(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の基板で挟持され画像表示領域を構成する電気光学物質と、
前記一対の基板のうち一方の基板の前記電気光学物質側に設けられ、前記画像表示領域の周囲を規定する額縁と、
前記一対の基板のうち前記一方又は他方の基板の前記額縁に対向する領域に設けられた光反射体と、
前記光反射体に対向し、前記一方又は他方の基板の前記電気光学物質側と反対側である裏面に形成された光吸収膜とを備えた電気光学装置であって、
さらに、前記額縁の周縁に沿い、前記一対の基板を貼り合わせる紫外線硬化材料でなるシール材を備え、
前記光吸収膜は、前記シール材のあるシール領域に対向していないことを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記光反射体は、配線であることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記光反射体は、回路素子であることを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記光反射体は、前記回路素子であることに加えて又は代えて、前記回路素子を遮光する遮光膜であることを特徴とする請求項３に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記光反射体は、配線と前記回路素子との少なくとも一方を電気的に遮蔽するシールド膜であることを特徴とする請求項３又は４に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記額縁は、前記光反射体が形成された基板の前記電気光学物質側に形成されたことを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記額縁は、前記光反射体が形成されていない基板の前記電気光学物質側に形成されたことを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項８】
前記光反射体が形成された基板の前記電気光学物質側に額縁領域を形成する遮光膜を更に備えたことを特徴とする請求項７に記載の電気光学装置。
【請求項９】
前記光吸収膜は、前記画像表示領域の周囲に形成されていることを特徴とする請求項１から８のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１０】
前記光吸収膜は、更に、前記画像表示領域における各画素の非開口領域に形成されていることを特徴とする請求項１から９のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１１】
前記光吸収膜における前記基板の前記電気光学物質側と反対側に、更に遮光膜が形成されていることを特徴とする請求項１から１０のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１２】
前記光吸収膜は、導電性のポリシリコン膜からなることを特徴とする請求項１から１１のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１３】
請求項１〜１２のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法であって、
基板の裏面上に導電性の光吸収膜を形成する工程と、
前記基板の表面上に、外部回路からの画像信号を表示用電極に伝送するための素子及び配線を形成する工程と、
前記光吸収膜を、少なくとも額縁領域の一部を残すように除去する工程と
を備えたことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１４】
前記除去する工程は、前記額縁領域に形成された前記素子及び配線の少なくとも一部と対向する領域に、前記光吸収膜を残すように除去することを特徴とする請求項１３に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１５】
前記除去する工程は、前記光吸収膜のうち前記画像表示領域内における各画素の開口領域にある部分を除去することを特徴とする請求項１３又は１４に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１６】
前記光吸収膜は、透明又は半透明膜からなり、前記除去する工程は、前記光吸収膜の領域に対向配置されたアラインメントマークを基準にして所定領域を除去することを特徴とする請求項１３から１５のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１７】
前記素子及び配線を形成する工程は、前記導電性の光吸収膜を導電性の台座に接触させて、プラズマ処理及びイオン打ち込み処理のうち少なくとも一方により行う工程を含むことを特徴とする請求項１３から１６のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１８】
前記光吸収膜を形成する工程は、前記素子及び配線を形成する工程と同時に行うことを特徴とする請求項１３から１７のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１９】
前記除去する工程は、前記導電膜のうち前記一対の基板を貼り合わせる紫外線硬化性のシール材に対向する部分を、少なくとも部分的に除去し、
前記除去する工程後に、一対の基板を前記シール材により貼り合わせると共に前記シール材を紫外線照射により硬化させる工程を更に備えたことを特徴とする請求項１３から１８のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項２０】
請求項１から１２のいずれか一項に記載の電気光学装置を具備してなることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶装置等の電気光学装置の技術分野に属し、特に画像表示領域の額縁領域内に配線や回路素子を備えた電気光学装置及びその製造方法、並びにそのような電気光学装置を備えた電子機器の技術分野に属する。
【０００２】
【背景技術】
この種の電気光学装置は、表示用電極、データ線などの各種配線、画素スイッチング用の薄膜トランジスタ（以下適宜、ＴＦＴと称する）や薄膜ダイオード（以下適宜、ＴＦＤと称する）などのスイッチング素子等が形成された素子アレイ基板と、全面的に形成された対向電極やストライプ状に形成された走査電極、カラーフィルタ、遮光膜等が形成された対向基板とが対向配置されている。これら一対の基板間で、液晶等の電気光学物質がシール材により包囲されており、このようにシール材が存在するシール領域よりも中央寄り（即ち、液晶等に面する基板上領域）に、表示用電極が配置された画像表示領域が位置している。ここで特に、平面的に見て（即ち、画像表示領域に対して対向する方向から見て）シール領域の内側輪郭に沿って額縁状に、画像表示領域の額縁領域が、例えば前述の如く対向基板に設けられた遮光膜と同一膜により或いは素子アレイ基板上に別途設けられた内蔵遮光膜と同一膜により規定されている。
【０００３】
また、額縁領域及びその周辺に位置する周辺領域における素子アレイ基板上に、走査線駆動回路、データ線駆動回路、サンプリング回路、検査回路等の周辺回路が作り込まれている、所謂周辺回路内蔵型の電気光学装置も一般化している。
【０００４】
従って、額縁領域内には、画像表示領域から周辺領域に引き出される配線が存在する。更にこのような配線に接続されたサンプリング回路等の周辺回路の一部を額縁領域内に作り込む場合には、額縁領域内には、当該周辺回路の一部を構成する回路素子が存在する。即ち、額縁領域内には、配線や回路素子からなるパターン部が多かれ少なかれ存在する。
【０００５】
このように構成された電気光学装置は、画像表示領域に対応する表示窓が設けられたプラスチック製等の遮光性の実装ケース内に、額縁領域の中心線付近に表示窓の縁が位置するように収容される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述した電気光学装置によれば、素子アレイ基板上における額縁領域に存在する配線や回路素子は、Ａｌ膜等の導電膜がパターニングされてなり、光反射体でもある。このため、特にプロジェクタ用途などのように入射光が強力であり且つ斜め成分を大量に含む場合には、入射光が光反射体の反射率に応じてその表面で反射すると共に入射光が光反射体間の隙間を通過する。そして、このように光反射体で反射した光が、対向基板上のＣｒ（クロム）等からなる額縁遮光膜により、或いは素子アレイ基板上の内蔵遮光膜からなる額縁遮光膜により、反射されたりする。更に、(i)このように額縁遮光膜で反射された内面反射光や光反射体を透過した光が、素子アレイ基板の裏面で反射してなる反射光、(ii)同じくこのように額縁遮光膜で反射された内面反射光や光反射体を透過した光が、電気光学装置の出射側に取り付けられた偏光板、位相差板、防塵ガラスなどの光学要素で反射してなる反射光、(iii)複数の電気光学装置をライトバルブとして組み合わせて複板式プロジェクタとした場合に他の電気光学装置から出射されて合成光学系を突き抜けて来る戻り光が、光反射体や額縁遮光膜等で更に反射してなる、光反射体に応じた明暗を有する内面反射光などが、最終的に出射光に混じって当該電気光学装置から出射する。
【０００７】
これらの結果、パターン部における反射や透過に応じた明暗パターン（例えば、配線が複数配列されている場合には、縞模様等の明暗パターン）が表示画像の縁付近に映し出されてしまうという問題点がある。加えて、配線や回路素子からなる光反射体の表面は、その下地面の凹凸に応じて且つその光反射体形状に応じて、凹凸が存在するため、係る凹凸表面で反射する内面反射光は、光の干渉作用によっても明暗パターンを持つので、最終的に出射光に混じる明暗パターンは、光反射体の構造によっては一層顕著となるという問題点がある。
【０００８】
更に、前述の如くサンプリング回路等を額縁領域内に設ける場合には、これを構成する回路素子であるＴＦＴ等の半導体層に、前述の戻り光が入射する。即ち、額縁領域を規定する遮光膜は、対向基板上や素子アレイ基板の表面上におけるＴＦＴ等の上層側に形成されている。従って、このようなＴＦＴ等における戻り光に対する遮光を、当該額縁を規定する遮光膜で行うことはできない。この結果、額縁領域内に設けられたＴＦＴ等では、戻り光の入射により励起した光リーク電流が発生し、トランジスタ特性等の回路素子特性が変化してしまうという問題点もある。
【０００９】
他方、この種の電気光学装置の製造においては、ガラス基板、石英基板等の絶縁性基板上に、プラズマ処理、イオン注入処理等を含む各種プレーナ処理を行うことで、配線や回路素子を形成する。従って、各種工程中に発生する静電気が製造中或いは製造したばかりの配線や回路素子を静電破壊することを防止せねばならない。このため、製造工程中は全配線をショートしておき、装置完成間近にこれらを分断したり、静電気除去装置で静電気を吸収しながら各種工程を行うことなどが必要となり、最終的には製造工程の複雑高度化を招き、製造コストを上昇させるという問題点もある。
【００１０】
本発明は上述した問題点に鑑みなされたものであり、額縁領域に設けられた配線や回路素子からなる光反射体に起因した明暗パターンが表示画像内に映し出されることを防止可能であり、電気光学装置の静電破壊対策を効率良く行いながらそのような電気光学装置を比較的容易に製造可能な電気光学装置の製造方法、並びにそのような電気光学装置を具備してなる各種電子機器を提供することを課題とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明の電気光学装置は上記課題を解決するために、一対の基板で挟持され画像表示領域を構成する電気光学物質と、前記一対の基板のうち一方の基板の前記電気光学物質側に設けられ、前記画像表示領域の周囲を規定する額縁と、前記一対の基板のうち前記一方又は他方の基板の前記額縁に対向する領域に設けられた光反射体と、前記光反射体に対向し、前記一方又は他方の基板の前記電気光学物質側と反対側である裏面に形成された光吸収膜と、を備えたことを特徴とする。
【００１２】
さらに、前記光反射体は、配線や回路素子であることを特徴とする。
【００１３】
本発明の電気光学装置によれば、例えばデータ線、走査線等の配線が画像表示領域から引き出されて額縁領域内に配置される。或いは、これに代えて又は加えて、引き出された配線に接続された周辺回路の少なくとも一部を構成するトランジスタ或いはＴＦＴ、ＴＦＤ等の回路素子が額縁領域内に配置される。そしてこのように額縁領域内に設けられた配線や回路素子を介して画像信号等を、画素電極等の表示用電極にＴＦＴ等の画素スイッチング用素子を介して或いは直接供給することにより、アクティブマトリクス駆動やパッシブマトリクス駆動などが可能となる。
【００１４】
この際、特にプロジェクタ用途などのように入射光が強力であり且つ斜め成分を大量に含む場合に、例えばＡｌ膜等の導電膜でなる配線や素子、すなわち光反射体の反射率に応じて、その表面で入射光が反射したり、入射光が光反射体の隙間を通過する。しかるに本発明では、光反射体に対向し、基板の電気光学物質側と反対側である裏面に形成された光吸収膜により、光反射体で反射したり、光反射体の隙間を透過した入射光のうち内面反射を経た後或いは直接に表示用の出射光に最終的に混ざる光量は、当該光吸収膜で吸収される分だけ減少する。より具体的には、光反射体で反射した光が、対向基板上や素子アレイ基板上のＣｒ等からなる額縁遮光膜により反射されることにより、額縁領域の付近で基板側に向けて進行しても、光吸収膜で吸収される分だけ、表示用の出射光に混ざる光量が減少する。額縁遮光膜で反射された内面反射光や光反射体を透過した光が、素子アレイ基板の裏面や偏光板、位相差板、防塵ガラスなどの光学要素で反射してなる反射光についても、光吸収膜で吸収される分だけ、表示用の出射光に混ざる光量が減少する。更に、複板式プロジェクタの場合における戻り光が、光反射体や額縁遮光膜等で更に反射してなる内面反射光についても、光吸収膜で吸収される分だけ、これが最終的に表示用の出射光に混ざる量が減少する。
【００１５】
特に、配線や回路素子からなる光反射体の表面は、その下地面の凹凸に応じて或いはその光反射体形状に応じて凹凸が存在するため、係る凹凸表面で反射する内面反射光は光の干渉作用によっても明暗パターンを持つものの、光吸収膜による吸収によって、このような明暗パターンを低減できる。
【００１６】
以上のように本発明の電気光学装置によれば、額縁領域に設けられた配線や回路素子からなる光反射体に起因して、表示画像の縁付近に映し出される明暗パターンを低減できる。従って、表示画像の縁付近に映し出される、明暗パターンを隠すために額縁遮光膜を幅広にする必要も無くなり、限られた基板上領域において広い画像表示領域を確保することも可能となる。
【００１７】
加えて本発明の電気光学装置によれば、光吸収膜は、額縁領域内における光反射体に対向する一部に設けられるので、光反射体である回路素子を構成するＴＦＴ等における戻り光に対する遮光性能が高まる。このため、額縁領域内に、ＴＦＴ等の回路素子を含んでなるサンプリング回路等の周辺回路を作り込む構成としても、光吸収膜の存在によって当該ＴＦＴ等における回路素子特性を向上できる。或いは、戻り光による回路素子特性の低下を効果的に防止できる。この結果、額縁領域内に作り込まれており良好な特性を有する周辺回路により駆動することによって、電気光学装置全体として高品位の画像表示が可能となる。
【００１８】
また、本発明の電気光学装置の一の態様では、光反射体は、回路素子を遮光する遮光膜あるいは、配線と回路素子との少なくとも一方を電気的に遮蔽するシールド膜であることを特徴とする。
【００１９】
前記遮光膜やシールド膜においても光反射体として機能するので、それに対向して光吸収膜を形成することにより、表示用の出射光に不要な光が入るのを低減することができる。
【００２０】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記額縁は、前記光反射体が形成された基板の前記電気光学物質側に形成されてもよい。
【００２１】
また、本発明の電気光学装置の他の態様では、前記額縁は、前記光反射体が形成されていない基板の前記電気光学物質側に形成されてもよい。
【００２２】
この態様では、前記光反射体が形成された基板の前記電気光学物質側に額縁領域を形成する遮光膜を更に備えてもよい。
【００２３】
この態様によれば、画像表示領域の縁をより明確に表示することができる。
【００２４】
また、本発明の電気光学装置の他の態様では、前記光吸収膜は、前記画像表示領域の周囲に形成されていることを特徴とする。
【００２５】
この態様では、一対の基板を貼り合わせるシール材が熱硬化性樹脂である場合、シール領域を含め画像表示領域の周囲を光吸収膜で覆うことができる。
【００２６】
また、本発明の電気光学装置の他の態様では、前記光吸収膜は、更に、前記画像表示領域における各画素の非開口領域に形成されていることを特徴とする。
【００２７】
この態様によれば、画像表示領域内では、光吸収膜は各画素の非開口領域（即ち、各画素において実際に表示に寄与する光が透過或いは反射して出射される領域である開口領域を除く領域）に形成されているので、当該光吸収膜の存在により非開口領域に入る光を吸収し、表示品位を向上させることができる。
【００２８】
更に、このように構成すれば、画像表示領域内にＴＦＴからなる画素スイッチング素子を用いた場合に、光リーク電流の発生によるＴＦＴの特性の変化を防止することも可能となる。
【００２９】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記光吸収膜における前記基板の前記電気光学物質側と反対側に、更に遮光膜が形成されていることを特徴とする。
【００３０】
この態様によれば、当該電気光学装置にその裏面側から入射する戻り光については、遮光膜による反射により、遮光性能が向上する。そして、当該電気光学装置の内部では、額縁領域で基板の表面側から裏面側に向けて進行する光は光吸収膜により吸収される。従って、これらの遮光膜及び光吸収膜により、表示画像の縁付近に映し出される明暗パターンを低減したり、光反射体における戻り光に対する遮光性能を高めたりが可能となる。
【００３１】
尚、このような遮光膜としては、Ａｌ（アルミニウム）、Ｃｒ（クロム）等の各種材料からなる膜が挙げられるが、このように基板に近い側に光吸収膜が配置され且つこれに遮光膜が重ねられている構成を採用するので、遮光膜として高反射率のものを用いることも可能である。即ち、高反射率の遮光膜を採用しても、光吸収膜があるので、内面反射光を増長させることはない。
【００３２】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記額縁の周縁に沿い、前記一対の基板を貼り合わせる紫外線硬化材料でなるシール材を備え、前記光吸収膜は、前記シール材のあるシール領域に対向していないことを特徴とする。
【００３３】
この態様によれば、後述する本発明の電気光学装置の製造方法の如く、シール材を紫外線照射により硬化させる際に、光吸収膜がこれを妨害することがない。このため、シール材を良好に硬化させることができ、最終的に電気光学装置における信頼性を高められる。
【００３４】
また、本発明の電気光学装置の他の態様では、前記光吸収膜は、導電性のポリシリコン膜からなることを特徴とする。
【００３５】
この態様によれば、例えば、数百ｎｍ（ナノメートル）程度の膜厚のポリシリコン膜により良好な光吸収特性が得られる。更にこの場合、後述する本発明の電気光学装置の製造方法の如く、ポリシリコン膜を当該電気光学装置の製造中に静電破壊対策用の導電膜としても機能させることも可能である。
【００３６】
本発明の電気光学装置の製造方法は上記課題を解決するために、基板の裏面上に導電膜を形成する工程と、前記基板の表面上に、外部回路からの画像信号を表示用電極に伝送するための素子及び配線を形成する工程と、前記導電膜を、少なくとも額縁領域の一部を残すように除去する工程とを備えたことを特徴とする。
【００３７】
本発明の電気光学装置の製造方法によれば、基板の表面上に、外部回路からの画像信号を表示用電極に伝送するための素子及び配線を形成する際、薄膜形成時やエッチング時には、プラズマ処理やイオン注入処理など静電気が大量に発生する処理が行われるが、基板の裏面には導電膜が形成されているので、基板に伝導した或いは基板で発生した静電気は、この導電膜を介して製造装置の台座等へと逃げる。即ち、絶縁性の基板上で素子や配線の形成を行っても、裏面に導電膜が形成されている間は、導電性のシリコン基板上で素子や配線の形成を行うのとほぼ同等に静電気を逃がすことが可能となる。従って、素子や配線における静電破壊を導電膜により効果的に防止できる。特に高価で製造工程を複雑高度化させる静電気除去装置等の使用も殆ど又は全く必要なくなる。
【００３８】
そして、素子や配線を形成した後に、導電膜を少なくとも額縁領域の一部を残すように除去するが、それ以降に、プラズマ処理やイオン注入処理等が殆ど又は全く行われないように製造することで、非常に効率的な静電破壊対策を講じられる。しかも、このような導電膜は、基板の裏面における不要な領域で除去すれば、或いは必要とあれば最終的に全てを除去すれば、この導電膜の存在が当該電気光学装置の機能に悪影響を及ぼすことはない。
【００３９】
加えて、このような導電膜を基板の裏面のほぼ又は完全に全面に形成しておけば、スパッタリング、ＣＶＤ、イオン注入等の各装置チャンバ内における台座上に、真空吸引等で基板を保持する際の障害とならない。
【００４０】
本発明の電気光学装置の製造方法の一態様では、前記導電膜は、光吸収膜からなり、前記除去する工程は、前記額縁領域に形成された前記素子及び配線の少なくとも一部と対向する領域に、前記光吸収膜を残すように除去することを特徴とする。
【００４１】
この態様によれば、静電破壊対策を終えた後の導電膜たる光吸収膜は、これを除去する工程によって、素子及び配線の少なくとも一部と対向する領域に残される。このため、導電膜（光吸収膜）によって製造中に静電破壊対策を行うことに加えて、製造後には前述した本発明の電気光学装置が構築され、光吸収膜によって表示画像の縁付近に映し出される明暗パターンを低減したり、パターン部における戻り光に対する遮光性能を高めたりが可能となる。
本発明の電気光学装置の製造方法の他の態様では、前記除去する工程は、前記導電膜のうち前記画像表示領域内における各画素の開口領域にある部分を除去することを特徴とする。
【００４２】
この態様によれば、画像表示領域内における各画素の開口領域にある導電膜を除去するので、導電膜の存在により、各画素の開口領域における光透過率を低下させることを防止できる。更に、各画素の非開口領域を当該導電膜により規定することも可能となる。
【００４３】
本発明の電気光学装置の製造方法の他の態様では、前記導電膜は、透明又は半透明膜からなり、前記除去する工程は、前記導電膜の領域に対向配置されたアラインメントマークを基準にして所定領域を除去することを特徴とする。
【００４４】
この態様によれば、アラインメントマークは、透明又は半透明膜からなる導電膜を透けて見えるので、基板の裏面側からでも、このアラインメントマークを用いて、ステッパ等による位置合わせ精度を高められる。仮に、導電膜が遮光膜であると、基板の裏面からのアラインメントマークの認識は困難或いは不可能となる。しかも、透明な基板を採用することで、このようなアラインメントマークは、基板の表面上に形成されてもよい。そして、このように導電膜を透けて見えるアラインメントマークを基準にして、導電膜の所定領域を除去するので、例えば各画素の開口領域にある導電膜部分を選択的に除去することも可能となる。
【００４５】
本発明の電気光学装置の製造方法の他の態様では、前記素子及び配線を形成する工程は、前記光吸収膜を導電性の台座に接触させて、プラズマ処理及びイオン打ち込み処理のうち少なくとも一方により行う工程を含むことを特徴とする。
【００４６】
この態様によれば、例えばプラズマＣＶＤ、スパッタリング等のプラズマ処理や、半導体膜の低抵抗化のためのイオン打ち込み処理等により、素子及び配線を形成する工程が行われるので、製造中に基板の近傍で静電気が大量に発生する。しかるに、基板の裏面には導電膜が形成されているので、絶縁性の基板上で素子及び配線の形成を行っても、導電性のシリコン基板上で素子及び配線の形成を行うのとほぼ同等に静電気を逃がすことが可能となる。
【００４７】
本発明の電気光学装置の製造方法の他の態様では、前記光吸収膜を形成する工程は、前記素子及び配線を形成する工程と同時に行うことを特徴とする。
【００４８】
この態様によれば、基板の表面に配線や回路素子等を構成する導電膜を形成する際に、同時に基板の裏面に、導電膜を形成するので、製造工程を単純化できる。更に、基板の裏面に導電膜を概ね形成した後に、基板の表面に他の導電膜を形成する際に、該他の導電膜が基板の裏面に回り込んで形成されても、基板の裏面では電気絶縁性は問題とならないので、これを敢えて除去する必要も無いので有利である。
【００４９】
本発明の電気光学装置の製造方法の他の態様では、前記除去する工程は、前記導電膜のうち前記一対の基板を貼り合わせる紫外線硬化性のシール材に対向する部分を、少なくとも部分的に除去し、前記除去する工程後に、一対の基板を前記シール材により貼り合わせると共に前記シール材を紫外線照射により硬化させる工程を更に備えたことを特徴とする。
【００５０】
この態様によれば、導電膜のうちシール材に対向する部分を少なくとも部分的に除去し、その後、一対の基板をシール材により貼り合わせる際に、シール材を紫外線照射により硬化させる。従って、導電膜の存在が紫外線照射を妨害する事態を回避できる。
【００５１】
本発明の電子機器は上記課題を解決するために、上述した本発明の電気光学装置（但し、その各種態様も含む）を具備してなる。
【００５２】
本発明の電子機器は、上述した本発明の電気光学装置を具備してなるので、額縁領域に設けられた配線や回路素子からなる光反射体に起因した明暗パターンが表示画像内に映し出されることがなく、高品位の画像表示を行なうことが可能な、投射型表示装置、液晶テレビ、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。
【００５３】
本発明のこのような作用及び他の利得は次に説明する実施の形態から明らかにされる。
【００５４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。以下の実施形態は、本発明の電気光学装置を液晶装置に適用したものである。
【００５５】
（電気光学装置の構成）
先ず、本発明の実施形態における電気光学装置の全体構成について、図１及び図２を参照して説明する。ここでは、電気光学装置の一例である駆動回路内蔵型のＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置を例にとる。
【００５６】
図１は、ＴＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図であり、図２は、図１のＨ−Ｈ’断面図である。
【００５７】
図１及び図２において、本実施形態に係る電気光学装置では、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に液晶層５０が封入されており、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により相互に接着されている。
【００５８】
シール材５２は、両基板を貼り合わせるための、例えば紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂等からなり、製造プロセスにおいてＴＦＴアレイ基板１０上に塗布された後、紫外線照射、加熱等により硬化させられたものである。また、シール材５２中には、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間隔（基板間ギャップ）を所定値とするためのグラスファイバ或いはガラスビーズ等のギャップ材が散布されている。即ち、本実施形態の電気光学装置は、プロジェクタのライトバルブ用として小型で拡大表示を行うのに適している。但し、当該電気光学装置が液晶ディスプレイや液晶テレビのように大型で等倍表示を行う液晶装置であれば、このようなギャップ材は、液晶層５０中に含まれてもよい。
【００５９】
シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。但し、このような額縁遮光膜の一部又は全部は、ＴＦＴアレイ基板１０側に内蔵遮光膜として設けられてもよい。
【００６０】
本実施形態では特に、ＴＦＴアレイ基板１０の裏面（図２中、下側の面）に、平面的に見て額縁遮光膜５３とほぼ同じ領域に、光吸収膜５０１が形成されている。光吸収膜５０１の構成及び遮光作用については後に詳述する。
【００６１】
画像表示領域の周辺に広がる領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域の外側に位置する周辺領域には、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられており、走査線駆動回路１０４が、この一辺に隣接する２辺に沿って設けられている。更にＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺には、画像表示領域１０ａの両側に設けられた走査線駆動回路１０４間をつなぐための複数の配線１０５が設けられている。また図１に示すように、対向基板２０の４つのコーナー部には、両基板間の上下導通を果たすための上下導通材１０６が配置されている。他方、ＴＦＴアレイ基板１０にはこれらのコーナーに対向する領域において上下導通端子が設けられている。これらにより、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通をとることができる。尚、上下導通端子は対向基板２０の４つのコーナー部全てに設けなくてもよい。
【００６２】
本実施形態では特に、光反射体である、データ線駆動回路１０１から供給される画像信号をサンプリングするサンプリング回路３０１が、額縁領域内に配置されている。即ち、サンプリング回路３０１を構成する後述のＴＦＴ等の回路素子が額縁領域内に配置されている。更に、光反射体である、画像表示領域１０ａ内に配線されたデータ線からサンプリング回路３０１に至る配線部分、データ線駆動回路１０１からサンプリング回路３０１に至る配線部分、画像表示領域１０ａ内に配線された走査線から走査線駆動回路１０４に至る配線部分等の各種配線部分も、額縁領域内に配置されている。
【００６３】
尚、図１及び図２に示したＴＦＴアレイ基板１０上には、これらのデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４、サンプリング回路３０１等に加えて、複数のデータ線に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該電気光学装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成してもよい。
【００６４】
次に以上の如く構成された電気光学装置における回路構成及び動作について図３を参照して説明する。図３は、電気光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路と周辺回路とを示すブロック図である。
【００６５】
図３において、本実施形態における電気光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素には夫々、画素電極９ａと当該画素電極９aをスイッチング制御するためのＴＦＴ３０とが形成されており、画像信号が供給されるデータ線６ａが当該ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。
【００６６】
画像表示領域１０ａ外である周辺領域には、データ線６ａの一端（図３中で下端）が、サンプリング回路３０１の各スイッチを構成する、ＴＦＴのドレインに接続されている。他方、画像信号線１１５は、引き出し配線１１６を介してサンプリング回路３０１の各スイッチを構成するＴＦＴのソースに接続されている。データ線駆動回路１０１に接続されたサンプリング回路駆動信号線１１４は、サンプリング回路３０１の各スイッチを構成するＴＦＴのゲートに接続されている。そして、画像信号線１１５上に供給される画像信号は、データ線駆動回路１０１からサンプリング回路駆動信号線１１４を介してサンプリング回路駆動信号が供給されるのに応じて、サンプリング回路３０１によりサンプリングされて各データ線６ａに供給されるように構成されている。
【００６７】
このようにデータ線６ａに書き込まれる画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしても良い。
【００６８】
また、画素スイッチング用のＴＦＴ３０のゲートに走査線３ａが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを、走査線駆動回路１０４により、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを所定のタイミングで書き込む。画素電極９ａを介して電気光学物質の一例としての液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、対向基板２０に形成された対向電極２１との間で一定期間保持される。液晶は、印加される電位レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能にする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として電気光学装置からは画像信号に応じたコントラストを持つ光が出射する。ここで、保持された画像信号がリークするのを防ぐために、画素電極９ａと対向電極２１との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０を付加する。走査線３ａに並んで、蓄積容量７０の固定電位側容量電極を含むと共に定電位に固定された容量線３００が設けられている。
【００６９】
次に、図１から図３に示した額縁遮光膜５３の設けられた額縁領域及び周辺領域における電気光学装置の詳細構成について、額縁領域に設けられた光吸収膜５０１の構成及び光吸収作用を中心として、図４から図６を参照して説明する。ここに図４は、図２における額縁遮光膜ＣＲ部分付近を拡大して示す部分断面図であり、図５は、図４に示した部位のうち額縁遮光膜５３及び光吸収膜５０１を抜粋して部分的に示すと共にサンプリング回路３０１に至るデータ線６ａの端付近を示す図式的な部分斜視図であり、図６は、比較例における額縁遮光膜５３及びデータ線６ａの端付近を示す図式的な部分斜視図である。
【００７０】
図４に示すように、本実施形態では、額縁遮光膜５３下にある額縁領域には、パターン部の一例として、画像信号線１１５からの引き出し配線１１６、サンプリング回路３０１を構成する導電膜３０１ａが形成されている。そして同じく、この額縁領域には特に、ＴＦＴアレイ基板１０の裏側に光吸収膜５０１が形成されている。また、図４の断面には現れないが、額縁遮光膜５３下にある額縁領域には、光反射体たるパターン部の他の例として、サンプリング回路３０１に至るデータ線６ａの端付近も存在している。
【００７１】
尚、図４において、ＴＦＴアレイ基板１０の表面（図４中、上側の面）上には、下地絶縁膜１２、第１層間絶縁膜４１、第２層間絶縁膜４２、第３層間絶縁膜４３、画素電極９ａ及び配向膜１６がこの順に形成されており、対向基板１０上には、額縁遮光膜５３、対向電極２１及び配向膜２２がこの順に形成されているが、これらの詳細については、後に画素部の構成のところで説明を加える。
【００７２】
ここで図５に示すように、特にプロジェクタ用途などのように入射光Ｌ１が強力であり且つ斜め成分を大量に含む場合に、例えばＡｌ膜等の導電膜がパターニングされてなるデータ線６ａの反射率に応じて、その表面で入射光Ｌ１が反射したり、入射光Ｌ１がパターン部の隙間を通過する。また、戻り光Ｌ２が、ＴＦＴアレイ基板１０の裏側から入射する。本実施形態では、光吸収膜５０１がＴＦＴアレイ基板１０の裏面上に形成されているので、このような入射光Ｌ１及び戻り光Ｌ２は夫々、光吸収膜５０１により吸収されて、正規の出射光Ｌｏｕｔに混ざり込む割合が低減する。
【００７３】
加えて、図４に示した画像信号線１１５からの引き出し配線１１６、サンプリング回路３０１を構成する導電膜３０１ａ等の光反射体たるパターン部についても同様に、入射光Ｌ１は反射する。しかしながら、この場合にも、上述したデータ線６ａの場合と同様に、光吸収膜５０１がＴＦＴアレイ基板１０の裏面上に形成されているので、このような入射光Ｌ１は、光吸収膜５０１により吸収されて、正規の出射光Ｌｏｕｔに混ざり込む割合が低減する。更に、戻り光Ｌ２についても、光吸収膜５０１により吸収されて、係る引き出し配線１１６等に至ることは殆ど無いので、やはり戻り光Ｌ２の反射光が正規の出射光Ｌｏｕｔに混ざり込む割合が低減する。
【００７４】
これに対し図６に示すように、光吸収膜５０１を設けない比較例においては、このような入射光Ｌ１及び戻り光Ｌ２は夫々、光吸収膜５０１により吸収されることなく、正規の出射光Ｌｏｕｔに混ざり込む。この結果、比較例では、データ線６ａの端付近、引き出し配線１１６等のパターン部における反射や透過に応じた明暗パターンが表示画像の縁付近に映し出されてしまう。
【００７５】
このように本実施形態では、光吸収膜５０１の光吸収作用により、データ線６ａの端付近、或いは引き出し配線１１６やサンプリング回路３０１を構成する導電膜３０１ａ等のパターン部における反射や透過に応じた明暗パターンが表示画像の縁付近に映し出されてしまうことは殆どないのである。従って、係る明暗パターンを隠すために額縁遮光膜５３を幅広にする必要も無くなり、限られた基板上領域において広い画像表示領域１０ａ（図１参照）を確保できる。
【００７６】
特に、データ線６ａ、引き出し配線１１６等からなるパターン部の表面は、そのパターン形状自体に応じて凹凸が存在するため、係る凹凸表面で反射する内面反射光は光の干渉作用によっても明暗パターンを持つものの、光吸収膜５０１による光吸収作用によって、このような明暗パターンを低減できる。
【００７７】
加えて本実施形態では、光吸収膜５０１は、額縁領域内におけるサンプリング回路３０１に対向して設けられるので、サンプリング回路３０１を構成するＴＦＴ等における戻り光に対する遮光性能が高まる。この観点からすれば、光吸収膜５０１は、額縁領域内において、Ａｌ膜等からなり内面反射（図５参照）を起こすパターン部やＴＦＴ等のパターン部に対向する領域に形成され、それ以外の領域には形成されなくてもよい。但し、光吸収膜５０１は、額縁遮光膜５３と同一の額縁形状（図１参照）に形成してもよく、後者の方が一般に製造が容易である。
【００７８】
更にサンプリング回路３０１を構成するＴＦＴ等における戻り光に対する遮光性能を高める観点からすれば、図４に示した光吸収膜５０１に代えて、図４で上側が光吸収膜からなり下側が遮光膜からなる二層構造を有する光吸収膜を設けることが望ましい。このような二層構造の下層をなす遮光膜としては、Ａｌ、Ｃｒ等の各種材料からなる膜が挙げられ、高反射率であることは特に内面反射を増加させる要因とはならない。
【００７９】
また、額縁領域の周囲に位置する周辺領域にまで、光吸収膜５０１を形成することも可能である。但し、電気光学装置は、樹脂等からなる遮光性の実装ケースに収容され、実装ケース内に漏れる光については、その内面により吸収されるので特に問題とはならない。逆に、後述の製造プロセスの如く、シール材５２を紫外線硬化させる場合には、光吸収膜５０１は必要以上に広くないほうが好ましい。
【００８０】
逆に、画像表示領域１０ａ（図１参照）にまで、光吸収膜５０１を形成することも可能である。但し、画像表示領域１０ａで明るい画像表示を行うためには、このような光吸収膜５０１は、画像表示領域１０ａ内には設けない方が好ましい。少なくとも画像表示領域１０ａ内においては、光吸収膜５０１は、各画素の開口領域には形成しない方が、画像表示領域１０ａで明るい画像表示を行うためには好ましい。
【００８１】
また、光吸収膜５０１の材質としては、例えばポリシリコン、金属、樹脂等の各種材質でよく、光吸収性があれば上述の如き効果が得られる。但し、後述の如く、製造プロセスにおける静電破壊を防ぐ機能を発揮させるためには、光吸収膜５０１の材質としては導電性のものがよく、例えば、膜厚数百ｎｍ程度の導電性のポリシリコン膜がここでは好適に用いられる。
【００８２】
次に、本発明の実施形態の電気光学装置の画像表示領域における構成について、図７及び図８を参照して説明する。図７は、データ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図である。図８は、図７のＡ−Ａ’断面図である。尚、図８においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。
【００８３】
図７において、電気光学装置のＴＦＴアレイ基板上には、マトリクス状に複数の透明な画素電極９ａ（点線部９ａ’により輪郭が示されている）が設けられており、画素電極９ａの縦横の境界に各々沿ってデータ線６ａ及び走査線３ａが設けられている。
【００８４】
また、半導体層１ａのうち図中右上がりの斜線領域で示したチャネル領域１ａ’に対向するように走査線３ａが配置されており、走査線３ａはゲート電極として機能する。このように、走査線３ａとデータ線６ａとの交差する個所には夫々、チャネル領域１ａ’に走査線３ａがゲート電極として対向配置された画素スイッチング用のＴＦＴ３０が設けられている。
【００８５】
図７及び図８に示すように、蓄積容量７０は、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅ及び画素電極９ａに接続された画素電位側容量電極としての中継層７１と、固定電位側容量電極としての容量線３００の一部とが、誘電体膜７５を介して対向配置されることにより形成されている。
【００８６】
容量線３００は平面的に見て、走査線３ａに沿ってストライプ状に伸びており、ＴＦＴ３０に重なる個所が図７中上下に突出している。このような容量線３００は好ましくは、膜厚５０ｎｍ程度の導電性のポリシリコン膜等からなる第１膜と、膜厚１５０ｎｍ程度の高融点金属を含む金属シリサイド膜等からなる第２膜とが積層された多層構造を持つように構成される。このように構成すれば、第２膜は、容量線３００或いは蓄積容量７０の固定電位側容量電極としての機能の他、ＴＦＴ３０の上側において入射光からＴＦＴ３０を遮光する遮光層としての機能を持つ。
【００８７】
本実施形態では特に、容量線３００は、走査線３ａ及びデータ線６ａ間に積層されているので、平面的に見て走査線３ａやデータ線６ａと重なる基板上領域に容量を作り込むことにより、蓄積容量７０の増大が図られている。
【００８８】
他方、ＴＦＴアレイ基板１０上におけるＴＦＴ３０の下側には、下側遮光膜１１ａが格子状に設けられている。下側遮光膜１１ａは、例えば、例えば、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）等の高融点金属のうち少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの等からなる。
【００８９】
そして、図７中縦方向に夫々伸びるデータ線６ａと図７中横方向に夫々伸びる容量線３００とが相交差して形成されること及び格子状に形成された下側遮光膜１１ａにより、各画素の開口領域を規定している。
【００９０】
図７及び図８に示すように、データ線６ａは、コンタクトホール８１を介して、例えばポリシリコン膜からなる半導体層１ａのうち高濃度ソース領域１ｄに電気的に接続されている。尚、上述した中継層７１と同一膜からなる中継層を形成して、当該中継層及び２つのコンタクトホールを介してデータ線６ａと高濃度ソース領域１ｄとを電気的に接続してもよい。
【００９１】
また容量線３００は好ましくは、画素電極９ａが配置された画像表示領域１０ａ（図１参照）からその周囲に延設され、定電位源と電気的に接続されて、固定電位とされる。このような定電位源としては、データ線駆動回路１０１や走査線駆動回路１０４に供給される正電源や負電源の定電位源でもよいし、対向基板２０の対向電極２１に供給される定電位でも構わない。更に、ＴＦＴ３０の下側に設けられる下側遮光膜１１ａについても、その電位変動がＴＦＴ３０に対して悪影響を及ぼすことを避けるために、容量線３００と同様に、画像表示領域からその周囲に延設して定電位源に接続するとよい。
【００９２】
画素電極９ａは、中継層７１を中継することにより、コンタクトホール８３及び８５を介して半導体層１ａのうち高濃度ドレイン領域１ｅに電気的に接続されている。
【００９３】
図７及び図８において、電気光学装置は、透明なＴＦＴアレイ基板１０と、これに対向配置される透明な対向基板２０とを備えている。ＴＦＴアレイ基板１０は、例えば石英基板、ガラス基板、シリコン基板からなり、対向基板２０は、例えばガラス基板や石英基板からなる。
【００９４】
図８に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０には、画素電極９ａが設けられており、その上側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜１６が設けられている。画素電極９ａは例えば、ＩＴＯ膜などの透明導電性膜からなる。また配向膜１６は例えば、ポリイミド膜などの透明な有機膜からなる。
【００９５】
他方、対向基板２０には、その全面に渡って対向電極２１が設けられており、その下側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜２２が設けられている。対向電極２１は例えば、ＩＴＯ膜などの透明導電性膜からなる。また配向膜２２は、ポリイミド膜などの透明な有機膜からなる。
【００９６】
対向基板２０には、各画素の非開口領域に対応して格子状又はストライプ状の遮光膜２３を設けるようにしてもよい。このような構成を採ることで、前述の如く非開口領域を規定する容量線３００やデータ線６ａと共に当該対向基板２０上の遮光膜２３により、対向基板２０側からの入射光がチャネル領域１ａ’や低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃに侵入するのを、より確実に阻止できる。更に、このような対向基板２０上の遮光膜２３は、少なくとも入射光が照射される面を高反射な膜で形成することにより、電気光学装置の温度上昇を防ぐ働きをする。尚、このような対向基板２０上の遮光膜２３は、両基板の貼り合わせずれによって各画素の開口領域を狭めないように、非開口領域の内側に細めに形成するのが好ましい。このように細めに形成しても、冗長的な遮光を行うと共に入射光による電気光学装置内部の温度上昇を防ぐ効果は発揮される。
【００９７】
このように構成された、画素電極９ａと対向電極２１とが対面するように配置されたＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間には、シール材５２（図１及び図２参照）により囲まれた空間に電気光学物質の一例である液晶が封入され、液晶層５０が形成される。
【００９８】
更に、画素スイッチング用のＴＦＴ３０下には、下地絶縁膜１２が設けられている。下地絶縁膜１２は、下側遮光膜１１ａからＴＦＴ３０を層間絶縁する機能の他、ＴＦＴアレイ基板１０の全面に形成されることにより、ＴＦＴアレイ基板１０の表面の研磨時における荒れや、洗浄後に残る汚れ等で画素スイッチング用のＴＦＴ３０の特性変化を防止する機能を有する。
【００９９】
図８において、画素スイッチング用のＴＦＴ３０は、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有しており、走査線３ａ、当該走査線３ａからの電界によりチャネルが形成される半導体層１ａのチャネル領域１ａ’、走査線３ａと半導体層１ａとを絶縁するゲート絶縁膜を含む絶縁膜２、半導体層１ａの低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃ、半導体層１ａの高濃度ソース領域１ｄ並びに高濃度ドレイン領域１ｅを備えている。
【０１００】
走査線３ａ上には、高濃度ソース領域１ｄへ通じるコンタクトホール８１及び高濃度ドレイン領域１ｅへ通じるコンタクトホール８３が各々開孔された第１層間絶縁膜４１が形成されている。
【０１０１】
第１層間絶縁膜４１上には中継層７１及び容量線３００が形成されており、これらの上には、高濃度ソース領域１ｄへ通じるコンタクトホール８１及び中継層７１へ通じるコンタクトホール８５が各々開孔された第２層間絶縁膜４２が形成されている。
【０１０２】
第２層間絶縁膜４２上にはデータ線６ａが形成されており、これらの上には、中継層７１へ通じるコンタクトホール８５が形成された平坦化した第３層間絶縁膜４３が形成されている。画素電極９ａは、このように構成された第３層間絶縁膜４３の上面に設けられている。
【０１０３】
本実施形態では、第３層間絶縁膜４３の表面は、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing：化学的機械研磨）処理等により平坦化されており、その下方に存在する各種配線や素子による段差に起因する液晶層５０における液晶の配向不良を低減する。
【０１０４】
以上説明したように本施形態によれば、光吸収膜５０１を設けているので、額縁領域に設けられた画像信号線１１５の引き出し配線１１６やデータ線６ａ等の各種配線やサンプリング回路３０１を構成するＴＦＴ等からなるパターン部に起因して、表示画像の縁付近に映し出される明暗パターンを低減できる。また、サンプリング回路３０１を構成するＴＦＴ等における戻り光に対する耐光性を向上できる。
【０１０５】
また、光反射体としては、サンプリング回路３０１を構成するトランジスタに光が入射しないように、下側遮光膜１１ａや、データ線６ａ、容量線３００と同一膜でなる遮光膜を形成してもよい。
【０１０６】
また、光反射体としては、配線やサンプリング回路３０１を電気的に遮蔽する下側遮光膜１１ａや、データ線６ａ、容量線３００と同一膜でなる遮光膜を形成してもよい。
【０１０７】
尚、以上説明した実施形態では、図８に示したように多数の導電層を積層することにより、画素電極９ａの下地面（即ち、第３層間絶縁膜４３の表面）におけるデータ線６ａや走査線３ａに沿った領域に段差が生じるのを、第３層間絶縁膜４３の表面を平坦化することで緩和しているが、これに代えて或いは加えて、ＴＦＴアレイ基板１０、下地絶縁膜１２、第１層間絶縁膜４１、第２層間絶縁膜４２或いは第３層間絶縁膜４３に溝を掘って、データ線６ａ等の配線やＴＦＴ３０等を埋め込むことにより平坦化処理を行ってもよいし、第２層間絶縁膜４２の上面の段差をＣＭＰ処理等で研磨することにより、或いは有機又は無機ＳＯＧを用いて平らに形成することにより、当該平坦化処理を行ってもよい。
【０１０８】
以上説明した実施形態では、データ線駆動回路１０１や走査線駆動回路１０４をＴＦＴアレイ基板１０の上に設ける代わりに、例えばＴＡＢ（Tape Automated bonding）基板上に実装された駆動用ＬＳＩに、ＴＦＴアレイ基板１０の周辺部に設けられた異方性導電フィルムを介して電気的及び機械的に接続するようにしてもよい。また、対向基板２０の投射光が入射する側及びＴＦＴアレイ基板１０の出射光が出射する側には各々、例えば、ＴＮ（Twisted Nematic）モード、ＶＡ（Vertically Aligned）モード、ＰＤＬＣ(Polymer Dispersed Liquid Crystal)モード等の動作モードや、ノーマリーホワイトモード／ノーマリーブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板などが所定の方向で配置される。
【０１０９】
以上説明した実施形態における電気光学装置は、プロジェクタに適用されるため、３枚の電気光学装置がＲＧＢ用のライトバルブとして各々用いられ、各ライトバルブには各々ＲＧＢ色分解用のダイクロイックミラーを介して分解された各色の光が投射光として各々入射されることになる。従って、各実施形態では、対向基板２０に、カラーフィルタは設けられていない。しかしながら、画素電極９ａに対向する所定領域にＲＧＢのカラーフィルタをその保護膜と共に、対向基板２０上に形成してもよい。このようにすれば、プロジェクタ以外の直視型や反射型のカラー電気光学装置について、各実施形態における電気光学装置を適用できる。また、対向基板２０上に１画素１個対応するようにマイクロレンズを形成してもよい。或いは、ＴＦＴアレイ基板１０上のＲＧＢに対向する画素電極９ａ下にカラーレジスト等でカラーフィルタ層を形成することも可能である。このようにすれば、入射光の集光効率を向上することで、明るい電気光学装置が実現できる。更にまた、対向基板２０上に、何層もの屈折率の相違する干渉層を堆積することで、光の干渉を利用して、ＲＧＢ色を作り出すダイクロイックフィルタを形成してもよい。このダイクロイックフィルタ付き対向基板によれば、より明るいカラー電気光学装置が実現できる。
【０１１０】
（電気光学装置の製造プロセス）
次に、以上の如く構成された電気光学装置の製造プロセスについて図９のフローチャートを参照して説明する。ここでは、特に、ＴＦＴアレイ基板側における額縁領域に光吸収膜を形成する工程を中心に説明する。
【０１１１】
図９において先ず、ＴＦＴアレイ基板側については先ず、石英基板、ガラス基板等の電気絶縁性の基板を用意し、その基板の裏面に、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法等により、導電性の光吸収膜として導電性ポリシリコン膜を数百ｎｍ程度の膜厚でベタに形成する。最終的には、この導電性ポリシリコン膜から、図３等に示した所定パターンの光吸収膜５０１が形成されることとなるが、この段階では、敢えてパターニングは行わない（ステップＳ１）。尚、ポリシリコン膜を形成後に、イオン注入等により、その導電性を所望の値に調整可能である。
【０１１２】
次に、このように導電性ポリシリコン膜が形成された基板を、各種成膜用装置のチャンバ内にセットする。この際特に、チャンバ内の基板を載せるための台座（ステージ）に、導電性ポリシリコン膜が面するように基板を置き、真空吸引等によりこれを保持する（ステップＳ２）。尚、台座は、通常接地されているか、固定電位に落とされている。
【０１１３】
次に、この状態で、スパッタリング、プラズマＣＶＤ等のプラズマ処理或いはイオン注入処理等によって各種導電膜や半導体膜を形成し、これをフォトリソグラフィ及びエッチングにより所定パターンにすることで、画像表示領域１０ａ内のＴＦＴ３０及び額縁領域のサンプリング回路３０１を構成するＴＦＴ等の回路素子を形成したり、走査線３ａ、データ線６ａ、画像信号線１１５の引き出し配線１１６等の配線を順次形成する。この際、各層の導電膜間や半導体膜間には、常圧又は減圧ＣＶＤ法等によりシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等からなる層間絶縁膜を積層形成する。この結果、図７及び図８に示したような回路素子や配線等がＴＦＴアレイ基板１０上に形成された構造が得られる（ステップ３）。尚、画像表示領域１０ａ、額縁領域及び周辺領域に作り込まれるＴＦＴ等は、同一膜を用いて同時形成可能である。
【０１１４】
次に、ＴＦＴアレイ基板１０を装置内の台座から外して、今度は、光吸収膜５０１となる導電性ポリシリコン膜を表にするように、フォトリソグラフィ及びエッチング用の装置内の台座（ステージ）に載せて、ＴＦＴアレイ基板１０を製造装置にセットする（ステップＳ４）。
【０１１５】
次に、ＴＦＴアレイ基板１０の裏面全体に形成された導電性ポリシリコン膜に対し、フォトリソグラフィ及びエッチングを施すことでパターニングし、図１から図３に示したような額縁領域にのみ形成された平面パターンを有する光吸収膜５０１を完成される（ステップＳ５）。
【０１１６】
その後、石英基板、ガラス基板等の基板上に、遮光膜５３、対向電極２１等が形成されてなる対向基板２０を別途用意し、これと、ステップＳ５を終えたＴＦＴアレイ基板１０とを、紫外線硬化樹脂等からなるシール材５２により相互に接着して液晶セルを組み立てた後（ステップＳ６）、真空注入等により液晶を封入して（ステップＳ７）、図１から図３に示した如き実施形態の電気光学装置を完成させる。
【０１１７】
以上説明した製造プロセスによれば、ステップＳ３において、薄膜形成時やエッチング時にプラズマ処理やイオン注入処理など静電気が大量に発生する処理が行われるが、基板の裏面には導電性ポリシリコン膜が形成されているので、静電気は、この導電性ポリシリコン膜を介して基板を載せた台座側へと逃げる。従って、静電気除去装置等をチャンバ内に設けなくとも、各種配線、ＴＦＴ等における静電破壊を防止できる。
【０１１８】
しかも、このような導電性ポリシリコン膜は、ステップＳ５でパターニングされて光吸収膜５０１とされ、その存在が当該電気光学装置の完成後に画像表示領域１０ａにおける光透過率を低める要因とはならない。それどころか、光吸収膜５０１として、電気光学装置における表示画像の縁付近に映し出される明暗パターンを低減し、額縁領域における戻り光に対する遮光性能を高めるのである。
【０１１９】
尚、ステップＳ５における導電性ポリシリコン膜のパターニングは、ステップＳ３における回路素子や配線の形成が完了した後に行えばよいが、少なくとも、プラズマ処理やイオン注入処理等の静電気が大量に発生する処理の後に行うことが、静電破壊防止の観点から効果的である。
【０１２０】
以上説明した製造プロセスでは特に、ステップＳ５における導電性ポリシリコン膜のパターニングの際に、通常は透明或いは半透明であるこの膜を透けて見えるアラインメントマークを基準にしてパターニングを行うことが可能であり、ステッパ等によける位置合わせ精度を高められる。例えば、アラインメントマークを基準にすれば、位置合わせ精度１μｍ以内でパターニングを行うことも可能となる。尚、このようなアラインメントマークは、例えば最終的にＴＦＴアレイ基板１０を複数個含んでなるマザー基板上における適当な位置に、ステッパ装置による走査で透過率の違い（輝度差）、段差等が認識可能なように形成すればよい。
【０１２１】
但し、ステップＳ５における導電性ポリシリコン膜のパターニングの際には、このようなアラインメントマークを基準とせずにパターニングしてもよい。即ち、本実施形態の如く、単純に額縁領域に光吸収膜５０１を残す程度のパターニングであれば、アラインメントマークを用いることなく機械的な位置合わせによっても十分可能である。
【０１２２】
以上説明した製造プロセスでは特に、ステップＳ３における各種成膜プロセス中に、場合により、導電性のポリシリコン膜等が、ステップＳ１で形成されたＴＦＴアレイ基板１０の裏面にある導電性ポリシリコン膜上に形成されることがある。伝統的には、このような裏面に形成される不要な導電膜は、裏面エッチング処理等により、その成膜後に遅延無く除去していたが、本実施形態では、このように不要とされる導電膜をも、ステップＳ５のパターニングの際に一括して除去することが可能となるので、製造プロセスを単純化する上で有利である。
【０１２３】
更に以上説明した製造プロセスでは特に、ステップＳ６における基板の貼り合せの際には、光吸収膜５０１のパターニングが済んでおり、しかも、光吸収膜５０１はシール領域を外れて形成されているので、光吸収膜５０１の存在がステップＳ６における紫外線照射を妨害しないで済む。
【０１２４】
以上のように本実施形態の電気光学装置の製造プロセスによれば、明暗パターンが表示画像内に映し出されることを防止でき且つ額縁領域に設けられたサンプリング回路等における戻り光に対する遮光性能を向上できる電気光学装置を、静電破壊対策を効率良く行いながら比較的容易に製造可能である。
【０１２５】
（電子機器の実施形態）
次に、以上詳細に説明した電気光学装置をライトバルブとして用いた電子機器の一例たる投射型カラー表示装置の実施形態について、その全体構成、特に光学的な構成について説明する。ここに図１０は、投射型カラー表示装置の図式的断面図である。
【０１２６】
図１０において、本実施形態における投射型カラー表示装置の一例たる液晶プロジェクタ１１００は、駆動回路がＴＦＴアレイ基板１０上に搭載された液晶装置１００を含む液晶モジュールを３個用意し、夫々ＲＧＢ用のライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂとして用いたプロジェクタとして構成されている。液晶プロジェクタ１１００では、メタルハライドランプ等の白色光源のランプユニット１１０２から投射光が発せられると、３枚のミラー１１０６及び２枚のダイクロイックミラー１１０８によって、ＲＧＢの３原色に対応する光成分Ｒ、Ｇ、Ｂに分けられ、各色に対応するライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂに夫々導かれる。この際特にＢ光は、長い光路による光損失を防ぐために、入射レンズ１１２２、リレーレンズ１１２３及び出射レンズ１１２４からなるリレーレンズ系１１２１を介して導かれる。そして、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂにより夫々変調された３原色に対応する光成分は、ダイクロイックプリズム１１１２により再度合成された後、投射レンズ１１１４を介してスクリーン１１２０にカラー画像として投射される。
【０１２７】
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴なう電気光学装置及び電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の実施形態の電気光学装置におけるＴＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図である。
【図２】  図１のＨ−Ｈ’断面図である。
【図３】  実施形態の電気光学装置における画像表示領域を構成するマトリクス状の複数の画素に設けられた各種素子、配線等の等価回路を、周辺回路を共に示すブロック図である。
【図４】  図２におけるＣＲ部分付近を拡大して示す部分断面図である。
【図５】  図４に示した部位のうち額縁遮光膜、引き出し配線及び光吸収膜を抜粋して部分的に示す図式的な部分斜視図である。
【図６】  比較例における額縁遮光膜及び引き出し配線を抜粋して部分的に示す図式的な部分斜視図である。
【図７】  実施形態の電気光学装置におけるデータ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図である。
【図８】  図７のＡ−Ａ’断面図である。
【図９】  実施形態の電気光学装置の製造プロセスを示すフローチャートである。
【図１０】  本発明の電子機器の実施形態である投射型カラー表示装置の一例たるカラー液晶プロジェクタを示す図式的断面図である。
【符号の説明】
１ａ…半導体層
３ａ…走査線
６ａ…データ線
９ａ…画素電極
１０…ＴＦＴアレイ基板
１１ａ…下側遮光膜
２０…対向基板
２１…対向電極
３０…ＴＦＴ
５０…液晶層
５３…額縁遮光膜
１１５…画像信号線
１１６…画像信号線の引き出し配線
３０１…サンプリング回路
５０１…光吸収膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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