(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
アウターリードホールが形成された長尺状のベース基板と、
前記ベース基板に形成された配線パターンと、
前記アウターリードホールから前記ベース基板の幅方向にずれた位置に、前記ベース基板の長手方向に伸長するように、前記ベース基板に形成された補強部と、
を有し、
前記補強部は、前記アウターリードホールの両端の領域に形成された第１の部分と、前記アウターリードホールの前記両端を超えた位置に形成された第２の部分と、を有し、前記第１の部分は第２の部分よりも強度が高く形成され、
前記配線パターンの少なくとも一部は、前記補強部から、前記ベース基板の幅方向にずれた位置に形成されてなる可撓性配線基板。
【請求項２】
請求項１記載の可撓性配線基板において、
前記補強部は、前記配線パターンと同じ材料からなり、前記第１の部分が前記第２の部分よりも幅広に形成されてなる可撓性配線基板。
【請求項３】
請求項１記載の可撓性配線基板において、
前記ベース基板上にメッキリードが形成されてなる可撓性配線基板。
板。
【請求項４】
請求項３記載の可撓性配線基板において、
前記メッキリードは、前記補強部とは別に形成されてなる可撓性配線基板。
【請求項５】
請求項３記載の可撓性配線基板において、
前記メッキリードは、幅の広い部分と、幅の狭い部分と、を有し、前記幅の広い部分を、前記補強部として用いてなる可撓性配線基板。
【請求項６】
請求項１記載の可撓性配線基板と、
前記可撓性配線基板の前記配線パターンに、電気的に接続された半導体チップと、
を有するテープ状半導体装置。
【請求項７】
請求項６記載のテープ状半導体装置の前記ベース基板を、いずれか１つの前記半導体チップを囲む輪郭で打ち抜いた形状をなす半導体装置。
【請求項８】
請求項７記載の半導体装置が電気的に接続された回路基板。
【請求項９】
請求項７記載の半導体装置を有する電子機器。
【請求項１０】
請求項１記載の可撓性配線基板をリールに巻き取って用意し、前記リールから前記可撓性配線基板を引き出して行う工程を含む半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項１記載の可撓性配線基板と、前記可撓性配線基板の前記配線パターンに電気的に接続された半導体チップと、を有するテープ状半導体装置をリールに巻き取って用意し、前記リールから前記テープ状半導体装置を引き出して行う工程を含む半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
［技術分野］
本発明は、可撓性配線基板、フィルムキャリア、テープ状半導体装置、半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器に関する。
［背景技術］
従来、可撓性配線基板に半導体チップを実装するＴＡＢ（Ｔａｐｅ  Ａｕｔｏｍａｔｅｄ  Ｂｏｎｄｉｎｇ）方式が知られている。可撓性配線基板にはリードが形成されており、リードと半導体チップのパッドとが接合される。
ＴＡＢ方式によれば、可撓性配線基板を屈曲させて、リール・ツウ・リールで工程を行うが、可撓性配線基板をリールに巻き取ると、リードが曲がることがあった。
［発明の開示］
本発明は、この問題点を解決するためのものであり、その目的は、リードの曲がりを防止できる可撓性配線基板、フィルムキャリア、テープ状半導体装置、半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器を提供することにある。
（１）本発明に係る可撓性配線基板は、長尺状のベース基板と、前記ベース基板に形成された配線パターンと、前記ベース基板に形成された補強部と、
を有し、
前記補強部は、前記ベース基板の長手方向に伸長するように配置され、
前記配線パターンの少なくとも一部は、前記補強部から、前記ベース基板の幅方向にずれた位置に形成されてなる。
本発明によれば、ベース基板の補強部が形成された部分が、補強部が形成されていない部分より曲がりにくいので、補強部が形成されていない部分に曲げ応力が集中する。補強部からベース基板の幅方向にずれた位置に、配線パターンの少なくとも一部が形成されている。長尺状のベース基板を巻き取ると、配線パターンの少なくとも一部が形成されている部分が、補強部によって曲がりにくいので、配線パターンの変形を防止することができる。
（２）この可撓性配線基板において、
前記ベース基板は、ホールが形成されてなり、
前記補強部の少なくとも一部は、前記ホールから、前記ベース基板の幅方向にずれた位置に形成されていてもよい。
これによれば、ベース基板のホール付近の部分の強度が下がることを、補強部によって抑えている。
（３）この可撓性配線基板において、
前記ホールは複数形成されているとともに、隣り合う前記ホールは、前記ベース基板の長手方向に所定距離隔てた状態で形成されていてもよい。
（４）この可撓性配線基板において、
前記配線パターンの一部は、前記ホール内に位置してもよい。
これによれば、配線パターンのホール内に突出した部分は、ベース基板にて支持されていないが、補強部によってベース基板自体の強度の低下を抑えているので、曲がりが抑えられている。
（５）この可撓性配線基板において、
前記補強部は、前記ベース基板の幅方向の端部に形成され、
前記配線パターンは、前記ベース基板の幅方向の中央部に形成されていてもよい。
（６）この可撓性配線基板において、
前記補強部は、前記配線パターンと同じ材料で形成されていてもよい。
（７）この可撓性配線基板において、
前記ベース基板は、打ち抜かれる領域を含み、
前記配線パターンは、前記領域内に形成されていてもよい。
（８）この可撓性配線基板において、
前記補強部は、前記ベース基板の長手方向における前記打ち抜かれる領域の全長にわたって形成されていてもよい。
これによれば、打ち抜かれる領域が積極的に補強されており、ベース基板を屈曲させても、打ち抜かれる領域の全体の曲がり（変形）を抑えることができる。
（９）この可撓性配線基板において、
前記補強部は、前記打ち抜かれる領域の外側に形成されていてもよい。
これによれば、ベース基板が打ち抜かれると、補強部を除去することができる。
（１０）本発明に係る可撓性配線基板は、ホールが形成された長尺状のベース基板と、
前記ベース基板に形成された配線パターンと、
前記ホールから前記ベース基板の幅方向にずれた位置に、前記ベース基板の長手方向に伸長するように、前記ベース基板に形成された補強部と、
を有し、
前記補強部は、前記ホールの両端間の領域に形成された第１の部分と、前記ホールの前記両端を超えた位置に形成された第２の部分と、を有し、前記第１の部分は第２の部分よりも強度が高く形成され、
前記配線パターンの少なくとも一部は、前記補強部から、前記ベース基板の幅方向にずれた位置に形成されてなる。
本発明によれば、ベース基板の補強部が形成された部分が、補強部が形成されていない部分より曲がりにくいので、補強部が形成されていない部分に曲げ応力が集中する。補強部からベース基板の幅方向にずれた位置に、配線パターンの少なくとも一部が形成されている。長尺状のベース基板を巻き取ると、配線パターンの少なくとも一部が形成されている部分が、補強部によって曲がりにくいので、配線パターンの変形を防止することができる。
特に、補強部のうち、ホールの両端間に形成された第１の部分は、それ以外の第２の部分よりも強度が高いので、ホールが形成されることによるベース基板の強度の低下を補うことができる。。
（１１）この可撓性配線基板において、
前記補強部は、前記配線パターンと同じ材料からなり、前記第１の部分が前記第２の部分よりも幅広に形成されていてもよい。
（１２）本発明に係る可撓性配線基板は、ホールが形成された長尺状のベース基板と、
前記ベース基板に形成されて前記ホールを跨ぐ配線パターンと、
前記ベース基板に形成された補強部と、
を有し、
前記補強部は、前記ベース基板の長手方向に伸長するように配置され、前記ホールから前記ベース基板の幅方向にずれた位置であって、前記ベース基板の長手方向における少なくとも前記ホールの全長にわたって形成されてなる。
本発明によれば、ベース基板の補強部が形成された部分が、補強部が形成されていない部分より曲がりにくいので、補強部が形成されていない部分に曲げ応力が集中する。長尺状のベース基板を巻き取ると、配線パターンのホールを跨いでいる部分の曲がりが補強部によって抑制されるので、この部分において配線パターンの変形を防止することができる。
（１３）この可撓性配線基板において、
前記ベース基板上にメッキリードが形成されていてもよい。
（１４）この可撓性配線基板において、
前記メッキリードは、前記補強部とは別に形成されていてもよい。
（１５）この可撓性配線基板において、
前記メッキリードは、幅の広い部分と、幅の狭い部分と、を有し、前記幅の広い部分を、前記補強部として用いてあってもよい。
（１６）本発明に係るフィルムキャリアは、ベース基板と、前記ベース基板に形成された配線パターンと、前記ベース基板に形成された補強部と、
を有し、
前記補強部は、前記ベース基板の長手方向に伸長するように配置され、
前記配線パターンの少なくとも一部は、前記補強部から、前記ベース基板の幅方向にずれた位置に形成されてなる。
本発明によれば、ベース基板の補強部が形成された部分が、補強部が形成されていない部分より曲がりにくいので、補強部が形成されていない部分に曲げ応力が集中する。補強部からベース基板の幅方向にずれた位置に、配線パターンの少なくとも一部が形成されている。配線パターンの少なくとも一部が形成されている部分が、補強部によって曲がりにくいので、配線パターンの変形を防止することができる。
（１７）本発明に係るテープ状半導体装置は、上記可撓性配線基板と、
前記可撓性配線基板の前記配線パターンに、電気的に接続された半導体チップと、
を有する。
本発明によれば、ベース基板の補強部が形成された部分が、補強部が形成されていない部分より曲がりにくいので、補強部が形成されていない部分に曲げ応力が集中する。補強部からベース基板の幅方向にずれた位置に、配線パターンの少なくとも一部が形成されている。長尺状のベース基板を巻き取ると、配線パターンの少なくとも一部が形成されている部分が、補強部によって曲がりにくいので、配線パターンの変形を防止することができる。
（１８）本発明に係る半導体装置は、ベース基板と、前記ベース基板に形成された配線パターンと、前記ベース基板に形成された補強部と、前記配線パターンに電気的に接続された半導体チップと、
を有し、
前記補強部は、前記ベース基板の長手方向に伸長するように配置され、
前記配線パターンの少なくとも一部は、前記補強部から、前記ベース基板の幅方向にずれた位置に形成されてなる。
本発明によれば、ベース基板の補強部が形成された部分が、補強部が形成されていない部分より曲がりにくいので、補強部が形成されていない部分に曲げ応力が集中する。補強部からベース基板の幅方向にずれた位置に、配線パターンの少なくとも一部が形成されており、この部分が補強部によって曲がりにくいので、配線パターンの変形を防止することができる。
（１９）本発明に係る半導体装置は、上記テープ状半導体装置の前記ベース基板を、いずれか１つの前記半導体チップを囲む輪郭で打ち抜いた形状をなす。
この半導体装置は、上述したテープ状半導体装置のベース基板を打ち抜いて得られたものに限定されず、打ち抜いて得られたものと同じ構成及び形状を有するものであればよい。
（２０）本発明に係る回路基板には、上記半導体装置が電気的に接続されている。
（２１）本発明に係る電子機器は、上記半導体装置を有する。
（２２）本発明に係る半導体装置の製造方法は、上記可撓性配線基板をリールに巻き取って用意し、前記リールから前記可撓性配線基板を引き出して行う工程を含む。
本発明によれば、ベース基板の補強部が形成された部分が、補強部が形成されていない部分より曲がりにくいので、補強部が形成されていない部分に曲げ応力が集中する。補強部からベース基板の幅方向にずれた位置に、配線パターンの少なくとも一部が形成されている。長尺状のベース基板を巻き取ると、配線パターンの少なくとも一部が形成されている部分が、補強部によって曲がりにくいので、配線パターンの変形を防止することができる。
（２３）本発明に係る半導体装置の製造方法は、上記可撓性配線基板と、前記可撓性配線基板の前記配線パターンに電気的に接続された半導体チップと、を有するテープ状半導体装置をリールに巻き取って用意し、前記リールから前記テープ状半導体装置を引き出して行う工程を含む。
本発明によれば、ベース基板の補強部が形成された部分が、補強部が形成されていない部分より曲がりにくいので、補強部が形成されていない部分に曲げ応力が集中する。補強部からベース基板の幅方向にずれた位置に、配線パターンの少なくとも一部が形成されている。長尺状のベース基板を巻き取ると、配線パターンの少なくとも一部が形成されている部分が、補強部によって曲がりにくいので、配線パターンの変形を防止することができる。
（２４）本発明に係る半導体装置の製造方法は、上記可撓性配線基板と、前記可撓性配線基板の前記配線パターンに電気的に接続された半導体チップと、を有するテープ状半導体装置をリールに巻き取って用意し、前記リールから前記テープ状半導体装置を引き出して、上述した打ち抜かれる領域で、前記可撓性配線基板を打ち抜く工程を含む。
本発明によれば、ベース基板の補強部が形成された部分が、補強部が形成されていない部分より曲がりにくいので、補強部が形成されていない部分に曲げ応力が集中する。補強部からベース基板の幅方向にずれた位置に、配線パターンの少なくとも一部が形成されている。長尺状のベース基板を巻き取ると、配線パターンの少なくとも一部が形成されている部分が、補強部によって曲がりにくいので、配線パターンの変形を防止することができる。
［発明を実施するための最良の形態］
以下、本発明を適用した好適な実施の形態について図面を参照して説明するが、本発明は以下の実施の形態に限定されるものではない。
（可撓性配線基板）
図１は、本実施の形態に係る可撓性配線基板を示す図である。可撓性配線基板１は、ベース基板１０と、複数の配線パターン２０と、を含む。可撓性配線基板１は、図２Ａに示すリール４６に巻き取って取り扱うことができる。可撓性配線基板１は、ＴＡＢ技術が適用される場合には、ＴＡＢ用基板（フィルムキャリアテープ）であるが、これに限定されるものではなく、ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｆｉｌｍ）用基板や、ＣＯＢ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｂｏａｒｄ）用基板であってもよい。
ベース基板１０は、長尺状（テープ状）をなす基材であり、配線パターン２０の支持部材である。ベース基板１０は、フレキシブル性を有する。ベース基板１０は、ポリイミド樹脂で形成されることが多いがそれ以外の周知の材料を使用することができる。ベース基板１０の幅方向の両端部に、長さ方向に並ぶ複数のスプロケットホール１２を形成すれば、これに図示しないツメ（スプロケット）を係合させて可撓性配線基板１を送り出すことができる。
ＴＡＢ技術が適用される場合には、ベース基板１０には、各配線パターン２０について１つの（全体では複数の）デバイスホール１４が形成されている。デバイスホール１４を介して、半導体チップ６０（図４参照）と、それとの電気的接続部（例えばインナーリード２６、２８）とのボンディングを行うことができる。デバイスホール１４の形状は特に限定されなず、半導体チップ６０を完全に収容できる大きさであっても、一部を収容するだけの大きさであってもよい。
ベース基板１０には、複数の配線パターン２０が形成されている。３層基板の可撓性配線基板１では、配線パターン２０が接着剤（図示せず）を介してベース基板１０に接着されている。２層基板の可撓性配線基板１では、配線パターン２０が、ベース基板１０上に直接形成され、接着剤が介在しない。
配線パターン２０は、長尺状のベース基板１０の長手方向に並んで形成されてもよいし、幅方向に並んで形成されてもよいし、マトリクス状に（長手方向及び幅方向に並んで）形成されてもよい。それぞれの配線パターン２０は、同一の形状であることが多いが、異なる形状であってもよい。例えば、ｎ種類の形状をなすｎ個の配線パターン２０が並んで構成される配線パターングループを、繰り返して形成してもよい。
配線パターン２０は、銅（Ｃｕ）、クローム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタンタングステン（Ｔｉ−Ｗ）のうちのいずれかを積層して、あるいはいずれかの一層で形成することができる。配線パターン２０は、ハンダ、スズ、金、ニッケルなどでメッキされていることが好ましい。共晶が作られるような金属メッキが施されていると、金属接合が達成されやすくて好ましい。複数の配線パターン２０は、電気メッキを行うために、図示しないメッキリードで電気的に接続されていてもよい。
各配線パターン２０は、複数の配線２２、２４を有する。詳しくは、ベース基板１０の長手方向に沿って、デバイスホール１４の一方の側（図１では上側）に複数の配線２２が形成され、他方の側（図１では下側）に複数の配線２４が形成されている。
各配線２２、２４は、一方の端部に形成されるインナーリード２６、２８と、その間隔を拡げる方向に延びる傾斜部３０、３２と、他方の端部３４、３６と、を含む。
インナーリード２６、２８は、デバイスホール１４内に突出する。インナーリード２６同士及びインナーリード２８同士は、平行に形成されており、ベース基板１０の長手方向に延びて形成されていてもよい。インナーリード２６、２８は、半導体チップ６０との電気的接続部である。
傾斜部３０、３２は、インナーリード２６、２８の間隔を拡げる方向に傾斜して形成される。傾斜部３０、３２は、直線を描いて形成してもよいし、曲線を描いて形成してもよい。
端部３４、３６は、傾斜部３０、３２から、インナーリード２６、２８とは反対側に延設されてなる。端部３４同士及び端部３６同士は、平行に形成されており、ベース基板１０の長手方向に延びて形成されていてもよい。端部３４、３６は、インナーリード２６、２８よりも、その幅及びピッチの少なくとも一方を広く形成してもよい。端部３４、３６は、他の電気部品と電気的に接続される。図１の例では、配線２４の端部３６は、アウターリードホール３８をまたいで形成されており、端部３６のうち、アウターリードホール３８内の部分はアウターリードである。
ベース基板１０には、複数の補強部４０が形成されている。補強部４０は、ベース基板１０の曲がりに対する強度を上げて、配線パターン２０の曲がりを抑えるものである。複数の補強部４０は、ベース基板１０の長手方向に間隔をあけて配列されている。図１に示すように、ベース基板１０の端部（両端部）に補強部４０を形成し、ベース基板１０の幅方向の中央部に配線パターン２０が形成されていてもよい。この場合、各補強部４０は、ベース基板１０の長手方向に延びる。配線パターン２０の少なくとも一部は、いずれかの補強部４０から、ベース基板１０の幅方向にずれた位置に形成されている。打ち抜き領域４４の、ベース基板１０の長手方向の全長にわたって補強部４０が形成されていてもよい。
補強部４０の一部は、ベース基板１０に形成されたホール（例えば、デバイスホール１４又はアウターリードホール３８）から、ベース基板１０の幅方向にずれた位置に形成されていてもよい。こうすることで、ベース基板１０のうち、ホールが形成されて曲がりやすくなった部分が、補強部４０によって補強される。また、ホール（図１に示す例ではアウターリードホール３８）から、ベース基板１０の幅方向にずれた位置において、補強部４０の一部を大きく（幅広に）形成してもよい。すなわち、補強部４０は、ベース基板の長手方向におけるホール（例えばアウターリードホール３８）の全長にわたって形成された第１の部分と、ベース基板の長手方向におけるホールの全長を超えた位置に形成された第２の部分と、を有し、第１の部分が第２の部分よりも幅広に形成されていてもよい。こうすることで、第１の部分は第２の部分よりも強度が高く形成される。図１に示す例では、第１の部分（幅広の部分）によって、配線パターン２０のうち、アウターリードホール３８の内部に位置する部分の曲がりが抑制される。
補強部４０は、ベース基板１０を曲がりにくくさせるものであればよいが、ベース基板１０よりも硬い（剛性のある）材料で補強部４０を形成してもよい。例えば、配線パターン２０と同じ材料で補強部４０を形成してもよい。その場合、配線パターン２０の製造工程で同時に補強部４０を形成してもよい。あるいは、補強部４０を、フィルム（ベース基板１０と同じ材料でもよい）で形成してもよい。または、補強部４０を、配線パターン２０を覆う保護膜４２（図４参照）と同じ材料（例えばソルダーレジスト）で形成してもよい。その場合、配線パターン２０上に保護膜４２を形成するときに、同時に補強部４０を形成してもよく、半導体チップの実装工程（例えばインナーリードボンディング）の妨げとならない材料、例えば耐熱性を有する材料で、補強部４０を形成することが好ましい。具体的には、モールド樹脂のキュア温度（約１２０〜１５０℃）以下で塑性変形しない程度の耐熱性を有する材料で補強部４０を形成することが好ましい。
補強部４０は、配線パターン２０と同じ材料で形成した部分と、保護膜４２と同じ材料で形成した部分と、フィルムからなる部分と、のうちいずれか複数層で形成してもよい。この場合も、配線パターン２０、保護膜４２又はフィルムを形成する工程で同時に補強部４０を形成してもよい。
配線パターン２０上には、保護膜４２（図５参照）を設けてもよい。保護膜４２は、配線パターン２０を酸化等から保護する。例えば、ソルダレジスト等の樹脂で保護膜４２を形成してもよい。保護膜４２は、配線パターン２０のうち、半導体チップ等の他の部品と電気的に接続される部分（インナーリード２６、２８、外部端子、アウターリード等）を除いた部分上を覆って設ける。
それぞれの配線パターン２０は、１つの半導体装置を製造するためのものであり、可撓性配線基板１は複数の半導体装置を製造するためのものである。ベース基板１０は、複数の打ち抜き領域４４が設定されている。各打ち抜き領域４４でベース基板１０を打ち抜いて半導体装置を製造する。それぞれの打ち抜き領域４４には、各配線パターン２０が形成されている。配線パターン２０は、打ち抜き領域４４からはみ出して形成されていてもよい。すなわち、配線パターン２０の一部が、打ち抜き領域４４の外側に位置してもよい。
上述した補強部４０は、打ち抜き領域４４の、ベース基板１０の長手方向の全長にわたって形成されていてもよい。こうすることで、ベース基板１０のうち、打ち抜かれて完成品の半導体装置の一部となる部分の補強がなされる。
図２Ａは、本実施の形態に係る可撓性配線基板の使用状態を示す図であり、図２Ｂは、可撓性配線基板の一部の側面図である。図２Ａに示すように、上述した可撓性配線基板１は、リール４６に巻き取られる。そのとき、ベース基板１０の長手方向の軸線が曲げられるが、本実施の形態では、ベース基板１０に複数の補強部４０が形成されている。したがって、図２Ｂに示すように、補強部４０が形成されていない部分は、曲げ応力が集中して大きく曲がり、補強部４０が形成された部分は曲がり量が少ない。曲がり量が少ない部分には、図１に示すように、配線パターン２０が形成されているので、配線パターン２０の曲がりを抑えることができる。
こうして、リール４６から可撓性配線基板１を引き出して、工程を行うことができ、リール・ツウ・リールで工程を行うこともできる。
（フィルムキャリア）
本発明を適用した実施の形態に係るフィルムキャリアは、図１に示す可撓性配線基板を、幅方向に示す直線（図１に符号４６で示す二点鎖線）で切断した形状をなす。例えば、フィルムキャリアは、上述した可撓性配線基板１から切断された個片のフィルムである。なお、可撓性配線基板１を切断する位置は特に限定されない。図１に示す例では、１つの配線パターン２０の両側を切断位置としたが、複数の配線パターン２０の両側を切断位置としてもよい。
（テープ状半導体装置の製造方法）
図３は、本発明を適用した実施の形態に係るテープ状半導体装置の製造方法を説明する図である。
図３に示すように、可撓性配線基板１はリール４６に巻き取られて用意され、半導体チップの搭載を行うボンディングユニット５０に送り出される。リール４６とボンディングユニット５０との間にはバッファ領域（たるみ）５２が設けられており、リール４６の繰り出し量をボンディングユニット５０のタクトタイムに同期させなくても半導体チップを可撓性配線基板１に搭載できるようにしている。
バッファ領域５２では、可撓性配線基板１を自重により垂らした形態としてあるので、その最下部は自重により屈曲が生じ、可撓性配線基板１に曲げ応力が加わることとなる。しかし、本実施の形態に係る可撓性配線基板１には、補強部４０が設けられているので、２つの補強部４０の間の部分に曲げ応力が集中する。故に電気的接続部（例えばインナーリード２６、２８）に曲げ応力が集中してストレスがかかり、クラックや断線が生じるのを防止することができる。
（テープ状半導体装置）
図４は、本発明を適用した実施の形態に係るテープ状半導体装置を示す図であり、ベース基板１０の幅方向に延びる直線に沿った断面図である。
テープ状半導体装置は、上述した可撓性配線基板１と、各配線パターン２０に電気的に接続された複数の半導体チップ６０と、を有する。
半導体チップ６０の平面形状は一般的には矩形であり、長方形であっても正方形であってもよい。半導体チップ６０の一方の面に、複数の電極が形成されている。電極は、半導体チップの面の少なくとも１辺（多くの場合、２辺又は４辺）に沿って並んでいる。半導体チップ６０の外形が長方形である場合には、例えば液晶駆動用ＩＣのように長手方向に電極が配列されてもよいし、短手方向に電極が配列されてもよい。また、電極は、半導体チップ６０の面の端部に並んでいる場合と、中央部に並んでいる場合がある。各電極は、アルミニウムなどで薄く平らに形成されたパッドと、その上に形成されたバンプと、からなることが多い。バンプが形成されない場合は、パッドのみが電極となる。電極の少なくとも一部を避けて半導体チップ６０には、パッシベーション膜（図示しない）が形成されている。パッシベーション膜は、例えば、ＳｉＯ２、ＳｉＮ、ポリイミド樹脂などで形成することができる。
半導体チップ６０の電極は、ＴＡＢ技術を適用して、デバイスホール１４を介して、配線パターン２０のインナーリード２６、２８にボンディングしてもよい。
あるいは、デバイスホール１４が形成されない可撓性配線基板を使用した場合には、半導体チップ６０をフェースダウンボンディングしてもよい。その場合、可撓性配線基板は、半導体チップ６０の能動面（電極が形成された面）とベース基板とが対向した状態で実装される基板、すなわちＣＯＦ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｆｉｌｍ）用基板であってもよい。
あるいは、ワイヤボンディングなどを適用して、半導体チップ６０をフェースアップの状態でボンディングしてもよい。その場合、可撓性配線基板は、半導体チップ６０の能動面（電極が形成された面）がベース基板の搭載面と同じ方向を向いて、例えば金線などのワイヤ（細線）にて半導体チップ６０の電極と配線パターン２０とが接続されるフェースアップ型の実装基板であってもよい。
テープ状半導体装置は、シール部６２を有してもよい。シール部６２は、少なくとも半導体チップ６０の電極と配線パターン２０との電気的接続部（例えばインナーリード２６、２８）を封止するものである。シール部６２は、樹脂で形成されることが多い。
また、配線パターン２０における保護膜４２によって覆われる部分と覆われない部分との境界では、シール部６２は、保護膜４２の端部と重複することが好ましい（図５参照）。こうすることで、配線パターン２０が露出することを防止できる。シール部６２を形成する樹脂は、ポッティングによって設けてもよいし、トランスファモールドによって設けてもよい。
（半導体装置及びその製造方法）
図５は、本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置及びその製造方法を示す図である。半導体装置は、図５に示すテープ状半導体装置を、幅方向に延びる直線で切断した形状をなす。例えば、図５に示すように、切断ジグ６４（カッタやパンチ等）で、１つの配線パターン２０の両側で、テープ状半導体装置を切断してもよい。その切断位置は、図１に二点鎖線４８で示す位置であってもよい。本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置は、上述したテープ状半導体装置のベース基板１０を打ち抜いた形状をなしていてもよい。打ち抜きの位置は、１つの配線パターン２０を囲む輪郭であってもよい。
（半導体装置及び回路基板）
図６は、本発明を適用した実施の形態に係る回路基板を示す図である。図６に示すように、回路基板７０には、上述した半導体装置７２が電気的に接続されている。回路基板７０は、例えば液晶パネルであってもよい。半導体装置７２は、テープ状半導体装置のベース基板１０を、半導体チップ６０を囲む輪郭で打ち抜いた形状なす。
図６に示すように、半導体装置７２のベース基板１０は、屈曲させて設けてもよい。例えば、回路基板７０の端部の回りにベース基板１０を屈曲させてもよい。
（電子機器）
本発明を適用した半導体装置を有する電子機器として、図７には、携帯電話８０が示されている。この携帯電話８０は、本発明を適用した回路基板７０（液晶パネル）も有する。図８には、本発明を適用した半導体装置（図示せず）を有するノート型パーソナルコンピュータ９０が示されている。
なお、本発明の構成要件「半導体チップ」を「電子素子」に置き換えて、半導体素子と同様に電子素子（能動素子か受動素子かを問わない）を、可撓性配線基板に実装して電子部品を製造することもできる。このような電子素子を使用して製造される電子部品として、例えば、光素子、抵抗器、コンデンサ、コイル、発振器、フィルタ、温度センサ、サーミスタ、バリスタ、ボリューム又はヒューズなどがある。
（変形例）
図９は、上述した実施の形態の変形例を示す図である。図９に示す可撓性配線基板には、メッキリード１００が形成されている。メッキリード１００は、配線パターン２０と接続されており、配線パターン２０を電気メッキするときに使用される。それ以外の構成は、図１に示す可撓性配線基板１と同じである。
メッキリード１００は、ベース基板１０の端部に沿って連続的に形成されている。この場合、メッキリード１００によってベース基板１０が補強されるが、本変形例では、さらに補強部４０が形成されている。したがって、補強部４０が形成された部分において、ベース基板１０がよりいっそう補強される。補強部４０の詳細は、上述した実施の形態で説明した通りである。
図９において、ベース基板１０の端部側から中央に向かって、スプロケットホール１２、メッキリード１００、補強部４０の順で形成されているが、メッキリード１００と補強部４０の位置は入れ替わっていてもよい。
図１０も、上述した実施の形態の変形例を示す図である。図１０に示す可撓性配線基板には、メッキリード２００が形成されている。メッキリード２００は、配線パターン２０と接続されており、配線パターン２０を電気メッキするときに使用される。
本実施の形態では、メッキリード２００は、ベース基板１０の端部に沿って連続的に形成されている。メッキリード２００は、幅の広い部分と幅の狭い部分とを有し、幅の広い部分が補強部２４０である。図１０では、補強部２４０は、ホール（例えばアウターリードホール３８）の両端間の領域に形成されており、メッキリード２００の他の部分よりも幅が広くて強度が高くなっている。
本変形例では、メッキリード２００によってベース基板１０が補強されるが、メッキリード２００の一部が補強部２４０となり、補強部２４０が形成された部分において、ベース基板１０がよりいっそう補強される。補強部２４０によって、配線パターン２０のうち、アウターリードホール３８の内部に位置する部分の曲がりが抑制される。それ以外の構成は、図１に示す可撓性配線基板１と同じである。
図１１は、図１に示す実施の形態の変形例を示す図である。図１に示す実施の形態では、補強部４０の幅広の部分が、ベース基板１０の長手方向におけるアウターリードホール３８の全長にわたって形成されている。これに対して、図１１に示す変形例では、補強部４１の幅広の部分が、ベース基板１０の長手方向におけるアウターリードホール３８の全長を超えて形成されている。本発明は、このような形態も含む。
図１２も、図１に示す実施の形態の変形例を示す図である。図１に示す実施の形態では、ベース基板１０の幅方向の両側の端部に補強部４０が形成されているが、図１２に示す変形例では、ベース基板１０の幅方向の片方の端部に補強部４０が形成されている。
図１２には、ベース基板１０の幅方向の一方（右側）の端部に、ベース基板１０の長手方向に沿って複数の補強部４０が形成されている。図１３に示す変形例では、ベース基板１０の幅方向の両端部のいずれか一方に、交互に補強部４０が形成されている。すなわち、ベース基板１０の幅方向の一方（例えば右側）の端部に補強部４０を形成し、次の補強部４０を、ベース基板１０の幅方向の他方（例えば左側）の端部に形成してもよい。
同様に、図１１に示す変形例の補強部４１を、図１２又は図１３に示すように形成してもよい。本発明は、このような形態も含む。
図１４は、図９に示す例の変形例を示す図である。図９に示す例では、補強部４０の幅広の部分が、ベース基板１０の長手方向におけるアウターリードホール３８の全長にわたって形成されている。これに対して、図１４に示す変形例では、補強部４１の幅広の部分が、ベース基板１０の長手方向におけるアウターリードホール３８の全長を超えて形成されている。本発明は、このような形態も含む。
図１５も、図９に示す例の変形例を示す図である。図９に示す例では、ベース基板１０の幅方向の両側の端部に補強部４０が形成されているが、図１５に示す変形例では、ベース基板１０の幅方向の片方の端部に補強部４０が形成されている。
図１５には、ベース基板１０の幅方向の一方（右側）の端部に、ベース基板１０の長手方向に沿って複数の補強部４０が形成されている。図１６に示す変形例では、ベース基板１０の幅方向の両端部のいずれか一方に、交互に補強部４０が形成されている。すなわち、ベース基板１０の幅方向の一方（例えば右側）の端部に補強部４０を形成し、次の補強部４０を、ベース基板１０の幅方向の他方（例えば左側）の端部に形成してもよい。
同様に、図１４に示す変形例の補強部４１を、図１５又は図１６に示すように形成してもよい。本発明は、このような形態も含む。
図１７は、図１０に示す例の変形例を示す図である。図１０に示す例では、補強部２４０が、ベース基板１０の長手方向におけるアウターリードホール３８の全長にわたって形成されている。これに対して、図１７に示す変形例では、補強部２４１が、ベース基板１０の長手方向におけるアウターリードホール３８の全長を超えて形成されている。本発明は、このような形態も含む。
図１８も、図１０に示す例の変形例を示す図である。図１０に示す例では、ベース基板１０の幅方向の両側の端部に補強部２４０が形成されているが、図１８に示す変形例では、ベース基板１０の幅方向の片方の端部に補強部２４０が形成されている。
図１８には、ベース基板１０の幅方向の一方（右側）の端部に、ベース基板１０の長手方向に沿って複数の補強部２４０が形成されている。図１９に示す変形例では、ベース基板１０の幅方向の両端部のいずれか一方に、交互に補強部２４０が形成されている。すなわち、ベース基板１０の幅方向の一方（例えば右側）の端部に補強部２４０を形成し、次の補強部２４０を、ベース基板１０の幅方向の他方（例えば左側）の端部に形成してもよい。
同様に、図１７に示す変形例の補強部２４１を、図１８又は図１９に示すように形成してもよい。本発明は、このような形態も含む。
（実施例）
次に、本発明を、フィルムキャリアテープに適用した実施例を説明する。図１に示すように、フィルムキャリアテープ（可撓性配線基板１の一例）は、可撓性を有した長尺基板（ベース基板１０の一例）からなり、長尺基板にデバイスホール１２やアウターリードホール３８を打ち抜きによって形成した後、これらホールの周囲に配線パターン２０を引き回すことで製作される。
長尺基板はポリイミド製のフィルム形状となっており、その幅方向両端にはスプロケットホール１２が長尺基板の長手方向に沿って等間隔に複数配設され、搬送経路の途中に設けられたスプロケットに噛み合わされることで、長尺基板を搬送方向に沿って移動可能にしている。
このような長尺基板にはその長手方向に沿って、フィルムキャリアの打ち抜き外形に相当する、打ち抜き領域４４が複数等間隔に形成されている。
そして打ち抜き領域４４の内側には、半導体チップ６０（図４参照）を収容するだけの大きさを有したデバイスホール１４と、このデバイスホール１４に接近したアウターリードホール３８とが設けられる。またデバイスホール１４とアウターリードホール３８との間には配線パターン２０が形成されている。配線パターン２０の一端をデバイスホール１４の縁より突出させ、これを入力側のインナーリード２８とし、半導体チップ６０の表面に形成される接続用端子（電極）との接続を図るようにしている。また、アウターリードホール３８を跨いで配線パターン２０が引き回され、このアウターリードホール３０を跨ぐ配線パターン２０の範囲をアウターリードとし、図示しない外部基板に形成される接続用端子との接続を図るようにしている。
一方、デバイスホール１４における入力側のインナーリード２８が形成される反対側の縁には出力側のインナーリード２６が形成される。出力側のインナーリード２６も半導体チップ６０の接続用端子の数に応じた本数だけ突出形成されている。出力側のインナーリード２６を片側端部とする配線パターン２０は、アウターリードホール３８が形成される反対側へと引き延ばされ、その延長先端部には他の外部基板への接続をなすために半田メッキが施され、半田ランドを形成するようにしている。
打ち抜き領域４４を含む長尺基板の横断領域（幅方向の領域）には、打ち抜き領域４４の屈曲防止をなすためのダミーパターン（補強部４０の一例）が形成されている。ダミーパターンは打ち抜き領域４４の両側外方に長尺基板の長手方向に沿って延長形成されたもので、その材質は配線パターン２０と同様の銅箔からなっている。そしてこのダミーパターンは特にアウターリードホール３８の外側で幅広に形成され、その屈曲抵抗を増大させるようにしている。すなわち長尺基板の厚みは５０μｍまたは７５μｍが一般的であり、この長尺基板の面上に形成される銅箔（配線パターン２０およびダミーパターンの材質）の厚みは、１８〜３５μｍが一般的である。このような銅箔を幅広に形成すれば、この幅広化に伴って銅箔形成領域の屈曲抵抗を増大させることができる。なおダミーパターンにおける幅広部の幅は少なくともアウターリードホール１４の幅以上に設定され、アウターリードホール３８と幅広部とが確実に重なり、アウターリードホール３８付近の屈曲抵抗を増大させるようにしている。
フィルムキャリアテープは、デバイスホール１４と、アウターリードホール３８とを同時に長尺基板から打ち抜き形成した後、長尺基板の表面に銅箔をラミネートし、当該銅箔に対し露光とエッチングとを行い、配線パターン２０、ダミーパターンを形成する。このような手順にて製作されたフィルムキャリアテープは、その後デバイスホール１４に半導体チップ６０を収容し、インナーリード２６、２８との電気的導通を図るとともに、半導体チップ６０を保護用樹脂（保護膜４２の一例）にて封止させ、打ち抜き領域４４の外形に沿ってフィルムキャリアの打ち抜きを行い、半導体チップ６０をフィルムキャリアに搭載した半導体装置を形成するようにしている。
また上述した製作工程は、一つの製造ラインにおいて、長尺基板の搬送方向に沿って一括して行われるのではなく、工程毎に製造ラインが存在している。そしてフィルムキャリアテープは所定の製造ラインの終端でリール４６にロール状に巻き取られるとともに、次段の製造ラインでは、このリール４６を先頭に設置し、フィルムキャリアテープを次段の製造ラインへと繰り出すようにしている。
図２Ａに示すように、フィルムキャリアテープの先端をリール４６の芯に取りつけてフィルムキャリアテープを芯に巻き付けていくと、フィルムキャリアテープはロール状となり、巻き付け量が増加するに従ってその巻き付け外形が増加していく。ここでフィルムキャリアテープはリール４６への巻き付けによって曲げ応力が加わることとなるが、フィルムキャリアテープにはダミーパターンが設けられており、特にアウターリードホール３８の幅方向両側には、幅広部が形成されているので、これらの領域は屈曲抵抗が増大している。このため打ち抜き領域４４と比較して、打ち抜き領域４４間の領域は屈曲抵抗が小さくなっているので、この部分に曲げ応力が集中し、図２Ａの要部拡大図となる図２Ｂに示すように、打ち抜き領域４４間の領域を頂点としてフィルムキャリアテープは多角形状に屈曲する。このためアウターリードホール３８が形成される範囲には、屈曲による曲げ応力が集中することがない。このためアウターリードホール３８に形成されるアウターリードに曲げ応力集中によるストレスがかかり、アウターリードにクラックや断線が生じるのを防止することができる。
図３は、フィルムキャリアテープに半導体チップ６０を搭載する製造ラインの形態を示す説明図である。図３に示すようにリール４６から繰り出されるフィルムキャリアテープは、その製造ラインにおいて半導体チップ６０の搭載を行うボンディングユニット５０に投入されるが、リール４６とボンディングユニット５０との間にはバッファ領域（たるみ）５２が設けられており、リール４６の繰り出し量をボンディングユニット５０のタクトタイムに同期させなくても半導体チップ６０をフィルムキャリアテープに搭載できるようにしている。
バッファ領域５２は、フィルムキャリアテープを自重により垂らした形態となっているので、その最下部は自重により屈曲が生じ、フィルムキャリアテープに曲げ応力が加わることとなる。しかしフィルムキャリアテープには、打ち抜き領域４４が存在し、この領域の屈曲抵抗が打ち抜き領域４４間の領域よりダミーパターン（特に幅広部）によって強化されている。その結果、打ち抜き領域４４間の領域に曲げ応力が集中し、打ち抜き領域４４間の領域を頂点としてフィルムキャリアテープは多角形状に屈曲する。このためアウターリードホール３８が形成される範囲には、屈曲による曲げ応力が集中することがない。故にアウターリードホール３８に形成されるアウターリードに曲げ応力集中によるストレスがかかり、アウターリードにクラックや断線が生じるのを防止することができる。
さらに打ち抜き領域４４間の領域に曲げ応力を集中させることから、打ち抜き領域４４に曲げ応力が集中することがない。このためアウターリードばかりでなく、打ち抜き領域４４の内側に形成される入力側のインナーリード２８および出力側のインナーリード２６などに変形等が生じるおそれがなく、もってインナーリード２６、２８と半導体チップ６０との位置合わせを確実に行わせることができる。
そしてフィルムキャリアテープに半導体チップ６０を搭載した後は打ち抜き領域４４の外形に沿ってこれを打ち抜き半導体装置とするが、ダミーパターンは打ち抜き外形の外方に形成されているため、ダミーパターンが打ち抜き後の半導体装置側に残留することがない。このため電気的に浮いた状態にあるダミーパターンの一部がアンテナ化し、相互誘導によって近接する配線パターン２０にノイズの影響を及ぼすことを防止することができる。なおこのようなノイズ障害の影響が少ない場合は、ダミーパターンを打ち抜き領域４４の内側まで形成するようにして、屈曲強度を高めるようにしてもよい。
なお本実施の形態においては、半導体チップ６０をフィルムキャリアテープに搭載する箇所にて説明を行ったが、この箇所に限定されることもなく、フィルムキャリアテープにおける曲げ応力が加わる他の部分についても同様の効果が得られる。
本実施の形態においては、打ち抜き領域４４の長手方向に沿ってダミーパターンを設けることとしたが、本発明はこれに限定されない。例えば、打ち抜き領域４４におけるアウターリードホール３８以外の領域の屈曲抵抗が十分であるときにはホール（例えばアウターリードホール３８）の長さにわたる幅広部だけを形成してもよい。また打ち抜き領域４４の補強は配線パターン２０を構成する銅箔のみによって行われるのではなく、例えばレジストの塗布によったり、打ち抜き領域４４の背面側に補強板（補強フィルム含む）を貼ることで行ってもよい。
以上説明したように、本実施例に係るフィルムキャリアテープの製造方法によれば、可撓性を有した長尺基板の長手方向に沿って打ち抜き領域４４を連続して設定した後、打ち抜き領域４４を含む長尺基板の横断領域（幅方向の領域）の補強を行うことから、打ち抜き領域４４の屈曲低減をなすことができる。
具体的には、可撓性を有した長尺基板の長手方向に沿って打ち抜き領域４４を連続して設定し、これら打ち抜き領域４４内にデバイスホール１４とこれに隣り合うアウターリードホール３８とを形成する。その後、端部をデバイスホール１４より突出させるとともに、他端部がアウターリードホール３８を跨ぐ配線パターン２０を形成する。配線パターン２０の形成とともにダミーパターン（補強部４０）を形成したことから、アウターリードホール３８が形成される領域に曲げ応力が集中するのを防止することができ、アウターリードにクラックや断線が生じるのを防止することができる。
本実施例に係るフィルムキャリアテープによれば、可撓性を有した長尺基板と、この長尺基板に沿って連続して設定される打ち抜き領域４４と、補強部４０とを有し、打ち抜き領域４４の屈曲抵抗を、打ち抜き領域４４間の屈曲抵抗より大きくしたことから、打ち抜き領域４４の屈曲低減をなすことができる。
フィルムキャリアテープは、可撓性を有した長尺基板を有し、長尺基板には打ち抜き領域４４が連続して設定され、打ち抜き領域４４内にデバイスホール１４と、このデバイスホール１４に隣り合うアウターリードホール３８とが形成されている。また、フィルムキャリアテープは、デバイスホール１４より端部が突出するとともに他端部側がアウターリードホール３８を跨ぐ配線パターン２０と、ダミーパターン（補強部４０）とを有する。このことから、曲げ応力がアウターリードホール３８に集中することがなく、アウターリードにクラックや断線が生じるのを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
図１は、本発明を適用した実施の形態に係る可撓性配線基板を示す図である。
図２Ａ及び図２Ｂは、本発明を適用した実施の形態に係る可撓性配線基板の使用状態を示す図である。
図３は、本発明を適用した実施の形態に係るテープ状半導体装置の製造方法を示す図である。
図４は、本発明を適用した実施の形態に係るテープ状半導体装置を示す図である。
図５は、本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す図である。
図６は、本発明を適用した実施の形態に係る回路基板を示す図である。
図７は、本実施の形態に係る半導体装置を有する電子機器を示す図である。
図８は、本実施の形態に係る半導体装置を有する電子機器を示す図である。
図９は、本発明を適用した実施の形態の変形例に係る可撓性配線基板を示す図である。
図１０は、本発明を適用した実施の形態の変形例に係る可撓性配線基板を示す図である。
図１１は、本発明を適用した実施の形態の変形例に係る可撓性配線基板を示す図である。
図１２は、本発明を適用した実施の形態の変形例に係る可撓性配線基板を示す図である。
図１３は、本発明を適用した実施の形態の変形例に係る可撓性配線基板を示す図である。
図１４は、本発明を適用した実施の形態の変形例に係る可撓性配線基板を示す図である。
図１５は、本発明を適用した実施の形態の変形例に係る可撓性配線基板を示す図である。
図１６は、本発明を適用した実施の形態の変形例に係る可撓性配線基板を示す図である。
図１７は、本発明を適用した実施の形態の変形例に係る可撓性配線基板を示す図である。
図１８は、本発明を適用した実施の形態の変形例に係る可撓性配線基板を示す図である。
図１９は、本発明を適用した実施の形態の変形例に係る可撓性配線基板を示す図である。
【図１】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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