(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
蒸着物質の蒸気を生じさせる第１蒸着源及び第２蒸着源と、被蒸着材を搬送可能な被蒸着材搬送部と、前記蒸気が流通可能な開口部を備えた蒸気流通部とを具備し、
前記被蒸着材搬送部は、前記被蒸着材が前記蒸気流通部の開口部に少なくとも面する蒸着可能状態から該開口部に面しない蒸着不可能状態へと切り換え可能に搬送するための搬送切換手段を備えるとともに、
前記第１蒸着源と第２蒸着源とのいずれかを作動させるための蒸着源作動切換手段を具備し、
さらに、前記被蒸着材を同一面内で回転させるための被蒸着材回転手段を具備することを特徴とする蒸着装置。
【請求項２】
前記搬送切換手段は、前記被蒸着材を前記開口部を横切る態様で搬送することにより、該被蒸着材を前記開口部を通過する通過状態から非通過状態に切り換え、前記通過状態において前記被蒸着材が蒸着可能とされ、前記非通過状態において前記被蒸着材が蒸着不可能とされることを特徴とする請求項１に記載の蒸着装置。
【請求項３】
前記搬送切換手段は、前記第１蒸着源が作動している場合に前記被蒸着材を蒸着可能状態へと搬送する第１搬送状態と、該蒸着可能状態から蒸着不可能状態へと搬送する第２搬送状態と、前記第２蒸着源が作動している場合に前記被蒸着材を蒸着不可能状態から蒸着可能状態へと搬送する第３搬送状態との間で前記基板を搬送切換することを特徴とする請求項１又は２に記載の蒸着装置。
【請求項４】
前記搬送切換手段は、前記被蒸着材を所定方向に搬送する第１方向搬送状態と、該第１の方向とは逆向きに前記被蒸着材を搬送する第２方向搬送状態との間で前記基板を搬送切換することを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の蒸着装置。
【請求項５】
前記第１蒸着源と第２蒸着源とは、その蒸着源と前記蒸気流通部の開口面重心位置とを結ぶ基準線と、前記被蒸着材の被蒸着面法線とのなす角にて定義される蒸着基準角がそれぞれ異なることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の蒸着装置。
【請求項６】
前記被蒸着材回転手段は、前記被蒸着材が前記蒸着不可能状態にある場合に、該被蒸着材を同一面内で回転させることを特徴とする請求項１ないし５に記載の蒸着装置。
【請求項７】
請求項１ないし６のいずれか１項に記載の蒸着装置を用いる蒸着方法であって、前記被蒸着材を前記被蒸着材搬送部に配設し、該被蒸着材を搬送しつつ、前記第１蒸着源を作動させ前記蒸気流通部を介して第１の蒸着を行う第１蒸着工程と、前記第１の蒸着後の被蒸着材を前記被蒸着材回転手段によって同一面内で回転させる工程と、前記被蒸着材回転手段によって同一面内で回転させた後の被蒸着材を搬送しつつ、前記第２蒸着源を作動させ前記蒸気流通部を介して第２の蒸着を行う第２蒸着工程と、を含むことを特徴とする蒸着方法。
【請求項８】
前記搬送切換手段は、前記第１蒸着工程において前記被蒸着材を蒸着可能状態に搬送し、該第１蒸着工程の終了後、前記被蒸着材を蒸着不可能状態に搬送するとともに、さらに前記第２蒸着工程においては再び前記被蒸着材を蒸着不可能状態から蒸着可能状態に搬送することを特徴とする請求項７に記載の蒸着方法。
【請求項９】
互いに対向する一対の基板間に液晶層が挟持され、該一対の基板の液晶層側の表面に無機配向膜がそれぞれ形成された構成を具備する液晶装置の製造方法であって、請求項１ないし６のいずれか１項に記載の蒸着装置を用いて前記基板の表面に前記無機配向膜を蒸着形成することを特徴とする液晶装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、被蒸着材表面に液晶配向膜等の蒸着膜を形成するのに好適な蒸着装置、及びこの装置を用いる蒸着方法、ならびに液晶装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
基板等の被蒸着材表面に対して蒸着膜を形成する方法として斜方蒸着法が知られている。この斜方蒸着法は、蒸着物質を斜めの角度から被蒸着材に導き入れ、被蒸着材表面に対して所定方向に配向した蒸着物質の柱状構造物（以下、カラムとも言う）を形成することが可能な蒸着方法である。具体的には所定の蒸着装置を用いて行われ、真空下、蒸着源を加熱して蒸着物質の蒸気流を生じさせ、予め蒸着源と傾き角θ1（蒸着源と基板面重心位置とを結ぶ基準線と、基板面法線とのなす角）でセットされた被蒸着材に対し蒸着を行うものとされている。この場合、上記傾き角θ1に基づいて蒸着物質のカラム配向方向が決定される。
【０００３】
一方、このような斜方蒸着法は、例えば液晶配向膜を形成する際に用いられる場合がある。この場合、基板上に液晶配向膜として形成した蒸着膜に基づいて、具体的にはカラムの配向方向に基づいて液晶分子を所定角度θ2（プレティルト角とも言う）だけ傾斜させることが可能となる。例えば、蒸着物質としてＳｉＯを用い、ＳｉＯの蒸気流を傾き角θ1に伴う蒸着角度で基板に導き入れることで、ＳｉＯの蒸着膜（液晶配向膜）を基板面に形成しており、例えば蒸着角度が４５°〜７２°程度の場合、プレティルト角θ2は０°となり、蒸着角度が７５°〜８５°程度ではθ2は１１°〜３５°程度となる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記のような斜方蒸着法においては、被蒸着材面上の場所によって蒸着の角度（蒸着角）、膜厚等が異なってくる。これは、蒸着源が点源であって、被蒸着材が点源と傾き角θ1でセット（固定）されているためで、詳しくは被蒸着材面の端側ほど点源からの広がりが大きくなるためである。このように蒸着角（蒸着方向と基板面法線方向とのなす角）、蒸着膜厚が場所によって異なると、蒸着分子の配向方向も場所によって異なるものとなる場合がある。さらに蒸着膜を液晶配向膜として用いた場合には、蒸着角及び／又は蒸着膜厚が基板面上の場所によって異なると、液晶分子のプレティルト角θ2も基板面上の場所によって異なってくる場合がある。
【０００５】
具体的には、基板面内で蒸着源に近い部分では膜厚が大きくなり、遠い部分では膜厚が小さくなるとともに、膜厚が大きいとプレティルト角が大きくなり、小さい場合にはプレティルト角が小さくなる場合がある。その結果、液晶層の電気光学的特性が場所によって変化し、これを表示画面等に用いた場合には、表示画面全体にわたって一様なコントラストが得られなくなる場合がある。
【０００６】
一方、斜方蒸着法においては基板面に凹凸があると、蒸着方向に対してその凹凸の影となる領域で蒸着膜が形成され難いという問題がある。そこで、所定の傾き角θ1にて１層目の蒸着膜を形成した後に、真空状態の蒸着装置を定常状態に戻して基板の傾き角θ1を異なる傾き角θ3に変更し、再び真空状態に戻した後に２層目の蒸着膜を行うことで、複数の傾き角から蒸着を行うことが可能となる。また、傾き角のみならず蒸着の面内方向（方位角方向）を異ならせることで複数方向からの蒸着を可能とし、上記凹凸の影となる部分にも蒸着を行うことが知られている。このような装置を用いた方法では、手間が係るばかりでなく、上述した通り、基板の表面上で蒸着角度及び／又は蒸着膜厚が不均一な蒸着膜となる場合があり、これを液晶配向膜として用いた場合には上記同様のコントラスト低下等の問題を引き起こす場合がある。
【０００７】
本発明の課題は、被蒸着材たる基板面全体に亙って、蒸着角度及び／又は蒸着膜厚の均一な蒸着膜を簡便に複数層積層して形成することが可能な蒸着装置、及び蒸着方法、ならびにその蒸着装置、蒸着方法を用いた液晶装置の製造方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明の蒸着装置は、蒸着物質の蒸気を生じさせる第１蒸着源及び第２蒸着源と、被蒸着材を搬送可能な被蒸着材搬送部と、前記蒸気が流通可能な開口部を備えた蒸気流通部とを具備し、前記被蒸着材搬送部は、前記被蒸着材が前記蒸気流通部の開口部に少なくとも面する蒸着可能状態から該開口部に面しない蒸着不可能状態へと切り換え可能に搬送するための搬送切換手段を備えるとともに、前記第１蒸着源と第２蒸着源とのいずれかを作動させるための蒸着源作動切換手段を具備し、さらに、前記被蒸着材を同一面内で回転させるための被蒸着材回転手段を具備することを特徴とする。
【０００９】
このような蒸着装置によると、例えば第１蒸着源が作動して蒸気を生じている場合に、被蒸着材を蒸着可能状態として第１蒸着膜を形成し、続いて被蒸着材を一旦蒸着不可能状態とした後に、第２蒸着源を作動させ、被蒸着材を再び蒸着可能状態として第２蒸着膜を形成することができる。これにより多層の蒸着膜を被蒸着材に対して交互に形成することが可能となる。なお、第１蒸着源と第２蒸着源とを含むものとしたが、本発明の蒸着装置においては、これら２つの蒸着源に限らず複数の蒸着源を設け、それらを各々切り換えて作動させるものとすることもできる。
【００１０】
なお、前記搬送切換手段は、前記第１蒸着源が作動している場合に前記被蒸着材を蒸着可能状態へと搬送する第１搬送状態と、蒸着可能状態から蒸着不可能状態へと搬送する第２搬送状態と、前記第２蒸着源が作動している場合に前記被蒸着材を蒸着不可能状態から蒸着可能状態へと搬送する第３搬送状態と、を含むものとすることで、少なくとも２層の蒸着膜を確実に形成することが可能な蒸着装置を提供することが可能となる。このように２層の蒸着膜を確実に形成可能とすることで、例えば２層からなる蒸着膜を液晶表示装置の配向膜として用いた場合、液晶分子のプレティルト角を比較的容易に任意に制御することが可能となり、詳しくは、上層側の蒸着物質の柱状構造物（以下、カラムとも言う）の方位角方向に基づいてプレティルト角を制御することが可能となる。
【００１１】
具体的に、前記搬送切換手段は、前記被蒸着材を開口部を横切る態様で搬送することにより、被蒸着材を前記開口部を通過する通過状態から非通過状態に切り換え、前記通過状態において前記被蒸着材が蒸着可能とされ、前記非通過状態において前記被蒸着材が蒸着不可能とされるものとすることができる。この場合、被蒸着材を開口部を横切る態様で搬送することにより、被蒸着材の被蒸着面が蒸気流通部の開口部を横切る態様で移動することとなり、被蒸着材を固定された位置に配設して蒸着する場合に比して、蒸着角及び／又は蒸着膜厚が被蒸着面の場所毎に均一なものとなり得る。
【００１２】
前記搬送切換手段は、前記被蒸着材を所定方向に搬送する第１方向搬送状態と、第１の方向とは異なる方向に前記被蒸着材を搬送する第２方向搬送状態とを含むものとすることができる。すなわち、第１蒸着源により第１蒸着膜を形成する場合の搬送方向と、第２蒸着源により第２蒸着膜を形成する場合の搬送方向とを異ならせることを可能とし、第１蒸着膜と第２蒸着膜における蒸着物質の柱状構造物（カラム）の配向方向を異ならせることが可能となる。すなわち、第１の蒸着と第２の蒸着とにおいて少なくとも搬送方向を異ならせることで、蒸着方向を異ならせることが可能となり、例えば被蒸着材表面において凹凸等が形成されている場合にも、その凹凸の影となる部分にも確実に蒸着を行うことが可能となる。
【００１３】
前記第１蒸着源と第２蒸着源とは、その蒸着源と前記蒸気流通部の開口面重心位置とを結ぶ基準線と、前記被蒸着材の被蒸着面法線とのなす角にて定義される蒸着基準角がそれぞれ異なるものとすることができる。これにより、第１蒸着膜と第２蒸着膜の蒸着角度を異ならせることが可能となる。したがって、蒸着角度の異なる複数の蒸着膜を多層に形成することが可能となり得る。しかも、当該蒸着を真空下にて行う場合、蒸着角度の異なる蒸着膜を形成するには、従来では第１の蒸着を行った後に真空状態を通常状態に戻して第２の蒸着を行う等の手間が掛かっていたが、本発明の場合、そのような手間を省くことが可能となる。
【００１４】
さらに、上記蒸着装置は、前記被蒸着材を同一面内で回転させるための被蒸着材回転手段を具備するものとすることができる。この場合、被蒸着材を同一面内で回転させることにより蒸着方向を回転に伴って変化させることが可能となる。また、第１蒸着源による第１の蒸着と、第２蒸着源による第２の蒸着と切換時において被蒸着材を同一面内で回転させることにより、確実に第１の蒸着と第２の蒸着とで蒸着方向を異ならせることが可能となる。したがって、例えば被蒸着材表面において凹凸等が形成されている場合にも、その凹凸に対して複数の方向から蒸着が可能となり、凹凸の影となる部分にも確実に蒸着を行うことが可能となる。また、蒸着の面内方向（方位角方向）が異なる２層の蒸着膜を形成可能で、これら蒸着膜のカラムの方位角方向はそれぞれ異なるものとなり、この蒸着膜を液晶表示装置の配向膜として用いた場合、液晶分子のプレティルト角を比較的に任意に制御することが可能となり、詳しくは、プレティルト角を５°〜２０°の範囲で制御することが可能となる。
【００１５】
次に本発明の蒸着方法は、上記蒸着装置を用いることを特徴とし、前記被蒸着材を前記被蒸着材搬送部に配設し、該被蒸着材を搬送しつつ、前記第１蒸着源を作動させ前記蒸気流通部を介して第１の蒸着を行う第１蒸着工程と、前記第１の蒸着後の被蒸着材を前記被蒸着材回転手段によって同一面内で回転させる工程と、前記被蒸着材回転手段によって同一面内で回転させた後の被蒸着材を搬送しつつ、前記第２蒸着源を作動させ前記蒸気流通部を介して第２の蒸着を行う第２蒸着工程と、を含むことを特徴とする。このような蒸着方法により、複数の蒸着層を具備する蒸着膜を簡便に形成することが可能となるとともに、蒸着膜の膜厚及び／又は蒸着角がより均一なものとなり得る。
【００１６】
さらに本発明の液晶装置の製造方法は、互いに対向する一対の基板間に液晶層が挟持され、その一対の基板の液晶層側の表面に無機配向膜がそれぞれ形成された構成を具備する液晶装置の製造方法であって、上記蒸着装置を用いて基板の表面に無機配向膜を蒸着形成することを特徴とする。この場合、基板表面には蒸着物質たる無機配向膜が形成されることとなり、上記蒸着装置を用いているため、無機配向膜は膜厚が従来の蒸着方法に比してより均一となり、しかも蒸着角度もより均一化されるため、挟持される液晶層において液晶分子をより均一に所定角度（プレティルト角）だけ傾斜させることが可能となり、さらにこれら膜を複数層に形成することが可能となる。したがって、本発明の方法により製造された液晶装置を表示装置に用いた場合、液晶層の電気光学的特性が場所によらずより均一になるため、表示画面全体にわたって一様なコントラストで表示することが可能となる。
【００１７】
【発明の実施の形態】
［蒸着装置の一実施形態］
以下、本発明の蒸着装置についてその一実施形態を図面を参照しつつ説明する。なお、各図においては、各構成部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、その縮尺を異ならしめてある。
図１は、蒸着装置の外観を模式的に示す説明図である。この蒸着装置１は、蒸着物質の蒸気を生じさせる第１蒸着源２ａ及び第２蒸着源２ｂと、蒸着物質の蒸気が流通可能なスリット状の開口部３ａを備える蒸気流通部３と、蒸気流通部３に形成され被蒸着材としての基板５を搬送可能な搬送部４とを具備する蒸着室８、蒸着室８を真空にするための真空ポンプ１０、搬送部４の作動制御を行う搬送制御部（搬送切換手段）７、第１蒸着源２ａ及び第２蒸着源２ｂのいずれかを作動させるための作動切換制御部（蒸着源作動切換手段）６を備えている。なお、搬送制御部７と作動切換制御部６とを同一の制御装置により一体で構成することも可能である。
【００１８】
搬送制御部７は、搬送部４における基板５の搬送開始ないし停止タイミング、搬送方向、搬送速度等を制御するものとされており、作動切換制御部６は２つの蒸着源２ａ，２ｂの作動開始ないし停止タイミング、蒸気発生量等を制御するものとされている。各制御部６，７にはＣＰＵ，ＲＯＭ，ＲＡＭが組み込まれ、上記搬送制御及び蒸着源作動制御は、例えばＲＯＭに格納された制御プログラムをＣＰＵが読み込み、ＲＡＭをワークエリアとして制御プログラムに基づいてＣＰＵが実行するものとされている。なお、各制御部にスイッチを設け、そのスイッチを人為的に操作することでハード的に基板の搬送制御、蒸着源作動制御等を実行することも可能である。
【００１９】
基板５は、開口部３ａを横切る態様で搬送部４により搬送され、その開口部３ａを横切る際に蒸着物質の蒸気が蒸着されるものとされている。すなわち、基板５が開口部３ａを通過する場合（開口部３ａの開口面に面する場合）は蒸着可能状態とされ、通過しない場合（開口部３ａの開口面に面しない場合）は蒸着不可能状態とされている。
【００２０】
したがって、蒸着装置１を用いて行う蒸着方法は以下の通りである。まず、真空ポンプ１０を作動させると蒸着室８が真空化し、さらに第１蒸着源２ａ又は第２蒸着源２ｂのうちいずれか一方を加熱すると、その加熱した蒸着源から蒸着物質の蒸気が発生する。蒸着源２ａ又は蒸着源２ｂのいずれかから発生した蒸着物質の蒸気流は、蒸気流通部３の開口部３ａを通過し、搬送されている基板５の被蒸着表面に所定の角度（蒸着角）で蒸着されるものとされている。具体的には、第１蒸着源２ａが蒸気を発生している場合に基板５を開口部３ａの開口面に面する蒸着可能状態へと搬送し、さらに基板５を蒸着可能状態から蒸着不可能状態へと一旦搬送した後、第１蒸着源２ａの作動を停止し第２蒸着源２ｂのみを作動させ再び基板５を蒸着可能状態に搬送する制御を行うものとされている。これにより、第１蒸着源２ａにより第１の蒸着膜が形成され、第２蒸着源２ｂにより第２の蒸着膜が形成されることとなり、少なくとも２層以上の蒸着膜を蒸着させることが可能となる。
【００２１】
図２は蒸着源２と、蒸気流通部３と、搬送部４との位置関係を模式的に示す説明図である。搬送部４は搬送ローラにて構成され、該搬送ローラが所定の方向に所定の速度で回転することにより、基板５が蒸気流通部３上を面内移動可能とされている。なお、搬送部４は例えばベルト式のコンベア等を採用することも可能で、その他にも蒸気流通部３を所定角度でプラス角方向及びマイナス角方向へのいずれにも傾斜自在に構成し、蒸気流通部３の傾斜に伴って基板５を搬送（スライド）させることも可能である。
【００２２】
一方、搬送部４は基板５を同一面内において回転させることが可能とされている。具体的には、複数のローラの各々が３６０°の方向に回転可能に構成されており、各ローラの回転により基板５が面内回転される態様となっている。本実施形態の場合、基板５が開口部３ａの開口面に面しない状態、すなわち基板５が蒸着不可能状態にある場合に、ローラが基板５を回転させるべく所定方向に回転するものとされている。
【００２３】
第１蒸着源２ａ及び第２蒸着源２ｂは点源あるいは線源で構成され、これら蒸着源２ａ及び２ｂと開口部３ａの開口面の重心位置とを結ぶ基準線ｌ1及びｌ2と、開口部３ａの開口面の法線ｌ3とのなす角で定義される蒸着基準角θ1及びθ2が、それぞれ８０°及び６０°として配設されている。したがって、第１蒸着源２ａ及び第２蒸着源２ｂから基板５に蒸着される蒸着物質の蒸着角度は、それぞれ異なるものとなる。
【００２４】
［蒸着方法の一実施例］
以下、本実施形態の蒸着装置１を用いた蒸着方法の一実施例について図３〜図８を参照しつつ説明する。
まず図３に示すように、搬送部４を作動させることにより基板５を搬送する。具体的には、開口部３ａを介して蒸気流通部３の非開口部とされる第１遮蔽部１３５から第２遮蔽部１３６へ基板５を搬送する（図４参照）。このような第１遮蔽部１３５から第２遮蔽部１３６への搬送時においては、第１蒸着源２ａのみを作動させ第１の蒸着を行うものとされている（第１蒸着工程）。したがって、基板５は、その第１端側Ａから第２端側Ｂに順次開口部３ａに面するように搬送され、その結果、第１端側Ａから第２端側Ｂに順次第１の蒸着が施される。なお、この第１蒸着工程においては、第１蒸着源２ａから基板５への蒸着レートは１ｎｍ／秒、基板搬送速度は０．５ｃｍ／秒とされている。また、図面中、基板５の中心部付近に示した符号Ｃは基板の紙面手前側位置を、括弧にて示した符号Ｄは基板の紙面後方側位置を表している。
【００２５】
搬送部４に基づき、図４に示すように基板５が第２遮蔽部１３６に搬送されると、搬送部４は、基板５をその位置を略固定しつつ（重心位置を略固定しつつ）面内回転させる。具体的には、基板面内で９０°回転を行うものとしており、図６に示すように第１蒸着工程において搬送方向先頭側に位置していた第１端側Ａが図面後方側に回転され、搬送方向後方側に位置していた第２端側Ｂが図面前方側に回転される。したがって、第１蒸着工程において図面手前側にあった位置Ｃが図面右側に、図面後方側にあった位置Ｄが図面左側に回転される。なお、この回転は例えば図５に示すようなアーム４５の操作により行うことも可能である。このアーム４５においては、蒸気流通部３の第２遮蔽部１３６上にある基板５を把持する基板把持部４６と、把持した基板を回転させる回転作動部４７とが設けられ、基板把持部４６が基板５を把持して基板５を吊り上げた後、回転作動部４７の回転に基づき基板５を面内回転させることが可能である。
【００２６】
このように基板５を面内回転させ、第１端側Ａと第２端側Ｂとの位置を９０°回転させた後、図７に示すように、基板５を第１蒸着工程とは逆の方向に搬送する。すなわち回転させた基板５を、開口部３ａを介して第２遮蔽部１３６から第１遮蔽部１３５へ基板５を搬送する（図８参照）。このような第２遮蔽部１３６から第１遮蔽部１３５への搬送時においては、第２蒸着源２ｂのみを作動させ第２の蒸着を行うものとされている（第２蒸着工程）。したがって、基板５は、その第４端側Ｄから第３端側Ｃに順次開口部３ａに面するように搬送され、その結果、第４端側Ｄから第３端側Ｃに順次第２の蒸着が施される。また、この第２の蒸着は、上記第１の蒸着膜の上層に形成されるものとされている。なお、この第２蒸着工程においては、第３蒸着源２ａから基板５への蒸着レートは２ｎｍ／秒、基板搬送速度は０．５ｃｍ／秒とされている。
【００２７】
［液晶装置の一実施形態］
上記蒸着装置１により製造した蒸着膜付基板を用いた液晶装置の構成について、その一実施形態を図面を参照して以下説明する。図９は、液晶装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路である。図１０は、データ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図である。図１１は、図１０のＡ−Ａ'線断面図である。なお、図１１においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせてある。
【００２８】
図９に示すように、本実施形態の液晶装置において、画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素は、画素電極９ａと、当該画素電極９ａを制御するための画素スイッチング用ＴＦＴ３０とがマトリクス状に複数形成されており、画像信号を供給するデータ線６ａが当該ＴＦＴ３０のソース領域に電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしても良い。また、ＴＦＴ３０のゲートに走査線３０ａが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線３０ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９ａは、画素スイッチング用ＴＦＴ３０のドレイン領域に電気的に接続されており、スイッチング素子である画素スイッチング用ＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを所定のタイミングで書き込む。
【００２９】
画素電極９ａを介して液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、対向基板２０（図１１参照）に形成された対向電極２１（図１１参照）との間で一定期間保持される。ここで、保持された画像信号がリークするのを防ぐために、画素電極９ａと対向電極２１（図１１参照）との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０を付加する。例えば画素電極９ａの電圧は、蓄積容量７０によりソース電圧が印加された時間よりも３桁も長い時間だけ保持される。蓄積容量７０を形成する方法として、半導体層との間で容量を形成するための配線である容量線３０ｂを設けている。
【００３０】
次に、図１０を参照しつつ、本実施形態の液晶装置のＴＦＴアレイ基板の画素部（画像表示領域）内の平面構造について説明する。液晶装置のＴＦＴアレイ基板上には、マトリクス状に複数の透明な画素電極９ａ（点線部９ａ'により輪郭が示されている）が設けられており、画素電極９ａの縦横の境界に各々沿ってデータ線６ａ、走査線３０ａ及び容量線３０ｂが設けられている。データ線６ａは、コンタクトホール５０を介してポリシリコン膜からなる半導体層１１ａのうちソース領域に電気的に接続されており、画素電極９ａは、コンタクトホール８０を介して半導体層１１ａのうちドレイン領域に電気的に接続されている。画素電極ピッチは、２０μｍ程度以下、好ましくは１５μｍ程度以下とされている。また、半導体層１１ａのうちチャネル領域に対向するように走査線３０ａが配置されており、走査線３０ａはゲート電極として機能している。
【００３１】
次に、断面構造を見ると、図１１に示すように、本実施形態の液晶装置は、一対の透明基板を有しており、その一方の基板をなすＴＦＴアレイ基板１００と、これに対向配置される他方の基板をなす対向基板２０とを備えている。ＴＦＴアレイ基板１００は、例えば石英基板やハードガラスからなり、対向基板２０は、例えばガラス基板や石英基板からなるものである。ＴＦＴアレイ基板１００には、例えばＩＴＯ膜等の透明導電性膜からなる画素電極９ａが設けられ、ＴＦＴアレイ基板１００上の各画素電極９ａに隣接する位置に、各画素電極９ａをスイッチング制御する画素スイッチング用ＴＦＴ３０が設けられている。画素スイッチング用ＴＦＴ３０は、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有しており、走査線３０ａ、当該走査線３０ａからの電界によりチャネルが形成される半導体層１１ａのチャネル領域１ａ'、走査線３０ａと半導体層１１ａとを絶縁する絶縁薄膜１２、データ線６ａ、半導体層１１ａの低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃ、半導体層１１ａの高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅを備えている。
【００３２】
また、上記走査線３０ａ上、絶縁薄膜１２上を含むＴＦＴアレイ基板１００上には、高濃度ソース領域１ｄへ通じるコンタクトホール５０及び高濃度ドレイン領域１ｅへ通じるコンタクトホール８０が各々形成された第２層間絶縁膜１４が形成されている。つまり、データ線６ａは、第２層間絶縁膜１４を貫通するコンタクトホール５０を介して高濃度ソース領域１ｄに電気的に接続されている。さらに、データ線６ａ上及び第２層間絶縁膜１４上には、高濃度ドレイン領域１ｅへ通じるコンタクトホール８０が形成された第３層間絶縁膜１７が形成されている。つまり、高濃度ドレイン領域１ｅは、第２層間絶縁膜１４及び第３層間絶縁膜１７を貫通するコンタクトホール８０を介して画素電極９ａに電気的に接続されている。これら第３層間絶縁膜１７や画素電極９ａは無機配向膜３６の下地層となっている。
【００３３】
また、ゲート絶縁膜となる絶縁薄膜１２を走査線３０ａの一部からなるゲート電極に対向する位置から延設して誘電体膜として用い、半導体層１１ａを延設して第１蓄積容量電極１ｆとし、さらにこれらに対向する容量線３０ｂの一部を第２蓄積容量電極とすることにより、蓄積容量７０が構成されている。
【００３４】
また、図１１に示すようにＴＦＴアレイ基板１００表面の各画素スイッチング用ＴＦＴ３０に対応する位置には、第１遮光膜１１１が設けられている。第１遮光膜１１１は、ＴＦＴアレイ基板１００上に設けられたメタル層Ｍ１と、メタル層Ｍ１の上に設けられたバリア層Ｂ１とからなるものである。
【００３５】
また、第１遮光膜１１１と複数の画素スイッチング用ＴＦＴ３０との間には、第１層間絶縁膜（絶縁体層）１１２が設けられている。第１層間絶縁膜１１２は、画素スイッチング用ＴＦＴ３０を構成する半導体層１１ａを第１遮光膜１１１から電気的に絶縁するために設けられるものである。さらに、第１層間絶縁膜１１２は、ＴＦＴアレイ基板１００の全面に形成されており、第１遮光膜１１１パターンの段差を解消するために表面を研磨し、平坦化処理を施してある。
【００３６】
上記第１遮光膜１１１（及びこれに電気的に接続された容量線３０ｂ）は、定電位源に電気的に接続されており、第１遮光膜１１１及び容量線３０ｂは、定電位とされる。したがって、第１遮光膜１１１に対向配置される画素スイッチング用ＴＦＴ３０に対して、第１遮光膜１１１の電位変動が悪影響を及ぼすことはない。
【００３７】
他方、対向基板２０には、ＴＦＴアレイ基板１０上のデータ線６ａ、走査線３０ａ、画素スイッチング用ＴＦＴ３０の形成領域に対向する領域、すなわち各画素部の開口領域以外の領域に第２遮光膜２３が設けられている。さらに、第２遮光膜２３上を含む対向基板２０上には、その全面にわたって対向電極（共通電極）２１が設けられている。対向電極２１もＴＦＴアレイ基板１００の画素電極９ａと同様、ＩＴＯ膜等の透明導電性膜から形成されている。第２遮光膜２３の存在により、対向基板２０の側からの入射光が画素スイッチング用ＴＦＴ３０の半導体層１１ａのチャネル領域１ａ'や低濃度ソース領域領域１ｂ、低濃度ドレイン領域１ｃに侵入することはない。さらに、第２遮光膜２３は、コントラスト比の向上、色材の混色防止などの機能、いわゆるブラックマトリクスとしての機能を有している。
【００３８】
次に、ＴＦＴアレイ基板１００の画素スイッチング用ＴＦＴ３０、データ線６ａ及び走査線３０ａの形成領域にあたる第３層間絶縁膜１７上及び画素電極９ａ上に無機斜方蒸着膜からなる無機配向膜３６が形成されている。この無機配向膜３６は、第１遮光膜１１１、第１層間絶縁膜１１２、ＴＦＴ３０、第２層間絶縁膜１４、第３層間絶縁膜１７、画素電極９ａ等を形成したＴＦＴアレイ基板１００に上述の蒸着装置１（図１参照）を用いて酸化シリコン等の無機材料を蒸着させ、基板１００に対して所定の角度で配列されたカラムを成長させる斜方蒸着工程により形成されたもので、特にカラムを含む蒸着膜を２層積層し、それぞれのカラムの配向方向ないし角度が異なる態様の構成とされている。
【００３９】
図１２は無機斜方蒸着膜３６が形成されている部分及びその近傍部分の斜方蒸着方向に沿った断面構造を模式的に示す図である。無機斜方蒸着膜３６は、基板１００の表面に対し所定角度θ3だけ配向した無機材料の第１カラム３６ａと、所定角度θ4だけ配向した無機材料の第２カラム３６ｂとを有し、各カラム３６ａ，３６ｂ（３６ｂ，３６ｂ）が疎に形成されており、隣接する柱状構造物３６ａ，３６ａ（３６ｂ，３６ｂ）間に隙間３７が空いている。
【００４０】
図１１に戻り、ＴＦＴアレイ基板１００側の無機配向膜３６と対向する位置にあたる対向基板２０の対向電極２１上にも、同様の材料からなる無機配向膜１４２が設けられている。この無機配向膜１４２も、無機配向膜３６と同様、第２遮光膜２３や対向電極２１等を形成した対向基板２０に上述の蒸着装置１（図１参照）を用いて酸化シリコン等の無機材料を蒸着させ、基板２０に対して所定の角度で配列された第１カラム及び第２カラムを成長させる斜方蒸着により形成されたものである。
【００４１】
ＴＦＴアレイ基板１００と対向基板２０は、画素電極９ａと対向電極２１とが対向するように配置されている。そして、これら基板１００、２０と図示しない基板側方に設けられたシール材とにより囲まれた空間に液晶が封入され、液晶層１５０が形成される。液晶層１５０は、画素電極９ａからの電界が印加されていない状態（電圧無印加時）で無機配向膜３６、１４２の作用により所定の配向状態をとっている。なお、「電圧無印加時」、「電圧印加時」は、それぞれ「液晶層への印加電圧が液晶のしきい値電圧未満であるとき」、「液晶層への印加電圧が液晶のしきい値電圧以上であるとき」を意味している。
【００４２】
このように本実施形態の液晶装置においては、蒸着方向及び蒸着角度の異なる蒸着膜（配向膜）を２層形成しているため、例えば基板表面において凹凸等が形成されている場合にも、その凹凸の影となる部分にも確実に蒸着を行うことが可能となる。したがって、本実施形態の液晶装置を表示装置として用いた場合、配向膜欠陥による表示不良が生じにくくなる。また、蒸着の面内方向（方位角方向）が異なる２層の配向膜を形成しているため、液晶分子のプレティルト角を比較的容易に任意に制御可能となっている。したがって、確実にプレティルト角をもって液晶分子を配向させることが可能となり、液晶の配向が乱れにくく表示不良も生じにくいものとなる。
【００４３】
なお、図１２に示すように、無機斜方蒸着膜３６が形成されている部分の近傍の液晶分子は、電界が印加されていない状態（電圧無印加時）では分子の長軸は斜方蒸着方向に沿った方向を含む面に配向し、プレティルト角θpが２５度から４５度の範囲内となる。このように液晶分子が配向するのは、無機斜方蒸着膜３６，１４２が、先に述べたように傾斜したカラム間に隙間３７を有する構造であり、この無機斜方蒸着膜３６，１４２の液晶層１５０側の表面形状効果によるものである。
【００４４】
［液晶装置の製造プロセス］
次に、上記構成を有する液晶装置の製造プロセスについて、その一実施例を図１３から図１５を参照して説明する。なお、図１３と図１４は各工程におけるＴＦＴアレイ基板１００側の各層を、図１５（ａ），（ｂ）は各工程における対向基板２０側の各層を、図１１と同様に図１０のＡ−Ａ'断面に対応させて示した工程図である。
【００４５】
図１３に示すように、石英基板、ハードガラスなどからなるＴＦＴアレイ基板１００上にメタル層Ｍ１とバリア層Ｂ１とからなる第１遮光膜１１１、第１層間絶縁膜１１２、半導体層１１ａ、チャネル領域１ａ'、低濃度ソース領域１ｂ、低濃度ドレイン領域１ｃ、高濃度ソース領域１ｄ、高濃度ドレイン領域１ｅ、第１蓄積容量電極１ｆ、絶縁薄膜１２、走査線３０ａ、容量線３０ｂ、第２層間絶縁膜１４、データ線６ａ、第３層間絶縁膜１７、コンタクトホール８０、画素電極９ａを従来と同様の方法（例えばフォトリソグラフィ法）などにより形成したものを用意する。このように画素電極９ａ等が形成されたＴＦＴアレイ基板１００の表面に対して図１に示した蒸着装置１を用いて所定方向から無機材料（蒸着物質）を斜方蒸着する。そして、図１３に示すように、所定方向に配向した第１カラム及び第２カラムを有する無機斜方蒸着膜３６（図１２参照）が表層部に形成される。
【００４６】
他方、対向基板２０については、ガラス基板等が先ず用意され、図１５（ａ）に示すように、第２遮光膜２３を、例えば金属クロムをスパッタリングした後、フォトリソグラフィー工程、エッチング工程を経て形成する。なお、遮光膜は、Ｃｒ、Ｎｉ（ニッケル）、Ａｌなどの金属材料の他、カーボンやＴｉをフォトレジストに分散した樹脂ブラックなどの材料から形成してもよい。その後、第２遮光膜２３が形成された対向基板２０の全面にスパッタリング等により、ＩＴＯ等の透明導電性膜を、約５０〜２００ｎｍの厚さに堆積することにより、対向電極２１を形成する。次に、第２遮光膜２３や対向電極２１等を形成した対向基板２０に対して、図１に示した蒸着装置１を用いて酸化シリコン等の無機材料を蒸着させ、基板に対して所定の角度で配列された第１柱状構造物及び第２柱状構造物を成長させる斜方蒸着を行い、図１５（ｂ）に示すように対向電極２１の表層に無機配向膜１４２を形成する。
【００４７】
最後に、上述のように各層が形成されたＴＦＴアレイ基板１００（図１４参照）と対向基板２０（図１５参照）とを少なくともそれぞれの第１の蒸着膜における斜方蒸着方向が反対（１８０°ずらす）になるように配置（ＴＦＴアレイ基板１００と対向基板２０とを、所定角度で配列した柱状構造物の配列方向が反対になるように配置）し、セル厚が４μｍになるようにシール材５１（図１５参照）により貼り合わせ、空パネルを作製する。液晶としてはフッ素系のポジ型の液晶を使用し、この液晶をパネル内に封入し、本実施形態の液晶装置が得られる。
【００４８】
なお、上記実施形態の液晶装置及びこの液晶装置用基板の製造方法においては、本発明をＴＦＴ素子に代表される３端子型素子を用いるアクティブマトリクス型の液晶装置とこの液晶装置用基板の製造方法に適用した場合について説明したが、ＴＦＤ素子に代表される２端子型素子を用いるアクティブマトリクス型の液晶装置及びこの液晶装置用基板の製造方法や、パッシブマトリクス型の液晶装置及びこの液晶装置用基板の製造方法にも適用できる。また、本発明は透過型の液晶装置だけでなく、反射型の液晶装置にも適用可能である。
【００４９】
［液晶装置の全体構成］
次に、上記液晶装置の全体構成を図１６及び図１７を参照して説明する。なお、図１６は、ＴＦＴアレイ基板１００をその上に形成された各構成要素とともに対向基板２０の側から見た平面図であり、図１７は、対向基板２０を含めて示す図１６のＨ−Ｈ'断面図である。
【００５０】
図１６において、ＴＦＴアレイ基板１００の上には、シール材５１がその縁に沿って設けられており、その内側に並行して、例えば第２遮光膜２３と同じかあるいは異なる材料からなる額縁としての第３遮光膜５３が設けられている。シール材５１の外側の領域には、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１００の一辺に沿って設けられており、走査線駆動回路１０４がこの一辺に隣接する２辺に沿って設けられている。
【００５１】
さらに、ＴＦＴアレイ基板１００の残る一辺には、画像表示領域の両側に設けられた走査線駆動回路１０４間をつなぐための複数の配線１０５が設けられている。また、対向基板２０のコーナー部の少なくとも１箇所においては、ＴＦＴアレイ基板１００と対向基板２０との間で電気的導通をとるための導通材１０６が設けられている。そして、図１７に示すように、図１６に示したシール材５１とほぼ同じ輪郭を持つ対向基板２０が当該シール材５１によりＴＦＴアレイ基板１００に固着されている。
【００５２】
［電子機器］
上記の本発明の実施形態の液晶装置を用いた電子機器の一例として、投射型表示装置の構成について、図１８を参照して説明する。図１８において、投射型表示装置１１００は、上述した実施形態の液晶装置を３個用意し、夫々ＲＧＢ用の液晶装置９６２Ｒ、９６２Ｇ及び９６２Ｂとして用いた投射型液晶装置の光学系の概略構成図を示す。本例の投射型表示装置の光学系には、光源装置９２０と、均一照明光学系９２３が採用されている。そして、投射型表示装置は、この均一照明光学系９２３から出射される光束Ｗを赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）に分離する色分離手段としての色分離光学系９２４と、各色光束Ｒ、Ｇ、Ｂを変調する変調手段としての３つのライトバルブ９２５Ｒ、９２５Ｇ、９２５Ｂと、変調された後の色光束を再合成する色合成手段としての色合成プリズム９１０と、合成された光束を投射面１００１の表面に拡大投射する投射手段としての投射レンズユニット９０６を備えている。また、青色光束Ｂを対応するライトバルブ９２５Ｂに導く導光系９２７をも備えている。
【００５３】
均一照明光学系９２３は、２つのレンズ板９２１、９２２と反射ミラー９３１を備えており、反射ミラー９３１を挟んで２つのレンズ板９２１、９２２が直交する状態に配置されている。均一照明光学系９２３の２つのレンズ板９２１、９２２は、それぞれマトリクス状に配置された複数の矩形レンズを備えている。光源装置９２０から出射された光束は、第１のレンズ板９２１の矩形レンズによって複数の部分光束に分割される。そして、これらの部分光束は、第２のレンズ板９２２の矩形レンズによって３つのライトバルブ９２５Ｒ、９２５Ｇ、９２５Ｂ付近で重畳される。したがって、均一照明光学系９２３を用いることにより、光源装置９２０が出射光束の断面内で不均一な照度分布を有している場合でも、３つのライトバルブ９２５Ｒ、９２５Ｇ、９２５Ｂを均一な照明光で照明することが可能となる。
【００５４】
各色分離光学系９２４は、青緑反射ダイクロイックミラー９４１と、緑反射ダイクロイックミラー９４２と、反射ミラー９４３から構成される。まず、青緑反射ダイクロイックミラー９４１において、光束Ｗに含まれている青色光束Ｂ及び緑色光束Ｇが直角に反射され、緑反射ダイクロイックミラー９４２の側に向かう。赤色光束Ｒはこのミラー９４１を通過して、後方の反射ミラー９４３で直角に反射されて、赤色光束Ｒの出射部９４４から色合成プリズム９１０の側に出射される。次に、緑反射ダイクロイックミラー９４２において、青緑反射ダイクロイックミラー９４１において反射された青色、緑色光束Ｂ、Ｇのうち、緑色光束Ｇのみが直角に反射されて、緑色光束Ｇの出射部９４５から色合成光学系の側に出射される。緑反射ダイクロイックミラー９４２を通過した青色光束Ｂは、青色光束Ｂの出射部９４６から導光系９２７の側に出射される。本例では、均一照明光学素子の光束Ｗの出射部から、色分離光学系９２４における各色光束の出射部９４４、９４５、９４６までの距離がほぼ等しくなるように設定されている。
【００５５】
色分離光学系９２４の赤色、緑色光束Ｒ、Ｇの出射部９４４、９４５の出射側には、それぞれ集光レンズ９５１、９５２が配置されている。したがって、各出射部から出射した赤色、緑色光束Ｒ、Ｇは、これらの集光レンズ９５１、９５２に入射して平行化される。このように平行化された赤色、緑色光束Ｒ、Ｇは、ライトバルブ９２５Ｒ、９２５Ｇに入射して変調され、各色光に対応した画像情報が付加される。すなわち、これらの液晶装置は、図示しない駆動手段によって画像情報に応じてスイッチング制御されて、これにより、ここを通過する各色光の変調が行われる。一方、青色光束Ｂは、導光系９２７を介して対応するライトバルブ９２５Ｂに導かれ、ここにおいて、同様に画像情報に応じて変調が施される。なお、本例のライトバルブ９２５Ｒ、９２５Ｇ、９２５Ｂは、それぞれさらに入射側偏光手段９６０Ｒ、９６０Ｇ、９６０Ｂと、出射側偏光手段９６１Ｒ、９６１Ｇ、９６１Ｂと、これらの間に配置された液晶装置９６２Ｒ、９６２Ｇ、９６２Ｂとからなる液晶ライトバルブである。
【００５６】
導光系９２７は、青色光束Ｂの出射部９４６の出射側に配置した集光レンズ９５４と、入射側反射ミラー９７１と、出射側反射ミラー９７２と、これらの反射ミラーの間に配置した中間レンズ９７３と、ライトバルブ９２５Ｂの手前側に配置した集光レンズ９５３とから構成されている。集光レンズ９５４から出射された青色光束Ｂは、導光系９２７を介して液晶装置９６２Ｂに導かれて変調される。各色光束の光路長、すなわち、光束Ｗの出射部から各液晶装置９６２Ｒ、９６２Ｇ、９６２Ｂまでの距離は青色光束Ｂが最も長くなり、したがって、青色光束の光量損失が最も多くなる。しかし、導光系９２７を介在させることにより、光量損失を抑制することができる。各ライトバルブ９２５Ｒ、９２５Ｇ、９２５Ｂを通って変調された各色光束Ｒ、Ｇ、Ｂは、色合成プリズム９１０に入射され、ここで合成される。そして、この色合成プリズム９１０によって合成された光が投射レンズユニット９０６を介して所定の位置にある投射面１００１の表面に拡大投射されるようになっている。
【００５７】
本例において、液晶装置９６２Ｒ、９６２Ｇ、９６２Ｂは、図９ないし図１７を用いて説明した液晶装置である。例えば、液晶装置を投射型表示装置のライトバルブに用いる場合、直視型液晶表示装置として用いる場合に比べて入射光の強度が高く、配向膜がポリイミド等の有機配向膜から構成されていると配向膜の劣化が顕著に起こりやすいが、本実施形態のように配向膜を酸化シリコン等の無機斜方蒸着膜から構成することによって、長時間の使用によっても表示品位の高い投射型表示装置を実現することができる。また、図９ないし図１７を用いて説明した液晶装置では、図１に示した本発明に属する蒸着装置を用いて無機配向膜を形成しているため、基板面上においてカラムの配向角度、配向膜の膜厚が不均一になり難く、したがって、このような液晶装置９６２Ｒ、９６２Ｇ、９６２Ｂが設けられた投射型表示装置によれば、配向膜の異常（劣化、配向膜厚、配向角度等の不均一）に起因する液晶の配向不良によるコントラスト比の低下等がなく、表示品位の高い表示装置を実現することができる。
【００５８】
【発明の効果】
以上、詳細に説明したように、本発明の蒸着装置によれば、基板面において柱状構造物（カラム）の配向角度、配向膜厚について均一性の高い蒸着を行うことが可能となり、さらに２層以上の蒸着膜を基板面に形成することが可能となる。特に、２層の蒸着膜について、そのカラムの面内方向（方位角方向）がそれぞれ異なるものを形成することが可能となる。したがって、このような蒸着装置を用いて、液晶装置の基板に対して無機配向膜を蒸着させることで、配向膜の配向特性（配向角度、配向膜厚）不均一に基づく液晶の配向不良が生じ難く、また２層の蒸着膜のカラムの面内方向（方位角方向）が異なる蒸着膜付基板（配向膜付基板）を得ることが可能となり、例えば液晶分子のプレティルト角を比較的任意に制御することが可能となる。さらに液晶装置を表示装置として用いた場合、液晶の配向不良によるコントラスト比の低下等が少なく、表示品位の高い表示装置を実現することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の一実施形態としての蒸着装置を示す概略模式図。
【図２】  図１の蒸着装置の要部について位置関係を示す説明図。
【図３】  図１の蒸着装置を用いる蒸着方法の一工程を示す説明図。
【図４】  図３に続く蒸着方法の一工程を示す説明図。
【図５】  基板の回転方法に一変形例を示す説明図。
【図６】  図４に続く蒸着方法の一工程を示す説明図。
【図７】  図６に続く蒸着方法の一工程を示す説明図。
【図８】  図７に続く蒸着方法の一工程を示す説明図。
【図９】  本発明の蒸着装置を用いて製造した液晶装置の等価回路を示す図。
【図１０】  図９の液晶装置のＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群を示す平面図。
【図１１】  図１０のＡ−Ａ'線断面図。
【図１２】  図９の液晶装置の第一の斜方蒸着膜が形成された部分の断面構造を模式的に示す図。
【図１３】  本発明の液晶装置の製造方法を説明するための一工程図。
【図１４】  図１３に続く、製造方法を説明するための一工程図。
【図１５】  図１４に続く、製造方法を説明するための一工程図。
【図１６】  本発明の製造方法により製造された液晶装置のＴＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要素とともに示す平面図。
【図１７】  図１６のＨ−Ｈ'断面図である。
【図１８】  本発明の製造方法により製造された液晶装置を用いた電子機器の一例を示す投射型表示装置の概略構成図。
【符号の説明】
１  蒸着装置
２ａ  第１蒸着源
２ｂ  第２蒸着源
３  蒸気流通部
３ａ  開口部
４  搬送部
５  基板
６  作動切換制御部
７  搬送制御部
８  蒸着室
【図１】
0004000823.tif 000002
【図２】
0004000823.tif 000003
【図３】
0004000823.tif 000004
【図４】
0004000823.tif 000005
【図５】
0004000823.tif 000006
【図６】
0004000823.tif 000007
【図７】
0004000823.tif 000008
【図８】
0004000823.tif 000009
【図９】
0004000823.tif 000010
【図１０】
0004000823.tif 000011
【図１１】
0004000823.tif 000012
【図１２】
0004000823.tif 000013
【図１３】
0004000823.tif 000014
【図１４】
0004000823.tif 000015
【図１５】
0004000823.tif 000016
【図１６】
0004000823.tif 000017
【図１７】
0004000823.tif 000018
【図１８】
0004000823.tif 000019