(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
プリント基板の基板端子電極に向かう突起部を有した１つ以上の接続端子電極を半導体基板上に備えた半導体装置であり、
前記接続端子電極の前記突起部に導電性接着剤を付着し、前記突起部に付着した前記導電性接着剤を加熱して硬化し、硬化した前記導電性接着剤の先端部に無電解メッキ液を付着し、前記無電解メッキ液を付着したまま前記突起部を前記基板端子電極に接触させて加圧加熱し、前記突起部と前記基板端子電極間に合金接続層を生成して前記突起部と前記基板端子電極を接合し、前記接合後に前記プリント基板と前記半導体基板間に樹脂を注入して構成されることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
プリント基板の基板端子電極に向かう突起部を有した１つ以上の接続端子電極を半導体基板上に備えた半導体装置であり、
前記接続端子電極の前記突起部に導電性接着剤を付着し、前記突起部に付着した前記導電性接着剤を加熱して硬化し、前記基板端子電極に無電解メッキ液を付着し、硬化した前記導電性接着剤の付着した前記突起部を、前記無電解メッキ液の付着した前記基板端子電極に接触させて加圧加熱し、前記突起部と前記基板端子電極間に合金接続層を生成して前記突起部と前記基板端子電極を接合し、前記接合後に前記プリント基板と前記半導体基板間に樹脂を注入して構成されることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
プリント基板の基板端子電極に向かう突起部を有した１つ以上の接続端子電極を半導体基板上に備えた半導体装置であり、
前記接続端子電極の前記突起部の先端に無電解メッキ液を付着し、前記無電解メッキ液を付着したまま前記突起部を前記基板端子電極に接触させて加圧加熱し、前記突起部と前記基板端子電極間に合金接続層を生成して前記突起部と前記基板端子電極を接合し、前記接合後に前記プリント基板と前記半導体基板間に樹脂を注入して構成されることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
前記基板端子電極は、前記突起部と接合する接合電極面を前記接合電極面の周囲の基板端子電極面より低くし、前記基板端子電極と接する前記プリント基板は、前記基板端子電極の高低に沿った形状の立体プリント基板であることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項記載の半導体装置。
【請求項５】
プリント基板の基板端子電極に向かう突起部を有した１つ以上の接続端子電極を半導体基板上に備えた半導体装置の半導体製造方法であり、前記接続端子電極の前記突起部に導電性接着剤を付着し、前記突起部に付着した前記導電性接着剤を加熱して硬化し、硬化した前記導電性接着剤の先端部に無電解メッキ液を付着し、前記無電解メッキ液を付着したまま前記突起部を前記基板端子電極に接触させて加圧加熱し、前記突起部と前記基板端子電極間に合金接続層を生成して前記突起部と前記基板端子電極を接合し、前記接合後に前記プリント基板と前記半導体基板間に樹脂を注入することを特徴とする半導体製造方法。
【請求項６】
プリント基板の基板端子電極に向かう突起部を有した１つ以上の接続端子電極を半導体基板上に備えた半導体装置の半導体製造方法であり、前記接続端子電極の前記突起部に導電性接着剤を付着し、前記突起部に付着した前記導電性接着剤を加熱して硬化し、前記基板端子電極に無電解メッキ液を付着し、硬化した前記導電性接着剤の付着した前記突起部を、前記無電解メッキ液の付着した前記基板端子電極に接触させて加圧加熱し、前記突起部と前記基板端子電極間に合金接続層を生成して前記突起部と前記基板端子電極を接合し、前記接合後に前記プリント基板と前記半導体基板間に樹脂を注入することを特徴とする半導体製造方法。
【請求項７】
プリント基板の基板端子電極に向かう突起部を有した１つ以上の接続端子電極を半導体基板上に備えた半導体装置の半導体製造方法であり、前記接続端子電極の前記突起部の先端に無電解メッキ液を付着し、前記無電解メッキ液を付着したまま前記突起部を前記基板端子電極に接触させて加圧加熱し、前記突起部と前記基板端子電極間に合金接続層を生成して前記突起部と前記基板端子電極を接合し、前記接合後に前記プリント基板と前記半導体基板間に樹脂を注入することを特徴とする半導体装置製造方法。
【請求項８】
前記基板端子電極以外の部分をマスキングし、前記無電解メッキ液を含浸したスポンジを前記基板端子電極に接触させ、前記無電解メッキ液を前記基板端子電極に塗布することを特徴とする請求項６記載の半導体製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置を製造する半導体製造方法についての技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＬＳＩ等の半導体をプリント基板に実装する方法として、ＬＳＩの端子電極とプリント基板端子電極とを導電性接着剤を介して接合し、ＬＳＩとプリント基板との間に液体状の樹脂を注入し樹脂封止することによって、半導体をプリント基板に実装していた。
また、導電性接着剤を用いずに、加熱圧接法による実装方法によって、ＬＳＩの端子電極とプリント基板端子電極とを接合することも行われている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の導電性接着剤を用いた実装方法では、導電性接着剤の接合強度が低い為に、ＬＳＩやプリント基板に外部からの振動、衝撃、熱ストレスなどを受けたときに、ＬＳＩの端子電極とプリント基板端子電極間の導電性接着剤による接合状態が良好に維持できない。
また、この導電性接着剤を用いた実装方法では、プリント基板端子電極の表面処理の状態によっては、導電性接着剤とプリント基板端子電極とが剥離することもあった。
更に、導電性接着剤による接合後に、液体状の樹脂を注入する際にＬＳＩを浮き上がらせてしまい、ＬＳＩの端子電極とプリント基板端子電極との接合状態が不安定になる問題があった。
【０００４】
また、加熱圧接法による実装方法では、特に大型のＬＳＩにおいてＬＳＩの各端子電極に均一な圧力をかけることが困難であり、更に、加熱し圧接していた状態から常温に戻すときに、ＬＳＩとプリント基板の温度に対する収縮率の違いから、ＬＳＩの端子電極とプリント基板端子電極との接合部分に残留応力が残り、接合部分における接合状態の信頼性が低下する問題があった。
【０００５】
本発明はこのような状況に鑑みてなされたもので、半導体とプリント基板の接合状態を良好にした半導体装置とその半導体製造方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成する為の本発明の半導体装置は、プリント基板の基板端子電極に向かう突起部を有した１つ以上の接続端子電極を半導体基板上に備えた半導体装置であり、
前記接続端子電極の前記突起部に導電性接着剤を付着し、前記突起部に付着した前記導電性接着剤を加熱して硬化し、硬化した前記導電性接着剤の先端部に無電解メッキ液を付着し、前記無電解メッキ液を付着したまま前記突起部を前記基板端子電極に接触させて加圧加熱し、前記突起部と前記基板端子電極間に合金接続層を生成して前記突起部と前記基板端子電極を接合し、前記接合後に前記プリント基板と前記半導体基板間に樹脂を注入して構成されることを特徴とする半導体装置。
【０００７】
この半導体装置によれば、半導体やプリント基板に外部からの振動、衝撃、熱ストレスなどを受けたときでも、半導体の接続端子電極とプリント基板の基板端子電極間に、導電性接着剤と無電解メッキ液による合金接続層とを生成するので、接合状態を強固することができる。
また、導電性接着剤と基板端子電極間に合金接続層を生成したので、導電性接着剤と基板端子電極間が剥離することを無くすことができる。
また、接続端子電極と基板端子電極の接合後に、液体状の樹脂を注入する際の半導体の浮き上がりに対しても、接続端子電極と基板端子電極との接合が十分に強固になったので、接合状態が不安定になることを無くすることができる。
【０００８】
本発明の半導体製造方法は、プリント基板の基板端子電極に向かう突起部を有した１つ以上の接続端子電極を半導体基板上に備えた半導体装置の半導体製造方法であり、
前記接続端子電極の前記突起部に導電性接着剤を付着し、前記突起部に付着した前記導電性接着剤を加熱して硬化し、硬化した前記導電性接着剤の先端部に無電解メッキ液を付着し、前記無電解メッキ液を付着したまま前記突起部を前記基板端子電極に接触させて加圧加熱し、前記突起部と前記基板端子電極間に合金接続層を生成して前記突起部と前記基板端子電極を接合し、前記接合後に前記プリント基板と前記半導体基板間に樹脂を注入することを特徴とする。
【０００９】
この半導体製造方法によれば、半導体やプリント基板に外部からの振動、衝撃、熱ストレスなどを受けたときでも、半導体の接続端子電極とプリント基板の基板端子電極間に、導電性接着剤と無電解メッキ液による合金接続層とを生成するので、接合状態が強固になる。
また、導電性接着剤と基板端子電極間に合金接続層を生成したので、導電性接着剤と基板端子電極間が剥離することが無くなった。
また、接続端子電極と基板端子電極の接合後に、液体状の樹脂を注入する際の半導体の浮き上がりに対しても、接続端子電極と基板端子電極との接合が十分に強固になったので、接合状態が不安定になることも無くなった。
また、加熱圧接法を用いずに、接続端子電極と基板端子電極との接合状態が良好になった。
【００１０】
本発明の半導体装置は、プリント基板の基板端子電極に向かう突起部を有した１つ以上の接続端子電極を半導体基板上に備えた半導体装置であり、
前記接続端子電極の前記突起部に導電性接着剤を付着し、前記突起部に付着した前記導電性接着剤を加熱して硬化し、
前記基板端子電極に無電解メッキ液を水滴状にのせ、
硬化した前記導電性接着剤の付着した前記突起部を、前記無電解メッキ液の付着した前記基板端子電極に接触させて加圧加熱し、前記突起部と前記基板端子電極間に合金接続層を生成して前記突起部と前記基板端子電極を接合し、前記接合後に前記プリント基板と前記半導体基板間に樹脂を注入して構成されることを特徴とする。
【００１１】
この半導体装置によれば、半導体やプリント基板に外部からの振動、衝撃、熱ストレスなどを受けたときでも、半導体の接続端子電極とプリント基板の基板端子電極間に、導電性接着剤と無電解メッキ液による合金接続層とを生成するので、接合状態が強固になる。
また、導電性接着剤と基板端子電極間に合金接続層を生成したので、導電性接着剤と基板端子電極間が剥離することが無くなった。
また、接続端子電極と基板端子電極の接合後に、液体状の樹脂を注入する際の半導体の浮き上がりに対しても、接続端子電極と基板端子電極との接合が十分に強固になったので、接合状態が不安定になることも無くなった。
また、加熱圧接法を用いずに、接続端子電極と基板端子電極との接合状態が良好になった。
また、接続端子電極に導電性接着剤を付着する工程と、基板端子電極に無電解メッキ液を付着させる工程を同時に行える。
【００１２】
本発明の半導体製造方法は、プリント基板の基板端子電極に向かう突起部を有した１つ以上の接続端子電極を半導体基板上に備えた半導体装置の半導体製造方法であり、
前記接続端子電極の前記突起部に導電性接着剤を付着し、前記突起部に付着した前記導電性接着剤を加熱して硬化し、
前記基板端子電極に無電解メッキ液を水滴状にのせ、
硬化した前記導電性接着剤の付着した前記突起部を、前記無電解メッキ液の付着した前記基板端子電極に接触させて加圧加熱し、前記突起部と前記基板端子電極間に合金接続層を生成して前記突起部と前記基板端子電極を接合し、前記接合後に前記プリント基板と前記半導体基板間に樹脂を注入することを特徴とする。
【００１３】
この半導体製造方法によれば、半導体やプリント基板に外部からの振動、衝撃、熱ストレスなどを受けたときでも、半導体の接続端子電極とプリント基板の基板端子電極間に、導電性接着剤と無電解メッキ液による合金接続層とを生成するので、接合状態が強固になる。
また、導電性接着剤と基板端子電極間に合金接続層を生成したので、導電性接着剤と基板端子電極間が剥離することが無くなった。
また、接続端子電極と基板端子電極の接合後に、液体状の樹脂を注入する際の半導体の浮き上がりに対しても、接続端子電極と基板端子電極との接合が十分に強固になったので、接合状態が不安定になることも無くなった。
また、加熱圧接法を用いずに、接続端子電極と基板端子電極との接合状態が良好になった。
また、接続端子電極に導電性接着剤を付着する工程と、基板端子電極に無電解メッキ液を付着させる工程を同時に行える。
【００１４】
本発明の半導体装置は、プリント基板の基板端子電極に向かう突起部を有した１つ以上の接続端子電極を半導体基板上に備えた半導体装置であり、
前記接続端子電極の前記突起部の先端に無電解メッキ液を付着し、前記無電解メッキ液を付着したまま前記突起部を前記基板端子電極に接触させて加圧加熱し、前記突起部と前記基板端子電極間に合金接続層を生成して前記突起部と前記基板端子電極を接合し、前記接合後に前記プリント基板と前記半導体基板間に樹脂を注入して構成されることを特徴とする半導体装置。
【００１５】
この半導体装置によれば、半導体やプリント基板に外部からの振動、衝撃、熱ストレスなどを受けたときでも、半導体の接続端子電極とプリント基板の基板端子電極間に、無電解メッキ液による合金接続層を生成するので、接合状態が強固になる。
また、接続端子電極と基板端子電極の接合後に、液体状の樹脂を注入する際の半導体の浮き上がりに対しても、接続端子電極と基板端子電極との接合が十分に強固になったので、接合状態が不安定になることも無くなった。
【００１６】
本発明の半導体製造方法は、プリント基板の基板端子電極に向かう突起部を有した１つ以上の接続端子電極を半導体基板上に備えた半導体装置の半導体製造方法であり、
前記接続端子電極の前記突起部の先端に無電解メッキ液を付着し、前記無電解メッキ液を付着したまま前記突起部を前記基板端子電極に接触させて加圧加熱し、前記突起部と前記基板端子電極間に合金接続層を生成して前記突起部と前記基板端子電極を接合し、前記接合後に前記プリント基板と前記半導体基板間に樹脂を注入することを特徴とする。
【００１７】
この半導体製造方法によれば、半導体やプリント基板に外部からの振動、衝撃、熱ストレスなどを受けたときでも、半導体の接続端子電極とプリント基板の基板端子電極間に、無電解メッキ液による合金接続層を生成するので、接合状態が強固になる。
また、接続端子電極と基板端子電極の接合後に、液体状の樹脂を注入する際の半導体の浮き上がりに対しても、接続端子電極と基板端子電極との接合が十分に強固になったので、接合状態が不安定になることも無くなった。
【００１８】
本発明の半導体装置は、プリント基板の基板端子電極に向かう突起部を有した１つ以上の接続端子電極を半導体基板上に備えた半導体装置であり、
前記基板端子電極に無電解メッキ液を水滴状にのせ、
前記突起部を、前記無電解メッキ液の付着した前記基板端子電極に接触させて加圧加熱し、前記突起部と前記基板端子電極間に合金接続層を生成して前記突起部と前記基板端子電極を接合し、前記接合後に前記プリント基板と前記半導体基板間に樹脂を注入して構成されることを特徴とする。
【００１９】
この半導体装置によれば、半導体やプリント基板に外部からの振動、衝撃、熱ストレスなどを受けたときでも、半導体の接続端子電極とプリント基板の基板端子電極間に、無電解メッキ液による合金接続層を生成するので、接合状態が強固になる。
また、接続端子電極と基板端子電極の接合後に、液体状の樹脂を注入する際の半導体の浮き上がりに対しても、接続端子電極と基板端子電極との接合が十分に強固になったので、接合状態が不安定になることも無くなった。
【００２０】
本発明の半導体製造方法は、プリント基板の基板端子電極に向かう突起部を有した１つ以上の接続端子電極を半導体基板上に備えた半導体装置の半導体製造方法であり、
前記基板端子電極に無電解メッキ液を水滴状にのせ、
前記突起部を、前記無電解メッキ液の付着した前記基板端子電極に接触させて加圧加熱し、前記突起部と前記基板端子電極間に合金接続層を生成して前記突起部と前記基板端子電極を接合し、前記接合後に前記プリント基板と前記半導体基板間に樹脂を注入することを特徴とする。
【００２１】
この半導体製造方法によれば、半導体やプリント基板に外部からの振動、衝撃、熱ストレスなどを受けたときでも、半導体の接続端子電極とプリント基板の基板端子電極間に、無電解メッキ液による合金接続層を生成するので、接合状態が強固になる。
また、接続端子電極と基板端子電極の接合後に、液体状の樹脂を注入する際の半導体の浮き上がりに対しても、接続端子電極と基板端子電極との接合が十分に強固になったので、接合状態が不安定になることも無くなった。
【００２２】
本発明の半導体装置は、シリンジ内の前記無電解メッキ液を、前記シリンジに連結したニードルにより前記基板端子電極に水滴状に塗布することを特徴とする。
【００２３】
この半導体装置によれば、近年の高密度実装の為に、電極間隔が狭く、各々の電極面積が小さく、電極数も多数である基板端子電極に対して、手作業による基板端子電極への無電解メッキ液の塗布よりも、迅速に一定量の無電解メッキ液を塗布することができる。
【００２４】
本発明の半導体製造方法は、シリンジ内の前記無電解メッキ液を、前記シリンジに連結したニードルにより前記基板端子電極に水滴状に塗布することを特徴とする。
【００２５】
この半導体製造方法によれば、近年の高密度実装の為に、電極間隔が狭く、各々の電極面積が小さく、電極数も多数である基板端子電極に対して、手作業による基板端子電極への無電解メッキ液の塗布よりも、迅速に一定量の無電解メッキを塗布することができる。
【００２６】
本発明の半導体装置は、前記基板端子電極以外の部分をマスキングし、
前記無電解メッキ液を含浸したスポンジを前記基板端子電極に接触させ、前記無電解メッキ液を前記基板端子電極に水滴状に塗布することを特徴とする。
【００２７】
この半導体装置によれば、近年の高密度実装の為に、電極間隔が狭く、各々の電極面積が小さく、電極数も多数である基板端子電極に対して、手作業による基板端子電極への無電解メッキ液の塗布よりも、同時に多数の基板端子電極に塗布できるので、迅速に無電解メッキ液を塗布することができる。
また、基板端子電極以外の部分はマスキングされているので、基板端子電極以外に無電解メッキ液は塗布されない。
【００２８】
本発明の半導体製造方法は、前記基板端子電極以外の部分をマスキングし、
前記無電解メッキ液を含浸したスポンジを前記基板端子電極に接触させ、前記無電解メッキ液を前記基板端子電極に水滴状に塗布することを特徴とする。
【００２９】
この半導体製造方法によれば、近年の高密度実装の為に、電極間隔が狭く、各々の電極面積が小さく、電極数も多数である基板端子電極に対して、手作業による基板端子電極への無電解メッキ液の塗布よりも、同時に多数の基板端子電極に塗布できるので、迅速に無電解メッキ液を塗布することができる。
また、基板端子電極以外の部分はマスキングされているので、基板端子電極以外に無電解メッキ液は塗布されない。
【００３０】
本発明の半導体装置は、前記基板端子電極は、前記基板端子電極の周囲に基板端子電極面より高い段差をレジストによって設けたことを特徴とする。
【００３１】
この半導体装置によれば、基板端子電極はその周囲をレジストによって基板端子電極面より高い段差を設けたので、所定量の無電解メッキ液を基板端子電極に塗布することができる。
或いは、このレジストによる段差のない場合に比較して、生成される合金接続層は、厚くなるので、接続端子電極と基板端子電極とを堅固に接合することができる。
【００３２】
本発明の半導体装置は、前記基板端子電極は、前記突起部と接合する接合電極面を前記接合電極面の周囲の基板端子電極面より低くし、
前記基板端子電極と接する前記プリント基板は、前記基板端子電極の高低に沿った形状の立体プリント基板であることを特徴とする。
【００３３】
この半導体装置によれば、突起部と接合する接合電極面が、その周囲の基板端子電極面よりも低くなっているので、所定量の無電解メッキ液を基板端子電極に塗布することができる。
或いは、この低い接合電極面がない、即ち、平らな基板端子電極面である場合と比較して、生成される合金接続層は、厚くなるので、接続端子電極と基板端子電極とを堅固に接合することができる。
【００３４】
【発明の実施の形態】
［第１実施形態］
図１〜３を参照して、本発明の第１実施形態の半導体製造方法について説明する。
図１は、半導体基板の接続端子電極側と接続端子電極を示す斜視図、図２は、第１実施形態の半導体製造工程を示す工程図、図３は、第１実施形態の半導体製造方法を示すフローチャートである。
図１（ａ）に示すように、半導体基板１は、後述するプリント基板３の基板端子電極３ａと接続する接続端子電極２が、プリント基板３と対向する面に複数個並んで配置されている。この接続端子電極２の配置は、プリント基板３に対する半導体基板１の実装密度を高める為の配置である。
また、図１（ｂ）に示すように、各々の接続端子電極２は、半導体基板１側のアルミ電極２ａと、そのアルミ電極２ａ上にあって基板端子電極３ａ（図１（ｂ）上方）に向かって先端が小さくなっている突起部２ｂとによって構成されている。
【００３５】
次に、図２と図３とを参照して、本実施形態の半導体製造方法について順次説明していく。
図２の工程（１）は、半導体基板１と接続端子電極２の断面を示している。尚、以下の各工程の図は、各工程における断面を示している。
次に、工程（２）において、接続端子電極２の突起部２ｂを、導電性接着剤５が入っている導電性接着剤漕５ａに浸して、突起部２ｂに導電性接着剤５を付着させる（図３のステップ１１）。
そして、工程（３）において、突起部２ｂを導電性接着剤漕５ａから引き上げて、突起部２ｂに付着した導電性接着剤５を加熱して硬化させる（ステップ１２）。
【００３６】
次の工程（４）では、硬化した導電性接着剤５の先端部を無電解メッキ液漕７ａに浸して（ステップ１３）、無電解メッキ液漕７ａから引き上げると、工程（５）に示すように、硬化した導電性接着剤５の先端部に無電解メッキ液７が付着する。
次に、工程（６）において、硬化した導電性接着剤５の先端部に無電解メッキ液７が付着したまま突起部２ｂをプリント基板３の基板端子電極３ａにのせ、半導体基板１をプリント基板３にマウントする（ステップ１４）。
そして、半導体基板１をプリント基板３に向かって加圧し、即ち、突起部２ｂをプリント基板３に向かって加圧し、同時に突起部２ｂに付着した導電性接着剤５と無電解メッキ液７を加熱する（ステップ１５）。
【００３７】
ここで、各々の接続端子電極２に対して、例えば、１０〜５０ｇの圧力を加える。よって、半導体基板１に２４個の接続端子電極２がある場合は、２４０〜１２００ｇの圧力を、半導体基板に加えることになる。また、加圧と同時に、例えば、８０〜１００℃の加熱も行う。
そして、工程（７）においては、工程（６）の加圧加熱により、接続端子電極２と基板端子電極３ａの間に、無電解メッキ液７による合金接続層７ｂが形成され、硬化する（ステップ１６）。
この合金接続層７ｂの形成は、無電解メッキ液７において、その溶液中の金属イオンと素地金属である基板端子電極３ａとの間の置換反応による置換メッキ、或いは、無電解メッキ液７の還元剤の酸化反応によって生じる電子を金属イオンが受け取って、素地金属表面に析出する自己触媒メッキ等により形成される。
【００３８】
よって、合金接続層７ｂを介して、突起部２ｂは基板端子電極３ａと強固に接合され、接続端子電極２と基板端子電極３ａとの電気的導通と同時に、接続端子電極２と基板端子電極３ａとは、接合強度が高い状態で結合している。この合金接続層７ｂによる強固な接続によって、残留応力が残っていても良好な接続状態維持できる。また、導電性接着剤５は、接続端子電極２と基板端子電極３ａとの電気的導通と接合を補助的に支持している。
次に、工程（８）において、半導体基板１とプリント基板３の間に樹脂４を注入し（ステップ１７）、樹脂４が硬化して（ステップ１８）、実装が完了する。
【００３９】
よって、以上の構成によれば、半導体基板１やプリント基板３に外部からの振動、衝撃、熱ストレスなどを受けたときでも、接続端子電極２と基板端子電極３ａの間に、導電性接着剤５と無電解メッキ液７による合金接続層７ｂとを生成するので、接合状態が強固になる。
【００４０】
［第２実施形態］
次に、図４、５を参照して、本発明の第２実施形態の半導体製造方法について説明する。
図４は、第２実施形態の半導体製造工程を示す工程図、図５は、第２実施形態の半導体製造方法を示すフローチャートである。
尚、半導体基板１と接続端子電極２と、プリント基板３と基板端子電極３ａの構成は、第１実施形態と同一であるので、詳細な説明を省略する。
【００４１】
まず、無電解メッキ液７をプリント基板３上の基板端子電極３ａに水滴上に塗布する（ステップ２１）。図４の工程（１）は、基板端子電極３ａに無電解メッキ液７が水滴上に塗布した状態の断面を示している。尚、以下の各工程の図は、各工程における断面を示している。
一方、工程（２）においては、接続端子電極２の突起部２ｂを、導電性接着剤５が入っている導電性接着剤漕５ａに浸して、突起部２ｂに導電性接着剤５を付着させる（図５のステップ２２）。
そして、工程（３）において、突起部２ｂを導電性接着剤漕５ａから引き上げて、突起部２ｂに付着した導電性接着剤５を加熱して硬化させる（ステップ２３）。
【００４２】
次の工程（４）では、硬化した導電性接着剤５の付着した突起部２ｂを、無電解メッキ液７の付着した基板端子電極３ａ上にのせ、半導体基板１をプリント基板３にマウントする（ステップ２４）。
そして、半導体基板１をプリント基板３に向かって加圧し、即ち、突起部２ｂをプリント基板３に向かって加圧し、同時に突起部２ｂに付着した導電性接着剤５と基板端子電極３ａに付着した無電解メッキ液７を加熱する（ステップ２５）。
【００４３】
ここで、各々の接続端子電極２に対して、例えば、１０〜５０ｇの圧力を加える。よって、半導体基板１に２４個の接続端子電極２がある場合は、２４０〜１２００ｇの圧力を、半導体基板に加えることになる。また、加圧と同時に、例えば、８０〜１００℃の加熱も行う。
そして、工程（５）においては、工程（４）の加圧加熱により、接続端子電極２と基板端子電極３ａの間に、無電解メッキ液７による合金接続層７ｂが形成され、硬化する（ステップ２６）。
この合金接続層７ｂの形成は、無電解メッキ液７において、その溶液中の金属イオンと素地金属である基板端子電極３ａとの間の置換反応による置換メッキ、或いは、無電解メッキ液７の還元剤の酸化反応によって生じる電子を金属イオンが受け取って、素地金属表面に析出する自己触媒メッキ等により形成される。
【００４４】
よって、合金接続層７ｂを介して、突起部２ｂは基板端子電極３ａと強固に接合し、接続端子電極２と基板端子電極３ａとの電気的導通と同時に、接続端子電極２と基板端子電極３ａとは、接合強度が高い状態で結合している。また、導電性接着剤５は、接続端子電極２と基板端子電極３ａとの電気的導通と接合を補助的に支持している。
次に、工程（６）において、半導体基板１とプリント基板３の間に樹脂４を注入し（ステップ２７）、樹脂４が硬化して（ステップ２８）、実装が完了する。
【００４５】
よって、以上の構成によれば、半導体基板１やプリント基板３に外部からの振動、衝撃、熱ストレスなどを受けたときでも、接続端子電極２と基板端子電極３ａの間に、導電性接着剤５と無電解メッキ液７による合金接続層７ｂとを生成するので、接合状態が強固になる。
また、接続端子電極２に導電性接着剤５を付着する工程と、基板端子電極３ａに無電解メッキ液７を付着させる工程を同時に行える。
【００４６】
［第３実施形態］
次に、図６、７を参照して、本発明の第３実施形態の半導体製造方法について説明する。
図６は、第３実施形態の半導体製造工程を示す工程図、図７は、第３実施形態の半導体製造方法を示すフローチャートである。
尚、半導体基板１と接続端子電極２と、プリント基板３と基板端子電極３ａの構成は、第１実施形態と同一であるので、詳細な説明を省略する。
【００４７】
図６の工程（１）は、半導体基板１と接続端子電極２の断面を示している。尚、以下の各工程の図は、各工程における断面を示している。次に、工程（２）において、接続端子電極２の突起部２ｂを、無電解メッキ液７が入っている無電解メッキ液漕７ａに浸す。そして、工程（３）において、突起部２ｂを無電解メッキ液漕７ａから引き上げると、突起部２ｂに無電解メッキ液７が付着する（図７のステップ３１）。
【００４８】
次の工程（４）では、突起部２ｂに無電解メッキ液７を付着したまま突起部２ｂをプリント基板３の基板端子電極３ａにのせ、半導体基板１をプリント基板３にマウントする（ステップ３２）。
そして、半導体基板１をプリント基板３に向かって加圧し、即ち、突起部２ｂをプリント基板３に向かって加圧し、同時に突起部２ｂに付着した無電解メッキ液７を加熱する（ステップ３３）。
【００４９】
ここで、各々の接続端子電極２に対して、例えば、１０〜５０ｇの圧力を加える。よって、半導体基板１に２４個の接続端子電極２がある場合は、２４０〜１２００ｇの圧力を、半導体基板に加えることになる。また、加圧と同時に、例えば、８０〜１００℃の加熱も行う。
そして、工程（５）においては、工程（４）の加圧加熱により、突起部２ｂの周辺部と、接続端子電極２と基板端子電極３ａとの間に、無電解メッキ液７による合金接続層７ｂが形成されて硬化する（ステップ３４）。
この合金接続層７ｂの形成は、無電解メッキ液７において、その溶液中の金属イオンと素地金属である基板端子電極３ａや突起部２ｂとの間の置換反応による置換メッキ、或いは、無電解メッキ液７の還元剤の酸化反応によって生じる電子を金属イオンが受け取って、素地金属表面に析出する自己触媒メッキ等により形成される。
【００５０】
よって、合金接続層７ｂを介して、突起部２ｂは基板端子電極３ａと強固に接合し、接続端子電極２と基板端子電極３ａとの電気的導通と同時に、接続端子電極２と基板端子電極３ａとは、接合強度が高い状態で結合している。
次に、工程（６）において、半導体基板１とプリント基板３の間に樹脂４を注入し（ステップ３５）、樹脂４が硬化して（ステップ３６）、実装が完了する。
【００５１】
よって、以上の構成によれば、半導体基板１やプリント基板３に外部からの振動、衝撃、熱ストレスなどを受けたときでも、接続端子電極２と基板端子電極３ａの間に、導電性接着剤５と無電解メッキ液７による合金接続層７ｂとを生成するので、接合状態が強固になる。
【００５２】
［第４実施形態］
次に、図８、９を参照して、本発明の第４実施形態の半導体製造方法について説明する。
図８は、第４実施形態の半導体製造工程を示す工程図、図９は、第４実施形態の半導体製造方法を示すフローチャートである。
尚、半導体基板１と接続端子電極２と、プリント基板３と基板端子電極３ａの構成は、第１実施形態と同一であるので、詳細な説明を省略する。
【００５３】
まず、無電解メッキ液７をプリント基板３上の基板端子電極３ａに水滴上に塗布する（ステップ４１）。図４の工程（１）は、基板端子電極３ａに無電解メッキ液７が水滴上に塗布した状態の断面を示している。尚、以下の各工程の図は、各工程における断面を示している。
次に、工程（２）では、接続端子電極２の突起部２ｂを、無電解メッキ液７が塗布された基板端子電極３ａに近づける。
【００５４】
次の工程（３）では、突起部２ｂをプリント基板３の基板端子電極３ａにのせ、半導体基板１をプリント基板３にマウントする（ステップ４２）。
そして、半導体基板１をプリント基板３に向かって加圧し、即ち、突起部２ｂをプリント基板３に向かって加圧し、同時に基板端子電極３ａに付着した無電解メッキ液７を加熱する（ステップ４３）。
【００５５】
ここで、各々の接続端子電極２に対して、例えば、１０〜５０ｇの圧力を加える。よって、半導体基板１に２４個の接続端子電極２がある場合は、２４０〜１２００ｇの圧力を、半導体基板に加えることになる。また、加圧と同時に、例えば、８０〜１００℃の加熱も行う。
そして、工程（４）においては、工程（３）の加圧加熱により、突起部２ｂの周辺部と、接続端子電極２と基板端子電極３ａとの間に、無電解メッキ液７による合金接続層７ｂが形成されて硬化する（ステップ４４）。
この合金接続層７ｂの形成は、無電解メッキ液７において、その溶液中の金属イオンと素地金属である基板端子電極３ａや突起部２ｂとの間の置換反応による置換メッキ、或いは、無電解メッキ液７の還元剤の酸化反応によって生じる電子を金属イオンが受け取って、素地金属表面に析出する自己触媒メッキ等により形成される。
【００５６】
よって、合金接続層７ｂを介して、突起部２ｂは基板端子電極３ａと強固に接合し、接続端子電極２と基板端子電極３ａとの電気的導通と同時に、接続端子電極２と基板端子電極３ａとは、接合強度が高い状態で結合している。
次に、工程（５）において、半導体基板１とプリント基板３の間に樹脂４を注入し（ステップ４５）、樹脂４が硬化して（ステップ４６）、実装が完了する。
【００５７】
よって、以上の構成によれば、半導体基板１やプリント基板３に外部からの振動、衝撃、熱ストレスなどを受けたときでも、接続端子電極２と基板端子電極３ａの間に、導電性接着剤５と無電解メッキ液７による合金接続層７ｂとを生成するので、接合状態が強固になる。
【００５８】
［第５実施形態］
次に、図１０、１１を参照して、本発明の第５実施形態の半導体製造方法について説明する。
図１０は、第５実施形態の半導体製造を示す図であり、図１０（ａ）は、シリンジの断面図、図１０（ｂ）は、半導体製造の様子を示す斜視図である。また、図１１は、第５実施形態の半導体製造方法を示すフローチャートである。
本実施形態は、第２実施形態と第４実施形態の半導体製造方法に基づいて行われる半導体製造方法において、プリント基板３上の基板端子電極３ａに無電解メッキ液７を塗布する方法である。よって、半導体製造方法の無電解メッキ液７塗布工程を説明し、その他の半導体製造工程については、第２、４実施形態と同様であるので説明を省略する。
【００５９】
まず、本実施形態のシリンジ９とそのシリンジ９に連結したニードル１０の構成について説明する。
シリンジ９は、内部に無電解メッキ液７が入っており、シリンジ９内の無電解メッキ液７は所定の温度に保たれ、無電解メッキ液７の粘度が所定の値となるように、制御器１２によって温度制御されている。
尚、無電解メッキ液７の所定温度は、予め定められた一定量の無電解メッキ液７が、後述するニードル１０によってプリント基板３の基板端子電極３ａに塗布できるような温度に設定されている。
【００６０】
具体的には、無電解メッキ液７の材料や、ニードル１０の内径寸法や、基板端子電極３ａへの塗布速度等によって、適宜温度設定することができる。
また、シリンジ９には、無電解メッキ液７の塗布対象である基板端子電極３ａ側にニードル１０が連結しており、シリンジ９は、ニードル１０に向かって無電解メッキ液７が流れやすいように、漏斗形状になっている。
更に、シリンジ９は、制御器１２により制御されているシリンジ駆動部１１によって、ニードル１０と共にプリント基板３方向に上下することができる。
【００６１】
ニードル１０は、無電解メッキ液７を塗布する基板端子電極３ａが、ニードル１０の下に来たときに、シリンジ９と共に基板端子電極３ａに向かって下降し、制御器１２の制御により、一定量の無電解メッキ液７が基板端子電極３ａに水滴状に塗布される。そして、コンベヤ１３によってニードル１０の下に基板端子電極３ａが来る毎に、ニードル１０はシリンジ９と共に下降し、基板端子電極３ａに一定量の無電解メッキ液７を水滴状に塗布する。
尚、上記の塗布方法は、プリント基板３がコンベヤ１３によって搬送され、ニードル１０の下に来た基板端子電極３ａに対して、無電解メッキ液７を塗布しているが、シリンジ９とニードル１０をプリント基板３上の平面内において、縦横（ＸＹ）方向に移動させて、その平面内の所定位置にある基板端子電極３ａに、無電解メッキ液７を塗布する塗布方法と組み合わせても良い。
【００６２】
次に、無電解メッキ液７の塗布工程の動作を図１１を参照して説明する。
まず、シリンジ９に無電解メッキ液７を注入する（ステップ５１）。また、同時に、注入された無電解メッキ液７は所定温度に制御される。
そして、プリント基板３をシリンジ９の下に搬送するコンベヤ１３の移動量を調整し、プリント基板３上の基板端子電極３ａの位置に対応するシリンジ９の動き（移動量、移動方向等）を、制御器１２に入力する（ステップ５２）。
次に、実装システムを起動する（ステップ５３）と、プリント基板３がシリンジ９の下に搬送される（ステップ５４）。
【００６３】
そして、シリンジ９のニードル１０が所定の基板端子電極３ａ上に移動して（ステップ５５）、ニードル１０が基板端子電極３ａに向かって降下し、無電解メッキ液７を基板端子電極３ａに塗布する（ステップ５６）。
そして、シリンジ９がプリント基板３上を移動し、ニードル１０によって各々の基板端子電極３ａに、同様にして無電解メッキ液７を塗布する（ステップ５７）。
シリンジ９下のプリント基板３の基板端子電極３ａに対して無電解メッキ液７の塗布が完了すると、プリント基板３はコンベヤ１３によって次の工程に搬送され（ステップ５８）、次のプリント基板３がシリンジ９の下に搬送される（ステップ５９）。
【００６４】
よって、以上の構成によれば、近年の高密度実装の為に、電極間隔が狭く、各々の電極面積が小さく、電極数も多数である基板端子電極３ａに対して、手作業による基板端子電極３ａへの無電解メッキ液７の塗布よりも、迅速に一定量の無電解メッキ液７を塗布することができる。
【００６５】
［第６実施形態］
次に、図１２、１３を参照して、本発明の第６実施形態の半導体製造方法について説明する。
図１２は、第６実施形態の半導体製造を示す図であり、図１２（ａ）は、スポンジの断面図、図１２（ｂ）は、半導体製造の様子を示す斜視図である。また、図１３は、第６実施形態の半導体製造方法を示すフローチャートである。
本実施形態は、第２実施形態と第４実施形態の半導体製造方法に基づいて行われる半導体製造方法において、プリント基板３上の基板端子電極３ａに無電解メッキ液７を塗布する方法である。よって、半導体製造方法の無電解メッキ液７塗布工程を説明し、その他の半導体製造工程については、第２、４実施形態と同様であるので説明を省略する。
【００６６】
まず、本実施形態の無電解メッキ漕１４とその無電解メッキ漕１４に連結したスポンジ１５の構成について説明する。
無電解メッキ漕１４は、内部に無電解メッキ液７が入っており、無電解メッキ漕１４内の無電解メッキ液７は所定の温度に保たれ、無電解メッキ液７の粘度が所定の値となるように、制御器１７によって温度制御されている。
尚、無電解メッキ液７の所定温度は、予め定められた一定量の無電解メッキ液７が、後述するスポンジ１５に含浸でき、プリント基板３の基板端子電極３ａに塗布できるような温度に設定されている。
具体的には、無電解メッキ液７の材料や、スポンジ１５の材料や、基板端子電極３ａへの塗布速度等によって、適宜温度設定することができる。
【００６７】
更に、無電解メッキ漕１４は、制御器１７により制御されているメッキ漕駆動部１６によって、スポンジ１５と共にプリント基板３方向に上下することができる。
スポンジ１５は、無電解メッキ漕１４に入っている無電解メッキ液７をスポンジ１５全体に含浸でき、且つ、無電解メッキ液７がスポンジ１５の底面（基板端子電極３ａと接する面）に均一に含浸するように、スポンジ厚さやスポンジ材質が調整してある。
【００６８】
また、スポンジ１５は、無電解メッキ液７を塗布する基板端子電極３ａが、無電解メッキ漕１４の下に来たときに、無電解メッキ漕１４と共に基板端子電極３ａに向かって下降し、無電解メッキ液７が含浸したスポンジ１５を基板端子電極３ａに押し当てて、一定量の無電解メッキ液７を基板端子電極３ａに水滴状に塗布する。即ち、スタンプのように塗布している。
そして、コンベヤ１８によってスポンジ１５の下に基板端子電極３ａが来る毎に、スポンジ１５は無電解メッキ漕１４と共に下降し、基板端子電極３ａに一定量の無電解メッキ液７を水滴状に塗布する。
【００６９】
尚、上記の塗布方法は、プリント基板３がコンベヤ１８によって搬送され、スポンジ１５の下に来たプリント基板３の全ての基板端子電極３ａに対して、スポンジ１５によって、一度に無電解メッキ液７を塗布している。
しかし、スポンジ１５によって無電解メッキ液７が塗布できる面積が小さく、プリント基板３の全ての基板端子電極３ａに対して一度に無電解メッキ液７を塗布できない場合は、無電解メッキ漕１４とスポンジ１５をプリント基板３上の平面内において、縦横（ＸＹ）方向に移動させて、その平面内の所定位置にある複数の基板端子電極３ａに、無電解メッキ液７を塗布する塗布方法としても良い。
【００７０】
次に、無電解メッキ液７の塗布工程の動作を図１３を参照して説明する。
まず、プリント基板３の全基板端子電極３ａに対して一度に無電解メッキ液７を塗布可能な大きさであり、且つ、全基板端子電極３ａに塗布する無電解メッキ液７を含浸することができる材質のスポンジを選択して、無電解メッキ漕１４の無電解メッキ液７が含浸するように接続する（ステップ６１）。
次に、無電解メッキ液漕７に無電解メッキ液７を注入する（ステップ６２）。また、同時に、注入された無電解メッキ液７は所定温度に制御される。
そして、プリント基板３をスポンジ１５の下に搬送するコンベヤ１８の移動量を調整し、プリント基板３上の基板端子電極３ａの位置に対応するスポンジ１５の位置と押圧力等を、制御器１７に入力する（ステップ６３）。
【００７１】
次に、実装システムを起動する（ステップ６４）と、プリント基板３がスポンジ１５の下に搬送される（ステップ６５）。
ここで、スポンジ１５の下に搬送されるプリント基板３は、プリント基板３の基板端子電極３ａ以外の部分が、無電解メッキ液７が付着しないように、マスキングされている。
そして、スポンジ１５は、基板端子電極３ａに向かって降下し、基板端子電極３ａに押圧することにより無電解メッキ液７を全基板端子電極３ａに一度に塗布する（ステップ６６）。
スポンジ１５が上昇し、所定の位置に戻ると、プリント基板３はコンベヤ１８によって次の工程に搬送され（ステップ６７）、次のプリント基板３がスポンジ１５の下に搬送される（ステップ６８）。
【００７２】
近年の高密度実装の為に、電極間隔が狭く、各々の電極面積が小さく、電極数も多数である基板端子電極３ａに対して、手作業による基板端子電極３ａへの無電解メッキ液７の塗布よりも、同時に多数の基板端子電極３ａに塗布できるので、迅速に無電解メッキ液７を塗布することができる。
また、基板端子電極３ａ以外の部分はマスキングされているので、基板端子電極３ａ以外に無電解メッキ液７は塗布されない。
【００７３】
［第７実施形態］
次に、図１４を参照して、本発明の第７実施形態の半導体装置について説明する。
図１４は、第７実施形態の半導体装置の断面を示す断面図であり、図１４（ａ）は、無電解メッキ液が付着する以前の断面図、図１４（ｂ）は、無電解メッキ液が付着した後の断面図である。
【００７４】
本実施形態は、第１実施形態から第６実施形態の半導体製造方法によって製造される半導体装置において、プリント基板３上の基板端子電極３ａの周囲に、基板端子電極面より高い段差をレジスト１９によって設けた半導体装置である。
また、本実施形態は、無電解メッキ液７を基板端子電極３ａに塗布する場合でも、接続端子電極２の突起部２ｂに無電解メッキ液７が付着したまま、突起部２ｂを基板端子電極３ａに接合する場合にも適用できる。
【００７５】
図１４（ａ）の左側に示した基板端子電極３ａには、基板端子電極３ａの周囲にレジスト１９よる段差を設けずに、図１４（ａ）の右側に示した基板端子電極３ａには、基板端子電極３ａの周囲に、基板端子電極面より高い段差をレジスト１９によって設け、基板端子電極３ａの端部もレジスト１９で覆った。
次に、この左右の基板端子電極３ａに無電解メッキ液７を塗布した場合を、図１４（ｂ）に示す。
ここで、基板端子電極３ａに付着した無電解メッキ液７が大量である場合は、図１４（ｂ）の左に示したように、基板端子電極３ａから無電解メッキ液７が流れてしまう。
【００７６】
または、近年の高密度実装に対応するために、基板端子電極３ａの面積が小さかったり、基板端子電極３ａ間が狭かったりすると、付着させる無電解メッキ液７の量の制御が困難になる。
即ち、付着させる無電解メッキ液７の量が適正な量よりも多くなると、基板端子電極３ａから無電解メッキ液７が流れてしまい、隣接する基板端子電極３ａやその他の回路パターンに接触して短絡する可能性が生ずる。
そこで、付着させる無電解メッキ液７の量を少なくすると、流れ出ることは少なくなるが、今度は、生成される合金接続層７ｂの厚みが薄くなり、接合強度が弱くなってしまう。
【００７７】
よって、本実施形態では、図１４（ｂ）の右側に示したように、基板端子電極３ａの周囲に、基板端子電極面より高い段差をレジスト１９によって設け、基板端子電極３ａの端部もレジスト１９で覆うことにより、所定量の無電解メッキ液を基板端子電極３ａに塗布することができる。
更には、このレジスト１９による段差のない場合に比較して、生成される合金接続層７ｂは、厚くなるので、接続端子電極２と基板端子電極３ａとを堅固に接合することができる。
また、基板端子電極３ａに付着する無電解メッキ液７の量の制御が容易になり、無電解メッキ液７が流れ出て、隣接する基板端子電極３ａやその他の回路パターンに接触して短絡することも無くなる。
【００７８】
［第８実施形態］次に、図１５を参照して、本発明の第８実施形態の半導体装置について説明する。図１５は、第８実施形態の半導体装置の断面を示す断面図であり、図１５（ａ）は、無電解メッキ液が流れ出た時の断面図、図１５（ｂ）は、立体プリント基板に無電解メッキ液が付着した時の断面図、図１５（ｃ）は、立体プリント基板の実装斜視図である。
【００７９】
本実施形態は、第１実施形態から第６実施形態の半導体製造方法によって製造される半導体装置において、突起部２ｂと接合する基板端子電極２０ａの接合電極面を接合電極面の周囲の基板端子電極面より低くし、基板端子電極２０ａと接するプリント基板は、基板端子電極２０ａの高低に沿った形状の立体プリント基板２０である半導体装置である。
また、本実施形態は、無電解メッキ液７を基板端子電極２０ａに塗布する場合でも、接続端子電極２の突起部２ｂに無電解メッキ液７が付着したまま、突起部２ｂを基板端子電極２０ａに接合する場合にも適用できる。
【００８０】
まず、図１５（ａ）は、平坦なプリント基板３上の基板端子電極３ａに対して、無電解メッキ液７が付着したときに、基板端子電極３ａから無電解メッキ液７が流れ出た場合を示す。
基板端子電極３ａに付着した無電解メッキ液７が大量である場合は、図１５（ａ）に示したように、基板端子電極３ａから無電解メッキ液７が流れてしまう。
【００８１】
また、近年の高密度実装に対応するために、基板端子電極３ａの面積が小さかったり、基板端子電極３ａ間が狭かったりすると、付着させる無電解メッキ液７の量の制御が困難になる。
即ち、付着させる無電解メッキ液７の量が適正な量よりも多くなると、基板端子電極３ａから無電解メッキ液７が流れてしまい、隣接する基板端子電極３ａやその他の回路パターンに接触して短絡する可能性が生ずる。
そこで、付着させる無電解メッキ液７の量を少なくすると、流れ出ることは少なくなるが、今度は、生成される合金接続層７ｂの厚みが薄くなり、接合強度が弱くなってしまう。
【００８２】
よって、本意実施形態では、図１５（ｂ）に示したように、突起部２ｂと接合する基板端子電極２０ａの接合電極面を接合電極面の周囲の基板端子電極面より低くし、基板端子電極２０ａと接するプリント基板は、基板端子電極２０ａの高低に沿った形状の立体プリント基板２０とすることによって、所定量の無電解メッキ液を基板端子電極３ａに塗布することができる。
更には、この低い接合電極面がない、即ち、平らな基板端子電極面である場合と比較して、生成される合金接続層７ｂは、厚くなるので、接続端子電極２と基板端子電極２０ａとを堅固に接合することができる。
また、基板端子電極２０ａに付着する無電解メッキ液７の量の制御が容易になり、無電解メッキ液７が流れ出て、隣接する基板端子電極やその他の回路パターンに接触して短絡することも無くなる。
【００８３】
また、本実施形態の立体プリント基板２０と基板端子電極２０ａとを用いた場合の実装斜視図を図１５（ｃ）に示す。半導体基板１は矢印方向の面に、接続端子電極２を有し、同矢印方向に立体プリント基板２０に実装される。
【００８４】
【発明の効果】
この半導体製造方法によれば、半導体やプリント基板に外部からの振動、衝撃、熱ストレスなどを受けたときでも、半導体の接続端子電極とプリント基板の基板端子電極間に、導電性接着剤と無電解メッキ液による合金接続層とを生成するので、接合状態を強固にすることができる。
また、導電性接着剤と基板端子電極間に合金接続層を生成したので、導電性接着剤と基板端子電極間が剥離することを無くすことができる。
また、接続端子電極と基板端子電極の接合後に、液体状の樹脂を注入する際の半導体の浮き上がりに対しても、接続端子電極と基板端子電極との接合が十分に強固になったので、接合状態が不安定になることを無くすことができる。
また、超音波溶接法や加熱圧接法を用いずに、接続端子電極と基板端子電極との接合状態を良好にすることができる。
【００８５】
【図面の簡単な説明】
【図１】半導体基板の接続端子電極側と接続端子電極を示す斜視図であり、図１（ａ）は、半導体基板の接続端子電極側の斜視図であり、図１（ｂ）は、接続端子電極の斜視図である。
【図２】第１実施形態の半導体製造工程を示す工程図である。
【図３】第１実施形態の半導体製造方法を示すフローチャートである。
【図４】第２実施形態の半導体製造工程を示す工程図である。
【図５】第２実施形態の半導体製造方法を示すフローチャートである。
【図６】第３実施形態の半導体製造工程を示す工程図である。
【図７】第３実施形態の半導体製造方法を示すフローチャートである。
【図８】第４実施形態の半導体製造工程を示す工程図である。
【図９】第４実施形態の半導体製造方法を示すフローチャートである。
【図１０】第５実施形態の半導体製造を示す図であり、図１０（ａ）は、シリンジの断面図、図１０（ｂ）は、半導体製造の様子を示す斜視図である。
【図１１】第５実施形態の半導体製造方法を示すフローチャートである。
【図１２】図１２は、第６実施形態の半導体製造を示す図であり、図１２（ａ）は、スポンジの断面図、図１２（ｂ）は、半導体製造の様子を示す斜視図である。
【図１３】第６実施形態の半導体製造方法を示すフローチャートである。
【図１４】図１４は、第７実施形態の半導体装置の断面を示す断面図であり、図１４（ａ）は、無電解メッキ液が付着する以前の断面図、図１４（ｂ）は、無電解メッキ液が付着した後の断面図である。
【図１５】図１５は、第８実施形態の半導体装置の断面を示す断面図であり、図１５（ａ）は、無電解メッキ液が流れ出た時の断面図、図１５（ｂ）は、立体プリント基板に無電解メッキ液が付着した時の断面図、図１５（ｃ）は、立体プリント基板の実装斜視図である。
【符号の説明】
１    半導体基板
２    接続端子電極
２ａ  アルミ電極
２ｂ  突起部
３    プリント基板
３ａ  基板端子電極
４    樹脂
５    導電性接着剤
５ａ  導電性接着剤漕
７    無電解メッキ液
７ａ  無電解メッキ液漕
７ｂ  合金接続層
９    シリンジ
１０    ニードル
１１    シリンジ駆動部
１２    制御器
１３    コンベヤ
１４    無電解メッキ漕
１５    スポンジ
１６    メッキ漕駆動部
１７    制御器
１８    コンベヤ
１９    レジスト
２０    立体プリント基板
２０ａ  基板端子電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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