(57)【要約】【課題】不良チップが良品チップとして流出するのを抑制できるマーキング方法を提供する。【解決手段】本発明の一態様は、検査工程１における工程１データ１０１と第１LATESTデータ１０２をサーバー１００に記憶する工程と、前記工程１データ及び前記第１LATESTデータに基づかないで検査を行う検査工程２と、検査工程２における工程２データ１０３と第２LATESTデータ１０４を記憶する工程と、前記工程１データと前記工程２データを合成することで合成データ１０５を生成し、前記サーバーに記憶する工程を含み、前記第２LATESTデータと前記合成データを比較し、第２LATESTデータと合成データが一致しない場合は、マーキングを行なわないマーキング方法である。【選択図】図１
2016167535.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の検査工程における第１のマーキングデータと第２のマーキングデータをサーバー
に記憶する工程と、
前記第１のマーキングデータ及び前記第２のマーキングデータに基づかないで検査を行
う第２の検査工程と、
前記第２の検査工程における第３のマーキングデータと第４のマーキングデータを記憶
する工程と、
前記第１のマーキングデータと前記第３のマーキングデータを合成することで、第５の
マーキングデータを生成し、前記サーバーに記憶する工程と、
前記第４のマーキングデータと前記第５のマーキングデータを比較する比較工程と、を
含み、
前記比較工程において、前記第４のマーキングデータと前記第５のマーキングデータが
一致する場合は、前記第４のマーキングデータに基づきマーキングを行い、前記第４のマ
ーキングデータと前記第５のマーキングデータが一致しない場合は、マーキングを行なわ
ないことを特徴とするマーキング方法。
【請求項２】
第１の検査工程における第１のマーキングデータと第２のマーキングデータをサーバー
に記憶する工程と、
前記第１のマーキングデータまたは前記第２のマーキングデータに基づいて検査を行う
第２の検査工程と、
前記第２の検査工程における第３のマーキングデータを前記サーバーに記憶し、前記第
２の検査工程における第４のマーキングデータを前記サーバーに記憶しない工程と、
前記第１のマーキングデータと前記第３のマーキングデータを合成することで、第５の
マーキングデータを生成し、前記サーバーに記憶する工程と、
前記第２のマーキングデータと前記第５のマーキングデータを比較する比較工程と、を
含み、
前記比較工程において、前記第２のマーキングデータと前記第５のマーキングデータが
一致する場合は、前記第２のマーキングデータに基づきマーキングを行い、前記第２のマ
ーキングデータと前記第５のマーキングデータが一致しない場合は、マーキングを行なわ
ないことを特徴とするマーキング方法。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記第１のマーキングデータは前記第２のマーキングデータと同一であり、
前記第３のマーキングデータは前記第４のマーキングデータと同一であることを特徴と
するマーキング方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、検査工程の結果を製品にマーキングするマーキング方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
図７（Ａ）〜（Ｆ）は従来のマーキング方法を説明するための図である。
複数の半導体チップが形成された半導体ウェハに検査装置１による検査工程１（例：高
温測定）を行う。この際、半導体ウェハの全チップを検査する。そして、その検査結果は
図７（Ａ）に示すような工程１データとして得られる。工程１データは、左上の「×」の
半導体チップが不良品（fail）であり、その他の「○」の半導体チップは良品（pass）で
あることを示している。なお、図７では、９個（縦３個×横３個）の半導体チップが形成
された半導体ウェハを例に挙げて示しているが、この半導体チップの数は一例である。
【０００３】
図７（Ａ）の工程１データは検査装置１からマーキングデータサーバーに送信され、記
憶される。次いで、図７（Ｂ）に示す第１LATESTデータが検査装置１からマーキングデー
タサーバーに送信され、記憶される。第１LATESTデータは工程１データと同一である。
【０００４】
次に、半導体ウェハに検査装置２による検査工程２（例：室温測定）を行う。この際、
半導体ウェハにおける検査工程１で良品と判定されたpassチップのみを検査する。即ち、
図７（Ａ）の工程１データまたは図７（Ｂ）の第１LATESTデータに基づくpassチップのみ
を検査し、failチップは検査しない。そして、その検査結果は図７（Ｃ）に示すような工
程２データとして得られる。工程２データは、左上及び左真中の「×」の半導体チップが
不良品（fail）であり、その他の「○」の半導体チップは良品（pass）であることを示し
ている。Passチップのみを検査する理由は検査効率を高めるためである。
【０００５】
図７（Ｃ）の工程２データは検査装置２からマーキングデータサーバーに送信され、記
憶される。次いで、図７（Ｄ）に示す第２LATESTデータが検査装置２からマーキングデー
タサーバーに送信され、記憶される。第２LATESTデータは、工程２データと同一であり、
工程１データと工程２データを重ね合せたものである。
【０００６】
次に、半導体ウェハに検査装置３による検査工程３（例：低温測定）を行う。この際、
半導体ウェハにおける検査工程１，２で良品と判定されたpassチップのみを検査する。即
ち、図７（Ｄ）の第２LATESTデータに基づくpassチップのみを検査し、failチップは検査
しない。そして、その検査結果は図７（Ｅ）に示すような工程３データとして得られる。
工程３データは、左上、左真中及び左下の「×」の半導体チップが不良品（fail）であり
、その他の「○」の半導体チップは良品（pass）であることを示している。
【０００７】
図７（Ｅ）の工程３データは検査装置３からマーキングデータサーバーに送信され、記
憶される。次いで、図７（Ｆ）に示す第３LATESTデータが検査装置３からマーキングデー
タサーバーに送信され、記憶される。第３LATESTデータは、工程３データと同一であり、
工程１データと工程２データと工程３データを重ね合せたものである。
【０００８】
次に、オペレーターがマーキングデータのダウンロードボタンを押すことで、マーキン
グデータサーバーから第３LATESTデータがマーキング装置にダウンロードされる。その第
３LATESTデータに基づいて半導体ウェハに良品と不良品をマーキングする処理を行う。な
お、上記従来のマーキング方法と類似する技術が特許文献１に開示されている。
【０００９】
上記従来のマーキング方法では、例えば検査工程２でpassチップのみを検査するところ
を、オペレーターのミスまたは検査装置２のエラーにより全チップを検査することがある
。その場合、検査工程１でfailチップであったものが検査装置２によって検査され、その
結果が良品と判定されると、図７（Ｄ）の第２LATESTデータに図７（Ｂ）の第１LATESTデ
ータが反映されないことになる。そして、図７（Ｄ）に示す左上のチップが「○」とされ
た第２LATESTデータがマーキングデータサーバーに記憶されることになる。その状態で検
査工程３に進んでいくと、第３LATESTデータにおいても左上のチップが「○」とされたデ
ータとなり、不良チップが良品チップとして流出することが起こる。
【００１０】
また、上記従来のマーキング方法では、例えば検査装置３から図７（Ｆ）に示す第３LA
TESTデータをマーキングデータサーバーに送信するところを、検査装置３のエラーにより
送信されないことがある。その場合、第３LATESTデータがマーキングデータサーバーに記
憶されない。そのため、第３LATESTデータに基づいて半導体ウェハにマーキング処理を行
うところを、直近のLATESTデータである第２LATESTデータに基づいて半導体ウェハにマー
キング処理を行うことになる。そうすると、検査工程３で不良と判定されたfailチップが
良品チップとして流出することが起こる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特開２００６−１２０７９３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
本発明の幾つかの態様は、不良チップが良品チップとして流出するのを抑制できるマー
キング方法に関連している。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明の一態様は、第１の検査工程における第１のマーキングデータと第２のマーキン
グデータをサーバーに記憶する工程と、前記第１のマーキングデータ及び前記第２のマー
キングデータに基づかないで検査を行う第２の検査工程と、前記第２の検査工程における
第３のマーキングデータと第４のマーキングデータを記憶する工程と、前記第１のマーキ
ングデータと前記第３のマーキングデータを合成することで、第５のマーキングデータを
生成し、前記サーバーに記憶する工程と、前記第４のマーキングデータと前記第５のマー
キングデータを比較する比較工程と、を含み、前記比較工程において、前記第４のマーキ
ングデータと前記第５のマーキングデータが一致する場合は、前記第４のマーキングデー
タに基づきマーキングを行い、前記第４のマーキングデータと前記第５のマーキングデー
タが一致しない場合は、マーキングを行なわないことを特徴とするマーキング方法である
。
【００１４】
上記本発明の一態様によれば、第２の検査工程で第１のマーキングデータ及び第２のマ
ーキングデータに基づかないで検査を行っても、第４のマーキングデータと第５のマーキ
ングデータが一致しない場合は、マーキングを行なわない。このため、不良チップが良品
チップとして流出することを抑制できる。
【００１５】
本発明の一態様は、第１の検査工程における第１のマーキングデータと第２のマーキン
グデータをサーバーに記憶する工程と、前記第１のマーキングデータまたは前記第２のマ
ーキングデータに基づいて検査を行う第２の検査工程と、前記第２の検査工程における第
３のマーキングデータを前記サーバーに記憶し、前記第２の検査工程における第４のマー
キングデータを前記サーバーに記憶しない工程と、前記第１のマーキングデータと前記第
３のマーキングデータを合成することで、第５のマーキングデータを生成し、前記サーバ
ーに記憶する工程と、前記第２のマーキングデータと前記第５のマーキングデータを比較
する比較工程と、を含み、前記比較工程において、前記第２のマーキングデータと前記第
５のマーキングデータが一致する場合は、前記第２のマーキングデータに基づきマーキン
グを行い、前記第２のマーキングデータと前記第５のマーキングデータが一致しない場合
は、マーキングを行なわないことを特徴とするマーキング方法である。
【００１６】
上記本発明の一態様によれば、検査装置のエラーにより第４のマーキングデータをサー
バーに記憶しなくても、第２のマーキングデータと第５のマーキングデータが一致しない
場合は、マーキングを行なわない。このため、不良チップが良品チップとして流出するこ
とを抑制できる。
【００１７】
また、本発明の一態様は、上記本発明の一態様において、前記第１のマーキングデータ
は前記第２のマーキングデータと同一であり、前記第３のマーキングデータは前記第４の
マーキングデータと同一であることを特徴とするマーキング方法である。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の一態様に係る検査装置１，２、マーキング装置９０及びマーキングデータサーバー１００を模式的に示す図。
【図２】（Ａ）〜（Ｅ）は本発明の一態様に係るマーキング方法を説明するための図。
【図３】（Ａ）〜（Ｅ）は本発明の一態様に係るマーキング方法を説明するための図。
【図４】本発明の一態様に係る検査装置１〜３、マーキング装置９０及びマーキングデータサーバー１００を模式的に示す図。
【図５】（Ａ）〜（Ｇ）は本発明の一態様に係るマーキング方法を説明するための図。
【図６】（Ａ）〜（Ｇ）は本発明の一態様に係るマーキング方法を説明するための図。
【図７】（Ａ）〜（Ｆ）は従来のマーキング方法を説明するための図。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下では、本発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。ただし、本発明
は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及
び詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は
以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【００２０】
［実施の形態１］
図１は、本発明の一態様に係る検査装置１，２、マーキング装置９０及びマーキングデ
ータサーバー１００を模式的に示す図である。
【００２１】
図１に示す検査装置１は、複数の半導体チップが形成された半導体ウェハに検査工程１
（例：高温測定）を行うための装置である。検査装置２は、半導体ウェハに検査工程２（
例：室温測定）を行うための装置である。マーキング装置９０は、マーキングデータサー
バー１００のLATESTデータに基づいて半導体ウェハに良品と不良品をマーキングする装置
である。
【００２２】
図２（Ａ）〜（Ｅ）は、本発明の一態様に係るマーキング方法を説明するための図であ
る。なお、以下の動作はコンピューターによって行われる。
【００２３】
図１に示す検査装置１による検査工程１（例：高温測定）を半導体ウェハに行う。この
際、半導体ウェハの全チップを検査する。そして、その検査結果は図２（Ａ）に示すよう
な工程１データとして得られる。工程１データは、左上の「×」の半導体チップが不良品
（fail）であり、その他の「○」の半導体チップは良品（pass）であることを示している
。なお、図２では、９個（縦３個×横３個）の半導体チップが形成された半導体ウェハを
例に挙げて示しているが、この半導体チップの数は一例である。
【００２４】
図２（Ａ）の工程１データは検査装置１からマーキングデータサーバー１００に送信さ
れ、工程１データ（第１のマーキングデータともいう）１０１としてマーキングデータサ
ーバー１００に記憶される。次いで、図２（Ｂ）に示す第１LATESTデータが検査装置１か
らマーキングデータサーバー１００に送信され、第１LATESTデータ（第２のマーキングデ
ータともいう）１０２としてマーキングデータサーバー１００に記憶される。第１LATEST
データ１０２は工程１データ１０１と同一である。
【００２５】
次に、図１に示す検査装置２による検査工程２（例：室温測定）を半導体ウェハに行う
。この際、半導体ウェハにおける検査工程１で良品と判定されたpassチップのみを検査す
るところを、オペレーターのミスまたは検査装置２のエラーにより全チップを検査するモ
ードで測定を行う。つまり、工程１データ１０１及び第１LATESTデータ１０２に基づかな
いで検査工程２を行うため、図２（Ａ）の工程１データまたは図２（Ｂ）の第１LATESTデ
ータで不良品と判定されたfailチップについても検査される。そして、その検査結果は図
２（Ｃ）に示すような工程２データとして得られる。工程２データは、左上の半導体チッ
プが良品「○」と判定され、左真中の「×」の半導体チップが不良品（fail）、その他の
「○」の半導体チップが良品（pass）と判定されたことを示している。これは、検査工程
１で不良品と判定された左上の半導体チップが検査工程２では良品と判定されたことを示
している。
【００２６】
図２（Ｃ）の工程２データは検査装置２からマーキングデータサーバー１００に送信さ
れ、工程２データ（第３のマーキングデータともいう）１０３としてマーキングデータサ
ーバー１００に記憶される。次いで、図２（Ｄ）に示す第２LATESTデータが検査装置２か
らマーキングデータサーバー１００に送信され、第２LATESTデータ（第４のマーキングデ
ータともいう）１０４としてマーキングデータサーバー１００に記憶される。第２LATEST
データ１０４は、工程２データ１０３と同一であるが、工程１データ１０１と工程２デー
タ１０３を重ね合せたものとなっていない。つまり、第２LATESTデータ１０４では、工程
１データ１０１で不良品と判定された左上の半導体チップが良品と判定されたデータとな
っている。
【００２７】
次に、オペレーターがマーキングデータのダウンロードボタンを押すことでコンピュー
ターにより次の動作が行われる。
【００２８】
工程１データ１０１と工程２データ１０３をコンピューターが合成することで図２（Ｅ
）に示す合成データが生成され、マーキングデータサーバー１００に合成データ（第５の
マーキングデータともいう）１０５として記憶される。この合成データ１０５は、工程１
データ１０１で不良品と判定されたfailチップと工程２データ１０３で不良品と判定され
たfailチップを全て不良品として合成したデータである。
【００２９】
次に、コンピューターが合成データ１０５を第２LATESTデータ１０４と比較し、合成デ
ータ１０５が第２LATESTデータ１０４と一致する場合は、マーキングデータサーバーから
第２LATESTデータ１０４がマーキング装置９０にダウンロードされる。そして、マーキン
グ装置９０において第２LATESTデータ１０４に基づいて半導体ウェハに良品と不良品のマ
ーキングが行われる。
【００３０】
また、コンピューターが合成データ１０５を第２LATESTデータ１０４と比較し、合成デ
ータ１０５が第２LATESTデータ１０４と一致しない場合は、マーキングデータサーバーか
ら第２LATESTデータ１０４をマーキング装置９０にダウンロードさせない（なお、本実施
の形態では合成データ１０５と第２LATESTデータ１０４は一致しない）。そして、マーキ
ング処理が行われず、アラームが鳴り、オペレーターに合成データ１０５と第２LATESTデ
ータ１０４が一致しないことを知らせる。
【００３１】
本実施の形態によれば、検査工程２でオペレーターのミス等により全チップを検査し、
図２（Ｄ）の第２LATESTデータに図２（Ｂ）の第１LATESTデータが反映されなくても、合
成データ１０５が第２LATESTデータ１０４と一致しない場合はマーキング処理が行われな
い。このため、不良チップが良品チップとして流出することを抑制できる。
【００３２】
［実施の形態２］
図３（Ａ）〜（Ｅ）は、本発明の一態様に係るマーキング方法を説明するための図であ
る。なお、以下の動作はコンピューターによって行われる。
【００３３】
図１に示す検査装置１による検査工程１（例：高温測定）を実施の形態１と同様の方法
で半導体ウェハに行う。
【００３４】
実施の形態１と同様の方法で、図３（Ａ）の工程１データ（第１のマーキングデータと
もいう）１０１がマーキングデータサーバー１００に記憶され、図３（Ｂ）に示す第１LA
TESTデータ（第２のマーキングデータともいう）１０２がマーキングデータサーバー１０
０に記憶される。
【００３５】
次に、図１に示す検査装置２による検査工程２（例：室温測定）を半導体ウェハに行う
。この際、半導体ウェハにおける検査工程１で良品と判定されたpassチップのみを検査す
る。つまり、工程１データ１０１または第１LATESTデータ１０２に基づいて検査工程２を
行う。そして、その検査結果は図３（Ｃ）に示すような工程２データとして得られる。工
程２データは、左上及び左真中の「×」の半導体チップが不良品（fail）として判定され
、その他の「○」の半導体チップが良品（pass）と判定されたことを示している。
【００３６】
図３（Ｃ）の工程２データは検査装置２からマーキングデータサーバー１００に送信さ
れ、工程２データ（第３のマーキングデータともいう）１０３としてマーキングデータサ
ーバー１００に記憶される。次いで、図３（Ｃ）に示す工程２データと同一のデータであ
る第２LATESTデータが検査装置２からマーキングデータサーバー１００に送信されるとこ
ろを、検査装置２のエラーにより送信されない。そのため、第２LATESTデータ（第４のマ
ーキングデータともいう）１０４はマーキングデータサーバー１００に記憶されない（図
３（Ｄ）参照）。
【００３７】
次に、オペレーターがマーキングデータのダウンロードボタンを押すことでコンピュー
ターにより次の動作が行われる。
【００３８】
実施の形態１と同様に、工程１データ１０１と工程２データ１０３をコンピューターが
合成することで図２（Ｅ）に示す合成データが生成され、マーキングデータサーバー１０
０に合成データ（第５のマーキングデータともいう）１０５として記憶される。
【００３９】
次に、第２LATESTデータ１０４がマーキングデータサーバーに記憶されていないため、
コンピューターが合成データ１０５を第１LATESTデータ１０２と比較し、合成データ１０
５が第１LATESTデータ１０２と一致する場合は、マーキングデータサーバーから第１LATE
STデータ１０２がマーキング装置９０にダウンロードされる。そして、マーキング装置９
０において第１LATESTデータ１０２に基づいて半導体ウェハに良品と不良品のマーキング
が行われる。
【００４０】
また、コンピューターが合成データ１０５を第１LATESTデータ１０２と比較し、合成デ
ータ１０５が第１LATESTデータ１０２と一致しない場合は、マーキングデータサーバーか
ら第１LATESTデータ１０２をマーキング装置９０にダウンロードさせない（なお、本実施
の形態では合成データ１０５と第１LATESTデータ１０２は一致しない）。そして、マーキ
ング処理が行われず、アラームが鳴り、オペレーターに合成データ１０５と第１LATESTデ
ータ１０２が一致しないことを知らせる。
【００４１】
本実施の形態によれば、検査装置２のエラーにより第２LATESTデータがマーキングデー
タサーバー１００に記憶されなくても、合成データ１０５が第１LATESTデータ１０２と一
致しない場合はマーキング処理が行われない。このため、不良チップが良品チップとして
流出することを抑制できる。
【００４２】
［実施の形態３］
図４は、本発明の一態様に係る検査装置１〜３、マーキング装置９０及びマーキングデ
ータサーバー１００を模式的に示す図であり、図１と同一部分には同一符号を付し、異な
る部分についてのみ説明する。
【００４３】
図４に示す検査装置３は、複数の半導体チップが形成された半導体ウェハに検査工程３
（例：低温測定）を行うための装置である。
【００４４】
図５（Ａ）〜（Ｇ）は、本発明の一態様に係るマーキング方法を説明するための図であ
る。なお、以下の動作はコンピューターによって行われる。
【００４５】
図４に示す検査装置１による検査工程１（例：高温測定）を半導体ウェハに行う。この
際、半導体ウェハの全チップを検査する。そして、その検査結果は図５（Ａ）に示すよう
な工程１データとして得られる。
【００４６】
図５（Ａ）の工程１データは検査装置１からマーキングデータサーバー１００に送信さ
れ、記憶される。次いで、図５（Ｂ）に示す第１LATESTデータが検査装置１からマーキン
グデータサーバー１００に送信され、記憶される。
【００４７】
次に、図４に示す検査装置２による検査工程２（例：室温測定）を半導体ウェハに行う
。この際、半導体ウェハにおける検査工程１で良品「○」と判定されたpassチップのみを
検査する。つまり、工程１データ１０１または第１LATESTデータ１０２に基づいて検査工
程２を行う。そして、その検査結果は図５（Ｃ）に示すような工程２データとして得られ
る。
【００４８】
図５（Ｃ）の工程２データは検査装置２からマーキングデータサーバー１００に送信さ
れ、記憶される。次いで、図５（Ｄ）に示す第２LATESTデータが検査装置２からマーキン
グデータサーバー１００に送信され、記憶される。第２LATESTデータ１０４は、工程２デ
ータ１０３と同一である。
【００４９】
次に、図１に示す検査装置３による検査工程３（例：低温測定）を半導体ウェハに行う
。この際、半導体ウェハにおける検査工程２で良品と判定されたpassチップのみを検査す
るところを、オペレーターのミスまたは検査装置３のエラーにより全チップを検査するモ
ードで測定を行う。つまり、工程２データ１０３及び第２LATESTデータ１０４に基づかな
いで検査工程３を行う。このため、図５（Ａ）の工程１データまたは図５（Ｂ）の第１LA
TESTデータで不良品と判定されたfailチップ及び図５（Ｃ）の工程２データまたは図５（
Ｄ）の第２LATESTデータで不良品と判定されたfailチップについても検査される。そして
、その検査結果は図５（Ｅ）に示すような工程３データとして得られる。工程３データは
、左下の「×」の半導体チップが不良品（fail）として判定され、その他の「○」の半導
体チップが良品（pass）と判定されたことを示している。これは、検査工程１，２で不良
品と判定された左上及び左真中の半導体チップが検査工程３では良品と判定されたことを
示している。
【００５０】
図５（Ｅ）の工程３データは検査装置３からマーキングデータサーバー１００に送信さ
れ、工程３データ１０６としてマーキングデータサーバー１００に記憶される。次いで、
図５（Ｆ）に示す第３LATESTデータが検査装置３からマーキングデータサーバー１００に
送信され、第３LATESTデータ１０７としてマーキングデータサーバー１００に記憶される
。第３LATESTデータ１０７は、工程３データ１０６と同一であるが、工程１データ１０１
と工程２データ１０３を重ね合せたものとなっていない。つまり、第３LATESTデータ１０
７では、工程１データ１０１及び工程２データ１０３で不良品と判定された左上及び左真
中の半導体チップが良品と判定されたデータとなっている。
【００５１】
次に、オペレーターがマーキングデータのダウンロードボタンを押すことでコンピュー
ターにより次の動作が行われる。
【００５２】
工程１データ１０１と工程２データ１０３と工程３データ１０６をコンピューターが合
成することで図５（Ｇ）に示す合成データが生成され、マーキングデータサーバー１００
に合成データ１０８として記憶される。この合成データ１０８は、工程１データ１０１で
不良品と判定されたfailチップと工程２データ１０３で不良品と判定されたfailチップと
工程３データ１０６で不良品と判定されたfailチップを全て不良品として合成したデータ
である。
【００５３】
次に、コンピューターが合成データ１０８を第３LATESTデータ１０７と比較し、合成デ
ータ１０８が第３LATESTデータ１０７と一致する場合は、マーキングデータサーバーから
第３LATESTデータ１０７がマーキング装置９０にダウンロードされる。そして、マーキン
グ装置９０において第３LATESTデータ１０７に基づいて半導体ウェハに良品と不良品のマ
ーキングが行われる。
【００５４】
また、コンピューターが合成データ１０８を第３LATESTデータ１０７と比較し、合成デ
ータ１０８が第３LATESTデータ１０７と一致しない場合は、マーキングデータサーバーか
ら第３LATESTデータ１０７をマーキング装置９０にダウンロードさせない（なお、本実施
の形態では合成データ１０８と第３LATESTデータ１０７は一致しない）。そして、マーキ
ング処理が行われず、アラームが鳴り、オペレーターに合成データ１０８と第３LATESTデ
ータ１０７が一致しないことを知らせる。
【００５５】
本実施の形態においても、実施の形態１と同様の効果を得ることができる。
【００５６】
［実施の形態４］
図６（Ａ）〜（Ｇ）は、本発明の一態様に係るマーキング方法を説明するための図であ
る。なお、以下の動作はコンピューターによって行われる。
【００５７】
図４に示す検査装置１による検査工程１（例：高温測定）を実施の形態３と同様の方法
で半導体ウェハに行う。
【００５８】
実施の形態３と同様の方法で、図６（Ａ）の工程１データ１０１がマーキングデータサ
ーバー１００に記憶され、図６（Ｂ）に示す第１LATESTデータ１０２がマーキングデータ
サーバー１００に記憶される。
【００５９】
次に、実施の形態３と同様の方法で、図４に示す検査装置２による検査工程２（例：室
温測定）を半導体ウェハに行う。この際、半導体ウェハにおける検査工程１で良品と判定
されたpassチップのみを検査する。
【００６０】
実施の形態３と同様に、図６（Ｃ）の工程２データは検査装置２からマーキングデータ
サーバー１００に送信され、記憶される。次いで、図６（Ｃ）に示す工程２データと同一
のデータである第２LATESTデータが検査装置２からマーキングデータサーバー１００に送
信されるところを、検査装置２のエラーにより送信されない。そのため、第２LATESTデー
タ１０４はマーキングデータサーバー１００に記憶されない（図６（Ｄ）参照）。
【００６１】
次に、図４に示す検査装置３による検査工程３（例：低温測定）を半導体ウェハに行う
。この際、半導体ウェハにおける検査工程１及び検査工程２で良品「○」と判定されたpa
ssチップのみを検査する。但し、第２LATESTデータ１０４がマーキングデータサーバーに
記憶されていないため、第２LATESTデータ１０４に基づいて検査工程３を行うところを、
第１LATESTデータ１０２に基づいて検査工程３を行うことになる。そして、その検査結果
は図６（Ｅ）に示すような工程３データとして得られる。
【００６２】
図６（Ｅ）の工程３データは検査装置３からマーキングデータサーバー１００に送信さ
れ、記憶される。次いで、図６（Ｆ）に示す第３LATESTデータ１０７が検査装置３からマ
ーキングデータサーバー１００に送信され、記憶される。第３LATESTデータ１０７は、工
程３データ１０６と同一であるが、工程２データ１０３を重ね合せたものとなっていない
。つまり、第３LATESTデータ１０７では、工程２データ１０３で不良品と判定された左真
中の半導体チップが良品と判定されたデータとなっている。
【００６３】
次に、オペレーターがマーキングデータのダウンロードボタンを押すことでコンピュー
ターにより次の動作が行われる。
【００６４】
実施の形態３と同様に、工程１データ１０１と工程２データ１０３と工程３データ１０
６をコンピューターが合成することで図６（Ｇ）に示す合成データが生成され、マーキン
グデータサーバー１００に合成データ１０８として記憶される。
【００６５】
次に、コンピューターが合成データ１０８を第３LATESTデータ１０７と比較し、合成デ
ータ１０８が第３LATESTデータ１０７と一致する場合は、マーキングデータサーバーから
第３LATESTデータ１０７がマーキング装置９０にダウンロードされる。そして、マーキン
グ装置９０において第３LATESTデータ１０７に基づいて半導体ウェハに良品と不良品のマ
ーキングが行われる。
【００６６】
また、コンピューターが合成データ１０８を第３LATESTデータ１０７と比較し、合成デ
ータ１０８が第３LATESTデータ１０７と一致しない場合は、マーキングデータサーバーか
ら第３LATESTデータ１０７をマーキング装置９０にダウンロードさせない（なお、本実施
の形態では合成データ１０８と第３LATESTデータ１０７は一致しない）。そして、マーキ
ング処理が行われず、アラームが鳴り、オペレーターに合成データ１０８と第３LATESTデ
ータ１０７が一致しないことを知らせる。
【００６７】
本実施の形態においても、実施の形態２と同様の効果を得ることができる。
【００６８】
なお、上記の実施の形態１〜４では、検査工程１，２または検査工程１〜３を有するマ
ーキング方法を説明しているが、これに限定されるものではなく、４以上の検査工程を有
するマーキング方法に本発明の一態様を適用することも可能である。
【００６９】
また、上記の実施の形態１〜４を適宜組み合わせて実施することも可能である。
【符号の説明】
【００７０】
９０…マーキング装置、１００…マーキングデータサーバー、１０１…工程１データ（
第１のマーキングデータともいう）、１０２…第１LATESTデータ（第２のマーキングデー
タともいう）、１０３…工程２データ（第３のマーキングデータともいう）、１０４…第
２LATESTデータ（第４のマーキングデータともいう）、１０５…合成データ（第５のマー
キングデータともいう）、１０６…工程３データ、１０７…第３LATESTデータ、１０８…
合成データ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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