(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
成形基板上に回路パターンが形成された成形回路基板の製造方法であって、成形基板の少なくとも回路パターンを形成する領域にエネルギー線透過性の放熱部材を密着するように載置させた状態でエネルギー線を照射した後、回路パターンを形成することを特徴とする成形回路基板の製造方法。
【請求項２】
前記放熱部材の成形基板接触面の少なくとも前記エネルギー線照射領域が粗面化されていることを特徴とする請求項１に記載の成形回路基板の製造方法。
【請求項３】
前記エネルギー線照射後、直ちに前記成形基板の被照射領域を急冷する請求項１もしくは請求項２のいずれかに記載の成形回路基板の製造方法。
【請求項４】
前記成形基板の被照射領域の急冷は、前記放熱部材に備えられた冷却装置を介して行なうことを特徴とする請求項３に記載の成形回路基板の製造方法。
【請求項５】
前記成形基板の表面層にエネルギー吸収剤を含有しておくことを特徴とする請求項１〜４の何れかに記載の成形回路基板の製造方法。
【請求項６】
前記成形基板の表面にエネルギー吸収層を設けた後、エネルギー線を照射することを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の成形回路基板の製造方法。
【請求項７】
減圧下で前記成形基板にエネルギー線を照射することを特徴とする請求項１〜６の何れかに記載の成形回路基板の製造方法。
【請求項８】
エネルギー線を照射した後、アニール処理を施すことを特徴とする請求項１〜７の何れかに記載の成形回路基板の製造方法。
【請求項９】
前記エネルギー線は、レーザであることを特徴とする請求項１〜８の何れかに記載の成形回路基板の製造方法。
【請求項１０】
前記エネルギー線は、赤外線であることを特徴とする請求項１〜８の何れかに記載の成形回路基板の製造方法。
【請求項１１】
前記エネルギー線を照射した後、前記成形基板の回路形成面に触媒核を付着させる工程と、前記触媒核を付着した成形基板の回路パターンとなる部分以外にレーザ照射した後に洗浄を行い、レーザ照射部に付着している触媒核を除去する工程と、残った触媒核付着領域に無電解めっきによって金属膜を析出させる工程とによって、回路パターンを形成する請求項１〜１０の何れかに記載の成形回路基板の製造方法。
【請求項１２】
前記エネルギー線を照射した後、前記成形基板の回路形成面に金属膜を形成する工程と、前記金属膜を形成した成形基板の回路パターンとなる部分以外にレーザ照射した後に洗浄を行い、レーザ照射部に付着している金属膜を除去する工程とによって、回路パターンを形成することを特徴とする請求項１〜１０の何れかに記載の成形回路基板の製造方法。
【請求項１３】
少なくともエネルギー線を照射した領域に、プラズマによるカップリング処理を施した後、前記触媒核を形成することを特徴とする請求項１１に記載の成形回路基板の製造方法。
【請求項１４】
少なくともエネルギー線を照射した領域に、プラズマによるカップリング処理を施した後、前記金属膜を形成することを特徴とする請求項１２に記載の成形回路基板の製造方法。
【請求項１５】
前記成形基板は、液晶ポリマーからなることを特徴とする請求項１〜１４の何れかに記載の成形回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明が属する技術分野】
本発明は、成形回路基板の製造方法に関する。具体的には、成形基板と該基板上に形成される回路パターン（導体）との密着性を確保する製造方法に関する
【０００２】
【従来の技術】
成形回路基板を形成する方法として、例えば特開平７−２１２００８号公報に、導体厚みを厚くして、分離独立した回路パターンを有する回路基板を生産性よく製造する方法が開示されている。当該方法は、成形基板に触媒核を付着する工程と、分離独立した回路パターン部間を通電ブリッジ部によって接続し連続した回路パターンとなる部分を除いてレーザを照射し、洗浄を行い、このレーザ照射部に付着している触媒核を除去する工程と、前記金属膜を無電解めっきによって析出させて連続した回路パターンを形成する工程と、前記通電ブリッジ部にめっきレジストを形成し、電解めっきを行う工程と、通電ブリッジ部のめっきレジスト及び前記無電解めっきによる金属膜を除去し、分離独立した回路パターンを形成する工程とからなる。これによれば、フォトレジストを使う必要がなく、簡単に全体の回路パターンが得られると共に、電解めっきによって導体厚みを容易且つ迅速に厚くすることができる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記方法においてポリエーテルイミドや液晶ポリマー等の絶縁性成形基板を用いた場合には、成形時に溶融された樹脂が金型と接触し当該接触部分が急速に冷却され、当該部分にいわゆるスキン層と呼ばれる薄い層が形成される。
【０００４】
従って、このような成形基板に、例えば上記方法にて回路パターンを形成しても、スキン層部分で破壊を生じ、導体部分が成形基板から剥離されてしまうという問題点があった。
【０００５】
本発明は上記従来技術の問題点に鑑みてなされたものであって、導体部分と成形基板の密着性を向上し、導体部分の剥離を少なくした回路基板の製造方法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明の回路基板の製造方法は、成形基板上に回路パターンが形成された成形回路基板の製造方法であって、成形基板の少なくとも回路パターンを形成する領域にエネルギー線を照射した後、回路パターンを形成することを特徴としている。
【０００７】
この場合において、少なくとも回路パターンを形成する領域にエネルギー線透過性の放熱部材を接触させてエネルギー線を照射するのがよい。このとき、前記放熱部材の成形基板接触面の少なくとも前記エネルギー線照射領域が粗面化されたものを用いるのが好都合である。
【０００８】
また、前記エネルギー線照射後、直ちに前記成形基板の被照射領域を急冷することが望ましい。
【０００９】
さらに、本発明においては、エネルギー線の照射に当たっては、前記成形基板の表面層にエネルギー吸収剤を含有しておいたり、前記成形基板の表面にエネルギー吸収層を設けた後、エネルギー線を照射するのが好ましい。
【００１０】
また、本発明においては、減圧下で前記成形基板にエネルギー線を照射することも好ましく、前記成形基板を当該成形基板の熱変形温度以下１０℃以下の加温状態にしてエネルギー線を照射するのもより好ましい。
【００１１】
さらに、エネルギー線を照射した後に、アニール処理を施すこともできる。
【００１２】
本発明においては、上記エネルギー線として、例えばレーザや赤外線を用いることができる。特にレーザを用いる場合には、駆動装置を用いて、前記レーザを成形基板に対し略垂直方向に照射するのが好ましい。
【００１３】
また、本発明においては、エネルギー線を照射した後、例えば、前記成形基板の回路形成面に触媒核を付着させる工程と、前記触媒核を付着した成形基板の回路パターンとなる部分以外にレーザ照射した後に洗浄を行い、レーザ照射部に付着している触媒核を除去する工程と、残った触媒核付着領域に無電解めっきによって金属膜を析出させる工程とによって、回路パターンを形成できる。
【００１４】
あるいは、エネルギー線を照射した後、前記成形基板の回路形成面に金属膜を形成する工程と、前記金属膜を形成した成形基板の回路パターンとなる部分以外にレーザ照射した後に洗浄を行い、レーザ照射部に付着している金属膜を除去する工程とによって、回路パターンを形成することもできる。
【００１５】
上記触媒核を付着し、もしくは金属膜を形成するに際しては、少なくともエネルギー線を照射した領域に、プラズマによるカップリング処理を施すのがさらに好ましい製造方法である。
【００１６】
また、本発明の製造方法は、液晶ポリマーから成形基板を使用する場合に、特に好適な方法である。
【００１７】
【発明の実施の形態】
本発明は、成形基板上に回路パターンを形成した成形回路基板の製造方法であって、成形後の成形基板の少なくとも回路パターンを形成する領域にエネルギー線を照射した後、回路パターンを形成することを特徴とするものである。すなわち、成形基板上に回路パターンを形成する前処理としてエネルギー線を照射することによって、成形時の冷却に伴って成形基板表面に生じたスキン層を除去しようとするものである。この作業により、次工程で形成される回路パターン（導体部分）との密着性が向上し、剥離に対して強い回路パターンが形成される。
【００１８】
図１は本発明の一実施形態を示す説明図であって、成形基板１の回路形成面全面に、赤外線照射装置２からエネルギー線γとして赤外線が照射されている様子を示している。なお、図中３は成形基板１を載置固定するための固定台である。本発明において用いられる成形基板１は、樹脂成形品であって、例えばＡＢＳやポリエーテルイミド、液晶ポリマーなどの熱硬化性樹脂から成形されたものである。この中でも特に液晶ポリマーが好適に用いられる。液晶ポリマーの射出成形品は、成形品表面に分子が極度に配光したフィブリル層が生じ、導体密着性が極端に低くなるが、本発明に提示された如く、エネルギー線γを照射することによってフィブリル層が緩和されて、いわゆるスキン層が消失し、導体密着性が著しく向上する。
【００１９】
本発明において用いられるエネルギー線γは、上記スキン層を除去可能なものであれば特に限定されるものではなく、赤外線や後述するようなレーザが用いられる。このときのエネルギー量は対象となる成形基板１に応じて適宜変更できるものではあるが、好ましくは０．０１Ｗ／mm2以上、望ましくは０．０５Ｗ／mm2以上、さらに望ましくは０．１Ｗ／mm2以上であり、１Ｗ／mm2以下である。また、照射時間は、概ね５〜２００秒である。
【００２０】
エネルギー線γの照射の際、図１に示すように直接成形基板１の回路成形面にエネルギー線γを照射してもよいが、図２に示すようにエネルギー線γ透過性の放熱部材４を載置して、照射するのが好ましい。このエネルギー線γ透過性の放熱部材４は、ヒートシンクの機能を発揮するものであって、エネルギー線γ照射時に発生する熱を放散し、エネルギー線γの照射によって生じる破壊、変色、やけ等の損傷を防ぐ。この放熱部材４には、例えばガラスなどエネルギー線γを透過すると共に放熱効果に優れた材質のものが選択される。また、当該放熱部材４の載置に際しては、図２に示すような固定部材５を用いて成形基板１を放熱部材４と固定台３との間に挟持し、成形基板１と放熱部材４とを密着するのがよい。両者を密着することによって、放熱部材４からの放熱効果を高めることができる。また、密着は成形基板１全体で行なわせるのが好ましいが、回路パターンの形成領域、すなわちエネルギー線γを照射する領域が密着されていればよく、当該部分からの放熱が期待され、表面よりも内側に存在する最も脆弱な部分を効率的に加熱できる。
【００２１】
さらにエネルギー線γ照射後直ちに成形基板１の被照射領域を急冷するのが好ましい。当該領域を急冷することにより、成形基板１の結晶化が防止され、分子の配向が緩和される。この結果、回路パターンとの密着性がより一層向上する。このためには、例えば図３に示すように放熱部材４に冷却装置を備えるのがよい。図３に示す冷却装置は、放熱部材４の回りに配設された冷却管６と図示しない循環装置とからなり、冷媒が冷却管６内を循環する。用いる冷媒は特に限定されるものではなく、水など熱交換が容易な冷媒が好ましく用いられる。通例、冷却管６内には絶えず冷媒が循環された状態でエネルギー線照射が行なわれ、成形基板１はエネルギー線γが照射された後に直ちに冷却される。なお、エネルギー線γ照射直後に冷媒を循環するようにしてもよい。このような冷却装置によって、放熱部材４を介して被照射領域を急冷することができる。また、放熱部材４の放熱効率を上げることができればよく、照射領域の場所やその大きさ等必要な領域のみを冷却することも可能である。すなわち、放熱部材４の周面ではなく、エネルギー線γの照射を遮らない範囲において、例えば冷却管６を放熱部材４の表裏面を巻回する如く配設することもできる。また、冷風を放熱部材４に吹き付けて放熱部材４を介して成形基板１（エネルギー線γ被照射領域）を急冷することもできる。なお、放熱部材４を介さず直接冷風を成形基板１に吹きつけて急冷することも考えられるが、基板内部にまで十分加熱できない場合もあり、十分な冷却効果を得るにようにすることが必要である。
【００２２】
また、放熱部材４には、その成形基板１との接触面において少なくともエネルギー線γを照射する領域に粗面化を施しておくのが好ましい。このような粗面と接触させることにより、エネルギー線γを照射した場合に成形基板１表面の回路パターン形成領域が粗面化される。つまり、粗面化によるアンカー効果によって次工程における回路パターンと成形基板１との密着性がより一層向上する。
【００２３】
次に、図４に示す方法では、成形基板１の少なくとも表面層にエネルギー吸収剤が配合されている。エネルギー線γの照射に際して、例えば図４に示すようにエネルギー密度の低い赤外線を用いた場合には、成形基板１が十分に吸熱できず、スキン層を破壊することができない場合がある。そこでこのようなエネルギー吸収剤７をその表面層に含有した成形基板１を用いることにより、十分に加熱することが可能になり、スキン層を十分に除去することができる。また、同じエネルギー量の照射では短時間に処理を終わらせることができる。もちろん、回路パターン形成領域にのみエネルギー吸収剤７が配合されたものや、また、成形基板１全体にエネルギー吸収剤７が配合されたものを用いても差し支えない。
【００２４】
また、図５に示すように、成形基板１の表面に、エネルギー吸収層８を備えてエネルギー線γを照射してもよい。このエネルギー吸収層８は、例えば粘着剤組成物や塗料などの樹脂組成物中にエネルギー吸収剤を配合したものを塗布したり、エネルギー吸収剤を含有した粘着シートを貼付する、あるいは効率はやや低下するが、エネルギー吸収剤を含有したフィルムやシートを載置するようにしてもよい。このように成形基板１の表面、少なくともエネルギー線γの照射領域にエネルギー吸収層８を載置しておくことにより、十分に基板を加熱することができる。もちろん、エネルギー吸収層８も、フィルム等の単なる載置よりも、樹脂組成物などの塗布により成形基板１に密着させるものが好ましいのはいうまでもないが、剥離可能に形成することを要する。
【００２５】
図６は本発明のさらに別な実施形態を示す説明図であって、当該実施形態においては、成形基板１がチャンバー１０内に載置され、真空雰囲気下でエネルギー線γが照射される。すなわち、チャンバー１０内は真空ポンプ１１によって減圧されている。エネルギー線γを照射することにより成形基板１の酸化によってガスが発生される場合があるが、チャンバー１０内を減圧にすることによりガスの発生が抑えられ、成形基板１の照射領域における膨れ（盛り上がり）が防止される。このとき、チャンバー１０内は０.５atm未満、好ましくは０.２atm以下、望ましくは０.１atm以下にするのがよいが、これも成形基板１の材質により適宜設定される。
【００２６】
また、成形基板１を当該成形基板１の熱変形温度１０℃以下の加温状態にしてエネルギー線γを照射するのが好ましい。このような加温状態で照射することにより、より少ないエネルギー量で、短時間にスキン層を除去することができる。この場合、成形基板１が冷却していれば、例えばオーブンなどによって当該温度まで加温すればよく、あるいは成形後冷却過程において当該温度以下の状態で直ちにエネルギー線γ照射を行うこともできる。なお、熱変形温度１０℃を越えた状態でエネルギー線γを照射すれば、スキン層を確実かつ短時間で除去できるが、成形基板１自体が変形するおそれが強く、回路パターンの精度が低下することになる。
【００２７】
さらに、本発明においては上記エネルギー線γ照射後、アニール処理を行うのが望ましい。アニール処理の条件は用いる成形基板１の材質によって適宜定められる。例えば、液晶ポリマーからなる成形基板１では、１２０℃の比較的低温で８時間程度の加熱によって処理できる。このようなアニール処理をすることにより、エネルギー線γ照射によって生じた成形基板１のそり等を修正することができ、精度よい成形回路基板を得ることができる。
【００２８】
また、本発明においては、図７（ａ）に示すように、エネルギー線γとしてレーザ照射装置９から出射されたレーザを用いることもできる。レーザはエネルギー密度が高く、温度上昇が短時間で可能である。また、レーザの照射面積は小さく、同図（ｂ）に示すように、回路パターンを形成する部位だけに線状に照射することが可能であり、成形基板１全体の変形を防ぐことができる。また、例えば、特開平７−２１２００８号公報に記載された通電ブリッジ部の如く、後に不要な回路パターン部分にはレーザを照射しないで置くことも簡単に行え、当該不要な回路パターン部分を剥離しやすくできる。このようにレーザを用いることによって、精密な回路パターンを構成しやすく、また、基板変形なども少ないために、精度のよい成形回路基板を得ることができる。
【００２９】
図８に示す方法は、レーザを用いる場合であって、レーザ照射装置９は、その照射方向を３次元的に変化することができる駆動装置１２に取り付けられている。この結果、例えば図８に示すように、回路パターンを成形基板１の側面や傾斜面に設ける場合でも、当該領域に対してレーザを略垂直に照射できる。こうすれば、複雑な表面形状を有する成形基板１に対しても容易に対処することができる。特に図８に示すような隆起部を有する立体的な形状の成形基板１では、広範囲な照射とならざるを得ない赤外線などのエネルギー線γを用いた場合には、隆起部の側面に十分な発熱を生じさせることができず、また、照射装置が大がかりになりやすい。この点、レーザ照射装置９を用いる場合には、図８に示すような駆動装置１２を用いればよく、係る欠点をなくすことができる。
【００３０】
こうして、エネルギー線γを成形基板１の回路パターン形成面に照射して、成形基板１表面に形成されたスキン層を除去しているため、その後に形成された金属膜との結合性を大幅に向上できる。従って、このような処理された成形基板１上の回路パターンは容易には剥離されず、信頼性の高い成形回路基板を提供できる。
【００３１】
なお、本発明の製造方法においては、エネルギー線γを照射した後の回路パターン形成方法は特に制限されるものではない。例えば、上記したように特開平７ー２１２００８号公報に記載された方法を始めとして、特開昭６１−６８９２号公報に記載されたような無電解めっきによって回路パターンを析出させてもよく、また、特開平４−２６３４９０号公報に記載されたように、直接電解めっきをして回路パターンを形成してもよい。
【００３２】
具体的に言えば、エネルギー線γを照射した後、成形基板１の回路形成面に触媒核を付着させ、当該触媒核を付着した成形基板の回路パターンとなる部分以外にレーザ照射した後に洗浄を行い、レーザ照射部に付着している触媒核を除去した後、残った触媒核付着領域に無電解めっきによって金属膜を析出させて連続した回路パターンを形成する。あるいは、エネルギー線γを照射した後、成形基板１の回路形成面に金属膜を形成して、当該金属膜を形成した成形基板の回路パターンとなる部分以外にレーザ照射した後に洗浄を行い、レーザ照射部に付着している金属膜を除去して、回路パターンを形成してもよい。これらの場合において、少なくともエネルギー線γを照射した領域に、プラズマによるカップリング処理を施した後、触媒核を付着若しくは金属膜を形成することが望ましい。これによって、より一層回路パターンとの密着性が向上される。もちろん、当該回路パターン上にさらに電解メッキによって回路パターンの導体厚みを厚くするなど、種々変形利用できるのはいうまでもない。
【００３３】
【実施例】
次に、以下の実施例に基づき本発明についてさら具体的に説明する。
【００３４】
（実施例１）
成形基板として液晶ポリマー（Ｌ２０４Ｇ３５、シベラス、東レ株式会社製）から作製されたものを用い、赤外線ランプを表１の条件にてその表面全面に照射した。その後、特開平７−２１２００８号記載の方法にて成形回路基板を作製した。具体的には、触媒核としてパラジウムを含む処理液に浸漬し、成形基板全面に付着した。次いで、最終的に得たい分離独立した回路パターンの一部分を通電ブリッジ部によって接続し、連続した回路パターンとなる部分を除き、表面全面にレーザを照射した（このときのレーザのパワーは０.３J／cm2）。この後、有機溶剤を用いて洗浄した。その後、金属膜を無電解銅めっきによって析出させて連続した回路パターンを形成し、前記通電ブリッジ部にめっきレジストを塗布した。そして、電解めっきにより、分離独立した回路パターンの厚みを厚くした。その後、通電ブリッジ部のめっきレジスト及び金属膜を除去して、分離独立した回路パターンが形成された回路基板を得た。
こうして得られた回路パターンについて、ＪＩＳ  Ｃ−６４８１プリント配線基板用銅張積層板試験方法の５.７（状態での測定）に準拠して９０度ピール試験を行った。その結果を表１に示す。
【００３５】
【表１】
0003951784.tif 000002
【００３６】
（実施例２）
図２に示すように、成形基板上に放熱部材としてガラス板を載置し、赤外線のエネルギー密度を０.１Ｗ／mm2として、１６秒間照射した。その後、実施例１と同様にして回路パターンを形成し、９０度ピール試験を行った。この場合には、成形基板の表面にはやけや膨れがなく、放熱部材を載置しなかった場合（ピール強度１．０Ｎ／mm）に比べ、優れたピール強度（１．１Ｎ／mm）を示した。なお、放熱部材を載置しなかった場合には、成形基板の表面にやけ、膨れが見られた。
【００３７】
（実施例３）
図３に示すように、放熱部材の周囲に備えた冷却管に水道水（水温××℃）を流した状態で、赤外線のエネルギー密度を０.１Ｗ／mm2として、１６秒間照射した。その後、実施例１と同様にして回路パターンを形成し、９０度ピール試験を行った。冷却をしなかった場合には、ピール強度は１．１Ｎ／mmであったのに対し、冷却した場合には１．５Ｎ／mmに向上した。
【００３８】
（実施例４）
図２に示すようにして、成形基板に放熱部材として、成形基板１との接触面が粗面化されたガラス板（平均表面粗さ、２μｍ）を載置し、赤外線のエネルギー密度を０.１Ｗ／mm2として、１６秒間照射した。その後、実施例１と同様にして回路パターンを形成し、９０度ピール試験を行った。粗面化された放熱部材を用いた場合には、成形基板の平均表面粗さは１．７４μｍとなり、ピール強度は１．５Ｎ／mmであった。これに対し、放熱部材を用いなかった場合には、成形基板の平均表面粗さは０．２μｍしかなく、ピール強度は１．１Ｎ／mmであった。
【００３９】
（実施例５）
液晶ポリマーにエネルギー吸収剤としてカーボンブラックを表２に示す配合率（重量％）で配合して成形した成形基板を用い、実施例１と同様な方法で回路パターンを形成し、９０度ピール試験を行った。なお、赤外線のエネルギー密度を０．１Ｗ／mm2とした。その結果を表２に示す。エネルギー吸収剤を加えた場合には、照射時間を短くしても配合しない場合と同等なピール強度を得ることができた。
【００４０】
【表２】
0003951784.tif 000003
【００４１】
（実施例６）
エネルギー吸収層として、カーボンブラックを配合した透明樹脂塗料（配合量０．０５重量％）を膜厚２００μｍ程度に塗布した成形基板を用い、図１に示す方法で回路パターンを形成し、９０度ピール試験を行った。なお、赤外線のエネルギー密度を０．１Ｗ／mm2とした。その結果を表３に示す。エネルギー吸収層を形成した場合には、短い照射時間で吸収層を形成しなかった場合と同等なピール強度を得ることができた。
【００４２】
【表３】
0003951784.tif 000004
【００４３】
（実施例７）
図６に示すように減圧にしたチャンバー内で成形基板に、エネルギー密度を０.１Ｗ／mm2として、赤外線を１６秒間照射した。その後、実施例１と同様にして回路パターンを形成し、９０度ピール試験を行った。その結果を表４に示す。真空度を０．５atm未満にすることにより、成形基板の膨張が防止された。なお、ピール強度はいずれの場合も、１．１Ｎ／mmであり、真空度によってピール強度は影響を受けなかった。
【００４４】
【表４】
0003951784.tif 000005
【００４５】
（実施例８）
成形基板に実施例１と同様な条件で赤外線を照射した後、１２０℃８時間のアニーリングを施したところ、反りのない成形基板が得られた。一方、アニーリングを行なわなかったところ、照射面側に反りのあるものがあった。
【００４６】
【発明の効果】
本発明によれば、回路パターンを形成する成形基板に予めエネルギー線を照射した後に、回路パターンを形成しているので、成形基板に形成されたスキン層が除去され、回路パターンの導体と成形基板との密着性が向上する。
【００４７】
この場合において、成形基板上に放熱部材を載置することにより、放熱部材のヒートシンク効果により、成形基板表面の破壊や変色等を防止できる。このとき、放熱部材の成形基板との接触面を粗面化しておくことにより、成形基板表面にアンカー効果を生じさせ、回路パターンとの密着性をより向上させる。
【００４８】
また、前記エネルギー線照射後、直ちに前記成形基板の被照射領域を急冷することにより、より一層密着性が向上される。
【００４９】
さらに、成形基板の表面層にエネルギー吸収剤を含有しておいたり、成形基板の表面にエネルギー吸収層を設けた後、エネルギー線を照射することによっても、さらに密着性が向上される。
【００５０】
また、減圧下で成形基板にエネルギー線を照射すれば、成形基板の膨らみがなくなり、精度のよい回路パターンを形成できる。
【００５１】
また、成形基板を当該成形基板の熱変形温度以下１０℃以下の加温状態にしてエネルギー線を照射しても、回路パターンとの密着性を向上できる。
【００５２】
また、エネルギー線を照射した後、アニール処理を施すことにすれば、成形基板の変形が抑えられ、精度のよい回路パターンを得ることができる。
【００５３】
本発明においては、レーザや赤外線のエネルギー線が用いられるが、レーザによれば高いエネルギー密度で照射でき、短時間での処理ができる。また、レーザによれば、必要な部分のみを処理することができ、その後の回路パターンの形成にも有利である。特に、駆動装置を用いて、前記レーザを成形基板に対し略垂直方向に照射することが可能になるため、隆起部を有する成形基板の側面等にも照射ができる。この結果、複雑な３次元形状を有する回路基板を容易に作製できる。
【００５４】
回路パターンの形成としては、例えば、エネルギー線を照射した後、前記成形基板の回路形成面に触媒核を付着させる工程と、前記触媒核を付着した成形基板の回路パターンとなる部分以外にレーザ照射した後に洗浄を行い、レーザ照射部に付着している触媒核を除去する工程と、残った触媒核付着領域に無電解めっきによって金属膜を析出させる工程とによって、前記回路パターンを形成することができる。
【００５５】
また、エネルギー線を照射した後、前記成形基板の回路形成面に金属膜を形成する工程と、前記金属膜を形成した成形基板の回路パターンとなる部分以外にレーザ照射した後に洗浄を行い、レーザ照射部に付着している金属膜を除去する工程とによって、前記回路パターンを形成することもできる。
【００５６】
これらの方法においては、エネルギー線の照射後に、さらにプラズマによるカップリング処理を施し、前記触媒核を付着若しくは前記金属膜を形成すれば、より密着性の高い回路パターンを形成することができ、信頼性に優れた成形回路基板を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態を示す説明図である。
【図２】本発明の別な実施形態を示す説明図である。
【図３】本発明のさらに別な実施形態を示す説明図であって、（ａ）はその側面説明図、（ｂ）はその平面説明図である。
【図４】本発明のさらに別な実施形態を示す説明図である。
【図５】本発明のさらに別な実施形態を示す説明図である。
【図６】本発明のさらに別な実施形態を示す説明図である。
【図７】本発明のさらに別な実施形態を示す説明図であって、（ａ）はその側面説明図、（ｂ）はその平面説明図である。
【図８】本発明のさらに別な実施形態を示す説明図である。
【符号の説明】
１  成形基板
２  赤外線照射装置
５  固定部材
７  エネルギー吸収剤
γ  エネルギー線
【図１】
0003951784.tif 000006
【図２】
0003951784.tif 000007
【図３】
0003951784.tif 000008
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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