(57)【要約】【課題】本発明の課題は、サイドエッチング量を抑えるエッチング液を提供することである。【解決手段】本発明のエッチング液は、基材（１）上に、硫化亜鉛層（２）、銀含有金属層（３）、保護層（４）及び高屈折率導電層（５）が順次積層された層構造を有し、銀含有金属層（３）の層厚が５〜１５ｎｍの範囲内である透明導電体（１０）をパターニングするエッチング液であって、硝酸、塩酸、リン酸、酢酸、シュウ酸及び硫酸から選択される少なくとも１種の酸が含有されていることを特徴とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材上に、硫化亜鉛層、銀含有金属層、保護層及び高屈折率導電層が順次積層された層構造を有し、前記銀含有金属層の層厚が５〜１５ｎｍの範囲内である透明導電体をパターニングするエッチング液であって、
硝酸、塩酸、リン酸、酢酸、シュウ酸及び硫酸から選択される少なくとも１種の酸が含有されていることを特徴とするエッチング液。
【請求項２】
硝酸及び塩酸の混合液であることを特徴とする請求項１に記載のエッチング液。
【請求項３】
基材上に、硫化亜鉛層、銀含有金属層、保護層及び高屈折率導電層が順次積層された層構造を有し、前記銀含有金属層の層厚が５〜１５ｎｍの範囲内である透明導電体のパターニング方法であって、
請求項１又は請求項２に記載のエッチング液を用いたフォトリソグラフィー法により、パターニングすることを特徴とする透明導電体のパターニング方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、エッチング液及び透明導電体のパターニング方法に関する。より詳しくは、サイドエッチング量を抑えるエッチング液、及び当該エッチング液を用いた透明導電体のパターニング方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
タッチパネル用の電極（透明電極）としては、例えば、インジウムスズ酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ：ＩＴＯ）、銅酸化物、銀ナノワイヤー、カーボンナノチューブ、ポリエチレンジオキシチオフェン等の透明導電膜が知られている（例えば、特許文献１及び２参照。）。
しかしながら、ＩＴＯ等の金属酸化物は、光透過性には優れるものの導電性が十分ではなく、パネルの中央付近では電圧降下が起こりやく、タッチパネルの大型化への阻害要因となっていた。また、抵抗値を低く抑えようとした場合、ある程度の厚さが必要とされるため、投影型静電容量方式のように電極がパターンを有する場合、このパターンが視認されやすくなり、結果として下地となる表示画像の視認性が低下する。
【０００３】
このような背景から、近年、ＩＴＯに代わる次世代の透明導電膜の開発が盛んになされている。例えば、導電層となる銀の両面に高屈折率の層を形成することで、透明性と導電性とを両立させることを目的とした透明導電体が提案されている（例えば、特許文献３参照。）。
この特許文献３に開示されている技術では、銀の上下に酸化セリウム層を形成しているが、透明導電フィルムとしては耐久性が十分とはいえない。
【０００４】
そのような中、銀の上下に硫化亜鉛層を形成して、透明性と耐久性とを両立する技術も提案されている（特許文献４参照。）。
【０００５】
ところで、静電容量式のタッチパネルとして用いる場合、タッチ位置精度を確保するために透明導電層を微細にパターニングする必要がある。近年では、導電層の線幅が３０μｍである電極の開発が進められているが、将来的には線幅１０μｍでのパターニングが必要とされている。
通常、フォトリソグラフィー法によりパターンを形成するが、この際、線幅が狭いと導電層のサイドエッチの許容範囲が非常に狭い。また、層厚が厚く、積層構造を有する電極では、各層のエッチングレートを制御することが非常に難しい。特に、酸系エッチング液を用いた場合、銀のエッチングレートとその他の層のエッチングレートの乖離が大きく、きれいなエッチング断面が得られないという問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特表２０１３−５３２８６８号公報
【特許文献２】特開２０１３−２１４１７３号公報
【特許文献３】特開平９−１７１７１７号公報
【特許文献４】国際公開第２０１４／０６４９３９号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、上記問題・状況に鑑みてなされたものであり、その解決課題は、サイドエッチング量を抑えるエッチング液、当該エッチング液を用いた透明導電体のパターニング方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者は、上記課題を解決すべく、上記問題の原因等について検討する過程において、硝酸、塩酸、リン酸、酢酸、シュウ酸及び硫酸から選択される少なくとも１種の酸が含有されていることにより、サイドエッチング量を抑えるエッチング液を提供できることを見出し、本発明に至った。
【０００９】
すなわち、本発明に係る上記課題は、以下の手段により解決される。
【００１０】
１．基材上に、硫化亜鉛層、銀含有金属層、保護層及び高屈折率導電層が順次積層された層構造を有し、前記銀含有金属層の層厚が５〜１５ｎｍの範囲内である透明導電体をパターニングするエッチング液であって、
硝酸、塩酸、リン酸、酢酸、シュウ酸及び硫酸から選択される少なくとも１種の酸が含有されていることを特徴とするエッチング液。
【００１１】
２．硝酸及び塩酸の混合液であることを特徴とする第１項に記載のエッチング液。
【００１２】
３．基材上に、硫化亜鉛層、銀含有金属層、保護層及び高屈折率導電層が順次積層された層構造を有し、前記銀含有金属層の層厚が５〜１５ｎｍの範囲内である透明導電体のパターニング方法であって、
第１項又は第２項に記載のエッチング液を用いたフォトリソグラフィー法により、パターニングすることを特徴とする透明導電体のパターニング方法。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の上記手段により、サイドエッチング量を抑えたエッチング液、当該エッチング液を用いた透明導電体のパターニング方法を提供することができる。
【００１４】
本発明の効果の発現機構・作用機構については明確になっていないが、以下のように推察している。
【００１５】
本発明のエッチング液は、基材上に、硫化亜鉛層、銀含有金属層、保護層及び高屈折率導電層が順次積層された層構造を有し、銀含有金属層の層厚が５〜１５ｎｍの範囲内である透明導電体に、特に好適に用いることができる。
上記のように、本発明に係る銀含有金属層は非常に薄い膜厚で形成されているので、非常にエッチングされやすく、サイドエッチング量も多くなるが、銀含有金属層の上層に銀の保護層を形成することで、銀のエッチングレートを抑えることができることがわかった。また、保護層形成時に出力電力を上げて、スパッタリングすると銀表面が荒れて光学吸収が発生する問題があるが、３Ｗ／ｃｍ２以下の出力電力をかけることで良好な銀の保護層を形成することができる。
さらに、本発明に係る高屈折率導電層は、非常に密な層として形成されているので、エッチングレートが遅く、サイドエッチへの影響も小さいため、空気層との界面に位置する最上層に形成されていてもサイドエッチング量が抑えられたと考えられる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】透明導電体の構成の一例を示す概略断面図
【図２】パターニングされた透明導電体の構成の一例を示す概略断面図
【図３】パターニングされた透明導電体の構成の一例を示す概略断面図
【図４】パターニングされた透明導電体の構成の一例を示す概略断面図
【図５】オンライン工程で、透明導電体を製造する工程例を示す模式図
【図６】透明導電体に電極パターンをフォトリソグラフィー法で形成する一例を示す工程フロー図
【図７】透明導電体を適用したタッチパネルの構成の一例を示す斜視図
【発明を実施するための形態】
【００１７】
本発明のエッチング液は、基材上に、硫化亜鉛層、銀含有金属層、保護層及び高屈折率導電層が順次積層された層構造を有し、銀含有金属層の層厚が５〜１５ｎｍの範囲内である透明導電体をパターニングするエッチング液であって、硝酸、塩酸、リン酸、酢酸、シュウ酸及び硫酸から選択される少なくとも１種の酸が含有されていることを特徴とする。この特徴は、請求項１から請求項３までの請求項に係る発明に共通する技術的特徴である。
【００１８】
本発明の実施態様としては、エッチングレート、耐久性、再利用等の観点から、エッチング液が硝酸及び塩酸の混合液であることが好ましい。
【００１９】
また、本発明に係る透明導電体のパターニング方法は、本発明のエッチング液を用いたフォトリソグラフィー法により、パターニングすることを特徴とする。
【００２０】
以下、本発明とその構成要素、及び本発明を実施するための形態・態様について詳細な説明をする。なお、本願において、数値範囲を表す「〜」は、その前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む意味で使用している。
【００２１】
《透明導電体の構成》
図１に示す積層体１０は、基材１上に、硫化亜鉛層２、銀含有金属層３、保護層４及び高屈折率導電層５が順次積層された層構造を有し、銀含有金属層３の層厚が５〜１５ｎｍの範囲内となっている。
図２に示すとおり、本発明の透明導電体２０は、硫化亜鉛層２、銀含有金属層３、保護層４及び高屈折率導電層５の一部が、後述する本発明のエッチング液を用いてパターニングされている。
このパターニングにより、硫化亜鉛層２、銀含有金属層３、保護層４及び高屈折率導電層５の一部が除去され、高屈折率導電層５の表面側から基材１の表面が露出した、開口部１１が形成されている。
このように開口部１１を設けることにより、銀含有金属層３が連続形成された導通領域１２と、銀含有金属層３が連続形成されてない非導通領域１３とを有し、所望の電極パターンを有する透明導電体２０を形成することができる。
【００２２】
本発明に係る透明導電体２０において、導通領域１２と非導通領域１３との線幅はそれぞれ３０μｍ以下であることが好ましい。
【００２３】
《エッチング液》
本発明のエッチング液（エッチャント）は、硫化亜鉛層、銀含有金属層、保護層及び高屈折率導電層を溶解除去できるエッチング液であり、硝酸、塩酸、リン酸、酢酸、シュウ酸及び硫酸から選択される少なくとも１種の酸が含有されていることを特徴とする。その他エッチング液に用いられる溶液として、酢酸アンモニウム、メトキシ酢酸等が挙げられるが、これに制限されない。
本発明のエッチング液としては、硝酸及び塩酸の混合液であることが好ましい。
【００２４】
これらのエッチング液は、適宜濃度とエッチング時間とを調整して用いることが好ましい。エッチング処理の温度及び時間に特に限定はないが、温度を５〜６０℃の範囲内、時間を１０秒〜６０分の範囲内とすることが好ましい。エッチング処理温度は、より好ましくは３０〜５０℃の範囲内である。
【００２５】
エッチング液を用いて処理する方法として、浸漬法、スプレー法、スピン法のいずれの方法で処理することができる。
【００２６】
パターン形状は、エッチングムラがなく、また、パターニングされた透明導電体の形成精度が高いことが好ましい。このためにはエッチングレートが高すぎないほうがよく、エッチング液は、適宜濃度やｐＨを調整して用いることが好ましい。本発明においては、銀含有金属層の層厚が５〜１５ｎｍの範囲内であるので、エッチングレートが比較的低いものでも用いることができる。
【００２７】
以下、透明導電体２０を構成する各部材について説明する。
【００２８】
〈基材（１）〉
本発明に係る基材としては、従来公知の各種表示デバイスの基材と同様のものを用いることができ、例えば、ガラスや樹脂フィルム等が挙げられ、中でも、樹脂フィルムであることが好ましい。
【００２９】
樹脂フィルムとしては、セルロースエステル樹脂（例えば、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）、ジアセチルセルロース、アセチルプロピオニルセルロース等）、ポリカーボネート樹脂（例えば、パンライト、マルチロン（以上、帝人社製））、シクロオレフィン樹脂（例えば、ゼオノア（日本ゼオン社製）、アートン（ＪＳＲ社製）、アペル（三井化学社製））、アクリル樹脂（例えば、ポリメチルメタクリレート、アクリライト（三菱レイヨン社製）、スミペックス（住友化学社製））、ポリイミド、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリフェニレンエーテル（ＰＰＥ）樹脂、ポリエステル樹脂（例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ））、ポリエーテルスルホン樹脂、アクリロニトリル・ブタジエン・スチレン樹脂（ＡＢＳ樹脂）／アクリロニトリル・スチレン樹脂（ＡＳ樹脂）、メチルメタクリレート・ブタジエン・スチレン樹脂（ＭＢＳ樹脂）、ポリスチレン、メタクリル樹脂、ポリビニルアルコール／エチレンビニルアルコール樹脂（ＥＶＯＨ）、スチレン系ブロックコポリマー樹脂等からなる透明樹脂フィルムが挙げられる。
高い透明性を達成することができる観点から、樹脂フィルムとしては、セルロースエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂（特に、ポリエチレンテレフタレート）、トリアセチルセルロース、シクロオレフィン樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリエーテルスルホン、ＡＢＳ／ＡＳ樹脂、ＭＢＳ樹脂、ポリスチレン、メタクリル樹脂、ポリビニルアルコール／ＥＶＯＨ（エチレンビニルアルコール樹脂）、スチレン系ブロックコポリマー樹脂等からなる樹脂フィルムであることが好ましい。
【００３０】
本発明に係る基材は、可視光に対する透明性が高いことが好ましく、波長４５０〜８００ｎｍの光の平均透過率が７０％以上であることが好ましく、８０％以上であることがより好ましく、８５％以上であることが更に好ましい。基材の光の平均透過率が７０％以上であると、透明導電体の光透過性が高まりやすい。
また、基材の波長４５０〜８００ｎｍの光の平均吸収率は、１０％以下であることが好ましく、より好ましくは５％以下、更に好ましくは３％以下である。
【００３１】
上記平均透過率は、基材の表面の法線に対して、５°傾けた角度から光を入射させて測定する。一方、平均吸収率は、平均透過率と同様の角度から光を入射させて、基材の平均反射率を測定し、
平均吸収率＝１００−（平均透過率＋平均反射率）  （％）
として算出する。平均透過率及び平均反射率は、分光光度計を用いて測定することができる。
【００３２】
基材の波長５７０ｎｍの光の屈折率は１．３０〜１．９５の範囲内であることが好ましく、より好ましくは１．３５〜１．７５の範囲内であり、更に好ましくは１．３５〜１．７０の範囲内である。基材の屈折率は、通常、基材の材質によって定まる。基材の屈折率は、エリプソメーターを用い、２５℃の環境下で測定することにより求めることができる。
【００３３】
基材のヘイズ値は、０．０１〜２．５の範囲内であることが好ましく、より好ましくは０．１〜１．２の範囲内である。基材のヘイズ値が２．５以下であると、透明導電体としてのヘイズ値を抑制することができる。ヘイズ値は、ヘイズメーターを用いて測定することができる。
【００３４】
基材の厚さは、１μｍ〜２０ｍｍの範囲内であることが好ましく、より好ましくは１０μｍ〜２ｍｍの範囲内である。基材の厚さが１μｍ以上であれば、基材の強度が高まり、例えば、基材上に硫化亜鉛層を作製する際に、割れたり、裂けたりすることを防止することができる。一方、基材の厚さが２０ｍｍ以下であれば、透明導電体の十分なフレキシブル性を得ることができる。さらに、透明導電体を具備した電子デバイス機器等の厚さを薄くできる。また、透明導電体を用いた電子デバイス機器等を軽量化することもできる。
【００３５】
基材は、各構成層を形成する前に、基材中に含まれている水分や残留している溶媒を、クライオポンプ等を用いてあらかじめ除いた後、形成工程で使用することが好ましい。
【００３６】
（ハードコート層（６Ａ、６Ｂ））
本発明に係る基材の片面又は両面には、ハードコート層（ＣＨＣ層ともいう。）を設けてもよい。図３には、その一例として、基材１の両面にハードコート層６Ａ及び６Ｂを設けた透明導電体を示している。
【００３７】
ハードコート層に含まれる無機化合物としては、無機微粒子を用いることができ、例えば、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、ＩＴＯ、ＺｎＯ、Ｎｂ２Ｏ５、ＺｒＯ２、ＣｅＯ２、Ｔａ２Ｏ５、Ｔｉ３Ｏ５、Ｔｉ４Ｏ７、Ｔｉ２Ｏ３、ＴｉＯ、ＳｎＯ２、Ｌａ２Ｔｉ２Ｏ７、ＩＺＯ（ＩｎドープＺｎＯ）、ＡＺＯ（ＡｌドープＺｎＯ）、ＧＺＯ（ＧａドープＺｎＯ）、ＡＴＯ（ＳｂドープＳｎＯ）、ＩＣＯ（インジウムセリウム酸化物）、Ｂｉ２Ｏ３、ａ−ＧＩＯ、Ｇａ２Ｏ３、ＧｅＯ２、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＨｆＯ２、ＳｉＯ、ＭｇＯ、Ｙ２Ｏ３、ＷＯ３等の粒子を用いることができる。
【００３８】
ハードコート層のバインダー成分として、アクリル系、ウレタン系、ポリエステル系、エポキシ系、シリコン変性樹脂等を用いることができる。また、樹脂に限らず、蒸着やスパッタで成膜される無機膜を用いてもよい。
【００３９】
紫外線硬化性樹脂としては、例えば、紫外線硬化性ウレタンアクリレート系樹脂、紫外線硬化性ポリエステルアクリレート系樹脂、紫外線硬化性エポキシアクリレート系樹脂、紫外線硬化性ポリオールアクリレート系樹脂、紫外線硬化性エポキシ樹脂等が好ましく用いられる。中でも、紫外線硬化性アクリレート系樹脂が好ましい。
紫外線硬化性アクリルウレタン系樹脂は、一般にポリエステルポリオールにイソシアネートモノマー又はプレポリマーを反応させて得られた生成物に、更に２−ヒドロキシエチルアクリレート、２−ヒドロキシエチルメタクリレート（以下、アクリレートにはメタクリレートを包含するものとしてアクリレートのみを表示する。）、２−ヒドロキシプロピルアクリレート等のヒドロキシ基を有するアクリレート系のモノマーを反応させることによって容易に得ることができる。例えば、特開昭５９−１５１１１０号公報に記載の、ユニディック１７−８０６（大日本インキ（株）製）１００質量部とコロネートＬ（日本ポリウレタン（株）製）１質量部との混合物等が好ましく用いられる。
紫外線硬化性ポリエステルアクリレート系樹脂は、一般にポリエステル末端のヒドロキシ基やカルボキシ基に２−ヒドロキシエチルアクリレート、グリシジルアクリレート、アクリル酸のようなモノマーを反応させることによって容易に得ることができる（例えば、特開昭５９−１５１１１２号公報参照。）。
紫外線硬化性エポキシアクリレート系樹脂は、エポキシ樹脂の末端のヒドロキシ基にアクリル酸、アクリル酸クロライド、グリシジルアクリレートのようなモノマーを反応させて得られる。
紫外線硬化性ポリオールアクリレート系樹脂としては、エチレングリコール（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、グリセリントリ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、アルキル変性ジペンタエリスリトールペンタアクリレート等を挙げることができる。
【００４０】
また、紫外線硬化性樹脂の光増感剤（ラジカル重合開始剤）として、ベンゾイン、べンゾインメチルエーテル、べンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、べンジルメチルケタールなどのべンゾインとそのアルキルエーテル類、アセトフェノン、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノン、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンなどのアセトフェノン類、メチルアントラキノン、２−エチルアントラキノン、２−アミルアントラキノンなどのアントラキノン類、チオキサントン、２，４―ジエチルチオキサントン、２，４−ジイソプロピルチオキサントンなどのチオキサントン類、アセトフェノンジメチルケタール、ベンジルジメチルケタールなどのケタール類、ベンゾフェノン、４，４−ビスメチルアミノべンゾフェノンなどのベンゾフェノン類や、アゾ化合物等を用いることができる。
これらは、単独でも、又は２種以上組み合わせても使用することができる。
加えて、トリエタノールアミン、メチルジエタノールアミンなどの第３級アミン、２−ジメチルアミノエチル安息香酸、４−ジメチルアミノ安息香酸エチルなどの安息香酸誘導体等の光開始助剤などと組み合わせて使用することができる。
これらラジカル重合開始剤の使用量は、樹脂の重合性成分１００質量部に対して、好ましくは０．５〜２０質量部の範囲内、より好ましくは１〜１５質量部の範囲内である。
【００４１】
紫外線硬化性樹脂を含むハードコート層の層厚は、０．１〜２０μｍの範囲内が好ましく、１〜１５μｍの範囲内がより好ましく、３〜１０μｍの範囲内であることが更に好ましい。ハードコート層の層厚が０．１μｍ以上であれば、ハードコート性が向上し、２０μｍ以下であれば、ハードコート層のカールが小さく、耐屈曲性の低下を抑えることができる。
【００４２】
熱硬化性樹脂としては、ポリシロキサンに代表される無機系材料が挙げられる。
ポリシロキサンは、一般式ＲｍＳｉ（ＯＲ′）ｎで表される構造を有するものが出発原料である。Ｒ及びＲ′は、炭素数１〜１０のアルキル基を表し、ｍ及びｎは、ｍ＋ｎ＝４の関係を満たす整数である。具体的には、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、テトラ−ｎ−ポロポキシシラン、テトラ−ｎ−ブトキシシラン、テトラ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、テトラ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、テロラペンタエトキシシラン、テトラペンタ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、テトラペンタ−ｎ−プロポキシシラン、テトラペンタ−ｎ−ブトキシシラン、テトラペンタ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、テトラペンタ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、メチルトリプロポキシシラン、メチルトリブトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジメチルエトキシシラン、ジメチルメトキシシラン、ジメチルプロポキシシラン、ジメチルブトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ヘキシルトリメトキシシラン等が挙げられる。また、γ−（２−アミノエチル）アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−（２−アミノエチル）アミノプロピルメチルジメトキシシラン、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、Ｎ−β−（Ｎ−アミノベンジルアミノエチル）−γ−アミノプロピルメトキシシラン・塩酸塩、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、アミノシラン、メチルメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−クロロプロピルトリメトキシシラン、ヘキサメチルジシラザン、ビニルトリス（β−メトキシエトキシ）シラン、オクタデシルジメチル［３−（トリメトキシシリル）プロピル］アンモニウムクロライドを用いることもできる。これらのメトキシ基、エトキシ基などの加水分解性基がヒドロキシ基に置換した状態のものが、一般的にポリオルガノシロキサンといわれている。
これを基板上に塗布し、加熱硬化させることで、脱水縮合反応が促進し、硬化・架橋することで、ハードコート層が成膜される。これらのポリオルガノシロキサンの中でも、加水分解によって脱離しない有機基がメチル基のものが最も耐候性が高い。また、メチル基であれば、ハードコート層成膜後の表面にメチル基が均一かつ密に分布するため、転落角も低い。そのため、本用途では、メチルポリシロキサンを用いることが好ましい。
【００４３】
ポリシロキサンを含むハードコート層の層厚としては、１〜５μｍの範囲内が好ましく、１．５〜３μｍの範囲内であることがより好ましい。ハードコート層の層厚が１μｍ以上であれば、応力によるハードコート層の割れを防止し、５μｍ以下であれば、ハードコート層としての硬度を維持することができる。
【００４４】
ポリオルガノシロキサンとして、具体的には、サーコートシリーズ（動研製）、ＳＲ２４４１（東レ・ダウコーニング社）、ＫＦ-８６（信越シリコン社）、Ｐｅｒｍａ‐Ｎｅｗ（登録商標）６０００（Ｃａｌｉｆｏｒｎｉａ  Ｈａｒｄｃｏａｔｉｎｇ  Ｃｏｍｐａｎｙ）などを利用することができる。
【００４５】
紫外線硬化性樹脂又は熱硬化性樹脂のハードコート層中の配合量は、ハードコート層の合計１００質量％（固形分換算）に対して、２０〜７０質量％の範囲内であることが好ましく、５０〜３０質量％の範囲内であることがより好ましい。
【００４６】
ハードコート層は、ハードコート層形成用組成物（塗布液）をワイヤーバーによるコーティング、スピンコーティング、ディップコーティングにより塗布することで形成することができ、蒸着などの乾式製膜法でも形成することができる。また、上記の組成物（塗布液）をダイコーター、グラビアコーター、コンマコーターなどの連続塗布装置で塗布・成膜することも可能である。
ポリシロキサンの場合、塗布後、溶剤を乾燥させた後、硬化・架橋を促進するため、５０〜１５０℃の範囲内の温度で、３０分〜数日間の熱処理を必要とする。塗布基材の耐熱性やロールにしたときの基材の安定性を考慮して、４０〜８０℃の範囲内で２日間以上処理することが好ましい。活性エネルギー線硬化樹脂の場合、活性エネルギー線の照射波長、照度、光量によってその反応性が変わるため、使用する樹脂によって最適な条件を選択する必要がある。
【００４７】
ハードコート層形成用組成物（塗布液）には溶媒が含まれていてもよく、必要に応じて適宜含有し、希釈されたものであってもよい。塗布液に含有される有機溶媒としては、例えば、炭化水素類（トルエン、キシレン、）、アルコール類（メタノール、エタノール、イソプロパノール、ブタノール、シクロヘキサノール）、ケトン類（アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン）、エステル類（酢酸メチル、酢酸エチル、乳酸メチル）、グリコールエーテル類、その他の有機溶媒の中から適宜選択し、又はこれらを混合して利用できる。
【００４８】
〈硫化亜鉛層（２）〉
本発明に係る硫化亜鉛層は、透明導電体の導通領域、すなわち銀含有金属層が形成されている領域の光透過性（光学アドミッタンス）を調整する層である。
【００４９】
硫化亜鉛層には、その他の金属酸化物が含有されていてもよい。
硫化亜鉛とともに用いることができる金属酸化物としては、例えば、ＴｉＯ２、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）、ＺｎＯ、Ｎｂ２Ｏ５、ＺｒＯ２、ＣｅＯ２、Ｔａ２Ｏ５、Ｔｉ３Ｏ５、Ｔｉ４Ｏ７、Ｔｉ２Ｏ３、ＴｉＯ、ＳｎＯ２、Ｌａ２Ｔｉ２Ｏ７、ＩＺＯ（ＩｎドープＺｎＯ）、ＡＺＯ（ＡｌドープＺｎＯ）、ＧＺＯ（ＧａドープＺｎＯ）、ＡＴＯ（ＳｂドープＳｎＯ）、ＩＣＯ（インジウムセリウム酸化物）、Ｂｉ２Ｏ３、ａ−ＧＩＯ（ガリウム、インジウム及び酸素からなる非晶質酸化物）、Ｇａ２Ｏ３、ＧｅＯ２、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＨｆＯ２、ＳｉＯ、ＭｇＯ、Ｙ２Ｏ３、ＷＯ３等が挙げられる。上記金属酸化物の中でも、特に、ＳｉＯ２が好ましい。
【００５０】
本発明に係る硫化亜鉛層において、硫化亜鉛の平均含有量は、この層を構成する材料の総モル数に対して、０．５〜９９質量％の範囲内であることが好ましく、５０〜９５質量％の範囲内であることがより好ましく、更に好ましくは６０〜８５質量％の範囲内である。硫化亜鉛の比率が高いと共蒸着速度が速くなり、硫化亜鉛層の形成速度が速くなる。また、硫化亜鉛の比率が高いと屈折率が高くなり、銀含有金属層での光の吸収を低減することができる。一方、硫化亜鉛以外の成分が多く含まれると、硫化亜鉛層の非晶質性が高まり、硫化亜鉛層の割れ（クラック）の発生が抑制される。
【００５１】
硫化亜鉛層の層厚は、１０〜１００ｎｍの範囲内であることが好ましく、より好ましくは２０〜５０ｎｍの範囲内である。
硫化亜鉛層の層厚が１０ｎｍ以上であると、硫化亜鉛層によって、透明導電体の導通領域の光学アドミッタンスが十分に調整される。一方、硫化亜鉛層の層厚が１００ｎｍ以下であれば、硫化亜鉛層が形成されている領域の光透過性が低下しにくい。硫化亜鉛層の層厚は、エリプソメーターで測定される。
【００５２】
硫化亜鉛層は、共蒸着法により形成することが好ましい。蒸着法としては、抵抗加熱蒸着法、電子線蒸着法、イオンプレーティング法、イオンビーム蒸着法等が含まれる。蒸着装置としては、例えば、シンクロン社製のＢＭＣ−８００Ｔ蒸着機等を用いることができる。
【００５３】
〈銀含有金属層（３）〉
本発明に係る銀含有金属層は、透明導電体において電気を導通させるための膜であり、少なくとも銀又は銀合金から構成されている。
【００５４】
導電性が高いという観点から、銀含有金属層は銀又は銀が９０原子％以上含まれる合金からなることが好ましい。銀と組み合わされる金属としては、亜鉛、金、銅、パラジウム、アルミニウム、マンガン、ビスマス、ネオジム、モリブデン等が挙げられる。例えば、銀と亜鉛とが組み合わされると、銀含有金属層の耐硫化性が高まるため好ましい。また、銀と金とが組み合わされると、耐塩（ＮａＣｌ）性が高まるため好ましい。さらに、銀と銅とが組み合わされると、耐酸化性が高まるため好ましい。例として、ＡＰＣ（フルヤ金属製）が挙げられる。
【００５５】
銀含有金属層のプラズモン吸収率は、波長４００〜８００ｎｍにわたって（全範囲で）１０％以下であることが好ましく、７％以下であることがより好ましく、５％以下であることが更に好ましい。波長４００〜８００ｎｍの一部にプラズモン吸収率が大きい領域があると、透明導電体の導通領域の透過光が着色しやすくなる。
【００５６】
銀含有金属層の波長４００〜８００ｎｍにおけるプラズモン吸収率は、以下（ｉ）〜（iii）の手順で測定される。
（ｉ）ガラス基板上に、白金パラジウムをシンクロン社製のＢＭＣ−８００Ｔ蒸着装置にて０．１ｎｍで形成する。白金パラジウムの平均厚さは、蒸着装置のメーカー公称値の形成速度等から算出する。その後、白金パラジウムが付着した基板上に、真空蒸着法にて銀含有金属層を２０ｎｍの層厚で形成する。
（ii）得られた銀含有金属層の表面の法線に対して、５°傾けた角度から測定光を入射させ、銀含有金属層の光透過率及び光反射率を測定する。そして、各波長における光透過率及び光反射率から、光吸収率＝１００−（光透過率＋光反射率）（％）を算出し、これをリファレンスデータとする。光透過率及び光反射率は、分光光度計で測定する。
（iii）続いて、測定対象の銀含有金属層を同様のガラス基板上に形成する。そして、当該銀含有金属層について、同様に光透過率及び光反射率を測定し、得られた光吸収率から上記リファレンスデータを差し引き、算出された値を、銀含有金属層のプラズモン吸収率とする。
【００５７】
銀含有金属層の層厚は、５〜１５ｎｍの範囲内であるが、１０ｎｍ以下であることが好ましく、より好ましくは３〜９ｎｍの範囲内であり、更に好ましくは５〜８ｎｍの範囲内である。透明導電体では、銀含有金属層の層厚を１５ｎｍ以下とすることにより、銀含有金属層に金属本来の反射が生じにくくなる。さらに、硫化亜鉛層によって、透明導電体の光学アドミッタンスが調整されやすく、導通領域表面での光の反射が抑制されやすい。銀含有金属層の層厚は、エリプソメーターを用いて測定して求めることができる。
【００５８】
銀含有金属層は、いずれの形成方法で形成された層でもよいが、真空蒸着法で形成された層であることが好ましい。真空蒸着法であれば、高温環境に基材を曝すことがなく、平面性の高い銀含有金属層を、極めて速い形成速度で形成することができる。
【００５９】
一方、銀含有金属層が後述する下地層上に形成された層である場合、銀含有金属層の形成時に下地層が成長核となるため、銀含有金属層が平滑な膜になりやすい。その結果、銀含有金属層が薄くとも、プラズモン吸収が生じにくくなる。
【００６０】
〈保護層（４）〉
本発明に係る保護層は、銀上に真空成膜中に大電力で膜形成時に、金属の表面が荒れて、吸収率が大きくなることを防止する層である。
【００６１】
保護層は、金属酸化物、金属窒化物、金属フッ化物等、又はＺｎを含む層として構成することができる。
保護層には、これらが１種のみ含まれてもよく、２種以上含まれてもよいが、亜鉛元素を含む化合物を含有することが好ましい。特に、Ｚｎ、ＺｎＯ、ＩＺＯ（ＩｎドープＺｎＯ）、ＧＺＯ（ＧａドープＺｎＯ）であることが好ましい。
【００６２】
保護層の層厚は、銀含有金属層の表面を保護可能な層厚であることが好ましい。一方で、高屈折率導電層に含まれる材料が銀含有金属層に含まれる金属との親和性が高い場合、銀含有金属層の安定性が上昇するという意味合いからも、保護層の層厚は薄いことが好ましい。つまり、保護層の層厚として、０．１〜１５ｎｍの範囲内であることが好ましく、より好ましくは０．５〜１０ｎｍの範囲内であり、更に好ましくは１〜５ｎｍの範囲内である。
保護層の層厚は、エリプソメーターを用いて測定することができる。
【００６３】
保護層は、真空蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法、プラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法等、一般的な気相形成法で形成することができるが、中でも出力電力３Ｗ／ｃｍ２以下のスパッタ法により形成することが好ましい。
【００６４】
〈高屈折率導電層（５）〉
本発明に係る高屈折率導電層は、透明導電体の導通領域、すなわち銀含有金属層が形成されている領域の光透過性（光学アドミッタンス）を調整する層であり、かつ導電性を有することを特徴とする。
【００６５】
また、高屈折率導電層には、基材の屈折率より高い屈折率を有する誘電性材料又は酸化物半導体材料が含まれる。当該誘電性材料又は酸化物半導体材料の波長５７０ｎｍの光の屈折率は、基材の波長５７０ｎｍの光の屈折率より０．１〜１．１大きいことが好ましく、０．４〜１．０大きいことがより好ましい。
なお、屈折率とは、２５℃の環境下で測定した屈折率の値を用いる。また、屈折率は、市販のエリプソメーターを用いて測定して求めることができる。
【００６６】
一方、高屈折率導電層に含まれる誘電性材料又は酸化物半導体材料の波長５７０ｎｍの光の具体的な屈折率は１．５より大きいことが好ましく、１．７〜２．５の範囲内であることがより好ましく、更に好ましくは１．８〜２．５の範囲内である。誘電性材料又は酸化物半導体材料の屈折率が１．５より大きいと、高屈折率導電層によって、透明導電体の導通領域の光学アドミッタンスが十分に調整される。
なお、高屈折率導電層の屈折率は、含まれる材料の屈折率や材料の密度で調整される。
【００６７】
高屈折率導電層には、硫化亜鉛、硫化亜鉛と金属酸化物の混合物、酸化チタン（ＴｉＯ２）、ＧＺＯ（ＧａドープＺｎＯ）、ＺｎＯ（酸化亜鉛）、ＡＺＯ（ＡｌドープＺｎＯ）、ＡＴＯ（ＳｂドープＳｎＯ）、アンチモンドープ酸化亜鉛、ＩＴＯ、ＩＧＺＯ（インジウム・ガリウム・亜鉛酸化物）、ＩＺＯ（ＩｎドープＺｎＯ）等を用いることができる。中でも、硫化亜鉛又は硫化亜鉛と金属酸化物の混合物が好ましい。
硫化亜鉛とともに用いることができる金属酸化物としては、例えば、ＴｉＯ２、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）、ＺｎＯ、Ｎｂ２Ｏ５、ＺｒＯ２、ＣｅＯ２、Ｔａ２Ｏ５、Ｔｉ３Ｏ５、Ｔｉ４Ｏ７、Ｔｉ２Ｏ３、ＴｉＯ、ＳｎＯ２、Ｌａ２Ｔｉ２Ｏ７、ＩＺＯ（ＩｎドープＺｎＯ）、ＡＺＯ（ＡｌドープＺｎＯ）、ＧＺＯ（ＧａドープＺｎＯ）、ＡＴＯ（ＳｂドープＳｎＯ）、ＩＣＯ（インジウムセリウム酸化物）、Ｂｉ２Ｏ３、ａ−ＧＩＯ（ガリウム、インジウム及び酸素からなる非晶質酸化物）、Ｇａ２Ｏ３、ＧｅＯ２、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＨｆＯ２、ＳｉＯ、ＭｇＯ、Ｙ２Ｏ３、ＷＯ３等が挙げられる。上記金属酸化物の中でも、特に、ＳｉＯ２が好ましい。
【００６８】
本発明に係る高屈折率導電層において、硫化亜鉛の平均含有量は、この層を構成する材料の総モル数に対して、０．５〜９９質量％の範囲内であることが好ましく、５０〜９５質量％の範囲内であることがより好ましく、更に好ましくは６０〜８５質量％の範囲内である。硫化亜鉛の比率が高いと共蒸着速度が速くなり、高屈折率導電層の形成速度が速くなる。また、硫化亜鉛の比率が高いと屈折率が高くなり、銀含有金属層での光の吸収を低減することができる。一方、硫化亜鉛以外の成分が多く含まれると、高屈折率導電層の非晶質性が高まり、硫化亜鉛層の割れ（クラック）の発生が抑制される。
【００６９】
高屈折率導電層の層厚は、１０〜１００ｎｍの範囲内であることが好ましく、より好ましくは２０〜５０ｎｍの範囲内である。
高屈折率導電層の層厚が１０ｎｍ以上であると、高屈折率導電層によって、透明導電体の導通領域の光学アドミッタンスが十分に調整される。一方、高屈折率導電層の層厚が１００ｎｍ以下であれば、硫化亜鉛層が形成されている領域の光透過性が低下しにくい。
高屈折率導電層の層厚は、エリプソメーターで測定される。
【００７０】
高屈折率導電層は、共蒸着法により形成することが好ましい。蒸着法としては、抵抗加熱蒸着法、電子線蒸着法、イオンプレーティング法、イオンビーム蒸着法等が含まれる。蒸着装置としては、例えば、シンクロン社製のＢＭＣ−８００Ｔ蒸着機等を用いることができる。
【００７１】
〈その他の構成層〉
（硫化防止層）
本発明に係る透明導電体は、硫化亜鉛層又は高屈折率導電層と銀含有金属層との間に、硫化防止層を設けてもよく、例えば、図４に示す透明導電体２０は、基材１上に、パターニングされた硫化亜鉛層２、硫化防止層７、銀含有金属層３、保護層４、高屈折率保護層５が順次積層され構成されている。
【００７２】
硫化防止層は、保護層と同じ材料を用いることが好ましい。特に、Ｚｎ、ＺｎＯ、ＩＺＯ（ＩｎドープＺｎＯ）、ＧＺＯ（ＧａドープＺｎＯ）であることが好ましい。
【００７３】
硫化防止層の層厚は、銀含有金属層の形成時の衝撃から、硫化亜鉛層の表面を保護可能な層厚であることが好ましい。一方で、硫化亜鉛層に含まれる硫化亜鉛は、銀含有金属層に含まれる金属との親和性が高い。そのため、硫化防止層の層厚が非常に薄く、硫化亜鉛層の一部がわずかに露出していると、当該露出部分を中心に銀含有金属層が成長し、銀含有金属層が緻密になりやすい。つまり、硫化防止層は比較的薄いことが好ましく、０．１〜１５ｎｍの範囲内であることが好ましく、より好ましくは０．５〜１０ｎｍの範囲内であり、更に好ましくは１〜５ｎｍの範囲内である。
硫化防止層の層厚は、エリプソメーターを用いて測定することができる。
【００７４】
硫化防止層は、真空蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法、プラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法等、一般的な気相形成法で形成することができるが、特に、真空蒸着法を適用することが好ましい。
【００７５】
（下地層）
本発明に係る透明導電体においては、必要に応じて、銀含有金属層の形成時に成長核となる下地層を設けてもよい。下地層は、銀含有金属層より基材側で、かつ銀含有金属層に隣接して形成された層であり、この下地層上に直接銀含有金属層が形成されることが好ましい。
【００７６】
透明導電体が下地層を有すると、銀含有金属層の層厚が薄い場合にも、銀含有金属層の表面の平滑性が高まる。その理由は以下の通りである。
一般的な真空蒸着法で銀含有金属層の材料を、例えば、硫化亜鉛層上に蒸着させると、形成初期には、硫化亜鉛層上に付着した銀原子がマイグレート（移動）し、銀原子が寄り集まって塊（海島状（斑状）構造）を形成する。そして、この塊にまとわりつきながら膜が成長する。そのため、形成初期の膜では、塊同士の間に隙間があり、導通しない。この状態から更に塊が成長すると、塊同士の一部が繋がり、かろうじて導通する。しかし、塊同士の間に未だ隙間があるため、プラズモン吸収が生じる。そして、更に形成が進むと、塊同士が完全に繋がって、プラズモン吸収が少なくなる。しかし、その一方で、金属本来の反射が生じ、膜の光透過性が低下する。
これに対し、硫化亜鉛層上にマイグレートしにくい金属からなる下地層を形成すると、当該下地層を成長核として、銀含有金属層が成長する。つまり、銀含有金属層の材料がマイグレートしにくくなり、上述の海島状構造を形成せずに膜が成長する。その結果、層厚が薄くとも平滑な銀含有金属層が得られやすくなる。
【００７７】
下地層には、パラジウム、モリブデン、亜鉛、ゲルマニウム、ニオブ若しくはインジウム、又はこれらの金属と他の金属との合金や、これらの金属の酸化物や硫化物（例えば、ＺｎＳ）が含まれることが好ましく、パラジウム又はモリブデンが含まれることが特に好ましい。
パラジウム、モリブデン、亜鉛、ゲルマニウム、ニオブ又はインジウムと合金を形成する金属は特に制限されないが、例えば、パラジウム以外の白金族、金、コバルト、ニッケル、チタン、アルミニウム、クロム等を用いることができる。
下地層には、これらが１種のみ含まれてもよく、２種以上が含まれてもよい。
【００７８】
下地層に含まれるパラジウム、モリブデン、亜鉛、ゲルマニウム、ニオブ又はインジウムの量は、２０質量％以上であることが好ましく、より好ましくは４０質量％以上であり、更に好ましくは６０質量％以上である。下地層に上記金属が２０質量％以上含まれると、下地層と銀含有金属層との親和性が高まり、密着性が高まりやすい。
【００７９】
下地層の層厚は、３ｎｍ以下であることが好ましく、より好ましくは０．５ｎｍ以下であり、特に好ましくは単原子膜である。下地層は、金属原子が互いに離間して付着している膜でもありうる。下地層の付着量が３ｎｍ以下であれば、下地層が透明導電体の光透過性や光学アドミッタンスに影響を及ぼしにくい。
下地層の有無は、ＩＣＰ−ＭＳ法で確認される。また、下地層の層厚は、形成速度と形成時間との積から算出される。
【００８０】
下地層は、蒸着法又はスパッタ法で形成された層であることが好ましい。蒸着法には、真空蒸着法、電子線蒸着法、イオンプレーティング法、イオンビーム蒸着法等が含まれる。蒸着時間は、所望の下地層の層厚、及び形成速度に合わせて適宜選択される。蒸着速度は、好ましくは０．０１〜１．５ｎｍ／秒の範囲内であり、より好ましくは０．０１〜０．７ｎｍ／秒の範囲内である。
【００８１】
《透明導電体の物性》
透明導電体の波長４５０〜８００ｎｍの光の平均透過率は、導通領域及び非導通領域のいずれにおいても８３％以上であることが好ましく、より好ましくは８５％以上であり、更に好ましくは８８％以上である。上記波長範囲における平均透過率が８３％以上であると、透明導電体を可視光に対して高い透明性が要求される用途に適用することができる。
一方、透明導電体の波長４００〜１０００ｎｍの光の平均透過率は、導通領域及び非導通領域のいずれにおいても８０％以上であることが好ましく、より好ましくは８３％以上、更に好ましくは８５％以上である。波長４００〜１０００ｎｍの光の平均透過率が８０％以上であると、広い波長範囲の光に対して透明性が要求される用途、例えば、太陽電池用の透明導電膜等にも本発明の透明導電体を適用することができる。
一方、透明導電体の波長４００〜８００ｎｍの光の平均吸収率は、導通領域及び非導通領域のいずれにおいても１０％以下であることが好ましく、より好ましくは８％以下であり、更に好ましくは７％以下である。また、透明導電体の波長４５０〜８００ｎｍの光の吸収率の最大値は、導通領域及び非導通領域のいずれにおいても１５％以下であることが好ましく、より好ましくは１０％以下であり、更に好ましくは９％以下である。
一方、透明導電体の波長５００〜７００ｎｍの光の平均反射率は、導通領域及び非導通領域のいずれにおいても、２０％以下であることが好ましく、より好ましくは１５％以下であり、更に好ましくは１０％以下である。
透明導電体の平均吸収率及び平均反射率が低いほど、上述の平均透過率が高まる。
【００８２】
上記平均透過率、平均吸収率及び平均反射率は、透明導電体の使用環境下で測定した平均透過率、平均吸収率及び平均反射率であることが好ましい。具体的には、透明導電体が有機樹脂と貼り合わせて使用される場合には、透明導電体上に有機樹脂からなる層を配置して平均透過率及び平均反射率を測定することが好ましい。一方、透明導電体が大気中で使用される場合には、大気中での平均透過率及び平均反射率を測定することが好ましい。
平均透過率及び平均反射率は、透明導電体の表面の法線に対して５°傾けた角度から測定光を入射させて分光光度計で測定する。平均吸収率は、「１００−（平均透過率＋平均反射率）」の計算式より算出される。
【００８３】
また、透明導電体における導通領域の反射率及び非導通領域の反射率がそれぞれ近似することが好ましい。具体的には、導通領域の視感反射率と、非導通領域の視感反射率との差ΔＲが５％以下であることが好ましく、３％以下であることがより好ましく、更に好ましくは１％以下であり、特に好ましくは０．３％以下である。一方、導通領域及び非導通領域の視感反射率は、それぞれ５％以下であることが好ましく、より好ましくは３％以下であり、更に好ましくは１％以下である。
視感反射率は、分光光度計（Ｕ４１００：日立ハイテクノロジーズ社製）で測定されるＹ値である。
【００８４】
また、透明導電体の導通領域及び非導通領域のいずれの領域においても、Ｌ＊ａ＊ｂ＊表色系におけるａ＊値及びｂ＊値は±３０以内であることが好ましく、より好ましくは±５以内であり、更に好ましくは±３．０以内であり、特に好ましくは±２．０以内である。Ｌ＊ａ＊ｂ＊表色系におけるａ＊値及びｂ＊値が±３０以内であれば、導通領域及び非導通領域のいずれの領域も無色透明に観察される。
Ｌ＊ａ＊ｂ＊表色系におけるａ＊値及びｂ＊値は、分光光度計で測定される。
【００８５】
透明導電体の導通領域の表面電気抵抗値は、５０Ω／ｓｑ．以下であることが好ましく、より好ましくは３０Ω／ｓｑ．以下である。導通領域の表面電気抵抗値が５０Ω／ｓｑ．以下である透明導電体は、静電容量方式のタッチパネル用の透明導電パネル等に適用できる。導通領域の表面電気抵抗値は、銀含有金属層の層厚等によって調整される。
導通領域の表面電気抵抗値は、例えば、ＪＩＳ  Ｋ  ７１９４、ＡＳＴＭ  Ｄ２５７等に準拠して測定される。また、市販の表面電気抵抗率計によっても測定される。
【００８６】
《透明導電体の製造方法》
次に、透明導電体の製造方法について説明する。
【００８７】
本発明の透明導電体は、公知の真空蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法、プラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法等の一般的な気相成膜法を用いて作製することができる。また、グラビアコートやダイコート等の一般的な塗布液相法を用いて作製することもできる。
【００８８】
硫化亜鉛層の屈折率（密度）が高まるとの観点から、硫化亜鉛層は、電子ビーム蒸着法又はスパッタ法で成膜された層であることが好ましい。
【００８９】
スパッタ法では、成膜時に材料が被成膜体に高速で衝突するため、緻密かつ平滑な膜が得られやすく、銀含有金属層の光透過性が高まりやすい。また、銀含有金属層がスパッタ法により成膜された膜であると、銀含有金属層が高温かつ低湿度な環境においても腐食しにくくなる。スパッタ法の種類は特に制限されず、イオンビームスパッタ法や、マグネトロンスパッタ法、反応性スパッタ法、２極スパッタ法、バイアススパッタ法、対向スパッタ法等が挙げられる。中でも、銀含有金属層は、対向スパッタ法で成膜された膜であることが好ましい。銀含有金属層が対向スパッタ法で成膜された膜であると、銀含有金属層が緻密になり、表面平滑性が高まりやすい。その結果、銀含有金属層の表面電気抵抗値がより低くなり、光の透過率も高まりやすい。
電子ビーム蒸着法の場合は膜密度を高めるため、ＩＡＤ（イオンアシスト）などのアシストがあることが望ましい。
【００９０】
透明導電体は、生産効率の観点から、連続した工程で製造する方法が好ましい。
以下、図５に示す製造フローを用いた、透明導電体の製造方法について説明する。図５に示す製造フローでは、基材１上に、硫化亜鉛層、硫化防止層、銀含有金属層、保護層、高屈折率導電層をこの順で積層された透明導電体の製造方法について説明する。
【００９１】
図５に示す製造フローでは、工程１において、真空蒸着室２１で基材１上に硫化亜鉛層を形成する。
工程２において、真空蒸着室２１で硫化亜鉛層上に硫化防止層を形成する。
工程３において、真空蒸着室２１で硫化防止層上に銀含有金属層を形成する。
工程４において、真空蒸着室２１で銀含有金属層上に保護層を形成する。
そして、工程５において、真空蒸着室２１で保護層上に高屈折率導電層を形成する。
【００９２】
工程１では、抵抗加熱ボート２２に硫化亜鉛（ＺｎＳ）を装填する。そして、ターゲットを通電加熱して、連続搬送されている基材１上に、共蒸着法により硫化亜鉛層を形成する。
【００９３】
次に、工程２では、抵抗加熱ボート２３に硫化防止層の形成材料、例えば、酸化亜鉛（ＺｎＯ）を装填する。そして、所定の条件で通電加熱して、連続搬送されている基材１の硫化亜鉛層上に、硫化防止層を形成する。
【００９４】
次に、工程３では、抵抗加熱ボート２４に銀含有金属層の形成材料、例えば、Ａｇを装填する。そして、所定の条件で通電加熱して、連続搬送されている基材１の硫化防止層上に、銀含有金属層を形成する。このとき、工程３においては、銀含有金属層を銀で形成し、銀層の形成速度を０．３ｎｍ／秒以上とすることが好ましい。
さらに、高い生産性を実現する観点からは、形成速度が０．５〜３０ｎｍ／秒の範囲内であることがより好ましく、特に好ましくは１．０〜１５ｎｍ／秒の範囲内である。蒸着法は、スパッタ法に対し、極めて高い生産効率を有していることが特徴である。
なお、形成速度Ｓ（ｎｍ／秒）とは、図５に示す工程３において、蒸発源として、抵抗加熱ボート２４に銀含有金属層の形成材料を装填する。そして、この蒸発源の真上にモニターガラスを配置し、モニターガラスを動かさないように静置した状態で、モニターガラス上に銀含有金属層を形成し、銀含有金属層の形成に要した形成時間（秒）と、モニターガラス上に形成された銀含有金属層の層厚を測定する。このときの銀含有金属層の層厚（ｎｍ）／形成時間（秒）により、形成速度Ｓ（ｎｍ／秒）を算出する。
【００９５】
次に、工程４では、抵抗加熱ボート２５に保護層の形成材料、例えば、ＧＺＯを装填する。そして、所定の条件で通電加熱して、連続搬送されている基材１の銀含有金属層上に、保護層を形成する。
【００９６】
最後に、工程５では、抵抗加熱ボート２６に硫化亜鉛を、抵抗加熱ボート２７には金属酸化物、金属フッ化物及び金属窒化物から選ばれる少なくとも１種の化合物、例えば、ＳｉＯ２を装填する。そして、各ターゲットを通電加熱して、連続搬送されている基材１の保護層上に、共蒸着法により高屈折率導電層を形成する。
このとき、各抵抗加熱ボート（抵抗加熱ボート２６及び２７）の加熱条件及び蒸着速度を制御することにより、硫化亜鉛と金属酸化物、金属フッ化物及び金属窒化物から選ばれる少なくとも１種の化合物との比率や層内における比率を調整することができる。
【００９７】
以上のような工程を経て、透明導電体を製造することができる。
なお、上記の製造フローでは、一例として、抵抗加熱ボートを用いた蒸着法について説明したが、例えば、電子ビーム等を用いた他の蒸着法を適用してもよい。
【００９８】
上述の図５に示す製造フローにおいて、銀含有金属層を形成する工程３の真空蒸着室２１の圧力Ｐ３は、硫化亜鉛層を形成する工程１の真空蒸着室２１の圧力Ｐ１や、高屈折率導電層を形成する工程５の真空蒸着室２１の圧力Ｐ５よりも高く設定することが好ましい。銀含有金属層を形成する工程３の圧力Ｐ３を、硫化亜鉛層及び高屈折率導電層を形成する圧力Ｐ１及びＰ５よりも高く設定することにより、工程１や工程５における硫黄成分の、銀含有金属層を形成する工程３への流入を防止することができる。
さらには、硫化亜鉛層を形成する工程１の真空蒸着室２１の圧力Ｐ１、硫化防止層を形成する工程２の真空蒸着室２１の圧力Ｐ２、銀含有金属層を形成する工程３の真空蒸着室２１の圧力Ｐ３、保護層を形成する工程４の真空蒸着室２１の圧力Ｐ４、及び、高屈折率導電層を形成する工程５の真空蒸着室２１の圧力Ｐ５は、
圧力Ｐ１＜圧力Ｐ２＜圧力Ｐ３＞圧力Ｐ４＞圧力Ｐ５
の関係を維持することが好ましい。この関係を維持することにより、銀含有金属層を形成する工程３への硫黄成分の流入を、更に効率的に防止することができる。
【００９９】
また、各真空蒸着室内の圧力としては、１×１０−４〜１×１０−３Ｐａの範囲内とすることが好ましい。
【０１００】
また、上述の透明導電体の製造工程においては、形成時の基材１の温度上昇を抑制し、−２０〜６５℃の範囲で温度制御することができる冷却システムを備えていることが好ましい。
また、各工程には、所望の層厚となるように、層厚モニターでオンラインで監視することが好ましい。
【０１０１】
硫化亜鉛層に関しては、塗布液相膜の作製方法として、ワイヤーバーによるコーティング、スピンコーティング、ディップコーティングによる塗布で作成することができる。また、ダイコーター、グラビアコーター、コンマコーターなどの連続塗布装置でも塗布・製膜することは可能である。
【０１０２】
〈電極パターンを形成する工程〉
（フォトリソグラフィー法）
本発明では、透明導電体をフォトリソグラフィー法により、エッチング加工（パターニング）することで、所望のパターンの電極を形成することができる。
本発明に係るフォトリソグラフィー法とは、レジスト塗布、（予備加熱、）露光、現像、リンス、（前処理）、エッチング、レジスト剥離の各工程を経ることにより、透明導電体を所望のパターンに加工する手法である。本発明では、従来公知の一般的なフォトリソグラフィー法を適宜利用することができる。例えば、レジストとしてはポジ型又はネガ型のいずれのレジストでも使用可能である。また、レジスト塗布後、必要に応じて予備加熱又はプリベークを実施することができる。露光に際しては、所望のパターンを有するパターンマスクを配置し、その上から、用いたレジストに適合する波長の光、一般には紫外線を照射すればよい。露光後、用いたレジストに適合する現像液で現像を行うことができる。現像後、水等のリンス液で現像を止めるとともに洗浄を行うことで、レジストパターンが形成される。
次いで、形成されたレジストパターンを、必要に応じて前処理又はポストベークを実施してから、エッチングで彫り込むことができる。エッチング後、残留するレジストを剥離することによって、所望のパターンを有する透明導電体が得られる。このように、本発明に適用されるフォトリソグラフィー法は、当業者に一般に認識されている方法であり、その具体的な適用態様は当業者であれば、目的に応じて容易に選定することができる。
【０１０３】
図６は、透明導電体に電極パターンをフォトリソグラフィー法で形成する一例を示す工程フロー図である。
基材１上に、硫化亜鉛層２、銀含有金属層３、保護層４及び高屈折率導電層５を備えた透明導電体１０（図６（ａ）参照。）の上面に感光性レジスト膜３０を形成し（図６（ｂ）参照。）、パターンマスク３１の上から光源３２で露光を行う（図６（ｃ）参照。）。感光性レジスト膜３０にポジ型感光性レジストを用いる場合、パターンマスク３１は硫化亜鉛層２、銀含有金属層３、保護層４及び高屈折率導電層５から所望のパターンを形成する部分を遮光し、それ以外の部分を露光するように開口部を形成する。ポジ型感光性レジストの市販品として、例えば、東京応化工業製ＯＦＰＲ−５０００を用いることができる。
次に、アルカリ水溶液からなる現像液（レジスト現像液）を用いてレジスト現像を行い、露光した感光性レジスト膜３０Ａを除去する（図６（ｄ）参照。）。現像液としては、一例としてＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムハイドライド）の２．３８質量％水溶液を用いることができる。この場合、現像条件としては、常温（２３〜３０℃程度）、現像時間１分程度とするのが目安である。
その後、本発明のエッチング液３３を用いて硫化亜鉛層２、銀含有金属層３、保護層４及び高屈折率導電層５のパターニングを行う（図６（ｅ）参照。）。
最後に、感光性レジスト膜３０を剥離する（図６（ｆ）参照。）。
以上の工程により、電極パターンを形成することができる。
【０１０４】
《透明導電体の適用分野》
本発明の透明導電体は、液晶方式、プラズマ方式、有機エレクトロルミネッセンス方式、フィールドエミッション方式など各種ディスプレイをはじめ、タッチパネルや携帯電話、電子ペーパー、各種太陽電池、各種エレクトロルミネッセンス調光素子など様々な電子デバイス、オプトエレクトロニクスデバイスの基板等に好ましく適用することができる。
【０１０５】
透明導電体を各種電子デバイスに適用する場合には、基材の銀含有金属層が形成されている側とは反対側の面が、接着層等を介して他の部材と貼り合わせられてもよい。
この場合には、接着層のアドミッタンス座標と、接着層により貼り合わされる透明導電体側の表面の等価アドミッタンス座標とが、それぞれ近似することが好ましい。これにより、透明導電体と接着層との界面での反射が抑制される。
【０１０６】
一方、透明導電体の表面が空気と接するような構成で使用される場合には、空気のアドミッタンス座標と、透明導電体の表面のアドミッタンス座標とが、それぞれ近似することが好ましい。これにより、透明導電体と空気との界面での光の反射が抑制される。
【０１０７】
以下、上述の各実施形態の透明導電体が適用される電子デバイスの一例として、透明導電体をタッチパネルに適用した例について説明する。図９に、電極パターンを有する透明導電体を具備したタッチパネルの構成の一例を示す。
図７に示すタッチパネル５０は、投影型静電容量式のタッチパネルである。このタッチパネル５０は、透明基材の一主面上に、少なくとも硫化亜鉛層、銀含有金属層、保護層及び高屈折率導電層がパターン形成された、第１透明導電体４１及び第２透明導電体４２がこの順に配置されている。そして、その上部が前面板４３で覆われている。
第１透明導電体４１及び第２透明導電体４２には、上述した導通領域と非導通領域とにより所望のパターンを有する各透明導電体を適用することができる。
【０１０８】
このように、所望のパターンに形成された透明導電体を積層することにより、タッチパネルを構成することができる。
【実施例】
【０１０９】
以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、実施例において「％」の表示を用いるが、特に断りがない限り「質量％」を表す。
【０１１０】
《各層の形成方法》
〈スパッタ法による硫化亜鉛層（硫化亜鉛スパッタ層）の形成〉
大阪真空社製のマグネトロンスパッタ装置を用い、Ａｒ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．１Ｐａ、室温（２５℃）下、ターゲット側電力１５０Ｗ、形成速度０．３ｎｍ／秒でＺｎＳをＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は９０ｍｍとし、硫化亜鉛スパッタ層を形成した。
【０１１１】
〈蒸着法による硫化亜鉛層（硫化亜鉛蒸着層）の形成〉
真空蒸着装置として、シンクロン社製のＢＭＣ−８００Ｔ蒸着装置を用い、モリブデン製の抵抗加熱ボートにＺｎＳを装填した。そして、真空槽を１×１０−４Ｐａまで減圧した後、抵抗加熱ボートに通電加熱し、抵抗加熱ボートの通電加熱条件を適宜調整して、ＺｎＳの形成速度０．３ｎｍ／秒、形成時間１２０秒の条件で蒸着し、硫化亜鉛蒸着層を形成した。
【０１１２】
〈スパッタ層の形成〉
ＦＴＳコーポレーション社の対向スパッタ機を用い、Ａｒ２０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．５Ｐａ、室温（２５℃）下、ターゲット側電力１５０Ｗ、形成速度１．４ｎｍ／ｓで、Ａｇを対向スパッタした。ターゲット−基板間距離は９０ｍｍとし、Ａｇ層（銀含有金属層）を形成した。ターゲットとして、ＡＰＣ、ＧＺＯ、ＩＴＯ、ＩＧＺＯに関しても同様のスパッタ条件で膜を形成した。
【０１１３】
《透明導電体の作製》
〈層構成１を有する透明導電体の作製〉
ハードコート層付ＰＥＴフィルム（１２５Ｇ１ＳＢＦ、きもと社製）上に、層厚４０ｎｍの硫化亜鉛スパッタ層を形成後、ＧＺＯを層厚１ｎｍ、ＡＰＣを層厚８．４ｎｍ、ＧＺＯを層厚３ｎｍ、ＩＴＯを層厚３５ｎｍで順に形成し、層構成１を有する透明導電体を作製した。
【０１１４】
〈層構成２を有する透明導電体の作製〉
層構成１を有する透明導電体の作製において、ＩＴＯをＩＧＺＯに変更した以外は同様にして、層構成２を有する透明導電体を作製した。
【０１１５】
〈層構成３を有する透明導電体の作製〉
ハードコート層付ＰＥＴフィルム（１２５Ｇ１ＳＢＦ、きもと社製）上に、層厚４０ｎｍの硫化亜鉛蒸着層を形成後、Ａｇを層厚８．４ｎｍ、ＧＺＯを層厚３ｎｍ、ＩＴＯを層厚３５ｎｍで順にスパッタリングして形成し、層構成３を有する透明導電体を作製した。
【０１１６】
〈層構成４を有する透明導電体の作製〉
ハードコート層付ＰＥＴフィルム（１２５Ｇ１ＳＢＦ、きもと社製）上に、層厚４０ｎｍの硫化亜鉛蒸着層を形成後、Ａｇを層厚８．４ｎｍ、ＩＴＯを層厚４０ｎｍで順にスパッタリングして形成し、層構成４を有する透明導電体を作製した。
【０１１７】
〈層構成５を有する透明導電体の作製〉
ハードコート層付ＰＥＴフィルム（１２５Ｇ１ＳＢＦ、きもと社製）上に、層厚４０ｎｍの硫化亜鉛蒸着層を形成後、Ａｇを層厚２０ｎｍ、ＧＺＯを層厚３ｎｍ、ＩＴＯを層厚３５ｎｍで順にスパッタリングして形成し、層構成５を有する透明導電体を作製した。
【０１１８】
《フォトリソグラフィー法によりパターニングされた透明導電体のサンプルの作製》
〈サンプル１０１の作製〉
まず、作製した層構成１を有する透明導電体の上面にポジ型感光性レジスト膜としてＯＦＰＲ５０００（東京応化製）を用いパターンマスクを形成した（図６（ｂ）参照。）。パターンマスクとして、導通領域とエッチング部（非導通領域）との線幅がそれぞれ３０μｍのラインパターンを形成できるマスクを用い、パターンマスクの上から露光した（図６（ｃ）参照。）。
次に、アルカリ水溶液からなる現像液（ＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムハイドライド）の２．３８質量％水溶液）を用いてレジスト現像を行い、露光した感光性レジスト膜を除去した（図６（ｄ）参照。）。
その後、下記組成のエッチング液を用いて、ディップ法により、温度４０℃、浸漬時間１７０秒にて層構成１を有する透明導電体のパターニングを行った（図６（ｅ）参照。）。
次に、感光性レジスト膜をアセトンで剥離し電極パターンを形成し（図６（ｆ）参照。）、パターニングされた透明導電体のサンプル１０１を作製した。
【０１１９】
（エッチング液）
６７％硝酸水溶液１０ｍｌ、８９％リン酸水溶液５０ｍｌ、１００％シュウ酸１０ｍｌ、１００％酢酸３０ｍｌを混合して、エッチング液を調製した。
【０１２０】
〈サンプル１０２の作製〉
サンプル１０１の作製において、下記組成のエッチング液を用いた以外は同様にして、サンプル１０２を作製した。
【０１２１】
（エッチング液）
６７％硝酸水溶液５ｍｌ、８９％リン酸水溶液４０ｍｌ、１００％酢酸３０ｍｌ、９８％硫酸２０ｍｌ、水５ｍｌを混合して、エッチング液を調製した。
【０１２２】
〈サンプル１０３の作製〉
サンプル１０１の作製において、下記組成のエッチング液を用いた以外は同様にして、サンプル１０３を作製した。
【０１２３】
（エッチング液）
６７％硝酸水溶液５ｍｌ、３６％塩酸１５ｍｌ、水８０ｍｌを混合して、エッチング液を調製した。
【０１２４】
〈サンプル１０４の作製〉
サンプル１０１の作製において、下記組成のエッチング液を用いた以外は同様にして、サンプル１０４を作製した。
【０１２５】
（エッチング液）
８９％リン酸水溶液５０ｍｌ、１００％シュウ酸１０ｍｌ、１００％酢酸２０ｍｌ、９８％硫酸１５ｍｌ、水５ｍｌを混合して、エッチング液を調製した。
【０１２６】
〈サンプル１０５の作製〉
サンプル１０１の作製において、層構成１を有する透明導電体に代えて層構成２を有する透明導電体をパターニングした以外は同様にして、サンプル１０５を作製した。
【０１２７】
〈サンプル１０６の作製〉
サンプル１０２の作製において、層構成１を有する透明導電体に代えて層構成２を有する透明導電体をパターニングした以外は同様にして、サンプル１０６を作製した。
【０１２８】
〈サンプル１０７の作製〉
サンプル１０３の作製において、層構成１を有する透明導電体に代えて層構成２を有する透明導電体をパターニングした以外は同様にして、サンプル１０７を作製した。
【０１２９】
〈サンプル１０８の作製〉
サンプル１０４の作製において、層構成１を有する透明導電体に代えて層構成２を有する透明導電体をパターニングした以外は同様にして、サンプル１０８を作製した。
【０１３０】
〈サンプル１０９の作製〉
サンプル１０１の作製において、層構成１を有する透明導電体に代えて層構成３を有する透明導電体をパターニングした以外は同様にして、サンプル１０９を作製した。
【０１３１】
〈サンプル１１０の作製〉
サンプル１０２の作製において、層構成１を有する透明導電体に代えて層構成３を有する透明導電体をパターニングした以外は同様にして、サンプル１１０を作製した。
【０１３２】
〈サンプル１１１の作製〉
サンプル１０３の作製において、層構成１を有する透明導電体に代えて層構成３を有する透明導電体をパターニングした以外は同様にして、サンプル１１１を作製した。
【０１３３】
〈サンプル１１２の作製〉
サンプル１０４の作製において、層構成１を有する透明導電体に代えて層構成３を有する透明導電体をパターニングした以外は同様にして、サンプル１１２を作製した。
【０１３４】
〈サンプル１１３の作製〉
サンプル１０１の作製において、層構成１を有する透明導電体に代えて層構成４を有する透明導電体をパターニングした以外は同様にして、サンプル１１３を作製した。
【０１３５】
〈サンプル１１４の作製〉
サンプル１０２の作製において、層構成１を有する透明導電体に代えて層構成４を有する透明導電体をパターニングした以外は同様にして、サンプル１１４を作製した。
【０１３６】
〈サンプル１１５の作製〉
サンプル１０１の作製において、下記組成のエッチング液を用いた以外は同様にして、サンプル１１５を作製した。
【０１３７】
（エッチング液）
５０％フッ化水素水溶液５０ｍｌ、水５０ｍｌを混合して、エッチング液を調製した。
【０１３８】
〈サンプル１１６の作製〉
サンプル１０１の作製において、層構成１を有する透明導電体に代えて層構成５を有する透明導電体をパターニングした以外は同様にして、サンプル１１６を作製した。
【０１３９】
《評価》
上記で作製したサンプル１０１〜１１６について、サイドエッチング量及び耐久性試験前後の通電性の評価を行った。
【０１４０】
〈サイドエッチング量〉
作製した各サンプルについて、光学顕微鏡（ＶＨＸ−５０００、キーエンス製）を用いて、サイドエッチング量を測定した。
測定結果を表１に示す。
【０１４１】
〈通電性〉
作製した各透明導電体について、常温常湿（２３℃・５０ＲＨ％）環境で２４時間調湿後、テスターを用い、通電性を調べた。また、高温高湿環境の恒温庫内（６０℃・９０％ＲＨ）に移して、耐久試験のため２４０時間放置後、その透明導電体を常温常湿（２３℃・５０％ＲＨ）環境で２４時間調湿後、テスターを用い、通電性を調べた。
配線の断線と、隣り合う配線の短絡の数の合計を全ての配線について調べた。このとき、それぞれの透明導電体を２０サンプル用意し、下記評価基準に従って、初期及び耐久性試験後の通電性を評価した。○であれば、電極パターン形成時のパターニング精度が高いことを表す。
評価結果を表１に示す。
【０１４２】
（初期の通電性）
○：全てのサンプルで、導電性又は通電性が確認された。
△：１〜５サンプルで、導電性又は通電性が確認されなかった。
×：６サンプル以上で、導電性又は通電性が確認されなかった。
【０１４３】
（耐久性試験後の通電性）
○：耐久試験前に対する耐久試験後のシート抵抗の変化率が、１０％未満である。
△：耐久試験前に対する耐久試験後のシート抵抗の変化率が、１０％以上２０％未満である。
×：耐久試験前に対する耐久試験後のシート抵抗の変化率が、２０％以上である。
【０１４４】
【表１】
2016171226.tif 000003
【０１４５】
〈評価結果〉
表１から明らかなように、本発明のサンプル１０１〜１１２、すなわち、Ａｇが薄く、その上に保護層を形成し、エッチング液として、硝酸、塩酸、リン酸、酢酸、シュウ酸及び硫酸から選択される少なくとも１種の酸を含んだ溶液を用いてパターニングしたサンプルは、サイドエッチング量が低減していることがわかった。また、耐久性テストにおいても、本発明のサンプルはサイドエッチング量が抑えられており、通電性が耐久性試験前後においても良好な結果であることが示された。
これに対して、比較例のサンプル１１３及び１１４では、Ａｇの上に保護層が形成されていないため、サイドエッチング量が大きくなっている。そのため、導電性が低下しており、耐久性試験後では部分的に断線部分が発生していた。比較例のサンプル１１５においては、上記酸溶液以外のエッチング液でパターニングしているため、エッチングレートを制御することができず、大きなサイドエッチング量を示した。比較例のサンプル１１６においては、Ａｇの層厚が厚いため、保護層の効果が銀層全体に影響を与えられず、サイドエッチングを抑え込むことができず、サイドエッチング量が大きい結果になった。
【０１４６】
以上から、銀層（銀含有金属層）の層厚が５〜１５ｎｍの範囲内であり、硝酸、塩酸、リン酸、酢酸、シュウ酸及び硫酸から選択される少なくとも１種の酸が含有されているエッチング液を用いてパターニングを行えば、銀層のサイドエッチングを抑えることができ、かつ耐久性を向上させることが確認できた。
【符号の説明】
【０１４７】
１  基材
２  硫化亜鉛層
３  銀含有金属層
４  保護層
５  高屈折率導電層
６Ａ、６Ｂ  ハードコート層
７  硫化防止層
１０、２０  透明導電体
１１  開口部
１２  導通領域
１３  非導通領域
２１  真空蒸着室
２２〜２７  抵抗加熱ボート
３０、３０Ａ  感光性レジスト膜
３１  パターンマスク
３２  光源
３３  エッチング液
４１、４２  透明導電体
４３  前面板
５０  タッチパネル
【図１】
2016171226.tif 000004
【図２】
2016171226.tif 000005
【図３】
2016171226.tif 000006
【図４】
2016171226.tif 000007
【図５】
2016171226.tif 000008
【図６】
2016171226.tif 000009
【図７】
2016171226.tif 000010