(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ａ）約１５７．６ｎｍの波長に中心を持つ狭帯域シードビームを生成する第１の利得媒体を持つ同調可能なシードレーザ手段と、
Ｂ）０．８ｐｍ未満の帯域幅を持ち約１５７．６ｎｍの波長で出力レーザビームを生成するために前記シードビームを増幅する第２の利得媒体を持つ増幅手段と、
を有し、
Ｃ）前記増幅手段が、
１）主区分と従属区分とにセグメント化された電極と、
２）ａ）フッ素と、
ｂ）ヘリウム及びネオンを含むバッファガス混合物と、
を含むレーザガスと、
３）前記ガスを前記電極間で少なくとも２ｃｍ／ミリ秒の速度で循環させるガス循環器と、
を含むレーザチャンバを備えるレーザチャンバ・モジュールと、
Ｄ）少なくとも約１０００ヘルツの速度で前記電極に亘って少なくとも１４，０００ボルトの高圧電気パルスを生成する、電源、パルス圧縮、増幅回路、及び、パルス電力制御のパルス電力システムと、を有し、
前記主区分の電極における放電が、前記従属区分における放電に先行して開始される
ことを特徴とする、同調可能な狭帯域Ｆ2注入シード方式レーザシステム。
【請求項２】
前記第１の利得媒体と前記第２の利得媒体とは、１つのレーザチャンバ内に配置されることを特徴とする請求項１に記載のレーザ。
【請求項３】
前記第１の利得媒体と前記第２の利得媒体とは、別々のレーザチャンバ内に配置されることを特徴とする請求項１に記載のレーザ。
【請求項４】
前記レーザシステムは、回折格子に基づくライン・ナローイング・モジュールを含むことを特徴とする請求項１に記載のレーザ。
【請求項５】
前記レーザシステムは、光学フィルタを含むことを特徴とする請求項１に記載のレーザ。
【請求項６】
前記レーザシステムは、少なくとも７つの簡単に交換可能なモジュールから成ることを特徴とする請求項１に記載のレーザ。
【請求項７】
前記混合物は、０．４から０．９５の範囲内のネオン濃度を備えることを特徴とする請求項１に記載のレーザ。
【請求項８】
前記混合物は、０．５２から０．６３の範囲内のネオン濃度を備えることを特徴とする請求項７に記載のレーザ。
【請求項９】
前記チャンバ及び前記ガス循環器は、ガス流れ経路及び上流方向を形成し、前記レーザはまた、前記セグメント化された電極の上流に位置する単一の予備電離器管を含むことを特徴とする請求項１に記載のレーザ。
【請求項１０】
前記セグメント化された電極の各々は、電極の長さを定め、前記単一の予備電離器管は、前記電極の長さよりも長いＡｌ2Ｏ3中空円筒管の軸線に沿って位置された接地した導電性棒から成ることを特徴とする請求項１に記載のレーザ。
【請求項１１】
前記レーザチャンバは、チャンバ構造を形成し、前記セグメント化された電極は、カソードとアノードとを形成し、前記カソードは、前記チャンバ構造の一部分に取り付けられた、Ａｌ2Ｏ3から成る一片の絶縁体により前記チャンバ構造から絶縁されていることを特徴とする請求項１に記載のレーザ。
【請求項１２】
前記カソードは、前記一片の絶縁体に直接取り付けられることを特徴とする請求項１１に記載のレーザ。
【請求項１３】
前記セグメント化された電極に高圧電気パルスを生成させる電源は、交流電源を直流電源に変換する整流器、直流電源を高周波交流電源に変換するインバータ、前記高周波交流電源の電圧を高圧に増加させる昇圧トランス、充電コンデンサを前記レーザパルスエネルギ制御システムによって確立される指令電圧で、又は、ほぼ指令電圧で充電するために前記高圧を変換する整流器を含むことを特徴とする請求項１に記載のレーザ。
【請求項１４】
前記セグメント化された電極に高圧電気パルスを生成させる電源は、前記充電コンデンサをわずかに過充電するように構成され、前記充電コンデンサを前記指令電圧にブリードダウンするブリード回路を更に含むことを特徴とする請求項１３に記載のレーザ。
【請求項１５】
前記パルス電力システムは、閉じた時に前記充電コンデンサから第２のコンデンサに電荷を流し、前記記録コンデンサ上に高圧の電荷を生成することにより前記高圧電気パルスを起こす半導体のスイッチを含むことを特徴とする請求項１３に記載のレーザ。
【請求項１６】
インダクタと、
パルストランスと、
第３のコンデンサと、
を更に含み、
前記インダクタ、パルストランス、及び、前記第３のコンデンサは、前記パルストランスの出力において前記第３のコンデンサ上に一時的に蓄積される非常に高圧のパルスを生成するために、前記第２のコンデンサ上の高圧の電荷を前記パルストランスの１次側を通って接地に流すことができるように配置されることを特徴とする請求項１３に記載のレーザ。
【請求項１７】
前記パルストランスの前記１次側は、直列に接続されて各々が軸線を形成する複数の中空スプールを含み、前記パルストランスの２次側は、複数の前記スプールの軸線と並行に位置決めされた少なくとも１つの棒から成ることを特徴とする請求項１３に記載のレーザ。
【請求項１８】
前記少なくとも１つの棒は、直列に接続された４つの棒であり、一方が接地リードを形成し、他方が非常に高圧のリードを形成する２つのリードを備えることを特徴とする請求項１３に記載のレーザ。
【請求項１９】
前記レーザパルス電力システムは、ポット内に包含され、インダクタの高圧リードとしても働くオイルの表面から出たコイルを持つ、少なくとも１つの可飽和インダクタを含むことを特徴とする請求項１３に記載のレーザ。
【請求項２０】
前記セグメント化された電極間にガスを循環させる前記ガス循環器は、能動的な少なくとも２つの磁気軸受により支持されるシャフトを含む送風機を備え、軸受の各々は、固定子と回転子とを含み、前記シャフトは、固定子と回転子とを備えるモータによるドライバを支持し、前記送風機はまた、前記固定子をレーザガス環境の外側にして、前記回転子を前記レーザガスを包含する環境内に密封する密封手段を含むことを特徴とする請求項１に記載のレーザ。
【請求項２１】
前記セグメント化された電極間にガスを循環させる前記ガス循環器は、少なくとも２つのセラミック軸受によって支持されるシャフトを備える送風機を含むことを特徴とする請求項１に記載のレーザ。
【請求項２２】
ある長さを持つ長い管を備え、前記長さの５０分の１未満の平均内側寸法を形成する出口ポートを持つ浄化システムを更に含み、前記浄化システムは、レーザチャンバ外側の少なくとも１つのレーザ光学構成要素に浄化流れを供給することを特徴とする請求項１に記載のレーザ。
【請求項２３】
前記浄化システムは、浄化流れを検出する流れ監視装置を含むことを特徴とする請求項２２に記載のレーザ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本出願は、１９９９年１１月１２日出願の「可視及び赤外線制御のＦ2レーザ」という名称の米国特許出願シリアル番号第０９／４３８，２４９号と、１９９９年１０月２０日出願の「ライン・ナローイング（線狭帯域化）シードビームを持つ単一チャンバガス放電レーザ」という名称の米国特許出願シリアル番号第０９／４２１，７０１号との一部継続出願である。本発明は、レーザに関し、より詳細には、集積回路リソグラフィに使用する注入シード方式レーザに関する。
【０００２】
【従来の技術】
（従来技術のリソグラフィレーザ）
ＫｒＦエキシマレーザは、集積回路リソグラフィ用の最先端の光源である。このレーザの１つは、１９９０年９月２５日に附与された米国特許第４，９５９，３４０号で説明されてある。本レーザは、約２４８ナノメートル（ｎｍ）の波長で作動する。前記ＫｒＦレーザを用いて、１８０ｎｍと同じくらい小さい寸法の集積回路を製造することができる。より精細な寸法は、約１９３ｎｍで作動するＡｒＦレーザか、又は、約１５７ｎｍで作動するＦ2レーザによりもたらされる。
前記ＫｒＦレーザ、ＡｒＦレーザ、及び、Ｆ2レーザは、非常に類似しており、実際に、ＫｒＦレーザの製造に使用される同じ基本装置は、わずかに異なる波長に適応させるために、単にガス濃度を変化させ、制御及び計装を修正することによって、ＡｒＦレーザ又はＦ2レーザの製造に使用される。
リソグラフィレーザ及び他のリソグラフィ装置の制御のために、これらのレーザによって作り出される紫外線を感知するレーザパルスエネルギ監視装置が必要とされる。最先端の集積回路リソグラフィ装置において、パルスエネルギを監視するために使用される標準的な従来技術の検出器は、ケイ素光ダイオードである。
【０００３】
集積回路の製造で使用される一般的な従来技術のＫｒＦエキシマレーザは、図１及び図２で示す。前記従来技術のレーザの断面図が、図３で示す。図２Ａで示す通り、高圧電源３により電力が供給されるパルス電力システムは、電気パルスを放電チャンバ８にある電極６に供給する。一般的な最先端のリソグラフィレーザは、約１０ミリジュール／パルスのパルスエネルギを使って約１０００ヘルツのパルス繰返数で作動する。レーザガス（ＫｒＦレーザ用では、約０．１％のフッ素、１．３％のクリプトン、及び、残りがバッファガスとして働くネオン）は、約３気圧で電極の間を約１，０００インチ／秒の速度で循環する。レーザ放電チャンバにある接線沿いの送風機１０がこの役割を果たす。レーザガスは、これもチャンバにある熱交換器、及び、チャンバの外側に設けられている冷却板（図なし）を使って冷却される。自然帯域幅のエキシマレーザは、ライン・ナローイング（線狭帯域化）モジュール１８（よくライン・ナローイング・パッケージ、又は、ＬＮＰとよばれる）によって狭められる。市販のエキシマレーザシステムは、通常、残りのシステムを妨害せずにすばやく交換可能な数個のモジュールを持っている。主要なモジュールは以下の通りである。
レーザチャンバモジュール
高圧電源モジュール付きパルス電力システム
整流子モジュール及び高圧圧縮ヘッドモジュール
出力カプラモジュール
ライン・ナローイングモジュール
波長計モジュール
コンピュータ制御モジュール
ガス制御モジュール
冷却水モジュール
【０００４】
電極６は、カソード６Ａ及びアノード６Ｂから成る。従来技術の実施形態においてアノード６Ｂは、図３の断面図で示すアノード支持棒４４によって支持されている。流れは、この図において反時計回りである。アノード支持棒の１つの隅部と１つの縁部とが案内ベーンとして送風機１０から電極６Ａ及び６Ｂ間に空気を押し込める。従来技術のレーザにおける他の案内ベーンは、４６、４８、及び、５０で示す。有孔電流リターンプレート５２は、アノード６Ｂを金属構造のチャンバ８に接地するのを助ける。該プレートは、レーザガスの流れ経路にある大きな穴（図なし）で穿孔されているため、電流リターンプレートは、それほどガスの流れに影響を及ぼすわけではない。個々のコンデンサ１９の配置から成るピーキングコンデンサは、各パルスに先行してパルス電力システムによって充電される。ピークコンデンサ上で電圧が蓄積する間、２つの予備電離器５６は、電極６Ａと６Ｂ間で浮遊ガスに弱のイオン化を行い、コンデンサ１９の充電が約１６，０００ボルトに達すると同時に、エキシマレーザパルスを製造しながら電極の両端の放電が行われる。各パルスに従って、送風機１０によって作り出される約１インチ／ミリ秒の電極間のガスの流れは、１ミリ秒後に発生する次のパルスに間に合うように電極間に新鮮なレーザガスを供給するのに十分である。
【０００５】
通常のリソグラフィ・エキシマレーザでは、フィードバック制御システムは、各パルスの出力レーザエネルギを測定し、目標とするパルスエネルギからの偏差の度合いを判断して、電源電圧を調節するために信号を制御装置に送信する結果、その後のパルスエネルギが目標とするエネルギに近づく。
これらのエキシマレーザは、通常、予定された保守ための短い停止以外は、１日２４時間、数ヶ月間週7日連続操業を必要とする。従来技術のレーザの1つの問題は、送風機軸受の過度の摩耗と時折の破壊とであった。ＫｒＦ及びＡｒＦレーザを利用しては達成できない集積回路の解像度を可能にするために、モジュール方式で信頼性の高い製造ライン品質のＦ2レーザの必要性が集積回路産業に存在している。
【０００６】
（注入シーディング）
ガス放電レーザシステムの帯域幅（エキシマレーザシステムを含む）を減少させる周知の技術は、狭帯域の「シード」ビームを利得媒体に注入することに関わる。そのようなシステムの１つで「主発振器」とよばれるシードビームを生成するレーザが、非常に狭帯域のレーザビームを供給するように設計され、そのビームが、第２のレーザにおいてシードビームとして使用される。第２のレーザが電力の増幅器として機能する場合、そのシステムは、「主発振器」電力増幅（ＭＯＰＡ）システムと称される。第２レーザ自体が、共振空洞を持てば、そのシステムは、注入シード発振器（ＩＳＯ）とよばれ、そのシードレーザは、主発振器とよばれ、その下流レーザは、電力発振器とよばれる。これらの技術は、ライン・ナローイング光学部品における熱の負荷を軽減した。
【０００７】
２つの分離したレーザから成るレーザシステムは、比較的単一のレザーシステムと比べると、かなり高価で大型、そしてより複雑になる傾向がある。２つのレーザシステムの商品としての適用は、限定されてきた。従来技術のＭＯＰＡ及びＩＳＯのほとんどの適用例は、２つの分離したレーザチャンバが利用された。しかし、電極２セットを包含する単一のレーザチャンバを使用するシステムが提案されてきた。例えば、図３Ａは、米国特許第５，０７０，５１３号にレターディにより記載の並列配置を示す。米国特許第４，５３４，０３５号にロングにより記載の図３Ｂに示す他の配置では、細長い電極セットが、チャンバの対向する両側に位置決めされている。ガスは、電極２セット間を別々に共通「入」プレナムから共通「出」プレナムの中に流れる。米国特許第４，４１７，３４２号にマッキーにより記載されている配置が図３Ｃで示す。このシステムは、チャンバの半分で互いに平行に設置された２つの細長い電極を持つ。接線沿いのファン及び熱交換器は、もう一方の半分に位置決めされる。ガスは、電極２セット間を平行に流れる。図３Ａに示すシステムは、高パルス繰返数に対しては適切と考えられなかったが、それは、上流放電からの残骸物が下流放電を妨害するからである。１９９８年発行の「応用物理学Ｂ、レーザ及び光学機器」に掲載された論文によれば、このレーザは、毎秒約１００パルスのパルス繰返数で作動する。１００ヘルツで作動しようとすると高品質のビームの生成には好ましくない乱流をもたらすであろうと著者は指摘している。図３Ｃで示すシステムは、高パルス繰返数のレーザには不適切と考えられてきたが、それは、流れの分割により、図３Ａに示すシステムの電極１セットに比べると約５０％ほど電極間でガスが減速するからである。図３Ｂで示すシステムは、高パルス繰返数のレーザには、不十分と考えられてきたが、それは、送風機の循環が、図３で示す通り接線方向というよりはむしろ軸方向であるからである。
【０００８】
（Ｆ2レーザ帯域幅）
通常のＫｒＦレーザは、約２４８ｎｍを中心に約４０ピコメートル（ｐｍ）（ＦＷＨＭ）の自然帯域幅を持ち、リソグラフィの使用には約０．６ｐｍにライン・ナローイングされる。ＡｒＦレーザは、約１９３ｎｍを中心に約４０ｐｍの自然帯域幅を持ち、通常約０．５ｐｍにライン・ナローイングされる。これらのレーザは、図２に示すライン・ナローイング・モジュール１８を使用して、その大部分の自然帯域幅に亘り同調することは、比較的容易であり得る。Ｆ2レーザは、通常、約１５７．６３及び１５７．５２を中心とする２つの狭い線でレーザビームを作り出す。しばしばこれらの２つの線のうち、強力でない方が抑制され、レーザは、１５７．６３の線で強制的に作動させられる。１５７．６３の線の帯域幅は、約１．０から１．６ｐｍである。リソグラフィ用途のＦ2レーザ及びこの線の問題（ＫｒＦ及びＡｒＦレーザと比較すると）は、この線が、集束の条件を満たすのに十分なほど細くなく、目標とする同調柔軟性をもたらすには、あまりに細すぎることである。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
そこで、改良された狭帯域Ｆ2レーザシステムが必要とされる。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明は、同調可能注入シード方式の超狭帯域Ｆ2リソグラフィレーザを提供する。該レーザは、従来技術の長寿命で信頼性の高いリソグラフィレーザのモジュール設計の形態に第１の利得媒体で作動するシードビームを作り出す特殊な技術を組み合わせており、該ビームは、第２の利得媒体で狭帯域レーザ照射を誘導するように使用され、集積回路リソグラフィに有益な超狭帯域レーザビームを作り出す。
【００１１】
【発明の実施の形態】
（第１の好ましい実施形態）
本発明の好ましい実施形態は、図を参照して説明することができる。
（モジュール式レーザ設計）
本発明の好ましい実施形態の正面図を図４に各々示す。この図は、本出願者の事業主によって製造された従来技術のＫｒＦレーザと類似しており、Ｆ2レーザシステムの修理、交換、及び、保守のためにモジュールのすばやい交換ができる、その特別な発明であるモジュラー性を強調している。本実施形態の主要な形態は、図４で示される参照番号に符合して以下に列挙される。
２０１  レーザ密閉容器
２０２  ガスモジュール
２０３  冷却水供給モジュール
２０４  交流／直流分電モジュール
２０５  制御モジュール
２０６  ライン・ナローイング・モジュール
２０７  圧縮ヘッド
２０８  高圧パルス電源モジュール
２０９  パルス電源用整流子モジュール
２１０  金属フッ化物トラップ
２１１  レーザチャンバ
２１３  波長計モジュール
２１４  自動シャッタ
２１６  出力カプラ
２１７  送風機モータ
２１８  金属フッ化物トラップ電源
２１９  状態表示灯
２２０  ２４ボルト電源
２２１  チャンバ窓
２２２  ガス制御柔軟接続
２２４  通気箱
【００１２】
（好ましい実施形態）
図４に示す好ましい実施形態は、図１，図２、及び、図３記載レーザの改良版である。この好ましい実施形態は、従来技術のエキシマレーザにない以下の改良点を持っている。
１）電極は、図５に示す通り、主区分と従属区分とにセグメント化されており、
２）半導体パルス電力システムは、より一貫したパルスをもたらすより速い立ち上がり時間と、より高電圧における向上したレーザ効率とを生み出すために、セグメント化された電極を収容するように改造された。
更に、以下の実施形態は、主従構成に直接関連しない以下の改良点を持つ。
１）パルス電力システムの充電電圧のより正確な制御、
２）パルスエネルギ及びバーストエネルギのかなり改良された制御を準備する新アルゴリズムでプログラムされたコンピュータ制御装置、及び
３）改善された効率、より良い前期イオン化、及び、電極間の改善されたレーザガスの流れをもたらすために、単一管のより大きな予備電離器は、２管式予備電離器の従来技術的組合せに取って代わる。
【００１３】
（直列利得媒体）
本発明の第１の好ましい実施形態は、図５Ａ及び５Ｂに示す。この場合、図３に示す従来技術のレーザのカソード６Ａは、図５Ｂで示す通り、短いカソード１８Ａと長いカソード１８Ｂに分けられている。短いカソード１８Ａは、アノード２０の約１７ミリメートル（ｍｍ）上方に位置決めされ、図１で示す通り、高圧バスから５つの真鍮製フィードスルーによって供給されるのに対して、長いカソード１８Ｂは、アノード２０の約２０ｍｍ上方の従来技術の位置に設置され、同一の高圧バスから１０個の真鍮製フィードスルーによって供給される。その結果、短いカソード１８Ａ及びアノード２０間の放電は、カソード１８Ｂ及びアノード２０間の放電に約１０ナノ秒ほど先行して開始される。このように、放電の始めに短いカソード１８Ａとアノード２０とによって生成されるレーザ光は、長い電極１８Ｂとアノード２０間で放電が始まる前に、ライン・ナローイング・パッケージ１５を通って最大で２度往復できる時間を持っている。その結果、パルスの持続時間の増加とビームの線幅の減少が生じる。
図５Ａ及び５Ｂで示す実施形態の代替例は、２つのカソードとアノード間に同一の間隔をとるが、しかし、例えば追加的なインダクタンスを電極１８Ｂを持つ回路に加えることにより、より以前の放電を電子的にもたらすことである。これらの代替例において、アノード２０は、１８Ａ及び１８Ｂに対応するアノード２０Ａ及び２０Ｂに分けられ得るであろう。インダクタンスは、アノード及び接地間に付加され得る。より複雑な到達法は、個々のピーキングコンデンサ・バンクが各カソードに準備されるように高圧バス２３を分離することであろう。
【００１４】
（その他の単一チャンバの実施形態）
（並列利得媒体）
図４で示すレーザキャビネットに嵌め込まれる別の単一チャンバの実施形態は、図５Ｃ、Ｄ、Ｅ、及び、Ｆで示す。
この実施形態は、利得媒体が互いにオフセットしている図５Ａ及び５Ｂに示すものと類似している。カソード５０Ａ及びアノード２０Ａは、レーザシステムのシード部分の利得媒体を形成する。シード部分の共振空洞は、ＬＮＰ１５と、反射率約２０％を持つ部分的に反射鏡であり得る出力カプラ５２とによって形成される。この実施形態において、シードビームは、完全に反射鏡５４及び５６から反射し、カソード５０Ｂ及びアノード２０によって作られる利得媒体において、レーザシステムの増幅器部分で増幅される。
図５Ｇ及び図５Ｈで示す実施形態おいて、追加の完全反射鏡５５及び電極の入れ替えにより、増幅している利得媒体を２回通過できる。両方の実施形態において、電極又は電気回路は、シード部分が数ナノ秒ほど先に開始できるように配置される。図５Ｅは、図１のレーザのカソードとアノードとがいかにこれら２つの実施形態のために改良されているかを示す。図５Ｆは、５Ｃの配置の代替を示すが、この場合にビームは、他の実施形態とは反対方向にレーザを出る。
【００１５】
（並列利得媒体）
図５Ｉ及び図５Ｊ、及び、図５Ｋ及び図５Ｌは、２つの利得媒体が、並列になっている実施形態を示す。図７Ｉ及び図７Ｊの実施形態においては、増幅器利得媒体の一部分を２回通過する。本明細書の従来の技術の項で説明している通り、上流放電の残骸物は、下流残骸物の放電を妨害し得る。この問題は、電極間を通過する非常に安定したレーザガスの流れを供給することにより、また、上流放電の残骸物が次のパルスの前に下流利得領域を通過するような十分速い流速を与えることにより、この実施形態において対処される。別の代替例として、ガスの流速を調節し、上流放電の残骸物が次のパルスの時間に電極間の距離の約３分の２の所にあるようにする。例えば、レーザがパルス繰返数２，０００ヘルツで作動し、上流と下流との電極間の距離が６センチメートル（ｃｍ）の場合、電極間のガスの速度は、約８，０００ｃｍ／秒になるであろうし、上流放電の残骸物の中心が次の第１のパルスの間、下流電極の上流約２ｃｍにあり、次の第２のパルスの間、下流電極の下流約２ｃｍにあるであろう。
図５Ｉ、図５Ｊ、図５Ｋ、及び、図５Ｌの実施形態において、パルス電源には、図１、図２Ａ、及び、図２Ｂに示す従来技術のレーザのパルス電力システムにわずかの改良を施すことが好ましい。好ましい実施形態では、レーザチャンバの一方の側のピーキングコンデンサ・バンクの部分がカソード７０Ａに供給し、他方のコンデンサがカソード７０Ｂに供給する。この実施形態において、コンデンサの全体数は、２８から４０まで（各側に２０）増加されることが好ましい。カソード７０Ａは、シードに先行を与えるために、カソード７０Ｂよりもアノード２０にわずかに近づいている。
【００１６】
（傾斜シードビーム）
本発明の別の実施形態を図５Ｍで示す。この実施形態において、レーザシステムのシード部分の共振空洞は、従来技術のＬＮＰ１５と、この場合に反射率５０％の反射ミラーである従来技術の出力カプラ５２Ａとによって形成される。図５Ｍで示す通り、シード空洞は、電極間に形成された利得媒体を横切って完全に傾いている。ＫｒＦエキシマレーザの通常のパルスの間、ビームは、シード利得媒体を通って約５つの行程をする。各行程において、光は、シード空洞で増幅され、かつ線を狭められる。各行程において、光の約５０％は、出力カプラ５２Ａを通過し、ミラー８０Ａと８０Ｂとによって反射され、ミラー８０Ｂ及び８０Ｃ間の利得媒体で更に増幅される。この実施形態に対して、レーザのパルス電力システムは、図２３Ｃで示すパルス形状と同様のパルス形状を生成するように配置されることが好ましい。このことにより、主としてシードビームに第１のパルスが供給され、増幅したビームに第２のより大きな重複するパルスが供給されるであろう。
【００１７】
（傾斜ビームを使用する最高のライン・ナローイング）
電極間の利得媒体の両端のシードビームの傾斜は、図２Ａと図２Ｂで示すような従来技術のシステムの重大な問題を取り除く。この問題は、（ビームの位相速度の尺度となる）利得媒体の縁部近くの屈折率ｎが利得媒体の中央よりもかなり高いという事実に起因する。これは、つまりビームの両側の光の位相が利得媒体を横切る時に、ビームの中央の光の位相よりもゆっくりと移動するということである。このことにより、ＬＮＰに入る波面の歪みが生ずる。その結果として、この歪みは、超狭帯域幅の線を作り出すためのＬＮＰの機能を制限する。この歪みは、格子を少し曲げることによってわずかに補償されるが、本出願者は、利得媒体の歪みの大部分がナノ秒の時間間隔で時間に依存すると判断した。格子は、変化に対してそのようにすばやく応答できない。ビームを利得媒体の両端に傾斜して誘導することにより、全てのビーム部分は、同じ屈折率の変動を受ける。図２３Ｂは、いかにｎが利得媒体の両端で水平方向に変動するかを定性的に示す。（利得媒体は、通常のリソグラフィ・エキシマレーザにおいて、水平方向に約５ｍｍの幅で、垂直方向に約１８ｍｍの高さである。）垂直方向の屈折率は、ほとんどの利得媒体に亘って比較的平坦である。
図２３Ａにおいて、１つのビームが利得媒体の中央に、他の２つのビームが水平方向縁部にある、光の３つのビームが利得媒体の軸線に沿って利得媒体を通過する様子を示す。８２で示す通り、縁部のビームが中央のビームよりもゆっくりと動くという理由で波面が歪む。しかし、３つの類似したビームが、８４で示す通り、利得媒体を斜めに横切って通過する時、それら各々は、同じ屈折率変動に遭遇し、８６で示す通り、他方の側に「競争して」現われる。ＬＮＰは、より平坦な波面によってより効率的にビームをライン・ナローイングすることができる。
【００１８】
（分離チャンバ）
本発明は、分離したチャンバを使用して実施される。この場合、一方のチャンバにおいて、主発振器用の利得媒体を収納し、別のチャンバにおいて、従属発振器又は電源増幅器用の利得媒体を収納する。
Ｆ2ガス放電従属発振器を駆動する主発振器としてライン・ナローイングＦ2ガス放電レーザを使用するＩＳＯの配置を図６Ａで示す。ガス放電用のパルス電源は、完全に別個のユニットか、又は、電源部の各部分を両方のレーザが共有するとができる。好ましくは、主発振器用の放電は、数ナノ秒だけ従属発振器に先行すべきである。
組み立てられた試作品及び本出願者の試験において、主制御ユニットによって制御された全く別個のパルス電源が設けられた。しかし、好ましい実施形態においては、主及び従の両方とも、各レーザが独自の圧縮ヘッドを持っている共通の電源と整流子とによって供給される。両方の利得媒体への放電が適切に同調されていることが重要である。図２０で、遅延時間の変化の影響を示す。ゼロ遅延時間は、これらの試験用に最大の出力を生成する遅延時間である。この時間は数ナノ秒であるが、本出願者は、その時間がどの位かを正確に測定することはできなかった。
【００１９】
ＭＯＰＡシステムは、図６Ｂに示されている。このシステムは、光学部品以外は６Ａのシステムと類似している。図に示す特徴に加えて、通常、主発振器と電源増幅器との間に設けられる注入光学部品もある。いくつかのＭＯＰＡ実施形態において、チャンバを通過する２つ以上の光路が周知の従来技術を使用して準備される。
図６Ｃは、Ｆ2ガス放電従属発振器又は電源増幅器がＦ2レーザ以外の狭帯域シードレーザによってシードされる実施形態を示す。このレーザは、１５７．６ｎｍのＦ2「線」の一部分に同調される色素レーザであり得る。代わりに、シードレーザは、Ｆ2の１５７．６ｎｍ「線」内に狭帯域出力を生成するためにＯＰＯ装置を利用してもよい。
図６Ｄにおいて、シードレーザの出力は、Ｆ2の１５７．６ｎｍの自然線内の非常に細い線だけを通過させる光学フィルタで濾過される。
【００２０】
（試作品ユニット）
数個の試作品のＦ2レーザシステムは、本出願者及びその同僚によって組み立てられ、試験されてきた。
試作品のレーザシステムは、高効率チャンバ及び半導体パルス電源の励起を利用しながら、従来技術のエキシマレーザ・システムの幾つかの重要な改良点を実装しており、現行のＫｒＦ及びＡｒＦの製造に大いに基づいている。放電は、ガスの汚れを最小限にするようにコロナ前期イオン化される。全体的なビーム光路は、酸素による光の吸収を回避し、光学構成要素への損傷を回避するために窒素で浄化される。全ての共振子光学部品は、レーザチャンバに備えられた角度を付けたチャンバ窓の外部に置かれた。ガス混合物は、４気圧のヘリウムにおける０．１％のフッ素であり、電極の間隙は、１０ｍｍに減少された。
【００２１】
この試作品において、主発振器と下流のレーザの両方のために改良されたパルストランスが利用される。このパルストランスにおいて、２次巻線として機能する１つの４区分されたステンレスの鉄棒（以下のパルス電力システムという表題の節に記載しており、図８Ｄで図示）は、図１１Ａ、１１Ｂ、及び、１１Ｃで示す通り、全てが直列に連接し、互いに絶縁されている内部円筒棒と２つの同軸管とから成るトランスの２次導体によって取り替えられる。２次導体は、３０２で示すバス棒及び３０４で示す高圧ケーブルと連結した、２つの同軸アセンブリ（図１１Ｂ及び図１１Ｃで断面図を図示）から成る。図１１Ｄは、図１１Ｂ及び図１１Ｃと同様の断面図と、メトグラス（Ｍｅｔｇｌａｓ）（登録商標）の層３０６と、スプールの円筒部３０８周辺を覆って１次巻線を形成するマイラーフィルムとを示す。また、図１１Ｄで識別されるのは、パルストランスの２次部を形成するワイヤ３１０と中空円筒棒３１２及び３１４とである。メトグラス（登録商標）とマイヤー層とは、図１１Ａ、図１１Ｂ、及び、図１１Ｃに示されていない。約１，０００ボルトの電圧ピークを持つ（３０６で示す）電流パルスは、図１１Ａの３１８で示す通り、約０から３６，０００ボルトの２次高圧端子でパルスを生成するようになっている。
１次シリンダ及び３つの同軸２次導体間の連結が、図８Ｅに関連して前述の通り、メトグラス（登録商標）及びマイラーフィルムを覆うことにより準備される。この実施形態において、圧縮の追加段階（１つの追加コンデンサバンクＣp-1を使用して）が準備され、各コンデンサバンクは以下の値を持つ。
Ｃｏ  ＝約１２．１マイクロファラド（μＦ）
Ｃ1   ＝約１２．４μＦＣ
Ｃp-2＝約８．８２μＦ
Ｃp-1＝約８．４μＦ
Ｃp  ＝約１０ナノファラド（ｎＦ）
この試作品の実施形態の改良したパルス電力システムは、ピーキングコンデンサ・バンクに約８０ナノ秒の出力使用時間を生成する。パルストランスの昇圧比は、（詳細に前述された実施形態における２３Ｘと比較して）３６Ｘである。このことにより、レーザが、その分だけより低いＦ2濃度で、十分な高圧での作動が可能になる。本出願者は、より高圧の作動により、放電の安定性を改善し、より高い繰返数を可能にすると判断した。
【００２２】
（パルスエネルギの監視）
前述の試作品で、従来技術のＵＶパルスエネルギ検出器は、正確な結果を与えない。これは、従来技術のＫｒＦ及びＡｒＦで使用されたパルスエネルギが、赤色及びネオンの赤外線のスペクトル領域の光に非常に感度が高いからである。事実、これらの標準的なケイ素フォトダイオードは、１５７ｎｍにおいてレーザ光よりも赤色及び赤外線にかなり応答する。従って、光が、前述の通り約３％の領域にあるときでさえ、ケイ素フォトダイオードの影響は、３％よりもかなり大きい。このため、可視の赤色及び赤外線の光にあまり影響されないエネルギ検出器が、準備されることが好ましい。検出器は、特にＵＶ放射に感度の高いもの、又は、比較的又は完全に赤色及び赤外線放射に感度の高いものが市販されている。これらの検出器は、通常、ソーラー・ブラインド検出器と称され、大気以上の天文学の仕事で使用されるが、本出願者の知る限りでは、レーザパルスエネルギを測定するためには、利用されてこなかった。「ソーラー・ブラインド」光検出器を組み立てるために利用できる方法は多数ある。いくつかの方法を下記に説明する。
【００２３】
（光電管）
光電管は、光電カソードとアノードとの２つの電極から成る真空システムである。光電カソードに当たる光により、光電の影響を経てカソードの材料から電子の放電を起こす。アノード及びカソード間の正電圧の印加により、光電カソードに当たる毎秒の光子の数に比例してシステムに電流を生成しながら、放電電子をアノードに動かす。この効果は、遮断を持っており、つまり、ある特定の値より高い波長の光の放射は、光電子を生じない。最大波長は、以下によって定められる。
λmax＝ｈｃ／Φ
ここで、ｈは、プランク定数、ｃは、真空中の光の速度であり、Φは、仕事関数とよばれる材料の特性である。十分に高い仕事関数（例えば、＞４電子ボルト）を持つ光電カソード材料の選択によって、３００ｎｍよりも短い波長の照明用だけの光電流をもたらし、つまり、ソーラー・ブラインド応答である。受容できる仕事関数の光電カソード材料は、例えば、ＣｓＴｅ、及び、ＣｓＩダイヤモンドフィルムである。
【００２４】
（光導体）
いくつかの半導体、及び／又は、絶縁材料の照明により、光電子の影響に密接に関連した影響を及ぼす。つまり、前記材料の光子及び電子間の相互作用により、電子を励起させて、それらは、もはや材料内（すなわち、価電子帯内）の特定の場所にないことになっているが、印加された電圧に応じて、結晶を通って自由に移動する（すなわち、伝導帯）。電流もまた、材料に当たる光子の束に比例して生成される。この効果は、材料の仕事関数Φが、通常、禁止帯の幅Ｅgとよばれる異なる特性によって取り替えられることを除き、前述の数式で付与されるものと同じ波長の遮断を表す。十分に高い禁止帯の幅を持つ材料もまた、短い波長の放射だけに応答する。５．４８電子ボルトの禁止帯の幅を持つダイヤモンドは、２００ｎｍ未満の波長で光導電性応答を持つ。
【００２５】
（フォトダイオード）
ダイオード注入の照明（ショットキー、ｐ−ｎ、又は、ｐ−ｉ−ｎドープされた半導体）もまた、光電流を生成しながら、価電子帯から伝導体まで電子を進めることができる。ダイオードは、前方に偏る可能性があり、その場合、その働きは、電荷搬送の寿命がより長いことを除いて、光導電帯に非常に類似している。逆に偏ると、増幅した領域は、システムの応答速度を向上させる。ここでもまた、十分に高い禁止帯の幅との接合により、紫外線の波長のみに応答することを可能にするであろう。
【００２６】
（吸収深度等級）
低い禁止帯の幅の光導電帯又はダイオードの赤色応答を、その紫外線の応答と比較して、かなり抑制する１つの方法は、装置の厚みを適切に選択することである。それは、紫外線光子の材料深度への浸透が可視光線の浸透よりもかなり小さいような材料の特性である。つまり、紫外線の光線の完全な吸収が、表面上付近のかなり薄い層で生じるということである。（いくつかの遮断波長で）紫外線光線の吸収の深さに匹敵する装置の厚みを選択することによって、装置がより長い波長を比較的透過（及び、従って不応答に）させることができる。本当の意味でのソーラー・ブラインドではないが、このような構造は、検出閾値以下の装置の可視／赤外線応答を減少させる。好ましい市販のソーラー・ブラインドの光電管検出器は、カリフォルニア州ロサンジェルス、及び、日本所在のハママツ・リミテッドのような供給元から入手できる。ＣｓＩを使用するモデルＲ１１８７は、１１５ｎｍから２００ｎｍの範囲のスペクトル応答を持つ。モデルＲ１１０７及びＲ７６３は、ＣｓＴｅを使用し、１５７ｎｍをやや上回る範囲で最善の応答を持つが、使用され得るであろう。
図１８には、パルスエネルギ、及び／又は、線量エネルギを目標とするレベルに制御し続けるレーザシステムで使用されているソーラー・ブラインド検出器を示す。
【００２７】
（反射に基づく監視装置）
試料ビーム（赤色及びＶＵＶ）は、ＶＵＶ波長（１５７ｎｍ）での高い反射率、及び、赤色／赤外線（不要波長が、６３５ｎｍから７５５ｎｍの範囲まで及ぶ）での低い反射率を生成するように設計された誘電被膜を使い、いくつかのミラーで反射される。通常のレンズは、１５７ｎｍで反射率９５％、赤色／赤外線で反射率４％を持って、消光比の割合約２４：１を与える。望ましい消光比（通常５００又は１０００：１）は、いくつかのミラーでの連続する入射により得ることができる。これらのミラーに伝導する光は、分散した光が検出器に入り込むことができないように、赤色／赤外線吸収カラーガラスフィルタ、又は、他の光トラップ部材に当たるはずである。
【００２８】
（分散による分離）
分散部材（プリズム又は格子）は、ＶＵＶを赤色／赤外線の波長から分離するために使用され、フォトダイオードが、ＶＵＶビームだけ遮断するように置かれる。格子部材を用いれば、溝の間隔は、高い回析順位の赤色／赤外線の波長及びＵＶ波長間であまり重複しないように選択される必要がある。つまり、格子の数式は、ｍ（ｍは常時、整数である。例えば、Ｄｓｉｎ（シータ）＝ｍ1*１５７ｎｍ≠ｍ2*７５５ｎｍなど、全ての可視／赤色注入波長用）の値を変化させることによって、紫外線の波長と可視／赤外線の波長とのために設計角度シータで同時に満たしてはならない。
【００２９】
（蛍光を用いる検出）
１５７ｎｍの光の露光に際して、可視又は赤外線で蛍光する材料は、ケイ素光検出器の正面に置かれる。ＶＵＶ光を可視／赤外線の光に変換することにより、フォトダイオードの向上した赤色応答が、抑制される。蛍光注入波長が、赤色／赤外線レーザ注入波長と十分に異なれば、赤色／赤外線注入を直接抑制する蛍光コンバータの後に赤色／赤外線吸収フィルタを使用することができる。蛍光コンバータが組み立てられるか、又は、このような吸収材とともにドープされる。
【００３０】
（赤色放射の低減）
従来技術のＦ2レーザは、バッファガスとしてヘリウムを使用する。ネオンも使用され得るが、ネオンバッファを用いるレーザ効率は、バッファとしてヘリウムを使用するＦ2と比較するとかなり低下することは周知である。通常、バッファとしてネオンを使用することは、同等のレーザパルスエネルギを生成するために、かなり高濃度のＦ2と高圧とを必要とする。ヘリウムは、ネオンと比べるとかなり安価であるため、従来技術において、ヘリウムは、Ｆ2のバッファガスとして自明的にに選択されてきた。しかし、前述の通り、ヘリウムバッファを用いたＦ2レーザは、かなりの割合の可視／赤外線の光を生成し、その波長においては、超蛍光又はレーザ光でさえも発生する。通常、その寄与は十分に高く、実際にレーザ光がこれらのより長い波長で発せられる。レーザビームのより長い波長により、前述の通り、エネルギの検出に関して問題が生じ、また、赤色の波長により、下流のリソグラフィシステムにおいても問題が生じる。これらの問題は対処されるが、多くの場合、より良い解決策は、赤色及び赤外線の光がレーザ内で生成されると同時に、それを十分に減少させるか、又は、取り除くことである。
【００３１】
バッファガスが、純粋なヘリウムから、適切に混合されたヘリウムとネオンとに変えられと、ビームの赤色及び近赤外の光が、実際に取り除かれることを本出願者は説明した。しかし、望まない赤色及び近赤外の成分を十分に減少させることに加えて、ネオンを付加することにより、目標とする紫外線の波長でレーザの効率が影響を受けることになる。従って、ヘリウムとネオンとの最善の混合は、最大のパルスエネルギの重要性、及び、赤色／近赤外の光を取り除く相対的な重要性次第で異なり得る。通常、全バッファ量に対する百分率比として、ネオンの好ましい範囲は、約４０％から９５％である。図２１で示す通り、実質的に赤色及び赤外線ゼロで、最大ＵＶパルスエネルギを準備する良いバッファガスの混合範囲は、ネオンが０．５２と０．６３との間で、残りがヘリウムである。
【００３２】
図１２及び図１３で、同調範囲が増加する同調可能なフッ素主発振器を示す。レーザ発振器は、出力カプラミラー３２と波長同調用光学装置とから成る。波長同調用光学装置は、ビーム拡張光学アセンブリ３１と回析格子３８とから成る。光学利得媒体は、ガスの放電において、フッ素ガス分子の励起でガス放電チャンバ３０内に作られる。同様の構成は、２４８ｎｍでのＫｒＦ及び１９３ｎｍでのＡｒＦレーザのような、より長い波長で作動するリソグラフィ用狭帯域励起状態複合体レーザで現在使用されている。これらのレーザの大きな違いは、スペクトル利得分配と利得媒体の一時的利得ダイナミックとである。励起状態複合体分子は、通常、少なくとも数１０ｐｍの随分と広いスペクトル領域で利得を示すのに対して、約１５７ｎｍでの観測される分子フッ素遷移のスペクトル利得分配は、多線及び単線のレーザ放射スペクトルの最近の測定と一致して、約１．１ｐｍに限定されると一般に考えられている。しかし、例えば、高い特定の利得値が関わると、観測スペクトルは必ずしも利得媒体の真の利得分配を反映しないので、このことが正しくないことが厳密に見ていくと明らかになる。分子フッ素レーザ媒体の高い特定の利得及び約０．５メートル（ｍ）から１ｍまでの利得媒体の長さを通常使用するため、観測される放射スペクトルは、狭められ、利得媒体を通る単一の経路内で、既にその自然遷移波長の最大に達する。この物理的に十分に理解された挙動は、カリフォルニア州ミル・バレー所在のユニバーシティ・サイエンス・ブックス発行のＡ．Ｅ．シーグマン著「レーザ」のような多くの標準的なレーザハンドブックで説明されている。残念ながら、この簡単な到達法を使用して屈折光学映像光学装置を用いるリソグラフィに有益な帯域にライン・ナローイング操作を達成するのに必要な利得長さ製品は、少なくとも数メートルの不合理な増幅距離を必要とする。
【００３３】
個々のＵＶ／ＶＵＶ分子フッ素レーザ遷移のうちいくつかの実際に利用できるＦＷＨＭ（半値全幅）の利得帯域は、フッ素分子を励起させることによって、利得を生成するガス放電の通常の作動条件で１５７．６２９９ｎｍで４ｐｍになると推定される。レーザの光学共振器とこのような注入波長とは、ＵＶ／ＶＵＶ分子フッ素レーザのいくつかの単一遷移の半値全幅周辺の範囲で同調される。半値全幅利得帯域に大きく寄与するのは、圧力で誘導された衝突拡大であるので、同調範囲は、放電チャンバ内の圧力を増加させることによって簡単に拡大される。波長（約５０ｐｍ）の拡大した範囲のほぼ連続的な同調は、１５７ｎｍフッ素分子遷移の約７ｐｍ離れた近傍の回転線の遷移が増加した圧力での個々の遷移の圧力拡大のために重複する場合に達成される。図２０は、増加した圧力で１５７．６２９９ｎｍの強い線の付近でのスペクトル利得分配を描いている。
もちろん、約３気圧の通常の圧力を超えてレーザチャンバの圧力を高めることは、従来技術のエキシマレーザで使用されており、チャンバの費用を増加させる。しかし、本出願者は、約７から１０気圧の範囲の圧力は、そんなに費用を増加させずに対処でき、同調範囲を十分拡大させると提案する。
【００３４】
（単一の予備電離器管）
図７で示す通り、単一の予備電離器管５６Ａは、図３で示す２つの予備電離器管に取って代わる。単一の管電離器は、本明細書において参照されている１９９８年２月１７日に附与された米国特許第５，７１９，８９６号の説明に従って組み立てられる。本出願者は、単一の予備電離器管では十分でなく、非常に驚くべきことに２個の予備電離器の設計で性能が向上することを発見している。この実施形態において、予備電離器は、電極の上流に位置決めされている。本出願者は、放電の空間の安定性を向上させることによって、単一の管予備電離器がパルス間の安定性を向上させると判断した。
【００３５】
図７Ａを参照すると、この予備電離器は、管の一体型の構造としてその中に実装されている反トラッキング溝付きのブッシング部材１８０を持つ一体型の管設計を使用している。棒部分１４５の直径と予備電離器のブッシング部１８０の外径（ＯＤ）とは、１／２インチである。内側の導体棒１４６は、７／３７インチの直径を持ち、地面に接続させるためにブッシング部分を通って延びる接続線は、約１／１６インチの直径である。従来の予備電離器管の設計は、約１／４インチ直径の棒材部と約１インチ直径のブッシングとを持つ２直径式の設計を使用している。このことにより、製造過程にブッシング部と管部とを結びつける接合過程が必要となった。一定の直径でより厚みのある管設計は、従来の設計ルールと反対であり、それは低い静電容量のため電離の減少が予想されるであろう。ほとんどの設計において、管の厚みは、選択された材料の絶縁耐力によって決まる。当業者は、従来技術の予備電離器管設計の技術は、最も高い絶縁耐力を持つ材料を選択し、壁の厚みをその容量に合わせて決めるということを理解するであろう。例えば、サファイア材は、１２００ボルト／ミルから１７００ボルト／ミルまで及ぶ絶縁耐力を持つことは周知の通りである。従って、０．０３５インチの絶縁の厚みは、レーザが２５キロボルトで作動する場合、２の安全係数をもたらす。この設計により、より低い静電容量が産出されるが、レーザの作動におけるこの減少した静電容量の実際の影響は、電極間隔の測定された幾何放射における驚くべき増加に対して、ごくわずかであることがわかった。一定の直径、より厚みのある管壁、一体化されたブッシング設計のため、一片の材料は、反トラッキング溝１７０をもたらすように機械加工される。本出願者は、超純粋材料を使用し続けるが、一片構造であるため、超純粋（すなわち、９９．９％）多結晶透過アルミニウム酸化物セラミックを使用する必要はない。ブッシング１８０と管１４５との間の一体関係を人工的に作るための拡散接合に備えて、管の形状の異なる表面を研磨する必要はない。実際に、高純度は、材料の気孔率ほど重要な特性ではないと判断された。気孔率が高くなれば高くなるほど、絶縁耐力がより減少することが分かっている。結果として、クアーズ・セラミックス・カンパニーにより材料番号第ＡＤ−９９８Ｅとして製造されるような少なくとも９９．８％の純度で低気孔率で３００ボルト／ミルの絶縁耐力を持つ市販セラミックが使用されることが好ましい。その中に配置される反トラッキング溝１７０を持つブッシング１８０は、前述の通り、カソードから接地平面１６０まで管の表面に沿って軸上に高圧トラッキングを回避するように作動する。
前述の通り、本出願者は、単一の予備電離器が２つの予備電離器よりも劇的によく機能することを発見し、第１の好ましい実施形態では、前述の通り、電極の上流に１個の前期電離システムを設ける。本出願者はまた、下流に位置決めされる１個の予備電離器を使って実験をし、送風機の一定の速度でこのシステムは、２個の管システムの上流のシステムよりも十分に良質なパルスエネルギの安定性を生み出すことを発見している。
【００３６】
（高効率のチャンバ）
レーザの効率を高めるためにチャンバが改良されてきた。一片のカソード絶縁体５５Ａは、アルミナから成り、Ａｌ2Ｏ3は、図６で示す通り、上方のチャンバ構造からのカソードを絶縁する。従来技術の設計において、８個の分離した絶縁体は、絶縁体の熱膨張歪みによる絶縁体のひび割れを避けるために必要であった。この重要な改良により、チャンバの先端部が、カソード８３とピーキングコンデンサ８２との間の距離をかなり減らし、より短くなるようにすることができた。ピーキングコンデンサ・アレー８２を形成する個々のコンデンサ５４Ａは、従来技術と比較するとカソードに近づくように水平に移動した。
市販リソグラフィレーザの従来技術のカソードは、図３に示す通り、カソード支持棒５３によって、通常、支持されてきた。この好ましい実施形態において、カソード支持棒が取り除かれ、カソード８３は、わずかに厚みが増し、一片の絶縁体５５Ａ上に直接設けられた。カソード８３は、１５個の貫通棒８３Ａ及び接続ナット８３Ｂにより、ピーキングコンデンサ８２の高圧側８２Ａに接続される。好ましい実施形態において、新しいアノード支持棒８４Ａは、従来技術のアノード支持棒よりもかなり大型で、ガス流れ領域に位置するフィン８４Ｂを含む。これらの特徴は両方とも、アノードの温度変化を最小限にする。
【００３７】
（金属密封材）
本出願者は、従来技術のエラストマー密封材がフッ素ガスと反応して、レーザの性能を低下させるレーザガスの汚染材料を生成することを発見した。本発明の好ましい実施形態は、レーザチャンバを密封するために、全ての金属密封材を使用する。好ましい金属密封材は、錫メッキしたインコネル１７１８密封材である。
【００３８】
（モネル電流帰路とベーン）
本出願者はまた、ステンレス鋼の部材もまた、フッ素に反応してレーザガスの汚染材料を生成することを発見している。従って、好ましい実施形態において、従来技術のステンレス鋼の電流帰路構造とガス流れベーンは、モネル電流帰路２５０とモネル流れベーン２５２及び２５４とに取って代わられた。
【００３９】
（ファンの改良）
本発明の好ましい実施形態は、ろう付けなしの送風機ブレード構造を持つ。送風機ブレードは、共振効果をかなり減少させ、軸受の寿命を向上させる非対称型のブレード配置を持っている。
【００４０】
（ケイ素なしのファンブレード構造）
本出願者は、送風機ブレード構造で通常使用されるろう付けする材料が、レーザチャンバ内のＳｉＦ6の主源であることを発見した。このガスは、ＫｒＦレーザの機能をかなり低下させたが、ＡｒＦ及びＦ2レーザにとっては壊滅的打撃であった。本出願者は、この問題に対する４つの解決策をつきとめた。第１にブレード構造が、固体ブロック材料（この場合、アルミニウム）でセグメント分けして機械加工された。その他の解決策は、ブレード構造をセグメント分けして鋳造することであった。そのセグメントは、新しい材料が加えられないようにして電子ビーム溶接を使用して一緒に溶接される。ブレードをフレーム構造に接合することによってブレード構造を組み立てることもまた、実現可能であるが、この場合、接合は、従来技術の通り、ろう付け処理の代わりに、電子ビーム溶接によって行われる。第４の方法は、ケイ素なしのはんだを使用するはんだ処理を使用して、ブレードをフレーム構造に接合する。アルミニウム６０６１は、材料片の全ての基本となる材料として使用される。これらの部品には、はんだ付け処理の前に銅めっきが施される。部品の全てが組み立てられ、ファンは、通常、真空炉で９１％のスズ（Ｓｎ）と９％の亜鉛（Ｚｎ）の低温度のはんだを使用して、はんだ付けされる。このはんだは、ケイ素を含まず、銅めっきされたアルミニウムとよく合うために選択される。組み立てられ、はんだ付けされたファンは、次にニッケルめっきされる。この組立方法は、製造上安価なオンシリコン・ファンを生み出す。
【００４１】
（共振効果の低減）
従来技術の送風機ブレード構造は、２３個の縦のブレードのある接線沿いの送風機から成っていた。これらのブレードは、構造の周囲で対称的に設置された。かなりの共振効果が、ファンのパラメータと実際のレーザ性能との両方に関して測定された。レーザビームの摂動は、ファン回転振動数の２３倍の音波に一致することが示された。また、ファンの回転振動数の２３倍で、軸受性能への悪影響も測定された。
ファンの構造設計の改良は、図１４Ａで示すような非対称的なブレード構造を必要とする。図１４Ｂで示すように、ファン・ブレード構造が１６に分けて機械加工されるか、又は、２３枚のブレードを持つ各セグメントのカートセグメントで形成される代替例では、各セグメントを３６０°／（１５×２３）、又は、近接のセグメントに対して約１°回転させる。機械又は鋳造方法で比較的容易に作られるファンブレード構造の組立に対する他の改良は、図１４Ｃの３２０で示す通り、ブレードを翼形に形成することである。従来技術のブレードは、プレス加工され、プレス加工されたブレードのうち、２つの断面図を比較のため３１４で示す。回転方向は、３１８で示され、３３０は、ブレード構造の周囲を表す。従来のブレードは、厚みが均一であるのに対して、翼形のブレードは、丸い前縁部と厚くした中央部と先細の後縁部を持つ涙形の輪郭である。
【００４２】
（軸受の改良）
本発明の実施形態は、従来技術に対する２つの代替的な軸受改良の１つを利用することになる。
【００４３】
（セラミックの軸受）
本発明の好ましい実施形態は、セラミックの軸受を持つ。好ましいセラミックの軸受は、好ましくはペルフルオルポリアルキルエーテル（ＰＦＰＥ）である合成潤滑油を使った潤滑式のケイ素窒化物である。これらの軸受は、従来技術のエキシマレーザファンの軸受と比較すると寿命がかなり長い。更に、軸受も潤滑油も、反応性の高いフッ素ガスによってあまり影響を受けない。
【００４４】
（磁気軸受）
本発明の他の好ましい実施形態では、図７Ｂで示す通り、ファン構造を支持する磁気軸受を用いている。この実施形態では、ファンブレード構造１４６を支持するシャフト１３０は、能動磁気軸受システムによって支持され、モータの回転子１２９と少なくとも２つの軸受回転子１２８とは、レーザ空洞のガス環境内に密閉されているブラシレス直流モータで駆動され、モータ固定子１４０と磁気軸受磁石のコイル１２６とは、ガス環境の外側に置かれている。この好ましい軸受設計はまた、ガス環境の外側にまた置かれたコイルを持つ能動磁気推力軸受１２４を含む。
【００４５】
（パルス電力システム）
（４つのパルス電力モジュールの機能的説明）
好ましいパルス電力システムは、図８Ａ及び図８Ｂで示す通り、４つに分かれたモジュールで製造され、各々がエキシマレーザシステムの重要な部分であり、万一部品の故障や定期予防保守計画中にすばやく取り替え可能である。これらのモジュールは、本出願者により、高圧電源モジュール２０、整流子モジュール４０、圧縮ヘッドモジュール６０、及び、レーザチャンバ・モジュール８０と名付けられた。
【００４６】
（高圧電源モジュール）
高圧電源モジュール２０は、電源１０からの２０８ボルト３相工場電力を直流３００ボルトに変換する３００ボルト整流器２２を含む。インバータ２４は、１００キロヘルツから２００キロヘルツまでの範囲で、整流器２２の出力を高周波数３００ボルトのパルスに変換する。システムの最終的な出力パルスエネルギのコース調整をするため、インバータ２４の周波数及び周期は、高圧電源制御盤２１により制御される。インバータ２４の出力は、昇圧変圧器２６において約１２００ボルトまで昇圧される。変圧器２６の出力は、標準ブリッジ整流器回路３０及びフィルタ・コンデンサ３２を含む整流器２８により、１２００ボルトの直流に変換される。回路３０からの直流電気エネルギは、図８Ａに示すインバータ２４の作動を制御する高圧電源制御盤２１による指令で、整流子モジュール４０の８．１マイクロファラッドＣｏ充電コンデンサ４２を充電する。高圧電源制御盤２１内の設定点は、レーザシステム制御盤１００により設定される。
図８Ａに示されるこの実施形態で、レーザ・システムのパルスエネルギ制御が電源モジュール２０により行われることに留意されたい。整流子４０及び圧縮ヘッド６０の電気回路は、単に、電気パルスを毎秒１，０００から２，０００回の速度で形成し、パルス電圧を増幅し、パルスの持続時間を時間的に圧縮するために、電源モジュール２０によって充電コンデンサ４２上に蓄積された電気エネルギを利用する役割を果たすだけである。この制御の例として、制御盤１００のプロセッサ１０２が、充電サイクルの間は半導体スイッチ４６によって下流の回路から絶縁されている充電コンデンサ４２に正確に７００ボルトを供給するために電源を制御したことを図８Ａに示す。整流子４０及び圧縮ヘッド６０の電気回路は、スイッチ４６が閉じるとすぐに、コンデンサ４２に蓄積した電気エネルギを、次のレーザパルスに制御盤１００のプロセッサ１０２によって判断される必要な正確なエネルギで供給するために必要な電極８３及び８４に亘る正確な電気放電パルスに非常にすばやくかつ自動的に変換するであろう。
【００４７】
（整流子モジュール）
整流子モジュール４０は、Ｃｏ充電コンデンサ４２を備え、本実施形態において、それは、並列に接続されるコンデンサの列であり、合計で８．１マイクロファラッドの静電容量を準備する。分圧器４４は、高圧電源制御盤２１にフィードバック電圧信号を与え、該フィードバックは、制御盤２１により、コンデンサ４２の電荷を特定電圧（「制御電圧」と呼ばれる）に限定するために使用され、その電圧は、それが電気パルスに形成され、整流子４０及び圧縮ヘッド６０で圧縮されて増幅された時、ピーキングコンデンサ８２において、そして電極８３及び８４に亘って、目標とする放電電圧を生み出すことになる。
本実施形態において（毎秒２、０００ヘルツパルスのパルス繰返数で約３ジュール及び１６、０００ボルトの範囲の電気パルスをもたらすように設計されている）、充電コンデンサ４２を８００ボルトに充電するために、約２５０マイクロ秒が（図８Ｆ１で示されているように）電源２０に必要である。従って、整流子制御盤４１からの信号が半導体スイッチ４６を閉じる場合、充電コンデンサ４２は、十分に充電され、目標とする電圧で安定するが、半導体スイッチ４４が閉じると、充電コンデンサＣｏに蓄積された３ジュールの電気エネルギを、電極８３と電極８４とに亘る１６、０００ボルトの放電に変換する非常に速い段階が開始される。本実施形態における半導体スイッチ４６は、ＩＧＢＴスイッチであるが、ＳＣＲ、ＧＴＯ、及び、ＭＣＴなどの他のスイッチ技術でも使用可能であろう。６００ナノヘンリー充電インダクタ４８は、半導体スイッチ４６と直列であり、スイッチ４６を通じて一時的に電流を限定し、それが閉じている間にＣｏ充電コンデンサ４２の放電をする。
【００４８】
（パルス生成段階）
高圧パルス電力生成の第１段階は、パルス生成段階５０である。パルスを生成するために、充電コンデンサ４２上の電荷は、ＩＧＢＴスイッチ４６を閉じることにより、図８Ｆ２で示す通り、約５マイクロ秒で、Ｃ１の８．５μＦコンデンサ５２上に切り換えられる。
（圧縮の第１段階）
可飽和インダクタ５４は、コンデンサ５２に蓄積された電圧を最初はホールドオフし、次に飽和状態となり、圧縮６１の第１段階に関して図８Ｆ３に示すように、約５５０ナノ秒の転送時間で、１：２３昇圧パルストランス５６を通じてコンデンサ５２からＣp-1コンデンサ６２への電荷の移行を可能にする。
パルストランス５６の設計は、以下の通りである。該パルストランスは、非常に効率的で、７００ボルト、１７、５００アンペア、５５０ナノ秒のパルス繰返数を、圧縮ヘッドモジュール６０のＣp-1コンデンサ列６２にごく一時的に蓄積される１６、１００ボルト、７６０アンペア、５５０ナノ秒のパルスに変換する。
【００４９】
（圧縮ヘッドモジュール）
圧縮ヘッドモジュール６０は、更にパルスを圧縮する。
（圧縮の第２段階）
Ｌp-1可飽和インダクタ６４(約１２５ナノヘンリーの飽和インダクタンスを持つ）は、約５５０ナノ秒の間、１６．５ナノファラッドＣp-1コンデンサ列６２の電圧をホールドオフし、次に、Ｃp-1の電荷を、レーザチャンバ８０の上部に配置され、電極８３及び８４、及び、予備電離器５６Ａに電気的に並列に接続された１６．５ナノファラッドＣｐピーキングコンデンサ８２上に(約１００ナノ秒で）流れることを可能にする。Ｃｐピーキングコンデンサ８２を充電するための、この５５０ナノ秒の長さのパルスの１００ナノ秒の長さのパルスへの変換は、圧縮の第２かつ最終段階であり、図８Ａの６５で示されている。
【００５０】
（レーザチャンバモジュール）
レーザの上部にその一部として装着されたピーキングコンデンサ８２上に電荷が流れ始めた後、約１００ナノ秒後に、ピーキングコンデンサ８２の電圧は、約１４、０００ボルトに達して電極間の放電が始まる。レーザ処理がエキシマレーザの光学共振チャンバ内で行われている間、放電は約５０ナノ秒続く。該光学共振チャンバは、本例では、図８Ａに８６で共に示す２プリズム波長選択器及びＲ−ｍａｘミラー、及び、出力カプラ８８を備えるライン選択パッケージ８６によって形成される。このレーザのレーザパルスは、約１０ミリジュールの狭帯域、２０から５０ナノ秒、１５７ｎｍのパルスで、その繰返数は、最大毎秒２０００パルスである。パルスは、レーザビーム９０を形成し、ビームのパルスは、フォトダイオード９２により監視される。以上、全ては図８Ａの通りである。
【００５１】
（パルスエネルギの制御）
光検出器９２からの信号は、制御盤１００のプロセッサ１０２に転送され、該プロセッサは、このエネルギ信号及び、好ましくは、他の過去のパルスエネルギのデータも利用して（パルスエネルギ制御アルゴリズムの表題がついている節で以下に検討する通り）、次の、及び／又は、将来のパルス用の指令電圧を設定する。レーザが（約０．１秒の停止時間により分離される、２０００ヘルツで１００パルス、０．５秒のバーストなどの）一連の短いバーストで作動する好ましい実施形態において、制御盤１００のプロセッサ１０２は、特別なアルゴリズムでプログラムされ、該アルゴリズムは、他の過去のパルスのプロフィールデータに加え、バーストにおける以前の全パルスエネルギ信号と共に最新のパルスエネルギ信号を使用して、次のパルス用の制御電圧を選択し、パルスからパルスへのエネルギ変化を最小化すると共に、バーストからバーストへのエネルギ変化も最小化する。この計算は、このアルゴリズムを利用して、制御盤１００のプロセッサ１０２により約３５マイクロ秒の間に行われる。レーザパルスは、図８Ｆ３に示されるＩＧＢＴスイッチ４６のＴｏ点火に続いて約５マイクロ秒間発生し、レーザパルスエネルギのデータ収集のために、約２０マイクロ秒必要である。（スイッチ４６の点火開始は、Ｔｏと呼ばれる。）すなわち、以前のパルスのためのＩＧＢＴスイッチ４６の点火後（２、０００ヘルツで点火時間は５００マイクロ秒）、約７０マイクロ秒で、新しい制御電圧値が（図８Ｆ１に示されるように）このように準備される。このエネルギ制御アルゴリズムの特徴は、以下に説明されるが、本明細書において参照される米国特許出願シリアル番号第０９／０３４、８７０号で更に詳しく説明されている。
【００５２】
（エネルギ回復）
この好ましい実施形態は、過度のエネルギを以前のパルスから充電コンデンサ４２上へ回収する電気回路によりもたらされるが、この回路により、無駄なエネルギをかなり減らし、レーザチャンバ８０でのリンギングの後に事実上それを取り除く。
エネルギ回復回路５７は、図８Ｂに示すように、Ｃｏ充電コンデンサ４２に亘って直列に接続されるエネルギ回復インダクタ５８及びエネルギ回復ダイオード５９から成る。パルス電力システムのインピーダンスは、チャンバのインピーダンスに正確には一致せず、チャンバのインピーダンスがパルス放電の間に、そのマグニチュードが１０の数乗倍にも変動するという事実のために、負方向の「反射」が主パルスから生じ、チャンバから伝播して戻り、パルス生成システムの前端に向かって伝搬する。過度のエネルギが圧縮ヘッド６０及び整流子４０を通って伝搬して戻った後、スイッチ４６は、制御装置によるトリガ信号の除去のために開く。エネルギ回復回路５７は、ダイオード５９によるインダクタ５８の逆電流に押さえられ、共振の無いウィーリング（充電コンデンサ４２及びエネルギ回復インダクタ５８から作られたＬ−Ｃ回路のリンギングの半サイクル）を通じて充電コンデンサ４２上に負電圧を生成した反射極性を逆にする。最終結果として、チャンバ８０からの実質的に全ての反射エネルギは、各パルスから回収されて充電コンデンサ４２に陽極電荷として蓄積され、次のパルスに使用するために準備される。図８Ｆ１，図８Ｆ２、及び、図８Ｆ３は、コンデンサＣｏ、Ｃ1、Ｃp-1、及び、Ｃｐの電荷を示す時間線チャートであり、Ｃｏ上のエネルギ回復の過程を示している。
【００５３】
（磁気スイッチのバイアス）
可飽和インダクタに使用される磁気材料の全Ｂ−Ｈ曲線の領域を利用するために、パルスがスイッチ４６が閉じて開始される時、各インダクタが逆飽和状態になるように直流バイアス電流が与えられる。
整流子の可飽和インダクタ４８及び５４の場合、これは、インダクタを通じて約１５アンペアのバイアス電流の流れを逆方向（垂直方向のパルス電流の流れと比較して）に与えることで達成される。バイアス電流は、隔離インダクタＬＢｌを通じてバイアス電源１２０から流れる。実際の電流の流れは、矢印Ｂ１に示されるように、電源から整流子の接地接続、パルストランスの１次巻線、可飽和インダクタ５４、可飽和インダクタ４８、更に、隔離インダクタＬＢｌを通ってバイアス電源１２０に戻る。
圧縮ヘッドの可飽和インダクタの場合、約５アンペアのバイアス電流Ｂ２は、隔離インダクタＬＢ２を通じて第２バイアス電源からもたらされる。圧縮ヘッドにおいて該電流は分離し、その大部分Ｂ２−１は、可飽和インダクタＬｐ−１６４を通り抜け、インダクタＬＢ３を通って戻り、第２バイアス電源１２６に戻る。電流の小さい方の部分Ｂ２−２は、圧縮ヘッド６０及び整流子４０に接続する高圧ケーブルを通じ、パルストランスの２次巻線を通じて接地へ、更に、バイアス抵抗を通じて第２バイアス電源１２６に戻る。この第２の、より小さな電流は、パルストランスにバイアスをかけるのに使用され、これによりパルストランスがパルス作動のために再設定される。２つのレッグのそれぞれに分割される電流量は、各経路の抵抗により決められ、各経路が正しいバイアス電流量を受け取るように意図的に調整される。
【００５４】
（電流の方向）
この実施形態では、標準３相電源１０からシステムを通じて電極へ、更に電極８４を越えて接地へと向かうパルスエネルギの流れを「順方向フロー」と呼び、この方向を順方向とする。可飽和インダクタなどの電気構成要素を順方向伝導として参照する場合、それは、電極方向に「パルスエネルギ」を伝導するように飽和状態にバイアスされることを意味する。それとは逆に伝導する場合、それは、充電コンデンサに向かって電極から離れた方向にエネルギを伝導するように飽和状態にバイアスされる。システムを通る電流の流れ（又は電子の流れ）の実際方向は、観測者がシステムのどこにいるかに左右される。この混乱の可能性を取り除くため、電流の流れの方向を以下に説明する。
【００５５】
図８Ａ及び図８Ｂを参照すると、この好ましい実施形態では、Ｃｏコンデンサ４２は、スイッチ４６を閉じてＣ1コンデンサ５２の方向にインダクタ４８を通じてコンデンサ４２から電流が流れるようにする場合、（例えば）プラスの７００ボルトに充電される（これは、電子が実際逆方向に流れていることを意味する）。同様に、電流は、接地に向かってパルストランス５６の１次側を通じてＣ1コンデンサ５２から流れる。従って、電流方向及びパルスエネルギは、充電コンデンサ４２からパルストランス５６まで同じである。「パルストランス」と題した以下の段落で説明するように、パルストランス５６における１次ループ及び２次ループの両方の電流の流れは、両方とも接地方向になる。その結果、放電の最初の部分（放電の主要部分、一般に約８０％を表す）の間、パルストランス５６及び電極間の電流は、変圧器５６に向かって電極から離れた方向に流れる。そのため、主要放電の間、電子方向は、パルストランス５６の２次側を通じて接地からインダクタ６４を通って一時的にＣp-1コンデンサ６２上に流れ、更に一時的にＣｐコンデンサ８２上に流れ、インダクタ８１へ、放電プラズマを通じて（放電カソードと呼ばれる）電極８４へ、及び、電極８３を通じて接地へと戻る。従って、主要放電の間、パルストランス５６と電極８４及び８３と間で、電子は、パルスエネルギと同じ方向に流れる。放電の主要部分に続いて直ちに電流及び電子の流れは逆になり、逆向きの電子の流れは、接地から接地電極８４を通り、電極間の放電空間を通って電極８３へ流れ、回路を通り、トランス５６を通って接地に戻る。トランス５６を通る逆向きの電子の流れの通過は、電子の流れが接地から「１次」側のパルストランス５６を通る（主パルスの電流と同じ方向）、トランス５６の「１次」ループ内の電流を生み出し、図８Ｆ２で定性的に示す通り、最終的にＣｏを負に充電する。Ｃｏの負の電荷は、図８Ｆ２で示す通り、また、エネルギの回復という表題の節で前述の通り、反転される。
【００５６】
（パルス電力構成要素の詳細な説明）
（電源）
好ましい実施形態における電源部分の更に詳細な回路図が図８Ｃである。図８Ｃに示されるように、整流器２２は、＋１５０ボルトから−１５０ボルト直流の出力を持つ６パルス位相制御整流器である。インバータ２４は、実際にはインバータ２４Ａ、２４Ｂ、及び、２４Ｃの３つである。８マイクロファラッドＣｏ充電コンデンサ４２上の電圧が指令電圧より低い５０ボルトである場合、インバータ２４Ｂ及び２４Ｃは止められ、Ｃｏ４２の電圧が指令電圧をわずかに上回る場合は、インバータ２４Ａが止められる。この手順により、充電の終わりがけの充電速度が減少する。昇圧変圧器２６Ａ、２６Ｂ、及び、２６Ｃは、それぞれ定格７キロワットであり、電圧を交流１２００ボルトに変換する。
３つのブリッジ整流回路３０Ａ、３０Ｂ、及び、３０Ｃが示されている。高圧電源制御盤２１は、１２ビットのデジタル指令をアナログ信号に変換し、その信号をＣｏ電圧モニタ４４からのフィードバック信号４５と比較する。フィードバック電圧が指令電圧を超過した場合、インバータ２４Ａは、上記のように止められ、Ｑ２スイッチ３４が閉じて電源内に蓄積されたエネルギを放散し、Ｑ３分離スイッチ３６が開いていかなる追加エネルギも電源から出て行くことを防ぎ、Ｑ１ブリードスイッチ３８が閉じてＣｏ４２上の電圧をブリードダウンし、Ｃｏ上の電圧が指令電圧と同等になるようにする。その時点でＱ１が開く。
【００５７】
（整流子及び圧縮ヘッド）
整流子４０及び圧縮ヘッド６０の主な構成要素は、図８Ａ及び図８Ｂに示され、システム作動に関しては、上記の通りである。この段落では、整流子の組立てについて詳しく説明される。
【００５８】
（半導体スイッチ）
この好ましい実施形態において、半導体スイッチ４６は、ペンシルバニア州ヤングウッド所在のパワレックス社（Ｐｏｗｅｒｅｘ  Ｉｎｃ．）により準備されるＰ／Ｎ  ＣＭ  １０００  ＨＡ−２８ＨＩＧＢＴスイッチである。
【００５９】
（インダクタ）
インダクタ４８、５４、及び、６４は、米国特許第５、４４８、５８０号及び第５、３１５、６１１号に記載されたものと類似の可飽和インダクタを含む。好ましい可飽和インダクタ設計の上部及び断面図は、それぞれ図８Ｇ１及び図８Ｇ２に示す。この実施形態のインダクタにおいては、インダクタの漏れ磁束を減じるために、図８Ｇ２に示す通り、３０１、３０２、３０３、及び、３０４などの磁束排除金属片が加えられる。このインダクタへの電流入力は、コンデンサ６２にも接続されているバスへの、３０５におけるねじ接続である。電流は、垂直導体を通って４回と２分の１のループを作る。３０５の位置から、電流は、１Ａでラベル表示する中央の大直径の導体を下向きに移動し、１Ｂでラベル表示する周囲の６つのより小さな導体を上向きに移動し、２Ａを下に、２Ｂを上に、全ての磁束エクスクルーダ部材を下に、３Ｂを上に、３Ａを下に、４Ｂを上に、そして、４Ａを下に移動し、３０６の位置で出る。ポットのようなハウジング６４Ａは、高圧電流リードとして働く。可飽和インダクタの「ふた」６４Ｂは、テフロンのような電気絶縁材料から成る。従来技術のパルス電力システムでは、オイルで絶縁された電気構成要素からのオイル漏れが問題となっていた。この好ましい実施形態では、オイルで絶縁された構成要素は可飽和インダクタに制限され、オイルは、前述の高圧接続出力リードであるポットのようなオイル収容金属ハウジング６４Ａに収められる。シール接続は全て、オイル漏れの可能性を実質的に排除するためにオイルレベルの上方に配置される。例えば、インダクタ６４の最も低いシールは、図８Ｇ２の３０８に示す通りである。磁束排除の金属構成要素は、インダクタを通る電路の真中にあるので、電圧が磁束排除金属部品と他の巻回の金属棒との間の安全隔離空間を減少させる。フィン３０７は、放熱を促進させるために設けられる。
【００６０】
（コンデンサ）
コンデンサ列４２、５２、及び、６２は、全て、並列に接続された市販の既製コンデンサの列から成っている。これらのコンデンサは、ジョージア州スミルナ所在のムラタ（Ｍｕｒａｔａ）社などの供給元から調達できる。本出願者の好むコンデンサ及びインダクタの接続方法は、米国特許第５、４４８、５８０号に記載されているのと類似の方法で、重いニッケルで被覆された銅のリード線を備える特別なプリント基板上の陽極及び負極端子に、それらを半田付け又はボルトで固定するものである。
【００６１】
（パルストランス）
パルストランス５６はまた、米国特許第５、４４８、５８０号、及び、第５、３１３、４８１号に記載されたパルストランスと類似である。しかし、本実施形態のパルストランスは、２次巻線及び２３個の別々の１次巻線においてただ一つの巻回しか持たない。パルストランス５６は図８Ｄに示す。２３個の１次巻線の各々は、（各々がねじ山付ボルト穴を持つ平らな縁部を備える）２つのフランジを持つアルミニウム製スプール５６Ａを備え、図８Ｄの下部端に沿って示されるプリント基板５６Ｂの陽極及び負極端子にボルトで固定される。絶縁体５６Ｃは、各スプールの陽極端子を隣接するスプールの負極端子と分離する。スプールのフランジ間には、長さ１／１６インチ、外径０．８７５、壁厚約１／３２インチの中空シリンダー１がある。絶縁されたメトグラス（Ｍｅｔｇｌａｓ）（登録商標）の包みの外径が２．２４インチになるまで、１インチ幅で０．７ミル厚のメトグラス（登録商標）２６０５  Ｓ３Ａ及び０．１ミル厚のマイラーフィルムでスプールを包む。１つの１次巻線を形成する１つの包まれたスプールの予想図が図８Ｅに示されている。
変圧器の２次側は、きつく装着された電気ガラス製の絶縁管内に装着された単一のステンレス鋼ロッドである。巻線は、図８Ｄのように４つに区分される。図８Ｄの５６Ｄで示されるステンレス鋼２次側は、５６Ｅにおいてプリント基板５６Ｂ上の接地リード線に接地され、その高電圧端子は、５６Ｆとして図示されている。上記のように、１次巻線の＋及び−端子間の７００ボルトのパルスは、１対２３の変圧の２次側の端子５６Ｆで−１６、１００ボルトのパルスを生成することになる。この設計により、漏れインダクタンスが非常に低くなり、出力立上リ時間が極単に速くなる。
【００６２】
（レーザチャンバのパルス電力構成要素）
Ｃｐコンデンサ８２は、レーザチャンバの圧力容器の上部に装着された２８個の０．５９ナノファラッドコンデンサの列から成る。電極８３及び８４は、それぞれ長さ約２８インチの中実真鍮棒で、約０．５から１．０インチ離れている。本実施形態では、上部電極８３はカソードで、下部電極８４は、図８Ａのように接地されている。
【００６３】
（圧縮ヘッドの装着）
本発明の好ましい実施形態には、図８Ｈ１及び図８Ｈ２に示される圧縮ヘッド装着技術が含まれる。図８Ｈ１は、電極８３及び８４に対する圧縮機ヘッドモジュール６０の位置を示すレーザシステムの側面図である。この技術設計により、圧縮リードのチャンバ接続に付随するインピーダンスが最小化すると同時に、圧縮ヘッドを素早く簡単に取り替えることが可能となる。図８Ｈ１及び図８Ｈ２に示されるように、接地接続は、図８Ｈ１の８１Ａ及び図８Ｈ２の８１Ｂで示される、圧縮ヘッドの裏側に沿った長さ約２８インチのスロットタブ接続で行われる。スロット・タブの底部は、柔軟なフィンガー・ストック８１Ｃを装着する。最良のフィンガー・ストック材料は、マルチラム（Ｍｕｌｔｉｌａｍ）（登録商標）の商品名で市販されている。
高電圧接続は、可飽和インダクタ６４の直径６インチの滑らかな底部と図８Ｈ１の８９における柔軟フィンガー・ストックの係合する配列との間で行われる。上記のように、最良のフィンガー・ストック材料は、マルチラム（登録商標）である。この配置は、修理又は予防的保守のため、圧縮ヘッドモジュールを約５分以内に交換することを可能にする。
【００６４】
（ガス制御モジュール）
この好ましい実施形態は、フッ素監視装置を使用することなく、選択されるスイートスポット内での作動を可能にするフッ素制御システムを持つ。本実施形態は、図１６を参照して説明することができる。
【００６５】
（フッ素の消耗）
レーザチャンバ１は、約２０．３リットルのレーザガスを含む。前述の通り、通常その成分は、約４気圧で、０．１％のフッ素と残りはバッファガス（ヘリウム、ネオン、又は、ヘリウムとガスとの混合が好ましい）である。該０．１％のフッ素は、４気圧で約０．００２３リットル又は２．３ミリリットルの容積を表す。質量としては、レーザチャンバのフッ素の公称量は、約１１０ミリグラムである。純フッ素の部分圧は、約４１１パスカル純フッ素である（１％のフッ素混合物の約４１キロパスカルに相当する）。約４０％の稼働率で作動するレーザの通常の作動の間（リソグラフィレーザでは一般的である）、フッ素は、約４．５ミリグラム／時間の割合で消耗される（これは、チャンバ内のフッ素の毎時約４％に匹敵する）。純フッ素の部分圧の観点から言えば、通常、フッ素の消耗率は、約１６パスカル／時間である。１％のフッ素ガス混合物を使用してこの消耗を補償するために、約１．６キロパスカル／時間に等しい混合物容量がチャンバに加えられる。
レーザに対するフッ素消耗率は、一定とはほど遠い。レーザファンが作動し、レーザ照射が起きていなければ、フッ素消耗率は、約半分に抑制される。ファンが停止していれば、フッ素消耗率は、４０％稼働率での減少率の約４分の１に抑制される。１００％稼働率での減少率は、４０％稼働率の減少率の約２倍である。
【００６６】
（ガス交換）
前述の処理では、基本的に、ほとんど連続ベースで消耗したフッ素を交換する。フッ素ガスの供給源が、わずか１％のフッ素であるので、チャンバ内のバッファガス又は複数のガスの一部もまた連続ベースで交換する。チャンバ内のレーザガスの一部が実質的に連続して交換されているにもかかわらず、この作動モードは、レーザガスにレーザ効率を低下させる汚染材料の蓄積をもたらす。効率低下により、目標とするパルスエネルギを持続させるため、電圧、及び／又は、フッ素ガス濃度を増大させなければならない。このため、従来技術のシステムでは、実質的に全てのガス交換をするために、レーザを周期的に停止させる通常の方法を提案している。この実質的な全ガス交換は、再補充を意味する。これらの周期は、各補充の間の、例えば１００，０００，０００パルスなどのレーザパルス数に基づいて判断されるか、又は、補充時期は、最後の補充からのカレンダー時間、又は、パルスとカレンダー時間との組合せに基づいて判断される。また、補充時期は、特定のフッ素濃度での目標とする出力に必要な充電電圧の大きさによっても判断され得る。望ましくは再補充後、「スイートスポット」のために、新しく試験を行うべきである。また、各注入の間で周期的にスイートスポットの試験がなされ、もしスイートスポットが変わった場合、どこに新しいスイートスポットがあるのかを、オペレータが知ることができるようにすべきである。
【００６７】
再補充は、図１６で示されるシステムを使って、以下のように達成される。この説明では、通常の、０．１％のフッ素と残りがバッファガスの成分から成るレーザガスを想定している。バルブ５１０、５０６、５１５、５１２、５１７、及び、５０４が閉じた状態で、バルブ５０６と５１２とが開けられ、更に真空ポンプ５１３が作動して、レーザチャンバは、１３キロパスカル未満の絶対圧力にポンプダウンされる。（急速なポンプダウンを可能にするために、直結のポンプダウンの配管をレーザチャンバ１と真空ポンプ５１３との間に準備することができる。）そして、バルブ５１２は閉じられる。次に、バルブ５１６は開けられ、１００％ヘリウムのバッファガスは、チャンバが５０℃における２６２キロパスカルと同等な圧力で満たされるように、バッファガス・ボンべ５１６からチャンバに加えられる。（この２０．３リットルのレーザチャンバにおいて、チャンバ内温度の５０℃からのずれに関する温度補正は、１キロパスカル／℃のΔＰ／ΔＴ補正を使って近似されることを付記する。従って、もしチャンバ温度が２３℃の場合、２４７キロパスカルで満たされる。）次に、バルブ５１７が閉じられ、バルブ５１５が開かれ、高ハロゲンガスボンベ５１４から、若干量の１％フッ素及び９９％バッファガス混合物がチャンバ１に加えられ、チャンバを５０℃における２９０キロパスカルと同等な圧力で満たす。（温度補正を使うべきことに注意されたい。）これにより、およそ０．１％フッ素及び９９．９％バッファガスのチャンバ内のガス混合を生成するであろう。チャンバが約５０℃に熱せられた時、圧力は、約４気圧になるであろう。
【００６８】
（浄化システム）
酸素は、１５７ｎｍの光線をかなり吸収するので、酸素を光路から取り除かなければならない。従来技術のシステムでかなり改良された窒素浄化システムを本出願者が開発した。チャンバの外側にあるレーザに関連する光学構成要素は全て、窒素で浄化される。この窒素システムは、レーザ作動の間、大気圧をわずか約１０パスカル上回る気圧で作動する。このわずかな気圧差は、光学構成要素における気圧ゆがみ効果を回避するのに好ましい。浄化される構成要素は、ライン・ナローイング・モジュール、出力カプラ、波長計、及び、シャッタ・アセンブリを含む。
漏れが起こりそうな場所に全て密封が施される。内径が１／１６インチで約６フィートの長さのパイプから成る出力ポートが設けられる。出力ポートを経由する流れは、浄化システムの適切な作動を保証するために監視される。内径１／１６インチで６フィートの長さのパイプを経由する毎分約４リットルの好ましい流れは、目標とする好ましい窒素気圧差に相当する流れである。６フィートの出力ポートパイプ３０４は、コイル状にしてあることが好ましい。流れは、窒素流れによって開いた状態に保たれ、図１７で示すように流れが失われた場合に警告灯３０２を作動する、簡単なフラップスイッチ３００で監視される。類似の浄化システムは、出力カプラ及び波長計に利用されることが好ましい。
【００６９】
ヘリウムもまた、浄化ガスに使用される。ヘリウムの利点は、より優れた熱電導特性と光学特性とを持つことである。しかし、ヘリウムは窒素よりもずいぶんと高価で、レーザの製造に使用されるのであれば、ヘリウムを再利用する収集システムが考慮されなければならない。
かなり高い繰返数では、図１７で示すＬＮＰの格子表面が十分に加熱され、格子表面で高熱境界層を生成し、ビームをゆがめる可能性がある。このため、格子表面に亘る浄化流れが要求される。このシステムの例が、図１７Ａ、Ｂ、Ｃ、及び、Ｄで示され、本明細書において参照されている１９９０年１１月３０日出願の「High Power Gas Discharge Laser with Line Narrowing Unit（ライン・ナローイング・ユニットを持つ高電力ガス放電レーザ）」という名称の米国特許出願に詳述されている。
【００７０】
（レーザ構成要素の冷却）
１０００から２０００ヘルツを超える繰返数での作動に特に有効な本発明の好ましい実施形態は、エキシマレーザを冷却するための図１３で示す特有の冷却技術を持つ。
レーザの構成要素は、図１３及び図４Ａの２２４で示す通り、通気口に設けられた送風機により作られるわずかな真空に内側で維持される密閉容器２４０に包含される。キャビネットは、キャビネット頂部付近に濾過された吸気ポート２４１と、例えばガスケットドア周辺にある、数個の漏洩源とを含み、その結果、レーザ密閉容器を通る室の空気の流れは、毎分約２００立方フィートとなるが、それは、レーザの熱生成構成要素により生み出された熱を取り除くのに全く十分ではない。
レーザ（１００％の稼働率で約１２キロワット）により生じる廃熱のほとんど大部分（約９０パーセント）は、図１３で示す通り、冷水システムによって取り除かれる。
【００７１】
本実施形態では、レーザの主要な熱源は、高圧電源２０、整流子４０、圧縮ヘッド６０、及び、レーザチャンバ８０である。チャンバ用に、水冷式熱交換器がチャンバの内側に位置し、熱は、循環レーザガスから熱交換器に、そして冷却水へと伝達される。別の熱交換器（図示しない）は、チャンバの外面に設けられる。主要な熱生成構成要素の残りのために、冷却水が構成要素の位置に管で送られ、１つ以上のファンが、図１３に示す通り、水から空気の熱交換器を通して構成要素上に空気を強制的に流す。圧縮ヘッド用には、循環が図示の通り中に含まれているが、高圧電源及び整流子用には、循環は構成要素の上であり、次に密閉容器の他の部分を経由して他の構成要素も冷却してから熱交換器に再循環してくる。
分割パン２４２及び２４３は、一般通気用空気をフィルタ２４１から、先の開いた矢印２４４によって示す経路を通って、通気口２２４まで案内する。
本冷却システムはダクトを含まず、レーザチャンバ内側の、及び、レーザチャンバに取り付けられている、熱交換器に供給する水線以外は、どのレーザ構成要素にも接続する水線はない。全ての構成要素（レーザチャンバ以外）は、密閉容器内部周辺に送風される空気によって冷却されるので、構成要素の据え付け及び交換時に物を壊すような冷却接続はない。また、ダクトの必要性がないため、使用可能な構成要素及び密閉容器内の作動領域をかなり増加する。
【００７２】
特定の実施形態に関して、本Ｆ2レーザシステムを説明してきたが、様々な適用や修正が可能であることは理解されたい。例えば、多くの代替実施形態は、本明細書の最初の部分で列記した出願済み特許の中で検討されており、本明細書にその全体が参照されている。エタロン出力カプラは、追加的なライン・ナローイングをもたらすように使用され得るであろう。レーザシステムは、様々なモジュールに設計され得るが、システムは、少なくとも７つの別個のモジュールを含むことが好ましい。バッファガスは、ヘリウムの代わりにネオンでも可能であろう。本発明は、添付請求項によってのみ限定されるものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来技術の市販エキシマ・リソグラフィレーザの図である。
【図２】集積回路リソグラフィに使用される従来技術の市販エキシマレーザの主要部材の一部を示すブロック図である。
【図３】図２のレーザのレーザチャンバの図である。
【図３Ａ】従来技術の単一チャンバ注入シード方式レーザを示す図である。
【図３Ｂ】従来技術の単一チャンバ注入シード方式レーザを示す図である。
【図３Ｃ】従来技術の単一チャンバ注入シード方式レーザを示す図である。
【図４】本発明の好ましい実施形態の図である。
【図５Ａ】単一チャンバ注入シード方式Ｆ2レーザの実施形態を示す図である。
【図５Ｂ】単一チャンバ注入シード方式Ｆ2レーザの実施形態を示す図である。
【図５Ｃ】単一チャンバ注入シード方式Ｆ2レーザの実施形態を示す図である。
【図５Ｄ】単一チャンバ注入シード方式Ｆ2レーザの実施形態を示す図である。
【図５Ｅ】単一チャンバ注入シード方式Ｆ2レーザの実施形態を示す図である。
【図５Ｆ】単一チャンバ注入シード方式Ｆ2レーザの実施形態を示す図である。
【図５Ｇ】単一チャンバ注入シード方式Ｆ2レーザの実施形態を示す図である。
【図５Ｈ】単一チャンバ注入シード方式Ｆ2レーザの実施形態を示す図である。
【図５Ｉ】単一チャンバ注入シード方式Ｆ2レーザの実施形態を示す図である。
【図５Ｊ】単一チャンバ注入シード方式Ｆ2レーザの実施形態を示す図である。
【図５Ｋ】単一チャンバ注入シード方式Ｆ2レーザの実施形態を示す図である。
【図５Ｌ】単一チャンバ注入シード方式Ｆ2レーザの実施形態を示す図である。
【図５Ｍ】単一チャンバ注入シード方式Ｆ2レーザの実施形態を示す図である。
【図６】本発明の形態を示すレーザチャンバの断面図である。
【図６Ａ】分離したチャンバで利得媒体を利用する各種実施形態を示す図である。
【図６Ｂ】分離したチャンバで利得媒体を利用する各種実施形態を示す図である。
【図６Ｃ】分離したチャンバで利得媒体を利用する各種実施形態を示す図である。
【図６Ｄ】分離したチャンバで利得媒体を利用する各種実施形態を示す図である。
【図７Ａ】磁気軸受を持つ送風機駆動ユニットを示す図である。
【図７Ｂ】好ましい予備電離器管の形態を示す図である。
【図８Ａ】本発明の好ましい実施形態のパルス電力システムのブロック図である。
【図８Ｂ】上記の好ましい実施形態の簡略化した回路図である。
【図８Ｃ】上記の好ましい実施形態の一部である高圧電源のブロック図及び回路図の組合せ図である。
【図８Ｄ】上記の好ましい実施形態で使用されるパルストランスの組立完成図である。
【図８Ｅ】上記の好ましい実施形態で使用されるパルストランスの１次巻線の図である。
【図８Ｆ１】上記の好ましい実施形態に使用されるパルス圧縮を示す時間線チャートである。
【図８Ｆ２】上記の好ましい実施形態に使用されるパルス圧縮を示す時間線チャートである。
【図８Ｆ３】上記の好ましい実施形態に使用されるパルス圧縮を示す時間線チャートである。
【図８Ｇ１】可飽和インダクタを１つの視点から見た図である。
【図８Ｇ２】可飽和インダクタを１つの視点から見た図である。
【図８Ｈ１】好ましい実施形態の圧縮ヘッドの実装を示す図である。
【図８Ｈ２】好ましい実施形態の圧縮ヘッドの実装を示す図である。
【図９Ａ】好ましい熱交換器の設計を説明する図である。
【図９Ｂ】好ましい熱交換器の設計を説明する図である。
【図１０Ａ】交差電極シードビーム技術の形態を示す図である。
【図１０Ｂ】交差電極シードビーム技術の形態を示す図である。
【図１０Ｃ】交差電極シードビーム技術の形態を示す図である。
【図１１Ａ】高圧パルスを生成する好ましいパルストランスの形態を示す図である。
【図１１Ｂ】高圧パルスを生成する好ましいパルストランスの形態を示す図である。
【図１１Ｃ】高圧パルスを生成する好ましいパルストランスの形態を示す図である。
【図１１Ｄ】高圧パルスを生成する好ましいパルストランスの形態を示す図である。
【図１２】Ｆ2レーザをライン・ナローイングする技術を示す図である。
【図１３】圧力増加に伴うＦ2レーザビームの広がりを定性的に示す図である。
【図１４Ａ】送風機ブレードの好ましい構造設計を示す図である。
【図１４Ｂ】送風機ブレードの好ましい構造設計を示す図である。
【図１４Ｃ】送風機ブレードの好ましい構造設計を示す図である。
【図１５】好ましい密閉冷却システムを説明する図である。
【図１６】大型マニホルドガス供給システムを示す図である。
【図１７】光学浄化システムを示す図である。
【図１７Ａ】光学浄化システムを示す図である。
【図１７Ｂ】光学浄化システムを示す図である。
【図１７Ｃ】光学浄化システムを示す図である。
【図１７Ｄ】光学浄化システムを示す図である。
【図１８】好ましいパルスエネルギ検出システムを示す図である。
【図１９】他のバッファガスがヘリウムである場合のネオン濃度の増加に対するパルスエネルギ及び光スペクトルの変動を示す図である。
【図２０】出力パルスエネルギに対する放電間の遅延時間の変化を示すグラフである。
【符号の説明】
５４Ａ  コンデンサ
５５Ａ  カソード絶縁体
５６Ａ  予備電離器管
８２  ピーキングコンデンサ・アレー
８２Ａ  ピーキングコンデンサ８２の高圧側
８３  カソード
８３Ａ  貫通棒
８３Ｂ  接続ナット
【図１】
0003895922.tif 000002
【図２】
0003895922.tif 000003
【図３】
0003895922.tif 000004
【図３Ａ】
0003895922.tif 000005
【図３Ｂ】
0003895922.tif 000006
【図３Ｃ】
0003895922.tif 000007
【図４】
0003895922.tif 000008
【図５Ａ】
0003895922.tif 000009
【図５Ｂ】
0003895922.tif 000010
【図５Ｃ】
0003895922.tif 000011
【図５Ｄ】
0003895922.tif 000012
【図５Ｅ】
0003895922.tif 000013
【図５Ｆ】
0003895922.tif 000014
【図５Ｇ】
0003895922.tif 000015
【図５Ｈ】
0003895922.tif 000016
【図５Ｉ】
0003895922.tif 000017
【図５Ｊ】
0003895922.tif 000018
【図５Ｋ】
0003895922.tif 000019
【図５Ｌ】
0003895922.tif 000020
【図５Ｍ】
0003895922.tif 000021
【図６】
0003895922.tif 000022
【図６Ａ】
0003895922.tif 000023
【図６Ｂ】
0003895922.tif 000024
【図６Ｃ】
0003895922.tif 000025
【図６Ｄ】
0003895922.tif 000026
【図７Ａ】
0003895922.tif 000027
【図７Ｂ】
0003895922.tif 000028
【図８Ａ】
0003895922.tif 000029
【図８Ｂ】
0003895922.tif 000030
【図８Ｃ】
0003895922.tif 000031
【図８Ｄ】
0003895922.tif 000032
【図８Ｅ】
0003895922.tif 000033
【図８Ｆ１】
0003895922.tif 000034
【図８Ｆ２】
0003895922.tif 000035
【図８Ｆ３】
0003895922.tif 000036
【図８Ｇ１】
0003895922.tif 000037
【図８Ｇ２】
0003895922.tif 000038
【図８Ｈ１】
0003895922.tif 000039
【図８Ｈ２】
0003895922.tif 000040
【図９Ａ】
0003895922.tif 000041
【図９Ｂ】
0003895922.tif 000042
【図１０Ａ】
0003895922.tif 000043
【図１０Ｂ】
0003895922.tif 000044
【図１０Ｃ】
0003895922.tif 000045
【図１１Ａ】
0003895922.tif 000046
【図１１Ｂ】
0003895922.tif 000047
【図１１Ｃ】
0003895922.tif 000048
【図１１Ｄ】
0003895922.tif 000049
【図１２】
0003895922.tif 000050
【図１３】
0003895922.tif 000051
【図１４Ａ】
0003895922.tif 000052
【図１４Ｂ】
0003895922.tif 000053
【図１４Ｃ】
0003895922.tif 000054
【図１５】
0003895922.tif 000055
【図１６】
0003895922.tif 000056
【図１７】
0003895922.tif 000057
【図１７Ａ】
0003895922.tif 000058
【図１７Ｂ】
0003895922.tif 000059
【図１７Ｃ】
0003895922.tif 000060
【図１７Ｄ】
0003895922.tif 000061
【図１８】
0003895922.tif 000062
【図１９】
0003895922.tif 000063
【図２０】
0003895922.tif 000064