(57)【要約】【課題】反りを抑え、リーク電流の低減およびパーティクル起因のピットの改善を図る。【解決手段】窒化物半導体エピタキシャルウェハは、Ｓi基板(１)と、上記Ｓi基板(１)上に形成されたＡlＮからなる下地層(２)と、上記下地層(２)上に形成されると共に、Ａl組成が上記Ｓi基板側を下方として上方に向かって段階的に減少するＡlｘＧa１−ｘＮ(０＜ｘ＜１)の組成でなる複数の層が積層されたＡl組成傾斜層(７)と、上記Ａl組成傾斜層(７)の上に形成された窒化物半導体(８,９)とを備え、上記Ａl組成傾斜層(７)における複数の層間の少なくとも何れか一つの層間には、局所低Ａl組成ＡlＧaＮ,ＧaＮおよびＡlＮのうちの何れかが形成されており、上記局所低Ａl組成ＡlＧaＮは、Ａl組成が、上記Ａl組成傾斜層(７)における当該局所低Ａl組成ＡlＧaＮの直下および直上に位置する両ＡlＧaＮ層のＡl組成よりも低いＡlＧaＮである。【選択図】図１
2016167472.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｓi基板と、
上記Ｓi基板上に形成されたＡlＮからなる下地層と、
上記下地層上に形成されると共に、Ａl組成が上記Ｓi基板側を下方として上方に向かって段階的に減少するＡlｘＧa１−ｘＮ(０＜ｘ＜１)の組成でなる複数の層が積層されたＡl組成傾斜層と、
上記Ａl組成傾斜層の上に形成された窒化物半導体と
を備え、
上記Ａl組成傾斜層における複数の層間の少なくとも何れか一つの層間には、局所低Ａl組成ＡlＧaＮ,ＧaＮおよびＡlＮのうちの何れかが形成されており、
上記局所低Ａl組成ＡlＧaＮは、Ａl組成が、上記Ａl組成傾斜層における当該局所低Ａl組成ＡlＧaＮの直下および直上に位置する両ＡlＧaＮ層のＡl組成よりも低いＡlＧaＮである
ことを特徴とする窒化物半導体エピタキシャルウェハ。
【請求項２】
請求項１に記載の窒化物半導体エピタキシャルウェハにおいて、
上記Ａl組成傾斜層上に形成されると共に、ＡlａＧa１−ａＮ(０≦ａ≦０.５)の組成でなる低Ａl組成層とＡlｂＧa１−ｂＮ(０.５＜ｂ≦１.０)の組成でなる高Ａl組成層とが交互に積層されてなる超格子層を備え、
上記Ａl組成傾斜層の上に形成される上記窒化物半導体は、上記超格子層上に形成されることによって、上記超格子層を介して上記Ａl組成傾斜層の上に形成されている
ことを特徴とする窒化物半導体エピタキシャルウェハ。
【請求項３】
請求項１あるいは請求項２に記載の窒化物半導体エピタキシャルウェハにおいて、
上記Ａl組成傾斜層における上記層間に形成される上記局所低Ａl組成ＡlＧaＮ,ＧaＮおよびＡlＮのうちの何れかは、少なくとも、上記Ａl組成傾斜層を構成するＡlＧaＮ層の表面にオープンコアの螺旋転位を核として形成されたＶ字状の欠陥、および、パーティクルを起因として形成されたピットを、埋めるように形成されている
ことを特徴とする窒化物半導体エピタキシャルウェハ。
【請求項４】
請求項１から請求項３までの何れか一つに記載のエピタキシャルウェハを用いて形成されたことを特徴とする電界効果トランジスタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、基板上に窒化物半導体層がエピタキシャル成長された窒化物半導体エピタキシャルウェハ、および、それを用いた電界効果トランジスタに関する。
【背景技術】
【０００２】
窒化物半導体を用いた電子デバイスとしては、一般的に、ＡlＧaＮとＧaＮとからなるヘテロ接合を含む構造が用いられている。近年、電子デバイスの低コスト化を実現するために、安価なＳi基板上に窒化物半導体を成長することが盛んに行われている。
【０００３】
上記窒化物半導体をＳi基板上に成長する際の問題点として、窒化物半導体とＳiとの熱膨張係数の違いによるウェハの反りが挙げられる。すなわち、上記窒化物半導体の熱膨張係数は上記Ｓiの熱膨張係数よりも大きいことから、Ｓi基板上に窒化物半導体を高温で成長した後に室温に冷却する過程において、下に凸の形状に反るのである。
【０００４】
このような熱膨張係数の違いによる反りを抑える方法として、特表２００４‐５２４２５０号公報(特許文献１)に開示された窒化ガリウム材料や、特開２００７‐６７０７７号公報(特許文献２)に開示された窒化物半導体素子や、特開２００９‐１５８８０４号公報(特許文献３)に開示された半導体材料がある。
【０００５】
上記特許文献１に開示された窒化ガリウム材料においては、シリコン基板と窒化ガリウム材料との間に、組成的に勾配をつけたＡlＩnＧaＮ,ＡlＧaＮ,ＩnＧaＮ等の窒化ガリウムの合金で構成された転移層を形成している。また、上記特許文献２に開示された窒化物半導体素子においては、高Ａl含有層からなるＡlＧaＮ層等と低Ａl含有層からなるＡlＧaＮ層等とを交互に複数層積層してなるＡlＮ系超格子バッファ層を形成している。また、特許文献３に開示された半導体材料においては、Ｓi基板上に形成されたＡlＮ中間層の上に、Ａl組成に勾配をつけたＡlｘＧa１−ｘＮからなる組成傾斜層と、高Ａl含有層からなるＡlＧaＮ層等と低Ａl含有層からなるＡlＧaＮ層等とを交互に複数層積層してなる超格子複合層とを形成している。
【０００６】
そして、上記特許文献３に開示された半導体材料では、上記組成傾斜層と上記超格子複合層とを組み合わせた構造により、反りと、格子定数や熱膨張係数等の成長条件起因のピット(点状欠陥)と、(２０２４)面における回折線の半値幅とを改善するようにしている。
【０００７】
しかしながら、さらなる結晶性の改善のためには、上記特許文献３に開示された半導体材料の構造では不十分であり、リーク改善およびパーティクル起因のピットの改善を図る必要がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特表２００４‐５２４２５０号公報
【特許文献２】特開２００７‐６７０７７号公報
【特許文献３】特開２００９‐１５８８０４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
そこで、この発明の課題は、ウェハの反りを抑えるだけではなく、リーク電流の低減およびパーティクル起因のピットの改善を図ることが可能な窒化物半導体エピタキシャルウェハ、および、それを用いた電界効果トランジスタを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するため、この発明の窒化物半導体エピタキシャルウェハは、
Ｓi基板と、
上記Ｓi基板上に形成されたＡlＮからなる下地層と、
上記下地層上に形成されると共に、Ａl組成が上記Ｓi基板側を下方として上方に向かって段階的に減少するＡlｘＧa１−ｘＮ(０＜ｘ＜１)の組成でなる複数の層が積層されたＡl組成傾斜層と、
上記Ａl組成傾斜層の上に形成された窒化物半導体と
を備え、
上記Ａl組成傾斜層における複数の層間の少なくとも何れか一つの層間には、局所低Ａl組成ＡlＧaＮ,ＧaＮおよびＡlＮのうちの何れかが形成されており、
上記局所低Ａl組成ＡlＧaＮは、Ａl組成が、上記Ａl組成傾斜層における当該局所低Ａl組成ＡlＧaＮの直下および直上に位置する両ＡlＧaＮ層のＡl組成よりも低いＡlＧaＮである
ことを特徴としている。
【００１１】
また、一実施の形態の窒化物半導体エピタキシャルウェハでは、
上記Ａl組成傾斜層上に形成されると共に、ＡlａＧa１−ａＮ(０≦ａ≦０.５)の組成でなる低Ａl組成層とＡlｂＧa１−ｂＮ(０.５＜ｂ≦１.０)の組成でなる高Ａl組成層とが交互に積層されてなる超格子層を備え、
上記Ａl組成傾斜層の上に形成される上記窒化物半導体は、上記超格子層上に形成されることによって、上記超格子層を介して上記Ａl組成傾斜層の上に形成されている。
【００１２】
また、一実施の形態の窒化物半導体エピタキシャルウェハでは、
上記Ａl組成傾斜層における上記層間に形成される上記局所低Ａl組成ＡlＧaＮ,ＧaＮおよびＡlＮのうちの何れかは、少なくとも、上記Ａl組成傾斜層を構成するＡlＧaＮ層の表面にオープンコアの螺旋転位を核として形成されたＶ字状の欠陥、および、パーティクルを起因として形成されたピットを、埋めるように形成されている。
【００１３】
また、この発明の電界効果トランジスタは、
上記この発明のエピタキシャルウェハを用いて形成されたことを特徴としている。
【発明の効果】
【００１４】
以上より明らかなように、この発明の窒化物半導体エピタキシャルウェハは、上記下地層の上に、Ａl組成が段階的に減少するＡlｘＧa１−ｘＮ(０＜ｘ＜１)の組成でなる複数の層が積層されたＡl組成傾斜層を成長させる場合に、上記Ａl組成傾斜層における複数の層間の少なくとも何れか一つの層間に、平坦性に優れた上記局所低Ａl組成ＡlＧaＮ,ＧaＮおよびＡlＮのうちの何れかを形成している。
【００１５】
したがって、上記下地層から伸びてくるオープンコアの螺旋転位を核として上記Ａl組成傾斜層におけるＡlＧaＮ層の表面に形成されたＶ字状の欠陥、および、パーティクル起因のピットを、上記層間に形成された平坦性に優れた上記局所低Ａl組成ＡlＧaＮ,ＧaＮおよびＡlＮのうちの何れかによって埋めることができ、それにより上記オープンコアの螺旋転位およびパーティクル起因のピットを消失させることができる。
【００１６】
すなわち、この発明によれば、電気的に活性であるためリークパスとして働くと考えられる上記オープンコアの螺旋転位を消失させることによって、結晶性に優れ、且つリーク電流を低減できる窒化物半導体エピタキシャルウェハを提供することができる。
【００１７】
さらに、上記Ｓi基板と上記窒化物半導体との間に、上記Ａl組成傾斜層を形成しているので、上記Ｓi基板と上記窒化物半導体との熱膨張係数の違いによる反りを抑制することができる。
【００１８】
また、この発明の電界効果トランジスタは、上記反りの抑制、結晶性の向上、リーク電流の低減、超格子層の耐圧維持を図ることができる、上記この発明のエピタキシャルウェハを用いて形成されている。したがって、高性能で、高耐圧で、消費電流の少ないの電界効果トランジスタを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】この発明の窒化物半導体エピタキシャルウェハにおける断面図である。
【図２】Ｘ線回折における(０００４)面の半値全幅を示す図である。
【図３】ＡlＮ層の有無によるリーク電流の減少効果を示す図である。
【図４】Ｖ字状の欠陥を示す図である。
【図５】図１とは異なる窒化物半導体エピタキシャルウェハにおける断面図である。
【図６】Ｘ線回折における(０００４)面の半値全幅を示す図である。
【図７】ＧaＮ層の有無によるリーク電流の減少効果を示す図である。
【図８】ＧaＮ層の有無による歩留まりを示す図である。
【図９】超格子層の表面にパーティクル起因のピットが形成されるメカニズムとその防止策との説明図である。
【図１０】パーティクル起因のピット内を理想的に埋める場合の説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、この発明を図示の実施の形態により詳細に説明する。
【００２１】
・第１実施の形態
本実施の形態は、基板上に形成された上記下地層としての初期成長層と、この初期成長層上に形成されると共にＡl組成が段階的に減少する組成傾斜層とを含み、上記組成傾斜層における複数の層間の少なくとも何れか一つの層間には、局所低Ａl組成ＡlＧaＮ,ＧaＮおよびＡlＮのうちの何れかを有している。そして、その上に、さらに窒化物半導体が形成された窒化物半導体エピタキシャルウェハに関する。
【００２２】
ここで、上記局所低Ａl組成ＡlＧaＮとは、上記組成傾斜層における当該低Ａl組成ＡlＧaＮの直下および直上に位置する二つの層のＡl組成よりも低いＡl組成であるＡlＧaＮのことである。
【００２３】
図１は、本実施の形態の窒化物半導体エピタキシャルウェハにおける断面図である。
【００２４】
図１において、基板として、ＣＺ法(チョクラルスキー法)によって成長された抵抗率が０.０１Ω・ｃｍのＢ（ボロン）ドープＳi基板１を用いる。このＳi基板１上に、ＡlＮからなる厚さ１００ｎｍの初期成長層２、組成傾斜バッファ層７、ＧaＮからなる厚さ１μｍのチャネル層８、ＡlＧaＮからなる障壁層９が形成されている。ここで、上記組成傾斜バッファ層７は、厚さ２００ｎｍのＡl０.７Ｇa０.３Ｎ３と、ＡlＮ層４と、厚さ４００ｎｍのＡl０.４Ｇa０.６Ｎ５と、厚さ４００ｎｍのＡl０.１Ｇa０.９Ｎ６で構成されている。尚、各層の膜厚は、本実施の形態の数値に限定されるわけではなく、本ウェハにおける反りの調整に応じて変化させることが可能である。
【００２５】
各層の成長は、一例であるが、以下のような成長方法で行われる。
【００２６】
上記ＡlＮ初期成長層２の成長に先立って、Ｓi基板１表面の酸化膜をフッ酸系のエッチャントで除去した後、有機金属気相成長(ＭＯＣＶＤ)装置にＳi基板１をセットする。そして、Ｓi基板１の温度を１１００℃に設定し、チャンバー圧力１３.３kＰaで基板表面のクリーニングを行なう。
【００２７】
次に、基板温度およびチャンバー圧力を一定とし、アンモニアＮＨ３(１２.５slm)を流すことでＳi基板１表面の窒化を行なう。引き続き、ＡlＮを、１００nm(ＴＭＡ(トリメチルアルミニウム)流量＝１１７μmol/min,ＮＨ３流量＝１２.５slm)成長してＡlＮ初期成長層２を形成する。次に、基板温度１１５０℃で、Ａl０.７Ｇa０.３Ｎ３を、２００nm(ＴＭＧ(トリメチルガリウム)流量＝５７μmol/min,ＴＭＡ流量＝９７μmol/min,ＮＨ３流量＝１２.５slm)成長する。次に、ＡlＮ層４(ＴＭＡ流量＝１１７μmol/min,ＮＨ３流量＝１.０slm)を成長する。次に、Ａl０.４Ｇa０.６Ｎ５を、４００nm(ＴＭＧ流量＝９９μmol/min,ＴＭＡ流量＝５５μmol/min,ＮＨ３流量＝１２.５slm)成長する。次に、Ａl０.１Ｇa０.９Ｎ６を、４００nm(ＴＭＧ流量＝１３７μmol/min,ＴＭＡ流量＝１８μmol/min,ＮＨ３流量＝１２.５slm)成長する。こうして、Ａl０.７Ｇa０.３Ｎ３とＡlＮ層４とＡl０.４Ｇa０.６Ｎ５とＡl０.１Ｇa０.９Ｎ６とでなる組成傾斜バッファ層７を形成する。
【００２８】
その後、１μmの厚さでＧaＮチャネル層８(ＴＭＧ流量＝５０μmol/min,ＮＨ３流量＝１２.５slm)を成長する。さらに、２０nmの厚さでＡl０.２Ｇa０.８Ｎ障壁層９を順次成長する。
【００２９】
以下、詳細な説明は省略するが、上述のようにしてＳi基板１上に形成された窒化物半導体層に対して、求める電子デバイスに応じた加工を施して上記電子デバイスが形成される。
【００３０】
例えば、上記電子デバイスとして電界効果トランジスタを形成する場合には、上記ＡlＧaＮ障壁層９とＧaＮチャネル層８との界面に形成される２次元電子ガスの層とオーミック接触を形成するソース電極(図示せず)およびドレイン電極(図示せず)が形成され、上記ソース電極と上記ドレイン電極との間にゲート電極(図示せず)が形成される。
【００３１】
図２は、上記ＧaＮチャネル層８のＸ線回折における(０００４)面の半値全幅のＡlＮ層４依存性を示す図である。ここで、上記(０００４)面は、螺旋転位との相関があることから、オープンコアの螺旋転位の減少を反映すると考えられるために指標としている。
【００３２】
図２によれば、上記組成傾斜バッファ層７中にＡlＮ層４を形成した方が、ＡlＮ層４を形成しない場合よりも強度が大きく、且つピーク値での半値全幅が狭く、結晶性に優れていることが分かる。
【００３３】
また、図３は、上記組成傾斜バッファ層７にＡlＮ層４を含む場合と含まない場合とによるリーク電流の減少効果を示す図である。
【００３４】
図３によれば、上記組成傾斜バッファ層７にＡlＮ層４を含まない場合には、Ｓi基板１とＡlＧaＮ障壁層９上に形成される電極との間の印加電圧Ｖが１７０Ｖ以上の場合、Ｓi基板１と上記電極との間のリーク電流の電流密度Ｊ(Ａ/ｃｍ２)が、一般に不良品と判定される１.Ｅ−０４以上になっている。これに対して、組成傾斜バッファ層１７にＡlＮ層４を含む場合には、上記印加電圧が１７０Ｖを超えても４５０Ｖまでは、リーク電流の電流密度Ｊが上記１.Ｅ−０４以下に低減されている。
【００３５】
上述のように、上記初期成長層２の上にＡl組成を階段状に減少した組成傾斜バッファ層７を成長させる場合、反りを低減する効果を高めるためには、初期成長層２として一般的に用いられるＡlＮに対してＡl組成の差が０.２以上であるＡlＧaＮ層を組成傾斜バッファ層７として成長することが好ましい。しかしながら、平坦な表面を有する高Ａl組成ＡlＧaＮ層を成長することは容易ではなく、図４に示すように、ＡlＧaＮ層(組成傾斜バッファ層７の最下層)の表面に、ＡlＮ(初期成長層２)から伸びてきた転位を核としてＶ字状の欠陥１０が容易に形成される。Ｖ字状の欠陥１０が形成される原因は、オープンコアの螺旋転位であることが一般的に知られており、さらに上記オープンコアの螺旋転位はその上層のＡlＧaＮ層に引き継がれていく。
【００３６】
しかしながら、上記Ｖ字状の欠陥を平坦性に優れたＡlＮやＧaＮ等によって埋めることにより、その理由は明らかではないが、オープンコアの螺旋転位が消失する。オープンコアの螺旋転位は、電気的に活性であることが知られており、リークパスとして働くと考えられるため、オープンコアの螺旋転位の消失はリーク電流の低減に繋がるのである。
【００３７】
本実施の形態においては、Ｓi基板１上に形成されたＡlＮ初期成長層２と、このＡlＮ初期成長層２上に形成されると共にＡl組成が階段状に減少するＡlＧaＮ組成傾斜バッファ層７とを含み、ＡlＧaＮ組成傾斜バッファ層７における複数の層間における第１層であるＡl０.７Ｇa０.３Ｎ３と第２層であるＡl０.４Ｇa０.６Ｎ５との間に、ＡlＮ層４を形成している。さらに、ＡlＧaＮ組成傾斜バッファ層７の上に、ＧaＮチャネル層８およびＡlＧaＮ障壁層８でなる窒化物半導体が形成されている。
【００３８】
したがって、上記ＡlＮ初期成長層２から伸びてきた転位を核としてＡlＧaＮ組成傾斜バッファ層７の第１層であるＡl０.７Ｇa０.３Ｎ３の表面に形成されたＶ字状の欠陥が、平坦性に優れたＡlＮ層４によって埋められて、上記オープンコアの螺旋転位が消失する。そのため、電気的に活性な上記オープンコアの螺旋転位が消失することによって、リーク電流を低減することができるのである。
【００３９】
尚、上記第１実施の形態においては、上記ＡlＧaＮ組成傾斜バッファ層７における第１層と第２層との間にＡlＮ層４を形成している。しかしながら、ＡlＮ層４を形成する箇所はＡlＧaＮ組成傾斜バッファ層７の第１層と第２層との間に限定されるものではなく、第２層と第３層との間に形成しても差し支えない。要は、ＡlＧaＮ組成傾斜バッファ層７における複数の層間の少なくとも何れか一つの層間であればよいのである。
【００４０】
また、上記第１実施の形態においては、上記ＡlＧaＮ組成傾斜バッファ層７の第１層と第２層との境界に形成されるＶ字状の欠陥を埋める物質として、ＡlＮ(ＡlＮ層４)を用いている。しかしながら、上記Ｖ字状の欠陥を埋める物質は上記ＡlＮに限定されるものではなく、ＧaＮを用いることも可能である。
【００４１】
さらに、上記Ｖ字状の欠陥を埋める物質として、上記ＡlＧaＮ組成傾斜バッファ層７において、直下に位置する上記第１層(Ａl０.７Ｇa０.３Ｎ３)のＡl組成(＝０.７)、および、直上に位置する上記第２層(Ａl０.４Ｇa０.６Ｎ５)のＡl組成(＝０.４)よりも低いＡl組成である局所低Ａl組成ＡlＧaＮを用いても差し支えない。その理由は、Ａl組成の低いＡlＧaＮ層の横方向成長速度が大きいため、平坦性に優れているからである。
【００４２】
ここで、上記ＡlＧaＮ組成傾斜バッファ層７における層間に形成されるＶ字状の欠陥を埋める物質としては、上記ＡlＮ(ＡlＮ層４),ＧaＮおよび上記局所低Ａl組成ＡlＧaＮのうちから選択された複数の物質を組み合わせて用いても差し支えない。例えば、上記ＡlＧaＮ組成傾斜バッファ層７における異なる複数の層間に、上記ＡlＮ(ＡlＮ層４),ＧaＮおよび上記局所低Ａl組成ＡlＧaＮのうちから選択された異なる物質を用いてもよい。
【００４３】
ここで、平坦なＧaＮ層の成長は比較的容易であるが、平坦なＡlＮ層を得るためには、Ｖ/III比を５００以下に設定する必要がある。
【００４４】
・第２実施の形態
本実施の形態は、基板上に形成された上記下地層としての初期成長層と、この初期成長層上に形成されると共にＡl組成が段階的に減少する組成傾斜層とを含み、上記組成傾斜層における複数の層間の少なくとも何れか一つの層間に平坦性に優れた上記局所低Ａl組成ＡlＧaＮ,ＧaＮおよびＡlＮのうちの何れかを有している窒化物半導体エピタキシャルウェハにおいて、上記組成傾斜層上に、ＡlｘＧa１−ｘＮ(０≦ｘ≦０.５)の組成からなる低Ａl組成層と、ＡlｙＧa１−ｙＮ(０.５＜ｙ≦１.０)の組成からなる高Ａl組成層とを交互に積層してなる超格子層を形成している。そして、上記超格子層の上に、さらに窒化物半導体が形成されている窒化物半導体エピタキシャルウェハに関する。
【００４５】
図５は、本実施の形態の窒化物半導体エピタキシャルウェハにおける断面図である。
【００４６】
図５において、基板としては、上記ＣＺ法によって成長された抵抗率が０.０２Ω・ｃｍのＢ（ボロン）ドープＳi基板１１を用いる。このＳi基板１１上に、ＡlＮからなる厚さ１００ｎｍの初期成長層１２、組成傾斜バッファ層１７、ＡlＧaＮ/ＡlＮからなる超格子層１８、ＧaＮからなる厚さ１μｍのチャネル層１９、ＡlＮからなる中間層(特性改善層)２０、ＡlＧaＮからなる障壁層２１、ＧaＮからなるキャップ層２２が形成されている。
【００４７】
ここで、上記組成傾斜バッファ層１７は、厚さ２００ｎｍのＡl０.７Ｇa０.３Ｎ１３と、厚さ４００ｎｍのＡl０.４Ｇa０.６Ｎ１４と、ピットを埋め込むように形成されたＧaＮ層１５と、厚さ４００ｎｍのＡl０.１Ｇa０.９Ｎ１６とで構成されている。
【００４８】
各層の成長は、一例であるが、以下のような成長方法で行われる。
【００４９】
上記Ｓi基板１１に対する酸化膜除去,クリーニングおよび表面窒化、Ｓi基板１１上へのＡlＮ初期成長層１２および組成傾斜バッファ層１７の形成は、上記第１実施の形態と同様にして行われる。
【００５０】
その場合、上記第１実施の形態においては、上記ＡlＧaＮ組成傾斜バッファ層７の第１層であるＡl０.７Ｇa０.３Ｎ３と第２層であるＡl０.４Ｇa０.６Ｎ５との間にＡlＮ層４を形成しているのに対して、本実施の形態の組成傾斜バッファ層１７においては、第２層であるＡl０.４Ｇa０.６Ｎ１４と第３層であるＡl０.１Ｇa０.９Ｎ１６との間にＧaＮ層１５を形成するようにしている。尚、ＧaＮ１５の形成に際しては、ＡlＮ層４の場合の上記ＴＭＡに換えて上記ＴＭＧを原料ガスして使用する。
【００５１】
そうした後、上記ＡlｘＧa１−ｘＮ(ｘ＝０.１)の低Ａl組成層とＡlｙＧa１−ｙＮ(ｙ＝１.０)の高Ａl組成層とを交互に積層したＡl０.１Ｇa０.９Ｎ/ＡlＮからなる多層の超格子層１８を成長する。引き続いて、１.０μmの厚さでＧaＮチャネル層１９(ＴＭＧ流量＝２２４μmol/min,ＮＨ３流量＝１２.５slm)を成長する。さらに、厚さ１nmのＡlＮ中間層(特性改善層)２０と、厚さ２０nmのＡl０.２Ｇa０.８Ｎ障壁層２１と、厚さ１nmのＧaＮキャップ層２２とからなる電子供給層を成長する。
【００５２】
以下、詳細な説明は省略するが、上述のようにしてＳi基板１１上に形成された窒化物半導体層に対して、求める電子デバイスに応じた加工を施して上記電子デバイスが形成される。
【００５３】
例えば、上記電子デバイスとして電界効果トランジスタを形成する場合には、上記ＡlＮ中間層(特性改善層)２０とＧaＮチャネル層１９との界面に形成される２次元電子ガスの層とオーミック接触を形成するソース電極(図示せず)およびドレイン電極(図示せず)が形成され、上記ソース電極と上記ドレイン電極との間にゲート電極(図示せず)が形成される。
【００５４】
図６は、上記ＧaＮチャネル層１９のＸ線回折における(０００４)面の半値全幅のＧaＮ１５依存性を示す図である。ここで、(０００４)面は、螺旋転位と相関があることから、オープンコアの螺旋転位の減少を反映すると考えられるために指標としている。
【００５５】
図６によれば、上記組成傾斜バッファ層１７中にＧaＮ１５を形成した方が、ＧaＮ１５を形成しない場合よりも強度が大きく、且つピーク値での半値全幅が狭く、結晶性に優れていることが分かる。
【００５６】
また、図７は、上記組成傾斜バッファ層１７にＧaＮ層１５を含む場合と含まない場合とによるリーク電流の減少効果を示す図である。
【００５７】
図７によれば、上記組成傾斜バッファ層１７にＧaＮ層１５を含まない場合には、Ｓi基板１１とＧaＮキャップ層２２上に形成される電極との間の印加電圧Ｖが２８０Ｖ以上の場合に、Ｓi基板１１と上記電極との間のリーク電流の電流密度Ｊ(Ａ/ｃｍ２)が、一般に不良品と判定される１.Ｅ−０４以上になっている。これに対し、組成傾斜バッファ層１７にＧaＮ層１５を含む場合には、上記印加電圧が２８０Ｖを超えても７８０Ｖまでは、リーク電流の電流密度Ｊが上記１.Ｅ−０４以下に低減されている。
【００５８】
また、図８は、上記組成傾斜バッファ層１７にＧaＮ層１５を含む場合と含まない場合とによる素子破壊の歩留まりの差を示す図である。尚、その際における不良品の判定は、基板１１とＧaＮキャップ層２２上に形成される電極との間の印加電圧が６００Ｖ時における基板１１と上記電極間のリーク電流の電流密度Ｊ(Ａ/ｃｍ２)が、１.Ｅ−０４を超える場合に不良品と判定している。
【００５９】
図８によれば、上記組成傾斜バッファ層１７にＧaＮ１５を含まない場合には４８％であった歩留まりが、組成傾斜バッファ層１７にＧaＮ層１５を含むことによって、９８％まで大幅に改善されている。
【００６０】
上記特許文献２のごとく高Ａl組成層からなるＡlＧaＮ層等と低Ａl組成層からなるＡlＧaＮ層等とを交互に複数層積層してなる超格子バッファ層のみが形成された構造の場合には、上記超格子バッファ層内に微小パーティクルが存在した際に、上記超格子構造では高Ａl含有ＡlＧaＮ層の横方向成長速度が小さいため、上層が形成される毎に徐々に微小パーティクルによる開口が大きくなり、上記超格子バッファ層の表面にパーティクル起因のピットが形成されることになる。このように、ここで言う「ピット」はパーティクル起因のピットであり、成長条件起因のピットである上記特許文献３に開示されたピットとは異なるものである。
【００６１】
これに対し、上記特許文献３のごとく、高Ａl組成ＡlＧaＮ層と低Ａl組成ＡlＧaＮ層とを交互に積層してなる超格子層の下部に、Ａl組成に勾配をつけたＡlＧaＮ組成傾斜層を形成した場合、図９(a)に示すように、ＡlＧaＮ組成傾斜層３１における最下層３２の表面にパーティクル起因のピット３３が形成された際に、Ａl組成の少ない上方の層での横方向成長によってパーティクル起因のピット３３が徐々に埋まっていくが十分ではない。結果的に、ＡlＧaＮ組成傾斜層３１の最上層３４の表面にパーティクル起因のピット３５が残ってしまう。
【００６２】
すなわち、上記パーティクル起因のピットを消滅させるためには、成長条件起因のピットの改善法である上記特許文献３では不十分なのである。
【００６３】
そして、その場合には、上述したように、上記超格子層３６では、高Ａl組成ＡlＧaＮ層の横方向成長速度が小さいため、ＡlＧaＮ組成傾斜層３１から引き継がれた微小パーティクルによる開口が上層が形成される毎に徐々に大きくなり、上記超格子層３６の表面にパーティクル起因の大きなピットが形成されてしまうのである。
【００６４】
そこで、本実施の形態においては、図９(b)に示すように、ＡlＧaＮ組成傾斜層３７を構成する各層の間の何れかに、Ａl組成が「０」であるために横方向成長が最も著しいＧaＮ層３８を形成して、パーティクル起因のピット４０が超格子層３９に達する前にピット４０を埋めるようにしている。こうすることによって、パーティクル起因のピットが超格子層３９に発生することを防止して、超格子層３９の耐圧を維持することが可能となるのである。
【００６５】
その場合、上記超格子層３９の形成後にＧaＮ層を形成してパーティクル起因のピットを埋めても意味がない。何故ならば、形成されている超格子層３９およびその下層に既にピットが存在する場合には、そのピットが存在する領域の耐圧を十分確保できないためである。したがって、上記ＧaＮ層によってパーティクル起因のピットを埋める位置としては、超格子層３９よりも下部である必要がある。
【００６６】
また、図５および図９(b)においては、上記ＡlＧaＮ組成傾斜層１７,３７を構成する各層の間の何れかに、ＧaＮ層１５,３８を層状に形成してパーティクル起因のピットを埋めている。その場合、ＧaＮ層１５,３８を形成するのは単にパーティクル起因のピットを埋めるためであるので、層状に形成する必要はない。理想的には、図１０に示すように、パーティクル起因のピット４１内のみをＧaＮ４２で埋めることが、より好ましい。
【００６７】
尚、上記第２実施の形態においては、上記ＡlＧaＮ組成傾斜バッファ層１７における第２層と第３層の間にＧaＮ１５を形成している。しかしながら、ＧaＮ１５を形成する箇所はＡlＧaＮ組成傾斜バッファ層１７の第２層と第３層との間に限定されるものではなく、第１層と第２層との間に形成しても差し支えない。要は、ＡlＧaＮ組成傾斜バッファ層１７における複数の層間の少なくとも何れか一つの層間であればよいのである。
【００６８】
また、上記第２実施の形態においては、上記ＡlＧaＮ組成傾斜バッファ層１７の第２層と第３層との間に形成されたパーティクル起因のピットを埋める物質として、ＧaＮ(ＧaＮ層１５)を用いている。しかしながら、上記パーティクル起因のピットを埋める物質は上記ＧaＮに限定されるものではなく、ＡlＮを用いることも可能である。また、ＡlＧaＮ組成傾斜バッファ層１７において、直下に位置する上記第２層のＡl組成および直上に位置する上記第３層のＡl組成よりも低いＡl組成である上記局所低Ａl組成ＡlＧaＮを用いても差し支えない。
【００６９】
ここで、上記ＡlＧaＮ組成傾斜バッファ層１７の第２層と第３層との境界に形成されるパーティクル起因のピットを埋める物質としては、上記ＧaＮ(ＧaＮ層１５),ＡlＮおよび上記局所低Ａl組成ＡlＧaＮのうちから選択された複数の物質を組み合わせて用いても差し支えない。例えば、ＡlＧaＮ組成傾斜バッファ層１７における異なる複数の層間に、上記ＧaＮ(ＧaＮ層１５),ＡlＮおよび上記局所低Ａl組成ＡlＧaＮのうちから選択された異なる物質を用いてもよい。
【００７０】
また、上記第２実施の形態においては、上記多層の超格子層１８を、低Ａl組成層としてのＡl０.１Ｇa０.９Ｎと高Ａl組成層としてのＡlＮとを交互に積層して構成している。しかしながら、Ａl０.１Ｇa０.９Ｎ/ＡlＮに限定されるものではなく、ＡlｘＧa１−ｘＮ(０≦ｘ≦０.５)から選択された低Ａl組成層と、ＡlｙＧa１−ｙＮ(０.５＜ｙ≦１.０)から選択されたる高Ａl組成層とを交互に積層された多層構造であれば差し支えない。
【００７１】
また、上記第１実施の形態では、上記ＡlＧaＮ組成傾斜バッファ層７における層間に上記ＡlＮ,ＧaＮおよび局所低Ａl組成ＡlＧaＮを形成する効果として、Ｖ字状の欠陥が埋められて上記オープンコアの螺旋転位が消失することを述べている。また、上記第２実施の形態では、上記効果として、上記パーティクル起因のピットが埋められることを述べている。しかしながら、上記第１実施の形態でも上記パーティクル起因のピットを埋めることができ、上記第２実施の形態でも上記オープンコアの螺旋転位を消失できるという効果を奏することは言うまでも無い。
【００７２】
以上のごとく、この発明の窒化物半導体エピタキシャルウェハは、
Ｓi基板１,１１と、
上記Ｓi基板１,１１上に形成されたＡlＮからなる下地層２,１２と、
上記下地層２,１２上に形成されると共に、Ａl組成が上記Ｓi基板１,１１側を下方として上方に向かって段階的に減少するＡlｘＧa１−ｘＮ(０＜ｘ＜１)の組成でなる複数の層が積層されたＡl組成傾斜層７,１７と、
上記Ａl組成傾斜層７,１７の上に形成された窒化物半導体８,９,１９〜２２と
を備え、
上記Ａl組成傾斜層７,１７における複数の層間の少なくとも何れか一つの層間には、局所低Ａl組成ＡlＧaＮ,ＧaＮおよびＡlＮのうちの何れかが形成されており、
上記局所低Ａl組成ＡlＧaＮは、Ａl組成が、上記Ａl組成傾斜層７,１７における当該局所低Ａl組成ＡlＧaＮの直下および直上に位置する両ＡlＧaＮ層のＡl組成よりも低いＡlＧaＮである
ことを特徴としている。
【００７３】
上記構成によれば、上記下地層２,１２上に、Ａl組成が段階的に減少するＡlｘＧa１−ｘＮ(０＜ｘ＜１)の組成でなる複数の層が積層されたＡl組成傾斜層７,１７を成長させる場合に、上記Ａl組成傾斜層７,１７における複数の層間の少なくとも何れか一つの層間に、平坦性に優れた上記局所低Ａl組成ＡlＧaＮ,ＧaＮおよびＡlＮのうちの何れかを形成している。
【００７４】
したがって、上記下地層２,１２から伸びてくるオープンコアの螺旋転位を核として上記Ａl組成傾斜層７,１７におけるＡlＧaＮ層の表面に形成されたＶ字状の欠陥、および、パーティクル起因のピットを、上記層間に形成された平坦性に優れた上記局所低Ａl組成ＡlＧaＮ,ＧaＮおよびＡlＮのうちの何れかによって埋めることができ、それによって上記オープンコアの螺旋転位およびパーティクル起因のピットを消失させることができる。
【００７５】
すなわち、この発明によれば、電気的に活性であるためリークパスとして働くと考えられる上記オープンコアの螺旋転位を消失させることによって、結晶性に優れ、且つリーク電流を低減できる窒化物半導体エピタキシャルウェハを提供することができる。さらに、下地層２,１２上に、Ａl組成が上方に向かって段階的に減少するＡl組成傾斜層７,１７が形成されているので、Ｓi基板１,１１と窒化物半導体８,９,１９〜２２との熱膨張係数の違いによる反りを抑制することができるのである。
【００７６】
また、一実施の形態の窒化物半導体エピタキシャルウェハでは、
上記Ａl組成傾斜層１７上に形成されると共に、ＡlａＧa１−ａＮ(０≦ａ≦０.５)の組成でなる低Ａl組成層とＡlｂＧa１−ｂＮ(０.５＜ｂ≦１.０)の組成でなる高Ａl組成層とが交互に積層されてなる超格子層１８を備え、
上記Ａl組成傾斜層１７の上に形成される上記窒化物半導体１９〜２２は、上記超格子層１８上に形成されることによって、上記超格子層１８を介して上記Ａl組成傾斜層１７の上に形成されている。
【００７７】
この実施の形態によれば、上記Ａl組成傾斜層１７における複数の層間の少なくとも何れか一つの層間に、平坦性に優れた上記局所低Ａl組成ＡlＧaＮ,ＧaＮおよびＡlＮのうちの何れかを形成している。したがって、上記Ａl組成傾斜層１７における最下層の表面にパーティクル起因のピットが形成された場合に、上記Ａl組成傾斜層１７の層間に形成された平坦性に優れた上記局所低Ａl組成ＡlＧaＮ,ＧaＮおよびＡlＮのうちの何れかによって、上記パーティクル起因のピットを上記超格子層１８に達する前に埋めることが可能になる。
【００７８】
こうすることによって、上記パーティクル起因のピットが上記超格子層１８に発生することを防止して、上記反りの抑制、結晶性の向上、リーク電流の低減に加えて、上記超格子層１８の耐圧を維持することができるのである。
【００７９】
さらに、上記Ａl組成傾斜層１７に加えて、その上に低Ａl組成層と高Ａl組成層とが交互に積層されてなる超格子層１８を備えている。したがって、Ｓi基板１１と窒化物半導体１９〜２２との熱膨張係数の違いによる反りを、さらに抑制することが可能になるのである。
【００８０】
また、一実施の形態の窒化物半導体エピタキシャルウェハでは、
上記Ａl組成傾斜層７,１７における上記層間に形成される上記局所低Ａl組成ＡlＧaＮ,ＧaＮおよびＡlＮのうちの何れかは、少なくとも、上記Ａl組成傾斜層７,１７を構成するＡlＧaＮ層の表面に、オープンコアの螺旋転位を核として形成されたＶ字状の欠陥、および、パーティクルを起因として形成されたピットを、埋めるように形成されている。
【００８１】
この実施の形態によれば、上記Ａl組成傾斜層７,１７を構成するＡlＧaＮ層の表面に形成されたオープンコアの螺旋転位を核とするＶ字状の欠陥、および、パーティクル起因のピットを、上記局所低Ａl組成ＡlＧaＮ,ＧaＮおよびＡlＮのうちの何れで埋めることができる。したがって、上記オープンコアの螺旋転位を消失させ、上記パーティクル起因のピットを消滅させることができる。
【００８２】
また、この発明の電界効果トランジスタは、
上記この発明のエピタキシャルウェハを用いて形成されたことを特徴としている。
【００８３】
上記構成によれば、上記反りの抑制、結晶性の向上、リーク電流の低減、超格子層の耐圧維持を図ることができるエピタキシャルウェハを用いて形成されている。したがって、高性能で、高耐圧で、消費電流の少ないの電界効果トランジスタを得ることができる。
【符号の説明】
【００８４】
１,１１…Ｓi基板、
２,１２…ＡlＮ初期成長層、
３,１３…Ａl０.７Ｇa０.３Ｎ、
４…ＡlＮ層、
５,１４…Ａl０.４Ｇa０.６Ｎ、
６,１６…Ａl０.１Ｇa０.９Ｎ、
７,１７…組成傾斜バッファ層、
８,１９…ＧaＮチャネル層、
９,２１…ＡlＧaＮ障壁層、
１５,３８…ＧaＮ層、
１８…ＡlＮ/ＡlＧaＮ超格子層、
２０…ＡlＮ中間層(特性改善層)、
２２…ＧaＮキャップ層、
３１,３７…ＡlＧaＮ組成傾斜層、
３３,３５,４０,４１…パーティクル起因のピット、
３６,３９…超格子層。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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