(57)【要約】【課題】従来よりも電子部品からのビア導体の剥離を抑え、ビア導体と電子部品との接続の信頼性を向上することが可能な電子部品内蔵配線板及びその製造方法の提供を目的とする。【解決手段】本発明の電子部品内蔵配線板１０は、第１絶縁樹脂層２１が支持絶縁層２９とその下方の被覆絶縁層２８とからなる二層構造になっていて、支持絶縁層２９上に第１導体層２２が形成されると共に、被覆絶縁層２８がコア基板１１上の導体回路層１２及びＭＬＣＣ１７を覆っている。また、被覆絶縁層２８は支持絶縁層２９よりも無機フィラー含有率が大きくなっていて熱膨張率が小さくなっている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品が収容されているキャビティを有するコア基板と、
上面に導体層が積層されていない被覆絶縁層と、前記被覆絶縁層の上に重ねられ、上面に導体層が積層される支持絶縁層と、からなり、少なくとも前記コア基板の表裏の一方の面に重ねられて前記キャビティ及び前記電子部品を覆う二層絶縁層と、
前記支持絶縁層上の前記導体層と前記電子部品との間を接続する素子接続ビア導体と、を備える電子部品内蔵配線板であって、
前記被覆絶縁層は、前記支持絶縁層より熱膨張率が小さく、かつ、前記支持絶縁層よりも厚い。
【請求項２】
請求項１に記載の電子部品内蔵配線板であって、
前記二層絶縁層が前記コア基板の表側及び裏側の両方に備えられている。
【請求項３】
請求項２に記載の電子部品内蔵配線板であって、
前記素子接続ビア導体が前記コア基板の表側及び裏側の両方に備えられている。
【請求項４】
請求項１乃至３の何れか１の請求項に記載の電子部品内蔵配線板であって、
前記コア基板のうち前記被覆絶縁層により覆われた面には、導体層が積層され、
前記コア基板上の前記導体層と前記支持絶縁層上の前記導体層との間を接続する導体層間ビア導体を有する。
【請求項５】
請求項１乃至４の何れか１の請求項に記載の電子部品内蔵配線板であって、
前記二層絶縁層は、前記被覆絶縁層と前記支持絶縁層とがフィルム状に一体形成された状態で積層されている。
【請求項６】
請求項１乃至５の何れか１の請求項に記載の電子部品内蔵配線板であって、
前記被覆絶縁層と前記支持絶縁層とは共に無機フィラーを含有し、
前記被覆絶縁層の前記無機フィラーの含有率は、前記支持絶縁層の前記無機フィラーの含有率よりも大きい。
【請求項７】
請求項１乃至６の何れか１の請求項に記載の電子部品内蔵配線板であって、
前記被覆絶縁層と前記支持絶縁層とには、ガラスクロスが含まれていない。
【請求項８】
請求項１乃至７の何れか１の請求項に記載の電子部品内蔵配線板であって、
前記電子部品は、積層セラミックコンデンサである。
【請求項９】
請求項１乃至８の何れか１の請求項に記載の配線基板であって、
前記キャビティと前記電子部品との隙間には、前記被覆絶縁層と同成分の絶縁材が充填されている。
【請求項１０】
請求項１乃至９の何れか１の請求項に記載の配線基板であって、
前記素子接続ビア導体は、前記電子部品へ向かうにつれて徐々に縮径している。
【請求項１１】
コア基板のキャビティに電子部品を収容することと、
前記コア基板の表裏の一方の面に前記被覆絶縁層と前記支持絶縁層とからなる二層絶縁層を積層し、前記被覆絶縁層により前記キャビティ及び前記電子部品を覆うことと、
前記支持絶縁層の上面に導体層を積層することと、
前記支持絶縁層上の前記導体層と前記電子部品との間を素子接続ビア導体により接続することと、を行う電子部品内蔵配線板の製造方法であって、
前記被覆絶縁層を、前記支持絶縁層より熱膨張率を小さくし、かつ、前記支持絶縁層よりも厚くする。
【請求項１２】
請求項１１に記載の電子部品内蔵配線板の製造方法であって、
前記二層絶縁層を前記コア基板の表側及び裏側の両方に備える。
【請求項１３】
請求項１２に記載の電子部品内蔵配線板の製造方法であって、
前記素子接続ビア導体を前記コア基板の表側及び裏側の両方に備える。
【請求項１４】
請求項１１乃至１３の何れか１の請求項に記載の電子部品内蔵配線板の製造方法であって、
前記コア基板のうち前記被覆絶縁層により覆われた面に、導体層を積層することと、
前記コア基板上の前記導体層と前記支持絶縁層上の前記導体層との間を、導体層間ビア導体により接続することと、を行う。
【請求項１５】
請求項１１乃至１４の何れか１の請求項に記載の電子部品内蔵配線板の製造方法であって、
前記二層絶縁層の積層を、前記被覆絶縁層と前記支持絶縁層とがフィルム状に一体形成されている絶縁シートを積層することにより行う。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、コア基板のキャビティに電子部品を収容して備えると共に、そのコア基板が絶縁層に覆われている電子部品内蔵配線板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の電子部品内蔵配線板には、絶縁層を貫通して電子部品に接続するビア導体が設けられている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００１−３４５５６０（図１）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上述した従来の電子部品内蔵配線板においては、熱変形によりビア導体が電子部品から剥離してしまうことが考えられる。
【０００５】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、従来よりも電子部品からのビア導体の剥離を抑え、ビア導体と電子部品との接続の信頼性を向上することが可能な電子部品内蔵配線板及びその製造方法の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するためなされた請求項１に係る発明は、電子部品が収容されているキャビティを有するコア基板と、上面に導体層が積層されていない被覆絶縁層と、前記被覆絶縁層の上に重ねられ、上面に導体層が積層される支持絶縁層と、からなり、少なくとも前記コア基板の表裏の一方の面に重ねられて前記キャビティ及び前記電子部品を覆う二層絶縁層と、前記支持絶縁層上の前記導体層と前記電子部品との間を接続する素子接続ビア導体と、を備える電子部品内蔵配線板であって、前記被覆絶縁層は、前記支持絶縁層より熱膨張率が小さく、かつ、前記支持絶縁層よりも厚い。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本発明の第１実施形態に係る電子部品内蔵配線板の側断面図
【図２】電子部品内蔵配線板の平断面図
【図３】電子部品内蔵配線板の製造工程を示す側断面図
【図４】電子部品内蔵配線板の製造工程を示す側断面図
【図５】電子部品内蔵配線板の製造工程を示す側断面図
【図６】電子部品内蔵配線板の製造工程を示す側断面図
【図７】電子部品内蔵配線板の製造工程を示す側断面図
【図８】電子部品内蔵配線板の製造工程を示す側断面図
【図９】電子部品内蔵配線板の製造工程を示す側断面図
【図１０】電子部品内蔵配線板の製造工程を示す側断面図
【発明を実施するための形態】
【０００８】
［第１実施形態］
以下、本発明の第１実施形態を図１〜図１０に基づいて説明する。図１に示すように、本実施形態の電子部品内蔵配線板１０は、コア基板１１の表裏の両面にビルドアップ層２０，２０を積層してなる。コア基板１１は、絶縁性部材で構成され、その表側面であるＦ面１１Ｆと裏側面であるＳ面１１Ｓとには、導体回路層１２（本発明の「導体層」に相当する）がそれぞれ形成されている。また、コア基板１１には、キャビティ１６と導電用貫通孔１４とが形成されている。
【０００９】
コア基板１１のキャビティ１６には、本発明の「電子部品」としての積層セラミックコンデンサ１７（以下、「ＭＬＣＣ１７」という）が収容されている。ＭＬＣＣ１７は、セラミックス製の角柱体の両端部を１対の電極３１，３１で覆った構造になっていて、ＭＬＣＣ１７の平面形状はキャビティ１６の平面形状より一回り小さくなっている。また、ＭＬＣＣ１７の厚さ（即ち、ＭＬＣＣ１７の電極３１の表裏の一方の面である第１主面３１Ｆと、表裏の他方の面である第２主面３１Ｂとの間の距離）は、コア基板１１の板厚より大きくなっていて、ＭＬＣＣ１７の各電極３１，３１の第１主面３１Ｆ，３１Ｆがコア基板１１のＦ面１１Ｆ側の導体回路層１２における最外面と面一になる一方、ＭＬＣＣ１７の各電極３１，３１の第２主面３１Ｂ，３１Ｂがコア基板１１のＢ面１１Ｂにおける導体回路層１２における最外面と面一になる。なお、ＭＬＣＣ１７とキャビティ１６の内側面との間には素子保持樹脂１６Ｊが充填され、ＭＬＣＣ１７はキャビティ１６の内側面の全体から離間する位置に配置されている。
【００１０】
導電用貫通孔１４は、コア基板１１のＦ面１１Ｆ及びＳ面１１Ｓの両面からそれぞれ穿孔しかつＦ面１１Ｆ及びＳ面１１Ｓの各々から遠ざかるにつれて徐々に縮径したテーパー孔１４Ａ，１４Ａの小径側端部を互いに連通させた中間括れ形状をなしている。導電用貫通孔１４内にはめっきが充填されてスルーホール導電導体１５が形成され、そのスルーホール導電導体１５によってＦ面１１Ｆの導体回路層１２とＳ面１１Ｓの導体回路層１２との間が接続されている。
【００１１】
コア基板１１のＦ面１１Ｆ側のビルドアップ層２０も、Ｓ面１１Ｓ側のビルドアップ層２０も共に、コア基板１１側から順番に、第１絶縁樹脂層２１、第１導体層２２、第２絶縁樹脂層２３、第２導体層２４を積層してなり、第２導体層２４上には、ソルダーレジスト層２５が積層されている。なお、第１絶縁樹脂層２１及び第２絶縁樹脂層２３が本発明の「二層絶縁層」に相当する。
【００１２】
ソルダーレジスト層２５には、複数のパッド用孔が形成され、第２導体層２４の一部がパッド用孔内に位置してパッドになっている。電子部品内蔵配線板１０全体の表側面であるＦ面１０Ｆにおいては、複数のパッドが、中パッド２６Ａ群と小パッド２６Ｃ群とからなり、小パッド２６Ｃ群が行列状に並べられ、その回りを中パッド２６Ａ群が枠状に並べられて囲んでいる。一方、電子部品内蔵配線板１０全体の裏側面であるＳ面１０Ｓのパッドは、中パッド２６Ａより大きな大パッド２６Ｂになっている。
【００１３】
第１絶縁樹脂層２１及び第２絶縁樹脂層２３には、それぞれ複数のビアホール２１Ｈ，２３Ｈが形成されている。ビアホール２１Ｈ，２３Ｈは、本実施形態では、コア基板１１側に向かって徐々に縮径したテーパー状になっているが、テーパー状になっていなくてもよい。これらビアホール２１Ｈ，２３Ｈ内にめっきが充填されて複数のビア導体２１Ｄ，２３Ｄが形成されている。そして、第１絶縁樹脂層２１のビア導体２１Ｄによって、導体回路層１２と第１導体層２２との間及び、ＭＬＣＣ１７と第１導体層２２との間が接続され、第２絶縁樹脂層２３のビア導体２３Ｄによって、第１導体層２２と第２導体層２４との間が接続されている。これら複数のビア導体２１Ｄ，２３ＤのうちＭＬＣＣ１７と第１導体層２２との間を接続するものが本発明の「素子接続ビア導体」に相当し、導体回路層１２と第１導体層２２との間を接続するものが本発明の「導体層間ビア導体」に相当する。なお、第１及び第２の導体層２２，２４においては、配線パターンの最小幅Ｗ及び配線パターン間の最小距離Ｈがそれぞれ１５μｍ以下となっている（図２参照）。また、ビア導体２１Ｄのうち下方の導体回路層１２又は ＭＬＣＣ１７との接続部分（いわゆる、ビア底）及びビア導体２３Ｄのうち下方の第１導体層２２との接続部分の径が共に５０μｍ以下となっている。
【００１４】
さて、図１に示すように、本実施形態の電子部品内蔵配線板１０では、第１絶縁樹脂層２１と第２絶縁樹脂層２３とのそれぞれが、支持絶縁層２９と支持絶縁層２９より厚い被覆絶縁層２８とからなる二層構造になっている。具体的には、支持絶縁層２９の厚みは被覆絶縁層２８の厚みの１５〜５０％となっていて、第１及び第２の絶縁樹脂層２１，２３それぞれにおけるコア基板１１側に被覆絶縁層２８が配され、外側に支持絶縁層２９が配されている。各支持絶縁層２９には上面に第１導体層２２又は第２導体層２４がそれぞれ形成されている。これら支持絶縁層２９の上面は粗化面となっている。また、第２絶縁樹脂層２３の被覆絶縁層２８は、第１絶縁樹脂層２１の支持絶縁層２９上の第１導体層２２を覆っていて、第１絶縁樹脂層２１の被覆絶縁層２８は、コア基板１１上の導体回路層１２及びＭＬＣＣ１７を覆うと共にキャビティ１６とＭＬＣＣ１７との間に入り込み素子保持樹脂１６Ｊを形成している。
【００１５】
被覆絶縁層２８及び支持絶縁層２９は共に、シリカ、アルミナ又はムライト等の無機フィラーを含有している絶縁樹脂により構成されている。ここで、一般的に絶縁樹脂においては、無機フィラーの含有率が大きくなる程、熱膨張率が小さくなる。本実施形態では、支持絶縁層２９の無機フィラー含有率が４２ｗｔ％、熱膨張率が３９ｐｐｍ／℃になっているのに対し、被覆絶縁層２８の無機フィラー含有率が７７ｗｔ％、熱膨張率が１２ｐｐｍ／℃となっていて、被覆絶縁層２８が支持絶縁層２９よりも無機フィラー含有率が大きく熱膨張率が小さい構成となっている。なお、導体の熱膨張率は１６．８ｐｐｍ／℃であり、ＭＬＣＣ１７の厚さ方向の熱膨張率は９〜１３ｐｐｍ／℃程度である。
【００１６】
また、支持絶縁層２９内の無機フィラーの平均粒径は０．５μｍであり、支持絶縁層２９の誘電正接ｔａｎδ（絶縁体内部での電気エネルギー損失を示す）は０．０１７である一方、被覆絶縁層２８内の無機フィラーの平均粒径は１．０μｍであり、被覆絶縁層２８の誘電正接ｔａｎδは０．００９３となっている。なお、被覆絶縁層２８及び支持絶縁層２９には共にガラスクロスは含有されていない。
【００１７】
本実施形態の電子部品内蔵配線板１０は、以下のようにして製造される。
（１）図３（Ａ）に示すように、コア基板１１としてエポキシ樹脂又はＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂とガラスクロスなどの補強材からなる絶縁性基材１１Ｋの表裏の両面に、銅箔１１Ｃがラミネートされているものが用意される。
【００１８】
（２）図３（Ｂ）に示すように、コア基板１１にＦ面１１Ｆ側から例えばＣＯ２レーザが照射されて導電用貫通孔１４（図１参照）を形成するためのテーパー孔１４Ａが穿孔される。
【００１９】
（３）図３（Ｃ）に示すように、コア基板１１のＳ面１１Ｓのうち前述したＦ面１１Ｆ側のテーパー孔１４Ａの真裏となる位置にＣＯ２レーザが照射されてテーパー孔１４Ａが穿孔され、それらテーパー孔１４Ａ，１４Ａから導電用貫通孔１４が形成される。
【００２０】
（４）無電解めっき処理が行われ、銅箔１１Ｃ上と導電用貫通孔１４の内面に無電解めっき膜（図示せず）が形成される。
【００２１】
（５）図３（Ｄ）に示すように、銅箔１１Ｃ上の無電解めっき膜上に、所定パターンのめっきレジスト３３が形成される。
【００２２】
（６）電解めっき処理が行われ、図４（Ａ）に示すように、電解めっきが導電用貫通孔１４内に充填されてスルーホール導電導体１５が形成されると共に、銅箔１１Ｃ上の無電解めっき膜（図示せず）のうちめっきレジスト３３から露出している部分に電解めっき膜３４が形成される。
【００２３】
（７）めっきレジスト３３が剥離されると共に、めっきレジスト３３の下方の無電解めっき膜（図示せず）及び銅箔１１Ｃが除去され、図４（Ｂ）に示すように、残された電解めっき膜３４、無電解めっき膜及び銅箔１１Ｃにより、コア基板１１のＦ面１１Ｆ上に導体回路層１２が形成されると共に、コア基板１１のＳ面１１Ｓ上に導体回路層１２が形成される。そして、Ｆ面１１Ｆの導体回路層１２とＳ面１１Ｓの導体回路層１２とがスルーホール導電導体１５によって接続された状態になる。
【００２４】
（８）図４（Ｃ）に示すように、コア基板１１に、ルーター又はＣＯ２レーザによってキャビティ１６が形成される。
【００２５】
（９）図４（Ｄ）に示すように、キャビティ１６が塞がれるように、ＰＥＴフィルムからなるテープ９０がコア基板１１のＦ面１１Ｆ上に張り付けられる。
【００２６】
（１０）ＭＬＣＣ１７が用意される。
【００２７】
（１１）図５（Ａ）に示すように、ＭＬＣＣ１７がマウンター（図示せず）によってキャビティ１６に収められる。
【００２８】
（１２）図５（Ｂ）に示すように、コア基板１１のＳ面１１Ｓ上の導体回路層１２上に、第１絶縁樹脂層２１として、被覆絶縁層２８と支持絶縁層２９とが一体になった絶縁シート３０が、被覆絶縁層２８側がコア基板１１側になるように積層されてから加熱プレスされる。その際、コア基板１１のＳ面１１Ｓの導体回路層１２，１２同士の間が被覆絶縁層２８にて埋められ、被覆絶縁層２８から染み出た樹脂がキャビティ１６の内面とＭＬＣＣ１７との隙間に充填される。
【００２９】
（１３）図５（Ｃ）に示すように、テープ９０が除去される。
【００３０】
（１４）図６（Ａ）に示すように、コア基板１１のＦ面１１Ｆ上の導体回路層１２上に第１絶縁樹脂層２１としての絶縁シート３０が被覆絶縁層２８側を下にして積層されてから、加熱プレスされる。その際、コア基板１１のＦ面１１Ｆの導体回路層１２，１２同士の間が被覆絶縁層２８にて埋められ、被覆絶縁層２８から染み出た熱硬化性樹脂がキャビティ１６の内面とＭＬＣＣ１７との隙間に充填される。また、コア基板１１のＦ面１１Ｆ側及びＳ面１１Ｓ側の被覆絶縁層２８から染み出てキャビティ１６の内面とＭＬＣＣ１７との隙間に充填された熱硬化性樹脂によって素子保持樹脂１６Ｊが形成される。
【００３１】
（１５）薬液により支持絶縁層２９の上面が粗化される。
【００３２】
（１６）図６（Ｂ）に示すように、コア基板１１の表裏の両側の第１絶縁樹脂層２１，２１にＣＯ２レーザが照射されて、複数のビアホール２１Ｈが形成される。それら複数のビアホール２１Ｈの一部のビアホール２１Ｈは、導体回路層１２上に配置され、他の一部のビアホール２１ＨはＭＬＣＣ１７の各電極３１，３１上に配置される。
【００３３】
（１７）無電解めっき処理が行われ、第１絶縁樹脂層２１，２１上と、ビアホール２１Ｈ，２１Ｈ内とに無電解めっき膜（図示せず）が形成される。
【００３４】
（１８）図６（Ｃ）に示すように、無電解めっき膜上に、所定パターンのめっきレジスト４０が形成される。
【００３５】
（１９）電解めっき処理が行われ、図７（Ａ）に示すように、めっきがビアホール２１Ｈ，２１Ｈ内に充填されてビア導体２１Ｄ，２１Ｄが形成され、さらには、第１絶縁樹脂層２１，２１上の無電解めっき膜（図示せず）のうちめっきレジスト４０から露出している部分に電解めっき膜３９，３９が形成される。
【００３６】
（２０）めっきレジスト４０が剥離されると共に、めっきレジスト４０の下方の無電解めっき膜（図示せず）が除去され、図７（Ｂ）に示すように、残された電解めっき膜３９及び無電解めっき膜により、コア基板１１の表裏の各第１絶縁樹脂層２１上に第１導体層２２が形成される。そして、コア基板１１の表裏の各第１導体層２２の一部と導体回路層１２とがビア導体２１Ｄによって接続されると共に、各第１導体層２２の他の一部とＭＬＣＣ１７とがビア導体２１Ｄによって接続された状態になる。
【００３７】
（２１）上記した（１２）〜（２０）と同様の処理により、図８に示すように、コア基板１１の表裏の各第１導体層２２上に第２絶縁樹脂層２３と第２導体層２４とが形成されて、各第２導体層２４の一部と第１導体層２２とがビア導体２３Ｄによって接続された状態になる。
【００３８】
（２２）図９に示すように、コア基板１１の表裏の各第２導体層２４上にソルダーレジスト層２５，２５が積層される。
【００３９】
（２３）図１０に示すように、コア基板１１の表裏のソルダーレジスト層２５，２５の所定箇所にテーパー状のパッド用孔が形成され、コア基板１１の表裏の各第２導体層２４のうちパッド用孔から露出した部分がパッド２６になる。
【００４０】
（２４）パッド２６上に、例えば、ニッケル層、パラジウム層、金層の順に積層されて図１に示した金属膜４１が形成される。なお、金属膜４１は、Ｓｎ、Ｎｉ／Ａｕ層等でもよい。また、金属膜４１の代わりに、ＯＳＰ被膜としてもよい。以上で電子部品内蔵配線板１０が完成する。
【００４１】
本実施形態の電子部品内蔵配線板１０の構造及び製造方法に関する説明は以上である。次に電子部品内蔵配線板１０の使用例と作用効果とを説明する。本実施形態の電子部品内蔵配線板１０は、パッド２６上に、半田バンプ（図示せず）が形成されて、その上にＣＰＵ等が搭載されて半田付けされることで使用される。このとき、ＣＰＵのパッドがビア導体２１Ｄ，２３Ｄを介してＭＬＣＣ１７の各電極３１，３１に接続される。
【００４２】
ここで、第１絶縁樹脂層２１の熱膨張率が大きい（第１絶縁樹脂層２１の熱膨張率と導体の熱膨張率との差が大きい）と、ビア導体２１Ｄ（特に最小径となるビア底部分）にかかる熱応力が大きくなり、ビア導体２１ＤがＭＬＣＣ１７から剥離しやすくなるという問題が生じると考えられる。これに対し、本実施形態の電子部品内蔵配線板１０では、第１絶縁樹脂層２１のうちの被覆絶縁層２８、即ち、ＭＬＣＣ１７の上面やビア導体２１Ｄのビア底の周辺を覆う部分の熱膨張率が小さく（被覆絶縁層２８の熱膨張率と導体の熱膨張率との差が小さく）なっているので、ビア導体２１Ｄが第１絶縁樹脂層２１の熱膨張の影響を受けてＭＬＣＣ１７から剥離することを防ぐことができ、ビア導体２１ＤとＭＬＣＣ１７との接続の信頼性を向上することができる。ビア導体２１ＤとＭＬＣＣ１７との接続の信頼性と同様に、コア基板１１上の導体回路層１２とビア導体２１Ｄとの接続の信頼性や第１導体層２２とビア導体２３Ｄとの接続の信頼性も向上する。
【００４３】
また、第１絶縁樹脂層２１のうちの被覆絶縁層２８の熱膨張率とＭＬＣＣ１７の熱膨張率との差が小さいので、ビア導体２１Ｄ内の応力集中が防がれ、ビア導体２１ＤがＭＬＣＣ１７から剥離することがより防がれる。さらに、被覆絶縁層２８がキャビティ１６とＭＬＣＣ１７との間に染み出て形成される素子保持樹脂１６Ｊの無機フィラー含有率が大きいので、ＭＬＣＣ１７がキャビティ１６内で動くことが規制され、ビア導体２１ＤとＭＬＣＣ１７との接続の信頼性がより一層向上する。
【００４４】
ところで、第１及び第２の絶縁樹脂層２１，２３を、熱膨張率の小さい被覆絶縁層２８のみにより形成すると、第１及び第２の絶縁樹脂層２１，２３全体に亘って無機フィラーの含有率が大きくなる。この場合、第１及び第２の絶縁樹脂層２１，２３の表面にも無機フィラーが多く存在することとなるが、無機フィラー上にはめっきレジスト４０が接着しにくいため、第１及び第２の絶縁樹脂層２１，２３上のめっきレジスト４０を緻密にすることが困難となり、配線パターンを密（ファイン）にすることができなくなる。
【００４５】
これに対し、本実施形態の電子部品内蔵配線板１０では、第１絶縁樹脂層２１及び第２絶縁樹脂層２３が、熱膨張率が比較的小さい（無機フィラーの含有率が大きい）被覆絶縁層２８と、熱膨張率が比較的大きい（無機フィラーの含有率が小さい）支持絶縁層２９との二層構造になっている。そして、それらのうち無機フィラーの含有率が小さい支持絶縁層２９に導体層２２，２４が形成されるため、めっきレジスト４０の形成時にアンカー効果が得られ、めっきレジスト４０を緻密にすることができ、配線パターンを密（ファイン）にすることができる。これにより、第１及び第２の導体層２２，２４における配線パターンの最小幅Ｗ及び配線パターン間の最小距離Ｈをそれぞれ１５μｍ以下にすることができる。
【００４６】
また、支持絶縁層２９内の無機フィラーの平均粒径が被覆絶縁層２８内の無機フィラーの平均粒径よりも小さくなっているため、めっきレジスト４０の第１及び第２の絶縁樹脂層２１，２３への接着性をより高めることができる。さらに、支持絶縁層２９の上面が粗化面となっているため、めっきレジスト４０の形成時にアンカー効果がより強まり、めっきレジスト４０を緻密にすることが容易となる。また、導体層２２，２４の支持絶縁層２９への固定強度も高まる。
【００４７】
また、第１及び第２の絶縁樹脂層２１，２３の熱膨張率が大きいと加熱による膨張と冷却による収縮とにより電子部品内蔵配線板１０全体が反ってしまうことが考えられるが、第１及び第２の絶縁樹脂層２１，２３が熱膨張率の比較的小さい被覆絶縁層２８を有していることにより、第１及び第２の絶縁樹脂層２１，２３全体の熱膨張率が小さくなり、電子部品内蔵配線板１０全体の反りを抑えることもできる。
【００４８】
また、本実施形態の電子部品内蔵配線板１０では、配線パターンが上面及び側面から支持絶縁層２９よりも誘電正接ｔａｎδが小さい被覆絶縁層２８に覆われているため、配線パターンが支持絶縁層２９のみにより覆われている構成よりも電気エネルギー損失を少なくすることができる。
【００４９】
また、本実施形態では、被覆絶縁層２８が比較的厚く、支持絶縁層２９が比較的薄くなっているので、配線パターンの密（ファイン）具合を確保しながらビア導体２１ＤとＭＬＣＣ１７との接続等の信頼性を向上させたり電子部品内蔵配線板１０全体の反りを抑えるという効果を得つつも、支持絶縁層２９と被覆絶縁層２８とが同じ厚さになっているものと比べて、電子部品内蔵配線板１０を薄くすることができる。
【００５０】
［他の実施形態］
本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、例えば、以下に説明するような実施形態も本発明の技術的範囲に含まれ、さらに、下記以外にも要旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施することができる。
【００５１】
（１）上記実施形態では、熱伝導率の大小が無機フィラー含有率の大小により異なっていたが、例えば、無機フィラーの含有率を同じにして、樹脂の種類により熱伝導率の大小を異ならせる構成であってもよい。
【００５２】
（２）上記実施形態では、被覆絶縁層２８と支持絶縁層２９とが一体となった絶縁シート３０を積層する構成であったが、被覆絶縁層２８と支持絶縁層２９とを一層ずつ別個に積層する構成であってもよい。
【００５３】
（３）上記実施形態では、被覆絶縁層２８の無機フィラー含有率が７７ｗｔ％で、支持絶縁層２９の無機フィラー含有率が４２ｗｔ％であったが、これに限られるものではない。なお、被覆絶縁層２８の無機フィラー含有率を６５〜８５ｗｔ％とし、支持絶縁層２９の無機フィラー含有率を３０〜５０ｗｔ％とすることが好ましい。
【００５４】
（４）上記実施形態では、コア基板１１の表裏にそれぞれ積層されている絶縁樹脂層が２層ずつであったが、１層ずつであってもよいし、３層以上ずつであってもよい。
【００５５】
（５）上記実施形態では、第２絶縁樹脂層２３が、第１絶縁樹脂層２１と同様に被覆絶縁層２８と支持絶縁層２９とからなる二層構造になっていたが、支持絶縁層２９のみからなる構成であってもよい。
【００５６】
（６）上記実施形態では、コア基板１１の表裏の両方の第１絶縁樹脂層２１が二層構造になっていたが、一方の第１絶縁樹脂層２１のみが二層構造になっている構成であってもよい。
【００５７】
（７）上記実施形態では、電子部品内蔵配線板１０にＭＬＣＣ１７のみが内蔵されていたが、ＭＬＣＣ１７とともに例えば金属ブロックが内蔵されていてもよい。
【００５８】
（８）上記実施形態では、本発明の「電子部品」がＭＬＣＣ１７であったが、例えば、コンデンサ、抵抗、サーミスタ、コイル等の受動部品や、ＩＣ回路等の能動部品などであってもよい。
【符号の説明】
【００５９】
１０    電子部品内蔵配線板
１１    コア基板
１２    導体回路層（導体層）
１６    キャビティ
１７    ＭＬＣＣ（積層セラミックコンデンサ，電子部品）
２１    第１絶縁樹脂層（二層絶縁層）
２１Ｄ    ビア導体（素子接続ビア導体，導体層間ビア導体）
２２    第１導体層（導体層）
２３    第２絶縁樹脂層（二層絶縁層）
２８    被覆絶縁層
２９    支持絶縁層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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