(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
モリブデンから成る単一の金属部材と、
前記金属部材の表面の一部分を酸化することにより形成される高抵抗の酸化被膜から成る２つのパッド部と、
前記２つのパッド部を接続するための、前記酸化被膜から成り、前記パッド部に比べて十分微小で、かつ薄い寸法を有する少なくとも１つの領域と、
前記２つのパッド部上にそれぞれ形成された２つの電極部、を備える対サージ防御装置用主構成部材。
【請求項２】
モリブデンから成る金属部材を準備し、この金属部材を適当な溶媒で洗浄し、及び前記金属部材の表面をエッチングする第１の工程と、
無酸素雰囲気下で、前記金属部材を加熱して前記金属部材内部の不純物を除去するために前処理加熱を行う第２の工程と、
無酸素雰囲気下で、前記金属部材の主表面上に絶縁性薄膜を堆積する第３の工程と、
後の工程で上に電極を形成するための２つのパッド部及び前記パッド部の間にパッド部に比べて十分微小で、かつ薄い寸法を有する少なくとも１つの領域を形成するために、前記金属部材の主表面上の前記絶縁性薄膜の対応する領域を選択的に除去して金属部材の表面を露出させる第４の工程と、
前記パッド部及び前記領域に対応する前記露出された金属部材の主表面を、酸素含有雰囲気下で酸化して高抵抗の酸化被膜を形成する第５の工程と、
前記絶縁性薄膜表面上及び前記高抵抗の酸化被膜上に、別の絶縁性薄膜を形成する第６の工程と、
少なくとも１個の前記領域を形成する領域に対応する前記高抵抗の酸化被膜の表面を選択的エッチングにより露出させる第７の工程と、
少なくとも１個の前記領域の高抵抗の酸化被膜の厚さを前記パッド部よりも薄くするため、前記高抵抗の酸化被膜を所定の厚さまでエッチングし、エッチング後に前記パッド間の絶縁性薄膜を残したままで、金属部材の主表面上及びパッド上の絶縁性薄膜を除去する第８の工程と、
前記パッド部上に電極を形成する第９の工程とを含む対サージ防御装置用主構成部材の作製方法。
【請求項３】
前記第５の工程に引き続いて絶縁性薄膜を除去する工程をさらに含む請求項２に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、高抵抗の半導体被膜の降伏現象を利用し、サージから他の装置を防御するための装置、すなわち対サージ防御装置及びその作製方法、特にそのような装置を構成する主構成部材の構造及びその作製方法に関する。本発明により、単一の金属部材上に形成される高抵抗の半導体被膜を用いて、降伏を起こす電圧または電流を、用途に応じて精密に設定でき、かつ再現性良く所定の降伏電圧を有する対サージ防御装置とその作製方法を提供することが可能になる。
【０００２】
【従来の技術】
従来、避雷器として酸化亜鉛方式の避雷素子、空中放電ギャップ、あるいは特殊ガス入り放電管などが使用されてきたが、静電容量の増大による高周波損失、電極の溶着による短絡破壊、ガス体の変化による破損などの問題が存在していた。
【０００３】
金属表面上の高抵抗性被膜の高電圧または高電流による絶縁破壊の現象を利用した装置としては、特許２０９０４５０号公報（発明の名称“モリブデン避雷器”、平成８年９月１８日付け特許、発明者：大森清太）に述べられている避雷器が知られている。
【０００４】
この特許の図面には、図１に示されるような酸化により形成された高抵抗被膜を表面に有する２本のモリブデン棒を接触させたモリブデン避雷器が示されている。図１において、避雷器（１０）は、モリブデン棒（１１）、電気的に高抵抗のモリブデン酸化被膜（１２）及び電極（１３）を含む。このモリブデン避雷器は、一度酸化被膜が絶縁破壊を起こしても、酸化雰囲気中に置かれている場合は、短時間で再び酸化被膜が形成されるため、自動的にくり返し使用が可能で、長期間にわたり部品の交換の必要がなく、非常に有用な装置となっている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
従来のモリブデン避雷器には、表面に高抵抗性被膜を有する複数の金属棒を接触させることから生じる問題がある。すなわち、金属棒の表面上に存在する高抵抗性被膜どうしは、巨視的には線または面で接しているように見えるが、微視的には点の接触となっている。図２は接触部の微視的な概念図である。このような構造においては、実際に接触している点の面積は不明であり、作製時においてもそれを制御することができない。しかるに、サージが加わった場合、電界は先端が尖った部分に集中し、その部分で絶縁破壊が生じる。また、接触面積は接触部分に加わる力によっても変化する。従って、従来のモリブデン避雷器のように、表面に高抵抗性被膜を有する複数の金属棒を接触させる構造では、絶縁破壊電圧及び破壊が起こる場所を精密に制御することが困難であり、かつ再現性良く特性を得るための組立てが非常に難しいという問題があった。
【０００６】
実際、従来技術の「モリブデン避雷器」で代表されるような、表面に高抵抗性被膜（酸化被膜）を有する金属棒を複数個従属接続させる構造を有する対サージ防御装置では、その構造から絶縁破壊電圧を正確に見積もることは極めて困難である。このような対サージ防御装置の絶縁破壊のメカニズム自体が必ずしも単純なものではないからである。例えば、図１に示されるような、表面に高抵抗性被膜を有する金属棒を２つだけ用いた対サージ防御装置においても、その絶縁破壊現象はかなり複雑な様相を呈する。図１に示される対サージ防御装置においては、構造上、入力電極側（上側）から出力電極側（下側）にかけて順に６つのショットキー接合（金属−半導体接触）が形成される。すなわち、入力電極側から順に、入力電極金属と高抵抗の半導体と考えられる第１の金属棒の酸化物層との間の接触部分で第１のショットキー接合が、この金属棒の酸化物層と内部金属層の境界で第２のショットキー接合が、この内部金属層と高抵抗の半導体と考えられる第２の金属棒の酸化物層と接触した第１の金属棒の酸化物層の境界で第３のショットキー接合が、第１の金属棒の酸化物層と接触した第２の金属棒の酸化物層と第２の金属棒の内部金属層の境界で第４のショットキー接合が、第２の金属棒の内部金属層と第２の金属棒の酸化物層との間の接触部分で第５のショットキー接合が、第２の金属棒の酸化物層と出力電極金属との間の接触部分で第６のショットキー接合が、それぞれ形成されている。ここで、サージ電圧の発生により電極金属間に入力電極を正とする電圧がかけられたとすると、第１、第３及び第５のショットキー接合に対しては順バイアスとなり電流が流れる状態となる。しかし、第２、第４及び第６のショットキー接合に対しては逆バイアスとなるために、ある電圧値（それぞれ第１降伏電圧、第２降伏電圧、第３降伏電圧と呼ぶ）以上の電圧がかかるまでは、ほとんど電流は流れない。次に、それぞれの降伏電圧以上の電圧がかかった場合には、電流が流れることとなるが、サージ電流による発熱などにより、金属棒の表面酸化膜の状態が変化して絶縁破壊が起こり、金属の表面上を電流が流れる可能性もある。このため、電流経路は、逆バイアスになる各ショットキー接合の降伏電圧及び接合のトンネル効果、並びに金属表面を電流が流れる際の抵抗値などの兼ね合いによって定まることとなる。さらに第１の金属棒の酸化物層と第２の金属棒の酸化物層との間にも接触があるため、現象は一層複雑である。絶縁破壊電圧は、それら経路に必然的に依存するものであり、装置全体の構造を規定する種々の要因の絡み合いの帰結ともいうべきものである。このため、絶縁破壊電圧を装置の構造との関連で精度良く決定することは至極困難なことといえる。従って、絶縁破壊電圧の制御性を確保するためには、装置の構造、とりわけ絶縁破壊に直接係わる構成部材の構造を単純化する必要がある。
【０００７】
本発明は、従来のモリブデン避雷器における上記問題点に鑑みなされたものであり、単一の金属部材上に形成した高抵抗の酸化モリブデン被膜の降伏現象を利用し、降伏が起こる電圧及び場所を確定的に設定できる装置とその作製方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明は、サージ電圧が加わった場合に、単一の金属部材上の連続した高抵抗の酸化被膜の一部分に、電界が集中し降伏を起こす領域を設けることにより、単一の金属部材を用いた対サージ防御装置を実現するものである。
本発明の対サージ防御装置の主たる構成部材は、モリブデンから成る単一の金属部材と、この金属部材の表面の一部分を酸化することにより形成される高抵抗の酸化被膜から成る２つのパッド部と、これら２つのパッド部を互いに接続する高抵抗の酸化被膜からなり、パッド部に比べて十分微小で、かつ薄い寸法を有する少なくとも１つの領域とを含む。
そして、当該領域は、電極部に電圧が印加されたときにその電圧による電界が集中し、さらに電圧が所定の値を超えたときに、降伏が生じ電流が流れるように構成されている。
領域は、そこに集中的に降伏が生じるように、微小な大きさとパッド部に比較して薄い膜厚を有している。
本発明の対サージ防御装置は、１つの領域のみでも機能するが、一般には、装置は領域を複数個備えており、それぞれの領域は、同一または異なる電圧で降伏を起こすよう、同一または異なる大きさを有している。
次に、本発明の対サージ防御装置に用いられる（降伏に係わる）主構成部材は、次のような一連の工程を含む作製方法により作製される。
第１工程：金属部材を準備し、この金属部材を適当な溶媒で洗浄し、この金属部材の表面をエッチングする。
第２工程：無酸素雰囲気下で、金属部材を加熱して金属部材内部の不純物を除去するために前処理加熱を行う。
第３工程：無酸素雰囲気下で、金属部材の主表面上に絶縁性薄膜を堆積する。
第４工程：後の工程で上に電極を形成するための少なくとも２つのパッド部及びこのパッド部の間にパッド部に比べて十分微小で、かつ薄い寸法を有する少なくとも１つの領域を形成するために、金属部材の主表面上の絶縁性薄膜の対応する領域を選択的に除去して金属部材の表面を露出させる。
第５工程：パッド部及び領域に対応する露出された金属部材の主表面を、酸素含有雰囲気下で酸化して高抵抗の酸化被膜を形成する。
第６工程：絶縁性薄膜表面上及び高抵抗の酸化被膜上に、別の絶縁性薄膜を形成する。
第７工程：少なくとも１個の領域を形成する領域に対応する高抵抗の酸化被膜の表面を選択的エッチングにより露出させる。
第８工程：少なくとも１個の領域の高抵抗の酸化被膜の厚さを、パッド部より小さくするため、高抵抗の酸化被膜を所定の厚さまでエッチングし、エッチング後にパッド間の絶縁性薄膜を残したままで、金属部材の主表面上及びパッド上の絶縁性薄膜を除去する。
本発明は、上述のような対サージ防御装置の構造及びその作製方法を採用する。このため本発明によれば、従来技術のように、複数の金属部材を用いて高抵抗の酸化被膜どうしを接触させる必要がないので、従来の装置間での降伏電圧のバラツキの原因となっていた複数の金属部材を接触させることに起因する誤差を除外することができ、降伏電圧を用途に応じて精度良く設定できる。
【０００９】
また、降伏を起こす電圧は、その領域の寸法（大きさ、厚み）によって設定することができる。
【００１０】
【実施例】
図３は本発明の一実施例に従う対サージ防御装置の主構成部材の上面図である。また、図４は図３中の直線Ａ−Ａ’でとった対サージ防御装置の主構成部材の断面図である。
【００１１】
一実施例において、金属部材（１０１）はモリブデンで、高抵抗の半導体被膜（１０２）及び（１０３）は、金属部材の表面のモリブデンを酸化させることにより形成された酸化モリブデンである。図３及び図４において、高抵抗の金属部材の表面の被膜（１０２）及び（１０３）と同時にモリブデンの酸化によって生じた高抵抗の酸化モリブデン被膜の厚さをエッチングにより減少させ、かつサージが加わった時に電界が集中するように、微小な寸法とした領域（１０４）が形成されている。サージが加えられた時に電界がこの領域に集中し、所定の降伏電圧を超えることによってこの領域で降伏が生じる。それに対し、高抵抗の酸化被膜の領域（１０２）及び（１０３）は、その上に電極（１０５，１０６）が形成されるのでパッド部と呼ばれる。
【００１２】
一実施例において、電極（１０５，１０６）は、アルミニウムであり、パッド部（１０２，１０３）の端部から十分離れて内側に形成されている。その理由は、サージが加わった時、所望の微小領域以外に電界が集中し微小領域以外のパッドの端部で降伏が生じないようにするためである。
【００１３】
図５は微小領域（１０４）付近の拡大図である。微小領域（１０４）はサージが加わった時、ここで電気的降伏を起こさせるための領域であり、高抵抗の酸化モリブデン被膜の材料の組成、その幅（１１０）、長さ（１１１）及び厚さ（１１２）などの設定条件により、その降伏電圧が決定される。例えば、一実施例の条件によれば、幅（１１０）が１００ミクロン、長さ（１１１）が１００ミクロン、厚さ（１１２）が２０ミクロンの場合、降伏電圧は６００Ｖであった。微小領域のこれら各寸法を用途に応じて変化させることによって、降伏電圧を所望の値に設定することができる。図５において、実際には微小領域の幅及び長さは数十〜数百ミクロンオーダーであるのに対し、パッド部の幅及び長さはミリメートル〜センチメートルオーダーである。従って、図５においては、本発明の装置の原理が理解しやすいように、便宜上パッド部と微小領域の大きさの比率を実際とは異ならせ、微小領域の大きさを相対的に大きく描いてある。
【００１４】
１つの対サージ防御装置の作製に要する微小領域の数は、用途に応じて適当に選択される。図６は本発明の第２の実施例を示す。この場合、３個の微小領域（２０４Ａ，２０４Ｂ，２０４Ｃ）が形成されている。微小領域（２０４Ａ，２０４Ｂ，２０４Ｃ）はモリブデンを酸化して形成された高抵抗の半導体被膜からなるパッド部（２０２，２０３）と連続するが、その厚さはパッドと同じか、またはそれより薄くなっている。図３〜図５に関して述べた第１の実施例と同様、シリコン酸化物またはシリコン窒化物等の絶縁性被膜により、マスク（２０７〜２１０）が形成されている。また、パッド部（２０２，２０３）上には電極（２０５，２０６）が形成されている。
【００１５】
この実施例において、微小領域（２０４Ａ，２０４Ｂ，２０４Ｃ）はすべて同じ長さ１００ミクロン及び厚さ２０ミクロンを有するが、それぞれの幅は異なり
第１の微小領域（２０４Ａ）では１００ミクロン、
第２の微小領域（２０４Ｂ）では２００ミクロン、そして
第３の微小領域（２０４Ｃ）では３００ミクロン、
である。これらの幅の寸法に対応して、各微小領域の降伏電圧は、それぞれ６００，１２００，１８００Ｖであることが実験により判明した。
【００１６】
なお、このように複数の微小領域を持つ場合においても、単一の微小領域を持つ場合と同様、微小領域の幅のみならず他の寸法（即ち、厚さ又は長さ）を適当に変えることによっても降伏電圧を変化させることができる。
【００１７】
また、上述の２つの実施例において、微小領域の形状は正方形あるいは長方形として示したが、この部分の電気的降伏電圧がパッド等他の部分より小さくなりさえすれば、形状は直線で規定されるものに限定されない。図７はそのような具体例の上面図である。この例では、微小領域（３０４）は曲線の輪郭をもち、中央部が狭くなっている。
【００１８】
また本発明では、平面状の金属部材上に各構成要素を形成して配置する構成をとっているが、これは平面状のものに限られるものではなく、例えば従来の柱状のモリブデン棒を用いてその円周上に各構成要素を形成し構成するなどの修正も当業者には容易であろう。
【００１９】
さらに、本発明の高抵抗の酸化モリブデン被膜の降伏現象を利用したさらに別の実施例を図９及び図１０に示す。図９は、モリブデン金属部材（９０１）上にモリブデン酸化物層（９０２）を前述した酸化などによって形成し、さらにアルミニウムのような金属層（９０３）をその上に堆積して、モリブデン金属部材とアルミニウムを電極としてモリブデン酸化膜を挟み込んだ構造を利用した対サージ防御装置を示している。図１０は、図１０ａに示すように（図１０ｂは図１０ＡのＢ−Ｂ’に沿う断面図である）、モリブデン金属板（１００３）を準備し、主表面上に前述の酸化により、モリブデン酸化膜（１００１）を形成し、その主表面上の酸化膜を従来法によりエッチングし、微小な近接領域（既に述べた実施例の微小領域に相当する）を有するくぼみを２つ形成し、さらにくぼみ中に電極とアルミニウム（１００２）を堆積した構造を利用した対サージ防御装置を示している。この実施例においても、微小領域の近くにマスクを形成し、微小領域に電界を集中しやすくすることができる。これら実施例もまた、その電極間の高抵抗の酸化モリブデン被膜の寸法や材質などを変更することによって様々な用途に応用できる対サージ防御装置に利用できることは明らかであろう。
【００２０】
次に、本発明の従う対サージ防御装置の作製方法として、図３ないし図５に示された実施例の主構成部材の構造を具体的に形成する方法について説明する。
まず、金属部材としてモリブデン板（１０１）を準備し（４０１）、第１の工程（４０２）で、モリブデン板（１０１）を有機溶剤で洗浄し、次に塩酸のような適当な酸によって表面をわずかにエッチングし、高純度の水で洗浄する。
【００２１】
第２の工程（４０３）において、水素２０％、アルゴン８０％からなる雰囲気中で、８００℃において、３０分間加熱する。この工程はモリブデン板（１０１）の前処理加熱と呼ぶべきもので、先に出願された「対サージ防御装置の主構成部材を作製する方法」（出願番号：特願２０００−９３１０７）の発明に従って行う。
【００２２】
第３の工程（４０４）において、酸素を含まない雰囲気下で、モリブデン板（１０１）の主表面上全体に、シリコンの酸化物またはシリコンの窒化物の薄膜を形成する。形成方法はスパッタリングなど周知の方法による。
【００２３】
第４の工程（４０５）において、フォトリソグラフィにより、パッド部（１０２，１０３）及び微小領域（１０４）を形成すべき領域のモリブデン表面を選択的に露出させる。フォトリソグラフィの方法は、当業者には周知である。
【００２４】
第５の工程（４０６）において、モリブデン板の酸化を行う。酸化は典型的には、体積にして１０％の水蒸気を含む高純度酸素中で、７００℃において４０分間行う。この酸化は先に出願された「対サージ防御装置の主構成部材を作製する方法」と題する特許出願（出願番号：特願２０００−９３１０６）に係る発明に従って行う。この酸化により典型的には、厚さ４０ミクロンの高抵抗の酸化モリブデン被膜が形成される。（なお、ここで残りのシリコン酸化物またはシリコン窒化物を除去してもよい。）
【００２５】
第６の工程（４０７）において、再び主表面全体上にシリコン酸化物またはシリコン窒化物の薄膜を形成する。この薄膜形成は当業者には周知の方法で行えばよいが、スパッタリングなど、できるだけ低温で行える方法を用いるのが望ましい。
【００２６】
第７の工程（４０８）において、フォトリソグラフィにより、微小領域（１０４）の高抵抗の酸化モリブデン被膜の表面を露出させる。
【００２７】
第８の工程（４０９）において、エッチングにより、第７の工程で露出された微小領域の高抵抗の酸化モリブデン被膜の厚さを減少させる。エッチングは湿式エッチングまたはドライエッチングのいずれの方法によってもよい。エッチングにより、微小領域（１０４）の高抵抗被膜の厚さは、２０ミクロンにした。高抵抗の酸化モリブデン被膜のエッチングの後、パット部上のシリコン酸化物またはシリコン窒化物または両方の薄膜を除去する。
【００２８】
最後の第９の工程（４１０）において、パッド部（１０２、１０３）上に電極（１０５、１０６）を形成することによって、本発明の対サージ防御装置の主構成部材の作製が完了する。
【００２９】
図６に示されるように、微小領域が複数あり、それらの厚さが同じである場合は、上記第７の工程（４０８）すなわちフォトリソグラフィで用いるフォトマスクのパターンを変更するだけでよいが、各微小領域の高抵抗の酸化モリブデン被膜の厚さを変える必要がある時は、上記第６の工程（４０７）〜第９の工程（４１０）を、微小領域の数だけ繰り返す必要がある。すなわち、上記第７の工程（４０８）において露出されるのは第１の微小領域（２０４Ａ）のみで、第８の工程（４０９）でエッチングされるのも、第１の微小領域（２０４Ａ）のみである。第１の微小領域（２０４Ａ）の高抵抗の酸化モリブデン被膜をエッチングした後、シリコン酸化物等の絶縁性薄膜を除去し、再び上記第６の工程（４０７）として、主表面全体上に、シリコン酸化物等の絶縁性薄膜を形成する。次に、第２の微小領域（２０４Ｂ）の高抵抗の酸化モリブデン被膜をエッチングするため、第７の工程（４０８）及び第８の工程（４０９）を再度行う。３個以上の厚さの異なる微小領域を形成する場合は、以下同様にこれらを繰り返せばよい。
【００３０】
また、単一または複数の微小領域を有するように形成する際、先にパッド部の高抵抗の酸化モリブデン被膜を形成し、後に微小領域の高抵抗の酸化モリブデン被膜を形成するか、あるいは先に微小領域の高抵抗の酸化モリブデン被膜を形成し、後にパッド部の高抵抗の酸化モリブデン被膜を形成してもよい。それらの場合は、上記第８の工程（４０９）のエッチングは必要なく、パッド部及び微小領域の高抵抗の酸化モリブデン被膜を形成するための酸化条件を変えてもよい。ただし、パッド部と微小領域の高抵抗の酸化モリブデン被膜は連続している必要がある。
【００３１】
以上述べた実施例において、金属部材は板状であるように示したが、金属部材の形状は板状には限定されず、円柱、長円柱状等、様々な形状でよい。
【００３２】
上で示した金属部材の酸化条件等のプロセス条件は、単なる例示であり、用途に応じて適宜変更してもよい。
【００３３】
さらに、本発明による対サージ防御装置は単一の金属部材を用いて作製することが可能であるが、単一の金属部材を用いて作製された主構成部材を、直列または並列に接続して、対サージ防御装置を作製することができる。
【００３４】
【発明の効果】
本発明によれば、単一の金属部材を用いて、降伏を起こす電圧または電流を用途に応じて精密に設定でき、かつ再現性良く作製ができる対サージ防御装置を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  酸化により生成した高抵抗の酸化モリブデン被膜を有する２本の円柱状のモリブデン棒を用いた従来技術による対サージ防御装置を示す概念図である。
【図２】  図１に示された２本のモリブデン棒の接触部を微視的に表わした概念図である。
【図３】  本発明の一実施例に従う対サージ防御装置の主構成部材の上面図である。
【図４】  図３中の直線Ａ−Ａ’でとった、本発明の一実施例に従う対サージ防御装置の主構成部材の断面図である。
【図５】  本発明の一実施例に従う対サージ防御装置の主構成部材中の微小領域の拡大概念図である。
【図６】  本発明の第２の実施例に従う対サージ防御装置の主構成部材の上面図である。
【図７】  本発明の別の実施例に従う対サージ防御装置の主構成部材中の微小領域の拡大概念図である。
【図８】  本発明の一実施例に従う対サージ防御装置の主構成部材の作製方法に含まれる一連の工程を示す図である。
【図９】  本発明による他の実施例を示す図である。
【図１０ａ】  本発明による他の実施例を示す図である。
【図１０ｂ】  本発明による他の実施例を示す図である。
【符号の説明】
１０                              避雷器
１１                              モリブデン棒
１２，９０２，１００１            モリブデン酸化被膜
１３，９０３，１００２            電極
１０１，９０１，１００３          金属部材、モリブデン、モリブデン板
１０２，１０３                    高抵抗の酸化モリブデン被膜、領域、パッド部
１０４                            領域、微小領域
１０５，１０６                    電極
１０７，１０８                    マスク
１１０                            幅
１１１                            長さ
１１２                            厚さ
２０２，２０３                    パッド部
２０４Ａ，２０４Ｂ，２０４Ｃ      微小領域
２０５，２０６                    電極
２０７，２０８，２０９，２１０    マスク
３０４                            微小領域
【図１】
0003895911.tif 000002
【図２】
0003895911.tif 000003
【図３】
0003895911.tif 000004
【図４】
0003895911.tif 000005
【図５】
0003895911.tif 000006
【図６】
0003895911.tif 000007
【図７】
0003895911.tif 000008
【図８】
0003895911.tif 000009
【図９】
0003895911.tif 000010
【図１０ａ】
0003895911.tif 000011
【図１０ｂ】
0003895911.tif 000012