(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
正極と負極と非水電解質とを備えた非水電解質二次電池において、正極活物質としてモリブデン酸化物を用い、負極活物質として負極集電体上に堆積して形成したシリコン薄膜を用いることを特徴とする非水電解質二次電池。
【請求項２】
前記モリブデン酸化物が、正極集電体上に堆積して形成したモリブデン酸化物薄膜であることを特徴とする請求項１に記載の非水電解質二次電池。
【請求項３】
前記正極集電体がアルミニウムを含む基板であることを特徴とする請求項２に記載の非水電解質二次電池。
【請求項４】
前記正極集電体がアルミニウム箔であることを特徴とする請求項２または３に記載の非水電解質二次電池。
【請求項５】
前記モリブデン酸化物薄膜が、ＣＶＤ法、スパッタリング法、または溶射法により堆積して形成した薄膜であることを特徴とする請求項２〜４のいずれか１項に記載の非水電解質二次電池。
【請求項６】
前記シリコン薄膜が、微結晶シリコン薄膜または非晶質シリコン薄膜であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の非水電解質二次電池。
【請求項７】
前記シリコン薄膜が、ＣＶＤ法、スパッタリング法、溶射法、または蒸着法により堆積して形成した薄膜であることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の非水電解質二次電池。
【請求項８】
前記負極集電体が銅箔であることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の非水電解質二次電池。
【請求項９】
前記正極集電体の表面粗さＲａが０．００１〜１μｍであることを特徴とする請求項２〜８のいずれか１項に記載の非水電解質二次電池。
【請求項１０】
前記負極集電体の表面粗さＲａが０．０１〜１μｍであることを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項に記載の非水電解質二次電池。
【請求項１１】
前記正極集電体及び／または前記負極集電体の表面粗さＲａが、その上に形成される薄膜の厚みｔに対しＲａ≦ｔの関係を有することを特徴とする請求項１〜１０のいずれか１項に記載の非水電解質二次電池。
【請求項１２】
前記正極集電体及び／または前記負極集電体の表面粗さＲａと局部山頂の平均間隔Ｓが、Ｓ≦１００Ｒａの関係を有することを特徴とする請求項１〜１１のいずれか１項に記載の非水電解質二次電池。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、正極と負極と非水電解質とを備えた非水電解質二次電池に関するものである。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】
現在実用化されているリチウム二次電池においては、正極材料にコバルト酸リチウム（ＬｉＣｏＯ2)またはマンガン酸リチウム（ＬｉＭｎ2Ｏ4）が用いられ、負極材料に炭素材料が用いられている。しかしながら、携帯機器等においてはさらに長時間使用可能な二次電池が求められており、リチウム二次電池におけるさらなる高容量化及び高エネルギー密度化が求められている。
【０００３】
本出願人は、リチウム二次電池において高い容量を示す負極材料として、負極集電体上に堆積して形成したシリコン薄膜を用いることを提案している（特願平１１−３０１６４６号）。このような負極材料によれば、３０００〜４０００ｍＡｈ／ｇあるいはそれ以上の負極容量を得ることができる。
【０００４】
しかしながら、このようなシリコン薄膜を負極材料とし、コバルト酸リチウムを正極材料としてリチウム二次電池を作製した場合、正極容量と負極容量のバランスをとるため、正極活物質層の厚みをかなり厚くしなければならない。その結果、製造工程において正極活物質層中に電解液が浸み込みにくくなり、また充放電サイクルにおいて正極活物質層中の電解液が不足するなどの問題を生じ、充放電サイクル特性の低下を生じるおそれがあった。このため、高い負極容量に見合う高い正極容量を有する正極材料の開発が必要となる。
【０００５】
本発明の目的は、シリコン薄膜を負極活物質として用いた非水電解質二次電池において、高容量かつ高エネルギー密度で充放電サイクル特性に優れた非水電解質二次電池を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明の非水電解質二次電池は、正極と負極と非水電解質とを備えた非水電解質二次電池であり、正極活物質としてモリブデン酸化物を用い、負極活物質として負極集電体上に堆積して形成したシリコン薄膜を用いることを特徴としている。
【０００７】
本発明においては、正極活物質としてモリブデン酸化物を用いている。従来正極活物質として最も一般的に用いられているコバルト酸リチウムでは、コバルトの酸化数が３価から４価まで変化するのに対し、本発明で用いるモリブデン酸化物においてはモリブデンの酸化数が４価から５価以上まで変化し得るため、コバルト酸リチウムよりも高い容量を有している。従って、シリコン薄膜と組み合わせて用いることにより、高エネルギー密度化を図ることができる。また、正極容量と負極容量のバランスが良くなり、正極及び負極の極板の厚さを制御することができるので、極板における電解液の不足を防止することができ、サイクル特性を向上させることができる。
【０００８】
本発明において、正極活物質として用いるモリブデン酸化物は、モリブデン酸化物の粉末であっても良いし、正極集電体上に堆積して形成したモリブデン酸化物薄膜であっても良い。モリブデン酸化物の粉末を用いる場合には、従来の方法と同様に、モリブデン酸化物粉末と、結着剤と、黒鉛粉末などの導電材とを含有したスラリーを調製し、これをアルミニウム箔などの正極集電体上に塗布して作製することができる。
【０００９】
モリブデン酸化物薄膜は、アルミニウム箔などのアルミニウムを含む集電体の上に、ＣＶＤ法、スパッタリング法、または溶射法等の薄膜形成方法により、薄膜を堆積させて形成することが好ましい。この理由は、以下の通りである。
【００１０】
従来、シリカガラス基板またはシリコンウエハーの上にモリブデン酸化物薄膜が形成され検討されている（C. Julien, G.A.Nazri, J.P.Guesdon, A.Gorenstein, A.Khelfa, O.M.Hussain, Solid State Ionics 73(1994)319-326参照）。しかしながら、アルミニウム箔などのアルミニウムを含む集電体上に形成される結晶性のモリブデン酸化物薄膜は、上記の従来形成されていたモリブデン酸化物薄膜の結晶構造と異なる結晶構造を有している。これは、おそらく集電体の影響を受けているためであると考えられ、詳細には、集電体としての基板の構造がその上に形成されるモリブデン酸化物薄膜の結晶構造に影響を与えているものと考えられる。このため、リチウムの挿入・脱離サイトが変化し、放電容量及びエネルギー密度が増加するものと考えられる。
【００１１】
本発明に係るモリブデン酸化物薄膜は、非晶質でも結晶質でもよいが、結晶質の場合は、以下の性状を持つものが好ましい。
すなわち、本発明に従う第１の局面のモリブデン酸化物薄膜は、Ｘ線源としてＣｕ−Ｋαを用いたときのＸ線回折測定において、２θ＝１２．７±１．０°の範囲に存在するピークの強度Ｉ（０２０）と、２θ＝２３．３±１．０°の範囲に存在するピークの強度Ｉ（１１０）との強度比が、０≦Ｉ（０２０）／Ｉ（１１０）≦０．３であることを特徴としている。
【００１２】
本発明に従う第２の局面のモリブデン酸化物薄膜は、Ｘ線源としてＣｕ−Ｋαを用いたときのＸ線回折測定において、２θ＝１２．７±１．０°の範囲に存在するピークの強度Ｉ（０２０）と、２θ＝２７．３±１．０°の範囲に存在するピークの強度Ｉ（０２１）との強度比が、０≦Ｉ（０２０）／Ｉ（０２１）≦０．２であることを特徴としている。
【００１３】
本発明に従う第３の局面のモリブデン酸化物薄膜は、Ｘ線源としてＣｕ−Ｋαを用いたときのＸ線回折測定において、２θ＝２５．７±１．０°の範囲に存在するピークの強度Ｉ（０４０）と、２θ＝２３．３±１．０°の範囲に存在するピークの強度Ｉ（１１０）との強度比が、０≦Ｉ（０４０）／Ｉ（１１０）≦０．６であることを特徴としている。
【００１４】
本発明に従う第４の局面のモリブデン酸化物薄膜は、Ｘ線源としてＣｕ−Ｋαを用いたときのＸ線回折測定において、２θ＝２５．７±１．０°の範囲に存在するピークの強度Ｉ（０４０）と、２θ＝２７．３±１．０°の範囲に存在するピークの強度Ｉ（０２１）との強度比が、０≦Ｉ（０４０）／Ｉ（０２１）≦０．５であることを特徴としている。
【００１５】
モリブデン酸化物薄膜中のモリブデンの酸化数は、５以上であることが好ましい。モリブデン酸化物中のモリブデンの酸化数が５以上であると、充放電に伴うモリブデンの価数の変化量が大きくなると共に、活物質の電子構造が変化し放電電位が上昇するため、エネルギー密度がさらに増加する。また、モリブデン酸化物薄膜には、異種元素が含有されていてもよい。
【００１６】
本発明においては、負極活物質として負極集電体上に堆積して形成したシリコン薄膜が用いられる。
シリコン薄膜としては、微結晶シリコン薄膜及び非晶質シリコン薄膜が好ましい。微結晶シリコン薄膜は、ラマン分光分析において、結晶領域に対応する５２０ｃｍ-1近傍のピークと、非晶質領域に対応する４８０ｃｍ-1近傍のピークの両方が実質的に検出されるシリコン薄膜である。非晶質シリコン薄膜は、ラマン分光分析において、結晶領域に対応する５２０ｃｍ-1近傍のピークが実質的に検出されず、非晶質領域に対応する４８０ｃｍ-1近傍のピークが実質的に検出されるシリコン薄膜である。
【００１７】
本発明において、シリコン薄膜は、銅箔などの負極集電体の上に、ＣＶＤ法、スパッタリング法、溶射法、または蒸着法などの薄膜形成方法により形成することができる。
【００１８】
本発明において、正極集電体としてはアルミニウム箔が特に好ましく、負極集電体としては銅箔が特に好ましい。負極集電体として銅箔を用いる場合、表面粗さＲａの値が大きい銅箔である電解銅箔を用いることが特に好ましい。
【００１９】
以下、正極集電体及び負極集電体について、単に「集電体」として説明する。
本発明において、シリコン薄膜が形成される集電体表面の表面粗さＲａは０．０１〜１μｍであることが好ましく、モリブデン酸化物薄膜が形成される集電体表面の表面粗さＲａは０．００１〜１μｍであることが好ましい。このような表面粗さＲａを有する集電体を用いることにより、充放電によりシリコン薄膜またはモリブデン酸化物薄膜が膨張収縮した際に、集電体との密着性が低下せず、効率良く集電することができる。表面粗さＲａは、日本工業規格（ＪＩＳ  Ｂ  ０６０１−１９９４）に定められており、例えば表面粗さ計により測定することができる。
【００２０】
本発明において、集電体の表面粗さＲａは、シリコン薄膜またはモリブデン酸化物薄膜の厚みｔに対し、Ｒａ≦ｔの関係を有することが好ましい。
さらに本発明においては、集電体の表面粗さＲａと局部山頂の平均間隔Ｓが、Ｓ≦１００Ｒａの関係を有していることが好ましい。局部山頂の平均間隔Ｓも、日本工業規格（ＪＩＳ  Ｂ  ０６０１−１９９４）に定められており、例えば表面粗さ計により測定することができる。
【００２１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を実施例に基づいてさらに詳細に説明するが、本発明は以下の実施例に何ら限定されるものではなく、その要旨を変更しない範囲において適宜変更して実施することが可能なものである。
【００２２】
（実験１）
正極活物質としてモリブデン酸化物を用いた正極を作製し、リチウム二次電池の正極としての電気化学的特性を評価した。
【００２３】
〔正極の作製〕
基板として圧延アルミニウム箔（厚み２０μｍ）を用い、ＭｏＯ3 をターゲットとして用いて、スパッタリング法により、モリブデン酸化物薄膜を作製した。詳細な薄膜形成条件を表１に示す。なお、作製したモリブデン酸化物薄膜の膜厚は約２μｍとした。また圧延アルミニウム箔の表面粗さＲａは、０．００１〜０．０１０μｍであった。
【００２４】
【表１】
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【００２５】
得られたモリブデン酸化物薄膜について、Ｘ線回折（ＸＲＤ）測定を行った。得られたＸＲＤチャートを図１に示す。図１に示すように、基板のアルミニウム以外には明確なピークが確認されず、このモリブデン酸化物薄膜は非結晶（非晶質）であることが確認された。次に、このモリブデン酸化物薄膜について、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）により倍率５０００倍で観察した。このときのＳＥＭ写真を図２に示す。図２に示すように、得られた酸化物薄膜の表面は、粒径１．５μｍ以下の微粒子が緻密に集合したような状態であるように観察された。
【００２６】
また、この薄膜中のモリブデンの酸化数を測定したところ、４．２であった。この薄膜を基板であるアルミニウム箔と共に所定の大きさに切り出し、正極ａ１を作製した。
【００２７】
次に、正極ａ１の薄膜よりもモリブデンの酸化数を増加させることを目的に、スパッタリングガス中の酸素の活性化、及び表面反応の活性化を行いながら、スパッタリング法によりモリブデン酸化物薄膜を上記と同様の圧延アルミニウム箔の上に作製した。薄膜形成装置としては、図６に示す装置を用いた。
【００２８】
図６に示すように、真空チャンバー１０内には、基板ホルダー１１が設けられており、基板ホルダー１１の上に、基板１２としてのアルミニウム箔が載せられている。基板１２の下方には、電極１４上に設けられたターゲット１３が配置されている。ターゲット１３としては、ＭｏＯ3 のターゲットが用いられている。電極１４には、高周波電源１５が接続されている。
【００２９】
基板１２に対し側方に位置する側壁には、開口１０ａが形成されており、開口１０ａの外部にＥＣＲプラズマ発生室１６が設けられている。ＥＣＲプラズマ発生室１６のまわりには、外部磁界を発生させるためのソレノイドコイル１７が設けられている。ＥＣＲプラズマ発生室１６の端部にはマイクロ波導入窓１９が設けられており、マイクロ波導入窓１９には、マイクロ波導波管１８が接続されている。また、ＥＣＲプラズマ発生室１６には、Ａｒガス及びＯ2 ガスを導入するためのガス供給管２０が接続されている。
【００３０】
図示しないマイクロ波供給手段で発生したマイクロ波は、マイクロ波導波管１８及びマイクロ波導入窓１９を通り、ＥＣＲプラズマ発生室１６内に導かれる。このマイクロ波による高周波電界とソレノイドコイル１７からの磁界とを作用させることにより、ＥＣＲプラズマ発生室１６内に高密度のプラズマが発生する。このプラズマは、ソレノイドコイル１７による発散磁界に沿って開口１０ａを通り、真空チャンバー１０内に導かれる。
【００３１】
図６に示す装置を用いて、スパッタリング用ガスとしてＡｒガス１００ｓｃｃｍ及びＯ2 ガス１０ｓｃｃｍを、ガス供給管２０からＥＣＲプラズマ発生室１６に導入し、高周波電界と磁界を作用させることによりＥＣＲプラズマを発生させ、これを開口１０ａを通して基板１２に照射した。同時に、高周波電源１５から電極１４に高周波電力を印加し、基板１２とターゲット１３の間にプラズマを発生させ、これによってターゲット１３のＭｏＯ3 をスパッタし、基板１２の上にモリブデン酸化物薄膜を形成した。なお、基板１２としては、表面を♯８００の紙やすりで研磨し、表面を粗面化したアルミニウム箔を用いた。詳細な薄膜形成条件を表２に示す。なお、形成したモリブデン酸化物薄膜の膜厚は約２μｍとした。また表面を粗面化したアルミニウム箔の表面粗さＲａは、０．０９３μｍであった。
【００３２】
【表２】
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【００３３】
図３は、得られたモリブデン酸化物薄膜のＸＲＤチャートである。また、図４は、市販の結晶ＭｏＯ3 粉末のＸＲＤチャートである。図３のＸＲＤチャートにおいては、図４の結晶ＭｏＯ3 のＸＲＤチャートと同様のピークが認められたが、そのピーク強度比は大きく異なっている。特に０ｋ０面からの反射ピークが結晶ＭｏＯ3 の場合よりも小さくなっていることがわかる。すなわち、図４に示す結晶ＭｏＯ3 のＸＲＤチャートにおいては、１１０面のピーク強度に対する０２０面のピーク強度の比Ｉ（０２０）／Ｉ（１１０）が３．６１であり、０２１面のピーク強度に対する０２０面のピーク強度の比Ｉ（０２０）／Ｉ（０２１）が２．６８であり、１１０面のピーク強度に対する０４０面のピーク強度の比Ｉ（０４０）／Ｉ（１１０）が４．３５であり、０２１面のピーク強度に対する０４０面のピーク強度の比Ｉ（０４０）／Ｉ（０２１）が３．２３であるのに対して、図３に示すＸＲＤチャートにおいては、Ｉ（０２０）／Ｉ（１１０）が０．０１であり、Ｉ（０２０）／Ｉ（０２１）が０．０９であり、Ｉ（０４０）／Ｉ（１１０）が０．０１であり、Ｉ（０４０）／Ｉ（０２１）が０．０９である。これらのことから、作製したモリブデン酸化物薄膜と市販の結晶ＭｏＯ3 では結晶の成長状態が異なっていると考えられる。
【００３４】
作製したモリブデン酸化物薄膜のモリブデンの酸化数を測定したところ、５．５であった。この薄膜を基板であるアルミニウム箔と共に所定の大きさに切り出し、正極ａ２を作製した。
【００３５】
上記市販の結晶ＭｏＯ3 粉末９０重量部と、人造黒鉛粉末５重量部と、ポリフッ化ビニリデン５重量部のＮ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）溶液とを混合してスラリーを調製し、このスラリーを上記と同様の圧延アルミニウム箔の片面にドクターブレード法により塗布して活物質層を形成した後、１５０℃で２時間真空乾燥した後に、所定の大きさに切り出し、正極ａ３を作製した。
【００３６】
〔電解液の作製〕
エチレンカーボネートとジエチルカーボネートとの等体積混合溶媒に、ＬｉＰＦ6 を１モル／リットル溶解させて電解液を作製した。
【００３７】
〔ビーカーセルの作製〕
上記電極ａ１〜ａ３を作用極として用い、図５に示すようなビーカーセルを作製した。図５に示すように、ビーカーセルは、容器１内に入れられた電解液２中に、対極３、作用極４、及び参照極５を浸漬することにより構成されている。電解液２としては、上記電解液を用い、対極３及び参照極５としてはリチウム金属を用いた。
【００３８】
〔充放電試験〕
上記のようにして作製した各ビーカーセルを、それぞれ２５℃にて０．２ｍＡで１．０Ｖ（ｖｓ．Ｌｉ／Ｌｉ+) まで定電流放電を行い、これを初期放電とした。その後０．２ｍＡで３．５Ｖ（ｖｓ．Ｌｉ／Ｌｉ+) まで定電流充電を行い、さらに０．０６７ｍＡで３．５Ｖ（ｖｓ．Ｌｉ／Ｌｉ+) まで定電流充電を行った後、上記と同様の条件で放電を行い、これを２サイクル目の放電とした。各ビーカーセルの放電容量、平均放電電位、及び放電エネルギー密度を表３に示す。
【００３９】
【表３】
0004023977.tif 000004
【００４０】
表３に示す結果から、ａ１〜ａ３の各正極は、初期放電と２サイクル目放電の間で、放電容量及び平均放電電位が大きく低下することがわかる。しかしながら、２サイクル目以降は比較的安定した放電容量及び平均放電電位を示すことを確認している。
【００４１】
２サイクル目の放電において、正極ａ１及びａ２は、いずれも正極ａ３より大きな放電容量及び放電エネルギー密度を示している。これは、モリブデン酸化物薄膜が、結晶ＭｏＯ3 とは異なる結晶構造を有しているためであると考えられる。
【００４２】
また２サイクル目の放電において、正極ａ２は正極ａ１より放電容量は小さいが、平均放電電位は高い。そのため、正極ａ２は正極ａ１より放電エネルギー密度が大きい。リチウム二次電池を作製する場合、負極にリチウム金属以外のものを用いると、放電末期において負極の電位が上昇し、その結果正極の電位が１．０Ｖ（ｖｓ．Ｌｉ／Ｌｉ+) まで低下しないうちに放電が終了する場合が考えられることから、平均放電電位がより高い正極ａ２の方が、正極ａ１よりもリチウム二次電池の正極としてより好ましいと考えられる。
【００４３】
（実験２）
負極活物質として、負極集電体である電解銅箔の上に堆積して形成した微結晶シリコン薄膜を用いた負極を作製し、リチウム二次電池の負極としての電気化学的特性を検討した。
【００４４】
〔負極の作製〕
基板として電解銅箔（厚み１７μｍ、表面粗さＲａ＝０．１８８μｍ）を用い、原料ガスとしてシラン（ＳｉＨ4)を用い、キャリアガスとして水素ガスを用いて、ＣＶＤ法により銅箔の上に微結晶シリコン薄膜を形成した。具体的には、反応室中のヒーターの上に基板としての銅箔を設置し、真空排気装置により、反応室中の圧力を１Ｐａ以下まで排気した。その後、原料ガスであるシラン（ＳｉＨ4)及びキャリアガスである水素（Ｈ2)ガスを、原料ガス導入ポートから導入し、ヒーターで基板を１８０℃まで加熱した。真空排気装置により、真空度を反応圧力になるように調整し、高周波電源で高周波を励起し、その高周波を電極より導入してグロー放電を誘起した。詳細な薄膜形成条件を表４に示す。
【００４５】
【表４】
0004023977.tif 000005
【００４６】
微結晶シリコン薄膜の膜厚が約２μｍになるまで上記条件で堆積させた。これを、電子顕微鏡（２００万倍）で観察すると微小な結晶粒からなる結晶領域の周囲に、非結晶領域が配置された状態であって、非結晶であることが確認できた。また上記微結晶シリコン薄膜について、ラマン分光分析を行ったところ、４８０ｃｍ-1近傍のピークと、５２０ｃｍ-1近傍のピークの両方が検出された。従って、得られたシリコン薄膜は微結晶シリコン薄膜である。
この微結晶シリコン薄膜を形成した電解銅箔を２ｃｍ×２ｃｍの大きさに切り出し、電極ｂ１を作製した。
【００４７】
〔電解液の作製〕
上記実験１と同様にして電解液を作製した。
〔ビーカーセルの作製〕
上記電極ｂ１を作用極として用い、上記実験１と同様にしてビーカーセルを作製した。
【００４８】
〔充放電試験〕
上記のビーカーセルを、２５℃にて、０．５ｍＡの定電流で、参照極を基準とする電位が０Ｖに達するまで充電した後、０．５Ｖに達するまで放電を行った。この際の放電容量は１５５０ｍＡｈ／ｇであった。また２サイクル目以降も安定した放電容量を示すことを確認している。
【００４９】
上記のようにして得られたモリブデン酸化物を用いた正極ａ１〜ａ３のそれぞれと、上記ビーカーセルを用いて電位が０Ｖ（ｖｓ．Ｌｉ／Ｌｉ+）になるまで充電した上記負極ｂ１とを組み合わせて非水電解質二次電池を作製した場合に、必要となる正極活物質の重量比を表５に示す。また、比較として従来の正極活物質であるコバルト酸リチウムを用いた場合についても表５に示した。表５には、各正極活物質の放電容量を併せて示した。なお、放電容量は、モリブデン酸化物については１．０〜３．５Ｖ（ｖｓ．Ｌｉ／Ｌｉ+）における値、コバルト酸リチウムについては２．７５〜４．３Ｖ（ｖｓ．Ｌｉ／Ｌｉ+）における値を示している。
【００５０】
【表５】
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【００５１】
表５に示す結果から、負極活物質としてシリコン薄膜を用いる場合、正極活物質としてモリブデン酸化物を用いることにより、コバルト酸リチウムを用いる場合よりも正極活物質の重量を減少させ、正極極板の厚みを減少させることができることがわかる。
【００５２】
【発明の効果】
本発明によれば、非水電解質二次電池を高エネルギー密度化できると共に、正極容量と負極容量のバランスが良くなり、極板の厚さを制御することができる。従って、極板における電解液の不足を防止することができ、サイクル特性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例において得られたモリブデン酸化物薄膜のＸ線回折チャート。
【図２】本発明の一実施例において得られたモリブデン酸化物薄膜の表面を示す電子顕微鏡写真。
【図３】本発明の他の実施例において得られたモリブデン酸化物薄膜のＸ線回折チャート。
【図４】市販の結晶ＭｏＯ3 のＸ線回折チャート。
【図５】実施例において作製したビーカーセルを示す模式的断面図。
【図６】本発明の実施例において用いた薄膜形成装置を示す模式的断面図。
【符号の説明】
１…容器
２…電解液
３…対極
４…作用極
５…参照極
１０…真空チャンバー
１１…基板ホルダー
１２…基板
１３…ターゲット
１４…電極
１５…高周波電源
１６…ＥＣＲプラズマ発生室
１７…ソレノイドコイル
１８…マイクロ波導波管
１９…マイクロ波導入窓
２０…ガス供給管
【図１】
0004023977.tif 000007
【図２】
0004023977.tif 000008
【図３】
0004023977.tif 000009
【図４】
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【図５】
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【図６】
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