(57)【要約】【課題】デスミア耐性、回路埋め込み性、およびレーザ照射による細線加工性のバランスに優れた絶縁シートを実現する。【解決手段】絶縁シートは、一面側に配線を埋め込むための凹部をレーザ照射により形成した後、硬化することにより絶縁層を形成するために用いられる絶縁シートであって、前記一面側に位置する第１樹脂層と、前記一面とは反対の他面側に位置する第２樹脂層と、を備え、前記第１樹脂層は、メディアン径Ｄ５０が０．２μｍ以下である第１シリカ粒子を含み、かつ示差走査熱量計を用いて昇温速度１０℃／ｍｉｎの条件下で３０℃から３５０℃まで昇温した際に得られるＤＳＣ曲線において、二つの発熱ピークが生じる。【選択図】図１
2016219663.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一面側に配線を埋め込むための凹部をレーザ照射により形成した後、硬化することにより絶縁層を形成するために用いられる絶縁シートであって、
前記一面側に位置する第１樹脂層と、
前記一面側とは反対の他面側に位置する第２樹脂層と、
を備え、
前記第１樹脂層は、
メディアン径Ｄ５０が０．２μｍ以下である第１シリカ粒子を含み、かつ、
示差走査熱量計を用いて昇温速度１０℃／ｍｉｎの条件下で３０℃から３５０℃まで昇温した際に得られるＤＳＣ曲線において、二つの発熱ピークが生じる絶縁シート。
【請求項２】
請求項１に記載の絶縁シートにおいて、
前記ＤＳＣ曲線は、第１発熱ピークと、前記第１発熱ピークよりもピーク温度が高く、かつ前記第１発熱ピークよりもピーク高さが高い第２発熱ピークと、を有する絶縁シート。
【請求項３】
請求項２に記載の絶縁シートにおいて、
前記第１発熱ピークのピーク温度をＴ１とし、前記第２発熱ピークのピーク温度をＴ２として、Ｔ２−Ｔ１が３０℃以上である絶縁シート。
【請求項４】
請求項２または３に記載の絶縁シートにおいて、
前記第１発熱ピークのピーク温度は、１５０℃以上１８５℃以下である絶縁シート。
【請求項５】
請求項１〜４いずれか一項に記載の絶縁シートにおいて、
前記第２樹脂層は、前記第１シリカ粒子よりもメディアン径Ｄ５０が大きい第２シリカ粒子を含む絶縁シート。
【請求項６】
請求項１〜５いずれか一項に記載の絶縁シートにおいて、
前記第１樹脂層の厚さは、前記第２樹脂層の厚さよりも小さい絶縁シート。
【請求項７】
請求項１〜６いずれか一項に記載の絶縁シートにおいて、
前記レーザ照射は、エキシマレーザまたはＹＡＧレーザを用いて行われる絶縁シート。
【請求項８】
請求項１〜７いずれか一項に記載の絶縁シートにおいて、
配線基板を構成するビルドアップ材を形成するために用いられる絶縁シート。
【請求項９】
基材と、
前記基材と前記第２樹脂層が対向するよう前記基材上に請求項１〜８いずれか一項に記載の絶縁シートを積層した後、前記絶縁シートを硬化することにより設けられ、かつ表面に凹部が形成された第１絶縁層と、
前記凹部内に埋め込まれた第１配線と、
を備える配線基板。
【請求項１０】
請求項９に記載の配線基板において、
前記第１配線は、配線幅が１０μｍ以下である配線基板。
【請求項１１】
請求項９または１０に記載の配線基板において、
前記第１絶縁層は、前記基材上に設けられた第２絶縁層と、前記第２絶縁層に設けられた第２配線と、を覆うように設けられる配線基板。
【請求項１２】
基材上に、前記基材に前記第２樹脂層が対向するよう請求項１〜８いずれか一項に記載の絶縁シートを積層する工程と、
前記絶縁シートを加熱処理する工程と、
前記絶縁シートの前記一面側に対しレーザ照射を行い、凹部を形成する工程と、
前記凹部内に配線を埋め込む工程と、
を備える配線基板の製造方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載の配線基板の製造方法において、
前記加熱処理する工程では、１２０℃以上１９０℃以下の加熱温度、３０分以上９０分以下の加熱時間で前記絶縁シートを加熱処理する配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、絶縁シート、配線基板、および配線基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
配線基板等の絶縁層を形成するために、たとえば樹脂組成物により構成される樹脂層を用いることが検討されている。このような技術としては、たとえば特許文献１、２に記載のものが挙げられる。
【０００３】
特許文献１には、粗化処理されて用いられる絶縁樹脂フィルムであって、粗化処理される面である第１の主面側において、第２の主面側よりも、シリカが少なく存在するように偏在している絶縁樹脂フィルムが記載されている。特許文献２には、第１の絶縁層と、第１の絶縁層の一方の表面に積層された第２の絶縁層とを有し、第２の絶縁層が、第２の絶縁層を部分的に除去する際に、第１の絶縁層と第２の絶縁層とのうち第２の絶縁層のみを選択的に除去して、得られる絶縁層に第２の絶縁層の厚みの深さの溝を形成することが可能であるように構成された多層絶縁フィルムが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１４−６２１５０号公報
【特許文献２】国際公開第２０１４／０５０８７１号パンフレット
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
配線の微細化を実現する観点から、たとえばレーザ照射によって、配線を埋め込むための凹部を絶縁樹脂層に形成することが検討されている。この場合、レーザ照射により凹部を形成した後の樹脂残渣等を除去するためのデスミア処理に対する耐性（以下、デスミア耐性とも呼ぶ）を向上させることが求められる。しかしながら、デスミア耐性と、レーザ照射による細線加工性と、を両立させることはこれまで困難であった。さらには、このような絶縁樹脂層については、下層に位置する回路への埋め込み性を向上させることも重要となる。このため、レーザ照射による細線加工性、デスミア耐性、および回路埋め込み性のバランスに優れた絶縁シートの実現が求められていた。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明によれば、
一面側に配線を埋め込むための凹部をレーザ照射により形成した後、硬化することにより絶縁層を形成するために用いられる絶縁シートであって、
前記一面側に位置する第１樹脂層と、
前記一面側とは反対の他面側に位置する第２樹脂層と、
を備え、
前記第１樹脂層は、
メディアン径Ｄ５０が０．２μｍ以下である第１シリカ粒子を含み、かつ、
示差走査熱量計を用いて昇温速度１０℃／ｍｉｎの条件下で３０℃から３５０℃まで昇温した際に得られるＤＳＣ曲線において、二つの発熱ピークが生じる絶縁シートが提供される。
【０００７】
また、本発明によれば、
基材と、
前記基材と前記第２樹脂層が対向するよう前記基材上に上述の絶縁シートを積層した後、前記絶縁シートを硬化することにより設けられ、かつ表面に凹部が形成された第１絶縁層と、
前記凹部内に埋め込まれた第１配線と、
を備える配線基板が提供される。
【０００８】
また、本発明によれば、
基材上に、前記基材に前記第２樹脂層が対向するよう上述の絶縁シートを積層する工程と、
前記絶縁シートを加熱処理する工程と、
前記絶縁シートの前記一面側に対しレーザ照射を行い、凹部を形成する工程と、
前記凹部内に配線を埋め込む工程と、
を備える配線基板の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、レーザ照射による細線加工性、デスミア耐性、および回路埋め込み性のバランスに優れた絶縁シートを実現することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本実施形態に係る絶縁シートを示す断面図である。
【図２】本実施形態に係る配線基板の製造方法を示す断面図である。
【図３】本実施形態に係る配線基板の製造方法を示す断面図である。
【図４】本実施形態に係る配線基板の製造方法を示す断面図である。
【図５】本実施形態に係る配線基板を示す断面図である。
【図６】第１樹脂層に対するＤＳＣ測定により得られたＤＳＣ曲線である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
【００１２】
図１は、本実施形態に係る絶縁シート１０を示す断面図である。
本実施形態に係る絶縁シート１０は、一面側に配線を埋め込むための凹部をレーザ照射により形成した後、硬化することにより絶縁層を形成するために用いられる絶縁シートであって、一面側に位置する第１樹脂層１２と、一面とは反対の他面側に位置する第２樹脂層１４と、を備えるものである。第１樹脂層１２は、メディアン径Ｄ５０が０．２μｍ以下である第１シリカ粒子を含み、かつ示差走査熱量計を用いて昇温速度１０℃／ｍｉｎの条件下で３０℃から３５０℃まで昇温した際に得られるＤＳＣ曲線において、二つの発熱ピークが生じる。
【００１３】
上述のように、配線を埋め込むための凹部をレーザ照射によって形成する絶縁樹脂層においては、レーザ照射による細線加工性、デスミア耐性、および回路埋め込み性のバランスを向上させることが求められていた。本発明者は、上述の絶縁シート１０を用いてこのような絶縁樹脂層を形成することにより、これらのバランスを向上させることができることを見出した。これは、メディアン径Ｄ５０が０．２μｍ以下である第１シリカ粒子を含み、かつ昇温速度１０℃／ｍｉｎの条件下で３０℃から３５０℃まで昇温した際のＤＳＣ曲線に二つの発熱ピークが生じる第１樹脂層１２において、細線加工性とデスミア耐性の優れたバランスが実現されることを新たに知見したことに基づくものである。また、第１樹脂層１２と第２樹脂層１４の積層構造とすることにより、第１樹脂層１２においてはレーザ照射による細線加工性やデスミア耐性を向上させつつ、第２樹脂層１４において下層の回路に対する埋め込み性を向上させることが可能となる。このように、本実施形態に係る絶縁シート１０によれば、レーザ照射による細線加工性、デスミア耐性、および回路埋め込み性のバランスを向上させることが可能となる。
【００１４】
以下、本実施形態に係る絶縁シート１０、および当該絶縁シート１０を用いて製造される配線基板について詳細に説明する。
【００１５】
まず、絶縁シート１０について説明する。絶縁シート１０は、上述したとおり、一面側に配線を埋め込むための凹部をレーザ照射により形成した後、硬化することにより絶縁層を形成するために用いられる。絶縁シート１０は、たとえば基材上に積層され、配線基板を構成するビルドアップ材を形成するために用いることができる。
【００１６】
本実施形態においては、たとえば基材上に絶縁シート１０を積層した後、絶縁シート１０のうちの基材と対向する他面とは反対側の一面にレーザ照射によって配線を埋め込むための凹部が形成される。絶縁シート１０に対するレーザ照射は、とくに限定されないが、たとえばＣＯ２レーザ、エキシマレーザ、ＹＡＧレーザ、ＹＶＯ４レーザ、またはＹＬＦレーザ等を用いることができる。これらの中でも、細線加工性を向上させる観点からは、たとえばエキシマレーザまたはＹＡＧレーザを用いることが好ましく、１９３ｎｍ、２４８ｎｍ、もしくは３０８ｎｍのレーザ波長を有するエキシマレーザ、または３５５ｎｍのレーザ波長を有するＹＡＧレーザを用いることがより好ましい。
【００１７】
図１に示すように、絶縁シート１０は、第１樹脂層１２と、第２樹脂層１４と、が互いに積層されて構成されている。絶縁シート１０の一面側に第１樹脂層１２が、絶縁シート１０の一面とは反対の他面側に第２樹脂層１４が、それぞれ位置している。図１に示す例においては、絶縁シート１０が、第１樹脂層１２と第２樹脂層１４のみにより形成されている。この場合、第１樹脂層１２と第２樹脂層１４は、互いに接触することとなる。一方で、絶縁シート１０は、第１樹脂層１２と、第２樹脂層１４と、他の一層または二層以上の絶縁層と、が互いに積層されてなる積層体により構成されていてもよい。この場合、絶縁シート１０のうちの最も一面側に第１樹脂層１２が位置し、最も他面側に第２樹脂層１４が位置するように形成されることとなる。
【００１８】
本実施形態においては、絶縁シート１０の一面側に位置する第１樹脂層１２に対してレーザ照射により配線を埋め込むための凹部が形成される。凹部は、たとえば第１樹脂層１２を貫通しないように形成される。この場合、凹部の側面および底面は第１樹脂層１２により構成されることとなる。これにより、レーザ照射を用いた配線形成時における細線加工性やデスミア耐性をより効果的に向上させることが可能となる。一方で、凹部は、第１樹脂層１２を貫通して第２樹脂層１４に至るように形成されていてもよい。
また、本実施形態においては、絶縁シート１０の他面側に位置する第２樹脂層１４が、絶縁シート１０により形成される絶縁層下に位置する他の絶縁層や、基材、これらの上に形成された回路等に接することとなる。
【００１９】
絶縁シート１０の一面上には、たとえばキャリア２２が形成されている。また、絶縁シート１０の他面上には、たとえばキャリア２４が形成されている。これにより、絶縁シート１０の取扱性を向上させることができる。この場合、たとえば絶縁シート１０からキャリア２４を剥離した後、絶縁シート１０を基材上に積層することとなる。キャリア２２およびキャリア２４を構成する材料は、とくに限定されないが、たとえばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）等の樹脂材料が挙げられる。
【００２０】
本実施形態においては、たとえば第１樹脂層１２の厚さを、第２樹脂層１４の厚さよりも小さくすることができる。このように、第２樹脂層１４の厚さを第１樹脂層１２よりも大きくすることにより、絶縁シート１０により形成される絶縁層下に位置する回路に対する埋め込み性をより効果的に向上させることができる。また、第１樹脂層１２の厚さを小さくすることにより、配線基板の薄型化に寄与することもできる。回路埋め込み性の向上や配線基板の薄型化の観点からは、第１樹脂層１２の厚さｔ１と第２樹脂層１４の厚さｔ２の比ｔ１：ｔ２が、たとえば１：８〜１：１であることがより好ましく、１：８〜１：４であることがさらに好ましい。なお、本実施形態においては、第１樹脂層１２の厚さが第２樹脂層１４の厚さと等しくてもよく、第１樹脂層１２の厚さが第２樹脂層１４の厚さよりも大きくてもよい。
【００２１】
絶縁シート１０の厚さは、とくに限定されないが、たとえば５μｍ以上６０μｍ以下とすることができる。これにより、配線間の絶縁信頼性を向上させつつ、配線基板の薄型化を図ることができる。第１樹脂層１２の厚さは、とくに限定されないが、たとえば１μｍ以上３０μｍ以下とすることができ、１μｍ以上２５μｍ以下とすることがより好ましい。これにより、配線を埋め込むための凹部を形成するための厚みを確保しつつ、配線基板の薄型化に寄与することができる。第２樹脂層１４の厚さは、とくに限定されないが、たとえば１μｍ以上５０μｍ以下とすることができ、５μｍ以上３５μｍ以下とすることがより好ましい。これにより、下層に位置する回路に対する埋め込み性を向上させつつ、配線基板の薄型化に寄与することができる。
【００２２】
次に、第１樹脂層１２について説明する。
本実施形態に係る第１樹脂層１２は、示差走査熱量計を用いて昇温速度１０℃／ｍｉｎの条件化で３０℃から３５０℃まで昇温した際に得られるＤＳＣ曲線において、二つの発熱ピークが生じる。これにより、上述するように、デスミア耐性と細線加工性のバランスを向上させることが可能となる。この理由は明らかではないが、絶縁シート１０に対してレーザ照射する前の予備キュアの段階において、デスミア耐性を向上させ、かつ細線加工性を向上させる程度に、第１樹脂層１２の硬化反応を進行させることができることによるものと考えられる。例えば、十分な樹脂強度を得られることにより、レーザ照射の間隔が１０μｍ以下になっても、レーザ照射時の熱や衝撃により樹脂クラックや剥がれが発生し、配線短絡の原因になることを抑制できる。また、第１ピークで十分な硬化を行うことにより、凹部において後のデスミア工程により樹脂が溶解しても、その形状を維持することができる。更に、第２発熱ピークの硬化により凹部に形成する金属配線の密着向上が図れ、エッチバック時や機械的研磨時に剥離の原因になることを抑制できる。なお、発熱ピークが一つしか生じない場合においては、レーザ照射前の予備キュアの段階で硬化反応が進行しすぎるか、もしくはほとんど進行しないことにより、デスミア耐性や細線加工性が十分に得られないおそれがあることが想定される。本実施形態においては、第１樹脂層１２から得られる上記ＤＳＣ曲線に生じる二つの発熱ピークのうち、低温側に生じるものを第１発熱ピークとし、高温側に生じるものを第２発熱ピークとする。すなわち、第１発熱ピークのピーク温度Ｔ１は、第２発熱ピークのピーク温度Ｔ２よりも低くなる。また、第１発熱ピークのピーク高さをＨ１とし、第２発熱ピークのピーク高さをＨ２とする。
【００２３】
本実施形態においては、第２発熱ピークのピーク高さＨ２を、たとえば第１発熱ピークのピーク高さＨ１よりも高くすることができる。これにより、デスミア耐性と細線加工性のバランスをより効果的に向上させることができる。これは、レーザ照射前の予備キュアによって第１樹脂層１２の硬化反応を、より適度に進行させることができることによるものと推定されている。また、凹部形成後の加熱によって、第１樹脂層１２を十分に硬化させ、絶縁層の機械特性の向上を図ることも可能となる。一方で、第２発熱ピークのピーク高さＨ２は、第１発熱ピークのピーク高さＨ１と同等であってもよく、第１発熱ピークのピーク高さＨ１よりも低くてもよい。
【００２４】
第１発熱ピークのピーク高さＨ１は、たとえば０．０５ｍＷ／ｍｇ以上２ｍＷ／ｍｇ以下とすることができる。これにより、予備キュアにおける第１樹脂層１２の硬化反応をより適度に進行させることができる。第２発熱ピークのピーク高さＨ２はたとえば０．１０ｍＷ／ｍｇ以上とすることができる。これにより、凹部形成後の第１樹脂層１２を、より確実に硬化させることができる。なお、第２発熱ピークのピーク高さＨ２の上限値は、とくに限定されないが、たとえば４．０ｍＷ／ｍｇとすることができる。なお、各ピーク高さはベースラインからの高さである。
【００２５】
本実施形態においては、第１発熱ピークのピーク温度Ｔ１と第２発熱ピークのピーク温度Ｔ２の差Ｔ２−Ｔ１を、たとえば３０℃以上とすることができる。これにより、絶縁シート１０の予備キュア時において第１樹脂層１２における硬化反応が進みすぎることを確実に抑制して、デスミア耐性と細線加工性のバランスをより効果的に向上させることができる。デスミア耐性と細線加工性のバランスを向上させる観点からは、Ｔ２−Ｔ１が、４０℃以上であることがより好ましい。一方で、Ｔ２−Ｔ１は、絶縁シート１０の保存安定性や硬化性を向上させる観点から、たとえば１００℃以下であることが好ましい。
【００２６】
第１発熱ピークのピーク温度Ｔ１は、たとえば１５０℃以上１８５℃以下とすることができる。これにより、デスミア耐性と細線加工性のバランスをより効果的に向上させることができる。また、絶縁シート１０の保存安定性の向上に寄与することもできる。第２発熱ピークのピーク温度Ｔ２は、たとえば２００℃以上２５０℃以下とすることができる。これにより、デスミア耐性と細線加工性のバランスの向上に寄与しつつ、第１樹脂層１２の硬化性を向上させることが可能となる。
【００２７】
本実施形態においては、第１樹脂層１２を構成する各成分の種類や配合割合、および第１樹脂層１２を形成するための第１樹脂層形成用ワニスの調製方法等をそれぞれ適切に選択することによって、発熱ピークの数、Ｔ１、Ｔ２、Ｔ２−Ｔ１、Ｈ１およびＨ２等の第１樹脂層１２のＤＳＣ曲線にみられる各特性を制御することが可能である。第１樹脂層形成用ワニスの調製方法に関しては、たとえば各成分を添加する順序や、シアネート樹脂を含む場合にはこれを逐次添加すること等が上記各特性に影響を与え得ると推定される。
【００２８】
第１樹脂層１２は、たとえば第１樹脂層形成用ワニスを用いて形成される。本実施形態においては、たとえば第１樹脂層形成用ワニスをキャリア２２上に塗布し、これを乾燥することによって第１樹脂層１２が得られる。
【００２９】
第１樹脂層形成用ワニスは、たとえば熱硬化性樹脂（Ａ）と、充填材（Ｂ）と、を含む。
【００３０】
（熱硬化性樹脂（Ａ））
第１樹脂層形成用ワニス中に含まれる熱硬化性樹脂（Ａ）は、たとえばエポキシ樹脂、およびシアネート樹脂のうちの少なくとも一方を含むことができる。これにより、絶縁シート１０の硬化性を向上させ、絶縁シート１０を用いて形成される絶縁層の機械特性の向上に寄与することが可能である。デスミア耐性と細線加工性のバランスを向上させる観点からは、とくにエポキシ樹脂とシアネート樹脂をともに含むことがより好ましい。
【００３１】
エポキシ樹脂は、たとえばビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＥ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＭ型エポキシ樹脂（４，４'−（１，３−フェニレンジイソプリジエン）ビスフェノール型エポキシ樹脂）、ビスフェノールＰ型エポキシ樹脂（４，４'−（１，４−フェニレンジイソプリジエン）ビスフェノール型エポキシ樹脂）、ビスフェノールＺ型エポキシ樹脂（４，４'−シクロヘキシジエンビスフェノール型エポキシ樹脂）などのビスフェノール型エポキシ樹脂；フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、テトラフェノール基エタン型ノボラック型エポキシ樹脂、縮合環芳香族炭化水素構造を有するノボラック型エポキシ樹脂などのノボラック型エポキシ樹脂；ビフェニル型エポキシ樹脂；キシリレン型エポキシ樹脂、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂などのアラルキル型エポキシ樹脂；ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、ナフタレンジオール型エポキシ樹脂、２官能ないし４官能エポキシ型ナフタレン樹脂、ビナフチル型エポキシ樹脂、ナフタレンアラルキル型エポキシ樹脂などのナフタレン骨格を有するエポキシ樹脂；アントラセン型エポキシ樹脂；ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂；ノルボルネン型エポキシ樹脂；アダマンタン型エポキシ樹脂；フルオレン型エポキシ樹脂から選択される一種または二種以上を含むことができる。これらの中でも、デスミア耐性と細線加工性のバランスを向上させる観点や、硬化性を向上させる観点からは、ナフタレン骨格を有するエポキシ樹脂を含むことがより好ましい。また、デスミア耐性と細線加工性のバランスを向上させる観点からは、３官能以上のナフタレン骨格を有するエポキシ樹脂を含むことがとくに好ましい。
【００３２】
本実施形態においては、以下の式（１）、式（２）、および式（３）に示すエポキシ樹脂のうち少なくとも１つを熱硬化性樹脂（Ａ）中に含むことが、好ましい態様の一例として挙げられる。
【００３３】
【化１】
2016219663.tif 000003
（式（１）中、ｎは０〜１０の整数であり、Ｒ１およびＲ２は互いに独立して水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、または炭素数１〜６のアルコキシ基である）
【００３４】
【化２】
2016219663.tif 000004
（式（２）中、ｎは２以上の整数であり、Ｒ１およびＲ３は、互いに独立して水素原子、炭化水素基、水酸基、または炭素数１〜４のアルキル基であり、Ｒ２は、水素原子、炭化水素基、水酸基、炭素数１〜１２の極性基である）
【００３５】
【化３】
2016219663.tif 000005
（式（３）中、ｎは０以上１０以下の整数である）
【００３６】
シアネート樹脂は、たとえばノボラック型シアネート樹脂；ビスフェノールＡ型シアネート樹脂、ビスフェノールＥ型シアネート樹脂、テトラメチルビスフェノールＦ型シアネート樹脂などのビスフェノール型シアネート樹脂；ナフトールアラルキル型フェノール樹脂と、ハロゲン化シアンとの反応で得られるナフトールアラルキル型シアネート樹脂；ジシクロペンタジエン型シアネート樹脂；ビフェニルアルキル型シアネート樹脂から選択される一種または二種以上を含むことができる。これらの中でも、デスミア耐性と細線加工性のバランスを向上させる観点や、硬化性を向上させる観点からは、ノボラック型シアネート樹脂およびナフトールアラルキル型シアネート樹脂のうちの少なくとも一方を含むことがより好ましく、ノボラック型シアネート樹脂を含むことがとくに好ましい。
【００３７】
第１樹脂層形成用ワニス中に含まれる熱硬化性樹脂（Ａ）の含有量は、第１樹脂層形成用ワニスの固形分全体に対して、たとえば１０重量％以上であることが好ましく、２０重量％以上であることがより好ましく、３０重量％以上であることがとくに好ましい。これにより、第１樹脂層形成用ワニスの塗布作業性や、第１樹脂層１２の平滑性を向上させることができる。一方で、第１樹脂層形成用ワニス中に含まれる熱硬化性樹脂（Ａ）の含有量は、第１樹脂層形成用ワニスの固形分（溶剤を除く成分）全体に対して、たとえば８０重量％以下であることが好ましく、７０重量％以下であることがより好ましく、６０重量％以下であることがとくに好ましい。これにより、第１樹脂層１２を用いて形成される絶縁層の耐熱性や耐湿性の向上を図ることができる。また、第１樹脂層形成用ワニスに含まれる熱硬化性樹脂（Ａ）の含有量をこのような範囲とすることにより、デスミア耐性と細線加工性のバランスの向上に寄与することも可能である。
なお、第１樹脂層形成用ワニスの固形分全体とは、第１樹脂層形成用ワニス中に含まれる溶剤を除く成分全体を指す。また、第１樹脂層形成用ワニスの固形分全体に対する熱硬化性樹脂（Ａ）の含有量は、第１樹脂層形成用ワニスにより形成される第１樹脂層１２の固形分全体に対する熱硬化性樹脂（Ａ）の含有量と同等である。これは、後述する溶剤以外の各成分についても同様である。
【００３８】
（充填材（Ｂ））
第１樹脂層形成用ワニス中に含まれる充填材（Ｂ）は、たとえばタルク、焼成クレー、未焼成クレー、マイカ、ガラスなどのケイ酸塩；酸化チタン、アルミナ、ベーマイト、破砕シリカ、溶融シリカなどの酸化物；炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ハイドロタルサイトなどの炭酸塩；水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、水酸化カルシウムなどの水酸化物；硫酸バリウム、硫酸カルシウム、亜硫酸カルシウムなどの硫酸塩または亜硫酸塩；ホウ酸亜鉛、メタホウ酸バリウム、ホウ酸アルミニウム、ホウ酸カルシウム、ホウ酸ナトリウムなどのホウ酸塩；窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化ケイ素、窒化炭素などの窒化物；チタン酸ストロンチウム、チタン酸バリウムなどのチタン酸塩から選択される一種または二種以上を含むことができる。本実施形態において、第１樹脂層形成用ワニス中に含まれる充填材（Ｂ）は、溶融シリカおよび破砕シリカの少なくとも一方を含む。
【００３９】
第１樹脂層形成用ワニス中に含まれる充填材（Ｂ）は、メディアン径Ｄ５０が０．２μｍ以下であるシリカ粒子（Ｂ１）を含む。これにより、上述するように、デスミア耐性と細線加工性のバランスの向上に寄与することができる。細線加工性を向上させる観点からは、シリカ粒子（Ｂ１）のメディアン径Ｄ５０が０．１５μｍ以下であることがより好ましい。シリカ粒子のメディアン径Ｄ５０は、たとえばレーザ回折式粒度分布測定装置（ＨＯＲＩＢＡ社製、ＬＡ−５００）により、粒子の粒度分布を体積基準で測定し、そのメディアン径（Ｄ５０）を算出することにより得ることができる。なお、第１樹脂層形成用ワニス中に含まれる充填材（Ｂ）は、シリカ粒子（Ｂ１）とともに、メディアン径Ｄ５０が０．２μｍ超過であるシリカ粒子（Ｂ２）を混合して得られるものであってもよい。
【００４０】
第１樹脂層形成用ワニス中に含まれる充填材（Ｂ）の含有量は、たとえば第１樹脂層形成用ワニスの固形分全体に対して１０重量％以上であることが好ましく、２０重量％以上であることがより好ましく、３０重量％以上であることがとくに好ましい。これにより、第１樹脂層１２を用いて形成される絶縁層の耐熱性や耐湿性を効果的に向上させることができる。また、第１樹脂層形成用ワニス中に含まれる充填材（Ｂ）の含有量は、たとえば第１樹脂層形成用ワニスの固形分全体に対して７０重量％以下であることが好ましく、６０重量％以下であることがより好ましく、５０重量％以下であることがとくに好ましい。これにより、第１樹脂層形成用ワニスの塗布作業性や、第１樹脂層１２の平滑性を向上させることができる。また、第１樹脂層形成用ワニスに含まれる充填材（Ｂ）の含有量を上記範囲とすることにより、デスミア耐性と細線加工性のバランスの向上に寄与することも可能である。
【００４１】
（硬化剤（Ｃ））
第１樹脂層形成用ワニスは、たとえば硬化剤（Ｃ）を含むことができる。これにより、第１樹脂層形成用ワニスの硬化性を向上させることができる。硬化剤（Ｃ）は、たとえばフェノール樹脂系硬化剤、アミン系硬化剤、および酸無水物系硬化剤から選択される一種または二種以上を含むことができる。本実施形態において、熱硬化性樹脂（Ａ）としてエポキシ樹脂を含む場合には、硬化剤（Ｃ）として、フェノール樹脂系硬化剤、およびアミン系硬化剤のうちの少なくとも一方を含むことが好ましく、フェノール樹脂系硬化剤を少なくとも含むことがとくに好ましい。
【００４２】
フェノール樹脂系硬化剤は、とくに限定されないが、たとえばフェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノールノボラック等のノボラック型樹脂；ポリビニルフェノール；トリフェノールメタン型フェノール樹脂等の多官能型フェノール樹脂；テルペン変性フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール樹脂等の変性フェノール樹脂；フェニレン骨格及び／又はビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂、フェニレン及び／又はビフェニレン骨格を有するナフトールアラルキル樹脂等のアラルキル型樹脂；ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ等のビスフェノール化合物；レゾール型フェノール樹脂等から選択される一種または二種以上を含むことができる。アミン系硬化剤は、とくに限定されないが、たとえばジエチレントリアミン（ＤＥＴＡ）、トリエチレンテトラミン（ＴＥＴＡ）、メタキシレリレンジアミン（ＭＸＤＡ）等の脂肪族ポリアミン、ジアミノジフェニルメタン（ＤＤＭ）、ｍ−フェニレンジアミン（ＭＰＤＡ）、ジアミノジフェニルスルホン（ＤＤＳ）等の芳香族ポリアミン、ベンジルジメチルアミン（ＢＤＭＡ）、２，４，６−トリスジメチルアミノメチルフェノール（ＤＭＰ−３０）などの３級アミン化合物、ジシアンジアミド（ＤＩＣＹ）、有機酸ジヒドララジドなどを含む他のアミン化合物から選択される一種または二種以上を含むことができる。酸無水物系硬化剤としては、たとえばヘキサヒドロ無水フタル酸（ＨＨＰＡ）、メチルテトラヒドロ無水フタル酸（ＭＴＨＰＡ）等の脂環族酸無水物、無水トリメリット酸（ＴＭＡ）、無水ピロメリット酸（ＰＭＤＡ）、ベンゾフェノンテトラカルボン酸（ＢＴＤＡ）等の芳香族酸無水物から選択される一種または二種以上を含むことができる。また、ポリサルファイド、チオエステル、チオエーテル等のポリメルカプタン化合物、イソシアネートプレポリマー、ブロック化イソシアネート等のイソシアネート化合物、カルボン酸含有ポリエステル樹脂等の有機酸類から選択される一種または二種以上を硬化剤（Ｃ）に含んでいてもよい。デスミア耐性向上および細線加工性向上の観点から、硬化剤（Ｃ）は、フェニレン骨格及び／又はビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂を含むことがより好ましい。
【００４３】
第１樹脂層形成用ワニス中に含まれる硬化剤（Ｃ）の含有量は、たとえば第１樹脂層形成用ワニスの固形分全体に対して０．５重量％以上であることが好ましく、１．５重量％以上であることがより好ましく、２重量％以上であることがとくに好ましい。これにより、第１樹脂層１２の平滑性の向上を図ることができる。一方で、第１樹脂層形成用ワニス中に含まれる硬化剤（Ｃ）の含有量は、たとえば第１樹脂層形成用ワニスの固形分全体に対して１０重量％以下であることが好ましく、７重量％以下であることがより好ましく、５重量％以下であることがとくに好ましい。これにより、第１樹脂層１２を用いて形成される絶縁層の耐熱性や耐湿性の向上を図ることができる。また、第１樹脂層形成用ワニスに含まれる熱硬化性樹脂（Ａ）の含有量をこのような範囲とすることにより、デスミア耐性と細線加工性のバランスの向上に寄与することもできる。
【００４４】
（硬化触媒（Ｄ））
第１樹脂層形成用ワニスは、たとえば硬化触媒（Ｄ）を含むことができる。硬化触媒（Ｄ）は、熱硬化性樹脂（Ａ）の硬化反応を促進させるものであればとくに限定されないが、たとえば有機ホスフィン、テトラ置換ホスホニウム化合物、ホスホベタイン化合物、ホスフィン化合物とキノン化合物との付加物、ホスホニウム化合物とシラン化合物との付加物等のリン原子含有化合物；１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７、ベンジルジメチルアミン、２−メチルイミダゾール等が例示されるアミジンや３級アミン、前記アミジンやアミンの４級塩等の窒素原子含有化合物、イミダゾール化合物から選択される１種類または２種類以上を含むことができる。これらの中でも、硬化性を向上させる観点からはリン原子含有化合物を含むことがより好ましい。また、デスミア耐性と細線加工性のバランスを向上させる観点からは、テトラ置換ホスホニウム化合物、ホスホベタイン化合物、ホスフィン化合物とキノン化合物との付加物、ホスホニウム化合物とシラン化合物との付加物等の潜伏性を有するものを含むことがより好ましい。
【００４５】
第１樹脂層形成用ワニスで用いることができる有機ホスフィンとしては、例えばエチルホスフィン、フェニルホスフィン等の第１ホスフィン；ジメチルホスフィン、ジフェニルホスフィン等の第２ホスフィン；トリメチルホスフィン、トリエチルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリフェニルホスフィン等の第３ホスフィンが挙げられる。
【００４６】
第１樹脂層形成用ワニスで用いることができるテトラ置換ホスホニウム化合物としては、例えば下記一般式（４）で表される化合物等が挙げられる。
【００４７】
【化４】
2016219663.tif 000006
（上記一般式（４）において、Ｐはリン原子を表す。Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６およびＲ７は芳香族基またはアルキル基を表す。Ａはヒドロキシル基、カルボキシル基、チオール基から選ばれる官能基のいずれかを芳香環に少なくとも１つ有する芳香族有機酸のアニオンを表す。ＡＨはヒドロキシル基、カルボキシル基、チオール基から選ばれる官能基のいずれかを芳香環に少なくとも１つ有する芳香族有機酸を表す。ｘ、ｙは１〜３の数、ｚは０〜３の数であり、かつｘ＝ｙである。）
【００４８】
一般式（４）で表される化合物は、例えば以下のようにして得られるがこれに限定されるものではない。まず、テトラ置換ホスホニウムハライドと芳香族有機酸と塩基を有機溶剤に混ぜ均一に混合し、その溶液系内に芳香族有機酸アニオンを発生させる。次いで水を加えると、一般式（４）で表される化合物を沈殿させることができる。一般式（４）で表される化合物において、リン原子に結合するＲ４、Ｒ５、Ｒ６およびＲ７がフェニル基であり、かつＡＨはヒドロキシル基を芳香環に有する化合物、すなわちフェノール類であり、かつＡは該フェノール類のアニオンであるのが好ましい。上記フェノール類としては、フェノール、クレゾール、レゾルシン、カテコールなどの単環式フェノール類、ナフトール、ジヒドロキシナフタレン、アントラキノールなどの縮合多環式フェノール類、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＳなどのビスフェノール類、フェニルフェノール、ビフェノールなどの多環式フェノール類などが例示される。
【００４９】
第１樹脂層形成用ワニスで用いることができるホスホベタイン化合物としては、例えば、下記一般式（５）で表される化合物等が挙げられる。
【００５０】
【化５】
2016219663.tif 000007
（上記一般式（５）において、Ｒ８は炭素数１〜３のアルキル基、Ｒ９はヒドロキシル基を表す。ｆは０〜５の数であり、ｇは０〜３の数である。）
【００５１】
一般式（５）で表される化合物は、例えば以下のようにして得られる。まず、第三ホスフィンであるトリ芳香族置換ホスフィンとジアゾニウム塩とを接触させ、トリ芳香族置換ホスフィンとジアゾニウム塩が有するジアゾニウム基とを置換させる工程を経て得られる。しかしこれに限定されるものではない。
【００５２】
第１樹脂層形成用ワニスで用いることができるホスフィン化合物とキノン化合物との付加物としては、例えば、下記一般式（６）で表される化合物等が挙げられる。
【００５３】
【化６】
2016219663.tif 000008
（上記一般式（６）において、Ｐはリン原子を表す。Ｒ１０、Ｒ１１およびＲ１２は炭素数１〜１２のアルキル基または炭素数６〜１２のアリール基を表し、互いに同一であっても異なっていてもよい。Ｒ１３、Ｒ１４およびＲ１５は水素原子または炭素数１〜１２の炭化水素基を表し、互いに同一であっても異なっていてもよく、Ｒ１４とＲ１５が結合して環状構造となっていてもよい。）
【００５４】
ホスフィン化合物とキノン化合物との付加物に用いるホスフィン化合物としては、例えばトリフェニルホスフィン、トリス（アルキルフェニル）ホスフィン、トリス（アルコキシフェニル）ホスフィン、トリナフチルホスフィン、トリス（ベンジル）ホスフィン等の芳香環に無置換またはアルキル基、アルコキシル基等の置換基が存在するものが好ましく、アルキル基、アルコキシル基等の置換基としては１〜６の炭素数を有するものが挙げられる。入手しやすさの観点からはトリフェニルホスフィンが好ましい。
【００５５】
また、ホスフィン化合物とキノン化合物との付加物に用いるキノン化合物としては、ベンゾキノン、アントラキノン類が挙げられ、中でもｐ−ベンゾキノンが保存安定性の点から好ましい。
【００５６】
ホスフィン化合物とキノン化合物との付加物の製造方法としては、有機第三ホスフィンとベンゾキノン類の両者が溶解することができる溶媒中で接触、混合させることにより付加物を得ることができる。溶媒としてはアセトンやメチルエチルケトン等のケトン類で付加物への溶解性が低いものがよい。しかしこれに限定されるものではない。
【００５７】
一般式（６）で表される化合物において、リン原子に結合するＲ１０、Ｒ１１およびＲ１２がフェニル基であり、かつＲ１３、Ｒ１４およびＲ１５が水素原子である化合物、すなわち１，４−ベンゾキノンとトリフェニルホスフィンを付加させた化合物が第１樹脂層１２を用いて形成される絶縁層の熱時弾性率を低下させる点で好ましい。
【００５８】
第１樹脂層形成用ワニスで用いることができるホスホニウム化合物とシラン化合物との付加物としては、例えば下記一般式（７）で表される化合物等が挙げられる。
【００５９】
【化７】
2016219663.tif 000009
（上記一般式（７）において、Ｐはリン原子を表し、Ｓｉは珪素原子を表す。Ｒ１６、Ｒ１７、Ｒ１８およびＲ１９は、それぞれ、芳香環または複素環を有する有機基、あるいは脂肪族基を表し、互いに同一であっても異なっていてもよい。式中Ｒ２０は、基Ｙ２およびＹ３と結合する有機基である。式中Ｒ２１は、基Ｙ４およびＹ５と結合する有機基である。Ｙ２およびＹ３は、プロトン供与性基がプロトンを放出してなる基を表し、同一分子内の基Ｙ２およびＹ３が珪素原子と結合してキレート構造を形成するものである。Ｙ４およびＹ５はプロトン供与性基がプロトンを放出してなる基を表し、同一分子内の基Ｙ４およびＹ５が珪素原子と結合してキレート構造を形成するものである。Ｒ２０、およびＲ２１は互いに同一であっても異なっていてもよく、Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４およびＹ５は互いに同一であっても異なっていてもよい。Ｚ１は芳香環または複素環を有する有機基、あるいは脂肪族基である。）
【００６０】
一般式（７）において、Ｒ１６、Ｒ１７、Ｒ１８およびＲ１９としては、例えば、フェニル基、メチルフェニル基、メトキシフェニル基、ヒドロキシフェニル基、ナフチル基、ヒドロキシナフチル基、ベンジル基、メチル基、エチル基、ｎ−ブチル基、ｎ−オクチル基およびシクロヘキシル基等が挙げられ、これらの中でも、フェニル基、メチルフェニル基、メトキシフェニル基、ヒドロキシフェニル基、ヒドロキシナフチル基等のアルキル基、アルコキシ基、水酸基などの置換基を有する芳香族基もしくは無置換の芳香族基がより好ましい。
【００６１】
また、一般式（７）において、Ｒ２０は、Ｙ２およびＹ３と結合する有機基である。同様に、Ｒ２１は、基Ｙ４およびＹ５と結合する有機基である。Ｙ２およびＹ３はプロトン供与性基がプロトンを放出してなる基であり、同一分子内の基Ｙ２およびＹ３が珪素原子と結合してキレート構造を形成するものである。同様にＹ４およびＹ５はプロトン供与性基がプロトンを放出してなる基であり、同一分子内の基Ｙ４およびＹ５が珪素原子と結合してキレート構造を形成するものである。基Ｒ２０およびＲ２１は互いに同一であっても異なっていてもよく、基Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４、およびＹ５は互いに同一であっても異なっていてもよい。このような一般式（７）中の−Ｙ２−Ｒ２０−Ｙ３−、およびＹ４−Ｒ２１−Ｙ５−で表される基は、プロトン供与体が、プロトンを２個放出してなる基で構成されるものであり、プロトン供与体としては、分子内にカルボキシル基、または水酸基を少なくとも２個有する有機酸が好ましく、さらには芳香環を構成する隣接する炭素にカルボキシル基または水酸基を少なくとも２個有する芳香族化合物が好ましく、芳香環を構成する隣接する炭素に水酸基を少なくとも２個有する芳香族化合物がより好ましく、例えば、カテコール、ピロガロール、１，２−ジヒドロキシナフタレン、２，３−ジヒドロキシナフタレン、２，２'−ビフェノール、１，１'−ビ−２−ナフトール、サリチル酸、１−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸、３−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸、クロラニル酸、タンニン酸、２−ヒドロキシベンジルアルコール、１，２−シクロヘキサンジオール、１，２−プロパンジオールおよびグリセリン等が挙げられるが、これらの中でも、カテコール、１，２−ジヒドロキシナフタレン、２，３−ジヒドロキシナフタレンがより好ましい。
【００６２】
また、一般式（７）中のＺ１は、芳香環または複素環を有する有機基または脂肪族基を表し、これらの具体的な例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ヘキシル基およびオクチル基等の脂肪族炭化水素基や、フェニル基、ベンジル基、ナフチル基およびビフェニル基等の芳香族炭化水素基、グリシジルオキシプロピル基、メルカプトプロピル基、アミノプロピル基等のグリシジルオキシ基、メルカプト基、アミノ基を有するアルキル基およびビニル基等の反応性置換基等が挙げられるが、これらの中でも、メチル基、エチル基、フェニル基、ナフチル基およびビフェニル基が熱安定性の面から、より好ましい。
【００６３】
ホスホニウム化合物とシラン化合物との付加物の製造方法としては、メタノールを入れたフラスコに、フェニルトリメトキシシラン等のシラン化合物、２，３−ジヒドロキシナフタレン等のプロトン供与体を加えて溶かし、次に室温攪拌下ナトリウムメトキシド−メタノール溶液を滴下する。さらにそこへ予め用意したテトラフェニルホスホニウムブロマイド等のテトラ置換ホスホニウムハライドをメタノールに溶かした溶液を室温攪拌下滴下すると結晶が析出する。析出した結晶を濾過、水洗、真空乾燥すると、ホスホニウム化合物とシラン化合物との付加物が得られる。しかし、これに限定されるものではない。
【００６４】
また、第１樹脂層形成用ワニスで用いることができるリン原子含有化合物としては、以下の式（８）で示される化合物が挙げられる。
【００６５】
【化８】
2016219663.tif 000010
【００６６】
第１樹脂層形成用ワニスで用いることができるイミダゾール化合物としては、特に限定されないが、例えば、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドルキシメチルイミダゾール、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール、２，４−ジアミノ−６−〔２'−メチルイミダゾリル−（１'）〕−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−（２'−ウンデシルイミダゾリル）−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−〔２'−エチル−４−メチルイミダゾリル−（１'）〕−エチル−ｓ−トリアジン、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾールなどを挙げることができる。
これらの中でも、特に１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾールが好ましい。このようなイミダゾール化合物の使用により、樹脂組成物の耐熱性を向上させることができるとともに、この樹脂組成物で形成される樹脂層に低熱膨張性、低吸水性を付与することができる。
【００６７】
第１樹脂層形成用ワニス中に含まれる硬化触媒（Ｄ）の含有量は、たとえば第１樹脂層形成用ワニスの固形分全体に対して０．０５重量％以上であることが好ましく、０．１重量％以上であることがより好ましく、０．３重量％以上であることがさらに好ましい。これにより、第１樹脂層１２の硬化性が低下することを抑制できる。また、第１樹脂層形成用ワニス中に含まれる硬化触媒（Ｄ）の含有量は、たとえば第１樹脂層形成用ワニスの固形分全体に対して３重量％以下であることが好ましく、１．５重量％以下であることがより好ましい。これにより、レーザ照射による細線加工性を向上させることが可能となる。また、硬化触媒（Ｄ）の含有量をこのような範囲とすることにより、デスミア耐性の向上に寄与することもできる。
【００６８】
（フェノキシ樹脂（Ｅ））
第１樹脂層形成用ワニスは、たとえばフェノキシ樹脂（Ｅ）を含むことができる。これにより、絶縁シートを製造する際の製膜性を向上させることができる。また、デスミア耐性と細線加工性のバランスの向上に寄与することも可能である。フェノキシ樹脂（Ｅ）は、たとえばビスフェノール骨格を有するフェノキシ樹脂、ナフタレン骨格を有するフェノキシ樹脂、およびビフェニル骨格を有するフェノキシ樹脂のうちの一種または二種以上を含むことができる。これらの中でも、ビスフェノール骨格を有するフェノキシ樹脂およびビフェニル骨格を有するフェノキシ樹脂の少なくとも一方を含むことが、デスミア耐性と細線加工性のバランスを向上させる観点からとくに好ましい。本実施形態においては、ビフェニル骨格を有するフェノキシ樹脂の一例として、ビフェニルとビスフェノールアセトン構造を含むフェニル型フェノキシ樹脂を採用することができる。
【００６９】
第１樹脂層形成用ワニス中に含まれるフェノキシ樹脂（Ｅ）の含有量は、たとえば第１樹脂層形成用ワニスの固形分全体に対して０．５重量％以上であることが好ましく、１．５重量％以上であることがより好ましく、２重量％以上であることがとくに好ましい。これにより、絶縁シートを製造する際の製膜性をより効果的に向上させることができる。また、第１樹脂層形成用ワニス中に含まれるフェノキシ樹脂（Ｅ）の含有量は、たとえば第１樹脂層形成用ワニスの固形分全体に対して１０重量％以下であることが好ましく、７重量％以下であることがより好ましく、５重量％以下であることがとくに好ましい。これにより、第１樹脂層１２を用いて形成される絶縁層の耐熱性や耐湿性の向上を図ることができる。また、第１樹脂層形成用ワニスに含まれるフェノキシ樹脂（Ｅ）の含有量をこのような範囲とすることにより、デスミア耐性と細線加工性のバランスの向上に寄与することも可能である。
【００７０】
（シランカップリング剤（Ｆ））
第１樹脂層形成用ワニスは、たとえばシランカップリング剤（Ｆ）を含むことができる。シランカップリング剤（Ｆ）は、たとえばエポキシシラン、メルカプトシラン、アミノシラン、アルキルシラン、ウレイドシラン、ビニルシラン、フェニルシラン、およびメタクリルシランから選択される一種または二種以上を含むことができる。これらを例示すると、ビニルトリクロロシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリス（β−メトキシエトキシ）シラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−アニリノプロピルトリメトキシシラン、γ−アニリノプロピルメチルジメトキシシラン、γ−［ビス（β−ヒドロキシエチル）］アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−β−（アミノエチル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β−（アミノエチル）−γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−β−（アミノエチル）−γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−（β−アミノエチル）アミノプロピルジメトキシメチルシラン、Ｎ−（トリメトキシシリルプロピル）エチレンジアミン、Ｎ−（ジメトキシメチルシリルイソプロピル）エチレンジアミン、メチルトリメトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、Ｎ−β−（Ｎ−ビニルベンジルアミノエチル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−クロロプロピルトリメトキシシラン、ヘキサメチルジシラン、ビニルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、３−イソシアネートプロピルトリエトキシシラン、３−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３−トリエトキシシリル−Ｎ−（１，３−ジメチルーブチリデン）プロピルアミンの加水分解物等が挙げられる。
【００７１】
第１樹脂層形成用ワニス中におけるシランカップリング剤（Ｆ）の含有量は、たとえば第１樹脂層形成用ワニスの固形分全体に対して、０．０５重量％以上であることが好ましく、０．１重量％以上であることがより好ましい。これにより、充填材（Ｂ）の分散性を向上させることができる。このため、耐湿信頼性や耐リフロー性等をより効果的に向上させることが可能となる。また、デスミア耐性と細線加工性のバランスの向上に寄与することもできる。また、第１樹脂層形成用ワニス中におけるシランカップリング剤（Ｆ）の含有量は、たとえば第１樹脂層形成用ワニスの固形分全体に対して、２重量％以下であることが好ましく、１重量％以下であることがより好ましい。これにより、第１樹脂層形成用ワニスの硬化性の向上を図ることができる。
【００７２】
（その他の成分）
第１樹脂層形成用ワニスは、上記各成分以外に、必要に応じてアクリル系レベリング剤、およびシリコンアクリル共重合系レベリング剤等に例示されるレベリング剤；ハイドロタルサイト類および多価金属酸性塩等の無機イオン交換体に例示されるイオン捕捉剤；シリコーンゴム等の低応力材；カーボンブラック、ベンガラ等の着色剤；水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、ホウ酸亜鉛、モリブデン酸亜鉛、ホスファゼン等の難燃剤；酸化防止剤等の各種添加剤を適宜配合してもよい。
第１樹脂層形成用ワニス中におけるレベリング剤の含有量は、たとえば第１樹脂層形成用ワニスの固形分全体に対して、０．０１重量％以上１．０重量％以下とすることができる。
【００７３】
（溶剤）
第１樹脂層形成用ワニス中に含まれる溶剤としては、たとえばアセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、トルエン、酢酸エチル、シクロヘキサン、ヘプタン、シクロヘキサン、シクロヘキサノン、テトラヒドロフラン、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、エチレングリコール、セルソルブ系、カルビトール系、アニソール、およびＮ−メチルピロリドン等の有機溶剤から選択される一種または二種以上を含むことができる。第１樹脂層形成用ワニスは、たとえば上記各成分を、溶剤中に添加し、撹拌することにより溶解、分散させて調製することができる。この際、たとえば超音波分散方式、高圧衝突式分散方式、高速回転分散方式、ビーズミル方式、高速せん断分散方式、および自転公転式分散方式などの各種混合機を用いることができる。
【００７４】
次に、第２樹脂層１４について説明する。
第２樹脂層１４は、たとえば第２樹脂層形成用ワニスを用いて形成される。本実施形態においては、たとえば第２樹脂層形成用ワニスをキャリア２４上に塗布し、これを乾燥することによって第２樹脂層１４が得られる。本実施形態においては、たとえばこのようにして得られた第２樹脂層１４を第１樹脂層１２上に積層して絶縁シート１０が得られる。
【００７５】
第２樹脂層形成用ワニスは、たとえば熱硬化性樹脂（Ａ）と、充填材（Ｂ）と、を含む。
【００７６】
（熱硬化性樹脂（Ａ））
第２樹脂層形成用ワニス中に含まれる熱硬化性樹脂（Ａ）としては、第１樹脂層形成用ワニス中に含まれる熱硬化性樹脂（Ａ）として例示したものを用いることが可能である。第２樹脂層形成用ワニス中に含まれる熱硬化性樹脂（Ａ）は、回路埋め込み性を向上させる観点から、とくにエポキシ樹脂とシアネート樹脂をともに含むことが好ましい。エポキシ樹脂としては、ビスフェノール型エポキシ樹脂およびジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂の一方または双方を含むことが、第２樹脂層１４の回路埋め込み性や硬化性を向上させる観点から好ましい。また、これにより、第２樹脂層１４を用いて形成される絶縁層の耐湿信頼性の向上を図ることも可能である。シアネート樹脂としては、ノボラック型シアネート樹脂を含むことが、第２樹脂層１４の回路埋め込み性や硬化性を向上させる観点から好ましい。
【００７７】
第２樹脂層形成用ワニス中に含まれる熱硬化性樹脂（Ａ）の含有量は、第２樹脂層形成用ワニスの固形分全体に対して、たとえば１０重量％以上であることが好ましく、２０重量％以上であることがより好ましく、２５重量％以上であることがとくに好ましい。これにより、第２樹脂層形成用ワニスの塗布作業性や、第２樹脂層１４の平滑性を向上させることができる。また、第２樹脂層１４の回路埋め込み性をより効果的に向上させることも可能である。一方で、第２樹脂層形成用ワニス中に含まれる熱硬化性樹脂（Ａ）の含有量は、第２樹脂層形成用ワニスの固形分（溶剤を除く成分）全体に対して、たとえば７０重量％以下であることが好ましく、６０重量％以下であることがより好ましく、５０重量％以下であることがとくに好ましい。これにより、第２樹脂層１４を用いて形成される絶縁層の耐熱性や耐湿性の向上を図ることができる。
なお、第２樹脂層形成用ワニスの固形分全体とは、第２樹脂層形成用ワニス中に含まれる溶剤を除く成分全体を指す。また、第２樹脂層形成用ワニスの固形分全体に対する熱硬化性樹脂（Ａ）の含有量は、第２樹脂層形成用ワニスにより形成される第２樹脂層１４の固形分全体に対する熱硬化性樹脂（Ａ）の含有量と同等である。これは、後述する溶剤以外の各成分についても同様である。
【００７８】
（充填材（Ｂ））
第２樹脂層形成用ワニス中に含まれる充填材（Ｂ）としては、第１樹脂層形成用ワニス中に含まれる充填材（Ｂ）として例示したものを用いることが可能である。第２樹脂層形成用ワニス中に含まれる充填材（Ｂ）は、溶融シリカおよび破砕シリカのうちの少なくとも一方を含むことが、第２樹脂層１４を用いて形成される絶縁層の機械特性の向上や低誘電率化を図る観点から、より好ましい。
【００７９】
第２樹脂層形成用ワニス中に含まれる充填材（Ｂ）は、たとえば第１樹脂層形成用ワニス中に含まれるシリカ粒子（Ｂ１）よりもメディアン径Ｄ５０が大きいシリカ粒子（Ｂ３）を含むことができる。これにより、第２樹脂層１４を用いて形成される絶縁層の耐湿信頼性や強度等をより効果的に向上させることができる。このようなシリカ粒子（Ｂ３）としては、たとえばメディアン径Ｄ５０が０．２μｍ超過であるもの、より好ましくはメディアン径Ｄ５０が０．３μｍ以上であるものを採用することができる。
【００８０】
第２樹脂層形成用ワニス中に含まれる充填材（Ｂ）の含有量は、たとえば第２樹脂層形成用ワニスの固形分全体に対して１０重量％以上であることが好ましく、３０重量％以上であることがより好ましく、４０重量％以上であることがとくに好ましい。これにより、第２樹脂層１４を用いて形成される絶縁層の耐熱性や耐湿性を効果的に向上させることができる。また、第２樹脂層形成用ワニス中に含まれる充填材（Ｂ）の含有量は、たとえば第２樹脂層形成用ワニスの固形分全体に対して８０重量％以下であることが好ましく、７０重量％以下であることがより好ましく、６５重量％以下であることがとくに好ましい。これにより、第２樹脂層形成用ワニスの塗布作業性や、第２樹脂層１４の平滑性を向上させることができる。また、第２樹脂層１４の回路埋め込み性をより効果的に向上させることも可能となる。
【００８１】
（硬化剤（Ｃ））
第２樹脂層形成用ワニスは、たとえば硬化剤（Ｃ）を含むことができる。第２樹脂層形成用ワニス中に含まれる硬化剤（Ｃ）としては、第１樹脂層形成用ワニス中に含まれる硬化剤（Ｃ）として例示したものを用いることが可能である。第２樹脂層形成用ワニス中に含まれる硬化剤（Ｃ）の含有量は、たとえば第２樹脂層形成用ワニスの固形分全体に対して０．５重量％以上１０重量％以下であることが好ましい。これにより、第２樹脂層１４の平滑性を向上させつつ、第２樹脂層１４を用いて形成される絶縁層の耐熱性や耐湿性の向上を図ることができる。なお、第２樹脂層形成用ワニスには、硬化剤（Ｃ）が含まれていなくともよい。硬化剤（Ｃ）を含まないとは、第２樹脂層形成用ワニスの固形分全体に対して硬化剤（Ｃ）の含有量が０．０１重量％未満である場合をさす。
【００８２】
（硬化触媒（Ｄ））
第２樹脂層形成用ワニスは、たとえば硬化触媒（Ｄ）を含むことができる。第２樹脂層形成用ワニス中に含まれる硬化触媒（Ｄ）としては、第１樹脂層形成用ワニス中に含まれる硬化触媒（Ｄ）として例示したものを用いることが可能である。第２樹脂層形成用ワニス中に含まれる硬化触媒（Ｄ）は、第２樹脂層１４の硬化性を向上させる観点から、リン原子含有化合物およびイミダゾール化合物のうち少なくとも１種を含むことがより好ましい。また、第２樹脂層１４の回路埋め込み性を向上させる観点からは、テトラ置換ホスホニウム化合物、ホスホベタイン化合物、ホスフィン化合物とキノン化合物との付加物、ホスホニウム化合物とシラン化合物との付加物等の潜伏性を有するもの、および１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール等のイミダゾール化合物からなる群から選択される１種または２種以上を含むことがより好ましい。
【００８３】
第２樹脂層形成用ワニス中に含まれる硬化触媒（Ｄ）の含有量は、たとえば第２樹脂層形成用ワニスの固形分全体に対して０．１重量％以上であることが好ましく、０．３重量％以上であることがより好ましく、０．５重量％以上であることがとくに好ましい。また、第２樹脂層形成用ワニス中に含まれる硬化触媒（Ｄ）の含有量は、たとえば第２樹脂層形成用ワニスの固形分全体に対して３重量％以下であることが好ましく、２重量％以下であることがより好ましく、１．５重量％以下であることがとくに好ましい。硬化触媒（Ｄ）の含有量を上記範囲とすることにより、第２樹脂層１４の硬化性や回路埋め込み性の向上に寄与することが可能となる。
【００８４】
（フェノキシ樹脂（Ｅ））
第２樹脂層形成用ワニスは、たとえばフェノキシ樹脂（Ｅ）を含むことができる。第２樹脂層形成用ワニス中に含まれるフェノキシ樹脂（Ｅ）としては、第１樹脂層形成用ワニス中に含まれるフェノキシ樹脂（Ｅ）として例示したものを用いることが可能である。第２樹脂層形成用ワニス中に含まれるフェノキシ樹脂（Ｅ）は、第２樹脂層１４製造時における製膜性や、第２樹脂層１４の回路埋め込み性を向上させる観点から、ビスフェノール骨格を有するフェノキシ樹脂およびビフェニル骨格を有するフェノキシ樹脂の少なくとも一方を含むこととくに好ましい。
【００８５】
第２樹脂層形成用ワニス中に含まれるフェノキシ樹脂（Ｅ）の含有量は、たとえば第２樹脂層形成用ワニスの固形分全体に対して０．５重量％以上であることが好ましく、１．５重量％以上であることがより好ましく、２重量％以上であることがとくに好ましい。これにより、絶縁シートを製造する際の製膜性や、回路埋め込み性をより効果的に向上させることができる。また、第２樹脂層形成用ワニス中に含まれるフェノキシ樹脂（Ｅ）の含有量は、たとえば第２樹脂層形成用ワニスの固形分全体に対して１２重量％以下であることが好ましく、７重量％以下であることがより好ましく、５重量％以下であることがとくに好ましい。これにより、第２樹脂層１４を用いて形成される絶縁層の耐熱性や耐湿性の向上を図ることができる。
【００８６】
（シランカップリング剤（Ｆ））
第２樹脂層形成用ワニスは、たとえばシランカップリング剤（Ｆ）を含むことができる。第２樹脂層形成用ワニス中に含まれるシランカップリング剤（Ｆ）としては、第１樹脂層形成用ワニス中に含まれるシランカップリング剤（Ｆ）として例示したものを用いることが可能である。第２樹脂層形成用ワニス中におけるシランカップリング剤（Ｆ）の含有量は、たとえば第２樹脂層形成用ワニスの固形分全体に対して、０．０５重量％以上であることが好ましく、０．１重量％以上であることがより好ましい。これにより、充填材（Ｂ）の分散性を向上させることができる。このため、耐湿信頼性や耐リフロー性等をより効果的に向上させることが可能となる。また、第２樹脂層形成用ワニス中におけるシランカップリング剤（Ｆ）の含有量は、たとえば第２樹脂層形成用ワニスの固形分全体に対して、２重量％以下であることが好ましく、１重量％以下であることがより好ましい。これにより、第２樹脂層形成用ワニスの硬化性の向上を図ることができる。
【００８７】
（その他の成分）
第２樹脂層形成用ワニスは、上記各成分以外に、第１樹脂層形成用ワニスと同様にレベリング剤、イオン捕捉剤、低応力材、着色剤、難燃剤、酸化防止剤等の各種添加剤を適宜配合してもよい。
第２樹脂層形成用ワニス中におけるレベリング剤の含有量は、たとえば第２樹脂層形成用ワニスの固形分全体に対して、０．０１重量％以上１．０重量％以下とすることができる。
【００８８】
（溶剤）
第２樹脂層形成用ワニス中に含まれる溶剤としては、たとえば第１樹脂層形成用ワニス中に含まれる溶剤として例示したものを用いることが可能である。第２樹脂層形成用ワニスは、たとえば上記各成分を、溶剤中に添加し、撹拌することにより溶解、分散させて調製することができる。この際、たとえば超音波分散方式、高圧衝突式分散方式、高速回転分散方式、ビーズミル方式、高速せん断分散方式、および自転公転式分散方式などの各種混合機を用いることができる。
【００８９】
次に、本実施形態に係る配線基板の一例について説明する。
図５は、本実施形態に係る配線基板１００を示す断面図である。本実施形態に係る配線基板１００は、基材３０と、基材３０と第２樹脂層１４が対向するよう基材３０上に絶縁シート１０を積層した後、絶縁シート１０を硬化することにより設けられ、かつ表面に凹部１２２が形成された絶縁層６０と、凹部１２２内に埋め込まれた配線５４と、を備えている。絶縁シート１０としては、上記に例示したものを用いることができる。
【００９０】
基材３０は、たとえば繊維基材に樹脂組成物を含浸してなる樹脂基材である。図５に示す例においては、基材３０の一面と他面を貫通する貫通孔が基材３０に設けられている。基材３０の一面には、たとえば配線４０が設けられている。基材３０は、たとえば一面上および他面上に配線４０を有することができる。この場合、一面上の配線４０と、他面上の配線４０は、たとえば基材３０を貫通する上記貫通孔内に設けられた導電膜を介して互いに電気的に接続されることができる。一方で、基材３０は、一面上のみに配線４０を有し、他面上には配線４０を有していなくともよい。
【００９１】
絶縁層６０は、配線基板１００のビルドアップ材を構成している。絶縁層６０内には、たとえば絶縁層６０の下層に位置する配線４０と、配線５４と、を接続するためのビア３６を設けることができる。図５に示す例においては、絶縁層６０内に形成されたビア３６を介して、配線４０と配線５４が互いに接続されている。
【００９２】
絶縁層６０は、第１樹脂層１２を硬化させて形成される絶縁層６０２と、第２樹脂層１４を硬化させて形成される絶縁層６０４と、を含む。絶縁層６０のうちの基材３０と対向する他面は、絶縁層６０４により構成されている。また、絶縁層６０のうちの上記他面とは反対側の一面は、絶縁層６０２により構成されている。図５に示す例においては、絶縁層６０が、絶縁層６０２と絶縁層６０４のみによって構成される場合が例示されている。一方で、絶縁層６０は、絶縁層６０２と絶縁層６０４の間に、一層または二層以上の他の絶縁層を含んでいてもよい。
【００９３】
配線５４の配線幅は、とくに限定されないが、たとえば１０μｍ以下とすることができる。これにより、回路の微細化や、配線基板の小型化に寄与することができる。また、配線５４の配線高さは、とくに限定されないが、たとえば１０μｍ以下とすることができる。配線５４を埋め込む凹部１２２は、たとえば絶縁層６０２を貫通しないように形成される。この場合、凹部１２２の側面および底面は絶縁層６０２により構成されることとなる。これにより、レーザ照射による配線形成時における細線加工性やデスミア耐性をより効果的に向上させることが可能となる。一方で、凹部１２２は、絶縁層６０２を貫通して絶縁層６０４に至るように形成されていてもよい。
【００９４】
本実施形態においては、基材３０と絶縁層６０の間、すなわち配線４０と絶縁層６０４の間に、他の絶縁層が設けられていてもよい。この場合、たとえば当該他の絶縁層の表面には凹部が形成され、配線が凹部内に埋め込まれる。そして絶縁層６０は、たとえば基材３０上に設けられた当該他の絶縁層と、当該他の絶縁層に設けられた配線と、を覆うように設けられる。このような構成を採用することにより、基材３０上に多層配線構造を形成することが可能となる。
【００９５】
図２〜４は、本実施形態に係る配線基板１００の製造方法を示す断面図である。
配線基板１００の製造方法は、たとえば次のように行うことができる。まず、基材３０上に、基材３０に第２樹脂層１４が対向するよう絶縁シート１０を積層する。次いで絶縁シート１０を加熱処理する。次いで、絶縁シート１０の一面に対しレーザ照射を行い、凹部１２２を形成する。次いで、凹部１２２内に配線５４を埋め込む。以下、配線基板１００の製造方法につき詳細に説明する。
【００９６】
まず、図２（ａ）に示すように、少なくとも一面に配線４０が設けられた基材３０を準備する。本実施形態においては、基材３０の一面および他面に配線４０が設けられた態様を一例として採用することができる。
【００９７】
次に、図２（ｂ）に示すように、基材３０上に、基材３０に第２樹脂層１４が対向するように上記に例示した絶縁シート１０を積層する。本実施形態においては、たとえば絶縁シート１０からキャリア２４を剥離した後に、基材３０上に絶縁シート１０を積層する。図２（ｂ）に示す例においては、第２樹脂層１４が基材３０の一面および配線４０に接するように、絶縁シート１０が基材３０上に積層される。基材３０内に貫通孔が設けられている場合には、当該貫通孔内の少なくとも一部が第２樹脂層１４によって埋め込まれるように、基材３０上に絶縁シート１０が積層されてもよい。本実施形態においては、このように、基材３０の一面に対して第２樹脂層１４が接するため、当該一面に設けられた配線４０間の空隙を第２樹脂層１４によって良好に埋め込むことが可能となる。
また、本実施形態においては、たとえば絶縁シート１０を基材３０上に積層した後に、絶縁シート１０からキャリア２２を剥離する工程を行うことができる。
【００９８】
次に、絶縁シート１０に対して予備キュアとなる加熱処理を行う。この加熱処理は、たとえば１２０℃以上１９０℃以下、３０分以上９０分以下の条件で行うことができる。これにより、絶縁シート１０のうちの第１樹脂層１２内における硬化反応を適度に進行させて、後述するレーザ照射による凹部１２２の形成において、デスミア耐性と細線加工性のバランスを向上させることができる。
【００９９】
次に、図３（ａ）に示すように、絶縁シート１０の一面に対してレーザ照射を行い、凹部１２２を形成する。図３（ａ）に示す例においては、凹部１２２が第１樹脂層１２を貫通しないように、レーザ照射の条件を適切に選択することができる。レーザ照射は、とくに限定されないが、たとえばＣＯ２レーザ、エキシマレーザ、ＹＡＧレーザ、ＹＶＯ４レーザ、またはＹＬＦレーザ等を用いて行うことができる。本実施形態においては、絶縁シート１０の一面に、たとえば幅１０μｍ以下、深さ１０μｍ以下の凹部１２２を形成することができる。このような微細な凹部を形成する場合においても、絶縁シート１０の一面を第１樹脂層１２により構成することにより、優れた細線加工性を実現することができる。
また、凹部１２２を形成する工程の前、または後において、絶縁シート１０を貫通して配線４０に至るビアホール１２４を絶縁シート１０に形成する工程を含むことができる。ビアホール１２４の形成方法は、とくに限定されないが、たとえばレーザ照射により行うことが可能である。
【０１００】
本実施形態においては、レーザ照射により凹部１２２を形成する工程の後において、絶縁シート１０の一面に対してデスミア処理を行うことができる。これにより、レーザ照射により生じた樹脂残渣等を除去することができる。デスミア処理は、たとえば薬液処理、またはプラズマ処理を用いて行うことができる。薬液処理においては、たとえば過マンガン酸塩、重クロム酸等を薬液として使用することができる。プラズマ処理においては、たとえばは窒素プラズマ、酸素プラズマ、アルゴンプラズマ、四フッ化メタンプラズマ、もしくはこれらの混合ガスのプラズマを使用することができる。本実施形態においては、絶縁シート１０の一面を第１樹脂層１２により構成しているため、デスミア処理によって凹部１２２の内壁等に生じる凹凸を低減することが可能である。
【０１０１】
次に、図３（ｂ）に示すように、絶縁シート１０の一面上、および凹部１２２の内壁上に、無電解めっき法を用いて無電解めっき層５０を形成する。また、絶縁シート１０にビアホール１２４が形成されている場合には、ビアホール１２４の内壁上にも無電解めっき層５０を形成することができる。無電解めっき層５０の材料は、とくに限定されないが、たとえば銅またはニッケルを用いることができる。なお、無電解めっき層５０を形成した後に、熱風乾燥装置を用いて１５０℃以上２００℃以下、１０分以上１２０分以下の条件で熱処理を行うことにより、第１樹脂層１２と無電解めっき層５０との密着をより良好にすることができる。
【０１０２】
次に、図４（ａ）に示すように、電解めっき法を用いて、無電解めっき層５０上に電解めっき層５２を形成する。これにより、凹部１２２内およびビアホール１２４内は電解めっき層５２によって埋め込まれることとなる。図４（ａ）に示す例においては、凹部１２２およびビアホール１２４を埋め込み、かつ絶縁シート１０の一面を覆うように電解めっき層５２が形成されている。電解めっき層５２は、たとえば硫酸銅電解めっきにより形成することができる。
【０１０３】
次に、図４（ｂ）に示すように、無電解めっき層５０および電解めっき層５２のうち、凹部１２２とビアホール１２４の外に位置する部分を除去する。これにより、凹部１２２内に配線５４が形成され、ビアホール１２４内にビア３６が形成されることとなる。無電解めっき層５０および電解めっき層５２の除去は、たとえば化学エッチング処理、研磨処理、およびバフ研磨処理等により行うことができる。
【０１０４】
次に、絶縁シート１０に対して加熱処理を施して第１樹脂層１２および第２樹脂層１４を硬化させる。加熱処理は、たとえば１５０℃以上２２０℃以下、３０分以上９０分以下の条件により行うことができる。これにより、第１樹脂層１２が硬化して形成される絶縁層６０２と、第２樹脂層１４が硬化して形成される絶縁層６０４と、により構成される絶縁層６０が形成されることとなる。
このようにして、図５に示す配線基板１００が得られる。
【０１０５】
なお、本発明は前述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。
【実施例】
【０１０６】
以下、本発明を実施例および比較例により説明する。各実施例および各比較例において用いられている成分の詳細は以下のとおりである。
【０１０７】
（熱硬化性樹脂（Ａ））
エポキシ樹脂１：ナフタレン骨格含有エポキシ樹脂（ＨＰ−５０００、ＤＩＣ（株）製）
エポキシ樹脂２：ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂（ＨＰ−７２００Ｌ、ＤＩＣ（株）製）
エポキシ樹脂３：ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（８３０−Ｓ、ＤＩＣ（株）製）
シアネート樹脂：フェノールノボラック型シアネート樹脂（ＰＴ−３０、ロンザジャパン（株）製）
【０１０８】
（充填材（Ｂ））
シリカ１：ＵＦＰ−３０、メディアン径Ｄ５０＝０．１２μｍ、電気化学工業（株）製
シリカ２：ＳＦＰ−２０Ｍ、メディアン径Ｄ５０＝０．３５μｍ、電気化学工業（株）製
シリカ３：ＳＣ−２０５０ＫＮＯ、メディアン径Ｄ５０＝０．５μｍ、（株）アドマテックス製
【０１０９】
（硬化剤（Ｃ））
硬化剤１：ビフェニレン骨格含有フェノールアラルキル樹脂（ＧＰＨ−１０３、日本化薬（株）製）
硬化剤２：ナフトールアラルキル樹脂（ＳＮ−４８５、新日鐵住金化学（株）製）
【０１１０】
（硬化触媒（Ｄ））
硬化触媒１：上記式（８）で示される化合物
硬化触媒２：１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール（四国化成工業（株）製）
【０１１１】
（フェノキシ樹脂（Ｅ））
フェノキシ樹脂：ビフェニルとビスフェノールアセトン構造を含むフェニル型フェノキシ樹脂（ＹＸ−６９５４ＢＨ３０、三菱化学（株）製）
【０１１２】
（シランカップリング剤（Ｆ））
γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（Ａ−１８７、モーメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ社製）
【０１１３】
（レベリング剤）
アクリル系レベリング剤（ＢＹＫ−３６１Ｎ、ビックケミ−・ジャパン社製）
【０１１４】
（実施例１）
（第１樹脂層の形成）
充填材（Ｂ）としてシリカ１と、熱硬化性樹脂（Ａ）としてエポキシ樹脂１と、を溶剤であるメチルエチルケトン中に撹拌しながら添加して溶解、分散させて混合物を得た。次いで、上記混合物に熱硬化性樹脂（Ａ）としてシアネート樹脂を添加して溶解させた。次いで、フェノキシ樹脂（Ｅ）と、硬化剤（Ｃ）として硬化剤１と、シランカップリング剤（Ｆ）と、レベリング剤と、硬化触媒（Ｄ）として硬化触媒１と、をこの順に上記混合物に撹拌しながら添加した。これにより、第１樹脂層形成用ワニスを得た。なお、第１樹脂層形成用ワニス中における各成分の、固形分（溶剤を除く成分）全体に対する含有量は、表１に示すとおりである。
【０１１５】
次に、前記第１樹脂層形成用ワニスを、厚さ３８μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム（東レ（株）製）の片面にコンマコーター装置を用いて塗工し、これを１２０℃、５分の条件で乾燥してＰＥＴフィルム付き第１樹脂層を得た。得られた第１樹脂層の膜厚は１５μｍであった。
【０１１６】
（第２樹脂層の形成）
充填材（Ｂ）としてシリカ３と、熱硬化性樹脂（Ａ）としてエポキシ樹脂２およびエポキシ樹脂３と、を溶剤であるメチルエチルケトン中に撹拌しながら添加して溶解、分散させて混合物を得た。次いで、上記混合物に熱硬化性樹脂（Ａ）としてシアネート樹脂を添加して溶解させた。次いで、フェノキシ樹脂（Ｅ）と、シランカップリング剤（Ｆ）と、レベリング剤と、硬化触媒（Ｄ）として硬化触媒２と、をこの順に上記混合物に撹拌しながら添加した。これにより、第２樹脂層形成用ワニスを得た。なお、第２樹脂層形成用ワニス中における各成分の、固形分（溶剤を除く成分）全体に対する含有量は、表１に示すとおりである。
【０１１７】
次に、前記第２樹脂層形成用ワニスを、厚さ３８μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム（三菱樹脂（株）製）の片面にコンマコーター装置を用いて塗工し、これを１２０℃、５分の条件で乾燥してＰＥＴフィルム付き第２樹脂層を得た。得られた第２樹脂層の膜厚は３０μｍであった。
【０１１８】
（絶縁シートの形成）
上記で得られたＰＥＴフィルム付き第１樹脂層と、ＰＥＴフィルム付き第２樹脂層と、を第１樹脂層と第２樹脂層が互いに接するように積層した。これにより、一面側に位置する第１樹脂層と、上記一面とは反対の他面側に位置する第２樹脂層と、を備え、一面および他面がＰＥＴフィルムにより覆われた絶縁シートを得た。
【０１１９】
（実施例２、比較例２）
第１樹脂層形成用ワニスの配合を変更した以外は実施例１と同様にして絶縁シートを形成した。なお、得られた第１樹脂層形成用ワニスおよび第２樹脂層形成用ワニスのそれぞれについて、ワニス中の固形分（溶剤を除く成分）全体に対する各成分の含有量は、表１に示すとおりである。
【０１２０】
（実施例３、４、比較例１）
第１樹脂層形成用ワニスおよび第２樹脂層形成用ワニスの各配合を変更した以外は実施例１と同様にして絶縁シートを形成した。なお、得られた第１樹脂層形成用ワニスおよび第２樹脂層形成用ワニスのそれぞれについて、ワニス中の固形分（溶剤を除く成分）全体に対する各成分の含有量は、表１に示すとおりである。
【０１２１】
（比較例３）
第２樹脂層を形成しなかった点以外は実施例１と同様にして絶縁シートを形成した。なお、得られた第１樹脂層形成用ワニスについて、ワニス中の固形分（溶剤を除く成分）全体に対する各成分の含有量は、表１に示すとおりである。
【０１２２】
（ＤＳＣ測定）
各実施例および各比較例について、得られた第１樹脂層について次のようにしてＤＳＣ測定を行った。まず、上記で作製したＰＥＴフィルム付き第１樹脂層から、第１樹脂層を削り取り、３〜１０ｍｇをアルミパンへ秤量し試料とした。次いで、当該試料に対し、開始温度３０℃、測定温度範囲３０〜３５０℃、昇温速度１０℃／ｍｉｎの条件下で、示差走査熱量計（ＤＳＣ７０２０、（株）日立ハイテクサイエンス）を用いて示差走査熱量測定を行った。得られたＤＳＣ曲線から、測定温度範囲内における発熱ピークの数、各発熱ピークのピーク温度（℃）、および各発熱ピークのピーク高さ（ｍＷ／ｍｇ）をそれぞれ算出した。表１中においては、最初に観察された発熱ピークを第１発熱ピークとし、第１発熱ピークよりも後に観察された発熱ピークを第２発熱ピークとしている。また、第１発熱ピークのピーク温度をＴ１とし、第２発熱ピークのピーク温度をＴ２としている。
【０１２３】
図６は、実施例１に係る第１樹脂層に対するＤＳＣ測定により得られたＤＳＣ曲線である。図６に示すように、実施例１に係る第１樹脂層においては、第１発熱ピークと、第１発熱ピークよりもピーク高さが高い第２発熱ピークと、が測定温度範囲内に生じていることが分かる。なお、本図中、Ｈ１で示した矢印は第１発熱ピークの高さに相当し、Ｈ２で示した矢印は第２発熱ピークの高さに相当する。
【０１２４】
（デスミア耐性、細線加工性評価）
各実施例および各比較例について、次のようにして回路埋め込み性評価を行った。まず、コア基材（４０ｍｍ×８５ｍｍ、６０μｍｔ）の一面および他面上に１２μｍ厚の銅箔を積層してなる両面銅張積層板（住友ベークライト（株）製、ＬαＺ−４７８５ＧＨ−Ｊ）を準備した。次いで、上記銅張積層板の銅箔をエッチング処理して導体回路パターンを形成することにより、一面および他面に上記導体回路パターンが形成された回路基板を得た。次いで、回路基板の上記一面上および上記他面上のそれぞれに、第２樹脂層側のＰＥＴフィルムを剥離した絶縁シートを、第２樹脂層が回路基板と対向するよう積層した後、内層回路基板の両面にラミネートした。真空ラミネートは、真空加圧式ラミネーター装置（名機製作所製、ＭＶＬＰ−５００／６００ＩＩＡ）を用いておこなった。具体的には、ラバーチャンバー内で３０秒間減圧して気圧を１５ｈＰａ以下とした後、１００℃、圧力０．８ＭＰａにて３０秒間圧着させ、次いでＳＵＳ平板で１００℃、圧力０．８ＭＰａにて６０秒間熱プレスを行った。なお、比較例３については、絶縁シートの一面側のＰＥＴフィルムを剥離した絶縁シートを、当該一面が回路基板と対向するよう積層した。
【０１２５】
次いで、絶縁シートから第１樹脂層側のＰＥＴフィルムを剥離した後、温度１８０℃６０分の加熱処理（予備キュア）を行った。次いで、Ｌ／Ｓ＝５／５μｍの格子状パターンマスクを用いて、１９３ｎｍの波長を有するエキシマレーザにより、溝幅５μｍ、溝間ピッチ５μｍ、溝深さ１０μｍを狙い値として絶縁シートに溝を形成した。なお、比較例３については、絶縁シートの上記一面とは反対の他面側のＰＥＴフィルムを剥離した後、当該他面に対して溝を形成した。次いで、絶縁シートが積層された回路基板を、６０℃の膨潤液（スウェリングディップセキュリガントＰ５００、アトテックジャパン（株）製）に１０分間浸漬し、さらに８０℃の過マンガン酸カリウム水溶液（コンセントレート・コンパクトＣＰ、アトテックジャパン（株）製、）に１５分浸漬後、中和することによりデスミア処理を行った。このようにして、サンプルを得た。
【０１２６】
デスミア耐性は、得られたサンプルの溝が形成されていない領域の表面の粗度（Ｒａ）を非接触型３次元光干渉式表面粗さ計（ビーコ社製、ＷＹＫＯ  ＮＴ１１００）で測定することにより評価した。計測結果に基づき、以下の指標により評価した。
◎：Ｒａが１００ｎｍ未満（問題なし）
○：Ｒａが１００以上３００ｎｍ未満（実質上問題なし）
△：Ｒａが３００以上５００ｎｍ未満（実質上使用不可）
×：Ｒａが５００ｎｍ以上（使用不可）
【０１２７】
細線加工性は、得られたサンプルの溝を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて観察し、樹脂クラック、および樹脂剥がれ等の不良の有無を確認することで評価した。観察は格子状パターン２５個について行い、以下の指標により評価した。
◎：不良なし（問題なし）
○：不良数１個（実質上問題なし）
△：不良数２以上１０個以下（実質上使用不可）
×：不良数１０個を超える（使用不可）
【０１２８】
（回路埋め込み性評価）
各実施例および各比較例について、次のようにして回路埋め込み性評価を行った。まず、コア基材（４０ｍｍ×８５ｍｍ、６０μｍｔ）の一面および他面上に１２μｍ厚の銅箔を積層してなる両面銅張積層板（住友ベークライト（株）製、ＬαＺ−４７８５ＧＨ−Ｊ）を準備した。次いで、上記銅張積層板の銅箔をエッチング処理して導体回路パターンを形成することにより、一面および他面に上記導体回路パターンが形成された回路基板を得た。次いで、回路基板の上記一面上および上記他面上のそれぞれに、第２樹脂層側のＰＥＴフィルムを剥離した絶縁シートを、第２樹脂層が回路基板と対向するよう積層した後、真空加圧式ラミネーター装置（名機製作所製、ＭＶＬＰ−５００／６００ＩＩＡ）を用いて行った。具体的には、ラバーチャンバー内で３０秒間減圧して気圧を１５ｈＰａ以下とした後、１００℃、圧力０．８ＭＰａにて３０秒間圧着させ、次いでＳＵＳ平板で１００℃、圧力０．８ＭＰａにて６０秒間熱プレスを行った。なお、比較例３については、絶縁シートの一面側のＰＥＴフィルムを剥離した絶縁シートを、当該一面が回路基板と対向するよう積層した。次いで、絶縁シートから第１樹脂層側のＰＥＴフィルムを剥離した後、温度１８０℃６０分の加熱処理（予備キュア）を行った。次いで、回路基板上の絶縁シートを２００℃、１時間の条件で硬化した。なお、比較例３については、絶縁シートの上記一面とは反対の他面側のＰＥＴフィルムを剥離した後、絶縁シートの硬化を行った。このようにして、サンプルを得た。
【０１２９】
埋め込み性は、ボイドの有無の確認と、平坦性の測定により評価した。ボイドの有無の確認としては、回路基板の一面上に形成された絶縁シートを顕微鏡で観察し、得られたサンプル内の任意の１０ヶ所について、導体回路パターン間に第２樹脂層が埋め込まれているかを確認した。また、平坦性は接触式の表面粗さ計を用いて表面の最大段差を測定することで測定した。観察結果に基づき以下の指標により埋め込み性を評価した。
◎：ボイドなし、かつ、最大段差が３μｍ以下（問題なし）
○：ボイドなし、かつ、最大段差が３μｍを超え５μｍ以下（実質上問題なし）
△：ボイドなし、かつ、最大段差が５μｍを超える（実質上使用不可）
×：ボイドあり（使用不可）
【０１３０】
【表１】
2016219663.tif 000011
【０１３１】
なお、各実施例について、デスミア耐性、細線加工性評価にて得られたサンプルの絶縁シートに設けられた溝内に配線を形成し、幅５μｍの配線が良好に形成されることを確認した。配線形成は、サンプルの絶縁シート表面に無電解銅めっき膜を形成し、これを給電層として溝内を埋め込む電解銅めっき膜を形成した後、溝外に位置する無電解めっき膜および電解めっき膜をエッチングにより除去することにより行った。
【符号の説明】
【０１３２】
１０  絶縁シート
１２  第１樹脂層
１４  第２樹脂層
２２、２４  キャリア
３０  基材
３６  ビア
４０、５４  配線
５０  無電解めっき層
５２  電解めっき層
６０  絶縁層
１００  配線基板
１２２  凹部
１２４  ビアホール
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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