(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体記憶素子および半導体などのワークが、検査工程を含む製造工程中に帯電する電荷の消去中和装置であって、前記ワークに所定波長の紫外線を照射する放電灯と、この放電灯により照射されたワークを冷却する冷却機構と、前記ワークの搬送機構とを備え、
前記搬送機構は、前記ワークを載置して搬送方向に送る２本の無端ベルトと、この無端ベルトを駆動する駆動モータとを有し、
前記ワークの冷却機構は、前記ワークの裏面側を冷却する液冷冷却機構からなり、前記液冷冷却機構は、前記２本の無端ベルトの間からワークの裏面側に当接する当接冷却槽と、この当接冷却槽を上下動させる昇降駆動部と、前記当接冷却槽に冷却液を制御しながら循環させる循環部と、前記冷却液の循環路内に設けた温度検知手段とを有し、
前記ワークに照射される光量分布の強弱により、前記搬送機構によりワークの照射位置を変えることを特徴とするワークの電荷の消去中和装置。
【請求項２】
半導体記憶素子および半導体などのワークが、検査工程を含む製造工程中に帯電する電荷の消去中和装置であって、
前記ワークに所定波長の紫外線を照射する放電灯と、この放電灯により照射されたワークを冷却する冷却機構と、前記ワークの搬送機構とを備え、
前記搬送機構は、前記ワークを載置して搬送方向に送る無端ベルトと、この無端ベルトを駆動する駆動モータとを有し、
前記ワークの冷却機構は、前記ワークの裏面側を冷却する液冷冷却機構からなり、前記液冷冷却機構は、前記無端ベルトを介して前記ワークの裏面側に当接する当接冷却槽と、この当接冷却槽を上下動させる昇降駆動部と、前記当接冷却槽に冷却液を制御しながら循環させる循環部と、前記冷却液の循環路内に設けた温度検知手段とを有し、
前記ワークに照射される光量分布の強弱により、前記搬送機構によりワークの照射位置を変えることを特徴とするワークの電荷の消去中和装置。
【請求項３】
半導体記憶素子および半導体などのワークが、検査工程を含む製造工程中に帯電する電荷の消去中和装置であって、
前記ワークを収納する収納部と、この収納部のワークを保持して取り出し処理室内に移動させる受渡機構と、この受渡機構で受け渡されるワークを載置し所定位置まで搬送する搬送機構と、前記搬送機構上のワークに所定波長の紫外線を照射する放電灯と、前記放電灯の点灯照射中に上昇するワークの温度を制御する冷却機構とから構成され、
前記搬送機構は、前記ワークを載置して搬送方向に送る２本の無端ベルトと、この無端ベルトを駆動する駆動モータとを有し、
前記ワークの冷却機構は、前記ワークの裏面側を冷却する液冷冷却機構からなり、前記液冷冷却機構は、前記２本の無端ベルトの間からワークの裏面側に当接する当接冷却槽と、この当接冷却槽を上下動させる昇降駆動部と、前記当接冷却槽に冷却液を制御しながら循環させる循環部と、前記冷却液の循環路内に設けた温度検知手段とを有し、
前記放電灯の点灯照射中に、搬送機構を作動させワークの照射位置を少なくとも１回以上変えることを特徴とするワークの電荷の消去中和装置。
【請求項４】
前記ワークの冷却機構は、前記液冷冷却機構と共に、そのワークの表面側を冷却する空冷冷却機構とからなり、前記空冷冷却機構は、ワークに空冷気体を送る給気部と、前記給気部から送られた空冷気体の温度を検知する温度検知手段と、前記給気部から送られワークの熱を奪った空冷気体を排出する排出部とを有する請求項１から請求項３のいずれか一項に記載のワークの電荷の消去中和装置。
【請求項５】
前記搬送機構は、前記無端ベルトに載置されたワークを検知するセンサを有し、前記センサにより前記駆動モータを駆動させる請求項１から請求項４のいずれか一項に記載のワークの電荷の消去中和装置。
【請求項６】
前記放電灯は、その放電管の電極側に設けたランプベースと、このランンプベースに設けた放電灯冷却機構とを備え、前記放電灯冷却機構は、ランプベースに設けた冷却通路に空冷気体を吹きつける吹付ノズルと、前記空冷気体を供給する供給部と、前記冷却通路に設けた温度検知手段とからなる請求項１から請求項３のいずれか一項に記載のワークの電荷の消去中和装置。
【請求項７】
前記放電灯は、その放電管の電極側に設けたランプベースと、このランンプベースに設けた放電灯冷却機構とを備え、前記放電灯冷却機構は、前記ランプベースに当接する冷却槽と、この冷却槽に冷却液を循環させる冷却液の循環部と、前記冷却液の流路内に設けた温度検知手段とを有する請求項１から請求項３のいずれか一項に記載のワークの電荷の消去中和装置。
【請求項８】
前記ワークの近傍で同高さレベル位置に温度検知手段を設け、前記放電灯に設けた冷却機構の温度検知手段および、前記ワークの温度検知手段を接続する制御機構を備え、前記放電灯の点灯照射中に前記温度検知手段からの温度情報が所定温度の範囲になるように各冷却機構の作動制御を行う請求項１から請求項３のいずれか一項に記載のワークの電荷の消去中和装置。
【請求項９】
前記処理室を高さ方向に多段に配置したことを特徴とする請求項３に記載のワークの電荷の消去中和装置。
【請求項１０】
前記放電管と前記ワークの間に冷却液体が循環できる液体循環槽を設けることを特徴とする請求項１から請求項９のいずれか一項に記載のワークの電荷の消去中和装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、Ｄ−ＲＡＭ，ＥＰＲＯＭ，ＥＥＰＲＯＭなどの半導体記憶素子、および、ＰＮ接合ダイオード、トランジスタ、ＩＣなどの半導体のワークの検査工程を含む製造工程で、検査のための外部からの接触あるいは摩擦などで帯電する電荷の消去中和装置に係り、特に、製造工程の所定位置で、無接触で、かつ、短時間で処理することが可能で、電場により付着する不純物による障害や、放電障害を防止することができるワークの電荷の消去中和装置およびその方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、半導体を使用したＥＰＲＯＭ（erasable and programmable read on-ly memory ）などの記憶回路は、浮遊ゲートに電子の注入あるいは注入した電子の消去を行うことによりデータの書き込みおよび消去を行うことが知られている。このＥＰＲＯＭは、完成したチップに窓が形成されており、必要に応じて低圧水銀灯などにより所定波長の紫外線を、その窓からＥＰＲＯＭに照射し、電子の消去を行っている。前記電子の消去作業時間は、２時間前後かかっているのが現状である。
【０００３】
前記ＥＰＲＯＭから発展した技術としてＥＥＰＲＯＭと、記憶容量が大きい新たなメモリとして不揮発性メモリが台頭している。この不揮発性メモリは、トンネル効果を利用したトンネル酸化膜（結晶膜あるいは障壁膜）や、そのトンネル膜を酸化膜と窒化膜の２層構造としたメモリ素子や、酸化膜の代わりに強誘電体膜を用い、自発分極などの分極効果を利用した強誘電体メモリなどが発表されている。
【０００４】
上記のメモリは記憶容量が大きく、集積密度が大きくなると、極めて微細加工技術を必要とし、形成されるＬ／Ｓ（ラインアンドスペース）も、０．２８５μｍ〜０．２５μｍと極めて小さな寸法のものも発表されている。そのため、製造工程間で導通検査が行われる度合いが多くなっている。
【０００５】
この導通検査は、プローブをワークに接触させ回路部分の導通の検査を行うことになるが、この導通検査の際に、その検査部分に電子を蓄積させることになる。そのため、その検査部分に蓄積された電子を消去するために、蓄積電子消去用のプローブを用いて行うことも知られている。
【０００６】
なお、微細加工技術の向上に伴って様々な問題も発生し、その一つに静電気の帯電現象がある。この静電気は、数百から数千ボルトに達し、静電気力により浮遊粒子の吸引を引き起こし、回路などにその浮遊粒子を付着させたり、静電気力によりメモリ内蓄積電子と呼応し放電障害による破損などの内部回路破壊を引き起こす。そのため、ウエハに帯電した帯電エネルギーによる問題を解決するため中和電荷発生手段を備える装置などの技術が提案されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、従来の半導体記憶素子の製造工程では以下のような問題が存在していた。
【０００８】
▲１▼  中和電荷発生手段等を備える装置では、半導体などの表面に帯電した帯電エネルギーは消去できるが、イオンは電子と比較して重く、電子速度に追いつけないため、半導体記憶素子や半導体の内部に蓄積した電荷、例えば浮遊ゲートの障壁膜（酸化膜あるいは結晶膜）内に蓄積した電子の消去ができなかった。また、ワーク内に電場が発生するため、不純物を引き寄せることがあり、この不純物による不具合が起こることもあった。
【０００９】
▲２▼  ＥＰＲＯＭのように透明窓を設け、所定波長の紫外線の照射により、半導体記憶素子の浮遊ゲート内に蓄積したエネルギーを消去する手段もあるが、消去時間が２時間前後という長い時間がかかっていた。
【００１０】
▲３▼  半導体記憶素子および半導体などの内部に蓄積した電荷を短時間で消去するため、大容量低圧放電灯を使用することも考えられるが、半導体記憶素子自体を加熱することとなり、その熱に伴う結晶（酸化膜あるいは結晶膜）の激しい分子運動が障害となる。そのため、紫外線照射により蓄積した電子を短時間で消去することが適切にできなかった。
【００１１】
▲４▼  プローブによる浮遊ゲート内の蓄積エネルギー消去方法では、半導体記憶素子の表面に接触して行うため、そのプローブが接触した部分を傷つけたり、半導体記憶素子表面を破損することで、浮遊ゲート側にも悪影響を与える可能性があった。また、検査後のプローブによる電荷の消去を行う場合、一箇所について２秒間程度の時間がかかるとすると、６４Ｋビットの半導体素子の検査では３６時間かかることになった。そのため、検査工程後の電荷消去作業の簡易化や省力化および高速化が求められていた。
【００１２】
▲５▼  プローブを使用しない信号の直接測定であるＤＣテストなども知られているが、ワーク内に電荷が蓄積され、検査工程の後工程である切断工程などの際に、放電破壊を起こし、ワークの歩留りの低下を招いていた。
【００１３】
この発明は、前述の問題点を解決すべく創案されたもので、半導体記憶素子および半導体などのワークに蓄積したエネルギーを無接触で短時間で消去でき、電場を消去中和することで、電場に引き寄せられる不純物を防ぐと共に、放電破壊などが起きないようにし、また、ワークに帯電する摩擦電気をも消去中和することが可能なワークの電荷の消去中和装置を提供することを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
前記の課題を解決するため、この発明は、半導体記憶素子および半導体などのワークが、検査工程を含む製造工程中に帯電する電荷の消去中和装置であって、前記ワークに所定波長の紫外線を照射する放電灯と、この放電灯により照射されたワークを冷却する冷却機構と、前記ワークの搬送機構とを備え、前記搬送機構は、前記ワークを載置して搬送方向に送る２本の無端ベルトと、この無端ベルトを駆動する駆動モータとを有し、前記ワークの冷却機構は、前記ワークの裏面側を冷却する液冷冷却機構からなり、前記液冷冷却機構は、前記２本の無端ベルトの間からワークの裏面側に当接する当接冷却槽と、この当接冷却槽を上下動させる昇降駆動部と、前記当接冷却槽に冷却液を制御しながら循環させる循環部と、前記冷却液の循環路内に設けた温度検知手段とを有し、前記ワークに照射される光量分布の強弱により、前記搬送機構によりワークの照射位置を変えるワークの電荷の消去中和装置として構成した。
【００１５】
また、半導体記憶素子および半導体などのワークが、検査工程を含む製造工程中に帯電する電荷の消去中和装置であって、前記ワークに所定波長の紫外線を照射する放電灯と、この放電灯により照射されたワークを冷却する冷却機構と、前記ワークの搬送機構とを備え、前記搬送機構は、前記ワークを載置して搬送方向に送る無端ベルトと、この無端ベルトを駆動する駆動モータとを有し、前記ワークの冷却機構は、前記ワークの裏面側を冷却する液冷冷却機構からなり、前記液冷冷却機構は、前記無端ベルトを介して前記ワークの裏面側に当接する当接冷却槽と、この当接冷却槽を上下動させる昇降駆動部と、前記当接冷却槽に冷却液を制御しながら循環させる循環部と、前記冷却液の循環路内に設けた温度検知手段とを有し、前記ワークに照射される光量分布の強弱により、前記搬送機構によりワークの照射位置を変えるワークの電荷の消去中和装置として構成した。
【００１６】
さらに、半導体記憶素子および半導体などのワークが、検査工程を含む製造工程中に帯電する電荷の消去中和装置であって、前記ワークを収納する収納部と、この収納部のワークを保持して取り出し処理室内に移動させる受渡機構と、この受渡機構で受け渡されるワークを載置し所定位置まで搬送する搬送機構と、前記搬送機構上のワークに所定波長の紫外線を照射する放電灯と、前記放電灯の点灯照射中に上昇するワークの温度を制御する冷却機構とから構成され、前記搬送機構は、前記ワークを載置して搬送方向に送る２本の無端ベルトと、この無端ベルトを駆動する駆動モータとを有し、前記ワークの冷却機構は、前記ワークの裏面側を冷却する液冷冷却機構からなり、前記液冷冷却機構は、前記２本の無端ベルトの間からワークの裏面側に当接する当接冷却槽と、この当接冷却槽を上下動させる昇降駆動部と、前記当接冷却槽に冷却液を制御しながら循環させる循環部と、前記冷却液の循環路内に設けた温度検知手段とを有し、前記放電灯の点灯照射中に、搬送機構を作動させワークの照射位置を少なくとも１回以上変えるワークの電荷の消去中和装置として構成した。
【００１７】
そして、前記ワークの電荷の消去中和装置において、前記ワークの冷却機構は、前記液冷冷却機構と共に、そのワークの表面側を冷却する空冷冷却機構とからなり、前記空冷冷却機構は、ワークに空冷気体を送る給気部と、前記給気部から送られた空冷気体の温度を検知する温度検知手段と、前記給気部から送られワークの熱を奪った空冷気体を排出する排出部とを有する構成とした。
【００１８】
また、前記ワークの電荷の消去中和装置において、前記搬送機構は、前記無端ベルトに載置されたワークを検知するセンサを有し、前記センサにより前記駆動モータを駆動させる構成とした。
【００１９】
さらに、前記ワークの電荷の消去中和装置において、前記放電灯は、その放電管の電極側に設けたランプベースと、このランンプベースに設けた放電灯冷却機構とを備え、前記放電灯冷却機構は、ランプベースに設けた冷却通路に空冷気体を吹きつける吹付ノズルと、前記空冷気体を供給する供給部と、前記冷却通路に設けた温度検知手段とからなる構成とした。
【００２０】
そして、前記ワークの電荷の消去中和装置において、前記放電灯は、その放電管の電極側に設けたランプベースと、このランンプベースに設けた放電灯冷却機構とを備え、前記放電灯冷却機構は、前記ランプベースに当接する冷却槽と、この冷却槽に冷却液を循環させる冷却液の循環部と、前記冷却液の流路内に設けた温度検知手段とを有する構成とした。
【００２１】
また、前記ワークの電荷の消去中和装置において、前記ワークの近傍で同高さレベル位置に温度検知手段を設け、前記放電灯に設けた冷却機構の温度検知手段および、前記ワークの温度検知手段を接続する制御機構を備え、前記放電灯の点灯照射中に前記温度検知手段からの温度情報が所定温度の範囲になるように各冷却機構の作動制御を行う構成とした。
【００２２】
さらに、前記ワークの電荷の消去中和装置において、前記処理室を高さ方向に多段に配置した構成とした。
【００２３】
そして、前記ワークの電荷の消去中和装置において、前記放電管と前記ワークの間に冷却液体が循環できる液体循環槽を設ける構成とした。
【００２６】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の実施の一形態を図面に基づいて説明する。
図１は、ワーク内電荷消去中和装置の要部を示す縦断面図、図２はワーク内電荷消去中和装置の平断面図、図３は搬送機構の作動状態を示す側面図、図４は放電灯の冷却機構の要部を示す斜視図、図５は各冷却機構を温度制御を行う制御機構の原理図、図６は紫外線照射中のワークの作動状態を示す原理図、図７はウエハ製造工程を示すブロック図、図８は浮遊ゲート内部の構造を示す原理図、図９はワーク内電荷消去中和装置の応用例を示す斜視図、図１０は他の形態を示すワーク内電荷消去中和装置の構成を表す原理図、図１１は他の形態を示すワーク内電荷消去中和装置の構成を示す原理図である。
【００２７】
図１および図２で示すように、ワーク内電荷消去中和装置１は、半導体記憶回路を有するウエハ（以下ワークという）Ｗの収納部としての収納カセット２と、この収納カセット２を所定位置に移動する駆動部３と、前記収納カセット２内のワークＷを取り出し受け渡す受渡機構としてのハンドラ４およびその駆動部５と、前記ハンドラ４から受け取ったワークを載置して搬送する搬送機構７と、この搬送機構７を収納設置している処理室６と、この処理室６内に設け、前記搬送機構７上の配置した所定波長の紫外線を照射する放電灯８と、前記ワークの冷却機構としての空冷冷却機構（冷却機構）９および液冷冷却機構１０などを備えている。
【００２８】
図１で示すように、前記収納カセット２は、ワークＷを一枚一枚高さ方向に収納する収納棚２ａを備えており、後述するハンドラ４の載置保持部４ａが進入できる間隔を開けてその収納棚２ａが設けられている。この収納カセット２は、支持部２ｂを介して駆動部３に支持されている。前記収納カセット２の駆動部３は、前記支持部２ｂを上下の所定位置に移動自在に支持する上下移動部３ａと、この上下移動部３ａを保持し左右方向に移動する左右移動部３ｂとから構成されている。なお、図２で示すように、収納棚２ａは、ハンドラ４の載置保持部４ａがワークＷを保持した状態で上昇できるように、切欠部分を形成すると都合が良い。また、収納カセット２は、支持部２ｂに着脱自在に支持するようにしても構わない。
【００２９】
図１で示すように、前記上下移動部３ａは、送りネジ３ａ1 と、この送りネジを回動させる回動部３ａ2 と、この回動部３ａ2 を駆動制御する駆動制御部（図示せず）などから構成されている。また、前記左右移動部３ｂは、シリンダ装置や送りネジ機構が用いられ、前記上下移動部３ａを保持した状態で、所定位置に移動自在に駆動制御部を介して移動制御されている。
【００３０】
図１および図２で示すように、ハンドラ４は、ワークＷを真空吸着して保持する吸着穴４ｄを有する載置保持部４ａと、この載置保持部４ａを水平方向に前後移動させる移動アーム４ｂと、この移動アーム４ｂを回動自在に支持する回動支持部４ｃとから構成されている。そして前記ハンドラ４を駆動する駆動部５は、前記ハンドラ４を上下方向に移動させる昇降部５ａと、この昇降部５ａを保持し左右方向に移動する左右移動部５ｂとから構成されている。
【００３１】
前記ハンドラ４の昇降部５ａは、図１で示すように、シリンダ装置５ａ1 と、このシリンダ装置５ａ1 を制御する駆動制御部（図示せず）とから構成されている。また、前記昇降部５ａを左右方向に移動させる左右移動部５ｂは、図２で示すように、送りネジ５ｂ1 と、この送りネジ５ｂ1 を回動させる移動部５ｂ2 と、この移動部５ｂ2 を駆動制御する駆動制御部（図示せず）などから構成されている。
【００３２】
図１で示すように、処理室６は、ワークＷの搬入口６ａに設けたシャッタ機構６ｂと、ワークＷの搬出口６ｃに設けたシャッタ機構６ｄと、処理室６内を冷却する冷却機構９などを備えている。前記シャッタ機構６ｂ，６ｄは、放電灯８が点灯照射中に外部に紫外線が漏れないような紫外線遮断部材で形成されたシャッタ６ｅ，６ｆを有しており、これらシャッタ６ｅ，６ｆは、紫外線を遮断し内部が視認できるようなシートを貼付した透明プラスチックや硝子などであっても構わない。
【００３３】
図１および図３で示すように、前記搬送機構７は、ワークを載置する載置部としての無端ベルト７ａ，７ａと、この無端ベルト７ａ，７ａを駆動させる駆動機構７Ａとを備えている。前記駆動機構７Ａは、前記無端ベルト７ａ，７ａを所定の張力を掛けた状態で係合する駆動プーリ７ｂおよび従動プーリ７ｃと、前記駆動プーリ７ｂに掛け渡した駆動ベルト７ｄと、この駆動ベルト７ｄを駆動する駆動モータ７ｅとから構成されている。そして、前記ハンドラ４により無端ベルト７ａ，７ａ上に載置されたワークＷを所定位置まで送ることができるように制御駆動される構成としている。
【００３４】
また、前記搬送機構７の無端ベルト７ａ，７ａの下側には、図３で示すように、液冷冷却機構としての冷却機構１０が設置されている。この冷却機構１０は、無端ベルト７ａ，７ａが停止している際に、その無端ベルト７ａ、７ａに載置するワークの裏面側に当接する当接冷却槽１０ａと、この当接冷却槽１０ａを昇降駆動させる昇降駆動部１０ｂと、前記当接冷却槽１０ａに冷却液を供給する供給部１０ｃと、当接冷却槽１０ａの冷却液を排出する排出部１０ｄと、前記冷却液の濾過および循環を行う循環部１０ｅと、前記当接冷却槽１０ａ内の冷却水の温度を検知する温度検知手段としての温度センサ１０ｆ（図５参照）とから構成されている。
【００３５】
なお、前記当接冷却槽１０ａは、無端ベルト７ａ，７ａの当接位置に、凹溝を形成し、その当接冷却槽１０ａが無端ベルト７ａ，７ａに当接する際、前記凹溝内にその無端ベルト７ａ，７ａを入り込ませる構成としても良い。
【００３６】
図２および図４で示すように、前記放電灯８は、ワークＷの搬送方向に直交する方向に設置され、その放電管８ａをＵ字形に構成し、その放電灯８の電極側に設けたランプベース８Ａと、前記ランプベース８Ａに設けた第１冷却機構１１および第２冷却機構１２とを有している。なお、前記放電灯８の放電管８ａは、その放電管８ａ、８ａの間よりその直径が大きくなるように形成されていると都合が良い。
【００３７】
図４で示すように、放電灯８の電極側にはランプベース８Ａが、一方と他方の支持金具８ｂ，８ｃにより構成されている。前記一方の支持金具８ｂは、放電灯８の両放電管８ａの円周形状に沿って凹状の当接部８ｂ1 ，８ｂ1 を形成した肉厚の金属から構成され、前記当接部８ｂ1 ，８ｂ1 の間に他方の支持金具８ｂの止付部８ｂ2 などを有している。
【００３８】
また、他方の支持金具８ｃは、ほぼ断面ハット状に形成され、前記一方の支持金具８ｂの当接部分に当接支持する当接支持部８ｃ１、この当接支持部８ｃ１の両端から立ち上げて形成した立上部８ｃ２、８ｃ２と、これら立上部８ｃ２、８ｃ２の下端を折り曲げ形成した下端板部８ｃ３、８ｃ３と、前記当接支持部８ｃ１の所定位置に設けた温度検知手段取付部（温度センサ１１ｃの位置）とから構成されている。
【００３９】
そして、前記両立上部８ｃ2 、８ｃ2 および下端板部８ｃ3 、８ｃ3 とにより放電管８ａ，８ａの間に凹状の後述する第１冷却機構１１の冷却流路を形成し、その冷却流路の位置に温度検知手段としての温度センサ１１ｃが設置されている。
【００４０】
図４および図５で示すように、第１冷却機構１１は、前記当接支持部８ｃ１および立上部８ｃ２、８ｃ２により形成される冷却流路内に空冷気体を吹き付ける吹付ノズル１１ａと、この吹付ノズル１１ａに空冷気体を送る送風装置１１ｂとから構成されている。そして、前記温度センサ１１ｃは、前記送風装置１１ｂを駆動制御する中央制御部１８に接続されている。
【００４１】
また、前記第２冷却機構１２は、一方の支持金具８ｂに当接して設けた冷却槽１２ａと、この冷却槽１２ａに冷却液を供給する供給部としての供給パイプ１２ｂと、前記冷却槽１２ａ内の冷却液を排出する排出部としての排出パイプ１２ｃと、前記冷却液を循環させるポンプやフィルタなどを有する循環部１２ｄとから構成されている。さらに、前記冷却機構１２の冷却槽１２ａ内に設けた温度検出手段としての温度センサ１２ｅとを有している。そして、前記温度センサ１２ｅは、前記循環部１２ｄを駆動制御する中央制御部１８（図５参照）に接続されている。
【００４２】
図１で示すように、処理室６内の冷却機構９は、処理室６の上部に設けた吸気部９ａと、この吸気部９ａから吸気された空気を除塵するフィルタ９ｂと、このフィルタ９ｂから送られてきた空気が処理室６内に分散して送配される仕切り板９ｃと、前記処理室内の床部側に設けた排出穴を有する排出部９ｄと、この排出部９ｄ内に排出された空気を外部に送る排出パイプ９ｅとから構成されている。
【００４３】
なお、前記吸気部９ａから吸気される空冷気体は、クリーンルーム内の空気を使用しても良く、さらに、前記吸気部９ａに図５で示すように、送付パイプ９ｆを接続して空冷気体である窒素ガスを処理室６内に供給する構成としても良い。また、前記仕切り板９ｃは、所定波長の紫外線を反射する反射面を備える構成とすると都合が良い。
【００４４】
また、図５で示すように、前記冷却機構９は、前記吸気部９ａを駆動する送風駆動部９ｇと、処理室６内の所定位置に温度検出手段としての温度センサ９Ｂと、積算光量計の受光センサとを有している。そして、前記温度センサ９Ｂおよび受光センサは、その送風駆動部９ｇを制御する中央制御部１８に接続されている。なお、温度センサ９Ｂおよび受光センサは、ワークＷと同一高さに配置されると都合が良い。
【００４５】
図５で示すように、前記中央制御部１８は、メモリ、演算部および制御部などを有しており、前記積算光量計の受光センサや各温度センサ９Ｂ，１０ｆ，１１ｃ，１２ｅからの検知温度を認識して各冷却機構９、１０、１１、１２の各駆動部９ｇ、１０ｅ，１１ｂ，１２ｄを適正に駆動制御している。
【００４６】
なお、図５で示すように、前記搬送機構７側に設けた冷却機構１０の当接冷却槽１０ａと、処理室６内の冷却機構９により、放電灯８の点灯照射中に無端ベルト７ａ、７ａ上のワークＷが１００°Ｃ以下の所定温度まで調整されることが望ましい。
【００４７】
さらに、図５で示すように、前記放電灯８は、２５３．７ｎｍの紫外線を照射できるように管内温度を調整している。例えば、管内温度を４０°Ｃ前後に設定すると、２５３．７ｎｍの紫外線が効率良く照射できるのであれば、第１および第２冷却機構１１、１２を、調節して４０°Ｃ前後に維持できるようにしている。前記放電灯８の電極部分は大きな電流が流れるために高温となり、放電灯内の温度を上昇させるとになるが、紫外線波長は温度依存性が高く、２５３、７ｎｍの紫外線を効率よく照射するためには、その放電灯８の構成に応じて適正温度を維持する必要がある。なお、放電灯８の構成が異なる場合は、２５３．７の紫外線を効率良く照射する放電灯内の所定温度に維持することが望ましい。
【００４８】
そして、前記各部位の温度調節を行う場合は、冷却機構１０であれば、その当接冷却槽１０ａ内に流れる冷却液の流速を速くすることや、冷却液の温度を下げることで、冷却機構１０側の調整をしている。また、処理室６内の冷却機構９であれば、吸気部９ａの送風量が大きくなるように調節することや、窒素ガスなどの空冷気体を使用して冷却を行っている場合は、その空冷気体の温度を下げることや、供給量を増やすことで温度調節を行っている。
【００４９】
さらに、放電灯８の第１冷却機構１１であれば、吹付ノズル１１ａからの吹付流量を大きくするか、吹き付ける空冷気体の温度を下げることで、温度調節を行う。また放電灯８の第２冷却機構１２であれば、循環する冷却液の流速を速くするか、その冷却液の温度を下げることで温度調節を行う。なお、放電灯８の場合は、必要に応じて冷却機構１１、１２のどちらか一方を使用することや、冷却機構１１、１２を両方使用して温度調節を行っても構わない。
【００５０】
そのため、第１冷却機構１１の空気流量を多くすることと、第２冷却機構１２の冷却液の流速を速くするか、または、冷却液の温度を下げることで調整を行っている。そして、前記第１および第２冷却機構１１、１２をバランスよく中央制御部１８により制御している。
【００５１】
なお、図１で示すように、前記処理室６の下方には電源室が設置され、この電源室内に電源装置１３などが設置されている。そして、前記電源装置１３が、熱を持ち温度上昇することを防ぐために、送風機構などにより内部の空気を循環させその後外部に放出している。
【００５２】
したがって、上記の構成のワーク内電荷消去中和装置１を使用してワークＷを処理する場合は、つぎのような作用を有する。すなわち、図１および図２で示すように、ワークＷを収納する収納カセット２を支持部２ｂに装着する。そして、駆動部３を駆動させ、ハンドラ４の載置保持部４ａが収納カセット２の最上部に位置するワークＷに進入できる位置に移動させる。また、必要があれば左右駆動部を駆動させ、作業がし易い位置に収納カセット２を移動させる。
【００５３】
収納カセット２の位置が決定したら、ハンドラ４を作動させ、その移動アーム４ｂを伸長させ、載置保持部４ａを取り出すワークＷの下面側に位置させる。そして、載置保持部４ａの吸着穴４ｄから、空気ポンプ（図示せず）の作動により真空吸引すると共に、シリンダ装置５ａ1 の駆動により、ワークＷを載置保持部４ａで上昇させ、移動アーム４ｂを伸縮することでワークＷを収納棚２ａから取り出す。
【００５４】
そして、ワークＷを保持したハンドラ４は、必要があれば、左右移動部５ｂを作動させ、ワークＷを載置する位置の搬送機構７の正面に移動させる。その後、ハンドラ４の回動支持部４ｃにより載置保持部４ａを回転させ、搬送機構７の無端ベルト７ａ，７ａ上にワークＷを到来させる。さらに、昇降部５ａを作動させてハンドラ４を降下させ、無端ベルト７ａ，７ａ上にワークＷを載置する。このとき載置保持部４ａの真空吸着を解除することで、無端ベルト７ａ、７ａにワークＷを受け渡す。
【００５５】
ワークＷが載置された無端ベルト７ａ、７ａは、所定位置に設けたセンサ（図示せず）がワークの有無を確認して駆動モータ７ｅを作動させる。駆動モータ７ｅが作動すると、無端ベルト７ａ，７ａ上のワークＷを、そのワークＷのほぼ寸法分だけ搬出口６ｃ側に送り停止する。そのため、無端ベルト７ａ，７ａ上の搬入口６ａ側には、つぎのワークＷを載置するスペースが確保される。
【００５６】
一方、 ワークＷを受け渡したハンドラ４は、移動アーム４ｂを伸縮させると共に、回動支持部４ｃにより載置保持部４ａを回転させハンドラ４の向きを変える。さらに、左右移動部５ｂにより、収納カセット２の正面位置までハンドラ４を移動させる。
【００５７】
上記したように、収納カセット２からつぎのワークＷをハンドラ４により搬送機構７の無端ベルト７ａ，７ａに受け渡す。二番目のワークＷが無端ベルト７ａ，７ａ上に載置されると、再び、センサを介して駆動モータ７ｅが駆動し、ワークＷを搬出口６ｃ側に移動して、搬入口６ａの無端ベルト７ａ，７ａにワークＷが載置できるスペースを開ける。このようにして、各搬送機構７（図面では５体）の各無端ベルト７ａ，７ａ上にワークＷを複数（図面では５個）載置する（搬送工程）。
【００５８】
図２および図３で示すように、ワークＷが搬送機構７上に載置されると、シャッタ６ｅ，６ｆが降下して搬入口６ａおよび搬出口６ｃを閉鎖する。そして、放電灯８が点灯されると共に、各冷却機構９、１０、１１、１２が各部位を設定温度に保つように温度センサ９Ｂ，１０ｆ、１１ｃ，１２ｅの温度変化に伴って作動する。
【００５９】
すなわち、中央制御部１８にメモリに記憶している設定温度の数値と、各温度センサ９Ｂ，１０ｆ、１１ｃ，１２ｅから送られてきた温度情報の数値を比較演算して、設定温度の数値に近づくように、各冷却機構９、１０、１１、１２の駆動を制御している。
【００６０】
一方、無端ベルト７ａ，７ａに載置されたワークＷは、所定波長の紫外線である２５３．７ｎｍの紫外線をワークＷに照射し続ける（光照射工程）。このとき、図６で示すように、放電灯８の放電管８ａの直下にあるワークＷの照射面と、放電管８ａの直下に無いワークＷの照射面との積算光量が同じ量になるように、無端ベルト７ａ，７ａを移動させてワークＷの受光位置を移動させる（ワーク移動工程）。
【００６１】
このとき、図６で示すように、ワークＷの光照射面となる放電管８ａの直径ａと、放電管８ａ，８ａの間ｂとの関係は、放電管８ａの直径ａ寸法が、放電管８ａの間寸法ｂより大きくなるように形成されると共に、隣接する放電管８ａとの距離も前記放電管８ａの間寸法ｂと同じ間隔としているため、搬送機構７の移動距離を、少なくとも放電管８ａ，８ａの間ｂの距離だけ移動させることで足りる。
【００６２】
例えば、ワークＷ内部の電荷の消去中和の状態を浮遊ゲート内に蓄積した電子を例にとって見ると、図８で示すように、放電灯８（６参照）から照射された特定波長の紫外線は、光子がワークＷの内部に入り込んで行き、浮遊ゲート内の伝導帯と価電子帯の電子に吸収され、励起された電子は光子から高いエネルギーを得て、注入された電子のつくる電界により、浮遊ゲートを囲む酸化膜（結晶膜あるいは障壁膜）を通過し、コントロールゲートあるいはシリコン基板に到達して消去される。したがって、ワークＷの浮遊ゲートでは、後工程で悪影響をおよぼすような電子は存在しなくなる。
【００６３】
上記した電子の消去作業は、ワークＷの表面が常温で酸化膜の振動は５％〜１０％が自然状態であり、放電灯８からの照射エネルギーによりワークＷが高温になるにしたがい、浮遊ゲートを構成する酸化膜などが熱を吸収し、分子運動が激しくなり、その周辺や、酸化膜内の電子を束縛し、浮遊ゲート内電子の消去に著しく時間がかかることになる。
【００６４】
そのため、ワークＷの表面温度を１２０°Ｃ以下の所定温度までとし、放電管８ａ内の温度を所定温度（一例として４０度前後）に維持することで、ほぼ３０分で作業を終了させることができる。なお、紫外線２５３．７ｎｍ領域の多い光源であった場合、２００ｎｍ〜３００ｎｍの範囲の紫外線を照射し、その照射強度が２０ｍＷ／ｃｍ2 のときに９０分で行え、４０ｍＷ／ｃｍ2 のときに３０分で消去作業を終了した。さらに、照射強度を強くするため、ワークＷと放電灯８を近接させ、照射強度を８０ｍＷ／ｃｍ2 〜１００ｍＷ／ｃｍ2 としてワークＷの変質限度まで変更することが可能としても構わない。
【００６５】
もちろん、結晶の振動数はワークＷを構成する原子の種類により異なる。そのため、ワークＷの結晶の振動数があらかじめ判っているものは、その振動数および消去中和時間の許容時間からワークＷの上限温度を決定する。
【００６６】
また、前記したワークＷの積算光量を平均化するために搬送機構７を移動する場合は、全体作業終了時間を移動回数プラス１で割った時間で移動させる。そのため、移動回数が１回で、全作業時間が３０分であれば、３０／（１＋１）となり、１５分でワークＷの位置を適正に移動させている。
【００６７】
ワークＷの電荷消去中和作業が終了すると、搬入口６ａおよび搬出口６ｃのシャッタ６ｅ，６ｆが開放する。そして、ワークＷは、搬出口６ｃ側から搬送機構７の作動により、あるいは、搬出口６ｃ側に設けたハンドラ（図示せず）により搬出されて次工程に送られる。そのため、ワークＷの製造ラインの所定位置に前記したワーク内電荷消去中和装置１を組み入れても他の製造ライン上の作業に支障を来すことなくワークの処理ができる。
【００６８】
なお、ここではワークＷの内部に形成した浮遊ゲートを一例として説明したが、ワークＷ内部に帯電した電荷であれば、上記したように、特定波長の紫外線の照射と、ワークＷを冷却することにより結晶の振動を抑制することで、消去中和することが可能となる。
【００６９】
つぎに、半導体記憶素子の製造工程におけるワークＷの電荷の消去中和の行われる工程位置を示す。図７（ａ）で示すように、半導体記憶素子および回路をワークとしてのウエハに構成する場合は、ウエハ製造工程１１０と、ウエハ処理工程１２０と、組立工程１３０と、検査工程１４０とから全工程が構成されている。
【００７０】
そして、図７（ｂ）で示すように、前記ウエハ処理工程１２０は大きく分けて、薄膜形成工程１２２と、酸化工程１２３と、ドーピング工程１２４と、アニール工程１２５と、レジスト処理工程１２６と、露光工程１２７と、エッチング工程１２８と、洗浄および乾燥工程１２９とから構成されている。そして、これらの工程は繰り返されたり、順序が前後したりする場合がある。また、前記レジスト処理工程１２６と、露光工程１２７およびエッチング工程１２８をまとめてフォトリソ工程とする場合がある。
【００７１】
前記ウエハ処理工程１２０内で回路が形成されることになるため、そのウエハ処理工程１２０内のどの工程間であってもワークＷの内部に蓄積された電荷の消去中和作業を行うことができる。浮遊ゲート内電子の消去作業では、所定波長の紫外線を所定時間照射する非接触で行われるため、ワークの破損などの原因を作ること無く行われる。
【００７２】
なお、前記各工程では、その作業状況に応じて次のような装置が使用される。すなわち、薄膜形成工程では、真空蒸着装置１２２ａと、スパッタリング装置１２２ｂと、ＣＶＤ装置１２２ｃと、エピタキシャル成長装置１２２ｄなどである。また、ドーピング工程１２４では、熱拡散装置１２４ａと、レーザドーピング装置１２４ｂや、プラズマドーピング装置と、イオン注入装置などが使用される。
【００７３】
そして、レジスト処理工程１２６では、塗布装置１２６ａと、現像装置１２６ｂと、ベーキング装置１２６ｃと、レジスト剥離装置１２６ｄとなどが使用される。また、エッチング工程１２８では、ウェットエッチング装置１２８ａと、ドライエッチング装置１２８ｂなどからなる。さらに、洗浄および乾燥工程１２９では、湿式洗浄装置１２９ａと、乾式洗浄装置１２９ｂと、乾燥装置１２９ｃなどが使用されている。
【００７４】
上記した各工程での各装置によりワークＷが接触したり、特に、種々の薄膜を形成する場合に、ワークＷの内部に電荷が蓄積される可能性が高く、前記したどの装置の作業後あるいは作業前であっても、ワークの内部の電荷を消去中和する作業ができる。
【００７５】
なお、図９で示すように、ワーク内電荷消去中和装置２０は、処理室２６を高さ方向に多段（図面では３段）に構成すると、クリーンルームなどの限られたスペースで使用する場合に都合がよい。このワーク内電荷消去中和装置２０は、各処理室２６内に、放電灯、搬送機構、冷却機構（図１参照）などを有している。
【００７６】
また、各処理室２６内の温度を下げるため、各処理室２６にそれぞれ空冷気体を供給するパイプ（図示せず）を設ける構成とすることや、空冷ファン２９により各処理室２６内を空冷しても構わない。そのため、上記したように半導体の浮遊ゲート内電子を、ワークを冷却しながら所定波長の紫外線を照射することで、短時間で消去することが可能となる。
【００７７】
そして、処理し終わったワークを処理室内から搬送する場合は、搬出側に、各処理室２６、２６、２６まで伸縮自在に構成したハンドラを設けることで、次工程のライン側にワークを受け渡すことが可能となる。
【００７８】
また、図１０で示すように、ワークＷの大きさが放電灯３１からの所定波長の紫外線を均等に受けることができる場合は、ワークＷの位置を動かす必要が無く、ワークＷが熱による弊害を受けないように、冷却機構３２、３３の両方あるはどちらか一方を使用することで対応できる。すなわち、放電灯３１と、この放電灯３１の直下に設けた載置台３４と、この載置台３４の内部に冷却液を循環装置３２ａにより循環させる冷却機構３２と、前記放電灯３１の上部側から空冷気体を供給する冷却機構３３とから構成されている。そして、前記冷却機構３２、３３は、必要に応じてその一方のみを設ける構成でも良い。
【００７９】
さらに、図１１で示すように、ワークＷに放電灯からの熱の影響を低減できるように、放電灯３５とワークＷの間に冷却液体が循環できる液体循環槽３６を設け、ワークＷは、搬送装置３７の送りベルト３７ａ上に載置される構成としても良い。そして、前記搬送装置３７の送りベルト３７ａは、冷却槽３８が昇降自在に設けられており、ワークＷに送りベルト３７ａを介して冷却槽３８が当接できる構成としている。なお、搬送装置３７および冷却槽３８は、昇降装置３９により放電灯３５からの距離が自在に設定できるように構成されている。なお、液体循環槽３６の冷却効果が大きい場合は、ワークＷに当接する冷却槽３８を必要としない。
【００８０】
なお、上記したそれぞれの実施の形態で説明した放電灯は、平板面放電灯や、蛇行状放電灯を使用しても良く、また、放電灯とワークの間の空間に所定波長あるいは、所定波長領域を通過させるフィルタを設ける構成としても良い。そして、放電灯は、その背面側に反射鏡（コールドミラーなど）を設け、反射光線や誘導光線を使用する構成や、放電灯に干渉膜を設ける構成としても構わない。また、必要に応じて遠紫外線や真空紫外線またはオゾン線など支障が起きない範囲で選択して制御し使用しても構わない。さらに、放電灯は、円透光管体を同心に組み合わせ、その円透光管体の間の空間にヘリウム、クセノンや、クリプトン、フッ素などの充填ガスを充填すると共に、その円透光管体（透光性誘電体）の周囲にワイヤネットの電極を設けたエキシマ放電灯の構成のものを使用しても良い。
【００８１】
また、放電灯は、Ｕ字形のものに替え、直線状の放電灯を使用しても構わない。すなわち、直線状の放電管の直径より小さな間隔で隣接するように各放電灯を配置して紫外線照射を行っても構わない。直線状の放電灯を使用する場合は、一方と他方の電極にそれぞれランプベースを設け、前記一方の支持金具は、その止付部を放電管の両側に形成し、前記他方の支持金具は、その放電管を跨ぐような断面ほぼハット形に形成され、そのハット形の凹部分を空冷流路とする構成としている。したがって、放電灯の第１および第２冷却機構は、両電極側に分割して一組づつ配設される構成となる。
【００８２】
また、前記ワークＷの内部電荷の消去中和作業では、所定波長の紫外線を照射することで行えるため、ワークＷ照射面に電界により引き寄せられる不純物を防止することが可能となる。
【００８３】
そして、前記放電灯の放電管と設置間隔の関係は、その放電管の直径が、設置間隔より小さな場合であっても、ワークの載置している搬送機構の移動回数を増やすことで、対応することが可能となる。さらに、隣合う放電管の側面側に干渉防止板や、干渉防止膜を設ける構成とすると、干渉による放電管の劣化が防止でき都合が良い。さらに、上記した各冷却機構は、ワークの上限温度の許容範囲が維持できる場合には、１つの冷却機構のみを設ければ足りるものである。また、空冷機構を使用する場合は、冷却用の窒素ガスを使用しても良い。さらに、図１０および図１１で示す構成は、図９のように多段式に構成して使用することも可能である。
【００８４】
なお、ワークの帯電した電荷を消去中和できるため、ワークに自然帯電による静電気が発生した状態であっても、価電子の障壁を越える紫外線照射とワークの冷却と、オゾナイザーなどの装置を合わせて使用することで、自然帯電による電荷を中和することが可能となる。
【００８５】
【発明の効果】
以上に述べたごとく本発明は次の優れた効果を発揮する。
(1) 半導体記憶素子および半導体などのワークの内部に帯電した電荷の消去中和が短時間でできるため、作業性が良い。また、記憶素子の浮遊ゲート内に蓄積した電子なども短時間で消去することができる。さらに、ワークを冷却することで結晶の振動を所定以上に大きくせず、所定波長の紫外線の照射により光子がワーク内部の蓄積された電荷（電子）を適切に消去中和できる。
【００８６】
(2) ワークは照射される紫外線の光量分布の強弱がある場合は、搬送機構を移動させ、ワークの光照射量を均等にすることでワーク内部に帯電する電荷の消去中和をさらに適切に行うことが可能となる。
【００８７】
(3) ワークは、収納位置から受渡機構により搬送機構に受け渡され、処理室内で所定温度に冷却されながら所定波長の光照射され、搬送機構の作動によりワークの照射位置を少なくとも１回以上変える構成としているため、連続してワークの消去中和作業が可能となる。
【００８８】
(4) ワークを冷却する冷却機構は、ワークを空冷する空冷機構と、ワークに当接して冷却する液冷機構により構成しているため、ワークを適切に冷却でき、結晶構造の振動を抑制する。そのため、電荷を消去中和させたい位置、例えば、浮遊ゲートなどの内部でフォトンを適切に電子に衝突させることが可能となる。
【００８９】
(5) ワークを冷却する冷却機構は、空冷あるいは液冷機構により、温度検知手段を用いてワークを所定温度に冷却することが可能であるため、空冷機構あるいは液冷機構のどちらか一方あるいは両方を使用してワークを適正に冷却でき、ワーク内に帯電した電荷の消去中和が確実にできる。そのため、ワークが電気的に中和されており、不純物などを引きつけることがなく、ワークの後工程で静電放電による破壊や、不純物によるショートなどの不具合が生じることがない。
【００９０】
(6) ワークを搬送する搬送機構は、ワークの載置部に昇降駆動部を介して当接離間する当接冷却槽を設けているため、ワークを適正位置に搬送した後、冷却が適切にできる。
【００９１】
(7) ワークに紫外線照射する放電灯は、二つの冷却機構により所定温度になるように放電管内を温度制御することで、ワーク内部に蓄積された電荷を消去するための所定波長の紫外線を効率良く照射でき、浮遊ゲート内の電子などワーク内部の蓄積された電荷を適切に消去することが可能となる。
【００９２】
(8) ワーク内電荷消去中和装置は、ワークの製造工程で蓄積する電荷を、その工程間のどの位置でも消去できる。また、作業工程中にワークに電界により引き寄せられる不純物も防止することができる。
【００９３】
(9) ワークを紫外線照射する際に、ワーク近傍の温度および、ワークに当接する当接冷却槽内の液冷温度を温度検知手段により検知し、各冷却機構の温度制御を行っているため、ワークの材質が異なることによるワークの上限温度を制御することでワークの適切な冷却を可能とする。
【００９４】
(10)ワーク内電荷消去中和装置は、プローブにより接触する必要が無く、また、回路に電圧をかけることもないので、ワークに与える影響を最小限で、帯電した電荷を消去中和することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明のワーク内電荷消去中和装置の要部を示す縦断面図である。
【図２】この発明のワーク内電荷消去中和装置の要部を示す平断面図である。
【図３】この発明の搬送機構の作動状態を原理的に示す側面図である。
【図４】この発明の放電灯のランプベースおよび冷却機構の要部を示す斜視図である。
【図５】この発明の各冷却機構を制御する中央制御部の要部系統を示す原理図である。
【図６】この発明の紫外線照射時のワークの作動状態を示す原理図である。
【図７】この発明のウエハ製造工程を示すブロック図である。
【図８】浮遊ゲートから電子が消去される状態を示す原理図である。
【図９】この発明の応用例を示すワーク内電荷消去中和装置の斜視図である。
【図１０】この発明の他の形態のワーク内電荷消去中和装置の構成を示す原理図である。
【図１１】この発明の他の形態のワーク内電荷消去中和装置の構成を示す原理図である。
【符号の説明】
１          ワーク内電荷消去中和装置
２          収納カセット（収納部）
２ａ        収納棚
３          駆動部
４          ハンドラ（受渡機構）
４ａ        載置保持部
４ｂ        移動アーム
４ｃ        回動支持部
５          駆動部
５ａ        昇降部
５ｂ        左右移動部
６          処理室
６ａ        搬入口
６ｂ        シャッタ機構
６ｃ        搬出口
６ｄ        シャッタ機構
６ｅ        シャッタ
６ｆ        シャッタ
７          搬送機構
７Ａ        駆動機構
７ａ        無端ベルト（載置部）
７ｂ        駆動プーリ
７ｃ        従動プーリ
７ｄ        駆動ベルト
７ｅ        駆動モータ
８          放電灯
８Ａ        ランプベース
８ａ        放電管
８ｂ        一方の支持金具
８ｃ        他方の支持金具
９          冷却機構（空冷冷却機構）
９ａ        吸気部
９ｂ        フィルタ
９ｃ        仕切り板
９ｄ        排出部
９ｅ        排出パイプ
９ｆ        送付パイプ
９ｇ        送付駆動部
１０          冷却機構（液冷冷却機構）
１０ａ        当接冷却槽
１０ｂ        昇降駆動部
１０ｃ        供給部
１０ｄ        排出部
１０ｅ        循環部
１０ｆ        温度センサ（温度検知手段）
１１          第１冷却機構
１１ａ        吹付ノズル
１１ｂ        送風装置
１２          第２冷却機構
１２ａ        冷却槽
１２ｂ        供給パイプ（供給部）
１２ｃ        排出パイプ（排出部）
１２ｄ        循環部
１２ｅ        温度センサ（温度検出手段）
【図１】
0003872535.tif 000002
【図２】
0003872535.tif 000003
【図３】
0003872535.tif 000004
【図４】
0003872535.tif 000005
【図５】
0003872535.tif 000006
【図６】
0003872535.tif 000007
【図７】
0003872535.tif 000008
【図８】
0003872535.tif 000009
【図９】
0003872535.tif 000010
【図１０】
0003872535.tif 000011
【図１１】
0003872535.tif 000012