(57)【要約】    【課題】  サブトラクティブ法で微細な導体回路を形成するためのプリント配線板の製造方法の提供。    【解決手段】  実施形態のプリント配線板の製造方法は、電解銅めっき膜を形成することで絶縁層上に金属膜を形成することと、前記金属膜上にエッチングレジストを形成することと、前記エッチングレジストから露出している前記金属膜を除去することで前記絶縁層上に導体回路を形成することと、前記エッチングレジストを除去すること、とを含む。そして、前記エッチングレジストの厚みは１２．５μｍ以上、１７．５μｍ以下であって、前記金属膜の厚みは３０μｍ以上、５０μｍ以下である。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電解銅めっき膜を形成することで絶縁層上に金属膜を形成することと、
前記金属膜上にエッチングレジストを形成することと、
前記エッチングレジストから露出している前記金属膜を除去することで前記絶縁層上に導体回路を形成することと、
前記エッチングレジストを除去すること、とを含むプリント配線板の製造方法であって、
前記エッチングレジストの厚みは１２．５μｍ以上、１７．５μｍ以下であって、前記金属膜の厚みは３０μｍ以上、５０μｍ以下である。
【請求項２】
請求項１のプリント配線板の製造方法であって、前記金属膜は、前記絶縁層上の銅箔と前記銅箔上の無電解銅めっき膜と前記無電解銅めっき膜上の前記電解銅めっき膜とから成り、前記導体回路の厚みは、３０μｍ以上、５０μｍ以下である。
【請求項３】
請求項２のプリント配線板の製造方法であって、前記導体回路の幅が４０μｍ以上、７５μｍ以下であり、前記導体回路間のスペースの幅が６０μｍ以上、７５μｍ以下である。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、導体回路を有するプリント配線板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１は、ＩＣチップへの電源の供給能力を高くするため、コア基板上の導体層の厚みを厚くし、その導体層を電源層に利用することを開示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００４−１３４７２４号公報
【発明の概要】
【０００４】
[特許文献１の課題]
特許文献１のように、コア基板上の導体層の厚みが厚いと、コア基板上に微細な導体回路を確実に形成することは難しいと考えられる。
【０００５】
本発明の実施形態によれば、高い歩留まりで、コア基板上に微細な導体回路を形成することができる。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係るプリント配線板の製造方法は、電解銅めっき膜を形成することで絶縁層上に金属膜を形成することと、前記金属膜上にエッチングレジストを形成することと、前記エッチングレジストから露出している前記金属膜を除去することで前記絶縁層上に導体回路を形成することと、前記エッチングレジストを除去すること、とを含む。そして、前記エッチングレジストの厚みは１２．５μｍ以上、１７．５μｍ以下であって、前記金属膜の厚みは３０μｍ以上、５０μｍ以下である。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本発明の第１実施形態に係るプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図２】図２（Ａ）と図２（Ｂ）は第１実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図であり、図２（Ｃ）は突起物と突起物上のエッチングレジストを示す図であり、図２（Ｄ）は導体回路の例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
[第１実施形態のプリント配線板の製造方法]
第１実施形態のプリント配線板１０の製造方法が図１と図２（Ａ）、図２（Ｂ）に示される。
第１面Ｆと第１面Ｆと反対側の第２面Ｓを有する絶縁層２０ｚ、もしくは、絶縁基板２０ｚが準備される。絶縁層２０ｚや絶縁基板２０ｚは、樹脂と無機粒子を含む。絶縁層２０ｚや絶縁基板２０ｚは補強材を有してもよい。無機粒子の例はシリカである。補強材の例はガラスクロスである。絶縁層２０ｚや絶縁基板２０ｚに銅箔２２Ｆ、２２Ｓを積層することで出発基板２０Ａが準備される（図１（Ａ））。図１（Ａ）の例は、両面銅張積層板である。第１面Ｆ上に積層されている銅箔は第１銅箔２２Ｆであり、第２面Ｓ上に積層されている銅箔は第２銅箔２２Ｓである。出発基板２０Ａは絶縁層２０ｚと絶縁層２０ｚの片面に積層されている銅箔で形成されてもよい。銅箔等の金属箔２２Ｆ、２２Ｓの厚みは１２μｍである。
【０００９】
出発基板２０Ａの第１銅箔２２ＦにＣＯ２レーザが照射され、出発基板の第１面Ｆ側にスルーホール導体用の貫通孔を形成するための第１開口部２８ａが形成される（図１（Ｂ））。ここで、第１開口部２８ａは、第１面Ｆから第２面Ｓに向かってテーパしている。
【００１０】
出発基板の第２銅箔２２ＳにＣＯ２レーザが照射され、第１開口部２８ａに繋がる第２開口部２８ｂが形成される。スルーホール導体用の貫通孔２８が形成される（図１（Ｃ））。ここで、第２開口部２８ｂは、第２面Ｓから第１面Ｆに向かってテーパしている。
【００１１】
無電解めっき処理により銅箔２２Ｆ、２２Ｓ上と貫通孔の内壁にシード層３１が形成される。シード層の例は無電解銅めっき膜３１である（図１（Ｄ））。シード層の厚みは約１μｍである。
【００１２】
電解めっき処理によりシード層３１上に電解銅めっき膜３２が形成される。貫通孔２８が電解銅めっきにより充填されスルーホール導体３６が形成される（図１（Ｅ））。絶縁層２０ｚの第１面と第２面上の電解銅めっき膜３２の厚みが１０μｍ〜３５μｍになるように、電解めっき処理が行われる。例えば、電解銅めっき膜３２の厚みは２２μｍである。絶縁層２０Ａの第１面Ｆ上に金属箔２２Ｆと金属箔２２Ｆ上のシード層３１とシード層３１上の電解銅めっき膜３２とからなる第１金属膜２５Ｆが形成される。絶縁層２０Ａの第２面Ｓ上に金属箔２２Ｓと金属箔２２Ｓ上のシード層３１とシード層３１上の電解銅めっき膜３２とからなる第２金属膜２５Ｓが形成される。金属箔２２Ｆ、２２Ｓの厚みやシード層３１の厚みや電解銅めっき膜３２の厚みを調整することで、金属膜２５Ｆの厚みｔ５Ｆは３０μｍ以上、５０μｍ以下に調整される。同様に、金属膜２５Ｓの厚みｔ５Ｓは３０μｍ以上、５０μｍ以下に調整される。
【００１３】
電解銅めっき膜３２上に開口４０Ｓを有するエッチングレジスト４０が形成される（図１（Ｆ））。エッチングレジスト４０の厚みｔ４は、１２．５μｍ以上、１７．５μｍ以下である。開口４０Ｓにより電解銅めっき膜３２が露出される。第１実施形態では、エッチングレジスト４０の厚みｔ４は、１５μｍである。エッチングレジストは、例えば、特開平１１−２４２５８公報に示されている。
【００１４】
エッチングにより、エッチングレジスト４０の開口４０Ｓから露出する電解銅めっき膜３２と無電解銅めっき膜３１と銅箔２２Ｆ、２２Ｓが除去される（図２（Ａ））。絶縁層２０Ａの第１面Ｆ上に第１導体層３４Ｆが形成される。絶縁層２０Ａの第２面Ｓ上に第２導体層３４Ｓが形成される。エッチングレジスト４０が厚みｔ４が１７．５μｍ以下なので、エッチングレジスト４０の開口４０Ｓ内のエッチング液の交換が良い。金属膜２５Ｆ、２５Ｓの垂直方向のエッチング速度が大きくなる。金属膜２５Ｆ、２５Ｓの厚みｔ５Ｆ、ｔ５Ｓが３０μｍ以上、５０μｍ以下であっても、微細なＬ（導体回路の幅）／Ｓ（隣接する導体回路間の幅）を有する第１導体層３４Ｆや第２導体層３４Ｓを形成することができる。例えば、第１や第２導体層３４Ｆ、３４Ｓの厚みが３０μｍ以上、５０μｍ以下であっても、４０μｍ／６０μｍから７５μｍ／７５μｍのＬ／Ｓを有する導体層３４Ｆ、３４Ｓを形成することができる。
尚、金属膜２５Ｆの垂直方向は第１面Ｆに対し垂直な方向であり、金属膜２５Ｓの垂直方向は第２面Ｓに対し垂直な方向である。金属膜２５Ｆの厚みｔ５Ｆと金属膜２５Ｓの厚みｔ５Ｓは略等しい。
【００１５】
電解銅めっき膜３２が形成される時、図２（Ｃ）に示されるように、めっき液中の異物等により、金属膜２５Ｆ、２５Ｓの上面に突起物３２ｄが発生することがある。突起物３２ｄ上にエッチングレジスト４０が形成されると、エッチングレジスト４０が突起物３２ｄに追従することが難しい。エッチングレジスト４０と突起物３２ｄとの間に隙間ＡＢが発生しやすい。エッチングレジスト４０と金属膜２５Ｆ、２５Ｓとの間に隙間ＡＢが発生しやすい。エッチングレジスト４０の厚みが薄いと、突起物への追従が悪くなる。隙間ＡＢが大きくなる。そのため、エッチングレジストがエッチング工程等で金属膜２５Ｆ、２５Ｓから剥がれやすい。しかしながら、実施形態では、エッチングレジストの厚みが１２．５μｍ以上であるので、突起物３２ｄに起因するエッチングレジストの剥離が起きない。そのため、４０μｍ／６０μｍから７５μｍ／７５μｍのＬ／Ｓを有する導体層３４Ｆ、３４Ｓを形成することができる。
【００１６】
エッチングレジスト４０が除去される。プリント配線板３０が完成する（図２（Ｂ））。第１や第２導体層３４Ｆ、３４Ｓを形成している銅箔２２Ｆ、２２Ｓの厚みｔ０は１２μｍであり、無電解銅めっき膜３１の厚みｔ１は１μｍであり、電解銅めっき膜３２の厚みｔ２は２２μｍである。従って、第１や第２導体層３４Ｆ、３４Ｓの厚みｔ３は、３５μｍである。
【００１７】
[第２実施形態のプリント配線板の製造方法]
内層の絶縁層と内層の絶縁層上の内層の導体層を有する途中基板が準備される。内層の絶縁層は樹脂と無機粒子で形成されている。内層の絶縁層は、さらに、ガラスクロス等の補強材を有しても良い。内層の絶縁層と内層の導体層上に第１実施形態と同様な絶縁層が積層される。絶縁層の第２面Ｓは内層の絶縁層と対向している。絶縁層の第１面Ｆ上に銅箔が積層される。銅箔の厚みは５μｍである。銅箔と絶縁層を貫通し内層の導体層に至る開口が形成される。銅箔と開口の内壁上にシード層が形成される。シード層の厚みは１μｍである。シード層上に電解銅めっき膜が形成される。この時、開口は電解銅めっき膜で充填される。電解銅めっき膜の厚みは３５μｍである。電解銅めっき膜上にエッチングレジストが形成される。例えば、エッチングレジストの厚みは、１３μｍである。エッチングレジストの開口から露出する銅箔とシード層と電解銅めっき膜が除去される。絶縁層の第１面上に銅箔とシード層と電解銅めっき膜とからなる外層の導体層が形成される。外層の導体層と内層の導体層は絶縁層の開口に形成されているビア導体で接続される。エッチングレジストが除去される。多層プリント配線板が形成される。第１実施形態と同様に、絶縁層の第１面上に様々なＬ／Ｓを有する導体回路が形成される。第１や第２実施形態の導体回路３４ＦＰ、３４ＳＰの例が図２（Ｄ）に示される。隣接する導体回路３４ＦＰ、３４ＳＰ間にスペースＳ１、Ｓ２が形成されている。導体回路３４ＦＰ、３４ＳＰは幅ｗ１、ｗ２を有し、スペースＳ１、Ｓ２は幅ｓ１、ｓ２を有する。幅ｗ１は第１導体層内の導体回路の幅を示す。幅ｓ１は第１導体層内の隣接する導体回路間のスペースの幅を示す。幅ｗ２は第２導体層内の導体回路の幅を示す。幅ｓ２は第２導体層内の隣接する導体回路間のスペースの幅を示す。Ｌ／Ｓの例は、４０μｍ／６０μｍや４０μｍ／７０μｍや４０μｍ／７５μｍや５０μｍ／６０μｍや５０μｍ／７０μｍや５０μｍ／７５μｍや６０μｍ／６０μｍや６０μｍ／７０μｍや６０μｍ／７５μｍや６５μｍ／６５μｍや６５μｍ／７５μｍや７０μｍ／７０μｍや７５μｍ／７５μｍである。エッチングレジストの厚みｔ４の例は１４μｍ、または、１６μｍ、または、１７μｍである。第１や第２実施形態の導体層はサブトラクティブ法で形成されている。
【符号の説明】
【００１８】
３０  プリント配線板
２２  銅箔
３１  無電解銅めっき膜
３２  電解銅めっき膜
３４Ｆ  第１導体層
３４Ｓ  第２導体層
３６  スルーホール導体
４０  エッチングレジスト
【図１】
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【図２】
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