(57)【要約】  【課題】  耐腐蝕性の高いプラズマ処理装置用プレートおよびこれを備えるプラズマ処理装置を提供する。  【解決手段】  本発明のプラズマ処理装置用プレートは、基材がセラミックスからなり、該基材の凹部にあたる内部に第１の金属層を備え、前記基材の一方主面側が、プラズマ生成領域であり、前記第１の金属層が、前記基材の他方主面側においてガラスにより封止されているものである。また、本発明のプラズマ処理装置は、上記構成のプラズマ処理装置用プレートを備えるものである。【選択図】  図１
2016219742.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材がセラミックスからなり、該基材の凹部にあたる内部に第１の金属層を備えるプラズマ処理装置用プレートであって、前記基材の一方主面側が、プラズマ生成領域であり、前記第１の金属層が、前記基材の他方主面側においてガラスにより封止されていることを特徴とするプラズマ処理装置用プレート。
【請求項２】
前記第１の金属層における前記基材の他方主面側に、前記第１の金属層に接する第１のセラミック部材を有していることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理装置用プレート。
【請求項３】
前記内部に、第２の金属層を有していることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のプラズマ処理装置用プレート。
【請求項４】
前記内部に第２のセラミック部材を有し、前記第２の金属層が、前記第１のセラミック部材および前記第２のセラミック部材に接していることを特徴とする請求項３に記載のプラズマ処理装置用プレート。
【請求項５】
前記第１のセラミック部材が座ぐり部を備え、該座ぐり部に前記第２の金属層を備えていることを特徴とする請求項３または請求項４に記載のプラズマ処理装置用プレート。
【請求項６】
前記基材の他方主面側において、前記凹部を覆うセラミック溶射膜を有していることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれかに記載プラズマ処理装置用プレート。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれかに記載のプラズマ処理装置用プレートを備えることを特徴とするプラズマ処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマ処理装置用プレートおよびプラズマ処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
プラズマ処理装置を用いた半導体デバイスの製造工程において、プラズマを利用することによってウェハに成膜やエッチングを行なう工程がある。この工程は、チャンバ内にある試料台上にウェハを載置し、試料台に対向して位置するシャワープレートに設けられた貫通孔からチャンバ内に原料ガスや処理ガスを導入し、試料台側に設けられた下部電極とシャワープレート側に設けられた上部電極とに高周波を印加し、原料ガスや処理ガスをプラズマ化して分解させて、成膜やエッチングを行なう工程である。
【０００３】
このようなシャワープレートとして、特許文献１に、複数の貫通孔を有するセラミック焼結体基材と、該セラミック焼結体基材に形成された導電層とを備えたシャワープレート（半導体製造装置用ガスシャワー体）が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００１−２７４１０３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１に記載されたシャワープレートの作製方法によれば、導電層を形成したセラミック焼結体と他のセラミックス焼結体とが接着剤によって一体化されている。このような作製方法によって得られたシャワープレートは、貫通孔において接着剤からなる接合層が露出しており、貫通孔にプラズマ化されたガスが入り込んだ場合、接合層から腐蝕が進み、成膜条件やエッチング条件が安定しないという問題があった。
【０００６】
また、特許文献１に示すような構成プレートを下部電極を有する部材として試料台側において用いた場合、プレートの側面において接着剤からなる接合層が露出することとなるため、プラズマ化したガスによって、側面の接合層から腐蝕が進むという問題が生じる。
【０００７】
本発明は、上記問題を解決すべく案出されたものであり、耐腐蝕性の高いプラズマ処理装置用プレートおよびこれを備えるプラズマ処理装置を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明のプラズマ処理装置用プレートは、基材がセラミックスからなり、該基材の凹部にあたる内部に第１の金属層を備えるプラズマ処理装置用プレートであって、前記基材の一方主面側が、プラズマ生成領域であり、前記第１の金属層が、前記基材の他方主面側においてガラスにより封止されていることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【０００９】
本発明のプラズマ処理装置用プレートは、高い耐腐蝕性を有する。
【００１０】
本発明のプラズマ処理装置は、成膜条件やエッチング条件が安定しているため、品質のよい成膜およびエッチングを長期間に亘って行なうことができるため、高い信頼性を有する。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】（ａ）は、本実施形態のプラズマ処理装置の概略断面図であり、（ｂ）は本実施形態のプラズマ処理装置用プレートの拡大した部分断面図である。
【図２】本実施形態のプラズマ処理装置用プレートの他の例を示す構成における部分断面図である。
【図３】本実施形態のプラズマ処理装置用プレートのさらに他の例を示す構成における部分断面図である。
【図４】本実施形態のプラズマ処理装置用プレートのさらに他の例を示す構成における部分断面図である。
【図５】本実施形態のプラズマ処理装置用プレートのさらに他の例を示す構成における部分断面図である。
【図６】本実施形態のプラズマ処理装置用プレートのさらに他の例を示す構成における部分断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本実施形態のプラズマ処理装置用プレートおよびプラズマ処理装置の一例について図面を参照しながら説明する。なお、図面において同一の部材には同じ符号を付して説明する。図１（ａ）は、本実施形態のプラズマ処理装置の概略断面図であり、（ｂ）は本実施形態のプラズマ処理装置用プレートの拡大した部分断面図である。
【００１３】
本実施形態のプラズマ処理装置５００は、図１（ａ）の概略断面図に示すように、シャワープレート１００と、試料台２００と、支持台３００と、チャンバ４００により構成されている。シャワープレート１００は、上部電極を内蔵したプラズマ処理装置用プレート１１と、原料ガスや処理ガスの供給孔と繋がり、プラズマ処理装置用プレート１１を保持する保持体１０を備えている。また、試料台２００は、下部電極を内蔵したプラズマ処理装置用プレート２１と、プラズマ処理装置用プレート２１上に静電チャック２０を備えている。
【００１４】
そして、プラズマ処理装置用プレート１１は、図１（ｂ）に示すように、基材１がセラミックスからなり、基材１の凹部２にあたる内部に、上部電極となる第１の金属層３を備え、第１の金属層３は、ガラス４により封止されている。言い換えれば、凹部２における第１の金属層３以外の領域がガラス４で満たされている。プラズマ処理装置用プレート１１において、一方主面１ａ側が、プラズマ生成領域４００Ａに面し、ガラス４の表面は他方主面１ｂ側において露出している。また、プラズマ処理装置用プレート１１においては、凹部２以外の領域に、原料ガスや処理ガスの導入孔として、一方主面１ａから他方主面１ｂを貫く貫通孔５を複数備えている。
【００１５】
このような構成において、ウェハＷのプラズマ処理は、以下のようにして行なわれる。まず、静電チャック２０上にウェハＷを載置し、供給孔および貫通孔５を介して原料ガスや処理ガスをチャンバ４００内に導入する。そして、プラズマ処理装置用プレート１１に内蔵されている第１の金属層３（上部電極）と、プラズマ処理装置用プレート２１に内蔵された下部電極（不図示）とに高周波を印加し、チャンバ４００のプラズマ生成領域４００Ａにおいてプラズマを生成させ、原料ガスや処理ガスをプラズマ化させて、ウェハＷ上において成膜またはエッチングを行う。
【００１６】
上述したプラズマ処理においてプラズマ処理装置用プレート１１は、上部電極となる第１の金属層３が、ガラス４により封止されており、ガラス４がプラズマ生成領域４００Ａに面していないことから、高い耐腐蝕性を有している。なお、図１（ｂ）に示す構成のプラズマ処理装置用プレート１１は、図示における上下を逆さにし、一方主面１ａをプラズマ生成領域４００Ａ側、他方主面１ｂ側を支持台３００側に配置すれば、下部電極を備え
るプラズマ処理装置用プレート２１として用いることができる。プラズマ処理装置用プレート２１において貫通孔５は、無いものであっても構わない。
【００１７】
ここで、セラミックスからなる基材１としては、耐腐蝕性および耐電圧の観点から、酸化アルミニウム質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体、窒化珪素質焼結体のいずれかであることが好ましい。なお、酸化アルミニウム質焼結体とは、焼結体を構成する全成分の合計１００質量％のうち、アルミニウム（Ａｌ）を酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）に換算した値である含有量が９０質量％以上を占める焼結体のことである。窒化アルミニウム質焼結体および窒化珪素質焼結体についても、アルミニウム（Ａｌ）を窒化アルミニウム（ＡｌＮ）に、珪素（Ｓｉ）を窒化珪素（Ｓｉ３Ｎ４）に換算した値である含有量が９０質量％以上を占める焼結体のことである。
【００１８】
そして、含有量は、焼結体をまずＸ線回折装置（ＸＲＤ）を用いて同定し、次に、ＩＣＰ発光分光分析装置（ＩＣＰ）または蛍光Ｘ線分析装置（ＸＲＦ）を用いてアルミニウム（Ａｌ）または珪素（Ｓｉ）を定量し、ＸＲＤにおいて同定された化合物に合わせて、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化珪素（Ｓｉ３Ｎ４）に換算することにより求めることができる。なお、基材１の厚みは、例えば、２ｍｍ以上２５ｍｍ以下である。
【００１９】
次に、凹部２は、ガラス４で封止することができる形状であれば、どのような形状でも構わず、図１（ｂ）に示すような断面形状であれば、矩形状、台形状、三角形状、半円状などが挙げられる。なお、凹部２の深さは、例えば、１ｍｍ以上２０ｍｍ以下である。
【００２０】
また、第１の金属層３は、タングステン、モリブデン、パラジウム、白金、ニッケル、クロム、アルミニウム、銀および銅から選ばれる少なくとも１種を主成分とすることが好ましい。特に、銀および銅は、電気抵抗率が低いうえに、熱伝導率が高いので、プラズマ処理装置用プレート１１の放熱性を向上することができる。なお、第１の金属層３の厚みは、例えば、５０μｍ以上３００μｍ以下である。なお、主成分とは第１の金属層３を構成する全成分１００質量％のうち、５０質量％を超える成分のことである。
【００２１】
第１の金属層３の成分の確認は、第１の金属層３が確認できるように試料を切断するなどの加工を行ない、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）に付設のエネルギー分散型分析器（ＥＤＳ）を用いることにより確認することができる。また、第１の金属層３のみを取りだすことができれば、ＩＣＰによる確認も可能である。
【００２２】
また、ガラス４は、基材１であるセラミックスに近似する熱膨張係数となるように調整されたものであることが好ましい。このように、ガラス４の熱膨張係数がセラミックスからなる基材１と近似しているときには、プラズマ処理時の温度変化に対し、基材１と同じ程度に膨張、収縮することとなることから、ガラス４と基材１との界面において、亀裂が生じることが少ないため、長期間に亘るプラズマ処理に耐えることができる高い信頼性を有するものとなる。例えば、基材１が酸化アルミニウム質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体、窒化珪素質焼結体のいずれかであるときには、ガラス４の熱膨張係数が、４０〜４００℃の温度範囲で２．０×１０−６／℃以上８．０×１０−６／℃に調整されたものであることが好ましい。
【００２３】
次に、図２は、本実施形態のプラズマ処理装置用プレートの他の例を示す構成における部分断面図である。
【００２４】
図２に示す例のプラズマ処理装置用プレート１２は、第１の金属層３における基材１の他方主面１ｂ側に、第１の金属層３に接する第１のセラミック部材６を有している。この
ような構成を満たしているときには、ガラス４よりも第１のセラミック部材６の方が、熱伝導に優れているため、プラズマ処理時に第１の金属層３から生じる熱の放熱特性が高まる。なお、図２に示すように、第１のセラミック部材６が他方主面１ｂ側において露出しているときには、ガラス４の露出する面積が減少することから、プラズマ処理装置用プレート１２の耐腐蝕性がさらに向上する。
【００２５】
また、第１のセラミック部材６は、基材１と同じ材質であることが好ましい。このようにすることで、プラズマ処理時の温度変化に対し、基材１と同じ程度に膨張、収縮することとなることから、基材１および第１のセラミック部材６と、ガラス４との界面において、亀裂等が生じるおそれを少なくすることができる。
【００２６】
次に、図３は、本実施形態のプラズマ処理装置用プレートのさらに他の例を示す構成における部分断面図である。
【００２７】
図３に示す例のプラズマ処理装置用プレート１３は、内部に第２の金属層７を有している。このような構成を満たしているときには、第１の金属層３を上部電極として使用し、第２の金属層７をヒーターとして使用することができ、プラズマ処理装置用プレート１３の温度調節が可能となる。
【００２８】
ここで、第２の金属層７は、第１の金属層３と同様に、タングステン、モリブデン、パラジウム、白金、ニッケル、クロム、アルミニウム、銀および銅から選ばれる少なくとも１種を主成分とすることが好ましい。特に、アルミニウムであるときには、ヤング率が低いので、第２の金属層７をヒーターとして使用した際に内部に熱応力が発生しにくく破損しにくくなり、プラズマ処理装置用プレート３の信頼性を向上することができる。また、低コストであるので部材コストを安く抑えることができる。なお、第２の金属層７の厚みは、例えば、５０μｍ以上３００μｍ以下である。
【００２９】
なお、図３においては、第１のセラミック部材６に接するように第２の金属層７を有している例を示しているが、第２の金属層７は、第１のセラミック部材６の内部に存在したり、第１のセラミック部材６と離間する位置にガラス４に囲まれるように存在したりしていてもよい。
【００３０】
次に、図４は、本実施形態のプラズマ処理装置用プレートのさらに他の例を示す構成における部分断面図である。
【００３１】
図４に示す例のプラズマ処理装置用プレート１４は、内部に第２のセラミック部材８を有し、第２の金属層７が、第１のセラミック部材６および第２のセラミック部材８に接している。このような構成を満たしているときには、第２のセラミック部材８の存在領域がガラス４であるときによりも、第２の金属層７をヒーターとして用いたり、電圧等の印加によって熱を生じたりした際の放熱特性若しくは熱伝達特性が向上する。なお、言うまでもないが、第２のセラミック部材８は、基材１および第１のセラミック部材６と同じ材質であることが好ましい。
【００３２】
次に、図５は、本実施形態のプラズマ処理装置用プレートのさらに他の例を示す構成における部分断面図である。
【００３３】
図５に示す例のプラズマ処理装置用プレート１５は、第１のセラミック部材６が座ぐり部６ａを備え、座ぐり部６ａに第２の金属層７を備えている。このような構成を満たしているときには、第２の金属層７と第１のセラミック部材６との接触面積が増えるため、第２の金属層７から生じた熱の放熱特性若しくは熱伝達特性が向上する。なお、座ぐり部６
ａの形状はどのような形状でも構わない。
【００３４】
次に、図６は、本実施形態のプラズマ処理装置用プレートのさらに他の例を示す構成における部分断面図である。
【００３５】
図６に示すプラズマ処理装置用プレート１６は、基材１の他方主面１ｂ側において、凹部２を覆うセラミック溶射膜９を有している。このような構成を満たしているときには、他方主面１ｂにおいてもガラス４が露出することが無いため、耐腐蝕性がさらに向上する。ここで、セラミック溶射膜９としては、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化珪素、酸化イットリウムなどが挙げられる。また、セラミック溶射膜９の厚みは、例えば、１００μｍ以上３００μｍ以下である。
【００３６】
なお、図２〜図６に示した構成のプラズマ処理装置用プレート１２〜１６は、図示における上下を逆さにし、一方主面１ａをプラズマ生成領域側、他方主面１ｂ側を支持台側に配置すれば、下部電極を備えるプラズマ処理装置用プレートとして用いることができる。
【００３７】
次に、本実施形態のプラズマ処理装置用プレートの作製方法の一例について説明する。
【００３８】
まず、図１（ｂ）に示す構成のプラズマ処理装置用プレート１１を作製する方法について説明する。
【００３９】
まず、基材１を準備する。基材１としてアルミナ質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体や窒化珪素等を用いる場合には、それぞれの焼結体の主成分となる原料粉末、焼結助剤、バインダ、溶媒等を用いてスラリーを作製する。そして、このスラリーを噴霧乾燥して得られた顆粒を用いて冷間静水圧加圧成形（ＣＩＰ）法にてブロック状の成形体を得る。次に、凹部２や貫通孔５に対応する部分をマシニング加工やドリル加工などの切削加工を施すことにより基材１となる成形体を得る。
【００４０】
また、他の成形体を得る方法として、積層法について説明する。まず、上記スラリーを用いてドクターブレード法でグリーンシートを作製し、このグリーンシートを金型で打ち抜く若しくはレーザー加工により、複数枚の所望形状のシート成形体を得る。または、上述したスラリーを噴霧乾燥して造粒された顆粒を得た後、この顆粒を圧延したグリーンシートを金型で打ち抜く若しくはレーザー加工により、複数枚の所望形状のシート成形体を得る。ここで得られたシート成形体は、凹部２および貫通孔５に対応する部分が、抜かれた状態となっているものである。
【００４１】
次に、これらのシート成形体の表面に、上述したスラリーを基にした結合材を塗布して順次積層し、加圧する。このように、凹部２および貫通孔５に対応する部分が、抜かれた状態となっているシート成形体を積層することによって、凹部２および貫通孔５となる空間を有する成形体を得ることができる。
【００４２】
また、このような積層法ならば、内部に中空領域を形成することができ、この中空領域を冷却媒体や熱媒体を流す流路として使用することによって、プラズマ処理装置用プレートの温度を調整することができる。
【００４３】
そして、成形体を所定時間乾燥、脱脂させた後、使用した原料粉末に応じた焼成雰囲気および焼成温度で焼成することにより、基材１を得ることができる。
【００４４】
次に、基材１に第１の金属層３を形成する。まず、金属ペーストまたは金属箔を準備する。ここで、金属ペーストとは、主成分となる金属粉末と、有機溶剤およびバインダを含
んだ有機ビヒクルと混ぜ合わせスラリー状にして作製されるものである。また、金属箔とは、主成分となる金属粉末をメカプレス法や粉末圧延法などで作製されるものであり、必要に応じて、金型による打ち抜きやレーザーによる切り抜きを行ない、形状を調整してもよい。
【００４５】
なお、金属ペーストまたは金属箔は、タングステン、モリブデン、パラジウム、白金、ニッケル、クロム、アルミニウム、銀および銅から選ばれる少なくとも１種を主成分とし、基材１の材質に合わせて、熱処理可能である主成分を選択する。
【００４６】
そして、熱処理後に所望の厚さになるように凹部２の底部に、金属ペーストを用いる場合には塗布し、金属箔を用いる場合には載置し、主成分および基材１の材質に合わせた熱処理温度および焼成雰囲気で、熱処理することによって基材１の凹部２に、第１の金属層３を形成することができる。
【００４７】
なお、必要に応じて基材１との接合強度を向上させるために、金属ペーストおよび金属箔に、珪素、アルミニウム、ビスマス、アルカリ土類金属、硼素および亜鉛などの酸化物を含むガラス成分や、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、ニオブなどの活性金属元素を添加しても構わない。
【００４８】
例えば、第１の金属層３となる金属ペーストまたは金属箔が、銀および銅を主成分とし、チタンを添加したものであれば、基材１がアルミナ質焼結体であるときには、熱処理によって基材１の凹部２の底部と第１の金属層３との界面に酸化チタンが生じ、基材１が窒化アルミニウム質焼結体または窒化珪素質焼結体であるときには、熱処理によって基材１の凹部２の底部と第１の金属層３との界面に窒化チタンが生じ、このような化合物が形成されることによって、接合強度を向上させることができる。
【００４９】
また、第１の金属層３となる金属ペーストまたは金属箔が、銅を主成分とし、ほう硅酸亜鉛系ガラスを添加したものであれば、熱処理後に基材１の凹部２の底部と第１の金属層３との界面にガラス層が形成されこのガラス層の存在により接合強度を向上させることができる。
【００５０】
次に、ガラス４となるガラスペーストを準備する。ガラスペーストは、ガラス４の熱膨張係数が、４０〜４００℃の温度範囲で２．０×１０−６／℃以上８．０×１０−６／℃に調整された粉末を準備することが好ましい。そして、有機溶剤およびバインダを含んだ有機ビヒクルと混ぜ合わせることにより得るガラスペーストを得ることができる。次に、ガラスペーストを凹部２における第１の金属層３上に流し込むことによって凹部２の中がガラスペーストによって満たされ、熱処理を行なうことによって、ガラスにより封止することができる。
【００５１】
なお、ガラス４は、化学的に安定であることが求められていることから珪酸系ガラス粉末を用いることが好ましく、ガラス４の熱膨張係数の調整には、基材１と同じ材質の粉末を添加すればよい。
【００５２】
また、ガラス４の軟化点は、第１の金属層３の融点以下になるように調整することが好ましい。このように調整することによって、熱処理した際に、第１の金属層３の成分がガラス４中に拡散することを防ぐことができる。なお、ガラス４の軟化点は、アルカリ金属、アルカリ土類金属、低融点金属、硼素などの酸化物を添加して調整すればよい。
【００５３】
以上の工程を行なうことにより、図１（ｂ）に示す構成のプラズマ処理装置用プレート１１を得ることができる。このような作製方法でプラズマ処理装置用プレート１１を作製
することによって、凹部２の内部がガラス４で満たされることによって、凹部２の内部に空隙が生じにくいので、空隙の存在による放電が生じにくくなり、電気的な信頼性を向上させることができる。また、上述した方法によれば、金属ペーストの流入量や金属箔の枚数等の調整により、第１の金属層３の厚みの調整を容易に行なうことができる。
【００５４】
次に、図２に示す構成のプラズマ処理装置用プレート１２を作製する方法について説明する。基材１に、第１の金属層３を形成するところまでは、図１（ｂ）に示す構成のプラズマ処理装置用プレート１１を作製する方法と同じである。
【００５５】
第１のセラミック部材６を準備する。成形体から焼成までの作製方法は、上述した方法と同じであり、基材１と同じ顆粒またはスラリーを用いることが好ましい。大きさとしては、凹部２に収まる大きさとなるように調整する。
【００５６】
そして、基材１の凹部２の内部にある第１の金属層３の上に、第１のセラミック部材６を配置した後、ガラスペーストを流し込み熱処理することによって、図２に示す構成のプラズマ処理装置用プレート１２を得ることができる。
【００５７】
次に、図３に示す構成のプラズマ処理装置用プレート１３を作製する方法について説明する。基材１に、第１の金属層３を形成するところまでは、図１（ｂ）に示す構成のプラズマ処理装置用プレート１１を作製する方法と同じである。図２に示す構成のプラズマ処理装置用プレート１２を得るときに用いた第１のセラミック部材６よりは、高さの低い第１のセラミック部材６を準備する。
【００５８】
そして、基材１の凹部２の内部にある第１の金属層３の上に、第１のセラミック部材６を配置した後、第１のセラミック部材６上に、第２の金属層７となる金属ペーストを塗布または金属箔を載置し、熱処理する。なお、第２の金属層７となる金属ペーストまたは金属箔は、第１の金属層３の融点よりも融点が低くなるように調整する。このように、第１の金属層３の融点よりも第２の金属層７となる金属ペーストまたは金属箔の融点を低くすることにより、第２の金属層７の形成における熱処理によって、第１の金属層３に第１のセラミック部材６が食い込んだり、第１の金属層３が断線をしたりすることを防ぐことができる。
【００５９】
次に、ガラス４となるガラスペーストを準備する。なお、ここで用いるガラスペーストは、軟化点が第１の金属層３および第２の金属層７の融点以下になるように調整する。
【００６０】
そして、凹部２にガラスペーストを流し込み熱処理を行なうことによって、図３に示す構成のプラズマ処理装置用プレート１３を得ることができる。
【００６１】
なお、第１のセラミック部材６の中に第２の金属層７を形成する場合には、第２の金属層７に対応する空間を備える第１のセラミック部材６とし、第２の金属層７となる金属ペーストを流し込んで熱処理すればよい。
【００６２】
次に、図４に示す構成のプラズマ処理装置用プレート１４を作製する方法について説明する。第１のセラミック部材６上に、第２の金属層７を形成するところまでは、図３に示す構成のプラズマ処理装置用プレート１３を作製する方法と同じである。
【００６３】
第２のセラミック部材８を準備する。成形体から焼成までの作製方法は、上述した方法と同じであり、基材１および第１のセラミック部材６と同じ顆粒またはスラリーを用いることが好ましい。
【００６４】
そして、準備した第２のセラミック部材８を第２の金属層７の上に載置し、ガラスペーストを凹部２に流し込み熱処理を行なうことによって、図４に示す構成のプラズマ処理装置用プレート１４を作製することができる。
【００６５】
次に、図５に示す構成のプラズマ処理装置用プレート１５を作製する方法について説明する。第１のセラミック部材６が座ぐり部６ａを有していることす以外は、図４に示す構成のプラズマ処理装置用プレート１４を作製する方法と同じ方法により、図５に示す構成のプラズマ処理装置用プレート１５を得ることができる。
【００６６】
第１のセラミック部材６が、座ぐり部６ａを有していることによって、金属ペーストの塗布や金属箔の載置が容易であり、金属ペーストや金属箔が溶融によるって第１のセラミック部材６の側面へ垂れを少なくすることができる。そして、図５に示す構成のプラズマ処理装置用部材１５は、第２の金属層７と第１のセラミック部材６との接触面積が増えるため、第２の金属層７から生じた熱の放熱特性若しくは熱伝達特性が向上したものとなる。
【００６７】
最後に、図６に示す構成のプラズマ処理装置用プレート１６を作製する方法について説明する。熱処理によってガラス４を形成するところまでは、図５に示す構成のプラズマ処理装置用プレート１５を作製する方法と同じであり、その後、凹部２を覆うように、公知のセラミック溶射法で、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化珪素、酸化イットリウムのいずれかのセラミック溶射膜９を作製することにより、図６に示す構成のプラズマ処理装置用プレート１６を得ることができる。なお、説明を省略したが、第１の金属層３および第２の金属層７は、外部の電源と繋がる端子と接続されている。
【００６８】
このようにして作製されたプラズマ処理装置用プレートは、プラズマ生成領域や貫通孔内において、ガラスが露出していないため、高い耐腐蝕性を有する。そして、このようにして作製されたプラズマ処理装置用プレートを備えたプラズマ処理装置は、プラズマ処理装置用プレートが高い耐腐食性を有しており、成膜条件やエッチング条件が安定しているため、品質のよい成膜やエッチンングを長期間に亘って行なうことができ、高い信頼性を有する。
【００６９】
以上、本発明について詳細に説明したが、本発明は上述の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において、種々の変更や改良が可能である。
【符号の説明】
【００７０】
１：基材
２：凹部
３：第１の金属層
４：ガラス
５：貫通孔
６：第１のセラミック部材
７：第２の金属層
８：第２のセラミック部材
９：溶射膜
１１，１２，１３，１４，１５，１６：プラズマ処理装置用プレート
１００：シャワープレート
２００：試料台
３００：支持台
４００：チャンバ
５００：プラズマ処理装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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