(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に配設された１または複数の半導体素子がケースに包囲されており、
前記半導体素子の主電流が流れる第１及び第２配線導体を有し、
当該第１及び第２配線導体はともに、ボンディングワイヤが接続されるパッド部を有し、
前記第１配線導体の少なくとも前記パッド部を含む一部と前記第２配線導体の少なくとも前記パッド部を含む一部とが、前記ケースの少なくとも一辺において平行に配置されるとともに、前記第１配線導体の前記パッド部と前記第２配線導体の前記パッド部とが階段状に設けられ、
且つ前記第１配線導体と前記第２配線導体の平行に配置される部分に流れる電流の向きが逆向きである半導体装置において、
前記第１配線導体は第１の部材にインサート成形され、
前記第２配線導体は第２の部材にインサート成形され、
前記第２の部材は切り欠き部を有し、
前記第１配線導体の前記パッド部に接続されるボンディングワイヤの少なくとも一部が、前記切り欠き部の下方に位置することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記第１配線導体の前記パッド部に接続されるワイヤと、前記第２配線導体の前記パッド部に接続されるワイヤとが略平行、且つ、上下に立体重複するように配置される請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第２配線導体の前記パッド部における半導体素子側端部と、前記第１配線導体の前記パッド部における半導体素子側端部とは、上下方向に重複していることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項４】
基板上に配設された１または複数の半導体素子がケースに包囲され、
前記半導体素子の主電流が流れる第１及び第２配線導体を有し、
当該第１及び第２配線導体はともに、ボンディングワイヤが接続されるパッド部を有し、
前記第１配線導体の少なくとも前記パッド部を含む一部と前記第２配線導体の少なくとも前記パッド部を含む一部とが、前記ケースの少なくとも一辺において平行に配置されるとともに、前記第１配線導体の前記パッド部と前記第２配線導体の前記パッド部とが階段状に設けられ、
且つ前記第１配線導体と前記第２配線導体の平行に配置される部分に流れる電流の向きが逆向きである半導体装置の製造方法において、
第１の部材にインサート成形された前記第１配線導体の前記パッド部と前記基板または前記半導体素子とのワイヤボンディングを行った後に、
前記第２配線導体がインサート成形された第２の部材を前記第１の部材上に配置及び固定し、前記第２配線導体の前記パッド部と前記基板又は前記半導体素子とのワイヤボンディングを行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記第２の部材は切り欠き部を有しており、
前記第１配線導体の前記パッド部に接続されるボンディングワイヤの少なくとも一部が前記切り欠き部の下方に位置するように、前記第２の部材を前記第１の部材上に配置することを特徴とする請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置とその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
パワーモジュールにおいては、スイッチング素子の大容量化、スイッチング周波数の高周波数化により、パワーモジュール内部の回路インダクタンスの低減が重要な課題となっている。
【０００３】
回路インダクタンスの低減方法として、例えば、特開２００１−１０２５１９号公報に、半導体素子の第１の電極と接続される第１電極パターンと、半導体素子の第２電極と接続される第２電極パターンとが形成されたパワー半導体モジュールにおいて、第２電極パターンの上部に、第１電極パターンと接続される第１電極配線導体と、第２電極パターンと接続される第２電極配線導体とを設けることで、回路の寄生インダクタンスを減らすことが提案されている。
【０００４】
また、半導体モジュールの小型化、信頼性の向上、低コスト化を実現するために樹脂等のケースに外部接続端子を有する配線導体をインサート成形することが考えられている。
図９は、複数のＭＯＳトランジスタ１５が内蔵された半導体モジュール１１の内部構造を示している。
【０００５】
半導体素子１５のソースと接続される配線導体と、ドレインと接続される配線導体が、それぞれケース１２の異なる辺にインサートされ、ケース１２の内側の段部で露出してワイヤボンディング用のパッドを形成している。また、配線導体の一端は外部に露出して接続端子１３，１４を形成している。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
図９に示す半導体モジュール１１は、半導体素子１５のソースと接続される配線導体のインダクタンスと、ドレインと接続される配線導体のインダクタンスが無視できなかった。
【０００７】
また、ケース１２の外周の異なる辺に配線導体が配置されているので、それぞれの配線導体のワイヤ接続部と、半導体素子１５とのワイヤボンディングのための空間を確保する必要があり、半導体装置を小型化することが難しかった。
本発明の課題は、主電流用配線導体のインダクタンスを低減し、さらに、半導体装置を小型化することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体装置は、基板上に配設された１または複数の半導体素子がケースに包囲されており、前記半導体素子の主電流が流れる第１及び第２配線導体を有し、当該第１及び第２配線導体はともに、ボンディングワイヤが接続されるパッド部を有し、前記第１配線導体の少なくとも前記パッド部を含む一部と前記第２配線導体の少なくとも前記パッド部を含む一部とが、前記ケースの少なくとも一辺において平行に配置されるとともに、前記第１配線導体の前記パッド部と前記第２配線導体の前記パッド部とが階段状に設けられ、且つ前記第１配線導体と前記第２配線導体の平行に配置される部分に流れる電流の向きが逆向きである半導体装置において、前記第１配線導体は第１の部材にインサート成形され、前記第２配線導体は第２の部材にインサート成形され、前記第２の部材は切り欠き部を有し、前記第１配線導体の前記パッド部に接続されるボンディングワイヤの少なくとも一部が、前記切り欠き部の下方に位置する。
【０００９】
この発明によれば、第１配線導体と第２配線導体の平行に配置された部分に流れる電流の向きを逆向きにすることで、配線導体部のインダクタンスを低減することができる。また、第１配線導体を第１の部材にインサート成形し、第２配線導体を第２の部材にインサート成形することで、第１配線導体のパッド部に対してワイヤボンディングを行った後、第２配線導体がインサートされている部材をケースに固定し、第２配線導体のパッド部に対してワイヤボンディングを行うことができるので、第２配線導体のパッド部と半導体素子との距離を短くし、半導体装置を小型化できる。
【００１０】
上記の発明の半導体装置において、第１の部材がケースであっても良い。
上記の発明の半導体装置において、前記第１配線導体の前記パッド部に接続されるワイヤと、前記第２配線導体の前記パッド部に接続されるワイヤとが略平行、且つ、上下に立体重複するように配置される。
【００１１】
上記の発明の半導体装置において、前記第２配線導体の前記パッド部における半導体素子側端部と、前記第１配線導体の前記パッド部における半導体素子側端部とは、上下方向に重複している。
【００１２】
このように構成することで、第２配線導体のパッド部までのワイヤボンディングの距離を短くできるので、半導体装置を小型化できる。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照しながら説明する。図１は、第１の実施の形態のパワー半導体モジュール（半導体装置）２１の部分断面図であり、図２は、その内部構造を示す図である。
【００１４】
第１の実施の形態のパワー半導体モジュール（以下、半導体モジュールという）２１は、ＭＯＳトランジスタからなる６個の半導体素子２３ａ〜２３ｃと、ケース２２と、そのケース２２に接着等により固定されるケース２２とは別の部材（以下、上部部材という）２０からなる。
【００１５】
第１の実施の形態の半導体モジュール２１は、図１に示すように、ドレイン電極配線導体２４とソース電極配線導体２５が、それぞれ別の部材にインサートされており、ドレイン電極配線導体２４は、ケース２２にインサートされ、ソース電極配線導体２５は、ケース２２の上部に固定される上部部材２０にインサートされている。
【００１６】
以下の説明では、ドレイン電極、ソース電極とは、半導体素子２３ａ〜２３ｃのドレイン、ソース、または、ドレイン、ソースのワイヤボンディング用の接続領域、あるいは半導体素子２３ａ〜２３ｃと直接接続された導体層またはワイヤ、金属板等により接続された導体層に設けられたワイヤボンディング用の接続領域などを指している。
【００１７】
図２に示すように、ドレイン電極配線導体２４は、その一部がケース２２の１辺２２ａにインサートされ、一端が、辺２２ａの図２での左端部近傍から鉛直上方向に外部に延出して外部接続端子２４ａを形成している。
ドレイン電極配線導体２４のケース２２にインサートされた部分は、平板状の形状で、略Ｌ字状に屈曲されて上部部材２０の辺２０ａと平行に延出し、ケース２２の段部で露出しワイヤ接続部（パッド部）２４ｂを形成している。
【００１８】
ワイヤ接続部２４ｂは、図１に示すように、半導体素子２３ａ〜２３ｃのドレイン電極と接続されている基板２７の導体層２６とワイヤ２８により接続される。なお、基板２７は、Ｃｕ等からなる伝熱ベース板２９に接合され、半導体素子２３ａ〜２３ｃで発生する熱を伝熱ベース板２９を介して放熱する。
【００１９】
ソース電極配線導体２５は、その一部が上部部材２０にインサートされており、一端が上部部材２０の辺２０ａの図２での右端部近傍で外部に延出して外部接続端子２５ａを形成している。
ソース電極配線導体２５の上部部材２０にインサートされている部分は、平板状の形状で、略Ｌ字状に屈曲されて上部部材２０の長手方向に延出し、段部で露出して接続部２５ｂを形成している。ソース電極配線導体２５の接続部２５ｂは、上部部材２０をケース２２に固定したとき、ドレイン電極配線導体２４のワイヤ接続部２４ｂと階段部を構成する。ワイヤ接続部２５ｂは、その階段部の上段となり、ソース電極とワイヤで接続される。
【００２０】
階段部の下段に形成されるドレイン電極配線導体２４のワイヤ接続部２４ｂは、上段のソース電極配線導体２５のワイヤ接続部２５ｂの端面よりケース内側、つまり半導体素子２３ａ〜２３ｃとの距離が短くなる位置に設けられている。
階段部の上段のソース電極配線導体２５と下段のドレイン電極配線導体２４の露出していない部分は、樹脂等からなるケース２２または上部部材２０により確実に絶縁されている。
【００２１】
半導体モジュール２１内部の配線を行う場合には、最初に半導体素子２３ａ〜２３ｃのドレインと接続されている導体層２６と、ドレイン電極配線導体２４のワイヤ接続部２４ｂとの間のワイヤボンディングを行う。
次に、上部部材２０をケース２２の上に接着等により固定し、ソース電極配線導体２５のワイヤ接続部２５ｂと、半導体素子２３ａ〜２３ｃのソース電極との間のワイヤボンディングを行う。
【００２２】
従って、半導体素子２３ａ〜２３ｃのドレイン電極とソース電極とのワイヤボンディングを、半導体素子２３ａ〜２３ｃの上方から見てワイヤが重なる位置で行う場合でも、下部のワイヤ２８が上部のワイヤのボンディング作業の妨げにならない。
【００２３】
また、ワイヤ２８が上下平行に重複して配置され、上下のワイヤ２８を流れる電流の向きが逆向きとなるので、ワイヤ２８のインダクタンスも低減できる。
ここで、上記のような構成の半導体モジュール２１の内部を流れる電流について説明する。
【００２４】
今、ドレイン電極配線導体２４の外部接続端子２４ａからソース電極配線導体２５の外部接続端子２５ａの方向に電流が流れるとすると、外部接続端子２４ａから流入する電流は、ケース２２の階段部の下段に沿って延出するドレイン電極配線導体２４の接続部２４ｂからワイヤ２８を通り導体層２６に流入し、半導体素子２３ａ〜２３ｃのドレイン電極に流入する。ドレイン電極に流入した電流は、半導体素子２３ａ〜２３ｃのソース電極から、ワイヤを通りソース電極配線導体２５のワイヤ接続部２５ｂに流入する。そして、ワイヤ接続部２５ｂに流入した電流は、ドレイン電極配線導体２４と平行に延出するソース電極配線導体２５を通り、外部接続端子２５ａから外部に出力される。
【００２５】
すなわち、ドレイン電極配線導体２４の外部接続端子２４ａから流入する電流は、辺２０ａと平行に延出するドレイン電極配線導体２４を、図２の下方向に流れ半導体素子２３ａ〜２３ｃのドレイン電極に流入する。そして、半導体素子２３ａ〜２３ｃのソース電極から流れ出す電流は、ソース電極配線導体２５を、図２の上方向に流れ、外部接続端子２５ａから外部に流出する。これにより、両導体２４，２５の辺２０ａにおける平行部分、及び上下平行に重なったワイヤループ部分で磁束が相殺され、配線導体部及びワイヤループ部のインダクタンスを減らすことができる。
【００２６】
この第１の実施の形態は、ドレイン電極配線導体２４とソース電極配線導体２５を、それぞれ別の部材（ケース２２と上部部材２０）にインサートし、ドレイン電極配線導体２４と導体層２６との間のワイヤボンディングを行った後に、ケース２２の上部に接着等により上部部材２０を固定し、ソース電極配線導体２５と半導体素子２３ａ〜２３ｃのソース電極との間のワイヤボンディングを行うようにした。
【００２７】
従って、ソース電極配線導体２５がワイヤ接続部２４ａへのワイヤボンディング作業の邪魔にならず、ソース電極配線導体２５のワイヤ接続部２５ｂを半導体素子２３ａ〜２３ｃに接近させて配置することが可能となる。よって、半導体素子２３ａ〜２３ｃの電極とソース電極配線導体２５の接続部２５ｂとの間の距離を短くして、半導体モジュール２１を小型化することができる。また、ドレイン電極配線導体２４とソース電極配線導体２５の一部が、辺２０ａに沿って平行に延出し、上下のワイヤ２８の少なくとも一部が平行配置され、かつそれらを流れる電流の向きが互いに逆向きとなるので、配線導体部及びワイヤループ部のインダクタンスを低減させることができる。
【００２８】
次に、図３は、ドレイン電極配線導体３４の外部接続端子３４ａを、ケース３２の外周部以外の位置に設けた、本発明の第２の実施の形態を示している。
図３において、ドレイン電極配線導体３４は、ケース３２にインサートされており、一方の端部が鉛直方向に直角に曲げられ、さらに水平方向に直角に折り曲げられてケース３２の外周部に囲まれた内部の所望の位置に立設するように外部接続端子３４ａが形成されている。他方の端部は段状にワイヤ接続部となるようにインサートされる。
【００２９】
ソース電極配線導体２５は、図２と同様に、ケース３２と別の上部部材にインサートされている。
この第２の実施の形態は、第１の実施の形態と同様に、配線導体の少なくとも一部が平行平板配置され、かつワイヤ２８が上下平行に重複して配置され、それらを流れる電流の向きが逆向きとなるので、配線導体部及びワイヤループ部のインダクタンスを低減させることができる。さらに、外部接続端子３４ａをケース３２の外周部以外の位置から引き出すことができるので、外部回路と接続するための外部接続端子３４ａの立設位置の自由度が向上する。また、外部接続端子３４ａをケース３２の外周部に配置する必要がないのでケース３２をより小型化できる。
【００３０】
図４は、ソース電極配線導体４５がインサートされた上部部材４０の半導体素子２３ａ〜２３ｃ側の下端部を斜めに切り欠いた、本発明の第３の実施の形態を示している。
図４の例では、上部部材４０をケース４２に接着したときに、上部部材４０が、ドレイン電極配線導体４４のワイヤ接続部４４ｂにボンディングされたワイヤ２８と接触しないように、斜めに切り欠いてある。そのためドレイン電極配線導体４４のワイヤ接続部４４ｂに接続されるワイヤ２８を当該切り欠いた分の下方に配置、すなわち当該ワイヤ２８と上部部材４０とを上下に重なるように配置できる。これにより上部部材４０のワイヤ接続部４５ｂを半導体素子２３ａ側に近づけることができる。
【００３１】
この第３の実施の形態は、ソース及びドレイン電極配線導体の少なくともワイヤ接続部を含む一部が、ケース４２の一辺において平行平板配置され、かつワイヤ２８が上下平行に重複して配置され、それらを流れる電流の向きが逆向きとなるので、配線導体部及びワイヤループ部のインダクタンスを低減させることができる。さらに、ソース電極配線導体４５がインサートされた上部部材４０の下部が斜めに切り欠かれているので、ワイヤ接続部４５ｂとその下方のワイヤ接続部４４ｂとを半導体素子２３ａ〜２３ｃに接近させて配置することができ、半導体モジュール４１をより小型化できる。
【００３２】
次に、図５は、本発明の第４の実施の形態の半導体モジュール５１の内部構造を示す図であり、図６は、その部分断面図である。
第４の実施の形態の半導体モジュール５１も、ドレイン電極配線導体５４とソース電極配線導体５５が、それぞれ別の部材にインサートされている。この第４の実施の形態は、ケース５２の上側の辺５２ｂ（図５の正面から見て）の左側の部分が切り欠かれており、その部分にソース電極配線導体５５がインサートされた部材５０が挿入される。
【００３３】
ドレイン電極配線導体５４は、ケース５２の外周部の辺５２ａにインサートされ、一端が辺５２ａの部材５０が挿入されている側の端部近傍から鉛直上方向に露出して外部接続端子５４ａを形成している。
ドレイン電極配線導体５４のケース５２にインサートされた部分は、平板状の形状で、辺５２ａと平行に延出し、ケース５２の内側の段部で露出しワイヤ接続部５４ｂを形成している。
【００３４】
図６に示すように、ワイヤ接続部５４ｂは、半導体素子２３ａ〜２３ｃのドレイン電極と接続される基板２７の導体層２６とワイヤ２８により接続される。そして、そのワイヤ接続部５４ｂの上部に、後述するソース電極配線導体５５ｂがインサートされた部材５０が接着等により固定される。
【００３５】
なお、ソース電極配線導体５５ｂがインサートされた部材５０の半導体素子２３ａ〜２３ｃ側の下端部は斜めに切り欠かれており、部材５０をワイヤ接続部５４ｂの上部に固定したときに、部材５０がワイヤ２８と接触しないようにしてある。
【００３６】
図５に戻り、ソース電極配線導体５５は、部材５０にインサートされており、一端が略Ｌ字状に屈曲されて鉛直上方向に外部に延出して外部接続端子５５ａを形成している。
ソース電極配線導体５５のインサートされている部分は、平板状の形状で、ドレイン電極配線導体５４の一部と平行に延出し、当該延出された部分の一部が露出してワイヤ接続部５５ｂを形成している。
【００３７】
ソース電極配線導体５５のワイヤ接続部５５ｂは、部材５０をケース５２の辺５２ｂの左側の切り欠き部に挿入したときに、ドレイン電極配線導体５４のワイヤ接続部５４ｂと階段部を構成する。ソース電極配線導体５５のワイヤ接続部５５ｂは、その階段部の上段となり、半導体素子２３ａ〜２３ｃのソース電極とワイヤで接続される。
【００３８】
この第４の実施の形態も、ドレイン電極配線導体５４と、ソース電極配線導体５５がそれぞれ別の部材にインサートされているので、下側の配線導体、例えば、ドレイン電極配線導体５４と半導体素子２３ａ〜２３ｃとの間のワイヤボンディングを行った後、ソース電極配線導体５５がインサートされている部材５０をドレイン電極配線導体５４の上部に固定し、ソース電極配線導体５５と半導体素子２３ａ〜２３ｃとの間のワイヤボンディングを行うことができる。これにより、半導体素子２３ａ〜２３ｃとドレイン及びソース電極配線導体５４及び５５のワイヤ接続部５４ｂ及び５５ｂとの間の距離を短くし半導体モジュール５１を小型化することができる。さらに、半導体素子２３ａ〜２３ｃの主電流が流れるドレイン電極配線導体５４及びソース電極配線導体５６の少なくとも一部を平行配置することで、配線導体部のインダクタンスを低減することができる。
【００３９】
また、ワイヤ２８を上下平行に重複して配置し、上下のワイヤ２８を流れる電流の向きを逆向きにすることで、ワイヤ２８のインダクタンスも低減できる。さらに、ソース電極配線導体５５がインサートされた部材５０の下部が斜めに切り欠かれているので、ワイヤ接続部５５ｂとワイヤ接続部５４ｂとを、半導体素子２３ａ〜２３ｃに接近させて配置することができるので、半導体モジュール５１をより小型化できる。
【００４０】
次に、図７は、本発明の第５の実施の形態の半導体モジュール６１の内部構造を示す図であり、図８は、その部分断面図である。
この第５の実施の形態も、ドレイン電極配線導体６４とソース電極配線導体６５が、それぞれ別の部材にインサートされている。
【００４１】
ドレイン電極配線導体６４は、ケース６２の一辺６２ａにインサートされており、端部が略Ｌ字状に屈曲されて鉛直上方に外部に延出して外部接続端子６４ａを形成している。
ドレイン電極配線導体６４のケース６２にインサートされた部分は、平板状の形状で、辺６２ａと平行に延出し、ケース６２の内側の段部で露出しワイヤ接続部６４ｂを形成している。
【００４２】
ソース電極配線導体６５は、ケース６２の上部に配置される部材６０にインサートされており、一端が鉛直上方向に外部に延出して外部接続端子６５ａを形成している。
ソース電極配線導体６５のインサートされている部分は、平板状の形状で、ドレイン電極配線導体６４の一部と平行に延出し、段部で露出してワイヤ接続部６５ｂを形成している。
【００４３】
図８は、図７のソース電極配線導体６５の屈曲加工を行う前の状態を示している。
図８に示すように、ワイヤ接続部６４ｂは、半導体素子２３ａ〜２３ｃのドレイン電極と接続される基板２７の導体層２６とワイヤ２８により接続される。その後、ワイヤ接続部６４ｂの上部にソース電極配線導体６５がインサートされた部材６０が接着等により固定される。
【００４４】
ソース電極配線導体６５のワイヤ接続部６５ｂは、部材６０をケース６２の辺６２ｂの内側に固定したときに、ドレイン電極配線導体６４のワイヤ接続部６４ｂと階段部を構成する。ソース電極配線導体６５のワイヤ接続部６５ｂは、その階段部の上段となり、半導体素子２３ａ〜２３ｃのソース電極とワイヤで接続される。
【００４５】
ソース電極配線導体６５の屈曲加工は、ワイヤボンディング作業の後に行うことができるので、ワイヤボンディング作業の妨げにはならない。なお、ワイヤボンディング作業に支障がなければ、屈曲加工の施されたソース電極配線導体６５がインサートされた部材６０をケース６２に装着しても良い。
【００４６】
この第５の実施の形態も、上述した第４の実施の形態と同様に、半導体素子２３ａ〜２３ｃの電極と、配線導体のワイヤ接続部６４ｂ、６５ｂとの間の距離を短くして半導体モジュール６１を小型化することができる。さらに、ドレイン電極配線導体６４とソース電極配線導体６５とを平行に配置することで、配線導体部のインダクタンスを低減することができる。
【００４７】
また、ワイヤ２８を上下平行に重複して配置し、上下のワイヤ２８を流れる電流の向きを逆向きにすることで、ワイヤ２８のインダクタンスも低減できる。さらに、ソース電極配線導体６５がインサートされた部材６０の下部が斜めに切り欠かれているので、ワイヤ接続部６５ｂとワイヤ接続部６４ｂとを、半導体素子２３ａ〜２３ｃに接近させて配置することができ、半導体モジュール６１をより小型化できる。
【００４８】
さらに、ソース電極配線導体６５の外部接続端子６５ａを、ケース６２の外周以外の位置から立設させることができるので、外部接続端子６５ａの配置の自由度が高くなる。また、ケース６２の外周部にソース電極配線導体６５をインサートする必要がなくなることから、ケース６２を小型化できる。
【００４９】
なお、ソース電極配線導体６５の外部接続端子６５ａを外周部の辺に配置し、ドレイン電極配線導体６４の外部接続端子６４ａを外周部以外の位置に配置しても良い。
本発明は、上述した実施の形態に限らず、以下のように構成することもできる。
（ａ）ドレイン電極配線導体、あるいはソース電極配線導体がインサートされる部材は、実施の形態に示したものに限らない。例えば、それぞれの部材をケースと別に設け、２つの部材をケースに接着等により固定するようにしても良い。
（ｂ）ドレイン電極配線導体の外部接続端子と、ソース電極配線導体の外部接続端子は、ケースの隣接する辺に限らず相対する辺に設けても良い。その場合も、ドレイン電極配線導体とソース電極配線導体の少なくとも一部が平行となるように配置すれば良い。
（ｃ）ドレイン電極配線導体と、ソース電極配線導体の配置は、ドレイン電極配線導体の上方にソース電極配線導体２５を配置する構造に限らず、その逆の配置でも良い。
（ｄ）上述した実施の形態は、半導体素子のドレイン電極とソース電極に接続される配線導体について説明したが、ゲート電極等の制御端子と接続される配線導体に適用することもできる。その場合も、配線導体と半導体素子の電極との距離を短くするという効果を得ることができる。
（ｅ）外部接続端子は、必ずしもケース辺の上面から突出させる必要はなく、例えば、ケース外側側面から側方に延出させてもよいし、更に上方に曲げても良い。或いは、ケース内側側面から側方に延出させてもよく、更に上方に曲げてもよい。
（ｆ）本発明は、インバータモジュール、コンバータモジュール、トランジスタモジュール等に適用できる。
（ｈ）本発明は、ＭＯＳトランジスタに限らず、バイポーラトランジスタ、サイリスタ、ＧＴＯ、ＩＧＢＴ等の他のスイッチング素子を用いる半導体モジュールにも適用できる。
（ｉ）ワイヤボンディング部の上下平行配置、及び上部に配置される部材の切り欠き部の構成は、各実施の形態全てに併装しても良いし、階段部での平行平板配置のみの構成でも良い。
（ｊ）各実施の形態において、端子の立設は全てケースの周辺部から行っても良いし、全て周辺部に包囲された内部の所望位置から行っても良いし、あるいは全てではなく一部の端子のみで行っても良い。
（ｋ）切り欠き部は、上部部材がワイヤと上下に重ねられるような形状であればどのような形状であっても良い。
【００５０】
【発明の効果】
本発明によれば、配線導体部のインダクタンスを低減するとともに、半導体装置を小型化できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１の実施の形態の半導体モジュールの部分断面図である。
【図２】第１の実施の形態の半導体モジュールの内部構造を示す図である。
【図３】第２の実施の形態の半導体モジュールの内部構造を示す図である。
【図４】第３の実施の形態の半導体モジュールの部分断面図である。
【図５】第４の実施の形態の半導体モジュールの内部構造を示す図である。
【図６】第４の実施の形態の半導体モジュールの部分断面図である。
【図７】第５の実施の形態の半導体モジュールの内部構造を示す図である。
【図８】第５の実施の形態の半導体モジュールの部分断面図である。
【図９】従来の半導体モジュールの内部構造を示す図である。
【符号の説明】
１１，２１，３１，４１，５１，６１      半導体モジュール
２３ａ〜２３ｃ                          半導体素子
１４，２４，３４，４４，５４，６４            ドレイン電極配線導体
２４ａ，３４ａ，５４ａ，６４ａ    ドレイン電極配線導体の外部接続端子
２４ｂ，４４ｂ，５４ｂ，６４ｂ  ドレイン電極配線導体のワイヤ接続部
１３，２５，４５，５５，６５            ソース電極配線導体
２５ａ、４５ａ、５５ａ，６５ａ  ソース電極配線導体の外部接続端子
２５ｂ，４５ｂ，５５ｂ，６５ｂ  ソース電極配線導体のワイヤ接続部
【図１】
0003906710.tif 000002
【図２】
0003906710.tif 000003
【図３】
0003906710.tif 000004
【図４】
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【図５】
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【図６】
0003906710.tif 000007
【図７】
0003906710.tif 000008
【図８】
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【図９】
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