(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数個の絶縁層が積層され、これら絶縁層間にグランド配線が介在している多層配線基板に高周波回路を設け、前記多層配線基板の上面を被覆する金属製のシールドケースを取着させてなる電子装置において、
前記絶縁層のうち少なくとも最上層に複数個の切り欠きを形成して前記グランド配線の一部を露出させるとともに、前記グランド配線の外周縁を、前記多層配線基板の外周縁よりも内側に所定距離だけ離間して配しており、前記切り欠き内に露出したグランド配線に対し前記シールドケースの外周部に立設した接合脚部の下端を当接させて接合したことを特徴とする電子装置。
【請求項２】
前記接合脚部の下端が内側に折り曲げられているとともに、該折り曲げ部の上下両側に接合用の導電性接着材が配されていることを特徴とする請求項１に記載の電子装置。
【請求項３】
前記多層配線基板が矩形状であり、且つ前記切り欠きが前記多層配線基板の四隅に配されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の電子装置。
【請求項４】
前記接合脚部が、前記切り欠きに臨む前記絶縁層の端面に当接していることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の電子装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、携帯電話機やパーソナルコンピュータ等の通信機器に組み込まれる高周波用の電子装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、携帯電話機等の通信機器に高周波回路を備えた電子装置が用いられている。
【０００３】
かかる従来の電子装置としては、例えば図５に示す如く、内部に高周波回路を備えたセラミック製の多層配線基板１１上に、その上面を被覆するようにして金属製のシールドケース１２を取着させた構造のものが知られており、その使用時、シールドケース１２を基準電位（ＧＮＤ）に保持して、外部からのノイズを遮蔽することにより、高周波回路の特性安定化を図るようにしている。
【０００４】
尚、前記シールドケース１２は、その外周部に立設した接合脚部１３を多層配線基板１１のグランド配線に電気的に接続させること、具体的には、接合脚部１３を、グランド配線に電気的に接続された多層配線基板１１の端面スルーホール内に挿入して端面スルーホール電極１４に半田接合させておくことにより、電子装置の使用時、基準電位に保持されるようになっており、また、この半田接合によってシールドケース１２が多層配線基板１１に取着・固定されることとなる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述した従来の電子装置においては、シールドケース１２の接合脚部１３を多層配線基板１１に半田接合すべく、多層配線基板１１の端面に端面スルーホール電極１４が形成されている。このような端面スルーホール電極１４を多層配線基板１１に設けるには、多層配線基板１１を貫通させるための孔あけ加工やスルーホール内面への電極の被着・形成など、極めて煩雑な製造プロセスが必要となることから、電子装置を製造するための工程数が多くなってしまい、生産性の低下を招く欠点を有していた。
【０００６】
また上述した従来の電子装置においては、その組立時、長細状に形成されたシールドケース１２の接合脚部１３を直径０．４ｍｍ〜０．８ｍｍ程度の小さな端面スルーホールに挿入しなければならないことから、その作業性が極めて悪く、接合脚部１３の挿入に伴い接合脚部１３が多層配線基板１１に衝突すると、接合脚部１３が折れ曲がってしまったり、或いは、シールドケース１２が多層配線基板１１に対して傾いた状態で取着される等といった不具合を発生することがあり、これによっても電子装置の生産性低下を招く欠点が誘発されていた。
【０００７】
本発明は上記欠点に鑑み案出されたもので、その目的は、全体構造を簡素化して、製造プロセスを簡略化することができる高生産性の電子装置を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明の電子装置は、複数個の絶縁層が積層され、これら絶縁層間にグランド配線が介在している多層配線基板に高周波回路を設け、前記多層配線基板の上面を被覆する金属製のシールドケースを取着させてなる電子装置において、前記絶縁層のうち少なくとも最上層に複数個の切り欠きを形成して前記グランド配線の一部を露出させるとともに、前記グランド配線の外周縁を、前記多層配線基板の外周縁よりも内側に所定距離だけ離間して配しており、前記切り欠き内に露出したグランド配線に対し前記シールドケースの外周部に立設した接合脚部の下端を当接させて接合したことを特徴とするものである。
【０００９】
また本発明の電子装置は、上記構成において、前記接合脚部の下端が内側に折り曲げられているとともに、該折り曲げ部の上下両側に接合用の導電性接着材が配されていることを特徴とするものである。
【００１０】
更に本発明の電子装置は、上記構成において、前記多層配線基板が矩形状であり、且つ前記切り欠きが多層配線基板の四隅に配されていることを特徴とするものである。
【００１２】
更にまた本発明の電子装置は、上記構成において、前記接合脚部が、前記切り欠きに臨む前記絶縁層の端面に当接していることを特徴とするものである。
【００１３】
本発明の電子装置によれば、多層配線基板を構成する絶縁層のうち少なくとも最上層に複数個の切り欠きを形成して多層配線基板の内部に設けられているグランド配線の一部を露出させるとともに、該切り欠き内に露出したグランド配線に対してシールドケース外周部の接合脚部を接合させるようにしたことから、シールドケースとの接合に先立って多層配線基板側に必要な加工としては、多層配線基板の上部に積層されるセラミックグリーンシート等を所定形状に打ち抜くだけの簡単な作業となり、従来例の電子装置の如く多層配線基板側の接合部に端面スルーホール電極等を形成する必要はない。従って、端面スルーホール電極の形成に伴う孔あけ加工やスルーホール内面への電極の被着など、煩雑な製造プロセスは一切不要となり、多層配線基板の製造プロセスを簡略化して電子装置の生産性を向上させることが可能となる。
【００１４】
また本発明の電子装置によれば、シールドケースの接合脚部下端を多層配線基板の上面に露出させたグランド配線に当接させた状態で接合するようになっており、しかも接合脚部の長さは多層配線基板を構成する絶縁層の１層分乃至数層分の厚みに相当する短い長さで良いことから、シールドケースを多層配線基板上に取着する際、接合脚部が多層配線基板と当たって折れ曲がったり、シールドケースが多層配線基板に対して傾いた状態で取着されるといった不都合を生じることは殆どなく、多層配線基板に対するシールドケースの取着作業が簡単かつ良好なものとなり、これによっても電子装置の生産性向上に供することができる。
【００１５】
更に本発明の電子装置によれば、上記切り欠きを多層配線基板の四隅に配し、この４箇所でシールドケースの接合脚部を接合させることにより、シールドケースをより安定した状態で多層配線基板上に取着させることができる。
【００１６】
また更に本発明の電子装置によれば、上記切り欠き内に露出するグランド配線の外周縁を多層配線基板の外周縁よりも内側に所定距離だけ離間して配しておくことにより、多層配線基板を多数個取りによって製作する場合に、大型基板の分割・切断時、グランド配線に対して切断用のカッターが接触するのが有効に防止されることから、グランド配線のエッジが切断に伴い下地より剥離するといった不都合を生じることはなく、これによっても電子装置の生産性を向上させることができる。
【００１７】
更にまた本発明の電子装置によれば、上記シールドケースの接合脚部を切り欠きに臨む絶縁層の端面に当接させた状態でシールドケースを多層配線基板に取着させることにより、多層配線基板に対するシールドケースの位置合わせをより正確に、かつ簡単に行うことができるようになり、これによっても電子装置の生産性及び信頼性が向上される。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を添付図面に基づいて詳細に説明する。
図１は本発明の一実施形態に係る電子装置の分解斜視図、図２は図１の電子装置の断面図であり、同図に示す電子装置は、大略的に、多層配線基板１とシールドケース５とで構成されている。
【００１９】
前記多層配線基板１は、複数個の絶縁層１ａを積層してなる略矩形状の積層体により構成されており、これら絶縁層間にはグランド配線２ｃを含む多数の配線２が介在され、これらの配線２を絶縁層１ａ中に埋設されているビアホール導体２ｂ等を介して相互に電気的に接続させている。
【００２０】
このような多層配線基板１を構成する絶縁層１ａの材質としては、例えばガラスセラミックス等のセラミック材料が用いられ、個々の絶縁層１ａの厚みは例えば５０μm〜３００μmに設定される。
【００２１】
前記多層配線基板１は、絶縁層１ａがセラミック材料から成る場合、セラミック原料の粉末に適当な有機溶剤、有機溶媒等を添加・混合して得たセラミックグリーンシートを複数層積層した上、これをプレス成形し、しかる後、この積層体を高温で焼成し、外形加工することによって製作される。
【００２２】
一方、前記多層配線基板１の内部や上面に設けられる配線２やビアホール導体２ｂの材質としては、例えば、銀を主成分とする導電材料が好適に用いられ、個々の配線２の厚みは例えば５μm〜２０μmに設定される。
【００２３】
前記配線２は、多層配線基板１を上述の製法によって製作する際、セラミックグリーンシートを積層する前に、銀粉末を含む導電ペーストを従来周知のスクリーン印刷等によって各セラミックグリーンシートの表面に所定パターンに印刷・塗布しておき、これをセラミックグリーンシートの焼成時に同時焼成することにより形成される。
【００２４】
尚、前記ビアホール導体２ｂは、セラミックグリーンシートに予め設けておいた貫通孔の内部にスクリーン印刷等によって導電ペーストを塗布・充填しておき、これをセラミックグリーンシートの焼成時に同時焼成することにより形成される。
【００２５】
またこのような多層配線基板１の内部もしくは上面には、高周波回路として、ストリップラインやチップ状の半導体素子や圧電素子，コンデンサ，インダクタが設けられる。
【００２６】
前記高周波回路がストリップライン等によって構成される場合、先に述べた配線２や絶縁層１ａを用いて高周波回路が形成され、その場合、絶縁層１ａとしては誘電率の高い誘電体材料が用いられる。
【００２７】
一方、前記高周波回路がチップ状の半導体素子や圧電素子等によって構成される場合、従来周知のフェースダウンボンディング、或いは、ワイヤボンディング等によって多層配線基板上に搭載され、半田等の導電性接着剤やＡｕ等から成る金属細線等を介して多層配線基板の対応する配線２にボンディングされる。
【００２８】
更にまた、上述した多層配線基板１は、それを構成する複数個の絶縁層１ａのうち少なくとも最上層に複数個の切り欠き４が設けられ、切り欠き４の内側にグランド配線２ｃの一部を露出させている。
【００２９】
前記切り欠き４は、後述するシールドケース５の接合脚部６が接合されるグランド配線２ｃの表面を露出させるためのものであり、この露出部より上方に位置する絶縁層１ａには全て同様の切り欠きが形成される。例えば、グランド配線２ｃが絶縁層１ａの最上層と第２層（上から２層目の絶縁層）との間に設けられている場合、最上層の絶縁層１ａにのみ切り欠きが設けられ、またグランド配線２ｃが絶縁層１ａの第２層と第３層との間に設けられている場合、最上層及び第２層の絶縁層１ａを貫通する形の切り欠き４が設けられる。
【００３０】
尚、このような切り欠き４に臨む絶縁層１ａの端面は、例えば曲率半径０．２ｍｍ〜０．４ｍｍの凹曲面状に加工しておくことが好ましく、そのようにしておけば、多層配線基板１の焼成時等に多層配線基板１に切り欠き４を起点とする割れ等が発生するのを有効に防止することができる。
【００３１】
そして、上述した多層配線基板１上には、多層配線基板１の上面を被覆するシールドケース５が取着される。
前記シールドケース５は、鉄や洋白，りん青銅等の金属により略矩形状をなすように形成されており、その外周部、具体的には、角部４箇所に長さの比較的短い接合脚部６が下方に向かって立設されている。
【００３２】
前記シールドケース５の各接合脚部６は、その下端が内側に折り曲げられた上、多層配線基板１の四隅に設けたグランド配線２ｃの露出部に当接させた状態で半田接合されており、かかる接合用の半田７は、図３に示す如く、その一部が接合脚部６の折り曲げ部上に収容されて、折り曲げ部に対し上下両側に配された形となっている。
【００３３】
このように、シールドケース５の接合脚部下端を多層配線基板１の上面に露出させたグランド配線２ｃに当接させた上、両者を接合するようにしたことから、シールドケース５との接合に先立って多層配線基板１側に必要な加工としては、多層配線基板１の上部に積層されるセラミックグリーンシート等を所定形状に打ち抜くだけの簡単な作業となり、従来例の電子装置の如く多層配線基板１側の接合部に端面スルーホール電極等を形成する必要はない。従って、端面スルーホール電極の形成に伴う孔あけ加工やスルーホール内面への電極の被着など、煩雑な製造プロセスは一切不要となり、多層配線基板１の製造プロセスを簡略化して電子装置の生産性を向上させることが可能となる。
【００３４】
また前記シールドケース５は、接合脚部６の下端を多層配線基板１の上面に露出させたグランド配線２ｃに当接させた状態で接合するようになっており、しかも接合脚部６の長さは多層配線基板１を構成する絶縁層の１層分乃至数層分の厚みに相当する短い長さで良いことから、シールドケース４を多層配線基板１上に取着する際、接合脚部６が多層配線基板１と当たって折れ曲がったり、シールドケース５が多層配線基板１に対して傾いた状態で取着されるといった不都合は殆どなく、これによっても電子装置の生産性向上に供することができる。
【００３５】
尚、このような接合脚部６の長さは、切り欠き４を設けた絶縁層１ａの総厚みよりも若干長くなしておくことが好ましく、例えば、切り欠き部の厚みが１５０μmの場合、接合脚部６の長さは２００μm程度に設定される。
【００３６】
更に前記切り欠き４は、多層配線基板１の四隅にそれぞれ配されており、シールドケース５の接合脚部６が多層配線基板１の四隅で接合されるようになっているため、シールドケース５をより安定した状態で多層配線基板１上に取着させることができる。
【００３７】
またこの場合、切り欠き４内に露出するグランド配線２ｃの外周縁を多層配線基板１の外周縁よりも内側に所定距離だけ離間して配しておくようにすれば、多層配線基板１を製作するのに大型基板を分割して“多数個取り”する場合であっても、大型基板の分割・切断時、グランド配線２ｃと切断用のカッターとが接触することはないことから、グランド配線２ｃのエッジが切断に伴い下地より剥離するといった不都合を生じることはなく、これによっても電子装置の生産性を向上させることができる利点もある。従って、切り欠き４内に露出するグランド配線２ｃの外周縁は、多層配線基板１の外周縁よりも内側に所定距離だけ離間して配しておくことが好ましい。
【００３８】
また更に前記シールドケース５の接合脚部６を切り欠き４に臨む絶縁層１ａの端面に当接させた状態で多層配線基板１に取着するようにしておけば、多層配線基板１に対するシールドケースの位置合わせをより正確に、かつ簡単に行うことができ、これによっても電子装置の生産性及び信頼性が向上されるようになる。従って、シールドケース５の接合脚部６を切り欠き４に臨む絶縁層１ａの端面に当接させた状態でシールドケース５を多層配線基板１に取着させることが好ましい。
【００３９】
かくして上述した電子装置は、その使用時、シールドケース５が接合脚部６及びグランド配線２ｃを介して基準電位（グランド電位）に保持されるようになっており、これによって外部からのノイズをシールドケース５によって良好に遮蔽することができるとともに、多層配線基板１の高周波回路に供給される高周波の電磁波が他のデバイスや他の電子装置に悪影響を及ぼすのが有効に防止されることとなる。
【００４０】
尚、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の変更、改良等が可能である。
【００４１】
例えば上述の実施形態では、シールドケースの接合脚部と多層配線基板のグランド配線とを接合するための導電性接着剤として半田を用いたが、これに代えて、導電性樹脂等の半田以外の導電性接着剤を用いて両者を接合しても構わない。
【００４２】
また上述の実施形態においては、多層配線基板をガラスセラミックスにより形成するようにしたが、これに代えて、アルミナセラミックスやガラス布基材エポキシ樹脂等の他の材料を用いて多層配線基板を形成するようにしても構わない。
【００４３】
【発明の効果】
本発明の電子装置によれば、多層配線基板を構成する絶縁層のうち少なくとも最上層に複数個の切り欠きを形成して多層配線基板の内部に設けられているグランド配線の一部を露出させるとともに、該切り欠き内に露出したグランド配線に対してシールドケース外周部の接合脚部を接合させるようにしたことから、シールドケースとの接合に先立って多層配線基板側に必要な加工としては、多層配線基板の上部に積層されるセラミックグリーンシート等を所定形状に打ち抜くだけの簡単な作業となり、従来例の電子装置の如く多層配線基板側の接合部に端面スルーホール電極等を形成する必要はない。従って、端面スルーホール電極の形成に伴う孔あけ加工やスルーホール内面への電極の被着など、煩雑な製造プロセスは一切不要となり、多層配線基板の製造プロセスを簡略化して電子装置の生産性を向上させることが可能となる。
【００４４】
また本発明の電子装置によれば、シールドケースの接合脚部下端を多層配線基板の上面に露出させたグランド配線に当接させた状態で接合するようになっており、しかも接合脚部の長さは多層配線基板を構成する絶縁層の１層分乃至数層分の厚みに相当する短い長さで良いことから、シールドケースを多層配線基板上に取着する際、接合脚部が多層配線基板と当たって折れ曲がったり、シールドケースが多層配線基板に対して傾いた状態で取着されるといった不都合を生じることは殆どなく、多層配線基板に対するシールドケースの取着作業が簡単かつ良好なものとなり、これによっても電子装置の生産性向上に供することができる。
【００４５】
更に本発明の電子装置によれば、上記切り欠きを多層配線基板の四隅に配し、この４箇所でシールドケースの接合脚部を接合させることにより、シールドケースをより安定した状態で多層配線基板上に取着させることができる。
【００４６】
また更に本発明の電子装置によれば、上記切り欠き内に露出するグランド配線の外周縁を多層配線基板の外周縁よりも内側に所定距離だけ離間して配しておくことにより、多層配線基板を多数個取りによって製作する場合に、大型基板の分割・切断時、グランド配線に対して切断用のカッターが接触するのが有効に防止されることから、グランド配線のエッジが切断に伴い下地より剥離するといった不都合を生じることはなく、これによっても電子装置の生産性を向上させることができる。
【００４７】
更にまた本発明の電子装置によれば、上記シールドケースの接合脚部を切り欠きに臨む絶縁層の端面に当接させた状態でシールドケースを多層配線基板に取着させることにより、多層配線基板に対するシールドケースの位置合わせをより正確に、かつ簡単に行うことができるようになり、これによっても電子装置の生産性及び信頼性が向上される。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態に係る電子装置の分解斜視図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る電子装置の断面図である。
【図３】図２の要部拡大図である。
【図４】グランド配線の露出部外周縁と多層配線基板の外周縁との位置関係を示す平面図である。
【図５】従来の電子装置の斜視図である。
【符号の説明】
１・・・多層配線基板
１ａ・・・絶縁層
２・・・配線
２ｃ・・・グランド配線
４・・・切り欠き
５・・・シールドケース
６・・・接合脚部
７・・・半田（導電性接着剤）
【図１】
0003872378.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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