(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
側面に形成される発光面を互いに逆向きにする配置と、該発光面を互いに対向させる配置を交互に繰り返して半導体発光チップを基板に搭載する工程と、
断面形状が上部は平坦で下方両側にくびれを有する橋脚形状のリフレクタケースの複数を、上部間で間隔を隔てて枠体に配列固定する工程と
リフレクタケースを配列固定した枠体を、前記半導体発光チップを搭載した基板に、リフレクタケースの橋脚の下端を、発光面を互いに逆向きに配置した半導体発光チップ間に位置させ、リフレクタケースの各くびれ内に半導体発光チップを収納して載置する工程と、
リフレクタケースを配列固定した枠体を、半導体発光チップを搭載した基板に載置した後、前記間隔から透光性の樹脂を充填して前記各くびれ内に収納された半導体発光チップを封止する工程と、
透光性の樹脂を充填した後、リフレクタケースの橋脚部およびリフレクタケース間の間隔部を切断して個別の半導体発光装置を形成する工程と、
からなることを特徴とする半導体発光装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、側面を発光させるように構成した半導体発光装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体発光装置は、一般的には発光面を実装基板に対して垂直方向に設定して実装されている。しかしながら、サイドビュ−形の表示装置等においては、半導体発光装置の発光面を実装基板に対して水平方向に設定することが必要になる場合がある。このような場合には、側面発光型の半導体発光装置が使用される。
【０００３】
図４は、上記のような側面発光型の半導体発光装置の一例を一部透視して示す斜視図である。図４において、半導体発光装置１は、基板２の表面に一対のリ−ド電極パタ−ン３、４を形成し、一方のリ−ド電極パタ−ン４の上面に半導体発光チップ５を搭載する。半導体発光チップ５は、他方のリ−ド電極パタ−ン３と金属線６にてワイヤ−ボンデングされる。
【０００４】
一対のリ−ド電極パタ−ン３、４、半導体発光チップ５、金属線６を不透光性の合成樹脂で形成されるリフレクタケ−ス８により覆う。このリフレクタケ−ス８には、一方の側面に開口部が設けられており、開口部内に透光性の合成樹脂７を充填する。半導体発光チップ５、金属線６は透光性の合成樹脂７により封止される。
【０００５】
図示しない接続端子から一対のリ−ド電極パタ−ン３、４に通電すると、半導体発光チップ５から出力光を発光する。この際の出力光は、背面および上部でリフレクタケ−ス８により反射され、透光性の合成樹脂７の端面、すなわち、半導体発光装置１の側面から実装基板と平行な矢視Ａ方向に発射される。
【０００６】
図５は、図４のような側面発光型の半導体発光装置１を多数連結した状態を示す断面図である。図５において、発光面が同一方向となるように基板２に一対のリ−ド電極パタ−ン３、４を形成し、一方のリ−ド電極パタ−ン４上に半導体発光チップ５を搭載し、他方のリ−ド電極パタ−ン３と金属線６にてワイヤ−ボンデングする。
【０００７】
次に、前記したようなリフレクタケ−ス８を同じ向きにして配置し、透光性の合成樹脂７を充填して、複数個連結した側面発光型の半導体発光装置１を形成する。続いて、透光性の合成樹脂７がリフレクタケ−ス８と接する矢視Ｘ１〜Ｘ４・・・の位置でレ−ザ等の適宜の手段により切断する。
【０００８】
従来においては、多数連結された半導体発光装置を透光性の合成樹脂がリフレクタケ−スと接する位置でそれぞれ切断して、個別の側面発光型の半導体発光装置が形成されていた。このため、切断位置がずれてリフレクタケ−ス８側に切断面が形成されてしまうと、図６の斜視図に示すように、半導体発光装置１の側面にリフレクタケ−スの残部８ａが付着する。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
このように、半導体発光装置１の側面にリフレクタケ−スの残部８ａが付着する場合には、半導体発光装置１の出力光が側面から有効に発射されないという問題があった。
【００１０】
本発明はこのような問題に鑑みてなされたものであり、出力光が側面から有効に発射されるような半導体発光装置の製造方法の提供を目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明の上記目的は、半導体発光装置の製造方法を、側面に形成される発光面を互いに逆向きにする配置と、該発光面を互いに対向させる配置を交互に繰り返して半導体発光チップを基板に搭載する工程と、
断面形状が上部は平坦で下方両側にくびれを有する橋脚形状のリフレクタケースの複数を、上部間で間隔を隔てて枠体に配列固定する工程と
リフレクタケースを配列固定した枠体を、前記半導体発光チップを搭載した基板に、リフレクタケースの橋脚の下端を、発光面を互いに逆向きに配置した半導体発光チップ間に位置させ、リフレクタケースの各くびれ内に半導体発光チップを収納して載置する工程と、
リフレクタケースを配列固定した枠体を、半導体発光チップを搭載した基板に載置した後、前記間隔から透光性の樹脂を充填して前記各くびれに収納された半導体発光チップを封止する工程と、
透光性の樹脂を充填した後、リフレクタケースの橋脚部およびリフレクタケース間の間隔部を切断して個別の半導体発光装置を形成する工程で構成することにより達成される。
【００１２】
このように、本発明においては、半導体発光チップを搭載した基板に載置したリフレクタケースで囲まれる空間に半導体発光チップの発光面を対向配置し、リフレクタケース間の上部間隙から透光性の樹脂を充填し、リフレクタケースの部分と透光性の樹脂の部分で切断して個別の半導体発光装置を形成している。このため、半導体発光装置の光を発射する側面にリフレクタケースの残部が付着することなく、出力光を側面から効果的に発射することができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図を参照して説明する。図２は本発明の実施の形態に係る半導体発光装置の製造に用いるリフレクタケ−スの配置を示す平面図、図１は図２の矢視Ｂ−Ｂ方向でみた概略の断面図である。図２において、平面視矩形状の枠体２０には複数のリフレクタケ−ス１８ａ〜１８ｆが配置されている。
【００１４】
このリフレクタケース１８ａ〜１８ｆは、図１に示すように断面形状が上部は平坦面で下方両側にくびれを有する橋脚形状としており、枠体および各リフレクタケース間には、図示のようなリフレクタケースのくびれ部による空間部Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３、Ｄ４・・・が形成されている。また、上部平坦面には、リフレクタケースと枠体間および隣接するリフレクタケース間に形成した間隙（以下、開口部という。）２１ａ、２１ｂ、・・・２１ｇが形成されている。
【００１５】
基板１２に一対のリ−ド電極パタ−ン１３、１４を形成し、一方のリ−ド電極パタ−ン１４の上面に半導体発光チップ１５を搭載する。また、半導体発光チップ１５は、他方のリ−ド電極パタ−ン１３と金属線１６にてワイヤ−ボンデングされる。
【００１６】
このような半導体発光チップを、図１のＣ１のエリアとＣ２のエリアでは発光面を互いに逆向きに、また、Ｃ２のエリアとＣ３のエリアでは発光面を互いに対向させて配置する。以下同様に、発光面を互いに逆向きにする配置と発光面を互いに対向させる配置を交互に繰り返して各半導体発光チップを配置する。
【００１７】
縦方向および横方向にマトリックス状に所定数の半導体発光チップを前記のようにして基板上に搭載した後に、図２の枠体およびリフレクタケ−スを当該基板に載置する。次に、前記開口部２１ａ〜２１ｇから透光性の合成樹脂１７を充填する。このようにして、各半導体発光チップ１５と金属線１６は透光性の合成樹脂１７により封止される。続いて、複数連結されている半導体発光装置を図１のＹ１〜Ｙ４の位置で切断して個別の半導体発光装置１１を形成する。
【００１８】
図３は、図２の枠体２０およびリフレクタケ−ス１８ａ〜１８ｆ間の開口部２１ａ〜２１ｇから透光性の合成樹脂１７を充填した後に、個別の半導体発光装置１１を形成するために、レ−ザ等により切断する際の切断位置を具体的に示す平面図である。
【００１９】
図３において、Ｙａ〜Ｙｊは図示縦方向の切断線で、Ｚａ〜Ｚｇは図示横方向の切断線である。また、Ｙａ、Ｙｊ、Ｚａ、Ｚｇの切断線は枠体２０を除去する切断線である。縦方向の切断線は、透光性の合成樹脂１７が充填された開口部２１ａ〜２１ｇと、リフレクタケ−ス１８ａ〜１８ｆの位置で交互に形成されてる。このように、縦方向および横方向にマトリックス状に切断線を形成することにより、多数の半導体発光装置を迅速に得ることができる。
【００２０】
図１、図３に示すように、本発明においては半導体発光装置の発光面を互いに対向配置して、リフレクタケ−スに充填された透光性の合成樹脂の部分、すなわち発光面となる部分と、リフレクタケ−スの部分で切断して個別の半導体発光装置を形成している。このため、発光面にリフレクタケ−スの残部が付着することがなく、出力光を側面から効果的に発射することができる。
【００２１】
【発明の効果】
以上説明したように本発明の半導体発光装置の製造方法は、半導体発光チップが発する光を出力する出力面側では、リフレクタケースを切断することなく透光性の樹脂の部分を切断するので、半導体発光チップが発する光を出力する出力面に、リフレクタケースの残部や切断粉が付着せず、その残部や切断粉を取り除く作業を省略することができ、その出力面から効果的に光を発射する半導体発光装置の生産性を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態に係る半導体発光装置の製造において、個別の半導体発光装置を得る際の切断位置を示す断面図である。
【図２】本発明の実施の形態に係る半導体発光装置の製造に用いる枠体とリフレクタケ−スの配置を示す平面図である。
【図３】図２の配置に対する切断線を示す平面図である。
【図４】側面発光型の半導体発光装置の一例を示す斜視図である。
【図５】従来例の個別の半導体発光装置を得る際に形成される切断位置を示す断面図である。
【図６】従来例の半導体発光装置の斜視図である。
【符号の説明】
１１    半導体発光装置
１２    基板
１３、１４  一対の電極パタ−ン
１５    半導体発光チップ
１６    金属線
１７    透光性の合成樹脂
１８ａ〜１８ｆ    リフレクタケ−ス
２０    枠体
２１ａ〜２１ｇ  開口部
【図１】
0003868675.tif 000002
【図２】
0003868675.tif 000003
【図３】
0003868675.tif 000004
【図４】
0003868675.tif 000005
【図５】
0003868675.tif 000006
【図６】
0003868675.tif 000007