(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
片面金属箔付きフィルム（Ａ）のフィルム面を、片面もしくは両面に導体回路を有する金属箔付き基材（Ｂ）の金属面に、接着剤を介して２層以上順次積層することにより形成される多層回路基板において、最外部を成す金属箔付きフィルム（Ａ）のフィルム面と、最外部の一つ内側の金属箔付きフィルム層表面の間にのみ、水蒸気遮断層を形成してなることを特徴とする多層回路基板。
【請求項２】
片面金属箔付きフィルム（Ａ）のフィルム面を、片面もしくは両面に導体回路を有する金属箔付き基材（Ｂ）の金属面に、接着剤を介して２層以上順次積層することにより形成される多層回路基板において、最外部を成す金属箔付きフィルム（Ａ）が、最外部を成す金属箔付きフィルム（Ａ）のフィルム面および最外部の一つ内側の金属箔付きフィルム層表面にのみ、水蒸気遮断層を形成した後に、積層されていることを特徴とする多層回路基板。
【請求項３】
前記片面金属箔付きフィルム（Ａ）のフィルム面を、片面もしくは両面に導体回路を有する金属箔付き基材（Ｂ）の金属面に積層したあとに、フィルム（Ａ）の金属面に導体回路が形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の多層回路基板。
【請求項４】
前記水蒸気遮断層が、ＳｉＯｘ、ＡｌＯｘ、ＳｉＮｘ、ＳｉＮｘＯｙ、ＭｇＯｘのいずれか１つまたは複数から形成してなる請求項１〜３のいずれかに記載の多層回路基板。
【請求項５】
前記水蒸気遮断層の厚さが、１０ｎｍ〜２００ｎｍであることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の多層回路基板。
【請求項６】
前記接着剤が、熱硬化性樹脂組成物からなることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の多層回路基板。
【請求項７】
前記金属箔付きフィルムが、金属箔付ポリイミドであることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の多層回路基板。
【請求項８】
前記金属箔付きフィルムの金属箔が、銅であることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の多層回路基板。
【請求項９】
前記基材が、ポリイミドフィルム、液晶ポリマーフィルム、ガラスエポキシ基板、ビスマレイミドトリアジン基板のいずれかを用いたことを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の多層回路基板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、片面に導体回路を有する金属箔付きフィルムを、片面もしくは両面に導体回路を有する基材に対して、前記金属箔付きフィルムのフィルム面側を接触させるように接着剤を介して順次積層して得られる多層回路基板において、フィルム面の接着性、特に高温高湿環境下での良好な接着性を有する多層回路基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ポリイミドフィルムは、その卓越した耐熱性や電気特性・機械的物性・寸法安定性などを有しているために、フレキシブルプリント配線板、ＴＡＢテープ、半導体実装のためのサブストレートをはじめとする各種電子材料や産業機器、航空機などの高性能部品として広範な分野で用いられている。特に、昨今の高密度実装に伴う回路基板や半導体パッケージ用サブストレートにおいては、信号伝送の高速化を図るために誘電率の低い絶縁樹脂を層間絶縁膜と使用することが主流となってきているが、ポリイミドはその代表的な絶縁材料の一つである。
【０００３】
通常、上述したような導体回路基板として用いられる、片面もしくは両面に銅箔を有するポリイミドフィルムは、接着剤を用いて銅箔と貼り合わせたり、蒸着法、めっき法、スパッタ法、又はキャスト法によりフィルム層と銅箔からなる積層板（銅箔付きポリイミドフィルム）に加工されたりして、フレキシブルプリント多層回路基板のベースフィルム（外層材や内層材）として使用される。ところが、従来のポリイミドフィルムは表面の接着性に乏しいことが問題となっており、そのために接着剤を介して外層材を内層材に積層してフレキシブル多層回路基板を製造する場合では、外層材のポリイミド面の接着性が乏しく、そのままでは製品の不良が生じる原因となっていた。このため、ポリイミドフィルム表面の接着性を改善することを目的に、コロナ処理やプラズマ処理を施して使用することが提案されてきた。
【０００４】
しかし、近年では、半導体パッケージ用サブストレート用途への要求特性が高くなっており、従来のリードフレームを用いたＩＣパッケージ同様の信頼性が求められるようになってきている。半導体パッケージの信頼性試験では高温高湿試験や冷熱衝撃試験など過酷な環境下での安定性が要求され、従来のポリイミドフィルムの接着方法ではこれらの要求がクリアできないことが問題になってきている。
【０００５】
これは、ポリイミドのような高温耐性を有する有機性誘電体は外界の湿気から水分を吸収する性質があるために、銅箔付きポリイミドをベースフィルムとして多層回路基板を製造する場合に、ポリイミドによって吸収された水分がポリイミドと接着剤の界面に侵入し、その接着性を劣化させるためである。
【０００６】
また、ポリイミドが水分を吸収することにより、誘電率などの電気的特性や、デバイス全体のスイッチング特性（クロック周波数）にも悪影響を及ぼす。湿気によりマルチチップモジュールの内部に腐食現象を発生するか、これを促進するおそれがある。そして、このような悪影響は、高密度実装化に伴いポリイミドフィルムの薄膜化が進むほど、顕著になってくる傾向がある。
【０００７】
このようなことから、有機性誘電体（３面までの導電路及び１〜２μｍの層厚の誘電体）を有する多層回路基板の場合や、ポリイミドの厚さが一層あたりおよそ５〜２０μｍの層厚の誘電体を有する新規の構想並びに湿気の変動時に生じる誘電率の変化を抑制するために平坦化された誘電体を金属酸化物や金属窒化物から成る湿気遮断の作用をする層で覆うことなどが提案されている。
【０００８】
係る方法により、フィルムの水蒸気遮断性は飛躍的に向上し、従って、高温高湿環境下での接着性の劣化を抑制することが可能となった。しかしながら、多層回路基板の多層化が進むほど、水蒸気遮断層の層数は増加することになり、フレキシブル多層回路基板のフレキシビリティーに影響を与え、曲げや切断といった二次加工を施すことにより遮断層に欠陥が生じやすくなり、その結果として水蒸気遮断性の低下を招きポリイミドの接着性を劣化させやすくなる。また、水蒸気遮断層が増加すると、コストも高くなってしまう。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、上記課題を解決し、ポリイミドフィルムやその他のフィルム等のを用いたフレキシブルな多層回路基板において、高温高湿環境下でのフィルムの接着耐久性の優れた多層回路基板を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
請求項１の発明は、片面金属箔付きフィルム（Ａ）のフィルム面を、片面もしくは両面に導体回路を有する金属箔付き基材（Ｂ）の金属面に、接着剤を介して２層以上順次積層することにより形成される多層回路基板において、最外部を成す金属箔付きフィルム（Ａ）のフィルム面と、最外部の一つ内側の金属箔付きフィルム層表面の間にのみ、水蒸気遮断層を形成してなることを特徴とする多層回路基板である。
【００１１】
請求項２の発明は、片面金属箔付きフィルム（Ａ）のフィルム面を、片面もしくは両面に導体回路を有する金属箔付き基材（Ｂ）の金属面に、接着剤を介して２層以上順次積層することにより形成される多層回路基板において、最外部を成す金属箔付きフィルム（Ａ）が、最外部を成す金属箔付きフィルム（Ａ）のフィルム面および最外部の一つ内側の金属箔付きフィルム層表面にのみ、水蒸気遮断層を形成した後に、積層されていることを特徴とする多層回路基板である。
【００１２】
請求項３の発明は、前記片面金属箔付きフィルム(Ａ)のフィルム面を、片面もしくは両面に導体回路を有する金属箔付き基材(Ｂ)の金属面に積層したあとに、フィルム(Ａ)の金属面に導体回路が形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の多層回路基板である。
【００１３】
請求項４の発明は、前記水蒸気遮断層が、ＳｉＯｘ、ＡｌＯｘ、ＳｉＮｘ、ＳｉＮｘＯｙ、ＭｇＯｘのいずれか１つまたは複数から形成してなる請求項１〜３のいずれかに記載の多層回路基板である。
【００１４】
請求項５の発明は、前記水蒸気遮断層の厚さが、１０ｎｍ〜２００ｎｍであることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の多層回路基板である。
【００１５】
請求項６の発明は、前記接着剤が、熱硬化性樹脂組成物からなることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の多層回路基板である。
【００１６】
請求項７の発明は、前記金属箔付きフィルムが、金属箔付ポリイミドであることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の多層回路基板である。
【００１７】
請求項８の発明は、前記金属箔付きフィルムの金属箔が、銅であることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の多層回路基板である。
【００１８】
請求項９の発明は、前記基材が、ポリイミドフィルム、液晶ポリマーフィルム、ガラスエポキシ基板、ビスマレイミドトリアジン基板のいずれかを用いたことを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の多層回路基板である。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下本発明について記述する。本発明においては、最外部となる金属箔付きフィルムとその一つ内側の金属箔付きフィルム層の間にのみ、水蒸気遮断層を設けることを特徴とする。水蒸気遮断層を各金属箔付きフィルムのフィルム面に積層した場合よりも、多層回路基板のフレキシビリティーを確保することができること、またコストを下げることができることが利点として挙げられる。
【００２０】
また、最外部の金属箔付きフィルムにのみ水蒸気遮断層を形成してから積層するのではなく、最外部およびその一つ内側の金属箔付きフィルムの表面にも水蒸気遮断層を形成してから積層することにより、それぞれ設ける水蒸気遮断層の厚さを薄くしても水蒸気遮断性を確保できることができることから、曲げ加工などにおいて水蒸気遮断層に欠陥が生じにくくなり、さらに高信頼性の多層回路基板となりうるのである。
また、水蒸気遮断層を形成する部分としては、金属箔付きフィルムのフィルムと金属の間も考えられるが、本発明のように、水蒸気遮断層を接着剤、特にゴムなどにより可撓性を有する接着剤と隣接させることにより、水蒸気遮断層へかかる応力を緩和する効果を有する。
【００２１】
本発明の、片面に導体回路を有する金属箔付きフィルム（Ａ）のフィルム面側と、片面もしくは両面に導体回路を有する金属箔付き基材（Ｂ）を、接着剤を介して順次積層して得られる多層回路基板は、この範囲であれば特に層構成などを制限するものではなく、例えば、図１、２に示すような、基材（Ｂ）の片面に金属箔付きフィルム（Ａ）を複数層積層したものや、図３に示すように基材（Ｂ）の両面に金属箔付きフィルム（Ａ）をそれぞれ複数層積層したもの等が挙げられる。ただし、最外部となる金属箔付きフィルムとその一つ内側の金属箔付きフィルム層の間にのみ、水蒸気遮断層を設けることが重要である。
【００２２】
本発明で用いられる金属箔付きフィルム（Ａ）としては、特に制限されるものではなく、片面に導体回路が形成されている金属箔のついているフィルムであればよい。例えば、金属箔付きのポリイミドフィルムや液晶ポリマー、ポリエーテルイミド、ポリスルホン、ポリエーテルエーテルケトンなどが挙げられるが、金属箔付きポリイミドが耐熱性、電気特性、機械的物性、寸法安定性などの面で好ましい。
本発明で用いられる金属箔付きポリイミドフィルム（Ａ）としては、接着剤を用いてポリイミドフィルムと銅箔を貼り合わせたものでも、蒸着法、めっき法、スパッタ法、又はキャスト法によりフィルム層と銅箔からなる積層板に加工されたものでも、もしくは熱可塑性を有するポリイミドを用いてガラス転移点以上の温度で金属箔と熱圧着したものでも、どれでもよい。
【００２３】
本発明で用いられる金属箔付きポリイミドフィルムにおける、ポリイミドフィルムの膜厚は特に限定される条件はないが、通常５μｍ〜１００μｍの膜厚のポリイミドフィルムが用途に応じて適宜選択されて用いられる。ポリイミドフィルムとして具体的な例を示すとすれば、カプトン、ユーピレックス、アピカル等の商品名として、市場で入手できるポリイミドフィルムを有効に用いることができる。さらに、ピロメリット酸無水物、ビフタル酸無水物、ベンゾフェノンテトラカルボン酸無水物、オキシジフタル酸無水物、ハイドロフランジフタル酸無水物等の酸無水物とメトキシジアミノベンゼン、４、４’−オキシジアニリン、３、４’−オキシジアニリン、３、３’オキシジアニリン、ビスジアニリノメタン、３、３’−ジアミノゼンゾフェノン、ｐ、ｐ−アミノフェノキシベンゼン、ｐ、ｍ−アミノフェノキシベンゼン、ｍ、ｐ−アミノフェノキシベンゼン、ｍ、ｍ−アミオフェノキシベンゼン、クロル−ｍ−アミノフェノキシベンゼン、ｐ−ピリジンアミノフェノキシベンゼン、ｍ−ピリジンアミノフェノキシベンゼン、ｐ−アミノフェノキシビフェニル、ｍ−アミノフェノキシビフェニル、ｐ−ビスアミノフェノキシベンジスルホン、ｍ−ビスアミノフェノキシベンジスルフォンｐ−ビスアミノフェノキシベンジルケトン、ｍ−ビスアミノフェノキシベンジルケトン、ｐ−ビスアミノフェノキシベンジルヘキサフルオロプロパン、ｍ−ビスアミノフェノキシベンジルヘキサフルオロプロパン、ｍ−ビスアミノフェノキシベンジルヘキサフルオロプロパン、ｐ−ビスアミノフェノキシベンジルプロパン、ｏ−ビスアミノフェノキシベンジルプロパン、ｍ−ビスアミノフェノキシベンジルプロパン、ｐ−ジアミノフェノキシベンジルチオエーテル、ｍ−ジアミノフェノキシベンジルチオエーテル、インダンジアミン、スピロビジアミン、ジケトンジアミン等のアミンと反応、イミド化して形成されるポリイミドも本発明に効果的に用いることができる。また、たとえばシランなどにより変性されたポリイミドとのコポリマーでもよい。接着層や反り防止層などを含めた複数のポリイミド層を有するポリイミドフィルムでもよい。熱可塑性を有するポリイミドでもよい。
【００２４】
本発明で用いられる金属箔付きフィルム（Ａ）の金属箔としては、銅、ニッケル、金、コバルトなどが望ましい。さらに望ましくは高純度（９９．９９％以上）の銅が挙げられる。また、金属箔の表面は、マット状に処理されていることが望ましい。
【００２５】
本発明における、片面もしくは両面に導体回路を有する金属箔付き基材（Ｂ）としては、ポリエチレンナフタレート、ポリアリレート、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルイミド、ポリスルホン、ポリフェニルサルファイド、ポリフェニレンエーテル、ポリイミド、ポリアミド、ポリアミドエポキシ、アラミド、ガラスエポキシ樹脂、フッ素樹脂、ポリカーボネート、液晶ポリマー、ビスマレイミドトリアジン樹脂などが挙げられる。なかでも望ましくは、ポリイミドフィルム、液晶ポリマーフィルム、ガラスエポキシ基板、ビスマレイミドトリアジン基板などが挙げられる。
【００２６】
本発明における接着剤としては、エポキシ系接着剤や、ポリイミド系接着剤、マレイミド系接着剤、フェノキシ系接着剤、ポリアミド系接着剤、アクリル系接着剤などが挙げられる。これらの接着剤は、可撓性などを付与するためにシランなどで変性されたものでもよいし、フィラー入りでもよい。特に、ゴムにより変性された低Ｔｇの接着剤を用いると、水蒸気遮断層へ応力が加わるのを緩和する効果もあることから、さらに望ましい。また、樹脂と硬化剤や硬化促進剤などが混入していてもよい。光硬化性であっても、熱硬化性であってもよいが、望ましくは熱硬化性のものがよい。また、シランカップリング剤などが付与されていてもよい。また、接着剤は液状タイプのものでも、フィルム状タイプのものでもどちらでもよい。液状タイプのものを用いる場合には、基材（Ｂ）へ接着剤をコーティングしたのちにプリキュアを行うことにより接着層を基材（Ｂ）へ設ければよい。フィルム状タイプのものを用いる場合には、プレスラミネートかもしくはロールラミネートにより基材（Ｂ）に接着剤を設ければよい。このときのラミネートについては、真空下でも大気圧下でもどちらでもよい。
【００２７】
本発明における、水蒸気遮断層としては、たとえば金属酸化物などがあり、望ましくはＳｉＯｘ（酸化珪素）、ＡｌＯｘ（酸化アルミニウム）、ＳｉＮｘ（窒化珪素）、ＳｉＮｘＯｙ（酸窒化珪素）、ＭｇＯｘ（酸化マグネシウム）のいずれか１つまたは複数である。その厚さは、水蒸気遮断性を保ちながら密着性を保てばよく、５ｎｍ〜３００ｎｍが望ましく、さらに望ましくは１０〜２００ｎｍである。膜厚が薄すぎると水蒸気遮断性が十分でなく、厚すぎるとポリイミドフィルムの密着性が低下したり、クラックなどを生ずるおそれがある。
【００２８】
水蒸気遮断層は以下のような方法で積層することができる。物理気相蒸着法ならびに化学気相蒸着等がある。物理気相蒸着法として具体的な例を示すとすれば、真空蒸着法ならびにスパッタ法がある。たとえば、ＳｉＯｘの作成方法としては、真空蒸着法では、酸化珪素（一酸化珪素、三酸化二珪素もしくは二酸化珪素）を原料として真空中で蒸発させ基板上に酸化珪素被膜を形成する。蒸発時に酸素等の適当なガスを導入すること、もしくは、導入したガスを放電させることも可能である。スパッタ法では、酸化珪素もしくは珪素をターゲットとして、アルゴンを放電ガスとして用いて酸化珪素被膜を形成する。被膜の酸化度を制御する目的で、珪素をターゲットとする時には酸素をアルゴンに混合させる方がよい。
【００２９】
化学気相蒸着法（ＣＶＤ）法では、熱ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法等がある。原料としてはシラン、ジシラン、テトラエチルオルソシラン、テトラメチルジシロキサン、ヘキサメチルジシロキサン等の珪素化合物と酸素を用いることが好ましい。有機珪素化合物であれば必ずしも上記のものに限定されるものではなく、各種シラノール、各種シラザン等も使用し得る。基板が高分子である場合には、とりわけ、プラズマＣＶＤ法が好ましく、より好ましくは、テトラメチルジシロキサンと酸素を用いたプラズマＣＶＤ法である。
【００３０】
金属箔付きフィルム上へ水蒸気遮断層を形成する前処理としては、フィルム表面にコロナ処理やプラズマ処理やアルカリ処理などを行うことが望ましい。また、内装材表面へ水蒸気遮断層を形成する場合には、前処理してもよいが、しなくてもよい。
【００３１】
本発明における、基板の積層方法としては、例えば、導体回路を有する金属箔付き基材の上に、接着剤により片面金属箔付きフィルムを積層し、その後金属箔付き基材と金属箔付きフィルムの導通をとることにより行われる。導体回路を有する金属箔付き基材と片面金属箔付きフィルムの導通をとる方法としては、公知のドライエッチング法でビアを形成したのち、めっきで穴埋めすればよい。ただし、水蒸気遮断層を構造化する場合には、フッ素系ガスを用いる必要がある。その後、さらに金属箔付きフィルムを積層し、同様の方法で導通をとる。これを必要なだけ順次繰り返すことで多層回路基板を作成するわけだが、最外部の金属箔付きフィルムを積層する前にあらかじめ金属箔付きフィルムのフィルム面と、最外部の一つ内側の層表面に、水蒸気遮断層を形成しておく。また、片面金属箔付きフィルムの金属面は、導体回路を有する金属箔付きフィルムへ積層する前に、導体回路を有していてもよい。また、積層したあとに形成される方法であれば、平坦面同士でラミネートできるため、ラミネート適性が良いため好ましい。
【００３２】
このようにして作成した多層回路基板におけるフィルム面の接着性は、最外部と成る金属箔付きフィルムのフィルム面およびその金属箔付きフィルムと貼り合わされる最外部の一つ内側の層表面に水蒸気遮断層を形成したことにより、高温高湿環境下においてもポリイミド表面の接着性が飛躍的に向上するのである。従って、本発明に係る方法により積層した多層回路基板は、高温高湿環境下においても高信頼接着性を有するのである。
【００３３】
【実施例】
以下、本発明を実施例により説明するが、本発明は、これら実施例により限定されるものではない。
【００３４】
なお、実施例、比較例で得られた積層フィルムについて、剥離強度測定、表面自由エネルギー測定の試験は、次の方法に従って行った。
【００３５】
＜試験方法＞
（１）剥離強度測定
作成した積層フィルムにおける剥離強度を、次の条件で測定した。
・試験片幅：１０ｍｍ
・剥離方法：Ｔ型剥離
・剥離速度：５０ｍｍ／分
【００３６】
＜実施例１＞
片面銅箔付きポリイミドフィルムとして、膜厚が３４μｍ（ポリイミドは２５μｍ）のユピセルＮ（宇部興産社製）を用いた。銅面にポジ型レジストを使用してレジストパターンを形成し、次いでウェットエッチング法により導体回路を形成したのち、ポリイミド面にプラズマ表面処理装置を用いてプラズマ処理を施した。処理条件は、出力２０（Ｗ／ｃｍ）、１００％酸素雰囲気下、チャンバー内圧力１．５（ａｔｍ）、酸素流量５０（ｓｃｃｍ）とした。
【００３７】
プラズマ処理を施したポリイミド面上に、ヘリウムをキャリヤーガスとして用いたテトラメチルジシロキサン（以下ＴＭＤＳＯと略記する）と酸素とを、平行平板型のプラズマＣＶＤ装置の内に導入し、１３．５６ＭＨｚの高周波で放電させ、酸化珪素の層を２０ｎｍ厚に形成した。処理条件は、ＴＭＤＳＯ温度が３０℃、ヘリウム圧力は１．２（ａｔｍ）、ヘリウム流量１０（ｓｃｃｍ）、酸素流量１０（ｓｃｃｍ）、成膜温度５０℃、及び投入電力密度０．６（Ｗ／ｃｍ2）である。
【００３８】
次に、両面銅箔付きポリイミドフィルムとしてユピセルＮ（宇部興産社製）（構成および膜厚はＣｕ／ＰＩ／Ｃｕ＝９／２５／９）を用いて、片方の銅面にポジ型レジストを使用してレジストパターンを形成し、次いでウェットエッチング法により導体回路を形成した。
【００３９】
さらに導体回路を形成した銅面上に、ヘリウムをキャリヤーガスとして用いたテトラメチルジシロキサン（以下ＴＭＤＳＯと略記する）と酸素とを、平行平板型のプラズマＣＶＤ装置の内に導入し、１３．５６ＭＨｚの高周波で放電させ、酸化珪素の層を２０ｎｍ厚に形成した。処理条件は、ＴＭＤＳＯ温度が３０（℃）、ヘリウム圧力は１．２（ａｔｍ）、ヘリウム流量１０（ｓｃｃｍ）、酸素流量１０（ｓｃｃｍ）、成膜温度５０（℃）、及び投入電力密度０．６（Ｗ／ｃｍ2）である。
【００４０】
市販されている液状熱硬化性接着剤（宇部興産製  ユピタイト８５１７Ｃ）を、両面銅箔付きポリイミドフィルムに形成した酸化珪素の層の上にバーコーターにより塗布した。オーブンにて９０℃５０分間乾燥することで、接着剤の溶媒を蒸発させ、およそ３５μｍ厚の半硬化状態の接着層を作成した。
【００４１】
ロールラミネート装置を用いて、片面銅箔付きポリイミドフィルムに形成した酸化珪素層と、両面銅箔付きポリイミドフィルムに形成した接着剤層を貼り合わせた。ロール速度０．７５ｍ／ｍｉｎ、ロール温度１８０℃、ロール圧力３．６ｋｇ／ｃｍの条件下にて行った。
【００４２】
貼り合わせ後の積層体をオーブンにて熱処理し、半硬化状態の熱硬化性接着剤をフルキュアさせた。処理条件は、１００℃１時間＋１２０℃１時間＋１８０℃８時間とした。
【００４３】
接着剤フルキュア後の積層体を１０ｍｍ幅の短冊状に切り分けたものを、剥離試験用試料とし、初期強度の測定を行った。
【００４４】
また、１２５℃１００％２ａｔｍにて１００時間高温高湿試験を行った後の剥離強度を測定した。高温高湿試験に投入したサンプルは、積層体を１０ｍｍ幅に切り分けたものを用いた。その結果、初期強度は１．４ｋｇ／ｃｍであり、高温高湿試験後の接着強度は、１．３ｋｇ／ｃｍであった。
【００４５】
＜実施例２＞
実施例１において、プラズマＣＶＤでＴＭＤＳＯを用いる変わりに、テトラエチルオルソシランを用いたこと以外は、実施例１と同様にして積層体を作製した。その結果、初期強度は１．０ｋｇ／ｃｍであり、高温高湿試験後の接着強度は０．８ｋｇ／ｃｍであった。
【００４６】
＜実施例３＞
実施例１において、片面銅箔付きポリイミドフィルムとしてユピセルＮを用いた変わりに、マイクロラックスを用いたこと以外は、実施例１と同様にして積層体を作製した。その結果、初期強度１．２ｋｇ／ｃｍであり、高温高湿試験後の接着強度は１．１ｋｇ／ｃｍであった。
【００４７】
＜比較例１＞
実施例１において、最外部を成す外層材のポリイミドフィルム面およびその一つ内側の層表面に水蒸気遮断層を形成しないこと以外は実施例１と同様にして積層体を作成した。初期強度、１．０ｋｇ／ｃｍであり、高温高湿試験後の接着強度は０．３ｋｇ／ｃｍであった。
【００４８】
実施例１の回路基板は比較例１の回路基板と比較して、最外部を成す外層材を積層する前に、その外層材のポリイミドフィルム面およびその外層材と貼り合わされる内層材表面にあらかじめ水蒸気遮断層を設けたことにより、ポリイミドフィルム面の接着性、特に高温高湿環境下での接着性において著しく優位性を示していることがわかる。
【００４９】
実施例１の積層体と同様に、実施例２の積層体についても比較例１の積層体と比較した場合、全く同様な理由により、ポリイミドフィルム面の接着性、特に高温高湿環境下での接着性において著しく優位性を示していることがわかる。
【００５０】
実施例３の積層体についても、比較例１の積層体と比較すると、全く同様な理由により、ポリイミドフィルム面の接着性、特に高温高湿環境下での接着性において著しく優位性を示していることがわかる。
【００５１】
【発明の効果】
本発明に係る多層回路基板におけるフィルムの接着性の改善方法は、最外部を成す金属箔付フィルムを積層する前に、その金属箔付フィルムのフィルム面および／又はその一つ内側の金属箔付きフィルム層表面にあらかじめ水蒸気遮断層を設けておくことを特徴としている。そして、多層回路基板におけるフィルム面の高温高湿環境下における接着耐久性を有する多層回路基板とすることができる。
【００５２】
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の多層回路基板の層構成の一例を示す層構成図である。
【図２】本発明の多層回路基板の層構成の一例を示す層構成図である。
【図３】本発明の多層回路基板の層構成の一例を示す層構成図である。
【符号の説明】
１      基材
２      水蒸気遮断層
３      フィルム
４      金属箔
【図１】
0003951696.tif 000002
【図２】
0003951696.tif 000003
【図３】
0003951696.tif 000004