(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の電極、
前記一対の電極に電気的に接続される半導体発光チップ、
前記半導体発光チップの全体および前記一対の電極のそれぞれの一部を封止するモールド、および
前記モールド内の前記電極に形成され、かつ、外側から内側へ向かって高くなる段差を備える、チップ型半導体発光装置。
【請求項２】
前記電極はＣｕ層を含み、前記段差は前記Ｃｕ層の肉厚を変化させることにより形成される、チップ型半導体発光装置。
【請求項３】
前記電極の最上層はＡｕ層である、請求項１または２記載のチップ型半導体発光装置。
【請求項４】
基板をさらに含み、前記一対の電極は前記基板に形成される、請求項１ないし３のいずれかに記載のチップ型半導体発光装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明はチップ型半導体発光装置に関し、特にたとえば基板上の電極に接続された半導体発光チップを電極の一部とともにモールドした、チップ型半導体発光装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
この種の従来のチップ型半導体発光装置を図４に示す。このチップ型半導体発光装置１は、基板２を含み、基板２の両端部には、一対の電極３および４が形成される。電極３および４は、それぞれ端子部３ａおよび４ａを含み、各端子部３ａおよび４ａの幅方向中央部には、突出部３ｂおよび４ｂが形成される。また、一方の突出部４ｂの先端にはパッド４ｃが形成される。電極３および４のそれぞれは、図４（Ｂ）に示すように、Ｃｕ（銅）層，Ｎｉ（ニッケル）層およびＡｕ（金）層の３層で構成される。このように、最上層にＡｕ層が形成されることにより、半田の被着性および金属線５との電気的接続性の向上が図られる。
【０００３】
そして、電極４のパッド４ｃには、半導体発光チップ（以下、「ＬＥＤチップ」と略称する）６がボンディングされて、その裏面電極が電極４と電気的に接続され、ＬＥＤチップ６の表面電極６ａと電極３の突出部３ｂとが金属線５でワイヤボンディングされる。さらに、突出部３ｂ，突出部４ｂ，パッド４ｃ，金属線５およびＬＥＤチップ６等が、透光性の合成樹脂からなるモールド７で封止される。
【０００４】
このようなチップ型半導体発光装置１は、基板２の裏面を回路基板の表面に接触させた状態で実装され、リフロー工程において、端子部３ａおよび４ａと回路基板の配線パターンとが半田８により電気的に接続される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
従来技術において、リフロー処理を繰り返して実施すると、図４（Ａ）に示すように、溶融された半田８が突出部３ｂおよび４ｂを伝わってモールド７内に侵入し、金属線５やＬＥＤチップ６に到達するおそれがあった。そして、半田８が金属線５やＬＥＤチップ６に到達すると、到達時の衝撃によってこれらが剥離または損傷され、チップ型半導体発光装置１が正常に動作しなくなるおそれがあった。
【０００６】
それゆえに、この発明の主たる目的は、半田によってモールド内の部品が剥離等されるのを防止できる、チップ型半導体発光装置を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
この発明は、一対の電極、一対の電極に電気的に接続される半導体発光チップ、半導体発光チップの全体および一対の電極のそれぞれの一部を封止するモールド、およびモールド内の電極に形成され、かつ、外側から内側へ向かって高くなる段差を備える、チップ型半導体発光装置である。
【０００８】
【作用】
リフロー処理時に溶融された半田が電極の表面を伝わってモールド内に侵入すると、この半田は、外側から内側へ向かって高くなる段差の壁に突き当たる。つまり、モールド内に侵入した半田の進行が、金属線やＬＥＤチップ等の手前で阻止される。
【０００９】
【発明の効果】
この発明によれば、段差によって半田の進行を阻止できるので、モールド内の部品が半田により剥離等されるのを防止できる。
【００１０】
この発明の上述の目的，その他の目的，特徴および利点は、図面を参照して行う以下の実施例の詳細な説明から一層明らかとなろう。
【００１１】
【実施例】
図１に示すこの実施例のチップ型半導体発光装置１０は、携帯電話機やＰＨＳ等のような携帯用電子機器の照明等に適したものであり、絶縁性の基板１２を含む。基板１２は、ガラスクロスなどに耐熱性のＢＴ樹脂を含浸させたＢＴレジン等からなり、そのサイズ（縦×横×高さ）は、近年の小型化の要請に応じて、たとえば２．０ｍｍ×１．２５ｍｍ×０．８ｍｍ、または、１．６ｍｍ×０．８ｍｍ×０．８ｍｍ程度と小さく設定される。なお、発光装置１０は、１０ｃｍ×５ｃｍ程度の大きさの基板１２に多数の素子をマトリクス状に形成し、これを切断することにより得られる。
【００１２】
基板１２の両端部には、一対の電極１４および１６が形成される。電極１４および１６は、基板１２の下面から上面にわたって形成される端子部１４ａおよび１６ａを含み、端子部１４ａおよび１６ａのそれぞれの幅方向中央部から延びて突出部１４ｂおよび１６ｂが形成される。突出部１４ｂおよび１６ｂの長手方向中央部には、外側（端子部側）から内側（基板中央側）へ向かって高くなる段差１８が、それらの幅方向全長にわたって形成される。そして、一方の突出部１６ｂの先端にはパッド１６ｃが形成される。なお、このような電極１４および１６は、図１（ｃ）に示すように、Ｃｕ層，Ｎｉ層およびＡｕ層の３層からなり、段差１８は、Ｃｕ層の肉厚を外側（端子部側）から内側（基板中央側）へ向かって厚くすることによって形成される。最上層をＡｕ層としたのは、半田４０の被着性および金属線２２との電気的接続性を良好にするためである。
【００１３】
そして、パッド１６ｃには、ＬＥＤチップ２０がボンディングされて、その裏面電極と電極１６とが電気的に接続される。また、ＬＥＤチップ２０の表面電極２０ａと電極１４の突出部１４ｂとが金線等のような金属線２２でワイヤボンディングされる。
【００１４】
さらに、基板１２の上面には、透光性の合成樹脂からなるモールド２４が装着され、これによって、突出部１４ｂ，突出部１６ｂ，パッド１６ｃ，ＬＥＤチップ２０および金属線２２等が密封される。
【００１５】
以下には、図２に従って、電極１４および１６に段差１８を形成する方法を説明する。
【００１６】
まず、図２（Ａ）に示すように、表面に所定の厚み（１６〜２０μｍ程度）のＣｕ箔が形成された基板１２を準備し、Ｃｕ箔をパターンエッチングして、所定のパターン２６を形成する。
【００１７】
次に、図２（Ｂ）に示すように、パターン２６の表面に第１Ｃｕ層２８を所定の厚み（１０μｍ程度）で電界メッキにより形成する。
【００１８】
続いて、図２（Ｃ）に示すように、段差１８よりも手前の部分にレジスト３０を塗布し、第１Ｃｕ層２８の上に第２Ｃｕ層３２を所定の厚み（１０μｍ程度）で電界メッキにより形成する。
【００１９】
そして、図２（Ｄ）に示すように、レジスト３０を除去した後、第１Ｃｕ層２８および第２Ｃｕ層３２の上にＮｉ層３４およびＡｕ層３６を電界メッキにより順次形成する。ここで、Ｎｉ層３４の厚みは、５〜１０μｍ程度に設定され、Ａｕ層３６の厚みは、０．３〜０．５μｍ程度に設定される。
【００２０】
このように、段差１８は、Ｃｕ層の肉厚を外側から内側へ向かって厚くすることによって形成される。
【００２１】
発光装置１０は、図３に示すように、基板１２を回路基板３８の表面に直接載置した状態で実装され、リフロー工程において、端子部１４ａおよび１６ａと回路基板３８の配線パターンとが半田４０により電気的に接続される。リフロー処理時に、溶融された半田４０が電極１４および１６の表面を伝わってモールド２４内に侵入すると、半田４０が段差１８の壁に突き当たって、それ以上の進行が阻止される。
【００２２】
この発明によれば、段差１８によって半田４０の進行を阻止できるので、モールド２４内の部品（ＬＥＤチップ２０および金属線２２等）が半田４０によって剥離等されるのを防止できる。したがって、発光装置１０の誤動作を防止できる。
【００２３】
なお、上述の実施例では、Ｃｕ層，Ｎｉ層およびＡｕ層を電界メッキにより形成しているが、これらの層を無電界メッキ（化学メッキ）により形成してもよい。また、この場合には、Ｎｉ層とＡｕ層との間にＰｄ（パラジウム）層等のバリア層を形成してもよい。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の一実施例を示す図解図である。
【図２】図１実施例における段差の形成方法を示す図解図である。
【図３】図１実施例において半田の侵入を阻止した状態を示す図解図である。
【図４】従来技術を示す図解図である。
【符号の説明】
１０  …チップ型半導体発光装置
１２  …基板
１４，１６  …電極
１８  …段差
２０  …半導体発光チップ
２２  …金属線
２４  …モールド
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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