(57)【要約】【課題】配線を流れる信号を高速化することが可能な多層基板と多層基板の製造方法とを提供すること。【解決手段】それぞれにビアホール２０ｖ、３３ｖが形成され、かつ互いに積層された熱硬化性樹脂の複数の絶縁層２０、３３と、それぞれの絶縁層２０、３３の間に形成され、かつ傾斜した側面２３ｓ、２９ｓを備えた複数の配線２３ａ、２９ａと、ビアホール２０ｖ、３３ｖに充填された導電性ペーストの硬化物から形成され、上下に隣接する配線２３ａ、２９ａを接続する導体ビア２７、３７とを有し、側面２３ｓ、２９ｓの向きが配線２３ａ、２９ａごとに交互に変わる多層基板による。【選択図】図１６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
それぞれにビアホールが形成され、かつ互いに積層された熱硬化性樹脂の複数の絶縁層と、
それぞれの前記絶縁層の間に形成され、かつ傾斜した側面を備えた複数の配線と、
前記ビアホールに充填された導電性ペーストの硬化物から形成され、上下に隣接する前記配線を接続する導体ビアとを有し、
前記側面の向きが前記配線ごとに交互に変わることを特徴とする多層基板。
【請求項２】
前記硬化物は、前記絶縁層の前記熱硬化性樹脂と同じ熱硬化性樹脂を含むことを特徴とする請求項１に記載の多層基板。
【請求項３】
前記熱硬化性樹脂は、テフロン（登録商標）を含有したエポキシ樹脂であることを特徴とする請求項２に記載の多層基板。
【請求項４】
上下に隣接する前記配線のうち、下側の配線が前記導体ビアの下面の全面に接し、上側の配線が前記導体ビアの上面の全面に接することを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の多層基板。
【請求項５】
未硬化の熱硬化性樹脂を材料とする第１の絶縁層の一方の主面に第１の金属箔を圧着する工程と、
前記第１の絶縁層に、一方の開口端が前記第１の金属箔で塞がれたビアホールを形成する工程と、
前記ビアホールに導電性ペーストを充填することにより導体ビアを形成する工程と、
前記導体ビアを形成した後、前記第１の絶縁層の他方の主面に第２の金属箔を圧着する工程と、
前記第２の金属箔を圧着した後、前記第１の絶縁層を加熱して熱硬化させる工程と、
前記第１の金属箔と前記第２の金属箔とをパターニングすることにより配線を形成する工程と、
前記配線を形成した後、未硬化の熱硬化性樹脂を材料とする第２の絶縁層と前記第１の絶縁層とを交互に複数積層する工程と、
前記第２の絶縁層を加熱して熱硬化させる工程と、
を有することを特徴とする多層基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、多層基板及び多層基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
情報処理技術の進歩に伴い、サーバ等の電子機器に使用される多層基板の小型化と高性能化が進みつつある。多層基板は、絶縁層と配線とを交互に積層して形成され、上下に隣接する配線は導体ビアにより接続される。
【０００３】
多層基板の製造方法には貼り合わせ工法やビルドアップ工法があるが、いずれもめっき法により配線や導体ビアを形成している。めっき法は技術的に十分に確立しているものの、一層の配線を形成するのに数時間程度の長時間を要するため、多層基板の製造時間が長くなってしまう。しかも、めっき液を廃液するときに環境が汚染されるという問題がめっき法にはある。
【０００４】
これらの問題を回避するために、めっき法を使用せずに配線や導体ビアを形成する方法が提案されている。
【０００５】
その方法の一つに、導電性ペーストで導体ビアを形成する方法がある。この方法では、絶縁層のビアホールに導電性ペーストを充填することで導体ビアを形成するため、導体ビアを形成するためにめっき法を用いないで済む。
【０００６】
また、その導体ビアの上に配線を形成するには絶縁層上の銅箔をパターニングすればよく、配線を形成するためのめっき法も不要である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開平１１−２０４９４２公報
【特許文献２】特開２００９−１５２４９６公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、絶縁層の種類によっては配線を流れる信号の高速化が妨げられてしまい、電子機器の高性能化を実現できなくなるおそれがある。
【０００９】
開示の技術は、上記に鑑みてなされたものであって、配線を流れる信号を高速化することが可能な多層基板と多層基板の製造方法とを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
以下の開示の一観点によれば、それぞれにビアホールが形成され、かつ互いに積層された熱硬化性樹脂の複数の絶縁層と、それぞれの前記絶縁層の間に形成され、かつ傾斜した側面を備えた複数の配線と、前記ビアホールに充填された導電性ペーストの硬化物から形成され、上下に隣接する前記配線を接続する導体ビアとを有し、前記側面の向きが前記配線ごとに交互に変わる多層基板が提供される。
【発明の効果】
【００１１】
以下の開示によれば、配線を流れる信号を高速化することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】図１（ａ）、（ｂ）は、めっき法を用いない多層基板の製造途中の断面図（その１）である。
【図２】図２（ａ）、（ｂ）は、めっき法を用いない多層基板の製造途中の断面図（その２）である。
【図３】図３は、めっき法を用いない多層基板の製造途中の断面図（その３）である。
【図４】図４は、めっき法を用いない多層基板の製造途中の断面図（その４）である。
【図５】図５（ａ）、（ｂ）は、本実施形態に係る多層基板の製造途中の断面図（その１）である。
【図６】図６（ａ）、（ｂ）は、本実施形態に係る多層基板の製造途中の断面図（その２）である。
【図７】図７（ａ）、（ｂ）は、本実施形態に係る多層基板の製造途中の断面図（その３）である。
【図８】図８（ａ）、（ｂ）は、本実施形態に係る多層基板の製造途中の断面図（その４）である。
【図９】図９（ａ）、（ｂ）は、本実施形態に係る多層基板の製造途中の断面図（その５）である。
【図１０】図１０（ａ）、（ｂ）は、本実施形態に係る多層基板の製造途中の断面図（その６）である。
【図１１】図１１は、本実施形態に係る多層基板の製造途中の断面図（その７）である。
【図１２】図１２は、本実施形態に係る多層基板の製造途中の断面図（その８）である。
【図１３】図１３は、本実施形態に係る多層基板の製造途中の断面図（その９）である。
【図１４】図１４は、本実施形態に係る多層基板の製造途中の断面図（その１０）である。
【図１５】図１５は、本実施形態に係る多層基板の製造途中の断面図（その１１）である。
【図１６】図１６は、本実施形態に係る多層基板の製造途中の断面図（その１２）である。
【図１７】図１７は、その他実施形態に係る多層基板の製造途中の断面図（その１）である。
【図１８】図１８は、その他実施形態に係る多層基板の製造途中の断面図（その２）である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
本実施形態の説明に先立ち、本願発明者が検討した事項について説明する。
【００１４】
前述のように、多層基板の製造時間を短縮したり環境汚染を防止したりするには、めっき法を用いずに配線や導体ビアを製造するのが好ましい。
【００１５】
図１〜図４は、めっき法を用いない多層基板の製造途中の断面図である。
【００１６】
この多層基板を製造するには、まず、図１（ａ）に示すように、絶縁層１の一方の主面に銅箔２を貼付してなる片面銅張基材３を用意する。絶縁層１は熱可塑性樹脂で形成されており、この例では液晶ポリマをその熱可塑性樹脂として使用する。
【００１７】
そして、銅箔２の上に配線形状のドライフィルムレジスト４を貼付する。
【００１８】
次に、図１（ｂ）に示すように、ドライフィルムレジスト４をマスクにしながら銅箔２をウエットエッチングすることにより配線２ａを形成する。
【００１９】
そのウエットエッチングは等方的に進行するため、点線円内に示すように配線２ａの側面２ｓは傾斜する。特に、エッチング液に曝されている時間が長い配線２ａの表面２ｂ付近ではエッチングが横方向に進行するため、側面２ｓの法線方向nは斜め下を向くことになる。
【００２０】
このウエットエッチングの終了後、ドライフィルムレジスト４を剥離する。
【００２１】
続いて、図２（ａ）に示すように、レーザ光の照射により絶縁層１を蒸発させて、配線２ａの上の絶縁層１にビアホール１ａを形成する。この例ではビアホール１ａの下側の開口端が配線２ａで塞がれているため、ビアホール１ａは有底となる。
【００２２】
次に、図２（ｂ）に示す工程について説明する。
【００２３】
まず、ビアホール１ａ内に、銅粉、錫粉、及びビスマス粉を混合した金属粉を充填する。なお、その金属粉には樹脂等のバインダは含まれておらず、金属粉は粘性のない粉状である。
【００２４】
また、本例では前述のようにビアホール１ａが有底であるため、ビアホール１ａを下から塞ぐための特別の治具を用意しなくても、金属粉がビアホール１ａからこぼれ落ちるのを防止できる。
【００２５】
その後に、その金属粉を加熱して合金化することにより導体ビア６を形成する。
【００２６】
続いて、図３に示すように、絶縁層１と配線２ａとが交互に位置するように、絶縁層１を複数枚重ねる。
【００２７】
なお、最下層の絶縁層１については、図１（ｂ）の工程を省くことにより全面に銅箔２が形成された状態とする。また、最上層の絶縁層１の上には銅箔７を重ねる。
【００２８】
そして、図４に示すように、熱可塑性樹脂を材料とする各絶縁層１をその軟化温度以上の温度に加熱して軟化させる。そして、この状態で各絶縁層１を互いに押圧することにより、各絶縁層１同士を圧着して一体化する。
【００２９】
その後に、ウエットエッチングにより銅箔２、７をパターニングして配線２ａ、７ａを形成する。
【００３０】
以上により、この例に係る多層基板９の基本構造が得られる。
【００３１】
この例においては、各絶縁層１の間の配線２ａの側面２ｓが図１（ｂ）の工程で傾斜しているため、側面２ｓの法線方向nは層によらずに全て同じ方向を向くことになる。
【００３２】
また、上記した多層基板９の製造方法によれば、配線２ａや導体ビア６を形成するためにめっき法を形成していない。そのため、めっき法を用いる場合と比較して配線２ａや導体ビア６を形成するのに要する時間を短縮できると共に、めっき液の廃液に伴う環境汚染を防止できる。
【００３３】
更に、図２（ｂ）の工程では、ビアホール１ａを有底としたことにより、ビアホール１ａを下から塞ぐための特別の治具を用いなくても導体ビア６用の金属粉がビアホール１ａからこぼれ落ちるのを防止でき、その治具の分だけ製造コストを削減できる。
【００３４】
しかも、絶縁層１の材料として熱可塑性樹脂を採用しているため、図４のように加熱により各絶縁層１を軟化させて同時に一体化できる。
【００３５】
しかしながら、熱可塑性樹脂は誘電率が高いものが多いため、配線２ａを流れる信号の高速化には不利である。例えば、この例で絶縁性樹脂１の材料として使用した液晶ポリマの誘電正接は０．００３程度と高く、これでは信号の高速化は難しい。
【００３６】
更に、この方法では図１（ａ）の工程で絶縁層１の一方の主面のみにしか配線２ａが形成されない。製造工程の短縮には絶縁層１の両面に同時に配線２ａを形成すればよいが、これでは図２（ａ）の工程で上側から照射されるレーザ光が配線２ａで遮られてしまうため、ビアホール１ａを形成することができなくなってしまう。
【００３７】
以下、本実施形態について説明する。
【００３８】
（本実施形態）
本実施形態では、以下のようにして多層基板の配線を流れる信号を高速化する。
【００３９】
図５〜図１６は、本実施形態に係る多層基板の製造途中の断面図である。
【００４０】
まず、図５（ａ）に示すように、第１の絶縁層２０として未硬化の熱硬化性樹脂シートを用意する。このような未硬化の樹脂シートはプリプレグとも呼ばれる。
【００４１】
熱硬化性樹脂は、熱可塑性樹脂と比較して誘電正接が低いものを入手することが可能であり、配線を流れる信号の高速化に有利である。本実施形態では、その熱硬化性樹脂として誘電正接が０．００２程度のエポキシ樹脂を使用する。
【００４２】
そのエポキシ樹脂には、第１の絶縁層２０に求められる誘電率等の電気的特性に応じて様々な添加物を添加し得る。例えば、エポキシ樹脂にテフロン（登録商標）を添加することで第１の絶縁層２０の誘電率が更に低くなり、信号の更なる高速化を実現することができる。
【００４３】
また、そのエポキシ樹脂にポリフェニリンオキサイド（PPO）等を添加してもよい。
【００４４】
その第１の絶縁層２０の厚さは特に限定されないが、この例ではその厚さを例えば３０μm〜１００μm程度とする。
【００４５】
そして、その第１の絶縁層２０の一方の主面２０ａ側に、保護フィルム２２付きの第１の金属箔２３を配する。第１の金属箔２３は、例えば銅箔であって、その厚さは１２μm〜３５μm程度である。
【００４６】
保護フィルム２２は、未硬化の第１の絶縁層２０から粉末状のエポキシ樹脂が飛散するのを防止する役割を担うと共に、後工程で導電性ペーストを充填する際の印刷版の代用となるものであり、第１の絶縁層２０の他方の主面２０ｂ側にも配される。この例では保護フィルム２２として厚さが１２μm〜５０μm程度のPET(Polyethylene Terephthalate)フィルムを用いる。
【００４７】
次に、図５（ｂ）に示すように、第１の絶縁層２０、保護フィルム２２、及び第１の金属箔２３を重ね合わせた後、真空中においてこれらを治具２６で挟む。
【００４８】
そして、治具２６により第１の絶縁層２０に対して５kg/cm2程度の圧力を加えながら、治具２６が内蔵する不図示のヒータにより第１の絶縁層２０を加熱する。
【００４９】
その加熱温度は、第１の絶縁層２０が完全に架橋する温度よりも低い１３０℃程度の温度に設定される。
【００５０】
このような温度を採用することで、第１の絶縁層２０の大部分を未硬化にしながら各主面２０ａ、２０ｂのみを僅かに硬化させ、これらの主面２０ａ、２０ｂに第１の金属箔２３と保護フィルム２２とを圧着することができる。なお、このように主面２０ａ、２０ｂのみが僅かに硬化してそれ以外の部分が未硬化の第１の絶縁層２０の状態を以下では半硬化状態とも呼ぶ。
【００５１】
次に、図６（ａ）に示すように、保護フィルム２２と第１の絶縁層２０のそれぞれにレーザ光Lを照射することにより、保護フィルム２２と第１の絶縁層２０の各々を蒸発させて直径が１５０μm程度の複数のビアホール２０ｖを形成する。
【００５２】
そのレーザ光Lの発振器としては、例えばYAGレーザやCO2レーザの発振器がある。また、レーザ光Lの出力は第１の金属箔２３が開口しない大きさに設定されており、これにより各ビアホール２０ｖの一方の開口端２０ｘは第１の金属箔２３で塞がれた状態となる。
【００５３】
続いて、図６（ｂ）に示すように、CF4ガスとO2ガスとの混合ガスのプラズマ雰囲気にビアホール２０ｖの内面を曝すことにより、ビアホール２０ｖの形成時にその内面に付着した第１の絶縁層２０の残渣を除去する。
【００５４】
このように残渣を除去するためのプロセスはデスミアと呼ばれる。
【００５５】
本実施形態では前述のように第１の絶縁層２０が半硬化の状態となっているため、残渣も除去が容易な未硬化の状態である。そのため、完全に熱硬化した硬い残渣を除去するためのアルカリ溶液を用いることなく、このようにドライプロセスのみで残渣を除去することができ、アルカリ溶液で環境が汚染されるのを防止できる。
【００５６】
次に、図７（ａ）に示すように、印刷法でビアホール２０ｖに導電性ペーストを充填することにより導体ビア２７を形成する。
【００５７】
その導体ビア２７の材料は特に限定されない。本実施形態では、未硬化の熱硬化性樹脂に銅粉、錫粉、及びビスマス粉を混練することにより、導体ビア２７用の導電性ペーストを作製する。
【００５８】
また、導体ビア２７の熱硬化性樹脂も特に限定されないが、本実施形態ではその熱硬化性樹脂として第１の絶縁層２０と同じ熱硬化性のエポキシ樹脂を採用する。これにより、導体ビア２７が第１の絶縁層２０に良く馴染むようになり、導体ビア２７が第１の絶縁層２０から剥離し難くなる。
【００５９】
更に、ビアホール２０ｖは有底であるため、ビアホール２０ｖを下から塞ぐための特別な治具を用いなくても、ビアホール２０ｖからペースト状の導体ビア２７が漏れ落ちるのを防止できる。
【００６０】
その後、図７（ｂ）に示すように、第１の絶縁層２０と第１の金属箔２３のそれぞれの表面から保護フィルム２２を剥離する。
【００６１】
なお、この時点では導体ビア２７中のエポキシ樹脂はまだ熱硬化しておらず、導体ビア２７はペースト状である。
【００６２】
続いて、図８（ａ）に示すように、第１の絶縁層２０の他方の主面２０ｂに第２の金属箔２９として厚さが１２μm〜３５μm程度の銅箔を載せる。
【００６３】
そして、真空中において第１の金属箔２３、第１の絶縁層２０、及び第２の金属箔２９のそれぞれを治具３１で挟むことにより第１の絶縁層２０に対して３０kg/cm2程度の圧力を加えながら、治具３１が内蔵する不図示のヒータで第１の絶縁層２０を加熱する。
【００６４】
その加熱温度は、第１の絶縁層２０が完全に架橋する温度である２００℃に設定されており、これにより第１の絶縁層２０が熱硬化する。
【００６５】
また、本実施形態では前述のように導体ビア２７の材料として熱硬化性樹脂を使用しているため、第１の絶縁層２０の熱硬化と同時に導体ビア２７も熱硬化させることができ、導体ビア２７を熱硬化させるための工程を不要にすることができる。
【００６６】
なお、このように加熱により導体ビア２７が熱硬化する際には、その導体ビア２７に含まれている銅粉、錫粉、及びビスマス粉の各々が合金化するため、これらの合金と熱硬化性樹脂との硬化物で導体ビア２７が形成されることになる。
【００６７】
その後に、図８（ｂ）に示すように、第１の金属箔２３と第２の金属箔２９のそれぞれに配線形状のドライフィルムレジスト３２を貼付する。
【００６８】
そして、図９（ａ）に示すように、ドライフィルムレジスト３２をマスクにしながら第１の金属箔２３と第２の金属箔２９を同時にウエットエッチングすることにより配線２３ａ、２９ａを形成する。
【００６９】
この方法によれば、第１の絶縁層２０の各主面２０ａ、２０ｂに同時に配線２３ａ、２９ａを形成することができため、各配線２３ａ、２９ａを別々に形成する場合と比較して工程数を削減することが可能となる。
【００７０】
なお、工程数の削減が必要ない場合には、第１の金属箔２３と第２の金属箔２９のいずれかの全面にドライフィルムレジスト３２を形成することで、第１の絶縁層２０の主面２０ａ、２０ｂのいずれかの全面にこれらの金属箔を残してもよい。
【００７１】
また、このウエットエッチングは等方的に進行するため、点線円内に示すように配線２３ａ、２９ａのそれぞれの側面２３ｓ、２９ｓは各主面２０ａ、２０ｂから傾斜する。傾斜の方向は配線２３ａ、２９ａで異なっており、例えばエッチング液に下から曝された配線２３ａでは側面２３ｓの法線方向n1が斜め下を向くのに対し、エッチング液に上から曝された配線２９ａでは側面２９ｓの法線方向n2が斜め上を向く。
【００７２】
また、各配線２３ａ、２９ａは導体ビア２７によって接続されるが、上側の配線２９ａが導体ビア２７の上面２７ｘの全面に接しているため、導体ビア２７と配線２９ａとの間の抵抗を低減できる。同様に、下側の配線２３ａが導体ビア２７の下面２７ｙの全面に接していることで、導体ビア２７と配線２３ａとの間の抵抗も低減できる。
【００７３】
このウエットエッチングの終了後に、ドライフィルムレジスト３２を剥離する。
【００７４】
次に、図９（ｂ）に示す工程について説明する。
【００７５】
まず、第１の絶縁層２０の他方の主面２０ｂの上に、第２の絶縁層３３と保護フィルム３４とをこの順に重ねる。
【００７６】
第２の絶縁層３３は、厚さが３０μm〜１００μm程度の未硬化の熱硬化性樹脂の樹脂シートであって、この例では第１の絶縁層２０と同じ熱硬化性のエポキシ樹脂を第２の絶縁層３３の材料として用いる。
【００７７】
また、保護フィルム３４は、未硬化の第２の絶縁層３３から粉末状のエポキシ樹脂が飛散するのを防止すると共に、後工程で導電性ペースト充填する際の印刷版の代用となるものであり、例えば厚さが１２μm〜５０μm程度のPETフィルムである。
【００７８】
そして、治具３６により第２の絶縁層３３に５kg/cm2程度の圧力を加えながら、治具３６が内蔵する不図示のヒータで第２の絶縁層３３を１３０℃程度の温度に加熱する。これにより、第２の絶縁層３３が半硬化状態になると共に、第２の絶縁層３３の両面に第１の絶縁層２０と保護フィルム３４の各々が圧着される。
【００７９】
次に、図１０（ａ）に示すように、第２の絶縁層３３と保護フィルム３４のそれぞれにレーザ光Lを照射する。これにより、保護フィルム３４と第２の絶縁層３３の各々が蒸発して直径が１５０μm程度の複数のビアホール３３ｖが形成され、そのビアホール３３ｖから配線２９ａが露出する。
【００８０】
図６（ａ）の工程と同様に、レーザ光Lの発振器としては、例えばYAGレーザやCO2レーザの発振器がある。そして、レーザ光Lの出力は、配線２９ａが開口しない大きさに設定される。
【００８１】
続いて、図１０（ｂ）に示すように、ビアホール３３ｖに対してデスミアを行うために、CF4ガスとO2ガスとの混合ガスのプラズマ雰囲気にビアホール３３ｖの内面を曝す。これにより、ビアホール３３ｖを形成したときにその内面に付着した第２の絶縁層３３の残渣が除去される。
【００８２】
図６（ｂ）の工程と同様に、半硬化の第２の絶縁層３３に由来する残渣は除去が容易であるため、環境を汚染してしまうアルカリ溶液を用いなくても、このようにドライプロセスのみで残渣を除去することが可能となる。
【００８３】
次いで、図１１に示すように、印刷法でビアホール３３ｖに導電性ペーストを充填することにより導体ビア３７を形成する。その導電ペーストは、導体ビア２７を形成するのに使用したのと同じであり、未硬化の熱硬化性のエポキシ樹脂に銅粉、錫粉、及びビスマス粉を混練することにより作製され得る。
【００８４】
その後に、第２の絶縁層３３から保護フィルム３４を剥離する。
【００８５】
次に、図１２に示すように、ここまでの工程を経た第１の絶縁層２０を複数枚用意し、その第１の絶縁層２０と半硬化状態の第２の絶縁層３３とを交互に積層する。
【００８６】
積層数は特に限定されないが、本実施形態では第１の絶縁層２０と第２の絶縁層３３とを合わせた積層数を１０層〜７０層程度とする。
【００８７】
なお、最下層の第１の絶縁層２０については、図９（ａ）の工程で第１の金属箔２３をエッチングせずに、第１の絶縁層２０の主面２０ａの全面に第１の金属箔２３を残した状態とする。
【００８８】
そして、最上層の第１の絶縁層２０については、図９（ａ）の工程で第２の金属箔２９をエッチングせずに、第１の絶縁層２０の主面２０ｂの全面に第２の金属箔２９を残すと共に、その第２の金属箔２９の上に第２の絶縁層３３を形成しない状態とする。
【００８９】
次に、図１３に示すように、第１の絶縁層２０の各々を位置合わせした後、真空中で各絶縁層２０、３３を治具４０で挟む。第１の絶縁層２０の位置合わせ方法は特に限定されない。位置合わせ方法としては、第１の絶縁層２０の各々に共通の開口を形成してその開口にピンを通すことで位置合わせを行うピンラミや、第１の絶縁層２０の各々の一辺を揃えることで位置合わせを行うマスラミがある。
【００９０】
そして、治具４０により第１の絶縁層２０と第２の絶縁層３３に対して３０kg/cm2程度の圧力を加えながら、治具４０が内蔵する不図示のヒータにより第２の絶縁層３３を２００℃程度の温度に加熱する。
【００９１】
これにより、第２の絶縁層３３の各々が完全に熱硬化すると共に、第２の絶縁層３３と第１の絶縁層２０とが圧着される。更に、各配線２３ａ、２９ａがビア３７によって接続される。
【００９２】
このとき、最下層と最上層の第１の絶縁層２０の各々において第１の金属箔２３と第２の金属箔２９とが全面に形成されているため、これらの金属箔を介して治具４０の押圧力を第１の絶縁層２０の各々に均一に作用させることができる。
【００９３】
次いで、図１４に示すように、最下層の第１の金属箔２３と最上層の第２の金属箔２９のそれぞれの上に配線形状のドライフィルムレジスト４２を貼付する。
【００９４】
そして、図１５に示すように、ドライフィルムレジスト４２をマスクにして第１の金属箔２３と第２の金属箔２９とを同時にウエットエッチングすることにより配線２３ａ、２９ａを形成する。
【００９５】
次に、図１６に示すように、はんだの濡れ性を向上させるために最上層の配線２９ａと最下層の配線２３ａのそれぞれの表面に金めっき層４４を形成する。そして、最上層と最下層の第１の絶縁層２０の表面に印刷法によりソルダレジスト４５を塗布する。
【００９６】
配線２３ａ、２９ａの上のソルダレジスト４５には開口４５ａが形成されており、後工程においてその開口４５ａ内の各配線２３ａ、２９ａにはんだバンプが接合されることになる。
【００９７】
以上により、本実施形態に係る多層基板５０の基本構造が完成する。
【００９８】
その多層基板５０においては、第１の絶縁層２０の両面に同時に配線２３ａ、２９ａを形成したため、各配線の側面２３ｓ、２９ｓの法線方向n1、n2がそれぞれ斜め下と斜め上を向いており、側面２３ｓ、２９ｓの向きが配線２３ａ、２９ａごとに交互に変わる。
【００９９】
また、上記した本実施形態によれば、配線２３ａ、２９ａや導体ビア２７、３７を形成するためにめっき法を使用していないので、めっき法を使用する場合よりも多層基板５０の製造時間を短縮でき、更にめっき液の廃液で環境が汚染されることがない。
【０１００】
更に、多層基板５０の第１の絶縁層２０や第２の絶縁層３３の材料として熱硬化性樹脂を採用する。熱硬化性樹脂は、液晶ポリマ等のような熱可塑性樹脂と比較して誘電正接が低いものを入手可能なため、各配線２３ａ、２９ａを流れる配線の高速化を実現できる。
【０１０１】
しかも、図９（ａ）の工程では第１の絶縁層２０の両主面２０ａ、２０ｂに配線２３ａ、２９ａを同時に形成するため、これらの配線をそれぞれ別工程で形成する場合と比較して工程数を削減することもできる。
【０１０２】
（その他の実施形態）
上記では、図９（ａ）のように二層の配線２３ａ、２９ａを備えた第１の絶縁層２０を積層するため、多層基板５０における配線２３ａ、２９ａの偶数となる。
【０１０３】
これに対し、本実施形態では以下のように配線の層数が奇数の多層基板を製造する。
【０１０４】
図１７〜図１８は、本実施形態に係る多層基板の製造途中の断面図である。
【０１０５】
配線の層数を奇数とするには、まず、第１実施形態に従って図５〜図１２の工程を行うことにより、図１７の断面構造を得る。
【０１０６】
但し、本実施形態では、最上層の第１の絶縁層２０についても配線２９ａと第２の絶縁層３３とを形成すると共に、その第２の絶縁層３３の上方に一枚の第１の金属箔２３を配する。
【０１０７】
この後は、第１実施形態の図１３〜図１６の工程を行うことにより、図１８に示す本実施形態に係る多層基板５１の基本構造を得る。
【０１０８】
図１７のように最上層に一枚の第１の金属箔２３を配することで、配線２３ａ、２９ａの層数が第１実施形態よりも１だけ増えて奇数となる。
【０１０９】
これにより、配線２３ａ、２９ａの層数が偶数の多層基板だけでなく奇数の多層基板を市場に供給することができ、奇数層の配線を求める顧客のニーズに応えることが可能となる。
【０１１０】
以上説明した各実施形態に関し、更に以下の付記を開示する。
【０１１１】
（付記１）  それぞれにビアホールが形成され、かつ互いに積層された熱硬化性樹脂の複数の絶縁層と、
それぞれの前記絶縁層の間に形成され、かつ傾斜した側面を備えた複数の配線と、
前記ビアホールに充填された導電性ペーストの硬化物から形成され、上下に隣接する前記配線を接続する導体ビアとを有し、
前記側面の向きが前記配線ごとに交互に変わることを特徴とする多層基板。
【０１１２】
（付記２）  前記硬化物は、前記絶縁層の前記熱硬化性樹脂と同じ熱硬化性樹脂を含むことを特徴とする付記１に記載の多層基板。
【０１１３】
（付記３）  前記熱硬化性樹脂は、テフロン（登録商標）を含有したエポキシ樹脂であることを特徴とする付記２に記載の多層基板。
【０１１４】
（付記４）  上下に隣接する前記配線のうち、下側の配線が前記導体ビアの下面の全面に接し、上側の配線が前記導体ビアの上面の全面に接することを特徴とする付記１乃至付記３のいずれかに記載の多層基板。
【０１１５】
（付記５）  未硬化の熱硬化性樹脂を材料とする第１の絶縁層の一方の主面に第１の金属箔を圧着する工程と、
前記第１の絶縁層に、一方の開口端が前記第１の金属箔で塞がれたビアホールを形成する工程と、
前記ビアホールに導電性ペーストを充填することにより導体ビアを形成する工程と、
前記導体ビアを形成した後、前記第１の絶縁層の他方の主面に第２の金属箔を圧着する工程と、
前記第２の金属箔を圧着した後、前記第１の絶縁層を加熱して熱硬化させる工程と、
前記第１の金属箔と前記第２の金属箔とをパターニングすることにより配線を形成する工程と、
前記配線を形成した後、未硬化の熱硬化性樹脂を材料とする第２の絶縁層と前記第１の絶縁層とを交互に複数積層する工程と、
前記第２の絶縁層を加熱して熱硬化させる工程と、
を有することを特徴とする多層基板の製造方法。
【０１１６】
（付記６）  前記第１の金属箔を圧着する工程において、前記第１の絶縁層を加熱して半硬化状態にし、
前記ビアホールを形成する工程において、前記第１の絶縁層が半硬化状態にあることを特徴とする付記５に記載の多層基板の製造方法。
【０１１７】
（付記７）  前記ビアホールの内面をプラズマ雰囲気に曝す工程を更に有することを特徴とする付記６に記載の多層基板の製造方法。
【０１１８】
（付記８）  前記導電性ペーストの材料として熱硬化性樹脂を含む材料を用いることにより、前記第１の絶縁層を加熱して熱硬化させる工程において、前記第１の絶縁層の熱硬化と同時に前記導電性ペーストも熱硬化させることを特徴とする付記５乃至付記７のいずれかに記載の多層基板の製造方法。
【０１１９】
（付記９）  前記導電性ペーストの前記熱硬化性樹脂として、前記第１の絶縁層の前記熱硬化性樹脂と同じ材料を使用することを特徴とする付記８に記載の多層基板の製造方法。
【符号の説明】
【０１２０】
１…絶縁層、１ａ…ビアホール、２、７…銅箔、２ａ、７ａ…配線、２ｓ…側面、３…片面銅張基材、４…ドライフィルムレジスト、６…導体ビア、９…多層基板、２０…第１の絶縁層、２０ａ、２０ｂ…主面、２０ｖ、３３ｖ…ビアホール、２０ｘ…開口端、２２…保護フィルム、２３…第１の金属箔、２３ａ…配線、２３ｓ…側面、２６、３１、３６、４０…治具、２７、３７…導体ビア、２９…第２の導体箔、２９ａ…配線、２９ｓ…側面、３２、４２…ドライフィルムレジスト、３３…第２の絶縁層、３４…保護フィルム、４４…金めっき層、４５…ソルダレジスト、４５ａ…開口、５０、５１…多層基板。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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