(57)【要約】【課題】プリディスペンスに要する時間の低減を図りおよび／またはプリディスペンスのための処理液の消費量の低減を図りながら、処理液ノズルから所望の高温に温度調節された処理液を吐出できる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。【解決手段】  基板処理装置１は、薬液流路４２が内部に区画されたノズル配管４１と、薬液流路４２が開口する吐出口４６とを有する薬液ノズル７と、常温よりも高い所定の高温に保ちながら薬液を保持する循環経路２２と、循環経路２２に保持されている薬液を薬液ノズル７に導くための第１の薬液配管１１とを含む。磁誘体材料を含んで構成されているノズル配管４１の管壁４１ｂを、誘導加熱により加熱する誘導加熱ユニット９をさらに含む。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を保持する基板保持手段と、
処理液が流通するための処理液流路が内部に区画されたノズル配管と、前記処理液流路が開口する吐出口とを有する処理液ノズルと、
処理液を、常温よりも高い所定の高温に保ちながら保持する処理液保持ユニットと、
前記処理液保持ユニットおよび前記処理液ノズルに接続され、前記処理液保持ユニットに保持されている処理液を前記処理液ノズルに導くための処理液配管と、
前記処理液配管および前記ノズル配管を含む処理液流通配管の少なくとも一部分に設けられた加熱対象部分であって、磁誘体材料および／または炭素材料を含んで構成されている加熱対象部分を、誘導加熱により加熱する誘導加熱手段とを含む、基板処理装置。
【請求項２】
前記加熱対象部分は、前記処理液ノズルの前記ノズル配管の少なくとも一部分に設けられた第１の加熱対象部分を含む、請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記処理液ノズルは、前記基板保持手段に保持されている基板に処理液を供給するための処理位置と、前記基板保持手段から退避した退避位置との間で移動可能に設けられており、
前記誘導加熱手段は、前記退避位置に位置している前記処理液ノズルの前記第１の加熱対象部分を加熱する、請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記基板保持手段および前記処理液ノズルを収容するチャンバをさらに含み、
前記チャンバは、複数の前記処理液ノズルを収容し、
各処理液ノズルが前記第１の加熱対象部分を含み、
前記誘導加熱手段は、各処理液ノズルに一対一対応で設けられている、請求項２または３に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記加熱対象部分は、前記処理液配管の少なくとも一部分に設けられた第２の加熱対象部分を含む、請求項１〜４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記加熱対象部分は、前記処理液配管に介装されたバルブのバルブボディの少なくとも一部分に設けられた第３の加熱対象部分を含む、請求項１〜５のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記処理液流通配管は、前記磁誘体材料および／または前記炭素材料を含む第１の層と、前記第１の層の外周を取り囲み、前記第１の層を保護するための第２の層とを含む複層構造を有している、請求項１〜６のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記磁誘体材料は、ＳＵＳを含む、請求項１〜７のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記誘導加熱手段は、前記加熱対象部分に近接配置された誘導コイルと、前記誘導コイルに高周波電力を供給する電力供給手段とを含む、請求項１〜８のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項１０】
前記加熱対象部分は、前記ノズル配管の少なくとも一部分に設けられた第１の加熱対象部分を含み、
前記処理液ノズルは、前記基板保持手段に保持されている基板に処理液を供給するための処理位置と、前記基板保持手段から退避した退避位置との間で移動可能に設けられており、
前記誘導コイルは、前記退避位置に位置している前記処理液ノズルの前記第１の加熱対象部分を加熱可能に設けられている、請求項９に記載の基板処理装置。
【請求項１１】
前記退避位置には、前記処理液ノズルから吐出される処理液を受け止めるためのポットが設けられており、前記誘導コイルは、前記ポットの壁に配置されている、請求項１０に記載の基板処理装置。
【請求項１２】
処理液が流通するための処理液流路が内部に区画されたノズル配管と、前記処理液流路が開口する吐出口とを有する処理液ノズルに、常温よりも高い所定の高温に保ちながら処理液を保持する処理液保持ユニットから処理液配管を介して処理液を供給することにより、前記処理液ノズルから吐出される処理液を用いて基板を処理する基板処理方法であって、
前記処理液配管および前記ノズル配管を含む処理液流通配管の少なくとも一部分に設けられた加熱対象部分を、前記加熱対象部分の内部に処理液が存在しない状態で、前記加熱対象部分の温度を常温よりも高くかつ処理液の沸点よりも低い所定の高温に維持するように加熱する加熱工程を含む、基板処理方法。
【請求項１３】
前記加熱対象部分が、磁誘体材料および／または炭素材料を含んで構成されており、
前記加熱工程は、前記加熱対象部分を、誘導加熱により加熱する誘導加熱工程を含む、請求項１２に記載の基板処理方法。
【請求項１４】
前記処理液ノズルを、前記吐出口が前記基板の主面に対向する処理位置と、前記吐出口が前記基板の主面から退避する退避位置との間で移動させるノズル移動工程をさらに含み、
前記加熱工程は、前記処理液ノズルが前記退避位置に位置している間、前記加熱対象部分に対する加熱を行う、請求項１２または１３に記載の基板処理方法。
【請求項１５】
前記加熱工程は、前記ノズル配管の少なくとも一部分に設けられた第１の加熱対象部分を加熱する第１の加熱工程を含む、請求項１２〜１４のいずれか一項に記載の基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板処理装置および基板処理方法に関する。処理の対象となる基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、ＦＥＤ（Field Emission Display）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板等が含まれる。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置や液晶表示装置の製造工程では、半導体ウエハや液晶表示装置用ガラス基板などの基板に対して処理液を用いた処理が行われる。たとえば、基板を一枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置は、基板を水平に保持して回転させるスピンチャックと、このスピンチャックに保持された基板の表面に処理液を供給する処理液ノズルとを備えている。処理液ノズルに対し、所定の高温に温度調節された薬液が供給されるものがある。
【０００３】
下記特許文献１には、薬液を貯留するためのタンクと、このタンクから延びた処理液供給配管とを含む基板処理装置が記載されている。処理液供給配管には、ポンプと、温度調節ユニットと、処理液バルブとが、上流側からこの順に介装されている。基板処理装置は、処理液供給配管を流通する薬液をタンクに帰還させるためのリターン路をさらに含む。リターン配管の一端が、温度調節ユニットと処理液バルブとの間に接続され、かつリターン配管の他端がタンクに接続されている。
【０００４】
基板の表面に薬液を供給しない場合、処理液バルブが閉じられると共にリターンバルブが開かれて、処理液供給配管を流通する高温の薬液が分岐部分からリターン路を通ってタンクに帰還する。つまり、基板の処理を行わないときには、タンク、処理液供給配管およびリターン路からなる循環経路を高温の薬液が循環している。
一方、高温の薬液による処理を基板の表面に施すべき時には、リターンバルブが閉じられルと共に処理液バルブが開かれて、循環経路を循環していた高温の薬液が処理液供給配管を介して処理液ノズルへと供給される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１３−１７２０７９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１に記載の構成では、処理液バルブが閉じられている間、処理液供給配管や処理液ノズルのノズル配管には薬液が存在しておらず、処理液供給配管や処理液ノズルのノズル配管が常温に保たれている。そのため、処理液バルブが開かれることにより、循環経路から、処理液供給配管の分岐位置よりも下流側部分（以下、この項において「処理液供給配管の下流側部分」という）へと送り出された高温の薬液が、処理液供給配管の下流側部分や処理液ノズルのノズル配管を流れる過程で、処理液供給配管の下流側部分の管壁やノズル配管の管壁と熱交換して冷却され、その温度低下した薬液が基板に供給されるおそれがある。
【０００７】
温度低下した薬液が基板の処理に用いられるのを防止するために、処理対象の基板への薬液の供給に先立って、処理液ノズルから基板の存在していない空間に向けた状態で処理液バルブを開くプリディスペンスが行われる。プリディスペンスの際には、処理液供給配管の下流側部分や処理液ノズルのノズル配管を高温の薬液が流通する結果、当該下流側部分の管壁やノズル配管の管壁が高温の薬液によって温められ、これらの管壁が薬液の液温と同程度の高温度まで昇温する。それ以降は、処理液供給配管の下流側部分の管壁やノズル配管の管壁によって、薬液が冷却されるおそれがない。これにより、処理液ノズルから所望の高温に温度調節された薬液を吐出することができる。
【０００８】
しかしながら、プリディスペンスによって処理液ノズルから吐出される薬液は、高温化された後に温度低下した結果化学的性質が変質しているために、基板の処理に再利用できず、廃棄せざるを得ない。そのため、プリディスペンスにおける処理液ノズルからの吐出量が増大するのに従って、薬液の消費量が増大する。
また、薬液のプリディスペンスが行われると、プリディスペンスに要する時間が長くなるのに従って処理のスループットが低下する。
【０００９】
すなわち、処理液（薬液）のプリディスペンスに要する時間の低減を図りおよび／または処理液のプリディスペンスのための処理液の消費量の低減を図ることが求められている。
そこで、本発明の目的は、プリディスペンスに要する時間の低減を図りおよび／またはプリディスペンスのための処理液の消費量の低減を図りながら、処理液ノズルから所望の高温に温度調節された処理液を吐出できる基板処理装置および基板処理方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
前記の目的を達成するための請求項１に記載の発明は、基板を保持する基板保持手段と、処理液が流通するための処理液流路が内部に区画されたノズル配管と、前記処理液流路が開口する吐出口とを有する処理液ノズルと、処理液を、常温よりも高い所定の高温に保ちながら保持する処理液保持ユニットと、前記処理液保持ユニットおよび前記処理液ノズルに接続され、前記処理液保持ユニットに保持されている処理液を前記処理液ノズルに導くための処理液配管と、前記処理液配管および前記ノズル配管を含む処理液流通配管の少なくとも一部分に設けられた加熱対象部分であって、磁誘体材料および／または炭素材料を含んで構成されている加熱対象部分を、誘導加熱により加熱する誘導加熱手段とを含む、基板処理装置を提供する。
【００１１】
この構成によれば、処理液流通配管の少なくとも一部分に加熱対象部分が設けられており、この加熱対象部分は、磁誘体材料および／または炭素材料を含んで構成されている。この加熱対象部分を誘導加熱手段が誘導加熱により加熱することにより、当該加熱対象部分を昇温させることができる。したがって、処理液ノズルから処理液を吐出していない状態において、処理液流通配管の少なくとも一部分を加熱することにより、当該部分を、処理液保持ユニットから供給される処理液と同程度の温度に維持しておくことが可能である。
【００１２】
この場合、処理液ノズルから多量の処理液を吐出させなくても、少量の処理液を処理液ノズルから吐出するだけで、処理液流通配管の全体を、処理液保持ユニットから供給される薬液の液温と同程度まで昇温させることができる。そのため、プリディスペンスに要する時間の低減を図ることが可能であり、また、プリディスペンスのための処理液の消費量を低減することも可能である。
【００１３】
これにより、プリディスペンスに要する時間の低減を図りおよび／またはプリディスペンスのための処理液の消費量の低減を図りながら、処理液ノズルの吐出口から所望の高温に温度調節された処理液を吐出できる。
請求項２に記載の発明は、前記加熱対象部分は、前記処理液ノズルの前記ノズル配管の少なくとも一部分に設けられた第１の加熱対象部分を含む、請求項１に記載の基板処理装置である。
【００１４】
この構成によれば、ノズル配管の少なくとも一部分に、磁誘体材料および／または炭素材料を含んで構成された第１の加熱対象部分が設けられている。この第１の加熱対象部分を誘導加熱手段が誘導加熱により加熱することにより、第１の加熱対象部分を昇温させることができる。したがって、処理液ノズルから処理液を吐出していない状態において、ノズル配管の少なくとも一部分を加熱することにより、当該部分を、処理液保持ユニットから供給される処理液と同程度の温度に維持しておくことが可能である。
【００１５】
この場合、処理液ノズルから多量の処理液を吐出させなくても、少量の処理液を処理液ノズルから吐出するだけで、処理液流通配管の全体を、処理液保持ユニットから供給される薬液の液温と同程度まで昇温させることができる。そのため、プリディスペンスに要する時間の低減を図ることが可能であり、また、プリディスペンスのための処理液の消費量を低減することも可能である。
【００１６】
請求項３に記載の発明は、前記処理液ノズルは、前記基板保持手段に保持されている基板に処理液を供給するための処理位置と、前記基板保持手段から退避した退避位置との間で移動可能に設けられており、前記誘導加熱手段は、前記退避位置に位置している前記処理液ノズルの前記第１の加熱対象部分を加熱する、請求項２に記載の基板処理装置である。
【００１７】
この構成によれば、退避位置に位置している処理液ノズルの第１の加熱対象部分を、誘導加熱手段が加熱する。基板への処理液非供給の期間のうち長い期間において、処理液ノズルが退避位置に配置されている。基板への処理液非供給の期間を有効に利用にして、ノズル配管を温めておくことができる。
また、処理液のプリディスペンスが通常行われる退避位置で、誘導加熱手段がノズル配管を加熱する。そのため、プリディスペンスする直前まで、処理液ノズルのノズル配管の第１の加熱対象部分を温めることが可能である。
【００１８】
請求項４に記載の発明は、前記基板保持手段および前記処理液ノズルを収容するチャンバをさらに含み、前記チャンバは、複数の前記処理液ノズルを収容し、各処理液ノズルが前記第１の加熱対象部分を含み、前記誘導加熱手段は、各処理液ノズルに一対一対応で設けられている、請求項２または３に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、複数の処理液ノズルを設ける場合に、各処理液ノズルに一対一対応で誘導加熱手段が設けられる。これにより、各ノズル配管の第１の加熱対象部分を効率良く加熱することができる。
【００１９】
請求項５に記載の発明は、前記加熱対象部分は、前記処理液配管の少なくとも一部分に設けられた第２の加熱対象部分を含む、請求項１〜４のいずれか一項に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、処理液供給配管の少なくとも一部分に、磁誘体材料および／または炭素材料を含んで構成された第２の加熱対象部分が設けられている。この第２の加熱対象部分を誘導加熱手段が誘導加熱により加熱することにより、処理液供給配管の少なくとも一部分を昇温させることができる。そのため、処理液ノズルから処理液を吐出していない状態において、処理液供給配管の少なくとも一部分を温めて、処理液から吐出される処理液と同程度の温度に維持しておくことが可能である。
【００２０】
請求項６に記載の発明は、前記加熱対象部分は、前記処理液配管に介装されたバルブのバルブボディの少なくとも一部分に設けられた第３の加熱対象部分を含む、請求項１〜５のいずれか一項に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、バルブのバルブボディの少なくとも一部分に、磁誘体材料および／または炭素材料を含んで構成された第３の加熱対象部分が設けられている。この第３の加熱対象部分を誘導加熱手段が誘導加熱により加熱することにより、バルブボディの少なくとも一部分を昇温させることができる。そのため、処理液ノズルから処理液を吐出していない状態において、バルブボディの少なくとも一部分を温めて、処理液から吐出される処理液と同程度の温度に維持しておくことが可能である。
【００２１】
請求項７に記載の発明は、前記処理液流通配管は、前記磁誘体材料および／または前記炭素材料を含む第１の層と、前記第１の層の外周を取り囲み、前記第１の層を保護するための第２の層とを含む複層構造を有している、請求項１〜６のいずれか一項に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、第２の層が磁誘体材料および／または炭素材料を含む第１の層を保護するので、第１の層の長寿命化を図ることができる。これにより、誘導加熱による加熱対象部分の加熱を長期に亘って行うことができる。
【００２２】
請求項８に記載の発明は、前記磁誘体材料は、ＳＵＳを含む、請求項１〜７のいずれか一項に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、加熱対象部分が、ＳＵＳを含むので、したがって、誘導加熱手段からの誘導加熱によって加熱対象部分を良好に昇温させることができる。
請求項９に記載の発明は、前記誘導加熱手段は、前記加熱対象部分に近接配置された誘導コイルと、前記誘導コイルに高周波電力を供給する電力供給手段とを含む、請求項１〜８のいずれか一項に記載の基板処理装置である。
【００２３】
この構成によれば、誘導コイルと電流供給手段とを含む簡単な構成で、誘導加熱手段を実現できる。
請求項１０に記載の発明は、前記加熱対象部分は、前記ノズル配管の少なくとも一部分に設けられた第１の加熱対象部分を含み、前記処理液ノズルは、前記基板保持手段に保持されている基板に処理液を供給するための処理位置と、前記基板保持手段から退避した退避位置との間で移動可能に設けられており、前記誘導コイルは、前記退避位置に位置している前記処理液ノズルの前記第１の加熱対象部分を加熱可能に設けられている、請求項９に記載の基板処理装置である。
【００２４】
この構成によれば、処理液ノズルとは別の、退避位置に配置された別部材に、誘導加熱手段を設けることも可能である。処理液ノズルが移動可能な構成に設けられている場合には、処理液ノズルの内部に誘導コイルを配置すると、誘導加熱のための配線の引き回し等の関係上、複雑な構造になることが考えられる。これに対し、退避位置に配置された別部材に誘導コイルを設けるので、誘導コイルを設けるべく複雑な配線を引き回すことを回避できる。
【００２５】
請求項１１に記載の発明は、前記退避位置には、前記処理液ノズルから吐出される処理液を受け止めるためのポットが設けられており、前記誘導コイルは、前記ポットの壁に配置されている、請求項１０に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、前記の別部材としてポットを設けることにより、誘導コイルを退避位置に配置された別部材に配置する構成を、簡単に実現することができる。
【００２６】
前記の目的を達成するための請求項１２に記載の発明は、処理液が流通するための処理液流路が内部に区画されたノズル配管と、前記処理液流路が開口する吐出口とを有する処理液ノズルに、常温よりも高い所定の高温に保ちながら処理液を保持する処理液保持ユニットから処理液配管を介して処理液を供給することにより、前記処理液ノズルから吐出される処理液を用いて基板を処理する基板処理方法であって、前記処理液配管および前記ノズル配管を含む処理液流通配管の少なくとも一部分に設けられた加熱対象部分を、前記加熱対象部分の内部に処理液が存在しない状態で、前記加熱対象部分の温度を常温よりも高くかつ処理液の沸点よりも低い所定の高温に維持するように加熱する加熱工程を含む、基板処理方法を提供する。
【００２７】
この方法によれば、処理液流通配管の少なくとも一部分に加熱対象部分が設けられており、この加熱対象部分が加熱により、常温よりも高くかつ処理液の沸点よりも低い所定の高温に維持される。したがって、処理液ノズルから処理液を吐出していない状態において、処理液流通配管の少なくとも一部分を加熱することにより、当該部分を、処理液保持ユニットから供給される処理液と同程度の温度に維持しておくことが可能である。
【００２８】
この場合、処理液ノズルから多量の処理液を吐出させなくても、少量の処理液を処理液ノズルから吐出するだけで、処理液流通配管の全体を、処理液保持ユニットから供給される薬液の液温と同程度まで昇温させることができる。そのため、プリディスペンスに要する時間の低減を図ることが可能であり、また、プリディスペンスのための処理液の消費量を低減することも可能である。
【００２９】
これにより、プリディスペンスに要する時間の低減を図りおよび／またはプリディスペンスのための処理液の消費量の低減を図りながら、処理液ノズルの吐出口から所望の高温に温度調節された処理液を吐出できる。
請求項１３に記載の発明は、前記加熱対象部分が、磁誘体材料および／または炭素材料を含んで構成されており、前記加熱工程は、前記加熱対象部分を、誘導加熱により加熱する誘導加熱工程を含む、請求項１２に記載の基板処理方法である。
【００３０】
この方法によれば、請求項１に関連して説明した作用効果と同等の作用効果を奏することができる。
請求項１４に記載の発明は、前記処理液ノズルを、前記吐出口が前記基板の主面に対向する処理位置と、前記吐出口が前記基板の主面から退避する退避位置との間で移動させるノズル移動工程をさらに含み、前記加熱工程は、前記処理液ノズルが前記退避位置に位置している間、前記加熱対象部分に対する加熱を行う、請求項１２または１３に記載の基板処理方法である。
【００３１】
この方法によれば、処理液ノズルが退避位置に位置している間の期間に、加熱対象部分を加熱することができる。これにより、基板への処理液非供給の期間を有効に利用にして、処理液流通配管の少なくとも一部分を温めておくことができる。
請求項１５に記載の発明は、前記加熱工程は、前記ノズル配管の少なくとも一部分に設けられた第１の加熱対象部分を加熱する第１の加熱工程を含む、請求項１２〜１４のいずれか一項に記載の基板処理方法である。
【００３２】
この方法によれば、請求項２に関連して説明した作用効果と同等の作用効果を奏することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る基板処理装置を水平方向に見た図である。
【図２】前記基板処理装置に備えられた処理ユニットの内部を示す模式的な平面図である。
【図３】薬液ノズルの構成を主として示す断面図である。
【図４】図３の切断面線IV−IVから見た図である。
【図５】待機ポットの概略構成を示す断面図である。
【図６】前記基板処理装置によって行われる処理の処理例について説明するためのフローチャートである。
【図７】前記処理例における制御装置の制御内容を説明するためのタイムチャートである。
【図８】本発明の第２の実施形態に係る基板処理装置を水平方向に見た図である。
【図９】前記基板処理装置に備えられたチャンバの内部の模式的な平面図である。
【図１０】本発明の第３の実施形態に係る薬液ノズルが退避位置にある状態を示す断面図である。
【図１１】本発明の第４の実施形態に係る第１の薬液配管の周囲の構成を主として示す断面図である。
【図１２】図１１の切断面線XII−XIIから見た図である。
【図１３】本発明の第５の実施形態に係る薬液バルブの構成を示す模式的な断面図である。
【図１４】図１３に示す構成の一部を拡大して示す断面図である。
【図１５】変形例に係る配管の構成を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００３４】
以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、本発明の第１の実施形態に係る基板処理装置１を水平方向に見た図である。図２は、基板処理装置１に備えられた処理ユニット２の内部を示す模式的な平面図である。基板処理装置１は、基板Ｗの一例としての半導体ウエハを１枚ずつ処理する枚葉型の装置である。基板処理装置１は、基板Ｗを処理する処理ユニット２と、この処理ユニット２に処理液の一例としての薬液を供給する薬液供給ユニット３と、基板処理装置１に備えられた装置やバルブの開閉を制御する制御装置４とを含む。処理ユニット２および薬液供給ユニット３は、共通のユニットの一部であってもよいし、互いに独立したユニット（互いに独立して移動させることができるユニット）であってもよい。
【００３５】
また、図１では、処理ユニット２が、基板Ｗを一枚ずつ処理する枚葉式のユニットである場合を例に挙げて示すが、複数枚の基板Ｗを一括して処理するバッチ式のユニットであってもよい。また、図１では、薬液供給ユニット３が１つのみ図示されているが、薬種を複数設ける場合には、その薬種に応じた個数の薬液供給ユニット３を設けてもよい。
処理ユニット２は、内部空間を有する箱形のチャンバ５と、チャンバ５内で一枚の基板Ｗを水平な姿勢で保持しながら、基板Ｗの中央部を通る鉛直な回転軸線まわりに基板Ｗを回転させるスピンチャック（基板保持手段）６と、スピンチャック６に保持されている基板Ｗに、薬液を供給するための薬液ノズル（処理液ノズル）７と、基板Ｗから排出された処理液を受け止める筒状のカップ８と、薬液ノズル７のノズル配管（処理液流通配管）４１の先端部分４１ａ（第１の加熱対象部分）を誘導加熱により加熱する誘導加熱ユニット９（図２参照）とを含む。
【００３６】
図１に示すように、薬液ノズル７には、第１の薬液配管（処理液配管。処理液流通配管）１１が接続されている。第１の薬液配管１１は、薬液バルブ１０を介して、薬液供給ユニット３の、次に述べる薬液供給配管１３が接続されている。薬液供給配管１３から、薬液バルブ１０および第１の薬液配管１１を介して薬液ノズル７に供給される薬液は、高温（室温以上の温度）にすることで処理能力が向上する薬液である。このような薬液として、硫酸、ＳＣ１（アンモニア過酸化水素水混合液：ammonia−hydrogen peroxide mixture）、ＳＣ２（hydrochloric acid/hydrogen peroxide mixture：塩酸過酸化水素水）等を例示できる。第１の薬液配管１１には、薬液供給ユニット３から、所定の高温（たとえば４０℃〜８０℃の範囲内の一定温度）に温度調節された薬液が供給される。
【００３７】
薬液供給ユニット３は、薬液を貯留する薬液貯留タンク１２と、薬液貯留タンク１２内の薬液を処理ユニット２（薬液ノズル７）に案内する薬液供給配管１３と、薬液貯留タンク１２内の薬液を薬液供給配管１３に移動させる送液装置１４と、薬液供給配管１３の内部を流通する薬液と接触して、当該薬液を加熱して温度調節する温度調節ユニット１５と、フィルタ１６と、薬液供給配管１３の内部を流れる薬液の温度を計測する温度計１７と、薬液供給配管１３の内部を流れる薬液をろ過するフィルタ１６と、薬液供給配管１３と薬液貯留タンク１２とを接続するリターン配管１８と、リターン配管１８を開閉するためのリターンバルブ１９と、薬液の新液を薬液貯留タンク１２に補充する補充配管２０とを含む。薬液供給配管１３は、その一端が第１の薬液配管１１に接続されており、その他端が薬液貯留タンク１２に接続されている。送液装置１４、温度計１７およびフィルタ１６は、薬液流通方向に沿って薬液供給配管１３にこの順に介装されている。リターン配管１８は、その一端が薬液供給配管１３の第１の分岐位置２１に分岐接続されており、その他端が薬液貯留タンク１２に接続されている。
【００３８】
薬液貯留タンク１２、薬液供給配管１３の第１の分岐位置２１よりも上流側の部分、およびリターン配管１８により、薬液貯留タンク１２内の薬液を高温（常温よりも高い所定の高温）に保ちながら循環させる循環経路２２が形成されている。この循環経路２２は、薬液（処理液）を高温に保ちながら薬液を保持する処理液保持ユニットとして機能する。また、薬液供給配管１３の第１の分岐位置２１よりも下流側部分を第２の薬液配管２３とする。また、処理液配管は、第１の薬液配管１１と第２の薬液配管２３とを含む。
【００３９】
送液装置１４は、タンク内の液体を配管内に吸引するポンプであってもよいし、気体の供給によってタンク内の気圧を上昇させることにより、タンク内の液体を配管内に送る加圧配管であってもよい。図１は、送液装置１４が薬液供給配管１３に介装されたポンプである例を示している。
図１に示すように、送液装置１４が駆動されている状態において、薬液バルブ１０が閉じられた状態でリターンバルブ１９が開かれると、薬液貯留タンク１２から汲み出された薬液が、温度計１７、フィルタ１６およびリターン配管１８を通って、薬液貯留タンク１２に帰還する。これにより、薬液貯留タンク１２内の薬液が循環経路２２を循環する。
【００４０】
この状態から、リターンバルブ１９が閉じられかつ薬液バルブ１０が開かれると、循環経路２２を循環している薬液が、第２の薬液配管２３側へと流れ、第１の薬液配管１１を通って薬液ノズル７に供給され、薬液ノズル７から薬液が吐出される。これにより、基板Ｗに薬液が供給され、薬液を用いて基板Ｗが処理される。
図２に示すように、チャンバ５は、基板Ｗが通過する搬入搬出口２４が設けられた箱形の隔壁２５と、搬入搬出口２４を開閉するシャッタ２６とを含む。シャッタ２６は、搬入搬出口２４が開く開位置と、搬入搬出口２４が閉じられる閉位置（図２に示す位置）との間で移動可能である。搬送ロボット（図示しない）は、搬入搬出口２４を通じてチャンバ５に基板Ｗを搬入し、搬入搬出口２４を通じてチャンバ５から基板Ｗを搬出する。
【００４１】
スピンチャック６は、図１に示すように、水平な姿勢で保持された円板状のスピンベース２７と、スピンベース２７の上方で基板Ｗを水平な姿勢で保持する複数のチャックピン２８と、複数のチャックピン２８を回転させることにより回転軸線Ａ１まわりに基板Ｗを回転させるスピンモータ２９とを含む。スピンチャック６は、複数のチャックピン２８を基板Ｗの周端面に接触させる挟持式のチャックに限らず、非処理対象面である基板Ｗの裏面（下面）をスピンベース２７の上面に吸着させることにより基板Ｗを水平に保持するバキューム式のチャックであってもよい。
【００４２】
カップ８は、図１および図２に示すように、スピンチャック６を回転軸線Ａ１まわりに取り囲む筒状のスプラッシュガード３０と、スプラッシュガード３０を回転軸線Ａ１まわりに取り囲む円筒壁３１とを含む。処理ユニット２は、スプラッシュガード３０の上端がスピンチャック６による基板Ｗの保持位置よりも上方に位置する上位置（図１に示す位置）と、スプラッシュガード３０の上端がスピンチャック６による基板Ｗの保持位置よりも下方に位置する下位置との間で、スプラッシュガード３０を鉛直に昇降させるガード昇降ユニット３２を含む。
【００４３】
処理ユニット２は、図２に示すように、平面視でカップ８のまわりに配置された待機ポット３９（ポット）を含む。待機ポット３９は、基板Ｗの上面から退避している薬液ノズル７から吐出される薬液を受け止めるためのポットである。
処理ユニット２は、図１に示すように、スピンチャック６に保持されている基板Ｗの上面に向けてリンス液を吐出するリンス液ノズル３３を含む。リンス液ノズル３３は、リンス液バルブ３４が介装されたリンス液配管３５に接続されている。処理ユニット２は、処理位置と上退避位置との間でリンス液ノズル３３を移動させるノズル移動ユニットを含んでいてもよい。
【００４４】
リンス液バルブ３４が開かれると、リンス液配管３５からリンス液ノズル３３にリンス液が供給され、リンス液ノズル３３からリンス液が吐出される。リンス液は、たとえば、純水（脱イオン水：Ｄeionized water）である。リンス液は、純水に限らず、炭酸水、電解イオン水、水素水、オゾン水、および希釈濃度（たとえば、１０〜１００ｐｐｍ程度）の塩酸水のいずれかであってもよい。
【００４５】
図１に示すように、薬液ノズル７は、薬液を下方に吐出するノズルである。処理ユニット２は、薬液ノズル７を上方から保持するノズルアーム３６と、ノズルアーム３６を、カップ８のまわりで鉛直に延びるノズル回動軸線Ａ２まわりに揺動させるアーム揺動ユニット３７と、ノズルアーム３６を昇降させるアーム昇降ユニット３８とを含む。
アーム揺動ユニット３７は、ノズルアーム３６を揺動させることにより、薬液ノズル７を、平面視で基板Ｗを通る円弧状の経路に沿って移動させる。これにより、図２に示すように、処理位置Ｐ１と、処理位置Ｐ１から水平方向に離れた上退避位置Ｐ２との間で、薬液ノズル７が水平に移動する。
【００４６】
アーム昇降ユニット３８は、ノズルアーム３６を昇降させることにより、薬液ノズル７を、待機ポット３９の上方に設定された上退避位置Ｐ２（図２に併せて図５を参照）と、上退避位置Ｐ２の下方に設定された下退避位置Ｐ３（退避位置。図２に併せて図５を参照）との間で移動させる。薬液ノズル７が下退避位置Ｐ３に配置されている状態では、待機ポット３９の内部に薬液ノズル７の垂下部４４が収容されている。薬液ノズル７からの薬液が基板Ｗに供給されないときには、制御装置４は、アーム揺動ユニット３７およびアーム昇降ユニット３８を制御して、薬液ノズル７を下退避位置Ｐ３で待機させる。
【００４７】
図３は、薬液ノズル７の構成を主として示す断面図である。薬液ノズル７は、円筒状のノズル配管４１を含む。ノズル配管４１の内部には、薬液流路（処理液流路）４２が区画されている。ノズル配管４１は、水平方向に延びる円筒状の水平部４３と、この水平部４３の先端部分から鉛直に垂下した円筒状の垂下部４４とを含む。薬液流路４２は、水平部４３の基端部で薬液導入口４５として開口するとともに、垂下部４４の下端部分（先端部分）で開口し、円形の吐出口４６を形成している。薬液導入口４５に第１の薬液配管１１の下流端が接続されている。薬液導入口４５を介して第１の薬液配管１１ら薬液流路４２に導入された薬液は、薬液流路４２を流通し吐出口４６から下方に向けて吐出される。
【００４８】
図４は、図３の切断面線IV−IVから見た図である。ノズル配管４１の管壁４１ｂは、同心の三層管状をなしている。管壁４１ｂは、磁誘体層（第１の層）４７と、磁誘体層４７の内周面に配置された内側保護層４８と、磁誘体層４７の外周面に配置された外側保護層（第２の層）４９とを含む。磁誘体層４７の一例として、ＳＵＳ層を例示できる。内側保護層４８は、耐薬性を有する樹脂材料を用いて形成されており、その樹脂材料の一例として、ＰＦＡ（パーフルオロアルコキシエチレン）が用いられる。外側保護層４９は、耐薬性を有する樹脂材料を用いて形成されており、その樹脂材料の一例として、ＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）が用いられている。
【００４９】
内側保護層４８と外側保護層４９とが、磁誘体層４７を保護しているので、磁誘体層４７の長寿命化を図ることができる。磁誘体層４７は、後述するように、誘導加熱ユニット９によって誘導加熱されるのであるが、このような磁誘体層４７の誘導加熱を長期に亘って行うことができる。
また、磁誘体層４７がＳＵＳを含むので、誘導加熱ユニット９からの誘導加熱によってノズル配管４１の管壁４１ｂを良好に昇温させることができる。加えて、強度の高いＳＵＳがノズル配管４１の管壁４１ｂの材料として用いられているので、ノズル配管４１の形状を、高い剛性で保ち続けることができる。
【００５０】
図１および図３に示すように、第１の薬液配管１１の途中部（すなわち、薬液バルブ１０よりも下流側）に設定された第２の分岐位置４０に、吸引配管５０が分岐接続されている。吸引配管５０の途中部には、吸引配管５０を開閉するための吸引バルブ５１が介装されている。吸引配管５０の先端には吸引装置５２が接続されている。吸引装置５２は、たとえば常時作動状態とされている。吸引装置５２の作動状態において、吸引バルブ５１が開かれると、吸引装置５２の働きが有効化され、第１の薬液配管１１の第２の分岐位置４０よりも下流側部分に含まれる薬液、および薬液ノズル７のノズル配管４１の内部に含まれる薬液が、吸引配管５０へと引き込まれる。これにより、薬液ノズル７からの薬液の吐出終了後に吸引バルブ５１を開くことにより、薬液の先端面を、薬液ノズル７の吐出口４６から大きく後退させることができる。
【００５１】
図５は、待機ポット３９の概略構成を示す断面図である。図５では、薬液ノズル７が下退避位置Ｐ３に位置する状態を実線で示し、薬液ノズル７が上退避位置Ｐ２に位置する状態を二点鎖線で示す。
待機ポット３９は、内部空間５３を区画する、たとえば直方体のハウジング５４を含む。ハウジング５４には、ハウジング５４の上面に形成された挿入口５５と、ハウジング５４の下壁５４ａに形成された排出口５７とが形成されている。待機ポット３９の排出口５７には、排出配管５８の一端が接続されている。排出配管５８の他端は、機外の廃液処理設備に接続されている。
【００５２】
誘導加熱ユニット９は、誘導加熱方式による加熱を行うためのたとえば板状の誘導コイル５９と、誘導コイル５９に対し、高周波電力を供給する電力供給ユニット（電力供給手段）６０とを含む。誘導コイル５９は、ハウジング５４の側壁５４ｂに外側から取り付けられている。誘導コイル５９は、側壁５４ｂのうち、下退避位置Ｐ３に位置している薬液ノズル７の垂下部４４と水平方向に対向し、かつ近接する領域に配置されている。
【００５３】
図１では、ハウジング５４が、その上面が開放した構成が描かれているが、ハウジング５４が上壁を有している場合には、当該上壁に挿入口５５が形成されていてもよい。この場合、挿入口５５は円形であり、その挿入口５５の直径は、薬液ノズル７の下端部の直径よりも大きい。
制御装置４は、電力供給ユニット６０を制御して、誘導コイル５９に所定の大きさの高周波電力を供給する。薬液ノズル７が下退避位置Ｐ３に位置する状態で、制御装置４が誘導加熱ユニット９を制御して、誘導コイル５９に高周波電力を供給すると、薬液ノズル７の垂下部４４（のノズル配管４１）の磁誘体層４７（図４参照）が発熱し、垂下部４４が誘導加熱される。誘導コイル５９は、図５に示すように、下退避位置Ｐ３に位置する薬液ノズル７の垂下部４４の上下方向の全域が加熱されるような面積に設けられていてもよい。
【００５４】
図６は、基板処理装置１によって行われる処理の処理例について説明するためのフローチャートである。図７は、前記処理例における制御装置４の制御内容を説明するためのタイムチャートである。
図１〜図７を参照しつつ処理例について説明する。この処理例は、薬液を用いて、基板Ｗの上面に洗浄処理やエッチング処理を施す処理例である。
【００５５】
基板処理装置１（つまり薬液供給ユニット３）の起動後直ちに、制御装置４は、送液装置１４を作動開始させ、かつ温度調節ユニット１５を作動開始させる。
この場合、制御装置４は、送液装置１４が作動している状態で、薬液バルブ１０を閉じかつリターンバルブ１９を開く。そのため、薬液貯留タンク１２から汲み出された薬液は、循環経路２２内を循環する。これにより、温度調節ユニット１５により加熱されて昇温させられる。制御装置４は、温度計１７の出力値を常時参照することにより、循環経路２２内を循環している薬液の温度を監視している。循環経路２２の薬液は、予め定める処理温度（たとえば４０℃〜８０℃の範囲内の所定温度）を目標に昇温させられ、その処理温度に達した後は、当該処理温度のまま維持される。
【００５６】
また、基板処理装置１（つまり処理ユニット２）の起動後において、処理ユニット２の薬液ノズルは、下退避位置Ｐ３に位置している。基板処理装置１の起動後直ちに、制御装置４は、電力供給ユニット６０を制御して、誘導コイル５９に対する高周波電力の供給を開始する。これにより、薬液ノズル７の垂下部４４の磁誘体層４７が発熱し、当該垂下部４４が誘導加熱される。制御装置４は、電力供給ユニット６０を制御して、薬液ノズル７の垂下部４４の温度が薬液供給ユニット３から供給される高温の薬液と同等の温度になるように、誘導コイル５９に供給される高周波電力の大きさを調節する。これにより、垂下部４４が、薬液供給ユニット３から供給される高温の薬液と同等の温度にまで昇温し、その温度に維持される。
【００５７】
また、基板処理装置１の起動後直ちに、制御装置４は、吸引装置５２も作動開始させる。
処理ユニット２によって基板Ｗが処理されるときには、制御装置４は、スプラッシュガード３０が下位置に位置している状態で、搬送ロボットのハンド（図示しない）によって、基板Ｗをチャンバ５内に搬入する（ステップＳ１）。搬送ロボットのハンドは、シャッタ２６が開かれて開放されている搬入搬出口２４を通してチャンバ５内に出し入れされる。そして、制御装置４は、基板Ｗの処理対象面（たとえばパターン形成面）が上に向けられた状態で、搬送ロボットに基板Ｗをスピンチャック６上に載置させる。その後、制御装置４は、搬送ロボットのハンドをチャンバ５の内部から退避させ、チャンバ５の搬入搬出口２４がシャッタ２６で閉じる。
【００５８】
基板Ｗが複数のチャックピン２８の上に置かれた後、制御装置４は、複数のチャックピン２８を基板Ｗの周縁部に押し付け、これにより、基板Ｗが複数のチャックピン２８によって把持される。また、制御装置４は、ガード昇降ユニット３２を制御して、スプラッシュガード３０を下位置から上位置に移動させる。これにより、スプラッシュガード３０の上端が基板Ｗよりも上方に配置される。
【００５９】
その後、制御装置４は、スピンモータ２９を制御して、基板Ｗの回転を開始させる。これにより、基板Ｗの回転が開始される（ステップＳ２）。その後、基板Ｗは、所定の液処理速度（たとえば数百ｒｐｍ）で回転する。
次に、基板Ｗに薬液を供給する薬液工程（ステップＳ４）が実行されるのであるが、長時間にわたって薬液ノズル７からの薬液の吐出が行われていないときは、薬液工程（ステップＳ３）の実行に先立って、プリディスペンス（ステップＳ３）が行われる。
【００６０】
プリディスペンス（Ｓ３）では、下退避位置Ｐ３に位置している薬液ノズル７から待機ポット３９に向けて薬液が吐出される。プリディスペンス（Ｓ３）を行うのは、以下の理由による。すなわち、長時間にわたって薬液ノズル７からの薬液の吐出が行われていないと、薬液ノズル７のノズル配管４１の管壁、第１および第２の薬液配管１１，２３の管壁等が温度低下しているおそれがある。そのため、循環経路２２からの所定の高温に温度調節された薬液を、第２の薬液配管２３、第１の薬液配管１１およびノズル配管４１を通液させる。その結果、第１および第２の薬液配管１１，２３の管壁ならびにノズル配管４１の管壁が、高温の薬液によって温められ、これらの管壁が、循環経路２２から付与される薬液の液温と同程度の高温度まで昇温する。これにより、それ以降は、第１および第２の薬液配管１１，２３の管壁やノズル配管４１の管壁によって、薬液が冷却されるおそれがない。これにより、その後に実行される薬液処理の当初から、所望の高温に温度調節された薬液を薬液ノズル７から吐出することができる。
【００６１】
予め定めるプリディスペンスタイミングになると、制御装置４は、薬液ノズル７の吐出口４６を待機ポット３９の下壁５４ａに向けた状態で、リターンバルブ１９を閉じかつ薬液バルブ１０を開く。これにより、循環経路２２からの所定の高温に温度調節された薬液が、第２の薬液配管２３、第１の薬液配管１１およびノズル配管４１の内部を流通し、第２の薬液配管２３の管壁、第１の薬液配管１１の管壁およびノズル配管４１の管壁４１ｂをそれぞれ温めて、薬液ノズル７の吐出口４６から吐出される。薬液ノズル７から待機ポット３９の下壁５４ａに向けて吐出された薬液は、待機ポット３９の下壁５４ａに受け止められた後、排出配管５８を通って廃液設備へと導かれる。薬液バルブ１０が開かれてから所定のプリディスペンス期間が経過すると、薬液バルブ１０が閉じられる。また、リターンバルブ１９が開かれる。
【００６２】
前述のように、垂下部４４のノズル配管４１の管壁が、薬液供給ユニット３から供給される高温の薬液と同等の温度に維持されている。すなわち、プリディスペンス（Ｓ３）の開始の時点で、垂下部４４は、薬液供給ユニット３から供給される高温の薬液と同等の温度を有している。この場合、少量の薬液をプリディスペンスするだけで、第２の薬液配管２３の管壁、第１の薬液配管１１の管壁およびノズル配管４１の管壁４１ｂをそれぞれ、循環経路２２からの薬液と同程度まで昇温させることができるから、前記のプリディスペンス期間は、比較的短時間に設定されている。また、プリディスペンス期間が短いため、プリディスペンスのための薬液の消費量は少量である。
【００６３】
薬液バルブ１０が閉じられた後、制御装置４は吸引バルブ５１を開く。これにより、吸引装置５２の働きが有効化され、第１の薬液配管１１の第２の分岐位置４０よりも下流側部分に存在する処理液が吸引して排除される。これにより、薬液の先端面を、薬液ノズル７の吐出口４６ら大きく後退させることができる。吸引バルブ５１は、所定時間だけ開成状態とされた後に閉成される。これにより、プリディスペンス（Ｓ３）が終了する。
【００６４】
プリディスペンス（Ｓ３）の後、基板Ｗに薬液を供給する薬液工程（ステップＳ４）が行われる。具体的には、制御装置４は、アーム昇降ユニット３８を制御して、薬液ノズル７を、下退避位置Ｐ３から上退避位置Ｐ２まで上昇させる。その後、制御装置４は、アーム揺動ユニット３７を制御して、薬液ノズル７を、上退避位置Ｐ２から処理位置Ｐ１まで移動させる。薬液ノズル７が処理位置Ｐ１に配置された後、制御装置４は、リターンバルブ１９を閉じかつ薬液バルブ１０を開くことにより、回転状態の基板Ｗの上面に向けて薬液ノズル７から薬液を吐出させる。薬液ノズル７から吐出された薬液は、基板Ｗの上面に供給された後、遠心力によって基板Ｗの上面に沿って外方に流れる。さらに、制御装置４は、基板Ｗが回転している状態で、基板Ｗの上面に対する薬液の供給位置を中央部と周縁部との間で移動させる。これにより、薬液の供給位置が、基板Ｗの上面全域を通過し、基板Ｗの上面全域が走査（スキャン）され、基板Ｗの上面全域が均一に処理される。薬液バルブ１０が開かれてから予め定める期間が経過すると、制御装置４は、薬液バルブ１０を閉じて、薬液ノズル７からの薬液の吐出を停止させると共に、リターンバルブ１９を開く。
【００６５】
薬液バルブ１０の閉成後、制御装置４は、吸引バルブ５１を開く。これにより、吸引装置５２の働きが有効化され、第２の分岐位置４０よりも下流側に存在する薬液が吸引して排除される。これにより、薬液の先端面を、薬液ノズル７の吐出口４６から大きく後退させることができる。吸引バルブ５１は、所定時間だけ開成状態とされた後に閉成される。吸引処理の終了後には、第１の薬液配管１１の第２の分岐位置４０よりも下流側部分の内部、および薬液ノズル７のノズル配管４１の内部に、薬液は存在しない。
【００６６】
吸引終了後、制御装置４は、アーム揺動ユニット３７を制御して、薬液ノズル７を、処理位置Ｐ１から上退避位置Ｐ２まで移動させる。また、制御装置４は、アーム昇降ユニット３８を制御して、薬液ノズル７を、上退避位置Ｐ２から下退避位置Ｐ３まで下降させ、下退避位置Ｐ３に配置する。これにより、薬液工程（Ｓ４）が終了する。
薬液工程（Ｓ４）の終了に次いで、リンス液を基板Ｗに供給するリンス工程（ステップＳ５）が行われる。具体的には、制御装置４は、リンス液バルブ３４を開いて、リンス液ノズル３３からのリンス液の吐出を開始する。リンス液ノズル３３から吐出されたリンス液は、回転状態にある基板Ｗの上面に供給される。このリンス液により、基板Ｗの上面に付着している薬液が洗い流される。基板Ｗに供給されたリンス液は、基板Ｗの上面周縁部から基板Ｗの側方に向けて飛散し、カップ８のスプラッシュガード３０に受け止められた後、排液処理される。リンス液バルブ３４が開かれてから所定時間が経過すると、制御装置４は、リンス液バルブ３４を閉じてリンス液ノズル３３からのリンス液の吐出を停止する。
【００６７】
次いで、制御装置４は、スピンモータ２９を制御して、基板Ｗの回転速度を振り切り乾燥速度（たとえば数千ｒｐｍ）まで加速する。これにより、基板Ｗの上面に付着しているリンス液が振り切られて基板Ｗが乾燥される（Ｓ６：乾燥工程）。
乾燥工程（Ｓ６）が予め定める期間に亘って行われると、制御装置４は、スピンモータ２９を制御して、スピンチャック６の回転（基板Ｗの回転）を停止させる（ステップＳ７）。
【００６８】
基板Ｗの回転が停止された後は、ガード昇降ユニットがスプラッシュガード３０を上位置から下位置に移動させる。さらに、複数のチャックピン２８による基板Ｗの保持が解除される。その後、制御装置４は、基板Ｗを搬入したときと同様に、処理済みの基板Ｗを搬送ロボットによってチャンバ５内から搬出させる（ステップＳ８）。
以上により、第１の実施形態によれば、ＳＵＳ層からなる磁誘体層４７を含むノズル配管４１の先端部分４１ａ（垂下部４４）が、誘導加熱ユニット９により誘導加熱される第１の加熱対象部分に設定されている。誘導加熱ユニット９によってノズル配管４１の先端部分４１ａを誘導加熱により加熱することにより、ノズル配管４１の先端部分４１ａを昇温させることができる。したがって、薬液ノズル７から薬液を吐出していない状態において、ノズル配管４１の先端部分４１ａを加熱することにより、先端部分４１ａを、循環経路２２から供給される薬液と同程度の温度に維持しておくことが可能である。
【００６９】
この場合、薬液ノズル７から多量の薬液を吐出させなくても、少量の薬液を薬液ノズル７から吐出するだけで、第２の薬液配管２３の管壁、第１の薬液配管１１の管壁およびノズル配管４１の管壁４１ｂをそれぞれ、循環経路２２からの薬液と同程度まで昇温させることができる。そのため、プリディスペンスに要する時間の低減を図ることが可能であり、また、プリディスペンスのための処理液の消費量を低減することも可能である。
【００７０】
これにより、プリディスペンスに要する時間の低減を図りおよび／またはプリディスペンスのための薬液の消費量の低減を図りながら、薬液ノズル７の吐出口４６から所望の高温に温度調節された薬液を吐出できる。
また、薬液ノズル７が下退避位置Ｐ３に位置している状態で、常時、誘導加熱ユニット９による薬液ノズル７の誘導加熱が行われる。基板Ｗへの薬液非供給の期間のうち大部分の期間において、薬液ノズル７が下退避位置Ｐ３に位置している。基板Ｗへの薬液非供給の期間を有効に利用にして、ノズル配管４１を温めておくことができる。
【００７１】
また、薬液のプリディスペンスが行われる下退避位置Ｐ３に薬液ノズル７が位置している状態で、誘導加熱ユニット９による薬液ノズル７の誘導加熱が行われるので、プリディスペンスの開始まで薬液ノズル７のノズル配管４１を温め続けることができ、この場合、プリディスペンスに要する時間の低減をより一層図ることができる。
図８は、本発明の第２の実施形態に係る基板処理装置２０１を水平方向に見た図である。図９は、基板処理装置２０１に備えられたチャンバ５の内部の模式的な平面図である。
【００７２】
第２の実施形態において、第１の実施形態に示された各部に対応する部分には、図１〜図７の場合と同一の参照符号を付して示し、説明を省略する。
第２の実施形態に係る基板処理装置２０１が、第１の実施形態に係る基板処理装置１と相違する点は、ノズルアーム３６が、１つの薬液ノズルでなく、複数の薬液ノズル２０７を支持している点である。
【００７３】
各薬液ノズル２０７は、ノズルアーム３６によって片持ち支持されたノズル配管４１を含む。このノズル配管は、第１の実施形態に係るノズル配管４１と同等の構成であるので、同一の参照符号を付す。
薬液ノズル２０７は、第１のノズル２０７Ａ〜第４のノズル２０７Ｄの順番で、ノズル配管４１の延びる方向である、水平な長手方向Ｄ１に直交する水平な配列方向Ｄ２に並んでいる。図８では図示の関係上、複数のノズル配管４１の高さを互いに異ならせているが、複数のノズル配管４１は、同じ高さに配置されている。配列方向Ｄ２に隣接する２つのノズル配管４１の間隔は、他のいずれの間隔と同じであってもよいし、他の間隔の少なくとも一つと異なっていてもよい。図９は、複数のノズル配管４１が等間隔で配置されている例を示している。
【００７４】
長手方向Ｄ１への複数のノズル配管４１の長さは、第１のノズル２０７Ａ〜第４のノズル２０７Ｄの順番で短くなっている。複数の薬液ノズル２０７の先端（複数のノズル配管４１の先端）は、長手方向Ｄ１に関して第１のノズル２０７Ａ〜第４のノズル２０７Ｄの順番で並ぶように長手方向Ｄ１にずれている。複数の薬液ノズル２０７の先端は、平面視で直線状に並んでいる。
【００７５】
第１〜第４のノズル２０７Ａ〜２０７Ｄは、それぞれ、第１〜第４の分岐薬液配管２５０Ａ〜２５０Ｄを介して、第２の薬液配管２３に接続されている。第１〜第４の分岐薬液配管２５０Ａ〜２５０Ｄには、第１〜第４の薬液バルブ２１０Ａ〜２１０Ｄが介装されている。リターンバルブ１９が閉じられた状態で、第１の薬液バルブ２１０Ａが開かれると、循環経路２２を循環している薬液が、第２の薬液配管２３側へと流れ、第１の分岐薬液配管２５０Ａを通って第１のノズル２０７Ａに供給され、第１のノズル２０７Ａから薬液が吐出される。リターンバルブ１９が閉じられた状態で、第２の薬液バルブ２１０Ｂが開かれると、循環経路２２を循環している薬液が、第２の薬液配管２３側へと流れ、第２の分岐薬液配管２５０Ｂを通って第２のノズル２０７Ｂに供給され、第２のノズル２０７Ｂから薬液が吐出される。
【００７６】
リターンバルブ１９が閉じられた状態で、第３の薬液バルブ２１０Ｃが開かれると、循環経路２２を循環している薬液が、第２の薬液配管２３側へと流れ、第３の分岐薬液配管２５０Ｃを通って第３のノズル２０７Ｃに供給され、第３のノズル２０７Ｃから薬液が吐出される。リターンバルブ１９が閉じられた状態で、第４の薬液バルブ２１０Ｄが開かれると、循環経路２２を循環している薬液が、第２の薬液配管２３側へと流れ、第４の分岐薬液配管２５０Ｄを通って第４のノズル２０７Ｄに供給され、第４のノズル２０７Ｄから薬液が吐出される。
【００７７】
各分岐薬液配管２５０Ａ〜２５０Ｄにおける薬液バルブ２１０Ａ〜２１０Ｄよりも下流側部分に設定された分岐位置２４０Ａ〜２４０Ｄには、分岐吸引配管２５１を介して、吸引配管５０が分岐接続されている。吸引バルブ５１が開かれると、吸引装置５２の働きが有効化され、各分岐薬液配管２５０Ａ〜２５０Ｄの分岐位置２４０Ａ〜２４０Ｄよりも下流側部分に含まれる薬液、およびノズル２０７Ａ〜２０７Ｄのノズル配管４１の内部に含まれる薬液が、吸引配管５０へと引き込まれる。これにより、薬液ノズル２０７からの薬液の吐出終了後に吸引バルブ５１を開くことにより、薬液の先端面を、各ノズル２０７Ａ〜２０７Ｄの吐出口４６から大きく後退させることができる。
【００７８】
処理位置は、複数の薬液ノズル２０７から吐出された薬液が基板Ｗの上面に着液する位置である。処理位置では、複数の薬液ノズル２０７と基板Ｗとが平面視で重なり、複数の薬液ノズル２０７の先端が、平面視において、回転軸線Ａ１側から第１のノズル２０７Ａ〜第４のノズル２０７Ｄの順番で径方向Ｄｒに並ぶ。このとき、第１のノズル２０７Ａの先端は、平面視で基板Ｗの中央部に重なり、第４のノズル２０７Ｄの先端は、平面視で基板Ｗの周縁部に重なる。
【００７９】
アーム昇降ユニット３８は、ノズルアーム３６を昇降させることにより、複数の薬液ノズル２０７を、待機ポット（ポット）２３９の上方に設定された上退避位置Ｐ１２（図９に併せて図５を参照）と、上退避位置Ｐ１２の下方に設定された下退避位置Ｐ１３（退避位置。図９に併せて図５を参照）との間で移動させる。複数の薬液ノズル２０７が下退避位置Ｐ１３に配置されている状態では、待機ポット２３９（図９参照）の内部に複数の薬液ノズル２０７が収容されている。薬液ノズル７からの薬液が基板Ｗに供給されないときには、制御装置４は、アーム揺動ユニット３７およびアーム昇降ユニット３８を制御して、薬液ノズル７を下退避位置Ｐ１３で待機させる。
【００８０】
また、上退避位置Ｐ１２と下退避位置Ｐ１３との上下方向の位置関係が、それぞれ第１の実施形態に係る上退避位置Ｐ２（図５参照）と下退避位置Ｐ３（図５参照）と位置関係と同等であるので、上退避位置Ｐ１２および下退避位置Ｐ３のそれぞれを、図５に括弧書きで示している。
図９に示すように、待機ポット２３９は、平面視でオーバル状をなしており、配列方向Ｄ３（退避位置Ｐ１２，Ｐ１３における各ノズル２０７Ａ〜２０７Ｄの先端が並ぶ方向と直交する水平方向）に沿う方向に、長手を有している。その点を除き、待機ポット２３９は、第１の実施形態に係る待機ポット３９と同様の構成を採用している。
【００８１】
第２実施形態では、第１の実施形態に係る誘導コイル５９に代えて、複数の誘導コイル（たとえば板状のコイル。第１の誘導コイル２５９Ａ、第２の誘導コイル２５９Ｂ、第３の誘導コイル２５９Ｃおよび第４の誘導コイル２５９Ｄ）が用いられている。複数の誘導コイル２５９Ａ〜２５９Ｄは、待機ポット２３９のハウジング５４の側壁５４ｂに外側から取り付けられている。複数の誘導コイル２５９Ａ〜２５９Ｄは、配列方向Ｄ２に沿って配列されている。
【００８２】
第１の誘導コイル２５９Ａは、第１のノズル２０７Ａを誘電加熱するためのコイルである。第１の誘導コイル２５９Ａは、待機ポット２３９の側壁５４ｂのうち、下退避位置Ｐ１３に位置する第１のノズル２０７Ａの垂下部４４と水平方向に対向し、かつ近接する領域に配置されている。
第２の誘導コイル２５９Ｂは、第２のノズル２０７Ｂを誘電加熱するためのコイルである。第２の誘導コイル２５９Ｂは、待機ポット２３９の側壁５４ｂのうち、下退避位置Ｐ１３に位置する第２のノズル２０７Ｂの垂下部４４と水平方向に対向し、かつ近接する領域に配置されている。
【００８３】
第３の誘導コイル２５９Ｃは、第３のノズル２０７Ｃを誘電加熱するためのコイルである。第３の誘導コイル２５９Ｃは、待機ポット２３９の側壁５４ｂのうち、下退避位置Ｐ１３に位置する第３のノズル２０７Ｃの垂下部４４と水平方向に対向し、かつ近接する領域に配置されている。
第４の誘導コイル２５９Ｄは、第４のノズル２０７Ｄを誘電加熱するためのコイルである。第４の誘導コイル２５９Ｄは、待機ポット２３９の側壁５４ｂのうち、下退避位置Ｐ１３に位置する第４のノズル２０７Ｄの垂下部４４と水平方向に対向し、かつ近接する領域に配置されている。
【００８４】
各誘導コイル２５９Ａ〜２５９Ｄには、電力供給ユニット６０（図５参照）から高周波電力が供給されるようになっている。各誘導コイル２５９Ａ〜２５９Ｄに高周波電力を供給すると、対応するノズル２０７Ａ〜２０７Ｄの垂下部４４（のノズル配管４１）の磁誘体層４７（図４参照）が発熱し、垂下部４４が誘導加熱される。誘導コイル２５９Ａ〜２５９Ｄ、下退避位置Ｐ３に位置する、対応するノズル２０７Ａ〜２０７Ｄの垂下部４４の上下方向の略全域が加熱されるような面積に設けられていてもよい。
【００８５】
第２の実施形態によれば、第１の実施形態の作用効果と同等の作用効果を奏する。また、第１の実施形態の作用効果に加えて、各ノズル２０７Ａ〜２０７Ｄに一対一対応で誘導コイル２５９Ａ〜２５９Ｄを設けるので、各薬液ノズル２０７のノズル配管４１の垂下部４４を効率良く加熱することができる。
図１０は、本発明の第３の実施形態に係る薬液ノズル７が退避位置にある状態を示す断面図である。
【００８６】
本発明の第３の実施形態に係る基板処理装置３０１が、第１実施形態に係る基板処理装置１と相違する点は、待機樋３３９を備えた点にある。それ以外の部分は、第１に係る基板処理装置１と同等の構成を有している。
基板処理装置３０１は、下退避位置（退避位置）Ｐ３に位置する薬液ノズル７のノズル配管４１の水平部４３を収容するための樋状の待機樋３３９を含む。待機樋３３９は、断面略Ｕ字形の管状を有するハウジング３５４をなしている。ハウジング３５４の長手方向は、薬液ノズル７の水平部４３の長手方向に沿っている。ハウジング３５４の内周には、ノズル配管４１の水平部４３を内部に収容するための断面略Ｕ字状の内壁溝３４０が形成されている。内壁溝３４０の幅Ｗ３および深さＤＥ３は、ノズル配管４１の水平部４３を収容可能なサイズに設定されている。
【００８７】
待機樋３３９のハウジング３５４の一対の側壁３５４ａ，３５４ｂの一方（たとえば図１０の右側の側壁３５４ａ）に、たとえば板状の誘導コイル３５９が外側から配置されている。誘導コイル３５９は、第１の実施形態に係る誘導コイル５９（図５参照）に代えて設けられている。
誘導コイル３５９には、電力供給ユニット６０（図５参照）から高周波電力が供給されるようになっている。誘導コイル３５９に高周波電力を供給すると、薬液ノズル７の水平部（のノズル配管４１）の磁誘体層４７が発熱し、垂下部４４が誘導加熱される。
【００８８】
誘導コイル３５９は、下退避位置Ｐ３に位置している薬液ノズル７の水平部４３と水平方向に対向し、かつ近接する領域に配置されている。誘導コイル３５９は、待機樋３３９の長手方向の略全域をカバーするように設けられていてもよい。
図１０では、誘導コイル３５９を、ハウジング３５４の一方の側壁３５４ａのみに設けた構成を示しているが、図１０に二点鎖線で示すように、他方の側壁３５４ｂにも誘導コイル３５９を設けるようにしてもよい。
【００８９】
また、第３の実施形態を採用する場合、待機樋３３９と待機ポット３９との双方に誘導コイル３５９，３５９を設けてもよいし、待機樋３３９のみに誘導コイル３５９を設けるようにしてもよい。
第３の実施形態によれば、第１の実施形態の作用効果と同等の作用効果を奏する。また、第１の実施形態の作用効果に加えて、ＳＵＳ層からなる磁誘体層４７を含むノズル配管４１の水平部４３（第１の加熱対象部分）が、誘導加熱ユニット９により誘導加熱される。これにより、ノズル配管４１の先端部分４１ａだけでなく、ノズル配管４１の全体を昇温させることができる。したがって、薬液ノズル７から薬液を吐出していない状態において、ノズル配管４１の全体を、循環経路２２から供給される薬液と同程度の温度に維持しておくことが可能である。
【００９０】
図１１は、本発明の第４の実施形態に係る第１の薬液配管１１の周囲の構成を主として示す断面図である。図１２は、図１１の切断面線XII−XIIから見た図である。
第４の実施形態において、第１の実施形態に示された各部に対応する部分には、図１〜図７の場合と同一の参照符号を付して示し、説明を省略する。
第４の実施形態に係る基板処理装置４０１が、第１の実施形態に係る基板処理装置１と相違する点は、薬液ノズル７のノズル配管４１を加熱するのではなく、第１の薬液配管１１の途中部（少なくとも一部。第２の加熱対象部分）の管壁４０３を加熱する点である。それ以外の部分は、第１に係る基板処理装置１と同等の構成を有している。
【００９１】
第１の薬液配管１１の内部には、薬液流路（処理液流路）４０２が区画されている。第１の薬液配管１１の管壁４０３は、同心の三層管状をなしている。管壁４０３は、磁誘体層（第１の層）４４７と、磁誘体層４４７の内周面に配置された内側保護層４４８と、磁誘体層４４７の外周面に配置された外側保護層（第２の層）４４９とを含む。磁誘体層４４７の一例として、ＳＵＳ（ステンレス）層を例示できる。磁誘体層４４７の材料として、他に、Ｆｅ（鉄）、Ｃｏ（コバルト）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｃｒ（クロム）等を例示できる。内側保護層４４８は、耐薬性を有する樹脂材料を用いて形成されており、その樹脂材料の一例として、ＰＦＡ（パーフルオロアルコキシエチレン）が用いられる。外側保護層４４９は、耐薬性を有する樹脂材料を用いて形成されており、その樹脂材料の一例として、ＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）が用いられている。
【００９２】
内側保護層４４８と外側保護層４４９とが、磁誘体層４４７を保護しているので、磁誘体層４４７の長寿命化を図ることができる。磁誘体層４４７は、後述するように、誘導加熱ユニット９によって誘導加熱されるのであるが、このような磁誘体層４４７の誘導加熱を長期に亘って行うことができる。
また、磁誘体層４４７がＳＵＳを含むので、誘導加熱ユニット９からの誘導加熱によって第１の薬液配管１１の管壁４０３を良好に昇温させることができる。加えて、強度の高いＳＵＳが第１の薬液配管１１の材料として用いられているので、第１の薬液配管１１の形状を、高い剛性で保ち続けることができる。
【００９３】
誘導加熱ユニット９は、誘導コイル５９（図５参照）に代えて、たとえば板状の誘導コイル４５９を採用する。誘導コイル４５９は、第１の薬液配管１１の加熱対象部分（第２の加熱対象部分）に近接対向するように配置されている。図１１では、誘導コイル４５９が第１の薬液配管１１の上方に配置されている場合が描かれているが、誘導コイル４５９が、第１の薬液配管１１の下方や側方に配置されていてもよいし、また、一対の誘導コイル４５９によって第１の薬液配管１１を挟んでいてもよい。
【００９４】
以上により、第４の実施形態によれば、ＳＵＳ層からなる磁誘体層４４７を含む第１の薬液配管１１が、誘導加熱ユニット９により誘導加熱される第２の加熱対象部分に設定されている。誘導加熱ユニット９によって第１の薬液配管１１を誘導加熱により加熱することにより、第１の薬液配管１１を昇温させることができる。したがって、薬液ノズル７から薬液を吐出していない状態において、第１の薬液配管１１を加熱することにより、第１の薬液配管１１の管壁４０３を、循環経路２２から供給される薬液と同程度の温度に維持しておくことが可能である。
【００９５】
これにより、プリディスペンスに要する時間の低減を図りおよび／またはプリディスペンスのための薬液の消費量の低減を図りながら、薬液ノズル７の吐出口４６から所望の高温に温度調節された薬液を吐出できる。
図１３は、本発明の第５の実施形態に係る薬液バルブ１０の構成を示す模式的な断面図である。図１４は、図１３に示す構成の一部を拡大して示す断面図である。
【００９６】
第５の実施形態に係る基板処理装置５０１が、第１の実施形態に係る基板処理装置１と相違する点は、薬液ノズル７のノズル配管４１を加熱するのではなく、薬液バルブ１０のバルブボディ５０２を加熱する点である。それ以外の部分は、第１に係る基板処理装置１と同等の構成を有している。
図１３では、開状態の弁体５１１を実線で示し、閉状態の弁体５１１を二点鎖線で示している。以下では、図１３を参照して、薬液バルブ１０の内部構造について説明する。
【００９７】
薬液バルブ１０は、たとえば、ダイヤフラムバルブである。薬液バルブ１０は、薬液流路（処理液流路）５０８が形成されたバルブボディ（第３の加熱対象部分）５０２を含む。バルブボディ５０２は、液体が流入する流入口５０７と、流入口５０７に流入した液体を吐出する流出口５０９と、流入口５０７と流出口５０９とを接続する薬液流路５０８と、薬液流路５０８を取り囲む環状の弁座５１０と、薬液流路５０８内に配置された弁体５１１とを含む。弁体５１１は、ゴムや樹脂などの弾性材料で形成されたダイヤフラムである。流入口５０７には、第２の薬液配管２３が接続されており、流出口５０９には、第１の薬液配管１１が接続されている。
【００９８】
薬液バルブ１０は、バルブ本体を開閉させるバルブアクチュエータを含む。バルブアクチュエータは、弁体５１１と一体的に移動するロッド５１２と、ロッド５１２を軸方向に移動させる動力を発生する電動モータ５１４と、電動モータ５１４の回転をロッド５１２の直線運動に変換する運動変換機構５１３とを含む。電動モータ５１４が回転すると、電動モータ５１４の回転角度に応じた移動量でロッド５１２がロッド５１２の軸方向に移動する。ロッド５１２は、弁体５１１が弁座５１０から離れた開位置（図１３に示す位置）と、弁体５１１が弁座５１０に押し付けられた閉位置と、の間でロッド５１２の軸方向に移動可能である。
【００９９】
弁体５１１が弁座５１０から離れている状態でロッド５１２が閉位置側に移動すると、弁体５１１の一部が弁座５１０に近づく。ロッド５１２が閉位置に達すると、弁体５１１が弁座５１０に接触し、薬液流路５０８が閉じられる。その一方で、弁体５１１が弁座５１０に押し付けられている状態で、ロッド５１２が開位置側に移動すると、弁体５１１が弁座５１０から離れるため、薬液流路５０８が開かれる。
【０１００】
図１４に示すように、バルブボディ５０２は、ＳＵＳ（ステンレス）等の磁誘体材料を用いて形成されている。また、バルブボディ５０２の材質として、Ｆｅ（鉄）、Ｃｏ（コバルト）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｃｒ（クロム）等の他の磁誘体材料を用いてもよい。バルブボディ５０２のうち、薬液流路５０８を区画する内壁部（処理液流通配管）５０３には、耐薬性を有する樹脂コーティング５０４が配置されている。また、バルブボディ５０２の外郭部分５０５も、耐薬性を有する樹脂コーティング５０６が配置されている。樹脂コーティング５０４，５０６に用いられる、耐薬性を有する樹脂として、ＰＦＡ（パーフルオロアルコキシエチレン）やＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）を例示できる。
【０１０１】
誘導加熱ユニット９は、誘導コイル５９（図５参照）に代えて、たとえば板状の誘導コイル５５９を採用する。誘導コイル５５９は、バルブボディ５０２の加熱対象部分（第３の加熱対象部分）、とくに内壁部５０３に近接する位置に配置されている。図１１では、誘導コイル５５９が、バルブボディ５０２の上方に配置されている場合が描かれているが、誘導コイル５５９が、バルブボディ５０２の下方や側方に配置されていてもよいし、また、一対の誘導コイル５５９によってバルブボディ５０２を挟んでいてもよい。
【０１０２】
以上により、第５の実施形態によれば、ＳＵＳ等の磁誘体によって構成されたバルブボディ５０２が、誘導加熱ユニット９により誘導加熱される第３の加熱対象部分に設定されている。誘導加熱ユニット９によってバルブボディ５０２を誘導加熱により加熱することにより、バルブボディ５０２の内壁部５０３を昇温させることができる。したがって、薬液ノズル７から薬液を吐出していない状態において、バルブボディ５０２を加熱することにより、バルブボディ５０２の内壁部５０３を、循環経路２２から供給される薬液と同程度の温度に維持しておくことが可能である。
【０１０３】
これにより、プリディスペンスに要する時間の低減を図りおよび／またはプリディスペンスのための薬液の消費量の低減を図りながら、薬液ノズル７の吐出口４６から所望の高温に温度調節された薬液を吐出できる。
以上、この発明の５つの実施形態について説明したが、この発明は、他の形態で実施することもできる。
【０１０４】
前述の加熱対象部分（ノズル配管４１、第１の薬液配管１１、バルブボディ５０２）が、磁誘体としてのＳＵＳ等を含む構成を例に挙げて説明した。しかしながら、さらに他の磁誘体として、Ａｌ（アルミニウム）等の金属を採用できる。
また、加熱対象部分に含まれる磁誘体が、金属でなく炭素材料ＧＣ（グラッシーカーボン）等を用いて構成されていてもよい。図１５に示すように、炭素繊維６０１と、耐薬性樹脂６０２とを含む複合材料６０３を用いて、ノズル配管４１の管壁４１ｂや、第１の薬液配管１１の管壁４０３を構成するようにしてもよい。この場合の耐薬性樹脂として、ＰＦＡを例示できる。
【０１０５】
第１〜第４の実施形態において、ノズル配管４１の管壁４１ｂまたは第１の薬液配管１１の管壁４０３の内側保護層４８，４４８として、ＰＦＡ以外の樹脂（たとえばＰＴＦＥ）を採用してもよく、また、ノズル配管４１の管壁４１ｂまたは第１の薬液配管１１の管壁４０３の外側保護層４９，４４９として、ＰＴＦＥ以外の樹脂（たとえばＰＦＡ）を採用してもよい。
【０１０６】
また、ノズル配管４１の管壁４１ｂまたは第１の薬液配管１１の管壁４０３が、三層管状をなしているとして説明したが、ノズル配管４１の管壁４１ｂまたは第１の薬液配管１１の管壁４０３は、少なくとも磁誘体層４７，４４７と、外側保護層４９，４４９とを含む構成であればよい。
また、第１および第２実施形態、第３実施形態ならびに第４実施形態では、ノズル配管４１、第１の薬液配管１１およびバルブボディ５０２のいずれかを選択的に誘導加熱により加熱する手法について説明した。しかしながら、ノズル配管４１、第１の薬液配管１１およびバルブボディ５０２の２つ以上（より好ましくは全て）を、同時に誘導加熱により加熱するようにしてもよい。
【０１０７】
また、第１および第２の実施形態では、薬液ノズル７，２０７に同伴回転しない部材（待機ポット３９）に誘導コイル５９，２５９を取り付けるようにしたが、薬液ノズル７，２０７と同伴回転可能な部材（たとえばノズルアーム３６）に誘導コイルを支持させるようにしてもよい。
また、各実施形態では、加熱対象部分を、誘導加熱方式により加熱する構成を例に挙げて説明したが、誘導加熱方式に代えて、加熱対象部分に直接電流を印加することにより当該部分を加熱する直接加熱方式や、高温流体や高温液体を加熱対象部分に供給することにより当該部分を加熱する間接加熱方式を採用してもよい。
【０１０８】
また、第２の実施形態を、第３〜第５の実施形態と組み合わせるようにしてもよい。すなわち、複数の薬液ノズル２０７がノズルアーム３６に支持された構成の基板処理装置において、第１〜第４のノズル２０７Ａ〜２０７Ｄの水平部４３を誘導加熱したり、第１〜第４の分岐薬液配管２５０Ａ〜２５０Ｄを誘導加熱したり、薬液バルブ１０を誘導加熱したりする構成が採用されていてもよい。
【０１０９】
また、誘導加熱による加熱対象となる処理液流通配管として、薬液が流通する配管を例に挙げて説明したが、リンス液等の水が流通する配管を処理液流通配管として採用することもできる。
また、前述の各実施形態では、基板処理装置１，２０１，３０１，４０１，５０１が円板状の基板Ｗを処理するシステムである場合について説明したが、基板処理装置１，２０１，３０１，４０１，５０１が、液晶表示装置用ガラス基板などの多角形の基板を処理するシステムであってもよい。
【０１１０】
また、前述の実施形態では、処理対象となる基板として基板Ｗを取り上げたが、基板Ｗに限らず、たとえば、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ用基板、ＦＥＤ用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板などの他の種類の基板が処理対象とされてもよい。
【０１１１】
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能で
ある。
【符号の説明】
【０１１２】
１    基板処理装置
６    スピンチャック（基板保持手段）
７    薬液ノズル（処理液ノズル）
１１    第１の薬液配管（処理液配管）
２２    循環経路（処理液保持ユニット）
３９    待機ポット（ポット）
４１    ノズル配管
４１ａ  先端部分（第１の加熱対象部分）
４２    薬液流路（処理液流路）
４３    水平部（第１の加熱対象部分）
４６    吐出口
４７    磁誘体層（第１の層）
４９    外側保護層（第２の層）
５９    誘導コイル
６０    電力供給ユニット（電力供給手段）
２０１    基板処理装置
２３９    待機ポット（ポット）
２５９Ａ  第１の誘導コイル
２５９Ｂ  第２の誘導コイル
２５９Ｃ  第３の誘導コイル
２５９Ｄ  第４の誘導コイル
３０１    基板処理装置
３５９    誘導コイル
４０１    基板処理装置
４０３    管壁（第２の加熱対象部分）  
４４７    磁誘体層（第１の層）
４４９    外側保護層（第２の層）
４５９    誘導コイル
５０１    基板処理装置
５０２    バルブボディ
５５９    誘導コイル
Ｐ１    処理位置
Ｐ３    下退避位置（退避位置）
Ｐ１１    処理位置
Ｐ１３    下退避位置（退避位置）
Ｗ    基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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