(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
オプティカル・カプラ及び複数のマウント内に配置される複数のチップを含む光電子モジュールであって、２つの前記マウントが共通平面内に存在し、第３のマウントが前記共通平面に垂直な平面内に存在するものにおいて、
前記共通平面に平行で、第１及び第２のチップにより専有される領域上に横たわる第１及び第２の金属表面と、
前記共通平面に垂直な平面に平行で、第３のチップにより専有される領域上に横たわる第３の金属表面と、
スカラップ状の斜めの表面と
を含む、前記第１及び第２のチップからの熱ならびに前記第３のチップからの熱を除去するヒート・シンクを有し、
前記ヒート・シンクにおいて、前記第１及び第２の金属表面及び前記第３の金属表面が内側に配置され、前記斜めの表面が前記第１及び第２の金属表面と前記第３の金属表面とが交わる領域の外側に配置されている光電子モジュール。
【請求項２】
前記金属表面の各々がギャップによりそれぞれのマウントから分離される、請求項１記載の光電子モジュール。
【請求項３】
各ギャップが熱エポキシにより充填される、請求項２記載の光電子モジュール。
【請求項４】
前記第３の金属表面の近くに熱交換ピン・フィンが存在する、請求項２記載の光電子モジュール。
【請求項５】
前記第１及び第２の金属表面と前記第３の金属表面とが、それぞれ互いに垂直である、請求項４記載の光電子モジュール。
【請求項６】
前記第１及び第２のチップが、該チップ及びそれらのマウントから垂直に延び、リテイナ内に挿入されるそれぞれ第１及び第２のオプティカル・カプラと光学的に通信し、前記ヒート・シンクが前記リテイナ上に延びるカバー部分を有する、請求項５記載の光電子モジュール。
【請求項７】
前記ヒート・シンクが、前記第１及び第２のチップを互いに物理的及び電気的に分離する一方、全ての前記チップを包囲する形状を有する、請求項２記載の光電子モジュール。
【請求項８】
前記共通平面内の前記第１及び第２のマウント間に空間が存在し、前記ヒート・シンクが前記空間内に延びる中央金属ウェブを有する、請求項７記載の光電子モジュール。
【請求項９】
前記リテイナが回路カード上に横たわるベース内に固定され、前記中央金属ウェブが前記回路カードに接地される、請求項８記載の光電子モジュール。
【請求項１０】
前記中央金属ウェブが、前記ベース内のウェル内に延び、接地をもたらすレグを有する、請求項９記載の光電子モジュール。
【請求項１１】
前記第１及び第２の金属表面が段差を有し、前記表面に対向するチップ・マウントの表面が同様の段差を有し、それによりエポキシが内在する階段状のギャップを生成する、請求項３記載の光電子モジュール。
【請求項１２】
前記第３のチップのマウントがベースを含み、前記ベースの上面及び前記ヒート・シンクの底面の両方が、前記ベースとヒート・シンクとの間のギャップを管理するパッドを有する、請求項９記載の光電子モジュール。
【請求項１３】
オプティカル・カプラが挿入される少なくとも１つのキャビティを含み、前記キャビティがエポキシを受け取る外部に通じるポートを有する、オプティカル・カプラのためのリテイナを含む、請求項１記載の光電子モジュール。
【請求項１４】
前記リテイナが、互いに分離される２個の前記キャビティを含む、請求項１３記載の光電子モジュール。
【請求項１５】
前記リテイナの両端部のそれぞれにおいて、突き出たスタンドオフを有する、請求項１３記載の光電子モジュール。
【請求項１６】
前記リテイナの各キャビティが壁により画定され、１つの壁内に前記オプティカル・カプラ上のプラグを受け取るソケットが存在する、請求項１５記載の光電子モジュール。
【請求項１７】
可撓性リードを半導体チップに取り付ける方法であって、
導電パッドを有する個々のチップを提供するステップと、
前記導電パッド上にボール・バンピング・プロセスにより金バンプを提供するステップと、
前記金バンプをコイニング・ツールにより平坦化するステップと、
可撓性リードを前記金バンプにＴＡＢ接着プロセスにより接着するステップと
を含む、請求項１記載の光電子モジュールを製造するために用いられる方法。
【請求項１８】
前記半導体チップがＧａＡｓから成る、請求項１７記載の方法。
【請求項１９】
ボール・バンピング・プロセスが行われる前に、前記半導体チップがヒート・シンクに取り付けられる、請求項１７記載の方法。
【請求項２０】
チップがエポキシにより装着される表面を有するチップ・キャリアであって、前記表面がそこから突き出る同一の高さを有する複数のリブを有し、前記リブ間にへこみが存在し、前記チップが前記リブ上に横たわり、熱エポキシが前記へこみ内に提供されて、前記チップを固定するチップ・キャリアを含む、請求項１記載の光電子モジュール。
【請求項２１】
前記リブが、チップが上に横たわり接触する平らな表面を有する、請求項２０記載の光電子モジュール。
【請求項２２】
導電エポキシによりラミネート・ボードに接地されるレグを含む、請求項２１記載の光電子モジュール。
【請求項２３】
ラミネート・ボード上に横たわる光学モジュールのためのベースであって、前記ボードと該ボード上の導電パッドとを露出するキャビティを有し、前記キャビティがエポキシの塊により覆われ、前記ベースが、エポキシの流れをその硬化の間に管理する少なくとも１つのフロー管理部材を有するベースを含む、請求項１記載の光電子モジュール。
【請求項２４】
フロー管理部材が斜めのランプ形状のフロー開始部材である、請求項２３記載の光電子モジュール。
【請求項２５】
前記フロー管理部材が、前記キャビティの近くの迫持受けの形態のフロー制限部材である、請求項２３記載の光電子モジュール。
【請求項２６】
前記ベースが内部に丸いウェルを有し、フロー管理部材が前記ウェルを部分的に囲む丸い迫持受けである、請求項２３記載の光電子モジュール。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は光電子トランシーバ・モジュールに関し、特に、多重チャネル光ファイバ・ケーブルを、垂直キャビティ面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ：Vertical Cavity Surface Emitting Laser）送信機を含む多重チャネル送信機と、光検出器及び一般にＰＡＩＤ（Preamplifier with Integrated Detector）と呼ばれるインピーダンス変換増幅器を含む多重チャネル受信機とに結合するための、モジュール内のサブアセンブリの構造、及びそれらを形成する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
光電子トランシーバは、並列光ファイバ・データ・リンクにおける主要構成要素である。こうしたトランシーバの１つは、多重チャネル光ファイバ・ケーブルを多重チャネル垂直キャビティ面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ）及び多重チャネル受信機に結合する、モジュラ・パッケージまたはモジュールである。このモジュールは、ＣＭＯＳ及び光電子ダイ（チップ）を含む様々な構成要素から成る。これは１つの受信部分及び１つの送信部分を有し、デュアル１２チャネルの光ファイバ・リボン・ケーブルの端部に実装される単一のコネクタを受け取るように設計される。モジュールの半分の送信部分は、レーザ・ドライバ及び垂直キャビティ面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ）により、並列電気入力信号を対応する並列光出力信号に変換する。モジュールの半分の受信部分は、光検出器のアレイ及びインピーダンス変換増幅器を用いて、光入力信号を電圧信号に変換することにより、並列光入力信号を対応する並列電気出力信号に変換する。光検出器及び増幅器のこの構成は、一般に"ＰＡＩＤ（Preamplifier with Integrated Detector）"と呼ばれる。モジュールはまた、データ信号を送信機チップ及び受信機チップに伝達するドライバ・チップを含む。
【０００３】
光電子トランシーバ・モジュールは、多数の主要構成ブロックを含む。それらの１つは、標準の製造材料を使用することにより、電子機能を組み込むオーバモールドされたラミネート・サブアセンブリである。第２は、モジュールの光電子機能、光学機能、及びコネクタ機能をサポートするために必要な光学部品及び他の部品を組み込むリテイナ・サブアセンブリである。リテイナ・サブアセンブリは、受信機の光学サブアセンブリ（ＲＯＳＡ：receiver optical subassembly）及び送信機の光学サブアセンブリ（ＴＯＳＡ：transmitter optical subassembly）の両方を含む。モジュールは、リテイナ・サブアセンブリをオーバモールド・ラミネート・サブアセンブリ上に実装し、これら２つのサブアセンブリを電気的に接続することにより組み立てられる。全てのチップにより生成される熱を効率的に除去することが重要であるので、ヒート・シンクが第３の主要部品である。また、ＥＭＩ（電磁妨害）シールドも取り付けられる。
【０００４】
ドライバ・チップはオーバモールド内に埋め込まれ、送信機チップ及び受信機チップに実質的に垂直に置かれるが、ヒート・シンクは全てのチップから熱を除去するように機能しなければならない。更に、送信機チップ及び受信機チップは互いに接近して配置されるが、それらの間のクロストークは回避されなければならない。最後に、反復可能で、信頼性があり、要求される組立公差を満足する組立方法が使用されなければならない。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
本発明によれば、次の利点、すなわち、
ａ）光電子チップからの熱の除去の改善
ｂ）単純化構造によるチップ間のクロストークの除去
ｃ）単純且つ確実な組立方法
ｄ）パッケージ・サイズの小型化
を有する光電子モジュールが提供される。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明の１態様によれば、オプティカル・カプラ及びマウント内に配置される複数のチップを含む電子モジュールにおいて、改善されたヒート・シンクが提供される。２つのマウントは共通平面内に存在し、第３のマウントは共通平面に実質的に垂直な平面内に存在する。ヒート・シンクは、共通面に平行で、第１及び第２のチップにより専有される領域上に横たわる第１及び第２の金属表面と、垂直平面と実質的に平行で、他のチップにより専有される領域上に横たわる第３の金属表面とを有する。
【０００７】
本発明の別の態様によれば、オプティカル・カプラのための改善されたリテイナ、並びに、改善されたチップ・キャリア及びオーバモールドが提供される。更に、オプティカル・リテイナをカプラ内に固定するための、及び可撓性リードをチップ・キャリアに接着するための改善された方法が提供される。
【０００８】
【発明の実施の形態】
図１を参照すると、並列光電子モジュールの分解組立図が示され、これは受信機光学アセンブリ２０、送信機光学アセンブリ２２、リテイナ２４、オーバモールド・アセンブリ２６、ヒート・シンク２７、及びＥＭＩ（電磁妨害）シールド２８を有する。オーバモールド・アセンブリ２６は、ラミネート・ボード９３上に、絶縁材料のオーバモールド・フレーム１８を含む。各光学アセンブリは、ダイ・キャリア３０、フレキシブル回路（フレックス２９、３１）、及びオプティカル・カプラ３２を含み、リテイナの一部を形成するキャビティを含む対応するセプタクル部分３４に収納されて、保持される。光電子ダイもまた、ダイ・キャリア３０上に実装される。ダイ・キャリアは、オプティカル・カプラの前方アライメント・ピン（図示せず）と嵌合する２つの通路を含み、この前方アライメント・ピンは、リテイナ２４の一体部分として形成されるリセプタクル２５の一部３４内の、対応する通路と嵌合する後方アライメント・ピン５１と類似する。フレックス３１は、ラミネート・ボード面上の複数のパッド６０、６１を光電子ダイ上のパッドに電気接続するために使用される。
【０００９】
モジュールは最初に、２つの光学アセンブリ２０及び２２を、矢印Ａ１により示されるようにリテイナ２４に挿入し、次に結果のリテイナ・アセンブリ３６を、オーバモールドの支持プラットフォーム３８上に配置することにより組立られる。この配置作業は、リテイナの底面上のアライメント支柱（図示せず）を、オーバモールド・プラットフォーム３８内の対応する三葉状穴（trilobe hole）４４及びスロット穴４３に適合させ、２つの構成部品を接着剤により固定することにより達成される。
【００１０】
固定サブアセンブリはフィクスチャを使用することにより、高度な組立精度を可能にする。これは厳しい公差を要求することなく、２つのオプティカル・カプラ及びリテイナが、適切に組立られることを可能にする。三葉状穴及びスロットは、リテイナ・サブアセンブリを位置決めするとき、接着剤のはけ口を与え、更にこの結合は高い挿入力を要求することなく（円形界面の代わりに線接触）、ゼロの組立クリアランスを可能にする。キャビティ５８内のラミネート表面上には、受信機光学アセンブリ２０のダイ・キャリア３０のための接地パッド６３と、送信機光学アセンブリ２２のダイ・キャリア３０のための接地パッド６４とが露出される。ラミネート９３は更に、オーバモールド・ウェル６７の底面に露出される接地パッド６６を含み、これはヒート・シンク２７から下側に突き出るウェブ６８を接地する役目をする。オーバモールド１８はまた、３つの追加のスタンドオフ・パッド７０、７１及び７２を含み、これらはヒート・シンク２７の裏面の、対応するスタンドオフ・パッドと協働するように配置される。オーバモールド・フレーム１８は更に、モールド突出ピンにより形成される円形領域７４を含み、これは成形作業の完了時に、オーバモールド・アセンブリを成形装置から解除することを可能にする。
【００１１】
本発明のヒート・シンクが、図１及び図１１に示される。これは水平プラットフォーム上のピン・フィン９０（熱交換表面）、リテイナを部分的に覆う頂部８２、及び中央ウェブ６８を含む。ヒート・シンクは更に、スカラップ状の縁部を有する斜めの表面８０を含み、これもまた熱交換表面としても作用する（図２、図１０）。ヒート・シンクは、ニッケル被覆アルミニウムなどの様々な金属から作られる。
【００１２】
図２の断面Ｂ−Ｂを示す図５は、新規のヒート・シンクが直接的な２重の熱除去経路を提供する様子を示す。第１の経路は、チップ・キャリア３０からギャップ９６を介して、ヒート・シンクの金属部品を通じて外部に逃げる経路である。図７を参照すると、詳細部Ｇが示され、ギャップ９６を伝達する熱と遭遇する第１のヒート・シンク面は金属表面８６であり、これはチップ・キャリアの平行な裏面が横たわる共通平面と、実質的に平行である。図１３は、２つのチップ９８、９９と、第１及び第２のヒート・シンク金属表面８６及び８７とに関連付けられる、１対のギャップ９６及び９７を示す。
【００１３】
図５を参照すると、ドライバ・チップ８４がオーバモールド内に埋め込まれる。ドライバ・チップの目的は、制御信号をラミネート・カード９３を介して、送信機チップ及び受信機チップに伝達することである。第２の熱経路はオーバモールドからギャップ９２を介して、平行なヒート・シンク金属表面１５１を経由し、ピン・フィン９０を通じて外部に逃げる経路である。ギャップ９６及び９２は、熱伝導エポキシにより充填され、これらのギャップの幅は適正動作のために、きっちり管理されなければならない。従って、ギャップが広すぎると、効率的な熱伝達が行われなくなり、またギャップが狭すぎると、意図しない電気的接触がどこかで発生し得る。エポキシの目的は、表面が単に押されて互いに接触する場合に生じる、不可避の不連続点を回避することにより、より効率的な熱の流れを推進するものである。本発明の構造では、直接熱経路が提供され、共有領域が最適化される。図示の特定の装置の好適な実施例では、ギャップ９６の幅は約１００μｍ乃至約３００μｍであり、ギャップ９２の幅は約１５０μｍ乃至約４００μｍであったが、他の特定の装置では他の寸法も適用可能である。ドライバ・チップ８４からの熱は、ラミネート・ボードへも流れ込み、そこからボール・グリッド・アレイ（ＢＧＡ）（図示せず）、及びホスト・カード（図示せず）に流れ込む。
【００１４】
図４は詳細部Ｅを示し、ギャップ９２が維持される様子を示す。オーバモールド（図１）上の３つのスタンドオフ・パッド７０、７１及び７２と、平面を定義する３点と、ヒート・シンクの底面上の対応するパッド８８とが存在する。パッドは個々の部品に成形されるフィーチャである。オーバモールド・パッドはヒート・シンク・パッドを突き止めるために使用され、次にヒート・シンク・パッドがオーバモールド・パッド上をスライドされて、適切な位置に位置決めされる。これは細長のオーバモールド・パッドをガイドとして使用することにより、達成される。こうして最終位置において、ヒート・シンク・パッドがオーバモールド・パッドと接触して維持される（図４）。共有パッド・フィーチャは３点接触を可能にし、それによりある部品とその嵌合部品との関連配置を改善する。更に、部品の品質の検査がパッド領域に限定される。組立られた装置において、ヒート・シンクとモールドとの間で使用される接着剤は、ある程度迎合的である。このことは変化する温度条件の下で、２つの部品の相対運動を許容する。
【００１５】
オーバモールドはまたパッド５２、５３及び５４（図１）を有し、これらはリテイナ２４上の対応するパッドと整合される。画定済みの繰り返し可能なスタンドオフを有する３つのパッドを２セット使用することにより、ギャップの厚さの所望の管理が可能になる。３点接触は機能関係の管理の向上を提供する上に、詳細部品に関するある程度の寛容性を許容する。このことがまた、ウェルにより画定された平面を有する高度に検査可能なアセンブリを提供する。
【００１６】
本発明の特徴は、ヒート・シンクが送信機チップ及び受信機チップの両方を包囲し、それらを分離する、従ってクロストークを除去することである。図１、図３及び図６を参照すると、ヒート・シンクが中央ウェブ６８を有し、これがオーバモールド内のウェル６７内に延びるウェブ・フットを有することが分かる。図１３及び図１４を参照すると、チップとリテイナ・キャビティとの間には空間が存在し、それを通じて金属ウェブが延び、チップを互いに絶縁することが分かる。図６を参照すると、ウェブ・フットがラミネート・カード９３上の導電パッドに導電エポキシにより接地され（図１４）、エポキシの厚さが接地ギャップを管理することが分かる。図７及び図１４で示されるように、キャリアの底部１６０もまた、導電エポキシの使用により、キャビティ５８（図１）内のラミネート・カードのパッド６３及び６４に接地される。
【００１７】
図７及び図８を参照すると、リテイナは各オプティカル・カプラのためのキャビティ１７０を有し、キャビティはオプティカル・カプラよりも大きく作られる。各キャビティはまた、オプティカル・カプラを固定するためにエポキシが注がれるポート１０２を有する。
【００１８】
次に、チップ・キャリアとヒート・シンクとの間のギャップを確保する方法について述べる。図１５を参照すると、リテイナがそこから突き出すスタンドオフ３５を有することが分かる。オプティカル・カプラとのギャップを正しい位置に設定するために、ギャップ設定ツール１１０が使用される。図示のように、ギャップ設定ツール１１０は細長の平らな表面１９０を有するが、各端部にはへこみ１１２を有し、その深さがギャップの幅を決定する。へこみはスタンドオフ３５に対向して設けられ、オプティカル・カプラがキャビティ内に挿入されるが、カプラがギャップ設定ツールの表面１９０と同一平面になるまで、カプラを押し出す反対の力が加えられる。オプティカル・カプラが正規の位置に固定されるのは、この位置が得られたときである。
【００１９】
図１６及び図１７を参照すると、チップ・キャリア３０がその裏面１１３の内側に沿って、複数のリブ１１４を有することが分かる。これらはキャリアと同一の金属、例えば銅から作られる。これらのリブは図１７の断面図に示されるように、最初は先が尖っている。しかしながら、チップがリブ上に配置される前に、リブは図１８に示されるように、コイニング（すなわち圧印加工）・ツール１１６により平坦化されて、チップに平坦な表面を提供する。全てのリブは同一の高さを有するので、リブ間のへこみ１１８（図１９）は、同一の深さを有する。図１９に示されるように、へこみは熱エポキシにより充填され、チップがリブ上に配置されて、エポキシにより固定される。リブは、チップがキャリアの後部に対して載置するための正確な深さを生成し、チップ・ウェルの高さを管理する。ワッフル・アイロン効果がエポキシの流路を提供し、チップとキャリアとの間のエポキシ層を管理し、それが厚過ぎたり薄過ぎたりすることを防止する。複数キャリア界面が、チップからキャリアへのより直接的な熱経路を形成する。また、粒子がボイド内に安定化するように、ワイプすなわち拭きプロセスを改善するために、導電性粒子を込められた凝集エポキシが使用されてもよく、それにより熱伝導特性の正味の向上が得られる。
【００２０】
更に本発明の別の特徴が図２０に示され、これはヒート・シンクとキャリアとの界面において、階段状の表面１２０及び１２２を使用する場合を示す。階段状の表面の利点は、低い粘性の熱エポキシが組立の間に保持されるので、エポキシが自由に流れ、漏れるのをより困難にすることである。
【００２１】
更に本発明の別の特徴は、可撓性リードをＧａＡｓ光電子チップに付着する変形ＴＡＢ接着プロセスである。リードを付着する従来方法では、周知のＴＡＢ接着プロセスを使用することにより、電解バンピングされたチップ上の接着パッドにリードを接着する。しかしながら、ウエハ内での従来の電解バンピング・プロセスは、その脆さのためにＧａＡｓには適さない。
【００２２】
本発明によれば、ウエハから切り出された個々のチップに対して、バンピングが実行される。基板またはヒート・シンク上に実装された後、ワイヤ・ボンダ上で、アルミニウム・チップ・パッドへのボール・バンピングが、標準のボール・バンピング・プロセスを用いて実行される。金ワイヤがワイヤ・ボンディング・ツールのセラミック先端に供給され、フレームオフ（flameoff）により金バンプが導電パッド上に形成される。ボール・バンピング・プロセスでは既知のように、ボールの形成後、ワイヤが切断される。従って、結果のバンプはチョコレート・"キス"の形状を有し、少しの金ワイヤがボールから突き出す。先端が次にコイニング・ツールにより平坦化され、可撓性リードが既知のＴＡＢ接着プロセスにより、そこに取り付けられる。
【００２３】
モジュールの組立に関する更に別の特徴によれば、エポキシ・フロー管理部材をそれ上に形成されるオーバモールドが提供される。図２１を参照すると、オーバモールド３００の斜視図が示される。電気接続が形成されるラミネート・ボード３０４を露出する、キャビティ３０２が提供される。こうした接続が形成された後、キャビティがエポキシの塊により覆われ、キャビティ内に空いた空間が無くなる。
【００２４】
オーバモールドはそれ上に多数のフロー管理部材を有し、それによりエポキシがキャビティに適切に供給され、そこに留まることを保証される。フロー開始部材３０６は斜めのランプ（ramp）であり、これがキャビティからチップ・キャリアに向けて、エポキシが上方に流れることを支援し、その結果、チップ・キャリアとリテイナとの間の領域にエポキシが充填される。フロー制限部材３０８及び３１０は、キャビティの近くにあってダムとして作用する迫持受け（abutment）であり、キャビティからのエポキシの流出を阻止する。オーバモールドは内部にウェル３１２を有し、そこにヒート・シンクのウェブが挿入される。フロー管理部材３１４は曲がった迫持受けであり、ウェルを部分的に囲んで、それがエポキシにより侵入されることを防止する。
【００２５】
以上、本発明は好適な実施例に関連して述べられてきたが、当業者であれば、本発明の趣旨及び範囲から逸れることなく、様々な変形が可能であろう。
【００２６】
まとめとして、本発明の構成に関して以下の事項を開示する。
【００２７】
（１）オプティカル・カプラ及びマウント内に配置される複数のチップを含む電子モジュールのためのヒート・シンクであって、２つの前記マウントが共通平面内に存在し、第３のマウントが前記共通平面に垂直な平面内に存在するものにおいて、
前記共通面に平行で、第１及び第２のチップにより専有される領域上に横たわる第１及び第２の金属表面と、
前記垂直平面に平行で、他のチップにより専有される領域上に横たわる第３の金属表面と
を含む、ヒート・シンク。
（２）前記金属表面の各々がギャップによりそれぞれのマウントから分離される、前記（１）記載のヒート・シンク。
（３）各ギャップが熱エポキシにより充填される、前記（２）記載のヒート・シンク。
（４）前記第３の金属表面の近くに熱交換ピン・フィンが存在する、前記（２）記載のヒート・シンク。
（５）前記第１及び第２の金属表面及び前記第３の金属表面が、それぞれ互いに垂直である、前記（４）記載のヒート・シンク。
（６）前記第１及び第２のチップが、該チップ及びそれらのマウントから垂直に延び、リテイナ内に挿入されるそれぞれ第１及び第２のオプティカル・カプラと光学的に通信し、前記ヒート・シンクが前記リテイナ上に延びるカバー部分を有する、前記（５）記載のヒート・シンク。
（７）前記第１及び第２のチップを互いに物理的及び電気的に分離する一方、全ての前記チップを包囲する形状を有する、前記（２）記載のヒート・シンク。
（８）前記共通平面内の前記第１及び第２のマウント間に空間が存在し、前記ヒート・シンクが前記空間内に延びる中央金属ウェブを有する、前記（７）記載のヒート・シンク。
（９）前記リテイナが回路カード上に横たわるベース内に固定され、前記中央金属ウェブが前記回路カードに接地される、前記（８）記載のヒート・シンク。
（１０）前記中央金属ウェブが、前記ベース内のウェル内に延び、接地をもたらすレグを有する、前記（９）記載のヒート・シンク。
（１１）前記第１及び第２の金属表面が段差を有し、前記表面に対向するチップ・マウントの表面が同様の段差を有し、それによりエポキシが内在する階段状のギャップを生成する、前記（３）記載のヒート・シンク。
（１２）前記第３のチップのマウントがベースを含み、前記ベースの上面及び前記ヒート・シンクの底面の両方が、前記ベースとヒート・シンクとの間のギャップを管理するパッドを有する、前記（９）記載のヒート・シンク。
（１３）オプティカル・カプラが挿入される少なくとも１つのキャビティを含み、前記キャビティがエポキシを受け取る外部に通じるポートを有する、オプティカル・カプラのためのリテイナ。
（１４）互いに分離される２個の前記キャビティを含む、前記（１３）記載のリテイナ。
（１５）前記リテイナの両端部のそれぞれにおいて、突き出たスタンドオフを有する、前記（１３）記載のリテイナ。
（１６）各キャビティが壁により画定され、１つの壁内に前記オプティカル・カプラ上のプラグを受け取るソケットが存在する、前記（１５）記載のリテイナ。
（１７）可撓性リードを半導体チップに取り付ける方法であって、
導電パッドを有する個々のチップを提供するステップと、
前記導電パッド上にボール・バンピング・プロセスにより金バンプを提供するステップと、
前記金バンプをコイニング・ツールにより平坦化するステップと、
可撓性リードを前記金バンプにＴＡＢ接着プロセスにより接着するステップとを含む、方法。
（１８）前記半導体チップがＧａＡｓから成る、前記（１７）記載の方法。
（１９）ボール・バンピング・プロセスが行われる前に、前記半導体チップがヒート・シンクに取り付けられる、前記（１７）記載の方法。
（２０）チップがエポキシにより装着される表面を有するチップ・キャリアであって、前記表面がそこから突き出る同一の高さを有する複数のリブを有し、前記リブ間にへこみが存在し、前記チップが前記リブ上に横たわり、熱エポキシが前記へこみ内に提供されて、前記チップを固定するチップ・キャリア。
（２１）前記リブが、チップが上に横たわり接触する平らな表面を有する、前記（２０）記載のチップ・キャリア。
（２２）導電エポキシによりラミネート・ボードに接地されるレグを含む、前記（２１）記載のチップ・キャリア。
（２３）ラミネート・ボード上に横たわる光学モジュールのためのベースであって、前記ボードと該ボード上の導電パッドとを露出するキャビティを有し、前記キャビティがエポキシの塊により覆われ、前記ベースが、エポキシの流れをその硬化の間に管理する少なくとも１つのフロー管理部材を有するベース。
（２４）フロー管理部材が斜めのランプ形状のフロー開始部材である、前記（２３）記載のベース。
（２５）前記フロー管理部材が、前記キャビティの近くの迫持受けの形態のフロー制限部材である、前記（２３）記載のベース。
（２６）前記ベースが内部に丸いウェルを有し、フロー管理部材が前記ウェルを部分的に囲む丸い迫持受けである、前記（２３）記載のベース。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の光電子モジュールの分解組立図である。
【図２】本発明のモジュールの上面図である。
【図３】図２の断面Ａ−Ａの断面図である。
【図４】図３の詳細部Ｅの断面図である。
【図５】図２の断面Ｂ−Ｂの断面図である。
【図６】図３の詳細部Ｆの断面図である。
【図７】図５の詳細部Ｇの断面図である。
【図８】図７の詳細部Ｇの断面図である。
【図９】図２の断面Ｉ−Ｉの断面図である。
【図１０】図９の詳細部Ｊの断面図である。
【図１１】図１の組立済みの物品の斜視図である。
【図１２】本発明のパッケージング品の側面図である。
【図１３】図１２の断面Ｄ−Ｄの断面図である。
【図１４】図１２の断面Ｃ−Ｃの断面図である。
【図１５】ギャップ設定ツールを示す平面図である。
【図１６】ワッフル状の内部を示すチップ・キャリアの正面図である。
【図１７】図１６の断面Ａ−Ａに沿う断面図である。
【図１８】コイニング・ツールにより平坦化されるチップ・キャリアのワッフル状の内部を示す図である。
【図１９】熱エポキシによりチップ・キャリア内に実装されるチップを示す図である。
【図２０】キャリア及びヒート・シンク上に階段状の表面を有する実施例の断面図である。
【図２１】多数のエポキシ・フロー管理部材を示すオーバモールドの斜視図である。
【符号の説明】
１８  オーバモールド・フレーム
２０  受信機光学アセンブリ
２２  送信機光学アセンブリ
２４  リテイナ
２５  リセプタクル
２６  オーバモールド・アセンブリ
２７  ヒート・シンク
２８  ＥＭＩシールド
２９  フレックス
３０  ダイ・キャリア（チップ・キャリア）
３１  フレックス
３２  オプティカル・カプラ
３３  スチフナ部材
３４  リセプタクルの一部
３５  スタンドオフ
３６  リテイナ・アセンブリ
３８  オーバモールド・プラットフォーム
４３  スロット穴
４４  三葉状穴
５１  後方アライメント・ピン
５２、５３、５４  パッド
５８  キャビティ
６０、６１  パッド
６３、６４、６６  接地パッド
６７  オーバモールド・ウェル
６８  中央ウェブ
７０、７１、７２  スタンドオフ・パッド
７４  モールド・アセンブリ解除用円形領域
８０  スカラップ状斜め表面
８２  ヒート・シンクの頂部
８４  ドライバ・チップ
８６、８７  ヒート・シンク金属表面
８８  パッド
９０  ピン・フィン
９２  ギャップ
９３  ラミネート・ボード（カード）
９４  導電エポキシ
９６、９７  ギャップ
９８、９９  チップ
１０２  ポート
１１０  ギャップ設定ツール
１１２  へこみ
１１３  チップ・キャリア裏面
１１４  リブ
１１６  コイニング・ツール
１１８  リブ間のへこみ
１２０、１２２  階段状表面
１５１  ヒート・シンク金属表面
１６０  キャリア底部
１７０  キャビティ
１９０  ギャップ設定ツールの平らな表面
３００  オーバモールド
３０２  キャビティ
３０４  ラミネート・ボード
３０６  フロー開始部材
３０８、３１０  フロー制限部材
３１２  ウェル
３１４  フロー管理部材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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