(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面にレジストが塗布されて、露光処理がされた基板を現像する現像装置において、
前記基板を水平に保持し、鉛直軸回りに回転自在な基板保持部と、
基板の有効領域の幅とほぼ同じ長さに亘って吐出口が形成された現像液の供給ノズルと、
この供給ノズルを基板の一端側から他端側に亘って移動させる移動機構と、
基板表面に塗布される現像液の液膜に接する高さ位置にて基板表面と対向するように設けられ、供給ノズルからの現像液をその裏面側に通過させる多数の通流孔が穿設された昇降自在な液流抑制板と、
洗浄液を吐出する洗浄ノズルと、
現像液が液流抑制板を介して基板に供給された後、基板及び液流抑制板を同時に洗浄するために前記洗浄ノズルから洗浄液を液流抑制板を介して基板の中心部に供給しながら基板保持部を回転させ、次いで基板を乾燥させるために液流抑制板を上昇させると共に基板保持部を回転させるように制御信号を出力する制御部と、を備え、
前記供給ノズルからの現像液を液流抑制板を介して基板表面に塗布することを特徴とする現像装置。
【請求項２】
液流抑制板が基板の全面に対応する位置に亘って設けられることを特徴とする請求項１記載の現像装置。
【請求項３】
基板保持部に保持された基板を囲むように昇降自在に設けられたカップと、このカップの側周面に形成された基板の受け渡し口と、を備え、液流抑制板はカップの上面に設けられることを特徴とする請求項１または２記載の現像装置。
【請求項４】
制御部は、洗浄ノズルから洗浄液が供給される前に、液流抑制板を一旦上昇させ、基板上の現像液を振り切るために基板保持部を回転させた後、再度液流抑制板を降下させるように制御信号を出力することを特徴とする請求項１ないし３記載の現像装置。
【請求項５】
表面にレジストが塗布されて、露光処理がされた基板を現像する現像装置において、
前記基板を水平に保持する基板保持部と、
基板の有効領域の幅とほぼ同じ長さに亘って吐出口が形成された現像液の供給ノズルと、
この供給ノズルを基板の一端側から他端側に亘って移動させる移動機構と、
基板表面に塗布される現像液の液膜に接する高さ位置にて基板表面と対向するように設けられ、供給ノズルからの現像液をその裏面側に通過させる多数の通流孔が穿設された液流抑制板と、
前記液流抑制板の表面の周縁に亘って設けられ、基板の周縁部に対応する位置にて、供給ノズルの吐出口が液流抑制板から離れるときに、表面張力により吐出口と液流抑制板との間に跨る現像液を切るための尖端部と、を備え、
前記供給ノズルからの現像液を液流抑制板を介して基板表面に塗布することを特徴とする現像装置。
【請求項６】
基板表面にレジストが塗布されて、露光処理がされた基板を現像する現像方法において、
前記基板を基板保持部に水平に保持する工程と、
次いで多数の通流孔が穿設された液流抑制板を基板表面と対向し、かつ基板表面に塗布される現像液の液膜に接する高さに位置させる工程と、
その後基板の有効領域の幅とほぼ同じ長さに亘って吐出口が形成された現像液の供給ノズルを液流抑制板の表面側にて基板の一端側から他端側に亘って移動させながら現像液を吐出し、液流抑制板の通流孔を介して基板表面に現像液を塗布すると工程と、
しかる後、洗浄ノズルから洗浄液を液流抑制板を介して基板の中心部に供給しながら基板保持部を回転させることにより基板及び液流抑制板を同時に洗浄する工程と、
続いて液流抑制板を上昇させると共に基板保持部を回転させて基板を乾燥させる工程と、を備えたことを特徴とする現像方法。
【請求項７】
基板表面に現像液を塗布すると工程と基板及び液流抑制板を同時に洗浄する工程との間に、液流抑制板を一旦上昇させ、基板保持部を回転させて基板上の現像液を振り切った後、再度液流抑制板を降下させる工程を備えたことを特徴とする請求項６記載の現像方法。
【請求項８】
基板表面にレジストが塗布されて、露光処理がされた基板を現像する現像方法において、
前記基板を基板保持部に水平に保持する工程と、
次いで多数の通流孔が穿設された液流抑制板を基板表面と対向し、かつ基板表面に塗布される現像液の液膜に接する高さに位置させる工程と、
その後基板の有効領域の幅とほぼ同じ長さに亘って吐出口が形成された現像液の供給ノズルを液流抑制板の表面側にて基板の一端側から他端側に亘って移動させながら現像液を吐出し、液流抑制板の通流孔を介して基板表面に現像液を塗布すると工程と、
基板の周縁部に対応する位置にて、供給ノズルの吐出口が液流抑制板から離れるときに、表面張力により吐出口と液流抑制板との間に跨る現像液を、液流抑制板の表面の周縁に亘って設けられた尖端部により切る工程と、を備えたことを特徴とする現像方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、レジストが塗布され、露光処理が施された基板の表面に現像液を供給して現像処理を行う現像装置及び現像方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、半導体製造工程の一つであるフォトレジスト工程においては、例えば半導体ウェハ（以下ウェハＷという）表面に形成された薄膜状にレジストを塗布し、レジストを所定のパターンで露光し、現像してマスクパターンを形成している。このような処理は、一般にレジストの塗布・現像を行う塗布・現像装置に、露光装置を接続したシステムを用いて行われる。
【０００３】
露光後のウェハＷに対して、現像処理を行う手法の一つとして、図１４に示すようにウェハＷの直径に見合う長さに亘って吐出口が形成されたノズル１を用い、このノズル１を、例えばスピンチャック１２に水平に保持されたウェハＷの表面に対して、例えば１ｍｍ程度浮かせた状態でウェハＷの一端側から他端側に移動させながら、ノズル１の吐出口からウェハＷ表面に現像液Ｄを液盛し、ウェハＷ表面全体に現像液の、例えば１ｍｍ程度の液膜を形成する方法が実施、検討されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述した手法では以下の様な課題がある。即ち、円形状であるウェハＷにおいては、前記ノズル１が現像液Ｄを吐出しながら、ウェハＷの直径部を越えて終端に向かって移動する際、ノズル１の長さに対してウェハＷの有効領域の長さが順次短くなることが問題となる。この場合ウェハＷの周縁部のある部位で見ると、ノズル１が移動してその部位から離れて行くことにより、既にウェハＷ表面に盛られた現像液Ｄと、その部位に対応する位置の吐出口から吐出された現像液Ｄとが夫々の表面張力で繋がったまま引張られた状態なる。更にノズル１が終端に向かうにつれて、前記現像液Ｄは表面張力で繋がった状態を維持できなくなり、ウェハＷ表面上に塗布される部位と、塗布されない部位との間で液切れが起こる。つまりウェハＷ表面と対向しないノズルの吐出口とウェハＷ周縁部との間で液が切れながらノズル１は移動する。この液切れしたときの反力の作用により、ウェハＷ表面に液盛された現像液Ｄに、例えば周縁部から内側方向に向かう流れが生じる。特にウェハＷの終端においては、ノズルがウェハＷ表面から離れるときの液の寄り戻しによる反力は大きく、液盛された現像液に波立ちが起こる場合がある。また本発明者らは、その結果として現像後に得られるマスクパターンに線幅精度の均一性が低下することを把握している。
【０００５】
上述の基板表面に液盛された現像液Ｄに対する影響を少なくするために、図１５に示すようにウェハＷ周縁部での液切れをスムーズにするナイフリングＮＲをウェハＷの周縁に設ける手法があるが、ノズル１から吐出する現像液は吐出圧がほぼ自重程度に小さいので、ナイフリングＮＲの液切り面においても液の表面張力が作用してスムーズな液切りが行われない場合が懸念される。
【０００６】
本発明はこのような事情に基づきなされたものであり、その目的はレジストが塗布されて、露光処理が施された基板を現像処理する場合において、基板表面に液盛された現像液に流れおよび波立ちを形成しないで、基板の表面に現像液を供給することができ、これにより線幅の均一性の高いマスクパターンを得ることのできる技術を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明の現像装置は、表面にレジストが塗布されて、露光処理がされた基板を現像する現像装置において、
前記基板を水平に保持し、鉛直軸回りに回転自在な基板保持部と、
基板の有効領域の幅とほぼ同じ長さに亘って吐出口が形成された現像液の供給ノズルと、
この供給ノズルを基板の一端側から他端側に亘って移動させる移動機構と、
基板表面に塗布される現像液の液膜に接する高さ位置にて基板表面と対向するように設けられ、供給ノズルからの現像液をその裏面側に通過させる多数の通流孔が穿設された昇降自在な液流抑制板と、
洗浄液を吐出する洗浄ノズルと、
現像液が液流抑制板を介して基板に供給された後、基板及び液流抑制板を同時に洗浄するために前記洗浄ノズルから洗浄液を液流抑制板を介して基板の中心部に供給しながら基板保持部を回転させ、次いで基板を乾燥させるために液流抑制板を上昇させると共に基板保持部を回転させるように制御信号を出力する制御部と、を備え、
前記供給ノズルからの現像液を液流抑制板を介して基板表面に塗布することを特徴とする。前記液流抑制板は、例えば基板の全面に対応する位置に亘って設けられる。また、例えば液流抑制板の表面の周縁に亘って、基板の周縁部に対応する位置に、供給ノズルの吐出口が液流抑制板から離れるときに、表面張力により吐出口と液流抑制板との間に跨る現像液を切るための尖端部が形成された構成であっても良い。
【０００８】
また前記現像装置は、前記基板保持部に保持された基板を囲むように昇降自在に設けられたカップと、このカップの側周面に形成された基板の受け渡し口と、を備え、液流抑制板はカップの上面に設けられる構成としても良い。
更にまた他の発明は、表面にレジストが塗布されて、露光処理がされた基板を現像する現像装置において、
前記基板を水平に保持する基板保持部と、
基板の有効領域の幅とほぼ同じ長さに亘って吐出口が形成された現像液の供給ノズルと、
この供給ノズルを基板の一端側から他端側に亘って移動させる移動機構と、
基板表面に塗布される現像液の液膜に接する高さ位置にて基板表面と対向するように設けられ、供給ノズルからの現像液をその裏面側に通過させる多数の通流孔が穿設された液流抑制板と、
前記液流抑制板の表面の周縁に亘って設けられ、基板の周縁部に対応する位置にて、供給ノズルの吐出口が液流抑制板から離れるときに、表面張力により吐出口と液流抑制板との間に跨る現像液を切るための尖端部と、を備え、
前記供給ノズルからの現像液を液流抑制板を介して基板表面に塗布することを特徴とする。
【０００９】
本発明によれば、基板周縁部の外側付近にて現像液の液切れにより生じる反力を、基板表面に塗布される現像液の液膜に接する高さ位置にて基板表面と対向するように設けられた液流抑制板と現像液との間に生じる摩擦力により打ち消すことができ、更に、基板に液盛された現像液の上方を面状体で押さえつけていることにより、基板表面にある現像液膜に流れおよび波立ちが形成されるのを抑制することができる。
【００１０】
また本発明の現像方法は、基板表面にレジストが塗布されて、露光処理がされた基板を現像する現像方法において、
前記基板を基板保持部に水平に保持する工程と、
次いで多数の通流孔が穿設された液流抑制板を基板表面と対向し、かつ基板表面に塗布される現像液の液膜に接する高さに位置させる工程と、
その後基板の有効領域の幅とほぼ同じ長さに亘って吐出口が形成された現像液の供給ノズルを液流抑制板の表面側にて基板の一端側から他端側に亘って移動させながら現像液を吐出し、液流抑制板の通流孔を介して基板表面に現像液を塗布すると工程と、
しかる後、洗浄ノズルから洗浄液を液流抑制板を介して基板の中心部に供給しながら基板保持部を回転させることにより基板及び液流抑制板を同時に洗浄する工程と、
続いて液流抑制板を上昇させると共に基板保持部を回転させて基板を乾燥させる工程と、を備えたことを特徴とする。
【００１１】
【発明の実施の形態】
本発明に係る現像装置の実施の形態について、図１〜３に示す現像装置の概略図を用いて説明する。この現像装置は、例えばウェハＷの裏面中心部を吸引吸着し、ウェハＷを水平に保持する基板保持部であるスピンチャック２を備え、このスピンチャック２は主軸が駆動部２１に接続されており、回転および昇降できる構成である。また現像処理の際、現像液および洗浄液のミストが周囲に飛び散るのを防ぐための四角形状の外カップ３１と円環状の内カップ３２が、ウェハＷを囲う処理空間を形成するように設けられている。この処理空間の底面は円形板３３および円板３３の周縁に現像液および洗浄液を回収するため空間である液受部３４とで構成されており、現像液および洗浄液は液受部３４底面の排液口３５を介して装置外に排出される。また円板３３の周縁部には上端がウェハＷの裏面に近接する断面山形のリング体３６が設けられている。
【００１２】
前記内カップ３２には、側周面にウェハＷを搬入出ための搬送口３７が設けられており、また天井部には面状体である液流抑制板３８が設けられている。この場合、例えば内カップ３２の内縁に段部を形成し、液流抑制板３８がこの段部に係合して内カップ３２に保持されるように構成し、液流抑制板３８を交換できるようにすることが望ましい。この液流抑制板３８は、例えばウェハＷとほぼ同じかそれ以上の大きさの、１．５ｍｍ厚の円形状の平板で構成され、ウェハＷの全面に対応する位置に、例えば直径６ｍｍの通流孔３８が、例えば９ｍｍピッチで千鳥配列あるいは正則配列に穿設される。また材質には、例えばＳＵＳ、セラミックスおよび樹脂から選択されるもので構成される。前記通流孔３８の構成は本発明を限定するものではなく、例えばスリット形状の開口部を設けるか、あるいはメッシュ形状の部材で液流抑制板３８を構成しても良い。また外カップ３１と内カップ３２は第１の昇降機構４１、第２の昇降機構４２により夫々独立して昇降されるように構成される。
【００１３】
ウェハＷの表面に現像液を供給するための供給ノズル５１は、内部に現像液の流路を備えた細長い四角形状のノズル本体５２の下面長手方向に、ウェハＷの有効領域の幅とほぼ同じ長さの吐出口５３が設けられている。この吐出口５３は、例えばウェハＷの直径と同じ長さに多数の吐出孔が一列に配列された構成でも良く、あるいはウェハＷの直径と同じ長さのスリット形状の吐出口で構成しても良い。この供給ノズル５１はアーム部５４を介して第１の移動機構５５の移動部５６に接続されており、この第１の移動機構５５はガイドレール６に沿って水平移動し、供給ノズル５１がウエハＷの一端側から他端側に水平移動可能に構成され、更に第１の移動機構５５は、例えばボールネジ機構５７を備えており、供給ノズル５１が上下移動可能に構成される。
【００１４】
また現像後の洗浄工程において洗浄液、例えば純水をウェハＷ表面に供給するための洗浄ノズル７１は、第２の移動機構７２に接続されており、洗浄液の吐出口７３がウェハＷの中心上に位置設定されるように、ガイドレール６に沿って水平移動可能に構成されている。なお上述の駆動部２１、第１の昇降機構４１、第２の昇降機構４２、第１の移動機構５５及び第２の移動機構７２は夫々制御部と接続されており、例えば駆動部２１によるスピンチャック２の昇降に応じて第１の移動機構５５による処理液の供給を行うような、各部を連動させた動作制御が可能な構成である。
【００１５】
次に上述の現像装置を用いた現像処理工程について説明する。先ず図４（ａ）に示すようにスピンチャック２が外カップ３１の上方まで上昇し、既に前工程でレジストが塗布され、露光処理が施されたウエハＷが、搬送口３７を介して図示しない搬送アームからスピンチャック２に受け渡され、次いでスピンチャック２はウェハＷの中心部を吸引吸着した状態で下降し、ウェハＷに現像処理を行う設定位置、例えば図１の実線で示す位置に設定する。更に内カップ３２が液流抑制第２の昇降機構により下降して、液流抑制板３８がウェハＷの表面に液盛される現像液Ｄ膜に接する高さ位置、例えばウェハＷ表面と１ｍｍの隙間を形成する高さに設定する。続いて供給ノズル５１が外カップ３１とウエハＷの周縁との間の走査開始位置に水平移動され、更に供給ノズル５１は下降し、ウエハＷに対して現像液Ｄの供給を行う高さ、例えば吐出口５３の先端面が液流抑制板３８表面から１ｍｍ程度高い位置に設定される。
【００１６】
続いて図４（ｂ）、図５に示すように、吐出口５３から現像液Ｄを吐出すると共に、供給ノズル５１をウエハＷの一端側から、吐出口５３の中心がウエハＷの中心上方を通過して他端側に向かうように、例えば５０ｍｍ／ｓｅｃの速度で供給ノズル５１を走査することにより、現像液Ｄが通流孔３９を介してウエハＷの表面に供給され、ウェハＷ表面と液流抑制板３８との隙間を現像液が満たすことにより、例えば１ｍｍ〜２．５ｍｍの厚さの液層を形成する。
【００１７】
現像液Ｄの液盛終了後、供給ノズルが退避し、図４（ｃ）に示す状態を例えば５５秒間維持して静止現像が行われ、ウェハＷ表面のレジストの溶解性部位が現像液Ｄに溶解してマスクパターンを形成する。続いて洗浄液Ｒの吐出部７３がウエハＷの中心上方に位置するように、洗浄ノズル７１が移動し、外カップ３１が上昇して、図４（ｄ）に示すようにウェハＷ中心部に対応する通流孔３９を介して洗浄ノズル７１から洗浄液ＲをウエハＷ中心部に供給すると共に、スピンチャック２を回転させてウェハＷと液流抑制板３８との間に介在する現像液Ｄを遠心力によりウエハＷの中心部から周縁部へ向かって洗浄液Ｒで置換してウェハＷ表面および液流制御板３８が同時に洗浄される。続いて液流抑制板３８を上昇させ、スピンチャック２の回転数を上げてスピン乾燥を行い現像処理が終了する。このとき静止現像終了後に液流抑制板３８を一旦上昇させ、スピンチャック２を回転させてウェハＷ表面にある現像液Ｄを振り切ってから再度液流抑制板３８を下降させて、ウェハＷと液流抑制板３８を洗浄しても良い。洗浄工程の際、現像液Ｄと洗浄液Ｒは液受部３４を介して排液口３５から排出される。
【００１８】
上述の実施の形態によれば、供給ノズル５１がウェハＷの直径部を越えて終端に向かって走査する際、ウェハＷ周縁部の外側付近において、既述した液切れにより生じる反力は、液流抑制板３８と現像液Ｄとの境界層において生じる摩擦力により、その作用する力が打ち消される。このため現像液Ｄに流れが形成されるのが抑えられる。また現像液Ｄの上方を液流抑制板３８で押さえているので、終端での液の寄り戻しによる波立ちを抑えられるが、波立ちがあったとしても前記摩擦力の作用により、ウェハＷ表面と液流抑制板３８との隙間の液層には流れが形成されないか又は低減される。この結果、本発明者らは現像により得られるマスクパターンの線幅の均一性が向上したことを確認している。
【００１９】
また液流抑制板３８がなければウェハＷ表面に液盛された現像液Ｄの周縁部は、その凝集力である表面張力により中心方向に向かって引張られて角が丸まってしまう場合があるが、本発明においては、液流抑制板３８とウェハＷとの隙間をその付着力により現像液を隙間なく満たすことができるので、周縁部においても角が丸まらず、内側の部位と同じ膜厚の現像液膜を形成でき、周縁部においても均一性の高い現像を行うことができるという付加的な効果を得ることができる。
【００２０】
また、本発明の他の実施の形態を以下に説明する。まず液流抑制板３８は上述したウェハＷ表面の全面に対応する円形状に限られず、ウェハＷ表面の一部に対応する形状としても良く、例えば図６（ａ）に示すように、例えば１０〜２０ｍｍの幅をなすドーナツ形状の液流抑制板３８をウェハＷの周縁部に対応する位置に設けるようにしても良い。あるいは図６（ｂ）に示すようにウェハＷの直径部から終端の周縁部に対応する位置に、例えば１０〜２０ｍｍの幅をなす馬蹄形状の液流抑制板３８を設ける構成であっても良い。このような構成においても、上述の場合と同様に、ウェハＷの直径部から終端の周縁部の外側付近にて生じる液切れによる反力が打ち消され、ウェハＷに液盛された現像液に流れ、波立ちが形成されるのが抑えられる。液流抑制板３８の形状およびウェハＷのどの部位に対応させるかは、例えば供給ノズルの走査速度、レジストの種類などに応じて予め試験を行って決めることが好ましい。
【００２１】
更に図７に示すように、液流抑制板３８表面の周縁に、少なくともウェハＷの直径部から終端の周縁部に対応するように、ナイフエッジである尖端部を備えた、例えばリング状の部材を設けても良い。この場合、上述の場合と同様の効果と共に、供給ノズルが液流抑制板３８から離れるときに、液流抑制板３８との間に跨る現像液を尖端部で切ることにより、液切れ時の反力を弱めることができ、さらに液流抑制板３８表面上の現像液Ｄの整流効果も得ることができる。
【００２２】
また図８に示すように、内カップ３２の側面に半周に亘って周縁に多数の通気孔８１を形成し、流路８２を介して配管８３が接続された構成とし、例えば現像液の液盛を行う前に、乾燥ガス、例えば乾燥空気を一方向から他方に向けてパージして液流抑制板３８を乾燥させるようにしても良い。このような構成によれば、連続して現像処理を行う際、前サイクルのスピン乾燥において液流抑制板３８表面に洗浄液Ｒが残ったとしても、前記乾燥ガスにより取り除くことができるので、液盛したときに現像液濃度が薄まることが抑えられる。
【００２３】
更にまた液流抑制板３８は内カップ３２の上に固定することに限られず、例えば図９に示すように内カップ３２と外カップ３１との間において昇降すると共に、液流抑制板３８の周縁部下面を保持する複数の支持ロッド８４を周方向に設け、ウェハＷをスピンチャック２に受け渡した後、これら支持ロッドを上昇させて、別途アームにより液流抑制板３８を支持ロッドに受け渡し、これら支持ロッドを下降させてウェハＷの直ぐ上方位置に設定されるように構成しても良く。この場合には、内カップ３２の側周面にウェハＷの搬送口３７を設けなくて済み、更にまた液流抑制板３８の洗浄は上述した方法に限られず、液流抑制板３８を退避させた後、次の現像処理の前に別途洗浄するようにしても良い。
【００２４】
更に本発明においては、図１０に示すように、供給ノズル５１の長手方向に設けられた吐出口５３の長さが、ウェハＷの有効領域の長さよりも短い供給ノズル５１、例えばウェハＷの直径に対して９０〜１００％の長さとしても良い。この場合において、吐出された現像液Ｄは、通液孔３９を介してウェハＷ表面に供給され、吐出口５３の外側に位置する部位にまで広がり、その付着力によりウェハＷと液流抑制板３８との隙間を満たして液層を形成する。このためウェハＷの外側において、下方に流れ落ちる現像液Ｄの液量を抑えることができる。その結果、現像処理に使用する現像液Ｄの液量を少なくすることができ、ランニングコストが抑えられる効果がある。更に前記供給ノズル５１においては、例えば図１１に示すように液流抑制板３８を用いない現像手法に用いても良い。この場合においても、現像液Ｄの表面張力の作用により、ウェハＷ周縁部にも液盛することができ、前記の場合と同様に現像液Ｄの使用量を抑える効果が得られる。
【００２５】
次に上述の現像装置を例えば現像ユニットに組み込んだ塗布・現像装置の一例について図１２及び図１３を参照しながら説明する。図１２及び図１３中、９１は例えば２５枚のウエハＷが収納されたカセットＣを搬入出するためのカセットステーションであり、このカセットステーション９１には前記カセットＣを載置する載置部９１ａと、カセットＣからウエハＷを取り出すための受け渡し手段９２とが設けられている。カセットステーション９１の奥側には、例えばカセットステーション９１から奥を見て例えば右側には塗布・現像系のユニットＵ１が、左側、手前側、奥側には加熱・冷却系のユニット等を多段に積み重ねた棚ユニットＵ２，Ｕ３，Ｕ４が夫々配置されていると共に、塗布・現像系ユニットＵ１と棚ユニットＵ２，Ｕ３，Ｕ４との間でウエハＷの受け渡しを行うための搬送アームＭＡが設けられている。但し図１２では便宜上受け渡し手段９２、ユニットＵ２及び搬送アームＭＡは描いていない。
【００２６】
塗布・現像系のユニットＵ１においては、例えば上段には２個の上述の現像装置を備えた現像ユニット９３が、下段には２個の塗布装置を備えた塗布ユニット９４が設けられている。棚ユニットＵ２,Ｕ３,Ｕ４においては、加熱ユニットや冷却ユニットのほか、ウエハの受け渡しユニットや疎水化処理ユニット等が上下に割り当てされている。
【００２７】
この搬送アームＭＡや塗布・現像系ユニットＵ１等が設けられている部分を処理ブロックと呼ぶことにすると、当該処理ブロックはインタ−フェイスユニット９５を介して露光ブロック９６と接続されている。インタ−フェイスユニット９５はウエハＷの受け渡し手段９７により前記処理ブロックと露光ブロック９６との間でウエハＷの受け渡しを行うものである。
【００２８】
この装置のウエハの流れについて説明すると、先ず外部からウエハＷが収納されたウエハカセットＣが載置部９１ａに載置され、受け渡し手段９２によりカセットＣ内からウエハＷが取り出され、既述の加熱・冷却ユニットＵ３の棚の一つである受け渡し台を介して搬送アームＭＡに受け渡される。次いでユニットＵ３の一の棚の処理部内にて疎水化処理が行われた後、塗布ユニット９４にてレジスト液が塗布され、レジスト膜が形成される。レジスト膜が塗布されたウエハＷは加熱ユニットで加熱された後、ユニットＵ４のインターフェースユニット９５の受け渡し手段９７と受渡し可能な冷却ユニットに搬送され、処理後にインタ−フェイスユニット９５，受け渡し手段９７を介して露光装置９６に送られ、ここでパタ−ンに対応するマスクを介して露光が行われる。露光処理後のウエハを受け渡し手段９７で受け取り、ユニットＵ４の受け渡しユニットを介して処理ブロックのウエハ搬送アームＭＡに渡す。
【００２９】
この後ウエハＷは加熱ユニットで所定温度に加熱され、しかる後冷却ユニットで所定温度に冷却され、続いて図１〜図３で示した装置を備えた現像ユニット９３に送られて現像処理され、レジストマスクが形成される。しかる後ウエハＷは載置部９１ａ上のカセットＣ内に戻される。また本発明は、被処理基板に半導体ウエハ以外の基板、例えばＬＣＤ基板、フォトマスク用レクチル基板の加熱処理にも適用できる。
【００３０】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、レジストが塗布されて、露光処理が施された基板を現像処理する際、基板の周縁付近において液切れにより生じる反力を、液流抑制板と現像液との間に生じる摩擦力で打ち消し、更に液盛された現像液の表面を液流抑制板で押さえることにより、基板表面に液盛された現像液に流れおよび波立ちが形成されるのを抑えて、基板の表面に現像液を供給することができる。このため現像により得られるマスクパターンの線幅の均一性が向上する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る現像装置の実施の形態を表す断面図である。
【図２】本発明に係る現像装置の実施の形態を表す平面図である。
【図３】本発明に係る現像装置の現像液供給部を示す側面図である。
【図４】本発明に係る現像装置の現像処理を示す工程図である。
【図５】本発明に係る現像液の供給方法を示す説明図である。
【図６】本発明に係る現像装置の他の実施の形態を示す平面図である。
【図７】本発明に係る現像装置の他の実施の形態を示す側面図である。
【図８】本発明に係る現像装置の他の実施の形態を示す側面図である。
【図９】本発明に係る現像装置の他の実施の形態を示す側面図である。
【図１０】本発明に係る現像装置の他の実施の形態を示す側面図である。
【図１１】本発明に係る現像装置の他の実施の形態を示す側面図である。
【図１２】前記現像装置を組み込んだ塗布・現像装置の一例を示す斜視図である。
【図１３】前記現像装置を組み込んだ塗布・現像装置の一例を示す平面図である。
【図１４】従来技術に係る現像液の供給方法を示す説明図である。
【図１５】従来技術に係る現像液の供給方法を示す説明図である。
【符号の説明】
Ｗ    ウエハ
Ｄ    現像液
Ｒ    洗浄液
２    スピンチャック
３１  外カップ
３２  内カップ
３８  液流抑制板
３９  通流孔
５１  供給ノズル
６    ガイドレール
７１  洗浄ノズル
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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