(57)【要約】【課題】絶縁樹脂層に埋設された半導体素子接続パッドと半導体素子の電極端子との間の電気的な接続が良好な配線基板およびその製造方法を提供すること。【解決手段】複数の絶縁樹脂層１ａ〜１ｄが上下に積層されて成る絶縁基体１と、最上層の絶縁樹脂層１ａの上面側に埋設されており、半導体素子Ｓの電極端子Ｔと接続される接続面が絶縁樹脂層１ａ上面から突出している、めっき導体層４ａ，４ｂから成る半導体素子接続パッド４と、絶縁基体１の下面に被着されており、絶縁基体１の内部に設けた配線導体２を介して半導体素子接続パッド４に電気的に接続されている外部接続パッド５と、を具備して成る配線基板１０である【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の絶縁樹脂層が上下に積層されて成る絶縁基体と、最上層の前記絶縁樹脂層の上面側に埋設されており、半導体素子の電極端子と接続される接続面が前記上面から突出している、めっき導体層から成る半導体素子接続パッドと、前記絶縁基体の下面に被着されており、前記絶縁基体の内部に設けた配線導体を介して前記半導体素子接続パッドに電気的に接続されている外部接続パッドと、を具備して成ることを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記接続面が、凸状の曲面であることを特徴とする請求項１記載の配線基板。
【請求項３】
前記曲面の曲率半径が前記半導体素子接続パッドの幅の０．５〜３倍であることを特徴とする請求項２記載の配線基板。
【請求項４】
平坦な支持基板上に金属箔を分離可能に支持する工程と、前記金属箔上に半導体素子接続パッドとなる第１のめっき導体層を所定パターンに形成する工程と、前記金属箔上および前記第１のめっき導体層上に最上層の絶縁樹脂層となる第１の絶縁樹脂層を積層するとともに、該第１の絶縁樹脂層上に、前記第１のめっき導体層に電気的に接続された配線導体を形成する工程と、前記第１の絶縁樹脂層上および前記配線導体上に次層の絶縁樹脂層を積層するとともに、該次層の絶縁樹脂層上に、前記配線導体に電気的に接続された次層の配線導体を形成する工程と、前記次層の絶縁樹脂層上および次層の配線導体上に、さらに次層の絶縁樹脂層の積層および次層の配線導体の形成を必要に応じて複数回繰り返す工程と、最後に積層された前記絶縁樹脂層上に、前記第１のめっき導体に前記配線導体を介して電気的に接続された外部接続パッドを形成する工程と、前記金属箔と前記支持基板とを分離して前記金属箔を露出させる工程と、エッチングにより、前記金属箔を除去するとともに前記第１のめっき導体層の表面を前記第１の絶縁樹脂層の表面から凹こます工程と、前記第１のめっき導体層の表面に、前記第１の絶縁樹脂層の表面から突出する厚みの第２のめっき導体層を形成し、該第２のめっき導体層と前記第１のめっき導体層とから成る半導体素子接続パッドを形成する工程と、を行うことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項５】
前記第２のめっき導体層を、該第２のめっき導体層の表面が凸状の曲面となるように形成することを特徴とする請求項４記載の配線基板の製造方法。
【請求項６】
前記曲面の曲率半径を、前記半導体素子接続パッドの幅の０．５〜３倍とすることを特徴とする請求項５記載の配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子を搭載するために用いられる配線基板およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
図４に、半導体素子Ｓを搭載するための従来の配線基板２０の例を示す。従来の配線基板２０は、絶縁基体１１と配線導体１２とを備えている。絶縁基体１１は、複数の絶縁樹脂層１１ａ〜１１ｄが上下に積層されて成る。各絶縁樹脂層１１ａ〜１１ｂには、ビアホール１３が形成されている。配線導体１２は、絶縁樹脂層１１ａ〜１１ｄの表面およびビアホール１３内に形成されている。これにより、上下の配線導体１２同士がビアホール１３を介して電気的に接続されている。絶縁基体１１の上面には、多数の半導体素子接続パッド１４が形成されている。絶縁基体１１の下面には、多数の外部接続パッド１５が形成されている。半導体素子接続パッド１４と外部接続パッド１５とは、配線導体１２を介して互いに電気的に接続されている。配線導体１２、半導体素子接続パッド１４および外部接続パッド１５は、めっき導体層により形成されている。半導体素子接続パッド１４には、半導体素子Ｓの電極端子Ｔが半田を介して接続される。外部接続パッド１５は、外部電気回路基板の配線導体に接続される。
【０００３】
この配線基板２０は、以下のようにして製造される。先ず、図５（ａ）に示すように、平坦な支持基板３１上に金属箔３２を支持させる。支持基板３１と金属箔３２とは、間に介在層３３を挟んで積層されている。支持基板３１と介在層３３の間は、互いに固着している。金属箔３２と介在層３３との間は、図示しない粘着層を介して互いに剥離可能に密着している。支持基板３１と金属箔３２との間は固着している。支持基板３１は、ガラスクロス入りの熱硬化性樹脂から成る。金属箔３２は、銅箔から成る。介在層３３は、銅箔や樹脂フィルムから成る。
【０００４】
次に、図５（ｂ）に示すように、金属箔３２上にめっき導体層１４ａを形成する。めっき導体層１４ａは、半導体素子接続パッド１４となるものである。めっき導体層１４ａは、電解銅めっきから成る。
【０００５】
次に、図５（ｃ）に示すように、金属箔３２上およびめっき導体層１４ａ上に、第１の絶縁樹脂層１１ａと配線導体１２とを形成する。絶縁樹脂層１１ａには、めっき導体層１４ａに接続するためのビアホール１３が形成されている。このビアホール１３を介してめっき導体層１４ａと配線導体１２とが互いに電気的に接続される。
【０００６】
次に、図５（ｄ）に示すように、絶縁樹脂層１１ａおよびその上の配線導体１２上に、次層の絶縁樹脂層１１ｂおよび配線導体１２の形成と、さらに次層の絶縁樹脂層１１ｃおよび配線導体１２の形成を行う。絶縁樹脂層１１ｂ、１１ｃにも、それぞれビアホール１３が形成されている。このビアホール１３を介して上下の配線導体１２同士が電気的に接続されている。
【０００７】
次に、図５（ｅ）に示すように、最後の絶縁樹脂層１１ｄを積層するとともに、絶縁樹脂層１１ｄ上に外部接続パッド１５を形成する。外部接続パッド１５は、配線導体１２の一部から成る。絶縁樹脂層１１ｄにも、ビアホール１３が形成されている。このビアホール１３を介して外部接続パッド１５がその下の配線導体１２に電気的に接続される。これにより外部接続パッド１５が配線導体１２を介してめっき導体層１４ａに電気的に接続される。
【０００８】
次に、図６（ｆ）に示すように、金属箔３２と支持基板３１とが固着された領域に対応する部分を切り落とす。これにより、金属箔３２と介在層３３とが剥離可能に密着された領域に対応する部分のみが残る。
【０００９】
次に、図６（ｇ）に示すように、金属箔３２と介在層３３との間を剥離して金属箔３２と支持基板３１とを分離する。これにより、金属箔３２が外部に露出する。
【００１０】
最後に、図６（ｈ）に示すように、露出した金属箔３２をエッチング除去する。これにより絶縁樹脂層１１ａに埋設されためっき導体層１４ａが外部に露出する。露出しためっき導体層１４ａは、半導体素子接続パッド１４となる。このとき、めっき導体層１４ａも、２〜３μｍ程度エッチングされる。そのため、半導体素子接続パッド１４の露出面は、絶縁樹脂層１１ａの表面から２〜３μｍ程度凹んだものとなる。
【００１１】
しかしながら、従来の配線基板２０では、上述したように、半導体素子接続パッド１４が絶縁樹脂層１１ａの表面から２〜３μｍ程度凹んだものとなる。そのため、半導体素子接続パッド１４と半導体素子Ｓの電極端子Ｔとの間に電気的な接続不良が発生しやすくなる。これは、絶縁樹脂層１１ａの表面から凹んで位置する半導体素子接続パッド１４と、半導体素子Ｓの電極端子Ｔとの良好な接触が凹みにより阻害されることに起因する。
【００１２】
なお、半導体素子接続パッドを絶縁樹脂層に埋設せずに、絶縁樹脂層の表面に単に突設した配線基板もあるが、この場合、特に半導体素子接続パッドが小さい場合、半導体素子接続パッドが絶縁樹脂層から剥離しやすくなる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１３】
【特許文献１】特開２００７−３００１４７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
本発明が解決しようとする課題は、絶縁樹脂層に埋設された半導体素子接続パッドと半導体素子の電極端子との間の電気的な接続が良好な配線基板およびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明の配線基板は、複数の絶縁樹脂層が上下に積層されて成る絶縁基体と、最上層の前記絶縁樹脂層の上面側に埋設されており、半導体素子の電極端子と接続される接続面が前記上面から突出している、めっき導体層から成る半導体素子接続パッドと、前記絶縁基体の下面に被着されており、前記絶縁基体の内部に設けた配線導体を介して前記半導体素子接続パッドに電気的に接続されている外部接続パッドと、を具備して成ることを特徴とするものである。
【００１６】
本発明の配線基板の製造方法は、平坦な支持基板上に金属箔を分離可能に支持する工程と、前記金属箔上に半導体素子接続パッドとなる第１のめっき導体層を所定パターンに形成する工程と、前記金属箔上および前記第１のめっき導体層上に最上層の絶縁樹脂層となる第１の絶縁樹脂層を積層するとともに、該第１の絶縁樹脂層上に、前記第１のめっき導体層に電気的に接続された配線導体を形成する工程と、前記第１の絶縁樹脂層上および前記配線導体上に次層の絶縁樹脂層を積層するとともに、該次層の絶縁樹脂層上に、前記配線導体に電気的に接続された次層の配線導体を形成する工程と、前記次層の絶縁樹脂層上および次層の配線導体上に、さらに次層の絶縁樹脂層の積層および次層の配線導体の形成を必要に応じて複数回繰り返す工程と、最後に積層された前記絶縁樹脂層上に、前記第１のめっき導体に前記配線導体を介して電気的に接続された外部接続パッドを形成する工程と、前記金属箔と前記支持基板とを分離して前記金属箔を露出させる工程と、エッチングにより、前記金属箔を除去するとともに前記第１のめっき導体層の表面を前記第１の絶縁樹脂層の表面から凹こます工程と、前記第１のめっき導体層の表面に、前記第１の絶縁樹脂層の表面から突出する厚みの第２のめっき導体層を形成し、該第２のめっき導体層と前記第１のめっき導体層とから成る半導体素子接続パッドを形成する工程と、を行うことを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１７】
本発明の配線基板によれば、最上層の絶縁樹脂層に埋設された半導体素子接続パッドは、半導体素子と接続される接続面が最上層の絶縁樹脂層の表面から突出していることから、半導体素子接続パッドが最上層の絶縁樹脂層から剥離しにくいとともに、半導体素子接続パッドと半導体素子の電極端子との電気的な接続を良好なものとすることができる。
【００１８】
また、本発明の配線基板の製造方法によれば、エッチングにより金属箔を除去する際に、第１のめっき導体層を第１の絶縁樹脂層の表面から凹ませ、次にこの第１のめっき導体層の表面に第１の絶縁樹脂層の表面から突出する厚みの第２のめっき導体層を形成し、それにより第１のめっき導体層と第２のめっき導体層とから成る半導体素子接続パッドを形成することから、半導体素子接続パッドが最上層の絶縁樹脂層である第１の絶縁樹脂層に埋設されているとともに、半導体素子の電極端子との接続面が第１の絶縁樹脂層から突出した配線基板を極めて容易に提供することができる。それにより、半導体素子接続パッドが第１の絶縁樹脂層から剥離しにくいとともに、半導体素子接続パッドと半導体素子の電極端子との電気的な接続を良好なものとすることが可能な配線基板を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】図１は、本発明の配線基板の実施形態例を示す概略断面図である。
【図２】図２は、本発明の配線基板の製造方法の実施形態例を説明するための工程毎の概略断面図である。
【図３】図３は、本発明の配線基板の製造方法の実施形態例を説明するための工程毎の概略断面図である。
【図４】図４は、従来の配線基板を示す概略断面図である。
【図５】図５は、従来の配線基板の製造方法を説明するための工程毎の概略断面図である。
【図６】図６は、従来の配線基板の製造方法を説明するための工程毎の概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
次に、本発明の配線基板の実施形態例について、図１を基に説明する。図１に示すように、配線基板１０は、絶縁基体１と配線導体２とを備えている。また、絶縁基体１の上面には、多数の半導体素子接続パッド４が形成されている。さらに、絶縁基体１の下面には、多数の外部接続パッド５が形成されている。
【００２１】
絶縁基体１は、複数の絶縁樹脂層１ａ〜１ｄが上下に積層されて成る。各絶縁樹脂層１ａ〜１ｄは、例えばガラスクロス基材に熱硬化性樹脂を含浸塗布させた電気絶縁材料から成る。熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂、ポリイミド樹脂等が用いられる。各絶縁樹脂層１ａ〜１ｄの厚みは、それぞれ５０〜２００μｍ程度である。各絶縁樹脂層１ａ〜１ｄには、それぞれにビアホール３が形成されている。ビアホール３の直径は、３０〜１００μｍ程度である。
【００２２】
配線導体２は、各絶縁樹脂層１ａ〜１ｄの表面およびビアホール３内に被着形成されている。絶縁樹脂層１ａ〜１ｄを挟んで上下に位置する配線導体２同士は、ビアホール３を介して互いに電気的に接続されている。配線導体２は、主として銅めっき層から成る。配線導体２の厚みは、５〜２０μｍ程度である。
【００２３】
半導体素子接続パッド４は、多数個が格子状に配列されている。半導体素子接続パッド４の上面には、半導体素子Ｓの電極端子Ｔが接続される。半導体素子接続パッド4は、平面視で円形である。半導体素子接続パッド４の直径は、３０〜１００μｍ程度である。半導体素子接続パッド４は、最上層の絶縁樹脂層１ａの上面側に埋設されている。埋設された深さは、５〜２０μｍ程度である。半導体素子接続パッド４の上面は、絶縁樹脂層１ａの上面から突出している。突出する高さは１〜２０μｍ程度である。半導体素子接続パッド４は、第１のめっき導体層４ａと第２のめっき導体層４ｂとから成る。第１のめっき導体層４ａは、絶縁樹脂層１ａ内に完全に埋没している。第２のめっき導体層４ｂは、下面側が絶縁樹脂層１ａ内に埋没しており、上面側が絶縁樹脂層１ａから突出している。第１のめっき導体層４ａおよび第２のめっき導体層４ｂの厚みは、それぞれ２〜２０μｍ程度である。これらのめっき導体層４ａ、４ｂは、銅めっき層から成る。
【００２４】
外部接続パッド５は、多数個が格子状に配列されている。外部接続パッド５は、外部の電気回路基板の配線導体に接続される。外部接続パッド５は、平面視で円形である。外部接続パッド５の直径は、２００〜８００μｍ程度である。外部接続パッド５は、最下層の絶縁樹脂層１ｄの下面に被着された配線導体２により形成されている。外部接続パッド５は、配線導体２を介して半導体素子接続パッド４に電気的に接続されている。
【００２５】
そして、半導体素子接続パッド４の上面に半導体素子Ｓの電極端子Ｔを半田を介して接続することにより、配線基板１０に半導体素子Ｓが搭載される。このとき、半導体素子接続パッド４は、絶縁樹脂層１ａの上面側に埋設された状態であることから、絶縁樹脂層１ａに強固に係止されて剥離しにくい。また、半導体素子Ｓの電極端子Ｔと接続される接続面が絶縁樹脂層１ａの表面から突出していることから、半導体素子接続パッド４と半導体素子Ｓの電極端子Ｔとの電気的な接続を良好なものとすることができる。
【００２６】
なお、半導体素子接続パッド４は、半導体素子Ｓの電極端子Ｔと接続される接続面が凸状の曲面であることが好ましい。この場合、半導体素子接続パッド４の接続面に半導体素子Ｓの電極端子Ｔを半田を介して接続する際に、半田が接続面の頂点からその周囲に順次濡れ広がっていくので、半田内にボイドを巻き込むことなく極めて良好に接続することが可能となる。接続面の曲率半径は、半導体素子接続パッド４の幅の０．５〜３倍の範囲が好ましい。
【００２７】
次に、本発明の配線基板の製造方法の実施形態例を、上述の配線基板１０を製造する場合を例にとって図２および図３を基に説明する。
【００２８】
先ず、図２（ａ）に示すように、平坦な支持基板２１上に金属箔２２を支持させる。支持基板２１と金属箔２２とは、間に介在層２３を挟んで積層されている。支持基板２１と介在層２３の間は、互いに固着している。金属箔２２と介在層２３との間は、図示しない粘着層を介して互いに剥離可能に密着している。支持基板２１と金属箔２２との間は、互いに固着している。支持基板２１は、ガラスクロス入りの熱硬化性樹脂から成る。支持基板２１の厚みは、４００〜８００μｍ程度である。金属箔２２は、銅箔から成る。金属箔２２の厚みは、３〜１８μｍ程度である。介在層２３は、銅箔や樹脂フィルムから成る。介在層２３の厚みは、３〜１８μｍ程度である。なお、ここで示した厚みは、単なる例示であり、上述した厚みと異なる厚みであっても構わない。
【００２９】
次に、図２（ｂ）に示すように、金属箔２２上に第１のめっき導体層４ａを所定のパターンに形成する。第１のめっき導体層４ａは、半導体素子接続パッド４となるものである。第１のめっき導体層４ａは、電解銅めっきから成る。第１のめっき導体層４ａの厚みは、５〜２０μｍ程度である。このような第１のめっき導体層４ａは、金属箔２２上に第１のめっき導体層４ａに対応する開口パターンを有するめっきマスクを形成した後、このめっきマスクの開口パターン内に露出する金属箔２２上に電解銅めっき層を所望の厚みに析出させた後、めっきマスクを除去することによって形成される。
【００３０】
次に、図２（ｃ）に示すように、金属箔２２上および第１のめっき導体層４ａ上に、第１の絶縁樹脂層１ａと配線導体２とを形成する。第１の絶縁樹脂層１ａには、第１のめっき導体層４ａに接続するためのビアホール３が形成されている。このビアホール３を介して第１のめっき導体層４ａと配線導体２とが互いに電気的に接続される。第１の絶縁樹脂層１ａは、ガラスクロス基材に未硬化の熱硬化性樹脂を含浸塗布して乾燥させたプリプレグを、第１のめっき導体層４ａが形成された金属箔２２上に載置するとともに加熱しながらプレスした後、熱硬化させることにより形成される。ビアホール３は、レーザー加工やブラスト加工等により形成される。配線導体２は、周知のセミアディティブ法により形成される。
【００３１】
次に、次に、図２（ｄ）に示すように、第１の絶縁樹脂層１ａおよびその上の配線導体２上に、次層の絶縁樹脂層１ｂ積層および配線導体２の形成と、さらに次層の絶縁樹脂層１ｃおよび配線導体２の形成を行う。これらの絶縁樹脂層１ｂ、１ｃにも、それぞれビアホール３が形成されている。このビアホール３を介して上下の配線導体２同士が電気的に接続されている。これらの絶縁樹脂層１ｂ、１ｃおよびその上の配線導体２の形成は、上述の第１の絶縁樹脂層１ａおよびその上の配線導体２と同様にして行う。
【００３２】
次に、図２（ｅ）に示すように、最後の絶縁樹脂層１ｄを積層するとともに、絶縁樹脂層１ｄ上に外部接続パッド５を含む配線導体２を形成する。絶縁樹脂層１ｄにも、ビアホール３が形成されている。このビアホール３を介して外部接続パッド５がその下の配線導体２に電気的に接続される。これにより外部接続パッド５が配線導体２を介して第１のめっき導体層４ａに電気的に接続される。この絶縁樹脂層１ｄおよびその上の配線導体２の形成も上述した絶縁樹脂層１ａ〜１ｃおよびその上の配線導体２と同様にして行う。
【００３３】
次に、図３（ｆ）に示すように、金属箔２２と支持基板２１とが固着された領域に対応する部分を切断により切り落とす。これにより、金属箔２２と介在層２３とが剥離可能に密着された領域に対応する部分のみが残る。切断には、ダイサーやルーターを用いる。
【００３４】
次に、図３（ｇ）に示すように、金属箔２２と介在層２３との間を剥離して金属箔２２と支持基板２１とを分離する。これにより、金属箔２２が外部に露出する。
【００３５】
次に、図３（ｈ）に示すように、露出した金属箔２２をエッチング除去する。これにより第１の絶縁樹脂層１ａに埋設された第１のめっき導体層４ａが外部に露出する。このとき、第１のめっき導体層４ａも、２〜３μｍ程度の厚みだけエッチングされる。そのため、第１のめっき導体層４ａの露出面は、第１の絶縁樹脂層１ａの表面から２〜３μｍ程度凹んだものとなる。
【００３６】
最後に、図３（ｉ）に示すように、露出した第１のめっき導体層４ａの表面に第２のめっき導体層４ｂを第１の絶縁樹脂層１ａの表面から突出するように形成する。第２のめっき導体層４ｂが第１の絶縁樹脂層１ａの表面から突出する高さは、１〜２０μｍ程度である。第２のめっき導体層４ｂは、第１のめっき導体層４ａの露出表面に電解銅めっき層を析出することにより形成される。この場合、例えば絶縁樹脂層１１ｄの露出表面に、各外部接続パッド５を電気的に共通に接続するめっきリード配線（不図示）を予め設けておき、そのめっきリード線を介して電解めっきのための電荷を供給して電解めっきを行う。めっきリード線は、電解めっき後に、エッチング等により不必要な部分を除去する。これにより、図１に示した配線基板１０が完成する。
【００３７】
このように、本例の配線基板１０の製造方法によれば、エッチングにより金属箔２２を除去する際に、第１のめっき導体層４ａを第１の絶縁樹脂層１ａの表面から凹ませ、次にこの第１のめっき導体層４ａの表面に第１の絶縁樹脂層１ａの表面から突出する厚みの第２のめっき導体層４ｂを形成し、それにより第１のめっき導体層４ａと第２のめっき導体層４ｂとから成る半導体素子接続パッド４を形成することから、半導体素子接続パッド４が最上層の絶縁樹脂層である第１の絶縁樹脂層１ａに埋設されているとともに、半導体素子Ｓの電極端子Ｔとの接続面が第１の絶縁樹脂層１ａから突出した配線基板１０を極めて容易に提供することができる。それにより、半導体素子接続パッド４が第１の絶縁樹脂層１ａから剥離しにくいとともに、半導体素子接続パッド４と半導体素子Ｓの電極端子Ｔとの電気的な接続を良好なものとすることが可能な配線基板１０を提供することができる。
【００３８】
なお、半導体素子接続パッド４を構成する第２のめっき導体層４ｂを形成する際、第２のめっき導体層４ｂの表面が凸状の曲面となるようにすることが好ましい。このように第２のめっき導体層４ｂの表面が凸状の曲面となるようにすることにより、半導体素子接続パッド４の接続面に半導体素子Ｓの電極端子Ｔを半田を介して接続する際に、半田が接続面の頂点からその周囲に順次濡れ広がっていくので、半田内にボイドを巻き込むことなく極めて良好に接続することが可能な配線基板１０を提供することができる。この場合、第２のめっき導体層４ｂ表面の曲率半径は、半導体素子接続パッド４の幅の０．５〜３倍の範囲が好ましい。第２のめっき導体層４ｂの表面を凸状の曲面とするには、第１の絶縁樹脂層１ａの表面から突出する第２のめっき導体層４ｂの厚みを十分に厚いものとすればよい。この厚みが厚い程、曲面の頂点の高さが高くなるとともに曲率半径が小さくなる。
【符号の説明】
【００３９】
１・・・・・・絶縁基体
１ａ〜１ｄ・・絶縁樹脂層
２・・・・・・配線導体
４・・・・・・半導体素子接続パッド
４ａ・・・・・第１のめっき導体層
４ｂ・・・・・第２のめっき導体層
５・・・・・・外部接続パッド
２１・・・・・・支持基板
２２・・・・・・金属箔
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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