(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ａｌ２Ｏ３を主成分とし、ＭｎをＭｎ２Ｏ３換算で２〜１０重量％含有した相対密度９５％以上のセラミックスから成る絶縁基板と、銅を１０〜７０体積％、ＷおよびＭｏの少なくとも一方を３０〜９０体積％含有した導体とから成る配線基板の製造方法であって、ＷおよびＭｏの少なくとも一方から成る金属粒子とＣｕ粒子とを含む金属ペーストを作製する工程と、該金属ペーストを１２００℃以下で仮焼して金属塊を得る工程と、該金属塊を破砕して前記金属粒子の平均粒径が１〜５μｍである導体粒子を作製する工程と、該導体粒子を含む導体ペーストを作製する工程と、該導体ペーストを前記絶縁基板のセラミックグリーンシートに印刷して１２００〜１５００℃で焼成する工程とを含むことを特徴とする配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体素子が作動時に発する熱を効率よく外部に放散する放熱層が形成された配線基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、半導体素子の高集積化に伴い、半導体装置から発する熱も飛躍的に増加しつつある。半導体装置の誤作動をなくすためには、このような熱を半導体装置外に効率よく放散することの可能な配線基板が必要となりつつある。一方、電気的な特性としては、半導体素子の演算速度の高速化により、僅かな信号の遅延が問題となってきており、そこで導体損失の小さい、即ち低抵抗の導体を配線に用いることが要求されている。
【０００３】
このような半導体素子を搭載する配線基板としては、その信頼性の点から、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）セラミックスを絶縁基板とし、その表面または内部にタングステン（Ｗ），モリブデン（Ｍｏ），マンガン（Ｍｎ）などの高融点金属材料から成る放熱層や配線層を被着形成したセラミック配線基板が多用されている。ところが、このような従来から多用されている高融点金属材料から成る放熱層や配線層では、その抵抗を最低でも８ｍΩ／□程度までしか低くすることができなかった。また、放熱性に関しても、放熱フィンの接合やサーマルビア用の貫通導体の形成などにより改善を図っているが、Ｗ配線層自体の熱伝導率が小さいために大きな効果が得られていない。
【０００４】
これに対して近年に至り、低抵抗で、かつ熱伝導率が大きい銅（Ｃｕ）や銀（Ａｇ）と同時焼成が可能な、所謂ガラスセラミックスを絶縁基体として用いる配線基板が注目されている。図５の断面図にその一例を示す。同図に示すように、金属材料から成る放熱層１０４をガラスセラミックスからなる絶縁基板１０１の上下面に島状に形成すると共に、上下面の放熱層１０４同士を貫通導体１０２で接続した配線基板１０５が提案されている（特開平１１−１７０４７号公報参照）。この配線基板１０５においては、作動時に発熱する電子部品１０３が上面の放熱層１０４上に搭載され、電子部品１０３が発する熱を貫通導体１０２および内部配線層と下面の放熱層１０４を介して外部に放散している。
【０００５】
しかしながら、ガラスセラミックスの熱伝導率は高々数Ｗ／ｍ・Ｋ程度しかなく、たとえＣｕやＡｇのような熱伝導性が良好な導体を放熱層１０４として用いたとしても、ガラスセラミックスからなる絶縁基板１０１の温度上昇を回避することができず、この温度上昇に起因する半導体素子１０３の誤作動や熱破壊などの熱的問題が発生していた。
【０００６】
そこで、このような不具合を解決するために、図３に示すような、Ａｌ2Ｏ3セラミックスを主成分とし、ＭｎをＭｎ2Ｏ3換算で２〜１０重量％割合で含有する相対密度が９５％以上のセラミックスから成り１２００〜１５００℃の低温で焼成することができる絶縁基板１１と、Ｃｕを１０〜７０体積％、Ｗおよび／またはＭｏを３０〜９０体積％の割合で含有するとともに絶縁基板１１の表面に電極部１１Ｂを除いて形成され、かつ電極部１１Ｂに用いられる導体と同一の組成から成る放熱層１４とを有する配線基板１５がある。
【０００７】
この配線基板１５は、絶縁基板１１がＡｌ2Ｏ3を主体とするセラミック材料から成るため、絶縁基板１１の熱伝導率は、Ａｌ2Ｏ3自体の熱伝導率（１８Ｗ／ｍ・Ｋ程度）に比べて遜色のない１５Ｗ／ｍ・Ｋ程度が得られ、効率よく熱を外部に放散することができる配線基板１５を提供し得る。そして、この配線基板１５によると、例えば発熱量の大きい半導体素子１３を載置部１１Ａに搭載する場合においても、絶縁基板１１内で局所的に熱が澱むことがなく、配線基板１５の上面から下面へと効率よく熱を外部に放熱することができる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記の配線基板１５においては、図４（ａ）、（ｂ）に示すように、焼結前のＷおよび／またはＭｏ１０１ａとＣｕ１０１ｃの粉末に有機溶剤、バインダ１０１ｂなどを添加混合して得た金属ペーストを前述のように１２００〜１５００℃の低温で焼成すると、その焼成時間や各々のＷおよび／またはＭｏ粒子の接近状態によっては、粒子同士が接触してその接触点に括れ部が形成され瓢箪状の湾曲部ができ、Ｗおよび／またはＭｏ粒子表面の突起部から湾曲部へ表面に沿っての拡散、所謂表面拡散が起こり、各々のＷおよび／またはＭｏ粒子の接触点に大きな括れ部ができる場合がある。従って、表面拡散が進むにつれ、くびれ部も大きくなり最終的に融合し一体化されるものも発生し、その平均粒径は１〜１５μｍ程度となる。尚、Ｃｕ１０１ｃは１２００〜１５００℃で完全に溶融されＣｕ１１１ｃとなる。
【０００９】
その結果、焼結後にはＣｕ１１１ｃの中に大きなＷおよび／またはＭｏ１１１ａの塊が生じた状態となる。そのため、絶縁基体１１となる焼成前のセラミックグリーンシートと、放熱層１４となる金属ペーストとを１２００〜１５００℃の低温で同時焼成すると、Ｃｕ１１１ｃの熱膨張係数（約１８ｐｐｍ／℃）と、Ｗおよび／またはＭｏ１１１ａの大きな塊の熱膨張係数（約４．５ｐｐｍ／℃）との違いが顕著になる。更には、Ｃｕ１１１ｃの熱膨張係数と図３に示す絶縁基板１１との熱膨張係数（約７ｐｐｍ／℃）の違いが顕著になる。
【００１０】
即ち、絶縁基板１１と放熱層１４との間に発生する熱膨張差による熱歪み、および、放熱層１４中のＣｕ１１１ｃとＷおよび／またはＭｏ１１１ａとの間に発生する熱膨張差による熱歪みにより、絶縁基板１１と放熱層１４との密着性や、放熱層１４中のＣｕ１１１ｃとＷおよび／またはＭｏ１１１ａとの間の密着性が損なわれて熱伝導性が損なわれたり、また絶縁基板１１に反り変形を発生させることとなる。そのため、半導体素子１３を載置部１１Ａに密着させて載置固定するのが困難になったり、半導体素子１３の作動時における放熱性を損なうという問題点を有していた。
【００１１】
従って、本発明は上記問題点に鑑み完成されたものであり、その目的は、同時焼成後における絶縁基板１１と放熱層１４との密着性や、放熱層１４中の導体材料中の粒子同士の密着性を良好とするとともに、絶縁基板１１の熱歪みを非常に小さいものとすることにより、半導体素子１３の放熱層１４上への密着性や、半導体素子１３の作動時における放熱性を良好とすることにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明の配線基板の製造方法は、Ａｌ２Ｏ３を主成分とし、ＭｎをＭｎ２Ｏ３換算で２〜１０重量％含有した相対密度９５％以上のセラミックスから成る絶縁基板と、銅を１０〜７０体積％、ＷおよびＭｏの少なくとも一方を３０〜９０体積％含有した導体とから成る配線基板の製造方法であって、ＷおよびＭｏの少なくとも一方から成る金属粒子とＣｕ粒子とを含む金属ペーストを作製する工程と、該金属ペーストを１２００℃以下で仮焼して金属塊を得る工程と、該金属塊を破砕して前記金属粒子の平均粒径が１〜５μｍである導体粒子を作製する工程と、該導体粒子を含む導体ペーストを作製する工程と、該導体ペーストを前記絶縁基板のセラミックグリーンシートに印刷して１２００〜１５００℃で焼成する工程とを含むことを特徴とする。
【００１３】
本発明は、このような構成により、配線基板の熱歪みを非常に小さくできることから、同時焼成後における絶縁基板と放熱層との密着性や、放熱層と貫通導体との接合性を良好なものとできる。その結果、半導体素子を載置部に接合する際の密着性や、半導体素子の作動時における放熱性を良好とし得る。
【００１４】
【発明の実施の形態】
本発明の配線基板について、以下に説明する。図１は、本発明の配線基板の断面図、図２（ａ）は図１の放熱層を構成する導体材料を仮焼後に破砕したものの部分拡大断面図、図２（ｂ）は放熱層を構成する導体材料の焼結後を示す部分拡大断面図である。
【００１５】
これらの図に示すように、本発明の配線基板５は、Ａｌ2Ｏ3を主成分とし、ＭｎをＭｎ2Ｏ3換算で２〜１０重量％含有した相対密度９５％以上のセラミックスから成り、上面に半導体素子３を載置する載置部１Ａを有する絶縁基板１と、Ｃｕを１０〜７０体積％、Ｗおよび／またはＭｏを３０〜９０体積％含有した導体材料から成り、載置部１Ａおよびその周囲から絶縁基板１の下面にかけて形成された複数の貫通導体２および上面に形成された電極部１Ｂとを具備する。また、絶縁基板１の電極部１Ｂ以外の表面に上記導体材料から成るとともに絶縁基板１の下面で貫通導体２に接続された放熱層４が形成されており、放熱層４のＷおよび／またはＭｏの平均粒径が１〜５μｍである。
【００１６】
具体的には、絶縁基板１は、Ａｌ2Ｏ3を８４重量％以上、第２成分としてＭｎ化合物をＭｎ2Ｏ3換算で２〜１０重量％の割合で含有するものである。Ｍｎ化合物が２重量％未満の場合、１２００〜１５００℃の低温では緻密化が達成されず、一方１０重量％を超える場合は絶縁基板１の絶縁性が低下する。
【００１７】
また、絶縁基板１中には、第３成分としてＳｉＯ2およびＭｇＯ，ＣａＯ，ＳｒＯ等のアルカリ土類元素酸化物を、放熱層４となる導体材料との同時焼結性を高める上で、合計で０．４〜８重量％含有させることが好ましい。更に第４成分として、Ｗ，Ｍｏ等の金属を着色成分として２重量％以下含有しても良い。
【００１８】
上記Ａｌ2Ｏ3以外の成分は、Ａｌ2Ｏ3主結晶相の粒界に非晶質相あるいは結晶相として存在するが、熱伝導性を高める上で粒界中に助剤成分（Ｍｎ化合物）を含有する結晶相が形成されていることが好ましい。
【００１９】
また、絶縁基板１を形成するＡｌ2Ｏ3主結晶相は粒状または柱状の結晶として存在するが、これら主結晶相の平均結晶粒径は１．５〜５μｍであることが好ましい。なお、主結晶相が柱状結晶からなる場合、上記平均結晶粒径は短軸径に基づくものである。この主結晶相の平均結晶粒径が１．５μｍよりも小さい場合、高熱伝導化が困難となり、一方５μｍを超える場合、基板材料として用いる場合に要求される十分な強度が得られ難い。
【００２０】
絶縁基板１の製造方法は以下のようなものである。酸化物セラミックスの主成分となるＡｌ2Ｏ3原料粉末として、平均粒径が０．５〜２．５μｍ、特に好ましくは０．５〜２μｍの粉末を用いる。０．５μｍよりも小さい場合、粉末の取り扱いが困難となるとともに、微細な粉末を製造するのにコスト高となる。一方、２．５μｍを超えると、１５００℃以下の温度で焼成することが困難となる。
【００２１】
そして、このＡｌ2Ｏ3粉末に対して、焼結助剤としてＭｎＯ2を２〜１０重量％、好ましくは３〜７重量％の割合で添加する。また、ＳｉＯ2，ＭｇＯ，ＣａＯ，ＳｒＯ粉末等を０．４〜８重量％、更にＷ，Ｍｏ，Ｃｒ等の遷移金属の金属粉末や酸化物粉末を着色成分として金属換算で２重量％以下の割合で添加する。なお、上記酸化物の添加について、酸化物粉末以外に焼成によって酸化物を形成し得る炭酸塩，酢酸塩等として添加しても良い。
【００２２】
そして、この混合粉末を用いて絶縁層を形成するためのセラミックグリーンシートを作製する。セラミックグリーンシートは、周知の成形方法により作製できる。例えば、上記混合粉末に有機バインダや溶媒を添加混合しスラリーを調製した後、ドクターブレード法により形成したり、混合粉末に有機バインダを加え、プレス成形，圧延成形等により所定の厚さのセラミックグリーンシートを作製できる。そして、このセラミックグリーンシートに対して、周知の打抜き法により貫通孔を形成する。
【００２３】
このようにして作製されたセラミックグリーンシートの貫通孔に貫通導体２となる導体材料の金属ペーストを充填するとともに放熱層４となる金属ペーストを印刷し、次にこれらを同時焼成することにより、絶縁基板１が作製されるとともに配線基板５が作製される。
【００２４】
本発明における放熱層４を図２（ａ），（ｂ）に示す。Ｗおよび／またはＭｏ１ａおよびＣｕ１ｃの各々の粒子に有機溶剤，溶媒等のバインダ１ｂを添加混合して得た金属ペーストを、１２００℃よりも低い温度、例えばＷおよび／またはＭｏ１ａが融点３４１０℃程度のＷの場合は表面拡散が発生し始める、融点の０．３倍程度の温度（約１０２３℃程度）で仮焼する。この場合、大きな塊となったＷ１ａをボールミル等により破砕することにより、Ｗ１ａ粒子のほとんどが、その粒径は約１〜５μｍ程度となる。また、破砕されたＷ１ａ粒子の外周にはＣｕ１ｃが部分的に接触する程度に被着される。
【００２５】
このＣｕ１ｃは、放熱層４となる金属ペーストを焼成した際に各々のＷ１ａ粒子同士が接触し融合することを防止する、所謂バリア層として機能する。そのため、焼結後にはＣｕ１１ｃ中に均一に分散された、平均粒径が約１〜５μｍのＷ１１ａ粒子が点在することとなる。その結果、Ｃｕ１１ｃとＷ１１ａ粒子との間に発生する熱膨張差による熱歪みは非常に小さくなるとともに、Ｃｕ１１ｃとＷ１１ａ粒子とから成る放熱層４は、その熱膨張係数がほぼ絶縁基板１の熱膨張係数に近似したものとなり、それらの間に発生する熱歪みを非常に小さくできる。そのため、絶縁基板１と放熱層４との密着性や、放熱層４中のＷ１１ａ粒子とＣｕ１１ｃとの密着性が損なわれたり、絶縁基板１に反り変形を発生させることがなくなり、半導体素子３の接合不良も解消される。
【００２６】
なお、放熱層４中のＷ１１ａ粒子の平均粒径は、仮焼し破砕した後の平均粒径と同等の１〜５μｍ程度であり、１μｍよりも小さい場合、放熱層４中のＣｕ１１ｃの保形性が劣化したり、組織が多孔質化し熱伝導性が低くなる。一方、５μｍを超えると、Ｃｕ１１ｃがＷ１１ａ粒子により分断され熱伝導路が遮断されて熱抵抗が高くなったり、Ｃｕ１１ｃ成分が分離してにじみ等が発生する。
【００２７】
また、放熱層４におけるＣｕ１１ｃと、Ｗおよび／またはＭｏ１１ａとの組成比は、Ｃｕ１１ｃが１０〜７０体積％、Ｗおよび／またはＭｏ１１ａが３０〜９０体積％であるが、この組成比は、放熱層４の放熱性、絶縁基板１との同時焼結性、放熱層４の同時焼成後の保形性の維持、更には絶縁基板１との熱膨張特性の整合を図る上で重要である。Ｃｕ１１ｃが１０体積％よりも少なく、Ｗおよび／またはＭｏ１１ａが９０体積％よりも多いと、放熱層４の熱伝導率がＷおよび／またはＭｏ１１ａと同等になり低くなるばかりでなく、熱膨張差により絶縁基板１にクラック等の割れが生じ易くなる。
【００２８】
一方、Ｃｕ１１ｃが７０体積％よりも多く、Ｗおよび／またはＭｏ１１ａが３０体積％よりも少ないと、放熱層４の同時焼成後の保形性が低下し放熱層４の周囲ににじみなどが発生したり、放熱層４の表面の凹凸が大きくなり、更には焼成時に放熱層４内の金属粒子が欠落する不具合が生じ易くなる。
【００２９】
このように、本発明の配線基板５における放熱層４は、Ｗ１ａおよびＣｕ１ｃを仮焼した後、表面拡散により融合しているＷ１ａ粒子を破砕することにより、その平均粒径を１〜５μｍと小さくすることができるとともに、その外周にＣｕ１ｃが被着された導体粒子が得られる。この導体粒子にバインダ１ｂを添加混合して得られた金属ペーストを、絶縁基板１と同時に１２００〜１５００℃で焼成することにより、焼結後にＣｕ１１ｃ中に常に均一に分散されたＷ１１ａ粒子が点在するものとなる。これにより、絶縁基板１と放熱層４との密着性や、放熱層４中のＷ１１ａ粒子とＣｕ１１ｃとの密着性が損なわれたり、放熱層４と絶縁基板１との間に発生する熱応力により絶縁基板１に反り変形を発生させることがなくなる。その結果、半導体素子４を平坦な放熱層４上に設けた載置部１Ａに載置固定でき、半導体素子３の作動時における放熱性を良好とし得る。
【００３０】
放熱層４は、平均粒径が１〜１０μｍのＣｕ１ｃ含有粉末を１０〜７０体積％、好ましくは４０〜７０体積％、平均粒径が１〜５μｍのＷおよび／またはＭｏ１ａを３０〜９０体積％、好ましくは３０〜６０体積％の割合で含有して成る金属ペーストを調製し、この金属ペーストを各セラミックグリーンシートに印刷法により数回印刷塗布を繰り返して、焼成後に好ましくは１００〜２００μｍ程度の厚さになるように被着させると放熱層４として好適に機能する。厚さが１００μｍ未満になると、熱が絶縁基板１内に澱んで放熱効果が小さくなり、厚さが２００μｍを超える場合その形成が困難となる。
【００３１】
この金属ペースト中には、絶縁基板１との密着性を高めるために、Ａｌ2Ｏ3粉末や、絶縁基板１を構成する酸化物セラミックス成分と同一の組成物粉末を０．０５〜２体積％の割合で添加することも可能である。
【００３２】
その後、金属ペーストを充填したセラミックグリーンシートを位置合わせして積層圧着して積層体となした後、この積層体を、非酸化性雰囲気中、例えば１２００〜１５００℃の温度で焼成する。焼成温度が１２００℃より低い場合、通常の原料を用いた際、絶縁基板１が相対密度９５％以上まで緻密化できず、熱伝導性や強度が低下する。一方、１５００℃よりも高い場合、Ｗおよび／またはＭｏ１１ａ自体の焼結が進み、Ｃｕ１１ｃ中に均一に分散した状態を維持できなくなる。延いては低抵抗を維持することが困難となり、Ｗおよび／またはＭｏ１１ａと同程度の放熱性しか得られなくなる。
【００３３】
また、焼成時の非酸化性雰囲気としては、窒素、あるいは窒素と水素との混合雰囲気であることが好ましい。なお、雰囲気には所望により、アルゴンガス等の不活性ガスを混入しても良い。
【００３４】
本発明において、貫通導体２および放熱層４はＣｕを１０〜７０体積％、Ｗおよび／またはＭｏを３０〜９０体積％含有する導体材料（メタライズ層）から成るが、メタライズ層中のＣｕ，Ｗ，Ｍｏの体積％は以下のようにして特定できる。即ち、このメタライズ層はＣｕの融点（１０８３℃）以上の１２００〜１５００℃で絶縁基板１と同時焼成されるものであり、従ってＣｕより融点が１０００℃以上高いＷ，ＭｏとＣｕとは固溶体を形成しない。よって、メタライズ層はＷ粒子，Ｍｏ粒子の間隔をＣｕが埋めた構成となり、Ｃｕ，Ｗ，Ｍｏの体積％を特定することが可能となる。
【００３５】
具体的には以下のようになる。まず、一定量の貫通導体２や放熱層４の試料の重量を測定した後、それに含有されるＣｕ成分のみを亜硫酸ナトリウム，塩酸または硫酸等の酸で溶解する。処理液にＣｕ成分を溶解し終えて酸処理した試料の重量が変化しなくなったのを確認した後、酸処理後の試料の重量を再度測定し重量変化を算出する。Ｃｕの比重８．９４よりＣｕの体積を算出する。酸処理後の試料の重量から、Ｗ（比重１９．３）および／またはＭｏ（比重１０．２２）の体積を算出する。Ｃｕ，Ｗ，Ｍｏのそれぞれの体積から体積％を算出する。
【００３６】
かくして、本発明の配線基板５は、１２００〜１５００℃で焼成できる絶縁基板１に、一度仮焼したＣｕと平均粒径１〜５μｍのＷおよび／またはＭｏの粉末から成る塊を粉砕し、得られた混合粉末を用いて調製した金属ペーストを放熱層４として同時焼成により形成できる点に特徴がある。即ち、この金属ペーストは、焼成時にＣｕがＷ粒子同士の融合を妨げることにより、その焼成時の収縮が進まなくなり、絶縁基体１の収縮に沿うように収縮することで焼成後の反りや放熱層４の剥離を有効に防止できるものとなる。また、このような効果は低温で焼成できる絶縁基体１と放熱層４の組み合わせにより初めて得られるものであり、実用上きわめて重要かつ有効なものである。
【００３７】
具体的には、絶縁基板１の収縮率を１とした場合、Ｗおよび／またはＭｏの粒子の平均粒径の大きさに応じて放熱層４の収縮度は変化し、収縮度の大きさによって絶縁基体１の反りや放熱層４の表面におけるクラックが発生して放熱層４が剥落する場合がある。そこで、Ｗおよび／またはＭｏの粒子の平均粒径と反りおよびクラックの発生状況を調査したところ、下記表１に示すような結果を得た。
【００３８】
【表１】
0003906038.tif 000002
【００３９】
上記の表１から明らかなように、反りおよびクラックが発生しないようにするには平均粒径は１〜５μmとする必要があることが判った。
【００４０】
従って、本発明は、絶縁基板１と放熱層４との密着性や、放熱層４中のＷおよび／またはＭｏ１１ａとＣｕ１１ｃとの密着性を良好とでき、絶縁基板１の反り変形を有効に防止できる。その結果、半導体素子３の作動時における熱を効率良く上面の放熱層４を介して下面の放熱層４に伝え得、外部に放散できる。
【００４１】
なお、本発明は上記実施の形態に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々の変更を行うことは何等支障ない。
【００４２】
【発明の効果】
本発明の配線基板の製造方法は、Ａｌ２Ｏ３を主成分とし、ＭｎをＭｎ２Ｏ３換算で２〜１０重量％含有した相対密度９５％以上のセラミックスから成る絶縁基板と、銅を１０〜７０体積％、ＷおよびＭｏの少なくとも一方を３０〜９０体積％含有した導体とから成る配線基板の製造方法であって、ＷおよびＭｏの少なくとも一方から成る金属粒子とＣｕ粒子とを含む金属ペーストを作製する工程と、この金属ペーストを１２００℃以下で仮焼して金属塊を得る工程と、この金属塊を破砕して金属粒子の平均粒径が１〜５μｍである導体粒子を作製する工程と、この導体粒子を含む導体ペーストを作製する工程と、この導体ペーストを絶縁基板のセラミックグリーンシートに印刷して１２００〜１５００℃で焼成する工程とを含むことにより、放熱層のＷおよび／またはＭｏの平均粒径が１〜５μｍとできるので、配線基板の熱歪みを非常に小さくできることから、同時焼成後における絶縁基板と放熱層との密着性や、放熱層と貫通導体との接合性を良好なものとできるとともに、絶縁基板の反り変形を有効に防止できる。そのため、半導体素子を絶縁基板の平坦な上面に載置固定できるとともに、半導体素子の作動時に発生する熱を効率良く上面の放熱層を介して下面の放熱層に伝え得る。その結果、半導体素子を長期に亘り正常かつ安定に作動させ得る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の配線基板について実施の形態の例を示す断面図である。
【図２】（ａ）は図１の配線基板の放熱層となる導体材料を仮焼後に破砕したものの部分拡大断面図、（ｂ）は（ａ）の導体材料の焼結後の状態を示す部分拡大断面図である。
【図３】比較のために試作した配線基板の断面図である。
【図４】（ａ）は図３の配線基板の放熱層の焼結前の状態を示す部分拡大断面図、（ｂ）は図３の放熱層の焼結後の状態を示す部分拡大断面図である。
【図５】従来のガラスセラミックから成る絶縁基板を有する配線基板の断面図である。
【符号の説明】
１：絶縁基板
１Ａ：載置部
１Ｂ：電極部
２：貫通導体
３：半導体素子
４：放熱層
５：配線基板
１１ａ：Ｗおよび／またはＭｏ
１１ｃ：Ｃｕ
【図１】
0003906038.tif 000003
【図２】
0003906038.tif 000004
【図３】
0003906038.tif 000005
【図４】
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【図５】
0003906038.tif 000007