(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を所定の温度で加熱しつつ、この基板の表面に酸を含む蒸気を供給することにより、基板表面の酸化膜を除去する酸化膜除去工程と、
この酸化膜除去工程に先だって、基板の表面の汚染物質を除去する汚染物質除去工程と、
上記汚染物質除去工程の後、上記酸化膜除去工程の前に、上記基板を水洗および乾燥する工程とを含み、
上記汚染物質除去工程は、基板の表面に酸を含む蒸気を導き、基板表面の汚染物質をエッチング除去するための気相エッチング工程を含むことを特徴とする基板表面処理方法。
【請求項２】
上記汚染物質除去工程は、上記酸化膜除去工程前の基板を化学フィルタを通した空気中に置く工程を含むことを特徴とする請求項１記載の基板表面処理方法。
【請求項３】
基板を所定の温度で加熱する基板加熱手段と、
この基板加熱手段によって加熱されている基板の表面の酸化膜を除去する酸化膜除去処理のために、この基板の表面に酸を含む蒸気を供給する酸化膜除去手段と、
上記酸化膜除去処理に先だって、基板の表面に酸を含む蒸気を導き、基板の表面の汚染物質をエッチング除去するための気相エッチング手段を含む汚染物質除去手段と、
上記気相エッチング手段によって処理され、上記酸化膜除去処理が施される前の基板を水洗および乾燥するための予備水洗・乾燥処理部とを含むことを特徴とする基板表面処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、塩酸、硝酸、硫酸、ふっ酸（ＨＦおよび無水ＨＦを含む）、酢酸などのような酸を含む蒸気を基板の表面に導き、いわゆる気相エッチング処理によって基板の表面の膜を除去するための基板表面処理方法および基板表面処理装置に関する。処理対象の基板には、半導体ウエハ、液晶表示装置およびプラズマディスプレイ用ガラス基板、ならびに光、磁気および光磁気ディスク用基板などの各種の基板が含まれる。また、基板の材質としては、シリコン、ガラス、樹脂およびセラミックなどの材質が含まれる。なお、基板表面の膜の除去は、所定の膜の一部または全部の選択的除去を目的としていてもよく、また、基板表面の洗浄を目的としていてもよい。
【０００２】
【従来の技術】
半導体メモリの製造工程においては、半導体ウエハ（以下「ウエハ」という。）上にメモリキャパシタ膜を作製する際に、ＢＳＧ（Boron-Silicate Glass）、ＰＳＧ（Phospho-Silicate Glass）、ＢＰＳＧ（Boron-doped Phospho-Silicate Glass）などの不純物を多く含んだ酸化膜が犠牲酸化膜として用いられる。これらの犠牲酸化膜は、ふっ酸蒸気を用いたエッチングにおける熱酸化膜またはＣＶＤ（化学的気相成長）酸化膜に対する選択比を大きくとることができ、熱酸化膜またはＣＶＤ酸化膜をエッチングストッパ膜として用いて選択的に除去することができる。
【０００３】
ふっ酸蒸気を用いたエッチング処理におけるエッチング選択比は温度に依存する。たとえば、熱酸化膜は、温度上昇に伴ってエッチングレートが急激に減少するのに対して、ＢＰＳＧ膜は温度変化によらずに比較的高いエッチングレートを維持する。そこで、ウエハの表面に形成された熱酸化膜上のＢＰＳＧ膜を選択除去するときには、半導体ウエハの温度を５０℃〜８０℃に維持してふっ酸蒸気による気相エッチング処理が行われる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
ふっ酸蒸気による酸化膜のエッチングプロセスは、極めて微妙なプロセスである。このプロセスには、ウエハ上における水分の吸着が関与している。そのため、ウエハの表面状態の影響を受けやすく、ウエハの表面の汚染状態および水分の吸着状態により、反応の進行速度が変化する。したがって、安定したエッチングレートが得にくいという問題がある。
【０００５】
また、ウエハの表面状態がウエハ面内で異なっていると、ウエハの面内で均一なエッチング処理を行うことができない。
さらに、複数枚のウエハの表面状態は必ずしも等しくないから、ウエハに対するエッチング処理に個体差がでてしまう。
そこで、この発明の目的は、上述の技術的課題を解決し、酸を含む蒸気によって基板上の膜を除去する処理を良好に行うことができる基板表面処理方法および基板表面処理装置を提供することである。
【００１２】
【課題を解決するための手段および発明の効果】
上記の目的を達成するための請求項１記載の発明は、基板（Ｗ）を所定の温度で加熱しつつ、この基板の表面に酸を含む蒸気を供給することにより、基板表面の酸化膜を除去する酸化膜除去工程（４０）と、この酸化膜除去工程に先だって、基板の表面の汚染物質を除去する汚染物質除去工程（４０１）と、上記汚染物質除去工程の後、上記酸化膜除去工程の前に、上記基板を水洗および乾燥する工程（５０１）とを含み、上記汚染物質除去工程は、基板の表面に酸を含む蒸気を導き、基板表面の汚染物質をエッチング除去するための気相エッチング工程を含むことを特徴とする基板表面処理方法である。
なお、括弧内の英数字は後述の実施形態における対応構成要素または当該工程を実行する構成要素の参照符号を表す。以下、この項において同じ。
【００１３】
この方法では、酸化膜除去工程の前に基板表面の汚染物質が除去されるから、基板表面における水分の吸着状態を安定化できる。これにより、酸化膜除去工程の進行速度を安定化でき、かつ、基板の面内において酸化膜除去工程を均等に進行させることができる。さらに、複数枚の基板に対する処理の個体差も低減できる。
【００１４】
汚染物質除去工程は、酸化膜除去工程の直前に行われることが好ましい。具体的には、汚染物質除去工程と酸化膜除去工程とは、１つの基板表面処理装置において順に実行されるか、１つの処理チャンバ内において順に実行されることが好ましい。
【００１６】
汚染物質除去工程と酸化膜除去工程とは、同一処理チャンバ（４０）内で行われてもよいし、別の処理チャンバ（４０，４０１）内で行われてもよい。
【００１８】
請求項２に記載のように、上記汚染物質除去工程は、上記酸化膜除去工程前の基板を化学フィルタを通した空気中に置く工程を含んでいてもよい。
これにより、酸化膜除去工程の前の基板を清浄な雰囲気中に置くことができるので、基板表面の汚染物質を排除することができ、基板表面を清浄な状態に改質できる。
【００２０】
請求項３記載の発明は、基板を所定の温度で加熱する基板加熱手段と、この基板加熱手段によって加熱されている基板の表面の酸化膜を除去する酸化膜除去処理のために、この基板の表面に酸を含む蒸気を供給する酸化膜除去手段と、上記酸化膜除去処理に先だって、基板の表面に酸を含む蒸気を導き、基板の表面の汚染物質をエッチング除去するための気相エッチング手段を含む汚染物質除去手段と、上記気相エッチング手段によって処理され、上記酸化膜除去処理が施される前の基板を水洗および乾燥するための予備水洗・乾燥処理部とを含むことを特徴とする基板表面処理装置である。
なお、この基板表面処理装置の発明に関しても、基板表面処理方法の発明に関して上述したとおりの変形と同様の変形を行うことができる。
【００２１】
【発明の実施の形態】
以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、第１の参考例に係る基板表面処理装置の構成を説明するための図解的な平面図である。この装置は、半導体ウエハ（以下、単に「ウエハ」という。）Ｗの表面に形成された酸化膜を除去するための装置である。より具体的には、たとえば、ウエハＷ上に形成された熱酸化膜上にメモリキャパシタ形成のために使用される犠牲酸化膜（ＢＳＰＧ膜など）が形成されている場合に、この犠牲酸化膜を選択的に除去するための装置である。この処理のために、この基板表面処理装置では、ふっ酸の蒸気をウエハＷの表面に供給することにより、ふっ酸の気相エッチング処理によって酸化膜除去工程が行われる。
【００２２】
装置の構成について説明すると、この装置は、処理前のウエハＷを収容したカセットＣＬが置かれるローダ部１０と、ウエハＷの表面に対して紫外線（ＵＶ）を照射するとともに、ウエハＷを加熱するためのＵＶ・加熱処理部２０と、このＵＶ・加熱処理部２０によって加熱された後のウエハＷを室温に冷却するための冷却処理部３０と、冷却処理部３０によって室温に冷却された後のウエハＷに対して、ふっ酸蒸気による気相エッチング処理を行う気相エッチング処理部４０と、この気相エッチング処理後のウエハＷを水洗し、その後、水切り乾燥を行う水洗・乾燥処理部５０と、水洗・乾燥処理部５０によって処理された後のウエハＷを収容するためのカセットＣＵが載置されるアンローダ部６０とを備えている。
【００２３】
ローダ部１０およびアンローダ部６０は、この基板表面処理装置の前面パネル７７の背後に配置されている。ＵＶ・加熱処理部２０、冷却処理部３０、気相エッチング処理部４０および水洗・乾燥処理部５０は、ローダ部１０からアンローダ部６０に至る、平面視においてほぼＵ字形状の経路７８に沿って、この順に配列されている。
ローダ部１０とＵＶ・加熱処理部２０との間には、ローダ部１０に置かれたカセットＣＬから処理前のウエハＷを１枚ずつ取り出して、ＵＶ・加熱処理部２０に搬入するローダ搬送ロボット７１が配置されている。また、ＵＶ・加熱処理部２０と冷却処理部３０との間には、ＵＶ・加熱処理部２０からウエハＷを取り出して冷却処理部３０に搬入する第１中間搬送ロボット８１が配置されている。同様に、冷却処理部３０と気相エッチング処理部４０との間には、冷却処理部３０から気相エッチング処理部４０へとウエハＷを移載する第２中間搬送ロボット８２が配置されており、気相エッチング処理部４０と水洗・乾燥処理部５０の間には、気相エッチング処理後のウエハＷを気相エッチング処理部４０から取り出して、水洗・乾燥処理部５０に搬入する第３中間搬送ロボット８３が配置されている。そして、水洗・乾燥処理部５０とアンローダ部６０の間には、水洗・乾燥処理後のウエハＷを水洗・乾燥処理部５０から取り出してアンローダ部６０に置かれたカセットＣＵに収容するためのアンローダ搬送ロボット７２が配置されている。
【００２４】
ローダ搬送ロボット７１、第１〜第３中間搬送ロボット８１〜８３およびアンローダ搬送ロボット７２は、それぞれ、下アームＬＡと上アームＵＡとを有する屈伸式のロボットの形態を有している。下アームＬＡは、図示しない回転駆動機構によって水平面に沿って回動されるようになっている。この下アームＬＡの先端に、上アームＵＡが水平面に沿う回動が自在であるように設けられている。下アームＬＡが回動すると、上アームＵＡは、下アームＬＡの回動方向とは反対方向に、下アームＬＡの回動角度の２倍の角度だけ回動する。これによって、下アームＬＡと上アームＵＡとは、両アームが上下に重なり合った収縮状態と、両アームが経路７８に沿って一方側または他方側に向かって展開された伸長状態とをとることができる。
【００２５】
このようにして、ローダ搬送ロボット７１、第１〜第３中間搬送ロボット８１〜８３およびアンローダ搬送ロボット７２は、処理部間またはカセット−処理部間で、経路７８に沿ってウエハＷの受け渡し行うことができる。
ＵＶ・加熱処理部２０は、たとえば、ウエハＷ全体を加熱するための基板全体加熱機構としてのホットプレートと、このホットプレートの上方に配置された紫外線ランプとを備えている。ローダ搬送ロボット７１は、ローダ部１０のカセットから処理前のウエハＷを取り出して、ＵＶ・加熱処理部２０のホットプレートに受け渡す。これにより、ウエハＷは、ホットプレートによる加熱処理を受けるとともに、紫外線ランプによる紫外線照射をその表面（上面）に受けることになる。
【００２６】
ホットプレートによるウエハＷの加熱温度は、５０℃〜３００℃とされることが好ましく、さらに好ましくは、１００℃〜２５０℃の範囲とされるとよい。最も好ましい加熱温度は、約２００℃である。
ＵＶ・加熱処理部２０による加熱処理および紫外線照射処理によって、ウエハＷの表面の汚染物質が除去され、さらに水分が除去される。紫外線照射処理および加熱処理は、いずれも、ウエハＷの表面の汚染物質の除去および水分の除去に寄与する。この場合に、汚染物質および水分の除去は、主に蒸発により達成されるものと考えられる。
【００２７】
冷却処理部３０は、ＵＶ・加熱処理部２０による処理後のウエハＷを室温に冷却するためのものであって、たとえばクーリングプレートで構成することができる。気相エッチング処理部４０によって行われる酸化膜の除去処理の際には、ウエハＷの温度を可能な限り所定の温度（たとえば、４０℃〜８０℃の範囲内の所定温度）に厳密に制御する必要がある。そこで、ＵＶ・加熱処理部２０による処理後のウエハＷを気相エッチング処理部４０に直接受け渡すのではなく、冷却処理部３０において、これを冷却することとしている。冷却処理部３０は、必ずしも室温にまでウエハＷを冷却する必要はないが、少なくとも気相エッチング処理部４０における膜除去工程の際の温度以下にまでウエハＷを冷却することが好ましい。
【００２８】
気相エッチング処理後のウエハＷを水洗および乾燥させる水洗・乾燥処理部５０は、たとえば、ウエハＷを水平に保持して回転させるスピンチャックと、このスピンチャックに保持されたウエハＷに対して純水を供給する純水供給ノズルとを備えている。この構成によって、ウエハＷの表面および／または裏面に純水を供給してウエハＷの表面を水洗する。水洗終了後は、純水の供給を停止し、スピンチャックを高速回転させることによって、ウエハＷの表面の水分を振り切って乾燥する。
【００２９】
図２は、気相エッチング処理部４０の構成を説明するための図解的な断面図である。気相エッチング処理部４０は、ハウジング４１内に、酸を含む水溶液の一例であるふっ酸水溶液４２を密閉状態で貯留するふっ酸蒸気発生容器４３を備えている。このふっ酸蒸気発生容器４３の下方には、ふっ酸蒸気を下方に向かって放出するための貫通孔が多数形成されたパンチングプレート４４が設けられている。
【００３０】
パンチングプレート４４の下方に、処理対象のウエハＷをパンチングプレート４４に対向させた状態で水平に保持するホットプレート４５が配置されている。このホットプレート４５は、モータ等を含む回転駆動機構４６によって鉛直軸線まわりに回転される回転軸４７の上端に固定されている。
ホットプレート４５の平面視における外方側には、ハウジング４１の底面４１ａに対して上下に伸長／収縮するベローズ４８が設けられている。このベローズ４８は、上端縁をパンチングプレート４４の周囲に当接させて、ホットプレート４５の周縁の空間を密閉して処理チャンバを形成する密閉位置（図において実線で示す位置）と、その上端縁がホットプレート４５の上面４５ａによりも下方に退避した退避位置（図２において破線で示す位置）との間で、図示しない駆動機構によって伸長／収縮駆動されるようになっている。
【００３１】
ベローズ４８の内部空間は、ハウジング４１の底面４１ａに接続された排気配管４９を介して、排気手段５５により排気されるようになっている。この排気手段５５は、排気ブロワまたはエジェクタなどの強制排気機構であってもよいし、当該基板表面処理装置が設置されるクリーンルームに備えられた排気設備であってもよい。
ホットプレート４５の側方には、ウエハＷを搬入するための搬入用開口２１、およびウエハＷを排出するための搬出用開口２２が、ハウジング４１の側壁に形成されている。これらの開口２１，２２には、それぞれシャッタ３８，３９が配置されている。ウエハＷの搬入時には、ベローズ４８が退避位置（図２の破線の位置）に下降させられるとともに、シャッタ３８が開成され、第２中間搬送ロボット８２（図１参照）によって、ホットプレート４５にウエハＷが受け渡される。また、ウエハＷの搬出時には、ベローズ４８が退避位置とされるとともに、シャッタ３９が開成されて、ホットプレート４５上のウエハＷが第３中間搬送ロボット８３に受け渡されて搬出される。なお、開口２１およびシャッタ３８と、開口２２およびシャッタ３９との配置関係は、実際には、平面視でこれらとウエハＷの中心とを結ぶ２本の線分が直交するようになっているが、この図２および後述の図３においては、図示の簡略化のため、これらの配置関係が、平面視でこれらとウエハＷの中心とを結ぶ２本の線分が一直線上に重なるように描かれている。
【００３２】
ふっ酸蒸気発生容器４３には、ふっ酸水溶液４２の液面の上方の空間３５に、キャリアガスとしての窒素ガスを供給する窒素ガス供給配管５４が接続されている。また、この空間３５は、バルブ３７を介して、パンチングプレート４４へとふっ酸蒸気を導くためのふっ酸蒸気供給路３６に接続することができるようになっている。ふっ酸蒸気供給路３６には、窒素ガス供給源３１からの窒素ガスが、流量コントローラ（ＭＦＣ）３２、バルブ３３および窒素ガス供給配管３４を介して供給されるようになっている。
【００３３】
また、窒素ガス供給源３１からの窒素ガスは、流量コントローラ５２およびバルブ５３を介して、窒素ガス供給配管５４に与えられるようになっている。
ふっ酸蒸気発生容器４３内に貯留されるふっ酸水溶液４２は、いわゆる擬似共弗組成となる濃度（たとえば、１気圧、室温（２０℃）のもとで、約３９．６％）に調製されている。この擬似共弗組成のふっ酸水溶液４２は、水とフッ化水素との蒸発速度が等しく、そのため、バルブ３７からふっ酸蒸気供給路３６を介してパンチングプレート４４にふっ酸蒸気が導かれることによってふっ酸蒸気発生容器４３内のふっ酸水溶液４２が減少したとしても、ふっ酸蒸気供給路３６に導かれるふっ酸蒸気の濃度は不変に保持される。
【００３４】
ウエハＷの表面の酸化膜を除去する酸化膜除去工程を行う時には、ベローズ４８はパンチングプレート４４の周縁に密着した密着位置（図２の実線の位置）まで上昇させられるとともに、バルブ３３，５３，３７が開かれる。これによって、ふっ酸蒸気発生容器４３内の空間３５において生成されたふっ酸蒸気は、窒素ガス供給配管５４からの窒素ガスによって、バルブ３７を介し、ふっ酸蒸気供給路３６へと押し出される。このふっ酸蒸気は、さらに、窒素ガス供給配管３４からの窒素ガスによって、パンチングプレート４４へと運ばれる。そして、このパンチングプレート４４に形成された貫通孔を介して、ウエハＷの表面へと供給される。
【００３５】
ウエハＷの表面では、ウエハＷの近傍の水分子の関与の下に、ふっ酸蒸気とウエハＷの表面の酸化膜（酸化シリコン）とが反応し、これにより、酸化膜の除去が達成される。
上述のとおり、ＢＰＳＧ膜と熱酸化膜とでは、一定の温度（たとえば、４０℃〜８０℃の範囲内の所定温度）でのふっ酸蒸気によるエッチングレートが大きく異なるから、これを利用して、ウエハＷの表面のＢＰＳＧを選択的に取り除くことができる。そこで、ホットプレート４５は、ウエハＷを上記一定の温度に保持するように、内部のヒータへの通電が行われる。
【００３６】
ウエハＷの面内での処理を均一に行うために、ホットプレート４５は、回転軸４７を介して、回転駆動機構４６によって、一定速度で鉛直軸線まわりに回転される。
以上のように、この参考例の構成によれば、ふっ酸蒸気を用いた気相エッチング処理による酸化膜除去工程の前に、ＵＶ・加熱処理部２０において、ウエハＷの表面の汚染物質を除去する汚染物質除去処理およびウエハＷの表面の水分を除去する水分除去処理を行うこととしている。これによって、気相エッチング処理に対して最適な表面状態に改質されたウエハＷが、気相エッチング処理部４０に搬入されて、ふっ酸蒸気による酸化膜除去処理（気相エッチング処理）を受けることになる。したがって、この酸化膜除去処理は、安定した速度で進行させることができるとともに、ウエハＷの面内での処理速度に大きな差異が生じることもない。したがって、ウエハＷの全面において良好な酸化膜除去処理を行うことができる。
【００３７】
さらに、気相エッチング処理に対して最適な状態に表面改質されたウエハＷが気相エッチング処理部４０に搬入されて処理されるから、複数枚のウエハＷに対する処理のばらつきを抑制することができる。
図３は、第２の参考例に係る基板表面処理装置の構成を説明するための図解的な平面図である。この参考例においても、上述の第１の参考例の場合と同じく、ふっ酸蒸気を用いた気相エッチングによって、ウエハＷ表面の酸化膜の選択的除去が行われる。この図３において、上述の図１に示された各部に対応する部分には、図１の場合と同一の参照符号を付して示す。また、気相エッチング処理部４０の構成を示す上述の図２を再び参照する。
【００３８】
この参考例では、ローダ部１０からアンローダ部６０に至るＵ字状の経路７８に、気相エッチング処理部４０および水洗・乾燥処理部５０が配置されている。そして、ローダ搬送ロボット７１によって、ローダ部１０のカセットＣＬから気相エッチング処理部４０へのウエハＷの搬入が行われ、中間搬送ロボット８３によって、気相エッチング処理部４０から水洗・乾燥処理部５０へのウエハＷの移載が行われ、水洗・乾燥処理後のウエハＷは、アンローダ搬送ロボット７２によって、アンローダ部６０に配置されたカセットＣＵに収容されるようになっている。
【００３９】
この参考例においては、気相エッチング処理部４０には、処理対象のウエハＷの表面部分のみを加熱するための基板表面加熱機構としての赤外線ランプが備えられている。
すなわち、図２において破線で示すように、パンチングプレート４４の付近に、ウエハＷの上面に対向して、赤外線ランプ９０が設けられている。この赤外線ランプ９０は、バルブ３７を開いてふっ酸蒸気をウエハＷの表面に供給する前に、ウエハＷの主に表面部分を加熱するために用いられる。この場合の加熱温度は、たとえば、５０℃〜３００℃程度とされることが好ましく、１００℃〜２５０℃の範囲とされることがさらに好ましく、約２００℃程度とされることが最も好ましい。なお、この赤外線ランプ９０によってウエハＷが加熱されている間にも、ウエハＷおよびホットプレート４５が回転駆動機構４６によって回転されている。これにより、ウエハＷ面内の温度を均一に保つことができる。
【００４０】
このような加熱によって、ウエハＷの表面の汚染物質および水分が蒸発し、これらは排気配管４９を介する排気によって、ウエハＷの近傍の空間から排除される。その後に、バルブ３７などを開いてふっ酸蒸気をウエハＷの表面に供給することにより、酸化膜の除去を安定した速度で進行させることができる。しかも、この酸化膜除去処理前の加熱により、汚染物質および水分がウエハＷの表面の至るところで除去されているので、ウエハＷの表面に対するエッチング処理は、面内で均一に行うことができる。また、複数枚のウエハＷに対する処理のばらつきが生じることもない。
【００４１】
赤外線ランプ９０によるウエハＷの表面部分の加熱は、ウエハＷ全体の温度に大きな影響を与えることがない。したがって、ホットプレート４５によるウエハＷの温度の調整により、表面加熱処理後のウエハＷの温度をすみやかに気相エッチング処理に適した温度（たとえば、４０℃〜８０℃）に導くことができる。したがって、生産性が著しく悪化することもない。
図４は、この発明の一実施形態に係る基板表面処理装置の構成を説明するための図解的な平面図である。この図４において、上述の図１に示された各部と同様の構成および機能を有する部分には、図１の場合と同一の参照符号を付して示す。
【００４２】
この実施形態では、ローダ部１０からアンローダ部６０に至る、平面視においてほぼＵ字状の経路７８上に、予備気相エッチング処理部４０１、予備水洗・乾燥処理部５０１、気相エッチング処理部４０、および水洗・乾燥処理部５０が、この順に配列されている。予備気相エッチング処理部４０１は、気相エッチング処理部４０と同様の構成を有しており、また、予備水洗・乾燥処理部５０１は、水洗・乾燥処理部５０と同様な構成を有している。
【００４３】
予備気相エッチング処理部４０１では、ウエハＷの表面の汚染物質を除去するためのエッチング処理が行われる。この処理のために、ふっ酸蒸気を用いた気相エッチングが行われる。この気相エッチング処理の後のウエハＷは、予備水洗・乾燥処理部５０１によって、水洗および乾燥処理を受ける。このようにして、表面の汚染が除去され、また、表面の水分の吸着状態が安定したウエハＷが、気相エッチング処理部４０に搬入されて、酸化膜除去処理のための気相エッチング処理を受ける。
【００４４】
このような構成によって、上述の第１および第２の参考例に関連して説明した効果と同様の効果を達成できる。
なお、上述の第１の参考例では、ＵＶ・加熱処理部２０と気相エッチング処理部４０との間に冷却処理部３０を配置しているが、ＵＶ・加熱処理部２０によるウエハＷの加熱温度があまり高くない場合（酸化膜除去工程時のウエハＷの温度に近い場合または該温度よりも低い場合）には、冷却処理部３０を省いてもよい。
【００４５】
さらに、上述の実施形態では、ウエハＷの表面の汚染物質を除去するためのエッチング工程の後のウエハＷを洗浄するために予備水洗・乾燥処理部５０１を設けているけれども、この予備水洗・乾燥処理部５０１は省かれてもよい。
さらに、上述の実施形態では、Ｕ字状の経路７８に沿って複数の処理部が直列に配置され、これらの処理部に順次ウエハＷが受け渡されることによって、このウエハＷに複数の処理が順に施される構成について説明したが、複数の処理部は、必ずしも処理の順序に従って配列される必要はない。たとえば、多関節アーム型ロボットを中心として放射状に複数の処理部を配置し、この複数の処理部に対して多関節アーム型ロボットがランダムにアクセスすることによって、個々のウエハＷに対して、予め定められた順序で複数の処理が施される構成としてもよい。この場合に、多関節アーム型ロボットに昇降機構を備えて、熱処理部（ホットプレートおよびクールプレートなど）と、液または蒸気処理部（気相エッチング処理部および水洗・乾燥処理部など）とを、上下に積層して配置するようにしてもよい。
【００４６】
さらに、図１において二点鎖線で示すように、ローダ部１０およびアンローダ部６０を含む領域を取り囲むように化学フィルタ１００を配置し、ローダ部１０で待機中のウエハＷに対して、化学フィルタ１００によって清浄化された空気を供給することとしてもよい。これにより、ウエハＷの表面の汚染物質を排除することができる。化学フィルタ１００は、たとえば、有機物フィルタ、アニオンフィルタおよびカチオンフィルタを積層した積層フィルタであってもよい。
【００４７】
なお、上述の実施形態では、基板表面をエッチングするための蒸気として、ふっ酸の蒸気を用いているが、塩酸、硝酸、硫酸、ふっ酸（ＨＦおよび無水ＨＦを含む）、酢酸などのような酸を含む蒸気であれば何でもよい。たとえば、上記酸を含む水溶液の蒸気であってもよく、上記酸を含むガス（気相状態のもの）を水蒸気中に混合したものであってもよい。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】  第１の参考例に係る基板表面処理装置の構成を説明するための図解的な平面図である。
【図２】気相エッチング処理部の構成を説明するための図解的な断面図である。
【図３】  第２の参考例に係る基板表面処理装置の構成を説明するための図解的な平面図である。
【図４】  この発明の一実施形態に係る基板表面処理装置の構成を説明するための図解的な平面図である。
【符号の説明】
１０    ローダ部
２０    ＵＶ・加熱処理部
３０    冷却処理部
４０    気相エッチング処理部
５０    水洗・乾燥処理部
６０    アンローダ部
７１    ローダ搬送ロボット
７２    アンローダ搬送ロボット
８１    第１中間搬送ロボット
８２    第２中間搬送ロボット
８３    第３中間搬送ロボット
３１    窒素ガス供給源
３４    窒素ガス供給配管
３６    ふっ酸蒸気供給路
４２    ふっ酸水溶液
４３    ふっ酸蒸気発生容器
４４    パンチングプレート
４５    ホットプレート
４６    回転駆動機構
４８    ベローズ
４９    排気配管
５４    窒素ガス供給管
５４    窒素ガス供給配管
５５    排気手段
９０    赤外線ランプ
１００    化学フィルタ
４０１    予備気相エッチング処理部
５０１    予備水洗・乾燥処理部
Ｗ        ウエハ
【図１】
0003884610.tif 000002
【図２】
0003884610.tif 000003
【図３】
0003884610.tif 000004
【図４】
0003884610.tif 000005