(57)【要約】【課題】  クリーニング時間を短縮することができ、電子写真感光体のコストダウンを実現する製造方法を提供する。【解決手段】  円筒状基体を含む円筒状電極が内部に設置された減圧可能で円筒状の対向電極を含む反応容器に堆積膜形成用の原料ガスを導入する工程と、電源から円筒状基体を含む円筒状電極に電力を供給することで原料ガスを分解し円筒状基体の表面に堆積膜を形成する工程と、反応容器から円筒状基体を含む円筒状電極を取り出す工程と、反応容器にクリーニング用円筒状電極を設置する工程と、反応容器にクリーニング用ガスを導入する工程と、電源からクリーニング用円筒状電極に電力を供給することでクリーニング用ガスを分解し反応容器の内部のクリーニングを行う工程とを有する電子写真感光体の製造方法において、クリーニング用円筒状電極が円筒状基体を含む円筒状電極よりも長い。【選択図】  図５
2016212355.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
円筒状基体を含む円筒状電極が内部に設置された減圧可能で円筒状の対向電極を含む反応容器に、堆積膜形成用の原料ガスを導入する工程と、
電源から前記円筒状基体を含む前記円筒状電極に電力を供給することで、前記原料ガスを分解し、前記円筒状基体の表面に堆積膜を形成する工程と、
前記反応容器から前記円筒状基体を含む前記円筒状電極を取り出す工程と、
前記反応容器に、クリーニング用円筒状電極を設置する工程と、
前記反応容器に、クリーニング用ガスを導入する工程と、
電源から前記クリーニング用円筒状電極に電力を供給することで、前記クリーニング用ガスを分解し、前記反応容器の内部のクリーニングを行う工程と
を有するプラズマＣＶＤ法による電子写真感光体の製造方法において、
前記クリーニング用円筒状電極が、前記円筒状基体を含む円筒状電極よりも長いことを特徴とする電子写真感光体の製造方法。
【請求項２】
前記クリーニング用円筒状電極の径が、前記円筒状基体を含む円筒状電極の径よりも大きい請求項１に記載の電子写真感光体の製造方法。
【請求項３】
前記円筒状基体が、アルミニウム製の円筒状基体である請求項１または２に記載の電子写真感光体の製造方法。
【請求項４】
前記クリーニング用ガスが、三フッ化塩素を含む請求項１〜３のいずれか１項に記載の電子写真感光体の製造方法。
【請求項５】
前記原料ガスが、シランを含む請求項１〜４のいずれか１項に記載の電子写真感光体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子写真感光体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、アモルファスシリコン（以下「ａ−Ｓｉ」とも表記する。）半導体膜の形成方法として、グロー放電により成膜用の原料ガスを分解し、その分解生成物を基体の表面に被着させる方法が採用されている。この膜形成方法は、プラズマＣＶＤ（ｐｌａｓｍａ  ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｖａｐｏｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法と呼ばれ、広く採用されている。ａ−Ｓｉ半導体膜の用途には、太陽電池や液晶表示装置で使用される薄膜トランジスター、半導体メモリー、電子写真感光体などが挙げられる。
【０００３】
プラズマＣＶＤ法でａ−Ｓｉ半導体膜を基体に形成する場合、膜形成後に製造装置内の基体以外の部分に付着した膜や、副生成物をクリーニングする必要がある。ここで電子写真感光体をプラズマＣＶＤ法で製造する際、製造装置内のクリーニングが不十分な場合においては、製造装置内に残った膜や副生成物が新たに設置された基体に付着し、形成された膜に欠陥が生じる場合がある。その結果、電子写真装置に設置して画像形成を行った際に、膜欠陥に起因した画像欠陥が生じる場合がある。
【０００４】
したがって、電子写真感光体を製造する場合においては、膜形成後の製造装置内のクリーニング工程は重要な製造工程の１つである。
【０００５】
しかしながら、近年、電子写真装置の低価格化が進み、電子写真感光体もコストダウンを進める必要が出てきており、その手段の１つとしてクリーニング工程の時間短縮が挙げられる。
【０００６】
特許文献１では、電力印加電極と対向する接地電極間の距離を膜形成時とクリーニング時とで変化させ、クリーニング時の方が膜形成時よりも距離を広げることにより、効率的なクリーニングを実現する技術が開示されている。さらには、クリーニング用の補助電極を設置することでより効率的なクリーニングを実現する技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】２００２−１０５６４５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
これらの技術によりクリーニング工程の時間短縮は実現されてきている。
【０００９】
しかしながら、装置構成が複雑化するため、製造装置がコストアップしたり、膜形成時のプラズマに悪影響を与えたりする場合があり、改善の余地があるのが実状である。
【００１０】
本発明の目的は、装置構成を複雑化することなく、クリーニング時間を短縮することができ、電子写真感光体のコストダウンを実現する製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は、円筒状基体を含む円筒状電極が内部に設置された減圧可能で円筒状の対向電極を含む反応容器に、堆積膜形成用の原料ガスを導入する工程と、
電源から前記円筒状基体を含む前記円筒状電極に電力を供給することで、前記原料ガスを分解し、前記円筒状基体の表面に堆積膜を形成する工程と、
前記反応容器から前記円筒状基体を含む前記円筒状電極を取り出す工程と、
前記反応容器に、クリーニング用円筒状電極を設置する工程と、
前記反応容器に、クリーニング用ガスを導入する工程と、
電源から前記クリーニング用円筒状電極に電力を供給することで、前記クリーニング用ガスを分解し、前記反応容器の内部のクリーニングを行う工程と
を有するプラズマＣＶＤ法による電子写真感光体の製造方法において、
前記クリーニング用円筒状電極が、前記円筒状基体を含む円筒状電極よりも長いことを特徴とする電子写真感光体の製造方法である。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、電子写真感光体を製造した後の製造装置のクリーニング時間を短縮することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明に係る電子写真感光体を製造するための膜形成時の円筒状電極の例を示す模式図である。
【図２】本発明に係るクリーニング用円筒状電極の例を示す模式図である。
【図３】本発明に係る電子写真感光体を製造するための製造装置で使用される電圧波形の一例を示す模式図である。
【図４】本発明に係る電子写真感光体を製造するための膜形成時の製造装置（プラズマＣＶＤ装置）の例を示す模式図である。
【図５】本発明に係る電子写真感光体を製造するためのクリーニング時の製造装置（プラズマＣＶＤ装置）の例を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明について図を参照しつつ説明する。
【００１５】
図１は円筒状の反応容器の内部にプラズマを生起する際に、電力が印加される円筒状電極１０１の一例を示す模式図である。
【００１６】
図１（ａ）は膜形成時に使用される円筒状電極１０１の一例であり、円筒状基体１０２Ａ、１０２Ｂが円筒状部材１０３と基体ホルダー１０４に装着された構成となっている。図１（ｂ）の斜線部は円筒状電極１０１の上面１０５であり、図１（ｃ）の斜線部は下面１０６である。
【００１７】
図２（ａ）はクリーニング時に使用される円筒状電極１０７の一例である。図２（ｂ）は円筒状電極１０７の上面２０５であり、図２（ｃ）は下面２０６である。
【００１８】
膜形成時に使用される円筒状電極１０１とクリーニング時に使用される円筒状電極１０７を比較すると、径（Ｒ）は同じであるが、長さ（Ｌ）はクリーニング時に使用される円筒状電極１０７の方が長くなっている。
【００１９】
円筒状電極１０１、１０７の径（Ｒ）とは、円筒状電極の軸方向各点における径（Ｒ）の平均値を意味する。円筒状電極１０１、１０７の長さ（Ｌ）とは、円筒状電極の中心軸１０８と平行方向における円筒状電極上面１０５、２０５と円筒状電極下面１０６、２０６間距離の円筒状電極下面１０６、２０６すべての領域での平均値を意味する。
【００２０】
図４は図１に示した円筒状電極１０１を円筒状反応容器４０９内に設置し、円筒状基体１０２Ａ、１０２Ｂ上に膜形成を行う際の電子写真製造装置の一例を示す模式図である。
【００２１】
円筒状反応容器４０９は接地されるとともに円筒状基体１０２Ａ、１０２Ｂ表面に対向する接地電極となっている。また、ベースプレート４２５と上蓋４２４は、円筒状反応容器４０９と電気的に接続されている。このベースプレート４２５と上蓋４２４もまた、接地され、接地電極となっている。この円筒状反応容器４０９およびベースプレート４２５と上蓋４２４に対して円筒状基体１０２Ａ、１０２Ｂに電圧を印加可能となっている。
【００２２】
円筒状基体１０２Ａ、１０２Ｂへの電圧の印加は、電源４３０から以下のように構成される電力伝送路を経てなされる。
【００２３】
基体ホルダー１０４および円筒状部材１０３が円筒状基体１０２Ａ、１０２Ｂを保持し、互いに電気的に接続されている。ここで、基体ホルダー１０４および円筒状部材１０３、円筒状基体１０２Ａ、１０２Ｂは円筒状電極として働く。また、基体ホルダー１０４は基体ホルダー保持部材４１０の上に保持されて互いに電気的に接続されている。
【００２４】
回転軸４１１は基体ホルダー保持部材４１０と電気的に接続される。回転軸４１１、基体ホルダー保持部材４１０、基体ホルダー１０４は、円筒状基体１０２Ａ、１０２Ｂへの電力伝送路となっている。
【００２５】
これら円筒状基体１０２Ａ、１０２Ｂへの電力伝送路となっている回転軸４１１、基体ホルダー保持部材４１０、基体ホルダー１０４はすべて導電性材料からなり、加工の容易性やコストの観点から、アルミニウム、ステンレス鋼が好ましい。
【００２６】
回転モーター４１５、モーター回転軸４１４、モーター歯車部４１３、回転軸歯車部４１２、回転軸４１１、基体ホルダー保持部材４１０は、基体ホルダー１０４に対する回転支持機構を形成している。すなわち、円筒状基体１０２Ａ、１０２Ｂを保持する基体ホルダー１０４は基体ホルダー保持部材４１０によって回転可能に支持されている。回転モーター４１５は、モーター回転軸４１４を回転させて、モーター歯車部４１３と回転軸歯車部４１２、回転軸４１１、基体ホルダー保持部材４１０を経て、基体ホルダー１０４に回転駆動力を伝達する。
【００２７】
円筒状反応容器４０９と円筒状基体１０２Ａ、１０２Ｂ、円筒状部材１０３および基体ホルダー１０４は中心軸が一致するように配置されている。
【００２８】
導電性を有する円筒状基体１０２Ａ、１０２Ｂは基体加熱ヒーター４１７によって所定の期間加熱される。基体加熱ヒーター４１７の外面は接地されている。基体加熱ヒーター４１７は絶縁性を有するヒーターカバー４１６によって覆われている。基体加熱ヒーター４１７の内側には回転軸４１１と回転軸絶縁部材４２６とが設置されている。回転軸４１１は回転軸絶縁部材４２６によって基体加熱ヒーター４１７と絶縁されている。
【００２９】
円筒状反応容器４０９内への堆積膜形成用の原料ガスの導入はガスブロック４１８を介して行われる。ガスブロック４１８は、中央の管状空洞部４１９と原料ガス放出孔４２０から構成され、原料ガス放出孔４２０が円筒状反応容器４０９内壁面に配置されるように取り付けられる。
【００３０】
ガスブロック４１８は、円筒状反応容器４０９に取り付けられた状態で円筒状基体１０２Ａ、１０２Ｂの対向電極の一部となる。
【００３１】
ガスブロック４１８の材質を導電性材料にすることにより、ガスブロック４１８を含めた円筒状反応容器４０９内壁面の全体が同電位となり、より均一なプラズマを生成できる。また、加工の容易性やコストの観点から、アルミニウム、ステンレス鋼が好ましい。
【００３２】
ガスブロック４１８のガス放出面４２１は平面でもよいが、円筒状反応容器４０９内壁面と同じ面をなすため、より均一なプラズマを生成するために円筒状反応容器４０９内壁面と同じ曲率をもつ曲面であることが好ましい。
【００３３】
また、円筒状基体１０２Ａ、１０２Ｂとガスブロック４１８との間に印加される電位差が大きい場合は、さらにガス放出孔４２０近傍でプラズマが集中しやすくなる状態になる場合がある。この状態の発生を抑えるために、ガス放出孔４２０を形成する部材に絶縁性部材（不図示）を用いることが好ましい。絶縁性部材（不図示）の材料としては、例えば、アルミナ、ジルコニア、ムライト、コージェライト、炭化ケイ素、チッ化ホウ素、チッ化アルミニウムなどが挙げられる。これらの中でも、絶縁抵抗の観点から、アルミナ、チッ化ホウ素、チッ化アルミニウムが好ましく、コストおよび加工性の観点からアルミナがより好ましい。
【００３４】
ガスブロック４１８は円筒状反応容器４０９から取り外しが可能となっていることが好ましい。それによってブロック単体での加工が可能となり、絶縁性部材（不図示）をガス放出孔４１７に埋め込む加工を容易に実施できるためである。
【００３５】
円筒状反応容器４０９は、ベースプレート４２５、上蓋４２４により減圧可能な空間を形成している。また原料ガスの流量を調整するためのマスフローコントローラー（不図示）を内包する原料ガス混合装置４２３と原料ガス流入バルブ４２２を備えている。円筒状反応容器４０９の排気系は、円筒状反応容器４０９の排気口に連通された排気配管４２９と排気メインバルブ４２７と真空排気系４２８とから構成されている。
【００３６】
真空排気系４２８は例えばロータリーポンプやメカニカルブースターポンプである。この排気系を円筒状反応容器４０９に設けられた真空計（不図示）を使ってフィードバック制御させることにより円筒状反応容器４０９内を所定圧力に維持する。
【００３７】
具体的には、真空計の出力を所定値になるように排気メインバルブ４２７の開口を調整する。あるいは真空ポンプ４２８がメカニカルブースターポンプから構成される場合は、排気メインバルブ４２７の開口を一定とし、メカニカルブースターポンプの回転数を調整することにより排気速度を調整してもよい。
【００３８】
図５は図２に示した円筒状電極１０７を円筒状反応容器４０９内に設置し、円筒状反応容器４０９内のクリーニングを行う際の電子写真感光体製造装置の一例を示す模式図である。図４における円筒状電極１０１を円筒状電極１０７に入れ替えた以外は図４と同じ構成となっている。
【００３９】
以下、図１、図２、図４、図５の装置を用いた電子写真感光体の製造方法の一例について説明する。
【００４０】
例えば、旋盤を用いて表面に鏡面加工を施した円筒状基体１０２Ａ、１０２Ｂは、図１に示すように円筒状部材１０３、基体ホルダー１０４に装着される。図４に示すように円筒状基体１０２Ａ、１０２Ｂ、円筒状部材１０３、基体ホルダー１０４は円筒状反応容器４０９内の基体加熱ヒーター４１７を包含するように設置される。次に、ガス供給装置内の排気を兼ねて原料ガス流入バルブ４２２を開き、排気メインバルブ４２７を開いて円筒状反応容器４０９およびガスブロック４１８内の排気を開始する。そして、不図示の真空計によって円筒状反応容器４０９内が０．６７Ｐａ以下になることを確認する。
【００４１】
次に、原料ガス導入バルブ４２２から加熱用の不活性ガス、一例としてアルゴンをガスブロック４１８より円筒状反応容器４０９内に導入する。そして、円筒状反応容器４０９に設けられた真空計（不図示）を使ってフィードバック制御させることにより円筒状反応容器４０９内を所定圧力に維持する。
【００４２】
その後、不図示の温度コントローラーを作動させて円筒状基体１０２Ａ、１０２Ｂを基体加熱ヒーター４１７により加熱し、円筒状基体１０２Ａ、１０２Ｂの温度を２０℃以上５００℃以下の範囲の所定の温度に制御する。円筒状基体１０２Ａ、１０２Ｂが所定の温度に加熱されたところで、不活性ガスを徐々に止める。同時並行的に、堆積膜形成用（成膜用）の原料ガス、例えば、シラン（モノシラン）、メタンなどの原料ガスを、また、ジボラン、ホスフィンなどのドーピングガスを原料ガス混合装置４２３によって混合した後に、円筒状反応容器４０９内に徐々に導入する。次に、原料ガス混合装置４２３内の不図示のマスフローコントローラーによって、各原料ガスが所定の流量になるように調整する。その際、円筒状反応容器４０９内が所定の圧力に維持されるよう不図示の真空計を見ながら排気メインバルブ４２７の開口あるいは真空ポンプ４２８の排気速度を調整する。
【００４３】
以上の手順によって成膜準備を完了した後、円筒状基体１０２Ａ、１０２Ｂの上に下部注入阻止層、光導電層、上部注入阻止層、表面層の順に堆積膜を堆積させる。具体的には電源４３０を動作させることにより円筒状電極である基体ホルダー１０４、円筒状部材１０３、円筒状基体１０２Ａ、１０２Ｂと円筒状反応容器４０９との間の空間にプラズマを生起させる。このプラズマのエネルギーによって円筒状反応容器４０９内に導入した各原料ガスが分解され、円筒状基体１０２Ａ、１０２Ｂの上に所定の膜が形成される。
【００４４】
膜形成終了後、円筒状電極１０１が室温付近まで冷えた後、円筒状電極１０１ごと円筒状基体１０２Ａ、１０２Ｂを円筒状反応容器４０９内から取り出す。
【００４５】
円筒状電極１０１を取り出し後、図２に示した円筒状電極（クリーニング用円筒状電極）１０７を図５に示すように円筒状反応容器４０９内に設置する。次に、ガス供給装置内の排気を兼ねて原料ガス流入バルブ４２２を開き、排気メインバルブ４２７を開いて円筒状反応容器４０９内が０．６７Ｐａ以下になることを確認する。
【００４６】
次に、原料ガス導入バルブ４２２からクリーニング用ガス、例えば、三フッ化塩素、または、四フッ化炭素と酸素の混合ガスをガスブロック４１８より円筒状反応容器４０９内に徐々に導入する。次に、不図示のマスフローコントローラーによって、クリーニング用ガスが所定の流量になるように調整する。その際、円筒状反応容器４０９内が所定の圧力に維持されるように不図示の真空計を見ながら排気メインバルブ４２７の開口あるいは真空ポンプ４２８の排気速度を調整する。
【００４７】
以上の手順によってクリーニング準備を完了した後、電源４３０を動作させることにより円筒状電極１０７と円筒状反応容器４０９との間の空間にプラズマを生起させる。このプラズマのエネルギーによって円筒状反応容器４０９内に導入したクリーニング用ガスが分解され、円筒状反応容器４０９内のクリーニングが行われる。クリーニング時に使用される円筒状電極１０７の長さ（Ｌ）を膜形成時に使用される円筒状電極１０１よりも長くすることにより、効率的なクリーニングを実施することができる。
【００４８】
図４に示したような円筒状基体１０２Ａ、１０２Ｂに膜形成を行う装置においては、円筒状基体１０２Ａ、１０２Ｂ表面と円筒状反応容器４０９側壁とで囲まれた空間（図４空間Ａ）に効率的にプラズマを生起させることが好ましい。
【００４９】
したがって、円筒状電極上面１０５と上蓋４２４とで囲まれた空間（図４空間Ｂ）や、円筒状電極下面１０６とベースプレート４２５とで囲まれた空間（図４空間Ｃ）でのプラズマの生成を極力抑制することが好ましい。
【００５０】
また、膜形成を行う際には円筒状電極上面１０５と上蓋４２４間の距離や、円筒状電極下面１０６とベースプレート４２５間の距離は、装置サイズが許す範囲で極力広くすることが好ましい。
【００５１】
しかしながら、そのような装置構成にしたとしても、空間Ｂや空間Ｃにおいて完全にプラズマを抑制することはできない場合がある。さらには空間Ａに生成したプラズマによって分解された原料ガスが、空間Ｂや空間Ｃに回り込む場合がある。その結果、上蓋４２４やベースプレート４２５にも膜が形成されたり、ポリシランに代表される副生成物が付着したりする場合がある。
【００５２】
クリーニング時に使用される円筒状電極１０７を膜形成時に使用される円筒状電極と同じ形状とした場合においては、空間Ａにおいては効率的にプラズマを生成することができるため、円筒状反応容器４０９側壁のクリーニングは効率的に行われる。しかしながら、空間Ｂや空間Ｃにおいてはプラズマの生成が抑制されるため、上蓋４２４やベースプレート２２５のクリーニングは効率的でない場合がある。
【００５３】
それに対して、本発明においては、クリーニング時に使用される円筒状電極１０７の長さ（Ｌ）を膜形成時に使用される円筒状電極１０１よりも長くする。それにより、空間Ｂや空間Ｃにプラズマを効率的に生成することができる。その結果、円筒状反応容器４０９側壁のみならず、上蓋４２４、ベースプレート４２５のクリーニングも効率的に実施できるのである。
【００５４】
本発明におけるクリーニング時に使用される円筒状電極１０７の長さ（Ｌ）は、円筒状電極１０７を円筒状反応容器４０９内に設置後、上蓋４２４、ベースプレート４２５を用いた円筒状反応容器４０９内を真空封止可能な長さである必要がある。さらには、真空封止後に円筒状電極１０７の上面２０５が上蓋４２４と接触しないことが必要である。さらには、真空封止後に円筒状電極１０７の下面２０６がベースプレート４２５と接触しないことが必要である。空間Ｂや空間Ｃにクリーニング用ガスが回り込む必要があるためである。
【００５５】
本発明におけるクリーニング時に使用される円筒状電極１０７の径（Ｒ）としては、膜形成時に使用される円筒状電極１０１の径（Ｒ）よりも大きいことが好ましい。それにより空間Ａにおけるプラズマ密度を上げることができ、円筒状反応容器４０９側面を効率的にクリーニングできる。
【００５６】
径（Ｒ）の大きさとしては、真空封止後に円筒状電極１０７の側面が円筒状反応容器４０９側面と接触しない大きさであることが必要である。空間Ａにクリーニング用ガスが回り込む必要があるためである。
【００５７】
円筒状電極１０１、１０７と円筒状反応容器４０９の一方の電位に対する他方の電位が交互に正と負になるように、周波数３ｋＨｚ以上３００ｋＨｚ以下の矩形波の交播電圧を円筒状電極１０１、１０７と円筒状反応容器４０９の間に印加することが好ましい。クリーニング時の空間Ｂ、空間Ｃのプラズマ密度を膜形成時より高くすることができるため、本発明の効果を顕著に得ることができるからである。
【００５８】
図３は、電源４３０より印加される電圧波形の一例を示した図である。
【００５９】
円筒状反応容器４０９の電位をアース電位で一定とし、円筒状反応容器４０９の電位に対する円筒状電極１０１、１０７の電位の変化を示す。図３中Ａの範囲は放電開始電圧の絶対値以上の絶対値を持つ電圧となるＯＮ期間であり、図３中Ｂの範囲は放電維持電圧の絶対値未満の絶対値を持つ電圧となるＯＦＦ期間である。図３中Ｔは、電圧の周期を表しており、周波数によって決まる。また、図３中ｔは、放電開始電圧の絶対値以上の絶対値を持つ電圧となる時間を表しており、（ｔ／Ｔ）×１００をＤｕｔｙ比（％）と定義する。本発明においてはＤｕｔｙ比は１０％以上９０％以下の範囲で設定している。
【実施例】
【００６０】
以下、実施例および比較例により本発明をさらに詳しく説明するが、本発明はこれらにより何ら制限されるものではない。
【００６１】
〈実施例１〉
実施例１では図１および図４に示す装置を用いて膜形成を行った。
【００６２】
円筒状基体（直径８４ｍｍ、長さ３８１ｍｍ、厚さ３ｍｍの鏡面加工を施したアルミニウム製の円筒状基体）１０２Ａ、１０２Ｂの表面に表１に示す条件および図３に示す電圧波形を用いて前述した方法により電子写真感光体を製造した。電子写真感光体の製造後、円筒状電極１０１を円筒状反応容器４０９から取り出し、図２に示した円筒状電極１０７を図５に示すように円筒状反応容器４０９内に設置した。表２に示す条件および図３に示す電圧波形を用いて前述した方法により円筒状反応容器４０９内のクリーニングを行った。
【００６３】
本例においては、クリーニング時に使用した円筒状電極１０７の径Ｒは８４ｍｍである。また、長さＬは膜形成時に使用した円筒状電極１０１よりも上下に２０ｍｍずつ長くなっている。
【００６４】
【表１】
2016212355.tif 000003
【００６５】
【表２】
2016212355.tif 000004
【００６６】
〈実施例２〉
実施例２では、クリーニング時に使用する円筒状電極１０７の長さＬを膜形成時に使用した円筒状電極１０１よりも上下に４０ｍｍずつ長くすること以外は、実施例１と同様の方法で電子写真感光体を製造した。
【００６７】
〈実施例３〉
実施例３では、クリーニング時に使用する円筒状電極１０７の径Ｒを９０ｍｍとし、長さＬを膜形成時に使用した円筒状電極１０１よりも上下に２０ｍｍずつ長くすること以外は、実施例１と同様の方法で電子写真感光体を製造した。
【００６８】
〈比較例〉
比較例では、クリーニング時に使用する円筒状電極１０７の長さＬを膜形成時に使用した円筒状電極１０１と同じにした以外は、実施例１と同様の方法で電子写真感光体を製造した。
【００６９】
〈実施例１〜３および比較例の評価〉
各実施例および比較例において、クリーニング開始から２時間、２時間２０分、２時間４０分、３時間の段階でクリーニングを停止し、円筒状反応容器４０９内のクリーニング状況の確認を行った。その結果を表３に示す。表３の結果からわかるように、クリーニング時に使用する円筒状電極１０７の長さを、膜形成時に使用する円筒状電極１０１よりも長くすることによりクリーニング時間を短縮できることがわかる。クリーニング時に使用する円筒状電極１０７の径を、膜形成時に使用する円筒状電極１０１よりも大きくすることによりクリーニング時間を短縮できることがわかる。
【００７０】
【表３】
2016212355.tif 000005
【図１】
2016212355.tif 000006
【図２】
2016212355.tif 000007
【図３】
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【図４】
2016212355.tif 000009
【図５】
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