(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体レーザの出射光における一部を透過あるいは反射する光学部品と、この光学部品からの透過光あるいは反射光を受光するモニタ用受光素子とを備え、このモニタ用受光素子の出力に基づいて前記半導体レーザの出射パワー制御を行う光学装置において、
前記半導体レーザを平行光に変換するコリメートレンズを備え、前記モニタ用受光素子が、平行光に変換された光の一部を前記光学部品により透過あるいは反射させた光を用い、かつ前記モニタ用受光素子が、前記コリメートレンズの焦点距離をｆaとしたとき、
【数１】
0004000388.tif 000004
を満たす所定有効径φaの光束を受光して、出射パワー制御用の信号を出力する構成にしたことを特徴とする光学装置。
【請求項２】
半導体レーザの出射光における一部を透過あるいは反射する光学部品と、この光学部品からの透過光あるいは反射光を受光するモニタ用受光素子とを備え、このモニタ用受光素子の出力に基づいて前記半導体レーザの出射パワー制御を行う光学装置において、
前記半導体レーザを平行光に変換するコリメートレンズと、前記モニタ用受光素子の前段に設置される集光レンズとを備え、前記モニタ用受光素子が、平行光に変換された光の一部を前記光学部品により透過あるいは反射させて前記集光レンズで集光した光を用い、かつ前記モニタ用受光素子が、前記コリメートレンズの焦点距離をｆa、前記集光レンズの焦点距離をｆｂ、前記集光レンズのＮＡをｎａｂ、前記集光レンズと前記モニタ用受光素子の受光面との距離をｄとしたとき、
【数２】
0004000388.tif 000005
を満たす所定有効径φbの光束を受光して出射パワー制御を行う構成にしたことを特徴とする光学装置。
【請求項３】
前記光学部品に、所定光量の光を前記モニタ用受光素子方向に透過あるいは反射させるように光学的コート処理を施したことを特徴とする請求項１または２に記載の光学装置。
【請求項４】
前記光学部品の入射面に対して、前記半導体レーザから出射される光ビームを、所定の入射角で斜め方向から入射させるとともに、該入射面から反射される前記光ビームの一部を前記モニタ用受光素子において受光させることを特徴とする請求項１〜３いずれか１項に記載の光学装置。
【請求項５】
前記光学部品の入射面に対して、前記半導体レーザから出射される光ビームを、所定の入射角で入射／反射させて対象物方向に向かわせるとともに、該入射面を透過する前記光ビームの一部を前記モニタ用受光素子で受光させることを特徴とする請求項１〜３いずれか１項に記載の光学装置。
【請求項６】
光記録媒体に対して情報の記録および／または読取を行う光ピックアップ装置であって、請求項１〜５いずれか１項に記載の光学装置を搭載したことを特徴とする光ピックアップ装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体レーザの出射パワーをモニタ用受光素子の出力に基づいて制御する光学装置、および、その光学装置を搭載した光ピックアップ装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
この種の従来技術として、特公昭６１―８４９５号公報に記載された光ピックアップ装置を挙げることができる。この従来技術の概要を図８を参照して説明する。
【０００３】
図８において、光源としての半導体レーザ３１から出射された光はコリメートレンズ３２により平行光とされた後、偏光ビームスプリッタ３３を透過し、１／４波長板３４を経た後、対物レンズ３５により光ディスクなどの光記録媒体３６の記録面に集光照射される。光記録媒体３６からの反射光は、再び、対物レンズ３５，１／４波長板３４を経ることにより偏光方向が９０°変換され、偏光ビームスプリッタ３３で反射されて光路が９０度偏向される。偏光ビームスプリッタ３３を反射した光は検出系受光素子３７に結像され、検出系受光素子３７から出力される信号が情報信号／フォーカスエラー信号／トラッキングエラー信号などの検出に供される。
【０００４】
この種の光ピックアップ装置では、各種情報を安定して検出したり、安定した記録動作を行うために、半導体レーザ３１から出射される光の光量が安定していることが重要である。
【０００５】
このため、従来、半導体レーザが発する光量をモニタ用受光素子でモニタし、そのモニタ光量に応じて半導体レーザの光量を制御するようにしている。この場合のモニタ方式としては、半導体レーザのチップの後方に向けて発せられる後方光を受光するモニタ用受光素子を一体に内蔵させてなるものもあるが、半導体レーザの構造が制約されたり、実際に用いる前方光との対応が必ずしも正確でない等の理由から、半導体レーザから前方に向けて出射される光束の一部を受光するモニタ用受光素子を設けるのが一般である。
【０００６】
図８に示す例では、半導体レーザ３１から前方に向けて出射された光束の外周部の一部を受光するような位置にモニタ用受光素子３８を配設している。図９に示すように、モニタ出力（ＡＰＣ制御用モータ出力）と対物レンズ３５の出射光出力は線形関係にあるので、この関係に基づいて所定パワーの光が光記録媒体３６に照射される。
【０００７】
具体的には、モニタ用受光素子出力と対物レンズにおけるレーザ出射パワー（対物レンズ出射光量）との関係（図８中のＡ対Ｂ）を事前に測定しておき、その結果をＡＰＣ（自動パワーコントロール）回路３９のメモリ部（図示せず）に記憶させ、実使用時に、ＡＰＣ回路３９において、記憶されている事前測定の結果を基に一致した傾きから、所望のレーザ出射パワーとなるモニタ用受光素子３８の出力を算出し、その出力が得られるように半導体レーザ３１の電流を制御する。
【０００８】
ところで、近年、上述のような光ピックアップ装置を用いて高密度の情報が記録できる光記録媒体としてＣＤ，ＤＶＤがある。このうち、書換可能なＤＶＤ系光記録媒体では、光源として赤色高出力レーザが用いられている。今後、高密度化あるいは高速化というシステム高性能化が進展するに従い、この赤色半導体レーザに対して高出力動作および高温動作がますます要望される。
【０００９】
赤色高出力レーザーの高出力化を実現するには端面劣化の抑制が必須な解決課題となる。また、高温動作を実現するには、しきい値キャリア密度の低減による温度特性の向上、ならびに動作電流密度の低減による光出力飽和の抑制への取り組みが必要となる。そのため１つの方法として、Matushita Technical Journal Vol.45 no.6 Dec.1999に記載された技術がある。すなわち、高出力化へは端面窓構造を取り入れ、高温動作に対しては実屈折率導波構造を取り入れるものであって、一般に、このような半導体レーザは実屈折率型半導体レーザと呼ばれ、今後普及していく見込みが大きい。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、前記実屈折率型半導体レーザは、パワーの変化により平行方向の拡がり角が変化するという特性を有している。このような特性をもつ実屈折率型半導体レーザを、図８に示すような光ピックアップ装置に採用して、出射パワーの制御を行う場合、モニタ出力と対物レンズにおけるレーザ出射パワー（対物レンズ出射光量）の線形な関係が保持されずに、図１０に示すような特性となり、このため、従来のようにＡＰＣ回路において、事前測定結果を基に一致した傾きからレーザ印加電流を決める方法では、正確なパワー制御を行うことが困難になってしまう。
【００１１】
本発明の目的は、上述した問題に鑑み、例えば光記録媒体に情報を記録あるいは再生を行う光ピックアップ装置などに搭載される光学装置において、実屈折率型半導体レーザを用いた場合でも、モニタ出力とレーザ出射パワーが線形関係に保持され、良好な半導体レーザの出力パワー制御を行うことができるようにすることにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
前記課題を達成するため、請求項１に記載の発明は、半導体レーザの出射光における一部を透過あるいは反射する光学部品と、この光学部品からの透過光あるいは反射光を受光するモニタ用受光素子とを備え、このモニタ用受光素子の出力に基づいて前記半導体レーザの出射パワー制御を行う光学装置において、前記半導体レーザを平行光に変換するコリメートレンズを備え、前記モニタ用受光素子が、平行光に変換された光の一部を前記光学部品により透過あるいは反射させた光を用い、かつ前記モニタ用受光素子が、前記コリメートレンズの焦点距離をｆaとしたとき、０＜φa＜２・ｆa・tan（５°）を満たす所定有効径φaの光束を受光して、出射パワー制御用の信号を出力する構成にしたことを特徴とする。
【００１４】
請求項２に記載の発明は、半導体レーザの出射光における一部を透過あるいは反射する光学部品と、この光学部品からの透過光あるいは反射光を受光するモニタ用受光素子とを備え、このモニタ用受光素子の出力に基づいて前記半導体レーザの出射パワー制御を行う光学装置において、前記半導体レーザを平行光に変換するコリメートレンズと、前記モニタ用受光素子の前段に設置される集光レンズとを備え、前記モニタ用受光素子が、平行光に変換された光の一部を前記光学部品により透過あるいは反射させて前記集光レンズで集光した光を用い、かつ前記モニタ用受光素子が、前記コリメートレンズの焦点距離をｆa、前記集光レンズの焦点距離をｆｂ、前記集光レンズのＮＡをｎａｂ、前記集光レンズと前記モニタ用受光素子の受光面との距離をｄとしたとき、０＜φb＜２・ｆa・tan（５°）[ｆb・cos（asin（nab））−ｄ]／（ｆb・cos（asin（nab）））を満たす所定有効径φbの光束を受光して出射パワー制御を行う構成にしたことを特徴とする。
【００１５】
請求項１または２に記載の発明によれば、半導体レーザ、例えば実屈折率型半導体レーザを用いた場合でも、その半導体レーザにおけるモニタ出力と出射パワーが線形な関係に保持され、安定した出射パワー制御が可能になる。
【００１６】
請求項３に記載の発明は、請求項１または２に記載の光学装置において、光学部品に、所定光量の光をモニタ用受光素子方向に透過あるいは反射させるように光学的コート処理を施したことを特徴とし、この構成によって、モニタ用受光素子へ向かう光量を必要十分な範囲で設定することができ、より安定した出射パワー制御が可能になる。
【００１７】
請求項４に記載の発明は、請求項１〜３いずれか１項に記載の光学装置において、光学部品の入射面に対して、半導体レーザから出射される光ビームを、所定の入射角で斜め方向から入射させるとともに、該入射面から反射される光ビームの一部をモニタ用受光素子において受光させることを特徴とする。
【００１８】
請求項５に記載の発明は、請求項１〜３いずれか１項に記載の光学装置において、光学部品の入射面に対して、半導体レーザから出射される光ビームを、所定の入射角で入射／反射させて対象物方向に向かわせるとともに、該入射面を透過する光ビームの一部をモニタ用受光素子で受光させることを特徴とする。
【００１９】
請求項６に記載の発明は、光記録媒体に対して情報の記録および／または読取を行う光ピックアップ装置であって、請求項１〜５いずれか１項に記載の光学装置を搭載したことを特徴とし、この構成によって、モニタ出力と出射パワーが線形な関係に保持され、安定した出射パワー制御が行われ、光記録媒体に対する正確な記録／再生が可能になる。
【００２０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好適な実施形態について図面を参照しながら説明する。
【００２１】
図１は本発明の第１実施形態を説明するための光ピックアップの光学系における要部を示す構成図であり、図１（ａ）は主構成部を示し、図１（ｂ）は図１（ａ）における立上げミラーから光記録媒体までの構成図を示している。
【００２２】
図１に示す光ピックアップにおいて、光源としての半導体レーザ１，コリメータレンズ２，グレーティング３，ＰＢＳ（偏光ビームスプリッタ）プリズム４，立上げミラー５，１／４波長板６，対物レンズ７，集光レンズ９，シリンダレンズ１０，検出素子１１，出射パワー制御信号検知手段たるモニタ用受光素子１２，自動出射パワー制御手段たるＡＰＣ回路１３，レーザ出射パワーの一部光量をモニタ用受光素子方向に反射させる平行平板１４を備えている。
【００２３】
半導体レーザ１から出射された光ビームは、コリメータレンズ２を通過して平行光にされ、グレーティング３により回折されてトラッキングサーボ用に主ビームと２つの副ビームに分離される。グレーティング３を通過した光ビームは、ＰＢＳプリズム４の入射面に入射される。この前段で所定の光量を反射するように光学的コート処理（例えば、反射率５％とする）が施された平行平板１４を配置し、その反射光を利用して出射パワー制御を行うことを可能にしている。
【００２４】
ＰＢＳプリズム４の入射面を透過した光は、そのまま通過し、図１（ｂ）に示すように、立上げミラー５により対物レンズ７の方向に光路を９０度偏向される。偏向された光は１／４波長板６を通過し、対物レンズ７により光記録媒体８に集光される。
【００２５】
光記録媒体８で反射された光は再び対物レンズ７を通過して、１／４波長板６により偏光面が往路とは直交方向の直線偏光となり、ＰＢＳプリズム４で反射され、集光レンズ９，シリンダレンズ１０を介して検出素子１１に導かれる。なお、シリンダレンズ１０は光ビームに非点収差を与えることができるレンズである。
【００２６】
検出素子１１は、照射された光ビームの光量に比例した電気信号を出力する。この電気信号に基づき記録情報が復調される。また、シリンダレンズ１０により光ビームに非点収差が与えられるので、非点収差法を用いたフォーカスエラー検出を行うことができる。さらに、グレーティング３により発生させた２つの副ビームを用いて３ビーム法によるトラッキングエラー検出を行うことができる。
【００２７】
一方、平行平板１４で反射された一部の光ビームは、モニタ用受光素子１２に照射されて、光ビームのパワーに比例する検出信号が出力される。この検出信号は、ＡＰＣ回路１３において所定の基準値と比較され、検出信号と基準値の差分に応じた駆動信号が生成されて、半導体レーザ１に供給される。これにより、半導体レーザ１から出射される光ビームのパワーが制御され、モニタ用受光素子１２の検出信号と前記基準値との差分をゼロに近づけるようなフィードバックが行われるため、光ビームのパワーを常に一定に保つような制御が行われることになる。
【００２８】
既述したように、近年高出力化，高温動作に対応する半導体レーザとして実屈折率型半導体レーザが実用化されつつある。この実屈折率型半導体レーザは、図２における左側に示す光量分布図のように、その発光パワーによって水平方向の拡がり角Ｃが変化するという特性を有している。本実施形態では、このような特性を有する半導体レーザに対応するため、モニタ用受光素子への照射光量と対物レンズ出射光量との関係が一定であるようにモニタ用受光素子を配置している。
【００２９】
すなわち、図２に示すように、半導体レーザ１を平行光に変換するコリメートレンズ２の焦点距離がｆaであるとき、モニタ用受光素子１２は、（数３）を満たすような所定有効径φaの光束における５％（平行平板反射率）を受光して出射パワー制御を行うようにしている。
【００３０】
【数３】
0004000388.tif 000002
この範囲の光量を受光することにより、前述の水平方向の拡がり角の変化が生じても、光量変動はほとんど生じない。なお、「２・ｆa・tan（５°）」は図２に示すような領域であり、また「５°」はパワー変動による拡がり角変動が生じても光量（強度）が略変化しない範囲である。
【００３１】
図３は本発明の第２実施形態を説明するための光ピックアップの光学系における要部を示す構成図であり、図１にて説明した部材に対応する部材には同一符号を付して詳しい説明は省略する。
【００３２】
第２実施形態では、モニタ用受光素子１２の前段に集光レンズ１５を配置しており、このように集光レンズ１５を配置することにより、モニタ用受光素子１２の受光面（図示せず）を縮小することができ、その結果、モニタ用受光素子１２の周波数特性が向上される。
【００３３】
さらに第２実施形態では、水平方向の拡がり角変化が生じる実屈折率型半導体レーザを用いても、モニタ用受光素子への照射光量と対物レンズ出射光量の関係が一定であるように、（数４）を満たす範囲（受光面の大きさと考えてもよい）の光量を受光するようにしている。
【００３４】
すなわち、半導体レーザを平行光に変換するコリメートレンズ２の焦点距離がｆa、集光レンズ１５の焦点距離がｆb、集光レンズ１５のＮＡがｎａｂ、集光レンズ１５とモニタ用受光素子１２の受光面との距離がｄであるとき、モニタ用受光素子１２は、（数４）を満たすような所定有効径φｂの光束における５％（平行平板反射率）を受光して出射パワー制御を行うようにしている。
【００３５】
【数４】
0004000388.tif 000003
この範囲の光量を受光することにより、前述の水平方向の拡がり角の変化が生じても、光量変動はほとんど生じない。なお、「２・ｆa・tan（５°）[ｆb・cos（asin（nab））−ｄ]／（ｆb・cos（asin（nab）））」は図４に示すような領域であり、「５°」はパワー変動による拡がり角変動が生じても光量（強度）が略変化しない範囲である。
【００３６】
図５は本発明の第３実施形態を説明するための光ピックアップの光学系における要部を示す構成図であり、図５（ａ）は主構成部を示し、図５（ｂ）は図５（ａ）における立上げミラーから光記録媒体までの構成図を示している。
【００３７】
第３実施形態は、既存の光学部品を用いてレーザ出射光の一部をモニタ用受光素子に導き、レーザパワー制御を行っている。図５に示す光ピックアップにおいて、光源としての半導体レーザ１、コリメータレンズ２、グレーティング３、整形プリズム１６、立上げミラー５、１／４波長板６、対物レンズ７、集光レンズ９、シリンダレンズ１０、検出素子１１、モニタ用受光素子１２、ＡＰＣ回路１３を備えている。
【００３８】
半導体レーザ１から出射された光ビームは、コリメータレンズ２を通過して平行光にされ、グレーティング３により回折されてトラッキングサーボ用に主ビームと２つの副ビームに分離される。グレーティング３を通過した光ビームは、整形プリズム１６の入射面に入射される。このとき、光ビームの光軸に対して入射面の法線が所定の角度をなすように配置する。また、整形プリズム１６の入射面は所定光量の光を反射するようにＡＲ（反射防止）コートを施している。そのため、入射された光ビームの一部は入射面で反射されて、その反射光を利用してＡＰＣ制御を行うことが可能となる。
【００３９】
整形プリズム１６の入射面を透過した光は、そのまま整形プリズム１６を通過し、立上げミラー５により対物レンズ方向に光路を９０度偏向され、図５（ｂ）に示すように、偏向された光は１／４波長板６を通過し、対物レンズ７により光記録媒体８に集光される。
【００４０】
光記録媒体８で反射された光は、再び対物レンズ７を通過して、１／４波長板６により偏光面が往路とは直交方向の直線偏光となり、立上げミラー５で再び反射され整形プリズム１６に導かれる。そして整形プリズム１６内に設けられた偏光ビームスプリッタ膜で反射され、集光レンズ９，シリンダレンズ１０を介して検出素子１１に導かれる。なお、シリンダレンズ１０は光ビームに非点収差を与えることができるレンズである。
【００４１】
検出素子１１は、照射された光ビームの光量に比例した電気信号を出力する。この電気信号に基づき記録情報が復調される。また、シリンダレンズ１０により光ビームに非点収差が与えられるため、非点収差法を用いたフォーカスエラー検出を行うことができる。さらに、グレーティング３により発生させた２つの副ビームを用いて３ビーム法によるトラッキングエラー検出を行うことができる。
【００４２】
一方、整形プリズム１６の入射面で反射された一部の光ビームは、モニタ用受光素子１２に照射されて、光ビームのパワーに比例する検出信号が出力される。この検出信号は、ＡＰＣ回路１３において所定の基準値と比較され、検出信号と基準値の差分に応じた駆動信号が生成されて、半導体レーザ１に供給される。これにより、半導体レーザ１から出射される光ビームのパワーが制御され、モニタ用受光素子１２の検出信号と前記基準値との差分をゼロに近づけるようにフィードバックが行われるので、光ビームのパワーを常に一定に保つように制御が行われることになる。
【００４３】
図６は本発明の第４実施形態を説明するための光ピックアップの光学系における要部を示す構成図であり、図７は図６のホログラムユニット部分の拡大図であり、第４実施形態も既存の光学部品を用いてレーザ出射光の一部をモニタ用受光素子に導き、レーザパワー制御を行っている。
【００４４】
図６に示す光ピックアップにおいて、後述する光源たる半導体レーザおよび光記録媒体からの反射光を検知する検出素子が集積化されたホログラムユニット１７、コリメートレンズ２、ハーフミラー型の立上げミラー１８、対物レンズ７、モニタ用受光素子１２、ＡＰＣ回路１３を備えている。
【００４５】
図７において、１９はレーザ素子（半導体レーザ）、２０はホログラム素子であり、このホログラム素子２０の上面にはエッチングにより溝が形成されることによりホログラムパターン２１が構成され、下面にもエッチングにより溝が形成されることによってグレーティングパターン２２が構成され、さらに多分割された受光素子２３が設けられている。
【００４６】
ホログラムユニット１７のレーザ素子１９からの出射光がグレーティングパターン２２により回折されてトラッキングサーボ用に主ビームと２つの副ビームに分離される。ホログラムユニット１７の出射光は、続くコリメートレンズ２で平行光とされ、立上げミラー１８で反射されて対物レンズ７に入射し、光記録媒体８上に微小スポットとして集光され、情報の再生，記録あるいは消去が行われる。光記録媒体８からの反射光は対物レンズ７を通過し、立上げミラー１８で偏向され、コリメートレンズ２で収束光とされ、ホログラムパターン２１によりレーザ素子１９と同一スキャン内にある受光素子２３方向に回折され受光される。受光素子２３からは情報信号，サーボ信号が検出される。
【００４７】
レーザパワー制御信号の検出は、光学的コート処理により立上げミラー１８の入射面において一部の光が透過するようにしてあり、この透過ビームを、モニタ用受光素子１２に照射させて、光ビームのパワーに比例する検出信号が出力される。この検出信号は、ＡＰＣ回路１３において所定の基準値と比較され、検出信号と基準値の差分に応じた駆動信号が生成されて、レーザ素子１９に供給される。これにより、レーザ素子１９から出射される光ビームのパワーが制御され、モニタ用受光素子１２の検出信号と前記基準値との差分をゼロに近づけるようフィードバックが行われるため、光ビームのパワーを常に一定に保つよう制御が行われることになる。
【００４８】
また前記各実施形態の構成において、前記実屈折率型半導体レーザを使用することができ、この場合、モニタ用受光素子への照射光量と対物レンズ出射光量の関係が一定であるように（数３）を満足する位置にモニタ用受光素子を配置したり、またモニタ用受光素子の前段に図３に示すような集光レンズ１５を配置させた場合には、（数４）を満足する位置にモニタ用受光素子を配置するとよい。
【００４９】
なお、第１〜第４実施形態においては、コリメートレンズ２により平行光となったレーザ出射光を平行平板あるいはプリズムにより一部反射あるいは透過させた構成を説明したが、発散光になる構成であってもよい。この場合には、第１実施形態と第２実施形態にて説明したように、パワー変動による拡がり角変動が生じても光量（強度）が略変化しない範囲である「５°」以内の光束をモニタする構成にするとよい。
【００５０】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明に係る光学装置および光ピックアップ装置によれば、半導体レーザを用いた場合でも、半導体レーザにおけるモニタ出力と出射パワーが線形な関係に保持されるため、安定した出射パワー制御を行うことができ、例えば光記録媒体に情報を記録／再生を行う光ピックアップ装置などの光学装置において、実屈折率型半導体レーザを用いた場合でも、安定した出射パワー制御が行え、良好な記録／再生を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態を説明するための光ピックアップの光学系における要部を示す構成図であり、（ａ）は主構成部を示し、（ｂ）は（ａ）における立上げミラーから光記録媒体までの構成図
【図２】第１実施形態におけるモニタ用受光素子の光束受光の説明図
【図３】本発明の第２実施形態を説明するための光ピックアップの光学系における要部を示す構成図
【図４】第２実施形態におけるモニタ用受光素子の光束受光の説明図
【図５】本発明の第３実施形態を説明するための光ピックアップの光学系における要部を示す構成図であり、（ａ）は主構成部を示し、（ｂ）は（ａ）における立上げミラーから光記録媒体までの構成図
【図６】本発明の第４実施形態を説明するための光ピックアップの光学系における要部を示す構成図
【図７】図６に示す第４実施形態におけるホログラムユニットの拡大図
【図８】従来の光ピックアップにおける光学系の概略構成図
【図９】従来の半導体レーザの特性図
【図１０】従来の実屈折率型半導体レーザの特性図
【符号の説明】
１  半導体レーザ
２  コリメータレンズ
３  グレーティング
４  ＰＢＳ（偏光ビームスプリッタ）プリズム
５，１８  立上げミラー
６  １／４波長板
７  対物レンズ
９  集光レンズ
１０  シリンダレンズ
１１  検出素子
１２  モニタ用受光素子
１３  ＡＰＣ回路
１４  平行平板
１５  集光レンズ
１６  整形プリズム
１７  ホログラムユニット
１９  レーザ素子
２０  ホログラム素子
２１  ホログラムパターン
２２  グレーティングパターン
２３  受光素子
【図１】
0004000388.tif 000006
【図２】
0004000388.tif 000007
【図３】
0004000388.tif 000008
【図４】
0004000388.tif 000009
【図５】
0004000388.tif 000010
【図６】
0004000388.tif 000011
【図７】
0004000388.tif 000012
【図８】
0004000388.tif 000013
【図９】
0004000388.tif 000014
【図１０】
0004000388.tif 000015