ｓ、５０Ｉ、第2下部外周溝５５Ｓ、５５Ｉにて直接基板１０上に接触していることと、第1下部外周溝５０Ｓ及び第2下部外周溝５５Ｓ、第1下部外周溝５０Ｉ及び第2下部外周溝５５Ｉにまたがって形成していることより、外周絶縁部材６０Ｓ、６０Ｉの基板１０及び分離された第1導電膜４１Ｓ、４１Ｉとの密着力は良好である。従って、本実施例を長期使用したり、耐湿性テストを行う場合、外周より水分が侵入して、基板１０上にて、外周より第1導電膜４０、半導体膜７０、第２導電膜８０が剥離するときでも、外周絶縁部材６０Ｓ、６０Ｉにて、外周からの剥離の進行を止めることができる。
【００３３】
また、両実施例においては、第２電極層と保護膜とを透明として、この側より光を入射しているが、第１電極層と基板とを透明として、この側より光を入射させてもよい。
【００３４】
なお、本発明の外周溝及び第2下部外周溝、外周絶縁部材に到達する上部外周溝等については、基板外周又は基板開口の周端における一部に、配置しても、上述の利点、効果がある。
【００３５】
【発明の効果】
本発明の光起電力装置の製造方法は、基板の外周の内側に、又は、基板開口の周端に、第１導電膜を分割する第1下部外周溝及び第2下部外周溝を形成し、これらにまたがって、これら外周溝及び第1導電膜上に外周絶縁部材を配置している。そして、外周絶縁部材に到達する上部外周溝を形成している。上部外周溝の下には、第1下部外周溝及び第2下部外周溝により分離された第1導電膜が位置している。従って、レーザ等のエネルギービームを利用して半導体膜及び第２導電膜を分割して、発電領域を形成するとき、偶発的なエネルギービーム出力の過剰や、半導体膜及び第２導電膜の膜厚が不所望に薄いこと等により、上部外周溝が外周絶縁部材を貫いても、上部外周溝に下には、分離された第1導電膜が位置するだけなので、第1電極層と第2電極層とがセルショ−トすることがない。
【００３６】
更には外周絶縁部材が、第1下部外周溝、第2下部外周溝にて直接基板上に接触していることと、第1下部外周溝及び第2下部外周溝にまたがって形成していることより、外周絶縁部材の基板及び分離された第1導電膜との密着力は良好である。よって、長期使用したり、耐湿性テストを行う場合、外周より水分が侵入して、基板上にて、外周より第1導電膜、半導体膜、第２導電膜が剥離するときでも、外周絶縁部材にて、外周からの剥離の進行を止めることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第1実施例における第１工程を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）におけるＡ−Ａ断面図、（ｃ）は（ａ）におけるＢ−Ｂ断面図である。
【図２】本発明の第1実施例における第２工程を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）におけるＡ−Ａ断面図、（ｃ）は（ａ）におけるＢ−Ｂ断面図である。
【図３】本発明の第1実施例における第３工程を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）におけるＡ−Ａ断面図、（ｃ）は（ａ）におけるＢ−Ｂ断面図である。
【図４】本発明の第1実施例における第４工程を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）におけるＡ−Ａ断面図、（ｃ）は（ａ）におけるＢ−Ｂ断面図である。
【図５】本発明の第1実施例における第５工程を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）におけるＡ−Ａ断面図、（ｃ）は（ａ）におけるＢ−Ｂ断面図である。
【図６】本発明の第２実施例により製造された光起電力装置を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）におけるＡ−Ａ断面図、（ｃ）は（ａ）におけるＣ−Ｃ断面図である。
【図７】図６（ａ）におけるＢ−Ｂ断面図である。
【符号の説明】
１０  基板
２０ａ〜２０ｃ  発電領域
４０  第1電極膜
５０  第1下部外周溝
５５  第2下部外周溝
６０  外周絶縁部材
７０  半導体光活性層
８０  第２導電膜
９０  上部外周溝
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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