(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコンカーバイド半導体基板をエッチング加工する半導体基板の製造方法において、
エッチングにより除去されるシリコンカーバイドの所要部分に予めイオンを注入しておき、水素雰囲気における加熱処理にてイオンが注入された所要部分を除去することを特徴とする半導体基板の製造方法。
【請求項２】
シリコンカーバイド半導体基板をエッチング加工する半導体基板の製造方法において、
エッチングにより除去されるシリコンカーバイドの所要部分に予めシリコンイオン及び炭素イオンの少なくとも一方を注入しておき、反応性イオンエッチングにてイオンが注入された所要部分を除去することを特徴とする半導体基板の製造方法。
【請求項３】
シリコンカーバイド半導体基板をエッチング加工する半導体基板の製造方法において、
エッチングにより除去されるシリコンカーバイドの所要部分に予めイオンを注入しておき、水素雰囲気における加熱処理にて、イオンが注入された所要部分と注入されなかった部分とのエッチング速度の違いによりシリコンカーバイドに凹凸形状を形成することを特徴とする半導体基板の製造方法。
【請求項４】
シリコンカーバイド半導体基板をエッチング加工する半導体基板の製造方法において、
エッチングにより除去されるシリコンカーバイドの所要部分に予めシリコンイオン及び炭素イオンの少なくとも一方を注入しておき、反応性イオンエッチングにて、イオンが注入された所要部分と注入されなかった部分とのエッチング速度の違いによりシリコンカーバイドに凹凸形状を形成することを特徴とする半導体基板の製造方法。
【請求項５】
シリコンカーバイド半導体基板をエッチング加工する半導体基板の製造方法において、
水素雰囲気は塩化水素を添加した水素雰囲気であることを特徴とする請求項１又は請求項３に記載の半導体基板の製造方法。
【請求項６】
注入されるイオンは、シリコンイオン、炭素イオン、フッ素イオン、塩素イオン、臭素イオン、ヨウ素イオン、又は水素イオンのうち少なくとも何れか一つであることを特徴とする請求項１又は請求項３に記載の半導体基板の製造方法。
【請求項７】
注入されるイオンは、シリコンイオン及び炭素イオンの少なくとも一方であることを特徴とする請求項１又は請求項３に記載の半導体基板の製造方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７の何れかに記載の方法により製造されたシリコンカーバイド半導体基板の表面に、エピタキシャル成長させたシリコンカーバイド層を形成したことを特徴とする半導体基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、シリコンカーバイド半導体材料からなる半導体装置の製造方法に関し、詳しくは、シリコンカーバイド半導体基板のエッチング加工に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来の半導体装置の製造に用いるシリコンカーバイド材料のエッチング法は、例えばJournal  of  Electrochemical  Societyの１４２巻３１２ぺ一ジに記載されているように、フッ素化合物ガスと水素ガス、或いは酸素ガスの混合ガス中でプラズマを生成することにより、物理的及び化学的に所要部分を除去する反応性イオンエッチング法が用いられていた。
この反応性イオンエッチング法では、エッチングが行なわれるシリコンカーバイドの当該部分、即ちエッチングにより除去される所要部分には、イオンの注入等は行なわれていない。
又、凹凸形状を形成する場合等では、例えばアルミニウム等の金属をエッチング阻止のためのマスクとして用いていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
従来では、シリコンカーバイド材料に用いるエッチングは上述のような方法が用いられていたが、シリコンカーバイドは構成原子間の結合が強いため反応性イオンエッチングにおけるエッチング速度が遅い。
又、シリコンカーバイドはエッチング速度が遅いため、シリコンカーバイドを部分的にエッチングする際には、シリコンカーバイドに比較して十分にエッチング速度が小さい例えばアルミニウム等の金属をエッチングマスクとして用いる必要があった。
又、金属をエッチングマスクとして用いた場合には、反応性イオンエッチングにおいてプラズマに曝された金属がスパッタされてシリコンカーバイドの表面に再付着してしまい、その再付着部分のエッチング速度が低下して平坦なエッチング面が得られないという問題があった。
【０００４】
本発明は、このような問題を解消し、金属エッチングマスクを用いず、しかも速やかにエッチングができる方法の提供を目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
請求項１の発明は、シリコンカーバイド半導体基板をエッチング加工する半導体基板の製造方法において、エッチングにより除去されるシリコンカーバイドの所要部分に予めイオンを注入しておき、水素雰囲気における加熱処理にてイオンが注入された所要部分を除去することを特徴とする。
【０００６】
請求項２の発明は、シリコンカーバイド半導体基板をエッチング加工する半導体基板の製造方法において、エッチングにより除去されるシリコンカーバイドの所要部分に予めシリコンイオン及び炭素イオンの少なくとも一方を注入しておき、反応性イオンエッチングにてイオンが注入された所要部分を除去することを特徴とする。
【０００７】
請求項３の発明は、シリコンカーバイド半導体基板をエッチング加工する半導体基板の製造方法において、エッチングにより除去されるシリコンカーバイドの所要部分に予めイオンを注入しておき、水素雰囲気における加熱処理にて、イオンが注入された所要部分と注入されなかった部分とのエッチング速度の違いによりシリコンカーバイドに凹凸形状を形成することを特徴とする。
【０００８】
請求項４の発明は、シリコンカーバイド半導体基板をエッチング加工する半導体基板の製造方法において、エッチングにより除去されるシリコンカーバイドの所要部分に予めシリコンイオン及び炭素イオンの少なくとも一方を注入しておき、反応性イオンエッチングにて、イオンが注入された所要部分と注入されなかった部分とのエッチング速度の違いによりシリコンカーバイドに凹凸形状を形成することを特徴とする。
【０００９】
請求項５の発明は、請求項１又は請求項３に記載の半導体基板の製造方法におけるシリコンカーバイド半導体基板をエッチング加工する半導体基板の製造方法において、水素雰囲気は塩化水素を添加した水素雰囲気であることを特徴とする。
【００１０】
請求項６の発明は、請求項１又は請求項３に記載の半導体基板の製造方法において、注入されるイオンは、シリコンイオン、炭素イオン、フッ素イオン、塩素イオン、臭素イオン、ヨウ素イオン、又は水素イオンのうち少なくとも何れか一つであることを特徴とする。
【００１１】
請求項７の発明は、請求項１又は請求項３に記載の半導体基板の製造方法において、注入されるイオンは、シリコンイオン及び炭素イオンの少なくとも一方であることを特徴とする。
【００１２】
請求項８の発明は、請求項１乃至請求項７の何れかに記載の方法により製造されたシリコンカーバイド半導体基板の表面に、エピタキシャル成長させたシリコンカーバイド層を形成したことを特徴とする。
【００１４】
【発明の実施の形態】
実施の形態１．
図１及び図２について説明する。
図１は、シリコンカーバイド半導体基板１の表面に、角柱がストライプ状に並べて埋め込まれたようにイオンが注入された状態を示した斜視図である。図中の符号２で示される部分が除去が予定されている所要部分である。
【００１５】
図１に示した状態にイオンを注入したシリコンカーバド半導体基板を、例えば、塩化水素を添加した水素雰囲気中で１４００℃以上の温度に保つ加熱処理を行なうと、イオンが注入された所要部分の方がイオンが注入されていない部分よりもエッチング速度が大きいため、所要部分が速やかに除去されて、図２に示す凹凸形状のシリコンカーバイド半導体基板が得られる。
【００１６】
この実施の形態１では、シリコンカーバイドからなる半導体基板の製造では、エッチングを行う所要用部分にイオンの注入を行なった後、塩化水素を添加した水素雰囲気における加熱処理(熱エッチング）を行なっているが、水素雰囲気だけで行なってもよいし、或いは又、反応性イオンエッチングで行なってもよい。
【００１７】
シリコンカーバイドにイオンが注入されると、注入された部分のシリコンカーバイドの原子間結合の一部が切れて原子間の結合力が弱くなる。このため、予めエッチングで除去したい領域及び深さの所要部分にイオンを注入し、しかる後に、熱エッチングや反応性イオンエッチングを施している。
この方法によれば、イオン注入を行わなかった場合に比較してエッチング速度を著しく増加させることができる。
【００１８】
所要部分２に注入するイオンとしては、シリコンイオン、炭素イオン、フッ素イオン、塩素イオン、臭素イオン、ヨウ素イオン、水素イオン等が最適であり、少なくとも何れか一つ用いれば足りる。
【００１９】
しかし、シリコンイオン或いは炭素イオンの何れか、又はシリコンイオンと同時に炭素イオンを注入すれば、エッチングにおけるシリコンカーバイドからのシリコンと炭素との除去速度の違いに起因する、シリコンカーバイド表面付近におけるシリコン原子数と炭素原子数の化学量論比からのずれを補償することが可能であり、結晶品質の良いエッチング表面、即ち、極めて良好で理想的な平滑面を得ることができる。
【００２０】
又、フッ素イオン、塩素イオン、ヨウ素イオン、又は水素イオンの何れかを注入すれば、これらの元素とシリコン及び炭素は揮発性の高い化合物を形成するため、反応性イオンエッチング或いは水素雰囲気或いは塩化水素を添加した水素雰囲気における熱エッチングの速度を大幅に増加させることができる。
【００２１】
又、イオン注入を行った領域と行っていない領域とではエッチング速度が大幅に異なるため、通常のドライエッチングにおいて用いられるアルミニウム等の金属エッチングマスクを使用せずに、シリコンカーバイドに様々な凹凸形状を形成することが可能となる。
しかも、この場合、エッチングマスクの金属がスパッタされ再付着することによるエッチング表面の荒れや汚染をも防止することができる。
【００２２】
実施の形態２．
図３は注入するイオンの深さを領域により変えてフッ素イオンを注入したシリコンカ一バイド半導体基板１である。図中の符号２は注入するイオンの深さを領域により変えてフッ素イオンを注入した部分である。
図４は図３に示したイオンの注入深さを領域により変えてフッ素イオンを注入したシリコンカーバイド半導体基板１に対してエッチングを行った後のシリコンカーバイド基板１である。
【００２３】
図３に示した注入するイオンの深さを領域により変えてフッ素イオンを注入したシリコンカーバイド半導体基板１に対し、水素雰囲気或いは塩化水素を添加した水素雰囲気中での熱エッチング、或いは反応性イオンエッチングを施すと、イオン注入を行った深さに応じたエッチング形状が得られ、図４に示した凹凸形状をもつシリコンカーバイド半導体基板１が得られる。
【００２４】
実施の形態３．
図５は上記実施の形態で説明した何れかの方法で製造された凹凸形状をもつシリコンカーバイド半導体基板１の表面にシリコンカーバイド層３をエピタキシャル成長させたものの断面図である。
図中の符号３はシリコンカーバイド半導体基板１の表面にエピタキシャル成長させたシリコンカーバイド層である。
【００２５】
上記実施の形態で説明した何れかの方法で製造されたシリコンカーバイド半導体基板１の表面は金属のエッチングマスクを用いていないため平坦性が良好であり、その上にエピタキシャル成長させたシリコンカーバイド層３は結晶品質の良好なものとなる。
このようにして形成されたシリコンカーバイド半導体のエピタキシャル層は、例えばトレンチ型ＭＯＳＦＥＴのチャネルとして活用することができる。
【００２６】
【発明の効果】
請求項1乃至請求項８の各発明によれば、シリコンカーバイド半導体基板のエッチング速度を著しく増加させることができ、生産性の向上に大きく寄与することができる。
又、イオンの注入を行った部分とイオンの注入を行っていない部分とのエッチング速度の大きな違いを利用して、金属マスクを用いずにシリコンカーバイド半導体基板を部分的に、しかも効率良くエッチングすることができる。
又、金属マスクを用いなくてエッチングができるので、平滑な仕上がり表面を得ることができる。
【００２８】
請求項８の発明によれば、表面に結晶品質の良好なシリコンカーバイド層を備えた高品質の半導体基板を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  イオンが注入された状態を示す半導体基板の部分概念図である。
【図２】  エッチング後の半導体基板の部分を示す斜視図である。
【図３】  イオンが注入された別の状態を示す半導体基板の部分概念図である。
【図４】  エッチング後の別の半導体基板の部分を示す斜視図である。
【図５】  凹凸形状をもつ半導体基板の表面にシリコンカーバイド層を形成した状態を示す断面図である。
【符号の説明】
１  半導体基板、２  所要部分、３  シリコンカーバイド層。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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