(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
円板状の非磁性基板の一方の面の面粗さに対応する面粗さが２ｎｍ以下の転写面を有する第１のスタンパと、上記基板の他方の面の面粗さに対応する面粗さが４ｎｍ以上の転写面を有する第２のスタンパとを、各転写面が対向する状態で射出成形または射出圧縮成形用の金型内に配置し、この金型内でプラスチツクを射出成形または射出圧縮成形して円板状の非磁性基板を形成すると同時に、上記各転写面の面粗さを上記基板に転写させ、これによりその後に上記金型から上記基板を離型する際の上記基板の変形を少なくして、基板の一方の面の面粗さが２ｎｍ以下、他方の面の面粗さが４ｎｍ以上で、基板全体の平坦性が確保された円板状の非磁性基板を作製し、この基板の両面に磁性層を設けて磁気デイスクを製造することを特徴とする磁気デイスクの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、たとえば、コンピユ―タにおけるデ―タなどを記憶させる記録媒体として使用される磁気デイスクおよびその製造方法ならびに磁気記録再生装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
この種の磁気デイスクは、円板状の非磁性基板とこの基板の両面に形成された磁性層とを備えている。従来、たとえば、特開昭６３−２５５８１６号公報に開示されているように、周知の光デイスクと同様のプラスチツクを基板材料とし、これを射出成形して基板を成形する方法が知られている。
【０００３】
また、磁気デイスクの物理フオ―マツトの形成に際し、磁気ヘツドにより磁性層の全領域にフオ―マツト信号を記録するには、多くの時間が費やされる。これを回避するための新しい形態の磁気デイスクとして、特開平３−８６９１２号公報に、サ―ボ信号を基板の凹凸状態であらかじめ一律に定めておき、射出成形などにより同一の凹凸をもつ基板を量産し、各基板の凹凸側に画一的に磁性層を形成して、この磁性層を一方向に強制的に磁化させ、この磁性層の凹凸から生じる漏洩磁界を磁気ヘツドで検出させて、サ―ボ信号の読み取りを行わせようとしたものが知られている。これは、物理フオ―マツトが形成された磁気デイスクを大量かつ安価に提供できる手段として、有望視されている。
【０００４】
このような磁気デイスクは、コンピユ―タにおけるデ―タなどを記憶させる記録媒体として広く使用されている。この磁気デイスクを用いる磁気記録再生装置は、磁気ヘツドを磁気デイスクに対して浮上させる方式として、いわゆるウインチエスタ形と称されている。つまり、この磁気記録再生装置では、磁気ヘツドを磁気デイスクとの相対運動で発生する空気流により、この磁気デイスクの表面から５０ｎｍ以下の微小間隔を保つように浮上させた状態として、磁気ヘツドと磁気デイスクの間で磁界を授受させることにより、デ―タなどの記録または再生を行わせるようになつている。
【０００５】
ここで、磁気ヘツドを適正状態に浮上させるためには、磁気デイスクの面振れ量を小さく抑える必要がある。この面振れ量は、基板全体の平坦性を高めることにより、小さくすることが可能である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかるに、従来の磁気デイスクでは、プラスチツク製の円板状の非磁性基板の両面が十分平滑となるように、同じ面粗さＲａに設定しており、この面粗さＲａが２ｎｍ以下では、前記面振れ量が大きくなるといつた問題があつた。
【０００７】
そこで、上記の面粗さＲａを可及的に大きくして面振れ量を抑制させることも考えられるが、この場合、記録再生のための良好な磁気特性が得られにくく、この点からすると、基板はできるだけ平滑面であるのが望ましい。しかしながら、上記基板の両面が鏡面のように平滑面であると、成形後に基板を金型から離型する際に、金型と基板両面との間に大きな摩擦力が作用し、この摩擦力によつて基板が変形し、基板全体の平坦性を確保できなかつた。
【０００８】
本発明は、このような事情に照らし、金型から離型する際の円板状の非磁性基板の変形を少なくして、基板全体の平坦性を向上させ、面振れ量を小さくできる磁気デイスクを提供することを目的としている。また、本発明は、上記磁気デイスクを大量かつ安価に得ることができる磁気デイスクの製造方法を提供すること、さらには、上記の磁気デイスクを備えてデ―タの授受が適正に行える磁気記録再生装置を提供することを目的としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、上記の目的を達成するために、鋭意検討した結果、プラスチツクの射出成形または射出圧縮成形により形成される円板状の非磁性基板の一方の面の面粗さを小さく設定するとともに、他方の面の面粗さを大きく設定すれば、成形用の金型から離型する際に上記基板の変形が少なくなり、基板全体の平坦性が確保され、磁気デイスクの面振れを抑制できることを知り、本発明を完成するに至つたものである。
【００１１】
すなわち、本発明は、円板状の非磁性基板の一方の面の面粗さに対応する面粗さが２ｎｍ以下の転写面を有する第１のスタンパと、上記基板の他方の面の面粗さに対応する面粗さが４ｎｍ以上の転写面を有する第２のスタンパとを、各転写面が対向する状態で射出成形または射出圧縮成形用の金型内に配置し、この金型内でプラスチツクを射出成形または射出圧縮成形して円板状の非磁性基板を形成すると同時に、上記各転写面の面粗さを上記基板に転写させ、これによりその後に上記金型から上記基板を離型する際の上記基板の変形を少なくして、基板の一方の面の面粗さが２ｎｍ以下、他方の面の面粗さが４ｎｍ以上で、基板全体の平坦性が確保された円板状の非磁性基板を作製し、この基板の両面に磁性層を設けて磁気デイスクを製造することを特徴とする磁気デイスクの製造方法に係るものである。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の第１の実施の形態を、図面にしたがつて説明する。
図１は、本発明の磁気デイスクの一例を示す断面図、図２は、上記図１の一部を拡大して示す断面図である。
【００１３】
図１および図２において、１は円板状の非磁性基板で、プラスチツクを射出成形または射出圧縮成形して形成されている。この基板１の両面１ａ，１ｂには、少なくとも磁性層２が形成されている。３は上記基板１に形成された被駆動用の中央孔である。上記基板１の一方の面１ａの面粗さＲａは、平滑性が高い２ｎｍ以下に設定され、他方の面１ｂの面粗さＲａは、平滑性が低い４ｎｍ以上、好ましくは５ｎｍ以上（通常１０ｎｍまで）に設定されている。
【００１４】
この磁気デイスクＭの基板の作製には、射出成形（または射出圧縮成形）用の金型を使用する。この金型の構成を、図３で概略的に説明する。
図３において、この金型２４は、射出成形機のノズル側に接続された固定型２４Ａと、この固定型２４Ａに対して白矢印方向に相対移動可能に設定された可動型２４Ｂを備え、上記固定型２４Ａは、上記ノズルからの溶融プラスチツクを固定型２４Ａと可動型２４Ｂとの間の室間Ｓに導く湯道２４１を有し、上記可動型２４Ｂは、基板離型用のシリンダ機能を持つエジエクタ２４２と中央孔打ち抜き形成用のゲ―トカツタ２４３とを有している。
【００１５】
固定型２４Ａ内には、内周側および外周側ホルダ２４４Ａ，２４５Ａを有する固定側コア２４６Ａが設置される一方、可動型２４Ｂ内には、内周側および外周側ホルダ２４４Ｂ，２４５Ｂを有する可動側コア２４６Ｂが設置されている。固定側コア２４６Ａに、上記ホルダ２４４Ａ，２４５Ａを介して、基板１の一方の面１ａを形成するための第１のスタンパ２３Ａを保持させる一方、可動側コア２４６Ｂに、上記ホルダ２４４Ｂ，２４５Ｂを介して、基板１の他方の面１ｂを形成するための第２のスタンパ２３Ｂを保持させるようになつている。湯道２４１からのプラスチツクが両スタンパ２３Ａ，２３Ｂ間の空間Ｓ内に注入される。なお、２４７Ａ，２４７Ｂは、上記固定側および可動側コア２４６Ａ，２４６Ｂにそれぞれ形成された冷却媒体用流通路である。
【００１６】
つぎに、この磁気デイスクＭの製造方法を、図４に基づいて説明する。
円板状の非磁性基板１を作製するまでの工程は、周知の光デイスクの基板製造工程と同様である。つまり、まず、図４（ａ）に示すように、ガラス製原盤２１の表面にフオトレジスト層２２をスピンコ―ト法で塗布して形成する。その際、基板１の一方の面１ａの面粗さＲａを得るために、上記原盤２１の研磨工程でこの原盤２１の面粗さＲａを２ｎｍ以下に制御する。
【００１７】
ついで、図４（ｂ）に示すように、原盤２１の表面にニツケルめつきし、第１のスタンパ２３Ａを作製する。この第１のスタンパ２３Ａには、面粗さＲａが２ｎｍ以下の転写面２３ａが形成されている。同様にして、面粗さＲａが４ｎｍ以上の転写面２３ｂを有する第２のスタンパ２３Ｂを作製する。
【００１８】
このように作製したスタンパ２３Ａ，２３Ｂを、図４（ｃ）に示すように、射出成形（または射出圧縮成形）用の金型２４（２４Ａ，２４Ｂ）内に、各転写面２３ａ，２３ｂが対向する状態で配置する。これに基板材料であるプラスチツクを射出成形（または射出圧縮成形）して、円板状の非磁性基板１を作製すると、この基板１には、スタンパ２３Ａ，２３Ｂの各転写面２３ａ，２３ｂの形態が転写される。つまり、これにより上記基板１の一方の面１ａの面粗さＲａが２ｎｍ以下、他方の面１ｂの面粗さＲａが４ｎｍ以上となる。
【００１９】
基板１の材料であるプラスチツクには、ポリエ―テルイミド、ポリエ―テルサルホン、ポリフエニレンサルフアイド、ポリアクリレ―ト、ポリエ―テルケトン、ポリメチルペンテン、ポリメチルメタアクリレ―ト、ポリカ―ボネ―ト、ノルボルネン系樹脂など、耐熱性や転写性にすぐれる樹脂が用いられる。プラスチツク材料に含まれるコンタミネ―シヨン（有害物質による汚染）を回避するには、ポリカ―ボネ―トやノルボルネン系樹脂がとくに好ましい。
【００２０】
この成形後、金型２４から上記基板１を取り出し、図４（ｄ）に示すように、スパツタリング法により上記基板１の両面１ａ，１ｂに、磁性層２および保護層（図示せず）を順次、それぞれ形成する。磁性層２の構成材には、コバルト・白金合金、コバルト・クロム・白金合金、コバルト・パラジウム合金などがある。また、保護層の構成材には、カ―ボンや酸化ケイ素などがある。
【００２１】
なお、磁性層２には、低温成膜でも高い保磁力が得られるように、クロムやモリブデンなどの下地層を形成しておくのがよい。また、上記基板１と磁性層２との熱膨張の差に起因する磁性層２の亀裂などを防止し、磁気特性の改善を目的として、上記下地層を形成するに先立つて、アルミニウム、チタン、アルミニウム・チタン合金、ケイ素、窒化ケイ素、酸化ケイ素などのアモルフアス、セラミツク材料を基板１に形成するようにしてもよい。
【００２２】
磁性層２の形成後、保護層表面の微細な突起を除去するために、図４（ｅ）に示すように、ブラシ２５を用いてバ―ニツシング処理を行う。最後に、磁気ヘツド１２（図１３参照）の走行性を良くするために、図４（ｆ）に示すように、潤滑剤２６をスピンコ―ト法で塗布すると、プラスチツク製基板１を用いた磁気デイスクＭが作製される。上記潤滑剤２６としては、たとえば「Ｆｏｍｂｌｉｎ  Ｚ−ＤＯＬ」（商品名）などが好適に使用される。
【００２３】
このように、プラスチツクを射出成形または射出圧縮成形して、円板状の非磁性基板１を成形するため、上記基板１を大量かつ安価に製作できる。また、上記基板１の両面１ａ，１ｂにそれぞれ対応する面粗さの転写面を、あらかじめ金型２４の内壁に直接形成してもよいが、この場合金型コストが高騰化するのは避けられない。これに対し、上記のように第１および第２のスタンパ２３Ａ，２３Ｂを使用することにより、コスト高を招くことなく、基板成形と同時に、その両面１ａ，１ｂに所望の面粗さを付与させることができる。
【００２４】
ここで、上記基板１の両面とも平滑性が高い（鏡面状である）場合、金型２４から基板１を離型する際に、金型２４と基板１との間に大きな摩擦力が働いて、基板１が変形しようとする。しかし、上記のように、基板１の一方の面１ａの面粗さＲａを２ｎｍ以下に設定し、他方の面１ｂの面粗さＲａを４ｎｍ以上に設定しておくと、離型時に基板１の他方の面１ｂと金型２４との摩擦力が小さくなり、基板１に無理な力が加わつて変形するのが抑制され、その結果、作製される上記基板１の全体の平坦性がうまく確保される。
【００２５】
つぎに、本発明の第２の実施の形態を、図面にしたがつて説明する。
図５は、上記本発明の磁気デイスクを示す断面図、図６は、図５の一部を拡大して示す断面図である。これは基板の他方の面に物理的に凹凸部（プリピツト）を設けた構成のプリエンボス形磁気デイスクＭを示したものである。
【００２６】
両図において、１１は円板状の非磁性基板で、プラスチツクを射出または射出圧縮成形して形成されている。この基板１の両面１１ａ，１１ｂには、少なくとも磁性層２が形成されている。３は上記基板１１に形成された被駆動用の中央孔である。上記基板１１の一方の面１１ａの面粗さＲａは、平滑性が高い２ｎｍ以下に設定され、他方の面１１ｂの面粗さＲａは、平滑性が低い４ｎｍ以上に設定されており、とくに上記他方の面１１ｂは、ガ―ドバンド溝や記録トラツクなどの凹凸部（プリエンボスパタ―ン）１０により構成されている。
【００２７】
図７は、上記プリエンボスパタ―ン１０の外観を示したものである。
同図において、１２は磁気ヘツドであり、磁気デイスクＭの円周方向（矢印ａ方向）の軌跡に沿つて相対運動することにより、記録または再生の動作を行う。上記パタ―ン１０として、基板１１の他方の面１１ｂには、上記基板１１と同心状、つまり磁気ヘツド１２の円周方向の運動軌跡に平行で、かつ円周方向で連続または断続した複数のガ―ドバンド溝１３が半径方向（矢印ｂ方向）で実質的に等間隔に設けられており、半径方向で隣り合うガ―ドバンド溝１３の各間に記録トラツク１４が円周方向で間欠的に設けられている。
【００２８】
半径方向の複数のトラツク１４により、デ―タ記録領域１８が構成され、円周方向で隣り合うデ―タ記録領域１８の各間にサ―ボ領域１９が設けられている。サ―ボ領域１９には、サ―ボピツト１５の列、位相ピツト１６の列およびクロツクピツト１７の列が形成されている。サ―ボピツト１５の列は、記録トラツク中心１４ａに対して半径方向および円周方向にずらして配設されており、磁気ヘツド１２により検出された半径方向で隣り合うサ―ボピツト１５からの磁気的な出力が等しくなるように、磁気ヘツド１２の位置が制御される。これにより、磁気ヘツド１２は常時、記録トラツク中心１４ａに位置決めされる。
【００２９】
図８は、上記磁気デイスクＭのトラツクフオ―マツトなどの一例である。
図８（ａ）において、トラツク１４は、複数個のセクタ―（１〜Ｍ）で構成され、セクタ―は複数個のセグメント（１〜Ｎ）に分割され、各セグメントの前端にサ―ボマ―ク（ＳＭ）が形成されている。サ―ボマ―ク（ＳＭ）は、アクセスコ―ド、クロツクマ―クおよびフアインパタ―ンから構成されている。ヘツダ―は、セクタ―マ―ク、トラツクＮｏ、セクタ―Ｎｏ、冗長度チエツク（ＣＲＣ）および自動利得制御（ＡＧＣ）からなる。
【００３０】
図８（ｂ）は上記サ―ボマ―クの平面形状を示している。アクセスコ―ドは、アクセス時に磁気ヘツド１２の移動速度を調べるために使用され、クロツクマ―クは、磁気ヘツド１２による記録や再生を行う際に、同期クロツクやサ―ボマ―ク位置のタイミングを得るために使用される。つまり、クロツクマ―クは、Ｎクロツクごとに連続して現れるように設定され、サ―ボ回路により処理される。また、フアインパタ―ンは、記録トラツク中心１４ａからの相対位置（位相）を示すためのパタ―ンであり、磁気ヘツド１２からの位置情報を得てトラツキング動作が行われるようになつている。
【００３１】
つぎに、この磁気デイスクＭの製造方法を、図９にしたがつて説明する。
円板状の非磁性基板１を作製するまでの工程は、周知の光デイスクの基板製造工程と同じである。まず、図９（ａ）に示すように、ガラス製原盤２１の表面にフオトレジスト層２２をスピンコ―ト法で塗布する。このとき、基板１１の一方の面１１ａの面粗さＲａを調整するため、上記原盤２１の研磨工程で原盤２１の面粗さＲａを２ｎｍ以下に制御する。また、上記同様にして、フオトレジスト層２２を形成したのち、この層２２に対して、パタ―ン短波長（λ＝３５１ｎｍ）の光ピ―ムＬにより、パタ―ンをカツテイングし、これを現像することにより、図９（ｂ）に示すように、所望の凹凸パタ―ンを形成する。
【００３２】
この後の工程は、前記第１の実施の形態と同様である。つまり、原盤２１の表面にニツケルめつきして、面粗さが２ｎｍ以下の転写面２３ａを有する第１のスタンパ２３Ａを作製し、また図９（ｃ）に示すように、上記同様にして第２のスタンパ２３Ｂを作製する。このスタンパ２３Ｂの表面には、基板１１の他方の面１１ｂの面粗さに対応して、凹凸状の転写面２３ｂが形成される。
【００３３】
この両スタンパ２３Ａ、２３Ｂを、図９（ｄ）に示すように、射出成形（または射出圧縮成形）用の金型２４（２４Ａ、２４Ｂ）内に各転写面２３ａ、２３ｂが対向する状態に配置する。これに基板材料であるプラスチツクを射出成形（または射出圧縮成形）して円板状の非磁性基板１１を作製する。この基板１１には、上記スタンパ２３Ａ、２３Ｂの各転写面２３ａ、２３ｂの形態が転写される。これにより、基板１１の一方の面１１ａの面粗さＲａは２ｎｍ以下となり、他方の面１１ｂは、上記ガ―ドバンド溝１３などで構成される。このガ―ドバンド溝１３などの深さは、フオトレジスト層２２の塗布厚みにより制御でき、通常５０〜２００ｎｍに設定される。
【００３４】
上記成形後、基板１１を金型２４から取り出し、図９（ｅ）に示すように、その両面１１ａ，１１ｂにスパツタリング法により、磁性層２および保護層（図示せず）を順次、それぞれ形成する。その後、保護層の微細突起を除去するため、図９（ｆ）に示すように、ブラシ２５でバ―ニツシング処理を行い、最後に、図９（ｇ）に示すように、保護層上に潤滑剤２６を塗布する。
【００３５】
この形態の磁気デイスクＭにおいても、プラスチツクを射出成形（または射出圧縮成形）して、円板状の非磁性基板１１を成形するものであるため、上記基板１１を大量かつ安価に製作できる。また、上記基板１１の一方の面１１ａの面粗さＲａを２ｎｍ以下に設定し、他方の面１１ｂを前記ガ―ドバンド溝１３を含む凹凸部１０で構成したことにより、基板１１を金型２４から離型する際に、この基板１１の他方の面１１ｂとの摩擦力が小さく、前記と同様に基板１１が変形しにくくなり、この基板１１全体の平坦性が高められる。
【００３６】
つぎに、上記磁気デイスクＭの着磁方法を、図１０を用いて、説明する。
まず、図１０（ａ）に示すように、基板１１の表面に形成された磁性層２を着磁用磁気ヘツド３１により、強い磁場３２Ａで一方向（黒矢印方向）に飽和磁化させる。この後、図１０（ｂ）に示すように、上記磁気ヘツド３１により、磁性層２に対し逆方向の弱い磁場３２Ｂを印加し、上記基板１１の表面の凸部３３に対応する部分の磁性層２のみを磁化反転させる。この結果、図１０（ｃ）に示すように、上記基板１１の表面の凹部３４から漏洩磁束３５が発生する。したがつて、上記漏洩磁束３５を磁気ヘツド１２で検出させることにより、図１０（ｃ）の下部に示すように、ピツトに応じた信号を検出することができる。
【００３７】
図１１および図１２は、上記磁気デイスクＭを備えた磁気記録再生装置Ｎを示している。両図において、ベ―ス４１とこのベ―ス４１に嵌着されるカバ―４２とからなるケ―ス４３内に、スピンドルモ―タ４４が設置されており、このモ―タ４４には、このモ―タ４４の回転中心に対してほぼ同軸となるように１枚ないし複数枚の磁気デイスクＭが装着できるように構成されている。
【００３８】
４５は、上記ケ―ス４３内に配置された磁気ヘツド変移用のアクチユエ―タであり、たとえば、ボイスコイルモ―タからなる。このアクチユエ―タ４５は、支持ばね４６を介して磁気ヘツド１２を磁気デイスクＭに対して半径方向に位置決めするようになつている。上記スピンドルモ―タ４４およびアクチユエ―タ４５の各動作ならびに磁気ヘツド１２の記録・再生動作は、上記ケ―ス４３内に設けられたコントロ―ラ（図示せず）によつて制御される。なお、この例での磁気記録再生装置Ｎでは、上記の各磁気デイスクＭの両面にそれぞれ対応して磁気ヘツド１２を配設するようにしている。
【００３９】
磁気ヘツド１２は、図１３に示すように、スライダ５１を介して上記支持ばね４６の先端側に支持されている。このような磁気ヘツド１２およびスライダ５１は、磁気デイスクＭとの相対運動によつて発生する浮力と、また磁気ヘツド１２およびスライダ５１の重量と、さらに上記支持ばね４６の支持力とにより、磁気デイスクＭに対して２０〜２００ｎｍ、好ましくは５０ｎｍ以下の微小間隔で浮上するように設定されている。
【００４０】
上記の磁気記録再生装置Ｎにより、前記の各実施形態の磁気デイスクＭを、磁気記録・再生する際に、各磁気デイスクＭの全体の平坦化が保たれているため、これら磁気デイスクＭの面振れを抑制することができ、磁気ヘツド１２と磁気デイスクＭとの微小間隔を適正に維持することができる。このため、上記磁気デイスクＭの記録・再生動作を適正に行うことが可能となる。
【００４１】
【実施例】
以下、本発明の磁気デイスクの実施例を記載して、より具体的に説明する。
【００４２】
実施例１
前記第１の実施の形態として、基板１の一方の面１ａの面粗さＲａを１ｎｍに固定し、他方の面１ｂの面粗さＲａを１〜６ｎｍに変化させて、図１，図２に示す磁気デイスクを作製した。この磁気デイスクを３，６００ｒｐｍで回転させ、レ―ザを用いた変位計により、磁気デイスクの面振れ量を測定した。面振れ量は、磁気デイスクの外周部での１回転の変位の振幅をもつて表した。この結果は、図１４に示されるとおりであつた。同図から明らかなように、基板１の他方の面１ｂの面粗さＲａを４ｎｍ以上、好ましくは５ｎｍ以上と大きくすると、面振れを大きく抑制できるものであることがわかつた。なお、本実施例では、基板の両面に磁性層を形成した磁気デイスクを示したが、基板の片面のみに磁性層を設けた磁気デイスクにおいても、上記同様の効果を期待できる。
【００４３】
なお、基板表面の面粗さは、位相差測定法を用いたＷＹＫＯ社製の「ＴＯＰＯ−２Ｄ、３Ｄ」、非点収差法を用いた東京精密社製の「Ｓｕｔｃｏｍ９２０Ａ」、デイジタル・インストルメント社製の「Ｎａｎｏ  ＳｃｏｐｅII（原子力間顕微鏡）」などにより、測定することができる。ここでは、ＷＹＫＯ社製の「ＴＯＰＯ−２Ｄ、３Ｄ」を用い、上記面粗さＲａを測定した。また、上記面粗さＲａの定義は、ＪＩＳ−Ｂ０６０１に基づくものである。面粗さＲａの調整は、前記したガラス原盤の研磨を調整することで行つた。
【００４４】
実施例２
前記第２の実施の形態として、図５，図６に示す磁気デイスクを作製した。この磁気デイスクについて、実施例１と同様の方法で面振れ量を測定した。結果は、図１５に示されるとおりであつた。同図から、基板の一方の面の面粗さＲａを２ｎｍ以下としても、面振れ量はほとんど増大しないことがわかつた。
【００４５】
比較例
実施例１と同様にして、基板の両面とも同じ面粗さＲａとした磁気デイスクを作製した。この磁気デイスクについて、実施例１と同様の方法で面振れ量を測定した。結果は、図１６に示されるとおりであつた。この図から明らかなように、面粗さＲａが２ｎｍ以下となると、面振れ量が急増することがわかつた。
【００４６】
【発明の効果】
以上のように、本発明によれば、プラスチツクを用いて射出成形または射出圧縮成形された円板状の非磁性基板の一方の面の面粗さを２ｎｍ以下、他方の面の面粗さを４ｎｍ以上に設定したことにより、成形用金型から離型する際の基板の変形が少なく、基板全体の平坦性を良好に保つことができ、これにより、磁気デイスクの面振れ量を効果的に減少させることができる。
【００４７】
また、上記構成の磁気デイスクの作製にあたり、円板状の非磁性基板の両面の面粗さに対応する転写面を有する第１および第２のスタンパを、射出成形または射出圧縮成形用の金型内に配置し、プラスチツクを成形し上記基板を形成すると同時に、上記両スタンパの転写面を上記基板の両面側に転写させることにより、製作コストの大幅な上昇を招くことなく、所望の上記基板を大量かつ容易に得ることができる。さらにまた、上記構成の磁気デイスクを用いることにより、磁気ヘツドと磁気デイスクとの微小間隔が良好に保たれて、記録再生動作を適正に行える磁気記録再生装置を容易に得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態の磁気デイスクを示す断面図である
【図２】図１のＡの部分を拡大して示す断面図である
【図３】上記磁気デイスクの基板成形用金型の一例を示す断面図である。
【図４】上記磁気デイスクの製造方法を工程順に示す断面図である。
【図５】本発明の第２の実施形態の磁気デイスクを示す断面図である。
【図６】図５のＡの部分を拡大して示す断面図である。
【図７】上記磁気デイスクの表面構造を示す斜視図である。
【図８】上記磁気デイスクのトラツクフオ―マツトの説明図である。
【図９】上記磁気デイスクの製造方法を工程順に示す断面図である。
【図１０】上記磁気デイスクの磁性層に着磁する方法の説明図である。
【図１１】本発明の磁気デイスクを備えた磁気記録再生装置をカバ―の取り外し状態で示す平面図である。
【図１２】上記磁気記録再生装置の断面図である。
【図１３】磁気ヘツドの浮上状態の説明図である。
【図１４】実施例１の磁気デイスクの面振れ量の測定結果を示す特性図である。
【図１５】実施例２の磁気デイスクの面振れ量の測定結果を示す特性図である。
【図１６】比較例の磁気デイスクの面振れ量の測定結果を示す特性図である。
【符号の説明】
１，１１  円板状の非磁性基板
１ａ，１１ａ  基板の一方の面
１ｂ，１１ｂ  基板の他方の面
２  磁性層
１０  凹凸部
１３  ガ―ドバンド溝
２３Ａ  第１のスタンパ
２３ａ  第１のスタンパの転写面
２３Ｂ  第２のスタンパ
２３ｂ  第２のスタンパの転写面
２４    金型
ａ  円周方向
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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