(57)【要約】【課題】表示品質を向上させることができる有機ＥＬ装置の製造方法を提供する。【解決手段】基材上に有機ＥＬ素子を形成する工程と、有機ＥＬ素子を覆うように封止層を形成する工程と、封止層を覆うように積層造形法を用いて封止層保護膜４１を形成する工程と、を有する。【選択図】図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に有機ＥＬ素子を形成する工程と、
前記有機ＥＬ素子を覆うように封止層を形成する工程と、
前記封止層を覆うように積層造形法を用いて保護膜を形成する工程と、
を有することを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の有機ＥＬ装置の製造方法であって、
前記封止層を形成する工程の後に、前記封止層の上にカラーフィルターを形成する工程を有し、
前記保護膜を形成する工程は、前記封止層及び前記カラーフィルターを覆うように前記保護膜を形成することを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の有機ＥＬ装置の製造方法であって、
前記保護膜の厚みは、０．０５ｍｍ〜５ｍｍであることを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置の製造方法であって、
前記積層造形法は、光造形法であることを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
上記有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）装置は、陽極（画素電極）と陰極（対向電極）との間に有機発光材料からなる発光層（機能層）が挟持された発光素子を有している。有機ＥＬ装置は、例えば、特許文献１に記載のように、基板側から発光層、陰極、陰極保護層（第１封止層）、有機緩衝層（平坦化層）、ガスバリア層（第２封止層）の順に配置されている。
【０００３】
上記有機ＥＬ装置の製造方法は、基板上に陰極まで形成し、陰極の上に陰極保護層、有機緩衝層、及びガスバリア層（及びカラーフィルター）を順に形成する。次に、ガスバリア層まで形成した素子基板と、ガラス基板などからなる保護基板とを、接着層を介して貼り合わせることにより有機ＥＬ装置が完成する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１４−８９８０４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、素子基板と保護基板とを貼り合わせた際に、保護基板に付着した異物（例えば、ガラス破片など）が挟み込まれ、ガスバリア層にダメージを与える場合がある。これにより、ガスバリア層から水分が侵入して陰極が腐食し、ダークスポットが発生するなど表示品質が劣化するという課題がある。また、異物が混入することにより、透過する際に異物と接触した光が散乱し、表示不良になるという課題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の態様は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。
【０００７】
［適用例１］本適用例に係る有機ＥＬ装置の製造方法は、基板上に有機ＥＬ素子を形成する工程と、前記有機ＥＬ素子を覆うように封止層を形成する工程と、前記封止層を覆うように積層造形法を用いて保護膜を形成する工程と、を有することを特徴とする。
【０００８】
本適用例によれば、封止層を形成した後、積層造形法を用いて、封止層を覆うように保護膜を形成して封止層を保護するので、例えば、従来のように、封止層が形成された基板と保護ガラスとを貼り合せるような貼り合せ工程を省略することができる。よって、貼り合せる際に、封止層が形成された基板に異物（例えば、保護ガラスの破片）が付着することを防ぐことができる。これにより、異物を挟み込むことに起因して封止層にダメージが加わり、そこから水分などが侵入することを防ぐことが可能となり、高い表示品質を維持することができる。また、異物が混入することにより光が散乱するなど表示不良になることを抑えることができる。
【０００９】
［適用例２］上記適用例に係る有機ＥＬ装置の製造方法において、前記封止層を形成する工程の後に、前記封止層の上にカラーフィルターを形成する工程を有し、前記保護膜を形成する工程は、前記封止層及び前記カラーフィルターを覆うように前記保護膜を形成することが好ましい。
【００１０】
本適用例によれば、封止層の上にカラーフィルターを形成するので、例えば、白色発光が得られる有機ＥＬ素子と、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の着色層を含むカラーフィルターとを組み合わせることにより、カラー表示を行うことができる。
【００１１】
［適用例３］上記適用例に係る有機ＥＬ装置の製造方法において、前記保護膜の厚みは、０．０５ｍｍ〜５ｍｍであることが好ましい。
【００１２】
本適用例によれば、０．０５ｍｍ〜５ｍｍの厚みの保護膜を形成するので、封止層を外的要因などから守ることが可能となり、封止層にダメージが加わることを抑えることができる。その結果、封止層から水分などが侵入することによる表示品質が劣化することを抑えることができる。
【００１３】
［適用例４］上記適用例に係る有機ＥＬ装置の製造方法において、前記積層造形法は、光造形法であることが好ましい。
【００１４】
本適用例によれば、光造形法を用いて保護膜を形成するので、例えば、紫外線を照射して保護膜となる樹脂を硬化させて形成するなど、比較的簡単な方法で形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本実施形態の有機ＥＬ装置の電気的な構成を示す等価回路図。
【図２】有機ＥＬ装置の構成を示す概略平面図。
【図３】有機ＥＬ装置の全体構造を示す概略断面図。
【図４】有機ＥＬ装置の製造方法を示すフローチャート。
【図５】有機ＥＬ装置の製造方法のうち一部の製造工程を示す概略断面図。
【図６】有機ＥＬ装置の製造方法のうち一部の製造工程を示す概略断面図。
【図７】有機ＥＬ装置の製造方法のうち一部の製造工程を示す概略断面図。
【図８】電子機器としてのヘッドマウントディスプレイの構成を示す概略図。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している。
【００１７】
なお、以下の形態において、例えば「基板上に」と記載され、特別な記載がなければ、基板の上に接するように配置される場合、または基板の上に他の構成物を介して配置される場合、または基板の上に一部が接するように配置され、一部が他の構成物を介して配置される場合を含んでいるものとする。
【００１８】
＜有機ＥＬ装置＞
まず、本実施形態の有機ＥＬ装置について、図１〜図３を参照して説明する。図１は本実施形態の有機ＥＬ装置の電気的な構成を示す等価回路図、図２は本実施形態の有機ＥＬ装置の構成を示す概略平面図、図３は有機ＥＬ装置の全体構造を示す概略断面図である。
【００１９】
図１に示すように、本実施形態の有機ＥＬ装置１００は、互いに交差する複数の走査線１２及び複数のデータ線１３と、複数のデータ線１３のそれぞれに対して並列する複数の電源線１４とを有している。複数の走査線１２が接続される走査線駆動回路１６と、複数のデータ線１３が接続されるデータ線駆動回路１５とを有している。また、複数の走査線１２と複数のデータ線１３との各交差部に対応してマトリックス状に配置された複数のサブ画素１８を有している。
【００２０】
サブ画素１８は、発光素子としての有機ＥＬ素子３０と、有機ＥＬ素子３０の駆動を制御する画素回路２０とを有している。
【００２１】
有機ＥＬ素子３０は、画素電極３１と、共通電極としての対向電極３３と、画素電極３１と対向電極３３との間に設けられた有機発光層としての機能層３２とを有している。このような有機ＥＬ素子３０は電気的にダイオードとして表記することができる。なお、詳しくは後述するが、対向電極３３は複数のサブ画素１８に亘る共通陰極として形成されている。
【００２２】
画素回路２０は、スイッチング用トランジスター２１と、蓄積容量２２と、駆動用トランジスター２３とを含んでいる。２つのトランジスター２１，２３は、例えばｎチャネル型もしくはｐチャネル型の薄膜トランジスター（ＴＦＴ：Thin Film transistor）やＭＯＳトランジスターを用いて構成することができる。
【００２３】
スイッチング用トランジスター２１のゲートは走査線１２に接続され、ソースまたはドレインのうち一方がデータ線１３に接続され、ソースまたはドレインのうち他方が駆動用トランジスター２３のゲートに接続されている。
【００２４】
駆動用トランジスター２３のソースまたはドレインのうち一方が有機ＥＬ素子３０の画素電極３１に接続され、ソースまたはドレインのうち他方が電源線１４に接続されている。駆動用トランジスター２３のゲートと電源線１４との間に蓄積容量２２が接続されている。
【００２５】
走査線１２が駆動されてスイッチング用トランジスター２１がオン状態になると、そのときにデータ線１３から供給される画像信号に基づく電位がスイッチング用トランジスター２１を介して蓄積容量２２に保持される。
【００２６】
該蓄積容量２２の電位すなわち駆動用トランジスター２３のゲート電位に応じて、駆動用トランジスター２３のオン・オフ状態が決まる。そして、駆動用トランジスター２３がオン状態になると、電源線１４から駆動用トランジスター２３を介して画素電極３１と対向電極３３とに挟まれた機能層３２にゲート電位に応じた量の電流が流れる。有機ＥＬ素子３０は、機能層３２を流れる電流量に応じて発光する。
【００２７】
図２に示すように、有機ＥＬ装置１００は、素子基板１０を有している。素子基板１０には、表示領域Ｅ０（図中、一点鎖線で表示）と、表示領域Ｅ０の外側に非表示領域Ｅ３とが設けられている。表示領域Ｅ０は、実表示領域Ｅ１（図中、二点鎖線で表示）と、実表示領域Ｅ１を囲むダミー領域Ｅ２とを有している。
【００２８】
実表示領域Ｅ１には、発光画素としてのサブ画素１８がマトリックス状に配置されている。サブ画素１８は、前述したように有機ＥＬ素子３０を備えており、スイッチング用トランジスター２１及び駆動用トランジスター２３の動作に伴って、青（Ｂ）、緑（Ｇ）、赤（Ｒ）のうちいずれかの色の発光が得られる構成となっている。
【００２９】
本実施形態では、同色の発光が得られるサブ画素１８が第１の方向に配列し、異なる色の発光が得られるサブ画素１８が第１の方向に対して交差（直交）する第２の方向に配列した、所謂ストライプ方式のサブ画素１８の配置となっている。以降、上記第１の方向をＹ方向とし、上記第２の方向をＸ方向として説明する。なお、素子基板１０におけるサブ画素１８の配置はストライプ方式に限定されず、モザイク方式、デルタ方式であってもよい。
【００３０】
ダミー領域Ｅ２には、主として各サブ画素１８の有機ＥＬ素子３０を発光させるための周辺回路が設けられている。例えば、図２に示すように、Ｘ方向において実表示領域Ｅ１を挟んだ位置にＹ方向に延在して一対の走査線駆動回路１６が設けられている。一対の走査線駆動回路１６の間で実表示領域Ｅ１に沿った位置に検査回路１７が設けられている。
【００３１】
素子基板１０のＸ方向に平行な一辺部（図中の下方の辺部）に、外部駆動回路との電気的な接続を図るためのフレキシブル回路基板（ＦＰＣ）４３が接続されている。ＦＰＣ４３には、ＦＰＣ４３の配線を介して素子基板１０側の周辺回路と接続される駆動用ＩＣ４４が実装されている。駆動用ＩＣ４４は前述したデータ線駆動回路１５を含むものであり、素子基板１０側のデータ線１３や電源線１４は、ＦＰＣ４３を介して駆動用ＩＣ４４に電気的に接続されている。
【００３２】
表示領域Ｅ０と素子基板１０の外縁との間、つまり非表示領域Ｅ３には、例えば各サブ画素１８の有機ＥＬ素子３０の対向電極３３に電位を与えるための配線２９などが形成されている。配線２９は、ＦＰＣ４３が接続される素子基板１０の辺部を除いて、表示領域Ｅ０を囲むように素子基板１０に設けられている。
【００３３】
次に、有機ＥＬ装置の構造について、図３を参照して説明する。図３は、有機ＥＬ装置の構造を模式的に示す概略断面図である。本実施形態における有機ＥＬ装置は、いわゆる「トップエミッション構造」の有機ＥＬ装置である。
【００３４】
図３に示すように、有機ＥＬ装置１００は、基板としての基材１１上に、配線や駆動用トランジスター２３（図１参照）などが設けられ、その上に画素電極３１が設けられている。更に、画素電極上に有機発光層などを有する機能層３２が設けられている。機能層３２は、陰極として機能する対向電極３３によって覆われている。
【００３５】
なお、画素電極３１と対向電極３３とによって機能層３２が挟持された部分が有機ＥＬ素子３０となる。
【００３６】
対向電極３３の上には、対向電極３３及び基材１１の上の全体に亘って、封止層３４が形成されている。封止層３４の上には、平面視で機能層３２の領域と略重なるようにカラーフィルター３６が形成されている。なお、平面視とは、基材１１の表面に対して垂直方向から有機ＥＬ装置１００を見た場合をいう。カラーフィルター３６上には、保護膜としての封止層保護膜４１が設けられている。
【００３７】
基材１１は、有機ＥＬ装置１００がトップエミッション型のため、ガラスなどの透明基板や、シリコンやセラミックスなどの不透明な基板を用いることができる。
【００３８】
基材１１上に形成された配線や駆動用トランジスター２３は、絶縁層２６によって覆われている。絶縁層２６には、図示しないコンタクトホールが形成され、画素電極３１が駆動用トランジスター２３に電気的に接続されている。絶縁層２６の上には、アルミ合金等からなる反射層２５が内装された平坦化絶縁層２７が形成されている。
【００３９】
機能層３２からの発光は、反射層２５で反射されると共に、カラーフィルター３６を透過して封止層保護膜４１側（基材１１と反対側）から取り出される。
【００４０】
平坦化絶縁層２７上には、画素電極３１と機能層３２と対向電極３３とによって構成された有機ＥＬ素子３０が形成されている。また、この有機ＥＬ素子３０を区分するように絶縁性の画素隔壁２８が配置されている。
【００４１】
画素電極３１は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明導電膜を用いて形成される。なお、サブ画素１８ごとに反射層２５を設けない場合は、画素電極３１を、光反射性を有するアルミニムやその合金を用いて形成してもよい。
【００４２】
機能層３２は、各画素電極３１に接するように、真空蒸着法やイオンプレーティング法などの気相プロセスを用いて形成される。
【００４３】
機能層３２は、例えば、正孔注入層、正孔輸送層、有機発光層、電子輸送層を有する。本実施形態では、画素電極３１に対して、正孔注入層、正孔輸送層、有機発光層、電子輸送層を、それぞれ気相プロセスを用いて成膜し、順に積層することによって機能層３２が形成されている。なお、機能層３２の層構成は、これに限定されず、キャリアである正孔や電子の移動を制御する中間層を含んでいてもよい。
【００４４】
有機発光層は、白色発光が得られる構成であればよく、例えば、赤色の発光が得られる有機発光層と、緑色の発光が得られる有機発光層と、青色の発光が得られる有機発光層とを組み合わせた構成を採用することができる。
【００４５】
機能層３２を覆って対向電極３３が形成される。対向電極３３は、例えばＭｇとＡｇとの合金を光透過性と光反射性とが得られる程度の膜厚で成膜することによって形成される。これによって、複数の有機ＥＬ素子３０が出来上がる。
【００４６】
なお、対向電極３３を光透過性と光反射性とを有する状態に形成することによって、サブ画素１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂごとの反射層２５と対向電極３３との間で光共振器を構成してもよい。
【００４７】
次に、水や酸素などが浸入しないように複数の有機ＥＬ素子３０を覆う封止層３４が形成される。本実施形態の封止層３４は、対向電極３３側から順に、陰極保護層３４ａ、有機緩衝層３４ｂ、及びガスバリア層３４ｃが積層されたものである。
【００４８】
有機緩衝層３４ｂの端部は、平面視で、機能層３２の端部より外側、かつ、陰極保護層３４ａ及びガスバリア層３４ｃの端部より内側になるように形成されている。カラーフィルター３６の端部は、平面視で、機能層３２の端部より外側、かつ、ガスバリア層３４ｃの端部より内側になるように形成されている。封止層保護膜４１の端部は、平面視で、ガスバリア層３４ｃの端部より外側になるように形成されている。
【００４９】
この陰極保護層３４ａは、光透過性を有すると共に優れたガスバリア性を有するシリコン系の材料、例えば、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などを用いることが好ましい。なお、ＳｉＯ2を用いるようにしてもよい。また、陰極保護層３４ａの膜厚は、例えば、２００ｎｍ程度である。
【００５０】
陰極保護層３４ａの上には、有機緩衝層３４ｂが設けられている。有機緩衝層３４ｂは、画素隔壁２８などの形状の影響により、凹凸状に形成された陰極保護層３４ａの凹凸部分を埋めるように配置され、さらに、その上面は略平坦に形成される。有機緩衝層３４ｂは、素子基板１０の反りや体積膨張により発生する応力を緩和し、不安定な形状の画素隔壁２８からの陰極保護層３４ａの剥離を防止する機能を有する。
【００５１】
また、有機緩衝層３４ｂの上面が略平坦化されるので、有機緩衝層３４ｂ上に形成される硬い被膜からなるガスバリア層３４ｃも平坦化される。したがって、応力が集中する部位がなくなり、ガスバリア層３４ｃでのクラックの発生を防止する。さらに、画素隔壁２８を被覆して凹凸が埋められることで、ガスバリア層３４ｃ上に形成されるブラックマトリクス３６ａや着色層３６Ｒ，３６Ｇ，３６Ｂの膜厚均一性を向上させることにも有効である。
【００５２】
有機緩衝層３４ｂは、熱安定性に優れた例えばエポキシ系樹脂や塗布型の無機材料（酸化シリコンなど）を用いて形成することができる。また、有機緩衝層３４ｂをスクリーン印刷法により塗布形成すれば、有機緩衝層３４ｂの表面を平坦化することができる。つまり、有機緩衝層３４ｂは、陰極保護層３４ａの表面の凹凸を緩和する平坦化層としても機能させることができる。有機緩衝層３４ｂの厚みは、２μｍ程度である。
【００５３】
ガスバリア層３４ｃは、酸素や水分が浸入するのを防止するためのもので、これにより酸素や水分による有機ＥＬ素子３０の劣化等を抑えることができる。ガスバリア層３４ｃとしては、光透過性を有すると共に優れたガスバリア性を有するシリコン系の材料、例えば、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などを用いることが好ましい。
【００５４】
ガスバリア層３４ｃの上には、カラーフィルター３６が形成されている。具体的には、カラーフィルター３６を構成する各色着色層３６（赤色着色層３６Ｒ、緑色着色層３６Ｇ、青色着色層３６Ｂ）と、各色着色層の間にブラックマトリクス３６ａとが形成されている。
【００５５】
ブラックマトリクス３６ａは、例えば、カーボンブラック等の顔料が混入された樹脂からなる遮光層であり、適切な色変換を行うため、前述した各着色層３６Ｒ，３６Ｇ，３６Ｂの隣接する画素領域間の光漏れを防止するものである。
【００５６】
カラーフィルター３６、ガスバリア層３４ｃ、及び基材１１上の全体には、封止層保護膜４１が形成されている。封止層保護膜４１は、例えば、透明樹脂で形成されている。透明樹脂としては、例えば、紫外線などで硬化するエポキシ樹脂やアクリル樹脂などである。
【００５７】
封止層保護膜４１は、従来の接着層、シール材、及び対向基板に代わるものである。つまり、対向基板レスである。そして、封止層保護膜４１を形成した段階（分断工程などを含む）で有機ＥＬ装置１００が完成となる。
【００５８】
封止層保護膜４１の形成範囲としては、上記したように、ガスバリア層３４ｃ（陰極保護層３４ａ）の端部より外側である。封止層保護膜４１の形成方法としては、詳細は後述するが、光造形法など積層造形法を用いることができる。封止層保護膜４１の膜厚は、例えば、０．０５ｍｍ〜５ｍｍの範囲である。
【００５９】
このように、保護ガラス（対向基板）を用いることなく有機ＥＬ装置１００を完成させるので、従来のように、保護ガラスと基材１１側とを貼り合わせるときに付着した異物に起因して発生する散乱光など表示不良になることを防ぐことができる。更に、ガスバリア層３４ｃにダメージが加わることによる表示不良の発生を防ぐことができる。その結果、初期の表示不良を低減させることが可能となり、歩留り及び信頼性を向上させることができる。
【００６０】
＜有機ＥＬ装置の製造方法＞
次に、本実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法について、図４〜図７を参照して説明する。図４は、有機ＥＬ装置の製造方法を示すフローチャートである。図５〜図７は、有機ＥＬ装置の製造方法のうち一部の製造工程を示す概略断面図である。
【００６１】
図４に示すように、本実施形態の有機ＥＬ装置１００の製造方法は、陰極保護層形成工程（ステップＳ１１）と、有機緩衝層形成工程（ステップＳ１２）と、ガスバリア層形成工程（ステップＳ１３）と、カラーフィルター形成工程（ステップＳ１４）と、封止層保護膜形成工程（ステップＳ１５）とを備えている。なお、基材１１上に駆動用トランジスター２３や有機ＥＬ素子３０などを形成する方法は、公知の方法を採用することができる。
【００６２】
したがって、図５〜図７では、基材１１上における駆動用トランジスター２３や有機ＥＬ素子３０などの構成の表示を省略している。以降、本発明の特徴部分の製造方法を中心に説明する。
【００６３】
まず、図４に示すように、ステップＳ１１では、対向電極３３を覆うように陰極保護層３４ａを形成する。具体的には、図５（ａ）に示すように、対向電極３３までが形成された基材１１上に、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などからなる陰極保護層３４ａを形成する。
【００６４】
陰極保護層３４ａの形成方法としては、例えば、真空蒸着法やスパッタ法などが挙げられる。陰極保護層３４ａの膜厚は、例えば、２００ｎｍ程度である。
【００６５】
ステップＳ１２では、有機緩衝層３４ｂを形成する。具体的には、図５（ｂ）に示すように、例えば、スクリーン印刷法を用いて、陰極保護層３４ａの上に有機緩衝層３４ｂを形成する。有機緩衝層３４ｂは、例えば、エポキシ樹脂である。有機緩衝層３４ｂの膜厚は、例えば、２μｍ程度である。
【００６６】
ステップＳ１３では、ガスバリア層３４ｃを形成する。具体的には、図５（ｃ）に示すように、有機緩衝層３４ｂの上に、例えば、真空蒸着法やスパッタ法を用いてガスバリア層３４ｃを形成する。ガスバリア層３４ｃの材料は、例えば、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）である。ガスバリア層３４ｃの膜厚は、例えば、およそ２００ｎｍ〜４００ｎｍである。
【００６７】
なお、陰極保護層３４ａ及びガスバリア層３４ｃの膜厚を厚くすることで高いガスバリア性を実現できるが、その一方で膨張や収縮によってクラックが生じ易い。したがって、２００ｎｍ〜４００ｎｍ程度の膜厚に制御することが好ましい。
【００６８】
ステップＳ１４では、カラーフィルター３６を形成する。具体的には、図６（ｄ）に示すように、まず、ガスバリア層３４ｃの上に、ブラックマトリクス３６ａを形成する。ブラックマトリクス３６ａの製造方法としては、大気雰囲気下でブラックマトリクス３６ａの材料液を、例えば、インクジェット法によりガスバリア層３４ｃの表面に塗布していく。次に、ブラックマトリクス３６ａの材料液を、乾燥硬化させる。
【００６９】
次に、図６（ｅ）に示すように、ブラックマトリクス３６ａが形成された素子基板１０に、着色層３６Ｒ，３６Ｇ，３６Ｂを形成する。具体的には、大気雰囲気下でガスバリア層３４ｃの表面のブラックマトリクス３６ａが形成された領域の間に各着色層３６Ｒ，３６Ｇ，３６Ｂの材料液をインクジェット法により塗布していく。次に、着色層３６Ｒ，３６Ｇ，３６Ｂの材料液が塗布された素子基板１０を乾燥硬化させることで、各色のサブ画素１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂに対応した着色層３６Ｒ，３６Ｇ，３６Ｂが形成されたカラーフィルター３６が完成する。
【００７０】
ステップＳ１５では、封止層保護膜４１を形成する。具体的には、図７を参照しながら説明する。封止層保護膜４１は、上記したように、積層造形法の一つである光造形法を用いて形成する。なお、図７に示す図は、複数の有機ＥＬ装置１００が複数面付けされた大型基板１００ａに処理を施す場合を示している。
【００７１】
図７（ａ）に示す工程では、１回目の紫外線照射を行う。まず、カラーフィルター３６まで形成された大型基板１００ａを、造形ステージ５１上に載置し、固定治具５２を用いて大型基板１００ａを固定する。次に、紫外線照射型の液体樹脂５３が溜められた液槽に、大型基板１００ａを入れる。
【００７２】
次に、大型基板１００ａの上面が液体樹脂５３に浸る程度の高さになるように造形ステージ５１の高さを調整する。その後、有機ＥＬ装置１００となる場所に紫外線レーザーを照射して、液体樹脂５３を硬化させる。これにより、１層目の封止層保護膜４１ａが形成される。
【００７３】
図７（ｂ）に示す工程では、１層目の封止層保護膜４１ａの高さ分が下がるように、造形ステージ５１の高さを降下させる。次に、上記したように、有機ＥＬ装置１００となる場所に紫外線レーザーを照射する。これにより、２層目の封止層保護膜４１ａが形成される。以降、上記と同様の要領で、２層目以降を形成する。これにより、図７（ｃ）に示すように、積層して形成された封止層保護膜４１が完成する。
【００７４】
なお、紫外線レーザーによる有機ＥＬ素子３０へのダメージを防止するために、例えば、対向電極３３（陰極）とガスバリア層３４ｃとの間のいずれかの層間に、紫外線吸収層を予め形成しておくことが望ましい。
【００７５】
紫外線吸収層としては、例えば、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化チタン（ＴｉＯ2）、チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ3）、酸化タングステン（ＷＯ3）、酸化錫（ＳｎＯ2）、酸化ニオブ（Ｎｂ2Ｏ6）、タンタル酸カリウム（ＫＴａＯ3）、酸化鉄（ＦｅＯ3）などが挙げられる。
【００７６】
紫外線吸収層の厚みとしては、１０ｎｍ以上であることが好ましい。ただ、膜厚が厚くなると、光の透過性が悪くなるので、要求される品質に応じて膜厚を設定することが好ましい。
【００７７】
その後、大型基板１００ａを各有機ＥＬ装置１００の大きさに切断することにより、図６（ｆ）に示すような有機ＥＬ装置１００が完成する。
【００７８】
このように、保護ガラス（対向基板）を用いることなく有機ＥＬ装置１００を完成させるので、従来のように、保護ガラスと基材１１側とを貼り合わせるときに付着している異物に起因して発生する散乱光など表示不良になることを防ぐことができる。更に、ガスバリア層３４ｃにダメージが加わることによる表示不良の発生を防ぐことができる。その結果、初期の表示不良を低減させることが可能となり、歩留り及び信頼性を向上させることができる。
【００７９】
＜電子機器＞
次に、本実施形態の電子機器について、図８を参照して説明する。図８は、電子機器としてのヘッドマウントディスプレイ（ＨＭＤ）の構成を示す概略図である。
【００８０】
図８に示すように、ヘッドマウントディスプレイ１０００は、上記有機ＥＬ装置１００を備えたものであり、眼鏡のような形状を有する本体部１１５と、使用者の手で持つことが可能な程度の大きさを有する制御部２００と、を備える。
【００８１】
本体部１１５と制御部２００とは、有線または無線で、通信可能に接続される。本実施形態では、本体部１１５と制御部２００とがケーブル３００で通信可能に接続されている。そして、本体部１１５と制御部２００とは、このケーブル３００を介して、画像信号や制御信号を通信する。
【００８２】
本体部１１５は、右目用表示部１１５Ａと、左目用表示部１１５Ｂとを備えている。右目用表示部１１５Ａは、右目用画像の画像光を形成する画像形成部１２０Ａを備える。左目用表示部１１５Ｂは、左目用画像の画像光を形成する画像形成部１２０Ｂを備える。
【００８３】
画像形成部１２０Ａは、眼鏡型の本体部１１５において眼鏡のつる部分（右側）に収容されている。一方、画像形成部１２０Ｂは、眼鏡型の本体部１１５において眼鏡のつる部分（左側）に収容されている。
【００８４】
本体部１１５には、光透過性を有する視認部１３１Ａが設けられている。視認部１３１Ａは、右目用画像の画像光を使用者の右目に向けて射出する。また、ヘッドマウントディスプレイ１０００においては、視認部１３１Ａが光透過性を有し、視認部１３１Ａを介して周囲を視認可能となっている。
【００８５】
また、本体部１１５には、光透過性を有する視認部１３１Ｂが設けられている。視認部１３１Ｂは、左目用画像の画像光を使用者の左目に向けて射出する。また、ヘッドマウントディスプレイ１０００においては、視認部１３１Ｂが光透過性を有し、視認部１３１Ｂを介して周囲を視認可能となっている。
【００８６】
制御部２００は、操作部２１０と、操作ボタン部２２０、を備える。使用者は、制御部２００の操作部２１０や操作ボタン部２２０に対して操作入力を行い、本体部１１５に対する指示を行う。
【００８７】
このような電子機器によれば、上記有機ＥＬ装置１００を備えているので、信頼性の高い電子機器を提供することができる。
【００８８】
なお、上記有機ＥＬ装置１００が搭載される電子機器としては、ヘッドマウントディスプレイ１０００の他、例えば、ヘッドアップディスプレイ（ＨＵＤ）、プロジェクター、スマートフォン、ＥＶＦ（Electrical View Finder）、携帯電話、モバイルコンピューター、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、車載機器、照明機器など各種電子機器に用いることができる。
【００８９】
以上詳述したように、本実施形態の有機ＥＬ装置１００の製造方法によれば、以下に示す効果が得られる。
【００９０】
（１）本実施形態の有機ＥＬ装置１００の製造方法によれば、封止層３４及びカラーフィルター３６を形成した後、光造形法を用いて、封止層３４を覆うように封止層保護膜４１を形成して封止層３４を保護するので、例えば、従来のように、封止層３４が形成された基材１１と保護ガラスとを貼り合せる場合のような貼り合せ工程を省略することができる。よって、貼り合せる際に、封止層３４が形成された基材１１に異物（例えば、保護ガラスの破片）が付着することを防ぐことができる。これにより、異物を挟み込むことに起因して封止層３４にダメージが加わり、そこから水分などが侵入することを防ぐことが可能となり、高い表示品質を維持することができる。また、異物が混入することにより光が散乱するなど表示不良になることを抑えることができる。
【００９１】
（２）本実施形態の有機ＥＬ装置１００の製造方法によれば、０．０５ｍｍ〜５ｍｍの厚みの封止層保護膜４１を形成するので、封止層３４を外的要因などから守ることが可能となり、封止層３４にダメージが加わることを抑えることができる。その結果、封止層３４から水分などが侵入することによる表示品質が劣化することを抑えることができる。
【００９２】
なお、本発明の態様は、上記した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、本発明の態様の技術範囲に含まれるものである。また、以下のような形態で実施することもできる。
【００９３】
（変形例１）
上記したように、封止層保護膜４１を形成する方法として、光造形法を用いたが、これに限定されず、積層造形法のうちその他の方法を用いるようにしてもよい。
【符号の説明】
【００９４】
１０…素子基板、１１…基板としての基材、１２…走査線、１３…データ線、１４…電源線、１５…データ線駆動回路、１６…走査線駆動回路、１７…検査回路、１８，１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂ…サブ画素、２０…画素回路、２１…トランジスター、２２…蓄積容量、２３…駆動用トランジスター、２５…反射層、２６…絶縁層、２７…平坦化絶縁層、２８…画素隔壁、２９…配線、３０…有機ＥＬ素子、３１…画素電極、３２…機能層、３３…対向電極、３４…封止層、３４ａ…陰極保護層、３４ｂ…有機緩衝層、３４ｃ…ガスバリア層、３６…着色層、３６Ｂ…青色着色層、３６Ｇ…緑色着色層、３６Ｒ…赤色着色層、３６ａ…ブラックマトリクス、４１，４１ａ…保護膜としての封止層保護膜、４３…ＦＰＣ、４４…駆動用ＩＣ、５１…造形ステージ、５２…固定治具、１００…有機ＥＬ装置、１００ａ…大型基板、１１５…本体部、１１５Ａ…右目用表示部、１１５Ｂ…左目用表示部、１２０Ａ，１２０Ｂ…画像形成部、１３１Ａ，１３１Ｂ…視認部、２００…制御部、２１０…操作部、２２０…操作ボタン部、３００…ケーブル、１０００…ヘッドマウントディスプレイ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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