(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
希土類元素と遷移金属とを含む合金の溶湯を冷却ロールに接触させることにより得られ、かつ、その構成組織が、ソフト磁性相とハード磁性相とを有する複合組織となっている薄帯状磁石材料であって、
薄帯状磁石材料の合金組成が、Ｒx（Ｆｅ1-yＣｏy）100-x-z-wＢzＡｌw（ただし、Ｒは少なくとも１種の希土類元素、ｘ：７．１〜９．９原子％、ｙ：０〜０．３０、ｚ：４．６〜６．８原子％、ｗ：０．０２〜１．５原子％）で表されるものであり、
前記冷却ロールが、銅または銅系合金で構成された基部と、セラミックスで構成された表面層とを有するものであり、
前記冷却ロールと接触していた側の面である第１面付近における前記ハード磁性相の平均粒径をＤ１ｈ、
前記第１面付近における前記ソフト磁性相の平均粒径をＤ１ｓ、
前記第１面と反対側の面である第２面付近における前記ハード磁性相の平均粒径をＤ２ｈ、
前記第２面付近における前記ソフト磁性相の平均粒径をＤ２ｓとしたとき、
下記式［１］、［２］、［３］および［４］を満足することを特徴とする薄帯状磁石材料。
Ｄ１ｓ／Ｄ１ｈ≦０．９  ・・・［１］
Ｄ２ｓ／Ｄ２ｈ≦０．８  ・・・［２］
０．５≦Ｄ１ｈ／Ｄ２ｈ≦１  ・・・［３］
０．５≦Ｄ１ｓ／Ｄ２ｓ≦１  ・・・［４］
【請求項２】
前記Ｄ１ｓ、Ｄ２ｓの少なくとも一方が、７５ｎｍ以下である請求項１に記載の薄帯状磁石材料。
【請求項３】
前記Ｄ１ｈ、Ｄ２ｈの少なくとも一方が、７５ｎｍ以下である請求項１または２に記載の薄帯状磁石材料。
【請求項４】
前記Ｄ１ｈ、Ｄ２ｈ、Ｄ１ｓおよびＤ２ｓは、Ｘ線回折法により測定され、求められたものである請求項１ないし３のいずれかに記載の薄帯状磁石材料。
【請求項５】
前記ＲはＮｄおよび／またはＰｒを主とする希土類元素である請求項１ないし４のいずれかに記載の薄帯状磁石材料。
【請求項６】
前記Ｒは、Ｐｒを含み、その割合が前記Ｒ全体に対し５〜７５％である請求項１ないし５のいずれかに記載の薄帯状磁石材料。
【請求項７】
前記Ｒは、Ｄｙを含み、その割合が前記Ｒ全体に対し１４％以下である請求項１ないし６のいずれかに記載の薄帯状磁石材料。
【請求項８】
前記冷却ロールに接触後、熱処理が施されたものである請求項１ないし７のいずれかに記載の薄帯状磁石材料。
【請求項９】
希土類元素と遷移金属とを含む合金の溶湯を冷却ロールに接触させることにより、ソフト磁性相とハード磁性相とを有する複合組織で構成される薄帯状磁石材料を製造する方法であって、
前記薄帯状磁石材料の合金組成が、Ｒx（Ｆｅ1-yＣｏy）100-x-z-wＢzＡｌw（ただし、Ｒは少なくとも１種の希土類元素、ｘ：７．１〜９．９原子％、ｙ：０〜０．３０、ｚ：４．６〜６．８原子％、ｗ：０．０２〜１．５原子％）で表されるものであり、
前記冷却ロールが、銅または銅系合金で構成された基部と、セラミックスで構成された表面層とを有するものであり、
前記薄帯状磁石材料の前記冷却ロールと接触していた側の面である第１面付近における前記ハード磁性相の平均粒径をＤ１ｈ、
前記第１面付近における前記ソフト磁性相の平均粒径をＤ１ｓ、
前記第１面と反対側の面である第２面付近における前記ハード磁性相の平均粒径をＤ２ｈ、
前記第２面付近における前記ソフト磁性相の平均粒径をＤ２ｓとしたとき、
下記式［１］、［２］、［３］および［４］を満足することを特徴とする薄帯状磁石材料の製造方法。
Ｄ１ｓ／Ｄ１ｈ≦０．９  ・・・［１］
Ｄ２ｓ／Ｄ２ｈ≦０．８  ・・・［２］
０．５≦Ｄ１ｈ／Ｄ２ｈ≦１  ・・・［３］
０．５≦Ｄ１ｓ／Ｄ２ｓ≦１  ・・・［４］
【請求項１０】
前記冷却ロールに接触後、熱処理を施す工程を有する請求項９に記載の薄帯状磁石材料の製造方法。
【請求項１１】
請求項９または１０に記載の方法を用いて製造されたことを特徴とする薄帯状磁石材料。
【請求項１２】
請求項１ないし８のいずれかに記載の薄帯状磁石材料を粉砕して得られたことを特徴とする磁石粉末。
【請求項１３】
請求項１１に記載の薄帯状磁石材料を粉砕して得られたことを特徴とする磁石粉末。
【請求項１４】
磁石粉末は、その製造過程で、または製造後少なくとも１回熱処理が施されたものである請求項１２または１３に記載の磁石粉末。
【請求項１５】
平均粒径が０．５〜１５０μｍである請求項１２ないし１４のいずれかに記載の磁石粉末。
【請求項１６】
請求項１２ないし１５のいずれかに記載の磁石粉末を結合樹脂で結合してなることを特徴とする希土類ボンド磁石。
【請求項１７】
磁石粉末の含有量が７５〜９９．５ｗｔ％である請求項１６に記載の希土類ボンド磁石。
【請求項１８】
磁気エネルギー積（ＢＨ）maxが６０ｋＪ／ｍ3以上である請求項１６または１７に記載の希土類ボンド磁石。
【請求項１９】
不可逆減磁率（初期減磁率）の絶対値が５．７％以下である請求項１６ないし１８のいずれかに記載の希土類ボンド磁石。
【請求項２０】
多極着磁に供される、または多極着磁された請求項１６ないし１９のいずれかに記載の希土類ボンド磁石。
【請求項２１】
モータに用いられる請求項１６ないし２０のいずれかに記載の希土類ボンド磁石。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、薄帯状磁石材料、磁石粉末および希土類ボンド磁石に関する。
【０００２】
【従来の技術】
磁石粉末を結合樹脂で結合してなるボンド磁石は、形状の自由度が広いという利点を有し、モータや各種アクチュエータに広く用いられている。
【０００３】
このようなボンド磁石を構成する磁石材料は、例えば急冷薄帯製造装置を用いた急冷法により製造される。急冷薄帯製造装置が単一の冷却ロールを備えるものである場合は、単ロール法と呼ばれる。
【０００４】
この単ロール法では、所定の合金組成の磁石材料を加熱、溶融し、その溶湯をノズルから射出し、ノズルに対して回転している冷却ロールの周面に衝突させ、該周面と接触させることにより急冷、凝固し、薄帯状（リボン状）の磁石材料、すなわち急冷薄帯を連続的に形成する。そして、この急冷薄帯を粉砕して磁石粉末とし、この磁石粉末よりボンド磁石を製造する。
【０００５】
単ロール法で用いられる冷却ロールは、一般に、銅合金、鉄合金等で構成されたものである。また、耐久性向上のために、冷却ロールの周面に、Ｃｒメッキ等の金属または合金の表面層を設けたものも知られている。
【０００６】
ところで、このような冷却ロールは、その周面が熱伝導性の高い金属で構成されているため、急冷薄帯のロール面（冷却ロールの周面と接触する側の面）とフリー面（ロール面と反対側の面）とで、冷却速度の差が生じ、それらの面における組織差（結晶粒径等の差）が大きくなる。そのため、これを粉砕して磁石粉末としたときに、各磁石粉末ごとの磁気特性にバラツキが生じる。従って、このような磁石粉末からボンド磁石を製造した場合に、満足な磁気特性が得られない。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、磁気特性が優れ、信頼性の高い磁石を提供することができる薄帯状磁石材料、磁石粉末および希土類ボンド磁石を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
このような目的は、下記（１）〜（２１）の本発明により達成される。
【０００９】
（１）  希土類元素と遷移金属とを含む合金の溶湯を冷却ロールに接触させることにより得られ、かつ、その構成組織が、ソフト磁性相とハード磁性相とを有する複合組織となっている薄帯状磁石材料であって、
薄帯状磁石材料の合金組成が、Ｒx（Ｆｅ1-yＣｏy）100-x-z-wＢzＡｌw（ただし、Ｒは少なくとも１種の希土類元素、ｘ：７．１〜９．９原子％、ｙ：０〜０．３０、ｚ：４．６〜６．８原子％、ｗ：０．０２〜１．５原子％）で表されるものであり、
前記冷却ロールが、銅または銅系合金で構成された基部と、セラミックスで構成された表面層とを有するものであり、
前記冷却ロールと接触していた側の面である第１面付近における前記ハード磁性相の平均粒径をＤ１ｈ、
前記第１面付近における前記ソフト磁性相の平均粒径をＤ１ｓ、
前記第１面と反対側の面である第２面付近における前記ハード磁性相の平均粒径をＤ２ｈ、
前記第２面付近における前記ソフト磁性相の平均粒径をＤ２ｓとしたとき、
下記式［１］、［２］、［３］および［４］を満足することを特徴とする薄帯状磁石材料。
Ｄ１ｓ／Ｄ１ｈ≦０．９  ・・・［１］
Ｄ２ｓ／Ｄ２ｈ≦０．８  ・・・［２］
０．５≦Ｄ１ｈ／Ｄ２ｈ≦１  ・・・［３］
０．５≦Ｄ１ｓ／Ｄ２ｓ≦１  ・・・［４］
【００１０】
（２）  前記Ｄ１ｓ、Ｄ２ｓの少なくとも一方が、７５ｎｍ以下である上記（１）に記載の薄帯状磁石材料。
【００１１】
（３）  前記Ｄ１ｈ、Ｄ２ｈの少なくとも一方が、７５ｎｍ以下である上記（１）または（２）に記載の薄帯状磁石材料。
【００１２】
（４）  前記Ｄ１ｈ、Ｄ２ｈ、Ｄ１ｓおよびＤ２ｓは、Ｘ線回折法により測定され、求められたものである上記（１）ないし（３）のいずれかに記載の薄帯状磁石材料。
【００１３】
（５）  前記ＲはＮｄおよび／またはＰｒを主とする希土類元素である上記（１）ないし（４）のいずれかに記載の薄帯状磁石材料。
【００１４】
（６）  前記Ｒは、Ｐｒを含み、その割合が前記Ｒ全体に対し５〜７５％である上記（１）ないし（５）のいずれかに記載の薄帯状磁石材料。
【００１５】
（７）  前記Ｒは、Ｄｙを含み、その割合が前記Ｒ全体に対し１４％以下である上記（１）ないし（６）のいずれかに記載の薄帯状磁石材料。
【００１６】
（８）  前記冷却ロールに接触後、熱処理が施されたものである上記（１）ないし（７）のいずれかに記載の薄帯状磁石材料。
【００１７】
（９）  希土類元素と遷移金属とを含む合金の溶湯を冷却ロールに接触させることにより、ソフト磁性相とハード磁性相とを有する複合組織で構成される薄帯状磁石材料を製造する方法であって、
前記薄帯状磁石材料の合金組成が、Ｒx（Ｆｅ1-yＣｏy）100-x-z-wＢzＡｌw（ただし、Ｒは少なくとも１種の希土類元素、ｘ：７．１〜９．９原子％、ｙ：０〜０．３０、ｚ：４．６〜６．８原子％、ｗ：０．０２〜１．５原子％）で表されるものであり、
前記冷却ロールが、銅または銅系合金で構成された基部と、セラミックスで構成された表面層とを有するものであり、
前記薄帯状磁石材料の前記冷却ロールと接触していた側の面である第１面付近における前記ハード磁性相の平均粒径をＤ１ｈ、
前記第１面付近における前記ソフト磁性相の平均粒径をＤ１ｓ、
前記第１面と反対側の面である第２面付近における前記ハード磁性相の平均粒径をＤ２ｈ、
前記第２面付近における前記ソフト磁性相の平均粒径をＤ２ｓとしたとき、
下記式［１］、［２］、［３］および［４］を満足することを特徴とする薄帯状磁石材料の製造方法。
Ｄ１ｓ／Ｄ１ｈ≦０．９  ・・・［１］
Ｄ２ｓ／Ｄ２ｈ≦０．８  ・・・［２］
０．５≦Ｄ１ｈ／Ｄ２ｈ≦１  ・・・［３］
０．５≦Ｄ１ｓ／Ｄ２ｓ≦１  ・・・［４］
【００１８】
（１０）  前記冷却ロールに接触後、熱処理を施す工程を有する上記（９）に記載の薄帯状磁石材料の製造方法。
【００１９】
（１１）  上記（９）または（１０）に記載の方法を用いて製造されたことを特徴とする薄帯状磁石材料。
【００２０】
（１２）  上記（１）ないし（８）のいずれかに記載の薄帯状磁石材料を粉砕して得られたことを特徴とする磁石粉末。
【００２１】
（１３）  上記（１１）に記載の薄帯状磁石材料を粉砕して得られたことを特徴とする磁石粉末。
【００２２】
（１４）  磁石粉末は、その製造過程で、または製造後少なくとも１回熱処理が施されたものである上記（１２）または（１３）に記載の磁石粉末。
【００２３】
（１５）  平均粒径が０．５〜１５０μｍである上記（１２）ないし（１４）のいずれかに記載の磁石粉末。
【００２４】
（１６）  上記（１２）ないし（１５）のいずれかに記載の磁石粉末を結合樹脂で結合してなることを特徴とする希土類ボンド磁石。
【００２５】
（１７）  磁石粉末の含有量が７５〜９９．５ｗｔ％である上記（１６）に記載の希土類ボンド磁石。
【００２６】
（１８）  磁気エネルギー積（ＢＨ）maxが６０ｋＪ／ｍ3以上である上記（１６）または（１７）に記載の希土類ボンド磁石。
【００２７】
（１９）  不可逆減磁率（初期減磁率）の絶対値が５．７％以下である上記（１６）ないし（１８）のいずれかに記載の希土類ボンド磁石。
【００２８】
（２０）  多極着磁に供される、または多極着磁された上記（１６）ないし（１９）のいずれかに記載の希土類ボンド磁石。
【００２９】
（２１）  モータに用いられる上記（１６）ないし（２０）のいずれかに記載の希土類ボンド磁石。
【００３６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の薄帯状磁石材料、薄帯状磁石材料の製造方法、磁石粉末およびこれを用いた希土類ボンド磁石の実施の形態について、詳細に説明する。
【００３７】
［磁石材料の金属組成］
まず、本発明における磁石材料の金属組成について説明する。
【００３８】
本発明の薄帯状（薄片状）磁石材料や磁石粉末としては、優れた磁気特性を有するものが好ましく、以下の組成を有するものである。
【００３９】
Ｓｍ−Ｃｏ系合金の代表的なものとしては、ＳｍＣｏ5、Ｓｍ2ＴＭ17（ただしＴＭは、遷移金属）が挙げられる。
【００４４】
本発明では、磁石材料は、Ｒx（Ｆｅ1-yＣｏy）100-x-z-wＢzＡｌw（ただし、Ｒは少なくとも１種の希土類元素、ｘ：７．１〜９．９原子％、ｙ：０〜０．３０、ｚ：４．６〜６．８原子％、ｗ：０．０２〜１．５原子％）で表される合金組成を有するものである。
【００４５】
Ｒ（希土類元素）としては、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、ミッシュメタルが挙げられ、これらを１種または２種以上含むことができる。
【００４６】
Ｒの含有量（含有率）は、７．１〜９．９原子％とされる。Ｒが７．１原子％未満では、十分な保磁力が得られず、例えばＡｌを添加しても保磁力の向上が少ない。一方、Ｒが９．９原子％を超えると、磁化のポテンシャルが下がるため、十分な磁束密度が得られなくなる。
【００４７】
ここで、ＲはＮｄおよび／またはＰｒを主とする希土類元素であるのが好ましい。その理由は、これらの希土類元素は、複合組織（特にナノコンポジット組織）を構成するハード磁性相の飽和磁化を高め、また磁石として良好な保磁力を実現するために有効だからである。
【００４８】
また、Ｒは、Ｐｒを含み、その割合がＲ全体に対し５〜７５％であるのが好ましく、２０〜６０％であるのがより好ましい。この範囲であると、残留磁束密度の低下をほとんど生じることなく、保磁力および角型性を向上させることができるためである。
【００４９】
また、Ｒは、Ｄｙを含み、その割合がＲ全体に対し１４％以下であるのが好ましい。この範囲であると、残留磁束密度の著しい低下を生じることなく、保磁力を向上させることができると共に、温度特性（熱的安定性）の向上も可能となるからである。
【００５０】
Ｃｏは、Ｆｅと同様の特性を有する遷移金属である。このＣｏを添加すること（Ｆｅの一部を置換すること）により、キュリー温度が高くなり、温度特性が向上するが、Ｆｅに対するＣｏの置換比率が０．３０を超えると、保磁力、磁束密度は共に低下する傾向を示す。Ｆｅに対するＣｏの置換比率が０．０５〜０．２０の範囲では、温度特性の向上のみならず、磁束密度自体も向上するので、さらに好ましい。
【００５１】
Ｂ（ボロン）は、高い磁気特性を得るのに有効な元素であり、その好ましい含有量は、４．６〜６．８原子％とされる。Ｂが４．６％未満であると、Ｂ−Ｈ（Ｊ−Ｈ）ループにおける角型性が悪くなる。一方、Ｂが６．８％を超えると、非磁性相が多くなり、磁束密度が減少する。
【００５２】
Ａｌは、保磁力向上にとって有利な元素であり、特に、０．０２〜１．５原子％の範囲で保磁力向上の効果が顕著に現れる。また、この範囲では、保磁力向上に追随して、角型性および磁気エネルギー積も向上する。さらに、耐熱性および耐食性についても良好となる。ただし、上述したように、Ｒが７．１原子％未満では、Ａｌ添加によるこのような効果は非常に小さい。また、Ａｌが１．５原子％を超えると、磁化の低下が生じる。
【００５３】
本発明の磁石材料は、保磁力、磁気エネルギー積等の磁気特性を向上させるため、あるいは、耐熱性、耐食性を向上させるために、磁石材料中には、必要に応じ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｇａ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ａｇ、Ｚｎ、Ｐ、Ｇｅ等を含有することもできる。
【００５４】
［複合組織］
また、磁石材料は、ソフト磁性相とハード磁性相とが存在する組織（複合組織）となっている。
【００５５】
この複合組織（ナノコンポジット組織）は、ソフト磁性相１０とハード磁性相１１とが、例えば図１、図２または図３に示すようなパターン（モデル）で存在しており、各相の厚さや粒径がナノメーターレベル（例えば１〜１００ｎｍ）で存在している。そして、ソフト磁性相１０とハード磁性相１１とが相隣接し、磁気的な交換相互作用を生じる。なお、図１〜図３に示すパターンは、一例であって、これらに限られるものではなく、例えば図２に示すパターンにおいて、ソフト磁性相１０とハード磁性相１１とが逆になっているものでもよい。
【００５６】
ソフト磁性相の磁化は、外部磁界の作用により容易にその向きを変えるので、ハード磁性相に混在すると、系全体の磁化曲線はＢ−Ｈ図の第二象現で段のある「へび型曲線」となる。しかし、ソフト磁性相のサイズが数１０ｎｍ以下と十分小さい場合には、ソフト磁性体の磁化が周囲のハード磁性体の磁化との結合によって十分強く拘束され、系全体がハード磁性体として振舞うようになる。
【００５７】
このような複合組織（ナノコンポジット組織）を持つ磁石は、主に、以下に挙げる特徴１）〜５）を有している。
【００５８】
１）Ｂ−Ｈ図（Ｊ−Ｈ図）の第二象現で、磁化が可逆的にスプリングバックする（この意味で「スプリング磁石」とも言う）。
【００５９】
２）着磁性が良く、比較的低い磁場で着磁できる。
【００６０】
３）磁気特性の温度依存性がハード磁性相単独の場合に比べて小さい。
【００６１】
４）磁気特性の経時変化が小さい。
【００６２】
５）微粉砕しても磁気特性が劣化しない。
【００６３】
前述したＲ−ＴＭ−Ｂ系合金において、ハード磁性相およびソフト磁性相は、例えば次のようなものとなる。
【００６４】
ハード磁性相：Ｒ2ＴＭ14Ｂ系（ＴＭは、ＦｅまたはＦｅとＣｏ）、またはＲ2ＴＭ14ＢＱ系（Ｑは、Ａｌ、Ｃｕ、Ｇａ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ａｇ、Ｚｎ、Ｐ、Ｇｅ等のうちの少なくとも１種）
ソフト磁性相：ＴＭ（特にα−Ｆｅ，α−（Ｆｅ，Ｃｏ））、ＴＭとＱとの合金相、またはＴＭとＢとの化合物相
【００６５】
［薄帯状磁石材料の製造］
次に、本発明の薄帯状磁石材料の製造方法について説明する。
【００６６】
溶融した磁石材料（合金）を冷却体に接触させて急冷し、固化することにより、薄帯状の磁石材料（急冷薄帯またはリボンと呼ばれる）を製造する。以下、その方法の一例について説明する。
【００６７】
図４は、単ロールを用いた急冷法により磁石材料を製造する装置（急冷薄帯製造装置）の構成例を示す斜視図、図５は、図４に示す装置における溶湯の冷却ロールへの衝突部位付近の状態を示す断面側面図である。
【００６８】
図４に示すように、急冷薄帯製造装置１は、磁石材料を収納し得る筒体２と、該筒体２に対し図中矢印９Ａ方向に回転する冷却ロール５（冷却体）とを備えている。筒体２の下端には、磁石材料（合金）の溶湯を射出するノズル（オリフィス）３が形成されている。
【００６９】
また、筒体２のノズル３近傍の外周には、加熱用のコイル４が配置され、このコイル４に例えば高周波を印加することにより、筒体２内を加熱（誘導加熱）し、筒体２内の磁石材料を溶融状態にする。
【００７０】
冷却ロール５は、基部５１と、冷却ロール５の周面５３を形成する表面層５２とで構成されている。
【００７２】
基部５１は、銅または銅系合金で構成されている。これにより、表面層５２の熱をより速く放散できる。
【００７３】
また、表面層５２は、セラミックスで構成されている。
【００７４】
セラミックスとしては、例えば、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、Ｔｉ2Ｏ3、ＺｒＯ2、Ｙ2Ｏ3、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム等の酸化物系セラミックス、ＡｌＮ、Ｓｉ3Ｎ4、ＴｉＮ、ＢＮ等の窒化物系セラミックス、グラファイト、ＳｉＣ、ＺｒＣ、Ａｌ4Ｃ3、ＣａＣ2、ＷＣ等の炭化物系のセラミックス、あるいは、これらのうちの２以上を任意に組合せた複合セラミックスが挙げられる。
【００７５】
このような急冷薄帯製造装置１は、チャンバー（図示せず）内に設置され、該チャンバー内に、好ましくは不活性ガスやその他の雰囲気ガスが充填された状態で作動する。特に、急冷薄帯８の酸化を防止するために、雰囲気ガスは、例えばアルゴンガス、ヘリウムガス、窒素ガス等の不活性ガスであるのが好ましい。
【００７６】
急冷薄帯製造装置１では、筒体２内に磁石材料（合金）を入れ、コイル４により加熱して溶融し、その溶湯６をノズル３から吐出すると、図５に示すように、溶湯６は、冷却ロール５の周面５３に衝突し、パドル（湯溜り）７を形成した後、回転する冷却ロール５の周面５３に引きずられつつ急速に冷却されて凝固し、急冷薄帯８が連続的または断続的に形成される。このようにして形成された急冷薄帯８は、やがて、そのロール面８１が周面５３から離れ、図４中の矢印９Ｂ方向に進行する。なお、図５中、溶湯の凝固界面７１を点線で示す。
【００７７】
冷却ロール５の周速度は、合金溶湯の組成、周面５３の溶湯６に対する濡れ性等によりその好適な範囲が異なるが、磁気特性向上のために、通常、１〜６０ｍ／秒であるのが好ましく、５〜４０ｍ／秒であるのがより好ましい。冷却ロール５の周速度が遅すぎると、急冷薄帯８の体積流量（単位時間当たりに吐出される溶湯の体積）によっては、急冷薄帯８の厚さｔが厚くなり、結晶粒径が増大する傾向を示し、逆に冷却ロール５の周速度が速すぎると、大部分が非晶質組織となり、いずれの場合にも、その後に熱処理を加えたとしても磁気特性の向上が望めなくなる。
【００７８】
なお、得られた急冷薄帯８に対しては、例えば、非晶質組織の再結晶化の促進、組織の均質化のために、少なくとも１回熱処理を施すこともできる。この熱処理の条件としては、例えば、４００〜９００℃で、０．５〜３００分程度とすることができる。
【００７９】
また、この熱処理は、酸化を防止するために、真空または減圧状態下（例えば１×１０-1〜１×１０-6 Torr ）、あるいは窒素ガス、アルゴンガス、ヘリウムガス等の不活性ガス中のような、非酸化性雰囲気中で行うのが好ましい。
【００８０】
以上のような製造方法により得られた急冷薄帯（薄帯状の磁石材料）８は、微細結晶組織、もしくは微細結晶がアモルファス組織中に含まれるような組織となり、優れた磁気特性が得られる。
【００８１】
このようにして得られた急冷薄帯８は、ロール面（冷却体と接触していた側の第１面）８１付近におけるハード磁性相（主相）の平均結晶粒径をＤ１ｈ、ロール面８１付近におけるソフト磁性相の平均結晶粒径をＤ１ｓ、フリー面８２付近におけるハード磁性相の平均結晶粒径をＤ２ｈ、フリー面８２付近におけるソフト磁性相の平均結晶粒径をＤ２ｓとしたとき、下記式［１］および［２］を満足するものである。
【００８２】
Ｄ１ｓ／Ｄ１ｈ≦０．９  ・・・［１］
Ｄ２ｓ／Ｄ２ｈ≦０．８  ・・・［２］
Ｄ１ｓ／Ｄ１ｈ≦０．９であると、ロール面８１側において、主相であるハード磁性相との結晶粒間相互作用により、ソフト磁性相の低磁界での磁化反転が抑制され、優れた磁気特性が得られる。
【００８３】
また、Ｄ２ｓ／Ｄ２ｈ≦０．８であると、フリー面８２側において、主相であるハード磁性相との結晶粒間相互作用により、ソフト磁性相の低磁界での磁化反転が抑制され、優れた磁気特性が得られる。
【００８４】
そして、式「１」および［２］の双方を満たすことにより、全体として均一で、優れた磁気特性の磁石材料が得られる。より詳しく述べると、急冷薄帯８から磁石粉末を製造し、さらには該磁石粉末を用いてボンド磁石を製造したとき、高い磁気エネルギー積（ＢＨ）maxが得られると共に、ヒステリシスループにおける角型性が良好となり、その結果、不可逆減磁率の絶対値が小さくなるので、磁石の信頼性も向上する。
【００８５】
ここで、Ｄ１ｓ／Ｄ１ｈの上限値が０．９であるのに対し、Ｄ２ｓ／Ｄ２ｈの上限値が０．８であり、これらは異なっている。この理由は、フリー面８２側では、ハード磁性相、ソフト磁性相共に、ロール面８１側に比べて結晶粒径が大きくなる傾向を示すが、この結晶の大型化の傾向は、ハード磁性相とソフト磁性相とで異なることを本発明者は見出し、その結果、高磁気特性を発揮し得る上限値を繰り返し実験により求めたものである。
【００８６】
従って、Ｄ１ｓ／Ｄ１ｈの上限値としてより好ましい値は、０．８であり、Ｄ２ｓ／Ｄ２ｈの上限値としてより好ましい値は、０．７５である。これにより、さらに高い磁気特性が得られる。
【００８７】
また、急冷薄帯８は、下記式［３］および［４］を満足するものである。
【００８８】
０．５≦Ｄ１ｈ／Ｄ２ｈ≦１  ・・・［３］
０．５≦Ｄ１ｓ／Ｄ２ｓ≦１  ・・・［４］
前述した様に、フリー面８２側では、ハード磁性相、ソフト磁性相共に、ロール面８１側に比べて結晶粒径が大きくなる傾向を示すので、Ｄ１ｈ／Ｄ２ｈの上限値およびＤ１ｓ／Ｄ２ｓの上限値は、いずれも１とされる。
【００８９】
また、Ｄ１ｈ／Ｄ２ｈまたはＤ１ｓ／Ｄ２ｓが０．５以上であると、ロール面８１とフリー面８２とで、ハード磁性相、ソフト磁性相の結晶粒径の差が少なく、その結果、磁気特性が均一となり、全体として優れた磁気特性が得られる。より詳しく述べると、急冷薄帯８から磁石粉末を製造し、さらには該磁石粉末を用いてボンド磁石を製造したとき、高い磁気エネルギー積（ＢＨ）maxが得られると共に、ヒステリシスループにおける角型性が良好となり、その結果、不可逆減磁率の絶対値が小さくなるので、磁石の信頼性も向上する。
【００９０】
Ｄ１ｓ、Ｄ２ｓの値は、特に限定されないが、Ｄ１ｓ、Ｄ２ｓの少なくとも一方（好ましくは双方）が、７５ｎｍ以下であるのが好ましく、５０ｎｍ以下であるのがより好ましい。この範囲であると、特に、残留磁束密度および角型性が向上する。
【００９１】
また、Ｄ１ｈ、Ｄ２ｈの値は、特に限定されないが、Ｄ１ｈ、Ｄ２ｈの少なくとも一方（好ましくは双方）が、７５ｎｍ以下であるのが好ましく、５０ｎｍ以下であるのがより好ましい。この範囲であると、特に、保磁力および角型性が向上する。
【００９２】
なお、Ｄ１ｓ、Ｄ１ｈ、Ｄ２ｓ、Ｄ２ｈの測定方法は、特に限定されないが、例えば、次のようなＸ線回折法で測定することができる。
【００９３】
急冷薄帯８のロール面８１とフリー面８２のそれぞれについて、Ｘ線回折を行ない、ハード磁性相の回折ピークと、ソフト磁性相の回折ピークとを求める。さらに、ハード磁性相の特定の回折面の回折ピークと、ソフト磁性相の特定の回折面の回折ピークとにおける回折角２θおよび半値幅βを求め、このθおよびβを下記式［５］に代入し、結晶粒径Ｄ（Ｄ１ｓ、Ｄ１ｈ、Ｄ２ｓ、Ｄ２ｈ）を求める。
【００９４】
Ｄ＝０．９λ／β・cosθ  （ただし、λ＝０．１５４ｎｍ）  ・・・［５］
このようなＸ線回折法によれば、ハード磁性相およびソフト磁性相の結晶粒径を簡単にかつ正確に求めることができる。
【００９６】
［磁石粉末の製造］
以上のような急冷薄帯８を粉砕することにより、本発明の磁石粉末が得られる。
【００９７】
粉砕の方法は、特に限定されず、例えばボールミル、振動ミル、ジェットミル、ピンミル等の各種粉砕装置、破砕装置を用いて行うことができる。この場合、粉砕は、酸化を防止するために、真空または減圧状態下（例えば１×１０-1〜１×１０-6 Torr ）、あるいは窒素ガス、アルゴンガス、ヘリウムガス等の不活性ガス中のような、非酸化性雰囲気中で行うこともできる。
【００９８】
磁石粉末の平均粒径は、特に限定されないが、後述する等方性希土類ボンド磁石を製造するためのものの場合、磁石粉末の酸化防止と、粉砕による磁気特性劣化の防止とを考慮して、０．５〜１５０μｍ程度が好ましく、０．５〜８０μｍ程度がより好ましく、１〜５０μｍ程度がさらに好ましい。
【００９９】
また、ボンド磁石の成形時のより良好な成形性を得るために、磁石粉末の粒径分布は、ある程度分散されている（バラツキがある）のが好ましい。これにより、得られたボンド磁石の空孔率を低減することができ、その結果、ボンド磁石中の磁石粉末の含有量を同じとしたときに、ボンド磁石の密度や機械的強度をより高めることができ、磁気特性をさらに向上することができる。
【０１００】
なお、得られた磁石粉末に対しては、例えば、粉砕により導入されたひずみの影響の除去、結晶粒径の制御を目的として、熱処理を施すこともできる。この熱処理の条件としては、例えば、３５０〜８５０℃で、０．５〜３００分程度とすることができる。
【０１０１】
また、この熱処理は、酸化を防止するために、真空または減圧状態下（例えば１×１０-1〜１×１０-6 Torr ）、あるいは窒素ガス、アルゴンガス、ヘリウムガス等の不活性ガス中のような、非酸化性雰囲気中で行うのが好ましい。
【０１０２】
以上のような磁石粉末を用いてボンド磁石を製造した場合、そのような磁石粉末は、結合樹脂との結合性（結合樹脂の濡れ性）が良く、そのため、このボンド磁石は、機械的強度が高く、熱安定性（耐熱性）、耐食性が優れたものとなる。従って、当該磁石粉末は、ボンド磁石の製造に適している。
【０１０３】
［ボンド磁石およびその製造］
次に、本発明の希土類ボンド磁石（以下単に「ボンド磁石」とも言う）について説明する。
【０１０４】
本発明のボンド磁石は、前述の磁石粉末を結合樹脂で結合してなるものである。
【０１０５】
結合樹脂（バインダー）としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂のいずれでもよい。
【０１０６】
熱可塑性樹脂としては、例えば、ポリアミド（例：ナイロン６、ナイロン４６、ナイロン６６、ナイロン６１０、ナイロン６１２、ナイロン１１、ナイロン１２、ナイロン６−１２、ナイロン６−６６）、熱可塑性ポリイミド、芳香族ポリエステル等の液晶ポリマー、ポリフェニレンオキシド、ポリフェニレンサルファイド、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−酢酸ビニル共重合体等のポリオレフィン、変性ポリオレフィン、ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート等のポリエステル、ポリエーテル、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルイミド、ポリアセタール等、またはこれらを主とする共重合体、ブレンド体、ポリマーアロイ等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を混合して用いることができる。
【０１０７】
これらのうちでも、成形性が特に優れており、機械的強度が高いことから、ポリアミド、耐熱性向上の点から、液晶ポリマー、ポリフェニレンサルファイドを主とするものが好ましい。また、これらの熱可塑性樹脂は、磁石粉末との混練性にも優れている。
【０１０８】
このような熱可塑性樹脂は、その種類、共重合化等により、例えば成形性を重視したものや、耐熱性、機械的強度を重視したものというように、広範囲の選択が可能となるという利点がある。
【０１０９】
一方、熱硬化性樹脂としては、例えば、ビスフェノール型、ノボラック型、ナフタレン系等の各種エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、ポリエステル（不飽和ポリエステル）樹脂、ポリイミド樹脂、シリコーン樹脂、ポリウレタン樹脂等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を混合して用いることができる。
【０１１０】
これらのうちでも、成形性が特に優れており、機械的強度が高く、耐熱性に優れるという点から、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、シリコーン樹脂が好ましく、エポキシ樹脂が特に好ましい。また、これらの熱硬化性樹脂は、磁石粉末との混練性、混練の均一性にも優れている。
【０１１１】
なお、使用される熱硬化性樹脂（未硬化）は、室温で液状のものでも、固形（粉末状）のものでもよい。
【０１１２】
このような本発明のボンド磁石は、例えば次のようにして製造される。磁石粉末と、結合樹脂と、必要に応じ添加剤（酸化防止剤、潤滑剤等）とを含むボンド磁石用組成物（コンパウンド）を製造し、このボンド磁石用組成物を用いて、圧縮成形（プレス成形）、押出成形、射出成形等の成形方法により、無磁場中で所望の磁石形状に成形する。結合樹脂が熱硬化性樹脂の場合には、成形後、加熱等によりそれを硬化する。
【０１１３】
ここで、前記３種の成形方法のうち、押出成形および射出成形（特に、射出成形）は、形状選択の自由度が広く、生産性が高い等の利点があるが、これらの成形方法では、良好な成形性を得るために、成形機内におけるコンパウンドの十分な流動性を確保しなければならないため、圧縮成形に比べて、磁石粉末の含有量を多くすること、すなわちボンド磁石を高密度化することができない。しかしながら、本発明では、後述するように、高い磁束密度が得られ、そのため、ボンド磁石を高密度化しなくても優れた磁気特性が得られるので、押出成形、射出成形により製造されるボンド磁石にもその利点を享受することができる。
【０１１４】
ボンド磁石中の磁石粉末の含有量（含有率）は、特に限定されず、通常は、成形方法や、成形性と高磁気特性との両立を考慮して決定される。具体的には、７５〜９９．５wt％程度であるのが好ましく、８５〜９７．５wt％程度であるのがより好ましい。
【０１１５】
特に、ボンド磁石が圧縮成形により製造されたものの場合には、磁石粉末の含有量は、９０〜９９．５wt％程度であるのが好ましく、９３〜９８．５wt％程度であるのがより好ましい。
【０１１６】
また、ボンド磁石が押出成形または射出成形により製造されたものの場合には、磁石粉末の含有量は、７５〜９８wt％程度であるのが好ましく、８５〜９７wt％程度であるのがより好ましい。
【０１１７】
ボンド磁石の密度ρは、それに含まれる磁石粉末の比重、磁石粉末の含有量、空孔率等の要因により決定される。本発明のボンド磁石において、その密度ρは特に限定されないが、５．３〜６．６ｇ／ｃｍ3程度であるのが好ましく、５．５〜６．４ｇ／ｃｍ3程度であるのがより好ましい。
【０１１８】
本発明では、磁石粉末の磁束密度、保磁力が大きいので、ボンド磁石に成形した場合に、磁石粉末の含有量が多い場合はもちろんのこと、含有量が比較的少ない場合でも、優れた磁気特性（特に、高磁気エネルギー積、高保磁力）が得られる。
【０１１９】
本発明のボンド磁石の形状、寸法等は特に限定されず、例えば、形状に関しては、例えば、円柱状、角柱状、円筒状（リング状）、円弧状、平板状、湾曲板状等のあらゆる形状のものが可能であり、その大きさも、大型のものから超小型のものまであらゆる大きさのものが可能である。特に、小型化、超小型化された磁石に有利であることは、本明細書中で度々述べている通りである。
【０１２０】
本発明のボンド磁石は、保磁力（室温での固有保磁力）ＨcJが３２０〜７２０ｋＡ／ｍ程度であるのが好ましく、４００〜６４０ｋＡ／ｍ程度であるのがより好ましい。保磁力が前記下限値未満では、モータの用途によっては逆磁場がかかったときの減磁が顕著になり、また、高温における耐熱性が劣る。また、保磁力が前記上限値を超えると、着磁性が低下する。従って、保磁力ＨcJを上記範囲とすることにより、ボンド磁石（特に、円筒状磁石）に多極着磁等をするような場合に、十分な着磁磁場が得られないときでも、良好な着磁が可能となり、十分な磁束密度が得られ、高性能なボンド磁石、特にモータ用ボンド磁石を提供することができる。
【０１２１】
本発明のボンド磁石は、磁気エネルギー積（ＢＨ）maxが６０ｋＪ／ｍ3以上であるのが好ましく、６５ｋＪ／ｍ3以上であるのがより好ましく、７０〜１３０ｋＪ／ｍ3であるのがさらに好ましい。磁気エネルギー積（ＢＨ）maxが６０ｋＪ／ｍ3未満であると、モータ用に用いた場合、その種類、構造によっては、十分なトルクが得られない。
【０１２２】
本発明のボンド磁石は、不可逆減磁率（初期減磁率）の絶対値が５．７％以下であるのが好ましく、４．４％以下であるのがより好ましく、３．２％以下であるのがさらに好ましい。これにより、熱的安定性（耐熱性）に優れたボンド磁石が得られる。
【０１２３】
本発明のボンド磁石の形状、寸法等は特に限定されず、例えば、形状に関しては、例えば、円柱状、角柱状、円筒状（リング状）、円弧状、平板状、湾曲板状等のあらゆる形状のものが可能であり、その大きさも、大型のものから超小型のものまであらゆる大きさのものが可能である。
【０１２４】
このようなことから、本発明のボンド磁石は、多極着磁に供される、または多極着磁されたものであるのが好ましい。
【０１２５】
【実施例】
（実施例１）
以下に述べるような方法で合金組成が（Ｎｄ0.7Ｐｒ0.25Ｄｙ0.05）8.7ＦｅbalＣｏ7.0Ｂ5.6Ａｌ0.5（以下、「組成Ａ」とする）の急冷薄帯（薄帯状磁石材料）を得た。
【０１２６】
まず、Ｎｄ，Ｐｒ，Ｄｙ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｂ，Ａｌの各原料を秤量して母合金インゴットを鋳造し、このインゴットから約１５ｇのサンプルを切り出した。
【０１２７】
図４および図５に示す構成の急冷薄帯製造装置を用意し、底部にノズル（円孔オリフィス：直径１０ｍｍ）を設けた石英管内に前記サンプルを入れた。急冷薄帯製造装置１が収納されているチャンバー内を脱気した後、不活性ガス（Ａｒガス）を導入し、所望の温度および圧力の雰囲気とした。
【０１２８】
冷却ロール５としては、銅製の基部５１の外周に、スパッタリングにより平均厚さ８μｍのＡｌ2Ｏ3よりなる表面層５２を設けたもの（ロール半径：１００ｍｍ）を用いた。
【０１２９】
その後、石英管内のインゴットサンプルを高周波誘導加熱により溶解し、さらに、溶湯の噴射圧（石英管の内圧と雰囲気圧との差圧）を４０ｋＰａに調整して、溶湯を冷却ロールの周面に向けて噴射し、急冷薄帯（平均厚さｔ：約３０μｍ、平均幅Ｗ：約２ｍｍ）を得た。
【０１３０】
このとき、冷却ロールの周速度を１０〜２２ｍ／秒の間で変化させると共に、チャンバー内の雰囲気圧を１３〜７５ｋＰａの間で変化させて、Ｎｏ．１〜Ｎｏ．５の５種の急冷薄帯サンプルを製造した。
【０１３１】
得られた各急冷薄帯のロール面およびフリー面に対し、それぞれ、ディフラクトメータによるＸ線回折試験を行なった。Ｘ線ターゲットは、Ｃｕとした。この場合、測定Ｘ線波長は、λ＝０．１５４ｎｍであった。測定時には、モノクロメータを用い、回折角２θ＝２０°〜６０°の範囲でＸ線回折を行った。
【０１３２】
測定の結果、ハード磁性相であるＲ2（Ｆｅ・Ｃｏ）14Ｂ1型相と、ソフト磁性相であるα−（Ｆｅ，Ｃｏ）型相の回折ピークが確認でき、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）による観察結果から、ナノコンポジット組織（複合組織）を形成していることが確認された。
【０１３３】
得られたＸ線プロファイルから、バックグラウンド除去後、ハード磁性相の（２２４）回折面の回折ピークと、ソフト磁性相の（１１０）回折面の回折ピークとにおける回折角２θおよび半値幅βを求め、このθおよびβを前記式［５］に代入し、結晶粒径Ｄ１ｓ、Ｄ１ｈ、Ｄ２ｓおよびＤ２ｈを求めた。
【０１３４】
これらの値から、Ｄ１ｓ／Ｄ１ｈ、Ｄ２ｓ／Ｄ２ｈ、Ｄ１ｈ／Ｄ２ｈおよびＤ１ｓ／Ｄ２ｓを求めた。その結果を下記表１に示す。
【０１３５】
表１中、サンプルＮｏ．１〜Ｎｏ．４が本発明の実施例であり、サンプルＮｏ．５が比較例である。なお、Ｄｌｓ、Ｄｌｈ、Ｄ２ｓおよびＤ２ｈの値は、サンプルＮｏ．５を除き、いずれも５０ｎｍ以下であった。
【０１３６】
また、サンプルＮｏ．１〜Ｎｏ．５の各急冷薄帯について、振動試料型磁力計（ＶＳＭ）により磁気特性（保磁力ＨcJ、磁気エネルギー積（ＢＨ）max）を測定した。なお、測定にあたり、反磁界補正は行わなかった。
【０１３７】
測定の結果を下記表１に示す。
【０１３８】
【表１】
0003951525.tif 000002
【０１３９】
表１から明らかなように、本発明の急冷薄帯であるサンプルＮｏ．１〜Ｎｏ．４は、いずれも、優れた磁気特性（ＨcJおよび（ＢＨ）max）を発揮するのに対し、比較例であるサンプルＮｏ．５は、磁気特性が劣っている。
【０１４０】
（実施例２）
サンプルＮｏ．１〜Ｎｏ．５の各急冷薄帯を粗粉砕した後、Ａｒガス雰囲気中で７００℃×３００ｓｅｃの熱処理を施して、組成Ａの磁石粉末を得た。
【０１４１】
次に、粒度調整のために、この磁石粉末をさらに粉砕機（ライカイ機）を用いてアルゴンガス中で粉砕し、平均粒径４０μｍの磁石粉末とした。
【０１４２】
この磁石粉末と、エポキシ樹脂（結合樹脂）と、少量のヒドラジン系酸化防止剤とを混合、混練してボンド磁石用組成物（コンパウンド）を作製した。
【０１４３】
次いで、このコンパウンドを粉砕して粒状とし、この粒状物を秤量してプレス装置の金型内に充填し、圧力７ｔｏｎ／ｃｍ2で圧縮成形（無磁場中）して、成形体を得た。
【０１４４】
離型後、加熱によりエポキシ樹脂を硬化させて（キュア処理）、直径１０ｍｍφ×高さ７ｍｍの円柱状の等方性希土類ボンド磁石を得た。各ボンド磁石において、磁石粉末の含有量は、９８．０ｗｔ％、密度ρは、６．２ｇ／ｃｍ3であった。
【０１４５】
得られた５種のボンド磁石について、１００℃×１時間の環境下に保持した後、室温まで戻した際の不可逆減磁率（初期減磁率）を調べた。その結果を、下記表２に示す。
【０１４６】
得られた５種のボンド磁石について、磁場強度３．２ＭＡ／ｍでパルス着磁した後、直流自記磁束計にて最大印加磁場２．０ＭＡ／ｍで磁気特性（残留磁束密度Ｂｒ、保磁力ＨcJ、磁気エネルギー積（ＢＨ）max）を測定した。測定時の温度は、２３℃（室温）であった。その結果を下記表２に示す。
【０１４７】
また、各ボンド磁石について、１００℃×１時間の環境下に保持した後、室温まで戻した際の不可逆減磁率（初期減磁率）を調べた。その結果を、下記表２に示す。
【０１４８】
【表２】
0003951525.tif 000003
【０１４９】
表２から明らかなように、サンプルＮｏ．１〜Ｎｏ．４の磁石材料から得られたボンド磁石は、いずれも、優れた磁気特性（Ｂｒ、ＨcJおよび（ＢＨ）max）を発揮するとともに、不可逆減磁率の絶対値が５．０％以下と低く、熱的安定性（耐熱性）にも優れている。
【０１５０】
これに対し、比較例であるサンプルＮｏ．５に磁石材料から得られたボンド磁石は、磁気特性が劣っているとともに、不可逆減磁率が−５．９％と、その絶対値が大きく、熱的安定性も低い。
【０１５１】
（実施例３）
サンプルＮｏ．１〜Ｎｏ．５の磁石材料から実施例２と同様にして、外径２２ｍｍφ×内径２０ｍｍφ×高さ４ｍｍの円筒状（リング状）の等方性希土類ボンド磁石を製造し、得られた各ボンド磁石を８極に多極着磁した。着磁の際に着磁コイルに流す電流値は１６ｋＡとした。
【０１５２】
なお、このとき、着磁率９０％を達成するのに要した着磁磁界の大きさは、比較的小さく、よって、着磁性は良好であった。
【０１５３】
このようにして着磁された各ボンド磁石をロータ磁石として用いて、ＣＤ−ＲＯＭ用スピンドルモータを組み立てた。
【０１５４】
各ＣＤ−ＲＯＭ用スピンドルモータにおいて、ロータを１０００ｒｐｍで回転させたときの巻線コイルに発生した逆起電圧を測定した。その結果、サンプルＮｏ．５によるボンド磁石を用いたモータは電圧が０．８０Ｖであったのに対し、サンプルＮｏ．１〜Ｎｏ．４によるボンド磁石を用いたモータは、０．９６Ｖと２０％以上高い値が得られた。
【０１５５】
その結果、本発明のボンド磁石を用いると、高性能のモータが製造できることが確認された。
【０１５６】
ボンド磁石を押出成形により製造した以外は、上記実施例１〜３と同様にして本発明のボンド磁石およびモータを製造し、性能評価を行ったところ、前記と同様の結果が得られた。
【０１５７】
ボンド磁石を射出成形により製造した以外は、上記実施例１〜３と同様にして本発明のボンド磁石およびモータを製造し、性能評価を行ったところ、前記と同様の結果が得られた。
【０１５８】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明によれば、次のような効果が得られる。
【０１５９】
・磁石材料が、ソフト磁性相とハード磁性相とを有する複合組織となっており、しかもその性状、特性が均一であるため、磁化が高く、優れた磁気特性を発揮する。特に、固有保磁力と角型性が改善される。
【０１６０】
・不可逆減磁率の絶対値が小さく、熱的安定性（耐熱性）に優れる。
【０１６１】
・高い磁束密度が得られ、等方性であっても、高磁気特性を持つボンド磁石が得られる。特に、従来の等方性ボンド磁石に比べ、より小さい体積のボンド磁石で同等以上の磁気性能を発揮することができるので、より小型で高性能のモータを得ることが可能となる。
【０１６２】
・また、高い磁束密度が得られることなどから、ボンド磁石の製造に際し、高密度化を追求しなくても十分に高い磁気特性を得ることができ、その結果、成形性の向上と共に、寸法精度、機械的強度、耐食性、熱的安定性等の向上が図れ、信頼性の高いボンド磁石を容易に製造することが可能となる。
【０１６３】
・着磁性が良好なので、より低い着磁磁場で着磁することができ、特に多極着磁等を容易かつ確実に行うことができ、かつ高い磁束密度を得ることができる。
【０１６４】
・高密度化を要求されないことから、圧縮成形法に比べて高密度の成形がしにくい押出成形法や射出成形法によるボンド磁石の製造にも適し、このような成形方法で成形されたボンド磁石でも、前述したような効果が得られる。よって、ボンド磁石の成形方法の選択の幅、さらには、それによる形状選択の自由度が広がる。
【０１６５】
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の磁石粉末におけるナノコンポジット組織（マクロ組織）の一例を模式的に示す図である。
【図２】本発明の磁石粉末におけるナノコンポジット組織（マクロ組織）の一例を模式的に示す図である。
【図３】本発明の磁石粉末におけるナノコンポジット組織（マクロ組織）の一例を模式的に示す図である。
【図４】磁石材料を製造する装置（急冷薄帯製造装置）の構成例を示す斜視図である。
【図５】図４に示す装置における溶湯の冷却ロールへの衝突部位付近の状態を示す断面側面図である。
【符号の説明】
１          急冷薄帯製造装置
２          筒体
３          ノズル
４          コイル
５          冷却ロール
５１        基部
５２        表面層
５３        周面
６          溶湯
７          パドル
７１        凝固界面
８          急冷薄帯
８１        ロール面
８２        フリー面
９Ａ        矢印
９Ｂ        矢印
１０        ソフト磁性相
１１        ハード磁性相
【図１】
0003951525.tif 000004
【図２】
0003951525.tif 000005
【図３】
0003951525.tif 000006
【図４】
0003951525.tif 000007
【図５】
0003951525.tif 000008