(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に、受光量に対応した信号電荷を蓄積する複数のセンサ部と、前記複数のセンサ部の信号電荷を転送して出力する転送レジスタ部と、前記転送レジスタ部によって転送された信号電荷を撮像信号に変換して出力する出力部とを有し、前記転送レジスタ部が前記センサ部の信号電荷を垂直転送クロックに基づいて垂直方向に転送する垂直転送レジスタと、前記垂直転送レジスタによって転送された信号電荷を水平転送クロックに基づいて前記出力に転送する水平転送レジスタとを有し、静止画の撮像を行う固体撮像素子において、
前記出力部に流れる電流を遮断または低減する電流制御手段を設け、
前記電流制御手段の制御信号と前記垂直転送クロック用の制御信号とを兼用し、
前記センサ部の信号蓄積期間には前記垂直転送レジスタの駆動を止めるとともに、垂直転送クロックのバイアスをノンアクティブレベルで固定し、前記センサ部の信号出力期間には水平ブランキング期間以外の期間で前記垂直転送レジスタの駆動を止めるとともに、垂直転送クロックのバイアスをアクティブレベルで固定する、
ことを特徴とする固体撮像素子。
【請求項２】
前記センサ部における信号蓄積期間中には前記垂直転送レジスタの転送動作を停止するとともに、この期間中にノンアクティブレベルになっている垂直転送クロック用の制御信号を前記電流制御手段の制御信号に用いることを特徴とする請求項１記載の固体撮像素子。
【請求項３】
前記出力部は、駆動ＭＯＳトランジスタと負荷ＭＯＳトランジスタを直列に接続した増幅回路を出力部の入力段から出力段にかけて複数段設け、最も入力段側の駆動ＭＯＳトランジスタのゲートに信号電荷が供給されるフローティングデフュージョン端子を接続するとともに、各駆動ＭＯＳトランジスタのソースを次段の駆動ＭＯＳトランジスタのゲートに順次接続し、さらに、最も出力段側の駆動ＭＯＳトランジスタのソースを撮像信号の出力端子として構成した信号変換部と、
前記信号変換部の最も入力段側の駆動ＭＯＳトランジスタのゲート入力を転送クロックに基づいてリセットするリセットゲート制御部と、
を有することを特徴とする請求項１記載の固体撮像素子。
【請求項４】
前記電流制御手段は、前記信号変換部を構成する各負荷ＭＯＳトランジスタのソース部側にソース電流制御用のスイッチング素子を設けたものであることを特徴とする請求項３記載の固体撮像素子。
【請求項５】
前記スイッチング素子は、ＭＯＳトランジスタであることを特徴とする請求項４記載の固体撮像素子。
【請求項６】
前記スイッチング素子を構成するＭＯＳトランジスタは、前記転送レジスタ部の転送ゲートのポテンシャルと同一または近似したチャネルポテンシャルで形成されたものであることを特徴とする請求項５記載の固体撮像素子。
【請求項７】
半導体基板上に、受光量に対応した信号電荷を蓄積する複数のセンサ部と、前記複数のセンサ部の信号電荷を転送して出力する転送レジスタ部と、前記転送レジスタ部によって転送された信号電荷を撮像信号に変換して出力する出力部とを有し、前記転送レジスタ部が前記センサ部の信号電荷を垂直転送クロックに基づいて垂直方向に転送する垂直転送レジスタと、前記垂直転送レジスタによって転送された信号電荷を水平転送クロックに基づいて前記出力に転送する水平転送レジスタと、前記出力部に流れる電流を遮断または低減する電流制御手段とを有し、静止画の撮像を行う固体撮像素子において、
前記電流制御手段の制御信号と前記垂直転送クロック用の制御信号とを兼用し、
前記センサ部の信号蓄積期間には前記垂直転送レジスタの駆動を止めるとともに、垂直転送クロックのバイアスをノンアクティブレベルで固定し、前記センサ部の信号出力期間には水平ブランキング期間以外の期間で前記垂直転送レジスタの駆動を止めるとともに、垂直転送クロックのバイアスをアクティブレベルで固定することにより、
前記垂直転送クロック用の制御信号を兼用した制御信号によって電流制御手段を制御し、前記出力部に流れる電流を遮断または低減する、
ことを特徴とする固体撮像素子の駆動方法。
【請求項８】
前記センサ部における信号蓄積期間中には前記垂直転送レジスタの転送動作を停止するとともに、この期間中にノンアクティブレベルになっている垂直転送クロック用の制御信号を前記電流制御手段の制御信号に用いることを特徴とする請求項７記載の固体撮像素子の駆動方法。
【請求項９】
前記固体撮像素子の出力部は、駆動ＭＯＳトランジスタと負荷ＭＯＳトランジスタとを直列に接続した増幅回路を出力部の入力段から出力段にかけて複数段設け、最も入力段側の駆動ＭＯＳトランジスタのゲートに信号電荷が供給されるフローティングデフュージョン端子を接続するとともに、各駆動ＭＯＳトランジスタのソースを次段の駆動ＭＯＳトランジスタのゲートに順次接続し、さらに、最も出力段側の駆動ＭＯＳトランジスタのソースを撮像信号の出力端子として構成した信号変換部と、
前記信号変換部の最も入力段側の駆動ＭＯＳトランジスタのゲート入力を転送クロックに基づいてリセットするリセットゲート制御部と、
を有することを特徴とする請求項７記載の固体撮像素子の駆動方法。
【請求項１０】
前記信号変換部を構成する各負荷ＭＯＳトランジスタのソース部側にソース電流制御用のスイッチング素子を設けることにより、前記スイッチング素子により前記センサ部における信号蓄積期間中に前記出力部に流れる電流を遮断または低減するようにしたことを特徴とする請求項９記載の固体撮像素子の駆動方法。
【請求項１１】
前記スイッチング素子は、ＭＯＳトランジスタであることを特徴とする請求項１０記載の固体撮像素子の駆動方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、受光量に対応した信号電荷を蓄積する複数のセンサ部と、この複数のセンサ部の信号電荷を転送して出力する転送レジスタ部とを有する固体撮像素子及びその駆動方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図４は、ＣＣＤ固体撮像素子のセンサ部と転送レジスタの配置を説明するための概略平面図である。
このＣＣＤ固体撮像素子は、半導体基板１０上に、それぞれ撮像画素を構成する複数のセンサ部２０をマトリクス状に配列するとともに、各センサ部２０の垂直方向の配列に沿って複数の垂直（Ｖ）転送レジスタ部３０を設け、さらに、各垂直レジスタ部の外側に水平（Ｈ）転送レジスタ部４０を設けたものである。
各センサ部２０は、例えばフォトダイオードの構成を有しており、受光面から入射した光をその光量に応じた信号電荷に変換する。
垂直転送レジスタ部３０では、このセンサ部２０に蓄積された信号電荷を図示しない読出しゲート部を通して取り込んで垂直方向に転送し、水平転送レジスタ部４０では、垂直転送レジスタ部３０からの信号電荷を水平方向に転送し、画像信号として出力部５０より出力する。
【０００３】
図３は、上述のようなＣＣＤ固体撮像素子における出力部５０の構成例を示す回路図である。
この出力部５０は、固体撮像素子に内蔵型の前段出力部（プリアンプ）を構成するものであり、駆動ＭＯＳトランジスタ（ＤＭ；ＤｒｉｖｅＭＯＳ）ＤＭ１、ＤＭ２、ＤＭ３と負荷ＭＯＳトランジスタ（ＬＭ；ＬｏａｄＭＯＳ）ＬＭ１、ＬＭ２、ＬＭ３による３段ソースファロア構造を有し、水平転送レジスタ部４０からの信号電荷を電圧信号に変換する信号変換部５０Ａと、この信号変換部５０Ａを水平転送クロックに対応するリセットパルスφＲＧに基づいて制御するリセットゲートＭＯＳトランジスタ（ＲＧＴｒ．）６０を有すものである。
【０００４】
信号変換部５０Ａにおいて、それぞれ駆動ＭＯＳトランジスタＤＭ１、ＤＭ２、ＤＭ３のソースと負荷ＭＯＳトランジスタＬＭ１、ＬＭ２、ＬＭ３のドレインとを接続した複数段の増幅回路が信号変換部５０Ａの入力段から出力段にかけて設けられている。
そして、各駆動ＭＯＳトランジスタＤＭ１、ＤＭ２、ＤＭ３のドレインは共通接続され、ドレイン電圧ＶＤＤ（＝１５Ｖ）が印加されている。
また、各負荷ＭＯＳトランジスタＬＭ１、ＬＭ２、ＬＭ３のソースは共通接続され、抵抗Ｒｓｓを介して接地されている。また、各負荷ＭＯＳトランジスタＬＭ１、ＬＭ２、ＬＭ３のゲートには、共通の制御用ゲート電圧ＶＧＧが印加されている。この制御用ゲート電圧ＶＧＧにより、この出力部５０に流れる電流の値が制御される。
【０００５】
また、各駆動ＭＯＳトランジスタＤＭ１、ＤＭ２、ＤＭ３のうち、最も入力段側の駆動ＭＯＳトランジスタＤＭ１のゲートには、水平転送レジスタ部４０からの信号電荷が供給されるフローティングデフュージョン（ＦＤ）端子に接続されており、また、このゲートには、リセットゲートＭＯＳトランジスタ６０のソースが接続されている。
また、この駆動ＭＯＳトランジスタＤＭ１のソースは、次段の駆動ＭＯＳトランジスタＤＭ２のゲートに接続され、さらに駆動ＭＯＳトランジスタＤＭ２のソースは、最も出力段側の駆動ＭＯＳトランジスタＤＭ３のゲートに接続されている。そして、駆動ＭＯＳトランジスタＤＭ３のソース（すなわち、負荷ＭＯＳトランジスタＬＭ３のドレイン）に出力部５０の出力端子が設けられ、撮像信号Ｖｏｕｔが出力される。
【０００６】
また、リセットゲートＭＯＳトランジスタ６０のゲートには、水平同期クロックに対応するリセットパルスφＲＧが供給され、ドレインにはリセットドレイン電圧ＲＤが印加されている。
以上のような構成の出力部５０においては、ＦＤ端子に生じた電位がリセットパルスφＲＧの周期でリセットされることにより、各駆動ＭＯＳトランジスタＤＭ１、ＤＭ２、ＤＭ３が水平転送クロックに同期して作動し、リセット毎にＦＤ端子に生じた電位を電圧信号に変換し、撮像信号Ｖｏｕｔとして出力する。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上述のようなＣＣＤ固体撮像素子は、近年、特にスチルカメラ用途のイメージセンサとして盛ん商品化されており、このようなスチルカメラ用のイメージセンサでは、従来のムービーカメラ用のものと異なり、画素部（センサ部）で比較的長時間の信号蓄積動作が行われる。
例えば、ムービーカメラの場合では、ある大きさ以上のフレームレートを達成するために、自ずと画素の信号蓄積時間が限られ、１／３０秒程度が一般的である。それに対し、スチルカメラの場合には、フレームレートに制約されることが無いことから、信号蓄積期間を大きくとることができ、数秒〜数十秒の長時間の信号蓄積動作が行われることがある。
【０００８】
しかしながら、この信号蓄積期間においては、固体撮像素子に転送クロックパルスを印加する必要は無いが、固体撮像素子及びカメラをスタンバイ状態にしておく必要があることから、固体撮像素子のＶＤＤ端子やＶＳＵＢ端子などに電源電圧を印加することになる。
そうすると、上述のようにＶＤＤ端子に接続された出力部５０には、信号蓄積期間にも電流が流れることになる。
しかし、この期間ではＣＣＤ信号の出力動作を行わないので、出力部５０を動作させるための電流を流しておく必要は本来は無い。つまり、上述した従来技術では、センサ部２０の信号蓄積期間において出力部５０で余計な電力を消費することになる。
また、この電力消費によって出力部５０の内部で発熱が生じ、結果として、出力部５０の近傍において暗時出力ムラが発生する。この暗時出力ムラはムービー用途の固体撮像素子でも発生するものであるが、特にスチル用途のものでは蓄積期間が長いために大きくなり、撮像画像上目立つものとなる。
【０００９】
なお、以上のような問題点に対処すべく、信号蓄積期間においては出力部に信号が流れないように外部回路にスイッチング手段を配置し、これを制御する構成とすることが考えられるが、この方法では、カメラシステムの回路構成の複雑化を招くことになる。
【００１０】
そこで本発明の目的は、簡易な構成により、センサ部の信号蓄積期間における出力部の無駄な電力消費を大幅に抑制でき、また、周囲の発熱による暗時出力ムラを防止できる固体撮像素子及びその駆動方法を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明は前記目的を達成するため、半導体基板上に、受光量に対応した信号電荷を蓄積する複数のセンサ部と、前記複数のセンサ部の信号電荷を転送して出力する転送レジスタ部と、前記転送レジスタ部によって転送された信号電荷を撮像信号に変換して出力する出力部とを有し、前記転送レジスタ部が前記センサ部の信号電荷を垂直転送クロックに基づいて垂直方向に転送する垂直転送レジスタと、前記垂直転送レジスタによって転送された信号電荷を水平転送クロックに基づいて前記出力に転送する水平転送レジスタとを有し、静止画の撮像を行う固体撮像素子において、前記出力部に流れる電流を遮断または低減する電流制御手段を設け、前記電流制御手段の制御信号と前記垂直転送クロック用の制御信号とを兼用し、前記センサ部の信号蓄積期間には前記垂直転送レジスタの駆動を止めるとともに、垂直転送クロックのバイアスをノンアクティブレベルで固定し、前記センサ部の信号出力期間には水平ブランキング期間以外の期間で前記垂直転送レジスタの駆動を止めるとともに、垂直転送クロックのバイアスをアクティブレベルで固定することを特徴とする。
また本発明は、半導体基板上に、受光量に対応した信号電荷を蓄積する複数のセンサ部と、前記複数のセンサ部の信号電荷を転送して出力する転送レジスタ部と、前記転送レジスタ部によって転送された信号電荷を撮像信号に変換して出力する出力部とを有し、前記転送レジスタ部が前記センサ部の信号電荷を垂直転送クロックに基づいて垂直方向に転送する垂直転送レジスタと、前記垂直転送レジスタによって転送された信号電荷を水平転送クロックに基づいて前記出力に転送する水平転送レジスタと、前記出力部に流れる電流を遮断または低減する電流制御手段とを有し、静止画の撮像を行う固体撮像素子において、
前記電流制御手段の制御信号と前記垂直転送クロック用の制御信号とを兼用し、前記センサ部の信号蓄積期間には前記垂直転送レジスタの駆動を止めるとともに、垂直転送クロックのバイアスをノンアクティブレベルで固定し、前記センサ部の信号出力期間には水平ブランキング期間以外の期間で前記垂直転送レジスタの駆動を止めるとともに、垂直転送クロックのバイアスをアクティブレベルで固定することにより、前記垂直転送クロック用の制御信号を兼用した制御信号によって電流制御手段を制御し、前記出力部に流れる電流を遮断または低減することを特徴とする。
【００１２】
本発明の固体撮像素子では、センサ部における信号蓄積期間中に出力部に流れる電流を遮断または低減する電流制御手段を固体撮像素子内に設けたことから、固体撮像素子の外部に複雑な回路構成を設けることなく、簡易な構成により、センサ部の信号蓄積期間中に出力部に流れる電流量を抑制でき、無駄な電力消費を大幅に抑制できる。
また、センサ部の信号蓄積期間中に出力部に流れる電流量を抑制することで、出力部近傍の発熱を抑制でき、暗時出力ムラを防止できる。
また、本発明による固体撮像素子の駆動方法でも同様に、センサ部における信号蓄積期間中に出力部に流れる電流を固体撮像素子内で遮断または低減するようにしたことから、固体撮像素子の外部に複雑な回路構成を設けることなく、簡易な構成により、センサ部の信号蓄積期間中に出力部に流れる電流量を抑制でき、無駄な電力消費を大幅に抑制できる。
また、センサ部の信号蓄積期間中に出力部に流れる電流量を抑制することで、出力部近傍の発熱を抑制でき、暗時出力ムラを防止できる。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。
図１は、本発明の実施の形態によるＣＣＤ固体撮像素子の出力部の構成例を示す回路図である。
この出力部は、例えば図４に示すような構成を有する固体撮像素子に内蔵型の前段出力部（プリアンプ）を構成するものであり、図３で示した出力部と同様の構成要素について同一の符号を付して説明は省略する。
本形態の固体撮像素子においては、図１に示すように、負荷ＭＯＳトランジスタＬＭ１、ＬＭ２、ＬＭ３のソース側に出力部に流れる電流（この場合はソース電流）を制御する電流制御用ＭＯＳトランジスタ（ＭＯＳ−Ｔｒ．）７０を設け、この電流制御用ＭＯＳトランジスタ７０のゲートに、垂直転送クロックパルスＶΦで代用した制御クロックパルス（本例ではＶΦ２を用いる）を印加することで、センサ部の信号蓄積期間中に出力部に流れる電流を抑制するようにしたものである。
【００１４】
なお、電流制御用ＭＯＳトランジスタ７０のドレインは、負荷ＭＯＳトランジスタＬＭ１、ＬＭ２、ＬＭ３のソース側に接続され、電流制御用ＭＯＳトランジスタ７０のソースは、抵抗Ｒｓｓを介して接地されている。
このような構成において、本形態の固体撮像素子では、センサ部の信号蓄積期間においては、制御クロックパルスＶΦ２をＬｏｗバイアスにして、出力部のソース電流をカットオフあるいは低く抑え、信号出力期間においては、制御クロックパルスＶΦ２をＨｉｇｈバイアスにして出力部の電流を大きくし、正常に動作させるような駆動方法を用いたものである。
【００１５】
図２は、本形態の固体撮像素子をスチルカメラに搭載してスチル撮像を行なった場合の駆動タイミング例を示す説明図であり、図２（Ａ）はメカニカルシャッタの動作タイミングを示し、図２（Ｂ）（Ｃ）（Ｄ）は３相の垂直転送クロックＶΦ１、ＶΦ２、ＶΦ３の動作タイミングを示している。
まず、信号蓄積期間においては、図２（Ａ）に示すように、メカニカルシャッタを開き、撮像素子のセンサ部で信号蓄積を行い、その後、メカニカルシャッタを閉め信号蓄積を終了させる。
次の不要電荷掃出し期間においては、図２（Ｂ）（Ｃ）（Ｄ）に示すように、それぞれの垂直転送クロックＶΦ１、ＶΦ２、ＶΦ３で、高速の垂直転送クロックパルスを印加することにより、垂直転送レジスタ部の内部に滞留する不要電荷を排出する。
【００１６】
次の信号出力期間においては、センサ部に蓄積させた信号電荷を垂直転送レジスタ部に読み出し、さらに、垂直転送レジスタ部及び水平転送レジスタ部の内部で信号電荷を転送し、出力部に出力させる。
そして、本形態においては、信号蓄積期間で、電流制御用ＭＯＳトランジスタ７０のゲートに印加された垂直転送クロックパルスＶΦ２がＬｏｗバイアス（ノンアクティブレベル）にしているため、この電流制御用ＭＯＳトランジスタ７０をカットオフ状態あるいはソース電流が小さい状態とすることができる。
これにより、出力部における消費電力を大幅に低減することができる。また、当然、出力部での発熱量も低減できるので、出力部近傍で撮像画像上に発生する暗時出力ムラも大幅に低減することができる。
【００１７】
一方、信号出力期間においては、垂直転送クロックパルスＶΦ２をＨｉｇｈバイアス（アクティブレベル）とし、電流制御用ＭＯＳトランジスタ７０をオン状態とする。これにより、その期間においては、出力部を正常な動作状態にすることができ、正常な信号出力動作を行うことができる。
なお、この電流制御用ＭＯＳトランジスタ７０のチャネルポテンシャルは、出力部の負荷ＭＯＳトランジスタＬＭ１、ＬＭ２、ＬＭ３のチャネルポテンシャルと比べて、Ｌｏｗバイアス状態では小さく（浅く）、Ｈｉｇｈバイアス状態では大きく（深く）する必要がある。
そこで、このようなポテンシャル状態を実現するには、電流制御用ＭＯＳトランジスタ７０のチャネルポテンシャルを垂直転送レジスタに用いる読出しゲートのポテンシャルと同じにするか、あるいは、それに近いものにすれば良い。
このことにより、電流制御用ＭＯＳトランジスタ７０を形成しても、新たに撮像素子の製作工程を増加させる必要はなく、あるいはあっても僅かな増加で済ませることができる。
【００１８】
以上説明したように本形態のＣＣＤ固体撮像素子においては、センサ部の信号蓄積期間において、出力部に流れる電流をカットオフあるいは低く抑えることができる。また、図２（Ｃ）に示すように、信号出力期間における水平ブランキング内の制御クロックパルスＶΦ２がＬｏｗバイアス状態となるタイミングにおいても、出力部に流れる電流をカットオフあるいは低く抑えることができる。
これにより、出力部での消費電力を大幅に低減でき、かつ、出力部での発熱によって発生する暗時出力ムラを大幅に低減することができる。
また、このような効果を得るために、ＣＣＤ駆動回路等の外部回路に付加機能を追加することは一切必要がないし、また、ＣＣＤ製作工程を増加させることも全くないか、あっても僅かであるため、低コストで実現することができるものである。
【００１９】
なお、以上のような構成において、電流制御用ＭＯＳトランジスタ７０及びそのゲート制御用のクロックパルスＶΦ２は、本発明の効果を実現するものであれば良く、別の構成あるいは別のタイミングのものであっても良い。
例えば、図１に示す例では、電流制御用ＭＯＳトランジスタ７０を出力部のソース側に配置したが、これをドレイン側に配置するような構成も可能である。
また、図１に示す例では、電流制御用のトランジスタ７０をＭＯＳ型のものとしたが、Ｊｕｎｃｔｉｏｎ型ＦＥＴやＢｉｐｏｌａｒ型トランジスタを用いることも可能である。
また、駆動タイミングについては、３相の垂直転送レジスタの場合について説明したが、他の垂直転送レジスタ、例えば４相のものでも同様に実施することができる。
また、図１に示す例では、負荷ＭＯＳトランジスタＬＭ１，ＬＭ２，ＬＭ３の共通接続されたソースに電流制御用ＭＯＳトランジスタ７０を設けたが、図５に示すように、各負荷ＭＯＳトランジスタＬＭ１，ＬＭ２，ＬＭ３のソーズ側に、それぞれ別々の電流制御用ＭＯＳトランジスタ７１，７２，７３を接続した構成としてもよい。なお、図５において、その他の構成は上述した図１と共通であるので説明は省略する。
【００２０】
【発明の効果】
以上説明したように本発明の固体撮像素子では、撮像信号の出力部に流れる電流を遮断または低減する電流制御手段を設け、この電流制御手段の制御信号と垂直転送クロック用の制御信号とを兼用し、電流制御手段の制御によって出力部における信号電荷の出力動作を行うため、特に信号蓄積期間が長く、また、信号出力期間へのスイッチング動作が低速な静止画の撮像動作において、垂直転送クロックを兼用した制御信号によって安定的に電流制御手段を制御でき、信号蓄積期間中の電流制限と信号出力期間中の適正な信号出力とを実現できる。
この結果、固体撮像素子の外部に複雑な回路構成を設けることなく、簡易な構成で、センサ部の信号蓄積期間中の無駄な電力消費を大幅に抑制できる効果がある。
また、センサ部の信号蓄積期間中に出力部に流れる電流量を抑制することで、出力部近傍の発熱を抑制でき、暗時出力ムラを防止できる効果がある。
【００２１】
また、本発明の固体撮像素子の駆動方法では、垂直転送クロック用の制御信号を兼用した制御信号によって電流制御手段を制御し、撮像信号の出力部に流れる電流を遮断または低減するため、特に信号蓄積期間が長く、また、信号出力期間へのスイッチング動作が低速な静止画の撮像動作において、垂直転送クロックを兼用した制御信号によって安定的に電流制御手段を制御でき、信号蓄積期間中の電流制限と信号出力期間中の適正な信号出力とを実現できる。
この結果、固体撮像素子の外部に複雑な回路構成を設けることなく、簡易な構成で、センサ部の信号蓄積期間中の無駄な電力消費を大幅に抑制できる効果がある。
また、センサ部の信号蓄積期間中に出力部に流れる電流量を抑制することで、出力部近傍の発熱を抑制でき、暗時出力ムラを防止できる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態によるＣＣＤ固体撮像素子における出力部の構成例を示す回路図である。
【図２】図１に示すＣＣＤ固体撮像素子の動作タイミングを示す説明図である。
【図３】従来のＣＣＤ固体撮像素子における出力部の構成例を示す回路図である。
【図４】従来のＣＣＤ固体撮像素子のセンサ部と転送レジスタの配置を説明するための概略平面図である。
【図５】本発明の他の実施の形態によるＣＣＤ固体撮像素子における出力部の構成例を示す回路図である。
【符号の説明】
ＤＭ１、ＤＭ２、ＤＭ３……駆動ＭＯＳトランジスタ、ＬＭ１、ＬＭ２、ＬＭ３……負荷ＭＯＳトランジスタ、６０……リセットゲートＭＯＳトランジスタ、７０、７１，７２，７３……電流制御用ＭＯＳトランジスタ。
【図１】
0004000442.tif 000002
【図２】
0004000442.tif 000003
【図３】
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【図４】
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【図５】
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