(57)【要約】【課題】優れた色均一性を有する貼着光半導体素子および光半導体装置の製造方法と、それらに用いられ、光半導体素子に対する密着性に優れる貼着シートとを提供すること。【解決手段】光半導体素子１５に直接的または間接的に貼着するように使用される貼着層２を備える貼着シート１であって、貼着層２を、周波数１Ｈｚおよび昇温速度２０℃／分の条件で動的粘弾性測定することにより得られる貯蔵剪断弾性率Ｇ’と温度Ｔとの関係を示す曲線が、極小値を有し、極小値における温度Ｔが、４０℃以上、２００℃以下の範囲にあり、極小値における貯蔵剪断弾性率Ｇ’が、１，０００Ｐａ以上、９０，０００Ｐａ以下の範囲にある。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光半導体素子に直接的または間接的に貼着するように使用される貼着層を備える貼着シートであって、
前記貼着層を、周波数１Ｈｚおよび昇温速度２０℃／分の条件で動的粘弾性測定することにより得られる貯蔵剪断弾性率Ｇ’と温度Ｔとの関係を示す曲線が、極小値を有し、
前記極小値における温度Ｔが、４０℃以上、２００℃以下の範囲にあり、
前記極小値における貯蔵剪断弾性率Ｇ’が、１，０００Ｐａ以上、９０，０００Ｐａ以下の範囲にあることを特徴とする、貼着シート。
【請求項２】
前記貼着層が、蛍光体を含有することを特徴とする、請求項１に記載の貼着シート。
【請求項３】
前記貼着層が、熱硬化性樹脂を含有することを特徴とする、請求項１または２に記載の貼着シート。
【請求項４】
前記貼着層が、前記熱硬化性樹脂の屈折率Ｒ１との差の絶対値が０．２０以下となる屈折率Ｒ２を有するフィラーをさらに含有することを特徴とする、請求項３に記載の貼着シート。
【請求項５】
前記貼着層の厚み方向一方面に配置される剥離シート
をさらに備えることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一項に記載の貼着シート。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか一項に記載の貼着シートを用意するシート用意工程、
基材に配置される光半導体素子を用意する素子用意工程、および、
前記貼着シートを、４０℃以上、２００℃以下の温度で、前記光半導体素子に対して直接的または間接的に熱プレスする熱プレス工程
を備えることを特徴とする、貼着光半導体素子の製造方法。
【請求項７】
前記熱プレス工程における圧力が、３．００ＭＰａ以下であることを特徴とする、請求項６に記載の貼着光半導体素子の製造方法。
【請求項８】
前記熱プレス工程では、第１板と、前記第１板のプレス方向一方側に対向配置され、前記第１板に対して熱プレス可能に構成される第２板とを備えるプレス機により、前記第２板および前記第１板の間に、それらの間隔を調整するためのスペーサを用いずに、前記第２板が前記第１板に対して熱プレスすることを特徴とする、請求項６または７に記載の貼着光半導体素子の製造方法。
【請求項９】
前記光半導体素子は、
電極が配置される電極側面と、
前記電極側面と対向する対向面と、
前記電極側面と前記対向面とを連結する周側面と
を有し、
前記素子用意工程では、少なくとも前記周側面が、封止層によって被覆され、前記対向面が、前記封止層から露出する前記光半導体素子を用意し、
前記熱プレス工程では、前記貼着シートを、前記対向面および前記封止層に対して熱プレスする
ことを特徴とする、請求項６〜８のいずれか一項に記載の貼着光半導体素子の製造方法。
【請求項１０】
前記光半導体素子は、
電極が配置される電極側面と、
前記電極側面と対向する対向面と、
前記電極側面と前記対向面とを連結する周側面と
を有し、
前記素子用意工程では、少なくとも前記対向面および前記周側面が、封止層によって被覆された前記光半導体素子を用意し、
前記熱プレス工程では、前記貼着シートを、前記封止層に対して熱プレスする
ことを特徴とする、請求項６〜８のいずれか一項に記載の貼着光半導体素子の製造方法。
【請求項１１】
請求項６〜８のいずれか一項に記載の貼着光半導体素子の製造方法により、貼着光半導体素子を得る工程を備え、
前記基材が、支持板と、前記支持板の厚み方向一方面に配置される粘着シートとを備え、
前記貼着光半導体素子を前記粘着シートから剥離する剥離工程、および、
前記貼着光半導体素子を基板に実装する実装工程
をさらに備えることを特徴とする、光半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項６〜８のいずれか一項に記載の貼着光半導体素子の製造方法により、貼着光半導体素子を得る工程を備え、
前記基材が、基板であり、
前記素子用意工程では、前記基板に実装された光半導体素子を用意することを特徴とする、光半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、貼着シート、貼着光半導体素子の製造方法および光半導体装置の製造方法、詳しくは、貼着シート、それを用いる貼着光半導体素子の製造方法、および、その製造方法により得られる貼着光半導体素子を用いる光半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、貼着シートを、ＬＥＤに貼着し、それによって、発光装置を得ることが知られている。
【０００３】
例えば、所定の架橋温度未満の温度において熱可塑性を有し、前記架橋温度以上の温度で不可逆的に硬化する熱可塑性樹脂を含有する封止用樹脂シートが提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００４】
上記した封止用樹脂シートは、ＬＥＤに対して、熱プレスされる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１３−１７９３００号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、特許文献１に記載される封止用樹脂シートは、熱プレス後に、厚みが不均一になり易く、そのため、発光装置の色均一性が低下するという不具合がある。
【０００７】
一方、封止用樹脂シートには、ＬＥＤに対する優れた密着性が求められる。
【０００８】
本発明の目的は、優れた色均一性を有する貼着光半導体素子および光半導体装置の製造方法と、それらに用いられ、光半導体素子に対する密着性に優れる貼着シートとを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明（１）は、光半導体素子に直接的または間接的に貼着するように使用される貼着層を備える貼着シートであって、前記貼着層を、周波数１Ｈｚおよび昇温速度２０℃／分の条件で動的粘弾性測定することにより得られる貯蔵剪断弾性率Ｇ’と温度Ｔとの関係を示す曲線が、極小値を有し、前記極小値における温度Ｔが、４０℃以上、２００℃以下の範囲にあり、前記極小値における貯蔵剪断弾性率Ｇ’が、１，０００Ｐａ以上、９０，０００Ｐａ以下の範囲にある、貼着シートを含む。
【００１０】
この貼着シートは、４０℃以上、２００℃以下の範囲で、光半導体素子に直接的または間接的に貼着するように使用するときに、極小値における温度Ｔが、４０℃以上、２００℃以下の範囲にあり、極小値における貯蔵剪断弾性率Ｇ’が、１，０００Ｐａ以上、９０，０００Ｐａ以下の範囲にあるので、優れた密着力で光半導体素子に直接的または間接的に貼着できながら、光半導体素子に直接的または間接的に貼着した貼着層の厚みを均一にすることができる。そのため、信頼性および色均一性に優れた貼着光半導体素子および光半導体装置を得ることができる。
【００１１】
本発明（２）は、前記貼着層が、蛍光体を含有する、（１）に記載の貼着シートを含む。
【００１２】
この貼着シートでは、貼着層が、蛍光体を含有するので、貼着層によって、光半導体素子から発光される光を波長変換して、所望の色を発光できる貼着光半導体素子および光半導体装置を得ることができる。
【００１３】
本発明（３）は、前記貼着層が、熱硬化性樹脂を含有する、（１）または（２）に記載の貼着シートを含む。
【００１４】
この貼着シートでは、貼着層が、熱硬化性樹脂を含有するので、貼着層を熱硬化させることにより、貼着層を光半導体素子に対して接着することができる。
【００１５】
本発明（４）は、前記貼着層が、前記熱硬化性樹脂の屈折率Ｒ１との差の絶対値が０．２０以下となる屈折率Ｒ２を有するフィラーをさらに含有する、（３）に記載の貼着シートを含む。
【００１６】
この貼着シートでは、光半導体素子から発光された光を、貼着層において、均一に散乱させることができる。
【００１７】
本発明（５）は、前記貼着層の厚み方向一方面に配置される剥離シートをさらに備える、（１）〜（４）のいずれか一項に記載の貼着シートを含む。
【００１８】
この貼着シートは、貼着層の厚み方向一方面に配置される剥離シートをさらに備えるので、貼着層の厚み方向一方面を保護することができる。
【００１９】
本発明（６）は、（１）〜（５）のいずれか一項に記載の貼着シートを用意するシート用意工程、基材に配置される光半導体素子を用意する素子用意工程、および、前記貼着シートを、４０℃以上、２００℃以下の温度で、前記光半導体素子に対して直接的または間接的に熱プレスする熱プレス工程を備える、貼着光半導体素子の製造方法を含む。
【００２０】
この貼着光半導体素子の製造方法において、熱プレス工程では、貼着シートを、４０℃以上、２００℃以下の温度で、光半導体素子に対して直接的または間接的に熱プレスするので、優れた密着力で光半導体素子に直接的または間接的に貼着できながら、光半導体素子に直接的または間接的に貼着した貼着層の厚みを均一にすることができる。そのため、信頼性および色均一性に優れた貼着光半導体素子を製造することができる。
【００２１】
本発明（７）は、前記熱プレス工程における圧力が、３．００ＭＰａ以下である、請求項（６）に記載の貼着光半導体素子の製造方法を含む。
【００２２】
この貼着光半導体素子の製造方法では、熱プレス工程における圧力が、３．００ＭＰａ以下であるので、小さく、安価なプレス機を使用できる。
【００２３】
本発明（８）は、前記熱プレス工程では、第１板と、前記第１板のプレス方向一方側に対向配置され、前記第１板に対して熱プレス可能に構成される第２板とを備えるプレス機により、前記第２板および前記第１板の間に、それらの間隔を調整するためのスペーサを用いずに、前記第２板が前記第１板に対して熱プレスする、（６）または（７）に記載の貼着光半導体素子の製造方法を含む。
【００２４】
この貼着光半導体素子の製造方法では、スペーサを用いずに、簡便に熱プレス工程を実施することができる。
【００２５】
本発明（９）は、前記光半導体素子は、電極が配置される電極側面と、前記電極側面と対向する対向面と、前記電極側面と前記対向面とを連結する周側面とを有し、前記素子用意工程では、少なくとも前記周側面が、封止層によって被覆され、前記対向面が、前記封止層から露出する前記光半導体素子を用意し、前記熱プレス工程では、前記貼着シートを、前記対向面および前記封止層に対して熱プレスする、（６）〜（８）のいずれか一項に記載の貼着光半導体素子の製造方法を含む。
【００２６】
この貼着光半導体素子の製造方法では、素子用意工程では、少なくとも周側面が、封止層によって被覆され、対向面が、封止層から露出する光半導体素子を用意するので、そのような光半導体素子を、ウエハレベルパッケージとして用意することができる。そして、熱プレス工程では、貼着シートを、ウエハレベルパッケージにおける光半導体素子の対向面および封止層に対して熱プレスするので、ウエハレベルパッケージの光半導体素子および封止層に貼着シートを簡便に貼着することができる。
【００２７】
本発明（１０）は、前記光半導体素子は、電極が配置される電極側面と、前記電極側面と対向する対向面と、前記電極側面と前記対向面とを連結する周側面とを有し、前記素子用意工程では、少なくとも前記対向面および前記周側面が、封止層によって被覆された前記光半導体素子を用意し、前記熱プレス工程では、前記貼着シートを、前記封止層に対して熱プレスする、（６）〜（８）のいずれか一項に記載の貼着光半導体素子の製造方法を含む。
【００２８】
この貼着光半導体素子の製造方法では、素子用意工程では、少なくとも対向面および周側面が、封止層によって被覆された光半導体素子を用意するので、そのような光半導体素子を、封止光半導体素子として用意することができる。そして、熱プレス工程では、貼着シートを、封止光半導体素子における封止層に対して熱プレスするので、封止光半導体素子における光半導体素子に貼着層を簡便に貼着することができる。
【００２９】
本発明（１１）は、（６）〜（８）のいずれか一項に記載の貼着光半導体素子の製造方法により、貼着光半導体素子を得る工程を備え、前記基材が、支持板と、前記支持板の厚み方向一方面に配置される粘着シートとを備え、前記貼着光半導体素子を前記粘着シートから剥離する剥離工程、および、前記貼着光半導体素子を基板に実装する実装工程をさらに備える、光半導体装置の製造方法を含む。
【００３０】
この光半導体装置の製造方法によれば、上記した貼着光半導体素子の製造方法により、貼着光半導体素子を得、これを基板に実装するので、信頼性および色均一性に優れた光半導体装置を製造することができる。
【００３１】
本発明（１２）は、（６）〜（８）のいずれか一項に記載の貼着光半導体素子の製造方法により、貼着光半導体素子を得る工程を備え、前記基材が、基板であり、前記素子用意工程では、前記基板に実装された光半導体素子を用意する、光半導体装置の製造方法を含む。
【００３２】
この光半導体装置の製造方法によれば、信頼性および色均一性に優れた光半導体装置を製造することができる。
【発明の効果】
【００３３】
本発明の貼着シート、貼着光半導体素子の製造方法および光半導体装置の製造方法によれば、信頼性および色均一性に優れた貼着光半導体素子および光半導体装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】図１は、本発明の貼着シートの一実施形態の断面図を示す。
【図２】図２Ａ〜図２Ｅは、本発明の貼着光半導体素子および光半導体装置の製造方法の第１実施形態の工程図を示し、図２Ａは、封止光半導体素子を基材に仮固定する工程、図２Ｂは、貼着シートを封止光半導体素子に貼着する工程、図２Ｃは、剥離シートを貼着層から引き剥がして、貼着層を完全硬化させる工程、図２Ｄは、貼着光半導体素子を基材から引き剥がす工程、図２Ｅは、貼着光半導体素子を基板に実装する工程を示す。
【図３】図３Ａ〜図３Ｅは、図２Ａに示す封止光半導体素子を用意する工程図を示し、図３Ａは、光半導体素子を複数用意する工程、図３Ｂは、複数の光半導体素子を基材の上に仮固定する工程、図３Ｃは、封止層を形成する工程、図３Ｄは、封止層の上側部分を除去する工程、図３Ｅは、封止光半導体素子を基材から引き剥がす工程を示す。
【図４】図４Ａ〜図４Ｅは、本発明の貼着光半導体素子および光半導体装置の製造方法の第２実施形態の工程図を示し、図４Ａは、光半導体素子を基材に仮固定する工程、図４Ｂは、貼着シートを光半導体素子に貼着する工程、図４Ｃは、剥離シートを貼着層から引き剥がして、貼着層を完全硬化させる工程、図４Ｄは、貼着光半導体素子を基材から引き剥がす工程、図４Ｅは、貼着光半導体素子を基板に実装する工程を示す。
【図５】図５Ａ〜図５Ｃは、本発明の貼着光半導体素子および光半導体装置の製造方法の第３実施形態の工程図を示し、図５Ａは、基板に実装された光半導体素子を用意する工程、図５Ｂは、貼着シートを光半導体素子に貼着する工程、図５Ｃは、剥離シートを貼着層から引き剥がして、貼着層を完全硬化させる工程を示す。
【図６】図６は、実施例Ａ〜比較例Ｉにおける貼着層の貯蔵剪断弾性率Ｇ’と温度Ｔとの関係を示す。
【発明を実施するための形態】
【００３５】
＜本発明の貼着シートの一実施形態＞
本発明の一実施形態を以下で説明する。
【００３６】
図１において、紙面上下方向は、上下方向（第１方向、厚み方向、プレス方向の一例）であり、紙面上側が上側（第１方向一方側、厚み方向一方側）、紙面下側が下側（第１方向他方側、厚み方向他方側）である。図１において、紙面左右方向は、左右方向（第１方向に直交する第２方向）であり、紙面左側が左側（第２方向一方側）、紙面右側が右側（第２方向他方側）である。図１において、紙面紙厚方向は、前後方向（第１方向および第２方向に直交する第３方向）であり、紙面手前側が前側（第３方向一方側）、紙面奥側が後側（第３方向他方側）である。具体的には、各図の方向矢印に準拠する。
【００３７】
１．貼着シート
貼着シート１は、図１に示すように、略平板形状を有し、具体的には、所定の厚みを有し、左右方向および前後方向に延び、平坦な上面（表面）および平坦な下面（裏面）を有している。また、貼着シート１は、後述する貼着光半導体素子１１（図２Ｄ参照）ではなく、また、光半導体装置２１（図２Ｅ参照）でもない。すなわち、貼着シート１は、貼着光半導体素子１１および光半導体装置２１の一部品であり、すなわち、貼着光半導体素子１１および光半導体装置２１を作製するための部品である。そのため、貼着シート１は、光半導体素子１５および光半導体素子１５を実装する基板１６（図２Ｅ参照）を含まず、貼着シート１そのものが、部品単独で流通し、産業上利用可能なデバイスである。
【００３８】
そして、図１に示すように、貼着シート１は、貼着層２と、貼着層２の下面に配置される剥離シート３とを備える。好ましくは、貼着シート１は、貼着層２と、剥離シート３とのみからなる。
【００３９】
１−１．貼着層
貼着層２は、貼着材料から形成される層（シート）状を有している。また、貼着層２は、後述する図２Ｃに示すように、光半導体素子１５に直接的に貼着するように使用される。
【００４０】
貼着材料としては、例えば、貼着組成物が挙げられる。貼着組成物は、例えば、粘着性（すなわち、常温（２５℃）での表面タック性）の樹脂を含有している。
【００４１】
樹脂としては、例えば、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂が挙げられ、好ましくは、熱硬化性樹脂が挙げられる。
【００４２】
熱硬化性樹脂としては、例えば、２段反応硬化性樹脂、１段反応硬化性樹脂が挙げられる。
【００４３】
２段反応硬化性樹脂は、２つの反応機構を有しており、第１段の反応で、Ａステージ状態からＢステージ化（半硬化）し、次いで、第２段の反応で、Ｂステージ状態からＣステージ化（完全硬化）することができる。つまり、２段反応硬化性樹脂は、適度の加熱条件によりＢステージ状態となることができる熱硬化性樹脂である。Ｂステージ状態は、熱硬化性樹脂が、液状であるＡステージ状態と、完全硬化したＣステージ状態との間の状態であって、硬化およびゲル化がわずかに進行し、圧縮弾性率がＣステージ状態の弾性率よりも小さい半固体または固体状態である。
【００４４】
１段反応硬化性樹脂は、１つの反応機構を有しており、第１段の反応で、Ａステージ状態からＣステージ化（完全硬化）することができる。このような１段反応硬化性樹脂は、第１段の反応の途中で、その反応が停止して、Ａステージ状態からＢステージ状態となることができ、その後のさらなる加熱によって、第１段の反応が再開されて、Ｂステージ状態からＣステージ化（完全硬化）することができる熱硬化性樹脂である。つまり、かかる熱硬化性樹脂は、Ｂステージ状態となることができる熱硬化性樹脂である。そのため、１段反応硬化性樹脂は、１段の反応の途中で停止するように制御できず、つまり、Ｂステージ状態となることができず、一度に、Ａステージ状態からＣステージ化（完全硬化）する熱硬化性樹脂を含まない。
【００４５】
要するに、熱硬化性樹脂は、Ｂステージ状態となることができる熱硬化性樹脂である。
【００４６】
熱硬化性樹脂としては、例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂などが挙げられる。熱硬化性樹脂としては、好ましくは、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂が挙げられ、より好ましくは、シリコーン樹脂が挙げられる。
【００４７】
上記した熱硬化性樹脂は、同一種類または複数種類のいずれでもよい。
【００４８】
シリコーン樹脂としては、透明性、耐久性、耐熱性、耐光性の観点から、例えば、付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物、縮合・付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物などのシリコーン樹脂組成物が挙げられ、好ましくは、付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物が挙げられる。シリコーン樹脂は、単独で使用してもよく、あるいは、併用することもできる。
【００４９】
付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物は、１段反応硬化性樹脂組成物であって、例えば、アルケニル基含有ポリシロキサンと、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンと、ヒドロシリル化触媒とを含有する。
【００５０】
アルケニル基含有ポリシロキサンは、分子内に２個以上のアルケニル基および／またはシクロアルケニル基を含有する。アルケニル基含有ポリシロキサンは、具体的には、下記平均組成式（１）で示される。
【００５１】
平均組成式（１）：
Ｒ１ａＲ２ｂＳｉＯ（４−ａ−ｂ）／２
（式中、Ｒ１は、炭素数２〜１０のアルケニル基および／または炭素数３〜１０のシクロアルケニル基を示す。Ｒ２は、非置換または置換の炭素数１〜１０の１価の炭化水素基（ただし、アルケニル基およびシクロアルケニル基を除く。）を示す。ａは、０．０５以上、０．５０以下であり、ｂは、０．８０以上、１．８０以下である。）
式（１）中、Ｒ１で示されるアルケニル基としては、例えば、ビニル基、アリル基、プロペニル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基、ヘプテニル基、オクテニル基などの炭素数２〜１０のアルケニル基が挙げられる。Ｒ１で示されるシクロアルケニル基としては、例えば、シクロヘキセニル基、ノルボルネニル基などの炭素数３〜１０のシクロアルケニル基が挙げられる。
【００５２】
Ｒ１として、好ましくは、アルケニル基、より好ましくは、炭素数２〜４のアルケニル基、さらに好ましくは、ビニル基が挙げられる。
【００５３】
Ｒ１で示されるアルケニル基は、同一種類または複数種類のいずれでもよい。
【００５４】
Ｒ２で示される１価の炭化水素基は、アルケニル基およびシクロアルケニル基以外の非置換または置換の炭素原子数１〜１０の１価の炭化水素基である。
【００５５】
非置換の１価の炭化水素基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ペンチル基、ヘプチル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基、ノニル基、デシル基などの炭素数１〜１０のアルキル基、例えば、シクロプロピル、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などの炭素数３〜６のシクロアルキル基、例えば、フェニル基、トリル基、ナフチル基などの炭素数６〜１０のアリール基、例えば、ベンジル基、ベンジルエチル基などの炭素数７〜８のアラルキル基が挙げられる。好ましくは、炭素数１〜３のアルキル基、炭素数６〜１０のアリール基が挙げられ、より好ましくは、メチル基および／またはフェニル基が挙げられる。
【００５６】
一方、置換の１価の炭化水素基は、上記した非置換の１価の炭化水素基における水素原子を置換基で置換したものが挙げられる。
【００５７】
置換基としては、例えば、塩素原子などのハロゲン原子、例えば、グリシジルエーテル基などが挙げられる。
【００５８】
置換の１価の炭化水素基としては、具体的には、３−クロロプロピル基、グリシドキシプロピル基などが挙げられる。
【００５９】
１価の炭化水素基は、非置換および置換のいずれであってもよく、好ましくは、非置換である。
【００６０】
Ｒ２で示される１価の炭化水素基は、同一種類または複数種類であってもよい。好ましくは、メチル基および／またはフェニル基が挙げられ、より好ましくは、メチル基およびフェニル基の併用が挙げられる。
【００６１】
ａは、好ましくは、０．１０以上、０．４０以下である。
【００６２】
ｂは、好ましくは、１．５以上、１．７５以下である。
【００６３】
アルケニル基含有ポリシロキサンの重量平均分子量は、例えば、１００以上、好ましくは、５００以上であり、また、例えば、１０，０００以下、好ましくは、５，０００以下である。アルケニル基含有ポリシロキサンの重量平均分子量は、ゲル透過クロマトグラフィーによって測定される標準ポリスチレンによる換算値である。
【００６４】
アルケニル基含有ポリシロキサンは、適宜の方法によって調製され、また、市販品を用いることもできる。
【００６５】
また、アルケニル基含有ポリシロキサンは、同一種類または複数種類であってもよい。
【００６６】
ヒドロシリル基含有ポリシロキサンは、例えば、分子内に２個以上のヒドロシリル基（ＳｉＨ基）を含有する。ヒドロシリル基含有ポリシロキサンは、具体的には、下記平均組成式（２）で示される。
【００６７】
平均組成式（２）：
ＨｃＲ３ｄＳｉＯ（４−ｃ−ｄ）／２
（式中、Ｒ３は、非置換または置換の炭素数１〜１０の１価の炭化水素基（ただし、アルケニル基および／またはシクロアルケニル基を除く。）を示す。ｃは、０．３０以上、１．０以下であり、ｄは、０．９０以上、２．０以下である。）
式（２）中、Ｒ３で示される非置換または置換の炭素数１〜１０の１価の炭化水素基は、式（１）のＲ２で示される非置換または置換の炭素数１〜１０の１価の炭化水素基と同一のものが例示される。好ましくは、非置換の炭素数１〜１０の１価の炭化水素基、より好ましくは、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数６〜１０のアリール基が挙げられ、さらに好ましくは、メチル基および／またはフェニル基が挙げられる。
【００６８】
ｃは、好ましくは、０．５以下である。
【００６９】
ｄは、好ましくは、１．３以上、１．７以下である。
【００７０】
ヒドロシリル基含有ポリシロキサンの重量平均分子量は、例えば、１００以上、好ましくは、５００以上であり、また、例えば、１０，０００以下、好ましくは、５，０００以下である。ヒドロシリル基含有ポリシロキサンの重量平均分子量は、ゲル透過クロマトグラフィーによって測定される標準ポリスチレンによる換算値である。
【００７１】
ヒドロシリル基含有ポリシロキサンは、適宜の方法によって調製され、また、市販品を用いることもできる。
【００７２】
また、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンは、同一種類または複数種類であってもよい。
【００７３】
上記した平均組成式（１）および平均組成式（２）中、Ｒ２およびＲ３の少なくともいずれか一方の炭化水素基は、好ましくは、フェニル基を含み、より好ましくは、Ｒ２およびＲ３の両方の炭化水素が、フェニル基を含む。なお、Ｒ２およびＲ３の少なくともいずれか一方の炭化水素基がフェニル基を含む場合には、付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物は、フェニル系シリコーン樹脂組成物とされる。フェニル系シリコーン樹脂組成物の屈折率は、例えば、１．４５以上、さらには、１．５０以上である。
【００７４】
ヒドロシリル基含有ポリシロキサンの配合割合は、アルケニル基含有ポリシロキサンのアルケニル基およびシクロアルケニル基のモル数の、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンのヒドロシリル基のモル数に対する割合（アルケニル基およびシクロアルケニル基のモル数／ヒドロシリル基のモル数）が、例えば、１／３０以上、好ましくは、１／３以上、また、例えば、３０／１以下、好ましくは、３／１以下となるように、調整される。
【００７５】
ヒドロシリル化触媒は、アルケニル基含有ポリシロキサンのアルケニル基および／またはシクロアルケニル基と、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンのヒドロシリル基とのヒドロシリル化反応（ヒドロシリル付加）の反応速度を向上させる物質（付加触媒）であれば、特に限定されず、例えば、金属触媒が挙げられる。金属触媒としては、例えば、白金黒、塩化白金、塩化白金酸、白金−オレフィン錯体、白金−カルボニル錯体、白金−アセチルアセテートなどの白金触媒、例えば、パラジウム触媒、例えば、ロジウム触媒などが挙げられる。
【００７６】
ヒドロシリル化触媒の配合割合は、金属触媒の金属量（具体的には、金属原子）として、アルケニル基含有ポリシロキサンおよびヒドロシリル基含有ポリシロキサンに対して、質量基準で、例えば、１．０ｐｐｍ以上であり、また、例えば、１０，０００ｐｐｍ以下、好ましくは、１，０００ｐｐｍ以下、より好ましくは、５００ｐｐｍ以下である。
【００７７】
付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物は、アルケニル基含有ポリシロキサン、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンおよびヒドロシリル化触媒を、上記した割合で配合することにより、調製される。
【００７８】
上記した付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物は、まず、アルケニル基含有ポリシロキサン、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンおよびヒドロシリル化触媒を配合することによって、Ａステージ（液体）状態として調製されて使用される。
【００７９】
上記したように、フェニル系シリコーン樹脂組成物は、所望条件の加熱により、アルケニル基含有ポリシロキサンのアルケニル基および／またはシクロアルケニル基と、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンのヒドロシリル基とのヒドロシリル化付加反応を生じ、その後、ヒドロシリル化付加反応が、一旦、停止する。これによって、Ａステージ状態からＢステージ（半硬化）状態となることができる。
【００８０】
その後、フェニル系シリコーン樹脂組成物は、さらなる所望条件の加熱により、上記したヒドロシリル化付加反応が再開されて、完結する。これによって、Ｂステージ状態からＣステージ（完全硬化）状態となることができる。
【００８１】
縮合・付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物は、２段反応硬化性樹脂であって、具体的には、例えば、特開２０１０−２６５４３６号公報、特開２０１３−１８７２２７号公報などに記載される第１〜第８の縮合・付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物、例えば、特開２０１３−０９１７０５号公報、特開２０１３−００１８１５号公報、特開２０１３−００１８１４号公報、特開２０１３−００１８１３号公報、特開２０１２−１０２１６７号公報などに記載されるかご型オクタシルセスキオキサン含有シリコーン樹脂組成物などが挙げられる。なお、縮合・付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物は、固体状であって、熱可塑性および熱硬化性を併有する。
【００８２】
そして、上記した樹脂は、少なくともＢステージ（半硬化）状態にあるとき、すなわち、貼着層２を形成しているときの樹脂は、固体状である。そして、このような樹脂は、熱可塑性および熱硬化性を併有する。つまり、樹脂は、加熱により、一旦、可塑化した後、完全硬化する。より具体的には、樹脂は、昇温とともに、粘度が次第に下降し、その後、昇温を継続すると、粘度が次第に上昇する。
【００８３】
樹脂（好ましくは、熱硬化性樹脂）の屈折率Ｒ１は、後述するフィラーの屈折率Ｒ２との差の絶対値が所望の範囲となるように、適宜設定される。
【００８４】
貼着組成物は、好ましくは、蛍光体をさらに含有する。
【００８５】
蛍光体としては、例えば、青色光を黄色光に変換することのできる黄色蛍光体、青色光を赤色光に変換することのできる赤色蛍光体などが挙げられる。
【００８６】
黄色蛍光体としては、例えば、（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ）２ＳｉＯ４；Ｅｕ、（Ｓｒ，Ｂａ）２ＳｉＯ４：Ｅｕ（バリウムオルソシリケート（ＢＯＳ））などのシリケート蛍光体、例えば、Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ（ＹＡＧ（イットリウム・アルミニウム・ガーネット）：Ｃｅ）、Ｔｂ３Ａｌ３Ｏ１２：Ｃｅ（ＴＡＧ（テルビウム・アルミニウム・ガーネット）：Ｃｅ）などのガーネット型結晶構造を有するガーネット型蛍光体、例えば、Ｃａ−α−ＳｉＡｌＯＮなどの酸窒化物蛍光体などが挙げられる。
【００８７】
赤色蛍光体としては、例えば、ＣａＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ、ＣａＳｉＮ２：Ｅｕなどの窒化物蛍光体などが挙げられる。
【００８８】
蛍光体として、好ましくは、黄色蛍光体、より好ましくは、ガーネット型蛍光体が挙げられる。
【００８９】
蛍光体の形状としては、例えば、球状、板状、針状などが挙げられる。
【００９０】
蛍光体の最大長さの平均値（球状である場合には、平均粒子径）は、例えば、０．１μｍ以上、好ましくは、１μｍ以上であり、また、例えば、２００μｍ以下、好ましくは、１００μｍ以下でもある。
【００９１】
蛍光体は、単独使用または併用することができる。
【００９２】
蛍光体の配合割合は、貼着組成物に対して、例えば、０．１質量％以上、好ましくは、０．５質量％以上であり、例えば、９０質量％以下、好ましくは、８０質量％以下である。
【００９３】
さらに、貼着組成物は、フィラーを含有することもできる。
【００９４】
フィラーとしては、例えば、光拡散性粒子が挙げられる。光拡散性粒子としては、例えば、無機粒子、有機粒子などが挙げられる。
【００９５】
無機粒子としては、例えば、シリカ（ＳｉＯ２）、タルク（Ｍｇ３（Ｓｉ４Ｏ１０）（ＨＯ）２）、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、酸化ホウ素（Ｂ２Ｏ３）、酸化カルシウム（ＣａＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）、酸化バリウム（ＢａＯ）、酸化アンチモン（Ｓｂ２Ｏ３）などの酸化物、例えば、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）などの窒化物などの無機物粒子（無機物）が挙げられる。また、無機粒子として、例えば、上記例示の無機物から調製される複合無機物粒子が挙げられ、具体的には、酸化物から調製される複合無機酸化物粒子（具体的には、ガラス粒子など）が挙げられる。
【００９６】
無機粒子として、好ましくは、シリカ粒子、ガラス粒子が挙げられる。
【００９７】
無機粒子は、通常、後述するトルエンなどの溶剤に不溶である。
【００９８】
有機粒子の有機材料としては、例えば、アクリル系樹脂、スチレン系樹脂、アクリル−スチレン系樹脂、シリコーン系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、ベンゾグアナミン系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリイミド系樹脂などが挙げられる。
【００９９】
有機粒子として、好ましくは、アクリル系樹脂、シリコーン系樹脂粒子が挙げられる。
【０１００】
有機粒子は、例えば、後述するトルエンなどの溶剤に不溶である。なお、有機粒子は、例えば、溶剤に溶解するものを含むこともできる。
【０１０１】
フィラーは、単独使用または併用することができる。
【０１０２】
フィラーの屈折率Ｒ２は、樹脂の屈折率Ｒ１との差の絶対値（｜Ｒ１−Ｒ２｜）が、０．０３以上となるように設定される。具体的には、フィラーの屈折率Ｒ２は、例えば、０．０７以上、好ましくは、０．１１以上、より好ましくは、０．１５以上であり、例えば、０．２５以下、好ましくは、０．２０以下である。上記した絶対値（｜Ｒ１−Ｒ２｜）が、上記した上限以下であれば、光半導体素子１５（図２Ｆ参照）から発光された光を、貼着層２において散乱させ、光半導体装置２１が均一に発光することができる。
【０１０３】
フィラーの平均粒子径は、例えば、１．０μｍ以上、好ましくは、２．０μｍ以上、より好ましくは、４．０μｍ以上であり、また、例えば、３０μｍ以下、好ましくは、２５μｍ以下、より好ましくは、１０μｍ以下である。平均粒子径は、粒度分布測定装置により測定される。
【０１０４】
また、フィラーは、樹脂の使用量を低減させて、低コスト化させる目的や、また、完全硬化（キュア）後の硬度を上げる目的にも用いられる。フィラーがそのような目的に用いられる場合において、フィラーに散乱性を持たせず透明性を保持することが好ましく、その場合には、フィラーの屈折率Ｒ２は、樹脂の屈折率Ｒ１との差の絶対値（｜Ｒ１−Ｒ２｜）が、例えば、０．０５以下、好ましくは、０．０３未満となるように設定される。
【０１０５】
この場合のフィラーの粒子径は、例えば、１ｎｍ以上、好ましくは、５ｎｍ以上であり、また、例えば、３０μｍ以下、好ましくは、１０μｍ以下、より好ましくは、５μｍ以下、さらに好ましくは、０．１μｍ以下である。
【０１０６】
フィラーの含有割合は、貼着組成物に対して、例えば、１質量％以上、好ましくは、５質量％以上、より好ましくは、１０質量％以上であり、また、例えば、８０質量％以下、好ましくは、５０質量％以下、より好ましくは、３０質量％以下である。具体的には、無機粒子の含有割合は、貼着組成物に対して、例えば、１質量％以上、好ましくは、５質量％以上、より好ましくは、１０質量％以上であり、また、例えば、８０質量％以下、好ましくは、５０質量％以下、より好ましくは、３０質量％以下である。有機粒子の含有割合は、貼着組成物に対して、例えば、１質量％以上、好ましくは、５質量％以上、より好ましくは、１０質量％以上であり、また、例えば、８０質量％以下、好ましくは、５０質量％以下、より好ましくは、３０質量％以下である。
【０１０７】
また、フィラーの樹脂１００重量部に対する配合割合は、例えば、２質量部以上、好ましくは、５質量部以上であり、また、例えば、２００質量部以下、好ましくは、１００質量部以下である。
【０１０８】
貼着層２を調製するには、例えば、上記した樹脂と、必要により配合されるフィラーおよび蛍光体とを配合して、貼着組成物のワニスを調製し、続いて、それを、剥離シート３の上面に塗布する。次いで、貼着組成物が熱硬化性樹脂を含有する場合には、貼着組成物を、Ｂステージ化する。具体的には、貼着組成物を、加熱（ベイク）する。
【０１０９】
加熱（ベイク）条件は、貼着層２において動的粘弾性測定における貯蔵剪断弾性率Ｇ’が所望の範囲となるように、適宜設定される。
【０１１０】
つまり、加熱温度は、貼着組成物における熱硬化性樹脂組成物の組成によって適宜設定され、具体的には、例えば、５０℃以上、好ましくは、７０℃以上であり、また、例えば、１２０℃以下、好ましくは、１００℃以下である。加熱温度が上記下限以上、および／または、加熱温度が上記上限以下であれば、上記した貯蔵剪断弾性率Ｇ’の極小値を所望の範囲に設定することができる。
【０１１１】
加熱時間は、例えば、２．５分以上、好ましくは、５．５分以上であり、また、例えば、４時間以下、好ましくは、１時間以下である。加熱時間が上記下限以上、および／または、上記上限以下であれば、上記した貯蔵剪断弾性率Ｇ’の極小値を所望の範囲に設定することができる。
【０１１２】
これにより、貼着層２が調製される。
【０１１３】
貼着層２の厚みは、例えば、４０μｍ以上、好ましくは、５０μｍ以上であり、また、例えば、５００μｍ以下、好ましくは、３００μｍ以下である。
【０１１４】
１−１．貼着層の物性
（１）  動的粘弾性
このような貼着層２を、周波数１Ｈｚおよび昇温速度２０℃／分の条件で動的粘弾性測定することにより得られる貯蔵剪断弾性率Ｇ’と温度Ｔとの関係を示す曲線は、図６が参照されるように、極小値を有する。
【０１１５】
なお、図６の比較例Ｉで示される曲線のように、極小値を複数有する場合には、極小値とは、貯蔵剪断弾性率Ｇ’が最も低い値に位置する極小値を意味する。
【０１１６】
そして、そのような極小値における温度Ｔが、４０℃以上、２００℃以下の範囲にあり、上記した極小値における貯蔵剪断弾性率Ｇ’が、１，０００Ｐａ以上、９０，０００Ｐａ以下の範囲にある。
【０１１７】
極小値における温度Ｔが４０℃未満であれば、次に説明する熱プレス工程における４０℃以上の熱プレスにおいて、粘度が過度に上昇するため、貼着層２の光半導体素子１５（図２Ｂ参照）に対する密着力が低下する不具合がある。
【０１１８】
極小値における温度Ｔが２００℃超過であれば、次に説明する熱プレス工程における２００℃以下の熱プレスにおいて、貼着層２の粘度が十分に下降しないので、貼着層２の半導体素子１５（図２Ｂ参照）に対する密着力が低下する不具合がある。
【０１１９】
極小値における貯蔵剪断弾性率Ｇ’が、１，０００Ｐａ未満であれば、次に説明する熱プレス工程において、貼着層２の厚みが不均一になり、そのため、得られる貼着光半導体素子１１（図２Ｄ参照）および光半導体装置２１（図２Ｅ参照）の色均一性が低下する不具合がある。
【０１２０】
極小値における貯蔵剪断弾性率Ｇ’が、９０，０００Ｐａ超過であれば、次に説明する熱プレス工程において、貼着層２の粘度が十分に下降しないので、貼着層２の半導体素子１５（図２Ｂ参照）に対する密着力が低下する不具合がある。
【０１２１】
また、極小値における温度Ｔが、４０℃以上、２００℃以下の範囲にあり、上記した極小値における貯蔵剪断弾性率Ｇ’は、好ましくは、１０，０００Ｐａ以上、より好ましくは、２０，０００Ｐａ以上、さらに好ましくは、３０，０００Ｐａ以上であり、また、好ましくは、７０，０００Ｐａ以下の範囲にある。
【０１２２】
極小値における貯蔵剪断弾性率Ｇ’が上記した下限以上であれば、次に説明する熱プレス工程において、貼着層２のしわを防止して、貼着層２の厚みが均一となり、得られる貼着光半導体素子１１および光半導体装置２１（図２Ｅ参照）の色均一性が優れる。
【０１２３】
極小値における貯蔵剪断弾性率Ｇ’が上記した上限以下であれば、次に説明する熱プレス工程において、貼着層２の粘度が十分に下降し、そのため、貼着層２の半導体素子１５（図２Ｂ参照）に対する密着力および／または埋め込み性に優れる。
【０１２４】
また、ＬＯＧ１０（２５℃の貯蔵剪断弾性率Ｇ’）−ＬＯＧ１０（貯蔵剪断弾性率Ｇ’の極小値）は、例えば、０．２０以上、好ましくは、０．２３以上であり、また、例えば、１．５０以下、好ましくは、１．００以下、より好ましくは、０．５０以下である。
【０１２５】
「ＬＯＧ１０（２５℃の貯蔵剪断弾性率Ｇ’）−ＬＯＧ１０（貯蔵剪断弾性率Ｇ’の極小値）」は、図６に示され、貯蔵剪断弾性率Ｇ’が対数で現される曲線において、２５℃における貯蔵剪断弾性率Ｇ’と、貯蔵剪断弾性率Ｇ’の極小値との間の長さを意味する。
【０１２６】
「ＬＯＧ１０（２５℃の貯蔵剪断弾性率Ｇ’）−ＬＯＧ１０（貯蔵剪断弾性率Ｇ’の極小値）」が上記上限以下、および／または、上記下限以上であれば、貼着層２が優れた密着力で光半導体素子１５に貼着できながら、光半導体素子１５に貼着した貼着層２の厚みを均一にすることができる。
【０１２７】
（２）  圧縮弾性率
貼着層２の２５℃における圧縮弾性率は、例えば、１．０ＭＰａ以上、好ましくは、５．０ＭＰａ以上、より好ましくは、１０．０ＭＰａ以上であり、また、例えば、５０ＭＰａ以下、好ましくは、２５ＭＰａ以下である。
【０１２８】
（３）  トルエン可溶分
貼着層２に含有される樹脂のトルエン可溶分は、例えば、５質量％以上、好ましくは、１０質量％以上、より好ましくは、２５質量％以上であり、また、例えば、８０質量％以下、好ましくは、６０質量％以下、より好ましくは、５０質量％以下である。
【０１２９】
樹脂のトルエン可溶分が上記上限以下、および／または、上記下限以上であれば、貯蔵剪断弾性率Ｇ’の極小値を所望の範囲に設定でき、それによって、貼着層２が優れた密着力で光半導体素子１５に貼着できながら、光半導体素子１５に貼着した貼着層２の厚みを均一にすることができる。
【０１３０】
樹脂のトルエン可溶分は、下記式により算出される。
【０１３１】
樹脂のトルエン可溶分（質量％）＝トルエン可溶分の質量／樹脂の質量×１００
樹脂のトルエン可溶分は、貼着層２を用いて測定される。そのため、貼着層２における貼着組成物が蛍光体および／またはフィラーを含有する場合には、下記の手順（１）〜（６）に従って、蛍光体およびフィラーの質量を差し引いて、樹脂のトルエン可溶分を算出する。
【０１３２】
手順（１）：樹脂組成物シートの断面ＳＥＭ観察を行い、蛍光体およびフィラーの有無、および、フィラーの種類（無機粒子および有機粒子のいずれか）を確認する。
【０１３３】
（１−１）無機粒子が確認された場合は、貼着層２を焼成して、残渣として無機粒子の質量を測定する。  
【０１３４】
（１−２）有機粒子が確認された場合は、有機粒子の断面ＳＥＭの体積分率に有機粒子の一般的な密度１．２５ｇ／ｃｍ３を乗じて有機粒子の質量を算出する。
【０１３５】
手順（２）：貼着層２を精秤して、ＰＴＦＥシートに包み、２５℃で、トルエンで２４時間浸漬、振とうさせる。
【０１３６】
手順（３）：トルエン不溶分を分離し、乾燥によりトルエンを除去した後、トルエン不溶分の質量を測定する。
【０１３７】
手順（４）：精秤した試料質量からトルエン不溶分の質量を差し引くことにより、トルエン可溶分の質量を算出する。
【０１３８】
手順（５）：仕込みの貼着層２の質量から、蛍光体およびフィラーの質量を差し引いて、樹脂の質量を算出する。
【０１３９】
手順（６）：下記式により、トルエン可溶分を算出する。
【０１４０】
トルエン可溶分（質量％）＝トルエン可溶分の質量／樹脂の質量×１００
なお、貼着組成物が、トルエンに可溶な有機粒子を含有する場合は、試料質量からトルエン不溶分の質量および有機粒子の質量を差し引くことにより、樹脂におけるトルエン可溶分の質量を算出する。
（４）  アルケニル基およびヒドロシリル基の含量
樹脂が、付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物を含有する場合には、貼着層２におけるアルケニル基（具体的には、ビニル基：ＣＨ２＝ＣＨ−基）の貼着層２における含量は、例えば、４．３％以上であり、また、例えば、２０％以下、好ましくは、７．５％以下である。また、ヒドロシリル基（Ｈ−Ｓｉ基）の貼着層２における含量は、例えば、２％以上、好ましくは、５％以上、より好ましくは、１０％以上であり、また、例えば、３０％以下、好ましくは、１５％以下である。
【０１４１】
アルケニル基および／またはヒドロシリル基の含量が、上記下限以上、および／または、上記上限以下であれば、貼着層２の厚みが均一となり、また、貼着層２の半導体素子１５に対する密着力に優れる。
【０１４２】
上記したビニル基およびヒドロシリル基の算出方法は、後述する実施例において、詳述される。
【０１４３】
１−２．剥離シート
剥離シート３は、図１に示すように、貼着層２によって光半導体素子１５に対して貼着するまでの間、貼着層２を保護するために、貼着層２の裏面（図１における下面）に剥離可能に貼着されている。剥離シート３は、可撓性フィルムからなる。また、剥離シート３の貼着面、つまり、貼着層２に対する接触面は、必要によりフッ素処理などの剥離処理されている。
【０１４４】
剥離シート３としては、例えば、ポリエチレンフィルム、ポリエステルフィルム（ＰＥＴなど）などのポリマーフィルム、例えば、セラミクスシート、例えば、金属箔などが挙げられる。剥離シート３は、平面視略矩形状（短冊状、長尺状を含む）などを有している。剥離シート３の厚みは、例えば、１μｍ以上、好ましくは、１０μｍ以上であり、また、例えば、２，０００μｍ以下、好ましくは、１，０００μｍ以下である。
【０１４５】
１−３．貼着シートの製造
貼着シート１を得るには、まず、剥離シート３および上記した貼着組成物のワニスをそれぞれ用意する。続いて、剥離シート３の上面に、貼着組成物のワニスを塗布する。その後、貼着組成物が、熱硬化性樹脂を含有する場合には、貼着組成物を加熱によりＢステージ化する。
【０１４６】
これによって、貼着層２と、貼着層２の下面全面に配置される剥離シート３とを備える貼着シート１を得る。
【０１４７】
貼着シート１の厚みは、例えば、９０μｍ以上、好ましくは、１００μｍ以上であり、また、例えば、５５０μｍ以下、好ましくは、３５０μｍ以下である。
【０１４８】
２．貼着光半導体素子および光半導体装置の製造方法
＜本発明の貼着光半導体素子および光半導体装置の製造方法の第１実施形態＞
本発明の貼着光半導体素子および光半導体装置の製造方法の第１実施形態を順次説明する。
【０１４９】
すなわち、第１実施形態として、上記した貼着シート１を用いて、貼着光半導体素子１１および光半導体装置２１を製造する方法を説明する。
【０１５０】
２−１．貼着光半導体素子の製造方法
図１および図２Ａ〜図２Ｄに示すように、貼着光半導体素子１１の製造方法は、貼着シート１を用意するシート用意工程（図１参照）、光半導体素子１５を用意する素子用意工程（図２Ａ参照）、および、貼着シート１を光半導体素子１５に対して直接的に熱プレスする熱プレス工程（図２Ｂ参照）を備える。さらに、貼着光半導体素子１１の製造方法は、光半導体素子１５を個片化する個片化工程（図２Ｄの１点破線参照）、および、貼着光半導体素子１１を基材１２から剥離する剥離工程（図２Ｄの矢印および仮想線参照）を備える。以下、各工程について順次説明する。
【０１５１】
（１）シート用意工程
シート用意工程では、図１に示すように、上記の「１．貼着シート」欄で記載したように、貼着シート１を用意する。
【０１５２】
（２）素子用意工程
素子用意工程では、図２Ａに示すように、基材１２に配置される光半導体素子１５を用意する。
【０１５３】
具体的には、まず、基材１２に仮固定され、光半導体素子１５を備える封止光半導体素子２５を用意する。
【０１５４】
基材１２は、支持板１３と、支持板１３の上面に配置される粘着シート１４とを備えている。
【０１５５】
支持板１３は、上記した剥離シート３と同様の材料から形成されている。また、支持板１３は、ガラス、シリコンウエハなどの無機材料から形成されていてもよい。支持板１３の厚みは、例えば、１０μｍ以上、好ましくは、５０μｍ以上であり、また、例えば、１，２００μｍ以下、好ましくは、１，０００μｍ以下である。
【０１５６】
粘着シート１４は、例えば、加熱および／または紫外線照射により、後で詳述する封止光半導体素子２５が容易に剥離できるシート（すなわち、封止光半導体素子２５を仮固定できる仮固定シート）から形成されている。粘着シート１４の厚みは、例えば、１０μｍ以上、好ましくは、１５μｍ以上であり、また、例えば、３００μｍ以下、好ましくは、２５０μｍ以下である。
【０１５７】
基材１２は、支持板１３の表面に、粘着シート１４を配置することにより得られる。基材１２の厚みは、例えば、２００μｍ以上、好ましくは、３００μｍ以上であり、また、例えば、５，０００μｍ以下、好ましくは、４，０００μｍ以下である。
【０１５８】
封止光半導体素子２５は、図３Ｅに示すように、光半導体素子１５と、封止層２４とを備える。
【０１５９】
光半導体素子１５は、例えば、電気エネルギーを光エネルギーに変換するＬＥＤやＬＤである。好ましくは、光半導体素子１５は、青色光を発光する青色ＬＥＤ（発光ダイオード素子）である。一方、光半導体素子１５は、光半導体素子とは技術分野が異なるトランジスタなどの整流器を含まない。
【０１６０】
光半導体素子１５は、前後方向および左右方向に沿う略平板形状を有している。光半導体素子１５は、電極側面１７と、対向面としての露出面１８と、周側面１９とを有している。
【０１６１】
電極側面１７は、図３Ｅに示す光半導体素子１５における上面（図２Ａに示す光半導体素子１５における下面）である。電極側面１７には、電極２２が設けられている。電極２２は、電極側面１７から上側に突出する形状を有している。
【０１６２】
露出面１８は、図３Ｅに示す光半導体素子１５における下面（図２Ａに示す光半導体素子１５における上面）であって、電極側面１７に対して下側に間隔を隔てて対向配置されている。
【０１６３】
周側面１９は、電極側面１７の周端縁と、露出面１８の周端縁とを連結している。
【０１６４】
光半導体素子１５の寸法は、適宜設定されており、具体的には、厚み（高さ）が、例えば、０．１μｍ以上、好ましくは、０．２μｍ以上であり、また、例えば、５００μｍ以下、好ましくは、２００μｍ以下である。また、光半導体素子１５を厚み方向に投影したときの投影面積（すなわち、露出面１８の面積）は、例えば、０．０１ｍｍ２以上、好ましくは、０．０２ｍｍ２以上であり、また、例えば、４ｍｍ２以下、好ましくは、３ｍｍ２以下である。
【０１６５】
封止層２４は、図２Ａに示すように、基材１２の上において、光半導体素子１５の電極側面１７および周側面１９を被覆している。これによって、封止層２４は、電極側面１７および周側面１９を封止している。一方、封止層２４は、光半導体素子１５の露出面１８を露出している。
【０１６６】
また、封止層２４は、図２Ａにおける電極２２の周側面を被覆している。図３Ｅに示す封止層２４は、電極２２の上面を露出している。
【０１６７】
封止層２４は、例えば、特開２０１２−１７５０６８号公報などに記載される封止樹脂組成物から形成されている。
【０１６８】
封止光半導体素子２５は、特開２０１２−１７５０６８号公報の記載に準拠して得られる。
【０１６９】
具体的には、まず、図３Ａに示すように、電極２２が設けられた光半導体素子１５を複数用意する。
【０１７０】
次いで、図３Ｂに示すように、複数の光半導体素子１５を、仮固定基材２３に仮固定する。
【０１７１】
仮固定基材２３は、上記した図２Ａに示す基材１２と同様に構成されており、具体的には、支持板１３および粘着シート１４を備える。
【０１７２】
具体的には、複数の光半導体素子１５の露出面１８を、粘着シート１４の上面に接触させる。
【０１７３】
次いで、図３Ｃに示すように、封止樹脂組成物を、電極２２を含む複数の光半導体素子１５を被覆するように、基材１２の上に塗布して、その後、封止樹脂組成物が熱硬化性樹脂を含有する場合には、封止樹脂組成物を、加熱により硬化させる。
【０１７４】
これによって、封止層２４を、電極２２および光半導体素子１５を埋設するように、基材１２の上に配置する。
【０１７５】
なお、上記した塗布に代えて、圧縮成形によって、封止樹脂組成物からなる封止層２４を、電極２２および光半導体素子１５を埋設するように、基材１２の上に配置することができる。あるいは、封止樹脂組成物からなる封止シートによって、電極２２および光半導体素子１５を埋設して、封止層２４を基材１２の上に配置することもできる。
【０１７６】
次いで、図３Ｄに示すように、封止層２４の上側部分を、電極２２の上面が露出するように、例えば、グラインド加工などによって、除去する。
【０１７７】
これによって、上面が露出する電極２２が設けられた光半導体素子１５と、光半導体素子１５の電極側面１７および周側面１９を被覆する封止層２４とを備える封止光半導体素子２５を、仮固定基材２３によって仮固定された状態で、得る。
【０１７８】
その後、図３Ｅに示すように、封止光半導体素子２５を、基材１２から引き剥がす。
【０１７９】
具体的には、光半導体素子１５の露出面１８と、封止層２４の下面（露出面１８と面一に形成される封止層２４の下面）とを、粘着シート１４の上面から引き剥がす。
【０１８０】
これによって、光半導体素子１５の露出面１８、および、電極２２の上面が封止層２４から露出する封止光半導体素子２５を得る。
【０１８１】
続いて、図２Ａに示すように、図３Ｅに示す封止光半導体素子２５を上下反転させて、封止光半導体素子２５の下面を、基材１２に配置する。具体的には、電極２２の下面、および、電極２２から露出する封止層２４の下面を、粘着シート１４の上面に仮固定する。
【０１８２】
（３）熱プレス工程
熱プレス工程は、「（１）シート用意工程」および「（２）素子用意工程」の後に、実施される。
【０１８３】
熱プレス工程では、まず、図１に示す貼着シート１を上下反転させて、続いて、図２Ｂに示すように、その貼着シート１を、基材１２に仮固定された封止光半導体素子２５の上面に直接的に配置する。具体的には、貼着層２を、光半導体素子１５の露出面１８、および、封止層２４の上面（露出面１８と面一に形成されている上面）に直接的に載置する。
【０１８４】
続いて、封止光半導体素子２５および貼着シート１をプレス機４０にセットする。
【０１８５】
プレス機４０は、熱源を備える熱プレス機であって、第１板としての下板４１と、下板４１の上側に配置され、下板４１に対して下側に熱プレス可能に構成される第２板としての上板４２とを備える。
【０１８６】
熱プレス条件は、貼着層２における貼着組成物が可塑化し、続いて、貼着組成物の硬化がわずかに進行する条件に適宜設定される。
【０１８７】
具体的には、熱プレスの温度は、４０℃以上、好ましくは、４５℃以上であり、また、２００℃以下、好ましくは、１８０℃以下、より好ましくは、１５０℃以下である。
【０１８８】
熱プレスの圧力は、例えば、０．０１ＭＰａ以上、好ましくは、０．１０ＭＰａ以上であり、また、例えば、１０．００ＭＰａ以下、好ましくは、５．００ＭＰａ以下、より好ましくは、３．００ＭＰａ以下である。熱プレスの圧力が上記上限以下であれば、熱プレス工程後における貼着層２の厚みを均一にすることができる。熱プレスの圧力が上記下限以上であれば、熱プレス工程後における貼着層２の封止光半導体素子２５に対する良好な密着性を確保することができる。
【０１８９】
とりわけ、上記した極小値における温度Ｔが、４０℃以上、２００℃以下の範囲にあり、上記した極小値における貯蔵剪断弾性率Ｇ’は、１０，０００Ｐａ以上、５０，０００Ｐａ以下の範囲にある場合において、熱プレスの圧力を比較的高く設定することができ、具体的には、０．１０ＭＰａ以上、とりわけ、０．５０ＭＰａ以上、さらに、１．００ＭＰａ以上、さらには、２．００ＭＰａ以上で、例えば、１０．００ＭＰａ以下に設定することができる。
【０１９０】
熱プレスの時間は、例えば、１秒以上、好ましくは、３秒以上であり、また、例えば、１０分以下、好ましくは、５分以下である。
【０１９１】
また、熱プレスは、複数回実施することができる。
【０１９２】
上記した熱プレスによって、貼着層２は、まず、樹脂が可塑化することに基づいて、封止光半導体素子２５の上面（光半導体素子１５の露出面１８、および、封止層２４の上面）に直接的に貼着する。続いて、貼着層２は、樹脂がわずかに硬化することに基づいて、封止光半導体素子２５の上面に対して、強固に密着する。
【０１９３】
熱プレス後の貼着層２のガラス板に対する密着力は、例えば、０．１０Ｎ／８．５ｍｍ以上、好ましくは、０．２０Ｎ／８．５ｍｍ以上、より好ましくは、０．３０Ｎ／８．５ｍｍ以上、さらに好ましくは、０．４０Ｎ／８．５ｍｍ以上、とりわけ好ましくは、０．５０Ｎ／８．５ｍｍ以上であり、また、例えば、１０．００Ｎ／８．５ｍｍ以下である。
【０１９４】
密着力が上記下限以上であれば、貼着層２および封止光半導体素子２５の良好な密着力を確保することができる。
【０１９５】
熱プレス後の貼着層２のガラス板に対する密着力の測定方法は、後述する実施例において、詳述される。
【０１９６】
また、熱プレスでは、スペーサ３０（図２Ｂの仮想線参照）を使用しない。
【０１９７】
続いて、図２Ｃに示すように、剥離シート３を貼着層２から剥離する。
【０１９８】
その後、封止光半導体素子２５、貼着層２および基材１２を、例えば、オーブンなどによって、加熱する。貼着組成物が熱硬化性樹脂を含有する場合には、熱硬化性樹脂が完全硬化（Ｃステージ化）する。
【０１９９】
加熱温度は、例えば、１００℃以上、好ましくは、１２０℃以上であり、また、例えば、２００℃以下、好ましくは、１６０℃以下である。また、加熱時間が、例えば、１０分以上、好ましくは、３０分以上であり、また、例えば、４８０分以下、好ましくは、３００分以下である。
【０２００】
なお、加熱を、異なる温度で複数回実施することもできる。
【０２０１】
これによって、樹脂が熱硬化性樹脂である場合には、熱硬化性樹脂を硬化（Ｃステージ化）させる。これによって、熱硬化性樹脂を完全に反応させて生成物を生成する。
【０２０２】
（生成物）
シリコーン樹脂組成物の反応（Ｃステージ化反応）では、アルケニル基含有ポリシロキサンのアルケニル基および／またはシクロアルケニル基と、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンのヒドロシリル基とのヒドロシリル付加反応がさらに促進される。その後、アルケニル基および／またはシクロアルケニル基、あるいは、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンのヒドロシリル基が消失して、ヒドロシリル付加反応が完結することによって、Ｃステージのシリコーン樹脂組成物、つまり、生成物（あるいは硬化物）が得られる。つまり、ヒドロシリル付加反応の完結により、シリコーン樹脂組成物において、硬化性（具体的には、熱硬化性）が発現する。
【０２０３】
上記した生成物は、下記平均組成式（３）で示される。
【０２０４】
平均組成式（３）：
Ｒ５ｅＳｉＯ（４−ｅ）／２
（式中、Ｒ５は、フェニル基を含む、非置換または置換の炭素数１〜１０の１価の炭化水素基（ただし、アルケニル基およびシクロアルケニル基を除く。）を示す。ｅは、１．０以上、３．０以下である。）
Ｒ５で示される非置換または置換の炭素数１〜１０の１価の炭化水素基としては、式（１）のＲ２で示される非置換または置換の炭素数１〜１０の１価の炭化水素基、および、式（２）のＲ３で示される非置換または置換の炭素数１〜１０の１価の炭化水素基と同一のものが例示される。好ましくは、非置換の１価の炭化水素基、より好ましくは、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数６〜１０のアリール基が挙げられ、さらに好ましくは、フェニル基およびメチル基の併用が挙げられる。
【０２０５】
そして、生成物の平均組成式（３）のＲ５におけるフェニル基の含有割合は、例えば、３０モル％以上、好ましくは、３５モル％以上であり、また、例えば、５５モル％以下、好ましくは、５０モル％以下である。
【０２０６】
生成物の平均組成式（３）のＲ５におけるフェニル基の含有割合は、生成物のケイ素原子に直接結合する１価の炭化水素基（平均組成式（３）においてＲ５で示される）におけるフェニル基濃度である。
【０２０７】
生成物の平均組成式（３）のＲ５におけるフェニル基の含有割合は、１Ｈ−ＮＭＲおよび２９Ｓｉ−ＮＭＲにより算出される。Ｒ５におけるフェニル基の含有割合の算出方法の詳細は、例えば、ＷＯ２０１１／１２５４６３などの記載に基づいて、１Ｈ−ＮＭＲおよび２９Ｓｉ−ＮＭＲにより算出される。
【０２０８】
これによって、貼着層２が封止光半導体素子２５の上面に対して接着する。
【０２０９】
そして、封止光半導体素子２５と、封止光半導体素子２５の上面に貼着する貼着層２とを備える貼着光半導体素子１１が、封止層２４および電極２２が基材１２によって支持された状態で、得られる。
【０２１０】
この貼着光半導体素子１１は、基材１２が設けられた状態で、流通することができる。
【０２１１】
（４）個片化工程
個片化工程は、「（３）熱プレス工程」の後に、実施される。個片化工程では、図２Ｄの１点破線で示すように、隣接する光半導体素子１５間における封止層２４および貼着層２を、ダイシングなどによって切断する。これによって、光半導体素子１５を個片化する。
【０２１２】
これによって、１つの光半導体素子１５と、封止層２４と、貼着層２とを備える貼着光半導体素子１１が、基材１２に支持された状態で、得られる。
【０２１３】
（５）剥離工程
剥離工程は、「（４）個片化工程」の後に、実施される。剥離工程では、図２Ｄの矢印および仮想線で示すように、貼着光半導体素子１１を基材１２から引き剥がす。具体的には、電極２２の下面および封止層２４の下面を、粘着シート１４の上面から引き剥がす。
【０２１４】
これによって、光半導体素子１５と、封止層２４と、貼着層２とを備える貼着光半導体素子１１が得られる。
【０２１５】
貼着光半導体素子１１は、光半導体装置２１（図２Ｅ参照）ではなく、つまり、光半導体装置２１に備えられる基板１６を含まない。つまり、貼着光半導体素子１１は、電極２２が、光半導体装置２１の基板１６に設けられる端子（図示せず）とまだ電気的に接続されないように、構成されている。また、貼着光半導体素子１１は、光半導体装置２１の一部品、すなわち、光半導体装置２１を作製するための部品であり、部品単独で流通し、産業上利用可能なデバイスである。
【０２１６】
貼着光半導体素子１１は、好ましくは、光半導体素子１５と、封止層２４と、封止層２４とのみからなる。
【０２１７】
３．光半導体装置の製造方法
図２Ｅに示すように、光半導体装置の製造方法では、「貼着光半導体素子の製造方法」により得られる貼着光半導体素子１１を、基板１６に実装する。
【０２１８】
基板１６は、略平板形状を有し、例えば、絶縁基板である。また、基板１６は、上面に配置される端子（図示せず）を備えている。
【０２１９】
貼着光半導体素子１１を基板１６に実装するには、貼着光半導体素子１１における電極２２を、基板１６の端子（図示せず）と接触させて、電気的に接続させる。つまり、貼着光半導体素子１１の光半導体素子１５を基板１６に対してフリップチップ実装する。
【０２２０】
これとともに、封止層２４の下面を、基板１６の上面に接触させる。
【０２２１】
これにより、基板１６と、基板１６に実装される貼着光半導体素子１１とを備える光半導体装置２１を得る。好ましくは、光半導体装置２１は、基板１６と、貼着光半導体素子１１とのみからなる。つまり、光半導体装置２１は、剥離シート３および／または基材１２を含まず、好ましくは、基板１６と、光半導体素子１５と、封止層２４とのみからなる。
【０２２２】
４．作用効果
この貼着シート１は、図２Ｂに示す熱プレス工程において、４０℃以上、２００℃以下の範囲で、光半導体素子１５に直接的に貼着するように使用するときに、貼着層２を、動的粘弾性測定することにより得られる貯蔵剪断弾性率Ｇ’と温度Ｔとの関係を示す曲線における極小値における温度Ｔが、図６が参照されるように、４０℃以上、２００℃以下の範囲にあり、上記した極小値における貯蔵剪断弾性率Ｇ’が、１，０００Ｐａ以上、９０，０００Ｐａ以下の範囲にあるので、貼着層２が、優れた密着力で光半導体素子１５に直接的に貼着できながら、光半導体素子１５に直接的に貼着した貼着層２の厚みを均一にすることができる。そのため、信頼性および色均一性に優れた貼着光半導体素子１１および光半導体装置２１を得ることができる。
【０２２３】
また、この貼着シート１では、貼着層２が、蛍光体を含有する場合には、貼着層２によって、光半導体素子１５から発光される光を波長変換して、所望の色を発光できる貼着光半導体素子１１および光半導体装置２１を得ることができる。
【０２２４】
また、この貼着シート１では、貼着層２が、熱硬化性樹脂を含有する場合には、貼着シート１を熱硬化（完全硬化）させることにより、貼着層２を光半導体素子１５および封止層２４に対して接着することができる。
【０２２５】
また、この貼着シート１は、剥離シート３をさらに備えるので、図１に示す貼着層２の下面を保護することができる。
【０２２６】
この貼着光半導体素子１１の製造方法において、図２Ｂに示す熱プレス工程では、貼着シート１を、４０℃以上、２００℃以下の温度で、光半導体素子１５および封止層２４を備える封止光半導体素子２５に対して熱プレスするので、優れた密着力で封止光半導体素子２５に直接的に貼着できながら、貼着層２の厚みを均一にすることができる。そのため、信頼性および色均一性に優れた貼着光半導体素子１１を製造することができる。
【０２２７】
また、この貼着光半導体素子１１の製造方法では、熱プレス工程における圧力が、３．００ＭＰａ以下であれば、小さく、安価なプレス機４０を使用できる。
【０２２８】
この貼着光半導体素子１１の製造方法では、図２に示すように、素子用意工程では、電極側面１７および周側面１９が、封止層２４によって被覆され、露出面１８が、封止層２４から露出する光半導体素子１５を用意するので、光半導体素子１５を、ウエハレベルパッケージとして用意することができる。そして、図２Ｂに示すように、熱プレス工程では、貼着シート１を、ウエハレベルパッケージにおける光半導体素子１５の露出面１８と、封止層２４の上面とに対して直接的に熱プレスするので、ウエハレベルパッケージの光半導体素子１５および封止層２４に貼着シート１を簡便に貼着することができる。
【０２２９】
この光半導体装置２１の製造方法によれば、上記した貼着光半導体素子１１の製造方法により、貼着光半導体素子１１を得、図２Ｅに示すように、貼着光半導体素子１１を基板１６に実装するので、信頼性および色均一性に優れた光半導体装置２１を製造することができる。
【０２３０】
５．変形例
第１実施形態では、図２Ａに示すように、光半導体素子１５の電極側面１７および周側面１９の両面を、封止層２４によって封止している。しかし、光半導体素子１５の少なくとも周側面１９を封止層２４によって封止すればよく、例えば、図示しないが、光半導体素子１５の電極側面１７を被覆せず、光半導体素子１５の周側面１９のみを封止層２４によって封止することもできる。
【０２３１】
第１実施形態では、貼着層２を、光半導体素子１５に直接的に貼着するように使用している。しかし、図示しないが、貼着層２を、光半導体素子１５に間接的に貼着するように使用することもできる。
【０２３２】
つまり、図示しないが、図２Ａが参照されるように、基材１２に仮固定された複数の光半導体素子１５における少なくとも露出面１８（具体的には、露出面１８および周側面１９、または、電極側面１７、露出面１８および周側面１９、）が封止層２４によって被覆された貼着光半導体素子１１を用意する。
【０２３３】
熱プレス工程では、貼着層２を、貼着光半導体素子１１の封止層２４の上面に直接的に貼着する。つまり、貼着層２を、光半導体素子１５に対して間接的に貼着する。すなわち、貼着層２を、光半導体素子１５に対して、露出面１８の上側に位置する封止層２４を介して、貼着する。
【０２３４】
その後、貼着シート１を、封止層２４に対して熱プレスする。
【０２３５】
この変形例によれば、素子用意工程では、露出面１８、電極側面１７および周側面１９が、封止層２４によって被覆された光半導体素子１５を用意するので、そのような光半導体素子１５を、封止光半導体素子２５として用意することができる。そして、熱プレス工程では、貼着シート１を、封止光半導体素子２５における封止層２４に対して熱プレスするので、封止光半導体素子２５における光半導体素子１５に貼着層２を簡便に貼着することができる。
【０２３６】
第１実施形態では、図２Ｄの１点破線で示すように、個片化工程を実施しているが、図示しないが、例えば、個片化工程を実施することなく、つまり、貼着層２および封止層２４を切断せずに、複数の光半導体素子１５を備える貼着光半導体素子１１を得ることもできる。
【０２３７】
また、第１実施形態では、図３Ｅに示すように、封止光半導体素子２５における光半導体素子１５を個片化せずに、複数の光半導体素子１５を備える封止光半導体素子２５として用意している。しかし、図示しないが、例えば、光半導体素子１５を個片化するように、封止層２４を切断して、１つの光半導体素子１５を備える封止光半導体素子２５を用意することもできる。
【０２３８】
第１実施形態の熱プレス工程では、スペーサ３０を使用していないが、図２Ｂの仮想線で示すように、上板４２と下板４１との間に、熱プレス時におけるそれらの間隔を調整するためのスペーサ３０を用いることもできる。
【０２３９】
スペーサ３０は、下板４１の上に載置されており、平面視において、貼着シート１および基材１２を囲む略枠形状に形成されている。スペーサ３０の厚みは、熱プレス時における貼着光半導体素子１１と基材１２との合計厚みとなるように設定されている。
【０２４０】
好ましくは、スペーサ３０を使用せずに、熱プレス工程を実施する。
【０２４１】
スペーサ３０を使用しない場合には、簡易な構成のプレス機４０によって、簡便に熱プレス工程を実施することができる。
【０２４２】
＜本発明の貼着光半導体素子および光半導体装置の製造方法の第２実施形態＞
第２実施形態において、上記した第１実施形態と同様の部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
【０２４３】
なお、図４Ａ以降の図面において、図２Ａに示した電極２２を、光半導体素子１５における露出面１８および電極側面１７を明確に示すため、省略している。
【０２４４】
第１実施形態では、図２Ａに示すように、光半導体素子１５を、封止層２４によって封止され、封止光半導体素子２５に備えられるように、基材１２に仮固定して用意している。しかし、第２実施形態では、図４Ａに示すように、光半導体素子１５を、封止層２４によって封止されずに、基材１２に仮固定して用意することもできる。
【０２４５】
すなわち、第２実施形態における素子用意工程では、図４Ａに示すように、複数の光半導体素子１５を、基材１２の上に、互いに間隔を隔てて整列配置する。具体的には、複数の光半導体素子１５の電極側面１７を、粘着シート１４の上面に仮固定する。
【０２４６】
次いで、図４Ｂに示すように、貼着シート１を、複数の封止光半導体素子２５の上面に配置する。
【０２４７】
このとき、貼着層２と、粘着シート１４との間には、それらを上下方向（厚み方向）に隔てる空間が形成されている。上記した空間において、複数の光半導体素子１５が、左右方向および前後方向に互いに間隔を隔てて整列配置されている。
【０２４８】
続いて、光半導体素子１５および貼着シート１をプレス機４０にセットし、続いて、熱プレスを実施する。
【０２４９】
熱プレスにおいても、貼着層２は、その形状が、実質的に保形される。すなわち、貼着層２の外形形状が実質的に維持されている。あるいは、貼着層２が、隣接する封止光半導体素子２５間の空間を充填することが抑制されている。なお、貼着層２は、光半導体素子１５の直上における部分の厚みが均一に維持されれば、上記した空間の上部に落ち込むことが許容される。
【０２５０】
続いて、図４Ｃに示すように、剥離シート３を貼着層２から剥離する。
【０２５１】
その後、光半導体素子１５、貼着層２および基材１２を、加熱する。貼着組成物が熱硬化性樹脂を含有する場合には、熱硬化性樹脂が完全硬化（Ｃステージ化）する。これによって、貼着層２が光半導体素子１５の上面に対して接着する。
【０２５２】
これによって、光半導体素子１５と、光半導体素子１５の上面に貼着する貼着層２とを備える貼着光半導体素子１１が、基材１２によって支持された状態で、得られる。
【０２５３】
その後、個片化工程では、図４Ｄの１点破線で示すように、隣接する光半導体素子１５間における貼着層２を切断して、光半導体素子１５を個片化する。これによって、１つの光半導体素子１５と、貼着層２とを備える貼着光半導体素子１１が、基材１２に支持された状態で得られる。
【０２５４】
その後、剥離工程では、図４Ｄの矢印および仮想線で示すように、貼着光半導体素子１１を基材１２から引き剥がす。
【０２５５】
これによって、光半導体素子１５と、貼着層２とを備える貼着光半導体素子１１が得られる。貼着光半導体素子１１は、封止層２４を備えていない。つまり、貼着光半導体素子１１は、好ましくは、光半導体素子１５と、封止層２４とのみからなる。
【０２５６】
その後、図４Ｅに示すように、上記した貼着光半導体素子１１を基板１６に実装して、光半導体装置２１を得る。光半導体装置２１は、封止層２４を備えていない。
【０２５７】
第２実施形態によっても、第１実施形態と同様の作用効果を奏することができる。
【０２５８】
＜本発明の貼着光半導体素子および光半導体装置の製造方法の第３実施形態＞
第３実施形態において、上記した第１実施形態および第２実施形態と同様の部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
【０２５９】
第２実施形態では、図４Ｄに示すように、基材１２の上で、貼着光半導体素子１１を一旦製造した後、図４Ｅに示すように、貼着光半導体素子１１を基材１２から引き剥がして、基板１６に実装している。しかし、図５Ａに示すように、予め、複数の光半導体素子１５を基板１６に実装し、その後、図５Ｂに示すように、貼着シート１を複数の光半導体素子１５に対して貼着して、その後、剥離シート３を貼着層２から引き剥がして、基板１６と、光半導体素子１５と、貼着層２とを備える光半導体装置２１を得ることもできる。
【０２６０】
すなわち、図４Ａに示す基材１２を、基板１６に置き換え、個片化工程および実装工程を省略することができる。つまり、図５Ｃに示すように、基板１６の上において、貼着光半導体素子１１を製造することができる。
【０２６１】
具体的には、まず、図５Ａに示すように、光半導体素子１５の電極側面１７が基板１６の上面と対向するように、複数の光半導体素子１５を基板１６に対して予めフリップチップ実装する。
【０２６２】
次いで、図５Ｂに示すように、貼着シート１を複数の光半導体素子１５に対して貼着する。具体的には、まず、貼着シート１の貼着層２を、複数の光半導体素子１５の露出面１８に載置する。
【０２６３】
続いて、光半導体素子１５、基板１６および貼着シート１をプレス機４０にセットし、続いて、熱プレスを実施する。これによって、貼着層２が光半導体素子１５の露出面１８に貼着する。
【０２６４】
続いて、図５Ｃに示すように、剥離シート３を貼着層２から剥離する。
【０２６５】
その後、光半導体素子１５、基板１６および貼着層２を、加熱する。貼着組成物が熱硬化性樹脂を含有する場合には、熱硬化性樹脂が完全硬化（Ｃステージ化）する。これによって、貼着層２が光半導体素子１５の露出面１８に対して接着する。
【０２６６】
これによって、基板１６と、基板１６に実装される光半導体素子１５と、光半導体素子１５の露出面１８に貼着された貼着層２とを備える光半導体装置２１が得られる。なお、光半導体素子１５および貼着層２は、貼着光半導体素子１１を構成する。そのため、光半導体装置２１は、基板１６と、貼着光半導体素子１１とを備えている。
【０２６７】
第３実施形態によっても、第１実施形態および第２実施形態と同様の作用効果を奏することができる。
【実施例】
【０２６８】
以下の記載において用いられる配合割合（含有割合）、物性値、パラメータなどの具体的数値は、上記の「発明を実施するための形態」において記載されている、それらに対応する配合割合（含有割合）、物性値、パラメータなど該当記載の上限値（「以下」、「未満」として定義されている数値）または下限値（「以上」、「超過」として定義されている数値）に代替することができる。
【０２６９】
＜アルケニル基含有ポリシロキサンおよびヒドロシリル基含有ポリシロキサンの合成＞
合成例１
撹拌機、還流冷却管、投入口および温度計が装備された四ツ口フラスコに、１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン９３．２ｇ、水１４０ｇ、トリフルオロメタンスルホン酸０．３８ｇおよびトルエン５００ｇを投入して混合し、撹拌しつつメチルフェニルジメトキシシラン７２９．２ｇとフェニルトリメトキシシラン３３０．５ｇの混合物１時間かけて滴下し、その後、１時間加熱還流した。その後、冷却し、下層（水層）を分離して除去し、上層（トルエン溶液）を３回水洗した。水洗したトルエン溶液に水酸化カリウム０．４０ｇを加え、水分離管から水を除去しながら還流した。水の除去完了後、さらに５時間還流し、冷却した。その後、酢酸０．６ｇを投入して中和した後、ろ過して得られたトルエン溶液を３回水洗した。その後、減圧濃縮することにより、液体状のアルケニル基含有ポリシロキサンＡを得た。アルケニル基含有ポリシロキサンＡの平均単位式および平均組成式は、以下の通りである。
【０２７０】
平均単位式：
（（ＣＨ２＝ＣＨ）（ＣＨ３）２ＳｉＯ１／２）０．１５（ＣＨ３Ｃ６Ｈ５ＳｉＯ２／２）０．６０（Ｃ６Ｈ５ＳｉＯ３／２）０．２５
平均組成式：
（ＣＨ２＝ＣＨ）０．１５（ＣＨ３）０．９０（Ｃ６Ｈ５）０．８５ＳｉＯ１．０５
つまり、アルケニル基含有ポリシロキサンＡは、Ｒ１がビニル基、Ｒ２がメチル基およびフェニル基であり、ａ＝０．１５、ｂ＝１．７５である上記平均組成式（１）で示される。
【０２７１】
また、ゲル透過クロマトグラフィーによって、アルケニル基含有ポリシロキサンＡのポリスチレン換算の重量平均分子量を測定したところ、２，３００であった。
【０２７２】
合成例２
撹拌機、還流冷却管、投入口および温度計が装備された四ツ口フラスコに、１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン９３．２ｇ、水１４０ｇ、トリフルオロメタンスルホン酸０．３８ｇおよびトルエン５００ｇを投入して混合し、撹拌しつつジフェニルジメトキシシラン１７３．４ｇとフェニルトリメトキシシラン３００．６ｇの混合物１時間かけて滴下し、滴下終了後、１時間加熱還流した。その後、冷却し、下層（水層）を分離して除去し、上層（トルエン溶液）を３回水洗した。水洗したトルエン溶液に水酸化カリウム０．４０ｇを加え、水分離管から水を除去しながら還流した。水の除去完了後、さらに５時間還流し、冷却した。酢酸０．６ｇを投入して中和した後、ろ過して得られたトルエン溶液を３回水洗した。その後、減圧濃縮することにより、液体状のアルケニル基含有ポリシロキサンＢを得た。アルケニル基含有ポリシロキサンＢの平均単位式および平均組成式は、以下の通りである。
【０２７３】
平均単位式：
（ＣＨ２＝ＣＨ（ＣＨ３）２ＳｉＯ１／２）０．３１（（Ｃ６Ｈ５）２ＳｉＯ２／２）０．２２（Ｃ６Ｈ５ＳｉＯ３／２）０．４７
平均組成式：
（ＣＨ２＝ＣＨ）０．３１（ＣＨ３）０．６２（Ｃ６Ｈ５）０．９１ＳｉＯ１．０８
つまり、アルケニル基含有ポリシロキサンＢは、Ｒ１がビニル基、Ｒ２がメチル基およびフェニル基であり、ａ＝０．３１、ｂ＝１．５３である上記平均組成式（１）で示される。
【０２７４】
また、ゲル透過クロマトグラフィーによって、アルケニル基含有ポリシロキサンＢのポリスチレン換算の重量平均分子量を測定したところ、１，０００であった。
【０２７５】
合成例３
撹拌機、還流冷却管、投入口および温度計が装備された四ツ口フラスコに、ジフェニルジメトキシシラン３２５．９ｇ、フェニルトリメトキシシラン５６４．９ｇ、およびトリフルオロメタンスルホン酸２．３６ｇを投入して混合し、１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン１３４．３ｇを加え、撹拌しつつ酢酸４３２ｇを３０分かけて滴下した。滴下終了後、混合物を撹拌しつつ５０℃に昇温して３時間反応させた。室温まで冷却した後、トルエンと水を加え、良く混合して静置し、下層（水層）を分離して除去した。その後、上層（トルエン溶液）を３回水洗した後、減圧濃縮することにより、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンＣ（架橋剤Ｃ）を得た。
【０２７６】
ヒドロシリル基含有ポリシロキサンＣの平均単位式および平均組成式は、以下の通りである。
【０２７７】
平均単位式：
（Ｈ（ＣＨ３）２ＳｉＯ１／２）０．３３（（Ｃ６Ｈ５）２ＳｉＯ２／２）０．２２（Ｃ６Ｈ５ＰｈＳｉＯ３／２）０．４５
平均組成式：
Ｈ０．３３（ＣＨ３）０．６６（Ｃ６Ｈ５）０．８９ＳｉＯ１．０６
つまり、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンＣは、Ｒ３がメチル基およびフェニル基であり、ｃ＝０．３３、ｄ＝１．５５である上記平均組成式（２）で示される。
【０２７８】
また、ゲル透過クロマトグラフィーによって、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンＣのポリスチレン換算の重量平均分子量を測定したところ、１，０００であった。
【０２７９】
＜その他の原料＞
アルケニル基含有ポリシロキサンおよびヒドロシリル基含有ポリシロキサン以外の原料について、以下に詳述する。
［その他、使用した材料］
白金カルボニル錯体：
商品名「ＳＩＰ６８２９．２」、Ｇｅｌｅｓｔ社製、白金濃度２．０質量％
蛍光体：
商品名「Ｙ４６８」、ＹＡＧ：Ｃｅ、平均粒子径１７μｍ、ネモト・ルミマテリアル社製
ガラス粒子：
屈折率１．５５、組成および組成比率（重量％）：ＳｉＯ２／Ａｌ２Ｏ３／ＣａＯ／ＭｇＯ＝６０／２０／１５／５の無機粒子、屈折率１．５５、平均粒子径：２０μｍ
アエロジル粒子：
商品名「Ｒ９７６Ｓ」、屈折率１．４６、平均粒子径７ｎｍ、エボニック社製
シリコーン系樹脂粒子：
商品名「トスパール１４５」、屈折率１．４１、平均粒子径４．５μｍ、モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン社製
光拡散性シリカ粒子：
商品名「ＦＢ−３ｓｄｃ」、屈折率１．４５、平均粒子径３．４μｍ、デンカ社製
光拡散性アクリルビーズ粒子：
商品名「ＳＳＸ−１０５」、屈折率１．４９、平均粒子径５μｍ、積水化成製
＜シリコーン樹脂組成物の調製＞
調製例１
アルケニル基含有ポリシロキサンＡ  ２０ｇ、アルケニル基含有ポリシロキサンＢ  ２５ｇ、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンＣ  ２５ｇ、白金カルボニル錯体５ｍｇを混合させて、シリコーン樹脂組成物を調製した。シリコーン樹脂組成物の屈折率は、１．５６であった。
【０２８０】
＜貼着シートの作製＞
＜シート用意工程＞
実施例Ａ
シリコーン樹脂組成物４９．１ｇ、蛍光体３４ｇ、シリコーン系樹脂粒子５ｇ、ガラス粒子１０ｇ、アエロジル粒子１．９ｇを加えて、それらを３分間撹拌し、貼着組成物を調製した。
【０２８１】
次に、貼着組成物を、剥離シート（セパレータ、品名「ＳＥ−１」、厚み５０μｍ、フジコー社製）の表面に、膜厚２２５μｍとなるようにコンマコーターで塗布し、続いて、９０℃、５．７分（５分４２秒）加熱（ベイク）した。これにより、剥離シートと、貼着層とを備える貼着シートＡを得た（図１参照）。
【０２８２】
実施例Ｂ
加熱（ベイク）条件を、９０℃、６．７分（６分４２秒）に変更した以外は、実施例Ａと同様に処理して、貼着シートＢを得た（図１参照）。
【０２８３】
実施例Ｃ
加熱（ベイク）条件を、９０℃、８．０分に変更した以外は、実施例Ａと同様に処理して、貼着シートＣを得た（図１参照）。
【０２８４】
実施例Ｄ
シリコーン樹脂組成物４５．７ｇ、蛍光体３２．５ｇ、光拡散性シリカ粒子１０ｇ、ガラス粒子１０ｇ、アエロジル粒子１．８ｇを加えて、それらを３分間撹拌し、貼着組成物を調製した。
【０２８５】
次に、貼着組成物を、剥離シート（セパレータ、品名「ＳＥ−１」、厚み５０μｍ、フジコー社製）の表面に、膜厚２２５μｍとなるようにコンマコーターで塗布し、続いて、９０℃、８．０分加熱（ベイク）した。これにより、剥離シートと、貼着層とを備える貼着シートＤを得た（図１参照）。
【０２８６】
実施例Ｅ
シリコーン樹脂組成物４６ｇ、蛍光体２９ｇ、光拡散性アクリルビーズ粒子２０ｇ、ガラス粒子５ｇを加えて、それらを３分間撹拌し、貼着組成物を調製した。
【０２８７】
次に、貼着組成物を、剥離シート（セパレータ、品名「ＳＥ−１」、厚み５０μｍ、フジコー社製）の表面に、膜厚２２５μｍとなるようにコンマコーターで塗布し、続いて、９０℃、８．０分加熱（ベイク）した。これにより、剥離シートと、貼着層とを備える貼着シートＥを得た（図１参照）。
【０２８８】
実施例Ｆ
加熱（ベイク）条件を、９０℃、１１分に変更した以外は、実施例Ａと同様に処理して、貼着シートＦを得た（図１参照）。
【０２８９】
実施例Ｇ
加熱（ベイク）条件を、９０℃、１３分に変更した以外は、実施例Ａと同様に処理して、貼着シートＧを得た（図１参照）。
【０２９０】
比較例Ｈ
加熱（ベイク）条件を、９０℃、８．０分の加熱、および、その後、１５０℃、８時間の加熱に変更した以外は、実施例Ａと同様に処理して、貼着シートＨを得た（図１参照）。
【０２９１】
比較例Ｉ
加熱（ベイク）条件を、９０℃、５．０分に変更した以外は、実施例Ａと同様に処理して、貼着シートＩを得た（図１参照）。
【０２９２】
＜貼着光半導体素子の製造＞
実施例１
＜素子用意工程＞
まず、特開２０１２−１７５０６８号公報の実施例３の方法に準拠して、封止層と、光半導体素子とを備える封止光半導体素子を用意した（図３Ｅ参照）。
【０２９３】
具体的には、まず、電極が上面に設けられた光半導体素子（１．１ｍｍ角、高さ（厚み）１８０μｍ、エピスター社製）を複数用意した（図３Ａ参照）。次いで、支持板（ステンレスキャリア）と、支持板の上面に配置される粘着シート（「リバアルファ」、日東電工社製）とを備える仮固定基材の上に、１．６４ｍｍピッチで、前後方向に２０個、左右方向に２０個、整列配置した（図３Ｂ参照）。このとき、光半導体素子の下面（対向面）を粘着シートの上面に接触させた。
【０２９４】
次いで、封止層を、電極および光半導体素子を被覆するように、粘着層の上に形成した（図３Ｃ参照）。なお、封止層を、封止材として東レダウコーニング社製から販売される「ＯＥ−６６３０」から、調製した。
【０２９５】
続いて、封止層の上側部分を、電極の上面（露出面）が露出するように、グラインド加工した（図３Ｄ参照）。これによって、封止層と、封止層によって、周側面および上面（電極面）が被覆された封止光半導体素子を、仮固定基材に支持された状態で、得た。
【０２９６】
その後、封止光半導体素子を、粘着シートから引き剥がした（図３Ｅ参照）。
【０２９７】
そして、上記の仮固定基材と同様の構成を有する基材を別途用意し、次いで、封止光半導体素子（図３Ｅ参照）を基材に配置した（図２Ａ参照）。具体的には、上記した封止光半導体素子における電極の露出面と、上記した露出面と面一に形成された封止層の下面を、粘着シートの上面に仮固定した。
【０２９８】
＜熱プレス工程＞
次いで、粘着シートＡを封止光半導体素子に貼着した（図２Ｂ参照）。
【０２９９】
具体的には、まず、粘着シートＡの貼着層を、光半導体素子の上面（対向面）と、上記した上面と面一に形成されている封止層の上面とに載置し、続いて、下板と、上板とを備える平板熱プレス機によって、スペーサを使用することなく、６０℃、５分間、０．４８ＭＰａの圧力で熱プレスした。
【０３００】
＜完全硬化工程＞
その後、剥離シートを貼着層から引き剥がし、次いで、基材、光半導体素子および貼着層を、１００℃のオーブンに１０分間放置し、その後、オーブンの温度を１５０℃に設定し、その後、８時間、放置することにより、貼着層を完全硬化させた（図２Ｃ参照）。
【０３０１】
その後、光半導体素子の直上に貼着された貼着シートＡの厚みおよび厚みのばらつきを測定した。その結果を表１に示す。
【０３０２】
＜個片化工程＞
次いで、隣接する光半導体素子間における封止層および貼着層を、切断して、光半導体素子を個片化した。これにより、１つの光半導体素子および１つの貼着層を備える貼着光半導体素子を、基材に支持された状態で、得た（図２Ｄの１点破線参照）。
【０３０３】
＜剥離工程＞
続いて、貼着光半導体素子を基材から引き剥がした（図２Ｄの矢印および仮想線参照）。
【０３０４】
＜実装工程＞
その後、貼着光半導体素子を、基板に実装した。
【０３０５】
具体的には、貼着光半導体素子における光半導体素子を、基板に対して、フリップチップ実装した（図２Ｅ参照）。
【０３０６】
これによって、基板と、貼着光半導体素子とを備える光半導体装置を得た。
【０３０７】
実施例２〜１２および比較例１および２
表１に従って、貼着シートの種類および熱プレスの圧力を変更した以外は、実施例１と同様に処理して、貼着光半導体素子を得、続いて、光半導体装置を得た。
【０３０８】
＜評価＞
（貯蔵剪断弾性率Ｇ’）
実施例Ａ〜比較例Ｉで得られた貼着シートにおける貼着層を、下記の条件で、動的粘弾性測定した。
【０３０９】
［条件］
粘弾性装置：回転式レオメータ（Ｃ−ＶＯＲ装置、マルバーン社製）
サンプル形状：円板形状
サンプル寸法：厚み２２５μｍ、直径８ｍｍ
歪量：１０％
周波数：１Ｈｚ
プレート径：８ｍｍ
プレート間ギャップ：２００μｍ
昇温速度２０℃／分
温度範囲：２０〜２００℃
貯蔵剪断弾性率Ｇ’と温度Ｔとの関係を示す曲線を図６に示す。
【０３１０】
また、貯蔵剪断弾性率Ｇ’の極小値、および、２５℃における貯蔵剪断弾性率Ｇ’を表１に示す。
【０３１１】
（圧縮弾性率）
実施例Ａ〜比較例Ｉで得られた貼着シートにおける貼着層の２５℃における圧縮弾性率を、精密荷重測定機（アイコーエンジニアリング社製）により、測定した。
【０３１２】
（トルエン可溶分）
実施例Ａ〜比較例Ｉで得られた貼着層における樹脂のトルエン可溶分を、下記の手順に従って、算出した。
【０３１３】
手順（１）：貼着層を焼成して、残渣の質量（無機粒子の質量）を計量した。別途、貼着層の断面ＳＥＭ観察において確認されたシリコーン系樹脂粒子／光散乱性アクリルビーズ粒子の体積分率（画像解析により算出）に１．２５ｇ／ｃｍ３（有機粒子の一般的な密度）を乗じてシリコーン系樹脂粒子の質量を算出した。なお、後述するトルエン不溶分を光学顕微鏡観察または断面ＳＥＭ観察により、有機粒子が確認されたので、有機粒子がトルエンに不溶であったと判断した。
【０３１４】
手順（２）：貼着層１．１ｇ（試料質量）を精秤し、これをＰＴＦＥシート（孔径０．２μｍ）で包み、２５℃で、トルエン１００ｇで２４時間浸漬、振とうさせた。
【０３１５】
手順（３）：トルエン不溶分を分離して採取し、これを乾燥させた後、トルエン不溶分の質量を測定した。  
【０３１６】
手順（４）：試料質量からトルエン不溶分の質量を差し引くことにより、トルエン可溶分の質量を算出した。
【０３１７】
手順（５）：仕込みの試料質量から、蛍光体およびフィラーの質量を差し引いて、樹脂の質量を算出した。
【０３１８】
手順（６）：下記式により、トルエン可溶分を算出した。
【０３１９】
トルエン可溶分（重量％）＝トルエン可溶分の重量／樹脂の重量×１００
つまり、トルエン可溶分の質量を貼着層における熱硬化性樹脂の質量（試料質量から無機粒子および有機粒子の質量を差し引いた質量）で除して得られた百分率をトルエン可溶分（質量％）として算出した。その結果を表１に示す。
【０３２０】
（ＮＭＲ測定）
１．ＣＨ２＝ＣＨ−基の含量
実施例Ａ〜比較例Ｉで得られた貼着層におけるＣＨ２＝ＣＨ−基（ビニル基）の含有量を個体ＮＭＲ測定により算出した。具体的には、ワニスの状態での含有量を１００％として計算した。その結果を表１に示す。
【０３２１】
２．Ｈ−Ｓｉ基の含量
実施例Ａ〜比較例Ｉで得られた貼着層におけるＨ−Ｓｉ基の含有量（ヒドロシリル基）を個体ＮＭＲ測定により算出した。具体的には、ワニスの状態での含有量を１００％として計算した。その結果を表１に示す。
【０３２２】
（貼着層のガラス板に対する密着力）
実施例１〜比較例２で用いた貼着シートを、幅８．５ｍｍで切り出し、実施例１〜比較例２におけるそれぞれの熱プレス条件で厚み１ｍｍのガラス板に真空熱プレスし、剥離シートを剥離してから１００℃で１０分加熱し、その後、１５０℃で８時間加熱して、貼着層を完全硬化（フルキュア）させて、２５℃における貼着層のガラス板に対する密着力を算出した。その結果を表１に示す。その結果を表１に示す。
【０３２３】
（貼着光半導体素子の色度の検査）
実施例１〜比較例２で得られた光半導体装置における光半導体素子を５０ｍＡで発光させた。
【０３２４】
色度ＣＩＥ（ｘ，ｙ）、および、４００個の貼着光半導体素子におけるｙ値を表１に示す。
【０３２５】
（シリコーン樹脂組成物の反応により得られる生成物の炭化水素基（Ｒ５）におけるフェニル基の含有割合の測定）
シリコーン樹脂組成物（つまり、蛍光体およびフィラーが含まれていないシリコーン樹脂組成物）の反応により得られる生成物中、ケイ素原子に直接結合する炭化水素基（平均組成式（３）のＲ５）におけるフェニル基の含有割合（モル％）を、１Ｈ−ＮＭＲおよび２９Ｓｉ−ＮＭＲにより算出した。
【０３２６】
具体的には、Ａステージのシリコーン樹脂組成物を、蛍光体およびフィラーを添加せずに、１００℃１時間で、反応（完全硬化、Ｃステージ化）させて、生成物を得た。
【０３２７】
次いで、得られた生成物の１Ｈ−ＮＭＲおよび２９Ｓｉ−ＮＭＲを測定することで、ケイ素原子に直接結合している炭化水素基（Ｒ５）におけるフェニル基が占める割合（モル％）を算出した。
【０３２８】
その結果、シリコーン樹脂組成物の反応により得られる生成物の炭化水素基（Ｒ５）におけるフェニル基の含有割合は、４８％であった。
【０３２９】
【表１】
2016171315.tif 000003
【符号の説明】
【０３３０】
１     貼着シート
２     貼着層
３     剥離シート
１１   貼着光半導体素子
１３   支持板
１４   粘着シート
１５   光半導体素子
１６   基板
１７   電極側面
１８   露出面
１９   周側面
２１   光半導体装置
２４   封止層
３０   スペーサ
４０   プレス機
４１   下板
４２   上板
【図１】
2016171315.tif 000004
【図２】
2016171315.tif 000005
【図３】
2016171315.tif 000006
【図４】
2016171315.tif 000007
【図５】
2016171315.tif 000008
【図６】
2016171315.tif 000009