(57)【要約】【課題】低抵抗で基板との密着性に優れた導電性膜を形成する導電性膜形成用組成物を提供し、導電性膜、めっき膜の製造方法、めっき膜および電子機器を提供する。【解決手段】導電性膜の形成に用いる導電性膜形成用組成物を、（Ａ）Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、ＡｇおよびＡｕよりなる群から選ばれる１種以上の金属を含む金属塩および金属粒子の少なくとも一方、並びに（Ｂ）メタロキサン化合物を用いて調製する。その導電性膜形成用組成物を用いて基板上に塗膜を形成し、大気下または非酸化性雰囲気下で２５０℃以下の加熱を行い、基板上に導電性膜を形成して、配線基板を製造する。また、導電性膜形成用組成物を用いて、第１検知電極２３および第２検知電極２４等の設けられた透明基板２２上に塗膜を形成し、その塗膜を加熱して引き出し配線３１を形成し、タッチパネル２１を製造する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性膜の金属原料となる成分（Ａ）として、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、ＡｇおよびＡｕよりなる群から選ばれる１種以上の金属を含む、金属塩（Ａ１）および金属粒子（Ａ２）の少なくとも一方、並びに
Ｔｉ、Ｚｒ、Ｓｎ、ＳｉおよびＡｌよりなる群から選ばれる少なくとも１種の金属原子を主鎖に有するメタロキサン化合物（Ｂ）
を含有することを特徴とする導電性膜形成用組成物。
【請求項２】
前記金属塩（Ａ１）が、Ｃｕ、ＡｇおよびＮｉよりなる群から選ばれる金属を含むカルボン酸塩である請求項１に記載の導電性膜形成用組成物。
【請求項３】
前記カルボン酸塩が、ギ酸銅、ギ酸銀およびギ酸ニッケルよりなる群から選ばれる少なくとも１種である請求項２に記載の導電性膜形成用組成物。
【請求項４】
前記金属粒子（Ａ２）は、平均粒子径が５ｎｍ〜１００ｎｍであり、Ｃｕ、ＡｇおよびＮｉよりなる群から選ばれる金属を含む請求項１に記載の導電性膜形成用組成物。
【請求項５】
前記（Ｂ）成分の含有割合が、前記（Ａ）成分と前記（Ｂ）成分の合計の質量１００質量％に対して２０質量％〜８０質量％である請求項１〜４のいずれか１項に記載の導電性膜形成用組成物。
【請求項６】
さらに、（Ｃ）アミン化合物を含有することを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の導電性膜形成用組成物。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の導電性膜形成用組成物を用いて形成されることを特徴とする導電性膜。
【請求項８】
請求項７に記載の導電性膜の上に、さらにめっきを施すことを特徴とするめっき膜の製造方法。
【請求項９】
請求項８に記載のめっき膜の製造方法により製造されることを特徴とするめっき膜。
【請求項１０】
請求項９に記載のめっき膜を有する配線基板を備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、導電性膜形成用組成物、導電性膜、めっき膜の製造方法、めっき膜および電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
演算素子、圧電素子、液晶表示素子等の半導体素子および有機ＥＬ素子を有する電子機器の分野において、配線基板は、プリント配線基板等とも称され、電子部品を固定して配線するための主要な部品となっている。通常、この配線基板の配線は、シード層（導電性膜）を形成し、めっきを行うことで形成される。
【０００３】
このような導電性膜を形成するための組成物としては、導電性膜の金属原料として、金属微粒子および／または金属塩を含有するものが知られている。
【０００４】
具体的には、特許文献１および特許文献２に開示される技術では、原料となるギ酸銅とアミンとを組み合わせ、微粒径銅粒子の製造を実現する。
【０００５】
また、特許文献３では、銅膜形成を、銅塩とアミンを組み合わせた組成物により実現している。特許文献４では、銅膜形成を、ギ酸銅とアミンを組み合わせた組成物により実現している。特許文献５では、ギ酸銅とアルカノールアミンを組み合わせた組成物により実現している。
【０００６】
そして、特許文献６および特許文献７では、銅膜形成を、貴金属微粒子、銅塩、還元剤、およびモノアミンを含有する組成物により実現している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００８−１３４６６号公報
【特許文献２】特開２００８−３１１０４号公報
【特許文献３】特開２００４−１６２１１０号公報
【特許文献４】特開２００５−２４７１号公報
【特許文献５】特開２０１０−２４２１１８号公報
【特許文献６】特開２０１１−３４７４９号公報
【特許文献７】特開２０１１−３４７５０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
導電性膜を形成するための、金属微粒子や金属塩を含有する組成物等について、盛んに検討がなされてきたが、それぞれの技術が解決すべき課題を有している。
【０００９】
具体的には、金属微粒子を含む組成物を用いて導電性膜を形成する技術の場合、簡便な比較的低温の焼結によって金属微粒子を完全に融合させることは困難であった。そのため、焼結後に得られる導電性膜において、バルク金属と比較した場合の電気抵抗特性、すなわち、低抵抗化（低電気抵抗化）を実現できないという問題があった。
【００１０】
また、上述した金属微粒子を用いた分散組成物の技術や、金属塩を用いた組成物の技術においては、基板上に導電性膜を形成するにあたり、導電性膜と基板との間で十分な密着性が得られないという問題があった。
【００１１】
例えば、タッチパネルの場合、使用者のタッチ操作によって基板上の導電性膜が押圧され、また、基板に変形が生じることがある。そのため、配線等のパターンを形成する導電性膜は、そのような外部からの影響によって剥離が生じないように、基板との高い密着性が求められる。
【００１２】
しかしながら、従来の技術では、低抵抗且つ基板との密着性に優れた導線性膜を両立して実現するのは困難であった。
【００１３】
本発明の目的は、低抵抗で基板との密着性に優れた導電性膜を形成するための導電性膜形成用組成物、導電性膜、導電性膜を使っためっき膜の製造方法、めっき膜、および電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明者らは上記課題を解決すべく鋭意検討を行った。その結果、以下の構成を有する導電性膜形成用組成物、導電性膜、めっき膜の製造方法、めっき膜、および電子機器により上記課題を解決できることを見出し、本発明を完成するに至った。
【００１５】
すなわち本発明は、以下の［１］〜［１０］に関する。
［１］（Ａ）導電性膜の金属原料となる成分（Ａ）として、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、ＡｇおよびＡｕよりなる群から選ばれる１種以上の金属を含む、金属塩（Ａ１）および金属粒子（Ａ２）の少なくとも一方、並びにＴｉ、Ｚｒ、Ｓｎ、ＳｉおよびＡｌよりなる群から選ばれる少なくとも１種の金属原子を主鎖に有するメタロキサン化合物（Ｂ）を含有することを特徴とする導電性膜形成用組成物。
［２］前記金属塩（Ａ１）が、Ｃｕ、ＡｇおよびＮｉよりなる群から選ばれる金属を含むカルボン酸塩であることを特徴とする前記［１］に記載の導電性膜形成用組成物。
［３］前記カルボン酸塩が、ギ酸銅、ギ酸銀およびギ酸ニッケルよりなる群から選ばれる少なくとも１種である前記［２］に記載の導電性膜形成用組成物。
［４］前記金属粒子（Ａ２）は、平均粒子径が５ｎｍ〜１００ｎｍであり、Ｃｕ、ＡｇおよびＮｉよりなる群から選ばれる金属を含む前記［１］に記載の導電性膜形成用組成物。
［５］前記（Ｂ）成分の含有割合が、前記（Ａ）成分と前記（Ｂ）成分の合計の質量１００質量％に対して２０質量％〜８０質量％である前記［１］〜［４］のいずれかに記載の導電性膜形成用組成物。
［６］さらに、（Ｃ）アミン化合物を含有する前記［１］〜［５］のいずれかに記載の導電性膜形成用組成物。
［７］前記［１］〜［６］のいずれかに記載の導電性膜形成用組成物を用いて形成されることを特徴とする導電性膜。
［８］前記［７］に記載の導電性膜の上に、さらにめっきを施すことを特徴とするめっき膜の製造方法。
［９］前記［８］に記載のめっき膜の製造方法により製造されることを特徴とするめっき膜。
［１０］前記［９］に記載のめっき膜を有する配線基板を備えることを特徴とする電子機器。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、低抵抗且つ基板との密着性に優れた導電性膜を形成する導電性膜形成用組成物が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の実施形態のタッチパネルの一例を示す平面図である。
【図２】図１のＢ−Ｂ’線に沿う断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
本発明の導電性膜形成用組成物は、導電性膜形成のための塗膜の加熱処理において、従来から多用されてきた水素ガスを必須のものとはしない。大気下等の酸化性雰囲気を除く環境を非酸化性雰囲気と定義すれば、本発明の実施形態の導電性膜形成用組成物は、非酸化性雰囲気下であっても、加熱によって、所望とする抵抗特性の導電性膜を形成することができる。例えば、窒素ガス、アルゴンガスまたはヘリウムガス等を利用した雰囲気下で塗膜の加熱を行うことにより、基板との密着性に優れた低抵抗の導電性膜を形成することができる。さらに、本発明の実施形態の導電性膜形成用組成物は、大気下等の酸化性雰囲気であっても、加熱によって基板との密着性に優れた低抵抗の導電性膜を形成することができる。
【００１９】
本発明の導電性膜形成用組成物は、基板上に一様なベタ状の導電性膜を形成できるとともに、適当な塗布法と組み合わせることにより、配線や電極や端子等を構成する、パターニングされた導電性膜を直接に基板上に形成することができる。本発明において、「導電性膜」とは、金属等の導電性材料からなるベタ状の膜とともに、パターニングされた導電性膜を含む概念である。すなわち、金属配線や金属電極等のパターンについても本発明の「導電性膜」の中に含まれる。同様に、「膜」についても、パターンを含む概念として使用されることがある。
【００２０】
本発明において、「配線基板」は、上述した、プリント配線基板として知られた配線基板のみに限られるわけではない。本発明において、「配線基板」には、パターニングされた導電性膜が基板上に形成されて、配線、電極および端子等を構成している基板が全て含まれる。例えば、本発明において、「配線基板」には、上述したプリント配線基板の他に、圧電素子や、液晶表示素子等の半導体素子や、有機ＥＬ素子等を構成するための基板が含まれる。すなわち、それらを構成するための基板であって、パターニングされた導電性膜が基板上に形成されて、配線、電極および端子等を構成している基板が含まれる。
【００２１】
以下の説明においては、配線基板の有する配線、電極および端子等と称される導電性の電気的導通部材を、便宜上、配線と総称する。
【００２２】
＜導電性膜形成用組成物＞
本発明の実施形態の導電性膜形成用組成物は、導電性膜の金属原料となる成分（Ａ）としてＮｉ（ニッケル）、Ｐｄ（パラジウム）、Ｐｔ（白金）、Ｃｕ（銅）、Ａｇ（銀）およびＡｕ（金）よりなる群から選ばれる１種以上の金属を含む、金属塩（Ａ１）および金属粒子（Ａ２）の少なくとも一方、並びに、Ｔｉ（チタン）、Ｚｒ（ジルコニウム）、Ｓｎ（スズ）、Ｓｉ（シリコン）およびＡｌ（アルミニウム）よりなる群から選ばれる少なくとも１種の金属原子を主鎖に有するメタロキサン化合物（Ｂ）を含む組成物であり、還元反応型の導電性膜形成用組成物である。
【００２３】
本発明の導電性膜形成用組成物は、上記各成分に加え、（Ｃ）アミン化合物、溶剤等を含有することができる。
【００２４】
以下、本実施形態の導電性膜形成用組成物の各成分について説明する。
【００２５】
［（Ａ）成分］
本発明の実施形態の導電性膜形成用組成物は、（Ａ）成分として、導電性膜の原料となる、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、ＡｇおよびＡｕよりなる群から選ばれる１種以上の金属を含む、金属塩（Ａ１）および金属粒子（Ａ２）の少なくとも一方を含有する。これらの中でも、低抵抗且つ基板との密着性に優れた導電性膜を形成することができることから、金属塩（Ａ１）が好ましい。
【００２６】
（Ａ）成分は、より低い製造コストにて低抵抗の導電性膜を形成するという観点から、Ｃｕ、ＡｇおよびＮｉよりなる群から選ばれる１種以上の金属を含む金属塩および金属粒子の少なくとも一方が好ましい。
【００２７】
［金属塩（Ａ１）］
前記金属塩（Ａ１）とは、金属イオンと、無機アニオン種および有機アニオン種のうちの少なくとも一方とからなる金属塩である。
【００２８】
銅を含む金属塩（Ａ１）としては、酢酸銅、トリフルオロ酢酸銅、プロピオン酸銅、酪酸銅、イソ酪酸銅、２−メチル酪酸銅、２−エチル酪酸銅、吉草酸銅、イソ吉草酸銅、ピバリン酸銅、ヘキサン酸銅、ヘプタン酸銅、オクタン酸銅、２−エチルヘキサン酸銅、ノナン酸銅等の脂式カルボン酸との銅塩、マロン酸銅、コハク酸銅、マレイン酸銅等のジカルボン酸との銅塩、安息香酸銅、サリチル酸銅等の芳香族カルボン酸との銅塩、ギ酸銅、ヒドロキシ酢酸銅、グリオキシル酸銅、乳酸銅、シュウ酸銅、酒石酸銅、リンゴ酸銅、クエン酸銅等の還元力を有するカルボン酸との銅塩、および前記銅塩の水和物等の銅カルボン酸塩；
並びにアセチルアセトナート銅、アセト酢酸エチル銅、１，１，１−トリメチルアセチルアセトナト銅、１，１，１，５，５，５−ヘキサメチルアセチルアセトナト銅、１，１，１−トリフルオロアセチルアセトナト銅、および、１，１，１，５，５，５−ヘキサフルオロアセチルアセトナト銅等の銅原子あたりアセチルアセトン誘導体あるいはアセト酢酸エステル誘導体が１〜２分子の割合で錯形成した塩；が挙げられる。
【００２９】
これらの中でも、溶解性の観点および低抵抗の導電性膜を形成することができることから、酢酸銅、トリフルオロ酢酸銅、プロピオン酸銅、酪酸銅、イソ酪酸銅、２−メチル酪酸銅、ピバリン酸銅、ギ酸銅、ヒドロキシ酢酸銅、グリオキシル酸銅、シュウ酸銅、アセチルアセトナート銅、アセト酢酸エチル銅、１，１，１−トリフルオロアセチルアセトナト銅、および１，１，１，５，５，５−ヘキサフルオロアセチルアセトナト銅、並びにこれらの水和物が好ましく、ギ酸銅、およびギ酸銅水和物がより好ましい。
【００３０】
銀を含む金属塩（Ａ１）としては、例えば、酢酸銀、ギ酸銀、安息香酸銀、クエン酸銀、乳酸銀、トリフルオロ酢酸銀、およびシュウ酸銀等の銀カルボン酸塩；硝酸銀、酸化銀、アセチルアセトン銀、アセト酢酸エチル銀、臭素酸銀、臭化銀、炭酸銀、塩化銀、フッ化銀、ヨウ素酸銀、ヨウ化銀、亜硝酸銀、過塩素酸銀、リン酸銀、硫酸銀、並びに硫化銀等が挙げられる。
【００３１】
これらの中でも、銀を含む金属塩（Ａ１）としては、低抵抗の導電性膜を形成することができることから、銀カルボン塩が好ましく、酢酸銀、ギ酸銀、シュウ酸銀がより好ましく、ギ酸銀がさらに好ましい。
【００３２】
ニッケルを含む金属塩（Ａ１）としては、酢酸ニッケル、ギ酸ニッケル、およびシュウ酸ニッケル等のニッケルカルボン酸塩が挙げられる。これらの中でもギ酸ニッケルが、低抵抗の導電性膜を形成することができることから好ましい。
【００３３】
金属塩（Ａ１）の純度は通常、９０％以上、好ましくは９５％以上である。
金属塩（Ａ１）は１種で用いても良く、２種以上を併用してもよい。
【００３４】
本発明の導電性膜形成用組成物において、金属塩（Ａ１）の含有割合は、通常、１質量％〜７０質量％、好ましくは５質量％〜５０質量％である。
【００３５】
［金属粒子（Ａ２）］
金属粒子（Ａ２）としては、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、ＡｇおよびＡｕよりなる群から選ばれる少なくとも１種の金属を含む金属粒子を挙げることができる。
【００３６】
これらの中でもコスト面、入手の容易さ、および、低抵抗の導電性膜を形成することができることから、Ａｇ、ＣｕおよびＮｉからなる群より選ばれる１種または２種以上の金属を含有する、金属粒子が好ましい。
【００３７】
金属粒子（Ａ２）の平均粒子径は、通常、５ｎｍ〜１００ｎｍの範囲である。金属粒子（Ａ２）の平均粒子径が前記範囲であると、保存安定性に優れた導電性膜形成用組成物を得ることができる。
【００３８】
金属粒子（Ａ２）の平均粒子径の測定方法としては、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）、で観測された視野の中から、任意の３箇所選択し、粒径測定に最も適した倍率で撮影する。得られた各々の写真から、一番多数存在すると思われる粒子を１００個選択し、その直径をものさし等の測長機で測定し、測定倍率を除して粒子径を算出し、これらの値を算術平均することにより、求めることができる。
【００３９】
金属粒子（Ａ２）の純度は、通常、９５％以上、好ましくは９９％以上である。
金属粒子（Ａ２）は１種で用いても良く、２種以上を併用してもよい。
【００４０】
金属粒子（Ａ２）の含有割合としては、通常、１質量％〜７０質量％、好ましくは５質量％〜５０質量％である。
【００４１】
［メタロキサン化合物（Ｂ）］
メタロキサン化合物（Ｂ）は、金属−酸素−金属結合を主鎖に有する化合物である。メタロキサン化合物は、例えば、下記式（ａ）で表わされる化合物を加水分解縮合して得ることができる。
【００４２】
【化１】
2016060906.tif 000003
（上記式（ａ）中、Ｍは、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｓｎ、ＳｉおよびＡｌよりなる群から選ばれる金属を示し、Ｒａは、炭素数１〜８の有機基、または配位子である。Ｒｂは、加水分解性基である。ｎは金属であるＭの価数であり、ｘは０〜（ｎ−１）の整数である。）
【００４３】
メタロキサン化合物（Ｂ）は、導電性膜形成時の加熱において、揮発しにくいことから、本発明の導電性膜形成用組成物から形成される導電性膜は、基板との優れた密着性を安定して示すことができる。
【００４４】
上記式（ａ）中、Ｒａで表される炭素数１〜８の有機基としては、炭素数１〜８のアルキル基、炭素数３〜８のシクロアルキル基、炭素数２〜２０のアセチルアセトナート配位子等が挙げられる。このアルキル基およびシクロアルキル基が有する水素原子の一部または全部は別の基に置換されていてもよい。
【００４５】
上述の炭素数１〜８のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ブチル基等が挙げられる。これらの中でも、加水分解の容易性の観点から、ｉ−プロピル基、ブチル基が好ましい。
【００４６】
上述の炭素数３〜８のシクロアルキル基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロへキシル基等が挙げられる。
【００４７】
上記式（ａ）中、Ｒａで表される配位子としては、アセチルアセトナートアニオン等のジケトナートアニオン、カルボキシレートアニオン、アンモニア、アミン、ケトン、アルコール、一酸化炭素等が挙げられる。
【００４８】
上記式（ａ）中、Ｒｂで表される加水分解性基とは、無触媒、過剰の水の共存下、室温（約２５℃）〜約１００℃の温度範囲内で加熱することにより、加水分解してヒドロキシ基を生成することができる基を示す。
【００４９】
上記式（ａ）中、Ｒｂで表される加水分解性基としては、例えば、アルコキシ基、アリールオキシ基、ハロゲン原子、アセトキシ基、イソシアネート基等が挙げられる。これらのうち、アルコキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基がより好ましい。
【００５０】
上記式（ａ）で表される化合物としては、例えば、テトラ−ｉ−プロポキシチタン、テトラ−ｎ−ブトキシチタン、テトラエトキシチタン、テトラメトキシチタン、テトラ−ｉ−プロポキシジルコニウム、テトラ−ｎ−ブトキシジルコニウム、テトラエトキシジルコニウム、テトラメトキシジルコニウム等の４個の加水分解性基で置換された金属化合物；
メチルトリメトキシチタン、メチルトリエトキシチタン、メチルトリ−ｉ−プロポキシチタン、メチルトリブトキシジルコニウム、エチルトリメトキシジルコニウム、エチルトリエトキシジルコニウム、エチルトリ−ｉ−プロポキシジルコニウム、エチルトリブトキシジルコニウム、ブチルトリメトキシチタン、フェニルトリメトキシチタン、ナフチルトリメトキシチタン、フェニルトリエトキシチタン、ナフチルトリエトキシチタン、アミノプロピルトリメトキシチタン、アミノプロピルトリエトキシジルコニウム、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシジルコニウム、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシジルコニウム、３−イソシアノプロピルトリメトキシジルコニウム、３−イソシアノプロピルトリエトキシジルコニウム等の１個の非加水分解性基と３個の加水分解性基とで置換された金属化合物；
トリエトキシモノ（アセチルアセトナート）チタン、トリ−ｎ−プロポキシモノ（アセチルアセトナート）チタン、トリ−ｉ−プロポキシモノ（アセチルアセトナート）チタン、ジ−ｉ−プロポキシビス（アセチルアセトナート）チタン、ジ−ｎ−ブトキシビス（アセチルアセトナート）チタン等のチタン化合物；
トリエトキシモノ（アセチルアセトナート）ジルコニウム、トリ−ｎ−プロポキシモノ（アセチルアセトナート）ジルコニウム、トリ−ｉ−プロポキシモノ（アセチルアセトナート）ジルコニウム、ジ−ｉ−プロポキシビス（アセチルアセトナート）ジルコニウム、ジ−ｎ−ブトキシビス（アセチルアセトナート）ジルコニウム等のジルコニウム化合物
ジメチルジメトキシチタン、ジフェニルジメトキシチタン、ジブチルジメトキシジルコニウム等の２個の非加水分解性基と２個の加水分解性基とで置換された金属化合物；
トリメチルメトキシチタン、トリフェニルメトキシチタン、トリブチルメトキシチタン、トリ（３−メタクリロキシプロピル）メトキシジルコニウム、トリ（３−アクリロキシプロピル）メトキシジルコニウム等の３個の非加水分解性基と１個の加水分解性基とで置換された金属化合物等が挙げられる。
【００５１】
これらのうち、上記式（ａ）で表される化合物としては、４個の加水分解性基で置換された金属化合物が好ましく、テトラ−ｉ−プロポキシチタン、テトラ−ｎ−ブトキシチタンがより好ましい。
【００５２】
メタロキサン化合物（Ｂ）の合成において、式（ａ）で表される化合物の使用量としては、使用する全加水分解性金属化合物に対して、前記化合物が５０モル％〜１００モル％が好ましく、８０モル％〜１００モル％がより好ましい。化合物（ｉ）が５０モル％未満の場合、本実施形態の導電性膜形成用組成物の（Ｂ）成分として望まれる特性のメタロキサン化合物が得られなくなる恐れがある。
【００５３】
上記式（ａ）で表される化合物を加水分解縮合させる方法は、公知の方法で行うことができる。
【００５４】
本発明の実施形態の導電性膜形成用組成物における（Ｂ）成分であるメタロキサン化合物の含有割合としては、（Ａ）成分と（Ｂ）成分の合計の質量１００質量％に対して２０質量％〜８０質量％であり、３０質量％〜７０質量％が好ましく、４０質量％〜６０質量％がより好ましい。本実施形態の導電性膜形成用組成物が、（Ｂ）成分であるメタロキサン化合物を上記特定の範囲で含有することで、基板との密着性に優れた本発明の実施形態の導電性膜を得ることができる。
【００５５】
［（Ｃ）アミン化合物］
本発明の実施形態の導電性膜形成用組成物は、（Ａ）成分および（Ｂ）成分の他に、アミン化合物（Ｃ）を含有することができる。
【００５６】
アミン化合物（Ｃ）としては、下記一般式（１）、下記一般式（２）および下記一般式（３）で表される化合物が挙げられる。
【００５７】
【化２】
2016060906.tif 000004
【００５８】
上記一般式（１）中、Ｒ１、Ｒ２は、それぞれ独立に水素原子、炭素数１〜１８のアルキル基、または、炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基を示す。Ｒ３は、単結合、メチレン基、炭素数２〜１２のアルキレン基、または、フェニレン基を示す。Ｒ４は、水素原子、炭素数１〜１８のアルキル基、炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基、アミノ基、ジメチルアミノ基、または、ジエチルアミノ基を示す。
【００５９】
【化３】
2016060906.tif 000005
【００６０】
上記一般式（２）中、Ｒ５、Ｒ６は、それぞれ独立に水素原子、炭素数１〜１８のアルキル基、または、炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基を示す。Ｒ７は、メチレン基、炭素数２〜１２のアルキレン基、または、フェニレン基を示す。Ｒ８は、炭素数１〜１８のアルキル基、または、炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基を示す。但し、Ｒ５およびＲ６が水素原子の場合、Ｒ８はメチル基およびエチル基以外を示す。
【００６１】
【化４】
2016060906.tif 000006
【００６２】
上記一般式（３）中、Ｒ９、Ｒ１０は、それぞれ独立に水素原子、炭素数１〜１８のアルキル基、または、炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基を示す。Ｒ１１は、メチレン基、炭素数２〜１２のアルキレン基、または、フェニレン基を示す。Ｒ１２、Ｒ１３は、それぞれ独立に、炭素数１〜１８のアルキル基、または、炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基を示す。
【００６３】
上記一般式（１）で表されるアミン化合物が含む基Ｒ１およびＲ２の例としては、水素原子の他、直鎖状のアルキル基として、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、ステアリル基等が挙げられ、分岐状のものとしてイソプロピル基、ｓｅｃ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、１−エチルプロピル基、１，１−ジメチルプロピル基、１，２−ジメチルプロピル基、１，１，２−トリメチルプロピル基、１，２，２−トリメチルプロピル基、１，３−ジメチルブチル基、ネオペンチル基、１，５−ジメチルヘキシル基、２−エチルヘキシル基、４−ヘプチル基、２−ヘプチル基等が挙げられ、脂環式炭化水素基としては、シクロヘキシル基、シクロペンチル基が挙げられる。
【００６４】
そして、上記一般式（１）で表されるアミン化合物が含む基Ｒ４の例としては、水素原子、アミノ基、ジメチルアミノ基およびジエチルアミノ基の他、直鎖状のアルキル基として、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、ステアリル基等が挙げられ、分岐状のものとしてイソプロピル基、ｓｅｃ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、１−エチルプロピル基、１，１−ジメチルプロピル基、１，２−ジメチルプロピル基、１，１，２−トリメチルプロピル基、１，２，２−トリメチルプロピル基、１，３−ジメチルブチル基、ネオペンチル基、１，５−ジメチルヘキシル基、２−エチルヘキシル基、４−ヘプチル基、２−ヘプチル基等が挙げられ、脂環式炭化水素基としては、シクロヘキシル基、シクロペンチル基が挙げられる。
【００６５】
上記一般式（１）で表されるアミン化合物の具体的な例としては、例えば、メチルアミン、エチルアミン、プロピルアミン、ブチルアミン、ペンチルアミン、ヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチルアミン、ノニルアミン、デシルアミン、ウンデシルアミン、ドデシルアミン、ステアリルアミン、イソプロピルアミン、ｓｅｃ−ブチルアミン、イソブチルアミン、ｔｅｒｔ−ブチルアミン、イソペンチルアミン、ネオペンチルアミン、ｔｅｒｔ−ペンチルアミン、１−エチルプロピルアミン、１，１−ジメチルプロピルアミン、１，２−ジメチルプロピルアミン、１，１，２−トリメチルプロピルアミン、１，２，２−トリメチルプロピルアミン、１，３−ジメチルブチルアミン、ネオペンチルアミン、１，５−ジメチルヘキシルアミン、２−エチルヘキシルアミン、４−ヘプチルアミン、２−ヘプチルアミン、シクロヘキシルアミン、シクロペンチルアミン、エチレンジアミン、Ｎ−メチルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジメチルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルエチレンジアミン、Ｎ−エチルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジエチルエチレンジアミン、１，３−プロパンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジメチル−１，３−プロパンジアミン、１，４−ブタンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジメチル−１，４−ブタンジアミン、１，５−ペンタンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジメチル−１，５−ペンタンジアミン、１，６−ヘキサンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジメチル−１，６−ヘキサンジアミン等が挙げられる。
【００６６】
上記一般式（２）で表されるアミン化合物が含む基Ｒ５およびＲ６の例としては、水素原子の他、直鎖状のアルキル基として、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、ステアリル基等が挙げられ、分岐状のものとしてイソプロピル基、ｓｅｃ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、１−エチルプロピル基、１，１−ジメチルプロピル基、１，２−ジメチルプロピル基、１，１，２−トリメチルプロピル基、１，２，２−トリメチルプロピル基、１，３−ジメチルブチル基、ネオペンチル基、１，５−ジメチルヘキシル基、２−エチルヘキシル基、４−ヘプチル基、２−ヘプチル基等が挙げられ、脂環式炭化水素基としては、シクロヘキシル基、シクロペンチル基が挙げられる。
【００６７】
そして、上記一般式（２）で表されるアミン化合物が含む基Ｒ８の例としては、直鎖状のアルキル基として、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、ステアリル基等が挙げられ、分岐状のものとしてイソプロピル基、ｓｅｃ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、１−エチルプロピル基、１，１−ジメチルプロピル基、１，２−ジメチルプロピル基、１，１，２−トリメチルプロピル基、１，２，２−トリメチルプロピル基、１，３−ジメチルブチル基、ネオペンチル基、１，５−ジメチルヘキシル基、２−エチルヘキシル基、４−ヘプチル基、２−ヘプチル基等が挙げられ、脂環式炭化水素基としては、シクロヘキシル基、シクロペンチル基が挙げられる。但し、Ｒ５およびＲ６がともに水素原子である場合、Ｒ８はメチル基およびエチル基以外である。
【００６８】
上記一般式（２）で表されるアミン化合物の具体的な例としては、例えば、メトキシ（メチル）アミン、２−メトキシエチルアミン、３−メトキシプロピルアミン、４−メトキシブチルアミン、エトキシ（メチル）アミン、２−エトキシエチルアミン、３−エトキシプロピルアミン、４−エトキシブチルアミン、プロポキシメチルアミン、２−プロポキシエチルアミン、２−イソプロポキシプロピルアミン、３−イソプロポキシプロピルアミン、２−プロポキシプロピルアミン、３−プロポキシプロピルアミン、４−プロポキシブチルアミン、ブトキシメチルアミン、ブトキシエチルアミン、２−ブトキシプロピルアミン、３−ブトキシプロピルアミン、３−（２−エチルヘキシルオキシ）プロピルアミン、３−イソブトキシプロピルアミン、４−ブトキシブチルアミン、オキシビス（エチルアミン）等が挙げられる。
【００６９】
上記一般式（３）で表されるアミン化合物が含む基Ｒ９およびＲ１０の例としては、水素原子の他、直鎖状のアルキル基として、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、ステアリル基等が挙げられ、分岐状のものとしてイソプロピル基、ｓｅｃ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、１−エチルプロピル基、１，１−ジメチルプロピル基、１，２−ジメチルプロピル基、１，１，２−トリメチルプロピル基、１，２，２−トリメチルプロピル基、１，３−ジメチルブチル基、ネオペンチル基、１，５−ジメチルヘキシル基、２−エチルヘキシル基、４−ヘプチル基、２−ヘプチル基等が挙げられ、脂環式炭化水素基としては、シクロヘキシル基、シクロペンチル基が挙げられる。
【００７０】
そして、上記一般式（３）で表されるアミン化合物が含む基Ｒ１２およびＲ１３の例としては、直鎖状のアルキル基として、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、ステアリル基等が挙げられ、分岐状のものとしてイソプロピル基、ｓｅｃ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、１−エチルプロピル基、１，１−ジメチルプロピル基、１，２−ジメチルプロピル基、１，１，２−トリメチルプロピル基、１，２，２−トリメチルプロピル基、１，３−ジメチルブチル基、ネオペンチル基、１，５−ジメチルヘキシル基、２−エチルヘキシル基、４−ヘプチル基、２−ヘプチル基等が挙げられ、脂環式炭化水素基としては、シクロヘキシル基、シクロペンチル基が挙げられる。
【００７１】
上記一般式（３）で表されるアミン化合物の具体例としては、アミノアセトアルデヒドジエチルアセタール等が挙げられる。
【００７２】
アミン化合物（Ｃ）の含有量としては、本実施形態の導電性膜形成用組成物が含有する全成分の１００質量％に対して０．１質量％〜９９質量％が好ましく、１質量％〜９０質量％がより好ましく、２質量％〜７０質量％がさらに好ましい。（Ｃ）アミン化合物の含有量を０．１質量％〜９９質量％とすることによって、優れた導電性を有する導電性膜を形成できる。（Ｃ）アミン化合物の含有量を１質量％〜９９質量％とすることによって、より低い温度での加熱によって、より低い抵抗値の導電性膜を形成することができる。２質量％〜７０質量％とすることによって、低い抵抗値の導電性膜形成を達成できるとともに、生産性に優れた導電性膜形成用組成物を製造することができる。
【００７３】
［溶剤］
本実施形態の導電性膜形成用組成物において、（Ａ）成分、および（Ｂ）成分の他に、溶剤を含有することが可能である。溶剤を導電性膜形成用組成物中に含有することにより、塗布方法に対応した導電性膜形成用組成物の粘度調整が容易となり、また、均一な物性の導電性膜を形成することが可能となる。
【００７４】
溶剤としては、（Ａ）成分および（Ｂ）成分の反応に関与しないものであれば、特に限定するものではない。溶剤としては、例えば、水、アルコール類、エーテル類、エステル類、脂肪族炭化水素類および芳香族炭化水素類から選ばれる１種の液体、または、相溶性のある２種以上の液体が挙げられる。
【００７５】
アルコール類としては、メタノール、エタノール、ｎ−プロピルアルコール（１−プロパノール）、ｉ−プロピルアルコール、ｎ−ブチルアルコール（１−ブタノール）、ｉ−ブチルアルコール、ｓｅｃ−ブチルアルコール、ペンタノール、ヘキサノール、ヘプタノール、オクタノール、ノニルアルコール、デカノール、シクロヘキサノール、ベンジルアルコール、ターピネオール、ジヒドロターピネオール等が挙げられる。
【００７６】
エーテル類としては、ヘキシルメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、トリエチレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノ−ｎ−プロピルエーテル、プロピレングリコールモノ−ｎ−ブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノ−ｎ−プロピルエーテル、ジプロピレングリコールモノ−ｎ−ブチルエーテル、トリプロピレングリコールモノメチルエーテル、トリプロピレングリコールモノエチルエーテル、トリプロピレングリコールジメチルエーテル、トリプロピレングリコールジエチルエーテル等の（ポリ）アルキレングリコールアルキルエーテル類、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、１，４−ジオキサン等が挙げられる。
【００７７】
エステル類としては、ギ酸メチル、ギ酸エチル、ギ酸ブチル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、プロピオン酸メチル、プロピオン酸エチル、プロピオン酸ブチル、γ−ブチロラクトン、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールエチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールメチルエーテルアセテート等が挙げられる。
【００７８】
脂肪族炭化水素類としては、ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−ヘプタン、ｎ−オクタン、ｎ−ノナン、ｎ−デカン、ｎ−ウンデカン、ｎ−ドデカン、テトラデカン、シクロヘキサン、デカリン等が挙げられる。
【００７９】
芳香族炭化水素類としては、ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、ｎ−プロピルベンゼン、ｉ−プロピルベンゼン、ｎ−ブチルベンゼン、メシチレン、テトラリン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン等が挙げられる。
【００８０】
これら有機溶剤のうち、特に導電性膜形成用組成物の粘度の調整のし易さの観点から、エーテル類が好ましい。
【００８１】
溶剤の含有割合は本発明の導電性膜形成用組成物の全成分の１００質量％に対して通常、０質量％〜９５質量％の範囲である。
【００８２】
［その他任意成分］
本実施形態の導電性膜形成用組成物は、上述した（Ａ）成分および（Ｂ）成分に加え、本発明の効果を損なわない限りにおいて、その他任意成分を含有することができる。その他任意成分としては、ギ酸および／またはギ酸アンモニウムを含有することができ、その他には、分散剤、酸化防止剤、濃度調整剤、表面張力調整剤、粘度調整剤、塗膜形成補助剤、密着助剤等を含有することが可能である。
【００８３】
その他任意成分であるギ酸およびギ酸アンモニウムは、本実施形態の導電性膜形成用組成物から導電性膜を形成するに際し、還元反応を促進する効果を有し、所望とする抵抗特性の導電性膜形成を促進することができる。
【００８４】
本実施形態の導電性膜形成用組成物における、ギ酸およびギ酸アンモニウムの含有割合は、本発明の導電性膜形成用組成物が含有する全成分の１００質量％に対し、通常、０質量％〜５０質量％の範囲である。
【００８５】
＜導電性膜形成用組成物の製造方法＞
本発明の実施形態の導電性膜形成用組成物は、上述した（Ａ）成分および（Ｂ）成分、並びに必要に応じて、アミン化合物（Ｃ）、溶剤、およびその他成分を均一に混合することで、製造することができる。
【００８６】
混合方法としては、攪拌羽による攪拌、スターラーおよび攪拌子による攪拌、沸盪器による攪拌、超音波ホモジナイザー、ビーズミル、ペイントシェーカーまたは攪拌脱泡装置等を使用した方法等が挙げられる。混合の条件としては、例えば、攪拌羽による攪拌の場合、攪拌羽の回転速度が、通常１ｒｐｍ〜４０００ｒｐｍの範囲、好ましくは１０ｒｐｍ〜２０００ｒｐｍの範囲である。
【００８７】
＜導電性膜およびその製造方法＞
本発明の導電性膜は、本発明の導電性膜形成用組成物を用いて製造できる。例えば、導電性膜形成用組成物を基板上に塗布し、導電性膜形成用組成物の塗膜を形成する工程（１）前記塗膜を加熱する工程（２）を有する方法によって製造できる。
【００８８】
前記導電性膜の製造方法においては、基板上に塗布された本実施形態の導電性膜形成用組成物の塗膜を加熱することによって、（Ａ）成分が金属塩を含む場合、金属塩の金属イオンが還元反応して金属粒子を生成する。一方、塗膜中の（Ｂ）成分は、加熱時に、（Ａ）成分として含有された金属粒子、および、（Ａ）成分の金属塩から形成された金属粒子が凝集するのを抑えるとともに、基板表面と導電性膜との間に隙間なく入り込むことによって導電性膜と基板との密着性を向上させる。その結果、本実施形態の導電性膜は、低抵抗であり、かつ、優れた基板との密着性を示すことができると考えられる。
【００８９】
［工程（１）］
基板としては、例えば低密度ポリエチレン樹脂、高密度ポリエチレン樹脂、ＡＢＳ樹脂（アクリロニトリル／ブタジエン／スチレン共重合合成樹脂）、アクリル樹脂、スチレン樹脂、塩化ビニル樹脂、ポリエステル樹脂（ポリエチレンテレフタレート、ポリトリメチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリブチレンナフタレート）、ポリアセタール樹脂、セルロース誘導体等の樹脂基材；非塗工印刷用紙、微塗工印刷用紙、塗工印刷用紙（アート紙、コート紙）、特殊印刷用紙、コピー用紙（ＰＰＣ用紙）、未晒包装紙（重袋用両更クラフト紙、両更クラフト紙）、晒包装紙（晒クラフト紙、純白ロール紙）、コートボール、チップボール段ボール等の紙基材；銅、鉄、銀、金、白金、アルミ、ニッケル、チタン、タンタル、コバルト、タングステン、ルテニウム、鉛等の金属基材；ジュラルミン、ステンレス鋼等の金属合金基材；炭素、ケイ素、ガリウム、ジルコニア等の非金属基材；アルミナ、チタニア、酸化スズ、酸化イットリウム、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、サファイア、ジルコニア、窒化ガリウム、窒化ケイ素、窒化チタン、窒化タンタル、ポリシリコン、ＩＴＯ（インジウム錫オキサイド）等のセラミックス基材；ソーダガラス、ホウケイ酸ガラス、シリカガラス、石英ガラス、カルコゲンガラス等のガラス基材；が挙げられる。
【００９０】
導電性膜形成用組成物の塗布方法としては、インクジェット印刷、グラビア印刷、フレキソ印刷、（シルク）スクリーン印刷、凸版印刷、スピンコート法、スプレーコート法、バーコート法、キャスト法、ディップコート法、および、ロールコータ法が挙げられる。
【００９１】
［工程（２）］
前記工程（２）における加熱温度は、本実施形態の導電性膜形成用組成物に（Ａ）成分として金属塩が含有されたときに、その金属塩が還元され、不要な有機物が分解、揮発する温度であればよく、通常、５０℃〜３００℃の範囲、好ましくは、５０℃〜２５０℃の範囲、より好ましくは５０℃〜２００℃の範囲である。加熱温度が前記範囲内であると、金属塩の還元反応が完全に進行し、且つ、有機材料からなる基板も利用できる。
【００９２】
加熱温度が３００℃以下である場合、従来の技術では、加熱不足による導電性膜の特性低下の問題があった。しかしながら、本実施形態の導電性膜形成方法では、３００℃以下の加熱条件であっても所望とする特性の導電性膜を形成することができる。
【００９３】
工程（２）における加熱時間は、導電性膜形成用組成物中に含まれる成分の種類や、所望する導電性膜の導電性（抵抗値）を考慮して適宜選択すればよく、通常、２００℃程度またはそれ以下の比較的低温の加熱温度を選択した場合には、加熱時間は、５分間〜１００分間程度とすることが好ましい。
【００９４】
＜めっき膜の製造方法、およびめっき膜＞
本発明のめっき膜の製造方法は、本発明の導電性膜をめっき処理のシード層として用いてめっき膜を製造する方法である。
【００９５】
＜電子機器＞
本発明の電子機器は、本発明の導電性膜またはめっき膜を用い、それらを配線とする配線基板や、電極として内蔵した機器である。
【００９６】
本発明の導電性膜またはめっき膜から配線を形成する方法としては、例えば、フォトファブリケーション法によって形成することができる。
【００９７】
電子機器としては、例えば、アンテナ、センサー、コンデンサ、タッチパネルおよび有機ＥＬ等を挙げることができる。
【００９８】
以下、本発明の実施形態の電子機器として例示したタッチパネルについて説明する。
【００９９】
［タッチパネル］
タッチパネルは、例えば、検知電極およびそれを引き出すための引き出し配線が設けられた基板上に、その検知電極を覆うように形成された光透過性の絶縁膜を有するタッチパネルである。このタッチパネルは、例えば、静電容量方式のタッチパネルとすることができる。
【０１００】
尚、本発明の実施形態のタッチパネルにおいては、上述の絶縁膜を設けない構造とすることも可能である。
【０１０１】
図１は、本発明の実施形態のタッチパネルの一例を示す平面図である。
【０１０２】
図２は、図１のＢ−Ｂ’線に沿う断面図である。
【０１０３】
図１に示すように、本実施形態の一例であるタッチパネル２１は、透明基板２２の表面に、Ｘ方向に延在する第１検知電極２３と、Ｘ方向に直交するＹ方向に延在する第２検知電極２４を有する。
【０１０４】
透明基板２２はガラス基板とすることができる。また、透明基板２２は、樹脂基板とすることもでき、その場合、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリブチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリエーテルスルホンフィルム、ポリカーボネートフィルム、ポリアクリルフィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、ポリイミドフィルム、環状オレフィンの開環重合体フィルムおよびその水素添加物からなるフィルム等を用いることができる。透明基板２２の厚みとしては、ガラス基板の場合、０．１ｍｍ〜３ｍｍとすることができる。樹脂基板の場合、１０μｍ〜３０００μｍとすることができる。
【０１０５】
第１検知電極２３と第２検知電極２４は、それぞれ複数が配置される。そして、第１検知電極２３と第２検知電極２４は、タッチパネル２１の操作領域でマトリクス状に配置されている。第１検知電極２３は、操作者によるタッチ位置のＹ方向の座標を検出するために用いられる。第２検知電極２４は、操作者によるタッチ位置のＸ方向の座標を検出するために用いられる。第１検知電極２３と第２検知電極２４は、透明基板２２の同一面の同一層に設けられている。尚、第１検知電極２３および第２検知電極２４の数は図１の例に限られるものではなく、操作領域の大きさと必要とされるタッチ位置の検出精度に応じて決定されることが好ましい。すなわち、より多い数や少ない数の第１検知電極２３および第２検知電極２４を用い、タッチパネル２１を構成することができる。
【０１０６】
図１に示すように、第１検知電極２３および第２検知電極２４はそれぞれ、菱形形状の複数の電極パッド３０から構成されている。第１検知電極２３と第２検知電極２４は、第１検知電極２３の電極パッド３０がそれと隣接する第２検知電極２４の電極パッド３０と離間するように配置される。このとき、それら電極パッド３０間の隙間は、絶縁性が確保できる程度のごく小さなものとされる。
【０１０７】
そして、第１検知電極２３と第２検知電極２４とは、互いに交差する部分をできる限り小さくできるように配置される。そして、第１検知電極２３および第２検知電極２４を構成する電極パッド３０がタッチパネル２１の操作領域全体に配置されるようにする。
【０１０８】
図１に示すように、電極パッド３０は菱形形状とすることができるが、こうした形状に限られず、例えば、六角形等の多角形形状とすることができる。
【０１０９】
第１検知電極２３および第２検知電極２４はそれぞれ、タッチパネル２１の下に配置される液晶表示素子（図示されない）等のディスプレイの視認性を低下させないように、透明電極であることが好ましい。ここで、透明電極とは、可視光に対して高い透過性を備える電極である。第１検知電極２３および第２検知電極２４としては、ＩＴＯからなる電極や、酸化インジウムと酸化亜鉛からなる電極等、透明導電材料からなる電極を用いることができる。第１検知電極２３および第２検知電極２４がそれぞれＩＴＯからなる場合、十分な導電性を確保できるよう、それらの厚さを１０ｎｍ〜１００ｎｍとすることが好ましい。
【０１１０】
第１検知電極２３および第２検知電極２４の形成は、公知の方法を用いて行うことができ、例えば、ＩＴＯ等の透明導電材料からなる膜をスパッタリング法等を用いて成膜し、フォトリソグラフィ法等を利用してパターニングすることで行うことができる。
【０１１１】
図１および図２に示すように、第１検知電極２３および第２検知電極２４は、透明基板２２の同一面上に形成されており、同一層をなしている。そのため、第１検知電極２３と第２検知電極２４とは、操作領域において、複数の箇所で交差しており、交差部２８を形成している。
【０１１２】
本実施形態のタッチパネル２１では、図２に示すように、交差部２８において、第１検知電極２３および第２検知電極２４のいずれか一方が他方と接触しないように分断される。すなわち、交差部２８において、第１検知電極２３は繋がっているが、図２の左右方向に伸びる第２検知電極２４は分断されて形成されている。そして、第２検知電極２４の途切れた箇所を電気的に接続させるために、ブリッジ電極３２が設けられている。ブリッジ電極３２と第１検知電極２３との間には、絶縁性物質からなる層間絶縁膜２９が設けられている。
【０１１３】
図２に示すように、交差部２８で、第１検知電極２３の上に設けられた層間絶縁膜２９は、光透過性に優れた材料から形成されている。層間絶縁膜２９は、ポリシロキサン、アクリル系樹脂、およびアクリルモノマー等を用いて印刷法で塗布し、必要な場合にパターニングを行った後、それを加熱硬化させて形成することができる。ポリシロキサンを用いて形成した場合には、層間絶縁膜２９はシリコン酸化物（ＳｉＯ２）からなる無機絶縁層となる。また、アクリル系樹脂、およびアクリルモノマーを用いた場合には、層間絶縁膜２９は樹脂からなる有機絶縁層となる。層間絶縁膜２９にＳｉＯ２を用いる場合には、例えば、マスクを用いたスパッタリング法によって、交差部２８における第１検知電極２３の上にのみＳｉＯ２膜を形成して、層間絶縁膜２９を構成することもできる。
【０１１４】
層間絶縁膜２９の上層には、ブリッジ電極３２が設けられている。ブリッジ電極３２は、上述したように、交差部２８で途切れた第２検知電極２４同士を電気的に接続する機能を果たす。ブリッジ電極３２は、ＩＴＯ等の光透過性に優れた材料によって形成されることが好ましい。ブリッジ電極３２を設けることにより、第２検知電極２４をＹ方向に電気的に接続することができる。
【０１１５】
図１に示すように、第１検知電極２３と第２検知電極２４は、上述したように、菱形の電極パッド３０を縦または横に複数並べた形状を有する。第１検知電極２３において、交差部２８に位置する接続部分は、第１検知電極２３の菱形の電極パッド３０より幅の狭い形状とされる。また、ブリッジ電極３２も、菱形の電極パッド３０より幅の狭い形状であって、短冊状に形成されている。
【０１１６】
タッチパネル２１の第１検知電極２３と第２検知電極２４の端部には、それぞれ端子（図示されない）が設けられており、その端子からそれぞれ引き出し配線３１が引き出される。引き出し配線３１は、銅膜等、上述した本発明の実施形態の導電性膜を使用した配線とすることができる。同様に、端子も、本発明の実施形態の導電性膜を用いて形成することができる。
【０１１７】
すなわち、タッチパネル２１の引き出し配線３１等は、上述した本発明の実施形態の導電性膜形成用組成物を用い、上述した本発明の実施形態の導電性膜形成方法に従って形成することができる。
【０１１８】
例えば、本発明の実施形態の導電性膜形成方法で例示した塗布方法により、本実施形態の導電性膜形成用組成物の塗膜を第１検知電極２３および第２検知電極２４等の形成された透明基板２２上に形成し、配線パターンを形成する。例えば、インクジェット印刷法、グラビア印刷法、グラビアオフセット印刷法、リバースオフセット印刷法、フレキソ印刷法、（シルク）スクリーン印刷法、凸版印刷等を利用した直接描画により、塗膜を形成し、配線パターンを形成することができる。
【０１１９】
そして、上述したように、大気下の他、例えば、窒素ガス、ヘリウムガスおよびアルゴンガス等の不活性ガスを利用した非酸化性雰囲気下で加熱し、引き出し配線３１等を形成することができる。
【０１２０】
尚、塗膜の加熱は、上述したように、水素ガス等の還元性ガスを利用した還元性雰囲気下でも行うことができる。
【０１２１】
引き出し配線３１は、その端部の接続端子（図示されない）を用いて、第１検知電極２３および第２検知電極２４への電圧印加やタッチ操作の位置を検出する外部の制御回路（図示されない）に電気的に接続される。
【０１２２】
図１および図２に示すように、第１検知電極２３および第２検知電極２４の配置された透明基板２２の表面には、第１検知電極２３および第２検知電極２４を覆うように、光透過性の絶縁膜２５が配置されている。
【０１２３】
絶縁膜２５は、タッチパネル２１の操作領域で、第１検知電極２３および第２検知電極２４を被覆して保護するようにパターニングされて形成される。併せて、絶縁膜２５は、第１検知電極２３および第２検知電極２４から引き出される引き出し配線３１の端部の接続端子（図示されない）が露出するようにパターニングされて形成される。
【０１２４】
絶縁膜２５の形成には、感放射線性の樹脂組成物を用いることができ、所定のパターニングを行って第１検知電極２３および第２検知電極２４上に配置することができる。
【０１２５】
タッチパネル２１は、透明基板２２の第１検知電極２３および第２検知電極２４の形成面に、例えば、アクリル系の透明接着剤からなる接着層（図示されない）を用いて透明な樹脂からなるカバーフィルム（図示されない）を設けることが可能である。
【０１２６】
以上の構成を有するタッチパネル２１は、第１検知電極２３と第２検知電極２４がマトリクス状に配置された操作領域において静電容量を計測し、操作者の指等のタッチ操作があった場合に生じる静電容量の変化から、指等の接触位置を検知することができる。そして、液晶表示素子や有機ＥＬ素子等のディスプレイの上に載置し、電子機器のディスプレイの入力装置として好適に使用することが可能である。
【０１２７】
したがって、本発明の実施形態の導電性膜形成用組成物を用いて、上述した本発明の実施形態の導電性膜形成方法に従って形成された銅膜等、本発明の実施形態の導電性膜を用い、引き出し配線を構成することができる。そして、本発明の実施形態の導電性膜からなる引き出し配線を用いてタッチパネルを構成することができる。
【実施例】
【０１２８】
以下、実施例に基づいて本発明の実施形態をより具体的に説明する。しかし、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【０１２９】
［重量平均分子量（Ｍｗ）および数平均分子量（Ｍｎ）］
重量平均分子量（Ｍｗ）および数平均分子量（Ｍｎ）の測定方法を下記に示す。
重合体のＭｗおよびＭｎは、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）により東ソー社製のＧＰＣカラム（Ｇ２０００ＨＸＬ  ２本、Ｇ３０００ＨＸＬ  １本、Ｇ４０００ＨＸＬ  １本）を使用し、以下の条件により測定した。
溶離液：テトラヒドロフラン（和光純薬工業社）
流量：１．０ｍＬ／分
試料濃度：１．０質量％
試料注入量：１００μＬ
検出器：示差屈折計
標準物質：単分散ポリスチレン
【０１３０】
＜メタロキサン化合物の合成＞
［合成例１：メチルトリメトキシシラン／フェニルトリメトキシシラン重縮合物（ＰＭＰＳ）の合成］
攪拌機付の容器内に、プロピレングリコールモノメチルエーテル２４ｇを仕込み、続いて、メチルトリメトキシシラン（ＭＴＭＳ）３９ｇ、フェニルトリメトキシシラン（ＰＴＭＳ）１８ｇを仕込み、溶液温度が６０℃になるまで加熱した。溶液温度が６０℃に到達後、ギ酸０．１ｇ、イオン交換水１９ｇを仕込み、７５℃になるまで加熱し、２時間保持した。４５℃に冷却後、脱水剤としてオルト蟻酸メチル２８ｇを加え、１時間攪拌した。さらに溶液温度を４０℃にし、温度を保ちながらエバポレーションすることで、イオン交換水および加水分解縮合で発生したメタノールを除去した。以上により、ＰＭＰＳ溶液を得た。ＰＭＰＳ溶液は固形分濃度３０質量％であり、重量平均分子量（Ｍｗ）は２０００であった。
【０１３１】
［合成例２：チタンテトライソプロポキシド重縮合物（ＴＴＩＰ）の合成］
回転子、還流冷却器、温度計を備えた三口ナス型フラスコに、チタンテトライソプロポキシド５．８ｇを仕込み、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）１００ｍｌに溶解し、５℃で攪拌した。さらに攪拌しながら、水０．６ｇを２０ｍｌのＴＨＦに溶解したものを、ゆっくりと滴下した後、６６℃に昇温し、３時間反応させた。反応冷却後、エバポレーターを使用して濃縮し、黄色粘性物質を得た。また、ＩＲ、およびＮＭＲから、得られた黄色粘性物質は側鎖にイソプロポキシ基を有するポリチタノキサンイソプロポキシド（ＴＴＩＰ）を含有することがわかった。重量平均分子量（Ｍｗ）は１８００であった。
【０１３２】
［合成例３：チタノシロキサン重合物（ＴＳ）の合成］
回転子、還流冷却器、温度計を備えた三口ナス型フラスコに、テトラエトキシシラン１２．０ｇをメタノール５０ｍｌに混合した溶液を仕込み、そこに、水１．８７ｇ、６規定塩酸０．８３ｇ、メタノール５０ｍｌを混合した溶液を０℃で加えて、部分加水分解反応させた後、ジ−ｉ−プロポキシビス（アセチルアセトナート）チタン１８．２ｇとイソプロピルアルコール２０ｍｌを混合した溶液を加え、溶媒の還流温度下で、１時間反応させることで、反応混合物を得た。反応冷却後、エバポレーターで濃縮し、チタノシロキサン重合物（ＴＳ）からなる高粘性物質を得た。重量平均分子量（Ｍｗ）は２２００であった。
【０１３３】
［合成例４：ジルコノシロキサン重合物（ＺＳ）の合成］
回転子、還流冷却器、温度計を備えた三口ナス型フラスコに、テトラエトキシシラン１０．４ｇをメタノール５０ｍｌに混合した溶液を仕込み、そこに、水１．８７ｇ、６規定塩酸０．８３ｇ、メタノール５０ｍｌを混合した溶液を０℃で加えて部分加水分解反応をさせた後、ジ−ｉ−プロポキシビス（アセチルアセトナート）ジルコニウム１０．２ｇをエタノール１０ｍｌの混合溶液を加え、溶媒の還流温度下で、１時間反応させることで、反応混合物を得た。反応冷却後、エバポレーターで濃縮し、ジルコノシロキサン重合物（ＺＳ）からなる高粘度性物質を得た。重量平均分子量（Ｍｗ）は２５００であった。
【０１３４】
［合成例５：ジ−ｉ−プロポキシビス（アセチルアセトナート）チタン縮合物（ＰＡＴ）の合成］
回転子、還流冷却器、温度計を備えた三口ナス型フラスコに、ジ−ｉ−プロポキシビス（アセチルアセトナート）チタン５．８ｇを仕込み、ＴＨＦ１００ｍｌに溶解し、５℃で攪拌した。さらに攪拌しながら、水０．５ｇと２０ｍｌのＴＨＦを混合した溶液をゆっくり滴下した後、６６℃に昇温し、３時間反応させた。反応冷却後、エバポレーターを使用して濃縮し、高粘性物質としてジ−ｉ−プロポキシビス（アセチルアセトナート）チタン縮合物（ＰＡＴ）を得た。重量平均分子量（Ｍｗ）は２４００であった。
【０１３５】
＜ギ酸銀の合成＞
［合成例６］
攪拌機付の容器内に、エタノール２５０ｇと酢酸銀８．３５ｇとギ酸２．３ｇを加えて５分間攪拌し、生成した沈殿物をエタノールで洗浄し、ギ酸銀を得た。
【０１３６】
＜銀粒子の合成＞
［合成例７］
反応容器のフラスコに、アミン化合物としてｎ−ブチルアミン（ＢＡ）１３．８ｇ（０．１８８ｍｏｌ）を入れ、氷浴で冷却し、撹拌しながらギ酸５．４ｇ（０．１１８ｍｏｌ）を滴下することによりｎ−ブチルアミン（ＢＡ）とギ酸の塩を調製した。
次に、別のフラスコに酸化銀（Ｉ）２１．８ｇ（０．０９４ｍｏｌ）、ｎ−へキシルアミン（ＨＡ）９．５１ｇ（０．０９４ｍｏｌ）、ｎ−オクチルアミン（ＯＡ）６．０６ｇ（０．０４７ｍｏｌ）、ｎ−ドデシルアミン（ＤＡ）８．７１ｇ（０．０４７ｍｏｌ）を混合し、撹拌を行うことで酸化銀分散溶液を調製した。
【０１３７】
次いで、フラスコ中の酸化銀分散溶液に対し、撹拌しながら上述のｎ−ブチルアミン（ＢＡ）とギ酸の塩を滴下した。滴下の後、そのフラスコを３０℃まで加温し、３０分間撹拌することにより黒色液体を得た。
次いで、得られた黒色液体にメタノール１００ｇを添加した後、撹拌を停止させ、１時間静置した。その後、デカンテーションにより、上澄みを分離し、銀粒子を含む沈殿１８．０ｇを得た。
【０１３８】
その後、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）（日立社製、Ｈ−７６５０）を用いて、得られた銀粒子の平均粒径の測定を行ったところ、５５ｎｍであった。ＴＥＭ画像にて観察された粒子の一次粒径を無作為に１００個計測した際の標準偏差は２０ｎｍ以内であり、単分散で粒径の揃った銀粒子の生成が確認された。
【０１３９】
＜銅粒子の合成＞
［合成例８］
反応容器のフラスコに１−ブタノール３２．３ｇ、２−エチルヘキシルアミン（２ＥＨＡ）４６．２ｇ、オレイン酸３．２ｇ、無水ギ酸銅１８．３ｇを入れ、窒素雰囲気下で、均一溶液になるまで攪拌し、次にオイルバスで１００℃に加熱し、６０分間攪拌することで、黒色液体を得た。
【０１４０】
次いで、得られた黒色液体を室温に戻した後、メタノール１００ｇを添加し、デカンテーションにより、上澄みを分離し、銅粒子を含む沈殿１０．２ｇを得た。
その後、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）（日立社製、Ｈ−７６５０）を用いて、得られた銅粒子の平均粒径の測定を行ったところ、４３ｎｍであった。ＴＥＭ画像にて観察された粒子の一次粒径を無作為に１００個計測した際の標準偏差は２０ｎｍ以内であり、単分散で粒径の揃った銅粒子の生成が確認された。
【０１４１】
＜導電性膜形成用組成物の製造＞
実施例１〜実施例１７および比較例１〜比較例８では、（Ａ）成分の金属塩または金属粒子、（Ｂ）成分のメタロキサン化合物および（Ｃ）アミン化合物を用い、以下に示す方法で、実施例１〜実施例１７および比較例１〜比較例８の導電性膜形成用組成物を製造した。尚、製造した各導電性膜形成用組成物については、それを用いて形成される導電性膜の主要な金属成分に基づいて、銅膜形成用組成物、銅ニッケル膜形成用組成物または銀膜形成用組成物と称することにする。
【０１４２】
［実施例１］
無水ギ酸銅  ４．０ｇ、ＰＴＩ０２３（Ｇｅｌｅｓｔ社製  テトラ−ｎ−ブトキシチタン重縮合物（ＰＤＢＴ））０．１ｇ、ｎ−オクチルアミン（ＯＡ）１５．９ｇを室温にてウェイブローターで、５０ｒｐｍの条件で混合し、銅膜形成用組成物を製造した。
【０１４３】
［実施例２］
実施例１のＰＴＩ０２３  ０．１ｇをＭシリケート５１（多摩化学工業社製  メチルポリシリケート）０．０７ｇに変え、その他は同様にして銅膜形成用組成物を製造した。
【０１４４】
［実施例３］
実施例１のＰＴＩ０２３  ０．１ｇをシリケート４５（多摩化学工業社製  エチルポリシリケート）０．０７ｇに変え、その他は同様にして銅膜形成用組成物を製造した。
【０１４５】
［実施例４］
実施例１のｎ−オクチルアミン（ＯＡ）を２−エチルヘキシルアミン（２ＥＨＡ）に変え、その他は同様にして銅膜形成用組成物を製造した。
【０１４６】
［実施例５］
実施例１のｎ−オクチルアミン（ＯＡ）を３−エトキシプロピルアミン（３ＥＰＡ）に変え、その他は同様にして銅膜形成用組成物を製造した。
【０１４７】
［実施例６］
実施例１のＰＴＩ０２３  ０．１ｇを上述した合成例１のＰＭＰＳ溶液０．３ｇに変え、その他は同様にして銅膜形成用組成物を製造した。
【０１４８】
［実施例７］
実施例１のＰＴＩ０２３を上述した合成例２のチタンテトライソプロポキシド重縮合物（ＴＴＩＰ）含有の高粘性物質に変え、その他は同様にして銅膜形成用組成物を製造した。
【０１４９】
［実施例８］
実施例１のＰＴＩ０２３を上述した合成例３のチタノシロキサン重合物（ＴＳ）含有の高粘性物質に変え、その他は同様にして銅膜形成用組成物を製造した。
【０１５０】
［実施例９］
実施例１のＰＴＩ０２３を上述した合成例４のジルコノシロキサン重合物（ＺＳ）含有の高粘性物質に変え、その他は同様にして銅膜形成用組成物を製造した。
【０１５１】
［実施例１０］
実施例１のＰＴＩ０２３を上述した合成例５のジ−ｉ−プロポキシビス（アセチルアセトナート）チタン縮合物（ＰＡＴ）含有の高粘性物質に変え、その他は同様にして銅膜形成用組成物を製造した。
【０１５２】
［実施例１１］
実施例１の無水ギ酸銅４．０ｇをギ酸銅４水和物５．０ｇに変え、その他は同様にして銅膜形成用組成物を製造した。
【０１５３】
［実施例１２］
ギ酸銀５．０ｇ、ブチルアミン（ＢＡ）２．５ｇ、ＰＴＩ０２３  ０．１ｇ、ブタノール１２．０ｇを室温にてウェイブローターで、５０ｒｐｍの条件で混合し、銀膜形成用組成物を製造した。
【０１５４】
［実施例１３］
無水ギ酸銅３．０ｇ、ギ酸ニッケル２水和物１．０ｇ、ＰＴＩ０２３  ０．１ｇ、ｎ−オクチルアミン（ＯＡ）１５．９ｇを室温にてウェイブローターで、５０ｒｐｍの条件で混合し、銅ニッケル膜形成用組成物を製造した。
【０１５５】
［実施例１４］
上述した合成例７の銀粒子を含む沈殿物５．０ｇに、ターピネオール０．８ｇとＰＴＩ０２３  ０．２ｇを添加し、ペースト状の銀膜形成用組成物を製造した。
【０１５６】
［実施例１５］
上述した合成例８の銅粒子を含む沈殿物７．０ｇに、ターピネオール２．７ｇとソルスパースＪ１８０（ルーブルリゾール社製）０．３ｇ、ＰＴＩ０２３  ０．３ｇを添加し、ペースト状の銅膜形成用組成物を製造した。
【０１５７】
［実施例１６］
水酸化銅３．５ｇ、ＰＴＩ０２３  ０．１ｇ、３−エトキシプロピルアミン１０．７ｇ、ギ酸３．２ｇを室温にてウェイブローターで、５０ｒｐｍの条件で混合し、銅膜形成組成物を製造した。
【０１５８】
［実施例１７］
酢酸銅４．２ｇ、ＰＴＩ０２３８（Ｇｅｌｅｓｔ社製  テトラ−ｎ−ブトキシチタン重縮合物（ＰＤＢＴ））０．１ｇ、３−エトキシプロピルアミン１０．５ｇ、ギ酸３．３ｇを室温にてウェイブローターで、５０ｒｐｍの条件で混合し、銅膜形成組成物を製造した。
【０１５９】
［比較例１］
無水ギ酸銅４．０ｇ、ｎ−オクチルアミン（ＯＡ）１６．０ｇを室温にてウェイブローターで、５０ｒｐｍの条件で混合し、銅膜形成用組成物を製造した。
【０１６０】
［比較例２］
比較例１のｎ−オクチルアミン（ＯＡ）を２−エチルヘキシルアミン（２ＥＨＡ）に変え、その他は同様にして銅膜形成用組成物を製造した。
【０１６１】
［比較例３］
比較例１のｎ−オクチルアミン（ＯＡ）を３−エトキシプロピルアミン（３ＥＰＡ）に変え、その他は同様にして銅膜形成用組成物を製造した。
【０１６２】
［比較例４］
実施例１のＰＴＩ０２３をテトラ−ｎ−ブトキシチタン（ＴＢＴ）に変え、その他は同様にして銅膜形成用組成物を製造した。
【０１６３】
［比較例５］
実施例１のＰＴＩ０２３  ０．１ｇをメチルトリメトキシシラン（ＭＴＭＳ）０．０７ｇに変え、その他は同様にして銅膜形成用組成物を製造した。
【０１６４】
［比較例６］
実施例１のＰＴＩ０２３をテトラ−ｎ−ブトキシジルコニウム（ＴＢＺＲ）に変え、その他は同様にして銅膜形成用組成物を製造した。
【０１６５】
［比較例７］
実施例１のＰＴＩ０２３をＸＥＲ−３２（ＪＳＲ社製  メタルフリーＮＢＲ（ＮＢＲ））に変え、ｎ−オクチルアミン（ＯＡ）を３−エトキシプロピルアミン（３ＥＰＡ）に変えて、その他は同様にして銅膜形成用組成物を製造した。
【０１６６】
［比較例８］
実施例１のＰＴＩ０２３をＬ−ＳＢＲ−８２０（クラレ社製  液状ＳＢＲ（ＳＢＲ））に変え、その他は同様にして銅膜形成用組成物を製造した。
【０１６７】
＜導電性膜の形成＞
実施例１〜実施例１７および比較例１〜比較例８で調製された導電性膜形成用組成物を用い、導電性膜として、銅膜、銅ニッケル膜および銀膜を製造した。
【０１６８】
［実施例１８：銅膜および銅ニッケル膜の形成］
実施例１〜１１、実施例１６〜１７および比較例１〜８の銅膜形成用組成物、並びに、実施例１３の銅ニッケル膜形成用組成物をそれぞれ用い、基材である縦９０ｍｍ、横９０ｍｍの正方形状の無アルカリガラス基板上に５０ｍｍ□、膜厚１００ｕｍの塗布層をバーコーターで形成した。次にホットプレートを用い、窒素雰囲気下で、前述の塗膜の形成されたガラス基板を、１８０℃で１０分間加熱処理し、０．５μｍ〜１．５μｍの厚さのパターニングされた薄膜をそれぞれ得た。
【０１６９】
また、実施例１５の銅膜形成用組成物を用い、加熱温度を２５０℃とした以外は上記と同様の方法でパターニングされた薄膜を得た。
【０１７０】
［実施例１９：銀膜の形成］
実施例１２および１４の銀膜形成用組成物をそれぞれ用い、基材である縦９０ｍｍ、横９０ｍｍの正方形状の無アルカリガラス基板上に５０ｍｍ□、膜厚１００ｕｍの塗布層をバーコーターで形成した。次にホットプレートを用い、大気下で、前述の塗膜の形成されたガラス基板を、１８０℃で１０分間加熱処理し、０．５μｍ〜１．５μｍの厚さのパターニングされた薄膜をそれぞれ得た。
【０１７１】
＜評価＞
［実施例２０：抵抗特性の評価］
実施例１〜１７および比較例１〜８の導電性膜形成用組成物（銅膜形成用組成物、銅ニッケル膜形成用組成物および銀膜形成用組成物）を用いて、実施例１８および１９と同様の方法で形成された薄膜を用い、抵抗特性の評価として、それらの体積抵抗値を評価した。体積抵抗値の測定は４端子抵抗測定機（商品名  Ｍｏｄｅｌ  ｓｉｇｍａ−５、ＮＰＳ社製）を用いて行った。各体積抵抗値の測定結果は、評価用の薄膜の形成に用いた実施例１〜１７および比較例１〜８の導電性膜形成用組成物の主成分とともに、表１にまとめて示した。
【０１７２】
［実施例２１：密着性の評価（密着性試験）］
実施例１〜１７および比較例１〜８の導電性膜形成用組成物（銅膜形成用組成物、銅ニッケル膜形成用組成物および銀膜形成用組成物）を用いて、実施例１８および１９と同様の方法で形成された薄膜を用い、基板との密着性を評価するため、密着性試験を行った。密着性試験は、ＪＩＳ−Ｈ−８５０４に記載のテープ試験法に準拠して行った。評価は、以下のＡ〜Ｃの３段階で行った。
Ａ：テープの粘着面に導電性膜が付着しなかった場合
Ｂ：テープの粘着面に導電性膜の一部が付着した場合
Ｃ：テープの粘着面に導電性膜の全部が付着した場合
【０１７３】
密着性の評価結果は、評価用の薄膜の形成に用いた実施例１〜１７および比較例１〜８の導電性膜形成用組成物の主成分とともに、表１にまとめて示した。
【０１７４】
［実施例２２：熱衝撃試験］
実施例１〜１７および比較例１〜８の導電性膜形成用組成物（銅膜形成用組成物、銅ニッケル膜形成用組成物および銀膜形成用組成物）を用いて、実施例１８および１９と同様の方法で形成された薄膜を用いて、熱衝撃試験機（ＴＳＡ−７２ＥＨ−Ｗ、エスペック株式会社製）内に設置し、空気中、（−５５℃〜８５℃）×１００サイクルの環境下に暴露した。暴露前後のシート抵抗値を上述の４端子抵抗測定機で測定した。抵抗値上昇率が２０％以内のものをＡ、抵抗値上昇率が２０％〜１００％のものをＢ、抵抗値上昇率が１００％以上のものをＣとして評価した。評価結果を表１にまとめて示す。尚、比較例７〜８の銅膜形成用組成物を用いて形成された薄膜は、上記環境下での暴露後に剥離が生じる等、膜の状態が悪く、シート抵抗値を測定することができなかった。
【０１７５】
［実施例２３：恒温恒湿試験］
実施例１〜１７および比較例１〜８の導電性膜形成用組成物（銅膜形成用組成物、銅ニッケル膜形成用組成物および銀膜形成用組成物）を用いて、実施例１８および１９と同様の方法で形成された薄膜を用いて、恒温恒湿試験機（ＰＲ−３Ｊ、エスペック株式会社製）内に設置し、空気中、（８５℃・８５％）×１０００時間の環境下に暴露した。暴露前後のシート抵抗値を上述の４端子抵抗測定機で測定した。抵抗値上昇率が２０％以内のものをＡ、抵抗値上昇率が２０％〜１００％のものをＢ、抵抗値上昇率が１００％以上のものをＣとして評価した。評価結果を表１にまとめて示す。尚、比較例７〜８の銅膜形成用組成物を用いて形成された薄膜は、上記環境下での暴露後に剥離が生じる等、膜の状態が悪く、シート抵抗値を測定することができなかった。
【０１７６】
表１に示すように、実施例１〜１７の各導電性膜は、基板との密着性に優れ且つ高信頼性であることがわかった。一方、比較例１〜８の各導電性膜は、基板との密着性が低く、また、信頼性も良好ではないことがわかった。
【０１７７】
以上の評価結果から、実施例１〜１７の導電性膜形成用組成物を用いてそれぞれ形成された導電性膜（銅膜、銅ニッケル膜および銀膜）は、優れた抵抗特性と、優れた基板との密着性と、高い信頼性を併せ持つことがわかった。
【０１７８】
【表１】
2016060906.tif 000007
【０１７９】
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。
【産業上の利用可能性】
【０１８０】
本発明の導電性膜形成用組成物は、エレクトロニクス分野における回路基板の導電パターンの形成用の組成物として好適に使用できる。そして、本発明の導電性膜は、エレクトロニクス分野等における電子部品等の製造に用いることができる。例えば、本発明の導電性膜は、配線、回路基板、アンテナ、センサー、演算素子および表示素子の製造に用いることができる。
【符号の説明】
【０１８１】
２１    タッチパネル
２２    透明基板
２３    第１検知電極
２４    第２検知電極
２５    絶縁膜
２８    交差部
２９    層間絶縁膜
３０    電極パッド
３１    引き出し配線
３２    ブリッジ電極
【図１】
2016060906.tif 000008
【図２】
2016060906.tif 000009