(57)【要約】【課題】半導体素子接続パッドが最上層の絶縁樹脂層から剥離しにくいとともに半導体素子接続パッド間の電気的な絶縁信頼性が高く、且つ半導体素子接続パッドと半導体素子の電極端子との電気的な接続が良好な配線基板を提供すること。【解決手段】複数の絶縁樹脂層１ａ〜１ｄがに積層されて成る絶縁基体１と、絶縁樹脂層１ａに上面が露出するように埋設されており、半導体素子Ｓの電極端子Ｔと接続される半導体素子接続パッド４と、絶縁基体１の下面に被着されており、絶縁基体１の内部に設けた配線導体２を介して半導体素子接続パッド４に電気的に接続されている外部接続パッド５と、を具備して成る配線基板１０において、半導体素子接続パッド４は、上面外周部が最上層の絶縁樹脂層１ａの上面から凹んで露出する基部４ａを有しているとともに、基部４ａの上面中央部に絶縁樹脂層１ａの上面から突出する突起部４ｂを有している。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の絶縁樹脂層が上下に積層されて成る絶縁基体と、最上層の前記絶縁樹脂層に上面が露出するように埋設されており、半導体素子の電極端子と接続される半導体素子接続パッドと、前記絶縁基体の下面に被着されており、前記絶縁基体の内部に設けた配線導体を介して前記半導体素子接続パッドに電気的に接続されている外部接続パッドと、を具備して成る配線基板において、前記半導体素子接続パッドは、上面外周部が最上層の前記絶縁樹脂層の上面から凹んで露出する基部を有しているとともに、該基部の上面中央部に最上層の前記絶縁樹脂層の上面から突出する突起部を有していることを特徴とする配線基板。
【請求項２】
平坦な支持基板上に金属箔を分離可能に支持する工程と、前記金属箔上に半導体素子接続パッドの基部となる多数のパターンを有するめっき導体層を形成する工程と、前記金属箔上および前記めっき導体層上に最上層の絶縁樹脂層となる第１の絶縁樹脂層を積層するとともに、該第１の絶縁樹脂層上に、前記めっき導体層に電気的に接続された配線導体を形成する工程と、前記第１の絶縁樹脂層上および前記配線導体上に次層の絶縁樹脂層を積層するとともに、該次層の絶縁樹脂層上に、前記配線導体に電気的に接続された次層の配線導体を形成する工程と、前記次層の絶縁樹脂層上および次層の配線導体上に、さらに次層の絶縁樹脂層の積層および次層の配線導体の形成を必要に応じて複数回繰り返す工程と、最後に積層された前記絶縁樹脂層上に、前記めっき導体に前記配線導体を介して電気的に接続された外部接続パッドを形成する工程と、前記金属箔と前記支持基板とを分離して前記金属箔を露出させる工程と、該金属箔および前記めっき導体層を部分的にエッチングし、前記めっき導体層の各パターンから成る基部の表面中央部に前記第１の絶縁樹脂層の表面から突出する突起部として前記金属箔の一部を残すとともに、前記基部の表面外周部を前記第１の絶縁樹脂層の表面から凹ます工程と、を行うことを特徴とする配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子を搭載するために用いられる配線基板およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
図４に、半導体素子Ｓを搭載するための従来の配線基板２０の例を示す。従来の配線基板２０は、絶縁基体１１と配線導体１２とを備えている。絶縁基体１１は、複数の絶縁樹脂層１１ａ〜１１ｄが上下に積層されて成る。各絶縁樹脂層１１ａ〜１１ｂには、ビアホール１３が形成されている。配線導体１２は、絶縁樹脂層１１ａ〜１１ｄの表面およびビアホール１３内に形成されている。これにより、上下の配線導体１２同士がビアホール１３を介して電気的に接続されている。絶縁基体１１の上面には、多数の半導体素子接続パッド１４が形成されている。絶縁基体１１の下面には、多数の外部接続パッド１５が形成されている。半導体素子接続パッド１４と外部接続パッド１５とは、配線導体１２を介して互いに電気的に接続されている。配線導体１２、半導体素子接続パッド１４および外部接続パッド１５は、めっき導体層により形成されている。半導体素子接続パッド１４には、半導体素子Ｓの電極端子Ｔが接続される。外部接続パッド１５は、外部電気回路基板の配線導体に接続される。
【０００３】
この配線基板２０は、以下のようにして製造される。先ず、図５（ａ）に示すように、平坦な支持基板３１上に金属箔３２を支持させる。支持基板３１と金属箔３２とは、間に介在層３３を挟んで積層されている。支持基板３１と介在層３３の間は、互いに固着している。金属箔３２と介在層３３との間は、図示しない粘着層を介して互いに剥離可能に密着している。支持基板３１と金属箔３２との間は固着している。支持基板３１は、ガラスクロス入りの熱硬化性樹脂から成る。金属箔３２は、銅箔から成る。介在層３３は、銅箔や樹脂フィルムから成る。
【０００４】
次に、図５（ｂ）に示すように、金属箔３２上にめっき導体層１４ａを形成する。めっき導体層１４ａは、半導体素子接続パッド１４となるものである。めっき導体層１４ａは、電解銅めっきから成る。
【０００５】
次に、図５（ｃ）に示すように、金属箔３２上およびめっき導体層１４ａ上に、第１の絶縁樹脂層１１ａと配線導体１２とを形成する。絶縁樹脂層１１ａには、めっき導体層１４ａに接続するためのビアホール１３が形成されている。このビアホール１３を介してめっき導体層１４ａと配線導体１２とが互いに電気的に接続される。
【０００６】
次に、図５（ｄ）に示すように、絶縁樹脂層１１ａおよびその上の配線導体１２上に、次層の絶縁樹脂層１１ｂおよび配線導体１２の形成と、さらに次層の絶縁樹脂層１１ｃおよび配線導体１２の形成を行う。絶縁樹脂層１１ｂ、１１ｃにも、それぞれビアホール１３が形成されている。このビアホール１３を介して上下の配線導体１２同士が電気的に接続されている。
【０００７】
次に、図５（ｅ）に示すように、最後の絶縁樹脂層１１ｄを積層するとともに、絶縁樹脂層１１ｄ上に外部接続パッド１５を形成する。外部接続パッド１５は、配線導体１２の一部から成る。絶縁樹脂層１１ｄにも、ビアホール１３が形成されている。このビアホール１３を介して外部接続パッド１５がその下の配線導体１２に電気的に接続される。これにより外部接続パッド１５が配線導体１２を介してめっき導体層１４ａに電気的に接続される。
【０００８】
次に、図６（ｆ）に示すように、金属箔３２と支持基板３１とが固着された領域に対応する部分を切り落とす。これにより、金属箔３２と介在層３３とが剥離可能に密着された領域に対応する部分のみが残る。
【０００９】
次に、図６（ｇ）に示すように、金属箔３２と介在層３３との間を剥離して金属箔３２と支持基板３１とを分離する。これにより、金属箔３２が外部に露出する。
【００１０】
最後に、図６（ｈ）に示すように、露出した金属箔３２をエッチング除去する。これにより絶縁樹脂層１１ａに埋設されためっき導体層１４ａが外部に露出する。露出しためっき導体層１４ａは、半導体素子接続パッド１４となる。このとき、めっき導体層１４ａも、２〜３μｍ程度エッチングされる。そのため、半導体素子接続パッド１４の露出面は、絶縁樹脂層１１ａの表面から２〜３μｍ程度凹んだものとなる。
【００１１】
しかしながら、従来の配線基板２０では、上述したように、半導体素子接続パッド１４が絶縁樹脂層１１ａの表面から２〜３μｍ程度凹んだものとなる。そのため、半導体素子接続パッド１４と半導体素子Ｓの電極端子Ｔとの間に電気的な接続不良が発生しやすくなる。これは、絶縁樹脂層１１ａの表面から凹んで位置する半導体素子接続パッド１４と、半導体素子Ｓの電極端子Ｔとの良好な接触が凹みにより阻害されることに起因する。
【００１２】
なお、半導体素子接続パッドを絶縁樹脂層に埋設せずに、絶縁樹脂層の表面に単に突設した配線基板もあるが、この場合、特に半導体素子接続パッドが小さい場合、半導体素子接続パッドが絶縁樹脂層から剥離しやすくなる。また、隣接する半導体素子接続パッド同士の距離が小さい場合に電気的な絶縁信頼性が低いものとなる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１３】
【特許文献１】特開２００７−３００１４７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
本発明が解決しようとする課題は、半導体素子接続パッドが最上層の絶縁樹脂層から剥離しにくいとともに隣接する半導体素子接続パッド間の電気的な絶縁信頼性が高く、且つ半導体素子接続パッドと半導体素子の電極端子との間の電気的な接続が良好な配線基板およびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明の配線基板は、複数の絶縁樹脂層が上下に積層されて成る絶縁基体と、最上層の前記絶縁樹脂層に上面が露出するように埋設されており、半導体素子の電極端子と接続される半導体素子接続パッドと、前記絶縁基体の下面に被着されており、前記絶縁基体の内部に設けた配線導体を介して前記半導体素子接続パッドに電気的に接続されている外部接続パッドと、を具備して成る配線基板において、前記半導体素子接続パッドは、上面外周部が最上層の前記絶縁樹脂層の上面から凹んで露出する基部を有しているとともに、該基部の上面中央部に最上層の前記絶縁樹脂層の上面から突出する突起部を有していることを特徴とするものである。
【００１６】
本発明の配線基板の製造方法は、平坦な支持基板上に金属箔を分離可能に支持する工程と、前記金属箔上に半導体素子接続パッドの基部となる多数のパターンを有するめっき導体層を形成する工程と、前記金属箔上および前記めっき導体層上に最上層の絶縁樹脂層となる第１の絶縁樹脂層を積層するとともに、該第１の絶縁樹脂層上に、前記めっき導体層に電気的に接続された配線導体を形成する工程と、前記第１の絶縁樹脂層上および前記配線導体上に次層の絶縁樹脂層を積層するとともに、該次層の絶縁樹脂層上に、前記配線導体に電気的に接続された次層の配線導体を形成する工程と、前記次層の絶縁樹脂層上および次層の配線導体上に、さらに次層の絶縁樹脂層の積層および次層の配線導体の形成を必要に応じて複数回繰り返す工程と、最後に積層された前記絶縁樹脂層上に、前記めっき導体に前記配線導体を介して電気的に接続された外部接続パッドを形成する工程と、前記金属箔と前記支持基板とを分離して前記金属箔を露出させる工程と、該金属箔および前記めっき導体層を部分的にエッチングし、前記めっき導体層の各パターンから成る基部の表面中央部に前記第１の絶縁樹脂層の表面から突出する突起部として前記金属箔の一部を残すとともに、前記基部の表面外周部を前記第１の絶縁樹脂層の表面から凹ます工程と、を行うことを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１７】
本発明の配線基板によれば、半導体素子接続パッドは、その基部が最上層の絶縁樹脂層に埋設されていることから、最上層の絶縁樹脂層から剥離しにくい。また、半導体素子接続パッドの基部の露出する上面外周部が最上層の前記絶縁樹脂層の上面から凹んで位置することから、隣接する半導体素子接続パッド同士の距離が小さい場合であっても、これらの半導体素子接続パッド間の電気的な絶縁信頼性が優れたものとなる。さらに、半導体素子接続パッドの基部の上面中央部に、最上層の前記絶縁樹脂層の上面から突出する突起部を有していることから、半導体素子接続パッドと半導体素子の電極端子との電気的な接続を良好なものとすることができる。
【００１８】
また、本発明の配線基板の製造方法によれば、金属箔と支持基板とを分離して金属箔を露出させた後、金属箔と半導体素子接続パッドの基部となる多数のパターンを有するめっき導体層とを部分的にエッチングし、めっき導体層の各パターンから成る基部の表面中央部に第１の絶縁樹脂層の表面から突出する突起部として金属箔の一部を残すとともに、基部の表面外周部を第１の絶縁樹脂層の表面から凹ますことから、第１の絶縁樹脂層から成る最上層の絶縁樹脂層に上面が露出するように埋設されており、上面外周部が最上層の絶縁樹脂層の上面から凹んで露出する基部を有しているとともに、基部の上面中央部に最上層の絶縁樹脂層の上面から突出する突起部を有する半導体素子接続パッドを備えた配線基板を製造することができる。それにより、半導体素子接続パッドが第１の絶縁樹脂層から剥離しにくいとともに、隣接する半導体素子接続パッド間の電気的絶縁信頼性に優れ、かつ半導体素子接続パッドと半導体素子の電極端子との電気的な接続を良好なものとすることが可能な配線基板を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】図１は、本発明の配線基板の実施形態例を示す概略断面図である。
【図２】図２は、本発明の配線基板の製造方法の実施形態例を説明するための工程毎の概略断面図である。
【図３】図３は、本発明の配線基板の製造方法の実施形態例を説明するための工程毎の概略断面図である。
【図４】図４は、従来の配線基板を示す概略断面図である。
【図５】図５は、従来の配線基板の製造方法を説明するための工程毎の概略断面図である。
【図６】図６は、従来の配線基板の製造方法を説明するための工程毎の概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
次に、本発明の配線基板の実施形態例について、図１を基に説明する。図１に示すように、配線基板１０は、絶縁基体１と配線導体２とを備えている。また、絶縁基体１の上面には、多数の半導体素子接続パッド４が形成されている。さらに、絶縁基体１の下面には、多数の外部接続パッド５が形成されている。
【００２１】
絶縁基体１は、複数の絶縁樹脂層１ａ〜１ｄが上下に積層されて成る。各絶縁樹脂層１ａ〜１ｄは、例えばガラスクロス基材に熱硬化性樹脂を含浸塗布させた電気絶縁材料から成る。熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂、ポリイミド樹脂等が用いられる。各絶縁樹脂層１ａ〜１ｄの厚みは、それぞれ５０〜２００μｍ程度である。各絶縁樹脂層１ａ〜１ｄには、それぞれにビアホール３が形成されている。ビアホール３の直径は、３０〜１００μｍ程度である。
【００２２】
配線導体２は、各絶縁樹脂層１ａ〜１ｄの表面およびビアホール３内に被着形成されている。絶縁樹脂層１ａ〜１ｄを挟んで上下に位置する配線導体２同士は、ビアホール３を介して互いに電気的に接続されている。配線導体２は、主として銅めっき層から成る。配線導体２の厚みは、５〜２０μｍ程度である。
【００２３】
半導体素子接続パッド４は、多数個が格子状に配列されている。半導体素子接続パッド４には、半導体素子Ｓの電極端子Ｔが接続される。半導体素子接続パッド４は、基部４ａと突起部４ｂとを備えている。
【００２４】
基部４ａは、平面視で円形である。基部４ａの直径は、３０〜１００μｍ程度である。基部４ａは、絶縁樹脂層１ａに埋設されている。埋設された深さは、５〜２０μｍ程度である。基部４ａの上面外周部は、絶縁樹脂層１ａの上面から凹んでいる。凹む深さは、２〜３μｍ程度である。基部４ａは、めっき導体層から成る。めっき導体層としては、電解銅めっき層が好適に用いられる。
【００２５】
突起部４ｂは、基部４ａの上面中央部に形成されている。突起部４ｂは、円形である。突起部４ｂの直径は、２０〜８０μｍ程度である。突起部４ｂは、絶縁樹脂層１ａの上面から突出している。突出する高さは、３〜１８μｍ程度である。突起部４ｂは、金属箔から成る。金属箔としては、銅箔が好適に用いられる。
【００２６】
外部接続パッド５は、多数個が格子状に配列されている。外部接続パッド５は、外部の電気回路基板の配線導体に接続される。外部接続パッド５は、平面視で円形である。外部接続パッド５の直径は、２００〜８００μｍ程度である。外部接続パッド５は、最下層の絶縁樹脂層１ｄの下面に被着された配線導体２により形成されている。外部接続パッド５は、配線導体２を介して半導体素子接続パッド４に電気的に接続されている。
【００２７】
そして、半導体素子接続パッド４の突起部４ｂ上面に半導体素子Ｓの電極端子Ｔを接続することにより、配線基板１０に半導体素子Ｓが搭載される。このとき、半導体素子接続パッド４は、基部４ａが絶縁樹脂層１１ａの上面側に埋設された状態であることから、絶縁樹脂層１１ａに強固に係止されて剥離しにくい。また、半導体素子接続パッド４の基部４ａの上面外周部が絶縁樹脂層１ａの上面から凹んで位置することから、隣接する半導体素子接続パッド４同士の距離が小さい場合であっても、これらの半導体素子接続パッド４間の電気的な絶縁信頼性が優れたものとなる。さらに、半導体素子Ｓの電極端子Ｔと接続される突起部４ａ上面が絶縁樹脂層１ａの表面から突出していることから、半導体素子接続パッド４と半導体素子Ｓの電極端子Ｔとの電気的な接続を良好なものとすることができる。
【００２８】
次に、本発明の配線基板の製造方法の実施形態例を、上述の配線基板１０を製造する場合を例にとって図２および図３を基に説明する。
【００２９】
先ず、図２（ａ）に示すように、平坦な支持基板２１上に金属箔２２を支持させる。支持基板２１と金属箔２２とは、間に介在層２３を挟んで積層されている。支持基板２１と介在層２３の間は、互いに固着している。金属箔２２と介在層２３との間は、図示しない粘着層を介して互いに剥離可能に密着している。支持基板２１と金属箔２２との間は、互いに固着している。支持基板２１は、ガラスクロス入りの熱硬化性樹脂から成る。支持基板２１の厚みは、４００〜８００μｍ程度である。金属箔２２は、銅箔から成る。金属箔２２の厚みは、３〜１８μｍ程度である。介在層２３は、銅箔や樹脂フィルムから成る。介在層２３の厚みは、３〜１８μｍ程度である。なお、ここで示した厚みは、単なる例示であり、上述した厚みと異なる厚みであっても構わない。
【００３０】
次に、図２（ｂ）に示すように、金属箔２２上に半導体素子接続パッド４の基部４ａとなる多数の円形パターンを有するめっき導体層２４を所定のパターンに形成する。めっき導体層２４は、半導体素子接続パッド４となるものである。めっき導体層２４は、電解銅めっきから成る。めっき導体層２４の厚みは、５〜２０μｍ程度である。このようなめっき導体層２４は、金属箔２２上にめっき導体層２４に対応する開口パターンを有するめっきマスクを形成した後、このめっきマスクの開口パターン内に露出する金属箔２２上に電解銅めっき層を所望の厚みに析出させた後、めっきマスクを除去することによって形成される。
【００３１】
次に、図２（ｃ）に示すように、金属箔２２上およびめっき導体層２４上に、第１の絶縁樹脂層１ａと配線導体２とを形成する。第１の絶縁樹脂層１ａには、第１のめっき導体層４ａに接続するためのビアホール３が形成されている。このビアホール３を介してめっき導体層２４と配線導体２とが互いに電気的に接続される。第１の絶縁樹脂層１ａは、ガラスクロス基材に未硬化の熱硬化性樹脂を含浸塗布して乾燥させたプリプレグを、めっき導体層２４が形成された金属箔２２上に載置するとともに加熱しながらプレスした後、熱硬化させることにより形成される。ビアホール３は、レーザー加工やブラスト加工等により形成される。配線導体２は、周知のセミアディティブ法により形成される。
【００３２】
次に、次に、図２（ｄ）に示すように、第１の絶縁樹脂層１ａおよびその上の配線導体２上に、次層の絶縁樹脂層１ｂ積層および配線導体２の形成と、さらに次層の絶縁樹脂層１ｃおよび配線導体２の形成を行う。これらの絶縁樹脂層１ｂ、１ｃにも、それぞれビアホール３が形成されている。このビアホール３を介して上下の配線導体２同士が電気的に接続されている。これらの絶縁樹脂層１ｂ、１ｃおよびその上の配線導体２の形成は、上述の第１の絶縁樹脂層１ａおよびその上の配線導体２と同様にして行う。
【００３３】
次に、図２（ｅ）に示すように、最後の絶縁樹脂層１ｄを積層するとともに、絶縁樹脂層１ｄ上に外部接続パッド５を含む配線導体２を形成する。絶縁樹脂層１ｄにも、ビアホール３が形成されている。このビアホール３を介して外部接続パッド５がその下の配線導体２に電気的に接続される。これにより外部接続パッド５が配線導体２を介して第１のめっき導体層４ａに電気的に接続される。この絶縁樹脂層１ｄおよびその上の配線導体２の形成も上述した絶縁樹脂層１ａ〜１ｃおよびその上の配線導体２と同様にして行う。
【００３４】
次に、図３（ｆ）に示すように、金属箔２２と支持基板２１とが固着された領域に対応する部分を切断により切り落とす。これにより、金属箔２２と介在層２３とが剥離可能に密着された領域に対応する部分のみが残る。切断には、ダイサーやルーターを用いる。
【００３５】
次に、図３（ｇ）に示すように、金属箔２２と介在層２３との間を剥離して金属箔２２と支持基板２１とを分離する。これにより、金属箔２２が外部に露出する。
【００３６】
次に、図３（ｈ）に示すように、金属箔２２の表面にエッチングマスクＭを形成する。エッチングマスクＭは、半導体素子接続パッド４の基部４ａとなるめっき導体層２４の各パターンの中央部に対応する領域の金属箔２３を覆うマスクパターンを有している。各マスクパターンは、円形である。各マスクパターンの直径は、めっき導体層２４の各パターンよりも５〜５０μｍ程度小さい。
【００３７】
次に、図３（ｉ）に示すように、マスクＭから露出する金属箔２３およびめっき導体層２４を部分的にエッチングし、めっき導体層２４の各パターンから成る基部４ａの表面中央部に絶縁樹脂層１ａの表面から突出する突起部４ｂとして金属箔２２の一部を残すとともに、基部４ａの表面外周部を絶縁樹脂層１ａの表面から凹ます。
【００３８】
最後に、図３（ｊ）に示すように、エッチングマスクＭを剥離除去する。これにより、最上層の絶縁樹脂層１ａに埋設されているとともに上面外周部が最上層の前記絶縁樹脂層１ａの上面から凹んで露出する基部４ａを有し、この基部４ａの上面中央部に最上層の絶縁樹脂層１ａの上面から突出する突起部４ｂを有する半導体素子接続パッド４を備えた配線基板１０が完成する。なお、図３（ｊ）においては、上下が逆さまになった状態で配線基板１０が完成した状態を示している。
【００３９】
このように、本例の配線基板の製造方法によれば、金属箔２２と支持基板２１とを分離して金属箔２２を露出させた後、金属箔２２と半導体素子接続パッド４の基部４ａとなる多数のパターンを有するめっき導体層２４とを部分的にエッチングし、めっき導体層２４の各パターンから成る基部４ａの表面中央部に絶縁樹脂層１ａの表面から突出する突起部４ｂとして金属箔２２の一部を残すとともに、基部４ａの表面外周部を絶縁樹脂層１ａの表面から凹ますことから、最上層の絶縁樹脂層１ａに上面が露出するように埋設されており、上面外周部が最上層の絶縁樹脂層１ａの上面から凹んで露出する基部４ａを有しているとともに、基部４ａの上面中央部に最上層の絶縁樹脂層１ａの上面から突出する突起部４ｂを有する半導体素子接続パッド４を備えた配線基板１０を製造することができる。それにより、半導体素子接続パッド４が最上層の絶縁樹脂層１ａから剥離しにくいとともに、隣接する半導体素子接続パッド４間の電気的絶縁信頼性に優れ、かつ半導体素子接続パッド４と半導体素子Ｓの電極端子Ｔとの電気的な接続を良好なものとすることが可能な配線基板１０を提供することができる。
【符号の説明】
【００４０】
１・・・・・・絶縁基体
１ａ〜１ｄ・・絶縁層
２・・・・・・配線導体
４・・・・・・半導体素子接続パッド
４ａ・・・・・基部
４ｂ・・・・・突起部
５・・・・・・外部接続パッド
２１・・・・・・支持基板
２２・・・・・・金属箔
２３・・・・・・めっき金属層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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