(57)【要約】【課題】  線量の制御の点で有利なブランキング装置を提供する。【解決手段】  複数の荷電粒子線にそれぞれブランキングを行うブランキング装置は、複数の荷電粒子線をそれぞれブランキング状態にでき、かつそれぞれ非ブランキング状態では反射する複数の電極（１０６）と、複数の電極（１０６）に電位を与えるデバイス（１５０、１５１）と、を有する。非ブランキング状態においてデバイス（１５０、１５１）により複数の電極（１０６）に与えられる電位は、複数の値を有する。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の荷電粒子線にそれぞれブランキングを行うブランキング装置であって、
前記複数の荷電粒子線をそれぞれブランキング状態にでき、かつそれぞれ非ブランキング状態では反射する複数の電極と、
前記複数の電極に電位を与えるデバイスと、を有し、
前記非ブランキング状態において前記デバイスにより前記複数の電極に与えられる電位は、複数の値を有することを特徴とするブランキング装置。
【請求項２】
前記デバイスは、第１電圧源と、前記複数の電極のうちの１つの電極に前記第１電圧源を介して与えられる前記非ブランキング状態での電位を変化させる素子と、を含むことを特徴とする請求項１に記載のブランキング装置。
【請求項３】
前記素子は、第２電圧源であることを特徴とする請求項２に記載のブランキング装置。
【請求項４】
前記複数の電極で反射された複数の荷電粒子線の強度のばらつきが許容条件を満たすように前記電位の値を決定する処理部を有することを特徴とする請求項１ないし請求項３のうちいずれか１項に記載のブランキング装置。
【請求項５】
前記複数の電極で反射された複数の荷電粒子線それぞれの強度を計測する計測器と、
前記計測器の出力に基づいて、前記電位の値を決定する処理部と、を有することを特徴とする請求項１ないし請求項３のうちいずれか１項に記載のブランキング装置。
【請求項６】
前記複数の電極に関して前記ブランキング状態と前記非ブランキング状態との間の電位差はすべてが同一であるように、かつ前記複数の電極で反射された複数の荷電粒子線それぞれの前記ブランキング状態での強度は許容条件を満たすように前記電位の値を決定する処理部を有することを特徴とする請求項１ないし請求項３のうちいずれか１項に記載のブランキング装置。
【請求項７】
前記ブランキング状態において前記デバイスにより前記複数の電極に与えられる電位は複数の値を有し、かつ前記複数の電極に関して前記ブランキング状態と前記非ブランキング状態との間の電位差はすべてが同一であるように、前記デバイスは構成されていることを特徴とする請求項１ないし請求項６のうちいずれか１項に記載のブランキング装置。
【請求項８】
前記複数の電極で反射された複数の荷電粒子線を遮断する開口絞りを有し、
該複数の荷電粒子線のそれぞれは、前記ブランキング状態において前記開口絞りで遮断される量が前記非ブランキング状態において前記開口絞りで遮断される量より大きいことを特徴とする請求項１ないし請求項７のうちいずれか１項に記載のブランキング装置。
【請求項９】
前記複数の電極は、前記複数の値のうちの第１の値に対応する第１電極群を含むことを特徴とする請求項１ないし請求項８のうちいずれか１項に記載のブランキング装置。
【請求項１０】
前記複数の電極は、前記複数の値のうちの第２の値に対応する第２電極群を含むことを特徴とする請求項９に記載のブランキング装置。
【請求項１１】
複数の荷電粒子線でパターン形成を基板に行うリソグラフィ装置であって、
前記複数の荷電粒子線にそれぞれブランキングを行う請求項１ないし請求項１０のうちいずれか１項に記載のブランキング装置を有することを特徴とするリソグラフィ装置。
【請求項１２】
請求項１１に記載のリソグラフィ装置を用いてパターン形成を基板に行う工程と、
前記工程で前記パターン形成を行われた前記基板を現像する工程と、
を含むことを特徴とする物品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ブランキング装置、リソグラフィ装置、および物品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイス等の製造工程（リソグラフィ工程）に用いられる装置として、基板（上のパターニング材、典型的にはレジスト）に複数の荷電粒子線でパターニング（パターン形成）を行うリソグラフィ装置が知られている。そのようなリソグラフィ装置は、当該パターニングのため、基板への荷電粒子線量（ドーズ）の制御を行っている。
【０００３】
特許文献１は、反射性電子パターニングデバイス（ｒｅｆｌｅｃｔｉｖｅ  ｅｌｅｃｔｒｏｎ  ｐａｔｔｅｒｎｉｎｇ  ｄｅｖｉｃｅ）を開示している。当該デバイスは、上面（ｔｏｐ  ｓｕｒｆａｃｅ）上のパターンのうちの電子反射部分と、該パターンのうちの電子非反射部分とを含む。当該デバイスは、さらに、独立に制御可能な複数の画素（電極）を用いて上記パターンのうちの電子反射部分および電子非反射部分を動的に変更するための回路アレイ（ａｒｒａｙ  ｏｆ  ｃｉｒｃｕｉｔｒｙ）を含む。そして、当該デバイスを用いて、基板上の各箇所に重ねて照射される電子線の数を制御することにより、各箇所における線量（階調）の制御を行うリソグラフィシステムを開示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】米国特許第７８１６６５５号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところが、特許文献１のような階調制御は、基板上の各箇所に重ねて照射される複数の電子線の強度のばらつきに応じて、重ねて照射される電子線の数とそれにより得られる階調との間の線形性（リニアリティ）が損なわれる。その結果、線量（階調）の制御の正確さの点で不利となりうる。
【０００６】
本発明は、線量の制御の点で有利なブランキング装置を提供することを例示的目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一つの側面は、複数の荷電粒子線にそれぞれブランキングを行うブランキング装置であって、
前記複数の荷電粒子線をそれぞれブランキング状態にでき、かつそれぞれ非ブランキング状態では反射する複数の電極と、
前記複数の電極に電位を与えるデバイスと、を有し、
前記非ブランキング状態において前記デバイスにより前記複数の電極に与えられる電位は、複数の値を有することを特徴とするブランキング装置である。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、例えば、線量の制御の点で有利なブランキング装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】実施形態１に係るリソグラフィ装置の構成例を示す図
【図２】ブランキング装置の構成例を示す図
【図３】非ブランキング状態での反射電極の電位と電子の反射率との関係を示す図
【図４】反射電極における電子線強度と、非ブランキング状態の反射電極での電子の反射率と、基板における電子線強度との関係の比較例を示す図
【図５】反射電極における電子線強度と、非ブランキング状態の反射電極での電子の反射率と、基板における電子線強度との関係の本実施形態での例を示す図
【図６】同一の電位を与える反射電極の制御単位を例示する図
【図７】反射電極の電位を設定する処理の流れを例示する図
【図８】実施形態２に係るリソグラフィ装置の構成例を示す図
【図９】反射電極における電子線強度と、非ブランキング状態の反射電極での電子の反射率と、開口絞りでの電子の透過率と、基板における電子線強度との関係の本実施形態での例を示す図
【発明を実施するための形態】
【００１０】
〔実施形態１〕
以下、添付図面を参照して本発明の実施形態を説明する。なお、実施形態を説明するための全図を通して、原則として（断りのない限り）、同一の部材等には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
【００１１】
図１は、リソグラフィ装置の構成例を示す図である。荷電粒子源１００から放出された荷電粒子線は、ウイーンフィルタ１０１によって偏向され、加減速レンズ１０２に入射する。ここで、荷電粒子源１００は、ウイーンフィルタ１０１に対して所定の位置に所定の入射角で荷電粒子線を入射させるための調整手段（不図示）を有する。よって、荷電粒子線は、加減速レンズ１０２に対して所定の位置に所定の入射角で入射させうる。当該調整手段は、偏向器のような光学的な調整手段であってもよいし、荷電粒子源１００を傾斜させる機構のような機械的な調整手段であってもよい。加減速レンズ１０２に入射した例えば数１０ｋｅＶ程度の荷電粒子線は、加減速レンズ１０２により、数ｅＶ程度にまで減速される。加減速レンズ１０２を設ける目的の一つは、その後側に設けられた反射電極（後述）における荷電粒子の運動エネルギーを数ｅＶ程度にまで低下させることにより、荷電粒子線の反射または非反射の切り替えを容易にすることである。
【００１２】
加減速レンズ１０２を通過した荷電粒子線は、アパーチャアレイ１０３に入射し、複数の荷電粒子線へと分割される。当該分割により得られた各荷電粒子線は、その後側の静電レンズアレイ１０４により、所定の開き角（集束角）を有する荷電粒子線束となって、その後側の（反射）電極アレイ１０６に入射する。
【００１３】
電極アレイ１０６は、複数の荷電粒子線に関して、その電位を個別に切り替えることができる。これにより、電極アレイでの荷電粒子線の反射（反射率大）と、電極アレイでの荷電粒子線の吸収（反射率小）との切り替えが可能である。すなわち、電極アレイ１０６は、複数の荷電粒子線に対応した複数の電極の電位を個別かつ高速に切り替えることにより、基板上に形成すべきパターンのデータに応じて、複数の荷電粒子線のブランキング状態を個別かつ高速に制御できる。ゆえに、電極アレイ１０６は、いわゆるパターンジェネレータの機能を有している。電極アレイ１０６に電位を与えるためのデバイスは、電極アレイ１０６の近傍に実装され、当該デバイスおよび電極アレイ１０６は、ブランカ１０５（ブランキング装置または反射デバイスともいう）を構成している。また、ブランカ１０５に対して接地電位を与えるための電位制御部１５０（デバイス）と、制御データを生成してブランカ１０５に供給するためのデータ処理部１５１とが設けられている。
【００１４】
電極アレイ１０６で反射された複数の荷電粒子線は、再び静電レンズアレイ１０４を通過し、各々微小な開き角をもってアパーチャアレイ１０３から射出する。アパーチャアレイから射出された荷電粒子線は、加減速レンズ１０２を再び通り、今度は加減速レンズ１０２により加速され、ウイーンフィルタ１０１に入射する。加減速レンズ１０２からウイーンフィルタ１０１に入射した荷電粒子線は、ウイーンフィルタ１０１による偏向作用をほとんど受けずに直進する。すなわち、ウイーンフィルタ１０１は、荷電粒子源１００からの入射角に関しては、電極アレイ１０６へ向かう方向に荷電粒子線を偏向させ、電極アレイ１０６からの入射角に関しては、偏向作用を実質的に生じさせないように、電場および磁場を生成している。偏向作用を実質的に受けずにウイーンフィルタを通過した荷電粒子線群は、第１投影レンズ１０７および第２投影レンズ１０８を含んで構成される投影系により、基板１１０上に縮小投影される。当該投影系は、アパーチャアレイ１０３の共役像を基板１１０上に形成するように構成されている。例えば、アパーチャアレイ１０３の開口径を２．０μｍとし、投影系の縮小倍率を１／１００倍として、基板１１０上において２０ｎｍ径の荷電粒子線が基板１１０に投影される。そして、基板１１０状の複数の荷電粒子線は、電極アレイ１０６の電位を個別に切り替えることにより、個別にブランキング制御することができる。
【００１５】
また、上記の投影系は、偏向器１０９が備えられ、複数の荷電粒子線を一括で偏向することができる。偏向器１０９と、基板１１０を保持するステージ１１１とを同期して移動させることにより、基板上の目標位置に荷電粒子線を照射することができる。なお、ステージ１１１の位置は、計測器（例えば不図示の干渉計）によって計測され、当該計測により得られた情報に基づいて、ステージおよび偏向器のうちの少なくとも一方の動作が制御されうる。このようにして、複数の荷電粒子線による基板のラスター走査が可能である。そして、ブランカ１０５による複数の荷電粒子線の個別のブランキング制御をさらに組み合わせることにより、基板（上のレジスト等のパターニング材）に対するパターン形成（パターニング）が可能となる。また、ステージ１１１上には、荷電粒子線検出部１１２（検出部）が設けられている。当該検出部１１２は、例えば、ファラデーカップを含んで構成され、荷電粒子線の強度（電流値）をはじめとする種々の公知の特性を計測するのに用いられうる。なお、以上に説明したレンズ（１０２、１０４、１０７，１０８）は、レンズ制御部１５２により、偏向器１０９は、偏向器制御部１５３により、検出部１１２は、計測処理部１５４により、ステージ１１１は、ステージ制御部１５５により、それぞれ制御される。また、１５０ないし１５５の各制御部または処理部は、総じて制御部１０００とも称し、その構成は、以上説明した１５０ないし１５５からなる構成には限定されない。
【００１６】
ここで、図２は、ブランキング装置の構成例を示す図である。本実施形態において、電極アレイ１０６の接地電位は、その電極の位置に応じて異ならせている。図２の（Ａ）は、比較例として、電極アレイに与える接地電位をその電極の位置によらず共通とする構成を例示している。すなわち、接地電位入力２００に対して、共通電源２０１（第１電圧源）が接続されている。同図の（Ｂ）は、本実施形態として、電極アレイに与える接地電位をその電極の位置によって異ならせた（複数の電極に与えられる電位は、２値（複数の値）を有する、換言すれば、すべてが同一であるのではない）構成を例示している。同図の（Ｂ）は、接地電位入力２００に対して、共通電源２０１に加え、個別電源２０２（第２電圧源）が接続されている。ここで、同図の（Ａ）の右側には、比較例における非ブランキング状態での電極アレイ１０６の電位分布を示している。電極の位置によらず、電位は同一（一定）となっている。これに対して、同図の（Ｂ）の右側には、本実施形態における非ブランキング状態での電極アレイ１０６の電位分布を示している。ここでは、電極の位置が電極アレイの外周部に近づくほど電位が低くなるように電位分布が調整されている例を示している。なお、非ブランキング状態での電極アレイの電位分布は、ブランキング状態での電極アレイの電位分布（接地電位分布）と、データ処理部１５１により非ブランキング状態で電極ごとに印加されるスイッチング信号（ブランキング信号）とにより決まる。ここで、当該スイッチング信号は、一定のスイッチング電圧値を有する。そのため、非ブランキング状態での電極アレイの電位分布は、接地電位分布と同様の形状の電位分布となる。すなわち、接地電位分布（ブランキング状態での電位分布）を調整すると、それに応じて非ブランキング状態での電位分布も変わることになる。ここで、同図に示す本実施形態の電位分布は、あくまでも一つの具体例であり、複数の電極に与えられる電位はすべてが同一であるのではない（すなわち２値または複数の値を有する）ようにする機能を有するのが本実施形態の範疇といえる。また、同図の（Ｂ）に示した電源２０２は、ブランカ１０５に対する外部電源として配置されているが、それに限らず、ブランカ１０５に組み込まれていてもよい。
【００１７】
つぎに、図３は、非ブランキング状態での反射電極の電位と電子の反射率との関係を示す図である。同図の（Ａ）は、電極アレイ１０６に到達する荷電粒子線のエネルギー分布（到達する電子の有するエネルギーの分布）と、非ブランキング状態およびブランキング状態における電極の電位を示している。ここでは、一例として、荷電粒子線が電子線である場合について説明する。一般に、電子線中の電子のエネルギーにはばらつき（分散）がある。このため、電位の切り替えにより電子線の非ブランキング状態（反射）またはブランキング状態（非反射）の切り替えを行う場合において、反射と非反射との間で完全にデジタル的に切り替えがなされることにはならない。同図の（Ａ）の例を参照すれば、電極アレイ１０６中の電極が非ブランキング状態で有する電位より、電子線中の一部の電子のエネルギーに対応する電位の方が高いため、当該一部の電子は当該電極で反射されずに吸収されてしまう。また、電極アレイ１０６中の電極がブランキング状態で有する電位より、電子線中の一部の電子のエネルギーに対応する電位の方が低いため、当該一部の電子は当該電極に吸収されずに反射されてしまう。ここで、後者の一部の電子は、非ブランキング状態かブランキング状態かによらず常に反射されてしまい、いわゆるバックグラウンド（ノイズ）となる。ただし、実用上は、非ブランキング状態とブランキング状態との間の切り替えによって得られるパターンが十分なコントラストを有すればよいため、当該バックグラウンドをゼロにするのは必須ではない。
【００１８】
同図の（Ｂ）は、非ブランキング状態での電子の反射率の電位依存性を示している。同図の（Ｂ）から、電位を連続的に変化させると、反射率もまた連続的に変化することがわかる。このことは、電極の電位の変更により電子線の反射率を変更できることを示し、また、このことは、電極の電位の変更により電子線の強度を変更できることを示している。ここで強調すべき点は、上記のように電子線の反射率を用いた電子線強度の補正は、従来の複数の電子線の重畳による階調制御とは異なり、各電子線の強度自体を補正するものである点である。すなわち、本実施形態に係る方法は、例えば、複数の電子線の重畳により階調制御を行う場合において、重畳する複数の電子線の強度にむら（ばらつき）がある場合に生じうる階調の誤差に係る課題を解決しうる。なぜなら、本実施形態に係る方法は、複数の荷電粒子線の強度を個別に変更できるからである。なお、非ブランキング状態での電極の電位の調整は、図２を参照して説明したように、接地電位の調整によりなしうる。これは、図３の（Ａ）を参照すれば、非ブランキング状態とブランキング状態との間の電位差（スイッチング電圧）は保持したまま、それぞれの状態での電位を同量だけシフトすることに相当する。ブランキング状態での電位もシフトすることにより、バックグラウンドの量も変動することになる。そのため、バックグラウンドの量が許容条件を満たす（許容範囲内になる）ように、接地電位を設定するのが好ましい。
【００１９】
図４は、反射電極における電子線強度と、非ブランキング状態の反射電極での電子の反射率と、基板における電子線強度との関係の比較例を示す図である。同図の（Ａ）は、電極アレイに入射した電子線の強度が電極アレイの外縁に近づくほど強くなる場合を例示している。同図の（Ｂ）は、電極アレイにおける電極の位置に対する電極での電子の反射率を示している。この比較例においては、当該位置によらず反射率は一様（一定）である。同図の（Ｃ）は、基板上における電子線強度の分布を示している。当該反射率が一様であるため、同図の（Ａ）における電子線の強度分布は補償されず、基板上においても強度むらが生じている。
【００２０】
次に、図５は、反射電極における電子線強度と、非ブランキング状態の反射電極での電子の反射率と、基板における電子線強度との関係の本実施形態での例を示す図である。本実施形態での例の上記比較例に対する相違点は、電極アレイにおける電極の位置に対する電極での電子の反射率を基板上における電子線強度の分布が均一（一様）となるように調整した点である。非ブランキング状態での電子の反射率の分布（同図の（Ｂ））は、電極アレイに入射した電子線の強度のむら（同図の（Ａ））を補償するように、もって、基板上における電子線強度のむらが低減する（同図の（Ｃ））ように調整されている。ここで、図５の（Ａ）に示した電子線強度の分布（不均一性）は一例に過ぎず、本実施形態に係る方法は、いかなる電子線強度分布に対しても適用されうるものである。
【００２１】
電極アレイに電位分布を生成するために同一の電位を与える電極の単位は、最も細かい単位としては、個々の電子線に対応する１つの電極としうる。また、構成を簡素化するため、当該単位を、現実の電子線強度分布の特性（空間周波数等）に応じて、適宜グルーピングされた複数の電極としてもよい。図６は、同一の電位を与える反射電極の制御単位を例示する図である。当該制御単位は、同図の（Ａ）のように横（Ｘ）方向に分割して得られるもの（Ｖ１ないしＶ９）であっても、同図の（Ｂ）のように縦（Ｙ）方向に分割して得られるもの（Ｖ１ないしＶ４）であってもよい。また、同図の（Ｃ）のように縦横両方向に分割して得られるもの（Ｖ１１ないしＶ９４）であってもよい。換言すれば、電極アレイ（複数の電極）は、与えられる電位に係る２値（例えばＶ１・Ｖ２）のうちの一方（第１の値Ｖ１）に対応する第１電極群（同図のＶ１に対応する電極群）を含みうる。また、当該２値のうちの他方（第２の値Ｖ２）に対応する第２電極群（同図のＶ２に対応する電極群）を含みうる。なお、基板上における複数の電子線の強度が均一（一様）となるようにする電位（分布）の調整は、検出部１１２の出力に基づいて電子線強度を計測して行うのが好ましい。
【００２２】
図７は、反射電極の電位を設定する処理の流れを例示する図である。まず、可動のステージ１１１上の検出部１１２を用いて、電子線強度分布（複数の電子線それぞれの強度）を計測する（ステップＳ７０１。同図左下のグラムは計測結果を例示）。次に、当該強度分布における補正のターゲット値を決定する（ステップＳ７０２）。当該ターゲット値は、それには限定されないが、例えば、電極アレイにおける電位調整量を小さく抑えるため、電子線強度分布における平均値を採用しうる（同図右下のグラフの矢印が当該ターゲット値を例示）。電子線強度分布の計測結果によらずターゲット値を予め決めている場合は、当然ながら本ステップは省略できる。つづいて、非ブランキング状態における電極の電位を変化させつつ電子線強度を計測することにより、電子線強度分布がターゲット値で一様になるように、各電極の電位を調整する（ステップＳ７０３）。ここでの調整は、換言すれば、複数の電極で反射された複数の荷電粒子線の強度のばらつきが許容条件を満たすようになされうる。
【００２３】
上記処理の流れでの調整の後は、ブランキング状態での電子線強度（バックグラウンド電流）を計測し、それが許容条件を満たす（許容範囲内に収まっている）ことを確認するのが好ましい。もし、当該バックグラウンド量が許容範囲を超えた（許容値でない）場合、バックグラウンド量が減少するように、上記ターゲット値を再設定する。ここでは、荷電粒子線が電子線であるため、具体的には、接地電位を＋方向に調整し、非ブランキング状態での電位も＋方向に調整すればよい（非ブランキング状態での電子線強度が低下するが、バックグラウンド量も同様に低下する）。
【００２４】
〔実施形態２〕
図８は、実施形態２に係るリソグラフィ装置の構成例を示す図である。当該構成例の図１のそれに対する相違点は、投影系において開口絞り７００が設けられた点である。開口絞り７００は、投影系の瞳面もしくはその近傍に配置されうる。このとき、開口絞り７００には、基板１１０に対して共役なアパーチャアレイ１０３からの荷電粒子線の放射角に対応した範囲に荷電粒子線が照射される。すなわち、当該放射角に応じて、開口絞り７００でけられる（遮断される）荷電粒子束の量が変化する。
【００２５】
ここで、実施形態１と同様の方法で電極アレイの電位を調整した場合、荷電粒子束は、その反射率だけでなく、その反射後の軌道も変動しうる。なぜなら、静電レンズアレイ１０４が電極アレイ１０６の近傍に配置されていることから、当該電位の変動が静電レンズアレイ１０４の作用に影響を及ぼすためである。そのため、当該電位を調整すると、アパーチャアレイ１０３から射出する荷電粒子束の放射角も変化する。よって、開口絞りでの荷電粒子線の透過率も変動する。ここで、複数の荷電粒子線のそれぞれは、ブランキング状態において開口絞りで遮断される量が非ブランキング状態において開口絞りで遮断される量より大きくなるように、リソグラフィ装置（荷電粒子光学系）が構成されている。
【００２６】
図９は、反射電極における電子線強度と、非ブランキング状態の反射電極での電子の反射率と、開口絞りでの電子の透過率と、基板における電子線強度との関係の本実施形態での例を示す図である。当該関係の図５に係る関係との相違点は、電極アレイ１０６の電位を調整した場合の開口絞りでの電子の透過率の分布（図９の（Ｃ））が加わっている点である。実施形態２においては、開口絞り１０９での電子の透過率にも依存して、基板上における電子線強度分布が均一になるように、電極アレイ１０６の電位分布が調整される。投影系に開口絞りがある場合の態様を説明したが、調整の処理の流れは、実施形態１におけるそれと変わりはない。すなわち、当該流れにおいては、反射率が変動するのか、開口絞りでの透過率が変動するのかを把握する必要はなく、本実施形態の方法により、電極アレイの電位分布を入力とした荷電粒子線の強度の補正（補償）を行うことができる。
【００２７】
〔物品製造方法に係る実施形態〕
本発明の実施形態における物品製造方法は、例えば、半導体デバイス等のマイクロまたはナノデバイスや微細構造を有する素子等の物品を製造するのに好適である。本実施形態の物品製造方法は、上記のリソグラフィ装置を用いて、パターン形成を基板に行う工程と、かかる工程でパターン形成を行われた基板を加工（現像等）する工程とを含みうる。更に、かかる製造方法は、他の周知の工程（酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等）を含みうる。本実施形態の物品製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも１つにおいて有利である。
【００２８】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形および変更が可能である。例えば、荷電粒子が電子である場合を例示したが、他の荷電粒子であってもよい。その場合、そのソース（生成源）、電荷の極性（正負）および量、ならびに質量等に基づいて、ブランキング装置、またはリソグラフィ装置の要素（ブランキング装置を含む荷電粒子光学系等）を設計すればよいのは明らかである。
【符号の説明】
【００２９】
１０６  電極アレイ（複数の電極）
１５０  電位制御部（デバイス）
１５１  データ処理部（デバイス）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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