(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にバンプが配列された検査対象物の該バンプの幾何学量を計測し、その計測値に基づいて良否判定を行うバンプ外観検査方法において、
該検査対象物上のサンプル領域につき該バンプの幾何学量を計測する第１ステップと、
該第１ステップで計測した値に基づいて該基板上のバンプの幾何学量分布を推定する第２ステップと、
該幾何学量分布に基づいて検査領域を決定する第３ステップと、
該検査領域について、該良否判定を行うために該バンプの幾何学量を計測する第４ステップと、
を有することを特徴とするバンプ外観検査方法。
【請求項２】
上記基板は、チップ領域が配列された半導体ウェーハであり、
上記幾何学量が所定範囲外のバンプが存在するチップ領域を不良と判定する、
ことを特徴とする請求項１記載のバンプ外観検査方法。
【請求項３】
上記幾何学量は、上記バンプの高さ、直径又は体積の１つを含むことを特徴とする請求項１記載のバンプ外観検査方法。
【請求項４】
上記第２ステップでは、上記検査対象物上を複数の領域に分割し、分割された各領域について上記幾何学量を推定する、
ことを特徴とする請求項１記載のバンプ外観検査方法。
【請求項５】
上記第２ステップでは、上記計測した幾何学量の推定値を面上の点の高さで表し、
上記第３ステップでは、該高さが設定範囲内であるかどうかに基づいて上記検査領域を決定する、
ことを特徴とする請求項１記載のバンプ外観検査方法。
【請求項６】
上記第２ステップでは、上記計測した幾何学量の局所的平均及び標準偏差を求め、求めたこれらの値から上記分割された複数の領域の各々について該幾何学量の局所的平均及び標準偏差の分布を推定し、
上記第３ステップでは、該分布に基づいて上記検査領域を決定する、
ことを特徴とする請求項４記載のバンプ外観検査方法。
【請求項７】
上記第２ステップでは、上記計測した幾何学量の局所的最大値及び最小値を求め、求めたこれらの値から上記分割された複数の領域の各々について該幾何学量の局所的最大値及び最小値を推定し、
上記第３ステップでは、該分布に基づいて上記検査領域を決定する、
ことを特徴とする請求項４記載のバンプ外観検査方法。
【請求項８】
上記第１ステップで、計測した幾何学量に局所的平均値からのずれが所定値以上のものが含まれていた場合には含まれていない場合よりも、上記第３ステップにおいて検査密度を高くする、
ことを特徴とする請求項１記載のバンプ外観検査方法。
【請求項９】
上記検査領域と検査結果とのデータを蓄積する第５ステップをさらに有し、
上記第３ステップでは、蓄積された該データに基づいて検査密度を定める、
ことを特徴とする請求項１記載のバンプ外観検査方法。
【請求項１０】
上記第５ステップでは、上記バンプの形成条件により上記データを分類し、
上記第３ステップでは、該分類されたデータ毎に、上記蓄積されたデータに基づいて上記検査密度を定める、
ことを特徴とする請求項９記載のバンプ外観検査方法。
【請求項１１】
上記第５ステップにおける上記バンプの形成条件は、該バンプの表面に被着する鍍金の鍍金槽である、
ことを特徴とする請求項１０記載のバンプ外観検査方法。
【請求項１２】
上記第３ステップでは、上記決定された検査領域をその周辺部まで拡大することにより、上記検査密度を高くする、
ことを特徴とする請求項８乃至１１のいずれか１つに記載のバンプ外観検査方法。
【請求項１３】
上記第３ステップでは、検査領域を一部含むチップ領域を検査領域に含めることにより上記検査密度を高くする、
ことを特徴とする請求項８乃至１１のいずれか１つに記載のバンプ外観検査方法。
【請求項１４】
上記第３ステップでは、上記幾何学量が設定範囲内であるかどうかに基づいて上記検査領域を決定し、該設定範囲を変えることにより上記検査密度を変える、
ことを特徴とする請求項８乃至１１のいずれか１つに記載のバンプ外観検査方法。
【請求項１５】
上記第３ステップで決定された検査領域を除いた領域に対して抜き取り検査を行うことにより、上記検査密度を高くする、
ことを特徴とする請求項８乃至１１のいずれか１つに記載のバンプ外観検査方法。
【請求項１６】
基板上にバンプが配列された検査対象物の該バンプの幾何学量を計測する計測装置と、
該基板上でのバンプの配列データが格納される記憶装置と、
該データを参照し該計測装置に対し該検査対象物上のサンプル領域につき該バンプの幾何学量を計測させ、その計測値に基づいて該基板上のバンプの幾何学量分布を推定し、該幾何学量分布に基づいて検査領域を決定し、該データを参照し該計測装置に対し該検査領域について該バンプの幾何学量を計測させ、その計測値に基づいて良否判定を行う処理装置と、
を有することを特徴とするバンプ外観検査装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、バンプ外観検査方法及び装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＬＳＩチップの表面にバンプを配列接合したフリップチップでは、そのバンプ頂部を基板上に接合することにより、高密度実装が可能である。バンプの高さに差があると、基板に接合したときに接合不足や未接合の不良が生じ、バンプの直径が大き過ぎると、隣り合うバンプとショートする不良が生ずる。これらの不良は、フリップチップを基板に実装した後に電気試験で検出することができるが、実装前に外観検査で検出した方が好ましい。
【０００３】
そこで、検査対象にレーザ光を照射し、その反射光をセンサで受け、三角測量等の原理でバンプの高さ、直径又は体積等のうち１つあるいは複数を計測し、良否判定を行う外観検査装置が用いられている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、チップ上にはバンプが数千個配列されているので、チップ形成時間に対するバンプ外観検査時間の割合が大きい。特に、図２１（Ａ）に示す如くウェーハ１０上にチップ領域１１が多数形成され、チップに分割する前に各チップ領域１１上に、図１９（Ｂ）に示す如くバンプ１２を配列接合したものに対し、バンプ１２の外観検査を行う場合には、検査の高速化が要求される。
【０００５】
本発明の目的は、このような問題点に鑑み、検査効率向上により検査を高速化することが可能なバンプ外観検査方法及び装置を提供することにある。
【０００６】
基板上にバンプが配列された検査対象物の該バンプの幾何学量を計測し、その計測値に基づいて良否判定を行うバンプ外観検査方法において、
（１）該検査対象物上のサンプル領域につき該バンプの幾何学量を計測し、
（２）ステップ（１）で計測した値に基づいて該基板上のバンプの幾何学量分布を推定し、
（３）該幾何学量分布に基づいて検査領域を決定し、
（４）該検査領域について、該良否判定を行うために該バンプの幾何学量を計測する、
ステップを有する。
【０００７】
このバンプ外観検査方法によれば、サンプル領域のバンプの幾何学量を計測して、不良が含まれると推定される検査領域を限定し、この検査領域のみについてバンプの検査を行うので、効率の良い高速検査が可能となるという効果を奏する。
請求項２のバンプ外観検査方法では、請求項１において、
上記基板は、チップ領域が配列された半導体ウェーハであり、
上記幾何学量が所定範囲外のバンプが存在するチップ領域を不良と判定する。
【０００８】
このバンプ外観検査方法によれば、検査対象の面積が広いので特に効果的であり、ウェーハから切り離された個々のフリップチップを検査する場合よりも検査効率が向上するという効果を奏する。
請求項３のバンプ外観検査方法では、請求項１において、上記幾何学量は、上記バンプの高さ、直径又は体積の１つを含む。
【０００９】
請求項４のバンプ外観検査方法では、請求項１において例えば図１１に示す如く、上記ステップ（２）では、上記検査対象物上を複数の領域に分割し、分割された各領域について上記幾何学量を推定する。
このバンプ外観検査方法によれば、この分割を行わない場合よりも正確にバンプの幾何学量分布を推定することができ、検査の信頼性が向上するという効果を奏する。
【００１０】
請求項５のバンプ外観検査方法では、請求項１において例えば図７に示す如く、上記ステップ（２）では、上記計測した幾何学量の推定値を面上の点の高さで表し、
上記ステップ（３）では、該高さが設定範囲内であるかどうかに基づいて上記検査領域を決定する。
【００１１】
請求項６のバンプ外観検査方法では、請求項４において例えば図１８（Ａ）に示す如く、上記ステップ（２）では、上記計測した幾何学量の局所的平均及び標準偏差を求め、求めたこれらの値から上記分割された複数の領域の各々について該幾何学量の局所的平均及び標準偏差の分布を推定し、
上記ステップ（３）では、該分布に基づいて上記検査領域を決定する。
【００１２】
請求項７のバンプ外観検査方法では、請求項４において例えば図１８（Ｂ）に示す如く、上記ステップ（２）では、上記計測した幾何学量の局所的最大値及び最小値を求め、求めたこれらの値から上記分割された複数の領域の各々について該幾何学量の局所的最大値及び最小値を推定し、
上記ステップ（３）では、該分布に基づいて上記検査領域を決定する。
【００１３】
請求項８のバンプ外観検査方法では、請求項１において例えば図１９に示す如く、上記ステップ（１）で、計測した幾何学量に局所的平均値からのずれが所定値以上のものが含まれていた場合には含まれていない場合よりも、上記ステップ（３）において検査密度を高くする。
このバンプ外観検査方法によれば、検査密度を一律に高くする場合よりも、検査の信頼性を高く維持しつつ検査効率を高くすることができるという効果を奏する。
【００１４】
請求項９のバンプ外観検査方法では、請求項１において例えば図１及び図５に示す如く、
（５）上記検査領域と検査結果とのデータを蓄積するステップをさらに有し、
上記ステップ（３）では、蓄積された該データに基づいて検査密度を定める。
このバンプ外観検査方法によれば、検査密度を一律に高くする場合よりも、検査の信頼性を高く維持しつつ検査効率を高くすることができるという効果を奏する。
【００１５】
請求項１０のバンプ外観検査方法では、請求項９において例えば図９に示す如く、上記ステップ（５）では、上記バンプの形成条件により上記データを分類し、
上記ステップ（３）では、該分類されたデータ毎に、上記蓄積されたデータに基づいて上記検査密度を定める。
【００１６】
請求項１１のバンプ外観検査方法では、請求項１０において、上記バンプの形成条件は、該バンプの表面に被着する鍍金の鍍金槽である。
請求項１２のバンプ外観検査方法では、請求項８乃至１１のいずれか１つにおいて例えば図１５に示す如く、上記ステップ（３）では、上記決定された検査領域をその周辺部まで拡大することにより、上記検査密度を高くする。
【００１７】
このバンプ外観検査方法によれば、容易かつ効果的に検査密度を高くすることができるという効果を奏する。
請求項１３のバンプ外観検査方法では、請求項８乃至１１のいずれか１つにおいて例えば図１６に示す如く、上記ステップ（３）では、検査領域を一部含むチップ領域を検査領域に含めることにより上記検査密度を高くする。
【００１８】
このバンプ外観検査方法によれば、容易かつ効果的に検査密度を高くすることができるという効果を奏する。
請求項１４のバンプ外観検査方法では、請求項８乃至１１のいずれか１つにおいて、上記ステップ（３）では、上記幾何学量が設定範囲内であるかどうかに基づいて上記検査領域を決定し、該設定範囲を変えることにより上記検査密度を変える。
【００１９】
請求項１５のバンプ外観検査方法では、請求項８乃至１１のいずれか１つにおいて例えば図１７に示す如く、上記ステップ（３）で決定された検査領域を除いた領域に対して抜き取り検査を行うことにより、上記検査密度を高くする。
請求項１６のバンプ外観検査装置では、例えば図１及び図５に示す如く、基板上にバンプが配列された検査対象物の該バンプの幾何学量を計測する計測装置と、
該基板上でのバンプの配列データが格納される記憶装置と、
該データを参照し該計測装置に対し該検査対象物上のサンプル領域につき該バンプの幾何学量を計測させ、その計測値に基づいて該基板上のバンプの幾何学量分布を推定し、該幾何学量分布に基づいて検査領域を決定し、該データを参照し該計測装置に対し該検査領域について該バンプの幾何学量を計測させ、その計測値に基づいて良否判定を行う処理装置とを有する。
【００２０】
【発明の実施の形態】
以下、図面に基づいて本発明の実施形態を説明する。
［第１実施形態］
図１は、バンプ外観検査装置の概略構成を示す。
検査対象物としてのウェーハ１０は、Ｘ−Ｙ−Ｚステージ２０上にθステージ２１を介して搭載されている。ウェーハ１０には、図２１（Ａ）に示す如く多数のチップ領域１１が形成され、図１９（Ｂ）に示すように各チップ領域１１上にバンプ１２が配列形成されている。ウェーハ１０の上方には、光走査装置３０及び高さ検出装置４０が配置され、これらは使用時に固定されている。
【００２１】
光走査装置３０では、レーザ３１から放射された光ビームがＡＯＤ（音響光学偏向器）３２で紙面垂直方向に走査され、リレーレンズ３３、３４及び対物レンズ３５を通ってウェーハ１０上で紙面垂直方向に走査される。すなわち、図２に示す如く、ＡＯＤ３２でレーザ光が方向ＣＷに走査され、光路Ｌ１からＬ２へ、光路Ｌ２からＬ３へと変化して、ウェーハ１０上で光スポットが図示Ｘ方向に走査される。
【００２２】
高さ検出装置４０では、ウェーハ１０上で反射された光束が対物レンズ４１及び結像レンズ４２を通ってＰＳＤ（光位置検出器）４３の受光面に結像される。ＰＳＤ４３の一端及び他端から出力される電流Ｉ１及びＩ２はそれぞれ、増幅器５０及び５１により電圧に変換され且つ増幅される。増幅器５０及び５１の出力はそれぞれ、Ａ／Ｄ変換器５２及び５３でデジタル値Ｄ１及びＤ２に変換されて、高さ・明るさ演算回路５４に供給される。高さ・明るさ演算回路５４は、ウェーハ１０上の光スポットの明るさＢ＝（Ｄ１＋Ｄ２）及び規格化された高さＨ＝（Ｄ１−Ｄ２）／（Ｄ１＋Ｄ２）を演算する。
【００２３】
ここで、ＡＯＤ３２が非動作状態のときに、光走査装置３０によりウェーハ１０上に形成される光スポットの軌跡が例えば図３中のＬになるように、処理装置５５はステージ駆動回路５６を介してＸ−Ｙ−Ｚステージ２０を駆動する。処理装置５５は、ＡＯＤ駆動回路５７を介してＡＯＤ３２を駆動する。ＡＯＤ３２を駆動したときの光スポットの主走査方向は、副走査の軌跡Ｌに垂直なＸ方向である。Ｘ−Ｙ−Ｚステージ２０の位置及びＡＯＤ駆動回路５７の出力信号に含まれる光走査位置情報がそれぞれ、ステージ駆動回路５６及びＡＯＤ駆動回路５７からアドレス計算回路５８へ供給される。アドレス計算回路５８はこれらの値に基づき高さＨの格納アドレスを算出して、メモリ５９をアドレス指定する。このアドレスに、高さ・明るさ演算回路５４からの高さＨが書き込まれる。
【００２４】
処理装置５５は、高さ・明るさ演算回路５４からの明るさＢが所定値になるようにレーザ３１の光出力を制御し、高さ検出装置４０への入射光の強度が低くて明るさＢを該所定値にすることができない時には、メモリ５９をディセイブル状態にする。
メモリ５９は、例えば記憶領域ＭＡとＭＢとに分けられ、両領域の一方へ高さＨがＤＭＡ転送され、これと並列して両領域の他方のデータが処理装置５５で処理され、該一方と該他方とが交互に切り換えられる。
【００２５】
記憶装置６０には、バンプ情報ファイル６１及び検査情報ファイル６２が格納されている。バンプ情報ファイル６１は、ＣＡＤデータから抽出されたバンプ配列の情報と、バンプの材料やバンプに鍍金を被着する時に使用される鍍金槽の番号などのバンプ形成条件とを含んでいる。処理装置５５は、バンプ情報ファイル６１からバンプ配列情報を読み込み、これに基づいてステージ駆動回路５６及びＡＯＤ駆動回路５７を駆動する。
【００２６】
処理装置５５には、キーボードやマウス等の入力装置と、表示装置とからなるコンソール６３が接続されている。
図４（Ａ）において、ウェーハ１０の表面に形成されたパッド１３１〜１３４上にそれぞれバンプ１２１〜１２４が接合されている。ＡＯＤ３２でバンプ１２１〜１２４上に光が走査されて高さＨがメモリ５９に格納されると、図４（Ｂ）に示すような高さＨの分布がメモリ５９内に得られる。１２１Ｔ〜１２４Ｔはそれぞれバンプ１２１〜１２４の頂部の高さを示している。この光走査の前に、ウェーハ１０の基材表面に形成された３箇所以上の不図示のマーク、パッド又は配線の高さが上記同様にして測定され、基材表面Ｓが図４（Ｃ）に示す如く決定される。基材表面Ｓからの頂部１２１Ｔ〜１２４Ｔの高さｈ１〜ｈ４が処理装置５５で求められる。
【００２７】
次に、図５を参照して、処理装置５５による検査手順を説明する。以下、括弧内は図中のステップ識別符号である。
（Ｓ１）コンソール６３の表示装置に、多数のチップ領域１１が形成された図６に示すような検査対象のウェーハ１０を表示させる。操作者は、コンソール６３の入力装置を操作してこのウェーハ１０上に、サンプル領域を設定する。図６中には、ハッチングが施された帯状のクロスしているサンプル領域ＳＡ及びＳＢが示されている。
【００２８】
（Ｓ２）不図示の搬送装置でウェーハ１０が搬送されてθステージ２１上に搭載されたことを検出すると、ステップＳ３へ進む。
（Ｓ３）設定されたサンプル領域内をＸ−Ｙ−Ｚステージ２０及びＡＯＤ３２で走査しながら、上述のようにバンプの高さを測定する。
（Ｓ４）測定結果から、ウェーハ１０上のすべてのバンプの高さ分布を推定する。
【００２９】
すなわち、サンプル領域内の各局所領域、例えばチップ領域毎に、バンプ高さの平均値ＨＭを求め、これを図７に示す如く、最小二乗法で決定した直線ＬＡで近似する。図７中の×印は、この平均値を示し、○は、高さがこの平均値のバンプを示している。図６のサンプル領域ＳＢについても同様に近似直線を求め、両直線を通る平面ＰＬでウェーハ１０上のバンプ高さ分布を推定する。
【００３０】
（Ｓ５）図７に示す如く、近似平面ＰＬが、予め定められた上限値ＵＬ１より高い部分及び予め定められた下限値ＬＬ１より低い部分の領域を、検査領域と決定する。これら検査領域は、例えば図８に示す点線で仕切られた領域となる。
上限値ＵＬ１及び下限値ＬＬ１は例えば、ウェーハ全面検査での不良検出率と、上限値ＵＬ１及び下限値ＬＬ１を設定して得られた検査領域での不良検出率との比がほぼ１になり、かつ、検査領域ができるだけ狭くなるように決定される。
【００３１】
（Ｓ６）検査領域のみを走査してバンプ高さを測定し、チップ領域内に所定範囲外の高さＨのバンプが１つでも見つかれば、そのチップ領域が不良であると判定する。
（Ｓ７）サンプル領域、検査領域及び検査結果を検査情報として検査情報ファイル６２に保存する。
【００３２】
検査情報ファイル６２には検査情報が蓄積され、検査の信頼性を高めると共に検査効率を高めるために、統計解析を行う。例えば、バンプ１２の表面に鍍金が被着されている場合にはその鍍金の鍍金槽番号も検査情報ファイル６２に保存する。そして、この番号毎に図９に示す如く、検査領域のチップ数に対する不良チップ数の割合である不良率の平均値を求める。
【００３３】
（Ｓ８）次の検査対象のウェーハ１０について、バンプ情報ファイル６１から情報を読み込み、検査情報ファイル６２に蓄積された情報を参照して、検査密度を更新すべきかどうかを判定する。ここに検査密度とは、ウェーハ１０上の全チップ領域に対する検査領域の割合又は局所的なバンプ領域に対する検査領域の割合である。
【００３４】
例えば図９において、平均不良率が設定値Ｒ０以上であれば、更新要と判定する。また、検査領域の境界線上のチップ数に対する不良チップ数が設定値以上であれば、更新要と判定する。
（Ｓ９）更新要と判定した場合にはステップＳ１０へ進み、更新不要と判定した場合にはステップＳ１１へ進む。
【００３５】
（Ｓ１０）検査領域の決定がより適正になるように、検査密度を更新する。例えば図９において、平均不良率が設定値Ｒ０以上であれば、図７の上限値ＵＬ１と下限値ＬＬ１との間を狭くすることにより、検査密度を高くする。
（Ｓ１１）ウェーハ１０上からウェーハが排出されるのを待って、ステップＳ２へ進む。
【００３６】
本第１実施形態によれば、不良が含まれると推定される領域を検査領域と決定し、検査領域のみについてバンプ高さを測定し良否判定するので、効率の良い高速検査が可能となる。また、検査情報ファイル６２に蓄積された情報を活用することにより、より適正な検査領域を決定することができ、検査の信頼性が確保される。
【００３７】
［第２実施形態］
本発明の第２実施形態では、図１０において、サンプル領域ＳＡを領域Ａ１とＡ２とＡ３とに分割し、その各々について図１１に示す如く、バンプ高さを直線ＬＡ１、ＬＡ２及びＬＡ３で近似する。サンプル領域ＳＢについても同様に領域Ｂ１とＢ２とＢ３とに分割し、その各々についてバンプ高さを直線で近似する。そして、図１０中の点線で区切られた各領域のバンプ高さを、これらの直線が通る平面で近似する。
【００３８】
他の点は、上記第１実施形態と同一である。
本第２実施形態によれば、第１実施形態の場合よりも正確にバンプ高さ分布を推定することができ、検査の信頼性が向上する。
［第３実施形態］
図１２は、本発明の第３実施形態のサンプル領域ＳＣの取り方を示している。
【００３９】
ウェーハ１０上が点線で分割され、その各領域にサンプル領域ＳＣが設定され、サンプル領域ＳＣに基づいてこれを含む分割領域の高さが推定される。
他の点は、上記第１実施形態と同一である。
［第４実施形態］
図１３は、本発明の第４実施形態のサンプル領域の取り方を示している。
【００４０】
ウェーハ１０上の中央部のサンプル領域ＳＤ１と、その周りのリング状のサンプル領域ＳＤ２とが設定される。図１４に示す如く、各局所領域、例えばチップ領域毎のバンプ平均高さＨＭを通る曲線又は折れ線ＬＣで、サンプル領域ＳＤ２内のバンプ高さが近似される。サンプル領域ＳＤ１でのバンプ平均高さの点を中心とし、この点と近似線ＬＣ上の点とを通る直線を、両点を通るように回転させて得られる面で、ウェーハ１０上のバンプ高さが推定される。図１３中の点線は、この直線の一部を示している。
【００４１】
他の点は、上記第１実施形態と同一である。
［第５実施形態］
本発明の第５実施形態では、図１５に示す如く、図５のステップＳ５で決定された検査領域の境界線が図１５に示す点線であった場合にこのステップＳ５においてさらに、検査領域をその周辺部まで拡大して、一点鎖線を境界線とする。
【００４２】
この拡大は、図５のステップＳ９で、検査密度更新要と判定されたときに行うようにしてもよい。
他の点は、上記第１実施形態と同一である。
［第６実施形態］
本発明の第６実施形態では、図５のステップＳ５で決定された検査領域の境界線が図１６に示す点線であった場合にこのステップＳ５においてさらに、点線で示す検査領域の境界線が含まれるチップ領域まで、検査領域を拡大する。
【００４３】
この拡大は、図５のステップＳ９で、検査密度更新要と判定されたときに行うようにしてもよい。
他の点は、上記第１実施形態と同一である。
［第７実施形態］
本発明の第７実施形態では、図５のステップＳ５で決定された検査領域の境界線が図１７に示す点線であった場合にこのステップＳ５においてさらに、図１５と同様に検査領域を拡大してこの境界線を一点鎖線までずらし、次に図１６の場合と同様に、この一点鎖線が含まれるチップ領域まで検査領域を拡大している。さらに、非検査領域についてもハッチングを施したチップ領域で抜き取り検査を行うことにより、検査の信頼性を向上させている。
【００４４】
この拡大は、図５のステップＳ９で、検査密度更新要と判定されたときに行うようにしてもよい。また、上記のように拡大された検査領域では、例えばバンプ１２の１ライン毎にバンプ高さを測定して、すなわち局所的検査密度を小さくして、他の検査領域よりも検査を高速化してもよい。さらに、拡大前の検査領域についても、例えば図７において近似平面ＰＬの（ＵＬ１＋ＬＬ１）／２からのずれが大きいほど局所的検査密度が高くなるようにしてもよい。
【００４５】
他の点は、上記第１実施形態と同一である。
［第８実施形態］
本発明の第８実施形態では、図１８（Ａ）に示す如く、サンプル領域内の各局所領域、例えば各チップ領域について、平均高さＨＭと標準偏差σとを求め、（ＨＭ＋σ）と（ＨＭ−σ）の近似面を図１０に示す各分割領域について求め、（ＨＭ＋σ）又は（ＨＭ−σ）の面がそれぞれ予め設定された上限値ＵＬ２以上又は下限値ＬＬ２以下であれば検査領域と決定する。
【００４６】
図１８（Ｂ）は図１８（Ａ）の変形例であり、サンプル領域内の各局所領域、例えば各チップ領域について、バンプ高さの最大値ＨＭmaxと最小値ＨＭminとを求め、上記同様にしてＨＭmaxの近似面及びＨＭminの近似面を求め、これらがそれぞれ予め設定された上限値ＵＬ３以上又は下限値ＬＬ３以下であれば検査領域と決定する。
【００４７】
他の点は、上記第１実施形態と同一である。
［第９実施形態］
本発明の第９実施形態では、図１９に示す如く、サンプル領域内の各局所領域、例えば各チップ領域でのバンプ高さの平均値ＨＭの近似直線ＬＤからのずれΔＨＭが所定値以上である場合に、図５のステップＳ５において、例えば上記のように検査領域を拡大し、又は、上限値ＵＬ１と下限値ＬＬ１との間を狭めることにより、そうでない場合よりも検査密度を高くして、検査の信頼性を向上させる。
【００４８】
他の点は、上記第１実施形態と同一である。
［第１０実施形態］
一般に、バンプ１２の高さと直径との間には正の相関関係があるので、バンプの高さを測定する替わりにバンプの直径を測定し、この直径を上記高さの替わりに用いることにより、上記同様の処理を行ってもよい。
【００４９】
図２０（Ａ）に示す如くバンプ１２及びその付近に対し、レーザビームを、ＡＯＤ３２で紙面垂直方向へ主走査しながらＸ−Ｙ−Ｚステージ２０で左右方向に副走査し、この際、明るさＢを２値化し、これをメモリ５９に書き込むことにより、図２０（Ｂ）に示すような明暗像が得られる。バンプ直径２ｒは、この像から計測される。
【００５０】
なお、本発明には外にも種々の変形例が含まれる。
例えば、バンプの高さと直径との両方を測定し、直径の平方と高さとの積に比例した値をバンプ１２の体積と近似し、この体積を上記高さの替わりに用いることにより、上記同様の処理を行ってもよい。また、バンプの高さ又は直径の３乗に比例した値を、バンプ１２の体積と近似してもよい。
【００５１】
検査対象は、フリップチップ領域が形成されたウェーハに限定されず、ウェーハから切り離された個々のフリップチップであってもよい。
ライン
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態のバンプ外観検査装置概略構成を示す図である。
【図２】図１中の光走査装置の光路説明図である。
【図３】Ｘ−Ｙ−Ｚステージによる副走査の軌跡とＡＯＤによる主走査の方向とを示す図である。
【図４】（Ａ）〜（Ｃ）はバンプ高さ測定方法説明図である。
【図５】バンプ外観検査手順を示す概略フローチャートである。
【図６】ウェーハ上のサンプル領域を示す図である。
【図７】バンプ高さの近似直線及び検査領域判定方法の説明図である。
【図８】ウェーハ上の検査領域を示す図である。
【図９】鍍金槽毎の検査領域での不良率を示す棒グラフである。
【図１０】本発明の第２実施形態の、サンプル領域の分割と高さ推定領域の分割とを示す図である。
【図１１】本発明の第２実施形態の、図７に対応した図である。
【図１２】本発明の第３実施形態のサンプル領域及び分割された高さ推定領域を示す図である。
【図１３】本発明の第４実施形態のサンプル領域及び高さ推定面の説明図である。
【図１４】図１３のリング状サンプル領域におけるバンプ高さ近似曲線を示す図である。
【図１５】本発明の第５実施形態の検査領域拡大説明図である。
【図１６】本発明の第６実施形態の検査領域拡大説明図である。
【図１７】本発明の第７実施形態の検査領域拡大説明図である。
【図１８】（Ａ）は本発明の第８実施形態の検査領域決定説明図であり、（Ｂ）はその変形例を示す図である。
【図１９】本発明の第９実施形態の、サンプル領域における高さ異常値を示す図である。
【図２０】本発明の第９実施形態の反射光明るさ分布説明図であり、（Ａ）はバンプに対する光走査説明図、（Ｂ）は（Ａ）の場合の反射光明るさ分布を２値化した図である。
【図２１】（Ａ）はチップ領域が形成されたウェーハの平面図であり、（Ｂ）はチップ領域上のバンプ配列図である。
【符号の説明】
１０  ウェーハ
１１  チップ領域
１２、１２１〜１２４  バンプ
２０  Ｘ−Ｙ−Ｚステージ
３０  光走査装置
３１  レーザ
３２  ＡＯＤ
４０  高さ検出装置
４３  ＰＳＤ
５４  高さ・明るさ演算回路
５５  処理装置
５９  メモリ
６１  バンプ情報ファイル
６２  検査情報ファイル
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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