(57)【要約】【課題】レーザーアニールのスループット向上を図ること、ＴＦＴのチャネル幅内に高い精度でレーザ光のパターンを照射してレーザーアニールすることで、電荷移動度が高く、且つ高電位保持特性を有し低消費電力のＴＦＴ基板を得る。【解決手段】基板１Ａ上の縦列と横列に沿ってそれぞれ複数の薄膜トランジスタ１０を配列した薄膜トランジスタ基板１であって、各薄膜トランジスタ１０は、チャネル領域を形成するアモルファスシリコン層１３をレーザーアニールしてポリシリコン層としたレーザーアニール部１０Ａを備え、レーザーアニール部１０Ａは、レーザーアニールを行うレーザ光と基板とが相対的に移動するスキャン方向Ｓに沿った設定ピッチで配置され、スキャン方向Ｓに直交する方向に形成されたチャネル幅Ｗ内にチャネル幅よりも狭いレーザーアニール部１０を有する。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上の縦列と横列に沿ってそれぞれ複数の薄膜トランジスタを配列した薄膜トランジスタ基板であって、
各薄膜トランジスタは、チャネル領域を形成するアモルファスシリコン層をレーザーアニールしてポリシリコン層としたレーザーアニール部を備え、
該レーザーアニール部は、レーザーアニールを行うレーザ光と前記基板とが相対的に移動するスキャン方向に沿った設定ピッチで配置され、
前記スキャン方向に直交する方向に形成されたチャネル幅内に該チャネル幅よりも狭い前記レーザーアニール部を有することを特徴とする薄膜トランジスタ基板。
【請求項２】
前記設定ピッチは、前記レーザ光と前記基板とが相対的に移動するスキャンの速度とレーザ光のパルス周波数で設定されることを特徴とする請求項１記載の薄膜トランジスタ基板。
【請求項３】
前記レーザーアニール部は、前記スキャン方向に沿った幅が前記スキャン方向に直交する方向の幅より長いことを特徴とする請求項１又は２記載の薄膜トランジスタ基板。
【請求項４】
前記レーザーアニール部は、前記スキャン方向の長さが前記スキャン方向に沿った前記チャネル幅の長さより長いことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項５】
各薄膜トランジスタは、前記基板上の縦列と横列に沿ってそれぞれ複数配列された透明電極パターン毎に配置され、
前記透明電極パターンは、前記スキャン方向に沿った幅が前記スキャン方向に直交する方向の幅より短いことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の薄膜トランジスタ基板。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載の薄膜トランジスタ基板を備えた表示パネル。
【請求項７】
基板とレーザー光とを一軸方向に沿ってスキャンしながら、前記一軸方向に直交する方向に沿って、複数のレンズを配列したマイクロレンズアレイを移動させ、前記レーザ光を、前記レンズを通して、薄膜トランジスタのチャネル領域となる特定箇所に集光させ、前記特定箇所に前記基板上のアモルファスシリコン層をポリシリコン層とするレーザーアニール部を形成する方法であって、
前記レーザーアニール部は、前記一軸方向に沿って設定ピッチで配列され、
前記スキャンの方向に直交する方向に形成予定のチャネル幅内に所定形状の前記レーザーアニール部が形成されることを特徴とするレーザーアニール方法。
【請求項８】
前記設定ピッチは、前記スキャンの速度と前記レーザ光のパルス周波数で設定されることを特徴とする請求項７記載のレーザーアニール方法。
【請求項９】
前記レーザーアニール部は、前記スキャンの方向の長さが前記スキャンの方向に沿った前記チャネル幅の長さより長いことを特徴とする請求項７又は８に記載のレーザーアニール方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄膜トランジスタ基板、その薄膜トランジスタ基板を備える表示パネル、薄膜トランジスタ基板を形成するためのレーザーアニール方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
薄膜トランジスタ基板は、アクティブマトリクス駆動方式の液晶パネルや有機ＥＬパネルなどの表示パネル基板として、一般に知られており、ドットマトリク状に複数並列された画素電極毎に配置される薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：thin film transistor）を備えている。特に、カラー表示を行う表示パネルの場合には、ＲＧＢのサブピクセルが集まって１つの画素になるので、薄膜トランジスタ基板は、画素数の３倍のサブピクセル毎に薄膜トランジスタが配置されている。
【０００３】
薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴという）としては、近年、スイッチング特性に優れたアモルファスシリコンＴＦＴが用いられている。アモルファスシリコンＴＦＴは、基本的には、ゲート電極上に絶縁膜（ゲート絶縁膜）を介して半導体層であるアモルファスシリコン層が形成され、アモルファスシリコン層上に、ドレイン電極とソース電極が配置され、アモルファスシリコン層上のソース電極とドレイン電極の間にチャネル領域が形成されており、ドレイン電極とソース電極の一方が、透明導電膜によって形成される画素電極に接続されている。
【０００４】
アモルファスシリコンＴＦＴは、良好なスイッチング特性を有するものの、チャネル領域における電荷移動度が０．５ｃｍ２／Ｖｓと低いのが難点であり、今後更に高密度・高精細化される表示パネルで要求される高電荷移動度には対応しきれない。これに対応するために、ＴＦＴ基板の製造工程において、チャンネル領域になる予定箇所のアモルファスシリコン層にレーザ光を照射して、アモルファスシリコン層を溶融・再結晶化させて、高電荷移動度が得られる多結晶シリコン（ポリシリコン）層を形成するレーザーアニールが行われている。
【０００５】
レーザーアニールの従来技術としては、下記特許文献１に記載の方法が知られている。これによると、基板上に設定されたＴＦＴ形成領域の縦横いずれか一方の配列方向に基板を搬送しながら、複数のＴＦＴ形成領域に対応して基板の搬送方向と交差する方向に複数のレンズを配置したマイクロレンズアレイを、基板の搬送方向と交差方向に移動して、マイクロレンズアレイのレンズと基板のＴＦＴ形成領域とを位置合わせし、基板が移動してＴＦＴ形成領域がレンズアレイにおける対応レンズの真下に到達したときに、レンズアレイにレーザ光を照射し、複数のレンズによりレーザ光を集光して各ＴＦＴ形成領域のアモルファスシリコン層をアニール処理している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１０−２８３０７３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
前述した従来技術では、レーザ光源として５０Ｈｚ程度の繰り返し周波数で発振するパルスレーザが用いられており、高密度又は大画面の基板全面をレーザーアニールするには、相当の作業時間が掛かり、スループットの向上が課題になっている。これに対しては、６０００Ｈｚ程度の高周波数で発振するパルスレーザを用いて、スループット向上を図ることが考えられているが、その場合には、基板の搬送速度（スキャン速度）が速くなり、基板の特定位置に精度良くレーザ光を照射するための位置制御が困難になる。
【０００８】
一方、レーザーアニールは、ドットマトリクス状に複数並列される画素電極又はサブピクセル毎に配置されるＴＦＴ領域の中で、チャネル領域を選択してレーザ光を照射している。しかしながら、チャネル領域全体のアモルファスシリコン層をポリシリコン化すると、電荷移動度が高くなることに加えて、逆方向電流が低く抑えられなくなり、オフ電流が高くなる。このため、電位保持特性が低くなり、漏洩する電流が多くなるため、消費電力が高くなる問題が生じる。これに対して、チャネル領域内の特定箇所をレーザーアニールすると、レーザ光の照射位置がチャネル幅方向に沿ってばらつくと、ＴＦＴ毎の動作特性にばらつきが生じることになるので、４μｍ程度のチャネル幅内に高い精度でレーザ光のパターンを照射することが必要になる。
【０００９】
本発明は、このような問題に対処することを課題の一例とするものである。すなわち、レーザーアニールのスループット向上を図ること、ＴＦＴのチャネル幅内に高い精度でレーザ光のパターンを照射してレーザーアニールすることで、電荷移動度が高く、且つ動作特性のばらつきが少ないＴＦＴを得ること、などが本発明の目的である。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
このような目的を達成するために、本発明による薄膜トランジスタ基板は、以下の構成を具備するものである。
基板上の縦列と横列に沿ってそれぞれ複数の薄膜トランジスタを配列した薄膜トランジスタ基板であって、各薄膜トランジスタは、チャネル領域を形成するアモルファスシリコン層をレーザーアニールしてポリシリコン層としたレーザーアニール部を備え、該レーザーアニール部は、レーザーアニールを行うレーザ光と前記基板とが相対的に移動するスキャン方向に沿った設定ピッチで配置され、前記スキャン方向に直交する方向に形成されたチャネル幅内に該チャネル幅よりも狭い前記レーザーアニール部を有することを特徴とする薄膜トランジスタ基板。
【発明の効果】
【００１１】
このような特徴を有する薄膜トランジスタ基板は、レーザーアニールにおいて照射されるレーザ光のパルス周波数を高めて、レーザ光と基板とのスキャン速度を高めた場合に、スキャン方向に沿ってレーザーアニール部に若干の位置がずれが生じたとしても、スキャン方向と直交する方向にチャネル幅が形成されていることで、チャネル幅内に位置精度良くレーザーアニール部を形成することができる。これによって、スキャン速度とレーザ光のパルス周波数を高めてスループット向上を図りながら、電荷移動度が高く、且つ、動作特性のばらつきが少ないＴＦＴ基板を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】ＴＦＴ基板の概略構成を示した説明図である。
【図２】レーザーアニールの概要を示す説明図である。
【図３】本発明の実施形態に係るＴＦＴ基板の構成を示した説明図である。
【図４】本発明の実施形態に係るＴＦＴ基板におけるＴＦＴ構造を示した説明図（（ａ）は平面図、（ｂ）が（ａ）におけるＸ−Ｘ断面図）である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、図面を参照しながら本発明の実施形態を説明する。図１に示すように、ＴＦＴ基板１は、基板上の縦列及び横列に、データ線２とゲート線３がそれぞれ複数形成されており、データ線２とゲート線３との交差部近傍にＴＦＴ１０が形成され、ＴＦＴ１０毎に透明電極形成部４が配置されている。このように、ＴＦＴ基板１は、基板１Ａ上の縦列と横列に沿ってそれぞれ複数のＴＦＴ１０が配列されている。図示の例では、データ線２が幅Ｐ１のピッチを有し、ゲート線３が幅Ｐ２のピッチを有しており、ＴＦＴ１０は、それに応じて、縦列に幅Ｐ１のピッチを有し横列に幅Ｐ２のピッチを有してドットマトリクス状に配列されている。
【００１４】
ＴＦＴ基板１の製造におけるレーザーアニールは、図１に示すように、基板１Ａ上にゲート線３のパターンを形成し、ゲート線３上をゲート絶縁膜で覆い、その上にアモルファスシリコン層を積層した後、ＴＦＴ１０のチャネル領域が形成される予定の特定箇所に対してレーザ光を照射してアニール処理を行う。
【００１５】
図２は、レーザーアニールの概要を示している。レーザ光Ｌの照射は、レーザ光照射装置２０によって行われる。レーザ光照射装置２０は、設定されたパルス周波数でレーザ光Ｌを出射するレーザ光源２１と、出射されたレーザ光Ｌを所定の空間に均一照射するためのビームホモジナイザ２２、ミラー等の照射光学系２３、マスク２４、マイクロレンズアレイ２５を備えている。ここでのマスク２４とマイクロレンズアレイ２５は、基板１Ａ上のＴＦＴ１０におけるチャネル領域が形成される予定の特定箇所に応じてた配列パターンを備えている。
【００１６】
レーザーアニールは、図２に示すように、アモルファスシリコン層が形成された基板１Ａを、基板搬送装置２６によって一軸方向（スキャン方向Ｓ）に沿って搬送しながら、レーザ光源２１からレーザ光Ｌを設定されたパルス周波数で照射して、基板１Ａとレーザ光Ｌを一軸方向に沿ってスキャンする。これにより、マイクロレンズアレイ２５によって集光されたレーザ光Ｌが、基板１Ａ上に複数配列される特定箇所に選択的に照射される。ここでは、基板１Ａを一軸方向に搬送してスキャンする例を示したが、基板１Ａとレーザ光Ｌとは相対的に一軸方向に移動すれば良く、基板１Ａを搬送する換わりにレーザ光Ｌを移動させるようにしてもよい。
【００１７】
図１に示すように、縦列と横列にマトリクス状に配列されるＴＦＴ１０の特定箇所にレーザ光Ｌを照射するには、マイクロレンズアレイ２５の各レンズ２５Ｌは、１つのＴＦＴ１０における特定箇所に対応するように複数配列されており、基板１Ａとレーザ光Ｌとを一軸方向（スキャン方向Ｓ）に沿ってスキャンしながら、一軸方向に直交する方向（図示Ｎ方向）に沿って、マイクロレンズアレイ２５を移動させ、レーザ光Ｌを、レンズ２５Ｌを通して特定箇所に集光させる。
【００１８】
図３及び図４は、前述したレーザーアニールを経て形成されたＴＦＴ基板１の構成例を示している。前述したように、ＴＦＴ１０は、データ線２とゲート線３との交差部近傍に形成されており、基本構成として、ゲート電極１１、ゲート絶縁膜１２、チャネル領域を形成するアモルファスシリコン層１３、ソース・ドレイン電極１４，１５、保護層１６を備えており、ソース・ドレイン電極１４が画素又はサブピクセルを形成する透明導電パターン１７に接続されている。このように、ＴＦＴ１０は、基板１Ａ上の縦列と横列に沿ってそれぞれ複数配列された透明導電パターン１７毎に配置されている。
【００１９】
このＴＦＴ１０は、前述したレーザーアニールによって形成されるレーザーアニール部１０Ａを備えている。このレーザーアニール部１０Ａは、チャネル領域を形成するアモルファスシリコン層１３をレーザーアニールしてポリシリコン層とした部位であり、アモルファスシリコン層１３に対して部分的にポリシリコン層を形成している。
【００２０】
レーザーアニール部１０Ａは、レーザーアニールを行うレーザ光Ｌと基板１Ａとが相対的に移動するスキャン方向Ｓに沿った設定ピッチＰ０で配置されており、スキャン方向Ｓに直交する方向Ｎに形成されたチャネル幅Ｗ内にレーザ光照射のパターンを有している。スキャン方向Ｓに対して直交する方向Ｎに沿ってチャネル幅Ｗを形成し、そのチャネル幅Ｗ内にレーザーアニール部１０Ａを形成することで、スキャン方向Ｓに沿ってレーザーアニール部１０の形成位置にずれが生じたとしても、チャネル幅Ｗ方向におけるレーザーアニール部１０の位置精度を確保することができる。
【００２１】
レーザーアニール部１０Ａのスキャン方向Ｓに沿った位置は、スキャンの速度とレーザ光Ｌのパルス周波数で設定される設定ピッチＰ０によって決められるが、スループット向上を目指して、スキャン速度を高くし、パルス周波数を高くすると、パルス信号出力に対するレーザー発振の時間遅れなどが影響して、スキャン方向Ｓに沿って位置誤差が生じやすくなる。これに対して、スキャン方向Ｓに対してチャネル幅Ｗの方向を直交させることで、このようなスキャン方向Ｓに沿った位置誤差がチャネル幅Ｗの方向に沿ったレーザーアニール部１０Ａの位置精度には影響しなくなる。
【００２２】
レーザーアニール部１０Ａのチャネル幅Ｗ方向の位置精度は、スキャン速度やレーザ光Ｌのパルス周波数とは無関係に、マイクロレンズアレイの機械的な位置調整で高い精度を得ることができる。これによって、レーザーアニール部１０Ａは、スループット向上のために、スキャン速度を高めて、パルス周波数を高めたとしても、それに影響することなく、チャネル幅Ｗ内での位置精度を確保することができる。
【００２３】
レーザーアニール部１０Ａは、図４に示すように、スキャン方向Ｓに沿った幅Ｍ１がスキャン方向Ｓに直交する方向の幅Ｍ２より長くなるようにし、また、スキャン方向Ｓの長さ（幅Ｍ１）がスキャン方向Ｓに沿ったチャネル幅Ｗの長さ（ソース・ドレイン電極１４，１５の幅Ｗｓ）より長くしている。これにより、スキャン方向Ｓに沿ったレーザーアニール部１０Ａの位置誤差を幅Ｍ１の長さで吸収して、レーザーアニール部１０Ａをチャネル幅Ｗ内に位置することができる。この際、レーザーアニール部１０Ａは、チャネル領域全体を結晶化してポリシリコン層を得ても良いし、チャネル領域内の特定のパターンで結晶化してポリシリコン層を得ても良い。
【００２４】
このようなレーザーアニール部１０Ａを有するＴＦＴ基板１は、高スキャン速度・高パルス周波数の許容幅を拡げることが可能になり、スループット向上を目指すことができ、その際に形成されるレーザーアニール部１０Ａにチャネル幅方向の位置精度を確保して、ＴＦＴ毎の動作特性のばらつきを抑えることができる。
【００２５】
以上説明したように、本発明の実施形態に係るＴＦＴ基板１は、ＴＦＴ１０におけるアモルファスシリコン層１３のチャネル領域にポリシリコン層となるレーザーアニール部１０を形成しているので、電荷移動度の高いＴＦＴ１０を得ることができる。
【００２６】
また、レーザーアニール部１０Ａを形成する際のスキャン方向ＳをＴＦＴ１０のチャネル幅Ｗの方向と直交する方向に設定しているので、レーザーアニールにおいて照射されるレーザ光Ｌのパルス周波数を高めて、レーザ光Ｌと基板１Ａとのスキャン速度を高めた場合に、スキャン方向Ｓに沿ってレーザーアニール部１０Ａに若干の位置がずれが生じたとしても、レーザーアニール部１０Ａのチャネル幅Ｗ方向の位置を高い精度で設定することができる。これによって、スキャン速度とレーザ光のパルス周波数を高めてスループット向上を図りながら、高電位保持特性を有し低消費電力のＴＦＴ基板を得ることができ、ＴＦＴ１０毎の特性のばらつきも抑えることができる。
【００２７】
このＴＦＴ基板１をアクティブマトリクス基板とする液晶パネルや有機ＥＬパネルなど表示パネルは、高精細化・高密度化されたパネルにおいて、高い生産性と低消費電力を実現することができる。
【符号の説明】
【００２８】
１：薄膜トランジスタ基板（ＴＦＴ基板），１Ａ：基板，
２：データ線，３：ゲート線，４：透明電極形成部，
１０：薄膜トランジスタ（ＴＦＴ），１０Ａ：レーザーアニール部，
１１：ゲート電極，１２：ゲート絶縁膜，１３：アモルファスシリコン層，
１４，１５：ソース・ドレイン電極，１６：保護層，１７：透明導電パターン，
２０：レーザ光照射装置，２１：レーザ光源，２２：ビームホモジナイザ，
２３：照射光学系，２４：マスク，
２５：マイクロレンズアレイ，２５Ｌ：レンズ，
２６：基板搬送装置，
Ｌ：レーザ光，Ｗ：チャネル幅，Ｓ：スキャン方向，
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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