(57)【要約】【課題】本発明の課題は、経時の電圧変動及び輝度変動が抑制された透明電極を提供することである。【解決手段】本発明の透明電極は、導電性層と、前記導電性層に隣接して設けられる少なくとも１層の中間層と、を備え、前記導電性層が、銀と、微量含有元素として酸素、硫黄、臭素、塩素及びヨウ素から選ばれる元素と、を含有することを特徴とする。【選択図】図１
2016219126.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性層と、前記導電性層に隣接して設けられる少なくとも１層の中間層と、を備え、
前記導電性層が、銀と、微量含有元素として酸素、硫黄、臭素、塩素及びヨウ素から選ばれる元素と、を含有することを特徴とする透明電極。
【請求項２】
前記導電性層が、前記微量含有元素を１質量％以下含有することを特徴とする請求項１に記載の透明電極。
【請求項３】
前記導電性層が、前記微量含有元素を０．００１〜０．５質量％含有することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の透明電極。
【請求項４】
前記導電性層が、前記微量含有元素を０．００１〜０．１質量％含有することを特徴とする請求項１から請求項３までのいずれか一項に記載の透明電極。
【請求項５】
請求項１から請求項４までのいずれか一項に記載の透明電極を備えることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、透明電極及び有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。特に、経時の電圧変動及び輝度変動が抑制された透明電極及び当透明電極を備えた有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
導電性を持つ有機材料のエレクトロルミネッセンス（electoroluminescence：以下ＥＬともいう。）を利用した有機ＥＬ素子（有機電界発光、有機ＬＥＤ、ＯＬＥＤともいう。）は、数Ｖ〜数十Ｖ程度の低電圧での発光が可能な薄膜の完全固体素子であり、高輝度、高発光効率、薄型、軽量、面発光、広い視野角、フレキシブル性といった優れた特徴を有する。このため、各種ディスプレイのバックライト、看板や非常灯等の表示板、照明光源等の面発光体として近年注目されている。
【０００３】
このような有機ＥＬ素子は、２つの電極に挟まれた有機材料から成る発光層を有し、発光層で生じた光は電極を透過して外部に取り出される。このため、２つの電極のうち少なくとも１つは光を透過する透明電極で構成される。
【０００４】
透明電極としては、一般的に金属酸化物半導体系の材料が良く知られており、特にインジウムとスズの酸化物である酸化インジウムスズ（ＳｎＯ２−Ｉｎ２Ｏ３：Indium Tin Oxide：ＩＴＯ）が良く利用されており、ＩＴＯと銀とを積層して低抵抗化を狙った検討もなされている（例えば、特許文献１及び２参照。）。しかしながら、ＩＴＯはレアメタルであるインジウムを用いることから材料コストが高く、また、抵抗を下げるために成膜後に３００℃程度で熱処理を行う必要があり、有機材料やフレキシブル基板として用いられる樹脂などにダメージを与える可能性がある。
【０００５】
そこで、電気伝導率の高い銀（Ａｇ）とマグネシウム（Ｍｇ）との合金を用いて薄膜を構成することで光透過率と導電性との両立を図った技術（例えば、特許文献３参照。）等が提案されている。しかしながら、特許文献３に開示されている電極の抵抗値はせいぜい１００Ω／□前後で、電極の導電性としては不十分であり、加えて、マグネシウムが酸化されやすいため、経時劣化が著しいという問題があった。
【０００６】
一方、陰極として銀を厚さ１５ｎｍで蒸着した有機ＥＬ素子に関する技術が提案されている（例えば、特許文献４参照。）。しかしながら、特許文献４に開示されている銀膜においては、薄膜化すると、銀がマイグレーションしやすいため電極特性を維持することが困難である。
【０００７】
これに対しては、基板と電極の間に有機物等の中間層を設けて銀のマイグレーションを抑制する方法が考えられる。しかしながらそのように製造した電極であっても、経時での電圧・輝度変化が大きく、要求される電極特性を維持することが困難な場合がある。
発明者らが鋭意検討したところ、経時での電極特性の低下は、成膜時の真空環境中の装置内の残留酸素や残留水分、グリース等からのアウトガスの影響、及び、素子製造後の外気の混入による影響によるものと考えられる。特に、装置内の残留成分については、真空ポンプの性能や蒸着時のチャンバーや材料ボート、るつぼから出るアウトガス等により発生するものであり、これを厳密にコントロールすることは困難である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００２−０１５６２３号公報
【特許文献２】特開２００６−１６４９６１号公報
【特許文献３】特開２００６−３４４４９７号公報
【特許文献４】米国特許出願公開第２０１１／０２６０１４８号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、上記問題・状況に鑑みてなされたものであり、その解決課題は、経時の電圧変動及び輝度変動が抑制された透明電極及び当透明電極を備えた有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明に係る上記課題を解決すべく、上記問題の原因等について検討した結果、透明電極が、導電性層と、当該導電性層に隣接して設けられる少なくとも１層の中間層とを備え、導電性層が銀と微量含有元素として所定の元素とを含有することで、経時の電圧変動及び輝度変動を抑制できることを見出した。
すなわち、本発明に係る課題は、以下の手段により解決される。
【００１１】
１．導電性層と、前記導電性層に隣接して設けられる少なくとも１層の中間層と、を備え、
前記導電性層が、銀と、微量含有元素として酸素、硫黄、臭素、塩素及びヨウ素から選ばれる元素と、を含有することを特徴とする透明電極。
【００１２】
２．前記導電性層が、前記微量含有元素を１質量％以下含有することを特徴とする第１項に記載の透明電極。
【００１３】
３．前記導電性層が、前記微量含有元素を０．００１〜０．５質量％含有することを特徴とする第１項又は第２項に記載の透明電極。
【００１４】
４．前記導電性層が、前記微量含有元素を０．００１〜０．１質量％含有することを特徴とする第１項から第３項までのいずれか一項に記載の透明電極。
【００１５】
５．第１項から第４項までのいずれか一項に記載の透明電極を備えることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、経時の電圧変動及び輝度変動が抑制された透明電極及び当透明電極を備えた有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することができる。
本発明の効果の発現機構ないし作用機構については、明確にはなっていないが、以下のように推察している。
純銀の電極はＩＴＯのような金属酸化物半導体と異なり、表面が酸素や硫黄等と反応することで酸化物や硫化物等へと変質しやすい。そのため、純銀で構成された電極はＩＴＯ電極では見られなかった経時での電圧変動や輝度変動を引き起こしやすいと推測される。すなわち、電極が変質することで、通電してから経時での電子又は正孔の注入量が変化し、電圧が変動することで、これに伴って輝度が変動するのではないかと考えている。
本発明では、導電性層にあらかじめ、銀と、微量含有元素として酸素、硫黄、臭素、塩素及びヨウ素から選ばれる元素とを含有させていることにより、装置内の残留ガスやアウトガス等の汚染による電子又は正孔の注入量への変化が小さくなり、結果として素子の性能が劣化せず、安定性が向上したと推定している。
また、微量含有元素が表面に存在した状態のものの方が電圧・輝度変動が少なく安定性が高い結果から、経時での電極の表面汚染が電圧・輝度変動の主要因であると推察される。したがって、表面に微量含有元素を含有させて電極表面をあらかじめ汚染させておくことで膜質の変動割合を減らすことができると考えられる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の透明電極の一例を示す概略断面図
【図２】本発明の有機ＥＬ素子の一例を示す概略断面図
【発明を実施するための形態】
【００１８】
本発明の透明電極は、導電性層と、前記導電性層に隣接して設けられる少なくとも１層の中間層と、を備え、前記導電性層が、銀と、微量含有元素として酸素、硫黄、臭素、塩素及びヨウ素から選ばれる元素と、を含有することを特徴とする。この特徴は、請求項１から請求項５までの各請求項に共通する又は対応する技術的特徴である。
本発明においては、本発明の効果を発現する上で、前記導電性層が、前記微量含有元素を１質量％以下含有することが好ましい。
また、本発明においては、本発明の効果を発現する上で、前記導電性層が、前記微量含有元素を０．００１〜０．５質量％含有することが好ましい。
また、本発明においては、本発明の効果を発現する上で、前記導電性層が、前記微量含有元素を０．００１〜０．１質量％含有することが好ましい。
また、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、本発明の透明電極を備えることを特徴とする。
【００１９】
以下、本発明とその構成要素、及び本発明を実施するための形態・態様について詳細な説明をする。なお、本発明において示す「〜」は、その前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む意味で使用する。
【００２０】
《透明電極の概要》
本発明の透明電極１０は、図１に示すように、導電性層１ｂと、導電性層１ｂに隣接して設けられる少なくとも１層の中間層１ａと、を備え、導電性層１ｂが、銀と、微量含有元素として酸素、硫黄、臭素、塩素及びヨウ素から選ばれる元素と、を含有することを特徴とする。また、本発明の透明電極１０は、透明基板１１上に設けられていることが好ましく、その場合には中間層１ａの導電性層１ｂと反対側の面が透明基板１１に対向して配置される。
なお、本発明の透明電極及び透明基板の透明とは、波長５５０ｎｍでの光透過率が５０％以上であることをいう。
【００２１】
また、透明電極１０は、透明基板１１との間に導電性層１ｂ及び中間層１ａが挟持される状態で保護膜で覆われていても良いし、導電性層１ｂとは別の導電性層が更に積層されていても良い。この場合、透明電極１０の光透過性を損なうことのないように、保護膜が光透過性を有することが好ましい。
【００２２】
《透明基板》
透明基板は、光透過性を有する基板材料で構成されたもので、例えば、ガラス、石英、透明樹脂フィルムを挙げることができるが、これらに限定されない。
【００２３】
ガラスとしては、例えば、シリカガラス、ソーダ石灰シリカガラス、鉛ガラス、ホウケイ酸塩ガラス、無アルカリガラス等が挙げられる。これらのガラス材料の表面には、中間層との密着性、耐久性及び平滑性の観点から、必要に応じて、研磨等の物理的処理が施されていても良いし、無機物又は有機物からなる被膜や、これらの被膜を組み合わせたハイブリッド被膜が形成されていても良い。
【００２４】
樹脂フィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、セロファン、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート（ＴＡＣ）、セルロースアセテートブチレート、セルロースアセテートプロピオネート（ＣＡＰ）、セルロースアセテートフタレート、セルロースナイトレート等のセルロースエステル類又はそれらの誘導体、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルアルコール、ポリエチレンビニルアルコール、シンジオタクティックポリスチレン、ポリカーボネート、ノルボルネン樹脂、ポリメチルペンテン、ポリエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリフェニレンスルフィド、ポリスルホン類、ポリエーテルイミド、ポリエーテルケトンイミド、ポリアミド、フッ素樹脂、ナイロン、ポリメチルメタクリレート、アクリル、ポリアリレート類、アートン（商品名ＪＳＲ社製）又はアペル（商品名三井化学社製）といったシクロオレフィン系樹脂等のフィルムが挙げられる。
【００２５】
樹脂フィルムの表面には、無機物又は有機物からなる被膜や、これらの被膜を組み合わせたハイブリッド被膜が形成されていても良い。このような被膜及びハイブリッド被膜は、ＪＩＳ−Ｋ−７１２９−１９９２に準拠した方法で測定された、水蒸気透過度（２５±０．５℃、相対湿度９０±２％ＲＨ）が０．０１ｇ／（ｍ２・２４時間）以下のガスバリアー性フィルム（ガスバリアー膜等ともいう。）であることが好ましい。また、更には、ＪＩＳ−Ｋ−７１２６−１９８７に準拠した方法で測定された酸素透過度が１×１０−３ｍｌ／（ｍ２・２４時間・ａｔｍ）以下、水蒸気透過度が１×１０−５ｇ／（ｍ２・２４時間）以下の高ガスバリアー性フィルムであることが好ましい。
【００２６】
以上のようなガスバリアー性フィルムを形成する材料としては、水分や酸素等素子の劣化をもたらすものの浸入を抑制する機能を有する材料であれば良く、例えば、酸化ケイ素、二酸化ケイ素、窒化ケイ素等を用いることができる。更に、当該ガスバリアー性フィルムの脆弱性を改良するために、これら無機層と有機材料からなる層（有機層）の積層構造を持たせることがより好ましい。無機層と有機層の積層順については特に制限はないが、両者を交互に複数回積層させることが好ましい。
【００２７】
ガスバリアー性フィルムの形成方法については特に限定はなく、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、コーティング法等を用いることができるが、特開２００４−６８１４３号公報に記載の大気圧プラズマ重合法によるものが特に好ましい。
【００２８】
透明基板は、波長４５０〜８００ｎｍの光の平均透過率が７０％以上であることが好ましく、８０％以上であることがより好ましく、８５％以上であることが更に好ましい。透明基板の光の平均透過率が低いと、透明電極全体の光の平均透過率が低下する。また、透明基板の波長４５０〜８００ｎｍの光の平均吸収率は１０％以下であることが好ましく、より好ましくは５％以下、更に好ましくは３％以下である。
【００２９】
透明基板の平均透過率は、透明基板の正面に対して、５°傾けた角度から測定光を入射させて測定した値である。一方、平均吸収率は、平均透過率と同様の方法で透明基板の平均反射率を測定し、［平均吸収率＝１００−（平均透過率＋平均反射率）］として算出される値である。平均透過率及び平均反射率は分光光度計で測定する。
【００３０】
透明基板の屈折率は１．４０〜１．９５であることが好ましく、より好ましくは１．４５〜１．７５であり、更に好ましくは１．４５〜１．７０である。透明基板の屈折率は、通常、透明基板の材質によって定まる。透明基板の屈折率は、波長５１０ｎｍの光の屈折率であり、エリプソメーターで測定される。
【００３１】
透明基板の厚さは、１μｍ〜２０ｍｍであることが好ましく、より好ましくは１０μｍ〜２ｍｍである。透明基板の厚さが１μｍより厚い場合には、透明基板の強度が高くなり、透明基板上に素子を形成する際に破損が抑制される。また、透明基板の厚さが厚すぎると、透明導電体の可撓性や光透過性が低下する原因となる場合がある。
【００３２】
《導電性層》
導電性層は、銀又は銀を主成分とする合金で構成された層であって、微量含有元素として酸素、硫黄、臭素、塩素及びヨウ素から選ばれる元素を含有して構成されている。ここで、銀を主成分とする合金とは、銀を５０質量％以上含む合金であることをいう。
【００３３】
導電性層に含有される微量含有元素は、上記元素が単体で含有されていても良いし、銀と結合して銀化合物として含有されていても良いし、その他の化合物として含有されていても良い。また、導電性層には、酸素、硫黄、臭素、塩素及びヨウ素のうち２種以上の元素が含有されていても良い。
【００３４】
上記銀を主成分とする合金としては、例えば、銀マグネシウム（ＡｇＭｇ）、銀銅（ＡｇＣｕ）、銀パラジウム（ＡｇＰｄ）、銀パラジウム銅（ＡｇＰｄＣｕ）、銀インジウム（ＡｇＩｎ）、銀アルミニウム（ＡｇＡｌ）、銀モリブデン(ＡｇＭｏ)などが挙げられる。
【００３５】
導電性層は、層厚が４〜１２ｎｍの範囲内にあることが好ましい。層厚が１２ｎｍ以下であることにより、層の吸収成分又は反射成分が低く抑えられ、透明電極の光透過率が維持されるため好ましい。また、層厚が４ｎｍ以上であることにより、層の導電性も確保される。
【００３６】
なお、導電性層は、必要に応じて複数の層に分けて積層された構成であっても良い。
【００３７】
（微量含有元素の含有量）
導電性層中の微量含有元素の含有量は、本発明の効果を発現する観点から、導電性層中に１質量％以下の範囲内であることが好ましく、０．００１〜０．５質量％の範囲内であることがより好ましく、０．００１〜０．１質量％の範囲内であることが更に好ましい。
【００３８】
（導電性層中の微量含有元素の含有量の測定方法）
本発明において、導電性層中の微量含有元素の含有量を求める方法としては、透明電極又は当該透明電極を備える素子に対してイオンビームによるイオンエッチングを行い、前記導電性層まで削り取った後、Ｘ線光分子分光法（以下、ＸＰＳと呼ぶ。）、二次イオン質量分析法（以下、ＳＩＭＳと呼ぶ。）、グロー放電質量分析法（ＧＤ−ＭＳ）、グロー放電発光分析法（ＧＤ−ＯＥＳ）等により測定することができる。特に、分析精度の観点から、ＸＰＳ又はＳＩＭＳが好ましい。
【００３９】
ＳＩＭＳに関しては、用いる一次イオンの電流密度からダイナミック−ＳＩＭＳとスタティック−ＳＩＭＳとに分類されるが、本発明においてはスタティックモードで、特にイオンの透過率が高い、ＴＯＦ−ＳＩＭＳ（飛行時間型二次イオン質量分析計）が用いられる。測定においては、あらかじめ酸素や硫黄等の観測したい上記いずれかの元素の含有量既知の原料粉体をシリコンウエハー上に塗布又は付着させ基準試料とする。この基準試料と上記素子とをそれぞれ同じ条件で測定し、基準試料測定から得られた観測したい元素のイオン信号強度と、素子から得られた観測したい元素の信号強度とを比較して、導電層中の観測したい元素の含有量を算出する。
【００４０】
（導電性層の形成方法）
導電性層の形成方法としては、真空蒸着法（抵抗加熱、ＥＢ法など）、スパッタ法、ＣＶＤ法などのドライプロセスが用いられ、特に、真空蒸着法が好ましい。
【００４１】
上記微量含有元素を含有させた導電性層の形成方法としては、例えば、上記いずれかの方法において、成膜環境中に微量含有元素としての上記各元素のガスを導入した状態又は成膜環境の真空度を下げた状態とした上で、成膜を行う方法が挙げられる。また、例えば、上記いずれかの方法で銀層を形成した後に、微量含有元素としての上記各元素のガスを銀層に接触させたり、銀層の成膜環境の真空度を下げる（大気開放しても良い。）ことで銀層を空気中の酸素や水蒸気等に晒したりする方法が挙げられる。
【００４２】
例えば、スパッタ法を適用した導電性層の成膜であれば、銀、又は、銀を主成分とした合金のスパッタターゲットを用意し、このスパッタターゲットを用いたスパッタ成膜を行うことで導電性層を形成することができる。
【００４３】
また、蒸着法の場合、銀の蒸着速度と、銀を主成分とする合金の蒸着速度とを調整して共蒸着させることで、銀に対する合金成分の添加濃度を調整することが可能である。
【００４４】
また、導電性層は、中間層上に成膜されることにより、成膜後の高温アニール処理等がなくても十分に導電性を有することを特徴とするが、必要に応じて、成膜後に高温アニール処理等を行ったものであっても良い。
【００４５】
《中間層》
中間層は、導電性層の下地として透明基板上に設けられたものである。このような中間層は、銀と相互作用する物質を含有した層であって、導電性層に隣接して配置されている。このような中間層は、銀と相互作用する物質を含有した層であれば良く、無機材料を含有していても良いし有機材料を含有していても良い。
【００４６】
中間層が有機材料を含有する場合、ルイス塩基を含むことが好ましい。
また、中間層が無機材料を含有する場合、銀と相互作用する物質として、銀よりも昇華熱エンタルピーが大きい高表面エネルギー材料を含むことが好ましい。
【００４７】
また、更に、中間層は、上述した有機材料を含有する層と無機材料層を含有する層とを積層した構成であっても良い。この場合、中間層は、導電性層側から順に、無機材料を含有する層と有機材料を含有する層とを配置した構成とすることが好ましい。
【００４８】
［有機材料を含有する中間層］
中間層は、有機材料を含む層であるものとしても良い。
このような中間層は、ルイス塩基を有する化合物、すなわち非共有電子対を持っている原子を含む化合物を用いて構成されていることが好ましい。このようなルイス塩基を有する化合物としては、窒素及び硫黄から選ばれる元素を有する化合物、すなわち、窒素含有化合物又は硫黄含有化合物が例示される。
【００４９】
一例として、中間層は、窒素含有化合物及び硫黄含有化合物の少なくとも一方又は両方を用いて構成された層であり、それぞれ複数種類の化合物を含有していても良い。また、中間層を構成する化合物は、窒素と硫黄の両方を含有した化合物であっても良い。
【００５０】
中間層を構成する窒素含有化合物は、窒素原子（Ｎ）を含んだ化合物であれば良いが、特に非共有電子対を有する窒素原子を含む有機化合物であることが好ましい。また、中間層を構成する硫黄含有化合物は、硫黄（Ｓ）を含んだ化合物であれば良いが、特に非共有電子対を有する硫黄原子を含む有機化合物であることが好ましい。
【００５１】
また、中間層は、導電性を有する材料で構成されている場合であっても、主たる電極となることはない。このため中間層は、電極として必要な層厚を備えている必要はなく、中間層を備えた透明電極が用いられる電子デバイス中における透明電極の配置状態によって、適切に設定された層厚を有していれば良い。
【００５２】
次に、中間層を構成する化合物の詳細を、窒素含有化合物（１）、窒素含有化合物（２）、窒素含有化合物（３）、硫黄含有化合物、及び、中間層の形成方法の順に説明する。
【００５３】
（窒素含有化合物（１））
中間層を構成する窒素含有化合物は、窒素原子（Ｎ）を含んだ化合物であれば良いが、特に非共有電子対を有する窒素原子を含む有機化合物であり、次のような化合物であることが好ましい。すなわち、中間層を構成する窒素含有化合物は、化合物に含有される窒素原子のうち、特に導電性層を構成する主材料である銀と安定的に結合する窒素原子の非共有電子対を［有効非共有電子対］とした場合、この［有効非共有電子対］の含有率が所定範囲であることが好ましい。
【００５４】
ここで、［有効非共有電子対］とは、化合物に含有される窒素原子が有する非共有電子対のうち、芳香族性に関与せずかつ金属に配位していない非共有電子対であることとする。ここでの芳香族性とは、π電子を持つ原子が環状に並んだ不飽和環状構造を言い、いわゆる「ヒュッケル則」に従う芳香族性であって、環上のπ電子系に含まれる電子の数が「４ｎ＋２」（ｎ＝０、又は自然数）個であることを条件としている。
【００５５】
以上のような［有効非共有電子対］は、その非共有電子対を備えた窒素原子自体が、芳香環を構成するヘテロ原子であるか否かにかかわらず、窒素原子が有する非共有電子対が芳香族性と関与しているか否かによって選択される。例えば、ある窒素原子が芳香環を構成するヘテロ原子であっても、その窒素原子の非共有電子対が芳香族性に必須要素として直接的に関与しない非共有電子対、すなわち共役不飽和環構造（芳香環）上の非局在化したπ電子系に芳香族性発現のために必須のものとして関与していない非共有電子対であれば、その非共有電子対は［有効非共有電子対］の一つとしてカウントされる。これに対して、ある窒素原子が芳香環を構成するヘテロ原子でない場合であっても、その窒素原子の非共有電子対が芳香族性に関与していれば、その窒素原子の非共有電子対は［有効非共有電子対］としてカウントされることはない。なお、各化合物において、上述した［有効非共有電子対］の数ｎは、［有効非共有電子対］を有する窒素原子の数と一致する。
【００５６】
次に、上述した［有効非共有電子対］について、具体例を挙げて詳細に説明する。
【００５７】
窒素原子は、第１５族元素であり、最外殻に５個の電子を有する。このうち３個の不対電子は他の原子との共有結合に用いられ、残りの２個は一対の非共有電子対となる。このため、通常、窒素原子の結合本数は３本である。
【００５８】
例えば、窒素原子を有する基として、アミノ基（−ＮＲ１Ｒ２）、アミド基（−Ｃ（＝Ｏ）ＮＲ１Ｒ２）、ニトロ基（−ＮＯ２）、シアノ基（−ＣＮ）、ジアゾ基（−Ｎ２）、アジド基（−Ｎ３）、ウレア結合（−ＮＲ１Ｃ＝ＯＮＲ２−）、イソチオシアネート基（−Ｎ＝Ｃ＝Ｓ）、チオアミド基（−Ｃ（＝Ｓ）ＮＲ１Ｒ２）などが挙げられる。なお、Ｒ１，Ｒ２は、それぞれ水素原子（Ｈ）又は置換基である。これらの基を構成する窒素原子の非共有電子対は、芳香族性に関与せずかつ金属に配位していないため、［有効非共有電子対］に該当する。このうち、ニトロ基（−ＮＯ２）の窒素原子が有する非共有電子対は、酸素原子との共鳴構造に利用されているものの、以降の実施例で示すように良好な効果が得られていることから、芳香族性に関与せずかつ金属に配位していない［有効非共有電子対］として窒素上に存在すると考えられる。
【００５９】
また、窒素原子は、非共有電子対を利用することで４本目の結合を作り出すこともできる。
【００６０】
例えば、テトラブチルアンモニウムクロライド（ＴＢＡＣ）は、四つのブチル基のうちの１つが窒素原子とイオン結合しており、対イオンとして塩化物イオンを有する第四級アンモニウム塩である。この場合、窒素原子の非共有電子対を構成する電子のうちの１つは、ブチル基とのイオン結合に供与される。このため、ＴＢＡＣの窒素原子は、そもそも非共有電子対が存在していないのと同等になる。したがって、ＴＢＡＣを構成する窒素原子の非共有電子対は、芳香族性に関与せずかつ金属に配位していない［有効非共有電子対］には該当しない。
【００６１】
また、例えば、トリス（２−フェニルピリジン）イリジウム（III）（Ｉｒ（ｐｐｙ）３）は、イリジウム原子と窒素原子とが配位結合している中性の金属錯体である。このＩｒ（ｐｐｙ）３を構成する窒素原子の非共有電子対は、イリジウム原子に配位していて、配位結合に利用されている。したがって、Ｉｒ（ｐｐｙ）３を構成する窒素原子の非共有電子対も、芳香族性に関与せずかつ金属に配位していない［有効非共有電子対］には該当しない。
【００６２】
また、窒素原子は、芳香環を構成することのできるヘテロ原子として一般的であり、芳香族性の発現に寄与することができる。この「含窒素芳香環」としては、例えば、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、トリアジン環、ピロール環、イミダゾール環、ピラゾール環、トリアゾール環、テトラゾール環等が挙げられる。
【００６３】
例えば、ピリジン環は、６員環状に並んだ共役（共鳴）不飽和環構造において、非局在化したπ電子の数が６個であるため、４ｎ＋２（ｎ＝０又は自然数）のヒュッケル則を満たす。６員環内の窒素原子は、−ＣＨ＝を置換したものであるため、１個の不対電子を６π電子系に動員するのみで、非共有電子対は芳香族性発現のために必須のものとして関与していない。
【００６４】
したがって、ピリジン環を構成する窒素原子の非共有電子対は、芳香族性に関与せずかつ金属に配位していない［有効非共有電子対］に該当する。
【００６５】
また、例えば、ピロール環は、５員環を構成する炭素原子のうちの一つが窒素原子に置換された構造であるが、やはりπ電子の数は６個であり、ヒュッケル則を満たした含窒素芳香環である。ピロール環の窒素原子は、水素原子とも結合しているため、非共有電子対が６π電子系に動員される。
【００６６】
したがって、ピロール環の窒素原子は、非共有電子対を有するものの、この非共有電子対は、芳香族性発現のために必須のものとして利用されているため、芳香族性に関与せずかつ金属に配位していない［有効非共有電子対］には該当しない。
【００６７】
また、例えば、イミダゾール環は、二つの窒素原子が、５員環内の１、３位に置換した構造を有しており、やはりπ電子数が６個の含窒素芳香環である。このうち一方の窒素原子は、１個の不対電子のみを６π電子系に動員し、非共有電子対を芳香族性発現のために利用していないピリジン環型の窒素原子であり、一方の窒素原子の非共有電子対は、［有効非共有電子対］に該当する。これに対して、他方の窒素原子は、非共有電子対を６π電子系に動員しているピロール環型の窒素原子であるため、他方の窒素原子の非共有電子対は、［有効非共有電子対］に該当しない。
【００６８】
したがって、イミダゾール環においては、これを構成する二つの窒素原子のうちの一方の窒素原子の非共有電子対のみが、［有効非共有電子対］に該当する。
【００６９】
以上のような「含窒素芳香環」の窒素原子における非共有電子対の選別は、含窒素芳香環骨格を有する縮合環化合物の場合も同様に適用される。
【００７０】
例えば、δ−カルボリン環は、含窒素芳香環骨格を有する縮合環化合物であり、ベンゼン環骨格、ピロール環骨格、及びピリジン環骨格がこの順に縮合したアザカルバゾール化合物である。このうち、ピリジン環の窒素原子は１個の不対電子のみをπ電子系に動員し、ピロール環の窒素原子は非共有電子対をπ電子系に動員しており、環を形成している炭素原子からの１１個のπ電子とともに、全体のπ電子数が１４個の芳香環となっている。
【００７１】
したがって、δ−カルボリン環の二つの窒素原子のうち、ピリジン環を構成する窒素原子の非共有電子対は［有効非共有電子対］に該当するが、ピロール環を構成する窒素原子の非共有電子対は、［有効非共有電子対］に該当しない。
【００７２】
このように、縮合環化合物を構成する窒素原子の非共有電子対は、縮合環化合物を構成するピリジン環やピロール環等の単環化合物中の結合と同様に、縮合環化合物中の結合に関与する。
【００７３】
そして、以上説明した［有効非共有電子対］は、導電性層の主成分である銀と強い相互作用を発現するために重要である。そのような［有効非共有電子対］を有する窒素原子は、安定性、耐久性の観点から、含窒素芳香環中の窒素原子であることが好ましい。したがって、中間層に含有される化合物は、［有効非共有電子対］を持つ窒素原子をヘテロ原子とした芳香族複素環を有することが好ましい。
【００７４】
特に、本実施形態においては、このような化合物の分子量Ｍに対する［有効非共有電子対］の数ｎを、例えば有効非共有電子対含有率［ｎ／Ｍ］と定義する。そして、中間層は、この［ｎ／Ｍ］が２．０×１０−３≦［ｎ／Ｍ］となるように選択された化合物を用いて構成されていることが好ましい。また、中間層は、以上のように定義される有効非共有電子対含有率［ｎ／Ｍ］が、３．９×１０−３≦［ｎ／Ｍ］の範囲であればより好ましく、６．５×１０−３≦［ｎ／Ｍ］の範囲であれば更に好ましい。
【００７５】
また、中間層は、有効非共有電子対含有率［ｎ／Ｍ］が上述した所定範囲である窒素含有化合物を用いて構成されていることが好ましく、このような化合物のみで構成されていても良いし、またこのような化合物と他の化合物とを混合して用いて構成されていても良い。他の化合物は、窒素原子が含有されていてもいなくても良いし、更に有効非共有電子対含有率［ｎ／Ｍ］が上述した所定範囲でなくても良い。
【００７６】
中間層が、複数の化合物を用いて構成されている場合、例えば化合物の混合比に基づき、これらの化合物を混合した混合化合物の分子量Ｍを求め、この分子量Ｍに対しての［有効非共有電子対］の合計の数ｎを、有効非共有電子対含有率［ｎ／Ｍ］の平均値として求め、この値が上述した所定範囲であることが好ましい。つまり、中間層自体の有効非共有電子対含有率［ｎ／Ｍ］が所定範囲であることが好ましい。
【００７７】
なお、中間層が、複数の化合物を用いて構成されている場合であって、層厚方向に化合物の混合比（含有比）が異なる構成であれば、導電性層と接する側の中間層の表面層における有効非共有電子対含有率［ｎ／Ｍ］が所定範囲であれば良い。
【００７８】
窒素含有化合物を構成する化合物として、上述した有効非共有電子対含有率［ｎ／Ｍ］が、２．０×１０−３≦［ｎ／Ｍ］となる化合物を用いて中間層を構成することで、導電性層の「銀の凝集を抑える」効果が確実に得られる中間層を設けることが可能になる。これは、このような中間層上には、例えば９ｎｍといった極薄膜でありながらもシート抵抗の測定が可能な導電性層が形成されることからも確認されている。
【００７９】
以下に、中間層を構成する窒素含有化合物として、上述した有効非共有電子対含有率［ｎ／Ｍ］が２．０×１０−３≦［ｎ／Ｍ］を満たす窒素含有化合物の具体例（Ｎｏ．１〜Ｎｏ．４８）を示す。各窒素含有化合物Ｎｏ．１〜Ｎｏ．４８には、［有効非共有電子対］を有する窒素原子に対して○を付した。また、下記表１には、これらの窒素含有化合物Ｎｏ．１〜Ｎｏ．４８の分子量Ｍ、［有効非共有電子対］の数ｎ、及び有効非共有電子対含有率［ｎ／Ｍ］を示す。下記窒素含有化合物Ｎｏ．３３の銅フタロシアニンにおいては、窒素原子が有する非共有電子対のうち銅に配位していない非共有電子対が［有効非共有電子対］としてカウントされる。
【００８０】
【化１】
2016219126.tif 000003
【００８１】
【化２】
2016219126.tif 000004
【００８２】
【化３】
2016219126.tif 000005
【００８３】
【化４】
2016219126.tif 000006
【００８４】
【化５】
2016219126.tif 000007
【００８５】
【化６】
2016219126.tif 000008
【００８６】
【表１】
2016219126.tif 000009
【００８７】
なお、上記表１には、これらの例示した窒素含有化合物が、以降に説明する他の窒素含有化合物（２）を表す一般式（１）〜（８ａ）にも属する場合の該当一般式を示した。
【００８８】
（窒素含有化合物（２））
また、中間層を構成する窒素含有化合物としては、以上のような有効非共有電子対含有率［ｎ／Ｍ］が上述した所定範囲である窒素含有化合物（１）に限定されず、他の窒素含有化合物を用いても良い。中間層に用いられる他の窒素含有化合物は、有効非共有電子対含有率［ｎ／Ｍ］が上述した所定範囲であるか否かに関わらず、窒素原子を含有する化合物が好ましく用いられる。中でも上述した［有効非共有電子対］を有する窒素原子を含有する化合物が特に好ましく用いられる。また、この中間層に用いられる他の窒素含有化合物は、この中間層を備えた透明電極が適用される電子デバイス毎に必要とされる性質を有する化合物が用いられる。例えば、この透明電極が、有機ＥＬ素子の電極として用いられる場合、その成膜性の観点から、中間層を構成する窒素含有化合物としては、以降に説明する一般式（１）〜（８ａ）で表される構造を有する窒素含有化合物（２）が用いられる。
【００８９】
これらの一般式（１）〜（８ａ）で表される構造を有する窒素含有化合物（２）の中には、上述した有効非共有電子対含有率［ｎ／Ｍ］の範囲に当てはまる窒素含有化合物も含まれ、このような窒素含有化合物であれば単独で中間層を構成する窒素含有化合物として用いることができる（上記表１参照）。一方、下記一般式（１）〜（８ａ）で表される構造を有する化合物が、上述した有効非共有電子対含有率［ｎ／Ｍ］の範囲に当てはまらない窒素含有化合物であれば、有効非共有電子対含有率［ｎ／Ｍ］が上述した範囲の窒素含有化合物と混合することで中間層を構成する化合物として用いることが好ましい。
【００９０】
【化７】
2016219126.tif 000010
【００９１】
上記一般式（１）中におけるＸ１１は、−Ｎ（Ｒ１１）−又は−Ｏ−を表す。また、一般式（１）中におけるＥ１０１〜Ｅ１０８は、各々−Ｃ（Ｒ１２）＝又は−Ｎ＝を表す。Ｅ１０１〜Ｅ１０８のうち少なくとも１つは、−Ｎ＝である。上記Ｒ１１及びＲ１２は、それぞれが水素原子（Ｈ）又は置換基を表す。
【００９２】
この置換基の例としては、アルキル基（例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基等）、シクロアルキル基（例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等）、アルケニル基（例えば、ビニル基、アリル基等）、アルキニル基（例えば、エチニル基、プロパルギル基等）、芳香族炭化水素基（芳香族炭素環基、アリール基等ともいい、例えば、フェニル基、ｐ−クロロフェニル基、メシチル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、アントリル基、アズレニル基、アセナフテニル基、フルオレニル基、フェナントリル基、インデニル基、ピレニル基、ビフェニリル基）、芳香族複素環基（例えば、フリル基、チエニル基、ピリジル基、ピリダジニル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、トリアジニル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、チアゾリル基、キナゾリニル基、カルバゾリル基、カルボリニル基、ジアザカルバゾリル基（上記カルボリニル基のカルボリン環を構成する任意の炭素原子の一つが窒素原子で置き換わったものを示す。）、フタラジニル基等）、複素環基（例えば、ピロリジル基、イミダゾリジル基、モルホリル基、オキサゾリジル基等）、アルコキシ基（例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、ドデシルオキシ基等）、シクロアルコキシ基（例えば、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等）、アリールオキシ基（例えば、フェノキシ基、ナフチルオキシ基等）、アルキルチオ基（例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、ドデシルチオ基等）、シクロアルキルチオ基（例えば、シクロペンチルチオ基、シクロヘキシルチオ基等）、アリールチオ基（例えば、フェニルチオ基、ナフチルチオ基等）、アルコキシカルボニル基（例えば、メチルオキシカルボニル基、エチルオキシカルボニル基、ブチルオキシカルボニル基、オクチルオキシカルボニル基、ドデシルオキシカルボニル基等）、アリールオキシカルボニル基（例えば、フェニルオキシカルボニル基、ナフチルオキシカルボニル基等）、スルファモイル基（例えば、アミノスルホニル基、メチルアミノスルホニル基、ジメチルアミノスルホニル基、ブチルアミノスルホニル基、ヘキシルアミノスルホニル基、シクロヘキシルアミノスルホニル基、オクチルアミノスルホニル基、ドデシルアミノスルホニル基、フェニルアミノスルホニル基、ナフチルアミノスルホニル基、２−ピリジルアミノスルホニル基等）、アシル基（例えば、アセチル基、エチルカルボニル基、プロピルカルボニル基、ペンチルカルボニル基、シクロヘキシルカルボニル基、オクチルカルボニル基、２−エチルヘキシルカルボニル基、ドデシルカルボニル基、フェニルカルボニル基、ナフチルカルボニル基、ピリジルカルボニル基等）、アシルオキシ基（例えば、アセチルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、ブチルカルボニルオキシ基、オクチルカルボニルオキシ基、ドデシルカルボニルオキシ基、フェニルカルボニルオキシ基等）、アミド基（例えば、メチルカルボニルアミノ基、エチルカルボニルアミノ基、ジメチルカルボニルアミノ基、プロピルカルボニルアミノ基、ペンチルカルボニルアミノ基、シクロヘキシルカルボニルアミノ基、２−エチルヘキシルカルボニルアミノ基、オクチルカルボニルアミノ基、ドデシルカルボニルアミノ基、フェニルカルボニルアミノ基、ナフチルカルボニルアミノ基等）、カルバモイル基（例えば、アミノカルボニル基、メチルアミノカルボニル基、ジメチルアミノカルボニル基、プロピルアミノカルボニル基、ペンチルアミノカルボニル基、シクロヘキシルアミノカルボニル基、オクチルアミノカルボニル基、２−エチルヘキシルアミノカルボニル基、ドデシルアミノカルボニル基、フェニルアミノカルボニル基、ナフチルアミノカルボニル基、２−ピリジルアミノカルボニル基等）、ウレイド基（例えば、メチルウレイド基、エチルウレイド基、ペンチルウレイド基、シクロヘキシルウレイド基、オクチルウレイド基、ドデシルウレイド基、フェニルウレイド基ナフチルウレイド基、２−ピリジルアミノウレイド基等）、スルフィニル基（例えば、メチルスルフィニル基、エチルスルフィニル基、ブチルスルフィニル基、シクロヘキシルスルフィニル基、２−エチルヘキシルスルフィニル基、ドデシルスルフィニル基、フェニルスルフィニル基、ナフチルスルフィニル基、２−ピリジルスルフィニル基等）、アルキルスルホニル基（例えば、メチルスルホニル基、エチルスルホニル基、ブチルスルホニル基、シクロヘキシルスルホニル基、２−エチルヘキシルスルホニル基、ドデシルスルホニル基等）、アリールスルホニル基又はヘテロアリールスルホニル基（例えば、フェニルスルホニル基、ナフチルスルホニル基、２−ピリジルスルホニル基等）、アミノ基（例えば、アミノ基、エチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ブチルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、２−エチルヘキシルアミノ基、ドデシルアミノ基、アニリノ基、ナフチルアミノ基、２−ピリジルアミノ基、ピペリジル基（ピペリジニル基ともいう）、２，２，６，６−テトラメチルピペリジニル基等）、ハロゲン原子（例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等）、フッ化炭化水素基（例えば、フルオロメチル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、ペンタフルオロフェニル基等）、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、シリル基（例えば、トリメチルシリル基、トリイソプロピルシリル基、トリフェニルシリル基、フェニルジエチルシリル基等）、リン酸エステル基（例えば、ジヘキシルホスホリル基等）、亜リン酸エステル基（例えばジフェニルホスフィニル基等）、ホスホノ基等が挙げられる。
【００９３】
これらの置換基の一部は、上記の置換基によって更に置換されていても良い。また、これらの置換基は複数が互いに結合して環を形成していても良い。これらの置換基は、化合物と銀（Ａｇ）との相互作用を阻害することのないものが好ましく用いられ、更には上述した有効非共有電子対を有する窒素原子を有するものが特に好ましく適用される。なお、以上の置換基に関する記述は、以降に説明する一般式（２）〜（８ａ）の説明において示される置換基に対して同様に適用される。
【００９４】
以上のような一般式（１）で表される構造を有する窒素含有化合物は、化合物中の窒素原子と、導電性層を構成する銀との間で強力な相互作用を発現できるため好ましい。
【００９５】
【化８】
2016219126.tif 000011
【００９６】
上記一般式（１ａ）で表される構造を有する化合物は、上記一般式（１）で表される構造を有する化合物の一形態であり、一般式（１）におけるＸ１１を−Ｎ（Ｒ１１）−とした化合物である。このような窒素含有化合物であれば、上記相互作用をより強力に発現できるため、好ましい。
【００９７】
【化９】
2016219126.tif 000012
【００９８】
上記一般式（１ａ−１）で表される構造を有する化合物は、上記一般式（１ａ）で示される構造を有する化合物の一形態であり、一般式（１ａ）におけるＥ１０４を−Ｎ＝とした化合物である。このような窒素含有化合物であれば、より効果的に上記相互作用を発現できるため、好ましい。
【００９９】
【化１０】
2016219126.tif 000013
【０１００】
上記一般式（１ａ−２）で表される構造を有する化合物は、上記一般式（１ａ）で表される構造を有する化合物の他の一形態であり、一般式（１ａ）におけるＥ１０３及びＥ１０６を−Ｎ＝とした化合物である。このような窒素含有化合物は、窒素原子の数が多いことから、より強力に上記相互作用を発現できるため、好ましい。
【０１０１】
【化１１】
2016219126.tif 000014
【０１０２】
上記一般式（１ｂ）で表される構造を有する化合物は、上記一般式（１）で表される構造を有する化合物の他の一形態であり、一般式（１）におけるＸ１１を−Ｏ−とし、Ｅ１０４を−Ｎ＝とした化合物である。このような化合物であれば、より効果的に上記相互作用を発現できるため、好ましい。
【０１０３】
更に、以下の一般式（２）〜（８ａ）で表される構造を有する化合物であれば、より効果的に上記相互作用を発現できるため、好ましい。
【０１０４】
【化１２】
2016219126.tif 000015
【０１０５】
上記一般式（２）は、一般式（１）の一形態でもある。上記一般式（２）中、Ｙ２１は、アリーレン基、ヘテロアリーレン基又はそれらの組み合わせからなる２価の連結基を表す。Ｅ２０１〜Ｅ２１６及びＥ２２１〜Ｅ２３８は、各々−Ｃ（Ｒ２１）＝又は−Ｎ＝を表す。Ｒ２１は、水素原子（Ｈ）又は置換基を表す。ただし、Ｅ２２１〜Ｅ２２９の少なくとも１つ、及びＥ２３０〜Ｅ２３８の少なくとも１つは、−Ｎ＝を表す。ｋ２１及びｋ２２は、０〜４の整数を表すが、ｋ２１＋ｋ２２は、２以上の整数である。
【０１０６】
一般式（２）において、Ｙ２１で表されるアリーレン基としては、例えば、ｏ−フェニレン基、ｐ−フェニレン基、ナフタレンジイル基、アントラセンジイル基、ナフタセンジイル基、ピレンジイル基、ナフチルナフタレンジイル基、ビフェニルジイル基（例えば、［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジイル基、３，３’−ビフェニルジイル基、３，６−ビフェニルジイル基等）、テルフェニルジイル基、クアテルフェニルジイル基、キンクフェニルジイル基、セキシフェニルジイル基、セプチフェニルジイル基、オクチフェニルジイル基、ノビフェニルジイル基、デシフェニルジイル基等が例示される。
【０１０７】
また、一般式（２）において、Ｙ２１で表されるヘテロアリーレン基としては、例えば、カルバゾール環、カルボリン環、ジアザカルバゾール環（モノアザカルボリン環ともいい、カルボリン環を構成する炭素原子のひとつが窒素原子で置き換わった構成の環構成を示す。）、トリアゾール環、ピロール環、ピリジン環、ピラジン環、キノキサリン環、チオフェン環、オキサジアゾール環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、インドール環からなる群から導出される２価の基等が例示される。
【０１０８】
Ｙ２１で表されるアリーレン基、ヘテロアリーレン基又はそれらの組み合わせからなる２価の連結基の好ましい態様としては、ヘテロアリーレン基の中でも、３環以上の環が縮合してなる縮合芳香族複素環から導出される基を含むことが好ましく、また、当該３環以上の環が縮合してなる縮合芳香族複素環から導出される基としては、ジベンゾフラン環から導出される基又はジベンゾチオフェン環から導出される基が好ましい。
【０１０９】
一般式（２）において、Ｅ２０１〜Ｅ２１６及びＥ２２１〜Ｅ２３８で各々表される−Ｃ（Ｒ２１）＝のＲ２１が置換基である場合、その置換基の例としては、一般式（１）のＲ１１、Ｒ１２として例示した置換基が同様に適用される。
【０１１０】
一般式（２）において、Ｅ２０１〜Ｅ２０８のうちの６つ以上、及びＥ２０９〜Ｅ２１６のうちの６つ以上が、各々−Ｃ（Ｒ２１）＝で表されることが好ましい。
【０１１１】
一般式（２）において、Ｅ２２５〜Ｅ２２９の少なくとも１つ、及びＥ２３４〜Ｅ２３８の少なくとも１つが、−Ｎ＝を表すことが好ましい。
【０１１２】
更には、一般式（２）において、Ｅ２２５〜Ｅ２２９のいずれか１つ、及びＥ２３４〜Ｅ２３８のいずれか１つが、−Ｎ＝を表すことが好ましい。
【０１１３】
また、一般式（２）において、Ｅ２２１〜Ｅ２２４及びＥ２３０〜Ｅ２３３が、各々−Ｃ（Ｒ２１）＝で表されることが好ましい態様として挙げられる。
【０１１４】
更に、一般式（２）で表される構造を有する化合物において、Ｅ２０３が、−Ｃ（Ｒ２１）＝で表され、かつＲ２１が連結部位を表すことが好ましく、更に、Ｅ２１１も同時に−Ｃ（Ｒ２１）＝で表され、かつＲ２１が連結部位を表すことが好ましい。
【０１１５】
更に、Ｅ２２５及びＥ２３４が、−Ｎ＝で表されることが好ましく、Ｅ２２１〜Ｅ２２４及びＥ２３０〜Ｅ２３３が、各々−Ｃ（Ｒ２１）＝で表されることが好ましい。
【０１１６】
【化１３】
2016219126.tif 000016
【０１１７】
上記一般式（３）は、一般式（１ａ−２）の一形態でもある。上記一般式（３）中、Ｅ３０１〜Ｅ３１２は、各々−Ｃ（Ｒ３１）＝を表し、Ｒ３１は、水素原子（Ｈ）又は置換基を表す。また、Ｙ３１は、アリーレン基、ヘテロアリーレン基又はそれらの組み合わせからなる２価の連結基を表す。
【０１１８】
上記一般式（３）において、Ｅ３０１〜Ｅ３１２で各々表される−Ｃ（Ｒ３１）＝のＲ３１が置換基である場合、その置換基の例としては、一般式（１）のＲ１１、Ｒ１２として例示した置換基が同様に適用される。
【０１１９】
また、一般式（３）において、Ｙ３１で表されるアリーレン基、ヘテロアリーレン基又はそれらの組み合わせからなる２価の連結基の好ましい態様としては、一般式（２）のＹ２１と同様のものが挙げられる。
【０１２０】
【化１４】
2016219126.tif 000017
【０１２１】
上記一般式（４）は、一般式（１ａ−１）の一形態でもある。上記一般式（４）中、Ｅ４０１〜Ｅ４１４は、各々−Ｃ（Ｒ４１）＝を表し、Ｒ４１は、水素原子（Ｈ）又は置換基を表す。また、Ａｒ４１は、置換又は無置換の、芳香族炭化水素環又は芳香族複素環を表す。更に、ｋ４１は、３以上の整数を表す。
【０１２２】
上記一般式（４）において、Ｅ４０１〜Ｅ４１４で各々表される−Ｃ（Ｒ４１）＝のＲ４１が置換基である場合、その置換基の例としては、一般式（１）のＲ１１、Ｒ１２として例示した置換基が同様に適用される。
【０１２３】
また、一般式（４）において、Ａｒ４１が芳香族炭化水素環を表す場合、この芳香族炭化水素環としては、例えば、ベンゼン環、ビフェニル環、ナフタレン環、アズレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ピレン環、クリセン環、ナフタセン環、トリフェニレン環、ｏ−テルフェニル環、ｍ−テルフェニル環、ｐ−テルフェニル環、アセナフテン環、コロネン環、フルオレン環、フルオラントレン環、ナフタセン環、ペンタセン環、ペリレン環、ペンタフェン環、ピセン環、ピレン環、ピラントレン環、アンスラアントレン環等が挙げられる。これらの環は、更に一般式（１）のＲ１１、Ｒ１２として例示した置換基を有しても良い。
【０１２４】
また、一般式（４）において、Ａｒ４１が芳香族複素環を表す場合、この芳香族複素環としては、例えば、フラン環、チオフェン環、オキサゾール環、ピロール環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、ベンゾイミダゾール環、オキサジアゾール環、トリアゾール環、イミダゾール環、ピラゾール環、チアゾール環、インドール環、ベンゾイミダゾール環、ベンゾチアゾール環、ベンゾオキサゾール環、キノキサリン環、キナゾリン環、フタラジン環、カルバゾール環、アザカルバゾール環等が挙げられる。なお、アザカルバゾール環とは、カルバゾール環を構成するベンゼン環の炭素原子が１つ以上窒素原子で置き換わったものを示す。これらの環は、更に一般式（１）において、Ｒ１１、Ｒ１２として例示した置換基を有しても良い。
【０１２５】
【化１５】
2016219126.tif 000018
【０１２６】
上記一般式（５）中、Ｒ５１は、置換基を表す。Ｅ５０１、Ｅ５０２、Ｅ５１１〜Ｅ５１５及びＥ５２１〜Ｅ５２５は、各々−Ｃ（Ｒ５２）＝又は−Ｎ＝を表す。Ｅ５０３〜Ｅ５０５は、各々−Ｃ（Ｒ５２）＝を表す。Ｒ５２は、水素原子（Ｈ）又は置換基を表す。Ｅ５０１及びＥ５０２のうちの少なくとも１つは、−Ｎ＝であり、Ｅ５１１〜Ｅ５１５のうちの少なくとも１つは、−Ｎ＝であり、Ｅ５２１〜Ｅ５２５のうちの少なくとも１つは−Ｎ＝である。
【０１２７】
上記一般式（５）において、Ｒ５１が表す置換基及びＲ５２が置換基を表す場合、これらの置換基の例としては、一般式（１）のＲ１１、Ｒ１２として例示した置換基が同様に適用される。
【０１２８】
【化１６】
2016219126.tif 000019
【０１２９】
上記一般式（６）中、Ｅ６０１〜Ｅ６１２は、各々−Ｃ（Ｒ６１）＝又は−Ｎ＝を表し、Ｒ６１は、水素原子（Ｈ）又は置換基を表す。また、Ａｒ６１は、置換又は無置換の、芳香族炭化水素環又は芳香族複素環を表す。
【０１３０】
上記一般式（６）において、Ｅ６０１〜Ｅ６１２で各々表される−Ｃ（Ｒ６１）＝のＲ６１が置換基である場合、その置換基の例としては、一般式（１）のＲ１１、Ｒ１２として例示した置換基が同様に適用される。
【０１３１】
また、一般式（６）において、Ａｒ６１が表す、置換又は無置換の、芳香族炭化水素環又は芳香族複素環は、一般式（４）のＡｒ４１と同様のものが挙げられる。
【０１３２】
【化１７】
2016219126.tif 000020
【０１３３】
上記一般式（７）中、Ｒ７１〜Ｒ７３は、各々水素原子（Ｈ）又は置換基を表し、Ａｒ７１は、芳香族炭化水素環基又は芳香族複素環基を表す。
【０１３４】
また、一般式（７）において、Ａｒ７１が表す芳香族炭化水素環又は芳香族複素環は、一般式（４）のＡｒ４１と同様のものが挙げられる。
【０１３５】
【化１８】
2016219126.tif 000021
【０１３６】
上記一般式（８）は、一般式（７）の一形態でもある。上記一般式（８）中、Ｒ８１〜Ｒ８６は、各々水素原子（Ｈ）又は置換基を表す。Ｅ８０１〜Ｅ８０３は、各々−Ｃ（Ｒ８７）＝又は−Ｎ＝を表し、Ｒ８７は、水素原子（Ｈ）又は置換基を表す。Ａｒ８１は、芳香族炭化水素環基又は芳香族複素環基を表す。
【０１３７】
また、一般式（８）において、Ａｒ８１が表す、芳香族炭化水素環又は芳香族複素環は、一般式（４）のＡｒ４１と同様のものが挙げられる。
【０１３８】
【化１９】
2016219126.tif 000022
【０１３９】
上記一般式（８ａ）で示される構造を有する窒素含有化合物は、上記一般式（８）で示される構造を有する窒素含有化合物の一形態であり、一般式（８）におけるＡｒ８１がカルバゾール誘導体である。上記一般式（８ａ）の式中、Ｅ８０４〜Ｅ８１１は、各々−Ｃ（Ｒ８８）＝又は−Ｎ＝を表し、Ｒ８８は水素原子（Ｈ）又は置換基を表す。Ｅ８０８〜Ｅ８１１のうち少なくとも一つは−Ｎ＝であり、Ｅ８０４〜Ｅ８０７、Ｅ８０８〜Ｅ８１１は、各々互いに結合して新たな環を形成しても良い。
【０１４０】
（窒素含有化合物（３））
また、中間層を構成する更に他の窒素含有化合物（３）として、以上のような一般式（１）〜（８ａ）やその他の一般式で表される化合物の他、下記に具体例を示す化合物１〜１６６が例示される。これらの化合物は、電子輸送性又は電子注入性を備えた材料である。なお、これらの化合物１〜１６６の中には、上述した有効非共有電子対含有率［ｎ／Ｍ］の範囲に当てはまる化合物も含まれ、単独で中間層を構成する化合物として用いても良い。更に、これらの化合物１〜１６６の中には、上述した一般式（１）〜（８ａ）やその他の一般式に当てはまる化合物もある。
【０１４１】
【化２０】
2016219126.tif 000023
【０１４２】
【化２１】
2016219126.tif 000024
【０１４３】
【化２２】
2016219126.tif 000025
【０１４４】
【化２３】
2016219126.tif 000026
【０１４５】
【化２４】
2016219126.tif 000027
【０１４６】
【化２５】
2016219126.tif 000028
【０１４７】
【化２６】
2016219126.tif 000029
【０１４８】
【化２７】
2016219126.tif 000030
【０１４９】
【化２８】
2016219126.tif 000031
【０１５０】
【化２９】
2016219126.tif 000032
【０１５１】
【化３０】
2016219126.tif 000033
【０１５２】
【化３１】
2016219126.tif 000034
【０１５３】
【化３２】
2016219126.tif 000035
【０１５４】
【化３３】
2016219126.tif 000036
【０１５５】
【化３４】
2016219126.tif 000037
【０１５６】
【化３５】
2016219126.tif 000038
【０１５７】
【化３６】
2016219126.tif 000039
【０１５８】
【化３７】
2016219126.tif 000040
【０１５９】
【化３８】
2016219126.tif 000041
【０１６０】
【化３９】
2016219126.tif 000042
【０１６１】
【化４０】
2016219126.tif 000043
【０１６２】
【化４１】
2016219126.tif 000044
【０１６３】
【化４２】
2016219126.tif 000045
【０１６４】
【化４３】
2016219126.tif 000046
【０１６５】
【化４４】
2016219126.tif 000047
【０１６６】
【化４５】
2016219126.tif 000048
【０１６７】
【化４６】
2016219126.tif 000049
【０１６８】
【化４７】
2016219126.tif 000050
【０１６９】
【化４８】
2016219126.tif 000051
【０１７０】
【化４９】
2016219126.tif 000052
【０１７１】
【化５０】
2016219126.tif 000053
【０１７２】
【化５１】
2016219126.tif 000054
【０１７３】
【化５２】
2016219126.tif 000055
【０１７４】
【化５３】
2016219126.tif 000056
【０１７５】
（硫黄含有化合物）
中間層に含有される硫黄含有化合物は、硫黄（Ｓ）を含んだ化合物であれば良いが、特に非共有電子対を有する硫黄原子を含む有機化合物であることが好ましく、２価の硫黄原子を有する下記一般式（９）、一般式（１０）、一般式（１１）又は一般式（１２）で表されることがより好ましい。
【０１７６】
【化５４】
2016219126.tif 000057
【０１７７】
上記一般式（９）において、Ｒ９１及びＲ９２は、置換基を表す。Ｒ９１及びＲ９２で表される置換基としては、一般式（１）のＲ１１、Ｒ１２として例示した置換基が同様に適用される。
【０１７８】
【化５５】
2016219126.tif 000058
【０１７９】
上記一般式（１０）において、Ｒ９３及びＲ９４は、置換基を表す。Ｒ９３及びＲ９４で表される置換基としては、一般式（１）のＲ１１、Ｒ１２として例示した置換基が同様に適用される。
【０１８０】
【化５６】
2016219126.tif 000059
【０１８１】
上記一般式（１１）において、Ｒ９５は、置換基を表す。Ｒ９５で表される置換基としては、一般式（１）のＲ１１、Ｒ１２として例示した置換基が同様に適用される。
【０１８２】
【化５７】
2016219126.tif 000060
【０１８３】
上記一般式（１２）において、Ｒ９６は、置換基を表す。Ｒ９６で表される置換基としては、一般式（１）のＲ１１、Ｒ１２として例示した置換基が同様に適用される。
【０１８４】
以下に、中間層に含有される硫黄含有化合物の具体例を示すが、硫黄含有化合物はこれらの例示した化合物に限定されるものではない。
【０１８５】
非共有電子対を有する硫黄原子を含む有機化合物（硫黄含有化合物）のうち、２価の硫黄原子を有する一般式（９）で表される化合物の具体例としては、下記化合物が挙げられる。
【０１８６】
【化５８】
2016219126.tif 000061
【０１８７】
また、一般式（１０）で表される化合物の具体例としては、下記化合物が挙げられる。
【０１８８】
【化５９】
2016219126.tif 000062
【０１８９】
また、一般式（１１）で表される化合物の具体例としては、下記化合物が挙げられる。
【０１９０】
【化６０】
2016219126.tif 000063
【０１９１】
【化６１】
2016219126.tif 000064
【０１９２】
また、一般式（１２）で表される化合物の具体例としては、下記化合物が挙げられる。
【０１９３】
【化６２】
2016219126.tif 000065
【０１９４】
なお、中間層を構成する硫黄含有化合物は、以上に例示した化合物の他、窒素含有化合物と同様に、有効非共有電子対含有率［ｎ／Ｍ］が、２．０×１０-３≦［ｎ／Ｍ］となるように選択された化合物であっても良く、３．９×１０-３≦［ｎ／Ｍ］の範囲であれば更に好ましい。
【０１９５】
なお、ここでいう有効非共有電子対含有率［ｎ／Ｍ］とは、窒素含有化合物（１）においての定義と同様である。すなわち、硫黄含有化合物に含有される硫黄原子のうち、特に導電性層を構成する主材料である銀と安定的に結合する硫黄原子の非共有電子対を［有効非共有電子対］とした場合、この化合物の分子量Ｍに対する［有効非共有電子対］の数ｎである。
【０１９６】
（中間層の形成方法）
以上のような中間層の形成方法としては、例えば、塗布法、インクジェット法、コーティング法、ディップ法などのウェットプロセスを用いる方法や、蒸着法（抵抗加熱法、ＥＢ法など）、スパッタ法、ＣＶＤ法などのドライプロセスを用いる方法などが挙げられる。中でも蒸着法が好ましく適用される。
【０１９７】
特に、複数の化合物を用いて中間層を形成する場合であれば、複数の蒸着源から複数の化合物を同時に供給する共蒸着が適用される。また、化合物として高分子材料を用いる場合であれば、塗布法が好ましく適用される。この場合、化合物を溶媒に溶解させた塗布液を用いる。化合物を溶解させる溶媒が限定されることはない。更に、複数の化合物を用いて中間層を形成する場合であれば、複数の化合物を溶解させることが可能な溶媒を用いて塗布液を調製すれば良い。
【０１９８】
［無機材料を含有する中間層］
中間層は、無機材料を含む層であるものとしても良い。
中間層に無機材料が含有される場合には、導電性層を構成する銀（Ａｇ）よりも、昇華熱エンタルピーが大きい高表面エネルギー材料を用いて構成された層であって、導電性層に接した状態で設けられる。銀（Ａｇ）よりも、昇華熱エンタルピーが大きい材料（高表面エネルギー材料）としては、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、金（Ａｕ）、プラチナ（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、インジウム（Ｉｎ）、Ｍｏ（モリブデン）、銅（Ｃｕ）等が例示される。
【０１９９】
中間層に無機材料が含有される場合には、上記材料のうちの少なくとも１つを用いて構成されるとともに、これらの材料を主成分とし、その他の材料を含有していても良い。その他の材料としては、銀（Ａｇ）、マグネシウム（Ｍｇ）、銅（Ｃｕ）、インジウム（Ｉｎ）、リチウム（Ｌｉ）などが用いられる。
【０２００】
また、これらの材料は酸化物の状態で中間層に含有されていても良く、例えばモリブデン（Ｍｏ）であれば酸化モリブデン（ＭｏＯ２、ＭｏＯ３）として含有されていても良い。
【０２０１】
以上のような無機材料を含有する中間層は、光透過性を有する層厚で構成されていることが好ましい。このような中間層は、連続した膜として構成されている必要はなく、島状であっても良いし複数の孔を有する形状であっても良い。特に、中間層が金属材料を含有する場合、この中間層は、隣接して設けられる導電性層とともに、有機ＥＬ素子の透明電極を構成するものとなる。この場合であっても、中間層は、光透過性を有する程度に極薄い層厚であることが重要である。
【０２０２】
《有機エレクトロルミネッセンス素子の構成》
図２は、上述した透明電極を用いた有機ＥＬ素子の一構成例を示す断面構成図である。以下、この図に基づいて有機ＥＬ素子の構成を説明する。なお、ここでは、透明電極として上記透明電極１０を適用した構成を説明する。
【０２０３】
図２に示す有機ＥＬ素子１００は、透明電極１０上に、発光機能層３及び対向電極５をこの順に積層して構成されている。このため、有機ＥＬ素子１００は、少なくとも透明基板１１側から発光光ｈを取り出すボトムエミッション型として構成されている。
【０２０４】
また、有機ＥＬ素子１００の全体的な層構造が限定されることはなく、一般的な層構造であって良い。ここでは、透明電極１０がアノード（すなわち陽極）側に配置され、主に導電性層１ｂがアノードとして機能する一方、対向電極５がカソード（すなわち陰極）として機能する。
【０２０５】
この場合、例えば発光機能層３は、アノードとなる透明電極１０側から順に、［正孔注入層３ａ／正孔輸送層３ｂ／発光層３ｃ／電子輸送層３ｄ／電子注入層３ｅ］を積層した構成が例示されるが、このうち少なくとも有機材料を用いて構成された発光層３ｃを有することが必須である。正孔注入層３ａ及び正孔輸送層３ｂは、正孔輸送性と正孔注入性とを有する正孔輸送／注入層として設けられていても良い。電子輸送層３ｄ及び電子注入層３ｅは、電子輸送性と電子注入性とを有する単一層として設けられていても良い。また、これらの発光機能層３のうち、例えば電子注入層３ｅは無機材料で構成されている場合もある。
【０２０６】
なお、透明電極１０における導電性層１ｂをカソードとし、対向電極５をアノードとする場合であれば、透明電極１０側から発光機能層３の積層順を、上述と逆にすれば良い。
【０２０７】
また、発光機能層３は、これらの層の他にも正孔阻止層や電子阻止層等が必要に応じて必要箇所に積層されていて良い。更に、発光層３ｃは、各波長領域の発光光を発生させる各色発光層を有し、これらの各色発光層を、非発光性の層を介して積層させて発光層ユニットとして形成されていても良い。当該非発光性の層は、正孔阻止層、電子阻止層として機能しても良い。更にカソードである対向電極５も、必要に応じた積層構造であっても良い。このような構成において、透明電極１０と対向電極５とで発光機能層３が挟持された部分のみが、有機ＥＬ素子１００における発光領域となる。
【０２０８】
以上のような構成の有機ＥＬ素子１００は、有機材料等を用いて構成された発光機能層３の劣化を防止することを目的として、透明基板１１上に後述する封止材１７が設けられている。この封止材１７は、接着剤１９を介して透明基板１１側に固定されている。ただし、透明電極１０及び対向電極５の端子部分は、透明基板１１上において発光機能層３によって互いに絶縁性を保った状態で封止材１７から露出させた状態で設けられていることとする。
【０２０９】
以下、上述した有機ＥＬ素子１００を構成するための主要各層の詳細について説明する。
【０２１０】
《発光層》
本発明に用いられる発光層は、発光材料として例えばリン光発光化合物が含有されている。
【０２１１】
この発光層は、陰極側から注入された電子と、陽極側から注入された正孔とが再結合して発光する層であり、発光する部分は発光層の層内であっても発光層における隣接する層との界面であっても良い。
【０２１２】
このような発光層としては、含まれる発光材料が発光要件を満たしていれば、その構成には特に制限はない。また、同一の発光スペクトルや発光極大波長を有する層が複数層あっても良い。この場合、各発光層間には非発光性の層（図示略）を有していることが好ましい。
【０２１３】
発光層の層厚の総和は１〜１００ｎｍの範囲にあることが好ましく、更に好ましくは、より低い駆動電圧を得ることができることから１〜３０ｎｍである。なお、発光層の層厚の総和とは、発光層間に非発光性の層が存在する場合には、当該層も含む層厚である。
【０２１４】
複数層を積層した構成の発光層の場合、個々の発光層の層厚としては、１〜５０ｎｍの範囲に調整することが好ましく、更に好ましくは１〜２０ｎｍの範囲に調整することがより好ましい。積層された複数の発光層が、青、緑、赤のそれぞれの発光色に対応する場合、青、緑、赤の各発光層の層厚の関係については、特に制限はない。
【０２１５】
以上のような発光層は、後述する発光材料やホスト化合物を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、ＬＢ法、インクジェット法等の公知の薄膜形成方法により成膜して形成することができる。
【０２１６】
また、発光層は、複数の発光材料を混合しても良く、またリン光発光材料と蛍光発光材料（蛍光ドーパント、蛍光性化合物ともいう。）を同一発光層中に混合して用いても良い。
【０２１７】
発光層の構成として、ホスト化合物（発光ホストともいう。）、発光材料（発光ドーパント化合物、ゲスト材料ともいう。）を含有し、発光材料より発光させることが好ましい。
【０２１８】
（ホスト化合物）
発光層に含有されるホスト化合物としては、室温（２５℃）におけるリン光発光のリン光量子収率が０．１未満の化合物が好ましい。更に好ましくはリン光量子収率が０．０１未満である。また、発光層に含有される化合物の中で、その層中での体積比が５０％以上であることが好ましい。
【０２１９】
ホスト化合物としては、公知のホスト化合物を単独で用いても良く、又は複数種用いても良い。ホスト化合物を複数種用いることで、電荷の移動を調整することが可能であり、有機ＥＬ素子を高効率化することができる。また、後述する発光材料を複数種用いることで、異なる発光を混ぜることが可能となり、これにより任意の発光色を得ることができる。
【０２２０】
用いられるホスト化合物としては、従来公知の低分子化合物でも、繰り返し単位をもつ高分子化合物でも良く、ビニル基やエポキシ基のような重合性基を有する低分子化合物でも良い。
【０２２１】
公知のホスト化合物としては、正孔輸送能、電子輸送能を有しつつ、発光の長波長化を防ぎ、かつ高Ｔｇ（ガラス転移温度）化合物が好ましい。ここでいうガラス転移点（Ｔｇ）とは、ＤＳＣ（Ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ  Ｓｃａｎｎｉｎｇ  Ｃｏｌｏｒｉｍｅｔｒｙ：示差走査熱量法）を用いて、ＪＩＳ−Ｋ−７１２１に準拠した方法により求められる値である。
【０２２２】
有機ＥＬ素子に適用可能なホスト化合物の具体例としては、例えば、特開２０１３−４２４５号公報の段落０１６３〜０１７８に記載の化合物Ｈ１〜Ｈ７９を例示することができる。
【０２２３】
また、その他の公知のホスト化合物の具体例としては、以下の文献に記載されている化合物を用いることもできる。例えば、特開２００１−２５７０７６号公報、同２００２−３０８８５５号公報、同２００１−３１３１７９号公報、同２００２−３１９４９１号公報、同２００１−３５７９７７号公報、同２００２−３３４７８６号公報、同２００２−８８６０号公報、同２００２−３３４７８７号公報、同２００２−１５８７１号公報、同２００２−３３４７８８号公報、同２００２−４３０５６号公報、同２００２−３３４７８９号公報、同２００２−７５６４５号公報、同２００２−３３８５７９号公報、同２００２−１０５４４５号公報、同２００２−３４３５６８号公報、同２００２−１４１１７３号公報、同２００２−３５２９５７号公報、同２００２−２０３６８３号公報、同２００２−３６３２２７号公報、同２００２−２３１４５３号公報、同２００３−３１６５号公報、同２００２−２３４８８８号公報、同２００３−２７０４８号公報、同２００２−２５５９３４号公報、同２００２−２６０８６１号公報、同２００２−２８０１８３号公報、同２００２−２９９０６０号公報、同２００２−３０２５１６号公報、同２００２−３０５０８３号公報、同２００２−３０５０８４号公報、同２００２−３０８８３７号公報等が挙げられる。
【０２２４】
（発光材料）
本発明で用いることのできる発光材料としては、リン光発光性化合物（リン光性化合物、リン光発光材料ともいう。）が挙げられる。
【０２２５】
リン光発光性化合物とは、励起三重項からの発光が観測される化合物であり、具体的には室温（２５℃）にてリン光発光する化合物であり、リン光量子収率が２５℃において０．０１以上の化合物であると定義されるが、好ましいリン光量子収率は０．１以上である。
【０２２６】
上記リン光量子収率は、第４版実験化学講座７の分光IIの３９８頁（１９９２年版、丸善）に記載の方法により測定できる。溶液中でのリン光量子収率は種々の溶媒を用いて測定できるが、本発明においてリン光発光性化合物を用いる場合、任意の溶媒のいずれかにおいて上記リン光量子収率（０．０１以上）が達成されれば良い。
【０２２７】
リン光発光性化合物の発光の原理としては２種挙げられる。一つは、キャリアが輸送されるホスト化合物上でキャリアの再結合が起こってホスト化合物の励起状態が生成し、このエネルギーをリン光発光性化合物に移動させることでリン光発光性化合物からの発光を得るというエネルギー移動型である。もう一つは、リン光発光性化合物がキャリアトラップとなり、リン光発光性化合物上でキャリアの再結合が起こりリン光発光性化合物からの発光が得られるというキャリアトラップ型である。いずれの場合においても、リン光発光性化合物の励起状態のエネルギーはホスト化合物の励起状態のエネルギーよりも低いことが条件となる。
【０２２８】
リン光発光性化合物は、一般的な有機ＥＬ素子の発光層に使用される公知のものの中から適宜選択して用いることができるが、好ましくは元素の周期表で８〜１０族の金属を含有する錯体系化合物であり、更に好ましくはイリジウム化合物、オスミウム化合物、又は白金化合物（白金錯体系化合物）、希土類錯体であり、中でも最も好ましいのはイリジウム化合物である。
【０２２９】
本発明においては、少なくとも一つの発光層に２種以上のリン光発光性化合物を含有していても良く、発光層におけるリン光発光性化合物の濃度比が発光層の層厚方向で変化していても良い。
【０２３０】
リン光発光性化合物の含有量は、好ましくは発光層の総量に対し０．１体積％以上３０体積％未満である。
【０２３１】
本発明に適用可能なリン光発光性化合物としては、例えば、特開２０１３−４２４５号公報の段落０１８５〜０２４４に記載の一般式（４）、一般式（５）又は一般式（６）で表される化合物、及び、その例示化合物を好ましく挙げることができる。また、その他の例示化合物として、例えば、Ｉｒ−４６〜Ｉｒ−５０を以下に示す。
【０２３２】
【化６３】
2016219126.tif 000066
【０２３３】
なお、これらのリン光発光性化合物（リン光発光性の金属錯体ともいう。）は、発光層に発光ドーパントとして含有されることが好ましい態様であるが、発光層以外の各機能層に含有されていても良い。
【０２３４】
また、リン光発光性化合物は、発光層に使用される公知のものの中から適宜選択して用いることができる。
【０２３５】
上記のリン光発光性化合物（リン光発光性金属錯体等ともいう。）は、例えば、Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｌｅｔｔｅｒｓ誌、ｖｏｌ.３、Ｎｏ．１６、２５７９〜２５８１頁（２００１）、Ｉｎｏｒｇａｎｉｃ  Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，第３０巻、第８号、１６８５〜１６８７頁（１９９１年）、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，１２３巻、４３０４頁（２００１年）、Ｉｎｏｒｇａｎｉｃ  Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，第４０巻、第７号、１７０４〜１７１１頁（２００１年）、Ｉｎｏｒｇａｎｉｃ  Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，第４１巻、第１２号、３０５５〜３０６６頁（２００２年）、Ｎｅｗ  Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ．，第２６巻、１１７１頁（２００２年）、Ｅｕｒｏｐｅａｎ  Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，第４巻、６９５〜７０９頁（２００４年）、更にこれらの文献中に記載の参考文献等の方法を適用することにより合成できる。
【０２３６】
（蛍光発光材料）
蛍光発光材料としては、クマリン系色素、ピラン系色素、シアニン系色素、クロコニウム系色素、スクアリウム系色素、オキソベンツアントラセン系色素、フルオレセイン系色素、ローダミン系色素、ピリリウム系色素、ペリレン系色素、スチルベン系色素、ポリチオフェン系色素、又は希土類錯体系蛍光体等が挙げられる。
【０２３７】
《注入層：正孔注入層、電子注入層》
注入層とは、駆動電圧低下や発光輝度向上のために電極と発光層の間に設けられる層のことで、「有機ＥＬ素子とその工業化最前線（１９９８年１１月３０日エヌ・ティー・エス社発行）」の第２編第２章「電極材料」（１２３〜１６６頁）に詳細に記載されており、正孔注入層と電子注入層とがある。
【０２３８】
注入層は、必要に応じて設けることができる。正孔注入層であれば、アノードと発光層又は正孔輸送層の間、電子注入層であればカソードと発光層又は電子輸送層との間に存在させても良い。
【０２３９】
正孔注入層は、特開平９−４５４７９号公報、同９−２６００６２号公報、同８−２８８０６９号公報等にもその詳細が記載されており、具体例として、銅フタロシアニンに代表されるフタロシアニン層、酸化バナジウムに代表される酸化物層、アモルファスカーボン層、ポリアニリン（エメラルディン）やポリチオフェン等の導電性高分子を用いた高分子層等が挙げられる。
【０２４０】
電子注入層は、特開平６−３２５８７１号公報、同９−１７５７４号公報、同１０−７４５８６号公報等にもその詳細が記載されており、具体的にはストロンチウムやアルミニウム等に代表される金属層、フッ化カリウムに代表されるアルカリ金属ハライド層、フッ化マグネシウムに代表されるアルカリ土類金属化合物層、酸化モリブデンに代表される酸化物層等が挙げられる。本発明に係る電子注入層は極薄い膜であることが望ましく、素材にもよるがその層厚は１ｎｍ〜１０μｍの範囲が好ましい。
【０２４１】
《正孔輸送層》
正孔輸送層は、正孔を輸送する機能を有する正孔輸送材料からなり、広い意味で正孔注入層、電子阻止層も正孔輸送層に含まれる。正孔輸送層は単層又は複数層設けることができる。
【０２４２】
正孔輸送材料としては、正孔の注入又は輸送、電子の障壁性のいずれかを有するものであり、有機物、無機物のいずれであっても良い。例えば、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、アニリン系共重合体、また、導電性高分子オリゴマー、特にチオフェンオリゴマー等が挙げられる。
【０２４３】
正孔輸送材料としては、上記のものを使用することができるが、ポルフィリン化合物、芳香族第３級アミン化合物及びスチリルアミン化合物、特に芳香族第３級アミン化合物を用いることが好ましい。
【０２４４】
芳香族第３級アミン化合物及びスチリルアミン化合物の代表例としては、Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラフェニル−４，４′−ジアミノフェニル；Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ビス（３−メチルフェニル）−〔１，１′−ビフェニル〕−４，４′−ジアミン（ＴＰＤ）；２，２−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）プロパン；１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）シクロヘキサン；Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラ−ｐ−トリル−４，４′−ジアミノビフェニル；１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）−４−フェニルシクロヘキサン；ビス（４−ジメチルアミノ−２−メチルフェニル）フェニルメタン；ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）フェニルメタン；Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ジ（４−メトキシフェニル）−４，４′−ジアミノビフェニル；Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラフェニル−４，４′−ジアミノジフェニルエーテル；４，４′−ビス（ジフェニルアミノ）クオードリフェニル；Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリ（ｐ−トリル）アミン；４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）−４′−〔４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）スチリル〕スチルベン；４−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ−（２−ジフェニルビニル）ベンゼン；３−メトキシ−４′−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノスチルベンゼン；Ｎ−フェニルカルバゾール、更には米国特許第５０６１５６９号明細書に記載されている２個の縮合芳香族環を分子内に有するもの、例えば、４，４′−ビス〔Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ〕ビフェニル（ＮＰＤ）、特開平４−３０８６８８号公報に記載されているトリフェニルアミンユニットが３つスターバースト型に連結された４，４′，４″−トリス〔Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ〕トリフェニルアミン（ＭＴＤＡＴＡ）等が挙げられる。
【０２４５】
更に、これらの材料を高分子鎖に導入した、又はこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。また、ｐ型−Ｓｉ、ｐ型−ＳｉＣ等の無機化合物も正孔注入材料、正孔輸送材料として使用することができる。
【０２４６】
また、特開平１１−２５１０６７号公報、Ｊ．Ｈｕａｎｇ  ｅｔ．ａｌ．，Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ  Ｌｅｔｔｅｒｓ，８０（２００２），ｐ．１３９に記載されているようないわゆるｐ型正孔輸送材料を用いることもできる。本発明においては、より高効率の発光素子が得られることから、これらの材料を用いることが好ましい。
【０２４７】
正孔輸送層は、上記正孔輸送材料を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法を含む印刷法、ＬＢ法等の公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。正孔輸送層の層厚については特に制限はないが、通常は５ｎｍ〜５μｍ程度、好ましくは５〜２００ｎｍである。この正孔輸送層は、上記材料の１種又は２種以上からなる一層構造であっても良い。
【０２４８】
また、正孔輸送層の材料に不純物をドープしてｐ性を高くすることもできる。その例としては、特開平４−２９７０７６号公報、特開２０００−１９６１４０号公報、同２００１−１０２１７５号公報、Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，９５，５７７３（２００４）等に記載されたものが挙げられる。
【０２４９】
このように、正孔輸送層のｐ性を高くすると、より低消費電力の素子を作製することができるため好ましい。
【０２５０】
《電子輸送層》
電子輸送層は、電子を輸送する機能を有する材料からなり、広い意味で電子注入層、正孔阻止層（図示略）も電子輸送層に含まれる。電子輸送層は単層構造又は複数層の積層構造として設けることができる。
【０２５１】
単層構造の電子輸送層、及び積層構造の電子輸送層において発光層に隣接する層部分を構成する電子輸送材料（正孔阻止材料を兼ねる。）としては、カソードより注入された電子を発光層に伝達する機能を有していれば良い。このような材料としては従来公知の化合物の中から任意のものを選択して用いることができる。例えば、ニトロ置換フルオレン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド、フレオレニリデンメタン誘導体、アントラキノジメタン、アントロン誘導体及びオキサジアゾール誘導体等が挙げられる。更に、上記オキサジアゾール誘導体において、オキサジアゾール環の酸素原子を硫黄原子に置換したチアジアゾール誘導体、電子吸引基として知られているキノキサリン環を有するキノキサリン誘導体も、電子輸送層の材料として用いることができる。更に、これらの材料を高分子鎖に導入した、又はこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。
【０２５２】
また、８−キノリノール誘導体の金属錯体、例えば、トリス（８−キノリノール）アルミニウム（Ａｌｑ３）、トリス（５，７−ジクロロ−８−キノリノール）アルミニウム、トリス（５，７−ジブロモ−８−キノリノール）アルミニウム、トリス（２−メチル−８−キノリノール）アルミニウム、トリス（５−メチル−８−キノリノール）アルミニウム、ビス（８−キノリノール）亜鉛（Ｚｎｑ）等、及びこれらの金属錯体の中心金属がＩｎ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｃａ、Ｓｎ、Ｇａ又はＰｂに置き替わった金属錯体も、電子輸送層の材料として用いることができる。
【０２５３】
その他、メタルフリー若しくはメタルフタロシアニン、又はそれらの末端がアルキル基やスルホン酸基等で置換されているものも、電子輸送層の材料として好ましく用いることができる。また、発光層の材料としても例示されるジスチリルピラジン誘導体も電子輸送層の材料として用いることができるし、正孔注入層、正孔輸送層と同様にｎ型Ｓｉ、ｎ型ＳｉＣ等の無機半導体も電子輸送層の材料として用いることができる。
【０２５４】
電子輸送層は、上記材料を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法を含む印刷法、ＬＢ法等の公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。電子輸送層の層厚については特に制限はないが、通常は５ｎｍ〜５μｍ程度、好ましくは５〜２００ｎｍである。電子輸送層は上記材料の１種又は２種以上からなる一層構造であっても良い。
【０２５５】
また、電子輸送層に不純物をドープし、ｎ性を高くすることもできる。その例としては、特開平４−２９７０７６号公報、同１０−２７０１７２号公報、特開２０００−１９６１４０号公報、同２００１−１０２１７５号公報、Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，９５，５７７３（２００４）等に記載されたものが挙げられる。更に電子輸送層には、カリウムやカリウム化合物などを含有させることが好ましい。カリウム化合物としては、例えば、フッ化カリウム等を用いることができる。このように電子輸送層のｎ性を高くすると、より低消費電力の素子を作製することができる。
【０２５６】
また、電子輸送層の材料（電子輸送性化合物）としては、例えば、上述の化合物Ｎｏ．１〜Ｎｏ．４８の窒素含有化合物、上記一般式（１）〜（８ａ）で表される窒素含有化合物、上述の化合物１〜１６６の窒素含有化合物を用いることが好ましい。
また、一般式（９）〜一般式（１２）で表される硫黄含有化合物、上述の１−１〜１−９、２−１〜２−１１、３−１〜３−２３、及び、４−１の硫黄含有化合物を用いることが好ましい。
【０２５７】
《阻止層：正孔阻止層、電子阻止層》
阻止層は、上記の如く有機化合物薄膜の基本構成層の他に、必要に応じて設けられるものである。例えば、特開平１１−２０４２５８号公報、同１１−２０４３５９号公報、及び「有機ＥＬ素子とその工業化最前線（１９９８年１１月３０日エヌ・ティー・エス社発行）」の２３７頁等に記載されている正孔阻止（ホールブロック）層がある。
【０２５８】
正孔阻止層とは、広い意味では、電子輸送層の機能を有する。正孔阻止層は、電子を輸送する機能を有しつつ正孔を輸送する能力が著しく小さい正孔阻止材料からなり、電子を輸送しつつ正孔を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。また、上述した電子輸送層の構成を必要に応じて、本発明に係る正孔阻止層として用いることができる。正孔阻止層は、発光層に隣接して設けられていることが好ましい。
【０２５９】
一方、電子阻止層とは、広い意味では、正孔輸送層の機能を有する。電子阻止層は、正孔を輸送する機能を有しつつ電子を輸送する能力が著しく小さい材料からなり、正孔を輸送しつつ電子を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。また、上述した正孔輸送層の構成を必要に応じて電子阻止層として用いることができる。本発明に係る阻止層の層厚としては、好ましくは３〜１００ｎｍであり、更に好ましくは５〜３０ｎｍである。
【０２６０】
《対向電極（カソード）》
対向電極は、発光機能層上の上部電極として配置されている。この対向電極は、発光機能層に電子を供給するためのカソードとして機能する電極膜であり、金属、合金、有機又は無機の導電性化合物、及びこれらの混合物が用いられる。具体的には、金、アルミニウム、銀、マグネシウム、リチウム、マグネシウム／銅混合物、マグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、インジウム、リチウム／アルミニウム混合物、希土類金属、ＩＴＯ、ＺｎＯ、ＴｉＯ２、ＳｎＯ２等の酸化物半導体などが挙げられる。
【０２６１】
以上のような対向電極は、これらの導電性材料を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させることにより作製することができるが、発光機能層上への成膜であれば、蒸着法によって成膜されることが好ましい。また、対向電極としてのシート抵抗は、数百Ω／ｓｑ．以下が好ましく、厚さは通常５ｎｍ〜５μｍ、好ましくは５〜２００ｎｍの範囲で選ばれる。
【０２６２】
なお、この有機ＥＬ素子が、対向電極側からも発光光ｈを取り出す、両面発光型であれば、上述した導電性材料のうち光透過性の良好な導電性材料を選択して対向電極を構成すれば良い。
【０２６３】
《封止剤》
封止材は、透明電極、発光機能層及び対向電極等を覆うものであって、光透過性を有していてもいなくても良い。このような封止材は、板状（フィルム状）の封止部材であって接着剤によって透明基板側に固定されるものであっても良く、封止膜であっても良い。
【０２６４】
板状（フィルム状）の封止材としては、例えばガラス基板、ポリマー基板が挙げられ、これに限定されない。また、これらの基板材料を更に薄型のフィルム状にして用いても良い。
【０２６５】
ガラス基板としては、特に、ソーダ石灰ガラス、バリウム・ストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英等を挙げることができる。また、ポリマー基板としては、ポリカーボネート、アクリル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルサルファイド、ポリサルフォン等を挙げることができる。
【０２６６】
中でも、素子を薄膜化できるということから、封止材としてポリマー基板を薄型のフィルム状にしたものを好ましく使用することができる。
【０２６７】
更には、フィルム状としたポリマー基板は、ＪＩＳ  Ｋ  ７１２６−１９８７に準拠した方法で測定された酸素透過度が、１×１０−３ｍｌ／（ｍ２・２４ｈ・ａｔｍ）以下、ＪＩＳ  Ｋ  ７１２９−１９９２に準拠した方法で測定された水蒸気透過度（２５±０．５℃、相対湿度９０±２％ＲＨ）が、１×１０−３ｇ／（ｍ２・２４ｈ）以下のものであることが好ましい。
【０２６８】
また、以上のような基板材料は、凹板状に加工して封止材として用いても良い。この場合、上述した基板部材に対してサンドブラスト加工、化学エッチング加工等の加工が施され、凹状が形成される。
【０２６９】
また、板状の封止材の他の例として、金属材料で構成されたものを用いることができる。金属材料としては、例えば、ステンレス、鉄、銅、アルミニウム、マグネシウム、ニッケル、亜鉛、クロム、チタン、モリブデン、シリコン、ゲルマニウム及びタンタルからなる群から選ばれる一種以上の金属又は合金からなるものが挙げられる。このような金属材料は、薄型のフィルム状にして封止材として用いることにより、有機ＥＬ素子が設けられた発光パネル全体を薄膜化できる。
【０２７０】
また、以上のような板状の封止材を透明基板側に固定するための接着剤は、封止材と透明基板との間に挟持された発光機能層等を封止するためのシール剤として用いられる。このような接着剤は、具体的には、アクリル酸系オリゴマー、メタクリル酸系オリゴマーの反応性ビニル基を有する光硬化及び熱硬化型接着剤、２−シアノアクリル酸エステル等の湿気硬化型等の接着剤を挙げることができる。
【０２７１】
また、このような接着剤としては、エポキシ系等の熱及び化学硬化型（二液混合）を挙げることができる。また、ホットメルト型のポリアミド、ポリエステル、ポリオレフィンを挙げることができる。また、カチオン硬化タイプの紫外線硬化型エポキシ樹脂接着剤を挙げることができる。
【０２７２】
なお、有機ＥＬ素子ＥＬを構成する有機材料は、熱処理により劣化する場合がある。このため、接着剤は、室温から８０℃までに接着硬化できるものが好ましい。また、接着剤中に乾燥剤を分散させておいても良い。
【０２７３】
封止材と透明基板との接着部分への接着剤の塗布は、市販のディスペンサーを使っても良いし、スクリーン印刷のように印刷しても良い。この接着剤は、図示したように封止材の周縁のみに設けられても良いし、硬化後に十分な光透過性を有する材料であれば、封止材と透明基板との間に隙間なく充填されても良い。
【０２７４】
また、板状の封止材と透明基板と接着剤との間に隙間が形成される場合、この間隙には、気相及び液相では、窒素、アルゴン等の不活性気体やフッ化炭化水素、シリコンオイルのような不活性液体を注入することが好ましい。また、真空とすることも可能である。また、内部に吸湿性化合物を封入することもできる。
【０２７５】
吸湿性化合物としては、例えば、金属酸化物（例えば、酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化カルシウム、酸化バリウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム等）、硫酸塩（例えば、硫酸ナトリウム、硫酸カルシウム、硫酸マグネシウム、硫酸コバルト等）、金属ハロゲン化物（例えば、塩化カルシウム、塩化マグネシウム、フッ化セシウム、フッ化タンタル、臭化セリウム、臭化マグネシウム、ヨウ化バリウム、ヨウ化マグネシウム等）、過塩素酸類（例えば、過塩素酸バリウム、過塩素酸マグネシウム等）等が挙げられ、硫酸塩、金属ハロゲン化物及び過塩素酸類においては無水塩が好適に用いられる。
【０２７６】
一方、封止材として封止膜を用いる場合、有機ＥＬ素子における発光機能層を完全に覆い、かつ有機ＥＬ素子における透明電極及び対向電極の端子部分を露出させる状態で、透明基板上に封止膜が設けられる。
【０２７７】
このような封止膜は、無機材料や有機材料を用いて構成される。特に、水分や酸素等、有機ＥＬ素子における発光機能層の劣化をもたらす物質の浸入を抑制する機能を有する材料で構成される。このような材料として、例えば、酸化ケイ素、二酸化ケイ素、窒化ケイ素等の無機材料が用いられる。更に、封止膜の脆弱性を改良するために、これら無機材料からなる膜とともに、有機材料からなる膜を用いて積層構造としても良い。
【０２７８】
これらの膜の形成方法については、特に限定はなく、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、コーティング法等を用いることができる。
【０２７９】
以上のような封止材は、有機ＥＬ素子における透明電極及び対向電極の端子部分を露出させるとともに、少なくとも発光機能層を覆う状態で設けられている。また、封止材に電極を設け、有機ＥＬ素子の透明電極及び対向電極の端子部分と、この電極とを導通させるように構成されていても良い。
【０２８０】
なお、有機ＥＬ素子が、対向電極側から発光光ｈを取り出すものである場合、封止材としては、上述した板状の封止部材又は封止膜の中から光透過性を有する透明封止材が用いられ、この封止材の表面も、有機ＥＬ素子の発光光ｈを取り出す光取り出し面となる。
【０２８１】
《補助電極》
更に、ここでの図示は省略したが、以上のような構成においては、透明電極の低抵抗化を図ることを目的とし、透明電極の導電性層に接して補助電極が設けられていても良い。補助電極は、透明電極の抵抗を下げる目的で設けるものであって、透明電極の導電性層１ｂに接して設けられる。補助電極を形成する材料は、例えば、金、白金、銀、銅、アルミニウム等の抵抗が低い金属が好ましい。これらの金属は光透過性が低いため、光取り出し面からの発光光ｈの取り出しの影響のない範囲でパターン形成される。
【０２８２】
このような補助電極の形成方法としては、例えば、蒸着法、スパッタリング法、印刷法、インクジェット法、エアロゾルジェット法などが挙げられる。補助電極の線幅は、光を取り出す開口率の観点から例えば５０μｍ以下であることが好ましく、補助電極の厚さは、導電性の観点から例えば１μｍ以上であることが好ましい。
【０２８３】
《有機ＥＬ素子の製造方法》
以上のような有機ＥＬ素子１００の製造は、次のように行う。
【０２８４】
まず、透明基板１１の一主面上に中間層１ａ及び導電性層１ｂを形成する。ここで、中間層１ａ及び導電性層１ｂの形成方法としては、上述した方法を用いることができる。
【０２８５】
なお、中間層１ａ及び導電性層１ｂを形成した後に、形成された各層を所定形状にパターニングしても良い。また、導電性層１ｂの形成前後には、必要に応じて補助電極のパターン形成を行っても良い。
【０２８６】
次に、この上に、正孔注入層３ａ、正孔輸送層３ｂ、発光層３ｃ、電子輸送層３ｄ、電子注入層３ｅの順に成膜し、発光機能層３を形成する。これらの各層の形成は、例えば、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法、蒸着法、スパッタ法、印刷法等により行うことができる。中でも、均質な膜が得られやすく、かつピンホールが生成しにくい等の点から、真空蒸着法又はスピンコート法が特に好ましい。更に、層毎に異なる形成方法を適用しても良い。これら各層の形成に蒸着法を採用する場合、その蒸着条件は使用する化合物の種類等により異なるが、一般に化合物を収蔵したボート加熱温度５０〜４５０℃、真空度１０−６〜１０−２Ｐａ、蒸着速度０．０１〜５０ｎｍ／秒、基板温度−５０〜３００℃、層厚０．１〜５μｍの範囲で、各条件を適宜選択することが望ましい。
【０２８７】
次いで、カソードとなる対向電極５を、例えば蒸着法やスパッタ法などの適宜の形成方法によって形成する。
【０２８８】
以上のような各層の形成においては、必要に応じて例えばマスクを用いた成膜を行うか、又は各層を形成した後に、形成された各層を所定形状にパターニングする。これにより、発光機能層３によって透明電極１０と対向電極５との絶縁状態を保ちつつ、透明基板１１の周縁に透明電極１０及び対向電極５の端子部分を引き出した形状に各層をパターン形成することができる。
【０２８９】
また、その後には、有機ＥＬ素子１００における透明電極１０及び対向電極５の端子部分を露出させた状態で、少なくとも発光機能層３を覆う封止材１７を設ける。この際、接着剤１９を用いて、封止材１７を透明基板１１側に接着し、封止材１７と透明基板１１との間に発光機能層３等を封止する。
【０２９０】
以上により、透明電極１０が設けられた透明基板１１側（光取り出し面１３ａ）から発光光ｈを取り出すボトムエミッション型の有機ＥＬ素子１００が得られる。このような有機ＥＬ素子１００の作製においては、１回の真空引きで一貫して発光機能層３から対向電極５まで作製することが好ましいが、途中で真空雰囲気から透明基板１１を取り出して異なる成膜法を施しても構わない。その際、作業を乾燥不活性ガス雰囲気下で行う等の配慮が必要となる。
【０２９１】
このようにして得られた有機ＥＬ素子１００に直流電圧を印加する場合には、アノードである透明電極１０（導電性層１ｂ）を＋の極性とし、カソードである対向電極５を−の極性として、電圧２〜４０Ｖ程度を印加すると発光が観測できる。また、交流電圧を印加しても良い。なお、印加する交流の波形は任意で良い。
【実施例】
【０２９２】
以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、実施例において「部」又は「％」の表示を用いるが、特に断りがない限り「質量部」又は「質量％」を表す。
なお、本実施例において用いられる各化合物を以下に示す。
【０２９３】
【化６４】
2016219126.tif 000067
【０２９４】
《有機ＥＬ素子１の作製》
（透明電極の形成）
まず、無アルカリガラス製の透明基板を用意し、市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定した。また、モリブデン又はタングステン製の抵抗加熱ボートに、有機ＥＬ素子を構成する各層の構成材料を、層形成に最適な量だけ充填した。これらの基板ホルダー及び抵抗加熱ボートを真空蒸着装置の第１真空槽に取り付けた。また、モリブデン又はタングステン製の抵抗加熱ボートに銀を入れ、第２真空槽に取り付けた。
【０２９５】
次いで、第１真空槽及び第２真空槽を４．０×１０−４Ｐａまで減圧後、上記窒素含有化合物（３）として例示した化合物１４の入った抵抗加熱ボートに通電して加熱し、化合物１４を蒸着速度０．１〜０．２ｎｍ／秒で透明基板上に蒸着し、層厚２５ｎｍの中間層を形成した。
【０２９６】
次に、抵抗加熱を用いた真空蒸着法により導電性層を形成した。具体的には、中間層を形成した透明基板を、真空状態に保ったまま第２真空槽に移した後、銀の入った抵抗加熱ボートに通電して加熱し、銀を蒸着速度０．１〜０．２ｎｍ／秒で中間層上に蒸着し、層厚１０ｎｍの導電性層を形成した。また、銀を蒸着する際にマスクを使用し、導電性層をパターン状に形成した。
このようにして中間層と導電性層とからなる透明電極を形成した。
【０２９７】
（正孔注入輸送層の形成）
次に、導電性層を形成した透明基板を、真空状態に保ったまま第１真空槽に移した後、化合物Ｍ−２の入った抵抗加熱ボートに通電して加熱し、化合物Ｍ−２を蒸着速度０．１ｎｍ／秒で透明電極上に蒸着し、層厚４０ｎｍの正孔注入輸送層を形成した。
【０２９８】
（蛍光発光層の形成）
次に、化合物ＢＤ−１及び化合物Ｈ−１の入った抵抗加熱ボートに通電して加熱し、形成される層中の化合物ＢＤ−１の含有量が５体積％、化合物Ｈ−１の含有量が９５体積％となるように、蒸着速度０．１ｎｍ／秒で正孔注入輸送層上に共蒸着し、層厚１５ｎｍの青色発光を呈する蛍光発光層を形成した。
【０２９９】
（リン光発光層の形成）
次に、化合物ＧＤ−１、化合物ＲＤ−１及び化合物Ｈ−２の入った抵抗加熱ボートに通電して加熱し、形成される層中の化合物ＧＤ−１の含有量が１７体積％、ＲＤ−１の含有量が０．８体積％、化合物Ｈ−２の含有量が８２．２体積％となるように、蒸着速度０．１ｎｍ／秒で蛍光発光層上に共蒸着し、層厚１５ｎｍの黄色を呈するリン光発光層を形成した。
【０３００】
（電子輸送層の形成）
次に、化合物Ｅ−１の入った抵抗加熱ボートに通電して加熱し、化合物Ｅ−１を蒸着速度０．１ｎｍ／秒でリン光発光層上に蒸着し、層厚３０ｎｍの電子輸送層を形成した。
【０３０１】
（電子注入層の形成）
次に、フッ化リチウムの入った抵抗加熱ボートに通電して加熱し、フッ化リチウムを蒸着速度０．０５ｎｍ／秒で電子輸送層上に蒸着し、層厚１ｎｍの電子注入層を形成した。
このようにして発光機能層を形成した。
【０３０２】
（陰極の形成）
更に、蒸着法によりアルミニウムを蒸着して、厚さ１０ｎｍの陰極を形成した。
【０３０３】
（封止）
ポリイソブチレン系樹脂として「オパノールＢ５０（ＢＡＳＦ製、Ｍｗ：３４万）」１００質量部、ポリブテン樹脂として「日石ポリブテン  グレードＨＶ−１９００（新日本石油社製、Ｍｗ：１９００）」３０質量部、ヒンダードアミン系光安定剤として「ＴＩＮＵＶＩＮ７６５（ＢＡＳＦ・ジャパン製、３級のヒンダードアミン基を有する）」０．５質量部、ヒンダードフェノール系酸化防止剤として「ＩＲＧＡＮＯＸ１０１０（ＢＡＳＦ・ジャパン製、ヒンダードフェノール基のβ位が二つともターシャリーブチル基を有する）」０．５質量部、及び環状オレフィン系重合体として「Ｅａｓｔｏｔａｃ  Ｈ−１００Ｌ  Ｒｅｓｉｎ（イーストマンケミカル．Ｃｏ．製）」５０質量部を、トルエンに溶解し、固形分濃度約２５質量％の接着剤組成物を調製した。
【０３０４】
次に、厚さ１００μｍのアルミニウム（Ａｌ）箔が張り合わされた厚さ５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムの、アルミニウム箔側の面をカーボンブラックで着色し、封止基材を作製した。次に、調製した上記接着剤組成物の溶液を乾燥後に形成される接着層の層厚が２０μｍとなるように封止基材のアルミニウム側に塗工し、１２０℃で２分間乾燥させて接着層を形成した。次に、形成した接着層面に対して、剥離シートとして、厚さ３８μｍの剥離処理をしたポリエチレンテレフタレートフィルムの剥離処理面を貼付して、封止部材を作製した。
上述の方法で作製した封止部材を、４０ｍｍ×５０ｍｍのサイズで準備し、窒素雰囲気下において、剥離シートを除去し、１２０℃に加熱したホットプレート上で１０分間乾燥した後、室温まで低下するのを確認してから、上記形成した陰極を完全に覆う形でラミネートし、９０℃で１０分加熱し、封止した。
このようにして有機ＥＬ素子１を作製した。
【０３０５】
《有機ＥＬ素子２の作製》
上記有機ＥＬ素子１の作製において、導電性層の層厚を１５ｎｍに変更した以外は同様にして、有機ＥＬ素子２を作製した。
【０３０６】
《有機ＥＬ素子３の作製》
有機ＥＬ素子１の作製において、以下に作製方法を示す透明基板を用いた以外は同様にして、有機ＥＬ素子３を作製した。
【０３０７】
可撓性透明基材として、市販のポリエチレンテレフタレートフィルム（ＰＥＴフィルム）基材（厚さ１２５μｍ）を選択し、当該基材上に、特開２０１２−１１６１０１号公報の実施例１を参考にして、ガスバリアー層を形成した。
【０３０８】
具体的には、両面に易接着加工された幅５００ｍｍ、厚さ１２５μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム（帝人デュポンフィルム株式会社製、極高透明品ＰＥＴ  Ｔｙｐｅ  Ｋ）の片面に、ＪＳＲ株式会社製  ＵＶ硬化型有機／無機ハイブリッドハードコート材ＯＰＳＴＡＲ  Ｚ７５３５を、塗布・乾燥後の層厚が４μｍになるように塗布した後、乾燥条件；８０℃、３分で乾燥後、硬化条件；１．０Ｊ／ｃｍ２、空気雰囲気下、高圧水銀ランプ使用で硬化を行い、ブリードアウト防止層を形成した。
【０３０９】
続けて、上記ＰＥＴフィルムの反対面に、ＪＳＲ株式会社製  ＵＶ硬化型有機／無機ハイブリッドハードコート材ＯＰＳＴＡＲ  Ｚ７５０１を、塗布・乾燥後の層厚が４μｍになるように塗布した後、乾燥条件；８０℃、３分で乾燥後、硬化条件；１．０Ｊ／ｃｍ２、空気雰囲気下、高圧水銀ランプ使用で硬化を行い、平坦層を形成した。
【０３１０】
得られた平坦層の最大断面高さＲｔ（ｐ）は、ＪＩＳ  Ｂ  ０６０１で規定される表面粗さで、１６ｎｍであった。
なお、表面粗さは、ＳＩＩ社製のＡＦＭ（原子間力顕微鏡）ＳＰＩ３８００Ｎ  ＤＦＭを用いて測定した。１回の測定範囲は１０μｍ×１０μｍとし、測定箇所を変えて３回の測定を行い、それぞれの測定で得られたＲｔの値を平均したものを測定値とした。
【０３１１】
上記のようにブリードアウト防止層及び平坦層を形成したＰＥＴフィルムの総厚は、１３３μｍであった。
【０３１２】
次いで、上記ＰＥＴフィルムの平坦層表面に、無機前駆体化合物を含有する塗布液を、減圧押し出し方式のコーターを用いて、乾燥層厚が１５０ｎｍとなるように、１層目のガスバリアー層を塗布した。
【０３１３】
無機前駆体化合物を含有する塗布液は、無触媒のパーヒドロポリシラザン２０質量％ジブチルエーテル溶液（ＡＺエレクトロニックマテリアルズ（株）製アクアミカ  ＮＮ１２０−２０）と、アミン触媒を固形分の５質量％含有するパーヒドロポリシラザン２０質量％ジブチルエーテル溶液（ＡＺエレクトロニックマテリアルズ（株）製アクアミカ  ＮＡＸ１２０−２０）と、を混合して用い、アミン触媒を固形分の１質量％に調整した後、更に、ジブチルエーテルで希釈することにより５質量％ジブチルエーテル溶液として作製した。
【０３１４】
塗布後、乾燥温度８０℃、乾燥時間３００秒、乾燥雰囲気の露点５℃の条件下で乾燥させた。
【０３１５】
乾燥後、上記ＰＥＴフィルムを２５℃まで徐冷し、下記真空紫外線照射装置を用いて下記改質処理条件にて、塗布面に真空紫外線照射による改質処理を行った。真空紫外線照射装置の光源としては、１７２ｎｍの真空紫外線を照射する二重管構造を有するＸｅエキシマーランプを用いた。
【０３１６】
〈真空紫外線照射装置〉
株式会社エム・ディ・コム製エキシマー照射装置ＭＯＤＥＬ：ＭＥＣＬ−Ｍ−１−２００、波長１７２ｎｍ、ランプ封入ガス  Ｘｅ
【０３１７】
〈改質処理条件〉
エキシマー光強度  ３Ｊ／ｃｍ２（１７２ｎｍ）
ステージ加熱温度  １００℃
照射装置内の酸素濃度  １０００ｐｐｍ
【０３１８】
改質処理後、ガスバリアー層を形成したＰＥＴフィルムを、上記と同様にして乾燥させ、更に、同条件にて２回目の改質処理を行い、乾燥層厚１５０ｎｍのガスバリアー層を形成した。
【０３１９】
次いで、１層目のガスバリアー層と同様にして、１層目のガスバリアー層上に２層目のガスバリアー層を形成し、ガスバリアー層を有するＰＥＴフィルムを作製した。
このようにして、透明基板を作製した。
【０３２０】
《有機ＥＬ素子４の作製》
上記有機ＥＬ素子１の作製において、導電性層形成時に第２真空槽内に臭素濃度９９．９体積％のガスを０．１ｃｃ／ｍｉｎの速度で導入して、層厚１０ｎｍの導電性層を形成した以外は同様にして、有機ＥＬ素子４を作製した。
【０３２１】
《有機ＥＬ素子５の作製》
上記有機ＥＬ素子１の作製において、導電性層を以下のようにして形成した以外は同様にして、有機ＥＬ素子５を作製した。
透明基板上に中間層を形成する前に、第２真空槽に粉末のヨウ素を入れた抵抗加熱ボートを取り付けておく。そして、中間層形成後、第２真空槽において銀を蒸着する際、同時にヨウ素の入った抵抗加熱ボートに通電して加熱し、ヨウ素を蒸着速度０．００２ｎｍ／秒で中間層上に共蒸着し、層厚１０ｎｍの導電性層を形成した。
【０３２２】
《有機ＥＬ素子６の作製》
上記有機ＥＬ素子１の作製において、導電性層形成時に第２真空槽内に塩素濃度９９．９体積％のガスを０．１ｃｃ／ｍｉｎの速度で導入して、層厚１０ｎｍの導電性層を形成した以外は同様にして、有機ＥＬ素子６を作製した。
【０３２３】
《有機ＥＬ素子７の作製》
上記有機ＥＬ素子１の作製において、導電性層形成時に第２真空槽内に硫黄濃度９９．９体積％のガスを０．１ｃｃ／ｍｉｎの速度で導入して、層厚１０ｎｍの導電性層を形成した以外は同様にして、有機ＥＬ素子７を作製した。
【０３２４】
《有機ＥＬ素子８の作製》
上記有機ＥＬ素子１の作製において、導電性層形成時に第２真空槽内に酸素濃度９９．９体積％のガスを０．１ｃｃ／ｍｉｎの速度で導入して、層厚１０ｎｍの導電性層を形成した以外は同様にして、有機ＥＬ素子８を作製した。
【０３２５】
《有機ＥＬ素子９の作製》
上記有機ＥＬ素子１の作製において、導電性層を以下のようにして形成した以外は同様にして、有機ＥＬ素子９を作製した。
中間層形成後に銀を蒸着して層厚１０ｎｍの銀層を形成した後、第２真空槽の圧力を大気圧まで加圧し、第２真空槽を開放して大気を取り入れた。そして、３０秒後再び第２真空槽を閉鎖し、第２真空槽の真空度が４．０×１０−４Ｐａとなるまで真空引きし、真空状態を保ったままで基板ホルダーを第１真空槽に移動させた。このようにして層厚１０ｎｍの導電性層を形成した。
【０３２６】
《有機ＥＬ素子１０の作製》
上記有機ＥＬ素子９の作製において、第２真空槽を開放してから再び閉鎖するまでの待機時間を１０分間に変更した以外は同様にして、有機ＥＬ素子１０を作製した。
【０３２７】
《有機ＥＬ素子１１の作製》
上記有機ＥＬ素子９の作製において、第２真空槽を開放してから再び閉鎖するまでの待機時間を１５分間に変更した以外は同様にして、有機ＥＬ素子１１を作製した。
【０３２８】
《有機ＥＬ素子１２の作製》
上記有機ＥＬ素子９の作製において、第２真空槽を開放してから再び閉鎖するまでの待機時間を３０分間に変更した以外は同様にして、有機ＥＬ素子１２を作製した。
【０３２９】
《有機ＥＬ素子１３の作製》
上記有機ＥＬ素子１の作製において、導電性層を以下のようにして形成した以外は同様にして、有機ＥＬ素子１３を作製した。
中間層形成後に銀を蒸着して層厚１０ｎｍの銀層を形成した後、第２真空槽の真空度が１．０×１０−３Ｐａとなるまで水及び窒素を含む混合ガス（２体積％の水を含有する窒素ガス）を導入し、その状態で１０分間待機した。その後、第２真空槽の真空度が４．０×１０−４Ｐａとなるまで真空引きし、真空状態に保ったままで基板ホルダーを第１真空槽に移動させた。このようにして層厚１０ｎｍの導電性層を形成した。
【０３３０】
《有機ＥＬ素子１４の作製》
上記有機ＥＬ素子１３の作製において、銀層の層厚を１５ｎｍに変更し、層厚１５ｎｍの導電性層を形成した以外は同様にして、有機ＥＬ素子１４を作製した。
【０３３１】
《有機ＥＬ素子１５の作製》
上記有機ＥＬ素子１３の作製において、第２真空槽の真空度が１．０×１０−３Ｐａとなるまで水及び窒素を含む混合ガス（２体積％の水を含有する窒素ガス）を導入し、その状態で３０分間待機した以外は同様にして、有機ＥＬ素子１５を作製した。
【０３３２】
《有機ＥＬ素子１６の作製》
上記有機ＥＬ素子１３の作製において、第２真空槽の真空度が１．０×１０−３Ｐａとなるまで水及び窒素を含む混合ガス（２体積％の水を含有する窒素ガス）を導入し、その状態で１時間待機した以外は同様にして、有機ＥＬ素子１６を作製した。
【０３３３】
《有機ＥＬ素子１７の作製》
上記有機ＥＬ素子１３の作製において、第２真空槽の真空度が１．０×１０−３Ｐａとなるまで水及び窒素を含む混合ガス（２体積％の水を含有する窒素ガス）を導入し、その状態で１分間待機した以外は同様にして、有機ＥＬ素子１７を作製した。
【０３３４】
《有機ＥＬ素子１８の作製》
上記有機ＥＬ素子８の作製において、有機ＥＬ素子３の作製に用いられた透明基板を使用した以外は同様にして、有機ＥＬ素子１８を作製した。
【０３３５】
《有機ＥＬ試料１９の作製》
上記有機ＥＬ素子１５の作製において、有機ＥＬ素子３の作製に用いられた透明基板を使用した以外は同様にして、有機ＥＬ素子１９を作製した。
【０３３６】
《有機ＥＬ素子２０の作製》
上記有機ＥＬ素子１７の作製において、有機ＥＬ素子３の作製に用いられた透明基板を使用した以外は同様にして、有機ＥＬ素子２０を作製した。
【０３３７】
《有機ＥＬ素子２１〜２３の作製》
上記有機ＥＬ素子８の作製において、中間層の材料を表１に示すとおりに上記窒素含有化合物（３）として例示した化合物７、１０、４０にそれぞれ変更した以外は同様にして、有機ＥＬ素子２１〜２３を作製した。
【０３３８】
《有機ＥＬ素子２４の作製》
上記有機ＥＬ素子１３の作製において、中間層形成後に銀を蒸着して層厚１５ｎｍの銀層を形成し、第２真空槽の真空度が１．０×１０−３Ｐａとなるまで水及び窒素を含む混合ガス（２体積％の水を含有する窒素ガス）を導入した直後に再び排気を開始した以外は同様にして、有機ＥＬ素子２４を作製した。
【０３３９】
《有機ＥＬ素子２５の作製》
上記有機ＥＬ素子１３の作製において、中間層形成後に銀を蒸着して層厚１５ｎｍの銀層を形成し、第２真空槽の真空度が１．０×１０−３Ｐａとなるまで水及び窒素を含む混合ガス（２体積％の水を含有する窒素ガス）を導入し、その状態で１０秒間待機した以外は同様にして、有機ＥＬ素子２５を作製した。
【０３４０】
《有機ＥＬ素子２６の作製》
上記有機ＥＬ素子１３の作製において、中間層形成後に銀を蒸着して層厚１５ｎｍの銀層を形成し、第２真空槽の真空度が１．０×１０−３Ｐａとなるまで水及び窒素を含む混合ガス（２体積％の水を含有する窒素ガス）を導入し、その状態で３０秒間待機した以外は同様にして、有機ＥＬ素子２６を作製した。
【０３４１】
《有機ＥＬ素子２７の作製》
上記有機ＥＬ素子９の作製において、銀層の形成方法として、Ａｒガス導入しながらスパッタ成膜法を用いて、層厚１５ｎｍの銀層を形成した以外は同様にして、有機ＥＬ素子２７を作製した。
【０３４２】
《有機ＥＬ素子２８の作製》
上記有機ＥＬ素子９の作製において、銀層の形成方法として、電子線加熱を用いた真空蒸着法により、層厚１５ｎｍの銀層を形成した以外は同様にして、有機ＥＬ素子２８を作製した。
【０３４３】
《有機ＥＬ素子１〜２８の評価》
作製した有機ＥＬ素子１〜２８について、駆動経時での電圧変化及び輝度変化を測定した。また、各組成での素子に含まれる銀化合物の濃度を分析した。その結果を表２に示す。
【０３４４】
（１）有機ＥＬ素子の導電性層の微量含有元素の含有量の測定
上記各有機ＥＬ素子１〜２８の作製において、中間層と導電性層のみを各々形成した透明基板に対し、下記測定装置を用いて下記測定条件にて各元素の含有量を測定し、導電性層中に含まれる各元素の含有量を求めた。
【０３４５】
測定装置          ：ＴＲＩＦＴ−２（ＴＯＦ−ＳＩＭＳ、米国ファイ社製）
一次イオン        ：インジウム
一次イオン加速電圧：１５ｋＶ
一次イオン電流    ：２０ｎＡ
一次イオンパルス幅：７８０ｐｓ（バンチング後）
測定面積          ：６０μｍ角
測定質量範囲      ：０．５〜１０００
【０３４６】
（２）駆動経時での電圧及び輝度変動
駆動時の電圧変動及び輝度変動の評価においては、各有機ＥＬ素子１〜２８の電流密度を５．０ｍＡ／ｃｍ２で固定し、通電初期性能に対する１００時間経過後の電圧（Ｖ）及び輝度（ｃｄ／ｍ２）の変化率を導出した。その結果を下記基準に従って評価した。輝度の測定には分光放射輝度計ＣＳ−２０００（コニカミノルタ製）を用いた。なお、得られた電圧及び輝度の変化率が小さいほど好ましい結果であることを示す。
◎：１％未満
○：１％以上３％未満
△：３％以上１０％未満
×：１０％以上
【０３４７】
【表２】
2016219126.tif 000068
【０３４８】
表２に示すように、有機ＥＬ素子４〜２８は、導電性層に微量含有元素として酸素、硫黄、臭素、塩素及びヨウ素から選ばれる元素を含有する透明電極を具備しているため、駆動前後の電圧変化率及び輝度変化率が小さい値を示している。これに対し、比較例の有機ＥＬ素子１〜３は、導電性層に微量含有元素を含有しない透明電極を具備しており、駆動前後の電圧変化率及び輝度変化率が大きな値を示している。したがって、本発明によれば、経時の電圧変動及び輝度変動が抑制された透明電極を提供することができる。
【符号の説明】
【０３４９】
１ａ    導電性層
１ｂ    中間層
１０    透明電極
１００  有機ＥＬ素子
【図１】
2016219126.tif 000069
【図２】
2016219126.tif 000070