(57)【要約】【課題】ポリオレフィン樹脂に対して、顔料を多量に含む樹脂組成物を用いて成形した成形体であっても、特定の構造を有するイソシアヌレート化合物を用いることにより、電離放射線照射量を少なくしても硬化させることができる樹脂組成物、その樹脂組成物を成形してなるリフレクター、リフレクター付きリードフレーム及びそのリフレクターを使用した半導体発光装置を提供する。【解決手段】ポリオレフィン樹脂、特定のイソシアヌレート化合物、及び顔料を含む樹脂組成物である。【選択図】図１
2016132759.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリオレフィン樹脂、イソシアヌレート化合物、及び顔料を含む樹脂組成物であって、該イソシアヌレート化合物が下記一般式（１）で表わされる化合物である、樹脂組成物。
【化１】
2016132759.tif 000008
［式中、Ｒ１はヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数４〜３０の炭化水素基であり、Ｒ２及びＲ３は炭素数３〜６のアルケニル基を示し、Ｒ２及びＲ３は同一であってもよいし、異なっていてもよい。］
【請求項２】
前記顔料が、白色顔料又は黒色顔料である、請求項１に記載の樹脂組成物。
【請求項３】
前記ポリオレフィン樹脂の屈折率が、１．４０〜１．６０である、請求項１又は２に記載の樹脂組成物。
【請求項４】
前記ポリオレフィン樹脂１００質量部に対して、前記イソシアヌレート化合物１〜１００質量部、及び顔料１０〜１０００質量部を含む、請求項１〜３のいずれかに記載の樹脂組成物。
【請求項５】
前記ポリオレフィン樹脂１００質量部に対して、顔料を除く無機フィラーを１０〜５００質量部含む、請求項４に記載の樹脂組成物。
【請求項６】
前記ポリオレフィン樹脂１００質量部に対して、流動性向上剤を０．１〜５０質量部含む、請求項４又は５に記載の樹脂組成物。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれかに記載の樹脂組成物の硬化物からなる、リフレクター。
【請求項８】
前記硬化物が、前記樹脂組成物を成形した後に、電離放射線を照射してなる、請求項７に記載のリフレクター。
【請求項９】
請求項１〜６のいずれかに記載の樹脂組成物の硬化物からなる、リフレクター付きリードフレーム。
【請求項１０】
光半導体素子と、前記光半導体素子の周りに設けられ、該光半導体素子からの光を所定方向に反射させるリフレクターとを基板上に有し、前記リフレクターが請求項７又は８に記載のリフレクターである、半導体発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、樹脂組成物、リフレクター、リフレクター付きリードフレーム及び半導体発光装置に関する。
【０００２】
従来、電子部品を基板等に実装させる方法として、所定の場所に予め半田が点着された基板上に電子部品を仮固定した後、この基板を赤外線、熱風等の手段により加熱して半田を溶融させて電子部品を固定する方法（リフロー法）が採用されている。この方法により基板表面における電子部品の実装密度を向上させることができる。
【０００３】
また、半導体発光装置の一つであるＬＥＤ素子は、小型で長寿命であり、省電力性に優れることから、表示灯等の光源として広く利用されている。そして近年では、より輝度の高いＬＥＤ素子が比較的安価に製造されるようになったことから、蛍光ランプ及び白熱電球に替わる光源としての利用が検討されている。このような光源に適用する場合、大きな照度を得るために、表面実装型ＬＥＤパッケージ、即ち、アルミニウム等の金属製の基板（ＬＥＤ実装用基板）上に複数のＬＥＤ素子を配置し、各ＬＥＤ素子の周りに光を所定方向に反射させるリフレクター（反射体）を配設する方式が多用されている。
【０００４】
しかし、ＬＥＤ素子は発光時に発熱を伴うため、このような方式のＬＥＤ照明装置では、ＬＥＤ素子の発光時の温度上昇によりリフレクターが劣化してその反射率が低下することで輝度が低下し、ＬＥＤ素子の短寿命化等を招くこととなる。従って、リフレクターには耐熱性が要求されることとなる。
【０００５】
上記耐熱性の要求に応えるべく、特許文献１では、発光ダイオードのリフレクターに用いるポリマー組成物を提案し、具体的には、ポリフタルアミド、カーボンブラック、二酸化チタン、ガラス繊維、及び酸化防止剤を含むポリマー組成物を開示している。そして、当該組成物について熱老化後の反射率を測定し、カーボンブラックを含有しないポリマー組成物に比べて、当該組成物では良好な反射率が得られ、黄変も少ないことを示している。しかし、特許文献１に記載のポリマー組成物の熱老化試験は１７０℃で３時間という短時間での評価であり、より長時間の実用的な条件での耐熱耐久性で良好な結果が得られるかどうかは不明である。
また、特許文献２では、光半導体素子と蛍光体等の波長変換手段とを組み合わせた光半導体装置に用いる熱硬化性光反射用樹脂組成物が開示されている。この特許文献２に記載の熱硬化性光反射用樹脂組成物の熱老化試験は１５０℃で５００時間というより実用的な条件で検証しているが、成形時間が９０秒と熱可塑性樹脂に比べ長く、またポストキュアとして１５０℃で２時間が必要なため、生産性に問題があった。
【０００６】
これらの問題点を解決するために、特許文献３では、ポリメチルペンテンと分子量が１０００以下であるアリル系置換基を有する架橋処理剤とを含む電子線硬化性樹脂組成物が提案されている。この特許文献３には、白色顔料を含むこと、更に白色顔料以外の無機粒子を含む電子線硬化性組成物がリフロー工程において、優れた耐熱性を有し、リフレクター等の成形体とした場合において、優れた耐熱性が得られることが記載されている。この特許文献３には、アリル系置換基を有する架橋処理剤として、３個のアリル基を有するイソシアヌレートや２個のアリル基とエポキシ基を有するイソシアヌレートが使用されている。３個のアリル基を有する架橋処理剤を用いると、電子線を照射して樹脂組成物を硬化させる際に、全てのアリル基を反応させるためには電子線照射量を大きくする必要があった。しかし、電子線照射量が大きくなれば樹脂の劣化が起こり、半導体発光装置の短寿命化を招くこととなることから、電子線照射量はできるだけ小さくすることが望まれている。また、エポキシ基は電子線照射より反応を起こさないため残存し、製品使用中に変化し、結果として半導体発光装置の短寿命化を招く懸念がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特表２００６−５０３１６０号公報
【特許文献２】特開２００９−１４９８４５号公報
【特許文献３】特開２０１３−１６６９２６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明の課題は、ポリオレフィン樹脂に対して、顔料を多量に含む樹脂組成物を用いて成形した成形体であっても、特定の構造を有するイソシアヌレート化合物を用いることにより、電離放射線照射量を少なくしても硬化させることができる樹脂組成物、その樹脂組成物を成形してなるリフレクター、リフレクター付きリードフレーム及びそのリフレクターを使用した半導体発光装置を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明者等は、上記目的を達成するために鋭意研究を重ねた結果、下記の発明により当該目的を達成できることを見出した。すなわち、本発明は下記の通りである。
【００１０】
［１］  ポリオレフィン樹脂、イソシアヌレート化合物、及び顔料を含む樹脂組成物であって、該イソシアヌレート化合物が下記一般式（１）で表わされる化合物である、樹脂組成物。
【化１】
2016132759.tif 000003
［式中、Ｒ１はヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数４〜３０の炭化水素基であり、Ｒ２及びＲ３は炭素数３〜６のアルケニル基を示し、Ｒ２及びＲ３は同一であってもよいし、異なっていてもよい。］
［２］  前記顔料が、白色顔料又は黒色顔料である、［１］に記載の樹脂組成物。
［３］  前記ポリオレフィン樹脂の屈折率が、１．４０〜１．６０である、［１］又は［２］に記載の樹脂組成物。
［４］  前記ポリオレフィン樹脂１００質量部に対して、前記イソシアヌレート化合物１〜１００質量部、及び顔料１０〜１０００質量部を含む、［１］〜［３］のいずれかに記載の樹脂組成物。
［５］  前記ポリオレフィン樹脂１００質量部に対して、顔料を除く無機フィラーを１０〜５００質量部含む、［４］に記載の樹脂組成物。
［６］  前記ポリオレフィン樹脂１００質量部に対して、流動性向上剤を０．１〜５０質量部含む、［４］又は［５］に記載の樹脂組成物。
［７］  ［１］〜［６］のいずれかに記載の樹脂組成物の硬化物からなる、リフレクター。
［８］  前記硬化物が、前記樹脂組成物を成形した後に、電離放射線を照射してなる、［７］に記載のリフレクター。
［９］  ［１］〜［６］のいずれかに記載の樹脂組成物の硬化物からなる、リフレクター付きリードフレーム。
［１０］  光半導体素子と、前記光半導体素子の周りに設けられ、該光半導体素子からの光を所定方向に反射させるリフレクターとを基板上に有し、前記リフレクターが［７］又は［８］に記載のリフレクターである、半導体発光装置。
【発明の効果】
【００１１】
本発明により得られる樹脂組成物は成形後に、電離放射線を照射して硬化させる際、電離放射線照射量を少なくすることができるので、電離放射線による劣化の少ないリフレクターを得ることができる。また、本発明により得られる樹脂組成物は、流動性に優れるので、射出成形等で成形体とする際に加工性が向上する。そのため、形状の再現性に優れた成形物を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の半導体発光装置の一例を示す概略断面図である。
【図２】本発明の半導体発光装置の一例を示す概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
［１．樹脂組成物］
本発明の樹脂組成物は、ポリオレフィン樹脂、イソシアヌレート化合物、及び顔料を含む樹脂組成物であって、該イソシアヌレート化合物が下記一般式（１）で表わされる化合物である。
【化２】
2016132759.tif 000004
［式中、Ｒ１はヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数４〜３０の炭化水素基であり、Ｒ２及びＲ３は炭素数３〜６のアルケニル基を示し、Ｒ２及びＲ３は同一であってもよいし、異なっていてもよい。］
以下、本発明の樹脂組成物について詳細に説明する。なお、本明細書において、好ましいとされている規定は任意に採用することができ、好ましいもの同士の組み合わせはより好ましいと言える。
【００１４】
＜ポリオレフィン樹脂＞
本発明の樹脂組成物に用いられるポリオレフィン樹脂とは、主鎖が炭素−炭素結合からなる構成単位の重合体であり、炭素結合には環状の構造を含む場合もある。単独重合体でもよく、他のモノマーと共重合してなる共重合体でもよい。炭素−炭素結合は加水分解反応を起こさないので、耐水性に優れる。オレフィン樹脂としては、例えば、ノルボルネン誘導体を開環メタセシス重合させた樹脂あるいはその水素添加、エチレン、プロピレン等のオレフィンのそれぞれ単独重合体、あるいはエチレン−プロピレンのブロック共重合体、ランダム共重合体、あるいはエチレン及び／又はプロピレンと、ブテン、ペンテン、ヘキセン等の他のオレフィンとの共重合体、更には、エチレン及び／又はプロピレンと、酢酸ビニル等の他の単量体との共重合体等が挙げられる。なかでも、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリメチルペンテンが好ましく、融点が２３０〜２４０℃と高く、成形温度が２８０℃程度でも分解せず、耐薬品性及び電気絶縁性に優れているという特性を有することからポリメチルペンテンがより好ましい。
【００１５】
前記ポリエチレンとは、エチレンの単独重合体であってもよいし、エチレンと、エチレンと共重合可能な他のコモノマー（例えば、プロピレン、１−ブテン、１−ヘキセン、１−オクテン等のα−オレフィン、酢酸ビニル、ビニルアルコール等）との共重合体であってもよい。ポリエチレン樹脂としては、例えば、高密度ポリエチレン（ＨＤＰＥ）、中密度ポリエチレン（ＭＤＰＥ）、低密度ポリエチレン（ＬＤＰＥ）、直鎖低密度ポリエチレン（ＬＬＤＰＥ）、超低密度ポリエチレン（ＶＬＤＰＥ）、超高分子量ポリエチレン（ＵＨＭＷＰＥ）、架橋ポリエチレン（ＰＥＸ）等が挙げられる。これらのポリエチレンは１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００１６】
前記ポリプロピレンとは、プロピレンの単独重合体であってもよいし、プロピレンと、プロピレンと共重合可能な他のコモノマー（例えば、エチレン、１−ブテン、１−ヘキセン、１−オクテン等のα−オレフィン、酢酸ビニル、ビニルアルコール等）との共重合体であってもよい。これらのポリプロピレンは１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００１７】
前記ポリメチルペンテン樹脂としては４−メチルペンテン−１の単独重合体が好ましいが、４−メチルペンテン−１と他のα−オレフィン、例えばエチレン、プロピレン、１−ブテン、１−ペンテン、１−ヘキセン、１−オクテン、１−デセン、１−ドデセン、１−テトラデセン、１−オクタデセン、１−エイコセン、３−メチル−１−ブテン、３−メチル−１−ペンテン等の炭素数２ないし２０のα−オレフィンとの共重合体で、４−メチル−１−ペンテンを主体とした共重合体でもよい。前記共重合体である場合は、耐熱性の観点から、炭素数１０〜１８のアルケンが共重合されたものが好ましく、炭素数１６以上のアルケンが共重合されたものがより好ましい。
【００１８】
本発明の樹脂組成物に用いられるポリオレフィン樹脂の屈折率を１．４０〜１．６０とすることにより、特に、顔料として白色顔料を用いて樹脂組成物を成形して得られた成形体をリフレクターとした場合、光線反射率を向上させることができる。また、ポリオレフィン樹脂の重量平均分子量が２２０，０００〜８００，０００であることが好ましい。重量平均分子量が２２０，０００以上であると、樹脂組成物を成形して得られた成形体にクラックが発生しにくくなるので好ましい。例えば、半導体発光装置中にクラックが発生していると、水分が浸入し半導体発光素子が故障するため極端に製品寿命が短くなる。また、重量平均分子量が８００，０００以下であると、樹脂組成物を成形することが困難とならないので好ましい。ポリオレフィン樹脂の重量平均分子量の下限値は、好ましくは２３０，０００以上、より好ましくは２４０，０００以上である。また、重量平均分子量の上限値は、好ましくは７００，０００以下、より好ましくは６５０，０００以下である。なお、重量平均分子量は、ゲルパーミッションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）で測定したポリスチレン換算の重量平均分子量が好ましいが、再現性良く重量平均分子量が測定できる手法であれば、これに限定されない。たとえば、適切な溶媒で抽出した材料を例示した方法で重量平均分子量を測定することができる。
【００１９】
ＧＰＣによる重量平均分子量測定条件の例としては、以下の条件を例示することができる。
溶離液：o-ジクロロベンゼン
温度：１４０〜１６０℃
流速：１．０ｍＬ／ｍｉｎ
試料濃度：１．０／Ｌ
注入量：３００μＬ
【００２０】
＜イソシアヌレート化合物＞
本発明の樹脂組成物に用いられるイソシアヌレート化合物は、下記一般式（１）で表わされる化合物である。
【化３】
2016132759.tif 000005
［式中、Ｒ１はヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数４〜３０の炭化水素基であり、Ｒ２及びＲ３は炭素数３〜６のアルケニル基を示し、Ｒ２及びＲ３は同一であってもよいし、異なっていてもよい。］
【００２１】
Ｒ１はヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数４〜３０の炭化水素基である。炭化水素基中には、オレフィン性の不飽和結合を有さない炭化水素基であることが好ましい。これらの炭化水素基としては、例えば、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基等が挙げられる。アルキル基としては、例えば、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、エイコシル基等の直鎖状のアルキル基や分岐状のアルキル基を挙げることができる。シクロアルキル基としては、例えば、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロノニル基、シクロデシル基、シクロウンデシル基、シクロドデシル基等を挙げることができる。アリール基としては、フェニル基、ナフチル基、アントリル基等を挙げることができる。アラルキル基としては、ベンジル基、フェネチル基、トリチル基、ナフチルメチル基、アントラセニルメチル基等を挙げることができる。これら炭化水素基には、前述したとおり、ヘテロ原子を含んでいてもよく、ヘテロ原子としては、酸素原子、窒素原子、硫黄原子等のヘテロ原子を挙げることができる。前記Ｒ１はアルキル基であることが好ましく、特に、炭素数６〜２０のアルキル基であることが好ましい。
【００２２】
Ｒ２及びＲ３は炭素数３〜６のアルケニル基を示し、プロペニル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基のアルケニル基を挙げることができる。これらのアルケニル基中の炭素−炭素の二重結合の位置は、末端位であってもよいし、内部位であってもよい。Ｒ２及びＲ３は同一であってもよいし、異なっていてもよい。Ｒ２及びＲ３としては、特にプロペニル基が好ましく、プロペニル基の中でもアリル基であることが好ましい。そして、Ｒ２及びＲ３が共にアリル基であることが好ましい。
【００２３】
前記一般式（１）で表わされるイソシアヌレート化合物として、例えば、Ｒ２及びＲ３が共にアリル基である場合の具体的な化合物を例示すれば、５−ノニル−１，３−ジアリルイソシアヌレート、５−デシル−１，３−ジアリルイソシアヌレート、５−ドデシル−１，３−ジアリルイソシアヌレート、５−トリデシル−１，３−ジアリルイソシアヌレート、５−テトラデシル−１，３−ジアリルイソシアヌレート、５−シクロヘキシル−１，３−ジアリルイソシアヌレート、５−フェニル−１，３−ジアリルイソシアヌレート、５−ベンジル−１，３−ジアリルイソシアヌレート等を挙げることができる。
【００２４】
本発明の樹脂組成物は、一般式（１）で表わされるイソシアヌレート系化合物を用いることにより、樹脂組成物の成形性と硬化処理を改善することができる。樹脂組成物を成形した後の硬化処理には、通常、電離放射線を照射して硬化処理を行うが、一般式（１）で表わされるイソシアヌレート系化合物を用いることにより、従来の３官能の架橋処理剤を用いる際と比べて、電離放射線の照射量を少なくすることができる。従って、使用する材料の劣化を少なくすることができる。また、一般式（１）で表わされるイソシアヌレート系化合物はＲ１が炭素数４〜３０で、オレフィン樹脂との相溶性に優れるため、樹脂組成物の流動性が高くなり、射出成形等で成形体とする際に、加工性が向上する。
【００２５】
＜顔料＞
本発明の樹脂組成物には、顔料が用いられる。顔料としては、特に限定されるものではないが、樹脂組成物の硬化物をリフレクターとする場合、顔料としては、白色顔料又は黒色顔料が好ましく用いられる。白色顔料としては、酸化チタン、アルミナ、タルク、水酸化アルミニウム、マイカ、炭酸カルシウム、硫化亜鉛、酸化亜鉛、硫酸バリウム、チタン酸カリウム等を単独もしくは混合して用いることが可能である。白色顔料は、本発明の樹脂組成物を硬化させて得られる硬化物に白色系の色調を付与するために用いられるものであり、特にその色調を高度の白色とすることにより、硬化物の光線反射率を向上させることができる。本発明の樹脂組成物を硬化させて得られる硬化物の光線反射率を向上させたものは、リフレクターとして用いることができる。特に硬化物をリフレクターとして用いる場合、良好な光線反射率が要求されるため、白色顔料としては、入手が容易で、光線反射率にも優れる酸化チタンを用いることが好ましい。白色顔料の平均粒径は成形性を考慮し、かつ高い反射率を得る観点から一次粒度分布において０．１〜１００μｍであることが好ましく、０．１〜１０μｍであることがより好ましく、０．２〜１μｍであることがさらに好ましい。平均粒径は、レーザー光回折法による粒度分布測定における質量平均値Ｄ５０として求めることができる。
また、黒色顔料とは少なくとも可視光線領域（４００〜７００ｎｍ）において、光線反射率が１％未満を示す粉末であるものであり、本発明の樹脂組成物を硬化させて得られる硬化物に黒色系の色調を付与するために用いられ、硬化物の光線反射率を低下させることができる。このような光線反射率を低下させた硬化物も特定用途のＬＥＤのリフレクターとして用いられている。黒色顔料としては、カーボンブラック又はグラファイトが好ましく用いられる。
【００２６】
＜配合割合＞
本発明の樹脂組成物は、ポリオレフィン樹脂、イソシアヌレート化合物、及び顔料を含むが、イソシアヌレート化合物は、ポリオレフィン樹脂１００質量部に対して、通常、１〜１００質量部、好ましくは、８〜６０質量部、より好ましくは、１０〜５０質量部である。イソシアヌレート化合物の含有量を上記範囲内とすることにより、樹脂組成物の成形性と樹脂組成物の硬化物の硬化性を両立させることができる。また、顔料は、ポリオレフィン樹脂１００質量部に対して、通常、１０〜１０００質量部、好ましくは、５０〜８００質量部、より好ましくは、１００〜６００質量部である。顔料の含有量を上記範囲内とすることにより、樹脂組成物から得られる硬化物において、顔料の効果を十分に発揮させることができ、かつ樹脂組成物を成形する際に成形性を確保することができる。
【００２７】
＜顔料を除く無機フィラー＞
本発明の樹脂組成物には、さらに顔料を除く無機フィラー（以下、無機フィラーと称することもある。）を含ませることができる。無機フィラーを含ませることにより、本発明の樹脂組成物を硬化させて得られる硬化物の強度を向上させることができる。このような無機フィラーとしては、繊維状無機フィラー、板状や粒子状等のその他の無機フィラーを用いることができる。
【００２８】
（繊維状無機フィラー）
繊維状無機フィラーとしては、ガラス繊維、アスベスト繊維、炭素繊維、グラファイト繊維、金属繊維、ホウ酸アルミニウムウイスカー、マグネシウム系ウィスカー、珪素系ウィスカー、ワラストナイト、イモゴライト、セピオライト、スラグ繊維、ゾノライト、石膏繊維、シリカ繊維、シリカ−アルミナ繊維、ジルコニア繊維、窒化ホウ素繊維、窒化珪素繊維およびホウ素繊維等を挙げることができる。
【００２９】
（その他の無機フィラー）
その他の無機フィラーとしては、シリカ粒子、層状珪酸塩、有機オニウムイオンで交換された層状珪酸塩、ガラスフレーク、非膨潤性雲母、グラファイト、金属箔、セラミックビーズ、クレイ、マイカ、セリサイト、ゼオライト、ベントナイト、ドロマイト、カオリン、粉末珪酸、長石粉、シラスバルーン、石膏、ノバキュライト、ドーソナイトおよび白土フラーレンなどのカーボンナノ粒子等の板状や粒子状の無機フィラーが挙げられる。
【００３０】
前記顔料を除く無機フィラーの中でも、本発明の樹脂組成物をリフレクター用として使用する場合は、半導体発光装置として使用した際の機械的強度や温度による形状安定性に優れるという観点から、ガラス繊維を用いることが好ましく、特に、二酸化ケイ素を６０質量％以上含むガラス繊維を用いることが好ましい。ガラス繊維における二酸化ケイ素の割合は、６５質量％以上であることがより好ましく、７０質量％以上であることがさらに好ましい。
繊維状フィラーの断面形状は、一般的な、略円形状であってもよいし、扁平形状等の異形断面であってもよい。さらに断面形状、断面積が一定の繊維でなくともよい。この場合の断面績は長さ方向に異なる断面積を平均して得られた断面積として規定される。一例として、繊維状フィラーがガラス繊維の場合には、断面のサイズとしては、上述の断面積の規定を満足し、かつ断面の短径Ｄ１が０．５μｍ以上２５μｍ以下、長径Ｄ２が０．５μｍ以上３００μｍ以下、Ｄ１に対するＤ２の比Ｄ２／Ｄ１が１．０以上３０以下であることが好ましい。また、ガラス繊維の平均繊維長は、０．７５μｍ以上３００μｍ以下であることが好ましい。このようなガラス繊維は、ミルドファイバーとも呼ばれ、長繊維を粉砕して得ることができる。前記顔料を除く無機フィラーは、ポリオレフィン樹脂１００質量部に対して、通常、１０〜５００質量部の範囲内で用いることができる。
【００３１】
＜流動性向上剤＞
本発明の樹脂組成物には、さらに流動性向上剤を含ませることができる。流動性向上剤を含ませることにより、樹脂組成物を成形する際に、特に、顔料や顔料を除く無機フィラーを多量に含む樹脂組成物の成形性を向上させることができる。
流動性向上剤としては、ポリエチレンワックス、ポリプロピレンワックス、極性ワックス、流動パラフィン、シランカップリング剤として使用されているシラン化合物、及び金属せっけん等が挙げられる。上記流動性向上剤は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００３２】
特に前記流動性向上剤として、シランカップリング剤として使用されているシラン化合物を用いることが、樹脂に対する無機物質の分散性、相溶性が高く、リフレクターとした際の反射率、機械的特性、寸法安定性を向上させることができる観点から好ましい。これらのシラン化合物としては、例えば、ヘキサメチルジシラザン等のジシラザン；環状シラザン；トリメチルシラン、トリメチルクロルシラン、ジメチルジクロルシラン、メチルトリクロルシラン、アリルジメチルクロルシラン、トリメトキシシラン、ベンジルジメチルクロルシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、イソブチルトリメトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、トリメチルメトキシシラン、ヒドロキシプロピルトリメトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、ｎ−ブチルトリメトキシシラン、ｎ−ヘキサデシルトリメトキシシラン、ｎ−オクタデシルトリメトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、γ−メタクリルオキシプロピルトリメトキシシラン、及びビニルトリアセトキシシラン等のアルキルシラン化合物；γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−（２−アミノエチル）アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−（２−アミノエチル）アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）３−アミノプロピルトリメトキシシラン、及びＮ−β−（Ｎ−ビニルベンジルアミノエチル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、ヘキシルトリメトキシシラン等のアミノシラン化合物；等を挙げることができる。
【００３３】
前記流動性向上剤は、ポリオレフィン樹脂１００質量部に対して、通常、０．１〜５０質量部の範囲内で用いることができる。
【００３４】
＜その他の添加剤＞
なお、本発明の樹脂組成物には、本発明の効果を損なわない限り、種々の添加剤を含有させることができる。例えば、樹脂組成物の性質を改善する目的で、種々のシリコーンパウダー、熱可塑性エラストマー、有機合成ゴム、脂肪酸エステル、グリセリン酸エステル、ステアリン酸亜鉛、ステアリン酸カルシウム等の内部離型剤や、ベンゾフェノン系、サリチル酸系、シアノアクリレート系、イソシアヌレート系、シュウ酸アニリド系、ベンゾエート系、ヒンダートアミン系、ベンゾトリアゾール系、フェノール系等の酸化防止剤や、ヒンダードアミン系、ベンゾエート系等の光安定剤といった添加剤を配合することができる。
【００３５】
本発明の樹脂組成物は、既述のポリオレフィン樹脂、イソシアヌレート化合物、及び顔料及び必要に応じて使用される顔料を除く無機フィラー、流動性向上剤及びその他の添加剤を溶融混練してペレット等の造粒物として製造することができる。溶融混練方法としては、溶融混練押出機、２本ロールあるいは３本ロール、ホモジナイザー、プラネタリーミキサー等の撹拌機、ポリラボシステムやラボプラストミル等の溶融混練機等の公知の溶融混練方法を用いることができる。
【００３６】
本発明の樹脂組成物から得られる硬化物は、該樹脂組成物を、各種成形方法を用いて所定形状の成形体とし、その成形体を硬化処理することにより得られる。成形方法としては、トランスファー成形、圧縮成形、射出成形等の成形方法を用いることができる。例えば、射出成形方法を用いる場合、シリンダー温度２００〜４００℃、金型温度２０〜１５０℃で射出成形して得ることができる。このようにして得られた成形体を硬化処理する方法としては、通常は、電離放射線を照射することにより硬化物を得ることができる。電離放射線としては、電子線、紫外線等を挙げることができるが、比較的短時間で硬化物を得ることができる観点から、電子線を用いることが好ましい。
【００３７】
電離放射線として、電子線を用いる場合、電子線の加速電圧については、用いる樹脂組成物の大きさや成形体の厚みに応じて適宜選定し得る。例えば、厚みが１ｍｍ程度の成形体の場合は通常加速電圧２５０〜３０００ｋＶ程度で、使用した架橋処理剤を架橋し、硬化させることができる。なお、電子線の照射においては、加速電圧が高いほど透過能力が増加するため、基材として電子線により劣化する基材を使用する場合には、電子線の透過深さと成形体の厚みが実質的に等しくなるように、加速電圧を選定することにより、成形体への余分の電子線の照射を抑制することができ、過剰電子線による成形体の劣化を最小限にとどめることができる。また、電子線を照射する際の吸収線量は樹脂組成物の組成により適宜設定されるが、成形体中の架橋密度が飽和する量が好ましく、照射線量は５０〜６００ｋＧｙであることが好ましく、特に１００〜２５０ｋＧｙであることが好ましい。
さらに、電子線源としては、特に制限はなく、例えばコックロフトワルトン型、バンデグラフト型、共振変圧器型、絶縁コア変圧器型、あるいは直線型、ダイナミトロン型、高周波型などの各種電子線加速器を用いることができる。
【００３８】
［２．リフレクター］
本発明のリフレクターは、既述の本発明の樹脂組成物を成形してなる。
当該リフレクターは、後述する半導体発光装置と組み合わせて用いてよいし、他の材料からなる半導体発光装置（ＬＥＤ実装用基板）と組み合わせて用いてもよい。
本発明のリフレクターは、主として、半導体発光装置のＬＥＤ素子からの光をレンズ（出光部）の方へ反射させる作用を有する。リフレクターの詳細については、本発明の半導体発光装置に適用されるリフレクター（後述するリフレクター１２）と同じであるためここでは省略する。
【００３９】
［３．リフレクター付きリードフレーム］
本発明のリフレクター付きリードフレームは前述した本発明の樹脂組成物を成形してなる。リードフレームは、リフレクターを載置するための基板を示す。リードフレームは、半導体発光装置の分野で用いられるものあればいかなるものであっても使用可能である。リードフレームの材料としては、例えば、アルミナや、窒化アルミニウム、ムライト、ガラスなどの焼結体から構成されるセラミック等を挙げることができる。これ以外にも、ポリイミド樹脂等のフレキシブル性を有する樹脂材料等を挙げることができる。特に金属よりなるリードフレームとしては、アルミニウム、銅及び銅の合金が用いられることが多く、反射率の向上のため銀などの反射率が高い貴金属によりメッキされることも多い。特に金属で形成されたリフレクター用基板は、リードフレームと呼称されることも多い。リードフレームに形成された端子部等は、ハーフエッチングにより形成されていてもよい。具体的には、上記のリードフレームに、本発明の樹脂組成物を射出成形することにより所望のリフレクター形状に成形することで、本発明のリフレクター付きリードフレームが製造される。
【００４０】
本発明のリフレクター付きリードフレームの厚さ（リフレクターの厚み）は、０．１〜３．０ｍｍであることが好ましく、０．１〜１．０ｍｍであることがより好ましく、０．１〜０．８ｍｍであることがさらに好ましい。
【００４１】
本発明のリフレクター付きリードフレームは、これにＬＥＤチップを載せてさらに公知の封止剤により封止を行い、ダイボンディングを行なって所望の形状にすることで、半導体発光装置とすることができる。なお、本発明のリフレクター付きリードフレームは、リフレクターとして作用するが、半導体発光装置を支える枠としても機能している。
【００４２】
［４．半導体発光装置］
本発明の半導体発光装置を図１に例示する。本実施形態に半導体発光装置は、光半導体素子１０と、この光半導体素子１０の周りに設けられ、光半導体素子１０からの光を所定方向に反射させる光反射面を有するリフレクター１２とを基板１４上に有してなる。光半導体素子１０は、ＬＥＤ素子又はＬＥＤパッケージであることが好ましい。半導体発光装置において、リフレクター１２は、上述のリフレクターに相当し、光反射面の少なくとも一部（図１の場合は全部）が上述した本発明のリフレクター用樹脂組成物からなる成形体で構成されてなる。
【００４３】
光半導体素子１０は、放射光（一般に、白色光ＬＥＤにおいてはＵＶ又は青色光）を放出する、例えば、ＡｌＧａＡｓ、ＡｌＧａＩｎＰ、ＧａＰ又はＧａＮからなる活性層を、ｎ型及びｐ型のクラッド層により挟んだダブルヘテロ構造を有する半導体チップ（発光体）であり、例えば、一辺の長さが０．５ｍｍ程度の六面体の形状をしている。そして、ワイヤーボンディング実装の形態の場合には、リード線１６を介して不図示の電極（接続端子）に接続されている。
【００４４】
リフレクター１２の形状は、レンズ１８の端部（接合部）の形状に準じており、通常、角形、円形、楕円形等の筒状又は輪状である。図１の概略断面図においては、リフレクター１２は、筒状体（輪状体）であり、リフレクター１２のすべての端面が基板１４の表面に接触、固定されている。
なお、リフレクター１２の内面は、光半導体素子１０からの光の指向性を高めるために、テーパー状に上方に広げられていてもよい（図１参照）。
また、リフレクター１２は、レンズ１８側の端部を、当該レンズ１８の形状に応じた形に加工された場合には、レンズホルダーとしても機能させることができる。
【００４５】
リフレクター１２は、図２に示すように、光反射面側だけを本発明の樹脂組成物からなる光反射層１２ｂとしてもよい。この場合、光反射層１２ｂの厚さは、熱抵抗を低くする等の観点から、５００μｍ以下とすることが好ましく、３００μｍ以下とすることがより好ましい。光反射層１２ｂが形成される部材１２ａは、公知の耐熱性樹脂で構成することができる。
【００４６】
既述のようにリフレクター１２上にはレンズ１８が設けられているが、これは通常樹脂製であり、目的、用途等により様々な構造が採用され、着色されることもある。
【００４７】
基板１４とリフレクター１２とレンズ１８とで形成される空間部は、透明封止部であってよいし、必要により空隙部であってもよい。この空間部は、通常、透光性及び絶縁性を与える材料等が充填された透明封止部であり、ワイヤーボンディング実装において、リード線１６に直接接触することにより加わる力、及び、間接的に加わる振動、衝撃等により、光半導体素子１０との接続部、及び／又は、電極との接続部からリード線１６が外れたり、切断したり、短絡したりすることによって生じる電気的な不具合を防止することができる。また、同時に、湿気、塵埃等から光半導体素子１０を保護し、長期間に渡って信頼性を維持することができる。
【００４８】
この透光性及び絶縁性を与える材料（透明封止剤組成物）としては、通常、シリコーン樹脂、エポキシシリコーン樹脂、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリカーボネート樹脂等が挙げられる。これらのうち、耐熱性、耐候性、低収縮性及び耐変色性の観点から、シリコーン樹脂が好ましい。
【００４９】
以下に、図１に示す半導体発光装置の製造方法の一例について説明する。
まず、上記本発明の反射材樹脂組成物を、所定形状のキャビティ空間を備える金型を用いたトランスファー成形、圧縮成形、射出成形等により、所定形状のリフレクター１２を成形する。その後、別途準備した光半導体素子１０及び電極を、接着剤又は接合部材により基板１４に固定し、リード線１６によりＬＥＤ素子と電極を接続する。次いで、基板１４及びリフレクター１２により形成された凹部に、シリコーン樹脂等を含む透明封止剤組成物を注入し、加熱、乾燥等により硬化させて透明封止部とする。その後、透明封止部上にレンズ１８を配設して、図１に示す半導体発光装置が得られる。
なお、透明封止剤組成物が未硬化の状態でレンズ１８を載置してから、組成物を硬化させてもよい。
本発明の樹脂組成物から得られる成形体は、電離放射線を照射して硬化させる際、電離放射線照射量を少なくすることができるので、電離放射線による劣化の少ないリフレクター、リフレクター付きリードフレームを得ることができる。
【実施例】
【００５０】
次に、本発明を実施例によりさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの例によってなんら限定されるものではない。
なお、本実施例及び比較例において使用した材料は下記の通りである。
【００５１】
［樹脂成分］
・ポリメチルペンテン樹脂：ＭＸ００２（三井化学（株）製、商標登録：ＴＰＸ−ＭＸ００２、密度０．８３３ｇ／ｃｍ３、融解ピーク温度２２４℃、屈折率１．４２）
・ポリプロピレン樹脂：Ｊ１３７Ｇ［プライムポリマー（株）製、プライムポリプロＪ１３７Ｇ、ＭＩ＝３０ｇ／１０分、屈折率１．４８］
・ポリエチレン樹脂：高密度ポリエチレン［プライムポリマー（株）製、ハイゼックス１３００Ｊ、ＭＩ＝１２ｇ／１０分、屈折率１．５３］
【００５２】
［イソシアヌレート化合物］
・化合物１：トリアリルイソシアヌレート
・化合物２：５−ドデシル−１，３−ジアリルイソシアヌレート［一般式（１）において、Ｒ１がｎ−ドデシル基であり、Ｒ２及びＲ３がアリル基である化合物］
・化合物３：モノアリルジグリシジルイソシアヌレート
【００５３】
［顔料成分］
・酸化チタン：ＰＦ６９１（石原産業（株）製  ルチル型構造  平均粒径０．２１μｍ）
・カーボンブラック：＃４５（三菱化学（株）製）
【００５４】
［顔料を除く無機フィラー成分］
・ガラス繊維：ＳＳ０５ＤＥ−４１３ＳＰ（日東紡（株）製、繊維長６５μｍ、平均断面積４１．６μｍ２、断面形状は丸型のガラス繊維）
【００５５】
［流動性向上剤］
・シラン化合物：ヘキシルトリメトキシシラン［ＫＢＭ−３０６３（信越化学（株）製）］
【００５６】
［その他の添加剤］
・離型剤              ：ステアリン酸亜鉛［ＳＺ−２０００（堺化学（株）製）］
・酸化防止剤（１）    ：ＩＲＧＡＮＯＸ１０１０（ＢＡＳＦ・ジャパン（株）製）
・酸化防止剤（２）    ：ＰＥＰ３６［ビス（２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４-メチルフェニル）ペンタエリスリトールジホスファイト、（株）ＡＤＥＫＡ製、商品名：アデカスタブＰＥＰ３６］
【００５７】
［実施例１〜１０、比較例１〜３］
下記表１〜表２に示すように各種材料を配合、混練し、樹脂組成物を得た。
なお、樹脂組成物は、各種材料を配合し、押出機（日本プラコン（株）  ＭＡＸ３０：ダイス径３．０ｍｍ）とペレタイザー（（株）東洋精機製作所  ＭＰＥＴＣ１）を用いて行い作製した。得られた樹脂組成物について、ＭＶＲを下記に記載の方法で評価した。また、樹脂組成物を射出成形機（ソディック（株）製  ＴＲ４０ＥＲ）にて、リフレクター付きリードフレーム成形体を作製し、成形性を下記に記載の方法で評価した。耐熱性及び引張特性は、同成形機より成形サイズ７５０ｍｍ×７５０ｍｍ×厚さ０．５ｍｍの成形体に加速電圧を８００ｋＶで２００ｋＧｙ又は３４０ｋＧｙの吸収線量にて電子線を照射した硬化物を、下記に記載の方法で評価した。評価結果を表１及び表２に示す。
【００５８】
（評価１）
・ＭＶＲ（ｃｍ３／６０秒）の測定及び成形性の評価
樹脂組成物のＭＶＲはＪＩＳ Ｋ ７２１０:１９９９ 熱可塑性プラスチックのＭＶＲに記載の方法に準拠した方法により測定した。具体的には、試験温度２８０℃、試験荷重２．１６ｋｇ、６０秒の条件で行った。測定装置としては、チアスト社製 メルトフローテスターを用いた。ＭＶＲは、成形性を示す指標であり、その数値が大きいほど流動性が高く、成形性に優れていることを示す。
【００５９】
（評価２）
・成形性
上記で得た樹脂組成物を射出成形機（ソディック（株）製  ＴＲ４０ＥＲ）にて、厚さ２５０μｍの銀メッキリードフレーム上に射出成形し、リフレクター付きリードフレーム成形体を作製した（樹脂厚み：７００μｍ、外形寸法：３５ｍｍ×３５ｍｍ、開口部：２．９ｍｍ×２．９ｍｍ、開口部数：３６個）。射出成形機条件は、シリンダー温度：２６０℃、金型温度：７０℃、射出速度：２００ｍｍ／ｓｅｃ、保圧力：１００ＭＰａ、保圧時間：１ｓｅｃ、冷却時間：１５ｓｅｃとした。成形性は成形時のプランジャ安定性を以下の基準により評価した。
○：・・・・成形性良好、プランジャ位置安定
△：・・・・成形可能だが、プランジャ位置不安定（不良発生の可能性がある）
×：・・・・成形不可能
【００６０】
（評価３）
・耐熱性
成形体の各試料の貯蔵弾性率を、ＲＳＡＧ２（ＴＡ  ＩＮＳＴＲＵＭＥＮＴＳ製）により、測定温度２５〜４００℃、昇温速度５℃／ｍｉｎ、Ｓｔｒａｉｎ  ０．１％の条件にて測定した。２７０℃での貯蔵弾性率を下記表１〜表２に示す。
【００６１】
（評価４）
・引張特性
成形体の各試料の引張弾性率（ＭＰａ）をＪＩＳ Ｋ７１６２に準拠し、２５℃の温度環境下にて、引張圧縮試験機（Ａ＆Ｄ（株）製 テンシロン ＲＴＦ−１３５０）を用い、引張速度０．３ｍｍ／分、チャック間距離２０ｍｍの条件で測定して得られた引張応力−ひずみ曲線の初めの直線部分から、次の式によって計算した。測定結果を下記表１〜表２に示す。
Ｅ＝Δρ／Δε
Ｅ：引張弾性率
Δρ：直線上の２点間の元平均断面積による応力差
Δε：同じ２点間のひずみ差
【００６２】
【表１】
2016132759.tif 000006
【００６３】
【表２】
2016132759.tif 000007
【００６４】
上記実施例の結果から明らかなとおり、実施例１〜１０で得られた樹脂組成物は、比較例１及び２で得られた樹脂組成物と比較して、ＭＶＲが６ｃｍ３／６０秒以上と高く、成形性に優れていることが示されている。
実施例１〜７で得られた樹脂組成物は、電子線照射量が少なくても、十分な硬化性を有していることが示されている。また、実施例８〜１０で得られた樹脂組成物は、電子線照射量を多くすれば、貯蔵弾性率が高くなり、耐熱性が高くなることが示されている。これに対して、実施例１と比較例２との対比から、イソシアヌレート化合物として化合物３（モノアリルジグリシジルイソシアヌレート）用いた比較例２は、貯蔵弾性率が低くなり、耐熱性に劣ることが示されており、実施例２と比較例３との対比から、イソシアヌレート化合物として化合物１（トリアリルイソシアヌレート）を用いた比較例３は、成形性が悪く、貯蔵弾性率を測定することができないことが示されている。
なお、実施例１及び８の樹脂組成物、実施例２、７及び９の樹脂組成物、並び実施例３及び１０の樹脂組成物は、それぞれ樹脂組成物の配合組成は同じであり、電子線照射量を変えた実施例である。これらの実施例から、電子線照射量が少なくても、十分な貯蔵弾性率を有することが示されている。
そして、実施例１〜１０で得られた樹脂組成物は、電子線照射量が少なくても、十分な引張弾性率を有することが示されている。
【符号の説明】
【００６５】
１０・・・光半導体素子
１２・・・リフレクター
１４・・・基板
１６・・・リード線
１８・・・レンズ
【図１】
2016132759.tif 000009
【図２】
2016132759.tif 000010