(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子ビーム露光ツールであって、
電子ガン組立て体を含み、電子ビームを発生するための電子ガンと、
該電子ガンに隣接してドリフトスペース内に配置された少なくとも１つのレンズ列であって、該電子ビームを複数のサブビームに分離して、該電子ビーム露光ツールのビームエミッタンスを制御するための少なくとも１つのレンズ列と、
を備えることを特徴とする電子ビーム露光ツール。
【請求項２】
請求項１に記載の電子ビーム露光ツールにおいて、
該少なくとも１つのレンズ列が、該電子ガン組立て体に接続されたライナー・チューブ内に配置されている電子ビーム露光ツール。
【請求項３】
請求項１に記載の電子ビーム露光ツールにおいて、
該少なくとも１つのレンズ列が、少なくとも１つのメッシュグリッドを含む電子ビーム露光ツール。
【請求項４】
請求項１に記載の電子ビーム露光ツールにおいて、
該少なくとも１つのレンズ列が、少なくとも１つの連続ホイルを含む電子ビーム露光ツール。
【請求項５】
請求項１に記載の電子ビーム露光ツールにおいて、
該レンズ列が、入来電子ビームから散開したビームを生成することにより、電子ビームのエミッタンスを増加させるようになっている電子ビーム露光ツール。
【請求項６】
ビームエミッタンスを制御する方法であって、
電子ガン組立て体を含む電子ガンによって、電子ビームを供給するステップと、
該電子ビームを該電子ガンに隣接してドリフトスペース内に配置された少なくとも１つのレンズ列を介して複数のサブビームに分離するステップと、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項７】
請求項６に記載の方法において、
該少なくとも１つのレンズ列が、該電子ガン組立て体に接続された、ライナー・チューブ内に配置される方法。
【請求項８】
請求項６に記載の方法において、
該少なくとも１つのレンズ列が、少なくとも１つのメッシュグリッドを含むものである方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体集積回路の製造に用いられる電子ビームリソグラフ装置の照射システムに関する。
【０００２】
【従来の技術】
電子ビーム露光ツールは、２０年以上にもわたって半導体の処理のリソグラフ用に用いられていた。初期の電子ビーム露光ツールは、対象面の上に集光したビームのラスタースキャンを用いるｆｌｙｉｎｇ  ｓｐｏｔの概念に基づいている。電子ビームは、スキャンしている間変化し、その結果電子ビームそのものがリソグラフのパターンを描き出す。これらのツールは高精細のタスク、例えばリソグラフマスクの製造に幅広く用いられているが、ラスタースキャンのモードは遅いために半導体ウエハの処理に必要とされる高いスループットを得ることができない。この装置における電子ソースは、電子顕微鏡に用いられるものと類似するものである。すなわち、高い輝度の光ソースが小さなスポットビームに集光する。
【０００３】
近年では、ＳＣＡＬＰＥＬ（SCattering with Angular limitation Projection Electron-beam Lithography）技術に基づいて新たな電子ビーム露光装置が開発された。このツールにおいては、広い領域の電子ビームがリソグラフマスクを介して目標面に投影される。半導体ウエハの広い面積（１ｍｍ2）を一時に露光するためにスループットは許容可能となる。このツールの高い解像度は超微細のリソグラフ、すなわちサブミクロンにとっては魅力的である。
【０００４】
ＳＣＡＬＰＥＬの露光ツールの電子ビームソースの要件は、従来の集光ビーム露光ツール、すなわち従来のＴＥＭまたはＳＥＭのそれとは大幅に異なっている。高い解像度の画像化が依然として主要な目的となっているために経済的なウエハのスループットを実現するためには、比較的高い（１０−１００μｍＡ）のガン電流が必要である。必要とされる軸方向の輝度は比較的低く、例えば１０2−１０4Ａｃｍ-2ｓｒ-1、これは通常の集光ビーム光ソースに対する１０6から１０9Ａｃｍ-2ｓｒ-1に対して対照的である。しかし、より広い領域に対するビームのフラックスは、必要とされるリソグラフドーズ量の位置（latitude）と ＣＤの制御を得るためには、非常に均一でなければならない。
【０００５】
ＳＣＡＬＰＥＬツールの開発にあたっての過酷なハードルは、広い領域にわたって均一な電子のフラクッスを与え、輝度が低く且つ次式Ｄ*αミクロン*ミリラジアンで定義される高いエミッタンスを有する電子ソースの開発である。ここでＤはビームの直径で、αは散乱角（divergence angle）である。従来の最新式の電子ビームソースは、０．１−４００ミクロン×ミリラジアンの範囲のエミッタンスを有するのに対し、ＳＣＡＬＰＥＬのツールは１０００から５０００ミクロン×ミリラジアンの範囲のエミッタンスを必要としている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
さらにまた、従来のＳＣＡＬＰＥＬ照射システムの設計では、ガウスガンベース（Gaussian gun-based）、あるいはグリッド制御のガンベース（grid-controlled gun-based）のいずれかである。この両方のタイプの共通の欠点は、ビーム電流制御と不可避のエミッタンス変化を結合する実際のウェネルト（Wehnelt）バイアスに依存することである。システムの観点からすると、ビーム電流とビームエミッタンスが独立して制御できることがより好ましい。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明は、照射システムの構成要素内に「エミッタンスコントローラ」として機能するレンズ列を配置して、独立してエミッタンスの制御を行える電子ビーム露光ツール及びそれに用いられるチャージされた（電荷を帯びた）粒子の照射システムの構成要素を提供する。本発明の一実施例においては、負にバイアスされた導電性のメッシュグリッドが接地電位に保持されたＳＣＡＬＰＥＬリソグラフツール内に配置され、光学「ｆｌｙ'ｓ  ｅｙｅ」のレンズを模擬する多数のマイクロレンズを形成する。このメッシュグリッドは、来入する実電子ビームを複数のサブビームに分離し、その結果出力されるビームエミッタンスは、来入したビームエミッタンスとは異なるが、ビームの全電流は不変である。このメッシュグリッドにより、ビーム電流に影響を及ぼすことなくビームエミッタンスの制御が可能となる。本発明の他の実施例においては、照射システムの構成要素は電子ガンである。さらに本発明の他の実施例においては、照射システムの構成要素は従来の電子ガンに接続可能なライナー・チューブである。
【０００８】
メッシュグリッドの光学的効果を形状の観点から説明する。メッシュ内の小孔はマイクロレンズ即ち小レンズとして機能し、メッシュグリッドの一方の側上に直径ｄを有する仮想のソース（すなわちクロスオーバー）を創設する。各個々のサブビームは、Ｌに近い場所のスペースをとる。ここでＬは、メッシュのピッチに等しい。メッシュグリッドを出た後のビームエミッタンスと電子ガンにより創設されたエミッタンスの比は次式で表される。
ｒ＝（Ｌ/ｄ）2
【０００９】
本発明の他の実施例においては、メッシュグリッドは複数の（例えば２個、３個またはそれ以上）のメッシュを有する。３以上の奇数番号の構造においては、外側の２つのメッシュは湾曲した形状を有し、レンズはビームエミッタンスの制御を可能として、球状収差（spherical aberration）を低減する。
【００１０】
本発明の他の実施例においては、レンズ列はホイルから形成された連続レンズ（continuous lens）である。
【００１１】
【発明の実施の形態】
図１の従来のWehnelt電子ガン装置は、ベース１１とカソード支持アーム１２とカソードフィラメント１３とWehnelt電極を有し、このWehnelt電極はWehnelt垂直支持アーム１５とWehnelt開口１６とを有する。ベース１１はセラミック製で、カソード支持アーム１２はタンタル、鉄、またはモリブデン製である。カソードフィラメント１３はタングステン製のワイヤであり、Wehnelt開口１６を形成する材料は鉄またはタンタルであり、電子エミッタ１４はタンタル製のディスクである。電子エミッタ１４の有効面積は０．１−５．０ｍｍ2の範囲内にある。電子エミッタ１４は直径が０．０５−３．０ｍｍのディスクが好ましい。アノード１７は、アノード開口１７ａと電子ビーム１８とドリフトスペース１９とを有する。単純にするために従来公知のビーム制御装置は、同図には示していない。ＳＣＡＬＰＥＬ露光ツールの電子ソースの重要な特徴点は、電子ビームの輝度が低いことである。最も有効に露光するためには、電子ビームの輝度は１０5Ａｃｍ-2ｓｒ-1以下の値にしなければならない。このことは最大輝度に通常最適化されている従来の走査型電子ビーム露光装置とは対照的である。これに関しては米国特許第４，５８８，９２８号を参照のこと。
【００１２】
本発明の装置を図２に示す。メッシュグリッド２３は、ドリフトスペース１９内の電子放射のパス内に配置される。図２によればメッシュグリッド２３は、ドリフトチューブ２０から絶縁された無静電界のドリフトスペース１９内に配置され、電位Ｕｍでバイアスされている。メッシュグリッド２３とドリフトチューブ２０のとの間の電位差はメッシュグリッド２３内の小孔からマイクロレンズを形成する。電子ビーム１８は、個々のサブビームに分離され、各サブビームがそれぞれのメッシュのセル、すなわちマイクロレンズを通して焦点を合わせながら移動する（forcus moving）。メッシュグリッド２３はドリフトチューブ２０から絶縁部材２４により分離されている。メッシュグリッド２３と絶縁部材２４は、メッシュホルダーの一部である。
【００１３】
ドリフトスペース１９の特徴の1つは電界が全くあるいはほとんど存在しないことである。電界が存在しないことにより、電子の加速あるいは減速が生じない。それは、電子は電界の存在のもとで「ドリフト」するからである。これは強い電界を有する真空ギャップ１９ａとは対照的である。
【００１４】
図１０、１１は、電子ガン組立て体１に取り付けられたドリフトチューブ２０内のメッシュグリッド２３を示す。図１１においては、ドリフトチューブ２０はライナー・フランジ２１と電子ガンフランジ２６を介して電子ガン組立て体に取り付けられている。図１０ではドリフトチューブ２０は、電子ガン組立て体に溶接部２２で取り付けられている。ドリフトチューブ２０と電子ガン組立て体は、取付が真空を維持できる限り他の技術でもって取り付けることができる。別の構成例として、溶接部２２がドリフトスペース１９内にある限りメッシュグリッド２３をライナー・フランジ２１と電子ガンフランジ２６との間の境界の下に、あるいは溶接部２２の下に配置することもできる。
【００１５】
図１０，１１に示した実施例の利点は、従来の非光学電子ガンを用いることができる点である。従来の電子ガンのつくり出すビームは狭く且つ均一ではない。図１０，１１に示す装置は、従来の電子ガンを用いて性能を向上させることができる。その理由は、ドリフトチューブ２０内に含まれるメッシュグリッド２３がビームを幅広く且つより均一にすることにより、ビームエミッタンスを改善できるからである。そして、これはＳＣＡＬＰＥＬのアプリケーションにより適したものとなる。メッシュグリッド２３の効果は図１２により明らかになる。
【００１６】
図１のWehneltガンからの電子放射のパターンを図３に示す。Wehneltガンからの均一でなく、且つベルの形に湾曲した形状であることがわかる。図４はメッシュグリッド２３を通過した電子ビームエミッタンスを示す。図６のメッシュグリッド２３の左側のエミッタンスは、低いがメッシュグリッド２３を通過した後の電子ビームのエミッタンスは、より高くなっている。
【００１７】
メッシュグリッド２３を構成する様々なスクリーンの素子は、様々な構成をとることができる。最も単純なものは、四角の小孔を具備した従来の織布のスクリーンである。しかし、スクリーンは三角形の小孔、六角形の緊密配置の小孔、あるいは円形の小孔も有することができる。スクリーンは織布あるいは不織布でもよい。連続した層から適宜のスクリーンを形成する技術は、当業者が容易に思いつくものである。例えば、連続した金属シートすなわちホイル内の複数の小孔をレーザードリルのような技術で形成することもできる。微細のメッシュは電子形成技術で形成することもできる。メッシュグリッド２３は、導電性でなければならないが、メッシュの材料は特に重要なものではない。タンタル、タングステン、モリブデン、チタン、さらにはまた鉄等が適宜の材料で、またこれらの合金もまた当業者に公知である。メッシュグリッド２３は４０−９０％の範囲の透明度を有する。透明度は二次元の空間をメッシュグリッドの全面積で割ったものである。
【００１８】
図４ａにおいてメッシュグリッドのバー「ｂ」は５０μｍであり、四角のセルの幅「Ｃ」は約２００μｍである。このメッシュグリッドは約６５％の透明度を有する。適切と思われるメッシュグリッドの構造の例を次の表に示す。
【表１】
0003895535.tif 000002
【００１９】
セルの寸法「Ｃ」は、四角の開口のメッシュでは開口の幅である。四角形のメッシグリッドにおいて「Ｃ」は開口の面積の平方根である（面積はＣの二乗）。開口は、対称的すなわち四角形または円形が好ましい。
【００２０】
メッシュグリッドの厚さｔは重要ではないが、ただし、開口のアスペクト比すなわちＣ／ｔは１以上が好ましい。メッシュグリッドのパラメータの間の好ましい関係は、次式で表される。
Ｃ／ｔ≧１．５
【００２１】
本発明の他の実施例においては、レンズ列は複数のメッシュを有する。本発明の一実施例においては、レンズ列は３個のメッシュを有する。外側の２個のメッシュは湾曲した形状をしており、そのレンズがビームエミッタンスの制御を行い、球面収差を減らす。
【００２２】
さらにまた、外側の二つのメッシュを厚さが０．１μｍの例えばＳｉＮホイルのようなホイルでもって置き換えることもできる。このようなフィルムは、物理的相互作用（非弾性衝突）がなく、そのため透明度は１００％近くになる。レンズ列（メッシュまたは連続フィルム）を通過する大電流のために透明度は重要である。ビームの大部分がメッシュまたは連続フィルムの構造体にあたると、高い電流がメッシュまたは連続フィルムを溶かすことがある。
【００２３】
図５は、本発明の光学系をより一般的に示したものである。カソード８１は標準の高輝度電子ガンのカソード、例えば、ＣＲＴで用いられるようなタングステン製ヘアピン、ＬａＢ6結晶、ＢａＯガンである。ガンレンズ８２は、Wehnelt電極とextraction fieldにより形成されたガンレンズである。ガンクロスオーバー８３は、直径ｄｇを有するガンクロスオーバーである。電子ビーム８４は、ガンから放射された電子ビームであり、ビームが１００ｋＶに加速された点から見たときに半開口角αｇを有する。するとガンのエミッタンスは、次式で表される。
0003895535.tif 000003
ビームは小レンズ８５の直径よりもかなり大きな直径に拡散した後に、レンズ列８０が配置される。各小レンズ８５がサイズｄiのガンクロスオーバーの８６を形成する。かくして、各サブビーム８７は半開口角αを有する。
【００２４】
レンズ列８０によるエミッタンスの増加が得られる。Liouvilles理論では、六次元の相スペースの粒子密度は、レンズ内にあるような保存力（conservative forces）を用いては変えることはできない。このことは、１つの小レンズを通る各サブビーム内のエミッタンスは、保存されていて次式で表される。
0003895535.tif 000004
ここでＮはサブビームの数である。
【００２５】
ビームのエミッタンスは次式で表される。
0003895535.tif 000005
ここでＬはレンズ８５のピッチであり、
0003895535.tif 000006
はレンズ列８０の全面積である。ビームの新たなエミッタンスは、有効エミッタンスと定義される。その結果エミッタンスの増加は、Ｅeff/Ｅgun＝Ｌ2/ｄi2である。
【００２６】
小レンズのアレイでもって実際のクロスオーバー（real cross-over）を形成する必要は必ずしもない。
【００２７】
エミッタンスの増加の計算は、別のように行われるが、しかし原理に依然ととして基づいている。エミッタンスを大幅に増加させるためには、メッシュグリッド２３の大きなピッチを用いるのがよい。しかし、新たに形成されたビームは、合理的な大きさのサブビームを含み、その結果、サブビームはシステム内のマスクのような必要不可欠な部分でオーバーラップする。実験例１は一般的な値を示す。
【００２８】
実験例１
０．２ｍｍの直径のＬａＢ6製のガンを用いた。ガンレンズを通過した後のクロスオーバーは６０μｍで、かくしてエミッタンスの増加は表１のグリッド＃１を用いると８倍である。
【００２９】
図６では、レンズ列８０は電位Ｖ0のドリフトチューブ２０の間の電位Ｖ1のメッシュグリッド２３である。または図６Ａに示すように、レンズ列８０は電位Ｖ1のメッシュグリッド２３と電位Ｖ2のメッシュグリッド２３′を有する。あるいは図６Ｂに示すように、レンズ列８０は電位Ｖ0のメッシュグリッド２３，メッシュグリッド２３′と電位Ｖ1のメッシュグリッド２３を含む。グリッド面に直交する静電界を具備したグリッドメッシュを含む他の構成でも良い。
【００３０】
図５のレンズ８５の焦点距離は、４×Ｖａｃｃ／Ｅfieldのオーダーにある。ここでＶａｃｃは電子ビームの加速電位であり、Ｅfieldは静電界の強度である。実験例１においては、ガンクロスオーバーとレンズ列との間の距離は１００ｍｍであり、これにより縮小したイメージを形成するには、約５０ｍｍの焦点距離が必要である。かくして１００ｋＶの加速においては、静電界は１０ｋＶ／ｍｍでなければならない。
【００３１】
本発明の他の実施例において、特定の構造が強い静電界を必要とする場合には、メッシュグリッド２３は、カソードとアノードとの間のガンの加速装置内に組み込むことができる。この時点ではビームは、まだ１００ｋＶ全部にまでには加速されていない更なる利点がある。
【００３２】
本発明の他の実施例においてはメッシュグリッド２３は、図２のWehnelt開口１６内の電子ガンの中に組み込むこともできる。メッシュのピッチは、カソードの直径よりもはるかに小さくなければならない。これにより、小レンズのサイズはμｍのオーダーとなる。
【００３３】
本発明は、Charged Particle Optics；ＣＰＯ（Bowring Consultant社とManchester University）とソース（MEBS社による）モデルを用いたコンピュータシミュレーションにより確認された。ソースモデルにおいては、メッシュグリッド２３は一連の管状のスリットでもって近似された。ＣＰＯプログラムとソースプログラムの両方においては、シリンダ間のギャップ内にバイアスのかけられたメッシュを有する２つの接地されたシリンダを含むレンズがシミュレートされた。図７はソースモデルの詳細と静電界を示す。レンズのフィールドは、メッシュの小孔内ではっきりと見ることができる。
【００３４】
さらにまたモデル化は、三次元シミュレーションプログラムＣＰＯ３ｄを用いて行われた。図８はメッシュの面における電位の分布を示す。メッシュグリッドにおけるマルチレンズ効果が容易に見て取れる。
【００３５】
上記したように本発明の電子ガンは、ＳＣＡＬＰＥＬ電子ビームリソグラフ装置内の電子ソースとして用いることができる。現在の産業界のプラクティスにおいては、半導体ウエハ上に半導体デバイスを形成することは、ポリマーレジスト材料を化学線照射の微細パターンで、この場合電子ビームの照射で露光することが含まれる。従来のプラクティスにおいては、化学線の照射をリソグラフマスクを介してレジストがコーティングされた基板に抜けることにより行われている。マスクは基板に近接して配置され、マスクの画像が基板上に転写される。
【００３６】
ＳＣＡＬＰＥＬリソグラフツールは、非常に狭いライン幅、すなわち０．１μｍ以下で高いコントラストを有するパターンが特徴的である。これらは光学投影システムの高いスループットと共に、広い処理許容範囲を持って高い解像度の画像を造り出すことができる。高いスループットは、ウエハの広い面積を露光するために電子の大量ビーム（flood beam）を用いることにより可能となる。標準の磁界フィールドビームの操作、及び焦点合わせを含む電子ビーム光学系を用いて、リソグラフマスク上に大量のビーム（flood beam）で画像化し、その後基板上に、すなわちレジストがコーティングされたウエハ上に画像化する。このリソグラフマスクは高い電子散乱の領域と低い電子散乱の領域からなり、これらの領域がマスクのパターン内の所望の特徴物を規定する。適切なマスクの構造体の詳細は、米国特許第５，０７９，１１２号（１９９２年１月７日）と第５，２５８，２４６号（１９９３年１１月２日）とに開示されている。
【００３７】
ＳＣＡＬＰＥＬツールの重要な特徴は、リソグラフマスクと基板との間に配置されるバック焦点面フィルタ（Back focal plane filter）である。このバック焦点面フィルタは、強く散乱した電子を阻止し、弱く散乱した電子を通過させて、基板上に画像パターンを形成することにより機能する。このブロッキングフィルタは画像内の不用な照射を吸収する。これは画像内の不用な照射がマスクそのものにより吸収され、マスクの加熱と歪みの原因となり、そしてマスクの寿命を低下させるような従来のリソグラフツールとは対照的である。
【００３８】
ＳＣＡＬＰＥＬリソグラフシステムが動作する原理を図９に示す。リソグラフマスク５２は、図２の電子ガンにより生成された１００ｋｅＶの電子の大量のビーム（flood beam）均一ビーム５１でもって照射される。リソグラフマスク５２は強く散乱させる材料からなる高散乱材料領域５３と、弱く散乱させる材料からなる低散乱材料領域５４とを有する。ビームの弱く散乱した一部、すなわち弱散乱電子ビーム５１ａは焦点背面フィルタ５６の開口５７を通した磁気レンズ５５により焦点が合わせられる。焦点背面フィルタ５６はシリコンウエハあるいは電子をブロックするのに適切な他の材料製である。電子ビームの強く散乱した部分である強散乱電子ビーム５１ｂ，強散乱電子ビーム５１ｃは、焦点背面フィルタ５６によりブロックされる。焦点背面フィルタ５６を通過する電子ビーム画像は、光学面５９に配置されたレジストがコーティングされた基板上に焦点が合う。領域６０はリソグラフマスク５２の低散乱材料領域５４、すなわち露出される領域を再現し、領域６１はリソグラフマスクの高散乱材料領域５３、すなわち露出されるべきでない領域を再現する。これらの領域は交換可能であり、負のレジストパタンあるいは正のレジストパタンのいずれかを生成する。
【００３９】
ＳＣＡＬＰＥＬツールの重要な特徴点は、ブロッキングフィルタ（阻止用フィルタ）を電子ビームイメージのバック焦点面に、あるいはその近傍に配置することである。ＳＣＡＬＰＥＬシステムの詳細は米国特許第５，０７９，１１２号（１９９２年１月７日）、第５，２５８，２４６号（１９９３年１１月２日）に開示されている。
【００４０】
本明細書及び特許請求の範囲においては、Wehneltエミッタは、ほぼ平坦な放射表面を具備する固体材料ボディーを規定する。この平坦な放射表面は対称的である。すなわち、円または通常の多角形の形状を有する。本明細書において基板は、半導体のワークピースが基板上に存在しているか否かを問わずに、電子ビーム露光システムの対象面を規定するのに用いられている。電子光学面とは、電子ガン内のスペース及び、電子ビームの画像が焦点があう表面上のｘ−ｙ面を規定するのに用いられる。すなわち、半導体ウエハが配置される対象面である。
【００４１】
本発明においては、電子光学レンズ列は、ＳＣＡＬＰＥＬツールの照射光学系内に挿入される。このレンズ列の位置、すなわち「ｆｌｙ’ｓ  ｅｙｅ」レンズは各小レンズの間の距離Ｌよりも小さい直径ｄを有するビームクロスオーバーを形成するものであり、これによりビームの有効エミッタンスをＬ/ｄ2 倍に増加させる。電子光学レンズ列は、グリッドに直交する静電界を有するメッシュグリッドである。本発明の従来のシステムに対する利点は、本発明によれば標準の高い高輝度の電子ガンを用いることができる点である。本発明の他の利点は、有効エミッタンスは、現在のところエミッタンスを変化させる唯一の方法であるビーム成型開口上に、大部分の電子電流を停止することなく変化させることができる点である。本発明の他の利点は、マスクに均一の照射を掛けることができる点である。
【図面の簡単な説明】
【図１】  タンタル製のディスクエミッターを具備する従来のＷｅｈｎｅｌｔの電子ガンのブロック図。
【図２】  本発明による電子ガンのブロック図。
【図３】  従来のWehnelt電子ガンからの電子放射プロファイルを表す図。
【図４】  本発明の一実施例によるメッシュグリッドの影響を表す図。
Ａ  本発明のメッシュグリッドの関連する寸法を表す図。
【図５】  本発明の光学系を表す一般図。
【図６】  メッシュグリッドにかけられた結線図を表す図。
Ａ  他のメッシュグリッドの構成にかけられた電位を表す図。
Ｂ  他のメッシュグリッドの構成にかけられた電位を表す図。
【図７】  −４０ｋＶのバイアス電圧でＳＯＵＲＣＥのコンピュータシミュレーションのモデルにより計算されたメッシュグリッド周囲の等価電界を表す図。
【図８】  −４０ｋＶのバイアス電圧でＣＰＯ３ｄのコンピュータシミュレーションモデルを用いて計算したメッシュグリッドのマルチレンズの影響を表す図。
【図９】  ＳＣＡＬＰＥＬ露光システムの原理を表すブロック図。
【図１０】本発明による電子ガンの部分拡大図。
【図１１】本発明による電子ガンの部分拡大図。
【図１２】電子ビームに対するメッシュグリッドの影響を表す図。
【符号の説明】
１  電子ガン組立て体
１１  ベース
１２  カソード支持アーム
１３  カソードフィラメント
１４  電子エミッタ
１５  Wehnelt垂直支持アーム
１６  Wehnelt開口
１７  アノード
１７ａ  アノード開口
１８  電子ビーム
１９  ドリフトスペース
１９ａ  真空ギャップ
２０  ドリフトチューブ
２１  ライナー・フランジ
２２  溶接部
２３  メッシュグリッド
２４  絶縁部材
２５  電子放射パス
２６  電子ガンフランジ
５１  均一ビーム
５１ａ  弱散乱電子ビーム
５１ｂ，５１ｃ  強散乱電子ビーム
５２  リソグラフマスク
５２  膜のマスク
５３  高散乱材料領域
５４  低散乱材料領域
５５  磁気レンズ
５６  焦点背面フィルタ
５７  開口
５９  光学面
６０  領域
６１  領域
８０  レンズ列
８１  カソード
８２  ガンレンズ
８３  ガンクロスオーバー
８４  電子ビーム
８５  レンズ
８６  画像
８７  サブビーム
【図１】
0003895535.tif 000007
【図２】
0003895535.tif 000008
【図３】
0003895535.tif 000009
【図４】
0003895535.tif 000010
【図５】
0003895535.tif 000011
【図６】
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【図７】
0003895535.tif 000013
【図８】
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【図９】
0003895535.tif 000015
【図１０】
0003895535.tif 000016
【図１１】
0003895535.tif 000017
【図１２】
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