(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気記録媒体に信号を記録する記録ヘッドと、前記磁気記録媒体に記録された前記信号を再生する磁気抵抗効果型の再生ヘッドとを備える磁気ヘッドの評価方法において、
前記再生ヘッドに再生電流を印加し、かつ前記記録ヘッドに記録電流を印加する第１の状態を得るステップと、
前記第１の状態において前記信号の再生又は前記磁気ヘッドの外部から前記磁気ヘッドに印加された信号磁場の再生によって得られた第１の再生出力を検出し、前記第１の再生出力に基づいて磁気ヘッドを評価するステップと、
前記再生ヘッドに再生電流を印加せず、かつ前記記録ヘッドに記録電流を印加する第２の状態を得るステップと、
前記第２の状態において前記信号の再生又は前記磁気ヘッドの外部から前記磁気ヘッドに印加された信号磁場の再生によって得られた第２の再生出力を検出し、前記第２の再生出力に基づいて磁気ヘッドを評価するステップと、
前記第１の再生出力と前記第２の再生出力に基づいて、前記第１の状態における前記再生ヘッドの磁区状態に対する前記第２の状態における前記再生ヘッドの磁区状態の変化を示す値を算出するステップと、
前記算出された値に基づいて前記磁気ヘッドを評価するステップとを含む磁気ヘッドの評価方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１の再生出力を検出するステップは、前記第１の状態において前記信号の再生又は前記磁気ヘッドの外部から前記磁気ヘッドに印加された信号磁場の再生によって得られた複数の第１の再生出力を検出し、前記複数の第１の再生出力の平均値を第１の平均値として算出するステップであり、
前記第２の再生出力を検出するステップは、前記第２の状態において前記信号の再生又は前記磁気ヘッドの外部から前記磁気ヘッドに印加された信号磁場の再生によって得られた複数の第２の再生出力を検出し、前記複数の第２の再生出力の平均値を第２の平均値として算出するステップであり、
前記再生ヘッドの磁区状態の変化を示す値を算出するステップは、前記第１の平均値と前記第２の平均値に基づいて、前記磁区状態の変化を示す値を算出するステップである
ことを特徴とする磁気ヘッドの評価方法。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記第１と第２の再生出力は、該再生出力の再生波形振幅値の非対称性で表されることを特徴とする磁気ヘッドの評価方法。
【請求項４】
請求項１又は２において、
前記第１と第２の再生出力は、該再生出力の再生波形の振幅値で表されることを特徴とする磁気ヘッドの評価方法。
【請求項５】
請求項１又は２において、
前記第１と第２の再生出力は、該再生出力の再生波形の半値幅で表されることを特徴とする磁気ヘッドの評価方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、磁気記憶装置用薄膜磁気ヘッドの評価、特に磁気記録媒体に書き込まれた信号を読み取る時の再生波形の安定性又は外部から磁気ヘッドに印加される信号磁場を読み取る時の再生波形の安定性を評価する時に用いる磁気記憶装置用薄膜磁気ヘッドの評価方法、及びその評価装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、磁気記憶装置は小型化や大容量化が要求されている。これら要求を満たす方法の１つとして記録媒体への記憶容量を増加させる方法があり、そのためには記録密度を向上させることは不可欠な要素である。記録密度を向上させる方法の一つとして磁気記録媒体に記録されるトラック数、つまりトラック密度を増加させる方法が挙げられる。トラック密度を増加させる為にはトラック幅を狭くすることが必須である。
【０００３】
しかし、トラック幅を狭くすることは磁気記録媒体からの信号磁場の大きさが小さくなることであり、再生信号の出力が小さくなることになる。そのため、磁気記録媒体に記録された信号を再生する方法として、強磁性体の薄膜による磁気抵抗効果を利用した磁気抵抗効果型磁気ヘッド（Ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ  Ｈｅａｄ  以下ＭＲヘッドと称す）を用いる方法が広く使用されている。
【０００４】
ＭＲヘッドにはバルクハウゼンノイズと呼ばれる磁性膜特有のノイズ現象がある。このノイズはＭＲ膜の中に存在する複数の磁区構造の変化に起因するノイズである（例えば、記録電流に因る記録磁場の影響、ＭＲ素子部への再生電流の印加有無に因る影響によって、ＭＲ膜の当初設定した磁区構造に変化を生じてこれが原因でノイズとなるものであって、記録媒体からの漏洩磁場による影響とは異なるものである）。この複数の磁区構造の存在は、バルクハウゼンノイズの発生と共に再生出力（振幅）の変動や再生波形の変動の発生も引き起こす。
【０００５】
記録時に記録ヘッドに記録電流を印加した際に発生する記録磁場の大きさは、記録ギャップでは数千×７９Ａ／ｍ（数千エルステッド）、ＭＲ素子部では、数十〜数百×７９Ａ／ｍ（数十〜数百エルステッド）になる。この様な磁場がＭＲ素子部（例えば、軟磁性膜、分離膜、ＭＲ膜などから構成されるもの）に印加された場合、その前後でＭＲ素子部の磁区状態が変化する場合がある。ＭＲ素子部の磁区状態が変化すると、前記したバルクハウゼンノイズの発生や再生出力・再生波形の変化等が生じてしまい、再生出力・再生波形の変化が激しい場合、検出データを誤って認識してしまう場合が生じる。
【０００６】
この様な磁区構造の変化の抑制方法については、数多くの検討がなされているが、ＭＲヘッドは、膜厚数〜数十ｎｍの薄膜を積層した構造であり、生産された全てのヘッドについて、磁区変化を完全に抑制することは非常に困難である。またＭＲ素子部が磁気記憶装置内で経年変化を生じて磁区構造の変化を生じることも考えられる。
【０００７】
磁気記憶装置内で磁気ヘッドの磁区構造が変化し、再生波形に変動が生じた場合、その様な現象を観察して、一時的に直流の記録電流を記録ヘッドに流すことによりＭＲ素子部の磁区構造を制御し、再生波形の変動が無い状態にする方法も提案されている（例えば、特開平７−１３４８０４号公報）。
【０００８】
しかし、磁気記憶装置内に搭載された複数の磁気ヘッドのそれぞれに対して、磁区構造制御に必要な最適な記録電流を決定し、磁気記憶装置搭載時に適用することは困難である。また、この様な対処法で必ずしも最適な磁区構造に制御できるとは限らず、その場合には、設定された初期状態の磁区構造とは大きく異なった磁区構造となった磁気ヘッドについては使用が不可能になってしまう。更に、この様な対処法を磁気記憶装置内で行った場合には、情報の記録再生動作時間が増加し、磁気記憶装置の性能を低下させることになる。
【０００９】
よって、生産されたＭＲヘッドを磁気記憶装置内に搭載する前に、磁区構造変化に伴う再生波形の変動の有無を効果的に検出し、磁気記憶装置が保証する寿命期間内に装置動作に影響を与える様な再生波形変動が起きないことを確認する検査を行うことが非常に重要である。
【００１０】
再生波形を定量的に表す方法としては、再生波形の振幅値、再生波形振幅値の非対称性、再生波形の半値幅等が従来使用されている。再生波形の変動を定量的に表す方法としては、これらの量を記録再生を数十〜数百回繰り返して測定し、その測定値の変動を調べる方法が行われてきた。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、複数の磁気ヘッドを搭載している磁気記憶装置の以下のような動作状況によっては、磁気ヘッドの磁区構造の変化を加速させる場合がある。例えば、磁気記録媒体に情報を記録している際、つまり記録ヘッドに記録電流を流している時、通常はＭＲ素子部には再生電流が通電されている状態から、意図的に瞬間的に再生電流を途切らせるような場合がある。
【００１２】
前述した様に、記録ヘッドに記録電流を印加している際、ＭＲ素子部には洩れによる記録磁場が印加されている。またＭＲヘッドはその構造上、ＭＲ素子部には再生電流の印加によるバイアス磁場が印加されている。よって、記録ヘッドに記録電流を印加している際に再生電流を大きく変化させることは、ＭＲ素子に印加される磁場の状況を大きく変化させることになり、当初設定された平衡している初期状態のＭＲ素子部の磁区構造に較べて、ＭＲ素子部の磁区状態が変化することが考えられる。このような典型的な例として、記録ヘッドに記録電流を流している時に、ＭＲ素子部への再生電流印加の有無によって、当初設定された初期状態のＭＲ素子部の磁区構造に較べて、ＭＲ素子部の磁区状態が変化することが有り得る。
【００１３】
従って、記録ヘッドに記録電流を流している時にＭＲ素子部への再生電流印加の有無で再生波形の変動を評価することは、磁気記憶装置が保証する寿命期間内に装置動作に影響を与える様な再生波形変動が起きないことを確認する検査として重要である。そして加えて、記録ヘッドに記録電流を流している時にＭＲ素子部への再生電流印加がある場合、もしくはない場合、それぞれの再生波形の変動は安定しているが、両者の値に差をもつ磁気ヘッドが存在する場合がある。
【００１４】
本発明は、この記録ヘッドに記録電流を流している時にＭＲ素子部への再生電流印加があるときと、印加のないときの再生波形の変動の差を勘案した場合を含めて磁気ヘッドの評価を行うものである。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
前記課題を解決するために、本発明は次のような構成を採用する。
磁気記録媒体に信号を記録する記録ヘッドと、前記磁気記録媒体に記録された前記信号を再生する磁気抵抗効果型の再生ヘッドとを備える磁気ヘッドの評価方法において、
前記再生ヘッドに再生電流を印加し、かつ前記記録ヘッドに記録電流を印加する第１の状態を得るステップと、
前記第１の状態において前記信号の再生又は前記磁気ヘッドの外部から前記磁気ヘッドに印加された信号磁場の再生によって得られた第１の再生出力を検出し、前記第１の再生出力に基づいて磁気ヘッドを評価するステップと、
前記再生ヘッドに再生電流を印加せず、かつ前記記録ヘッドに記録電流を印加する第２の状態を得るステップと、
前記第２の状態において前記信号の再生又は前記磁気ヘッドの外部から前記磁気ヘッドに印加された信号磁場の再生によって得られた第２の再生出力を検出し、前記第２の再生出力に基づいて磁気ヘッドを評価するステップと、
前記第１の再生出力と前記第２の再生出力に基づいて、前記第１の状態における前記再生ヘッドの磁区状態に対する前記第２の状態における前記再生ヘッドの磁区状態の変化を示す値を算出するステップと、
前記算出された値に基づいて前記磁気ヘッドを評価するステップとを含む磁気ヘッドの評価方法。
【００１６】
また、前記磁気ヘッドの評価方法において、
前記第１の再生出力を検出するステップは、前記第１の状態において前記信号の再生又は前記磁気ヘッドの外部から前記磁気ヘッドに印加された信号磁場の再生によって得られた複数の第１の再生出力を検出し、前記複数の第１の再生出力の平均値を第１の平均値として算出するステップであり、
前記第２の再生出力を検出するステップは、前記第２の状態において前記信号の再生又は前記磁気ヘッドの外部から前記磁気ヘッドに印加された信号磁場の再生によって得られた複数の第２の再生出力を検出し、前記複数の第２の再生出力の平均値を第２の平均値として算出するステップであり、
前記再生ヘッドの磁区状態の変化を示す値を算出するステップは、前記第１の平均値と前記第２の平均値に基づいて、前記磁区状態の変化を示す値を算出するステップである磁気ヘッドの評価方法。
【００１７】
また、前記磁気ヘッドの評価方法において、前記第１と第２の再生出力は、該再生出力の再生波形振幅値の非対称性で表される磁気ヘッドの評価方法。
【００１８】
また、前記磁気ヘッドの評価方法において、前記第１と第２の再生出力は、該再生出力の再生波形の振幅値で表される磁気ヘッドの評価方法。
【００１９】
また、前記磁気ヘッドの評価方法において、前記第１と第２の再生出力は、該再生出力の再生波形の半値幅で表される磁気ヘッドの評価方法。
【００２０】
【発明の実施の形態】
本発明の実施形態に係る磁気記憶装置用磁気ヘッドの評価方法について、図面を用いて以下説明する。図１は、本発明の実施形態である磁気ヘッドの評価方法の一例を示すフローチャートであり、図２は、本実施形態での評価方法で用いられた記録再生複合磁気ヘッドの一例を示す斜視図である。また、図３の（ａ）及び（ｂ）は、本発明の一実施の形態での評価方法で用いられる評価装置の一例を示す斜視図及び側面図であり、図４は再生波形の振幅値の定義の一例を示す図であり、図５は本実施形態を用いて評価した磁気ヘッドのサンプル例の評価結果を示す図である。
【００２１】
まず、図３に示す本発明の実施形態での評価装置の構成を簡単に説明する。磁気記録媒体３０３は、図示しないスピンドルモータ等に支持されて所定の速度で回転する。磁気記録媒体３０３の測定に用いる一面の近傍には、磁気ヘッド取付具３０１が配置されており、この磁気ヘッド取付具３０１の先端部には評価対象の複合磁気ヘッド３０２が固定され、実使用状態になる様、押圧荷重等が磁気ヘッド取付具３０１から複合磁気ヘッド３０２に作用するとともに、磁気ヘッド取付具３０１の水平方向の移動動作と、更に、磁気記録媒体３０３は図示しないスピンドルモータ等の支持体と共に、磁気ヘッド取付具３０１の移動方向とは、直角方向に水平移動する移動動作によって、複合磁気ヘッド３０２は磁気記録媒体３０３の径方向の任意の位置に位置付けられる。
【００２２】
一方、本発明の実施形態での評価対象の複合磁気ヘッド３０２は、一例として、図２に示されている様な構造を備えている。セラミックス等の基板上に形成された下部シールド２０５の上には、軟磁性膜２１１、分離膜２１０、ＭＲ膜２０９が、順次積層されたＭＲ素子部３０２ａが形成され、ＭＲ素子部３０２ａの両端には、一対の磁区制御膜２０７が配置されている。一対の磁区制御膜２０７の上には、ＭＲ素子部３０２ａに通電するための一対の電極２０６が形成されている。下部シールド２０５との間にこれらの構造を挟む様に上部シールド２０４が形成されており、この上部シールド２０４の上には、導体からなるコイル２０２及び上部シールド２０４とコイル２０２の中央部で接続されていることによってコイル２０２に鎖交するコアをなす上部コア２０１が配置されている。
【００２３】
上部コア２０１とコイル２０２及び上部シールド２０４によって記録ヘッド部３０２ｂが構成され、上部コア２０１と上部シールド２０４との間には、ＭＲ素子部のすぐ上に記録ギャップ２０３が形成されている。コイル２０２に記録電流を流すことにより記録ギャップ２０３には磁場が生じ、この磁場によって磁気記録媒体を磁化し、磁気記録媒体に情報を記録する。
【００２４】
次に、図１に示す本発明の実施形態である磁気ヘッドの評価方法について述べる。図３に示す様に、磁気記録媒体３０３の一部には評価用領域３０３ａが円周状に（全周に）設けられており、最初に評価用領域３０３ａに複合磁気ヘッド３０２を位置づけて（ステップ１０１）、評価用信号を記録する（ステップ１０２）。
【００２５】
この時記録される評価用信号は、再生波形が単純で、波形に対する各種測定が容易な様に、比較的低周波の信号が適している。続いて、磁気記録媒体３０３に情報を記録する為ではなく、ＭＲ素子部の磁区状態に変化を与える為に、記録ヘッドに電流を流す（ステップ１０３。以下、このＭＲ素子部の磁区状態に変化を与える為に記録ヘッドに電流を流すことをダミーライトと称す）。
【００２６】
この時ＭＲ素子部には再生電流を印加しておく場合と印加していない場合のいずれかの場合であるが、ここでは一例として印加している場合を挙げる。また、ダミーライトとして用いられる信号は、評価用信号とは同一周波数の信号である必要はない。むしろ評価用信号よりも高周波である方が適している。ただし、ＭＲ素子部の磁区状態に変化を与える為のダミーライトとはいえ、記録ヘッドに電流を流す為、先にステップ１０２で評価用領域３０３ａに（全周に）記録された評価用信号に別の信号を上書きすることになり、後の評価用信号を読み出す際に評価用信号以外の信号を読み出すことになってしまう。
【００２７】
そこで、ダミーライトを行う際、評価用領域３０３ａを円周方向に複数の領域に分割し、分割された各領域（以下セクタと称す）を、評価用信号読み出し専用セクタとダミーライト専用セクタに区別してダミーライトを行う。よってセクタの数は複数個が適している。その後、評価用信号の読出しを行う（ステップ１０４）。次に測定回数が所定の値に達したかを否かを判定し、未到達の場合にはステップ１０３以降を繰り返す。そして、所定の測定回数（ここではＮ回とする）に達したら、以下に示す様な変動量を計算する。
【００２８】
変動量としては、例えば再生出力の変動量ｄＶｐｐや、再生波形の非対称性Ａｓｙｍの変動量ｄＡｓなどがある。ｄＶｐｐは次の式１の様に定義した。
【００２９】
ｄＶｐｐ（％）
＝｛（Ｖｍａｘ−Ｖｍｉｎ）／Ｖａｖｅ｝×１００   （１）
ここで、ＶｍａｘはＮ回再生出力を測定した時の再生出力の最大値、ＶｍｉｎはＮ回再生出力を測定した時の再生出力の最小値、ＶａｖｅはＮ回再生出力を測定した時の再生出力の平均値を示す。ここで再生出力とは、図４に示す再生波形の振幅値であり、図４の４０４で示されるｐ−ｐ値を用いた。
【００３０】
また、再生波形の非対称性Ａｓｙｍは、次の式２のように定義した  。
【００３１】
Ａｓｙｍ（％）
＝｛（Ｖｐｏｓ−Ｖｎｅｇ）／（Ｖｐｏｓ＋Ｖｎｅｇ）｝×１００  （２）
ここで、Ｖｐｏｓは再生波形の正の振幅値であり、Ｖｎｅｇは再生波形の負の振幅値であり、図４の４０２や４０３で示される０−ｐ値である。
【００３２】
また、再生波形の非対称性Ａｓｙｍの変動量ｄＡｓは、次の数３の様に定義した  。
【００３３】
ｄＡｓ（％）＝Ａｍａｘ−Ａｍｉｎ                        （３）
ここでＡｍａｘはＮ回のＡｓｙｍ測定結果の最大値、ＡｍｉｎはＮ回のＡｓｙｍ測定結果の最小値である。
【００３４】
ここで、本実施形態では、再生波形変動を表す量としてｄＶｐｐやｄＡｓを用いるが、他の方法、例えば、波形の半値幅等の量を用いてもよく、特に限定するものではない。また、変動量の定義として式１、式３を用いているが、他の統計量、例えば、標準偏差等を用いてもよく、特に式１、式３に限定するものではない。
【００３５】
ステップ１０３以降を繰り返してＮ回測定を行ったら上記ｄＶｐｐやｄＡｓ、ＶａｖｅやＡｓｙｍの値を求め、各種の値が規定範囲内であるか否かを判定する（ステップ１０７）。ここで、規定範囲外の値を示したものがあれば不良品と判断し、規定範囲内であれば良品として次のステップ１０８に進む。
【００３６】
次のステップ１０８はステップ１０３と類似であるが、このステップ１０８では、ダミーライト時にＭＲ素子部に再生電流を印加しない。その後評価用信号の読み出しを行い（ステップ１０９）、測定回数がＮ回に達したかを否かを判定し、未到達の場合にはステップ１０８以降を繰り返す。そして、測定回数がＮ回に達したら、前述した変動量を計算し、各種の値が規定範囲内であるか否かを判定する（ステップ１１２）。ここで、規定範囲外の値を示したものがあれば不良品と判断し、規定範囲内であれば良品として次のステップ１１３に進む。
【００３７】
ステップ１１３では、ダミーライト時にＭＲ素子部に再生電流を印加した場合の各種の値▲１▼と、ダミーライト時にＭＲ素子部に再生電流を印加しない場合の各種の値▲２▼の差を求め、この差が規定範囲外の値を示したものがあれば不良品と判断し、規定範囲内であれば良品とする。即ち、ステップ１０７とステップ１１２でそれぞれＹＥＳとなったものにおいても、ステップ１１４でＮＯとなるものは、結果的にＮＯとする厳格な判断を加味したものである。
【００３８】
また、本発明の実施形態では、ステップ１０７、ステップ１１２及びステップ１１４でそれぞれ良品と不良品の判定を行ったが、ステップ１１４で一括して判定を行っても良い。また、ステップ１０４、ステップ１０９で得られた測定値でそれぞれ良品と不良品の判定を行っても良い。
【００３９】
さらにまた、図１に示す本発明の実施形態である磁気ヘッドの評価方法では、磁気記録媒体３０３の一部に評価用領域３０３ａを円周上に（全周に）設け、評価用信号を記録し、その後磁気記録媒体３０３からの漏洩磁場である評価用信号を読み出すことによって測定、評価を行っているが、磁気記録媒体３０３の代わりに、例えば評価対象の複合磁気ヘッド３０２の外部に複合磁気ヘッド３０２に対して磁場が印可できるようにコイルなど（図示せず）を用意し、そのコイル等から評価用信号磁場を発生させて複合磁気ヘッド３０２に印可することによって、コイル等から発生した評価用信号を読み出し、測定及び評価を行ってもよい。この場合、磁気記録媒体３０３を用意する必要はない。また、場合によっては実使用状態になる様に押圧荷重等を複合磁気ヘッド３０２に作用させるための磁気ヘッド取付具３０１を用意する必要はない。
【００４０】
図５に本発明の実施形態を用いて評価した磁気ヘッドのサンプル例として、８本の評価結果を示す。測定回数Ｎは５００回で、Ａａｖｅは５００回測定したＡｓｙｍの平均値であり、Ｖａｖｅの単位は［ｍＶｐｐ］、それ以外の項目の単位は［％］である。また、ダミーライト時の再生電流の印加有無での測定値の差は印加ありの場合の測定値と印加なしの場合の測定値の差の絶対値である。
【００４１】
ヘッド１からヘッド４までの４本のサンプルは合格品であり、ヘッド５からヘッド８までの４本のサンプルは不合格品である。即ち、ヘッド５からヘッド８までの４本のサンプルはいずれかの評価項目が規定範囲外の値であった。特にヘッド８はダミーライト時の再生電流の印加ありの場合の測定値と印加なしの場合の測定値は４本の合格品と大差ないが、特にダミーライト時の再生電流の印加有無でのＡａｖｅの差が合格品と比較して大きい値であり、この項目は不合格品４本全てに共通する傾向である。
【００４２】
よって、ダミーライト時にＭＲ素子部に再生電流を印加しない場合の各種の値の差を求め、この差を判断することは磁気記憶装置が保証する寿命期間内に装置動作に影響を与える様な再生波形変動が起きないことを確認する検査として重要である。
【００４３】
以上説明したように、本発明の実施形態は次のような評価方法を採用するものである。即ち、記録電流による洩れ磁場中で、再生電流の印加有無の場合による初期設定の磁区構造の安定性を評価しようとするものであり、具体的には、まず、再生波形の振幅値、再生波形振幅値の非対称性、再生波形の半値幅等を測定する前段階として記録ヘッドに記録電流を印加し、その記録電流を印加する時のＭＲ素子への再生電流の印加がある場合と、ない場合での測定値を比較する。前記両場合での差が小さい程、ＭＲ素子の当初の平衡した磁区状態の変化が小さいことになる。そのため、磁気記憶装置が保証する寿命期間内に装置動作に影響を与える様な再生波形変動の耐力が優れていることになる。
【００４４】
【発明の効果】
本発明の磁気ヘッドの評価方法によれば、ＭＲヘッドに潜在している再生波形変動が小さいヘッドを効率よく評価することが可能であり、信頼性の高いＭＲヘッドを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態に係る磁気ヘッドの評価方法の一例を示すフローチャートである。
【図２】本発明の実施形態での評価方法で用いられた記録再生複合磁気ヘッドの一例を示す斜視図である。
【図３】本発明の実施形態での評価方法で用いられる評価装置の一例を示す斜視図及び側面図である。
【図４】再生波形の振幅値の定義の一例を示す図である。
【図５】本発明の実施形態を用いて評価した磁気ヘッドのサンプル例として、８本の評価結果を示す図である。
【符号の説明】
２０１  上部コア
２０２  コイル
２０３  記録ギャップ
２０４  上部シールド
２０５  下部シールド
２０６  電極
２０７  磁区制御膜
２０９  ＭＲ膜
２１０  分離膜
２１１  軟磁性膜
３０１  磁気ヘッド取付具
３０２  複合磁気ヘッド
３０２ａ  ＭＲ素子部
３０２ｂ  記録ヘッド部
３０３  磁気記録媒体
３０３ａ  評価用領域
４０１  再生波形
４０２  正の波形振幅値（正の０−ｐ値）
４０３  負の波形振幅値（負の０−ｐ値）
４０４  波形振幅値（ｐ−ｐ値）
【図１】
0003868684.tif 000002
【図２】
0003868684.tif 000003
【図３】
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【図４】
0003868684.tif 000005
【図５】
0003868684.tif 000006