(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層と金属層を有する被研磨表面を研磨する研磨液組成物であって、炭素数７〜１０の脂肪族カルボン酸及び／又はその塩と、エッチング剤と水とを含有し、前記エッチング剤が下記Ａ〜Ｅの群から選ばれる一つ以上の化合物である、研磨液組成物。
Ａ：炭素数６以下で１〜３個のカルボキシル基を有する脂肪族有機酸
Ｂ：炭素数７〜１０で１〜４個のカルボキシル基を有する芳香族有機酸
Ｃ：炭素数６以下で１〜４個のホスホン酸基を有する有機酸
Ｄ：分子内に式（Ｉ）：
【化１】
0003919057.tif 000006
で表される構造を２つ以上有するポリアミノカルボン酸
Ｅ：無機酸
【請求項２】
さらに酸化剤を含有する請求項１記載の研磨液組成物。
【請求項３】
さらに研磨材を含有する請求項１又は２記載の研磨液組成物。
【請求項４】
請求項１〜３いずれか記載の研磨液組成物を用いて、絶縁層と金属層を有する被研磨表面を研磨し、平坦化する半導体基板の研磨方法。
【請求項５】
請求項１〜３いずれか記載の研磨液組成物を用いて、絶縁層と金属層を有する被研磨表面を研磨し平坦化する工程を有する半導体基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、絶縁層と金属層を有する被研磨表面を研磨する研磨液組成物に関する。さらに詳しくは、半導体基板上の埋め込み金属配線の形成手法に適用される研磨液組成物、研磨方法及び半導体基板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体装置の製造工程において、半導体基板上の絶縁膜表面に配線形状の溝を形成し、該溝を有する絶縁膜上に銅等からなる金属膜を堆積し、前記金属膜をポリッシング装置及び研磨液により研磨処理することにより、前記溝内のみに金属層を残存させ金属配線層を形成させる方法の研磨工程にはメタルケミカルメカニカルポリッシング（Metal  Chemical  Mechanical  Polishing、以下メタルＣＭＰという）が採用されている。
【０００３】
しかしながら、このメタルＣＭＰには絶縁膜の溝内に金属配線層にディッシング（Dishing)と呼ばれるくぼみが発生し、金属配線層の断面積が減少して、電気抵抗の増大等を引き起こすという問題がある。このディッシングは、研磨液組成物により金属配線層の表面が絶縁膜表面よりも過剰に研磨又はエッチングされて生じるとされている。特に主要な配線金属の１つである銅は、研磨液組成物により過剰にエッチングされて、ディッシングが発生しやすいという欠陥がある。
【０００４】
従って、絶縁膜上の金属膜を研磨するためのエッチング作用は残しつつも、配線形成時には、金属層にディッシング等の欠陥が発生しない研磨液組成物が望まれている。
【０００５】
従来の研磨液として、例えば、特開平１０−４４０４７号公報には水系媒体、研磨材、酸化剤、有機酸を含む研磨液が開示されているが、エッチング作用が強すぎるため、ディッシング防止は不十分である。また、特開平１１−２１５４６号公報には錯生成剤と膜生成剤、研磨材、酸化剤を含む研磨液が開示されているが、エッチングによる浸食を抑制する膜生成剤として用いるベンゾトリアゾールは銅と反応し非常に強固な膜を生成するため、銅などの金属層を研磨するメタルＣＭＰにおいて、研磨速度が不十分となる。また、特開平１１−１９５６２８号公報には、研磨液に酸化やエッチングを抑制する物質としてポリアクリル酸アンモニウムを併用する研磨方法が開示されているが、銅などの金属層を研磨するメタルＣＭＰにおいて、ポリアクリル酸アンモニウムにより銅表面に表面荒れが発生する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、絶縁層と金属層を有する被研磨表面において、金属膜の研磨速度を維持し、エッチング速度を抑制し、金属配線層のディッシング等の防止効果に優れた研磨液組成物、研磨方法、及び半導体基板の製造方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明の要旨は、
〔１〕絶縁層と金属層を有する被研磨表面を研磨する研磨液組成物であって、炭素数７〜１０の脂肪族カルボン酸及び／又はその塩と、エッチング剤と水とを含有し、前記エッチング剤が下記Ａ〜Ｅの群から選ばれる一つ以上の化合物である、研磨液組成物（以下、第１研磨液組成物ともいう）、
Ａ：炭素数６以下で１〜３個のカルボキシル基を有する脂肪族有機酸
Ｂ：炭素数７〜１０で１〜４個のカルボキシル基を有する芳香族有機酸
Ｃ：炭素数６以下で１〜４個のホスホン酸基を有する有機酸
Ｄ：分子内に式（Ｉ）：
【化２】
0003919057.tif 000002
で表される構造を２つ以上有するポリアミノカルボン酸
Ｅ：無機酸
〔２〕さらに、酸化剤を含有する〔１〕記載の研磨液組成物（以下、第２研磨液組成物ともいう）、
〔３〕さらに研磨材を含有する〔１〕又は〔２〕記載の研磨液組成物（以下、第３研磨液組成物ともいう）、
〔４〕前記〔１〕〜〔３〕いずれか記載の研磨液組成物を用いて、絶縁層と金属層を有する被研磨表面を研磨し、平坦化する半導体基板の研磨方法、
〔５〕前記〔１〕〜〔３〕いずれか記載の研磨液組成物を用いて、絶縁層と金属層を有する被研磨表面を研磨し平坦化する工程を有する半導体基板の製造方法に関する。
【０００８】
【発明の実施の形態】
本発明において、前記炭素数７〜２４の脂肪族カルボン酸及び／又はその塩とエッチング剤とを併用して用いることに一つの大きな特徴があり、かかる炭素数７〜２４の脂肪族カルボン酸及び／又はその塩はエッチング速度の抑制作用を有することから、これらの化合物とエッチング剤とを含有する研磨液組成物を用いることで、実用レベルでの研磨速度を維持し、且つ金属膜の過剰なエッチングを防止することができ、ディッシング等の欠陥のない研磨表面を得ることができるという優れた効果が発現される。
【０００９】
脂肪族カルボン酸及び／又はその塩において、研磨速度を維持し、且つディッシングを抑制するという観点から、脂肪族カルボン酸及び／又はその塩の炭素数は７〜２４であるが、さらに研磨液への溶解性、低発泡性及び研磨速度を実用レベルに保ち、且つディッシング抑制の観点から、炭素数７〜２０が好ましく、７〜１６がより好ましく、７〜１２がさらに好ましく、７〜１０が特に好ましい。
【００１０】
また、脂肪族カルボン酸及び／又はその塩の炭化水素基は、飽和及び不飽和のいずれであってもよく、直鎖及び分岐鎖のいずれの基であってもよい。
【００１１】
また、脂肪族カルボン酸の塩は、アンモニウム塩、有機アミン塩、アルカリ金属塩のいずれであってもよいが、半導体の汚染防止の観点からアンモニウム塩、モノエタノールアミン塩、ジエタノールアミン塩、トリエタノールアミン塩及びトリエチルアミン塩等の有機アミン塩が好ましい。
【００１２】
これらの脂肪族カルボン酸及びその塩の具体例としては、ヘプタン酸、オクタン酸、ノナン酸、デカン酸、ラウリン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、エイコサン酸等の直鎖飽和脂肪族カルボン酸、ヘプテン酸、オクテン酸、デセン酸、ドデセン酸、オレイン酸等の直鎖不飽和脂肪族カルボン酸、２−メチルヘキサン酸、２−エチルヘキサン酸、３，５−ジメチルヘキサン酸、３，５，５−トリメチルヘキサン酸、イソデカン酸等の分岐鎖飽和脂肪族カルボン酸及びこれらの脂肪族カルボン酸のアンモニウム塩、有機アミン塩、アルカリ金属塩等が挙げられる。これらの中でも研磨速度とディッシング抑制の点から直鎖又は分岐鎖の飽和脂肪族カルボン酸及びそのアンモニウム塩が好ましく、研磨液への溶解性と低発泡性の点からヘプタン酸及びそのアンモニウム塩、オクタン酸及びそのアンモニウム塩、ノナン酸及びそのアンモニウム塩、デカン酸及びそのアンモニウム塩が特に好ましい。これらの炭素数７〜２４の脂肪族カルボン酸及びその塩は、単独で又は２種以上を混合して使用してもよい。
【００１３】
脂肪族カルボン酸及びその塩の研磨液組成物中における配合量は、研磨速度を維持し、且つディッシングを抑制する観点から、０．０１〜３０重量％が好ましく、０．０２〜１０重量％がより好ましく、０．０３〜５重量％がさらに好ましい。
【００１４】
本発明に用いられるエッチング剤は、水媒体共存下で、金属、特に銅を溶解、エッチングするものであり、下記のエッチング試験Ａより得られるエッチング速度ａが３Å／ｍｉｎ以上の化合物である。即ち、エッチング試験Ａは、まず、長さ１００ｍｍの銅リボン（（株）ニラコ製：厚み０．１０ｍｍ、幅６ｍｍ）を用意し、表面の汚れ等を紙で拭きとった後、ノルマルヘキサンに浸した状態で超音波洗浄を１分間行い、十分に脱脂し、乾燥させる。その後リボン全面に研磨液が浸漬するようにその金属試験片を、螺旋状に巻き、試験前の金属試験片とし、精密天秤により、浸漬前重量を測定する。
【００１５】
次に、エッチング剤を２重量％水溶液とし、さらにアンモニア水によりｐＨを８±０．５に調整したエッチング液１００ｇを１５０ｃｃのビーカー（（株）テラオカ  １５０ｃｃデスカップ）に用意し、その中に前記金属試験片を２５℃で１２時間浸漬する。浸漬中はマグネティックスターラーで銅リボンがエッチング液の流れによって回転する程度に攪拌する。試験後、銅リボン表面を充分に拭き取り、再度精密天秤にて重量を測定し、試験後の重量とする。試験前後の銅リボンの重量減少から銅の膜厚減少量を換算し、それをエッチング時間で除すことによりエッチング速度ａを求める。実用的な研磨速度を得るという観点から、上記エッチング試験Ａより得られるエッチング速度ａが３Å／ｍｉｎ以上のエッチング剤が好ましく、５Å／ｍｉｎ以上のエッチング剤がより好ましく、１０Å／ｍｉｎ以上のエッチング剤がさらに好ましい。この場合のエッチング速度ａは、２つ以上のエッチング剤を併用した場合のエッチング速度であってもよい。
【００１６】
好ましいエッチング剤としては、適切なエッチング速度を有する観点から、下記Ａ〜Ｅの群から選ばれる一つ以上の化合物を含むものである。
Ａ：炭素数６以下で１〜３個のカルボキシル基を有する脂肪族有機酸
Ｂ：炭素数７〜１０で１〜４個のカルボキシル基を有する芳香族有機酸
Ｃ：炭素数６以下で１〜４個のホスホン酸基を有する有機酸
Ｄ：分子内に式（Ｉ）：
【００１７】
【化１】
0003919057.tif 000003
【００１８】
で表される構造を２つ以上有するポリアミノカルボン酸
Ｅ：無機酸
【００１９】
具体的には、Ａの炭素数６以下で１〜３個のカルボキシル基を有する脂肪族有機酸として、ギ酸、酢酸、プロピオン酸等のモノカルボン酸；シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、トリカルバリル酸等の多価カルボン酸；グリコール酸、乳酸、２−ヒドロキシプロピオン酸、リンゴ酸、酒石酸、クエン酸、グルコン酸等のヒドロキシカルボン酸；グリシン、アラニン、アスパラギン酸等のアミノ酸等が挙げられる。Ｂの炭素数７〜１０で１〜４個のカルボキシル基を有する芳香族有機酸として、安息香酸、フタル酸、トリメリット酸、ピロメリット酸、マンデル酸、サリチル酸等が挙げられる。Ｃの炭素数６以下で１〜４個のホスホン酸基を有する有機酸として、メチルホスホン酸、フェニルホスホン酸等のホスホン酸；メチルホスフィン酸、フェニルホスフィン酸等のホスフィン酸；ホスホン酸メチルエステル等のホスホン酸エステル；アミノトリ（メチレンホスホン酸）、１−ヒドロキシエチリデン−１−ジホスホン酸等のアミノホスホン酸等が挙げられる。Ｄの分子内に式（Ｉ）で表される構造を２つ以上有するポリアミノカルボン酸として、エチレンジアミン四酢酸、ニトリロ三酢酸、ジエチレンジアミン五酢酸、トリエチレンテトラミン六酢酸、ヒドロキシエチルエチレンジアミン三酢酸等が挙げられる。Ｅの無機酸として、塩酸、過塩素酸、硫酸、硝酸、リン酸、ホスホン酸、ホスフィン酸等が挙げられる。これらの中でも、研磨速度の点からＡ又はＢに属する多価カルボン酸又はヒドロキシカルボン酸、Ｃに属するアミノホスホン酸、Ｄに属する分子内に式（Ｉ）で表される構造を２つ以上有するポリアミノカルボン酸、Ｅに属する塩酸、硫酸、硝酸及びリン酸が好ましく、シュウ酸、コハク酸、グリコール酸、乳酸、クエン酸、リンゴ酸、グルコン酸、フタル酸、アミノトリ（メチレンホスホン酸）、１−ヒドロキシエチリデン−１−ジホスホン酸、エチレンジアミン四酢酸、塩酸及び硫酸がさらに好ましい。これらのエッチング剤は単独で又は２種類以上を混合して用いても良い。
【００２０】
なお、これらエッチング剤のエッチング速度ａは、例えば、グリコール酸：６０Å／ｍｉｎ、クエン酸：２５Å／ｍｉｎ、フタル酸：５０Å／ｍｉｎ、アミノトリ（メチレンホスホン酸）：１０Å／ｍｉｎ、エチレンジアミン四酢酸：３０Å／ｍｉｎ、酢酸：７０Å／ｍｉｎ、グリシン：４０Å／ｍｉｎ、塩酸：４００Å／ｍｉｎ、硫酸：１００Å／ｍｉｎである。又、炭素数７〜２４の脂肪族カルボン酸のエッチング速度ａは２Å／ｍｉｎ以下であり、エッチング剤と比べ、エッチング力がないかほとんど認められないものである。
【００２１】
本発明に用いられるエッチング剤は、さらに酸化剤、砥粒等が共存する研磨液組成物（但し、炭素数７〜２４の脂肪族カルボン酸及び／又はその塩を含有しない組成物）に調製した際に、下記のエッチング試験Ｂより得られる研磨液組成物のエッチング速度ｂが２０Å／ｍｉｎ以上となるように、その種類、含有量等を調整することが好ましい。即ち、エッチング試験Ｂは、エッチング試験Ａのエッチング液として、水、研磨材及びエッチング剤、要すればさらに酸化剤を含む研磨液組成物を用いて、室温（２５℃）２時間浸漬すること以外はエッチング試験Ａと全く同一の操作で行う。エッチング試験Ｂによって求めたエッチング速度をエッチング速度ｂとする。実用的な研磨速度を得るという観点から、上記エッチング試験Ｂより得られるエッチング速度ｂは２０Å／ｍｉｎ以上が好ましく、３０Å／ｍｉｎ以上がより好ましく、５０Å／ｍｉｎ以上がさらに好ましい。この場合のエッチング速度ｂは、２つ以上のエッチング剤を併用した研磨液組成物のエッチング速度であってもよい。
【００２２】
本発明において、かかるエッチング剤を用いることで、金属層を構成する各種金属、特に銅と錯体を形成し又は結合し、水溶性の塩及び／又はキレート化合物として表面からの除去を容易にし、研磨の際に、金属層の研磨速度を向上させる効果が発現される。
【００２３】
エッチング剤の研磨液組成物中における配合量は、金属層の除去のために実用レベルでの研磨速度を確保し、且つ金属層の過剰なエッチングを防ぐために種々選択することができ、好ましくは０．１〜１０重量％、より好ましくは０．２〜８重量％、さらに好ましくは０．３〜５重量％である。
【００２４】
本発明に用いられる水は、媒体として用いられるものである。その配合量は、被研磨物を効率よく研磨できる観点から、研磨液組成物中において、好ましくは６０〜９９．８９重量％、より好ましくは７０〜９９．４重量％、さらに好ましくは８０〜９９．０重量％である。
【００２５】
かかる組成を有する本発明の第１研磨液組成物のｐＨは、研磨速度を実用レベルに保ち、且つディッシング抑制の観点及び表面の微細なスクラッチ傷を除去する観点から、１０以下が好ましく、２〜９．５がより好ましく、４〜９がさらに好ましく、７〜９が特に好ましい。ｐＨを前記範囲内に調整するためには、必要に応じて、硝酸、硫酸等の無機酸、有機酸、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、アンモニア、有機アミン等の塩基性物質を適時配合することができる。
【００２６】
本発明の第２研磨液組成物は、第１研磨液組成物に酸化剤がさらに配合されたものである。本発明に用いられる酸化剤は、金属を酸化させるものである。本発明においては、かかる酸化剤を用いることにより、金属層を酸化させ、金属層の機械的研磨効果を促進させる効果又はエッチング剤による銅の溶解を促進させる効果が発現されると考えられる。
【００２７】
酸化剤としては、過酸化物、過マンガン酸又はその塩、クロム酸又はその塩、硝酸又はその塩、ペルオクソ酸又はその塩、酸素酸又はその塩、金属塩類、硫酸類等が挙げられる。
【００２８】
その具体例として、過酸化物としては、過酸化水素、過酸化ナトリウム、過酸化バリウム等；過マンガン酸又はその塩としては、過マンガン酸カリウム等；クロム酸又はその塩としては、クロム酸金属塩、重クロム酸金属塩等；硝酸塩としては、硝酸鉄（III)、硝酸アンモニウム等；ペルオクソ酸又はその塩としては、ペルオクソ二硫酸、ペルオクソ二硫酸アンモニウム、ペルオクソ二硫酸金属塩、ペルオクソリン酸、ペルオクソ硫酸、ペルオクソホウ酸ナトリウム、過ギ酸、過酢酸、過安息香酸、過フタル酸等；酸素酸又はその塩としては、次亜塩素酸、次亜臭素酸、次亜ヨウ素酸、塩素酸、臭素酸、ヨウ素酸、過塩素酸、次亜塩素酸ナトリウム、次亜塩素酸カルシウム等；金属塩類としては、塩化鉄 (III)、硫酸鉄 (III)、クエン酸鉄（III)、硫酸アンモニウム鉄（III)等が挙げられる。好ましい酸化剤としては、過酸化水素、硝酸鉄（III)、過酢酸、ペルオクソ二硫酸アンモニウム、硫酸鉄（III)及び硫酸アンモニウム鉄（III)が挙げられ、特に、半導体の汚染防止の観点から過酸化水素が好ましい。これらの酸化剤は、単独で又は２種以上を混合して使用してもよい。
【００２９】
酸化剤は、第２研磨液組成物中において水を媒体とした状態で使用される。該酸化剤の第２研磨液組成物中における配合量は、金属層の迅速な酸化により、実用レベルの研磨速度を得る観点から、好ましくは０．１〜６０重量％、より好ましくは０．２〜５０重量％、さらに好ましくは０．３〜３０重量％、特に好ましくは０．３〜１０重量％である。
【００３０】
また、第２研磨液組成物における炭素数７〜２４の脂肪族カルボン酸及び／又はその塩の配合量は、好ましくは０．０１〜３０重量％、より好ましくは０．０２〜１０重量％、さらに好ましくは０．０３〜５重量％である。エッチング剤の配合量は、好ましくは０．１〜１０重量％、より好ましくは０．２〜８重量％、さらに好ましくは０．３〜５重量％である。水の配合量は、好ましくは３９．８９〜９９．７９重量％、より好ましくは７０〜９９．４重量％、さらに好ましくは８０〜９９重量％である。かかる組成を有する第２研磨液組成物のｐＨは、第１研磨液組成物と同様、研磨速度を実用レベルに保ち、且つディッシング抑制の観点及び表面の微細なスクラッチ傷を除去する観点から、１０以下が好ましく、２〜９．５がより好ましく、４〜９がさらに好ましく、７〜９が特に好ましい。ｐＨを前記範囲内に調整するためには、必要に応じて、硝酸、硫酸等の無機酸、有機酸、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、アンモニア、有機アミン等の塩基性物質を適時配合することができる。
【００３１】
本発明の第１及び第２研磨液組成物は、固定砥石、パッド中に砥粒を固定した研磨パッド等を用いる研磨方式において有効である。例えば、固定砥石による研磨方式の研磨中に本発明の第１及び第２の研磨液組成物を使用することにより、研磨速度を維持し、且つ金属層のディッシングを抑制することができる。
【００３２】
本発明の第３研磨液組成物は、第１又は第２研磨液組成物に研磨材をさらに含有させたものであり、遊離研磨材による研磨方式に用いられるものである。
【００３３】
研磨材としては、研磨用に一般に使用される研磨材を使用することができ、例えば、金属、金属又は半金属の炭化物、金属又は半金属の窒化物、金属又は半金属の酸化物、金属又は半金属のホウ化物、ダイヤモンド等が挙げられる。金属又は半金属元素は周期律表の３Ａ、４Ａ、５Ａ、３Ｂ、４Ｂ、５Ｂ、６Ｂ、７Ｂ又は８Ｂ族に属するものが挙げられる。その例としては、二酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化セリウム、酸化チタン、酸化ジルコニウム、窒化ケイ素、二酸化マンガン、炭化ケイ素、酸化亜鉛、ダイヤモンド及び酸化マグネシウムが挙げられる。これらの中では、二酸化ケイ素、酸化アルミニウム及び酸化セリウムが好ましく、この具体例として、二酸化ケイ素としては、コロイダルシリカ粒子、フュームドシリカ粒子、表面修飾したシリカ粒子等；酸化アルミニウムとしては、α―アルミナ粒子、γ―アルミナ粒子、δ―アルミナ粒子、θ―アルミナ粒子、η―アルミナ粒子、無定型アルミナ粒子、その他の製造法の異なるフュームドアルミナやコロイダルアルミナ等；酸化セリウムとしては、酸化数が３価又は４価のもの、結晶系が、六方晶系、等軸晶系又は面心立方晶系のもの等が挙げられる。特に好ましくは二酸化ケイ素である。これらの研磨材は、単独で又は２種以上を混合して用いてもよい。
【００３４】
かかる研磨材の一次粒子の平均粒径は、好ましくは５〜１０００nm、より好ましくは１０〜５００nm、さらに好ましくは２０〜３００nm、特に好ましくは５０nm〜２００nm、最も好ましくは５０〜１００nmである。該平均粒径の下限は、一定の研磨速度を維持する観点から、５nm以上が好ましく、また、その上限は、被研磨物の表面に引っ掻き傷（スクラッチ）を発生させない観点から、１０００nm以下が好ましい。
【００３５】
特に研磨材として二酸化ケイ素を用いた場合には、研磨速度を向上させる観点から、１次粒子の平均粒径は、５nm以上、好ましくは１０nm以上、より好ましくは２０nm以上である。
【００３６】
なお、研磨材の一次粒子の平均粒径は、０．１％ポリスチレンスルフォン酸ソーダ水溶液１００ｇに該研磨材０．１ｇを加え、次いで超音波を印加し該研磨材を分散させたものを透過型電子顕微鏡で観察して画像解析により求められる。
【００３７】
第３研磨液組成物を半導体装置の配線形成の際に用いる場合、特に好ましく用いられる研磨材は、純度が好ましくは９８重量％以上、より好ましくは９９重量％以上、特に好ましくは９９．９重量％以上のシリカ粒子である。かかる研磨材としては、四塩化ケイ素等の揮発性ケイ素化合物を酸水素焔中での高温加水分解により製造されるフュームドシリカ、又はケイ酸アルカリやケイ酸エチルを出発原料とする製法で得られるコロイダルシリカが挙げられる。
【００３８】
なお、前記研磨材の純度は、次のようにして求められる。即ち、研磨材１〜３ｇを酸又はアルカリ水溶液に溶かし、ＩＣＰ（プラズマ発光分析）法により、ケイ素イオンを定量することにより測定することができる。
【００３９】
かかる研磨材は、第３研磨液組成物中において水を媒体とした、いわゆるスラリー状態で使用される。研磨材の第３研磨液組成物中における配合量は、本発明の研磨液組成物の粘度や被研磨物の要求品質等に応じて種々選択することができ、０．０１〜３０重量％が好ましく、０．１〜２０重量％がより好ましく、１．０〜１０重量％がさらに好ましい。
【００４０】
炭素数７〜２４の脂肪族カルボン酸及び／又はその塩の第３研磨液組成物中における配合量は、研磨速度を維持し、且つディッシングを抑制する観点から、０．０１〜３０重量％が好ましく、０．０２〜１０重量％がより好ましく、０．０３〜５重量％がさらに好ましい。
【００４１】
エッチング剤の第３研磨液組成物中における配合量は、金属層除去のために実用レベルの研磨速度を確保し、且つ金属層の過剰なエッチングを防ぐために種々選択することができ、例えば、好ましくは０．１〜１０重量％、より好ましくは０．２〜８重量％、さらに好ましくは０．３〜５重量％である。
【００４２】
酸化剤の第３研磨液組成物中における配合量は、金属層の迅速な酸化により、実用レベルの研磨速度を得る観点から、好ましくは０．１〜６０重量％、より好ましくは０．２〜５０重量％、さらに好ましくは０．３〜３０重量％、特に好ましくは０．３〜１０重量％である。
【００４３】
また、第３研磨液組成物における水の配合量は、好ましくは３９．８８〜９９．８９重量％、より好ましくは６０〜９９．４重量％、さらに好ましくは７５〜９９重量％である。かかる組成を有する第３研磨液組成物のｐＨは、第１研磨液組成物と同様、研磨速度を実用レベルに保ち、且つディッシング抑制の観点及び表面の微細なスクラッチ傷を除去する観点から、１０以下が好ましく、２〜９．５がより好ましく、４〜９がさらに好ましく、７〜９が特に好ましい。ｐＨを前記範囲内に調整するためには、必要に応じて、硝酸、硫酸等の無機酸、有機酸、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、アンモニア、有機アミン等の塩基性物質を適時配合することができる。
【００４４】
本発明の第１研磨液組成物は、例えば以下のような手順により調製することができる。まず、所定量の水にエッチング剤を加え、ｐＨを所定の値に調整する。上記ｐＨ調整を行ったエッチング剤の水溶液に、予め所定のｐＨに調整した炭素数７〜２４の脂肪族カルボン酸及び／又はその塩の水溶液を所定量加え、最終的にｐＨ調整を行うことで第１研磨液組成物を得ることができる。
【００４５】
第２研磨液組成物は、例えば以下のような手順により調製することができる。まず、所定量の水にエッチング剤を加え、ｐＨを所定の値に調整する。上記ｐＨ調整を行ったエッチング剤の水溶液に、予め所定のｐＨに調整した炭素数７〜２４の脂肪族カルボン酸及び／又はその塩の水溶液を所定量加える。研磨前に酸化剤を加え、最終的にｐＨの調整を行うことで第２研磨液組成物を得ることができる。
【００４６】
第３研磨液組成物は、例えば以下のような手順により調製することができる。まず、所定量の水にエッチング剤を加え、ｐＨを所定の値に調整する。上記ｐＨ調整を行ったエッチング剤の水溶液に、所定量の研磨材を加え、研磨材が均一に分散するよう十分に撹拌する。さらに予め所定のｐＨに調整した炭素数７〜２４の脂肪族カルボン酸及び／又はその塩の水溶液を所定量加え、必要に応じて研磨前に所定量の酸化剤を添加し、最終的にｐＨ調整を行うことで、第３研磨液組成物を得ることができる。
【００４７】
また、第１〜第３研磨液組成物には、各種界面活性剤、分散安定化剤等の上記以外の研磨助剤を加えてもよい。
【００４８】
本発明の研磨液組成物は、絶縁層と金属層を有する表面を研磨の対象とし、メタルＣＭＰに好適に用いられる。金属層を形成する金属としては、銅又は銅合金、アルミニウム又はアルミニウム合金、タングステン等が挙げられる。これらの中では、特に半導体基板上の埋め込み金属配線形成工程に用いる場合、銅又は銅合金が好ましい。かかる銅又は銅合金の金属配線層の形成に、本発明の研磨液組成物を用いると、研磨速度を維持し、且つ埋め込み金属配線層のディッシングを抑制する効果が特に顕著に発現される。また、絶縁層を形成する材としては、有機、無機いずれの材を用いてもよく、二酸化ケイ素、フッ素添加二酸化ケイ素、水素含有ＳＯＧ（スピンオングラス）、窒化物（例えば、窒化タンタル、窒化チタン等）等の無機系の材、有機ＳＯＧ、ポリイミド、フッ素化ポリイミド、メチルポリシロキサン、芳香族ポリエーテル、ハイドロジェンシルセスキオキサン、フルオロカーボン等の有機系の材が挙げられる。
【００４９】
これらの被研磨物の形状は、半導体基板上の絶縁膜表面に配線形状の溝を形成し、該溝を含む絶縁膜上に金属が堆積した形状であることが好ましい。また、絶縁膜と金属層の間にタンタル、チタン又はそれらの窒化物からなるバリア膜が設けられてもよい。特に金属層が銅又は銅合金である場合、前記バリア膜を設けることにより、絶縁層への銅の拡散を防止できるため好ましい。
【００５０】
本発明の第１及び第２研磨液組成物は固定砥石、パッド中に砥石を固定した研磨パッド等を用いる研磨方式において有効であり、第３の研磨液組成物は通常のウレタン製の研磨パッドを用いる遊離研磨材による研磨方式において有効であるが、固定砥石、パッド中に砥石を固定した研磨パッド等を用いる研磨方式においても有効である。
【００５１】
本発明の絶縁層と金属層を有する被研磨表面の研磨方法は、本発明の研磨液組成物を用いて半導体基板を研磨し、平坦化する工程を有する。
【００５２】
また、本発明の半導体基板の製造方法は、本発明の研磨液組成物を用い、絶縁層と金属層を有する半導体表面を研磨することにより、金属層の研磨速度を維持し、且つ埋め込み金属配線層のディッシングを抑制できるため、半導体基板の製造に好適に用いることができる。
【００５３】
【実施例】
実施例１〜１２及び比較例１〜１２
所定量の水に表１〜２に示すエッチング剤、過酸化水素をそれぞれ表１〜２に示す組成になるように混合し、さらに表１〜２に示した研磨材５重量％分を混合、攪拌した後、混合液のｐＨが７．５〜８になるようにアンモニア水を加える。これとは別に、予め表１〜２に示す炭素数７〜２４の脂肪族カルボン酸にアンモニア水を加えｐＨを７．５〜８とすることで脂肪族カルボン酸及びその塩の水溶液を調製する。この脂肪族カルボン酸及びその塩の水溶液を前記混合液に表１〜２に示す組成になるように混合し、攪拌した後、混合液のｐＨを表１〜２に示した値に調整し、研磨液組成物を得た。なお、使用した各研磨材は、フュームドシリカ（１次粒径：５０ｎｍ）、コロイダルシリカ（１次粒径：１００ｎｍ）である。また、直径５０ｍｍ、板厚１ｍｍの圧延した銅板を片面研磨機により下記の条件にて研磨した。以下、かぎ括弧内の用語は、商品名を示す。
【００５４】
＜片面加工機の設定条件＞
使用片面加工機：エンギス社製  片面加工機（定盤サイズ30cm）
加工圧力：29.4×103 Pa
研磨パッド：上層：「IC1000」（ロデールニッタ社製）、下層：「SUBA400 」
（ロデールニッタ社製）
定盤回転数：60rpm
ワーク回転数：50rpm （定盤とワークは同一方向に回転）
研磨液組成物供給流量：100ml/min
研磨時間：10分間
【００５５】
また、相対研磨速度、相対エッチング速度、被研磨表面のディッシング、銅の表面状態等の研磨液組成物の特性を以下の方法に従って評価した。これらの結果を表１〜２に示す。
【００５６】
（相対研磨速度）
相対研磨速度とは、研磨液組成物の研磨速度をその研磨液組成物と研磨材、酸化剤及びエッチング剤の種類及び量を同一とした研磨液組成物（比較例）の研磨速度で除した値である。研磨速度は直径５０ｍｍ、板厚１ｍｍの圧延した銅板を上記研磨条件で研磨し、研磨前後の板厚変化を測定し、それを研磨時間で除することにより求めた。なお、銅板の板厚は、東京精密社製、高精度デジタル測長器「ＭＩＮＩＡＸ」を用いて測定した。実施例１〜６は比較例１を、実施例７は比較例２を、実施例８は比較例３を、実施例９は比較例４を、実施例１０は比較例５を、実施例１１は比較例１１を、実施例１２は比較例１２を、比較例９は比較例１を、比較例１０は比較例２を基準とした。なお、比較例６〜８は上記規定とは異なり、比較例１を基準として相対研磨速度を算出した。
【００５７】
（相対エッチング速度）
相対エッチング速度は、脂肪族カルボン酸及び／又はその塩を含有する研磨液組成物のエッチング速度を脂肪族カルボン酸及び／又はその塩を含有しないが研磨材、酸化剤及びエッチング剤の種類及び量を同一とした研磨液組成物のエッチング速度ｂで除した値である。実施例１〜６は比較例１を、実施例７は比較例２を、実施例８は比較例３を、実施例９は比較例４を、実施例１０は比較例５を、実施例１１は比較例１１を、実施例１２は比較例１２を、比較例９は比較例１を、比較例１０は比較例２を基準とした。なお、比較例６〜８は上記規定と異なり、比較例１を基準として相対エッチング速度を算出した。また、実施例１〜１２及び比較例７〜８の研磨液組成物のエッチング速度は、これら研磨液組成物を用いる以外は、前記エッチング試験Ｂと同じ条件下で測定された値である。
【００５８】
（ディッシング）
ディッシング評価のために、銅ダマシン配線パターン付きウエハ（ＳＫＷ社製、「SKW6-2」、サイズ：200mm ）から２０mm角のウエハチップを切り出し、ウエハチップ５枚をセラミック製の貼り付け板に固定後、上記条件で状態を確認しながら配線幅１５０μｍの銅配線部分周辺の銅膜が除去され、バリア膜が現れた時点まで研磨し、この時点まで要した研磨時間の２０％の時間でさらに研磨し、ディッシング評価用サンプルとした。ディッシングは、ウエハチップ上の配線幅１50μｍの銅配線部分の断面形状プロファイルを表面粗さ測定機（（株）ミツトヨ製「SV-600」）で測定し、評価した。なお、測定した銅配線の断面形状プロファイルに０．１５μｍ以上の凹みがない場合、ディッシング無しとし、０．１５μｍ以上の凹みがある場合、ディッシング有りとし、表１〜２中それぞれ「無」、「有」で示す。
【００５９】
（銅表面状態）
ディッシング評価に用いたウエハチップ表面の配線幅１50μｍの銅配線部分の銅膜の表面状態を光学顕微鏡で観察し、荒れの有無を確認した。
【００６０】
なお、比較例１〜６の研磨液組成物のエッチング速度ｂは以下の通りである。比較例１（５０Å／ｍｉｎ）、比較例２（１００Å／ｍｉｎ）、比較例３（２００Å／ｍｉｎ）、比較例４（６００Å／ｍｉｎ）、比較例５（５０Å／ｍｉｎ）、比較例６（１００Å／ｍｉｎ）。
【００６１】
【表１】
0003919057.tif 000004
【００６２】
【表２】
0003919057.tif 000005
【００６３】
表１〜２の結果から炭素数７〜２４の脂肪族カルボン酸を研磨液組成物に配合した実施例１〜１２の研磨液組成物はいずれも、配合しない比較例１〜５、１１、１２の研磨液組成物に比べて、研磨速度を実質的に低下させることなく、エッチング速度を抑制し、ディッシングが発生しないものであることがわかる。
【００６４】
また、炭素数７〜２４の脂肪族カルボン酸を用いることなく、２種類の炭素数６以下の脂肪族カルボン酸を併せて用いた比較例６の研磨液組成物はエッチング速度が高く、ディッシングが発生するものであることがわかる。
【００６５】
また、２種類の炭素数７〜２４の脂肪族カルボン酸を併せて用いた比較例７の研磨液組成物や銅と水溶性の塩を形成する有機酸を配合しない比較例８の研磨液組成物、エッチングを抑制するベンゾトリアゾールを配合した比較例９の研磨液組成物は、いずれも研磨速度が非常に低く、ポリアクリル酸アンモニウムを配合した比較例１０の研磨液組成物は銅表面に荒れが発生していることがわかる。
【００６６】
従って、炭素数７〜２４の脂肪族カルボン酸とエッチング剤を併用することにより、より高い研磨速度を実現でき、且つディッシングを防止できることがわかる。
【００６７】
特に、研磨時の泡立ちの点から炭素数７〜２４の脂肪族カルボン酸としては、ヘプタン酸、オクタン酸及びノナン酸がより好ましい。
【００６８】
【発明の効果】
本発明の研磨液組成物を絶縁層と金属層を有する被研磨表面の研磨に用いることにより、金属膜の研磨速度を維持し、エッチング速度を抑制し、配線金属層にディッシング等の欠陥を発生させないという効果が奏される。