(57)【要約】【課題】  高品質な堆積膜を低価格で製造可能な堆積膜形成装置を提供する。【解決手段】  真空気密可能な反応空間を有し、かつ、少なくとも一部の側壁が円筒状電極で構成されている反応容器と、前記円筒状電極に高周波電力を供給し、前記反応空間に供給された原料ガスを励起させるための高周波電力供給手段と、前記反応空間に原料ガスを導入するための原料ガス導入手段と、を有し、前記反応空間で円筒状基体の上に堆積膜を形成する堆積膜形成装置であって、前記堆積膜形成装置は、前記円筒状電極の長尺方向に延びた空洞部を前記円筒状電極の周方向に複数有し、前記空洞部は、前記円筒状電極と空洞部形成部材とによって形成され、前記空洞部形成部材は、前記原料ガス導入手段に接続され、かつ前記空洞部へ連通する穴を有し、前記円筒状電極は、前記空洞部から前記反応空間へ連通する穴を複数有する。【選択図】  図１
2016132812.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空気密可能な反応空間を有し、かつ、少なくとも一部の側壁が円筒状電極で構成されている反応容器と、
前記円筒状電極に高周波電力を供給し、前記反応空間に供給された原料ガスを励起させるための高周波電力供給手段と、
前記反応空間に原料ガスを導入するための原料ガス導入手段と、
を有し、前記反応空間で円筒状基体の上に堆積膜を形成する堆積膜形成装置であって、
前記堆積膜形成装置は、
前記円筒状電極の長尺方向に延びた空洞部を前記円筒状電極の周方向に複数有し、
前記空洞部は、前記円筒状電極と空洞部形成部材とによって形成され、
前記空洞部形成部材は、前記原料ガス導入手段に接続され、かつ前記空洞部へ連通する穴を有し、
前記円筒状電極は、前記空洞部から前記反応空間へ連通する穴を複数有する
ことを特徴とする堆積膜形成装置。
【請求項２】
前記円筒状電極は、外周面に、前記円筒状電極の長尺方向に延びた凹状の溝が形成され、
前記空洞部は、前記凹状の溝と前記空洞部形成部材とによって形成され、
ている請求項１に記載の堆積膜形成装置。
【請求項３】
前記空洞部形成部材は、前記円筒状電極から脱着可能である請求項１又は２に記載の堆積膜形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、堆積膜形成装置に関するものである。本発明は、特にプラズマＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法によって堆積膜を形成する堆積膜形成装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、被処理基体上に、アモルファス状あるいは多結晶状などの非単結晶材料で構成された堆積膜を形成するための堆積膜形成装置が各種提案されている。例えば、アモルファスシリコン（以下「ａ−Ｓｉ」ともいう）の膜が、電子写真感光体用の堆積膜として用いられている。ａ−Ｓｉ堆積膜が形成される電子写真感光体（以下「ａ−Ｓｉ感光体」ともいう）は、堆積膜の膜厚、膜特性の均一性が画像特性に大きく影響を与えるため、大面積領域に均一な堆積膜を形成する技術が必要となる。
【０００３】
一般的に、ａ−Ｓｉ感光体の作製にはプラズマＣＶＤ法が用いられる。中でも、原料ガスを高周波電力（主に１３．５６ＭＨｚ）で分解して、円筒状基体に堆積膜を形成する製造方法が広く実用化されている。そして、円筒状基体の周方向及び長手方向に均一な堆積膜を得るために、原料ガスの導入方法に関してさまざまな技術が開示されている。
例えば、管状空洞部とガス放出孔が設けられたガス供給部材が、円筒状電極の一部を構成し、かつ円筒状電極本体から脱着可能な構成とする電子写真感光体の製造装置が開示されている（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１１−２４２４２４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記のような技術により、堆積膜の均一性が向上したａ−Ｓｉ感光体を得ることが可能になった。
しかしながら、電子写真感光体を用いた製品に対する市場の要求レベルは日々高まっており、高品質で、更に低価格化、低ランニングコスト化が可能な電子写真感光体が求められている。このような要求を満たすためにさまざまな対策や工夫を実施している。
【０００６】
ａ−Ｓｉ感光体の低価格化つまり製造コストを下げるためには、堆積膜形成装置への投資を抑えること、原料ガスの利用効率を上げることなどが有効である。それらを達成する手段としては、堆積膜形成装置の構造を簡素化すること、堆積膜形成装置の反応空間を小さくすることなどが考えられる。
【０００７】
例えば特許文献１に挙げた堆積膜形成装置は、円筒状電極とガス供給部材の構造が複雑であるため製作費が高い。また、円筒状電極の強度の点から装置設計の自由度が制限され、例えば、反応空間を小さくするために円筒状電極の内径を小さくすることは容易ではないといった問題がある。
そこで、本発明は、高品質な堆積膜を低価格で製造可能な堆積膜形成装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明によれば、真空気密可能な反応空間を有し、かつ、少なくとも一部の側壁が円筒状電極で構成されている反応容器と、
前記円筒状電極に高周波電力を供給し、前記反応空間に供給された原料ガスを励起させるための高周波電力供給手段と、
前記反応空間に原料ガスを導入するための原料ガス導入手段と、
を有し、前記反応空間で円筒状基体の上に堆積膜を形成する堆積膜形成装置であって、
前記堆積膜形成装置は、
前記円筒状電極の長尺方向に延びた空洞部を前記円筒状電極の周方向に複数有し、
前記空洞部は、前記円筒状電極と空洞部形成部材とによって形成され、
前記空洞部形成部材は、前記原料ガス導入手段に接続され、かつ前記空洞部へ連通する穴を有し、
前記円筒状電極は、前記空洞部から前記反応空間へ連通する穴を複数有する堆積膜形成装置が提供される。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、原料ガスの導入経路となる複数の空洞部を円筒状電極と空洞部形成部材の間に形成することで構造が簡素になり、安価にできる。更に、強度が高くなるため、装置設計の自由度が高くなる。これにより、高品質な堆積膜を低価格で製造可能な堆積膜形成装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明に係る堆積膜形成装置の例を模式的に示す断面図である。
【図２】従来技術の堆積膜形成装置の例を模式的に示す断面図である。
【図３】本発明に係る円筒状電極の一部を模式的に示す断面図である。
【図４】本発明に係る円筒状電極の例を模式的に示す断面図である。
【図５】本発明に係る円筒状電極の例を模式的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
＜第一の実施形態＞
以下、本発明の具体的な実施形態について、図面を用いて説明する。
図１は、ＲＦ（Ｒａｄｉｏ−Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）−プラズマＣＶＤ法によって、電子写真感光体を製造するための堆積膜形成装置の一例を示す模式図で、図１（ａ）は縦断面図、図１（ｂ）は横断面図である。
【００１２】
堆積膜形成装置１００は、プラズマ処理によって円筒状基体１２０に堆積膜を形成してａ−Ｓｉ感光体を製造する装置である。反応容器の側壁の一部を形成する円筒状電極１０２、上部絶縁体１０６、下部絶縁体１０７、底壁１０３、上壁１０４、上蓋１０５により、反応容器１０１を形成し、円筒状電極１０２の内周面側に真空気密可能な反応空間１１１を形成している。
【００１３】
堆積膜形成装置１００は、円筒状電極１０２と空洞部形成部材１０８との間で形成された空洞部１０９を有しており、空洞部１０９は円筒状電極１０２の長尺方向に延びている。空洞部１０９は、円筒状電極１０２の外周面側に円筒状電極１０２の長尺方向の凹状の溝を形成し、その凹状の溝を平板状の空洞部形成部材１０８で覆って形成されている。空洞部形成部材１０８は円筒状電極１０２から脱着可能であり、空洞部形成部材１０８と円筒状電極１０２は、間に不図示のＯリングを挟んで気密が保持される構造になっている。空洞部１０９は、円筒状電極１０２の周方向に複数有している（図１では８個、有している）。
【００１４】
円筒状電極１０２には、空洞部１０９から反応空間１１１へ連通する複数の穴１１０が円筒状電極１０２に形成されている。つまり、円筒状電極１０２に直接穴１１０を開ける加工を施している。この複数の穴１１０は、円筒状電極１０２の長尺方向に直線状に形成されている。空洞部形成部材１０８は、絶縁性の継ぎ手部材１１７、ガス供給配管１１８を介し、原料ガスの流量を調整するためのマスフローコントローラを介在させた不図示のミキシング装置と原料ガス流入バルブ１１９からなる原料ガス導入手段に接続されている。これらにより、空洞部１０９および穴１１０が原料ガスの導入経路となって、原料ガスが反応空間１１１へ導入可能となっている。
【００１５】
原料ガスを反応空間１１１へ、円筒状電極１０２の長尺方向に均一に導入するためには、空洞部１０９および穴１１０のコンダクタンスを適切に設定する必要がある。具体的には、穴１１０は適度にコンダクタンスが小さく、空洞部１０９は穴１１０よりも十分にコンダクタンスを大きくすることが必要である。
【００１６】
穴１１０の直径は、０．５ｍｍ以上で穴開け加工が容易になり、１．０ｍｍ以下で穴１１０の内部の異常放電が抑制できるため、０．５ｍｍ〜１．０ｍｍの範囲が好ましい。穴１１０の径に対し、長さはコンダクタンスへの影響が小さいため、適宜設定できる。ただし、穴１１０が形成される部分の周囲は円筒状電極１０２の肉厚が一番薄くなるところであるため、穴１１０の長さは円筒状電極１０２の強度の点から３ｍｍ以上であることが好ましい。
【００１７】
一つの空洞部１０９あたりの穴１１０の数は、少なすぎると穴１１０一個あたりの原料ガスの吐出量および吐出圧が高くなって堆積膜に影響がでる。逆に、多すぎると複数の穴１１０の合計コンダクタンスが大きくなるため、円筒状電極１０２の長尺方向に均一に導入することが困難になる。このため、空洞部１０９一個あたりの穴１１０の数を適切に設定する必要がある。また、円筒状電極１０２の周方向にも均一にガスを導入するために、周方向各々の、空洞部１０９に連通する穴１１０の数は同じであることが好ましい。
【００１８】
空洞部１０９のコンダクタンスは、一つの空洞部１０９あたりに連通する複数の穴１１０の合計コンダクタンスに対して、十分大きくする必要があり、１０倍以上であることが好ましい。空洞部１０９のコンダクタンスを大きくするには、円筒状電極１０２の長尺方向に対する断面積を大きく設定すればよいが、大きすぎると円筒状電極１０２の強度が低下するため上限がある。また、円筒状電極１０２の周方向にも均一にガスを導入するために、周方向各々の、空洞部１０９のコンダクタンスは同じであることが好ましい。
【００１９】
空洞部１０９の、円筒状電極１０２の長尺方向に対する断面形状に特に制限は無いが、円筒状電極１０２の外周面に凹状に溝を形成するため、加工性の面から四角形が本発明には適している。空洞部１０９が、四角形状の場合、必要な断面積が確保できれば縦横寸法は適宜設定できる。
上述のように原料ガスの導入経路を形成することで、特許文献１の堆積膜形成装置の課題が解決される。これについて図面を用いて説明する。
【００２０】
図２は、特許文献１の電子写真感光体を製造するための堆積膜形成装置の一例を示す模式図で、図２（ａ）は縦断面図、図２（ｂ）は横断面図である。
堆積膜形成装置２００は、原料ガスの導入経路となるガスブロック２０３（ガス供給部材）が設けられている。ガスブロック２０３は、円筒状電極２０２から脱着可能となっている。
【００２１】
円筒状電極２０２は、スリット状に長さＢ×幅Ｃの開口部が周方向に複数（図２では８個）形成されている。ガスブロック２０３は開口部に嵌め込まれて、円筒状電極２０２に装着されている。ガスブロック２０３は内部に、円筒状電極２０２の長尺方向に延びた空洞部２０９を備えている。更に、空洞部２０９から反応空間２１１へ連通する複数の穴２１０がガスブロック２０３に、円筒状電極２０２の長尺方向に直線状に形成されている。
【００２２】
特許文献１の堆積膜形成装置２００の課題は、円筒状電極２０２の強度を確保することが容易ではない場合があることであり、これにより装置設計の自由度が制限されることである。
円筒状電極２０２は、スリット状に複数の開口部が形成されているため、反応空間２１１を真空／大気圧を繰り返しても変形しない強度を確保するために、円筒状電極２０２の肉厚がある程度必要である。また、ガスブロック２０３は、内部に空洞部２０９を形成する加工が容易ではない。これらの理由から、製作費が高価となってしまう。
【００２３】
また、円筒状電極２０２の強度を確保するために非開口部の幅Ｄもある程度必要なためにガスブロック２０３の、円筒状電極２０２の周方向の数が制限される。例えば、円筒状電極２０２の内径を小さくする際に開口部の幅Ｃを固定した場合、ガスブロック２０３の周方向の数が減ることになり、円筒状基体１２０の周方向の堆積膜の均一性が低下する場合がある。
【００２４】
更に、空洞部２０９はガスブロック２０３の内部に形成されているため、円筒状電極２０２の長尺方向の長さがガスブロック２０３より短く、それに対応して複数の穴２１０の最も上から最も下までの距離（ガス吹き出し領域）Ｅも制限される。
これらに対し、本発明の堆積膜形成装置１００は、円筒状電極１０２にスリット状の開口部が無いために円筒状電極１０２の強度が高く、これにより装置設計の自由度が高くなる。そのため、例えば円筒状電極１０２の肉厚を薄くすることも可能である。更に、原料ガスの導入経路となる空洞部１０９が簡単な構造である。これらの理由から、製作費を安価にすることができる。
【００２５】
円筒状電極１０２の強度が高いと、例えば、円筒状電極１０２の周方向の空洞部１０９の数を増やすことも可能となる。この場合、円筒状電極１０２の周方向の原料ガスの吹き出しの均一性が向上し、円筒状基体１２０の周方向の堆積膜の均一性向上が期待できる。また、例えば、空洞部１０９の数をそのままに、円筒状電極１０２の内径を小さくすることも可能で、この場合、反応空間１１１が小さくなって原料ガスの利用効率が向上し、感光体の製造コストの低減が期待できる。
【００２６】
また、空洞部１０９は円筒状電極１０２と空洞部形成部材１０８との間に形成されるため、ガスブロック２０３内に形成される空洞部２０９よりも円筒状電極１０２の長尺方向の長さが長くできる。空洞部１０９に対応して、穴１１０が形成されるため、円筒状電極１０２の長尺方向に直線状に形成された複数の穴１１０の最も上から最も下までの距離（ガス吹き出し領域）Ａは、Ａ＞Ｅとなる。したがって、円筒状電極１０２の長尺方向の、原料ガスの吹き出しの均一性が向上し、円筒状基体１２０の長尺方向の堆積膜の均一性向上が期待できる。また、例えば、ガス吹き出し領域Ａをガス吹き出し領域Ｅと同じにすると、円筒状電極１０２の長尺方向の長さは円筒状電極２０２よりも短くすることができる。
【００２７】
この場合、反応空間１１１が小さくなって原料ガスの利用効率が向上し、感光体の製造コストの低減が期待できる。
なお、製造する感光体の品種によっては、円筒状電極の長尺方向の、原料ガスの吹き出す穴の配置を変更した方が、円筒状基体の長尺方向の堆積膜均一性が向上する場合がある。
【００２８】
特許文献１の堆積膜形成装置２００は、製造する感光体の品種によって、適切な穴２１０が配置されたガスブロック２０３に入れ替えることが可能である。したがって、円筒状電極２０２を入れ替えなくて済むため、段取り替えの作業時間が短縮できるメリットを有している。
【００２９】
本発明の堆積膜形成装置１００の円筒状電極１０２は、複数の穴１１０が形成されているため配置を変えることはできない。ただし、空洞部形成部材１０８が円筒状電極１０２から脱着可能であるため、空洞部形成部材１０８の側から、穴１１０を埋めることは可能である。
図３は円筒状電極１０２の長尺方向の断面の一部を模式的に示した図である。例えば栓３０１などの部材を用いれば、円筒状電極１０２の内周面側に凹凸を作らずに、穴１１０の一部を埋めることができ、原料ガスが吹き出す穴配置を調整することができる。つまり、堆積膜形成装置２００と同様に段取り替えの作業時間が短いというメリットも有している。
【００３０】
上述の構成の円筒状電極１０２および空洞部形成部材１０８を用いた堆積膜形成装置１００について、図面を用いて更に説明する。
図１に示す堆積膜形成装置１００では、高周波電源１１２（高周波電力供給手段）およびマッチングボックス１１３を備え、円筒状電極１０２に高周波電力（１３．５６ＭＨｚ）を供給する。それにより、反応空間１１１にプラズマを生成して原料ガスを励起し、円筒状基体１２０の外周面に堆積膜を形成することができる。
反応容器１０１の底壁１０３には、排気配管１１４が接続され、排気配管１１４は排気バルブ１１５を介して不図示の排気装置（真空ポンプ）に接続され、反応容器１０１の内部は排気装置を用いて真空にすることができる
【００３１】
円筒状電極１０２の上下は、セラミックスからなる上部絶縁体１０６および下部絶縁体１０７により底壁１０３および上壁１０４から絶縁されている。上壁１０４には上蓋１０５があって、ここから反応容器１０１内に、円筒状基体１２０および補助基体１２１を装着した基体ホルダ１２２を搬入・搬出可能となっている。
反応容器１０１の内部には、加熱用ヒータ１２４が設けられている。反応容器１０１内に搬入された基体ホルダ１２２は、加熱用ヒータ１２４を覆うようにして受台１２３に設置されるため、円筒状基体１２０は内周面側から加熱可能となっている。また、受台１２３は不図示のモータに接続され回転可能となっており、円筒状基体１２０は基体ホルダ１２２に装着された状態で、受台１２３とともに回転させることができる。
【００３２】
（ａ−Ｓｉ感光体の製造）
以上のように構成された堆積膜形成装置１００を用いて、ａ−Ｓｉ感光体を製造する一例について説明する。
まず、旋盤を用いて表面に鏡面加工を施した円筒状基体１２０、および補助基体１２１を、基体ホルダ１２２に装着する。
次に、反応容器１０１の内部を大気圧にして、上蓋１０５を開け、基体ホルダ１２２を受台１２３に設置する。
【００３３】
次に、上蓋１０５を閉じ、排気バルブ１１５を開いて、反応容器１０１内を排気する。真空計１１６の読みが所定の圧力（例えば０．６７Ｐａ）以下になった時点で、加熱用の不活性ガス（例えばアルゴンガス）を反応容器１０１内に導入する。そして、反応容器１０１内が所定の圧力になるように加熱用の不活性ガスの流量、不図示の排気装置の排気速度を調整する。
【００３４】
その後、温度コントローラ（不図示）を作動させて、加熱用ヒータ１２４を起動し、円筒状基体１２０の温度を所定の温度（例えば２０〜５００℃）に制御する。円筒状基体１２０が所定の温度に加熱されたところで、不活性ガスを徐々に止める。これと並行して、堆積膜形成用の原料ガスを徐々に導入する。
【００３５】
原料ガスとしては、例えば、シラン（ＳｉＨ４）、ジシラン（Ｓｉ２Ｈ６）、メタン（ＣＨ４）、エタン（Ｃ２Ｈ６）、一酸化窒素（ＮＯ）のような材料ガスや、ジボラン（Ｂ２Ｈ６）、ホスフィン（ＰＨ３）のようなドーピングガス、水素（Ｈ２）、ヘリウム（Ｈｅ）、アルゴン（Ａｒ）のような希釈ガスが挙げられる。次に、ミキシング装置（不図示）内のマスフローコントローラ（不図示）によって、各原料ガスが所定の流量になるように調整する。
【００３６】
その際、反応容器１０１内が所定の圧力（例えば１〜１００Ｐａ）に維持されるように真空計１１６を見ながら、排気装置の排気速度を調整する。このとき、受台１２３を回転させ、円筒状基体１２０および補助基体１２１が装着された基体ホルダ１２２を回転させる。
以上の手順によって堆積膜形成の準備を完了した後、円筒状基体１２０の外周面に堆積膜の形成を行う。具体的には、反応容器１０１内の圧力が安定したことを確認した後、高周波電源１１２から円筒状電極１０２に電力を供給し、プラズマを生成して原料ガスを励起させる。これにより円筒状基体１２０の外周面に所定の堆積膜が形成される。
【００３７】
所望の膜厚の堆積膜の形成を行った後、電力の供給を止め、反応容器１０１内への各原料ガスの流入を止めて、高真空になるように反応容器１０１内を一旦排気する。上記のような操作を繰り返し行うことによって、所定の層構成のａ−Ｓｉ堆積膜を形成することができ、ａ−Ｓｉ感光体を製造することができる。
【００３８】
＜第二の実施形態＞
本発明の第二の実施形態について、図４を用いて説明する。
図４は、電子写真感光体を製造するための堆積膜形成装置の円筒状電極と空洞部形成部材の一例を示す模式図で、図４（ａ）は縦断面図、図４（ｂ）は横断面図である。
本実施形態では、空洞部形成部材４０８に、円筒状電極４０２の長尺方向に凹状の溝を形成し、この空洞部形成部材４０８と円筒状電極４０２の外周面との間で空洞部４０９を形成している。そのほかは第一の実施形態と同じである。
【００３９】
第一の実施形態の円筒状電極１０２は、外周面に複数の凹状の溝を形成しているが、本実施形態の円筒状電極４０２にはそれが無いため、円筒状電極４０２は円筒状電極１０２よりも強度が高くなり、装置設計の自由度がより高くなる。それにより、例えば、円筒状電極４０２の肉厚を薄くしたり、空洞部４０９の円筒状電極４０２の周方向の数を増やしたりすることが可能になる。
【００４０】
＜第三の実施形態＞
本発明の第三の実施形態について、図５を用いて説明する。
図５は、電子写真感光体を製造するための堆積膜形成装置の円筒状電極と空洞部形成部材の一例を示す模式図で、図５（ａ）は縦断面図、図５（ｂ）は横断面図である。
本実施形態では、円筒状電極５０２の外周面と空洞部形成部材５０８の両方に、円筒状電極４０２の長尺方向に凹状の溝を形成し、それぞれの凹状の溝を重ねて空洞部５０９を形成している。その他は第一および第二の実施形態と同じである。
【００４１】
第二の実施形態の円筒状電極４０２は、穴４１０の長さが長くなる。肉厚が厚い円筒状電極４０２に、穴４１０を形成するときに、穴径が小さいと穴開け加工が困難になる場合がある。本実施形態では、穴開け加工が可能な範囲に、円筒状電極４０２の長尺方向に凹状の溝を形成し、空洞部５０９の断面積が必要な分を空洞部形成部材５０８に凹状の溝を形成する。これにより、円筒状電極５０２の強度と加工性のバランスが取れたものが製作できる。
【実施例】
【００４２】
以下実施例により、本発明を具体的に説明するが、本発明は、これにより何ら限定されるものではない。
以下の各実施例および比較例は、堆積膜形成装置の円筒状電極と空洞部形成部材またはガスブロックを合わせた製作費、およびガス利用効率の代替として堆積膜形成装置の反応空間の容積で評価し、比較例を１００としたときの相対評価を行った。評価結果は数字が小さい方が優れている。結果を表１に示す。
【００４３】
〔実施例１〕
図１の堆積膜形成装置１００の円筒状電極１０２および空洞部形成部材１０８を製作した。円筒状電極１０２の寸法は、長尺方向の長さ９００ｍｍ、内径２００ｍｍ、肉厚２０ｍｍである。円筒状電極１０２の周方向には、長尺方向の長さ８５０ｍｍ、幅１８ｍｍ、深さ１４ｍｍの凹状の溝を８か所形成した。凹状の溝にはそれぞれに直径０．５ｍｍ、長さ６ｍｍの穴１１０を１０ｍｍピッチで８４個形成した。空洞部形成部材１０８は８個製作した。
【００４４】
〔実施例２〕
実施例１の円筒状電極１０２の肉厚を３ｍｍ薄くしたものを製作した。円筒状電極の周方向には実施例１と同じ凹状の溝を形成したため、穴１１０の長さは３ｍｍとなった。円筒状電極の肉厚を薄くしても強度には問題なかった。
【００４５】
〔実施例３〕
実施例１の円筒状電極１０２の内径を２０ｍｍ小さくしたものを製作した。この円筒状電極を用いて、ａ−Ｓｉ感光体を製作したが、堆積膜の均一性に問題はなかった。
【００４６】
〔比較例〕
図２の堆積膜形成装置２００の円筒状電極２０２およびガスブロック２０３を製作した。円筒状電極２０２の寸法および肉厚は実施例１の円筒状電極１０２の寸法および肉厚と同じである。円筒状電極２０２の周方向には、長尺方向の長さ８５０ｍｍ、幅３０ｍｍのスリット状の開口部を８か所形成した。その開口部と同じ長さおよび幅で、厚さ２７ｍｍのガスブロックを８個製作した。ガスブロック２０３には、内部に直径１８ｍｍ、長尺方向の長さ８３０ｍｍの空洞部２０９を形成し、直径０．５ｍｍ、長さ６ｍｍの穴２１０を１０ｍｍピッチで８２個形成した。
【００４７】
【表１】
2016132812.tif 000003
【００４８】
表１に示すように、本発明の各実施例は、比較例に比べ製作費が大きく下がった。また、装置設計の自由度が高くなることから、堆積膜の均一性は維持しつつ製造コストを下げることができる。すなわち、高品質な堆積膜を低価格で製造可能な堆積膜形成装置を提供することが可能となった。
【符号の説明】
【００４９】
１０１‥‥反応容器
１０２‥‥円筒状電極
１０８‥‥空洞部形成部材
１０９‥‥空洞部
１１０‥‥穴
１１１‥‥反応空間
１１２‥‥高周波電源
１２０‥‥円筒状基体
【図１】
2016132812.tif 000004
【図２】
2016132812.tif 000005
【図３】
2016132812.tif 000006
【図４】
2016132812.tif 000007
【図５】
2016132812.tif 000008