(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向配置された前面基板および背面基板と、上記前面基板および上記背面基板の周辺部を互いに封着した封着部と、を有した外囲器を備え、
上記封着部は、枠状の高融点導電性部材と封着材とを含み、上記高融点導電性部材は、上記封着材よりも高い融点あるいは軟化点を有しているとともに、上記前面基板および背面基板の表面に対して垂直方向にばね性を有し、
上記高融点導電性部材は、弾性変形した状態で上記前面基板および背面基板の間に配置され、上記前面基板の内面および背面基板の内面に押圧力を印加し、
前記封着材は、上記高融点導電性部材と上記前面基板との間、および上記高融点導電性部材と背面基板との間の少なくとも一方に介在していることを特徴とする平面表示装置。
【請求項２】
上記高融点導電性部材は、外面全体が上記封着材で覆われていることを特徴とする請求項１に記載の平面表示装置。
【請求項３】
上記高融点導電性材は、上記外囲器の側壁を構成していることを特徴とする請求項１に記載の平面表示装置。
【請求項４】
上記封着材は導電性を有していることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の平面表示装置。
【請求項５】
上記封着材は、インジウムあるいはインジウムを含む合金であることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の平面表示装置。
【請求項６】
上記高融点導電性部材は、少なくともＦｅ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ａｌのいずれかを含有されていることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１項に記載の平面表示装置。
【請求項７】
上記封着材は、３００℃以下の融点あるいは軟化点を有していることを特徴とする請求項１ないし６のいずれか１項に記載の平面表示装置
【請求項８】
上記高融点導電性部材は５００℃以上の融点を有していることを特徴とする請求項１ないし７のいずれか１項に記載の平面表示装置。
【請求項９】
上記高融点導電性部材の熱膨張係数は、上記前面基板および背面基板のそれぞれの熱膨張係数の±２０％の数値範囲で最大値と最小値との間にあることを特徴とする請求項１ないし８のいずれか１項に記載の平面表示装置。
【請求項１０】
上記外囲器の内部に設けられた蛍光体および上記蛍光体を励起する電子源とを備え、上記外囲器の内部は真空に維持されていることを特徴とする請求項１ないし９のいずれか１項に記載の平面表示装置。
【請求項１１】
対向配置された前面基板および背面基板を有し、高融点導電性部材と封着材とを含む封着部により前面基板および背面基板の周辺部が互いに封着された外囲器を備えた平面表示装置の製造方法において、
上記封着材よりも高い融点あるいは軟化点を有しているとともに、上記前面基板および背面基板の表面に対して垂直方向にばね性を有した枠状の高融点導電性部材を用意し、
上記前面基板および背面基板を対向配置するとともに、上記前面基板および背面基板の周辺部間に上記高融点導電性部材および封着材を配置し、
上記封着材が固化した状態で、上記対向配置された前面基板および背面基板を重ね合わせ、上記高融点導電性部材を上記前面基板および背面基板の表面と垂直な方向へ弾性変形させ、
上記前面基板および背面基板を重ね合わせた状態で、上記高融点導電性部材に通電して上記封着材を溶融あるいは軟化させ、上記前面基板および背面基板の周辺部を互い封着すること特徴とする平面表示装置の製造方法。
【請求項１２】
上記高融点導電性部材に通電する直前の上記前面基板および背面基板の温度を、上記封着材の融点あるいは軟化点よりも低い温度に設定することを特徴とする請求項１１に記載の平面表示装置の製造方法。
【請求項１３】
上記高融点導電性部材に通電する直前の上記前面基板および背面基板の温度を、上記封着材の融点との差が２０℃〜１５０℃の範囲内となるように設定することを特徴とする請求項１２記載の平面表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、平坦な形状の平面表示装置に係り、特に、多数の電子放出素子を用いた平面表示装置、およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、陰極線管（以下、ＣＲＴと称する）に代わる次世代の軽量、薄型の表示装置として様々な平面表示装置が開発されている。このような平面表示装置には、液晶の配向を利用して光の強弱を制御する液晶ディスプレイ（以下、ＬＣＤと称する）、プラズマ放電の紫外線により蛍光体を発光させるプラズマディスプレイパネル（以下、ＰＤＰと称する）、電界放出型電子放出素子の電子ビームにより蛍光体を発光させるフィールドエミッションディスプレイ（以下、ＦＥＤと称する）などがある。
【０００３】
例えばＦＥＤでは、一般に、所定の隙間を置いて対向配置された前面基板および背面基板を有し、これらの基板は、矩形枠状の側壁を介して周辺部同士を互いに接合することにより真空の外囲器を構成している。前面基板の内面には蛍光体スクリーンが形成され、背面基板の内面には蛍光体を励起して発光させる電子放出源として多数の電子放出素子が設けられている。
【０００４】
また、背面基板および前面基板に加わる大気圧荷重を支えるために、これら基板の間には複数の支持部材が配設されている。背面基板側の電位はほぼアース電位であり、蛍光面にはアノード電圧が印加される。そして、蛍光体スクリーンを構成する赤、緑、青の蛍光体に多数の電子放出素子から放出された電子ビームを照射し、蛍光体を発光させることによって画像を表示する。
【０００５】
このような表示装置では、表示装置の厚さを数ｍｍ程度にまで薄くすることができ、現在のテレビやコンピュータのディスプレイとして使用されているＣＲＴと比較し、軽量化、薄型化を達成することができる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
上記のようなＦＥＤでは、外囲器の内部を真空にすることが必要となる。また、ＰＤＰにおいても一度真空にしてから放電ガスを充填する必要がある。外囲器を真空にする手段として、例えば、特開２００１−２２９８２５号には、外囲器を構成する前面基板と背面基板との最終組み立てを真空槽内にて行う方法が示されている。
【０００７】
ここでは、最初に真空槽内に配置された前面基板および背面基板を十分に加熱しておく。これは、外囲器真空度を劣化させる主因となっている外囲器内壁からのガス放出を軽減するためである。次に、前面基板と背面基板が冷えて真空槽内の真空度が十分に向上したところで、外囲器真空度を改善、維持させるためのゲッタ膜を蛍光面スクリーン上に形成する。その後、封着材が溶解する温度まで前面基板と背面基板とを再び加熱し、前面基板および背面基板を所定の位置に組み合わせた状態で封着材が固化するまで冷却する。
【０００８】
このような方法で作成された真空外囲器は、封着工程および真空封止工程を兼ねるうえ、排気管を用いて外囲器内を排気する場合のような時間を必要とせず、かつ、極めて良好な真空度を得ることができる。
【０００９】
しかしながら、上記の方法では、真空中で行う封着工程が、加熱、位置合わせ、冷却と多岐に渡り、かつ、封着材が溶解固化する間、長時間に亘って前面基板と背面基板とを所定の位置に維持し続けなければならない。また、封着時の加熱、冷却に伴い前面基板および背面基板が熱膨張し、位置合わせ精度が劣化し易い。更に、封着時の加熱によりゲッタ膜が劣化することなど、封着に伴なう生産性、特性面での問題があった。
【００１０】
この発明は以上の点に鑑みなされたもので、その目的は、真空雰囲気中で容易に、かつ高い位置精度で封着を行うことが可能な平面表示装置、およびその製造方法を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するため、この発明の態様に係る平面表示装置は、対向配置された前面基板および背面基板と、上記前面基板および上記背面基板の周辺部を互いに封着した封着部と、を有した外囲器を備え、
上記封着部は、枠状の高融点導電性部材と封着材とを含み、上記高融点導電性部材は、上記封着材よりも高い融点あるいは軟化点を有しているとともに、上記前面基板および背面基板の表面に対して垂直方向にばね性を有し、
上記高融点導電性部材は、弾性変形した状態で上記前面基板および背面基板の間に配置され、上記前面基板の内面および背面基板の内面に押圧力を印加し、
前記封着材は、上記高融点導電性部材と上記前面基板との間、および上記高融点導電性部材と背面基板との間の少なくとも一方に介在していることを特徴としている。
【００１２】
また、この発明の態様に係る平面表示装置の製造方法は、対向配置された前面基板および背面基板を有し、高融点導電性部材と封着材とを含む封着部により前面基板および背面基板の周辺部が互いに封着された外囲器を備えた平面表示装置の製造方法において、
上記封着材よりも高い融点あるいは軟化点を有しているとともに、上記前面基板および背面基板の表面に対して垂直方向にばね性を有した枠状の高融点導電性部材を用意し、
上記前面基板および背面基板を対向配置するとともに、上記前面基板および背面基板の周辺部間に上記高融点導電性部材および封着材を配置し、
上記封着材が固化した状態で、上記対向配置された前面基板および背面基板を重ね合わせ、上記高融点導電性部材を上記前面基板および背面基板の表面と垂直な方向へ弾性変形させ、
上記前面基板および背面基板を重ね合わせた状態で、上記高融点導電性部材に通電して上記封着材を溶融あるいは軟化させ、上記前面基板および背面基板の周辺部を互い封着すること特徴としている。
【００１３】
上記構成の平面表示装置および製造方法によれば、前面基板と背面基板とを重ね合わせた時の基板たわみを高融点導電性部材のばね性により改善し、前面基板および背面基板の位置合わせ精度を向上して封着することができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照ながら、この発明に係る平面表示装置をＦＥＤに適用した実施の形態について詳細に説明する。
【００１５】
図１ないし図３に示すように、このＦＥＤは、絶縁基板としてそれぞれ厚さ２．８ｍｍの矩形状のガラスからなる前面基板１１および背面基板１２を備え、これらの基板は例えば約２．０ｍｍの隙間を置いて対向配置されている。背面基板１２の大きさは前面基板１１よりも僅かに大きく、その外周部には映像信号を入力するための引き出し線（図示しない）が形成されている。そして、前面基板１１および背面基板１２は、ほぼ矩形枠状の封着部３０を介して周縁部同士が接合され、内部が真空状態に維持された偏平な矩形状の真空外囲器１０を構成している。
【００１６】
封着部３０は、導電性を有した矩形枠状の高融点導電性部材１８と第１および第２封着材３２、３４を含んでいる。そして、側壁としても機能する高融点導電性部材１８は、第１封着材３２を介して前面基板１１の周辺部に接着され、また、第２封着材３４を介して背面基板１２の周辺部に接着されている。
【００１７】
高融点導電性部材１８は、第１および第２封着材３２、３４よりも高い融点または軟化点（すなわち封着に適した温度）を有し、例えば、鉄−ニッケル合金が用いられている。その他、導電性を有する高融点導電性部材としては、少なくともＦｅ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ａｌのいずれかを含有した材料が用いられる。第１および第２封着材３２としては、例えば、インジウムあるいはインジウム合金を用いている。なお、高融点導電性部材１８の融点あるいは軟化点は、５００℃以上、第１および第２封着材の融点または軟化点は３００℃未満であることが望ましい。
【００１８】
また、高融点導電性部材１８、第１および第２封着材３２、３４は、前面基板および背面基板の熱膨張係数に対し、±２０％の数値範囲で最大値と最小値との間となる熱膨張係数を有していることが望ましい。
【００１９】
更に、高融点導電性部材１８は、前面基板１１および背面基板１２の表面に対して垂直な方向の復元性、つまり、ばね性を有している。本実施の形態において、高融点導電性部材１８は、ほぼＶ字状の断面形状に形成されている。そして、高融点導電性部材１８は、Ｖ字の角度が減少する方向に僅かに弾性変形した状態で前面基板１１および背面基板１２間に配置され、そのばね性により、前面基板および背面基板の内面に所望の押圧力を付加している。なお、高融点導電性部材１８は、ばね定数０．１ｋｇｆ／ｍｍ〜１．０ｋｇｆ／ｍｍ程度に設定されていることが望ましい。
【００２０】
図２および図３に示すように、真空外囲器１０の内部には、前面基板１１および背面基板１２に加わる大気圧荷重を支えるため、複数の板状の支持部材１４が設けられている。これらの支持部材１４は、真空外囲器１０の短辺と平行な方向に配置されているとともに、長辺と平行な方向に沿って所定の間隔を置いて配置されている。なお、支持部材１４の形状については、板状に限定されるものではなく、例えば、柱状の支持部材等を用いることもできる。
【００２１】
前面基板１１の内面上には、図３および図４に示す蛍光体スクリーン１６が形成されている。この蛍光体スクリーン１６は、赤、緑、青のストライプ状の蛍光体層、および蛍光体層の間および周囲に位置した非発光部としての黒色光吸収層２０を並べて構成されている。蛍光体層は、真空外囲器の短辺と平行な方向に延在しているとともに、長辺と平行な方向に沿って所定の間隔を置いて配置されている。なお、蛍光体スクリーン１６上には、たとえばアルミニウム層からなるメタルバック層１７が蒸着されている。
【００２２】
また、図３に示すように、背面基板１２の内面上には、蛍光体スクリーン１６の蛍光体層を励起する電子放出源として、それぞれ電子ビームを放出する多数の電子放出素子２２、および電子放出素子を駆動するための図示しない多数の配線が設けられている。電子放出素子２２は、画素毎に対応して複数列および複数行に配列されている。
【００２３】
詳細に述べると、背面基板１２の内面上には、導電性カソード層２４が形成され、この導電性カソード層上には多数のキャビティ２５を有した二酸化シリコン膜２６が形成されている。二酸化シリコン膜２６上には、モリブデンやニオブ等からなるゲート電極２８が形成されている。そして、背面基板１２の内面上において各キャビティ２５内にはモリブデンなどからなるコーン状の電子放出素子２２が設けられている。
【００２４】
上記のように構成されたＦＥＤにおいて、映像信号は、マトリクス状に形成された電子放出素子２２とゲート電極２８に入力される。電子放出素子２２を基準とした場合、最も輝度の高い状態の時、＋１００Ｖのゲート電圧が印加される。また、蛍光体スクリーン１６には＋１０ｋＶが印加される。これにより、電子放出素子２２から電子ビームが放出される。そして、電子放出素子２２から放出される電子ビームの大きさは、ゲート電極２８の電圧によって変調され、この電子ビームが蛍光体スクリーン１６の蛍光体層を励起して発光させることにより画像を表示する。
【００２５】
次に、上記のように構成されたＦＥＤの製造方法について詳細に説明する。  まず、背面基板用の板ガラスに電子放出素子２２および種々の配線を形成する。続いて、大気中において、背面基板１２上に板状の支持部材１４を例えば、フリットガラスにより固定する。
【００２６】
また、前面基板１１となる板ガラスに蛍光体スクリーン１６を形成する。これは、前面基板１１と同じ大きさの板ガラスを準備し、この板ガラスにプロッターマシンで蛍光体層のストライプパターンを形成する。この蛍光体ストライプパターンが形成された板ガラスと前面基板用の板ガラスとを位置決め治具に載せて露光台にセットすることにより、露光、現像して蛍光体スクリーン１６を形成する。次に、蛍光体スクリーン１６に重ねて、アルミニウム膜からなるメタルバック層１７を形成する。
【００２７】
続いて、封着面となる前面基板１１の内面周辺部および背面基板１２の内面周辺部に、それぞれ第１および第２封着材としてインジウムを枠状に充填する。この際、形成されたインジウム層の厚さは約０．３ｍｍとし、最終的に外囲器が組み立てられた後のインジウム層厚よりも厚く形成する。
【００２８】
一方、高融点導電性部材１８は、厚さ０．２ｍｍのＮｉ−Ｆｅ合金により矩形枠状に形成され、また、その断面形状は、１辺の幅が約１５ｍｍのほぼＶ字状を有している。ここで、Ｎｉ−Ｆｅ合金の線熱膨張係数は基板を構成するガラス材の線熱膨張係数とほぼ等しい。
【００２９】
次に、上記のように蛍光体スクリーン１６の形成された前面基板１１、および支持部材１４が固定された背面基板１２を、所定の隙間を置いて対向配置し、かつ、高融点導電性部材１８を基板間に配置した状態で、真空処理装置１００内に投入する。
【００３０】
図５に示すように、この真空処理装置１００は、順に並んで設けられたロード室１０１、ベーキング、電子線洗浄室１０２、冷却室１０３、ゲッタ膜の蒸着室１０４、組立室１０５、冷却室１０６、およびアンロード室１０７を有している。これら各室は真空処理が可能な処理室として構成され、ＦＥＤの製造時には全室が真空排気されている。隣合う処理室間はゲートバルブ等により接続されている。
【００３１】
上述した背面基板１２および前面基板１１は、ロード室１０１に投入され、ロード室１０１内を真空雰囲気とした後、ベーキング、電子線洗浄室１０２へ送られる。べーキング、電子線洗浄室１０２では、上記背面基板１２および前面基板１１を３５０℃の温度に加熱し、各部材の表面吸着ガスを放出させる。
【００３２】
また、加熱と同時に、ベーキング、電子線洗浄室１０２に取り付けられた図示しない電子線発生装置から、前面基板１１の蛍光体スクリーン面、および背面基板１２の電子放出素子面に電子線を照射する。この電子線は、電子線発生装置外部に装着された偏向装置によって偏向走査されるため、蛍光体スクリーン面、および電子放出素子面の全面を電子線洗浄することが可能となる。
【００３３】
加熱、電子線洗浄後、上記背面基板１２および前面基板１１は冷却室１０３に送られ、例えば約１００℃の温度まで冷却される。続いて、上記背面基板１２および前面基板１１はゲッタ膜形成用の蒸着室１０４へと送られ、ここで蛍光体スクリーンの外側にゲッタ膜としてＢａ膜が蒸着形成される。
【００３４】
続いて、背面基板１２および前面基板１１は組立室１０５に送られる。この組立室１０５では、図６（ａ）に示すように、これらの基板を例えば約１００℃に加熱した状態で、すなわち、第１および第２封着材３２、３４の融点または軟化点よりも低い温度に維持した状態で、前面基板１１、背面基板１２、および高融点導電性部材１８を相対的に位置合わせする。この際、第１および第２封着材３２、３４であるインジウム層は固化した状態にある。
【００３５】
なお、後述する通電加熱工程の直前まで、前面基板１１および背面基板１２の温度を第１および第２封着材３２、３４の融点または軟化点よりも低い温度に維持し、望ましくは、封着材の融点との温度差が２０℃〜１５０℃の範囲内となるように維持する。
【００３６】
位置合わせが終了した後、図６（ｂ）に示すように、高融点導電性部材１８を間に挟んで前面基板１１および背面基板１２を重ね合わせ、両側から約５０ｋｇｆの加圧力を前面基板および背面基板に印加する。この際、Ｖ字型の高融点導電性部材１８は、固化状態の第１および第２封着材３２、３４により両側から押圧され、基板に対して垂直な方向に弾性変形し、Ｖ字の角度が減少する。
【００３７】
これにより、厚めに充填された第１および第２封着材３２、３４の厚さを吸収し、前面基板および背面基板の中央部と封着部とにおける基板間の隙間の差を無くすことができる。従って、封着部３０においても、前面基板１１および背面基板１２に反りを生じることがなく、前面基板１１と背面基板１２との間隔は、全域に亘って支持部材１４の高さと等しい約２ｍｍに保持される。
【００３８】
この状態で、高融点導電性部材１８に電極を接触させ、直流電流１４０Ａを４０秒通電する。すると、この電流は第１および第２封着材３２、３４、つまり、インジウムにも同時に流れ、高融点導電性部材１８およびインジウムが発熱する。これにより、インジウムは約２００℃程度に加熱されて溶融あるいは軟化する。そして、第１封着材３２が溶融または軟化した時点で通電を停止し、速やかに高融点導電性部材１８およびインジウムの熱を周りの前面基板１１および背面基板１２に伝熱拡散させてインジウムを固化させる。
【００３９】
なお、図６（ｃ）に示すように、通電加熱時、高融点導電性部材１８は、自身の復元性あるいはばね性により、溶融または軟化したインジウムを適切なバネ力で基板内面側へ押圧する。それにより、各インジウム層は、僅かに押し潰された状態で固化する。この際、インジウム層の厚さは、平均０．１５ｍｍ程度となっている。
【００４０】
このようにして、高融点導電性部材１８、第１および第２封着材３２、３４を介して前面基板１１および背面基板１２を封着し、真空外囲器１０を形成する。通電停止後、約６０秒で封着された真空外囲器１０を組立室１０５から搬出する。そして、このようにして形成された真空外囲器１０は、冷却室１０６で常温まで冷却されて、アンロード室１０７から取り出される。
【００４１】
以上のように構成されたＦＥＤおよびその製造方法によれば、背面基板および前面基板を真空雰囲気中で封着することができ、同時に、封着を量産性に優れた通電加熱封着とすることができる。また、高融点導電性部材は基板に対して垂直な方向のばね性を有していることから、封着時、基板中央部と封着部とにおける基板間の隙間の差を無くし、封着部における基板に反り防止することができる。これにより、前面基板および背面基板を高い精度で位置合わせし封着することが可能となる。
【００４２】
更に、通電加熱時、高融点導電性部材によって、溶融または軟化した封着材を適切なばね力で基板方向へ押圧することができ、封着材の不足などによるリークパス発生を抑制することが可能となる。
【００４３】
なお、上述した実施の形態では、高融点導電性部材として断面Ｖ字形状のものを用いたが、前面基板および背面基板の表面に対して垂直な方向のばね性を有していれば、他の形状としても良い。
【００４４】
図７に示す第２の実施の形態に係るＦＥＤによれば、封着部３０を構成する高融点導電性部材１８としてＮｉ−Ｆｅ合金からなる厚さ０．１２ｍｍ、直径３ｍｍのパイプ状部材を用いている。この高融点導電性部材１８は、それぞれ第１および第２封着材３２、３４としてのインジウムを介して前面基板１１および背面基板１２に接着されている。そして、この高融点導電性部材１８は、前面基板１１および背面基板１２の表面に対して垂直な方向のばね性を有している。
【００４５】
封着状態において、高融点導電性部材１８は押し潰された状態に弾性変形し、前面基板１１および背面基板１２の表面に対し垂直な方向の適切なばね力を印加している。他の構成は上述した第１の実施の形態と同一であり、その詳細な説明は省略する。
【００４６】
上記構成のＦＥＤは、前述した第１の実施の形態と同様の方法で製造される。そして、製造条件を第１の実施の形態と同一とした場合、通電加熱時、高融点導電性部材１８に直流電流４０Ａを４０秒間通電することによりインジウムを溶融させ、溶融後、４０秒間冷却することによりインジウムを固化させ封着を行うことができる。従って、第２の実施の形態においても、上述した第１の実施の形態と同様の作用効果を得ることができるとともに、通電、冷却時間を短縮し、製造効率の向上を図ることが可能となる。
【００４７】
上述した第２の実施の形態において、図８に示すように、インジウム等の封着材３５を高融点導電性部材１８の外周面全体に充填してもよい。この場合、高融点導電性部材１８をインジウムはんだ槽に漬け込むだけでインジウムの充填が完了し、製造にかかる手間を省くことができる。同時に、前面基板１１と背面基板１２とを封着材そのもので直に封着することができ、真空外囲器の気密性が向上する。
【００４８】
なお、この発明は上述した実施の形態に限定されることなく、この発明の範囲内で種々変形可能である。例えば、上述した実施の形態では、封着材料であるインジウムを基板側に充填したが、高融点導電性部材側に充填してもよい。また、高融点導電性部材に通電する電流は直流に限らず、商用周波数あるいは高周波の交流を用いてもよい。
【００４９】
また、上述した実施の形態では、高融点導電性部材は、組み立て時に真空槽内で所定の位置に配置する構成としたが、予め、インジウム等の封着材を用いて、大気中で前面基板あるいは背面基板に接着しておく構成としても良い。
【００５０】
この発明は、ＦＥＤやＳＥＤなどの真空外囲器を必要とする表示装置に限るものではなく、ＰＤＰのように一度真空にしてから放電ガスを注入するような他の表示装置にも有効である。
【００５１】
【発明の効果】
以上に述べたように、この発明によれば、真空雰囲気中で容易に、かつ高い位置精度で封着を行うことが可能な平面表示装置、およびその製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の第１の実施の形態に係るＦＥＤを示す斜視図。
【図２】上記ＦＥＤの前面基板を取り外した状態を示す斜視図。
【図３】図１の線Ａ−Ａに沿った断面図。
【図４】上記ＦＥＤの蛍光体スクリーンを示す平面図。
【図５】上記ＦＥＤの製造に用いる真空処理装置を概略的に示す図。
【図６】上記ＦＥＤの製造工程をそれぞれ概略的に示す断面図。
【図７】この発明の第２の実施の形態に係るＦＥＤの封着部、および高融点導電性部材を示す断面図。
【図８】この発明の他の実施の形態に係るＦＥＤの封着部、および高融点導電性部材を示す断面図。
【符号の説明】
１０…真空外囲器
１１…前面基板
１２…背面基板
１４…支持部材
１６…蛍光体スクリーン
１７…メタルバック層
１８…高融点導電性部材
２２…電子放出素子
３０…封着部
３２…第１封着材
３４…第２封着材
３５…封着材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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