(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
フリップチップ型のＩＣチップを搭載する基板主面と、基板裏面とを有し、
コア基板と、
上記コア基板の上記基板主面側に積層された１または複数の主面側絶縁層と、
上記コア基板の上記基板裏面側に積層された１または複数の裏面側絶縁層と、を備える多層配線基板であって、
上記主面側絶縁層の主面側最表面に第１所定間隔で略格子状に配置され、上記ＩＣチップの端子に接続されるＩＣ接続端子であって、信号を伝送する多数の信号ＩＣ接続端子を含む多数のＩＣ接続端子と、
上記主面側絶縁層の層間及び主面側最表面の少なくともいずれかに形成され、一端で一部の上記信号ＩＣ接続端子にそれぞれ導通し、上記多層配線基板の平面視外周側に向かって延びる複数の主面側引き出し配線と、
上記主面側絶縁層の少なくとも一層を貫通し、上記信号ＩＣ接続端子の残部のうち、上記第１所定間隔で隣り合って配置された複数の狭間隔信号ＩＣ接続端子にそれぞれ導通する複数の広間隔主面側信号ビア導体であって、上記第１所定間隔で互いに隣り合う任意の２つの上記狭間隔信号ＩＣ接続端子に導通する上記広間隔主面側信号ビア導体同士は、上記第１所定間隔よりも広い第２所定間隔で互いに隣り合って配置されている広間隔主面側信号ビア導体と、
上記主面側絶縁層の層間または主面側最表面に形成され、一端で、上記狭間隔信号ＩＣ接続端子、または、上記狭間隔信号ＩＣ接続端子にそれぞれ導通し上記第１所定間隔で隣り合う複数のビア導体、にそれぞれ接続し、他端で上記広間隔主面側信号ビア導体にそれぞれ接続する複数の間隔変換配線と、
上記コア基板を貫通し、上記広間隔主面側信号ビア導体にそれぞれ接続する複数の広間隔信号スルーホール導体と、
上記裏面側絶縁層の少なくとも一層を貫通し、上記広間隔信号スルーホール導体にそれぞれ接続する複数の広間隔裏面側信号ビア導体と、
上記裏面側絶縁層の層間及び裏面側最表面の少なくともいずれかに形成され、一端で上記広間隔裏面側信号ビア導体にそれぞれ接続し、上記多層配線基板の平面視外周側に向かって延びる複数の裏面側引き出し配線と、
を備える多層配線基板。
【請求項２】
請求項１に記載の多層配線基板であって、
前記主面側引き出し配線に導通する前記一部の信号ＩＣ接続端子は、略格子状に配置された前記ＩＣ接続端子のうち、上記多層配線基板の平面視外周側の１または複数の列の中にそれぞれ配置され、
前記間隔変換配線に導通する前記狭間隔信号ＩＣ接続端子は、上記外周側の１または複数列よりも１つ内側の列の中に配置されている
多層配線基板。
【請求項３】
請求項２に記載の多層配線基板であって、
前記間隔変換配線は、前記一端から前記他端が上記多層配線基板の平面視外側に向かって延びる複数の外側向き間隔変換配線と、前記一端から前記他端が上記多層配線基板の平面視内側に向かって延びる複数の内側向き間隔変換配線とを有し、
列の中に配置された前記狭間隔信号ＩＣ接続端子には、上記外側向き間隔変換配線と上記内側向き間隔変換配線とがそれぞれ交互に導通する
多層配線基板。
【請求項４】
請求項３に記載の多層配線基板であって、
前記外側向き間隔変換配線と前記内側向き間隔変換配線とは、それぞれ自己が接続する前記狭間隔信号ＩＣ接続端子または前記ビア導体が含まれる格子の中心まで延び、これらの間隔変換配線に接続する前記広間隔主面側信号ビア導体は、それぞれ上記格子の中心に位置する
多層配線基板。
【請求項５】
フリップチップ型のＩＣチップを搭載する基板主面と、基板裏面とを有し、
コア基板と、
上記コア基板の上記基板主面側に積層された１または複数の主面側絶縁層と、
上記コア基板の上記基板裏面側に積層された１または複数の裏面側絶縁層と、を備える多層配線基板であって、
上記主面側絶縁層の主面側最表面に第１所定間隔で略格子状に配置され、上記ＩＣチップの端子に接続されるＩＣ接続端子であって、信号を伝送する多数の信号ＩＣ接続端子を含む多数のＩＣ接続端子と、
上記主面側絶縁層の層間及び主面側最表面の少なくともいずれかに形成され、一端で一部の上記信号ＩＣ接続端子にそれぞれ導通し、上記多層配線基板の平面視外周側に向かって延びる複数の主面側引き出し配線と、
上記主面側絶縁層を貫通し、上記信号ＩＣ接続端子の残部のうち、上記第１所定間隔で隣り合って配置された複数の狭間隔信号ＩＣ接続端子にそれぞれ導通する複数の広間隔主面側信号ビア導体であって、上記第１所定間隔で互いに隣り合う任意の２つの上記狭間隔信号ＩＣ接続端子に導通する上記広間隔主面側信号ビア導体同士は、上記第１所定間隔よりも広い第２所定間隔で互いに隣り合って配置されている広間隔主面側信号ビア導体と、
上記主面側絶縁層の主面側最表面に形成され、一端で上記狭間隔信号ＩＣ接続端子にそれぞれ接続し、他端で上記広間隔主面側信号ビア導体にそれぞれ接続する複数の間隔変換配線と、
上記コア基板を貫通し、上記広間隔主面側信号ビア導体にそれぞれ接続する複数の広間隔信号スルーホール導体と、
上記裏面側絶縁層の少なくとも一層を貫通し、上記広間隔信号スルーホール導体にそれぞれ接続する複数の広間隔裏面側信号ビア導体と、
上記裏面側絶縁層の層間及び裏面側最表面の少なくともいずれかに形成され、一端で上記広間隔裏面側信号ビア導体にそれぞれ接続し、上記多層配線基板の平面視外周側に向かって延びる複数の裏面側引き出し配線と、
を備える多層配線基板。
【請求項６】
フリップチップ型のＩＣチップを搭載する基板主面と、基板裏面とを有し、
コア基板と、
上記コア基板の上記基板主面側に積層された１または複数の主面側第１絶縁層と、
上記主面側第１絶縁層上に積層された１または複数の主面側第２絶縁層と、
上記コア基板の上記基板裏面側に積層された１または複数の裏面側絶縁層と、を備える多層配線基板であって、
上記主面側第２絶縁層の主面側最表面に第１所定間隔で略格子状に配置され、上記ＩＣチップの端子に接続されるＩＣ接続端子であって、信号を伝送する多数の信号ＩＣ接続端子を含む多数のＩＣ接続端子と、
上記主面側第２絶縁層または上記主面側第１絶縁層の層間及び主面側最表面の少なくともいずれかに形成され、一端で一部の上記信号ＩＣ接続端子にそれぞれ導通し、上記多層配線基板の平面視外周側に向かって延びる複数の主面側引き出し配線と、
上記主面側第２絶縁層を貫通し、上記信号ＩＣ接続端子の残部のうち、上記第１所定間隔で隣り合って配置された複数の狭間隔信号ＩＣ接続端子にそれぞれ接続する複数の狭間隔主面側第２信号ビア導体と、
上記主面側第１絶縁層を貫通し、上記狭間隔主面側第２信号ビア導体にそれぞれ導通する複数の広間隔主面側第１信号ビア導体であって、上記第１所定間隔で互いに隣り合う任意の２つの上記狭間隔信号ＩＣ接続端子に導通する上記広間隔主面側第１信号ビア導体同士は、上記第１所定間隔よりも広い第２所定間隔で互いに隣り合って配置されている広間隔主面側第１信号ビア導体と、
上記主面側第１絶縁層の主面側最表面に形成され、一端で上記狭間隔主面側第２信号ビア導体にそれぞれ接続し、他端で上記広間隔主面側第１信号ビア導体にそれぞれ接続する複数の間隔変換配線と、
上記コア基板を貫通し、上記広間隔主面側第１信号ビア導体にそれぞれ接続する複数の広間隔信号スルーホール導体と、
上記裏面側絶縁層の少なくとも一層を貫通し、上記広間隔信号スルーホール導体にそれぞれ接続する複数の広間隔裏面側信号ビア導体と、
上記裏面側絶縁層の層間及び裏面側最表面の少なくともいずれかに形成され、一端で上記広間隔裏面側信号ビア導体にそれぞれ接続し、上記多層配線基板の平面視外周側に向かって延びる複数の裏面側引き出し配線と、
を備える多層配線基板。
【請求項７】
フリップチップ型のＩＣチップを搭載する基板主面と、基板裏面とを有し、
コア基板と、
上記コア基板の上記基板主面側に積層された１または複数の主面側第１絶縁層と、
上記主面側第１絶縁層上に積層された１または複数の主面側第２絶縁層と、
上記コア基板の上記基板裏面側に積層された１または複数の裏面側絶縁層と、を備える多層配線基板であって、
上記主面側第２絶縁層の主面側最表面に第１所定間隔で略格子状に配置され、上記ＩＣチップの端子に接続されるＩＣ接続端子であって、信号を伝送する多数の信号ＩＣ接続端子を含む多数のＩＣ接続端子と、
上記主面側第２絶縁層または上記主面側第１絶縁層の層間及び主面側最表面の少なくともいずれかに形成され、一端で一部の上記信号ＩＣ接続端子にそれぞれ導通し、上記多層配線基板の平面視外周側に向かって延びる複数の主面側引き出し配線と、
上記主面側第２絶縁層を貫通し、上記信号ＩＣ接続端子の残部のうち、上記第１所定間隔で隣り合って配置された複数の狭間隔信号ＩＣ接続端子にそれぞれ導通し、上記狭間隔信号ＩＣ接続端子からそれぞれ同じ方向に同じ距離だけ移動した複数の狭間隔主面側第２信号ビア導体と、
上記主面側第２絶縁層の主面側最表面に形成され、一端で上記狭間隔信号ＩＣ接続端子にそれぞれ接続し、他端で上記狭間隔主面側第２信号ビア導体にそれぞれ接続する複数のシフト配線と、
上記主面側第１絶縁層を貫通し、上記狭間隔主面側第２信号ビア導体にそれぞれ導通する複数の広間隔主面側第１信号ビア導体であって、上記第１所定間隔で互いに隣り合う任意の２つの上記狭間隔信号ＩＣ接続端子に導通する上記広間隔主面側第１信号ビア導体同士は、上記第１所定間隔よりも広い第２所定間隔で互いに隣り合って配置されている広間隔主面側第１信号ビア導体と、
上記主面側第１絶縁層の主面側最表面に形成され、一端で上記狭間隔主面側第２信号ビア導体にそれぞれ接続し、他端で上記広間隔主面側第１信号ビア導体にそれぞれ接続する複数の間隔変換配線と、
上記コア基板を貫通し、上記広間隔主面側第１信号ビア導体にそれぞれ接続する複数の広間隔信号スルーホール導体と、
上記裏面側絶縁層の少なくとも一層を貫通し、上記広間隔信号スルーホール導体にそれぞれ接続する複数の広間隔裏面側信号ビア導体と、
上記裏面側絶縁層の層間及び裏面側最表面の少なくともいずれかに形成され、一端で上記広間隔裏面側信号ビア導体にそれぞれ接続し、上記多層配線基板の平面視外周側に向かって延びる複数の裏面側引き出し配線と、
を備える多層配線基板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、フリップチップ型のＩＣチップが基板主面に搭載される多層配線基板に関し、特に、コア基板を有し、コア基板よりも基板裏面側で信号配線が外周側に引き出される多層配線基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、フリップチップ型のＩＣチップが基板主面に搭載される多層配線基板が知られている。このような多層配線基板には、コア基板を有し、コア基板よりも基板裏面側で信号配線が外周側に引き出されるものがある。
例えば、図２０に簡略化した縦断面図を示す多層配線基板９０１が挙げられる。この多層配線基板９０１は、図中に破線で示すＩＣチップＩＣ１を搭載する基板主面９０２と、図示しないマザーボードに接続される基板裏面９０３とを有する略板形状である。多層配線基板９０１は、その中心にコア基板９１１を備える。コア基板９１１の基板主面９０２側には、主面側第１絶縁層９１３と主面側第２絶縁層９１４と主面側ソルダーレジスト層９１５が積層されている。また同様に、コア基板９１１の基板裏面９０３側には、裏面側第１絶縁層９１７と裏面側第２絶縁層９１８と裏面側ソルダーレジスト層９１９が積層されている。
【０００３】
基板内部を基板主面９０２側から基板裏面９０３側に向かって順に説明すると、主面側第２絶縁層９１４の表面には、その略中央にＩＣチップＩＣ１の端子に接続されるＩＣ接続端子９２１が略格子状に多数形成され、主面側ソルダーレジスト層９１５の主面側開口９１５Ｋ内にそれぞれ露出している。これらのＩＣ接続端子９２１には、電源電位や接地電位とされる端子の他、信号を伝送する信号ＩＣ接続端子９２１Ｓがある。
主面側第２絶縁層９１４には、これを貫通しＩＣ接続端子９２１にそれぞれ接続する主面側第２ビア導体９２３が多数形成されている。これらの主面側第２ビア導体９２３には、電源電位や接地電位とされるビア導体と、信号ＩＣ接続端子９２１Ｓに接続し、信号を伝送する主面側第２信号ビア導体９２３Ｓがある。
【０００４】
主面側第１絶縁層９１３の表面には、一端で主面側第２信号ビア導体９２３Ｓの一部にそれぞれ接続し、外周側に向かって延びる主面側引き出し配線９２５が多数形成されている。
主面側第１絶縁層９１３には、これを貫通し主面側第２ビア導体９２３の一部または主面側引き出し配線９２５の他端にそれぞれ接続する主面側第１ビア導体９２７が多数形成されている。これらの主面側第１ビア導体９２７には、電源電位や接地電位とされるビア導体と、主面側第２信号ビア導体９２３Ｓの残部または主面側引き出し配線９２５の他端に接続し、信号を伝送する主面側第１信号ビア導体９２７Ｓがある。
【０００５】
主面側第１絶縁層９１３とコア基板９１１の層間には、電源電位とされる電源プレーン層９２９が略ベタ状に形成されている。電源プレーン層９２９には、多数の第１貫通孔９２９Ｋが設けられ、第１貫通孔９２９Ｋ内には、接地電位とされる主面側第１ビア導体９２７と主面側第２信号ビア導体９２７Ｓが、電源プレーン層９２９と絶縁しつつ配置されている。
コア基板９１１には、これを貫通し電源プレーン層９２９または主面側第１ビア導体９２７の一部にそれぞれ接続するスルーホール導体９３１が多数形成されている。これらのスルーホール導体９３１には、電源電位や接地電位とされるスルーホール導体と、主面側第１信号ビア導体９２７Ｓに接続し、信号を伝送する信号スルーホール導体９３１Ｓがある。
【０００６】
コア基板９１１と裏面側第１絶縁層９１７の層間には、接地電位とされる接地プレーン層９３３が略ベタ状に形成されている。接地プレーン層９３３には、多数の第２貫通孔９３３Ｋが設けられ、第２貫通孔９３３Ｋ内には、電源電位とされるスルーホール導体９３１と信号スルーホール導体９３１Ｓが、接地プレーン層９３３と絶縁しつつ配置されている。
裏面側第１絶縁層９１７には、これを貫通しスルーホール導体９３１の一部または接地プレーン層９３３にそれぞれ接続する裏面側第１ビア導体９３５が多数形成されている。これらの裏面側第１ビア導体９３５には、電源電位や接地電位とされるビア導体と、信号スルーホール導体９３１Ｓに接続し、信号を伝送する裏面側第１信号ビア導体９３５Ｓがある。
【０００７】
裏面側第１絶縁層９１７の表面には、一端で裏面側第１信号ビア導体９３５Ｓの一部（主面側引き出し配線９２５に導通していないもの）にそれぞれ接続し、外周側に向かって延びる裏面側引き出し配線９３７が多数形成されている。
裏面側第２絶縁層９１８には、これを貫通し裏面側第１ビア導体９３５の一部または裏面側引き出し配線９３７の他端にそれぞれ接続する裏面側第２ビア導体９３９が多数形成されている。これらの裏面側第２ビア導体９３９には、電源電位や接地電位とされるビア導体と、裏面側第１信号ビア導体９３５Ｓまたは裏面側引き出し配線９３７の他端に接続し、信号を伝送する裏面側第２信号ビア導体９３９Ｓがある。
裏面側第２絶縁層９１８の表面には、マザーボードの端子に接続される裏面接続端子９４１が多数形成され、裏面側ソルダーレジスト層９１９の裏面側開口９１９Ｋ内にそれぞれ露出している。これらの裏面接続端子９４１には、電源電位や接地電位とされる端子と、裏面側第２信号ビア導体９３９Ｓに接続し、信号を伝送する信号裏面接続端子９４１Ｓがある。
【０００８】
以上の説明から明らかなように、この多層配線基板９０１は、ＩＣ接続端子９２１と裏面接続端子９４１がそれぞれ導通している。このため、マザーボードからＩＣチップＩＣ１に電源電位や接地電位を供給したり、マザーボードとＩＣチップＩＣ１との間で信号を伝送することができる。
信号を伝送する経路に着目すると、大きく分けて２つの経路がある。即ち、１つは、信号ＩＣ接続端子９２１Ｓから、主面側第２信号ビア導体９２３Ｓ、主面側引き出し配線９２５、主面側第１信号ビア導体９２７Ｓ、信号スルーホール導体９３１Ｓ、裏面側第１信号ビア導体９３５Ｓ、及び裏面側第２信号ビア導体９３９Ｓを介して、信号裏面接続端子９４１Ｓに至る経路である。もう一つは、信号ＩＣ接続端子９２１Ｓから、主面側第２信号ビア導体９２３Ｓ、主面側第１信号ビア導体９２７Ｓ、信号スルーホール導体９３１Ｓ、裏面側第１信号ビア導体９３５Ｓ、裏面側引き出し配線９３７、及び裏面側第２信号ビア導体９３９Ｓを介して、信号裏面接続端子９４１Ｓに至る経路である。つまり、この多層配線基板９０１では、信号配線は、コア基板９１１よりも基板主面９０２側にある主面側引き出し配線９２５か、あるいは、コア基板９１１よりも基板裏面９０３側にある裏面側引き出し配線９３７によって外周側に引き回されている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
このような多層配線基板９０１においては、近年、搭載するＩＣチップＩＣ１の高密度化に伴い、高密度化が進んでいる。具体的に言うと、ＩＣチップＩＣ１の端子が狭い間隔で配置されるようになってきたため、多層配線基板９０１のＩＣ接続端子９２１も同様に狭い間隔で配置される。その結果、ＩＣ接続端子９２１に接続する主面側第２ビア導体９２３やこれに接続する主面側第１ビア導体９２７も、ＩＣ接続端子９２１と同様に狭い間隔で配置される。また、主面側第１ビア導体９２７のうち、信号の伝送に係る主面側第１信号ビア導体９２７Ｓに接続する信号スルーホール導体９３１Ｓの一部も、ＩＣ接続端子９２１と同様に狭い間隔で配置される。
通常、スルーホール導体は、ビア導体に比してその径が大きいため、信号スルーホール導体９３１Ｓが狭い間隔で配置されると、隣り合う信号スルーホール導体９３１Ｓ間の絶縁ギャップが小さくなり、これらの信号スルーホール導体９３１Ｓの間でショートを生じる可能性が高くなる。このため、多層配線基板９０１の製造が困難になり、その歩留まりが低くなる。
【００１０】
本発明はかかる現状に鑑みてなされたものであって、フリップチップ型のＩＣチップが基板主面に搭載され、コア基板の基板裏面側で信号配線が外周側に引き出される多層配線基板について、信号が伝送される信号スルーホール導体の間隔を大きくとることができ、多層配線基板の歩留まりを向上させることができる多層配線基板を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段、作用及び効果】
その解決手段は、フリップチップ型のＩＣチップを搭載する基板主面と、基板裏面とを有し、コア基板と、上記コア基板の上記基板主面側に積層された１または複数の主面側絶縁層と、上記コア基板の上記基板裏面側に積層された１または複数の裏面側絶縁層と、を備える多層配線基板であって、上記主面側絶縁層の主面側最表面に第１所定間隔で略格子状に配置され、上記ＩＣチップの端子に接続されるＩＣ接続端子であって、信号を伝送する多数の信号ＩＣ接続端子を含む多数のＩＣ接続端子と、上記主面側絶縁層の層間及び主面側最表面の少なくともいずれかに形成され、一端で上記信号ＩＣ接続端子の一部にそれぞれ導通し、外周側に向かって延びる複数の主面側引き出し配線と、上記主面側絶縁層の少なくとも一層を貫通し、上記信号ＩＣ接続端子の残部のうち、上記第１所定間隔で隣り合って配置された複数の狭間隔信号ＩＣ接続端子にそれぞれ導通する複数の広間隔主面側信号ビア導体であって、上記第１所定間隔で互いに隣り合う任意の２つの上記狭間隔信号ＩＣ接続端子に導通する上記広間隔主面側信号ビア導体同士は、上記第１所定間隔よりも広い第２所定間隔で互いに隣り合って配置されている広間隔主面側信号ビア導体と、上記主面側絶縁層の層間または主面側最表面に形成され、一端で、上記狭間隔信号ＩＣ接続端子、または、上記狭間隔信号ＩＣ接続端子にそれぞれ導通し上記第１所定間隔で隣り合う複数のビア導体、にそれぞれ接続し、他端で上記広間隔主面側信号ビア導体にそれぞれ接続する複数の間隔変換配線と、上記コア基板を貫通し、上記広間隔主面側信号ビア導体にそれぞれ接続する複数の広間隔信号スルーホール導体と、上記裏面側絶縁層の少なくとも一層を貫通し、上記広間隔信号スルーホール導体にそれぞれ接続する複数の広間隔裏面側信号ビア導体と、上記裏面側絶縁層の層間及び裏面側最表面の少なくともいずれかに形成され、一端で上記広間隔裏面側信号ビア導体にそれぞれ接続し、外周側に向かって延びる複数の裏面側引き出し配線と、を備える多層配線基板である。
【００１２】
本発明によれば、信号ＩＣ接続端子から延びる信号配線の一部は、主面側引き出し配線によって、コア基板よりも基板主面側で外周側に引き出される。従って、このような信号配線については、コア基板に形成される信号スルーホール導体同士の間隔を大きくとることができる。
一方、信号ＩＣ接続端子の残部のうち、第１所定間隔で隣り合った狭間隔信号ＩＣ接続端子から延びる信号配線は、間隔変換配線により、主面側信号ビア導体の間隔が第１所定間隔から第２所定間隔へ広げられる。即ち、間隔変換配線によって、これに接続する主面側信号ビア導体が、第１所定間隔よりも広い第２所定間隔で並んだ広間隔主面側信号ビア導体となる。その後、信号配線は、コア基板の信号スルーホール導体を介して、裏面側引き出し配線により、コア基板よりも基板裏面側で外周側に引き出される。従って、このような信号配線についても、信号スルーホール導体の間隔を第２所定間隔に大きくとることができる。
このように信号スルーホール導体を間隔を広げて配置すると、隣り合う信号スルーホール導体間の絶縁ギャップを大きくとることができ、これらの信号スルーホール導体の間でショートが生じにくくなる。このため、多層配線基板の製造が容易となり、その歩留まりを向上させることできる。
さらに、本発明の多層配線基板では、信号配線をコア基板よりも基板主面側と基板裏面側に分けて引き出しているので、片側のみですべての信号配線を引き出すのに比べ、基板全体の絶縁層数を少なくし、基板を有効利用することができる。
なお、「接続する」とは、２つのものが直接接続することを指し、「導通する」とは、２つのものが電気的に繋がっている状態を指し、２つのものが直接接続する場合の他、２つのものが他のビア導体や他の配線など介して間接的に接続する場合も含まれる。
【００１３】
さらに、上記の多層配線基板であって、前記主面側引き出し配線に導通する前記一部の信号ＩＣ接続端子は、略格子状に配置された前記ＩＣ接続端子のうち、外周側の１または複数の列の中にそれぞれ配置され、前記間隔変換配線に導通する前記狭間隔信号ＩＣ接続端子は、上記外周側の１または複数列よりも１つ内側の列の中に配置されている多層配線基板とすると良い。
【００１４】
本発明によれば、主面側引き出し配線に導通する信号ＩＣ接続端子は、略格子状に配置されたＩＣ接続端子のうち、外周側の１または複数の列の中にそれぞれ配置されている。例えば、主面側引き出し配線に導通する信号ＩＣ接続端子が、ＩＣ接続端子のうち、外周側の１列目の中に配置されている場合や、外周側の２列目の中に配置されている場合、外周側の１列目と２列目の中にそれぞれ配置されている場合、外周側の２列目と３列目の中にそれぞれ配置されている場合などが挙げられる。このように外周側に信号ＩＣ接続端子が配置されていれば、主面側引き出し配線を容易に形成することができる。
また、間隔変換配線に導通する狭間隔信号ＩＣ接続端子は、外周側の１または複数列よりも１つ内側の列の中に配置されている。従って、コア基板よりも基板裏面側においては、これらに導通するビア導体（広間隔裏面側信号ビア導体）が外周側に配置されるので、裏面側引き出し配線を容易に形成することができる。
【００１５】
さらに、上記の多層配線基板であって、前記間隔変換配線は、前記一端から前記他端が外側に向かって延びる複数の外側向き間隔変換配線と、前記一端から前記他端が内側に向かって延びる複数の内側向き間隔変換配線とを有し、列の中に配置された前記狭間隔信号ＩＣ接続端子には、上記外側向き間隔変換配線と上記内側向き間隔変換配線とが交互に導通する多層配線基板とすると良い。
【００１６】
本発明によれば、間隔変換配線には、外側に向かって延びる外側向き配線と、内側に向かって延びる内側向き配線がある。そして、これらは、列に並んだ狭間隔ＩＣ接続端子に交互に導通している。このように列に並んだ狭間隔ＩＣ接続端子について、交互に外側向き配線と内側向き配線を形成すれば、容易に第１所定間隔を第２所定間隔まで広げることができる。
【００１７】
さらに、上記の多層配線基板であって、前記外側向き間隔変換配線と前記内側向き間隔変換配線とは、それぞれ自己が接続する前記狭間隔信号ＩＣ接続端子または前記ビア導体が含まれる格子の中心まで延び、これらの間隔変換配線に接続する前記広間隔主面側信号ビア導体は、それぞれ上記格子の中心に位置する多層配線基板とすると良い。
【００１８】
本発明によれば、外側向き間隔変換配線と内側向き間隔変換配線は、自己が接続する狭間隔信号ＩＣ接続端子またはビア導体が含まれる格子の中心まで延びている。そして、これらに接続する広間隔主面側信号ビア導体は、その格子の中心に位置する。このような外側向き間隔変換配線と内側向き間隔変換配線は、略格子状に並んだ信号ＩＣ接続端子またはビア導体の中に、容易に形成することができる上、広間隔主面側信号ビア導体の間隔（第２所定間隔）を第１所定間隔の√２倍にまで広げることができる。
【００１９】
また、他の解決手段は、フリップチップ型のＩＣチップを搭載する基板主面と、基板裏面とを有し、コア基板と、上記コア基板の上記基板主面側に積層された１または複数の主面側絶縁層と、上記コア基板の上記基板裏面側に積層された１または複数の裏面側絶縁層と、を備える多層配線基板であって、上記主面側絶縁層の主面側最表面に第１所定間隔で略格子状に配置され、上記ＩＣチップの端子に接続されるＩＣ接続端子であって、信号を伝送する多数の信号ＩＣ接続端子を含む多数のＩＣ接続端子と、上記主面側絶縁層の層間及び主面側最表面の少なくともいずれかに形成され、一端で上記信号ＩＣ接続端子の一部にそれぞれ導通し、外周側に向かって延びる複数の主面側引き出し配線と、上記主面側絶縁層を貫通し、上記信号ＩＣ接続端子の残部のうち、上記第１所定間隔で隣り合って配置された複数の狭間隔信号ＩＣ接続端子にそれぞれ導通する複数の広間隔主面側信号ビア導体であって、上記第１所定間隔で互いに隣り合う任意の２つの上記狭間隔信号ＩＣ接続端子に導通する上記広間隔主面側信号ビア導体同士は、上記第１所定間隔よりも広い第２所定間隔で互いに隣り合って配置されている広間隔主面側信号ビア導体と、上記主面側絶縁層の主面側最表面に形成され、一端で上記狭間隔信号ＩＣ接続端子にそれぞれ接続し、他端で上記広間隔主面側信号ビア導体にそれぞれ接続する複数の間隔変換配線と、上記コア基板を貫通し、上記広間隔主面側信号ビア導体にそれぞれ接続する複数の広間隔信号スルーホール導体と、上記裏面側絶縁層の少なくとも一層を貫通し、上記広間隔信号スルーホール導体にそれぞれ接続する複数の広間隔裏面側信号ビア導体と、上記裏面側絶縁層の層間及び裏面側最表面の少なくともいずれかに形成され、一端で上記広間隔裏面側信号ビア導体にそれぞれ接続し、外周側に向かって延びる複数の裏面側引き出し配線と、を備える多層配線基板である。
【００２０】
本発明によれば、信号ＩＣ接続端子から延びる信号配線の一部は、主面側引き出し配線によって、コア基板よりも基板主面側で外周側に引き出される。従って、このような信号配線については、信号スルーホール導体同士の間隔を大きくとることができる。
一方、信号ＩＣ接続端子の残部のうち、第１所定間隔で隣り合った狭間隔信号ＩＣ接続端子から延びる信号配線は、間隔変換配線により、主面側信号ビア導体（広間隔主面側信号ビア導体）の間隔が第１所定間隔から第２所定間隔へ広げられる。その後、信号配線は、コア基板の信号スルーホール導体を介して、裏面側引き出し配線により、コア基板よりも基板裏面側で外周側に引き出される。従って、このような信号配線についても、信号スルーホール導体の間隔を第２所定間隔に大きくとることができる。
このように信号スルーホール導体を間隔を広げて配置すると、隣り合う信号スルーホール導体間の絶縁ギャップを大きくとることができ、これらの信号スルーホール導体の間でショートが生じにくくなる。このため、多層配線基板の製造が容易となり、その歩留まりを向上させることできる。
さらに、本発明では、信号配線をコア基板よりも基板主面側と基板裏面側に分けて引き出しているので、片側のみですべての信号配線を引き出すのに比べ、基板全体の絶縁層数を少なくし、基板を有効利用することができる。
【００２１】
さらに、上記の多層配線基板であって、前記主面側引き出し配線に導通する前記一部の信号ＩＣ接続端子は、略格子状に配置された前記ＩＣ接続端子のうち、外周側の１または複数の列の中にそれぞれ配置され、前記間隔変換配線に接続する前記狭間隔信号ＩＣ接続端子は、上記外周側の１または複数列よりも１つ内側の列の中に配置されている多層配線基板とするのが好ましい。
【００２２】
本発明によれば、主面側引き出し配線に導通する信号ＩＣ接続端子は、略格子状に配置されたＩＣ接続端子のうち、外周側の１または複数の列の中にそれぞれ配置されている。このように外周側に信号ＩＣ接続端子が配置されていれば、主面側引き出し配線を容易に形成することができる。
また、間隔変換配線に導通する狭間隔信号ＩＣ接続端子は、外周側の１または複数列よりも１つ内側の列の中に配置されている。従って、コア基板よりも基板裏面側においては、これらに導通するビア導体（広間隔裏面側信号ビア導体）が外周側に配置されるので、裏面側引き出し配線を容易に形成することができる。
【００２３】
さらに、上記の多層配線基板であって、前記間隔変換配線は、前記一端から前記他端が外側に向かって延びる複数の外側向き間隔変換配線と、前記一端から前記他端が内側に向かって延びる複数の内側向き間隔変換配線とを有し、列の中に配置された前記狭間隔信号ＩＣ接続端子には、上記外側向き間隔変換配線と上記内側向き間隔変換配線とが交互に接続する多層配線基板とするのが好ましい。
【００２４】
本発明によれば、間隔変換配線には、外側に向かって延びる外側向き配線と、内側に向かって延びる内側向き配線がある。そして、これらは、列に並んだ狭間隔ＩＣ接続端子に交互に接続している。このように列に並んだ狭間隔ＩＣ接続端子について、交互に外側向き配線と内側向き配線を形成すれば、容易に第１所定間隔を第２所定間隔まで広げることができる。
【００２５】
さらに、上記の多層配線基板であって、前記外側向き間隔変換配線と前記内側向き間隔変換配線とは、それぞれ自己が接続する前記狭間隔信号ＩＣ接続端子が含まれる格子の中心まで延び、これらの間隔変換配線に接続する前記広間隔主面側信号ビア導体は、それぞれ上記格子の中心に位置する多層配線基板とするのが好ましい。
【００２６】
本発明によれば、外側向き間隔変換配線と内側向き間隔変換配線は、自己が接続する狭間隔信号ＩＣ接続端子が含まれる格子の中心まで延びている。そして、これらに接続する広間隔主面側信号ビア導体は、その格子の中心に位置する。このような外側向き間隔変換配線と内側向き間隔変換配線は、略格子状に並んだＩＣ接続端子中に、容易に形成することができる上、広間隔主面側信号ビア導体の間隔（第２所定間隔）を第１所定間隔の√２倍にまで広げることができる。
【００２７】
また、他の解決手段は、フリップチップ型のＩＣチップを搭載する基板主面と、基板裏面とを有し、コア基板と、上記コア基板の上記基板主面側に積層された１または複数の主面側第１絶縁層と、上記主面側第１絶縁層上に積層された１または複数の主面側第２絶縁層と、上記コア基板の上記基板裏面側に積層された１または複数の裏面側絶縁層と、を備える多層配線基板であって、上記主面側第２絶縁層の主面側最表面に第１所定間隔で略格子状に配置され、上記ＩＣチップの端子に接続されるＩＣ接続端子であって、信号を伝送する多数の信号ＩＣ接続端子を含む多数のＩＣ接続端子と、上記主面側第２絶縁層または上記主面側第１絶縁層の層間及び主面側最表面の少なくともいずれかに形成され、一端で上記信号ＩＣ接続端子の一部にそれぞれ導通し、外周側に向かって延びる複数の主面側引き出し配線と、上記主面側第２絶縁層を貫通し、上記信号ＩＣ接続端子の残部のうち、上記第１所定間隔で隣り合って配置された複数の狭間隔信号ＩＣ接続端子にそれぞれ接続する複数の狭間隔主面側第２信号ビア導体と、上記主面側第１絶縁層を貫通し、上記狭間隔主面側第２信号ビア導体にそれぞれ導通する複数の広間隔主面側第１信号ビア導体であって、上記第１所定間隔で互いに隣り合う任意の２つの上記狭間隔信号ＩＣ接続端子に導通する上記広間隔主面側第１信号ビア導体同士は、上記第１所定間隔よりも広い第２所定間隔で互いに隣り合って配置されている広間隔主面側第１信号ビア導体と、上記主面側第１絶縁層の主面側最表面に形成され、一端で上記狭間隔主面側第２信号ビア導体にそれぞれ接続し、他端で上記広間隔主面側第１信号ビア導体にそれぞれ接続する複数の間隔変換配線と、上記コア基板を貫通し、上記広間隔主面側第１信号ビア導体にそれぞれ接続する複数の広間隔信号スルーホール導体と、上記裏面側絶縁層の少なくとも一層を貫通し、上記広間隔信号スルーホール導体にそれぞれ接続する複数の広間隔裏面側信号ビア導体と、上記裏面側絶縁層の層間及び裏面側最表面の少なくともいずれかに形成され、一端で上記広間隔裏面側信号ビア導体にそれぞれ接続し、外周側に向かって延びる複数の裏面側引き出し配線と、を備える多層配線基板である。
【００２８】
本発明によれば、信号ＩＣ接続端子から延びる信号配線の一部は、主面側引き出し配線によって、コア基板よりも基板主面側で外周側に引き出される。従って、このような信号配線については、信号スルーホール導体同士の間隔を大きくとることができる。
一方、信号ＩＣ接続端子の残部のうち、第１所定間隔で隣り合った狭間隔信号ＩＣ接続端子から延びる信号配線は、間隔変換配線により、主面側第１信号ビア導体（広間隔主面側第１信号ビア導体）の間隔が第１所定間隔から第２所定間隔へ広げられる。その後、信号配線は、コア基板の信号スルーホール導体を介して、裏面側引き出し配線により、コア基板よりも基板裏面側で外周側に引き出される。従って、このような信号配線についても、信号スルーホール導体の間隔を第２所定間隔に大きくとることができる。
このように信号スルーホール導体を間隔を広げて配置すると、隣り合う信号スルーホール導体間の絶縁ギャップを大きくとることができ、これらの信号スルーホール導体の間でショートが生じにくくなる。このため、多層配線基板の製造が容易となり、その歩留まりを向上させることできる。
さらに、本発明では、信号配線をコア基板よりも基板主面側と基板裏面側に分けて引き出しているので、片側のみですべての信号配線を引き出すのに比べ、基板全体の絶縁層数を少なくし、基板を有効利用することができる。
【００２９】
さらに、上記の多層配線基板であって、前記主面側引き出し配線に導通する前記一部の信号ＩＣ接続端子は、略格子状に配置された前記ＩＣ接続端子のうち、外周側の１または複数の列の中にそれぞれ配置され、前記間隔変換配線に接続する前記狭間隔信号ＩＣ接続端子は、上記外周側の１または複数列よりも１つ内側の列の中に配置されている多層配線基板とするのが好ましい。
【００３０】
本発明によれば、主面側引き出し配線に導通する信号ＩＣ接続端子は、略格子状に配置されたＩＣ接続端子のうち、外周側の１または複数の列の中にそれぞれ配置されている。このように外周側に信号ＩＣ接続端子が配置されていれば、主面側引き出し配線を容易に形成することができる。
また、間隔変換配線に導通する狭間隔信号ＩＣ接続端子は、外周側の１または複数列よりも１つ内側の列の中に配置されている。従って、コア基板よりも基板裏面側においては、これらに導通するビア導体（広間隔裏面側信号ビア導体）が外周側に配置されるので、裏面側引き出し配線を容易に形成することができる。
【００３１】
さらに、上記の多層配線基板であって、前記間隔変換配線は、前記一端から前記他端が外側に向かって延びる複数の外側向き間隔変換配線と、前記一端から前記他端が内側に向かって延びる複数の内側向き間隔変換配線とを有し、列の中に配置された前記狭間隔信号ＩＣ接続端子には、上記外側向き間隔変換配線と上記内側向き間隔変換配線とが交互に導通する多層配線基板とするのが好ましい。
【００３２】
本発明によれば、間隔変換配線には、外側に向かって延びる外側向き配線と、内側に向かって延びる内側向き配線がある。そして、これらは、列に並んだ狭間隔ＩＣ接続端子に交互に導通している。このように列に並んだ狭間隔ＩＣ接続端子について、交互に外側向き配線と内側向き配線を形成すれば、容易に第１所定間隔を第２所定間隔まで広げることができる。
【００３３】
さらに、上記の多層配線基板であって、前記外側向き間隔変換配線と前記内側向き間隔変換配線とは、それぞれ自己が接続する前記狭間隔主面側第２信号ビア導体が含まれる格子の中心まで延び、これらの間隔変換配線に接続する前記広間隔主面側第１信号ビア導体は、それぞれ上記格子の中心に位置する多層配線基板とするのが好ましい。
【００３４】
本発明によれば、外側向き間隔変換配線と内側向き間隔変換配線は、自己が接続する狭間隔主面側第２信号導体が含まれる格子の中心まで延びている。そして、これらに接続する広間隔主面側第１信号ビア導体は、その格子の中心に位置する。このような外側向き間隔変換配線と内側向き間隔変換配線は、略格子状に並んだ主面側第２ビア導体の中に、容易に形成することができる上、広間隔主面側信号ビア導体の間隔（第２所定間隔）を第１所定間隔の√２倍にまで広げることができる。
【００３５】
また、他の解決手段は、フリップチップ型のＩＣチップを搭載する基板主面と、基板裏面とを有し、コア基板と、上記コア基板の上記基板主面側に積層された１または複数の主面側第１絶縁層と、上記主面側第１絶縁層上に積層された１または複数の主面側第２絶縁層と、上記コア基板の上記基板裏面側に積層された１または複数の裏面側絶縁層と、を備える多層配線基板であって、上記主面側第２絶縁層の主面側最表面に第１所定間隔で略格子状に配置され、上記ＩＣチップの端子に接続されるＩＣ接続端子であって、信号を伝送する多数の信号ＩＣ接続端子を含む多数のＩＣ接続端子と、上記主面側第２絶縁層または上記主面側第１絶縁層の層間及び主面側最表面の少なくともいずれかに形成され、一端で上記信号ＩＣ接続端子の一部にそれぞれ導通し、外周側に向かって延びる複数の主面側引き出し配線と、上記主面側第２絶縁層を貫通し、上記信号ＩＣ接続端子の残部のうち、上記第１所定間隔で隣り合って配置された複数の狭間隔信号ＩＣ接続端子にそれぞれ導通し、上記狭間隔信号ＩＣ接続端子からそれぞれ同じ方向に同じ距離だけ移動した複数の狭間隔主面側第２信号ビア導体と、上記主面側第２絶縁層の主面側最表面に形成され、一端で上記狭間隔信号ＩＣ接続端子にそれぞれ接続し、他端で上記狭間隔主面側第２信号ビア導体にそれぞれ接続する複数のシフト配線と、上記主面側第１絶縁層を貫通し、上記狭間隔主面側第２信号ビア導体にそれぞれ導通する複数の広間隔主面側第１信号ビア導体であって、上記第１所定間隔で互いに隣り合う任意の２つの上記狭間隔信号ＩＣ接続端子に導通する上記広間隔主面側第１信号ビア導体同士は、上記第１所定間隔よりも広い第２所定間隔で互いに隣り合って配置されている広間隔主面側第１信号ビア導体と、上記主面側第１絶縁層の主面側最表面に形成され、一端で上記狭間隔主面側第２信号ビア導体にそれぞれ接続し、他端で上記広間隔主面側第１信号ビア導体にそれぞれ接続する複数の間隔変換配線と、上記コア基板を貫通し、上記広間隔主面側第１信号ビア導体にそれぞれ接続する複数の広間隔信号スルーホール導体と、上記裏面側絶縁層の少なくとも一層を貫通し、上記広間隔信号スルーホール導体にそれぞれ接続する複数の広間隔裏面側信号ビア導体と、上記裏面側絶縁層の層間及び裏面側最表面の少なくともいずれかに形成され、一端で上記広間隔裏面側信号ビア導体にそれぞれ接続し、外周側に向かって延びる複数の裏面側引き出し配線と、を備える多層配線基板である。
【００３６】
本発明によれば、信号ＩＣ接続端子から延びる信号配線の一部は、主面側引き出し配線によって、コア基板よりも基板主面側で外周側に引き出される。従って、このような信号配線については、信号スルーホール導体同士の間隔を大きくとることができる。
一方、信号ＩＣ接続端子の残部のうち、第１所定間隔で隣り合った狭間隔信号ＩＣ接続端子から延びる信号配線は、間隔変換配線により、主面側第１信号ビア導体（広間隔主面側第１信号ビア導体）の間隔が第１所定間隔から第２所定間隔へ広げられる。その後、信号配線は、コア基板の信号スルーホール導体を介して、裏面側引き出し配線により、コア基板よりも基板裏面側で外周側に引き出される。従って、このような信号配線については、信号スルーホール導体の間隔を第２所定間隔に大きくとることができる。
このように信号スルーホール導体を間隔を広げて配置すると、隣り合う信号スルーホール導体間の絶縁ギャップを大きくとることができ、これらの信号スルーホール導体の間でショートが生じにくくなる。このため、多層配線基板の製造が容易となり、その歩留まりを向上させることできる。
さらに、本発明の多層配線基板では、信号配線をコア基板よりも基板主面側と基板裏面側に分けて引き出しているので、片側のみで信号配線を引き出すのに比べ、基板全体の絶縁層数を少なくし、基板を有効利用することができる。
【００３７】
さらに、上記の多層配線基板であって、前記主面側引き出し配線に導通する前記一部の信号ＩＣ接続端子は、略格子状に配置された前記ＩＣ接続端子のうち、外周側の１または複数の列の中にそれぞれ配置され、前記間隔変換配線に接続する前記狭間隔信号ＩＣ接続端子は、上記外周側の１または複数列よりも１つ内側の列の中に配置されている多層配線基板とするのが好ましい。
【００３８】
本発明によれば、主面側引き出し配線に導通する信号ＩＣ接続端子は、略格子状に配置されたＩＣ接続端子のうち、外周側の１または複数の列の中にそれぞれ配置されている。このように外周側に信号ＩＣ接続端子が配置されていれば、主面側引き出し配線を容易に形成することができる。
また、間隔変換配線に導通する狭間隔信号ＩＣ接続端子は、外周側の１または複数列よりも１つ内側の列の中に配置されている。従って、コア基板よりも基板裏面側においては、これらに導通するビア導体（広間隔裏面側信号ビア導体）が外周側に配置されるので、裏面側引き出し配線を容易に形成することができる。
【００３９】
さらに、上記の多層配線基板であって、前記間隔変換配線は、前記一端から前記他端が外側に向かって延びる複数の外側向き間隔変換配線と、前記一端から前記他端が内側に向かって延びる複数の内側向き間隔変換配線とを有し、列の中に配置された前記狭間隔信号ＩＣ接続端子には、上記外側向き間隔変換配線と上記内側向き間隔変換配線とが交互に導通する多層配線基板とするのが好ましい。
【００４０】
本発明によれば、間隔変換配線は、外側に向かって延びる外側向き配線と、内側に向かって延びる内側向き配線がある。そして、これらは、列に並んだ狭間隔ＩＣ接続端子に交互に導通している。このように列に並んだ狭間隔ＩＣ接続端子について、交互に外側向き配線と内側向き配線を形成すれば、容易に第１所定間隔を第２所定間隔まで広げることができる。
【００４１】
さらに、上記の多層配線基板であって、前記外側向き間隔変換配線と前記内側向き間隔変換配線とは、それぞれ自己が接続する前記狭間隔主面側第２信号ビア導体が含まれる格子の中心まで延び、これらの間隔変換配線に接続する前記広間隔主面側第１信号ビア導体は、それぞれ上記格子の中心に位置する多層配線基板とするのが好ましい。
【００４２】
本発明によれば、外側向き間隔変換配線と内側向き間隔変換配線は、自己が接続する狭間隔主面側第２信号ビア導体が含まれる格子の中心まで延びている。そして、これらに接続する広間隔主面側第１信号ビア導体は、その格子の中心に位置する。このような外側向き間隔変換配線と内側向き間隔変換配線は、略格子状に並んだ狭間隔主面側第２信号ビア導体の中に、容易に形成することができる上、広間隔主面側信号ビア導体の間隔（第２所定間隔）を第１所定間隔の√２倍にまで広げることができる。
【００４３】
【発明の実施の形態】
（実施形態１）
以下、本発明の実施の形態を、図面を参照しつつ説明する。
本実施形態１の多層配線基板１０１について、図１に簡略化した縦断面図を示す。また、図２に基板主面１０２側から見た平面図のうち略格子状に並んだＩＣ接続端子１２１の外周近傍の領域を示す。また、図３に図１におけるＡ−Ａ横断面のうち図２に対応した領域を、図４に図１におけるＢ−Ｂ横断面のうち図２に対応した領域を、図５に図１におけるＣ−Ｃ横断面のうち図２に対応した領域を、図６に図１におけるＤ−Ｄ横断面のうち図２に対応した領域を、図７に図１におけるＥ−Ｅ横断面のうち図２に対応した領域を、図８に図１におけるＦ−Ｆ横断面のうち図２に対応した領域を、図９に図１におけるＧ−Ｇ横断面のうち図２に対応した領域をそれぞれ示す。
【００４４】
この多層配線基板１０１は、ＩＣチップＩＣが搭載されると共にマザーボードに接続されるものであり、マザーボードからＩＣチップＩＣに電源電位や接地電位を供給したり、マザーボードとＩＣチップＩＣとの間で信号を伝送することができる。
多層配線基板１０１は、図１中に破線で示すＩＣチップＩＣを搭載する基板主面１０２と、図示しないマザーボードに接続される基板裏面１０３とを有する略矩形の略板形状である。多層配線基板１０１は、その中心にガラス−エポキシ樹脂からなる厚さ約８００μｍのコア基板１１１を備える。このコア基板１１１の基板主面１０２側には、エポキシ樹脂等からなる厚さ約３５μｍの主面側第１絶縁層１１３が積層され、その上には、同じくエポキシ樹脂等からなる厚さ約３５μｍの主面側第２絶縁層１１４が積層され、さらにその上には、同じくエポキシ樹脂等からなる厚さ約２５μｍの主面側ソルダーレジスト層１１５が積層されている。また同様に、コア基板１１１の基板裏面１０３側には、エポキシ樹脂等からなる厚さ約３５μｍの裏面側第１絶縁層１１７が積層され、その上には、同じくエポキシ樹脂等からなる厚さ約３５μｍの裏面側第２絶縁層１１８が積層され、さらにその上には、同じくエポキシ樹脂等からなる厚さ約２５μｍの裏面側ソルダーレジスト層１１９が積層されている。
【００４５】
基板内部の詳細を基板主面１０２側から基板裏面１０３側に向かって説明すると、主面側第２絶縁層１１４の表面には、図１〜図３に示すように、ＩＣチップＩＣの端子とそれぞれ接続されるＩＣ接続端子１２１が多数形成されている。具体的には、これらのＩＣ接続端子１２１は、基板主面１０２のうちＩＣチップＩＣを搭載する略中央のＩＣ搭載領域下に約２５０μｍの間隔（第１所定間隔）で略格子状に配置されている。ＩＣ接続端子１２１は、直径約１５０μｍの平面視円形状の略板形状をなすので、約１００μｍの間隙（絶縁ギャップ）を開けて配置されている。各々のＩＣ接続端子１２１は、その中央部が主面側ソルダーレジスト層１１５に形成された直径約１００μｍの主面側開口１１５Ｋ内に露出している。これらのＩＣ接続端子１２１には、電源電位や接地電位とされる端子と、信号を伝送する端子（信号ＩＣ接続端子１２１Ｓ）がある。
このうち信号ＩＣ接続端子１２１Ｓについて説明すると、信号ＩＣ接続端子１２１Ｓの大部分は、略格子状に配置されたＩＣ接続端子１２１のうち、外周側の３列にそれぞれ配置されている。また、残りのごく一部の信号ＩＣ接続端子１２１Ｓは、それよりも内側に点在している（図示しない）。外周側の３列をなす信号ＩＣ接続端子１２１Ｓは、第１所定間隔で隣り合って並んだ狭間隔信号ＩＣ接続端子１２１Ｓ１である。
【００４６】
また、主面側第２絶縁層１１４の表面には、図１及び図３に示すように、一端で信号ＩＣ接続端子１２１Ｓの一部にそれぞれ接続し、外周側に向かって延びる線幅約２５μｍの主面側引き出し配線１２２が多数形成されている。具体的には、これらの主面側引き出し配線１２２は、いずれも外周側の２列に配置された信号ＩＣ接続端子１２１Ｓ（狭間隔信号ＩＣ接続端子１２１Ｓ１）にそれぞれ接続している。
【００４７】
また、主面側第２絶縁層１１４の表面には、図１及び図３に示すように、主面側引き出し配線１２２に接続するＩＣ接続端子１２１を除いた残部のＩＣ接続端子１２１のうち、狭間隔信号ＩＣ接続端子１２１Ｓ１にそれぞれ一端で接続し、他端で後述する主面側信号ビア導体１２５Ｓ（広間隔主面側信号ビア導体１２５Ｓ１）にそれぞれ接続する線幅約２５μｍの間隔変換配線１２３が多数形成されている。即ち、これらの間隔変換配線１２３は、一端で、外周側から３列目に配置された狭間隔信号ＩＣ接続端子１２１Ｓ１にそれぞれ接続している。これらの間隔変換配線１２３には、一端から他端が外側に向かって延びる多数の外側向き間隔変換配線１２３Ｔと、一端から他端が内側に向かって延びる多数の内側向き間隔変換配線１２３Ｎがある。そして、これら外側向き間隔変換配線１２３Ｔと内側向き間隔変換配線１２３Ｎは、外周側から３列目に並んだ狭間隔信号ＩＣ接続端子１２１Ｓ１に交互に接続している。また、これら外側向き間隔変換配線１２３Ｔと内側向き間隔変換配線１２３Ｎは、それぞれ自己が接続する狭間隔信号ＩＣ接続端子１２１Ｓ１が含まれる格子の中心まで延び、これらの間隔変換配線１２３に他端で接続する後述する広間隔主面側信号ビア導体１２５Ｓ１が、それぞれその格子の中心に位置する。
【００４８】
さらに、主面側第２絶縁層１１４の表面には、図１及び図３に示すように、外周側の３列の除いた内側のＩＣ接続端子１２１にそれぞれ一端で接続し、内側に延び、後述する主面側ビア導体１２５にそれぞれ他端で接続する線幅約２５μｍのシフト配線１２４が多数形成されている。
【００４９】
主面側第２絶縁層１１４と主面側第１絶縁層１１３からなる主面側絶縁層には、図１及び図４に示すように、これらを貫通し、主面側引き出し配線１２２の他端、間隔変換配線１２３の他端、またはシフト配線１２４の他端にそれぞれ接続する直径約６５μｍのフィルドビア導体である主面側ビア導体１２５が多数形成されている。
主面側引き出し配線１２２に接続する主面側ビア導体１２５は、第１所定間隔や後述する第２所定間隔よりもさらに広い間隔で配置されている。これらの主面側ビア導体１２５は、いずれも信号を伝送するビア導体（主面側信号ビア導体１２５Ｓ）である。
【００５０】
また、間隔変換配線１２３に接続する主面側ビア導体１２５は、間隔変換配線１２３により間隔変換され、第１所定間隔よりも広い約３５０μｍの間隔（第２所定間隔）で配置された広間隔主面側信号ビア導体１２５Ｓ１である。これらの広間隔主面側信号ビア導体１２５Ｓ１は、いずれも信号を伝送するものであり、第１所定間隔で互いに隣り合う任意の２つの狭間隔信号ＩＣ接続端子１２１Ｓ１に導通する広間隔主面側信号ビア導体１２５Ｓ１同士が、第２所定間隔で互いに隣り合うようにして配置されている。
一方、シフト配線１２４にする接続する主面側ビア導体１２５は、ＩＣ接続端子１２１と同様に、第１所定間隔で配置されている。これらの主面側ビア導体１２５は、大部分が電源電位や接地電位とされるビア導体であり、ごく一部が信号を伝送するビア導体（主面側信号ビア導体１２５Ｓ）である。
【００５１】
主面側第１絶縁層１１３とコア基板１１１の層間には、図１及び図５に示すように、電源電位とされる主面側ビア導体１２５に接続し、電源電位とされる電源プレーン層１２９が略ベタ状に形成されている。電源プレーン層１２９には、直径約２７０μｍの第１貫通孔１２９Ｋが多数設けられ、第１貫通孔１２９Ｋ内には、接地電位とされる主面側ビア導体１２５と、広間隔主面側信号ビア導体１２５Ｓ１を含む主面側信号ビア導体１２５Ｓとが、電源プレーン層１２９と絶縁しつつ配置されている。
【００５２】
コア基板１１１には、図１及び図６に示すように、これを貫通し、電源プレーン層１２９または主面側ビア導体１２５の一部にそれぞれ接続する直径約１００μｍのスルーホール導体１３１が多数形成されている。これらのスルーホール導体１３１には、電源プレーン層１２９に接続し、電源電位とされるスルーホール導体と、接地電位とされる主面側ビア導体１２５に接続し、接地電位とされるスルーホール導体と、主面側信号ビア導体１２５Ｓに接続し、信号を伝送するスルーホール導体（信号スルーホール導体１３１Ｓ）がある。さらに、信号スルーホール導体１３１Ｓには、広間隔主面側信号ビア導体１２５Ｓ１に接続し、第２所定間隔で配置された広間隔信号スルーホール導体１３１Ｓ１と、点在する信号ＩＣ接続端子１２１Ｓに導通した主面側信号ビア導体１２５Ｓに接続する信号スルーホール導体と、主面側引き出し配線１２２に接続した主面側信号ビア導体１２５Ｓに接続する信号スルーホール導体がある。これらの信号スルーホール導体１３１Ｓは、いずれも広い間隔を開けて配置されている。
【００５３】
コア基板１１１と裏面側第１絶縁層１１７の層間には、図１及び図７に示すように、接地電位とされるスルーホール導体１３１に接続し、接地電位とされる接地プレーン層１３３が略ベタ状に形成されている。この接地プレーン層１３３には、直径約２７０μｍの第２貫通孔１３３Ｋが多数設けられ、第２貫通孔１３３Ｋ内には、電源電位とされるスルーホール導体１３１と信号スルーホール導体１３１Ｓが、接地プレーン層１３３と絶縁しつつ配置されている。
【００５４】
裏面側第１絶縁層１１７には、図１及び図８に示すように、これを貫通し、スルーホール導体１３１の一部または接地プレーン層１３３にそれぞれ接続する直径約６５μｍのフィルドビア導体である裏面側第１ビア導体１３５が多数形成されている。これらの裏面側第１ビア導体１３５には、電源電位とされるスルーホール導体１３１に接続し、電源電位とされるビア導体と、接地プレーン層１３３に接続し、接地電位とされるビア導体と、信号スルーホール導体１３１Ｓに接続し、信号を伝送するビア導体（裏面側第１信号ビア導体１３５Ｓ）がある。裏面側第１信号ビア導体１３５Ｓのうち、広間隔信号スルーホール導体１３１Ｓ１に接続するものは、第２所定間隔で配置された広間隔裏面側第１信号ビア導体１３５Ｓ１である。
【００５５】
裏面側第１絶縁層１１７と裏面側第２絶縁層１１８の層間、即ち、裏面側第１絶縁層１１７の表面には、図１及び図９に示すように、一端で裏面側第１信号ビア導体１３５Ｓの一部にそれぞれ接続し、外周側に向かって延びる線幅約２５μｍの裏面側引き出し配線１３７が多数形成されている。具体的には、これらの裏面側引き出し配線１３７は、主面側引き出し配線１２２により引き出されていない裏面側第１信号ビア導体１３５Ｓ、即ち、広間隔裏面側第１信号ビア導体１３５Ｓ１と、ＩＣ接続端子１２１中に点在した信号ＩＣ接続端子１２１Ｓに導通するごく一部の裏面側第１信号ビア導体１３５Ｓにそれぞれ接続している。
【００５６】
裏面側第２絶縁層１１８には、図１に示すように、これを貫通し、裏面側第１ビア導体１３５の一部または裏面側引き出し配線１３７の他端にそれぞれ接続する直径約６５μｍのフィルドビア導体である裏面側第２ビア導体１３９が多数形成されている。これらの裏面側第２ビア導体１３９には、電源電位や接地電位とされる裏面側第１ビア導体１３５に接続し、電源電位や接地電位とされるビア導体と、裏面側第１信号ビア導体１３５Ｓまたは裏面側引き出し配線１３７の他端に接続し、信号を伝送するビア導体（裏面側第２信号ビア導体１３９Ｓ）がある。
【００５７】
裏面側第２絶縁層１１８の表面には、図１に示すように、マザーボードの端子にそれぞれ接続される裏面接続端子１４１が多数形成されている。具体的には、裏面接続端子１４１は、表面全体に約１０００μｍの間隔で略格子状に配置されている。各々の裏面接続端子１４１は、直径約７００μｍの平面視円形状の略板形状をなし、その中央部が裏面側ソルダーレジスト層１１９に形成された直径約５５０μｍの裏面側開口１１９Ｋ内に露出している。裏面接続端子１４１には、電源電位や接地電位とされる裏面側第２ビア導体１３９に接続し、電源電位や接地電位とされる端子と、裏面側第２信号ビア導体１３９Ｓに接続し、信号を伝送する端子（信号裏面接続端子１４１Ｓ）がある。
【００５８】
以上の説明から明らかなように、この多層配線基板１０１は、ＩＣ接続端子１２１と裏面接続端子１４１がそれぞれ導通している。
信号を伝送する経路に着目すると、大きく分けて３つの経路がある。即ち、１つは、外周側の２列に配置された信号ＩＣ接続端子１２１Ｓ（狭間隔信号ＩＣ接続端子１２１Ｓ１）から、主面側引き出し配線１２２、主面側信号ビア導体１２５Ｓ、信号スルーホール導体１３１Ｓ、裏面側第１信号ビア導体１３５Ｓ、及び、裏面側第２信号ビア導体１３９Ｓを介して、信号裏面接続端子１４１Ｓに至る経路である。
【００５９】
また１つは、外周側から３列目に配置された信号ＩＣ接続端子１２１Ｓ（狭間隔信号ＩＣ接続端子１２１Ｓ１）から、間隔変換配線１２３、主面側信号ビア導体１２５Ｓ（広間隔主面側信号ビア導体１２５Ｓ１）、信号スルーホール導体１３１Ｓ（広間隔信号スルーホール導体１３１Ｓ１）、裏面側第１信号ビア導体１３５Ｓ（広間隔裏面側第１信号ビア導体１３５Ｓ１）、裏面側引き出し配線１３７、及び、裏面側第２信号ビア導体１３９Ｓを介して、信号裏面接続端子１４１Ｓに至る経路である。
もう一つは、内側に点在する信号ＩＣ接続端子１２１から、シフト配線１２４、主面側信号ビア導体１２５Ｓ、信号スルーホール導体１３１Ｓ、裏面側第１信号ビア導体１３５Ｓ、裏面側引き出し配線１３７、及び、裏面側第２信号ビア導体１３９Ｓを介して、信号裏面接続端子１４１Ｓに至る経路である。
【００６０】
つまり、本実施形態１の多層配線基板１０１では、信号配線は、コア基板１１１よりも基板主面１０２側にある主面側引き出し配線１２２により外周側に引き回されるか、間隔変換配線１２３を介して、コア基板１１１よりも基板裏面１０３側にある裏面側引き出し配線１３７によって外周側に引き回されるか、あるいは、シフト配線１２４を介して、裏面側引き出し配線１３７により外周側に引き回される。
【００６１】
このような多層配線基板１０１は、上記のように、信号ＩＣ接続端子１２１Ｓから延びる信号配線の一部が、主面側引き出し配線１２２によって、コア基板１１１よりも基板主面１０２側で外周側に引き出される。従って、このような信号配線については、信号スルーホール導体１３１Ｓ同士の間隔を大きくとることができる。
一方、信号ＩＣ接続端子１２１Ｓの残部のうち、第１所定間隔で隣り合った狭間隔信号ＩＣ接続端子１２１Ｓ１から延びる信号配線は、間隔変換配線１２３により、主面側信号ビア導体１２５Ｓの間隔が第１所定間隔から第２所定間隔へ広げられる。即ち、間隔変換配線１２３によって、これに接続する主面側信号ビア導体１２５Ｓが、第１所定間隔よりも広い第２所定間隔で並んだ広間隔主面側信号ビア導体１２５Ｓ１となる。その後、信号配線は、コア基板１１１の信号スルーホール導体１３１Ｓを介して、裏面側引き出し配線１３７により、コア基板１１１よりも基板裏面１０３側で外周側に引き出される。従って、このような信号配線についても、信号スルーホール導体１３１Ｓの間隔を第２所定間隔に大きくとることができる。
【００６２】
このように信号スルーホール導体１３１Ｓを間隔を広げて配置すると、隣り合う信号スルーホール導体１３１Ｓ間の絶縁ギャップを大きくとることができ、これらの信号スルーホール導体１３１Ｓの間でショートが生じにくくなる。このため、多層配線基板１０１の製造が容易となり、その歩留まりを向上させることできる。
さらに、この多層配線基板１０１では、信号配線をコア基板１１１よりも基板主面１０２側と基板裏面１０３側に分けて引き出しているので、片側のみですべての信号配線を引き出すのに比べ、基板全体の絶縁層数を少なくし、基板を有効利用することができる。
【００６３】
さらに、本実施形態１では、主面側引き出し配線１２２に導通する信号ＩＣ接続端子１２１Ｓは、略格子状に配置されたＩＣ接続端子１２１のうち、外周側の２列にそれぞれ配置されている。このように外周側に信号ＩＣ接続端子１２１Ｓが配置されていれば、主面側引き出し配線１２２を、図３に示したように容易に形成することができる。
また、間隔変換配線１２３に導通する狭間隔信号ＩＣ接続端子１２１Ｓ１は、外周側から３列目に配置されている。従って、コア基板１１１よりも基板裏面１０３側においては、これらに導通するビア導体（広間隔裏面側信号ビア導体１３５Ｓ１）が外周側に配置されるので、裏面側引き出し配線１３７を、図９に示したように容易に形成することができる。
【００６４】
また、本実施形態１では、間隔変換配線１２３は、外側に向かって延びる外側向き配線１２３Ｔと、内側に向かって延びる内側向き配線１２３Ｎがある。そして、これらは、列に並んだ狭間隔ＩＣ接続端子１２１Ｓ１に交互に接続している。このように列に並んだ狭間隔ＩＣ接続端子１２１Ｓ１について、交互に外側向き間隔変換配線１２３Ｔと内側向き間隔変換配線１２３Ｎを形成すれば、容易に間隔を広げることができる。
しかも、外側向き間隔変換配線１２３Ｔと内側向き間隔変換配線１２３Ｎは、自己が接続する狭間隔信号ＩＣ接続端子１２１Ｓ１が含まれる格子の中心まで延びている。そして、これらに接続する広間隔主面側信号ビア導体１２５Ｓ１は、その格子の中心に位置する。このような外側向き間隔変換配線１２３Ｔと内側向き間隔変換配線１２３Ｎは、図３に示したように、格子状に並んだＩＣ接続端子１２１の中に容易に形成することができる上、広間隔主面側信号ビア導体１２５Ｓ１の間隔（第２所定間隔）を第１所定間隔の√２倍にまで広げることができる。
【００６５】
（実施形態２）
次いで、第２の実施の形態について説明する。なお、上記実施形態１と同様な部分の説明は、省略または簡略化する。
本実施形態２の多層配線基板２０１について、図１０に簡略化した縦断面図を示す。また、図２に基板主面１０２側から見た平面のうち、略格子状に並んだＩＣ接続端子１２１の外周近傍の領域を示す。また、図１１に図１０におけるＡ−Ａ横断面のうち図２に対応した領域を、図１２に図１０におけるＢ−Ｂ横断面のうち図２に対応した領域を、図１３に図１０におけるＣ−Ｃ横断面のうち図２に対応した領域を、図１４に図１０におけるＤ−Ｄ横断面のうち図２に対応した領域を、図６に図１０におけるＥ−Ｅ横断面のうち図２に対応した領域を、図７に図１０におけるＦ−Ｆ横断面のうち図２に対応した領域を、図８に図１０におけるＧ−Ｇ横断面のうち図２に対応した領域を、図９に図１０におけるＨ−Ｈ横断面のうち図２に対応した領域をそれぞれ示す。
【００６６】
この多層配線基板２０１は、上記実施形態１と同様に、基板主面１０２と基板裏面１０３を有し、コア基板１１１と、主面側第１絶縁層１１３、主面側第２絶縁層１１４及び主面側ソルダーレジスト層１１５と、裏面側第１絶縁層１１７、裏面側第２絶縁層１１８及び裏面側ソルダーレジスト層１１９とを備える。
基板内部を基板主面１０２側から基板裏面１０３側に向かって説明すると、主面側第２絶縁層１１４の表面には、上記実施形態１と同様に、ＩＣチップＩＣの端子と接続されるＩＣ接続端子１２１が形成されている（図２、図１０及び図１１参照）。
【００６７】
主面側第２絶縁層１１４には、図１０及び図１２に示すように、これを貫通し、ＩＣ接続端子１２１にそれぞれ接続する直径約６５μｍのフィルドビア導体である主面側第２ビア導体２２３が、第１所定間隔（約２５０μｍ）で平面視略格子状に形成されている。これらの主面側第２ビア導体２２３には、電源電位や接地電位とされるＩＣ接続端子１２１に接続し、電源電位や接地電位とされるビア導体と、信号ＩＣ接続端子１２１Ｓに接続し、信号を伝送するビア導体（主面側第２信号ビア導体２２３Ｓ）がある。さらに、主面側第２信号ビア導体２２３Ｓのうち、狭間隔信号ＩＣ接続端子１２１Ｓ１に接続するものは、第１所定間隔で隣り合って並んだ狭間隔主面側第２信号ビア導体２２３Ｓ１である。
【００６８】
主面側第２絶縁層１１４と主面側第１絶縁層１１３の層間、即ち、主面側第１絶縁層１１３の表面には、図１０及び図１２に示すように、一端で主面側第２信号ビア導体２２３Ｓの一部にそれぞれ接続し、外周側に向かって延びる主面側引き出し配線２２５が多数形成されている。具体的には、これらの主面側引き出し配線２２５は、いずれも外周側の２列に配置された信号ＩＣ接続端子１２１Ｓ（狭間隔信号ＩＣ接続端子１２１Ｓ１）に接続した主面側第２信号ビア導体２２３Ｓ（狭間隔主面側第２信号ビア導体２２３Ｓ１）にそれぞれ接続している。
【００６９】
また、主面側第１絶縁層１１３の表面には、主面側引き出し配線２２５に接続する信号ＩＣ接続端子１２１Ｓを除いた残部の信号ＩＣ接続端子１２１Ｓのうち、狭間隔信号ＩＣ接続端子１２１Ｓ１に接続した狭間隔主面側第２信号ビア導体２２３Ｓ１にそれぞれ一端で接続し、他端で後述する主面側第１信号ビア導体２２８Ｓ（広間隔主面側第１信号ビア導体２２８Ｓ１）にそれぞれ接続する間隔変換配線２２６が多数形成されている。即ち、これらの間隔変換配線２２６は、一端で、外周側から３列目に配置された狭間隔信号ＩＣ接続端子１２１Ｓ１にそれぞれ導通している。これらの間隔変換配線２２６には、一端から他端が外側に向かって延びる多数の外側向き間隔変換配線２２６Ｔと、一端から他端が内側に向かって延びる多数の内側向き間隔変換配線２２６Ｎがある。そして、これら外側向き間隔変換配線２２６Ｔと内側向き間隔変換配線２２６Ｎは、外周側から３列目に並んだ狭間隔信号ＩＣ接続端子１２１Ｓ１に交互に導通している。また、これら外側向き間隔変換配線２２６Ｔと内側向き間隔変換配線２２６Ｎは、それぞれ自己が接続する狭間隔主面側第２信号ビア導体２２３Ｓ１が含まれる格子の中心まで延び、これらの間隔変換配線２２６に他端で接続する後述する広間隔主面側第１信号ビア導体２２８Ｓ１が、それぞれその格子の中心に位置する。
【００７０】
さらに、主面側第１絶縁層１１３の表面には、外周側の３列の除いた内側のＩＣ接続端子１２１に接続した主面側第２ビア導体２２３にそれぞれ一端で接続し、内側に延び、後述する主面側第１ビア導体２２８にそれぞれ他端で接続するシフト配線２２７が多数形成されている。
【００７１】
主面側第１絶縁層１１３には、図１０及び図１３に示すように、これを貫通し、主面側引き出し配線２２５の他端、間隔変換配線２２６の他端、またはシフト配線２２７の他端にそれぞれ接続する直径約６５μｍのフィルドビア導体である主面側第１ビア導体２２８が多数形成されている。
主面側引き出し配線２２５に接続する主面側第１ビア導体２２８は、第１所定間隔や後述する第２所定間隔よりもさらに広い間隔で配置されている。これらの主面側第１ビア導体２２８は、いずれも信号を伝送するビア導体（主面側第１信号ビア導体２２８Ｓ）である。
【００７２】
また、間隔変換配線２２６に接続する主面側第１ビア導体２２８は、間隔変換配線２２６により間隔変換され、第１所定間隔よりも広い約３５０μｍの間隔（第２所定間隔）で配置された広間隔主面側第１信号ビア導体２２８Ｓ１である。これらの広間隔主面側信号ビア導体２２８Ｓ１は、いずれも信号を伝送するものであり、第１所定間隔で互いに隣り合う任意の２つの狭間隔信号ＩＣ接続端子１２１Ｓ１に導通する広間隔主面側信号ビア導体２２８Ｓ１同士が、第２所定間隔で互いに隣り合うようにして配置されている。
一方、シフト配線２２７にする接続する主面側第１ビア導体２２８は、ＩＣ接続端子１２１や主面側第２ビア導体２２３と同様に、第１所定間隔で配置されている。これらの主面側第１ビア導体２２８は、大部分が電源電位や接地電位とされるビア導体であり、ごく一部が信号を伝送するビア導体（主面側第１信号ビア導体２２８Ｓ）である。
【００７３】
主面側第１絶縁層１１３とコア基板１１１の層間には、図１０及び図１４に示すように、電源電位とされる主面側第１ビア導体２２８に接続し、電源電位とされる電源プレーン層１２９が、上記実施形態１と同様に、略ベタ状に形成されている。電源プレーン層１２９に設けられた第１貫通孔１２９Ｋ内には、接地電位とされる主面側第１ビア導体２２８と、広間隔主面側第１信号ビア導体２２８Ｓ１を含む主面側第１信号ビア導体２２８Ｓとが、電源プレーン層１２９と絶縁しつつ配置されている。
【００７４】
これより基板裏面１０３側は、上記実施形態１と同様である。即ち、コア基板１１１には、スルーホール導体１３１が多数形成されている（図６及び図１０参照）。また、コア基板１１１と裏面側第１絶縁層１１７の層間には、接地電位とされる接地プレーン層１３３が略ベタ状に形成されている（図７及び図１０参照）。また、裏面側第１絶縁層１１７には、裏面側第１ビア導体１３５が多数形成されている（図８及び図１０参照）。また、裏面側第１絶縁層１１７と裏面側第２絶縁層１１８の層間には、裏面側引き出し配線１３７が多数形成されている（図９及び図１０参照）。また、裏面側第２絶縁層１１８には、裏面側第２ビア導体１３９が多数形成されている（図１０参照）。また、裏面側第２絶縁層１１８の表面には、マザーボードの端子にそれぞれ接続される裏面接続端子１４１が多数形成されている（図１０参照）。
【００７５】
以上の説明から明らかなように、この多層配線基板２０１も、ＩＣ接続端子１２１と裏面接続端子１４１がそれぞれ導通している。
信号を伝送する経路に着目すると、大きく分けて３つの経路がある。即ち、１つは、外周側の２列に配置された信号ＩＣ接続端子１２１Ｓ（狭間隔信号ＩＣ接続端子１２１Ｓ１）から、主面側第２信号ビア導体２２３Ｓ、主面側引き出し配線２２５、主面側第１信号ビア導体２２８Ｓ、信号スルーホール導体１３１Ｓ、裏面側第１信号ビア導体１３５Ｓ、及び、裏面側第２信号ビア導体１３９Ｓを介して、信号裏面接続端子１４１Ｓに至る経路である。
【００７６】
また１つは、外周側から３列目に配置された信号ＩＣ接続端子１２１Ｓ（狭間隔信号ＩＣ接続端子１２１Ｓ１）から、主面側第２信号ビア導体２２３Ｓ（狭間隔主面側第２信号ビア導体２２３Ｓ１）、間隔変換配線２２６、主面側第１信号ビア導体２２８Ｓ（広間隔主面側第１信号ビア導体２２８Ｓ１）、信号スルーホール導体１３１Ｓ（広間隔信号スルーホール導体１３１Ｓ１）、裏面側第１信号ビア導体１３５Ｓ（広間隔裏面側第１信号ビア導体１３５Ｓ１）、裏面側引き出し配線１３７、及び、裏面側第２信号ビア導体１３９Ｓを介して、信号裏面接続端子１４１Ｓに至る経路である。
【００７７】
もう一つは、内側に点在する信号ＩＣ接続端子１２１から、主面側第２信号ビア導体２２３Ｓ、シフト配線２２７、主面側第１信号ビア導体２２８Ｓ、信号スルーホール導体１３１Ｓ、裏面側第１信号ビア導体１３５Ｓ、裏面側引き出し配線１３７、及び、裏面側第２信号ビア導体１３９Ｓを介して、信号裏面接続端子１４１Ｓに至る経路である。
つまり、本実施形態２の多層配線基板２０１も、信号配線は、コア基板１１１よりも基板主面１０２側にある主面側引き出し配線２２５により外周側に引き回されるか、間隔変換配線２２６を介して、コア基板１１１よりも基板裏面１０３側にある裏面側引き出し配線１３７によって外周側に引き回されるか、あるいは、シフト配線２２７を介して、裏面側引き出し配線１３７により外周側に引き回される。
【００７８】
このような多層配線基板２０１も、上記のように、信号ＩＣ接続端子１２１Ｓから延びる信号配線の一部は、主面側引き出し配線２２５によって、コア基板１１１よりも基板主面１０２側で外周側に引き出される。従って、このような信号配線については、信号スルーホール導体１３１Ｓ同士の間隔を大きくとることができる。
一方、信号ＩＣ接続端子１２１Ｓの残部のうち、第１所定間隔で隣り合った狭間隔信号ＩＣ接続端子１２１Ｓ１から延びる信号配線は、間隔変換配線２２６により、主面側第１信号ビア導体２２８Ｓの間隔が第１所定間隔から第２所定間隔へ広げられる。即ち、間隔変換配線２２６によって、これに接続する主面側第１信号ビア導体２２８Ｓが、第１所定間隔よりも広い第２所定間隔で並んだ広間隔主面側第１信号ビア導体２２８Ｓ１となる。その後、信号配線は、コア基板１１１の信号スルーホール導体１３１Ｓを介して、裏面側引き出し配線１３７により、コア基板１１１よりも基板裏面１０３側で外周側に引き出される。従って、このような信号配線についても、信号スルーホール導体１３１Ｓの間隔を第２所定間隔に大きくとることができる。
【００７９】
このように信号スルーホール導体１３１Ｓを間隔を広げて配置すると、隣り合う信号スルーホール導体１３１Ｓ間の絶縁ギャップを大きくとることができ、これらの信号スルーホール導体１３１Ｓの間でショートが生じにくくなる。このため、多層配線基板２０１の製造が容易となり、その歩留まりを向上させることできる。
さらに、この多層配線基板２０１では、信号配線をコア基板１１１よりも基板主面１０２側と基板裏面１０３側に分けて引き出しているので、片側のみで信号配線を引き出すのに比べ、基板全体の絶縁層数を少なくし、基板を有効利用することができる。
【００８０】
さらに、本実施形態２では、主面側引き出し配線２２５に導通する一部の信号ＩＣ接続端子１２１Ｓは、略格子状に配置されたＩＣ接続端子１２１のうち、外周側の２列にそれぞれ配置されている。このように外周側に信号ＩＣ接続端子１２１Ｓが配置されていれば、主面側引き出し配線２２５を、図１２に示したように容易に形成することができる。
また、間隔変換配線２２６に導通する狭間隔信号ＩＣ接続端子１２１Ｓ１は、外周側から３列目に配置されている。従って、コア基板１１１よりも基板裏面１０３側においては、これらに導通するビア導体（広間隔裏面側第１信号ビア導体１３５Ｓ１）が外周側に配置されるので、裏面側引き出し配線１３７を、図９に示したように容易に形成することができる。
【００８１】
また、本実施形態２では、間隔変換配線２２６は、外側に向かって延びる外側向き配線２２６Ｔと、内側に向かって延びる内側向き配線２２６Ｎがある。そして、これらは、列に並んだ狭間隔ＩＣ接続端子１２１Ｓ１に交互に接続している。このように列に並んだ狭間隔ＩＣ接続端子１２１Ｓ１について、交互に外側向き間隔変換配線２２６Ｔと内側向き間隔変換配線２２６Ｎを形成すれば、容易に間隔を広げることができる。
しかも、外側向き間隔変換配線２２６Ｔと内側向き間隔変換配線２２６Ｎは、自己が接続する狭間隔主面側第２信号ビア導体２２３Ｓ１が含まれる格子の中心まで延びている。そして、これらに接続する広間隔主面側第１信号ビア導体２２８Ｓ１は、その格子の中心に位置する。このような外側向き間隔変換配線２２６Ｔと内側向き間隔変換配線２２６Ｎは、図１２に示したように、格子状に並んだ主面側第２ビア導体２２３の中に容易に形成することができる上、広間隔主面側第１信号ビア導体２２８Ｓ１の間隔（第２所定間隔）を第１所定間隔の√２倍にまで広げることができる。
【００８２】
（実施形態３）
次いで、第３の実施の形態について説明する。なお、上記実施形態１または２と同様な部分の説明は、省略または簡略化する。
本実施形態３の多層配線基板３０１について、図１５に簡略化した縦断面図を示す。また、図２に基板主面１０２側から見た平面のうち、略格子状に並んだＩＣ接続端子１２１の外周近傍の領域を示す。また、図１６に図１５におけるＡ−Ａ横断面のうち図２に対応した領域を、図１７に図１５におけるＢ−Ｂ横断面のうち図２に対応した領域を、図１８に図１５におけるＣ−Ｃ横断面のうち図２に対応した領域を、図１９に図１５におけるＤ−Ｄ横断面のうち図２に対応した領域を、図６に図１５におけるＥ−Ｅ横断面のうち図２に対応した領域を、図７に図１５におけるＦ−Ｆ横断面のうち図２に対応した領域を、図８に図１５におけるＧ−Ｇ横断面のうち図２に対応した領域を、図９に図１５におけるＨ−Ｈ横断面のうち図２に対応した領域をそれぞれ示す。
【００８３】
この多層配線基板３０１は、上記実施形態１，２と同様に、基板主面１０２と基板裏面１０３を有し、コア基板１１１と、主面側第１絶縁層１１３、主面側第２絶縁層１１４及び主面側ソルダーレジスト層１１５と、裏面側第１絶縁層１１７、裏面側第２絶縁層１１８及び裏面側ソルダーレジスト層１１９とを備える。基板内部の詳細を基板主面１０２側から基板裏面１０３側に向かって説明すると、主面側第２絶縁層１１４の表面には、上記実施形態１，２と同様に、ＩＣ接続端子１２１が多数形成されている（図２、図１５及び図１６参照）。
また、主面側第２絶縁層１１４の表面には、一端でＩＣ接続端子１２１にそれぞれ接続し、互いに平行に同じ長さ延び、他端で後述する主面側第２ビア導体３２３にそれぞれ接続する第１シフト配線３２２が多数形成されている。
【００８４】
主面側第２絶縁層１１４には、図１５及び図１６に示すように、これを貫通し、第１シフト配線３２２の他端にそれぞれ接続する主面側第２ビア導体３２３が、第１所定間隔（約２５０μｍ）で平面視略格子状に形成されている。これらの主面側第２ビア導体３２３は、ＩＣ接続端子１２１からそれぞれ同じ方向に同じ距離だけ移動した位置に配置されている。これらの主面側第２ビア導体３２３には、電源電位や接地電位とされるＩＣ接続端子１２１に導通し、電源電位や接地電位とされるビア導体と、信号ＩＣ接続端子１２１Ｓに導通し、信号を伝送するビア導体（主面側第２信号ビア導体３２３Ｓ）がある。さらに、主面側第２信号ビア導体３２３Ｓのうち、狭間隔信号ＩＣ接続端子１２１Ｓ１に導通するものは、第１所定間隔で隣り合って並んだ狭間隔主面側第２信号ビア導体３２３Ｓ１である。
【００８５】
主面側第２絶縁層１１４と主面側第１絶縁層１１３の層間、即ち、主面側第１絶縁層１１３の表面には、図１５及び図１７に示すように、一端で主面側第２信号ビア導体３２３Ｓの一部にそれぞれ接続し、外周側に向かって延びる主面側引き出し配線３２５が多数形成されている。具体的には、これらの主面側引き出し配線３２５は、いずれも外周側の２列に配置された信号ＩＣ接続端子１２１Ｓ（狭間隔信号ＩＣ接続端子１２１Ｓ１）にそれぞれ導通している。
【００８６】
またさらに、主面側第１絶縁層１１３の表面には、主面側引き出し配線３２５に導通するＩＣ接続端子１２１を除いた残部のＩＣ接続端子１２１のうち、狭間隔信号ＩＣ接続端子１２１Ｓ１に導通した狭間隔主面側第２信号ビア導体３２３Ｓ１にそれぞれ一端で接続し、他端で後述する主面側第１信号ビア導体３２８Ｓ（広間隔主面側第１信号ビア導体３２８Ｓ１）にそれぞれ接続する間隔変換配線３２６が多数形成されている。即ち、これらの間隔変換配線３２６は、一端で、外周側から３列目に配置された狭間隔信号ＩＣ接続端子１２１Ｓ１にそれぞれ導通している。これらの間隔変換配線３２６には、一端から他端が外側に向かって延びる多数の外側向き間隔変換配線３２６Ｔと、一端から他端が内側に向かって延びる多数の内側向き間隔変換配線３２６Ｎがある。そして、これら外側向き間隔変換配線３２６Ｔと内側向き間隔変換配線３２６Ｎは、外周側から３列目に並んだ狭間隔信号ＩＣ接続端子１２１Ｓ１に交互に導通している。また、これら外側向き間隔変換配線３２６Ｔと内側向き間隔変換配線３２６Ｎは、それぞれ自己が接続する狭間隔主面側第２信号ビア導体３２３Ｓ１が含まれる格子の中心まで延び、これらの間隔変換配線３２６に他端で接続する後述する広間隔主面側第１信号ビア導体３２８Ｓ１が、それぞれその格子の中心に位置する。
【００８７】
さらに、主面側第１絶縁層１１３の表面には、外周側の３列の除いた内側のＩＣ接続端子１２１に接続した主面側第２ビア導体３２３にそれぞれ一端で接続し、内側に延び、後述する主面側第１ビア導体３２８にそれぞれ他端で接続する第２シフト配線３２７が多数形成されている。
【００８８】
主面側第１絶縁層１１３には、図１５及び図１８に示すように、これを貫通し、主面側引き出し配線３２５の他端、間隔変換配線３２６の他端、またはシフト配線３２７の他端にそれぞれ接続する直径約６５μｍのフィルドビア導体である主面側第１ビア導体３２８が多数形成されている。
主面側引き出し配線３２５に接続する主面側第１ビア導体３２８は、第１所定間隔や後述する第２所定間隔よりも広い間隔で配置されている。これらの主面側第１ビア導体３２８は、いずれも信号を伝送するビア導体（主面側第１信号ビア導体３２８Ｓ）である。
【００８９】
また、間隔変換配線３２６に接続する主面側第１ビア導体３２８は、間隔変換配線３２６により間隔変換され、第１所定間隔よりも広い約３５０μｍの間隔（第２所定間隔）で配置された広間隔主面側第１信号ビア導体３２８Ｓ１である。これらの広間隔主面側第１信号ビア導体３２８Ｓ１は、いずれも信号を伝送するものであり、第１所定間隔で互いに隣り合う任意の２つの狭間隔信号ＩＣ接続端子１２１Ｓ１に導通する広間隔主面側第１信号ビア導体３２８Ｓ１同士が、第２所定間隔で互いに隣り合うようにして配置されている。
一方、第２シフト配線３２７にする接続する主面側第１ビア導体３２８は、ＩＣ接続端子１２１や主面側第２ビア導体３２３と同様に、第１所定間隔で配置されている。これらの主面側第１ビア導体３２８は、大部分が電源電位や接地電位とされるビア導体であり、ごく一部が信号を伝送するビア導体（主面側第１信号ビア導体３２８Ｓ）である。
【００９０】
主面側第１絶縁層１１３とコア基板１１１の層間には、図１５及び図１９に示すように、電源電位とされる主面側第１ビア導体３２８に接続し、電源電位とされる電源プレーン層１２９が、上記実施形態１，２と同様に、略ベタ状に形成されている。電源プレーン層１２９に設けられた第１貫通孔１２９Ｋ内には、接地電位とされる主面側第１ビア導体３２８と、広間隔主面側第１信号ビア導体３２８Ｓ１を含む主面側第１信号ビア導体３２８Ｓとが、電源プレーン層１２９と絶縁しつつ配置されている。
【００９１】
これより基板裏面１０３側は、上記実施形態１，２と同様である。即ち、コア基板１１１には、スルーホール導体１３１が多数形成されている（図６及び図１５参照）。また、コア基板１１１と裏面側第１絶縁層１１７の層間には、接地電位とされる接地プレーン層１３３が略ベタ状に形成されている（図７及び図１５参照）。また、裏面側第１絶縁層１１７には、裏面側第１ビア導体１３５が多数形成されている（図８及び図１５参照）。また、裏面側第１絶縁層１１７と裏面側第２絶縁層１１８の層間には、裏面側引き出し配線１３７が多数形成されている（図９及び図１５参照）。また、裏面側第２絶縁層１１８には、裏面側第２ビア導体１３９が多数形成されている（図１５参照）。また、裏面側第２絶縁層１１８の表面には、裏面接続端子１４１が多数形成されている（図１５参照）。
【００９２】
以上の説明から明らかなように、この多層配線基板３０１も、ＩＣ接続端子１２１と裏面接続端子１４１がそれぞれ導通している。
信号を伝送する経路に着目すると、大きく分けて３つの経路がある。即ち、１つは、外周側の２列に配置された信号ＩＣ接続端子１２１Ｓ（狭間隔信号ＩＣ接続端子１２１Ｓ１）から、第１シフト配線３２２、主面側第２信号ビア導体３２３Ｓ、主面側引き出し配線３２５、主面側第１信号ビア導体３２８Ｓ、信号スルーホール導体１３１Ｓ、裏面側第１信号ビア導体１３５Ｓ、及び、裏面側第２信号ビア導体１３９Ｓを介して、信号裏面接続端子１４１Ｓに至る経路である。
【００９３】
また１つは、外周側から３列目に配置された信号ＩＣ接続端子１２１Ｓ（狭間隔信号ＩＣ接続端子１２１Ｓ１）から、第１シフト配線３２２、主面側第２信号ビア導体３２３Ｓ（狭間隔主面側第２信号ビア導体３２３Ｓ１）、間隔変換配線３２６、主面側第１信号ビア導体３２８Ｓ（広間隔主面側第１信号ビア導体３２８Ｓ１）、信号スルーホール導体１３１Ｓ（広間隔信号スルーホール導体１３１Ｓ１）、裏面側第１信号ビア導体１３５Ｓ（広間隔裏面側第１信号ビア導体１３５Ｓ１）、裏面側引き出し配線１３７、及び、裏面側第２信号ビア導体１３９Ｓを介して、信号裏面接続端子１４１Ｓに至る経路である。
【００９４】
もう一つは、内側に点在する信号ＩＣ接続端子１２１から、第１シフト配線３２２、主面側第２信号ビア導体３２３Ｓ、第２シフト配線３２７、主面側第１信号ビア導体３２８Ｓ、信号スルーホール導体１３１Ｓ、裏面側第１信号ビア導体１３５Ｓ、裏面側引き出し配線１３７、及び、裏面側第２信号ビア導体１３９Ｓを介して、信号裏面接続端子１４１Ｓに至る経路である。
つまり、本実施形態３の多層配線基板３０１も、信号配線は、コア基板１１１よりも基板主面１０２側にある主面側引き出し配線３２５により外周側に引き回されるか、間隔変換配線３２６を介して、コア基板１１１よりも基板裏面１０３側にある裏面側引き出し配線１３７によって外周側に引き回されるか、あるいは、シフト配線３２７を介して、裏面側引き出し配線１３７により外周側に引き回される。
【００９５】
このような多層配線基板３０１も、上記のように、信号ＩＣ接続端子１２１Ｓから延びる信号配線の一部は、主面側引き出し配線３２５によって、コア基板１１１よりも基板主面１０２側で外周側に引き出される。従って、このような信号配線については、信号スルーホール導体１３１Ｓ同士の間隔を大きくとることができる。
一方、信号ＩＣ接続端子１２１Ｓの残部のうち、第１所定間隔で隣り合った狭間隔信号ＩＣ接続端子１２１Ｓ１から延びる信号配線は、間隔変換配線３２６により、主面側第１信号ビア導体３２８Ｓの間隔が第１所定間隔から第２所定間隔へ広げられる。即ち、間隔変換配線３２６によって、これに接続する主面側第１信号ビア導体３２８Ｓが、第１所定間隔よりも広い第２所定間隔で並んだ広間隔主面側第１信号ビア導体３２８Ｓ１となる。その後、信号配線は、コア基板１１１の信号スルーホール導体１３１Ｓを介して、裏面側引き出し配線１３７により、コア基板１１１よりも基板裏面１０３側で外周側に引き出される。従って、このような信号配線についても、信号スルーホール導体１３１Ｓの間隔を第２所定間隔に大きくとることができる。
【００９６】
このように信号スルーホール導体１３１Ｓを間隔を広げて配置すると、隣り合う信号スルーホール導体１３１Ｓ間の絶縁ギャップを大きくとることができ、これらの信号スルーホール導体１３１Ｓの間でショートが生じにくくなる。このため、多層配線基板３０１の製造が容易となり、その歩留まりを向上させることできる。
さらに、この多層配線基板３０１では、信号配線をコア基板１１１よりも基板主面１０２側と基板裏面１０３側に分けて引き出しているので、片側のみですべての信号配線を引き出すのに比べ、基板全体の絶縁層数を少なくし、基板を有効利用することができる。
【００９７】
さらに、本実施形態３でも、主面側引き出し配線３２５に導通する信号ＩＣ接続端子１２１Ｓは、略格子状に配置されたＩＣ接続端子１２１のうち、外周側の２列にそれぞれ配置されている。このように外周側に信号ＩＣ接続端子１２１Ｓが配置されていれば、主面側引き出し配線３２５を、図１７に示したように容易に形成することができる。
また、間隔変換配線３２６に導通する狭間隔信号ＩＣ接続端子１２１Ｓ１は、外周側から３列目に配置されている。従って、コア基板１１１よりも基板裏面１０３側においては、これらに導通するビア導体（広間隔裏面側第１信号ビア導体１３５Ｓ１）が外周側に配置されるので、裏面側引き出し配線１３７を図９に示したように容易に形成することができる。
【００９８】
また、本実施形態３でも、間隔変換配線３２６は、外側に向かって延びる外側向き配線３２６Ｔと、内側に向かって延びる内側向き配線３２６Ｎがある。そして、これらは、列に並んだ狭間隔ＩＣ接続端子１２１Ｓ１に交互に接続している。このように列に並んだ狭間隔ＩＣ接続端子１２１Ｓ１について、交互に外側向き間隔変換配線３２６Ｔと内側向き間隔変換配線３２６Ｎを形成すれば、容易に間隔を広げることができる。
しかも、外側向き間隔変換配線３２６Ｔと内側向き間隔変換配線３２６Ｎは、自己が接続する狭間隔主面側第２信号ビア導体３２３Ｓ１が含まれる格子の中心まで延びている。そして、これらに接続する広間隔主面側第１信号ビア導体３２８Ｓ１は、その格子の中心に位置する。このような外側向き間隔変換配線３２６Ｔと内側向き間隔変換配線３２６Ｎは、図１７に示したように、格子状に並んだ主面側第２信号ビア導体３２３Ｓ１の中に容易に形成することができる上、広間隔主面側第１信号ビア導体３２８Ｓ１の間隔（第２所定間隔）を第１所定間隔の√２倍にまで広げることができる。
【００９９】
以上において、本発明を実施形態に即して説明したが、本発明は上記各実施形態１〜３に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で、適宜変更して適用できることはいうまでもない。
例えば、上記各実施形態１〜３では、間隔変換配線１２３，２２６，３２６と主面側引き出し配線１２２，２２５，３２５を同一平面に形成しているが、これらを別々に異なる面に形成しても良い。また、主面側引き出し配線１２２等を複数の異なる面に分けて形成しても良い。
また、上記各実施形態１〜３では、裏面引き出し配線１３７が裏面側第１絶縁層１３７の表面にのみ形成しているが、複数の異なる面に分けて形成しても良い。
また、上記各実施形態１〜３では、一層からなるコア基板１１１を例示したが、複数層からなるコア基板を用いることもできる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施形態１に係る多層配線基板の簡略化した縦断面図である。
【図２】実施形態１に係る多層配線基板の基板主面側から見た平面図のうち、略格子状に並んだＩＣ接続端子の外周近傍の領域を示す部分拡大平面図である。
【図３】実施形態１に係る多層配線基板について、図１におけるＡ−Ａ横断面のうち、図２に対応した領域を示す部分拡大横断面図である。
【図４】実施形態１に係る多層配線基板について、図１におけるＢ−Ｂ横断面のうち、図２に対応した領域を示す部分拡大横断面図である。
【図５】実施形態１に係る多層配線基板について、図１におけるＣ−Ｃ横断面のうち、図２に対応した領域を示す部分拡大横断面図である。
【図６】実施形態１に係る多層配線基板について、図１におけるＤ−Ｄ横断面のうち、図２に対応した領域を示す部分拡大横断面図である。
【図７】実施形態１に係る多層配線基板について、図１におけるＥ−Ｅ横断面のうち、図２に対応した領域を示す部分拡大横断面図である。
【図８】実施形態１に係る多層配線基板について、図１におけるＦ−Ｆ横断面のうち、図２に対応した領域を示す部分拡大横断面図である。
【図９】実施形態１に係る多層配線基板について、図１におけるＧ−Ｇ横断面のうち、図２に対応した領域を示す部分拡大横断面図である。
【図１０】実施形態２に係る多層配線基板の簡略化した縦断面図である。
【図１１】実施形態２に係る多層配線基板について、図１０におけるＡ−Ａ横断面のうち、図２に対応した領域を示す部分拡大横断面図である。
【図１２】実施形態２に係る多層配線基板について、図１０におけるＢ−Ｂ横断面のうち、図２に対応した領域を示す部分拡大横断面図である。
【図１３】実施形態２に係る多層配線基板について、図１０におけるＣ−Ｃ横断面のうち、図２に対応した領域を示す部分拡大横断面図である。
【図１４】実施形態２に係る多層配線基板について、図１０におけるＤ−Ｄ横断面のうち、図２に対応した領域を示す部分拡大横断面図である。
【図１５】実施形態３に係る多層配線基板の簡略化した縦断面図である。
【図１６】実施形態３に係る多層配線基板について、図１５におけるＡ−Ａ横断面のうち、図２に対応した領域を示す部分拡大横断面図である。
【図１７】実施形態３に係る多層配線基板について、図１５におけるＢ−Ｂ横断面のうち、図２に対応した領域を示す部分拡大横断面図である。
【図１８】実施形態３に係る多層配線基板について、図１５におけるＣ−Ｃ横断面のうち、図２に対応した領域を示す部分拡大横断面図である。
【図１９】実施形態３に係る多層配線基板について、図１５におけるＤ−Ｄ横断面のうち、図２に対応した領域を示す部分拡大横断面図である。
【図２０】従来技術に係る多層配線基板の簡略化した縦断面図である。
【符号の説明】
１０１，２０１，３０１    多層配線基板
１０２    基板主面
１０３    基板裏面
１１１    コア基板
１１３    主面側第１絶縁層
１１４    主面側第２絶縁層
１１７    裏面側第１絶縁層
１１８    裏面側第２絶縁層
１２１    ＩＣ接続端子
１２１Ｓ    信号ＩＣ接続端子
１２１Ｓ１    狭間隔信号ＩＣ接続端子
１２２，２２５，３２５    主面側引き出し配線
１２３，２２６，３２６    間隔変換配線
１２５Ｓ１    広間隔主面側信号ビア導体
１３１Ｓ１    広間隔信号スルーホール導体
１３５Ｓ１    広間隔裏面側信号ビア導体
１３７    裏面側引き出し配線
１４１    裏面接続端子
２２３Ｓ１，３２３Ｓ１    狭間隔主面側第１信号ビア導体
２２８Ｓ１，３２８Ｓ１    広間隔主面側第２信号ビア導体
３２２    第１シフト配線
【図１】
0003872712.tif 000002
【図２】
0003872712.tif 000003
【図３】
0003872712.tif 000004
【図４】
0003872712.tif 000005
【図５】
0003872712.tif 000006
【図６】
0003872712.tif 000007
【図７】
0003872712.tif 000008
【図８】
0003872712.tif 000009
【図９】
0003872712.tif 000010
【図１０】
0003872712.tif 000011
【図１１】
0003872712.tif 000012
【図１２】
0003872712.tif 000013
【図１３】
0003872712.tif 000014
【図１４】
0003872712.tif 000015
【図１５】
0003872712.tif 000016
【図１６】
0003872712.tif 000017
【図１７】
0003872712.tif 000018
【図１８】
0003872712.tif 000019
【図１９】
0003872712.tif 000020
【図２０】
0003872712.tif 000021