(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
シラノール基を有するシリカゲルと、
該シラノール基に結合する第一化学修飾基と、
該シリカゲル表面を被覆するシリコーンポリマーと、
該シリコーンポリマー上のシラノール基及び／又は該シリカゲル上のシラノール基に結合するトリメチルシリル基と、
を有するカラム充填剤。
【請求項２】
請求項１記載のカラム充填剤において、シラノール基を有するシリカゲルと、
該シラノール基に結合する第一化学修飾基と、
１分子中に２つ以上のヒドロシリル基を有するシリコーン化合物よりなり、分子同士が互いに架橋し、該シリカゲルの実質的全表面を網目状に被覆するシリコーンポリマーと、
該シリコーンポリマー上の残存ヒドロシリル基から生じたシラノール基に結合するトリメチルシリル基と、
を有するカラム充填剤。
【請求項３】
請求項１又は２に記載のカラム充填剤において、該シリコーンポリマー上の残存ヒドロシリル基に結合する第二化学修飾基を有することを特徴とするカラム充填剤。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれかに記載のカラム充填剤において、第一化学修飾基が炭素数１〜３０の直鎖炭化水素基、分岐炭化水素基、環状炭化水素基、又はシアノ基、水酸基、カルボキシル基、酸アミド基、イミド基、スルホン基、アミノ基又はグリセロイル基に置換された置換炭化水素基であることを特徴とするカラム充填剤。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれかに記載のカラム充填剤において、第一化学修飾基がオクタデシル基、オクチル基、フェニル基、シアノ基、メチル基、又はエポキシ基であることを特徴とするカラム充填剤。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれかに記載のカラム充填剤において、シリコーン化合物が、1,3,5,7-テトラメチルシクロテトラシロキサンであることを特徴とするカラム充填剤。
【請求項７】
請求項３〜６のいずれかに記載のカラム充填剤において、第二化学修飾基が、イオン交換基であることを特徴とするカラム充填剤。
【請求項８】
請求項３〜６のいずれかに記載のカラム充填剤において、第二化学修飾基が、スルホン基、カルボキシル基、又はアミノ基であることを特徴とするカラム充填剤。
【請求項９】
下記（Ａ）〜（Ｃ）工程を含むことを特徴とするカラム充填剤の製造方法。
（Ａ）  シリカゲルに第一化学修飾基を有するシランカップリング剤を反応させることにより、シリカゲル表面のシラノール基に該第一化学修飾基を導入する工程。
（Ｂ）  （Ａ）工程後、シリコーン化合物の１種又は２種以上を、シリカゲル表面上で重合させ、該シリカゲルの表面上にシリコーンポリマー被膜を形成する工程。
（Ｃ）  （Ｂ）工程後、該シリコーンポリマー上のシラノール基及び／又は該シリカゲル上のシラノール基をエンドキャップ剤でトリメチルシリル化する工程。
【請求項１０】
下記（Ａ’）〜（Ｄ’）工程を含むことを特徴とするカラム充填剤の製造方法。
（Ａ’）  シリカゲルに第一化学修飾基を有するシランカップリング剤を反応させることにより、シリカゲル表面のシラノール基に該第一化学修飾基を導入する工程。
（Ｂ’）  （Ａ’）工程後、１分子中に２つ以上のヒドロシリル基を有するシリコーン化合物の１種又は２種以上を、シリカゲル表面上で重合させ、該シリカゲルの実質的全表面に網目状にシリコーンポリマー被膜を形成する工程。
（Ｃ’）  （Ｂ’）工程後、第二化学修飾基を有するビニル化合物を反応させることにより、シリコーンポリマー上に該第二化学修飾基を導入する工程。
（Ｄ’）  （Ｃ’）工程後、該シリコーンポリマー上の残存ヒドロシリル基から生じたシラノール基をエンドキャップ剤でトリメチルシリル化する工程。
【請求項１１】
請求項９〜１０のいずれかに記載のカラム充填剤の製造方法において、該シリコーンポリマー上の残存ヒドロシリル基を架橋する工程を含むことを特徴とするカラム充填剤の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はカラム充填剤及びその製造方法、特にその耐久性の改善に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、カラム充填剤として、各種の化学修飾基を有するシラン化合物でシリカゲル１１２をシリル化することにより、シリカゲル表面のシラノール基１１４（Ｓｉ−ＯＨ基）に化学修飾基１１６を導入したものが汎用されている（図４▲１▼）。代表的なシラン化合物としては、オクタデシルクロロシラン化合物、オクチルクロロシラン化合物、ブチルクロロシラン化合物、シアノプロピルクロロシラン化合物、フェニルクロロシラン化合物等が存在し、中でもオクタデシルクロロシラン化合物を用いてオクタデシル基を導入したオクタデシルシリカゲル充填剤（ＯＤＳ）が最も広範に使用されている。
【０００３】
これらの充填剤は、分析上多くの利点がある反面、基材のシリカゲル１１２表面に残存するシラノール基１１４の影響が問題となっている。即ち、残存シラノール基１１４は極性溶質、特に塩基性溶質と強く相互作用し、塩基性溶質を吸着し、ピークのテーリング現象を起こすことにより、クロマトグラムの忠実な再現性を得られない等の問題があった。
【０００４】
これに対し、残存シラノール基１１４の影響を減少させる手段として、化学修飾基１１６を導入したシリカゲル１１２をトルエン等の溶媒中でトリメチルクロロシラン等のエンドキャップ剤によって再度シリル化し、残存シラノール基１１４に短鎖アルキル基１２２等を化学結合させるエンドキャッピングが行なわれているが、このエンドキャッピングを行なってもシラノール基１１４は依然として相当量残存していた（図４▲２▼）。
【０００５】
そこで、シリカゲル１１２表面の残存シラノール基１１４の影響が極めて少ないカラム充填剤を得るために、シリカゲルとエンドキャップ剤との反応を従来のように溶媒中で行わずに、気相中において行う方法が提案されている（特許第２６１１５４５号）。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前記充填剤は、残存シラノール基１１４減少の点ではかなり改善されるものの、化学修飾基１１６や短鎖アルキル基１２２等が単独でシリカゲル表面に結合しているため、それらの付着性が悪く、さらにシリカゲル１１２の親水性面が全面的に露出しており、耐久性の面で欠点があった。
【０００７】
本発明は、耐久性に優れ且つ残存シラノール基の影響が極めて少ないカラム充填剤、及びその製造方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記問題に鑑み、本発明者が鋭意検討した結果、化学修飾基導入シリカゲルの表面をシリコーンポリマーでコーティングし、残存シラノール基をエンドキャップした充填剤が上記目的を達成できることを見出し本発明を完成した。
【０００９】
本発明の第一の主題はすなわち、シラノール基を有するシリカゲルと、
該シラノール基に結合する第一化学修飾基と、
該シリカゲル表面を被覆するシリコーンポリマーと、
該シリコーンポリマー上のシラノール基及び／又は該シリカゲル上のシラノール基に結合するトリメチルシリル基と、
を有するカラム充填剤である。
【００１０】
前記カラム充填剤において、シラノール基を有するシリカゲルと、
該シラノール基に結合する第一化学修飾基と、
１分子中に２つ以上のヒドロシリル基を有するシリコーン化合物よりなり、分子同士が互いに架橋し、該シリカゲルの実質的全表面を網目状に被覆するシリコーンポリマーと、
該シリコーンポリマー上の残存ヒドロシリル基から生じたシラノール基に結合するトリメチルシリル基と、
を有することが好適である。
前記カラム充填剤において、該シリコーンポリマー上の残存ヒドロシリル基に結合する第二化学修飾基を有することが好適である。
【００１１】
前記カラム充填剤において、第一化学修飾基が、炭素数１〜３０の直鎖炭化水素基、分岐炭化水素基、環状炭化水素基、又はシアノ基、水酸基、カルボキシル基、酸アミド基、イミド基、スルホン基、アミノ基又はグリセロイル基に置換された置換炭化水素基であることが好適である。
前記カラム充填剤において、第一化学修飾基がオクタデシル基、オクチル基、フェニル基、シアノ基、メチル基、又はエポキシ基であることが好適である。
前記カラム充填剤において、シリコーン化合物が、1,3,5,7-テトラメチルシクロテトラシロキサンであることが好適である。
【００１２】
前記カラム充填剤において、第二化学修飾基が、イオン交換基であることが好適である。
前記カラム充填剤において、第二化学修飾基が、スルホン基、カルボキシル基、又はアミノ基であることが好適である。
【００１３】
本発明の第二の主題は、下記（Ａ）〜（Ｃ）工程を含むことを特徴とするカラム充填剤の製造方法である。
（Ａ）  シリカゲルに第一化学修飾基を有するシランカップリング剤を反応させることにより、シリカゲル表面のシラノール基に該第一化学修飾基を導入する工程。
（Ｂ）  （Ａ）工程後、シリコーン化合物の１種又は２種以上を、シリカゲル表面上で重合させ、該シリカゲルの表面上にシリコーンポリマー被膜を形成する工程。
（Ｃ）  （Ｂ）工程後、該シリコーンポリマー上のシラノール基及び／又は該シリカゲル上のシラノール基をエンドキャップ剤でトリメチルシリル化する工程。
【００１４】
また、下記（Ａ’）〜（Ｄ’）工程を含むことを特徴とするカラム充填剤の製造方法である。
（Ａ’）  シリカゲルに第一化学修飾基を有するシランカップリング剤を反応させることにより、シリカゲル表面のシラノール基に該第一化学修飾基を導入する工程。
（Ｂ’）  （Ａ’）工程後、１分子中に２つ以上のヒドロシリル基を有するシリコーン化合物の１種又は２種以上を、シリカゲル表面上で重合させ、該シリカゲルの実質的全表面に網目状にシリコーンポリマー被膜を形成する工程。
（Ｃ’）  （Ｂ’）工程後、第二化学修飾基を有するビニル化合物を反応させることにより、シリコーンポリマー上に該第二化学修飾基を導入する工程。
（Ｄ’）  （Ｃ’）工程後、該シリコーンポリマー上の残存ヒドロシリル基から生じたシラノール基をエンドキャップ剤でトリメチルシリル化する工程。
【００１５】
前記製造方法において、該シリコーンポリマー上の残存ヒドロシリル基を架橋する工程を含むことが好適である。
【００１６】
【発明の実施の形態】
本発明のカラム充填剤は、シリカゲルがシリコーンポリマーにより被覆されているため、シリカゲル上のシラノール基等の影響を受けず、耐久性に優れている。
本発明のカラム充填剤は、図１に示すように、
シラノール基１４を有するシリカゲル１２と、
該シラノール基１４に結合する第一化学修飾基１６と、
１分子中に２つ以上のヒドロシリル基を有するシリコーン化合物よりなり、分子同士が互いに架橋し、該シリカゲルの実質的全表面を網目状に被覆するシリコーンポリマー１８と、
該シリコーンポリマー１８上の残存ヒドロシリル基から生じたシラノール基１４に結合するトリメチルシリル基２４とを有することを特徴とする。
【００１７】
初めに、本発明のカラム充填剤の好適な製造方法について説明する。
（１）第一実施形態
（Ａ）工程
本発明のカラム充填剤の第一実施形態においては、初めにシリカゲル１２に化学修飾基１６を有するシランカップリング剤を反応させることにより、シリカゲル表面のシラノール基１４に該化学修飾基１６を導入する（図２▲１▼）。
【００１８】
本発明で用いられるシリカゲルの形状は特に制限されないが、平均粒子径１〜２００μｍ、より好ましくは３〜５０μｍ、細孔径１〜１００ｎｍ、より好ましくは４〜５０ｎｍ、比表面積５０〜８００ｍ２／ｇ、より好ましくは１００〜６００ｍ２／ｇの球形あるいは破砕型のシリカゲルが好適に使用できる。
【００１９】
シランカップリング剤としては、オクタデシル基、オクチル基、ｎ−ブチル基等の炭素数１〜３０のアルキル基、フェニル基等の炭素数６〜３０のアリール基、更に炭素数１〜３０のアルキル基の水素原子の１又は２以上がシアノ基、水酸基、カルボキシル基、酸アミド基、イミド基、スルホン基、アミノ基又はグリセロイル基に置換された置換アルキル基から選ばれる基を化学修飾基として１〜３個有するクロロシランやアルコキシシラン、又は上記化学修飾基を複数個、例えば６〜１００個有するシクロシロキサンやポリシロキサンが使用される。なお、上記アルコキシシランのアルコキシ基としてはメトキシ基等の炭素数１〜３の低級アルコキシ基が好適である。また、シクロシロキサンとしてはケイ素原子３〜５０が酸素原子を介してリングを形成したものが好ましい。ポリシロキサンはケイ素原子を２〜５０有するものが好ましい。
【００２０】
上記シランカップリング剤としては、オクタデシル基を持つものとしてはジメチルオクタデシルクロロシラン、メチルオクタデシルメトキシシラン、メチルオクタデシルジクロロシラン、メチルオクタデシルジメトキシシラン、オクタデシルトリクロロシラン、オクタデシルトリメトキシシラン、1,3,5,7-テトラオクタデシル-1,3,5,7-テトラメチルシクロテトラシロキサン、オクチル基を持つものとしてはジメチルオクチルクロロシラン、メチルオクチルジクロロシラン、オクチルトリクロロシラン、1,3,5,7-テトラオクチル-1,3,5,7-テトラメチルシクロテトラシロキサン、n-ブチル基を持つものとしてはn-ブチルジメチルクロロシラン、n-ブチルメチルジクロロシラン、n-ブチルトリクロロシラン、1,3,5,7-テトラ-n-ブチル-1,3,5,7-テトラメチルシクロテトラシロキサン、フェニル基を持つものとしてはトリフェニルクロロシラン、メチルジフェニルクロロシラン、ジメチルフェニルクロロシラン、ジフェニルジクロロシラン、メチルフェニルジクロロシラン、フェニルトリクロロシラン、ベンジルトリクロロシラン、1,3,5,7-テトラフェニル-1,3,5,7-テトラメチルシクロテトラシロキサン、シアノプロピル基を持つものとしては3-シアノプロピルジメチルクロロシラン、3-シアノプロピルメチルクロロシラン、3-シアノプロピルトリクロロシラン等が具体的に挙げられる。
【００２１】
前記シランカップリング剤のうちでは、特にメチルオクタデシルジクロロシラン等のジクロロシラン化合物、オクタデシルトリクロロシラン等のトリクロロシラン化合物、メチルオクタデシルジメトキシシラン等のジアルコキシシラン化合物、オクタデシルトリメトキシシラン等のトリアルコキシシラン化合物又は１，３，５，７−テトラオクタデシル−１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサン等のシクロシロキサン化合物、ポリシロキサン化合物を用いることが好ましい。これらを用いると、（Ｂ）工程のシリコーンポリマー被覆時における化学修飾基の脱離をより良好に防止できる。
【００２２】
前記シランカップリング剤とシリカゲルとの反応は、公知の方法、条件を採用することができ、例えば溶媒の存在下において５０〜３００℃、気相あるいは液相で２時間以上接触させることにより行うことができる。触媒としては、金属触媒すなわちルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム又は白金の化合物が適合している。特にパラジウム化合物及び白金化合物が良好である。
【００２３】
（Ｂ）工程
次に前記化学修飾を行ったシリカゲルに、１分子中に２つ以上のヒドロシリル基（Ｓｉ−Ｈ基）２０を有するシリコーン化合物を接触し、表面重合させ、シリカゲル表面にシリコーンポリマー１８被膜を形成する（図２▲２▼）。
本発明において使用されるシリコーン化合物は、下記一般式（I）の１種又は２種以上であり、１分子中に２つ以上のヒドロシリル基を有することを特徴とする。
【００２４】
【化１】
(R1HSiO)a(R2R3SiO)b(R4R5R6SiO1/2)c    …    (I)
（式中、R1〜R6は相互に独立に水素原子、又はハロゲン原子少なくとも１個で置換されている炭素数１〜１０の炭化水素基であるが、R1、R2及びR3が同時に水素原子であることはない。ａ、ｂは相互に独立に０又は１以上の整数であり、ｃは０又は２であり、ａとｂとｃとの和は３以上の整数であるものとする）
【００２５】
前記R1〜R6の「炭化水素基」とは、直鎖若しくは分岐、環状アルキル基特には炭素数１〜４の低級アルキル基例えばメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基；シクロアルキル基例えばシクロヘキシル基；シクロアルケニル基例えばシクロヘキセニル基；アリール基例えばフェニル基、ナフチル基；アリール置換アルキル基例えばフェニルメチル基、フェニルエチル基；アルキル置換アリール基例えばメチルフェニル基等を意味する。
【００２６】
前記一般式（I）で表されるシリコーン化合物は２種の群からなる。第１の群は、前記一般式（I）においてｃ＝０の場合に相当し、下記一般式（II）で表されるヒドロシリル基を有する環状シリコーン化合物である。
【化２】
(R1HSiO)ａ1(R2R3SiO)ｂ1     …    （II）
（式中、R1、R2及びR3は前記と同様であり、ａ1及びｂ1はそれぞれａ及びｂと同様であり、ａ1とｂ1との和は３以上の整数であるものとする）
【００２７】
本発明においては、前記一般式（II）において、R1、R2及びR3が相互に独立に低級アルキル基特にメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基もしくはｎ−ブチル基、またはアリール基にフェニル基であり、ａ1とｂ1との和が３〜１００である環状シリコーン化合物を使用するのが好適である。R1、R2及びR3は異なる基であることもできるが、同じ基であることがさらに好適である。
【００２８】
特に好ましい環状シリコーン化合物は前記一般式（II）においてｂ1＝０の場合に相当し、下記一般式(III)で表される化合物である。
【化３】
0003920177.tif 000002
（式中、R1は前記と同様であり、ａ2は３以上の整数である）
例えば、テトラヒドロテトラメチルシクロテトラシロキサン、テトラヒドロテトラエチルシクロテトラシロキサン、テトラヒドロテトラフェニルシクロテトラシロキサン、テトラヒドロドデカメチルシクロオクタンシロキサン、テトラヒドロテトラオクチルシクロテトラシロキサン等を挙げることができる。
【００２９】
一般式(III)においてR1がメチル基またはエチル基であり、ａ2が３〜１００である化合物が好適であり、さらにR1がメチル基であり、ａ2が４である1,3,5,7-テトラメチルシクロテトラシロキサンが最適である。
【００３０】
前記シリコーン化合物の第２の群は、前記一般式(I)においてｃ＝２の場合に相当し、下記一般式(IV)で表されるヒドロシリル基を有する直鎖状シリコーン化合物である。
【化４】
(R1HSiO)a3(R2R3SiO)b3(R4R5R6SiO1/2)2    …    （IV）
（式中、R1〜R6は前記と同様であり、ａ3及びｂ3はそれぞれａ及びｂと同じ意味であるが、但しａ3＋ｂ3が１以上の整数であるものとする）
【００３１】
本発明においては、前記一般式(IV)において、R1〜R6が相互に独立に低級アルキル基特にメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基もしくはｎ−ブチル基、またはアリール基特にフェニル基であり、ａ3とｂ3との和が３〜１００である直鎖状シリコーン化合物を使用するのが好適である。R1〜R6は異なる基であることもできるが、同じ基であることがさらに好適である。
【００３２】
好適な直鎖状シリコーン化合物としては、例えば、1,1,1,2,3,4,4,4−オクタメチルテトラシロキサン、1,1,1,2,3,4,5,5,5−ノナメチルペンタシロキサン、及び1,1,1,2,3,4,5,6,6,6−デカメチルヘキサシロキサンを挙げることができる。
更に、本発明においては、前記シリコーン化合物を単独で用いることも、２種以上の混合物を使用することも可能である。
【００３３】
前記一般式（Ｉ）で表されるシリコーン化合物は、気相状態または液相状態でシリカゲルと接触させる。
気相状態での接触（気相処理）は、例えば密閉容器を用い、３００℃以下の温度下で、前記シリコーン化合物の蒸気を分子状態でシリカゲル表面上に接触させる方法、あるいは３００℃以下の温度下で前記シリコーン化合物とキャリヤーガスとの混同ガスをシリカゲルと接触させる方法等により行うことができる。
【００３４】
一方、液相状態での接触（液相処理）は、例えば前記シリコーン化合物を溶解することができる揮発性溶媒であるベンゼン、ジクロロメタン、またはクロロホルム等、特にヘキサンに溶解した１〜５０質量％シリコーン化合物溶液をシリカゲル１質量部に対してシリコーン化合物０．０１〜１質量部になるように添加すれば良い。この場合、撹拌下に添加することが好適である。
【００３５】
シリカゲル表面上でのシリコーン化合物の表面重合は前記接触処理後のシリカゲルを温度５０〜３００℃で２時間以上放置あるいは撹拌することによって行うことができる。
この表面重合は、シリカゲル自体の表面活性点の作用により促進されるので、特に触媒を加える必要はない。ここで、「活性点」とはシロキサン結合（Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ）またはヒドロシリル基を持つシリコーン化合物の重合を触媒することのできる部位であり、例えば酸点、塩基点、酸化点、又は還元点を意味する。表面重合は、シリカゲル表面の活性点がシリコーンポリマーで実質的に全部被覆されてしまうまで行われる。
【００３６】
シリカゲル自体の活性が非常に弱い場合には、前記接触処理前又は後のシリカゲルにアルカリ触媒例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化リチウム、水酸化アンモニウムもしくは水酸化カルシウム等を適宜添加した後に重合させても良い。
【００３７】
シリカゲルとシリコーン化合物とを気相又は液相で接触させて加熱している段階におけるシリカゲル表面上のシリコーン化合物の重合様式は２種類ある。１つは、ヒドロシリル基同志の架橋重合であり、シリカゲル表面上に網目構造を形成するものである。すなわち、
【化５】
0003920177.tif 000003
（式中、Ｒは炭化水素基R1〜R6である）
のとおりに進行する。
【００３８】
もう１つの重合様式は、シロキサン結合の切断と再結合との繰返しによる環状シリコーン化合物の大環状化及び直鎖状シリコーン化合物の大直鎖状化である。これらの重合様式は例えば以下の反応式
【化６】
0003920177.tif 000004
又は、
【化７】
0003920177.tif 000005
（前記の各式中、Ｒは前記と同様であり、ｍはａとｂとの和であり、ｍ′はｍより大きい整数である）
で表すことができる。
【００３９】
この重合は、シリカゲルの持つ表面活性点により促進される。
以上の２つの異なる重合は、シリカゲルの種類や反応条件（温度、触媒等）によって、それぞれ単独に進行する場合と、両方の型の重合が同時に進行する場合とがある。そして、重合の程度も様々である。
【００４０】
以上の重合反応によりシリカゲル表面に形成されたシリコーンポリマーの平均分子量は１．５×１０５以上である。シリコーン化合物の場合、重合により高分子化するにつれ、水や有機溶媒に溶けにくくなってしまい、ポリマーを抽出して分子量を測定することはできず、また、シリカゲル表面上にコートされている状態でのポリマーの分子量を測定することも不可能である。
【００４１】
そこで、重合進行中の各段階のポリマーをクロロホルム抽出し、ポリスチレン換算でポリマーの分子量を求めたところ、最大１．５×１０５のポリマーが存在することが確認された。従って、クロロホルムに抽出されない状態のままで十分に重合させたポリマーの分子量は、１．５×１０５以上であるということができるが、より詳しく分子量を確認することは困難である。
【００４２】
シリカゲル表面上に被覆させるシリコーン化合物の量は、シリカゲルの質量に対して、１〜５０質量％であることが好適である。５０質量％を越えると、充分に重合せずにシリカゲル表面上に又は第一化学修飾基上に単に付着した状態のシリコーン化合物の量が増えるので充填剤としては好ましくない。１質量％未満の場合にはシリカゲルの全表面をシリコーンポリマーの皮膜で覆うことができず、本発明の効果を充分に発揮することができず好ましくない。
【００４３】
前記シリコーンポリマー被覆シリカゲルはシリコーンポリマー上にヒドロシリル基２０が残存している。ヒドロシリル基を含む充填剤は、アセトニトリル等のヒドロシリル基に対して不活性な溶媒を使用する場合には安定に使用することができるが、アルコール系の移動相溶媒を用いる場合には、水素を発生しカラムの劣化が起きることがある。そこで残存ヒドロシリル基２０を触媒存在下で架橋させることによって、アルコール系の移動相溶媒を使用した場合においても安定に使用することができるようになる（図２▲３▼）。
【００４４】
架橋触媒としては、アルカリ触媒例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化カルシウム、水酸化アンモニウム、水酸化リチウム、若しくは炭酸ナトリウム、アルキル金属触媒例えばジブチル錫、又はアルキルアミン触媒例えばトリブチルアミン等を使用することができる。これら触媒０．０１〜１０質量％を含む水溶液、アルコール溶液又はその他の有機溶媒溶液中で１〜４０時間、室温若しくは加熱下で放置するかあるいは加熱還流すると、残存ヒドロシリル基は以下の反応式のように架橋する。
【化８】
0003920177.tif 000006
【００４５】
以上のように、本発明においては分子量の低いシリコーン化合物をシリカゲルと接触させるので、シリコーン化合物がシリカゲルの細孔内部にまで侵入してシリカゲルの実質的に全表面上に付着して重合するので、シリコーンポリマーの極めて薄い皮膜がシリカゲル表面上に形成されるため、シリカゲルや化学修飾基の性質が維持されたまま耐久性が改善される。
【００４６】
（Ｃ）工程
前記シリコーンポリマー被覆シリカゲルは、架橋反応を行った後も未だヒドロシリル基２０が残存している。
そこで、残存ヒドロシリル基２０から生じたシラノール基１４をさらにトリメチルシリル化して封鎖することにより、シラノール基１４の影響の非常に少ないカラム充填剤を得ることができる（図２▲４▼）。
【００４７】
トリメチルシリル化は、シリコーンポリマー被覆シリカゲルと、エンドキャップ剤とを気相状態または液相状態で接触させることによって実施する。例えば、トルエン１〜２０質量部とトリメチルクロロシラン０．５〜３質量部、ヘキサメチルジシラザン１〜６質量部、ピリジン１〜８．５質量部との混合液中で前記シリカゲルを、２〜２４時間、撹拌下で還流加熱する、あるいは密閉容器内でトリメチルクロロシラン、ヘキサメチルジシラザン、トリメチルメトキシシランまたはトリメチルエトキシシランをそれぞれ単独で、前記シリカゲルと共に４０℃〜１５０℃に加熱することで可能となる。
【００４８】
本実施形態では、耐久性に優れており、且つ（Ａ）工程における第一化学修飾基１６と、（Ｂ）工程における前記一般式（Ｉ）で表されるシリコーン化合物の置換基R1〜R6の組合せにより、従来の化学結合型充填剤では得られない幅広い保持力をもつカラム充填剤を得ることができる。
【００４９】
（２）第二実施形態
本発明の第二実施形態は、第一実施形態のシリコーンポリマー上に化学修飾基を導入したものである。
（Ａ’）工程・（Ｂ’）工程
第二実施形態の（Ａ’）工程及び（Ｂ’）工程は、第一実施形態の（Ａ）工程及び（Ｂ）工程と同様に行うことができる（図２▲１▼、▲２▼）。
【００５０】
（Ｃ’）工程
（Ｂ’）工程後、前記シリコーンポリマー上の残存ヒドロシリル基に、さらにビニル化合物を用いて化学修飾基２６を導入する（図２▲５▼）。
ビニル化合物としては、エチレン、α−オレフィン化合物、対称形ビニル化合物、あるいは非対称形ビニル化合物のいずれであっても良い。
【００５１】
前記のビニル化合物としては、例えば下記一般式（V）、
【化９】
一般式R7−CH＝CH−R8    …（V）
（式中、R7及びR8は、相互に独立に、水素原子、炭素原子１〜４０個のアルキル基、炭素原子４〜８個のシクロアルキル基もしくはシクロアルケニル基、または炭素原子１〜２０個のアルキル基で置換されていることのあるアリール基であり、前記のアルキル基、シクロアルキル基、シクロアルケニル基、アルキル置換アリール基またはアリール基はハロゲン原子、ヒドロキシル基、カルボキシル基、アミノ基、シアノ基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、スルホン酸基によって置換されていることもできる）
で表される化合物を使用することができる。
【００５２】
前記一般式（V）で表わされるビニル化合物は、R7及びR8が共に水素原子であるエチレン、R7又はR8の一方が水素原子であって他方が水素原子以外の置換基であるビニル化合物例えばα−オレフィン化合物、R7及びR8が共に水素原子以外の同じ置換基である対称形ビニル化合物、あるいはR7及びR8が水素原子以外の異なる置換基である非対称形ビニル化合物のいずれであってもよい。
【００５３】
好ましいビニル化合物は、前記一般式（V）においてR7及びR8が相互に独立に、水素原子；炭素原子４〜20個のアルキル基例えば１−ヘキシル基、１−オクチル基、１−デシル基、１−ドデシル基、１−ヘキサデシル基、または１−オクタデシル基；シクロヘキシル基またはシクロヘキセニル基；フェニル基またはナフチル基；または炭素原子１〜６個の低級アルキル基で置換されているフェニル基またはナフチル基であるビニル化合物である。
【００５４】
別の好ましいビニル化合物は、前記一般式（V）において、R7及びR8の少なくとも一方が官能性基（ハロゲン原子、ヒドロキシル基、カルボキシル基、アミノ基、シアノ基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、スルホン酸基）で置換されている水素原子以外の基である化合物である。
以上のように、ビニル化合物を適宜選択することによって充填剤の特性を自由に設計し制御することができる。
【００５５】
前記のビニル化合物と前記のシリコーンポリマー被覆粉体との反応は、それ自体公知のヒドロシリル化を利用して行なうことができる。前記の反応は、例えば、溶媒の存在下において、50〜300℃で、気相あるいは液相で、２時間以上接触させることにより行なうことができる。
【００５６】
触媒としては、金属触媒すなわちルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウムまたは白金の化合物が適している。特にパラジウム化合物及び白金化合物が良好である。パラジウム系触媒としては、例えば塩化パラジウム（II）、塩化テトラアンミンパラジウム（II）酸アンモニウム、酸化パラジウム（II）、水酸化パラジウム（II）等を挙げることができる。白金系触媒としては、例えば塩化白金（II）、テトラクロロ白金酸（II）、塩化白金（IV）、ヘキサクロロ白金酸（IV）、ヘキサクロロ白金酸（IV）アンモニウム、酸化白金（II）、水酸化白金（II）、二酸化白金（IV）、酸化白金（IV）、二硫化白金（IV）、硫化白金（IV）、ヘキサクロロ白金（IV）酸カリウム等を挙げることができる。
【００５７】
また、前記の化学修飾基導入後のシリコーンポリマーは、立体障害のために、シリコーンポリマー中にヒドロシリル基を残存させる。ヒドロシリル基が存在すると、前述のようにアルコール系の移動相溶媒を使用した場合に水素を発生してカラムが劣化することがある。そこで、残存ヒドロシリル基を架橋させるのが好ましい。この架橋処理は第一実施形態と同様に実施することができる（図２▲６▼）。
【００５８】
（Ｄ’）工程
更に、その架橋処理後もヒドロシリル基２０が若干残存することがあるので、残存ヒドロシリル基２０から生じたシラノール基１４をトリメチルシリル化することが好ましい。このトリメチルシリル化は第一実施形態における（Ｃ）工程と同様に実施することができる（図２▲７▼）。
【００５９】
本実施形態では、耐久性に優れており、且つ（Ａ’）工程における第一化学修飾基１６と、（Ｂ’）工程における前記一般式（Ｉ）で表されるシリコーン化合物の置換基R1〜R6に加えて（Ｃ’）工程における前記一般式（V）で表わされるビニル化合物の置換基R7及びR8を有するため、第一実施形態よりもさらに幅広い保持力をもつカラム充填剤を得ることができる。
【００６０】
従来のシリカゲルを基材とする充填剤は、基材シリカゲル由来の残存シラノール基の影響により、塩基性化合物等のピークにテーリングが顕著に生じる場合があった。しかし、本発明のカラム充填剤は、シリコーンポリマー上の残存ヒドロシリル基から生じたシラノール基のトリメチルシリル化を行うことによって、シラノール基の影響が極めて少ないものとなった。また、従来のシリカゲルを基材とする充填剤は、シリカゲル表面が全面的に露出しており、化学修飾基の付着性が悪く、耐久性の面で問題があった。しかし、本発明のカラム充填剤は、緻密なシリコーンポリマーコーティングを行うことで、耐久性のあるものとなった。
【００６１】
【実施例】
以下、本発明の好適な実施例についてさらに詳しく説明する。なお、本発明はこれにより限定されるものではない。
【００６２】
実施例１
▲１▼２００ｍＬの三つ口フラスコにシリカゲル２０gを加え、トルエン８０ｍＬ、ピリジン３．１６４ｇ（０．０４ｍｏｌ）で分散する。冷却管を取り付け、攪拌しながら加熱還流する。ｎ−オクタデシルトリクロロシラン１５．５１６ｇ（０．０４ｍｏｌ）を滴下ロートから滴下し、滴下終了後、１６時間加熱還流を続ける。その後ガラスロートで反応液を濾過する。続いてトルエン２００ｍＬ、及びアセトニトリル２００ｍＬで洗浄後、アセトニトリル：水＝６：４の溶液１００ｍＬで３時間室温攪拌後、メタノール２００ｍＬで洗浄濾過する。さらに１２０℃で６時間減圧乾燥する（化学修飾基付加）。
▲２▼続いて、上記化学修飾基付加シリカゲル５ｇを耐圧容器に入れ、１０ｍＬのスクリュー管に入れた1,3,5,7-テトラメチルシクロテトラシロキサン２ｇを耐圧容器内に置き、窒素ガスを封入する。密栓後、２５０℃で１６時間反応させる。その後クロロホルム２００ｍＬ、メタノール２００ｍＬで洗浄し、６０℃で４時間減圧乾燥する（シリコーン被覆）。
▲３▼上記シリコーン被覆シリカゲルを２．４Ｌのデシケーター内に置き、５％アンモニア水１００ｍＬをデシケーター下部に加える。６０℃で１６時間反応後、クロロホルム１００ｍＬ、アセトン１００ｍＬで洗浄し、１２０℃で４時間減圧乾燥する（ヒドロシリル基の架橋）。
▲４▼上記アルカリ処理シリカゲルとトリメチルクロロシラン０．９ｍＬ、ヘキサメチルジシラザン１．６ｍＬ、ピリジン１．５ｍＬ、トルエン１５ｍＬを混合し、加熱還流し５時間反応させる。トルエン２００ｍＬ、クロロホルム２００ｍＬ、メタノール２００ｍＬで洗浄後、６０℃で２時間減圧乾燥する（トリメチルシリル化）。
【００６３】
〈耐久性テスト〉
以下、実施例１、及び比較例１，２のカラム充填剤を充填したカラムの耐久性比較について詳しく説明する。
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【００６４】
比較例１：シリカゲルに直接三官能性シランカップリング剤（オクタデシル基）を結合し、ヒドロシリル基を含まないシリコーン化合物で被覆した後、トリメチルシリル化したカラム（ポリメリック充填剤）
比較例２：シリカゲルに直接一官能性シランカップリング剤（オクタデシル基）を結合した後、トリメチルシリル化したカラム（モノメリック充填剤）
【００６５】
試験方法
移動相Ｂの比率変化サイクルを９０分とし、そのサイクルを１５回連続して行う。試料は各サイクル前半の６５％段階で注入する。
耐久性は初回のアミルベンゼン保持比と各回の保持比との比較にて評価する。
【００６６】
結果
耐久性比較の結果を図３に示す。
図３からわかるように、ヒドロシリル基を含むシリコーン化合物でシリカゲルを被覆した実施例１のカラム充填剤を充填したカラムは、ヒドロシリル基を含まないシリコーン化合物で被覆した比較例１のカラム充填剤、及びポリマー被覆しない比較例２のカラム充填剤を充填したカラムと比較して耐久性に優れていることが確認された。これは、実施例１のカラム充填剤はシリカゲルの実質的全表面がシリコーンポリマーで網目状に被覆されているからであると考えられる。
【００６７】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明に係るカラム充填剤によれば、化学修飾基導入シリカゲルの表面をシリコーンポリマーでコーティングし、残存シラノール基をトリメチルシリル化することで、耐久性に優れ、且つ残存シラノール基の影響が極めて少ないカラム充填剤を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明におけるカラム充填剤の概略図である。
【図２】本発明におけるカラム充填剤の製造方法の概略図である。
【図３】カラムの耐久性比較の図である。
【図４】従来のカラム充填剤の概略図である。
【符号の説明】
１０  カラム充填剤
１２  シリカゲル
１４  シラノール基
１６  第一化学修飾基
１８  シリコーンポリマー
２０  ヒドロシリル基
２４  トリメチルシリル基
２６  第二化学修飾基
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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