(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板の表面における抵抗膜に，少なくとも，抵抗膜における一側面縁から抵抗膜を横断する方向に延びる第１トリミング溝と，この第１トリミング溝の終端から抵抗膜に沿って延びる第２トリミング溝とを刻設して成るチップ抵抗器において，
前記抵抗膜のうち前記第１トリミング溝及び第２トリミング溝で囲われた内側部分に，前記第１トリミング溝と第２トリミング溝とに連通する補助トリミング溝を刻設したことを特徴とするチップ抵抗器の構造。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は，チップ型に構成した絶縁基板の表面に，少なくとも一つの抵抗膜と，その両端に対する主電極とを形成して成るチップ抵抗器において，その構造に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
一般に，この種のチップ抵抗器は，チップ型絶縁基板の表面に，少なくとも一つの抵抗膜と，その両端に対する主電極とを形成し，更に，前記抵抗膜に，その抵抗値を高くするためのトリミング溝を刻設することにより，当該抵抗膜における抵抗値を所定抵抗値になるように調整するという構成にしていることは周知の通りであり，従来は，前記トリミング溝を，抵抗膜における一側面縁から抵抗膜を横断する方向に延びる第１トリミング溝と，この第１トリミング溝の終端から抵抗膜に沿って延びる第２トリミング溝とを有するように全体として略直角に曲がる略Ｌ字型にしていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかし，第１トリミング溝から第２トリミング溝に略直角に方向変換する形態にした場合には，抵抗膜に高い電圧を印加したとき，抵抗膜のうち前記両トリミング溝の両側の部分間の電位差が大きくなることにより，前記第１トリミング溝から第２トリミング溝に略直角に方向変換する箇所，及び，前記第１トリミング溝が抵抗膜における一側面縁に開口する箇所のうちいずれか一方又は両方に，これ以外の部分によりも特に，放電によるリークが発生するから，耐高電圧性が悪いという問題があった。
【０００４】
これに対して，特開平１１−４０４０１号公報は，抵抗膜に対して第１トリミング溝を，抵抗膜における一側面縁から抵抗膜を横断する方向に延びる第１トリミング溝と，この第１トリミング溝の終端から抵抗膜に沿って延びる第２トリミング溝とで構成することに加えて，第３トリミング溝を，前記第２トリミング溝の途中から抵抗膜を横断してその一側面縁に至るように刻設し，抵抗膜のうち前記第１トリミング溝及び第２トリミング溝より内側の部分を，前記第３トリミング溝にて島状に分離することにより，放電によるリークの発生を抑制することを提案している。
【０００５】
しかし，チップ抵抗器は，前記トリミング溝を刻設した以降，大まかに言って，抵抗膜の全体をカバーコートで覆う工程，絶縁基板の左右両端面に側面電極を形成する工程，前記主電極及び側面電極の表面に金属メッキ層を形成する工程を経て製造されるものであることにより，この各種工程の途中において，前記第３トリミング溝内に導電性の異物が入る場合があることに加えて，前記金属メッキ層を形成するメッキ処理に際して，前記第３トリミング溝内にメッキ液がカバーコートのピンホールから進入して金属メッキ片が成長する場合もあり，このような場合，抵抗膜のうちこの第３トリミング溝で島状に分離された部分に電気が流れて，前記第１トリミング溝から第２トリミング溝に方向変換する箇所，及び，前記第１トリミング溝が抵抗膜における一側面縁に開口する箇所のうちいずれか一方又は両方に放電によるリークが発生することがあるか，放電によるリークを完全に抑制することができないのであった。
【０００６】
本発明は，これら問題を解消することを技術的課題とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
この技術的課題を達成するため本発明の請求項１は，
「絶縁基板の表面における抵抗膜に，少なくとも，抵抗膜における一側面縁から抵抗膜を横断する方向に延びる第１トリミング溝と，この第１トリミング溝の終端から抵抗膜に沿って延びる第２トリミング溝とを刻設して成るチップ抵抗器において，
前記抵抗膜のうち前記第１トリミング溝及び第２トリミング溝で囲われた内側部分に，前記第１トリミング溝と第２トリミング溝とに連通する補助トリミング溝を刻設する。」という構成にした。
【０００８】
【発明の作用・効果】
請求項１のように，抵抗膜のうち前記第１トリミング溝及び第２トリミング溝で囲われた内側部分に，前記第１トリミング溝と第２トリミング溝とに連通する補助トリミング溝を刻設することにより，前記内側部分のうち第１トリミング溝から第２トリミング溝に方向変換する隅の部分を，前記補助トリミング溝の刻設にて前記内側部分から島状に分離することができるから，前記方向変換の隅部分に放電によるリークが発生することを確実に低減できるのである。
【０００９】
特に，前記抵抗膜に，第１トリミング溝及び第２トリミング溝に加えて，例えば，特開平１１−４０４０１号公報のように，第３トリミング溝が，前記第２トリミング溝の途中から抵抗膜を横断してその一側面縁に至るように刻設されている場合において，前記第３トリミング溝に異物又はメッキ等にて通電が発生したとしても，前記第１トリミング溝から第２トリミング溝への方向変換の隅部分に放電によるリークが発生することを，前記補助トリミング溝によって防止できるから，前記方向変換の隅部分に放電によるリークが発生する頻度を，前記第３トリミング溝のみが設けられている場合の半分以下に確実に低減できる。
【００１０】
【００１１】
【００１２】
【００１３】
【００１４】
本発明によると，チップ抵抗器において，抵抗値調整用のトリミング溝に放電によるリークが発生する頻度を大幅に低減できるから，その耐高電圧性を確実に向上できる効果を有する。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下，本発明の実施の形態を，図面について説明する。
【００１６】
図１〜図４は，第１の実施の形態を示し，この図において，符号１は，チップ型に構成した絶縁基板を示し，この絶縁基板１の表面には，長手方向に延びる抵抗膜２と，その両端に対する主電極３と，前記抵抗膜２を覆うガラスによるアンダーコート５とが形成されている。
【００１７】
前記絶縁基板１の表面における抵抗膜に，レーザ光線発射装置１１より発射されるレーザ光線をガルバノミラー１２の反射にて前記アンダーコート５の上から照射することにより，以下に述べるように，第１トリミング溝５，第２トリミング溝６及び補助トリミング溝８を刻設する。
【００１８】
すなわち，この各トリミング溝５，６，８は，前記ガルバノミラー１２を傾斜回動するアクチェータ１３及び前記レーザ光線発射装置１１を中央制御装置１４にて制御することで，抵抗膜２に対するレーザ光線の照射点を適宜移動することにより刻設するのであり，その順序は，図３に示すように，先ず，前記第１トリミング溝５を，前記抵抗膜２における一側面縁２ａよりも外側の箇所を始端として抵抗膜２を横断する方向に延びるように刻設し，次いで，前記第２トリミング溝６を，前記第１トリミング溝５の終端から抵抗膜２の長手方向に沿って延びるように刻設する。
【００１９】
前記第１トリミング溝５及び第２トリミング溝６の刻設に際して，前記中央制御装置１４は，抵抗膜２における抵抗値をその両端の主電極３にプローブ１６を接触して検出する抵抗値測定装置１５からの出力を入力として，抵抗膜２における抵抗値が第２トリミング溝６の刻設によって目標とする所定抵抗値にまで高くなった時点で，前記第２トリミング溝６の刻設を停止する。
【００２０】
次いで，レーザ光線の照射点を，当該レーザ光線の照射を停止した状態で，前記第２トリミング溝６の途中まで戻したのち，この部分から，前記補助トリミング溝８を，前記第２トリミング溝６から前記第１トリミング溝５に向かって真っ直ぐに延びて第２トリミング溝６と第１トリミング溝５との両方に連通するように刻設するのであり，これにより，前記各トリミング溝５，６，８は，図４に示す形態になる。
【００２１】
なお，前記各トリミング溝５，６，８を刻設する順序は，前記した順序に限らず，例えば，先に，第１トリミング溝５を，次いで，補助トリミング溝８を刻設し，最後に第２トリミング溝６を刻設するというように，前記以外の順序にしても良いことはいうまでもない。
【００２２】
このように構成することにより，前記抵抗膜２のうち前記第１トリミング溝５及び第２トリミング溝６で囲われた内側部分２ｂには，前記補助トリミング溝８が，第１トリミング溝５と第２トリミング溝６とに連通するように刻設された形態になり，前記内側部分２ｂのうち第１トリミング溝５から第２トリミング溝６に方向変換する隅の部分２ｂ′を，前記補助トリミング溝８の刻設にて前記内側部分２ｂから島状に分離することができるから，前記第１トリミング溝５から第２トリミング溝６への方向変換箇所に放電によるリークが発生することを確実に低減できるのである。
【００２３】
特に，前記抵抗膜２に，第１トリミング溝５及び第２トリミング溝６に加えて，図４に二点鎖線で示すように，第３トリミング溝７が，前記第２トリミング溝６の途中から抵抗膜２を横断してその一側面縁２ａに至るように刻設されている場合には，前記第１トリミング溝５から第２トリミング溝６に方向変換する箇所には，前記第３トリミング溝７に異物又はメッキ片等にて通電が発生することに加えて，前記補助トリミング溝８にも異物又はメッキ片等にて通電が発生した場合に限り，放電によるリークが発生することになり，前記第１トリミング溝５から第２トリミング溝６に方向変換する箇所に放電によるリークが発生する頻度を確実に低減することができるのである。
【００２４】
【００２５】
【００２６】
【００２７】
【００２８】
【図面の簡単な説明】
【図１】レーザトリミングを行っている状態を示す斜視図である。
【図２】図１のII−II視拡大断面図である。
【図３】第１の実施の形態によるトリミング溝の刻設を示す平面図である。
【図４】第１の実施の形態によるチップ抵抗器の平面図である。
【符号の説明】
１                      絶縁基板
２                      抵抗膜
２ａ                    抵抗膜の一側面縁
２ｂ                    抵抗膜の島状部分
３                      主電極
４                      アンダーコート
５                      第１トリミング溝
６                      第２トリミング溝
７                      第３トリミング溝
８                      補助トリミング溝
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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