(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基板上に露光光に対しての位相及び透過率を制御した単層若しくは多層の半透明性膜領域を設けたハーフトーン型位相シフトマスクに於いて、該半透明膜層の少なくとも一層以上が主要構成金属元素としてアルミニウム及びシリコンからなり、さらに酸素が含まれ、その元素組成比がアルミニウムが２４（ａｔｏｍ％）以上、若しくは酸素が６３（ａｔｏｍ％）以上であることを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスク。
【請求項２】
前記半透明膜層の少なくとも一層以上に含まれるアルミニウム、シリコン及び酸素が、窒素，ハロゲン元素の群から選択された元素との間で化合物を形成していることを特徴とする請求項１に記載のハーフトーン型位相シフトマスク。
【請求項３】
透明基板上に露光光に対しての位相及び透過率を制御した単層若しくは多層の半透明性膜領域を設けたハーフトーン型位相シフトマスクに於いて、該半透明膜層の少なくとも一層以上が、主要構成金属元素としてアルミニウム及びシリコンからなり、さらに酸素が含まれ、アルミニウム（Ａｌ）に対する酸素（Ｏ）の原子比率（Ｏ／Ａｌ）が２．１３以上であることを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスク。
【請求項４】
前記半透明膜層の少なくとも一層以上に含まれるアルミニウム、シリコン及び酸素が、窒素，ハロゲン元素の群から選択された元素との間で化合物を形成していることを特徴とする請求項３に記載のハーフトーン型位相シフトマスク。
【請求項５】
透明基板上に露光光に対しての位相及び透過率を制御した単層若しくは多層の半透明性膜領域を設けたハーフトーン型位相シフトマスクに於いて、該半透明膜層の少なくとも一層以上が、主要構成金属元素としてアルミニウム及びシリコンからなり、さらに酸素が含まれ、シリコン（Ｓｉ）に対する酸素（Ｏ）の原子比率（Ｏ／Ｓｉ）が２．３８以上であることを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスク。
【請求項６】
前記半透明膜層の少なくとも一層以上に含まれるアルミニウム、シリコン及び酸素が、窒素，ハロゲン元素の群から選択された元素との間で化合物を形成していることを特徴とする請求項５に記載のハーフトーン型位相シフトマスク。
【請求項７】
請求項１〜請求項６いずれか１項記載のハーフトーン型位相シフトマスクの製造に係るハーフトーン型位相シフトマスク用ブランク。
【請求項８】
透明基板上に露光光に対しての位相及び透過率を制御した単層若しくは多層の半透明性膜領域を設けるハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法に於いて、該半透明膜層の少なくとも一層以上が主要構成金属元素としてアルミニウム及びシリコンからなり、さらに酸素が含まれ、その元素組成比がアルミニウムが２４（ａｔｏｍ％）以上、若しくは酸素が６３（ａｔｏｍ％）以上であることを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法。
【請求項９】
透明基板上に露光光に対しての位相及び透過率を制御した単層若しくは多層の半透明性膜を設けるハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクの製造方法に於いて、該半透明膜層の少なくとも一層以上が主要構成金属元素としてアルミニウム及びシリコンからなり、さらに酸素が含まれ、その元素組成比がアルミニウムが２４（ａｔｏｍ％）以上、若しくは酸素が６３（ａｔｏｍ％）以上であることを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体製造プロセス中のフォトリソグラフィ工程で使用される露光転写用のフォトマスク及びこれを製造するためのフォトマスクブランク並びにそれらの製造方法に係るものであり、特にハーフトーン型位相シフトマスク（以下ハーフトーンマスクとの記述もある）またはハーフトーン型位相シフトマスクブランク（以下ハーフトーンマスクブランクまたはマスクブランクとの記述もある）に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
位相シフト法はＳｉウエハ上にパターンを転写する際の解像度向上技術の１つであり、開発が盛んに行われている。原理的にはマスク上の隣接する領域に互いの透過光が１８０度となるように位相シフト部を設けることにより、透過光が回折し干渉し合う際に境界部の光強度を弱め、その結果として転写パターンの解像度を向上させるものである。これにより通常のフォトマスクに比べて飛躍的に優れた微細パターンの解像度向上効果および焦点深度向上の効果を持つ。
【０００３】
上記のような位相シフト法はＩＢＭのＬｅｖｅｎｓｏｎらによって提唱され、特開昭５８−１７３７４４号公報等に記載されており、レベンソン型やハーフトーン型などが公知となっている。特にハーフトーン型位相シフトマスクは、半透明性膜に透過光の位相反転作用および、パターン内部でレジストの感度以下での遮光性の役割を持たせる事により透過光強度のエッジ形状を急峻にして解像性や焦点深度特性を向上させると共にマスクパターンを忠実にウエハ上に転写する効果を有したものである。
【０００４】
尚、露光転写により形成するパターン寸法を所定倍率に拡大して転写用パターンを形成してあるフォトマスクのことを従来よりレチクルと称しているが、本発明に係る位相シフトマスクの分野に於いてもこれをレチクルと称し、位相シフトマスクとして定義された範疇に含まれるものであるとする。
【０００５】
ここ数年の半導体の急激な微細化に伴い、それを達成するためのリソグラフィ技術も同時に進歩を遂げてきた。マスクパターンをウエハ上に転写する縮小投影露光装置（ステッパー）は解像性を向上させるために短波長化が進みｉ線以降ではＫｒＦエキシマレーザー，ＡｒＦエキシマレーザーといった紫外光領域へ変遷している。更にＡｒＦエキシマレーザー露光の次の世代ではＦ２エキシマレーザー露光が有望視されている。
また、近年ではウエハ上に転写されるパターンの解像性をより高めるために、シフター部における光の透過率を高めた高透過率ハーフトーンマスクも注目されている。この高透過率ハーフトーンマスクはシフター膜部の透過率が高く、位相が反転して透過する光の強度も強くなる。このため位相の打ち消し効果が高くなり、Ｓｉウエハへのパターン転写時における解像性が向上するものである。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
上記のような光のより短波長化への移行、ハーフトーンマスクの高透過率化への対応の中では、従来のフォトマスクブランクのシフター材料に代わりこれらに適した材料を用いる必要がある。
【０００７】
現在提案されているハーフトーンマスクやブランクのシフターに用いられる膜材料にはモリブデン（Ｍｏ）やタンタル（Ｔａ），タングステン（Ｗ），チタン（Ｔｉ）といった遷移金属とシリコンを含む材料を使用しているものが多いが、何れもＦ２エキシマレーザー露光に対応する膜材料としては難しい。これはシフターを構成する膜の透明性が不足するためであり、Ｆ２エキシマレーザー露光や高透過率化に対応したハーフトーンマスク及びブランクの形成が不可能である。則ちこのような膜でハーフトーンマスクを構成し膜の位相差を１８０度としたときは、所望の透過率を得ることが不可能となってしまう。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために本発明が提供するものは、ＡｒＦ、Ｆ２エキシマレーザー露光に対応したハーフトーン型位相シフトマスクおよびハーフトーン型位相シフトマスクブランクの材料構成および構成元素の含有比率を、光学特性や耐性等の膜特性等から鑑みて定めるものである。
【０００９】
具体的には上記で挙げたような問題点を解決するために、ハーフトーン型位相シフトマスクおよびこの製造に係るハーフトーン型位相シフトマスクブランク並びにこれらの製造方法に於いて、ガラス等の透明基板上に設けられた半透明性シフター膜として、光学特性の上からアルミニウムとシリコンを主体とする膜を提供するものである。且つそれと同時に薬液耐性等の諸特性の上からアルミニウムやシリコン，酸素などの組成比率を定めたことを特徴としている。これにより上記問題点に列挙した事柄を解決することができるものである。
【００１０】
本発明ではこのような上記記載の方法によって問題解決をはかるもので、以下にその手段を列挙する。
【００１１】
本発明の請求項１の発明は、透明基板上に露光光に対しての位相及び透過率を制御した単層若しくは多層の半透明性膜領域を設けたハーフトーン型位相シフトマスクに於いて、該半透明膜層の少なくとも一層以上が主要構成金属元素としてアルミニウム及びシリコンからなり、さらに酸素が含まれ、その元素組成比がアルミニウムが２４（ａｔｏｍ％）以上、若しくは酸素が６３（ａｔｏｍ％）以上であることを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクとしたものである。
【００１２】
本発明の請求項２の発明は、前記半透明膜層の少なくとも一層以上に含まれるアルミニウム、シリコン及び酸素が、窒素，ハロゲン元素の群から選択された元素との間で化合物を形成していることを特徴とする請求項１に記載のハーフトーン型位相シフトマスクとしたものである。
【００１３】
本発明の請求項３の発明は、透明基板上に露光光に対しての位相及び透過率を制御した単層若しくは多層の半透明性膜領域を設けたハーフトーン型位相シフトマスクに於いて、該半透明膜層の少なくとも一層以上が、主要構成金属元素としてアルミニウム及びシリコンからなり、さらに酸素が含まれ、アルミニウム（Ａｌ）に対する酸素（Ｏ）の原子比率（Ｏ／Ａｌ）が２．１３以上であることを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクとしたものである。
【００１４】
本発明の請求項４の発明は、前記半透明膜層の少なくとも一層以上に含まれるアルミニウム、シリコン及び酸素が、窒素，ハロゲン元素の群から選択された元素との間で化合物を形成していることを特徴とする請求項３に記載のハーフトーン型位相シフトマスクとしたものである。
【００１５】
本発明の請求項５の発明は、透明基板上に露光光に対しての位相及び透過率を制御した単層若しくは多層の半透明性膜領域を設けたハーフトーン型位相シフトマスクに於いて、該半透明膜層の少なくとも一層以上が、主要構成金属元素としてアルミニウム及びシリコンからなり、さらに酸素が含まれ、シリコン（Ｓｉ）に対する酸素（Ｏ）の原子比率（Ｏ／Ｓｉ）が２．３８以上であることを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクとしたものである。
【００１６】
本発明の請求項６の発明は、前記半透明膜層の少なくとも一層以上に含まれるアルミニウム、シリコン及び酸素が、窒素，ハロゲン元素の群から選択された元素との間で化合物を形成していることを特徴とする請求項５に記載のハーフトーン型位相シフトマスクとしたものである。
【００１７】
本発明の請求項７の発明は、請求項１〜請求項６いずれか１項記載のハーフトーン型位相シフトマスクの製造に係るハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクとしたものである。
【００１８】
本発明の請求項８の発明は、透明基板上に露光光に対しての位相及び透過率を制御した単層若しくは多層の半透明性膜領域を設けるハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法に於いて、該半透明膜層の少なくとも一層以上が主要構成金属元素としてアルミニウム及びシリコンからなり、さらに酸素が含まれ、その元素組成比がアルミニウムが２４（ａｔｏｍ％）以上、若しくは酸素が６３（ａｔｏｍ％）以上であることを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法としたものである。
【００１９】
本発明の請求項９の発明は、透明基板上に露光光に対しての位相及び透過率を制御した単層若しくは多層の半透明性膜を設けるハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクの製造方法に於いて、該半透明膜層の少なくとも一層以上が主要構成金属元素としてアルミニウム及びシリコンからなり、さらに酸素が含まれ、その元素組成比がアルミニウムが２４（ａｔｏｍ％）以上、若しくは酸素が６３（ａｔｏｍ％）以上であることを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクの製造方法としたものである。
【００２０】
【発明の実施の形態】
本発明に係るフォトマスク、特にハーフトーン型位相シフトマスクブランクは、合成石英等の透明基板上に半透明性膜シフターを設けたものであり、ハーフトーン型位相シフトマスクは上記ハーフトーン型位相シフトマスクブランク上の半透明性膜に加工を施したものであるが、本発明ではこの半透明性膜を露光光源の短波長化や高透過率化に対応可能とするために含有元素およびその組成比を具体的に定めたものである。
【００２１】
ハーフトーン型位相シフトマスクブランクに於ける半透明性シフター膜は、その透明性（光の透過性）の確保や、屈折率等の光学特性の制御、若しくは耐性向上等の目的から酸化物や窒化物、フッ化物に代表される化合物薄膜を形成させることが多い。中でもＦ２エキシマレーザー露光領域では特に上記の透明性（光の透過性）の確保が重要となる。
この点、アルミニウムとシリコンは共に軽元素同士の組み合わせであり、この合金薄膜は酸化膜、窒化膜、フッ化膜等に依らず、いずれも光の透過性に関しては優れた特性を持つ。このため、これまでに示したハーフトーン型位相シフトマスク及びブランクの形成時における膜材料起因の透過性不足に関する問題を解決する事が可能となる材料である。
【００２２】
またアルミニウムがシリコンに添加されることで、単にシリコンのみの場合に比べ屈折率が向上する効果もある。この事はハーフトーン型位相シフトマスクおよびブランクの半透明性シフター膜の膜厚が低減されることを意味しており、膜厚低減の結果として、膜応力の低減や線幅精度等のマスク精度向上，膜欠陥数の低減，加工時間の短縮等の効果がもたらされる。
【００２３】
更にシリコンにアルミニウムを添加することで、スパッタリングターゲットに導電性が付与されることから成膜時の異常放電を低減することも可能となる。
【００２４】
組成範囲の決定に於いては、異なる２つのターゲットから同時且つ同一基板上に成膜を行う２源スパッタリング法により複数の組成の異なるシフター膜を形成し検討を行った。
以下にその詳細を記す。
【００２５】
実験にはアルミニウム（Ａｌ）ターゲットとシリコン（Ｓｉ）ターゲットとを同時にスパッタリング成膜を行い、各々のターゲットに印加する電力を制御することにより膜の組成比を変化させた。尚、成膜した膜の組成分析にはＸＰＳ分析を使用した。
0003951704.tif 000002
【００２６】
アルミニウムとシリコンの組成比および反応性を変えて成膜した種々の試料について各種薬品耐性試験を行った。薬液には以下の薬液を使用し１時間の浸漬による変化量を測定した。結果として記載した表１では位相差変化量１ｄｅｇ．以内を◎，３ｄｅｇ．以内を○，５ｄｅｇ．以内を△，５ｄｅｇ．以上若しくは膜が消失した場合を×で表した。（透過率変化量は膜厚による干渉の状態が影響してしまうため、測定値の記載を省略する）
＜使用薬液＞
濃硫酸，７０℃，１時間浸漬
２％−アンモニア水，室温，１時間浸漬
アンモニア水（４０％）・過酸化水素水・水の混合液（混合比１：１：３０），４０℃，１時間浸漬
【００２７】
【表１】
0003951704.tif 000003
【００２８】
この結果より、ハーフトーンマスクおよびブランクとしての薬液耐性を有する条件はある一定量以下のアルミニウム比率であるか若しくは反応性（酸素比率）が高い条件で成膜された膜である。
【００２９】
表２には擦傷性試験の結果を示す。市販の布性のワイパを使用し擦傷痕発生の有無で判定を行った。○は異常なし、×は擦傷痕発生である。結果は前記記載の薬液耐性試験の結果と同様な箇所が不良領域となった。
【００３０】
【表２】
0003951704.tif 000004
【００３１】
則ち表１，表２の結果よりハーフトーンマスクまたはブランクの膜材料として適用可能である条件は、アルミニウムの印加電力比率（＝Ａｌ／（Ａｌ＋Ｓｉ）×１００）が２０［％］以下，若しくは成膜時のＯ２のガス流量がＡｒ／Ｏ２＝３５／５  ［ＳＣＣＭ］以上である場合である。
【００３２】
以上まででハーフトーンマスクおよびブランクとして適用不可能な膜の周辺条件、つまり適用可能な最低条件範囲について、元素組成比をＸＰＳにより調べた結果が表３である。（Ａｌ＋Ｓｉ＋Ｏ＝１００  ［ａｔｏｍ％］）
【００３３】
【表３】
0003951704.tif 000005
【００３４】
この結果より上記（段落＜００２５＞）記載の、主要構成金属元素にアルミニウム及びシリコン，さらに酸素が含まれている場合のハーフトーンマスクまたはブランクの膜材料として適用可能である条件は、組成比条件として、アルミニウムが２４（ａｔｏｍ％）以上、若しくは酸素が６３（ａｔｏｍ％）以上であると言い改めることが可能となる。
【００３５】
またハーフトーンマスクまたはブランクの膜材料として適用可能である組成比条件は、この表よりＡｌ／（Ａｌ＋Ｓｉ）×１００＝４０［％］以下となるときのＡｌ／Ｓｉは１．８７以下，さらにＡｒ／Ｏ２＝４０／５［ＳＣＣＭ］以上の酸素条件となるときのＯ／Ａｌは２．１３以上で、Ｏ／Ｓｉは２．３８以上となる。
【００３６】
尚、この範囲内の種々の膜についての光学定数を表４に示す。屈折率は、膜の透過率、反射率、膜厚等を測定し、算出した。表４よりアルミニウム比率を高めることで屈折率の向上が確認される。このことからアルミニウム添加は単なるシリコン薄膜の場合に比較して膜厚の低減に対する効果が確認できる。
【００３７】
【表４】
0003951704.tif 000006
【００３８】
【実施例】
本発明のハーフトーン型位相シフトマスクおよびブランク並びにその製造方法を実施例により説明する。
【００３９】
本実施例では、ハーフトーン型位相シフトマスクブランクの成膜には反応性スパッタリングを用いて行った。スパッタリング装置にはマグネトロンスパッタリング装置を使用し、アルゴンガスおよび反応性ガスの雰囲気中でアルミニウムおよびシリコンの化合物をガラス基板上に成膜した。尚、導入ガスを適宜変更することにより、酸化膜や窒化膜や弗化膜等の薄膜を得ることも可能である。
【００４０】
使用ターゲットはアルミニウムとシリコンの個別ターゲットを用いて、ハーフトーン型位相シフトマスクおよびブランクの半透明膜層の形成を行ったが、アルミニウムとシリコンを混合したターゲットを用いることも可能である。
【００４１】
＜実施例１＞
本実施例１ではアルミニウムとシリコンを主要構成元素し、且つＡｒＦエキシマレーザー露光に対応した高透過率型のハーフトーン型位相シフトマスクブランクの製造方法について説明を行う。ターゲットには前述のようにアルミニウムとシリコンの個別ターゲットを使用し、各々の印加電力により組成を調整し成膜を行った。
成膜装置にはマグネトロンスパッタリング装置を使用し、成膜ガスにはアルゴン（Ａｒ）および酸素（Ｏ2）を使用した。本実施例では膜の構成は２層膜構成とし、その合成石英基板上の第１層膜とその上層に設けた第２層膜とではＯ2の流量を変更して成膜を行った。
【００４２】
露光波長である１９３ｎｍに対する透過率は２０％，位相差１８０度のハーフトーン型位相シフトマスクブランクを形成したときの各層の成膜条件及び１９３ｎｍに対する光学定数と膜厚を以下に示す。
【００４３】
【表５】
0003951704.tif 000007
【００４４】
また、このとき作製されたハーフトーンマスクブランク分光特性は以下の表６の様な値となった。
【表６】
0003951704.tif 000008
【００４５】
若しくは別構成にてハーフトーンマスクブランクを形成した場合が表７である。
【００４６】
【表７】
0003951704.tif 000009
【００４７】
このときのハーフトーンマスクブランクの分光特性は表８のようになった。
【表８】
0003951704.tif 000010
【００４８】
次にこうして得た位相シフトフォトマスクブランクに、電子線レジスト塗布，所定パターン状に電子線描画，現像等のレジストプロセスを経てドライエッチングを行うことによりパターンを形成した。ドライエッチング条件は以下の通りであった。ドライエッチング装置にはＲＩＥ装置を使用し、エッチングガスとしては塩素ガスを使用した。
エッチング装置：平行平板型ＲＩＥ装置
エッチングガス：塩素ガス
圧力  ：５．０［Ｐａ］
電力  ：３００［Ｗ］
尚、エッチングガスはこの他のガスを使った場合でもエッチングは可能である。
【００４９】
＜実施例２＞
本実施例２ではＦ２エキシマレーザー露光に対応したハーフトーン型位相シフトマスクブランクの製造方法について説明を行う。ターゲットには＜実施例１＞同様にアルミニウムとシリコンの個別ターゲットを使用し、各々の印加電力により組成を調整し成膜を行った。膜の構成は２層膜構成とし、露光波長である１５７ｎｍに対する透過率は６％，位相差は１８０度のハーフトーン型位相シフトマスクブランクを形成した。各々の成膜条件，光学定数，膜厚は表９により説明する。
【００５０】
【表９】
0003951704.tif 000011
【００５１】
また、このとき作製されたハーフトーンブランク分光特性は以下の表１０の様な値となった。
【００５２】
【表１０】
0003951704.tif 000012
【００５３】
この結果、アルミニウム及びシリコンを主体とする材料を使用することにより波長１５７ｎｍのＦ２エキシマレーザーに対応したハーフトーン型位相シフトマスクブランクを形成する事が可能であった。またこの材料を用いたハーフトーン型位相シフトマスクブランクは１５７ｎｍに対して透過性を満足すると共に、良好な分光特性も有した。
上記ハーフトーン型位相シフトマスクブランクをマスクとして加工するためには上記と同様な工程により作製した。
【００５４】
本発明の実施の形態としては実施例記載以外の方法若しくは構成を用いた場合でも同様の効果を得ることが可能である。則ち膜の構成としては２層膜以外にも単層膜でも２層膜以上の多層膜でも構わない。また反応性スパッタリングの有無や反応性ガスを変更することによりＡｌやＳｉを酸化物以外の化合物としても構わない。
【００５５】
【発明の効果】
本発明のフォトマスク、特にハーフトーン型位相シフトマスクおよびハーフトーン型位相シフトマスクブランクは合成石英等の透明基板上にパターニングされた半透明性膜シフター材料としてアルミニウムおよびシリコン、若しくはその化合物が含まれていることを大きな特徴とするものである。
【００５６】
アルミニウムとシリコンは共に軽元素同士の組み合わせであり、この合金薄膜は光の透過性に関しては非常に優れたものである。このため従来提案されているハーフトーンマスク及びブランクに比較して透過性を高めやすいという利点がある。このため本発明は波長１９３ｎｍのＡｒＦエキシマレザー露光で高透過率型のハーフトーンマスク及びブランクを形成することが可能である他、波長１５７ｎｍのＦ２エキシマレーザー露光へ適応を充分可能とするものである。
【００５７】
またアルミニウムとシリコンの組み合わせは、単にシリコンのみの場合に比較してアルミニウムを添加することで屈折率の向上、則ちハーフトーン型位相シフトマスクおよびブランクの半透明性シフター膜の膜厚低減効果がある。例えばシリコン酸化膜（ＳｉＯ2）の屈折率は波長１５７ｎｍにおいて１．７０６，同様に１９３ｎｍにおいて１．５６０，２４８ｎｍにおいて１．５０８であるのに対して、アルミニウムを添加した場合の屈折率では波長１５７ｎｍにおいて１．８９５，同様に１９３ｎｍにおいて１．７０２，２４８ｎｍにおいて１．６２９となり、アルミニウムを添加した場合には屈折率が向上する。
各波長における位相差１８０度のハーフトーン型位相シフトマスクを形成した場合における両者の膜厚をこの値から大まかなに比較を行うといずれの波長でも、アルミニウムを添加した場合の膜厚は、添加しない場合に比べ約８０％の膜厚となる。則ち約２０％の膜厚低減が可能となる。
この膜厚低減により、膜応力の低減や線幅精度等のマスク精度向上，膜欠陥数の低減，加工時間の短縮等の効果がもたらされることから、アルミニウムの添加は有効である。
【００５８】
更にターゲット中にアルミニウムが添加されることでターゲット材料に導電性が付与され、異常放電が抑制されるという効果もある。
更には各種組成比を具体的に限定することで十分な薬品耐性をも満たす事も可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】ハーフトーン型位相シフトマスク
【符号の説明】
１…ガラス基板（合成石英）
２…半透明膜領域＝シフター膜層
３…レジスト
４…パターン開口部＝透明領域
【図１】
0003951704.tif 000013