(57)【要約】【課題】熱伝導性および耐電圧特性が良好な絶縁性樹脂組成物を提供する。さらに、この絶縁性樹脂組成物を用いた長期耐久性に優れた混成集積回路を提供する。【解決手段】（Ａ）エポキシ樹脂と（Ｃ）ビスアリルナジイミドの反応ピーク温度の差が８５〜２０５℃であり、（Ａ）エポキシ樹脂と（Ｂ）エポキシ樹脂硬化剤の混合物に対する、（Ｃ）ビスアリルナジイミドの１００℃、ずり速度０．１ｓ−１における粘度比が１５〜２７０であり、（Ｄ）無機フィラーが平均粒子径の異なる２種類以上の無機フィラーを含有する絶縁性樹脂組成物により、長期耐久性に優れた混成集積回路が得られる。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）エポキシ樹脂と、（Ｂ）エポキシ樹脂硬化剤と、（Ｃ）化１で示されるビスアリルナジイミドと、（Ｄ）無機フィラーを含有する絶縁性樹脂組成物であって、
（Ａ）エポキシ樹脂と（Ｃ）ビスアリルナジイミドの反応ピーク温度の差が８５〜２０５℃であり、
（Ａ）エポキシ樹脂と（Ｂ）エポキシ樹脂硬化剤の混合物に対する、（Ｃ）ビスアリルナジイミドの１００℃、ずり速度０．１ｓ−１における粘度比が１５〜２７０であり、
（Ｄ）無機フィラーが平均粒子径の異なる２種類以上の無機フィラーである、絶縁性樹脂組成物。
【化１】
2016060822.tif 000010
化１で表される構造単位において、Ｒは４，４’−ジフェニルメチル基、メタ−キシリル基およびヘキサメチレン基から選択される１種を示す。
【請求項２】
（Ａ）エポキシ樹脂と（Ｂ）エポキシ樹脂硬化剤と（Ｃ）ビスアリルナジイミドの添加量の和に対し、（Ｃ）ビスアリルナジイミドが１５〜７５質量％である、請求項１に記載の絶縁性樹脂組成物。
【請求項３】
（Ｄ）無機フィラーが（Ｄ−１）平均粒子径が５〜５０μｍの粗粉と、（Ｄ−２）平均粒子径が０．２〜１．５μｍの１種類以上の微粉を含有し、（Ｄ−１）粗粉の最大粒子径が１００μｍ以下で、且つ粒子径１〜２０μｍの粒子を粗粉中に５０体積％以上含有し、（Ｄ−２）微粉の２．０μｍ以下の粒子が微粉中に７０体積％以上である、請求項１または２に記載の絶縁性樹脂組成物。
【請求項４】
絶縁性樹脂組成物中の（Ｄ−１）粗粉の体積分率が３５〜７０体積％、（Ｄ−２）微粉の体積分率が５〜２５体積％である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の絶縁性樹脂組成物。
【請求項５】
（Ｄ−１）粗粉が窒化アルミである、請求項３または４に記載の絶縁性樹脂組成物。
【請求項６】
（Ｄ−２）微粉が、窒化アルミ、窒化ケイ素および酸化アルミニウムから選択される１種以上である、請求項３〜５のいずれか一項に記載の絶縁性樹脂組成物。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか一項に記載の絶縁性樹脂組成物を硬化させてなる絶縁性樹脂硬化体。
【請求項８】
熱伝導率が１．５〜８Ｗ／ｍＫである、請求項７に記載の絶縁性樹脂硬化体。
【請求項９】
金属基板上に、請求項７または８に記載の絶縁性樹脂硬化体を介して金属箔を配置した、混成集積回路用の基板。
【請求項１０】
請求項９に記載の金属箔を加工して回路を形成した、混成集積回路基板。
【請求項１１】
請求項１０に記載の混成集積回路基板に電子部品を搭載した、混成集積回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、絶縁性樹脂組成物、その硬化体及びそれを用いた混成集積回路に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、小型化や実装時の省力化などを可能にする表面実装を実現するために、各種の回路基板が用いられており、これらの回路基板に各種の表面実装電子部品を搭載した混成集積回路が用いられている。特に、高発熱性電子部品を実装する回路基板として、金属板上に無機充填材を充填したエポキシ樹脂等からなる絶縁層を設け、該絶縁層上に回路を設けた混成集積回路が用いられている。
【０００３】
しかし、近年、混成集積回路の小型化が要求され、高密度実装化および高性能化が要求され、更には、混成集積回路の小型化、ハイパワー化により、狭いスペースの中で、混成集積回路から発生した熱を如何に放熱するかが問題となっている。
【０００４】
そこで、特許文献１には、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、無機フィラーが必須成分とする絶縁接着フィルムが開示されている。しかし、本方法では、樹脂が何れも固形、もしくは高粘度であるため、無機フィラーの高充填化が難しく、高熱伝導化が課題であった。
【０００５】
特許文献２には、有機溶剤可溶性ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、無機フィラーを必須成分とする樹脂組成物の発明が開示されている。しかし、本方法では、ブレンドする樹脂の硬化物性が近い為、大きな熱伝導率が得られないとの課題があった。また、ポリイミド樹脂を用いた樹脂組成物は、回路箔に対する接着性に乏しく、且つ高温での加熱硬化を必要とし、その際に逆反応（逆Ｄｉｅｌｓ−Ａｌｄｅｒ反応）による揮発成分が生じる課題が有った。さらに、耐熱性を高めるためのエポキシ樹脂を用いる場合、殆どが室温で固形であることから高温させる必要があり、絶縁強度や、ピール強度が低下する課題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００４−３１９８２３号公報
【特許文献２】特開２００８−９４８７０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、上記問題と実状に鑑み、硬化時の耐熱性、熱電導性、耐電圧特性および接着性に優れた絶縁性樹脂組成物を提供することを目的とする。さらに、この絶縁性樹脂組成物を用いて製造される、混成集積回路基板、混成集積回路を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決する本発明は、下記より構成される。
（１）（Ａ）エポキシ樹脂と、（Ｂ）エポキシ樹脂硬化剤と、（Ｃ）化１で示されるビスアリルナジイミドと、（Ｄ）無機フィラーを含有する絶縁性樹脂組成物であって、
（Ａ）エポキシ樹脂と（Ｃ）ビスアリルナジイミドの反応ピーク温度の差が８５〜２０５℃であり、
（Ａ）エポキシ樹脂と（Ｂ）エポキシ樹脂硬化剤の混合物に対する、（Ｃ）ビスアリルナジイミドの１００℃、ずり速度０．１ｓ−１における粘度比が１５〜２７０であり、
（Ｄ）無機フィラーが平均粒子径の異なる２種類以上の無機フィラーである、絶縁性樹脂組成物。
【化１】
2016060822.tif 000002
化１で表される構造単位において、Ｒは４，４’−ジフェニルメチル基、メタ−キシリル基およびヘキサメチレン基から選択される１種を示す。
（２）（Ａ）エポキシ樹脂と（Ｂ）エポキシ樹脂硬化剤と（Ｃ）ビスアリルナジイミドの添加量の和に対し、（Ｃ）ビスアリルナジイミドが１５〜７５質量％である、（１）に記載の絶縁性樹脂組成物。
（３）（Ｄ）無機フィラーが（Ｄ−１）平均粒子径が５〜５０μｍの粗粉と、（Ｄ−２）平均粒子径が０．２〜１．５μｍの１種類以上の微粉を含有し、（Ｄ−１）粗粉の最大粒子径が１００μｍ以下で、且つ粒子径１〜２０μｍの粒子を粗粉中に５０体積％以上含有し、（Ｄ−２）微粉の２．０μｍ以下の粒子が微粉中に７０体積％以上である、（１）または（２）に記載の絶縁性樹脂組成物。
（４）絶縁性樹脂組成物中の（Ｄ−１）粗粉の体積分率が３５〜７０体積％、（Ｄ−２）微粉の体積分率が５〜２５体積％である、（１）〜（３）のいずれか一つに記載の絶縁性樹脂組成物。
（５）（Ｄ−１）粗粉が窒化アルミである、（３）または（４）に記載の絶縁性樹脂組成物。
（６）（Ｄ−２）微粉が、窒化アルミ、窒化ケイ素および酸化アルミニウムから選択される１種以上である、（３）〜（５）のいずれか一つに記載の絶縁性樹脂組成物。
（７）（１）〜（６）のいずれか一つに記載の絶縁性樹脂組成物を硬化させてなる絶縁性樹脂硬化体。
（８）熱伝導率が１．５〜８Ｗ／ｍＫである、（７）に記載の絶縁性樹脂硬化体。
（９）金属基板上に、（７）または（８）に記載の絶縁性樹脂硬化体を介して金属箔を配置した、混成集積回路用の基板。
（１０）（９）に記載の金属箔を加工して回路を形成した、混成集積回路基板。
（１１）（１０）に記載の混成集積回路基板に電子部品を搭載した、混成集積回路。
【発明の効果】
【０００９】
本発明では、（Ａ）エポキシ樹脂と（Ｃ）ビスアリルナジイミドの反応ピーク温度の差、（Ａ）エポキシ樹脂と（Ｂ）エポキシ樹脂硬化剤の混合物に対する（Ｃ）ビスアリルナジイミドの粘度比が特定範囲にあり、かつ平均粒子径の異なる２種類以上の無機フィラーを用いることで、絶縁性樹脂組成物中の無機フィラーを高充填できることを見出し、熱伝導性および耐電圧特性を両立することができた。また、硬化時の耐熱性に優れるため硬化過程で熱分解した揮発分による絶縁性の低下を低減することができる。さらに、金属箔との接着性が良好であるため、本絶縁性樹脂組成物を用いた混成集積回路は長期耐久性に優れる。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
＜絶縁性樹脂組成物＞
本発明の絶縁性樹脂組成物は、（Ａ）エポキシ樹脂と、（Ｂ）エポキシ樹脂硬化剤と、（Ｃ）化１で示されるビスアリルナジイミド樹脂と、（Ｄ）無機フィラーを含有する絶縁性樹脂組成物であって、（Ａ）エポキシ樹脂と（Ｃ）ビスアリルナジイミドの反応ピーク温度の差が８５〜２０５℃であり、（Ａ）エポキシ樹脂と（Ｂ）エポキシ樹脂硬化剤の混合物に対する、（Ｃ）ビスアリルナジイミドの１００℃、ずり速度０．１ｓ−１における粘度比が１５〜２７０であり、（Ｄ）無機フィラーが平均粒子径の異なる２種類以上の無機フィラーである、絶縁性樹脂組成物である。
【化１】
2016060822.tif 000003
化１で表される構造単位において、Ｒは４，４’−ジフェニルメチル基、メタ−キシリル基およびヘキサメチレン基から選択される１種を示す。
【００１１】
（Ａ）エポキシ樹脂
エポキシ樹脂としては、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、多官能エポキシ樹脂（クレゾールのボラックエポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂等）、環式脂肪族エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂等が挙げられる。これらの中では、密着性および耐熱性に優れる、ビスフェノールＡ又はＦ型エポキシ樹脂が好ましい。
【００１２】
（Ｂ）硬化剤
エポキシ樹脂は硬化剤と反応させることで、硬化することができる。硬化剤としてはフェノール系樹脂、酸無水物系樹脂、芳香族アミン系樹脂、ジシアンジアミノからなる群から選ばれる１種類以上を用いることができる。これらの中では、基板を作製した際のピール強度および耐電圧の点で、芳香族アミンが好ましい。
【００１３】
エポキシ樹脂に対する硬化剤の添加量は、エポキシ樹脂のエポキシ当量１に対して、硬化剤の活性水素当量（又は酸無水物当量）が０．０１〜１．２５になるように配合することが好ましい。
【００１４】
（Ｃ）ビスアリルナジイミド
ビスアリルナジイミドは、化１に示す構造単位においてＲは、４，４’−ジフェニルメチル基、メタ−キシリル基およびヘキサメチレン基から選択される１種を示である。これらの中では、Ｒはエポキシ樹脂との相溶性が良好な、化２に示す４，４’−ジフェニルメチル基であることが好ましい。
【化１】
2016060822.tif 000004
【化２】
2016060822.tif 000005
【００１５】
ビスアリルナジイミドは、分子中のアリル基およびノルボルネン骨格の二重結合の付加反応で進行し、三次元架橋構造を形成する。絶縁樹脂組成物中のビスアリルナジイミドは、エポキシ樹脂、エポキシ樹脂硬化剤、ビスアリルナジイミドの添加量の和に対し、１５〜７５質量％であることが好ましく、２５〜６４質量％であることがより好ましい。ビスアリルナジイミドの添加量が１５質量％未満であると熱伝導性が低下する場合があり、７５質量％を超えると加熱時の質量減少量が増加する場合がある。
【００１６】
エポキシ樹脂とビスアリルナジイミドの反応ピークの温度差は、８５〜２０５℃であり、１１５〜１５５℃であることがより好ましい。反応ピークの温度差が８５℃未満の場合、熱伝導性が低下する場合がある。また、２０５℃を超えると、熱伝導性が低下する場合がある。なお、反応ピーク温度は、窒素雰囲気下、１０℃／分で昇温した際の、示差走査熱量計（ＤＳＣ）のピーク温度により求めることができる。
【００１７】
エポキシ樹脂とエポキシ樹脂硬化剤の混合物に対する、ビスアリルナジイミドの１００℃、ずり速度０．１ｓ−１における粘度比は１５〜２７０であり、１００〜２６７であることがより好ましい。粘度比が１５未満の場合、熱伝導性が低下する場合がある。また、２７０を超えると銅箔と樹脂の接合強度（ピール強度）が低下する場合がある。なお、ずり速度は動的粘弾性測定装置により求めることができる。
【００１８】
（Ｄ）無機フィラー
本発明の無機フィラーは平均粒子径の異なる２種類以上の無機フィラーを使用する。無機フィラーとしては、電気絶縁性に優れかつ熱伝導率の高いものが用いられ、例えば酸化アルミ、シリカ、窒化アルミ、窒化ケイ素、窒化ホウ素等が挙げられる。これらの中では、熱伝導性の点で、窒化アルミ、窒化ケイ素、酸化アルミが好ましい。
【００１９】
無機フィラーは、（Ｄ−１）平均粒子径が５〜５０μｍ、より好ましくは１０〜２０μｍの粗粉と、（Ｄ−２）平均粒子径が０．２〜１．５μｍ、より好ましくは０．５〜１．０μｍの１種類以上の微粉を含有するのが好ましい。粗粉の平均粒子径が５μｍ未満の場合は、熱伝導性が低下する場合があり、平均粒子径が５０μｍを超えると、絶縁性が低下する場合がある。また、微粉の平均粒子径が０．２μｍ未満の場合は、絶縁性が低下する場合があり、１．５μｍを超えると、絶縁性が低下する場合がある。無機フィラーとしては、粗粉が窒化アルミで、微粉が窒化アルミ、窒化ケイ素および酸化アルミニウムから選択される１種以上であることが好ましい。
【００２０】
粗粉の最大粒子径は１００μｍ以下で、かつ粒子径１〜２０μｍの粒子を粗粉中に５０体積％以上含有することが好ましい。また、微粉の２．０μｍ以下の粒子が微粉中に７０体積％以上であることが好ましい。
粗粉の最大粒子径が１００μｍ以上であると絶縁性が低下する場合があり、微粉の２．０μｍ以下の粒子が７０体積％未満であると、絶縁性が低下する場合がある。
【００２１】
絶縁性樹脂組成物中の粗粉と微粉の体積分率は、粗粉が３５〜７０体積％、より好ましくは粗粉が３５〜６０体積％、微粉が５〜２５体積％、より好ましくは微粉が１０〜２０体積％であることが好ましい。粗粉が３５体積％未満であると、熱伝導性が低下する場合があり、７０体積％を超えると絶縁性が低下する場合がある。また、微粉が５体積％未満であると、熱伝導性が低下する場合があり、２５体積％を超えると絶縁性が低下する場合がある。
【００２２】
＜絶縁性樹脂組成物の硬化＞
絶縁性樹脂組成物は、無機フィラーを除いた（Ａ）エポキシ樹脂と、（Ｂ）エポキシ樹脂硬化剤と、（Ｃ）ビスアリルナジイミドの総和に対し、４００℃に加熱した際の質量減少率が３質量％以下であることが好ましい。３質量％を超えると揮発成分が絶縁層内部の欠陥となり、絶縁性の低下を引き起こす場合がある。なお、質量減少率は、ＴＧ−ＤＴＡ（示差熱天秤）により、試料を室温から４００℃まで窒素雰囲気下で加熱したときの質量減少率を意味する。
【００２３】
絶縁性樹脂組成物は、厚さ０．１〜５ｍｍの金属基板上に塗布し、回路を形成する金属箔と重ね合わせた後、１５０〜２４０℃で５〜８時間加熱し硬化体を得ることができる。塗布は、ダイコーター、コンマコーター、ロールコーター、バーコーター、グラビヤコーター、カーテンコーター、ドクターブレードコーター、スプレーコーターおよびスクリーン印刷等の方法を使用し塗布することができる。または、金属基板上に絶縁性樹脂組成物を塗布した後に加熱により半硬化させた後、絶縁性樹脂組成物の表面に金属箔とラミネートまたは熱プレスする方法が採用できる。さらには、絶縁性接着剤組成物をシート状に半硬化後、金属基板と金属箔を貼り合わせて硬化体を得ることもできる。
【００２４】
硬化体の厚みは２０〜１５０μｍであることが好ましく、４０〜１２５μｍであることがより好ましい。厚みを２０μｍ以上とすることで、耐電圧特性が良好となり、１５０μｍ以下とすることで、熱抵抗が低くなる。金属基板としてはアルミニウム、鉄、銅およびこれらの合金、もしくはこれらのクラッド材が熱伝導性の点で好ましい。また、金属箔としては、銅、アルミニウム、ニッケル、鉄、スズ、金、銀、モリブデン、チタニウム、ステンレス等が使用できる。
【００２５】
＜回路の形成＞
絶縁性接着剤組成物を用いて貼り合わせた金属箔上に、エッチングにより回路を形成する。具体的には、まず、スクリーン印刷法又は写真現像法により、金属箔上にエッチングレジストを形成し、金属箔の表面の所定の位置をマスクする。その状態で、金属箔の一部を、塩化第二鉄エッチング液、塩化第二銅エッチング、過酸化水素／硫酸エッチング液、アルカリエッチャント等で腐食溶解した後、エッチングレジストを剥離する。これにより回路が形成される。
【００２６】
＜混成集積回路の作製＞
回路面に半導体素子や抵抗チップなどの電子部品を実装するには、所望の位置にハンダ等を用いて電子部品を接合すればよい。
【実施例】
【００２７】
以下、本発明を実施例および比較例により具体的に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
【００２８】
＜絶縁性樹脂組成物の製造＞
（実施例１）
絶縁性樹脂組成物の製造には以下の原料を用いた。
（Ａ）エポキシ樹脂：ビスフェノールＡ型液状エポキシ樹脂、ＤＩＣ社製、「ＥＰＩＣＬＯＮ  ８５０ＣＲＰ」
（Ｂ）エポキシ樹脂硬化剤：芳香族アミン、日本合成化工社製、「Ｈ−４８Ｂ」
（Ｃ）ビスアリルナジイミド：丸善石油化学社製、「ＢＡＮＩ−Ｍ」（化１のＲが４，４’−ジフェニルメチル基である）
（Ｄ）無機フィラー粗粉：窒化アルミ（電気化学工業社製、平均粒子径１６μｍ、最大粒子径７０μｍ、１〜２０μｍの粒子含有量６５体積％）
（Ｄ）無機フィラー微粉：窒化ケイ素（電気化学工業社製、平均粒子径１．０μｍ、２．０μｍ以下の粒子含有量９４体積％）
（Ｄ）無機フィラー微粉：酸化アルミ（住友化学社製、「ＡＡ０５」、平均粒子径０．５μｍ、２．０μｍ以下の粒子含有量９９体積％）
（その他）シランカップリング剤（東レ・ダウコーニング社製、「ｚ−６０４０」）
【００２９】
ビスフェノールＡ型液状エポキシ樹脂１９質量部に、芳香族アミン６質量部、ビスアリルナジイミド７５質量部、シランカプリング剤１．０質量部を加えた。次に絶縁性樹脂組成物中の添加量がそれぞれ５４体積％、８体積％、１２体積％となるよう、窒化アルミ、窒化ケイ素および酸化アルミニウムを加え、遊星式撹拌機（シンキー社「あわとり練太郎ＡＲ−２５０」、回転数２０００ｒｐｍ）にて混練し、絶縁性樹脂組成物を作製した。
【００３０】
実施例１で用いた原料および得られた絶縁性樹脂組成物を、以下の方法で評価した。結果を表３に示す。
［平均粒子径および粒度分布］
無機フィラーの平均粒子径は、島津製作所製「レーザー回折式粒度分布測定装置ＳＡＬＤ−２００」を用いて測定を行った。試料は、ガラスビーカーに５０ｃｃの純水と無機フィラーを５ｇ添加して、スパチュラを用いて撹拌し、その後超音波洗浄機で１０分間、分散処理を行った。分散処理を行った無機フィラーの分散積をスポイドで装置のサンプラ部に一滴ずつ添加して、吸光度が測定可能になるまで安定するのを待った。吸光度が安定になった時点で測定を行った。レーザー回折式粒度分布測定装置では、センサで検出した粒子による回折／散乱光の光強度分布のデータから粒度分布を計算した。平均粒子径は測定される粒子径の値に相対粒子量（差分％）を乗じて、相対粒子量の合計（１００％）で割って求めた。平均粒子径は粒子の平均直径を示す。
【００３１】
［粘度比］
ビスフェノールＡ型液状エポキシ樹脂１９質量部と芳香族アミン６質量部を、ホモミキサーにて１分間混合した。得られた試料を、レオメーター（日本シイベルヘグナー社製「ＭＣＲ−３０１」）を用い下記条件にて粘度を測定した。
プレート形状：円形平板２５ｍｍφ
試料厚み：０．１ｍｍ
ノーマルフォーカス：ＯＮ
温度：１００±１℃
剪断速度：０．１Ｓ−１
ビスアリルナジイミド単体についても、温度：１００±１℃、剪断速度：０．１Ｓ−１での粘度測定を実施し、エポキシ樹脂と、エポキシ樹脂硬化剤の混合物に対する、ビスアリルナジイミドの粘度比を求めた。
【００３２】
［反応ピーク温度］
ビスフェノールＡ型液状エポキシ樹脂１９質量部と芳香族アミン６質量部を、ホモミキサーにて１分間混合した。得られた試料を、示差走査熱量計（ティー・エイ・インスツルメント社製、「Ｑ２０００」）を用い、窒素雰囲気下、昇温速度１０℃／分で室温〜４００℃まで昇温させ、得られた曲線のピークトップ温度を反応ピーク温度とした。    
ビスアリルナジイミド単体についても、窒素雰囲気下、昇温速度１０℃／分にて室温〜４００℃まで昇温し、反応ピーク温度を求めた。
【００３３】
［質量減少率］
ビスフェノールＡ型液状エポキシ樹脂１９質量部、芳香族アミン６質量部およびビスアリルナジイミド（ＢＡＮＩ−Ｍ）を、ホモミキサーにて１分間混合した。得られた試料を、示差熱天秤（ティー・エイ・インスツルメント社製、「Ｑ５０００」）を用い、窒素雰囲気下、昇温速度１０℃／分で室温〜４００℃まで昇温させ、室温に対する４００℃における質量減少率を測定した。
【００３４】
［熱伝導率］
熱伝導率は、得られた絶縁性樹脂組成物の硬化体を作成し、熱拡散率、比重、比熱を全て乗じて算出した。熱拡散率は、試料を幅１０ｍｍ×１０ｍｍ×厚み１ｍｍに加工し、レーザーフラッシュ法により求めた。測定装置はキセノンフラッシュアナライザ（ＮＥＴＺＳＣＨ社製ＬＦＡ４４７ ＮａｎｏＦｌａｓｈ）を用いた。比重はアルキメデス法を用いて求めた。比熱は、示差走査熱量計（ティー・エイ・インスツルメント社製、「Ｑ２０００」）を用い、窒素雰囲気下、昇温速度１０℃／分で室温〜４００℃まで昇温させて求めた。結果を表３に示す。
【００３５】
［ピール強度］
２枚の厚さ０．６ｍｍの銅箔を、厚さ０．１ｍｍの絶縁性樹脂組成物で接着し硬化体を作製した。硬化条件は、２００℃で８時間とした。接着した銅箔を１０ｍｍ×１００ｍｍに切り出し、ＪＩＳ  Ｃ  ６４８１に規定された方法に従い、２３±２℃、相対湿度５０％の条件で銅箔と絶縁性樹脂組成物とのピール強度を測定した。なお、測定は５回繰り返し、その算術平均値をピール強度とした。
【００３６】
［耐電圧］
絶縁性樹脂組成物を用い、厚さ３５μｍの銅箔と厚さ１．５ｍｍのＡｌ板を接着し金属ベース基板を得た。さらに銅箔の所定の位置をエッチングレジストでマスキングした後、エッチングレジストを除去して金属ベース回路基板を形成した。得られた金属ベース回路基板を用い、ＪＩＳ  Ｃ  ２１１０に規定された方法に従い、耐電圧を測定した。
【００３７】
（実施例２〜５）
ビスフェノールＡ型液状エポキシ樹脂、芳香族アミンおよびビスアリルナジイミドの配合量を表１に示す通りに変更した以外は、実施例１と同様に絶縁性樹脂組成物を作製した。
【００３８】
（実施例６）
微粉として窒化ケイ素２０体積％を絶縁性樹脂組成物に配合した以外は、実施例３と同様に絶縁性樹脂組成物を作製した。
【００３９】
（実施例７）
微粉として酸化アルミ２０体積％を絶縁性樹脂組成物に配合した以外は、実施例３と同様に絶縁性樹脂組成物を作製した。
【００４０】
（実施例８）
微粉として窒化アルミ（トクヤマ社製、「トクヤマＨ」、平均粒子径１．０μｍ、２．０μｍ以下の粒子含有量９０体積％）２０体積％を絶縁性樹脂組成物に配合した以外は、実施例３と同様に絶縁性樹脂組成物を作製した。
【００４１】
（実施例９）
絶縁性樹脂組成物中の粗粉として窒化アルミ３６．１体積％、微粉として窒化ケイ素５．３体積％、酸化アルミ８．６体積％へ変更した以外は、実施例３と同様に絶縁性樹脂組成物を作製した。
【００４２】
（実施例１０）
絶縁性樹脂組成物中の粗粉として窒化アルミ５７．７体積％、微粉として窒化ケイ素８．５体積％、酸化アルミ１３．８体積％へ変更した以外は、実施例３と同様に絶縁性樹脂組成物を作製した。
【００４３】
（実施例１１）
絶縁性樹脂組成物中のビスアリルナジイミドを、丸善石油化学社製、「ＢＡＮＩ−Ｘ」（化１に示すＲの構造がメタ−キシリル基である）へ変更した以外は、実施例３と同様に絶縁性樹脂組成物を作製した。
【００４４】
（実施例１２）
絶縁性樹脂組成物中のエポキシ樹脂を５３質量％、エポキシ樹脂硬化剤として、イミダゾール系硬化剤：四国化成社製、「２Ｅ４ＭＺ」４質量％へ変更した以外は、実施例３と同様に絶縁性樹脂組成物を作製した。
【００４５】
（実施例１３）
絶縁性樹脂組成物中のエポキシ樹脂を３８質量％、エポキシ樹脂硬化剤として、フェノールノボラック系硬化剤：ＤＩＣ社製、「ＴＤ−２１３１」１９質量％へ変更した以外は、実施例３と同様に絶縁性樹脂組成物を作製した。
【００４６】
（比較例１）
絶縁性樹脂組成物中のエポキシ樹脂硬化剤として、フェノールノボラック系硬化剤２１質量％へ、ビスアリルナジイミドを「ＢＡＮＩ−Ｘ」へ変更した以外は、実施例３と同様に絶縁性樹脂組成物を作製した。
【００４７】
（比較例２）
絶縁性樹脂組成物中のエポキシ樹脂を３８質量％、エポキシ樹脂硬化剤として、脂肪族アミン：三井化学ファイン社製、「Ｄ４００」１９質量％へ変更した以外は、実施例３と同様に絶縁性樹脂組成物を作製した。
【００４８】
（比較例３）
ビスアリルナジイミドを使用せず、樹脂成分としてエポキシ樹脂７５質量％、芳香族アミン２５質量％とした以外は、実施例３と同様に絶縁性樹脂組成物を作製した。
【００４９】
（比較例４）
エポキシ樹脂、および硬化剤を使用せず、樹脂成分としてビスアリルナジイミドのみを用いた以外は、実施例３と同様に絶縁性樹脂組成物を作製した。
【００５０】
（比較例５）
微粉を使用しなかった以外は、実施例３と同様に絶縁性樹脂組成物を作製した。なお、微粉を使用しなかった分は、粗粉を増量し、実施例３の無機フィラー量と同じ７４体積％にそろえた。
【００５１】
（比較例６）
粗粉を使用しなかった以外は、実施例３と同様に絶縁性樹脂組成物を作製した。なお、粗粉を使用しなかった分は、微粉を増量し、実施例３の無機フィラー量と同じ７４体積％にそろえた。
【００５２】
【表１】
2016060822.tif 000006
【００５３】
【表２】
2016060822.tif 000007
【００５４】
【表３】
2016060822.tif 000008
【００５５】
【表４】
2016060822.tif 000009
【００５６】
表３および表４の結果から、本発明の絶縁性樹脂組成物は加熱時の質量減少が低いことが示される。また、
表１〜表４の結果から、実施例の絶縁性樹脂組成物を用いた硬化体は、熱伝導性およびピール強度に優れることが分かった。さらに、実施例の絶縁性樹脂組成物により作製した金属ベース回路基板は、耐電圧特性に優れることが分かった。
【００５７】
以上の結果は、実施例で用いた金属ベース回路基板の他、混成集積回路に関しても同様であった。