(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に積層された半導体層を有し、該半導体基板に垂直に光を放射する、又は入射させる面型光デバイスであって、
前記半導体基板の裏面から垂直に外方に突起する突起部を、その縦方向中心線が前記半導体基板からの放射光又は前記半導体基板への入射光のビーム中心線に実質的に一致するように備えていることを特徴とする面型光デバイス。
【請求項２】
突起部の先端面が、ビーム中心線に直交する平面状の鏡面研磨面、又はビーム中心線に曲面中心を有し、かつ曲面中心での接線がビーム中心線に直交する曲面状の鏡面研磨面であることを特徴とする請求項１に記載の面型光デバイス。
【請求項３】
突起部が、前記半導体基板に垂直に放射する光又は前記半導体基板に垂直に入射する光に対して低反射率の膜厚の薄膜を先端面に有することを特徴とする請求項１又は２に記載の面型光デバイス。
【請求項４】
一方の板面から垂直に内在する第１ガイド穴と第１ガイド穴の延長上で他方の板面から内在する第２ガイド穴とを有する板状体として形成され、請求項１から３のうちのいずれか１項に記載の面型光デバイスと光ファイバとを第１及び第２ガイド穴を介して光結合するコネクタであって、第１ガイド穴は面型光デバイスの半導体基板裏面の突起部とほぼ同じ径を有して突起部と嵌合する中空部として形成され、第２ガイド穴は面型光デバイスと光結合する光ファイバとほぼ同じ径を有して光ファイバを挿入する中空部として形成されていることを特徴とする光結合用コネクタ。
【請求項５】
第１ガイド穴と第２ガイド穴とが連通していることを特徴とする請求項４に記載の光結合用コネクタ。
【請求項６】
第１ガイド穴と第２ガイド穴とが放射光又は入射光に対して透明な隔壁により不連続になっていて、隔壁が板状体又はレンズ状体として形成されていることを特徴とする請求項４に記載の光結合用コネクタ。
【請求項７】
一方の端縁から対向する他方の端縁まで延在する溝を板面上に有する板状体として形成され、請求項１から３のうちのいずれか１項に記載の面型光デバイスと光ファイバとを溝を介して光結合するコネクタであって、溝は、面型光デバイスの半導体基板裏面の突起部を溝に沿って保持する第１溝部を一方の端縁側に備え、かつ面型光デバイスと光結合する光ファイバを溝に沿って保持する第２溝部を他方の端縁から第１溝部まで備えていることを特徴とする面型光デバイスと光ファイバとの光結合用コネクタ。
【請求項８】
溝が半円形溝であって、第１溝部が面型光デバイスの半導体基板裏面の突起部とほぼ同じ直径を有して溝に沿って嵌合させる溝として形成され、第２溝部が光ファイバの結合端とほぼ同じ直径を有して溝に沿って保持する溝として形成されていることを特徴とする請求項７に記載の光結合用コネクタ。
【請求項９】
請求項１から３のうちのいずれか１項に記載の面型光デバイスの突起部を請求項４から６のうちのいずれか１項に記載の光結合用コネクタの第１ガイド穴に嵌合し、面型光デバイスと光結合する光ファイバを第２ガイド穴に挿入して突起部の先端面と光ファイバの結合端とを直接又は隔壁を介して当接させ、面型光デバイスと光ファイバとを光結合することを特徴とする面型光デバイスと光ファイバとの光結合方法。
【請求項１０】
請求項１から３のうちのいずれか１項に記載の面型光デバイスの突起部を請求項７又は８に記載の光結合用コネクタの第１溝部で保持し、面型光デバイスと光結合する光ファイバを光結合用コネクタの他方の端縁から第２溝部に挿入して突起部の先端面と光ファイバの結合端とを当接させ、面型光デバイスと光ファイバとを光結合することを特徴とする面型光デバイスと光ファイバとの光結合方法。
【請求項１１】
それぞれが、半導体基板上に積層された半導体層を有し、該半導体基板に垂直に光を放射する、又は入射させる複数の面型光デバイスを備える光デバイスアレーであって、
前記半導体基板の裏面から垂直に外方に突起する突起部を、その縦方向中心線が前記半導体基板からの放射光又は前記半導体基板への入射光のビーム中心線に実質的に一致するように備えていることを特徴とする光デバイスアレー。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、面型光デバイス、光結合用コネクタ、光結合用コネクタを使った面型光デバイスと光ファイバとの光結合方法、及び、光デバイスアレーに関し、更に詳細には、光ファイバと光結合する際に、高い結合効率を維持しつつ調芯が容易な面型光デバイス、及び調芯を容易にする光結合用コネクタに関し、加えて高い結合効率を維持しつつ調芯が容易な光結合技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
面型光デバイスは、基板に垂直に光を放射する、又は入射させる光素子又はそのような光素子からなるデバイスであって、その一例として、基板と垂直にレーザ光を放出する面発光型半導体レーザがある。特に、面発光型半導体レーザは、出射光の放射角度が小さいので、光ファイバとの結合に際してレンズを使わない直接結合によって高い結合効率が期待できるという利点を有する。
ところで、光ファイバを面発光型半導体レーザに光結合する際、高い結合効率を維持しつつ、光ファイバと面発光型半導体レーザとの調芯が容易な光結合方法が盛んに研究、開発されているものの、しかし、容易な調芯と高い結合効率とを満足させる、光ファイバと面発光型半導体レーザとの実用的な光結合方法は、未だ報告されていない。
【０００３】
例えば、面発光型半導体レーザを光ファイバに光結合するに当たり、面発光型半導体レーザを面上に多数配列した半導体レーザアレーを形成し、一方、半導体レーザアレーに対応するように光ファイバをアレー状に集束して光ファイバアレーとし、半導体レーザアレーと光ファイバアレーとを光結合するやり方が試みられている。そして、光結合する際に、光ファイバアレーと面発光型半導体レーザアレーとの調芯を容易にする光結合方法が、例えば特開平９−１５４５９号公報等により提案されている。
それは、面発光型半導体レーザから出射されるレーザ光の中心とほぼ同じ基板位置に、ファイバの外径とほぼ等しいガイド穴を形成し、光ファイバをそのガイド穴に挿入することにより、面発光型半導体レーザと光ファイバの無調芯接続を行おうとするものである。基板に形成するガイド穴は、液体によるウエットエッチング、又はガスによるドライエッチングなどのエッチング技術により形成することを提案している。
【０００４】
しかし、上述の方法では、ガイド穴の形成に際し、以下に説明するように技術的な問題があると思われる。
例えば、ガイド穴形成に際し、基板途中でエッチングを停止してガイド穴を基板内盲孔とする場合には、ガイド穴の底面の僅かな凹凸によりレーザ光が散乱されてしまい、光ファイバに対して高い光結合効率で光結合することが難しい。
また、面発光型レーザ素子の共振器積層構造と基板の間にエッチングストップ層を予め形成しておき、エッチングストップ層に到達するまで基板をエッチングしてガイド穴を基板貫通穴とすることにより、ガイド穴の底面を極めて平滑な鏡面にする方法もある。しかし、基板上にエピタキシャル成長させた半導体層の積層構造の膜厚はたかだか１０μm 程度であるので、半導体層の積層構造だけを残して、半導体基板をエッチングしてファイバの直径である１００μm 程度の大きさのガイド穴を形成すると、ガイド穴上の積層構造が薄いために、面発光型半導体レーザ素子の機械的な強度が著しく低下してしまい、光ファイバを挿入して光結合することが強度的に実際上で難しい。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
上述の例では、面発光半導体レーザを例にして説明しているが、面型受光素子についても同様な問題があり、光ファイバと面型光デバイスとの調芯を容易にする光結合方法は、従来、種々、報告されているものの、実用的に満足できるレベルに達しているものは、未だ見当たらないのが現状である。
そこで、本発明の目的は、高い結合効率を維持しつつ、光ファイバと面型光デバイスとの調芯を容易できる面型光デバイス及び光結合方法を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る面型光デバイスは、基板に垂直に光を放射する、又は入射させる面型光デバイスであって、
基板裏面から垂直に外方に突起する突起部を、その縦方向中心線が基板からの放射光又は基板への入射光のビーム中心線に実質的に一致するように備えていることを特徴としている。
【０００７】
本発明の面型光デバイスの突起部を後述する光結合用コネクタの第１ガイド穴に嵌合し、又は第１溝部に保持し、光ファイバの結合端を光結合用コネクタの第２ガイド穴に挿入し、又は第２溝部に保持することにより、高い光結合効率を維持しつつ、実質的に無調芯で光結合することができる。
本発明で基板裏面とは、面型光デバイスの光素子とは反対側の基板面を言う。面型光デバイスの構造、形成材料、及び発振波長には制限はなく、本発明を適用でき、また、面発光型半導体レーザに限らず、面発光型ダイオード（ＬＥＤ）、或いは面型フォトダイオード（ＰＤ）にも同じように適用できる。例えば、発振波長１．３μm のＩｎＰ系面発光型半導体レーザと光ファイバとの接続にも有効である。
【０００８】
好適には、突起部の先端面が、ビーム中心線に直交する平面状の鏡面研磨面、又はビーム中心線に曲面中心を有し、かつ曲面中心での接線がビーム中心線に直交する曲面状の鏡面研磨面である。面発光半導体レーザ素子の場合には、突起部の先端面をビーム中心線に直交する平面状の鏡面研磨面にすることにより光結合効率が向上する。また、面発光型ＬＥＤの場合には、突起部の先端面を、ビーム中心線に曲面中心を有し、かつ曲面中心での接線がビーム中心線に直交する曲面状の鏡面研磨面にすることにより光結合効率が向上する。
更に好適には、突起部が、基板に垂直に放射する光又は基板に垂直に入射する光に対して低反射率の膜厚の薄膜を先端面に有する。
突起部の断面形状は、位置ずれを起こすことなく、第１ガイド穴との嵌合できる形状である限り制約はなく、円形、楕円形、三角形、又は四角形などの多角形でも良い。
【０００９】
本発明に係る光結合用コネクタは、上述の面型光デバイスと光ファイバとを光結合する際に使用するコネクタである。本光結合用コネクタは、一方の板面から垂直に内在する第１ガイド穴と第１ガイド穴の延長上で他方の板面から内在する第２ガイド穴とを有する板状体として形成され、請求項１から３のうちのいずれか１項に記載の面型光デバイスと光ファイバとを第１及び第２ガイド穴を介して光結合するコネクタであって、
第１ガイド穴は面型光デバイスの基板裏面の突起部とほぼ同じ径を有して突起部と嵌合する中空部として形成され、第２ガイド穴は面型光デバイスと光結合する光ファイバとほぼ同じ径を有して光ファイバを挿入する中空部として形成されていることを特徴としている。
【００１０】
光結合用コネクタは、機械的強度の高い材質であれば材質に制約はなく、例えば単結晶シリコン板、石英板等のガラス系板、ステンレス鋼等の金属板、セラミック板、熱硬化性プラスチック、熱可塑性プラスチック等を使用する。
光ファイバを挿入する第２ガイド穴は、光ファイバの位置ずれが起きない形状であれば良く、第２ガイド穴の横断面は、例えば円形、四角形などでも良い。また面型光デバイスを嵌合する面の第１ガイド穴と、光ファイバを挿入する第２ガイド穴とは同じ内径である必要はない。
【００１１】
第１ガイド穴及び第２ガイド穴は、第１ガイド穴と第２ガイド穴とが連通していても良く、また、第１ガイド穴と第２ガイド穴とが放射光又は入射光に対して透明な隔壁により不連続になっていて、隔壁が板状体又はレンズ状体として形成されていても良い。
第１ガイド穴と第２ガイド穴とを隔壁により不連続にすることにより、光結合用コネクタの機械的強度を高めることができる。また、レンズ状体にすることにより一層の光結合効率を向上させることができる。
【００１２】
また、本発明の別の光結合用コネクタは、一方の端縁から対向する他方の端縁まで延在する溝を板面上に有する板状体として形成され、面型光デバイスと光ファイバとを溝を介して光結合するコネクタであって、
溝は、面型光デバイスの基板裏面の突起部を溝に沿って保持する第１溝部を一方の端縁側に備え、かつ面型光デバイスと光結合する光ファイバを溝に沿って保持する第２溝部を他方の端縁から第１溝部まで備えている。
好適には、溝が半円形溝であって、第１溝部が面型光デバイスの基板裏面の突起部とほぼ同じ直径を有して溝に沿って嵌合させる溝として形成され、第２溝部が光ファイバの結合端とほぼ同じ直径を有して溝に沿って保持する溝として形成されている。
【００１３】
上述の光結合用コネクタを使って面型光デバイスと光ファイバとを光結合する本発明に係る方法は、上述のように特定した面型光デバイスの突起部を同じく上述のように特定した光結合用コネクタの第１中空部に嵌合し、面型光デバイスと光結合する光ファイバを第２中空部に挿入して突起部の先端面と光ファイバの結合端とを直接又は隔壁を介して当接させ、面型光デバイスと光ファイバとを光結合することを特徴としている。
【００１４】
また、別の光結合する方法は、上述のように特定した面型光デバイスの突起部を、第１及び第２溝部を光結合用コネクタの第１溝部で保持し、面型光デバイスと光結合する光ファイバを光結合用コネクタの他方の端縁から第２溝部に挿入して突起部の先端面と光ファイバの結合端とを当接させ、面型光デバイスと光ファイバとを光結合することを特徴としている。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下に、実施形態例を挙げ、添付図面を参照して、本発明の実施の形態を具体的かつ詳細に説明する。
実施形態例１
本実施形態例は、本発明に係る面型光デバイス及び光結合用コネクタ、並びに両者を使って実施する本発明に係る光結合方法の実施形態の一例である。図１（ａ）は面型光デバイスの基板裏面の平面図、図１（ｂ）は面型光デバイスの側面図、図２は光結合用コネクタの断面図、及び図３は光結合方法を説明する模式図である。
本実施形態例の面発光型半導体レーザアレー１０（以下、簡単にレーザアレー１０と言う）は、ｎ−ＧａＡｓ基板１２と、ｎ−ＧａＡｓ基板１２上に形成された多数の離散した発振波長が約９８０ｎｍのＧａＡｓ系面発光型半導体レーザ素子１４とから構成されている。面発光型半導体レーザ素子１４の各々は、ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓからなる１対の多層膜反射鏡と、ＧａＩｎＡｓからなる量子井戸発光層とから形成されている。
レーザアレー１０は、基板裏面、即ちレーザ素子１４とは反対側の基板１２の基板面１６に、各レーザ素子１４からの出射光のビーム中心線に沿って縦方向中心線を有し、直径が約１２０μm 、高さが３０μm の円柱状突起部１８をそれぞれ備えている。突起部１８の先端面１８ａはＳｉＮx 膜を有し、ビーム中心線に直交する平面状の鏡面研磨面となっている。また、基板面１６には、基板側電極１９が設けてある。
【００１６】
また、光結合用コネクタ２０は、板厚が１mm  の単結晶シリコン板で形成され、一方の板面から内方に垂直に延在する第１ガイド穴２２と第１ガイド穴２２の延長上で他方の板面から延在する第２ガイド穴２４とを有する板状体として形成されている。
第１ガイド穴２２は、レーザアレー１０の基板裏面の突起部１８とほぼ同じ径を有して突起部１８と嵌合する中空部として、レーザアレー１０の各突起部１８に対応する配置で形成されている。
第２ガイド穴２４は、第１ガイド穴２２と連通し、レーザアレー１０と光結合する光ファイバを挿入する中空部として形成されている。本実施形態例では、第１ガイド穴２２と第２ガイド穴２４とは同じ内径の円筒状中空部であって、端部で相互に連通している。
また、光結合用コネクタ２０は、レーザアレー１０との対向面上にレーザアレー１０の基板側電極１９と電気的に接触して導通する電極２６を備えている。
【００１７】
以下に、図１を参照して、本実施形態例のレーザアレー１０の作製方法を説明する。
先ず、従来の方法に従って、図１に示すように、ｎ−ＧａＡｓ基板１２上にＧa Ａｓ系半導体レーザ素子１４を形成する。
次いで、基板厚さが約１００μm の厚さになるように基板裏面からＧａＡｓ基板１２を研磨して、レーザアレー１０の基板面１６となる基板面（以下、基板裏面を基板面１６という）を研磨面にする。次いで、基板面１６に鏡面仕上げ処理を施して、鏡面研磨面とする。鏡面仕上げ処理を施した基板面１６に、プラズマＣＶＤ法（プラズマ化学気相堆積法）によりＳｉＮｘ膜を成膜する。ＳｉＮｘの膜厚は、波長９８０ｎｍのレーザ光に対して低反射率となるように、約１７０ｎｍとする。
上述のように、突起部１８の先端面１８ａとなる基板面１６を平坦化し、更にレーザ光に対して低反射構造とすることにより、光ファイバと接続する際の反射損失を低減することができる。
【００１８】
次に、基板面１６に感光レジスト膜を成膜し、続いて、両面マスクアライナー装置を用いて、レーザアレー１０の各半導体レーザ１４のレーザ光の中心線と突起部１８の縦方向中心線とがほぼ一致する配列で、フォトリソグラフィ技術により突起部１８の円形パターンを感光レジスト膜に転写する。
次いで、ＳｉＮｘ薄膜をフッ酸でエッチングし、円形パターンを有するＳｉＮｘ薄膜マスクを形成する。これをマスクとして、硫酸：過酸化水素水：水（５：１：１）の混合液を用いてＧａＡｓ基板を約３０μm エッチングする。これにより、ＳｉＮｘ膜を有する、直径約１３０μm 、高さ約３０μm の突起部１８を基板面１６上に形成することができる。
【００１９】
次に、図２を参照して、光結合用コネクタ２０の製作方法を説明する。
光結合用コネクタ２０を形成するには、先ず、単結晶シリコン板の表面を熱酸化してＳｉＯ2 膜を成膜する。次いで、突起部１８の円形パターンと同様にして、フォトリソグラフィ技術により円形のガイド穴パターンを有するＳｉＯ2 膜マスクを形成する。
続いて、ＳｉＯ2 膜マスクをマスクにしてドライエッチングにより単結晶シリコン板をエッチングして、第１ガイド穴２２及び第１ガイド穴２２と連通した第２ガイド穴２４を形成する。
次に、必要な領域にスパッタ法により金属を堆積して電極２６を形成する。
【００２０】
光結合用コネクタ２０を使ってレーザアレー１０を光ファイバに接続するには、図３に示すように、先ず、レーザアレー１０に設けた各突起部１８を光結合用コネクタ２０の第１ガイド穴２２の嵌合し、次いで、レーザアレー１０とは反対側から光ファイバを光結合用コネクタ２０の第２ガイド穴２４に挿入し固定する。
これにより、面倒な調芯を行うことなく、レーザアレー１０と光ファイバとの厳密な芯合わせを維持して、レーザアレー１０と光ファイバとの接続を完了することができる。
【００２１】
半導体レーザ素子１４を８×８で配列した実施形態例１のレーザアレー１０と、８芯ファイバリボン８本からなるコア直径が約５０μm の多モード光ファイバとの光結合を光結合用コネクタ２０を使って行った際の結合効率を求めたところ、各半導体レーザ素子の結合効率の平均値８５％であり、最大で約９０％と高い結合効率を得ることができた。
本実施形態例では、突起部１８の先端面が低反射率のＳｉＮｘ膜を有し、しかも鏡面仕上げの状態になっているので、光結合に際して、レーザ光の散乱を引き起こしていない。これが結合効率の高い一因である。
【００２２】
実施形態例１の改変例１
面発光型ＬＥＤは、面発光型半導体レーザとは異なり、発光ビームが広い角度で放射される。そこで、面発光型ＬＥＤと光ファイバとを光結合する際には、実施形態例１の突起部１８の平面状の先端面１８ａに代えて、図４に示すように、突起部１８の先端面１８ｂをレンズ形状にすることにより、発光ビームの放射角度を狭め、光ファイバとの結合効率を向上させることができる。
尚、図４中、２８は発光部または受光部である。図５から図７でも同じである。
【００２３】
実施形態例１の改変例２
実施形態例１では、光ファイバを挿入する第２ガイド穴２４は円形で、第１ガイド穴２２の内径は同じ内径であったが、これに限る必要はなく、例えば図５に示すように、第１ガイド穴３０の径と第２ガイド穴３２の径とが相互に異なるようにしても良い。
これにより、光ファイバと突起部１８との当接を避けて、損傷を防止することができる。
【００２４】
実施形態例１の改変例３
また、光結合用コネクタ２０の材質が、光の波長に対して透明であれば、第１ガイド穴２２と第２ガイド穴２４とが光結合用コネクタ２０内で連通している必要はなく、第１ガイド穴２２と第２ガイド穴２４とが隔壁により不連続になっていても良い。
隔壁は、図６に示すように、板状体３４でも良く、また図７に示すように、レンズ状体３６として形成されていても良い。特に、図７では、レンズ状体３６を設けることにより光を集束して結合効率を向上させることができる。
【００２５】
実施形態例２
本実施形態例は、本発明に係る面型光デバイス及び光結合用コネクタ、並びに両者を使って実施する本発明に係る光結合方法の実施形態の別の例である。図８及び図９は光結合方法を説明する模式図である。
本実施形態例は、実施形態例１の光結合用コネクタ２０とは異なる構成の光結合用コネクタ４０を使用して、実施形態例１のレーザアレー１０と、光ファイバとを光結合している例である。
本実施形態例の光結合用コネクタ４０は、一方の端縁４２から対向する他方の端縁４４まで延在するＶ字状の溝４６を板面上に有する板状体として形成されている。溝４６は、レーザアレー１０の突起部１８を溝に沿って保持する第１溝部４８を一方の端縁４４側に備え、かつ、レーザアレー１０と光結合する光ファイバを溝に沿って保持する第２溝部５０を他方の端縁４６から第１溝部４８まで備えている。
【００２６】
本実施形態例では、レーザアレー１０の突起部１８を光結合用コネクタ４０の第１溝部４８で保持し、光ファイバを光結合用コネクタ４０の他方の端縁４４から第２溝部５０に挿入して突起部１８の先端面と光ファイバの結合端とを当接させ、レーザアレー１０と光ファイバとを光結合する。
【００２７】
好適には、図９に示すように、溝４４は、第１溝部４８がレーザアレー１０の突起部１８とほぼ同じ直径で溝に沿って嵌合させる半円形溝として形成され、第２溝部５０が光ファイバの結合端と同じ直径で溝に沿って保持する半円形溝として形成されている。
本例では、保持レーザアレー１０の突起部１８を光結合用コネクタ４０の第１溝部４８に嵌合し、光ファイバの結合端を他方の端縁４４から第２溝部５０に挿入して突起部１８の先端面と光ファイバの結合端とを当接させ、レーザアレー１０と光ファイバとを光結合する。本例では、突起部１８を嵌合しているので、Ｖ字状の溝の例より、突起部１８及び光ファイバを強固に保持できる。
【００２８】
【発明の効果】
本発明の構成によれば、面型光デバイスの突起部を光結合用コネクタの第１中空部に嵌合し、又は第１溝部で保持し、そして光ファイバを第２中空部に挿入し、又は第２溝部で保持し、突起部の先端面と光ファイバの結合端とを直接又は隔壁を介して当接させ、面型光デバイスと光ファイバとを光結合することにより、精密な位置合わせをすることなく、面型光デバイスと光ファイバとを高い結合効率で容易に接続することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１（ａ）は実施形態例１のレーザアレーの基板裏面の平面図及び図１（ｂ）はレーザアレーの側面図である。
【図２】実施形態例１の光結合用コネクタの断面図である。
【図３】実施形態例１の光結合方法を説明する模式図である。
【図４】突起部の別例を示す側面図である。
【図５】光結合用コネクタの別の例を示す断面図である。
【図６】光結合用コネクタの更に別の例を示す断面図である。
【図７】光結合用コネクタの更に別の例を示す断面図である。
【図８】実施形態例２の光結合方法を説明する模式図である。
【図９】実施形態例２の別の光結合方法を説明する模式図である。
【符号の説明】
１０  実施形態例１の面発光型半導体レーザアレー
１２  ｎ−ＧａＡｓ基板
１４  ＧａＡｓ系面発光型半導体レーザ素子
１６  基板面
１８  突起部
１８ａ  先端面
１９  基板側電極
２０  光結合用コネクタ
２２  第１ガイド穴
２４  第２ガイド穴
２６  電極
２８  発光部または受光部
３０  第１ガイド穴
３２  第２ガイド穴
３４  板状体
３６  レンズ状体
４０  光結合用コネクタ
４２  一方の端縁
４４  他方の端縁
４６  溝
４８  第１溝部
５０  第２溝部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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