(57)【要約】      （修正有）【課題】直流重畳特性の向上とノイズ吸収効果との両立を図ることが可能な積層インピーダンス素子を提供する。【解決手段】積層インピーダンス素子は、磁性フェライトを含有する複数の磁性体層９が積層されてなる素体２と、複数の磁性体層９のうち隣り合う一対の磁性体層９間において、素体２の一対の第二側面２ｅ，２ｆ間を延びている内部導体３と、を備えている。内部導体３は、その一部のみが素体２の第一側面２ｃ，２ｄに露出している。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁性フェライトを含有する複数の磁性体層が積層されてなる素体と、
前記複数の磁性体層のうち隣り合う一対の磁性体層間において、前記素体の一対の側面間を延びている内部導体と、を備え、
前記内部導体は、その一部のみが前記素体における前記一対の側面以外の側面に露出している、積層インピーダンス素子。
【請求項２】
前記素体は、直方体形状を呈し、
前記内部導体は、前記一対の側面が対向している第一方向に沿うように延びている導体部分と、前記第一方向と交差する第二方向に沿うように延びている導体部分とを有し、
前記第一方向に沿うように延びている前記導体部分は、前記一対の側面を連結するように延びている側面に露出し、
前記第二方向に沿うように延びている前記導体部分は、前記素体内に位置している、請求項１に記載の積層インピーダンス素子。
【請求項３】
前記素体は、直方体形状を呈し、
前記内部導体は、
前記一対の側面のうち一方の側面に露出している一端を有する第一導体部分と、
前記一対の側面のうち前記一方の側面に対向している側面に露出している一端を有する第二導体部分と、
前記第一導体部分の他端に接続されている一端を有し、前記第一導体部分と交差する方向に延びている第三導体部分と、
前記第二導体部分の他端に接続されている一端を有し、前記第三導体部分が延びている方向に延びている第四導体部分と、
前記第三導体部分の他端と前記第四導体部分の他端とに接続されている第五導体部分と、を有し、
前記第五導体部分は、前記一対の側面を連結するように延びている側面に露出し、
前記第三導体部分と前記第四導体部分とは、前記素体内に位置している、請求項１に記載の積層インピーダンス素子。
【請求項４】
前記第一導体部分と前記第二導体部分とは、前記第五導体部分が露出している前記側面に対向している側面に露出している、請求項３に記載の積層インピーダンス素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、積層インピーダンス素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁性フェライトを含有する複数の磁性体層が積層されてなる素体と、素体の同一層内において、素体の一対の側面間を延びている内部導体と、を備えている積層インピーダンス素子（積層ビーズインダクタ）が知られている（たとえば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平０６−０６１０８４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
積層インピーダンス素子において、直流重畳特性の向上のために、磁性体層の透磁率よりも低い透磁率を有する低透磁率領域が内部導体に接している構成を採用することが考えられる。低透磁率領域は、磁気ギャップとして機能する。このため、たとえば、磁性体層の全面にわたって低透磁率領域が配置されていると、積層インピーダンス素子は開磁路構造となり、直流重畳特性が向上する。
【０００５】
しかしながら、低透磁率領域が素体に存在していると、ノイズ吸収効果に関し、以下の問題点が生じることが判明した。
【０００６】
積層インピーダンス素子のインピーダンス（Ｚ）は、リアクタンス（Ｘ）成分とレジスタンス（Ｒ）成分との合成抵抗として表される。積層インピーダンス素子のインピーダンスの周波数特性は、リアクタンス成分とレジスタンス成分とが等しくなる周波数（Ｒ−Ｘクロスポイント）よりも低周波領域ではリアクタンス成分が支配的であり、Ｒ−Ｘクロスポイントよりも高周波領域ではレジスタンス成分が支配的である。レジスタンス成分は、ノイズのエネルギーを熱に変換することで、ノイズを吸収する。すなわち、積層インピーダンス素子では、Ｒ−Ｘクロスポイントよりも高周波領域でノイズ吸収効果が得られる。
【０００７】
素体に低透磁率領域が存在していると、積層インピーダンス素子の実効透磁率が低下してしまう。このため、Ｒ−Ｘクロスポイントが高周波側にシフトし、ノイズ吸収効果が得られる周波数帯域が狭くなってしまう。たとえば、磁性体層の全面にわたって低透磁率領域が配置されていると、実効透磁率が大きく低下し、Ｒ−Ｘクロスポイントがより高周波側にシフトしてしまう。
【０００８】
本発明は、直流重畳特性の向上とノイズ吸収効果との両立を図ることが可能な積層インピーダンス素子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明に係る積層インピーダンス素子は、磁性フェライトを含有する複数の磁性体層が積層されてなる素体と、複数の磁性体層のうち隣り合う一対の磁性体層間において、素体の一対の側面間を延びている内部導体と、を備え、内部導体は、その一部のみが素体における上記一対の側面以外の側面に露出している。
【００１０】
本発明に係る積層インピーダンス素子では、内部導体の一部のみが上記一対の側面以外の側面に露出しているので、内部導体の長さ方向において、部分的ではあるが、開磁路が形成される領域が存在する。これにより、磁気飽和の発生が抑制され、直流重畳特性を向上することができる。
【００１１】
内部導体の一部のみが上記一対の側面以外の側面に露出しているので、たとえば、内部導体の長さ方向全体にわたって側面に露出している構成に比して、積層インピーダンス素子の実効透磁率の低下が抑制される。したがって、Ｒ−Ｘクロスポイントの高周波側へのシフトが抑制され、ノイズ吸収効果が得られる周波数帯域が狭くなるのを抑制することができる。
【００１２】
素体は、直方体形状を呈し、内部導体は、一対の側面が対向している第一方向に沿うように延びている導体部分と、第一方向と交差する第二方向に沿うように延びている導体部分とを有し、第一方向に沿うように延びている導体部分は、一対の側面を連結するように延びている側面に露出し、第二方向に沿うように延びている導体部分は、素体内に位置していてもよい。この場合、内部導体の一部のみが上記一対の側面以外の側面に露出している構成を簡易に実現することができる。
【００１３】
素体は、直方体形状を呈し、内部導体は、一対の側面のうち一方の側面に露出している一端を有する第一導体部分と、一対の側面のうち上記一方の側面に対向している側面に露出している一端を有する第二導体部分と、第一導体部分の他端に接続されている一端を有し、第一導体部分と交差する方向に延びている第三導体部分と、第二導体部分の他端に接続されている一端を有し、第三導体部分が延びている方向に延びている第四導体部分と、第三導体部分の他端と第四導体部分の他端とに接続されている第五導体部分と、を有し、第五導体部分は、上記一対の側面を連結するように延びている側面に露出し、第三導体部分と第四導体部分とは、素体内に位置していてもよい。この場合、内部導体の長さが、たとえば、内部導体が直線状である構成に比して、長くなるため、インダクタンスが高くなる。この結果、インピーダンスを高めることできる。また、内部導体の一部のみが上記一対の側面以外の側面に露出している構成を簡易に実現することができる。
【００１４】
第一導体部分と第二導体部分とは、第五導体部分が露出している側面に対向している側面に露出していてもよい。この場合、第五導体部分だけでなく、第一導体部分と第二導体部分とにおいて開磁路が形成されるので、磁気飽和の発生が更に抑制され、直流重畳特性をより一層向上することができる。また、素体内に位置する第三導体部分と第四導体部分との長さが、たとえば、第一導体部分と第二導体部分とが上記側面に露出していない構成に比して、大きくなるので、積層インピーダンス素子の実効透磁率の低下が更に抑制される。したがって、Ｒ−Ｘクロスポイントの高周波側へのシフトが更に抑制され、ノイズ吸収効果が得られる周波数帯域が狭くなるのをより一層抑制することができる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、直流重畳特性の向上とノイズ吸収効果との両立を図ることが可能な積層インピーダンス素子を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の一実施形態に係る積層インピーダンス素子を示す斜視図である。
【図２】図１におけるII−II線に沿った断面構成を説明するための図である。
【図３】素体の構成を示す分解斜視図である。
【図４】内部導体を示す平面図である。
【図５】内部導体の一変形例を示す平面図である。
【図６】内部導体の別の変形例を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、添付図面を参照して、本発明の実施形態について詳細に説明する。なお、説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には、同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。
【００１８】
図１〜図４を参照して、本実施形態に係る積層インピーダンス素子１の構成を説明する。図１は、本実施形態に係る積層インピーダンス素子を示す斜視図である。図２は、図１におけるII−II線に沿った断面構成を説明するための図である。図３は、素体の構成を示す分解斜視図である。図４は、内部導体を示す平面図である。
【００１９】
積層インピーダンス素子１は、図１〜図３に示されるように、素体２と、素体２に配置されている内部導体３と、素体２の両端部にそれぞれ配置されている一対の端子電極４，５と、を備えている。直方体形状には、角部及び稜線部が面取りされている直方体の形状、及び、角部及び稜線部が丸められている直方体の形状が含まれる。積層インピーダンス素子１は、いわゆる積層チップビーズである。
【００２０】
素体２は、直方体形状を呈しており、その外表面として、互いに対向している略長方形状の一対の主面２ａ，２ｂと、互いに対向している一対の第一側面２ｃ，２ｄと、互いに対向している一対の第二側面２ｅ，２ｆと、を有している。一対の第二側面２ｅ，２ｆが対向している方向が第一方向Ｄ１であり、一対の第一側面２ｃ，２ｄが対向している方向が第二方向Ｄ２である。本実施形態では、第一方向Ｄ１は、素体２の長手方向である。第二方向Ｄ２は、素体２の幅方向であり、第一方向Ｄ１と直交している。第一方向Ｄ１と第二方向Ｄ２とは、一対の主面２ａ，２ｂが対向している方向（以下、「一対の主面２ａ，２ｂの対向方向」と称する。）と直交している。
【００２１】
一対の第一側面２ｃ，２ｄは、一対の主面２ａ，２ｂを連結するように一対の主面２ａ，２ｂの対向方向に延びている。一対の第一側面２ｃ，２ｄは、第一方向Ｄ１（一対の主面２ａ，２ｂの長辺方向）にも延びている。一対の第二側面２ｅ，２ｆは、一対の主面２ａ，２ｂを連結するように一対の主面２ａ，２ｂの対向方向に延びている。一対の第二側面２ｅ，２ｆは、第二方向Ｄ２（一対の主面２ａ，２ｂの短辺方向）にも延びている。
【００２２】
素体２は、図３に示されるように、一対の主面２ａ，２ｂの対向方向に複数の磁性体層９が積層されて構成されている。素体２では、複数の磁性体層９が積層されている方向（以下、「磁性体層９の積層方向」と称する。）が、一対の主面２ａ，２ｂの対向方向と一致する。各磁性体層９は、磁性フェライト（たとえば、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ−Ｍｇ系フェライト、Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト、又はＮｉ−Ｃｕ系フェライトなど）を含む磁性体グリーン層の焼結体から構成される。すなわち、各磁性体層９は、磁性フェライトを含有している。実際の素体２では、各磁性体層９は、各磁性体層９の間の境界が視認できない程度に一体化されている。
【００２３】
内部導体３は、複数の磁性体層９のうち隣り合う一対の磁性体層９間において、素体２の一対の側面間を延びている。本実施形態では、内部導体３は、一対の第二側面２ｅ，２ｆの間を延びている。内部導体３は、図４に示されるように、第一導体部分１１、第二導体部分１３、第三導体部分１５、第四導体部分１７、及び第五導体部分１９を有している。第一導体部分１１、第二導体部分１３、第三導体部分１５、第四導体部分１７、及び第五導体部分１９は、複数の磁性体層９のうち隣り合う一対の磁性体層９間に位置している。
【００２４】
内部導体３（第一導体部分１１、第二導体部分１３、第三導体部分１５、第四導体部分１７、及び第五導体部分１９）は、積層型の電子部品として通常用いられる導電性材料（たとえば、銀、銅、又はニッケルなど）からなる。内部導体３は、上記導電性材料を含む導電性ペーストからなる膜（導電性ペースト膜）の焼結体として構成される。
【００２５】
第一導体部分１１は、素体２の第二側面２ｅに露出している一端を有している。第一導体部分１１は、第一方向Ｄ１に沿うように延びている。第一導体部分１１は、第一方向Ｄ１に沿う長さ方向にわたって第一側面２ｄに露出するように配置されている。すなわち、第一導体部分１１は、第一側面２ｄに露出し、かつ、第一方向Ｄ１に沿うように延びている端面を有している。第一導体部分１１は、第二側面２ｅと第一側面２ｄとに露出している。
【００２６】
第二導体部分１３は、素体２の第二側面２ｆに露出している一端を有している。第二導体部分１３は、第一導体部分１１と同様に、第一方向Ｄ１に沿うように延びている。第二導体部分１３は、第一方向Ｄ１に沿う長さ方向にわたって第一側面２ｄに露出するように配置されている。すなわち、第一導体部分１１は、第一側面２ｄに露出し、かつ、第一方向Ｄ１に沿うように延びている端面を有している。第二導体部分１３は、第二側面２ｆと第一側面２ｄとに露出している。
【００２７】
第三導体部分１５は、第一導体部分１１の他端に接続されている一端を有しており、素体２内に位置している。第三導体部分１５は、第一導体部分１１と交差する方向に延びている。本実施形態では、第三導体部分１５は、第二方向Ｄ２に沿うように延びている。第三導体部分１５は、素体２内に位置している。
【００２８】
第四導体部分１７は、第二導体部分１３の他端に接続されている一端を有しており、素体２内に位置している。第四導体部分１７は、第二導体部分１３と交差する方向に延びている。本実施形態では、第四導体部分１７は、第三導体部分１５と同様に、第二方向Ｄ２に沿うように延びている。第四導体部分１７は、素体２内に位置している。
【００２９】
第五導体部分１９は、第三導体部分１５の他端と第四導体部分１７の他端とに接続されている。すなわち、第五導体部分１９は、第三導体部分１５の他端に接続されている一端と、第四導体部分１７の他端に接続されている他端とを有している。第五導体部分１９は、第一方向Ｄ１に沿うように延びている。第五導体部分１９は、第一方向Ｄ１に沿う長さ方向にわたって第一側面２ｃに露出するように配置されている。すなわち、第五導体部分１９は、第一側面２ｃに露出し、かつ、第一方向Ｄ１に沿うように延びている端面を有している。第五導体部分１９は、第一側面２ｃに露出している。
【００３０】
端子電極４は、第一方向Ｄ１に見て、素体２における第二側面２ｅ側の端部に位置している。端子電極４は、素体２の第二側面２ｅの全面を覆い、かつ、第二側面２ｅと隣り合う一対の主面２ａ，２ｂ及び一対の第一側面２ｃ，２ｄの一部を覆うように形成されている。すなわち、端子電極４は、五つの面２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄ，２ｅに形成されている。
【００３１】
端子電極５は、第一方向Ｄ１に見て、素体２における第二側面２ｆ側の端部に位置している。端子電極５は、素体２の第二側面２ｆの全面を覆い、かつ、第二側面２ｆと隣り合う一対の主面２ａ，２ｂ及び一対の第一側面２ｃ，２ｄの一部を覆うように形成されている。すなわち、端子電極５は、五つの面２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄ，２ｆに形成されている。
【００３２】
端子電極４は、第一導体部分１１の一端の第二側面２ｅに露出した部分をすべて覆っており、第一導体部分１１の一端と直接的に接続されている。端子電極５は、第二導体部分１３の一端の第二側面２ｆに露出した部分をすべて覆っており、第二導体部分１３の一端と直接的に接続されている。これにより、内部導体３は、端子電極４と端子電極５とに電気的に接続される。本実施形態では、第一側面２ｄにおいて、第一導体部分１１の一部が端子電極４から露出しており、第二導体部分１３の一部が端子電極５から露出している。
【００３３】
端子電極４，５は、導電性金属粉末及びガラスフリットなどを含む導電性ペーストを素体２の外表面に付与し、焼き付けることによって形成されている。端子電極４，５の上にめっき層が形成されていてもよい。
【００３４】
以上のように、本実施形態では、内部導体３の一部のみ（第一導体部分１１、第二導体部分１３、及び第五導体部分１９）が一対の第二側面２ｅ，２ｆ以外の第一側面２ｃ，２ｄに露出しているので、内部導体３の長さ方向において、部分的ではあるが、開磁路が形成される領域が存在する。これにより、積層インピーダンス素子１にて磁気飽和の発生が抑制され、直流重畳特性を向上することができる。
【００３５】
内部導体３の一部のみが第一側面２ｃ，２ｄに露出している。したがって、積層インピーダンス素子１では、たとえば、内部導体３の長さ方向全体にわたって第一側面２ｃに露出している積層インピーダンス素子に比して、実効透磁率の低下が抑制される。このため、積層インピーダンス素子１では、Ｒ−Ｘクロスポイントの高周波側へのシフトが抑制され、ノイズ吸収効果が得られる周波数帯域が狭くなるのを抑制することができる。
【００３６】
素体２は、直方体形状を呈している。一対の第二側面２ｅ，２ｆは、互いに対向している。内部導体３は、第一方向Ｄ１に沿うように延びている第一導体部分１１、第二導体部分１３、及び第五導体部分１９と、第二方向Ｄ２に沿うように延びている第三導体部分１５及び第四導体部分１７とを有している。第一導体部分１１及び第二導体部分１３は、一対の第二側面２ｅ，２ｆを連結するように延びている第一側面２ｄに露出し、第五導体部分１９は、一対の第二側面２ｅ，２ｆを連結するように延びている第一側面２ｃに露出している。第三導体部分１５及び第四導体部分１７は、素体２内に位置している。この場合、内部導体３の一部のみが第一側面２ｃ，２ｄに露出している構成を簡易に実現することができる。
【００３７】
内部導体３は、第一導体部分１１、第二導体部分１３、第三導体部分１５、第四導体部分１７、及び第五導体部分１９を有している。これにより、積層インピーダンス素子１では、内部導体３の長さが、たとえば、内部導体が直線状である積層インピーダンス素子に比して、長くなるため、積層インピーダンス素子１のインダクタンスが高くなる。この結果、積層インピーダンス素子１のインピーダンスを高めることできる。
【００３８】
積層インピーダンス素子１では、上述したように、第五導体部分１９だけでなく、第一導体部分１１と第二導体部分１３とにおいて開磁路が形成されるので、磁気飽和の発生が更に抑制され、直流重畳特性をより一層向上することができる。また、積層インピーダンス素子１では、素体２内に位置する第三導体部分１５と第四導体部分１７との長さが、たとえば、第一導体部分１１と第二導体部分１３とが第一側面２ｄに露出していない積層インピーダンス素子に比して、大きくなるので、実効透磁率の低下が更に抑制される。したがって、Ｒ−Ｘクロスポイントの高周波側へのシフトが更に抑制され、ノイズ吸収効果が得られる周波数帯域が狭くなるのをより一層抑制することができる。
【００３９】
ここで、積層インピーダンス素子１の製造過程について説明する。
【００４０】
まず、積層された複数の磁性体グリーン層と、内部導体３となる導電性ペースト膜と、を備える積層体を準備する（積層体準備工程）。磁性体グリーン層は、磁性フェライトを含有している。導電性ペースト膜は、その一部のみが積層体の外表面に露出している。
【００４１】
積層体は、印刷工法又はシート工法により得られた積層グリーン基板をチップ状に切断することにより得られる。得られた積層体をバレル研磨し、積層体の稜部を丸めてもよい。導電性ペースト膜は、たとえば、磁性体グリーン層に導電性ペーストを所定のパターンで印刷することにより形成できる。切断予定線を跨るように導電性ペースト膜を形成しておくことにより、積層グリーン基板を切断して得られる積層体において、導電性ペースト膜の一部のみが積層体の外表面に露出する。印刷工法又はシート工法は、本技術分野の当業者にとって周知であり、詳細な説明は省略する。
【００４２】
次に、積層体からバインダ樹脂を除去した後、バインダ樹脂が除去された積層体を焼成する（焼成工程）。この焼成により、素体２が得られる。すなわち、磁性体グリーン層から磁性体層９が形成され、導電性ペースト膜から内部導体３が形成される。磁性体グリーン層の焼結収縮率は、導電性ペースト膜の焼結収縮率よりも小さい。
【００４３】
次に、素体２の外表面に導電性ペーストを付与して、熱処理を施すことにより導電性ペーストを素体２に焼付けて、端子電極４，５を形成する（端子電極形成工程）。導電性ペーストは、たとえばＣｕを主成分とする金属粉末にガラスフリット及び有機ビヒクルを混合したものを用いることができる。金属粉末は、Ｎｉ、Ａｇ−Ｐｄ、又はＡｇを主成分とするものであってもよい。
【００４４】
導電性ペーストを焼き付けて形成した電極の上にめっきを施してもよい。めっきは、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｎｉ−Ｓｎ合金、Ｓｎ−Ａｇ合金、又はＳｎ−Ｂｉ合金などの金属めっきを施すことができる。金属めっきは、たとえば、Ｎｉ層とＮｉ層上に形成されたＳｎ層とからなる２層構造などの２層以上が形成された複数層構造としてもよい。
【００４５】
これらの過程により、上述した積層インピーダンス素子１が得られる。
【００４６】
積層体が焼成される際、磁性体グリーン層の焼結収縮率と導電性ペースト膜の焼結収縮率との差により、磁性体層９が内部導体３に引っ張られる方向に、磁性体層９に内部応力が生じる。この内部応力により、磁性体層９の実効透磁率が低下し、Ｒ−Ｘクロスポイントが高周波側にシフトするおそれがある。
【００４７】
本製造過程では、導電性ペースト膜における積層体の外表面に露出している部分は、磁性体グリーン層に接することはないため、積層体が焼成される際に生じる上記内部応力が低減される。したがって、得られた積層インピーダンス素子１において、磁性体層９の実効透磁率の低下が抑制され、Ｒ−Ｘクロスポイントの高周波側へのシフトを抑制することができる。
【００４８】
以上、本発明の実施形態について説明してきたが、本発明は必ずしも上述した実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で様々な変更が可能である。
【００４９】
内部導体３の形状は、上述した実施形態に示された形状に限られない。たとえば、図５に示されるように、第一導体部分１１、第二導体部分１３、及び接続部分２３を有していてもよい。接続部分２３は、第一導体部分１１の他端と第二導体部分１３の他端とに接続されている。接続部分２３は、第一及び第二導体部分１１，１３と交差する方向に延びている。本変形例では、接続部分２３は、第二方向Ｄ２に沿うように延びている。接続部分２３は、第一方向Ｄ１と第二方向Ｄ２とに交差する方向に沿うように延びていてもよい。接続部分２３は、素体２内に位置している。
【００５０】
第一導体部分１１は、第二側面２ｅと第一側面２ｄとに露出している。第二導体部分１３は、第二側面２ｆと第一側面２ｃとに露出している。本変形例では、第一側面２ｄにおいて、第一導体部分１１の一部が端子電極４から露出しており、第一側面２ｃにおいて、第二導体部分１３の一部が端子電極５から露出している。
【００５１】
図５に示された変形例では、内部導体３における素体２内に位置している部分の長さが、上述した実施形態に示された構成に比して小さい。したがって、上述した実施形態に示された構成では、図５に示された変形例よりも、積層インピーダンス素子１のインダクタンスが高くなる。
【００５２】
第一導体部分１１、第二導体部分１３、及び第五導体部分１９の全てが、素体２の外表面に露出している必要はない。たとえば、図６に示されるように、第五導体部分１９のみが、素体２の外表面（第一側面２ｃ）に露出していてもよい。この場合、第一導体部分１１及び第二導体部分１３は、第一側面２ｄには露出しない。
【００５３】
図６に示された変形例では、内部導体３における素体２の外表面に露出している部分の長さが、上述した実施形態に示された構成に比して小さい。したがって、上述した実施形態に示された構成では、図６に示された変形例よりも、磁気飽和の発生が抑制され、直流重畳特性を向上することができる。
【００５４】
素体２の第一側面２ｃ，２ｄは、絶縁性を有する非磁性材料（たとえば、ガラス材料又は樹脂材料など）で覆われていてもよい。この場合、内部導体３における素体２の外表面に露出している部分（第一導体部分１１、第二導体部分１３、又は第五導体部分１９）が、他の電子機器の導体部分と接触するのを防ぐことができる。
【００５５】
内部導体３の数は、上述した実施形態及び変形例に示された数、すなわち一つに限られない。積層インピーダンス素子１は、複数の内部導体３を備えていてもよい。複数の内部導体３は、必ずしも同じ一対の磁性体層９の間に位置している必要はない。複数の内部導体３は、それぞれ異なる一対の磁性体層９の間に位置していてもよい。積層インピーダンス素子１が複数の内部導体３を備えている場合、少なくとも一つの内部導体３の一部のみが、第一側面２ｃ又は第一側面２ｄに露出していればよい。
【符号の説明】
【００５６】
１…積層インピーダンス素子、２…素体、２ｃ，２ｄ…第一側面、２ｅ，２ｆ…第二側面、３…内部導体、９…磁性体層、１１…第一導体部分、１３…第二導体部分、１５…第三導体部分、１７…第四導体部分、１９…第五導体部分、Ｄ１…第一方向、Ｄ２…第二方向。
【図１】
2016171160.tif 000003
【図２】
2016171160.tif 000004
【図３】
2016171160.tif 000005
【図４】
2016171160.tif 000006
【図５】
2016171160.tif 000007
【図６】
2016171160.tif 000008