(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
２つの電極間で等価的に誘電体静電容量とガス静電容量とを有し、放電してガスを励起し、プラズマを発生させる放電負荷に対し、トランスを介して交流電力を供給するプラズマ発生用電源装置において、
前記放電負荷に対して並列に接続された並列インダクタと、
前記放電負荷に対して直列に接続された直列インダクタとを備え、
前記直列インダクタ及び前記並列インダクタは、式（１）を満足するインダクタンスを有していることを特徴とするプラズマ発生用電源装置。
Lp=Ls=(C1+C2)/(C1×C2×(2πf)2)                     ・・・（１）
但し、Lp：並列インダクタのインダクタンス
Ls：直列インダクタのインダクタンス
C1：誘電体静電容量の値
C2：ガス静電容量の値
ｆ：交流電力の周波数
【請求項２】
並列インダクタ及び直列インダクタをトランスの２次側に接続したことを特徴とする請求項１記載のプラズマ発生用電源装置。
【請求項３】
並列インダクタ及び直列インダクタをトランスの１次側に接続したことを特徴とする請求項１記載のプラズマ発生用電源装置。
【請求項４】
直列インダクタはトランスの漏れインダクタンスを利用したものであることを特徴とする請求項１から請求項３のうちのいずれか１項記載のプラズマ発生用電源装置。
【請求項５】
直列インダクタが式（２）を満足するインダクタンスを有し、並列インダクタは、当該インダクタンスが非放電時には式（３）の値を満足し、放電時には、式（３）の値未満に変化するように構成されたことを特徴とする請求項１から請求項４のうちのいずれか１項記載のプラズマ発生用電源装置。
Ls=1/(C1(2πf)2)                                    ・・・（２）
Lp=1/(C2(2πf)2)                                    ・・・（３）
但し、Ls：直列インダクタのインダクタンス
Lp：並列インダクタのインダクタンス
C1：誘電体静電容量の値
C2：ガス静電容量の値
ｆ：交流電力の周波数
【請求項６】
並列インダクタと直列に接続され、非放電時にこの並列インダクタの回路を閉じ、放電時にこの並列インダクタの回路を開くスイッチング手段を備えたことを特徴とする請求項５記載のプラズマ発生用電源装置。
【請求項７】
放電負荷の負荷電圧を検出する電圧検出手段を備え、スイッチング手段は該電圧検出手段からの信号に基づいて前記並列インダクタの回路を開閉することを特徴とする請求項６記載のプラズマ発生用電源装置。
【請求項８】
放電負荷の負荷電流を検出する電流検出手段を備え、スイッチング手段は該電流検出手段によって検出された電流の変化に基づいて前記並列インダクタの回路を開閉することを特徴とする請求項６記載のプラズマ発生用電源装置。
【請求項９】
放電の発光を検出する光検出手段を備え、スイッチング手段は該光検出手段によって検出された光の変化に基づいて前記並列インダクタの回路を開閉することを特徴とする請求項６記載のプラズマ発生用電源装置。
【請求項１０】
並列インダクタは式（４）を満足するインダクタンスを有し、直列インダクタは、当該インダクタンスが非放電時には式（５）の値を満足し、放電時には、式（５）の値未満に変化するように構成されたことを特徴とする請求項１から請求項４のうちのいずれか１項記載のプラズマ発生用電源装置。
Lp=1/(C1(2πf)2)                                    ・・・（４）
Ls=1/(C2(2πf)2)                                    ・・・（５）
但し、Ls：直列インダクタのインダクタンス
Lp：並列インダクタのインダクタンス
C1：誘電体静電容量の値              C2：ガス静電容量の値
ｆ：交流電力の周波数
【請求項１１】
直列インダクタに過飽和リアクトルを使用したことを特徴とする請求項１０記載のプラズマ発生用電源装置。
【請求項１２】
過飽和リアクトルの飽和条件を放電開始条件に合わせたことを特徴とする請求項１１記載のプラズマ発生用電源装置。
【請求項１３】
過飽和リアクトルのコアにフェライトもしくは鉄を用い、過飽和リアクトルが、当該過飽和リアクトルの両端電圧と電圧印加時間との積が放電開始条件に合わせて、設定された所定しきい値を超えたときに磁束が飽和するように構成されていることを特徴とする請求項１２記載のプラズマ発生用電源装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、オゾン発生器、レーザ発振器などのプラズマ発生用電源装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、オゾン発生器、レーザ発振器などには、プラズマ発生用電源装置が用いられている。
図１６は、オゾナイザハンドブック（２２７頁、図２．６３、コロナ社、昭和３５年６月１５日発行）に記載された従来のオゾン発生器用のプラズマ発生用電源装置の電源回路図である。
この図１６において、１は交流の入力電源、２は整流器、３はインバータ、４はトランス（変圧器）、５は電極を有する放電負荷、６は放電負荷５に対して並列に接続された力率改善用の並列インダクタである。
【０００３】
次に動作について説明する。
入力電源１の商用の交流電圧は整流器２によって直流に変換され、さらにインバータ３によって規定の周波数の交流電圧に変換される。さらにトランス４により放電開始に至る電圧に昇圧され、放電負荷５に高電圧が印加される。この印加された高電圧により放電負荷５で放電が発生し、この放電によりガス粒子が励起される。
ここで、放電電極間に誘電体を挿入した放電負荷を用いた場合、この放電負荷５は電気的にはコンデンサとして働き、電圧に対して電流の位相が進むことが知られている。このため皮相電力と有効電力との比である力率が低くなり、放電負荷５にエネルギーを投入するためには、必要以上の電流を流す必要がある。
【０００４】
従って、トランス４や入力電源１を構成する素子は大きな電流に耐えるオーバースペックのものを使用しなければならず、電源装置の大型化、コストの増大要因となる。
並列インダクタ６は、放電負荷で電流が進む分を補償するために放電負荷５と並列に接続されたものである。並列インダクタ６は電圧に対し電流の位相を遅らす役目を果たす。放電負荷５での電流の進み分と並列インダクタ６による電流の遅れ分を等しく設定すると電流と電圧の位相が合致し、最も小さい電流で放電負荷５に効率的にエネルギーを注入することができる。このとき力率は１００％となり、いわゆる共振状態となる。
【０００５】
従来のプラズマ発生用電源装置では、このように放電負荷５と並列に並列インダクタ６を接続することにより、力率を改善し、小容量で安価な電源素子を用い、小型で安価な電源装置を構成している。図１６では、トランス４の２次側に並列インダクタ６を接続した場合について示したが、図１７に示すようにトランス４の１次側に並列に並列インダクタ６２を接続しても同様の効果がある。但し、この場合、耐圧の低い素子を使える反面、トランス４の力率は改善されないという欠点もある。図１６に示すように２次側にインダクタを接続した場合には、トランス４を含むすべての力率が改善されるため、有効である。
【０００６】
次に図１８はオゾン発生器など電極間に誘電体を介装した放電負荷５の詳細な等価回路である。この図１８において、５１は容量値Ｃ１を有する電極間の誘電体静電容量、５２は容量値Ｃ２を有する放電空間のガス静電容量，５３はプラズマのオン・オフに伴う非線形性を示すためのツェナーダイオードとしての特性を有するプラズマ負荷である。
【０００７】
このプラズマ負荷５３の抵抗値は、放電電圧Ｖ＊未満では無限大となって非放電状態であることを示し、放電電圧Ｖ＊以上では、このプラズマ負荷５３は導通状態となって放電状態であることを示す。
このため放電開始前には、放電負荷５は誘電体静電容量５１の値Ｃ１とガス静電容量５２の値Ｃ２が直列に結合して式（６）によって表される値を有する容量性負荷となり、放電後は容量値Ｃ１単独の容量性負荷となる。
Ｃ=(C1×C2/(C1+C2))                                   ・・・（６）
但し、Ｃ：合成容量の値
【０００８】
従来のオゾン発生器では、ガス静電容量５２の容量値Ｃ２に比べて誘電体静電容量５１の容量値Ｃ１が十分大きくなるように設計されているため、放電発生の有無によらず負荷容量は、常にほぼ値Ｃ１となり、共振条件を満たすインダクタンスの値は放電の有無に依存しなかった。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
従来のプラズマ発生用電源装置は以上のように放電負荷５に対して１種類のインダクタで放電負荷５の静電容量を補償するように構成されているので、たとえば放電ギャップ長を小さく設定した場合のように誘電体静電容量５１の値Ｃ１に比較してガス静電容量５２の値Ｃ２が無視できない程度に大きくなった場合には、放電発生の有無により放電負荷５の静電容量が大きく変化し、力率補償ができなくなり、必要以上の容量をもった電気素子を用いる必要が生じる。しかし、このような大きな容量を有する電気素子を用いると電源装置が大きくなり、高価になってしまう。従来のプラズマ発生用電源装置には、このように解決しなければならない課題があった。
【００１０】
この発明は上記のような課題を解決するためになされたもので、放電空間のガスの静電容量が誘電体の静電容量に比べて無視できないような放電負荷に対しても、力率が高く、小型で安価なプラズマ発生用電源装置を得ることを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
この発明に係るプラズマ発生用電源装置は、２つの電極間で等価的に誘電体静電容量とガス静電容量とを有し、放電してガスを励起し、プラズマを発生させる放電負荷に対し、並列に接続された並列インダクタと、直列に接続された直列インダクタとを備え、直列インダクタ及び並列インダクタが、式（１）を満足するインダクタンスを有しているものである。
Lp=Ls=(C1+C2)/(C1×C2×(2πf)2)                      ・・・（１）        
但し、Lp：並列インダクタのインダクタンス
Ls：直列インダクタのインダクタンス
C1：誘電体静電容量の値
C2：ガス静電容量の値
ｆ：交流電力の周波数
【００１２】
この発明に係るプラズマ発生用電源装置は、並列インダクタ及び直列インダクタをトランスの２次側に接続したものである。
【００１３】
この発明に係るプラズマ発生用電源装置は、並列インダクタ及び直列インダクタをトランスの１次側に接続したものである。
【００１５】
この発明に係るプラズマ発生用電源装置は、トランスの漏れインダクタンスを利用して直列インダクタを構成したものである。
【００１６】
この発明に係るプラズマ発生用電源装置は、直列インダクタが式（２）を満足するインダクタンスを有し、並列インダクタは、当該インダクタンスが非放電時には式（３）の値を満足し、放電時には、式（３）の値未満に変化するように構成されたものである。
Ls=1/(C1(2πf)2)                                      ・・・（２）
Lp=1/(C2(2πf)2)                                      ・・・（３）
但し、Ls：直列インダクタのインダクタンス
Lp：並列インダクタのインダクタンス
C1：誘電体静電容量の値
C2：ガス静電容量の値
ｆ：交流電力の周波数
【００１７】
この発明に係るプラズマ発生用電源装置は、並列インダクタと直列に接続され、非放電時に回路を閉じ、放電時にこの並列インダクタの回路を開くスイッチング手段を備えたものである。
【００１８】
この発明に係るプラズマ発生用電源装置は、放電負荷の負荷電圧を検出する電圧検出手段を備え、スイッチング手段は該電圧検出手段からの信号に基づいて前記並列インダクタの回路を開閉するものである。
【００１９】
この発明に係るプラズマ発生用電源装置は、放電負荷の負荷電流を検出する電流検出手段を備え、スイッチング手段は該電流検出手段によって検出された電流の変化に基づいて前記並列インダクタの回路を開閉するものである。
【００２０】
この発明に係るプラズマ発生用電源装置は、放電の発光を検出する光検出手段を備え、スイッチング手段は該光検出手段によって検出された光の変化に基づいて前記並列インダクタの回路を開閉するものである。
【００２１】
この発明に係るプラズマ発生用電源装置は、並列インダクタが式（４）を満足するインダクタンスを有し、直列インダクタのインダクタンスが非放電時には式（５）の値を満足し、放電時には、式（５）の値未満に変化するように直列インダクタが構成されたものである。
Lp=1/(C1(2πf)2)                                      ・・・（４）
Ls=1/(C2(2πf)2)                                      ・・・（５）
但し、Ls：直列インダクタのインダクタンス
Lp：並列インダクタのインダクタンス
C1：誘電体静電容量の値
C2：ガス静電容量の値
ｆ：交流電力の周波数
【００２２】
この発明に係るプラズマ発生用電源装置は、直列インダクタに過飽和リアクトルを使用したものである。
【００２３】
この発明に係るプラズマ発生用電源装置は、過飽和リアクトルの飽和条件を放電開始条件に合わせたものである。
【００２４】
この発明に係るプラズマ発生用電源装置は、過飽和リアクトルのコアにフェライトもしくは鉄を用い、当該過飽和リアクトルの両端電圧と電圧印加時間との積が放電開始条件に合わせて、設定された所定しきい値を超えたときに磁束が飽和するように過飽和リアクトルが構成されているものである。
【００２５】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の実施の一形態を説明する。
実施の形態１．
図１はこの発明の実施の形態１によるプラズマ発生用電源装置を示す回路図である。図１において、１は交流の入力電源、２は整流器、３はインバータ、４はトランス（変圧器）、５は電極を有する放電負荷、６は放電負荷５、トランス４の２次側巻線に対して並列に接続され、インダクタンスＬｐを有する力率改善用の並列インダクタ、７は放電負荷５、トランス４の２次側巻線に対して直列に接続され、インダクタンスＬｓを有する力率補償用の直列インダクタである。
【００２６】
このプラズマ発生用電源装置は、例えばオゾン発生器用電源に適用される。但し、これに限られるものではなく、誘電体を介した放電を用いる装置であれば、例えばレーザ、プラズマディスプレーパネル、ランプなど、放電を用いた粒子励起装置にも同じように用いることができる。
以下の実施の形態についても同様である。
【００２７】
また、５１は容量値Ｃ１を有する電極間の誘電体静電容量、５２は容量値Ｃ２を有する放電空間のガス静電容量、５３はプラズマのオン・オフに伴う非線形性のツェナーダイオードとしての特性を有するプラズマ負荷である。
実施の形態１は、直列インダクタ７を備えている点で図１６に示す従来の構成と異なっている。
【００２８】
次に動作について説明する。
入力電源１の商用の交流電圧は整流器２によって直流に変換され、さらにインバータ３によって規定の周波数の交流電圧に変換される。さらにトランス４により放電開始に至る電圧に昇圧され、放電負荷５に高電圧が印加される。この印加された高電圧により放電負荷５で放電が発生し、この放電によりガス粒子が励起される。
【００２９】
図１において、放電負荷５に対して並列インダクタ６だけでなく、直列インダクタ７を接続することにより、並列インダクタ６を単独に接続した場合に比較して、皮相電力と有効電力との比である力率の改善度合いが向上する。
【００３０】
特に並列インダクタ６、直列インダクタ７のインダクタンスが式（７）をほぼ満足する値である場合、放電負荷５の合成容量と共振し、９０％程度の力率が得られることが判明した。
Lp=Ls=(C1+C2)/(C1×C2×(2πf)2)                       ・・・（７）
但し、Lp：並列インダクタ６のインダクタンス
Ls：直列インダクタ７のインダクタンス
ｆ：インバータ３の出力周波数（交流電力の周波数、以下、同じ）
【００３１】
以上のように、この実施の形態１によれば、放電負荷５に対して並列に力率補償用の並列インダクタ６を、直列に力率補償用の直列インダクタ７を接続したので、並列インダクタ６を単独に接続した場合よりも、放電負荷５の変化に対して安定的に力率を改善することができる。特に、式（７）を満足する値を有し、放電負荷５の合成容量と共振する２つのインダクタを用いることにより、力率改善度合いを高く設計することができるという効果が得られる。
【００３２】
実施の形態２．
図２はこの発明の実施の形態２によるプラズマ発生用電源装置を示す回路図である。図２において、６１はトランス４の１次側巻線と並列に接続され、インダクタンスＬｐ１を有する並列インダクタ、７１はトランス４の１次側巻線と直列に接続され、インダクタンスＬｓ２を有する直列インダクタである。尚、実施の形態１と同一要素については同一符号を付して説明を省略する。
【００３３】
次に動作について説明する。
トランス４の１次側巻線と直列に直列インダクタ７１を、並列に並列インダクタ６１を接続しても、実施の形態１とほぼ同様の効果が得られる。この場合、トランス４を介することになるので、インダクタンスの値を式（３）によって表される値にすることによって放電負荷５の合成容量と共振し、インダクタンスの値としては最適となる。
Lp1=Ls1=(C1+C2)/(C1×C2×(2πf)2)/m2                  ・・・（８）
但し、ｍ：トランス４の巻数比（以下、同じ）
【００３４】
以上のように、この実施の形態２によれば、トランスの１次側に直列と並列の力率改善用インダクタを配置することにより、耐電圧の低い素子を用いることができるという効果が得られる。
【００３５】
実施の形態３．
図３はこの発明の実施の形態３によるプラズマ発生用電源装置を示す回路図である。図３に示すように、実施の形態３では放電負荷５、トランス４の２次側巻線に対して直列に直列インダクタ７を、トランス４の１次側巻線と並列に並列インダクタ６１を接続している。尚、実施の形態１と同一要素については同一符号を付して説明を省略する。
【００３６】
次に動作について説明する。
この図３に示すように、トランス４の１次側巻線と並列に接続された並列インダクタ６１のインダクタンスの値をトランス４の巻数比で変換すれば、実施の形態１と同じＬＣ直並列回路となる。また、共振回路にするためには、並列インダクタ６１のインダクタンスの値を式（８）を満足する値に設定する。
【００３７】
以上のように、この実施の形態３によれば、トランスの１次側と２次側に直並列に、それぞれ並列インダクタ６１、直列インダクタ７を接続しても実施の形態１とほぼ同様の効果が得られる。
尚、図示しないがトランス４の１次側巻線に直列インダクタ７１を、２次側巻線に並列インダクタ６を接続しても同様の効果を奏することはいうまでもない。
【００３８】
実施の形態４．
図４はこの発明の実施の形態４によるプラズマ発生用電源装置を示す回路図である。図４において、７２は放電負荷５、トランス４の２次側巻線に対して等価的に直列接続されたトランス漏れインダクタンスである。尚、実施の形態１と同一要素については同一符号を付して説明を省略する。
【００３９】
次に動作について説明する。
実施の形態１では、トランス４の２次側巻線と直列に直列インダクタ７を接続するようにしたが、この直列インダクタ７の代わりにもちろんトランス漏れインダクタンス７２を用いるようにしても同じように作用する。この場合、トランス４の１次側で力率を改善するには、トランス漏れインダクタンス７２のインダクタンスをＬｒとして、Ｌｓ１＝Ｌｒとすれば良く、トランス４の２次側で力率を改善するには、トランス４の巻数比ｍに対して、Ｌｓ＝ｍ2 Ｌｒとすれば良い。
【００４０】
尚、トランス４の既存の漏れインダクタンスを利用してもよいが、図５に示すようにトランス４のコア４１に隙間δを設けて漏れインダクタンスＬｒを形成してもよい。この図５において、４２はトランス４の巻線である。
【００４１】
以上のように、この実施の形態４によれば、漏れインダクタンスＬｒを利用するようにしたので、この漏れインダクタンスが実施の形態１の直列インダクタ７と同じ役割をすることになり、新たに直列にインダクタを接続する必要がないので、安価な装置を提供することができ、しかも実施の形態１と同じような効果を得ることができる。
また、トランス４のコア４１に隙間δを設けることにより、漏れインダクタンスＬｒを設定することができる。
【００４２】
実施の形態５．
図６はこの発明の実施の形態５によるプラズマ発生用電源装置を示す回路図である。図６において、並列インダクタ６は、そのインダクタンスＬｐが可変するように構成されている。
【００４３】
次に動作について説明する。
放電負荷５は放電することにより、その容量が変化する。これに合わせて並列インダクタ６のインダクタンスＬｐも可変する。
さらに完全に力率を補償するためには、直列インダクタ７のインダクタンスＬｓ、並列インダクタ６のインダクタンスＬｐをそれぞれ式（９）、式（１０）を満足する値に設定することにより、放電のオン、オフに同期してインダクタンスＬｐの等価的な値を変化させれば有効である。
Ls=1/(C1(2πf)2)                                  ・・・（９）
Lp=1/(C2(2πf)2)                                  ・・・（１０）
インダクタンスＬｐを非放電時に式（１０）を満足するような値に設定し、放電時には、式（３）の値未満にすることが望ましい。
【００４４】
以上のように、この実施の形態５によれば、放電負荷５の放電に合わせて並列インダクタ６のインダクタンスＬｐを可変するようにしたので、放電負荷５の放電に関わらず常に力率を改善することができ、放電電力によらず高い力率を得ることができるといった効果が得られる。
【００４５】
実施の形態６．
図７はこの発明の実施の形態６によるプラズマ発生用電源装置を示す回路図である。図７において、８は並列インダクタ６と直列に接続されたスイッチング素子（スイッチング手段）である。尚、実施の形態１と同一要素については同一符号を付して説明を省略する。
【００４６】
次に動作について説明する。
実施の形態６は、実施の形態５をさらに具体的に実現したものであり、放電開始前はスイッチング素子８を導通状態に、放電時には遮断状態に制御する。
【００４７】
以上のように、この実施の形態６によれば、並列インダクタ６にスイッチング素子８を直列に配置し、放電発生の有無に従ってスイッチング素子８をオン、オフ制御するようにしたので、放電負荷５の放電発生の有無に係わらず常に高い力率を得ることができる。
【００４８】
実施の形態７．
図８はこの発明の実施の形態７によるプラズマ発生用電源装置を示す回路図である。図８において、９１は放電負荷５の電圧を計測する電圧検出素子（電圧検出手段）である。尚、実施の形態１と同一要素については同一符号を付して説明を省略する。
【００４９】
次に動作について説明する。
放電負荷５の電圧を計測することにより放電発生の有無を検出することができる。そして、電圧検出素子９１により検出された放電負荷５の電圧が所定の放電電圧より低ければスイッチング素子８を導通状態に、この放電電圧よりも高ければスイッチング素子８を遮断状態に制御する。
【００５０】
以上のように、この実施の形態７によれば、電圧検出素子９１で放電負荷５の電圧を計測することにより放電発生の有無を正確に検出することができるので、スイッチング素子８に正確な制御信号を送ることができ、精度よく力率を改善することができるといった効果が得られる。
【００５１】
実施の形態８．
図９はこの発明の実施の形態８によるプラズマ発生用電源装置を示す回路図である。図９において、９２は放電負荷５への電流を検出する電流検出素子（電流検出手段）である。尚、実施の形態１と同一要素については同一符号を付して説明を省略する。
【００５２】
次に動作について説明する。
放電負荷５の電流の変化を計測することにより放電の発生の有無を検出することができる。そして、実施の形態７と同様に、電流検出素子９２により所定値以上の電流変化が検出されたときは放電発生と判断し、スイッチング素子８を導通状態に、また所定値未満のときはスイッチング素子８を遮断状態に制御する。
【００５３】
以上のように、この実施の形態８によれば、電流検出素子９２で放電負荷５の電流の変化を検出することにより放電発生の有無を正確に検出することができるので、スイッチング素子８に正確な制御信号を送ることができ、精度よく力率を改善することができるといった効果が得られる。
【００５４】
実施の形態９．
図１０はこの発明の実施の形態９によるプラズマ発生用電源装置を示す回路図である。図１０において、９３は放電負荷５の放電による発光を検出する光検出素子（光検出手段）である。尚、実施の形態１と同一要素については同一符号を付して説明を省略する。
【００５５】
次に動作について説明する。
放電による発光を検出することにより放電発生の有無を確認できる。そして、実施の形態７、実施の形態８と同様に、光検出素子９３により放電による発光が検出されたときは、スイッチング素子８を導通状態に制御する。
【００５６】
以上のように、この実施の形態９によれば、光検出素子９３で放電による発光を検出することにより放電発生の有無を正確に検出することができるので、スイッチング素子８に正確な制御信号を送ることができ、精度よく力率を改善することができるといった効果が得られる。
【００５７】
実施の形態１０．
図１１はこの発明の実施の形態１０によるプラズマ発生用電源装置を示す回路図である。この実施の形態１０は、実施の形態６と同じように並列インダクタ６と直列にスイッチング素子８を接続し、実施の形態４と同じように直列インダクタ７としてトランス漏れインダクタンス７２を利用するように構成したものである。
【００５８】
次に動作について説明する。
実施の形態４と同じようにトランス漏れインダクタンス７２が直列インダクタ７と同じように作用し、スイッチング素子８を放電に合わせてオン・オフする。
尚、トランス４の１次側で力率を改善するには、Ｌｓ１＝Ｌｒとすれば良く、トランス４の２次側で力率を改善するには、トランス４の巻数比ｍに対して、Ｌｓ＝ｍ2 Ｌｒとすれば良く、図５に示すようにトランス４のコア４１に隙間δを設けて漏れインダクタンスＬｒを形成することもできる。
【００５９】
以上のように、この実施の形態１０によれば、スイッチング素子８を備え、さらにトランス漏れインダクタンス７２を利用することにより、実施の形態４，６と同様の効果を得ることができる。
【００６０】
実施の形態１１．
図１２はこの発明の実施の形態１１によるプラズマ発生用電源装置を示す回路図である。図１２に示すように、並列インダクタ６１と直列インダクタ７１とはトランス４の１次側に配置され、スイッチング素子８が並列インダクタ６１と直列に接続されている。尚、実施の形態１と同一要素については同一符号を付して説明を省略する。
【００６１】
次に動作について説明する。
実施の形態２と同様に、力率改善用の直列インダクタ、並列インダクタをトランス４の２次側に設置する必要はない。
この場合においても、並列インダクタ６１、直列インダクタ７１には、それぞれ式（１１）、式（１２）で表されるインダクタンスに設定することにより共振回路を構成することができる。
Ls2＝1/C1(2πf)2)/m2                                ・・・（１１）
Lp2＝1/C2(2πf)2)/m2                                ・・・（１２）
但し、Ls2：直列インダクタ７１のインダクタンス
Lp2：並列インダクタ６１のインダクタンス
【００６２】
以上のように、この実施の形態１１によれば、並列インダクタ６１、直列インダクタ７１、スイッチング素子８をトランス４の１次側に配置しても実施の形態１，６と同様の効果を得ることができ、しかも実施の形態２と同様に耐電圧の低い素子を用いることもできる。
【００６３】
実施の形態１２．
図１３はこの発明の実施の形態１２によるプラズマ発生用電源装置を示す回路図である。図１３において、７３は放電負荷５、トランス４の２次側巻線に対して直列に接続されてインダクタンスが可変する直列インダクタである。尚、実施の形態１と同一要素については同一符号を付して説明を省略する。
【００６４】
次に動作について説明する。
実施の形態５において説明したように放電負荷５は放電することにより、その容量が変化する。実施の形態５では、これに合わせて並列インダクタ６のインダクタンスＬｐを可変するようにしたが、実施の形態１２では、直列インダクタ７３のインダクタンスを可変するようにする。
また、並列インダクタ６１、直列インダクタ７３にそれぞれ式（１３）、式（１４）に表されたインダクタンスをほぼ満足するようにして、放電のオン、オフに同期して直列インダクタ７３の等価的な値を変化させる方法も有効である。
Lp3=1/(C1(2πf)2)                                   ・・・（１３）
Ls3=1/(C2(2πf)2)                                   ・・・（１４）
但し、Ls3：直列インダクタ７３のインダクタンス
Lp3：並列インダクタ６１のインダクタンス
理想的には、非放電時に式（１４）を満足し、放電時には、Ｌｓ３＝０となることが望ましい。
【００６５】
以上のように、この実施の形態１２によれば、放電負荷５に対して直列インダクタ７３の容量を変化するようにしたので、放電電力によらず高い力率を得ることができるといった効果を得ることができる。
【００６６】
実施の形態１３．
図１４はこの発明の実施の形態１３によるプラズマ発生用電源装置を示す回路図であり、この実施の形態１３は、直列インダクタを過飽和リアクトルとして構成したものである。図１４において、７４は放電負荷５、トランス４の２次側巻線に対して直列に接続された過飽和リアクトルとしての過飽和インダクタである。
この過飽和インダクタ７４のコアをフェライトもしくは鉄等によって構成する。
また、この過飽和インダクタ７４の磁束の飽和条件を放電の開始条件と一致させるようにしておく。即ち、図１５に示すように、過飽和インダクタ７４の磁束が飽和する電圧時間積Ｖｔのしきい値Ｖｔ０を、放電開始と一致するように設定しておく。
尚、実施の形態１と同一要素については同一符号を付して説明を省略する。
【００６７】
次に動作について説明する。
図１５に示すように、過飽和インダクタ７４の両端の電圧ｖと時間ｔの積がしきい値Ｖｔ０以下であるときは、過飽和インダクタ７４の磁束は非飽和となる。非飽和状態でのインダクタンスは式（１１）によって表される。
過飽和インダクタ７４の磁束の飽和条件を放電の開始条件と一致しているので、放電負荷５の放電が開始すると過飽和インダクタ７４の両端の電圧ｖと時間ｔの積がしきい値Ｖｔ０を超え、過飽和インダクタ７４の磁束が飽和する。飽和状態では過飽和インダクタ７４のインダクタンスが変化してＬｓ３≒０となる。
【００６８】
以上のように、この実施の形態１３によれば、過飽和リアクトルを用いてインダクタンスを変化させることができ、スイッチング素子８を設ける必要がなくなり、安価な電源システムを供給できるといった効果が得られる。
また、放電の開始条件と磁束の飽和条件が一致しているため、放電が開始すると、電圧と時間の積で自然に磁束が飽和し、効率の高い電源システムを供給できる。
【００６９】
【発明の効果】
以上のように、この発明によれば、放電負荷に対して並列に接続された並列インダクタと、前記放電負荷に対して直列に接続された直列インダクタとを備え、直列インダクタ及び並列インダクタは、式（１）を満足するインダクタンスを有し、放電負荷の合成容量と共振するように構成したので、並列インダクタ単独の場合よりも、放電負荷の変化に対して安定な力率改善が可能になり、誘電体の静電容量に対してガスの静電容量が無視できないような装置においても、力率を高くすることができ、小型で安価な電源装置を得ると共に、力率の改善度合いを高く設計することができるといった効果を得ることができる。
【００７０】
この発明によれば、並列インダクタ及び直列インダクタをトランスの２次側に接続するように構成したので、トランスの２次側に配置された放電負荷との間で直接作用し、力率を向上させることができる効果がある。
【００７１】
この発明によれば、並列インダクタ及び直列インダクタをトランスの１次側に接続したように構成したので、耐電圧の低い素子を用いることができる効果がある。
【００７３】
この発明によれば、直列インダクタはトランスの漏れインダクタンスを利用するように構成したので、新たに直列にインダクタを入れる必要がなく、安価な装置を提供することができる効果がある。
【００７４】
この発明によれば、直列インダクタ式（２）を満足するインダクタンスを有し、並列インダクタは、当該インダクタンスが非放電時には式（３）の値を満足し、放電時には、式（３）の値未満に変化するように構成したので、放電電力によらず高い力率を得ることができる効果がある。
【００７５】
この発明によれば、並列インダクタと直列に接続され、非放電時にこの並列インダクタの回路を閉じ、放電時に回路を開くスイッチング手段を備えるように構成したので、放電発生の有無に係わらず常に高い力率を得ることができる効果がある。
【００７６】
この発明によれば、放電負荷の負荷電圧を検出する電圧検出手段を備え、スイッチング手段は該電圧検出手段からの信号に基づいて前記並列インダクタの回路を開閉するように構成したので、放電発生の有無を正確に検出することができる。従って、スイッチング手段に正確な制御信号を送ることができ、精度よく力率を改善することができるといった効果が得られる。
【００７７】
この発明によれば、放電負荷の負荷電流を検出する電流検出手段を備え、スイッチング手段は該電流検出手段によって検出された電流の変化に基づいて前記並列インダクタの回路を開閉するように構成したので、放電発生の有無を正確に検出してスイッチング手段に正確な制御信号を送ることができ、精度よく力率を改善することができるといった効果が得られる。
【００７８】
この発明によれば、放電の発光を検出する光検出手段を備え、スイッチング手段は該光検出手段によって検出された光の変化に基づいて前記並列インダクタの回路を開閉するように構成したので、放電発生の有無を正確に検出してスイッチング手段に正確な制御信号を送ることができ、精度よく力率を改善することができるといった効果が得られる。
【００７９】
この発明によれば、並列インダクタは式（４）を満足するインダクタンスを有し、直列インダクタは、当該インダクタンスが非放電時には式（５）の値を満足し、放電時には、式（５）の値未満に変化するように構成したので、放電電力によらず高い力率を得ることができる効果がある。
【００８０】
この発明によれば、直列インダクタに過飽和リアクトルを使用するように構成したので、安価な電源装置を供給することができる効果がある。
【００８１】
この発明によれば、過飽和リアクトルの飽和条件を放電開始条件に合わせるように構成したので、効率の高い電源システムを供給することができる効果がある。
【００８２】
この発明によれば、過飽和リアクトルのコアにフェライトもしくは鉄を用い、当該過飽和リアクトルの両端電圧と電圧印加時間との積が放電開始条件に合わせて、設定された所定しきい値を超えたときに磁束が飽和するように過飽和リアクトルが構成されているので、電圧と時間の積で自然に磁束が飽和し、スイッチング手段を用いないでもインダクタンスを変化させることができ、安価な電源システムを供給できる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】  この発明の実施の形態１によるプラズマ発生用電源装置を示す回路図である。
【図２】  この発明の実施の形態２によるプラズマ発生用電源装置を示す回路図である。
【図３】  この発明の実施の形態３によるプラズマ発生用電源装置を示す回路図である。
【図４】  この発明の実施の形態４によるプラズマ発生用電源装置を示す回路図である。
【図５】  図４のトランスを示す模式図である。
【図６】  この発明の実施の形態５によるプラズマ発生用電源装置を示す回路図である。
【図７】  この発明の実施の形態６によるプラズマ発生用電源装置を示す回路図である。
【図８】  この発明の実施の形態７によるプラズマ発生用電源装置を示す回路図である。
【図９】  この発明の実施の形態８によるプラズマ発生用電源装置を示す回路図である。
【図１０】  この発明の実施の形態９によるプラズマ発生用電源装置を示す回路図である。
【図１１】  この発明の実施の形態１０によるプラズマ発生用電源装置を示す回路図である。
【図１２】  この発明の実施の形態１１によるプラズマ発生用電源装置を示す電源回路図である。
【図１３】  この発明の実施の形態１２によるプラズマ発生用電源装置を示す回路図である。
【図１４】  この発明の実施の形態１３によるプラズマ発生用電源装置を示す回路図である。
【図１５】  図１４の過飽和インダクタの磁束の非飽和、飽和状態を示す説明図である。
【図１６】  従来のプラズマ発生用電源装置を示す回路図である。
【図１７】  従来の別のプラズマ発生用電源装置を示す回路図である。
【図１８】  放電負荷の等価回路を示す図である。
【符号の説明】
４  トランス、５  放電負荷、６，６１  並列インダクタ、７，７１，７３  直列インダクタ、８  スイッチング素子（スイッチング手段）、７４  過飽和インダクタ（過飽和リアクトル）、９１  電圧検出素子（電圧検出手段）、９２  電流検出素子（電流検出手段）、９３  光検出素子（光検出手段）。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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