(57)【要約】【課題】１３族窒化物半導体層中の炭素濃度を制御することで、耐圧確保と電流コラプスの抑制の両立、及び基板の反りを低減する。【解決手段】本発明の１３族窒化物半導体基板は、下地基板の一主面上に、いずれも１３族窒化物半導体からなる初期核形成層、バッファ層、および活性層が順次積層された構造を含み、前記バッファ層は、前記下地基板から前記活性層に向かって、領域Ｖ１、領域Ｖ２、領域Ｖ３、および領域Ｖ４がこの順に形成された積層構造であり、前記領域Ｖ２の炭素濃度が前記領域Ｖ１および前記領域Ｖ３のいずれの炭素濃度より低く、前記領域Ｖ３の炭素濃度が前記領域Ｖ４の炭素濃度より高く、前記領域Ｖ４の炭素濃度が前記活性層の炭素濃度より高い。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
下地基板の一主面上に、いずれも１３族窒化物半導体からなる初期核形成層、バッファ層、および活性層が順次積層された構造を含む１３族窒化物半導体基板であって、
前記バッファ層は、前記下地基板から前記活性層に向かって、領域Ｖ１、領域Ｖ２、領域Ｖ３、および領域Ｖ４がこの順に形成された積層構造であり、
前記領域Ｖ２の炭素濃度が、前記領域Ｖ１および前記領域Ｖ３のいずれの炭素濃度よりも低く、
前記領域Ｖ３の炭素濃度が前記領域Ｖ４の炭素濃度より高く、
前記領域Ｖ４の炭素濃度が前記活性層の炭素濃度より高い、
ことを特徴とする１３族窒化物半導体基板。
【請求項２】
前記領域Ｖ４が単層構造であることを特徴とする、請求項１に記載の１３族窒化物半導体基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パワー半導体・電子デバイス等に好適に用いられる、１３族窒化物半導体基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
窒化物半導体基板を用いたスイッチング素子、増幅素子を始めとする半導体・電子デバイスは、次世代省エネルギーデバイスとして注目されているが、特に、ＧａＮ系の１３族窒化物を用いたＨＥＭＴのパワーデバイスでは、耐圧確保と電流コラプスの抑制を高い次元で両立させることが、積年の課題と言える。
【０００３】
上記課題の解決方法としては、下地基板と動作層の間に挿入される、いわゆるバッファ層中の炭素濃度を制御する方法が、いくつか知られている。
【０００４】
例えば、特許文献１に、基板上に積層されたバッファ層と化合物半導体層との間に、前記化合物半導体層から前記バッファ層に向かう積層方向の距離に応じて増加するように炭素が添加された炭素濃度遷移層を備えた半導体素子が提案されている。
【０００５】
また、特許文献２には、ＡｌＮバッファ層と、その上方に、下面から上面に向かうほど炭素濃度の高いＡｌＧａＮバッファ層を有する化合物半導体積層構造が記載されている。
【０００６】
さらに、特許文献３には、第１と第２の超格子バッファ層が積層され、上方の超格子バッファ層である第２の超格子バッファ層の方が第１の超格子バッファ層より炭素濃度の高い半導体装置が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００７−２５１１４４号公報
【特許文献２】特開２０１４−１７４２２号公報
【特許文献３】特開２０１５−７００６４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
特許文献１に記載の発明では、炭素濃度の遷移の傾向（遷移タイプ）に応じて、電流コラプスと耐圧との対応関係を微細に制御することができる、としているが、動作層側の炭素濃度が低いので、耐圧については、近年要求が厳しくなっているレベルを十分満たしているとは言えない。
【０００９】
特許文献２、３に記載の発明は、動作層の側の炭素濃度が高いので、高い耐圧が得られるとしているが、耐圧とトレ−ドオフの関係にある電流コラプスについては、やはり近年要求が厳しくなっているレベルに、十分対応できるとはいえないものである。
【００１０】
さらに近年は、大口径化に伴い、反りの低減についてもさらに要求が厳しくなってきているが、特許文献３に記載の発明でも、この要求に十分対応できるものとは言い難い。
【００１１】
本発明は、上記課題に鑑み、近年さらに要求が厳しくなりつつある、耐圧確保と電流コラプスの抑制の両立、および反りの低減について、これらを高い次元で達成することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明に係る１３族窒化物半導体基板は、下地基板の一主面上に、いずれも１３族窒化物半導体からなる初期核形成層、バッファ層、および活性層が順次積層された構造を含む１３族窒化物半導体基板であって、前記バッファ層は、前記下地基板から前記活性層に向かって、領域Ｖ１、領域Ｖ２、領域Ｖ３、および領域Ｖ４がこの順に形成された積層構造であり、前記領域Ｖ２の炭素濃度が、前記領域Ｖ１および前記領域Ｖ３のいずれの炭素濃度よりも低く、前記領域Ｖ３の炭素濃度が前記領域Ｖ４の炭素濃度より高く、前記領域Ｖ４の炭素濃度が前記活性層の炭素濃度より高いことを特徴とする。かかる構成を有することで、耐圧確保と電流コラプスの抑制の両立、基板反りの低減、について、これらを高い次元で達成することを可能とする。
【００１３】
また、本発明に係る１３族窒化物半導体基板は、前記領域Ｖ４が単層構造であると、より好ましいものである。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、耐圧確保と電流コラプス抑制との両立が図られ、更に基板の反りも十分低減された１３族窒化物半導体基板が得られる。特に、反りの制御性については、他の特性を犠牲にすることなく、反り低減効果が得られる点で優位と言えるものである。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明に係る１３族窒化物半導体基板の層構造の概略断面図である。
【図２】本発明に係る１３族窒化物半導体基板の一態様に係る、１３族窒化物半導体層の厚さ方向における炭素濃度プロファイルを、模式的に示した概念図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明を図面も参照して、より詳細に説明する。本発明に係る１３族窒化物半導体基板は、下地基板１の一主面上に、いずれも１３族窒化物半導体からなる初期核形成層２、バッファ層３、および活性層４が順次積層された構造を含み、バッファ層３は、下地基板１から活性層４に向かって、領域Ｖ１３１、領域Ｖ２３２、領域Ｖ３３３、および領域Ｖ４３４の各層がこの順に形成された積層構造であり、領域Ｖ２３２の炭素濃度は領域Ｖ１３１および領域Ｖ３３３のいずれの炭素濃度より低く、領域Ｖ３３３の炭素濃度は領域Ｖ４３４の炭素濃度より高く、領域Ｖ４３４の炭素濃度が活性層４の炭素濃度より高い。
【００１７】
なお、図面はいずれも概念図であり、形状、寸法、相対的な大小関係は、実際の物とは異なる。また、ここで、例えば、「領域Ｖ２３２の炭素濃度は領域Ｖ１３１および領域Ｖ３３３の炭素濃度より低い」とは、領域Ｖ２３２の炭素濃度が、領域Ｖ１３１および領域Ｖ３３３の炭素濃度未満であることを意味し、「領域Ｖ３３３の炭素濃度は領域Ｖ４３４の炭素濃度より高い」とは、領域Ｖ３３３の炭素濃度が、領域Ｖ４３４の炭素濃度を超えることを意味する。
【００１８】
下地基板１は、広く公知の材料を用いることができるが、コストや大口径化の点から、サファイヤや炭化ケイ素よりもシリコン単結晶が好ましい。前記シリコン単結晶は、チョクラルスキー（ＣＺ）法、フローティングゾーン（ＦＺ）法、いずれの製造方法によるものでもよく、また、これらのシリコン単結晶基板に気相成長法により、シリコン単結晶層をエピタキシャル成長させたものであってもよい。
【００１９】
前記シリコン単結晶は、ホウ素がドープされた、比抵抗０．００１〜０．００５Ω・ｃｍであることが好ましい。ホウ素高濃度ドープシリコン単結晶は、シリコン単結晶基板の強度が高く、１３族窒化物半導体基板全体の歪みや反りを抑制できることが知られているが、本発明のバッファ層３、特に領域Ｖ３３３との組み合わせで、反り低減効果が相乗的に発揮される。
【００２０】
次に、下地基板１の一主面上には、１３族窒化物半導体からなる初期核形成層２が形成されている。初期核形成層２も公知の技術を広く適用できるが、下地基板１がシリコン単結晶の場合は、ＡｌＮ層が好ましい。初期核形成層２は、ＡｌＮ層単体でもよいが、ＡｌＮ層上にＡｌＧａＮ層をさらに積層した構造のほうが、結晶性確保の点でより好ましい。
【００２１】
ここで、初期核形成層２を、ＡｌＮ層上にＡｌＧａＮ層をさらに積層した構造とした場合、前記ＡｌＧａＮ層の炭素濃度を後述する領域Ｖ１３１と同等とすれば、より耐圧を高められ、好適と言える。
【００２２】
初期核形成層２上には、１３族窒化物半導体からなるバッファ層３、および１３族窒化物半導体からなる活性層４が順次積層されている。活性層４は、例えば電界効果トランジスタ構造では、電子走行層またはチャネル層に相当する。
【００２３】
本発明では、初期核形成層２、バッファ層３、活性層４がこの順に積層されている構造を１３族窒化物半導体基板としているが、その他の各種の層、例えば、ＡｌＮスペーサ層、ＧａＮキャップ層、窒化膜保護層、炭素以外のドーピング層、下地基板１の裏面膜、等が、適時挿入されていてもよい。
【００２４】
そして、バッファ層３は、下地基板１から活性層４に向かって、領域Ｖ１３１、領域Ｖ２３２、領域Ｖ３３３、および領域Ｖ４３４がこの順に形成された積層構造である。これらの各領域は、主に炭素濃度の違いによって区分されている。
【００２５】
炭素濃度の測定は、公知の方法が適用できるが、例えば、二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ）により測定することができる。また炭素濃度は、厚さ方向の全体における平均値を用い、例えば、界面付近の特異的な挙動を除いた、厚さ方向に３〜５点の箇所で測定された炭素濃度の平均値を用いることができる。
【００２６】
まず、領域Ｖ２３２の炭素濃度は、領域Ｖ１３１および領域Ｖ３３３のいずれの炭素濃度より低い。すなわち、領域Ｖ１３１の炭素濃度は領域Ｖ２３２の炭素濃度より高い。領域Ｖ１３１は、下地基板１に近接しており結晶欠陥を多く有しているため、この欠陥を補償して耐圧を確保する観点から、炭素濃度は高くする必要があり、その炭素濃度は少なくとも５×１０18ａｔｏｍｓ／ｃｍ3以上が好ましい。一方、炭素濃度が高すぎると、結晶欠陥の誘発が懸念されるため、炭素濃度の上限については、５×１０21ａｔｏｍｓ／ｃｍ3以下が好ましい。
【００２７】
また、領域Ｖ１３１は、主に結晶欠陥の抑制、基板の反り低減効果を発揮する層であるので、多層構造であるとより好ましい。具体的には、ＡｌxＧａ1-xＮ層のｘの値が異なる積層構造、ＡｌＮとＧａＮが交互に複数回繰り返し積層された構造、等が挙げられる。この場合、各層の厚さ、前記ｘの値、前記繰り返しの回数等は、設計される１３族窒化物半導体基板の要求仕様に応じて、適時設定できる。
【００２８】
ここで、本発明においては、多層構造とは、組成の異なる２種類以上の層が複数積層され、これにより各層間に界面が確認されるものを指す。また、これに対して、単層構造とは、単一組成又は組成傾斜、あるいは不純物濃度のみの相違であり、層内に界面を持たない構造を指すものとする。
【００２９】
領域Ｖ１３１の厚さの好ましい範囲は、５０〜６５０ｎｍである。薄すぎると本発明の優れた反り制御性が発揮されず、厚すぎると電流コラプスの悪化を招くので、いずれも好ましくない。
【００３０】
なお、領域Ｖ１３１の厚さを３５０ｎｍ以上とする場合は、領域Ｖ１３１の構成を、１５０〜３００ｎｍ程度の単層構造と多層構造の組み合わせとすることもできる。
【００３１】
領域Ｖ２３２の炭素濃度は、領域Ｖ１３１および領域Ｖ３３３のいずれの炭素濃度より低い。バッファ層３全体が高い炭素濃度であると、電流コラプスが悪化するため、少なくとも、炭素濃度の高い領域Ｖ１３１に対して活性層４側の位置に、炭素濃度が低い層を形成する必要があるためである。
【００３２】
領域Ｖ２３２の炭素濃度は、好ましくは５×１０17ａｔｏｍｓ／ｃｍ3以上５×１０18ａｔｏｍｓ／ｃｍ3以下である。この範囲を外れると、耐圧、電流コラプスのいずれかで、十分な効果が得られなくなるおそれが生じる。
【００３３】
領域Ｖ２３２は、単層構造でも多層構造でもよいが、多層構造の方が転位抑制効果をより高く得られるので、単層構造よりは好ましいといえる。また、領域Ｖ２３２と領域Ｖ１３１の構造を同じものとしても良いし、異なるものとしてもよい。さらに、多層構造としたときの各層の厚さ、前記ｘの値、前記繰り返しの回数等も、設計される１３族窒化物半導体基板の要求仕様に応じて、適時設定できる。
【００３４】
領域Ｖ３３３の炭素濃度は、領域Ｖ２３２の炭素濃度より高い。領域Ｖ３３３は、基板の反り制御の役割を有する。従来、バッファ層３において、炭素濃度の高い領域Ｖ１３１に続く層の炭素濃度が、活性層４に至るまで一様に低くなる形態では、基板の反り制御性が十分に得られなかった。
【００３５】
これに対して、本発明のように、電流コラプス低減効果を呈する領域Ｖ２３２の活性層４側に、炭素濃度の高い領域Ｖ３３３を挿入し、さらには、領域Ｖ３３３の層厚や炭素濃度の調節を行うことで、基板の反りを適切に低減する事が可能となる。
【００３６】
領域Ｖ３３３の炭素濃度は、好ましくは５×１０18ａｔｏｍｓ／ｃｍ3以上５×１０21ａｔｏｍｓ／ｃｍ3以下である。この範囲を外れると、領域Ｖ１３１と同様に、耐圧、電流コラプスのいずれかで、十分な効果が得られなくなるおそれが生じる。
【００３７】
また、領域Ｖ３３３は反り制御の作用を発揮する層であるので、領域Ｖ１３１と同様に多層構造であるとより好ましい。領域Ｖ３３３の好ましい厚さは、５０〜３５０ｎｍである。薄すぎると本発明の優れた反り制御性が発揮されず、厚すぎると電流コラプスの悪化を招くので、いずれも好ましくない。より好ましくは１００〜３００ｎｍである。
【００３８】
領域Ｖ４３４は領域Ｖ３３３より炭素濃度が低い。このようにすることで、領域Ｖ３３３の高い炭素濃度による電流コラプス悪化傾向を緩和する事が出来る。
【００３９】
領域Ｖ４３４の炭素濃度は、好ましくは５×１０17ａｔｏｍｓ／ｃｍ3以上５×１０15ａｔｏｍｓ／ｃｍ3以下である。この範囲を外れると、耐圧、電流コラプスのいずれかで、十分な効果が得られなくなるおそれが生じる。
【００４０】
領域Ｖ４３４は、多層構造よりは単層構造であると好ましい。領域Ｖ４３４を組成の異なる２層の積層構造とすると、層間の界面が多数存在してポテンシャルの揺らぎが増大し、電流コラプスに対しては不利に作用する恐れがあるからである。
【００４１】
本発明では、領域Ｖ１３１と領域Ｖ３３３については、好ましい範囲があるとしているが、領域Ｖ２３２と領域Ｖ４３４については、バッファ層３全体の厚さに応じて適時設定する事が出来る。すなわち、１３族窒化物半導体基板として要求される特性に応じて設定されるバッファ層３の厚さを、領域Ｖ２３２と領域Ｖ４３４の厚さで調整できる。
【００４２】
活性層４の炭素濃度は領域Ｖ４３４の炭素濃度より低い。活性層４は、例えばＨＥＭＴでは電流経路となる層であり、炭素濃度は低いほうが好ましく、その値は、１×１０15ａｔｏｍｓ／ｃｍ3以上１×１０17ａｔｏｍｓ／ｃｍ3以下である。なお、活性層４と接する領域Ｖ４３４の炭素濃度を活性層４より高めにすることで、耐圧をより効果的に確保する事が可能となる。
【００４３】
隣接する各領域、すなわち、領域Ｖ１３１と領域Ｖ２３２、領域Ｖ２３２と領域Ｖ３３３、および領域Ｖ３３３と領域Ｖ４３４の、夫々の領域間の炭素濃度差があまり小さいと、反り制御性が損なわれる恐れがある。好適には、高い方が、低い方の炭素濃度に対して１．５倍以上である。
【００４４】
領域Ｖ１３１〜領域Ｖ４３４のいずれの炭素濃度についても、好ましい濃度範囲内であれば、厚さ方向に対して漸増、漸減、周期的な増減、ステップ構造、のいずれの形態であってもよい。また、各領域の界面近傍における炭素濃度の形状についても、格別限定を設けるものではない。
【００４５】
以上の通り、本発明は、バッファ層３の炭素濃度の大小関係に特徴を有するものである。すなわち、厚さ方向における炭素濃度が上下で隣接する２つの層よりも高い領域を特異的に有することで、耐圧、電流コラプス、反り制御、という３つの特性を、相乗的により優れたものとすることを可能としている。
【００４６】
従って、例えば、炭素濃度の高い領域Ｖ３３３を、比較的厚く形成した領域Ｖ２３２または領域Ｖ４３４の中に、さらに１層以上形成しても、本発明と同等以上の効果が得られる。このような態様は、特に、バッファ層３を３μｍ以上とするような場合に、より効果的である。
【００４７】
上記のような本発明に係る１３族窒化物半導体基板を用いて、半導体デバイスを作製する際の電極の形成や加工は、特に限定されるものではなく、一般的な方法で行うことができ、例えば、真空蒸着やリソグラフィにより、前記基板の表面や裏面に、公知の材料で電極形成を行うことができる。
【実施例】
【００４８】
以下、本発明を実施例に基づいてさらに具体的に説明するが、本発明は、下記実施例により制限されるものではない。
【００４９】
（１３族窒化物半導体基板の作製）
［実施例１］
図１に示すような層構造を備えた１３族窒化物半導体基板を、図２に示すような炭素濃度プロファイルにて、以下の工程により作製した。
まず、下地基板１として直径６インチ、主面の面方位が（１１１）、ホウ素ドープで比抵抗０．００４Ωｃｍのシリコン単結晶基板を、ＭＯＣＶＤ装置内にセットし、原料ガスとしてトリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）、アンモニア（ＮＨ3）を用い、炭素濃度１×１０18ａｔｏｍｓ／ｃｍ3、厚さ１００ｎｍのＡｌＮ単結晶層を１０００℃で気相成長させた。なお、以降の１３族窒化物半導体層の形成は全て、成長温度の基準を１０００℃とし、これに１〜１５℃の範囲で微調整を加えている。前記ＡｌＮ単結晶層上に、原料ガスとしてトリメチルガリウム（ＴＭＧ）、ＴＭＡ、ＮＨ3を用い、炭素濃度５×１０19ａｔｏｍｓ／ｃｍ3、厚さ３００ｎｍのＡｌxＧａ1-xＮ単結晶層（ｘ＝０．１）を気相成長させ、初期核形成層２を形成した。
次に、原料ガスとしてＴＭＧ、ＴＭＡ、ＮＨ3を用い、炭素濃度５×１０19ａｔｏｍｓ／ｃｍ3で厚さ５ｎｍのＡｌＮ単結晶層及び厚さ３０ｎｍのＧａＮ単結晶層を交互に各８層気相成長させて、領域Ｖ１３１を形成した。
次に、原料ガスとしてＴＭＧ、ＴＭＡ、ＮＨ3を用い、炭素濃度５×１０15ａｔｏｍｓ／ｃｍ3で厚さ１９０ｎｍのＧａＮ単結晶層を成膜し、次いで厚さ５ｎｍのＡｌＮ単結晶層及び厚さ３０ｎｍのＧａＮ単結晶層を交互に各８層を、この順に形成した構造を３回繰り返して、最後に再度厚さ１９０ｎｍのＧａＮ単結晶層を成膜し、領域Ｖ２３２を形成した。
次に、原料ガスとしてＴＭＧ、ＴＭＡ、ＮＨ3を用い、炭素濃度５×１０19ａｔｏｍｓ／ｃｍ3で厚さ５ｎｍのＡｌＮ単結晶層及び厚さ３０ｎｍのＧａＮ単結晶層を交互に各８層気相成長させて、領域Ｖ３３３を形成した。
次に、炭素濃度１×１０18ａｔｏｍｓ／ｃｍ3にて、厚さ１２５０ｎｍのＧａＮ単結晶層を同様にして積層し、領域Ｖ４３４を形成した。
その後、炭素濃度１×１０16ａｔｏｍｓ／ｃｍ3、厚さ７００ｎｍのＧａＮ単結晶層を同様にして積層し、活性層４として電子走行層を、さらに厚さ１８ｎｍのＡｌyＧａ1-yＮ単結晶層（ｙ＝０．２６）を同様にして積層し、電子供給層５を形成し、１３族窒化物半導体基板を得た。
なお、気相成長により形成した各層の厚さや炭素濃度の制御は、原料ガスの流量と供給時間及び基板温度、その他公知の成長条件の調整により行った。
【００５０】
［比較例１］
領域Ｖ２３２の炭素濃度を５×１０19ａｔｏｍｓ／ｃｍ3とした以外は実施例１と同様にして、１３族窒化物半導体基板を作製した。
【００５１】
［比較例２］
領域Ｖ３３３の炭素濃度を５×１０18ａｔｏｍｓ／ｃｍ3とした以外は実施例１と同様にして、１３族窒化物半導体基板を作製した。
【００５２】
［比較例３］
領域Ｖ４３４の炭素濃度を５×１０19ａｔｏｍｓ／ｃｍ3とした以外は実施例１と同様にして、１３族窒化物半導体基板を作製した。
【００５３】
（ＨＥＭＴ素子の作製）
上記において作製した各１３族窒化物半導体基板に、リセスゲート領域及び素子分離領域の溝をドライエッチングにより形成し、電子供給層５側にゲート電極としてＡｕ電極を、ソース電極及びドレイン電極としてＡｌ電極を、また、下地基板の裏面側に裏面電極としてＡｌ電極を、それぞれ真空蒸着により形成し、ＨＥＭＴ素子を作製した。
【００５４】
（耐圧、電流コラプス、反りの評価）
得られた各ＨＥＭＴ素子について、市販のカーブトレーサーを用いて、耐圧を測定した。６００Ｖ以上を〇、６００Ｖ未満を×として判定した。
電流コラプス特性は、オフ状態でソース−ドレイン電極間にある一定のストレス電圧を印加し、その印加前後のオン状態の導通電流量の比からコラプスファクターと呼ばれる定数を算出することにより評価した。コラプスファクターは、値が１．０に近いほど、素子の通電損失が小さいことを示す。コラプスファクターが０．７〜１．０の場合：○、０．５〜０．７未満の場合：△、０．５未満の場合：×とした。
反りは、市販のレーザ変位計により、エピタキシャル成長前の基板表面が基板厚さ方向に変位した距離の最大値と最小値の差により求め、５０μｍ以下を〇、５０μｍ超８０μｍ以下を△、８０μｍ超を×として判定した。そして、総合評価は、△が一つでもあれば△、×が一つでもあれば×として、〇と△を合格とした。
これらの評価結果を表１にまとめて示す。
【００５５】
【表１】
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【００５６】
表１から明らかなように、本発明の一実施形態は、耐圧、電流コラプス、反りのいずれでも良好な結果であった。一方、本発明の構成を有しない比較例１〜３は、いずれかの評価項目で劣るものであった。
【００５７】
［実施例２］
領域Ｖ３３３を、厚さ２８０ｎｍのＧａＮ単結晶層とする以外は、実施例１同様にして実施例２の１３族窒化物半導体基板を作製し、実施例１と同様に評価した。その結果、耐圧６９０Ｖ、電流コラプス０．９、反り７８μｍとなり、実施例１と比べると反りがやや見劣りするものと言える。
【００５８】
［実施例３］
領域Ｖ４３４を、厚さ５ｎｍのＡｌＮ単結晶層及び厚さ３０ｎｍのＧａＮ単結晶層を交互に各８層気相成長する以外は、実施例１と同様にして、実施例３の１３族窒化物半導体基板を作製し、実施例１と同様に評価した。その結果、耐圧７５０Ｖ、電流コラプス０．６５、反り３０μｍとなり、実施例１と比べると電流コラプスがやや見劣りするものと言える。
【符号の説明】
【００５９】
１    下地基板
２    初期核形成層
３    バッファ層
３１  領域Ｖ１
３２  領域Ｖ２
３３  領域Ｖ３
３４  領域Ｖ４
４    活性層（電子走行層）
５    電子供給層
【図１】
2016219690.tif 000004
【図２】
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