(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子に形成された貫通穴に球状導電部材を充填させるため、
前記半導体素子を固定治具上に固定し、
前記固定治具とともに前記半導体素子を傾斜させ、
前記半導体素子の上方より多数の前記球状導電部材を放出して前記半導体素子の面上に多数の前記球状導電部材を転がし、
前記球状導電部材を前記貫通穴に捕捉させる工程を含む半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記半導体素子の傾斜は、傾斜角が切り替わるように制御されることを含む半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１〜２のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記貫通穴にテーパが形成され、該テーパは前記球状導電部材が捕捉される側ほど開口幅が広くなるように形成されている半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記貫通穴に捕捉された前記球状導電部材を溶融させて、該貫通穴に充填させることにより接続端子を形成することを含む半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記半導体素子は、前記貫通穴の側面部及び該側面部に連続した前記貫通穴の周辺部に金属層が形成され、かつ、前記半導体素子の上面の一部には前記金属層が形成されていない、ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体チップに貫通穴を形成し、絶縁膜を形成した後、乾式又は湿式で導電膜を形成したり、貫通穴に溶融したハンダを充填したりして、半導体チップの両面を電気的に導通する形態が知られている。これによれば、ワイヤ等を設ける必要がないので、複数の半導体チップを積層しても、小型化の半導体装置を提供することができる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、貫通穴に導電材料を充填する工程は、時間及び手間がかかる場合があった。特に、貫通穴により確実に導電材料を充填させることが困難な場合があった。
【０００４】
本発明は、この問題を解決するものであって、その目的は、容易に貫通穴に導電材料を設けることができる半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体素子に形成された貫通穴に導電部材を充填させるため、前記導電部材を前記貫通穴に捕捉させる工程が含まれる。
【０００６】
本発明によれば、導電部材が貫通穴に捕捉されるため、貫通穴に導電部材を充填させることが容易かつより確実になる。
この半導体装置の製造方法において、前記導電部材を前記貫通穴に捕捉させる工程は、前記半導体素子を傾斜させることが含まれる。
【０００７】
本発明によれば、半導体素子を傾斜させることにより、導電部材がより確実に貫通穴に捕捉される。このため、貫通穴に導電部材を充填させることが容易かつより確実になる。
【０００８】
この半導体装置の製造方法において、前記半導体素子を傾斜させた状態で、多数の導電部材を該半導体素子上において高所から低所へ転倒させることが含まれる。
【０００９】
本発明によれば、半導体素子を傾斜させた状態で、多数の導電部材を該半導体素子上において高所から低所へ転倒させるため、より確実に貫通穴に導電部材が捕捉される。
【００１０】
この半導体装置の製造方法において、前記半導体素子の傾斜は、傾斜角が切り替わるように制御されることが含まれる。
本発明によれば、例えば貫通穴に導電部材を捕捉する場合と、半導体素子上に残された余分な導電部材を除去する場合とで、傾斜角を適宜切り替えることができる。
【００１１】
この半導体装置の製造方法において、前記導電部材を前記貫通穴に捕捉させる工程は、前記半導体素子の前記導電部材が貫通穴に捕捉される側の面の圧力を、その反対側の面の圧力よりも大きくした状態で、該反対側の面から前記貫通穴を介して前記導電部材を吸引することが含まれる。
【００１２】
本発明によれば、導電部材が吸引されるため、より確実に導電部材が貫通穴に捕捉される。
この半導体装置の製造方法において、前記導電部材を前記貫通穴に捕捉させる工程は、前記半導体素子を振動させることが含まれる。
【００１３】
本発明によれば、半導体素子を振動させることにより、導電部材がより確実に貫通穴に捕捉される。
この半導体装置の製造方法において、多数の前記導電部材が堆積されている導電部材群に前記半導体素子を接近させ、前記半導体素子の前記導電部材群側の面の圧力を、その反対側の面の圧力よりも大きくした状態で、該反対側の面から前記貫通穴を介して前記導電部材を吸引する工程が含まれる。
【００１４】
本発明によれば、導電部材群から、導電部材を貫通穴に捕捉させることができる。
この半導体装置の製造方法において、前記貫通穴にはテーパが形成されている。
【００１５】
本発明によれば、テーパにより導電部材がより確実に貫通穴に捕捉される。
この半導体装置の製造方法において、前記テーパは前記導電部材が捕捉される側ほど開口幅が広くなるように形成されている。
【００１６】
本発明によれば、テーパは前記導電部材が捕捉される側ほど開口幅が広くなるように形成されているため、導電部材がより確実に貫通穴に捕捉される。
この半導体装置の製造方法において、前記導電部材は球状である。
【００１７】
本発明によれば、導電部材は球状であるため、半導体素子上をなめらかに転倒することができる。
この半導体装置の製造方法において、前記導電部材は半田ボールである。
【００１８】
本発明によれば、導電部材は半田ボールであるため、導電部材の溶融も容易に行うことができる。
この半導体装置の製造方法において、前記貫通穴に捕捉された前記導電部材を溶融させて、該貫通穴に充填させることにより接続端子が形成される。
【００１９】
本発明によれば、導電部材は球状であるため、半導体素子上をなめらかに転倒することができる。
この半導体装置の製造方法において、前記導電部材は鉛フリー半田ボールである。
【００２０】
本発明によれば、導電部材は鉛フリー半田ボールであるため、導電部材の溶融も容易に行うことができる。
この半導体装置の製造方法において、前記貫通穴に捕捉された前記導電部材を溶融させて、該貫通穴に充填させることにより接続端子が形成される。
【００２１】
本発明によれば、接続端子は、貫通穴に捕捉された導電部材を溶融させて、貫通穴に充填させることにより形成される。従って、より確実に導電部材が捕捉された状態において、接続端子が得られる。
【００２２】
本発明に係る半導体装置は、上記半導体装置の製造方法により製造される。
本発明によれば、導電部材がより確実に捕捉された状態で、接続端子が形成される。
【００２３】
本発明に係る半導体装置は、上記製造方法により製造された半導体装置を積層させて形成される。
本発明によれば、より信頼性の高い半導体装置が得られる。
【００２４】
本発明に係る回路基板は、上記半導体装置を有する。
本発明によれば、上記半導体装置を有する回路基板が得られる。
本発明に係る電子機器は、上記半導体装置を有する。
【００２５】
本発明によれば、上記半導体装置を有する電子機器が得られる。
【００２６】
【発明の実施の形態】
（第１の実施形態）
以下、本発明を具体化した半導体装置及びその製造方法の第１の実施形態を図１〜図７に従って説明する。
【００２７】
図１は、本実施形態に係る半導体装置の製造工程を示す説明図である。図１（ａ）に示すように、半導体素子としての半導体チップ１０はシリコン基板からなる。半導体チップ１０は、第１の面３０及び第２の面３２を有しており、本実施形態では、第１の面３０が能動面（図示しない集積回路が形成された面）である。半導体チップ１０には、貫通穴１４が形成されている。貫通穴１４は、レーザ（ＹＡＧレーザ、エキシマレーザ等）あるいはエッチング（化学エッチング、プラズマエッチング等）等を使用して形成され、半導体チップ１０を貫通して形成される。穴あけ加工は、第１の面３０又は第２の面３２から、又は両面から（順番にあるいは同時に）行ってもよい。また、半導体チップ１０の貫通穴１４を形成する位置に、予め窪み（図示しない）を形成しておき、その窪みを目印として穴あけ加工を行ってもよい。貫通穴１４は、第１の面３０から離れるに従って、開口幅が狭くなるようなテーパ１５が付されている。なお、貫通穴１４周辺の第１の面１１上には、電極パッドとしてのＡｌパッド（図示しない）が形成されている。
【００２８】
次に、図１（ｂ）に示すように、貫通穴１４の内側を含む領域に絶縁材料１６を設ける。絶縁材料１６は、貫通穴１４の内壁面及び貫通穴１４周辺の第１の面３０及び第２の面３２上に形成される。また、絶縁材料１６は、第１の面１１上のＡｌパッドの一部のみを覆うように形成される。絶縁材料１６は、ＳｉＯ2、ＳｉＮ等にて形成される。なお、絶縁材料１６は、スクリーン印刷方式、インクジェットプリンタ方式、化学気相堆積（ＣＶＤ）、スプレー方式又はディスペンサーによる塗布等で設けることができる。
【００２９】
次に、図１（ｃ）に示すように、貫通穴１４の内側及び絶縁材料１６を含む領域に金属層１８を設ける。金属層１８は、Ａｌパッドを覆っている。これによってＡｌパッドとの電気的接続を可能とするとともに、Ａｌパッドの酸化を防止することができる。金属層１８は、スパッタ法又は蒸着法等で形成する。金属層１８の材料は、限定されないが、例えばニッケル又は金の少なくともいずれかを含む金属であってもよい。また、半導体チップ１０は、固定治具２０の上に載置され固定される。固定治具２０には、貫通穴２４が形成されており、貫通穴１４が貫通穴２４と連通するように位置合わせされている。貫通穴１４は、このように絶縁材料１６と金属層１８とが形成された状態で、半田ボール４０を捕捉可能となる。球状の導電部材としての半田ボール４０は、球状の半田で形成されており、その直径は貫通穴１４の直径の最長部分（第１の面３０周辺の直径）よりも若干大きく形成されている。（なお、以後説明の便宜上、絶縁材料１６及び金属層１８については、図面上表示を省略する。）
【００３０】
次に、図２により、半田ボール４０を貫通穴１４に捕捉させる工程を説明する。まず、図１（ｃ）に示すように、半導体チップ１０を固定治具２０上に固定した状態（水平状態）で、半導体チップ１０及び固定治具２０の一端（図２（ａ）における右端）を所定角度θ上昇させると（矢印４４方向）図２（ａ）に示す状態となる。本実施形態では、θは１５°とする。そして、半導体チップ１０の第１の面３０上の高い位置（右端方面）から、多数の半田ボール４０を放出する。すると、半田ボール４０は第１の面３０を転がり、そのうちいくつかが貫通穴１４内に捕捉される。また、半導体チップ１０の第１の面３０側の圧力を、第２の面３２側の圧力よりも相対的に大きく制御している。本実施形態では第２の面３２側で空気を矢印４２方向に吸引することにより、第２の面３２側の圧力が第１の面３０側の圧力よりも小さくされている。このため、半田ボール４０が一旦貫通穴１４に捕捉されると、吸引力により矢印４２方向に付勢される。この状態で、貫通穴１４に捕捉されなかった半田ボール４０は、第１の面３０の低い位置（左端方面）へと流れていく。ただし、このままでは半田ボール４０が貫通穴１４に捕捉されずに第１の面３０上に残ることがあり得るので、固定治具２０をさらに上昇させる（矢印４４方向）。ここでは、さらに所定角度θ傾くように上昇させ、合計２θ（３０°）上昇させる。これにより、貫通穴１４に捕捉されずに第１の面３０に残った半田ボール４０も、第１の面３０の低い位置（左端方面）へと流れていく。不要な半田ボール４０が除去できた状態で、半導体チップ１０及び固定治具２０の一端（右端を）下降させて（矢印４６方向）、水平状態に戻す。なお、この状態においても、第２の面３２側における、矢印４２方向への空気の吸引は行われたままである。
【００３１】
次に、図３（ａ）に示すように、半導体チップ１０上の貫通穴１４に捕捉された半田ボール４０を溶融させる。半田ボール４０を溶融は、半導体チップ１０の第１の面３０側に加熱器４８を設けて行う。加熱器４８は、赤外線を使用したものである。加熱器４８で半導体チップ１０を加熱すれば、複数の貫通穴１４に設けた半田ボール４０を同時に溶融することができ、工程が簡単となる。そして、溶融した半田ボール４０の半田は、吸引された空気の吸引力及び自重により、貫通穴１４に流動され、図３（ｂ）に示すように、半田が貫通穴１４内に充填される。その後、空気の吸引を止め、加熱器４８を除去し、半導体チップ１０の冷却を行って、半田を凝固させることにより、接続端子４０が形成される。従って、以上の工程により、図３（ｃ）に示すような半導体装置１が形成される。
【００３２】
図５は、本発明の半導体装置１を積層させて形成された半導体装置３である。同図に示すように、半導体装置１の貫通穴１４に充填された半田ボール４０を重ね合わせて溶融させることにより、半田ボール４０による接続端子どうしが溶融接続されて、３段構成の半導体装置３が形成される。このようにして、複数の半導体装置１を積層し、上下の半導体チップ１０を半田ボール４０を介して電気的に接続することで、三次元実装の半導体装置が製造される。
【００３３】
上記実施形態の半導体装置及びその製造方法によれば、以下のような効果を得ることができる。
（１）上記実施形態では、半導体チップ１０に形成された貫通穴１４に半田ボール４０を充填させて接続端子を設けるため、半田ボール４０を貫通穴１４に捕捉させる。特に、貫通穴１４にはテーパ１５が形成されている。このため、テーパ１５により半田ボール４０を確実に貫通穴１４に捕捉させることができる。従って、貫通穴１４に半田ボール４０を充填させることが容易かつより確実になる。
【００３４】
（２）上記実施形態では、半田ボール４０を捕捉させるために、半導体チップ１０を傾斜させる。このため、半田ボール４０がより確実に貫通穴１４に捕捉される。
【００３５】
（３）上記実施形態では、導電部材は半田ボール４０である。このため、半導体チップ１０上をなめらかに転倒することができる。特に、上記実施形態では、半導体チップ１０を傾斜させるため、半導体チップ１０上に余分な半田ボール４０が残るといったことがなくなる。また、導電部材が半田ボール４０であるため、溶融も容易に行うことができる。
【００３６】
（４）上記実施形態では、第２の面３２側で空気を矢印４２方向に吸引することにより、第２の面３２側の圧力が第１の面３０側の圧力よりも小さく制御されている。このため、半田ボール４０が一旦貫通穴１４に捕捉されると、吸引力により矢印４２方向に付勢され、より確実に半田ボール４０が補足される。
【００３７】
なお、上記実施形態は以下のように変更してもよい。
上記実施形態では、半田ボール４０の溶融は加熱器４８で行ったが、図４に示すように、レーザビーム３８を照射して半田ボール４０を溶融させてもよい。即ち、レーザ加熱法によって、半田ボール４０を局所的に加熱する。これによれば、部分的に加熱することができるため、半導体チップ１０を高温に加熱することを防ぐことができる。このため、半導体チップ１０にダメージを与えることを防ぐことができる。なお、レーザビーム３８は、半田ボール４０を設ける側の第１の面３０側から照射してもよく、あるいは第２の面３２側から照射してもよい。第２の面３２側から照射する場合は、レーザビーム３８を貫通穴１４，２４を介して照射する。また、レーザビーム３８を、第１の面３０及び第２の面３２の両側から（同時又は順番に）照射してもよい。こうすれば、半田ボール４０の全体を均一に溶融させることができる。また、レーザビーム３８は、半田ボール４０を加熱する温度を設定して、その温度に達するようにパワーを制御してもよい。これによれば、半田ボール４０の溶融をより高精度に制御することができる。さらに、レーザビーム３８を複数の半田ボール４０に照射する際に、位相格子でレーザビーム３８を複数に分岐させて、半田ボール４０を一括して照射してもよい。これによれば、複数箇所に配置した半田ボール４０を一括処理できるので、生産性に優れる。
【００３８】
上記実施形態で使用した加熱器４８に代えて、温風、高温雰囲気（例えばＮ2のリフロー炉等）又は加熱した治具による接触等公知の加熱手段を使用してもよい。また、加熱器４８又は加熱手段は、半導体チップ１０の第１の面３０側に配置してもよく、又は第２の面３２側に配置してもよい。さらには、第１の面３０側及び第２の面３２側の両方に配置してもよい。
【００３９】
上記実施形態では、半導体チップ１０及び固定治具２０を所定角度θ傾けることで、半田ボール４０を貫通穴１４に捕捉させたが、図６に示すように、半導体チップ１０に振動を与えることにより捕捉させてもよい。即ち、同図に示すように、半導体チップ１０と水平方向である、矢印４５，４６方向に半導体チップ１０及び固定治具２０を振動させることにより、半田ボール４０を貫通穴１４に捕捉させる。この場合も、矢印４２方向に空気による吸引がされているため、半田ボール４０が貫通穴１４に捕捉されやすくなっている。さらに、半田ボール４０が貫通穴１４に捕捉された後に、矢印４５，４６方向に半導体チップ１０及び固定治具２０を振動させてもよい。これにより、捕捉されなかった半田ボール４０を半導体チップ１０上から除去することができる。図６による方法によれば、これによれば半導体チップ１０及び固定治具２０を傾斜させる必要がない。
【００４０】
上記実施形態では、図２（ａ）に示すように、半導体チップ１０及び固定治具２０の一端（右端）を所定角度θ上昇させるのみであったが、図７に示すように、他端（同図の左端）も上昇可能に設けてもよい。即ち、図２（ａ）に示す状態から、図７に示す状態に、半導体チップ１０及び固定治具２０を傾斜させることで、半田ボール４０が半導体チップ１０上を通る回数が増える。このため、より確実に半田ボール４０を貫通穴１４に捕捉させることができる。なおこの半導体チップ１０及び固定治具２０の両端の上昇及び下降の繰り返しは、数回繰り返すこととしてもよい。また、図２（ａ）の状態から、半導体チップ１０及び固定治具２０を水平に戻し、さらに半導体チップ１０及び固定治具２０の一端（右端）を所定角度θ下降させることにより、図７と同じ状態とするように構成してもよい。
【００４１】
上記実施形態では、図２（ａ）において、半導体チップ１０及び固定治具２０を所定角度θ傾けてから半田ボール４０を第１の面３０上の高い位置から放出させた。これに対して、予め第１の面３０上に半田ボール４０を適宜配置した上で、空気の矢印４２方向への吸引及び半導体チップ１０及び固定治具２０の傾斜を行ってもよい。
【００４２】
上記実施形態では、半導体チップ１０及び固定治具２０の所定角度θを１５°としたが、これに限られず、この角度は任意に設定してよい。また、上記実施形態では、半導体チップ１０及び固定治具２０を所定角度θ傾斜させ、さらに所定角度θ傾斜させたが、傾斜はこれを１回のみ、３段階以上、又は無段階移動としてもよい。
【００４３】
上記実施形態では、半導体装置として半導体チップ１０の例を説明したが、ウエハどうしの積層にこの技術を応用してもよい。また、半導体チップ１０の両面を能動面とした半導体装置を積層する際にこの技術を応用してもよい。
【００４４】
上記実施形態における貫通穴１４の形成方法は、限定されるものではなく、
他の方法によるものであってもよい。例えば、半導体チップ１０を貫通する細かい小孔を形成し、その小孔をウエットエッチングで拡大させることによって貫通穴を形成してもよい。
【００４５】
上記実施形態では、導電部材として、半田ボール４０を球状としたが、その他の形状でもよい。例えば、円盤状、略卵形状等、形成される貫通穴１４の形状との関連で、捕捉が可能なものであれば、形状は特に限定されない。また、導電部材（半田ボール）の大きさは、半導体チップ１０の厚さや、貫通穴１４の直径、積層する半導体チップ１０間の距離に応じて適宜変更してもよい。
【００４６】
上記実施形態では、導電部材を、半田ボール４０としているが、半田ボールとして、鉛を含まないハンダ（以下、鉛フリーハンダという）を使用してもよい。このことは他の実施の形態でも同様である。鉛フリーハンダとして、スズー銀（Ｓｎ−Ａｇ）系、スズ−ビスマス（Ｓｎ−Ｂｉ）系、スズ−亜鉛（Ｓｎ−Ｚｎ）系、あるいはスズ−銅（Ｓｎ−Ｃｕ）系の合金を使用してもよいし、これらの合金に、さらに銀、ビスマス、亜鉛、銅のうち少なくとも１つを添加してもよい。半田は鉛フリー半田を利用することが環境汚染防止などの観点から好ましい、ただし、鉛フリー半田に限定するものではなく、導電部材として利用可能な溶融金属に変更してもよい。
【００４７】
上記実施形態では、第２の面３２側で空気を吸引することにより、第２の面３２側の圧力を第１の面３０側の圧力よりも小さくするようにしたが、第２の面３２側の圧力を大気圧よりも減圧してもよい。また、第１の面３０側の圧力を大気圧よりも加圧してもよい。また、第２の面３２側の圧力を減圧するとともに、第１の面３０側の圧力を加圧してもよい。いずれのように制御しても、第２の面３２側の圧力を、第１の面３０側の圧力よりも相対的に小さくすることができる。
【００４８】
上記実施形態では、空気を吸引することで第２の面３２側の圧力を第１の面３０側の圧力よりも小さくするようにしたが、空気の吸引ないし第１，第２の面３０，３２の圧力の制御を全く行わなずに、上記各工程を行ってもよい。即ち、半田ボール４０を貫通穴１４に捕捉させるだけで、半導体チップ１０の第２の面３２側からの吸引を行わない。このようにすることで、上記実施形態の場合と比較すると、半田ボール４０を貫通穴１４への捕捉の確実性は多少落ちるが、吸引のための装置等を必要としないため、容易に実現可能である。なお、この場合、図２（ｂ）における半導体チップ１０及び固定治具２０のさらなる上昇の工程は、省略してもよい。特に、角度θの値が大きいときは、捕捉した半田ボール４０が貫通穴１４から落ちてしまう可能性があるからである。
【００４９】
上記実施形態では、図５に示すように、半導体装置１は能動面が同一方向に向くように積層されている。これに対して、能動面どうしが対向するように積層させてもよい。また、能動面とは反対の面（非能動面）どうしが対向するように積層させてもよい。さらには、様々な方向に向いた半導体装置を適宜積層させるものであってもよい。
【００５０】
（第２の実施形態）
以下、本発明を具体化した半導体装置及びその製造方法の第２の実施形態を図８に従って説明する。
【００５１】
図８（ａ）に示すように、半導体チップ５０は、半導体チップ１０と同様に貫通穴５４が設けられているが、貫通穴１４と異なり、第１の面３０から離れるに従って開口幅が広くなるようなテーパ５２が付されている。また、半導体チップ５０は、図示しない固定治具により固定支持されている。
【００５２】
ここで、半導体チップ５０の第１の面３０側の圧力は、第２の面３２側の圧力よりも相対的に小さく制御されている。本実施形態では第１の面３０側で空気を矢印５６方向に吸引することにより、第１の面３０側の圧力を第２の面３２側の圧力よりも小さくしている。この状態で、固定治具を下降させて（矢印６０方向）、半導体チップ５０を半田ボール４０が堆積された山（導電部材群）に接近させる。すると、半田ボール４０は、吸引力により矢印５６方向に引き上げられ、図８（ｂ）に示すように、貫通穴５４に捕捉される。この状態を保持したまま、半導体チップ５０及び固定治具を上方に移動させる（矢印６２方向）。そして、図８（ｃ）に示すように、半導体チップ５０を加熱器４８に接近させ、半田ボール４０を溶融させる。そして、溶融した半田ボール４０の半田は、吸引された空気の吸引力により、貫通穴５４に流動され、半田が貫通穴５４内に充填される。その後、空気の吸引を止め、加熱器４８を除去し、半導体チップ５０の冷却を行って、半田を凝固させることにより、接続端子４０が形成される。
【００５３】
上記実施形態の半導体装置及びその製造方法によれば、上記（１）及び（４）と同様の効果とともに以下のような効果を得ることができる。
（５）上記実施形態では、多数の半田ボール４０が堆積された山に半導体チップ５０を接近させ、吸引力により半田ボール４０を貫通穴５４に捕捉させることができる。このようにしても、半田ボール４０をより確実に貫通穴５４に捕捉させることができる。
【００５４】
（変更例）
なお、上記第１及び第２の実施形態は以下のように変更してもよい。
上記各実施形態では、半導体チップ１０，５０の貫通穴１４，５４には、テーパ１５，５２をそれぞれ設けたが、貫通穴の形状を以下のように変更してもよい。図９に示すように、半導体チップ７０には、貫通穴７２が形成されている。貫通穴７２は、半田ボール４０の直径よりも小さい小径部と、同半田ボール４０の直径よりも若干大きい大径部とから形成されている。小径部は、固定治具２０の貫通穴２４を介して空気が吸引されるとともに、大径部により半田ボール４０が捕捉されやすくなっている。
【００５５】
また、図１０に示すように、半導体チップ８０には、貫通穴８２が形成されている。貫通穴８２は、半導体チップ８０の面に対して略垂直な内壁面となっている。この場合は、上記各実施の形態と比較すると、半田ボール４０の貫通穴８２への捕捉の確実性が落ちるが、矢印４２方向に空気の吸引をしている限り、半田ボール４０を貫通穴８２上に誘導させることは可能となる。
【００５６】
（適用例）
図１１は、本発明を適用した半導体装置３が実装された回路基板９０を示す図である。回路基板９０は、マザーボードであってもよい。回路基板９０には、例えば、ガラスエポキシ基板やポリイミドフィルム等の有機系基板、あるいは液晶表示体基板等のガラス基板を用いることが一般的である。回路基板９０には、例えば銅等からなる配線パターン９２が所望の回路となるように形成されていて、それらの配線パターン９２と半導体装置３が電気的に接続されている。半導体装置３は、例えば外部端子９４が配線パターン９２に機械的にすることで回路基板９０に電気的に接続されてもよい。
【００５７】
そして、本発明を適用した半導体装置３を有する電子機器として、図１２にはノート型パーソナルコンピュータ１００、図１３には携帯電話２００がそれぞれ示されている。
【００５８】
【発明の効果】
従って、本発明によれば、容易に貫通穴に導電材料を設けることができる半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す説明図。
【図２】  同半導体装置の製造工程を示す説明図。
【図３】  同半導体装置の製造工程を示す説明図。
【図４】  同半導体装置の他の製造工程を示す説明図。
【図５】  同半導体装置を示す説明図。
【図６】  同半導体装置の他の製造工程を示す説明図。
【図７】  同半導体装置の他の製造工程を示す説明図。
【図８】  本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す説明図。
【図９】  本発明の別例に係る半導体装置を示す説明図。
【図１０】  本発明の別例に係る半導体装置を示す説明図。
【図１１】  本発明の実施の形態に係る半導体装置が実装された回路基板を示す図。
【図１２】  本発明の実施の形態に係る半導体装置を有する電子機器を示す図。
【図１３】  本発明の実施の形態に係る半導体装置を有する電子機器を示す図。
【符号の説明】
１，３  半導体装置
１０，７０，８０  半導体素子としての半導体チップ
１４，２４，５４，７２，８２  貫通穴
１５，５２  テーパ
４０  導電部材としての半田ボール
【図１】
0003951050.tif 000002
【図２】
0003951050.tif 000003
【図３】
0003951050.tif 000004
【図４】
0003951050.tif 000005
【図５】
0003951050.tif 000006
【図６】
0003951050.tif 000007
【図７】
0003951050.tif 000008
【図８】
0003951050.tif 000009
【図９】
0003951050.tif 000010
【図１０】
0003951050.tif 000011
【図１１】
0003951050.tif 000012
【図１２】
0003951050.tif 000013
【図１３】
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